【手続補正書】
【提出日】令和2年4月2日(2020.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する画素アレイ部と、前記画素アレイ部の周辺に配置された周辺回路部とを含む固体撮像装置であって、
前記画素アレイ部を構成する素子および前記周辺回路部を構成する素子を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上に配置された配線構造と、を備え、
前記配線構造は、層間絶縁膜の溝に配置された導電性パターンを含み、前記導電性パターンは、第１方向に平行な複数の主ラインと、前記複数の主ラインを相互に接続する複数の補助ラインとを含み、
前記第１方向に直交する第２方向における前記複数の主ラインの各々の幅は、２５０ｎｍ以上かつ２０００ｎｍ以下であり、
前記複数の主ラインにおける隣り合う主ラインの間隔は、５００ｎｍ以下であり、
前記第１方向における前記複数の補助ラインの各々の幅は、４００ｎｍより小さく、
前記複数の主ラインが、第１ラインと、第２ラインと、前記第１ラインと前記第２ラインとの間に配置された第３ラインと、を含み、
前記第１方向に平行で前記第１ラインに重なる第１辺、および、前記第１方向に平行で前記第２ラインに重なる第２辺を有する正方形の領域が、前記正方形の領域の中に前記複数の補助ラインの少なくとも１つを含むように定義され、
前記正方形の領域の中における前記導電性パターンの面積を前記正方形の領域の面積で除した値が０．９以下である、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第２方向における前記複数の主ラインの各々の幅は、前記第１方向における前記複数の補助ラインの各々の幅より大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
複数の画素を有する画素アレイ部と、前記画素アレイ部の周辺に配置された周辺回路部とを含む固体撮像装置であって、
前記画素アレイ部を構成する素子および前記周辺回路部を構成する素子を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上に配置された配線構造と、を備え、
前記配線構造は、層間絶縁膜の溝に配置された導電性パターンを含み、前記導電性パターンは、第１方向に平行な複数の主ラインと、前記複数の主ラインを相互に接続する複数の補助ラインとを含み、前記第１方向に直交する第２方向における前記複数の主ラインの各々の幅は、前記第１方向における前記複数の補助ラインの各々の幅より大きく、
前記第２方向における前記複数の主ラインの各々の幅は、２５０ｎｍ以上かつ２０００ｎｍ以下であり、
前記第１方向における前記複数の補助ラインの各々の幅は、４００ｎｍ以上かつ２０００ｎｍ以下であり、
前記複数の主ラインが、第１ラインと、第２ラインと、前記第１ラインと前記第２ラインとの間に配置された第３ラインと、を含み、
前記第１方向に平行で前記第１ラインに重なる第１辺、および、前記第１方向に平行で前記第２ラインに重なる第２辺を有する正方形の領域が、前記正方形の領域の中に前記複数の補助ラインの少なくとも１つを含むように定義され、
前記正方形の領域の中における前記導電性パターンの面積を前記正方形の領域の面積で除した値が０．７５以下である、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２方向における前記複数の主ラインの各々の幅は、４００ｎｍ以上である、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記複数の主ラインにおける隣り合う主ラインの間隔は、１４０ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記複数の主ラインにおける隣り合う任意の主ラインと前記複数の補助ラインにおける隣り合う任意の補助ラインとによって囲まれる部分の面積が５６００００ｎｍ２以上かつ２００００００ｎｍ２以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記導電性パターンにおける前記複数の主ラインの数は、１２以上である、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記配線構造は、複数の配線層を含み、前記導電性パターンは、前記複数の配線層のうち最上の配線層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記導電性パターンは、銅を主成分とする配線層である、
ことを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記配線構造は、前記導電性パターンの上に、炭化シリコン（ＳｉＣ）および酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）の少なくとも一方を含む層を有する、
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記配線構造は、前記層の上に絶縁膜を有し、前記絶縁膜は、５００ｎｍ以下の厚さを有する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記画素アレイ部を構成する素子は、光電変換部を含み、前記配線構造は、前記光電変換部の上に配置された光導波路を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記光導波路と同一材料で構成され前記光導波路から延びた部分が前記配線構造の上に存在する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記配線構造は、前記周辺回路部に配置された光導波路を有しない、
ことを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記光導波路から延びた前記部分は、前記導電性パターンの上には存在しない、
ことを特徴とする請求項１３又は１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記光導波路は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含む、
ことを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
前記層間絶縁膜は、酸化シリコンまたは酸化炭化シリコンを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１８】
前記導電性パターンは、前記複数の主ラインおよび前記複数の補助ラインのいずれかに接続されたプラグを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１９】
前記複数の補助ラインは、前記複数の主ラインのうち少なくとも２つの主ラインを相互に接続し他の主ラインを接続しないように前記第２方向に平行に延びた補助ラインを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項２０】
前記複数の補助ラインは、前記複数の主ラインのうち第１グループを構成する主ラインを相互に接続する第１補助ラインと、前記複数の主ラインのうち第２グループを構成する主ラインを相互に接続する第２補助ラインとを含み、前記第１グループを構成する主ラインの少なくとも一部は、前記第２グループを構成する主ラインと異なり、前記第１方向における前記第１補助ラインの位置と、前記第１方向における前記第２補助ラインの位置とが互いに異なる、
ことを請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項２１】
前記導電性パターンは、固定電圧が印加されるパターンである、
ことを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項２２】
前記導電性パターンは、前記周辺回路部に配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項２３】
請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。