【手続補正書】
【提出日】令和2年3月30日(2020.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成された位相シフト膜とを備える反射型マスクブランクであって、
前記位相シフト膜形成前の前記多層反射膜からの反射光に対する前記位相シフト膜表面のＥＵＶ光に対する反射率が３％超２０％以下であって、１７０度〜１９０度の位相差を有するように、前記位相シフト膜は、２種以上の金属を有する合金からなる材料で構成されてなり、
ＥＵＶ光の波長における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、
下記式（１）の屈折率ｎ、消衰係数ｋを満たす金属元素群を群Ａ、下記式（２）の屈折率ｎ、消衰係数ｋを満たす金属元素群を群Ｂとし、
前記合金は、前記群Ａと前記群Ｂとからそれぞれ１種以上の金属元素を選択し、前記位相シフト膜の膜厚が設定膜厚に対して±０．５％変動したときの前記位相差の変化量が±２度の範囲であり、かつ反射率の変化量が±０．２％の範囲となるように、組成比が調整されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
ｋ＞α*ｎ＋β・・・・・式（１）
ｋ＜α*ｎ＋β・・・・・式（２）
（但し、α：比例定数、β：定数とする。）
【請求項２】
前記位相シフト膜表面のＥＵＶ光に対する反射率が５％超１０％以下であって、
前記式（１）及び式（２）におけるαは−０．３０３であり、βは０．３０９であることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記位相シフト膜表面のＥＵＶ光に対する反射率が３％超５％以下であって、
前記式（１）及び式（２）におけるαは−０．３３１であり、βは０．３３９であることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記位相シフト膜表面のＥＵＶ光に対する反射率が１０％超２０％以下であって、
前記式（１）及び式（２）におけるαは−０．１９２であり、βは０．１９４であることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
基板上に形成された多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成された位相シフト膜とを備える反射型マスクブランクであって、
前記位相シフト膜形成前の前記多層反射膜からの反射光に対する前記位相シフト膜表面のＥＵＶ光の反射率Ｒ０が４％、６％又は１２％であって、位相差θ０が１８０度となるように、前記位相シフト膜は、２種以上の金属を有する合金からなる材料で構成されてなり、
前記合金は、前記位相シフト膜の膜厚が設定膜厚に対して±０．５％変動したときの位相差θの許容範囲がθ０−５度≦θ≦θ０＋５度であり、かつ反射率Ｒの許容範囲が０．９Ｒ０≦Ｒ≦１．１Ｒ０となるように、ＥＵＶ光の波長における屈折率ｎ及び消衰係数ｋを有し、組成比が調整されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記合金は、０．８７７〜０．８８１の範囲に含まれる屈折率、及び０．０４６〜０．０５２の範囲に含まれる消衰係数を有することを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記合金は、０．９０１〜０．９０７の範囲に含まれる屈折率、及び０．０３５〜０．０４１の範囲に含まれる消衰係数を有することを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
前記合金は、３つ以上の金属元素が含有された多元系合金であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項９】
前記位相シフト膜の膜厚は、２５ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項１０】
前記多層反射膜の前記位相シフト膜側の最上層は、保護膜を備えていることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の反射型マスクブランクにおける前記位相シフト膜がパターニングされた位相シフト膜パターンを有することを特徴とする反射型マスク。
【請求項１２】
請求項１１に記載の反射型マスクを用いて半導体基板上にパターンを形成するパターン形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
多層反射膜を基板上に形成する工程と、
位相シフト膜を前記多層反射膜上に形成する工程と
を含む反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記位相シフト膜形成前の前記多層反射膜からの反射光に対する前記位相シフト膜表面のＥＵＶ光に対する反射率が３％超２０％以下であって、１７０度〜１９０度の位相差を有するように、前記位相シフト膜は、２種以上の金属を有する合金からなる材料で構成されてなり、
ＥＵＶ光の波長における屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、
下記式（１）の屈折率ｎ、消衰係数ｋを満たす金属元素群を群Ａ、下記式（２）の屈折率ｎ、消衰係数ｋを満たす金属元素群を群Ｂとし、
前記合金は、前記群Ａと前記群Ｂとからそれぞれ１種以上の金属元素を選択し、前記位相シフト膜の膜厚が設定膜厚に対して±０．５％変動したときの前記位相差の変化量が±２度の範囲であり、かつ反射率の変化量が±０．２％の範囲となるように、組成比を調整することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
ｋ＞α*ｎ＋β・・・・・式（１）
ｋ＜α*ｎ＋β・・・・・式（２）
（但し、α：比例定数、β：定数とする。）
【請求項１４】
前記位相シフト膜表面のＥＵＶ光に対する反射率が５％超１０％以下であって、
前記式（１）及び式（２）におけるαは−０．３０３であり、βは０．３０９であることを特徴とする請求項１３記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１５】
前記位相シフト膜表面のＥＵＶ光に対する反射率が３％超５％以下であって、
前記式（１）及び式（２）におけるαは−０．３３１であり、βは０．３３９であることを特徴とする請求項１３記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１６】
前記位相シフト膜表面のＥＵＶ光に対する反射率が１０％超２０％以下であって、
前記式（１）及び式（２）におけるαは−０．１９２であり、βは０．１９４であることを特徴とする請求項１３記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１７】
多層反射膜を基板上に形成する工程と、
位相シフト膜を前記多層反射膜上に形成する工程と
を含む反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記位相シフト膜形成前の前記多層反射膜からの反射光に対する前記位相シフト膜表面のＥＵＶ光の反射率Ｒ０が４％、６％又は１２％であって、位相差θ０が１８０度となるように、前記位相シフト膜は、２種以上の金属を有する合金からなる材料で構成されてなり、
前記合金は、前記位相シフト膜の膜厚が設定膜厚に対して±０．５％変動したときの位相差θの許容範囲がθ０−５度≦θ≦θ０＋５度であり、かつ反射率Ｒの許容範囲が０．９Ｒ０≦Ｒ≦１．１Ｒ０となるように、ＥＵＶ光の波長における屈折率ｎ及び消衰係数ｋを有し、組成比を調整することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１８】
前記合金は、０．８７７〜０．８８１の範囲に含まれる屈折率、及び０．０４６〜０．０５２の範囲に含まれる消衰係数を有することを特徴とする請求項１７に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１９】
前記合金は、０．９０１〜０．９０７の範囲に含まれる屈折率、及び０．０３５〜０．０４１の範囲に含まれる消衰係数を有することを特徴とする請求項１７に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項２０】
前記合金は、３つ以上の金属元素が含有された多元系合金であることを特徴とする請求項１３乃至１９の何れか一項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項２１】
前記位相シフト膜の膜厚は、２５ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１３乃至２０の何れか一項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項２２】
前記多層反射膜の前記位相シフト膜側の最上層は、保護膜を備えていることを特徴とする請求項１３乃至２１の何れか一項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。