【手続補正書】
【提出日】令和1年12月12日(2019.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷輸送性物質であって分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体及び有機溶媒を含む電荷輸送性薄膜形成用ワニスであって、流動活性化エネルギーが２８ｋＪ／ｍｏｌ以下である電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記式（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）。
【化１】
2019140419.tif 000001
【請求項２】
電荷輸送性物質であって分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体及び溶媒を含み、前記溶媒が有機溶媒のみからなる電荷輸送性薄膜形成用ワニスであって、流動活性化エネルギーが２８ｋＪ／ｍｏｌ以下である電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）。
【化２】
2019140419.tif 000002
【請求項３】
前記電荷輸送性物質が、下記式（１）で表されるアニリン誘導体である請求項１又は２記載の電荷輸送性ワニス。
【化３】
2019140419.tif 000003
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ7Ｒ8)L−又は単結合を表すが、ｍ又はｎが０であるときは、−ＮＹ1−を表し；
Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13基を表し；
Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し；
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボン酸基を表し；
Ｌは、−(ＣＲ7Ｒ8)−で表される２価の基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であり、Ｌが２以上である場合、複数のＲ7は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ8も、互いに同一であっても異なっていてもよく；
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13を表し（Ｙ2〜Ｙ13は、前記と同じ意味を表す。）；
ｍ及びｎは、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦２０を満たす。）
【請求項４】
更にドーパントを含む請求項１〜３のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
【請求項５】
前記電荷輸送性薄膜が、電子デバイスの機能性薄膜である請求項１〜４のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
【請求項６】
前記電子デバイスが、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項５記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
【請求項７】
前記電荷輸送性薄膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる基板のピクセル内に形成される機能性薄膜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて形成される電荷輸送性薄膜。
【請求項９】
厚さが、１〜２００ｎｍである請求項８記載の電荷輸送性薄膜。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の電荷輸送性薄膜を備える電子デバイス。
【請求項１１】
請求項８又は９記載の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを塗布する工程と、
溶媒を蒸発させる工程と
を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
１００〜２６０℃で溶媒を蒸発させる工程を含む請求項１２記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】
電荷輸送性物質であって分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体と有機溶媒とを含む電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記式（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）を用いて薄膜を形成するにあたって、
前記ワニスの流動活性化エネルギーを２８ｋＪ／ｍｏｌ以下とすることを特徴とする薄膜の平坦化方法。
【化４】
2019140419.tif 000004
【請求項１５】
前記電荷輸送性物質が、下記式（１）で表されるアニリン誘導体である請求項１４記載の薄膜の平坦化方法。
【化５】
2019140419.tif 000005
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ7Ｒ8)L−又は単結合を表すが、ｍ又はｎが０であるときは、−ＮＹ1−を表し；
Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13基を表し；
Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し；
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボン酸基を表し；
Ｌは、−(ＣＲ7Ｒ8)−で表される２価の基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であり、Ｌが２以上である場合、複数のＲ7は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ8も、互いに同一であっても異なっていてもよく；
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13を表し（Ｙ2〜Ｙ13は、前記と同じ意味を表す。）；
ｍ及びｎは、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦２０を満たす。）
【請求項１６】
前記電荷輸送性薄膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる基板のピクセル内に形成される機能性薄膜であることを特徴とする請求項１４又は１５記載の薄膜の平坦化方法。
【請求項１７】
電荷輸送性物質であって分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体と有機溶媒とを含む電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記式（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）から作製される薄膜の平坦化方法であって、
前記ワニスとして流動活性化エネルギーが２８ｋＪ／ｍｏｌ以下のものを用いることを特徴とする薄膜の平坦化方法。
【化６】
2019140419.tif 000006
【請求項１８】
前記電荷輸送性物質が、下記式（１）で表されるアニリン誘導体である請求項１７記載の薄膜の平坦化方法。
【化７】
2019140419.tif 000007
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ7Ｒ8)L−又は単結合を表すが、ｍ又はｎが０であるときは、−ＮＹ1−を表し；
Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13基を表し；
Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し；
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボン酸基を表し；
Ｌは、−(ＣＲ7Ｒ8)−で表される２価の基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であり、Ｌが２以上である場合、複数のＲ7は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ8も、互いに同一であっても異なっていてもよく；
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13を表し（Ｙ2〜Ｙ13は、前記と同じ意味を表す。）；
ｍ及びｎは、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦２０を満たす。）
【請求項１９】
前記電荷輸送性薄膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる基板のピクセル内に形成される機能性薄膜であることを特徴とする請求項１７又は１８記載の薄膜の平坦化方法。
【請求項２０】
電荷輸送性物質であって分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体と有機溶媒とを含む電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記式（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）を基材に塗布する工程、及び溶媒を蒸発させる工程を含む平坦化薄膜の形成方法であって、
前記ワニスの流動活性化エネルギーが２８ｋＪ／ｍｏｌ以下であることを特徴とする平坦化薄膜の形成方法。
【化８】
2019140419.tif 000008
【請求項２１】
前記電荷輸送性物質が、下記式（１）で表されるアニリン誘導体である請求項２０記載の平坦化薄膜の形成方法。
【化９】
2019140419.tif 000009
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ7Ｒ8)L−又は単結合を表すが、ｍ又はｎが０であるときは、−ＮＹ1−を表し；
Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13基を表し；
Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し；
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボン酸基を表し；
Ｌは、−(ＣＲ7Ｒ8)−で表される２価の基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であり、Ｌが２以上である場合、複数のＲ7は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ8も、互いに同一であっても異なっていてもよく；
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13を表し（Ｙ2〜Ｙ13は、前記と同じ意味を表す。）；
ｍ及びｎは、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦２０を満たす。）
【請求項２２】
前記電荷輸送性薄膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる基板のピクセル内に形成される機能性薄膜であることを特徴とする請求項２０又は２１記載の平坦化薄膜の形成方法。
【請求項２３】
分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質及び有機溶媒を含み、流動活性化エネルギーが２８ｋＪ／ｍｏｌ以下である電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記式（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）の製造方法であって、
前記有機溶媒として、流動活性化エネルギーが２７ｋＪ／ｍｏｌ以下の有機溶媒を用いることを特徴とする電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法。
【化１０】
2019140419.tif 000010
【請求項２４】
前記電荷輸送性物質が、下記式（１）で表されるアニリン誘導体である請求項２３記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法。
【化１１】
2019140419.tif 000011
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ7Ｒ8)L−又は単結合を表すが、ｍ又はｎが０であるときは、−ＮＹ1−を表し；
Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13基を表し；
Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し；
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボン酸基を表し；
Ｌは、−(ＣＲ7Ｒ8)−で表される２価の基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であり、Ｌが２以上である場合、複数のＲ7は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ8も、互いに同一であっても異なっていてもよく；
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13を表し（Ｙ2〜Ｙ13は、前記と同じ意味を表す。）；
ｍ及びｎは、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦２０を満たす。）
【請求項２５】
前記電荷輸送性薄膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる基板のピクセル内に形成される機能性薄膜であることを特徴とする請求項２３又は２４記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法。
【請求項２６】
前記溶媒の流動活性化エネルギーが、１４ｋＪ／ｍｏｌ以上であることを特徴とする、請求項２３〜２５のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法。
【請求項２７】
前記溶媒の流動活性化エネルギーが、２４ｋＪ／ｍｏｌ以下であることを特徴とする、請求項２３〜２６のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電荷輸送性薄膜形成用ワニス、薄膜の平坦化方法、平坦化薄膜の形成方法及び電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電荷輸送性薄膜形成用ワニス、薄膜の平坦化方法、平坦化薄膜の形成方法及び電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明は、下記電荷輸送性薄膜形成用ワニス、薄膜の平坦化方法、平坦化薄膜の形成方法及び電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法を提供する。
１．電荷輸送性物質であって分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体及び有機溶媒を含む電荷輸送性薄膜形成用ワニスであって、流動活性化エネルギーが２８ｋＪ／ｍｏｌ以下である電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記式（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）。
【化６】
2019140419.tif 000012
２．電荷輸送性物質であって分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体及び溶媒を含み、前記溶媒が有機溶媒のみからなる電荷輸送性薄膜形成用ワニスであって、流動活性化エネルギーが２８ｋＪ／ｍｏｌ以下である電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）。
【化７】
2019140419.tif 000013
３．前記電荷輸送性物質が、下記式（１）で表されるアニリン誘導体である１又は２の電荷輸送性ワニス。
【化８】
2019140419.tif 000014
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ7Ｒ8)L−又は単結合を表すが、ｍ又はｎが０であるときは、−ＮＹ1−を表し；
Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13基を表し；
Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し；
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボン酸基を表し；
Ｌは、−(ＣＲ7Ｒ8)−で表される２価の基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であり、Ｌが２以上である場合、複数のＲ7は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ8も、互いに同一であっても異なっていてもよく；
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13を表し（Ｙ2〜Ｙ13は、前記と同じ意味を表す。）；
ｍ及びｎは、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦２０を満たす。）
４．更にドーパントを含む１〜３のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
５．前記電荷輸送性薄膜が、電子デバイスの機能性薄膜である１〜４のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
６．前記電子デバイスが、有機エレクトロルミネッセンス素子である５の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
７．前記電荷輸送性薄膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる基板のピクセル内に形成される機能性薄膜であることを特徴とする１〜４のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
８．１〜７のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて形成される電荷輸送性薄膜。
９。厚さが、１〜２００ｎｍである８の電荷輸送性薄膜。
１０．８又は９の電荷輸送性薄膜を備える電子デバイス。
１１．８又は９の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
１２．１〜７のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニスを塗布する工程と、
溶媒を蒸発させる工程と
を含む電子デバイスの製造方法。
１３．１００〜２６０℃で溶媒を蒸発させる工程を含む１２の電子デバイスの製造方法。
１４．電荷輸送性物質であって分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体と有機溶媒とを含む電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記式（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）を用いて薄膜を形成するにあたって、
前記ワニスの流動活性化エネルギーを２８ｋＪ／ｍｏｌ以下とすることを特徴とする薄膜の平坦化方法。
【化９】
2019140419.tif 000015
１５．前記電荷輸送性物質が、下記式（１）で表されるアニリン誘導体である１４の薄膜の平坦化方法。
【化１０】
2019140419.tif 000016
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ7Ｒ8)L−又は単結合を表すが、ｍ又はｎが０であるときは、−ＮＹ1−を表し；
Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13基を表し；
Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し；
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボン酸基を表し；
Ｌは、−(ＣＲ7Ｒ8)−で表される２価の基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であり、Ｌが２以上である場合、複数のＲ7は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ8も、互いに同一であっても異なっていてもよく；
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13を表し（Ｙ2〜Ｙ13は、前記と同じ意味を表す。）；
ｍ及びｎは、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦２０を満たす。）
１６．前記電荷輸送性薄膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる基板のピクセル内に形成される機能性薄膜であることを特徴とする１４又は１５の薄膜の平坦化方法。
１７．電荷輸送性物質であって分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体と有機溶媒とを含む電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記式（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）から作製される薄膜の平坦化方法であって、
前記ワニスとして流動活性化エネルギーが２８ｋＪ／ｍｏｌ以下のものを用いることを特徴とする薄膜の平坦化方法。
【化１１】
2019140419.tif 000017
１８．前記電荷輸送性物質が、下記式（１）で表されるアニリン誘導体である１７の薄膜の平坦化方法。
【化１２】
2019140419.tif 000018
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ7Ｒ8)L−又は単結合を表すが、ｍ又はｎが０であるときは、−ＮＹ1−を表し；
Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13基を表し；
Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し；
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボン酸基を表し；
Ｌは、−(ＣＲ7Ｒ8)−で表される２価の基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であり、Ｌが２以上である場合、複数のＲ7は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ8も、互いに同一であっても異なっていてもよく；
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13を表し（Ｙ2〜Ｙ13は、前記と同じ意味を表す。）；
ｍ及びｎは、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦２０を満たす。）
１９．前記電荷輸送性薄膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる基板のピクセル内に形成される機能性薄膜であることを特徴とする１７又は１８の薄膜の平坦化方法。
２０．電荷輸送性物質であって分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体と有機溶媒とを含む電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記式（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）を基材に塗布する工程、及び溶媒を蒸発させる工程を含む平坦化薄膜の形成方法であって、
前記ワニスの流動活性化エネルギーが２８ｋＪ／ｍｏｌ以下であることを特徴とする平坦化薄膜の形成方法。
【化１３】
2019140419.tif 000019
２１．前記電荷輸送性物質が、下記式（１）で表されるアニリン誘導体である２０の平坦化薄膜の形成方法。
【化１４】
2019140419.tif 000020
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ7Ｒ8)L−又は単結合を表すが、ｍ又はｎが０であるときは、−ＮＹ1−を表し；
Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13基を表し；
Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し；
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボン酸基を表し；
Ｌは、−(ＣＲ7Ｒ8)−で表される２価の基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であり、Ｌが２以上である場合、複数のＲ7は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ8も、互いに同一であっても異なっていてもよく；
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13を表し（Ｙ2〜Ｙ13は、前記と同じ意味を表す。）；
ｍ及びｎは、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦２０を満たす。）
２２．前記電荷輸送性薄膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる基板のピクセル内に形成される機能性薄膜であることを特徴とする２０又は２１の平坦化薄膜の形成方法。
２３．分子量が２００〜２,０００であるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質及び有機溶媒を含み、流動活性化エネルギーが２８ｋＪ／ｍｏｌ以下である電荷輸送性薄膜形成用ワニス（ただし、電荷輸送性物質として下記式（Ｄ５−１）又は（Ｄ５−２）で表されるオリゴアニリン誘導体と、ドーパント物質として下記式（Ｄ５−３）で表されるアリールスルホン酸と、溶媒として、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及び２,３−ブタンジオール、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びジエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びシクロヘキサノール、Ｎ−メチルピロリドン及びジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、２,３−ブタンジオール及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリエチレングリコールジメチルエーテル、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−フェノキシエタノール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及び１,３−ブタンジオール、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、又は１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びエチレングリコールモノヘキシルエーテルの組み合わせを含むものを除く。）の製造方法であって、
前記有機溶媒として、流動活性化エネルギーが２７ｋＪ／ｍｏｌ以下の有機溶媒を用いることを特徴とする電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法。
【化１５】
2019140419.tif 000021
２４．前記電荷輸送性物質が、下記式（１）で表されるアニリン誘導体である２３の電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法。
【化１６】
2019140419.tif 000022
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ7Ｒ8)L−又は単結合を表すが、ｍ又はｎが０であるときは、−ＮＹ1−を表し；
Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13基を表し；
Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、又はＺ3で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し；
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボン酸基を表し；
Ｌは、−(ＣＲ7Ｒ8)−で表される２価の基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であり、Ｌが２以上である場合、複数のＲ7は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ8も、互いに同一であっても異なっていてもよく；
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ(Ｏ)Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ9、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ10、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ11若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ12Ｙ13を表し（Ｙ2〜Ｙ13は、前記と同じ意味を表す。）；
ｍ及びｎは、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ＋ｎ≦２０を満たす。）
２５．前記電荷輸送性薄膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる基板のピクセル内に形成される機能性薄膜であることを特徴とする２３又は２４の電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法。
２６．前記溶媒の流動活性化エネルギーが、１４ｋＪ／ｍｏｌ以上であることを特徴とする、２３〜２５のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法。
２７．前記溶媒の流動活性化エネルギーが、２４ｋＪ／ｍｏｌ以下であることを特徴とする、２３〜２６のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニスの製造方法。