(57)【要約】少なくとも一つの電子コンポーネント(12)と、少なくとも一つの接地点(16)とを有する電子回路(10)は、非伝導性被覆(18)の第１の層と伝導性被覆(20)の第２の層とを含む。非伝導性被覆(18)は、接地点(16)が被覆されずに残るような仕方で、電子コンポーネント(12)の上に適用される。伝導性被覆(20)は、伝導性被覆(20)を接地するように、接地点(16)と非伝導性被覆(18)の上に適用される。従って、伝導性被覆(20)は、電子回路(10)からの電磁放射を低減させるために電子コンポーネント(12)を遮蔽する。被覆された電子回路及び関連する方法の種々の実施形態を提供する。
2005536059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電子コンポーネントと少なくとも１つの接地点を含む電子回路からの電磁放射を低減する方法であって、
前記電子コンポーネントの上に非伝導性被覆を適用し、
前記接地点と接触し、前記非伝導性被覆の上に伝導性被覆を適用し、前記伝導性被覆を接地させ、それにより前記電子回路からの電磁放射を低減させる、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記伝導性被覆と前記接地点との間で接触することができるように、前記非伝導性被覆の前記接地点の上にホールが形成されたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記伝導性被覆及び前記接地点との間での接触を可能にするように、前記接地点が前記電子回路の端の近位に配置され、前記非伝導性被覆が、前記電子回路の前記端を被覆しないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記非伝導性被覆が、前記電子コンポーネントの形状に従い、前記伝導性被覆が前記非伝導性被覆及び前記接地点の形状に従う、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの電子コンポーネントと少なくとも１つの接地点とを有する電子回路であって、非伝導性被覆が前記電子コンポーネントの上に適用され、伝導性被覆が前記非伝導性被覆の上に適用され、前記接地点と接触し、前記伝導性被覆を接地させる、ことを特徴とする電子回路。
【請求項６】
前記伝導性被覆と前記接地点との間を接触させることができるように、前記非伝導性被覆の前記接地点の上にホールが形成されたことを特徴とする請求項５に記載の電子回路。
【請求項７】
前記接地点が前記電子回路の端の近位に配置され、前記伝導性被覆と前記接地点との間で接触させることができるように、前記非伝導性被覆が、前記電子回路の前記端を被覆しないことを特徴とする請求項５に記載の電子回路。
【請求項８】
前記非伝導性被覆が、前記電子コンポーネントの形状に従い、前記伝導性被覆が、前記非伝導性被覆と前記接地点との形状に従う、ことを特徴とする請求項５に記載の電子回路。
【請求項９】
前記非伝導性被覆が、絶縁性テープ、ゴム、シリコーン、室温加硫シリコーンゴム、プラスチック、絶縁ワニス、及び、それらの組み合わせ、のグループから選択された適合被覆材料からなることを特徴とする請求項５に記載の電子回路。
【請求項１０】
前記伝導性被覆が、伝導性テープ、伝導性ペイント、銀ペイント、及びそれらの組み合わせ、のグループから選択された適合被覆材料からなることを特徴とする請求項５に記載の電子回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、全体的に電子回路に関し、特に、電子回路によって生成される電子放射をシールドすることに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路はしばしば、他の電子回路の動作と鑑賞する電磁界を生成する。特に、（マイクロプロセッサ又はデジタル信号プロセッサのような）高速電子回路は、高いレベルの電磁放射を生成する傾向がある。高速電子回路に極めて近接して配置された敏感な電子回路は、それによって生成された電磁放射を検知することができる。その結果、近位の電子回路の作動と干渉し、又は、近位の電子回路がうまく作動しなくなるという電磁障害（ＥＭＩ）が生じる。電磁信号に対して故意に敏感に設計されたラジオ受信機は、ＥＭＩに対して特に影響を受けやすい。
【０００３】
ＥＭＩの影響を低減又は除去するための努力として、電磁放射を生成する電子回路の周りにシールドを採用することが知られている。敏感な回路に到達する電磁放射のレベルを低減又は除去するために、ＥＭＩに対して敏感な電子回路の周りに種々のタイプのファラデー遮蔽を採用することも知られている。しかしならが、これらの周知のタイプのシールドには多くの欠点がある。シールドは典型的には、電子回路の周りの箱を形成する金属ケージ又はワイヤーメッシュのようなもので形成されているため、電子回路全体に取り付けるには比較的高価であり、製造が困難である。更に、シールドの箱型形状は、電子回路の外形に適合せず、かくして、シールドはかさばり、空間的に非効率である。他の欠点も当業者には明らかである。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、少なくとも１つの電子コンポーネント及び少なくとも一つの接地点、並びに、非伝導性被覆の第１の層及び伝導性被覆の第２の層を有する電子回路に関する。非伝導性被覆は、非伝導性被覆が接地点を被覆しないというような仕方で電子コンポーネントの上に適用される。非伝導性被覆は、水や湿気に晒されるような環境の状況から電子コンポーネントを保護するように、下に横たわる電子コンポーネントに対して適合し、形状に従うのが好ましい。伝導性被覆は、次いで、伝導性被覆を接地するために、非伝導性被覆（及び下に横たわる電子コンポーネント）と、接地点との上に適用される。かくして、伝導性被覆は、電子回路からの電磁放射を低減するための電子コンポーネントに関するシールドとして作用する。伝導性被覆は、電磁放射シールドのために必要な空間を最小限にするために、非伝導性被覆（及び下に横たわる電子コンポーネント）と接地点との形状に従う。
【０００５】
第１の実施形態では、被覆された電子回路が、電子回路の端の近位に配置された複数のグランドパッドと、複数の電子コンポーネントとを含む。非伝導性適合被覆は、端及びグランドパッドを残して被覆しないような仕方で、全ての電子コンポーネントの上に適用される。次いで、伝導性適合被覆は、伝導性適合被覆を接地させるように、非伝導性被覆及び端及びグランドパッドの上に適用される。従って、伝導性適合被覆は、電子回路からの電磁放射を低減するために、電子コンポーネントをシールドする。
【０００６】
第２の実施形態では、被覆された電子回路は、単一の電子コンポーネント及び単一のグランドパッドを含む。非伝導性適合被覆は、電子コンポーネント及びグランドパッドの上に適用され、少なくともグランドパッドの一部が被覆されずに残るように、グランドパッドの上の非伝導性被覆にホールが形成される。次いで、伝導性適合被覆が非伝導性被覆の上に適用され、伝導性適合被覆を接地させるように、伝導性適合被覆が非伝導性適合被覆のホールを介してグランドパッドを接触させる。かくして、伝導性適合被覆は、電子回路からの電磁放射を低減するために電子コンポーネントをシールドする。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
典型的な電子回路を図１に示し、本発明の実施形態により被覆された電子回路を図２乃至４に示す。本発明を、これらの実施形態を参照して以下に詳細に記述するが、本発明がこれらの実施形態に示した電子回路の特定の構成に限定されるものでないことを理解すべきである。むしろ、電子回路の幅広い構成が本発明によって実装されることが当業者には明らかであろう。
【０００８】
図１を参照すると、複数の個別の電子コンポーネント、即ち、プリント回路基板１４に取り付けられた回路１２を含む、典型的な電子回路１０を示す。本発明は、いかなる数又はタイプの電子コンポーネントに限定されるべきものではないことを理解すべきである。むしろ、本発明は、１又はそれ以上の電子コンポーネントによって生成される電磁放射を低減又は除去するのが望まれるいかなる電子回路にも適用することができ得る。
【０００９】
電子回路１０はまた、プリント回路基板１４の周囲に配置された複数の接地点又はグランドパッド１６を含む。例示の実施形態では、３つのグランドパッドが電子回路１０の第１の端１５ａの近位に配置され、３つのグランドパッドが電子回路１０の第２の端１５ｂの近位に配置され、１つのグランドパッドが電子回路１０の第３の端１５ｃの近位に配置され、１つのグランドパッドが電子回路１０の第４の端１５ｄの近位に配置される。グランドパッド１６の各々は、電子回路１０に関する複数のグランド面を提供するように、電子回路１０のグランドに結合される。グランドパッド１６の厚さは、図示の目的のために大げさに示してあることを理解すべきであり、ほとんどのグランドパッドが典型的には、プリント回路基板１４にトレースされるのと同じ厚さであり、プリント回路基板１４の上に実質的には突き出ないものである。
【００１０】
次いで図２を参照すると、本発明の第１の実施形態による非伝導性被覆１８の第１の層と、伝導性被覆２０の第２の層と一緒に電子回路１０を示す。この実施形態では、非伝導性被覆１８は、非伝導性被覆１８が端１５ａ乃至１５ｄを除いた全ての電子回路１０を覆うような仕方で全ての電子コンポーネント１２の上に適用される。全てのグランドパッド１６が非被覆で残る。非伝導性被覆１８がグランドパッド１６に付着しないように、マスキング又はリリースもまた用いることができる。好ましくは、非伝導性被覆１８は、水又は湿気にさらすような環境条件から電子コンポーネント１２を保護するように、電子コンポーネントのプロファイルに適合し、形状に従う。非伝導性被覆１８は、絶縁テープ、ゴム、シリコーン、室温加硫（ＲＴＶ）シリコーンゴム、プラスチック、絶縁ニス、又は、他のいかなる非伝導性被覆材料のような当業者に知られた伝導絶縁保護被覆材料のいかなるタイプをも包含する。
【００１１】
伝導性被覆２０が、伝導性被覆２０が実質的に全ての電子回路１０を被覆する仕方で、グランドパッド１６と、非伝導性被覆１８（及び下に横たわる電子コンポーネント１２）との上に適用される。伝導性被覆２０は、グランドパッドにより伝導性被覆２０をグランドするために各グランドパッド１６と接触する。かくして伝導性被覆２０は、電子回路１０から電磁放射を低減又は除去するために電子コンポーネント１２に関してシールドとして作用する。伝導性被覆２０が、電磁放射遮蔽のために必要とされる空間を最小限にするために、非伝導性被覆１８（及び、下に横たわる電子コンポーネント１２のプロファイル）とグランドパッド１６との形に従うのが好ましい。伝導性被覆２０は、伝導性テープ、伝導性ペイント、及び伝導性銀ペイントのような当該技術分野で知られているいかなるタイプの伝導適合被覆材料からなってよい。
【００１２】
例示の実施形態では、プリント回路基板１４の周囲に配置された各グランドパッド１６と接触するように、伝導性被覆２０を適用する。しかしながら、伝導性被覆２０は、電子回路１０にグランドを提供するために、単一のグランドパッドの一部とだけ接触する必要があることを理解すべきである。従って、伝導性被覆２０は、グランドパッド１６の全てではなく、単一のグランドパッド又は単一のグランドパッドの一部と接触するように適用することができる。同様に、単一のグランドパッドの少なくとも一部が伝導性被覆２０と接触するように残っているならば、非伝導性被覆１８は、１又はそれ以上のグランドパッド１６を被覆するように適用することができる。従って、非伝導性被覆１８及び伝導性被覆２０の適用が本発明によって変化することを理解すべきである。
【００１３】
次いで、図３及び４を参照すると、本発明の第２の実施形態による非伝導性被覆２２の第１の層と伝導性被覆２４の第２の層とを備えた電子回路１０が示されている。この実施形態では、参照を容易にするために図３及び４の参照番号１２ａとして示された単一の電子コンポーネントの上に非伝導性被覆２２を適用する。見てのとおり、非伝導性被覆２２は、電子コンポーネント１２ａを被覆し、端の部分１５ａ及び１５ｄの上まで（かくして、参照を容易にするために図３及び４に示された参照番号１６ａ及び１６ｃとしてラベル付けされた３つのグランドパッドの上まで）延びている。しかしながら、電子回路１０の残りの部分は、被覆されないままである。非伝導性被覆２２は、環境保護のために電子コンポーネント１２ａのプロファイルに従うのが好ましい。非伝導性被覆２２は、絶縁テープ、ゴム、シリコーン、室温加硫（ＲＴＶ）シリコーンゴム、プラスチック、絶縁ワニス、又は、他のいかなる非伝導性被覆材料のような当該技術分野で周知のいかなるタイプの非伝導適合被覆材料からなってもよい。
【００１４】
図４にもっとも良く示されているように、ホール２６ａ、２６ｂ、及び２６ｃは、グランドパッド１６ａ、１６ｂ及び１６ｃのそれぞれの上に直接非伝導性被覆２２に形成される。従って、グランドパッド１６ａ、１６ｂ及び１６ｃは、被覆されないままである。ホール２６ａ、２６ｂ、及び２６ｃは、非伝導性被覆２２を提供する前に、グランドパッド１６ａ、１６ｂ及び１６ｃをマスキングすることにより形成され、その結果非伝導性被覆２２は、マスクされた領域には付着しない。別の実施形態では、ホール２６ａ、２６ｂ、及び２６ｃは、グランドパッド１６ａ、１６ｂ及び１６ｃの上に直接、非伝導性被覆２２の一部を切断又は除去することによる非伝導性被覆２２の適用の後に形成される。もちろん、他の方法により、非伝導性被覆２２にホール２６ａ、２６ｂ、及び２６ｃを形成するのに使用することができることも理解すべきである。
【００１５】
伝導性被覆２４は、実質的に全ての非伝導性被覆２２の上（従って、下に横たわる電子コンポーネント１２ａ及びグランドパッド１６ａ、１６ｂ及び１６ｃの上）に適用される。図４に最もよく見られるように、伝導性被覆２４は、非伝導性被覆２２に形成されたホール２６ａ、２６ｂ及び２６ｃ内に延び、グランドパッド１６ａ、１６ｂ及び１６ｃと接触し、それにより伝導性被覆２４が接地する。かくして、伝導性被覆２４は、電磁放射を低減又は除去するための電子コンポーネント１２ａのためのシールドとして作用する。伝導性被覆２４は、電磁放射シールドとして要求される空間を最小にするように、グランドパッド１６ａ、１６ｂ及び１６ｃと、非伝導性被覆２２（即ち、下に横たわる電子コンポーネント１２ａのプロファイル）とに適合し、形状に従うのが好ましい。伝導性被覆２４は、伝導性テープ、伝導性ペイント、及び伝導銀ペイントなどの当該技術分野で周知のいかなるタイプの伝導適合被覆材料からなってもよい。
【００１６】
例示の実施形態では、ホール２６ａ、２６ｂ及び２６ｃは、非伝導性被覆２２に形成され、伝導性被覆２４が、各グランドパッド１６ａ、１６ｂ及び１６ｃと接触するように貫通して延びる。しかしながら、伝導性被覆２４は、電子回路１０に対して接地を提供するために、単一のグランドパッドの一部とだけ接触する必要があることを理解すべきである。従って、ホールが、これらのグランドパッドのうちの一つの部分についてだけ形成されるように、非接触被覆２２を適用することができる。従って、非伝導性被覆２２及び伝導性被覆２４の適用は、本発明に従って変化するものであることを理解すべきである。
【００１７】
図２乃至３及び４の例示の実施形態を全体的に参照すると、被覆の低下又は化学反応の逆の作用を避けるように、非伝導性及び伝導性被覆は、（両者の被覆のタイプ及び厚さにおいて）それぞれの作用に影響を及ぼさないものであるべきであることを理解すべきである。好ましい実施形態では、非伝導性被覆は、追加の非伝導絶縁体のようなＲＴＶ化合物を備えた非伝導性マスキングテープからなり、伝導性被覆は銀ペイントからなる。例えば、Ｒａｌｔｒｏｎ  ＲＴＸＴ−６８１オシレータ（３９．９８４メガヘルツで作動）及び７４ＬＳＩ６９バイナリ両方向カウンタを含む電子回路をテストする際に、３Ｍプリント回路基板マスキングテープが、（かかるコンポーネントの周りの追加の非伝導絶縁体として使用されたＲＴＶ化合物を備えた）カウンタ及びオシレータの上に適用された非伝導性被覆として使用され、銀ペイントが伝導性被覆として使用されたとき、良好な結果が達成された。この組み合わせは、超高周波（ＵＨＦ）レンジにおける電磁放射の２０デシベル（ｄｂ）減衰と、それよりは小さいが低周波における電子放射の劇的な減衰を達成した。もちろん、非伝導性被覆及び伝導性被覆の他の組み合わせも可能である。
【００１８】
非伝導性被覆が、電子コンポーネントとグランド面との間のアーキングの発生を阻止するのに十分に太いのが好ましいことも理解すべきである。この太さが、電子回路の異なるタイプの間で変化することは当業者には明らかであろう。例えば、（比較的低い電圧で稼働する）デジタル回路は、（高い電圧で稼働する）ＲＦ回路の被覆の厚さと同じ厚さを要求しない。また、高いＲＦ周波数は、低いＲＦ周波数よりも厚い被覆を要求する。更に、伝導性被覆は、導体の表面に生ずる、ＲＦ電流を流すことができるのに十分な厚さであるのが好ましい。好ましくは、伝導性被覆は、厚さにおける少なくとも２つの浸透圧であり、ここで
浸透圧＝１／（pi*ｆ*ｕ*ｃ）0.5  メートル
及び  ｆ＝周波数（Ｈｚ）
ｕ＝透過率（ヘンリー／メートル）
ｃ＝伝導度（電気伝導率／メートル）
である。
【００１９】
本発明が、電子回路の全部又は一部からの電磁放射のシールドが望まれる、種々の電子回路アプリケーションに使用することができることは当業者には明らかであろう。例えば、ラジオ受信機への適用については、フロントエンド回路は、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）によって生成された電磁放射に特に影響を受けやすい。本発明は、ＤＳＰを効果的に遮蔽するような用途に使用することができ、それにより、望まれない電磁放射の検知を回避するために、フロントエンド回路の感度を低下させる必要性を軽減する。
【００２０】
最後に、本発明は、当業者が現時点で知っている金属ケージ又はワイヤメッシュよりも、容易でより安価な製造コストで実装することができることを理解すべきである。更に、非伝導性被覆及び伝導性被覆が電子回路のプロファイルに適合するのが好ましいので、シールドは、最小の空間を占有する。もちろん、本発明の他の利点が当業者には明らかであろう。
【００２１】
種々の実施形態を参照して本発明を上述のとおり記載及び例示したが、種々の修正により本発明の範囲を逸脱することなくこれらの実施形態をなすことができることを理解すべきである。それ故、本発明は、特許請求の範囲に含まれるという限りの限定を除いて、上記例示した特定の実施形態に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】複数の電子コンポーネント及び複数の接地点を備えた非被覆の電子回路の斜視図である。
【図２】図１の電子回路の線２−２に沿った側面断面図であり、電子回路が更に、本発明の第１の実施形態による非伝導性被覆の第１の層と、伝導性被覆の第２の層とを含むことを特徴とする。
【図３】図１の電子回路の斜視図であり、電子回路が更に、本発明の第２の実施形態による非伝導性の被覆の第１の層と、伝導性被覆の第２の層とを含むことを特徴とする。
【図４】図３の電子回路の線３−３に沿った側面断面図である。
【図１】
2005536059.tif 000003
【図２】
2005536059.tif 000004
【図３】
2005536059.tif 000005
【図４】
2005536059.tif 000006
【国際調査報告】
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