(57)【要約】  光透過性、耐熱性、力学的強度および耐熱着色性に優れたプリント配線用基板、プリント配線積層体および該基板、積層体を製造するために用いられる樹脂組成物を提供する。  示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）で測定したガラス転移温度が２３０℃〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる、プリント配線用基板。【特許請求の範囲】
【請求項１】
示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）で測定したガラス転移温度が２３０℃〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる、プリント配線用基板。
【請求項２】
前記芳香族ポリエーテル系重合体が、下記式（１）で表わされる構造単位および下記式（２）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉ）を有する重合体である、請求項１に記載のプリント配線用基板。
【化１】
2011049104.tif 000021
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ9は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ10は、シアノ基またはニトロ基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｉは０〜３の整数を示す。）
【化２】
2011049104.tif 000022
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。）
【請求項３】
前記重合体が、さらに、下記式（３）で表わされる構造単位および下記式（４）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉｉ）を有する、請求項１または２に記載のプリント配線用基板。
【化３】
2011049104.tif 000023
（式（３）中、Ｒ9、Ｒ10およびｉは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ9、Ｒ10およびｉと同義であり、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）
【化４】
2011049104.tif 000024
（式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）
【請求項４】
前記重合体において、上記構造単位（ｉ）と上記構造単位（ｉｉ）とのモル比が３０：７０〜９０：１０である、請求項３に記載のプリント配線用基板。
【請求項５】
前記重合体において、上記構造単位（ｉ）および上記構造単位（ｉｉ）を全構造単位中７０モル％以上含む、請求項３または４に記載のプリント配線用基板。
【請求項６】
厚み５０μｍにおけるＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法における全光線透過率が８５％以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項７】
ＪＩＳ  Ｋ７１２７における引張強度が８０〜１５０ＭＰａである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項８】
ＪＩＳ  Ｋ７１２７における破断伸びが１０〜１００％である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項９】
ＪＩＳ  Ｋ７１２７における引張弾性率が２．５〜４．０ＧＰａである、請求項１〜８のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のプリント配線用基板上に配線部が設けられた、プリント配線積層体。
【請求項１１】
下記式（１）で表わされる構造単位および下記式（２）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位を有する重合体、及び有機溶媒を含有する、プリント配線用基板形成用樹脂組成物。
【化５】
2011049104.tif 000025
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ9は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ10は、シアノ基またはニトロ基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｉは０〜３の整数を示す。）
【化６】
2011049104.tif 000026
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。）
【請求項１２】
前記重合体が、さらに、下記式（３）で表わされる構造単位および下記式（４）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位を有する、請求項１１に記載のプリント配線用基板形成用樹脂組成物。
【化７】
2011049104.tif 000027
（式（３）中、Ｒ9、Ｒ10およびｉは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ9、Ｒ10およびｉと同義であり、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）
【化８】
2011049104.tif 000028
（式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線用基板およびそれに用いる樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高機能化する携帯電話やデシタルカメラ、ナビゲーター、その他各種電子機器類の小型化、軽量化の進展、基板上に形成される配線パターンのファインピッチ化に伴って、これらに使用される電子配線材料としてのフレキシブルプリント配線用基板（ＦＰＣ基板）の高機能化、具体的には、耐熱性、柔軟性に加えてガラス並の光透過性、配線部との密着性等が求められている。【０００３】
フレキシブルプリント配線板を形成するためのポリマーとしては、従来、例えば（特許文献１）に示されるような全芳香族ポリイミド（カネカ（株）製アピカル等）が用いられてきた。【０００４】
しかしながら、ポリイミドからなる基板は、分子内及び分子間での電荷移動錯体の形成により黄褐色に着色しているため、ガラス並の光透過性が必要な用途に適用することは困難であった。【０００５】
また、ポリイミドをフィルムに成形する場合には、３００〜５００℃の温度でイミド化することが必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３２２２９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記した問題点に鑑みてなされたもので、光透過性、耐熱性、力学的強度および耐熱着色性に優れたプリント配線用基板、該基板を用いたプリント配線積層体、ならびに該基板を製造するために用いられる樹脂組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の構造単位を有する重合体を用いたプリント配線用基板により、本発明の上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成した。【０００９】
すなわち、本発明は、以下の［１］〜［１２］を提供するものである。【００１０】
［１］  示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）で測定したガラス転移温度が２３０℃〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる、プリント配線用基板。【００１１】
［２］  前記芳香族ポリエーテル系重合体が、下記式（１）で表わされる構造単位および下記式（２）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉ）を有する重合体である、［１］に記載のプリント配線用基板。【００１２】
【化１】
2011049104.tif 000002
【００１３】
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ9は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ10は、シアノ基またはニトロ基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｉは０〜３の整数を示す。）【００１４】
【化２】
2011049104.tif 000003
【００１５】
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。）
［３］  前記重合体が、さらに、下記式（３）で表わされる構造単位および下記式（４）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉｉ）を有する、［１］または［２］に記載のプリント配線用基板。【００１６】
【化３】
2011049104.tif 000004
【００１７】
（式（３）中、Ｒ9、Ｒ10およびｉは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ9、Ｒ10およびｉと同義であり、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）【００１８】
【化４】
2011049104.tif 000005
【００１９】
（式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）
［４］  前記重合体において、上記構造単位（ｉ）と上記構造単位（ｉｉ）とのモル比が３０：７０〜９０：１０である、［３］に記載のプリント配線用基板。【００２０】
［５］  前記重合体において、上記構造単位（ｉ）および上記構造単位（ｉｉ）を全構造単位中７０モル％以上含む、［３］または［４］に記載のプリント配線用基板。【００２１】
［６］  厚み５０μｍにおけるＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法における全光線透過率が８５％以上である、［１］〜［５］のいずれかに記載のプリント配線用基板。【００２２】
［７］  ＪＩＳ  Ｋ７１２７における引張強度が８０〜１５０ＭＰａである、［１］〜［６］のいずれかに記載のプリント配線用基板。【００２３】
［８］  ＪＩＳ  Ｋ７１２７における破断伸びが１０〜１００％である、［１］〜［７］のいずれかに記載のプリント配線用基板。【００２４】
［９］  ＪＩＳ  Ｋ７１２７における引張弾性率が２．５〜４．０ＧＰａである、［１］〜［８］のいずれかに記載のプリント配線用基板。【００２５】
［１０］  ［１］〜［９］のいずれかに記載のプリント配線用基板上に配線部が設けられた、プリント配線積層体。【００２６】
［１１］  下記式（１）で表わされる構造単位および下記式（２）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位を有する重合体、及び有機溶媒を含有する、プリント配線用基板形成用樹脂組成物。【００２７】
【化５】
2011049104.tif 000006
【００２８】
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ9は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ10は、シアノ基またはニトロ基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｉは０〜３の整数を示す。）【００２９】
【化６】
2011049104.tif 000007
【００３０】
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。）
［１２］  前記重合体が、さらに、下記式（３）で表わされる構造単位および下記式（４）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位を有する、［１１］に記載のプリント配線用基板形成用樹脂組成物。【００３１】
【化７】
2011049104.tif 000008
【００３２】
（式（３）中、Ｒ9、Ｒ10およびｉは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ9、Ｒ10およびｉと同義であり、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）【００３３】
【化８】
2011049104.tif 000009
【００３４】
（式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）
【発明の効果】
【００３５】
本発明のプリント配線用基板は、透明性と成形性に優れた耐熱性重合体を含んでなるため、光透過性が高く、耐熱性および耐熱着色性に優れる。そのため、携帯電話、タッチパネル、電子ペーパーなどの導体フレキシブルプリント配線用基板およびリジットプリント配線用基板、光電子プリント配線用基板、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）用基板、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）用基板等に好適に使用できる。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明のプリント配線用基板は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）で測定したガラス転移温度（ガラス転移点）が２３０℃〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる。上記重合体のガラス転移温度は、具体的には、Ｒｉｇａｋｕ社製８２３０型ＤＳＣ測定装置（昇温速度２０℃／分）により測定され、好ましくは２４０〜３３０℃であり、さらに好ましくは２５０〜３００℃である。
【００３７】
なお、前記芳香族ポリエーテル系重合体は、主鎖にエーテル結合を形成する反応により得られる重合体である。
【００３８】
このような芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる基板は、優れた耐熱性および耐熱着色性を有するため、プリント配線用として好適に用いられ、特にハンダリフロー工程等の２２０℃以上の温度となるプロセスに適用しうるプリント配線用基板として好適に用いられる。また、前記芳香族ポリエーテル系重合体は、成形加工性に優れる点からも該重合体を含んでなる基板は、プリント配線用基板として好適に用いられる。なお、本発明において、「耐熱着色性」とは、大気中、高温（２２０〜３００℃）で１〜３時間程度熱処理した際の着色のしにくさのことをいう。
【００３９】
前記芳香族ポリエーテル系重合体は、下記式（１）で表わされる構造単位および下記式（２）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉ）を有する重合体（以下「重合体（Ｉ）」ともいう。）であることが好ましい。重合体が構造単位（ｉ）を有することで、ガラス転移温度が２３０〜３５０℃である芳香族ポリエーテルとなる。このような重合体（Ｉ）は、透明性と耐熱着色性に優れるため、該重合体を含んでなる基板は、光透過性が高く、耐熱着色性に優れる。また、重合体（Ｉ）を含んでなる基板は、その表面に設けられる配線部等の導電層との密着性に優れ、高温下でも変形や力学的強度の低下が起こりにくい基板であり、高湿度下でも寸法安定性に優れる。そのため、プリント配線用に好適に用いられる。
【００４０】
【化９】
2011049104.tif 000010
【００４１】
前記式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ9は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ10は、シアノ基またはニトロ基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｉは０〜３の整数を示す。
【００４２】
炭素数１〜１２の１価の有機基としては、炭素数１〜１２の１価の炭化水素基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の１価の炭化水素基等が挙げられる。
【００４３】
炭素数１〜１２の１価の炭化水素基としては、炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基および炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００４４】
前記炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の炭化水素基としては、炭素数１〜８の直鎖または分岐鎖の炭化水素基が好ましく、炭素数１〜５の直鎖または分岐鎖の炭化水素基がより好ましい。
【００４５】
前記直鎖または分岐鎖の炭化水素基の好適な具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基およびｎ−ヘプチル基が挙げられる。
【００４６】
前記炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜８の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３または４の脂環式炭化水素基がより好ましい。
【００４７】
炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基の好適な具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基およびシクロへキシル基等のシクロアルキル基；シクロブテニル基、シクロペンテニル基およびシクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基が挙げられる。当該脂環式炭化水素基の結合部位は、脂環上のいずれの炭素でもよい。
【００４８】
前記炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基およびナフチル基等が挙げられる。当該芳香族炭化水素基の結合部位は、芳香族環上のいずれの炭素でもよい。
【００４９】
酸素原子を含む炭素数１〜１２の炭化水素基としては、エーテル結合、カルボニル基およびエステル基を有する炭素数１〜１２の炭化水素基等を挙げることができる。
【００５０】
エーテル結合を有する炭素数１〜１２の炭化水素基としては、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基、炭素数２〜１２のアルキニルオキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基および炭素数１〜１２のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、プロペニルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基およびメトキシメチル基等が挙げられる。
【００５１】
また、カルボニル基を有する炭素数１〜１２の炭化水素基としては、炭素数２〜１２のアシル基等を挙げることができる。具体的には、アセチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基およびベンゾイル基等が挙げられる。
【００５２】
エステル基を有する炭素数１〜１２の炭化水素基としては、炭素数２〜１２のアシルオキシ基等が挙げられる。具体的には、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、イソプロピオニルオキシ基およびベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００５３】
窒素原子を含む炭素数１〜１２の炭化水素基としては、イミダゾール基、トリアゾール基、ベンズイミダゾール基およびベンズトリアゾール基等が挙げられる。
【００５４】
酸素原子および窒素原子を含む炭素数１〜１２の炭化水素基としては、具体的には、オキサゾール基、オキサジアゾール基、ベンズオキサゾール基およびベンズオキサジアゾール基等が挙げられる。
【００５５】
【化１０】
2011049104.tif 000011
【００５６】
前記式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。ｍが０の時、Ｒ7はシアノ基およびニトロ基でないことが好ましい。
【００５７】
炭素数１〜１２の１価の有機基としては、前記と同様の官能基等を挙げることができる。
【００５８】
また、前記重合体（Ｉ）は、さらに、下記式（３）で表わされる構造単位、および下記式（４）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉｉ）を有してもよい。前記重合体（Ｉ）がこのような構造単位（ｉｉ）を有すると、該重合体（Ｉ）を含んでなるプリント配線用基板は力学的特性が向上するため好ましい。
【００５９】
【化１１】
2011049104.tif 000012
【００６０】
前記式（３）中、Ｒ9、Ｒ10およびｉは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ9、Ｒ10およびｉと同義であり、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。
【００６１】
炭素数１〜１２の１価の有機基としては、前記と同様の官能基等を挙げることができる。
【００６２】
炭素数１〜１２の２価の有機基としては、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基、炭素数１〜１２の２価のハロゲン化炭化水素基、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも一種の原子を含む炭素数３〜１２の２価の炭化水素基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも一種の原子を含む炭素数３〜１２の２価のハロゲン化炭化水素基等を挙げることができる。
【００６３】
炭素数１〜１２の２価の炭化水素基としては、炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の２価の炭化水素基、炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基および炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００６４】
炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の２価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピリデン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基およびヘプタメチレン基等が挙げられる。
【００６５】
炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基およびシクロへキシレン基等のシクロアルキレン基；シクロブテニレン基、シクロペンテニレン基およびシクロヘキセニレン基等のシクロアルケニレン基などが挙げられる。
【００６６】
炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基およびビフェニレン基等が挙げられる。
【００６７】
炭素数１〜１２の２価のハロゲン化炭化水素基としては、炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の２価のハロゲン化炭化水素基、炭素数３〜１２の２価のハロゲン化脂環式炭化水素基および炭素数６〜１２の２価のハロゲン化芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００６８】
炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の２価のハロゲン化炭化水素基としては、ジフロオロメチレン基、ジクロロメチレン基、テトラフルオロエチレン基、テトラクロロエチレン基、ヘキサフルオロトリメチレン基、ヘキサクロロトリメチレン基、ヘキサフルオロイソプロピリデン基およびヘキサクロロイソプロピリデン基等が挙げられる。
【００６９】
炭素数３〜１２の２価のハロゲン化脂環式炭化水素基としては、前記炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。
【００７０】
炭素数６〜１２の２価のハロゲン化芳香族炭化水素基としては、前記炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。
【００７１】
酸素原子および窒素原子から選ばれる少なくとも一種の原子を含む炭素数１〜１２の２価の炭化水素基としては、エーテル結合、カルボニル基、エステル基およびアミド基を有する炭素数１〜１２の２価の炭化水素基を挙げることができる。
【００７２】
酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも一種の原子を含む炭素数１〜１２の２価のハロゲン化炭化水素基としては、具体的には、酸素原子および／または窒素原子を含む炭素数１〜１２の２価の炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。
【００７３】
【化１２】
2011049104.tif 000013
【００７４】
前記式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。ｍが０の時、Ｒ7はシアノ基およびニトロ基でないことが好ましい。
【００７５】
前記重合体（Ｉ）は、前記構造単位（ｉ）と、前記構造単位（ｉｉ）とのモル比（但し、両者の合計は１００である。）が、耐熱性および力学的特性の観点から（ｉ）：（ｉｉ）＝３０：７０〜９０：１０であることが好ましく、（ｉ）：（ｉｉ）＝４０：６０〜９０：１０であることがより好ましく、（ｉ）：（ｉｉ）＝５０：５０〜９０：１０であることがさらに好ましい。
【００７６】
本発明において、力学的特性とは、重合体の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
【００７７】
前記重合体（Ｉ）は、前記構造単位（ｉ）および前記構造単位（ｉｉ）を全構造単位中７０モル％以上含むことが好ましく、全構造単位中９５モル％以上含むことがより好ましい。
【００７８】
前記重合体（Ｉ）は、例えば、下記式（Ａ）で表わされる化合物（以下「化合物（Ａ）」ともいう。）および下記式（８）で表わされる化合物（以下「化合物（８）」ともいう。）からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物を含む成分（以下「（Ａ）成分」ともいう。）と下記式（Ｂ）で表わされる化合物を含む成分（以下「（Ｂ）成分」ともいう。）とを、反応させることにより得ることができる。
【００７９】
【化１３】
2011049104.tif 000014
【００８０】
前記式（Ａ）中、Ｒ9、Ｒ10およびｉは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ9、Ｒ10およびｉと同義であり、Ｘは独立してハロゲン原子を示す。
【００８１】
【化１４】
2011049104.tif 000015
【００８２】
前記式（８）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｘは、前記式（Ａ）中のＸと同義である。
【００８３】
【化１５】
2011049104.tif 000016
【００８４】
前記式（Ｂ）中、Ｒbは、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、メタンスルホニル基またはトリフルオロメチルスルホニル基を示し、この中でも水素原子が好ましい。
なお、式（Ｂ）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義である。
【００８５】
上記化合物（Ａ）としては、具体的には、２，６−ジフルオロベンゾニトリル、２，５−ジフルオロベンゾニトリル、２，４−ジフルオロベンゾニトリル、２，６−ジクロロベンゾニトリル、２，５−ジクロロベンゾニトリル、２，４−ジクロロベンゾニトリル、２，６−ジフルオロニトロベンゼン、２，５−ジフルオロニトロベンゼン、２，４−ジフルオロニトロベンゼン、２，６−ジクロロニトロベンゼン、２，５−ジクロロニトロベンゼン、２，４−ジクロロニトロベンゼンおよびこれらの反応性誘導体を挙げることができる。特に、反応性および経済性等の観点から、２，６−ジフルオロベンゾニトリル、および２，６−ジクロロベンゾニトリルが好適に用いられる。これらの化合物は２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００８６】
上記化合物（８）としては、具体的には、４，４'−ジフルオロベンゾフェノン、４，４'−ジフルオロジフェニルスルホン、２，４'−ジフルオロベンゾフェノン、２，４'−ジフルオロジフェニルスルホン、２，２'−ジフルオロベンゾフェノン、２，２'−ジフルオロジフェニルスルホン、３，３'−ジニトロ−４，４'−ジフルオロベンゾフェノン、３，３'−ジニトロ−４，４'−ジフルオロジフェニルスルホン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン、４，４'−ジクロロジフェニルスルホン、２，４'−ジクロロベンゾフェノン、２，４'−ジクロロジフェニルスルホン、２，２'−ジクロロベンゾフェノン、２，２'−ジクロロジフェニルスルホン、３，３'−ジニトロ−４，４'−ジクロロベンゾフェノン、および３，３'−ジニトロ−４，４'−ジクロロジフェニルスルホン等を挙げることができる。これらの化合物は２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００８７】
化合物（Ａ）および化合物（８）からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物は、（Ａ）成分１００モル％中に、８０モル％〜１００モル％含まれていること好ましく、９０モル％〜１００モル％含まれていることがより好ましい。
【００８８】
また、（Ｂ）成分は、下記式（９）で表わされる化合物（以下「化合物（９）」ともいう。）を含むことが好ましく、必要に応じて下記式（１０）で表わされる化合物を含むことが好ましい。化合物（９）は、（Ｂ）成分１００モル％中に、８０モル％〜１００モル％含まれていることが好ましく、９０モル％〜１００モル％含まれていることがより好ましい。
【００８９】
【化１６】
2011049104.tif 000017
【００９０】
前記式（９）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義である。
【００９１】
前記化合物（９）としては、具体的には、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３，５−ジフェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）フルオレン、およびこれらの反応性誘導体等が挙げられる。上述の化合物の中でも、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンおよび９，９−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンが好適に用いられる。これらの化合物は２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００９２】
【化１７】
2011049104.tif 000018
【００９３】
前記式（１０）中、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。
【００９４】
前記式（１０）で表わされる化合物としては、ヒドロキノン、レゾルシノール、２−フェニルヒドロキノン、４，４'−ビフェノール、３，３'−ビフェノール、４，４'−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３'−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４'−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，３'−ジヒドロキシベンゾフェノン、１，１'−ビ−２−ナフトール、１，１'−ビ−４−ナフトール、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３-ヘキサフルオロプロパン、およびこれらの反応性誘導体等が挙げられる。これらの化合物は２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００９５】
上述の化合物の中でも、反応性および力学的特性の観点から、４，４'−ビフェノールが好適に用いられる。
【００９６】
前記重合体（Ｉ）は、より具体的には、以下に示す方法で合成することができる。
【００９７】
（Ｂ）成分に含まれる化合物（９）を有機溶媒中でアルカリ金属化合物と反応させて、化合物（９）のアルカリ金属塩を得た後に、得られたアルカリ金属塩と、（Ａ）成分に含まれる化合物（Ａ）および／または化合物（８）とを反応させる。なお、化合物（９）とアルカリ金属化合物との反応を化合物（Ａ）および／または化合物（８）の存在下で行うことで、化合物（９）のアルカリ金属塩と化合物（Ａ）および／または化合物（８）とを反応させることもできる。
【００９８】
反応に使用するアルカリ金属化合物としては、リチウム、カリウムおよびナトリウムなどのアルカリ金属；水素化リチウム、水素化カリウムおよび水素化ナトリウムなどの水素化アルカリ金属；水酸化リチウム、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムなどの水酸化アルカリ金属；炭酸水素リチウム、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素ナトリウムなどのアルカリ金属炭酸塩等を挙げることができる。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００９９】
アルカリ金属化合物は、前記式（Ｂ）中の１つの−Ｏ−Ｒbに対し、アルカリ金属化合物中の金属原子の量が通常１〜３倍当量、好ましくは１．１〜２倍当量、さらに好ましくは１．２〜１．５倍当量となる量で使用される。
【０１００】
また、反応に使用する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、γ−ブチルラクトン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、ジアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数１〜４）およびトリアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数１〜４）などを使用することができる。これらの溶媒の中でも、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、スルホラン、ジフェニルスルホンおよびジメチルスルホキシド等の誘電率の高い極性有機溶媒が特に好適に用いられる。
【０１０１】
さらに、前記反応の際には、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールなどの水と共沸する溶媒をさらに用いることもできる。
【０１０２】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の使用割合は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計を１００モル％とした場合に、（Ａ）成分が好ましくは４５モル％以上５５モル％以下、より好ましくは５０モル％以上５２モル％以下、さらに好ましくは５０モル％を超えて５２モル％以下であり、（Ｂ）成分が好ましくは４５モル％以上５５モル％以下、より好ましくは４８モル％以上５０モル％以下であり、さらに好ましくは４８モル％以上５０モル％未満である。
【０１０３】
また、反応温度は、好ましくは６０℃〜２５０℃で、より好ましくは８０℃〜２００℃の範囲である。反応時間は、好ましくは１５分〜１００時間、より好ましくは１時間〜２４時間の範囲である。
【０１０４】
前記芳香族ポリエーテル系重合体は、ポリイミド系重合体の合成に必要なイミド化のための高温処理が不要であるため、重合体の製造プロセス負荷が低く、容易に重合体を製造することができる。
【０１０５】
前記芳香族ポリエーテル系重合体は、ＴＯＳＯＨ製ＨＬＣ−８２２０型ＧＰＣ装置（溶剤：臭化リチウムおよび燐酸を添加したＮ−メチル−２−ピロリドン）で測定した、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が、好ましくは５，０００〜５００，０００、さらに好ましくは１５，０００〜２５０，０００である。
【０１０６】
本発明の樹脂組成物は、前記重合体（Ｉ）および有機溶媒を含むことを特徴とする。
【０１０７】
前記の方法で得られた重合体（Ｉ）と有機溶媒との混合物は、前記プリント配線用基板を製造するための本発明の樹脂組成物としてそのまま使用することができる。このような樹脂組成物を用いることで、容易に、安価にプリント配線用基板を製造することができる。
【０１０８】
また、前記の方法で得られた重合体（Ｉ）と有機溶媒との混合物から、重合体を固体分として単離（精製）した後、有機溶媒に再溶解して本発明の樹脂組成物を調製することも出来る。このような樹脂組成物を用いることで、より着色が少なく、光透過性に優れるプリント配線用基板を製造することができる。
【０１０９】
前記重合体（Ｉ）を固体分として単離（精製）する方法は、例えば、メタノール等の重合体の貧溶媒に重合体を再沈殿させ、その後ろ過し、次いでろ物を減圧乾燥すること等により行うことができる。また、前記重合体（Ｉ）を溶解する有機溶媒としては、例えば、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンおよびγ−ブチロラクトンが好適に用いられ、塗工性、経済性の観点から、塩化メチレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドおよびＮ−メチルピロリドンがより好適に使用される。これらの溶媒は、１種単独であるいは２種以上を併用することができる。
【０１１０】
前記重合体（Ｉ）を溶解させた本発明の樹脂組成物中の重合体濃度は、重合体の分子量にもよるが、通常、５〜４０重量％、好ましくは７〜２５重量％である。５重量％未満では、厚膜化し難く、また、ピンホールが生成しやすい恐れがある。一方、４０重量％を超えると、樹脂組成物の粘度が高すぎてフィルム化し難く、また、表面平滑性に欠けることがある。
【０１１１】
なお、本発明の樹脂組成物の粘度は、重合体の分子量や濃度にもよるが、通常、２，０００〜１００，０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは３，０００〜５０，０００ｍＰａ・ｓである。２，０００ｍＰａ・ｓ未満では、成膜中の樹脂組成物の滞留性が悪く、支持体から流れ落ちてしまうことがある。一方、１００，０００ｍＰａ・ｓを超えると、粘度が高過ぎて、膜厚の調整が困難となり、プリント配線用基板の成形が困難となることがある。
【０１１２】
また、本発明の樹脂組成物にはさらに老化防止剤を含有させることができ、老化防止剤を含有することで得られるプリント配線用基板の耐久性をより向上させることができる。
【０１１３】
老化防止剤としては、好ましくは分子量５００以上のヒンダードフェノール系化合物を挙げることができる。
【０１１４】
本発明で使用することのできる分子量５００以上のヒンダードフェノール系化合物としては、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロオネート］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−３，５−トリアジン、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，１，３−トリス［２−メチル−４−［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル］ブタン、２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレイト、および、３，９−ビス［２−〔３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカンなどを挙げることができる。これらの老化防止剤は、１種単独であるいは２種以上を併用することができる。
【０１１５】
本発明において、前記重合体（Ｉ）１００重量部に対して分子量５００以上のヒンダードフェノール系化合物は０．０１〜１０重量部の量で使用することが好ましい。
【０１１６】
本発明のプリント配線用基板は、前記芳香族ポリエーテル系重合体の重合体を含んでなる。本発明のプリント配線用基板は、所望の用途に応じて、前記本発明の重合体の他に添加剤を含んでもよいが、本質的に、上記本発明の重合体のみからなることが好ましい。
【０１１７】
本発明のプリント配線用基板の製造方法は、特に制限されないが、前記樹脂組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜から前記有機溶媒を蒸発させることにより除去することでフィルムを得る工程とを含むことが好ましい。
【０１１８】
前記樹脂組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する方法としては、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法およびドクターブレードを用いる方法等が挙げられる。
【０１１９】
塗膜の厚さは、特に限定されないが、例えば１〜２５０μｍであり、好ましくは２〜１５０μｍであり、より好ましくは５〜１２５μｍである。前記支持体としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムおよびＳＵＳ板などが挙げられる。
【０１２０】
また、塗膜から前記有機溶媒を蒸発させることにより前記有機溶媒を除去する工程は、具体的には塗膜を加熱することにより行うことができる。塗膜を加熱することにより、該塗膜中の有機溶媒を蒸発させて除去することができる。前記加熱の条件は、有機溶媒が蒸発すればよく、支持体や重合体に応じて適宜決めればよいが、例えば加熱温度が３０℃〜３００℃であることが好ましく、４０℃〜２５０℃であることがより好ましく、５０℃〜２３０℃であることがさらに好ましい。
【０１２１】
また、加熱時間としては、１０分〜５時間であることが好ましい。なお、加熱は二段階以上で行ってもよい。具体的には、３０〜８０℃の温度で１０分〜２時間乾燥後、１００℃〜２５０℃でさらに１０分〜２時間加熱するなどである。また、必要に応じて、窒素雰囲気下、もしくは減圧下にて乾燥を行ってもよい。
【０１２２】
この有機溶媒を除去する工程後の得られた基板中の残存溶媒量（熱重量分析法：ＴＧＡ、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分）は、基板１００重量％に対し、好ましくは０〜１．２重量％、より好ましくは０〜１重量％である。残存溶媒量がこの範囲にあることで、耐熱性に優れ、特に高温下でも変形や力学的強度の低下が起こりにくい基板を得ることができる。よって、該基板は、プリント配線用として好適に用いられる。
【０１２３】
得られたフィルムは、支持体から剥離してプリント配線用基板として用いることができるし、あるいは剥離せずにそのままプリント配線用基板として用いることもできる。
【０１２４】
本発明のプリント配線用基板は、Ｒｉｇａｋｕ社製８２３０型ＤＳＣ測定装置（昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が、２３０〜３５０℃であることが好ましく、２４０〜３３０℃であることがより好ましく、２５０〜３００℃であることがさらに好ましい。ガラス転移温度がこのような範囲にあると、プリント配線用としてより好適に用いることができる。
【０１２５】
本発明におけるプリント配線用基板の厚みは好ましくは１〜２５０μｍ、より好ましくは２〜１５０μｍであり、さらに好ましくは１０〜１２５μｍである。
【０１２６】
本発明のプリント配線用基板は、厚みが５０μｍである場合に、ＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法における全光線透過率は、８５％以上であることが好ましく、８８％以上であることがより好ましい。全光線透過率は、スガ試験機株式会社製ＳＣ−３Ｈ型ヘイズメーターを用いて測定することができる。
【０１２７】
本発明のプリント配線用基板は、厚みが５０μｍである場合に、波長４００ｎｍにおける光線透過率が、好ましくは７０％以上であり、より好ましくは７５％以上であり、さらに好ましくは８０％以上である。波長４００ｎｍにおける光線透過率は、ＪＡＳＣＯ社製Ｖ−５７０型ＵＶ／ＶＩＳ／ＮＩＲ分光器を用いて測定することができる。
【０１２８】
本発明のプリント配線用基板は、引張強度が、８０〜１５０ＭＰａであることが好ましく、８５〜１３０ＭＰａであることがより好ましく、８５〜１２０ＭＰａであることがさらに好ましい。引張強度は、引張試験機５５４３（ＩＮＳＴＲＯＮ社製）を用いて測定することができる。
【０１２９】
本発明のプリント配線用基板は、破断伸びが、５〜１００％であることが好ましく、１０〜１００％であることがより好ましく、１５〜１００％であることがさらに好ましい。破断伸びは、引張試験機５５４３（ＩＮＳＴＲＯＮ社製）を用いて測定することができる。
【０１３０】
本発明のプリント配線用基板は、引張弾性率が、２．５〜４．０ＧＰａであることが好ましく、２．７〜３．７ＧＰａであることがより好ましい。引張弾性率は、引張試験機５５４３（ＩＮＳＴＲＯＮ社製）を用いて測定することができる。
【０１３１】
本発明のプリント配線用基板は、位相差が、５０ｎｍ以下であることが好ましく、０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、０．２〜５ｎｍであることがより好ましい。位相差は、ＲＥＴＳ分光器（大塚電子社製）を用いて測定することができる。
【０１３２】
本発明のプリント配線用基板は、湿度膨張係数が、１５ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５〜１２ｐｐｍ／Ｋであることがより好ましい。湿度膨張係数は、ＭＡ（ＳＩＩナノテクノロジー社製、ＴＭＡ−ＳＳ６１００）湿度制御オプションを用いて測定することができる。基板の湿度膨張係数が前記範囲にあると、高湿度下での基板の寸法安定性が高いことを示すため、プリント配線用としてより好適に用いることができる。
【０１３３】
本発明のプリント配線積層体は、上記プリント配線用基板上に配線部を設けることで得られる。このような本発明のプリント配線積層体は、重合体（Ｉ）を含んでなるプリント配線用基板と配線部とからなると、該基板と配線部とが密着性に優れる。
【０１３４】
配線部を形成する方法としては、例えば、ラミネート法、メタライジング法、スパッタリング法、蒸着法、塗布法および印刷法等により、フィルム上に銅層、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ポリチオフェン、ポリアニリンおよびポリピロール等の導電性材料からなる配線部を設ける方法を挙げることができる。
【０１３５】
ラミネート法では、例えば、本発明のプリント配線用基板に銅箔等の金属箔を熱プレス等することで、導電層が設けられたプリント配線用基板を製造することができ、この導電層をエッチング等することにより配線部が設けられたプリント配線用基板を製造することができる。
【０１３６】
メタライジング法では、例えば、蒸着法またはスパッタリング法によって、本発明のプリント配線用基板と結合するＮｉ系の金属からなるシード層を形成し、そのシード層上に湿式めっき法等により所定の膜厚の銅等の導電層を設けることで、導電層が設けられたプリント配線用基板を製造することができ、この導電層をエッチング等することにより配線部が設けられたプリント配線用基板を製造することができる。なお、メタライジング法を用いる場合には、Ｎｉ等の金属の付着性を向上させるために、予め本発明のプリント配線用基板をプラズマ処理等で表面改質しておくことが好ましい。
【０１３７】
また、スパッタリング法では、例えば、真空中に不活性ガスを導入しながらプリント配線用基板と例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などのターゲット（成膜させる物質）との間に直流高電圧等を印加することで、導電層が設けられたプリント配線用基板を製造することができ、この導電層をエッチング等することにより配線部が設けられたプリント配線用基板を製造することができる。
【０１３８】
蒸着法では、例えば成膜させる物質の前駆体を気化させ、プリント配線用基板上に析出させることで、配線部が設けられたプリント配線用基板を製造することができる。
【０１３９】
また、塗布法および印刷法では、例えば、目的の導電性材料を含む溶液を、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、ドクターブレードを用いてプリント配線用基板に塗布する方法、スクリーン印刷機、インクジェットプリンタ、ディスペンサ、フレキソ印刷機またはグラビア印刷機などにより印刷する方法により、配線部が設けられたプリント配線用基板を製造することができる。
【０１４０】
本発明のプリント配線積層体は、ＭＩＴ耐折試験（ＡＳＴＭ  Ｄ２１７６、温度２３℃、湿度５０％、屈曲角度±１３５°、屈曲速度１００回／分、荷重２５０ｇ、屈曲半径３ｍｍ）における配線部が剥離するまでの屈曲回数が、好ましくは１万５千回以上、さらに好ましくは３万回以上である。（なお、屈曲回数は、はじめの０度の位置（プリント配線用基板が水平の状態）から、＋１３５度の位置へ屈曲し、さらに再度０度の位置を経由して−１３５度の位置へ屈曲した後、０度の位置へ戻ってくる動作を１回とする。）
【０１４１】
本発明のプリント配線積層体は、冷熱試験における配線部が剥離するまでの冷熱試験回数が、好ましくは１５回を超える、さらに好ましくは１０回以上である。（なお、冷熱試験回数は、該積層体を所定の温度（２４０℃）に設定された恒温室の中に入れ、３０分保持した後、取り出し、室温に戻して１時間保持するという動作を１回とする。）
【０１４２】
本発明のプリント配線用基板は、透明性と成形性に優れた耐熱性重合体を含んでなるため、光透過性が高く、耐熱性および耐熱着色性に優れる。そのため、携帯電話、タッチパネル、電子ペーパーなどの導体フレキシブルプリント配線用基板およびリジットプリント配線用基板、光電子プリント配線用基板、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）用基板、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）用基板等に好適に使用できる。
【０１４３】
プリント配線用基板（プリント配線積層体）は、通常その上に機能部品、大規模集積回路（ＬＳＩ）および／または回路部品等の搭載部品が実装され、電子機器に組み込まれる。その際には、プリント配線用基板にあらかじめ位置決めをし、その位置決めした部分に搭載部品を実装する。
【０１４４】
従来の配線ピッチ幅の広い配線パターンを有するプリント配線用基板では、この実装の際の実装位置の精度はそれほど高いものが要求されなかった。しかしながら、電子機器の高機能化、小型化および軽量化等に伴い、配線ピッチ幅の狭いファインピッチを有するプリント配線用基板に搭載部品を実装する際には、実装する位置について高い精度が要求される。
【０１４５】
現在、基板上に搭載部品を高い精度で実装するために、透過光を用いて、搭載部品の位置を把握し、基板上に実装する方法等が用いられており、ピッチ幅が３０μｍ以下の配線パターンを有するプリント配線積層体用の基板としては、高い全光透過率を有することが望まれている。
【０１４６】
本発明のプリント配線用基板は、厚みが５０μｍである場合に、ＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法における全光線透過率が前記範囲にあり、耐熱性、耐熱着色性、力学的強度、絶縁性、寸法安定性および配線部との密着性等に優れるため、特にピッチ幅が３０μｍ以下の配線パターンを有するプリント配線用基板として好適に用いられる。
【実施例】
【０１４７】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。【０１４８】
（１）構造分析
下記実施例で得られた重合体の構造分析は、ＩＲ（ＡＴＲ法、  ＦＴ−ＩＲ，６７００、ＮＩＣＯＬＥＴ社製）により行った。【０１４９】
（２）重量平均分子量
下記実施例および比較例で得られた重合体の重量平均分子量は、ＴＯＳＯＨ製ＨＬＣ−８２２０型ＧＰＣ装置を使用して測定した。溶媒には、臭化リチウムおよび燐酸を添加したＮ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)を用い、測定温度４０℃にて、ポリスチレン換算の分子量を求めた。【０１５０】
（３）光学特性
（３ａ）  全光線透過率
下記実施例および比較例で得られたフィルムの全光線透過率は、ＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法に準じて測定した。具体的には、スガ試験機株式会社製ＳＣ−３Ｈ型ヘイズメーターを用いて測定した。【０１５１】
（３ｂ）光透過性
下記実施例および比較例で得られたフィルムの波長４００ｎｍにおける透過率は、ＪＡＳＣＯ社製Ｖ−５７０型ＵＶ／ＶＩＳ／ＮＩＲ分光器を用いて測定した。【０１５２】
（３ｃ）光学異方性
下記実施例および比較例で得られたフィルムの位相差は、大塚電子社製ＲＥＴＳ分光器を用いて測定した。位相差の評価膜厚は１００μｍに規格化した値で示した。【０１５３】
（４）耐熱性
（４ａ）ガラス転移点
下記実施例および比較例で得られた重合体およびフィルムのガラス転移点は、Ｒｉｇａｋｕ社製８２３０型ＤＳＣ測定装置を用いて、昇温速度を２０℃／ｍｉｎとして測定した。【０１５４】
（４ｂ）耐熱着色性
下記実施例および比較例で得られたフィルムの耐熱着色性は、大気中２３０℃で２時間熱処理した後のフィルムの着色の有無で判断した。【０１５５】
（５）力学特性
下記実施例および比較例で得られたフィルムの引張強度、破断伸び、引張弾性率は、ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準じて引張試験機５５４３（ＩＮＳＴＲＯＮ社製）を用いて測定した。【０１５６】
（６）成形加工性
下記実施例および比較例で得られた重合体からのフィルムの作製は、以下の方法により行った。上記樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる支持体上にドクターブレードを用いて乾燥後の膜厚が５０±１０μｍとなるように塗布し、８０℃で３０分乾燥させ、ついで１５０℃で６０分乾燥してフィルムとした後、ＰＥＴ支持体より剥離した。その後、フィルムを金枠に固定しさらに最終乾燥としてポリマーの種類により１５０〜３００℃、２時間乾燥させることにより行った。成形加工性の評価は、フィルム外観および残存溶媒量（（熱重量分析法：ＴＧＡ）、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分）により行った。【０１５７】
なお、フィルム外観の評価基準は、目視で観察した結果、傷やそり、うねりが無い場合を「○」、目視で観察した結果、傷やそり、うねりが観察された場合を「×」とした。【０１５８】
（７）導電層との密着性
下記実施例および比較例で得られたフィルム（５ｃｍ×１０ｃｍ）を金枠に固定し、スパッタリング装置に設置した。次いでフィルム表面をプラズマ処理した。プラズマ処理は、アルゴンガス中で、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力２００Ｗ、ガス圧１×１０-3Ｔｏｒｒ、処理時の温度２℃、処理時間２分間で行った。次いで、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力４５０Ｗ、ガス圧３×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、ニッケル−クロム（クロム１０質量％）合金のターゲットを用い、アルゴン雰囲気下にてＤＣマグネトロンスパッタリング法により、１ｎｍ／秒のレートで厚さ約１０ｎｍのニッケル−クロム合金被膜（シード層）を形成し、次いで、銅を蒸着し、厚さ０．３μｍの銅薄膜を形成させた。さらに、上記銅薄膜の表面に硫酸銅めっき浴を用いて、厚さ１０μｍの銅層をさらに形成し、引き続き１５０℃で１０分間熱処理乾燥し、片面に導電層を形成したプリント配線用基板を作製した。
そして、得られたプリント配線用基板のフィルムと導電層との密着性を以下の基準で評価した。【０１５９】
（耐折試験）
得られた片面に導電層が形成されたプリント配線用基板に対して、温度２３℃、湿度５０％の環境下で屈曲試験を行った。試験条件は、ＭＩＴ耐折試験（ＡＳＴＭ  Ｄ２１７６）に準じて実施した。【０１６０】
屈曲角度±１３５°、屈曲速度１００回／分、荷重２５０ｇで、屈曲半径を３ｍｍとした。なお、屈曲回数は、はじめの０度の位置（プリント配線用基板が水平の状態）から、＋１３５度の位置へ屈曲し、さらに再度０度の位置を経由して−１３５度の位置へ屈曲した後、０度の位置へ戻ってくる動作を１回とした。【０１６１】
片面に導電層が形成されたプリント配線用基板のフィルムと導電層とが剥離するまでの回数を測定し、屈曲回数が３万回を超えても破断やクラックが発生しない場合を「◎」、屈曲回数が１万５千回以上３万回以内で破断やクラックが発生する場合を「○」、屈曲回数が３万回以内で破断やクラックが発生する場合を「×」とした。【０１６２】
（冷熱試験）
得られた片面に導電層が形成されたプリント配線用基板に対して、冷熱試験を行った。冷熱試験は、該基板を所定の温度（２４０℃）に設定された恒温室の中に入れ、３０分保持した後、取り出し、室温に戻して１時間保持するという動作を１回として、片面に導電層が形成されたプリント配線用基板のフィルムと導電層が剥離するまでの回数を測定した。【０１６３】
冷熱試験回数が１５回を超えても剥離、破断やクラックが発生しない場合を「◎」、冷熱試験回数が１０回以上１５回以内で剥離、破断やクラックが発生する場合を「○」、冷熱試験回数が１０回未満で破断やクラックが発生する場合を「×」とした。【０１６４】
（８）環境安定性（湿度膨張係数）
下記実施例および比較例で得られたフィルムの湿度膨張係数は、ＭＡ（ＳＩＩナノテクノロジー社製、ＴＭＡ−ＳＳ６１００）湿度制御オプションを用いて下記条件にて測定を実施した。
湿度条件：４０％ＲＨ→７０％ＲＨ（引張法：荷重５ｇ）  温度：２３℃【０１６５】
（実施例１）芳香族ポリエーテル樹脂の調製
温度計、攪拌機、窒素導入管、Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ管、及び冷却管を取り付けた１０００ｍＬの４つ口フラスコに、（Ｂ）成分：９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（７０．０８ｇ、２００ｍｍｏｌ）、（Ａ）成分：２，６−ジフルオロベンゾニトリル（２７．８２ｇ、２００ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３３．１７ｇ、２４０ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５５０ｍＬおよびトルエン２７０ｍＬを添加した。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を１３０℃で反応させ、生成する水をＤｅａｎ−Ｓｔａｒｋ管により除去した。水の生成が認められなくなったところで、徐々に温度を１６０℃まで上昇させ、そのままの温度で５時間反応させた。【０１６６】
室温まで冷却後、大量のメタノールに投じ、ろ別によりろ物（残渣）を単離した。得られたろ物を６０℃で一晩真空乾燥し、白色粉末（重合体）を得た（８３．６１ｇ、収率９３％）。【０１６７】
得られた重合体について、構造分析、ガラス転移点及び重量平均分子量の測定を行った。結果は、赤外スペクトルの特性吸収が、２２２９、１５７５、１５００ｃｍ-1であり、ガラス転移点は２８５℃であり、重量平均分子量が、１０７，０００であった。【０１６８】
次いで、得られた重合体をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）に再溶解し、１５質量％の樹脂組成物を得た。該樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる支持体上にドクターブレードを用いて塗布し、８０℃で３０分乾燥させ、ついで１５０℃で６０分乾燥してフィルムとした後、ＰＥＴ支持体より剥離した。その後、フィルムを金枠に固定し、さらに２００℃、２時間乾燥させて、膜厚５０μｍの評価用フィルムを得た。【０１６９】
得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０１７０】
また、得られたフィルムの光学特性、耐熱性、力学特性、成形加工性、密着性および環境安定性の結果を表１および表２に示す。【０１７１】
（実施例２）
９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（７０．０８ｇ、２００ｍｍｏｌ）の代わりに９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（６３．０７ｇ、１８０ｍｍｏｌ）および４，４'−ビフェノール（３．７２ｇ、２０ｍｍｏｌ）を使用した以外は実施例１と同様の方法で行い、白色粉末（重合体）を得（７９．６９ｇ、収率９２％）、さらに該重合体を用いて、実施例１と同様の方法で膜厚５０μｍの評価用フィルムを得た。【０１７２】
得られた重合体の赤外スペクトルの特性吸収は、２２２９、１５７３、１４５５ｃｍ-1であり、ガラス転移点は２７０℃であり、重量平均分子量は、１２７，０００であった。
また、得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０１７３】
得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０１７４】
（実施例３）
９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（７０．０８ｇ、２００ｍｍｏｌ）の代わりに、９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（４２．０５ｇ、１２０ｍｍｏｌ）および４，４'−ビフェノール（１４．９０ｇ、８０ｍｍｏｌ）を使用した以外は実施例１と同様の方法で行い、白色粉末（重合体）を得（７２．１６ｇ、収率９４％）、さらに該重合体を用いて、実施例１と同様の方法で膜厚５０μｍの評価用フィルムを得た。【０１７５】
得られた重合体の赤外スペクトルの特性吸収は、２２２９、１５７３、１４５５ｃｍ-1であり、ガラス転移点は２４５℃であり、重量平均分子量は、１３１，０００であった。
また、得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０１７６】
得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０１７７】
（実施例４）
３Ｌの４つ口フラスコに（Ａ）成分：２，６−ジフルオロベンゾニトリル（以下、「ＤＦＢＮ」ともいう。）３５．１２ｇ（０．２５３ｍｏｌ）、（Ｂ）成分：９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（以下、「ＢＰＦＬ」ともいう。）７０．０８ｇ（０．２００ｍｏｌ）、レゾルシノール（以下、「ＲＥＳ」ともいう。）５．５１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）、炭酸カリウム４１．４６ｇ（０．３００ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（以下、「ＤＭＡｃ」ともいう。）４４３ｇおよびトルエン１１１ｇを添加した。続いて、４つ口フラスコに温度計、撹拌機、窒素導入管付き三方コック、Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ管および冷却管を取り付けた。【０１７８】
次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を１４０℃で３時間反応させ、生成する水をＤｅａｎ−Ｓｔａｒｋ管から随時取り除いた。水の生成が認められなくなったところで、徐々に温度を１６０℃まで上昇させ、そのままの温度で６時間反応させた。【０１７９】
室温（２５℃）まで冷却後、生成した塩をろ紙で除去し、ろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別によりろ物（残渣）を単離した。得られたろ物を６０℃で一晩真空乾燥し、白色粉末（重合体）を得た（収量９５．６７ｇ、収率９５％）。【０１８０】
得られた重合体の構造分析及び重量平均分子量の測定を行った。結果は、赤外吸収スペクトルの特性吸収が、３０３５（Ｃ−Ｈ伸縮）、２２２９ｃｍ-1（ＣＮ）、１５７４ｃｍ-1、１４９９ｃｍ-1（芳香環骨格吸収）、１２４０ｃｍ-1（−Ｏ−）であり、重量平均分子量が１３０，０００であった。【０１８１】
次いで、得られた重合体をＤＭＡｃに再溶解し、重合体濃度２５質量％の樹脂組成物を得た。該樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）からなる支持体上にドクターブレードを用いて塗布し、７０℃で３０分乾燥させ、ついで１００℃で３０分乾燥してフィルムとした後、ＰＥＴ支持体より剥離した。その後、フィルムを金枠に固定し、さらに２３０℃、２時間乾燥して、膜厚５０μｍの評価用フィルムを得た。【０１８２】
得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０１８３】
得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０１８４】
（実施例５）
レゾルシノールの代わりに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン１１．４１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を使用した以外は、実施例４と同様に行って、評価用フィルムを得た。なお、得られた重合体の重量平均分子量は９８，０００であった。【０１８５】
得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０１８６】
得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０１８７】
（実施例６）
（Ｂ）成分として、ＢＰＦＬ７０．０８ｇおよびＲＥＳ５．５１ｇの代わりに、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン７８．８４ｇ（０．２２５ｍｏｌ）および２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン８．４１ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を使用した以外は実施例４と同様に行って、評価用フィルムを得た。なお、得られた重合体の重量平均分子量は１０５，０００であった。【０１８８】
得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０１８９】
得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０１９０】
（実施例７）
（Ｂ）成分として、ＢＰＦＬ７０．０８ｇおよびＲＥＳ５．５１ｇの代わりに、９，９−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン１２５．６５ｇ（０．２５０ｍｏｌ）を使用した以外は実施例４と同様に行って、評価用フィルムを得た。なお、得られた重合体の重量平均分子量は１４６，０００であった。【０１９１】
得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０１９２】
得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０１９３】
（実施例８）
（Ｂ）成分として、ＢＰＦＬ７０．０８ｇおよびＲＥＳ５．５１ｇの代わりに、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン７８．８４ｇ（０．２２５ｍｏｌ）および１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン６．７１ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を使用した以外は実施例４と同様に行って、評価用フィルムを得た。なお、得られた重合体の重量平均分子量は７８，０００であった。【０１９４】
得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０１９５】
得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０１９６】
（実施例９）
（Ａ）成分として、ＤＦＢＮ３５．１２ｇの代わりに、２，６−ジフルオロベンゾニトリル２８．１０ｇ（０．２０２ｍｏｌ）および４，４−ジフルオロベンゾフェノン１１．０２ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を用いた以外は実施例７と同様に行って、評価用フィルムを得た。なお、得られた重合体の重量平均分子量は１２２，０００であった。【０１９７】
得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０１９８】
得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０１９９】
（実施例１０）
（Ａ）成分の配合量を、２，６−ジフルオロベンゾニトリル１７．５６ｇ（０．１２６ｍｏｌ）および４，４−ジフルオロベンゾフェノン２７．５５ｇ（０．１２６ｍｏｌ）に変更した以外は実施例９と同様に行って、評価用フィルムを得た。なお、得られた重合体の重量平均分子量は１５７，０００であった。【０２００】
得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０２０１】
得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０２０２】
（実施例１１）
（Ａ）成分として、４，４−ジフルオロジフェニルスルホン（ＤＦＤＳ）７８．８４ｇ（０．２５０ｍｏｌ）を使用した以外は実施例７と同様に行って、評価用フィルムを得た。なお、得られた重合体の重量平均分子量は１３２，０００であった。【０２０３】
得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０２０４】
得られた重合体は、有機溶媒（ＤＭＡｃ）に対して優れた溶解性を有していた。【０２０５】
（比較例１）
９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（７０．０８ｇ、２００ｍｍｏｌ）の代わりに、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（６７．２５ｇ、２００ｍｍｏｌ）、を使用した以外は実施例１と同様の方法で行い、白色粉末（重合体）を得（８１．８５ｇ、収率９４％）さらに該重合体を用いて、実施例１と同様の方法で膜厚５０μｍの評価用フィルムを得た。【０２０６】
得られた重合体のガラス転移点は１９０℃であり、重量平均分子量は、１５９，０００であった。得られたフィルムの評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。なお、冷熱試験は、得られた片面に導電層が形成されたプリント配線用基板が変形したため測定できなかった。【０２０７】
（比較例２）
評価用フィルムとして、テオネックス（帝人（株）製のポリエチレンナフタレートフィルム）を使用し、評価は実施例１と同様の方法で行った（膜厚１２５μｍ）。結果を表１および表２に示す。なお、冷熱試験は、得られた片面に導電層が形成されたプリント配線用基板が変形したため測定できなかった。【０２０８】
（比較例３）
温度計、攪拌機、窒素導入管、及び冷却管を取り付けた３００ｍＬの４つ口フラスコに、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン９．７０ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）を添加した。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、ＮＭＰ（６０ｍｌ）を加え均一になるまで攪拌した。得られた溶液に２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物５．３０ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）を室温で加え、そのままの温度で１２時間攪拌を続けて反応させ、ポリアミック酸を含む溶液を得た。【０２０９】
得られたポリアミック酸を含む溶液にＮＭＰ（７５ｍｌ）を加えて希釈した後、ピリジン（７．５ｍｌ）および無水酢酸（６．７ｍｌ）を加え、１１０℃で６時間攪拌してイミド化を行った。その後、室温まで冷却した後、大量のメタノールに投じ、ろ別によりろ物を単離した。得られたろ物を６０℃で一晩真空乾燥し、白色粉末（重合体）を得た（収量１３．５ｇ、収率９５．３％）。【０２１０】
次いで、得られた重合体をＤＭＡｃに再溶解し、２０質量％の樹脂溶液を得た。該樹脂溶液を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる支持体上にドクターブレード（１００μｍギャップ）を用いて塗布し、１００℃で３０分乾燥させ、ついで１５０℃で６０分乾燥してフィルムとした後、ＰＥＴ支持体より剥離した。その後、フィルムをさらに１５０℃、減圧下で３時間乾燥して、膜厚５０μｍの評価用フィルムを得た。評価は実施例１と同様の方法で行った。結果を表１および表２に示す。【０２１１】
【表１】
2011049104.tif 000019
【０２１２】
【表２】
2011049104.tif 000020
【０２１３】
表２から、ガラス転移温度が２３０℃〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなるフィルムは成形加工性に優れていることが分かる。また、ガラス転移温度が２３０℃〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなるフィルムは光線透過率が高く、吸水による寸法変化（環境安定性）、耐熱性、力学強度および導電層との密着性にバランス良く優れていることが示されている（実施例１〜１１）。一方、比較例１のフィルムは、耐熱性および導電層との密着性が十分でなく、比較例２のフィルムは、耐熱性が十分でなく、光透過性に劣り、異方性が大きいことが分かる。また、比較例３のフィルムは、耐熱着色性、導電層との密着性および耐吸水性に劣っている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）で測定したガラス転移温度が２３０℃〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる、プリント配線用基板。
【請求項２】
前記芳香族ポリエーテル系重合体が、２つの芳香環が酸素原子を介してつながった構造を有する、請求項１に記載のプリント配線用基板。
【請求項３】
前記芳香族ポリエーテル系重合体が、下記式（１）で表わされる構造単位および下記式（２）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉ）を有する重合体である、請求項１または２に記載のプリント配線用基板。
【化１】
2011049104.tif 000029
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ9は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ10は、シアノ基またはニトロ基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｉは０〜３の整数を示す。）
【化２】
2011049104.tif 000030
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。）
【請求項４】
前記重合体が、さらに、下記式（３）で表わされる構造単位および下記式（４）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉｉ）を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【化３】
2011049104.tif 000031
（式（３）中、Ｒ9、Ｒ10およびｉは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ9、Ｒ10およびｉと同義であり、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）
【化４】
2011049104.tif 000032
（式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）
【請求項５】
前記重合体において、上記構造単位（ｉ）と上記構造単位（ｉｉ）とのモル比が３０：７０〜９０：１０である、請求項４に記載のプリント配線用基板。
【請求項６】
前記重合体において、上記構造単位（ｉ）および上記構造単位（ｉｉ）を全構造単位中７０モル％以上含む、請求項４または５に記載のプリント配線用基板。
【請求項７】
厚み５０μｍにおけるＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法における全光線透過率が８５％以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項８】
ＪＩＳ  Ｋ７１２７における引張強度が８０〜１５０ＭＰａである、請求項１〜７のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項９】
ＪＩＳ  Ｋ７１２７における破断伸びが１０〜１００％である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項１０】
ＪＩＳ  Ｋ７１２７における引張弾性率が２．５〜４．０ＧＰａである、請求項１〜９のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のプリント配線用基板上に配線部が設けられた、プリント配線積層体。
【請求項１２】
下記式（１）で表わされる構造単位および下記式（２）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位を有する重合体、及び有機溶媒を含有する、プリント配線用基板形成用樹脂組成物。
【化５】
2011049104.tif 000033
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ9は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ10は、シアノ基またはニトロ基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｉは０〜３の整数を示す。）
【化６】
2011049104.tif 000034
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。）
【請求項１３】
前記重合体が、さらに、下記式（３）で表わされる構造単位および下記式（４）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位を有する、請求項１２に記載のプリント配線用基板形成用樹脂組成物。
【化７】
2011049104.tif 000035
（式（３）中、Ｒ9、Ｒ10およびｉは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ9、Ｒ10およびｉと同義であり、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）
【化８】
2011049104.tif 000036
（式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）で測定したガラス転移温度が２３０℃〜３５０℃であり、下記式（１）で表わされる構造単位および下記式（２）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉ）を有する重合体である、芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる、プリント配線用基板。
【化１】
2011049104.tif 000037
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ9は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ10は、シアノ基またはニトロ基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｉは０〜３の整数を示す。）
【化２】
2011049104.tif 000038
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。）
【請求項２】
前記重合体が、さらに、下記式（３）で表わされる構造単位および下記式（４）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉｉ）を有する、請求項１に記載のプリント配線用基板。
【化３】
2011049104.tif 000039
（式（３）中、Ｒ9、Ｒ10およびｉは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ9、Ｒ10およびｉと同義であり、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）
【化４】
2011049104.tif 000040
（式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）
【請求項３】
前記重合体において、上記構造単位（ｉ）と上記構造単位（ｉｉ）とのモル比が３０：７０〜９０：１０である、請求項２に記載のプリント配線用基板。
【請求項４】
前記重合体において、上記構造単位（ｉ）および上記構造単位（ｉｉ）を全構造単位中７０モル％以上含む、請求項２または３に記載のプリント配線用基板。
【請求項５】
厚み５０μｍにおけるＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法における全光線透過率が８５％以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項６】
ＪＩＳ  Ｋ７１２７における引張強度が８０〜１５０ＭＰａである、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項７】
ＪＩＳ  Ｋ７１２７における破断伸びが１０〜１００％である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項８】
ＪＩＳ  Ｋ７１２７における引張弾性率が２．５〜４．０ＧＰａである、請求項１〜７のいずれか１項に記載のプリント配線用基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のプリント配線用基板上に配線部が設けられた、プリント配線積層体。
【請求項１０】
示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）で測定したガラス転移温度が２３０℃〜３５０℃であり、かつ、下記式（１）で表わされる構造単位および下記式（２）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位を有する重合体、及び有機溶媒を含有する、プリント配線用基板形成用樹脂組成物。
【化５】
2011049104.tif 000041
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ9は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｒ10は、シアノ基またはニトロ基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｉは０〜３の整数を示す。）
【化６】
2011049104.tif 000042
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。）
【請求項１１】
前記重合体が、さらに、下記式（３）で表わされる構造単位および下記式（４）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位を有する、請求項１０に記載のプリント配線用基板形成用樹脂組成物。
【化７】
2011049104.tif 000043
（式（３）中、Ｒ9、Ｒ10およびｉは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ9、Ｒ10およびｉと同義であり、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）
【化８】
2011049104.tif 000044
（式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０８】
（比較例３）
温度計、攪拌機、窒素導入管、及び冷却管を取り付けた３００ｍＬの４つ口フラスコに、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン９．７０ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）を添加した。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、ＮＭＰ（６０ｍｌ）を加え均一になるまで攪拌した。得られた溶液に２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物５．３０ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）を室温で加え、そのままの温度で１２時間攪拌を続けて反応させ、ポリアミド酸を含む溶液を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０９】
得られたポリアミド酸を含む溶液にＮＭＰ（７５ｍｌ）を加えて希釈した後、ピリジン（７．５ｍｌ）および無水酢酸（６．７ｍｌ）を加え、１１０℃で６時間攪拌してイミド化を行った。その後、室温まで冷却した後、大量のメタノールに投じ、ろ別によりろ物を単離した。得られたろ物を６０℃で一晩真空乾燥し、白色粉末（重合体）を得た（収量１３．５ｇ、収率９５．３％）。
【国際調査報告】
2011049104.tif 000045
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