(57)【要約】集積回路基板、少なくとも１つの光学信号供給素子、および前記集積回路基板上に載置され、前記少なくとも１つの光学信号供給素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号供給素子から光を案内する（ｄｉｒｅｃｔ）動作を行う少なくとも１つの離散的反射光学素子を含む電気光学集積回路が開示されている。また、集積回路基板、少なくとも１つの光学信号受信素子、および前記集積回路基板上に載置されて、前記少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する（ｄｉｒｅｃｔ）動作を行う少なくとも１つの離散的反射光学素子を含む電気光学集積回路が開示されている。
2005523466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学集積回路において、
集積回路基板、
少なくとも１つの光学信号供給素子、および
前記集積回路基板上に載置され、前記少なくとも１つの光学信号供給素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号供給素子から光を案内する動作を行う少なくとも１つの離散的反射光学素子を含むことを特徴とする電気光学集積回路。
【請求項２】
電気光学集積回路において、
集積回路基板、
少なくとも１つの光学信号受信素子、および
前記集積回路基板上に載置され、前記少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する動作を行う少なくとも１つの離散的反射光学素子を含むことを特徴とする電気光学集積回路。
【請求項３】
電気光学集積回路において、
プレーナー表面を構成する集積回路基板、
少なくとも１つの光学信号供給素子、および
前記プレーナー表面に平行でも垂直でもない光学軸を有し、前記少なくとも１つの光学信号供給素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号供給素子から光を案内する動作を行う少なくとも１つの反射光学素子を含むことを特徴とする電気光学集積回路。
【請求項４】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、扁平な反射面を含むことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項５】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、凹面鏡を含むことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項６】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、部分的に平面で部分的に凹面を成した鏡を含むことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項７】
前記部分的に凹面な鏡は、多数の凹反射面を有する鏡を含むことを特徴とする、請求項６に記載の電気光学集積回路。
【請求項８】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、光学的基板の反対面上に形成された反射素子を含むことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項９】
前記反射素子のうちの少なくとも１つは、平面な反射面を含むことを特徴とする、請求項８に記載の電気光学集積回路。
【請求項１０】
前記反射素子のうちの少なくとも１つは、凹面鏡を含むことを特徴とする、請求項８に記載の電気光学集積回路。
【請求項１１】
前記反射素子のうちの少なくとも１つは、部分的に平面で部分的に凹面な鏡を含むことを特徴とする、請求項８に記載の電気光学集積回路。
【請求項１２】
前記部分的に凹面な鏡は、多数の凹反射面を有する鏡を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の電気光学集積回路。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号供給素子から受信された光を集光する動作を行うことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号供給素子から受信された光を平行光化する動作を行うことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号供給素子から受信された多数の色の光のうち少なくとも１つを平行光化する動作を行うことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光ファイバを含むことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、レーザダイオードを含むことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、導波管を含むことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、電気信号を光学信号に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光学信号を送る動作を行うことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光学信号受信素子をさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光学信号を生成する動作を行うことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項２３】
少なくとも１つの光学信号受信素子をさらに含み、
前記少なくとも１つの反射光学素子は、少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する動作を行うことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学集積回路。
【請求項２４】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光ファイバを含むことを特徴とする、請求項２３に記載の電気光学集積回路。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、ダイオード検出器を含むことを特徴とする、請求項２３に記載の電気光学集積回路。
【請求項２６】
少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号を電気信号に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項２３に記載の電気光学集積回路。
【請求項２７】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号を送る動作を行うことを特徴とする、請求項２３に記載の電気光学集積回路。
【請求項２８】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号供給素子をさらに含むことを特徴とする、請求項２３に記載の電気光学集積回路。
【請求項２９】
電気光学集積回路において、
プレーナー表面を構成する集積回路基板、
少なくとも１つの光学信号受信素子、および
前記プレーナー表面に平行でも垂直でもない光学軸を有し、前記少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する少なくとも１つの反射光学素子を含むことを特徴とする電気光学集積回路。
【請求項３０】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、反射格子を含むことを特徴とする、請求項２９に記載の電気光学集積回路。
【請求項３１】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、光学的基板の反対面上に形成された反射素子を含むことを特徴とする、請求項２９に記載の電気光学集積回路。
【請求項３２】
前記反射素子のうちの少なくとも１つは、反射格子を含むことを特徴とする、請求項３１に記載の電気光学集積回路。
【請求項３３】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号受信素子によって受信された光を集光する動作を行うことを特徴とする、請求項２９に記載の電気光学集積回路。
【請求項３４】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号受信素子によって受信された多数の色の光のうちの少なくとも１つを集光する動作を行うことを特徴とする、請求項２９に記載の電気光学集積回路。
【請求項３５】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光ファイバを含むことを特徴とする、請求項２９に記載の電気光学集積回路。
【請求項３６】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号を電気信号に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項２９に記載の電気光学集積回路。
【請求項３７】
電気光学集積回路を製造する方法において、
集積回路基板を提供する段階、
前記集積回路基板上に少なくとも１つの光学信号供給素子を載置する段階、
前記集積回路基板に少なくとも１つの光学信号受信素子を載置する段階、および
前記少なくとも１つの光学信号供給素子と前記少なくとも１つの光学信号受信素子との間にこれらを載置する段階後に、これらの間で延びる光学軸に沿って少なくとも１つの中間光学素子を適宜配置させて前記集積回路基板に前記少なくとも１つの中間光学素子を固定させることで、光学アライメントを達成する段階とを含むことを特徴とする電気光学集積回路の製造方法。
【請求項３８】
前記少なくとも１つの中間光学素子は、平面な反射面を含むことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項３９】
前記少なくとも１つの中間光学素子は、凹面鏡を含むことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項４０】
前記少なくとも１つの中間光学素子は、部分的に平面で部分的に凹面を成す鏡を含むことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項４１】
前記部分的に凹面を成す鏡は、多数の凹反射面を有する鏡を含むことを特徴とする、請求項４０に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項４２】
前記少なくとも１つの中間光学素子は、反射格子を含むことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項４３】
前記少なくとも１つの中間光学素子は、光学的基板の反対面上に形成された反射素子を含むことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項４４】
前記少なくとも１つの中間光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号受信素子によって前記少なくとも１つの光学信号供給素子から受信された光を集光する動作を行うことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項４５】
前記少なくとも１つの中間光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号受信素子によって前記少なくとも１つの光学信号供給素子から受信された光を平行光とする動作を行うことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項４６】
前記少なくとも１つの中間光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号受信素子によって前記少なくとも１つの光学信号供給素子から受信された多数の色の光のうちの少なくとも１つを集光する動作を行うことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項４７】
前記少なくとも１つの中間光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号受信素子によって前記少なくとも１つの光学信号供給素子から受信された多数の色の光のうちの少なくとも１つを平行光とする動作を行うことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項４８】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、電気信号を光学信号に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項４９】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光学信号を送る動作を行うことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項５０】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光学信号受信素子をさらに含むことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項５１】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光学信号を生成する動作を行うことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項５２】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号を電気信号に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項５３】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号を送る動作を行うことを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項５４】
前記少なくとも１つの中間光学素子は、前記基板に固定される時に前記集積回路基板のプレーナー表面に平行でも垂直でもない光学軸を有することを特徴とする、請求項３７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項５５】
電気光学集積回路を製造する方法において、
集積回路基板を提供する段階、
前記集積回路基板上に少なくとも１つの光学信号供給素子を載置する段階、および
前記少なくとも１つの光学信号供給素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号供給素子から光を案内する少なくとも１つの離散的反射光学素子を前記集積回路基板上に載置する段階とを含むことを特徴とする電気光学集積回路の製造方法。
【請求項５６】
電気光学集積回路を製造する方法において、
集積回路基板を提供する段階、
前記集積回路基板に少なくとも１つの光学信号受信素子を載置する段階、および
前記少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する少なくとも１つの離散的反射光学素子を前記集積回路基板上に載置する段階とを含むことを特徴とする電気光学集積回路の製造方法。
【請求項５７】
電気光学集積回路を製造する方法において、
プレーナー表面を構成する集積回路基板を提供する段階、
前記集積回路基板上に少なくとも１つの光学信号供給素子を載置する段階、および
前記少なくとも１つの光学信号供給素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号供給素子から光を案内する少なくとも１つの反射光学素子を前記集積回路基板上に載置する段階を含み、
前記少なくとも１つの反射光学素子の光学軸は、前記プレーナー表面に平行でも垂直でもないことを特徴とする電気光学集積回路の製造方法。
【請求項５８】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、平面な反射面を含むことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項５９】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、凹面鏡を含むことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項６０】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、部分的に平面で部分的に凹面を成す鏡を含むことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項６１】
前記部分的に凹面を成す鏡は、多数の凹反射面を有する鏡を含むことを特徴とする、請求項６０に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項６２】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、反射格子を含むことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項６３】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、光学的基板の反対面上に形成された反射素子を含むことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項６４】
前記反射素子のうちの少なくとも１つは、平面な反射面を含むことを特徴とする、請求項６３に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項６５】
前記反射素子のうちの少なくとも１つは、凹面鏡を含むことを特徴とする、請求項６３に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項６６】
前記反射素子のうちの少なくとも１つは、部分的に平面で部分的に凹面を成す鏡を含むことを特徴とする、請求項６３に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項６７】
前記部分的に凹面を成す鏡は、多数の凹反射面を有する鏡を含むことを特徴とする、請求項６６に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項６８】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号供給素子から受信された光を集光する動作を行うことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項６９】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号供給素子から受信された光を平行光とする動作を行うことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項７０】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号供給素子から受信された多数の色の光のうちの少なくとも１つを平行光とする動作をすることを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項７１】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光ファイバを含むことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項７２】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、レーザダイオードを含むことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項７３】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、導波管を含むことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項７４】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、電気信号を光学信号に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項７５】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光学信号を送る動作を行うことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項７６】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光学信号受信素子をさらに含むことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項７７】
前記少なくとも１つの光学信号供給素子は、光学信号を生成する動作を行うことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項７８】
少なくとも１つの光学信号受信素子を前記集積回路基板上に載置する段階をさらに含み、
前記少なくとも１つの反射光学素子は、少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する動作を行うことを特徴とする、請求項５７に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項７９】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光ファイバを含むことを特徴とする、請求項７８に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項８０】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、ダイオード検出器を含むことを特徴とする、請求項７８に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項８１】
少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号を電気信号に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項７８に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項８２】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号を送る動作を行うことを特徴とする、請求項７８に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項８３】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号供給素子をさらに含むことを特徴とする、請求項７８に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項８４】
電気光学集積回路を製造する方法において、
プレーナー表面を構成する集積回路基板を提供する段階、
前記集積回路基板上に少なくとも１つの光学信号受信素子を載置する段階、および
前記少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する少なくとも１つの反射光学素子を前記集積回路基板上に載置する段階を含み、
前記少なくとも１つの反射光学素子の光学軸は、前記プレーナー表面に平行でも垂直でもないことを特徴とする電気光学集積回路の製造方法。
【請求項８５】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、反射格子を含むことを特徴とする、請求項８４に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項８６】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、光学的基板の反対面上に形成された反射素子を含むことを特徴とする、請求項８４に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項８７】
前記反射素子のうちの少なくとも１つは、反射格子を含むことを特徴とする、請求項８６に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項８８】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号受信素子によって受信された光を集光する動作を行うことを特徴とする、請求項８４に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項８９】
前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記少なくとも１つの光学信号受信素子によって受信された多数の色の光のうちの少なくとも１つを集光する動作を行うことを特徴とする、請求項８４に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項９０】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光ファイバを含むことを特徴とする、請求項８４に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項９１】
前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号を電気信号に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項８４に記載の電気光学集積回路の製造方法。
【請求項９２】
集積回路において、
第１および第２プレーナー表面を有し、前記第１プレーナー表面上には第１電気回路が形成され、前記第２プレーナー表面内には少なくとも１つの凹部が形成されている第１集積回路基板、および
その上に形成される第２電気回路を有し、前記少なくとも１つの凹部内に少なくとも部分的に位置し、前記第２電気回路が前記第１電気回路と通信する第２集積回路基板を含むことを特徴とする集積回路。
【請求項９３】
前記第１電気回路は、電気光学素子を含むことを特徴とする、請求項９２に記載の集積回路。
【請求項９４】
前記第２電気回路は、電気光学素子を含むことを特徴とする、請求項９２に記載の集積回路。
【請求項９５】
前記第１電気回路と通信する前記第２電気回路は、光通信路を介した通信を含むことを特徴とする、請求項９２に記載の集積回路。
【請求項９６】
前記光通信路は、自由空間での光学的結合を含むことを特徴とする、請求項９５に記載の集積回路。
【請求項９７】
集積回路において、
第１および第２プレーナー表面を有し、前記第１プレーナー表面上には第１電気回路が形成され、前記第２プレーナー表面内には少なくとも１つの凹部が形成されている第１集積回路基板、および
前記少なくとも１つの凹部内に少なくとも部分的に位置し、前記第１電気回路と通信する少なくとも１つの素子を含む少なくとも１つの第２基板を含むことを特徴とする集積回路。
【請求項９８】
集積回路を製造する方法において、
第１および第２プレーナー表面を有する第１集積回路基板を提供する段階、
前記第１プレーナー表面上に第１電気回路を形成する段階、
前記第２プレーナー表面内に少なくとも１つの凹部を形成する段階、
少なくとも１つの第２集積回路基板を提供する段階、
前記少なくとも１つの第２集積回路基板上に第２電気回路を形成する段階、および
前記第２電気回路が前記第１電気回路と通信し、前記少なくとも１つの第２集積回路基板を前記少なくとも１つの凹部内に少なくとも部分的に配置させる段階を含むことを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項９９】
前記第１電気回路は、電気光学素子を含むことを特徴とする、請求項９８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１００】
前記第２電気回路は、電気光学素子を含むことを特徴とする、請求項９８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０１】
前記第１電気回路と通信する前記第２電気回路は、光通信路を通じる通信を含むことを特徴とする、請求項９８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０２】
前記光通信路は、自由空間での光学的結合を含むことを特徴とする、請求項１０１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０３】
集積回路を製造する方法において、
第１集積回路基板を提供する段階、
前記第１基板上に第１電気回路を形成する段階、
前記第１基板上に少なくとも１つの凹部を形成する段階、
少なくとも１つの第２集積回路基板を提供する段階、
前記少なくとも１つの第２集積回路基板上に第２電気回路を形成する段階、および
前記第２電気回路が前記第１電気回路と通信して、前記少なくとも１つの第２集積回路基板を前記少なくとも１つの凹部内に少なくとも部分的に配置させる段階を含むことを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項１０４】
前記第１電気回路は、電気光学素子を含むことを特徴とする、請求項１０３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０５】
前記第２電気回路は、電気光学素子を含むことを特徴とする、請求項１０３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０６】
前記第１電気回路と通信する前記第２電気回路は、光通信路を介した通信を含むことを特徴とする、請求項１０３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０７】
前記光通信路は、自由空間での光学的結合を含むことを特徴とする、請求項１０６に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０８】
集積回路を製造する方法において、
第１および第２プレーナー表面を有する第１集積回路基板を提供する段階、
前記第１プレーナー表面上に第１電気回路を形成する段階、
前記第２プレーナー表面内に少なくとも１つの凹部を形成する段階、
少なくとも１つの第２基板を提供する段階、および
前記第１電気回路と通信する少なくとも１つの素子を含む前記少なくとも１つの第２基板を前記少なくとも１つの凹部内に少なくとも部分的に配置させる段階とを含むことを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項１０９】
集積回路において、
その上に形成された電気信号処理回路およびその上に載置された少なくとも１つの離散的光学素子を有するシリコン集積回路基板を含み、
前記電気信号処理回路は、電気信号入力および電気信号出力を含み、
前記少なくとも１つの離散的光学素子は、光入力および光出力を含むことを特徴とする集積回路。
【請求項１１０】
前記光学素子は、前記電気信号入力を前記光入力に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項１０９に記載の集積回路。
【請求項１１１】
前記電気信号処理回路は、前記光入力を前記電気信号入力に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項１０９に記載の集積回路。
【請求項１１２】
前記電気信号処理回路および前記離散的光学素子は、前記基板の単一プレーナー表面上に位置していることを特徴とする、請求項１０９に記載の集積回路。
【請求項１１３】
前記電気信号処理回路および前記離散的光学素子は、前記基板の互いに異なるプレーナー表面上に位置していることを特徴とする、請求項１０９に記載の集積回路。
【請求項１１４】
集積回路を製造する方法において、
シリコン集積回路基板を提供する段階、
前記基板上に電気信号処理回路を形成する段階、および
前記基板上に少なくとも１つの離散的光学素子を載置する段階を含み、
前記電気信号処理回路は、電気信号入力および電気信号出力を含み、
前記少なくとも１つの離散的光学素子は、光入力および光出力を含むことを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項１１５】
前記光学素子は、前記電気信号入力を前記光入力に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項１１４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１６】
前記電気信号処理回路は、前記光入力を前記電気信号入力に変換する動作を行うことを特徴とする、請求項１１４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１７】
前記電気信号処理回路および前記離散的光学素子は、前記基板の単一プレーナー表面上に位置していることを特徴とする、請求項１１４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１８】
前記電気信号処理回路および前記離散的光学素子は、前記基板の互いに異なるプレーナー表面上に位置していることを特徴とする、請求項１１４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１９】
光コネクタにおいて、
少なくとも１つの光入力経路および少なくとも１つの光出力経路を構成する複数の光学素子を含み、前記少なくとも１つの光入力経路と少なくとも１つの光出力経路は非同軸であることを特徴とする光コネクタ。
【請求項１２０】
前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、凹面鏡を含むことを特徴とする請求項１１９に記載の光コネクタ。
【請求項１２１】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、多数の凹反射面を有する鏡を含むことを特徴とする、請求項１１９に記載の光コネクタ。
【請求項１２２】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、反射格子を含むことを特徴とする、請求項１１９に記載の光コネクタ。
【請求項１２３】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、光学的基板の反対面上に形成された反射素子を含むことを特徴とする、請求項１１９に記載の光コネクタ。
【請求項１２４】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、光を集光する動作を行うことを特徴とする、請求項１１９に記載の光コネクタ。
【請求項１２５】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、光を平行光とする動作を行うことを特徴とする、請求項１１９に記載の光コネクタ。
【請求項１２６】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、多数の色の光のうちの少なくとも１つを集光する動作を行うことを特徴とする、請求項１１９に記載の光コネクタ。
【請求項１２７】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、多数の色の光のうちの少なくとも１つを平行光とする動作を行うことを特徴とする、請求項１１９に記載の光コネクタ。
【請求項１２８】
光コネクタを製造する方法において、
複数の光学素子を提供する段階、
前記複数の光学素子の少なくとも１つを通過する少なくとも１つの光入力経路を構成する段階、および
前記複数の光学素子の少なくとも１つを通過する少なくとも１つの光出力経路を構成する段階を含み、
前記少なくとも１つの光入力経路と少なくとも１つの光出力経路は非同軸であることを特徴とする光コネクタの製造方法。
【請求項１２９】
前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、凹面鏡を含むことを特徴とする、請求項１２８に記載の光コネクタの製造方法。
【請求項１３０】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、多数の凹反射面を有する鏡を含むことを特徴とする、請求項１２８に記載の光コネクタの製造方法。
【請求項１３１】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、反射格子を含むことを特徴とする、請求項１２８に記載の光コネクタの製造方法。
【請求項１３２】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、光学的基板の反対面上に形成された反射素子を含むことを特徴とする、請求項１２８に記載の光コネクタの製造方法。
【請求項１３３】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、光を集光する動作を行うことを特徴とする、請求項１２８に記載の光コネクタの製造方法。
【請求項１３４】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、光を平行光とする動作を行うことを特徴とする、請求項１２８に記載の光コネクタの製造方法。
【請求項１３５】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、多数の色の光のうちの少なくとも１つを集光する動作を行うことを特徴とする、請求項１２８に記載の光コネクタの製造方法。
【請求項１３６】
前記複数の光学素子の少なくとも１つは、多数の色の光のうちの少なくとも１つを平行光とする動作を行うことを特徴とする、請求項１２８に記載の光コネクタの製造方法。
【請求項１３７】
光学反射器において、
光学的基板、
前記光学的基板の表面上に形成された少なくとも１つのマイクロレンズ、および
前記少なくとも１つのマイクロレンズに対して形成された第１反射面を含むことを特徴とする光学反射器。
【請求項１３８】
前記第１反射面はまた、前記光学的基板の前記表面の少なくとも一部に対して形成されていることを特徴とする、請求項１３７に記載の光学反射器。
【請求項１３９】
前記基板の反対面の少なくとも一部上に形成された少なくとも１つの第２反射面をさらに含むことを特徴とする、請求項１３７に記載の光学反射器。
【請求項１４０】
前記第１反射面の少なくとも一部は、格子を含むことを特徴とする、請求項１３７に記載の光学反射器。
【請求項１４１】
前記第２反射面の少なくとも一部は、格子を含むことを特徴とする、請求項１３９に記載の光学反射器。
【請求項１４２】
前記基板の前記反対面内に形成されたノッチをさらに含むことを特徴とする、請求項１３７に記載の光学反射器。
【請求項１４３】
前記基板の前記反対面内に形成されたノッチをさらに含むことを特徴とする、請求項１３９に記載の光学反射器。
【請求項１４４】
前記少なくとも１つのマイクロレンズは、フォトリソグラフィ及び熱的リフロー法で形成されることを特徴とする請求項１３７に記載の光学反射器。
【請求項１４５】
前記少なくとも１つのマイクロレンズは、階調マスク形成法を用いるフォトリソグラフィ法で形成されることを特徴とする、請求項１３７に記載の光学反射器。
【請求項１４６】
前記少なくとも１つのマイクロレンズは、ジェット印刷法で形成されることを特徴とする、請求項１３７に記載の光学反射器。
【請求項１４７】
前記少なくとも１つのマイクロレンズは、前記光学的基板と極めて近い屈折率を有することを特徴とする、請求項１３７に記載の光学反射器。
【請求項１４８】
光学反射器を製造する方法において、
光学的基板を提供する段階、
前記光学的基板の表面上に少なくとも１つのマイクロレンズを形成する段階、
前記少なくとも１つのマイクロレンズを反射物質でコーティングする段階、および
前記基板をダイシングする段階とを含むことを特徴とする光学反射器の製造方法。
【請求項１４９】
前記コーティングする段階は、前記基板の前記表面の少なくとも一部をコーティングする段階を含むことを特徴とする、請求項１４８に記載の光学反射器の製造方法。
【請求項１５０】
前記基板をダイシングする段階前に、前記基板の反対面の少なくとも一部を反射物質でコーティングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１４８に記載の光学反射器の製造方法。
【請求項１５１】
前記コーティングする段階前に、前記表面の少なくとも一部上に格子を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１４８に記載の光学反射器の製造方法。
【請求項１５２】
前記コーティングする段階前に、前記反対基板の少なくとも一部上に格子を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１５０に記載の光学反射器の製造方法。
【請求項１５３】
前記基板をダイシングする段階前に、前記基板の反対面内にノッチを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１４８に記載の光学反射器の製造方法。
【請求項１５４】
前記基板をダイシングする段階前に、前記基板の反対面内にノッチを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１５０に記載の光学反射器の製造方法。
【請求項１５５】
前記形成する段階はフォトリソグラフィ及び熱的リフロー形成を含むことを特徴とする、請求項１４８に記載の光学反射器の製造方法。
【請求項１５６】
前記形成する段階は層調マスク形成法を用いるフォトリソグラフィを含むことを特徴とする、請求項１４８に記載の光学反射器の製造方法。
【請求項１５７】
前記形成する段階は、ジェット印刷段階を含むことを特徴とする、請求項１４８に記載の光学反射器の製造方法。
【請求項１５８】
前記少なくとも１つのマイクロレンズは、前記光学的基板と極めて近い屈折率を有することを特徴とする、請求項１４８に記載の光学反射器の製造方法。
【請求項１５９】
パッケージングされた電気光学集積回路において、
光ファイバへの光コネクタがその内部に一体に形成されているパッケージングされた電気光学集積回路。
【請求項１６０】
前記光コネクタは、前記集積回路のシリコン基板に対して形成されてその表面に略平行に延長されている一対の長さ方向に位置するピンソケットを含むことを特徴とする、請求項１５９に記載のパッケージングされた電気光学集積回路。
【請求項１６１】
前記光コネクタは、前記パッケージングされた電気光学集積回路のエッジと略共面の当接面を有するように構成された光ファイバ端部の線形配列を含むことを特徴とする、請求項１５９叉は請求項１６０に記載のパッケージングされた電気光学集積回路。
【請求項１６２】
光コネクタおよび電気連結部がその内部に一体に形成されている電気光学回路をウエハスケールに製造する方法において、
基板上に多数の電気光学回路をウエハスケールに形成する段階、
前記基板上に少なくとも１つの光学導波管をウエハスケールに提供する段階、
前記基板上に少なくとも１つの集積回路素子をウエハスケールに載置する段階、
前記少なくとも１つの集積回路素子と前記少なくとも１つの光学導波管との間に光学的連結を提供する少なくとも１つの光学的経路をウエハスケールに形成する段階、
前記基板上に少なくとも１つの機械的整列孔をウエハスケールに形成する段階、
前記基板の少なくとも１つの表面に対して少なくとも１つのパッケージング層をウエハスケールに形成する段階、および
光コネクタがその内部に一体にそれぞれ形成される多数の電気光学回路を構成するように前記基板をダイシングする段階とを含むことを特徴とする電気光学回路のウエハスケールの製造方法。
【請求項１６３】
前記少なくとも１つの光学導波管の端部は、光コネクタインターフェースを構成することを特徴とする、請求項１６２に記載の電気光学回路のウエハスケールの製造方法。
【請求項１６４】
前記基板は、その上に多数の集積回路が形成されたシリコン基板を含むことを特徴とする、請求項１６２に記載の電気光学回路のウエハスケールの製造方法。
【請求項１６５】
電気回路上に集積回路を載置する方法において、
集積回路の載置面に沿って略配置されている多数の電気接続パッドを有する集積回路を形成する段階、
電気回路の載置面に沿って略配置されている多数の電気的接点を有する電気回路を形成する段階、および
前記多数の電気接続パッドを前記多数の電気的接点に電気的および機械的に連結する少なくとも１つの導電性接着剤を採用する段階とを含むことを特徴とする電気回路上への集積回路載置方法。
【請求項１６６】
前記集積回路は電気光学回路であり、
前記方法は、前記集積回路の前記載置面と前記電気回路の前記載置面との中間に光学的透光性下部充填層を提供する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１６５に記載の方法。
【請求項１６７】
電気光学回路をウエハスケールに製造する方法において、
基板の活性表面上に多数の電気光学回路をウエハスケールに形成する段階、および
前記基板上に少なくとも１つの光学的通過点をウエハスケールに提供する段階とを含むことを特徴とする電気光学回路のウエハスケールの製造方法。
【請求項１６８】
前記少なくとも１つの光学的通過点をウエハスケールに提供する段階は、
略回路がない前記活性表面の領域に対向する個所にある非活性表面に対して前記基板をエッチングして、底面が半透明な少なくとも１つの空洞を構成する段階、および
前記少なくとも１つの空洞を透光性物質で充填する段階とを含むことを特徴とする、請求項１６７に記載の電気光学回路のウエハスケールの製造方法。
【請求項１６９】
前記少なくとも１つの光学的通過点と光学的に連結する半導体素子を取り付ける段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１６７叉は１６８に記載の電気光学回路のウエハスケールの製造方法。
【請求項１７０】
前記透光性物質は、前記電気光学回路内にそれと通信する少なくとも１つの光学経路に沿って採用された物質と類似の屈折率を有することを特徴とする、請求項１６８項に記載の電気光学回路のウエハスケールの製造方法。
【請求項１７１】
電気光学回路をウエハレベルに製造する方法において、
ウエハの第１側上に電気回路を形成する段階、
前記ウエハの第２側上に光学アセンブリを形成する段階、および
前記ウエハの前記第１側と第２側との間に前記ウエハを通過する光学連結部を形成して、前記電気回路と前記光学アセンブリとの間に光学的通信を提供する段階とを含むことを特徴とする電気光学回路のウエハレベル製造方法。
【請求項１７２】
多数の集積回路を構成するように前記基板をダイシングする段階を含み、
前記多数集積回路のそれぞれは、前記集積回路の第１側上に電気回路、前記接敵回路の第２側上に光学アセンブリ、および前記集積回路の前記第１側と第２側との間に光学的連結部が形成され、それにより、前記電気回路及び前記光学アセンブリの間に光学的連結を提供することを特徴とする、請求項１７１に記載の電気光学回路のウエハレベルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
係留中の出願(優先権主張)
本出願人は、アメリカ仮出願番号ＵＳ６０/３７３，４１５（出願日:２００２年４月１６日、発明の名称:Ｅｌｅｃｔｒｏ−ＯｐｔｉｃＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｔｈｅｒｅｏｆ）、アメリカ特許出願番号ＵＳ１０/３１４，０８８（出願日:２００２年１２月６日、発明の名称:Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ｗｉｔｈ Ｃｏｎｎｅｃｔｏｒｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｔｈｅｒｅｏｆ）、およ通過点メリカ仮出願番号ＵＳ６０/４４２、９４８（出願日:２００３年１月２７日、発明の名称:Ｄｉｒｅｃｔ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）に基づいて優先権を主張する。
【０００２】
本発明は、高速集積回路相互接続、電気光学集積回路、およびこれらの製造方法に関し、特に、半導体集積回路の間にデータを伝送できるようにする光コネクタと光相互接続素子が集積されたチップレベルの電気光学集積回路のウエハレベルの製造に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
本発明は、次のアメリカ特許公報に記載の発明を従来技術とする:
ＵＳ６，１１７，７０７、ＵＳ６，０４０，２３５、ＵＳ６，０２２，７５８、ＵＳ５，９８０，６６３、ＵＳ５，７１６，７５９、ＵＳ５，５４７，９０６およびＵＳ５，４５５，４５５。
【０００４】
次のアメリカ特許公報に記載の発明は、電気回路のスタッドバンプ載置に関するものである。ＵＳ６，２１４，６４２、ＵＳ６，１０３，５５１、ＵＳ５，８４４，３２０、ＵＳ５，６４１，９９６、ＵＳ５，５５０，４０８およびＵＳ５，４３６，５０３。
【０００５】
また、次のアメリカ特許公報に記載の発明は、従来技術として該当すると推定されるものである。
ＵＳ４，１６８，８８３、ＵＳ４，３５１，０５１、ＵＳ４，３８６，８２１、ＵＳ４，３９９，５４１、ＵＳ４，６１５，０３１、ＵＳ４，８１０，０５３、ＵＳ４，９８８，１５９、ＵＳ４，９８９，９３０、ＵＳ４，９８９，９４３、ＵＳ５，０４４，７２０、ＵＳ５，２３１，６８６、ＵＳ５，８４１，５９１、ＵＳ６，０５２，４９８、ＵＳ６，０５８，２２８、ＵＳ６，２３４，６８８、ＵＳ５，８８６，９７１、ＵＳ５，９１２，８７２、ＵＳ５，９３３，５５１、ＵＳ６，０６１，１６９、ＵＳ６，０７１，６５２、ＵＳ６，０９６，１５５、ＵＳ６，１０４，６９０、ＵＳ６，２３５，１４１、ＵＳ６，２９５，１５６、ＵＳ５，７７１，２１８およびＵＳ５，８７２，７６２。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の１つの目的は、半導体集積回路間にデータを高速で送る、向上した光学的相互接続、電気光学集積回路、およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を果たすために、本発明の一実施態様によれば、電気光学集積回路は、集積回路基板、少なくとも１つの光学信号供給素子、および前記集積回路基板上に載置されて、前記少なくとも１つの光学信号供給素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号供給素子から光を案内する（ｄｉｒｅｃｔ）動作を行う少なくとも１つの離散的反射光学素子とを含む。
【０００８】
本発明の別の実施態様によれば、電気光学集積回路は、集積回路基板、少なくとも１つの光学信号受信素子、および前記集積回路基板上に載置されて、前記少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する動作を行う少なくとも１つの離散的反射光学素子とを含む。
【０００９】
本発明のさらに別の実施態様によれば、電気光学集積回路は、プレーナー表面を構成する集積回路基板、少なくとも１つの光学信号供給素子、および前記プレーナー表面に平行でも垂直でもない光学軸を有し、前記少なくとも１つの光学信号供給素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号供給素子から光を案内する動作を行う少なくとも１つの反射光学素子とを含む。
【００１０】
本発明のさらに別の実施態様によれば、電気光学集積回路は、プレーナー表面を構成する集積回路基板、少なくとも１つの光学信号受信素子、および前記プレーナー表面に平行でも垂直でもない光学軸を有し、前記少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する少なくとも１つの反射光学素子とを含む。
【００１１】
本発明のさらに別の実施態様によれば、電気光学集積回路を製造する方法は、集積回路基板を提供する段階、前記集積回路基板上に少なくとも１つの光学信号供給素子を載置する段階、前記集積回路基板に少なくとも１つの光学信号受信素子を載置する段階、および前記少なくとも１つの光学信号供給素子と前記少なくとも１つの光学信号受信素子との間にこれらを載置する段階後に、これらの間で延びる光学軸に沿って少なくとも１つの中間光学素子を適宜配置させて前記集積回路基板に前記少なくとも１つの中間光学素子を固定させることで、光学アライメント（Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）を提供する段階とを含む。
【００１２】
本発明の好適な実施例によれば、前記中間光学素子は、前記基板に固定される際に前記集積回路基板のプレーナー表面に平行でも垂直でもない光学軸を有する。
【００１３】
本発明のさらに別の実施態様によれば、電気光学集積回路を製造する方法は、集積回路基板を提供する段階、前記集積回路基板上に少なくとも１つの光学信号供給素子を載置する段階、および前記少なくとも１つの光学信号供給素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号供給素子から光を案内する少なくとも１つの離散的反射光学素子を前記集積回路基板上に載置する段階とを含む。
【００１４】
本発明のさらに別の実施態様によれば、電気光学集積回路を製造する方法は、集積回路基板を提供する段階、前記集積回路基板に少なくとも１つの光学信号受信素子を載置する段階、および前記少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する少なくとも１つの離散的反射光学素子を前記集積回路基板上に載置する段階とを含む。
【００１５】
本発明のさらに別の実施態様によれば、電気光学集積回路を製造する方法は、プレーナー表面を構成する集積回路基板を提供する段階、前記集積回路基板上に少なくとも１つの光学信号供給素子を載置する段階、および前記少なくとも１つの光学信号供給素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号供給素子から光を案内する少なくとも１つの反射光学素子を前記集積回路基板上に載置する段階とを含み、前記少なくとも１つの反射光学素子の光学軸は前記プレーナー表面に平行でも垂直でもない。
【００１６】
本発明のさらに別の実施態様によれば、電気光学集積回路を製造する方法は、プレーナー表面を構成する集積回路基板を提供する段階、前記集積回路基板上に少なくとも１つの光学信号受信素子を載置する段階、および前記少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する少なくとも１つの反射光学素子を前記集積回路基板上に載置する段階とを含み、前記少なくとも１つの反射光学素子の光学軸は前記プレーナー表面に平行でも垂直でもない。
【００１７】
本発明の好適な実施例によれば、前記少なくとも１つの光学素子はプレーナー表面な反射面を含む。また、前記少なくとも１つの光学素子は凹面鏡を含む。対案として、前記少なくとも１つの光学素子は部分的にプレーナー表面で部分的凹面鏡を含む。また、前記部分的凹面鏡は多数の凹反射面を有する鏡を含む。
【００１８】
本発明の他の好適な実施例によれば、前記少なくとも１つの光学素子は反射格子を含む。また、前記少なくとも１つの光学素子は光学的基板の反対面上に形成された反射素子を含む。好ましくは、反射素子のうちの少なくとも１つはプレーナー表面な反射面を含む。対案として、反射素子のうちの少なくとも１つは凹面鏡を含む。対案としてまたは追加的に、前記反射素子のうちの少なくとも１つは部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡を含む。また、前記鏡は、多数の凹反射面を有する鏡を含む。対案として、反射素子のうちの少なくとも１つは反射格子を含む。
【００１９】
好ましくは、前記少なくとも１つの光学素子は、前記光学信号供給素子から受信された光を集光する動作を行う。対案として、前記少なくとも１つの光学素子は、前記光学信号供給素子から受信された光を平行光化する動作を行う。本発明の他の好適な実施例によれば、前記少なくとも１つの光学素子は、前記光学信号供給素子から受信された多数の色の光のうちの少なくとも１つを集光する動作を行う。また、前記少なくとも１つの光学素子は、前記光学信号供給素子から受信された多数の色の光のうちの少なくとも１つを平行光化する動作を行う。本発明の他の好適な実施例によれば、前記少なくとも１つの光学素子は、前記光学信号供給素子から受信された光の光学的特性を向上する動作を行う。
【００２０】
本発明の好適な実施例によれば、前記光学信号供給素子は光ファイバを含む。対案として、前記光学信号供給素子はレーザダイオードを含む。追加的にまたは対案として、前記光学信号供給素子は導波管を含む。本発明の他の好適な実施例によれば、前記光学信号供給素子は導波管格子を含む。対案として、前記光学信号供給素子は、半導体光増幅器を含む。
【００２１】
好ましくは、前記光学信号供給素子は電気信号を光学信号に変換する動作を行う。対案として、前記光学信号供給素子は光学信号を送る動作を行う。また、前記光学信号供給素子は、光学信号受信素子をさらに含む。本発明の他の好適な実施例によれば、前記光学信号供給素子は、光学信号を生成する動作を行う。
【００２２】
本発明の好適な実施例によれば、前記集積回路はシリコン、シリコンゲルマニウム、およびカリウム砒素を含む。対案として、前記集積回路はインジウム燐化物を含む。
【００２３】
本発明の他の好適な実施例によれば、集積回路は、少なくとも１つの光学信号提供素子および少なくとも１つの光学信号受信素子を含み、少なくとも１つの離散的反射光学素子が前記少なくとも１つの光学信号提供素子および少なくとも１つの光学信号受信素子と協動して前記少なくとも１つの光学信号提供素子から前記少なくとも１つの光学信号受信素子に光を案内する動作を行う。
【００２４】
好ましくは、前記少なくとも１つの光学信号受信素子は光ファイバを含む。対案として、前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、レーザダイオードを含む。追加的にまたは対案として、前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、ダイオード検出器を含む。
【００２５】
本発明の好適な実施例によれば、前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号を電気信号に変換する動作を行う。また、前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号を送る動作を行う。対案として、前記少なくとも１つの光学信号受信素子は、光学信号供給素子をさらに含む。
【００２６】
好ましくは、前記少なくとも１つの反射光学素子は前記光学信号受信素子から受信された光を集光する動作を行う。対案として、前記少なくとも１つの反射光学素子は、前記光学信号受信素子から受信された光を平行光化する動作を行う。本発明の他の好適な実施例によれば、前記少なくとも１つの反射光学素子は前記光学信号受信素子から受信された多数の色の光のうちの少なくとも１つを集光する動作を行う。追加的にまたは対案として、前記少なくとも１つの反射光学素子は前記光学信号受信素子から受信された多数の色の光のうちの少なくとも１つを平行光化する動作を行う。本発明の他の好適な実施例によれば、前記少なくとも１つの反射光学素子は前記光学信号受信素子から受信された光の光学的特性を向上する動作を行う。
【００２７】
本発明の別の実施態様によれば、集積回路は、その上に第１電気回路が形成される第１プレーナー表面およびその中に少なくとも１つの凹部（ｒｅｃｅｓｓ）が形成される第２プレーナー表面とを有し、前記凹部が透明材料で充填されて半導体基板を貫く光学的通過点が形成されている第１集積回路基板、およびその上に第２電気回路が形成された少なくとも１つの第２集積回路基板を含み、前記少なくとも１つの第２集積回路基板は前記少なくとも１つの凹部の上方に少なくとも部分的に載置され、前記第１電気回路と通信している。
【００２８】
本発明の別の実施態様によれば、集積回路は、その上に第１電気回路が形成される第１プレーナー表面およびその中に少なくとも１つの凹部が形成される第２プレーナー表面とを有し、前記凹部が透明材料で充填されて半導体基板を貫く光学的通過点が形成されている第１集積回路基板、およびその上に第２電気回路が形成された少なくとも１つの第２集積回路基板を含み、前記少なくとも１つの第２集積回路基板は前記少なくとも１つの凹部の上方に少なくとも部分的に載置され、前記第１電気回路と通信している。
【００２９】
好ましくは、前記第１電気回路は電子素子と光導波管を含む。また、前記第２電気回路は電気光学素子を含む。本発明の他の好適な実施例によれば、前記第１電気回路光導波管と通信する第２電気回路は光通信路を通じる通信を含む。また、前記光通信路は自由空間との光学的結合を含む。
【００３０】
本発明のさらに別の実施態様によれば、集積回路は、第１および第２プレーナー表面を有し、前記第１プレーナー表面上には第１電気回路が形成され、前記第２プレーナー表面内には少なくとも１つの凹部が形成されている第１集積回路基板、および前記少なくとも１つの凹部内に少なくとも部分的に配置され、前記第１電気回路と通信する少なくとも１つの素子を含む少なくとも１つの第２基板とを含む。
【００３１】
本発明のさらに別の実施態様によれば、集積回路は、その上に電気回路が形成されてその内部に少なくとも１つの凹部が形成された第１集積回路基板、および少なくとも１つの第２基板を含み、前記少なくとも１つの第２基板は、前記少なくとも１つの凹部の上方に少なくとも部分的に位置し、前記第２基板は、前記電気回路と通信する少なくとも１つの素子を含む。
【００３２】
本発明のさらに別の実施態様によれば、集積回路を製造する方法は、第１および第２プレーナー表面を有する第１集積回路基板を提供する段階、前記第１プレーナー表面上に第１電気回路を形成する段階、前記第２プレーナー表面内に少なくとも１つの凹部を形成する段階、少なくとも１つの第２集積回路基板を提供する段階、前記少なくとも１つの第２集積回路基板上に第２電気回路を形成する段階、および前記第２電気回路が前記第１電気回路と通信し、前記少なくとも１つの第２集積回路基板を前記少なくとも１つの凹部内に少なくとも部分的に配置させる段階とを含む。
【００３３】
本発明のさらに別の実施態様によれば、集積回路を製造する方法は、第１集積回路基板を提供する段階、前記第１基板上に第１電気回路を形成する段階、前記第１基板上に少なくとも１つの凹部を形成する段階、少なくとも１つの第２集積回路基板を提供する段階、前記少なくとも１つの第２集積回路基板上に第２電気回路を形成する段階、および前記第２電気回路が前記第１電気回路と通信し、前記少なくとも１つの第２集積回路基板を前記少なくとも１つの凹部内に少なくとも部分的に配置させる段階とを含む。
【００３４】
本発明の好適な実施例によれば、前記第１電気回路は電子素子を含む。また、前記少なくとも１つの素子は、電気光学素子を含む。好ましくは、前記第１電気回路と通信する前記少なくとも１つの光通信路を通じる通信を含む。また、前記光通信路は、自由空間との光学的結合を含む。
【００３５】
本発明のさらに別の実施態様によれば、集積回路は、その上に形成された電気信号処理回路およびその上に載置された少なくとも１つの離散的光学素子を有するシリコン集積回路基板を含み、前記電気信号処理回路は、電気信号入力および電気信号出力を含み、前記少なくとも１つの離散的光学素子は、光入力および光出力を含む。
【００３６】
本発明のさらに別の実施態様によれば、集積回路を製造する方法は、シリコン集積回路基板を提供する段階、前記基板上に電気信号処理回路を形成する段階、および前記基板上に少なくとも１つの離散的光学素子を載置する段階とを含み、前記電気信号処理回路は、電気信号入力および電気信号出力を含み、前記少なくとも１つの離散的光学素子は、光入力および光出力を含む。
【００３７】
好ましくは、前記光学素子は、前記電気信号入力を前記光入力に変換する動作を行う。対案として、前記電気信号処理回路は、前記光入力を前記電気信号入力に変換する動作を行う。本発明の好適な実施例によれば、前記電気信号処理回路および前記離散的光学素子は、前記基板の単一プレーナー表面上に位置している。対案として、前記電気信号処理回路および前記離散的光学素子は、前記基板の互いに異なるプレーナー表面上に位置している。
【００３８】
本発明のさらに別の実施態様によれば、集積回路は、その上に電気信号処理回路が形成されて少なくとも１つの離散的光学素子が載置されたシリコン集積回路基板を含み、前記電気信号処理回路は、電気信号入力および電気信号出力を含み、前記少なくとも１つの離散的光学素子は、光入力および光出力を含み、前記集積回路は、少なくとも１つの光入力経路および少なくとも１つの光出力経路を構成する複数の光学素子を含む少なくとも１つの光コネクタを含む。
【００３９】
本発明のさらに別の実施態様によれば、集積回路を製造する方法として、前記集積回路は、その上に電気信号処理回路が形成されて少なくとも１つの離散的光学素子が載置されたシリコン集積回路基板を含み、前記電気信号処理回路は、電気信号入力および電気信号出力を含み、前記少なくとも１つの離散的光学素子は光入力および光出力を含み、前記集積回路は、少なくとも１つの光入力経路および少なくとも１つの光出力経路、１つの光コネクタを構成する複数の光学素子を含む少なくとも１つの光コネクタを含み、前記方法は、複数の光学素子を提供する段階、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つを通過する少なくとも１つの光入力経路を構成する段階、および前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つを通過する少なくとも１つの光出力経路を構成する段階とを含む。
【００４０】
好ましくは、複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、プレーナー表面な反射面を含む。また、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは凹面鏡を含む。追加的にまたは対案として、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡を含む。対案として、前記複数の光学素子の少なくとも１つは、多数の凹反射面を有する鏡を含む。また、前記複数の光学素子の少なくとも１つは反射格子を含む。また、前記複数の光学素子の少なくとも１つは、光学的基板の反対面上に形成された反射素子を含む。
【００４１】
本発明の他の好適な実施例によれば、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、光を集光する動作を行う。対案として、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、光を平行光化する動作を行う。また、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、多数の色の光のうちの少なくとも１つを集光する動作を行う。追加的にまたは対案として、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、多数の色の光のうちの少なくとも１つを平行光化する動作を行う。対案として、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、光の光学的特性を向上する動作を行う。
【００４２】
好ましくは、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは光ファイバを含む。また、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、レーザダイオードを含む。対案として、前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つは、ダイオード検出器を含む。
【００４３】
本発明のさらに別の実施態様によれば、光学反射器は、光学的基板、前記光学的基板の表面上に形成された少なくとも１つのマイクロレンズ、前記少なくとも１つのマイクロレンズに対して（ｏｖｅｒ）形成された第１反射面を含む。
【００４４】
本発明のさらに別の実施態様によれば、光学反射器を製造する方法は、光学的基板を提供する段階、前記光学的基板の表面上に少なくとも１つのマイクロレンズを形成する段階、前記少なくとも１つのマイクロレンズを反射物質にコーティングする段階、および前記基板をダイシングする（ｄｉｃｉｎｇ）段階とを含む。
【００４５】
好ましくは、前記第１反射面は、また前記光学的基板の前記表面の少なくとも一部に対して形成されている。対案として、前記第１反射面の少なくとも一部は格子を含む。好ましくは、前記第１反射面はアルミニウムを含む。
【００４６】
本発明の好適な実施例によれば、前記光反射器は、前記基板の反対面の少なくとも一部上に形成された少なくとも１つの第２反射面をさらに含む。
また、前記第２反射面の少なくとも一部は、格子を含む。
好ましくは、前記第２反射面はアルミニウムを含む。
【００４７】
本発明の好適な実施例によれば、前記基板の反対面内にノッチを形成する段階をさらに含む。
【００４８】
好ましくは、前記少なくとも１つのマイクロレンズは、フォトレジストを含む。対案として、前記少なくとも１つのマイクロレンズは、フォトリソグラフィおよび熱的リフロー法を用いて形成される。また、前記マイクロレンズは階調（ｇｒｅｙ ｓｃａｌｅ）マスク形成法を用いるフォトリソグラフィによって形成される。対案として、前記少なくとも１つのマイクロレンズはジェット印刷を用いて形成される。
【００４９】
本発明のさらに他の好適な実施例によれば、前記少なくとも１つのマイクロレンズは光学的基板の屈折率と同一の屈折率を有する。対案として、前記少なくとも１つのマイクロレンズは、前記光学的基板と極めて近い（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅ）屈折率を有する。
【００５０】
本発明の別の実施態様によれば、パッケージングされた電気光学集積回路は、光ファイバへの光コネクタがその内部に一体に形成されている。
【００５１】
好ましくは、前記光コネクタは、前記集積回路のシリコン基板に対して形成されてその表面に略平行に延長されている一対の長さ方向に位置するピン（ｐｉｎ）ソケット（ｓｏｃｋｅｔ）を含む。また、前記光コネクタは、前記パッケージングされた電気光学集積回路のエッジ（ｅｄｇｅ）と略共面の（ｃｏｐｌａｎａｒ）当接面を有するように構成された光ファイバ端部の線形配列を含む。
【００５２】
本発明のさらに別の実施態様によれば、光コネクタおよび電気連結部がその内部に一体に形成されている電気光学回路をウエハスケールに製造する方法は、基板上に多数の電気光学回路をウエハスケールに形成する段階、前記基板上に少なくとも１つの光学導波管をウエハスケールに提供する段階、前記基板上に少なくとも１つの集積回路素子をウエハスケールに載置する段階、前記少なくとも１つの集積回路素子と前記少なくとも１つの光学導波管との間に光学的連結を提供する少なくとも１つの光学的経路をウエハスケールに形成する段階、前記基板上に少なくとも１つの機械的整列孔（ｂｏｒｅ）をウエハスケールに形成する段階、前記基板の少なくとも１つの表面に対して少なくとも１つのパッケージング層をウエハスケールに形成する段階、および光コネクタがその内部に一体にそれぞれ形成される多数の電気光学回路を構成するように前記基板をダイシングする段階とを含む。
【００５３】
好ましくは、前記少なくとも１つの光学導波管の端部は、光コネクタインターフェースを構成する。対案として、前記基板は、その上に多数の集積回路が形成されたシリコン基板を含む。
【００５４】
本発明のさらに別の実施態様によれば、電気回路上に集積回路を載置する方法は、集積回路の載置面に沿って略配置されている多数の電気接続パッドを有する集積回路を形成する段階、前記回路の載置面に沿って略配置されている多数の電気接続コンタクトを有する電気回路を形成する段階、前記多数の電気接続パッドを前記多数の電気接続コンタクトに電気的および機械的に連結する少なくとも１つの導電性接着剤を採用する段階とを含む。
【００５５】
好ましくは、前記集積回路は電気光学回路であり、前記方法は、前記集積回路の前記載置面と前記電気回路の前記載置面との中間に光学的透光性下部充填（ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）層を提供する段階をさらに含む。
【００５６】
本発明の別の実施態様によれば、電気光学回路をウエハスケールに製造する方法は、基板の活性表面上に多数の電気光学回路をウエハスケールに形成する段階、および前記基板上に少なくとも１つの光学的通過点（ｖｉａ）をウエハスケールに提供する段階とを含む。
【００５７】
好ましくは、前記少なくとも１つの光学的通過点（ｖｉａ）をウエハスケールに提供する段階は、略回路のない前記活性表面の領域に対向する個所にある非活性表面に対して前記基板をエッチングし、底面が半透明の（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）少なくとも１つの共同（ｃａｖｉｔｙ）を構成する段階、および前記少なくとも１つの空洞を透光性物質で充填する段階とを含むことを特徴とする電気光学回路のウエハスケールの製造方法。
【００５８】
また、前記方法は、前記少なくとも１つの光学的通過点と光学的に連結する半導体素子を取り付ける段階をさらに含む。
【００５９】
本発明のさらに他の好適な実施例によれば、前記透光性物質は、前記電気光学回路内にそれと通信する少なくとも１つの光学経路に沿って採用された物質と類似の屈折率を有する。
【００６０】
本発明のさらに別の実施態様によれば、電気光学回路をウエハレベルに製造する方法は、ウエハの第１側上に電気回路を形成する段階、前記ウエハの第２側上に光学アセンブリを形成する段階、および前記ウエハの前記第１側と第２側との間に前記ウエハを通過する光学連結部を形成して、前記電気回路と前記光学アセンブリとの間に光学的通信を提供する段階とを含む。
【００６１】
好ましくは、前記方法はまた、多数の集積回路を構成するように前記基板をダイシングする段階を含み、前記多数の集積回路のそれぞれは、前記集積回路の第１側上に電気回路、前記集積回路の第２側上に光学アセンブリ、および前記集積回路の前記第１側と第２側との間に光学的連結部が形成されている。
それによって、前記電気回路と光学アセンブリの間の光学的通信が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６２】
本発明は、添付の図面を参照して次の詳細な説明によってさらに明瞭に理解できる。
以下、本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄおよび図１Ｅを参照する。
図１Ａに示すように、１つ以上の電気回路１００が基板１０４、好ましくはシリコン基板の第１面１０２上に好適に形成され、この基板は、６００〜１６５０ｎｍの波長範囲の少なくとも一部内の光に略透光性を有し、典型的に２００〜８００ミクロンの厚さを有する。
電気回路１００は好ましくは、集積回路の製造に採用される従来のフォトリソグラフィ法によって形成され、基板１０４上に形成された平坦化層１０５内に含まれる。
この基板を好ましくは、矢印１０６に示されたように覆して、１つ以上の電気回路１０８が図１Ｂに示すように基板１０４の反対面１１０上に形成される。
【００６３】
図１Ｃを参照すれば、基板１０４の表面１０２、１１０上にそれぞれの電気回路１００、１０８の形成に続いて、平行に離隔された長い光ファイバ位置固定素子１１２のアレイが電気回路１０８を含む平坦化層１１４に対して従来のフォトリソグラフィ法などを用いて形成される（図１Ｂ）。
図１Ｄに示すように、光ファイバ１１６のアレイは層１１４に対して配置されて、それぞれの光ファイバは、隣接した位置固定素子１１２の間に配置される。
光ファイバは、図１Ｅに示すように、適切な接着剤１１８、好ましくはエポキシを用いて位置固定素子１１２におよび基板１０４の層１１４に相対的に位置固定される。
【００６４】
図１Ｅの線ＩＩ−ＩＩに沿って取った、電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、および図２Ｄを参照する。
図２Ａに示すように、ダイオードレーザなどの電気光学素子１２０が、平坦化層１０５内に含まれた電気回路１００（図示せず）上に載置されている。
この電気光学素子１２０は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなり得ることは理解されるだろう。
【００６５】
図２Ｂに示すように、好ましくは、横ノッチ（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｎｏｔｃｈ）１２４が、電気光学素子１２０の対向する個所を部分的に覆って接着剤１１８を通過してそれぞれの光ファイバ１１６を部分的に通過して延びるように形成される。
特に、本実施例では、ノッチ１２４は、それぞれの光ファイバ１１６のクラッディング１２６の一部を通過してそれぞれの光ファイバのコア１２８を完全に通過して延びている。
図示したように、ノッチ１２４によって構成される表面は、比較的荒いということは理解されるだろう。
【００６６】
図２Ｃを参照すれば、好ましくは、鏡１３０が、ノッチ１２４によって構成された粗い傾斜面１３２のうちの１つに平行に載置されている。
鏡１３０は好ましくは、ノッチ１２４によって構成された面１３２に対向する面１３５を有し、その反対面１３６上に金属層乃至異色性フィルタ層１３８が形成されたガラス基板１３４を含む。
図２Ｄに示すように、好ましくは、鏡１３０が、エポキシ等のあらゆる適切な接着剤１３９によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤１４０によって部分的に、堅固位置固定されて、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、望ましく光ファイバ１１６のコア１２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤１３９の代わりに光学的接着剤１４０が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
接着剤１４０は好ましくは、ノッチ１２４によって構成された粗い面１３２と鏡１３０の面１３５との間に間隙を充填する。
【００６７】
図２Ｄの一部の概略拡大図である図３を参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは６００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、コア１２８の端部１５０から接着剤１４０、基板１３４を通過して鏡１３０の層１３８の反射面１５２に到逹した後、基板１３４、接着剤１４０、およびクラッディング１２６を通過し、層１１４および基板１０４を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
接着剤１４０の屈折率はクラッディング１２６と基板１３４の屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
鏡１３０は、典型的に光を集光するかあるいは平行光化せずに光を電気光学素子１２０上に反射させることに注目しなければなならない（図２Ｄ）。
【００６８】
以下、本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄおよび図４Ｅを参照する。
図４Ａに示すように、１つ以上の電気回路２００が基板２０４の第１面２０２上に好適に形成され、この基板は４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の少なくとも一部内の光に略透光性を有し、典型的に２００〜１０００ミクロンの厚さを有する。
電気回路２００は好ましくは、集積回路の製造に採用される従来のフォトリソグラフィ法によって形成され、基板４０４上に形成された平坦化層２０５内に含まれる。
この基板を、好ましくは矢印２０６に示されたように覆したものが図４Ｂに図示されている。
【００６９】
図４Ｃを参照すれば、基板２０４の当該表面２０２上に電気回路２００の形成に続いて、平行に離隔された長い光ファイバ位置固定素子２１２のアレイが、基板２０４の表面２１０に対して従来のフォトリソグラフィ法などを用いて形成される。
図４Ｄに示すように、光ファイバ２１６のアレイは、基板２０４の表面２１０に対して配置され、それぞれの光ファイバは隣接した位置固定素子２１２の間に配置される。
光ファイバ２１６は、図４Ｅに示すように、適切な接着剤２１８、好ましくは、エポキシを用いて位置固定素子２１２に、および基板２０４の表面２１０に相対的に位置固定される。
【００７０】
図４Ｅの線Ｖ−Ｖに沿って取った、電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、および図５Ｄを参照する。
図５Ａに示すように、ダイオードレーザなどの電気光学素子２２０が、平坦化層２０５内に含まれた電気回路２００（図示せず）上に載置されている。
この電気光学素子２２０は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
【００７１】
図５Ｂに示すように、好ましくは、横ノッチ２２４が、電気光学素子２２０の個所を部分的に覆って接着剤２１８を通過してそれぞれの光ファイバ２１６を完全に通過し、基板２０４内に部分的に入って延ばすように形成される。
特に、本実施例では、ノッチ２２４はそれぞれの光ファイバ２１６のクラッディング２２６の全部を通過し、それぞれの光ファイバのコア２２８を完全に通過して延びている。
図示したように、ノッチ２２４によって構成される表面は、比較的粗いということは理解されるだろう。
【００７２】
図５Ｃを参照すれば、好ましくは、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡２３０が、ノッチ２２４によって構成された粗い傾斜面２３２のうちの１つに平行に載置されている。
鏡２３０は好ましくは、その上に形成された屈曲部２３６を有し、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層２３８が形成されたガラス基板２３４を含む。
図５Ｄに示すように、好ましくは、鏡２３０は、エポキシ等のあらゆる適切な接着剤２３９によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤２４０によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は，望ましく光ファイバ２１６のコア２２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤２３９の代わりに光学的接着剤２４０が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
光学的接着剤２４０は好ましくは、ノッチ２２４によって構成された粗い面２３２と鏡２３０の面２４２との間に間隙を充填する。
【００７３】
図５Ｄの一部の概略拡大図である図６Ａを参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、コア２２８の端部２５０から接着剤２４０、基板２３４、屈曲部２３６を通過して層２３８の反射面２５２に到逹した後、屈曲部２３６、接着剤２４０、基板２０４および層２０５を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
接着剤２４０の屈折率は屈曲部２３６と基板２０４、２３４の屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
図６Ａの実施例では、屈曲層２３８の作用は、コア２２８の端部２５０から放出した光を電気光学素子２２０上に集光させるのである。
【００７４】
本発明のさらに他の実施例による図５Ｄの一部の概略拡大図である図６Ｂを参照する。
本実施例では、屈曲層２３８の曲率によって、コア２２８の端部２５０から放出した光を電気光学素子２２０上に集光させるのではなく平行光化するのである。
【００７５】
格子２６０が屈曲層２３８に追加されている本発明のさらに他の実施例による図５Ｄの一部の概略拡大図である図６Ｃを参照する。
格子２６０を追加的に提供するに当たり、ここに入射する光をその波長によって分離することで、コア２２８の端部２５０から放出した多色（ｍｕｌｔｉｓｐｅｃｔｒａｌ）光が、素子の波長によって電気光学素子２２０の多数の個所に集光されるようにする。
【００７６】
以下、本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の概略断面図である図７を参照する。
図７の実施例は、図５Ｄを参照して前述の実施例に略対応しており、ただ、多数の凹反射面を有する鏡が単一反射面を有する鏡の代わりに提供される。
図７に示すように、光ファイバ３１６からの光は、好ましくはノッチ３２４によって構成された粗い傾斜面３３２中の１つに平行に載置されており、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡アセンブリ３３０によって電気光学素子３２０に案内される。
鏡アセンブリ３３０は、その上に複数個の屈曲部３３６が形成され、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層３３８が形成されたガラス基板３３４を含む。
鏡アセンブリ３３０はまた、層３３８に略対向するプレーナー表面３４２上に配置された反射面３４０を構成する。
好ましくは、鏡アセンブリ３３０はエポキシ等のあらゆる適切な接着剤３４３によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤３４４によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカマ  サチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は望ましく光ファイバ３１６のコア３２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤３４３の代わりに光学的接着剤３４４が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
光学的接着剤３４４は好ましくは、ノッチ３２４によって構成された粗い面３３２と鏡アセンブリ３３０の面３４２との間に間隙を充填する。
【００７７】
図７の一部の概略拡大図である図８Ａを参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光がコア３２８の端部３５０から接着剤３４０、基板３３４、第１屈曲部３３６を通過して層３３８の屈曲反射面３５２に到逹した後、第１屈曲部３３６および基板３３４を通過して反射面３４０に到逹して、反射面３４０から基板３３４および第２屈曲部を通過して層３３８の他の屈曲反射面３５４に到逹した後、第２屈曲部３３６、基板３３４、接着剤３４４、基板３０４および層３０５を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
接着剤３３４の屈折率は、基板３０４、３３４の屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
図８Ａの実施例では、屈曲層３３８の作用は、コア３２８の端部３５０から放出した光を電気光学素子３２０上に集光させるものである。
【００７８】
本発明のさらに他の実施例による図７の一部の概略拡大図である図８Ｂを参照する。
本実施例では、屈曲層３３８の曲率によって、コア３２８の端部３５０から放出した光を電気光学素子３２０上に集光させるのではなく平行光化するものである。
【００７９】
反射格子３６０が反射面３４０の代わりをしている本発明のさらに他の実施例による図７の一部の概略拡大図である図８Ｃを参照する。
格子３６０を追加的に提供するによって、ここに入射する光をその波長によって分離することで、コア３２８の端部３５０から放出した多色光が、素子の波長によって電気光学素子３２０の多数の個所に集光されるようにする。
【００８０】
以下、本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ、図９Ｄおよび図９Ｅを参照する。
【００８１】
図９Ａに示すように、１つ以上の電気回路４００が基板４０４の表面４０２上に好適に形成され、この基板は好ましくはガラス、シリコン、またはセラミックス基板で典型的に３００〜１０００ミクロンの厚さを有する。
電気回路４００は好ましくは、集積回路の製造に採用される従来のフォトリソグラフィ法によって形成され、基板４０４上に形成された平坦化層４０６内に含まれる。
図９Ｂを参照すれば、基板の表面４０２の他の部分に、平行に離隔された長い光ファイバ位置固定素子４１２のアレイが、エッチングまたはノッチング（ｎｏｔｃｈｉｎｇ）などの適切な技法を用いて形成される。
図９Ｃに示すように、光ファイバ４１６のアレイは基板４０４に連結され、それぞれの光ファイバは、隣接した位置固定素子４１２の間に配置される。
光ファイバは、図９Ｄに示すように、適切な接着剤４１８、好ましくは、エポキシを用いて位置固定素子４１２におよび基板４０４に相対的に位置固定される。
図９Ｅに示すように、ダイオードレーザなどの複数の電気光学素子４２０が電気回路４００に動作的に連結するように載置されており、それぞれの電気光学素子４２０は、好ましくは対応する光ファイバ４１６に整列されている。
この電気光学素子４２０は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
【００８２】
図９Ｅの線Ｘ−Ｘに沿って取った、電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、および図１０Ｄを参照する。
図９Ｅに対応する図１０Ａに示すように、電気光学素子４２０が、基板４０４上に形成された平坦化層４０６内に含まれた電気回路（図示せず）上に載置されている。
図１０Ｂに示すように、好ましくは、横ノッチ４２４が、接着剤４１８を通過してそれぞれの光ファイバ４１６を完全に通過して基板４０４内に部分的に延びるように形成される。
特に、本実施例では、ノッチ４２４はそれぞれの光ファイバ４１６のクラッディング４２６の全部を通過し、それぞれの光ファイバのコア４２８を完全に通過して延びている。
図示したように、ノッチ４２４によって構成される表面は、比較的粗いということは理解されるだろう。
【００８３】
図１０Ｃを参照すれば、好ましくは、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡４３０が、ノッチ４２４によって構成された粗い傾斜面４３２のうちの１つに平行に載置されている。
鏡アセンブリ４３０は、その上に屈曲部４３６が形成され、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層４３８が形成されたガラス基板４３４を含む。
鏡アセンブリ４３０はまた、層４３８に略対向してその上に屈曲部４３６の一部の下にある金属層乃至異色性フィルタ層４４２が形成されているプレーナー表面４４０を構成する。
【００８４】
図１０Ｄに示すように、鏡アセンブリ４３０はエポキシ等のあらゆる適切な接着剤４４４によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤４４６によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は望ましく光ファイバ４１６のコア４２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤４４４の代わりに光学的接着剤４４６が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
【００８５】
図１０Ｄの一部の概略拡大図である図１１Ａを参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、電気光学素子４２０それぞれからガラス基板４３４および鏡アセンブリ４３０の屈曲部４３６を通過して層４３８と反射的に連結された後、屈曲部４３６および基板４３４を通過して層４４２に到逹して層４４２から反射して基板４３４および接着剤４４６を通過すると構成されており、コア４２８の端部４５０に集光されるのが図示されている。
図１１Ａの実施例では、屈曲層４３８の作用は、電気光学素子４２０から放出した光をコア４２８の端部４５０上に集光させるのである。
【００８６】
本発明のさらに他の実施例による図１０Ｄの一部の概略拡大図である図１１Ｂを参照する。
本実施例では、屈曲層４３８の曲率によって、コア４２８の端部４５０から放出した光を電気光学素子４２０上に集光させるのではなく平行光とするものである。
【００８７】
格子４６０が屈曲層４３８に追加されている本発明のさらに他の実施例による図１０Ｄの一部の概略拡大図である図１１Ｃを参照する。
格子４６０を追加的に提供するによって、ここに入射する光をその波長によって分離することで、電気光学素子４２０から放出した多色光中の一成分だけが、コア４２８の端部４５０上に集光されるようにする。
【００８８】
以下、本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の概略断面図である図１２を参照する。
【００８９】
図１２の実施例は、図１０Ｄを参照して前述の実施例に略対応しており、ただ、多数の凹反射面を有する鏡が単一反射面を有する鏡の代わりに提供される。
図１２に示すように、レーザダイオードなどの電気光学素子５２０からの光は、好ましくはノッチ５２４によって構成された粗い傾斜面５３２のうちの１つに平行に載置されており、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡アセンブリ５３０に案内される。
この電気光学素子５２０は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
鏡アセンブリ５３０は、その上に複数個の屈曲部５３６が形成され、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層５３８が形成されたガラス基板５３４を含む。
鏡アセンブリ５３０はまた、層５３８に略対向するプレーナー表面５４２上に配置された反射面５４０を構成する。
【００９０】
好ましくは、鏡アセンブリ５３０は、エポキシ等のあらゆる適切な接着剤５４４によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤５４６によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、好ましくは光ファイバ５１６のコア５２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤５４４の代わりに光学的接着剤５４６が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
【００９１】
図１２の一部の概略拡大図である図１３Ａを参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、電気光学素子５２０それぞれからガラス基板５３４および鏡アセンブリ５３０の第１屈曲部５３６を通過して第１屈曲部５３６を覆う層５３８の一部と反射的に連結された後、第１屈曲部５３６および基板５３４を通過して反射面５４０に到逹し、ここで反射して基板５３４および第２屈曲部５３６を通過して第２屈曲部５３６を覆う層５３８の他の一部に到逹し、ここでまた反射して第２屈曲部５３６および基板５３４を通過して反射面５４０に到逹した後、基板５３４および接着剤５４６を通過し、コア５２８の端部５５０に集光されると構成されている。
図１３Ａの実施例では、第１および第２屈曲部５３６を覆う屈曲層５３８の作用は、向上した光学的性質を有し、電気光学素子５２０から放出した光をコア５２８の端部５５０上に集光させるのである。
【００９２】
本発明のさらに他の実施例による図１２の一部の概略拡大図である図１３Ｂを参照する。
本実施例では、屈曲層５３８の曲率が、電気光学素子５２０から放出した光をコア５２８の端部５５０上に集光させるのではなく平行光化するものである。
【００９３】
反射格子５６０が反射面５４０の一部の代わりをしている本発明のさらに他の実施例による図１２の一部の概略拡大図である図１３Ｃを参照する。
格子５６０を追加的に提供するによって、ここに入射する光をその波長によって分離することで、電気光学素子５２０から放出した多色光中の一成分だけが、素子の波長によってコア５２８の端部５５０に集光されるようにする。
【００９４】
以下、本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概路図である図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ、および図１４Ｄを参照する。
図１４Ａに示すように、図５Ａと同じく、エッジ型発光ダイオードレーザなどの電気光学素子６００は、接着剤６１８によって光ファイバ６１６がその反対面６０６に載置される基板６０４の表面６０３上に形成された平坦化層６０２内に含まれる電気回路（図示せず）上に載置されている。
この電気光学素子６００は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
【００９５】
図１４Ｂに示すように、好ましくは、横ノッチ６２４が、基板６０４を完全に通過し、それぞれの光ファイバ６１６を完全に通過して接着剤６１８内に部分的に延びるように形成される。
特に、本実施例では、ノッチ６２４はそれぞれの光ファイバ６１６のクラッディング６２６の全部を通過し、それぞれの光ファイバのコア６２８を完全に通過して延びている。
図示したように、ノッチ６２４によって構成される表面は比較的粗いということは理解されるだろう。
【００９６】
図１４Ｃを参照すれば、好ましくは、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡アセンブリ６３０が、ノッチ６２４によって構成された粗い傾斜面６３２のうちの１つに平行に載置されている。
鏡アセンブリ６３０は、好ましくは、その上に屈曲部６３６が形成されたガラス基板６３４を含む。
部分的にプレーナー表面で部分的に屈曲された金属層乃至異色性フィルタ層６３８が基板６３４の表面６４０に対して形成され、その上に屈曲部６３６が形成される。
反射層６４２は、層６３８に対向して基板６３４の反対面６４３上に形成される。
【００９７】
図１４Ｄに示すように、好ましくは、鏡アセンブリ６３０は、エポキシ等のあらゆる適切な接着剤６４４によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤６４６によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、望ましく光ファイバ６１６のコア６２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤６４４の代わりに光学的接着剤６４６が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
【００９８】
図１４Ｄの一部の概略拡大図である図１５Ａを参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、電気光学素子６００からガラス基板６３４、鏡アセンブリ６３０の屈曲部６３６を通過して層６３８の屈曲部６６０で反射的に連結された後、屈曲部６３６および基板６３４を通過して層６４２と反射的に連結された後、層６３８と階６４２との間で基板６３４を多数回反射しながら通過した後、基板６３４および接着剤６４６を通過してコア６２８の端部６５０に集光すると構成されている。
図１５Ａの実施例では、層６３８の屈曲部の作用は、電気光学素子６００から放出した光をコア６２８の端部６５０上に集光させるのである。
【００９９】
本発明のさらに他の実施例による図１４Ｄの一部の概略拡大図である図１５Ｂを参照する。
本実施例では、層６３８の屈曲部６６０の曲率によって、電気光学素子６００から放出した光をコア６２８の端部６５０上に集光させるのではなく平行光化するものである。
【０１００】
格子６６２が層６３８の屈曲部６６０に追加されている本発明のさらに他の実施例による図１４Ｄの一部の概略拡大図である図１５Ｃを参照する。
格子６６２を追加的に提供するによって、ここに入射する光をその波長によって分離することで、電気光学素子６００から放出した多色光中の一成分だけが、コア６２８の端部６５０上に集光されるようにする。
【０１０１】
以下、本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の概略断面図である図１６を参照する。
図１６の実施例は、図１４Ｄを参照して前述の実施例に略対応しており、ただ、多数の凹反射面を有する鏡が単一反射面を有する鏡の代わりに提供される。
図１６に示すように、レーザダイオードなどの電気光学素子７２０からの光は、好ましくはノッチ７２４によって構成された粗い傾斜面７３２のうちの１つに平行に載置されており、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡アセンブリ７３０に案内される。
この電気光学素子７２０は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
鏡アセンブリ７３０は、その上に複数個の屈曲部７３６が形成され、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層７３８が形成されたガラス基板７３４を含む。
鏡アセンブリ７３０はまた、層７３８に略対向するプレーナー表面７４２上に配置された反射面７４０を構成する。
【０１０２】
好ましくは、鏡アセンブリ７３０は、エポキシ等のあらゆる適切な接着剤７４４によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤７４６によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は望ましく光ファイバ７１６のコア７２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤７４４の代わりに光学的接着剤７４６が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
【０１０３】
図１６の一部の概略拡大図である図１７Ａを参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、電気光学素子７２０それぞれから鏡アセンブリ７３０のガラス基板７３４を通過して、その扁平部を覆う層７３８の一部と反射的に連結された後、基板７３４を通過して反射面７４０に到逹して、ここで反射して基板７３４および第１屈曲部７３６を通過して第１屈曲部７３６を覆う層７３８の一部と反射的に連結された後、第１屈曲部７３６および基板７３４を通過して反射面７４０に到逹して、ここで反射して基板７３４および第２屈曲部７３６を通過して第２屈曲部を覆っている層７３８の他の一部に到逹して、ここで反射して第２屈曲部７３６および基板７３４を通過して反射面７４０に到逹した後、基板７３２および接着剤７４６を通過すると構成されており、コア７２８の端部７５０に集光されるのが図示されている。
【０１０４】
図１７Ａの実施例では、第１および第２屈曲部７３６を覆う屈曲層７３８の作用は、向上した光学的性質を有し、電気光学素子７２０から放出した光をコア７２８の端部７５０上に集光させるのである。
【０１０５】
本発明のさらに他の実施例による図１６の一部の概略拡大図である図１７Ｂを参照する。
本実施例では、屈曲層７３８の曲率によって、電気光学素子７２０から放出した光をコア７２８の端部７５０上に集光させるのではなく平行光化するのである。
反射格子７６０が反射面７４０の中間部の代わりをしている本発明のさらに他の実施例による図１６の一部の概略拡大図である図１７Ｃを参照する。
格子７６０を追加的に提供するによって、ここに入射する光をその波長によって分離することで、電気光学素子７２０から放出した多色光中の一成分だけが、素子の波長によってコア７２８の端部７５０に集光されるようにする。
【０１０６】
本発明の一実施例によって図４Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｃおよび図１８Ｄを参照する。
図１８Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板８００は、その上に図１８Ｂに示すように典型的にフォトレジストでマイクロレンズ８０２のアレイが形成されている。
マイクロレンズ８０２は好ましくは、基板８００の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
この素子は、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、およびジェット印刷法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて形成されることもできる。
【０１０７】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層８０４は、図１８Ｃに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板８００およびマイクロレンズ８０２に対して形成される。
基板８００およびその上に形成された金属層８０４は、図１８Ｄに示すように従来技術を用いてダイシングされることで、マイクロレンズ８０２によって構成された屈曲部をそれぞれ含む個個の光学素子８０６を構成する。
本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図１９Ａ、図１９Ｂ、図１９Ｃ、図１９Ｄおよび図１９Ｅを参照する。
図１９Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板８１０は、その上に図１９Ｂに示すように典型的にフォトレジストでマイクロレンズ８１２のアレイが形成されている。
マイクロレンズ８１２は好ましくは、基板８１０の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
この素子は、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、およびジェット印刷法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて形成されることもできる。
【０１０８】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層８１４は、図１９Ｃに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板８１０およびマイクロレンズ８１２に対して形成される。
基板８１０は、従来技術を用いて下方からノッチングされる。
図１９Ｄに示すように、ノッチ８１５は好ましくは、マイクロレンズ８１２の下の一部の個所に形成される。
【０１０９】
ノッチングに続いて、基板８１０、マイクロレンズ８１２およびその上に形成された金属層８１４は、図１９Ｅに示すように従来技術を用いてダイシングされることで、マイクロレンズ８１２の一部によって構成された屈曲部をそれぞれ含む個個の光学素子８１６を構成する。
【０１１０】
本発明のさらに他の実施例によって図９Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図２０Ａ、図２０Ｂ、図２０Ｃ、図２０Ｄ、図２０Ｅおよび図２０Ｆを参照する。
図２０Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板８２０は、その上に図２０Ｂに示すように典型的にフォトレジストでマイクロレンズ８２２のアレイが形成されている。
マイクロレンズ８２２は好ましくは、基板８２０の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
この素子は、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、およびジェット印刷法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて形成されることもできる。
【０１１１】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層８２４は、図２０Ｃに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板８２０またはマイクロレンズ８２２に対して形成される。
典型的にアルミニウムからなる追加の金属層８２５が基板８２０の反対面上に同じく形成される。
金属層８２４、８２５は従来のフォトリソグラフィ法でパターニングされ、図２０Ｄに示すように対応する反射面８２６、８２７を構成する。
基板８２０は、従来技術を用いて下方からノッチングされる。
図２０Ｅに示すように、ノッチ８２８は、マイクロレンズ８２２の下の一部の個所に形成される必要はない。
ノッチングに続いて、基板８２０は、図２０Fに示すように従来技術を用いて、ノッチ８２８の傾斜壁を交差する個所でダイシングされることで、プレーナー表面な反射面８２９だけでなく、一対のマイクロレンズ８２２によって構成された屈曲反射部をそれぞれ含む個個の光学素子８２９を構成する。
【０１１２】
本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図２１Ａ、図２１Ｂ、図２１Ｃ、図２１Ｄ、図２１Ｅおよび図２１Fを参照する。
図２１Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板８３０は、その上に図２１Ｂに示すように典型的にフォトレジストでマイクロレンズ８３２のアレイが形成されている。
マイクロレンズ８３２は好ましくは、基板８３０の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
この素子は、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、およびジェット印刷法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて形成されることもできる。
【０１１３】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層８３４は、図２１Ｃに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板８３０およびマイクロレンズ対８３２に対して形成される。
典型的にアルミニウムからなる追加の金属層８３５が基板８３０の反対面上に同じく形成される。
金属層８３４、８３５は従来のフォトリソグラフィ法でパターニングされ、図２１Ｄに示すように対応する反射面８３６、８３７を構成する。
【０１１４】
基板８３０は、従来技術を用いて下方からノッチングされ、図２１Ｅに示すように、ノッチ８３８を構成する。
ノッチングに続いて、基板８３０は、図２１Fに示すように従来技術を用いてダイシングされることで、プレーナー表面な反射面８３７だけでなく、一対のマイクロレンズ８２３によって構成された屈曲反射部をそれぞれ含む個個の光学素子８３９を構成する。
【０１１５】
本発明の一実施例によって図１Ａ乃至図８Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図２２Ａ、図２２Ｂ、図２２Ｃ、図２２Ｄ、図２２Ｅ、図２２Fおよび図２２Gを参照する。
図２２Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板８４０は、その下部面内に図２２Ｂに示すように典型的にエッチングで反射回折格子８４１のアレイが形成されている。
対案として、格子８４１は、基板８４０の表面上にリソグラフィ法または転写法で形成されることもできる。
典型的にフォトレジストで形成されたマイクロレンズ対８４２のアレイが、図２２Ｃに示すように基板８４０の反対面上に形成される。
マイクロレンズ８４２は好ましくは、基板８４０の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
この素子は、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、およびジェット印刷法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて形成されることもできる。
【０１１６】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層８４４は、図２２Ｄに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板８４０およびマイクロレンズ対８４２に対して形成される。
金属層８４４は従来のフォトリソグラフィ法でパターニングされ、図２２Ｅに示すように対応する反射面８４６を構成する。
【０１１７】
基板８４０は、図２２Fに示すように従来技術を用いて下方からノッチングされ、ノッチ８４８を構成する。
ノッチングに続いて、基板８４０は、図２２Ｇに示すように従来技術を用いて、ノッチ８４８の傾斜壁を交差する個所でダイシングされることで、プレーナー表面な反射格子８４１だけでなく、一対のマイクロレンズ８４２によって構成された屈曲反射部をそれぞれ含む個個の光学素子８４９を構成する。
【０１１８】
本発明の一実施例によって図９Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図２３Ａ、図２３Ｂ、図２３Ｃ、図２３Ｄ、図２３Ｅ、図２３Ｆおよび図２３Ｇを参照する。
図２３Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板８５０は、その下部面内に図２３Ｂに示すように典型的にエッチングで反射回折格子８５１のアレイが形成されている。
対案として、格子８５１は、基板８５０の表面上にリソグラフィ法または転写法で形成されることもできる。
典型的にフォトレジストで形成されたマイクロレンズ対８５２のアレイが、図２３Ｃに示すように基板８５０の反対面上に形成される。
マイクロレンズ８５２は好ましくは、基板８５０の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
この素子は、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、およびジェット印刷法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて形成されることもできる。
【０１１９】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層８５４は、図２３Ｄに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板８５０およびマイクロレンズ対８５２に対して形成される。
典型的にアルミニウムからなる追加の金属層８５５が基板８５０の反対面上に同じく形成される。
金属層８５４、８５５は従来のフォトリソグラフィ法でパターニングされ、図２３Ｅに示すように対応する反射面８５６、８５７を構成する。
【０１２０】
基板８５０は、図２３Fに示すように従来技術を用いて下方からノッチングされ、ノッチ８５８を構成する。
ノッチングに続いて、基板８５０は、図２３Gに示すように従来技術を用いて、ノッチ８５８の傾斜壁を交差する個所でダイシングされることで、プレーナー表面な反射格子８５１およびプレーナー表面な反射面８５７だけでなく、一対のマイクロレンズ対８５２によって構成された屈曲反射部をそれぞれ含む個個の光学素子８５９を構成する。
【０１２１】
本発明の一実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図２４Ａ、図２４Ｂ、図２４Ｃ、図２４Ｄ、図２４Ｅ、図２４Ｆおよび図２４Ｇを参照する。
図２４Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板８６０は、その上に図２４Ｂに示すように典型的にエッチングで反射回折格子８６１のアレイが形成されている。
対案として、格子８６１は、基板８６０の表面上にリソグラフィ法または転写法で形成されることもできる。
典型的にフォトレジストで形成されたマイクロレンズ８６２のアレイが、図２４Ｃに示すように基板８６０の反対面上に形成される。
マイクロレンズ８６２は好ましくは、基板８６０の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
この素子は、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、およびジェット印刷法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて形成されることもできる。
【０１２２】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層８６４は、図２４Ｄに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板８６０およびマイクロレンズ８６２に対して形成される。
典型的にアルミニウムからなる追加の金属層８６５が基板８６０の反対面上に同じく形成される。
金属層８６４、８６５は従来のフォトリソグラフィ法でパターニングされ、図２４Ｅに示すように対応する反射面８６６、８６７を構成する。
基板８６０は、図２４Fに示すように従来技術を用いて下方からノッチングされ、ノッチ８６８を構成する。
【０１２３】
ノッチングに続いて、基板８６０は、図２４Ｇに示すように従来技術を用いて、ノッチ８６８の傾斜壁を交差する個所でダイシングされることで、プレーナー表面な反射格子８６１およびプレーナー表面な反射面８６７だけでなく、マイクロレンズ８６２によって構成された屈曲反射面８６６をそれぞれ含む個個の光学素子８６９を構成する。
【０１２４】
本発明の好適な実施例によるマルチチップモジュールの製造工程の多数の段階を示す概路図である図２５Ａ、図２５Ｂ、図２５Ｃおよび図２５Ｄを参照する。
図２５Ａに示すように、典型的にシリコンからなり、３００〜８００ミクロンの厚さを有する基板９００は、その上に少なくとも１つのパッシベーション誘電層９０２、少なくとも１つの金属層９０４、および少なくとも１つの下地誘電層９０６が形成されている。
誘電層は好ましくは、可視光線および赤外線帯域の光に透光性を有する。
少なくとも１つの金属層９０４に連結された通過点９０８は、層９０２を介して基板９００に延びている。
【０１２５】
図２５Ｂに示すように、開口９１０のアレイが、通過点９０８の下の個所で基板９００の一部を除去することで形成される。
好ましくは、基板９００の全体厚さが除去される。
基板９００を除去は従来のエッチング法を用いて行われることができ、好ましくは少なくとも６００ミクロンの幅の寸法を有するボリュームを提供する。
【０１２６】
図２５Ｃに示すように、金属性バンプ９１２、好ましくはソルダバンプ（solder bump）が通過点９０８の露出面上に形成される。
図２５Ｄに示すように、集積回路チップ９１４は好ましくは、開口９１０内に位置してバンプ９１２に半田付けされて通過点９０８と動的に連結することで、マルチチップモジュールを生成して、ここで集積回路チップ９１４はこのモジュールの基板内に存在する。
【０１２７】
モジュール基板９２６内に形成された開口９２４内に配置された集積回路９２２上に形成されたレーザ光源９２０を含む形態であって、図２５Ａ乃至２５Ｄに示されたマルチチップモジュールを示す概路図である図２６を参照する。
【０１２８】
モジュール基板９３６内に形成された開口９３４内に配置された集積回路９３２上に形成された光検出器９３０を含む形態であって、図２５Ａ乃至２５Ｄに示されたマルチチップモジュールを示す概路図である図２７を参照する。
【０１２９】
モジュール基板９４６内に形成された開口９４４内に配置された集積回路９４２上に形成された電気素子９４０を含む形態であって、図２５Ａ乃至２５Ｄに示されたマルチチップモジュールを示す概路図である図２８を参照する。
【０１３０】
基板９５４内に形成された多数の凹部９５２内に配置された多数の素子９５０を含む形態であって、図２５Ａ乃至２５Ｄに示されたマルチチップモジュールを示す概路図である図２９を参照する。
これらの素子は、いかなる適切な電気素子または電気光学素子であってもよい。
【０１３１】
基板内に形成された多数の凹部内に配置された多数の積層素子を含む形態であって、図２５Ａ乃至２５Ｄに示されたマルチチップモジュールを示す概路図である図３０を参照する。
図３０に示すように、典型的にシリコンからなり、５００〜１０００ミクロンの厚さを有する基板１０００は、その上に少なくとも１つのパッシベーション誘電層１００２、少なくとも１つの金属層１００４、および少なくとも１つの下地誘電層１００６が形成されている。
誘電層は好ましくは、可視光線および赤外線帯域の光に透光性を有する。
少なくとも１つの金属層１００４に連結された通過点１００８は、層１００２を介して基板１０００に延びている。
少なくとも１つの開口１０１０が、通過点１００８を下の個所で基板１０００の一部を除去することで形成される。
好ましくは、基板１０００の全体厚さが除去される。
基板１０００を除去は従来のエッチング法を用いて行われることができ、１０００ミクロンの幅の寸法を有するボリュームを提供する。
金属性バンプ１０１２、好ましくはソルダバンプが通過点１００８の露出面上に形成される。
【０１３２】
開口１０１０内に配置された基板１０２０は、典型的にシリコンからなり、３００〜８００ミクロンの厚さを有し、その上に少なくとも１つのパッシベーション誘電層１０２２、少なくとも１つの金属層１０２４、および少なくとも１つの下地誘電層１０２６が形成されている。
誘電層は好ましくは、可視光線および赤外線帯域の光に透光性を有する。
少なくとも１つの金属層１０２４に連結された通過点１０２８は、層１０２２を介して基板１０２０に延びている。
少なくとも１つの開口１０３０が、通過点１０２８を下の個所で基板１０２０の一部を除去することで形成される。
好ましくは、基板１０２０の全体厚さが除去される。
基板１０２０の除去は従来のエッチング法を用いて行われることができ、好ましくは少なくとも６００ミクロンの幅の寸法を有するボリュームを提供する。
金属性バンプ１０３２、好ましくはソルダバンプが通過点１０２８の露出面上に形成される。
追加の金属性バンプ１０３４、好ましくはソルダバンプが、少なくとも１つの金属層１０２４に望ましく連結された通過点１０３６の端部上に形成され、この金属層はバンプ１０３２に連結する必要はない。
バンプ１０１２、１０３４は、好ましくは互いに半田付けされ、基板１０００内に基板１０２０を載置させる。
【０１３３】
集積回路チップ１０４０は好ましくは、開口１０３０内に位置してバンプ１０３２に半田付けされて通過点１０２８と動的に連結することで、マルチチップモジュールを生成し、ここで少なくとも１つの集積回路チップ１０４０は、基板１０２０内に存在し、これはまた基板１０００内に存在する。
【０１３４】
図３０に示すように、基板１０００、１０２０のような基板がいかなる個数でも互いに中に存在することができ、これらの基板それぞれはその中に多数の開口が形成されることができるということは理解されるだろう。
【０１３５】
以下、本発明の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階の概略断面図である図３１Ａ、図３１Ｂ、図３１Ｃおよび図３１Ｄを参照する。
図３１Ａの実施例では、前述の図２Ａと同じく、ダイオードレーザなどの電気光学素子１１２０は、基板１１２３上に形成された平坦化層１１２２内に含まれる電気回路（図示せず）上に載置されている。
この電気光学素子１１２０は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
【０１３６】
図３１Ｂに示すように、好ましくは、横ノッチ１１２４が、電気光学素子１１２０の個所を少なくとも部分的に覆って、接着剤１１２５を通過し、それぞれの光ファイバ１１２６を部分的に通過して延びるように形成される。
特に、本実施例では、ノッチ１１２４はそれぞれの光ファイバ１１２６のクラッディング１１２７を完全に通過し、それぞれの光ファイバのコア１１２８を完全に通過して延びている。
図示したように、ノッチ１１２４によって構成される表面は比較的粗いということは理解されるだろう。
【０１３７】
図３１Ｃを参照すれば、好ましくは、典型的に図２Ｃおよび図３に示された形態の鏡１１３０が、ノッチ１１２４によって構成された粗い傾斜面１１３２のうちの１つに平行に載置されている。
鏡１１３０は好ましくは、その上に形成された表面１１３６を有し、その上に金属層乃至異色性フィルタ層１１３８が形成されたガラス基板１１３４を含む。
典型的に図５Ｃおよび図６Ａに示された形態と類似する、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡１１３９が好ましくは、素子番号１１４０と示された粗い傾斜面の反対面に平行に載置されている。
鏡１１３９は好ましくは、その上に形成された屈曲部１１４４を有し、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層１１４６が形成されたガラス基板１１４２を含む。
【０１３８】
図３１Ｄに示すように、好ましくは、鏡アセンブリ１１３０、１１３９はエポキシ等のあらゆる適切な接着剤１１４８によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤１１５０によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、望ましく光ファイバ１１２６のコア１１２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤１１５０は好ましくは、ノッチ１１２４によって構成された粗い面１１３２、１１４０とここに対応する鏡１１３０、１１３９との間に間隙を充填する。
接着剤１１４８の代わりに光学的接着剤１１５０が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。接着剤１１５０の屈折率は、基板１１２３、１１３４、１１４２に屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
【０１３９】
図３１Ｄの一部の概略拡大図である図３２を参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは６００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、コア１１２８の端部１１５１から接着剤１１５０、ガラス基板１１３４を通過して鏡１１３０の反射面１１５２に到逹した後、ガラス基板１１３４、接着剤１１５０、基板１１２３および層１１２２を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
同じく、略妨げられない光経路は、好ましくは６００〜１６５０nmの波長範囲の光が、コア１１２８の端部１１６１から接着剤１１５０、ガラス基板１１４２および屈曲部１１４４を通過して鏡１１３９の反射面１１６２に到逹した後、屈曲部１１４４、ガラス基板１１４２、接着剤１１５０、基板１１２３、および層１１２２を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
【０１４０】
鏡１１３０は典型的に、光を集光するかあるいは平行光化せずに光を電気光学素子１１２０（素子番号１１７０と示される）で反射させて、一方、鏡１１３９は、反射光を他の電気光学素子１１２０（素子番号１１７２と示される）上に集光させるということに注目しなけれなならない。
集光および平行光化のような適切な光学的性質を有する鏡のいかなる組み合わせも採用されることができるということは理解されるだろう。
【０１４１】
以下、本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階の概略断面図である図３３Ａ、図３３Ｂ、図３３Ｃおよび図３３Ｄを参照する。
図３３Ａの実施例では、前述の図３１Ａと同じく、ダイオードレーザなどの電気光学素子１２２０は、基板１２２３上に形成された平坦化層１２２２内に含まれる電気回路（図示せず）上に載置されている。
この電気光学素子１２２０は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
【０１４２】
図３１Ａの実施例とは異なり、電気光学素子１２２０が、図２９の構造と同じく、基板１２２３内に形成された開口または凹部内に配置される。
図３３Ｂに示すように、好ましくは、横ノッチ１２２４が、少なくとも１つの電気光学素子１２２０の個所を少なくとも部分的に覆って、接着剤１２２５を通過し、複数の光ファイバ１２２６のそれぞれを部分的に通過して延びるように形成される。
特に、本実施例では、ノッチ１２２４はそれぞれの光ファイバ１２２６のクラッディング１２２７の一部を通過してそれぞれの光ファイバのコア１２２８を完全に通過して延びている。
図示したように、ノッチ１２２４によって構成される表面は比較的粗いということは理解されるだろう。
【０１４３】
図３３Ｃを参照すれば、好ましくは、典型的に図２Ｃおよび図３に示された形態と類似の鏡１２３０が、ノッチ１２２４によって構成された粗い傾斜面（素子番号１２３２と示される）のうちの１つに平行に載置されている。
鏡１２３０は好ましくは、その上に形成された表面１２３６を有し、その上に金属層乃至異色性フィルタ層１２３８が形成されたガラス基板１２３４を含む。
典型的に図５Ｃおよび図６Ａに示された形態と類似する、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡１２３９が好ましくは、素子番号１２４０と示された粗い傾斜面の反対面に平行に載置されている。
鏡１２３９は好ましくは、その上に形成された屈曲部１２４４を有し、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層１２４６が形成されたガラス基板１２４２を含む。
【０１４４】
図３３Ｄに示すように、好ましくは、鏡１２３０、１２３９はエポキシ等のあらゆる適切な接着剤１２４８によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤１２５０によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、望ましく光ファイバ１２２６のコア１２２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤１２５０は好ましくは、ノッチ１２２４によって構成された粗い面１２３２、１２４０とここに対応する鏡１２３０、１２３９との間に間隙を充填する。
接着剤１２４８の代わりに光学的接着剤１２５０が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
接着剤１２５０の屈折率は、クラッディング１２２７と基板１２４２、屈曲部１２４４の屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
【０１４５】
図３３Ｄの一部の概略拡大図である図３４を参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは６００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、コア１２２８の端部１２５１から接着剤１２５０を通過して鏡１２３０の反射面１２５２に到逹した後、接着剤１２５０、およびクラッディング１２２７を通過し、層１２２２を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
同じく、略妨げられない光経路は、好ましくは６００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、コア１２２８の端部１２６１から接着剤１２５０、基板１２４２、および屈曲部１２４４を通過して鏡１２３９の反射面１２６２に到逹した後、屈曲部１２４４、接着剤１２５０、およびクラッディング１２２７を通過し、層１２２２を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
【０１４６】
鏡１２３０は典型的に、光を集光するかあるいは平行光化せずに光を電気光学素子１２２０（素子番号１２７０と示される）で反射させて、一方、鏡１２３９は、反射光を他の電気光学素子１２２０（素子番号１２７２と示される）上に集光させるということに注目しなけれなならない。
集光および平行光化のような適切な光学的性質を有する鏡のいかなる組み合わせも採用されることができるということは理解されるだろう。
【０１４７】
以下、本発明の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階の概略断面図である図３５Ａ、図３５Ｂ、図３５Ｃおよび図３５Ｄを参照する。
図３５Ａの実施例では、前述の図３１Ａと同じく、ダイオードレーザなどの電気光学素子１３２０は、基板１３２３上に形成された平坦化層１３２２内に含まれる電気回路（図示せず）上に載置されている。
この電気光学素子１３２０は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
図３１Ａ乃至図３２の実施例と異なる点として、少なくとも第１および第２の別途の光ファイバ１３２５、１３２６が、望ましく接着剤１３２７によって基板１３２３に固定されている。
光ファイバ１３２５、１３２６は、同一であるかまたは類似するか、あるいは互いに相異しており、互いに空間的に整列される必要はない。
【０１４８】
図３５Ｂに示すように、好ましくは、横ノッチ１３２８が、電気光学素子１３２０の個所を少なくとも部分的に覆って、接着剤１３２７を通過し、それぞれの光ファイバ１３２５、１３２６の少なくとも１つを部分的に通過して延びるように形成される。
特に、本実施例では、ノッチ１３２８はクラッディング１３３０、１３３１を完全に通過し、それぞれの光ファイバ１３２５、１３２６のコア１３３２、１３３３を完全に通過し、それぞれ延びている。
図示したように、ノッチ１３２８によって構成される表面は比較的粗いということは理解されるだろう。
【０１４９】
図３５Ｃを参照すれば、好ましくは、典型的に図２Ｃおよび図３に示された形態の鏡１３３４が、ノッチ１３２８によって構成された粗い傾斜面１３３５のうちの１つに平行に載置されている。
鏡１３３４は好ましくは、その上に形成された表面１３３７を有し、その上に金属層乃至異色性フィルタ層１３３８が形成されたガラス基板１３３４を含む。
典型的に図５Ｃおよび図６Ａに示された形態と類似する、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡１３３９が好ましくは、素子番号１３４０と示された粗い傾斜面の反対面に平行に載置されている。
鏡１３３９は好ましくは、その上に形成された屈曲部１３４６を有し、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層１３４６が形成されたガラス基板１３４２を含む。
図３５Ｄに示すように、好ましくは、鏡１３３４、１３３９はエポキシ等のあらゆる適切な接着剤１３４８によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤１３５０によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、望ましい光ファイバ１３２５、１３２６のコア１３３２、１３３３の屈折率と正確に一致する。
接着剤１３５０は好ましくは、ノッチ１３２８によって構成された粗い面１３３５、１３４０とここに対応する鏡１３３４、１３３９との間に間隙を充填する。
接着剤１３４８の代わりに光学的接着剤１３５０が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
接着剤１３５０の屈折率は基板１３２３、１３３６、および１３４２の屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
【０１５０】
図３５Ｄの一部の概略拡大図である図３６を参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは６００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、光ファイバ１３２５のコア１３３２の端部１３５２から接着剤１３５０、基板１３３６を通過して鏡１３３４の反射面１３５４に到逹した後、基板１３３６、接着剤１３５０、基板１３２３および層１３２２を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
同じく、略妨げられない光経路は、好ましくは６００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、光ファイバ１３２６のコア１３３３の端部１３６２から接着剤１３５０、基板１３４２および屈曲部１３４４を通過して鏡１３３９の反射面１３６４に到逹した後、屈曲部１３４４、基板１３４２、接着剤１３５０、基板１３２３、および層１３２２を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
【０１５１】
鏡１３３４は典型的に、光を集光するかあるいは平行光化せずに光を電気光学素子１３２０（素子番号１３７０と示される）で反射させて、一方、鏡１３３９は、反射光を他の電気光学素子１３２０（素子番号１３３７と示される）上に集光させるということに注目しなければならない。
集光および平行光化のような適切な光学的性質を有する鏡のいかなる組み合わせも採用されることができるということは理解されるだろう。
【０１５２】
以下、本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階の概略断面図である図３３Ａ、図３７Ｂ、図３７Ｃおよび図３７Ｄを参照する。
図３７Ａ乃至図３７Ｄの実施例では、前述の図３１Ａ乃至３３Ｄおよび図３５Ａ乃至図３５Ｄと類似する。
図３７Ａに示すように、ダイオードレーザなどの電気光学素子１４００は、基板１４０４上に形成された平坦化層１４０２内に含まれる電気回路（図示せず）上に載置されている。
この電気光学素子１４００は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
【０１５３】
図３５Ａの実施例とは異なり、電気光学素子１４００が、図３７Ａの構造と同じく、基板１４０４内に形成された開口または凹部内に配置される。
図３７Ａの実施例と異なる点として、少なくとも第１および第２の別途の光ファイバ１４０６、１４０８が、図３５Ａに示された構造と類似に、望ましく接着剤１４１０によって基板１４０４に固定されている。
光ファイバ１４０６、１４０８は同一であるかまたは類似するか、あるいは互いに相異しており、互いに空間的に整列される必要はない。
【０１５４】
図３７Ｂに示すように、好ましくは、横ノッチ１４１２が、少なくとも１つの電気光学素子１４００の個所を少なくとも部分的に覆って、接着剤１４１０を通過し、複数の光ファイバ１４０６、１４０８のそれぞれを部分的に通過して延びるように形成される。
特に、本実施例では、ノッチ１４１２は、クラッディング１４１４、１４１６の一部を通過し、光ファイバ１４０６、１４０８のそれぞれのコア１４１８、１４２０を完全に通過し、それぞれ延びている。
図示したように、ノッチ１４２４によって構成される表面は比較的粗いということは理解されるだろう。
図３７Ｃを参照すれば、図２Ｃおよび図３に示された形態と類似に、鏡１４３０が好ましくは、ノッチ１４１２によって構成された粗い傾斜面（素子番号１４３２と示される）のうちの１つに平行に載置されている。
鏡１４３０は好ましくは、その上に表面１４３６が形成され、その上に金属層乃至異色性フィルタ層１４３８が形成されたガラス基板１４３４を含む。
典型的に図５Ｃおよび図６Ａに示された形態と類似する、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡１４３９が好ましくは、素子番号１４４０と示された粗い傾斜面の反対面に平行に載置されている。
鏡１４３９は好ましくは、その上に形成された屈曲部１４４４を有し、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層１４４６が形成されたガラス基板１４４２を含む。
【０１５５】
図３７Ｄに示すように、好ましくは、鏡１４３０、１４３９はエポキシ等のあらゆる適切な接着剤１４４８によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤１４５０によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は望ましく光ファイバ１４０６、１４０８のコア１４１８、１４２０の屈折率と正確に一致する。
接着剤１４５０は好ましくは、ノッチ１４１２によって構成された粗い面１４３２、１４４０とその対応する鏡１４３０、１４３９との間に間隙を充填する。
接着剤１４４８の代わりに光学的接着剤１４５０が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
接着剤１４５０の屈折率は、屈曲部１４４４、基板１４４２、および光ファイバ１４０６、１４０８のクラッディング１４１４、１４１６の屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
【０１５６】
図３７Ｄの一部の概略拡大図である図３８を参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは６００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、コア１４１８の端部１４５１から接着剤１４５０を通過して鏡１４３０の反射面１４５２に到逹した後、接着剤１４５０、およびクラッディング１４１４を通過し、層１４０２を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
同じく、略妨げられない光経路は、好ましくは６００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、コア１４２０の端部１４６２から接着剤１４５０、基板１４４２、屈曲部１４４４を通過して鏡１４３９の反射層１４６４に到逹した後、屈曲部１４４４、接着剤１４５０、およびクラッディング１４１６を通過し、層１４０２を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
【０１５７】
鏡１４３０は典型的に、光を集光するかあるいは平行光化せずに光を電気光学素子１４００（素子番号１４７０と示される）で反射させて、一方、鏡１４３９は反射光を他の電気光学素子１４００（素子番号１４２７と示される）上に集光させるということに注目しなければならない。
集光および平行光化のような適切な光学的性質を有する鏡のいかなる組み合わせも採用されることができるということは理解されるだろう。
【０１５８】
以下、本発明の他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概略断面図である図３９Ａ、図３９Ｂ、図３９Ｃおよび図３９Ｄを参照する。
図３９Ａに示すように、ダイオードレーザなどの電気光学素子１５２０は、基板１５２４上に形成された平坦化層１５２２内に含まれる電気回路（図示せず）上に載置されている。
この電気光学素子１５２０は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
【０１５９】
図３９Ｂに示すように、好ましくは、横カット１５２６が、基板１５２４を部分的に通過して延びるように形成される。
図示したように、カット１５２６によって構成される表面１５２８は比較的粗いということは理解されるだろう。
【０１６０】
図３９Ｃを参照すれば、好ましくは、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡アセンブリ１５３０が、カット１５２６によって構成された粗い傾斜面１５２８に平行に載置されている。
鏡アセンブリ１５３０は、その上に屈曲部１５３６が形成され、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層１５３８が形成されたガラス基板１５３４を含む。
鏡アセンブリ１５３０はまた、その上に屈曲部１５３６の一部の下にある金属層乃至異色性フィルタ層１５４２が形成されているプレーナー表面１５４０を構成する。
図３９Ｄに示すように、鏡アセンブリ１５３０は好ましくは、エポキシ等のいかなる適切な接着剤１５４４によって堅固に位置固定される。
図３９Ｄの一部の概略拡大図である図４０を参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、電気光学素子１５２０それぞれからガラス基板１５３４および鏡アセンブリ１５３０の屈曲部１５３６を通過して層１５３８と反射的に連結された後、屈曲部１５３６および基板１５３４を通過して層１５４２に到逹して、層１５４２から反射して基板１５３４を通過する平行光線に構成されている。
【０１６１】
図３９Ａ乃至図４０を参照して説明した電気光学集積回路は、図４３乃至図４５を参照して以下で説明される光送信機または光受信機として動作するように構成されることができるということは理解されるだろう。
【０１６２】
以下、本発明の他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概略断面図である図４１Ａ、図４１Ｂ、図４１Ｃおよび図４１Ｄを参照する。
図４１Ａに示すように、光ファイバ１６２０が、接着剤１６２３を用いて基板１６２２上に載置されている。
図４１Ｂに示すように、好ましくは、横カット１６２４が、接着剤１６２３、光ファイバ１６２０、および基板１６２２を通過して延びるように形成される。
特に、本実施例では、カット１６２４は、それぞれの光ファイバ１６２０のクラッディング１６２６を通過してそれぞれの光ファイバのコア１６２８を完全に通過して延びている。
図示したように、カット１６２４によって構成される表面１６２９は、比較的粗いということは理解されるだろう。
【０１６３】
図４１Ｃを参照すれば、好ましくは、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡アセンブリ１６３０が、カット１６２４によって構成された粗い傾斜面１６２９に平行に載置されている。
鏡アセンブリ１６３０は、その上に屈曲部１６３６が形成され、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層１６３８が形成されたガラス基板１６３４を含む。
鏡アセンブリ１６３０はまた、その上に屈曲部１６３６の一部の下にある金属層乃至異色性フィルタ層１６４２が形成されているプレーナー表面１６４０を構成する。
【０１６４】
図４１Ｄに示すように、好ましくは、鏡アセンブリ１６３０は、ＯＧ１４６等の光学的接着剤１６４４によって堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、望ましく光ファイバ１６２０のコア１６２８の屈折率と正確に一致する。
図４１Ｄの一部の概略拡大図である図４２を参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、光ファイバ１６２０のコア１６２８の端部１６４６から、接着剤１６４４、基板１６３４、および鏡アセンブリ１６３０の屈曲部１６３６を通過して層１６３８と反射的に連結された後、屈曲部１６３６および基板１６３４を通過して層１６４２に到逹して層１６４２から反射して基板１６３４を通過する平行光線に構成されている。
【０１６５】
図４１Ａ乃至図４２を参照して説明した電気光学集積回路は、図４３乃至図４５を参照して以下で説明される光送信機または光受信機として動作するように構成されることができるということは理解されるだろう。
【０１６６】
図４０の電気光学集積回路（素子番号１７００と示される）と図４２の他の電気光学集積回路（素子番号１７０２と示される）との間に自由空間を通じての光学的結合を図示した図４３を参照する。
電気光学集積回路１７００、１７０２は、平行光線の光を互いに送信および受信することができるということは理解されるだろう。
【０１６７】
図４０の電気光学集積回路（素子番号１７０４と示される）と図４０の他の電気光学集積回路（素子番号１７０６と示される）との間に自由空間を通じての光学的結合を図示した図４４を参照する。
電気光学集積回路１７０４、１７０６は、平行光線の光を互いに送信および受信することができるということは理解されるだろう。
【０１６８】
図４２の電気光学集積回路（素子番号１７０８と示される）と図４２の他の電気光学集積回路（素子番号１７１０と示される）との間に自由空間を通じての光学的結合を図示した図４５を参照する。
【０１６９】
電気光学集積回路１７０８、１７１０は、平行光線の光を互いに送信および受信することができるということは理解されるだろう。
以下、本発明の他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概略断面図である図４６Ａ、図４６Ｂ、図４６Ｃおよび図４６Ｄを参照する。
図４６に示すように、光ファイバ１８００は、適切な接着剤１８０４、好ましくはエポキシを用いて基板１８０２上に位置固定される。
図４６Ｂに示すように、好ましくは、横ノッチ１８２４が、接着剤１８０４を通過し、それぞれの光ファイバ１８００を完全に通過し、基板１８０２内に部分的に入って延びるように形成される。
特に、本実施例では、ノッチ１８２４は、それぞれの光ファイバ１８００のクラッディング１８２６の全部を通過し、それぞれの光ファイバのコア１８２８を完全に通過して延びている。
図示したように、ノッチ１８２４によって構成される表面は、比較的粗いということは理解されるだろう。
【０１７０】
図４６Ｃを参照すれば、好ましくは、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡１８３０が、ノッチ１８２４によって構成された粗い傾斜面１８３２中の１つに平行に載置されている。
鏡１８３０は好ましくは、その上に形成された屈曲部１８３６を有し、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層１８３８が形成されたガラス基板１８３４を含む。
図４６Ｄに示すように、好ましくは、鏡１８３０は、ＯＧ１４６等の光学的接着剤１８４４によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、望ましく光ファイバ１８００のコア１８２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤１８４４の代わりに光学的接着剤１８４６が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
光学的接着剤１８４６は好ましくは、ノッチ１８２４によって構成された粗い面１８３２と鏡１８３０の面１８４８との間に間隙を充填する。
【０１７１】
図４６Ｄの一部の概略拡大図である図４７を参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、コア１８２８の端部１８５０から接着剤１８４６、基板１８３４、屈曲部１８３６を通過して層１８３８の反射面１８５２に到逹した後、屈曲部１８３６、接着剤１８４６、基板１８０２を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
接着剤１８４６の屈折率は、屈曲部１８３６と基板１８０２、１８３４の屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
図４７に示すように、屈曲層１８３８の作用は、コア１８２８の端部１８５９から基板１８０２を通じて放出された光を平行光線化するものである。
【０１７２】
図４６Ｄの電気光学集積回路（素子番号１９００と示される）と図４６Ｄの他の電気光学集積回路（素子番号１９０２と示される）との間に自由空間を通じての光学的結合を図示した図４８を参照する。
電気光学集積回路１９００、１９０２は、平行光線の光を互いに送信および受信することができるということは理解されるだろう。
図４６Ｄの電気光学集積回路（素子番号１９０４と示される）と光学素子（素子番号１９０６と示される）との間に自由空間を通じての光学的結合を図示した図４９を参照する。
光学素子１９０６は、光を平行光線で送信および受信することができるいかなる光学素子にもなることができる。
電気光学集積回路１９０４と光学素子１９０６は平行光線の光を互いに送信および受信することができるということは理解されるだろう。
【０１７３】
本発明のさらに他の好適な実施例によって構成され動作する電気光学集積回路の製造工程の段階を示す概路図である図５０Ａ、図５０Ｂ、図５０Ｃ、図５０Ｄおよび図５０Ｅを参照する。
図５０Ａに示すように、典型的にシリコンからなり、３００〜８００ミクロンの厚さを有する基板２０００は、その上に少なくとも１つのパッシベーション誘電層２００２、少なくとも１つの金属層２００４、および少なくとも１つの下地誘電層２００６が形成されている。
誘電層は好ましくは、可視光線および赤外線帯域の光に透光性を有する。
少なくとも１つの金属層２００４に連結された通過点（図示せず）は、層２００２を通過して基板２０００まで延びている。
１つ以上の半導体機能ブロック２００８が好ましくは、基板２０００上に形成される。
【０１７４】
図５０Ｂに示すように、１つ以上の開口２０１０が、図２５Ｂの例と同様に、基板２０００の下方から基板２０００の一部を除去することで形成される。
基板２０００の一部の除去は、従来のエッチング法を用いて行われることができ、好ましくは少なくとも６００ミクロンの幅の寸法を有するボリュームを提供する。
【０１７５】
図５０Ｃに示すように、集積回路チップ２０１４は好ましくは、開口２０１０内に配置される。
これらチップは図２５Ｄに示された例と同様にバンプ（図示せず）に半田付けされて通過点（図示せず）に動的に連結することで、光電子集積回路を生成することもでき、ここで集積回路チップ２０１４は集積回路の基板内に存在する。
【０１７６】
図５０Ｄに示すように、１つ以上の光ファイバ２０１６が好ましくは、図３７Ａに示すように、接着剤（図示せず）によって基板２０００に固定される。
多数の光ファイバ２０１６は同一であるかまたは類似するか、あるいは互いに異なっており、互いに空間的に整列される必要はない。
【０１７７】
図５０Ｅに示すように、典型的に図１８Ａ乃至図２４Ｇのうちのいずれか１つに示された形態の鏡２０３０が好ましくは、それぞれの光ファイバ２０１６に動的に連結されて載置されている。
図５０Ｅの構造の好適な実施例の概略機能図である図５１を参照する。
【０１７８】
図５１に示すように、好ましくは典型的に１０ＧＨｚの高周波光信号２１００が光ファイバ２１０２を通過した後、鏡２１０４に反射して、凹部２１０７内に配置されたダイオード２１０６上に入射される。
ダイオード２１０６からの出力電気信号２１０８は増幅器２１１０に供給されて、この増幅器は凹部２１１１内に配置されることもでき、シリコンからなる必要はなく、例えばガリウム砒素またはインジウム隣化物からなることもできる。
増幅器２１１０の増幅された出力２１１２はシリアライザ／デシリアライザ（ｓｅｒｉａｌｉｚｅｒ／ｄｅｓｅｒｉａｌｉｚｅｒ）２１１４に提供され、このシリアライザ／デシリアライザは凹部２１１５内に配置されることもでき、シリコンからなる必要はなく、例えばガリウム砒素またはインジウム隣化物からなることもできる。
【０１７９】
シリアライザ／デシリアライザ２１１４の出力信号２１６６は好ましくは、後続処理のための１つ以上の半導体機能ブロック２１１８に供給されることもできる。
凹部２１２２内に配置されることもできるレーザ２１２０は、機能ブロック２１１８からの電気出力を用いて変調された光線２１２４を生成して、この光線は鏡２１２６によって反射し、光ファイバ２１２８を通過するようになっている。
電気光学集積回路素子２１０６、２１２０は光送信機または光受信機、またはこれら全体として動作するように構成されることもできることは理解されるだろう。
【０１８０】
前述の基板の材料に加えて、基板はガラス、シリコン、サファイア、アルミナ、アルミニウム窒化物、ボロン窒化物など適切な材料を含むことができるということは理解されるだろう。
【０１８１】
光コネクタおよび電気連結部が、独自的にまたは従来の光コネクタと結合して、その内部に一体に形成されたパッケージングされた電気光学回路３１００の概路図である図５２Ａおよび図５２Ｂを参照する。
【０１８２】
図５２Ａおよび図５２Ｂに示すように、パッケージングされた電気光学回路３１００は本発明の好適な実施例によって提供されて、典型的にガラスからなる少なくとも部分的に透明な基板３１０２を含む。
電気回路（図示せず）は、基板３１０２の一面に対して従来のフォトリソグラフィ法を用いて形成され、アメリカのダウコーニング社から商用として入手可能なＢＣＢなどの保護剤からなる層３１０４によってカプセル化される。
電気連結部のアレイ３１０６は好ましくは、従来のソルダバンプの形態であり、層３１０４の保護剤を通過して延びる導電性経路（図示せず）を通じて電気回路と通信する。
【０１８３】
隣接層３１０４に対向して基板３１０２の一面に形成され、光ファイバ３１０８のアレイと通信する光経路（図示せず）が構成されており、この光ファイバの端部は基板３１０２のエッジ３１１０に沿って整列されている。
好ましくは、物理的整列孔３１１２この光ファイバ３１０８のアレイと整列されている。
この孔３１１２は、好ましくは円筒状素子によって構成され、この素子は、光ファイバ３１０８および光経路とともに、保護剤、好ましくはエポキシからなる層３１１４によってカプセル化される。
【０１８４】
図５２Ｂは、そのパッケージングされた電気光学回路３１００と接触して構成されている、センコーアドバンストコンポーネンツ社（アメリカ  マサチューセツ  マルボロ所在）製のＭＰＯコネクタなどの従来のＭＰＯ型光コネクタ３１１６を示しており、コネクタ３１１６の整列ピン３１１８は電気光学回路３１００の整列孔３１１２に連結するように構成されて、コネクタ３１１６の光ファイバ端部（図示せず）はそのパッケージングされた電気光学回路３１００内の光ファイバのアレイ３１０８の端部と当接して整列される関係で構成されている。
図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第１複数の段階を示す概略断面図である図５３Ａ、図５３Ｂ、図５３Ｃ、図５３Ｄ、図５３Ｅおよび図５３Ｆを参照する。
【０１８５】
図５３Ａを参照すれば、電気回路３１２０は好ましくは基板３１０２の第１面３１２２上に形成され、その少なくとも一部は６００〜１６５０ｎｍの波長範囲の少なくとも一部の光に透光性を有しいる。
基板３１２０は好ましくは２００〜８００の厚さを有する。
電気回路３１２０は好ましくは、集積回路の製造に採用される従来のフォトリソグラフィ法によって形成される。
【０１８６】
図５３Ａに示された基板を矢印３１２４に示されたように覆して、図５３Ｂに示すように、平行に離隔された長い光ファイバ位置固定素子３１２６のアレイが、基板３１０２の反対面３１２８に対して従来のフォトリソグラフィ法などを用いて形成される。
表面３１２８上の素子３１２６のアレイの位置は、図５３Ｃに示すように、基板３１０２の第１面３１２２上の電気回路３１２０の位置と正確に整列されていることが好ましいということは理解されるだろう。
【０１８７】
図５３Ｄを参照すれば、ノッチ３１３０が、ダイシングブレード３１３２などの手段で表面３１２８上に好適に形成され、図５３Ｅに示すように、整列孔構成シリンダ３１３４を正確に配置させて収容するようにする。
図５３Ｅは、整列孔構成シリンダ３１３４の中心が、表面３１２８上の素子３１２６の間に正確に位置している光ファイバ３１０８の中心３１３６と同一プレーナー表面上に正確に存在することを示している。
図５３Ｆは、光ファイバ３１０８、シリンダ３１３４、および位置固定素子３１２６を、エポキシ等の保護剤からなる層３１１４によってカプセル化したことを示している。
【０１８８】
図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である５４Ａ、図５４Ｂ、図５４Ｃ、図５４Ｄ、図５４Ｅ、図５４Ｆ、図５４Ｇ、図５４Ｈ、図５４Ｉおよび図５４Ｊを参照する。
図５４Ａは図５３Ｆのウエハを覆したことを示している。
【０１８９】
図５４Ｂに示すように、複数のスタッド（ｓｔｕｄ）３１４０、好ましくは金スタッドが、表面３１２２上のに置かれている電気回路３１２０上に形成されている。
スタッド３１４０は、好ましくは図５４Ｃに示すように、押されて、すなわち、「小銭形態になって（ｃｏｉｎｅｄ）」、図５４Ｄに示すように、多数の押された電気コンタクト３１４２を形成するようになる。
【０１９０】
図５４Ｅ、図５４Ｆおよび図５４Ｇに示すように、図５４Ｄのウエハを矢印３１４４に示されたように覆して、電気コンタクト３１４２を、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のＨ２０Ｅは、充填エポキシの導電性接着剤３１４８の浅い槽（ｂａｔｈ）３１４６に浸漬し、図示されたようにコンタクト３１４２のそれぞれのチップを接着剤３１４８でコーティングする。
図５４Gのウエハを矢印３１５０に示されたように覆して、複数の集積回路３１５２が図５４Hに示すように複数のコンタクト３１４２上に載置されている。
集積回路３１５２は、電気的集積回路または電気光学集積回路等適切なものになることができる。
【０１９１】
図５４Iは、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のＯＧ１４６位の下部充填剤を基板３１０２だけでなく、集積回路３１５２と電気回路３１２０との間の間隙に塗布したことを示している。
集積回路３１５２が電気光学素子を含めば、下部充填剤３１５４は適切な透明性がなければならない。
【０１９２】
図５４Ｊに示すように、ゾルダマスク層のカプセル化層３１５６は、好ましくは集積回路３１５２、電気回路３１２０、基板３１０２、および下部充填剤３１５４に対して形成される。
【０１９３】
以下の説明のために、集積回路３１５２の少なくとも一部（全部ではない）が電気光学素子であると仮定する。
電気光学素子ではない追加的な集積回路（図示せず）が、ワイヤボンディング等の他の技法によって基板３１０２上の電気回路３１２０に電気的に連結することもできることは理解されるだろう。
【０１９４】
以下、図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第３複数の段階を示す概略断面図である図５５Ａ、図５５Ｂ、図５５Ｃおよび図５５Ｄを参照する。
【０１９５】
図５５Ａは、図５４Ｊのウエハを覆して、光ファイバ３１０８のアレイに垂直に延びる線に沿ってノッチングを行い、それぞれの光ファイバ３１０８の少なくとも１つのコア３１６０を完全に通過して延ばして、円筒状素子３１３４を少なくとも部分的に通過して延びる傾いたカットを生成する。
【０１９６】
図５５Ｂは、図５５Ａの線ＬＶＢ―ＬＶＢに沿って取った、電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【０１９７】
図５５Ｂに示すように、好ましくはノッチングによって、少なくとも一部（全部ではない）が電気光学素子である集積回路３１５２の個所を少なくとも部分的に覆って、保護材料の階３１１４を通過し、それぞれの光ファイバ３１０８を完全に通過して基板３１０２内に部分的に延びるノッチ３２２４を形成する。
特に、本実施例では、ノッチ３２２４は、それぞれの光ファイバ３１０８のクラッディング３２２６の全部を通過し、それぞれの光ファイバのコア３１６０を完全に通過して延びている。
図示したように、ノッチ３２２４によって構成される表面は比較的粗いということは理解されるだろう。
【０１９８】
図５５Ｃを参照すれば、好ましくは、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡３２３０が、ノッチ３２２４によって構成された粗い傾斜面の中で３２３２の１つに平行に載置されている。
鏡３２３０は好ましくは、その上に形成された屈曲部３２３６を有し、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層３２３８が形成されたガラス基板３２３４を含む。
図５５Ｄに示すように、好ましくは、鏡３２３０は、エポキシ等のあらゆる適切な接着剤３２３９によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤３２４０によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、望ましく光ファイバ３１０８のコア３１６０の屈折率と正確に一致する。
接着剤３２３９の代わりに光学的接着剤３２４０が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
光学的接着剤３２４０は好ましくは、ノッチ３２２４によって構成された粗い面３２３２と鏡３２３０の面３２４２との間に間隙を充填する。
【０１９９】
本発明の好適な実施例による図５５Ｄの一部の概略拡大図である図５６Ａ、図５６Ｂおよび図５６Ｃを参照する。
図５６Ａは図５５Ｄの一部の概略拡大図である。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光がコア３１６０の端部３２５０から接着剤３２４０、基板３２３４、屈曲部３２３６を通過して層３２３８の反射面３２５２に到逹した後、屈曲部３２３６、接着剤３２４０、基板３１０２および層３１０４を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
接着剤３２４０の屈折率は屈曲部３２３６と基板３１０４、３２３４の屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
【０２００】
図５６Ａの実施例では、屈曲層３２３８の作用は、コア３１６０の端部３２５０から放出した光を電気光学素子３１５２上に集光させるのである。
図５６Ｂは本発明のさらに他の実施例による図５５Ｄの一部の概略拡大図である。
本実施例では、屈曲層３２３８の曲率によって、コア３１６０の端部３２５０から放出した光を電気光学素子３１５２上に集光させるのではなく平行光化するのである。
【０２０１】
５６Ｃは格子３２６０が屈曲層３２３８に追加されている本発明のさらに他の実施例による図５５Ｄの一部の概略拡大図である。
格子３２６０を追加的に提供するによって、ここに入射する光をその波長によって分離することで、コア３１６０の端部３２５０から放出した多色光が、素子の波長によって電気光学素子３１５２の多数の個所に集光されるようにする。
【０２０２】
以下、本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の概略断面図である図５７を参照する。
図５７の実施例は、図５５Ｄを参照して前述の実施例に略対応しており、ただ、多数の凹反射面を有する鏡が単一反射面を有する鏡の代わりに提供される。
図５７に示すように、光ファイバ３３１６からの光は、好ましくはノッチ３３２４によって構成された粗い傾斜面３３３２のうちの１つに平行に載置されており、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡アセンブリ３３３０によって電気光学素子３３２０に案内される。
鏡アセンブリ３３３０は、その上に複数個の屈曲部３３３６が形成され、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層３３３８が形成されたガラス基板３３３４を含む。
鏡アセンブリ３３３０はまた、層３３３８に略対向するプレーナー表面３３４２上に配置された反射面３３４０を構成する。
鏡アセンブリ３３３０の好ましい製造方法は図２０Ａ乃至図２０Ｆを参照して前述されている。
好ましくは、鏡アセンブリ３３３０はエポキシ等のあらゆる適切な接着剤３３４３によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤３３４４によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、望ましく光ファイバ３３１６のコア３３２８の屈折率と正確に一致する。
接着剤３３４３の代わりに光学的接着剤３３４４が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
光学的接着剤３３４４は好ましくは、ノッチ３３２４によって構成された粗い面３３３２と鏡３３３０の面３３４２との間に間隙を充填する。
【０２０３】
図５７の一部の概略拡大図である図５８Ａを参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光がコア３３２８の端部３３５０から接着剤３３４０、基板３３３４、第１屈曲部３３３６を通過して層３３３８の屈曲反射面３３５２に到逹した後、第１屈曲部３３３６および基板３３３４を通過して反射面３３４０に到逹して、反射面３３４０から基板３３３４および第２屈曲部３３３６を通過して層３３３８の他の屈曲反射面３３５４に到逹した後、第２屈曲部３３３６、基板３３３４、接着剤３３４４、基板３３０４および層３３０５を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
接着剤３３４４の屈折率は、基板３３０４、３３３４の屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
図５８Ａの実施例では、屈曲層３３３８の作用は、コア３３２８の端部３３５０から放出した光を電気光学素子３３２０上に集光させるものである。
【０２０４】
本発明のさらに他の実施例による図５７の一部の概略拡大図である図５８Ｂを参照する。
本実施例では、屈曲層３３３８の曲率によって、コア３３２８の端部３３５０から放出した光を電気光学素子３３２０上に集光させるのではなく平行光化するのである。
【０２０５】
反射格子３３６０が反射面３３４０を代替している本発明のさらに他の実施例による図５７の一部の概略拡大図である図５８Ｃを参照する。
格子３３６０を有する鏡アセンブリ３３３０の好ましい製造方法は、図２２Ａ乃至図２２Fを参照して前述されている。
格子３３６０を追加的に提供するによって、ここに入射する光をその波長によって分離することで、コア３３２８の端部３３５０から放出した多色光が、素子の波長によって電気光学素子３３２０の多数の個所に集光されるようにする。
【０２０６】
図５５Ｃ乃至図５８Ｃに示された実施例は、図１９Ａ乃至図２０Ｆおよび図２２Ａ乃至図２２Ｇを参照してその製造方法を前述の鏡アセンブリを用いるが、図１８Ａ乃至図２４Ｇを参照してその製造方法を前述の鏡アセンブリのうちのいずれか１つも対案として利用されることができるということは理解されるだろう。
【０２０７】
以下、図５５Ｄの断面図に対応する概路図である図５９を参照する。
図５９は、図５５Ｄを参照して前述のとおり、ノッチ３３２４によって構成された粗い傾斜面３２３２のうちの１つに平行に、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡アセンブリ３２３０が載置されている図５５Ａのウエハを示している。
アセンブリ３２３０が基板の３１０２の全長に沿って延長されていることは理解されるだろう。
【０２０８】
以下、図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第４複数の段階を示す概略断面図である図６０Ａ、図６０Ｂ、図６０Ｃ、図６０Ｄ、図６０Ｅおよび図６０Fを参照する。
図６０Ａは、図５９のウエハを覆したことを示している。
図６０Ｂは、線ＬＸＢ−ＬＸＢに沿って取った図６０Ａのウエハの断面図である。
図６０Ｃは、基板３１０２上の電気回路３１２０（図５３Ａ）と連結するホール３４０２を、レーザまたはフォトリソグラフィ法などの従来の技法を用いて形成することを示している。
図６０Ｄはホール３４０２内のソルダバンプ３４０４の形成を示している。
【０２０９】
ホール３４０２内にソルダバンプ３４０４を形成した後、図６０Ｅに示すように、ウエハをダイシングして、図６０Fに示すように、複数個のパッケージングされた電気光学回路チップ３４０６を提供する。
基板３１０２を複数個のパッケージングされた電気光学回路チップ３４０６にダイシングした後に、複数個のパッケージングされた電気光学回路チップ３４０６のそれぞれの光学エッジ面３４０７を研磨して、光学的高質プレーナー表面を形成する。
【０２１０】
研磨によって構成されたプレーナー表面はダイシングによって構成された面と平行であるか、またはいかなる適切な角を有することができるということは理解されるだろう。
【０２１１】
以下、従来の電気回路ボード３４０８上に載置されて従来の光ファイバリボン３４１０およびここに対応する従来の光ファイバコネクタ３１１６（図５２Ｂ）によって相互接続されている、パッケージングされた電気光学回路チップ３４０６を示す図６１を参照する。
【０２１２】
以下、本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である図６２を参照する。
図６２に示すように、１つ以上の電気回路４２００が好ましくは、基板４２０４の選択事項のエピタキシャル層４２０３の第１面４２０２上に形成される。
エピタキシャル層４２０３は典型的にシリコンからなり、２〜１０ミクロンの厚さを有し、一方、基板４２０４は典型的にシリコンからなり、２００〜１０００ミクロンの厚さを有する。
電気回路４２００は好ましくは、集積回路の製造に採用される従来のフォトリソグラフィ法および薄膜処理技法によって形成され、基板４４０４上に形成される。
電気回路４２００は好ましくは、誘電層４２０６によって覆われた層４２０３内に形成されたトランジスタ４２０５を含み、その上には誘電層４２０８に散在された複数の金属導電層４２０７が形成されており、これは上部パッシベーション層によって覆われている。
誘電層は好ましくは、４００〜１６５０nmの波長範囲の少なくとも一部内の可視光線および赤外線帯域の光に透光性を有する。
少なくとも１つの導電層４２０７に連結された通過点４２１１は、層４２１０を介して上部面４２１２に延びている。
【０２１３】
以下、図６２の実施例による電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である図６３Ａ、図６３Ｂ、図６３Ｃ、図６３Ｄおよび図６３Ｅを参照する。
図６３Ａは、図６２の基板を覆したことを示している。
【０２１４】
図６３Ｂに示すように、開口４２１６は、通過点４２１１を覆わない個所で基板４２０４の一部を除去することで形成される。
好ましくは、基板４２０４の全体厚さが除去されて、誘電層４２０６、４２０８導電層４２０７および上部パッシベーション層４２１０のみを完全に残す。
対案としては、誘電層４２０６もまた除去され、誘電層４２０８の一部または全部および上部パッシベーションツング４２１０のみを完全に残すこともできる。
基板４２０４の除去は、従来のエッチング法を用いて行われることができ、好ましくは略１００〜２００ミクロンの幅および１０００〜３０００ミクロンの長さの寸法を有するボリュームを提供する。
【０２１５】
図６３Ｃに示すように、開口４２１６はＯＧ１４６等の適切な透明な光学的接着剤４２１７に充填されて、ＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、アメリカのダウコーニング社の製造者から商用として入手可能な従来の光ファイバのコアの屈折率と正確に一致する。
【０２１６】
図６３Ｄに示すように、導電性バンプ４２１８、好ましくはソルダバンプ等の金属バンプが、通過点４２１１の露出面上に形成される。
図６３Ｅに示すように、導電性バンプ４２２０、好ましくはソルダバンプ等の金属バンプが、好ましくは開口４２１６の下に配置された集積回路チップ４２２２の表面上に形成される。
集積回路チップ４２２２は好ましくは、バンプ４２１８とバンプ４２２０との半田付けによって通過点４２１１と導電的に連結する。
【０２１７】
集積回路基板４２３０内に形成された開口４２２８の下に配置された集積回路チップ４２２６上に形成されたレーザ光源４２２４を含む形態であって、図６３Ａ乃至図６３Ｅの集積回路を示す概路図である図６４を参照する。
【０２１８】
集積回路基板４２３８内に形成された開口４２３６の下に配置された集積回路チップ４２３４上に形成された光検出器４２３２を含む形態であって、図６３Ａ乃至図６３Ｅの集積回路を示す概路図である図６５を参照する。
【０２１９】
基板４２４４内に形成された多数の開口４２４２の下に配置された多数の素子４２４０を含む形態であって、図６３Ａ乃至図６３Ｅの集積回路を示す概路図である図６６を参照する。
これら素子は、電気素子または電気光学素子等適切なものになることができる。
【０２２０】
以下、前記光学集積回路の製造工程の後続段階の概路図である図６７Ａ、図６７Ｂ、図６７Ｃおよび図６７Ｄを参照する。
図６７Ａは、図６２の基板を覆したことを示している。
開口４２４６は、基板４２０４の一部上に形成され、ＯＧ１４６等の適切な透明な光学的接着剤４２５０に充填されて、ＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、アメリカのダウコーニング社等の製造者から商用として入手可能な従来の光ファイバのコアの屈折率と正確に一致する。
開口４２４６は好ましくは、基板４２０４の第１面４２１２に対向する第２面から誘電層４２０６まで延長されている。
対案としては、開口４２４６は、誘電層４２０６を通過して誘電層４２０８を部分的にまたは完全に通過してパッシベーション層４２１０まで延長されることもできる。
開口４２４６を光学的接着剤４２５０で充填した後、多数の電気光学素子が、図６３Ｅ乃至図６６を参照して前述のとおり、集積回路基板４２０２上に結合される。
【０２２１】
図６７Ｂは、従来のフォトリソグラフィ法およびエッチング法などを用いて望ましくは基板４２０４の第２面４２４８に対して形成された、平行に離隔された長い光ファイバ位置固定素子を示している。
好ましくは、位置固定素子４２５２は、光学的接着剤４２５０で充填された開口４２４６の中間に配置される。
【０２２２】
図６７Ｃに示すように、光ファイバ４２５６のアレイは、基板４２０４の表面４２４８に対して配置されて、それぞれの光ファイバは隣接した位置固定素子４２５２の間に位置している。
光ファイバ４２５６は、図６７Ｄに示すように、適切な接着剤４２５８によって、位置固定素子４２５２にそして基板４２０４の表面４２４８に対して位置固定され、好ましくは光学的接着剤４２５０で充填された開口４２４６を覆っている。
【０２２３】
図６７Ｄの線ＬＸＶＩＩＩ−ＬＸＶＩＩＩに沿った、電気光学集積回路の製造工程の追加的段階の概略断面図である図６８Ａ、図６８Ｂ、図６８Ｃおよび図６８Ｄを参照する。
図６８Ａを参照すれば、ダイオードレーザなどの電気光学素子４２６０が電気回路４２００（図６２）上に載置されている。
この電気光学素子４２６０は、レーザダイオード、ダイオード検出器、導波管、アレイ導波管格子、半導体光学増幅器など、いかなる適切な電気光学素子にもなることができるということは理解されるだろう。
図６７Ａを参照して前述のとおり、光学的開口４２４６が、基板４２０４の一部を基板４２０４の全体厚さに亙って除去し、ＯＧ１４６等の透明な光学的接着剤４２５０で開口４２４６を充填することで形成され、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、望ましく光ファイバ４２５６のコア４２６２の屈折率と正確に一致する。
図６８Ｂに示すように、好ましくは、横ノッチ４２６４が、電気光学素子４６０の個所を少なくとも部分的に覆って、接着剤４２５８を通過し、それぞれの光ファイバ４２５６を完全に通過し、基板４２０４および開口４２４６内の光学的接着剤４２５０全部内へ部分的に入って延びるように形成される。
特に、ノッチ４２６４は、そのノッチ４２６４の底で光学的に透明なエポキシで充填された光学的通過点４２６６を構成する、開口４２４６を部分的に通過して延びている。
ノッチ４２６４によって構成された面４２７０は、図示したように、粗いということは理解されるだろう。
【０２２４】
図６８Ｃに示すように、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡４２６８が、好ましくはノッチ４２６４によって構成された粗い傾斜面４２７０のうちの１つに平行に載置されている。
鏡４２６８は、その上に屈曲部４２７４が形成され、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層４２７６が形成されたガラス基板４２７２を含む。
図６８Ｄに示すように、好ましくは、鏡４２６８はエポキシ等のいかなる適切な接着剤４２７８によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤４２８０によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は望ましく光ファイバ４２５６のコア４２６２の屈折率と正確に一致する。
接着剤４２７８の代わりに光学的接着剤４２８０が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
光学的接着剤４２８０は好ましくは、ノッチ４２６４によって構成された粗い面４２７０と鏡４２６８の面４２８２との間に間隙を充填する。
【０２２５】
図６８Ｄの一部の概略拡大図である図６９Ａを参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光が、光ファイバ４２５６のコア４２６２の端部４２８４から接着剤４２８０、基板４２７２、屈曲部４２７４を通過して層４２７６の反射面４２８６に到逹した後、屈曲部４２７４、接着剤４２８０、光学的通過点４２６６、および層４２０６、４２０８、４２１０を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
接着剤４２８０の屈折率は光学的通過点４２６６の屈折率と同一であり、コア４２６２の屈折率と正確に一致することに注目しなければならない。
図６９Ａの実施例では、屈曲反射面４２８６の作用は、コア４２６２の端部４２８４から放出された光を電気光学素子４２６０上に集光するか、これと類似に電気光学素子４２６０から放出された光をコア４２６２の端部４２８４上に集光させるものである。
【０２２６】
本発明のさらに他の実施例による図６８Ｄの一部の概略拡大図である図６９Ｂを参照する。
本実施例では、屈曲層４２７４の曲率によって、コア４２６２の端部４２８４から放出した光を電気光学素子４２６０上に集光させるのではなく平行光化するものである。
【０２２７】
格子４２８８が屈曲部４２７４に追加されている本発明のさらに他の実施例による図６８Ｄの一部の概略拡大図である図６９Ｃを参照する。
格子４２８８を追加的に提供するによって、ここに入射する光をその波長によって分離することで、コア４２６２の端部４２８４から放出した多色光が、素子の波長によって電気光学素子４２６０の多数の個所に集光されるようにする。
【０２２８】
以下、本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概略断面図である図７０を参照する。
図７０の実施例は、図６８Ｄを参照して前述の実施例に略対応しており、ただ、多数の凹反射面を有する鏡が単一反射面を有する鏡の代わりに提供される。
図７０に示すように、コア４３１８を有する光ファイバ４３１６からの光は、好ましくはノッチ４３３３によって構成された粗い傾斜面４３３２のうちの１つに平行に載置されており、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡アセンブリ４３３０によって電気光学素子４３２０に案内される。
【０２２９】
鏡アセンブリ４３３０は、その上に複数個の屈曲部４３３６が形成され、その上に屈曲金属層乃至異色性フィルタ層４３３８が形成されたガラス基板４３３５を含む。
鏡アセンブリ４３３０はまた、層４３３８に略対向するプレーナー表面４３４２上に配置された反射面４３４０を構成する。
好ましくは、鏡アセンブリ４３３０は、エポキシ等のいかなる適切な接着剤４３４３によって部分的に、そしてＯＧ１４６等の光学的接着剤４３４４によって部分的に、堅固に位置固定されており、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、好ましくは光ファイバ４３１６のコア４３１８の屈折率と正確に一致して、光学的通過点４３２６を充填するのに利用される接着剤と同一である。
接着剤４３４３の代わりに光学的接着剤４３４４が全面的に採用されることもできるということは理解されるだろう。
光学的接着剤４３４４は好ましくは、ノッチ４３３３によって構成された粗い面４３３２と鏡アセンブリ４３３０の面４３４２との間に間隙を充填する。
【０２３０】
図７０Ｄの一部の概略拡大図である図７１Ａを参照する。
略妨げられない光経路は、好ましくは４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の光がコア４３１８の端部４３５０から接着剤４３４４、基板４３３５、第１屈曲部４３３６を通過して層４３３８の屈曲反射面４３５２に到逹した後、第１屈曲部４３３６および基板４３３５を通過して反射面４３４０に到逹して、反射面４３４０から基板４３３５および第２屈曲部４３３６を通過して層４３３８の他の屈曲反射面４３５４に到逹した後、第２屈曲部４３３６、基板４３３５、接着剤４３４４、光学ビア及び誘電層４３５６、４３５８、及び４３６０を通過すると構成されており、これらは実質的に前記の光に透光性を有していることが示されている。
接着剤４３４４の屈折率は、基板４３３５の屈折率に近いものの同じではないということに注目しなければならない。
【０２３１】
図７１Ａの実施例では、屈曲層４３３８および反射面４３４０の作用は、コア４３１８の端部４３５０から放出した光を電気光学素子４３２０上に集光させるものである。
【０２３２】
本発明のさらに他の実施例による図７０の一部の概略拡大図である図７１Ｂを参照する。
本実施例では、屈曲層４３３８の曲率によって、コア４３１８の端部４３５０から放出した光を電気光学素子４３２０上に集光させるのではなく平行光化するのである。
【０２３３】
反射格子４３６２が反射面４３４０（図７０）を代替している本発明のさらに他の実施例による図７０の一部の概略拡大図である図７１Ｃを参照する。
格子４３６２を追加的に提供するによって、ここに入射する光をその波長によって分離することで、コア４３１８の端部４３５０から放出した多色光が、素子の波長によって電気光学素子４３２０の多数の個所に集光されるようにする。
【０２３４】
以下、本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である図７２Ａ、図７２Ｂ、図７２Ｃ、図７２Ｄおよび図７２Ｅを参照する。
【０２３５】
図７２Ａに示すように、１つ以上の半導体機能ブロック４４００が好ましくは、基板４４０４の選択事項のエピタキシャル層４２０３の第１面４２０２上に形成される。
エピタキシャル層４２０３は典型的にシリコンからなり、２〜１０ミクロンの厚さを有し、一方、基板４４０４は典型的にシリコンからなり、２００〜１０００ミクロンの厚さを有する。
半導体機能ブロック４４００は好ましくは、集積回路の製造に採用される従来のフォトリソグラフィ法および薄膜処理技法によって形成され、基板４４０４上に形成される。
半導体機能ブロック４４００は好ましくは、誘電層４２０６によって覆われた層４２０３内に形成されたトランジスタ４２０５を含み、その上には典型的に誘電層４２０８に散在された複数の金属導電層４２０７が形成されており、これはパッシベーション層４４１０によって覆われている。
誘電層は好ましくは、４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の少なくとも一部内の可視光線および赤外線帯域の光に透光性を有する。
少なくとも１つの導電層４４０７に連結された通過点４４１１は、層４４１０を介して上部面４４１２に延びている。
１つ以上の半導体機能ブロック４４００が好ましくは、基板４４０４上に形成される。
【０２３６】
図７２Ａは基板４４０４の一部を除去し、図７２Ｂに示すように、形成された開口４４１６の個所４４１４を示している。
これら個所４４１４は、通過点４４１１を覆っていないことに注目しなければならない。
好ましくは、基板４４０４の全体厚さが個所４４１４で除去され、誘電層４４０６、４４０８および導電層４４０７のみを完全に残す。
対案としては、誘電層４４０６も除去され、誘電層４４０８の一部または全部を残すこともできる。
基板４４０４の除去は従来のエッチング法を用いて行われることができ、好ましくは略１００〜２００ミクロンの幅および１０００〜３０００ミクロンの長さの寸法を有するボリュームを提供する。
開口４４１６は、ＯＧ１４６等の光学的接着剤４４１８で充填されて、ＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は、アメリカのダウコーニング社の製造者から商用として入手可能な従来の光ファイバのコアと正確に一致する。
【０２３７】
図７２Ｃに示すように、集積回路チップ４４２０は好ましくは、開口４４１６上方に配置される。
これらチップは図６３Ｅに示された例と同様にバンプ（図示せず）に半田付けされて通過点（図示せず）に動的に連結することで、光電子集積回路を生成することもでき、ここで集積回路チップ４４２０は集積回路の基板上方に存在する。
【０２３８】
図７２Ｄに示すように、１つ以上の光ファイバ４４２２が好ましくは、図６７Ｃおよび図６７Ｄに示されたことと類似に、好ましくは接着剤（図示せず）によって、基板４４０４の底面４４２４の下に固定される。
多数の光ファイバ４４２２は同一であるかまたは類似するか、あるいは互いに相異しており、互いに空間的に整列される必要はない。
【０２３９】
図７２Ｅに示すように、典型的に図６８Ｃ乃至図７１Ｃのうちのいずれか１つに示された形態の鏡４４３０が好ましくは、それぞれの光ファイバ４４２２に動的に連結されて載置されている。
【０２４０】
図７２Ｅの構造の好適な実施例の概略機能図である図７３を参照する。
図７３に示すように、好ましくは典型的に１０〜４０ＧＨｚの高周波光信号４４８０が、光ファイバ４４８２を通過した後、鏡４４８４に反射して、凹部４４８６を通過して、凹部４４８６上方に配置されたダイオード４４８８上に入射される。
ダイオード４４８８からの出力電気信号４４９０は、増幅器４４９２に供給され、この増幅器はシリコン基板回路上に形成されることもできる。
増幅器４４９２の増幅出力４４９４はシリアライザ／デシリアライザ４４９６に提供されて、このシリアライザ／デシリアライザはシリコン基板回路上に形成されることもできる。
【０２４１】
シリアライザ／デシリアライザ４４９６の出力信号４４９８は好ましくは、１つ以上の半導体機能ブロック４５００に供給されて処理されることもできる。
凹部４５０４上方に配置されることもできるレーザ４５０２は、機能ブロック４５００からの電気出力４５０６を用いて変調された光線４５０８を生成して、この光線は鏡４５１０によって反射して、光ファイバ４５１２を通過するようになっている。
電気光学集積回路素子４４８８、４５０２は、光送信機または光受信機、またはこれら全体として動作するように構成されることもできることは理解されるだろう。
【０２４２】
前述の基板の材料以外にも、基板はシリコン、シリコンゲルマニウム、シリコンオンサファイア（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｓａｐｈｉｒｅ）シリコンオンインスレーター（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ））、ガリウム砒素、インジウム隣化物、またはその外の適切な材料を含むこともできる。
【０２４３】
本発明の一実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図７４Ａ、図７４Ｂ、図７４Ｃ、図７４Ｄおよび図７４Ｅを参照する。
図７４Ａは、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板４８００を示している。
基板４８００は、その上に図７４Ｂに示すように典型的にフォトレジストでマイクロレンズ４８０２のアレイが形成されている。
マイクロレンズ４８０２は好ましくは、基板４８００の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
このマイクロレンズは、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、ジェット印刷法、およびパターン転写法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて基板上にエッチングによって形成されることもできる。
【０２４４】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層４８４４は、図７４Ｃに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板４８００およびマイクロレンズ対４８０２に対して形成される。
ガラスカバー層４８０６が好ましくは、マイクロレンズ４８０２のアレイに対して形成され、図７４Ｄに示すように接着剤４８０８によって密封される。
基板４８００、その上に形成された金属層４８０４、ガラスカバー層４８０６、およびここに対応する接着剤４８０８は図７４Ｅに示すように従来技術を用いてダイシングされることで、マイクロレンズ４８０２によって構成された屈曲部をそれぞれ含む個個の光学素子４８０９を構成する。
【０２４５】
本発明の他の実施例よって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図７５Ａ、図７５Ｂ、図７５Ｃ、図７５Ｄ、図７５Ｅおよび７５Fを参照する。
図７５Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板４８１０は、その上に図７５Ｂに示すように典型的にフォトレジストでマイクロレンズ４８１２のアレイが形成されている。
マイクロレンズ４８１２は好ましくは、基板４８１０の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
このマイクロレンズは、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、ジェット印刷法、およびパターン転写法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて基板上にエッチングによって形成されることもできる。
【０２４６】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層４８１４は、図７５Ｃに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板４８４１０およびマイクロレンズ４８１２に対して形成される。
ガラスカバー層４８１６が好ましくは、マイクロレンズ４８１２のアレイに対して形成され、図７５Ｄに示すように接着剤４８１８によって密封される。
基板４８１０は、従来技術を用いて下方からノッチングされる。
図７５Ｅに示すように、ノッチ４８１９は好ましくは、マイクロレンズ４８１２の下の一部の個所に形成される。
【０２４７】
ノッチングに続けて、基板４８１０、マイクロレンズ４８１２、その上に形成された金属層４８１４、ガラスカバー層４８１６および接着剤４８１８は、図７５Fに示すように従来技術を用いて、ノッチ４８１９の傾斜壁を交差する個所でダイシングされることで、マイクロレンズ４８１２の一部によって構成された屈曲部をそれぞれ含む個個の光学素子４８２０を構成する。
【０２４８】
本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図７６Ａ、図７６Ｂ、図７６Ｃ、図７６Ｄ、図７６Ｅ、図７６Ｆおよび図７６Ｇを参照する。
図７６Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板４８２１は、その上に図７６Ｂに示すように典型的にフォトレジストでマイクロレンズ４８２２のアレイが形成されている。
マイクロレンズ４８２２は好ましくは、基板４８２１の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
このマイクロレンズは、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、ジェット印刷法、およびパターン転写法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて基板上にエッチングによって形成されることもできる。
【０２４９】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層４８２４は、図７６Ｃに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板４８２１およびマイクロレンズ４８２２に対して形成される。
典型的にアルミニウムからなる追加の金属層４８２５が基板４８２１の反対面上に同じく形成される。
金属層４８２４、４８２５は従来のフォトリソグラフィ法でパターニングされ、図７６Ｄに示すように対応する反射面４８２６、４８２７を構成する。
ガラスカバー層４８２８が好ましくは、マイクロレンズ４８２２のアレイに対して形成され、図７６Ｅに示すように接着剤４８２９によって密封される。
【０２５０】
基板４８２１は、従来技術を用いて下方からノッチングされる。
図７６Fに示すように、ノッチ４８３０は、マイクロレンズ４８２２の下の一部の個所に形成される必要はない。
ノッチングに続いて、基板４８２１、マイクロレンズ４８２２、金属層４８２４、４８２５（図７６Ｃ）、ガラスカバー層４８２８、および接着剤４８２９は、図７６Ｇに示すように従来技術を用いて、ノッチ４８３０の傾斜壁を交差する個所でダイシングされることで、プレーナー表面な反射面４８２７だけでなく、一対のマイクロレンズ４８２２によって構成された屈曲反射部４８２６をそれぞれ含む個個の光学素子４８３１を構成する。
【０２５１】
本発明のさらに他の実施例によって図６２−７３乃至図８１Ａ−８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図７７Ａ、図７７Ｂ、図７７Ｃ、図７７Ｄ、図７７Ｅ、図７７Ｆおよび図７７Ｇを参照する。
図７７Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板４８３３は、その上に図７７Ａに示すように典型的にフォトレジストでマイクロレンズ対４８３３のアレイが形成されている。
マイクロレンズ４８３３は好ましくは、基板４８３２の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
このマイクロレンズは、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、ジェット印刷法、およびパターン転写法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて基板上にエッチングによって形成されることもできる。
【０２５２】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層４８３４は、図７７Ｃに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板４８３２およびマイクロレンズ対４８３３に対して形成される。
追加の金属層４８３５が基板４８３２の反対面上に同じく形成される。
金属層４８３４、４８３５は従来のフォトリソグラフィ法でパターニングされ、図７７Ｄに示すように対応する反射面４８３６、４８３７を構成する。
ガラスカバー層４８３８が好ましくは、マイクロレンズ４８３３のアレイに対して形成され、図７７Ｅに示すように接着剤４８３９によって密封される。
【０２５３】
基板４８３２は、図７７Ｆに示すように従来技術を用いて下方からノッチングされ、ノッチ４８４０を構成する。
ノッチングに続いて、基板４８３２、マイクロレンズ４８３３、金属層４８３４、４８３５（図７７Ｃ）、ガラスカバー層４８３８、および接着剤４８３９は、図７７Ｇに示すように従来技術を用いて、ノッチ４８４０の傾斜壁を交差する個所でダイシングされることで、プレーナー表面な反射面４８３７だけでなく、一対のマイクロレンズ４８３３によって構成された屈曲反射面をそれぞれ含む個個の光学素子４８３６を構成する。
【０２５４】
本発明の一実施例によって図６２乃至７３および図８１Ａ乃至８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図７８Ａ、図７８Ｂ、図７８Ｃ、図７８Ｄ、図７８Ｅ、図７８Ｆ、図７８Ｇおよび図７８Ｈを参照する。
図７８Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板４８４２は、その下部面内に図７８Ｂに示すように典型的にエッチングで反射回折格子４８４３のアレイが形成されている。
対案として、格子４８４３は、基板４８４２の表面上にリソグラフィ法または転写法で形成されることもできる。
【０２５５】
典型的にフォトレジストで形成されたマイクロレンズ対４８４４のアレイが、図７８Ｃに示すように基板４８４２の反対面上に形成される。
マイクロレンズ４８４４は好ましくは、基板４８４２の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
このマイクロレンズは、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、ジェット印刷法、およびパターン転写法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて基板上にエッチングによって形成されることもできる。
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層４８５４は、図７８Ｄに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板４８４２およびマイクロレンズ対４８４４に対して形成される。
金属層４８４５は従来のフォトリソグラフィ法でパターニングされ、図７８Ｅに示すように対応する反射面４８４６を構成する。
ガラスカバー層４８４７が好ましくは、マイクロレンズ４８４４のアレイに対して形成され、図７８Fに示すように接着剤４８４８によって密封される。
【０２５６】
基板４８４２は、図７８Ｇ図示されたように従来技術を用いて下方からノッチングされ、ノッチ４８４９を構成する。
ノッチングに続いて、基板４８４２、マイクロレンズ４８４４、金属層４８４５(図７８Ｄ)、ガラスカバー層４８４７、および接着剤４８４８は、図７８Ｈに示すように従来技術を用いて、ノッチ４８４９の傾斜壁を交差する個所でダイシングされることで、プレーナー表面な反射格子４８４３だけでなく、一対のマイクロレンズ４８４４によって構成された屈曲反射部４８４６をそれぞれ含む個個の光学素子４８５０を構成する。
【０２５７】
本発明の一実施例によって図６２乃至７３および図８１Ａ乃至８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図７９Ａ、図７９Ｂ、図７９Ｃ、図７９Ｄ、図７９Ｅ、図７９Ｆ、図７９Ｇおよび図７９Ｈを参照する。
図７９Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板４８５１は、その下部面内に図７９Ｂに示すように典型的にエッチングで反射回折格子４８５２のアレイが形成されている。
対案として、格子４８５２は、基板４８５１の表面上にリソグラフィ法または転写法で形成されることもできる。
典型的にフォトレジストで形成されたマイクロレンズ対４８５３のアレイが、図７９Ｃに示すように基板４８５１の反対面上に形成される。
マイクロレンズ４８５３は好ましくは、基板４８５１の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
このマイクロレンズは、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、ジェット印刷法、およびパターン転写法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて基板上にエッチングによって形成されることもできる。
【０２５８】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層４８５４は、図７９Ｄに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板４８５１およびマイクロレンズ対４８５３に対して形成される。
追加の金属層４８５５は、基板４８５１の反対面上に同じく形成される。
金属層４８５４、４８５５は従来のフォトリソグラフィ法でパターニングされ、図７９Ｅに示すように対応する反射面４８５６、４８５７を構成する。
ガラスカバー層４８５８が好ましくは、マイクロレンズ４８５３のアレイに対して形成され、図７９Fに示すように接着剤４８５９によって密封される。
【０２５９】
基板４８５１は、図７９Ｇに示すように従来技術を用いて下方からノッチングされ、ノッチ４８６０を構成する。
ノッチングに続いて、基板４８５１、マイクロレンズ４８５３、金属層４８５４、４８５５(図７９Ｄ)、ガラスカバー層４８５８、および接着剤４８５９は、図７９Ｈに示すように従来技術を用いて、ノッチ４８６０の傾斜壁を交差する個所でダイシングされることで、プレーナー表面な反射格子４８５２およびプレーナー表面な反射面４８５７だけでなく、一対のマイクロレンズ４８５３によって構成された屈曲反射面をそれぞれ含む個個の光学素子４８６１を構成する。
【０２６０】
本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至７３および図８１Ａ乃至図７８の実施例に採用された光学素子を製造する方法の概路図である図８０Ａ、図８０Ｂ、図８０Ｃ、図８０Ｄ、図８０Ｅ、図８０Ｆ、図８０Ｇおよび図８０Ｈを参照する。
図８０Ａに示すように、典型的に２００〜４００ミクロンの厚さを有するガラス基板４８６２は、その上に図８０Ｂに示すように典型的にエッチングで反射回折格子４８６３のアレイが形成されている。
対案として、格子４８６３は、基板４８６２の表面上にリソグラフィ法または転写法で形成されることもできる。
典型的にフォトレジストで形成されたマイクロレンズ４８６４のアレイが、図８０Ｃに示すように基板４８６２の反対面上に形成される。
マイクロレンズ４８６４は好ましくは、基板４８６２の屈折率と同一であるかあるいは極めて近い屈折率を有する。
このマイクロレンズは、フォトリソグラフィ法、熱的リフロー法、階調マスクを利用したフォトリソグラフィ法、ジェット印刷法、およびパターン転写法などの従来技術の１つ以上の技法を用いて基板上にエッチングによって形成されることもできる。
【０２６１】
典型的にアルミニウムからなる薄い金属層４８６５、図８０Ｄに示すように、典型的に蒸着法またはスパッタリング法を用いて基板４８６２およびマイクロレンズ４８６４に対して形成される。
追加の金属層４８６６が、基板４８６２の反対面上に同じく形成される。
金属層４８６５、４８６６は、従来のフォトリソグラフィ法でパターニングされ、図８０Ｅに示すように対応する反射面４８６７、４８６８を構成する。
ガラスカバー層４８６９が好ましくは、マイクロレンズ４８６４のアレイに対して形成され、図８０Fに示すように接着剤４８７０によって密封される。
基板４８６２は、図８０Ｇに示すように従来技術を用いて下方からノッチングされ、ノッチ４８７１を構成する。
ノッチングに続いて、基板４８６２、マイクロレンズ４８６４、金属層４８６５、４８６６（図８０Ｄ）、ガラスカバー層４８６９、および接着剤４８７０は、図８０Ｈに示すように従来技術を用いて、ノッチ４８７１の傾斜壁を交差する個所でダイシングされることで、プレーナー表面な反射格子４８６３およびプレーナー表面な反射面４８６８だけでなく、マイクロレンズ４８６４によって構成された屈曲反射面４８６７をそれぞれ含む個個の光学素子４８７２を構成する。
【０２６２】
光コネクタおよび電気連結部が、独自的にまたは従来の光コネクタと結合して、その内部に一体に形成されたパッケージングされた電気光学回路５１００の概路図である図８１Ａおよび図８１Ｂを参照する。
【０２６３】
図８１Ａおよび図８１Ｂに示すように、パッケージングされた電気光学回路５１００は本発明の好適な実施例によって、さらに好ましくは図１Ａ乃至図５１および図６２乃至図８０Ｈによって提供されて、典型的にシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウム砒素またはインジウム隣化物からなる半導体基板５１０２を含む。
電気回路（図示せず）は、基板５１０２の一面に対して、ＣＭＯＳまたはその外の集積回路の製造に一般的に利用された従来のフォトリソグラフィ法および薄膜処理技法などを用いて形成され、アメリカのダウコーニング社から商用として入手可能なシリコン二酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、またはＢＣＢなどの保護剤からなる層５１０４またはその外の適切なパッシベーション層によってカプセル化される。
電気連結部のアレイ５１０６は好ましくは、従来のソルダバンプの形態であり、層５１０４の保護剤を通過して延びる導電性経路（図示せず）を通じて電気回路と通信する。
【０２６４】
隣接層５１０４に対向して基板５１０２の一面に形成され、光ファイバ５１０８のアレイと通信する光経路（図示せず）が構成されており、この光ファイバの端部は基板５１０２のエッジ５１１０に沿って整列されている。
好ましくは、物理的整列孔５１１２が光ファイバ５１０８のアレイと整列されている。
この孔５１１２は、好ましくは円筒状素子によって構成され、この素子は、光ファイバ５１０８および光経路とともに、保護剤、好ましくはエポキシからなる層５１１４によってカプセル化される。
【０２６５】
図８１Ｂは、センコーアドバンストコンポーネンツ社（アメリカ  マサチューセツ  マルボロ所在）製のＭＴコネクタなどの従来のＭＴ型光コネクタがそのパッケージングされた電気光学回路５１００と接触して構成されていることを示しており、コネクタ５１１６の整列ピン５１１８は電気光学回路５１００の整列孔５１１２に連結するように構成される。
コネクタ５１１６の光ファイバ端部（図示せず）はそのパッケージングされた電気光学回路５１００内の光ファイバのアレイ５１０８の端部と当接して整列される関係で構成されている。
【０２６６】
図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の複数の段階を示す概略断面図である図８２Ａ、図８２Ｂ、図８２Ｃ、図８２Ｄ、図８２Ｅ、図８２Ｆおよび図８２Ｇを参照する。
図８２Ａを参照すれば、電気回路５１２０は好ましくは基板５１２０の第１面５１２２上に形成される。
基板５１０２は、好ましくは２００〜１０００の厚さを有する。
電気回路５１２０は好ましくは、ＣＭＯＳまたはその他の別の集積回路の製造に採用される従来のフォトリソグラフィ法によって形成される。
【０２６７】
図８２Ａに示された基板を矢印５１２４に示されたように覆して、図８２Ｂに示すように、半導体基板５１０２を部分的にまたは前後通過して延びるホール５１２５のアレイが、基板５１０２の面５１２２に対向する第２面５１２８上に従来のフォトリソグラフィ法などを用いて形成される。
エッチング工程に続けて、ＯＧなどの光学的接着剤（図示せず）でホールを充填し、ここでＯＧ１４６は、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のものであり、その屈折率は好ましくは、従来に製造された光ファイバのコアの屈折率と正確に一致する。
その結果、図６３Ａ乃至図６３Ｃを参照して、前述のとおり、基板５１０２を通過するように形成された光学的通過点のアレイが得られて、この基板は４００〜１６５０ｎｍの波長範囲の少なくとも一部内の光に対して透光性を有する。
【０２６８】
図８２Ｃに示すように、平行に離隔された長い光ファイバ位置固定素子５１２６のアレイが、好ましくは基板５１０２の表面５１２８に対して従来のフォトリソグラフィ法などを用いて形成される。
図８２Ｃの線ＬＸＸＸＩＩＤ−ＬＸＸＸＩＩＤに沿った概略断面図である図８２Ｄを参照すれば、光学的接着剤充填ホール５１２５のアレイおよび基板５１２８上の位置固定素子５１２６の位置は、基板５１０２の第１面５１２２上の電気回路５１２０の位置と正確に整列されることが好ましいということは理解されるだろう。
【０２６９】
図８２Ｅを参照すれば、ノッチ５１３０が、ダイシングブレード５１３２の手段で表面５１２８上に好適に形成され、図８２Ｆに示すように、整列孔構成シリンダ５１３４を正確に配置させて収容するようにする。
図８２Ｆは、整列孔構成シリンダ５１３４の中心が、表面５１２８上の素子５１２６の間に正確に位置している光ファイバ５１０８の中心５１３６と同一プレーナー表面上に正確に存在することを示している。
図８２Ｇは、光ファイバ５１０８、シリンダ５１３４、および位置固定素子５１２６を、エポキシ等の保護剤からなる層５１１４によってカプセル化したことを示している。
図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の他の複数の段階を示す概略断面図である８３Ａ、図８３Ｂ、図８３Ｃ、図８３Ｄおよび図８３Ｅを参照する。
図８３Ａは図８２Ｇのウエハを覆したことを示している。
【０２７０】
図８３Ｂは線ＬＸＸＸＩＩＩＢ−ＬＸＸＸＩＩＩＢに沿って取った図８４Ａのウエハの断面図を示している。
【０２７１】
図８３Ｂに示すように、複数のバンプ５１４０、好ましくは金またはソルダバンプが、表面５１２２上のに置かれている電気回路５１２０上に形成されている。
【０２７２】
複数の集積回路５１５２が図８３Ｃに示すように標準的なプリップチップ付着技法によって複数のバンプ５１４０上に載置されている。
集積回路５１５２は電気的集積回路または電気光学集積回路等適切なものになることができる。
【０２７３】
図８３Ｄは、エポキシテクノロジー社（アメリカ  マサチューセツ１０８２１  ビレリカフォーチュンドライブ１４所在）製のＯＧ１４６位の下部充填剤５１５４を基板５１０２だけでなく、集積回路５１５２と電気回路５１２０との間の間隙に塗布したことを示している。
集積回路５１５２が電気光学素子を含めば、下部充填剤５１５４は、適切な透明性がなければならない。
【０２７４】
図８３Ｅに示すように、ＢＣＢ、ソルダマスク、またはその他の別のカプセル化材料の層のカプセル化層５１５６は、好ましくは集積回路５１５２、電気回路５１２０、基板５１０２、および下部充填剤５１５４に対して形成される。
【０２７５】
以下の説明のために、集積回路５１５２の少なくとも一部(全部ではない)が電気光学素子であることと仮定する。
電気光学素子ではない追加的な集積回路（図示せず）が、ワイヤボンディング等の他の技法によって基板５１０２上の電気回路５１２０に電気的に連結することもできることは理解されるだろう。
【０２７６】
以下、図６８Ｂの断面図に対応する概路図である図８４を参照する。
図８４は、図８３Ｅのウエハを覆して、光ファイバ５１０８のアレイに垂直に延びる線に沿ってノッチングを行い、それぞれの光ファイバ５１０８の少なくとも１つのコア５１６４を完全に通過して延ばし、円筒状素子５１３４および光学的接着剤充填ホール５１２５を少なくとも部分的に通過して延びる傾いたカット５１６２を有するノッチ５１６０を生成する。
【０２７７】
以下、図６８Ｃ、図６８Ｄおよび図７０の断面図に対応する概路図である図８５を参照する。
図８５は、図８４を参照して前述のノッチ５１６０によって構成された傾いたカット５１６２中の１つに平行に、部分的にプレーナー表面で部分的に凹面鏡アセンブリ５２３０が載置されている図８４のウエハを示している。
アセンブリ５２３０が基板の５１０２の全長に沿って延長されていることは理解されるだろう。
【０２７８】
以下、図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の複数の段階を示す概略断面図である図８６Ａ、図８６Ｂ、図８６Ｃ、図８６Ｄ、図８６Ｅおよび図８６Fを参照する。
図８６Ａは、引っ繰り返られた図８５のウエハを示している。
図８６Ｂは、線ＬＸＸＸＶＩＢ−ＬＸＸＸＶＩＢに沿って取った図８６Ａのウエハの断面図である。
図８６Ｃは、基板５１０２上の電気回路５１２０（図５３Ａ）と層５１５６を介して連結するホール５４０２を、レーザまたはフォトリソグラフィ法などの従来の技法を用いて形成することを示している。
図８６Ｄはホール５４０２内のソルダバンプ５４０５の形成を示している。
【０２７９】
ホール５４０２内にソルダバンプ５４０４を形成した後、図８６Ｅに示すように、ウエハをダイシングして、図８６Ｆに示すように、複数個のパッケージングされた電気光学回路チップ５４０６を提供する。
基板５１２０を複数個のパッケージングされた電気光学回路チップ５４０６にダイシングした後に、複数個のパッケージングされた電気光学回路チップ５４０６のそれぞれの光学エッジ面５４０７を研磨して、光学的高級プレーナー表面を形成する。
研磨によって構成されたプレーナー表面はダイシングによって構成された面と平行であるか、またはいかなる適切な角を有することができるということは理解されるだろう。
【０２８０】
以下、従来の電気回路ボード５４０８上に載置されて従来の光ファイバリボン５４１０およびここに連携された従来の光ファイバコネクタ５１１６によって相互接続されている、パッケージングされた電気光学回路チップ５４０６を示す図８７を参照する。
【０２８１】
本発明は以上で特に図示して説明したことのみに限定されないということは当該技術分野の専門家なら理解されるだろう。
本発明の範囲は前述の本発明の様々な態様の組み合わせ乃至補足的な組み合わせ全部は勿論、従来技術に含まれたのではないとしても、当該技術分野の専門家が本明細書の教示を通じて行える様々な変形および変更を含む。
【図面の簡単な説明】
【０２８２】
【図１Ａ】本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図１Ｂ】本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図１Ｃ】本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図１Ｄ】本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図１Ｅ】本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図２Ａ】図１Ａ乃至１Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図２Ｂ】図１Ａ乃至１Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図２Ｃ】図１Ａ乃至１Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図２Ｄ】図１Ａ乃至１Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図３】図２Ｄの一部の概略拡大図である。
【図４Ａ】本発明の他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図４Ｂ】本発明の他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図４Ｃ】本発明の他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図４Ｄ】本発明の他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図４Ｅ】本発明の他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図５Ａ】図４Ａ乃至４Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図５Ｂ】図４Ａ乃至４Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図５Ｃ】図４Ａ乃至４Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図５Ｄ】図４Ａ乃至４Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図６Ａ】本発明の好適な実施例による図５Ｄの一部の概略拡大図である。
【図６Ｂ】本発明の好適な実施例による図５Ｄの一部の概略拡大図である。
【図６Ｃ】本発明の好適な実施例による図５Ｄの一部の概略拡大図である。
【図７】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の概略断面図である。
【図８Ａ】本発明のさらに他の実施例による図７の一部の概略拡大図である。
【図８Ｂ】本発明のさらに他の実施例による図７の一部の概略拡大図である。
【図８Ｃ】本発明のさらに他の実施例による図７の一部の概略拡大図である。
【図９Ａ】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図９Ｂ】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図９Ｃ】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図９Ｄ】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図９Ｅ】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図１０Ａ】図９Ａ乃至９Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図１０Ｂ】図９Ａ乃至９Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図１０Ｃ】図９Ａ乃至９Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図１０Ｄ】図９Ａ乃至９Ｅに示された電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概略断面図である。
【図１１Ａ】本発明の好適な実施例による図１０Ｄの一部の概略拡大図である。
【図１１Ｂ】本発明の好適な実施例による図１０Ｄの一部の概略拡大図である。
【図１１Ｃ】本発明の好適な実施例による図１０Ｄの一部の概略拡大図である。
【図１２】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の概略断面図である。
【図１３Ａ】本発明のさらに他の実施例による図１２の一部の概略拡大図である。
【図１３Ｂ】本発明のさらに他の実施例による図１２の一部の概略拡大図である。
【図１３Ｃ】本発明のさらに他の実施例による図１２の一部の概略拡大図である。
【図１４Ａ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図１４Ｂ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図１４Ｃ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図１４Ｄ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図１５Ａ】本発明の好適な実施例による図１４Ｄの概路図である。
【図１５Ｂ】本発明の好適な実施例による図１４Ｄの概路図である。
【図１５Ｃ】本発明の好適な実施例による図１４Ｄの概路図である。
【図１６】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の概略断面図である。
【図１７Ａ】本発明のさらに他の実施例による図１６の一部の概略拡大図である。
【図１７Ｂ】本発明のさらに他の実施例による図１６の一部の概略拡大図である。
【図１７Ｃ】本発明のさらに他の実施例による図１６の一部の概略拡大図である。
【図１８Ａ】本発明の一実施例によって図４Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図１８Ｂ】本発明の一実施例によって図４Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図１８Ｃ】本発明の一実施例によって図４Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図１８Ｄ】本発明の一実施例によって図４Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図１９Ａ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図１９Ｂ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図１９Ｃ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図１９Ｄ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図１９Ｅ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図６Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２０Ａ】本発明のさらに他の実施例によって図９Ｃ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２０Ｂ】本発明のさらに他の実施例によって図９Ｃ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２０Ｃ】本発明のさらに他の実施例によって図９Ｃ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２０Ｄ】本発明のさらに他の実施例によって図９Ｃ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２０Ｅ】本発明のさらに他の実施例によって図９Ｃ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２０Ｆ】本発明のさらに他の実施例によって図９Ｃ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２１Ａ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２１Ｂ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２１Ｃ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２１Ｄ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２１Ｅ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２１Ｆ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２２Ａ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図８Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２２Ｂ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図８Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２２Ｃ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図８Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２２Ｄ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図８Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２２Ｅ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図８Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２２Ｆ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図８Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２２Ｇ】本発明の他の実施例によって図１Ａ乃至図８Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２３Ａ】本発明の他の実施例によって図９Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２３Ｂ】本発明の他の実施例によって図９Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２３Ｃ】本発明の他の実施例によって図９Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２３Ｄ】本発明の他の実施例によって図９Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２３Ｅ】本発明の他の実施例によって図９Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２３Ｆ】本発明の他の実施例によって図９Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２３Ｇ】本発明の他の実施例によって図９Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２４Ａ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２４Ｂ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２４Ｃ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２４Ｄ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２４Ｅ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２４Ｆ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２４Ｇ】本発明のさらに他の実施例によって図１Ａ乃至図１７Ｃの実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図２５Ａ】本発明の好適な実施例によるマルチチップモジュールの製造工程の多数の段階を示す概路図である。
【図２５Ｂ】本発明の好適な実施例によるマルチチップモジュールの製造工程の多数の段階を示す概路図である。
【図２５Ｄ】本発明の好適な実施例によるマルチチップモジュールの製造工程の多数の段階を示す概路図である。
【図２６】レーザ光源を含む形態であって、図２５Ａ乃至２５Ｄに示されたマルチチップモジュールを示す概路図である。
【図２７】光検出器を含む形態であって、図２５Ａ乃至２５Ｄに示されたマルチチップモジュールを示す概路図である。
【図２８】電気素子を含む形態であって、図２５Ａ乃至２５Ｄに示されたマルチチップモジュールを示す概路図である。
【図２９】基板内に形成された多数の凹部に載置された多数の素子を含む形態であって、図２５Ａ-２５Ｄに示されたマルチチップモジュールを示す概路図である。
【図３０】基板内に形成された多数の凹部に載置された多数の積層素子を含む形態であって、図２５Ａ-２５Ｄに示されたマルチチップモジュールを示す概路図である。
【図３１Ａ】本発明の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３１Ｂ】本発明の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３１Ｃ】本発明の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３１Ｄ】本発明の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３２】図３１Ｄの一部の概略拡大図である。
【図３３Ａ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３３Ｂ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３３Ｃ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３３Ｄ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３４】図３３Ｄの一部の概略拡大図である。
【図３５Ａ】本発明の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３５Ｂ】本発明の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３５Ｃ】本発明の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３５Ｄ】本発明の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３６】図３５Ｄの一部の概略拡大図である。
【図３７Ａ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３７Ｂ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３７Ｃ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３７Ｄ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３８】図３７Ｄの一部の概略拡大図である。
【図３９Ａ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３９Ｂ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３９Ｃ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図３９Ｄ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図４０】図３９Ｄの一部の概略拡大図である。
【図４１Ａ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図４１Ｂ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図４１Ｃ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図４１Ｄ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図４２】図４１Ｄの一部の概略拡大図である。
【図４３】図４０および図４２に示された形態のコネクタ間の光通信を示す概路図である。
【図４４】図４０に示された形態の２つのコネクタ間の光通信を示す概路図である。
【図４５】図４２に示された形態の２つのコネクタ間の光通信を示す概路図である。
【図４６Ａ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図４６Ｂ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図４６Ｃ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図４６Ｄ】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積アセンブリの製造工程の段階を示す概略断面図である。
【図４７】図４６Ｄの一部の概略拡大図である。
【図４８】本発明の他の好適な実施例による電気光学集積回路と電気光学集積回路との間の光通信を示す概路図である。
【図４９】本発明の好適な実施例による光学集積回路と電気光学集積回路との間の光通信を示す概路図である。
【図５０Ａ】本発明のさらに他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図５０Ｂ】本発明のさらに他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図５０Ｃ】本発明のさらに他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図５０Ｄ】本発明のさらに他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図５０Ｅ】本発明のさらに他の好適な実施例による電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図５１】図５０Ｅの構造の好適な実施例の概略機能図である。
【図５２Ａ】光コネクタおよび電気連結部が、独自にまたは従来の光コネクタと結合し、その内部に一体に形成されたパッケージングされた電気光学回路の概路図である。
【図５２Ｂ】光コネクタおよび電気連結部が、独自にまたは従来の光コネクタと結合し、その内部に一体に形成されたパッケージングされた電気光学回路の概路図である。
【図５３Ａ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第１複数の段階を示す概略断面図である。
【図５３Ｂ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第１複数の段階を示す概略断面図である。
【図５３Ｃ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第１複数の段階を示す概略断面図である。
【図５３Ｄ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第１複数の段階を示す概略断面図である。
【図５３Ｅ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第１複数の段階を示す概略断面図である。
【図５３Ｆ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第１複数の段階を示す概略断面図である。
【図５４Ａ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である。
【図５４Ｂ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である。
【図５４Ｃ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である。
【図５４Ｄ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である。
【図５４Ｅ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である。
【図５４Ｆ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である。
【図５４Ｇ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である。
【図５４Ｈ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である。
【図５４Ｉ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である。
【図５４Ｊ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第２複数の段階を示す概略断面図である。
【図５５Ａ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第３複数の段階を示す概略断面図である。
【図５５Ｂ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第３複数の段階を示す概略断面図である。
【図５５Ｃ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第３複数の段階を示す概略断面図である。
【図５５Ｄ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第３複数の段階を示す概略断面図である。
【図５６Ａ】本発明の様々な好適な実施例による図５５Ｄの一部の拡大断面図である。
【図５６Ｂ】本発明の様々な好適な実施例による図５５Ｄの一部の拡大断面図である。
【図５６Ｃ】本発明の様々な好適な実施例による図５５Ｄの一部の拡大断面図である。
【図５７】本発明の他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の概略断面図である。
【図５８Ａ】本発明の様々な他の好適な実施例による図５７の一部の拡大断面図である。
【図５８Ｂ】本発明の様々な他の好適な実施例による図５７の一部の拡大断面図である。
【図５８Ｃ】本発明の様々な他の好適な実施例による図５７の一部の拡大断面図である。
【図５９】図５５Ｄの一部の概略拡大図である。
【図６０Ａ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第４複数の段階を示す概略断面図である。
【図６０Ｂ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第４複数の段階を示す概略断面図である。
【図６０Ｃ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第４複数の段階を示す概略断面図である。
【図６０Ｄ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第４複数の段階を示す概略断面図である。
【図６０Ｅ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第４複数の段階を示す概略断面図である。
【図６０Ｆ】図５２Ａおよび図５２Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の第４複数の段階を示す概略断面図である。
【図６１】大型電気回路の一部で、図５２Ａおよび図５２Ｂに示された形態のパッケージングされた電気光学回路を示す概路図である。
【図６２】本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の開始段階の概路図である。
【図６３Ａ】図６２の電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概路図である。
【図６３Ｂ】図６２の電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概路図である。
【図６３Ｃ】図６２の電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概路図である。
【図６３Ｄ】図６２の電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概路図である。
【図６３Ｅ】図６２の電気光学集積回路の製造工程の後続段階の概路図である。
【図６４】レーザ光源を含む形態であって、図６３Ａ乃至６３Ｅに示された集積回路モジュールを示す概路図である。
【図６５】光検出器を含む形態であって、図６３Ａ乃至６３Ｅに示された集積回路モジュールを示す概路図である。
【図６６】基板内に形成された多数の凹部に載置された多数の素子を含む形態であって、図６３Ａ乃至６３Ｅに示された集積回路モジュールを示す概路図である。
【図６７Ａ】本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の追加的な段階の概路図である。
【図６７Ｂ】本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の追加的な段階の概路図である。
【図６７Ｃ】本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の追加的な段階の概路図である。
【図６７Ｄ】本発明の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の追加的な段階の概路図である。
【図６８Ａ】図６７Ａ乃至６７Ｄに示された電気光学集積回路の製造工程の追加的な段階を示す概略断面図である。
【図６８Ｂ】図６７Ａ乃至６７Ｄに示された電気光学集積回路の製造工程の追加的な段階を示す概略断面図である。
【図６８Ｃ】図６７Ａ乃至６７Ｄに示された電気光学集積回路の製造工程の追加的な段階を示す概略断面図である。
【図６８Ｄ】図６７Ａ乃至６７Ｄに示された電気光学集積回路の製造工程の追加的な段階を示す概略断面図である。
【図６９Ａ】本発明の好適な実施例による図６８Ｄの一部の概略拡大断面図である。
【図６９Ｂ】本発明の好適な実施例による図６８Ｄの一部の概略拡大断面図である。
【図６９Ｃ】本発明の好適な実施例による図６８Ｄの一部の概略拡大断面図である。
【図７０】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の概略断面図である。
【図７１Ａ】本発明のさらに他の実施例による図７０の一部の概略拡大図である。
【図７１Ｂ】本発明のさらに他の実施例による図７０の一部の概略拡大図である。
【図７１Ｃ】本発明のさらに他の実施例による図７０の一部の概略拡大図である。
【図７２Ａ】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図７２Ｂ】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図７２Ｃ】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図７２Ｄ】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図７２Ｅ】本発明のさらに他の好適な実施例によって構成されて動作する電気光学集積回路の製造工程の段階の概路図である。
【図７３】図７２Ｅの構造の好適な実施例の概略機能図である。
【図７４Ａ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７４Ｂ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７４Ｃ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７４Ｄ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７４Ｅ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７５Ａ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７５Ｂ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７５Ｃ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７５Ｄ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７５Ｅ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７５Ｆ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７６Ａ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７６Ｂ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７６Ｃ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７６Ｄ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７６Ｅ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７６Ｆ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７６Ｇ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７７Ａ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７７Ｂ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７７Ｃ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７７Ｄ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７７Ｅ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７７Ｆ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７７Ｇ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７８Ａ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７８Ｂ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７８Ｃ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７８Ｄ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７８Ｅ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７８Ｆ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７８Ｇ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７８Ｈ】本発明の他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７９Ａ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７９Ｂ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７９Ｃ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７９Ｄ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７９Ｅ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７９Ｆ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７９Ｇ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図７９Ｈ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図８０Ａ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図８０Ｂ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図８０Ｃ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図８０Ｄ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図８０Ｅ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図８０Ｆ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図８０Ｇ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図８０Ｈ】本発明のさらに他の実施例によって図６２乃至図７３および図８１Ａ乃至図８７の実施例に採用された光学素子を製造する方法を示す概路図である。
【図８１Ａ】光コネクタおよび電気連結部が、独自にまたは従来の光コネクタと結合して、その内部に一体に形成されたパッケージングされた電気光学回路の概路図である。
【図８１Ｂ】光コネクタおよび電気連結部が、独自にまたは従来の光コネクタと結合して、その内部に一体に形成されたパッケージングされた電気光学回路の概路図である。
【図８２Ａ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８２Ｂ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８２Ｃ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８２Ｄ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８２Ｅ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８２Ｆ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８２Ｇ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８３Ａ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８３Ｂ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８３Ｃ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８３Ｄ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８３Ｅ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程の他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８４】図６８Ｂの断面図に対応する概路図である。
【図８５】図６８Ｃ、図６８Ｄおよび図７０の断面図に対応する概路図である。
【図８６Ａ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程のさらに他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８６Ｂ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程のさらに他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８６Ｃ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程のさらに他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８６Ｄ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程のさらに他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８６Ｅ】図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程のさらに他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８６Ｆ】図８６Ｂ、図８６Ｃ、図８６Ｄ、図８６Ｅおよび図８６Ｆは、図８１Ａおよび図８１Ｂのパッケージングされた電気光学回路の製造工程のさらに他の複数の段階を示す概略断面図である。
【図８７】大型電気回路の一部で、図８１Ａおよび図８１Ｂに示された形態のパッケージングされた電気光学回路を示す概路図である。
【図１Ａ】
2005523466.tif 000003
【図１Ｂ】
2005523466.tif 000004
【図１Ｃ】
2005523466.tif 000005
【図１Ｄ】
2005523466.tif 000006
【図１Ｅ】
2005523466.tif 000007
【図２Ａ】
2005523466.tif 000008
【図２Ｂ】
2005523466.tif 000009
【図２Ｃ】
2005523466.tif 000010
【図２Ｄ】
2005523466.tif 000011
【図３】
2005523466.tif 000012
【図４Ａ】
2005523466.tif 000013
【図４Ｂ】
2005523466.tif 000014
【図４Ｃ】
2005523466.tif 000015
【図４Ｄ】
2005523466.tif 000016
【図４Ｅ】
2005523466.tif 000017
【図５Ａ】
2005523466.tif 000018
【図５Ｂ】
2005523466.tif 000019
【図５Ｃ】
2005523466.tif 000020
【図５Ｄ】
2005523466.tif 000021
【図６Ａ】
2005523466.tif 000022
【図６Ｂ】
2005523466.tif 000023
【図６Ｃ】
2005523466.tif 000024
【図７】
2005523466.tif 000025
【図８Ａ】
2005523466.tif 000026
【図８Ｂ】
2005523466.tif 000027
【図８Ｃ】
2005523466.tif 000028
【図９Ａ】
2005523466.tif 000029
【図９Ｂ】
2005523466.tif 000030
【図９Ｃ】
2005523466.tif 000031
【図９Ｄ】
2005523466.tif 000032
【図９Ｅ】
2005523466.tif 000033
【図１０Ａ】
2005523466.tif 000034
【図１０Ｂ】
2005523466.tif 000035
【図１０Ｃ】
2005523466.tif 000036
【図１０Ｄ】
2005523466.tif 000037
【図１１Ａ】
2005523466.tif 000038
【図１１Ｂ】
2005523466.tif 000039
【図１１Ｃ】
2005523466.tif 000040
【図１２】
2005523466.tif 000041
【図１３Ａ】
2005523466.tif 000042
【図１３Ｂ】
2005523466.tif 000043
【図１３Ｃ】
2005523466.tif 000044
【図１４Ａ】
2005523466.tif 000045
【図１４Ｂ】
2005523466.tif 000046
【図１４Ｃ】
2005523466.tif 000047
【図１４Ｄ】
2005523466.tif 000048
【図１５Ａ】
2005523466.tif 000049
【図１５Ｂ】
2005523466.tif 000050
【図１５Ｃ】
2005523466.tif 000051
【図１６】
2005523466.tif 000052
【図１７Ａ】
2005523466.tif 000053
【図１７Ｂ】
2005523466.tif 000054
【図１７Ｃ】
2005523466.tif 000055
【図１８Ａ】
2005523466.tif 000056
【図１８Ｂ】
2005523466.tif 000057
【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
2005523466.tif 000059
【図１９Ａ】
2005523466.tif 000060
【図１９Ｂ】
2005523466.tif 000061
【図１９Ｃ】
2005523466.tif 000062
【図１９Ｄ】
2005523466.tif 000063
【図１９Ｅ】
2005523466.tif 000064
【図２０Ａ】
2005523466.tif 000065
【図２０Ｂ】
2005523466.tif 000066
【図２０Ｃ】
2005523466.tif 000067
【図２０Ｄ】
2005523466.tif 000068
【図２０Ｅ】
2005523466.tif 000069
【図２０Ｆ】
2005523466.tif 000070
【図２１Ａ】
2005523466.tif 000071
【図２１Ｂ】
2005523466.tif 000072
【図２１Ｃ】
2005523466.tif 000073
【図２１Ｄ】
2005523466.tif 000074
【図２１Ｅ】
2005523466.tif 000075
【図２１Ｆ】
2005523466.tif 000076
【図２２Ａ】
2005523466.tif 000077
【図２２Ｂ】
2005523466.tif 000078
【図２２Ｃ】
2005523466.tif 000079
【図２２Ｄ】
2005523466.tif 000080
【図２２Ｅ】
2005523466.tif 000081
【図２２Ｆ】
2005523466.tif 000082
【図２２Ｇ】
2005523466.tif 000083
【図２３Ａ】
2005523466.tif 000084
【図２３Ｂ】
2005523466.tif 000085
【図２３Ｃ】
2005523466.tif 000086
【図２３Ｄ】
2005523466.tif 000087
【図２３Ｅ】
2005523466.tif 000088
【図２３Ｆ】
2005523466.tif 000089
【図２３Ｇ】
2005523466.tif 000090
【図２４Ａ】
2005523466.tif 000091
【図２４Ｂ】
2005523466.tif 000092
【図２４Ｃ】
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【図２４Ｄ】
2005523466.tif 000094
【図２４Ｅ】
2005523466.tif 000095
【図２４Ｆ】
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【図２４Ｇ】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
2005523466.tif 000099
【図２５Ｃ】
2005523466.tif 000100
【図２５Ｄ】
2005523466.tif 000101
【図２６】
2005523466.tif 000102
【図２７】
2005523466.tif 000103
【図２８】
2005523466.tif 000104
【図２９】
2005523466.tif 000105
【図３０】
2005523466.tif 000106
【図３１Ａ】
2005523466.tif 000107
【図３１Ｂ】
2005523466.tif 000108
【図３１Ｃ】
2005523466.tif 000109
【図３１Ｄ】
2005523466.tif 000110
【図３２】
2005523466.tif 000111
【図３３Ａ】
2005523466.tif 000112
【図３３Ｂ】
2005523466.tif 000113
【図３３Ｃ】
2005523466.tif 000114
【図３３Ｄ】
2005523466.tif 000115
【図３４】
2005523466.tif 000116
【図３５Ａ】
2005523466.tif 000117
【図３５Ｂ】
2005523466.tif 000118
【図３５Ｃ】
2005523466.tif 000119
【図３５Ｄ】
2005523466.tif 000120
【図３６】
2005523466.tif 000121
【図３７Ａ】
2005523466.tif 000122
【図３７Ｂ】
2005523466.tif 000123
【図３７Ｃ】
2005523466.tif 000124
【図３７Ｄ】
2005523466.tif 000125
【図３８】
2005523466.tif 000126
【図３９Ａ】
2005523466.tif 000127
【図３９Ｂ】
2005523466.tif 000128
【図３９Ｃ】
2005523466.tif 000129
【図３９Ｄ】
2005523466.tif 000130
【図４０】
2005523466.tif 000131
【図４１Ａ】
2005523466.tif 000132
【図４１Ｂ】
2005523466.tif 000133
【図４１Ｃ】
2005523466.tif 000134
【図４１Ｄ】
2005523466.tif 000135
【図４２】
2005523466.tif 000136
【図４３】
2005523466.tif 000137
【図４４】
2005523466.tif 000138
【図４５】
2005523466.tif 000139
【図４６Ａ】
2005523466.tif 000140
【図４６Ｂ】
2005523466.tif 000141
【図４６Ｃ】
2005523466.tif 000142
【図４６Ｄ】
2005523466.tif 000143
【図４７】
2005523466.tif 000144
【図４８】
2005523466.tif 000145
【図４９】
2005523466.tif 000146
【図５０Ａ】
2005523466.tif 000147
【図５０Ｂ】
2005523466.tif 000148
【図５０Ｃ】
2005523466.tif 000149
【図５０Ｄ】
2005523466.tif 000150
【図５０Ｅ】
2005523466.tif 000151
【図５１】
2005523466.tif 000152
【図５２Ａ】
2005523466.tif 000153
【図５２Ｂ】
2005523466.tif 000154
【図５３Ａ】
2005523466.tif 000155
【図５３Ｂ】
2005523466.tif 000156
【図５３Ｃ】
2005523466.tif 000157
【図５３Ｄ】
2005523466.tif 000158
【図５３Ｅ】
2005523466.tif 000159
【図５３Ｆ】
2005523466.tif 000160
【図５４Ａ】
2005523466.tif 000161
【図５４Ｂ】
2005523466.tif 000162
【図５４Ｃ】
2005523466.tif 000163
【図５４Ｄ】
2005523466.tif 000164
【図５４Ｅ】
2005523466.tif 000165
【図５４Ｆ】
2005523466.tif 000166
【図５４Ｇ】
2005523466.tif 000167
【図５４Ｈ】
2005523466.tif 000168
【図５４Ｉ】
2005523466.tif 000169
【図５４Ｊ】
2005523466.tif 000170
【図５５Ａ】
2005523466.tif 000171
【図５５Ｂ】
2005523466.tif 000172
【図５５Ｃ】
2005523466.tif 000173
【図５５Ｄ】
2005523466.tif 000174
【図５６Ａ】
2005523466.tif 000175
【図５６Ｂ】
2005523466.tif 000176
【図５６Ｃ】
2005523466.tif 000177
【図５７】
2005523466.tif 000178
【図５８Ａ】
2005523466.tif 000179
【図５８Ｂ】
2005523466.tif 000180
【図５８Ｃ】
2005523466.tif 000181
【図５９】
2005523466.tif 000182
【図６０Ａ】
2005523466.tif 000183
【図６０Ｂ】
2005523466.tif 000184
【図６０Ｃ】
2005523466.tif 000185
【図６０Ｄ】
2005523466.tif 000186
【図６０Ｅ】
2005523466.tif 000187
【図６０Ｆ】
2005523466.tif 000188
【図６１】
2005523466.tif 000189
【図６２】
2005523466.tif 000190
【図６３Ａ】
2005523466.tif 000191
【図６３Ｂ】
2005523466.tif 000192
【図６３Ｃ】
2005523466.tif 000193
【図６３Ｄ】
2005523466.tif 000194
【図６３Ｅ】
2005523466.tif 000195
【図６４】
2005523466.tif 000196
【図６５】
2005523466.tif 000197
【図６６】
2005523466.tif 000198
【図６７Ａ】
2005523466.tif 000199
【図６７Ｂ】
2005523466.tif 000200
【図６７Ｃ】
2005523466.tif 000201
【図６７Ｄ】
2005523466.tif 000202
【図６８Ａ】
2005523466.tif 000203
【図６８Ｂ】
2005523466.tif 000204
【図６８Ｃ】
2005523466.tif 000205
【図６８Ｄ】
2005523466.tif 000206
【図６９Ａ】
2005523466.tif 000207
【図６９Ｂ】
2005523466.tif 000208
【図６９Ｃ】
2005523466.tif 000209
【図７０】
2005523466.tif 000210
【図７１Ａ】
2005523466.tif 000211
【図７１Ｂ】
2005523466.tif 000212
【図７１Ｃ】
2005523466.tif 000213
【図７２Ａ】
2005523466.tif 000214
【図７２Ｂ】
2005523466.tif 000215
【図７２Ｃ】
2005523466.tif 000216
【図７２Ｄ】
2005523466.tif 000217
【図７２Ｅ】
2005523466.tif 000218
【図７３】
2005523466.tif 000219
【図７４Ａ】
2005523466.tif 000220
【図７４Ｂ】
2005523466.tif 000221
【図７４Ｃ】
2005523466.tif 000222
【図７４Ｄ】
2005523466.tif 000223
【図７４Ｅ】
2005523466.tif 000224
【図７５Ａ】
2005523466.tif 000225
【図７５Ｂ】
2005523466.tif 000226
【図７５Ｃ】
2005523466.tif 000227
【図７５Ｄ】
2005523466.tif 000228
【図７５Ｅ】
2005523466.tif 000229
【図７５Ｆ】
2005523466.tif 000230
【図７６Ａ】
2005523466.tif 000231
【図７６Ｂ】
2005523466.tif 000232
【図７６Ｃ】
2005523466.tif 000233
【図７６Ｄ】
2005523466.tif 000234
【図７６Ｅ】
2005523466.tif 000235
【図７６Ｆ】
2005523466.tif 000236
【図７６Ｇ】
2005523466.tif 000237
【図７７Ａ】
2005523466.tif 000238
【図７７Ｂ】
2005523466.tif 000239
【図７７Ｃ】
2005523466.tif 000240
【図７７Ｄ】
2005523466.tif 000241
【図７７Ｅ】
2005523466.tif 000242
【図７７Ｆ】
2005523466.tif 000243
【図７７Ｇ】
2005523466.tif 000244
【図７８Ａ】
2005523466.tif 000245
【図７８Ｂ】
2005523466.tif 000246
【図７８Ｃ】
2005523466.tif 000247
【図７８Ｄ】
2005523466.tif 000248
【図７８Ｅ】
2005523466.tif 000249
【図７８Ｆ】
2005523466.tif 000250
【図７８Ｇ】
2005523466.tif 000251
【図７８Ｈ】
2005523466.tif 000252
【図７９Ａ】
2005523466.tif 000253
【図７９Ｂ】
2005523466.tif 000254
【図７９Ｃ】
2005523466.tif 000255
【図７９Ｄ】
2005523466.tif 000256
【図７９Ｅ】
2005523466.tif 000257
【図７９Ｆ】
2005523466.tif 000258
【図７９Ｇ】
2005523466.tif 000259
【図７９Ｈ】
2005523466.tif 000260
【図８０Ａ】
2005523466.tif 000261
【図８０Ｂ】
2005523466.tif 000262
【図８０Ｃ】
2005523466.tif 000263
【図８０Ｄ】
2005523466.tif 000264
【図８０Ｅ】
2005523466.tif 000265
【図８０Ｆ】
2005523466.tif 000266
【図８０Ｇ】
2005523466.tif 000267
【図８０Ｈ】
2005523466.tif 000268
【図８１Ａ】
2005523466.tif 000269
【図８１Ｂ】
2005523466.tif 000270
【図８２Ａ】
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【図８２Ｂ】
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【図８２Ｃ】
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【図８２Ｄ】
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【図８２Ｅ】
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【図８２Ｆ】
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【図８２Ｇ】
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【図８３Ａ】
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【図８３Ｂ】
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【図８３Ｃ】
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【図８３Ｄ】
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【図８３Ｅ】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６Ａ】
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【図８６Ｂ】
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【図８６Ｃ】
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【図８６Ｄ】
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【図８６Ｅ】
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【図８６Ｆ】
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【図８７】
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【国際調査報告】
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