Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月8日(2020.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本実施の形態の油圧ショベルに搭載される油圧駆動装置は、このようなアタッチメントの動作を指示する操作装置として電気レバー方式の操作装置１２を備えている。操作装置１２は操作レバー１３と、操作レバー１３の操作方向１３ａ，１３ｂと操作量に応じた電気信号を生成し信号線１６ａ，１６ｂに出力する信号生成部１４とを有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
流量制御弁５１は電気操作式の切替弁であり、操作装置１２の操作レバー１３が操作されたときコントローラ７１から出力される励磁電流により流量制御弁５１を切り換え操作する比例ソレノイド５１ａ，５１ｂを備えている。流量制御弁５１は中立位置と左右の切換位置を有し、中立位置にあるとき油路５０とアクチュエータライン９ａ，９ｂとの連通を遮断し、左右の切換位置に切り換えられたときは油路５０とアクチュエータライン９ａ，９ｂとを連通させる。また、左右の切換位置にあるとき流量制御弁５１はストロークが増加するにしたがって（操作装置１２のレバー操作量が増加しコントローラ７１から出力される励磁電流が増加するにしたがって）開口面積を増加させ、アクチュエータ６０に供給される圧油の流量を増加させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
コントローラ７１は入力部７１ａ、演算部７１ｂ、記憶部７１ｃ、出力部７１ｄを備え、モニタ装置７０の入力装置７０ｂと操作装置１２の信号生成部１４（信号線１６ａ，１６ｂ）はコントローラ７１の入力部７１ａに接続され、流量制御弁５１の比例ソレノイド５１ａ，５１ｂと流量制御弁５の電磁比例減圧弁８１ａ、８１ｂはコントローラ７１の出力部７１ｄに接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図６は流量と電流の関係を規定したマップを示す図である。このマップは流量が増加するにしたがって電流が増加するように設定されている。コントローラ７１の演算部７１ｂは、図３、図４、図５Ａ、図５Ｂに示すマップを用いて流量を演算した後、図６に示すマップを用いてその流量に対応する電流値を演算する。コントローラ７１はその電流値を増幅し、励磁電流として流量制御弁５１の比例ソレノイド５１ａ，５１ｂ或いは流量制御弁５１の比例ソレノイド５１ａ，５１ｂと流量制御弁５の電磁比例減圧弁８１ａ、８１ｂに出力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
３．アタッチメントがクラッシャーである場合
オペレータがアタッチメントをクラッシャーに交換した後、入力装置７０ｂの操作キーを操作してアタッチメントモードを設定する（ステップＳ１００）。次いで、オペレータがモニタ装置７０の表示部７０ａを見ながら入力装置７０ｂの操作キーを操作してアタッチメントリストの中からクラッシャーを選択し、実行キーを押すと、コントローラ７１の演算部７１ｂは、モニタ装置７０からのアタッチメント指定信号に基づいて記憶部７１ｃからクラッシャーに対応する図５Ａ及び図５Ｂに示すクラッシャー１及び２のマップを読み出す（ステップＳ１１０）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
次いで、オペレータはモニタ装置７０の表示部７０ａに表示された画面を見ながら、入力装置７０ｂの操作キー７０ｂ１或いは７０ｂ２の押し操作を行う。例えば、オペレータが入力装置７０ｂの操作キー７０ｂ１を１回押すと、単位増量値+ΔＱ２に相当する信号が入力装置７０ｂからコントローラ７１に出力される。２回押すと+２ΔＱ２に相当する信号が、３回押すと+３ΔＱ２に相当する信号がそれぞれコントローラ７１に出力される。これとは逆に、入力装置７０ｂの操作キー７０ｂ２を１回押すと、単位減量値−ΔＱ２に相当する信号が入力装置７０ｂからコントローラ７１に出力される。２回押すと−２ΔＱ２に相当する信号が、３回押すと−３ΔＱ２に相当する信号がそれぞれコントローラ７１に出力される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
２．アタッチメント用流量調整弁装置４０の油路５０に特別な絞りを設置せず、アンロード弁５５により油路を流れる圧油をアンロードして流量制御弁５１の前後差圧を保持し流量を制御する構成であるため、ロータリーチルトバケットのようにアクチュエータ６０が主ポンプ１の最大吐出流量の半分程度で賄えるアタッチメントである場合は、アクチュエータ６０から排出された圧油は流量制御弁５１を通ってタンクに戻されるだけであり、不要な背圧が発生して主ポンプ１の負荷圧を増加させることはなく、省エネ性が損なわれることはない。また、油圧ブレーカのようにアクチュエータ６０が主ポンプ１の最大吐出流量とほぼ同程度の流量を必要とするアクチュエータである場合は、主ポンプ１から供給された圧油はアタッチメント用流量調整弁装置４０の流量制御弁５１（全開）を通過してアクチュエータ６０に供給されるだけであるため、この場合も不要な絞り圧損は発生せず、省エネルギー性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月10日(2020.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャフトと、
ハウジングと、
複数の固定子板を含む少なくとも１つの固定子であって、前記複数の固定子板は、前記ハウジングに対して分離可能に取り付けられた固定子アセンブリを形成する、固定子と、
回転軸を中心とする前記少なくとも１つの固定子に対する回転運動のために支持された少なくとも１つの回転子であって、前記シャフトに対して分離可能に取り付けられた回転子アセンブリを形成する複数のタービン回転子板を含む、回転子と、
を備えるタービンであって、
前記タービンは、発電機に動作可能に結合されるように設計されかつ構成され、
前記タービンは、前記発電機の使用可能推力能力よりも小さくなるように設計されかつ構成された段階反応を有する、タービン。
【請求項２】
前記段階反応は、−０．１から０．３の範囲内である、請求項１に記載のタービン。
【請求項３】
前記段階反応は、−０．０５から０．１５の範囲内である、請求項１に記載のタービン。
【請求項４】
シャフトと、
ハウジングと、
複数の固定子板を含む少なくとも１つの固定子であって、前記複数の固定子板は、前記ハウジングに対して分離可能に取り付けられた固定子アセンブリを形成する、固定子と、
回転軸を中心とする前記少なくとも１つの固定子に対する回転運動のために支持された少なくとも１つの回転子であって、前記シャフトに対して分離可能に取り付けられた回転子アセンブリを形成する複数のタービン回転子板を含む、回転子と、
を備えるタービンであって、
前記複数の固定子板及び前記複数のタービン回転子板は共に、単一アセンブリとして前記ハウジング内に分離可能に取り付けられかつ前記ハウジングから除去されるようにサイズ設定されかつ構成されたカートリッジを形成する、タービン。
【請求項５】
前記回転子アセンブリは、オーバーハング構成で前記シャフトに結合される、請求項１から４の何れか一項に記載のタービン。
【請求項６】
前記回転子アセンブリは、前記シャフトの端部に対向する第一の端部と、反対側の第二の端部と、を有し、
前記回転子アセンブリの前記第一の端部は、前記シャフトの前記端部に分離可能に取り付けられ、
前記回転子アセンブリは、前記回転子アセンブリの前記第二の端部から前記シャフトへと前記回転子アセンブリを介してトルクを伝達するように構成されている、請求項１から４の何れか一項に記載のタービン。
【請求項７】
発電するためのシステムであって、
近位端、遠位端、発電機回転子及び発電機固定子を有する発電機であって、前記発電機回転子は前記固定子内での回転軸を中心とする回転運動用に配設される、発電機と、
複数のタービン固定子板と、前記回転軸を中心とする前記複数のタービン固定子板に対する回転運動のために支持された複数のタービン回転子板と、を有するタービンと、を備え、
前記タービンは、キャビティを有するハウジングを含み、
前記複数のタービン回転子板は、その径方向内側に、留め具を受け取るようにサイズが決定された複数のボアを含み、
前記留め具が、前記複数のタービン回転子板を介して延在するとともに、前記発電機回転子のシャフトに固定されることにより、前記複数のタービン回転子板が前記発電機回転子に結合され、
前記複数のタービン回転子板のうち少なくとも１つのタービン回転子板から隣接する前記タービン回転子板へと回転駆動が伝達されるように前記複数のタービン回転子板が設計され、
前記複数のタービン固定子板及び前記複数のタービン回転子板は共に、単一アセンブリとして前記ハウジング内の前記キャビティ内に分離可能に取り付けられるようにサイズ設定されかつ構成されたカートリッジを形成する、システム。
【請求項８】
前記複数のタービン回転子板の各々は、中心線と、第１の回転子板接触面と、前記第１の回転子板接触面に接触する第２の回転子板接触面と、を有し、
前記複数のタービン固定子板の各々は、中心線と、第１の固定子板接触面と、前記第１の固定子板接触面に接触する第２の固定子板接触面と、を有し、
前記複数のタービン回転子板は、上流方向で多段回転子アセンブリを画定するように前記複数のタービン固定子板のうちの対応するそれぞれ１つと交互の関係で配置される、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１及び第２の回転子板接触面は、実質上平行であり、前記複数のタービン回転子板は、前記タービン回転子板の前記中心線が相互に同軸であるように互いに近接して配置される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１及び第２の固定子板接触面は、実質上平行であり、前記複数のタービン固定子板は、前記タービン固定子板の前記中心線が相互に同軸であるように互いに近接して配置される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
シャフトと、キャビティを画定するハウジングと、複数の固定子板と、複数の回転子板と、を備えるタービンをアセンブリする方法であって、
前記複数の固定子板及び前記複数の回転子板を単一のカートリッジとして交互に互いに係合させる方式でプリアセンブリすることと、
前記プリアセンブリされた単一のカートリッジを前記ハウジング内の前記キャビティに位置付けることと、
前記ハウジングに対して固定される位置において、前記複数の固定子板を前記ハウジングに固定することと、
前記複数の回転子板を前記シャフトに固定することにより、前記複数の回転子板が前記シャフトから片持ちされかつ前記ハウジング内で回転するように構成されることと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月3日(2020.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に設けられ、前記半導体基板の上面および下面の間で電流が流れる活性部と、
前記活性部に設けられたトランジスタ部と、
前記活性部に設けられ、前記半導体基板の上面視で予め定められた配列方向に沿って前記トランジスタ部と配列されたダイオード部と、
前記半導体基板の上面視において、前記半導体基板の外周端と前記活性部との間に設けられたエッジ終端構造部と、
ライフタイムキラーを含むライフタイム制御領域と、
を備え、
前記ライフタイム制御領域は、
前記半導体基板の上面側に、前記ダイオード部から前記エッジ終端構造部の少なくとも一部にわたって、前記半導体基板の上面視で前記配列方向に直交する延伸方向において前記ダイオード部と対向して
設けられる、
半導体装置。
【請求項２】
前記エッジ終端構造部には、前記半導体基板の上面に接して、第２導電型のウェル領域が設けられ、
前記ライフタイム制御領域は、前記ウェル領域の下方に設けられ、前記ウェル領域よりも前記外周端側で終端している、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダイオード部は、
前記半導体基板の上面に接して設けられた第２導電型のコンタクト領域と、
前記半導体基板の下面に接して設けられた第１導電型のカソード領域と、
前記カソード領域の上方に設けられた、電気的にフローティングとなっている第２導電型の第１フローティング領域と、
を有し、
前記上面視において、前記第１フローティング領域の少なくとも一部と、前記コンタクト領域とが、前記延伸方向において重なる、
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記上面視において、前記延伸方向における前記第１フローティング領域の前記活性部側の端部と、前記延伸方向における前記コンタクト領域の前記活性部側の端部との前記延伸方向における距離が、前記延伸方向における前記第１フローティング領域の前記外周端側の端部と、前記延伸方向における前記コンタクト領域の前記外周端側の端部との前記延伸方向における距離よりも大きい、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ダイオード部は、前記カソード領域の上方に、電気的にフローティングとなっている第２導電型の第２フローティング領域を有し、
前記第１フローティング領域と前記第２フローティング領域は、前記延伸方向に配列される、
請求項３または４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記延伸方向において、前記第１フローティング領域の幅は、前記第２フローティング領域の幅よりも大きい、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ライフタイム制御領域は、前記コンタクト領域の下方に設けられる、請求項３から６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記上面視において、前記カソード領域よりも前記外周端側に、前記半導体基板の下面に接して第２導電型のコレクタ領域が設けられ、
前記第１フローティング領域は、前記カソード領域の上方および前記コレクタ領域の上方に設けられ、
前記上面視において、前記ライフタイム制御領域の少なくとも一部と、前記第１フローティング領域の少なくとも一部が、前記延伸方向において重なる、請求項３から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記カソード領域と前記コレクタ領域は接して設けられ、
前記上面視において、前記延伸方向における前記ライフタイム制御領域の前記活性部側の端部が、前記カソード領域と前記コレクタ領域との境界と、前記延伸方向における前記第１フローティング領域の前記活性部側の端部との間で終端している、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記上面視において、前記コレクタ領域よりも前記外周端側に、前記半導体基板の下面に接して第１導電型の終端領域が設けられる、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記上面視において、前記延伸方向における前記コンタクト領域の前記外周端側の端部と、前記延伸方向における前記終端領域の前記活性部側の端部との前記延伸方向における距離が、前記半導体基板の厚さよりも大きい、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記上面視において、前記延伸方向における前記コンタクト領域の前記活性部側の端部と、前記延伸方向における前記カソード領域の前記外周端側の端部との前記延伸方向における距離が、前記延伸方向における前記コンタクト領域の前記外周端側の端部と、前記延伸方向における前記終端領域の前記活性部側の端部との前記延伸方向における距離よりも小さい、請求項１０または１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記上面視において、前記延伸方向における前記コンタクト領域の前記活性部側の端部と、前記延伸方向における前記カソード領域の前記外周端側の端部との前記延伸方向における距離が、前記半導体基板の厚さよりも大きい、請求項３から１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記距離が１００μｍ以上である、請求項１３に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月22日(2020.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室と、
前記成膜室の内部を減圧するポンプと、
排液を貯留する貯留容器と、
第１の端部と第２の端部を有し、前記第１の端部が前記成膜室に接続され、前記第２の端部の近傍において第１の方向に伸長し、前記第１の方向に対して垂直な面において第１の開口面積を有する第１の配管と、
第３の端部と第４の端部を有し、前記第１の配管と前記ポンプとの間に設けられ、前記第３の端部の近傍において前記第１の方向と異なる第２の方向に伸長し、前記第４の端部が前記ポンプに接続された第２の配管と、
第５の端部と第６の端部とを有し、前記第１の配管と前記貯留容器との間に設けられ、前記第５の端部の近傍において前記第２の方向と異なる第３の方向に伸長し、前記第５の端部は前記第２の端部の中心から前記第１の方向に仮想的に伸びる直線の上に位置し、前記第６の端部が前記貯留容器に接続された第３の配管と、
前記第１の配管の内部に設けられ、前記第１の方向に対して垂直な面において前記第１の開口面積よりも小さい第２の開口面積を有する狭窄部と、を備え、
前記第５の端部の第３の開口面積は、前記第２の開口面積よりも大きい成膜装置。
【請求項２】
前記第３の配管の少なくとも一部が前記第１の方向に対して斜行する請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記第３の方向は前記第１の方向と異なる請求項１又は請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記第３の配管は、前記排液が前記第３の配管の中を重力で流れ前記貯留容器に貯留されるように設置された請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の成膜装置。
【請求項５】
前記第３の配管を冷却する冷却部を、更に備える請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の成膜装置。
【請求項６】
前記第３の配管の内部に、前記第３の配管の伸長方向に伸びる螺旋状の形状物を有する請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の成膜装置。
【請求項７】
前記第３の配管の内部に、漏斗状の部材を有する請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の成膜装置。
【請求項８】
前記第３の配管の内部に、前記第３の配管の伸長方向に対して略垂直な面を有するメッシュ状の部材を有する請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の成膜装置。
【請求項９】
前記第３の配管の内部に、前記第３の配管の伸長方向に対して略平行な板状の部材を有する請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月10日(2020.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に形成された第２導電形のベース領域と、
前記ベース領域を貫通して前記第１半導体領域に達する、複数のゲート電極と、
前記複数のゲート電極のそれぞれの周囲に形成された、複数のゲート絶縁膜と、
前記複数のゲート絶縁膜の間である複数の領域のうち、２つの前記ゲート絶縁膜の間に位置する第１領域であって、第１導電形のソース領域が形成された第１領域と、
前記複数の領域のうち、２つの前記ゲート絶縁膜の間に位置する第２領域であって、前記第１領域の終端領域に位置し、前記ソース領域が形成されていない第２領域と、
前記第１領域に形成されて、前記ベース領域とソース電極とを電気的に接続する、第１の幅の第１コンタクトと、
前記第２領域に形成されて、前記ベース領域と前記ソース電極とを電気的に接続する、前記第１の幅よりも広い第２の幅の第２コンタクトと、
を備える、半導体装置。
【請求項２】
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトは、メタルにより形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１コンタクトが延びる方向の終端部に、前記第１の幅よりも広い第３の幅で形成された第３コンタクトを、さらに備える請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトは、第２導電形の第２半導体領域により形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数のゲート電極のそれぞれの下方における、前記第１半導体領域に埋め込まれた、複数のフィールドプレート電極をさらに備える請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数のフィールドプレート電極は、前記ゲート電極又は前記ソース電極に接続されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数のフィールドプレート電極の周囲には、前記ゲート絶縁膜よりも厚いフィールドプレート絶縁膜が形成されている、請求項５又は請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１コンタクト、前記第２コンタクト及び前記第３コンタクトは、第２導電形の第３半導体領域により形成されている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１領域に形成される前記第１コンタクトの深さよりも、前記第２領域に形成される前記第２コンタクトの深さの方が深い、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１領域に形成される前記第１コンタクトの深さよりも、前記第２領域に形成される前記第２コンタクトの深さの方が深く、且つ、
前記第１領域に形成される前記第１コンタクトの深さよりも、前記第１コンタクトが延びる方向の終端部に形成された前記第３コンタクトの深さの方が深い、
請求項３に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月13日(2020.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に形成された第２導電形のベース領域と、
前記ベース領域の上に形成された第１導電形のソース領域と、
前記ベース領域を第１方向に貫通して前記第１半導体領域に達し、第２方向に延伸するゲート電極と、
前記ゲート電極と前記第１半導体領域の間、前記ゲート電極と前記ベース領域の間、及び、前記ゲート電極と前記ソース領域の間に形成された、ゲート絶縁膜と、
を備えるセルを有しており、
前記セルは、第１しきい値を有する領域と、前記第１しきい値より高い第２しきい値を有する領域とを有する、半導体装置。
【請求項２】
前記ベース領域は、前記第１しきい値を有する、第１不純物濃度の第１ベース領域と、  前記第２しきい値を有する、前記第１不純物濃度よりも高い第２不純物濃度の第２ベース領域とを、備える請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１ベース領域は、周期的に形成されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
ソース電極を前記ソース領域及び前記ベース領域に電気的に接続するボディーコンタクトをさらに備える請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ボディーコンタクトの底部に位置する前記ベース領域には、前記ベース領域よりも高い不純物濃度で、第２導電形のコンタクト領域が形成されている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ベース領域は、第３方向において、前記コンタクト領域が第１の幅を有する、前記第１しきい値の第１ベース領域と、前記コンタクト領域が前記第１の幅よりも広い第２の幅を有する、前記第２しきい値の第２ベース領域とを備える、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ベース領域は、第３方向において、前記コンタクト領域が前記ゲート電極から第１の距離だけ離れている、前記第１しきい値の第１ベース領域と、前記コンタクト領域が前記ゲート電極から第２の距離だけ離れている、前記第２しきい値の第２ベース領域とを備え、前記第１の距離は前記第２の距離よりも大きい、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記セルは、単一のトランジスタを構成しており、
前記トランジスタのゲート電圧が、前記第１しきい値以下の場合、前記第１しきい値を有する領域と前記第２しきい値を有する領域の双方のチャネルがオフ状態となり、
前記トランジスタのゲート電圧が、前記第１しきい値より大きいが前記第２しきい値以下である場合、前記第１しきい値を有する領域のチャネルはオン状態となるが、前記第２しきい値を有する領域のチャネルはオフ状態となる、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月15日(2020.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極部を有する繊維網を有し、
前記電極部を構成する繊維が、
芯材と、
前記芯材の少なくとも一部を被覆し、前記芯材を構成する材料よりヤング率が高い材料を含む緩和層と、
前記緩和層の前記芯材と反対側の面を被覆する導電層と、
を備える、電子機能部材。
【請求項２】
前記芯材を構成する材料のヤング率が１ＧＰａ未満であり、前記緩和層を構成する材料のヤング率が１ＧＰａ以上である、請求項１に記載の電子機能部材。
【請求項３】
前記芯材を構成する材料が、ポリウレタンまたはシリコンゴムであり、
前記緩和層を構成する材料が、パリレンである、請求項１または２に記載の電子機能部材。
【請求項４】
前記導電層が金または白金である、請求項１から３のいずれか一項に記載の電子機能部材。
【請求項５】
前記芯材の直径が、２００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であり、
前記緩和層の厚みが、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１から４のいずれか一項に記載の電子機能部材。
【請求項６】
前記電極部から延びる配線部をさらに備え、
前記配線部を構成する繊維が、
前記芯材と、
前記緩和層と、
前記導電層と、
前記導電層の前記緩和層と反対側の面を被覆する被覆層と、
を備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の電子機能部材。
【請求項７】
前記繊維網において、前記電極部及び前記配線部を除く部分を構成する繊維が、前記芯材からなり、
前記芯材と、前記電極部の芯材と、前記配線部の芯材が、同じ材料から形成される、請求項６に記載の電子機能部材。
【請求項８】
請求項７に記載の電子機能部材と、前記電子機能部材の前記配線部に接続された電子回路要素を有する電子部品。
【請求項９】
前記導電層は前記緩和層と接触しており、前記緩和層は前記芯材と接触している、請求項１に記載の電子機能部材。
【請求項１０】
前記緩和層を構成する材料のヤング率が、前記芯材を構成する材料のヤング率より高く、前記導電層を構成する材料のヤング率より低い、請求項１に記載の電子機能部材。
【請求項１１】
前記緩和層が、前記芯材の全ての表面を被覆する、請求項１に記載の電子機能部材。
【請求項１２】
前記緩和層が、前記芯材の表面の一部を被覆する、請求項１に記載の電子機能部材。
【請求項１３】
前記芯材と前記導電層が接触しない、請求項１に記載の電子機能部材。
【請求項１４】
前記導電層の表面が空気中に露出する、請求項１に記載の電子機能部材。
【請求項１５】
前記電極部に含まれる前記繊維が、複数の繊維であり、前記繊維同士が接触している、請求項１に記載の電子機能部材。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月27日(2020.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を撮像するカメラと、
前記カメラにより撮像された第１撮像画像、及び前記第１撮像画像の撮像の後に前記カメラにより前記第１撮像画像と同じ撮像場所が撮像された第２撮像画像を記憶する記憶部と、
前記第１撮像画像と前記第２撮像画像の差を算出し、この差に基づいて、前記カメラの撮像範囲における障害物の有無を判定する障害物判定部と、
前記障害物判定部により前記障害物が有ると判定された場合に、当該判定の結果を報知する処理を行う制御部と、を備える監視システム。
【請求項２】
前記障害物判定部は、前記第２撮像画像における前記第１撮像画像とは異なる画像領域を抽出して、該抽出した画像領域のサイズを前記差として算出する請求項１に記載の監視システム。
【請求項３】
前記障害物判定部は、前記第１撮像画像を構成する全画素から各画素を順次選択すると共に、前記第１撮像画像で前記選択した画素と同一の位置にある前記第２撮像画像における画素を対比対象として逐次選択し、当該選択の度に、前記第１及び第２撮像画像から選択した各画素の画素値が異なるか否かを判定して、異なると判定した画素の数をカウントし、当該カウントした画素数が予め設定された規定値以上である場合に、前記画像領域のサイズが閾値以上であるものとし、当該カウントした画素数が前記規定値未満である場合に、前記画像領域のサイズが閾値未満であるものとする請求項２に記載の監視システム。
【請求項４】
前記第１撮像画像の撮像後に前記カメラによる前記第２撮像画像の撮像が時間をおいて少なくとも２回行われて、これら各第２撮像画像が前記記憶部に記憶され、
前記障害物判定部は、前記第１撮像画像と前記各第２撮像画像とのそれぞれの差を算出し、前記各第２撮像画像についての前記差がいずれも前記閾値以上である場合に前記障害物が有ると判定し、前記各第２撮像画像についての前記差のいずれかが前記閾値未満である場合に前記障害物が無いと判定する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の監視システム。
【請求項５】
前記障害物判定部は、前記各第２撮像画像についての前記差のいずれかが前記閾値未満である場合、撮像された時が最後である前記第２撮像画像についての前記差が前記閾値未満であるときに限って、前記障害物が無いと判定する請求項４に記載の監視システム。
【請求項６】
表示部を更に備え、
前記制御部は、前記障害物判定部により、前記障害物が有ると判定された場合に、前記第１撮像画像と前記第２撮像画像を前記表示部に表示させる請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載の監視システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月25日(2020.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御対象を制御するための制御装置であって、
任意に作成されるユーザプログラムに従って、前記制御対象に対する制御命令を生成するプログラム実行部と、
ネットワークを介して外部装置との間で通信データを送受信する通信部と、
前記通信部に接続され前記ネットワークに伝送される前記通信データのうち、フィルタリング条件を満たすデータを収集する収集部とを備え、
前記収集部は、前記ユーザプログラムに含まれる命令に従って、前記フィルタリング条件を変更可能に構成される、制御装置。
【請求項２】
前記ユーザプログラムに含まれる命令は、前記フィルタリング条件の内容を明示する命令を含む、請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
予め設定された複数のフィルタリング条件を格納する格納部をさらに備え、
前記ユーザプログラムに含まれる命令は、前記複数のフィルタリング条件のうちのいずれの条件が有効であるかを示す情報を含む、請求項１に記載の制御装置。
【請求項４】
前記フィルタリング条件は、ＩＰアドレス、プロトコル、および、ポート番号の少なくとも１つを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項５】
前記ユーザプログラムで利用可能な変数が所定値であることを条件に、前記収集部による前記通信データの収集を開始させる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項６】
前記変数の値は、前記外部装置による作業工程の状態を示す値である、請求項５に記載の制御装置。
【請求項７】
制御対象を制御するための制御方法であって、
任意に作成されるユーザプログラムに従って、前記制御対象に対する制御命令を生成するステップと、
ネットワークを介して外部装置との間で通信データを送受信するステップと、
前記ネットワークに伝送される前記通信データのうち、フィルタリング条件を満たすデータを収集するステップとを備え、
前記収集するステップは、前記ユーザプログラムに含まれる命令に従って、前記フィルタリング条件を変更可能に構成される、制御方法。
【請求項８】
制御対象を制御するための制御装置の制御プログラムであって、
前記制御プログラムは、前記制御装置に、
任意に作成されるユーザプログラムに従って、前記制御対象に対する制御命令を生成するステップと、
ネットワークを介して外部装置との間で通信データを送受信するステップと、
前記ネットワークに伝送される前記通信データのうち、フィルタリング条件を満たすデータを収集するステップとを実行させ、
前記収集するステップは、前記ユーザプログラムに含まれる命令に従って、前記フィルタリング条件を変更可能に構成される、制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月9日(2020.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力ノードにおいて負電位を発生するように構成されたチャージポンプと、
第１ノードと第２ノードとの間に順に直列に接続された第１トランジスタおよび第１抵抗素子と、
前記第２ノードと前記出力ノードとの間の第２抵抗素子と、
前記第１ノードと第３ノードとの間に順に直列に接続された第２トランジスタおよび第３抵抗素子と、
前記第３ノードと前記出力ノードとの間の第４抵抗素子と、
前記第１ノードに印加される電位よりも低い電位を印加される第４ノードと前記出力ノードとの間に接続され、ゲートにおいて前記第２ノードおよび前記第３ノードと接続された第３トランジスタと、
を備える、半導体装置。
【請求項２】
前記第１トランジスタは、ゲートにおいて第１信号を受け取り、
前記第２トランジスタは、ゲートにおいて前記第１信号の論理と反対の論理を有する第２信号を受け取る、
請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記チャージポンプは、前記第１信号と同じ論理の信号を受け取っている間、前記負電位を発生する、
請求項２の半導体装置。
【請求項４】
前記第１抵抗素子は、前記第２抵抗素子の抵抗より低い抵抗を有し、
前記第３抵抗素子は、前記第４抵抗素子の抵抗より高い抵抗を有する、
請求項１の半導体装置。
【請求項５】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは、ｐ型のＭＯＳＦＥＴであり、
前記第３トランジスタは、ｎ型のＭＯＳＦＥＴである、
請求項１の半導体装置。
【請求項６】
前記第４ノードは、接地電位を供給される、
請求項１の半導体装置。
【請求項７】
前記第２ノードと前記第３トランジスタの前記ゲートとの間の第５抵抗素子をさらに備える、
請求項１の半導体装置。
【請求項８】
前記第３ノードと前記第３トランジスタの前記ゲートとの間の第５抵抗素子をさらに備える、
請求項１の半導体装置。
【請求項９】
前記第２ノードと前記第３トランジスタの前記ゲートとの間の第６抵抗素子をさらに備える、
請求項８の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月17日(2020.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に搭載された第１カメラと、
前記第１カメラの方向を変える第１カメラ駆動装置と、
前記第１カメラ駆動装置を制御するコントローラとを備えた観測システムにおいて、
前記車両の走行速度である車速を検出する車速検出装置を備え、
前記コントローラは、前記車速と前記車両の制御応答時間との積を目標観測距離として設定し、前記車両の走行予定軌道上でかつ前記車両から前記目標観測距離だけ離れた点を通る鉛直線上の所定の高さに第１目標観測点を設定し、前記第１目標観測点が前記第１カメラの撮像範囲に収まるように前記第１カメラ駆動装置を制御する
ことを特徴とする観測システム。
【請求項２】
請求項１に記載の観測システムにおいて、
前記車両の操舵角を検出する操舵角検出装置を更に備え、
前記コントローラは、前記操舵角に基づいて前記走行予定軌道を算出する
ことを特徴とする観測システム。
【請求項３】
請求項１に記載の観測システムにおいて、
前記コントローラは、前記車速と前記制御応答時間との積が所定の最大観測距離よりも大きい場合に、前記最大観測距離を前記目標観測距離として設定する
ことを特徴とする観測システム。
【請求項４】
請求項１に記載の観測システムにおいて、
前記コントローラは、前記車速が大きくなるに従って前記第１目標観測点を上方に移動させ、前記車速が小さくなるに従って前記第１目標観測点を下方に移動させる
ことを特徴とする観測システム。
【請求項５】
請求項１に記載の観測システムにおいて、
前記車両に搭載された第２カメラと、
前記第２カメラの方向を変える第２カメラ駆動装置とを更に備え、
前記コントローラは、前記第２カメラで前記第１カメラの死角を補完するように前記第２カメラ駆動装置を制御する
ことを特徴とする観測システム。
【請求項６】
請求項５に記載の観測システムにおいて、
前記コントローラは、前記走行予定軌道上でかつ前記車両から前記目標観測距離よりも短い距離だけ離れた点を通る鉛直線上の所定の高さに第２目標観測点を設定し、前記第２目標観測点が前記第２カメラの撮像範囲に収まるように前記第２カメラ駆動装置を制御する
ことを特徴とする観測システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月7日(2020.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の第１主面上に２次元的に設けられる第１導電型の不純物が第１濃度で導入される第１半導体層と、
前記第１主面上の前記第１半導体層間に設けられる絶縁膜と、
前記第１半導体層に設けられる光電変換素子と、
前記第１主面側の前記絶縁膜上に設けられる第１電極と、
前記半導体基板の前記第１主面に対向する第２主面上に設けられる第２電極と、
を備え、
前記光電変換素子は、
前記第１半導体層の前記第１電極が配置される側の上面から所定の深さの範囲に設けられ、第２導電型の不純物が第２濃度で導入される第２半導体層と、
前記第１半導体層内で、前記第２半導体層の側面および下面を囲むように設けられ、前記第１導電型の不純物が前記第１濃度よりも高い第３濃度で導入される第３半導体層と、
を有する受光装置。
【請求項２】
前記第１半導体層、前記第２半導体層および前記第３半導体層の形状は、平面視上、角部を有さない請求項１に記載の受光装置。
【請求項３】
前記第１半導体層、前記第２半導体層および前記第３半導体層は、平面視上、丸みを帯びた角部を有する矩形状を有する請求項１に記載の受光装置。
【請求項４】
前記第１半導体層、前記第２半導体層および前記第３半導体層は、平面視上、円形状を有する請求項１に記載の受光装置。
【請求項５】
前記第１半導体層、前記第２半導体層および前記第３半導体層は、平面視上、楕円形状を有する請求項１に記載の受光装置。
【請求項６】
前記第１導電型はＰ型であり、
前記第２導電型はＮ型である請求項１から５のいずれか１つに記載の受光装置。
【請求項７】
前記第１導電型はＮ型であり、
前記第２導電型はＰ型である請求項１から５のいずれか１つに記載の受光装置。
【請求項８】
前記第１半導体層、前記第２半導体層および前記第３半導体層は、エピタキシャル膜によって構成される請求項１に記載の受光装置。
【請求項９】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記半導体基板にまで到達する開口部を形成する工程と、
前記開口部内に、第１導電型の不純物を第１濃度で含む第１半導体層を形成する工程と、
前記第１半導体層の上面から第１深さまでの範囲で、平面視上で前記第１半導体層の形成範囲よりも狭い範囲に、前記第１導電型の不純物を前記第１濃度よりも高い第２濃度で導入して第２半導体層を形成する工程と、
前記第２半導体層の上面から前記第１深さよりも浅い第２深さまでの範囲で、平面視上で前記第２半導体層の形成範囲よりも狭い範囲に、第２導電型の不純物を第３濃度で導入して第３半導体層を形成する工程と、
を含む受光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月25日(2020.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る縦型熱処理装置の全体構成の一例を示す断面図
【図２】図１の処理容器を示す図
【図３】図１のガス供給部を示す図
【図４】図１の断熱構造体を示す斜視図
【図５】第２の実施形態に係る縦型熱処理装置の断熱構造体を示す斜視図
【図６】第３の実施形態に係る縦型熱処理装置の断熱構造体を示す斜視図
【図７】第４の実施形態に係る縦型熱処理装置の断熱構造体を示す斜視図
【図８】断熱構造体の有無と各部の温度との関係を示す図
【図９】断熱構造体の有無と膜成長速度の面間均一性との関係を示す図
【図１０】断熱構造体の有無と膜厚の面間均一性との関係を示す図
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
図８は、断熱構造体の有無と各部の温度との関係を示す図である。図８（ａ）は断熱構造体の有無とヒータ８１Ｆのパワー（ｋＷ）との関係を示し、図８（ｂ）は断熱構造体の有無と蓋体２８の温度（℃）との関係を示し、図８（ｃ）は断熱構造体の有無とシール部材２９の温度との関係を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図９は、断熱構造体の有無と膜成長速度の面間均一性との関係を示す図である。図９中、横軸はウエハボートＷＢ上のスロット位置を示し、縦軸は膜成長速度（Å／ｍｉｎ）を示す。なお、ウエハボートＷＢ上のスロット位置は、処理容器２０の上下方向の最上段をスロット位置０とし、最下段をスロット位置１４０とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図１０は、断熱構造体の有無と膜厚の面間均一性との関係を示す図である。図１０中、横軸はウエハボートＷＢ上のスロット位置を示し、縦軸は８０ｎｍで規格化された膜厚（ｎｍ）を示す。なお、ウエハボートＷＢ上のスロット位置は、処理容器２０の上下方向の最上段をスロット位置０とし、最下段をスロット位置１４０とした。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月15日(2020.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチングデバイスが形成された半導体装置であって、
基板（１）と、
前記基板上に形成され、ヘテロジャンクション構造を構成する第１のＧａＮ系半導体層（５）および前記第１のＧａＮ系半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく電子供給部を構成する第２のＧａＮ系半導体層（６）を有し、前記第２のＧａＮ系半導体層が部分的に除去されることで凹部（９）が形成されたチャネル形成層（７）と、
前記凹部内に形成されたゲート絶縁膜（１０）および前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極（１１）にて構成されるゲート構造と、
前記チャネル形成層上において、前記ゲート構造を挟んで配置されたソース電極（１２）およびドレイン電極（１３）と、
前記第１のＧａＮ系半導体層と前記基板との間に配置され、Ｐ型の不純物がドープされた第３のＧａＮ系半導体層（３）と、を備え、
前記第３のＧａＮ系半導体層と前記第１のＧａＮ系半導体層との間には、Ｎ型の第４のＧａＮ系半導体層（４）が配置されており、
前記第４のＧａＮ系半導体層は、不純物濃度が３．００×１０１７ｃｍ−３以下とされている半導体装置。
【請求項２】
前記第４のＧａＮ系半導体層は、不純物濃度が３．００×１０１６ｃｍ−３以上とされている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第４のＧａＮ系半導体層は、前記第１のＧａＮ系半導体層に対する膜厚比が０．０１以上とされている請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第４のＧａＮ系半導体層は、前記第１のＧａＮ系半導体層に対する膜厚比が０．３以下とされている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−９３３０５号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するための請求項１では、スイッチングデバイスが形成された半導体装置であって、基板（１）と、基板上に形成され、ヘテロジャンクション構造を構成する第１のＧａＮ系半導体層（５）および第１のＧａＮ系半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく電子供給部を構成する第２のＧａＮ系半導体層（６）を有し、第２のＧａＮ系半導体層が部分的に除去されることで凹部（９）が形成されたチャネル形成層（７）と、凹部内に形成されたゲート絶縁膜（１０）およびゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極（１１）にて構成されるゲート構造と、チャネル形成層上において、ゲート構造を挟んで配置されたソース電極（１２）およびドレイン電極（１３）と、第１のＧａＮ系半導体層と基板との間に配置され、Ｐ型の不純物がドープされた第３のＧａＮ系半導体層（３）と、を備え、第３のＧａＮ系半導体層と第１のＧａＮ系半導体層との間には、Ｎ型の第４のＧａＮ系半導体層（４）が配置されており、第４のＧａＮ系半導体層は、不純物濃度が３．００×１０１７ｃｍ−３以下とされている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月26日(2020.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンレス繊維を含む熱可塑性樹脂組成物からなる電磁波遮蔽吸収性成形体であって、
前記成形体中の前記ステンレス繊維の含有割合が０．５〜２０質量％であり、
前記電磁波遮蔽吸収性成形体が、厚みが０．５ｍｍ〜５ｍｍで、５９GHz〜１００GHzの周波数領域のいずれかの周波数における電磁波の遮蔽性が１０dB以上であり、前記周波数の電磁波の吸収性が２５％以上のものである、電磁波遮蔽吸収性成形体。
【請求項２】
前記熱可塑性樹脂組成物に含まれるステンレス繊維の繊維長が１〜３０ｍｍである、請求項１記載の電磁波遮蔽吸収性成形体。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂組成物が、ステンレス繊維が長さ方向に揃えた束ねられたものに熱可塑性樹脂が付着されて一体化された、ステンレス繊維の含有割合が２０〜８０質量％である、長さ１〜３０ｍｍの熱可塑性樹脂付着繊維束を含んでいるものである、請求項１または２記載の電磁波遮蔽吸収性成形体。
【請求項４】
前記電磁波遮蔽吸収性成形体中のステンレス繊維の含有割合（Ｒ）と前記電磁波遮蔽吸収性成形体の厚み（Ｔ）の積（Ｒ・Ｔ）の範囲が０．５〜６未満または６以上であることにより電磁波遮蔽性と電磁波吸収性を調整されているものである、請求項１または２記載の電磁波遮蔽吸収性成形体。
【請求項５】
前記電磁波遮蔽吸収性成形体の遮蔽性と吸収性が周波数７６GHz〜１００GHz全体のものである、請求項１〜４いずれか１項記載の電磁波遮蔽吸収性成形体。
【請求項６】
前記熱可塑性樹脂が、ポリプロピレン、プロピレン単位を含む共重合体およびそれらの変性物、スチレン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネートから選ばれるものである、請求項１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽吸収性成形体。
【請求項７】
送受信アンテナ用保護部材である、請求項１〜６のいずれか１項記載の電磁波遮蔽吸収性成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の電磁波遮蔽吸収性成形体は、ステンレス繊維の含有割合（Ｒ）と厚み（Ｔ）を調整することで電磁波遮蔽性と電磁波吸収性を調整することができる。
成形体（組成物）中のステンレス繊維の含有割合（Ｒ）と成形体の厚み（Ｔ）の積（Ｒ・Ｔ）の範囲が好ましくは０．５〜６未満であるときは、周波数７０GHz〜１００GHzの範囲全体における電磁波遮蔽性を１０dB以上にすることができ、電磁波吸収性を４０％以上にすることができる。
成形体（組成物）中のステンレス繊維の含有割合（Ｒ）と成形体の厚み（Ｔ）の積（Ｒ・Ｔ）の範囲が６以上、好ましくは６〜７０であるときは、周波数７０GHz〜１００GHzの範囲全体における電磁波遮蔽性を５０dB以上にすることができ、電磁波吸収性を２０％以上にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月21日(2020.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1のローカルネットワークの外部の第2のローカルネットワーク内に位置する第2の機器とパブリックネットワーク上で安全に通信する際に、アドレスの競合を自動的に回避するための、第1のローカルネットワーク上の第1の機器であって、
少なくとも1つのプロセッサであって、
第1のローカルネットワーク上の第1の予約されたローカルネットワークアドレスと競合しない第1の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスを決定し、
第2のローカルネットワーク上の第2の予約されたローカルネットワークアドレスと競合しない第2の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスの表示を第2の機器から受信し、
第1の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスおよび第2の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスに少なくとも部分的に基づき、ネットワークアドレス対を決定し、
ネットワークアドレス対の表示を第2の機器に送信し、かつ
ネットワークアドレス対を使用して第2の機器と安全に通信する
ように構成された、少なくとも1つのプロセッサ
を含む、第1の機器。
【請求項２】
第1の機器がモバイル機器である、請求項1記載の第1の機器。
【請求項３】
第2の機器がモバイル機器である、請求項1記載の第1の機器。
【請求項４】
第1の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスを決定するために、少なくとも1つのプロセッサが、
第1のローカルネットワークと関連した1つまたは複数の他の機器によって使用中のアドレスを識別する
ようにさらに構成されている、
請求項1記載の第1の機器。
【請求項５】
ネットワークアドレス対が第1の機器のための第1のネットワークアドレスと第2の機器のための第2のネットワークアドレスを含む、請求項1記載の第1の機器。
【請求項６】
少なくとも1つのプロセッサは、第1の予約されたローカルネットワークアドレスに第2のネットワークアドレスを追加するようにさらに構成されている、請求項5記載の第1の機器。
【請求項７】
第2の機器と安全に通信するために、少なくとも1つのプロセッサは、パブリックネットワーク上で第2の機器に送信されるパケットを暗号化するようにさらに構成されている、請求項1記載の第1の機器。
【請求項８】
第2の機器と安全に通信するために、少なくとも1つのプロセッサは、仮想プライベートネットワーク上で通信リンクを使用して第2の機器と通信すべくネットワークドライバを制御するようにさらに構成されている、請求項1記載の第1の機器。
【請求項９】
少なくとも1つのプロセッサは、
ネットワークアドレス対を使用して、第2の機器のプライベートアドレスまたは第1の機器のプライベートアドレスの少なくとも1つをカプセル化し、
第1の機器のプライベートアドレスまたは第2の機器のプライベートアドレスの少なくとも1つを暗号化する
ようにさらに構成されている、
請求項1記載の第1の機器。
【請求項１０】
第1の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスのそれぞれがIPアドレスとネットワークマスクを含む、請求項1記載の第1の機器。
【請求項１１】
第1のローカルネットワークの外部の第2のローカルネットワーク内に位置する第2の機器と、パブリックネットワーク上で安全に通信する際に、アドレスの競合を自動的に回避するために、第1のローカルネットワーク上の第1の機器によって実行される、方法であって、
第1のローカルネットワーク上の第1の予約されたローカルネットワークアドレスと競合しない第1の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスを決定する段階、
第2のローカルネットワーク上の第2の予約されたローカルネットワークアドレスと競合しない第2の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスの表示を第2の機器から受信する段階、
第1の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスおよび第2の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスに少なくとも部分的に基づき、ネットワークアドレス対を決定する段階、
ネットワークアドレス対の表示を第2の機器に送信する段階、および
ネットワークアドレス対を使用して第2の機器と安全に通信する段階
を含む、方法。
【請求項１２】
第1の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスを決定する段階が、
第1のローカルネットワークと関連した1つまたは複数の他の機器によって使用中のアドレスを識別する段階
をさらに含む、
請求項11記載の方法。
【請求項１３】
ネットワークアドレス対が、第1の機器のための第1のネットワークアドレスと第2の機器のための第2のネットワークアドレスを含む、請求項11記載の方法。
【請求項１４】
第1の予約されたローカルネットワークアドレスに第2のネットワークアドレスを追加する段階
をさらに含む、請求項13記載の方法。
【請求項１５】
第1の機器と第2の機器の間の通信セッションを終了する時に、第1の予約されたローカルネットワークアドレスから第2のネットワークアドレスを除外する段階をさらに含む、請求項14記載の方法。
【請求項１６】
第2の機器と安全に通信する段階が、
パブリックネットワーク上で第2の機器に送信されるパケットを暗号化する段階
をさらに含む、請求項11記載の方法。
【請求項１７】
第2の機器と安全に通信する段階が、
仮想プライベートネットワーク上で通信リンクを使用して第2の機器と通信すべく、ネットワークドライバを制御する段階
をさらに含む、請求項11記載の方法。
【請求項１８】
ネットワークアドレス対を使用して、第2の機器のプライベートアドレスまたは第1の機器のプライベートアドレスの少なくとも1つをカプセル化する段階と、
第1の機器のプライベートアドレスまたは第2の機器のプライベートアドレスの少なくとも1つを暗号化する段階と
をさらに含む、請求項11記載の方法。
【請求項１９】
第1の1つまたは複数のローカルネットワークアドレスのそれぞれがIPアドレスとネットワークマスクを含む、請求項11記載の方法。
【請求項２０】
ネットワークアドレス対を決定する段階は、第2の機器に相当するネームに関するネームサービス要求に応答してである、請求項11記載の方法。