(57)【要約】  本発明の目的は、ＳｉＣ結晶基板の研磨速度を向上することができる炭化ケイ素研磨用組成物を提供することである。  本発明の炭化ケイ素研磨用組成物は、砥粒と、過酸化物である酸化剤と、キレート剤とを含むことを特徴とし、これらを含むことで、炭化ケイ素結晶基板の、特に（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を向上することができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒と、過酸化物である酸化剤と、キレート剤とを含むことを特徴とする炭化ケイ素研磨用組成物。
【請求項２】
アルカリ性であることを特徴とする請求項１記載の炭化ケイ素研磨用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化ケイ素を研磨するときに使用する炭化ケイ素研磨用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化ケイ素（以下では単に「ＳｉＣ」という場合がある。）は、高耐熱性、高耐圧性、高耐食性、高熱伝導性、高強度材料などの特性から、窒化ガリウム、ダイヤモンド、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどと同様に、エンジニアリングセラミックスとして注目される。【０００３】
炭化ケイ素は、たとえば、パワーデバイス、発光ダイオードなどの構成材料として用いられ、単結晶ＳｉＣ基板の表面研磨が必要とされる。【０００４】
しかしながら、炭化ケイ素は化学的に安定で高強度材料であることから研磨による表面平坦化が非常に困難である。ここで、炭化ケイ素の結晶構造について簡単に説明すると、六方晶に属するα型と立方晶に属するβ型とがあり、α型結晶にはさらに積層構造の違いから４Ｈ型、６Ｈ型、１５Ｒ型などがあり、基板材料としては主に４Ｈ型、６Ｈ型が用いられる。【０００５】
したがって、従来のＳｉＣ単結晶基板研磨用組成物は、４Ｈ型ＳｉＣ単結晶基板および６Ｈ型ＳｉＣ単結晶基板の、特に（０００１）Ｓｉ面、（０００−１）Ｃ面を好適に研磨することを目的としている。【０００６】
特許文献１記載の研磨用組成物は、（０００−１）Ｃ面を好適に研磨することを目的とし、ヨウ素化合物を含有して、ｐＨが８以下であることが開示されている。ヨウ素化合物としては、過ヨウ素酸または過ヨウ素酸塩が好ましく、オルト過ヨウ素酸またはメタ過ヨウ素酸ナトリウムがより好ましいことが記載され、実施例では、ｐＨ調整剤として硫酸が用いられている。【０００７】
特許文献２記載の研磨用組成物は、（０００１）Ｓｉ面を好適に研磨することを目的とし、砥粒とヨウ素化合物とを含有して、ｐＨが６以上であることが開示されている。ヨウ素化合物としては、過ヨウ素酸塩が好ましく、メタ過ヨウ素酸ナトリウムがより好ましいことが記載され、実施例では、ｐＨ調整剤として水酸化リチウムまたはアンモニアが用いられている。【０００８】
特許文献３記載の研磨用組成物は、（０００１）Ｓｉ面、（０００−１）Ｃ面を好適に研磨することを目的とし、砥粒とヨウ素化合物とを含有して、ｐＨが６〜８であることが開示されている。ヨウ素化合物としては、過ヨウ素酸または過ヨウ素酸塩が好ましく、オルト過ヨウ素酸またはメタ過ヨウ素酸ナトリウムがより好ましいことが記載され、実施例では、ｐＨ調整剤としてアンモニアが用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−２７６６３号公報
【特許文献２】特開２００７−２１７０３号公報
【特許文献３】特開２００７−２１７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１〜３記載の研磨用組成物はいずれもヨウ素化合物を用いることで、ＳｉＣ単結晶基板を好適に研磨できることを特徴としているが、（０００１）Ｓｉ面の研磨速度は、特許文献２，３の実施例に記載されているように最も高くて６７．９ｎｍ／ｈであり、研磨速度としては未だ十分に改善されているとはいえない。【００１１】
本発明の目的は、ＳｉＣ結晶基板の研磨速度を向上することができる炭化ケイ素研磨用組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、砥粒と、過酸化物である酸化剤と、キレート剤とを含むことを特徴とする炭化ケイ素研磨用組成物である。
また本発明は、アルカリ性であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、砥粒と、過酸化物である酸化剤と、キレート剤とを含むことを特徴とし、これらを含むことで、炭化ケイ素結晶基板の、特に（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を向上することができる。【００１４】
また本発明によれば、炭化ケイ素研磨用組成物がアルカリ性であることで、炭化ケイ素結晶基板の研磨速度向上効果をより安定して発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
【図１】炭化ケイ素の研磨速度に対するキレート剤の含有量の影響を示すグラフである。
【図２】炭化ケイ素の研磨速度に対する酸化剤の含有量の影響を示すグラフである。
【図３】炭化ケイ素の研磨速度に対する炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨの影響を示すグラフである。
【図４】実施例１および比較例１〜３の研磨速度を示すグラフである。
【図５】実施例２〜７の研磨速度を示すグラフである。
【図６】実施例８の研磨速度を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下図面を参考にして本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
本発明は、炭化ケイ素の結晶基板、特に単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面の研磨に好適であり、（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を向上させることができる。
【００１７】
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物は、砥粒と、過酸化物である酸化剤と、キレート剤とを含むことを特徴とし、これらを含むことで、炭化ケイ素結晶基板の、特に（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を向上することができる。
【００１８】
以下、本発明の炭化ケイ素研磨用組成物について詳細に説明する。
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物に含まれる酸化剤は、過酸化物であって、たとえば、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化カルバミドなどが挙げられる。これらの中でも特に過酸化水素が好ましい。炭化ケイ素研磨用組成物に対する過酸化水素の添加は、たとえば、過酸化水素の水溶液（過酸化水素水）を添加してもよいし、過炭酸ナトリウムなど水中で過酸化水素を発生する化合物を添加してもよい。
【００１９】
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物における酸化剤の含有量は、炭化ケイ素研磨用組成物全量の３．０重量％以上であり、好ましくは５．０重量％以上である。酸化剤の含有量が、３．０重量％よりも少ないと十分な研磨速度が得られず、１０重量％を越えても研磨速度はほぼ一定でありさらなる向上は得られない。
【００２０】
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物に含まれるキレート剤は、ケイ素（Ｓｉ）を中心金属として配位結合し、金属錯体を形成可能な含窒素配位子であればよく、たとえば、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）およびピペラジンなどアミン類の配位子をキレート剤として用いることができる。また、アミノ酸とアミノ酸の誘導体とを含むアミノ酸類をキレート剤として用いることができる。
【００２１】
アミノ酸としては、たとえばグリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、アスパラギン酸、グルタミン酸などケイ素に配位するＣＯＯＨ基（カルボキシル基）とＮＨ２基（アミノ基）とを有するアミノ酸は、これら２つの配位基でケイ素原子に対してキレート効果を生じるためキレート剤として用いることができる。
【００２２】
アミノ酸の誘導体としては、たとえば、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）グリシン（以下では、ビシンともいう）、Ｎ−トリス（ヒドロキシメチル）メチルグリシンは、アミノ酸のアミノ基の水素を置換した誘導体であり、このようなアミノ酸の誘導体もカルボキシル基と置換されたアミノ基とが配位基なるのでキレート剤として用いることができる。本発明では、前記のように１分子で２以上の配位基を有するものをキレート剤として定義する。
【００２３】
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物におけるキレート剤の含有量は、炭化ケイ素研磨用組成物全量の２．５重量％以下であり、好ましくは０．３重量％以上１．０重量％以下である。キレート剤の含有量が、２．５重量％を越えると研磨速度が低下する傾向がある。
【００２４】
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物は、たとえば以下に示すような作用で、炭化ケイ素単結晶の（０００１）Ｓｉ面に対して高い研磨速度を実現しているものと考えられる。
【００２５】
たとえば過ヨウ素酸のようなハロゲン系酸化剤は、その酸化力によって炭化ケイ素を酸化してケイ素−酸素結合による酸化膜を形成し、その酸化膜を砥粒で研磨することで研磨速度が向上する。これに対して、過酸化物である、たとえば過酸化水素は、アルカリ性環境下に存在することで自らが分解する際に生ずる反応性の高いラジカルが、上述したケイ素-炭素間結合のような強固な共有結合に作用してその結合強度を弱める。過酸化物の作用に次いで、ケイ素原子に対してキレート剤が作用し、そのキレート効果によって結合強度が弱まったケイ素原子にキレート剤が配位する。キレート剤が配位することで、酸化膜は形成されず、キレート剤がケイ素に配位結合した表面層が形成される。キレート剤とケイ素との配位結合は、ケイ素−酸素結合よりも脆弱であるので、形成された表面層は、酸化膜よりも脆弱な脆化層となって、砥粒により容易に研磨することができ、研磨速度がより一層向上する。
【００２６】
このように、本発明の炭化ケイ素研磨用組成物は、酸化剤とキレート剤とによって炭化ケイ素単結晶基板の表面特性を大きく変化させ、研磨特性を十分に発揮させている。過酸化物である酸化剤は単独で用いた場合にも研磨速度を向上させる効果は見られるが、キレート剤の存在によって、過酸化物単独で使用しただけでは得られない研磨速度の向上効果、すなわち併用による相乗効果が発揮される。
【００２７】
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物に含まれる砥粒としては、この分野で常用されるものを使用でき、たとえば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、セリアおよびアルミナなどが挙げられる。これらの中でも特にコロイダルシリカが好ましい。
【００２８】
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物における砥粒の含有量は、炭化ケイ素研磨用組成物の組成などに応じて適宜調整すればよい。
【００２９】
炭化ケイ素研磨用組成物は、組成物全体としてアルカリ性に調製され、ｐＨは、好ましくは８〜１１．５である。炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨが８未満であると、研磨速度が十分に向上せず、ｐＨが１１．５を超えるとコロイダルシリカが溶解して凝集物が発生してしまう。
【００３０】
炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨの調整は、有機酸または無機酸などのｐＨ調整剤の添加によって調整され、たとえば、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化アンモニウムおよび硫酸などが挙げられる。
【００３１】
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物には、上記の組成に加えてさらに、添加剤を含んでいてもよい。
【００３２】
添加剤としては、研磨用組成物の好ましい特性を損なわない範囲で、従来からこの分野の研磨用組成物に常用される各種の添加剤の１種または２種以上を含むことができる。
【００３３】
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物の残部は水であり、用いられる水としては特に制限はないが、半導体デバイスなどの製造工程での使用を考慮すると、たとえば、純水、超純水、イオン交換水、蒸留水などが好ましい。
【００３４】
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物の製造方法については、既存の研磨用組成物の製造方法を用いることができる。なお、本発明の炭化ケイ素研磨用組成物は、使用する際に任意の濃度に希釈できる。
【実施例】
【００３５】
［キレート剤の含有量］
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物のキレート剤の含有量について検討した。検討に用いた炭化ケイ素研磨用組成物の組成は以下のとおりである。【００３６】
【表１】
2011049216.tif 000002
【００３７】
なお、砥粒としてコロイダルシリカ（ＮＡＬＣＯ社製、ＮＡＬＣＯ２３６０）を用い、酸化剤として過酸化水素を用い、キレート剤としてピペラジンを用いた。炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨは、ｐＨ調整剤の含有量などを調整することで調整した。【００３８】
これらの検討例１〜９を用いて、炭化ケイ素単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を測定した。研磨条件、および研磨速度の評価方法は以下に示すとおりである。【００３９】
［研磨条件］
研磨装置：Ｐｏｌｉ５００（Ｇ＆Ｐ社製）
研磨パッド：Ｓｕｂａ８００（ニッタ・ハース株式会社製）
研磨定盤回転速度：５０（ｒｐｍ）
ヘッド回転速度：５０（ｒｐｍ）
研磨荷重面圧：３５０（ｇ／ｃｍ２）
研磨用組成物の流量：１００（ｍｌ/ｍｉｎ）
研磨時間：１２０（ｍｉｎ）【００４０】
［研磨速度］
研磨速度は、単位時間当たりに研磨によって除去された炭化ケイ素単結晶基板の厚み（ｎｍ／ｈ）で表される。研磨によって除去された単結晶基板の厚みは、研磨前後の基板重量の減少量を測定し、比重および単結晶基板の研磨面の面積で割ることで算出した。【００４１】
図１は、炭化ケイ素の研磨速度に対するキレート剤の含有量の影響を示すグラフである。横軸はキレート剤含有量（重量％）を示し、縦軸は研磨速度（ｎｍ／ｈ）を示す。【００４２】
上記のような研磨条件では、７０ｎｍ／ｈ以上の研磨速度が好ましい。キレート剤の含有量が０．１重量％〜２．５重量％の検討例１〜８は、研磨速度が７０ｎｍ／ｈを超え、従来の単結晶炭化ケイ素研磨用組成物による研磨速度よりも高い研磨速度を示した。特にキレート剤の含有量が０．３重量％〜１．０重量％の検討例３〜５は、１００ｎｍ／ｈを超える研磨速度が得られた。キレート剤の含有量が４．０重量％の検討例９は、研磨速度が３４ｎｍ／ｈにまで低下した。【００４３】
以上の検討例１〜９より、キレート剤の含有量としては、２．５重量％以下が好ましい範囲であり、０．３重量％以上１．０重量％以下がさらに好ましい範囲である。【００４４】
［酸化剤の含有量］
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物の酸化剤の含有量について検討した。検討に用いた炭化ケイ素研磨用組成物の組成は以下のとおりである。【００４５】
【表２】
2011049216.tif 000003
【００４６】
なお、砥粒としてコロイダルシリカ（ＮＡＬＣＯ社製、ＮＡＬＣＯ２３６０）を用い、酸化剤として過酸化水素を用い、キレート剤としてピペラジンを用いた。炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨは、ｐＨ調整剤の含有量などを調整することで調整した。【００４７】
これらの検討例１０〜１６を用いて、炭化ケイ素単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を測定した。研磨条件、および研磨速度の評価方法は上記と同様である。【００４８】
さらに、検討例１０〜１６の対照となる研磨用組成物として、キレート剤を含まないこと以外は同様にして検討例１０〜１６にそれぞれ対応する参考例１〜７を調製し、炭化ケイ素単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を測定した。【００４９】
図２は、炭化ケイ素の研磨速度に対する酸化剤の含有量の影響を示すグラフである。横軸は酸化剤含有量（重量％）を示し、縦軸は研磨速度（ｎｍ／ｈ）を示す。○のプロットは、検討例１０〜１６を示し、△のプロットは、参考例１〜７を示す。【００５０】
酸化剤の含有量が５．０重量％〜１０．０重量％の検討例１３〜１６は、研磨速度が１００ｎｍ／ｈを超えており、特に８．０重量％以上では１２０ｎｍ／ｈを超える研磨速度となった。酸化剤の含有量が１．２重量％〜３．０重量％の検討例１０〜１２は、研磨速度が６０ｎｍ／ｈ以下であった。【００５１】
また、参考例１〜７については、研磨速度が６０ｎｍ／ｈを超えることはなく、５．０重量％以上でほぼ一定となった。【００５２】
以上の検討例１０〜１６より、酸化剤の含有量としては、３．０重量％以下が好ましい範囲であり、５．０重量％以上がさらに好ましい範囲である。【００５３】
検討例１〜１６から、酸化剤含有量を一定にしてキレート剤含有量を変化させると、キレート剤含有量に応じて研磨速度が変化し、キレート剤含有量を一定にして酸化剤含有量を変化させると、酸化剤含有量に応じて研磨速度が変化することがわかった。【００５４】
本発明の作用では、酸化剤によってケイ素−炭素間共有結合の結合強度を弱め、キレート剤のキレート効果によって炭化ケイ素表面を脆弱化する。図１に示すように、単にキレート剤含有量を増加させれば研磨速度が上昇するものではない。これは、酸化剤の含有量を一定としているために、結合強度が弱まるケイ素−炭素間共有結合も一定となり、キレート剤含有量を増加させても脆弱化する炭化ケイ素表面には上限があるからである。【００５５】
キレート剤を含まない参考例は、酸化剤による研磨速度の向上効果を示すが研磨速度が６０ｎｍ／ｈを超えることはなく、詳細は後述するが、キレート剤による研磨速度の向上効果は低いので、上記のような１２０ｎｍ／ｈを超える研磨速度は、過酸化物である酸化剤とキレート剤との併用から生じた相乗効果である。【００５６】
［炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨ］
本発明の炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨ範囲について検討した。検討に用いた炭化ケイ素研磨用組成物の組成は以下のとおりである。【００５７】
【表３】
2011049216.tif 000004
【００５８】
なお、砥粒としてコロイダルシリカ（ＮＡＬＣＯ社製、ＮＡＬＣＯ２３６０）を用い、酸化剤として過酸化水素を用い、キレート剤としてピペラジンを用いた。炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨは、ｐＨ調整剤の含有量などを調整することで表３に示す値にそれぞれ調整した。【００５９】
これらの検討例１７〜２３を用いて、炭化ケイ素単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を測定した。研磨条件、および研磨速度の評価方法は上記と同様である。【００６０】
図３は、炭化ケイ素の研磨速度に対する炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨの影響を示すグラフである。横軸はｐＨを示し、縦軸は研磨速度（ｎｍ／ｈ）を示す。【００６１】
検討例１９〜２１は、研磨速度が７０ｎｍ／ｈを超え、従来の炭化ケイ素研磨用組成物による研磨速度よりも高い研磨速度を示した。【００６２】
ｐＨが４．０および６．０の検討例１７、検討例１８は、十分な研磨速度が得られなかった。また、ｐＨが１１．５（検討例２１）では、１２０ｎｍ／ｈを超える研磨速度が得られたが、ｐＨが１１．７および１２．０の検討例２２、検討例２３では、コロイダルシリカが溶解してコロイダルシリカの凝集体が発生したため、研磨速度が低下した。【００６３】
以上の検討例１７〜２３より、炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨとしては、８〜１１．５の範囲が好ましいことがわかった。【００６４】
以下では、本発明の実施例および比較例について説明する。
実施例１および比較例１〜３の炭化ケイ素研磨用組成物の組成は以下のとおりである。【００６５】
【表４】
2011049216.tif 000005
【００６６】
なお、砥粒としてコロイダルシリカ（ＮＡＬＣＯ社製、ＮＡＬＣＯ２３６０）を用い、キレート剤としてピペラジンを用いた。炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨは、ｐＨ調整剤の含有量などを調整することで表３に示す値にそれぞれ調整した。【００６７】
実施例１および比較例１〜３を用いて、炭化ケイ素単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を測定した。研磨条件、および研磨速度の評価方法は上記と同様である。【００６８】
図４は、実施例１および比較例１〜３の研磨速度を示すグラフである。縦軸は研磨速度（ｎｍ／ｈ）を示す。【００６９】
比較例１，２は、２０ｎｍ／ｈより低く、比較例３でも３０ｎｍ／ｈ程度の低い研磨速度であるのに対し、実施例１は、１００ｎｍ／ｈを超える研磨速度を示した。【００７０】
比較例１，３は、特許文献１〜３に開示された組成に類似の構成であり、研磨速度は低い。また、比較例２は、比較例１にキレート剤を追加した構成であるが、キレート剤添加による研磨速度の向上はみられない。このことから、過酸化物である酸化剤とキレート剤との組み合わせによる相乗効果が発揮され、本発明の炭化ケイ素研磨用組成物では、炭化ケイ素単結晶基板の研磨速度が大きく向上したものと考えられる。【００７１】
さらに、実施例２〜７としてキレート剤の種類を変えたときの炭化ケイ素単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を検討した。【００７２】
【表５】
2011049216.tif 000006
【００７３】
なお、砥粒としてコロイダルシリカ（ＮＡＬＣＯ社製、ＮＡＬＣＯ２３６０）を用い、酸化剤として過酸化水素を用いた。炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨは、ｐＨ調整剤の含有量などを調整することで表５に示す値にそれぞれ調整した。【００７４】
実施例２〜７を用いて、炭化ケイ素単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を測定した。研磨条件、および研磨速度の評価方法は上記と同様である。【００７５】
図５は、実施例２〜７の研磨速度を示すグラフである。縦軸は研磨速度（ｎｍ／ｈ）を示す。参考のために実施例１の結果も同じグラフに示す。【００７６】
実施例２〜７の結果からもわかるように、キレート剤としてＥＤＴＡやグリシン、Ｌ−セリン、イソロイシン、アスパラギン酸などのアミノ酸およびビシンなどのアミノ酸誘導体を用いた場合も、十分に研磨速度が向上した。【００７７】
このように、キレート剤としては、アミン類、アミノ酸類のいずれも使用可能であり、ケイ素（Ｓｉ）を中心金属として配位結合し、金属錯体を形成可能な含窒素配位子であれば効果が発揮されることがわかった。【００７８】
さらに、実施例８として酸化剤の種類を変えたときの炭化ケイ素単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を検討した。【００７９】
【表６】
2011049216.tif 000007
【００８０】
なお、砥粒としてコロイダルシリカ（ＮＡＬＣＯ社製、ＮＡＬＣＯ２３６０）を用い、キレート剤としてピペラジンを用いた。炭化ケイ素研磨用組成物のｐＨは、ｐＨ調整剤の含有量などを調整することで表６に示す値に調整した。【００８１】
実施例８を用いて、炭化ケイ素単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を測定した。研磨条件、および研磨速度の評価方法は上記と同様である。【００８２】
図６は、実施例８の研磨速度を示すグラフである。縦軸は研磨速度（ｎｍ／ｈ）を示す。参考のために実施例１の結果も同じグラフに示す。【００８３】
実施例８の結果からもわかるように、酸化剤として過酸化ナトリウムを用いた場合も、十分に研磨速度が向上した。【００８４】
以上のように、本発明の炭化ケイ素研磨用組成物は、砥粒と、過酸化物である酸化剤と、キレート剤とを含むことにより、炭化ケイ素結晶基板の、特に（０００１）Ｓｉ面の研磨速度を向上することができる。【００８５】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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2011049216.tif 000015
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