【手続補正書】
【提出日】令和2年7月31日(2020.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチステーション堆積装置内で基板上に材料を堆積させる方法であって、
ａ）前記マルチステーション堆積装置の第１ステーションに基板を提供し、
ｂ）前記基板と前記第１ステーション内のペデスタルとの間の熱伝導によって前記基板の温度を第１温度に調整し、
ｃ）前記基板が前記第１ステーション内で前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料の第１部分を堆積させ、
ｄ）前記マルチステーション堆積装置内の第２ステーションに前記基板を搬送し、
ｅ）前記基板と前記第２ステーション内のペデスタルとの間の熱伝導によって前記基板の温度を第２温度に調整し、
ｆ）前記基板が前記第２温度である間に、前記基板上に前記材料の第２部分を堆積させること、
を備え、
前記第１部分および前記第２部分は、前記材料の属性について異なる値を示す、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板が前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料を堆積させることは、属性の第１値を有する第１層として前記材料の前記第１部分を堆積させ、
前記基板が前記第２温度である間に、前記基板上に前記材料を堆積させることは、前記属性の第２値を有する第２層として前記材料の前記第２部分を堆積させる、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記属性は、第１ウェットエッチング速度、第１組成、および、第１密度からなる群より選択される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
（ｂ）は、前記第１ステーションのペデスタル内の加熱素子を用いて、前記基板の温度を前記第１温度に調整することを含み、
（ｅ）は、前記第２ステーションのペデスタル内の加熱素子を用いて、前記基板の温度を前記第２温度に調整することを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
ｇ）（ｆ）の後に、前記マルチステーション堆積装置の第３ステーションに前記基板を提供し、
ｈ）前記基板と前記第３ステーション内のペデスタルとの間の熱伝導によって前記基板の温度を第３温度に調整し、
ｉ）前記基板が前記第３温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させること、
を備える、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記第３温度は、前記第１温度、前記第２温度、および、前記第１温度でも前記第２温度でもない温度からなる群より選択された温度である、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、さらに、
ｊ）（ｉ）の後に、前記マルチステーション堆積装置の第４ステーションに前記基板を提供し、
ｋ）前記基板と前記第４ステーション内のペデスタルとの間の熱伝導によって前記基板の温度を第４温度に調整し、
ｌ）前記基板が前記第４温度である間に、前記基板上に前記材料の第４部分を堆積させること、
を備える、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記第４温度は、前記第１温度、前記第２温度、前記第３温度、および、前記第１温度でも前記第２温度でも前記第３温度でもない温度からなる群より選択された温度である、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
（ｂ）前記基板の温度を前記第１温度に調整することは、前記第１ステーションの前記ペデスタルの基板支持面から第１分離距離だけ前記基板を分離させることを含み、
前記方法は、さらに、（ｃ）の後であって（ｄ）の前に、前記第１ステーションの前記ペデスタルの前記基板支持面から第２分離距離だけ前記基板を分離させることによって、前記基板の温度を第３温度に調整することを備え、
前記方法は、さらに、（ｃ）の後であって（ｄ）の前に、前記基板が、前記第１ステーション内で前記第２分離距離で前記第３温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させることを備え、
前記第３部分は、前記材料の前記第１部分および前記第２部分の一方または両方と異なる値の前記材料の前記属性を示す、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
（ｅ）は、前記第２ステーション内の前記ペデスタルの基板支持面から第３分離距離だけ前記基板を分離させることによって、前記基板の温度を前記第２温度に調整することを含み、
前記方法は、さらに、（ｆ）の後に、前記第２ステーション内の前記ペデスタルの前記基板支持面から第４分離距離だけ前記基板を分離させることによって、前記基板の温度を第４温度に調整することを備え、
前記方法は、さらに、（ｆ）の後に、前記基板が、前記第２ステーション内で前記第４温度にある間に、前記基板上に前記材料の第４部分を堆積させることを備え、
前記第４部分は、前記材料の前記第１部分、前記第２部分、および、前記第３部分の１または複数と異なる値の前記材料の前記属性を示す、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、前記第１分離距離は、前記基板が前記基板支持面に接触するように、実質的にゼロである、方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法であって、（ｅ）は、前記基板が静止したままで、前記基板から離れるように垂直に前記ペデスタルを移動させることによって、前記ペデスタルの前記基板支持面から前記第２分離距離だけ前記基板を分離させることを含む、方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の方法であって、（ｅ）は、前記ペデスタルが静止したままで、持ち上げ機構を用いて前記ペデスタルから離れるように垂直に前記基板を移動させることによって、前記ペデスタルの前記基板支持面から前記第２分離距離だけ前記基板を分離させることを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法であって、
（ｃ）は、Ｎ１回の堆積サイクルにわたって前記基板上に前記材料の前記第１部分を堆積させることを含み、１堆積サイクルは、１ステーションで堆積される材料層の全厚の一部を集合的に堆積させる一連の処理工程であり、
（ｆ）は、Ｎ２回の堆積サイクルにわたって前記基板上に前記材料の前記第２部分を堆積させることを含み、１堆積サイクルは、１ステーションで堆積される材料層の全厚の一部を集合的に堆積させる一連の処理工程である、方法。
【請求項１５】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法であって、
（ｃ）は、期間ｔ１中に前記基板上に前記材料の前記第１部分を堆積させることを含み、
（ｆ）は、期間ｔ２中に前記基板上に前記材料の前記第２部分を堆積させることを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１から８のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、（ｃ）で前記材料の前記第１部分を堆積させる際に、前記基板を前記第１ステーションの前記ペデスタルの基板支持面に向かってまたは基板支持面から離れるように移動させることで、前記基板と前記ペデスタルとの間の分離距離を調整して、さらに、前記第１ステーション内の前記基板の温度を調整することを備える、方法。
【請求項１７】
マルチステーション堆積装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内の第１ステーションであって、前記第１ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第１加熱素子を有する第１ペデスタルを備える、第１ステーションと、
前記処理チャンバ内の第２ステーションであって、前記第２ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第２加熱素子を有する第２ペデスタルを備える、第２ステーションと、
前記第１ステーションと前記第２ステーションとの間で１または複数の基板を移動させるための基板搬送装置と、
異なる温度で基板上に材料を堆積させるように前記マルチステーション堆積装置を制御するためのコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
ａ）前記マルチステーション堆積装置の前記第１ステーションに基板を提供し、
ｂ）前記基板と前記第１ペデスタルとの間の熱伝導によって前記基板の温度を第１温度に調整し、
ｃ）前記基板が前記第１ステーション内で前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料の第１部分を堆積させ、
ｄ）前記基板を前記第２ステーションに移動させ、
ｅ）前記基板と前記第２ペデスタルとの間の熱伝導によって前記基板の温度を第２温度に調整し、
ｆ）前記基板が前記第２温度である間に、前記基板上に前記材料の第２部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第１部分および前記第２部分は、前記材料の属性について異なる値を示す、装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の装置であって、
各ペデスタルは、基板支持面を備え、前記基板支持面に前記基板を接触させるよう構成され、第１分離距離および第２分離距離だけ前記基板支持面から前記基板を分離させるよう構成され、
前記コントローラは、さらに、
前記基板を前記第１分離距離および前記第２分離距離に配置し、
前記マルチステーション堆積装置の前記第１ステーションで、（ａ）〜（ｃ）、（ｅ）、および、（ｆ）を実行するための制御ロジックを備え、
（ｂ）は、前記第１ステーションの前記ペデスタルの前記基板支持面から第１分離距離だけ前記基板を分離させることによって、前記基板の温度を前記第１温度に調整することを含み、
（ｃ）は、基板が前記基板支持面から前記第１分離距離だけ分離されている間に、前記材料の前記第１部分を堆積させることを含み、
（ｅ）は、前記第１ステーションの前記ペデスタルの前記基板支持面から第２分離距離だけ前記基板を分離させることによって、前記基板の温度を前記第２温度に調整することを含み、
（ｆ）は、前記基板が前記第１ステーションの前記ペデスタルの前記基板支持面から前記第２分離距離だけ分離されている間に、前記基板上に前記材料を堆積させることを含む、装置。
【請求項１９】
請求項１７に記載の装置であって、
各ペデスタルは、基板支持面を備え、前記基板支持面に前記基板を接触させるよう構成され、第１分離距離および第２分離距離だけ前記基板支持面から前記基板を分離させるよう構成され、
（ｂ）は、前記基板が前記第１ステーションの前記ペデスタルの基板支持面から第１分離距離だけ分離されている間に、前記基板と前記第１ステーション内の前記ペデスタルとの間の熱伝導によって前記基板の温度を前記第１温度に調整することを含み、
前記コントローラは、さらに、
（ｃ）の後であって（ｄ）の前に、前記第１ステーションの前記ペデスタルの前記基板支持面から第２分離距離だけ前記基板を分離させることによって、前記基板の温度を第３温度に調整し、
（ｃ）の後であって（ｄ）の前に、前記基板が、前記第１ステーション内で第２分離距離で前記第３温度にある間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第３部分は、前記材料の前記第１部分および前記第２部分の一方または両方と異なる値の前記材料の前記属性を示す、装置。
【請求項２０】
請求項１７から１９のいずれか一項に記載の装置であって、前記第１加熱素子は、アルミニウムに埋め込まれた抵抗加熱素子または窒化アルミニウムに埋め込まれた加熱ワイヤの内の一方である、装置。
【請求項２１】
マルチステーション堆積装置内で基板上に材料を堆積させる方法であって、
前記基板を前記マルチステーション堆積装置の第１ステーションで第１温度まで加熱し、
前記基板が前記第１ステーション内で前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料の第１部分を堆積させ、
前記基板を前記マルチステーション堆積装置における前記第１ステーションから第２ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を第２温度まで加熱し、
前記基板が前記第２温度である間に、前記基板上に前記材料の第２部分を堆積させることを備え、
前記第１部分および前記第２部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、方法。
【請求項２２】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２温度は、前記第１温度より高い、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、さらに、
前記基板を前記マルチステーション堆積装置における前記第２ステーションから第３ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を、前記第２温度より高い第３温度に調整し、
前記基板が前記第３ステーションにおいて前記第３温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させることを備え、
前記第２部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、方法。
【請求項２４】
請求項２２に記載の方法であって、さらに、
前記基板を前記マルチステーション堆積装置における前記第２ステーションから第３ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を、前記第２温度に調整し、
前記基板が前記第３ステーションにおいて前記第２温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させることを備え、
前記第２部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について実質的に同じ値を示す、方法。
【請求項２５】
請求項２２に記載の方法であって、さらに、
前記基板を前記第２ステーションに移動させる前に、前記基板を前記マルチステーション堆積装置における前記第１ステーションから第３ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を、前記第１温度に調整し、
前記基板が前記第３ステーションにおいて前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させることを備え、
前記第１部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について実質的に同じ値を示す、方法。
【請求項２６】
請求項２２に記載の方法であって、
前記第１温度は約１００℃であり、前記第２温度は約２００℃である、方法。
【請求項２７】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２温度は、前記第１温度より低い、方法。
【請求項２８】
請求項２７に記載の方法であって、さらに、
前記基板を前記マルチステーション堆積装置における前記第２ステーションから第３ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を、前記第２温度より低い第３温度に調整し、
前記基板が前記第３ステーションにおいて前記第３温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させることを備え、
前記第２部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、方法。
【請求項２９】
請求項２７に記載の方法であって、さらに、
前記基板を前記マルチステーション堆積装置における前記第２ステーションから第３ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を、前記第２温度に調整し、
前記基板が前記第３ステーションにおいて前記第２温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させることを備え、
前記第２部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について実質的に同じ値を示す、方法。
【請求項３０】
請求項２７に記載の方法であって、さらに、
前記基板を前記第２ステーションに移動させる前に、前記基板を前記マルチステーション堆積装置における前記第１ステーションから第３ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を、前記第１温度に調整し、
前記基板が前記第３ステーションにおいて前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させることを備え、
前記第１部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について実質的に同じ値を示す、方法。
【請求項３１】
請求項１に記載の方法であって、
前記材料は、窒化シリコンであり、前記材料が堆積される前記基板の表面は、タングステンを含む、方法。
【請求項３２】
請求項１に記載の方法であって、
前記材料は、窒化シリコンであり、前記材料が堆積される前記基板の表面は、カルコゲニドを含む、方法。
【請求項３３】
マルチステーション堆積装置内で基板上に材料を堆積させる方法であって、
前記マルチステーション堆積装置における第１ステーションの第１ペデスタルの第１支持面から第１分離距離だけ離れて前記基板を配置することによって、前記基板を第１温度まで加熱し、
前記基板が前記第１ステーションにおいて前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料の第１部分を堆積させ、
前記基板を前記マルチステーション堆積装置における前記第１ステーションから第２ステーションに移動させ、
前記マルチステーション堆積装置における前記第２ステーションの第２ペデスタルの第２支持面から第２分離距離だけ離れて前記基板を配置することによって、前記基板の前記温度を第２温度に調整し、
前記基板が前記第２温度である間に、前記基板上に前記材料の第２部分を堆積させること、
を備える、方法。
【請求項３４】
請求項３３に記載の方法であって、
前記第１部分および前記第２部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、方法。
【請求項３５】
請求項３３に記載の方法であって、
前記第２分離距離は、前記第１分離距離より短い、方法。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法であって、さらに、
前記基板を前記マルチステーション処理装置における前記第２ステーションから第３ステーションに移動させ、
前記マルチステーション堆積装置の前記第３ステーションにおける第３ペデスタルの第３支持面から前記第２距離より短い第３分離距離だけ離れて前記基板を配置することによって、前記基板の前記温度を第１温度より高い第３温度まで加熱し、
前記基板が前記第３ステーションにおいて前記第３温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させることを備え、
前記第１部分、前記第２部分、および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、方法。
【請求項３７】
請求項３３に記載の方法であって、
前記第２分離距離は、前記第１分離距離より長い、方法。
【請求項３８】
請求項３７に記載の方法であって、さらに、
前記基板を前記マルチステーション処理装置における前記第２ステーションから第３ステーションに移動させ、
前記マルチステーション堆積装置における前記第３ステーションの第３ペデスタルの第３支持面から前記第２距離より長い第３分離距離だけ離れて前記基板を配置することによって、前記基板の前記温度を前記第１温度および前記第２温度より低い第３温度まで加熱し、
前記基板が前記第３ステーションにおいて前記第３温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させることを備え、
前記第１部分、前記第２部分、および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、方法。
【請求項３９】
請求項３３に記載の方法であって、
前記材料は、窒化シリコンであり、前記材料が堆積される前記基板の表面は、タングステンを含む、方法。
【請求項４０】
請求項３３に記載の方法であって、
前記材料は、窒化シリコンであり、前記材料が堆積される前記基板の表面は、カルコゲニドを含む、方法。
【請求項４１】
マルチステーション堆積装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内の第１処理ステーションであって、前記第１処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第１加熱素子を有する第１ペデスタルを備える第１処理ステーションと、
前記処理チャンバ内の第２処理ステーションであって、前記第２処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第２加熱素子を有する第２ペデスタルを備える第２処理ステーションと、
前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションとの間で１または複数の基板を移動させるための基板搬送装置と、
異なる温度で基板上に材料を堆積させるように前記マルチステーション堆積装置を制御するためのコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
前記基板を前記第１処理ステーションにおいて第１温度まで加熱し、
前記基板が前記第１処理ステーションにおいて前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料の第１部分を堆積させ、
前記基板を前記第１処理ステーションから前記第２処理ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を第２温度まで加熱し、
前記基板が前記第２度である間に、前記基板上に前記材料の第２部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第１部分および前記第２部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、装置。
【請求項４２】
請求項１７に記載の装置であって、
前記第２温度は、前記第１温度より高い、装置。
【請求項４３】
請求項４２に記載の装置であって、さらに、
前記処理チャンバ内における第３処理ステーションであって、前記第３処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第３加熱素子を有する第３ペデスタルを備える第３処理ステーションを備え、
前記基板搬送装置は、さらに、前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションと前記第３処理ステーションとの間で１または複数の基板を移動させ、
前記コントローラは、さらに、
前記基板を前記第２処理ステーションから前記第３処理ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を、前記第２温度より高い第３温度に調整し、
前記基板が前記第３処理ステーションにおいて前記第３温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第２部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、装置。
【請求項４４】
請求項４２に記載の装置であって、さらに、
前記処理チャンバ内における第３処理ステーションであって、前記第３処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第３加熱素子を有する第３ペデスタルを備える第３処理ステーションを備え、
前記基板搬送装置は、さらに、前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションと前記第３処理ステーションとの間で１または複数の基板を移動させ、
前記コントローラは、さらに、
前記基板を前記第２処理ステーションから前記第３処理ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を前記第２温度に調整し、
前記基板が前記第３処理ステーションにおいて前記第２温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第２部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について実質的に同じ値を示す、装置。
【請求項４５】
請求項４２に記載の装置であって、さらに、
前記処理チャンバ内における第３処理ステーションであって、前記第３処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第３加熱素子を有する第３ペデスタルを備える第３処理ステーションを備え、
前記基板搬送装置は、さらに、前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションと前記第３処理ステーションとの間で１または複数の基板を移動させ、
前記コントローラは、さらに、
前記基板を前記第２処理ステーションに移動させる前に、前記基板を前記第１処理ステーションから前記第３処理ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を前記第１温度に調整し、
前記基板が前記第３処理ステーションにおいて前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第１部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について実質的に同じ値を示す、装置。
【請求項４６】
請求項４２に記載の装置であって、
前記第１温度は、約１００℃であり、前記第２温度は、約２００℃である、装置。
【請求項４７】
請求項１７に記載の装置であって、
前記第２温度は、前記第１温度より低い、装置。
【請求項４８】
請求項４７に記載の装置であって、さらに、
前記処理チャンバ内における第３処理ステーションであって、前記第３処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第３加熱素子を有する第３ペデスタルを備える第３処理ステーションを備え、
前記基板搬送装置は、さらに、前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションと前記第３処理ステーションとの間で１または複数の基板を移動させ、
前記コントローラは、さらに、
前記基板を前記第２処理ステーションから前記第３処理ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を前記第２温度より低い第３温度に調整し、
前記基板が前記第３処理ステーションにおいて前記第３温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第２部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、装置。
【請求項４９】
請求項４７に記載の装置であって、さらに、
前記処理チャンバ内における第３処理ステーションであって、前記第３処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第３加熱素子を有する第３ペデスタルを備える第３処理ステーションを備え、
前記基板搬送装置は、さらに、前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションと前記第３処理ステーションとの間で１または複数の基板を移動させ、
前記コントローラは、さらに、
前記基板を前記第２処理ステーションから前記第３処理ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を前記第２温度に調整し、
前記基板が前記第３処理ステーションにおいて前記第２温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第２部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について実質的に同じ値を示す、装置。
【請求項５０】
請求項４７に記載の装置であって、さらに、
前記処理チャンバ内における第３処理ステーションであって、前記第３処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第３加熱素子を有する第３ペデスタルを備える第３処理ステーションを備え、
前記基板搬送装置は、さらに、前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションと前記第３処理ステーションとの間で１または複数の基板を移動させ、
前記コントローラは、さらに、
前記基板を前記第２処理ステーションに移動させる前に、前記基板を前記第１処理ステーションから前記第３処理ステーションに移動させ、前記基板の前記温度を前記第１温度に調整し、
前記基板が前記第３処理ステーションにおいて前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第１部分および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について実質的に同じ値を示す、装置。
【請求項５１】
マルチステーション堆積装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内における第１処理ステーションであって、前記第１処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第１加熱素子を有する第１ペデスタルを備え、前記第１ペデスタルは、第１基板支持面を備え、前記基板を前記第１基板支持面に接触させるよう構成され、第１分離距離および第２分離距離だけ前記第１基板支持面から前記基板を分離させるよう構成され、
前記処理チャンバ内における第２処理ステーションであって、前記第２処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第２加熱素子を有する第２ペデスタルを備え、前記第２ペデスタルは、第２基板支持面を備え、前記基板を前記第２基板支持面に接触させるよう構成され、第３分離距離および第４分離距離だけ前記第２基板支持面から前記基板を分離させるよう構成され、
前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションとの間で１または複数の基板を移動させるための基板搬送装置と、
異なる温度で基板上に材料を堆積させるように前記マルチステーション堆積装置を制御するためのコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
前記第１支持面から前記第１分離距離だけ離れて前記基板を配置することによって、前記基板を第１温度まで加熱し、
前記基板が前記第１処理ステーション内で前記第１温度である間に、前記基板上に前記材料の第１部分を堆積させ、
前記基板を前記第１処理ステーションから前記第２処理ステーションに移動させ、
前記第２支持面から前記第３分離距離だけ離れて前記基板を配置することによって、前記基板の前記温度を第２温度に調整し、
前記基板が前記第２温度である間に、前記基板上に前記材料の第２部分を堆積させるための制御ロジックを備える、装置。
【請求項５２】
請求項５１に記載の装置であって、
前記第１部分および前記第２部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、装置。
【請求項５３】
請求項５１に記載の装置であって、
前記第３分離距離は、前記第１分離距離より短い、装置。
【請求項５４】
請求項５３に記載の装置であって、さらに、
前記処理チャンバ内における第３処理ステーションであって、前記第３処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第３加熱素子を有する第３ペデスタルを備える、第３処理ステーションを備え、
前記第３ペデスタルは、第３基板支持面を備え、前記基板を前記第３基板支持面に接触させるよう構成され、第５分離距離および第６分離距離だけ前記第３基板支持面から前記基板を分離させるよう構成され、
前記基板搬送装置は、さらに、前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションと前記第３処理ステーションとの間で１または複数の基板を移動させ、
前記コントローラは、さらに、
前記基板を前記第２処理ステーションから前記第３処理ステーションに移動させ、
前記第３分離距離より短い前記第５分離距離だけ前記第３基板支持面から前記基板を離れて配置することによって、前記基板の前記温度を前記第１温度および前記第２温度より高い第３温度まで加熱し、
前記基板が前記第３処理ステーションにおいて前記第３温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第１部分、前記第２部分、および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、装置。
【請求項５５】
請求項５１に記載の装置であって、
前記第３分離距離は、前記第１分離距離より長い、装置。
【請求項５６】
請求項５５に記載の装置であって、さらに、
前記処理チャンバ内における第３処理ステーションであって、前記第３処理ステーション内に配置されている基板を加熱するよう構成されている第３加熱素子を有する第３ペデスタルを備える、第３処理ステーションを備え、
前記第３ペデスタルは、第３基板支持面を備え、前記基板を前記第３基板支持面に接触させるよう構成され、第５分離距離および第６分離距離だけ前記第３基板支持面から前記基板を分離させるよう構成され、
前記基板搬送装置は、さらに、前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションと前記第３処理ステーションとの間で１または複数の基板を移動させ、
前記コントローラは、さらに、
前記基板を前記第２処理ステーションから前記第３処理ステーションに移動させ、
前記第３分離距離より長い前記第５分離距離だけ前記第３基板支持面から離れて前記基板を配置することによって、前記基板の前記温度を前記第１温度および前記第２温度より低い第３温度まで加熱し、
前記基板が前記第３処理ステーションにおいて前記第３温度である間に、前記基板上に前記材料の第３部分を堆積させるための制御ロジックを備え、
前記第１部分、前記第２部分、および前記第３部分は、前記材料の１または複数の属性について異なる値を示す、装置。