Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月30日(2020.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を照射する光源部と、
前記光源部から照射された前記レーザ光を集光する集光レンズと、
前記集光レンズによって集光された前記レーザ光が照射されて蛍光を発する透光性蛍光体と、
を備え、
前記透光性蛍光体は、前記集光レンズによって前記レーザ光が集光された部分に形成される蛍光光源部を有し、
前記蛍光光源部が前記レーザ光の伝播方向に長い略筒状の形状を有するように、前記集光レンズと前記透光性蛍光体との位置関係が決められており、
前記蛍光光源部から発せられた前記蛍光の取り込みが可能な位置に配置された光ファイバが、前記光源部および前記集光レンズと直線上に配置されている、
光源装置。
【請求項２】
レーザ光を照射する光源部と、
前記光源部から照射された前記レーザ光を集光する集光レンズと、
前記集光レンズによって集光された前記レーザ光が照射されて蛍光を発する透光性蛍光体と、
前記蛍光光源部から発せられた前記蛍光の取り込みが可能な位置に配置された取込み用レンズと、
を備え、
前記透光性蛍光体は、前記集光レンズによって前記レーザ光が集光された部分に形成される蛍光光源部を有し、
前記蛍光光源部が前記レーザ光の伝播方向に長い略筒状の形状を有するように、前記集光レンズと前記透光性蛍光体との位置関係が決められており、
前記取込み用レンズが、前記光源部および前記集光レンズと直線上に配置されている、
光源装置。
【請求項３】
レーザ光を照射する光源部と、
前記光源部から照射された前記レーザ光を集光する集光レンズと、
前記集光レンズによって集光された前記レーザ光が照射されて蛍光を発する透光性蛍光体と、
前記透光性蛍光体において発せられた前記蛍光を集光する取込み用レンズと、
前記取込み用レンズにおいて集光された前記蛍光が第１端面に照射されるとともに、前記第１端面とは反対側の第２端面から前記蛍光を出射する光ファイバと、
を備え、
前記光源部の下流側に配置される前記集光レンズ、前記取込み用レンズおよび前記光ファイバが、直線上に配置されており、
前記透光性蛍光体は、前記集光レンズによって前記レーザ光が集光された部分に形成される蛍光光源部を有し、
前記蛍光光源部は、前記レーザ光の伝播方向に長い略筒状の形状を有するように、前記集光レンズと前記透光性蛍光体との位置関係が決められており、
前記取込み用レンズは、前記蛍光光源部から発せられた前記蛍光の取り込みが可能な位置に配置され、
前記光ファイバは、前記取込み用レンズを介して取り込まれた前記蛍光光源部から発せられた前記蛍光が、前記第１端面に入射される位置に配置されている、
光源装置。
【請求項４】
前記レーザ光は、前記集光レンズによって前記透光性蛍光体の表面または内部に集光される、
請求項１から３のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項５】
前記蛍光光源部は、前記集光レンズによって前記レーザ光が集光された部分における前記レーザ光の伝播方向に対して垂直方向の断面の円の半径が、前記レーザ光が集光された部分よりも前記レーザ光の入射側または出射側における前記断面の円の半径よりも小さい、
請求項１から４のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項６】
前記取込み用レンズは、前記蛍光光源部から発せられた前記蛍光のうち、前記取込み用レンズの被写界深度内で発光する前記蛍光の取り込みが可能な位置に配置されている
請求項２または３に記載の光源装置
【請求項７】
前記取込み用レンズは、前記透光性蛍光体を通過する前記レーザ光のレーザ伝播の中心軸に対してレンズ中心軸を合わせて配置されている、
請求項２または３に記載の光源装置。
【請求項８】
前記透光性蛍光体は、前記レーザ光が入射する入射面、および前記蛍光が出射される出射面のうち、少なくとも一方に凸状の曲面を有している、
請求項１から７のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項９】
前記透光性蛍光体は、単結晶蛍光体である、
請求項１から８のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項１０】
前記透光性蛍光体の入射面側に配置されており、前記光源部から照射された前記レーザ光を透過させるとともに、前記透光性蛍光体において発せられた前記蛍光のうち前記入射面側に発せられた前記蛍光を前記透光性蛍光体の方へ反射する凹面鏡をさらに備えている、
請求項１から９のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項１１】
前記透光性蛍光体の出射面側に配置されており、前記光源部から照射されて前記透光性蛍光体を通過した前記レーザ光を反射するとともに、前記透光性蛍光体において発せられた前記蛍光のうち前記出射面側に発せられた前記蛍光を透過させる凹面鏡をさらに備えている、
請求項１から９のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項１２】
前記凹面鏡は、前記集光レンズによって集光された前記レーザ光の集光点を中心とする球面あるいは非球面の曲面を有している、
請求項１０または１１に記載の光源装置。
【請求項１３】
前記凹面鏡は、ダイクロイックミラー、あるいは開口部を有する穴あきミラーである、
請求項１０から１２のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の光源装置と、
前記光源装置から照射された光の反射光を受光する受光部と、
前記受光部において受光した光の量に基づいて対象物までの距離を測定する測定部と、
を備えている測距センサ。
【請求項１５】
前記光源装置は、複数の波長を含む蛍光を発し、さらに前記蛍光が通過するように構成された色収差焦点レンズを、さらに有しており、
前記受光部は、前記色収差焦点レンズを介して前記対象物に照射された前記蛍光の反射光を受光するとともに、
前記測定部は、前記受光部における受光量が最大となる前記蛍光の波長に基づいて、前記対象物までの距離を測定する、
請求項１４に記載の測距センサ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月3日(2020.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コネクタ組立体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１から図４までを参照すると、本発明の実施の形態によるコネクタ組立体１０は、互いに別体の２つのコネクタ２０と、金属製の連結部材７０とを備えている。連結部材７０は、２つのコネクタ２０を、横方向（Ｙ方向）において互いに離れるようにして連結している。コネクタ２０は、Ｙ方向において、コネクタ組立体１０の両側に夫々位置している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図９から図１３までを参照すると、天板部７２は、連続した１枚の平板形状を有しており、ＸＹ平面に沿って延びている。図９及び図１１を参照すると、本実施の形態の天板部７２は、Ｙ方向に長く延びており、中央板部７２２と、２つの端板部７２８とを有している。中央板部７２２は、天板部７２のＹ方向における中間部に位置している。端板部７２８は、中央板部７２２のＹ方向における両側に夫々位置している。本実施の形態において、端板部７２８の夫々と中央板部７２２との間に、凹部や凸部などの視認可能な境界部は設けられていない。但し、本発明は、これに限られず、端板部７２８の夫々と中央板部７２２との間に、視認可能な境界部を設けてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項４から請求項８までのいずれかに記載のコネクタ組立体であって、
前記コネクタの夫々は、保持部材と、前記保持部材に保持された端子と、前記保持部材を少なくとも部分的に覆うシェルとを備えており、
前記シェルの夫々は、前記横方向と交差する内側平面部と、前記横方向と交差する外側平面部とを有しており、
前記コネクタの夫々において、前記シェルは、前記連結部材に固定されており、前記外側平面部は、対応する前記位置決め部の前記受止部と接触しており、前記内側平面部は、対応する前記弾性部と接触している
コネクタ組立体。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2019096571.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月14日(2020.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池の正極および負極として用いられる電極の製造方法であって、
集電体の表面に第１層用スラリーを塗工する工程と、
前記第１層用スラリーが乾燥する前に、前記第１層用スラリー上に第２層用スラリーを塗工する工程と、
前記第１層用スラリーおよび前記第２層用スラリーの塗工後、前記第１層用スラリーおよび前記第２層用スラリーを乾燥させ、前記集電体上に第１層および第２層がこの順に積層された積層構造を得る工程と、
を含み、
前記第１層用スラリーに用いる第１のバインダまたは増粘剤を溶媒中に特定の質量割合で溶解させた第１溶液と、前記第２層用スラリーに用いる第２のバインダまたは増粘剤を溶媒中に前記第１のバインダまたは増粘剤の前記質量割合と同じ質量割合で溶解させた第２溶液とは、同じ条件で粘度を測定したとき、前記第１溶液の粘度が前記第２溶液の粘度よりも高い、二次電池用電極の製造方法。
【請求項２】
前記第１層用スラリーおよび前記第２層用スラリーの粘度は、２５℃においてせん断速度１／ｓｅｃで測定したとき、前記第１層用スラリーの粘度が１２０００ｍＰａ・ｓ以上、かつ／または前記第２層用スラリーの粘度が４０００ｍＰａ・ｓ以上である、請求項１に記載の二次電池用電極の製造方法。
【請求項３】
前記第２層用スラリーの前記粘度が４０００ｍＰａ・ｓ以上であり、かつ、前記第１層用スラリーの前記粘度は５０００ｍＰａ・ｓ以上である請求項１または２に記載の二次電池用電極の製造方法。
【請求項４】
前記第１層用スラリーおよび前記第２層用スラリーの前記粘度は、５００００ｍＰａ・ｓ以上、２０００００ｍＰａ・ｓ以下である請求項２または３に記載の二次電池用電極の製造方法。
【請求項５】
前記第１層用スラリーおよび／または前記第２層用スラリーは、２５℃においてせん断速度５／ｓｅｃで測定したときの粘度が、２５℃においてせん断速度１／ｓｅｃで測定したときの前記粘度の半分以下である請求項１から４のいずれか一項に記載の二次電池用電極の製造方法。
【請求項６】
前記第１層は活物質層であり、かつ、前記第２層は絶縁層である、請求項１から５のいずれか一項に記載の二次電池用電極の製造方法。
【請求項７】
前記第１層用スラリーを塗工した後、前記第２層用スラリーを塗工する前に、前記第１層用スラリーの少なくとも表面を冷却する工程をさらに含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の二次電池用電極の製造方法。
【請求項８】
前記第２層用スラリーの固形分比が５０質量％以上である請求項１から７のいずれか一項に記載の二次電池用電極の製造方法。
【請求項９】
前記第２層用スラリーにおける前記第２のバインダまたは増粘剤の組成比が２質量％よりも高い請求項１から８のいずれか一項に記載の二次電池用電極の製造方法。
【請求項１０】
二次電池の正極および負極として用いられる電極の製造方法であって、
集電体の表面に第１層用スラリーを塗工する工程と、
前記第１層用スラリーが乾燥する前に、前記第１層用スラリー上に第２層用スラリーを塗工する工程と、
前記第１層用スラリーおよび前記第２層用スラリーの塗工後、前記第１層用スラリーおよび前記第２層用スラリーを乾燥させ、前記集電体上に第１層および第２層がこの順に積層された積層構造を得る工程と、
を含み、
前記第１層用スラリーに用いる第１のバインダまたは増粘剤の分子量は、前記第２層用スラリーに用いる第２のバインダまたは増粘剤よりも大きい、二次電池用電極の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月5日(2020.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられたマークを撮像可能な第１カメラが設けられ、部品を保持して前記基板に搭載する第１ヘッドユニットと、
前記第１カメラによって撮像可能な複数の第１基準マークと第２ヘッドユニットに設けられた第２カメラによって撮像可能な第２基準マークとが印刷された単一の治具と、
前記第１カメラから得られた前記複数の第１基準マークの画像に基づいて前記複数の第１基準マークの位置を算出し、前記第２カメラから得られた前記第２基準マークの画像に基づいて前記第２基準マークの位置を算出し、前記複数の第１基準マークの位置と前記第２基準マークの位置とに基づいて前記第１ヘッドユニットの座標系と前記第２ヘッドユニットの座標系とを一致させる制御部と、を備え、
前記第１カメラによって撮像可能な第１撮像可能領域と前記第２カメラによって撮像可能な第２撮像可能領域とは互いに重複しないものとされ、前記複数の第１基準マークが前記第１撮像可能領域内に位置し、前記第２基準マークが前記第２撮像可能領域内に位置している部品実装機。
【請求項２】
前記基板を搬送する基板搬送路を備え、
前記基板の搬送方向と直交する方向において、前記基板搬送路の一側に少なくとも一つの前記治具が配設され、前記基板搬送路の他側に少なくとも一つの前記治具が配設されている請求項１に記載の部品実装機。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板に前記部品を搭載する生産動作中に定期的に前記第１基準マークの位置と前記第２基準マークの位置とを算出し、前記第１ヘッドユニットの座標系と前記第２ヘッドユニットの座標系とを一致させる請求項１または請求項２に記載の部品実装機。
【請求項４】
前記第２ヘッドユニットは、前記第１ヘッドユニットが設けられた実装機と同じ実装機に設けられたものである請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の部品実装機。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の部品実装機である第１実装機と、前記第２ヘッドユニットが設けられた第２実装機と、を備え、前記第１実装機と前記第２実装機が前記基板の搬送方向に並んで連結された実装ラインであって、
前記治具は、前記第１実装機と前記第２実装機の中間に配設されている実装ライン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本明細書によって開示される部品実装機は、基板に設けられたマークを撮像可能な第１カメラが設けられ、部品を保持して前記基板に搭載する第１ヘッドユニットと、前記第１カメラによって撮像可能な複数の第１基準マークと第２ヘッドユニットに設けられた第２カメラによって撮像可能な第２基準マークとが印刷された単一の治具と、前記第１カメラから得られた前記複数の第１基準マークの画像に基づいて前記複数の第１基準マークの位置を算出し、前記第２カメラから得られた前記第２基準マークの画像に基づいて前記第２基準マークの位置を算出し、前記複数の第１基準マークの位置と前記第２基準マークの位置とに基づいて前記第１ヘッドユニットの座標系と前記第２ヘッドユニットの座標系とを一致させる制御部と、を備え、前記第１カメラによって撮像可能な第１撮像可能領域と前記第２カメラによって撮像可能な第２撮像可能領域とは互いに重複しないものとされ、前記複数の第１基準マークが前記第１撮像可能領域内に位置し、前記第２基準マークが前記第２撮像可能領域内に位置している構成とした。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月13日(2020.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の第１信号線と、前記一対の第１信号線との間に隙間を設けて配置される一対の第２信号線とを含む導電パターンと、
前記一対の第１信号線と前記一対の第２信号線とを接続するコモンモードフィルタと、
スリットにより間隔が設けられるグランドパターンと、
前記導電パターンと、前記グランドパターンとの間に介在して、前記導電パターンと、前記グランドパターンとを電気的に絶縁する絶縁層と、を備え、
平面視において前記隙間が前記スリットの少なくとも一部に重なるように前記グランドパターンが設けられた、
コモンモードフィルタ実装基板。
【請求項２】
前記スリットにより前記グランドパターンが第１パターンと第２パターンとに分割される、
請求項１に記載のコモンモードフィルタ実装基板。
【請求項３】
平面視において、前記隙間が、前記第１パターンの一部に重なるように前記グランドパターンが設けられた、
請求項２に記載のコモンモードフィルタ実装基板。
【請求項４】
平面視において、前記隙間が、前記第１パターンの一部と前記第２パターンの一部の両方に重なるように前記スリットが設けられた、
請求項２に記載のコモンモードフィルタ実装基板。
【請求項５】
平面視において、前記隙間の全部が前記スリットの一部に重なるように前記グランドパターンが設けられた、
請求項２に記載のコモンモードフィルタ実装基板。
【請求項６】
電源から送られる信号波形のうち直流成分を通し交流成分を低減するように、前記第１パターンと前記第２パターンとを接続する、ノッチフィルタとローパスフィルタのいずれか一方をさらに備えた、
請求項２から５のいずれか１項に記載のコモンモードフィルタ実装基板。
【請求項７】
前記ノッチフィルタはビーズである、
請求項６に記載のコモンモードフィルタ実装基板。
【請求項８】
前記第１パターンまたは前記第２パターンは、前記電源に接続される端子部を含む、
請求項６または７に記載のコモンモードフィルタ実装基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本開示のコモンモードフィルタ実装基板は、導電パターンと、コモンモードフィルタと、グランドパターンと、絶縁層とを備える。導電パターンは、一対の第１信号線と、一対の第１信号線との間に隙間を設けて配置される一対の第２信号線と、を含む。コモンモードフィルタは、一対の第１信号線と一対の第２信号線とを接続する。グランドパターンは、スリットにより間隔が設けられている。絶縁層は、導電パターンとグランドパターンとの間に介在し、導電パターンとグランドパターンとを電気的に絶縁する。さらに、平面視において一対の第１信号線と一対の第２信号線との間の隙間が、第１パターンの一部に重なるようにグランドパターンが設けられている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月27日(2020.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子マネーを利用した決済を実行するゲームシステムであって、
サービスの利用時に、プレイヤから電子マネーを利用する決済のためのサービスの利用に関する設定情報としてプレイヤが利用したサービスの種類とサービスの利用時の決済にプレイヤが利用した電子マネーの種類との入力を受け付ける設定情報受付手段と、
電子マネー情報を記録する記録媒体から電子マネー情報を読み取る電子マネー情報読取手段と、
プレイヤから受け付けたサービスの利用に関する設定情報に対応する決済を、前記記録媒体から読み取った電子マネー情報を利用して実行する決済手段と、
プレイヤからプレイヤ情報に紐付く情報の入力を受け付け、前記情報に紐付く前記プレイヤ情報を取得することでプレイヤを特定するプレイヤ特定手段と、
特定したプレイヤが入力したサービスの利用に関する設定情報を前記プレイヤのプレイヤ情報に第一の設定情報として記録する設定情報記録手段と、
を有し、
前記設定情報受付手段は、前記設定情報記録手段に記録されていない前記サービスの種類をプレイヤが選択したとき、プレイヤにより選択された前記サービスの種類と前記設定情報記録手段に記録されている前記電子マネーの種類とを組み合わせて、一の操作で前記設定情報の入力をプレイヤから受け付ける画面を生成すること
を特徴とするゲームシステム。
【請求項２】
前記設定情報受付手段は、プレイヤにより選択された前記サービスの種類の対価より少ない残高の前記電子マネーの種類は、プレイヤにより選択された前記サービスの種類との組み合わせの対象外とすること
を特徴とする請求項１記載のゲームシステム。
【請求項３】
電子マネーを利用した決済を実行するゲーム装置であって、
サービスの利用時に、プレイヤから電子マネーを利用する決済のためのサービスの利用に関する設定情報としてプレイヤが利用したサービスの種類とサービスの利用時の決済にプレイヤが利用した電子マネーの種類との入力を受け付ける設定情報受付手段と、
電子マネー情報を記録する記録媒体から電子マネー情報を読み取る電子マネー情報読取手段と、
プレイヤから受け付けたサービスの利用に関する設定情報に対応する決済を、前記記録媒体から読み取った電子マネー情報を利用して実行する決済手段と、
プレイヤからプレイヤ情報に紐付く情報の入力を受け付け、前記情報に紐付く前記プレイヤ情報を取得することでプレイヤを特定するプレイヤ特定手段と、
特定したプレイヤが入力したサービスの利用に関する設定情報を前記プレイヤのプレイヤ情報に第一の設定情報として記録する設定情報記録手段と、
を有し、
前記設定情報受付手段は、前記設定情報記録手段に記録されていない前記サービスの種類をプレイヤが選択したとき、プレイヤにより選択された前記サービスの種類と前記設定情報記録手段に記録されている前記電子マネーの種類とを組み合わせて、一の操作で前記設定情報の入力をプレイヤから受け付ける画面を生成すること
を特徴とするゲーム装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本願請求項１は、電子マネーを利用した決済を実行するゲームシステムであって、サービスの利用時に、プレイヤから電子マネーを利用する決済のためのサービスの利用に関する設定情報としてプレイヤが利用したサービスの種類とサービスの利用時の決済にプレイヤが利用した電子マネーの種類との入力を受け付ける設定情報受付手段と、電子マネー情報を記録する記録媒体から電子マネー情報を読み取る電子マネー情報読取手段と、プレイヤから受け付けたサービスの利用に関する設定情報に対応する決済を、前記記録媒体から読み取った電子マネー情報を利用して実行する決済手段と、プレイヤからプレイヤ情報に紐付く情報の入力を受け付け、前記情報に紐付く前記プレイヤ情報を取得することでプレイヤを特定するプレイヤ特定手段と、特定したプレイヤが入力したサービスの利用に関する設定情報を前記プレイヤのプレイヤ情報に第一の設定情報として記録する設定情報記録手段と、を有し、前記設定情報受付手段は、前記設定情報記録手段に記録されていない前記サービスの種類をプレイヤが選択したとき、プレイヤにより選択された前記サービスの種類と前記設定情報記録手段に記録されている前記電子マネーの種類とを組み合わせて、一の操作で前記設定情報の入力をプレイヤから受け付ける画面を生成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月14日(2020.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記複数の第１導体パッチは、前記第１方向と前記第２方向とで逆位相で共振する形状を有し、
前記１つの第１方向パッチ及び前記第２方向パッチは、互いに逆位相で共振する形状を有する、
請求項２又は３に記載の反射低減装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記第１パッチ群の外縁は、前記第１方向の辺と前記第２方向の辺とを有し、
前記第１方向パッチは、前記外縁の第１方向の辺に沿って設けられ、
前記第２方向パッチは、前記外縁の第２方向の辺に沿って、前記第１方向パッチと隣接するように設けられている、
請求項４又は５に記載の反射低減装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月26日(2020.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をエッチングする方法であって、
前記基板上に堆積膜を形成する工程であり、該堆積膜は第１のガスから生成されたプラズマに含まれる化学種から形成され、該基板は、第１領域及び該第１領域の材料とは異なる材料から形成された第２領域を有する、該工程と、
その上に前記堆積膜が形成された前記基板に、前駆体ガスを供給する工程であり、該前駆体ガスを用いて該基板上に吸着膜を形成する、該工程と、
その上に前記堆積膜及び前記吸着膜が形成された前記基板に第２のガスから生成されたプラズマからのイオンを供給して前記第１領域の前記材料と前記堆積膜に含まれる前記化学種とを反応させることにより、前記第２領域に対して選択的に前記第１領域をエッチングする工程であり、前記吸着膜によって前記第２領域のエッチングレートを減少させる、該工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記吸着膜は、前記第２領域をエッチングする前記堆積膜中の化学種の量を減少させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記堆積膜は、炭素、水素、及びフッ素を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１領域は、窒化シリコンから形成されている、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記吸着膜は、前記第２領域をエッチングする前記堆積膜中のフッ素の量を減少させる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のガスは、ハイドロフルオロカーボンガスを含む、請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ハイドロフルオロカーボンガスは、ＣＨ３Ｆガスを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２領域は、シリコンを含む、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記吸着膜は、シリコンを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記前駆体ガスは、シリコン含有ガスである、請求項１〜９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
基板をエッチングする方法であって、
第１領域及び該第１領域とは異なる材料から形成された第２領域を有する基板を提供する工程と、
前記基板上に堆積膜を形成する工程と、
前記堆積膜がその上に形成された前記基板上に単分子の吸着膜を形成する工程と、
その上に前記堆積膜及び前記吸着膜が形成された前記基板にプラズマからのイオンを供給して前記第１領域の材料と前記堆積膜に含まれる化学種とを反応させることにより、前記第２領域に対して選択的に前記第１領域をエッチングする工程であり、前記吸着膜によって前記第２領域のエッチングレートを減少させる、該工程と、
を含む方法。
【請求項１２】
前記第１領域が前記基板において開口を画成する底部であり、前記第２領域が該開口を画成する側部であるように、前記基板に該開口を形成する工程を更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板は、前記第１領域及び前記第２領域を含む膜を含み、前記開口は該膜に形成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記膜は、シリコン酸化膜又はＳｉＯＣＨ膜である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記堆積膜は、炭素及びフッ素を含み、前記吸着膜は、前記堆積膜におけるフッ素の量を減少させる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
内部空間を有するチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間の中で基板を支持する支持台と、
前記チャンバの前記内部空間に、第１のガス、第２のガス、及び前駆体ガスを含む複数のガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバの前記内部空間の中のガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、第１領域及び該第１領域とは異なる材料から形成された第２領域を有する基板が前記支持台上に載置された状態で、前記チャンバの前記内部空間の中で前記第１のガスからプラズマを生成するよう、前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御し、前記第１のガスから生成された前記プラズマに含まれる化学種から前記基板上に堆積膜が形成され、
前記制御部は、その上に前記堆積膜が形成された前記基板が前記支持台上に載置された状態で、該基板に前記前駆体ガスを供給するよう、前記ガス供給部を制御し、該前駆体ガスに含まれる前駆体から該基板上に吸着膜が形成され、
前記制御部は、その上に前記堆積膜及び前記吸着膜が形成された前記基板が前記支持台上に載置された状態で、前記内部空間の中で前記第２のガスからプラズマを生成するよう、前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御し、該第２のガスから生成されたプラズマからのイオンが該基板に供給され、前記第１領域の材料と前記堆積膜に含まれる前記化学種とが反応して、前記第１領域がエッチングされ、
前記吸着膜は、前記第１領域のエッチング中の前記第２領域のエッチングレートを減少させる、
プラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月20日(2020.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．以下の式Ｉ及びＩＩ、
Ｉ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
ＩＩ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸmＲ1pＲ2-m-p−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、Ｒ及びＲ1が、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基から選択され、ｎ＝１、２、又は３であり、ｍ＝０、１、又は２であり、及びｐ＝０又は１である）を有する化合物の群から選択される、少なくとも１つのハライドシロキサン前駆体を、反応器中に導入する工程と、
ｃ．パージガスで反応器をパージする工程と、
ｄ．反応器中に酸素源を導入する工程と、
ｅ．パージガスで反応器をパージする工程と
を含む、基材の少なくとも表面上に酸化ケイ素膜を堆積するための方法であって、
所望の厚さの酸化ケイ素が堆積されるまで、工程ｂ〜ｅが繰り返され、
プロセスが、約６５０〜１０００℃の範囲の１つ又は複数の温度で行われる、方法。
【請求項２】
ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．以下の式Ｉ及びＩＩ、
Ｉ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
ＩＩ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸmＲ1pＲ2-m-p−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、Ｒ及びＲ1が、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基から選択され、ｎ＝１、２、又は３であり、ｍ＝０、１、又は２であり、及びｐ＝０又は１である）を有する化合物の群から選択される少なくとも１つのハライドシロキサン前駆体を、反応器中に導入する工程と、
ｃ．パージガスで反応器をパージする工程と、
ｄ．反応器中に酸素源を導入する工程と、
ｅ．パージガスで反応器をパージする工程と、
ｆ．ヒドロキシル含有源を反応器中に導入する工程と、
ｇ．パージガスで反応器をパージする工程と
を含む、酸化ケイ素膜を堆積するための方法であって、
所望の厚さが堆積されるまで工程ｂ〜ｇが繰り返され、プロセスの温度が６５０℃〜１０００℃の範囲であり、圧力が５０ミリＴｏｒｒ（ｍＴ）〜７６０Ｔｏｒｒの範囲である、方法。
【請求項３】
ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．以下の式Ｉ及びＩＩ、
Ｉ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
ＩＩ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸmＲ1pＲ2-m-p−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、Ｒ及びＲ1が、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基から選択され、ｎ＝１、２、又は３であり、ｍ＝０、１、又は２であり、及びｐ＝０又は１である）を有する化合物の群から選択される、少なくとも１つのハライドシロキサン前駆体を、反応器中に導入する工程と、
ｃ．パージガスで反応器をパージする工程と、
ｄ．反応器中に酸素源を導入する工程と、
ｅ．パージガスで反応器をパージする工程と
を含む、酸化ケイ素膜を堆積するための方法であって、
所望の厚さが堆積されるまで工程ｂ〜ｅが繰り返され、
前記方法の温度が６５０〜１０００℃の範囲であり、圧力が５０ミリＴｏｒｒ（ｍＴｏｒｒ）〜７６０Ｔｏｒｒの範囲であり、前記前駆体が、Ｓｉ−Ｍｅ又はＳｉ−Ｃｌ基を含む少なくとも１つのアンカー官能基及び不動態化官能基を含む、方法。
【請求項４】
以下の式Ｉ及びＩＩ、
Ｉ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
ＩＩ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸmＲ1pＲ2-m-p−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、Ｒ及びＲ1が、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基から選択され、ｎ＝１、２、又は３であり、ｍ＝０、１、又は２であり、及びｐ＝０又は１である）を有する化合物の群から選択される、少なくとも１つのハライドシロキサン前駆体を含むケイ素含有膜を堆積するのに使用するための、組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月19日(2020.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の被処理面に対向し、前記被処理面に向けて開口した凹部を有するノズルヘッドと、前記ノズルヘッドに設けられた、前記被処理面に処理液を供給する処理液供給ノズル、前記被処理面に向けて気体を吐出する気体吐出ノズル、とを有し、前記被処理面に対して、前記処理液による処理と、前記気体を用いた乾燥処理を行なう基板処理装置において、
前記被処理面に対する前記処理液によるリンス処理が終了し、かつ前記気体を用いた乾燥処理が開始されるまでの期間に、前記気体吐出ノズルから、前記基板の被処理面までは届かない程度の流量の気体を吐出させる期間が存在するように前記気体吐出ノズルの吐出状態を制御する制御部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
気体供給源と、
前記気体供給源と前記気体噴出ノズルとを接続する給気管と、
前記給気管に設けられる流量調整弁と、
を有し、
前記制御部は、前記被処理面に対する前記処理液によるリンス処理が終了し、かつ前記気体を用いた乾燥処理が開始されるまでの期間に、前記気体吐出ノズルから、前記基板の被処理面までは届かない程度の流量の気体を吐出させる期間が存在するように、前記流量調整弁を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記気体吐出ノズルから、前記基板の被処理面までは届かない程度の流量の気体を吐出させる状態が予め設定した時間経過すると、前記気体の流量が、前記状態での流量よりも増加するように前記流量制御弁を制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記気体吐出ノズルから、前記基板の被処理面までは届かない程度の流量の気体を吐出させる期間は、前記リンス処理中から開始されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
１つの実施形態による基板処理装置によれば、
基板の被処理面に対向し、前記被処理面に向けて開口した凹部を有するノズルヘッドと、前記ノズルヘッドに設けられた、前記被処理面に処理液を供給する処理液供給ノズル、前記被処理面に向けて気体を吐出する気体吐出ノズル、とを有し、前記被処理面に対して、前記処理液による処理と、前記気体を用いた乾燥処理を行なう基板処理装置において、
前記被処理面に対する前記処理液によるリンス処理が終了し、かつ前記気体を用いた乾燥処理が開始されるまでの期間に、前記気体吐出ノズルから、前記基板の被処理面までは届かない程度の流量の気体を吐出させる期間が存在するように前記気体吐出ノズルの吐出状態を制御する制御部と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月8日(2020.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このような構成の蓄電モジュールによると、絶縁プロテクタを蓄電素子群に組み付ける際の蓄電素子の並び方向の寸法誤差等による収容枠間の隙間にばらつきがある場合でも、蓄電素子群に接続モジュールを取り付ける際に、連結部が伸縮することで隣り合う前記収容枠間の隙間の大きさを変化させることができ、隣り合う収容枠間の寸法誤差を吸収することができる。これにより、接続モジュールの蓄電素子群への取り付けの際に、蓄電素子の並び方向における寸法誤差等に起因した取り付け作業の不具合を防ぐことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
収容枠８２は、図２に示すように、左右方向に長い扁平な略矩形枠型状に形成されており、収容枠８２内には、複数のバスバ６０が左右方向に並んで配置されるようになっている。なお、本実施形態では、蓄電素子群２０の後側に配される接続モジュール４０の右側端部および図示しない左側端部のバスバ保持部８１は、３つのバスバ６０を保持しており、蓄電素子群２０の後側に配される接続モジュール４０において右側端部および左側端部を除くその他のバスバ保持部８１と、蓄電素子群２０の前側に配される接続モジュール４０の全てのバスバ保持部８１は、５つのバスバ６０を保持する構成とされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
収容枠８２は、図１０に示すように、蓄電素子２１の並び方向に延びて、かつ並び方向と直交する方向に対向する一対の長辺壁８２Ｂと、収容枠８２の左右方向両端部において並び方向と直交する方向に一対の長辺壁８２Ｂを連結する短辺壁（「壁部」の一例）８２Ａとによって構成されている。短辺壁８２Ａのそれぞれの下部には、図５および図９に示すように、収容枠８２の長辺壁８２Ｂよりも下方に突出した突出片８３が設けられている。突出片８３は、接続モジュール４０が蓄電素子群２０に取り付けられた状態では、蓄電素子２１における絶縁支持部２５に対して左右方向に係止可能となっており、バスバ保持部８１が蓄電素子群２０に対して左右方向に位置ずれすることを防ぐことができるようになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
位置決め突片８８は、図４および図１３に示すように、支持部８４よりも下方に突出した側面視逆台形の板状をなし、位置決め突片８８の収容枠８２からの突出寸法Ｌ１は、蓄電素子群２０の素子間凹部２８の深さ寸法Ｌ２よりも小さく設定されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
本実施形態の接続モジュール４０では、バスバ６０がバスバ保持部８１の抜止部８５との間において公差吸収クリアランスＣＬ１を有すると共に、電極端子２２の突部２４との間にクリアランスを有した状態で配されており、各クリアランス内においてバスバ６０が蓄電素子２１の並び方向に移動可能となっている。また、バスバ６０の端子接続部６１の長さ寸法は、隣り合う蓄電素子２１の電極間ピッチにおける最大ばらつき量と電極端子２２における端子接続部６１との接続領域の長さ寸法との和よりも大きく設定されている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月29日(2020.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に沿って積層された複数の電極を含む積層体と、
前記電極の縁部に接合された第１封止部を含み、隣り合う前記電極の間の内部空間を形成すると共に前記内部空間を封止する封止体と、
前記内部空間に収容されたアルカリ溶液を含む電解液と、
を備えた蓄電モジュールであって、
前記電極は、複数のバイポーラ電極と負極終端電極とを含み、
前記バイポーラ電極は、第１面及び前記第１面の反対側の第２面を含む電極板と、前記第１面に設けられた正極と、前記第２面に設けられた負極と、を含み、
前記負極終端電極は、第３面及び前記第３面の反対側の第４面を含む電極板と前記第４面に設けられた負極とを含み、前記第４面が前記バイポーラ電極の電極板の前記第１面を向くように、前記第１方向の前記積層体の一端に配置されており、
前記電解液が前記内部空間から前記負極終端電極を伝って前記蓄電モジュールの外部に至る経路上に、前記内部空間とは別の余剰空間を有し、
前記積層体は、前記負極終端電極の前記電極板に対して前記第１方向の外側に配置された金属板を有し、
前記余剰空間は、前記第１封止部と前記負極終端電極の電極板と前記金属板とによって形成され、前記蓄電モジュールの外部に対して気密性を有している、蓄電モジュール。
【請求項２】
前記第１封止部は、前記負極終端電極の前記第３面に溶着された第１樹脂部を含み、
前記金属板は、前記負極終端電極の前記第３面に対向する第５面と前記第５面と反対側の第６面とを含み、前記第５面の周縁部において前記第１樹脂部に溶着されている、
請求項１に記載の蓄電モジュール。
【請求項３】
第１方向に沿って積層された複数の電極を含む積層体と、
前記第１方向における前記積層体の一端に設けられた金属板と、
前記電極に接合された第１封止部を含み、隣り合う前記電極の間の内部空間を形成すると共に前記内部空間を封止する封止体と、
前記内部空間に収容されたアルカリ溶液を含む電解液と、
を備え、
前記電極は、複数のバイポーラ電極と負極終端電極とを含み、
前記封止体は、前記負極終端電極と前記金属板との間に配置された第１樹脂部を含み、
前記第１方向における前記第１樹脂部の一方の面は、前記負極終端電極に接合され、
前記第１方向における前記第１樹脂部の他方の面は、前記金属板に接合されている、蓄電モジュール。
【請求項４】
前記バイポーラ電極は、第１面及び前記第１面の反対側の第２面を含む電極板と、前記第１面に設けられた正極と、前記第２面に設けられた負極と、を含み、
前記負極終端電極は、第３面及び前記第３面の反対側の第４面を含む電極板と前記第４面に設けられた負極とを含み、前記第４面が前記バイポーラ電極の電極板の前記第１面を向くように、前記第１方向の前記積層体の前記一端において前記バイポーラ電極と前記金属板との間に配置されており、
前記金属板は、前記負極終端電極の前記第３面に対向する第５面と前記第５面と反対側の第６面とを含み、前記第５面の周縁部において前記第１樹脂部に溶着されている、
請求項３に記載の蓄電モジュール。
【請求項５】
前記第６面の周縁部から前記第１樹脂部にわたって延在して配置され、前記第６面及び前記第１樹脂部に溶着された第２樹脂部をさらに備えている、
請求項２又は４に記載の蓄電モジュール。
【請求項６】
複数の前記第１封止部及び前記第２樹脂部を外側から包囲するように前記第１封止部及び前記第２樹脂部に接合された第２封止部をさらに備え、
前記第２封止部は、前記第１方向からみて前記金属板及び前記第２樹脂部に重複する重複部を含むと共に、前記重複部において前記第２樹脂部に溶着されている、
請求項５に記載の蓄電モジュール。
【請求項７】
前記金属板は、前記第１樹脂部に溶着された枠状の被溶着部と、前記被溶着部の内側において前記被溶着部よりも前記負極終端電極の前記第３面側に位置して前記第３面に接触された被接触部と、を含む、
請求項２，４〜６のいずれか一項に記載の蓄電モジュール。
【請求項８】
前記第３面、前記第５面及び前記第６面の前記封止体に溶着される領域は、粗面化されている、請求項２，４〜７のいずれか一項に記載の蓄電モジュール。
【請求項９】
前記金属板は、前記電極板である、
請求項２，４〜８のいずれか一項に記載の蓄電モジュール。
【請求項１０】
前記金属板は、当該蓄電モジュールの外側に臨む領域を有している、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の蓄電モジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月10日(2020.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１ａ）を有し、複数の接続部（１５）を前記一面側に備える半導体チップ（１）と、
前記接続部を介して前記半導体チップが搭載される基板（３）と、
前記半導体チップと前記基板との隙間に配置されるアンダーフィル（２）と、を備え、
前記接続部の一部は、高周波を伝送する高周波用接続部（１５１）であり、
前記一面に対する法線方向から見て、前記高周波用接続部と他の前記接続部との間には壁部（１６）が配置され、
前記壁部は、前記法線方向から見て、該高周波用接続部と他の前記接続部とを区画しており、
前記高周波用接続部は、前記アンダーフィルから露出しており、
複数の前記接続部のうち前記高周波用接続部と異なる前記接続部は、前記アンダーフィルにより覆われており、
前記高周波用接続部は、前記法線方向から見て前記半導体チップのうち最も外周側に配置されている半導体装置。
【請求項２】
前記基板は、前記高周波用接続部と電気的に接続された高周波用配線（３３）をさらに有し、
前記高周波用配線は、前記アンダーフィルから露出している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
一面（１ａ）を有し、複数の接続部（１５）を前記一面側に備える半導体チップ（１）と、
前記接続部を介して前記半導体チップが搭載される基板（３）と、
前記半導体チップと前記基板との隙間に配置されるアンダーフィル（２）と、を備え、
前記接続部の一部は、高周波を伝送する高周波用接続部（１５１）であり、
前記一面に対する法線方向から見て、前記高周波用接続部と他の前記接続部との間には壁部（１６）が配置され、
前記壁部は、前記法線方向から見て、該高周波用接続部と他の前記接続部とを区画しており、
前記高周波用接続部は、前記アンダーフィルから露出しており、
複数の前記接続部のうち前記高周波用接続部と異なる前記接続部は、前記アンダーフィルにより覆われており、
前記基板は、前記高周波用接続部と電気的に接続された高周波用配線（３３）をさらに有し、
前記高周波用配線は、前記アンダーフィルから露出している半導体装置。
【請求項４】
前記壁部は、前記半導体チップの前記一面側に形成されている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップの前記一面側には、素子部（１７）がさらに形成されており、
前記素子部は、前記法線方向から見て、前記壁部を第１壁部（１６１）として、第２壁部（１６２）に囲まれていると共に、前記アンダーフィルから露出しており、
前記第２壁部は、前記半導体チップの前記一面側に形成されている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記壁部は、複数の前記接続部のうちグラウンド電位に接続される壁状のグラウンド接続部（１５２ａ）で構成されている請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記壁部は、複数の前記接続部とは異なるものである請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の半導体装置は、一面（１ａ）を有し、複数の接続部（１５）を一面側に備える半導体チップ（１）と、接続部を介して半導体チップが搭載される基板（３）と、半導体チップと基板との隙間に配置されるアンダーフィル（２）と、を備える。このような構成において、接続部の一部は、高周波を伝送する高周波用接続部（１５１）であり、一面に対する法線方向から見て、高周波用接続部と他の接続部との間には壁部（１６）が配置され、壁部は、該法線方向から見て、該高周波用接続部と他の接続部とを区画しており、高周波用接続部は、アンダーフィルから露出しており、複数の接続部のうち高周波用接続部と異なる接続部は、アンダーフィルにより覆われており、高周波用接続部は、法線方向から見て半導体チップのうち最も外周側に配置されている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月29日(2020.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持装置と、基板の上面をスクラブする処理ヘッドとを備えた基板処理装置であって、
前記基板保持装置は、
前記基板を保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダに保持された前記基板を回転させる基板回転機構とを備え、
前記基板ホルダは、前記基板の最外周面を保持する保持チャックを備えており、
前記保持チャックは、前記基板が前記保持チャックに保持された状態において、前記基板の上面よりも上方に突出しないように、前記基板の上面よりも下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記保持チャックは、前記基板の周方向に沿って等間隔に配置された複数のチャック部材を備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板保持装置は、前記保持チャックの前記基板との接触面を洗浄する洗浄機構を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板ホルダは、
前記保持チャックを前記基板に近接する方向に移動させるプッシャと、
前記保持チャックを前記基板から離間する方向に移動させるリリーサとを備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板保持装置は、前記基板を吸引保持する基板吸引機構を備えていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板保持装置は、前記基板を前記基板ホルダの上方まで押し上げる基板押し上げ機構を備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板回転機構は、
前記基板ホルダを支持するホルダ支持部材と、
前記ホルダ支持部材に連結され、前記ホルダ支持部材を前記基板の軸心を中心として回転させる回転装置とを備えていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板を保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダに保持された前記基板を回転させる基板回転機構とを備え、
前記基板ホルダは、前記基板の最外周面を保持する保持チャックを備えており、
前記保持チャックは、前記基板が前記保持チャックに保持された状態において、前記基板の上面よりも上方に突出しないように、前記基板の上面よりも下方に配置されていることを特徴とする基板保持装置。
【請求項９】
前記保持チャックは、前記基板の周方向に沿って等間隔に配置された複数のチャック部材を備えていることを特徴とする請求項８に記載の基板保持装置。
【請求項１０】
前記基板保持装置は、前記保持チャックの前記基板との接触面を洗浄する洗浄機構を備えていることを特徴とする請求項８または９に記載の基板保持装置。
【請求項１１】
前記基板ホルダは、
前記保持チャックを前記基板に近接する方向に移動させるプッシャと、
前記保持チャックを前記基板から離間する方向に移動させるリリーサとを備えていることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１２】
前記基板保持装置は、前記基板を吸引保持する基板吸引機構を備えていることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１３】
前記基板保持装置は、前記基板を前記基板ホルダの上方まで押し上げる基板押し上げ機構を備えていることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１４】
前記基板回転機構は、
前記基板ホルダを支持するホルダ支持部材と、
前記ホルダ支持部材に連結され、前記ホルダ支持部材を前記基板の軸心を中心として回転させる回転装置とを備えていることを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月2日(2020.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエステル樹脂、及び脂肪酸金属塩を含有するトナー粒子を有するトナーであって、
該トナーは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定される分子量１０００以上５０００以下のテトラヒドロフラン可溶成分Ａを２５質量％以上８０質量％以下含有し、
該脂肪酸金属塩の該テトラヒドロフラン可溶成分Ａに対する質量比が、０．００３以上０．０６０以下であることを特徴とするトナー。
【請求項２】
透過型電子顕微鏡を用いた前記トナー粒子の断面において、
前記脂肪酸金属塩の数平均分散径が、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記脂肪酸金属塩の融点が、８０℃以上１７０℃以下である、請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
前記脂肪酸金属塩は、ステアリン酸マグネシウム、ジステアリン酸マグネシウム、ラウリン酸カルシウム、及びジラウリン酸カルシウムからなる群より選ばれる少なくとも１つの脂肪酸金属塩を含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項５】
前記ポリエステル樹脂が、低分子量ポリエステル樹脂（Ｌ）および高分子量ポリエステル樹脂（Ｈ）を含有し、
該高分子量ポリエステル樹脂（Ｈ）のピーク分子量（Ｍｐ）が９０００以上１３０００以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項６】
前記低分子量ポリエステル樹脂（Ｌ）のピーク分子量（Ｍｐ）が２５００以上７０００以下である、請求項５に記載のトナー。
【請求項７】
前記高分子量ポリエステル樹脂（Ｈ）の、前記低分子量ポリエステル樹脂（Ｌ）に対する質量比（Ｈ／Ｌ）が、１０／９０以上６０／４０以下である、請求項５または６に記載のトナー。
【請求項８】
前記脂肪酸金属塩の含有量が、前記ポリエステル樹脂１００質量部に対して、０．１質
量部以上５．０質量部以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項９】
記録媒体上のトナー像を、接触式熱定着により該記録媒体に定着させる定着工程を有する画像形成方法であって、
該トナー像を構成するトナーが、トナー粒子を有し、
該トナー粒子が、結着樹脂としてのポリエステル樹脂、及び脂肪酸金属塩を含有し、
該トナーは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定される分子量１０００以上５０００以下のテトラヒドロフラン可溶成分Ａを２５質量％以上８０質量％以下含有し、
該脂肪酸金属塩の該テトラヒドロフラン可溶成分Ａに対する質量比が、０．００３以上０．０６０以下であり、
透過型電子顕微鏡を用いた該トナー粒子の断面において、該脂肪酸金属塩の数平均分散径が５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、
ことを特徴とする、画像形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トナーおよび画像形成方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、
ポリエステル樹脂、脂肪酸金属塩を含有するトナー粒子を有するトナーであって、
該トナーは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定される分子量１０００以上５０００以下のテトラヒドロフラン可溶成分Ａを２５質量％以上８０質量％以下含有し、
該脂肪酸金属塩の該テトラヒドロフラン可溶成分Ａに対する質量比が、０．００３以上０．０６０以下であることを特徴とするトナーである。
また、本発明は、
記録媒体上のトナー像を、接触式熱定着により該記録媒体に定着させる定着工程を有する画像形成方法であって、
該トナー像を構成するトナーが、トナー粒子を有し、
該トナー粒子が、結着樹脂としてのポリエステル樹脂、及び脂肪酸金属塩を含有し、
該トナーは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定される分子量１０００以上５０００以下のテトラヒドロフラン可溶成分Ａを２５質量％以上８０質量％以下含有し、
該脂肪酸金属塩の該テトラヒドロフラン可溶成分Ａに対する質量比が、０．００３以上０．０６０以下であり、
透過型電子顕微鏡を用いた該トナー粒子の断面において、該脂肪酸金属塩の数平均分散径が５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする画像形成方法である。