【手続補正書】
【提出日】令和2年11月2日(2020.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元的な部材を付加的に製造するための装置であって、
プロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバから構造材料粒子を収集する気体流が、前記プロセスチャンバを貫流するように構成された、流れ発生装置と、
前記プロセスチャンバから前記構造材料粒子を収集した後、前記気体流を受け取るように構成された、分離装置と、
を備えた装置であって、
前記分離装置が、
粉体チャンバを規定する１つ以上の粉体チャンバ壁部と、前記１つ以上の粉体チャンバ壁部のうちの少なくとも１つから前記粉体チャンバ内へ延在する分離要素と、を備えた粉体モジュールであって、前記プロセスチャンバから前記分離装置内へ流れる前記気体流の横方向に対し、前記分離要素の上流部と前記１つ以上の粉体チャンバ壁部の上流部との間に隙間空間が規定された、粉体モジュールと、
前記分離要素の上方に位置する第１の分離範囲を規定する、垂直に整向された流れ通路であって、前記分離要素が、前記粉体チャンバの上部を占める第２の分離範囲を規定し、前記隙間空間が、前記分離要素の下方にある前記粉体チャンバの下部を占める第３の分離範囲内への通路を規定する、垂直に整向された流れ通路と、
を備えることを特徴とし、
前記気体流が前記プロセスチャンバから前記分離装置内へ流れると、第１の構造材料粒子画分及び第２の構造材料粒子画分が、前記気体流と共に前記隙間空間を過ぎて流れると共に、第３の構造材料粒子画分が、前記隙間空間を通って前記第３の分離範囲へ入り、前記第１の構造材料粒子画分が、前記気体流と共に前記垂直に整向された流れ通路内へ流れて前記第１の分離範囲へ入り、前記第２の構造材料粒子画分が、前記第２の分離範囲へ入ることを特徴とする、
装置。
【請求項２】
前記第１の構造材料粒子画分が、粒子径の下限を下回る粒子径分布及び／又は粒子密度の下限を下回る粒子密度分布を有し、且つ／或いは、
前記第２の構造材料粒子画分が、粒子径の下限から粒子径の上限までの粒子径分布及び／又は粒子密度の下限から粒子密度の上限までの粒子密度分布を有し、且つ／或いは、
前記第３の構造材料粒子画分が、粒子径の上限を上回る粒子径分布及び／又は粒子密度の上限を上回る粒子密度分布を有することを特徴とする、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
構造材料層を形成するように構成された積層装置を備えており、前記粉体モジュールが、前記積層装置で前記構造材料層を形成する際に溢れた構造材料を受け取るように構成された収集モジュール又はオーバーフローモジュールを規定することを特徴とする、
請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記垂直に整向された流れ通路の下流に接続され、前記気体流から前記第１の構造材料粒子画分を分離するように構成された、フィルタ装置を備えることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記分離要素が、少なくとも１つの運動自由度で、前記１つ以上の粉体チャンバ壁部のうちの少なくとも１つに対して、且つ／或いは前記粉体チャンバの底部に対して、運動可能に支持されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記隙間空間の幅が、前記１つ以上の粉体チャンバ壁部のうちの前記少なくとも１つに対する、且つ／或いは前記粉体チャンバの前記底部に対する、前記分離要素の運動によって変化可能であることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第２の分離範囲の方向への少なくとも前記第２の構造材料粒子画分の流れに影響を与える搬送流を発生させるように構成された、追加的な流れ発生装置を備えることを特徴とする、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記追加的な流れ発生装置によって発生する前記搬送流が、前記隙間空間を越える少なくとも前記第２の構造材料粒子画分の流れに影響を与えるように構成されることを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
三次元的な部材を付加的に製造する方法であって、
構造材料の連続層を、プロセスチャンバ内で層ごとにエネルギービームに露出することによって選択的に凝固化することと、
流れ発生装置で気体流を発生させて、前記気体流が前記プロセスチャンバを通って分離装置内へ流れるようにすることと、
を含む方法であって、
前記気体流が、前記プロセスチャンバから構造材料粒子を収集し、前記分離装置が、前記プロセスチャンバからの前記構造材料粒子を含む前記気体流を受け取るように構成されることを特徴とし、
前記分離装置が、
粉体チャンバを規定する１つ以上の粉体チャンバ壁部と、前記１つ以上の粉体チャンバ壁部のうちの少なくとも１つから前記粉体チャンバ内へ延在する分離要素と、を備えた粉体モジュールであって、前記プロセスチャンバから前記分離装置内へ流れる前記気体流の横方向に対し、前記分離要素の上流部と前記１つ以上の粉体チャンバ壁部の上流部との間に隙間空間が規定された、粉体モジュールと、
前記分離要素の上方に位置する第１の分離範囲を規定する、垂直に整向された流れ通路であって、前記分離要素が、前記粉体チャンバの上部を占める第２の分離範囲を規定し、前記隙間空間が、前記分離要素の下方にある前記粉体チャンバの下部を占める第３の分離範囲内への通路を規定する、垂直に整向された流れ通路と、
を備えることを特徴とし、
前記気体流が前記プロセスチャンバから前記分離装置内へ流れると、第１の構造材料粒子画分及び第２の構造材料粒子画分が、前記気体流と共に前記隙間空間を過ぎて流れると共に、第３の構造材料粒子画分が、前記隙間空間を通って前記第３の分離範囲へ入り、前記第１の構造材料粒子画分が、前記気体流と共に前記垂直に整向された流れ通路内へ流れて前記第１の分離範囲へ入り、前記第２の構造材料粒子画分が、前記第２の分離範囲へ入ることを特徴とする、
方法。
【請求項１０】
前記第１の構造材料粒子画分が、粒子径の下限を下回る粒子径分布及び／又は粒子密度の下限を下回る粒子密度分布を有し、且つ／或いは、
前記第２の構造材料粒子画分が、粒子径の下限から粒子径の上限までの粒子径分布及び／又は粒子密度の下限から粒子密度の上限までの粒子密度分布を有し、且つ／或いは、
前記第３の構造材料粒子画分が、粒子径の上限を上回る粒子径分布及び／又は粒子密度の上限を上回る粒子密度分布を有することを特徴とする、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
積層装置で構造材料層を形成することと、
前記粉体モジュールで、前記積層装置で前記構造材料層を形成する際に溢れた構造材料を収集することと、
を含むことを特徴とする、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記垂直に整向された流れ通路の下流に接続されたフィルタ装置で、前記気体流から前記第１の構造材料粒子画分を分離することを含むことを特徴とする、
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記分離要素を、前記１つ以上の粉体チャンバ壁部のうちの少なくとも１つに対して、且つ／或いは前記粉体チャンバの底部に対して動かすことを含み、前記分離要素が、少なくとも１つの運動自由度で、前記１つ以上の粉体チャンバ壁部のうちの前記少なくとも１つに対して、且つ／或いは前記粉体チャンバの前記底部に対して、運動可能に支持されることを特徴とする、
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記１つ以上の粉体チャンバ壁部のうちの前記少なくとも１つに対する、且つ／或いは前記粉体チャンバの前記底部に対する、前記分離要素の運動によって、前記隙間空間の幅及び／又は長さを変化させることを含むことを特徴とする、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
追加的な流れ発生装置で、前記第２の分離範囲の方向への少なくとも前記第２の構造材料粒子画分の流れに影響を与える搬送流を発生させることを含むことを特徴とする、
請求項９〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記追加的な流れ発生装置からの前記搬送流で、前記隙間空間を越える少なくとも前記第２の構造材料粒子画分の流れに影響を与えることを含むことを特徴とする、
請求項１５に記載の方法。