【手続補正書】
【提出日】令和2年2月28日(2020.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性メモリと、
不揮発性メモリと、
メモリコントローラと接続するための非同期式メモリインタフェイスと、を備え、
前記非同期式メモリインタフェイスは、前記揮発性メモリへの同期式データアクセスに使用されるＤＤＲ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅ）メモリチャンネルのピンに加えて、前記不揮発性メモリに格納された非同期式データを前記メモリコントローラに伝送する前記ＤＤＲメモリチャンネルの用途変更されたピン（ｒｅｐｕｒｐｏｓｅｄ  ｐｉｎｓ）を利用し、
前記非同期式データは、前記不揮発性メモリの状態を示す装置フィードバックであり、
前記不揮発性メモリの前記状態は、前記用途変更されたピンを１つ以上使用して、前記メモリコントローラへ非同期式に伝送され、
前記メモリコントローラは、非同期式に受信された前記状態に応答して、前記ＤＤＲメモリチャンネルの前記ピンを介してデータを同期式に伝送することを特徴とするメモリモジュール。
【請求項２】
前記装置フィードバックは、前記メモリコントローラから要請されたデータが前記不揮発性メモリのデータバッファに位置することを示すことを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項３】
前記非同期式メモリインタフェイスはＤＤＲ１、ＤＤＲ２、ＤＤＲ３、及びＤＤＲ４と互換されることを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項４】
前記用途変更されたピンは、特定ＤＩＭＭ（Ｄｕａｌ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ）に専用される専用データピンを含むことを特徴とする請求項３に記載のメモリモジュール。
【請求項５】
前記用途変更されたピンは、多重ＤＩＭＭによって共有される共有データピンを含むことを特徴とする請求項３に記載のメモリモジュール。
【請求項６】
特定ＤＩＭＭに専用の専用データピン及び多重ＤＩＭＭによって共有される共有データピンの双方が、前記装置フィードバックを伝送するために利用されることを特徴とする請求項３に記載のメモリモジュール。
【請求項７】
前記装置フィードバックは、多重ＤＩＭＭのための複数のタイムスロットを含むことを特徴とする請求項３に記載のメモリモジュール。
【請求項８】
前記装置フィードバックの前記複数のタイムスロットの各々は、トランザクションＩＤ（Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を含むことを特徴とする請求項７に記載のメモリモジュール。
【請求項９】
前記装置フィードバックは、前記メモリモジュールのＲＡＳ（Ｒｏｗ  Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｓｅｌｅｃｔ）情報を含むことを特徴とする請求項３に記載のメモリモジュール。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリ及び前記揮発性メモリは、前記ＤＤＲメモリチャンネルに共に配置された（ｃｏ−ｌｏｃａｔｅｄ）ことを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項１１】
メモリコントローラと、
揮発性メモリ及び不揮発性メモリモジュールを含むメモリモジュールと、
前記メモリコントローラ及び前記メモリモジュールの間の非同期式メモリインタフェイスと、を備え、
前記非同期式メモリインタフェイスは、前記揮発性メモリへの同期式データアクセスに使用されるＤＤＲ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅ）メモリチャンネルのピンに加えて、前記メモリモジュールの装置フィードバックを前記メモリコントローラに伝送する前記ＤＤＲメモリチャンネルの用途変更されたピンを利用し、
前記不揮発性メモリの状態は、前記用途変更されたピン（ｒｅｐｕｒｐｏｓｅｄ  ｐｉｎｓ）を１つ以上使用して、前記メモリコントローラへ非同期式に伝送され、
前記メモリコントローラは、非同期に受信された前記状態に応答して、前記ＤＤＲメモリチャンネルの前記ピンを介してデータを同期式に伝送することを特徴とするシステム。
【請求項１２】
前記非同期式メモリインタフェイスはＤＤＲ１、ＤＤＲ２、ＤＤＲ３、及びＤＤＲ４と互換されることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記用途変更されたピンは、特定ＤＩＭＭ（Ｄｕａｌ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ）に専用される専用データピンを含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記用途変更されたピンは、多重ＤＩＭＭによって共有される共有データピンを含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
特定ＤＩＭＭ専用の専用データピン及び複数のＤＩＭＭによって共有される共有データピンの双方が、前記装置フィードバックを伝送するために利用されることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】
前記装置フィードバックは、多重ＤＩＭＭのための複数のタイムスロットを含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１７】
前記装置フィードバックの前記複数のタイムスロットの各々は、トランザクションＩＤ（Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を含むことを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記装置フィードバックは、前記メモリモジュールのＲＡＳ（Ｒｏｗ  Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｓｅｌｅｃｔ）情報を含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１９】
前記不揮発性メモリ及び前記揮発性メモリは、前記ＤＤＲメモリチャンネルに共に配置された（ｃｏ−ｌｏｃａｔｅｄ）ことを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項２０】
揮発性メモリ及び不揮発性メモリを含むメモリモジュールとメモリコントローラとの間に非同期式メモリインタフェイスを提供する段階と、
前記メモリモジュールの前記揮発性メモリへの同期式データアクセスに使用されるＤＤＲ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅ）メモリチャンネルのピンに加えて、前記ＤＤＲメモリチャンネルの用途変更されたピン（ｒｅｐｕｒｐｏｓｅｄ  ｐｉｎｓ）を利用して前記メモリコントローラへ前記メモリモジュールの装置フィードバックを送る段階と、
前記装置フィードバックを複数のタイムスロットに一時的に分割する段階と、
多重ＤＩＭＭ（Ｄｕａｌ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ）のうち、各々のＤＩＭＭのため前記複数のタイムスロットの各々を割り当てる段階と、を備え、
前記装置フィードバックの前記複数のタイムスロットの各々は、対応するＤＩＭＭを示すトランザクションＩＤ（Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
前記非同期式メモリインタフェイスはＤＤＲ１、ＤＤＲ２、ＤＤＲ３、及びＤＤＲ４と互換されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
特定ＤＩＭＭ専用の専用データピン、及び多重ＤＩＭＭによって共有される共有データピンを利用して装置フィードバックを伝送する段階をさらに備えることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記不揮発性メモリ及び前記揮発性メモリは、前記ＤＤＲメモリチャンネルに共に配置された（ｃｏ−ｌｏｃａｔｅｄ）ことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
一実施形態において、メモリモジュールは揮発性メモリと、不揮発性メモリと、メモリコントローラと接続するための非同期式メモリインタフェイスと、を備える。前記非同期式メモリインタフェイスは、前記揮発性メモリへの同期式データアクセスに使用されるＤＤＲ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅ）メモリチャンネルのピンに加えて、前記不揮発性メモリに格納された非同期式データを前記メモリコントローラに伝送する前記ＤＤＲメモリチャンネルの用途変更されたピン（ｒｅｐｕｒｐｏｓｅｄ  ｐｉｎｓ）を利用し、前記非同期式データは、前記不揮発性メモリの状態を示す装置フィードバックであり、前記不揮発性メモリの前記状態は、前記用途変更されたピンを１つ以上使用して、前記メモリコントローラへ非同期式に伝送され、前記メモリコントローラは、非同期式に受信された前記状態に応答して、前記ＤＤＲメモリチャンネルの前記ピンを介してデータを同期式に伝送することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
他の実施形態において、システムはメモリコントローラと、揮発性メモリ及び不揮発性メモリモジュールを含むメモリモジュールと、前記メモリコントローラ及び前記メモリモジュールの間の非同期式メモリインタフェイスと、を備える。前記非同期式メモリインタフェイスは、前記揮発性メモリへの同期式データアクセスに使用されるＤＤＲ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅ）メモリチャンネルのピンに加えて、前記メモリモジュールの装置フィードバックを前記メモリコントローラに伝送する前記ＤＤＲメモリチャンネルの用途変更されたピンを利用し、前記不揮発性メモリの状態は、前記用途変更されたピン（ｒｅｐｕｒｐｏｓｅｄ  ｐｉｎｓ）を１つ以上使用して、前記メモリコントローラへ非同期式に伝送され、前記メモリコントローラは、非同期に受信された前記状態に応答して、前記ＤＤＲメモリチャンネルの前記ピンを介してデータを同期式に伝送することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
その他の実施形態において、方法は揮発性メモリ及び不揮発性メモリを含むメモリモジュールとメモリコントローラとの間に非同期式メモリインタフェイスを提供する段階と、前記メモリモジュールの前記揮発性メモリへの同期式データアクセスに使用されるＤＤＲ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅ）メモリチャンネルのピンに加えて、前記ＤＤＲメモリチャンネルの用途変更されたピン（ｒｅｐｕｒｐｏｓｅｄ  ｐｉｎｓ）を利用して前記メモリコントローラへ前記メモリモジュールの装置フィードバックを送る段階と、多重ＤＩＭＭ（Ｄｕａｌ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ）のうち、各々のＤＩＭＭのため前記複数のタイムスロットの各々を割り当てる段階と、を備え、前記装置フィードバックの前記複数のタイムスロットの各々は、トランザクションＩＤ（Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を含むことを特徴とする。