【手続補正書】
【提出日】令和2年5月18日(2020.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの濃度が高い領域であり、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの濃度が高い領域である、トランジスタ。
【請求項２】
金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの割合がＧａの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記第２の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの割合がＩｎの割合及びＺｎの割合より高い領域である、トランジスタ。
【請求項３】
金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの濃度が高い領域であり、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの濃度が高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、微結晶を有する、トランジスタ。
【請求項４】
金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの割合がＧａの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記第２の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの割合がＩｎの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、微結晶を有する、トランジスタ。
【請求項５】
金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの濃度が高い領域であり、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの濃度が高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、非単結晶である、トランジスタ。
【請求項６】
金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの割合がＧａの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記第２の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの割合がＩｎの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、非単結晶である、トランジスタ。
【請求項７】
金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの濃度が高い領域であり、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの濃度が高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、電子回折パターンにより、リング状の領域に複数のスポットが観察される領域を有する、トランジスタ。
【請求項８】
金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの割合がＧａの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記第２の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの割合がＩｎの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、電子回折パターンにより、リング状の領域に複数のスポットが観察される領域を有する、トランジスタ。
【請求項９】
ゲートドライバに配置されたトランジスタであって、
前記トランジスタは、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの濃度が高い領域であり、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの濃度が高い領域である、トランジスタ。
【請求項１０】
ゲートドライバに配置されたトランジスタであって、
前記トランジスタは、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの割合がＧａの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記第２の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの割合がＩｎの割合及びＺｎの割合より高い領域である、トランジスタ。
【請求項１１】
ゲートドライバに配置されたトランジスタであって、
前記トランジスタは、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの濃度が高い領域であり、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの濃度が高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、微結晶を有する、トランジスタ。
【請求項１２】
ゲートドライバに配置されたトランジスタであって、
前記トランジスタは、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの割合がＧａの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記第２の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの割合がＩｎの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、微結晶を有する、トランジスタ。
【請求項１３】
ゲートドライバに配置されたトランジスタであって、
前記トランジスタは、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの濃度が高い領域であり、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの濃度が高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、非単結晶である、トランジスタ。
【請求項１４】
ゲートドライバに配置されたトランジスタであって、
前記トランジスタは、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの割合がＧａの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記第２の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの割合がＩｎの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、非単結晶である、トランジスタ。
【請求項１５】
ゲートドライバに配置されたトランジスタであって、
前記トランジスタは、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの濃度が高い領域であり、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりもエネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの濃度が高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、電子回折パターンにより、リング状の領域に複数のスポットが観察される領域を有する、トランジスタ。
【請求項１６】
ゲートドライバに配置されたトランジスタであって、
前記トランジスタは、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜と重なる領域に位置するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は単層であって、前記金属酸化物膜の膜厚方向と交差する方向に並んだ第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第１の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＩｎの割合がＧａの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記第２の領域は、エネルギー分散型Ｘ線分光法マッピングで示されるＧａの割合がＩｎの割合及びＺｎの割合より高い領域であり、
前記金属酸化物膜は、電子回折パターンにより、リング状の領域に複数のスポットが観察される領域を有する、トランジスタ。