【手続補正書】
【提出日】令和2年6月19日(2020.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記バンプ形成工程では、バンプの一部に替えて上記Ｓｉ半導体素子とは別の半導体素子からなる能動部品や、例えばコンデンサ、抵抗器、コイル、アンテナ、各種センサなどの受動部品や機構部品等の他の電気・電子素子を貫通電極に実装させてもよい。バンプは、生体適合性の軟金属であれば何れの材料を用いてもよく、特に限定されないが金または金合金製のバンプが好ましい。また、必要に応じて生体に与える機械的な刺激を軽減するために生体適合性電子デバイスの隅角を丸く加工する研磨工程を追加してもよい。例えば、研磨工程には、ガラス面の隅角を丸く加工するためのファイヤポーリッシュや半導体端面の隅角を丸くするための化学的、機械的研磨などの任意の研磨工程の少なくとも何れか１つを含むことができる。さらに、生体適合性電子デバイス表面の一部または全部にナイロン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアミド樹脂などの有機化学材または水酸化リン酸カルシウム（例えばヒドロキシアパタイトのＣａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２）、ＴｉＮ、バイオガラス（Ｎａ２Ｏ−ＣａＯ−ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ３）、炭素、アルミナ・セラミクス、ジルコニア・セラミクス等の無機化学材からなる生体適合性被覆材を施す被覆工程を追加してもよい。生体適合性電子デバイスの表面への被覆材の被覆方法は、どのような方法を用いてもよく特に限定されないが、例えばＣｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ）による厚さ２〜３０μｍ程度の薄膜コーティングでもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記被覆工程は、生体適合性電子デバイスの表面に、先ず前記ＣＶＤにより、ナイロン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアミド樹脂などから選択された有機化学材の被覆を施した後、さらに水酸化リン酸カルシウム（例えばヒドロキシアパタイトのＣａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２）、ＴｉＮ、バイオガラス（Ｎａ２Ｏ−ＣａＯ−ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ３）、炭素、アルミナ・セラミクス、ジルコニア・セラミクスなどから選択された被膜を施して有機／無機複合被覆としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に係る実施例４の生体適合性電子デバイスの製造方法４０は、上記生体適合性電子デバイス２０の製造方法である。生体適合性電子デバイスの製造方法４０は、図４に示すように、１）体内に存在する元素であるケイ素、カルシウム、ナトリウム、酸素のみで構成され、主成分としてＳｉＯ２のベースにＮａ２Ｏ、ＣａＯを含んだ生体適合性ガラスのガラス板と、このガラス板を貫通して設けられた体内環境で不溶性かつ非腐食性の白金からなる生体適合性金属の貫通電極を有する生体適合性貫通電極付きガラス基板ウエハと、生体に埋め込み使用するＳｉ半導体ウエハとを用意する準備工程４１、２）生体適合性貫通電極付きガラス基板ウエハとＳｉ半導体ウエハとの所望電極同士を突き合わせてガラス面とを貼り合せるウエハ載置工程４２、３）載置したウエハ同士を炉中で加熱し生体適合性ガラスとＳｉ半導体素子の接触界面を気密封着して互いの電極同士を電気接続させてガラス封止半導体ウエハを形成させる生体適合性ガラス封着工程４３、４）その後この生体適合性ガラス封止半導体ウエハのもう一方の貫通電極上に略球状の金バンプを形成するバンプ形成工程４４、５）バンプ形成後この生体適合性ガラス封止半導体ウエハをダイシングして個々の電気・電子素子に分離して生体適合性電子デバイスとするダイシング工程４５からなる。上記バンプ形成工程４４では、金バンプの他に、バンプに替えて上記Ｓｉ半導体素子とは別の半導体素子や、コンデンサ、抵抗器、コイル、アンテナ、センサの受動部品や機構部品を貫通電極に実装させることができる。その後、生体に与える機械的な刺激を軽減するために生体適合性電子デバイスの隅角を丸く加工する研磨工程４６を行う。研磨工程４６には、ガラス面の隅角を丸く加工するため化学的、機械的研磨を含む。さらに、必要に応じて生体適合性電子デバイスの表面に水酸化リン酸カルシウム（ヒドロキシアパタイトのＣａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２）からなる生体適合性被覆材を施す被覆工程４７を行う。被覆はＣｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ）により厚さ３ないし５μｍの薄膜コーティングを施す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記生体適合性被覆材を施す被覆工程４７は、生体適合性電子デバイスの表面に、先ず前記ＣＶＤにより、ナイロン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアミド樹脂から選択された有機化学材の厚さ３ないし５μｍの薄膜コーティングを施した後、さらに上記水酸化リン酸カルシウム（ヒドロキシアパタイトのＣａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２）のＣＶＤ被膜を施して有機／無機複合被覆としてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体適合性ガラスのガラス板と、このガラス板を貫通して設けられた生体適合性金属の貫通電極とからなる生体適合性貫通電極付きガラス基板。
【請求項２】
前記貫通電極は、少なくとも表面が生体適合性金属からなる請求項１に記載の生体適合性貫通電極付きガラス基板。
【請求項３】
前記生体適合性ガラスは、体内に存在する元素であるケイ素、ホウ素、カルシウム、ナトリウム、リン、酸素のみで構成され、主成分としてＳｉＯ２のベースにＮａ２Ｏ、ＣａＯの少なくとも１つを含み、これに必要に応じてＢ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ３の少なくとも１つをさらに含んだガラスからなる請求項１または請求項２に記載の生体適合性貫通電極付きガラス基板。
【請求項４】
前記生体適合性金属は、体内環境で不溶性かつ非腐食性の白金、タンタル、タングステン、チタン、チタン合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ステンレス鋼の何れかの１つからなる請求項１ないし請求項３の何れか１つに記載の生体適合性貫通電極付きガラス基板。
【請求項５】
生体適合性ガラスのガラス板と、このガラス板を貫通して設けられた生体適合性金属の貫通電極を有する生体適合性貫通電極付きガラス基板と、前記ガラス板に封着されかつ前記貫通電極と電気接続された電気・電子装置とからなる生体適合性電子デバイス。
【請求項６】
前記貫通電極は、少なくとも表面が生体適合性金属からなる請求項５に記載の生体適合性電子デバイス。
【請求項７】
前記生体適合性ガラスは、体内に存在する元素であるケイ素、ホウ素、カルシウム、ナトリウム、リン、酸素のみで構成され、主成分としてＳｉＯ２のベースにＮａ２Ｏ、ＣａＯの少なくとも１つを含み、これに必要に応じてＢ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ３の少なくとも１つをさらに含んだガラスからなる請求項５または請求項６に記載の生体適合性電子デバイス。
【請求項８】
前記生体適合性金属は、体内環境で不溶性かつ非腐食性の白金、タンタル、タングステン、チタン、チタン合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ステンレス鋼の何れかの１つからなる請求項５ないし請求項７の何れか１つに記載の生体適合性電子デバイス。
【請求項９】
前記貫通電極に接続用のバンプを有する請求項５ないし請求項８の何れかに記載の生体適合性電子デバイス。
【請求項１０】
前記バンプは、生体適合性の軟金属である請求項９に記載の生体適合性電子デバイス。
【請求項１１】
前記軟金属は、金または金合金である請求項１０に記載の生体適合性電子デバイス。
【請求項１２】
前記バンプの一部に替えて前記電気・電子装置とは別の半導体素子からなる能動部品、コンデンサ、抵抗器、コイル、アンテナ、センサからなる受動部品または機構部品の何れかを前記貫通電極に実装した請求項９ないし請求項１１の何れか１つに記載の生体適合性電子デバイス。
【請求項１３】
前記生体適合性電子デバイスの隅角を丸くした請求項５ないし請求項１２の何れか１つに記載の生体適合性電子デバイス。
【請求項１４】
前記デバイス表面にナイロン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアミド樹脂の有機化学材または水酸化リン酸カルシウム、ＴｉＮ、バイオガラス、炭素、アルミナ・セラミクス、ジルコニア・セラミクスの無機化学材からなる生体適合性被覆をさらに有する請求項５ないし請求項１３の何れか１つに記載の生体適合性電子デバイス。
【請求項１５】
前記生体適合性被覆は、前記有機化学材と前記無機化学材から構成した有機／無機複合被覆からなる請求項１４に記載の生体適合性電子デバイス。
【請求項１６】
１）生体適合性ガラスのガラス板と前記ガラス板を貫通して設けられた生体適合性金属の貫通電極を有する生体適合性貫通電極付きガラス基板ウエハと、電気・電子装置ウエハとを用意する準備工程と、２）前記生体適合性貫通電極付きガラス基板ウエハと、前記電気・電子装置ウエハの電極同士を突き合わせて互いに貼り合せるウエハ載置工程と、３）載置した前記ウエハ同士を炉中で加熱し前記生体適合性ガラスと前記電気・電子装置の接触界面を気密封着して互いの電極同士を電気接続させて、前記生体適合性貫通電極付きガラス基板ウエハと前記電気・電子装置ウエハを一体成形させる生体適合性ガラス封着工程と、４）前記生体適合性ガラス封着工程後、一体成形した前記ウエハの前記貫通電極上に接続用のバンプを形成するバンプ形成工程と、５）さらにバンプ形成後、一体成形した前記ウエハをダイシングし、個々の電気・電子素子に分離して生体適合性電子デバイスとするダイシング工程からなる生体適合性電子デバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記貫通電極は、少なくとも表面が前記生体適合性金属からなる請求項１６に記載の生体適合性電子デバイスの製造方法。
【請求項１８】
前記生体適合性ガラスは、体内に存在する元素であるケイ素、ホウ素、カルシウム、ナトリウム、リン、酸素のみで構成され、主成分としてＳｉＯ２のベースにＮａ２Ｏ、ＣａＯの少なくとも１つを含み、これに必要に応じてＢ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ３の少なくとも１つをさらに含んだガラスからなる請求項１６または請求項１７に記載の生体適合性電子デバイスの製造方法。
【請求項１９】
前記生体適合性金属は、体内環境で不溶性かつ非腐食性の白金、タンタル、タングステン、チタン、チタン合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ステンレス鋼の何れかの１つからなる請求項１６ないし請求項１８の何れか１つに記載の生体適合性電子デバイスの製造方法。
【請求項２０】
前記バンプは、生体適合性の軟金属である請求項１６ないし請求項１９の何れか１つに記載の生体適合性電子デバイスの製造方法。
【請求項２１】
前記軟金属は、金または金合金である請求項２０に記載の生体適合性電子デバイスの製造方法。
【請求項２２】
前記ダイシング工程の後に、生体に与える機械的な刺激を軽減するために生体適合性電子デバイスの隅角を丸く加工する研磨工程を追加した請求項１６ないし請求項２１の何れか１つに記載の生体適合性電子デバイスの製造方法。
【請求項２３】
前記ダイシング工程の後に、デバイス表面にナイロン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアミド樹脂の有機化学材または水酸化リン酸カルシウム、ＴｉＮ、バイオガラス、炭素、アルミナ・セラミクス、ジルコニア・セラミクスの無機化学材からなる生体適合性被覆材を施す被覆工程を追加した請求項１６ないし請求項２２の何れか１つに記載の生体適合性電子デバイスの製造方法。
【請求項２４】
前記生体適合性被覆材は、前記有機化学材と前記無機化学材から構成した有機／無機複合被覆からなる請求項２３に記載の生体適合性電子デバイスの製造方法。
【請求項２５】
前記生体適合性被覆材は、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ）により施した厚さ２〜３０μｍ程度の薄膜コーティングである請求項２３または請求項２４に記載の生体適合性電子デバイスの製造方法。
【請求項２６】
前記バンプ形成工程は、前記バンプの一部に替えて前記電気・電子装置とは別の半導体素子からなる能動部品、コンデンサ、抵抗器、コイル、アンテナ、センサからなる受動部品または機構部品の何れかを前記貫通電極に実装させることを特徴とした請求項１６ないし請求項２５の何れか１つに記載の生体適合性電子デバイスの製造方法。