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【手続補正書】
【提出日】令和2年3月23日(2020.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路用の熱管理システムであって、
電子発熱部品が載置された回路カードと係合するように構成されると共に前記電子発熱部品の上面及び少なくとも１つの側面に伝導的に結合可能であるか又は結合される少なくとも１つのヒートフレームと、複数の放熱フィン及び少なくとも１つの熱交換器のうちの少なくとも一方と、シャーシ取付部分と、を含む少なくとも１つの一体に形成された蒸気チャンバと、
それぞれの前記シャーシ取付部分によって、前記少なくとも１つの一体に形成された蒸気チャンバを互いに結合させるように構成される、シャーシフレームと、
前記少なくとも１つの蒸気チャンバ内に収容され、前記少なくとも１つのヒートフレームから熱を放散させるように構成される、作動流体と、
を含むシステムであって、
前記少なくとも１つの蒸気チャンバが、前記電子発熱部品の前記上面及び前記側面から熱を伝導するように構成される部品面を含み、
前記電子発熱部品に向かって前記作動流体を導くように構成されるウィック構造体が、前記少なくとも１つの蒸気チャンバの前記部品面に結合される、
システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの蒸気チャンバに電気的に結合される入力または出力モジュールをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電子発熱部品が様々なサイズ及び形状をしており、前記少なくとも１つの蒸気チャンバが前記電子発熱部品に近接している、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
摩擦嵌合及び／又は舌状突起と溝によって前記回路カードを保持するように構成される回路カード装着部分をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
前記少なくとも１つのヒートフレームが、当該少なくとも１つのヒートフレームと係合された前記回路カードに載置された前記電子発熱部品用にカスタマイズされる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
前記放熱フィンが中空蒸気チャンバフィンである、請求項１〜５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記少なくとも１つの蒸気チャンバの少なくとも１つの面に容器をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項８】
前記ウィック構造体が、前記作動流体を前記容器から前記電子発熱部品に向かって導くように構成される、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記ウィック構造体が、前記少なくとも１つの蒸気チャンバの内部の少なくとも一部にある３Ｄウィック構造体から成り、前記３Ｄウィック構造体が、加熱された部分から前記容器まで毛管作用によって前記作動流体を輸送するように構成される、請求項７又は８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの蒸気チャンバ内に１つ又は複数の支持構造体をさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記熱管理システムが、前記シャーシ取付部分を形成するように垂直に組み立てられた２つ以上の前記蒸気チャンバを含む垂直アセンブリである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１２】
前記熱管理システムが、前記シャーシ取付部分を形成するように平面的に組み立てられた２つ以上の前記蒸気チャンバを含む平面アセンブリである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ウィック構造体が、前記少なくとも１つの蒸気チャンバと一体に形成される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１４】
前記一体に形成された蒸気チャンバが、当該一体に形成された蒸気チャンバの互いに対向する面と面との間に延びる一体に形成された支持ポストをさらに含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１５】
前記一体に形成された蒸気チャンバの前記互いに対向する面に隣接した前記ウィック構造体の細孔が、前記互いに対向する面と面との真ん中にある細孔よりも大きく、当該より大きな細孔が前記作動流体を前記ヒートフレームに輸送すると共に、当該より小さな細孔が前記作動流体をすくなとも１つの容器に輸送する、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月8日(2020.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板が積載された状態で収容された処理室内を加熱しつつ、前記処理室に、前記複数の基板の積載方向に延在するノズルであって、前記複数の基板の積載領域に対応する位置に開口する複数の供給孔を有する原料ガスノズルから、原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、
前記処理室に、前記原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給工程と、
を有し、
前記原料ガス供給工程と前記反応ガス供給工程とを交互に１回ずつ行うことを１サイクルとして１又は複数回行い、下記の（１）〜（４）の条件を満たして前記複数の基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法。
（１）各サイクルの前記原料ガス供給工程における前記原料ガスの供給時間：２０秒以下（２）前記原料ガス供給工程における前記原料ガスノズル内の前記原料ガスの圧力：５０Ｐａ以下
（３）前記原料ガス供給工程における前記処理室内の温度：５００℃以下
（４）前記基板上の膜の形成のために連続して行うサイクル数：１００回以下
【請求項２】
前記原料ガス供給工程後、前記反応ガス供給工程の前に、前記原料ガスノズル内に前記反応ガスを供給して前記原料ガスノズルの内壁をプリコーティングする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記反応ガス供給工程において、前記原料ガスノズル内に不活性ガスを供給することと、前記処理室に供給された前記反応ガスを前記原料ガスノズルの前記複数の供給孔から前記原料ガスノズル内に逆流させることを行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記反応ガス供給工程において、前記原料ガスノズル内に供給する前記不活性ガスの流量と前記原料ガスノズル内に逆流させる前記反応ガスの流量との比を調整する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記反応ガス供給工程において、前記原料ガスノズル内に供給する前記不活性ガスの供給を停止し、前記原料ガスノズル内に前記反応ガスを逆流させる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
複数の基板が積載された状態で収容された基板処理装置の処理室内を加熱しつつ、前記処理室に、前記複数の基板の積載方向に延在するノズルであって、前記複数の基板の積載領域に対応する位置に開口する複数の供給孔を有する原料ガスノズルから、原料ガスを供給する原料ガス供給手順と、
前記処理室に、前記原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給手順と、
を有し、
前記原料ガス供給工程と前記反応ガス供給工程とを交互に１回ずつ行うことを１サイクルとして１又は複数回行い、下記の（１）〜（４）の条件を満たして前記複数の基板上に膜を形成する手順を、コンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
（１）各サイクルの前記原料ガス供給工程における前記原料ガスの供給時間：２０秒以下
（２）前記原料ガス供給工程における前記原料ガスノズル内の前記原料ガスの圧力：５０Ｐａ以下
（３）前記原料ガス供給工程における前記処理室内の温度：５００℃以下
（４）前記基板上の膜の形成のために連続して行うサイクル数：１００回以下
【請求項７】
複数の基板を積載した状態で収容する処理室と、
前記処理室内を加熱する加熱部と、
前記処理室の前記複数の基板の積載方向に延在するノズルであって、前記複数の基板の積載領域に対応する位置に開口する複数の供給孔を有する原料ガスノズルを有し、前記原料ガスノズルから前記処理室に、原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記処理室に、前記原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
前記複数の基板が積載された状態で収容された前記処理室内を加熱しつつ、前記処理室に前記原料ガスノズルから前記原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、前記処理室に前記反応ガスを供給する反応ガス供給工程とを交互に１回ずつ行うことを１サイクルとして１又は複数回行い、下記の（１）〜（４）の条件を満たすように前記加熱部、前記原料ガス供給部、及び前記反応ガス供給部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
（１）各サイクルの前記原料ガス供給工程における前記原料ガスの供給時間：２０秒以下
（２）前記原料ガス供給工程における前記原料ガスノズル内の前記原料ガスの圧力：５０Ｐａ以下
（３）前記原料ガス供給工程における前記処理室内の温度：５００℃以下
（４）前記基板上の膜の形成のために連続して行うサイクル数：１００回以下
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月5日(2020.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置を、
第１の３次元モデルに対して第２の３次元モデルを配置する操作を受け付ける受付手段と、
前記第１の３次元モデルのファイルが複数の部品ファイルを参照可能なアセンブリファイルである場合に、当該アセンブリファイルに、前記第２の３次元モデルを配置する配置手段として機能させるためのプログラム。
【請求項２】
前記情報処理装置を、さらに、前記第１の３次元モデルのファイルが複数の部品ファイルを参照可能なアセンブリファイルか、部品ファイルかを判定する判定手段として機能させるための請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
前記配置手段を、前記配置する操作を受け付けた第２の３次元モデルを、前記第１の３次元モデルの構成情報から特定される、前記第２の３次元モデルを配置可能な場所に配置する手段として機能させるための請求項１または２に記載のプログラム。
【請求項４】
前記情報処理装置を
前記第１の３次元モデルに配置可能な第２の３次元モデルを、前記受付手段による操作の受け付けが可能なように表示する表示手段として機能させ、
前記配置手段を、
前記表示手段により表示され、前記受付手段により操作を受け付けた第２の３次元モデルを、前記第１の３次元モデルに配置するする手段として機能させるための請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項５】
前記配置手段を、前記第１の３次元モデルのファイルに、前記第２の３次元モデルのファイルを参照させる手段として機能させるための請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項６】
第１の３次元モデルに対して第２の３次元モデルを配置する操作を受け付ける受付手段と、
前記第１の３次元モデルのファイルが複数の部品ファイルを参照可能なアセンブリファイルである場合に、当該アセンブリファイルに、前記第２の３次元モデルを配置する配置手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項７】
情報処理装置において、
情報処理装置の受付手段が、第１の３次元モデルに対して第２の３次元モデルを配置する操作を受け付ける受付工程と、
情報処理装置の配置手段が、前記第１の３次元モデルのファイルが複数の部品ファイルを参照可能なアセンブリファイルである場合に、当該アセンブリファイルに、前記第２の３次元モデルを配置する配置工程と、
を含む制御方法。
【請求項８】
３次元モデルを記憶する記憶装置と、情報処理装置と、を含む情報処理システムを、
第１の３次元モデルに対して第２の３次元モデルを配置する操作を受け付ける受付手段と、
前記第１の３次元モデルのファイルが複数の部品ファイルを参照可能なアセンブリファイルである場合に、当該アセンブリファイルに、前記第２の３次元モデルを配置する配置手段として機能させるためのプログラム。
【請求項９】
３次元モデルを記憶する記憶装置と、情報処理装置と、を含む情報処理システムであって、
第１の３次元モデルに対して第２の３次元モデルを配置する操作を受け付ける受付手段と、
前記第１の３次元モデルのファイルが複数の部品ファイルを参照可能なアセンブリファイルである場合に、当該アセンブリファイルに、前記第２の３次元モデルを配置する配置手段と、
を備えることを特徴とする情報処理システム。
【請求項１０】
３次元モデルを記憶する記憶装置と、情報処理装置と、を含む情報処理システムにおいて、
情報処理装置の受付手段が、第１の３次元モデルに対して第２の３次元モデルを配置する操作を受け付ける受付工程と、
情報処理装置の配置手段が、前記第１の３次元モデルのファイルが複数の部品ファイルを参照可能なアセンブリファイルである場合に、当該アセンブリファイルに、前記第２の３次元モデルを配置する配置工程と、
を含む制御方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月20日(2020.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射型の第１の表示素子と、
前記第１の表示素子と電気的に接続された第１のトランジスタと、
第２の表示素子と、
前記第２の表示素子と電気的に接続された第２のトランジスタと、
集光手段または導光手段と、を有し、
前記第１の表示素子及び前記第１のトランジスタと、前記第２の表示素子及び前記第２のトランジスタとは、接着層により貼り合せられ、
前記第１の表示素子と前記接着層との間に前記第１のトランジスタは位置し、
前記第２のトランジスタと前記接着層との間に前記第２の表示素子は位置し、
前記第１の表示素子の、前記第１のトランジスタが位置する側の反対側には、表示面があり、
前記第２の表示素子からの光は、前記接着層及び前記第１の表示素子を通って、前記表示面側に射出され、
前記第１の表示素子は、前記表示面側に光を反射する機能を有し、
前記第２の表示素子からの光は、前記接着層と前記第１の表示素子との間において、前記集光手段または前記導光手段により集光または導光される表示装置。
【請求項２】
反射型の第１の表示素子と、
前記第１の表示素子と電気的に接続された第１のトランジスタと、
第２の表示素子と、
前記第２の表示素子と電気的に接続された第２のトランジスタと、
高屈折率材料を有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の側面を覆う低屈折率材料を有する第２の絶縁層とを有する集光手段または導光手段と、を有し、
前記第１の表示素子及び前記第１のトランジスタと、前記第２の表示素子及び前記第２のトランジスタとは、接着層により貼り合せられ、
前記第１の表示素子と前記接着層との間に前記第１のトランジスタは位置し、
前記第２のトランジスタと前記接着層との間に前記第２の表示素子は位置し、
前記第１の表示素子の、前記第１のトランジスタが位置する側の反対側には、表示面があり、
前記第２の表示素子からの光は、前記接着層及び前記第１の表示素子を通って、前記表示面側に射出され、
前記第１の表示素子は、前記表示面側に光を反射する機能を有し、
前記第２の表示素子からの光は、前記接着層と前記第１の表示素子との間において、前記集光手段または前記導光手段により集光または導光される表示装置。
【請求項３】
反射型の第１の表示素子と、
前記第１の表示素子と電気的に接続された第１のトランジスタと、
第２の表示素子と、
前記第２の表示素子と電気的に接続された第２のトランジスタと、
絶縁層と、前記絶縁層の側面を覆う金属膜とを有する集光手段または導光手段と、を有し、
前記第１の表示素子及び前記第１のトランジスタと、前記第２の表示素子及び前記第２のトランジスタとは、接着層により貼り合せられ、
前記第１の表示素子と前記接着層との間に前記第１のトランジスタは位置し、
前記第２のトランジスタと前記接着層との間に前記第２の表示素子は位置し、
前記第１の表示素子の、前記第１のトランジスタが位置する側の反対側には、表示面があり、
前記第２の表示素子からの光は、前記接着層及び前記第１の表示素子を通って、前記表示面側に射出され、
前記第１の表示素子は、前記表示面側に光を反射する機能を有し、
前記第２の表示素子からの光は、前記接着層と前記第１の表示素子との間において、前記集光手段または前記導光手段により集光または導光される表示装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１の絶縁層は、ＳｉＣ、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、ＣｅＯ２、またはインジウム錫酸化物を有し、
前記第２の絶縁層は、酸化シリコン、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、アクリル、またはフッ素樹脂を有する表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の表示素子は液晶素子であり、前記第２の表示素子は発光素子である表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月7日(2020.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光子の少なくとも一面に接着剤層を介在して接合された保護フィルムを含む偏光板において、
前記偏光板の水分率が２．８〜４．８％であり、
前記接着剤層は、アセトアセチル基変性ポリビニルアルコール系樹脂、グリオキサール架橋剤及び２種以上の多価金属イオンの水溶性塩を含む接着剤組成物よりなり、厚さが３０〜２００ｎｍであることを特徴とする偏光板。
【請求項２】
前記接着剤組成物は、アセトアセチル基変性ポリビニルアルコール系樹脂水溶液及びグリオキサール架橋剤を含むＡ液と、アセトアセチル基変性ポリビニルアルコール系樹脂水溶液及び２種以上の多価金属イオンの水溶性塩を含むＢ液と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光板。
【請求項３】
前記Ａ液及びＢ液のそれぞれに含まれるアセトアセチル基変性ポリビニルアルコール系樹脂の固形分の含量は、アセトアセチル基変性ポリビニルアルコール系樹脂水溶液１００重量％に対して、２．５〜４．５重量％であることを特徴とする請求項２に記載の偏光板。
【請求項４】
前記多価金属イオンの水溶性塩は、塩化亜鉛、硝酸亜鉛及び硝酸アルミニウムよりなる群から選択される２種以上であることを特徴とする請求項１に記載の偏光板。
【請求項５】
前記Ａ液に含まれるグリオキサール系架橋剤の含量は、前記Ａ液に含まれるアセトアセチル基変性ポリビニルアルコール系樹脂の固形分総１００重量部に対して、３０〜７０重量部で含まれることを特徴とする請求項２に記載の偏光板。
【請求項６】
前記多価金属イオンの水溶性塩は、塩化亜鉛、硝酸亜鉛及び硝酸アルミニウムよりなる群から選択される２種以上を含み、
前記塩化亜鉛の含量は、前記Ｂ液に含まれるアセトアセチル基変性ポリビニルアルコール系樹脂の固形分総１００重量部に対して、２〜１０重量部で含まれることを特徴とする請求項２に記載の偏光板。
【請求項７】
前記多価金属イオンの水溶性塩は、塩化亜鉛、硝酸亜鉛及び硝酸アルミニウムよりなる群から選択される２種以上を含み、
前記硝酸亜鉛乃至硝酸アルミニウムの含量は、前記Ｂ液に含まれるアセトアセチル基変性ポリビニルアルコール系樹脂の固形分総１００重量部に対して、３０〜９０重量部で含まれることを特徴とする請求項２に記載の偏光板。
【請求項８】
偏光板の水分率が２．８〜４．８％であり、前記偏光板に含まれる接着剤層の厚さが３０〜２００ｎｍである偏光板の製造方法において、
（ａ）偏光子の両面にアセトアセチル基変性ポリビニルアルコール系樹脂、グリオキサール架橋剤及び２種以上の多価金属イオンの水溶性塩を含む接着剤組成物が塗布され、接着剤層が生成される段階と、
（ｂ）前記接着剤層上に少なくとも一つ以上の保護フィルムがニップロールにより接合され、偏光板が製作される段階と、
（ｃ）前記偏光板が少なくとも２個以上の乾燥路を通過し、乾燥される段階と、を含むことを特徴とする偏光板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月22日(2020.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサと、半導体装置と、を有する電子機器であり、
前記半導体装置は、第１メモリセルと、第２メモリセルと、オフセット回路と、を有し、
前記第１メモリセルは、前記第１メモリセルに保持されている第１アナログデータに応じた第１電流を出力する機能を有し、
前記第２メモリセルは、前記第２メモリセルに保持されている参照アナログデータに応じた第２電流を出力する機能を有し、
前記オフセット回路は、前記第１電流と前記第２電流との差分電流に相当する第３電流を出力する機能を有し、
前記第１メモリセルは、前記第１メモリセルに第２アナログデータを信号として印加された場合、前記第１メモリセルに保持されている前記第１アナログデータと、前記第２アナログデータと、に応じた第４電流を出力する機能を有し、
前記第２メモリセルは、前記第２メモリセルに前記第２アナログデータを前記信号として印加された場合、前記第２メモリセルに保持されている前記参照アナログデータと、前記第２アナログデータと、に応じた第５電流を出力する機能を有し、
前記半導体装置は、前記第４電流と前記第５電流との差分電流から、前記第３電流を差し引くことで、前記第１アナログデータと前記第２アナログデータとの積和に応じた第６電流を出力する機能を有し、
前記センサは、第１データを取得する機能を有し、
前記半導体装置は、前記第１データと、利用者によって選択された第２データと、前記第６電流と、に応じて、第３データを生成する機能を有し、
前記第２データは、第１輝度及び第１色調に対応する設定値を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１において、
第１表示素子と、第２表示素子と、を有し、
前記第３データは、第２輝度及び第２色調に対応する設定値を有する第４データと、第３輝度及び第３色調に対応する設定値を有する第５データと、を有し、
前記第１表示素子は、光の反射によって、前記第２輝度及び前記第２色調に対応する設定値に応じた画像を表示する機能を有し、
前記第２表示素子は、自発光によって、前記第３輝度及び前記第３色調に対応する設定値に応じた画像を表示する機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１、又は請求項２において、
前記第１メモリセルと、前記第２メモリセルと、前記オフセット回路と、は、それぞれトランジスタを有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に、インジウム、元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズ）、亜鉛の少なくとも一を含む酸化物を有することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記センサは、第１センサ部を有し、
前記第１センサ部は、第１遮光膜と、第２遮光膜と、複数の光センサと、を有し、
前記第１遮光膜は、第１距離の間隔毎に、複数の第１開口部を有し、
前記第２遮光膜は、前記第１距離よりも長い第２距離の間隔毎に、複数の第２開口部を有し、
前記第１遮光膜は、前記光センサの上方に位置し、
前記第２遮光膜は、前記第１遮光膜の上方に位置し、
前記複数の光センサの一と、前記複数の第１開口部の一と、前記複数の第２開口部の一と、が互いに重なる領域を有することを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記センサは、第２センサ部を有し、
前記第２センサ部は、加速度センサを有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月14日(2020.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
第１のトランジスタを含む層と、
第１の画素電極層、第１の液晶、及び第１の対向電極層を含む第１の表示素子と、
第２のトランジスタを含む層と、
第２の画素電極層、第２の液晶、及び第２の対向電極層を含む第２の表示素子と、を有し、
前記第１の基板と、前記第１のトランジスタを含む層と、前記第１の画素電極層と、前記第１の液晶と、前記第１の対向電極層と、前記第２のトランジスタを含む層と、前記第２の画素電極層と、前記第２の液晶と、前記第２の対向電極層と、が順に積層され、
前記第１の対向電極層と前記第２のトランジスタを含む層とは接し、
前記第２の画素電極層と前記第２のトランジスタを含む層とは接し、
前記第１の基板、前記第１の画素電極層、前記第１の対向電極層、及び前記第２の対向電極層は透光性を有し、
前記第２の画素電極層は反射性を有する表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のトランジスタを含む層は、
前記第２のトランジスタと前記第２の画素電極層とを電気的に接続する配線層と、
前記第２のトランジスタと前記第２の画素電極層との間に絶縁膜とを有し、
前記絶縁膜は前記第２の画素電極層に達する開口を有し、
前記配線層は前記開口に設けられる表示装置。
【請求項３】
第１の基板と、
第１のトランジスタを含む層と、
第１の画素電極層、第１の液晶、及び第１の対向電極層を含む第１の表示素子と、
接着層と、
第２のトランジスタを含む層と、
第２の画素電極層、第２の液晶、及び第２の対向電極層を含む第２の表示素子と、を有し、
前記第１の基板と、前記第１のトランジスタを含む層と、前記第１の画素電極層と、前記第１の液晶と、前記第１の対向電極層と、前記接着層と、前記第２のトランジスタを含む層と、前記第２の画素電極層と、前記第２の液晶と、前記第２の対向電極層と、が順に積層され、
前記第１の対向電極層と前記第２のトランジスタを含む層とは、前記接着層を介して固定され、
前記第１の基板、前記第１の画素電極層、前記第１の対向電極層、及び前記第２の対向電極層は透光性を有し、
前記第２の画素電極層は反射性を有する表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の表示素子の駆動モードは、Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔモードであり、
前記第２の表示素子の駆動モードは、Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃモードである表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月3日(2020.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、半導体装置、表示モジュール、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成し、
前記第１の層に対して、酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うことで、オキシジフタル酸の残基を有する第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層上に、被剥離層を形成し、
前記被剥離層と前記基板とを分離する、半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の加熱処理の後に、前記第１の樹脂層上にマスクを形成し、エッチングすることで、島状の前記第１の樹脂層を形成し、
前記被剥離層を形成する工程では、前記基板上及び前記第１の樹脂層上に、前記第１の樹脂層の端部を覆う絶縁層を形成し、前記第１の樹脂層上に、前記絶縁層を介して、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを形成し、
前記被剥離層と前記基板とを分離する前に、前記第１の樹脂層の少なくとも一部を前記基板から分離することで、分離の起点を形成する、半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の加熱処理で、酸素を含むガスを流す、半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成し、
前記第１の層に対して、酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うことで、オキシジフタル酸の残基を有する第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層上にマスクを形成し、エッチングすることで、島状の前記第１の樹脂層を形成し、
前記基板上及び前記第１の樹脂層上に、前記第１の樹脂層の端部を覆う第２の層を形成し、
前記第２の層に対して、前記第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で第２の加熱処理を行うことで、前記第１の樹脂層の端部を覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層上に、前記第２の樹脂層を介して、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを形成し、
前記第１の樹脂層の少なくとも一部を前記基板から分離することで、分離の起点を形成し、
前記トランジスタと前記基板とを分離する、半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の加熱処理で、酸素を含むガスを流し、
前記第２の加熱処理で、酸素を含むガスを流さない、または前記第１の加熱処理で用いるガスよりも酸素を含む割合が低いガスを流す、半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記第２の樹脂層は、オキシジフタル酸の残基を有する、半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の樹脂層は、オキシジフタル酸またはオキシジフタル酸誘導体を含む酸成分と、芳香族アミンまたは芳香族アミン誘導体を含むアミン成分と、を用いて得られるポリイミド樹脂を有する、半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の加熱処理は、３５０℃以上４５０℃以下で行い、
前記第１の加熱処理で、窒素と酸素を含む混合ガスを流す、半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
厚さが１μｍ以上３μｍ以下となるように、前記第１の樹脂層を形成する、半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
スピンコータを用いて、前記第１の層を形成する、半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記第１の加熱処理の温度以下の温度で、前記トランジスタを作製する、半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記材料は、非感光性の材料である、半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上の第２の樹脂層と、
前記第２の樹脂層上のトランジスタと、を有し、
前記第１の樹脂層は、オキシジフタル酸の残基を有する、半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第２の樹脂層は、オキシジフタル酸の残基を有する、半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４において、
前記第１の樹脂層の前記第２の樹脂層とは反対側の面に対して行う、Ｘ線光電子分光分析で求められる酸素濃度が、１０ａｔｏｍｉｃ％以上である、半導体装置。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５のいずれか一において、
前記第１の樹脂層の厚さは、１μｍ以上３μｍ以下である、半導体装置。
【請求項１７】
請求項１３乃至１６のいずれか一において、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する、半導体装置。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか一に記載の半導体装置と、
フレキシブルプリント基板と、を有する、表示モジュール。
【請求項１９】
請求項１８に記載の表示モジュールと、
アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、または操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、電子機器。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月21日(2020.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置、表示モジュールおよび電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素と、第２の画素とを有する表示装置であって、
前記第１の画素と、前記第２の画素とは、隣接して設けられ、
前記第１の画素及び前記第２の画素は、第１の表示領域と、第２の表示領域とを、それぞれ有し、
前記第１の表示領域は、入射する光を反射する機能を有し、
前記第２の表示領域は、前記第１の表示領域の内側に設けられ、且つ光を射出する機能を有し、
前記第２の表示領域は少なくとも３組以上の平行な辺を有し、
前記第１の画素が有する第２の表示領域と、前記第２の画素が有する第２の表示領域とは、前記第１の表示領域の内側に設けられる位置が異なる、表示装置。
【請求項２】
第１の画素と、第２の画素と、第３の画素とを有する表示装置であって、
前記第１の画素と、前記第２の画素とは、隣接して設けられ、
前記第１の画素と、前記第３の画素とは、隣接して設けられ、
前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素は、第１の表示領域と、第２の表示領域とを、それぞれ有し、
前記第１の表示領域は、光を反射する機能を有し、
前記第２の表示領域は、前記第１の表示領域の内側に設けられ、且つ光を射出する機能を有し、
前記第１の画素が有する第２の表示領域と、前記第２の画素が有する第２の表示領域とは、それぞれ前記第１の表示領域の内側に設けられる位置が同じであり、
前記第１の画素が有する第２の表示領域と、前記第３の画素が有する第２の表示領域とは、それぞれ前記第１の表示領域の内側に設けられる位置が異なり、
前記第２の表示領域は少なくとも３組の平行な辺を有する、表示装置。
【請求項３】
第１の画素と、第２の画素と、第３の画素とを有する表示装置であって、
前記第１の画素と、前記第２の画素とは、隣接して設けられ、
前記第１の画素と、前記第３の画素とは、隣接して設けられ、
前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素は、第１の表示領域と、第２の表示領域とを、それぞれ有し、
前記第１の表示領域の上面方向から見て、前記第１の表示領域の、外周部の内側に、前記第２の表示領域が設けられ、
前記第２の表示領域が設けられる位置は、
前記第１の画素が有する前記第２の表示領域と、前記第２の画素が有する前記第２の表示領域とで異なり、
前記第１の画素が有する前記第２の表示領域と、前記第３の画素が有する前記第２の表示領域とで同じであり、
前記第２の表示領域は、平面形状が菱形である、表示装置。
【請求項４】
第１の画素と、第２の画素と、第４の画素とを有する表示装置であって、前記第１の画素と、前記第２の画素の配列する方向と平行となる直線方向をＸ軸とし、
前記第２の画素は、前記第１の画素に対して、前記Ｘ軸方向に隣接して設けられ、
前記第４の画素は、前記第１の画素に対して、前記Ｘ軸方向に第２の画素とは逆側に隣接して設けられ、
前記第４の画素は、第１の表示領域と、第２の表示領域とを有し、
前記第１の表示領域の上面方向から見て、前記第１の表示領域の、画素配列面内の水平面内の外周部の内側に、前記第２の表示領域が設けられ、
前記第２の表示領域が設けられる位置は、前記第１の画素が有する前記第２の表示領域と、前記第４の画素が有する前記第２の表示領域とで異なり、
前記第２の画素が有する前記第２の表示領域と、前記第４の画素が有する前記第２の表示領域とで同じであり、
前記第２の表示領域の平面形状である菱形は、２つの平行な辺を１組として２組の辺を有し、
前記第１の画素が有する前記第２の表示領域の有する１組の平行な２つの辺は、前記第１の画素が有する前記第２の表示領域の中心位置と、前記第２の画素が有する前記第２の表示領域の中心位置とを結ぶ直線とそれぞれ平行であり、
前記第１の画素が有する前記第２の表示領域の有する他の１組の平行な２つの辺は、前記第１の画素が有する前記第２の表示領域の中心位置と、前記第４の画素が有する前記第２の表示領域の中心位置とを結ぶ直線とそれぞれ平行である、表示装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第１の表示領域は、光を反射する機能を有し、
前記第２の表示領域は、光を射出する機能を有する、表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記表示装置は、第１の表示素子と、第２の表示素子と、を有し、
前記第１の表示素子は、前記第１の表示領域と重なる位置に設けられ、
前記第２の表示素子は、前記第２の表示領域と重なる位置に設けられる、表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の表示素子は、液晶層を有し、
前記第２の表示素子は、発光層を有する、表示装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記第１の画素が有する第２の表示素子と、前記第２の画素が有する第２の表示素子とは、発光色が異なる、表示装置。
【請求項９】
請求項６または請求項７において、
前記第１の画素が有する第２の表示素子と、前記第２の画素が有する第２の表示素子とは、発光層の構造が同じであり、
前記第１の画素が有する第２の表示素子と、前記第３の画素が有する第２の表示素子とは、発光層の構造が異なる、表示装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の表示素子は、第１のトランジスタに電気的に接続され、
前記第２の表示素子は、第２のトランジスタに電気的に接続され、
前記第１の表示素子および前記第２の表示素子はそれぞれ独立に制御される、表示装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第２の表示領域は、前記第１のトランジスタと接続される配線、および前記第２のトランジスタと接続される配線と重畳しない、表示装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
前記第２の表示素子は、前記第２のトランジスタ側に向けて発光できる、表示装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、半導体層に金属酸化物膜を有する、表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の表示装置と、タッチセンサと、を有する、表示モジュール。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の表示装置、または請求項１４に記載の表示モジュールと、バッテリと、を有する、電子機器。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月17日(2020.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを補正する機能を有する第１の機能回路及び第２の機能回路と、
前記第１の機能回路に電気的に接続された第１のスキャンチェーンと、
前記第２の機能回路に電気的に接続された第２のスキャンチェーンと、
前記第１のスキャンチェーン及び前記第２のスキャンチェーンに電気的に接続されたコントローラと、
入力端子と、を有し、
前記コントローラにより、前記第１のスキャンチェーンが動作し、前記第２のスキャンチェーンが動作しないように制御された状態で、前記入力端子から前記第１の機能回路にパラメータのデータが出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のスキャンチェーンに電気的に接続された第１のセレクタと、
前記第２のスキャンチェーンに電気的に接続された第２のセレクタと、さらに有し、
前記コントローラは、前記第１のセレクタと前記第２のセレクタに制御データを供給することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１のスキャンチェーンとクロック線に電気的に接続された第１の論理回路と、
前記第２のスキャンチェーンにと前記クロック線に電気的に接続された第２の論理回路と、さらに有し、
前記コントローラは、前記第１の論理回路と前記第２の論理回路に制御データを供給することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１のスキャンチェーンとクロック線に電気的に接続された第１の論理回路と、
前記第２のスキャンチェーンにと前記クロック線に電気的に接続された第２の論理回路と、さらに有し、
前記第１の論理回路と前記第２の論理回路により、前記クロック線から前記第１のスキャンチェーンにクロック信号が出力され、前記第２のスキャンチェーンに前記クロック信号が出力されないことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の機能回路及び前記第２の機能回路に電気的に接続されたモジュールコネクタをさらに有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
画像データを補正する機能を有する第１の機能回路及び第２の機能回路と、
前記第１の機能回路に電気的に接続された第１のスキャンチェーンと、
前記第２の機能回路に電気的に接続された第２のスキャンチェーンと、
前記第１のスキャンチェーン及び前記第２のスキャンチェーンに電気的に接続されたコントローラと、
入力端子と、
前記第１のスキャンチェーンと前記コントローラの間に設けられた第１のトランジスタと、
前記第２のスキャンチェーンと前記コントローラの間に設けられた第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタのそれぞれのチャネル形成領域は酸化物半導体を有し、
前記コントローラにより、前記第１のスキャンチェーンが動作し、前記第２のスキャンチェーンが動作しないように制御された状態で、前記入力端子から前記第１の機能回路にパラメータのデータが出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１のスキャンチェーンに電気的に接続された第１のセレクタと、
前記第２のスキャンチェーンに電気的に接続された第２のセレクタと、さらに有し、
前記コントローラは、前記第１のセレクタと前記第２のセレクタに制御データを供給することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６において、
前記第１のスキャンチェーンとクロック線に電気的に接続された第１の論理回路と、
前記第２のスキャンチェーンにと前記クロック線に電気的に接続された第２の論理回路と、さらに有し、
前記コントローラは、前記第１の論理回路と前記第２の論理回路に制御データを供給することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６において、
前記第１のスキャンチェーンとクロック線に電気的に接続された第１の論理回路と、
前記第２のスキャンチェーンにと前記クロック線に電気的に接続された第２の論理回路と、さらに有し、
前記第１の論理回路と前記第２の論理回路により、前記クロック線から前記第１のスキャンチェーンにクロック信号が出力され、前記第２のスキャンチェーンに前記クロック信号が出力されないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の機能回路及び前記第２の機能回路に電気的に接続されたモジュールコネクタをさらに有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
反射素子と発光素子を含む画素をさらに有し、
前記第１の機能回路及び前記第２の機能回路の少なくとも一方は、前記反射素子と前記発光素子の少なくとも一方の色調を調整するパラメータを保持し、保持している前記パラメータを用いて前記画像データを補正する調色回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
反射素子と発光素子を含む画素をさらに有し、
前記第１の機能回路及び前記第２の機能回路の少なくとも一方は、前記反射素子の反射強度と前記発光素子の発光強度を調整するパラメータを保持し、保持している前記パラメータを用いて前記画像データを補正する調光回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
反射素子と発光素子を含む画素をさらに有し、
前記第１の機能回路及び前記第２の機能回路の少なくとも一方は、ガンマ値を保持し、前記ガンマ値を用いて前記画像データを補正するガンマ補正回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載の前記半導体装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月4日(2020.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】建築用金物の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、木造建造物の構造材を結合する際に使用する建築用金物の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
木造建造物の部材を接合するための接合金物で、以下のようにして構成することを特徴とする建築用金物の製造方法。
(1) 製造用平板を丸めて、あるいはパイプ状材料から、円筒状の筒状本体を形成する。前記筒状本体は、少なくとも一開口縁に、多数の略二等辺三角形の先端突片を底辺相当位置で隙間無く突設して形成する。
(2) 前記筒状本体の先端突片側を、部分球状の凹部金型に押圧して、隣接する先端突片の対応する縁を略密着させると共に、前記筒状本体の軸芯に対して外側に凸に形成して、ドーム状先端部を形成する。
【請求項２】
木造建造物の部材を接合するための接合金物で、以下のようにして構成することを特徴とする建築用金物の製造方法。
(1) 対応する２つの当接辺と、これに直交する対応する一端辺と他端辺とを有する矩形の平板本体の前記一端辺に、複数の略三角形の先端突片の底辺を連設して、製造用平板を構成する。
(2) 前記製造用平板で、隣接する先端突片の底辺付近で隙間無く配置させる。
(3) 前記製造用平板の前記当接辺の周囲を当接辺に沿って丸めて、続いて、前記当接辺に平行な平板本体部分を丸めて、続いて、前記平板本体を円筒状に形成して筒状本体を形成する。
(4) 次ぎに、前記製造用平板の先端突片側を、部分球状の凹部金型に押圧して、隣接する先端突片の対応する縁を略密着させると共に、前記筒状本体の軸芯に対して外側に凸に形成して、ドーム状先端部を形成する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月24日(2020.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１部材と、
前記第１部材に対して回動可能に設けられた第２部材と、
前記第１部材および前記第２部材の一方側から他方側へ駆動力を伝達する歯車装置と、
を備え、
前記歯車装置は、
前記駆動力の伝達経路の途中に設けられ、互いに噛み合う内歯および外歯と、
前記内歯と前記外歯との間に配置されている潤滑剤と、を有し、
前記外歯の構成材料の平均結晶粒径が前記内歯の構成材料の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とするロボット。
【請求項２】
前記内歯の構成材料の平均結晶粒径が２０μｍ以上１５０μｍ以下である請求項１に記載のロボット。
【請求項３】
前記外歯の構成材料の平均結晶粒径が０．５μｍ以上３０μｍ以下である請求項１または２に記載のロボット。
【請求項４】
前記内歯および前記外歯は、それぞれ、金属材料で構成されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載のロボット。
【請求項５】
前記内歯は、鋳鉄および析出硬化型ステンレス鋼のうちのいずれか一方で構成されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載のロボット。
【請求項６】
前記外歯は、ニッケルクロムモリブデン鋼、マルエージング鋼および析出硬化型ステンレス鋼のうちのいずれか１つで構成されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載のロボット。
【請求項７】
前記歯車装置は、
前記内歯を有する内歯車と、
前記内歯に部分的に噛み合う前記外歯を有する可撓性の外歯車と、
前記外歯車を撓めて前記内歯車と前記外歯車との噛み合い位置を周方向に移動させる波動発生器と、を有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載のロボット。
【請求項８】
互いに噛み合う内歯および外歯と、
前記内歯と前記外歯との間に配置されている潤滑剤と、を有し、
前記外歯の構成材料の平均結晶粒径が前記内歯の構成材料の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする歯車装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月4日(2020.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るバルブの全体断面図である。
【図２】図１のバルブにおけるダイヤフラム近傍を示す拡大断面図である。
【図３】図１のバルブが弁座部から離間した弁開状態を示す全体断面図である。
【図４】図３のバルブにおけるダイヤフラム近傍を示す拡大断面図である。
【図５】バルブにおける弁座部の高さ位置と流体の流れやすさを示すＣｖ値との関係を示す特性曲線図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るバルブの全体断面図である。
【図７】図６のバルブにおける弁体のスカート部近傍を示す拡大断面図である。
【図８】図６のバルブが弁座部から離間した弁開状態を示す全体断面図である。
【図９】図８のバルブにおける弁体のスカート部近傍を示す拡大断面図である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月6日(2020.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
体外血液回路と、血液ポンプと、透析器と、静脈圧センサと、置換液ラインと、制御ユニットとを有する透析装置であって、前記制御ユニットは、血液ポンプを第１の動作モード又は特別動作モードで動作させ、トリガイベントが検出されたとき前記特別動作モードを開始するように構成され、前記特別動作モードでは、前記血液ポンプの搬送レートがデフォルト値を用いて制御され、又は所望値に調整され、前記デフォルト値又は前記所望値は、前記特別動作モードの開始前に決定された値から導出され又は該値に対応している透析装置において、
前記制御ユニットは、前記特別動作モードの開始前に、前記特別動作モードを作動しない理由があるか否かを検出し、その理由が検出されたときには、前記特別動作モードの開始が阻止又は遅延されるように構成されている、
ことを特徴とする透析装置。
【請求項２】
前記制御ユニットが、更に、前記デフォルト値または所望値の選択が、前記特別動作モードを開始しない理由が検出されたときと、前記特別動作モードを開始しない理由が検出されないときとで異なる、
請求項１に記載の透析装置。
【請求項３】
前記現在開始している特別動作モードの開始前に決定された値、前記所望値又は前記デフォルト値は、血液粘度又はヘマトクリット部分などの血液特性、或いは前記血液ポンプのモータ電流引き込み又はモータ電力引き込みなどの計器値、或いは静脈圧である、
請求項１に記載の透析装置。
【請求項４】
前記特別動作モードを開始しない理由が、前記血液ポンプが現在、既に前記特別動作モードで動作していることである、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の透析装置。
【請求項５】
前記血液ポンプが現在、既に前記特別動作モードで動作しているとき、前記デフォルト値又は前記所望値は、既に作動している特別動作モードから維持される、
請求項４に記載の透析装置。
【請求項６】
前記特別動作モードを開始しない理由が、前記血液ポンプが特別動作モードで作動してきた時間的に前のフェーズが開始または経過した後、特定待機時間が経過していないことである、
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の透析装置。
【請求項７】
前記デフォルト値又は前記所望値は、前記時間的に前のフェーズの間、前記特別動作モードから維持される、
請求項６に記載の透析装置。
【請求項８】
前記特別動作モードを開始しない理由が、測定値、例えば静脈圧の時間に亘る第１の逸脱が、トリガイベントが検出されたとき、閾値を上回ることである、
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の透析装置。
【請求項９】
前記デフォルト値又は所望値は、前記特別動作モードの開始前の測定値、例えば静脈圧から導出される、
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の透析装置。
【請求項１０】
前記制御ユニットは、前記血液ポンプが前記特別動作モードの前及び／又は後に、所定の流量パターン、具体的には一定流量又は一定速度で動作するように構成されている、
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の透析装置。
【請求項１１】
前記トリガイベントが、前記測定値、例えば静脈圧が、閾値または測定値の勾配を超える又は下回る、及び/又は、置換液投与の停止、減少、開始又は増加である、
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の透析装置。
【請求項１２】
前記制御ユニットは、前記特別動作モードの継続時間が前記血液ポンプの通常動作時の前記体外血液回路の前記静脈ラインにおける予想血液流動時間に近似する又は従うように構成されている、
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の透析装置。
【請求項１３】
前記制御ユニットは、前記待機期間が前記特別動作モードの前記継続時間と相関するように構成されている、
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の透析装置。
【請求項１４】
前記置換液ラインは、前記体外血液回路の前記静脈ラインに開口する、
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の透析装置。
【請求項１５】
前記制御ユニットは、前記特別動作モードの経過中における前記置換液の供給レートの変化が阻止される又は所定の範囲内でしか許容されないようにさらに構成されている、
請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の透析装置。
【請求項１６】
前記制御ユニットは、前記特別動作モードの終了後の一定の待機期間内における前記置換液の供給の変化が阻止される又は所定の範囲内でしか許容されないようにさらに構成されている、
請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の透析装置。