(57)【要約】  本発明は、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法に関するものであって、さらに詳細には、様々な官能基で置換されたフェノール誘導体と（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとを反応物質として使用し、適切な溶媒と塩基存在下、適切な温度条件で求核置換反応させることによって、優れた光学純度及び生成収率で次の化学式１で表される、（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体を安価に製造する方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の化学式２で表されるフェノール誘導体と次の化学式３で表される（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートをアルカリ金属炭酸塩の存在下、脂肪族または芳香族炭化水素溶媒中で、６０〜１００℃の温度で反応させることを特徴とする、次の化学式１で表される光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
【化２】
2005536484.tif 000020
【化３】
2005536484.tif 000021
【化１】
2005536484.tif 000022
上記式中、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基またはベンジル基であり；Ｒ2は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基、フェニル基、またはＣ1〜Ｃ6のアルキル基あるいはＣ1〜Ｃ6のアルコキシ基で置換されたフェニル基であり；Ａは、フェニル基、ナフチル基、キノキサゾリルオキシフェニル基（ｑｕｉｎｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｌｙ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾキサゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾチアゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、フェニルオキシフェニル基（ｐｈｅｎｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ピリジルオキシフェニル基（ｐｙｒｉｄｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）及びフェニルオキシナフチル基（ｐｈｅｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈｙｌ  ｇｒｏｕｐ）の中から選択されたアリール基であり、ここで、上記アリール基は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、アセトキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基及びＣ1〜Ｃ4のハロアルコキシ基の中から選択された一つ乃至三つの置換基で置換してもよい。
【請求項２】
請求項１に記載された光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法において、
上記炭化水素溶媒は、トルエン、キシレン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、ｎ−ヘキサン、及びｎ−ヘプタンからなる群より選ばれた、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法において、
上記溶媒は、シクロヘキサンまたはキシレンである、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法において、
上記光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法は、塩基としてポタジウムカーボネートを用いて、８０℃、シクロヘキサン溶媒中において行う、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法に関するものでる。さらに詳細には、様々な官能基で置換されたフェノール誘導体と（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとを反応物質として使用し、適切な溶媒と塩基との存在下、適切な温度条件で求核置換反応させることによって、優れた光学純度及び生成収率で次の化学式１で表される、（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体を安価に製造する方法に関するものである。
【０００２】
【化１】
2005536484.tif 000002
【０００３】
上記式中、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基またはベンジル基であり、Ａは、フェニル基、ナフチル基、キノキサゾリルオキシフェニル基（ｑｕｉｎｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｌｙ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾキサゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾチアゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、フェニルオキシフェニル基（ｐｈｅｎｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ピリジルオキシフェニル基（ｐｙｒｉｄｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）及びフェニルオキシナフチル基（ｐｈｅｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈｙｌ  ｇｒｏｕｐ）の中から選択されたアリール基であり、ここで、上記アリール基は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、アセトキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基及びＣ1〜Ｃ4のハロアルコキシ基の中から選択された一つ乃至三つの置換基で置換してもよい。
【背景技術】
【０００４】
化学式１で表される化合物は、慣用的にプロピオン酸エステル（ｐｒｏｐｉｏｎｉｃ  ａｃｉｄ  ｅｓｔｅｒ）と呼ばれる化合物であって、植物の生理作用を阻害する除草物質としてよく知られている。プロピオン酸エステル誘導体の中でも光学活性を有する（Ｒ）−エチル２−［４−（６−クロロ−２−ベゾキサゾリルオキシ）フェノキシ］プロピオネートを含む幾つかの化合物が農薬として使用されている。
【０００５】
上記２置換プロピオン酸エステル誘導体は光学異性体を有する。特に、これらの  （Ｒ）−異性体が除草活性を有し、これらの（Ｓ）−異性体は、除草活性がほとんどないことが知られている。
【０００６】
プロピオン酸エステル誘導体の合成及びそれらの除草活性は、既に複数の文献によって公開されている（例えば、特許文献１〜６）。
【０００７】
プロピオン酸エステル誘導体の一般的な製造方法は、下記式４及び式５の二つの反応に代表される。
【０００８】
【化４】
2005536484.tif 000003
【０００９】
【化５】
2005536484.tif 000004
【００１０】
上記化学式１では、置換されたフェノールと（Ｓ）−アルキルＯ−サルフォニルラクテートとが反応し、化学式２では、２，６−ジクロロベゾキサゾルと（Ｒ）−エチル２−（４−ヒドロキシフェノキシ）プロピオネートとが反応する。これらの反応はアセトニトリルを含む極性溶媒中で行われ、（Ｒ）−フェノキサプロップエチルが得られる（収率７０〜８０％、光学異性体純度６０〜９０％）。
【００１１】
しかし、これらの方法では、副反応物として、約５〜２０％の（Ｓ）−異性体が５〜２０％生成し、その副反応物は容易に取り除くことができない。従って、再結晶などの複雑な精製過程が純粋な（Ｒ）フェノキサプロップエチルを得るために必要である。従って、製造コストが上昇する。さらに、この反応に使用される原料物質である（Ｒ）アルキル−２（４−ヒドロキシフェノキシ）プロピオネートの高い光学活性を維持することも負担となる。
【特許文献１】ヨーロッパ特許第１５７，２２５号
【特許文献２】ヨーロッパ特許第６２，９０５号
【特許文献３】ヨーロッパ特許第４４，４９７号
【特許文献４】ドイツ特許第３，４０９，２０１号
【特許文献５】ドイツ特許第３，２３６，７３０号
【特許文献６】ドイツ特許第２，６４０，７３０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明者らは、高い光学純度とよい収率を有する新しい（Ｒ）プロピオン酸エステル誘導体の製造方法を開発することに注力した。その結果、本発明者らは、（Ｒ）−プロピオン酸エステル誘導体のラセミ化を抑止する求核置換反応に適切な条件を見つけ出すことが重要であることを見いだした。
【００１３】
従って、本発明の目的は、ラセミ化を抑止した安価な光学活性（Ｒ）プロピオン酸エステル誘導体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、下記化学式２で表されるフェノール誘導体と下記化学式３で表される（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートをアルカリ金属炭酸塩の存在下、脂肪族または芳香族炭化水素溶媒中、６０〜１００℃の温度で反応させることにより、高い光学純度で（Ｒ）プロピオン酸エステル誘導体を製造する方法に関する。
【００１５】
【化６】
2005536484.tif 000005
【００１６】
上記式で、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基またはベンジル基であり、Ｒ2は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基、フェニル基、またはＣ1〜Ｃ6のアルキル基あるいはＣ1〜Ｃ6のアルコキシ基で置換されたフェニル基であり；Ａは、フェニル基、ナフチル基、キノキサゾリルオキシフェニル基（ｑｕｉｎｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｌｙ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾキサゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾチアゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、フェニルオキシフェニル基（ｐｈｅｎｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ピリジルオキシフェニル基（ｐｙｒｉｄｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）及びフェニルオキシナフチル基（ｐｈｅｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈｙｌ  ｇｒｏｕｐ）の中から選択されたアリール基であり、ここで、上記アリール基は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、アセトキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基及びＣ1〜Ｃ4のハロアルコキシ基の中から選択された一つ乃至三つの置換基で置換してもよい。
【００１７】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１８】
本発明は、フェノール誘導体と（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとを反応物質として使用して、求核置換反応を行うことにより、光学活性（Ｒ）−プロピオン酸エステル誘導体を高収率及び高純度で製造する方法に関するものである。その反応は、溶媒、温度、離脱基が適切化されたコンディションにおいて行われる。
【００１９】
上記化学式３により表された本発明の反応物質である、上記化学式２で表されるフェノール誘導体と上記化学式３で表される（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとは、公知の化合物であって、公知の方法により合成される。例えば、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノールは、安価に購入できるアミノフェノール、ウレア、塩化スルフリル、五塩化リン、トリエチルアミンなどの基礎原料と、キシレン、酢酸、クロロベンゼン、ジクロロエタンなどの溶媒とを使用した４段階の反応により生成される。また、（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートは、（Ｓ）−アルキルラクテートとアリールサルフォニルクロライドとをトリエチルアミン存在下、ジクロロエタン溶媒中で反応させることにより生成される。
【００２０】
本発明に係る求核置換反応において、ラセミ化を抑制する上で、反応溶媒の選択が重要である。反応溶媒として、キシレン、トルエン、ベンゼン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、ｎ−ヘキサン及びｎ−ヘプタンなどの脂肪族または芳香族炭化水素溶媒を使用することができ、シクロヘキサンまたはキシレンがこれらの中でも好ましい。
【００２１】
反応温度もまたラセミ化を抑止するために非常に重要な要素である。６０〜１００℃の温度範囲が好ましいが、反応時間と便利性を考慮すると、シクロヘキサンの加熱還流温度（〜８０℃）が特に好ましい。
【００２２】
本発明に係る塩基として、アルカリ金属炭酸塩、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどを使用することができる。アルカリ金属炭酸塩を塩基として用いた、中間体としてのフェノール金属塩生成物は、不必要な副反応を劇的に減少させることができる。さらに上記塩基は、ペレットとしてよりも粉末形（４００〜７００メッシュ）として使用した方が、反応時間を短縮することができる。
【００２３】
本発明に係る求核置換反応においては、主要反応中間体としてフェノール金属塩が生成されるとともに、副産物として水が生成される。本発明では、このようにして生成した水が、特定溶媒を用いることによって取り除かれる。そして、生成物のラセミ化だけではなく、エステルの加水分解をも抑止するのに更に効果的である。
【００２４】
上記求核置換反応が完結された後、冷却することなく生成されたスルホン酸塩を濾過し、濾液を濃縮することにより、本発明の目的とする化合物である上記化学式１で表される（Ｒ）−プロピオン酸エステル誘導体を高収率及び高純度で得ることができる。
【００２５】
以下、下記実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、これらの実施例は、何ら本発明の範囲を限定するものではない。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように、本発明に係る製造方法によれば、高収率で光学活性純（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体を製造することが可能となり、そして、巨大な経済効果を生み出すことが見込まれる。
【００２７】
上記実施例を参照して、本発明を詳細に説明してきたが、これらの技術は種々の改善や代替によって向上しうるものであり、本発明の精神と目的からはずれない限り、付加された請求項の範囲に含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（実施例）
実施例１：（Ｄ＋）−エチル−２−（４−クロロ−２−メチルフェノキシ）プロピオネート（化合物番号１）の製造。
【００２９】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコに、シクロヘキサン３０ｍＬ、４−クロロ−２−メチルフェノール１．４３ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１７時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物２．２６ｇ（収率９３％、純度９８％、光学純度９９．４％）を得た。
【００３０】
Ｒf＝０．６８（ＥＡ：Ｈｘ＝１：４）；  1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ２００ＭＨｚ）  δ１．２４（ｔ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．６２（ｄ，  Ｊ＝６．８Ｈｚ，  ３Ｈ），  ２．２５（ｓ，  ３Ｈ），  ４．２０（ｑ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．６９（ｑ，  Ｊ＝６．８Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．５８〜７．１３（ｍ，  ３Ｈ）；  ＭＳ（７０ｅＶ）  ｍ／ｚ  ２４４（Ｍ＋），  ２４２（Ｍ＋），  １６９，  １４２，  １２５，  １０７，  ８９，  ７７
【００３１】
下記表１は上記実施例１と同様な反応を行って得られた化合物（化合物番号１〜２５）の収率、光学異性体生成比率及びスペクトラルデータを示す。
【００３２】
【表１】
2005536484.tif 000006
2005536484.tif 000007
2005536484.tif 000008
2005536484.tif 000009
2005536484.tif 000010
【００３３】
実施例２：（Ｄ＋）−エチル−２−（４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ）プロピオネート（化合物番号２６、一般名：フェノキサプロップ−Ｐ−エチル）の製造。
【００３４】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された１００ｍＬフラスコにシクロヘキサン５０ｍＬ、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノール２．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１２時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．２０ｇ（収率８９％、純度９８％、光学純度９９．９％）を得た。
【００３５】
融点（ｍｐ）  ８２〜８４  ℃（観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）；Ｒf＝０．５２（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）；  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ２００ＭＨｚ）  δ１．１３（ｔ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．８１（ｄ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２２（ｑ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．７２（ｑ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．９９〜７．４２（ｍ，  ７Ｈ）；  ＭＳ（７０  ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３６３（Ｍ＋），  ３６１（Ｍ＋），  ２９１，  ２８８，  ２６３，  ２６１，  １８２，  １４４，  １１９，  ９１．
【００３６】
下記表２は上記実施例２と同様の反応を行うことによって得られた化合物の収率及び光学異性体生成比率を示す。
【００３７】
【表２】
2005536484.tif 000011
【００３８】
実施例３：（Ｄ＋）−メチル−２−［４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２７）の製造
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された１００ｍＬフラスコに、シクロヘキサン５０ｍＬ、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノール２．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−メチルＯ−（ｐ−メトキシベンゼン）サルフォニルラクテート２．８８ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．１２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｎａ2ＣＯ3を入れて１２時間還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．１０ｇ（収率８９％、純度９８％、光学純度９９．９％）を得た。
【００３９】
融点（ｍｐ）  ９７  ℃（観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）；  Ｒf＝０．５０（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）；  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ２００ＭＨｚ）  δ１．５１（ｄ，  Ｊ＝６．４Ｈｚ，  ３Ｈ），  ３．７０（ｓ，３Ｈ），  ４．５５（ｑ，  Ｊ＝６．４Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．８４〜７．４０（ｍ，  ７Ｈ）；  ＭＳ（７０  ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３４９（Ｍ＋），  ３４７（Ｍ＋），  ２９１，  ２８８，  ２６３，  ２６１，  １８２，  １４４，  １１９，  ９１
【００４０】
下記表３は、上記実施例３と同様な反応を行うことによって得られた化合物の収率及び光学異性体生成比率を示す。
【００４１】
【表３】
2005536484.tif 000012
【００４２】
実施例４：（Ｄ＋）−ｎ−ブチル−２−［４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２８）の製造。
【００４３】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された１００ｍＬフラスコに、シクロヘキサン５０ｍＬ、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノール２．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−ｎ−ブチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート３．１５ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１２時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層を減圧濃縮して目的化合物３．６０ｇ（収率９２．３％、純度９８％、光学純度９９．９％）を得た。
【００４４】
融点（ｍｐ）  ４８〜５０℃（観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）；  Ｒf＝０．５９（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）；  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ２００ＭＨｚ）  δ０．９１（ｔ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．４８〜１．５８（ｍ，  ４Ｈ），  １．５１（ｄ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２６（ｑ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．４５（ｑ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．８４〜７．４０（ｍ，  ７Ｈ）；  ＭＳ（７０  ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３９１（Ｍ＋），  ３８９（Ｍ＋），  ２９１，  ２８８，  ２６３，  ２６１，  １８２，  １４４，  １１９，  ９１
【００４５】
下記表４は上記実施例４と同様な反応を行うことによって得られた化合物の収率及び光学異性体生成比率を示す。
【００４６】
【表４】
2005536484.tif 000013
【００４７】
実施例５：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（３−クロロ−５−トリフルオロメチルピリジン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２９）の製造。
【００４８】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコに、シクロヘキサン３０ｍＬ、４−（３−クロロ−トリフルオロメチルピリジニルオキシ）フェノール２．９０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１８時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．５１ｇ（収率９０％、純度９８％、光学純度９７．０％）を得た。
【００４９】
Ｒf＝０．５６（ＥＡ：Ｈｘ＝１：４）；  1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ２００ＭＨｚ）  δ１．２７（ｔ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．６３（ｄ，  Ｊ＝６．６Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２４（ｑ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．７３（ｑ，  Ｊ＝６．９０Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．８９〜８．２７（ｍ，  ６Ｈ）；  ＭＳ（７０ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３８９（Ｍ＋），  ３７０，  ３１６，  ２８８，  ２７２，  ２６１，  ２２６，  ２０９，  １８０，  １６０，  １１９，  １０９，  ９１，  ７６，  ６３
【００５０】
実施例６：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（２，４−ジクロロフェノキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号３０）の製造。
【００５１】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコにシクロヘキサン３０ｍＬ、４−（２，４−ジクロロフェノキシ）フェノール２．５５ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１７時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物２．７４ｇ（収率７７％、純度９８％、光学純度９４．６％）を得た。
【００５２】
Ｒf＝０．７７（ＥＡ：Ｈｘ＝１：２）；  1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ３００ＭＨｚ）  δ１．２６（ｔ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．６２（ｄ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２３（ｑ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．６９（ｑ，  Ｊ＝６．７Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．７８〜７．４４（ｍ，  ７Ｈ）；  ＭＳ（７０ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３５５（Ｍ＋），  ３５４（Ｍ＋），  ２８１，  ２５３，  ２０２，  １８４，  １７３，  １６２，  １３９，  １２０，  １０９，  ９１
【００５３】
実施例７：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［７−（２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェノキシ）ナフタレン−２−イルオキシ］プロピオネート（化合物番号３１）の製造。
【００５４】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコにシクロヘキサン３０ｍＬ、７−（２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェノキシ）−２−ナフタレノール３．３９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１９時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物４．０８ｇ（収率９３％、純度９８％、光学純度９２．８％）を得た。
【００５５】
Ｒf＝０．６０（ＥＡ：Ｈｘ＝１：４）；  1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ３００ＭＨｚ）  δ１．２４（ｔ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．６７（ｄ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２３（ｑ，  Ｊ＝５．７Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．８６（ｑ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．９４〜７．８１（ｍ，  ９Ｈ）；  ＭＳ（７０ｅＶ）  ｍ／ｚ  ４３８（Ｍ＋），  ３６５，  ３３８，  ３２１，  ３０３，  ２８６，  ２７５，  １７０，  １４２，  １２６，  １１４，  １０２
【００５６】
実施例８：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（６−クロロキノキサリン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号３２）の製造。
【００５７】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコに、シクロヘキサン３０ｍＬ、４−（６−クロロキノキサリン−２−イルオキシ）フェノール２．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１８時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．３９ｇ（収率９１％、純度９８％、光学純度９９．８％）を得た。
【００５８】
融点（ｍｐ）＝６０〜６１℃（Ｒ  観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ），  融点（ｍｐ）＝８３〜８４℃（Ｒ，Ｓ  観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ），  Ｒf＝０．６３（ＥＡ：Ｈｘ＝１：２）；  1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ５００ＭＨｚ）  δ１．２９（ｔ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．６５（ｄ，  Ｊ＝６．８Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２６（ｍ，  ２Ｈ），  ４．７６（ｑ，  Ｊ＝６．８Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．９５〜８．６７（ｍ，  ７Ｈ）；  ＭＳ（７０ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３７２（Ｍ＋），  ２９９，  ２７２，  ２５５，  ２４４，  ２１２，  １９９，  １６３，  １５５，  １３６，  １１０，  １００，  ９１，  ６５
【００５９】
下記表５は上記実施例８と同様な反応を行って得た化合物（化合物番号３３〜３８）の収率、光学異性体生成比率及びスペクトラルデータを示す。
【００６０】
【表５】
2005536484.tif 000014
2005536484.tif 000015
【００６１】
（比較例）
比較例１
下記表６及び７は上記式４及び５に示した公知の方法によって合成した（Ｄ＋）−メチル−２−［４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２７）の収率及び光学異性体生成比を示す。
【００６２】
【表６】
2005536484.tif 000016
【００６３】
【表７】
2005536484.tif 000017
【００６４】
比較例２
下記表８は上記式５に示した公知の方法によって合成された（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（３−クロロ−５−トリフルオロメチルピリジン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２９）  の収率及び光学異性体生成比を示す。
【００６５】
【表８】
2005536484.tif 000018
【００６６】
比較例３
下記表９は上記式５に示した公知の方法によって合成された（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（６−クロロキノキサリン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号３２）の収率及び光学異性体生成比を示す。
【００６７】
【表９】
2005536484.tif 000019
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月23日(2004.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の化学式２で表されるフェノール誘導体と次の化学式３で表される（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートをアルカリ金属炭酸塩の存在下、脂肪族または芳香族炭化水素溶媒中で、６０〜１００℃の温度で反応させる、次の化学式１で表される光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法であって、
、上記反応中で形成される水は継続的に除去されることを特徴とする光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
【化２】
2005536484.tif 000023
【化３】
2005536484.tif 000024
【化１】
2005536484.tif 000025
上記式中、Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基またはベンジル基であり；Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基、フェニル基、またはＣ１〜Ｃ６のアルキル基あるいはＣ１〜Ｃ６のアルコキシ基で置換されたフェニル基であり；Ａは、フェニル基、ナフチル基、キノキサゾリルオキシフェニル基（ｑｕｉｎｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｌｙ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾキサゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾチアゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、フェノキシフェニル基（ｐｈｅｎｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ピリジルオキシフェニル基（ｐｙｒｉｄｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）及びフェニルオキシナフチル基（ｐｈｅｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈｙｌ  ｇｒｏｕｐ）の中から選択されたアリール基であり、ここで、上記アリール基は、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、アセトキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ４のハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基及びＣ１〜Ｃ４のハロアルコキシ基の中から選択された一つ乃至三つの置換基で置換してもよい。
【請求項２】
請求項１に記載された光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法において、
上記炭化水素溶媒は、トルエン、キシレン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、ｎ−ヘキサン、及びｎ−ヘプタンからなる群より選ばれた、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法において、
上記溶媒は、シクロヘキサンまたはキシレンである、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法において、
上記光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法は、塩基としてポタジウムカーボネートを用いて、８０℃、シクロヘキサン溶媒中において行う、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法において、
上記水は、冷却コンデンサーとディーンストックとを備えたフラスコを用いることによって、除去される光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法に関するものでる。さらに詳細には、様々な官能基で置換されたフェノール誘導体と（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとを反応物質として使用し、適切な溶媒と塩基との存在下、適切な温度条件で求核置換反応させることによって、優れた光学純度及び生成収率で次の化学式１で表される、（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体を安価に製造する方法に関するものである。
【０００２】
【化１】
2005536484.tif 000026
【０００３】
上記式中、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基またはベンジル基であり、Ａは、フェニル基、ナフチル基、キノキサゾリルオキシフェニル基（ｑｕｉｎｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｌｙ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾキサゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾチアゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、フェノキシフェニル基（ｐｈｅｎｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ピリジルオキシフェニル基（ｐｙｒｉｄｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）及びフェニルオキシナフチル基（ｐｈｅｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈｙｌ  ｇｒｏｕｐ）の中から選択されたアリール基であり、ここで、上記アリール基は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、アセトキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基及びＣ1〜Ｃ4のハロアルコキシ基の中から選択された一つ乃至三つの置換基で置換してもよい。
【背景技術】
【０００４】
化学式１で表される化合物は、慣用的にプロピオン酸エステル（ｐｒｏｐｉｏｎｉｃ  ａｃｉｄ  ｅｓｔｅｒ）と呼ばれる化合物であって、植物の生理作用を阻害する除草物質としてよく知られている。プロピオン酸エステル誘導体の中でも光学活性を有する（Ｒ）−エチル２−［４−（６−クロロ−２−ベゾキサゾリルオキシ）フェノキシ］プロピオネートを含む幾つかの化合物が農薬として使用されている。
【０００５】
上記２置換プロピオン酸エステル誘導体は光学異性体を有する。特に、これらの  （Ｒ）−異性体が除草活性を有し、これらの（Ｓ）−異性体は、除草活性がほとんどないことが知られている。
【０００６】
プロピオン酸エステル誘導体の合成及びそれらの除草活性は、既に複数の文献によって公開されている（例えば、特許文献１〜６）。
【０００７】
プロピオン酸エステル誘導体の一般的な製造方法は、下記式４及び式５の二つの反応に代表される。
【０００８】
【化４】
2005536484.tif 000027
【０００９】
【化５】
2005536484.tif 000028
【００１０】
上記化学式１では、置換されたフェノールと（Ｓ）−アルキルＯ−サルフォニルラクテートとが反応し、化学式２では、２，６−ジクロロベゾキサゾルと（Ｒ）−エチル２−（４−ヒドロキシフェノキシ）プロピオネートとが反応する。これらの反応はアセトニトリルを含む極性溶媒中で行われ、（Ｒ）−フェノキサプロップエチルが得られる（収率７０〜８０％、光学異性体純度６０〜９０％）。
【００１１】
しかし、これらの方法では、副反応物として、約５〜２０％の（Ｓ）−異性体が５〜２０％生成し、その副反応物は容易に取り除くことができない。従って、再結晶などの複雑な精製過程が純粋な（Ｒ）フェノキサプロップエチルを得るために必要である。従って、製造コストが上昇する。さらに、この反応に使用される原料物質である（Ｒ）アルキル−２（４−ヒドロキシフェノキシ）プロピオネートの高い光学活性を維持することも負担となる。
【特許文献１】ヨーロッパ特許第１５７，２２５号
【特許文献２】ヨーロッパ特許第６２，９０５号
【特許文献３】ヨーロッパ特許第４４，４９７号
【特許文献４】ドイツ特許第３，４０９，２０１号
【特許文献５】ドイツ特許第３，２３６，７３０号
【特許文献６】ドイツ特許第２，６４０，７３０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明者らは、高い光学純度とよい収率を有する新しい（Ｒ）プロピオン酸エステル誘導体の製造方法を開発することに注力した。その結果、本発明者らは、（Ｒ）−プロピオン酸エステル誘導体のラセミ化を抑止する求核置換反応に適切な条件を見つけ出すことが重要であることを見いだした。
【００１３】
従って、本発明の目的は、ラセミ化を抑止した安価な光学活性（Ｒ）プロピオン酸エステル誘導体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、下記化学式２で表されるフェノール誘導体と下記化学式３で表される（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートをアルカリ金属炭酸塩の存在下、脂肪族または芳香族炭化水素溶媒中、６０〜１００℃の温度で反応させることにより、高い光学純度で（Ｒ）プロピオン酸エステル誘導体を製造する方法に関する。
【００１５】
【化６】
2005536484.tif 000029
【００１６】
上記式で、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基またはベンジル基であり、Ｒ2は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基、フェニル基、またはＣ1〜Ｃ6のアルキル基あるいはＣ1〜Ｃ6のアルコキシ基で置換されたフェニル基であり；Ａは、フェニル基、ナフチル基、キノキサゾリルオキシフェニル基（ｑｕｉｎｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｌｙ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾキサゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ベンゾチアゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、フェノキシフェニル基（ｐｈｅｎｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、ピリジルオキシフェニル基（ｐｙｒｉｄｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）及びフェニルオキシナフチル基（ｐｈｅｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈｙｌ  ｇｒｏｕｐ）の中から選択されたアリール基であり、ここで、上記アリール基は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、アセトキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基及びＣ1〜Ｃ4のハロアルコキシ基の中から選択された一つ乃至三つの置換基で置換してもよい。
【００１７】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１８】
本発明は、フェノール誘導体と（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとを反応物質として使用して、求核置換反応を行うことにより、光学活性（Ｒ）−プロピオン酸エステル誘導体を高収率及び高純度で製造する方法に関するものである。その反応は、溶媒、温度、離脱基が適切化されたコンディションにおいて行われる。
【００１９】
上記化学式３により表された本発明の反応物質である、上記化学式２で表されるフェノール誘導体と上記化学式３で表される（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとは、公知の化合物であって、公知の方法により合成される。例えば、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノールは、安価に購入できるアミノフェノール、ウレア、塩化スルフリル、五塩化リン、トリエチルアミンなどの基礎原料と、キシレン、酢酸、クロロベンゼン、ジクロロエタンなどの溶媒とを使用した４段階の反応により生成される。また、（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートは、（Ｓ）−アルキルラクテートとアリールサルフォニルクロライドとをトリエチルアミン存在下、ジクロロエタン溶媒中で反応させることにより生成される。
【００２０】
本発明に係る求核置換反応において、ラセミ化を抑制する上で、反応溶媒の選択が重要である。反応溶媒として、キシレン、トルエン、ベンゼン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、ｎ−ヘキサン及びｎ−ヘプタンなどの脂肪族または芳香族炭化水素溶媒を使用することができ、シクロヘキサンまたはキシレンがこれらの中でも好ましい。
【００２１】
反応温度もまたラセミ化を抑止するために非常に重要な要素である。６０〜１００℃の温度範囲が好ましいが、反応時間と便利性を考慮すると、シクロヘキサンの加熱還流温度（〜８０℃）が特に好ましい。
【００２２】
本発明に係る塩基として、アルカリ金属炭酸塩、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどを使用することができる。アルカリ金属炭酸塩を塩基として用いた、中間体としてのフェノール金属塩生成物は、不必要な副反応を劇的に減少させることができる。さらに上記塩基は、ペレットとしてよりも粉末形（４００〜７００メッシュ）として使用した方が、反応時間を短縮することができる。
【００２３】
本発明に係る求核置換反応においては、主要反応中間体としてフェノール金属塩が生成されるとともに、副産物として水が生成される。本発明では、このようにして生成した水が、特定溶媒を用いることによって取り除かれる。そして、生成物のラセミ化だけではなく、エステルの加水分解をも抑止するのに更に効果的である。
【００２４】
上記求核置換反応が完結された後、冷却することなく生成されたスルホン酸塩を濾過し、濾液を濃縮することにより、本発明の目的とする化合物である上記化学式１で表される（Ｒ）−プロピオン酸エステル誘導体を高収率及び高純度で得ることができる。
【００２５】
以下、下記実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、これらの実施例は、何ら本発明の範囲を限定するものではない。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように、本発明に係る製造方法によれば、高収率で光学活性純（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体を製造することが可能となり、そして、巨大な経済効果を生み出すことが見込まれる。
【００２７】
上記実施例を参照して、本発明を詳細に説明してきたが、これらの技術は種々の改善や代替によって向上しうるものであり、本発明の精神と目的からはずれない限り、付加された請求項の範囲に含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（実施例）
実施例１：（Ｄ＋）−エチル−２−（４−クロロ−２−メチルフェノキシ）プロピオネート（化合物番号１）の製造。
【００２９】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコに、シクロヘキサン３０ｍＬ、４−クロロ−２−メチルフェノール１．４３ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１７時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物２．２６ｇ（収率９３％、純度９８％、光学純度９９．４％）を得た。
【００３０】
Ｒf＝０．６８（ＥＡ：Ｈｘ＝１：４）；  1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ２００ＭＨｚ）  δ１．２４（ｔ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．６２（ｄ，  Ｊ＝６．８Ｈｚ，  ３Ｈ），  ２．２５（ｓ，  ３Ｈ），  ４．２０（ｑ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．６９（ｑ，  Ｊ＝６．８Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．５８〜７．１３（ｍ，  ３Ｈ）；  ＭＳ（７０ｅＶ）  ｍ／ｚ  ２４４（Ｍ＋），  ２４２（Ｍ＋），  １６９，  １４２，  １２５，  １０７，  ８９，  ７７
【００３１】
下記表１は上記実施例１と同様な反応を行って得られた化合物（化合物番号１〜２５）の収率、光学異性体生成比率及びスペクトラルデータを示す。
【００３２】
【表１】
2005536484.tif 000030
2005536484.tif 000031
2005536484.tif 000032
2005536484.tif 000033
2005536484.tif 000034
【００３３】
実施例２：（Ｄ＋）−エチル−２−（４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ）プロピオネート（化合物番号２６、一般名：フェノキサプロップ−Ｐ−エチル）の製造。
【００３４】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された１００ｍＬフラスコにシクロヘキサン５０ｍＬ、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノール２．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１２時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．２０ｇ（収率８９％、純度９８％、光学純度９９．９％）を得た。
【００３５】
融点（ｍｐ）  ８２〜８４  ℃（観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）；Ｒf＝０．５２（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）；  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ２００ＭＨｚ）  δ１．１３（ｔ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．８１（ｄ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２２（ｑ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．７２（ｑ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．９９〜７．４２（ｍ，  ７Ｈ）；  ＭＳ（７０  ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３６３（Ｍ＋），  ３６１（Ｍ＋），  ２９１，  ２８８，  ２６３，  ２６１，  １８２，  １４４，  １１９，  ９１．
【００３６】
下記表２は上記実施例２℃同様の反応を行うことによって得られた化合物の収率及び光学異性体生成比率を示す。
【００３７】
【表２】
2005536484.tif 000035
【００３８】
実施例３：（Ｄ＋）−メチル−２−［４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２７）の製造
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された１００ｍＬフラスコに、シクロヘキサン５０ｍＬ、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノール２．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−メチルＯ−（ｐ−メトキシベンゼン）サルフォニルラクテート２．８８ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．１２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｎａ2ＣＯ3を入れて１２時間還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．１０ｇ（収率８９％、純度９８％、光学純度９９．９％）を得た。
【００３９】
融点（ｍｐ）  ９７  ℃（観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）；  Ｒf＝０．５０（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）；  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ２００ＭＨｚ）  δ１．５１（ｄ，  Ｊ＝６．４Ｈｚ，  ３Ｈ），  ３．７０（ｓ，３Ｈ），  ４．５５（ｑ，  Ｊ＝６．４Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．８４〜７．４０（ｍ，  ７Ｈ）；  ＭＳ（７０  ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３４９（Ｍ＋），  ３４７（Ｍ＋），  ２９１，  ２８８，  ２６３，  ２６１，  １８２，  １４４，  １１９，  ９１
【００４０】
下記表３は、上記実施例３と同様な反応を行うことによって得られた化合物の収率及び光学異性体生成比率を示す。
【００４１】
【表３】
2005536484.tif 000036
【００４２】
実施例４：（Ｄ＋）−ｎ−ブチル−２−［４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２８）の製造。
【００４３】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された１００ｍＬフラスコに、シクロヘキサン５０ｍＬ、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノール２．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−ｎ−ブチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート３．１５ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１２時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層を減圧濃縮して目的化合物３．６０ｇ（収率９２．３％、純度９８％、光学純度９９．９％）を得た。
【００４４】
融点（ｍｐ）  ４８〜５０℃（観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）；  Ｒf＝０．５９（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）；  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ２００ＭＨｚ）  δ０．９１（ｔ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．４８〜１．５８（ｍ，  ４Ｈ），  １．５１（ｄ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２６（ｑ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．４５（ｑ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．８４〜７．４０（ｍ，  ７Ｈ）；  ＭＳ（７０  ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３９１（Ｍ＋），  ３８９（Ｍ＋），  ２９１，  ２８８，  ２６３，  ２６１，  １８２，  １４４，  １１９，  ９１
【００４５】
下記表４は上記実施例４と同様な反応を行うことによって得られた化合物の収率及び光学異性体生成比率を示す。
【００４６】
【表４】
2005536484.tif 000037
【００４７】
実施例５：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（３−クロロ−５−トリフルオロメチルピリジン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２９）の製造。
【００４８】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコに、シクロヘキサン３０ｍＬ、４−（３−クロロ−トリフルオロメチルピリジニルオキシ）フェノール２．９０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１８時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．５１ｇ（収率９０％、純度９８％、光学純度９７．０％）を得た。
【００４９】
Ｒf＝０．５６（ＥＡ：Ｈｘ＝１：４）；  1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ２００ＭＨｚ）  δ１．２７（ｔ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．６３（ｄ，  Ｊ＝６．６Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２４（ｑ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．７３（ｑ，  Ｊ＝６．９０Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．８９〜８．２７（ｍ，  ６Ｈ）；  ＭＳ（７０ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３８９（Ｍ＋），  ３７０，  ３１６，  ２８８，  ２７２，  ２６１，  ２２６，  ２０９，  １８０，  １６０，  １１９，  １０９，  ９１，  ７６，  ６３
【００５０】
実施例６：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（２，４−ジクロロフェノキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号３０）の製造。
【００５１】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコにシクロヘキサン３０ｍＬ、４−（２，４−ジクロロフェノキシ）フェノール２．５５ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１７時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物２．７４ｇ（収率７７％、純度９８％、光学純度９４．６％）を得た。
【００５２】
Ｒf＝０．７７（ＥＡ：Ｈｘ＝１：２）；  1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ３００ＭＨｚ）  δ１．２６（ｔ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．６２（ｄ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２３（ｑ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．６９（ｑ，  Ｊ＝６．７Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．７８〜７．４４（ｍ，  ７Ｈ）；  ＭＳ（７０ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３５５（Ｍ＋），  ３５４（Ｍ＋），  ２８１，  ２５３，  ２０２，  １８４，  １７３，  １６２，  １３９，  １２０，  １０９，  ９１
【００５３】
実施例７：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［７−（２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェノキシ）ナフタレン−２−イルオキシ］プロピオネート（化合物番号３１）の製造。
【００５４】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコにシクロヘキサン３０ｍＬ、７−（２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェノキシ）−２−ナフタレノール３．３９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１９時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物４．０８ｇ（収率９３％、純度９８％、光学純度９２．８％）を得た。
【００５５】
Ｒf＝０．６０（ＥＡ：Ｈｘ＝１：４）；  1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ３００ＭＨｚ）  δ１．２４（ｔ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．６７（ｄ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２３（ｑ，  Ｊ＝５．７Ｈｚ，  ２Ｈ），  ４．８６（ｑ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．９４〜７．８１（ｍ，  ９Ｈ）；  ＭＳ（７０ｅＶ）  ｍ／ｚ  ４３８（Ｍ＋），  ３６５，  ３３８，  ３２１，  ３０３，  ２８６，  ２７５，  １７０，  １４２，  １２６，  １１４，  １０２
【００５６】
実施例８：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（６−クロロキノキサリン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号３２）の製造。
【００５７】
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコに、シクロヘキサン３０ｍＬ、４−（６−クロロキノキサリン−２−イルオキシ）フェノール２．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１８時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．３９ｇ（収率９１％、純度９８％、光学純度９９．８％）を得た。
【００５８】
融点（ｍｐ）＝６０〜６１℃（Ｒ  観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ），  融点（ｍｐ）＝８３〜８４℃（Ｒ，Ｓ  観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ），  Ｒf＝０．６３（ＥＡ：Ｈｘ＝１：２）；  1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，  ５００ＭＨｚ）  δ１．２９（ｔ，  Ｊ＝７．１Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．６５（ｄ，  Ｊ＝６．８Ｈｚ，  ３Ｈ），  ４．２６（ｍ，  ２Ｈ），  ４．７６（ｑ，  Ｊ＝６．８Ｈｚ，  １Ｈ），  ６．９５〜８．６７（ｍ，  ７Ｈ）；  ＭＳ（７０ｅＶ）  ｍ／ｚ  ３７２（Ｍ＋），  ２９９，  ２７２，  ２５５，  ２４４，  ２１２，  １９９，  １６３，  １５５，  １３６，  １１０，  １００，  ９１，  ６５
【００５９】
下記表５は上記実施例８と同様な反応を行って得た化合物（化合物番号３３〜３８）の収率、光学異性体生成比率及びスペクトラルデータを示す。
【００６０】
【表５】
2005536484.tif 000038
2005536484.tif 000039
【００６１】
（比較例）
比較例１
下記表６及び７は上記式４及び５に示した公知の方法によって合成した（Ｄ＋）−メチル−２−［４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２７）の収率及び光学異性体生成比を示す。
【００６２】
【表６】
2005536484.tif 000040
【００６３】
【表７】
2005536484.tif 000041
【００６４】
比較例２
下記表８は上記式５に示した公知の方法によって合成された（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（３−クロロ−５−トリフルオロメチルピリジン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２９）  の収率及び光学異性体生成比を示す。
【００６５】
【表８】
2005536484.tif 000042
【００６６】
比較例３
下記表９は上記式５に示した公知の方法によって合成された（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（６−クロロキノキサリン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号３２）の収率及び光学異性体生成比を示す。
【００６７】
【表９】
2005536484.tif 000043
【国際調査報告】
2005536484.tif 000044
2005536484.tif 000045
2005536484.tif 000046