(57)【要約】  小型化及び省電力化し、かつ導波路との接続を容易に行うことができる、光変調器とその製造方法を提供する。本発明の光変調器は、リブ形状部を有し、第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層（８）と、第１導電型の半導体層（８）に積層された誘電体層（１１）と、誘電体層（１１）に積層され、誘電体層（１１）とは反対側の幅が、リブ形状部の幅よりも大きい、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層（９）とを少なくとも有する。
2011108508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リブ形状部を有し、第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層と、
前記第１導電型の半導体層に積層された誘電体層と、
前記誘電体層に積層され、前記誘電体層とは反対側の幅が、前記リブ形状部の幅よりも大きい、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層と、
を少なくとも有する光変調器。
【請求項２】
第２導電型の半導体層の、前記誘電体層とは反対側であり、前記リブ形状部の幅よりも大きい部分が、高濃度にドープ処理されている、請求項１に記載の光変調器。
【請求項３】
前記第１導電型の半導体層の前記リブ形状部には、光信号の伝播方向に対して平行な方向に凹凸形状が形成されている、請求項１または２に記載の光変調器。
【請求項４】
前記第１導電型の半導体層の表面が有している前記凹凸形状の凹部と凸部の間隔が、前記第１導電型の半導体層および前記第２導電型の半導体層のそれぞれの内部で自由キャリアが前記誘電体層の両側で蓄積、除去、または反転する領域の厚さＷに対して、２Ｗ以下である、請求項３に記載の光変調器。
【請求項５】
前記第１導電型の半導体層の表面が有している前記凹凸形状の前記凹部から前記凸部までの高さが、前記光変調器における光信号電界が感じる実効的な屈折率をｎｅｆｆ、光信号波長をλとしたとき、λ／ｎｅｆｆ以下である、請求項３または４に記載の光変調器。
【請求項６】
前記第１導電型の半導体層の表面の前記凹凸形状部の凹部の窪みの底面は、曲率のある形状となっている、請求項３から５のいずれか１項に記載の光変調器。
【請求項７】
前記第１導電型の半導体層の表面の前記凹凸形状の凸部の幅が、前記凸部の根元から先端に向かって狭くなるテーパ形状をしている、請求項３から５のいずれか１項に記載の光変調器。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の光変調器を使用した光強度変調器であって、前記光変調器が配置された第１のアームおよび第２のアームと、前記第１のアームおよび前記第２のアームの入力側に結合する光分岐構造と、出力側に結合する光結合構造とからなるマッハ・ツェンダー干渉計構造を有する、光強度変調器。
【請求項９】
第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層にリブ形状部を設ける工程と、
前記リブ形状部の側面に沿って前記リブ形状部の上面まで酸化物クラッドを堆積させる工程と、
前記第１導電型の半導体層の前記リブ形状部をエッチングし、前記リブ形状部の高さを低くする工程と、
高さが低くされた前記第１導電型の前記リブ形状部の上面に誘電体層を設ける工程と、
前記誘電体層と前記酸化物クラッドの側面とで構成される溝と前記酸化物クラッドの表面とを、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層で覆う工程と、
を少なくとも含む、光変調器の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から７のいずれか１項に記載の光変調器を用いた光強度変調器の製造方法であって、
マッハ・ツェンダー干渉計構造の第１のアームおよび第２のアームに前記光変調器を配置し、前記第１のアームおよび前記第２のアームの入力側に光分岐構造を接続し、出力側に光結合構造を接続する、光強度変調器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報処理および通信分野において必要となる、高速電気信号を光信号に高速に変換する光変調器とその製造方法に関し、具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上に形成された、シリコン−絶縁体−シリコンからなるキャパシタ構造を利用した光変調器とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
業務用が中心であった光ファイバ通信が、家庭用にも幅広く普及してきている。それに伴い、高性能な光通信デバイスが求められている。家庭用光ファイバおよびローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ）などの様々な光通信システム用の光通信デバイスとして、１３３０ｎｍおよび１５００ｎｍの光信号の波長で機能するシリコン・ベースの光通信デバイスがある。このシリコン・ベースの光通信デバイスは、非常に有望なデバイスであり、具体的には、ＣＭＯＳ（ＣｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙＭｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）技術を利用することで、光機能素子および電子回路をシリコンプラットフォーム上に集積化することが可能となる。【０００３】
シリコン・ベースの光通信デバイスとして、導波路、光結合器、および波長フィルタなどの受動デバイスが幅広く研究されている。また、前述した光通信システム用の、光信号を操作する手段の重要な要素として、シリコン・ベースの光変調器や光スイッチなどの能動デバイスが挙げられ、非常に注目されている。シリコンの熱光学効果を利用して屈折率を変化させる光変調器や光スイッチは光変調速度が低速であるため、光変調周波数が1Ｍｂ／秒以下の装置にしか使用できない。それよりも大きい光変調周波数の装置に対しては、電気光学効果を利用した光変調器が必要である。【０００４】
純シリコンは、Ｐｏｃｋｅｌｓ効果による屈折率の変化を示さず、またＦｒａｎｚ−Ｋｅｌｄｙｓｈ効果やＫｅｒｒ効果による屈折率の変化も非常に小さい。そのため、現在提案されている電気光学効果を利用した光変調器の多くは、キャリアプラズマ効果を利用する。つまり、シリコン層中の自由キャリア密度を変化させることで、屈折率の実数部と虚数部を変化させ、光の位相や強度を変化させる。また、自由キャリア吸収を利用した光変調器では、シリコン中を伝播する光吸収の変化により、出力が直接変調される。屈折率変化を利用した構造としては、マッハ・ツェンダー干渉計を利用したものが一般的であり、二本のアームにおける光位相差を干渉させて、光の強度変調信号を得ることが可能である。【０００５】
光変調器における自由キャリア密度は、自由キャリアの注入、蓄積、除去、または反転によって変えることが出来る。現在までに検討されたこのような光変調器の多くは、光変調効率が悪く、光位相変調に必要な長さが１ｍｍ以上であり、１ｋＡ／ｃｍ３より高い注入電流密度を要していた。光変調器の小型化、高集積化、および低消費電力化を実現するためには、高い光変調効率が得られるデバイス構造が必要である。そして、高い光変調効率が得られるデバイス構造が実現することにより、光位相変調に必要な長さを短くすることが可能である。また、光通信デバイスのサイズが大きい場合、シリコン基板上での温度の影響を受け易くなり、熱光学効果に起因するシリコン層の屈折率変化により、本来なら得られるはずであった電気光学効果を打ち消してしまうことも考えられる。【０００６】
図１は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板に形成されたリブ導波路を利用した、シリコン・ベースの光変調器の関連技術の一例である。基板３３の上に、埋め込み酸化層３２、リブ形状をした部分を含む真性半導体３１が順番に積層されている。真性半導体３１のリブ形状の部分の両側に間隔をおいて、ｐ＋ドープ半導体３４とｎ＋ドープ半導体３５がそれぞれ形成されている。ｐ＋ドープ半導体３４とｎ＋ドープ半導体３５は、真性半導体３１に部分的に高濃度にドープ処理することによって形成されたものである。図１に示した光変調器の構造は、ＰＩＮ（Ｐ−ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ−Ｎ）ダイオードである。ＰＩＮダイオードに順方向および逆方向バイアス電圧が印加されると、真性半導体３１内の自由キャリア密度が変化し、キャリアプラズマ効果によって、屈折率が変化する。この例では、真性半導体３１のリブ形状の部分の一方の側方に、電極コンタクト層３６が配置され、その電極コンタクト層３６と対向する位置に、前記したｐ＋ドープ半導体３４が形成されている。同様に、真性半導体３１のリブ形状の部分の他方の側方にも電極コンタクト層３６が配置され、その電極コンタクト層３６と対向する位置にｎ＋ドープ半導体３５が形成されている。また、リブ形状の部分を含む導波路は酸化物クラッド３７により覆われている。上記したＰＩＮダイオードの構造においては、半導体３４、３５のキャリア密度が１０２０／ｃｍ３程度になるように高濃度にドープ処理することが可能である。【０００７】
光変調動作時に、電極コンタクト層３６に接続された電源から、ＰＩＮダイオードに対して順方向バイアス電圧が印加され、導波路内に自由キャリアが注入される。このとき、自由キャリアの増加により、真性半導体３１の屈折率が変化し、導波路を通して伝播される光の位相変調が行われる。しかし、この光変調動作の速度は、真性半導体３１のリブ形状の内部の自由キャリア寿命と、順方向バイアス電圧が取り除かれた場合のキャリア拡散によって制限される。このような関連技術のＰＩＮダイオード構造を有する光変調器は、通常、順方向バイアス電圧の印加時に１０〜５０Ｍｂ／秒の範囲内の動作速度を有する。これに対し、キャリア寿命を短くするために、真性半導体３１内に不純物を導入することによって、切換速度を増加させることが可能である。しかしながら、導入された不純物は光変調効率を低下させるという問題がある。また、動作速度に影響する最も大きな因子は、ＲＣ時定数であり、順方向バイアス電圧の印加時の静電容量が、ＰＮ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ−Ｎｅｇａｔｉｖｅ）接合部のキャリア空乏層の減少により非常に大きくなる。理論的には、ＰＮ接合部の高速動作は逆バイアス電圧を印加することにより達成可能である。しかしながら、比較的大きな駆動電圧あるいは大きな素子サイズを必要とする。【０００８】
関連技術の他の一例として、基板３３上に埋め込み酸化層３２と、第１導電型の本体領域とが順に積層されており、さらに、本体領域と部分的に重なるように第２導電型のゲート領域が積層されている。そして、この本体領域とゲート領域との積層界面に薄い誘電体層４１を形成したキャパシタ構造のシリコン・ベースの光変調器が特許文献１に開示されている。なお、これ以降「薄い」とは、サブミクロンオーダー（１μｍ未満）を意図している。【０００９】
図２には関連技術によるＳＩＳ（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｓｉｌｉｃｏｎ）構造からなるシリコン・ベースの光変調器を示す。光変調器は、基板３３と埋め込み酸化層３２と本体領域とで構成されたＳＯＩ基板に形成されている。本体領域は、ＳＯＩ基板のシリコン層にドープ処理して形成したｐドープ半導体３８と、高濃度にドープ処理して形成したｐ＋ドープ半導体３４と、電極コンタクト層３６とで構成されている。ゲート領域はＳＯＩ基板上に積層された薄いシリコン層にドープ処理して形成したｎドープ半導体３９と、高濃度にドープ処理して形成したｎ＋ドープ半導体３５と、電極コンタクト層３６とで構成されている。そして、埋め込み酸化層３２と本体領域とゲート領域との隙間、および本体領域とゲート領域の上方は、酸化物クラッド３７を有している。【００１０】
ドープ処理された領域は、キャリア密度変化が外部信号電圧により制御されるようになっている。また、電圧を電極コンタクト層３６に印加すると、誘電体層４１の両側で、自由キャリアが蓄積、除去、または反転される。このことにより、光位相変調が行われる。そのため、光信号電界の領域とキャリア密度が動的に外部制御される領域とを一致させることが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特表２００６−５１５０８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１の方法において、光位相変調は可能だが、実際にはキャリア密度が動的に変化する領域の厚さは数十ｎｍ程度と非常に薄くなってしまう。そのため、ミリメートルオーダー（１ｍｍ以上）の光変調長さが必要であり、光変調器のサイズも大きくなり、かつ高速動作が難しくなる。また、ＳＯＩ基板上にゲート領域を設けた構造なので、光変調器の前後に形成されたＳＯＩ層からなるシリコン導波路との光結合が難しい。光フィールドサイズを整合させるため、スポットサイズ変換器構造などを形成することが必要となり、光損失の増大や製造コストが高くなるという課題があった。【００１３】
したがって、シリコン基板上に集積が可能なシリコン・ベースの光変調器において、低コスト、低電流密度、低消費電力、高い変調度、低電圧駆動、および高速変調を、厚さがサブミクロンオーダー（１μｍ未満）の領域内で実現可能なキャリアプラズマ効果に基づく光変調器を実現することは困難である。【００１４】
本発明の目的は、光変調器を小型化及び省電力化することが困難であり、かつ導波路との接続を容易にすることが困難である、という問題を解決する光変調器とその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の光変調器は、リブ形状部を有し、第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層と、第１導電型の半導体層に積層された誘電体層と、誘電体層に積層され、誘電体層とは反対側の幅が、リブ形状部の幅よりも大きい、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層とを少なくとも有する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、光伝送損失が低減し、光フィールドとキャリア密度変調領域のオーバーラップが大きくなるため、光変調器を小型化でき、かつ光変調器と導波路との接続が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】関連技術の光変調器の一例の概略構成図である。
【図２】関連技術の光変調器の他の一例の概略構成図である。
【図３Ａ】本発明に係る光変調器の第１の実施形態であり、光の進入方向からみた概略構成図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＡＡ’断面の概略構成図である。
【図４】ＳＩＳ構造の界面に、光の伝播方向に対する凹凸形状が設けられている、第１の実施形態の光変調器の概略構成図である。
【図５Ａ】第１の実施形態の光変調器の製造過程を示した図である。
【図５Ｂ】図５Ａの続きの製造過程を示した図である。
【図５Ｃ】図５Ｂの続きの製造過程を示した図である。
【図５Ｄ】図５Ｃの続きの製造過程を示した図である。
【図５Ｅ】図５Ｄの続きの製造過程を示した図である。
【図５Ｆ】図５Ｅの続きの製造過程を示した図である。
【図６Ａ】図５Ｆの続きの製造過程を示した図である。
【図６Ｂ】図６Ａの続きの製造過程を示した図である。
【図６Ｃ】図６Ｂの続きの製造過程を示した図である。
【図６Ｄ】図６Ｃの続きの製造過程を示した図である。
【図７】本発明に係る光変調器の第２の実施形態の概略構成図である。
【図８】本発明に係る光変調器の第３の実施形態の概略構成図である。
【図９】本発明に係る光変調器の第４の実施形態の概略構成図である。
【図１０】本発明の光変調器において、ＳＩＳ構造の界面に凹凸を形成した場合と形成しない場合における、光変調長さと光位相シフト量との関係を示した図である。
【図１１】本発明の光変調器において、ＳＩＳ構造の界面に凹凸を形成した場合と形成しない場合における、キャリア密度と周波数帯域の関係を示した図である。
【図１２Ａ】本発明の光変調器において、スラブ領域の厚さを薄くした場合の光フィールドの分布を示した図である。
【図１２Ｂ】本発明の光変調器において、スラブ領域の厚さを厚くした場合の光フィールドの分布を示した図である。
【図１３】本発明の光変調器を用いたマッハ・ツェンダー干渉計型の光強度変調器の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、添付の図面に基づき、本発明の実施の形態を説明する。なお、同一の機能を有する構成には添付図面中、同一の番号を付与し、その説明を省略することがある。
【００１９】
本発明の光変調器の例示的な構造を説明する前に、本発明の動作の基となっているシリコン層内のキャリア密度の変調メカニズムについて説明する。本発明のシリコン・ベースの光変調器は、以下に説明するキャリアプラズマ効果を利用するものである。
【００２０】
前述したように、純シリコンはＰｏｃｋｅｌｓ効果による屈折率の変化を示さず、またＦｒａｎｚ−Ｋｅｌｄｙｓｈ効果やＫｅｒｒ効果による屈折率の変化も非常に小さい。そのため、キャリアプラズマ効果と熱光学効果だけが光変調動作に利用できる。しかし、熱光学効果を利用して屈折率を変化させる光変調器は、変調速度が低速である。したがって、本発明が目的とする高速動作（１Ｇｂ／秒以上）のためには、キャリアプラズマ効果によるキャリア拡散だけが効果的である。キャリアプラズマ効果による屈折率の変化は、クラマース・クローニッヒの関係式とＤｒｕｄｅの式から導かれる以下の関係式の一次近似値で説明される。
【００２１】
【数１】
2011108508.tif 000003
【００２２】
【数２】
2011108508.tif 000004
【００２３】
ΔｎおよびΔｋは、シリコン層の屈折率変化の実部および虚部を表しており、ｅは電荷、λは光波長、ε０は真空中の誘電率、ｎは真性シリコンの屈折率、ｍｅは電子キャリアの有効質量、ｍｋはホールキャリアの有効質量、μｅは電子キャリアの移動度、μｋはホールキャリアの移動度、ΔＮｅは電子キャリアの濃度変化、ΔＮｋはホールキャリアの濃度変化である。シリコン中のキャリアプラズマ効果の実験的な評価が行われており、光通信システムで使用する１３３０ｎｍおよび１５００ｎｍの光通信波長でのキャリア密度に対する屈折率変化は、上記の式で求めた結果とよく一致することが分かった。また、キャリアプラズマ効果を利用した光変調器においては、位相変化量は以下の式で定義される。
【００２４】
【数３】
2011108508.tif 000005
【００２５】
Ｌは光変調器の光伝播方向に沿ったアクティブ層の長さである。
【００２６】
本発明では、上記位相変化量は光吸収効果に比較して大きな効果であり、以下に述べる光変調器は基本的に位相変調器としての特徴を示すことが出来る。
【００２７】
本発明のＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上にシリコン−誘電体層−シリコン（ＳＩＳ：ｓｉｌｉｃｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｓｉｌｉｃｏｎ）のキャパシタ構造をしている自由キャリアプラズマ効果を用いた光変調器を以下に説明する。
【００２８】
図３Ａは、本発明に係る光変調器の第１の実施形態であり、光の進入方向からみた概略構成図、図３Ｂは、図３ＡのＡＡ’断面の概略構成図である。なお、矢印が光の伝播方向である。また、図３Ｂでは、酸化物クラッドを省略して図示している。
【００２９】
この光変調器の基本構成を説明すると、基板３上に埋め込み酸化層２が形成され、さらにその上にリブ構造を有する第１導電型の半導体８と、薄い（以降「薄い」とはサブミクロンオーダー（１μｍ未満）を指す）誘電体層１１と、第２導電型の半導体層９が順番に積層されている。基板３と、埋め込み酸化層２と、第１導電型の半導体８によってＳＯＩ基板が構成されている。なお、以降、第１導電型の半導体８を「ｐドープ半導体」とする。誘電体層１１上には第２導電型の半導体（以後すべて「ｎドープ半導体」とする）９がさらに堆積している。
【００３０】
ｎドープ半導体９の、誘電体層１１とは反対側の幅は、リブ構造の幅より大きくなっており、酸化物クラッド７を部分的に覆っている。このリブ構造の幅より大きくなっている部分には、高濃度にドープ処理されたドープ領域（以後すべて「ｎ＋ドープ半導体」とする）１０が形成されている。そして、一方のｎ＋ドープ半導体１０上には電極コンタクト層６が設けられ、金属電極１２を介して外部の駆動回路などと接続している。
【００３１】
リブ形状の両側のスラブ領域には、高濃度にドープ処理されたドープ領域（以後すべて「ｐ＋ドープ半導体」とする）４が形成されている。また、ｐ＋ドープ半導体４の上には、電極コンタクト層６がそれぞれ設けられ、金属電極１２を介して外部の駆動回路などと接続している。そして、導波路全体が酸化物クラッド７で覆われている。
【００３２】
本発明では、ｎドープ半導体９の、誘電体層１１とは反対の端部における幅を、リブ導波路の幅より大きくし、電極引き出し層として利用する。リブ導波路の幅よりも大きくなっている部分（酸化物クラッド７を部分的に覆っている部分）に、金属電極１２と接続するために高濃度にドープしたｎ＋ドープ半導体１０を形成することで、高ドープ層、つまりｎ＋ドープ半導体１０による光損失を低減することができる。
【００３３】
高ドープ層における光信号電界の大きさを小さくするために、スラブ領域に広がるｐドープ半導体８の厚みを１００ｎｍ以下としている。これにより、高濃度にドープしたｐ＋ドープ半導体４の領域を光変調領域に隣接して配置することが可能となる。そして、直列抵抗成分が低減するとともに、キャリアの蓄積および除去が高速に行われることとなり、光変調器のサイズが小さくなると共に、高速化および低電力化が実現されることとなる。
【００３４】
さらに、高濃度にドープした領域と光フィールドとのオーバーラップによる光吸収損失を低減するために、本発明では、導波路をリブ形状とし、さらに、スラブ領域にｐ＋ドープ半導体４を配置する。これにより、光損失が小さく、ＲＣ時定数の小さい高速動作する光変調器を実現することが可能となる。また、本発明の光変調器の光の伝播方向に対して前後に、ＳＯＩ層からなり、実効屈折率差が５％以下のリブ構造のシリコン導波路を形成して接続することにより、非常に高効率に光接続を行うことが可能となる。
【００３５】
本発明によるキャパシタ構造の光変調器は、電気信号を駆動電圧として印加した際に、薄い誘電体層１１の両側でキャリアの蓄積、あるいは空乏化、あるいは反転が生じる。しかしながら、キャリア密度が変調する領域の厚みは、１００ｎｍ以下であると見積もられる。従って、光信号電界の広がりに対して、キャリア密度が変調される領域があまり大きくなく、変調効率をさらに改善できる可能性がある。
【００３６】
そこで、光の変調効率をさらに改善する構造を説明する。
【００３７】
図４に、ＳＩＳ構造の界面に、光の伝播方向に対する凹凸形状が設けられている構成を示す。なお、酸化物クラッド７は省略している。
【００３８】
ＳＯＩ基板上に形成されたリブ導波路内のｐドープ半導体８の表面は、光の伝播方向に対して平行に窪み（窪みの長手方向が光の伝播方向に直交している）が掘られ、凹凸形状が形成されている。そして、その凹凸形状上のすべての部分を、薄い誘電体層１１で覆っている。さらに、この薄い誘電体層１１上にはｎドープ半導体９が堆積している。
【００３９】
このように、ＳＩＳ構造の界面に凹凸形状を設けることにより、光フィールドとキャリア密度変調領域のオーバーラップが大きくなり、光変調長さが短くても光の変調が十分可能であるため、光変調器の寸法を小さくすることができる。
【００４０】
ＳＩＳ構造の界面付近の領域で、キャリア変調が生じる部分の厚みをＷとすると、最大空乏層厚（キャリア変調が引き起こされる厚み）Ｗは、熱平衡状態では下記数式で与えられる。
【００４１】
【数４】
2011108508.tif 000006
【００４２】
εｓは、半導体層の誘電率、ｋはボルツマン定数、Ｎｃはキャリア密度、ｎｉは真性キャリア濃度、ｅは電荷量、Ｔは温度である。例えば、Ｎｃが１０１７／ｃｍ３のとき、最大空乏層厚Ｗは０．１μｍ程度であり、キャリア密度が上昇するに従い、最大空乏層厚Ｗ、すなわちキャリア密度の変調が生じる領域の厚みは薄くなる。
【００４３】
隣接する凹凸部の凹部と凸部の間隔を２Ｗ以下とすると、隣接する凹凸間のキャリア変調領域がオーバーラップするので、より高い光変調効果が得られる。ただし、隣接する凹凸形状の凹部と凸部の間隔を２Ｗ以上にした場合でも光変調効率を改善する効果を得ることは可能である。
【００４４】
光信号電界が感じる実効的な屈折率をｎｅｆｆ、光信号波長をλとした時、光のフィールドサイズはλ／ｎｅｆｆとなる。そのため、図４で示した光変調器において、ｐドープ半導体８表面に設けられた凹部から凸部までの高さは、λ／ｎｅｆｆ以下であることが望ましい。そうすることで、光フィールドとキャリア密度変調が行われる領域との重なりが最大となり、効率的な光位相変調を実現することができる。
【００４５】
さらに、自由キャリアが、薄い誘電体層１１の両側で蓄積、除去、または反転する領域内に、光信号電界がピーク強度を有する領域が配置される時、最も高い光変調効率が得られる。
【００４６】
次に、図５および図６を用いて、本発明の光変調器の形成方法を説明する。
【００４７】
なお、以降の説明では、第１導電型の半導体８をｐ型にドープ処理し、第２導電型の半導体９をｎ型にドープ処理するが、第１導電型の半導体８をｎ型にドープ処理し、第２導電型の半導体９をｐ型にドープしても構わない。
【００４８】
図５Ａは、本発明の光変調器を形成するために用いるＳＯＩ基板の断面図である。このＳＯＩ基板は、基板３上に埋め込み酸化層２が積層され、さらにその上に３００−１０００ｎｍ（１μｍ）程度のシリコン層８が積層された構造からなる。光損失を低減するために、埋め込み酸化層２の厚さは１０００ｎｍ（１μｍ）以上とした。この埋め込み酸化層２上のシリコン層８は、第１の導電型（ｐ型）を呈するように予めドーピング処理された基板を用いるか、あるいはイオン注入などにより、ボロンあるいはインジウム（導電型がｎ型の場合は、リンあるいはヒ素）を表面層にドープ処理した後、熱処理しても良い。
【００４９】
次に図５Ｂに示すように、ｐドープ半導体８の表面にレジストパターンあるいはシリカ（ＳｉＯ２）などのハードマスクを形成して、反応性エッチング法によりリブ形状に加工し導波路を形成し、同時に形成されるスラブ領域の厚さを１００ｎｍ以下にする。スラブ領域に電気的にコンタクトするために、ボロンあるいはインジウムの高ドープ領域（ｐ＋ドープ半導体）４をイオン注入法により形成し、１０５０℃程度で結晶性回復のための熱処理を行う。
【００５０】
次に図５Ｃに示すように、３００−７００ｎｍの厚さのシリカ膜を酸化物クラッド７として積層して、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）などによりｐドープ半導体８のリブ形状部の上面が露出するように平坦化を行う。
【００５１】
次に、図５Ｄに示すように、反応性エッチング法によりｐドープ半導体８のリブ形状部をエッチングし、リブ形状部の高さを低くする。なお、図３Ｂに示すように、光の伝播方向に対して、ｐドープ半導体８の表面に凹凸形状が無く、一様な形状になっている場合は、エッチングのみをすればよい。図４に示すように、ｐドープ半導体８の表面に凹凸形状を設ける場合は、ｐドープ半導体８上に形成する凹凸形状の凹部と凸部の間隔に相当する間隔になるようにレジストマスクパターンを形成した後にエッチングを行い、ｐドープ半導体８のリブ形状部の高さを低くしつつ、凹凸形状を形成する。この工程が完了することで、ｐドープ半導体８の上面（エッチングされた面）と、酸化物クラッド７の側面とで溝部が形成される。
【００５２】
次に上記パターニングに用いたマスク層を除去した後（凹凸を形成する場合のみ）、図５Ｅに示すように、熱酸化処理により、誘電体層１１となるシリコン酸化層をｐドープ半導体８上に１−２０ｎｍ程度の厚さに形成する。誘電体層１１は、シリコン酸化層、窒化シリコン層や、他のｈｉｇｈ−ｋ絶縁層からなる少なくとも一層でも良く、変調効率と光変調器の電気容量を考慮して決定される。
【００５３】
次に、図５Ｆに示すように、誘電体層１１上に多結晶シリコン層９をＣＶＤ法あるいはスパッタリング法により、前述の溝部に十分堆積させ、さらに、多結晶シリコン層９で電極引き出し層を形成するために、酸化物クラッド７の表面も被覆するように製膜する。
【００５４】
ＳＩＳ構造の界面に凹凸形状を設ける場合は、誘電体層１１の凹凸形状に起因して、同様の凹凸形状が多結晶シリコン９上にも形成される。このような多結晶シリコン９上の凹凸形状は、光信号を伝送したときの光散乱損失の原因となるため、ＣＭＰにより平滑化することが望ましい。また、上記多結晶シリコン層９は、第２の導電型（ｎ型）を呈するように、製膜中にドーピング処理するか、あるいは製膜後にイオン注入法により、リンあるいはヒ素でドープ処理する。なお、第１導電型の半導体８をｎ型とした場合は、多結晶シリコン層９はｐ型となるようにする。
【００５５】
次に、図６Ａに示すように、ｎドープ半導体９の、酸化物クラッド７の上層となっている部分、つまり電極引き出し層の幅が、リブ導波路よりも大きな幅となる０．３μｍから２μｍ以下となるように、反応性プラズマエッチング法などでパターニングする。その後、リブ導波路の幅方向（光の伝播方向と直交する方向）に突き出たｎドープ半導体９の表面層をイオン注入法などにより、リンあるいはヒ素でドープ処理して高濃度にドープされたｎ＋ドープ半導体１０を設けることで低抵抗化する。
【００５６】
さらに、図６Ｂに示すように、ｎドープ半導体９やｎ＋ドープ半導体１０を酸化物クラッド７で覆い、ＣＭＰにより平坦化を行う。
【００５７】
次に、図６Ｃに示すように、反応性エッチングにより電極取り出しのためのコンタクトホールを形成し、ｐ＋ドープ半導体９上に電極コンタクト層６としてニッケルシリサイド層を形成する。さらに、コンタクトホールを埋めるように、ＴａＮ／Ａｌ（Ｃｕ）などからなる金属電極１２を形成する。
【００５８】
最後に、図６Ｄに示すように、前述と同様な手順で電極取り出しのためのコンタクトホールを形成し、ｎ＋ドープ半導体上に電極コンタクト層６としてニッケルシリサイド層を形成する。そして、コンタクトホールを埋めるように、ＴａＮ／Ａｌ（Ｃｕ）などからなる金属電極１２を形成し、駆動回路との接続を行う。
【００５９】
なお、第１導電型の半導体および第２導電型の半導体は、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、歪シリコン、単結晶Ｓｉ、ＳｉｘＧｅ（１−ｘ）からなる群から選択される少なくとも一層から構成されている。
【００６０】
酸化物クラッド７の、ｐドープ半導体８の側面と接している部分、つまり酸化物クラッド７の内壁は、ｐドープ半導体８の形状に沿って形成されるため、ポリシリコンを加工して得られる面に比べ結晶粒に起因する粗さが存在せず、平坦性が高くなっている。また、平坦性が高い酸化物クラッド７の内壁同士の間にｎドープ半導体９が形成されるため、ｎドープ半導体９の、酸化物クラッド７と接している側面も粗さが低減し、非常に平坦性が高くなっている。したがって、本発明のリブ導波路構造においては、リブ形状を構成している部分の粗さが低減しているため、光伝送損失を顕著に改善することが可能となる。
【００６１】
また、酸化物クラッド７の内壁は、ｐドープ半導体８のリブ形状部の側面に沿って、基板３とは反対方向に延びており、ｎドープ半導体９は酸化物クラッド７同士の間に形成される。そのため、誘電体層１１を挟んで、ｐドープ半導体８のリブ形状部の上面と同じ位置に配置することができ、ｐドープ半導体８とｎドープ半導体９との配置ズレの問題を回避でき、かつ低コストに短時間で光変調器が作製可能となる。
【００６２】
なお、ｎドープ半導体９の実効屈折率が、ｐドープ半導体８の実効屈折率と比較して１０％以上小さいことが好ましい。
【００６３】
図７に、本発明に係る光変調器の第２の実施形態の概略構成図を示す。なお、前述の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００６４】
本実施形態では、ｎドープ半導体９の、誘電体層１１とは反対側のリブ構造の幅よりも大きくなっている部分の両方を高濃度にドープ処理し、ｎ＋ドープ半導体１０を形成し、両方のｎ＋ドープ半導体１０上には電極コンタクト層６を設けて、金属電極１２を介して外部の駆動回路などと接続している。ｎ＋ドープ半導体１０を、ｎドープ半導体９のリブ構造の幅よりも大きくなっている部分の両側に形成することにより、高濃度にドープした領域（ｎ＋ドープ半導体１０）による光損失を低減すると共に、直列抵抗成分をさらに小さくし、ＲＣ時定数をさらに小さくすることが可能である。また、上述の実施形態と同様に、ＳＩＳ構造の界面に、光の伝播方向に対して凹凸形状を設けることで、さらに光変調効率を高めることができる。
【００６５】
図８に、本発明に係る光変調器の第３の実施形態の概略構成図を示す。なお、上述の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００６６】
基本的な構成は、上述の第１の実施形態や第２の実施形態と同様であり、ＳＩＳ構造の界面に、光の伝播方向に対して凹凸形状を設ける。さらに、本実施形態では、凹凸形状部の凹部の窪みの底部を曲率のある形状とすることにより、光信号電界とキャリア密度が変調される領域の重なりを改善し、より高い変調効率を得ることができる。また、曲率のある形状とすることにより、より低電圧でキャリア密度を変調させることが可能となる。
【００６７】
図９に、本発明に係る光変調器の第４の実施形態の概略構成図を示す。なお、上述の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００６８】
基本的な構成は、上述の第１の実施形態や第２の実施形態と同様であり、ＳＩＳ構造の界面に、光の伝播方向に対して凹凸形状を設ける。さらに、本実施形態では、凹凸形状部の凸部の幅が、凸部の根元からの先端に向かって狭くなるテーパ形状としている。このようにすることで、光信号電界とキャリア密度が変調される領域の重なりを改善し、より高い変調効率を得ることができる。また、光の伝播方向では、凹凸形状をしているｐドープ半導体８の凸部の先端が細く、根元が広くなっている。そのため、ｐドープ半導体８より形成される凹部に埋め込まれたｎドープ半導体９の先端（ｐドープ半導体８の凹部に相当）に比べ根元が広くなっているので抵抗が減少し、高速動作に有利となる。
【００６９】
本発明の光変調器における位相シフト量の光信号伝播方向の長さ依存を、ＳＩＳ構造の界面に凹凸形状がある場合とない場合について調べた。なお、凹凸形状の凹部と凸部の間隔は１６０ｎｍ以下とした。試験結果の一例を図１０に示す。
【００７０】
凹部と凸部の間隔がキャリア変調される厚みと同程度の１６０ｎｍ程度以下の凹凸形状を形成することにより、位相シフト量が大きくなっていることから、本発明の光変調器において、ＳＩＳ構造の界面に凹凸形状を形成すると、さらに光変調効率が改善されることが分かる。なお、図示していないが、関連技術の光変調器に比べると、本発明の光変調器は、ＳＩＳ構造の界面の凹凸形状の有無に関係なく、位相シフト量が大きくなっている。
【００７１】
また、本発明の光変調器におけるキャリア密度と光変調器の光変調の動作周波数帯域との関係を、ＳＩＳ構造の界面に凹凸形状がある場合とない場合とについて調べた。光変調の動作周波数帯域は、変調効率改善によるサイズ低減の効果と凹凸形状を設けることによる電気容量増加の影響とのトレードオフがある。凹凸形状の凹部と凸部の間隔が１６０ｎｍ以下であり、光信号電界が感じる実効的な屈折率をｎｅｆｆ、光信号波長をλとした時、凹部から凸部までの高さがλ／ｎｅｆｆ以下である場合には光変調の動作周波数帯域は広くなった。
【００７２】
図１１に示す試験結果の一例からわかるように、キャリア密度を１０１８／ｃｍ３程度とすることにより、光変調の動作周波数帯域が１０ＧＨｚ以上となり、高速動作が可能である。
【００７３】
また、上記に加えて、周波数帯域を改善するためには、キャリアの移動度や寿命が非常に重要である。特に、多結晶シリコン層におけるキャリアの移動度は、高速動作する上で課題として挙げられる。したがって、アニール処理による再結晶化により多結晶シリコンの粒子径を大きくし、キャリア移動度を改善するか、あるいは第２導電型の半導体層に関して、エピタキシャル横方向成長（ＥＬＯ）法などを用いて多結晶シリコンの結晶品質を改善することが有効である。
【００７４】
次に、本発明の光変調器において、スラブ領域に広がるｐドープ半導体８の厚みが薄い場合と、スラブ領域に広がるｐドープ半導体８の厚みが厚い場合との光フィールドの分布の違いを調べた。図１２Ａは、スラブ領域に広がるｐドープ半導体８の厚みが薄い場合の光フィールドの分布図であり、図１２Ｂは、スラブ領域に広がるｐドープ半導体８の厚みが厚い場合の光フィールドの分布図である。この図は、光変調器の垂直方向断面における光の伝播状態を示しており、光導波路の各部を通る光の強度を色の濃淡で表している。なお、この光の進行方向は手前から奥行き方向である。図中のＸ軸の−１．５から１．５まで延びる長方形の領域が、ｐドープ半導体８を含むスラブ領域である。図中のＸ軸の−０．５から１．５まで延びる長方形の領域が、金属電極１２と接続するために高濃度にドープしたｎ＋ドープ半導体１０を含む領域である。そして、スラブ領域からｎ＋ドープ半導体を含む領域に向かって、リブ形状をした導波路が形成されている。
【００７５】
また、図１２Ａおよび図１２Ｂでは見づらいが、破線で囲まれた領域が光の通過した領域であり、破線の領域の中心ほど光の強度が強くなっている。
【００７６】
図１２Ａに示すように、スラブ領域の厚みが薄い場合、光フィールドがリブ導波路の中心に円状に集中していることから、光が非常に効率よく変調されることがわかる。一方、図１２Ｂに示すように、スラブ領域の厚みが厚い場合、光フィールドの中心がリブ導波路の中心からずれ、かつ、スラブ領域内で光フィールドが広がっており、スラブ領域の厚さが薄い場合に比べて、光の変調効率が劣ることがわかる。したがって、スラブ領域の厚さを薄くすることで、光の変調効率をさらに向上させることができる。
【００７７】
さらに、本発明の光変調器を応用した例を説明する。
【００７８】
図１３に本発明の光変調器を利用した、マッハ・ツェンダー干渉計型の光強度変調器の構造を示す。マッハ・ツェンダー干渉計を利用し、マッハ・ツェンダー干渉計の二本のアームにおける光位相差を干渉させることで、光強度変調信号を得ることが可能である。
【００７９】
光変調器が平行に配置された第１のアーム１５および第２のアーム１６を有し、その入力側で分岐する光分岐構造１８と、出力側で結合する光結合構造１９とがそれぞれ接続されている。光分岐構造１８で分岐した光が、第１のアーム１５および第２のアーム１６において位相変調が行われ、光結合構造により位相干渉が行われることにより、光強度変調信号に変換されることを特徴としている。
【００８０】
本実施例においては、入力側に配置された光分岐構造１８により、入力光が第１および第２のアーム１５、１６に等しいパワーとなるように分岐される。ここで、電極パッド１７で第１のアーム１５にプラスの電圧を印加することにより、光変調器の誘電体層１１の両側でキャリア蓄積が生じ、第２のアーム１６にマイナスの電圧を印加することにより、光変調器の誘電体層１１の両側のキャリアが除去されることになる。これにより、キャリア蓄積モードでは、光変調器における光信号電界が感じる屈折率が小さくなる。キャリア除去（空乏化）モードでは、光信号電界が感じる屈折率が大きくなる。したがって、両アームでの光信号位相差が最大となる。この両アームを伝送する光信号を出力側の光結合構造により合波することにより、光強度変調が生じることになる。本発明の光変調器を利用したマッハ・ツェンダー干渉計型の光強度変調器においては、２０Ｇｂｐｓ以上の光信号の送信が可能であることを確認した。
【００８１】
また、光変調器を利用した複数のマッハ・ツェンダー干渉計構造の光強度変調器を、並列あるいは直列に配置させることにより、より高い転送レートを有する光変調器やマトリックス光スイッチなどへ応用することも可能である。
【００８２】
さらに、上述したように、本発明の光変調器の光の伝播方向に対して前後に、ＳＯＩ層からなり、実効屈折率差が５％以下のリブ構造のシリコン導波路を形成して接続することにより、非常に高効率に光接続を行うことが可能となる。つまり、第１のアーム１５および第２のアーム１６の実効屈折率と、第１および第２のアーム１５、１６に接続される光分岐構造１８や光結合構造１７のシリコン導波路の実効屈折率との差を５％以下とすることで、光強度をより効率的に変調できる。
【００８３】
上記の実施形態の一部または全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
【００８４】
（付記１）
リブ形状部を有し、第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層と、前記第１導電型の半導体層に積層された誘電体層と、前記誘電体層に積層され、前記誘電体層とは反対側の幅が、前記リブ形状部の幅よりも大きい、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層と、を少なくとも有する光変調器。
【００８５】
（付記２）
第２導電型の半導体層の、前記誘電体層とは反対側であり、前記リブ形状部の幅よりも大きい部分が、高濃度にドープ処理されている、付記１に記載の光変調器。
【００８６】
（付記３）
前記第１導電型の半導体層の前記リブ形状部には、光信号の伝播方向に対して平行な方向に凹凸形状が形成されている、付記１または２に記載の光変調器。
【００８７】
（付記４）
前記第１導電型の半導体層の表面が有している前記凹凸形状の凹部と凸部の間隔が、前記第１導電型の半導体層および前記第２導電型の半導体層のそれぞれの内部で自由キャリアが前記誘電体層の両側で蓄積、除去、または反転する領域の厚さＷに対して、２Ｗ以下である、付記３に記載の光変調器。
【００８８】
（付記５）
前記第１導電型の半導体層の表面が有している前記凹凸形状の前記凹部から前記凸部までの高さが、前記光変調器における光信号電界が感じる実効的な屈折率をｎｅｆｆ、光信号波長をλとしたとき、λ／ｎｅｆｆ以下である、付記３または４に記載の光変調器。
【００８９】
（付記６）
前記第１導電型の半導体層の表面の前記凹凸形状部の凹部の窪みの底面は、曲率のある形状となっている、付記３から５のいずれか１項に記載の光変調器。
【００９０】
（付記７）
前記第１導電型の半導体層の表面の前記凹凸形状の凸部の幅が、前記凸部の根元から先端に向かって狭くなるテーパ形状をしている、付記３から５のいずれか１項に記載の光変調器。
【００９１】
（付記８）
自由キャリアが前記誘電体層の両側で蓄積、除去、または反転する領域内に、光信号電界がピーク強度を有する領域が配置されている、付記１から７のいずれか１項に記載の光変調器。
【００９２】
（付記９）
前記第２導電型の半導体層の実効屈折率が、前記第１導電型の半導体層の実効屈折率より１０％以上小さい、付記１から８のいずれか１項に記載の光変調器。
【００９３】
（付記１０）
前記第１導電型の半導体層の前記リブ形状部以外のスラブ領域の厚さが、１００ｎｍ以下である、付記１から９のいずれか１項に記載の光変調器。
【００９４】
（付記１１）
前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層が、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、歪シリコン、単結晶Ｓｉ、ＳｉｘＧｅ（１−ｘ）の少なくとも一層からなる、付記１から１０のいずれか１項に記載の光変調器。
【００９５】
（付記１２）
前記光変調器と前記光変調器に接続される導波路との実効屈折率の差が５％以下である、付記１から１１のいずれか１項に記載の光変調器。
（付記１３）
付記１から１１のいずれか１項に記載の光変調器を使用した光強度変調器であって、前記光変調器が配置された第１のアームおよび第２のアームと、前記第１のアームおよび前記第２のアームの入力側に結合する光分岐構造と、出力側に結合する光結合構造とからなるマッハ・ツェンダー干渉計構造を有する、光強度変調器。
【００９６】
（付記１４）
前記光分岐構造は、前記第１のアームおよび前記第２のアームに対して、１対１で入力信号分配比を与える、付記１３に記載の光強度変調器。
【００９７】
（付記１５）
複数の前記マッハ・ツェンダー干渉計構造が、並列または直列に配置されている、付記１３または１４に記載の光強度変調器。
【００９８】
（付記１６）
前記第１のアームおよび前記第２のアームに使用されている前記光変調器の実効屈折率と、前記光分岐構造および前記光結合構造の導波路の実効屈折率との差が５％以下である、付記１３から１５のいずれか１項に記載の光強度変調器。
【００９９】
（付記１７）
第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層にリブ形状部を設ける工程と、前記リブ形状部の側面に沿って前記リブ形状部の上面まで酸化物クラッドを堆積させる工程と、前記第１導電型の半導体層の前記リブ形状部をエッチングし、前記リブ形状部の高さを低くする工程と、高さが低くされた前記第１導電型の前記リブ形状部の上面に誘電体層を設ける工程と、前記誘電体層と前記酸化物クラッドの側面とで構成される溝と前記酸化物クラッドの表面とを、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層で覆う工程と、を少なくとも含む、光変調器の製造方法。
【０１００】
（付記１８）
前記第１導電型の半導体層の前記リブ形状部をエッチングして前記リブ形状部の高さを低くするとともに、前記第１導電型の半導体層の前記リブ形状部の表面に、光信号の伝播方向に対して平行な方向に凹凸形状を形成する、付記１７に記載の光変調器の製造方法。
【０１０１】
（付記１９） 
前記第１導電型の半導体層の表面に形成される前記凹凸形状の凹部と凸部の間隔を、前記第１導電型の半導体層および前記第２導電型の半導体層のそれぞれの内部で自由キャリアが前記誘電体層の両側で蓄積、除去、または反転する領域の厚さＷに対して、２Ｗ以下にする、付記１８に記載の光変調器の製造方法。
【０１０２】
（付記２０） 
前記第１導電型の半導体層の表面に形成される前記凹凸形状の凹部から凸部までの高さを、前記光変調器における光信号電界が感じる実効的な屈折率をｎｅｆｆ、光信号波長をλとしたとき、λ／ｎｅｆｆ以下にする、付記１８または１９に記載の光変調器の製造方法。
【０１０３】
（付記２１）
自由キャリアが前記誘電体層の両側で蓄積、除去、または反転する領域内に、光信号電界がピーク強度を有する領域を配置する、付記１７から２０のいずれか１項に記載の光変調器の製造方法。
【０１０４】
（付記２２）
前記第２導電型の半導体層の、前記酸化物クラッドの表面を覆う部分を高濃度にドープ処理する、付記１７から２１のいずれか１項に記載の光変調器の製造方法。
【０１０５】
（付記２３）
付記１から１１のいずれか１項に記載の光変調器を用いた光強度変調器の製造方法であって、マッハ・ツェンダー干渉計構造の第１のアームおよび第２のアームに前記光変調器を配置し、前記第１のアームおよび前記第２のアームの入力側に光分岐構造を接続し、出力側に光結合構造を接続する、光強度変調器の製造方法。
【０１０６】
この出願は、２０１０年３月５日に出願された日本出願特願２０１０−０４９１７５を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【符号の説明】
【０１０７】
２  埋め込み酸化層
３  基板
４  ｐ＋ドープ半導体
６  電極コンタクト層
７  酸化物クラッド
８  ｐドープ半導体（第１導電型の半導体）
９  ｎドープ半導体（第２導電型の半導体）
１０ｎ＋ドープ半導体
１１誘電体層
１２金属電極
１５第１のアーム
１６第２のアーム
１７電極パッド
１８光分岐構造
１９光合波構造
３１真性半導体層
３２埋め込み酸化層
３３基板
３４ｐ＋ドープ半導体
３５ｎ＋ドープ半導体
３６電極コンタクト層
３７酸化物クラッド
３８ｐドープ半導体
３９ｎドープ半導体
４１誘電体層
【図１】
2011108508.tif 000007
【図２】
2011108508.tif 000008
【図３Ａ】
2011108508.tif 000009
【図３Ｂ】
2011108508.tif 000010
【図４】
2011108508.tif 000011
【図５Ａ】
2011108508.tif 000012
【図５Ｂ】
2011108508.tif 000013
【図５Ｃ】
2011108508.tif 000014
【図５Ｄ】
2011108508.tif 000015
【図５Ｅ】
2011108508.tif 000016
【図５Ｆ】
2011108508.tif 000017
【図６Ａ】
2011108508.tif 000018
【図６Ｂ】
2011108508.tif 000019
【図６Ｃ】
2011108508.tif 000020
【図６Ｄ】
2011108508.tif 000021
【図７】
2011108508.tif 000022
【図８】
2011108508.tif 000023
【図９】
2011108508.tif 000024
【図１０】
2011108508.tif 000025
【図１１】
2011108508.tif 000026
【図１２Ａ】
2011108508.tif 000027
【図１２Ｂ】
2011108508.tif 000028
【図１３】
2011108508.tif 000029
【国際調査報告】
2011108508.tif 000030
2011108508.tif 000031