【手続補正書】
【提出日】令和2年2月10日(2020.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１導電領域を含む第１電極と、
第２導電領域を含む第２電極と、
第３電極であって、前記第３電極の一部から前記第１導電領域への第１方向は、前記第２導電領域から前記第１導電領域への第２方向と交差し、前記第３電極の別の一部から前記第２導電領域への方向は、前記第１方向に沿う、前記第３電極と、
炭化珪素を含み第１導電形の第１半導体領域であって、前記第１半導体領域は、第１〜第４部分領域を含み、
前記第１部分領域は、前記第１方向において、前記第３電極の前記一部と前記第１導電領域との間に位置し、
前記第２部分領域は、前記第１方向において前記第３電極の前記別の一部と前記第２導電領域との間に位置し、
前記第３部分領域は、前記第２方向において前記第１部分領域と前記第２部分領域との間に位置し、
前記第３部分領域から前記第４部分領域への方向は、前記第１方向に沿い、前記第４部分領域から前記第１導電領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第１半導体領域と、
炭化珪素を含み前記第１導電形の第２半導体領域であって、前記第２半導体領域は、第５部分領域を含み、前記第１方向において、前記第３部分領域と前記第５部分領域との間に前記第４部分領域が位置し、前記第５部分領域から前記第１導電領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２半導体領域と、
炭化珪素を含み第２導電形の第３半導体領域であって、前記第３半導体領域は、前記第１方向において前記第４部分領域と前記第５部分領域との間に設けられた第６部分領域を含む、前記第３半導体領域と、
炭化珪素を含み前記第２導電形の第４半導体領域であって、前記第４半導体領域は、前記第２導電領域と電気的に接続され、前記第４半導体領域は、第１部分及び第２部分を含み、
前記第１部分は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第１導電領域との間に位置し、
前記第１導電領域から前記第２部分への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第２部分は、前記第１部分と連続し、
第１〜第３絶縁領域を含む第１絶縁膜であって、
前記第１絶縁領域は、前記第１部分と前記第１導電領域との間に位置し、
前記第２絶縁領域は、前記第４部分領域と前記第１導電領域との間、前記第６部分領域と前記第１導電領域との間、及び、前記第５部分領域と前記第１導電領域との間に位置し、前記第２絶縁領域は、前記第４部分領域及び前記第６部分領域と接し、
前記第３絶縁領域は、前記第２部分と前記第１導電領域との間に位置した、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記第１電極は、第４導電領域をさらに含み、
前記第１半導体領域は、第１１〜第１５部分領域をさらに含み、
前記第２半導体領域は、第１６部分領域を含み、
前記第３半導体領域は、第１７及び第１８部分領域をさらに含み、
前記第４半導体領域は、第８〜第１１部分をさらに含み、
前記第１絶縁膜は、第４〜第６絶縁領域をさらに含み、
前記第２方向において、前記第８部分領域と前記第１３部分領域との間に前記第７部分領域が位置し、
前記第２方向において、前記第７部分領域と前記第１３部分領域との間に前記第１１部分領域が位置し、
前記第２方向において、前記第７部分領域と前記第１１部分領域との間に前記第１２部分領域が位置し、
前記第１１部分領域から前記第４導電領域への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第２方向において、前記第３導電領域と前記第４導電領域との間に前記第１７部分領域が位置し、
前記第１方向において、前記第１２部分領域と前記第１７部分領域との間に前記第１４部分領域が位置し、
前記第１３部分領域から前記第１６部分領域への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１方向において、前記第１３部分領域と前記第１６部分領域との間に前記第１５部分領域が位置し、
前記第１方向において、前記第１５部分領域と前記第１６部分領域との間に前記第１８部分領域が位置し、
前記第１方向において、前記第１１部分領域と前記第４導電領域との間に前記第８部分が位置し、
前記第２方向において、前記第１７部分領域の少なくとも一部と前記第４導電領域との間に前記第９部分が位置し、
前記第１方向において、前記第１０部分と前記第１４部分領域との間に前記第１７部分領域が位置し、
前記第２方向において、前記第６部分と前記第１１部分との間に前記第３導電領域が位置し、前記第１１部分は、前記第５部分及び前記第１０部分と連続し、
前記第４絶縁領域は、前記第８部分と前記第４導電領域との間に位置し、
前記第５絶縁領域は、前記第９部分と前記第４導電領域との間に位置し、
前記第６絶縁領域は、前記第１５部分領域と前記第４導電領域との間、前記第１６部分領域と前記第４導電領域との間、及び、前記第１８部分領域と前記第４導電領域との間に位置し、
前記第６絶縁領域は、前記第１５部分領域、前記第１６部分領域及び前記第１８部分領域と接した、請求項１２記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第１〜第３電極、第１〜第４半導体領域、及び第１絶縁膜を含む。前記第１電極は、第１導電領域を含む。前記第２電極は、第２導電領域を含む。前記第３電極の一部から前記第１導電領域への第１方向は、前記第２導電領域から前記第１導電領域への第２方向と交差する。前記第３電極の別の一部から前記第２導電領域への方向は、前記第１方向に沿う。前記第１半導体領域は、炭化珪素を含み第１導電形である。前記第１半導体領域は、第１〜第４部分領域を含む。前記第１部分領域は、前記第１方向において、前記第３電極の前記一部と前記第１導電領域との間に位置する。前記第２部分領域は、前記第１方向において前記第３電極の前記別の一部と前記第２導電領域との間に位置する。前記第３部分領域は、前記第２方向において前記第１部分領域と前記第２部分領域との間に位置する。前記第３部分領域から前記第４部分領域への方向は、前記第１方向に沿う。前記第４部分領域から前記第１導電領域への方向は、前記第２方向に沿う。前記第２半導体領域は、炭化珪素を含み前記第１導電形である。前記第２半導体領域は、第５部分領域を含む。前記第１方向において、前記第３部分領域と前記第５部分領域との間に前記第４部分領域が位置する。前記第５部分領域から前記第１導電領域への方向は、前記第２方向に沿う。前記第３半導体領域は、炭化珪素を含み第２導電形である。前記第３半導体領域は、前記第１方向において前記第４部分領域と前記第５部分領域との間に設けられた第６部分領域を含む。前記第４半導体領域は、炭化珪素を含み前記第２導電形である。前記第４半導体領域は、前記第２導電領域と電気的に接続され、前記第４半導体領域は、第１部分及び第２部分を含む。前記第１部分は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第１導電領域との間に位置する。前記第１導電領域から前記第２部分への方向は、前記第２方向に沿う。前記第２部分は、前記第１部分と連続する。前記第１絶縁膜は、第１〜第３絶縁領域を含む。前記第１絶縁領域は、前記第１部分と前記第１導電領域との間に位置する。前記第２絶縁領域は、前記第４部分領域と前記第１導電領域との間、前記第６部分領域と前記第１導電領域との間、及び、前記第５部分領域と前記第１導電領域との間に位置する。前記第２絶縁領域は、前記第４部分領域及び前記第６部分領域と接する。前記第３絶縁領域は、前記第２部分と前記第１導電領域との間に位置する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この例では、第４半導体領域１４と第２電極５２との間に、第２導電形領域１４ｃが設けられている。例えば、第１方向（Ｚ軸方向）において、第３部分ｐ３と第２導電領域ｃｒ２との間に、１つの第２導電形領域１４ｃが位置する。第２導電形領域１４ｃは、第４半導体領域１４と第２電極５２とのコンタクト領域として機能する。例えば、第２導電形領域１４ｃにおける第２導電形の不純物濃度は、第４半導体領域１４における第２導電形の不純物濃度よりも高い。第２導電形領域１４ｃは、例えば、ｐ＋＋領域である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
図８において、半導体領域１１ｆ及び１１ｇが、第１半導体領域１１となる。半導体領域１３ｆが、第３半導体領域１３となる。半導体領域１２ｆが、第２半導体領域１２となる。半導体領域１４ｆ及び１４ｇが、第４半導体領域１４となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
例えば、第１方向（Ｚ軸方向）と交差する平面（Ｘ−Ｙ平面）において、第１電極５１は、第１〜第４辺ｓ１〜ｓ４を含む。第２辺ｓ２は、第１辺ｓ１が延びる方向に延びる。第４辺ｓ４は、第３辺ｓ３が延びる方向に延びる。第３辺ｓ３は、第１辺ｓ１及び第２辺ｓ２と接続される。第４辺ｓ４は、第１辺ｓ１及び第２辺ｓ２と接続される。第２導電領域ｃｒ２は、第１辺ｓ１と第２辺ｓ２との間に位置する。第２導電領域ｃｒ２は、第３辺ｓ３と第４辺ｓ４との間に位置する。実施形態において、第１電極５１の形状は、六角形または四角形であることが好ましい。