(57)【要約】半導体デバイス（１０）が、集積回路のような半導体素子（２０）及びキャリア（３０）を有する。キャリア（３０）はアパーチャ（１５）を備え、それによって側面（３）を有する接続導体（３１乃至３３）が規定される。ノッチ（１６）が側面（３）にもたらされる。半導体素子（２０）は、キャリア（３０）におけるノッチ（１６）に延在する封止部（４０）で封入される。その結果封止部（４０）はキャリア（３０）に機械的に固定される。半導体デバイス（１０）は、封止ステップの後にリソグラフィステップが必要とされないプロセスで製造され得る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して位置される第一及び第二の側を備えるキャリアを有する半導体デバイスであって、前記キャリアは前記第一の側に第一の導電層を有し、前記導電層は所望のパターンに従ってパターニングされ、それによって複数の相互に絶縁分離された接続導体が規定され、
−前記キャリアの前記第一の側に半導体素子がもたらされ、前記半導体素子は、前記キャリアの前記接続導体との接続手段を介して導電態様で接続される接続領域を備え、前記半導体素子は、前記キャリアまで延在する保護封体で封止され、
−前記第二の側にコンタクト面が基板上の位置に対して前記接続導体において規定され、
前記封体は前記接続導体において機械的に固定され、そのために前記接続導体が、没入部を有する側面を備えることを特徴とする半導体デバイス。  
【請求項２】
前記第一の層に加えて前記キャリアが第二の層及び第三の層を有し、前記第二の層は、前記第一及び前記第三の層をかなり精度良く残すエッチャントでエッチングされ得る物質を有する請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記アパーチャは前記キャリアの前記第二の側まで延在する請求項１又は２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記接続手段がバンプであり、前記バンプは前記半導体素子を前記キャリアに付けるためにも使用される請求項１に記載の半導体デバイス。  
【請求項５】
前記第一及び第三の層は銅を含み、前記第二の層はアルミニウム及びニッケル鉄から構成されるグループから選択される物質を含む請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記キャリアは複数の電気的絶縁層及び導電層を有し、少なくとも一つの受動コンポーネントが前記層に組み込まれる請求項１又は２に記載の半導体デバイス。  
【請求項７】
互いに対向して位置される第一及び第二の側を備えるキャリアを製造する方法であって、前記キャリアは前記第一の側に、所望のパターンに従ってパターニングされる第一の導電層を有し、それによって複数の相互に絶縁分離された接続導体が規定され、前記キャリアは第二及び第三の層を更に有する方法において、
前記第二の層は、前記第一及び前記第三の層をかなり精度良く残すエッチャントでエッチングされ、前記エッチングにより前記第一の層のアンダエッチング部がもたらされ、これにより前記接続導体において没入部が形成される
ことを特徴とする方法。  
【請求項８】
前記パターンはパンチングによって規定され、前記キャリアの前記第一の側から前記第二の側に延在するアパーチャが形成され、前記接続導体は、リードによって前記キャリアにおける枠に接続された状態を保持する請求項７に記載の方法。  
【請求項９】
−前記キャリアが、前記第二の側にエッチングマスクを備え、前記エッチングマスクは熱処理に対する耐性を有し、
−前記第一の層はエッチングによってパターニングされ、
−前記第三の層の前記機械的強度は十分なので、形成される前記キャリアが分解されないと共に前記第二の側に導電性の表面を有する
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。  
【請求項１０】
接続領域を備える半導体素子を有する複数の半導体デバイスを製造する方法であって、
−請求項７乃至９の何れか一項に記載の前記方法を使用することによってもたらされ得る前記キャリアの前記第一の側に前記半導体素子をもたらし、前記接続手段は、前記キャリアの前記接続導体と前記接続領域との間に導電性接続部をもたらすために使用されるステップと、
−前記封体が前記キャリアにおいて規定される没入部に延在するように保護封体をもたらすステップと、
−前記半導体デバイスを分離するステップと
を有する方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の前記キャリアが使用されることを特徴とし、
−導電性ワイヤが接続手段として使用され、
−前記保護封体がもたらされるとき、前記キャリアは基板上にもたらされ、
−前記分離プロセスにおいて、前記接続導体と前記枠との間の前記リードが通される
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の前記方法でもたらされ得る前記キャリアが使用されることを特徴とし、分離ステップに先行して、前記キャリアの前記第二の側がエッチャントで処理され、それによって前記第三の層の前記導電性の表面がパターニングされ、その後前記エッチングマスクが除去される請求項１０に記載の方法。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに対向して位置される第一及び第二の側（ｓｉｄｅ）を備えるキャリアを有し、前記キャリアは第一の側に第一の導電層（ｅｌｅｃｔｒｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）を有し、前記導電層は所望のパターンに従ってパターニングされ、それによって相互に絶縁分離された複数の接続導体（ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）が規定され、前記キャリアの前記第一の側に半導体素子がもたらされ、前記半導体素子は、前記キャリアの接続導体との接続手段を介して導電態様で接続される接続領域を備え、前記半導体素子は、前記キャリアまで延在する保護封体（パッシベーティングエンベロープ（ｐａｓｓｉｖａｔｉｎｇ  ｅｎｖｅｌｏｐｅ））で封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅ）され、前記第二の側に、基板上の位置に対して接続導体においてコンタクト面が規定される半導体デバイスに関する。
【０００２】
本発明は更に、互いに対向して位置される第一及び第二の側を有するキャリアを製造する方法であって、前記キャリアは、第一の側において、所望のパターンに従ってパターニングされる第一の導電層を有し、それによって相互に絶縁分離された複数の接続導体が規定され、前記キャリアは更に第二及び第三の層を有する方法にも関する。
【０００３】
本発明は更に、各々が、接続領域を備える半導体素子を有する複数の半導体デバイスを製造する方法であって、
−キャリアの第一の側に半導体素子をもたらし、導電性接続部が、接続手段によってキャリアの接続導体と接続領域との間に形成されるステップと、
−保護封体をもたらすステップと、
−半導体デバイスを分離するステップと
を有する方法に関する。
【背景技術】
【０００４】
当該半導体デバイス及び当該方法は、欧州特許第ＥＰ−Ａ  １１６０８５８号公報から知られている。知られている半導体デバイスのキャリアは、第一の側から前記キャリアの下方途中までのエッチングによって製造される。もたらされる接続導体は、それの一方の部分が半導体素子によってカバーされると共に他方の部分はカバーされないように延在する。カバーされない部分は、更なる導電性膜（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）を備え、それによってボンディングワイヤが付けられ得る。これらのボンディングワイヤは、半導体素子と接続導体の間の接続手段となる。コンタクト面を規定するために、従来文献の図４Ｃに示されているように、マスクがもたらされ、その後キャリアはある一定の深さまでエッチングされる。知られているキャリアは、同じ物質の三つの層、例えば銅（ｃｏｐｐｅｒ）、アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ）、又はニッケル鉄アロイ（ｎｉｃｋｅｌ−ｉｒｏｎ  ａｌｌｏｙ）を有する。代わりに層としてアルミニウム、銅、及びアルミニウムを有していてもよい。
【０００５】
知られている半導体デバイスの欠点は、キャリアに対する封体の固着が不十分となることにある。    
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
それ故に本発明の第一の目的は、キャリアと封体との間の改善された固着部を有する、冒頭の段落に記載の種類の半導体デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第一の目的は、半導体デバイスの封体が接続導体に機械的に固定されることにより達成される。この目的のために、接続導体は没入部を有する側面を備える。
【０００８】
本発明により前記半導体デバイスにもたらされる機械的固定部により、キャリアと封体との間に優れた固着部がもたらされる。更に例えば第一の層に加えてキャリアが第二の層及び第三の層を有し、第二の層は、第一及び第三の層をかなり精度良く（ｉｎ  ｔａｃｔ）残す（ｌｅａｖｅ）エッチャント（ｅｔｃｈａｎｔ）でエッチングされ得る物質を有するため、当該機械的固定部は容易にもたらされ得る。
【０００９】
前記接続手段に対して、ボンディングワイヤが使用され得る。ボンディングワイヤが使用される場合、半導体素子は固着部（ａｄｈｅｓｉｖｅ）によってキャリアに付けられる。代わりに、異方性導電性固着部（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃａｌｌｙ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ａｄｈｅｓｉｖｅ）、バンプ（ｂｕｍｐ）又は半田（ｓｏｌｄｅｒ）が使用され得る。これらの接続手段は、ボンディングワイヤと比較して、組立作業（ａｓｓｅｍｂｌｙ  ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）が、全く又はほとんど必要とされないという利点を有する。特に例えば金又は金アロイから形成されるバンプは非常に正確に位置され得ると共に半導体素子の接続領域の異物（汚染物質（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ））をもたらし得ないため、バンプは好適である。
【００１０】
好ましい実施例において、キャリアの第一及び第三の層はＣｕ（銅）を含む一方、第二の層はアルミニウム又はニッケル鉄アロイ（ｎｉｃｋｅｌ−ｉｒｏｎ  ａｌｌｏｙ）を含む。代わりに第一及び第三の層がニッケル鉄アロイを含んでいてもよく、第二の層が銅を含んでいてもよい。第一及び第三の層がアルミニウムから形成される場合、あまり好適ではないと考えられる。すなわちアルミニウムは、アルミニウム上のめっき（ｐｌａｔｉｎｇ）及びワイヤボンディングがあまり好ましくない結果をもたらすという不利点を有している。３層のキャリアは、２層のキャリアに渡って加熱ステップの結果としてのキャリアの反り（歪み（ｗａｒｐａｇｅ））が防止されるという更なる利点を有する。
【００１１】
他の実施例においてキャリアは電気的絶縁分離層（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を有し、導電性接続部はビア（ｖｉａ）によってキャリアの第一の側から第二の側に実現される。特に受動コンポーネント（ｐａｓｓｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）がこれらの層に組み込まれ得る場合、多重層（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ）基板のこのような実施例は好ましい。好適な電気的絶縁分離層の例は、なかんずくエポキシ及びシリコン酸化物となる。
【００１２】
半導体素子は好ましくは集積回路となるが、代わりにディスクリート半導体となってもよい。更に半導体素子と共に、一つ又はそれより多くの他の素子が基板上にもたらされることも可能である。これらの他の素子は能動及び受動素子であってもよい。
【００１３】
本発明の第二の目的は、冒頭の段落に記載の種類の複数の半導体デバイス及びキャリアを製造する方法を提供することにある。これにより、改善された固着部を備える半導体デバイスがもたらされる。
【００１４】
第二の目的は、第二の層が、第一及び第三の層をかなり精度良く残すエッチャントでエッチングされることにより達成される。前記エッチングにより、第一の層のアンダエッチング部がもたらされ、これにより接続導体において没入部が形成される。
【００１５】
第三の目的は、本発明による前記方法を使用してもたらされ得るキャリアが使用され、保護封体は前記封体がキャリアで規定される没入部に延在するようにもたらされることにより達成される。
【００１６】
本発明による半導体デバイスは、前記方法を使用して簡単な態様でもたらされる。本発明による本方法の好ましい態様は、半導体素子が封止された後にリソグラフィックステップ（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  ｓｔｅｐ）は行われる必要がないことにある。当該利点は様々な態様で実現され得る。
【００１７】
第一の実施例において、第一の層におけるパターンはパンチング（ｐｕｎｃｈｉｎｇ）によって規定される。それによって、キャリアの第一の側から第二の側に延在するアパーチャ（開口部（ａｐｅｒｔｕｒｅ））が形成される。接続導体は、リード（ｌｅａｄ）によってキャリアにおける枠（フレームワーク（ｆｒａｍｅｗｏｒｋ））に接続された状態を保つ。アパーチャの解像度（精細度）（ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）によって、キャリアの第三の層のパターニングが省略され得る。第二の層は好ましくはウェット化学プロセス（ｗｅｔ−ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓ）でエッチングされ得る。ここでキャリアはエッチャントを含む槽（ｂａｔｈ）に浸される。その後半導体デバイスを製造するためにキャリアが使用される場合、封止がもたらされるとき前記キャリアは基板上に位置される。分離プロセスにおいて、接続導体と枠との間のリードが通される（カットスルーされる（ｃｕｔ  ｔｈｒｏｕｇｈ））。
【００１８】
この実施例は、工業的規模の製造に対していくつかの重要な利点を有する。まず第一に、当該キャリアは、銅の単一の層から形成される標準的なキャリアと同じ態様で処理され得る。同時に、このようにもたらされる半導体デバイスは、前記デバイスがより薄くなると共に、基板に付けられるための、横方向に突出するリードを有していないため、より改善されたものとなる。第二に、第二の層、この場合例えばアルミニウム又はニッケル鉄アロイのためのエッチャントを含む槽が、キャリアの製造のために既に使用されている一つ又はそれより多くの槽に追加され得る。これらの槽は、めっきによってキャリアの第一の側にＮｉＰｄ（Ａｕ）層をもたらすために使用される。このことは、ボンディングワイヤが極めて良好にそれに付けられ得るという利点を有している。しかしながら、当該固着層は異なる態様においてももたらされ得る。
【００１９】
当該実施例によるキャリアは好ましくは０．０５と０．２ｍｍとの間の厚さを有し、好ましくは銅の第一及び第三の層と、アルミニウム又はニッケル鉄アロイの第二の層とを有する。第一、第二、及び第三の層の厚さは、同じオーダの厚さとなる。
【００２０】
キャリアの層、特に第二の層は、ＡＣ、ＳＩ、及び／又はＣｕの場合のように、何れかの添加物又は不純物を含んでいてもよい。
【００２１】
現在可能な技術により、前記キャリアがバンプ又は異方性導電性固着部に結合されることは許容されないことが分かっているため、本実施例によるキャリアを備える半導体デバイスを製造するために導電性ワイヤが接続手段として使用される。更にバンプ又は異方性導電性固着部の場合、半導体素子が固着部によって付けられ得る、一つ又はそれより多くの表面はキャリアで規定される。この表面又はこれらの表面はヒートシンク（ｈｅａｔ  ｓｉｎｋ）としての役割も果たす。
【００２２】
第二の実施例において、キャリアが、熱処理（ｈｅａｔ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）に対して耐性を有するエッチングマスクで第二の側にもたらされる。半導体素子及び封体がもたらされることに先行して、第一の層及び第二の層はエッチングによって第一の側からパターニングされる。第三の層は、キャリアが分解されないようにうまく（精度良く）残される。半導体素子が位置され、封止された後、第三の層又は少なくともそれの表面はエッチングマスクによってパターニングされる。この態様において、導電性コンタクト面は第三の層の表面上に規定される。
【００２３】
本発明による、キャリア及び半導体デバイスを製造する方法及び半導体デバイスのこれら及び他の態様は、図面を参照して更に詳細に説明されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図は寸法通りに記載されていない。同じ参照番号は同じ部分を参照している。代わりの実施例は従属請求項の保護の範囲内で可能である。
【００２５】
図１は、半導体デバイス１０の断面図である。前記半導体デバイス１０は、キャリア３０上にもたらされる半導体素子２０を有する。前記キャリア３０は、第一の側１及び第二の側２を有し、複数の接続導体３１、３２、及び３３を有する。側面３を有する前記接続導体３１、３２、及び３３は、アパーチャ１５によって相互に絶縁分離されている。半導体素子２０における接続領域２１と接続導体３１、３２、及び３３との間に、接続手段、この場合ボンディングワイヤ２２がもたらされている。この例において、半導体素子２０は固着層２３によってキャリア３０の第一の側１に付けられている。半導体素子２０及びボンディングワイヤ２２は封体４０によって封止される。この封体４０はキャリア３０のアパーチャ１５に延在している。
【００２６】
本発明によれば、接続導体３１、３２、及び３３の側面３に没入部１６がもたらされる。これらの没入部１６は封体４０で満たされる。その結果、第一の層３１は封体４０によって部分的に留められる（クランプされる）。これにより、封体４０はキャリア３０に機械的に固定され、優れた固着部及び機械的強度（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｔｒｅｎｇｔｈ）がもたらされることは保証される。この場合、固着改善手段がキャリアの第一の側１上にもたらされなくてもよい。第一の側１は、半導体素子２０及びボンディングワイヤ２２の位置に対しても最適化され得る。
【００２７】
本実施例において、キャリア３０は、第一の層１１、第二の層１２、及び第三の層１３から構成される。第一の層１１及び第三の層１３は主に銅を有しており、第二の層１２は主にアルミニウムを有している。図５乃至９を参照して説明されるように、第二の層１２における没入部１６はエッチングによって形成される。キャリア３０は、ＮｉＰｄＡｕ又はＮｉＰｄの第一の側１上のトップ層１４を更に有している。このトップ層１４は、ボンディングワイヤ２２との優れた固着部のために望ましい。当業者に理解されるように、トップ層１４は異なる好適な物質を有していてもよい。第三の層１３は、キャリア３０の第二の側まで延在する開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）１５によってコンタクト面を形成するようにパターニングされる。接続導体３２はグランド（ｇｒｏｕｎｄ）に接続され、ヒートシンクとしての役割を果たす。
【００２８】
図２は、半導体デバイス１０の第二の実施例の断面図である。図３は、第二の実施例の平面図である。ここで、線分Ａ−Ａは、図２の断面図を示している。半導体デバイスは、第一の層１１を備えるキャリア３０、第二の層１２、第三の層１３、及びトップ層１４を有する。キャリア３０は、プロセスアパーチャ（ｐｒｏｃｅｓｓ  ａｐｅｒｔｕｒｅ）１５と接続導体３１乃至３５とが形成される第一の側からパターニングされる。このことは、第一の層１１及び第二の層１２の連続的なエッチングによって実現され、それによって接続導体３１乃至３５の側面３に没入部１６が形成される。その後、接続領域２１を備える半導体素子２０が、接続手段２２、この場合Ａｕ（金）バンプによって接続導体３１乃至３５に接続される。このために、フリップチップ技術が使用される。優れたコンタクトをもたらすために、Ｓｎ（錫）のトップ層１４がＣｕの第一の層１１上にもたらされる。その後、封体４０がもたらされる。これにより、封体４０はキャリアの没入部１６に延在するため、機械的固定部（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ａｎｃｈｏｒｉｎｇ）がもたらされる。その後、第三の層１３が、既にもたらされているエッチングマスク、特に積層部（ラミネート（ｌａｍｉｎａｔｅ））においても使用されるエポキシ物質によってパターニングされる。次にエッチングマスクが除去され、その結果、アパーチャ１５はキャリアの第一の側１から第二の側２に延在させられる。アパーチャ１５はその後、半導体デバイス１０を分離するためにも使用される。このことは、機械的固定部が接続導体３１乃至３５をほぼ封止するという更なる利点を有している。半導体デバイス１０のサイズは、例えば約１×１ｍｍとなる。開口部１６は、例えば４０乃至１００μｍの幅を有している。第一、第二、及び第三の層１１乃至１３は、３０μｍ、４０μｍ、及び３０μｍとなるようにそれぞれ選択される。
【００２９】
図４は、半導体デバイス１０の第三の実施例の断面図である。第三の実施例はほぼ第二の実施例に対応している。前記実施例の差は、第三の実施例の場合、受動コンポーネント１７２を有するキャリア３０に関する。このためにキャリア３０は、導体性物質を各々含む第一、第二、及び第三の層１１、１２、及び１３に加えて、電気的絶縁分離物質の第四の層１７及び導電性物質の第五の層１８を有する。第四の層は、所望のパターンによる部分１７１を有する。当該部分は、高い誘電率を有する誘電性物質（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｍａｔｅｒｉａｌ）、例えば当業者に知られている特定の組成を備えるチタン酸バリウム（ｂａｒｉｕｍ  ｔｉｔａｎａｔｅ）に基づく物質を含んでいる。当該物質は、例えばエポキシ物質を更に含む第四の層１７に、例えば粉末形状（ｐｏｗｄｅｒｅｄ  ｆｏｒｍ）でもたらされる。この場合、受動コンポーネント１７２はコンデンサとなるが、代わりに前記コンポーネントは抵抗又はコイルとなってもよい。図によれば受動コンポーネント１７２は、コンタクト面１８と半導体素子２０との間に直列に構成される。しかしながらこのことは必要とされない。積層又はセラミック物質に基づく、ここに示されているキャリア３０の代わりに、キャリア３０は例えばシリコン基板上の受動ネットワークであってもよい。
【００３０】
図５乃至９は、本発明による方法における様々なステップを示している。これにより、図１に示されているように、半導体デバイス１０の第一の実施例がもたらされる。図５、６、及び７は、キャリア３０を製造する方法に関する。図８及び９は、半導体デバイス１０を製造する方法に関する。ここに示されている方法は、封体がもたらされた後に必要とされるリソグラフィックステップなしで行われ得るという利点を有しており、同時に封体４０に対する固着部は極めて優れていると共にキャリア３０は封止ステップに先行して分解されないという利点を有している。
【００３１】
図５は、Ｃｕの第一の層１１、Ａｌの第二の層１２、及びＣｕの第三の層１３が互いに固着される第一のステップ後のキャリア３０を示している。第二の層１２を出発層（ｓｔａｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）として使用することが可能であり、それの何れかの側にＣｕの層をもたらすことが可能である。代わりに層１１、１２、及び１３を互いに回転することによってキャリア３０が形成され得る。この技術は二重層（ｂｉｌａｙｅｒ）を形成するために従来から使用されてきた。前記プロセスは二つのステップでも行われ得る。最終的に４層又は多重層（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ）キャリアが形成されることも可能である。第一の層１１、第二の層１２、及び第三の層１３は、最初の実験で７０μｍの厚さを有している。しかしながら前記厚さは１μｍと１．０ｍｍとの間、好ましくは１０乃至５０μｍの間で変動させられてもよく、第一の層１１、第二の層１２、及び第三の層１３の厚さは同じでなくてもよい。第一の層１１が比較的薄くなる場合、好ましくはニッケル鉄アロイのような、当該層のために使用される物質は大きな機械的強度及び剛性（ｒｉｇｉｄｉｔｙ）を有する。それらの組み合わせにおいて、銅が第二の層１２のために使用され得る。
【００３２】
互いに対するＣｕ層とＡＬ層との固着部を改善するために、加熱ステップが層の積層後に行われてもよい。このような加熱ステップにより、ＡＬへのＣｕ原子の拡散がもたらされ、それによってＡＬ・Ｃｕアロイのサブレイヤ（ｓｕｂｌａｙｅｒ）が形成される。
【００３３】
図６は、キャリア３０の第一の側１から第二の側２に延在するアパーチャ１５がパンチングによってもたらされた後のキャリア３０を示している。このパンチング作業の結果、側面３を有する接続導体３１乃至３３が規定される。接続導体は、示されていないリードによってキャリアにおける枠に従来態様で接続される。
【００３４】
図７は、複数の槽において処理された後のキャリア３０を示しており、キャリア３０はまず、濃いＫＯＨ溶液を有する槽において３分間処理される。当該プロセスにおいて、Ａｌの第二の層１２がエッチングされ、それによって没入部１６が形成される。このエッチング溶液の濃度は例えば０．１乃至２モル（ｍｏｌｅ）／リットルとなる。好ましくは可溶性フェリシアン化物（ｓｏｌｕｂｌｅ  ｆｅｒｒｉｃｙａｎｉｄｅ）が、飽和までのｓｆ／ｅの範囲内の濃度でエッチング溶液の一部にもなる。３価又は５価の酸化燐（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  ｏｘｉｄｅ）からもたらされる燐酸の可溶性塩（ｓｏｌｕｂｌｅ  ｓａｌｔ）ももたらされることは更により好ましい。このような添加は所望の量のアンダカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔｔｉｎｇ）をもたらすために使用され得る。
【００３５】
前記３分後に、没入部は７０μｍの幅を有している。しかしながら、１０乃至２０μｍの幅は所望の機械的固定部を得るのに十分である。更にこのような幅は、約１００μｍの幅を有する接続導体に対して、接続導体が小型化され得るという利点を有している。ここで没入部１６は二つの側面３にもたらされ、没入部の幅は最大で約３０μｍになり得る。その後、キャリア３０は、ＮｉＰｄのトップ層１４がキャリアの第一の側１にもたらされる槽において処理される。エッチャントの濃度及びエッチング槽の温度は調整され得る。これらは、特にキャリア３０が、ＮｉＰｄトップ層１４をもたらすために使用される槽を通って移動する速度によって決定される。
【００３６】
図８は、半導体素子２０が固着部２３によってキャリアに固着され、ボンディングワイヤ２２が半導体素子２０の接続領域２１と接続導体３１乃至３３との間にもたらされた後のキャリア３０を示している。
【００３７】
図９は、封体４０が従来態様でもたらされた後に、基板７０上に一時的に位置されているキャリア３０を示している。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】半導体デバイスの第一の実施例の断面図である。
【図２】半導体デバイスの第二の実施例の断面図である。
【図３】第二の実施例の平面図である。
【図４】半導体デバイスの第三の実施例の断面図である。
【図５】キャリア及び半導体デバイスを製造する方法におけるステップを示す。
【図６】キャリア及び半導体デバイスを製造する方法における他のステップを示す。
【図７】キャリア及び半導体デバイスを製造する方法における他のステップを示す。
【図８】キャリア及び半導体デバイスを製造する方法における他のステップを示す。
【図９】キャリア及び半導体デバイスを製造する方法における他のステップを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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