Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月20日(2019.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を保持して移動可能なステージを有するステージ装置であって、
前記物体の前記ステージ側の第１の面を保持する第１保持部と、
前記物体の前記第１の面とは異なる第２の面を保持する第２保持部と、を有し、
前記第２保持部は、
前記第２の面と接触する接触部と、
前記ステージ上において前記ステージの移動方向に沿った第１方向に動く可動部と、
前記第１方向で前記可動部と対向する位置において前記ステージに固定される固定部と、
前記可動部を前記第１方向に移動させる駆動部と、を有し、
前記可動部および前記固定部は、前記接触部に連結された部材を挟むことで前記接触部を前記第１方向に位置決めし、
前記可動部と前記部材との当接部を含む前記可動部の面および、前記固定部と前記部材との当接部を含む前記固定部の面は、前記接触部が前記第２の面に向かって移動する第２方向に対して傾斜しており、
前記駆動部から前記部材に加えられる力は、前記第１方向及び前記第２方向に作用することを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記可動部および前記固定部は、前記当接部において点接触、線接触、または面接触することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記可動部および前記固定部の前記部材と当接する面が平面であり、前記部材の前記可動部および前記固定部と当接する面が曲面であることを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記可動部と前記部材とは、１つの当接部により当接されており、前記固定部と前記部材とは、複数の当接部により当接されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記接触部は、前記第２の面と面接触することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記第２方向における前記可動部と前記部材との当接部および、前記第２方向における前記固定部と前記部材との当接部の位置が等しくなるように、前記可動部と前記固定部と前記部材が配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記第１保持部および前記第２保持部は、真空吸着により前記物体を保持することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項８】
前記接触部を前記第１方向と交差する方向へ移動させる駆動機構を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項９】
原版に描かれたパターンを、投影光学系を介して基板に転写する露光装置であって、
前記原版を保持して移動する請求項１乃至８のいずれか１項に記載ステージ装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光装置を用いてパターンを基板上に形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を現像する工程と、を有する
ことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、物体を保持して移動可能なステージを有するステージ装置であって、物体のステージ側の第１の面を保持する第１保持部と、物体の第１の面とは異なる第２の面を保持する第２保持部と、を有し、第２保持部は、第２の面と接触する接触部と、ステージ上においてステージの移動方向に沿った第１方向に動く可動部と、第１方向で可動部と対向する位置においてステージに固定される固定部と、可動部を第１方向に移動させる駆動部と、を有し、可動部および固定部は、接触部に連結された部材を挟むことで接触部を第１方向に位置決めし、可動部と部材との当接部を含む可動部の面および、固定部と部材との当接部を含む固定部の面は、接触部が第２の面に向かって移動する第２方向に対して傾斜しており、駆動部から部材に加えられる力は、第１方向及び第２方向に作用することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月20日(2019.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムの少なくとも一方の面にポリビニルアルコール系樹脂層を形成して積層フィルムを得る樹脂層形成工程と、
前記積層フィルムを延伸して延伸フィルムを得る延伸工程と、
前記延伸フィルムの前記ポリビニルアルコール系樹脂層をヨウ素で染色して染色層を形成することにより染色積層フィルムを得る染色工程と、
ホウ酸を含む架橋液で前記染色積層フィルムの前記染色層を架橋して架橋層を形成することにより架橋積層フィルムを得る架橋工程と、
前記架橋積層フィルムの前記架橋層に含まれるホウ素含有率を低下させて偏光子層を形成することにより偏光性積層フィルムを得る脱ホウ素工程と、をこの順に有し、
前記架橋液におけるホウ酸の含有量は、溶媒１００重量部に対して５〜１５重量部であり、
前記脱ホウ素工程では、前記架橋層と脱ホウ素液とが接触する脱ホウ素液接触工程を複数回行い、前記脱ホウ素液は、前記架橋液のホウ酸濃度よりも低いホウ酸濃度を有し、
前記脱ホウ素工程は、ホウ酸を含む脱ホウ素液を用いて前記脱ホウ素液接触工程を行う工程を含み、前記ホウ酸を含む脱ホウ素液におけるホウ酸の含有量は、前記架橋液におけるホウ酸の含有量よりも、溶媒１００重量部に対して５．４重量部〜８．４重量部低く、
前記脱ホウ素液接触工程では、前記架橋積層フィルムに加えられる張力の大きさを、前記架橋工程において前記染色積層フィルムに加えられる張力の大きさよりも小さくなるように制御し、
前記ホウ酸を含む脱ホウ素液を用いて行う前記脱ホウ素液接触工程では、前記架橋積層フィルムに加えられる張力の大きさを、前記架橋工程において前記染色積層フィルムに加えられる張力の大きさよりも、６Ｎ／ｃｍ〜１５Ｎ／ｃｍ小さくなるように制御する、偏光性積層フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記脱ホウ素工程では、組成の異なる２種以上の脱ホウ素液を用いて前記脱ホウ素液接触工程を複数回行う、請求項１に記載の偏光性積層フィルムの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の製造方法により偏光性積層フィルムを製造する工程と、
前記偏光子層における前記基材フィルムとは反対側の面に保護フィルムを貼合する工程と、
前記基材フィルムを剥離除去する工程と、
をこの順で含む、偏光板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月10日(2020.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素アレイと、
ゲートドライバと、を有し、
前記ゲートドライバは、前記画素アレイを第１乃至第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の画素群に分割して駆動する機能を有し、
前記ゲートドライバは、第１乃至第Ｎのシフトレジスタを有し、
第Ｋ（Ｋは１以上Ｎ以下の整数）の前記シフトレジスタは、第Ｋの前記画素群を駆動する信号を生成し、
前記ゲートドライバには、第１乃至第Ｍ（Ｍは１以上の整数）のクロックと、第１乃至第Ｌ（Ｌは１以上の整数）の信号が入力され、
前記ゲートドライバは、前記第１乃至第Ｍのクロックと、前記第１乃至第Ｌの信号を用いて、前記第１乃至第Ｎのシフトレジスタのそれぞれに、クロックとスタートパルスを供給し、
ＬはＮ／Ｍ＋１以下である表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
タッチセンサユニットを有し、
前記タッチセンサユニットは、前記第１乃至第Ｎのシフトレジスタが動作を停止している期間に、タッチを検出する表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
アプリケーションプロセッサを有し、
前記アプリケーションプロセッサは、前記第１乃至第Ｍのクロックと、前記第１乃至第Ｌの信号を、前記ゲートドライバに供給する機能を有し、
前記アプリケーションプロセッサは、前記第１乃至第Ｎの画素群のそれぞれにおいて、表示画像に変化があるかないかを判断し、
前記アプリケーションプロセッサは、前記第１乃至第Ｍのクロックと、前記第１乃至第Ｌの信号を用いて、前記表示画像に変化がある画素群の表示画像を書き換え、前記表示画像に変化がない画素群の表示画像を書き換えない機能を有する表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月15日(2020.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側から順に第１ハードコート、第２ハードコート、及び透明樹脂フィルムの層を有し、
上記第１ハードコートは、
（Ａ１）多官能（メタ）アクリレート １００質量部；
（Ｂ）１分子中に２個以上の２級チオール基を有する化合物  ０．５〜２０質量部；
（Ｃ）撥水剤 ０．０１〜７質量部；及び、
（Ｄ）シランカップリング剤 ０．０１〜１０質量部；
を含み、かつ無機粒子を含まない塗料からなり；
上記第２ハードコートは、無機粒子を含む塗料からなるハードコート積層フィルム。
【請求項２】
表面側から順に第１ハードコート、第２ハードコート、及び透明樹脂フィルムの層を有し、
上記第１ハードコートは、
（Ａ１）多官能（メタ）アクリレート；
（Ｂ）１分子中に２個以上の２級チオール基を有する化合物；
（Ｃ）撥水剤；及び、
（Ｄ）シランカップリング剤；
を含み、かつ無機粒子を含まない塗料からなり；
上記第２ハードコートは、無機粒子を含む塗料からなり；
上記第１ハードコート表面の往復５００回ゴム摩耗後の水接触角が９５度以上である；
ハードコート積層フィルム。
【請求項３】
上記（Ａ１）多官能（メタ）アクリレートが、８個又は７個のアクリロイル基を有するトリペンタエリスリトールアクリレートを２０質量％以上含む請求項１又は２に記載のハードコート積層フィルム。
【請求項４】
上記第１ハードコートを形成する塗料が、更に（Ｅ）チオフェニル系光重合開始剤を含み、ここで上記（Ｅ）チオフェニル系光重合開始剤の配合量が、上記（Ａ１）多官能（メタ）アクリレート １００質量部に対して、０．１〜５質量部である請求項１〜３の何れか１項に記載のハードコート積層フィルム。
【請求項５】
上記（Ｄ）シランカップリング剤が、アミノ基を有するシランカップリング剤、及びメルカプト基を有するシランカップリング剤からなる群から選択される１種以上を含む、請求項１〜４の何れか１項に記載のハードコート積層フィルム。
【請求項６】
上記（Ｃ）撥水剤が、（メタ）アクリロイル基含有フルオロポリエーテル系撥水剤を含む、請求項１〜５の何れか１項に記載のハードコート積層フィルム。
【請求項７】
上記第２ハードコートを形成する塗料が、
（Ａ２）多官能（メタ）アクリレート １００質量部；及び
（Ｆ）平均粒子径  １〜３００ｎｍの無機微粒子 ３０〜３００質量部；を含む、
請求項１〜６の何れか１項に記載のハードコート積層フィルム。
【請求項８】
上記第２ハードコートを形成する塗料が、
（Ａ２）多官能（メタ）アクリレート １００質量部；
（Ｆ）平均粒子径  １〜３００ｎｍの無機微粒子 ３０〜３００質量部；及び、
（Ｇ）レベリング剤 ０．０１〜１質量部；を含む、
請求項１〜７の何れか１項に記載のハードコート積層フィルム。
【請求項９】
上記透明樹脂フィルムが、第一アクリル系樹脂層（α１）；芳香族ポリカーボネート系樹脂層（β）；第二アクリル系樹脂層（α２）；が、この順に直接積層された透明多層フィルムである、請求項１〜８の何れか１項に記載のハードコート積層フィルム。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項に記載のハードコート積層フィルムを含む画像表示装置。
【請求項１１】
請求項１〜９の何れか１項に記載のハードコート積層フィルムを含む物品。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月15日(2020.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー粒子を有するトナーであって、
該トナー粒子が、
結着樹脂を含有するトナー母粒子、及び、
該トナー母粒子の表面に形成された、樹脂Ａを含有する被覆層を有し、
該樹脂Ａの弾性率Ｅａ及び該結着樹脂の弾性率Ｅｂが、下記式を満たし、
０．５≦（Ｅａ／Ｅｂ）×１００［％］≦５０．０
該トナー粒子にカンチレバーの先端に球状ＳｉＯ２が付いたプローブを３μＮで押し込んだ際の該トナー粒子の付着力ＡＴが、５００ｎＮ以上である
ことを特徴とするトナー。
【請求項２】
前記被覆層による前記トナー母粒子の表面の被覆率が、７０％以上である請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記樹脂Ａが、熱可塑性エラストマーである請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
前記ＡＴが、６００ｎＮ以上であり、
前記トナー粒子の表面に微粒子が存在し、
該微粒子が、下記の規定（ｉ）及び（ｉｉ）を満たす
請求項１〜３のいずれか１項に記載のトナー。
（ｉ）該微粒子の個数平均粒子径が０．０９０μｍ以上である。
（ｉｉ）該微粒子による前記トナー粒子に対する被覆率Ｃ（％）が下記式（１）を満たす。
2018092139.tif 000001
（式（１）中、ＤＴは前記トナー粒子の個数平均粒子径（Ｄ１）（μｍ）を表し、ＤＥは該微粒子の個数平均粒子径（Ｄ１）（μｍ）を表す。）
【請求項５】
前記微粒子を温度２３℃、相対湿度５％の環境下に２４時間放置した後に、温度３０℃
、相対湿度８０％の環境下に１時間放置した際、前記微粒子の質量変化率を、前記微粒子の比表面積で除した値（質量変化率／比表面積）が、０．０５５％・ｇ／ｍ２以下である請求項４に記載のトナー。
【請求項６】
前記樹脂Ａが、親水性基を有するポリオレフィン系熱可塑性エラストマーである請求項１〜５のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項７】
前記樹脂Ａが、ポリスチレン系熱可塑性エラストマーである請求項１〜５のいずれか１項に記載のトナー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、トナー粒子を有するトナーであって、
該トナー粒子が、
結着樹脂を含有するトナー母粒子、及び、
該トナー母粒子の表面に形成された、樹脂Ａを含有する被覆層を有し、
該樹脂Ａの弾性率Ｅａ及び該結着樹脂の弾性率Ｅｂが、下記式を満たし、
０．５≦（Ｅａ／Ｅｂ）×１００［％］  ≦  ５０．０
該トナー粒子にカンチレバーの先端に球状ＳｉＯ２が付いたプローブを３μＮで押し込んだ際の該トナー粒子の付着力ＡＴが、５００ｎＮ以上であることを特徴とするトナーに関する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月1日(2020.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１コントローラと、
レジスタと、
フレームメモリと、
画像処理部と、を有し、
前記フレームメモリは、画像データを格納する機能を有し、
前記画像処理部は、前記画像データを処理する機能を有し、
前記レジスタは、前記画像処理部が処理を行うためのパラメータを格納する機能を有し、
前記フレームメモリは、前記フレームメモリへの電源供給が遮断されている状態で、前記画像データを保持する機能を備え、
前記レジスタは、前記レジスタへの電源供給が遮断されている状態で、前記パラメータを保持する機能を備え、
前記第１コントローラは、前記レジスタ、前記フレームメモリ、および前記画像処理部に対する電源供給を制御する機能を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記レジスタは、スキャンチェーンレジスタと、第１レジスタと、第２レジスタと、を有し、
前記スキャンチェーンレジスタは、第３レジスタと、第４レジスタと、を有し、
前記第３レジスタの出力端子は、前記第４レジスタの入力端子に電気的に接続され、
前記第１レジスタは、前記第３レジスタに格納されたデータを読み込む機能を有し、
前記第２レジスタは、前記第４レジスタに格納されたデータを読み込む機能を有し、
前記第１レジスタおよび前記第２レジスタに読み込まれたデータは、前記パラメータとして、前記画像処理部に出力され、
前記第３レジスタは、第１保持回路を有し、
前記第４レジスタは、第２保持回路を有し、
前記第１保持回路は、前記第３レジスタのデータを格納する機能を有し、
前記第３レジスタは、前記第１保持回路が格納したデータを読み込む機能を有し、
前記第２保持回路は、前記第４レジスタのデータを格納する機能を有し、
前記第４レジスタは、前記第２保持回路が格納したデータを読み込む機能を有し、
前記レジスタへの電源供給が遮断されている状態で、前記第１保持回路および前記第２保持回路は、格納したデータを保持する機能を備える半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１保持回路は、第１トランジスタと、第１容量素子と、を有し、
前記第２保持回路は、第２トランジスタと、第２容量素子と、を有し、
前記第１トランジスタは、前記第１容量素子の充放電を制御し、
前記第２トランジスタは、前記第２容量素子の充放電を制御し、
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含む半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記フレームメモリは、複数のメモリセルを有し、
前記メモリセルは、第３トランジスタと、第３容量素子と、を有し、
前記第３トランジスタは、前記第３容量素子の充放電を制御し、
前記第３トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含む半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
第２コントローラを有し、
前記第２コントローラは、タイミング信号を生成する機能を有し、
前記レジスタは、前記第２コントローラが前記タイミング信号を生成するためのパラメータを格納する機能を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１コントローラは、前記第２コントローラに対する電源供給を制御する機能を有する、半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
第３コントローラを有し、
前記第３コントローラは、光センサからの第１信号を受け取る機能と、前記第１信号をもとに前記画像処理部が処理を行うための第２信号を生成する機能と、を有する半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
外部装置から画像データおよびパラメータが入力されない場合、前記フレームメモリに格納された前記画像データ、および前記レジスタに格納された前記パラメータをもとに、静止画を表示するための第３信号を生成する機能を有する半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
ソースドライバを有し、
前記ソースドライバは、前記画像処理部で処理された画像データをもとに、データ信号を生成する機能を有する半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
ソースドライバを有し、
前記ソースドライバは、前記画像処理部で処理された画像データをもとに、第１データ信号または第２データ信号を生成する機能を有し、
前記第１データ信号は、反射素子を駆動する機能を有し、
前記第２データ信号は、発光素子を駆動する機能を有する半導体装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記第１コントローラは、前記ソースドライバに対する電源供給を制御する機能を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月30日(2020.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体面および像面でテレセントリックであるカタディオプトリック光学系であって、
第１反射面、第２反射面、第３反射面および第４反射面と、
前記物体面と前記第１反射面との間に配置された正のパワーを有する屈折面と、を含み、
前記像面にのみ結像面を有する１回結像の光学系であり、
前記物体面から出た光が前記屈折面、前記第１反射面、前記屈折面、前記第２反射面、前記屈折面、前記第３反射面、前記第４反射面を順に経由して前記像面に至る、
ことを特徴とするカタディオプトリック光学系。
【請求項２】
前記屈折面が１つのレンズによって構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項３】
前記屈折面が少なくとも２つのレンズによって構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項４】
前記物体面と前記第１反射面との間に、前記屈折面を含む２つの屈折面が配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項５】
前記物体面と前記像面との間に結像面を有しない、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項６】
前記正のパワーを有する屈折面は、非球面形状を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項７】
前記第１反射面、前記第２反射面、前記第３反射面および前記第４反射面の少なくとも１つは、非球面形状を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項８】
前記正のパワーを有する屈折面は、３次のペッツバール項をＰ（Ｌ１）、前記カタディオプトリック光学系の全体の３次のペッツバール和をＰ（ｓｕｍ）としたときに、
｜Ｐ（ｓｕｍ）｜＜｜Ｐ（Ｌ１）｜
を満たすことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項９】
前記カタディオプトリック光学系の全長をＴＴとし、前記物体面と前記物体面に最も近いパワー面との距離をＳ１としたときに、
Ｓ１／ＴＴ＞０．１
を満たすことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項１０】
前記物体面から前記物体面に最も近いパワー面までの距離をＳ１とし、最終パワー面から前記像面までの距離をＳｋとしたときに、
Ｓｋ／Ｓ１＜３．０
を満たすことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項１１】
前記物体面から射出する光の進行方向と前記像面に入射するおける光の進行方向が同じである、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項１２】
前記カタディオプトリック光学系の瞳位置が前記第１反射面と前記第２反射面との間に位置する、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項１３】
前記物体面の近傍および前記像面の近傍の少なくとも一方に、テレセントリック性を補正するための非球面レンズを更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項１４】
前記物体面と前記第１反射面との間に配置された屈折面に形成されている光学膜と、前記第２反射面と前記第３反射面との間に配置された屈折面に形成されている光学膜とは、互いに種類が異なることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系を有することを特徴とする照明光学系。
【請求項１６】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のカタディオプトリック光学系を有する露光装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の露光装置によって基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月26日(2019.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、画素とを備え、
前記画素は、
第１の電極部と、
前記第１の電極部および前記半導体基板の間に配された第２の電極部と、
前記第１の電極部および前記第２の電極部の間に配された光電変換層と、
前記光電変換層と前記第２の電極部との間に配されるとともに、前記光電変換層から第１の極性の電荷を前記第２の電極部に注入させ、前記第１の極性とは反対の第２の極性の電荷の前記光電変換層から前記第２の電極部への注入を抑制するブロッキング部と、
前記第１の極性の電荷が前記光電変換層から前記第２の電極部に注入されるように、前記第１の電極部と前記第２の電極部の一方に第１の電圧を供給し、
前記電圧供給部は、前記第１の極性の電荷の前記光電変換層から前記第２の電極部への注入を抑制するように、前記第１の電極部と前記第２の電極部の前記一方に前記第１の電圧とは異なる電圧の第２の電圧を供給する電圧供給部とを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記ブロッキング部のエネルギーバンドが、前記光電変換層のエネルギーバンドに対して、前記第１の極性の電荷に対するポテンシャルが低く、前記第２の極性の電荷に対するポテンシャルが高いことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記光電変換層と前記第１の電極部との間に配され、前記第１の電極部から前記光電変換層への前記第１の極性の電荷の注入を抑制する第２のブロッキング部をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１の電極部、前記光電変換層、前記第２の電極部、前記ブロッキング部がフォトダイオードを形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記ブロッキング部と前記光電変換層とを形成する主たる元素が同じであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記ブロッキング部と前記光電変換層との各々の不純物濃度が異なることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記ブロッキング部と前記光電変換層の導電型が異なることを特徴とする請求項５または６に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記ブロッキング部が、第１の半導体材料で形成され、
前記光電変換層が、前記第１の半導体材料を形成する主たる元素とは異なる元素を主として含む第２の半導体材料で形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記ブロッキング部と前記光電変換層とがヘテロ接合を形成することを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
複数の前記画素を有し、
前記第１の電極部が、前記複数の画素に渡って形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置が出力する信号を処理することによって画像を生成する信号処理部とを有することを特徴とする撮像システム。
【請求項１２】
前記光電変換装置が出力する信号の信号レベルに基づいて、前記第２の電圧を変更する制御部をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の撮像システム。
【請求項１３】
前記光電変換装置が設けられた半導体基板と、前記信号処理部が設けられた半導体基板とが積層されていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の撮像システム。
【請求項１４】
前記画素が、前記第１の電極部と、前記第２の電極部と、前記光電変換層と、前記ブロッキング部とを各々が備える複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部に対応して設けられた１つのマイクロレンズとを有し、
前記信号処理部が、前記複数の光電変換部の一部の光電変換部の前記第１の極性の電荷に基づく信号と、前記複数の光電変換部の他の一部の光電変換部の前記第１の極性の電荷に基づく信号とを用いて、被写体の距離情報を取得することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上記の課題を鑑みて為されたものであり、一の態様は、半導体基板と、画素とを備え、前記画素は、第１の電極部と、前記第１の電極部および前記半導体基板の間に配された第２の電極部と、前記第１の電極部および前記第２の電極部の間に配された光電変換層と、前記光電変換層と前記第２の電極部との間に配されるとともに、前記光電変換層から第１の極性の電荷を前記第２の電極部に注入させ、前記第１の極性とは反対の第２の極性の電荷の前記光電変換層から前記第２の電極部への注入を抑制するブロッキング部と、前記第１の極性の電荷が前記光電変換層から前記第２の電極部に注入されるように、前記第１の電極部と前記第２の電極部の一方に第１の電圧を供給し、前記電圧供給部は、前記第１の極性の電荷の前記光電変換層から前記第２の電極部への注入を抑制するように、前記第１の電極部と前記第２の電極部の前記一方に前記第１の電圧とは異なる電圧の第２の電圧を供給する電圧供給部とを有することを特徴とする光電変換装置である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月23日(2020.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に配置された第１電極および前記第１電極の上に配置された部材を含む電極構造と、
前記電極構造における周辺部を覆う絶縁体と、
前記第１電極および前記絶縁体を覆う有機膜と、
前記有機膜を覆う第２電極と、を含み、
前記電極構造の上面は、前記絶縁体に接する第１部分と、前記有機膜に接し、導電部材からなる第２部分と、を有し、
前記電極構造の前記第１部分における反射率は、前記電極構造の前記第１部分より内側の部分である前記第２部分における反射率より低い、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１電極は、アルミニウム、銀、アルミニウム合金および銀合金の少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記部材は、チタンおよび窒化チタンの少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記部材は、前記第１電極の前記上面における前記第２部分を覆う部分を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２部分を覆う部分の膜厚は、前記第１部分の膜厚よりも小さい、
ことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
基板の上に配置された第１電極と、前記第１電極の上に配置され、導電部材からなる第２部分と、前記第２部分の周辺に配され、前記第２部分よりも膜厚が大きい第１部分と、を含む部材と、を有する電極構造と、
前記部材の第１部分に接する絶縁体と、
前記電極構造の第２部分および前記絶縁体を覆う有機膜と、
前記有機膜を覆う第２電極と、を含み、
前記第１電極はアルミニウムを含み、
前記部材はチタンを含む
ことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記有機膜は、前記絶縁体の上面に接するように配置されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１部分の厚さと前記第２部分の厚さとの差が５ｎｍ以上である、
ことを特徴とする請求項６または７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２部分の厚さは、８ｎｍ以下である、
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記基板と前記第１電極との間に配置され、前記電極構造を駆動する駆動回路と、
前記駆動回路と前記電極構造とを接続する接続プラグと、を更に備え、
前記接続プラグは、前記基板の表面に対する正射影において、前記第１部分の領域内に
配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記絶縁体は、前記電極構造の前記第２部分を露出させる開口を有し、前記有機膜は、前
記開口の中に配置された部分を含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記正射影において、前記開口と前記接続プラグとの最短距離が０．１μｍ以上かつ０．５μｍ以内である、
ことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記正射影において、前記第１電極の外側端と前記接続プラグとの最短距離が０．１μｍ以上かつ０．５μｍ以内である、
ことを特徴とする請求項１０または１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記絶縁体は、前記電極構造とそれに隣り合う電極構造との間に配置された溝を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記電極構造に入射する可視光の強度を１００パーセントとしたときに、前記第２部分で反射される可視光の強度が前記第１部分で反射される可視光の強度より５パーセント以上大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の表示装置と、
前記表示装置を駆動する駆動部と、
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１７】
基板の上に第１電極および前記第１電極の上の部材層を形成し、
前記部材層の上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜において、マスクを用い、前記第１電極と平面視において重なる部分の一部を除去して開口を形成することで、絶縁層を形成し、
前記絶縁層の前記開口の中で、前記マスクを用い、前記部材層の一部を除去して前記部材層に開口を形成することで、部材を形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記部材層の一部を除去する際、前記絶縁層に対する前記部材層のエッチング選択比が５以上である
ことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、表示装置に係り、前記表示装置は、基板の上に配置された第１電極および前記第１電極の上に配置された部材を含む電極構造と、前記電極構造における周辺部を覆う絶縁体と、前記第１電極および前記絶縁体を覆う有機膜と、前記有機膜を覆う第２電極と、を含み、前記電極構造の上面は、前記絶縁体に接する第１部分と、前記有機膜に接し、導電部材からなる第２部分と、を有し、前記電極構造の前記第１部分における反射率は、前記電極構造の前記第１部分より内側の部分である前記第２部分における反射率より低い。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月15日(2019.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１のパターン形成領域にインプリント材のパターンを形成した後で、前記第１のパターン形成領域の隣にある第２のパターン形成領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
エネルギーを与えることにより撥液性が増加する膜を前記基板上に形成する工程と、
前記膜の、前記第１のパターン形成領域と前記第２のパターン形成領域の間の領域に対応する部分に前記エネルギーを与え、前記第１のパターン形成領域にインプリント材を供給する工程と、
前記第１のパターン形成領域に供給された前記インプリント材に型のパターン部を接触させた状態で前記インプリント材を硬化し、硬化したインプリント材から前記型を離すことにより前記インプリント材のパターンを形成する工程と、を有する
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記膜は光を照射することにより撥液性が増加する膜であって、
前記インプリント材を供給する工程において、前記膜の、前記第１のパターン形成領域と前記第２のパターン形成領域の間の領域に対応する部分に前記光を照射することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記第１のパターン形成領域に供給された前記インプリント材に光を照射して硬化させるときに、前記第２のパターン形成領域と、前記第２のパターン形成領域の隣にあり前記第２のパターン形成領域にインプリント材のパターンを形成した後でインプリント材のパターンを形成する第３のパターン形成領域との間の領域に対応する部分に前記光を照射することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記第１のパターン形成領域、前記第２のパターン形成領域、又は前記第３のパターン形成領域は、前記基板の外周付近にあり一部が欠けているパターン形成領域であることを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項５】
光を遮る遮光部と光を透過させる透過部とを有するマスクに光を照射し、前記遮光部で前記光を遮り、前記第１のパターン形成領域と前記第２のパターン形成領域の間の領域に対応する部分に、前記透過部を透過した光を照射することを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
光を変調する空間光変調部を用いて、前記第１のパターン形成領域と前記第２のパターン形成領域の間の領域に対応する部分に、前記空間光変調部により変調された光を照射することを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
基板上のパターン形成領域のインプリント材に型のパターン部を接触させた状態で前記インプリント材を硬化し、硬化したインプリント材から前記型を離すことにより前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
エネルギーを与えることにより撥液性が増加する膜を前記基板上に形成する工程と、
前記膜の、前記パターン形成領域を囲む領域に対応する部分に前記エネルギーを与え、前記パターン形成領域に前記インプリント材を供給する工程と、を有する
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項８】
エネルギーを与えることにより撥液性が増加する膜が形成された基板上の第１のパターン形成領域にインプリント材のパターンを形成した後で、前記第１のパターン形成領域の隣にある第２のパターン形成領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板に前記インプリント材を供給する供給部と、を有し、
前記膜の、前記第１のパターン形成領域と前記第２のパターン形成領域の間の領域に対応する部分に前記エネルギーが与えられた前記基板上の前記第１のパターン形成領域にインプリント材を供給し、前記第１のパターン形成領域に供給された前記インプリント材に型の前記パターン部とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化し、硬化したインプリント材から前記型を離すことにより前記インプリント材のパターンを形成する
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
前記基板に光を照射する光照射部を有し、前記膜は光を照射することにより撥液性が増加する膜であって、
前記光照射部を用いて前記膜の、前記第１のパターン形成領域と前記第２のパターン形成領域の間の領域に対応する部分に前記光を照射する
ことを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
光を照射することにより撥液性が増加する膜が形成された基板上の第１のパターン形成領域にインプリント材のパターンを形成した後で、前記第１のパターン形成領域の隣にある第２のパターン形成領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に用いられる型であって、
光を遮光する遮光部と光を透過させる透過部とを有し、
前記遮光部は前記第２のパターン形成領域と、前記第１のパターン形成領域と前記第２のパターン形成領域の間の領域の外側の領域とに対応する形状を有し、かつ、前記透過部は前記第１のパターン形成領域と前記第２のパターン形成領域の間の領域に対応する形状を有することを特徴とする型。
【請求項１１】
前記光は紫外線であることを特徴とする、請求項１０に記載の型。
【請求項１２】
エネルギーを与えることにより撥液性が増加する膜を基板上に形成する工程と、
前記膜の、前記基板上の第１のパターン形成領域と前記第１のパターン形成領域の隣にある前記基板上の第２のパターン形成領域との間の領域に対応する部分に前記エネルギーを与え、前記第１のパターン形成領域にインプリント材を供給する工程と、
前記第１のパターン形成領域に供給された前記インプリント材に型のパターン部を接触させた状態で前記インプリント材を硬化し、硬化したインプリント材から前記型を離すことにより前記インプリント材のパターンを形成する工程と、
前記第１のパターン形成領域に前記パターンを形成した後で前記第２のパターン形成領域にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記第１のパターン形成領域及び前記第２のパターン形成領域に前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、を有し、
前記処理された前記基板を用いて物品を製造する
ことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の一側面としてのインプリント方法は、基板上の第１のパターン形成領域にインプリント材のパターンを形成した後で、前記第１のパターン形成領域の隣にある第２のパターン形成領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、エネルギーを与えることにより撥液性が増加する膜を前記基板上に形成する工程と、前記膜の、前記第１のパターン形成領域と前記第２のパターン形成領域の間の領域に対応する部分に前記エネルギーを与え、前記第１のパターン形成領域にインプリント材を供給する工程と、前記第１のパターン形成領域に供給された前記インプリント材に型のパターン部を接触させた状態で前記インプリント材を硬化し、硬化したインプリント材から前記型を離すことにより前記インプリント材のパターンを形成する工程と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月2日(2020.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
履修モデルに対する履修目標を記憶する記憶手段と通信可能な情報処理装置であって、
履修科目の履修実績を取得する取得手段と、
選択された履修モデルを受け付けるモデル受付手段と、
前記受け付けた履修モデルに対応する履修科目の履修実績に基づいて、履修目標の達成状況を出力する出力制御手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記出力制御手段は、選択済みの履修モデルの履修目標の達成状況を出力することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記出力制御手段は、選択済みの履修モデルの履修目標の達成状況と、前記受け付けた履修モデルの履修目標の達成状況とを対比して表示すべく出力することを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記選択された履修モデルを、選択済みの履修モデルとして変更を受け付けるモデル変更受付手段を備える請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
選択済みの履修モデルに対応する履修科目の履修実績に基づいて、選択済みの履修モデルの変更要否を判定する判定手段と、
前記選択済みの履修モデルの変更が必要と判定された場合に、変更する履修モデルの候補を提示する候補提示手段と
を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記判定手段は、選択済みの履修モデルに対応する履修科目の履修実績と、履修にかかる経過期間とに基づいて、前記選択済みの履修モデルの変更要否を判定することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記候補提示手段は、履修モデルの履修目標の達成状況に基づいて、変更する履修モデルの候補を選出することを特徴とする請求項５または６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
履修モデルに対する履修目標を記憶する記憶手段と通信可能な情報処理装置であって、
履修科目の履修実績を取得する取得手段と、
履修モデルに対応する履修科目の履修実績による履修目標の達成状況に基づいて、選択を受け付ける履修モデルの候補を提示すべく出力する出力制御手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項９】
前記履修モデルの候補から選択を受け付けることにより、当該選択された履修モデルに対応する履修科目の履修実績を出力する詳細出力制御手段を備えることを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置
【請求項１０】
履修モデルに対する履修目標を記憶する記憶手段と通信可能な情報処理装置の制御方法であって、
取得手段が、履修科目の履修実績を取得する取得ステップと、
モデル受付手段が、選択された履修モデルを受け付けるモデル受付ステップと、
出力制御手段が、前記受け付けた履修モデルに対応する履修科目の履修実績に基づいて、履修目標の達成状況を出力する出力制御ステップと
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１１】
履修モデルに対する履修目標を記憶する記憶手段と通信可能な情報処理装置の制御方法であって、
取得手段が、履修科目の履修実績を取得する取得ステップと、
出力制御手段が、履修モデルに対応する履修科目の履修実績による履修目標の達成状況に基づいて、選択を受け付ける履修モデルの候補を提示すべく出力する出力制御ステップと
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１２】
情報処理装置を、請求項１〜９のいずれか１項に記載の手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そこで、本発明の目的は、履修実績に基づいて履修モデルの履修目標に対する達成状況を確認可能な仕組みを提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、履修モデルに対する履修目標を記憶する記憶手段と通信可能な情報処理装置であって、履修科目の履修実績を取得する取得手段と、選択された履修モデルを受け付けるモデル受付手段と、前記受け付けた履修モデルに対応する履修科目の履修実績に基づいて、履修目標の達成状況を出力する出力制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、履修実績に基づいて履修モデルの履修目標に対する達成状況を確認することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月19日(2020.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
各不動産物件の住所及び管理状況を含む不動産管理情報から、顧客の住所に係る不動産管理情報を取得するステップと、
取得した不動産管理情報に含まれる不動産物件の管理状況に基づいて、前記顧客の転居の有無を判定するステップと
を有する、転居管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の一の態様の転居管理方法は、各不動産物件の住所及び管理状況を含む不動産管理情報から、顧客の住所に係る不動産管理情報を取得するステップと、取得した不動産管理情報に含まれる不動産物件の管理状況に基づいて、前記顧客の転居の有無を判定するステップとを有する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月3日(2019.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から像側へ順に配置された、保護カバーと撮像部とを有する撮像光学系であって、
前記保護カバーは、樹脂から形成された１枚のレンズからなり、前記保護カバーの少なくとも１つのレンズ面は、頂点から周辺部にかけて形状が連続的に変化する非球面形状を有し、
前記非球面形状を有するレンズ面の有効径を２×ｈａとし、光軸からの高さｈａにおける、前記非球面形状を有するレンズ面と、該非球面形状を有するレンズ面の参照球面との光軸上における距離をＡＳＰｓａｇ１とし、前記保護カバーの光軸上における厚さをｔｃとし、前記保護カバーの焦点距離をｆｃとし、前記撮像部の焦点距離（但し、撮像部がズームレンズの場合は、広角端での焦点距離）をｆａとして、
０．０５＜|ＡＳＰｓａｇ１／ｔｃ|＜５．００
０．００＜｜ｆａ／ｆｃ｜＜０．２５
なる条件式を満足することを特徴とする撮像光学系。
【請求項２】
前記保護カバーの有効径をＥｃとし、前記撮像部の最も物体側のレンズ面の有効径をＥｇ１として、
１．０＜Ｅｃ／Ｅｇ１＜５．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１に記載の撮像光学系。
【請求項３】
０．４＜ｔｃ／ｆａ＜４．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の撮像光学系。
【請求項４】
前記保護カバーの物体側のレンズ面の近軸曲率半径および像側のレンズ面の近軸曲率半径をそれぞれｃｒ１およびｃｒ２として、
−２．０＜(ｃｒ１−ｃｒ２)／(ｃｒ１＋ｃｒ２)＜１．５
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか１項に記載の撮像光学系。
【請求項５】
前記非球面形状を有するレンズ面の光軸からの高さｈａ／２における前記非球面形状を有するレンズ面と、前記非球面形状を有するレンズ面の参照球面との光軸上における距離をＡＳＰｓａｇ０．５として、
４．０＜|ＡＳＰｓａｇ１／ＡＳＰｓａｇ０．５|＜８０．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちいずれか１項に記載の撮像光学系。
【請求項６】
請求項１乃至ないし請求項５のうちいずれか１項に記載の撮像光学系と、
前記撮像光学系によって形成された像を受光する撮像素子と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
前記撮像素子の撮像面において光軸から最も離れた位置に入射する主光線の前記保護カバーにおける光路長をｔａとして、
０．２＜ｔｃ／ｔａ＜１．５
なる条件式を満足することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、例えば、小型、広画角、全ズーム範囲にわたる高い光学性能の点で有利な撮像光学系の提供を目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の撮像光学系は、物体側から像側へ順に配置された、保護カバーと撮像部とを有する撮像光学系であって、
前記保護カバーは、樹脂から形成された１枚のレンズからなり、前記保護カバーの少なくとも１つのレンズ面は、頂点から周辺部にかけて形状が連続的に変化する非球面形状を有し、
前記非球面形状を有するレンズ面の有効径を２×ｈａとし、光軸からの高さｈａにおける、前記非球面形状を有するレンズ面と、該非球面形状を有するレンズ面の参照球面との光軸上における距離をＡＳＰｓａｇ１とし、前記保護カバーの光軸上における厚さをｔｃとし、前記保護カバーの焦点距離をｆｃとし、前記撮像部の焦点距離（但し、撮像部がズームレンズの場合は、広角端での焦点距離）をｆａとして、
０．０５＜|ＡＳＰｓａｇ１／ｔｃ|＜５．００
０．００＜｜ｆａ／ｆｃ｜＜０．２５
なる条件式を満足することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、例えば、小型、広画角、全ズーム範囲にわたる高い光学性能の点で有利な撮像光学系の提供ができる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月29日(2019.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基板と、
前記基板の少なくとも一方面上に設けられる光学調整層と、を備え、
前記光学調整層は、光吸収特性を有する金属Ａ、金属Ａの酸化物ＡＯ及び金属Ａの窒化物ＡＮからなる群から選択される少なくとも１つの光吸収材料で形成された第１及び第２光吸収層と、前記金属Ａと異なる金属元素である金属Ｂの酸化物ＢＯで形成された第１及び第２中間層とを有し、
前記光学調整層は、前記基板側から第１光吸収層、第１中間層、第２中間層及び第２光吸収層の順に積層され、前記第２中間層の酸化数が前記第１中間層の酸化数よりも大きいことを特徴とする光学フィルタ。
【請求項２】
光透過性を有する基板と、
前記基板の少なくとも一方面上に設けられる光学調整層と、を備え、
前記光学調整層は、光吸収特性を有する金属Ａ、金属Ａの酸化物ＡＯ及び金属Ａの窒化物ＡＮからなる群から選択される少なくとも１つの光吸収材料で形成された第１及び第２光吸収層と、前記金属Ａと異なる金属元素である金属Ｂの酸化物ＢＯで形成された第１中間層と、前記金属Ｂの窒化物ＢＮで形成された第２中間層とを有し、
前記光学調整層は、前記基板側から第１光吸収層、第１中間層、第２中間層及び第２光吸収層の順に積層されたことを特徴とする光学フィルタ。
【請求項３】
前記第１中間層の厚みは、前記第２中間層の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１または２に記載の光学フィルタ。
【請求項４】
可視波長における前記第１中間層の消衰係数は、可視波長における前記第２中間層の消衰係数よりも大きいことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の光学フィルタ。
【請求項５】
前記金属Ａは、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｔａであり、前記金属Ｂは、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項６】
前記光学調整層は、前記基板の一方面上に複数層設けられ、
複数層で構成された前記光学調整層の間には、金属Ｂの酸化物ＢＯで形成される他の中間層が設けられたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項７】
前記光学調整層は、前記基板の一方面上に設けられる第１光学調整層と、前記基板の他方面上に設けられる第２光学調整層とを有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項８】
前記基板の一方面上には、前記金属Ｂの酸化物ＢＯで形成される下地層が設けられ、
前記光学調整層は、前記下地層の上に積層されたことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項９】
前記基板の少なくとも一面に赤外カット膜が形成されたことを特徴とした請求項１から８に記載のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の光学フィルタと、前記光学フィルタを通過した像を撮像する撮像素子と、を備えた撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の光学フィルタは、光透過性を有する基板と、前記基板の少なくとも一方面上に設けられる光学調整層と、を備え、前記光学調整層は、光吸収特性を有する金属Ａ、金属Ａの酸化物ＡＯ及び金属Ａの窒化物ＡＮからなる群から選択される少なくとも１つの光吸収材料で形成された第１及び第２光吸収層と、前記金属Ａと異なる金属元素である金属Ｂの酸化物ＢＯで形成された第１及び第２中間層とを有し、
前記光学調整層は、前記基板側から第１光吸収層、第１中間層、第２中間層及び第２光吸収層の順に積層され、前記第２中間層の酸化数が前記第１中間層の酸化数よりも大きいことを特徴とする。
また、上記課題を解決するために、本発明の光学フィルタは、光透過性を有する基板と、前記基板の少なくとも一方面上に設けられる光学調整層と、を備え、前記光学調整層は、光吸収特性を有する金属Ａ、金属Ａの酸化物ＡＯ及び金属Ａの窒化物ＡＮからなる群から選択される少なくとも１つの光吸収材料で形成された第１及び第２光吸収層と、前記金属Ａと異なる金属元素である金属Ｂの酸化物ＢＯで形成された第１中間層と、前記金属Ｂの窒化物ＢＮで形成された第２中間層とを有し、前記光学調整層は、前記基板側から第１光吸収層、第１中間層、第２中間層及び第２光吸収層の順に積層されたことを特徴とする。