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【手続補正書】
【提出日】令和2年11月13日(2020.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
具体的には、図２に示されるように、コーティング材にセラミックスファイバーが含まれない場合、各方向からクラックが入りやすいが（図２（Ａ））、セラミックスファイバーを含むことでクラックの発生を抑制する効果が得られる。ただし、長繊維長の第１のセラミックスファイバーのみを使用すると塗布したときにセラミックスファイバーが一方向に配向してしまい、クラックの抑制効果が十分に得られないので、（図２（Ｂ））、長繊維長と短繊維長のセラミックスファイバーを組み合わせることで、短繊維は配向しにくいため、特定方向からの乾燥クラックを抑制することができる。（図２（Ｃ））。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本実施形態のハニカム構造体用コーティング材は、軸方向の平均長さが５０〜７０μｍの第２のセラミックスファイバーを無機原料中において、０．１〜１５質量％含む。第２のセラミックスファイバーの含有量が０．１％未満だと、コーティング材の塗布性が低下する恐れがあり、第２のセラミックスファイバーの含有量が１５質量％を超えると、バーコードリーダーの読み取り性が低下したり、塗布性が低下する恐れがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
このようなコーティング材は、ハニカム構造体の外周面の少なくとも一部に塗布し、乾燥或いは乾燥した後に焼成することにより、上記第１、第２のセラミックスファイバーを含む外周コーティングを形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
次に、ハニカム成形体を所定の温度で焼成することによって、多孔質の隔壁を有し、この隔壁によって複数のセルが区画形成されたハニカム構造体を作製する。なお、ハニカム構造体として、セルの開口部に目封止部が配設されたものを製造する場合には、ハニカム成形体、或いは、ハニカム構造体を作製した段階で目封止を行ってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
また、コーティング材には、コロイダルシリカ、有機バインダー、粘土等を更に含有させてもよい。なお、有機バインダーは、０．０５〜０．５質量％用いることが好ましく、０．１〜０．２質量％用いることが更に好ましい。また、粘土は、０．２〜２．０質量％用いることが好ましく、０．４〜０．８質量％用いることが更に好ましい。有機バインダーとしては、メチルセルロース、ヒドロキシプロポキシルメチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコール等が好適なものとして挙げられる。また、粘土としては、ベントナイト、モンモリロナイト等の粘土鉱物が好適なものとして挙げられる。更に、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル等の分散剤を加えてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
骨材として炭化珪素４０質量％、コロイダルシリカ２５質量％、アルミナ２０質量％、コージェライト１５質量％の組成を有し、更には一部の例について表１に記載される第１及び第２のセラミックスファイバー、ＷＨＯセラミックスファイバーはアルミナとシリカの比率が７２：２８の結晶質アルミナファイバーを骨材に対して所定割合含むコーティング材を調製し、上記したハニカム構造体の作製にて作製したハニカム構造体の外周面に、その厚さが０．５ｍｍ及び２．０ｍｍとなるように塗布した後、熱風乾燥機を用いて１２０℃で６０分乾燥させた後、電気炉にて６００℃で３０分熱処理して外周コーティングを形成した。コーティング材を塗布する際の作業しやすさ（コート性）、乾燥・熱処理の間に外周コーティングにクラックの発生の有無（乾燥クラック）、外周コーティングのピンホールの有無（破壊靭性）を以下のように評価し、結果を表１に示す。
表１において、「第１のセラミックスファイバー」の軸方向の平均長さが１５０μｍであり、長軸短軸比が２５である。「第２のセラミックスファイバー」の軸方向の平均長さが６０μｍである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
また、実施例１と同様の骨材、及び第１、第２のセラミックスファイバーの組成を有するコーティング材として、表２に記載されるコロイダルシリカを含むものを調製し、上記したハニカム構造体の作製にて作製したハニカム構造体の外周面に、その厚さが０．５ｍｍ及び２．０ｍｍとなるように塗布した後、熱風乾燥機を用いて１２０℃で６０分乾燥させた後、電気炉にて６００℃で３０分熱処理して外周コーティングを形成した。その際に、コロイダルシリカはラテックスがあるものと、ラテックスがないものの、２種類を使用した。前記乾燥・熱処理の間に外周コーティングにクラックの発生の有無を前述の方法（乾燥クラック評価）で評価した。乾燥クラックの発生率が０％であれば「○」、乾燥クラックの発生率が２０％以下であれば「△」、乾燥クラックの発生率が２０％を超える場合は「×」とした。評価結果は表２に示される。なお、表２中のコロイダルシリカの「質量％」は、セラミックスファイバーを除く骨材（炭化ケイ素、アルミナ、コージェライト、コロイダルシリカ）１００％中に占めるコロイダルシリカの質量％を意味する。
【表２】
2020139080.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
（考察）
表３から、酸化チタンを０．１〜１０質量％含むことで、レーザー印字読み取り性が向上したことが分かった。添加量が１０質量％を超えると、印字性の向上効果は頭打ちになるので、添加量を１０．０質量％以下に抑えて乾燥クラックの発生を抑制する。したがって、酸化チタン及び窒化アルミニウムから選択される少なくとも１種の添加量は０．１〜１０．０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜５．０質量％であることがさらに好ましい。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月29日(2020.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定光をスペクトルに変換する光学系と、スペクトルに含まれる複数の波長成分の各々のエネルギー量を示す信号を出力するセンサーを備えることにより複数の信号を出力する複数のセンサーを備える受光センサーと、を備える分光装置において、前記複数のセンサーの各々について、センサーの基準分光感度を示す指標からのセンサーの分光感度を示す指標のずれを、前記分光装置の機械的誤差を示す指標の１次関数により表されるモデルを用いて校正する際に用いられる前記モデルを作成する方法であって、
a) 前記複数のセンサーの各々について、センサーの基準分光感度を求める工程と、
b) 前記複数のセンサーの各々について、工程a)において求められたセンサーの基準分光感度を示す指標を求める工程と、
c) 前記複数のセンサーの各々について、工程b)において求められたセンサーの基準分光感度を示す指標からのセンサーの分光感度を示す指標のずれが前記分光装置の機械的誤差を示す指標の１次関数により表されるモデルを作成する工程と、
を備えた分光装置を校正する際に用いられるモデルを作成する方法。
【請求項２】
工程b)において求められたセンサーの基準分光感度を示す指標は、センサーの基準分光感度の中心波長および半値幅であり、
工程c)において作成されたモデルに含まれるセンサーの分光感度を示す指標は、センサーの分光感度の中心波長および半値幅であり、
工程c)は、前記複数のセンサーの各々について、センサーの基準分光感度の中心波長からのセンサーの分光感度の中心波長のずれが前記分光装置の機械的誤差を示す指標の第１の１次関数により表される第１の式を作成し、センサーの基準分光感度の半値幅からのセンサーの分光感度の半値幅のずれが前記分光装置の機械的誤差を示す指標の第２の１次関数により表される第２の式を作成し、
工程c)において作成されるモデルは、第１の式および第２の式からなる
請求項１の分光装置を校正する際に用いられるモデルを作成する方法。
【請求項３】
前記受光センサーは、受光面を有し、
前記複数のセンサーは、前記受光面において第１の方向に配列され、
前記光学系は、第２の方向に伸び前記受光面に至る光軸を有し、
工程c)において作成されたモデルに含まれる前記分光装置の機械的誤差を示す指標は、前記第１の方向についての前記受光センサーの配置誤差、前記第２の方向についての前記
受光センサーの配置誤差および前記第１の方向と前記受光面に至る光軸とに直交する軸の周りを周る回転方向についての前記受光センサーの配置誤差の全部または一部を含む
請求項１または２の分光装置を校正する際に用いられるモデルを作成する方法。
【請求項４】
前記光学系は、
スリットが形成されたスリット板と、
主断面および回折面を有する回折格子と、
を備え、
前記光学系は、前記スリットから前記回折面に至る光軸を有し、
工程c)において作成されたモデルに含まれる前記分光装置の機械的誤差を示す指標は、前記主断面と平行をなし前記スリットから前記回折面に至る光軸と垂直をなす方向についての前記スリットの幅の製作誤差を含む
請求項１から３までのいずれかの分光装置を校正する際に用いられるモデルを作成する方法。
【請求項５】
前記光学系は、
主断面を有する回折格子
を備え、
工程c)において作成されたモデルに含まれる前記分光装置の機械的誤差を示す指標は、前記主断面が同一平面上に維持される回転方向についての前記回折格子の配置誤差を含む
請求項１から４までのいずれかの分光装置を校正する際に用いられるモデルを作成する方法。
【請求項６】
工程a)は、センサーの基準分光感度を光学シミュレーションにより求め、
工程c)は、前記分光装置の機械的誤差を示す指標の単位量のずれに対するセンサーの分光感度を示す指標のずれ量を光学シミュレーションにより求め、工程c)において作成されたモデルに含まれる前記分光装置の機械的誤差を示す指標の１次関数において前記分光装置の機械的誤差を示す指標に求めた単位誤差量当たりのずれ量を加減算する
請求項１から５までのいずれかの分光装置を校正する際に用いられるモデルを作成する方法。
【請求項７】
d) 分光装置を準備する工程と、
e) 請求項１から６までのいずれかの分光装置を校正する際に用いられるモデルを作成する方法により作成されたモデルを用いて、工程d)において準備された分光装置を校正する工程と、
を備える校正された分光装置を生産する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】分光装置を校正する際に用いられるモデルを作成する方法および校正された分光装置を生産する方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、分光装置を校正する際に用いられるモデルを作成する方法および校正された
分光装置を生産する方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、被測定光をスペクトルに変換する光学系と、スペクトルに含まれる複数の波長成分の各々のエネルギー量を示す信号を出力するセンサーを備えることにより複数の信号を出力する複数のセンサーを備える受光センサーと、を備える分光装置において、前記複数のセンサーの各々について、センサーの基準分光感度を示す指標からのセンサーの分光感度を示す指標のずれを、前記分光装置の機械的誤差を示す指標の１次関数により表されるモデルを用いて校正する際に用いられる前記モデルを作成する方法であって、a) 前記複数のセンサーの各々について、センサーの基準分光感度を求める工程と、b) 前記複数のセンサーの各々について、工程a)において求められたセンサーの基準分光感度を示す指標を求める工程と、c) 前記複数のセンサーの各々について、工程b)において求められたセンサーの基準分光感度を示す指標からのセンサーの分光感度を示す指標のずれが前記分光装置の機械的誤差を示す指標の１次関数により表されるモデルを作成する工程と、を備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月9日(2019.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
正孔輸送層１２は、不溶化する機能を有する正孔輸送性材料１２Ｍで構成されている。正孔輸送層１２の原料（材料）である正孔輸送性材料１２Ｍは、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料である。正孔輸送性材料１２Ｍは、さらに、例えば、溶解性および不溶化の機能のために、その分子構造中に、可溶性基や架橋性基、又は、熱解離可溶性基などを有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ準位の測定方法
ＨＯＭＯ準位の測定法としては、例えば、大気中光電子分光法、電気化学的手法（サイクリックボルタメトリー）、又は、光電子分光法（ＰＥＳ）等が挙げられる。一方、ＬＵＭＯ準位の測定法としては、例えば、逆光電子分光法（ＩＰＥＳ）、又は、光吸収分光法により吸収端から求めたエネルギーギャップとＨＯＭＯ準位とから算出する方法等が挙げられる。また、それぞれの準位を、分子軌道法計算を用いて、ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位順位を算出する手法を用いてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
正孔輸送層１１２は、蒸着膜により形成された有機材料層である。正孔輸送層１１２の材料としては、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、または、テトラフェニルベンジン誘導体等が用いられる。正孔輸送層１１２におけるエネルギーギャップＥｇ４は、有機発光層１１３におけるエネルギーギャップＥｇ５より広くなっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本実験では、有機電界発光素子の視野角特性を評価することによって、有機発光層内の発光領域を解析した。以下の表１に、有機電界発光素子の基板に対して、垂直方向（発光面の正面方向）を０°としたときの、３０°および６０°の方向から測定した発光色度ｙ（３０°）、ｙ（６０°）の正面色度ｙ（０°）からのそれぞれの変化量、Δｙ（３０°）＝ｙ（０°）−ｙ（３０°）、Δｙ（６０°）＝ｙ（０°）−ｙ（６０°）を示した。測定は、分光放射輝度計を用いて行った。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
（特徴その２）
本実施の形態において、有機発光層１３における正孔移動度と電子移動度とについて評価を行った。移動度の評価方法としては、例えば、空間電荷制限電流の電流−電圧特性から求める方法や、所定の素子にパルス光を照射し、キャリアが電極間を走行する時間から移動度を求めるＴｉｍｅ−Ｏｆ―Ｆｉｇｈｔ法による評価法や、或いは、有機電界発光素子に交流電圧を印加した場合の、走行時間効果から移動度を求めるインピーダンス分光法による評価法等がある。正孔と電子が同時に流れる有機電界発光素子では、正孔移動度と電子移動度とを切り分けることが困難であるため、単電荷素子を作製して評価した。正孔移動度の評価には、ＨＯＤを作製して評価した。実施例１のＨＯＤ及び比較例１のＨＯＤは、実施例１及び比較例１の有機電界発光素子の有機発光層の膜厚を７５ｎｍ〜８５ｎｍとし、電子輸送層と電子注入層を無くし、アルミニウムを金に変更した素子構造となっている。正孔移動度μｈは、正孔のみを流すＨＯＤに対して所定電圧を印加した場合の移動度として定義される。電子移動度の評価には、ＥＯＤを作製して評価した。実施例１のＥＯＤ及び比較例１のＥＯＤは、実施例１及び比較例１の有機電界発光素子の有機発光層の膜厚を７５〜８５ｎｍとし、正孔注入層と正孔輸送層を無くした素子構造となっている。電子移動度μｅは、電子のみを流すＥＯＤに対して所定電圧を印加した場合の移動度として定義される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
以下の表５は、実施例１及び比較例１のＨＯＤ及びＥＯＤに対して５Ｖの電圧を印加したときの、実施例１及び比較例１のＨＯＤ及びＥＯＤの有機発光層の移動度、及び（正孔移動度μｈ／電子移動度μｅ）を評価したときの一例を表したものである。表５の上段には、実施例１のＨＯＤ及びＥＯＤの有機発光層の移動度、及び（正孔移動度μｈ／電子移動度μｅ）が示されており、表５の下段には、比較例１のＨＯＤ及びＥＯＤの有機発光層の移動度、及び（正孔移動度μｈ／電子移動度μｅ）が示されている。表５から、実施例１のＨＯＤの有機発光層の正孔移動度は、実施例１のＥＯＤの有機発光層の電子移動度よりも大きく、（正孔移動度μｈ／電子移動度μｅ）が１よりも大きいことがわかる。また、表５から、比較例１のＨＯＤの有機発光層の正孔移動度は、比較例１のＥＯＤの有機発光層の電子移動度よりも小さく、（正孔移動度μｈ／電子移動度μｅ）が１よりも小さいことがわかる。従って、実施例１では正孔移動度が電子移動度よりも大きく、そのために発光領域が電子輸送層側にあると考えることができる。また、実施例１では、有機発光層が、（正孔移動度μｈ／電子移動度μｅ）の値が大きくなるに応じて、有機発光層内における発光領域の位置が、電子輸送層側に近づくように構成されているといえる。また、比較例１では、正孔移動度が電子移動度よりも小さく、そのために発光領域が正孔輸送層側にあると考えられる。これらの見解は、実施例１の発光領域が電子輸送層側にあり、比較例１の発光領域が正孔輸送層側にあることを支持する結果である。このことから、塗布型有機電界発光素子では、正孔移動度μｈが電子移動度μｅよりも大きい、即ち（正孔移動度μｈ／電子移動度μｅ）が１よりも大きいことが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
（表示パネル２０）
表示パネル２０は、コントローラ３０およびドライバ４０によって各画素２１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づく画像を表示する。表示パネル２０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬと、行列状に配置された複数の画素２１とを有している。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月12日(2020.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上の方向に光線を振り分け、振り分けられた光によって２つ以上の画像を投影する平面状の投影器と、
第１面からの入射光を第２面から出射する平面状の光学素子と、
互いに直交する第１〜第３の座標軸を含む３次元座標系において、第１状態、第２状態に、前記投影器、前記光学素子の少なくとも１つを支持する支持器とを有し、
前記光学素子は、前記投影器の投影面における第１点からの入射光を、前記光学素子の平面を基準にして面対称な第２点に出射し、
前記第１状態は、前記光学素子の前記平面において相互に直交する第１、第２仮想線及び前記投影器の投影面において相互に直交する第３、第４仮想線を、前記第１、第２の座標軸を含む第１平面に射影すると仮想した場合に、前記第１、第３仮想線が重なり、前記第２、第４仮想線が重なる状態で、
前記第２状態は、前記３次元座標系において、前記第１仮想線と前記第３仮想線が平行でなく、かつ、前記第２仮想線と前記第４仮想線が平行でない状態であること
を特徴とする立体表示装置。
【請求項２】
前記投影器が光線を振り分ける第１の方向は、
前記３次元座標系において、前記第１の座標軸の方向であって、観察者の左眼と右眼が並ぶ方向であり、
前記支持器が第１の方向に対して、一定の傾斜角度に前記投影器又は前記光学素子に支持すること
を特徴とする請求項１に記載の立体表示装置。
【請求項３】
前記支持器の傾斜角度は、
前記投影器に、２つ以上に振り分けられた光線の一方と、他方の光線との輝度差が、互いに最大となるパターンを入力し、
前記振り分けられた光線の一方ないし他方の前記第１の方向における輝度の角度分布を取得し、取得した角度分布に基づき算出すること
を特徴とする請求項２に記載の立体表示装置。
【請求項４】
前記観察者の２つの視点位置を検出する位置検出部、及び
取得した前記観察者の２つの視点位置に基づき、傾斜角度を算出する傾斜角度算出部を備え、
前記支持器は、前記投影器又は前記光学素子を、前記第１の方向に対して前記傾斜角度算出部で算出した傾斜角度傾けて支持する
ことを特徴とする請求項２に記載の立体表示装置。
【請求項５】
前記投影器の投影面において相互に直交する第３、第４仮想線が前記第１、第２の座標軸を含む第１平面に平行に設置した状態において、
前記投影器の投影面の投影中心を第１点とした前記光学素子の前記平面を基準にして面対称な第２点を基準点とし、
前記観察者及び基準点を前記第１平面に射影すると仮定した場合に、
前記基準点及び前記観察者の２つの視点位置と結ぶ直線と、
前記基準点及び前記観察者に向けて第１の方向とで直交する直線がなす角度を算出すること
を特徴する請求項４に記載の立体表示装置。
【請求項６】
前記投影器が投影する２つ以上の画像を、相互に入れ替えて投影器に入力する画像処理部をさらに備え、
前記投影器又は前記光学素子を、前記第１、第２の座標軸を含む第１平面を基準として傾斜させること
を特徴とする請求項５に記載の立体表示装置。
【請求項７】
前記投影器が投影する２つ以上の画像を、前記第１の方向で配列する領域から任意の領域を選択し、選択した領域における一方の画像と他方の画像とを相互に入れ替えて前記投影器に入力する画像処理部をさらに備えること
を特徴とする請求項３又は請求項４に記載の立体表示装置。
【請求項８】
２つ以上の方向に光線を振り分け、振り分けられた光によって２つ以上の画像を投影する平面状の投影器と、
第１面からの入射光を第２面から出射する平面状の光学素子と、
前記投影器、前記光学素子の少なくとも１つを支持する支持器とを有し、
前記光学素子は、前記投影器の投影面における第１点からの入射光を、前記光学素子の平面を基準にして面対称な第２点に出射する
立体表示装置の制御方法において、
互いに直交する第１〜第３の座標軸を含む３次元座標系において、
前記光学素子の前記平面において相互に直交する第１、第２仮想線及び前記投影器の投影面において相互に直交する第３、第４仮想線を、前記第１、第２の座標軸を含む第１平面に射影すると仮想した場合に、前記第１、第３仮想線が重なり、前記第２、第４仮想線が重なる状態を第１の状態とし、
前記３次元座標系において、前記第１仮想線と前記第３仮想線が平行でなく、かつ、前記第２仮想線と前記第４仮想線が平行でない状態を第２の状態とした場合、
前記支持器は、前記投影器及び前記光学素子が、前記第１の状態から前記第２の状態となるように、制御される
制御方法。
【請求項９】
２つ以上の方向に光線を振り分け、振り分けられた光によって２つ以上の画像を投影する平面状の投影器と、
第１面からの入射光を第２面から出射する平面状の光学素子と、
観察者の２つの視点位置を検出する位置検出部と、
前記投影器が投影する２つ以上の画像を任意の領域で相互に入れ替えて投影器に入力する画像処理部とを有し、
前記光学素子は、前記投影器の投影面における第１点からの入射光を、前記光学素子の平面を基準にして面対称な第２点に出射し、
前記画像処理部が、前記第２点と前記観察者の２つの視点位置の中間点との距離に基づいて前記任意の領域を算出すること
を特徴とする立体表示装置。
【請求項１０】
２つ以上の方向に光線を振り分け、振り分けられた光によって２つ以上の画像を投影する平面状の投影器と、
第１面からの入射光を第２面から出射する平面状の光学素子と、
前記投影器が投影する２つ以上の画像を任意の領域で相互に入れ替えて投影器に入力する画像処理部とを有し、
前記光学素子は、前記投影器の投影面における第１点からの入射光を、前記光学素子の平面を基準にして面対称な第２点に出射して、前記投影器からの２つの画像に対応する浮遊画像を空中に投影し、
前記画像処理部が、前記投影器が投影する２つ以上の画像の中で、前記浮遊画像の端部に対応する部分の画像については視差が無い画像にすること
を特徴とする立体表示装置。
【請求項１１】
前記視差が無い画像は単一色の画像である
ことを特徴とする請求項１０に記載の立体表示装置。
【請求項１２】
前記単一色の画像は、黒色の画像である
ことを特徴とする請求項１１に記載の立体表示装置。
【請求項１３】
観察者の２つの視点位置を検出する位置検出部を更に備え、
前記第２点と観察者の２つの視点位置の中間点との距離に基づいて前記任意の領域を算出する
ことを特徴とする請求項１０から請求項１２の何れか一項に記載の立体表示装置。
【請求項１４】
２つ以上の方向に光線を振り分け、振り分けられた光によって２つ以上の画像を投影す
る平面状の投影器と、
第１面からの入射光を第２面から出射する平面状の光学素子と、
観察者の２つの視点位置を検出する位置検出部と、
前記投影器が投影する２つ以上の画像を前記投影器に入力する画像処理部とを有し、
前記光学素子は、前記投影器の投影面における第１点からの入射光を、前記光学素子の平面を基準にして面対称な第２点に出射する
立体表示装置の制御方法において、
前記第２点と前記観察者の２つの視点位置の中間点との距離に基づいて任意の領域が算出され、前記投影器が投影する２つ以上の画像を前記算出された任意の領域で相互に入れ替えるように、
制御される制御方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月3日(2020.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１コントローラと、
第２コントローラと、
フレームメモリと、
レジスタと、
画像処理部と、を有し、
前記フレームメモリは、画像データを格納する機能を有し、
前記画像処理部は、前記画像データを処理する機能を有し、
前記レジスタは、前記画像処理部が処理を行うためのパラメータを格納する機能を有し、
前記フレームメモリは、前記フレームメモリへの電源供給が遮断されている状態で、前記画像データを保持する機能を有し、
前記レジスタは、前記レジスタへの電源供給が遮断されている状態で、前記パラメータを保持する機能を有し、
前記第１コントローラは、前記フレームメモリ、前記レジスタ、および前記画像処理部に対する電源供給を制御する機能を有し、
前記第２コントローラは、前記レジスタに対し、前記レジスタへの電源供給が遮断される前に、前記レジスタへの電源供給遮断に対する準備動作を行うタイミングを指示する機能を有する、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
第３コントローラを有し、
前記第３コントローラは、タッチセンサからの第１信号を受け取る機能と、前記第１信号をもとに第２信号を生成する機能と、を有し、
前記第２信号は、前記タッチセンサが感知した情報を含み、
前記第２コントローラは、前記第２信号および前記フレームメモリの消費電流をもとに、前記レジスタへの電源供給遮断に対する準備動作を行うタイミングを指示する機能を有する、半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記レジスタは、スキャンチェーンレジスタと、第１レジスタと、第２レジスタと、を有し、
前記スキャンチェーンレジスタは、第３レジスタと、第４レジスタと、を有し、
前記第３レジスタの出力端子は、前記第４レジスタの入力端子に電気的に接続され、
前記第１レジスタは、前記第３レジスタに格納されたデータを読み込む機能を有し、
前記第２レジスタは、前記第４レジスタに格納されたデータを読み込む機能を有し、
前記第１レジスタおよび前記第２レジスタに読み込まれたデータは、前記パラメータとして、前記画像処理部に出力され、
前記第３レジスタは、第１保持回路を有し、
前記第４レジスタは、第２保持回路を有し、
前記第１保持回路は、前記第３レジスタのデータを格納する機能を有し、
前記第３レジスタは、前記第１保持回路が格納したデータを読み込む機能を有し、
前記第２保持回路は、前記第４レジスタのデータを格納する機能を有し、
前記第４レジスタは、前記第２保持回路が格納したデータを読み込む機能を有し、
前記レジスタへの電源供給が遮断されている状態で、前記第１保持回路および前記第２保持回路は、格納したデータを保持する機能を有し、
前記第２コントローラは、前記第１保持回路が前記第３レジスタのデータを格納するタイミング、および、前記第２保持回路が前記第４レジスタのデータを格納するタイミングを指示する機能を有する、半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
第３コントローラを有し、
前記第３コントローラは、タッチセンサからの第１信号を受け取る機能と、前記第１信号をもとに第２信号を生成する機能と、を有し、
前記第２信号は、前記タッチセンサが感知した情報を含み、
前記第２コントローラは、前記第２信号および前記フレームメモリの消費電流をもとに、前記第１保持回路が前記第３レジスタのデータを格納するタイミング、および、前記第２保持回路が前記第４レジスタのデータを格納するタイミングを指示する機能を有する、半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２コントローラは、アナログメモリを用いた積和演算回路を有する、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月19日(2020.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱増加システムのキャビティの中に位置決めされているロードに対して熱増加動作を実施する方法であって、
無線周波数（ＲＦ）信号供給源が、伝達経路を通して、前記キャビティに近接している電極にＲＦ信号を提供する工程と、
前記伝達経路に沿って、順方向ＲＦ電力測定値および反射ＲＦ電力測定値を繰り返し取得する工程と、
前記順方向ＲＦ電力測定値および前記反射ＲＦ電力測定値に基づいて、計算された変化率を繰り返し決定する、決定工程と、
計算された前記変化率を閾値変化率と繰り返し比較する工程と、
計算された前記変化率が前記閾値変化率未満であるという決定が行われた場合、前記熱増加動作が完了したという決定が行われるまで、前記ＲＦ信号を前記電極に提供し続ける工程と、
前記熱増加動作が完了したという前記決定が行われた場合、前記電極への前記ＲＦ信号の提供を停止する工程と、を備える、方法。
【請求項２】
前記決定工程は、
前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の複数の比を計算する工程と、
前記複数の比が経時的に変化する割合として、計算された前記割合を決定する工程と、を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記決定工程は、
前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の複数の比を計算する工程と、
前記複数の比から複数のＳ１１パラメータを計算する工程と、
前記複数のＳ１１パラメータが経時的に変化する割合として、計算された前記割合を決定する工程と、を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記閾値変化率は、プラトー温度範囲の中にある温度を有する前記ロードと整合性のある変化率である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プラトー温度範囲は、摂氏−１６度から摂氏−３度の間の温度の範囲を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記熱増加システムは、前記ＲＦ信号供給源と前記電極との間に可変インピーダンス整合ネットワークを備え、前記熱増加動作が完了したという前記決定を行うことは、前記可変インピーダンス整合ネットワークが前記ＲＦ信号供給源と前記ロードを加えたキャビティとの間の整合を改善するように再構成されるレートであるかどうかを決定する工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記熱増加システムは、前記ＲＦ信号供給源と前記電極との間に可変インピーダンス整合ネットワークを備え、前記方法は、
前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の比を繰り返し計算する工程と、
前記比を閾値と繰り返し比較する工程と、
順方向ＲＦ電力測定値に対する反射ＲＦ電力測定値の比が前記閾値より大きい場合、前記ＲＦ信号供給源と前記ロードを加えたキャビティとの間の整合を改善するように前記可変インピーダンス整合ネットワークを再構成する工程と、をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
熱増加システムのキャビティの中に位置決めされているロードに対して熱増加動作を実施するように構成された熱増加システムであって、
ＲＦ信号を生成するように構成された無線周波数（ＲＦ）信号供給源と、
前記ＲＦ信号供給源と前記キャビティに近接して位置決めされている電極との間の伝達経路であって、前記ＲＦ信号を前記ＲＦ信号供給源から前記電極に伝えるように構成された伝達経路と、
前記伝達経路に結合され、前記伝達経路に沿って順方向ＲＦ電力測定値および反射ＲＦ電力測定値を繰り返し取得するように構成された電力検出回路と、
前記電力検出回路に結合されているシステム・コントローラであって、
前記順方向ＲＦ電力測定値および前記反射ＲＦ電力測定値に基づいて、計算された変化率を繰り返し決定し、
計算された前記変化率を閾値変化率と繰り返し比較し、および
計算された前記変化率が前記閾値変化率未満であるかどうかを決定する
ように構成されたシステム・コントローラと、を備え、
計算された前記変化率が前記閾値変化率未満であることを前記システム・コントローラが決定する場合、および、前記熱増加動作が完了したという決定を前記システム・コントローラが行うまで、前記ＲＦ信号供給源は、前記ＲＦ信号を前記電極に提供し続けるように構成されており、
前記システム・コントローラは、前記熱増加動作が完了したという前記決定を前記システム・コントローラが行う場合、前記ＲＦ信号供給源に前記電極への前記ＲＦ信号の提供を停止させるように構成されている、システム。
【請求項９】
前記ＲＦ信号供給源は、３．０メガヘルツから３００メガヘルツの間の周波数を有する共振信号として前記ＲＦ信号を生成するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記システム・コントローラは、
前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の複数の比を計算することによって、および、
前記複数の比が経時的に変化するレートとして、計算された前記レートを決定することによって、
計算された前記変化率を決定するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記システム・コントローラは、
前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の複数の比を計算することによって、
前記複数の比から複数のＳ１１パラメータを計算することによって、および、
前記複数のＳ１１パラメータが経時的に変化するレートとして、計算された前記レートを決定することによって、
計算された前記変化率を決定するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記閾値変化率は、プラトー温度範囲の中にある温度を有する前記ロードと整合性のある変化率である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記プラトー温度範囲は、摂氏−１６度から摂氏−３度の間の温度の範囲を含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記ＲＦ信号供給源と前記電極との間に結合されている可変インピーダンス整合ネットワークをさらに備え、前記システム・コントローラは、前記可変インピーダンス整合ネットワークが前記ＲＦ信号供給源と前記ロードを加えたキャビティとの間の整合を改善するように再構成されるレートを決定することによって、前記熱増加動作が完了したという前記決定を行うように構成されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ＲＦ信号供給源と前記電極との間に可変インピーダンス整合ネットワークをさらに備え、
前記システム・コントローラは、
前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の比を繰り返し計算し、
前記比を閾値と繰り返し比較し、および、
順方向ＲＦ電力測定値に対する反射ＲＦ電力測定値の比が前記閾値より大きい場合、前記ＲＦ信号供給源と前記ロードを加えたキャビティとの間の整合を改善するように前記可変インピーダンス整合ネットワークを再構成するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月16日(2020.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重複除去メモリモジュールであるメモリモジュールにおいて、
プログラミング（ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）レジスター、重複除去比率（ｄｅｄｕｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｒａｔｉｏ）コントロールロジック、及び重複除去エンジンを含むロジックと、
ホストコンピュータへのホストインターフェイスと、を有し、
前記プログラミングレジスターは、前記重複除去メモリモジュールであるメモリモジュールの最大重複除去比率を格納し、
前記重複除去比率コントロールロジックは、前記最大重複除去比率にしたがって前記重複除去メモリモジュールであるメモリモジュールの重複除去比率を制御するように構成され、
前記重複除去比率は、前記ホストコンピュータによってプログラム可能であることを特徴とするメモリモジュール。
【請求項２】
前記重複除去比率コントロールロジックは、前記ホストインターフェイスを通じて前記ホストコンピュータに前記メモリモジュールの前記重複除去比率を伝達するように構成されることを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項３】
前記メモリモジュールの前記重複除去比率は、前記メモリモジュールの製造時にプログラムされることを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項４】
前記メモリモジュールの前記重複除去比率は、システムブート時間にプログラムされることを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項５】
ハッシュテーブルメモリをさらに有し、
前記ハッシュテーブルメモリは、アドレスルックアップテーブル（ａｄｄｒｅｓｓ  Ｌｏｏｋｕｐ  Ｔａｂｌｅ）、ハッシュテーブル、及びバッファメモリを含むことを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項６】
前記重複除去比率コントロールロジックは、前記プログラミングレジスター内に格納されたプログラムされた重複除去比率にしたがって、前記重複除去メモリモジュールであるメモリモジュールの仮想容量を制限するよう前記アドレスルックアップテーブルのテーブルの大きさを調節するように構成されることを特徴とする請求項５に記載のメモリモジュール。
【請求項７】
前記ホストインターフェイスは、ＤＤＲ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅ）インターフェイスであることを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項８】
前記ホストインターフェイスは、ＰＣＩｅ（Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  ｅｘｐｒｅｓｓ）インターフェイスであることを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項９】
プログラミングレジスターと、重複除去比率コントロールロジックと、重複除去エンジンとを含むロジックをメモリモジュール内に具現する段階と、
前記プログラミングレジスター内に前記メモリモジュールの最大重複除去比率を格納する段階と、
ホストコンピュータによって重複除去比率をプログラミングする段階と、
前記最大重複除去比率にしたがって、前記メモリモジュールの前記重複除去比率を調節する段階と、を有することを特徴とするメモリモジュールの動作方法。
【請求項１０】
ホストインターフェイスを通じて前記ホストコンピュータに前記メモリモジュールの前記重複除去比率を伝達する段階をさらに有することを特徴とする請求項９に記載のメモリモジュールの動作方法。
【請求項１１】
前記メモリモジュールの前記重複除去比率は、前記メモリモジュールの製造の時にプログラムされることを特徴とする請求項９に記載のメモリモジュールの動作方法。
【請求項１２】
前記メモリモジュールの前記重複除去比率は、システムブート時間にプログラムされることを特徴とする請求項９に記載のメモリモジュールの動作方法。
【請求項１３】
ハッシュテーブルメモリを提供する段階をさらに有し、
前記ハッシュテーブルメモリは、アドレスルックアップテーブル（ＬＵＴ）と、ハッシュテーブルと、バッファメモリとを含むことを特徴とする請求項９に記載のメモリモジュールの動作方法。
【請求項１４】
前記プログラミングレジスター内に格納されたプログラムされた重複除去比率にしたがって、前記メモリモジュールの仮想容量を制限するよう前記アドレスルックアップテーブルのテーブルのサイズを調節する段階をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載のメモリモジュールの動作方法。
【請求項１５】
前記ホストインターフェイスは、ＤＤＲインターフェイスであることを特徴とする請求項１０に記載のメモリモジュールの動作方法。
【請求項１６】
前記ホストインターフェイスは、ＰＣＩｅインターフェイスであることを特徴とする請求項１０に記載のメモリモジュールの動作方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明によるメモリモジュールは、重複除去メモリモジュールであるメモリモジュールにおいて、プログラミング（ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）レジスター、重複除去比率（ｄｅｄｕｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｒａｔｉｏ）コントロールロジック、及び重複除去エンジンを含むロジックと、ホストコンピュータへのホストインターフェイスと、を有し、前記プログラミングレジスターは、前記重複除去メモリモジュールであるメモリモジュールの最大重複除去比率を格納し、前記重複除去比率コントロールロジックは、前記最大重複除去比率にしたがって前記重複除去メモリモジュールであるメモリモジュールの重複除去比率を制御するように構成され、前記重複除去比率は、前記ホストコンピュータによってプログラム可能であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月12日(2020.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技区間として、ストップスイッチの有利な操作態様を報知しない第１区間と、ストップスイッチの有利な操作態様を報知可能な第２区間と、
を有し、
第２区間では所定のカウンタの値を更新可能とし、
第２区間では所定のランプを点灯可能とし、
前記所定のカウンタの値を、第２区間での遊技の実行に応じて更新可能とし、
特別役の当選に関する所定の情報を持ち越している状態であっても、前記所定のカウンタの値を、第２区間での遊技の実行に応じて更新可能とし、
第２区間での遊技において前記所定のカウンタの値が所定条件を満たしたときは、第２区間を終了し、次遊技は第１区間での遊技となるよう構成され、
第２区間を終了するときは、第２区間に関する情報を初期化可能とする
ことを特徴とするスロットマシン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、遊技者の射幸心を著しく煽ってしまうことがないスロットマシンを提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した課題を解決するために、本発明は、
遊技区間として、ストップスイッチの有利な操作態様を報知しない第１区間と、ストップスイッチの有利な操作態様を報知可能な第２区間と、
を有し、
第２区間では所定のカウンタの値を更新可能とし、
第２区間では所定のランプを点灯可能とし、
前記所定のカウンタの値を、第２区間での遊技の実行に応じて更新可能とし、
特別役の当選に関する所定の情報を持ち越している状態であっても、前記所定のカウンタの値を、第２区間での遊技の実行に応じて更新可能とし、
第２区間での遊技において前記所定のカウンタの値が所定条件を満たしたときは、第２区間を終了し、次遊技は第１区間での遊技となるよう構成され、
第２区間を終了するときは、第２区間に関する情報を初期化可能とする
ことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述した発明によれば、第２区間における遊技の実行に伴って更新される所定のカウンタの値が、所定条件を満たすと第２区間から第１区間への移行が行われるので、有利な操作態様が報知され得る第２区間での遊技を適度に抑制することが可能となり、遊技者の射幸心を著しく煽ってしまうことがない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以上のように、本発明のスロットマシンによれば、遊技者の射幸心を著しく煽ってしまうことがない。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月3日(2020.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体内に挿入され、先端から当該被検体内の被写体像を取り込む挿入部と、
前記被写体像を撮像する撮像部と、
前記挿入部の先端部と被写体との被写体距離を算出する被写体距離算出部と、
前記被写体距離に関する距離情報を報知する距離情報報知部とを備える内視鏡装置。
【請求項２】
前記被写体距離が基準距離以内であるか否かを判定する距離判定部をさらに備え、
前記距離情報報知部は、
前記距離判定部にて前記被写体距離が前記基準距離を超えていると判定された場合と当該基準距離以内であると判定された場合とで、異なる報知状態で前記距離情報を報知する、請求項１に記載の内視鏡装置。
【請求項３】
前記被検体内に挿入される処置具の使用状態を検出する処置具検出部をさらに備え、
前記基準距離は、
第１基準距離と、当該第１基準距離よりも長い第２基準距離の２つ設けられ、
前記距離判定部は、
前記処置具検出部にて前記処置具の使用状態が検出されていない場合には前記基準距離として前記第１基準距離を用い、前記処置具検出部にて前記処置具の使用状態が検出された場合には前記基準距離として前記第２基準距離を用いる、請求項２に記載の内視鏡装置。
【請求項４】
前記処置具検出部は、
前記撮像部にて撮像された撮像画像に基づいて、当該撮像画像内の前記被写体像に前記処置具が含まれているか否かを判定することにより前記使用状態を検出し、
前記距離判定部は、
前記処置具検出部にて前記撮像画像内の前記被写体像に前記処置具が含まれていないと判定された場合には前記基準距離として前記第１基準距離を用い、前記処置具検出部にて前記撮像画像内の前記被写体像に前記処置具が含まれていると判定された場合には前記基準距離として前記第２基準距離を用いる、請求項３に記載の内視鏡装置。
【請求項５】
光軸に沿って移動することで焦点を調整するフォーカスレンズを有し、前記挿入部にて取り込まれた前記被写体像を前記撮像部に結像するレンズユニットをさらに備え、
前記被写体距離算出部は、
前記フォーカスレンズのレンズ位置を検出するレンズ位置検出部を備え、
前記距離情報報知部は、
前記レンズ位置に基づいて、前記被写体距離に関する距離情報を報知する、請求項１〜４のいずれか一つに記載の内視鏡装置。
【請求項６】
前記被写体距離が基準距離以内であるか否かを判定する距離判定部と、
前記フォーカスレンズを移動させるレンズ駆動部と、
前記レンズ駆動部の動作を制御するレンズ制御部とをさらに備え、
前記距離情報報知部は、
前記距離判定部にて前記被写体距離が前記基準距離を超えていると判定された場合と当該基準距離以内であると判定された場合とで、異なる報知状態で前記距離情報を報知し、
前記レンズ制御部は、
前記距離判定部にて前記被写体距離が前記基準距離以内であると判定された場合に、前記レンズ駆動部を動作させ、当該被写体距離が当該基準距離の時に前記被写体像が合焦状態となるレンズ位置に前記フォーカスレンズを移動させる、請求項５に記載の内視鏡装置。
【請求項７】
前記レンズ位置検出部は、
前記レンズ位置を検出する位置センサである、請求項５または６に記載の内視鏡装置。
【請求項８】
前記フォーカスレンズを移動させるレンズ駆動部と、
前記レンズ駆動部の動作を制御するレンズ制御部とをさらに備え、
前記レンズ位置検出部は、
前記レンズ制御部が前記レンズ駆動部を動作させる際に当該レンズ制御部から当該レンズ駆動部に出力される制御値に基づいて、前記レンズ位置を検出する、請求項５〜７のいずれか一つに記載の内視鏡装置。
【請求項９】
前記被写体距離が基準距離以内であるか否かを判定する距離判定部をさらに備え、
前記距離情報報知部は、
前記距離情報を表示する表示部と、
前記表示部の動作を制御する表示制御部とを備え、
前記表示制御部は、
前記距離判定部にて前記被写体距離が前記基準距離を超えていると判定された場合と当該基準距離以内であると判定された場合とで、異なる表示状態で前記距離情報を前記表示部に表示させる、請求項１〜８のいずれか一つに記載の内視鏡装置。
【請求項１０】
前記被写体距離が基準距離以内であるか否かを判定する距離判定部をさらに備え、
前記距離情報報知部は、
前記距離情報を音声出力する音声出力部と、
前記音声出力部の動作を制御する音声制御部とを備え、
前記音声制御部は、
前記距離判定部にて前記被写体距離が前記基準距離を超えていると判定された場合と当該基準距離以内であると判定された場合とで、異なる出力状態で前記距離情報を前記音声出力部から音声出力させる、請求項１〜９のいずれか一つに記載の内視鏡装置。
【請求項１１】
前記撮像部による撮像で得られる撮像画像に含まれる前記被写体像を拡大する像拡大部をさらに備える、請求項１〜１０のいずれか一つに記載の内視鏡装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月18日(2020.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられ液体の流路を形成する流路形成部材と、該流路形成部材上に設けられ前記液体を吐出する吐出口を形成する吐出口形成部材と、前記基板と前記流路形成部材との間に設けられた中間層と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
前記基板上に前記中間層を形成する工程と、
前記中間層上に第１の感光性樹脂層を形成する工程と、
前記第１の感光性樹脂層を選択的に露光することにより、前記第１の感光性樹脂層の前記流路形成部材となる部分を硬化させる工程と、
前記第１の感光性樹脂層上に第２の感光性樹脂層を形成する工程と、
前記第２の感光性樹脂層を選択的に露光することにより、前記第２の感光性樹脂層の前記吐出口形成部材となる部分を硬化させる工程と、
前記第１の感光性樹脂層の非露光部分と前記第２の感光性樹脂層の非露光部分を現像液により一括で除去する工程とを有し、
前記中間層、前記第１の感光性樹脂層の露光部分及び前記第２の感光性樹脂層の露光部分の前記現像液による除去前における吸水率をそれぞれ、Ｗ、Ｗ１、及びＷ２としたとき、Ｗ≧Ｗ１＞Ｗ２の関係を満たすことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記中間層を形成する工程は、中間層となる樹脂層を露光により硬化させる工程を含む請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記中間層となる樹脂層が、エポキシ樹脂と光酸発生剤を含む請求項２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１の感光性樹脂層と前記第２の感光性樹脂層が、エポキシ樹脂と光酸発生剤を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１の感光性樹脂層と前記第２の感光性樹脂層を同一波長の光を用いて露光する請求項１〜４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記光に対して、前記第２の感光性樹脂層の感度が、前記第１の感光性樹脂層の感度より高い請求項５に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記吸水率Ｗ、Ｗ１及びＷ２が、Ｗ＞Ｗ１＞Ｗ２の関係を満たす請求項１〜６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記吸水率Ｗ１が前記吸水率Ｗ２の２倍以上５倍以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記吸水率Ｗが前記吸水率Ｗ１の２倍以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の感光性樹脂層の厚さが前記第２の感光性樹脂層の厚さの０．８倍以上３．０倍以下である請求項１〜９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記中間層となる樹脂層の厚さが前記第１の感光性樹脂層の厚さよりも薄く、０．５μｍ以上５．０μｍ以下である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記現像液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソブチルケトン、ジグライム、イソプロピルアルコール、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、酢酸ｎ−ブチルまたはキシレンを含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
基板と、該基板上に設けられ液体の流路を形成する流路形成部材と、該流路形成部材上に設けられ前記液体を吐出する吐出口を形成する吐出口形成部材と、前記基板と前記流路形成部材との間に設けられた中間層と、を有する液体吐出ヘッドであって、
前記中間層、前記流路形成部材及び前記吐出口形成部材の吸水率をそれぞれ、Ｗ、Ｗ１、及びＷ２としたとき、Ｗ≧Ｗ１＞Ｗ２の関係を満たすことを特徴とする液体吐出ヘッド。