(57)【要約】本発明は、メタルレイヤーを基板の選択部分上に無電解メッキする方法に関する。本発明の好適な形態は、要求されたメタルレイヤーを、無電解メッキによって、基板のインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）表面のうち一以上の選択部分上にメッキする方法に関する。これらの選択部分は主にＩＴＯの透明な導電性のパスとなる。この方法はいくつものステップを有する。第１のステップは、マスキングレイヤーを表面上に塗布することを含み、このマスキングレイヤーは、前記表面のうち一以上の選択部分を露出するように形成された一以上の開口を有する。次のステップは、前記表面のうち一以上の選択部分を、前記基板表面に吸着するとともに、要求されたメタルレイヤーのメッキを強める触媒粒子のコロイド懸濁液にさらすことを含む。次のステップは、前記表面の一以上の選択部分を、メタルレイヤーを形成可能とするために要求された金属のイオンを含んだイオン溶液にさらすことを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
要求されたメタルレイヤーを基板のうち一以上の選択部分上へ無電解メッキする方法であって、
（１）マスキングレイヤーを前記基板上に塗布し、前記マスキングレイヤー内に一以上の開口を形成し、前記基板のうち前記一以上の選択部分を露出するようにし、
（２）前記基板表面に吸着するとともに前記要求されたメタルレイヤーのメッキを強める触媒粒子のコロイド懸濁液に、前記基板のうち前記一以上の選択部分をさらし、
（３）前記基板のうち前記一以上の選択部分を、前記メタルレイヤーを形成させるために前記要求されたメタルのイオンを含むイオン溶液にさらすステップを有することを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２】
請求項１において、前記一以上の開口は、前記レイヤーを前記基板表面に塗布した後に、前記マスキングレイヤー内に形成されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記基板はその上に形成されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）のフィルムを有することを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項４】
請求項３において、前記マスキングレイヤーの前記一以上の開口のうち少なくともいくつかは、前記ＩＴＯフィルムの一以上の部分の上に設けられることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項において、コロイド懸濁液は触媒金属粒子を有することを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項６】
請求項５において、前記基板表面がその上に形成されたＩＴＯのフィルムを有する場合、前記触媒金属と前記基板の材料とは、前記基板材料上に前記触媒金属が実質的に吸着しないように、選択されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項７】
請求項５又は６において、前記触媒金属はパラジウムであることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか１項において、前記触媒金属粒子はポリマー安定化されていることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項９】
請求項８において、前記触媒金属粒子はポリビニルアルコール、ポリ（ビニルピロリドン）、又はこれらの組み合わせで安定化されていることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１０】
請求項５から７のいずれか１項において、前記触媒金属粒子はスズイオンを含む溶液で安定化されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１１】
請求項６から１０のいずれか１項において、前記基板材料はガラスであることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項において、前記マスキングレイヤーは、前記触媒粒子が実質的に吸着しないポリマー材料から形成されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記ポリマー材料は、適正なポリカーボネート、フッ化物ポリマー、セロハン、ポリイミド、及びアクリル酸塩ポリマーからなるグループから選択されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３において、前記ポリマー材料はホトレジストであることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項において、前記マスキングレイヤーは乾燥フィルムレジストから形成されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記乾燥フィルムレジストは、旭化成社製のＳｕｎｆｏｒｔ（商標）レジスト及びデュポン社製のＲｉｓｔｏｎ（商標）からなるグループから選択されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１７】
請求項１２から１６のいずれか１項において、前記マスキングレイヤー内の前記一以上の開口はＵＶリソグラフィー、レーザー、又はスクリーニング手段を用いて形成されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか１項において、前記基板の前記選択部分を前記コロイド溶液にさらすステップの前に、前記層状の基板はポリマー又は有機材料の残留物を取り除くためにクリーニングされることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１９】
請求項１８において、前記クリーニングはプラズマクリーニング又はＵＶオゾンクリーニング技術であることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれか１項において、前記基板の前記一以上の選択部分を前記コロイド溶液にさらすステップは、前記マスキングレイヤーを有する前記基板を前記コロイド溶液のバスの中にディップすることであることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２１】
請求項１から２０のいずれか１項において、前記基板のうち前記一以上の選択部分を前記コロイド溶液にさらすステップの後に、前記選択部分は脱イオン水でリンスされることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２２】
請求項２１において、リンスステップの後に、前記選択部分から前記水の実質的に全てを取り除くために前記選択部分が乾燥されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２３】
請求項２２において、前記乾燥ステップは前記層状の基板をオーブン内に入れることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２４】
請求項２２において、前記乾燥ステップはガスのストリームを前記層状の基板に流すことを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２５】
請求項１から２４のいずれか１項において、前記乾燥ステップは前記層状の基板をオーブン内に入れることも前記層状の基板にガスのストリームを流すことも含むことを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２６】
請求項２４において、前記一以上の選択部分を前記イオン溶液にさらすステップは、前記マスクレイヤーを有する前記基板を前記イオン溶液のバスの中にディップすることであることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２７】
請求項１から２６のいずれか１項において、前記メタルレイヤーの形成の後に、前記マスキングレイヤーは取り除かれることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２８】
請求項２７において、強塩基溶液が前記マスキングレイヤーの除去を容易にするために用いられることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２９】
請求項１から２５のいずれか１項において、前記マスキングレイヤーは前記一以上の選択部分を前記イオン溶液にさらす前に取り除かれることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項３０】
請求項１から２９のいずれか１項において、前記要求されたメタルは、銅、ニッケル、クロミウム、モリブデン、タンタル、及びこれらの金属の組み合わせからなるグループから選択されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項３１】
請求項３０において、前記要求されたメタルは銅及びニッケルから選択されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項３２】
要求されたメタルレイヤーを基板表面の一以上の選択部分上に無電解メッキする方法であって、任意の一以上の図面を参照して実質的に説明されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項３３】
請求項１から３２のうちいずれか一以上の方法によって作製されることを特徴とする無電解メッキ方法による作製物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の選択部分上にメタルレイヤーを無電解メッキする方法に関する。本発明の好適な構成は、基板のインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）表面の一以上の選択部分上に無電解メッキによって要求されたメタルレイヤーをメッキする方法に関する。これらの選択部分は主としてＩＴＯの透明導電パスである。
【背景技術】
【０００２】
本明細書では、知識についての文書、行為、事項が参照され、説明されている個所において、この参照又は説明は、この知識についての文書、行為、事項又はこれらの組み合わせが優先日であることを承認しているわけではない。
（ａ）  一般的な周知の知識の部分、又は、
（ｂ）  本明細書に関するあらゆる問題を解決するいずれかの試みに関連して知られたもの
【０００３】
半導体の湿式化学メタライゼーションは、本質的に産業的であり、商業的に重要である。このメタライゼーションとしては、適当な基板上への無電解メッキ手段が一般的に効果的である。このような基板は、主に金属、セラミックス（ガラスを含む）、ポリマーを含む。
【０００４】
例えば、このような基板に無電解メッキによってニッケルをメッキさせたい場合には、基板は主に、還元剤とニッケルイオン（Ｎｉ2+）を含有した溶液内に浸漬される。このニッケルイオンは、通常適当な触媒が存在すると還元剤によって還元される。基板（金属の堆積を要求される基板表面に限るようにメッキされるものである）の表面を触媒で活性させることが通常実施されている。通常この反応で用いられる触媒はパラジウムである。
【０００５】
しかしながら、要求されたメタルレイヤーを基板表面の選択部分上に選択的にメッキすることは困難なことがある。これは、基板表面が活性である場合には、金属は活性化された表面全体上にメッキされやすいからである。そのため、金属がメッキされるべきでない表面部分を非活性にすることがさらに必要である。
【０００６】
例えば、米国特許番号第４８２４６９３号には、無電解処理によって、所定の基板（ガラス基板を含む）上のＩＴＯの透明な導電性パス上に、ハンダ可能なメタルレイヤーをメッキする方法が開示されている。米国特許番号第４８２４６９３号の発明には、基板表面全体を、パラジウムコロイドとスズコロイドのバスに浸漬させることで、導電性パス表面を活性化させ、次に（基板をフッ化水素酸内に浸漬させることで）導電性パスにカバーされないエリアを非活性化させることが含まれる。次に、このプロセスは、無電解方法によるメタルレイヤーのメッキを含む。この金属は表面に残った活性な部分に堆積する。このように、米国特許番号第４８２４６９３号の方法では、表面の活性は選択的ではなく、そのため、ＩＴＯ表面の部分は金属メッキの前にさらに非活性化させる必要がある。
【０００７】
欧州特許番号第０５１８４２２Ａ２号には、ガラス基板のＩＴＯ表面を選択的に活性化させる方法が開示されている。この特許は、ＩＴＯ表面中に選択的に吸着し、ガラス基板中に吸着しないポリマー安定化コロイド粒子を用いる。しかしながら、この特許は、基板のＩＴＯ表面全体を活性化する方法のみ開示し、ＩＴＯ表面の所望の部分を選択的に活性化させる方法について示唆すらされていない。
【０００８】
本発明は、基板上への金属メッキを容易にするように基板を選択的に活性化させるための方法を改善することを目的とする。
【０００９】
本発明はさらに、基板、特に基板のＩＴＯ表面の要求された部分を選択的に活性化しメッキする方法を改善することを目的とする。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の構成によれば、基板表面のうち一以上の選択部分上へ要求されたメタルレイヤーを無電解メッキするための方法が提供される。この方法では、次のステップを有する。
（１）マスキングレイヤーを前記基板上に塗布し、前記マスキングレイヤー内に一以上の開口を形成し、前記基板のうち前記一以上の選択部分を露出し、
（２）前記基板表面に吸着するとともに前記要求されたメタルレイヤーのメッキを強める触媒粒子のコロイド懸濁液に、前記基板のうち前記一以上の選択部分をさらし、
（３）前記基板のうち前記一以上の選択部分を形成させるために前記要求されたメタル（金属）のイオンを含んだイオン溶液にさらす。
【００１１】
前記一以上の開口は前記マスキングレイヤー内に、前記レイヤーを前記基板表面に塗布した後に、形成されることが望ましい。
【００１２】
前記基板表面はその上にＩＴＯが形成されたフィルムであることがさらに望ましい。このフィルムは前記基板表面の全体又は部分をカバー可能である。又は、前記フィルムは前記基板表面に断片的に塗布可能である。
【００１３】
好適には、前記マスキングレイヤーの前記一以上の開口のうち少なくともいくつかは、前記ＩＴＯフィルムの一以上の部分に設けられる。
【００１４】
前記コロイド懸濁液は、前記基板材料ではなく前記ＩＴＯフィルムに吸着するように適合された触媒金属粒子を含むことが望ましい。より好適な触媒材料の一つはパラジウムである。好適な基板材料はガラスである。
【００１５】
触媒金属粒子の懸濁液は、金属粒子が凝集したり溶液から沈殿したりすることを抑制するように、一般的にポリマーで安定化されている。このポリマー安定化は、好適には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、又はポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）を用いることでなされる。前記触媒金属粒子はまた、スズイオン、又はスズイオンと上述したポリマーとの組み合わせを含む溶液で安定化される。
【００１６】
前記マスキングレイヤーは、感光性の材料から形成可能である。このようなマスキングテープとしては、ドライフィルムレジスト（旭化成社製のＳｕｎｆｏｒｔ（商標）レジストから選択可能である）が適当である。他には、前記ドライフィルムレジストとしては、デュポン社製のＲｉｓｔｏｎ（商標）レジストから選択可能である。他には、前記マスキングレイヤーは、前記触媒粒子が実質的に接着しないポリマー材料から形成可能である。同じように、前記触媒粒子は、前記ポリマー材料に（重要な程度で）接着しない土台上に選択される。前記ポリマー材料は、適当なポリカーボネート、フッ化物ポリマー、セロハン、ポリイミド、アクリル酸塩ポリマーからなるグループから主に選択される。前記マスキングレイヤーは、好適には、前記基板表面をコートすることで、感光性ポリマーの薄い層とともに塗布される。このコートは、液状レジストを前記基板表面上でコートしスピンし、続いて前記液状レジストを硬化し、及び／又は乾燥することによって可能になる。他には、前記マスキングレイヤーは、適当なポリマー材料（上述したようなもの）からなるエアロゾルを前記基板表面上にスプレーすることで塗布可能になる。
【００１７】
前記マスキングレイヤーを塗布する他の手段は、前記レジストのフィルムを前記基板表面上にラミネートすることである。好適には、この目的のために適当なフィルムは、上述した前記ドライフィルムレジストである。このラミネートは主に、前記フィルムを前記基板の上にメッキし、次に、圧力と熱を付与して前記フィルムと基板がお互いに接着されるようになる２つのローラーの間にそれらを送る。
【００１８】
前記マスキングレイヤー内の前記一以上の開口は、前記マスキングレイヤーが前記基板に塗布される前でも後でも形成可能である。しかしながら、前記マスキングレイヤーを前記基板に塗布した後に前記開口を形成することが一般的に好適である。
【００１９】
主に、前記開口はＵＶリソグラフィー（感光性の材料を用いた場合である）、レーザー、又はスクリーニング手段を用いて形成される。好適には、感光性の材料はパターニングのために使用される。ＵＶリソグラフィーは、主に、ＵＶマスクを通すような、ホトレジストをＵＶ光に選択的にさらすものを含む。ＵＶマスクは、通常、ガラス上に金属の薄いレイヤーがパターンされる。
【００２０】
いくつかのレジストは‘正’であり、ＵＶ光にさらされたレジストの領域は、分解され、現像液中で可溶性になる。他のレジストは‘負’であり、ＵＶ光にさらされたレジストの領域は、硬化され、現像液中で不溶性になる。
【００２１】
ＵＶ光にさらされた後、層状になった基板は、適当な現像液中に浸漬される。この現像液は、レジストのさらされた領域（‘正’レジストの場合）、又はレジストのさらされなかった領域（‘負’レジストの場合）を選択的に取り除く。これは、（開口の）必要なパターンがマスキングレイヤー内に形成されることになる。
【００２２】
基板の選択部分をコロイド溶液にさらすステップを行う前に、ポリマーや有機材料の残留物を取り除くために層状の基板をクリーニングすることが好ましい。このクリーニングは、プラズマクリーニング又はＵＶオゾンクリーニング技術によることが効果的である。
【００２３】
基板のうち一以上の選択部分をコロイド懸濁液にさらすステップは、一般的に、コロイド懸濁液のバスの中に、マスキングレイヤーを有した基板をディップすることが効果的である。基板は、数秒後、又は必要ならばそれ以上の後、懸濁液から取り除かれる。選択部分にコロイド懸濁液をさらした後に、好適には脱イオン化水（ＤＩ水）を用いて、選択部分をリンスするさらなるステップを含む方法が好ましい。リンスステップの後に、選択部分は乾燥される。乾燥は、実質的に水分全てを選択した領域から取り除くために、層状の基板をオーブン内に入れること、及び／又は基板を窒素や空気などガスのストリームでブローすることが効果的である。
【００２４】
一以上の選択部分をイオン溶液にさらすステップは、一般的に、マスキングレイヤーを有する基板をイオン溶液のバスの中にディップすることが効果的である。
【００２５】
メタルレイヤーが形成された後に、マスキングレイヤーが取り除かれることが好適である。しかしながら、一以上の選択部分をイオン溶液にさらす前ではなく、選択部分をコロイド懸濁液にさらした後に、マスキングレイヤーが取り除かれることも可能である。マスキングレイヤーを取り除くことは、主に、露出しているか否かに関係なく、マスキングレイヤー（レジスト）に強く付着する強塩基（水酸化カリウム）を用いることで容易になる。
【００２６】
基板へのメッキ用の要求された金属は、主に、銅、ニッケル、クロミウム、モリブデン、タンタル、又はこれらの任意の合金である。銅又はニッケルは、特に、要求された金属として好適である。
【００２７】
本発明の特に好適な実施の形態では、次のステップを行う方法が効果的である。マスキングレイヤーを前記基板の上に塗布する。前記要求された開口を前記マスキングレイヤーに形成する。前記基板を触媒粒子の前記コロイド懸濁液の中にディップする。前記コロイド懸濁液内にディップした後すぐに前記基板を清浄水でリンスする。前記基板を（通常は気流又は窒素で）乾燥し、次にオーブン内でさらに乾燥する。前記基板を無電解メタライゼーションバス内に、前記要求された金属の必要な厚みが前記基板の表面の前記一以上の選択部分上に堆積するまで、浸漬させる。そして、前記マスキングレイヤーを前記基板から剥ぎ取る。
【００２８】
方法をより容易にするためにさらにステップを有しても良い。例えば、マスキングレイヤーを塗布する前に、ＩＴＯフィルム（又はそのようなフィルムの部分）を基板表面に塗布するようにしても良い。
【００２９】
上述したコロイド懸濁液は、パラジウムのような主に触媒金属である触媒粒子を含有する。好適にはコロイド溶液は次のように用意される。１００ｍｇ（約２５ｍｇから約５００ｍｇまでの任意の値であってもよい）のＰＶＰ（重量平均分子量＝５０，０００、約１０，０００から約５００，０００までの任意の値であってもよい）をＤＩ水に溶解する。１５０ｍｇのＰｄＣｌ2を５．２５ｍｌのＨＣｌ（３７％水溶液）に溶解する。ＰＶＰとＰｄＣｌ2溶液を一緒に混合する。１０−３５ｍｌの次亜リン酸（Ｈ3Ｏ2Ｐ）を溶液（又は適切な量の他の適当な還元剤）にゆっくり加える。溶液の全量が約１リットルになるまでＤＩ水を加える。
【００３０】
パラジウムコロイド溶液で安定化されたＰＶＰ（“Ｐｄ／ＰＶＰ溶液”）は、とても安定しており、普通の状態で目立った変化もなく何ヶ月も保たれる。
【００３１】
金属メッキのために基板を準備するときには、清浄基板（ＩＴＯフィルム又はＩＴＯパターンをその表面に有している）が必要とされ、上述したタイプのマスキングレイヤー（又は“レジスト”）でコートされる。
【００３２】
パターンが基板（その上に要求されたメタルレイヤーがメッキされる）の選択部分と対応するように、レジストはパターン化される必要がある。好適には、ホトレジスト性の材料がパターン用に使用される。ホトレジストの基板表面上へのパターンは、一般的に、本技術分野で知られた方法に従う。これらには、ホトレジストの選択部分をＵＶ光にさらすことが含まれる。その後、レジストは、レジストを選択的に溶解し取り除くために現像液内に浸漬される。基板上のさらされた領域は、基板の表面上に残ったポリマー又は有機材料の残留物を取り除くために、レジストをパターンした後にクリーニングされる。
【００３３】
パターン化された清浄な基板は、次にＰｄ／ＰＶＰ溶液の中にディップされる。基板を溶液から取り出すときに、ＤＩ水を通してすぐにリンスする。基板は、次に窒素又は空気で乾燥され、次に残った湿気を取り除くためにオーブン内に入れられる。
【００３４】
基板は、次に、必要な厚みの金属を基板のうち露出した選択部分上にメッキさせるために無電解メッキバス内に入れられる。
【００３５】
一般的に、Ｐｄ／ＰＶＰ溶液内の粒子は、レジストに付着されず、そのため、レジストにはメッキはされない。レジストは、次に、基板から取り外される。他には、レジストは、金属メッキステップの前に（基板をＰｄ／ＰＶＰ溶液で活性化させるステップの後だけではなく）基板から取り外し可能である。しかしながら、ある場合では、レジストを基板上に残すことが望まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
図２及び図３に示されるように、基板１は、実質的に長方形の支持材であり、上表面にＩＴＯ２のフィルムがある。マスキングレイヤー（レジスト）３は、基板の上表面に設けられる。
【００３７】
図３は、マスキングレイヤー３が基板１の上表面全体にカバーされた状態を示す。これは、例えば、シード粒子（その結果メッキされる金属になる）が別の方法で基板に付着されている状況において好適である。しかしながら、シード粒子が基板に吸着しない（少なくとも十分な程度に）場合では、マスキングレイヤーはＩＴＯフィルムをカバーするように構成される。図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、マスキングレイヤー３は、穴４を形成するようにパターン化される。形成された穴４は、金属がメッキされる基板のうち選択部分に対応して構成される。
【００３８】
図５に示すように、層状の基板４が、触媒金属粒子、明確にはパラジウムのコロイド懸濁液６を含むバス５の中にディップされる。
【００３９】
図６に示すように、層状の基板１が、要求された金属（例えばニッケル）のイオンを含むイオン溶液８のバス７の中にディップされる。
【００４０】
図７に示すように、層状の基板１には、マスキングレイヤー３が基板１から部分的に取り除かれ、続いて金属メッキが行われ、金属部分９が基板１上にメッキしている。
【００４１】
図８に示すように、基板１は、基板１のうち選択部分上にメッキされた金属部分９を有する。
【００４２】
図９及び図１０に示すように、基板１の上表面の部分はマスキングレイヤー３が取り除かれる前でなく、続いて金属メッキがなされる。マスキングレイヤー３は、多数の穴形状（ほとんどが円状４ａであり、一つが直線状４ｂである）を有する。図９及び図１０に示した実施の形態では、明確な境界線１０が見られる。この境界線１０の上には金属はメッキされず、その下に金属がメッキされる。境界線１０の下で、金属は、マスキングレイヤー３の穴形状内にメッキされるようにみえる。このメッキは、基板上にシードされたＩＴＯフィルムの存在のために発生する。
【００４３】
図１０は、境界線１０近傍の基板表面（マスキングレイヤーを有している）の部分を示す図９の部分拡大図である。表されているように、境界線１０の上にある穴形状４ａ、４ｂには、ＩＴＯフィルムが堆積されていない基板の重なり部分であり、金属が付着していない。これはまた図１１、１２、１３、１４に示される（これら全てにおいてマスキングレイヤー３は取り除かれる）。図１１は、単純な円形穴形状４ａが、金属化された部分２０と金属化されていない部分とが境界線１０によって分かれている状態である。
【００４４】
本発明は上述したように、ＩＴＯフィルムを有している基板のある部分のみをシードしてメッキする選択的な方法を提供する。これは、簡単で適正な基板のパターン化（例えばマイクロスケール）を可能にする。
【００４５】
本発明の変更及び改善は当業者によれば明確にされうる。このような変更及び改善は本発明の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る方法のフローチャートである。
【図２】図２は、本発明の好適な実施の形態に係る基板の概要斜視図である。
【図３】図３は、本発明の好適な実施の形態に係るマスキングレイヤー（レジスト）が塗布された基板の概要斜視図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の好適な構成に係る、図３の基板とマスキングレイヤーであって、マスキングレイヤーが基板の選択部分を露出するためにパターン化された状態の概要斜視図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の基板とマスキングレイヤーの概要平面図である。
【図５】図５は、図４（ａ）、（ｂ）の基板とマスキングレイヤーがディップされているコロイド溶液バスの横断面図である。
【図６】図６は、基板にメッキされる金属の金属イオンを含有し、基板とマスキングレイヤーがディップされている状態のバスの横断面図である。
【図７】図７は、本発明の好適な構成に係る、図４（ａ）、（ｂ）の基板概要側面図であり、マスキングレイヤーを部分的に取り除き、続いて金属メッキステップを行う状態である。
【図８】図８は、本発明の好適な実施の形態に係る金属メッキ後の基板（マスキングレイヤーが取り除かれている）の概要斜視図である。
【図９】金属メッキした基板とマスキングレイヤーの部分平面の光学顕微鏡イメージ図である。
【図１０】図１０は、図９の基板とマスキングレイヤーの部分拡大図である。
【図１１】図１１は、図１０の基板とマスキングレイヤーのさらなる部分拡大図である。
【図１２】図１２は、基板の部分平面の光学顕微鏡イメージ図であり、基板の選択部分上への金属メッキ（マスキングレイヤーは取り除いている）を示している。
【図１３】図１３は、図１２の基板の部分拡大図である。
【図１４】図１４は、図１２の基板のさらなる部分拡大図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
要求されたメタルレイヤーを基板のうち一以上の選択部分上へ無電解メッキする方法であって、
前記基板はその上に形成されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）のフィルムを有し、
（１）マスキングレイヤーを前記基板上に塗布し、前記マスキングレイヤー内に一以上の開口を形成し、前記基板のうち前記一以上の選択部分を露出するようにし、
（２）前記基板表面に吸着するとともに前記要求されたメタルレイヤーのメッキを強める触媒粒子のコロイド懸濁液に、前記基板のうち前記一以上の選択部分をさらし、
（３）前記基板のうち前記一以上の選択部分を、前記一以上の選択部分上に前記メタルレイヤーを形成させるために前記要求されたメタルのイオンを含むイオン溶液にさらすステップを有することを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２】
請求項１において、前記一以上の開口は、前記レイヤーを前記基板表面に塗布した後に、前記マスキングレイヤー内に形成されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項３】
請求項２において、前記マスキングレイヤーの前記一以上の開口のうち少なくともいくつかは、前記ＩＴＯフィルムの一以上の部分の上に設けられることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項において、コロイド懸濁液は触媒金属粒子を有することを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項５】
請求項４において、前記基板表面がその上に形成されたＩＴＯのフィルムを有する場合、前記触媒金属と前記基板の材料とは、前記基板材料上に前記触媒金属が実質的に吸着しないように、選択されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、前記触媒金属はパラジウムであることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項７】
請求項４から６のいずれか１項において、前記触媒金属粒子はポリマー安定化されていることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項８】
請求項７において、前記触媒金属粒子はポリビニルアルコール、ポリ（ビニルピロリドン）、又はこれらの組み合わせで安定化されていることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項９】
請求項５から６のいずれか１項において、前記触媒金属粒子はスズイオンを含む溶液で安定化されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１０】
請求項５から９のいずれか１項において、前記基板材料はガラスであることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項において、前記マスキングレイヤーは、前記触媒粒子が実質的に吸着しないポリマー材料から形成されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記ポリマー材料は、適正なポリカーボネート、フッ化物ポリマー、セロハン、ポリイミド、及びアクリル酸塩ポリマーからなるグループから選択されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、前記ポリマー材料はホトレジストであることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項において、前記マスキングレイヤーは乾燥フィルムレジストから形成されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１５】
請求項１４において、前記乾燥フィルムレジストは、旭化成社製のＳｕｎｆｏｒｔ（商標）レジスト及びデュポン社製のＲｉｓｔｏｎ（商標）からなるグループから選択されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１６】
請求項１１から１５のいずれか１項において、前記マスキングレイヤー内の前記一以上の開口はＵＶリソグラフィー、レーザー、又はスクリーニング手段を用いて形成されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか１項において、前記基板の前記選択部分を前記コロイド溶液にさらすステップの前に、前記層状の基板はポリマー又は有機材料の残留物を取り除くためにクリーニングされることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１８】
請求項１７において、前記クリーニングはプラズマクリーニング又はＵＶオゾンクリーニング技術であることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれか１項において、前記基板の前記一以上の選択部分を前記コロイド溶液にさらすステップは、前記マスキングレイヤーを有する前記基板を前記コロイド溶液のバスの中にディップすることであることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれか１項において、前記基板のうち前記一以上の選択部分を前記コロイド溶液にさらすステップの後に、前記選択部分は脱イオン水でリンスされることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２１】
請求項２０において、リンスステップの後に、前記選択部分から前記水の実質的に全てを取り除くために前記選択部分が乾燥されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２２】
請求項２１において、前記乾燥ステップは前記層状の基板をオーブン内に入れることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２３】
請求項２１において、前記乾燥ステップはガスのストリームを前記層状の基板に流すことを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２４】
請求項１から２３のいずれか１項において、前記乾燥ステップは前記層状の基板をオーブン内に入れることも前記層状の基板にガスのストリームを流すことも含むことを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２５】
請求項２３において、前記一以上の選択部分を前記イオン溶液にさらすステップは、前記マスクレイヤーを有する前記基板を前記イオン溶液のバスの中にディップすることであることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２６】
請求項１から２５のいずれか１項において、前記メタルレイヤーの形成の後に、前記マスキングレイヤーは取り除かれることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２７】
請求項２６において、強塩基溶液が前記マスキングレイヤーの除去を容易にするために用いられることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２８】
請求項１から２４のいずれか１項において、前記マスキングレイヤーは前記一以上の選択部分を前記イオン溶液にさらす前に取り除かれることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２９】
請求項１から２８のいずれか１項において、前記要求されたメタルは、銅、ニッケル、クロミウム、モリブデン、タンタル、及びこれらの金属の組み合わせからなるグループから選択されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項３０】
請求項２９において、前記要求されたメタルは銅及びニッケルから選択されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項３１】
要求されたメタルレイヤーを基板表面の一以上の選択部分上に無電解メッキする方法であって、任意の一以上の図面を参照して実質的に説明されることを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項３２】
請求項１から３１のうちいずれか一以上の方法によって作製されることを特徴とする無電解メッキ方法による作製物。
【国際調査報告】
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