(57)【要約】  デバイスのための封止が開示されている。基板上に取り付けられたキャップが活性の構成部材に接触するのを防止することにより基板を損傷から保護するためにスペーサ粒子がデバイス領域にランダムに配置されている。スペーサ粒子は、あらゆる移動を防止するように基板の片側に固定されている。
2005510035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスにおいて、
デバイス領域を備えた基板と、
デバイスを封止するためのキャップとが設けられており、該キャップが、デバイス領域上にキャビティを形成し、
キャップを支持するためにデバイス領域の表面に固定されたスペーサ粒子が設けられていることを特徴とする、デバイス。
【請求項２】
前記デバイス領域が１つ以上のセルを含む、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記スペーサ粒子が非導電性材料から成る、請求項１又は２記載のデバイス。
【請求項４】
スペーサ粒子が接着剤層で被覆されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項５】
前記接着剤層が熱硬化性材料を含む、請求項４記載のデバイス。
【請求項６】
前記接着剤層が紫外線硬化性材料を含む、請求項４又は５記載のデバイス。
【請求項７】
前記接着剤層がホットメルト材料を含む、請求項４又は５記載のデバイス。
【請求項８】
前記スペーサ粒子が、デバイス領域にランダムに分配されており、活性領域及び不活性領域の両方を占めている、請求項１から７までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項９】
前記スペーサ粒子が、デバイス領域にランダムに分配されており、選択的に不活性領域を占めている、請求項１から７までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１０】
前記スペーサ粒子が球形である、請求項１から９までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１１】
前記スペーサ粒子が、キャップと基板との間のキャビティの高さを維持するために平均直径を有している、請求項１から１０までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１２】
前記スペーサ粒子が、キャビティを維持するために密度を有している、請求項１から１１までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１３】
スペーサ粒子の密度が約１０〜１０００Ｎｏ／ｍｍ２である、請求項１から１２までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１４】
前記スペーサ粒子が非球形である、請求項１から９まで又は１１のうちのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１５】
前記スペーサ粒子が種々異なる形状を有する、請求項１から１４までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１６】
前記デバイス領域を包囲しかつキャップを支持するシールダムが設けられており、
該シールダムの外面に当接するシール領域が設けられており、
該シール領域に配置された接着剤が設けられており、該接着剤がデバイスを密閉シールし、シールダムがデバイスのシール幅を減じている、請求項１から１５までのいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１７】
デバイスを形成する方法において、
デバイス領域を備えた基板を提供し、
スペーサ粒子に接着剤層を塗布し、
スペーサ粒子を基板上に堆積させ、
スペーサ粒子上の接着剤層を硬化させ、
デバイスを封止するために基板上にキャップを取り付け、キャップが、スペーサ粒子によって支持されてデバイス領域にキャビティを形成することを特徴とする、デバイスを形成する方法。
【請求項１８】
前記デバイスがＯＬＥＤデバイスを含む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記基板に、第１の電極を形成するようにパターン付けされた導電層と、該導電層上における少なくとも１つの有機機能層とが提供される、請求項１７又は１８記載の方法。
【請求項２０】
前記スペーサ粒子が非導電性材料から成る、請求項１７から１９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
前記接着剤が熱硬化性材料を含む、請求項１７から２０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
前記接着剤が紫外線硬化性材料を含む、請求項１７から２１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】
前記接着剤がホットメルト材料を含む、請求項１７から２２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
前記スペーサ粒子を堆積させることがドライスプレーを含む、請求項１７から２３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２５】
ドライスプレーが、
基板を第１の極性で、スペーサ粒子を第２の極性で静電的に帯電させ、
スペーサ粒子を乾燥空気によって基板に吹き付けることを含む、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記乾燥空気が≦５８℃の露点を有する、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
基板上におけるスペーサ粒子の被覆範囲が、フォトリソグラフィ技術によってパターン付けされる、請求項１７から２６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２８】
基板上におけるスペーサ粒子の被覆範囲が、ドライレジスト技術によってパターン付けされる、請求項１７から２６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２９】
基板上におけるスペーサ粒子の被覆範囲が、シャドーマスク技術によってパターン付けされる、請求項１７から２６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３０】
スペーサ粒子を堆積させることがウェットスプレーを含む、請求項１７から２９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
前記ウェットスプレーが、
溶剤にスペーサ粒子を懸濁させ、
スペーサ粒子を含む溶剤を基板に吹き付けることを含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記溶剤が、約０．１〜０．５重量パーセントのスペーサ粒子の濃度を有する、請求項３１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスに関する。特に、本発明はＯＬＥＤデバイスのパッケージングに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１はＯＬＥＤデバイス１００を示している。ＯＬＥＤデバイスは、第１の電極１０５と第２の電極１１５との間に１つ以上の有機機能層１１０を有している。電極は、ピクセル化された（pixelated）ＯＬＥＤデバイスを形成するために、例えば複数のＯＬＥＤセルを形成するようにパターン化されることができる。第１及び第２の電極に結合されたボンドパッド１５０は、ＯＬＥＤセルへの電気的接続を可能にするために設けられている。
【０００３】
ＯＬＥＤセルを湿気及び／又は空気等の環境から保護するために、キャップ１６０はデバイスを封止している。ＯＬＥＤセルのアクティブ及び電極材料は敏感であり、例えばキャップとの機械的接触により容易に損傷を受けるおそれがある。ＯＬＥＤセルに対する損傷を防止するために、キャビティキャップ又はパッケージが使用される。キャビティパッケージは、キャップとＯＬＥＤセルとの間にキャビティ１４５を提供する。キャビティは、デバイスの限定された漏れ率に対処するために、乾燥剤材料の配置を可能にする。
【０００４】
一般的に、ＯＬＥＤデバイスの横方向寸法は、通常、用途に応じて、数センチメートル以上の範囲にある。大きな横方向寸法を提供するために、キャビティの一体性を維持するために所要の機械的安定性を提供するためにより厚いキャップが使用される。
【０００５】
しかしながら、薄くかつフレキシブルなデバイスのための要求は、より薄い構成部材、例えばキャップ及び基板の使用を必要とする。キャップの厚さを減じることにより、機械的安定性が減じられ、曲がりやすくなり、このことは、キャビティを圧潰させるおそれがあり、ひいてはＯＬＥＤセルに損傷を与えるおそれがある。
【０００６】
上記のことから証明されたように、改良されたパッケージング、特に薄い又はフレキシブルな基板上に形成されたパッケージングを有するＯＬＥＤデバイスを提供することが望ましい。
【０００７】
発明の概要
本発明は、ＯＬＥＤデバイス等のデバイスのための封止に関する。１つ以上のＯＬＥＤセルは、基板のデバイス領域に設けられている。キャップは、デバイスを封止するために基板上に取り付けられている。キャップはデバイス領域においてキャビティを形成しており、キャップをＯＬＥＤセルから分離させている。
【０００８】
本発明によれば、キャップがＯＬＥＤセルと接触するのを防止するために、デバイス領域にスペーサ粒子が設けられている。１つの実施形態において、スペーサ粒子は、噴霧技術によって基板上にランダムに堆積されている。１つの実施形態において、スペーサ粒子は、ドライスプレー技術によって堆積される。択一的に、基板上にスペーサ粒子を堆積させるためにウェットスプレー技術が使用される。１つの実施形態において、スペーサ粒子は、スペーサ粒子の堆積後に硬化されることができる接着剤でコーティングされている。非デバイス領域におけるスペーサ粒子は除去され、デバイス領域にランダムに分配されたスペーサ粒子を残す。デバイスを封止するために基板上にキャップが取り付けられている。デバイス領域におけるスペーサ粒子は、キャップがＯＬＥＤセルに接触するのを防ぐ。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は概してＯＬＥＤデバイスに関する。特に、本発明は、ＯＬＥＤデバイスを封止するための費用効率よいパッケージ、特にフレキシブル又は薄い基板上に形成されたものを提供する。本発明の１つの実施形態によれば、ＯＬＥＤセルとキャップとの間にスペーサ粒子が設けられている。スペーサ粒子はキャップがＯＬＥＤセルに接触するのを防止する。
【００１０】
図２から図６までは本発明の１つの実施形態に基づくＯＬＥＤデバイスを製造するためのプロセスを示している。図２を参照すると、基板２０１が設けられており、この基板上に１つ又は複数のＯＬＥＤセルが形成されている。基板は、様々なタイプの材料、例えばガラス又はポリマから成ることができる。ＯＬＥＤセルを十分に支持することができるその他の材料も使用可能である。
【００１１】
１つの実施形態において、基板は、フレキシブルな材料、例えばフレキシブルなデバイスを形成するためのプラスチックフィルムから成る。様々な商業的に利用可能なプラスチックフィルムが、基板として働くために使用されることができる。このようなフィルムは、例えば透明なポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタラート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタラート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド（ＰＩ）、ポリスルホン（ＰＳＯ）、及びポリフェニレンエーテルスルホン（ＰＥＳ）を含む。その他の材料、例えばポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を、基板を形成するために使用することもできる。薄いガラス又はその他のフレキシブルな材料から成るフレキシブルな基板も使用可能である。
【００１２】
１つの実施形態において、基板は約２０〜３００μｍの厚さである。場合によっては、薄い基板は機械的に不安定であり、処理上の問題を生じる。製造プロセス中に基板を安定させるために一時的な支持層（図示せず）を使用することができる。一時的な支持層は、例えば、基板の裏側に設けられることができる。１つの実施形態において、一時的な支持層は、基板に取り付けるために接着剤でコーティングされたポリマ箔を含む。処理の後、デバイスを機械的に安定させるためにデバイスパッケージを使用することができるので、一時的な層は除去される。
【００１３】
導電層２０５が基板上に堆積されている。基板には、導電層を堆積させる前に基板表面上の導電層の下に、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）等のバリヤ層が設けられることができる。バリヤ層は、ソータ石灰ガラスから成る基板に特に役立つ。バリヤ層の厚さは例えば２０μｍである。１つの実施形態において、導電層は、インジウム−すず−酸化物（ＩＴＯ）等の透明な導電性材料を含む。亜鉛酸化物及びインジウム−亜鉛−酸化物を含むその他のタイプの透明な導電層も使用可能である。化学的気相成長（ＣＶＤ）、物理的気相成長（ＰＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）等の様々な技術を、デバイスの層を形成するために使用することができる。電気的要求を満足させながら光学的吸収と、後のフィルム形成に対する不都合な影響とを減じるために、導電層は薄いべきである。導電層の厚さは通常約０．０２〜１μｍである。
【００１４】
図３を参照すると、導電層２０５は、層の部分を選択的に除去して基板の部分３５６を露出させるために望みに応じてパターニングされる。パターニングされた導電層は、ＯＬＥＤセルのための第１の電極として働く。１つの実施形態において、導電層は、例えばピクセル化されたＯＬＥＤデバイスのアノードとして働くストリップを形成するようにパターニングされる。パターニングプロセスは、ボンドパッドのための接続部をも形成することができる。フォトリソグラフィ及びエッチング等の慣用的な技術は、導電層をパターニングするために使用することができる。スタンプを使用するパターン付け技術も使用可能である。このような技術は、ＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＳＧ９９／０００７４号である、同時係属の国際特許出願“Mechanical Patterning of a Device Layer”に記載されており、この明細書は、全ての目的のために引用により本願明細書に記載されたものとする。
【００１５】
１つ以上の有機機能層３１０は、基板上に形成されており、露出した基板部分と導電層とを被覆している。機能有機層は、例えば共役ポリマ又は低分子材料、例えばＡｌｑ３を含む。その他のタイプの機能有機層も使用可能である。有機機能層は、慣用的な技術、例えば（Ａｌｑ３有機層のための）スピンコーティング又は真空昇華等のウェットプロセスによって形成されることができる。有機層の厚さは通常は約２〜２００ｎｍである。
【００１６】
図４を参照すると、有機層の部分は、ボンドパッド結合のための領域４７０において下側に位置する層を露出させるために選択的に除去されることができる。有機層の選択的な除去は、例えば研磨プロセスを使用して行うことができる。エッチング、スクラッチング又はレーザアブレーション等のその他の技術も使用可能である。
【００１７】
本発明の１つの実施態様によれば、スペーサ粒子４８０は基板上に堆積させられている。１つの実施形態において、スペーサ粒子は球形である。その他の幾何学的形状、例えば立方体、角柱、ピラミッド形、又はその他の規則的又は不規則な形状を有するスペーサ粒子も使用可能である。スペーサ粒子の平均直径は、キャビティの所望の高さを維持するのに十分であり、これは例えば約２〜５０μｍである。スペーサ粒子の寸法及び形状分布範囲は、キャップとＯＬＥＤセルとの間の適切な分離を保証するために十分に狭くなっているべきである。
【００１８】
スペーサ粒子は好適には、あらゆる移動を回避するように基板の片側に固定されている。１つの実施形態において、スペーサ粒子は、堆積の前に接着剤の薄い層でコーティングされる。接着剤層は、例えばエポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含む。１つの実施形態において、接着剤は熱処理によって硬化させられる。別の実施形態において、接着剤は、紫外放射に曝すことにより硬化させられる。さらに別の実施形態において、接着剤はホットメルト材料を含む。
【００１９】
１つの実施形態において、スペーサ粒子は基板上にランダムに分配されている。スペーサ粒子は、デバイスの活性な部分及び不活性な部分（すなわち放射領域及び非放射領域）を占めている。別の実施形態において、スペーサ粒子は不活性な領域に限定されている。スペーサ粒子の被覆をパターン付けするためにフォトリソグラフィ技術等の様々な技術を使用することができる。択一的に、シャドーマスク又はステンシルマスク技術を使用することができる。所要のパターンを備えたシャドーマスクは、スペーサ粒子を堆積させる前に、表面に近接させられるか又は直接に接触させられる。スプレー塗布プロセスの間、マスクによって曝される領域のみがスペーサ粒子によって被覆される。択一的に、パターン付けされたドライレジストフィルムを露出した表面上に被覆させることができる。スペーサ粒子が堆積された後、ドライレジストフィルムは硬化され、表面から除去され、スペーサ粒子で被覆された露出した領域を形成する。液体レジスト材料を同様の形式で使用することもできる。
【００２０】
スペーサ粒子の分布又は密度は、機械的応力が存在する時に、設計されていることによるか（フレキシブルなデバイス）又は事故（デバイスの取り扱い）によるかに拘らずキャップがＯＬＥＤセルに接触するのを防止するのに十分であるべきである。分配は、設計上の要求、例えばキャップの厚さ、基板の厚さ及び所要のデバイス柔軟性の程度に適応するように変更されることができる。
【００２１】
有利な実施形態において、スペーサ分布は、ＯＬＥＤセルの放射均一性に目に見えて影響することなくキャビティの高さを支持するのに十分である。通常、約１０〜５００μｍのスペーサ粒子間の平均距離を有するスペーサ分布は、キャップがＯＬＥＤセルに接触しないようにするのに十分である。１つの実施形態において、スペーサ粒子分布の密度は約１０〜１０００Ｎｏ／ｍｍ２である。このような分布は、スペーサ粒子の小さな寸法と相俟って、放射均一性に対するスペーサ粒子の影響が、裸眼には実質的に見えないことを保証する。
【００２２】
電極間のショートを回避するために、スペーサ粒子は有利には非導電性材料から成る。１つの実施形態において、スペーサ粒子はガラスから形成されている。その他のタイプの非導電性材料、例えばシリカ、ポリマ又はセラミックから形成されたスペーサ粒子も使用可能である。
【００２３】
１つの実施形態において、スペーサ粒子はスプレー技術によって堆積させられる。有利な実施形態において、スペーサ粒子を堆積させるためにドライスプレー技術が使用される。ドライスプレー技術は、例えば、Birenda Bahadur (Ed), Liquid Crystals:Applications and Uses, Vol.1 (ISBN 9810201109)に記載されており、この出版物は全ての目的のために引用により記載されたものとする。
【００２４】
ドライスプレー技術は、通常、スペーサ粒子を第１の極性（正極又は負極）で、また基板を第２の極性（負極又は正極）で静電的に帯電させることを含む。スペーサ粒子は、乾燥空気噴霧装置によって供給される乾燥空気によって基板に吹き付けられる。乾燥空気噴霧装置、例えばNisshin Engineering Co.から提供されるＤＩＳＰＡ−μＲを使用することができる。静電引力によりスペーサ粒子が基板に付着する一方で、粒子間の静電反発が、基板上での粒子凝集を防止する。例えば、２ｋｇ／ｃｍ２の圧力で≦−５８℃の露点と、１０秒の噴霧時間の場合に５０ｌ／分の流れとを有する乾燥空気を生ぜしめる乾燥空気噴霧装置を使用して、１６０〜１８０Ｎｏ／ｍｍ２の粒子密度を達成することができる。噴霧パラメータを変化させることにより、その他の粒子密度を達成することができる。
【００２５】
基板上にスペーサ粒子を堆積するためにウェットスプレー技術を使用することもできる。ウェットスプレー技術は、例えば、Birenda Bahadur (Ed) , Liquid Crystals: Applications and Uses, Vol.1 (ISBN 9810201109)に記載されており、この出版物は全ての目的のために引用により既に記載されたものとされている。通常、スペーサ粒子は、アルコール液又は水様液、例えばエタノール、イソプロパノール又は、アルコールと水とから成る混合物内に懸濁されている。スペーサ濃度は例えば約０．１〜０．５重量％である。粒子を分散させて凝集を防止するために超音波を使用することができる。例えば、スペーサ粒子は粒子堆積の前に数分間超音波で照射されることができる。準備された懸濁液はノズルを通過する空気によって基板へ噴霧され、基板上にスペーサ粒子を堆積させる。
【００２６】
図５を参照すると、第２の導電層５１５が基板上に堆積されており、スペーサ粒子及びスペーサ粒子上に形成されたその他の層を被覆している。導電層は、例えば金属材料、例えばＣａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ａｇ又はそれらの混合物若しくは合金から成る。その他の導電性材料、特に低い作用機能を有する導電性材料を、第２の導電層を形成するために使用することができる。１つの実施形態において、第２の導電層は、ピクセル化されたＯＬＥＤデバイスのためのカソードとして働く電極ストリップを形成するようにパターン付けされる。また、ボンドパッドのための結合部をパターンニングプロセスの間に形成することができる。択一的に、カソードストリップ及びボンドパッド結合部を形成するために導電層を選択的に堆積することができる。導電層の選択的な堆積は例えばマスク層を用いて達成することができる。カソードストリップは通常アノードストリップに対して直交している。アノードストリップに対して斜方向のカソードストリップを形成することもできる。上部及び下部の電極ストリップの交差部分が有機ＬＥＤピクセルを形成している。
【００２７】
図６を参照すると、デバイスを封止するためにキャップ６６０が基板上に取り付けられている。キャップはキャビティ６４５を形成しており、キャップとＯＬＥＤセルとの間に分離を提供している。１つの実施形態において、セル領域を包囲するシールフレーム６７０が提供されている。シールフレームの提供は、必要であれば、基板にシールポスト６８０を形成するための領域を形成するために基板にパターン付けすることを含む。択一的に、シールフレームはキャップに形成することができる。シールポストの高さは、所望の高さを備えたキャビティ６４５を形成するのに十分である。シールフレームの使用は、国際特許出願“Improved Encapsulation of Organic LED Device”PCT/SG99/00133に記載されており、この出願は全ての目的のために引用により本願明細書に記載されたものとする。
【００２８】
キャップ層６６０は、例えば金属又はガラスから成る。活性の構成部材を環境から保護するその他のタイプのキャップ、例えばセラミック又はメタライズされた箔も使用可能である。本発明のさらに別の実施形態において、キャップとＯＬＥＤデバイスとを分離させるキャビティを形成するために、使用される材料に応じて、キャップは打ち抜かれるか又はエッチングされることができる。
【００２９】
キャップ層を取り付けるために様々な技術を使用することができる。１つの実施形態において、キャップ層を取り付けるために接着剤が使用される。自己硬化接着剤、ＵＶ硬化接着剤又は熱硬化性接着剤、又はホットメルト接着剤等の接着剤が使用可能である。低温ろう接材料、超音波ボンディング、又はインダクタンスを使用する溶接技術又はレーザ溶接を用いるその他の技術も使用可能である。
【００３０】
本発明の１つの実施形態において、基板のデバイス領域を包囲するシールダムが設けられている。シールダムは基板上にキャップを支持し、シールダムの外面に配置されたシール領域を提供する。シールダムの使用は、国際特許出願“Sealing of Electronic Devices”PCT/SG00/00133（代理人整理番号９９Ｅ０５７３７ＳＧ）に記載されており、この出願は全ての目的のために引用により本願明細書に記載されたものとする。
【００３１】
取付けプロセスの間、スペーサ粒子はＯＬＥＤセルの層に押し込まれる。スペーサ粒子はＯＬＥＤセルの領域に亘ってキャップのための支持を提供し、キャップに圧力が加えられた場合にキャップがデバイスの活性の構成部材に接触するのを防止する。ＯＬＥＤセルに電気的アクセスを提供するためにボンドパッド６５０が形成されている。
【００３２】
前記のように、プロセスは、有機層の形成後に、接着剤で被覆されたスペーサ粒子を堆積させる。スペーサ粒子は択一的に、プロセスフローの別の時点で堆積されることができる。例えば、スペーサ粒子は、第１の導電層の形成前、有機層の形成前、又は第２の導電層の形成後に堆積されることができる。実際には、スペーサ粒子は、キャップの取付け前のプロセスのあらゆる時点に堆積されることができる。
【００３３】
スペーサ粒子における接着剤は、スペーサ粒子の堆積後のプロセスフローのある時点で硬化される。１つの実施形態において、接着剤は、スペーサ粒子が基板上に堆積された後でかつ有機層の形成の前に硬化される。別の実施形態において、接着剤は、スペーサ粒子が第１の活性の有機層に提供された後でかつ残りの層の形成前に硬化される。別の実施形態において、接着剤は、スペーサ粒子が第２の有機層に提供された後でかつ残りの層の形成前に硬化させられる。さらに別の実施形態において、接着剤は、スペーサ粒子が第２の導電層に提供された後でかつＯＬＥＤデバイスの封止前に硬化させられる。スペーサ粒子は、キャビティパッケージを使用するその他のタイプのデバイスにおいて支持を提供する場合にも使用可能である。このようなデバイスは、例えば電気デバイス、機械デバイス、電気機械的デバイス又はマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）を含む。
【００３４】
本発明は様々な実施形態を引用して具体的に示されかつ説明されたが、本発明の思想及び範囲から逸脱することなく本発明に修正及び変更が加えられて良いことは当業者によって認識されるであろう。したがって、本発明の範囲は、上記説明を参照することにより決定されるべきではなく、添付の請求項及び均等物の完全な範囲を参照して決定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】ＯＬＥＤデバイスを示している。
【００３６】
【図２】本発明の１つの実施形態に基づきＯＬＥＤデバイスを形成するためのプロセスを示している。
【００３７】
【図３】本発明の１つの実施形態に基づきＯＬＥＤデバイスを形成するためのプロセスを示している。
【００３８】
【図４】本発明の１つの実施形態に基づきＯＬＥＤデバイスを形成するためのプロセスを示している。
【００３９】
【図５】本発明の１つの実施形態に基づきＯＬＥＤデバイスを形成するためのプロセスを示している。
【００４０】
【図６】本発明の１つの実施形態に基づきＯＬＥＤデバイスを形成するためのプロセスを示している。
【符号の説明】
【００４１】
１００  ＯＬＥＤデバイス、  １０５  第１の電極、  １１０  有機機能層、  １１５  第２の電極、  １４５  キャビティ、  ２０５  導電層、  ３１０  有機機能層
【図１】
2005510035.tif 000003
【図２】
2005510035.tif 000004
【図３】
2005510035.tif 000005
【図４】
2005510035.tif 000006
【図５】
2005510035.tif 000007
【図６】
2005510035.tif 000008
【国際調査報告】
2005510035.tif 000009
2005510035.tif 000010
2005510035.tif 000011