【手続補正書】
【提出日】令和1年12月16日(2019.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第１のソース電極と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第１のドレイン電極と、
前記第１の酸化物半導体膜、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
前記第１のドレイン電極と、
前記第１のドレイン電極上の前記第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第２のソース電極と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第２のドレイン電極と、
前記第２の酸化物半導体膜、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第３のゲート電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜とは、互いに重なる領域を有する、半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第１のソース電極と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第１のドレイン電極と、
前記第１の酸化物半導体膜、前記第１のソース電極、及び前記第２のドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上の第２のゲート電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
前記第１の絶縁膜上の第３のゲート電極と、
前記第３のゲート電極上の前記第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、チャネル領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する第２の酸化物半導体膜と、
前記チャネル領域と接する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜と接する第４のゲート電極と、
前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記第４のゲート電極と接する第４の絶縁膜と、
前記ソース領域に電気的に接続される第２のソース電極と、
前記ドレイン領域に電気的に接続される第２のドレイン電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜とは、互いに重なる領域を有する、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のゲート電極、及び前記第２のゲート電極は、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられる開口部において接続され、
且つ、前記第１の酸化物半導体膜の側端部よりも外側に位置する領域を有する、半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜のいずれか一方または双方は、
Ｉｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する、半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記Ｉｎ、前記Ｍ、及び前記Ｚｎの原子数の比は、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３近傍であり、
前記Ｉｎが４の場合、前記Ｍが１．５以上２．５以下であり、且つ前記Ｚｎが２以上４以下である、半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜のいずれか一方または双方は、
結晶部を有し、
前記結晶部は、ｃ軸配向性を有する、半導体装置。
【請求項７】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を間に挟んで前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する、第１の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上、及び前記第１の導電膜上の第２の絶縁膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第３の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上、前記第２の導電膜上、及び前記第３の導電膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜と接するチャネル領域と、前記第２の絶縁膜と接するソース領域と、前記第２の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
前記第３の導電膜と、
前記第３の導電膜上の前記第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第４の導電膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第５の導電膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜とは、互いに重なる領域を有する、半導体装置。
【請求項８】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を間に挟んで前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する、第１の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上、及び前記第１の導電膜上の第２の絶縁膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第３の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上、前記第２の導電膜上、及び前記第３の導電膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜と接するチャネル領域と、前記第２の絶縁膜と接するソース領域と、前記第２の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
前記第３の導電膜と、
前記第３の導電膜上の前記第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第４の導電膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第５の導電膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上、前記第４の導電膜上、前記第５の導電膜上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜を間に挟んで前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する、第６の導電膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜とは、互いに重なる領域を有する、半導体装置。
【請求項９】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を間に挟んで前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する、第１の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上、及び前記第１の導電膜上の第２の絶縁膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第３の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上、前記第２の導電膜上、及び前記第３の導電膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜と接するチャネル領域と、前記第２の絶縁膜と接するソース領域と、前記第２の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
前記第３の導電膜と、
前記第３の導電膜上の前記第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第４の導電膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第５の導電膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜を間に挟んで前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する、第６の導電膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上、及び前記第６の導電膜上の第５の絶縁膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第４の絶縁膜と接するチャネル領域と、前記第５の絶縁膜と接するソース領域と、前記第５の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜とは、互いに重なる領域を有する、半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜のいずれか一方または双方は、
Ｉｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する、半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記Ｉｎ、前記Ｍ、及び前記Ｚｎの原子数の比は、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３近傍であり、
前記Ｉｎが４の場合、前記Ｍが１．５以上２．５以下であり、且つ前記Ｚｎが２以上４以下である、半導体装置。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜のいずれか一方または双方は、
結晶部を有し、
前記結晶部は、ｃ軸配向性を有する、半導体装置。