(57)【要約】本発明は、一般組成TixOy の酸化チタン表面のエッチングのための、印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペースト形態の新規なエッチング媒体、および酸化チタン表面のエッチングのための方法におけるこれらエッチングペーストの使用に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
非ニュートン流動特性、好ましくは、チキソトロピック流動特性を有するエッチングペーストの形態の、酸化チタンの非結晶性、結晶性または部分結晶性表面のエッチングのための、印刷可能かつディスペンス可能なエッチング媒体であって、１５〜５０℃で有効であること、および／またはエネルギーのインプットにより活性化され得ること、そして、下記成分
ａ）エッチング成分として、全量に基づいて8.5〜9.5重量％の濃度の二フッ化水素アンモニウム
ｂ）任意に、媒体の全量に基づいて24〜26重量％の含量を有する少なくとも１種の無機酸および／または有機酸、ここで、存在する有機酸は、ギ酸、酢酸、ジクロロ酢酸、乳酸およびシュウ酸などのカルボン酸からなる群から選択される０〜５のpKa値を有する有機酸であってもよく、
ｃ）エッチング媒体の全量に基づいて52〜57重量％の、水、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル、プロピレンカーボネートなどのカルボン酸のエステル、1-メチル-2-ピロリドンなどのケトンからなる群から選択される溶媒、またはこれらの混合物、
ｄ）増粘剤として、エッチング媒体の全量に基づいて10.5〜11.5重量％のセルロース誘導体および／またはポリビニルピロリドンなどのポリマー、
ｅ）任意に、全量に基づいて0〜0.5重量％の、消泡剤、チキソトロピック剤、流動調節剤、脱気剤、および接着促進剤からなる群から選択される添加剤、
を含むことを特徴とする、前記エッチング媒体。
【請求項２】
酸化表面のためのエッチング成分として二フッ化水素アンモニウム、溶媒としてエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレンカーボネートおよび水、有機酸としてギ酸、ならびに増粘剤としてポリビニルピロリドンを含むことを特徴とする、請求項１に記載のエッチング媒体。
【請求項３】
酸化チタンの非結晶性、結晶性または部分結晶性表面のエッチングのための方法であって、請求項１および２のいずれかに記載のエッチング媒体が、エッチングされる表面に適用され、かつ0.1〜15分の暴露時間の後に再度除去されることを特徴とする、前記方法。
【請求項４】
請求項１〜２のいずれかに記載のエッチング媒体が、表面全体に適用されるか、または、厳密にエッチング構造のマスクに従って、エッチングが所望される領域のみに適用され、かつエッチングが完了した場合には、溶媒もしくは溶媒混合物を用いて洗浄されるか、または炉内で燃焼されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜２のいずれかに記載のエッチング媒体の、マークおよびラベルを作るための、ならびに粗くすることによりTixOyガラス、セラミックスおよび他のTixOyベースシステムの他の物質への接着を改善するための使用。
【請求項６】
請求項１〜２のいずれかに記載のエッチング媒体の、スクリーン、テンプレート、パッド、スタンプ、インクジェットならびにマニュアル印刷法およびディスペンス技術における使用。
【請求項７】
請求項１〜２のいずれかに記載のエッチング媒体の、均一な固体の非孔性および多孔性固体としての、または他の基質上につくられる、可変性の厚みを有する対応する非孔性および多孔性層としての、非結晶性、部分結晶性または結晶性TixOyシステムのエッチングのための使用。
【請求項８】
請求項１〜２のいずれかに記載のエッチング媒体の、太陽電池の２段階選択エミッターおよび／または局部p+裏面電界を製造するためにTixOyシステムを含む反射防止層を選択的に空けるための、非結晶性、部分結晶性または結晶性TixOy層の除去のための使用。
【請求項９】
請求項１〜２のいずれかに記載のエッチング媒体により処理された、酸化チタンの非結晶性、部分結晶性または結晶性表面。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、一般組成TixOy の酸化チタン表面のエッチングのための、印刷可能（printable）かつディスペンス可能な（dispensable）エッチングペースト形態の新規なエッチング媒体、およびこれらエッチングペーストの使用に関する。
酸化チタン表面という語は、チタンおよび酸素からなるTixOy、特に一酸化チタンTiO (x, y = 1)、二酸化チタンTiO2 (x = 1, y = 2)、三酸化二チタンTi2O3 (x = 2, y = 3) および非化学量論的な（non-stoichiometric）チタン−酸素化合物といった化合物からなる表面を意味する。チタンの酸化化合物は、ガラス様（glass-like)(=非結晶性(amorphous)）形態、または結晶性（crystalline）もしくは部分結晶性(partially crystalline)形態のいずれであってもよい。
【０００２】
本明細書において用いられるガラスという語は、結晶化していない固体の非結晶性凝集体状態にあり、かつ長距離秩序を欠如しているために微小構造が高度に不規則である、チタン−および酸素−含有物質を意味する。この種の非結晶性物質の層は、例えばTiCl4などのハロゲン化チタンの加水分解、テトライソプロピルオルトチタネートなどの有機チタン前駆体の加水分解もしくは熱分解により、APCVD法[1]または低圧もしくはプラズマ（plasma-supported）CVD法(LP-またはPE-CVD)[2]で、製造されうる。部分結晶性の層もまたここでは形成されうる。
【０００３】
結晶性化合物は、TiO2変態であるルチル（rutile）、アナターゼ（anatase）およびブルカイト（brookite）、岩塩と同形の（isotypical）TiO変態およびコランダム（corundum）格子構造に結晶化しているTi2O3である。
本発明は、均一な固体の非孔性および多孔性固体のチタン−および酸素−含有結晶性、部分結晶性または非結晶性表面TixOyのエッチング、ならびに当業者に知られた種々の方法(例えばTi-O含有前駆体のCVD、PVD、スプレー(spray)／スピンオン／オフ(spin-on/off) )により他の基質（例えばセラミックス、金属板、シリコンウェハー（silicon wafer））上につくられた、可変性の厚み（variable thickness ）を有する、非孔性および多孔性TixOy層の表面のエッチングの両方に関する。
【０００４】
従来技術
＞16％の効率を有する高い効率の結晶性シリコン太陽電池は、通常、反射防止コーティングと二段階エミッター（two-stage emitter）を有する構造化され不動態化された（passivated)正面、ならびに反射型の裏面接触（reflective back-surface contact）および局部(local) 裏面電界（back surface field）(BSF)を有する不動態化された裏面を有している。
二段階エミッターまたは局部BSFを作製するためには、正面または裏面に反射防止層を空け、そして引き続いて空いた領域をドープする必要がある。これらの反射防止層は、例えば、酸化チタン−一般的にTixOy (例えばn = 2.3の屈折率を有するTiO2 ) −窒化ケイ素または二酸化ケイ素からなってもよい。
【０００５】
二酸化ケイ素および窒化ケイ素の層の開孔はDE10101926において詳細に記載されている。
現在の技術水準によれば、いかなる所望の構造も、レーザーエッチング（laser-supported etching）法[3] によりあるいは、マスキング（masking）の後にウェットケミカル(wet-chemical)[4, 5] もしくはドライ(dry)エッチング法[6]により、表面および層を直接、選択的にエッチングすることができる。
しかしながら、これらの方法は概して太陽電池の大量生産には複雑すぎるとともに高価すぎるため、今日まで用いられてこなかった。
【０００６】
レーザーエッチング法においては、レーザービームは表面上をドットごとにエッチングパターン全体をスキャンし、これは高度に正確な上にまたかなりの調整努力と時間をも要する。近年の研究室の開発では、アレイ(array)形態に配置された光学マイクロレンズが、レーザービームを分割し、対応するアレイの配置で反射防止層に一連の点状の孔をつくるために用いられている[7]。
ウェットケミカルおよびドライエッチング法は、物質集約的な、時間のかかる、高価な工程ステップを含む：
【０００７】
Ａ．例えば下記によるエッチングしない領域のマスキング：
●フォトリソグラフィー：エッチング構造のネガまたはポジの製造（レジストに依存）、基質表面へのレジストの適用（例えば液体フォトレジストを用いたスピンコーティング）、フォトレジストの乾燥、レジストでコートされた基質表面の露光、現像、洗浄、任意の乾燥
【０００８】
Ｂ．下記工程による構造のエッチング：
●ディップ工程（例えばウェットケミカルバンク(bank)のウェットエッチング(wet etching)）：エッチング槽に基質を浸すこと、エッチング操作、H2Oカスケードベイスン(cascade basin)中での繰り返しの洗浄、乾燥
●スピンオン(spin-on)またはスプレー工程：エッチング溶液を回転している基質に適用されるかまたは基質にスプレーすること、エネルギーのインプット（input）なし／ありでのエッチング操作（例えばフォトエッチング(photoetching)、洗浄、乾燥）
●例えば高価な真空装置中でのプラズマエッチングまたは流動容器中での反応性ガスとのエッチングなどの、乾燥エッチング工程
【０００９】
[1] M. Lemiti, J.P. Boyeaux, M. Vernay, H. El. Omari, E. Fourmond, A. Laugier, Proceedings of the 2nd world PV-Conference, Vienna (1998), p. 1471
[2] H. Frey, G. Kienel, Duennschichttechnologie [薄膜技術], VDI-Verlag, Duesseldorf, 1987, p. 183
[3] R. Preu, S.W. Glunz, S. Schaefer, R. Luedemann, W. Wettling, W. Pfleging, Proceedings of the 16th PVSC, Glasgow, 2000, 1181-84
[4] D.J. Monk, D.S. Soane, R.T. Howe, Thin Solid Films 232 (1993), 1
[5] J. Buehler, F.-P. Steiner, H. Baltes, J. Micromech. Microeng. 7 (1997), R1
[6]M. Koehler "Aetzverfahren fuer die Mikrotechnik" [マイクロテクノロジーのためのエッチングプロセス], Wiley VCH 1998 
[7] R. Preu, S.W. Glunz, DE19915666  
【００１０】
実際には、エッチングペーストを用いて行われる方法は、太陽技術において、窒化シリコンまたは二酸化シリコン層のエッチングに関して成功するものであることが分かっている。用いられるペーストは、特許出願DE 101 01 926 A1において記載されているように、印刷可能かつディスペンス可能であって、均一な、粒子を含まない、非ニュートン流動特性(non-Newtonian flow behaviour)を有するエッチングペーストである。しかし、これらのペーストは、エッチング速度、選択性および端の鋭さ(edge sharpness)に関して、酸化チタン層のエッチングには最適でないことが判明した。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、高い処理量で行うことができ、かつ技術的に実行するのに容易な方法において用いられ得る、酸化チタン層の選択的エッチングのための新規なエッチング媒体を提供することにある。
本発明のさらなる目的は、酸化チタン層のエッチングのための容易な方法を提供することである。
【００１２】
この目的は、非ニュートン；好ましくは、チキソトロピック(thixotropic)流動特性を有するエッチングペーストの形態の、酸化チタンの非結晶性、結晶性または部分結晶性表面のエッチングのための、印刷可能かつディスペンス可能なエッチング媒体であって、１５〜５０℃で有効であり、および／またはエネルギーのインプットにより活性化されてもよく、そして、下記成分：
ａ）エッチング成分として、全量に基づいて8.5〜9.5重量％の濃度の二フッ化水素アンモニウム
ｂ）任意に、媒体の全量に基づいて24〜26重量％の含量を有する少なくとも１種の無機酸および／または有機酸、ここで、存在する有機酸は、ギ酸、酢酸、ジクロロ酢酸、乳酸およびシュウ酸などのカルボン酸からなる群から選択される０〜５のpKa値を有する有機酸であってもよく、
ｃ）エッチング媒体の全量に基づいて52〜57重量％の、水、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル、プロピレンカーボネートなどのカルボン酸のエステル、1-メチル-2-ピロリドンなどのケトンからなる群から選択される溶媒、またはこれらの混合物、
ｄ）増粘剤として、エッチング媒体の全量に基づいて10.5〜11.5重量％のセルロース誘導体および／またはポリビニルピロリドンなどのポリマー、
ｅ）任意に、全量に基づいて0〜0.5重量％の、消泡剤、チキソトロピック剤、流動調節(flow-control)剤、脱気剤、および接着促進剤からなる群から選択される添加剤、
を含む、前記エッチング媒体により、達成される。
【００１３】
したがって、本発明はまた、酸化表面のためのエッチング成分として二フッ化水素アンモニウム、溶媒としてエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレンカーボネートおよび水、有機酸としてギ酸、ならびに増粘剤としてポリビニルピロリドンを含むエッチング媒体にも関する。
酸化チタンの非結晶性、結晶性または部分結晶性表面は、本発明によれば、この種の
エッチング媒体をエッチングされる表面に適用し、そして0.1〜15分の暴露時間の後に再度除去することにより、実行するのが簡単な方法でエッチングされ得る。
【００１４】
この目的のためには、エッチング媒体は、表面全体に適用されてもよく、または、厳密にエッチング構造のマスクに従って、エッチングが所望される領域のみに適用されてもよく、そしてエッチングが完了した場合には、溶媒もしくは溶媒混合物を用いて洗浄されるか、または炉内で燃焼される。
特に、エッチング媒体は、スクリーン、テンプレート(template)、パッド(pad)、スタンプ、インクジェットならびにマニュアル印刷法およびディスペンス技術(dispensing technique)により、エッチングされるべき表面に適用されてもよい。
この方法においては、本発明によるエッチング媒体は、マークおよびラベルを作るために用いられることができ、そして、粗くすること(roughening)によりTixOyガラス、セラミックスおよび他のTixOyベース(TixOy-based)システムの他の物質への接着を改善するために用いられ得る。
【００１５】
本発明によるエッチング媒体は、有利に、均一な固体の非孔性および多孔性固体の形態の、または他の基質上につくられる、可変性の厚みを有する対応する非孔性および多孔性層の形態の、非結晶性、部分結晶性および結晶性TixOyシステムのエッチングのために用いられてもよい。
本発明によるエッチング媒体は、２段階選択エミッターおよび／または局部p+裏面電界を作製するためにTixOyシステムを含む反射防止層を選択的に空けるための、非結晶性、部分結晶性または結晶性TixOy層の除去のために、太陽電池の製造方法において用いることができ、特に優れた結果をもたらす。
したがって、本発明はまた、上記組成の本発明による新規エッチング媒体を用いて処理されている酸化チタンの非結晶性、部分結晶性または結晶性表面にも関する。
【００１６】
解説 
本発明は、一般式TixOyの酸化チタン表面、およびその可変性の厚みを有する層のエッチングに好適な、印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペースト、ならびに、−従来のウェットおよびドライエッチング法と比較して−安価で持続的(continuous)でありかつ高処理量に適した技術的に簡単な印刷もしくはディスペンス／エッチング法におけるこれらの使用に関する。
本発明にしたがって記載されている印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストは、−無機鉱酸(フッ化水素酸、熱濃硫酸)および苛性アルカリ溶液(caustic lye)／塩基性エッチャント(etchant)（溶融アルカリ金属水酸化物および炭酸塩）などのTixOyベースシステムのための液体のエッチャントと比べて−扱うのに極めて単純でより安全であり、より少ないエッチャントを用いる。
【００１７】
本発明にしたがって記載されている印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストは、単一の工程ステップでエッチングされるべきTixOy表面に適用される。エッチングされる表面へのエッチングペーストのトランスファーに好適な、高度の自動化と高処理量を伴う技術は、印刷およびディスペンス技術である。特に、スクリーン、テンプレート、パッド、スタンプおよびインクジェット印刷法は、当業者に知られている印刷方法である。
スクリーン、テンプレート、凸版(klischee)、またはスタンプのデザイン、あるいはカートリッジおよびディスペンサーのアドレスに依存して、本発明により記載されている印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストを、選択的に、エッチング構造のマスクに従って、エッチングが所望される領域のみに、または、代わりに表面全体にわたって、適用することが可能である。Ａ．で記載されているような全てのマスキングおよびリソグラフィーステップは、選択的な適用により余分になる。エッチング操作は、例えば熱照射の形態(IRランプを用いて、約300℃のランプ温度まで)などの付加的なエネルギーのインプットを用いてまたは用いることなく行う。エッチングが完了した後は、印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストは、適切な溶媒を用いてエッチングされた表面から洗浄されるか、または燃焼により除去される。
【００１８】
下記パラメーターの変更を介して、TixOyベースシステムおよび可変性の厚みを有するこれらの層におけるエッチングの深さ、ならびに、選択的な構造のエッチングにおいてはさらにエッチング構造の端の鋭さが決まる：
●エッチング成分の濃度および組成
●用いる溶媒の濃度および組成
●増粘剤系の濃度および組成
●添加される酸全ての濃度および組成
●消泡剤、チキソトロピック剤、流動調節剤、脱気剤、および接着促進剤などの、添加される添加剤全ての濃度および組成
●本発明にしたがって記載されている印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストの粘度
●各エッチングペーストが印刷された表面への、エネルギーのインプットを用いるまたは用いないエッチングの持続時間。  
【００１９】
エッチングの持続時間は、適用、所望のエッチングの深さおよび／またはエッチング構造の端の鋭さに依存して、数秒〜数分であってもよい。
印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストは、下記組成を有する：
●TixOyシステムおよびその層のためのエッチング成分
●溶媒
●増粘剤
●任意に有機酸および／または無機酸
●任意に、例えば消泡剤、チキソトロピック剤、流動調節剤、脱気剤、および接着促進剤などの添加剤。        
【００２０】
本発明にしたがって記載されている印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストの、TixOyベースシステムの表面におけるエッチング作用は、酸の添加ありもしくはなしの二フッ化水素アンモニウム溶液の使用に基づいている。これらのエッチングペーストは、室温でさえも有効であり、またはさらなるエネルギーのインプット(例えば、約300℃のランプ温度までの、IRランプによる熱照射)によっても有効になる。
用いられるエッチング成分の割合は、エッチングペーストの全量に基づいて8.5〜9.5重量％の濃度範囲である。
【００２１】
好適な無機溶媒および／または有機溶媒および／またはこれらの混合物は：
●水
●エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
●プロピレンカーボネートなどのカルボン酸のエステル、
●ギ酸、酢酸、乳酸などの有機酸
であってもよい。
溶媒の割合は、エッチングペーストの全量に基づいて52〜57重量％の範囲である。
【００２２】
本発明にしたがって記載されている印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストの粘度は、液相で膨潤するネットワーク形成(network-forming)増粘剤により達成され、所望の適用領域に依存して変化してもよい。
本発明にしたがって記載されている印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストは、異なる剪断速度において一定の粘度を有していない全てのエッチングペースト、特に剪断流動化(shear-thinning)作用を有するエッチングペーストを含む。増粘剤によりつくられたネットワークは、剪断負荷のもとで崩壊する。ネットワークの回復は時間遅延なしに（可塑性もしくは偽塑性流動特性を有する非ニュートンエッチングペースト）または時間遅延を伴って（チキソトロピック流動特性を有するエッチングペースト）起こり得る。
増粘剤であるポリビニルピロリドン(PVP)または種々のセルロースは、個々におよび／または他と組み合わせて用いられ得る。目的とする粘度範囲の設定および印刷可能かつディスペンス可能なペーストの形成に基本的に必要な増粘剤の割合は、エッチングペーストの全量に基づいて10.5〜11.5重量％の範囲である。
【００２３】
pKa値が０〜５である有機酸および無機酸は、本発明にしたがって記載されている印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストに添加されてもよい。例えば、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸などの無機酸およびまた有機酸、特にギ酸は、印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストのエッチング作用を改善する。酸の添加において酸の割合は、エッチングペーストの全量に基づいて24〜26重量％である。
所望の目的のために有利な性質を有する添加剤は、消泡剤(例えばTEGO（登録商標）Foamex N)、チキソトロピック剤(例えばBYK（登録商標）410, Borchigel（登録商標）Thixo2)、流動調節剤 (例えばTEGO（登録商標）Glide ZG 400)、脱気剤(例えばTEGO（登録商標）Airex 985)、および接着促進剤 (例えばBayowet（登録商標）FT 929)である。これらはエッチングペーストの印刷適性にプラスの効果をもたらし得る。添加剤の割合は、エッチングペーストの全量に基づいて0〜0.5重量％の範囲である。
【００２４】
本発明によるエッチングペーストのための適用分野は、太陽電池産業においてであり、特に太陽電池などの光起電要素もしくは光ダイオードの製造においてである。
本発明による印刷可能かつディスペンス可能なエッチングペーストは、特に、TixOyベースシステムの表面の全面(full-area)エッチングおよび／または構造化されたエッチングが所望される全ての場合において用いられ得る。
したがって、均一な固体の非孔性および多孔性のTixOyベースシステムにおける表面全体だけでなく、選択的な個々の構造も、所望の深さにエッチングすることができる。適用の分野は、TixOyベースシステムの、具体的な(specific)表面エッチングであって：
●マーキング(marking)およびラベリング(labelling)目的
●粗くすることによるTixOyガラス、セラミックスおよび他のTixOyベースシステムの他の物質への接着の改善
のためのものである。
【００２５】
本発明による印刷可能なエッチングペーストは、特に、TixOy層の全面エッチングおよび／または構造化されたエッチングが所望される全ての場合において用いることができる。
さらなる適用分野は、太陽電池などの光起電要素および光ダイオードなどの製造、特に、
●二段階選択エミッター（n++層の開孔作製の後）
および／または
●局部p+裏面電界（p+層の開孔作製の後）
および／または
●開孔構造における導電性接触構造(例えば無電解メッキ(electroless deposition)による)
の製造のためのTixOy層の選択的開孔をもたらす、TixOy層における全てのエッチングステップである。
特に、スクリーン、テンプレート、パッド、およびインクジェット印刷法ならびにディスペンス技術は、所望の様式でエッチングペーストを適用するための好適な技術である。一般的にマニュアルでの適用もまた可能である。
【００２６】
よりよい理解のために、そして本発明を説明するために、エッチングペーストの例を以下に挙げる。これらの例は、本出願の保護範囲をこれらのみに限定するためのものではない。なぜなら当業者は、容易に、本発明の広範囲な種々の変更を行うことができ、組成物の個々の成分を同等の作用を有するものに置き換えることができるからである。当業者はまた容易に、改変された形の適切な方法で下記例を行うことができ、同様に所望の結果に至ることができる。
【００２７】
例１
5 g    のエチレングリコールモノブチルエーテル         
15 g   のトリエチレングリコールモノメチルエーテル    
15 g   のプロピレンカーボネート                       
7 g    の水                                           
27 g   の35％NH4HF2溶液   
28 g   のギ酸
12 g   のポリビニルピロリドン 
【００２８】
溶媒混合物および酸をPEビーカーに入れる。次いでNH4HF2溶液を加える。続いて、撹拌しながら(約900rpm)増粘剤を連続的に添加する。短時間放置した後、コンテイナ(container)へ移す。この放置時間は、エッチングペースト中に形成される泡をなくすために必要である。
これらの混合物によりエッチングペーストが得られ、これを用いて、エネルギーのインプットを用いてもしくは用いずに、表面全体にわたってまたは構造において、TixOyベースシステムおよびその層を厳密に所望の深さにエッチングすることができる。
【００２９】
APCVDにより製造されたTixOy層における測定されたエッチング速度は、塩および酸の濃度に依存しており、直線の形態における適用で、20〜150nm／分であった。これらは例えば、例１において記載されているような選択的適用(直線幅250μm) においては、室温では70nm／分、50℃のエッチング温度では140nm／分である。 
得られたエッチングペーストは、保存中安定であり、扱いやすくそして印刷可能である。これは、印刷された物質から、またはペーストの支持体(スクリーン、ドクターナイフ、テンプレート、スタンプ、凸板、カートリッジ、ディスペンサーなど)から、例えば水を用いることにより除去することができ、またはオーブンで焼くことにより除去することができる。
【００３０】
下記エッチングペーストは、例１に記載されているエッチングペーストと同様に調製することができる：
例２
35.6  g  のエチレングリコールモノブチルエーテル 
142.4 g  の乳酸
12 g    のNH4HF2
10 g    のエチルセルロース
【００３１】
例３
10 g  のトリエチレングリコールモノメチルエーテル
50 g   の20％NH4HF2 溶液 
50 g  の1％Deuteron XGストックペースト(陰イオンヘテロポリサッカライドベースのペーストまたはキサンタンガラクトマンナン(xanthan galactomannane)ベースの高分子量ポリマー化合物のペースト)  
【００３２】
例４
24 g  のトリエチレングリコールモノメチルエーテル   
50 g  の20％NH4HF2 溶液
8 g   のギ酸
1.5 g  のTylose 4000 (ヒドロキシエチルセルロース)   
【００３３】
例５  
8 g    のエチレングリコールモノブチルエーテル 
14 g   のプロピレンカーボネート  
14 g   のトリエチレングリコールモノメチルエーテル
34 g   の20% NH4HF2溶液
28 g   のジクロロ酢酸 
10 g   のポリビニルピロリドンK90
【国際調査報告】
2005536614.tif 000002
2005536614.tif 000003
2005536614.tif 000004
2005536614.tif 000005
2005536614.tif 000006
2005536614.tif 000007