Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月29日(2020.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷物を撮像した撮像画像に重畳表示させるオブジェクトに関する情報を、前記印刷物の印刷データに付加情報として埋め込む画像処理装置であって、
前記印刷物の元画像の向きを判定する判定手段と、
前記オブジェクトを前記撮像画像に重畳表示させる際の前記判定手段により判定された向きに応じた表示方向と、前記オブジェクトとを少なくとも特定可能な付加情報を、前記印刷データに埋め込む埋め込み手段を備える
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記判定手段は、前記元画像の向きがポートレイトであるかランドスケープであるか判定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記埋め込み手段は、前記元画像の向きがポートレイトであると判定された場合に、前記オブジェクトの天地方向が表示画面の長辺に沿う表示方向が特定され、前記元画像の向きがランドスケープであると判定された場合に、前記天地方向が前記表示画面の短辺に沿う表示方向が特定されるように、前記付加情報を埋め込む、
ことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記埋め込み手段は、
前記付加情報が埋め込まれた前記印刷データに基づき印刷される印刷物において前記付加情報が視認しづらいように、前記付加情報を前記印刷データに埋め込む
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記オブジェクトがアニメーションである
ことを特徴する請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記印刷物を撮像した撮像画像から前記付加情報を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段が抽出した前記付加情報から、前記オブジェクトおよび表示方向を特定する特定手段と、
前記付加情報によって特定されたオブジェクトを、前記付加情報によって特定された表示方向に従って前記撮像画像に重畳されるように、表示画面に表示させる表示制御手段と、をさらに備える
ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
オブジェクトの各々に一意に割り当てられる識別情報を、オブジェクトの種類とオブジェクトの表示方向とに対応づけて格納する管理テーブルをさらに備え、
前記埋め込み手段は、
前記管理テーブルから、前記オブジェクトの表示方向と、ユーザによって選択された前記オブジェクトとに対応する前記識別情報を取得し、取得した前記識別情報を前記付加情報として前記印刷データに埋め込み、
前記特定手段は、
前記管理テーブルと、前記抽出手段が抽出した前記付加情報に含まれる前記識別情報とから、前記撮像画像に重畳表示させるオブジェクトの種類および表示方向を特定する
請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記埋め込み手段は、複数のオブジェクトからユーザにより選択されたオブジェクトを特定可能な情報を埋め込む
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
印刷物を撮像した撮像画像から付加情報を抽出する抽出手段と、
前記付加情報に従って、オブジェクトを、前記撮像画像に重畳されるように、表示画面に表示させる表示制御手段と、を備え、
前記付加情報には、前記オブジェクトと前記オブジェクトの表示方向とを少なくとも特定可能な情報が含まれ、
前記表示制御手段は、
前記付加情報によって特定されたオブジェクトを、前記付加情報によって特定された表示方向に従って前記撮像画像に重畳させる
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
前記表示制御手段は、ＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）に対して、前記オブジェクトが前記表示方向に従って表示され且つ前記画像処理装置の向きに応じた表示の自動回転が行われないように、指示を行う、
ことを特徴とする請求項６または請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
印刷物を撮像した撮像画像に重畳表示させるオブジェクトに関する情報を、前記印刷物の印刷データに付加情報として埋め込む画像処理方法であって、
前記印刷物の元画像の向きを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにより判定された向きに応じた表示方向と、前記オブジェクトとを少なくとも特定可能な付加情報を、前記印刷データに埋め込む埋め込みステップを含む
ことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
印刷物を撮像した撮像画像から付加情報を抽出する抽出ステップと、
前記付加情報に従って、オブジェクトを、前記撮像画像に重畳されるように、表示画面に表示させる表示制御ステップと、を含み、
前記付加情報には、前記オブジェクトと前記オブジェクトの表示方向とを少なくとも特定可能な情報が含まれ、
前記表示制御ステップにおいて、
前記付加情報によって特定されたオブジェクトが、前記付加情報によって特定された表示方向に従って前記撮像画像に重畳される
ことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１から請求項１０のうちのいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【請求項１４】
前記プログラムは、アプリケーションである、
ことを特徴とする請求項１３に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明による画像処理装置は、印刷物を撮像した撮像画像に重畳表示させるオブジェクトに関する情報を、印刷物の印刷データに付加情報として埋め込む画像処理装置であって、印刷物の元画像の向きを判定する判定手段と、オブジェクトを撮像画像に重畳表示させる際の判定手段により判定された向きに応じた表示方向と、オブジェクトとを少なくとも特定可能な付加情報を、印刷データに埋め込む埋め込み手段を備える
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月29日(2020.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の問題点を解決するため、本発明に係る画像処理装置は以下の構成を備える。すなわち、入力画像に基づいて、記録媒体上に画像を形成する画像形成部に提供するハーフトーン画像を生成する画像処理装置は、
前記入力画像に対して、前記画像形成部による形成画像における鮮鋭性低下を補償するための回復処理を行う回復処理手段と、
前記回復処理後の入力画像を用いて各画素の回復量を生成する生成手段と、
前記回復量に基づいて、前記回復処理後の入力画像に対するハーフトーン処理を行い前記ハーフトーン画像を生成するハーフトーン処理手段と、
を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像に基づいて、記録媒体上に画像を形成する画像形成部に提供するハーフトーン画像を生成する画像処理装置であって、
前記入力画像に対して、前記画像形成部による形成画像における鮮鋭性低下を補償するための回復処理を行う回復処理手段と、
前記回復処理後の入力画像を用いて各画素の回復量を生成する生成手段と、
前記回復量に基づいて、前記回復処理後の入力画像に対するハーフトーン処理を行い前記ハーフトーン画像を生成するハーフトーン処理手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記ハーフトーン処理手段は、前記回復量に応じてドットの打たれやすさを制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記ハーフトーン処理手段は、前記回復処理後の入力画像における所定の領域ごとに各画素に対してドットを配置するか否かを決定し、
前記ハーフトーン処理手段は、前記所定の領域における少なくとも１つの画素について、前記回復量が前記少なくとも１つの画素をより明るくすべきことを示す場合は、前記回復量が前記少なくとも１つの画素をより暗くすべきことを示す場合に比べて、ドットが打たれにくくなるように前記ハーフトーン処理を制御する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記回復処理手段は、前記入力画像に対して、前記画像形成部による形成画像における所定の周波数より低い低周波成分の鮮鋭性低下を補償するための第１の回復処理を行い、
前記画像処理装置は、前記入力画像に対して、前記画像形成部による形成画像における全周波成分の鮮鋭性低下を補償するための第２の回復処理を行う第２の回復処理手段を更に有し、
前記生成手段は、前記第１の回復処理後の入力画像と前記第２の回復処理後の入力画像との差分画像を、前記回復量を示す回復量画像として生成する
ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記生成手段は、更に、前記差分画像における所定幅未満かつ所定濃度未満の細線を検出し、該検出された細線に対応する回復量の符号を反転し前記回復量画像とする
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記ハーフトーン処理手段は、前記回復処理後の入力画像における所定の領域について、前記所定の領域に含まれる各画素に対応する回復量に基づいて、前記所定の領域に含まれる各画素のドットの配置優先度を算出し、前記配置優先度に応じて前記所定の領域に含まれる各画素に対してドットを配置するか否かを決定する
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記ハーフトーン処理手段は、前記回復処理後の入力画像における所定の領域について、前記所定の領域に含まれる各画素の画素値に基づいて前記所定の領域に含まれる各画素のドットの配置優先度を算出し、前記所定の領域における各画素に対応する回復量に基づいて、前記配置優先度を変更して前記ハーフトーン処理を行う
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記ハーフトーン処理手段は、前記第１の回復処理後の入力画像に対して、前記回復量に基づいて有効ドットの配置優先度を変更したハーフトーン処理を行う
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項９】
原稿を読み取り前記入力画像を生成する読み取り部の周波数劣化特性を取得する取得手段を更に有し、
前記回復処理手段は、前記周波数劣化特性を利用して、前記入力画像に対して、前記画像形成部による形成画像における全周波数成分の鮮鋭性低下を補償するための回復処理を行い、
前記生成手段は、前記入力画像と前記回復処理後の入力画像との差分画像を、前記回復量を示す回復量画像として生成する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
画像の拡縮処理を行う拡縮手段を更に有し、
前記読み取り部が第１の解像度で前記入力画像を生成し、前記ハーフトーン処理手段が前記第１の解像度とは異なる第２の解像度で画像処理を行う場合、前記拡縮手段は、前記入力画像と前記回復量画像とを前記第２の解像度となるよう拡縮し、前記ハーフトーン処理手段は、前記拡縮手段により拡縮された前記回復量画像に基づいて、前記拡縮手段により拡縮された入力画像に対するハーフトーン処理を行う
ことを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記第１の解像度が前記第２の解像度のＮ倍である場合、前記拡縮手段は、前記回復量画像に対して、Ｎ×Ｎ画素の領域の画素値の合計値を算出し、該合計値が０以上であれば該領域の画素値の最大値を前記拡縮された回復量画像の画素値として決定し、該合計値が０未満であれば該領域の画素値の最小値を前記拡縮された回復量画像の画素値として決定する
ことを特徴とする請求項１０に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記ハーフトーン処理手段は、前記入力画像から前記回復量画像を減算して得られる減算画像に対して前記ハーフトーン処理を行う
ことを特徴とする請求項９から請求項１１の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
入力画像に基づいて、記録媒体上に画像を形成する画像形成部に提供するハーフトーン画像を生成する画像処理方法であって、
前記入力画像に対して、前記画像形成部による形成画像における鮮鋭性低下を補償するための回復処理を行う回復処理工程と、
前記回復処理後の入力画像を用いて各画素の回復量を生成する生成工程と、
前記回復量に基づいて、前記回復処理後の入力画像に対するハーフトーン処理を行い前記ハーフトーン画像を生成するハーフトーン処理工程と、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１４】
コンピュータを請求項１から請求項１２の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月16日(2020.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部、前記光電変換部で生成された電荷を保持する電荷保持部、および、前記電荷保持部で保持された電荷が転送される電荷検出部を含む半導体層と、
前記半導体層の上に配された、増幅トランジスタのゲート電極と、
前記電荷保持部を覆う第１部分、および、前記ゲート電極の上面を覆う第２部分を有する遮光膜と、
を備える光電変換装置であって、
前記第２部分と前記上面との間の距離が、前記第１部分と前記半導体層との間の距離よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は前記電荷検出部に接続されている、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記遮光膜は前記増幅トランジスタのソースまたはドレインを覆う第３部分を有し、前記第２部分と前記上面との間の距離が、前記第３部分と前記半導体層との距離よりも小さい、請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記遮光膜は前記増幅トランジスタのソースまたはドレインを覆う第３部分を有し、前記第２部分と前記上面との間の距離が、前記第３部分と前記半導体層との間の距離よりも大きい、請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項５】
光電変換部、前記光電変換部で生成された電荷を保持する電荷保持部、および、前記電荷保持部で保持された電荷が転送される電荷検出部、を含む半導体層と、
前記半導体層の上に配され、前記電荷検出部に接続された、増幅トランジスタのゲート電極と、
前記電荷保持部を覆う第１部分、前記ゲート電極の上面を覆う第２部分、および前記トランジスタのソースまたはドレインを覆う第３部分を有する遮光膜と、
を備える光電変換装置であって、
前記第２部分と前記上面との間の距離が、前記第３部分と前記半導体層との間の距離よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
前記遮光膜は素子分離領域を覆う第４部分を有し、前記第４部分と前記素子分離領域との間の距離は、前記第２部分と前記上面との間の距離よりも小さい、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記遮光膜は前記光電変換部の一部を覆う第５部分を有し、前記第５部分と前記半導体層との間の距離は、前記第２部分と前記上面との間の距離よりも小さく、前記第２部分と前記上面との間の前記距離と前記第５部分と前記半導体層との間の前記距離との差は、前記ゲート電極の厚さよりも小さい、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記遮光膜は前記ゲート電極の上面を覆う第６部分を有し、前記第６部分と前記上面との間の距離は、前記第２部分と前記上面との間の距離よりも小さい、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第２部分と前記上面との間には、第１酸化シリコン層、第２酸化シリコン層、および、前記第１酸化シリコン層と前記第２酸化シリコン層との間の窒化シリコン層が配されており、前記窒化シリコン層と前記ゲート電極の前記上面との間の距離は、前記窒化シリコン層と前記ゲート電極の側面との間の距離よりも大きい、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記遮光膜の端面が、前記ゲート電極の上面の上に位置している、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記遮光膜の端面が、前記半導体層に向かって傾斜している、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記遮光膜を覆う絶縁膜の一部と前記遮光膜の端面との間に空隙が設けられている、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記遮光膜には、前記光電変換部の上に位置する第１開口と、前記電荷検出部の上に位置する第２開口とが設けられている、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記第２開口の中には、前記ゲート電極に接続されたコンタクトプラグを含む複数のコンタクトプラグが設けられている、請求項１３に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記遮光膜には第３開口が設けられており、前記第３開口の中には、前記ゲート電極に接続されたコンタクトプラグを含む複数のコンタクトプラグが設けられている、請求項１３または１４に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
前記光電変換部と前記電荷保持部との間の半導体領域の上には第１転送電極が設けられており、前記電荷保持部と前記電荷検出部との間の半導体領域の上には第２転送電極が設けられている、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記ゲート電極と前記第１転送電極と結ぶ少なくとも１本の直線上に前記第２転送電極が位置しない、請求項１６に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記電荷保持部はｎ型の半導体領域を含み、前記ｎ型の半導体領域と前記半導体層の表面との間にはｐ型の半導体領域が配されている、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の光電変換装置を備える電子機器であって、
前記光電変換装置に結像する光学系、前記光電変換装置を制御する制御装置、前記光電変換装置から出力された信号を処理する処理装置、前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置、および、前記光電変換装置で得られた情報を記憶する記憶装置の少なくともいずれか、をさらに備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
移動装置を備える輸送機器であって、
請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の光電変換装置と、前記光電変換装置で得られた情報に基づいて前記移動装置を操作するための処理を行う処理装置と、をさらに備えることを特徴とする輸送機器。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月10日(2020.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板部と、
前記平板部の外周部に形成され、前記平板部の厚み方向に突出する環状の第１突出部と、
前記第１突出部の外側に形成された外延部と、
前記外延部に形成され、前記第１突出部と同じ方向又は逆方向のいずれかに突出する第２突出部と
を有し、
前記第１突出部は外周が四角形状であり、
前記第１突出部の四隅の外側領域に前記第２突出部の開口部が設けられていることを特徴とする放熱板。
【請求項２】
前記第２突出部は、前記第１突出部と同じ方向に突出しており、
前記第１突出部と前記第２突出部との間に隙間が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の放熱板。
【請求項３】
前記外延部の厚みは、前記平板部の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１又は２に記載の放熱板。
【請求項４】
前記第２突出部は、前記第１突出部と同じ方向に突出しており、
前記第１突出部の先端面と前記第２突出部の先端面とは同じ高さ位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の放熱板。
【請求項５】
配線基板と、
前記配線基板の上に搭載された電子部品と、
平板部と、前記平板部の外周部に形成され、前記平板部の厚み方向に突出する環状の第１突出部と、前記第１突出部の外側に形成された外延部と、前記外延部に形成され、前記第１突出部と同じ方向又は逆方向のいずれかに突出する第２突出部とを備えた放熱板と
を有し、
前記放熱板の第１突出部が前記配線基板の上に配置されて、前記放熱板の中に前記電子部品が収容され、
前記放熱板と前記電子部品とが熱伝導材で接続されていることを特徴とする電子部品装置。
【請求項６】
金属板を用意する工程と、
金型によって前記金属板を押圧することにより、平板部と、前記平板部の外周部に上側に突出して配置された第１突出部と、第１突出部の上部側面から外側に延びる外延部とを形成する工程と、
金型によって前記外延部を下側に押し込んで移動させることにより、前記外延部を前記第１突出部の下部側面に繋げる工程と、
前記外延部を前記第１突出部の突出方向と同じ方向又は逆方向のいずれかに曲げることにより、前記第１突出部の外側に第２突出部を形成する工程と
を有することを特徴とする放熱板の製造方法。
【請求項７】
前記第２突出部を形成する工程において、
前記外延部を前記第１突出部の突出方向と同じ方向に曲げて前記第２突出部を形成し、
前記第１突出部と前記第２突出部との間に隙間が設けられることを特徴とする請求項６に記載の放熱板の製造方法。
【請求項８】
前記平板部と前記第１突出部と前記外延部とを形成する工程において、
前記第１突出部の外周は四角形状で形成され、
前記外延部を前記第１突出部の下部側面に繋げる工程の後であって、前記第２突出部を形成する工程の前に、
前記外延部の先端部を除去すると共に、前記第１突出部の四隅の外側領域の前記外延部を除去して開口部を設ける工程を有することを特徴とする請求項６又は７に記載の放熱板の製造方法。
【請求項９】
前記平板部と前記第１突出部と前記外延部とを形成する工程において、
前記外延部の厚みは前記平板部の厚みよりも薄く設定されることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の放熱板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２突出部を形成する工程において、
前記外延部を前記第１突出部の突出方向と同じ方向に曲げて前記第２突出部を形成し、
前記第１突出部の先端面と前記第２突出部の先端面とが同じ高さ位置に配置されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の放熱板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、平板部と、前記平板部の外周部に形成され、前記平板部の厚み方向に突出する環状の第１突出部と、前記第１突出部の外側に形成された外延部と、前記外延部に形成され、前記第１突出部と同じ方向又は逆方向のいずれかに突出する第２突出部とを有し、前記第１突出部は外周が四角形状であり、前記第１突出部の四隅の外側領域に前記第２突出部の開口部が設けられている放熱板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
また、図１８（ｂ）の部分拡大図に示された変形例の放熱板１ａの各厚みＴ１，Ｔ２，Ｗ１，Ｗ２は、前述した図１６（ｂ）の放熱板１と同じ構成を適用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
図２２には、実施形態の変形例の電子部品装置２ａが示されている。図２２に示す変形例の電子部品装置２ａでは、前述した図２１の電子部品装置２の放熱板１の代わりに図１７の変形例の放熱板１ａを使用している。図２２において、放熱板１ａ以外の要素は図２１の電子部品装置２と同一であるため、同一符号を付してそれらの説明を省略する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
1，１ａ…放熱板、２，２ａ…電子部品装置、１０…金属板、１０ａ…平板部、１０ｂ…外延部、１０ｘ…開口部、２０，２２，２４，２６，２８…下型、２０ａ，２６ａ，３２ｂ，２６ａ，２８ａ…凹部、３０，３２，３４，３６，３８…上型、３０ａ，３２ａ，３８ａ…凸部、４０…配線基板、４２…接着剤、５０…半導体チップ、５２…接続端子、５４…アンダーフィル樹脂、５６…熱伝導材、Ｃ…隙間、Ｐ１…第１突出部、Ｐ２，Ｐ２ｘ…第２突出部。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月25日(2020.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
【図２】一実施形態に係るシールド部材及びシャッターを示す断面図である。
【図３】一実施形態に係るシールド部材の斜視図である。
【図４】図３に示すシールド部材の一部を拡大して示す破断斜視図である。
【図５】一実施形態に係るシャッターの斜視図である。
【図６】一実施形態に係るシャッターでシールド部材の開口を閉じる動作を概略的に示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図６は、一実施形態に係るシャッターでシールド部材の開口を閉じる動作を概略的に示す図である。図６の（ａ）は、シャッター７０が第１領域に位置する状態、図６の（ｂ）は、シャッター７０が第２領域に位置する状態、図６の（ｃ）は、シールド部材６０にシャッターが押し当てられた状態を示す。かかるシャッター７０によって開口ＯＰを閉鎖する際には、図６の（ａ），（ｂ）に示すように、シャッター７０は、駆動軸８０によって第１領域から上方の第２領域に移動する。第２領域においてシャッター７０が配置されると、図２に示すように、シャッター７０の第２部分７０ｂは、開口ＯＰに対面するようになっている。この状態において、第１部分７０ａの端面７０ｔ１は、シールド部材６０の端面６０ｐ１に対して間隙を介して対面する。また、シャッター７０の一対の端面７０ｔ２はそれぞれ、シールド部材６０の一対の端面６０ｐ２に間隙を介して対面する。また、シャッター７０の第１部分７０ａの内周面及び第２部分７０ｂが、シールド部材６０の薄肉部６０ｃの外周面６０ｗと、径方向において間隙を介して対面する。さらに、シャッター７０の第３部分７０ｃの内周面が、シールド部材６０の下部６０ｂの外周面と、径方向において間隙を介して対面する。これにより、開口ＯＰの上下方及び周方向の両側においては、ラビリンス構造の間隙が形成される。また、シャッター７０の第１部分７０ａ及び第２部分７０ｂの両側はシールド部材６０の薄肉部６０ｃの外周面６０ｗに径方向外側から対面し、シャッター７０の第３部分７０ｃはシールド部材６０の下部６０ｂの外周面に径方向外側から対面する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
また、プラズマ処理装置は、開口ＯＰに対応するシャッター７０の領域を囲むようにシャッター７０に配置された導電部材（７２ａ，７２ｂ，７２ｃ）を備える。このため、シャッター７０とシールド部材６０とが開口ＯＰの全周に亘って導通するので、シャッター７０とシールド部材６０との電気的な接続を一層安定化させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2019009251.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月19日(2020.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリトランジスタと、トランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記メモリトランジスタは、第１の導電層、第２の導電層、第３の導電層、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第３の絶縁層、及び第１の半導体層を有し、
前記トランジスタは、第４の導電層、第５の導電層、第４の絶縁層、及び第２の半導体層を有し、
前記第１の導電層は、開口を有し、
前記第１の絶縁層は、前記開口の内側に接して設けられ、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の内側に接して設けられ、
前記第３の絶縁層は、前記第２の絶縁層の内側に接して設けられ、
前記第１の半導体層は、前記第３の絶縁層の内側に接して設けられ、且つ、前記第１の導電層の前記開口よりも上下方向に突出して設けられ、
前記第２の導電層は、前記第１の半導体層の底部に接して設けられ、
前記第３の導電層は、前記第１の半導体層の上部に接して設けられ、
前記第４の導電層及び前記第５の導電層は、前記第２の半導体層にそれぞれ接して設けられ、
前記第４の絶縁層は、前記第２の半導体層に接して設けられ、
前記第５の導電層は、前記第４の絶縁層を介して前記第２の半導体層と重なる部分を有し、
前記第１の絶縁層、前記第３の絶縁層、及び前記第４の絶縁層は、それぞれ酸化物を含み、
前記第２の絶縁層は、窒化物を含み、
前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層とは、同じ金属酸化物を含む、
半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月5日(2020.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【化１】
2019009217.tif 000001
（式中、Ｒ１は、水素原子又は炭素原子数２〜５のアルキル基を表し、Ｒ２は、水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）
【化２】
2019009217.tif 000002
（式中、Ｒ３及びＲ４は、各々独立に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物及び（２）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含有してなる薄膜形成用原料：
【化１】
2019009217.tif 000003
（式中、Ｒ１は、水素原子又は炭素原子数２〜５のアルキル基を表し、Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表す。）
【化２】
2019009217.tif 000004
（式中、Ｒ３及びＲ４は、各々独立に水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜形成用原料を用いてホウ素原子を含有する薄膜を形成する薄膜の製造方法。
【請求項３】
薄膜形成用原料を気化させることにより、ホウ素原子を含有する蒸気を得る工程と、該蒸気を基体と接触させることにより、前記薄膜形成用原料を分解及び／又は化学反応させて該基体上に薄膜を形成する工程とを含む、請求項２に記載の薄膜の製造方法。
【請求項４】
薄膜形成用原料を基体上に塗布する塗布工程と、その後に、該基体を１００〜８００℃に加熱することによって薄膜を形成する工程とを含む、請求項２または３に記載の薄膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月18日(2019.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の電力供給装置と並列接続可能に構成された蓄電装置の蓄電部と、前記蓄電装置及び前記他の電力供給装置を電気的に接続する配線との間に流れる電流を制御する制御装置であって、
（ｉ）前記配線及び前記蓄電部の間に配されるスイッチング素子の端子間電圧が予め定められた条件を満足する場合に、前記スイッチング素子が前記配線及び前記蓄電部を電気的に接続し、（ｉｉ）前記スイッチング素子の端子間電圧が前記予め定められた条件を満足しない場合に、前記スイッチング素子が前記配線及び前記蓄電部を電気的に切断するように、前記スイッチング素子を制御する制御部を備え、
前記制御部は、
（ｉ）前記スイッチング素子の一端及び前記配線の間、並びに、前記スイッチング素子の他端及び前記蓄電部の前記配線側の端部の間に電気的に接続されて、前記スイッチング素子の端子間電圧が入力され、（ｉｉ）前記スイッチング素子の端子間電圧が予め定められた範囲内であるか否かを判定する判定部と、
前記判定部が、前記スイッチング素子の端子間電圧が前記予め定められた範囲内であると判定した場合に、前記スイッチング素子をオン動作させるための信号を生成する信号生成部と、
を有する、
制御装置。
【請求項２】
前記信号生成部は、
前記他の電力供給装置の充電又は放電中に、前記判定部が、前記スイッチング素子の端子間電圧が前記予め定められた範囲内でないと判定した場合に、前記スイッチング素子をオフ動作させるための信号を生成する、
請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記蓄電装置の端子間電圧が前記他の電力供給装置の端子間電圧よりも小さいことを示す第１信号を受信する第１信号受信部を有し、
前記信号生成部は、前記第１信号受信部が前記第１信号を受信した場合に、前記スイッチング素子をオン動作させるための信号を生成する、
請求項１又は請求項２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記蓄電装置及び前記他の電力供給装置を備える蓄電システムが充電状態に移行するときに、前記第１信号受信部が前記第１信号を受信した場合、
前記信号生成部は、前記スイッチング素子をオン動作させるための信号を生成する、
請求項３に記載の制御装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記蓄電装置の端子間電圧が前記他の電力供給装置の端子間電圧よりも大きいことを示す第２信号を受信する第２信号受信部を有し、
前記信号生成部は、前記第２信号受信部が前記第２信号を受信した場合に、前記スイッチング素子をオン動作させるための信号を生成する、
請求項１から請求項４までの何れか一項に記載の制御装置。
【請求項６】
前記蓄電装置及び前記他の電力供給装置を備える蓄電システムが放電状態に移行するときに、前記第２信号受信部が前記第２信号を受信した場合、
前記信号生成部は、前記スイッチング素子をオン動作させるための信号を生成する、
請求項５に記載の制御装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記蓄電装置の端子間電圧が予め定められた範囲外であることを示す第３信号を受信する第３信号受信部を有し、
前記信号生成部は、前記第３信号受信部が前記第３信号を受信した場合に、前記スイッチング素子をオフ動作させるための信号を生成する、
請求項１から請求項６までの何れか一項に記載の制御装置。
【請求項８】
前記信号生成部は、前記判定部が、前記スイッチング素子の端子間電圧が前記予め定められた範囲内であるか否かを判定してから、予め定められた時間が経過した後、前記信号を生成する、
請求項１から請求項７までの何れか一項に記載の制御装置。
【請求項９】
前記スイッチング素子をさらに備え、
前記スイッチング素子は、並列に接続された電界効果トランジスタ及びリレー回路を有する、
請求項１から請求項８までの何れか一項に記載の制御装置。
【請求項１０】
前記蓄電部が、直列に接続された複数の蓄電セルを有し、
前記複数の蓄電セルの電圧を均等化するバランス補正部をさらに備える、
請求項１から請求項９までの何れか一項に記載の制御装置。
【請求項１１】
前記他の電力供給装置は、前記蓄電装置とは異なる他の蓄電装置を含む、
請求項１から請求項１０までの何れか一項に記載の制御装置。
【請求項１２】
前記蓄電部の劣化状態と、前記他の蓄電装置の蓄電部の劣化状態とが異なる、
請求項１１に記載の制御装置。
【請求項１３】
前記蓄電部の種類と、前記他の蓄電装置の蓄電部の種類とが異なる、
請求項１１又は請求項１２に記載の制御装置。
【請求項１４】
前記蓄電部の電池特性に関する情報を取得する電池特性取得部と、
前記電池特性取得部が取得した、前記蓄電部の電池特性に関する情報を、前記制御装置の外部の機器に出力する出力部と、
をさらに備える、
請求項１から請求項１３までの何れか一項に記載の制御装置。
【請求項１５】
前記制御部は、前記他の電力供給装置の充電又は放電により前記スイッチング素子の端子間電圧が前記予め定められた範囲内になるまで、前記スイッチング素子が前記配線及び前記蓄電部を電気的に切断するように、前記スイッチング素子を制御する、
請求項１から請求項１４までの何れか一項に記載の制御装置。
【請求項１６】
前記判定部は、（ｉ）前記スイッチング素子の一端及び前記配線の間、並びに、前記スイッチング素子の他端及び前記蓄電部の前記配線側の端部の間に電気的に接続されて、前記スイッチング素子の端子間電圧が入力され、（ｉｉ）前記スイッチング素子の端子間電圧が予め定められた範囲内であるか否かを示す信号を出力するウインドコンパレータを含み、
前記信号生成部は、
（ｉ）前記ウインドコンパレータが、前記スイッチング素子の端子間電圧が前記予め定められた範囲内であることを示す信号を出力した場合に、前記スイッチング素子をオン動作させるための信号を生成する、又は、
（ｉｉ）前記ウインドコンパレータが、前記スイッチング素子の端子間電圧が前記予め定められた範囲内でないことを示す信号を出力した場合に、前記スイッチング素子をオフ動作させるための信号を生成する、
請求項１から請求項１５までの何れか一項に記載の制御装置。
【請求項１７】
前記蓄電装置は、前記蓄電装置及び前記他の電力供給装置を備える蓄電システムの筐体に着脱自在に保持され、
前記制御部は、前記蓄電部及び前記スイッチング素子とともに、前記蓄電装置の一部を構成する、
請求項１から請求項１６までの何れか一項に記載の制御装置。
【請求項１８】
請求項１から請求項１７までの何れか一項に記載の制御装置と、
前記蓄電部と、
を備える、蓄電装置。
【請求項１９】
複数個の請求項１８に記載の蓄電装置が、並列又はマトリクス状に接続された、
蓄電システム。
【請求項２０】
コンピュータを、請求項１から請求項１７までの何れか一項に記載の制御装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月10日(2020.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図７（ｃ）に示す第３のモデル７０ｃは、第１のモデル７０ａに対して、外部接続端子９１が、配線層７１の外部接続用パッド７１Ｐの下面及び側面を覆っている。磁性層１３は、絶縁層８１の下面と配線層７１を覆うように形成されている。そして、磁性層１３は、外部接続端子９１の側面に接している。この第３のモデル７０ｃの磁性層１３は、信号を伝達する経路の配線とは直接的に接していない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
各モデル７０ａ〜７０ｄにおいて、配線層７７に信号を供給する。その信号は、各配線層７７〜７１を介して外部接続端子９１に伝達される。そして、外部接続端子９１において信号を観測する。そして、供給する信号のレベルと観測した信号のレベルにより、各モデル７０ａ〜７０ｄにおけるＳパラメータの挿入損失：Ｓ２１を算出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図７（ｂ）に示す第２のモデル７０ｂは、磁性層１３が配線層７１，７２に直接接している。この場合、図８の曲線Ｌｂに示されるように、高周波の信号に対する第３のモデル７０ｃの挿入損失は、磁性層１３を用いてない第１のモデル７０ａの挿入損失（図８の曲線Ｌ１）に比べ大きく増加する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図７（ｃ）に示す第３のモデル７０ｃは、信号を伝達する配線層７１，７２に対する磁性層１３を直接的に接していない。この場合、図８の曲線Ｌｃに示されるように、高周波の信号に対する第３のモデル７０ｃの挿入損失は、第２のモデル７０ｂの挿入損失（図８の曲線Ｌｂ）に比べ低下する。従って、磁性層１３を信号伝達経路の配線に対して直接的に接触させないようにすることで、挿入損失が低減される、つまり、高周波信号の伝達特性が向上する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図７（ｄ）に示す第４のモデル７０ｄは、信号を伝達する配線層７１と配線層７２のビア配線に対して磁性層１３が接していない。この場合、図８の曲線Ｌｄに示されるように、高周波の信号に対する第４のモデル７０ｄの挿入損失は、第２，第３のモデル７０ｂ，７０ｃの挿入損失（図８の曲線Ｌｂ，Ｌｃ）に比べ低下する。従って、磁性層１３を信号伝達経路の配線に対して接触させないようにすることで、挿入損失が更に低減される、つまり、高周波信号の伝達特性が更に向上する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月26日(2020.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光手段と、
第２の発光手段と、
複数の辺からなり、夫々の辺に複数の端子を備える制御手段と、
前記第１の発光手段と前記制御手段を接続するための第１の配線パターンが接続される第１の端子群と、
前記第２の発光手段と前記制御手段を接続するための第２の配線パターンが接続される第２の端子群と、
を備え、
前記第１の端子群は、前記複数の辺のうち前記第１の発光手段に最も近い第１の辺に備えられ、
前記第２の端子群は、前記複数の辺のうち前記第２の発光手段に最も近い第２の辺に備えられることを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記第１の端子群は、前記第１の辺に備えられた複数の端子のうち、前記第１の発光手段に最も近い端子を含み、
前記第２の端子群は、前記第２の辺に備えられた複数の端子のうち、前記第２の発光手段に最も近い端子を含むことを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記第１の発光手段と前記第２の発光手段とを結ぶ仮想線と、前記第１の辺及び前記第２の辺は平行ではないことを特徴とする請求項１又は２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記第１の辺と前記第２の辺は隣り合う辺であり、前記第１の辺と前記第２の辺は第１の角をなし、
前記第１の端子群は、前記第１の辺に備えられた複数の端子のうち、前記第１の角に最も近い端子を含み、
前記第２の端子群は、前記第２の辺に備えられた複数の端子のうち、前記第１の角に最も近い端子を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項５】
前記第１の辺と前記第２の辺は隣り合う辺であり、前記第１の辺と前記第２の辺は第１の角をなし、
前記第１の辺に備えられた複数の端子のうち、前記第１の角に最も近い端子は、前記制御手段をグランドにつなぐ端子であり、
前記第２の辺に備えられた複数の端子のうち、前記第１の角に最も近い端子は、前記制御手段をグランドにつなぐ端子であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項６】
前記第１の発光手段とは接続しない第３の配線パターンが接続される、前記第１の辺に備えられた第３の端子群と、
前記第２の発光手段とは接続しない第４の配線パターンが接続される、前記第２の辺に備えられた第４の端子群と、
を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項７】
前記第１の発光手段と前記第１の端子群との距離は、前記第１の発光手段と前記第３の端子群との距離よりも近く、
前記第２の発光手段と前記第２の端子群との距離は、前記第２の発光手段と前記第４の端子群との距離よりも近いことを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記第１の端子群は、前記第１の発光手段と前記制御手段を結ぶ垂線と前記第１の辺との交点に最も近い端子を含み、
前記第２の端子群は、前記第２の発光手段と前記制御手段を結ぶ垂線と前記第２の辺との交点に最も近い端子を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項９】
第３の発光手段と、
第４の発光手段と、
前記第３の発光手段と前記制御手段を接続するための第５の配線パターンが接続される第５の端子群と、
前記第４の発光手段と前記制御手段を接続するための第６の配線パターンが接続される第６の端子群と、
を備え、
前記第５の端子群は、前記複数の辺のうち前記第３の発光手段に最も近い第３の辺に備えられ、
前記第６の端子群は、前記複数の辺のうち前記第４の発光手段に最も近い第４の辺に備えられることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項１０】
前記第３の発光手段とは接続しない第７の配線パターンが接続される、前記第３の辺に備えられた第７の端子群と、
前記第４の発光手段とは接続しない第８の配線パターンが接続される、前記第４の辺に備えられた第８の端子群と、
を備えることを特徴とする請求項９に記載の光学装置。
【請求項１１】
前記第３の発光手段と前記第５の端子群との距離は、前記第３の発光手段と前記第７の端子群との距離よりも近く、
前記第４の発光手段と前記第６の端子群との距離は、前記第４の発光手段と前記第８の端子群との距離よりも近いことを特徴とする請求項１０に記載の光学装置。
【請求項１２】
前記第３の辺と前記第４の辺は隣り合う辺であり、前記第３の辺と前記第４の辺は第２の角をなし、
前記第５の端子群は、前記第３の辺に備えられた複数の端子のうち、前記第２の角に最も近い端子を含み、
前記第６の端子群は、前記第４の辺に備えられた複数の端子のうち、前記第２の角に最も近い端子を含むことを特徴とする請求項９に記載の光学装置。
【請求項１３】
第１の発光手段と、
第２の発光手段と、
第３の発光手段と、
第４の発光手段と、
複数の辺からなり、夫々の辺に複数の端子を備える第１の制御手段と、
複数の辺からなり、夫々の辺に複数の端子を備える第２の制御手段と、
前記第１の発光手段と前記第１の制御手段を接続するための第１の配線パターンが接続される第１の端子群と、
前記第２の発光手段と前記第１の制御手段を接続するための第２の配線パターンが接続される第２の端子群と、
前記第３の発光手段と前記第２の制御手段を接続するための第３の配線パターンが接続される第３の端子群と、
前記第４の発光手段と前記第２の制御手段を接続するための第４の配線パターンが接続される第４の端子群と、
を備え、
前記第１の端子群は、前記第１の制御手段の複数の辺のうち前記第１の発光手段に最も近い第１の辺に備えられ、
前記第２の端子群は、前記第１の制御手段の複数の辺のうち前記第２の発光手段に最も近い第２の辺に備えられ、
前記第３の端子群は、前記第２の制御手段の複数の辺のうち前記第３の発光手段に最も近い第３の辺に備えられ、
前記第４の端子群は、前記第２の制御手段の複数の辺のうち前記第４の発光手段に最も近い第４の辺に備えられることを特徴とする光学装置。
【請求項１４】
第１の発光手段と、
第２の発光手段と、
複数の辺からなり、夫々の辺に複数の端子を備える制御手段と、
前記第１の発光手段と前記制御手段を接続するための第１の配線パターンが接続される第１の端子群と、
前記第２の発光手段と前記制御手段を接続するための第２の配線パターンが接続される第２の端子群と、を備え、
前記第１の端子群は、前記制御手段の複数の角のうち、前記第１の発光手段に最も近い角をなす第１の辺及び第２の辺に配置され、
前記第２の端子群は、前記制御手段の複数の角のうち、前記第２の発光手段に最も近い角をなす前記第２の辺及び第３の辺に配置されることを特徴とする光学装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光学装置と、
前記光学装置から発光された光により静電潜像が形成される感光体と、
前記感光体に形成された静電潜像をトナーにより現像する現像手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月26日(2020.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被駆動部と、
前記被駆動部を制御する制御手段と、
前記制御手段を配置するための基準としての第１の基準マーク及び第２の基準マークと、を有し、
前記制御手段は、４つの辺と４つの角からなり、前記４つの辺にはそれぞれ端子が備えられ、
前記被駆動部と前記制御手段を接続するための配線パターンは、前記被駆動部に最も近い第１の角をなす第１の辺及び又は第２の辺に配置され、
前記第１の基準マーク及び前記第２の基準マークは、前記制御手段の前記第１の角とは異なる第２の角と、前記第２の角と対向する第３の角を結んだ直線上に配置されていることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記制御手段は、前記直線上に前記第１の基準マーク及び前記第２の基準マークが並ぶように位置決めされることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記第２の角と前記第１の基準マークは接していることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
前記第３の角と前記第２の基準マークは接していることを特徴とする請求項３に記載の基板。
【請求項５】
前記第２の角及び前記第３の角と、前記第１の基準マーク及び前記第２の基準マークは離れていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板。
【請求項６】
前記被駆動部とは接続しない第２の配線パターンは、前記第２の角と前記第１の基準マークを結ぶ直線と交わるように配置される請求項５に記載の基板。
【請求項７】
前記被駆動部とは接続しない第３の配線パターンは、前記第３の角と前記第２の基準マークを結ぶ直線と交わるように配置される請求項６に記載の基板。
【請求項８】
第２の被駆動部を備え、
前記第２の被駆動部と前記制御手段を接続するための第４の配線パターンは、前記第１の角と対向する第４の角をなす第３の辺及び第４の辺に配置されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板を備え、
前記被駆動部は、光を発光する発光手段であることを特徴とする光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板と、
前記被駆動部から発光された光により静電潜像が形成される感光体と、
前記感光体に形成された静電潜像をトナーにより現像する現像手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月11日(2020.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅを含む軟磁性金属粒子と、
ＦｅのＸ線強度比が５０％以上で、Ｆｅが代表成分である結晶質の第１の酸化物層、ＳｉのＸ線強度比が５０％以上で、Ｓｉが代表成分である非晶質の第２の酸化物層、及び、ＦｅとＳｉのＸ線強度比の総和が５０％以上で、ＦｅとＳｉが代表成分である非晶質の第３の酸化物層を有し、前記軟磁性金属粒子の表面を覆う多層酸化膜とを備え、
前記第１の酸化物層は、前記軟磁性金属粒子の表面と前記第２の酸化物層との間に介在し、
前記第３の酸化物層は、前記第２の酸化物層を被覆する
磁性材料。
【請求項２】
Ｆｅを含む軟磁性金属粒子と、
ＦｅのＸ線強度比が５０％以上で、Ｆｅが代表成分である結晶質の第１の酸化物層、ＳｉのＸ線強度比が５０％以上で、Ｓｉが代表成分である非晶質の第２の酸化物層、ＦｅとＳｉのＸ線強度比の総和が５０％以上で、ＦｅとＳｉが代表成分である非晶質の第３の酸化物層、及び、ＦｅとＯのＸ線強度比の総和が５０％以上で、ＦｅとＯが代表成分である結晶質の第４の酸化物層を有し、前記軟磁性金属粒子の表面を覆う多層酸化膜とを備え、
前記第１の酸化物層は、前記軟磁性金属粒子の表面と前記第２の酸化物層との間に介在し、
前記第３の酸化物層は、前記第２の酸化物層を被覆し、
前記第４の酸化物層は、前記第３の酸化物層を被覆する
磁性材料。
【請求項３】
Ｆｅを含む軟磁性金属粒子と、
ＦｅのＸ線強度比が５０％以上で、Ｆｅが代表成分である結晶質の第１の酸化物層、及び、ＦｅとＳｉのＸ線強度比の総和が５０％以上で、ＦｅとＳｉが代表成分である非晶質の第２の酸化物層を有し、前記軟磁性金属粒子の表面を覆う多層酸化膜とを備え、
前記第２の酸化物層は、前記軟磁性金属粒子の表面と前記第１の酸化物層との間に介在する
磁性材料。
【請求項４】
Ｆｅを含む軟磁性金属粒子と、
ＦｅのＸ線強度比が５０％以上で、Ｆｅが代表成分である結晶質の第１の酸化物層、ＦｅとＳｉのＸ線強度比の総和が５０％以上で、ＦｅとＳｉが代表成分である非晶質の第２の酸化物層、ＦｅとＣｒのＸ線強度比の総和が５０％以上で、ＦｅとＣｒが代表成分である結晶質の第３の酸化物層、及び、ＦｅとＳｉのＸ線強度比の総和が５０％以上で、ＦｅとＳｉが代表成分である非晶質の第４の酸化物層、を有し、前記軟磁性金属粒子の表面を覆う多層酸化膜とを備え、
前記第４の酸化物層は、前記軟磁性金属粒子の表面と前記第３の酸化物層との間に介在し、
前記第２の酸化物層は、前記第３の酸化物層を被覆し、
前記第１の酸化物層は、前記第２の酸化物層を被覆する
磁性材料。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の磁性材料であって、
前記軟磁性金属粒子は、純鉄粉である
磁性材料。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の磁性材料であって、
前記軟磁性金属粒子は、Ｆｅ、元素Ｌ（但し、元素ＬはＳｉ、Ｚｒ、Ｔｉのいずれかである。）及び元素Ｍ（但し、元素ＭはＳｉ、Ｚｒ、Ｔｉ以外であってＦｅより酸化し易い元素である。）を含む軟磁性合金粒子である
磁性材料。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁性材料の集合体で構成された磁心
を具備する電子部品。
【請求項８】
Ｆｅを含む軟磁性金属粒子の表面に非晶質のシリコン酸化膜を形成し、
前記軟磁性金属粒子を還元性雰囲気で９００℃以下の第１の温度に加熱する
磁性材料の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の磁性材料の製造方法であって、さらに、
前記軟磁性金属粒子を還元性雰囲気で７００℃以下の第２の温度に加熱する
磁性材料の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の磁性材料の製造方法であって、さらに、
前記軟磁性金属粒子を酸化性雰囲気で７００℃以下の第２の温度に加熱する
磁性材料の製造方法。
【請求項１１】
Ｆｅを含む軟磁性金属粒子の表面に非晶質のシリコン酸化膜を形成し、
前記軟磁性金属粒子を酸化性雰囲気で４００℃以下の第３の温度に加熱する
磁性材料の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の磁性材料の製造方法であって、さらに、
前記軟磁性金属粒子を還元性雰囲気で７００℃以下の第２の温度に加熱する
磁性材料の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の磁性材料の製造方法であって、さらに、
前記軟磁性金属粒子を酸化性雰囲気で７００℃以下の第２の温度に加熱する
磁性材料の製造方法。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずれか１つに記載の磁性材料の製造方法であって、
前記シリコン酸化膜の厚みは、２５ｎｍ以下である
磁性材料の製造方法。
【請求項１５】
請求項８〜１４のいずれか１つに記載の磁性材料の製造方法であって、
前記シリコン酸化膜の形成は、
前記軟磁性金属粒子、エタノール及びアンモニア水を含む混合液中に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、エタノール及び水を含む処理液を複数回に分けて滴下しながら混合し、
前記軟磁性金属粒子を乾燥させる
ことを含む
磁性材料の製造方法。
【請求項１６】
請求項８〜１５に記載の磁性材料の製造方法であって、
前記軟磁性金属粒子は、純鉄である
磁性材料の製造方法。
【請求項１７】
請求項８〜１５に記載の磁性材料の製造方法であって、
前記軟磁性金属粒子は、Ｆｅ、元素Ｌ（但し、元素ＬはＳｉ、Ｚｒ、Ｔｉのいずれかである。）及び元素Ｍ（但し、元素ＭはＳｉ、Ｚｒ、Ｔｉ以外であってＦｅより酸化し易い元素である。）を含む軟磁性合金粒子である
磁性材料の製造方法。
【請求項１８】
Ｆｅを含む軟磁性金属粒子、エタノール及びアンモニア水を含む混合液中に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、エタノール及び水を含む処理液を複数回に分けて滴下しながら混合することで、前記軟磁性金属粒子の表面に非晶質のシリコン酸化膜を形成する
磁性材料の製造方法。