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【手続補正書】
【提出日】令和2年2月25日(2020.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を有する異方性導電フィルムであって、
該絶縁性樹脂層が、光重合性樹脂組成物の層であり、
導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有する異方性導電フィルム。
【請求項２】
前記傾斜では、導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が、前記接平面に対して欠けており、前記起伏では、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、前記導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面が該接平面にあるとしたときに比して少ない請求項１記載の異方性導電フィルム。
【請求項３】
前記接平面からの導電粒子の最深部の距離Ｌｂと、導電粒子の粒子径Ｄとの比（Ｌｂ/Ｄ）が３０％以上１０５％以下である請求項１記載の異方性導電フィルム。
【請求項４】
光重合性樹脂組成物が、光カチオン重合性樹脂組成物である請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項５】
光重合性樹脂組成物が、光ラジカル重合性樹脂組成物である請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項６】
絶縁性樹脂層から露出している導電粒子の周囲の絶縁性樹脂層の表面に傾斜もしくは起伏が形成されている請求項１〜５のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項７】
絶縁性樹脂層から露出することなく絶縁性樹脂層内に埋まっている導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面に傾斜もしくは起伏が形成されている請求項１〜５のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項８】
絶縁性樹脂層の層厚Ｌａと導電粒子の粒子径Ｄとの比（Ｌａ/Ｄ）が０．６〜１０である請求項１〜７のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項９】
導電粒子が互いに非接触で配置されている請求項１〜８のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項１０】
導電粒子の最近接粒子間距離が導電粒子径の０．５倍以上４倍以下である請求項１〜９のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項１１】
絶縁性樹脂層の傾斜もしくは起伏が形成されている表面と反対側の表面に、第２の絶縁性樹脂層が積層されている請求項１〜１０のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項１２】
絶縁性樹脂層の傾斜もしくは起伏が形成されている表面に、第２の絶縁性樹脂層が積層されている請求項１〜１０のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項１３】
第２の絶縁性樹脂層の最低溶融粘度が絶縁性樹脂層の最低溶融粘度よりも低い請求項１１又は１２記載の異方性導電フィルム。
【請求項１４】
導電粒子の粒子径のＣＶ値が２０％以下である請求項１〜１３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項１５】
導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を形成する工程を有する、請求項１記載の異方性導電フィルムの製造方法であって、
導電粒子分散層を形成する工程が、導電粒子を光重合性樹脂組成物からなる絶縁性樹脂層表面に分散した状態で保持させる工程と、絶縁性樹脂層表面に保持させた導電粒子を該絶縁性樹脂層に押し込む工程を有し、
導電粒子を絶縁性樹脂層表面に押し込む工程において、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有するように、導電粒子を押し込むときの絶縁性樹脂層の粘度、押込速度又は温度を調整する異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１６】
導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む工程において、前記傾斜では、導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が、前記接平面に対して欠けており、前記起伏では、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、前記導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面が該接平面にあるとしたときに比して少ない請求項１５記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１７】
前記接平面からの導電粒子の最深部の距離Ｌｂと、導電粒子径Ｄとの比（Ｌｂ/Ｄ）が３０％以上１０５％以下である請求項１６記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１８】
光重合性樹脂組成物が、光カチオン重合性樹脂組成物である請求項１５〜１７のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１９】
光重合性樹脂組成物が、光ラジカル重合性樹脂組成物である請求項１５〜１７のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項２０】
導電粒子径のＣＶ値が２０％以下である請求項１５〜１９のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項２１】
導電粒子を絶縁性樹脂層表面に保持させる工程において、絶縁性樹脂層の表面に導電粒子を所定の配列で保持させ、
導電粒子を該絶縁性樹脂層に押し込む工程において、導電粒子を平板又はローラーで絶縁性樹脂層に押し込む請求項１５〜２０のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項２２】
導電粒子を絶縁性樹脂層表面に保持させる工程において、転写型に導電粒子を充填し、その導電粒子を絶縁性樹脂層に転写することにより絶縁性樹脂層の表面に導電粒子を所定の配置で保持させる請求項１５〜２１のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項２３】
請求項１〜１４のいずれかに記載の異方性導電フィルムにより第１の電子部品と第２の電子部品とが異方性導電接続されている接続構造体。
【請求項２４】
請求項１〜１４のいずれかに記載の異方性導電フィルムにより第１の電子部品と第２の電子部品とを異方性導電接続する、接続構造体の製造方法。
【請求項２５】
異方性導電接続を、光照射と圧着ツールにより行う請求項２４記載の接続構造体の製造方法。
【請求項２６】
第１の電子部品に対し、異方性導電フィルムを、その導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されている側又は形成されていない側から配置する異方性導電フィルム配置工程、
異方性導電フィルムに対し光照射を行うことにより導電粒子分散層を光重合させる光照射工程、及び
光重合した導電粒子分散層上に第２の電子部品を配置し、圧着ツールで第２の電子部品を加圧することにより、第１の電子部品と第２の電子部品とを異方性導電接続する圧着工程
を有する、請求項２４又は２５記載の接続構造体の製造方法。
【請求項２７】
配置工程において、第１の電子部品に対し、異方性導電フィルムをその導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されている側から配置する請求項２６記載の接続構造体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月31日(2020.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
灯具ユニットと、
前記灯具ユニットが着脱可能に装着される装着部と、
前記装着部に着脱可能に装着された前記灯具ユニットと前記装着部とを固定する第１固定手段と、を備え、
前記灯具ユニットは、
発光面を含むパネル状光源と、
前記パネル状光源に電気的に接続された第１電極と、
前記パネル状光源と前記第１電極とを保持する第１ブラケットと、を備え、
前記装着部は、
前記第１固定手段によって固定された前記灯具ユニットの前記第１電極が電気的に接続される第２電極を備える車両用灯具。
【請求項２】
前記灯具ユニットは、前記パネル状光源及び前記第１電極が電気的に接続された抵抗、並びに、前記第１電極が実装された基板をさらに備え、
前記第１ブラケットは、前記パネル状光源を保持する第１保持部と、前記基板を保持する第２保持部と、を含む請求項１に記載の車両用灯具。
【請求項３】
前記パネル状光源は、発光面を含む表面とその反対側の裏面とを含み、
前記パネル状光源の前記裏面側に配置された前記第１ブラケットと、
前記パネル状光源の前記表面側に配置された第２ブラケットと、
前記第１ブラケットと前記第２ブラケットとの間に前記パネル状光源を挟持した状態で前記第１ブラケットと前記第２ブラケットとを固定する第２固定手段と、
を備える請求項２に記載の車両用灯具。
【請求項４】
前記第１保持部は、第１方向に延びており、
前記第２保持部は、前記第１方向に交差する第２方向に延びている請求項３に記載の車両用灯具。
【請求項５】
前記第２保持部には、前記基板を収容する基板収容部が設けられ、
前記第２ブラケットには、前記第２固定手段が前記第１ブラケットと前記第２ブラケットとを固定した状態で、前記基板収容部に収容された前記基板を押さえる基板押さえ部が設けられる請求項３又は４に記載の車両用灯具。
【請求項６】
前記パネル状光源は、可撓性を備えたフレキシブルタイプである請求項１乃至３のいずれかに記載の車両用灯具。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月24日(2020.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
追記型の光ディスクに記録されたユーザデータを消去可能な情報記録装置であって、
前記光ディスクに対してユーザデータの更新及び／または追加を行うための同期データを格納する第１の記憶部と、
消去対象のユーザデータを示す消去情報を格納する第２の記憶部と、
前記光ディスクに対するユーザデータの追加、更新及び消去を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記光ディスクに対して、前記同期データを記録し、
前記同期データの記録後に、前記光ディスクに対して、前記同期データの記録後の光ディスクの状態と、前記消去情報にしたがい消去されたときの光ディスクの状態とを示す管理情報を記録し、
その後にセッションをクローズし、
前記セッションのクローズ後に、前記第1の記憶部に格納されている前記同期データを消去し、前記光ディスクに記録されている消去対象のユーザデータを物理的に消去する
情報記録装置。
【請求項２】
前記制御部は、セッションをクローズしたときに、前記光ディスクにおけるデータ記録済み領域の終端の位置を示す情報を前記光ディスクにおける前記管理情報に記録する、
請求項１に記載の情報記録装置。
【請求項３】
前記管理情報はＩＳＯ９６６０ 規格に準拠して光ディスクに記録されたユーザデータを管理する情報である、請求項１または２に記載の情報記録装置。
【請求項４】
追記型の光ディスクに記録されたユーザデータを消去するデータ消去方法であって、
前記光ディスクに対してユーザデータの更新及び／ または追加を行うための同期データを生成し、
消去対象のユーザデータを示す消去情報を生成し、
前記光ディスクに対して、前記同期データを記録し、
前記同期データの記録後に、前記光ディスクに対して、前記同期データの記録後の光ディスクの状態と、前記消去情報にしたがい消去されたときの光ディスクの状態とを示す管理情報を記録し、
その後にセッションをクローズし、
前記セッションのクローズ後に、前記光ディスクに記録されている消去対象のユーザデータを物理的に消去する
データ消去方法。
【請求項５】
セッションをクローズしたときに、前記光ディスクにおけるデータ記録済み領域の終端の位置を示す情報を前記光ディスクにおける前記管理情報に記録する、
請求項４記載のデータ消去方法。
【請求項６】
前記管理情報はＩＳＯ９６６０ 規格に準拠して光ディスクに記録されたユーザデータを管理する情報である、請求項４または５に記載のデータ消去方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月9日(2020.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸線方向に沿って延びる円筒形状をなす機器と、
前記機器の側壁から外方に突出する脚部と、前記脚部のうち前記機器と反対側に、前記機器の前記側壁との間に隙間を有して設けられたコネクタハウジングと、を有する機器コネクタと、
前記機器の外側に取り付けられると共に、一方の端部が開口した筒状をなす金属製の磁気シールド部材と、を備えたコネクタ付き機器であって、
前記磁気シールド部材は、前記一方の端部の開口端から凹状に形成されて前記脚部との干渉を回避する回避凹部と、前記機器の前記側壁と前記コネクタハウジングとの間の前記隙間に挿入された挿入部と、を有する、コネクタ付き機器。
【請求項２】
前記機器は、前記軸線方向について前側に位置する前壁と、後側に位置する後壁と、を有し、
前記磁気シールド部材は、前記機器の前記前壁に沿う前方シールド部と、前記機器の側壁に沿う側方シールド部と、を有し、
前記側方シールド部の端部は、前記後壁に沿って折れ曲がって前記側方シールド部に連なる第１屈曲部とされ、
前記挿入部の端部は、前記後壁に沿って折れ曲がった第２屈曲部とされる、請求項１に記載のコネクタ付き機器。
【請求項３】
前記コネクタハウジングには複数の端子が配されており、前記複数の端子は前記脚部の内部に配された状態で前記機器と接続されている、請求項１または請求項２に記載のコネクタ付き機器。
【請求項４】
前記コネクタハウジングには、複数の端子と、相手方コネクタが係止するためのロック部とが、前記機器の前記側壁の外周面に沿って並んで配されている、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のコネクタ付き機器。
【請求項５】
前記ロック部は絶縁性の合成樹脂で形成されて、前記複数の端子の間に配されている、請求項４に記載のコネクタ付き機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本明細書に開示された技術は、軸線方向に沿って延びる円筒形状をなす機器と、前記機器の側壁から外方に突出する脚部と、前記脚部のうち前記機器と反対側に、前記機器の前記側壁との間に隙間を有して設けられたコネクタハウジングと、を有する機器コネクタと、前記機器の外側に取り付けられると共に、一方の端部が開口した筒状をなす金属製の磁気シールド部材と、を備えたコネクタ付き機器であって、前記磁気シールド部材は、前記一方の端部の開口端から凹状に形成されて前記脚部との干渉を回避する回避凹部と、前記機器の前記側壁と前記コネクタハウジングとの間の前記隙間に挿入された挿入部と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
磁気シールド部材２６は、前後方向に延びると共に、前側が塞がれて後側が開口した円筒形状をなしている。磁気シールド部材２６の内径寸法は、バルブボディ１１の外径寸法と略同じに設定されている。磁気シールド部材２６の開口端３４には、前方について凹状をなす複数（本実施形態では２個）の回避凹部２７が設けられている。回避凹部２７は、磁気シールド部材２６がバルブボディ１１に外嵌された状態で、機器コネクタ１６の脚部１７に対応する位置に設けられている。回避凹部２７の左右方向の幅寸法は、脚部１７の左右方向の幅寸法と、同じか、又はやや大きく設定されている。これにより、磁気シールド部材２６がバルブボディ１１の外嵌された状態で、機器コネクタ１６の脚部１７と、磁気シールド部材２６とが干渉しないようになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
実施形態の作用効果
続いて、本実施形態の作用効果について説明する。本実施形態に係るソレノイド１０は、前後方向に沿って延びる円筒形状をなすバルブボディ１１と、バルブボディ１１の側壁１４から外方に突出する脚部１７と、脚部１７のうちバルブボディ１１と反対側に、バルブボディ１１の側壁１４との間に隙間１９を有して設けられたコネクタハウジング１８と、を有する機器コネクタ１６と、バルブボディ１１の外側に取り付けられると共に、一方の端部が開口した筒状をなす金属製の磁気シールド部材２６と、を備えたソレノイド１０であって、磁気シールド部材２６は、一方の端部の開口端３４から凹状に形成されて脚部１７との干渉を回避する回避凹部２７と、バルブボディ１１の側壁１４とコネクタハウジング１８との間の隙間１９に挿入された挿入部２８と、を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
上記の構成によれば、第１屈曲部２９と第２屈曲部３０とによってバルブボディ１１の後壁１３の少なくとも一部が覆われる。これにより、磁気シールド部材２６の前方シールド部３１、側方シールド部３２、第１屈曲部２９、及び第２屈曲部３０が電磁的に接続されるので、ソレノイド１０の磁界効率を一層向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
＜実施形態３＞
続いて、本明細書に開示された技術の実施形態３を、図１２から図１４を参照しつつ説明する。本実施形態に係る機器コネクタ５０は、１個の脚部５１を有する。脚部５１はバルブボディ１１の側壁１４から上方に突出している。脚部５１のうちバルブボディ１１と反対側の端部には、コネクタハウジング５２が脚部５１と一体に設けられている。脚部５１は、左右方向についてコネクタハウジング５２の中央位置付近に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月17日(2020.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オゾン含有ガスおよびフッ酸ミストをチャンバー内に導入して混合することによりエッチングガスを調製すること、ならびに、
抵抗率が０．０１６Ωｃｍ以下のボロンドープｐ型シリコンウェーハの表面を前記エッチングガスと接触させることにより前記ボロンドープｐ型シリコンウェーハの表層領域を気相分解すること、
を含み、
前記オゾン含有ガスを前記チャンバー内へ３０００ｓｃｃｍ以上の流量で導入すること、ならびに、
前記フッ酸ミストを、フッ化水素酸濃度４１質量％以上のフッ酸を霧化することにより調製すること、
を更に含む、ボロンドープｐ型シリコンウェーハのエッチング方法。
【請求項２】
前記オゾン含有ガスのオゾン濃度は、０．５〜３．５質量％の範囲である、請求項１に記載のボロンドープｐ型シリコンウェーハのエッチング方法。
【請求項３】
前記フッ酸ミストを、前記フッ酸を７００ｓｃｃｍ以上１３００ｓｃｃｍ以下の流量のキャリアガスによって霧化することにより調製することを含む、請求項１または２に記載のボロンドープｐ型シリコンウェーハのエッチング方法。
【請求項４】
前記オゾン含有ガスおよび前記フッ酸ミストが導入される前記チャンバーとは別のチャンバーへ前記キャリアガスを導入し、前記別のチャンバー内で前記気相分解を行うことを含む、請求項３に記載のボロンドープｐ型シリコンウェーハのエッチング方法。
【請求項５】
評価対象のボロンドープｐ型シリコンウェーハの抵抗率は０．０１６Ωｃｍ以下であり、
前記ボロンドープｐ型シリコンウェーハを請求項１〜４のいずれか１項に記載のエッチング方法によってエッチングすること、
前記エッチング後のボロンドープｐ型シリコンウェーハの表面で回収液を走査させること、
前記走査させた回収液を前記ボロンドープｐ型シリコンウェーハの表面から回収すること、および、
前記回収液中の金属成分を分析すること、
を含むボロンドープｐ型シリコンウェーハの金属汚染評価方法。
【請求項６】
ボロンドープｐ型シリコンウェーハの製造工程において抵抗率が０．０１６Ωｃｍ以下の工程評価用ボロンドープｐ型シリコンウェーハを製造すること、
前記工程評価用ボロンドープｐ型シリコンウェーハの金属汚染の有無、程度、または有無および程度を請求項５に記載の金属汚染評価方法により評価すること、ならびに、
前記評価の結果に基づき前記製造工程の工程管理の必要性を判定し、工程管理が必要と判定された場合には工程管理を実施した後に、工程管理が不要と判定された場合には工程管理なしに、製品として出荷するためのボロンドープｐ型シリコンウェーハの製造を行うこと、
を含むボロンドープｐ型シリコンウェーハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
［金属汚染評価試験］
金属汚染量既知の汚染ウェーハを、以下の方法により準備した。
同じ製造工程において製造された複数のボロンドープｐ型シリコンウェーハ（直径３００ｍｍ、抵抗率０．０１６Ωｃｍ）の表面に、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕの濃度をそれぞれ１ｐｐｂに調整した汚染液（０．２％硝酸水溶液）をそれぞれ１ｍｌ滴下し、その後、クリーンベンチ内で自然乾燥させた。
同じ製造工程において製造された複数のボロンドープｐ型シリコンウェーハ（直径３００ｍｍ、抵抗率０．０１０Ωｃｍまたは１０Ωｃｍ）も同様に処理して汚染ウェーハを準備した。
各汚染ウェーハを、フッ酸ミスト調製に用いるフッ酸のフッ化水素酸濃度を５０％または３８％とした点以外はエッチング試験４と同様にエッチングして汚染液で汚染された表面側の表層領域を気相分解し、更にエッチング試験４と同様に回収液の走査および回収を行った。回収された回収液をＩＣＰ−ＭＳに導入して各種金属成分の定量分析を行った。上記既知汚染量を１００％として、定量分析された各金属成分の回収率を算出した。結果を表７に示す。なお表７中、回収率が１００％をわずかに上回っている値があるが、これは定量分析に用いたＩＣＰ−ＭＳの装置起因の測定誤差によるものと推察される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月22日(2020.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅を主成分とし、厚さが５μｍ以上５０μｍ未満の第１の電極パッドと、
銅を主成分とし、厚さが５μｍ以上５０μｍ未満の電極層と、
前記第１の電極パッドと前記電極層との間に設けられた半導体層と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第１の電極パッドの端部の厚さが中央部の厚さより厚い請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の電極パッド及び前記電極層が、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、及び、ニッケル（Ｎｉ）から成る群から選ばれる少なくともいずれか一つの元素を含む請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の電極パッド及び前記電極層の中の前記元素の含有量が０．０１原子％以上０．４原子％以下である請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
銅（Ｃｕ）を主成分とし、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、及び、ニッケル（Ｎｉ）から成る群から選ばれる少なくともいずれか一つの元素を含み、厚さが５μｍ以上５０μｍ未満の第１の電極パッドと、
電極層と、
前記第１の電極パッドと前記電極層との間に設けられた半導体層と、
を備える半導体装置。
【請求項６】
前記第１の電極パッドの中の前記元素の含有量が０．０１原子％以上０．４原子％以下である請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
第１の面と第２の面とを有する半導体基板の前記第１の面の側にレジストパターンを形成し、
電界めっき装置を用い電解めっき法により、前記第１の面の側に銅（Ｃｕ）を主成分とし厚さが５μｍ以上５０μｍ未満の第１の金属膜と、前記第２の面の側に銅を主成分とし厚さが５μｍ以上５０μｍ未満の第２の金属膜とを同時に形成する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記電解めっき法により、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜を形成する際に、電界めっき液中に、鉄イオン、コバルトイオン、及び、ニッケルイオンから成る群から選ばれる少なくともいずれか一つのイオンを添加する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記電界めっき液の中の３価の前記イオンの濃度をモニタし、モニタした結果に基づき２価の前記イオンの供給を行う請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月22日(2020.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
導電層と、
前記ゲート電極と前記導電層との間に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層に囲まれ、前記ゲート電極と前記導電層とを接続し、第１の領域と前記第１の領域よりも前記導電層に近い第２の領域とを有し、前記第１の領域の幅が前記第２の領域の幅よりも広いコンタクトプラグと、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第１の領域は前記ゲート電極に接する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記ゲート電極の上に設けられた第１の絶縁膜、前記第１の絶縁膜の上に設けられ前記第１の絶縁膜と異なる材料の第２の絶縁膜、前記第２の絶縁膜の上に設けられ前記第２の絶縁膜と異なる材料の第３の絶縁膜を有し、
前記第１の領域は前記第１の絶縁膜に囲まれ、前記第２の領域は前記第２の絶縁膜に囲まれる請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は酸化シリコンであり、前記第２の絶縁膜は窒化シリコンである請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁層は、前記ゲート電極の上に設けられた第１の絶縁膜、前記第１の絶縁膜の上に設けられ前記第１の絶縁膜と異なる材料の第２の絶縁膜を有し、
前記第１の領域は前記第１の絶縁膜に囲まれ、前記第２の領域は前記第２の絶縁膜に囲まれる請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜は窒化シリコンであり、前記第２の絶縁膜は酸化シリコンである請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の領域と前記絶縁層との間に、側壁絶縁膜を有する請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁層は酸化シリコンであり、前記側壁絶縁膜は窒化シリコンである請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極の上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の上に前記第１の絶縁膜と異なる材料の第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の上に前記第２の絶縁膜と異なる材料の第３の絶縁膜を形成し、
異方性ドライエッチングにより前記第３の絶縁膜をエッチングし、底部に前記第２の絶縁膜が露出するコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールの底部の前記第２の絶縁膜を除去し、
前記コンタクトホールの底部の前記第１の絶縁膜をウェットエッチングにより除去して前記ゲート電極を露出させる半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月22日(2020.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられたエミッタ電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられたコレクタ電極と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられた第１のゲート電極パッドと、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられた第２のゲート電極パッドと、
前記半導体層の中に設けられた第１のトレンチと、前記第１のトレンチの中に設けられ前記第１のゲート電極パッドに電気的に接続された第１のゲート電極と、を有するセル領域と、
前記半導体層の中に設けられた第２のトレンチと、前記第２のトレンチの中に設けられ前記第２のゲート電極パッドに電気的に接続された第２のゲート電極と、を有し、前記セル領域に隣り合うセル端領域と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記セル領域は、前記半導体層の中に設けられ前記コレクタ電極に接する第一導電型コレクタ領域と、前記第一導電型コレクタ領域と前記第１の面との間に設けられた第二導電型ドリフト領域と、前記第二導電型ドリフト領域と前記第１の面との間に設けられた第一導電型ベース領域と、前記第一導電型ベース領域と前記第１の面との間に設けられ前記エミッタ電極に接する第１の第二導電型エミッタ領域と、を有し、
前記セル端領域は、前記第一導電型コレクタ領域と、前記第二導電型ドリフト領域と、前記第一導電型ベース領域と、前記第一導電型ベース領域と前記第１の面との間に設けられ前記エミッタ電極に接する第２の第二導電型エミッタ領域と、を有する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記セル端領域は、前記半導体層の中に設けられた第３のトレンチと、前記第３のトレンチの中に設けられ前記第１のゲート電極パッドに電気的に接続された第３のゲート電極と、を有する請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極に閾値以上の電圧が印加されたオン状態から、オフ状態に移行する際に、前記第２のゲート電極に閾値以下の電圧を印加した後、前記第１のゲート電極に閾値以下の電圧を印加する請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記セル領域は、前記半導体層の中に設けられ前記コレクタ電極に接する第一導電型コレクタ領域と、前記第一導電型コレクタ領域と前記第１の面との間に設けられた第二導電型ドリフト領域と、前記第二導電型ドリフト領域と前記第１の面との間に設けられた第一導電型ベース領域と、前記第一導電型ベース領域と前記第１の面との間に設けられ前記エミッタ電極に接する第二導電型エミッタ領域と、を有し、
前記セル端領域は、前記第一導電型コレクタ領域と、前記第二導電型ドリフト領域と、前記第二導電型ドリフト領域と前記第１の面との間に設けられた第一導電型領域と、を有する請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
隣りあう２個の前記第２のトレンチの間隔は、隣り合う２個の前記第１のトレンチの間隔よりも狭い請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第一導電型領域の前記第１の面から前記第２の面に向かう方向の深さが、前記第２のトレンチの前記方向の深さよりも深い請求項５又は請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
隣りあう２個の前記第２のトレンチの間に第二導電型領域が設けられた請求項５ないし請求項７いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第一導電型領域の前記第１の面から前記第２の面に向かう方向の深さが、前記第２のトレンチの前記方向の深さよりも浅い請求項５又は請求項６記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月16日(2020.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の上面を有する第１の領域と、前記第１の上面に対して平行な第２の上面を有する第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間に設けられ前記第１の上面及び前記第２の上面に対して傾斜した第３の上面を有する第３の領域と、を有する第１の窒化物半導体層と、
前記第１の上面上に設けられ前記第１の上面に平行な、＋ｃ面である第４の上面と、前記第２の上面上に設けられ前記第２の上面に平行な、＋ｃ面である第５の上面と、前記第３の上面上に設けられ前記第３の上面に平行な第６の上面と、を有し、バンドギャップが前記第１の窒化物半導体層より大きい第２の窒化物半導体層と、
前記第４の上面上に設けられたソース電極と、
前記第５の上面上に設けられたドレイン電極と、
前記第６の上面上に設けられたゲート電極と、
前記第６の上面と前記ゲート電極の間に設けられたゲート絶縁膜と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記第６の上面は、前記第４の上面又は前記第５の上面に対し、３０度以上９０度以下で傾斜している請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第６の上面は、前記第４の上面又は前記第５の上面に対し、８８度以上９０度以下、４１度以上４５度以下、６０度以上６４度以下又は３７度以上４１度以下で傾斜している請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第６の上面は、（０００１）面に垂直な面、（１−１０２）面、（１０−１１）面又は（１１−２４）面である請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３の領域は凸部又は凹部を有し、前記第６の上面は前記凸部又は前記凹部の側面に平行な面である請求項１乃至請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の窒化物半導体層は、前記第１の上面上と前記第２の上面上と前記第３の上面上にわたって設けられた請求項１乃至請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第６の上面はさらに−ｃ面の部分を有する請求項１乃至請求項６いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第６の上面と前記ゲート電極の間に設けられたｐ型の第３の窒化物半導体層をさらに備える請求項１乃至請求項７いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
第１の上面を有する第１の領域と、前記第１の上面に対して平行な第２の上面を有する第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間に設けられ前記第１の上面又は前記第２の上面に対して８８度以上９０度の角度で傾斜した第３の上面を有する第３の領域と、を有する第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層上に設けられ、前記第１の上面上に設けられ前記第１の上面に平行な、＋ｃ面である第４の上面と、前記第２の上面上に設けられ前記第２の上面に平行な、＋ｃ面である第５の上面と、前記第３の上面に平行な第６の上面と、を有し、バンドギャップが前記第１の窒化物半導体層より大きい第２の窒化物半導体層と、
前記第４の上面上に設けられたソース電極と、
前記第５の上面上に設けられたドレイン電極と、
前記第６の上面に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接して設けられたゲート電極と、
を備えた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月22日(2020.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面を有する半導体層と、
前記半導体層の中に設けられ、前記第１の面において、前記第１の面に平行な第１の方向に伸長する第１のトレンチと、
前記第１のトレンチの中に設けられた第１のゲート電極と、
前記半導体層の中に設けられ、前記第１の面において、前記第１の方向に伸長する第２のトレンチと、
前記第２のトレンチの中に設けられた第２のゲート電極と、
前記半導体層の中に設けられた第３のトレンチと、
前記第３のトレンチの中に設けられた第１の抵抗層と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられた第１の電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられた第２の電極と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられ、前記第１の抵抗層を間に挟んで前記第１のゲート電極と電気的に接続され、前記第２のゲート電極と電気的に接続されたゲート電極パッドと、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記第１の抵抗層の電気抵抗率は、前記第１のゲート電極の電気抵抗率及び前記第２のゲート電極の電気抵抗率よりも高い請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３のトレンチは、前記第１のトレンチと前記第２のトレンチの間に設けられ、前記第１の面において、前記第１の方向に伸長する請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体層の中に設けられ前記第２の電極に接する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第２導電型の第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第１導電型の第３の半導体領域と、
前記第３の半導体領域と前記第１の面との間に設けられ前記第１の電極に接する第２導電型の第４の半導体領域と、
前記第３の半導体領域と前記第１の面との間に設けられ前記第１の電極に接する第２導電型の第５の半導体領域と、を更に備え、
前記第１のトレンチは、前記第４の半導体領域及び前記第３の半導体領域を貫通し、
前記第２のトレンチは、前記第５の半導体領域及び前記第３の半導体領域を貫通する請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３のトレンチは、前記第３の半導体領域を貫通する請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３のトレンチと前記第２のトレンチとの間に設けられ、前記第１の面において、前記第１の方向に伸長する第４のトレンチと、
前記第４のトレンチの中に設けられた第２の抵抗層と、を更に備え、
前記ゲート電極パッドは、前記第１の抵抗層及び前記第２の抵抗層を間に挟んで前記第１のゲート電極と電気的に接続される請求項３ないし請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１のゲート電極と前記半導体層との間に設けられた第１のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート電極と前記半導体層との間に設けられた第２のゲート絶縁膜と、
前記第１の抵抗層と前記半導体層との間に設けられ、前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜よりも膜厚の厚い絶縁膜とを、更に備える請求項３ないし請求項６いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面を有する半導体層と、
前記半導体層の中に設けられ、前記第１の面において、前記第１の面に平行な第１の方向に伸長する第１のトレンチと、
前記第１のトレンチの中に設けられた上部ゲート電極と、前記第１のトレンチの中に前記上部ゲート電極の前記第２の面の側に設けられた下部ゲート電極と、
前記半導体層の中に設けられた第２のトレンチと、
前記第２のトレンチの中に設けられた抵抗層と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられた第１の電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられた第２の電極と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられ、前記抵抗層を間に挟んで前記上部ゲート電極と電気的に接続され、前記下部ゲート電極に接続されたゲート電極パッドと、
を備えた半導体装置。
【請求項９】
前記第２のトレンチは、前記第１のトレンチと隣り合って設けられ、前記第１の面において、前記第１の方向に伸長する請求項８記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月23日(2020.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
解析部３１は、構造物の領域を解析して、構造物の領域の特徴を文字化する。まず、解析部３１は、断層画像から抽出された構造物の領域を解析して、各断層画像に含まれる疾病等に関する解析結果を取得する。このために、解析部３１は、構造物の領域における各画素が病変を表すものであるか否か、および病変である場合には病変の種類を判別するように機械学習がなされた判別器を備える。本実施形態においては、判別器は、構造物の種類毎に、各構造物の画像に含まれる複数種類の病変を分類できるようにディープラーニング（深層学習）がなされたニューラルネットワークからなる。解析部３１における判別器は、構造物の領域の画像が入力されると、入力された画像内の各画素が、複数種類の病変のいずれであるかを判別し、その判別結果を出力する。なお、判別結果はいずれの病変でもないことも含むものとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
特定部２３は、複数の断層画像のそれぞれから取得した画像文字情報と、読影レポート文字情報とが一致するか否かを判定して、関連断層画像を特定する。図４は関連断層画像の特定を説明するための図である。なお、本実施形態においては、４つの断層画像Ｓ１〜Ｓ４により３次元画像Ｇ０が構成されているものとする。そして、断層画像Ｓ１は、画像文字情報変換部２２により「なし」の画像文字情報ＧＴ１に変換され、断層画像Ｓ２は、画像文字情報変換部２２により「左肺」、「下葉」、「Ｓ２ｂ」および「すりガラス影」の画像文字情報ＧＴ２に変換されているものとする。また、断層画像Ｓ３は、画像文字情報変換部２２により「右肺」、「上葉」、「結節」および「２５×２１ｍｍ」の画像文字情報ＧＴ３に変換され、断層画像Ｓ４は、画像文字情報変換部２２により「右肺」、「上葉」、「結節」および「１０×７ｍｍ」の画像文字情報ＧＴ４に変換されているものとする。また、文字情報取得部２１により、「右肺上葉に２５×２１ｍｍ大の結節が認められます。」の読影レポートから、「右肺」、「上葉」、「２５×２１ｍｍ」および「結節」のレポート文字情報Ｒ０が取得されているものとする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月7日(2020.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記金属部（１１）の上端には形状が異なる張出部（１１ｃ・１１ｃ’）が形成されており、
前記張出部（１１ｃ）は、前記金属部（１１）の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部（１１）の上面に連続して形成される上面と、該下面と上面の間に形成される側面とを有し、
前記張出部（１１ｃ’）は、前記金属部（１１）の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部（１１）の上面に連続して形成される上面とを有することを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月24日(2019.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、信号電荷を蓄積する第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の下部に設けられた第２導電型の第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域の下部に設けられた第３の半導体領域と、を有し、
前記第１の半導体領域は、第１の端部と、平面視において前記第１の端部に対向する第２の端部とを備え、
前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域との間で前記信号電荷の移動が行われる電気的経路を有し、
前記電気的経路は、前記第１の端部の一部から前記第２の端部の一部に渡って延在し、かつ前記第１の端部の前記一部及び前記第２の端部の前記一部のそれぞれを越えて延在している
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記電気的経路は、平面視において前記第１の半導体領域を横断するように配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記電気的経路は、平面視において前記第２の半導体領域により囲まれている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記光電変換部は、前記第１の半導体領域に対して前記第２の半導体領域とは反対側に、前記第２導電型の第４の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記光電変換部は、前記第１の半導体領域と前記第４の半導体領域との間に設けられ、平面視において少なくとも一部が前記電気的経路と重なる前記第２導電型の第５の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記光電変換部は、平面視において前記第２の半導体領域が設けられた領域と同じ領域の、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間の深さに設けられた前記第１導電型の第６の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記複数の画素の各々は、電荷保持部を更に含み、
前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送する転送トランジスタを更に有し、
前記電気的経路は、平面視において前記転送トランジスタのゲート電極と重ならない
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記電気的経路は、平面視において、前記第１の半導体領域の中央部分を通って延在する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第３の半導体領域の下部に設けられた前記第２導電型の第７の半導体領域と、前記第７の半導体領域の下部に設けられた前記第１導電型の第８の半導体領域と、を更に有し、
前記光電変換部は、前記第７の半導体領域によって前記第８の半導体領域から電気的に分離されている
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第２の半導体領域は、平面視において前記第１の半導体領域と重なる第１の領域及び第２の領域を有し、前記第１の領域と前記第２の領域が前記第１の端部の前記一部から前記第２の端部の前記一部に渡って、前記電気的経路によって離間している
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第３の半導体領域は、前記第１の領域及び前記第２の領域の下部から前記電気的経路に渡って延在している
ことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の前記画素から出力される信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項１３】
移動体であって、
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一観点によれば、光電変換部をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、前記光電変換部は、信号電荷を蓄積する第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の下部に設けられた第２導電型の第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域の下部に設けられた第３の半導体領域と、を有し、前記第１の半導体領域は、第１の端部と、平面視において前記第１の端部に対向する第２の端部とを備え、前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域との間で前記信号電荷の移動が行われる電気的経路を有し、前記電気的経路は、前記第１の端部の一部から前記第２の端部の一部に渡って延在し、かつ前記第１の端部の前記一部及び前記第２の端部の前記一部のそれぞれを越えて延在している固体撮像装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月13日(2020.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブルートゥース（登録商標）の無線通信手段と、
前記無線通信手段を有する１つのノードと、
前記１つのノードを、何れか１つの前記無線通信手段が接続する前記無線通信手段を各々に有する４つのノードと、
前記４つのノードからなる前記ブルートゥース（登録商標）の無線メッシュネットワークの複数の目と、
前記複数の目の形成に用いる前記無線通信手段による無線ブロードキャスト送信手段と、を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムに用いる前記無線ブロードキャスト送信手段を備えることを特徴とする無線デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムに用いる前記無線ブロードキャスト送信手段を備えることを特徴とする集積回路。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムに用いる前記無線ブロードキャスト送信手段を備えることを特徴とする無線モジュール。
【請求項５】
プロセッサを、
請求項１に記載のシステムに用いる前記無線ブロードキャスト送信手段として機能させるための制御プログラム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムを実施させる、或いは、請求項２に記載の無線デバイスを実施させることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため本発明のシステムは、ブルートゥース（登録商標）の無線通信手段と、前記無線通信手段を有する１つのノードと、前記１つのノードを、何れか１つの前記無線通信手段が接続する前記無線通信手段を各々に有する４つのノードと、前記４つのノードからなる前記ブルートゥース（登録商標）の無線メッシュネットワークの複数の目と、前記複数の目の形成に用いる前記無線通信手段による無線ブロードキャスト送信手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところで、従来の技術は、無線通信手段を各々に有する４つのノードからなるブルートゥース（登録商標）の無線メッシュネットワークの複数の目の形成に無線通信手段による無線ブロードキャスト送信手段を用いることができないと言った問題があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、無線通信手段を各々に有する４つのノードからなるブルートゥース（登録商標）の無線メッシュネットワークの複数の目の形成に無線通信手段による無線ブロードキャスト送信手段を用いることができるシステムを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、システムは、無線通信手段を各々に有する４つのノードからなるブルートゥース（登録商標）の無線メッシュネットワークの複数の目の形成に無線通信手段による無線ブロードキャスト送信手段を用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月4日(2020.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状の連続的に操縦可能な位相アレーアンテナであって、該アンテナは少なくとも３つの層であって、上から順に、
固体前面誘電体基板層、電気的に可変な誘電層、および固体後面誘電体基板層、ここにおいて前記電気的に可変な誘電層は、固体前面誘電体基板層と固体後面誘電体基板層との間にある、前記少なくとも３つの層と、
前記固体後面誘電体基板層の上面に装着された少なくとも１つの移相器と、
少なくとも２つの放射素子と、
前記放射素子と信号入力ポートとの間のインピーダンスマッチングを提供する給電ネットワークと、および
バイアス電圧を印加することによって、前記可変な誘電層の電気的特性を制御し、それゆえに、ＲＦ信号の位相を制御する、少なくとも１つのバイアス線路とを含み、
放射素子は、前面誘電体基板層の上側にあり、
電極を有する移相器は、アンテナと一体化しており、かつ、電気的に可変な誘電層を使用して電気的に調整可能であって、移相器の前記電極は信号を放射素子に供給する平面伝送路である、前記平面上の連続的に操縦可能な位相アレーアンテナ。
【請求項２】
移相器電極が、規則的または不規則的に屈曲している、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項３】
移相器電極が、スパイラル状に構成されている、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項４】
少なくとも２つの移相器がサブアレーを構成する、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項５】
少なくとも４つの移相器がサブアレーを構成する、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項６】
入力フィードがサブアレーの中央にある、請求項５に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項７】
複数のサブアレーを含む、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項８】
移相器が時間遅延ユニットである、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項９】
電気的に調整可能な位相器が一つ以上の装荷線路移相器を含む、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項１０】
前面誘電体基板および後面誘電体基板が機械的に安定で、低損失の基盤を含む、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項１１】
前記二つの基盤および誘電層のうちの、少なくとも一つが一様な材料からなる、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項１２】
前記移相器の前記電気的に可変な誘電層が、液晶である、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項１３】
移相器が、放射素子および給電ネットワークと一体化している、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項１４】
移相器が、放射素子と電磁気的に結合している、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項１５】
バイアス電圧が、バイアス線を経由して移相器の電極の一つに印加される、請求項１に記載の位相アレーアンテナ。
【請求項１６】
位相アレーアンテナを作動させる方法であって、
ＲＦ信号を放射素子において受信すること、
前記ＲＦ信号の位相を、接地電極と少なくとも一つの移相器との間で、バイアス線を介してバイアス電圧を印加することによって変化させ、ここにおいて前記少なくとも一つの移相器は前記放射素子と、アパーチャ結合によって結合すること、および
ＲＦ信号を、共通平面伝送線路を有する前記接地電極に結合すること、および
ＲＦ信号を、入力ポートに結合し、前記少なくとも一つの移相器と入力ポートとの間に無接点ＲＦ相互接続を生成する、前記方法。
【請求項１７】
１つまたは複数の請求項１に記載の移相アレーアンテナを含む、デバイス。
【請求項１８】
複数の個別アンテナ素子と、給電ネットワークと、バイアスネットワークとを含む、請求項１７に記載の移相アレーアンテナ。