【手続補正書】
【提出日】令和2年3月16日(2020.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリ装置及び前記不揮発性メモリ装置を制御するように構成されるコントローラを含むストレージ装置の動作方法において、
前記コントローラが前記不揮発性メモリ装置又は前記コントローラの欠陥（ｆａｕｌｔ）を検出する段階と、
前記コントローラが前記欠陥を外部のホスト装置に通知する段階と、
前記コントローラが前記欠陥を復旧する１以上の復旧方法を前記外部のホスト装置に通知する段階と、
前記外部のホスト装置によって選択される復旧方法に従って、前記コントローラが前記欠陥を復旧する段階と、を含み、
前記コントローラが前記不揮発性メモリ装置又は前記コントローラの欠陥を検出する段階は、
前記不揮発性メモリ装置に対する書込み、読出し又は消去が失敗した時に、前記書込み、読出し又は消去が失敗した格納空間の欠陥を検出する段階を含み、
前記不揮発性メモリ装置に対する書込み、読出し又は消去が失敗した時に、前記書込み、読出し又は消去が失敗した格納空間の欠陥を検出する段階は、前記不揮発性メモリ装置に予備領域が存在しない時に遂行され、
前記予備領域は、前記不揮発性メモリ装置のメモリブロックの中でローカル欠陥が発生した格納領域を代替するのに使用されることを特徴とする動作方法。
【請求項２】
前記コントローラが前記欠陥を前記外部のホスト装置に通知する段階は、
前記外部のホスト装置から受信される要請に応答して前記コントローラが、前記欠陥が発生したか否かを前記外部のホスト装置に通知する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項３】
前記コントローラが前記欠陥を前記外部のホスト装置に通知する段階は、
前記コントローラが前記外部のホスト装置から要請を受信する段階と、
前記欠陥が検出された時に前記コントローラが、前記欠陥が検出されたことを前記要請に対する応答として前記外部のホスト装置に伝送する段階と、を含み、
前記欠陥が検出されなければ、前記コントローラは、前記要請に対する応答を伝送しないことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項４】
前記不揮発性メモリ装置は、複数の不揮発性メモリチップを含み、
前記コントローラが前記不揮発性メモリ装置又は前記コントローラの欠陥を検出する段階は、
前記複数の不揮発性メモリチップの中で少なくとも１つのメモリチップが前記コントローラの制御に応答しない時、前記コントローラが前記少なくとも１つのメモリチップの欠陥を検出する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項５】
前記コントローラが前記不揮発性メモリ装置又は前記コントローラの欠陥を検出する段階は、
前記コントローラが前記外部のホスト装置の要請に従って前記不揮発性メモリ装置にアクセスする時に、前記アクセスされる格納空間が欠陥を有する（ｆａｕｌｔｙ）か否かを検出する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項６】
前記コントローラが前記不揮発性メモリ装置又は前記コントローラの欠陥を検出する段階は、
前記コントローラが前記外部のホスト装置からの要請を受けずに背景動作に従って前記不揮発性メモリ装置にアクセスする時に、前記アクセスされる格納空間が欠陥を有するか否かを検出する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項７】
前記コントローラが前記不揮発性メモリ装置又は前記コントローラの欠陥を検出する段階は、
前記コントローラが前記外部のホスト装置からスクラブ（ｓｃｒｕｂ）動作を通知する情報を受信した後に、前記コントローラが前記外部のホスト装置の要請に従って前記不揮発性メモリ装置にアクセスする時に、前記アクセスされる格納空間が欠陥を有するか否かを検出する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項８】
前記コントローラが前記欠陥を前記外部のホスト装置に通知する段階は、
前記コントローラが前記欠陥のタイプ、前記欠陥のレベル、前記欠陥が発生した格納空間のサイズ、前記欠陥が発生した格納空間のアドレス、前記欠陥が発生した格納空間の物理的特徴、及び以前に発生した欠陥のヒストリの中で少なくとも１つを通知する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項９】
前記コントローラが前記欠陥を復旧する前記１以上の復旧方法を前記外部のホスト装置に通知する段階は、
前記コントローラが前記１以上の復旧方法の各々を遂行することに伴なって予想される前記ストレージ装置の動作速度の変化、容量の変化、及び復旧遂行時間を通知する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項１０】
前記１以上の復旧方法は、
前記コントローラが前記不揮発性メモリ装置の格納空間の一部を非活性化し、前記格納空間の一部を除外した残りの格納空間をフォーマットし、前記フォーマットされた格納空間のサイズを前記ストレージ装置の格納空間のサイズに前記外部のホスト装置に報告する復旧方法を含み、
前記格納空間の一部は、前記欠陥が発生した格納空間を含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項１１】
前記１以上の復旧方法は、
前記コントローラが前記不揮発性メモリ装置の格納空間の一部の論理アドレス及び物理アドレスの間のマッピングを固定し、前記固定された論理アドレスに対するアクセスを拒否する復旧方法を含み、
前記格納空間の一部は、前記欠陥が発生した格納空間を含み、
前記動作方法は、
前記外部のホスト装置から前記固定された論理アドレスに対するアクセス要請が受信される時、前記コントローラが前記外部のホスト装置にアクセスエラーを報告する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項１２】
前記１以上の復旧方法は、
前記コントローラが前記不揮発性メモリ装置の格納空間の一部を非活性化し、前記非活性化された格納空間の一部に対するアクセス要請を残りの格納空間に対するアクセスに置換する復旧方法を含み、
前記格納空間の一部は、前記欠陥が発生した格納空間を含み、
前記動作方法は、
前記残りの格納空間が有効であるデータで満杯の時に、前記コントローラが自由論理アドレスに対する書込み要請を拒否する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項１３】
前記１以上の復旧方法は、
前記コントローラが前記不揮発性メモリ装置の格納空間の一部を非活性化し、前記非活性化された格納空間の一部のサイズだけ前記ストレージ装置の論理アドレスの範囲を減少させ、前記論理アドレスの範囲の減少によって解除される論理アドレスの中で有効であるデータに対応する論理アドレスを前記減少された論理アドレスの範囲内の論理アドレスにリマッピング（ｒｅｍａｐ）する復旧方法を含み、
前記格納空間の一部は、前記欠陥が発生した格納空間を含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項１４】
前記コントローラが前記欠陥を復旧する前記１以上の復旧方法を前記外部のホスト装置に通知する段階は、
前記コントローラが前記欠陥の特徴に基づいて複数の復旧方法の中から前記１以上の復旧方法を選択する段階と、
前記１以上の復旧方法を前記外部のホスト装置に推薦する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項１５】
ストレージ装置及び前記ストレージ装置と通信するホスト装置を含むコンピューティング装置の動作方法において、
前記ストレージ装置が前記ストレージ装置の欠陥（ｆａｕｌｔ）を検出する段階と、
前記ストレージ装置が前記欠陥を前記ホスト装置に通知する段階と、
前記ストレージ装置が前記欠陥を復旧する１以上の復旧方法を前記ホスト装置に通知する段階と、
前記ホスト装置が前記１以上の復旧方法の中で１つの復旧方法を選択する段階と、
前記選択された復旧方法に従って、前記ストレージ装置が前記欠陥を復旧する段階と、を含み、
前記ホスト装置が前記１以上の復旧方法の中で１つの復旧方法を選択する段階は、
前記ホスト装置が前記ホスト装置の状態をチェックする段階と、
前記ホスト装置の状態に従って前記ホスト装置が前記１つの復旧方法を選択する段階と、を含むことを特徴とする動作方法。
【請求項１６】
前記ストレージ装置が前記欠陥を復旧する１以上の復旧方法を前記ホスト装置に通知する段階は、前記ストレージ装置及び前記ホスト装置に電源が供給される時に遂行され、
前記動作方法は、
前記欠陥が発生した時に、前記ストレージ装置が少なくとも１つの復旧方法を前記ストレージ装置に推薦する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の動作方法。
【請求項１７】
不揮発性メモリ装置と、
前記不揮発性メモリ装置を制御するように構成されるコントローラと、を含み、
前記コントローラは、
前記不揮発性メモリ装置又は前記コントローラの欠陥を検出するように構成される欠陥検出モジュールと、
前記欠陥を外部のホスト装置に通知する欠陥通知モジュールと、
前記欠陥を復旧する１以上の復旧方法を前記外部のホスト装置に通知する能力チェックモジュールと、
前記外部のホスト装置によって選択される復旧方法に従って前記欠陥を復旧する復旧モジュールと、を含み、
前記欠陥検出モジュールは前記コントローラのアクセス要請に従って前記不揮発性メモリの欠陥を検出し、前記コントローラの前記アクセス要請は前記外部のホスト装置の要請無しで前記コントローラによって自立的に生成されることを特徴とするストレージ装置。