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【手続補正書】
【提出日】令和2年7月9日(2020.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指示体のセンサ上における指示位置を検出する位置検出部と、
前記位置検出部で検出された指示位置を含む３次元データを生成する３次元データ生成部と、
前記３次元データ生成部で生成された前記３次元データにレンダリングを施すレンダリング処理部と、
を備え、
前記レンダリング処理部は、前記３次元データが表示される２次元表示画面に対応した２次元面を設定し、設定された前記２次元面の一方の面側に対応する前記３次元データにレンダリングを施すとともに前記２次元面の他方の面側に対応する前記３次元データにはレンダリングを施さない
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記レンダリング処理部は、前記位置検出部で検出された前記指示体による指示位置に基づいて前記２次元面を設定し、前記２次元面の一方の面側に存在する前記３次元データに対してレンダリングを施す
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像処理装置は、前記３次元データを修正可能に構成されており、
前記レンダリング処理部は、前記位置検出部で検出された前記指示体による指示位置に基づいて前記２次元面を設定するとともに、前記修正された３次元データを前記２次元面の前記一方の面側に配置して、前記２次元面の前記一方の面側に存在する前記修正された前記３次元データに対してレンダリングを施す
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記レンダリング処理部は、前記２次元面に対応した面で、前記３次元データ生成部で生成された前記３次元データに基づいて生成される画像を分断し、その分断面が前記２次元面に配置されるようにする
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記３次元データ生成部は、前記位置検出部で前記指示位置が複数回検出された場合には、前記指示位置のそれぞれについて前記３次元データを生成し、かつ、生成した前記指示位置のそれぞれを合成することで、前記指示位置に対応する３次元データを生成する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記位置検出部は、前記指示体に印加される筆圧を検出する機能を有し、
前記３次元データ生成部は、検出された前記筆圧に応じて前記３次元データを生成する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記２次元面の設定位置は、変更可能とされている
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記２次元面は、前記位置検出部のセンサ平面に対応している
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記指示体に対応する筆種を選択する選択部を備え、前記筆種及び前記筆圧に応じて前記３次元データが生成される
ことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記指示体に対応する筆種を選択する選択部を備え、前記筆種に応じて前記３次元データが生成される
ことを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
指示体のセンサ上における指示位置を検出する位置検出部を備える画像処理装置が備えるコンピュータを、
前記位置検出部で検出された指示位置を含む３次元データを生成する３次元データ生成部、
前記３次元データ生成部で生成された前記３次元データにレンダリングを施すレンダリング処理部、
として機能させるためのプログラムであって、
前記レンダリング処理部は、前記３次元データが表示される２次元表示画面に対応した２次元面を設定し、設定された前記２次元面の一方の面側に対応する前記３次元データにレンダリングを施すとともに前記２次元面の他方の面側に対応する前記３次元データにはレンダリングを施さない
ことを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
前記２次元面は、前記指示体が指示する前記位置に基づいて設定される
ことを特徴とする請求項１１に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ボリュームデータ生成部１０８は、２Ｄ／３Ｄ切替ボタン２０１ＳＷが、３Ｄ画像を表示するように切替選択されている場合に、座標データ等解析部１０５からの座標データと筆圧情報とを受けて、３次元データであるボリュームデータを生成する。この場合に、この実施形態では、ボリュームデータ生成部１０８は、３Ｄ基準形状選択部２０１ＰＳで選択されている立体形状内のボリュームデータを生成する。その場合に、ボリュームデータ生成部１０８は、選択されている立体形状内の所定位置を、座標データ等解析部１０５からの座標データの位置に対応させると共に、筆圧情報の筆圧値に応じた大きさの立体形状としてボリュームデータを生成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
このボリュームデータ生成部１０８で生成されたボリュームデータは、レンダリング処理部１１０に送られる。レンダリング処理部１１０は、座標データ等解析部１０５から取得した座標値に基づいて、２次元曲面（２次元平面を含む）を設定し、送られたボリュームデータの内、その設定した２次元曲面の一方の面側に存在しているボリュームデータにレンダリング処理を施す。設定される２次元曲面は、表示部２０１に配置されたセンサの表面（センサ平面）に位置する２次元表示画面２０１Ｄに対応する仮想面とすることができる。すなわち、設定された２次元曲面の一方の面側に存在しているボリュームデータは、表示画面２０１Ｄ上に盛られた部分に相当する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
なお、レンダリング処理部１１０におけるレンダリング対象データ生成部１１１の処理は、上述のような処理に限られるものではない。例えば、電子ペン２０３により指示された位置の座標データに基づいて、２次元曲面を設定し、その２次元曲面上に、ボリュームデータ生成部で生成したボリュームデータを配置することができるように、当該ボリュームデータを修正する。すなわち、典型的には、電子ペン２０３により指示された位置の座標データを含む２次元曲面で、ボリュームデータに基づいて生成される画像を分断し、その分断面を２次元曲面に置くようにして、レンダリング対象のボリュームデータを生成する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月5日(2020.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置の記憶内容である基本イメージと、前記基本イメージからの変更内容である差分イメージとを管理する情報処理装置であって、
前記記憶装置の記憶内容を、前記基本イメージから複数の差分イメージを適用することにより更新すべく、当該複数の差分イメージの指定を受け付ける受付手段と、
前記基本イメージから前記受付手段で受け付けた前記複数の差分イメージを組み合わせて適用できるかを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記複数の差分イメージを適用できると判定された場合に、当該複数の差分イメージと前記基本イメージとを対応付けて管理すべく登録し、前記判定手段により前記複数の差分イメージを適用できないと判定された場合に、前記複数の差分イメージを適用できない旨を通知するように制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記判定手段により前記複数の差分イメージを適用できないと判定された場合に、判定基準となった前記複数の差分イメージの状態を通知することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記基本イメージと前記差分イメージとの対応関係を表示する表示制御手段を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記記憶装置は区分された記憶領域を持ち、前記差分イメージは前記記憶装置の記憶領域の変更内容であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記受け付けた複数の差分イメージにおいて、更新された記憶領域に重複があるか否かに基づいて前記判定を行うことを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記記憶領域にオペレーティングシステムに係る内容が記憶されることを特徴とする請求項４または５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
記憶装置の記憶内容である基本イメージと、前記基本イメージからの変更内容である差分イメージとを管理する情報処理装置であって、
前記記憶装置の記憶内容を、前記基本イメージから複数の差分イメージを適用することにより更新すべく、当該複数の差分イメージのうちの差分イメージの指定を受け付ける受付手段と、
前記受付手段で受け付けた差分イメージと組み合わせて適用できる差分イメージを識別表示する表示制御手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
前記受付手段は、前記受け付けた差分イメージと組み合わせて適用できる差分イメージを識別表示して、前記識別表示された差分イメージの指定を受け付けることを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
記憶装置の記憶内容である基本イメージと、前記基本イメージからの変更内容である差分イメージとを管理する情報処理装置の制御方法であって、
前記記憶装置の記憶内容を、前記基本イメージから複数の差分イメージを適用することにより更新すべく、当該複数の差分イメージの指定を受け付ける受付ステップと、
前記基本イメージから前記受付ステップで受け付けた前記複数の差分イメージを組み合わせて適用できるかを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにより前記複数の差分イメージを適用できると判定された場合に、当該複数の差分イメージと前記基本イメージとを対応付けて管理すべく登録し、前記判定ステップにより前記複数の差分イメージを適用できないと判定された場合に、前記複数の差分イメージを適用できない旨を通知するように制御する制御ステップと、
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１０】
記憶装置の記憶内容である基本イメージと、前記基本イメージからの変更内容である差分イメージとを管理する情報処理装置の制御方法であって、
前記記憶装置の記憶内容を、前記基本イメージから複数の差分イメージを適用することにより更新すべく、当該複数の差分イメージのうちの差分イメージの指定を受け付ける受付ステップと、
前記受付ステップで受け付けた差分イメージと組み合わせて適用できる差分イメージを識別表示する表示制御ステップと、
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１〜８のいずれか１項に記載の手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１〜８のいずれか１項に記載の手段として機能させるためのプログラムを、コンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものである。本発明の目的は、基本イメージに対して組み合わせて適用可能な差分イメージを管理することが可能な仕組みを提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、記憶装置の記憶内容である基本イメージと、前記基本イメージからの変更内容である差分イメージとを管理する情報処理装置であって、前記記憶装置の記憶内容を、前記基本イメージから複数の差分イメージを適用することにより更新すべく、当該複数の差分イメージの指定を受け付ける受付手段と、前記基本イメージから前記受付手段で受け付けた前記複数の差分イメージを組み合わせて適用できるかを判定する判定手段と、前記判定手段により前記複数の差分イメージを適用できると判定された場合に、当該複数の差分イメージと前記基本イメージとを対応付けて管理すべく登録し、前記判定手段により前記複数の差分イメージを適用できないと判定された場合に、前記複数の差分イメージを適用できない旨を通知するように制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、基本イメージに対して組み合わせて適用可能な差分イメージを管理することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月24日(2020.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子メールの内容と当該電子メールの送信先とを関連付けて学習した学習結果と、新たに送信される電子メールの内容と、に基づき、当該新たに送信される電子メールの送信先を推定する推定手段と、
前記推定手段により推定された送信先と、前記新たに送信される電子メールに設定された送信先とに基づき、当該新たに送信される電子メールの送信を制御する送信制御手段と、
を備えることを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
電子メールの内容と当該電子メールの送信先とを関連付けて学習した学習結果と、新たに送信される電子メールの内容と、に基づき、当該新たに送信される電子メールの送信先を推定する推定手段と、
前記推定手段により推定された送信先と、前記新たに送信される電子メールに設定された送信先との比較結果を通知する通知手段と、
を備えることを特徴とする情報処理システム。
【請求項３】
電子メールの本文から所定領域を特定する特定手段を備え、
前記推定手段は、前記特定手段により特定された所定領域の内容と当該電子メールの送信先とを関連付けて学習した学習結果と、前記新たに送信される電子メールにおける前記所定領域の内容と、に基づき、当該新たに送信される電子メールの送信先を推定することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記特定手段により特定された所定領域について、当該所定領域を構成する単語を特徴とするベクトルに変換するベクトル化手段をさらに備え、
前記推定手段は、前記ベクトルと当該電子メールの送信先とを関連付けて学習した学習結果と、前記新たに送信される電子メールにおける前記ベクトルとに基づき、当該新たに送信される電子メールの送信先を推定することを特徴とする請求項３に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記推定手段は、候補となる送信先を複数推定することを特徴とし、
前記推定手段により推定された複数の送信先候補のうち、確度の高い送信先を提示する提示手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記新たに送信される電子メールに同報先が存在するかを判定する同報先判定手段をさらに備え、
前記推定手段は、前記同報先判定手段により同報先が存在すると判定された場合、同報先も含めて送信先を推定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記同報先判定手段は、前記挨拶部に同報先を示す単語が含まれるか否かにより、同報先の有無を判定することを特徴とする請求項６に記載の情報処理システム。
【請求項８】
情報処理システムの推定手段が、電子メールの内容と当該電子メールの送信先とを関連付けて学習した学習結果と、新たに送信される電子メールの内容と、に基づき、当該新たに送信される電子メールの送信先を推定する推定工程と、
前記情報処理システムの送信制御手段が、前記推定工程により推定された送信先と、前記新たに送信される電子メールに設定された送信先とに基づき、当該新たに送信される電子メールの送信を制御する送信制御工程と、
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項９】
情報処理システムの推定手段が、電子メールの内容と当該電子メールの送信先とを関連付けて学習した学習結果と、新たに送信される電子メールの内容と、に基づき、当該新たに送信される電子メールの送信先を推定する推定工程と、
前記情報処理システムの通知手段が、前記推定工程により推定された送信先と、前記新たに送信される電子メールに設定された送信先との比較結果を通知する通知工程と、
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項１０】
コンピュータを、
電子メールの内容と当該電子メールの送信先とを関連付けて学習した学習結果と、新たに送信される電子メールの内容と、に基づき、当該新たに送信される電子メールの送信先を推定する推定手段と、
前記推定手段により推定された送信先と、前記新たに送信される電子メールに設定された送信先とに基づき、当該新たに送信される電子メールの送信を制御する送信制御手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１１】
コンピュータを、
電子メールの内容と当該電子メールの送信先とを関連付けて学習した学習結果と、新たに送信される電子メールの内容と、に基づき、当該新たに送信される電子メールの送信先を推定する推定手段と、
前記推定手段により推定された送信先と、前記新たに送信される電子メールに設定された送信先との比較結果を通知する通知手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月6日(2020.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置を用いて実行されるプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバを提供するチャンバ本体と、
前記チャンバ内において基板を支持するよう構成されたステージと、
高周波電源と、
を備え、
前記ステージは、
前記高周波電源からの高周波を伝送する伝送路を提供する給電部と、
前記給電部上に設けられており、前記給電部に電気的に接続された導電性の基台、及び、前記基台上に設けられており、基板を静電引力により保持するよう構成されたチャック本体を有する静電チャックと、
を有し、
前記チャック本体は、
該チャック本体の中心軸線に直交する該チャック本体内の面上で分布するよう該チャック本体内に設けられた複数の第１のヒータと、
前記中心軸線に直交する該チャック本体内の別の面上で分布するよう複数の第２のヒータであり、該複数の第２のヒータの個数は前記複数の第１のヒータの個数よりも多い、該複数の第２のヒータと、
を有し、
前記プラズマ処理装置は、
第１の電源からの交流又は直流の出力により、前記複数の第１のヒータを駆動するように構成された第１のヒータコントローラと、
前記第１の電源からの前記出力の電力よりも低い電力を有する第２の電源からの交流又は直流の出力により、前記複数の第２のヒータを駆動するように構成された第２のヒータコントローラと、
を更に備え、
該プラズマ処理方法は、前記チャック本体上に前記基板が載置された状態で実行され、
前記チャンバ内において前記基板に第１のプラズマ処理を適用する工程と、
前記チャンバ内において前記基板に第２のプラズマ処理を適用する工程と、
を含み、
第２のプラズマ処理を適用する前記工程において前記高周波電源から前記基台に供給される前記高周波の電力は、第１のプラズマ処理を適用する前記工程において前記高周波電源から前記基台に供給される前記高周波の電力よりも大きく、
第１のプラズマ処理を適用する前記工程において、前記第１のヒータコントローラからの複数の第１の出力によって前記複数の第１のヒータが駆動され、前記第２のヒータコントローラからの複数の第２の出力によって前記複数の第２のヒータが駆動され、
第２のプラズマ処理を適用する前記工程において、少なくとも前記複数の第２のヒータの駆動が停止され、前記第２の電源と前記第２のヒータコントローラとの間の接続が遮断される、
プラズマ処理方法。
【請求項２】
第２のプラズマ処理を適用する前記工程において、前記複数の第１のヒータの駆動が停止され、前記第１の電源と前記第１のヒータコントローラとの間の接続が遮断される、請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記基台は、該基台内に形成された流路であり熱交換媒体が供給される該流路を有し、
第２のプラズマ処理を適用する前記工程において、前記基板の温度は、前記基台の前記流路に前記熱交換媒体が供給されることにより制御される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第２のプラズマ処理を適用する前記工程において前記高周波電源から前記基台に供給される前記高周波の前記電力は、２０００Ｗ以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板は、酸化シリコンから形成された絶縁膜、該絶縁膜上に設けられた有機膜、該有機膜上に設けられたマスク膜、及び、該マスク膜上に設けられたレジストマスクを有し、
該プラズマ処理方法は、
第１のプラズマ処理を適用する前記工程と第２のプラズマ処理を適用する前記工程との間において、前記チャンバ内において前記基板に第３のプラズマ処理を適用する工程と、
第３のプラズマ処理を適用する前記工程と第２のプラズマ処理を適用する前記工程との間において、前記チャンバ内において前記基板に第４のプラズマ処理を適用する工程と、
を更に含み、
第１のプラズマ処理を適用する前記工程では、前記チャンバ内において生成される水素含有ガスのプラズマからの水素の活性種が前記レジストマスクに供給され、
第３のプラズマ処理を適用する前記工程では、前記複数の第１のヒータが駆動され、前記複数の第２のヒータが駆動され、前記チャンバ内において生成される処理ガスのプラズマからの活性種によって前記マスク膜がエッチングされ、
第４のプラズマ処理を適用する前記工程では、前記複数の第１のヒータが駆動され、前記複数の第２のヒータが駆動され、前記チャンバ内において生成される処理ガスのプラズマからの活性種によって前記有機膜がエッチングされ、
第２のプラズマ処理を適用する前記工程において前記高周波電源から前記基台に供給される前記高周波の前記電力は、第３のプラズマ処理を適用する前記工程において前記高周波電源から前記基台に供給される前記高周波の電力、及び、第４のプラズマ処理を適用する前記工程において前記高周波電源から前記基台に供給される前記高周波の電力よりも大きく、
第２のプラズマ処理を適用する前記工程では、前記チャンバ内において生成される処理ガスのプラズマからの活性種によって前記絶縁膜がエッチングされる、
請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記チャンバ内において前記基板に別のプラズマ処理を適用する工程を更に含み、
第２のプラズマ処理を適用する前記工程において前記高周波電源から前記基台に供給される前記高周波の電力は、第１のプラズマ処理を適用する前記工程において前記高周波電源から前記基台に供給される前記高周波の電力よりも大きく、
別のプラズマ処理を適用する前記工程において前記高周波電源から前記基台に供給される前記高周波の電力は、第２のプラズマ処理を適用する前記工程において前記高周波電源から前記基台に供給される前記高周波の前記電力よりも大きく、
第２のプラズマ処理を適用する前記工程において、前記複数の第１のヒータが駆動され、前記複数の第２のヒータの駆動が停止され、前記第２の電源と前記第２のヒータコントローラとの間の接続が遮断され、
別のプラズマ処理を適用する前記工程において、前記複数の第１のヒータの駆動が停止され、前記第１の電源と前記第１のヒータコントローラとの間の接続が遮断され、前記複数の第２のヒータの駆動が停止され、前記第２の電源と前記第２のヒータコントローラとの間の接続が遮断される、
請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記第１のヒータコントローラは、前記第１の電源からの前記出力である交流出力を分配することにより生成した交流の前記複数の第１の出力により、前記複数の第１のヒータを交流駆動するように構成されており、
前記第２のヒータコントローラは、前記第２の電源からの前記出力である直流出力を分配することにより生成した直流の前記複数の第２の出力により、前記複数の第２のヒータをそれぞれ直流駆動するように構成されている、
請求項１〜６の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月29日(2020.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１の導電体と、
前記第１の導電体上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の酸化物と、
前記酸化物上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第２の導電体と、
前記酸化物上の金属原子を有する化合物層と、
前記化合物層上の第３の導電体と、を有し、
前記第１の絶縁体は、前記第１の導電体の少なくとも一部を露出する開口を有し、
前記酸化物は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域および前記第２の領域の間に位置する第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の絶縁体と重畳し、
前記第２の領域は、前記化合物層、および前記第３の導電体と重畳し、
前記第３の導電体は、前記開口を介して、前記第１の導電体と接する領域を有する半導体装置。
【請求項２】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１の導電体と、
前記第１の導電体上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の酸化物と、
前記酸化物上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第２の導電体と、
前記酸化物上の金属原子を有する化合物層と、
前記化合物層上の第３の導電体と、を有し、
前記第１の絶縁体は、前記第１の導電体の少なくとも一部を露出する開口を有し、
前記酸化物は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域および前記第２の領域の間に位置する第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の絶縁体と重畳し、かつ、前記第３の領域よりも高抵抗であり、
前記第２の領域は、前記化合物層、および前記第３の導電体と重畳し、かつ、前記第１の領域及び前記第３の領域よりも低抵抗であり、
前記第３の導電体は、前記開口を介して、前記第１の導電体と接する領域を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記酸化物は、原子数比において、前記元素Ｍよりも前記Ｉｎの方が多い半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記化合物層と、前記第３の導電体とは、同じ金属原子を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記化合物層と、前記第３の導電体は、アルミニウム、ルテニウム、チタン、タンタル、クロム、およびタングステンの少なくとも一を有する半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記化合物層と、前記第３の導電体は、アルミニウム及びチタンを有する半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記化合物層は、窒素を有する半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記トランジスタは、ノーマリオフ型である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月13日(2020.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層体が設けられている第１基体を含む発光素子と、
前記発光素子が設けられている第２基体と、
前記第１基体と前記第２基体との間に設けられている第１部材と、
を含み、
前記積層体は、発光部を含み、
前記発光部は、
第１半導体層と、
前記第１半導体層と導電型の異なる第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
を有し、
前記第１部材は、一端が前記第１基体に接続され、他端が前記第２基体に接続され、
前記積層体は、複数の柱状部を有し、前記第１基体と反対側において前記第２基体に接続され、
前記発光部は、複数の前記柱状部で構成され、
前記第１基体と前記第１部材との間に前記柱状部が設けられている、発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１部材は、前記積層体の周囲を囲って設けられている、発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記積層体は、前記第１部材、前記第１基体、および前記第２基体によって気密に封止されている、発光装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記第１部材は導電性を有し、前記第１半導体層に電気的に接続されている、発光装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記第１基体と前記第２基体との間に設けられている第２部材を含み、
前記第２部材は、一端が前記第１基体に接続され、他端が前記第２基体に接続されている、発光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２部材は、前記第１部材および前記積層体の周囲を囲っている、発光装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項において、
前記第２基体には、前記第２基体を貫通する貫通電極が設けられている、発光装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２半導体層は、前記貫通電極に電気的に接続されている、発光装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項において、
前記第１基体と前記第１部材との間に設けられている前記柱状部の高さは、前記発光部を構成する前記柱状部の高さよりも小さい、発光装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項において、
前記第１部材は、接合部材を介して前記第２基体に接続されている、発光装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の発光装置を含む、プロジェクター。
【請求項１２】
第１基体に、発光部を含む積層体を形成する工程と、
前記第１基体に、第１部材を形成する工程と、
前記第１基体に形成された前記積層体および前記第１部材を、第２基体に接続する工程と、
を含み、
前記発光部は、
第１半導体層と、
前記第１半導体層と導電型の異なる第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
を有し、
前記積層体は、複数の柱状部を有し、
前記発光部は、複数の前記柱状部で構成され、
前記第１基体と前記第１部材との間に前記柱状部が設けられている、発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月13日(2020.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層体が設けられている第１基体を含む発光素子と、
前記発光素子が設けられている第２基体と、
を含み、
前記積層体は、
第１半導体層と、
前記第１半導体層とは導電型の異なる第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
前記第１基体と前記第２基体との間に設けられている第１部材と、
を有し、
前記積層体は、複数の柱状部を含み、
隣り合う前記柱状部の間には、隣り合う前記柱状部のそれぞれに接続されている接続部材が設けられ、
前記積層体は、前記第１基体と反対側において、前記第２基体に接続され、
前記第１部材は、一端が前記第１基体に接続され、他端が前記第２基体に接続され、
前記第１部材と前記第１基体との間に、前記接続部材が設けられている、発光装置。
【請求項２】
前記請求項１において、
前記第２基体の熱伝導率は、前記第１基体の熱伝導率より大きい、発光装置。
【請求項３】
前記請求項１または２において、
前記第１基体側から光を出射する、発光装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記第１部材と前記第１基体との間に、前記柱状部が設けられている、発光装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記第１部材は導電性を有し、前記第１半導体層に電気的に接続されている、発光装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記第１部材は、前記積層体の周囲を囲って設けられている、発光装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記積層体は、前記第１部材、前記第１基体、および前記第２基体によって気密に封止されている、発光装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項において、
前記第１基体と前記第２基体との間に設けられている第２部材を含み、
前記第２部材は、一端が前記第１基体に接続され、他端が前記第２基体に接続されている、発光装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２部材は、前記第１部材および前記積層体の周囲を囲って設けられている、発光装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項において、
前記第１部材は、接合部材を介して前記第２基体に接続されている、発光装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項において、
前記第２基体には、前記第２基体を貫通する貫通電極が設けられている、発光装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記第２半導体層は、前記貫通電極に電気的に接続されている、発光装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の発光装置を含む、プロジェクター。
【請求項１４】
第１基体に複数の柱状部を含む積層体を形成し、隣り合う前記柱状部の間に隣り合う前記柱状部のそれぞれ接続される接続部材を形成する工程と、
前記第１基体に、第１部材を形成する工程と、
前記第１基体に設けられた前記積層体を、第２基体に接続する工程と、
を含み、
前記積層体は、
第１半導体層と、
前記第１半導体層とは導電型の異なる第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
を有し、
前記第１部材は、一端が前記第１基体に接続され、他端が前記第２基体に接続され、
前記第１部材と前記第１基体との間に、前記接続部材が設けられている、発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月21日(2020.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
光を射出する光源と、
前記基体の第１面に膜状に設けられ、前記光源から射出された光により光を発する蛍光体と、
を含み、
前記蛍光体の前記基体側とは反対側の第２面は、凹凸形状を有し、
前記光源は、前記凹凸形状に対し、斜めに光を照射し、
前記第１面の法線方向から見た平面視における、前記凹凸形状を構成している凸部の形状は、六角形である、発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記光源から射出された光の光軸の方向は、前記凹凸形状を構成している凸部の突出方向と交差する、発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記蛍光体は、
前記第１面に設けられ、平板状の形状を有する平板部と、
前記平板部から突出している突出部と、
を有し、
前記凹凸形状は、前記平板部および前記突出部によって形成されている、発光装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記基体は、
平板状の形状を有する平板部と、
前記平板部から突出している突出部と、
を有し、
前記凹凸形状は、前記平板部および前記突出部によって形成されている、発光装置。
【請求項５】
請求項１または２において、
前記基体と前記蛍光体との間に設けられたベース層を含み、
前記蛍光体は、前記ベース層を介して、前記第１面に設けられ、
前記ベース層は、
前記第１面に設けられ、平板状の形状を有する平板部と、
前記平板部から突出している突出部と、
を有し、
前記凹凸形状は、前記平板部および前記突出部によって形成されている、発光装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記凹凸形状を構成している凸部の突出方向に延びる軸を回転軸として、前記基体を回転させる駆動部を含む、発光装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項において、
前記光源は、
光を射出する発光素子と、
前記発光素子から射出された光の光軸を曲げる光学素子と、
を有する、発光装置。
【請求項８】
基体と、
光を射出する光源と、
前記基体の第１面に膜状に設けられ、前記光源から射出された光により光を発する蛍光体と、
を含み、
前記蛍光体の前記基体側とは反対側の第２面は、凹凸形状を有し、
前記光源は、前記凹凸形状に対し、斜めに光を照射し、
前記第１面の法線方向から見た平面視における、前記凹凸形状を構成している凸部の形状は、六角形である、プロジェクター。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月14日(2020.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、酸化物と、前記酸化物上の第１の絶縁体および第２の絶縁体と、前記第１の絶縁体上の導電体と、を有し、
前記酸化物は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の絶縁体と接する領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも酸素濃度が小さく、
前記第１の絶縁体は、前記第２の絶縁体に設けられた開口の内壁に沿った領域を有するように配置され、
前記導電体は、前記開口を埋め込むように配置される半導体装置。
【請求項２】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、酸化物と、前記酸化物上の膜および第１の絶縁体と、前記膜上の第２の絶縁体と、前記第１の絶縁体上の導電体と、を有し、
前記酸化物は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の絶縁体と接する領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも酸素濃度が小さく、
前記膜は、前記第２の領域と接して設けられ、
前記第１の絶縁体は、前記第２の絶縁体に設けられた開口の内壁に沿った領域を有するように配置され、
前記導電体は、前記開口を埋め込むように配置される半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の領域は、アルミニウム、ルテニウム、チタン、タンタル、クロム、およびタングステンの少なくとも一を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の領域は、さらに窒素を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも水素濃度が低い半導体装置。
【請求項６】
請求項２において、
前記膜は、前記第２の領域と混合する部分を有する半導体装置。
【請求項７】
請求項２または請求項６において、
前記膜は、アルミニウム、ルテニウム、チタン、タンタル、クロム、およびタングステンの少なくとも一を有する半導体装置。
【請求項８】
請求項２、請求項６、または請求項７のいずれか一項において、
前記膜は、さらに窒素および酸素のいずれか一方または双方を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月8日(2020.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、半導体チップを有する半導体パッケージに突起部を設けた半導体装置が知られている（例えば、特許文献１−３参照）。
特許文献１  特開平７−２４９７０７号公報
特許文献２  特開２００６−２１０９５６号公報
特許文献３  特開平３−１４７３５３号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2018206977.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月10日(2020.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
被検査体に接触される複数のコンタクトプローブを有し、被検査体の電気的検査を行うためのテスターに接続されるプローブカードを有する複数の検査部と、
前記複数の検査部に被検査体を搬送し、前記被検査体を前記プローブカードの前記コンタクトプローブに接触させる搬送ステージと
を備え、
前記搬送ステージは、
前記被検査体が載置されるチャックトップと、
前記チャックトップに接離可能に設けられ、前記チャックトップを移動させるアライナーと、
前記チャックトップと前記アライナーとの位置合わせを行う位置合わせ機構と
を有し、
前記被検査体を前記検査部に搬送する際には、前記チャックトップと前記アライナーとは接続され、
前記検査部の一つにおいて、前記アライナーにより前記チャックトップ上の前記被検査体が前記プローブカードの前記コンタクトプローブに接触され、前記チャックトップはその状態に保持され、
前記アライナーは、前記チャックトップから分離され、他の前記検査部のチャックトップと接続されて、検査後の被検査体を搬送し、
前記位置合わせ機構は、前記チャックトップの下面および前記アライナーの上面の一方の複数箇所に設けられた拡径可能な位置決めピンと、前記チャックトップの下面および前記アライナーの上面の他方の、前記位置決めピンと対応する位置に設けられ、拡径していない前記位置決めピンの径よりも大きなピン挿通孔を有するピン挿通部材とを有し、
前記アライナーを前記チャックトップに向けて移動させて、前記位置決めピンを前記ピン挿通孔に挿通させ、前記位置決めピンを拡径させることにより前記チャックトップと前記アライナーとが位置合わせされることを特徴とする検査システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月28日(2020.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に設けられた光電変換部と、入射光を受ける頂部及び前記入射光を前記光電変換部に出射する底部を備える光導波路とを備える画素を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、
第１導電型の第１半導体領域であって、前記半導体基板の受光面から第１の深さに前記第１半導体領域の下端が設けられた第１半導体領域と、
前記半導体基板の前記受光面から前記第１の深さよりも深い第２の深さに設けられ、第１の領域によって互いに離間された第２導電型の第２半導体領域及び前記第２導電型の第３半導体領域と、
を有し、
前記第２半導体領域、前記第３半導体領域及び前記第１の領域のそれぞれが、平面視において、前記第１半導体領域の一部と重なっており、
平面視において、前記底部の少なくとも一部と、前記第１の領域の少なくとも一部とが重なっていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
平面視において前記第１の領域と前記底部とが重なっている領域を含む、前記半導体基板に垂直な断面において、前記光導波路の中心と前記第１の領域の中心とが一致している
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記画素は、前記光導波路の前記頂部に前記入射光を集めるレンズを更に有し、
前記レンズへの前記入射光の向きに応じて、前記レンズの光軸と前記光導波路の中心とが互いにシフトされている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記画素は、前記光導波路の前記頂部に前記入射光を集めるレンズを更に有し、
平面視において前記第１の領域と前記底部とが重なっている領域を含む、前記半導体基板に垂直な断面において、前記レンズへの前記入射光の向きに応じて、前記光導波路の中心と前記第１の領域の中心とが互いにシフトされている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記レンズは、前記レンズの光軸と前記光導波路の中心とが一致するように配されている
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１半導体領域は、平面視において、第１の端部と、前記第１の端部に対向する第２の端部とを備え、
前記第１の領域は、平面視において、前記第１の端部の一部から前記第２の端部の一部に渡って前記第１半導体領域を横断するように配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記底部の面積は前記頂部の面積よりも小さい
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の前記画素から出力される信号を処理する信号処理部と、
を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項９】
移動体であって、
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする移動体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、半導体基板に設けられた光電変換部と、入射光を受ける頂部及び前記入射光を前記光電変換部に出射する底部を備える光導波路とを備える画素を有する固体撮像装置であって、前記光電変換部は、第１導電型の第１半導体領域であって、前記半導体基板の受光面から第１の深さに前記第１半導体領域の下端が設けられた第１半導体領域と、前記半導体基板の前記受光面から前記第１の深さよりも深い第２の深さに設けられ、第１の領域によって互いに離間された第２導電型の第２半導体領域及び前記第２導電型の第３半導体領域と、を有し、前記第２半導体領域、前記第３半導体領域及び前記第１の領域のそれぞれが、平面視において、前記第１半導体領域の一部と重なっており、平面視において、前記底部の少なくとも一部と、前記第１の領域の少なくとも一部とが重なっていることを特徴とする固体撮像装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月3日(2020.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体電極と、対向電極と、前記両電極間に保持された電解質層とを備えた光電変換素子において、
前記半導体電極が、半導体層上に、多孔質層を有することを特徴とする光電変換素子。
【請求項２】
前記多孔質層が、無機または有機の微粒子がバインダー樹脂で結着しているとともに、前記微粒子と前記バインダー樹脂との間に空隙が存在していることを特徴とする請求項１記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記半導体層に増感色素が吸着しているとともに、前記多孔質層の空隙に増感色素が付着していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
半導体電極と、対向電極と、前記両電極間に保持された電解質層とを備えた光電変換素子の製造方法において、
前記半導体電極を製造する工程が、透明基材上に透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に無機または有機の微粒子とバインダー樹脂とを含有する多孔質層を形成する工程と、前記多孔質層に浸透させて、増感色素を半導体層に吸着する工程とを有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
【請求項５】
増感色素を、インクジェット印刷法により半導体膜に吸着することを特徴とする請求項４記載の光電変換素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月12日(2020.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの信用スコアを算出する情報処理装置であって、
前記ユーザのユーザ情報と、前記ユーザを本人確認したことを示す第１情報とを関連付けて記憶する記憶部と、
前記第１情報に基づいて、前記ユーザの前記信用スコアを算出する制御部とを備える。
【請求項２】
請求項１に記載の情報処理装置であって、
前記信用スコアは、前記ユーザによる決済に関連する信用スコアを含む。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、前記ユーザが前記本人確認を行っている場合、前記ユーザが前記本人確認していない場合よりも高い前記信用スコアを前記第１情報に基づいて算出する。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、前記ユーザの公的な本人確認書類に基づいて、前記ユーザの前記本人確認を行う。
【請求項５】
請求項４に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、前記ユーザの運転免証に基づいて、前記ユーザの前記本人確認を行う。
【請求項６】
請求項５に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、前記ユーザの住民票、または前記ユーザの保険証に基づいて、前記ユーザの前記本人確認を行う。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の情報処理装置であって、
前記ユーザ情報は、ソーシャルネットワーキングサービスの前記ユーザの識別情報を含む。
【請求項８】
請求項７に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、前記ユーザの前記ソーシャルネットワーキングサービスに関する第２情報に基づいて、前記信用スコアを算出する。
【請求項９】
請求項８に記載の情報処理装置であって、
前記第２情報は、前記ソーシャルネットワーキングサービス上で利用可能なコンテンツの購入に関する情報を含む。
【請求項１０】
請求項９に記載の情報処理装置であって、
前記コンテンツは、スタンプ、ゲーム、音楽、漫画のうち少なくとも一つを含む。
【請求項１１】
請求項８に記載の情報処理装置であって、
前記第２情報は、前記ソーシャルネットワーキングサービスの前記ユーザによる利用期間に関する情報を含む。
【請求項１２】
請求項７から請求項１１のいずれか一項に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、前記ソーシャルネットワーキングサービス上で、前記ユーザの端末に送金に関する処理を行う。
【請求項１３】
請求項７から請求項１２のいずれか一項に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、前記信用スコアに基づいて、前記ユーザの端末に特典に関する特典情報を前記情報処理装置の通信部によって送信する制御を行う。
【請求項１４】
請求項１３に記載の情報処理装置であって、
前記特典情報は、前記ソーシャルネットワーキングサービス上で利用可能なポイントに関する情報を含む。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４に記載の情報処理装置であって、
前記制御部は、前記信用スコアに基づいて、前記特典情報を前記ユーザの端末に送信する期間を決定する。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の情報処理装置であって、
前記情報処理装置は、複数のサーバを含む。
【請求項１７】
ユーザの信用スコアを算出する情報処理装置の情報処理方法であって、
前記ユーザのユーザ情報と、前記ユーザを本人確認したことを示す第１情報とを関連付けて前記情報処理装置に記憶することと、
前記第１情報に基づいて、前記ユーザの前記信用スコアを前記情報処理装置の制御部によって算出することとを含む。
【請求項１８】
ユーザの信用スコアを算出する情報処理装置によって実行されるプログラムであって、
前記ユーザのユーザ情報と、前記ユーザを本人確認したことを示す第１情報とを関連付けて前記情報処理装置に記憶することと、
前記第１情報に基づいて、前記ユーザの前記信用スコアを前記情報処理装置の制御部によって算出することとが前記情報処理装置に実行される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る情報処理装置は、ユーザの信用スコアを算出する情報処理装置であって、前記ユーザのユーザ情報と、前記ユーザを本人確認したことを示す第１情報とを関連付けて記憶する記憶部と、前記第１情報に基づいて、前記ユーザの前記信用スコアを算出する制御部とを備える。
また、本発明の一実施形態に係る情報処理方法は、ユーザの信用スコアを算出する情報処理装置の情報処理方法であって、前記ユーザのユーザ情報と、前記ユーザを本人確認したことを示す第１情報とを関連付けて前記情報処理装置に記憶することと、前記第１情報に基づいて、前記ユーザの前記信用スコアを前記情報処理装置の制御部によって算出することとを含む。
また、本発明の一実施形態に係るプログラムは、ユーザの信用スコアを算出する情報処理装置によって実行されるプログラムであって、前記ユーザのユーザ情報と、前記ユーザを本人確認したことを示す第１情報とを関連付けて前記情報処理装置に記憶することと、前記第１情報に基づいて、前記ユーザの前記信用スコアを前記情報処理装置の制御部によって算出することとが前記情報処理装置に実行される。