【手続補正書】
【提出日】令和2年2月20日(2020.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるフタロシアニン誘導体を含む、
組成物。
【化１】
2019176126.tif 000001
但し、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立して、アルキル基であり、ＭはＳｉであり、Ｒ９およびＲ１０は下記一般式（２）〜（５）で表される置換基のうちのいずれか１つである。また、Ｒ１１〜Ｒ１３は、それぞれ独立してアルキル基であり、Ｒ１４〜Ｒ１８は、それぞれ独立して、アルキル基またはアリール基である。
【化２】
2019176126.tif 000002
【化３】
2019176126.tif 000003
【化４】
2019176126.tif 000004
【化５】
2019176126.tif 000005
【請求項２】
前記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ８は炭素数５以下のアルキル基である、
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記フタロシアニン誘導体は、下記一般式（６）および（８）〜（１０）で表される化合物のうちのいずれか１つである、
請求項１または請求項２に記載の組成物。
但し、Ａｒはアリール基であり、Ｘは炭素数１０以下のアルキル基である。
【化６】
2019176126.tif 000006
【化７】
2019176126.tif 000007
【化８】
2019176126.tif 000008
【化９】
2019176126.tif 000009
【請求項４】
前記一般式（１）において、
Ｒ９およびＲ１０の少なくとも１つは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子または含フッ素基で置換されている、
請求項１または請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
前記一般式（１）において、
Ｒ９およびＲ１０は、前記一般式（５）であり、
前記一般式（５）においてＲ１７およびＲ１８は、それぞれ独立してアリール基であり、
少なくとも１つの前記アリール基は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子または含フッ素基で置換されている、
請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記一般式（５）においてＲ１７およびＲ１８は、それぞれ独立してフェニル基であり、
少なくとも１つの前記フェニル基は、少なくとも一つの水素原子がフッ素原子またはトリフルオロメチル基で置換されている、
請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記フタロシアニン誘導体は、下記構造式（１２）〜（１５）で表される化合物のうちのいずれか１つである請求項４〜請求項６のいずれか一項に記載の組成物。
【化１０】
2019176126.tif 000010
【化１１】
2019176126.tif 000011
【化１２】
2019176126.tif 000012
【化１３】
2019176126.tif 000013
【請求項８】
一対の電極と、
前記一対の電極の間に設けられ、下記一般式（１）で表されるフタロシアニン誘導体を含む組成物を含む近赤外光電変換膜と、
を備える、
近赤外光電変換素子。
【化１４】
2019176126.tif 000014
但し、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立して、アルキル基またはアリール基であり、Ｍは４価の金属であり、Ｒ９およびＲ１０は下記一般式（２）〜（５）で表される置換基のうちのいずれか１つである。また、Ｒ１１〜Ｒ１３は、それぞれ独立してアルキル基であり、Ｒ１４〜Ｒ１８は、それぞれ独立して、アルキル基またはアリール基である。
【化１５】
2019176126.tif 000015
【化１６】
2019176126.tif 000016
【化１７】
2019176126.tif 000017
【化１８】
2019176126.tif 000018
【請求項９】
前記近赤外光電変換膜のイオン化ポテンシャルは５．１ｅＶ以上である、
請求項８に記載の近赤外光電変換素子。
【請求項１０】
前記近赤外光電変換膜における前記組成物の濃度は５重量％以上かつ２５重量％以下である、
請求項８または請求項９に記載の近赤外光電変換素子。
【請求項１１】
前記近赤外光電変換膜は、吸収スペクトルにおける吸収極大波長が８０３ｎｍ以上である、
請求項８〜請求項１０のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。
【請求項１２】
前記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ８は炭素数５以下のアルキル基である、
請求項８〜請求項１１のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。
【請求項１３】
前記一般式（１）において、ＭはＳｉまたはＳｎである、
請求項８〜請求項１２のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。
【請求項１４】
前記フタロシアニン誘導体は、下記一般式（６）〜（１１）で表される化合物のうちのいずれか１つである、
請求項８〜請求項１３のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。
但し、Ａｒはアリール基であり、Ｘは炭素数１０以下のアルキル基である。
【化１９】
2019176126.tif 000019
【化２０】
2019176126.tif 000020
【化２１】
2019176126.tif 000021
【化２２】
2019176126.tif 000022
【化２３】
2019176126.tif 000023
【化２４】
2019176126.tif 000024
【請求項１５】
前記一般式（１）において、
Ｒ９およびＲ１０の少なくとも１つは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子または含フッ素基で置換されている、
請求項８〜請求項１４のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。
【請求項１６】
前記一般式（１）において、
Ｒ９およびＲ１０は、前記一般式（５）であり、
前記一般式（５）においてＲ１７およびＲ１８は、それぞれ独立してアリール基であり、
少なくとも１つの前記アリール基は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子または含フッ素基で置換されている、
請求項８〜請求項１５のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。
【請求項１７】
前記一般式（５）においてＲ１７およびＲ１８は、それぞれ独立してフェニル基であり、
少なくとも１つの前記フェニル基は、少なくとも一つの水素原子がフッ素原子またはトリフルオロメチル基で置換されている、
請求項１６に記載の近赤外光電変換素子。
【請求項１８】
前記フタロシアニン誘導体は、下記構造式（１２）〜（１５）で表される化合物のうちのいずれか１つである請求項８〜請求項１７のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。
【化２５】
2019176126.tif 000025
【化２６】
2019176126.tif 000026
【化２７】
2019176126.tif 000027
【化２８】
2019176126.tif 000028
【請求項１９】
基板と、
前記基板に設けられた電荷検出回路、前記基板上に設けられた光電変換部、および前記電荷検出回路と前記光電変換部とに電気的に接続された電荷蓄積ノードを含む画素と、
を備え、
前記画素の前記光電変換部は請求項８〜請求項１８のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子を含む、
撮像装置。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
但し、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立して、アルキル基であり、ＭはＳｉであり、Ｒ９およびＲ１０は下記一般式（２）〜（５）で表される置換基のうちのいずれか１つである。また、Ｒ１１〜Ｒ１３は、それぞれ独立してアルキル基であり、Ｒ１４〜Ｒ１８は、それぞれ独立して、アルキル基またはアリール基である。