【手続補正書】
【提出日】令和2年8月6日(2020.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面とは反対の第２面とを有し、前記第２面の側に電極が設けられた半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の前記第１面の上に第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクをマスクとして前記半導体基板をエッチングし、前記電極に対応する前記半導体基板の領域に、前記第１面からの距離が増加するにつれて開口幅が狭くなるテーパー形状の第１の開口部を形成する工程と、
前記半導体基板の上に、少なくとも前記第１の開口部の側面を覆い、前記第１の開口部の底面を露出する第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクをマスクとして前記半導体基板をエッチングし、前記第１の開口部に連通し、前記電極に達する第２の開口部を形成する工程と、
少なくとも前記第２のマスクが設けられた前記第１の開口部の前記側面及び前記第２の開口部の側面を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜が形成された前記第１の開口部及び前記第２の開口部の中に導電部材を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２のマスクを形成する前に、前記第１のマスクをマスクとして前記第１の開口部の前記底面をエッチングし、前記第１の開口部の前記底面を掘り下げることにより、前記第１の開口部の前記側面と前記底面との間に前記第１の開口部の前記側面の傾斜角よりも大きい傾斜角を有する側面を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の開口部を形成する工程では、前記半導体基板のうち前記第１のマスクで覆われた部分でもエッチングが進行するエッチング条件で前記半導体基板をエッチングすることにより、前記第１の開口部を形成する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板と前記電極との間には絶縁層が配されており、前記第２のマスクは、前記絶縁層とは異なる絶縁材料により構成されており、
前記導電部材を形成する工程の後、前記第１の開口部の前記側面と前記導電部材との間に前記第２のマスクが第２の絶縁膜として残存している
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２のマスクは、絶縁材料により構成されており、
前記導電部材を形成する工程の後、前記第１の開口部の前記側面と前記導電部材との間に前記第２のマスクが第２の絶縁膜として残存している
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２のマスクを形成する工程よりも前に、前記第１のマスクを除去する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２のマスクを形成する工程では、前記第１面に前記第１のマスクが設けられた前記半導体基板の上に、前記第２のマスクを形成する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２のマスクを形成する工程では、前記第２のマスクとなる膜を前記第１の開口部の前記側面及び前記底面の上に形成した後、前記膜をエッチバックして前記底面の前記膜を選択的に除去することにより、前記第２のマスクを形成する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
第１面と、前記第１面とは反対の第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通孔が設けられた半導体基板と、
前記第２面の側に配された電極と、
前記貫通孔の中に設けられ、前記電極に接続された導電部材と、
を備え、
前記貫通孔は、第１部分と、前記第１部分よりも前記第２面の側に位置する第２部分とを有し、
前記第１部分は、前記第１面からの距離が増加するにつれて開口幅が狭くなるテーパー形状を有し、
前記第１部分は、前記第１面に対して第１の傾斜角をなす側面を有し、
前記前記第２部分は、前記第１面に対して前記第１の傾斜角よりも大きい第２の傾斜角をなす側面を有し、
前記導電部材と前記第１部分の前記側面との間及び前記導電部材と前記第２部分の前記側面との間に位置する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と前記第１部分の前記側面との間に位置する第２の絶縁膜と、が設けられており、
前記第２の絶縁膜は、記第２部分の前記側面の少なくとも一部を覆わない
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１面と、前記第１面とは反対の第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通孔が設けられた半導体基板と、
前記第２面の側に配された電極と、
前記貫通孔の中に設けられ、前記電極に接続された導電部材と、
を備え、
前記貫通孔は、順テーパー形状を有する第１部分と、前記第１部分よりも前記第２面の側に位置する第２部分とを有し、
前記第１部分は、前記第１面に対して第１の傾斜角をなす側面を有し、
前記前記第２部分は、前記第１面に対して前記第１の傾斜角よりも大きい第２の傾斜角をなす側面を有し、
前記導電部材と前記第１部分の前記側面との間及び前記導電部材と前記第２部分の前記側面との間に位置する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と前記第１部分の前記側面との間に位置する第２の絶縁膜と、が設けられており、
前記第２の絶縁膜は、記第２部分の前記側面の少なくとも一部を覆わない
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、前記半導体基板の前記第１面の上に延在している
ことを特徴とする請求項９又は１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は、互いに異なる絶縁材料からなる
ことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体基板の前記第１面と前記第２の絶縁膜との間に、第３の絶縁膜が設けられている
ことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体基板の前記第２面の側に設けられた半導体素子を更に有し、
前記電極は前記半導体素子に接続されている
ことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一観点によれば、第１面と、前記第１面とは反対の第２面とを有し、前記第２面の側に電極が設けられた半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板の前記第１面の上に第１のマスクを形成する工程と、前記第１のマスクをマスクとして前記半導体基板をエッチングし、前記電極に対応する前記半導体基板の領域に、前記第１面からの距離が増加するにつれて開口幅が狭くなるテーパー形状の第１の開口部を形成する工程と、前記半導体基板の上に、少なくとも前記第１の開口部の側面を覆い、前記第１の開口部の底面を露出する第２のマスクを形成する工程と、前記第２のマスクをマスクとして前記半導体基板をエッチングし、前記第１の開口部に連通し、前記電極に達する第２の開口部を形成する工程と、少なくとも前記第２のマスクが設けられた前記第１の開口部の前記側面及び前記第２の開口部の側面を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜が形成された前記第１の開口部及び前記第２の開口部の中に導電部材を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の他の一観点によれば、第１面と、前記第１面とは反対の第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通孔が設けられた半導体基板と、前記第２面の側に配された電極と、前記貫通孔の中に設けられ、前記電極に接続された導電部材と、を備え、前記貫通孔は、第１部分と、前記第１部分よりも前記第２面の側に位置する第２部分とを有し、前記第１部分は、前記第１面からの距離が増加するにつれて開口幅が狭くなるテーパー形状を有し、前記第１部分は、前記第１面に対して第１の傾斜角をなす側面を有し、前記前記第２部分は、前記第１面に対して前記第１の傾斜角よりも大きい第２の傾斜角をなす側面を有し、前記導電部材と前記第１部分の前記側面との間及び前記導電部材と前記第２部分の前記側面との間に位置する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と前記第１部分の前記側面との間に位置する第２の絶縁膜と、が設けられており、前記第２の絶縁膜は、記第２部分の前記側面の少なくとも一部を覆わない、半導体装置が提供される。
また、本発明の更に他の一観点によれば、第１面と、前記第１面とは反対の第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通孔が設けられた半導体基板と、前記第２面の側に配された電極と、前記貫通孔の中に設けられ、前記電極に接続された導電部材と、を備え、前記貫通孔は、順テーパー形状を有する第１部分と、前記第１部分よりも前記第２面の側に位置する第２部分とを有し、前記第１部分は、前記第１面に対して第１の傾斜角をなす側面を有し、前記前記第２部分は、前記第１面に対して前記第１の傾斜角よりも大きい第２の傾斜角をなす側面を有し、前記導電部材と前記第１部分の前記側面との間及び前記導電部材と前記第２部分の前記側面との間に位置する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と前記第１部分の前記側面との間に位置する第２の絶縁膜と、が設けられており、前記第２の絶縁膜は、記第２部分の前記側面の少なくとも一部を覆わない、半導体装置が提供される。