(57)【要約】一般式（１）2011030835.tif 000025（式中、Ｒは、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基、フェニル基又は水酸基を示し、Ｒ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基又はフェニル基を示し、Ｒ２は、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシル基を示し、Ｒ３は水素原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基を示し、ａは０又は１〜３の整数を表し、ｂは１又は２の整数を表し、ｃ及びｄは０又は１〜４の整数を表し、但し、ｂとｃの和は５以下であり、ａが２以上の場合Ｒは同一でも異なっていてもよく、ｃが２以上の場合Ｒ１は同一でも異なっていてもよく、ｄが２以上の場合Ｒ２は同一でも異なっていてもよい。）で表されるトリスフェノール化合物。
2011030835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
2011030835.tif 000023
（式中、Ｒは、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基、フェニル基又は水酸基を示し、Ｒ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基又はフェニル基を示し、Ｒ２は、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシル基を示し、Ｒ３は水素原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基を示し、ａは０又は１〜３の整数を表し、ｂは１又は２の整数を表し、ｃ及びｄは０又は１〜４の整数を表し、但し、ｂとｃの和は５以下であり、ａが２以上の場合Ｒは同一でも異なっていてもよく、ｃが２以上の場合Ｒ１は同一でも異なっていてもよく、ｄが２以上の場合Ｒ２は同一でも異なっていてもよい。）で表されるトリスフェノール化合物。
【請求項２】
一般式（３）
2011030835.tif 000024
（式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基、フェニル基又は水酸基を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｃ及びｄは一般式（１）のそれと同じである。）で表される請求項１記載のトリスフェノール化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なポリフェノール化合物に関し、詳しくは、分子中心のフェニルアルキリデン基のフェニル核にヒドロキシフェニル基が単結合で直接結合した新規なトリスフェノール化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
トリスフェノール化合物は、従来、感光性レジストの原料、電気絶縁材料等に用いられるエポキシ樹脂の原料、芳香族ポリカーボネートの分岐剤、感熱記録材料に用いられる顕色剤原料や退色防止剤原料、更には殺菌剤、殺菌防黴剤の原料等としても広く用いられている。
このようなトリスフェノール化合物として、例えば、１−［α−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［α’，α’−ビス（４’’−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン（以下、ＴｒｉｓＰ−ＰＡとも略称する）（特許文献１）、２，２’−［（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール］等のフェノール核がアルコキシ基を有するトリスフェノール化合物（特許文献２）、４，４’−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３，６−トリメチルフェノール］等の２つのフェニル核に３つのメチル基を有するトリスフェノール化合物（特許文献３）等各種の構造を有するトリスフェノール化合物が知られている。
しかしながら、近年、感光性レジストの原料、特に、ポジ型レジストの原料において、感度、解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性等の諸特性は必ずしも満足な結果は得られておらず、新しい構造のトリスフェノール類による性能の向上が強く望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６２−０８４０３５号公報
【特許文献２】特開平１０−２１８８１５号公報
【特許文献３】特開平０９−１５１１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、トリスフェノールにおける上述した事情を背景としてなされたものであって、感光性レジスト等に用いられる有機溶剤に対する溶解性に優れ、感光性レジスト原料等として用いた場合、耐熱性の向上が期待できるトリスフェノール化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、前記課題を解決するため鋭意検討した結果、ＴｒｉｓＰ−ＰＡのような従来構造のトリスフェノールにおいて、分子中心のフェニル核と分子末端のヒドロキシフェニル核の結合基を２，２−プロピリデン基に替えて単結合とした構造とし、そのような構造のトリスフェノールを創出すると、意外にも有機溶剤に対する溶解性又は／及び耐熱性（ガラス転位温度）が大きく向上することを見出し本発明を完成した。【０００６】
即ち、本発明によると、一般式（１）
2011030835.tif 000003
（式中、Ｒは、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基、フェニル基又は水酸基を示し、Ｒ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基又はフェニル基を示し、Ｒ２は、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシル基を示し、Ｒ３は水素原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基を示し、ａは０又は１〜３の整数を表し、ｂは１又は２の整数を表し、ｃ及びｄは０又は１〜４の整数を表し、但し、ｂとｃの和は５以下であり、ａが２以上の場合Ｒは同一でも異なっていてもよく、ｃが２以上の場合Ｒ１は同一でも異なっていてもよく、ｄが２以上の場合Ｒ２は同一でも異なっていてもよい。）で表されるトリスフェノール化合物が提供される。【０００７】
また、前記一般式（１）において置換基(Ｒ)ａがＲ４、Ｒ５、Ｒ６で示される場合の一般式（２）        
2011030835.tif 000004
（式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ同一でも異なっていてもよく水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基、フェニル基又は水酸基を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｂ、ｃ及びｄは一般式（１）のそれと同じである。）で表されるトリスフェノール化合物は本発明の好ましい態様である。【０００８】
また、前記一般式（１）において、置換基(Ｒ)ａがＲ４、Ｒ５、Ｒ６で示され、ｂが１である場合の一般式（３）
2011030835.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、ｃ及びｄは一般式（２）のそれと同じである。）で表されるトリスフェノール化合物は本発明のより好ましい態様である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のトリスフェノール化合物は、２つのヒドロキシフェニル基が、他のヒドロキシフェニル基で置換されたフェニルアルキリデン基を介して結合してなる化合物である。そして、このようなトリスフェノール化合物は、耐熱性（高いガラス転位温度）又は／及びフォトレジスト分野に用いられる溶剤への溶解性に優れており、置換基の構造を変えることにより、従来公知の１−［α−メチル−α−（４−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［α,α−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン等のトリスフェノール類に比べて、耐熱性の程度と溶解性の程度の多様な要望に容易に対応することができる。【００１０】
また、感光性レジスト組成物に用いた場合には、本発明のトリスフェノール化合物又はこれを原料とする誘導体を多く使用しても溶剤から析出しにくくなり、また、レジスト自体の耐熱性が向上するので、解像度の向上、感度又はレジスト溶液の保存安定性について優れた効果が期待できる。従って、ポジ型レジストの感光剤原料のキノンジアジドスルホン酸エステル化合物として、又はそのままレジスト添加剤として好適に用いることができる。また、芳香族ポリカーボネート樹脂等合成樹脂の分岐剤、電気絶縁材料等に用いられるエポキシ樹脂の原料等にも好適に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の下記一般式（１）
2011030835.tif 000006
で表されるトリスフェノール化合物において、式中、Ｒは、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基、フェニル基又は水酸基を示し、ａは０又は１〜３の整数を表し、ａが２以上の場合、Ｒは同一でも異なっていてもよい。ここで炭素原子数１〜８のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基であり、Ｒが炭素原子数１〜８のアルキル基の場合、そのアルキル基は１〜２のフェニル基やアルコキシル基が置換してもよく、また、無置換でもよい。但し、アルキル基の１−位にはアルコキシル基が置換しない方が好ましい。好ましくは、炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、又は炭素原子数５〜８のシクロアルキル基である。
【００１２】
炭素原子数１〜８のアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基また、置換アルキル基としてベンジル基等が挙げられる。
また炭素原子数１〜８のアルコキシル基としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルコキシル基であり、これらのアルコキシル基には１乃至２のフェニル基が置換していてもよく、また、無置換でもよい。好ましくは、炭素原子数１〜４の鎖状又は分岐鎖状のアルコキシル基、又は炭素原子数５〜８のシクロアルコキシル基である。炭素原子数１〜８のアルコキシル基として具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基等が挙げられる。
【００１３】
フェニル基の場合、フェニル基には１〜３個の炭素原子数１〜８のアルキル基及び/又は炭素原子数１〜８のアルコキシル基が置換していても良い。具体的には、例えば、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−メトキシフェニル基等が挙げられる。このような置換基の数は０又は１が好ましい。
好ましいａ（Ｒの置換数）は０、１又は２である。ａが１又は２の場合、Ｒの置換位置は水酸基のｏ−位が好ましい。
また、ａが１以上であり、Ｒの内、少なくとも一つのＲが水酸基又はフェニル基である場合、水酸基又はフェニル基の置換数としては１又は２が好ましく、１がより好ましい。また、ａが１以上であり、Ｒの内、少なくとも一つが水酸基であって、水酸基置換数が１の場合、その置換位置は、４−ヒドロキシフェニル基の３−位が好ましく、水酸基置換数が２の場合、２−位及び３−位が好ましい。水酸基の置換位置が２−位の場合、Ｒ３は水素原子であることが好ましい。また、ａが１以上であり、Ｒの内、少なくとも一つがフェニル基であって、フェニル基置換数が１の場合、その置換位置は、４−ヒドロキシフェニル基の３−位又は５−位が好ましく、フェニル基置換数が２の場合、その置換位置は、３−位及び５−位が好ましい。    
【００１４】
また、一般式（１）で表されるトリスフェノール化合物において、式中、Ｒ３は水素原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基を示し、炭素原子数１〜８のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、好ましくは、炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。また、アルキル基としては１級又は２級のアルキル基が好ましい。炭素原子数１〜８のアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。
また、式中、Ｒ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基又はフェニル基を示し、ｃは０又は１〜４の整数を表し、ｃが２以上の場合、Ｒ１は同一でも異なっていてもよい。ここでＲ１が炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基又はフェニル基である場合、アルキル基、アルコキシル基又はフェニル基としては、各々前記したＲの炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基、フェニル基と同じであり、アルキル基としては、メチル基等の炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数５〜８のシクロアルキル基が好ましく、アルコキシル基としては、メトキシ基等の炭素原子数１〜４のアルコキシル基、炭素原子数５〜８のシクロアルコキシル基が好ましい。置換基数ｃは０又は１〜３が好ましく、０又は１が更に好ましい。
【００１５】
また、式中、Ｒ２は、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシル基を示し、ｄは０又は１〜４の整数を表し、ｄが２以上の場合、Ｒ２は同一でも異なっていてもよい。ここで、Ｒ２が炭素原子数１〜８のアルキル基である場合、アルキル基としては、前記したＲ３の炭素原子数１〜８のアルキル基と同じであり、メチル基等の炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましい。炭素原子数１〜８のアルコキシル基である場合、アルコキシル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシル基である。好ましくは、炭素原子数１〜４の鎖状又は分岐鎖状のアルコキシル基であり、具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
置換基数ｄは０又は１〜３が好ましく、０又は１が更に好ましい。
【００１６】
従って、一般式（１）で表されるトリスフェノール化合物において、好ましいトリスフェノール化合物としては、置換基(Ｒ)ａがＲ４、Ｒ５、Ｒ６で示される場合の下記一般式（２）で表され、
2011030835.tif 000007
式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ同一でも違っていてもよく、各々独立して、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシル基、フェニル基又は水酸基を示す。また、Ｒ３がアルキル基の場合、Ｒ６は水素原子であることが好ましく、Ｒ６が水素原子でない場合、Ｒ３が水素原子であることが好ましい。Ｒ６が水素原子でない場合においてＲ６はアルキル基が好ましく、特にメチル基が好ましい。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の少なくとも一つが水酸基である場合、好ましい水酸基の置換数又は置換位置は、前記した一般式（１）のＲが水酸基である場合の置換数又は置換位置と同じである。従って、Ｒ４とＲ５は同時に水酸基ではないことが好ましく、水酸基の置換数が１の場合、Ｒ４又はＲ５が水酸基であることが好ましく、水酸基の置換数が２の場合、Ｒ３が水素原子でＲ５及びＲ６が水酸基であることが好ましい。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の少なくとも一つがフェニル基である場合、フェニル基としては前記した一般式（１）のＲがフェニル基である場合と同じであり、好ましいフェニル基の置換数又は置換位置も同じである。従って、フェニル基の置換数が１の場合、Ｒ４又はＲ５がフェニル基であることが好ましく、フェニル基の置換数が２の場合、Ｒ４及びＲ５がフェニル基であることが好ましい。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６がアルキル基又は／及びアルコキシル基である場合も、アルキル基、アルコキシル基としては、前記した一般式（１）のＲがアルキル基、アルコキシル基である場合と同じであり、炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基又はアルコキシル基、炭素原子数５〜８のシクロアルキル基又はシクロアルコキシル基が好ましい。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の組み合わせとしては、すべて水素原子であるか、若しくは、Ｒ４又は／及びＲ５が水素原子以外の基でその他の基が水素原子であることが好ましく、水素原子以外の基としてはアルキル基が好ましい。Ｒ４及びＲ５が両方アルキル基の場合、少なくとも一方又は両方が１級アルキル基又は２級アルキル基であることが好ましい。Ｒ４とＲ４が同一であって、Ｒ５とＲ５が同一であって、Ｒ６とＲ６が同一であることがより好ましい。
また、式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｂ、ｃ及びｄは各々一般式（１）のそれと同じであり、ｂは１が好ましい。
また、一般式（１）及び一般式（２）においてＲ１が置換してもよいヒドロキシフェニル基の置換位置は、Ｒ３が置換したビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル基に対してｐ−位又はｍ−位が好ましく、ｐ−位が更に好ましい。
一般式（１）及び一般式（２）においてＲ１が置換してもよいヒドロキシフェニル基の水酸基の置換位置は、分子中央のフェニレン基の置換位置に対してｐ−位及び／又はｍ−位が好ましく、置換数（ｂ）が１の場合、ｐ−位が特に好ましい。
【００１７】
より好ましいトリスフェノール化合物は、一般式（１）において、置換基(Ｒ)ａがＲ４、Ｒ５、Ｒ６で示され、ｂが１である場合の下記一般式（３）で表される。
2011030835.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、ｃ及びｄは一般式（２）のそれと同じである。）
【００１８】
かかるトリスフェノール化合物としては、具体的には、例えば、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
2011030835.tif 000009
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、
2011030835.tif 000010
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）エタン、
2011030835.tif 000011
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）プロパン、
１−［４−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−２,３,５−トリメチルフェニル）メタン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−２,５−ジメチルフェニル）メタン、
１−［３−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
１−［３−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−１−（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）フェニル］−１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、
１−［４−（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）フェニル］−１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）エタン、等が挙げられる。
【００１９】
本発明による前記一般式（１）で表されるトリスフェノール化合物は、その製造方法については特に制限はなく、特開平１０−１７５１０号、特開平９−１７６０６８号等の公知の製造方法に準じて、例えば、反応式（１）で表されるように、一般式（４）で示されるカルボニル化合物と一般式（５）で示されるフェノール類とを酸触媒の存在下において反応させることによって得ることができる。
反応式（１）
2011030835.tif 000012
一般式（４）で示されるカルボニル化合物において、式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｂ、ｃ及びｄは一般式（１）のそれと同じである。
また、一般式（５）で示されるフェノール類において、式中、Ｒ及びａは一般式（１）のそれと同じである。但し、ａが１以上の場合、Ｒは水酸基のｐ−位には置換しない。
【００２０】
また、一般式（５）において、前記一般式（２）に対応する好ましいフェノール類としては、下記一般式（６）で表される。
2011030835.tif 000013
（式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は一般式（２）のそれと同じである。）
【００２１】
本発明によるトリスフェノール化合物の製造において、上記一般式（４)で表わされるカルボニル化合物としては、具体的には、例えば、４−アセチル−４’−ヒドロキシビフェニル、４−プロピオニル−４'−ヒドロキシビフェニル、４−ホルミル−３’−フェニル−４'−ヒドロキシビフェニル、４−アセチル−３’−エチル−４’−ヒドロキシビフェニル、３−アセチル−４’−ヒドロキシビフェニル、４−ホルミル−４’−ヒドロキシビフェニル、３−ホルミル−４’−ヒドロキシビフェニル等が挙げられる。
また、一般式（５）又は一般式（６）で表されるフェノール類としては、具体的には、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、２−イソプロピルフェノール、２−シクロヘキシルフェノール、２−メトキシフェノール、２−フェニルフェノール、２，５−キシレノール、２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノール、カテコール、３−メチルカテコール、４−メチルカテコール、レゾルシン等が挙げられる。
このようなフェノール類は単独で用いても、また、２種以上同時に用いてもよい。ビス（ヒドロキシフェニル）アルキル基においてＲ、Ｒの置換位置又は／及びａ（Ｒ置換数）がふたつのヒドロキシフェニル基でそれぞれ異なる化合物を得たい場合は２種以上のフェノール類を同時に用いればよい。
本発明による一般式（１）で表されるトリスフェノール化合物を製造する方法について、更に詳しく説明する。
【００２２】
一般式（１）で表されるトリスフェノール化合物を得るには、目的のトリスフェノール化合物の構造に対応する上記一般式（４）で表されるカルボニル化合物と一般式（５）で表されるフェノール類を原料として用いればよい。
反応に際し、一般式（５）で表されるフェノール類は、一般式（４）で表されるカルボニル化合物に対して、通常２モル倍以上、好ましくは３〜２０モル倍の範囲、より好ましくは、４〜１２モル倍の範囲で用いられる。
また、上記酸触媒としては、塩化水素ガス、塩酸、硫酸、リン酸、無水硫酸等の無機酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、シュウ酸、ギ酸、トリクロロ酢酸等の有機酸、酸性イオン交換樹脂等の固体酸等を好ましい具体例として挙げることができる。特に好ましいのは塩化水素ガス又は塩酸である。
【００２３】
このような酸触媒の添加量は、触媒により適量は異なるので一概に言えないが、例えば、３５％塩酸の場合は、原料フェノール類１００重量部に対して、通常、１〜２０重量部の範囲で用いられる。また、塩化水素ガスの場合は、先ず、上記原料フェノール類又はフェノール類と溶媒からなる溶液若しくはスラリー液中に塩化水素ガスを飽和させた後、塩酸ガス気流下で反応を行うのが好ましい。
反応を促進するため必要に応じ、助触媒を用いてもよい。特に、一般式（４）で表される原料カルボニル化合物において、Ｒ３がアルキル基であるカルボニル化合物の場合は、通常、収率が向上するので用いるのが好ましい。助触媒としては、例えば、メチルメルカプタン、エチルメルカプタン、オクチルメルカプタン、ドデシルメルカプタン等のメルカプタン類、メルカプト酢酸等が挙げられる。メチルメルカプタンを用いる場合はナトリウム塩水溶液として用いてもよい。助触媒の量（１５％のメチルメルカプタンナトリウム塩水溶液とした場合）としては、通常、一般式（４）のカルボニル化合物に対して１〜５０重量％の範囲、好ましくは１０〜４０重量％の範囲である。
【００２４】
反応に際し、溶媒は、原料フェノール類が、反応温度において液状であれば他に溶媒を用いなくてもよいが、反応温度において原料フェノール類が固体状である場合や、原料カルボニル化合物を溶液状又はスラリー状として扱うために必要であれば、用いるのが好ましい。用いる溶媒としては、反応に不活性であれば特に制限はないが、例えば、メタノール、エタノール等の低級脂肪族アルコール類、トルエン、キシレン、ヘキサン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジオキソラン等のエーテル類、また、カテコールのようにフェノール類が水に溶解しやすい場合は水等が挙げられる。好ましくはメタノール、エタノール等の低級脂肪族アルコール類である。このような溶媒は１種類でも、また、２種以上混合して用いてもよい。
用いる溶媒の量としては、特に制限はないが、通常、原料カルボニル化合物１重量部に対して０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜５重量部の範囲、更に好ましくは０．８〜２重量部の範囲であるが、これに限定されるものではない。
【００２５】
反応は、通常、０℃〜９０℃の範囲、好ましくは１０〜７０℃の範囲、更に好ましくは２０℃〜５０℃の範囲である。反応は、窒素気流下に攪拌しながら、通常、１〜７２時間程度、好ましくは３〜１２時間程度行なえばよい。
反応終了後、例えば、得られた反応液にアンモニア水、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリを加えて、酸触媒を中和した後、これに芳香族炭化水素等の水と分離する溶媒を加えた後、水層を分離して油層を得、これを冷却して晶析するか、又は、沈殿させた後、濾過することにより結晶や固体を得ることができる。上記油層から蒸留で溶媒と未反応フェノール類を除去した後、残液を溶媒に溶解させて晶析してもよい。また、上記酸触媒中和後の溶液に、溶媒を加えてそのまま晶析、冷却してもよく、上記水層を分離して得られた油層を更に水洗した後、冷却して晶析するか、又は、沈殿させた後、濾過してもよい。更に高純度のものが必要であれば、上記で得られた結晶又は固体を再結晶又は再沈殿等の公知の方法により精製すればよい。このようにして、目的とするトリスフェノール化合物の高純度品を容易に得ることができる。
【００２６】
また、一般式（４）で表される原料カルボニル化合物は、その製造方法について特に制限はなく、特開昭６３−１３０５６５等の公知の製造方法に準じて、例えば、一般式（４）で表される原料カルボニル化合物において、ビフェニルの４−位及び４’−位にそれぞれ一つのヒドロキシル基とアシル基が置換した原料カルボニル化合物の場合は、下記反応式（２）で示されるように、一般式（７）で表される４−フェニルフェノール類を原料とし、これを一般式（８）及び一般式（９）で示されるようにアシル化した後、加水分解又は／及び加アルコール分解することにより製造することができる。
反応式（２）
2011030835.tif 000014
（式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｃ及びｄは一般式（１）のそれと同じであり、Ｒ３’は一般式（１）のＲ３と同じである。）
【００２７】
このような反応式（２）で示される方法をより詳しく述べると、一般式（７）で表される４−フェニルフェノール、２−メチル−４−フェニルフェノール、４−（３−メチルフェニル）フェノール、４−（３−イソプロピルフェニル）フェノール、４−（２−メチルフェニル）フェノール、４−（２,６−ジメチルフェニル）フェノール、４−（２−メチルフェニル）−２−メチルフェノール、４−（２−メチルフェニル）−３−メチルフェノール、４−フェニル−２,３,６−トリメチルフェノール、２−メトキシ−４−フェニルフェノール等の４−ヒドロキシビフェニル類を、ピリジン等の塩基の存在下で塩化アセチルのような一般式（１０）で示されるハロゲン化アシルと反応させるか、又は無水酢酸のような一般式（１１）で示される酸無水物を過剰に用いてアシル化反応させて、前記一般式（８）で表される４−アシルオキシビフェニル類を合成し、
2011030835.tif 000015
（式中、Ｒ３は一般式（１）のそれと同じであり、Ｘはハロゲン原子を表す。）
次いで、得られた４−アシルオキシビフェニル類を、更に、一般式（１０）のハロゲン化アシル又は一般式（１１）の酸無水物と塩化アルミニウムのようなルイス酸を混合させて得られた錯体と反応させることによって、一般式（９）で表されるような４−アシル−４'−アシルオキシビフェニル化合物を得、これをアルカリで加水分解又は／及び加アルコール分解することにより、一般式（４ａ）で表される原料カルボニル化合物を容易に純度よく製造することができる。
【００２８】
また、別の製造法として、例えば、下記反応式（３）で表されるように、一般式（１２）で示されるアシルフェニルボロン酸類と一般式（１３）で示されるハロゲン化フェノール類とをテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及び炭酸ナトリウムの存在下に反応させることにより一般式（４）で表される原料カルボニル化合物を容易に純度よく製造することができる。
反応式（３）
2011030835.tif 000016
（式中、Ｒ１、Ｒ２，Ｒ３、ｂ、ｃ及びｄは一般式（１）のそれと同じであり、Ｘはハロゲン原子を表す。）    
【００２９】
（実施例）
（１）ガラス転移温度の測定方法
示差走査熱量計において各化合物の結晶の融点より２０℃高い温度まで昇温して、融解させた後、冷却し、更に、その後、加熱して、ガラス転移点を測定した。この際の測定条件は、測定開始温度４０℃、測定終了温度融点＋２０℃、加熱速度１０．０℃／分とした。
（２）溶剤に対する溶解度の測定方法
溶解度は、容器にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１０ｇを入れ、２８℃を保ちながらトリスフェノール化合物を１ｇ添加し１０分攪拌し、完全に溶解したかどうかを確認した。完全に溶解していれば、同様に１ｇ添加して、溶解させる操作を溶解しなくなるまで、繰り返した。完全に溶解している時点でのもっとも多く溶解したｇ数より溶解度（溶媒１００ｇ中のｇ数）を算出した。
【００３０】
参考例１
（原料カルボニル化合物の４−アセチル−４’−ヒドロキシビフェニルの合成）
（４−アセトキシビフェニルの合成）
還流冷却器を備えた３Ｌの四つ口フラスコに、無水酢酸３７３．８ｇと４−フェニルフェノール２４８．０ｇ（１．４６モル）を仕込み、昇温して内温を１３０℃に保ちながら、攪拌下に３時間反応を行った。反応終了後、還流管を留出管に付け替え、無水酢酸及び酢酸を減圧蒸留して除去し、ｎ−ヘプタンを添加した後、冷却した。析出した結晶を濾別し、乾燥して白色結晶の４−アセトキシビフェニル２９６．８ｇを得た。原料４−フェニルフェノールに対する収率は９６％（モル）であった。
（４−アセチル−４’−ヒドロキシビフェニルの合成）
還流器及び滴下ロートを備えた３Ｌの四つ口フラスコに、塩化アルミニウム３１４ｇとクロロホルム６２８ｇを仕込み、内温を５〜１５℃に保ちながら攪拌下に無水酢酸１２０ｇを１時間かけて滴下した。更に、４〜７℃を保ちながら、攪拌下に上記得られた４−アセトキシビフェニル１００．０ｇとクロロホルム２００ｇの混合液を３時間かけて滴下した。滴下終了後、内温を４〜７℃に保ちながら攪拌下に２時間反応を行った。
反応終了後、蒸留水を添加して充分攪拌した後、水層を分離除去した。得られた油層に水を添加し攪拌して、水層を分離除去する水洗操作を数回行った。溶媒を濃縮した後、メタノールを添加して溶解させ、４５℃を保ちながら攪拌下に２８％ナトリウムメチラートメタノール溶液８４．０ｇを滴下し、更に同温度で１時間反応を続けた。反応終了後、酢酸を加えて中和した後、蒸留水を添加し、冷却した。析出した結晶を濾別し、乾燥して４−アセチル−４’−ヒドロキシビフェニル８７．６ｇを得た。４−アセトキシビフェニルに対する収率は８８％（モル）であった。
【００３１】
実施例１
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタンの合成
攪拌装置、還流冷却器及び滴下ロートを備えた５００ｍｌ四つ口フラスコに、メタノール６．８ｇ、フェノール４６．０ｇ（０．４８９モル）を仕込み、塩化水素ガスでフラスコ内を置換した後、飽和状態になるまで塩化水素ガスを吹き込んだ。その後、フラスコ内を３０〜３５℃に保ちながら、攪拌下に２１％メチルメルカプタンナトリウム塩水溶液９．０ｇを１．５時間かけて滴下した。更に、内温を３０〜３５℃に保ちながら、参考例１で得られた４−アセチル−４'−ヒドロキシビフェニル３０．０ｇ（０．１４１モル）をフェノール６０．０ｇ（０．６３７モル）とメタノール２５ｇに溶解した混合液を攪拌下に１時間かけて滴下した。滴下終了後、攪拌下に内温を３０℃に保ちながら、更に２．５時間反応を行った。
反応終了後、１６％水酸化ナトリウム水溶液で中和し、水層を分離した後、油層にトルエン９０ｇと水１００ｇを添加、攪拌して水洗し、水層を分離した。得られた油層に水を加えて水洗して、水層を分離する操作をさらに数回行った。還流冷却器を留出管に付け替え、溶媒を留去した後、フェノールを減圧蒸留で除去し、残った残渣にメチルイソブチルケトンとトルエンの混合液を添加して、晶析し、析出した結晶を濾別した。得られた結晶にメチルエチルケトンとエチルベンゼンを加えて昇温して溶解後、冷却して晶析を行った。析出した結晶を濾別し、減圧乾燥して、白色固体の１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン１８．０ｇを得た。原料４−アセチル−４'−ヒドロキシビフェニルに対する収率は３３％（モル）であった。
【００３２】
純度；９９．３％（高速液体クロマトグラフィー法）
分子量；３８２(Ｍ−Ｈ)-（液体クロマトグラフィー質量分析法）
融点；１９８℃（示差走査熱量測定（ＤＳＣ）法）
ガラス転移温度；９８℃
溶解度；４０ｇ／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００ｇ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）測定（溶媒:ＤＭＳＯ−ｄ６）
2011030835.tif 000017
【００３３】
【表１】
2011030835.tif 000018
【００３４】
実施例２
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタンの合成
攪拌装置、還流冷却器及び滴下ロートを備えた５００ｍｌ四つ口フラスコに、メタノール６．３ｇ、ｏ−クレゾール６１．０ｇ（０．５６４モル）を仕込み、塩化水素ガスでフラスコ内を置換した後、飽和状態になるまで塩化水素ガスを吹き込んだ。その後、フラスコ内を３０〜３５℃に保ちながら、攪拌下に２１％メチルメルカプタンナトリウム塩水溶液９．０ｇを１．５時間かけて滴下した。更に、内温を３０〜３５℃に保ちながら、参考例１で得られた４−アセチル−４'−ヒドロキシビフェニル３０．０ｇ（０．１４１モル）をｏ−クレゾール６０．０ｇ（０．５５５モル）とメタノール３０ｇに溶解した混合液を攪拌下に２時間かけて滴下した。滴下終了後、攪拌下３０℃で更に２時間反応を行った。
反応終了後、１６％水酸化ナトリウム水溶液で中和し、水層を分離した。得られた油層にトルエン１００ｇと水１００ｇを添加、攪拌して水洗し、水層を分離した。その後、油層を冷却して析出した結晶を濾別し、粗結晶を得た。粗結晶をトルエンとメチルイソブチルケトンの混合溶媒で再結晶し、濾過して精製した後、更にメチルエチルケトンとエチルベンゼンの混合溶媒により再結晶し、濾過して淡赤色固体の１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン１９．３ｇ（メチルエチルケトンとのアダクト）を得た。
【００３５】
純度；９８．２％（高速液体クロマトグラフィー法）
分子量；４１０(Ｍ−Ｈ)-（液体クロマトグラフィー質量分析法）
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）測定（溶媒:ＤＭＳＯ−ｄ６）
2011030835.tif 000019
【００３６】
【表２】
2011030835.tif 000020
【００３７】
実施例３
１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）エタンの合成
攪拌装置、還流冷却器及び滴下ロートを備えた５００ｍｌ四つ口フラスコに、メタノール１１．４ｇと２,６−キシレノール１００．０ｇ（０．８１９モル）を仕込み、塩化水素ガスでフラスコ内を置換した後、飽和状態になるまで塩化水素ガスを吹き込んだ。その後、フラスコ内を３５〜３７℃に保ちながら、攪拌下に２１％メチルメルカプタンナトリウム塩水溶液９．０ｇを１．５時間かけて滴下した。更に、内温を３５〜４０℃に保ちながら、参考例１で得られた４−アセチル−４'−ヒドロキシビフェニル３０．０ｇ（０．１４１モル）を２,６−キシレノール３８．０ｇ（０．３１１モル）とメタノール３０ｇに溶解した混合液を攪拌下に１時間かけて滴下した。滴下終了後、攪拌下に４０℃で更に１４時間反応を行った。
反応終了後、１６％水酸化ナトリウム水溶液で中和し、昇温した後、メタノール１４４．６ｇを添加し、冷却して析出した結晶を濾別し、粗結晶を得た。粗結晶をメチルイソブチルケトンで再結晶して、純度９９．２％（高速液体クロマトグラフィーによる）の白色固体の１−［４−（４−ヒドロキシフェニル）フェニル］−１,１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）エタン５０．６ｇを得た。原料４−アセチル−４'−ヒドロキシビフェニルに対する収率は８１％（モル）であった。
【００３８】
分子量；４３７(Ｍ−Ｈ)-（液体クロマトグラフィー質量分析法）
融点；２３１℃（示差走査熱量測定（ＤＳＣ）法）
ガラス転移温度；１０４℃
溶解度；１０ｇ／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００ｇ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）測定  （溶媒:ＤＭＳＯ−ｄ６）
2011030835.tif 000021
【００３９】
【表３】
2011030835.tif 000022
【００４０】
比較例
１−［α−メチル−α−（４−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［α,α−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンのガラス転位温度及び溶解度の測定
ガラス転位温度：９６℃
溶解度：１０ｇ／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００ｇ
【国際調査報告】
2011030835.tif 000026
2011030835.tif 000027
2011030835.tif 000028
2011030835.tif 000029