【手続補正書】
【提出日】令和2年2月5日(2020.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータによって実行される、半導体基板上のフィーチャのエッチングプロファイルを、独立入力パラメータのセットに関連付けるコンピュータモデルを、最適化する方法であって、
（ａ）最適化対象の１つ以上のモデルパラメータについて、値を特定し、前記モデルパラメータは、前記コンピュータモデルの実行において使用され、
（ｂ）前記独立入力パラメータのセットの値を用いて実行した実験的エッチングプロセスを用いてエッチングされた１つ以上の半導体基板の光学測定から生成された実験的反射スペクトルを受け取り、
（ｃ）コンピュータプロセッサを用いて、（ｂ）で指定された前記独立入力パラメータのセットについての前記値、および、（ａ）で特定された前記モデルパラメータの値を用いて、前記コンピュータモデルを実行することによって、計算による反射スペクトルを生成し、
（ｄ）コンピュータプロセッサを用いて、前記独立入力パラメータのセットの前記値に関して、（ｂ）で受け取った前記実験的反射スペクトルと（ｃ）において生成された対応する計算による反射スペクトルとの間の差異を示すメトリックを低減させるように、（ａ）で特定された前記１つ以上のモデルパラメータの前記値を変更し、前記１つ以上のモデルパラメータの前記変更された値を用いて（ｃ）を繰り返すことによって、半導体基板上のフィーチャのエッチングプロファイルを前記独立入力パラメータのセットに関連付ける前記コンピュータモデルで使用する前記１つ以上のモデルパラメータについて変更された値を生成すること、を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記計算による反射スペクトルの少なくともいくつかは、
（ｉ）前記モデルを用いて、一連のエッチングプロファイル座標によって表される計算によるエッチングプロファイルを生成し、
（ｉｉ）（ｉ）において生成された前記計算によるエッチングプロファイルから、前記計算によるエッチングプロファイルからの電磁放射の反射をシミュレートすることにより、計算による反射スペクトルを生成すること、を備えるプロセスによって生成される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
（ｂ）において受け取られた前記実験的反射スペクトルは、エッチングプロセスの異なる継続時間を表す一連のエッチング時間に対応する反射スペクトルを含み、
（ｃ）において生成された前記計算による反射スペクトルは、（ｂ）における前記一連のエッチング時間に対応するように前記モデルから計算された反射スペクトルを含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記実験的反射スペクトルは、（ｂ）における前記一連のエッチング時間で、エッチングプロセスの進行中に実施する光学測定から受け取られる、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、前記一連のエッチング時間の少なくとも一部にわたる連続したエッチング時間は、０．０１〜１秒で区切られる、方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、（ｂ）で受け取られる前記実験的反射スペクトルの少なくともいくつかは、いくつかの異なる継続時間の基板エッチングプロセスに関してエッチングプロセス終了後に実施された光学測定との比較に基づいて、調整された、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記いくつかの異なる継続時間の終了したエッチングプロセスに対応する前記光学測定は、対応するエッチング済み基板をエッチングに用いた処理チェンバから取り出した後に実施された、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、（ｄ）を繰り返すことをさらに含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、前記１つ以上のモデルパラメータに関して誤差の略極小値が得られるまで（ｄ）をさらに繰り返すことをさらに含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記コンピュータモデルは、前記半導体基板上のフィーチャのエッチングプロファイルを表す点の格子における局所エッチング速度を、時間の関数として計算する、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記１つ以上のモデルパラメータは、反応速度定数、反応物質および生成物の付着係数、ならびに／または反応物質および生成物の拡散定数、を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、ＰＣＡを実行することによって前記独立入力パラメータのセットを特定することをさらに含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、独立入力パラメータと対応する測定によるエッチングプロファイルとの連結されたベクトルに対して、前記ＰＣＡを実行する、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、前記１つ以上のモデルパラメータの前記変更された値を用い前記コンピュータモデルを用いて決定されたエッチング条件のセットを用いて、または調整して半導体基板をエッチングすることをさらに含む、方法。
【請求項１５】
非一時的コンピュータ可読媒体を備える最適化されたコンピュータモデルであって、
前記非一時的コンピュータ可読媒体は、半導体基板上のフィーチャのエッチングプロファイルを前記独立入力パラメータのセットに関連付けるコンピュータモデルを符号化するコンピュータ実行可能命令を備え、前記１つ以上のモデルパラメータについての前記変更された値で構成され、
前記コンピュータモデルは、請求項１に記載の動作（ａ）〜（ｄ）によって最適化された、コンピュータモデル。
【請求項１６】
コンピュータによって実行される、半導体基板上のフィーチャのエッチングプロセスによる前記フィーチャのエッチング後のプロファイルを近似的に特定する方法であって、
前記エッチングプロセスに対応する前記独立入力パラメータのセットについてテスト値を指定することと、
コンピュータプロセッサによって、前記独立入力パラメータのセットについて前記指定されたテスト値と共に、請求項１５に記載の最適化されたコンピュータモデルを用いて、エッチングプロファイルを生成すること、を備える方法。
【請求項１７】
エッチングプロセスのための独立入力パラメータのセットについて、前記エッチングプロセスによってフィーチャがエッチングされた後の半導体基板上の前記フィーチャの所望のエッチングプロファイルを近似的に生成する値のセットを決定する方法であって、
（ａ）前記エッチングプロセスに対応する前記独立入力パラメータのセットについてテスト値を指定し、
（ｂ）前記独立入力パラメータについて前記指定されたテスト値のセットと共に、請求項１５に記載の最適化されたコンピュータモデルを用いて、計算によるエッチングプロファイルを生成し、
（ｃ）前記所望のエッチングプロファイルと前記計算によるエッチングプロファイルとの間の差異を示すメトリックを計算し、
（ｄ）（ｂ）〜（ｃ）を繰り返すことによって確認される、前記所望のエッチングプロファイルと前記計算によるエッチングプロファイルとの間の差異を減少させるように、前記独立入力パラメータのセットについて（ａ）において指定された値の１つ以上を変更すること、を備える方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
（ｅ）（ｄ）において選択された前記独立入力パラメータのセットについての前記値に関して誤差の略極小値が得られるまで（ｄ）を繰り返すことをさらに備える、方法。
【請求項１９】
半導体基板を処理するためのシステムであって、
半導体基板をエッチングするためのエッチャ装置であって、独立入力パラメータのセットによってその動作が調整されるエッチャ装置と、
前記エッチャ装置の動作を制御するためのコントローラであって、プロセッサおよびメモリを有するコントローラと、を備え、
前記メモリは、請求項１に記載の動作（ａ）〜（ｄ）によって最適化された、エッチング後のフィーチャプロファイルのモデルを保存し、
前記プロセッサは、前記メモリに保存された前記エッチング後のフィーチャプロファイルのモデルを使用して、前記独立入力パラメータのセットの値のセットからエッチング後のフィーチャプロファイルを計算するように構成されている、システム。
【請求項２０】
請求項１９に記載のシステムであって、前記コントローラは、前記計算されたエッチング後のフィーチャプロファイルに応じて、前記独立入力パラメータのセットの値の１つ以上に変更を加えることによって、前記エッチャ装置の動作を調整する、システム。
【請求項２１】
請求項２０に記載のシステムであって、前記計算されたエッチング後のフィーチャプロファイルに応じて値が変更される前記独立入力パラメータのセットは、ＲＦプラズマ周波数とＲＦプラズマパワーレベルから選択された１つ以上のパラメータを含む、システム。
【請求項２２】
請求項１９に記載のシステムであって、前記エッチャ装置は、
処理チェンバと、
前記処理チェンバ内で基板を保持するための基板ホルダと、
前記処理チェンバ内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生器であって、ＲＦ電源を有するプラズマ発生器と、
前記処理チェンバ内に１種以上の処理ガスを流入させるための弁制御による１つ以上の処理ガス入口と、
前記処理チェンバからガスを排出させるための１つ以上の真空ポンプに流体接続された１つ以上のガス出口と、を備える、システム。
【請求項２３】
請求項２２に記載のシステムであって、前記コントローラは、前記計算されたエッチング後のフィーチャプロファイルに応じて、前記処理チェンバ内の前記プラズマの特性を変化させるために、前記ＲＦ電源の周波数および／または電力レベルを調整するように構成されている、システム。
【請求項２４】
請求項２２に記載のシステムであって、前記コントローラは、前記計算されたエッチング後のフィーチャプロファイルに応じて、前記処理チェンバ内に流入する１種以上の処理ガスの流量を調整するために、弁制御による前記１つ以上の処理ガス入口を操作するように構成されている、システム。
【請求項２５】
請求項２２に記載のシステムであって、前記コントローラは、前記計算されたエッチング後のフィーチャプロファイルに応じて、前記処理チェンバ内の温度および／または圧力を調整するように構成されている、システム。
【請求項２６】
請求項１に記載の方法であって、前記コンピュータモデルは、エッチングプロセスパラメータの開発を可能にし、
前記コンピュータモデルは、前記１つ以上のモデルパラメータについて（ｄ）において生成された前記変更された値を用いて最適化される、方法。
【請求項２７】
請求項１に記載の方法であって、前記コンピュータモデルは、エッチングプロセスのためのリソグラフィマスクの開発を可能にし、
前記コンピュータモデルは、前記１つ以上のモデルパラメータについて（ｄ）で生成された前記変更された値を用いて最適化される、方法。
【請求項２８】
請求項１５に記載の最適化されたコンピュータモデルであって、前記コンピュータ実行可能命令は、エッチングプロセスのためのリソグラフィマスクを開発するための命令をさらに含む、コンピュータモデル。
【請求項２９】
請求項１５に記載の最適化されたコンピュータモデルであって、前記コンピュータ実行可能命令は、エッチングプロセスパラメータを開発するための命令をさらに含む、コンピュータモデル。