(57)【要約】基板（１０）と、基板（１０）上に搭載される電子部品（２０）と、電子部品（２０）上に直接またはスペーサ（５０）を介して設けられた放熱板（３０）と、を有し、放熱板（３０）の電子部品（２０）と対向する側の第１の面には、誘電体層と、前記誘電体層の内部または第１の面上に、前記誘電体層の前記第１の面と反対側の面である第２の面と対向するように設けられ、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有している第１導体と、を備える少なくとも一種類の構造体（４０）が、誘電体層の前記第１の面と反対側の面である第２の面において放熱板（３０）の第１の面と接するように設けられている電子機器を提供する。
2011070735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に搭載される電子部品と、
前記電子部品上に直接またはスペーサを介して設けられた放熱板と、
を有し、
前記放熱板の前記電子部品と対向する側の第１の面には、
誘電体層と、
前記誘電体層の内部または第１の面上に、前記誘電体層の前記第１の面と反対側の面である第２の面と対向するように設けられ、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有している第１導体と、
を備える少なくとも一種類の構造体が、前記誘電体層の前記第２の面において前記放熱板の前記第１の面と接するように設けられている電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器において、
前記構造体はシートとして構成され、
前記誘電体層の少なくとも一部は、前記放熱板の前記第１の面に接着する接着層で構成され、
前記接着層は、前記誘電体層の前記第２の面を構成している電子機器。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に搭載された電子部品と、
前記電子部品上に直接またはスペーサを介して設けられた放熱板と、
を有し、
前記放熱板の前記電子部品と対向する側の第１の面には、
誘電体層と、
前記誘電体層の内部または第１の面上に、前記誘電体層の前記第１の面と反対側の面である第２の面と対向するように設けられ、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有している第１導体と、
前記誘電体層の前記第２の面に形成された第２導体と、
を備える少なくとも一種類の構造体が、前記第２導体が前記第１導体より前記放熱板の前記第１の面の近くに位置し、かつ、前記第２導体が前記放熱板の前記第１の面と導通するように設けられている電子機器。
【請求項４】
請求項３に記載の電子機器において、
前記構造体はシートとして構成され、
前記第２導体を介して前記誘電体層とは逆側に設けられており、前記放熱板の導電性を有する面に接着する接着層と、
前記接着層内に設けられ、前記第２導体と前記導電性を有する面とを導通させる導通部材と、
を備える電子機器。
【請求項５】
請求項４に記載の電子機器において、
前記導通部材は、前記接着層内に設けられたビアである電子機器。
【請求項６】
請求項４に記載の電子機器において、
前記導通部材は、前記接着層に混入された複数の導電性フィラーである電子機器。
【請求項７】
請求項１または２に記載の電子機器において、
第１の前記構造体と前記放熱板の前記第１の面とにより、少なくとも１種類以上のＥＢＧ構造を備えた第１のＥＢＧ構造体が構成されている電子機器。
【請求項８】
請求項３から６のいずれか一に記載の電子機器において、
第１の前記構造体は、少なくとも１種類以上のＥＢＧ構造を備えた第１のＥＢＧ構造体を構成している電子機器。
【請求項９】
請求項７または８に記載の電子機器において、
前記放熱板の前記第１の面は、長さｐの第１の辺と長さｑの第２の辺（ｐ≧ｑ）とで構成される矩形であり、
第１の前記ＥＢＧ構造体は、波長２ｐの電磁波をバンドギャップ帯域に含むＥＢＧ構造を備え、
前記放熱板の前記第１の面の少なくとも一部領域には、前記電子部品または前記スペーサと接する領域内から前記第１の辺と平行な方向に伸びる直線と交わるように、前記第１のＥＢＧ構造体が設けられている電子機器。
【請求項１０】
請求項７から９のいずれか一に記載の電子機器において、
前記放熱板の前記第１の面は、長さｐの第１の辺と長さｑの第２の辺（ｐ≧ｑ）とで構成される矩形であり、
第２の前記ＥＢＧ構造体は、波長２ｑの電磁波をバンドギャップ帯域に含むＥＢＧ構造を備え、
前記放熱板の前記第１の面の少なくとも一部領域には、前記電子部品または前記スペーサから前記第２の辺と平行な方向に伸びる直線と交わるように、前記第２のＥＢＧ構造体が設けられている電子機器。
【請求項１１】
請求項７または８に記載の電子機器において、
前記放熱板の前記第１の面は、長さａの第１の辺と長さｂの第２の辺（ａ＞ｂ）とで構成される矩形であり、
第３の前記ＥＢＧ構造体は、波長２ａの電磁波をバンドギャップ帯域に含む第１のＥＢＧ構造と、波長２ｂの電磁波をバンドギャップ帯域に含む第２のＥＢＧ構造と、を備え、
前記放熱板の前記第１の面の少なくとも一部領域には、前記電子部品または前記スペーサから前記第１の辺と平行な方向に伸びる直線、および、前記電子部品または前記スペーサから前記第２の辺と平行な方向に伸びる直線と交わるように、前記第３のＥＢＧ構造体が設けられている電子機器。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子機器において、
前記第１のＥＢＧ構造と前記第２のＥＢＧ構造は、交互に配列されている電子機器。
【請求項１３】
請求項７または８に記載の電子機器において、
前記放熱板の前記第１の面は矩形であり、
前記放熱板の前記第１の面の少なくとも一部領域には、前記電子部品または前記スペーサと接する領域内から前記矩形の辺と平行な方向に伸びる直線と交わるように、前記ＥＢＧ構造体が設けられている電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関する。より詳細には、ＩＣ等の電子部品を搭載するとともに、この電子部品が発する熱を放熱する放熱板を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に搭載されるＩＣ等の電子部品は、高速化・高機能化を実現するため高集積化されており、このため大電流を消費する。この大電流による発熱により電子部品が許容温度を超えないようにするため、電子部品上に放熱板が設けられる場合がある。この放熱板は、例えば金属構造体で構成され、電子部品で発生した熱が放熱板に伝わると、放熱板はこの熱を空気中に放熱する。【０００３】
このような放熱板を備えた場合、電子部品で発生したクロック信号の高調波成分等のノイズ（以下、単に「ノイズ」という）が、放熱板を介して空気中に放射されてしまうという問題が発生しうる。特に、放熱板に伝わったノイズと放熱板とが共振状態となる場合、極めて強いノイズが放射されてしまう。そこで、放熱板からノイズが放射されるのを抑制する手段が望まれている。【０００４】
ここで、特許文献１には、上記ノイズ放射の問題を解決することを目的とした電磁波吸収放熱型電子部品が記載されている。この電磁波吸収放熱型電子部品は、電子部品と放熱板とを、有機結合剤とカップリング剤を含むセンダスト軟磁性粉末とを混合した電磁波吸収接着剤で結合している。この構成によれば、電磁波吸収接着剤がノイズを吸収することで、電子部品で発生したノイズが放熱板に伝わるのを抑制することができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−５００２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の技術の場合、次のような問題がある。電子部品からの発熱を効率よく放熱板により放熱させるためには、電子部品と放熱板との間は十分小さな熱抵抗とする必要がある。しかし、特許文献１に記載の技術の場合、電子部品と放熱板との間に、電磁波を吸収するための電磁波吸収接着剤を備えている。この電磁波吸収接着剤により電磁波を十分に吸収するためには、電磁波吸収接着剤をある程度の厚さにする必要があるが、かかる場合、電磁波吸収接着剤による熱抵抗が大きくなってしまう。その結果、放熱板からの放熱が十分に実現されず、電子部品の許容温度を超えてしまう可能性がある。【０００７】
ところで、近年、電子部品に利用される周波数が高くなるに伴い、発生するノイズの帯域は高周波方向にシフトし、数ＧＨｚに達する。そこで、このような高周波のノイズが放熱板から放射されるのを抑制する技術が望まれている。【０００８】
本発明では、基板に搭載された電子部品上に放熱板を備えた電子機器であって、放熱板からノイズが放射されるのを効果的に抑制する手段を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、基板と、前記基板上に搭載される電子部品と、前記電子部品上に直接またはスペーサを介して設けられた放熱板と、を有し、前記放熱板の前記電子部品と対向する側の第１の面には、誘電体層と、前記誘電体層の内部または第１の面上に、前記誘電体層の前記第１の面と反対側の面である第２の面と対向するように設けられ、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有している第１導体と、を備える少なくとも一種類の構造体が、前記誘電体層の前記第２の面において前記放熱板の前記第１の面と接するように設けられている電子機器が提供される。【００１０】
また、本発明によれば、基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品上に直接またはスペーサを介して設けられた放熱板と、を有し、前記放熱板の前記電子部品と対向する側の第１の面には、誘電体層と、前記誘電体層の内部または第１の面上に、前記誘電体層の前記第１の面と反対側の面である第２の面と対向するように設けられ、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有している第１導体と、前記誘電体層の前記第２の面に形成された第２導体と、を備える少なくとも一種類の構造体が、前記第２導体が前記第１導体より前記放熱板の前記第１の面の近くに位置し、かつ、前記第２導体が前記放熱板の前記第１の面と導通するように設けられている電子機器が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電子部品で発生したノイズが、電子部品上に設けられた放熱板から放射されるのを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１の電子機器の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】実施形態１の電子機器の一例を模式的に示す平面図である。
【図３】実施形態１の電子機器の構造体および放熱板の一例を模式的に示す平面図である。
【図４Ａ】実施形態１の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図４Ｂ】実施形態１の電子機器の製造工程の一例を示す断面図である。
【図５】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図６】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造の一例の等価回路図である。
【図８Ａ】実施形態１の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図８Ｂ】実施形態１の電子機器の製造工程の一例を示す断面図である。
【図８Ｃ】実施形態１の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図８Ｄ】実施形態１の電子機器の構造体の一例を模式的に示す平面図である。
【図９】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造の一例の等価回路図である。
【図１０Ａ】実施形態１の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図１０Ｂ】実施形態１の電子機器の製造工程の一例を示す断面図である。
【図１０Ｃ】実施形態１の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図１０Ｄ】実施形態１の電子機器の構造体の一例を模式的に示す平面図である。
【図１１】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造の一例の等価回路図である。
【図１２Ａ】実施形態１の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図１２Ｂ】実施形態１の電子機器の製造工程の一例を示す断面図である。
【図１３】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造の一例の等価回路図である。
【図１４】実施形態１の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図１５】実施形態１の電子機器の構造体の島状導体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図１６】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図１７】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造体の一例を模式的に示す側面図である。
【図１８】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造の一例の等価回路図である。
【図１９】実施形態１の電子機器の構造体の島状導体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図２０】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図２１】実施形態１の構造体および放熱板により構成されるＥＢＧ構造の一例の等価回路図である。
【図２２】実施形態１の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図２３】実施形態２の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図２４】実施形態２の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図２５】実施形態２の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図２６】実施形態２の電子機器の構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図２７】実施形態２の電子機器の構造体の第２導体の一例を模式的に示す平面図である。
【図２８】実施形態２の電子機器の構造体の第２導体の一例を模式的に示す平面図である。
【図２９】実施形態２の構造体が備えるＥＢＧ構造体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図３０】実施形態２の構造体が備えるＥＢＧ構造体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図３１】実施形態３の電子機器の構造体および放熱板の一例を模式的に示す平面図である。
【図３２】実施形態３の電子機器の構造体および放熱板の一例を模式的に示す平面図である。
【図３３Ａ】図６に示すＥＢＧ構造の等価回路図である。
【図３３Ｂ】ＥＢＧ構造により伝播を抑制するノイズの周波数帯域を算出する式である。
【図３４】実施形態４の電子機器の構造体および放熱板の一例を模式的に示す平面図である。
【図３５】実施形態５の電子機器の構造体および放熱板の一例を模式的に示す平面図である。
【図３６】実施形態６の電子機器の構造体および放熱板の一例を模式的に示す平面図である。
【図３７】実施形態６の電子機器の構造体の一例を模式的に示す平面図である。
【図３８】実施形態６の電子機器の構造体の一例を模式的に示す平面図である。
【図３９】シミュレーションのサンプルを模式的に示す斜視図である。
【図４０】シミュレーション結果を示すグラフである。
【図４１】ＥＢＧ構造を備えた構造体を放熱板に取り付けた一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
＜実施形態１＞
＜＜実施形態１−１＞＞
【００１４】
図１は、本実施形態の電子機器の一例を模式的に示した断面図である。図１に示すように、本実施形態の電子機器は、基板１０と、電子部品２０と、放熱板３０と、を有する。そして、放熱板３０には、構造体４０が設けられている。図２は、図１の電子機器を図中上から下に向かって見た平面図である。
【００１５】
電子部品２０は、基板１０上に搭載される。図１中では、電子部品２０を模式的に四角形で示してある。電子部品２０は、素子を集積した回路であり、例えばＬＳＩなどが該当する。なお、電子部品２０が搭載される基板１０上の位置、数は設計的事項であり、図示するものに限定されない。
【００１６】
放熱板３０は、電子部品２０上にスペーサ５０を介して設けられる。放熱板３０は、熱伝導率の良い材料、例えば金属で構成される。その形状は、本実施形態においては特段制限されない。例えば、図１、２に示すように平面形状が長方形で一定の厚さを持った形状であってもよいし、または、平面形状が正方形、それ以外の多角形、円形、その他の形状であって、一定の厚さを持った形状であってもよい。スペーサ５０は、熱伝導率のよい材料、例えば磁性体を含む材料等で構成される。なお、図示するようにスペーサ５０を介するのでなく、電子部品２０上に直接放熱板３０を設けてもよい。
【００１７】
放熱板３０の電子部品２０と対向する側の第１の面（図中、下側の面）には、少なくとも一種類の構造体４０が設けられている。構造体４０は、放熱板３０の第１の面（図中、下側の面）におけるスペーサ５０（または電子部品２０）と接する領域の周辺に設けられるのが望ましい。ここで、図３に、図１の電子機器の基板１０と電子部品２０とスペーサ５０とを除いた構造を、図中下から上に向かって見た平面図を示す。図に示すように、構造体４０は、放熱板３０の第１の面３２におけるスペーサ５０（または電子部品２０）と接する領域３１を除いた略全面に設けられてもよい。構造体４０は、以下で説明するように、放熱板３０の第１の面３２におけるノイズの伝播を抑制する効果を有する。このような構造体４０を、放熱板３０の第１の面３２におけるスペーサ５０（または電子部品２０）と接する領域３１の周辺に設ければ、電子部品２０で発生し、領域３１を介して放熱板３０に伝わったノイズが、そこから周辺に広がっていくのを抑制することが可能となる。その結果、ノイズが放熱板３０から放射されるのを抑制することが実現される。なお、構造体４０は、放熱板３０の第１の面３２と反対側の面である第２の面（図１中、上側の面）に設けられてもよい。さらに、放熱板３０の側面に設けられてもよい。
【００１８】
ここで、構造体４０について詳細に説明する。本実施形態の構造体４０は、誘電体層と、第１導体と、を備え、誘電体層の第２の面が放熱板３０の第１の面（図１中、下側の面）と接するように設けられる。このように構成された構造体４０は、放熱板３０の第１の面（図１中、下側の面）とともに、少なくとも１種類以上のＥＢＧ構造を有するＥＢＧ構造体を構成する。そして、このＥＢＧ構造により、放熱板３０の第１の面（図１中、下側の面）におけるノイズの伝播を抑制する。以下本実施形態の構造体４０の具体化例についてより詳細に説明する。なお、本実施形態の構造体４０は、以下で説明する具体化例に限定されない。
【００１９】
図４Ａに、本実施形態の構造体４０の一例を模式的に示す。図４Ａは、構造体４０を放熱板３０に取り付けた状態を示す断面図である。
【００２０】
構造体４０は、誘電体層４５と、誘電体層４５の第１の面４６に形成され、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している第１導体と、を備える。繰り返し構造を有する第１導体は、例えば、互いに分離した複数の島状導体４１で構成される。第１導体は、誘電体層４５の第１の面４６と反対側の面である第２の面４７と対向するように設けられる。構造体４０は、誘電体層４５の第２の面４７において放熱板３０の第１の面３２と接するように設けられる。
【００２１】
構造体４０は例えばシートとして構成され、誘電体層４５の少なくとも一部は、放熱板３０の第１の面３２に接着する接着層４５Ｂで構成されてもよい。この接着層４５Ｂは誘電体層４５の第２の面４７を構成する。また、誘電体層４５の内部には、誘電体層４５の第２の面４７を貫通し、放熱板３０の第１の面３２と導通する接続部材４３が設けられる。以下、各構成について、より詳細に説明する。
【００２２】
誘電体層４５は、誘電体で構成される接着層４５Ｂと、誘電体で構成される層４５Ａにより構成されている。層４５Ａは、例えばフレキシブル性を有する基板であってもよい。さらに具体的には、例えばガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等であってもよい。層４５Ａは、単層であってもよいし、複層であってもよい。次に、接着層４５Ｂは、例えば接着剤で構成することができる。接着剤の原料としては特段制限されず、例えば天然ゴム、アクリル樹脂、シリコーン等を用いることができる。なお、層４５Ａ、接着層４５Ｂの厚さは、設計的事項である。
【００２３】
少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している第１導体は、繰り返し構造として、互いに分離した複数の島状導体４１を有する。この互いに分離した複数の島状導体４１は、周期的に設けられるのが望ましい。
【００２４】
なお、島状導体４１における「繰り返し」には、島状導体４１が部分的に欠落している場合も含まれる。また「周期的」には、一部の島状導体４１そのものの配置がずれている場合も含まれる。すなわち厳密な意味での周期性が崩れた場合においても、島状導体４１が繰り返し配置されている場合には、島状導体４１を構成要素の一部とするＥＢＧ構造のメタマテリアルとしての特性を得ることができるため、「周期性」にはある程度の欠陥が許容される。「少なくとも一部領域に」とは、構造体４０の平面全面に繰り返し構造を有してもよいし、一部に繰り返し構造を有してもよいことを意味する。すなわち、互いに分離した複数の島状導体４１は、構造体４０の平面全面に設けられてもよいし、一部に設けられてもよい。
【００２５】
島状導体４１の原料は特段制限されず、例えば銅等を選択できる。島状の形状についても特段制限されず、三角形、四角形、五角形、それ以上の頂点を有する多角形、円形等、あらゆる形状を選択できる。なお、大きさおよび／または形状が異なる２種類以上の島状導体４１を繰り返し配置することもできる。かかる場合、２種類以上の島状導体４１は、各種それぞれ周期的に配列されるのが望ましい。島状導体４１の大きさ、相互間隔等は、伝播を抑制するノイズの周波数に応じて定められる設計的事項である。
【００２６】
接続部材４３は、例えば銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成することができる。この接続部材４３は、放熱板３０の第１の面３２と導通するのみならず、一部または全部の島状導体４１と導通してもよい。図４Ａでは、接続部材４３すべてが島状導体４１と導通している。一部の島状導体４１と導通するよう接続部材４３が設けられる場合、この接続部材４３は、周期的に設けられてもよいし、周期的に設けられなくてもよい。しかし、接続部材４３を周期的に設けた場合、構造体４０と放熱板３０の導電性を有する第１の面３２とで構成されるＥＢＧ構造体はＢｒａｇｇ反射を起こし、バンドギャップ帯域が広がるため、周期的であるのが望ましい。ここでの「周期的」には、一部の接続部材４３そのものの配置がずれている場合も含まれる。
【００２７】
次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について、図４Ｂを用いて説明する。図４Ｂは、本実施形態の構造体４０の製造工程の一例を示す断面図である。
【００２８】
まず、（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層４５Ａ）の第１の面（図中、上側の面）に、銅箔４１を形成する。次に、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔４１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体４１）を形成する。その後、（３）に示すように、ドリルにより、島状導体４１と層４５Ａを貫通する穴を形成する。
【００２９】
次に、（４）に示すように、（３）で形成した穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（接続部材４３）を挿入する。
【００３０】
その後、（５）に示すように、層４５Ａの第２の面（図中、下側の面）に接着層４５Ｂを形成する。この接着層４５Ｂは、接続部材４３が接着層４５Ｂを貫通するように形成される。このように形成する具体的手段としては特段制限されないが、以下のような手段であってもよい。例えば、（４）で挿入する接続部材４３の長さを、挿入した状態で層４５Ａの第２の面（図中、下側の面）から一端が突出する程度に構成する。そして、接着層４５Ｂをシート状接着剤で構成し、シート状接着剤（接着層４５Ｂ）を層４５Ａの第２の面に形成する際に、シート状接着剤（接着層４５Ｂ）を強く押し込むことで、接続部材４３の一端をシート状接着剤（接着層４５Ｂ）の表面から突出させる。または、接着層４５Ｂを、流動性を有する接着剤で構成するようにし、層４５Ａの第２の面（図中、下側の面）にこの接着剤を塗布した後、スキージを用いて、接続部材４３の表面に塗布された接着剤を取り除くことで、接続部材４３を接着層４５Ｂの表面から突出させてもよい。次に、必要に応じて、互いに分離した複数の島状導体４１および層４５Ａの第１の面を覆う、非導電性の表面層（図示せず）を設ける。
【００３１】
その後、図４Ａに示すように、放熱板３０の第１の面３２の所望の位置に、接着層４５Ｂが放熱板３０の第１の面３２に接するように構造体４０を貼り付ける。この時、接続部材４３が放熱板３０の第１の面３２と接するように貼り付ける。
【００３２】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、上述の構造体４０と（図４Ａ参照）、放熱板３０の第１の面３２とにより、ＥＢＧ構造を構成する。図５、６に、本実施形態の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体の一例を模式的に示す。図５は、ＥＢＧ構造体の構成を模式的に示す斜視図であり、図６は、図５のＥＢＧ構造体の断面図である。図５、６に示すＥＢＧ構造体は、一種のＥＢＧ構造が周期的に配列されている。なお、図６に示すＥＢＧ構造体は、図４Ａに示す構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体の上下が逆になっている。
【００３３】
図５、６に示すＥＢＧ構造体は、シート状導体２と、互いに分離した複数の島状導体１と、複数の接続部材３と、を有する。シート状導体２は放熱板３０の第１の面３２に対応し（図４Ａ参照）、島状導体１は構造体４０の島状導体４１に対応し、接続部材３は構造体４０の接続部材４３に対応する。
【００３４】
複数の島状導体１は、平面視でシート状導体２と重なる領域であって、シート状導体２から離れた位置に、誘電体層（図示せず）を挟んで配置されている。また、複数の島状導体１は、周期的に配列されている。接続部材３は、複数の島状導体１のそれぞれを、シート状導体２に接続している。このＥＢＧ構造体は、１つの島状導体１と、当該島状導体１に対応して設けられた接続部材３と、シート状導体２の中の当該島状導体１に対向する領域とを含んで単位セルＡが構成されている。そして、この単位セルＡが繰り返し、例えば周期的に配置されることにより、この構造体はメタマテリアル、例えばＥＢＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｂａｎｄ  Ｇａｐ）として機能する。このＥＢＧ構造体は、いわゆるマッシュルーム構造を有するＥＢＧ構造を有し、複数の島状導体１とシート状導体２との間隔、接続部材３の太さ、複数の島状導体１の相互間隔等を調節することで、バンドギャップとなる周波数帯を調節することができる。
【００３５】
ここで、単位セルＡの「繰り返し」には、いずれかの単位セルＡにおいて構成の一部が欠落している場合も含まれる。また単位セルＡが２次元配列を有している場合には、「繰り返し」には単位セルＡが部分的に欠落している場合も含まれる。また「周期性」には、一部の単位セルＡにおいて構成要素（島状導体１、接続部材３）の一部がずれている場合や、一部の単位セルＡそのものの配置がずれている場合も含まれる。すなわち厳密な意味での周期性が崩れた場合においても、単位セルＡが繰り返し配置されている場合には、メタマテリアルとしての特性を得ることができるため、「周期性」にはある程度の欠陥が許容される。なお、これらの欠陥が生じる要因としては、単位セルＡの間に配線やビアを通す場合、既存の配線レイアウトにメタマテリアル構造を追加する場合において既存のビアやパターンによって単位セルＡが配置できない場合、製造誤差、及び既存のビアやパターンを単位セルの一部として用いる場合などが考えられる。上述の前提は、以下のすべての実施形態において同様である。
【００３６】
図７は、図６に示した単位セルＡの等価回路図である。図７に示すように、この単位セルＡは、隣り合う島状導体１間に生じるキャパシタンスＣ、および、接続部材３がつくるインダクタンスＬ、からなる。
【００３７】
このＥＢＧ構造体によれば、シート状導体２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、放熱板３０（図４Ａ参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体１（４１）どうしがキャパシタンスＣを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【００３８】
また、本実施形態の構造体４０は、図５、６に示すＥＢＧ構造体以外のＥＢＧ構造体を構成するための構造体４０よりも構成が比較的シンプルである。このため、製造工程を少なくすることができるほか、製造コストの面でも優れている。
【００３９】
ここで、図５、６に示すようなＥＢＧ構造体を備えたシートを単に放熱板３０の第１の面３２に取り付けただけでは、上述の効果を実現することはできない。以下、図４１を用い、この理由を説明する。
【００４０】
図４１は、ＥＢＧ構造体を備えたシート４００を、放熱板３００の面３０２に取り付けた状態を示す断面図である。図４１に示すシート４００は、図５、６に示すＥＢＧ構造体と同じＥＢＧ構造体を備えている。すなわち、このＥＢＧ構造体は、シート状導体４０２と、互いに分離した複数の島状導体４０１と、複数の接続部材４０３と、を有している。
【００４１】
図４１に示すように、通常、シート４００は、放熱板３００との接着性を確保するため、絶縁性の接着剤による層４０４を備える。この接着剤による層４０４は、図４１に示すように、ＥＢＧ構造体を備えたシート４００を放熱板３００に取り付けた状態において、シート状導体４０２と放熱板３００の面３０２との間に位置し、ＥＢＧ構造体を構成するシート状導体４０２と放熱板３００の面３０２とを、電気的に分離した状態とする。このように、放熱板３００の面３０２とＥＢＧ構造体とが電気的に分離された状態においては、放熱板３００の面３０２におけるノイズの伝播を抑制することはできない。かかる場合、放熱板３００に伝わったノイズは、面３０２の表面を伝播して周囲に広がり、そして、空気中に放射されてしまう。
【００４２】
本実施形態の電子機器は、上述の課題を解決している。具体的には、本実施形態の電子機器は、図４Ａに示すように、放熱板３０の第１の面３２がＥＢＧ構造体の一部を構成する。かかる場合、上述のように、放熱板３０の第１の面３２とＥＢＧ構造体とが電気的に分離した状態となることはない。すなわち、本実施形態の電子機器によれば、放熱板３０の第１の面３２を利用して構成したＥＢＧ構造体により、放熱板３０の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、ＥＢＧ構造体付近、すなわち放熱板３０の第１の面３２付近におけるノイズの伝播を抑制できる。なお、以下で説明するすべての実施形態１の電子機器は、上述の課題を、上述と同様の解決手段により解決している。
＜＜実施形態１−２＞＞
【００４３】
本実施形態の電子機器は、実施形態１−１の電子機器を基本とし、構造体４０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１−１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００４４】
図８Ａは、本実施形態の電子機器の一例を模式的に示した断面図である。この構造体４０は、実施形態１−１の構造体４０（図４Ａ参照）を基本とし、接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ）の形状が異なる。他の構成については、実施形態１−１の構造体４０と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００４５】
本実施形態の接続部材４３は、導電性の第１接続部材４３Ａと、導電性の第２接続部材４３Ｂと、導電性の第３接続部材４３Ｃと、からなる。第１接続部材４３Ａは、一端が誘電体層４５の第２の面４７を貫通し第２の面４７から露出するとともに、他端側を介して第２接続部材４３Ｂと導通する。第１接続部材４３Ａの他端は、誘電体層４５の第１の面４６を貫通してもよい。この第１接続部材４３Ａは、島状導体４１に設けられた穴を島状導体４１と非接触な状態で通過している。第２接続部材４３Ｂは、第１接続部４３Ａと導通し、島状導体４１と対向するように設けられる。この第２接続部材４３Ｂの平面形状は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、スパイラル形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。第３接続部材４３Ｃは、一端側を介して第２接続部材４３Ｂと導通し、誘電体層４５の第２の面４７方向に伸びた他端側を介して島状導体４１と導通している。他端は、誘電体層４５の第１の面４６を貫通してもよい。ここで、第２接続部材４３Ｂをスパイラル形状にした場合の一例を、図８Ｃ、８Ｄに示す。図８Ｃは、図８Ｄのイ−イ´の断面図であり、図８Ｄは、図８Ｃを図中下から上に見た平面図である。なお、図８Ｃ、８Ｄにおいては、構成をより明確にするため、各構成要素に付すハッチングを、他の図とは異なった態様にしている。また、図８Ｃにおいては、構造体４０のみを示している。
【００４６】
図８Ａ、８Ｃに示した構造体４０と、図８Ａに示した放熱板３０の第１の面３２とで構成されるＥＢＧ構造体は、接続部材４３Ｂを含んで形成されるマイクロストリップ線路がショートスタブとして機能するショートスタブ型のＥＢＧ構造を有する。詳細には、接続部材４３Ａはインダクタンスを形成している。また、接続部材４３Ｂは、対向する島状導体４１と電気的に結合することで島状導体４１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。マイクロストリップ線路の一端は第３接続部材４３Ｃによってショート端となっており、ショートスタブとして機能するように構成されている。
【００４７】
次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について、図８Ｂを用いて説明する。図８Ｂは、本実施形態の構造体４０の製造工程の一例を示す断面図である。
【００４８】
まず、（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層４５Ａ（１））の第１の面（図中、上側の面）に銅箔４３Ｂを形成し、第２の面（図中、下側の面）に銅箔４１を形成する。次に、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔４１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体４１）を形成する。また、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔４３Ｂの一部を選択的にエッチングすることでパターン（第２接続部材４３Ｂ）を形成する。なお、島状導体４１は、第１接続部材４３Ａを通過させるための穴を設けたパターンに形成される。この穴は、第１接続部材４３Ａの径より大きく設けられる。
【００４９】
その後、ドリルにより、第２接続部材４３Ｂと層４５Ａ（１）と島状導体４１とを貫通する穴を形成し、この穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（第３接続部材４３Ｃ）を挿入することで、（３）に示す状態を得る。
【００５０】
次に、（４）に示すように、層４５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）の上に、さらに誘電体層４５Ａ（２）を形成する。例えば、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等のフレキシブル性を有する新たな基板（層４５Ａ（２））を用意し、この基板（層４５Ａ（２））の第１の面（図中、上側の面）を、層４５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）に貼り付けることで実現してもよい。このように、本実施形態では、島状導体４１（第１導体）は、層４５Ａ（１）、４５Ａ（２）で構成される誘電体層の内部に設けられる。
【００５１】
その後、（５）に示すように、ドリルを用いて、第２接続部材４３Ｂと層４５Ａ（１）、４５Ａ（２）と島状導体４１とを貫通する穴を形成する。この穴は、（２）で島状導体４１に設けられた穴よりも径が小さく、かつ、島状導体４１に非接触な状態で、この穴を通過するようにドリルを貫通させることで形成される。その後、（６）に示すように、（５）で形成した穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（第１接続部材４３Ａ）を挿入する。
【００５２】
その後、（７）に示すように、層４５Ａ（２）の第２の面（図中、下側の面）に接着層４５Ｂを形成する。この接着層４５Ｂは、接続部材４３Ａが接着層４５Ｂを貫通するように形成される。このように形成する具体的手段は、実施形態１−１で説明した手段と同様の手段を用いることができる。次に、必要に応じて、互いに分離した複数の島状導体４１および層４５Ａ（１）の第１の面を覆う、非導電性の表面層（図示せず）を設ける。
【００５３】
その後、図８Ａに示すように、放熱板３０の第１の面３２の所望の位置に、接着層４５Ｂが放熱板３０の第１の面３２に接するように構造体４０を貼り付ける。この時、接続部材４３の第１接続部材４３Ａが放熱板３０の第１の面３２と接するように貼り付ける。
【００５４】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体は、実施形態１−１の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体と異なる。
【００５５】
図８Ａ、８Ｃに示すＥＢＧ構造体は、１つの島状導体４１と、当該島状導体４１に対応して設けられた接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ）と、放熱板３０の第１の面３２の中の当該島状導体４１に対向する領域とを含んで単位セルＡが構成されている。
【００５６】
図９は、図８Ａ、８Ｃに示した単位セルＡの等価回路図である。図９に示すように、この単位セルＡは、インピーダンス部２３とアドミタンス部２４とで構成される。インピーダンス部２３は、隣り合う島状導体４１間に生じるキャパシタンスＣ、および、島状導体４１がつくるインダクタンスＬ、からなる。アドミタンス部２４は、放熱板３０の第１の面３２と島状導体４１とがつくるキャパシタンスＣ、および、第１接続部材４３ＡがつくるインダクタンスＬ、および、第２接続部材４３Ｂ（伝送線路）と第３接続部材４３Ｃとを含んでなるショートスタブ、からなる。
【００５７】
一般に、ＥＢＧ構造は、インピーダンス部２３がキャパシタンス性でありかつ、アドミタンス部２４がインダクタンス性となる周波数領域で電磁バンドギャップを生じることが知られている。図８Ａ、８Ｃ、９のショートスタブ型ＥＢＧ構造では、ショートスタブのスタブ長を長くすることによって、アドミタンス部２４がインダクタンス性となる周波数帯域を低周波化することができる。このため、バンドギャップ帯域を低周波化することが可能である。ショートスタブ型ＥＢＧ構造はバンドギャップ帯域の低周波化にスタブ長が必要であるが必ずしも面積を必要としないため、単位セルの小型化を図ることができる。
【００５８】
このＥＢＧ構造体によれば、放熱板３０（図８Ａ参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体４１どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【００５９】
また、本実施形態の構造体４０により構成されるＥＢＧ構造体（図８Ａ参照）は、特徴的な接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ）の構成により、図９に示したように多様なインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを形成することができる。その結果、所望の周波数帯のノイズの伝播を抑制するために要求されるインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを、島状導体４１や接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ）の大きさを必要以上に大きくすることなく得ることが可能となる。すなわち、単位セルＡの大きさを比較的小さくすることが可能となる。かかる場合、構造体４０の平面における単位面積あたりの単位セルＡの数を増やすことが可能となり、より効果的にノイズの伝播を抑制することが可能となる。
＜＜実施形態１−３＞＞
【００６０】
本実施形態の電子機器は、実施形態１−１の電子機器を基本とし、構造体４０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１−１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６１】
図１０Ａは、本実施形態の電子機器の一例を模式的に示した断面図である。この構造体４０は、実施形態１−１の構造体４０（図４Ａ参照）を基本とし、接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ）の形状が異なる。他の構成については、実施形態１−１の構造体４０と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６２】
本実施形態の接続部材４３は、導電性の第１接続部材４３Ａと、導電性の第２接続部材４３Ｂと、からなる。第１接続部材４３Ａは、一端が誘電体層４５の第２の面４７を貫通し第２の面４７から露出するとともに、他端側を介して第２接続部材４３Ｂと導通する。第１接続部材４３Ａの他端は、誘電体層４５の第１の面４６を貫通してもよい。この第１接続部材４３Ａは、島状導体４１に設けられた穴を島状導体４１と非接触な状態で通過している。第２接続部材４３Ｂは、第１接続部４３Ａと導通し、島状導体４１と対向するように設けられる。この第２接続部材４３Ｂの平面形状は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、スパイラル形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。第２接続部材４３Ｂの他端は開放端となっている。ここで、第２接続部材４３Ｂをスパイラル形状にした場合の一例を、図１０Ｃ、１０Ｄに示す。図１０Ｃは、図１０Ｄのロ−ロ´の断面図であり、図１０Ｄは、図１０Ｃを図中下から上に見た平面図である。なお、図１０Ｃ、１０Ｄにおいては、構成をより明確にするため、各構成要素に付すハッチングを、他の図とは異なった態様にしている。また、図１０Ｃにおいては、構造体４０のみを示している。
【００６３】
図１０Ａ、１０Ｃに示した構造体４０と、図１０Ａに示した放熱板３０の第１の面３２とで構成されるＥＢＧ構造体は、接続部材４３Ｂを含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造を有する。詳細には、接続部材４３Ａはインダクタンスを形成している。また、接続部材４３Ｂは、対向する島状導体４１と電気的に結合することで島状導体４１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。
【００６４】
次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について、図１０Ｂを用いて説明する。図１０Ｂは、本実施形態の構造体４０の製造工程の一例を示す断面図である。
【００６５】
まず、（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層４５Ａ（１））の第１の面（図中、上側の面）に銅箔４３Ｂを形成し、第２の面（図中、下側の面）に銅箔４１を形成する。次に、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔４１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体４１）を形成する。また、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔４３Ｂの一部を選択的にエッチングすることでパターン（第２接続部材４３Ｂ）を形成する。なお、島状導体４１は、第１接続部材４３Ａを通過させるための穴を設けたパターンに形成される。この穴は、第１接続部材４３Ａの径より大きく設けられる。
【００６６】
次に、（３）に示すように、層４５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）の上に、さらに誘電体層４５Ａ（２）を形成する。例えば、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等のフレキシブル性を有する新たな基板（層４５Ａ（２））を用意し、この基板（層４５Ａ（２））の第１の面（図中、上側の面）を、層４５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）に貼り付けることで実現してもよい。このように、本実施形態では、島状導体４１（第１導体）は、層４５Ａ（１）、４５Ａ（２）で構成される誘電体層の内部に設けられる。
【００６７】
その後、（４）に示すように、ドリルを用いて、第２接続部材４３Ｂと層４５Ａ（１）、４５Ａ（２）と島状導体４１とを貫通する穴を形成する。この穴は、（２）で島状導体４１に設けられた穴よりも径が小さく、かつ、島状導体４１に非接触な状態で、この穴を通過するようにドリルを貫通させることで形成される。その後、（５）に示すように、（４）で形成した穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（第１接続部材４３Ａ）を挿入する。
【００６８】
その後、（６）に示すように、層４５Ａ（２）の第２の面（図中、下側の面）に接着層４５Ｂを形成する。この接着層４５Ｂは、接続部材４３Ａが接着層４５Ｂを貫通するように形成される。このように形成する具体的手段は、実施形態１−１で説明した手段と同様の手段を用いることができる。次に、必要に応じて、互いに分離した複数の島状導体４１および層４５Ａ（１）の第１の面を覆う、非導電性の表面層（図示せず）を設ける。
【００６９】
その後、図１０Ａに示すように、放熱板３０の第１の面３２の所望の位置に、接着層４５Ｂが放熱板３０の第１の面３２に接するように構造体４０を貼り付ける。この時、接続部材４３の第１接続部材４３Ａが放熱板３０の第１の面３２と接するように貼り付ける。
【００７０】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体は、実施形態１−１および１−２の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体と異なる。
【００７１】
図１０Ａ、１０Ｃに示すＥＢＧ構造体は、１つの島状導体４１と、当該島状導体４１に対応して設けられた接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ）と、放熱板３０の第１の面３２の中の当該島状導体４１に対向する領域とを含んで単位セルＡが構成されている。
【００７２】
図１１は、図１０Ａ、１０Ｃに示した単位セルＡの等価回路図である。図１１に示すように、この単位セルＡは、インピーダンス部２３とアドミタンス部２４とで構成される。インピーダンス部２３は、隣り合う島状導体４１間に生じるキャパシタンスＣ、および、島状導体４１がつくるインダクタンスＬ、からなる。アドミタンス部２４は、放熱板３０の第１の面３２と島状導体４１とがつくるキャパシタンスＣ、および、第１接続部材４３ＡがつくるインダクタンスＬ、および、第２接続部材４３Ｂ（伝送線路）を含んでなるオープンスタブ、からなる。
【００７３】
一般に、ＥＢＧ構造は、インピーダンス部２３がキャパシタンス性でありかつ、アドミタンス部２４がインダクタンス性となる周波数領域で電磁バンドギャップを生じることが知られている。図１０Ａ、１０Ｃ、１１のオープンスタブ型ＥＢＧ構造では、オープンスタブのスタブ長を長くすることによって、アドミタンス部２４がインダクタンス性となる周波数帯域を低周波化することができる。このため、バンドギャップ帯域を低周波化することが可能である。オープンスタブ型ＥＢＧ構造はバンドギャップ帯域の低周波化にスタブ長が必要であるが必ずしも面積を必要としないため、単位セルの小型化を図ることができる。
【００７４】
このＥＢＧ構造体によれば、放熱板３０（図１０Ａ参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体４１どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【００７５】
また、本実施形態の構造体４０により構成されるＥＢＧ構造体（図１０Ａ参照）は、特徴的な接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ）の構成により、図１１に示したように多様なインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを形成することができる。その結果、所望の周波数帯のノイズの伝播を抑制するために要求されるインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを、島状導体４１や接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ）の大きさを必要以上に大きくすることなく得ることが可能となる。すなわち、単位セルＡの大きさを比較的小さくすることが可能となる。かかる場合、構造体４０の平面における単位面積あたりの単位セルＡの数を増やすことが可能となり、より効果的にノイズの伝播を抑制することが可能となる。
＜＜実施形態１−４＞＞
【００７６】
本実施形態の電子機器は、実施形態１−１の電子機器を基本とし、構造体４０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１−１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００７７】
図１２Ａは、本実施形態の電子機器の一例を模式的に示した断面図である。この構造体４０は、実施形態１−１の構造体４０（図４Ａ参照）を基本とし、接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ）の形状が異なる。他の構成については、実施形態１−１の構造体４０と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００７８】
本実施形態の接続部材４３は、導電性の第１接続部材４３Ａと、導電性の第２接続部材４３Ｂと、からなる。第１接続部材４３Ａは、一端が誘電体層４５の第２の面４７を貫通し第２の面４７から露出するとともに、他端側を介して第２接続部材４３Ｂと導通する。第１接続部材４３Ａは、島状導体４１とは接触しない。第２接続部材４３Ｂは、第１接続部４３Ａと導通し、島状導体４１と対向するように設けられる。この第２接続部材４３Ｂの平面形状は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、スパイラル形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。第２接続部材４３Ｂの他端は開放端となっている。
【００７９】
図１２Ａに示した構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とで構成されるＥＢＧ構造体は、接続部材４３Ｂを含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造を有する。詳細には、接続部材４３Ａはインダクタンスを形成している。また、接続部材４３Ｂは、対向する島状導体４１と電気的に結合することで島状導体４１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。
【００８０】
次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について、図１２Ｂを用いて説明する。図１２Ｂは、本実施形態の構造体４０の製造工程の一例を示す断面図である。
【００８１】
まず、（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層４５Ａ（１））の第１の面（図中、上側の面）に銅箔４３Ｂを形成する。また、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等のフレキシブル性を有する他の基板（層４５Ａ（２））の第１の面（図中、上側の面）に銅箔４１を形成する。次に、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔４３Ｂの一部を選択的にエッチングすることでパターン（第２接続部材４３Ｂ）を形成する。また、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔４１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体４１）を形成する。
【００８２】
その後、（３）に示すように、ドリルにより、第２接続部材４３Ｂと層４５Ａ（１）を貫通する穴を形成する。次に、（４）に示すように、（３）で形成した穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（接続部材４３Ａ）を挿入する。
【００８３】
その後、（５）に示すように、層４５Ａ（１）の第１の面（図中、上側の面）に、層４５Ａ（２）の第２の面（図中、下側の面）が接するように貼り付ける。次に、（６）に示すように、層４５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）に接着層４５Ｂを形成する。この接着層４５Ｂは、接続部材４３Ａが接着層４５Ｂを貫通するように形成される。このように形成する具体的手段は、実施形態１−１で説明した手段と同様の手段を用いることができる。次に、必要に応じて、互いに分離した複数の島状導体４１および層４５Ａ（２）の第１の面を覆う、非導電性の表面層（図示せず）を設ける。
【００８４】
その後、図１２Ａに示すように、放熱板３０の第１の面３２の所望の位置に、接着層４５Ｂが放熱板３０の第１の面３２に接するように構造体４０を貼り付ける。この時、接続部材４３の第１接続部材４３Ａが放熱板３０の第１の面３２と接するように貼り付ける。
【００８５】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体は、実施形態１−１乃至１−３の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体と異なる。
【００８６】
図１２Ａに示すＥＢＧ構造体は、１つの島状導体４１と、当該島状導体４１に対応して設けられた接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ）と、放熱板３０の第１の面３２の中の当該島状導体４１に対向する領域とを含んで単位セルＡが構成されている。
【００８７】
図１３は、図１２Ａに示した単位セルＡの等価回路図である。この等価回路図は、実施形態１−３において説明した図１１の等価回路図と同じである。よって、ここでの説明は省略する。
【００８８】
このＥＢＧ構造体によれば、放熱板３０（図１２Ａ参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体４１どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【００８９】
また、本実施形態の構造体４０により構成されるＥＢＧ構造体（図１２Ａ参照）は、特徴的な接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ）の構成により、図１３に示したように多様なインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを形成することができる。その結果、所望の周波数帯のノイズの伝播を抑制するために要求されるインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを、島状導体４１や接続部材４３（４３Ａ、４３Ｂ）の大きさを必要以上に大きくすることなく得ることが可能となる。すなわち、単位セルＡの大きさを比較的小さくすることが可能となる。かかる場合、構造体４０の平面における単位面積あたりの単位セルＡの数を増やすことが可能となり、より効果的にノイズの伝播を抑制することが可能となる。
＜＜実施形態１−５＞＞
【００９０】
本実施形態の電子機器は、実施形態１−１の電子機器を基本とし、構造体４０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１−１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００９１】
図１４は、本実施形態の電子機器の一例を模式的に示した断面図である。本実施形態の構造体４０は、誘電体層４５と、誘電体層４５の第１の面４６に形成され、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している第１導体と、を備える。繰り返し構造を有する第１導体は、例えば、互いに分離した複数の島状導体４１で構成される。第１導体は、誘電体層４５の第１の面４６と反対側の面である第２の面４７と対向するように設けられる。構造体４０は、誘電体層４５の第２の面４７が放熱板３０の第１の面３２と接するように、放熱板３０に取り付けられる。
【００９２】
誘電体層４５の一部は放熱板３０の第１の面３２に接着する接着層４５Ｂで構成され、接着層４５Ｂは誘電体層４５の第２の面４７を構成する。
【００９３】
そして、複数の島状導体４１の一部または全部には、図１５の拡大斜視図に示すように、開口４１Ｂが設けられる。複数の島状導体４１の一部に開口４１Ｂが設けられる場合、開口４１Ｂは、周期的に設けられるのが望ましい。この開口４１Ｂの中には、一端が島状導体４１に接続している配線４１Ａが設けられる。開口４１Ｂの大きさ、配線４１Ａの長さ、太さなどは、伝播を抑制するノイズの周波数に応じて定められる設計的事項である。
【００９４】
次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について説明する。本実施形態の構造体４０は、図４Ｂの（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層４５Ａ）の第１の面に、銅箔４１を形成後、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔４１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体４１）を形成する。このフォトリソグラフィおよびエッチングにより、島状導体４１は、図１５に示すパターンに形成される。その後の工程は、実施形態１−１に準じて実現できる。よって、ここでの説明は省略する。
【００９５】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体は、実施形態１−１乃至１−４のいずれかの構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体と異なる。
【００９６】
図１６、１７に、本実施形態の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体の一例を模式的に示す。図１６は、ＥＢＧ構造体の構成を模式的に示す斜視図であり、図１７は、図１６のＥＢＧ構造体の側面図である。なお、このＥＢＧ構造体は、図１４に示す構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体の上下を逆にして示してある。
【００９７】
図１６、１７に示すＥＢＧ構造体は、シート状導体２と、互いに分離した複数の島状導体１と、島状導体１に設けられた開口１Ｂと、開口１Ｂの中に設けられた配線１Ａと、により構成される。複数の島状導体１は、平面視でシート状導体２と重なる領域であって、シート状導体２から離れた位置に、誘電体層（図示せず）を挟んで配置されている。また、複数の島状導体１は、周期的に配列されている。複数の島状導体１には開口１Ｂが設けられ、開口１Ｂの中には、一端が島状導体１に接続している配線１Ａが設けられている。配線１Ａはオープンスタブとして機能しており、シート状導体２のうち配線１Ａに対向する部分及び配線１Ａが、伝送線路、例えばマイクロストリップ線路を形成している。
【００９８】
このＥＢＧ構造体は、１つの島状導体１と、この島状導体１の開口１Ｂの中に設けられた配線１Ａと、シート状導体２の中のこれらに対向する領域とを含んで単位セルＡが構成されている。この単位セルＡが周期的に配置されることにより、この構造体はメタマテリアル、例えばＥＢＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｂａｎｄ  Ｇａｐ）として機能する。図１６、１７に示す例では、単位セルＡは平面視において２次元配列を有している。
【００９９】
複数の単位セルＡは互いに同一のＥＢＧ構造を有しており、同一の向きに配置されている。島状導体１および開口１Ｂは正方形で、中心が互いに重なるように配置されている。配線１Ａは開口１Ｂの一辺の略中央からこの辺に対して略垂直に延伸している。
【０１００】
図１８は、図１６、１７に示した単位セルＡの等価回路図である。図１８に示すように、シート状導体２と島状導体１との間にはキャパシタンスＣが形成される。また、隣り合う島状導体１の相互間にもキャパシタンスＣが形成される。そして、開口１Ｂを有する島状導体１にはインダクタンスＬが形成される。
【０１０１】
また、上記したように配線１Ａはオープンスタブとして機能しており、シート状導体２のうち配線１Ａに対向する部分と配線１Ａとが、伝送線路４、例えばマイクロストリップ線路を形成している。伝送線路の他端は開放端になっている。
【０１０２】
このＥＢＧ構造体によれば、シート状導体２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、放熱板３０（図１４参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体１（４１）どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【０１０３】
また、本実施形態の構造体４０は、実施形態１−１乃至実施形態１−４の構造体４０と違い、接続部材４３を有さないので、接続部材４３と放熱板３０の第１の面３２との導通を確保する手段を備える必要がない。その結果、品質安定性が高くなる。
＜＜実施形態１−６＞＞
【０１０４】
本実施形態の電子機器は、実施形態１−５の電子機器を基本とし、構造体４０の構成が一部異なる。具体的には、島状導体４１の開口４１Ｂの中の構成が異なる。他の構成については、実施形態１−５の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１０５】
本実施形態の電子機器の一例を模式的に示した断面図は、実施形態１−５（図１４参照）と同様である。次に、図１９に本実施形態の構造体４０の島状導体１１の拡大斜視図を示す。本実施形態の構造体４０は、複数の島状導体４１の一部または全部に、図１９に示すような、開口４１Ｂが設けられ、一部または全部の開口４１Ｂの中には、第２の島状導体４１Ｃおよび島状導体４１と第２の島状導体４１Ｃを接続する配線４１Ａが設けられている。
【０１０６】
本実施形態の電子機器の製造方法は、実施形態１−５で説明した電子機器の製造方法に準じて実現できるので、ここでの説明は省略する。
【０１０７】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体は、実施形態１−１乃至１−５のいずれかの構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体と異なる。
【０１０８】
図２０に、本実施形態の構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体の一例を模式的に示す。図２０は、ＥＢＧ構造体の構成を模式的に示す斜視図である。このＥＢＧ構造体の側面図は、実施形態１−５で説明したＥＢＧ構造体の側面図（図１７参照）と同様である。なお、このＥＢＧ構造体は、図１４に示す構造体４０と、放熱板３０の第１の面３２とにより構成されるＥＢＧ構造体の上下を逆にして示してある。
【０１０９】
図２０に示すＥＢＧ構造体は、シート状導体２と、互いに分離した複数の島状導体１と、島状導体１に設けられた開口１Ｂと、開口１Ｂの中に設けられた配線１Ａおよび第２の島状導体１Ｃと、により構成される。複数の島状導体１は、平面視でシート状導体２と重なる領域であって、シート状導体２から離れた位置に、誘電体層（図示せず）を挟んで配置されている。また、複数の島状導体１は、周期的に配列されている。複数の島状導体１には開口１Ｂが設けられ、開口１Ｂの中には、一端が島状導体１に接続している配線１Ａが設けられている。さらに、開口１Ｂの中には、配線１Ａの他端と接続している第２の島状導体１Ｃが設けられている。
【０１１０】
このＥＢＧ構造体は、１つの島状導体１と、この島状導体１の開口１Ｂの中に設けられた配線１Ａおよび第２の島状導体１Ｃと、シート状導体２の中のこれらに対向する領域とを含んで単位セルＡが構成されている。この単位セルＡが周期的に配置されることにより、この構造体はメタマテリアル、例えばＥＢＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｂａｎｄ  Ｇａｐ）として機能する。図２０に示す例では、単位セルＡは平面視において２次元配列を有している。
【０１１１】
複数の単位セルＡは互いに同一のＥＢＧ構造を有しており、同一の向きに配置されている。島状導体１および開口１Ｂおよび第２の島状導体１Ｃは正方形で、中心が互いに重なるように配置されている。配線１Ａは開口１Ｂの一辺の略中央からこの辺に対して略垂直に延伸している。そして、配線１Ａは、第２の島状導体１Ｃの第１の辺の中央と、開口１Ｂのうち第２の島状導体１Ｃの第１の辺に対向する辺の中央と、を接続している。
【０１１２】
図２１は、図２０に示した単位セルＡの等価回路図である。図２１に示すように、島状導体１とシート状導体２との間には、キャパシタンスＣが形成される。また、隣り合う島状導体１の相互間にもキャパシタンスＣが形成される。さらに、第２の島状導体１Ｃとシート状導体２との間にもキャパシタンスＣが形成される。そして、開口１Ｂを有する島状導体１にはインダクタンスＬが形成される。また、島状導体１と第２の島状導体１Ｃとを接続する配線１Ａは、インダクタンスＬを有する。
【０１１３】
このＥＢＧ構造体によれば、シート状導体２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、放熱板３０（図１４参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体１（４１）どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【０１１４】
また、本実施形態の構造体４０は、実施形態１−１乃至実施形態１−４の構造体４０と違い、接続部材４３を有さないので、接続部材４３と放熱板３０の第１の面３２との導通を確保する手段を備える必要がない。その結果、品質安定性が高くなる。
＜＜実施形態１−７＞＞
【０１１５】
本実施形態の電子機器は、実施形態１−１乃至１−６のいずれかの電子機器を基本とし、構造体４０の構成が異なる。具体的には、構造体４０の誘電体層４５の構成が異なる。他の構成については、実施形態１−１乃至１−６のいずれかの電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１１６】
図２２は、本実施形態の電子機器の一例を模式的に示した断面図である。本実施形態の構造体４０の誘電体層４５は接着層４５Ｂを有さない点で、実施形態１−１乃至実施形態１−６のいずれかの構造体４０と異なる。他の構成については、実施形態１−１乃至実施形態１−６のいずれかの構造体４０と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１１７】
接着層４５Ｂを有さない本実施形態の構造体４０は、例えば図２２の例に示すように、接着手段（接着剤など）を備えたテープ６０を用いて、誘電体層４５の第２の面４７が放熱板３０の第１の面３２と接するように、放熱板３０に取り付けられる。その他、糊、押しピン等の部材を用いて、誘電体層４５の第２の面４７が放熱板３０の第１の面３２と接するように、放熱板３０に取り付けられてもよい。
【０１１８】
なお、実施形態１−１乃至実施形態１−４のいずれかの構造体４０を基本とする場合、例えば図２２に示すように実施形態１−１の構造体４０を基本とする場合には、構造体４０に設けられた接続部材４３が放熱板３０の第１の面３２と導通するように、構造体４０を放熱板３０に取り付ける必要がある。
【０１１９】
本実施形態の電子機器によれば、放熱板３０（図２２参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体４１どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
＜実施形態２＞
【０１２０】
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器を基本とし、構造体４０の構成が異なる。構造体４０以外の他の構成については、実施形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。また、以下では構造体４０の相違する点を中心に説明し、共通する点の説明は省略する。
【０１２１】
本実施形態の構造体４０は、誘電体層と、当該誘電体層の内部または第１の面上に、誘電体層の第１の面と反対側の面である第２の面と対向するように設けられ、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有している第１導体と、当該誘電体層の第２の面に形成された第２導体と、を備える。そして、第２導体が第１導体より放熱板の第１の面の近くに位置し、かつ、第２導体が放熱板の第１の面と導通するように設けられる。
【０１２２】
本実施形態の構造体４０は、第１導体と第２導体を構成の一部または全部とする少なくとも１種類以上のＥＢＧ構造を有するＥＢＧ構造体を備える。例えば第１導体と第２導体のみでＥＢＧ構造を構成した、図１６または図２０に示すようなＥＢＧ構造体を備えてもよい。または、第１導体と第２導体に、さらに接続部材を加えてＥＢＧ構造を構成した、例えば図６に示すようなＥＢＧ構造体を備えてもよい。そして、本実施形態のノイズ抑制テープは、第２導体と放熱板の第１の面とが導通するように取り付けられる。すなわち、放熱板の第１の面と構造体４０が備えるＥＢＧ構造体とが電気的に繋がるように取り付けられる。
【０１２３】
本実施形態の電子機器は、上記構成により、実施形態１において図４１を用いて説明した課題を解決している。その結果、放熱板の第１の面におけるノイズの伝播を抑制し、放熱板からノイズが放射されるのを抑制することが可能となる。
【０１２４】
次に、本実施形態の構造体４０の具体化例についてより詳細に説明する。なお、本実施形態の構造体４０は、以下で説明する具体化例に限定されない。
＜＜実施形態２−１＞＞
【０１２５】
図２３は、本実施形態の電子機器を模式的に示した断面図である。本実施形態の構造体４０は、誘電体層４５と、誘電体層４５の内部または第１の面４６上に、誘電体層４５の第１の面４６と反対側の面である第２の面４７と対向するように設けられ、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有している第１導体と、誘電体層４５の第２の面４７に形成された第２導体４２と、を有する。繰り返し構造を有する第１導体は、例えば、互いに分離した複数の島状導体４１で構成される。この構造体４０は、第２導体４２が、誘電体層４５の第１の面４６に形成された第１導体より放熱板３０の第１の面３２の近くに位置するように、放熱板３０に取り付けられる。そして、この取り付けられた状態において、第２導体４２と放熱板３０の第１の面３２とが導通する。第２導体４２は、平面視で複数の島状導体４１と対向するように誘電体層４５の第２の面に延伸したシート状導体である。
【０１２６】
本実施形態の構造体４０は例えばシートとして構成され、接着層４４を備えてもよい。この接着層４４は、第２導体４２を介して誘電体層４５とは逆側に設けられ、放熱板３０の第１の面３２に接着する。また、本実施形態の構造体４０は、導通部材を備える。この導通部材は、接着層４４内に設けられ、第２導体４２と放熱板３０の第１の面３２とを導通させる。本実施形態の導通部材は、接着層４４に混入された複数の導電性フィラー４４Ａである。
【０１２７】
誘電体層４５の内部には、少なくとも第２導体４２と導通する接続部材４３が設けられてもよい。この接続部材４３は、図２３に示すように一部または全部の島状導体４１と導通してもよい。図２３に示す接続部材４３は、全部の島状導体４１と導通している。
【０１２８】
なお、接続部材４３の構成は図２３に示すものに限定されず、例えば、図８Ａ、８Ｃ、１０Ａ、１０Ｃ、１２Ａに示すような構成にすることができる。これらの図に示す接続部材４３については、実施形態１において説明したので、ここでの説明は省略する。
【０１２９】
また、接続部材４３を設けるかわりに、複数の島状導体４１の一部または全部には、図１５の拡大斜視図に示すように、開口４１Ｂが設けられ、開口４１Ｂの中には、一端が島状導体４１に接続している配線４１Ａが設けられてもよい。または、複数の島状導体４１の一部または全部には、図１９の拡大斜視図に示すように、開口４１Ｂが設けられ、一部または全部の開口４１Ｂの中には、第２の島状導体４１Ｃ、および、島状導体４１と第２の島状導体４１Ｃを接続する配線４１Ａが設けられていてもよい。
【０１３０】
ここで、本実施形態の電子機器は、実施形態１で説明した電子機器の製造方法に準じて製造することができる。よって、ここでの製造方法の詳細な説明は省略する。
【０１３１】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態の構造体４０は、第１導体と第２導体４２とを構成の一部または全部とする少なくとも１種のＥＢＧ構造を有するＥＢＧ構造体を備える。そして、放熱板３０の第１の面３２に取り付けられた状態において、第２導体４２と放熱板３０の第１の面３２との間に位置する複数の導電性フィラー４４Ａを混入された接着層４４により、第２導体４２と放熱板３０の第１の面３２とが導通する。すなわち、放熱板３０の第１の面３２と、構造体４０が備えるＥＢＧ構造体とが導通する。
【０１３２】
本実施形態の電子機器によれば、放熱板３０（図２３参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体４１どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【０１３３】
また、本実施形態の電子機器は、構造体４０の接着層４４に混入された複数の導電性フィラー４４Ａにより、第２導体４２と放熱板３０の第１の面３２との導通をとるので、比較的安定した導通の確保を実現することができる。
＜＜実施形態２−２＞＞
【０１３４】
図２４は、本実施形態の電子機器を模式的に示した断面図である。本実施形態の電子機器は、実施形態２−１の電子機器（図２３参照）を基本とし、接着層４４に設けられる導通部材の構成が異なる。他の構成については、実施形態２−１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１３５】
本実施形態の接着層４４に設けられる導通部材は、図２４に示すように、接着層４４内に設けられたビア４４Ｂである。ビア４４Ｂは、接続部材４３と一体となっていてもよい。ビア４４Ｂは、例えば銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成することができ、接着層４４を貫通している。このため、ビア４４Ｂにより、第２導体４２と放熱板３０の第１の面３２とが導通する。すなわち、放熱板３０の第１の面３２と、構造体４０に備えられたＥＢＧ構造体とが導通する。
【０１３６】
ここで、本実施形態の電子機器の製造方法は、実施形態１で説明した電子機器の製造方法を基本とし、さらに、構造体４０の製造工程の中に、以下で説明するビア４４Ｂの製造工程を付与することで実現することができる。
【０１３７】
実施形態１−１乃至１−４の構造体４０を基本とする実施形態２−２の構造体４０の場合は、例えば、図２４に示す島状導体４１及び誘電体層４５及び第２導体４２を積層した構造体を形成後、島状導体４１及び誘電体層４５及び第２導体４２を貫通する穴をドリルにより形成する。そして、この穴に、接続部材４３およびビア４４Ｂとなる、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピンを挿入する。
【０１３８】
実施形態１−５および１−６の構造体４０、すなわち接続部材４３を有さない構造体４０を基本とする実施形態２−２の構造体４０の場合は、例えば、誘電体層４５（図２４参照）の一つの面に、第２導体４２を所望の厚さよりも厚めに形成し、その後、第２導体４２の表面に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ビア４４Ｂ（凸形状）が構成されたパターンを形成する。
【０１３９】
本実施形態の電子機器によれば、放熱板３０（図２４参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体４１どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
＜＜実施形態２−３＞＞
【０１４０】
本実施形態の電子機器は、実施形態２−１または２−２の電子機器（図２３、２４参照）を基本とし、構造体４０が接着層４４を有さない点で異なる。他の構成については、実施形態２−１または２−２の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１４１】
接着層４４を有さない本実施形態の構造体４０は、例えば、接着手段（接着剤など）を備えたテープ、糊、押しピン等の部材を用いて、第２導体４２が放熱板３０の第１の面３２に接するように、放熱板３０に取り付けられる。この構成によれば、構造体４０の第２導体４２と放熱板３０の第１の面３２とが導通する。すなわち、放熱板３０の第１の面３２と、構造体４０に備えられたＥＢＧ構造体とが導通する。
【０１４２】
本実施形態の電子機器によれば、放熱板３０の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体４１どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
＜＜実施形態２−４＞＞
【０１４３】
図２５は、本実施形態の電子機器を模式的に示した断面図である。本実施形態の電子機器は、実施形態２−１の電子機器（図２３参照）を基本とし、第２導体４２は、複数の導電性フィラー４４Ａを混入された接着層４４である点で異なる。他の構成については、実施形態２−１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１４４】
この構成によれば、構造体４０が放熱板３０の第１の面３２に取り付けられた状態において、第２導体４２と放熱板３０の第１の面３２とが導通する。すなわち、放熱板３０の第１の面３２と、構造体４０に備えられたＥＢＧ構造体とが導通する。
【０１４５】
本実施形態の電子機器は、実施形態１で説明した電子機器の製造方法に準じて製造することができる。よって、ここでの詳細な説明は省略する。
【０１４６】
本実施形態の電子機器によれば、放熱板３０（図２５参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体４１どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【０１４７】
また、複数の導電性フィラーを混入された接着層４４が第２導体４２を構成しているので、製造工程を減らすことができるほか、原料コストを抑えることが可能となる。
＜＜実施形態２−５＞＞
【０１４８】
図２６は、本実施形態の電子機器を模式的に示した断面図である。本実施形態の電子機器は、実施形態２−２の電子機器（図２４参照）を基本とし、以下の点で異なる。すなわち、「実施形態２−２の電子機器の構造体４０は接続部材４３を設けてもよいし設けなくてもよいが、実施形態２−５の電子機器の構造体４０は接続部材４３を設けない点」、および、「接着層４４に設けられるビア４４Ｂの構成、および、第２導体４２の形状が異なる点」で相違する。
【０１４９】
図２７に、第２導体４２の平面形状の一例を模式的に示す。第２導体４２は開口４２Ｂを有する。この開口４２Ｂは、周期性をもって配列されている複数の島状導体４１のそれぞれと対向する位置に設けられる。また、この開口４２Ｂの中には、一端が第２導体４２と接続している配線４２Ａが設けられる。
【０１５０】
図２８に、第２導体４２の平面形状の他の一例を模式的に示す。第２導体４２は開口４２Ｂを有する。この開口４２Ｂは、島状導体４１と対向する位置に設けられる。また、この開口４２Ｂの中には、第２の島状導体４２Ｃ、および、第２導体４２と第２の島状導体４２Ｃとを接続する配線４２Ａが設けられる。
【０１５１】
ここで、実施形態２−５の電子機器の製造方法は、実施形態１で説明した電子機器の製造方法を基本とし、さらに、以下で説明するビア４４Ｂの製造工程および第２導体４２の製造工程を付与することで実現することができる。例えば、誘電体層４５（図２６参照）の一つの面に、第２導体４２となる導体膜を所望の厚さよりも厚めに形成し、その後、この導体膜の表面に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ビア４４Ｂが構成されたパターンを形成する。その後、ビア４４Ｂをマスクで覆った状態で、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、図２７または図２８に示すようなパターン（第２導体４２）を形成する。
【０１５２】
次に、上述のような第２導体４２と複数の島状導体４１とからなるＥＢＧ構造体を模式的に示した斜視図を図２９、３０に示す。なお、図２９のＥＢＧ構造体が有するＥＢＧ構造の等価回路図は、図１６のＥＢＧ構造体が有するＥＢＧ構造の等価回路図（図１８参照）において、キャパシタンスＣ、インダクタンスＬの位置を適当な位置に変更したものである。また、図３０のＥＢＧ構造の等価回路図は、図２０のＥＢＧ構造の等価回路図（図２１参照）において、キャパシタンスＣ、インダクタンスＬの位置を適当な位置に変更したものである。よって、図２９、３０に示すＥＢＧ構造体についての詳細な説明は省略する。
【０１５３】
次に、ビア４４Ｂの構成について説明する。本実施形態において、第２導体４２の形状は、上述のように、開口４２Ｂを有し、また、開口４２Ｂの中に、配線４２Ａ、または、配線４２Ａおよび第２の島状導体４２Ｃを有する。これらの電気的関係を維持するため、接着層４４は導電性を有さない接着剤で構成される。そして、この接着層４４の中に設けられるビア４４Ｂの位置は、第２導体４２のみと接する位置にするのが望ましい。
【０１５４】
本実施形態の電子機器は、接着層４４を貫通しているビア４４Ｂにより、第２導体４２と放熱板３０の第１の面３２とが導通する。すなわち、放熱板３０の第１の面３２と、構造体４０に備えられたＥＢＧ構造体とが導通する。
【０１５５】
本実施形態の電子機器によれば、放熱板３０（図２６参照）の第１の面３２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体４１どうしがキャパシタンスを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。すなわち、図１に示す基板１０と放熱板３０とに挟まれる空間内の、構造体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
＜実施形態３＞
【０１５６】
本実施形態の電子機器は、実施形態１または２を基本とし、以下の点で相違する。
【０１５７】
図３１に、本実施形態の電子機器の基板と電子部品とスペーサとを除いた構造を、図中下から上に向かって見た平面図の一例を示す。図３１に示すように、本実施形態の放熱板３０の第１の面３２は、長さｐの辺と長さｑの辺（ｐ≧ｑ）とで構成される矩形である。また、放熱板３０の第１の面３２の少なくとも一部領域には、スペーサ（または電子部品）と接する領域３１内から長さｐの辺と平行な方向に伸びる直線と交わるように構造体４０が設けられている。すなわち、ＥＢＧ構造体が設けられている。そして、このＥＢＧ構造体が備えるＥＢＧ構造は、波長２ｐの電磁波をバンドギャップ帯域に含んでいる。
【０１５８】
このような電子機器によれば、電子部品から領域３１を介して放熱板３０に伝わったノイズが、矩形の放熱板３０の長手方向に伝播するのを、ＥＢＧ構造体により抑制することが可能となる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【０１５９】
ここで、ノイズの半波長およびその整数倍と、放熱板３０の一辺の長さと、が略同一になると、ノイズと放熱板３０とが共振状態となり、極めて強いノイズが放射されることが知られている。これに対し、本実施形態の電子機器は、ＥＢＧ構造体により、共振状態となりうるノイズ（波長２ｐの電磁波）の伝播を抑制するよう構成されている。
【０１６０】
その結果、ノイズと放熱板３０とが共振状態となった場合であっても、放熱板３０から極めて強いノイズが放射されるのを抑制することが可能となる。
【０１６１】
なお、図３１に示した構造体４０の位置、すなわちＥＢＧ構造体を設ける位置はあくまで一例であり、上記条件を満たせば、その他、例えば図３２に示すような放熱板３０の第１の面３２の端部に設けてもよい。
【０１６２】
ここで、波長２ｐの電磁波をバンドギャップ帯域に含むＥＢＧ構造体を構成する手段の例を説明する。例えば、図６に示すＥＢＧ構造体の場合、隣り合う二つの島状導体１と、各島状導体１それぞれに接続した二つの接続部材３と、この島状導体１と対向するシート状導体２とで構成されるＥＢＧ構造は、図３３Ａに示す等価回路図で示すことができる。このような等価回路図で示されるＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域ｆは図３３Ｂに示す式により算出することができる。この式に従い、ＥＢＧ構造を構成するキャパシタンスＣおよび／またはインダクタンスＬを適当に調節することで、所望のｆ値を設定することができる。さらに具体的には、例えば隣り合う島状導体１間の距離を変更したり、島状導体１の大きさを変更したり、接続部材３の長さを変更したりすることで、キャパシタンスＣおよび／またはインダクタンスＬを適当に調節し、所望のｆ値を設定することができる。なお、その他のＥＢＧ構造を有するＥＢＧ構造体の場合も同様に、それぞれのＥＢＧ構造により定まるバンドギャップ帯域ｆを算出するための式に基づき、キャパシタンスＣおよび／またはインダクタンスＬを適当に調節することで、所望のｆ値を設定することができる。
＜実施形態４＞
【０１６３】
本実施形態の電子機器は、実施形態１または２を基本とし、以下の点で相違する。
【０１６４】
図３４に、本実施形態の電子機器の基板と電子部品とスペーサとを除いた構造を、図中下から上に向かって見た平面図の一例を示す。図３４に示すように、本実施形態の放熱板３０の第１の面３２は、長さｐの辺と長さｑの辺（ｐ≧ｑ）とで構成される矩形である。また、放熱板３０の第１の面３２の少なくとも一部領域には、スペーサ（または電子部品）と接する領域３１内から長さｑの辺と平行な方向に伸びる直線と交わるように構造体４０が設けられている。すなわち、ＥＢＧ構造体が設けられている。そして、このＥＢＧ構造体が備えるＥＢＧ構造は、波長２ｑの電磁波をバンドギャップ帯域に含んでいる。
【０１６５】
このような電子機器によれば、電子部品から領域３１を介して放熱板３０に伝わったノイズが、矩形の放熱板３０の短手方向に伝播するのを、ＥＢＧ構造体により抑制することが可能となる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【０１６６】
また、ノイズの半波長およびその整数倍と、放熱板３０の一辺の長さと、が略同一になると、ノイズと放熱板３０とが共振状態となり、極めて強いノイズが放射されることが知られているが、本実施形態の電子機器は、ＥＢＧ構造体により、共振状態となりうるノイズ（波長２ｑの電磁波）の伝播を抑制するよう構成されている。
【０１６７】
その結果、ノイズと放熱板３０とが共振状態となった場合であっても、放熱板３０から極めて強いノイズが放射されるのを抑制することが可能となる。
【０１６８】
なお、波長２ｑの電磁波をバンドギャップ帯域に含むＥＢＧ構造体を構成する手段は、実施形態３で説明した手段に準じて実現できるので、ここでの説明は省略する。
＜実施形態５＞
【０１６９】
本実施形態の電子機器は、実施形態１または２を基本とし、以下の点で相違する。
【０１７０】
図３５に、本実施形態の電子機器の基板と電子部品とスペーサとを除いた構造を、図中下から上に向かって見た平面図の一例を示す。図３５に示すように、本実施形態の放熱板３０の第１の面３２は、長さａの辺と長さｂの辺（ａ＞ｂ）とで構成される矩形である。また、放熱板３０の第１の面３２の少なくとも一部領域には、スペーサ（または電子部品）と接する領域３１内から長さａの辺と平行な方向に伸びる直線と交わるように第１の構造体４０Ａが設けられている。すなわち、第１のＥＢＧ構造体が設けられている。この第１のＥＢＧ構造体が備えるＥＢＧ構造は、波長２ａの電磁波をバンドギャップ帯域に含んでいる。さらに、放熱板３０の第１の面３２の少なくとも一部領域には、スペーサ（または電子部品）と接する領域３１内から長さｂの辺と平行な方向に伸びる直線と交わるように第２の構造体４０Ｂが設けられている。すなわち、第２のＥＢＧ構造体が設けられている。この第２のＥＢＧ構造体が備えるＥＢＧ構造は、波長２ｂの電磁波をバンドギャップ帯域に含んでいる。
【０１７１】
このような電子機器によれば、電子部品から領域３１を介して放熱板３０に伝わったノイズが、矩形の放熱板３０の辺方向に伝播するのを、ＥＢＧ構造体により抑制することが可能となる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【０１７２】
また、ノイズの半波長およびその整数倍と、放熱板３０の一辺の長さと、が略同一になると、ノイズと放熱板３０とが共振状態となり、極めて強いノイズが放射されることが知られているが、本実施形態の電子機器は、ＥＢＧ構造体により、共振状態となりうるノイズ（波長２ａの電磁波および波長２ｂの電磁波）の伝播を抑制するよう構成されている。
【０１７３】
その結果、ノイズと放熱板３０とが共振状態となった場合であっても、放熱板３０から極めて強いノイズが放射されるのを抑制することが可能となる。
【０１７４】
なお、波長２ａの電磁波をバンドギャップ帯域に含むＥＢＧ構造、および、波長２ｂの電磁波をバンドギャップ帯域に含むＥＢＧ構造を構成する手段は、実施形態３で説明した手段に準じて実現できるので、ここでの説明は省略する。
＜実施形態６＞
【０１７５】
本実施形態の電子機器は、実施形態１または２を基本とし、以下の点で相違する。
【０１７６】
図３６に、本実施形態の電子機器の基板と電子部品とスペーサとを除いた構造を、図中下から上に向かって見た平面図の一例を示す。図３６に示すように、本実施形態の放熱板３０の第１の面３２は、長さａの辺と長さｂの辺（ａ＞ｂ）とで構成される矩形である。また、放熱板３０の第１の面３２の少なくとも一部領域には、スペーサ（または電子部品）と接する領域３１内から長さａの辺または長さｂの辺と平行な方向に伸びる直線と交わるように構造体４０が設けられている。すなわち、ＥＢＧ構造体が設けられている。
【０１７７】
このＥＢＧ構造体は、少なくとも２種類のＥＢＧ構造を備える。種類が異なるＥＢＧ構造とは、等価回路および／またはバンドギャップ帯が異なるＥＢＧ構造を意味する。そして、各種ＥＢＧ構造の単位セルは周期的に配列されている。例えば、図３７に示すように、第１のＥＢＧ構造の単位セルと第２のＥＢＧ構造の単位セルとが交互に配列されることで、市松模様を構成してもよい。または、図３８に示すように、第１のＥＢＧ構造の単位セルが周期的に配列した領域と、第２のＥＢＧ構造の単位セルが周期的に配列した領域と、が並列的に配列されてもよい。かかる場合、図３８に示すように、さらに、第３のＥＢＧ構造の単位セルが周期的に配列した領域が、並列的に配列していてもよい。また、さらに、第４のＥＢＧ構造の単位セルが周期的に配列した領域が、並列的に配列していてもよい（図示せず）。この第１のＥＢＧ構造は、波長２ａの電磁波をバンドギャップ帯域に含んでいる。第２のＥＢＧ構造は、波長２ｂの電磁波をバンドギャップに含んでいる。第３のＥＢＧ構造および第４のＥＢＧ構造は、波長２ａの整数倍または波長２ｂの整数倍の電磁波をバンドギャップに含んでもよい。
【０１７８】
このような電子機器によれば、電子部品から領域３１を介して放熱板３０に伝わったノイズが、矩形の放熱板３０の辺方向に伝播するのを、ＥＢＧ構造体により抑制することが可能となる。その結果、放熱板３０に伝わったノイズが周辺に放射され、例えば周辺電子機器の正常な動作の妨げになる等の悪影響が引き起こされるのを回避できる。
【０１７９】
また、ノイズの半波長およびその整数倍と、放熱板３０の一辺の長さと、が略同一になると、ノイズと放熱板３０とが共振状態となり、極めて強いノイズが放射されることが知られているが、本実施形態の電子機器は、ＥＢＧ構造体により、共振状態となりうるノイズ（波長２ａの電磁波、および、波長２ｂの電磁波、および、波長が２ａ、２ｂの整数倍である電磁波）の伝播を抑制するよう構成されている。
【０１８０】
その結果、ノイズと放熱板３０とが共振状態となった場合であっても、放熱板３０から極めて強いノイズが放射されるのを抑制することが可能となる。
【０１８１】
さらに、本実施形態によれば、一種類の構造体４０を用意するだけで、矩形の放熱板３０の長手方向および短手方向の両方向のノイズの伝播、および共振状態となるノイズの伝播を抑制することができる。かかる場合、構造体４０の在庫管理が容易になったり、製造工程の簡略化などの効果を実現することができる。
【０１８２】
なお、波長２ａの電磁波をバンドギャップ帯域に含むＥＢＧ構造、および、波長２ｂの電磁波をバンドギャップ帯域に含むＥＢＧ構造を構成する手段は、実施形態３で説明した手段に準じて実現できるので、ここでの説明は省略する。
＜実施例＞
【０１８３】
以下、本実施形態の電子機器のシミュレーション結果を示す。
＜＜サンプル＞＞
【０１８４】
図３９にシミュレーションに用いたサンプルを示す。図３９は、透過図となっている。
【０１８５】
「サンプル１（図３９（ａ））」
基板１０の略中央にノイズ源となる信号パターン（電子部品２０）を設けた２層基板構造。
【０１８６】
「サンプル２（図３９（ｂ））」
サンプル１の構造を基本とし、さらに、信号パターン（電子部品２０）の上にスペーサ５０を介して放熱板３０を設けた構造。放熱板３０の寸法は、１５０ｍｍ×３０ｍｍ。
【０１８７】
「サンプル３（図３９（ｃ））」
サンプル２の構造を基本とし、放熱板３０の電子部品２０と対向する面に構造体４０、すなわちＥＢＧ構造体を設けた構造。構造体４０は、図２３に示す構造で、単位セル（図中、直方体で示す）を４行×８列×２領域で配列。島状導体４１（図２３参照）は６ｍｍ角であり、２ｍｍピッチで周期的に配列。このＥＢＧ構造体は、伝播を抑制する周波数帯域ｆが「１ＧＨｚ」付近に設定（Ｃ＝０．０５３ｐＦ、Ｌ＝５４．２ｎＨ）。この周波数は、放熱板３０の長手方向の長さ（１５０ｍｍ）が半波長となる電磁波の周波数、すなわち波長３００ｍｍの電磁波の周波数に相当。
【０１８８】
＜＜シミュレーション内容＞＞
【０１８９】
各サンプルの位置から３ｍ離れた位置における電界強度を求めた。３ｍ離れた位置は、典型的な住宅環境でのＥＭＩ規格限度値に規定された距離である。
＜＜結果＞＞
【０１９０】
シミュレーション結果を図４０に示す。図４０は、横軸に周波数（ＭＨｚ）、縦軸に電界強度偏差（ｄＢ）をとったグラフである。電界強度偏差（ｄＢ）は、サンプル１の電界強度を０ｄＢとして算出した。
【０１９１】
サンプル１乃至３を比較すると、サンプル１に比べて、サンプル２、３の電界が変動していることがわかる。これは、放熱板３０を介して電磁波が放射されているためと考えられる。すなわち、放熱板３０を設けると、電子機器周辺の電界が変動することがわかる。
【０１９２】
また、サンプル２と３を比較すると、サンプル３はサンプル２に比べて、広い周波数帯域において、周辺の電界強度が低減していることがわかる。すなわち、構造体４０を放熱板３０の電子部品２０と対向する面に設けたサンプル３は、構造体４０を備えないサンプル２に比べて、周辺への電磁波の放射を抑制されていることがわかる。
【０１９３】
さらに、１ＧＨｚ付近（１ＧＨｚ〜１．２ＧＨｚ付近）のサンプル２と３を比較すると、サンプル３はサンプル２に比べて、電界強度が大きく低減していることがわかる。具体的には、１．１ＧＨｚにおいて、電界強度が約１８ｄＢ低減している。すなわち、サンプル２は、ノイズの半波長と、放熱板３０の一辺の長さとが略同一になることで、ノイズと放熱板３０とが共振状態となり、極めて強いノイズを放射している。これに対し、構造体４０を放熱板３０の電子部品２０と対向する面に設けたサンプル３は、ノイズと放熱板３０とが共振状態となっても、強いノイズの放射を抑制されていることがわかる。
【０１９４】
この出願は、２００９年１２月８日に出願された日本特許出願特願２００９−２７８８７２号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
2011070735.tif 000003
【図２】
2011070735.tif 000004
【図３】
2011070735.tif 000005
【図４Ａ】
2011070735.tif 000006
【図４Ｂ】
2011070735.tif 000007
【図５】
2011070735.tif 000008
【図６】
2011070735.tif 000009
【図７】
2011070735.tif 000010
【図８Ａ】
2011070735.tif 000011
【図８Ｂ】
2011070735.tif 000012
【図８Ｃ】
2011070735.tif 000013
【図８Ｄ】
2011070735.tif 000014
【図９】
2011070735.tif 000015
【図１０Ａ】
2011070735.tif 000016
【図１０Ｂ】
2011070735.tif 000017
【図１０Ｃ】
2011070735.tif 000018
【図１０Ｄ】
2011070735.tif 000019
【図１１】
2011070735.tif 000020
【図１２Ａ】
2011070735.tif 000021
【図１２Ｂ】
2011070735.tif 000022
【図１３】
2011070735.tif 000023
【図１４】
2011070735.tif 000024
【図１５】
2011070735.tif 000025
【図１６】
2011070735.tif 000026
【図１７】
2011070735.tif 000027
【図１８】
2011070735.tif 000028
【図１９】
2011070735.tif 000029
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
2011070735.tif 000037
【図２８】
2011070735.tif 000038
【図２９】
2011070735.tif 000039
【図３０】
2011070735.tif 000040
【図３１】
2011070735.tif 000041
【図３２】
2011070735.tif 000042
【図３３Ａ】
2011070735.tif 000043
【図３３Ｂ】
2011070735.tif 000044
【図３４】
2011070735.tif 000045
【図３５】
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【図３６】
2011070735.tif 000047
【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【国際調査報告】
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2011070735.tif 000054
2011070735.tif 000055
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