Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月11日(2020.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイオベースポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）ポリマーを含む、飲料又は食品の容器であって、前記バイオベースＰＥＴポリマーが、少なくとも約０．１ｄｐｍ／ｇＣ（炭素１グラム当たりの壊変毎分）の炭素１４（Ｃ−１４）を含む、容器。
【請求項２】
前記バイオベースＰＥＴポリマーが、最大で３．０１±０．１３ｄｐｍ／ｇＣのＣ−１４を有する、請求項１に記載の容器。
【請求項３】
前記バイオベースＰＥＴポリマーが、エチレングリコール及びテレフタル酸を含み、前記エチレングリコールが、約１５ｄｐｍ／ｇＣのＣ−１４を有する、請求項１に記載の容器。
【請求項４】
テレフタル酸のＣ−１４含量がごく少量である、請求項３に記載の容器。
【請求項５】
前記容器の固有粘度が約０．４５ｄＬ／ｇ〜約１．０ｄＬ／ｇである、請求項１に記載の容器。
【請求項６】
前記バイオベースＰＥＴポリマーが、少なくとも１種の着色剤、少なくとも１種の即効性耐再加熱剤、少なくとも１種のガスバリア剤、少なくとも１種のＵＶ防止剤、およびこれらの組み合わせから選択される補足成分をさらに含む、請求項１に記載の容器。
【請求項７】
前記バイオベースＰＥＴポリマーが着色剤を含まない、請求項１に記載の容器。
【請求項８】
ソフトドリンクまたはアルコール飲料を含む、請求項１に記載の容器。
【請求項９】
石油由来のＰＥＴをリサイクルするためのものとして設計されたシステムによってリサイクルできる、請求項１に記載の容器。
【請求項１０】
ボトルである、請求項１に記載の容器。
【請求項１１】
バイオベースポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の飲料又は食品の容器を製造する方法であって、
ａ．少なくとも０．１ｄｐｍ／ｇＣ（炭素１グラム当たりの壊変毎分）の炭素１４（Ｃ−１４）を有するエチレングリコールと、Ｃ−１４含量が無視できる量であるテレフタル酸とを提供する工程、
ｂ．前記エチレングリコール及び前記テレフタル酸を、ＰＥＴ製造設備において、バイオベースＰＥＴ樹脂に加工する工程、および
ｃ．前記バイオベースＰＥＴ樹脂を、射出成形または延伸成形する工程であって、バイオベースＰＥＴ容器を形成する、工程、
を含み、前記バイオベース容器の固有粘度が約０．４５ｄＬ／ｇ〜約１．０ｄＬ／ｇである、方法。
【請求項１２】
前記バイオベースＰＥＴ樹脂が、最大で３．０１±０．１３ｄｐｍ／ｇＣのＣ−１４を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エチレングリコールが、約１５ｄｐｍ／ｇＣのＣ−１４を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記加工工程（ｂ）が、少なくとも１種の着色剤、少なくとも１種の即効性再加熱剤、少なくとも１種のガスバリア剤、少なくとも１種のＵＶ防止剤、およびこれらの組み合わせから選択される補足成分を添加する工程を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
石油由来のＰＥＴをリサイクルするためのものとして設計されたシステムによって、前記バイオベースＰＥＴ容器をリサイクルする工程をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記容器がボトルである、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月3日(2020.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＮＳ疾患、障害および／または損傷を予防および／または処置するための医薬であって、ここで、ＰＤＥ１阻害剤の対象に対する有効量を含むものであり、ここで、ＰＤＥ１阻害剤の投与が対象の軸索再生に十分な細胞内ｃＡＭＰレベルを調節するものであり、該ＰＤＥ１阻害剤が遊離形態または塩形態の次のものから選択される化合物であり：
【化１】
2020105186.tif 000001
該ＣＮＳ疾患、障害または損傷がアルツハイマー病、多発性硬化症、緑内障、前頭側頭骨性認知症、レビー小体型認知症、大脳皮質基底核変性症、進行性核上性麻痺、プリオン障害、ハンチントン病、多系統萎縮症、パーキンソン病、筋萎縮性側索硬化症、遺伝成痙性対麻痺、脊髄小脳萎縮症、フリードライヒ運動失調症、アミロイドーシス、代謝(糖尿病)関連障害、毒素関連障害、慢性ＣＮＳ炎症およびシャルコー・マリー・トゥース病からなる群から選択される神経変性障害である、医薬。
【請求項２】
神経変性障害がアルツハイマー病である、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
神経変性障害がパーキンソン病である、請求項１に記載の医薬。
【請求項４】
神経変性障害が緑内障である、請求項１に記載の医薬。
【請求項５】
神経変性障害が慢性ＣＮＳ炎症である、請求項１に記載の医薬。
【請求項６】
対照対象(例えば、標準的基準)と比較して高い細胞内カルシウムレベルを示す患者に投与するためのものである、請求項１〜５のいずれかに記載の医薬。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月29日(2020.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の構造
【化１】
2020105190.tif 000001
を有する化合物またはその薬学的に許容され得る塩もしくは互変異性体。
【請求項２】
下記の構造
【化２】
2020105190.tif 000002
を有する化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項３】
下記の構造
【化３】
2020105190.tif 000003
を有する化合物またはその薬学的に許容され得る塩もしくは互変異性体および薬学的に許容され得る担体、希釈剤または賦形剤を含む医薬組成物。
【請求項４】
下記の構造
【化４】
2020105190.tif 000004
を有する化合物またはその薬学的に許容され得る塩もしくは互変異性体および薬学的に許容され得る担体、希釈剤または賦形剤を含む医薬組成物であって、経口投与のために製剤化される、医薬組成物。
【請求項５】
疾患の処置を必要とする哺乳動物において疾患を処置するための医薬組成物であって、下記の構造
【化５】
2020105190.tif 000005
を有する化合物またはその薬学的に許容され得る塩もしくは互変異性体を含む、医薬組成物。
【請求項６】
疾患の処置を必要とする哺乳動物において疾患を処置するための医薬組成物であって、該医薬組成物が下記の構造
【化６】
2020105190.tif 000006
を有する化合物またはその薬学的に許容され得る塩もしくは互変異性体を含み、該医薬組成物が経口投与のために製剤化される、医薬組成物。
【請求項７】
疾患の処置を必要とする哺乳動物において疾患を処置するための組み合わせ物であって、請求項５または６に記載の医薬組成物およびさらなる活性剤を含むさらなる医薬組成物を含む、組み合わせ物。
【請求項８】
前記疾患が、バレット食道、乾癬、菌状息肉症、良性前立腺肥大症、糖尿病網膜症、網膜虚血、網膜血管新生、肝硬変、血管新生、心血管疾患、アテローム性動脈硬化、免疫疾患、自己免疫疾患、腎疾患または小児悪性腫瘍である、請求項５または６に記載の医薬組成物または請求項７に記載の組み合わせ物。
【請求項９】
がんの処置を必要とする哺乳動物においてがんを処置するための医薬組成物であって、下記の構造
【化７】
2020105190.tif 000007
を有する化合物またはその薬学的に許容され得る塩もしくは互変異性体を含む、医薬組成物。
【請求項１０】
がんの処置を必要とする哺乳動物においてがんを処置するための医薬組成物であって、該医薬組成物が下記の構造
【化８】
2020105190.tif 000008
を有する化合物またはその薬学的に許容され得る塩もしくは互変異性体を含み、該医薬組成物が経口投与のために製剤化される、医薬組成物。
【請求項１１】
がんの処置を必要とする哺乳動物においてがんを処置するための組み合わせ物であって、請求項９または１０に記載の医薬組成物およびさらなる活性剤を含むさらなる医薬組成物を含む、組み合わせ物。
【請求項１２】
前記がんが、充実性腫瘍を含む、請求項９または１０に記載の医薬組成物または請求項１１に記載の組み合わせ物。
【請求項１３】
前記がんが、肺がん、骨がん、膵臓がん、皮膚がん、頭頸部のがん、子宮がん、卵巣がん、結腸直腸がん、肛門領域のがん、胃がん、結腸がん、乳がん、女性生殖器腫瘍、肝細胞がん、食道のがん、小腸のがん、内分泌系のがん、甲状腺のがん、膵臓のがん、副甲状腺のがん、副腎のがん、軟組織の肉腫、尿道のがん、陰茎のがん、前立腺がん、幼年期の充実性腫瘍、膀胱のがん、腎臓もしくは尿管のがん、中枢神経系の新生物、脊髄腫瘍、髄芽腫、脳幹グリオーマ、新生物皮膚疾患または下垂体腺種である、請求項９、１０もしくは１２のいずれか一項に記載の医薬組成物または請求項１１もしくは１２に記載の組み合わせ物。
【請求項１４】
前記がんが、非小細胞肺がん、燕麦細胞がん、隆起性皮膚線維肉腫、皮膚または眼内黒色腫、子宮肉腫、卵管の癌腫、子宮内膜の癌腫、子宮頸部の癌腫、膣の癌腫、外陰部の癌腫、ホルモン不応性前立腺がん、腎細胞癌または腎盂の癌腫である、請求項９、１０、１２もしくは１３のいずれか一項に記載の医薬組成物または請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の組み合わせ物。
【請求項１５】
前記がんが、肺がんである、請求項９、１０もしくは１２〜１４のいずれか一項に記載の医薬組成物または請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の組み合わせ物。
【請求項１６】
前記肺がんが、非小細胞肺がんである、請求項１５に記載の医薬組成物または組み合わせ物。
【請求項１７】
前記がんが、膀胱がんまたは前立腺がんである、請求項９、１０もしくは１２〜１４のいずれか一項に記載の医薬組成物または請求項１１〜１４に記載の組み合わせ物。
【請求項１８】
前記がんが、腎細胞癌である、請求項９、１０もしくは１２〜１４のいずれか一項に記載の医薬組成物または請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の組み合わせ物。
【請求項１９】
前記がんが、黒色腫である、請求項９、１０もしくは１２〜１４のいずれか一項に記載の医薬組成物または請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の組み合わせ物。
【請求項２０】
前記がんが、皮膚または眼内黒色腫である、請求項９、１０もしくは１２〜１４のいずれか一項に記載の医薬組成物または請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の組み合わせ物。
【請求項２１】
前記がんが、血液学的悪性腫瘍である、請求項９もしくは１０に記載の医薬組成物または請求項１１に記載の組み合わせ物。
【請求項２２】
前記血液学的悪性腫瘍が、ホジキン病、慢性白血病、急性白血病、過好酸球増加症、リンパ球性リンパ腫または原発性中枢神経系リンパ腫である、請求項２１に記載の医薬組成物または組み合わせ物。
【請求項２３】
前記血液学的悪性腫瘍が、急性骨髄性白血病である、請求項２１に記載の医薬組成物または組み合わせ物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月23日(2020.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
増粘安定化剤のほか、平均繊維径１０〜１０００ｎｍのセルロースナノファイバーを含む、
ことを特徴とする化粧料。
【請求項２】
前記セルロースナノファイバーは、繊維径分布の変動係数が１．１以下である、
請求項１に記載の化粧料。
【請求項３】
前記セルロースナノファイバーは、擬似粒度分布曲線のピーク値が１〜１００μｍであり、粒径１００μｍ以下の積算体積割合が９０％以上である、
請求項１又は請求項２に記載の化粧料。
【請求項４】
前記セルロースナノファイバーを０．０１〜３質量％、油分を１〜５０質量％を含む、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の化粧料。
【請求項５】
ベースメイク化粧料である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の化粧料。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月6日(2020.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影された画像から所定の物体を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出した物体が収まる領域における特徴と、当該物体が収まる領域を拡張した拡張領域における特徴とに基づき、前記検出手段で検出した物体が、顔であるかを判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
前記検出手段により検出した物体が収まる領域における所定の色が当該領域を占める割合と、当該物体が収まる領域を拡張した拡張領域における前記所定の色が当該領域を占める割合と、を算出する算出手段をさらに備え、
前記判定手段は、前記算出手段により算出された割合に基づき、前記検出手段で検出した物体が、顔であるかを判定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記判定手段は、前記算出手段により算出された割合に基づき、前記検出手段で検出した物体が、顔であるか背景であるかを判定することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記所定の色は、前記検出手段により検出した物体に含まれる色であることを特徴とする請求項２または３に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記所定の色は、前記検出手段により検出した物体が収まる領域の中心点の色であることを特徴とする請求項２または３に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記所定の色は、前記検出手段により検出した物体が収まる領域において最も広い面積を占める色であることを特徴とする請求項２または３に記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記判定手段は、前記算出手段により算出された、前記検出手段により検出した物体が収まる領域において所定の色が当該領域を占める割合と、当該物体が収まる領域を拡張した拡張領域において前記所定の色が当該領域を占める割合と、を用いて、当該所定の色の広がり度合いを判定することで、前記検出手段で検出した物体が顔であるかを判定することを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項８】
前記判定手段により顔であると判定された物体に基づき、端末前方状態を判定する端末前方状態判定手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項９】
情報処理システムの検出手段が、撮影された画像から所定の物体を検出する検出工程と、
前記情報処理システムの判定手段が、前記検出工程により検出した物体が収まる領域における特徴と、当該物体が収まる領域を拡張した拡張領域における特徴とに基づき、前記検出手段で検出した物体が、顔であるかを判定する判定工程と、
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項１０】
コンピュータを、
撮影された画像から所定の物体を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出した物体が収まる領域における特徴と、当該物体が収まる領域を拡張した拡張領域における特徴とに基づき、前記検出手段で検出した物体が、顔であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月6日(2020.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気コネクタに関連付けられた製作公差を補うために、前記電気コネクタ（１１２）のグロメット空洞位置（１１０）にワイヤを挿入するための自動ワイヤ挿入機（１００）を操作する方法（７００）であって、
前記電気コネクタに関連付けられた複数の予め生成されたプラグマップ（３００）を、最初のプラグマップに基づいて生成することであって、
潜在的な回転誤差及び潜在的な並進誤差のうちの少なくとも一つを含む潜在的な誤差範囲を定義すること、
回転公差及び並進公差のうちの少なくとも一つを含む公差を定義すること、及び
前記潜在的な誤差範囲及び前記公差に基づいて、ありうるオフセット値のすべての変更を計算すること、を含む、複数の予め生成されたプラグマップを生成することと、
生成された前記複数の予め生成されたプラグマップのうちの１つを読み出すこと（７０４）と、
前記電気コネクタに関連付けられた製作公差を補うために、前記複数の予め生成されたプラグマップのうちの読み出された前記プラグマップに基づいて、前記電気コネクタのグロメット空洞位置にワイヤを挿入すること（７０６）と
を含む方法。
【請求項２】
前記複数の予め生成されたプラグマップ（３００）から、前記電気コネクタ（１１２）に対して最もよく適合する予め生成されたプラグマップを選択すること（６０８）を更に含み、
選択された前記予め生成されたプラグマップは、前記複数の予め生成されたプラグマップのうちの前記読み出されたプラグマップに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
生成された前記複数の予め生成されたプラグマップをデータ記憶装置に記憶させること
を更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記生成された複数の予め生成されたプラグマップを記憶させることは、
前記生成された複数の予め生成されたプラグマップを、前記自動ワイヤ挿入機（１００）内に位置するデータ記憶装置に記憶させること
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
異なる種類の電気コネクタに関連付けられた異なる複数の所定のプラグマップを前記データ記憶装置に記憶させること
を更に含む、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
電気コネクタ（１１２）のグロメット空洞位置（１１０）にワイヤを挿入するための自動ワイヤ挿入機（１００）であって、
制御可能なワイヤ挿入ロボット（１０８）と、
前記電気コネクタの前記グロメット空洞位置にワイヤを挿入するために、複数の予め生成されたプラグマップ（３００）のうちの１つのプラグマップに基づいて前記ワイヤ挿入ロボットを制御するように構成された処理装置（１０２）と
を備え、前記複数の予め生成されたプラグマップが最初のプラグマップに基づいて生成され、すべてのありうるオフセット値の計算が潜在的な誤差範囲及び公差に基づき、前記潜在的な誤差範囲が潜在的な回転誤差及び潜在的な並進誤差のうちの少なくとも一つを含み、前記公差が回転公差及び並進公差のうちの少なくとも一つを含む、自動ワイヤ挿入機（１００）。
【請求項７】
前記複数の予め生成されたプラグマップ（３００）を記憶するように構成されたデータ記憶装置（１０４）
を更に備える、請求項６に記載の自動ワイヤ挿入機（１００）。
【請求項８】
前記複数の予め生成されたプラグマップ（３００）のうちの１つは、前記複数の予め生成されたプラグマップの各々に関連付けられたオフセット値に基づいて、前記電気コネクタ（１１２）に対して最もよく適合する予め生成されたプラグマップを含む、請求項６に記載の自動ワイヤ挿入機（１００）。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月30日(2020.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
シート状部材載置部３５Ｅは、後側ベース部６０Ｅと、右側リブ６１Ｅと、左側リブ６２Ｅと、を備えている。後側ベース部６０Ｅ及び左側リブ６２Ｅの形状は、第１種上層基板３０Ｃの後側ベース部６０Ｃ及び左側リブ６２Ｃの形状と同じである。右側リブ６１Ｅは、左右方向の幅寸法が右側支柱３２Ａの直径よりも小さい点、及び外側面が右壁部４１Ｅの外側面よりも内側に引っ込んでいる点で、第１種上層基板３０Ｃの右側リブ６１Ｃの形状と異なり、他の部分の形状は第１種上層基板３０Ｃの右側リブ６１Ｃと同じである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
第１種蓋基板３０Ｈは、平面視で第１種底基板３０Ａ及び第１種上層基板３０Ｃと略同一形状をなしている。第１種蓋基板３０Ｈは、略前側半分を構成する前側ベース部４０Ｈと、略後側半分を構成する後側ベース部６０Ｈと、を備えている。前側ベース部４０Ｈは、左右両側面に凹部５０Ｈを有している。各凹部５０Ｈは、前側ベース部４０Ｈにおける左右両側面の上下方向全領域に亘って形成されている。各凹部５０Ｈには、第１種上層基板３０Ｃの係止突起５５Ｃと同じ形状の係止突起５５Ｈ（係止突起５５）が設けられている。係止突起５５Ｈは、下側に配置される基板１２の弾性係止片５１と対応する位置に形成されている。前側ベース部４０Ｈの左右両端の凹部５０Ｈよりも前側には、上面から上方に突出した上側凸部５６Ｈが設けられている。各上側凸部５６Ｈは、前後方向に延びるように形成されている。前側ベース部４０Ｈの前端部には、下面から下方に突出した下側凸部５７Ｈが設けられている。下側凸部５７Ｈは左右方向に延びており、前側ベース部４０Ｈの左右方向の全領域に亘って形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
後側ベース部６０Ｉは、左右側面のうち一方の側面（本実施例１では左側面）が前側ベース部４０Ｉの側面よりも左右方向外側に突出しており、他方の側面（本実施例１では右側面）が前側ベース部４０Ｉの側面よりも左右方向内側に引っ込んでいる。後側ベース部６０Ｉは、左右方向一端（本実施例では左端部）において板厚方向に貫通した左側貫通孔３７Ｉ（貫通孔３６）を有している。より具体的には、左側貫通孔３７Ｉは、後側ベース部６０Ｉにおける左端部の後端部に設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
２層目の増設用上層基板１４Ｃは、左側貫通孔３７Ｅが第１底基板１３Ａの右側支柱３２Ａに嵌め込まれ、係止突起５５が増設用底基板１３Ｃ（下側の基板１２）の弾性係止片５１に係止される。これにより、増設用上層基板１４Ｃは、増設用底基板１３Ｃ（下側の基板１２）に対して相対変位しないように係止され、第１底基板１３Ａと連結される。したがって、第１底基板１３Ａの右側支柱３２Ａが本発明の「連結用支柱」に相当し、２層目の増設用上層基板１４Ｃの左側貫通孔３７Ｅが本発明の「増設用孔」に相当する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
３層目の第２上層基板１４Ｂは、右側貫通孔３６Ｄが第２底基板１３Ｂの右側支柱３２Ｂに嵌め込まれ、係止突起５５が下側の第２上層基板１４Ｂの弾性係止片５１に係止される。これにより、３層目の第２上層基板１４Ｂは、下側に配置された第２上層基板１４Ｂに対して相対変位しないように係止され、第２底基板１３Ｂに対して水平方向に相対変位しないように保持される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月24日(2020.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（６）上記実施形態においては、ハウジング１０の電線導出部１２を後方に突出する形状としたが、電線導出部の形状はこれに限らず、例えば取付受部の後面と面一に電線導出面を設けてもよい。その場合、第一止水部材はシールドブラケットの取付部と取付受部との間に挟持されるようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月24日(2020.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
止水部材３０のうち貫通孔群３２の周囲に包囲接触部が接触する構成では、複数の貫通孔３２Ｌ、３２Ｒの間の部分が逃げるように変形し、電線２と止水部材３０との間に隙間が生じる懸念がある。上記の構成によれば、止水部材３０のうち複数の貫通孔３２Ｌ、３２Ｒの間の部分に電線間接触部２２Ｂが接触するから、止水部材３０の変形によって電線２と止水部材３０との間に隙間が生じることを防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月20日(2020.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマの発光をモニタするモニタを具備し試料がプラズマ処理される処理部を備えるプラズマ処理装置において、
前記処理部は、プラズマ処理結果を予測する予測モデルが格納された予測モデル記憶部と、
プラズマ処理条件に規定されたパラメータの前記処理部にて取得されたデータを含む装置データの偏相関関係と発光データの偏相関関係と予測モデルの偏相関関係に基づいて選択された予測モデルを用いてプラズマ処理結果が予測される制御部とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
プラズマ処理結果を予測する予測モデルが格納された予測モデル記憶部を具備し試料がプラズマ処理される処理部を備えるプラズマ処理装置において、
前記プラズマ処理結果と偏相関関係にあるモニタデータの変数を説明変数とした前記予測モデルを構築する解析部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
ウェットクリーニング後からの前記プラズマ処理された試料の枚数が前記装置データに含まれることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御部は、前記予測モデルを用いて求められた予測値と目標値の差分に基づいて求められた補正量に応じて前記パラメータの値を補正することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ処理結果と偏相関関係にあるモニタデータの変数を説明変数とした前記予測モデルを構築する解析部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
プラズマの発光の波長と装置データに係る物理量が前記説明変数に含まれ、
前記装置データは、前記処理部の状態変動の指標となるデータであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記偏相関関係は、前記プラズマ処理の単位であるロット毎における、前記プラズマ処理結果とモニタデータの変数との偏相関関係であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
プラズマの発光をモニタするモニタを具備し試料がプラズマ処理される処理部を備えるプラズマ処理装置において、
前記処理部は、プラズマ処理結果を予測する予測モデルが格納された予測モデル記憶部と、
プラズマ処理条件に規定されたパラメータの前記処理部にて取得されたデータを含む装置データの統計量と発光データの統計量と予測モデルの統計量を基に選択された予測モデルを用いてプラズマ処理結果が予測される制御部とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月27日(2020.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導体及び第２導体を有する入力側同軸ケーブルのうちの前記第１導体が接続される入力側端子部と、
前記入力側端子部と電気的に絶縁されており、前記第１導体が前記入力側端子部に接続された接続状態において前記入力側同軸ケーブルの前記第２導体と接触する端子台と、
前記端子台と電気的に接続されており、前記入力側端子部を収容する内部空間を有する金属製のハウジングと、
前記入力側端子部と電気的に接続され、前記内部空間に収容されている回路基板と、
を備え、
前記ハウジングは、
前記入力側端子部が露出する開口を有するボディと、
結合構造によって前記ボディと結合されるカバーと
を備え、
前記カバーは、前記接続状態における前記入力側同軸ケーブルの前記第１導体及び前記第２導体を覆い、かつ前記ボディの前記開口を覆うように、前記ボディと結合される、
同軸ケーブル用コンセント。
【請求項２】
前記ボディと前記端子台とのうちの少なくとも一方と、前記カバーと、の間に配置される導電部材を、更に備える、
請求項１に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項３】
前記導電部材は、弾性を有する、
請求項２に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項４】
前記内部空間は、前記接続状態における前記入力側同軸ケーブルの延長方向から見て、前記入力側端子部が配置される第１空間と前記第１空間に隣り合い前記入力側端子部が配置されない第２空間とを含み、
前記導電部材は、前記第２空間における前記ボディと前記カバーとの間にある、
請求項２又は３に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項５】
前記端子台は、前記ボディに結合されており、
前記結合構造は、前記端子台と前記カバーとを結合することで前記ボディと前記カバーとを結合する、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項６】
前記結合構造は、単一のねじを含む、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項７】
第３導体及び第４導体を有する送り側同軸ケーブルのうちの前記第３導体が接続される送り側端子部と、
前記端子台としての第１端子台と電気的に接続されており、前記第３導体が前記送り側端子部に接続された状態において前記送り側同軸ケーブルの前記第４導体と接触する第２端子台と、
を更に備え、
前記送り側端子部及び前記第２端子台は、前記内部空間に収容される、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項８】
前記回路基板は、前記ボディの内壁に隣接する部分で、導電性を有する結合部によって前記ボディに結合されている、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項９】
前記入力側端子部と前記端子台との間に位置し前記入力側端子部と前記端子台とを電気的に絶縁する絶縁カバーを更に備える、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項１０】
前記回路基板と電気的に接続され、前記ボディにおいて前記開口と対向する面に形成された貫通孔から露出し、出力側同軸ケーブルの芯線が電気的に接続される出力側端子部を更に備える、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項１１】
入力側同軸ケーブルの芯線と電気的に接続される入力側端子部と、
送り側同軸ケーブルの芯線と電気的に接続される送り側端子部と、
出力側同軸ケーブルのＦ型コネクタの芯線と電気的に接続される出力側端子部と、
前記入力側同軸ケーブルの編組線および前記送り側同軸ケーブルの編組線と電気的に接続される端子板と、
電気回路が形成される回路基板と、
前記回路基板が収容される内部空間を有するハウジングと、
を備え、
前記入力側端子部と前記出力側端子部とは電気的に接続され、
前記入力側端子部と前記送り側端子部とは前記電気回路を介して電気的に接続され、
前記ハウジングは、
金属製のボディと、
前記ボディと結合される金属製のカバーと、
を有し、
前記端子板と前記ボディとを電気的に接続する弾性を有する弾性部材を更に備える、
同軸ケーブル用コンセント。
【請求項１２】
前記入力側端子部および前記送り側端子部と前記端子板との間に配置され、電気絶縁性を有する材料により形成される絶縁カバーを更に備える、
請求項１１に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項１３】
前記絶縁カバーは、第１の貫通孔および第２の貫通孔を有し、
前記入力側同軸ケーブルの芯線は、前記絶縁カバーの前記第１の貫通孔を通して、前記入力側端子部に挿入され、
前記送り側同軸ケーブルの芯線は、前記絶縁カバーの前記第２の貫通孔を通して、前記送り側端子部に挿入される、
請求項１２に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【請求項１４】
前記カバーは前記ボディに回転可能に支持される、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の同軸ケーブル用コンセント。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本開示の一態様に係る同軸ケーブル用コンセントは、入力側端子部と、端子台と、ハウジングと、回路基板と、を備える。前記入力側端子部は、第１導体及び第２導体を有する入力側同軸ケーブルのうちの前記第１導体が接続される。前記端子台は、前記入力側端子部と電気的に絶縁されており、前記第１導体が前記入力側端子部に接続された接続状態において前記入力側同軸ケーブルの前記第２導体と接触する。前記ハウジングは、金属製である。前記ハウジングは、前記端子台と電気的に接続されており、前記入力側端子部を収容する内部空間を有する。前記回路基板は、前記入力側端子部と電気的に接続され、前記内部空間に収容されている。前記ハウジングは、ボディと、カバーとを備える。前記ボディは、前記入力側端子部が露出する開口を有する。前記カバーは、結合構造によって前記ボディと結合される。前記カバーは、前記接続状態における前記入力側同軸ケーブルの前記第１導体及び前記第２導体を覆い、かつ前記ボディの前記開口を覆うように、前記ボディと結合される。
本開示の一態様に係る同軸ケーブル用コンセントは、入力側端子部と、送り側端子部と、出力側端子部と、端子板と、回路基板と、ハウジングと、を備える。前記入力側端子部は、入力側同軸ケーブルの芯線と電気的に接続される。前記送り側端子部は、送り側同軸ケーブルの芯線と電気的に接続される。前記出力側端子部は、出力側同軸ケーブルのＦ型コネクタの芯線と電気的に接続される。前記端子板は、前記入力側同軸ケーブルの編組線および前記送り側同軸ケーブルの編組線と電気的に接続される。前記回路基板は、電気回路が形成される。前記ハウジングは、前記回路基板が収容される内部空間を有する。前記入力側端子部と前記出力側端子部とは電気的に接続される。前記入力側端子部と前記送り側端子部とは前記電気回路を介して電気的に接続される。前記ハウジングは、金属製のボディと、前記ボディと結合される金属製のカバーと、を有する。前記同軸ケーブル用コンセントは、前記端子板と前記ボディとを電気的に接続する弾性を有する導電部材を更に備える。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月29日(2020.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
待機位置、実装位置および出口位置が順番に基板搬送方向に並ぶ基板搬送部と、
部品を供給する部品供給部と、
前記部品供給部により供給された部品をピックアップして、前記基板搬送部により前記実装位置に保持された基板に実装する実装処理を実行する実装ヘッドと、
前記実装処理で前記基板に部品を実装する手順を示す実装プログラムを読み込んで記憶する記憶部を有し、前記記憶部に記憶された前記実装プログラムに基づき前記実装ヘッドによる前記実装処理を制御する制御部と
を備え、
一の基板に対する前記実装処理が、前記記憶部に記憶された前記一の基板用の前記実装プログラムである一の実装プログラムに基づき実行されると、前記一の基板と異なる種類の次の基板が前記基板搬送方向の上流から前記実装位置に搬送されて、前記次の基板に対する前記実装処理が、前記記憶部に記憶された前記次の基板用の前記実装プログラムである次の実装プログラムに基づき実行され、
前記基板搬送部は、前記実装ヘッドが前記一の基板に前記一の実装プログラムに基づく前記実装処理を実行中に前記次の基板を前記待機位置に搬入する事前搬入を実行可能であり、前記実装ヘッドが前記一の基板に前記一の実装プログラムに基づく前記実装処理を完了すると、前記実装位置から前記出口位置へ前記一の基板の搬送を開始し、
前記制御部は、前記一の基板に対する前記実装処理の開始から前記一の基板の前記出口位置への到達までに、前記記憶部への前記次の実装プログラムの読み込みを開始する部品実装機。
【請求項２】
前記基板搬送部は、前記一の基板の前記出口位置への搬送の開始から前記出口位置への到達までに、前記次の基板の前記待機位置から前記実装位置への搬送を開始する請求項１に記載の部品実装機。
【請求項３】
前記基板搬送部は、前記基板搬送方向において前記実装位置より下流であって前記出口位置より上流の所定位置に、前記出口位置へ向けて搬送中の前記一の基板が到達すると、前記次の基板の前記待機位置から前記実装位置への搬送を開始する請求項２に記載の部品実装機。
【請求項４】
前記制御部は、前記事前搬入の開始に伴って、前記記憶部への前記次の実装プログラムの読み込みを開始する請求項１ないし３のいずれか一項に記載の部品実装機。
【請求項５】
前記制御部は、前記事前搬入の開始に伴って開始する前記次の実装プログラムの読み込みでは、前記次の実装プログラムのうち、前記次の基板に最初に実装する部品を示す情報を含む一部のみを前記記憶部に読み込む請求項４に記載の部品実装機。
【請求項６】
前記制御部は、前記一の基板への前記実装処理が完了した後に、前記次の実装プログラムのうち前記一部以外の残りを前記記憶部へ読み込む請求項５に記載の部品実装機。
【請求項７】
前記実装ヘッドは、前記実装位置から前記出口位置への前記一の基板の搬送と並行して、前記次の基板に最初に実装する部品を前記部品供給部からピックアップする請求項５または６に記載の部品実装機。
【請求項８】
前記制御部は、前記実装位置から前記出口位置への前記一の基板の搬送が開始されると、前記記憶部への前記次の実装プログラムの読み込みを開始する請求項１ないし３のいずれか一項に記載の部品実装機。
【請求項９】
前記制御部は、前記基板搬送方向において前記実装位置より下流であって前記出口位置より上流の所定位置に、前記出口位置へ向けて搬送中の前記一の基板が到達すると、前記記憶部への前記次の実装プログラムの読み込みを開始する請求項１ないし３のいずれか一項に記載の部品実装機。
【請求項１０】
前記実装ヘッドは、前記次の実装プログラムの前記記憶部への読み込みが完了すると、前記次の基板の前記待機位置から前記実装位置への搬送と並行して、前記次の基板に最初に実装する部品を前記部品供給部からピックアップする請求項８または９に記載の部品実装機。
【請求項１１】
前記待機位置および前記実装位置は、前記基板搬送方向に直交する幅方向における幅が等しい前記基板を同時に保持可能である一方、幅が異なる前記基板を同時に保持不能であり、
前記制御部は、前記一の基板の幅と前記次の基板の幅が等しいという基板幅条件が満たされない場合には、前記基板搬送部に前記事前搬入の実行を禁止する請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の部品実装機。
【請求項１２】
前記制御部は、前記基板幅条件が満たされる場合には、前記基板搬送部に前記事前搬入の実行を許可する請求項１１に記載の部品実装機。
【請求項１３】
前記実装位置には、前記基板を下方から支持する支持ピンが配置され、
前記制御部は、前記一の基板を支持するための前記支持ピンの配置態様と、前記次の基板を支持するための前記支持ピンの配置態様とが異なる場合には、前記一の基板が前記出口位置に到達した後に前記支持ピンの配置を前記実装ヘッドにより前記次の基板用に変更してから、前記次の基板の前記待機位置から前記実装位置への搬送を開始する請求項１２に記載の部品実装機。
【請求項１４】
前記実装位置には、前記基板を下方から支持する支持ピンが配置され、
前記制御部は、前記一の基板を支持するための前記支持ピンの配置態様と、前記次の基板を支持するための前記支持ピンの配置態様とが等しいというピン配置条件が満たされない場合には、前記基板搬送部に前記事前搬入の実行を禁止する請求項１１に記載の部品実装機。
【請求項１５】
前記制御部は、前記基板幅条件と前記ピン配置条件の両方が満たされる場合には、前記基板搬送部に前記事前搬入の実行を許可する請求項１４に記載の部品実装機。
【請求項１６】
待機位置、実装位置および出口位置が順番に基板搬送方向に並ぶ基板搬送部によって、一の基板を前記実装位置に搬送して、記憶部に記憶された一の実装プログラムに基づき前記一の基板に部品を実装する工程と、
一の基板と異なる種類の次の基板を前記基板搬送部によって前記基板搬送方向の上流から前記実装位置に搬送して、前記記憶部に記憶された次の実装プログラムに基づき前記次の基板に部品を実装する工程と
を備え、
前記一の実装プログラムに基づく部品の実装を前記一の基板に対して実行中に、前記次の基板を前記待機位置に搬入する事前搬入が実行され、
前記一の実装プログラムに基づく部品の実装が前記一の基板に対して完了すると、前記実装位置から前記出口位置へ前記一の基板の搬送が開始され、
前記一の基板に対する部品の実装の開始から前記一の基板の前記出口位置への到達までに、前記記憶部への前記次の実装プログラムの読み込みが開始される部品実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、実装位置には、基板を下方から支持する支持ピンが配置され、制御部は、一の基板を支持するための支持ピンの配置態様と、次の基板を支持するための支持ピンの配置態様とが異なる場合には、一の基板が出口位置に到達した後に支持ピンの配置を実装ヘッドにより次の基板用に変更してから、次の基板の待機位置から実装位置への搬送を開始するように、部品実装機を構成しても良い。これによって、適切に配置された支持ピンによって、次の基板を実装位置にしっかりと支持することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月27日(2020.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法であって、前記部品の表面は、前記プラズマ処理装置のチャンバ内に提供された内部空間を画成する表面に含まれ、該方法は、
前記内部空間に第１のガス及び第２のガスを供給することにより、前記部品の前記表面上に被膜を形成する工程であり、該第１のガスに含まれる第１の化合物と該第２のガスに含まれる第２の化合物との重合により、該被膜を構成する化合物が形成され、前記第１の化合物がイソシアネートであり、前記第２の化合物がアミン又は水酸基を有する化合物である、該工程と、
前記内部空間の中で基板処理が実行された後に、該基板処理によって前記被膜上に形成された堆積物を除去する工程であり、前記被膜を構成する前記化合物の解重合が生じるように前記部品が加熱される、該工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記内部空間はその中で前記基板処理が行われる第１空間及び該第１空間とは別の第２空間を含み、
前記プラズマ処理装置は、
前記第１空間と前記第２空間との境界上で延在し、それらを介して前記第１空間と前記第２空間とが互いに連通する複数の貫通孔を有する隔壁と、
前記第１空間内でその上に載置された基板を支持するように構成された支持台と、
前記第１空間に接続されたガス供給系と、
前記第２空間に接続された排気装置と、
を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記内部空間を画成する前記表面は、前記第１空間を画成する第１表面及び前記第２空間を画成する第２表面を含み、
前記部品の前記表面は、前記第２表面に含まれ、
前記部品の表面上に被膜を形成する前記工程の後、前記基板処理の前に、前記第１空間内で生成されたガスのプラズマにより、前記第１表面上で延在する前記被膜を除去する工程を更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記部品の表面上に被膜を形成する前記工程は、前記支持台上に保護部材が載置された状態で実行され、
前記部品の表面上に被膜を形成する前記工程の後、前記保護部材が前記支持台上から取り除かれた状態で、第１表面上で延在する前記被膜を除去する前記工程が実行される、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記支持台は、
冷媒用の流路がその中に形成された下部電極と、
前記下部電極上に設けられており、その上に載置された基板を前記第１空間の中で保持するように構成された静電チャックと、
を有し、
前記静電チャックの中にはヒータが設けられており、
前記部品の表面上に被膜を形成する前記工程の後、前記静電チャックの表面上で延在する前記被膜を解重合させて除去するために、前記ヒータを発熱させる工程を更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
堆積物を除去する前記工程において、前記部品の中に設けられたヒータ、及び、前記部品に対して非接触で該部品を加熱する非接触ヒータが、前記部品を加熱するために用いられる、請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記非接触ヒータは、前記内部空間に対して前記チャンバの外側に設けられている、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記基板処理は、成膜処理及びエッチングのうち少なくとも一方を含む、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記基板処理は、化学気相成長（ＣＶＤ）法による成膜処理、プラズマ強化ＣＶＤ法による成膜処理、原子層堆積（ＡＬＤ）法による成膜処理、又はプラズマ強化ＡＬＤ法による成膜処理を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板処理は、前記成膜処理と前記エッチングを含み、該エッチングは前記成膜処理の後に実行されるプラズマエッチングである、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板処理において処理される基板は、下地膜及びマスクを有し、該マスクは、該下地膜上に設けられており、開口を提供しており、
前記成膜処理は、原子層堆積法によって行われ、
前記内部空間に前駆体ガスを供給する工程と、
前記内部空間をパージする工程と、
前記内部空間に、前記前駆体ガスに含まれる前駆体と反応する反応性ガスを供給する工程と、
前記内部空間をパージする工程と、
を含み、
前記成膜処理によって前記基板上に形成される膜は、前記開口を画成する前記マスクの側壁面に沿って延在する第１領域及び前記下地膜上で延在する第２領域を含み、
前記プラズマエッチングは、前記第１領域を除去せずに前記第２領域を除去するために実行される、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
反応性ガスを供給する前記工程において、該反応性ガスのプラズマが前記内部空間の中で生成される、請求項１１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月27日(2020.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法であって、前記部品は、前記プラズマ処理装置の処理チャンバによって画成される内部空間の中に配置される部品であり、該方法は、
前記部品の表面上に被膜を形成する工程であり、第１のガスに含まれる第１の化合物と第２のガスに含まれる第２の化合物との重合により、該被膜を構成する化合物が形成され、前記第１の化合物がイソシアネートであり、前記第２の化合物がアミン又は水酸基を有する化合物である、該工程と、
前記内部空間の中で基板処理を実行する工程と、
前記内部空間の中で基板処理を実行する前記工程の後に、前記処理チャンバから加熱チャンバに前記部品を移動させる工程と、
前記被膜を構成する前記化合物の解重合が生じるように、前記部品を加熱する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記処理チャンバとは別の成膜チャンバの中に前記部品を配置する工程を更に含み、
前記部品の表面上に被膜を形成する前記工程では、前記成膜チャンバの中で前記被膜が前記部品の表面上に形成され、
前記部品の表面上に被膜を形成する前記工程の後、前記基板処理の前に、前記部品が、前記内部空間の中の所定位置に配置される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記処理チャンバと前記成膜チャンバは、減圧可能な搬送チャンバを介して接続されており、
成膜チャンバの中に前記部品を配置する前記工程及び前記内部空間の中の前記所定位置に前記部品を配置する工程では、搬送機構により前記搬送チャンバを介して前記処理チャンバと前記成膜チャンバとの間で前記部品が搬送される、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記加熱チャンバは前記搬送チャンバに接続されており、
前記部品を移動させる前記工程では、前記搬送機構により前記搬送チャンバを介して前記処理チャンバと前記加熱チャンバとの間で前記部品が搬送される、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記部品を加熱する前記工程の後、前記成膜チャンバの中に前記部品を搬送する工程を更に含む、請求項２〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記加熱チャンバは前記成膜チャンバである、請求項２〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記基板処理は、成膜処理及びエッチングのうち少なくとも一方を含む、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記基板処理は、化学気相成長（ＣＶＤ）法による成膜処理、プラズマ強化ＣＶＤ法による成膜処理、原子層堆積（ＡＬＤ）法による成膜処理、又はプラズマ強化ＡＬＤ法による成膜処理を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記基板処理は前記成膜処理と前記エッチングを含み、該エッチングは前記成膜処理の後に実行されるプラズマエッチングである、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板処理によって処理される基板は、下地膜及びマスクを有し、該マスクは、該下地膜上に設けられており、開口を提供しており、
前記成膜処理は、原子層堆積法によって行われ、
前記内部空間に前駆体ガスを供給する工程と、
前記内部空間をパージする工程と、
前記内部空間に、前記前駆体ガスに含まれる前駆体と反応する反応性ガスを供給する工程と、
前記内部空間をパージする工程と、
を含み、
前記成膜処理によって前記基板上に形成される膜は、前記開口を画成する前記マスクの側壁面に沿って延在する第１領域及び前記下地膜上で延在する第２領域を含み、
前記プラズマエッチングは、前記第１領域を除去せずに前記第２領域を除去するために実行される、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
反応性ガスを供給する前記工程において、該反応性ガスのプラズマが前記内部空間の中で生成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記内部空間は、そこで基板処理が行われる第１空間及び該第１空間とは別の第２空間を含み、
前記プラズマ処理装置は、
前記第１空間と前記第２空間との境界上で延在し、それらを介して前記第１空間と前記第２空間とが互いに連通する複数の貫通孔を有する隔壁と、
前記第１空間内でその上に載置された基板を支持するように構成された支持台と、
前記第１空間に接続されたガス供給系と、
前記第２空間に接続された排気装置と、
を含む、請求項１〜１１の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記内部空間を画成する表面は、第１表面及び第２表面を含み、該第１表面は前記第１空間を画成し、該第２表面は前記第２空間を画成し、
前記部品の表面は、前記第２表面の一部である領域を含む、
請求項１２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月7日(2020.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子を挟みかつ当該半導体素子と半田材を介して、それぞれ接続される第１導体及び第２導体と、を備え、
前記半導体素子は、一方の面に第１電極と、他方の面に第２電極と、当該一方の面に配線と、当該配線を覆う保護摸とを有し、
前記第１導体は、前記半導体素子の前記一方の面側に配置され、
さらに前記第１導体は、前記保護摸と対向する部分に他の部分より突出する突出部を有するパワー半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパワー半導体装置であって、
前記突出部の幅が前記保護膜の幅よりも長く、かつ前記突出部の側壁は保護膜側壁よりも外側に位置するパワー半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載のパワー半導体装置であって、
前記突出部が前記配線の平面パターンに沿って形成され、前記配線を覆う前記保護膜の幅よりも長く、かつ前記突出部側壁は保護膜側壁よりも外側に位置するパワー半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載のパワー半導体装置であって、
前記突出部が前記配線の平面パターンを覆うように形成されるパワー半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のパワー半導体装置であって、
前記突出部と前記保護膜との間には、前記半田材が配置しているパワー半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月25日(2020.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の明るさを制御するカメラ制御値を算出するカメラ制御部と、
前記カメラ制御部によって算出された前記カメラ制御値を用いて第１の画像を撮像する画像撮像部と、
前記画像撮像部によって撮像された前記第１の画像から所定の形状および輝度の物体を検出する物体検出部と、
前記画像撮像部によって撮像された画像の中の標識の認識処理を行う標識認識部と、を備え、
前記物体検出部によって前記所定の形状および輝度の物体が検出された場合に、
前記カメラ制御部は、前記カメラ制御値を調整し、
前記画像撮像部は、当該調整されたカメラ制御値を用いて第２の画像を撮像し、
前記標識認識部は、前記第２の画像を用いて、前記第２の画像の中の標識を認識する
ことを特徴とする物体認識装置。
【請求項２】
請求項１に記載の物体認識装置であって、
前記所定の形状および輝度の物体は、
高輝度物体である
ことを特徴とする物体認識装置。
【請求項３】
請求項２に記載の物体認識装置であって、
前記所定の形状および輝度の物体は、
円形形状である
ことを特徴とする物体認識装置。
【請求項４】
請求項２に記載の物体認識装置であって、
前記カメラ制御部は、
前記所定の形状および輝度の物体が検出される前に、画像の明るさの基準として第１のカメラ制御値を算出し、
前記所定の形状および輝度の物体が検出された場合に、前記所定の形状および輝度の物体が検出される前に比べて画像が暗くなる第２のカメラ制御値を算出する
ことを特徴とする物体認識装置。
【請求項５】
請求項４に記載の物体認識装置であって、
前記カメラ制御部は、
前記所定の形状および輝度の物体が検出された後、前記第１のカメラ制御値と、前記第２のカメラ制御値と、を交互に算出する
ことを特徴とする物体認識装置。
【請求項６】
請求項１に記載の物体認識装置であって、
前記標識認識部は、
前記カメラ制御部によって算出された前記カメラ制御値に応じた標識種別の道路標識を選択的に認識する
ことを特徴とする物体認識装置。
【請求項７】
請求項４に記載の物体認識装置であって、
前記第１のカメラ制御値を用いて撮像された画像に対する前記標識認識部の認識結果と、前記第２のカメラ制御値を用いて撮像された画像に対する前記標識認識部の認識結果と、を比較する認識結果比較部をさらに備え、
前記カメラ制御部は、
前記所定の形状および輝度の物体が検出された後、前記認識結果の変化量が所定値未満の場合に、前記第１のカメラ制御値を算出する
ことを特徴とする物体認識装置。
【請求項８】
請求項２に記載の物体認識装置であって、
前記高輝度物体は、
LED式電光標識より高い輝度を有する
ことを特徴とする物体認識装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の物体認識装置は、画像の明るさを制御するカメラ制御値を算出するカメラ制御部と、前記カメラ制御部によって算出された前記カメラ制御値を用いて第１の画像を撮像する画像撮像部と、前記画像撮像部によって撮像された前記第１の画像から所定の形状および輝度の物体を検出する物体検出部と、前記画像撮像部によって撮像された画像の中の標識の認識処理を行う標識認識部と、を備え、前記物体検出部によって前記所定の形状および輝度の物体が検出された場合に、前記カメラ制御部は、前記カメラ制御値を調整し、前記画像撮像部は、当該調整されたカメラ制御値を用いて第２の画像を撮像し、前記標識認識部は、前記第２の画像を用いて、前記第２の画像の中の標識を認識する。