(57)【要約】本発明は、維持電極のアレイ（Ｙ、Ｙ´）を備えるプラズマパネル（１）を用いる手段であって：少なくとも１つのトランス（Ｔｇ）であって、各々のトランスは、中間スイッチを伴うことなく、一次回路（Ｐｇ）とパネルの維持電極にパワーを供給することを意図された二次回路（Ｓｇｉ）とから構成される、少なくとも１つのトランス（Ｔｇ）；及び、好適には、回路内にいずれの他の特定なインダクタンスを用いることなく、維持電極間に容量性エネルギーを回復し且つ再注入するためにトランス（Ｔｇ）のインダクタンスが協働するように設計されたトランスの一次回路（Ｐｇ）にこの発生器を接続するための維持パルス発生器及び手段；から構成される、手段に関する。本発明の手段は著しく経済性が高い。
2005522714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ効果を有するＡＣ型プラズマパネル（１）のための供給及び駆動手段であって：
２つの平行な基板（２、３）であって、それら２つの平行な基板間にある空間（４）に放電ガスを有する、２つの平行な基板（２、３）；
対（Ｐｇｉ）の電極（Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉ）は基板間の空間における一連の放電発光領域（Ｃ１−ｇｉ、．．．、Ｃｋ−ｇｉ、．．．、ＣＰ−ｇｉ）をそれら電極間に規定するように、第１アレイの電極（Ｙｇｉ）と第２アレイの隣接電極（Ｙ´ｇｉ）とから成る同じ対（Ｐｇｉ）に関連付けられる維持電極の第１及び少なくとも第２アレイ（Ｙ、Ｙ´）；及び  
メモリ効果を与えるために前記維持電極のアレイの少なくとも１つを覆う誘電体層；
から構成され、
少なくとも１つのトランス（Ｔｇ）であって、各々が一次回路（Ｐｇ）と前記一次回路（Ｐｇ）に磁気的に結合された複数の二次回路（Ｓｇｉ）とから構成され、各々が、それぞれ、前記パネルの対（Ｐｇｉ）の電極の一及び他に、中間スイッチを伴うことなく、接続されるように意図された高端子（ＳＨｇｉ）と低端子（ＳＢｇｉ）とを備えた、少なくとも１つのトランス；及び
少なくとも１つのトランス（Ｔｇ）の一次回路（Ｐｇ）の端子における一次維持電圧パルス発生器；
から構成されることを特徴とし、
一次回路（Ｐｇ）に磁気的に結合された各々の二次回路（Ｓｇｉ）は、その高端子（ＳＨｇｉ）と低端子（ＳＢｇｉ）との間に、高プラトーと低プラトーとであって、これらのプラトーの間に、高端子（ＳＨｇｉ）と低端子（ＳＢｇｉ）に接続された電極（Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉ）間に位置付けられ、予め活性化された放電領域のみにおいて放電発光をもたらす、高プラトーと低プラトーとを交互に有する一連のパルスを供給することができ；
前記電極（Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉ）間において容量性エネルギーを回復及び再注入するように、トランス（Ｔｇ）の一次回路と二次回路のインダクタンスは協働する；
ように設計されていることを特徴とするプラズマパネルのための供給及び駆動手段。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマパネルのための供給及び駆動手段であって、トランス（Ｔｇ）の一次回路と二次回路以外の前記容量性エネルギーを回復し且つ再注入するための特定のインダクタンスを含まない、ことを特徴とするプラズマパネルのための供給及び駆動手段。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプラズマパネルのための供給及び駆動手段であって、維持の対の電極（Ｐｇｉ）間に位置付けられたパネルの少なくともいずれ１つの放電領域（Ｃｋ−ｇｉ）を予め選択的に活性化又は非活性化する目的で、前記電極の対（Ｐｇｉ）を提供する二次回路（Ｓｇｉ）に書き込み電圧パルス（ＶＥ）又は消去電圧パルスを印加するようにデザインされた書き込み又は消去手段から構成される、ことを特徴とするプラズマパネルのための供給及び駆動手段。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマパネルのための供給及び駆動手段であって、書き込み又は消去手段がＬ個のラインドライバ（１１）の組み合わせから構成され、各々のドライバは複数のＨ個の二次回路（Ｓｇｉ）に書き込み電圧パルス（ＶＥ）又は消去電圧パルスを印加することすることを意図され、この目的のために、Ｈ個のトランス（Ｔｇ）の各々について単一の二次回路（Ｓｇｉ）にアドレスするために中間アドレス端子を呼ばれるものに出力により接続され、各々のアドレス端子は、その高端子（ＳＨｇｉ）と低端子（ＳＢｇｉ）との間にその二次回路（Ｓｇｉ）において位置付けられ、そして、ライン数に対応する数Ｌは、トランス（Ｔｇ）の数Ｈにより分割されるパネル（１）の電極の対（Ｐｇｉ）の総数に等しい、ことを特徴とするプラズマパネルのための供給及び駆動手段。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマパネルのための供給及び駆動手段であって、一連の書き込み又は消去バイアスパルス及び反転バイアスパルスから構成される書き込み又は消去発振のトレインを得るように、トランス（Ｔｇ）の一次回路及び二次回路のインダクタンスが、各々のバイアスパルスの後の反転バイアスパルスの生成において協働するように設計された、トランス（Ｔｇ）の一次回路（Ｐｇ）にこの発生器を接続するための手段と、書き込み又は消去バイアスパルス発生器と、を更に含む、ことを特徴とするプラズマパネルのための供給及び駆動手段。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマパネルのための供給及び駆動手段であって、いずれの１つの二次回路（Ｓｇｉ）に印加される各々の書き込み電圧パルス（ＶＥ）又は消去電圧パルスが印加される一方、書き込み又は消去バイアスパルスは前記二次回路（Ｓｇｉ）に磁気的に結合される一次回路（Ｐｇ）に印加される、ことを特徴とするプラズマパネルのための供給及び駆動手段。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマパネルのための供給及び駆動手段であって、バイアスパルスが前記一次回路（Ｐｇ）に印加される間に、同じ一次回路に結合された種々の二次回路に複数の書き込み電圧パルス（ＶＥ）又は消去電圧パルスを印加するように設計されている、ことを特徴とするプラズマパネルのための供給及び駆動手段。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマパネルのための供給及び駆動手段であって、一次回路の書き込み又は消去発振のトレインをトリガするための手段と、発振の前のトレインの第１バイアスパルスの端部において他の一次回路（Ｐｇ）のバイアス発振の各々の新しいトレインをトリガするための手段とから構成される、ことを特徴とするプラズマパネルのための供給及び駆動手段。
【請求項９】
メモリ効果を有するＡＣ型プラズマパネル（１）から構成される画像表示システムであって：
２つの平行な基板（２，３）であって、それらの間に、放電ガスを含む空間（４）を有する、基板；
対（Ｐｇｉ）の電極（Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉ）は基板間の空間における一連の放電発光領域（Ｃ１−ｇｉ、．．．、Ｃｋ−ｇｉ、．．．、ＣＰ−ｇｉ）をそれら電極間に規定するように、第１アレイの電極（Ｙｇｉ）と第２アレイの隣接電極（Ｙ´ｇｉ）とから成る同じ対（Ｐｇｉ）に関連付けられる維持電極の第１及び少なくとも第２アレイ（Ｙ、Ｙ´）；及び  
メモリ効果を提供するように前記維持アレイの少なくとも１つを覆う誘電体層；
から構成され、
パネルを供給及び駆動することができるように前記パネル（１）に関連する、請求項１乃至８のいずれ一項に従った供給及び駆動手段から構成される；
ことを特徴とする画像表示システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の画像表示システムであって、各々の二次回路（Ｓｇｉ）の高端子（ＳＨｇｉ）及び低端子（ＳＢｇｉ）とこれらの高端子（ＳＨｇｉ）及び低端子（ＳＢｇｉ）が接続されている対の電極（Ｐｇｉ）との間にスイッチを含まない、ことを特徴とする画像表示システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の画像表示システムであって、少なくとも１つのトランス（Ｔｇ）は前記基板の１つの外側表面に位置付けられ且つ固定されている、ことを特徴とする画像表示システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の画像表示システムであって、請求項３乃至９のいずれ一項を前提とするとき、各々のトランス（Ｔｇ）は、その二次回路に接続されている電極の対（Ｐｇｉ）の平均高さに対応する高さに前記外側表面に位置付けられている、ことを特徴とする画像表示システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ表示パネルを制御するための供給（ｓｕｐｐｌｙ）及び駆動手段に関する。
【背景技術】
【０００２】
メモリ効果を有するＡＣ型プラズマ表示パネルは、一般に、２つの平行な基板であって、それらの間に放電ガスを有する空間を有する、基板を有する。基板間であって、一般に、これら基板の内側の面には、そのようなパネルは幾つかの電極アレイであって：
−  一般に、アドレッシングするために用いられる交差する２つの電極アレイであって、それらの電極のこうさする部分且つ基板間の空間において、放電発光領域が規定される、電極アレイ；及び
−  維持するために用いられる少なくとも２つの電極アレイであって、これらのアレイは特にメモリ効果を提供するための誘電体層により覆われる、電極アレイ；
を有する。
【０００３】
コプレーナ型パネルの場合、２つの維持アレイは、平行な一般的方向において同じ基板上に配置された電極により形成される。維持アレイの各々の電極は、一対の電極が一連の放電発光領域をそれら電極間に規定し、一般にパネルの画素ラインに沿って分布される、他の維持アレイの電極と共に形成される。
【０００４】
マトリクスパネルの場合、２つの維持アレイは、もはやコプレーナ型ではなく、異なる基板上に位置付けられる。
【０００５】
放電発光領域は、基板において、二次元マトリクスを形成する。各々の領域は、マトリクスが表示されるべき画像を表示するように、発光が可能である。
【０００６】
一般に、それらの電極アレイの少なくとも１つは、アドレッシングと維持の両方のために用いられる。
【０００７】
隣接する放電領域は、異なる色を発光するそれら電極アレイにおいて、一般に、バリアリブにより境界をつけられている。
【０００８】
放電発光領域の壁は、一般に、放電発光の紫外線に感度を有する蛍光体により部分的にコーティングされている。隣接放電領域は、３つの隣接領域が画像要素即ち画素を形成するように、異なる３原色の色を発光する蛍光体を備えている。
【０００９】
画像を表示するために、プラズマパネルが動作しているとき、活性化されるべきまたはそうではない放電領域のマトリクスの一連の走査又は副走査が実行される。各々の走査又は副走査は次のような段階から構成される。
−  先ず、選択的アドレッシング段階Ｑｗであって、その目的は、放電領域において交差するアドレス電極間に少なくとも１つの電圧パルスを適用することにより、アクティブにされるべき放電領域の誘電体層の一部に電荷を発生させることである、段階；及び
−  非選択維持段階Ｑｓであって、その間に、予めアドレスされた放電領域のみにおいて一連の放電発光が生じるように、維持の対である電極間に一連の電圧パルスが適用される、段階；
パネルの特定の走査又は副走査は、特定の電圧パルスの印加を伴う、消去フェーズ又はプライミングフェーズのような、他のフェーズを更に含む。これらのパルスは、一般に、（高い又は低い）維持電圧レベルに関してばかりでなく、電圧立ち上がり勾配及び／又は立ち下がり勾配に関しても、特定の特性を有する。
【００１０】
上記のように、パネルの異なるアレイの電極間に電圧パルスを印加することにより、それら電極が電極間に形成する電気容量の充電と放電のサイクルがもたらされる。維持段階は、充電と放電のサイクルの最も大きい値を表すため、維持パルスを生成するために、電極間の容量性エネルギーが回復及び再注入されるようにする共振回路を有する発生器を用いることが一般に実施されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
満足のいく効率を維持するように容量性エネルギーを回復するための必要性と良好な映像画像表示とのために適切である、パネルを駆動するためのパネルの異なるアレイの電極間の電圧パルスの印加は、複雑且つ高価な回路を用いなければならないことを意味する。本発明の目的は、特に、先行技術に比較してより安価である供給及び駆動手段を提供すること、及びこれらの手段のために適切な、有利な駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この目的のために、本発明の主題は、メモリ効果を有するＡＣ型プラズマパネルのための供給及び駆動手段であって：
−  ２つの平行な基板であって、それらの間に、放電ガスを含む空間を有する、基板；
−  第１アレイの電極と第２アレイの隣接電極との対に関連付けられる維持電極の第１アレイと少なくとも第２アレイであって、同じ対の電極は基板間の空間における一連の放電発光領域をそれら電極間に規定する、第１アレイと少なくとも第２アレイ；及び
−  メモリ効果を提供するように維持電極の前記アレイの少なくとも１つを覆う誘電体層；
から構成され、
−  少なくとも１つのトランスであって、各々が一次回路と前記一次回路に磁気的に結合された複数の二次回路とから構成され、各々が、それぞれ、前記パネルの対の電極の一及び他に、中間スイッチを伴うことなく、接続されるように意図された高端子と低端子とを備えた、少なくとも１つのトランス；及び
−  少なくとも１つのトランスの一次回路の端子における一次維持電圧パルス発生器；
から構成されることを特徴とし、
−  一次回路に磁気的に結合された各々の二次回路は、その高端子と低端子との間に、高プラトーと低プラトーとであって、これらのプラトーの間に、高端子と低端子に接続された電極間に位置付けられ、予め活性化された放電領域のみにおいて放電発光をもたらす、高プラトーと低プラトーとを交互に有する一連のパルスを供給することができ；
−  前記電極間において容量性エネルギーを回復及び再注入するように、トランスの一次回路と二次回路のインダクタンスは協働する；
ように設計されている。
【００１３】
放電領域は、選択アドレッシング手段を特に用いて、それ自体既知の方法で予め活性化される。メモリ効果は、各々の放電の後、予め活性化された放電領域が活性のまま保たれるようにする。有利であり、都合がよいことに、放電は、回復可能で使用可能なメモリ効果を得るように維持パルスの維持の間に生じる。
【００１４】
トランスの巻き数比は、一次回路に印加される電圧パルスが二次回路の端子において、
即ち、維持電極間において、適切な振幅の維持電圧パルスを生じるように、設計されている。用語“適切な振幅”は、放電が、それら電極により供給され、予め活性化された放電領域においてのみ得られるようにする振幅を意味すると理解される。
【００１５】
従来の方法におけるように、容量性エネルギーは、各々の維持パルスの半分のサイクルの間に回復及び再注入される。これは、パネルの容量のような容量から構成される誘導性−容量性共振回路の手段により達成される。本発明に従って、各々の回路のインダクタンスは、対応するトランスのインダクタンスにより形成され、好適には、パネルの供給及び駆動手段は、トランスの一次回路と二次回路のインダクタンス以外の、容量性エネルギーを回復及び再注入するための他の特定なインダクタンスを含まない。
【００１６】
それ故、トランスは２つの機能を有し、パネル供給及び駆動手段は、著しく安価である。
【００１７】
一次電圧発生器を適応させるために、下の本発明の詳細な実施形態において説明するように、適切に制御されたスイッチとダイオードが特別に使用され、このようなスイッチは一次回路にその発生器を接続するための手段とみなされる。
【００１８】
要約すると、プラズマパネルは、維持電極のアレイを従来通り備えるため、本発明に従って、プラズマパネルに供給し、駆動するための手段は：
−  中間スイッチを用いることなく、パネルの維持電極を提供するように意図された一次回路と複数の第２回路とから構成される、少なくとも１つのトランス；及び
−  トランスの一次回路にこの発生器を接続するための手段及び維持パルス発生器であって、維持電極間に容量性エネルギーを回復及び再注入するためにトランスのインダクタンスが協働するように設計された、発生器を接続するための手段及び維持パルス発生器；
から構成される。
【００１９】
好適には、パネルの供給及び駆動手段は、維持電極の対の間に位置付けされるパネルの少なくともいずれ１つの放電領域を予め選択的に活性化又は不活性化する目的で、前記電極の対を提供する二次回路に書き込み電圧パルス又は消去電圧パルスを印加するように設計された書き込み又は消去手段から構成される。
【００２０】
更に具体的には、この書き込み電圧パルスは、この二次回路の端子であって、好適には、高端子と低端子との間に位置付けられた“中間”端子に印加される。それ故、二次回路に接続された電極は、書き込み又は消去信号を割り当てられる。
【００２１】
一般に、プラズマパネルは、基板間の空間内の前記放電領域に第１維持アレイと少なくとも第２維持アレイの電極とを挿入する少なくとも１つのデータ電極のアレイを更に含む。
【００２２】
従来通り、書き込み又は消去手段は、一般に、前記データ電極の各々を駆動するように設計された列駆動の組み合わせから更に構成されている。パネルアドレス動作の場合、選択的書き込み又は消去動作のように、活性化又は不活性化されるこれら放電領域と交差するデータ電極のための駆動器を用いて、放電領域と交差する電極を維持するために、アドレス端子により、印加される書き込み又は消去電圧パルスと同期状態にあるデータ電極にデータ電圧パルスが一般に印加される。
【００２３】
このようにして、維持フェーズの前に放電領域を活性化するための書き込み動作と、又は放電領域を不活性化し、維持フェーズを選択的に終了するための消去動作とのような、プラズマパネルを駆動するための選択的動作をアドレスするための手段が得られる。
【００２４】
本発明に従って、維持パルス発生器は一次回路に接続され、書き込み手段又は消去手段が二次回路のアドレス端子に接続されるように意図されているため、従来技術におけるように、維持電流は、もはやラインドライバを通って流れない。従って、ラインドライバのために安価な構成要素を使用することが可能である。
【００２５】
好適には、パネルの供給及び駆動手段は複数のＨ個のトランスから構成される。更に、書き込み又は消去手段はＬ個のラインドライバの組み合わせから構成され、各々のドライバは、複数のＨ個の二次回路に対して書き込み電圧パルスを印加すること又は電圧パルスを消去することを意図され、この目的のために、Ｈ個のトランスの各々に対する単一の二次回路にアドレスするために中間アドレス端子を呼ばれるものに出力を介して接続され、各々のアドレス端子は、高端子と低端子との間の二次回路に位置付けされ、そして、ライン数に対応するＬ個は、トランスの数Ｈにより除されるパネルの電極の対の総数に等しい。
【００２６】
従来通り、各々のラインドライバは、放電領域のライン又は“連続性”を供給するパネルの電極の対に書き込み電圧パルスを、コマンドに関して、印加する。
【００２７】
このようにして、各々の二次回路は、電極の対を供給するために２つの出力端端子と、本発明に従って、ラインドライバの出力に接続され、高端子の電位と低端子の電位との間の中間の電位を有するアドレス端子と呼ばれる中間端子とを有する。
【００２８】
好適には、各々の二次回路に対して、このアドレス端子は、この端子の電位が各々の電極供給端子の電位から等しい差を有するように、二次回路の中間ポイントに対応している。
【００２９】
複数のＨ個のトランスであって、パネルの維持電極の対を、直接及びいずれのスイッチを用いることなく、供給する二次回路があるため、各々のトランスは、パネルのライン又は電極の対のグループｇを供給する。パネルのライン全ては、従って、Ｈ個のラインのグループに副分割され、各々のグループは１つのトランスに対応する。
【００３０】
本発明に従って、各々のドライバの出力は、各々のトランスの二次回路に接続されるため、同じラインドライバは各々のラインのグループのラインの役に立ち、即ち、Ｈ個のトランスがあるため、同じラインドライバはＨ個のライン全部を駆動する。従来のシステムに比較して、必要なラインドライバの数は、トランスの数Ｈにより除したものとすることが可能であり、経済性の観点から非常に有利である。
【００３１】
好適には、パネル供給及び駆動手段は、書き込み及び消去バイアスパルス発生器と、トランスの一次回路にこの発生器を接続するための手段と、を含み、このパネル供給及び駆動手段は、一連の書き込み又は消去バイアスパルス及び反転バイアスパルスから形成される書き込み又は消去発振のトレインを得るように、トランスの一次回路及び二次回路のインダクタンスが各々のバイアスパルスの後の反転バイアスパルスの生成において協働する。
【００３２】
維持電極のバイアスは、維持フェーズの前であって、パネルアドレスフェーズの間に起こる。本発明に従って、バイアスパルスは、それ故、パルスの持続時間を制限する維持電極供給トランスにより維持電極に印加される。それ故、これらのパルスは、トランスの発信の第１の半分の周期に対応し、第２の半分の周期は反転バイアスパルスに対応する。トランスの発振波形は、一般に、非対称であり、第１の半分の周期は短く、第２の半分の周期に比較して大きい振幅を有する。第２の半分の周期は長く、小さい振幅を有する。
【００３３】
好適には、書き込み又は消去手段は、いずれの１つの二次回路に印加される各々の書き込み電圧パルス又は消去電圧パルスが印加される一方、書き込み又は消去バイアスパルスは前記二次回路に磁気的に結合される一次回路に印加される。
【００３４】
本発明の好適な実施形態に従って、書き込み又は消去手段は、バイアスパルスが前記一次回路に印加される間に、同じ一次回路に結合される種々の二次回路に複数の書き込み電圧パルス又は消去電圧パルスを印加するように設計される。
【００３５】
この配置は、バイアスパルスの間にパネルの幾つかのライン又は対をアドレスすることを可能にする。バイアストランス及び維持トランスの数がＨに等しいという事実を考慮して、バイアスパルスの間にアドレス可能なラインの数がＮに等しい場合、パネルのライン全てをアドレスするために必要である各々の一次トランス回路のバイアスパルス又は発振の総数は、積ＨｘＭｘＮがアドレスされるべきラインの総数に等しくなるようなＭ、Ｎに等しくなる。下で更に詳細に説明する図２０において、この点を示している。
【００３６】
各々の一次トランス回路に適用される発振の総数Ｍは、書き込み又は消去バイアスパルス発生器によりトランスの一次回路に適用される発振のトレインの長さを決定する。
【００３７】
好適には、パネル供給及び駆動手段は、一次回路の書き込み又は消去発振のトレインをトリガするための手段と、発振の前のトレインの第１バイアスパルスの端部において一次回路のバイアス発振の各々の新しいトレインをトリガするための手段とから構成される。
【００３８】
この配置は、選択的書き込み又は消去バイアス動作をインターリーブすることとパネルのアドレッシングを短くすることとを可能にする。
【００３９】
最後に、本発明の主題は、Ａメモリ効果を有するＡＣ型プラズマパネルから構成される画像表示システムであって：
−  ２つの平行な基板であって、それらの間に、放電ガスを含む空間を有する、基板；
−  第１アレイの電極と第２アレイの隣接電極との対に関連付けられる維持電極の第１アレイと少なくとも第２アレイであって、同じ対の電極は基板間の空間における一連の放電発光領域をそれら電極間に規定する、第１アレイと少なくとも第２アレイ；及び
−  メモリ効果を提供するように前記維持アレイの少なくとも１つを覆う誘電体層；
を有し、
パネルを供給及び駆動することができるように前記パネルに関連する、本発明に従った供給及び駆動手段から構成されることを特徴とする。
【００４０】
好適には、少なくとも１つのトランスが、前記基板の１つの外側の表面に位置付けされ、固定されている。
【００４１】
好適には、複数のトランスの場合、各々のトランスは、二次回路に接続された電極の対の平均の高さに対応する高さに、この外側の表面において位置付けされている。
【００４２】
本発明は、添付図面を参照して制限的でない例として以下に提供する説明を精査することにより、更に明確に理解できるようになる。
【００４３】
タイミングダイアグラムを示す図は、比率を考慮する場合、明確に理解できない特定の細部を明らかにするように、スケーリングして描いていない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
本発明の第１実施形態に従った供給（ｓｕｐｐｌｙ）及び駆動手段を備えた画像表示システムについて、ここで説明する。
【００４５】
メモリ効果を有するＡＣ型コプレーナプラズマ表示パネル（ＰＤＰ）１を図１及び２に示している。このパネルは、間に放電ガスを含む閉空間４を有する背面基板２と前面基板３から構成される。
【００４６】
前面基板３は、水平方向に方向付けられ、放電維持フェーズにおいて特に用いられることを意図されたコプレーナ電極の２つのアレイＹ、Ｙ´を支持している。コプレーナアレイの一の各々の電極は、他のアレイの電極と対をなし、基板間の閉空間４における放電領域のラインを各々の電極により規定している。例として、ここでは、パネルのラインはＬ個のラインの８つのグループに配分されている。ラインのグループのいずれの数Ｈが、本発明の範囲から逸脱することなく、想定できることは明らかである。図１に示すように、コプレーナ電極は、一連の対Ｐにより、即ち、示している電極の場合に特定され、ラインの第１グループの第１の対Ｐ１１の場合、Ｙ１１、Ｙ´１１であり、．．．、同様のグループの第３の対Ｐ１３の場合、Ｙ１３、Ｙ´１３であり、．．．、同様のグループの第６の対Ｐ１６の場合、Ｙ１６、Ｙ´１６であり、．．．、次に続く電極（図示せず）に対しては、Ｙ１７、Ｙ´１７であり、．．．、第１グループの最後の対Ｐ１Ｌの場合のＹ１Ｌ、Ｙ´１Ｌまであり、ラインのグループｇについては、Ｙｇ１、Ｙ´ｇ１、．．．、Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉ、．．．、ＹｇＬ、Ｙ´ｇＬであり、ラインの８番目のグループの、Ｙ８１、Ｙ´８１、．．．、Ｙ８Ｌ、Ｙ´８Ｌまで特定される。
【００４７】
背面基板２は、コプレーナ電極に対して垂直方向であるデータ電極と呼ばれるＰ個の電極Ｘ１、．．．、Ｘｋ、．．．、Ｘｐより成る単一のアレイを支持している。このアレイについては、図２に示していない。このアレイＸと他の基板のコプレーナアレイＹ、Ｙ´の対との交差する部分は、それらの基板間の空間４において分布された放電領域の２次元マトリクスを構成する。放電領域は、それ故、アレイＸの各々の電極に沿って列状に分布している。パネルを駆動するためのアドレスフェーズの間に、少なくとも、電極Ｘｋ、Ｙｇｉの交差する部分に位置付けされた放電領域Ｃｋ−ｇｉを活性化するとき、このアレイＸｋの各々の電極は、コプレーナアレイの１つのＹの各々の電極Ｙｇｉと協働するように意図されている。それ故、アレイＹの電極は、維持するためにのみ用いられるアレイＹ´の電極と違って、アドレッシングと維持の両方のために機能する。
【００４８】
従来通り、コプレーナ電極のアレイＹ、Ｙ´は、誘電体層と、一般にＭｇＯベースの薄い保護層とにより覆われる。これらの層は図示していない。誘電体層はメモリ効果を与える。この層は、一般に、前面基板全体に亘ってコーティングされる連続層である。それとは対照的に、この層は、不連続的に、電極のみをコーティングすることが可能である。背面基板及び電極のアレイＸは、放電の励起において、赤、緑及び青にそれぞれ発光するように意図された順次範囲の蛍光体により覆われる。これらの範囲間及びこのアレイＸの電極間において、異なる色の放電領域の列を分離するため及び基板２、３に間隔を置くために、バリアリブが存在する。これらのバリアリブについては図示していない。
【００４９】
図３を参照するに、このプラズマパネルの背面にであって、このパネルの一方側において、第１グループの電極Ｙ１Ｌ−Ｙ１Ｌ、続いて、アレイＹの他のグループの電極、最後に、最後のグループの電極Ｙ８Ｌ−Ｙ８Ｌを表し、このパネルの他の側において、第１グループの電極Ｙ´１Ｌ−Ｙ´１Ｌ、続いて、アレイＹ´の他のグループの電極、最後に、最後のグループの電極Ｙ´８Ｌ−Ｙ´８Ｌを表している。
【００５０】
本発明の本質的な特徴に従って、各々のグループの電極ｇに対して、電極の同じグループの各々の対Ｐｇｉの２つの電極Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉは、このグループに関連するトランスＴｇの二次回路Ｓｇｉの高端子ＳＨｇｉと低端子ＳＢｇｉに、中間スイッチを用いることなく、直接、接続される。このトランスの一部を断面で示している図１を参照するに、各々のトランスＴｇは、一次回路Ｐｇと、Ｌ個の二次回路Ｓｇ１、．．．、Ｓｇｉ、．．．、ＳｇＬであって、各々はグループｇの維持電極Ｐｇ１、．．．、Ｐｇｉ、．．．、ＰｇＬの対を供給する、Ｌ個の二次回路と、二次回路の全てに対して一次回路Ｐｇを磁気的に結合させるための手段とから構成される。コプレーナ電極は二次回路に直接接続されるため、これらの電極に供給される電流は、いずれのスイッチを通って流れず、特に、ラインドライバを通って流れない。図１に示すように、各々のトランスは又、その一次回路Ｐｇとその二次回路Ｓｇｉとの間に電気絶縁体５のシートを有している。
【００５１】
コプレーナ電極の同じグループｇの対Ｐｇｉ全ては、同じトランスＴｇの種々の二次回路Ｓｇｉにより供給される。ここで、電極のラインの８つのグループが存在するため、パネルは８つのトランスＴ１、．．．、Ｔｇ、．．．、Ｔ８から構成される。
【００５２】
各々の二次回路Ｓｇｉは、“高”ＳＨｇｉと“低”ＳＢｇｉとを除いて、電極の同じ対Ｐｇｉの電極Ｙｇｉと電極Ｙ´ｇｉそれぞれに、いずれの中間スイッチを伴うことなく、直接接続され、アドレス端子はこの二次回路の略中央のポイントに接続され、即ち、高端子と低端子の電位の間の中間電位を有している。図３に示す、本発明の好適な変形に従って、各々のトランスＴ１、．．．、Ｔｇ、．．．、Ｔ８に対する単一の二次回路Ｓｇｉのアドレス端子は共に接続され、種々のグループ１、．．．、ｇ、．．．、８の番号付けされた電極の対Ｐｇｉ又はラインの全ての二次回路Ｓｇｉの中央のポイントの共通端子ＳＭｉを形成している。グループ当たりＬ個のライン又はＬ個の対があるため、総数Ｌ個の二次回路において、アドレス端子ＳＭ１、．．．、ＳＭｉ、．．．ＳＭＬがある。このようにして、下で理解されるように、パネル駆動手段は、少数のラインドライバのみを有し、各々のラインドライバは各々のグループにおけるラインを駆動するために用いられる、即ち、ここでは、８つのラインを駆動するために用いられる。
【００５３】
図３乃至９に示している第１実施形態に従って、各々の一次回路Ｐｇは、ここでは、その“高”ＰＨｇと“低”ＰＢｇとを除いて、この一次回路の略中央のポイントに接続された中間端子を有し、即ち、高端子と低端子の電位の間の中間電位を有する。又、図３に示す本発明の好適な変形に従って、種々のトランスＴ１、．．．、Ｔｇ、．．．、Ｔ８の種々の一次回路Ｐｇの中間端子は共に接続され、一次回路Ｐｇの中央のポイントの単一の共通端子ＰＭを形成している。このようにして、下で理解されるように、パネル駆動手段は、維持ジェネレータＧＳの高電位ＶＳ又はコプレーナ書き込みバイアスジェネレータＧＷの高電位ＶＷのどちらかに一次回路ＰＭの中央のポイントのこの共通出力を接続することを可能にする単一の書き込みバイアススイッチＲＷと単一の維持スイッチＲＳのみを有する。これらの２つのスイッチＲＳ、ＲＷは、従って、トランスの一次回路Ｐｇにこれらジェネレータの一又は他を接続するための手段としての機能を果たす。図３においては、これら２つのスイッチＲＳ、ＲＷとこれら２つのジェネレータＧＳ、ＧＷは、パネル駆動手段の同じパワーサブアセンブリ１３に共にグループ化される。更に、記憶容量ＣＳ及びＣＷ（図示せず）は、下で後に説明するように、維持フェーズの間に、トランスの誘導性エネルギーを回復するために、維持ジェネレータＧＳ及び書き込みバイアスジェネレータＧＷの端子それぞれに接続される。この容量はジェネレータの内部に設けることが可能であるため、図の全てにおいて常に示されることはない。
【００５４】
プラズマパネル１のための供給及び駆動手段は、上記の要素及び特徴に加えて、次のものを含む。
−  トランスＴｇの各々の一次回路Ｐｇのための２つの“高”ＰＨｇ供給端子及び“低”ＰＢｇ供給端子の各々における“高”スイッチＲＰＨ．ｇ及び“低”スイッチＲＰＢ．ｇであって、各々は“高”ダイオードＤＰＨ．ｇ及び“低”ダイオードＤＰＢ．ｇを有し、前記ダイオードは前記一次回路にオンであるように方向付けられ且つ並列に接続される（このダイオードは図３に示していないが、図４乃至９には示している）、“高”スイッチＲＰＨ．ｇ及び“低”スイッチＲＰＢ．ｇ。これらのスイッチ及びこれらのダイオードは、パワーサブアセンブリ１３を用いて、トランスの一次回路及び二次回路のインダクタンスに結合された一次維持ＡＣ電圧パルスジェネレータを形成し、下で説明するように：
○  一方で、略一定の高維持電圧レベル及び低維持電圧レベルそれぞれを有する交互の正電圧パルス及び負電圧パルスを生成すること；及び
○  他方で、パネルに個のエネルギーを再注入及びパネルの容量性エネルギーを回復すること；
を可能にする。
−  中間電圧ＶＭを供給する中間電圧ジェネレータＧＭ及び書き込み電圧ＶＥを供給する書き込み電圧ジェネレータＧＥであって、これらのジェネレータはそれらの高電位出力により直列に接続される（図８及び９参照）。
−  これらの回路に共通の中央ポイントＳＭｉにより各々のトランスＴ１、．．．、Ｔｇ、．．．、Ｔ８の二次回路を同時に駆動するためにＬ個のラインドライバに結合するサブアセンブリ１１。各々のトランスはＬ個のラインを供給するため、このサブアセンブリ１１はＬ個のスイッチの対から構成され、一は中間電圧スイッチＲＳＭｉであり、他は直列に接続される書き込み電圧スイッチＲＳＭＥｉであって、次のようなものである。
【００５５】
○  種々のトランスの二次回路Ｓｇｉの中央ポイントＳＭｉに接続される共通ポイント
○  前記中央ポイントＳＭｉの電位は、中間電圧スイッチＲＳＭｉが閉じているとき、ＶＭであり、中間電圧スイッチＲＳＭＥｉが閉じている（他のスイッチは開いている）とき、ＶＭ−ＶＥであるように、書き込みジェネレータＧＥ及び中間電圧ジェネレータＧＭの端子に接続される最も外側の端子（図３、８及び９参照）
−  Ｐ個の列ドライバから構成されるサブアセンブリ１４であって、列ドライバなＰ個のスイッチの対から構成され、一は“低”列電圧スイッチＲＸＢｋであり、他は“高”列電圧スイッチＲＸＨｋであり、それらは直列に接続され、それらの共通ポイントは列電極Ｘｋに接続され、それらの最も外側の端子は電圧Ｖｘを供給するデータ電圧ジェネレータＧｘの端子に接続されている（図３、８及び９参照）。
−  プライミング又は消去動作のような、維持又はアドレス動作以外のパネル駆動動作に関連する信号を生成するために設計されたサブアセンブリ１２。このサブアセンブリはそれ自体で理解されるため、ここでは詳細説明は省く。
−  反転バイアス電圧ジェネレータＧ´Ｗであって、その低電位端子は書き込みバイアススイッチＲＷ及び書き込みコプレーナバイアスジェネレータＧＷの共通ポイントに接続され、数Ｈ−１＝７（Ｖ´Ｗ＝ＶＷ／７）により除されるバイアス電圧ＶＷに等しい反転バイアス電圧Ｖ´Ｗを供給し、ここで、Ｈはラインのグループの数であり、ここでは、８に等しい。この反転バイアス電圧ジェネレータＧ´Ｗは、一般にそのジェネレータに組み込まれた記憶容量Ｃ´Ｗを、並列の状態で、有する。
−  この反転バイアス電圧ジェネレータＧ´Ｗと各々の一次回路Ｐｇ及びその“低”スイッチＲＰＢ．ｇの低端子ＰＢｇの共通ポイントとの間における、直列の反転バイアススイッチＲ´Ｗｇ及び反転バイアスダイオードＤ´Ｗｇであって、そのダイオードは、一次回路Ｐｇの前記低端子ＰＢｇにオフであるように方向付けている。
【００５６】
最後に、種々のトランスＴｇの巻線比は、ここでは、１又は、一次の半分のループのみが考慮される場合は２／１である（下記参照）。当業者に既知の方法で種々のジェネレータにより供給される電圧に結果的に適応することにより、本発明から逸脱することなく、他の比を想定することが可能である。
【００５７】
好適には、図１乃至３に示すように、コプレーナ電極の対のための供給トランスＴ１、．．．、Ｔｇ、．．．、ＴＨは背面基板２の外側表面に固定されて設けられている。好適には、この場合、これらトランスに磁気的に結合するための手段Ｍｇは扁平断面の中空のチューブにより形成される。好適には、各々のトランスに磁気的に結合されるこの手段は、各々の二次回路により構成されるループの領域を制限するようにこのトランスＴｇにより供給される電極Ｐｇｉの対又はライン、及びトランスが供給する対の平均高さに対応する高さに、パネルにおいて備えられる。このようにして、パネルからの電磁放射は有利に制限される。更に、構成は非常に安価である。
【００５８】
従来の駆動手段及びプラズマパネルのために用いられることができるトランスの例として、トランスが約２００ｋＨｚのオーダーのプラズマパネル供給周波数で一般に動作することができる場合の、トランスに磁気エネルギー蓄積を有する従来の絶縁供給トランスについて言及することとする。このようなトランスはフライバックトランスと呼ばれる。
【００５９】
本発明の第１実施形態に従った駆動手段を用いるプラズマパネル１を動作する一方法の例について、ここで説明する。
【００６０】
図４乃至７、１０及び１２を参照するに、非選択維持段階ＱＳの間のパネルの動作について説明することとするが、非選択維持段階ＱＳの間に、一連の電圧パルスが、下で説明する選択アドレス動作ＱＷの間に予め活性化され且つこれらの対により提供される放電領域のみにおける一連の放電発光を生じさせるように、同じトランスＴｇにより供給される容量維持電極Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉの対Ｐｇｉの端子に印加される。図４乃至７は、トランスＴ１により供給される対Ｐ１１乃至Ｐ１Ｌの維持について、更に詳細に説明している。これらの対により供給される領域において放電を維持するために、他の電極の対に対する供給、及びこれらの対が類似している他のトランス供給の動作についての詳細説明はここでは省く。
【００６１】
各々の維持電極パルスは、パネルの種々の対の電極間に形成される電気容量を充電する。維持パルスの高周波数とプラズマパネルにおける大きい電極数のために、この充電は容量性エネルギーの大きい量に対応している。パネルのエネルギー効率を改善するために、各々の維持パルス間に、容量性エネルギーを回復するための時間を与えることが知られている。
【００６２】
図１２に示すように、各々の維持期間τＳは、第１放電Ｆの間の第１誘導性エネルギー回復時間Ｄ１、第１誘導性エネルギー蓄積時間Ｄ２，第１パネル容量性極性反転時間Ｒ，第２放電Ｆ´の間の第２誘導性エネルギー回復時間Ｄ´１、第２誘導性エネルギー蓄積時間Ｄ´２及び第２パネル容量性極性反転時間Ｒ´に連続して分割される。維持フェーズＱＳは、一般に、幾つかの同じ連続的周期τＳから構成される。
【００６３】
図４乃至６に示されるように、種々の一次回路の中間端子ＰＭにおける電圧がＶＳに等しくなるように、維持フェーズＱＳを通して、維持スイッチＲＳは閉じており、書き込みバイアススイッチＲＷは開いている。
【００６４】
図４乃至６に示す場合には、維持フェーズＱＳを通して、サブアセンブリ１１のラインドライバの中間電圧スイッチＲＳＭ１−ＲＳＭ．Ｌは全て閉じており、種々の二次回路のアドレス端子ＳＭｉにおける電圧はＶＭに等しくなるように、同じラインドライバの書き込み電圧スイッチＲＳＭＥ１−ＲＳＭＥ．Ｌは全て開いている。
【００６５】
図７及び１２を参照するに、第１トランスＴ１により供給される電極Ｐ１１−Ｐ１Ｌの対のための維持期間の第１誘導性エネルギー回復時間Ｄ１について、ここで、説明する。前の時間の極性反転（下記参照）のために、電極間の電圧差２ＶＳは、これらの電極により供給される予め活性化された放電領域における放電Ｆを生成する。一次回路におけるスイッチの極性及び位置のために、一次回路に流れ込む有効な電流のみが、“低”スイッチＲＰＢ１と並列のダイオードＤＰＢ１を通って流れることとなる。図７において太い灰色の矢印により示すように、このとき、電流は、記憶容量ＣＳ、“低”スイッチＲＰＢ１と並列のダイオードＤＰＢ１、トランスＴ１の一次回路の下部及び維持スイッチＲＳを伴う維持ジェネレータＧＳにより形成される下部の一次の半分のループにおいて流れる。この時間Ｄ１は、それ故、パネル供給手段の記憶容量ＣＳに、前の時間の間に（下記参照）記憶された誘導性エネルギーの転送に対応する。
【００６６】
図４及び１２を参照するに、維持期間τＳの第１誘導性エネルギー蓄積時間Ｄ２について、ここで、説明する。これらの対Ｐ１１−Ｐ１Ｌを供給する低端子ＳＢ１１−ＳＢ１Ｌと高端子ＳＨ１１−ＳＨ１Ｌとの間の振幅２ＶＳの放電電圧パルスを生成するために、振幅の電圧ＶＳが、これらの二次回路に磁気的に結合された一次回路Ｐ１の低端子ＰＢ１と中間端子ＰＭとの間において生成される。この目的のために、“低”スイッチＲＰＢ１は閉じる一方、“高”スイッチＲＰＨ１は開いたまま保たれる。図において太い灰色のライン及びその矢印により示されるように、このとき、電流は、記憶容量ＣＳ、維持スイッチＲＳ、トランスＴ１の一次回路の下部及び“低”スイッチＲＰＢ１を伴う維持ジェネレータＧＳにより形成される下部の一次の半分のループにおいて流れる。二次回路Ｓ１１−Ｓ１Ｌのアドレス端子ＳＭ１における電圧は、更にＶＳに固定され、これら二次回路により供給される電極Ｙ１１−Ｙ１Ｌにおける電圧（簡単のためにＶＹと呼ぶ）及び電極Ｙ´１１−Ｙ´１Ｌにおける電圧（簡単のためにＶＹ´と呼ぶ）は、それ故、時間Ｄ２の場合に図１２に示すように、それぞれ、ＶＹ＝ＶＳ−ＶＳ＝０及びＶＹ´＝ＶＳ＋ＶＳ＝２ＶＳとなる。時間Ｄ２の後、トランスの一次回路のインダクタに蓄えられた電流は最小に達する。
【００６７】
維持期間τＳの第１極性反転時間Ｒについては図示されていないが、ここで説明する。“高”スイッチＲＰＨ１を開状態に保つ一方、“低”スイッチＲＰＢ１は開状態にされる。トランスＴ１の一次回路Ｐ１は、もはや、供給されないため、パネルを供給する二次回路Ｓ１１−Ｓ１Ｌにおける電流反転は、パネルの極性が反転されるようにする。この時間Ｒの後、ＶＹ＝ＶＳ＋ＶＳ＝２ＶＳ及びＶＹ´＝ＶＳ−ＶＳ＝０となる。
【００６８】
図１２における正弦状の細い連続的ラインとしてプロットされた曲線は、トランスＴ１の一次回路又は二次回路における磁化電流ＩＭを示している。極性反転時間Ｒは最小（又は、最大“負”）磁化電流ＩＭの時間に対応することを理解することができる。
【００６９】
図５及び１２を参照するに、第２放電Ｆ´の間の第２誘導性エネルギー回復時間Ｄ´１について、ここで、説明する。
【００７０】
極性反転のために、これらの電極間の電圧差ＶＳは、これらの電極により供給される予め活性化された放電領域において放電Ｆ´を生成する。一次回路におけるスイッチの位置及び極性反転のために、この回路における有効な電流のみが、一次回路に対して、“高”スイッチＲＰＨ１と並列のダイオードＤＰＨ１を通って流れることとなる。図５において太い灰色の線とその矢印により示すように、このとき、電流は、記憶容量ＣＳ、“高”スイッチＲＰＨ１と並列状態のダイオードＤＰＨ１、トランスＴ１の一次回路の上部及び維持スイッチＲＳを伴う維持ジェネレータＧＳにより形成される上部の一次の半分のループにおいて流れる。この時間Ｄ１は、それ故、パネル供給手段の記憶容量ＣＳに、前の時間Ｄ２の間に記憶された誘導性エネルギーの転送に対応する。
【００７１】
図６及び１２を参照するに、維持期間τＳの第１誘導性エネルギー蓄積時間Ｄ２について、ここで、説明する。電極の対Ｐ１１−Ｐ１Ｌを供給する二次回路Ｓ１１−Ｓ１Ｌの端子において、第１の端子に関して反転される振幅２ＶＳの放電電圧パルスを再び生成するために、電圧ＶＳが、今回、これらの二次回路に磁気的に結合された一次回路Ｐ１の高端子ＰＨ１と中間端子ＰＭとの間において生成される。この目的のために、“高”スイッチＲＰＨ１は閉じる一方、“低”スイッチＲＰＢ１は開いたまま保たれる。図６において太い灰色のライン及びその矢印により示されるように、このとき、電流は、記憶容量ＣＳ、維持スイッチＲＳ、トランスＴ１の一次回路の上部及び“高”スイッチＲＰＨ１を伴う維持ジェネレータＧＳにより形成される上部の一次の半分のループにおいて流れる。二次回路Ｓ１１−Ｓ１Ｌのアドレス端子ＳＭ１における電圧は、更にＶＳに固定された状態を保ち、これら二次回路により供給される電極Ｙ１１−Ｙ１Ｌにおける電圧（簡単のためにＶＹと呼ぶ）及び電極Ｙ´１１−Ｙ´１Ｌにおける電圧（簡単のためにＶＹ´と呼ぶ）は、それ故、時間Ｄ´２に対して、図１２に示すように、それぞれ、ＶＹ＝ＶＳ＋ＶＳ＝２ＶＳ及びＶＹ´＝ＶＳ−ＶＳ＝０となる。トランスの一次回路のインダクタに蓄積された電流は最大となる。
【００７２】
維持期間τＳの第２極性反転時間Ｒ´については図示されていないが、ここで説明する。“低”スイッチＲＰＢ１を開状態に保つ一方、“高”スイッチＲＰＨ１は開状態にされる。トランスＴ１の一次回路Ｐ１は、もはや、供給されないため、二次回路Ｓ１１−Ｓ１Ｌにおいて電流は再び反転し、トランスＴ１の端子において新しい極性反転が生じる。
【００７３】
その後、図２及び１２を参照して上記したように、第１誘導性エネルギー回復時間Ｄ１及び放電Ｆ時間が再び現れる。このようにして、図１２に示すように、同一の新しい維持期間が、前記した維持期間τＳの後に続き、連続するこれらの期間は、図１１に又示すように、維持フェーズＱＳを構成する。維持フェーズの期間の数は、従来通り、パネルにおいて画像を表示するための動作における副走査に関連する階調値に依存する。
【００７４】
図１２に示す、好適な変形の実施形態に従って、各々の維持フェーズの第１維持期間τＳ１は、続く期間τＳより長く、それ故、第１維持パルスの間に、一般に生成される放電Ｆ１の広がりを有利に考慮することを可能にする。
【００７５】
“高”スイッチＲＰＨ．ｇと“低”スイッチＲＰＢ．ｇにより、パルスジェネレータの
“高”ダイオードＤＰＨ．ｇと“低”ダイオードＤＰＢ．ｇは、並列状態の一次回路Ｐｇと、トランスＴｇの一次回路と二次回路のインダクタを供給し：
○  一方で、交互の正電圧パルス及び負電圧パルスが生成され、これらのパルスはほぼ一定の高電圧レベル及び低電圧レベルをそれぞれ有し；
○  他方で、容量性エネルギーはパネルにより回復され、パネルに再注入される。
【００７６】
維持期間τＳの場合、維持ジェネレータＧＳに関連する記憶容量ＣＳの維持電極の対を供給するトランスＴ１、．．．、Ｔｇ、．．．、Ｔ８の一次回路及び二次回路のインダクタンスは、供給され且つ駆動されるプラズマパネルの維持電極間の容量に依存して、当業者自身に周知の方法で、適応され、本発明に従ったパネル駆動手段は：
−  一方で、高電圧レベル及び低電圧レベルを有する方形波維持電圧信号を得るために、その信号において、極性反転時間Ｒ及びＲ´は、誘導性エネルギー回復時間Ｄ１、Ｄ´１の間にこれらの反転時間の外側で生じるように、プラズマ放電に対して十分短く、それ故、再生可能且つ使用可能であるメモリ効果が得られるようになり、
−  他方で、維持フェーズの間に容量性エネルギーを回復するためのものである。
【００７７】
特に図１７に示している米国特許第３，５５９，１９０号明細書においては、電極に印加される維持電圧が一定でない時間の間にプラズマ放電が生じるため、再生可能であり且つ使用可能であるメモリ効果を得るために適切でない正弦波電圧信号を維持ジェネレータが供給すること、が開示されている。そのようなジェネレータは、それ故、本発明が回避することができる重大な欠点を有している。
【００７８】
同じトランスの全体の一次回路と二次回路の間の比が１／１であるトランスの場合を取り上げることとする。各々のトランスのインダクタンスは次のように規定される。
−  ＬＰはこのトランスの一次回路又は二次回路のインダクタンスであり、ＬＰ／４は、全体の一次回路又は二次回路の巻線数の半分に対応する一次半回路のインダクタンスである。
−  ＣＴは、同じトランスＴの二次回路の集合により供給されるラインに対応するパネル部分の容量、即ち、本発明の実施形態においては、パネルの８分の１の容量である。
−  τＲは極性反転時間Ｒ又はＲ´の持続時間である。
−  τＤは、パルスの高維持電圧又は低維持電圧の持続時間であり、誘導性エネルギー回復時間Ｄ１又はＤ´１及び誘導性エネルギー蓄積時間Ｄ２又はＤ´２の累計時間に対応する。
−  維持期間τＳは、このとき、τＳ＝２（τＲ＋τＤ）により与えられる。
−  ｌｍは、このトランスの一次半回路の一又は他に流れる磁化電流であり、スイッチの位置に依存する。極性反転の間の電流は、磁化電流、即ちｌｍ−ｐの絶対値における最大値に対応する。
−  ＶＳはピーク維持電圧であり、次式により表される高維持電圧又は低維持電圧に対応する。
【００７９】
【数１】
2005522714.tif 000003
例えば、τＤ＝４τＲである場合、ＬＰ＝τＲ２／ＣＴである。
全体のパネルの容量が４８ｎＦである場合、ＣＴ＝４８／８＝６ｎＦである。
【００８０】
維持周波数が２００ｋＨｚである場合、τＳ＝１／２００ｘ１０３＝５μｓｅｃである。
τＤ＝τＲを用いると、τＳ＝２（τＲ＋τＤ）＝２（５τＲ）＝１０τＲであり、
τＲ＝τＳ／１０＝５００ｎｓ
τＤ＝４τＲ＝２μｓｅｃ
ＬＰ＝τＲ２／ＣＴ＝（５００ｘ１０−９）／（６ｘ１０−９）＝４２μＨ
である。
ＶＳ＝９０Ｖであり、±１８０Ｖの交流パルスに対応する（図１０及び１２参照）場合、
Ｉｍ−ｐ＝（１／２）（Ｖｓ／Ｌｐ／４）τＤ＝（１／２）（９０／（（４２／４）ｘ１０−６）ｘ２ｘ１０−６＝８．６Ａ
である。
【００８１】
ピーク電流は、従って。極性反転時間Ｒ、Ｒ´の間の一次半回路において８．６Ａである。一次回路に結合された二次回路における磁化電流の合計は、従って、極性反転の間において、４．３Ａである。
【００８２】
極性を反転させた後、磁化電流ｌｍはパネルの放電電流に加えられる。一次半回路の“高”スイッチＲＰＨｇ又は“低”スイッチＲＰＢｇが放電の間に持ちこたえるようにする必要がある電流は、従って、これらの成分において節約がなされるように、相応して有利に減少される。
【００８３】
維持フェーズの間に、維持電圧の間に放電発光を生じさせることができる交互の高維持電圧及び低維持電圧を有する一連のパルスを得ることを、本発明に従った供給及び駆動手段がどのように可能であるかについて示した。放電が生じるときに、極性反転時間の間では放電が維持電圧の間にトリガされるように、即ち、τＲが一般に１μｓｅｃより小さく、例えば、上記の例のように約５００ｎｓｅｃである、先行技術のプラズマのための維持パルスジェネレータにおけるように、極性反転時間τＲを調整することは重要である。τＲの最大許容値は、それ自体知られた方法において、特性及びプラズマパネルの技術に依存する。
【００８４】
又、維持フェーズに関しては、他のトランスにより供給される電極の対への供給は、上記に類似しているが、詳細説明は省略することは既に述べた通りである。有利な変形例に従って、米国特許第４，３１６，１２３号明細書に開示されているスタガリング（ｓｔａｇｇｅｒｉｎｇ）に類似した方法で、電極の対Ｐｇ１、．．．、ＰｇＬの一のグループから電極の対Ｐｇ´１、．．．、Ｐｇ´Ｌの他のグループにプラズマ放電をスタガするように、種々のトランスの一次回路の端子に供給されるパルスは僅かにオフセットされる又は位相シフトされる。ジェネレータにおける“ピーク”電流は、このようにして制限され、それ故、より安価な構成要素の使用が可能になる。
【００８５】
図８及び９を参照するに、選択的アドレス段階ＱＷの間のパネルの動作について説明するが、その間に、電圧パルスは、活性化される放電領域Ｃｋ−ｇｉに対応する電極の交差部分において電荷を生じるように、及び、続く維持段階ＱＳの間（上記）に、活性化された領域においてのみ放電が生じるように、アドレスアレイＸの電極Ｘｐと維持及びアドレスアレイＹの電極Ｙｇｉとの間に印加される。図８及び９を参照して、更に具体的に、次のように説明できる。
−  トランスＴｇの回路の状態であって、、電極Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉの二次供給回路のみが示された電極Ｙｇ１、．．．、Ｙｇｉ、．．．、ＹｇＬ及びＹ´ｇ１、．．．、Ｙ´ｇｉ、．．．、Ｙ´ｇＬのラインのグループｇを供給する、状態は：
−  特に、この二次回路のアドレス端子ＳＭｉに接続されるユニット１１のラインドライバの状態；及び
−  電極Ｘｋに接続されるユニット１４の列ドライバの状態；
である。
【００８６】
図８及び９に示すように、パネルアドレスフェージＱＷを通して、書き込みバイアススイッチＲＷは閉状態であり、維持スイッチＲＳは開状態であり、それ故、種々の一次回路の中間端子ＰＭにおける電圧はＶＷに等しい。
【００８７】
図８及び９に示すように、パネル駆動アドレスフェーズＱＷを通して、トランスＴｇの一次回路Ｐｇの“高”スイッチＲＰＨｇは開状態のまま保たれる。
【００８８】
放電領域Ｃｋ−ｇｉのみに関連するアドレスフェーズＱＷのその部分について、この領域が活性化される必要がある場合、即ち、この領域において実行される書き込み動作の場合の図８及び９を参照して、先ず、説明する。パネル放電領域全てに対するアドレスフェーズ
ＱＷの全体の実行について、下で説明する。このアドレスフェーズの間、ラインのグループｇの反転バイアススイッチＲ´Ｗｇは閉状態に保たれる。このアドレスフェーズは、
−  トランスＴｇを用いて磁気的に結合させることにより適用される電極Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉをバイアスするための第１半周期τＷであって、この間に、この半周期のτＷに比較して非常に短い時間の間に、書き込むパルス−ＶＥがこれらの電極に印加されると同時に、非常に短いデータパルスＶＸが列電極Ｘｋに印加される、第１半周期τＷ；及び
−  非常に小さい電圧を用いて且つ長い時間の間に、電極Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉを反転バイアスするための第２半周期τ´Ｗ；
から構成される。
【００８９】
これら２つの半周期の連続は書き込みバイアス期間を構成する。従来通り、アドレッシングプラズマパネルの方法は、データアレイＸの電極とアレイＹに垂直な電極との間の書き込みパルスとデータパルスとを同時に印加することによりパネルの放電領域を活性化することをより容易にするために、維持とアドレッシング両方のための機能を果たし、後者の電極はバイアスされる。そのようなバイアス条件は、各々の発振の第１の高振幅の短持続時間の半周期の間に結合される。下で説明するように、書き込み動作は、それ故、バイアス発振の第１半周期の間に実行される。
【００９０】
本発明に従って、これら２つの半周期の連続は、トランスＴｇの一次回路の下部と書き込みバイアススイッチＲＷとを含む、下部の一次半ループにおける発振方式に対応する。本発明に従って、第１半周期を生成するために、書き込みバイアス電圧ＶＷが中間端子ＰＭと一次回路のこの部分の低端子ＰＢｇとの間の時間τＷの間に印加される。本発明に従って、一次回路のこの部分は、このとき、フローティングのままにされ、τＷ＋τ´Ｗ＝ＨｘτＷであるように、小さい振幅であるが長い持続時間τ´Ｗの、反対符号の第２半周期に適しており、ここで、Ｈはトランスの又はラインのグループの数であり、この場合は、８に等しい。実際、下で理解されるように、本発明に従った好適なアドレスモードにより、トランスＴｇの第２半周期の間に、各々の（Ｈ−１）個の他のトランスにより供給されるラインが、連続的に印加される“第１”書き込みバイアスの半周期τＷの間に、アドレスされることができることは、特に重要である。このようにして、好適には、（Ｈ−１）ｘτＷ＝τ´Ｗであり、この式は前記式に等しい。
【００９１】
発振動作の同じ動作のために、第２半周期の反転バイアス電圧Ｖ´Ｗは、ＶＷｘτＷ＝Ｖ´Ｗ＋τ´Ｗであり、ここでは、ＶＷ＝Ｖ´Ｗ／７を意味する。
【００９２】
更に具体的には、図８に示す第１のバイアス半周期τＷを通して、一次回路Ｐｇの“低”スイッチＲＰＢｇは、バイアスジェネレータＧＷが一次回路Ｐｇの中間端子とこの一次回路の“低”端子ＰＢｇとの間に電圧ＶＷを印加するように、閉状態である。図８において。太い灰色のライン及び矢印により示すように、電流は、バイアススイッチＲＷと一次回路Ｐｇの下部から構成され、ここではこの回路の“低”スイッチＲＰＢｇとバイアス電圧ジェネレータＧＷとにより閉状態にされている、ループに流れる。磁化結合により、２ＶＷに等しい電位差が、それ故、電極Ｙｇｉ及びＹ´ｇｉの間で生成される。所定の書き込みの瞬間において且つτＷより非常に短い書き込み時間τＥの間に、電極を供給する二次回路の中間ポイントＳＭｉに印加される電圧がＶＭ−ＶＥに等しくなるように、中間電圧スイッチＲＳＭｉは開状態になり、書き込みスイッチＲＳＭＥｉは閉状態になる。このようにして、書き込み時間τＥの間において、ＶＹ＝ＶＭ−ＶＷ−ＶＥ及びＶＹ´＝ＶＭ＋ＶＷ−ＶＥを得る。同時に、“高”列電圧スイッチＲＸＨｋは閉状態であり、“低”列電圧スイッチＲＸＨｋは開状態であり、それ故、列電極Ｘｋに印加される電圧はＶＸに等しい。続く維持フェーズの間に、上記のように、これらの電極間に電位差２ＶＳを適用することにより、維持電極Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉによる交差部分の領域Ｃｋ−ｇｉにおいて放電が生じるように、電位ＶＭ、ＶＷ、ＶＥ及びＶＸの電圧は、この電極において電荷を発生するに十分である、この書き込み時間τＥの間に、電極Ｙｇｉ及びＸｋ間の電位差に適応する。
【００９３】
次に、図９に示す、全体的に反対の、反転バイアス半周期τ´Ｗを通して、一次回路Ｐｇの“低”スイッチＲＰＢｇは開状態である。一次回路Ｐｇは、それ故、完全にフローティングである。図９において太い実線及び矢印により示すように、斑点バイアスダイオードＤ´Ｗｇ及び反転バイアススイッチＲ´Ｗｇの“閉状態”位置のために、上記半周期の電流は、一次回路Ｐｇの同じ下部において流れ続けることができ、それ故、上記の発振方式を生じさせることができる。このとき、一次回路Ｐｇの下部における電流ループは、それ故、反転バイアスダイオードＤ´Ｗｇ及び反転バイアススイッチＲ´Ｗｇにより閉状態になる。トランス及び磁化結合の動作原理それ自体の結果として、Ｖ´Ｗが、反転バイアス時間τ´Ｗを通して、電極Ｙｇｉ及びＹ´ｇｉの間において得られる電位差である場合、式Ｖ´Ｗｘτ´Ｗ＝ＶＷｘτＷを得る。
【００９４】
従って、書き込みのためのバイアスの発振動作は、この段階において、容量性エネルギーは各々の半周期において回復されることを意味することが理解される。
【００９５】
好適には、反転バイアスダイオードＤ´Ｗｇ及び反転バイアススイッチＲ´Ｗｇを通るループは又、上記のように且つ図に示すように、一定電圧を有利に供給する反転バイアスジェネレータＧ´Ｗを通り、簡単な容量が得られるようにはなっていない。
【００９６】
従って、パネルの放電領域Ｃｋ−ｇｉがどのようにしてアドレスされるかを上記において示した。
【００９７】
パネルの放電領域全体のためのアドレスフェーズの全体的活性化について、ここで、図１１及び１０を参照して説明する。
【００９８】
従来通り、同じ電極Ｙｇｉ、Ｙ´ｇｉの対の間のラインに沿って分布する放電領域Ｃ１−ｇｉ−Ｃｐ−ｇｉ全ては、列ドライバのスイッチＲＸＨ１−ＲＸＨｐ及びＲＸＢ１−ＲＸＢｐにより同時にアドレスされる。従って、パネルの放電領域全てをアドレスすることができるように、パネルの電極の種々のラインをどのように走査するかを決定することが残っている。この目的のために、本発明の好適な駆動方法に従って、同じトランスにより供給される電極の各々のグループｇの電極Ｐｇｉの対またはＬ個のラインは、Ｎ個のラインのサブグループＺｇ１、．．．、Ｚｇｊ、．．．、ＺｇＭに分割され、ここで、Ｎは、ＮｘτＥがたかだかτＷに等しくなるように選択され、それ故、各々のトランスＴｇの各々の第１半周期τＷの間に、このトランスＴｇにより供給される対又はラインのグループｇのサブグループＺｇｉの対Ｐｇｉ又はＮ個のラインの各々に連続して書き込みパルスＶＥを印加することを可能にする。
【００９９】
サブグループの数Ｍは、サブグループ当たりのラインの数Ｎにより除されたグループ当たりのラインの数Ｌに等しい。即ち、Ｌ＝ＮｘＭである。
【０１００】
例えば、第１トランスＴ１により供給される第１グループの対Ｐ１ｉ又はライン全てをアドレスするために、上記のような、反対半周期及び第１半周期から構成される発振の“トレイン”又は連続が、図１に示すように適用される。この図において、実線の曲線は、アドレッシング及び維持両方の機能を果たすアレイＹの第１グループの電極に印加される電位に対応し、破線の曲線は、維持のみの機能を果たすアレイＹ´の第１グループの電極に印加される電位に対応する。パネルをアドレスする好適な方法に従って、次のようである。
−  第１トランスＴ１の発振は、次の期間の連続に対応する。第１グループの第１サブグループＺ１１のＮ個のラインをアドレスするための半周期τＷ１１、τ´Ｗ１１を有する第１期間、第１グループの第２サブグループＺ１２のＮ個のラインをアドレスするための半周期τＷ１２、τ´Ｗ１２を有する第２期間、第１グループの第ｊサブグループＺ１ｊのＮ個のラインをアドレスするための半周期τＷ１ｊ、τ´Ｗ１ｊを有する第ｊ期間、第１グループの最後のサブグループＺ１ＭのＮ個のラインをアドレスするための半周期τＷ１Ｍ、τ´Ｗ１Ｍを有する第Ｍ期間まで。
−  アドレス動作及び有効な書き込み動作全て（図１１における第１サブグループＺ１１の対Ｐ１ｉ又はラインに対して示す）は、パネルの放電領域Ｃｋ−ｇｉの場合において上記したように、各々の発振期間の第１半周期τＷの間に実行される。
−  他のトランスＴｇにより供給される他のグループの対Ｐｇｉ又はラインをアドレスするために、類似する発振のトレインを用いて、第１トランスＴ１の場合におけるような手法がある。  
これらの動作に関連する発振のトレイン及び各々のグループｇのラインをアドレスする動作は連続的に適用されるが、本発明に従った駆動方法を実施する方法は、パネルの発行に対して偏見を抱かせる、全体的アドレスフェーズＱＷの長過ぎる持続時間をもたらす。
【０１０１】
この欠点を回避するために、パネルをアドレスする方法の好適な変形に従って、トランスＴ１、Ｔ２、．．．、Ｔｇ、．．．、Ｔ８及びラインの種々のグループｇをアドレスするための発信のトレインが、上記のように、次のような方法でインターリーブされる。図１１の上方部分において示している（右上部分に示している発振のトレイン及び関連するトランス）ように、発振の第１トレインが開始された後、トランスＴｇに対する各々の発振のトレインは、前に開始された発振のトレインの第１サブグループＺ（ｇ−１）１の第１バイアス半周期τＷ（ｇ−１）１の各々において、即ち、トランスＴ（ｇ−１）のそのような半周期の各々において、開始される。グループｇ及びその発振のトレインが何であれ、第１グループの第１サブグループの反対半周期τ´Ｗ１１の期間の間において、τ´Ｗ１１（Ｈ−１）ｘτＷｇ１＝７τＷｇ１（上記参照）であるため、第１半周期τＷ２１、τＷ３１、．．．、τＷｇ１、．．．、τＷ８１全て、即ち、発振のトレイン又は他の７つのグループを連続して実行することが可能である。これは、それらの結合した持続時間が、τ´Ｗ１１に対応する７τＷｇ１に等しいためである。拡大解釈することにより、電極の対の又はラインのグループｇが何であれ、そのサブグループｊが何であれ、その反対半周期τ´Ｗｇ１が何であれ、その反対半周期τ´Ｗｇ１の間に、電極の対又はラインの他のグループの各々のサブグループの７つの半周期が実行される。
【０１０２】
プラズマパネルをアドレスする選択動作に対して、図１１に示す全体的スタガリングを、それ故、達成することができる。この図に従って、反転バイアス半周期τ´Ｗ１１の間にトランスＴ１により供給される第１グループの第１サブグループの電極Ｙ、Ｙ´の電位に影響を与える非常に短いパルスＱＥｇ１は、発振のトレインがこの半周期τ´Ｗ１１の間に開始する他のトランスＴ２、．．．、Ｔｇ、．．．、Ｔ８により供給される、ラインの他のグループの第１サブグループのラインにアドレスする動作に対応している。誤った書き込み放電領域のリスクを抑えるために、Ｖ´Ｗ＋ＶＥがＶＷより小さく保たれるように、種々の電圧の値を選択することが重要であることが理解されるであろう。
【０１０３】
以上、プラズマパネルの動作方法について、少なくとも、非選択維持フェーズＱＳにより後継される選択アドレスフェーズＱＷにおいて、本発明の第１実施形態に従って十分に説明した。他の駆動動作、特に、プライミングフェーズＱＰ及び消去フェーズＱＯについては、当業者に周知であるため、ここでは詳細に説明しない。この目的のために、図１３に示すサブアセンブリ１２が、上記のように、用いられる。変形例に従って、プライミング信号及び消去信号は、データアレイＸの電極に適用されることが可能である。
【０１０４】
これら駆動フェーズ全てについては、図１０において、模式的タイミング図の形式で示している。上部のタイミング図はアドレス及び維持アレイＹの電極に印加される電圧に対応し、中央のタイミング図は維持アレイＹ´の電極に印加される電圧に対応し、そして、下部の図はデータアレイＸの電極に印加される電圧に対応している。
【０１０５】
簡単化のために、アドレスフェーズＱＷに対して、この図は、維持電極の対のラインの単一グループの単一サブグループの第１のバイアス半周期のみを示している。
【０１０６】
当業者は、この図において、コプレーナ型プラズマパネルを駆動するための従来のタイミング図であると認識するであろう。
【０１０７】
コプレーナ型プラズマパネルを駆動するための他の従来のスキームは、例えば、最初のアドレスフェーズが選択的でない駆動方法のように、本発明から逸脱しないで用いることが可能であり、それ故、維持フェーズにおいて、パネルの放電領域全てが活性化される。活性化される画素に対応する放電領域のみを発光した状態に保つことを可能にする、選択消去フェーズ又は選択非活性化フェーズと呼ばれるフェーズが、ここで追加される。
【０１０８】
ここで、上記のように同じプラズマパネルを用いて提供される表示装置であって、図１３Ａ乃至１８Ａ及び１９に示すような、本発明の第２実施形態に従った供給（ｓｕｐｐｌｙ）及び駆動手段を用いる、表示装置について、更に簡潔に説明することにする。これらの図においては、参照符号は簡単化されている。コプレーナ電極に対したはＹ及びＹ´、“高”及び“低”スイッチに対してはＲＨ及びＲＢ、“高”及び“低”ダイオードに対してはＤＨ及びＤＢである。本質的な差は、２つの一次副回路Ｐ１及びＰ２への各々の一次回路の分割にあり、その１つの端子は、スイッチＲＳが閉状態のとき、維持フェーズの間にのみ共通である。そのような構成は、維持パルス及びバイアス発振ジェネレータを簡単化することを可能にする。図１９は、図１におけるような同じ参照符号を用いて、トランスの１つに対して、プラズマパネルの背面における２つの一次副回路Ｐ１及びＰ２の構成を明確に示している。
【０１０９】
図１３Ａ及び１５Ａは図４及び５に対応し、維持期間の半分を示している。上記で示していない極性反転時間について示す図１４Ａを加えている。図１３Ａ、１４Ａ及び１５Ａの各々に対して、図１３Ｂ，１４Ｂ及び１５Ｂにおいては、維持電圧及び磁化電流Ｉｍにおける変形を示している。これらの曲線の実線部分は、対応する図において示されている維持期間の時間に対応している。
【０１１０】
図１６Ａ、１７Ａ及び１８Ａは、プラズマパネルの書き込みフェーズの間のバイアス発振期間の半分を示している。当業者は、第１の半分と対照的なこの期間の他の半分について、前の説明から容易に演繹するであろう。この第２実施形態においては、各々のバイアス発振期間は、第１誘導性エネルギー回復時間Ｄ１Ｗ、第１誘導性エネルギー蓄積時間Ｄ２Ｗ、第１極性反転時間ＲＷ、第２誘導性エネルギー回復時間Ｄ´１Ｗ、第２誘導性エネルギー蓄積時間Ｄ´２Ｗ、及び第２極性反転時間Ｒ´Ｗに連続して分割される。アドレスフェーズは、一般に、パネルのライン全てにアドレスするもとができるように、上記のように、幾つかの連続的バイアス発振期間から構成される。図１６Ａ、１７Ａ及び１８Ａは、それぞれ、ＲＢが閉状態且つＲＨが開状態である時間Ｄ２Ｗ、スイッチＲＨ及びＲＢが開状態である時間ＲＷ、並びにスイッチＲＨ及びＲＢが又開状態且つダイオードＤＨを通って流れる磁化電流が“高”一次回路Ｐ１において流れる時間Ｄ´１Ｗを示している。これらの図に対して、磁化電流Ｉｍ−ｗ及びバイアス電流における変化を示す図１６Ｂ、１７Ｂ及び１８Ｂが対応している。これらの曲線の実線部分は、対応する図において示されているは真期間の時間に対応している。ＲＢが開状態且つＲＨが閉状態である第２誘導性エネルギー蓄積時間Ｄ´２Ｗ、スイッチＲＨ及びＲＢが開状態である第２極性反転時間Ｒ´Ｗ、並びにスイッチＲＨ及びＲＢが又開状態且つダイオードＤＢを通って流れる磁化電流が“低”一次回路Ｐ２において流れる第１誘導性エネルギー回復時間Ｄ１Ｗは全バイアス発振サイクルを完結するが、図に示されてはいない。図１７Ｂ、１８Ｂ及び１９Ｂに示すように、電極Ｙ、Ｙ´間の電圧信号は、各々の完結期間に対して、大きい振幅及び短い持続時間の低維持電圧と、小さい振幅及び長い持続時間の高維持電圧とを有する。低維持電圧リ大きい領域は高維持電圧より小さい領域に等しい。トランスの数Ｈが８である場合、ジェネレータにより供給されるＤＣ電圧ＶＷ及びＶＳ並びにスイッチＲＨ及びＲＢの制御は、高維持電圧の持続時間が低維持電圧の持続時間より約７倍長くなるように、そして、高維持電圧の振幅が低維持電圧の振幅の約７分の１になるように、調整される。図２０は、各々の高維持電圧においてＮ＝４個のラインにアドレスすることが可能である場合、及び、８つのトランスのバイアス発振のトリガリングが、第１実施形態において上記したように、スタガされる場合、完全な発振期間の間に（Ｎ＝４）ｘ（Ｈ＝８）＝３２個のラインにアドレスすることが可能である。Ｍ＝１５の発振期間の後、パネルの４８０個のラインが、それ故、アドレスされることができる。
【０１１１】
この第２実施形態に従った供給及び駆動手段は、より少ない数の構成要素を有し、駆動することがより簡単であるため、第１実施形態に従った上記の供給及び駆動手段に比べて有利に簡単化されることが理解される。この第２実施形態に従って、電極間に分散された容量性エネルギーは有利に回復され、バイアス発振の簡易再注入されることが又、理解される。
【０１１２】
本発明について、パネルの前面基板の内側の表面上で対をなして配置された維持電極の２つのアレイを備えたプラズマパネルを参照して説明した。本発明は又、維持電極のこれら２つのアレイが、背面基板の内側表面上、又は基板間においてさえ、配置される場合に適用可能である。本発明は又、これら２つのアレイがコプレーナではない場合に適用可能であり、本発明は又、上記の対の代わりに、３組の状態で備えられる維持電極の３つのアレイを設けたプラズマパネルに適用可能である。そのようなパネルは、例えば、仏国特許第２，７９０，５８３号明細書（Ｓａｍｓｕｎｇ）に記載されている。
【０１１３】
本発明は、維持信号がコプレーナ電極間のみに加えられる駆動方法に関して説明した。本発明は又、コプレーナ維持放電がパネルの基板間において開始される“マトリクス”放電によりトリガされ、維持フェーズの間にデータ電極への維持信号の印加を前提とする駆動方法に適用することができる。そのような方法は先行技術において既知であり、コプレーナ電極同士の間隔又はギャップが増加する場合、発光効率が実質的に改善されることを可能にする。
【０１１４】
本発明に従って、維持電極のアレイを備え、且つ供給及び駆動手段を備えるプラズマ表示パネルの他の重要な優位性は、前記した駆動方法のように、一方の、維持及びコプレーナ書き込みバイアスパルスのようなパワーパルスの適用と、他方の、先行技術におけるように、維持及びアドレッシング両方のための電極アレイＹを用いる書き込みパルスの適用とを、維持電極に与えることに関して、完全に分離することができることである。
【０１１５】
上記実施形態において示すように、本発明は、結合手段であって、この場合、書き込み動作のために維持及びバイアスに関連するパワー動作に対して維持電極を供給するための磁気結合手段に基づいている。
【０１１６】
上記実施形態において示すように、結合手段、特に磁気結合手段を使用することにより、維持電極の各々の対（又は、適する場合は、３組）がフローティングを保つことが可能である。
【０１１７】
結合手段、特に磁気結合手段が、維持及びコプレーナ書き込みバイアスパルスのようなパワーパルスを維持電極の対に供給するために用いられるとき、これらのパルスが移動する電気回路は著しく簡単化される。先行技術と異なり、これらのパルスはラインドライバにより移動しない。このような簡単化は、実質的な経済的優位性を提供する。
【０１１８】
結合手段としてトランスを使用する場合、トランスの接続からの電磁放射は、これらトランスにより供給される電極からの電磁放射と反対であるため、パネルからの電磁放射は著しく減少される。更なる有利点は、本発明に従った供給方法からもたらされ、それらは次のようなものである。
−  先行技術の従来の回路と比較して、アースループにおける実質的な減少。
−  維持電極はトランスの二次回路に接続されるため、維持電圧を参照する維持電極のアレイはないという事実。従って、ラインドライバはアースを基準とすることが可能であり、それ故、先行技術のプラズマパネルにおいてみられる電気的絶縁の問題を回避することが可能である。
【０１１９】
上記の駆動方法の使用により明らかであるように、本発明は又次のような優位性を提供する。
−  スイッチＲＳＭｉ、ＲＳＭＥｉ（ｉ＝１、．．．、Ｌ）の同じ集合が各々のトランス又は結合手段のラインのために用いられるための、ラインドライバ１１の非常に実質的な簡略化。それ故、トランスの数によりスイッチの集合の数を分配することが可能であり、このことは経済性の観点から非常に優位である。
−  トランスの一次回路及び二次回路のインダクタがこの目的のために用いられるため、特別にインダクタから構成される特定のエネルギー回復回路の削除できる。
−  特に図３乃至７に示すように、スイッチＲＰＨｇ、ＲＰＢｇ（Ｇ＝１、．．．、Ｈ）全てはアースを基準とするため、維持回路に対して、安価なスイッチ制御回路を用いることが可能である。それ故、このような制御回路に対して、先行技術におけるような、高電圧技術を使用することは、もはや必要ない。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の第１実施形態に従ったパネルの部分断面図であり、このパネルの背面基板の外側表面に位置付けされ、固定された磁気結合トランスを示している。
【図２】本発明の第１実施形態に従ったパネルの模式的平面図である。
【図３】図１及び２のパネルの模式的背面図であり、又、このパネルのための供給及び駆動手段を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に従った図１乃至３のパネルを駆動するための維持フェーズに関連する図であって、維持期間の全体、即ち、誘導性エネルギーを蓄積するための第１時間、誘導性エネルギーを回復するための第２時間、誘導性エネルギーを蓄積するための第２時間及び誘導性エネルギーを回復するための第１時間それぞれを表している。
【図５】本発明の第１実施形態に従った図１乃至３のパネルを駆動するための維持フェーズに関連する図であって、維持期間の全体、即ち、誘導性エネルギーを蓄積するための第１時間、誘導性エネルギーを回復するための第２時間、誘導性エネルギーを蓄積するための第２時間及び誘導性エネルギーを回復するための第１時間それぞれを表している。
【図６】本発明の第１実施形態に従った図１乃至３のパネルを駆動するための維持フェーズに関連する図であって、維持期間の全体、即ち、誘導性エネルギーを蓄積するための第１時間、誘導性エネルギーを回復するための第２時間、誘導性エネルギーを蓄積するための第２時間及び誘導性エネルギーを回復するための第１時間それぞれを表している。
【図７】本発明の第１実施形態に従った図１乃至３のパネルを駆動するための維持フェーズに関連する図であって、維持期間の全体、即ち、誘導性エネルギーを蓄積するための第１時間、誘導性エネルギーを回復するための第２時間、誘導性エネルギーを蓄積するための第２時間及び誘導性エネルギーを回復するための第１時間それぞれを表している。
【図８】本発明の第１実施形態に従った図１乃至３のパネルを駆動するためのアドレスフェーズに関連する図であって、このフェーズの間のパネルのコプレーナ電極のバイアス発振レジームを示し、発振の第１の１／２波長の間及び第２の１／２波長の間それぞれにおいて、パネルのトランスの１つに対するライン及びカラムドライバ並びに供給回路の状態を示している。
【図９】本発明の第１実施形態に従った図１乃至３のパネルを駆動するためのアドレスフェーズに関連する図であって、このフェーズの間のパネルのコプレーナ電極のバイアス発振レジームを示し、発振の第１の１／２波長の間及び第２の１／２波長の間それぞれにおいて、パネルのトランスの１つに対するライン及びカラムドライバ並びに供給回路の状態を示している。
【図１０】図１乃至３のパネルの３つの異なるアレイＹ、Ｙ´及びＸに属する電極に対する模式的な電圧タイミング図である。
【図１１】アドレスフェーズの間の、図１乃至３のパネルのコプレーナ電極に印加される電圧を、図１０より詳細に示す図である。
【図１２】維持フェーズの間の、図１乃至３のパネルのコプレーナ電極間の電圧差を、図１０より詳細に示す図である。
【図１３Ａ】本発明の第２実施形態に従った図１９のパネルを駆動するための維持フェーズに関する図であって、維持期間の半分、即ち、誘導性エネルギーを蓄積するための第１時間、極性を反転するための第１時間及び誘導性エネルギーを回復するための第２時間それぞれを表している。
【図１３Ｂ】維持期間の間の磁化の強度及び方形波電圧信号を示す図であり、太いライン部分はこの期間の反対側にある図に示される時間に対応している。
【図１４Ａ】本発明の第２実施形態に従った図１９のパネルを駆動するための維持フェーズに関する図であって、維持期間の半分、即ち、誘導性エネルギーを蓄積するための第１時間、極性を反転するための第１時間及び誘導性エネルギーを回復するための第２時間それぞれを表している。
【図１４Ｂ】維持期間の間の磁化の強度及び方形波電圧信号を示す図であり、太いライン部分はこの期間の反対側にある図に示される時間に対応している。
【図１５Ａ】本発明の第２実施形態に従った図１９のパネルを駆動するための維持フェーズに関する図であって、維持期間の半分、即ち、誘導性エネルギーを蓄積するための第１時間、極性を反転するための第１時間及び誘導性エネルギーを回復するための第２時間それぞれを表している。
【図１５Ｂ】維持期間の間の磁化の強度及び方形波電圧信号を示す図であり、太いライン部分はこの期間の反対側にある図に示される時間に対応している。
【図１６Ａ】本発明の第２実施形態に従った図１９のパネルを駆動するための維持フェーズに関する図であって、維持期間の半分、即ち、誘導性エネルギーを蓄積するための第１時間、極性を反転するための第１時間及び誘導性エネルギーを回復するための第２時間それぞれを表している。
【図１６Ｂ】発振期間の間の磁化の強度及び方形波電圧信号を示す図であり、太いライン部分はこの期間の反対側にある図に示される時間に対応している。
【図１７Ａ】本発明の第２実施形態に従った図１９のパネルを駆動するための維持フェーズに関する図であって、維持期間の半分、即ち、誘導性エネルギーを蓄積するための第１時間、極性を反転するための第１時間及び誘導性エネルギーを回復するための第２時間それぞれを表している。
【図１７Ｂ】発振期間の間の磁化の強度及び方形波電圧信号を示す図であり、太いライン部分はこの期間の反対側にある図に示される時間に対応している。
【図１８Ａ】本発明の第２実施形態に従った図１９のパネルを駆動するための維持フェーズに関する図であって、維持期間の半分、即ち、誘導性エネルギーを蓄積するための第１時間、極性を反転するための第１時間及び誘導性エネルギーを回復するための第２時間それぞれを表している。
【図１８Ｂ】発振期間の間の磁化の強度及び方形波電圧信号を示す図であり、太いライン部分はこの期間の反対側にある図に示される時間に対応している。
【図１９】本発明の第２実施形態に従ったプラズマパネルを、図１のプラズマパネルと同様の様式で示す図である。
【図２０】アドレスフェーズに関して、図１１の別の表示の仕方を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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2005522714.tif 000031
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