【手続補正書】
【提出日】令和2年7月29日(2020.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の目を碁盤目状に有する碁盤（１０）であって、
内部に基板収容空間（１１ａ）が形成されているとともに、各前記目の盤面位置に垂直孔（１１ｂ）が上面と前記基板収容空間とを連通するように形成された板部（１１）と、
各前記垂直孔に取り付けられた光センサ（２１）と、
碁石が打たれたり取られたりする前に各前記光センサから入力された検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）と該碁石が打たれたり取られたりした後に各前記光センサから入力された検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）との比に基づいて、該打たれたり取られたりした碁石の位置および種類を検出するための碁石検出装置（３０）と、
を具備することを特徴とする、碁盤。
【請求項２】
前記碁石検出装置が、
前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）を前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）で割った値（Ｖs(m,n)／Ｖt(m,n)）に基づいて、前記打たれた碁石の位置および種類を検出し、
前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）を前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）で割った値（Ｖt(m,n)／Ｖs(m,n)）に基づいて、前記取られた碁石の位置および種類を検出する、
ことを特徴とする、請求項１記載の碁盤。
【請求項３】
前記碁石検出装置が、
前記複数個の目の盤面位置をｘｙ座標で示し、
有無判別用閾値（Ｔｈ0）、該有無判別用閾値よりも小さい値の白石判別用閾値（ＴｈW）および該白石判別用閾値よりも小さい値の黒石判別用閾値（ＴｈB）を用いて、
第１の検出条件として、座標（ｍ，ｎ）における前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）を該座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）で割った値が前記有無判別用閾値以下である（Ｖs(m,n)／Ｖt(m,n)≦Ｔｈ0）と、該座標で示される目に黒石または白石が打たれたと検出し、
第２の検出条件として、前記座標における前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）を該座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）で割った値が前記黒石判別用閾値以下である（Ｖs(m,n)／Ｖt(m,n)≦ＴｈB）と、該座標で示される目に黒石が打たれたと検出し、
第３の検出条件として、前記座標における前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）を該座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）で割った値が前記白石判別用閾値以下で前記黒石判別用閾値よりも大きい（ＴｈB＜Ｖs(m,n)／Ｖt(m,n)≦ＴｈW）と、該座標で示される目に白石が打たれたと検出する、
ことを特徴とする、請求項２記載の碁盤。
【請求項４】
前記碁石検出装置が、
第４の検出条件として、前記座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）を該座標における前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）で割った値が前記有無判別用閾値以下である（Ｖt(m,n)／Ｖs(m,n)≦Ｔｈ0）と、該座標で示される目に打たれていた黒石または白石が取られたと検出し、
第５の検出条件として、前記座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）を該座標における前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）で割った値が前記黒石判別用閾値以下である（Ｖt(m,n)／Ｖs(m,n)≦ＴｈB）と、該座標で示される目に打たれていた黒石が取られたと検出し、
第６の検出条件として、前記座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）を該座標における前記検出時センサ電圧で割った値が前記白石判別用閾値以下で前記黒石判別用閾値よりも大きい（ＴｈB＜Ｖt(m,n)／Ｖs(m,n)≦ＴｈW）と、該座標で示される目に打たれていた白石が取られたと検出する、
ことを特徴とする、請求項２または３記載の碁盤。
【請求項５】
前記光センサが、照度計で使用されているフォトトランジスタを備え、
前記フォトトランジスタのコレクタが電源線（Ｌ）に接続されており、
前記フォトトランジスタのエミッタが抵抗（Ｒ）を介してアース線（Ｇ）に接続されているとともに前記碁石検出装置に接続されており、
前記有無判別用閾値、前記白石判別用閾値および前記黒石判別用閾値が、碁石が打たれていないときの前記センサ電圧の０．７５倍、０．５倍および０．２倍の電圧にされている、
ことを特徴とする、請求項３または４記載の碁盤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の碁盤は、複数個の目を碁盤目状に有する碁盤（１０）であって、内部に基板収容空間（１１ａ）が形成されているとともに、各前記目の盤面位置に垂直孔（１１ｂ）が上面と前記基板収容空間とを連通するように形成された板部（１１）と、各前記垂直孔に取り付けられた光センサ（２１）と、碁石が打たれたり取られたりする前に各前記光センサから入力された検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）と該碁石が打たれたり取られたりした後に各前記光センサから入力された検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）との比に基づいて、該打たれたり取られたりした碁石の位置および種類を検出するための碁石検出装置（３０）とを具備することを特徴とする。
ここで、前記碁石検出装置が、前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）を前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）で割った値（Ｖs(m,n)／Ｖt(m,n)）に基づいて、前記打たれた碁石の位置および種類を検出し、前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）を前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）で割った値（Ｖt(m,n)／Ｖs(m,n)）に基づいて、前記取られた碁石の位置および種類を検出してもよい。
前記碁石検出装置が、前記複数個の目の盤面位置をｘｙ座標で示し、有無判別用閾値（Ｔｈ0）、該有無判別用閾値よりも小さい値の白石判別用閾値（ＴｈW）および該白石判別用閾値よりも小さい値の黒石判別用閾値（ＴｈB）を用いて、第１の検出条件として、座標（ｍ，ｎ）における前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）を該座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）で割った値が前記有無判別用閾値以下である（Ｖs(m,n)／Ｖt(m,n)≦Ｔｈ0）と、該座標で示される目に黒石または白石が打たれたと検出し、第２の検出条件として、前記座標における前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）を該座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）で割った値が前記黒石判別用閾値以下である（Ｖs(m,n)／Ｖt(m,n)≦ＴｈB）と、該座標で示される目に黒石が打たれたと検出し、第３の検出条件として、前記座標における前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）を該座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）で割った値が前記白石判別用閾値以下で前記黒石判別用閾値よりも大きい（ＴｈB＜Ｖs(m,n)／Ｖt(m,n)≦ＴｈW）と、該座標で示される目に白石が打たれたと検出してもよい。
前記碁石検出装置が、第４の検出条件として、前記座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）を該座標における前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）で割った値が前記有無判別用閾値以下である（Ｖt(m,n)／Ｖs(m,n)≦Ｔｈ0）と、該座標で示される目に打たれていた黒石または白石が取られたと検出し、第５の検出条件として、前記座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）を該座標における前記検出時センサ電圧（Ｖs(m,n)）で割った値が前記黒石判別用閾値以下である（Ｖt(m,n)／Ｖs(m,n)≦ＴｈB）と、該座標で示される目に打たれていた黒石が取られたと検出し、第６の検出条件として、前記座標における前記検出前センサ電圧（Ｖt(m,n)）を該座標における前記検出時センサ電圧で割った値が前記白石判別用閾値以下で前記黒石判別用閾値よりも大きい（ＴｈB＜Ｖt(m,n)／Ｖs(m,n)≦ＴｈW）と、該座標で示される目に打たれていた白石が取られたと検出してもよい。
前記光センサが、照度計で使用されているフォトトランジスタを備え、前記フォトトランジスタのコレクタが電源線（Ｌ）に接続されており、前記フォトトランジスタのエミッタが抵抗（Ｒ）を介してアース線（Ｇ）に接続されているとともに前記碁石検出装置に接続されており、前記有無判別用閾値、前記白石判別用閾値および前記黒石判別用閾値が、碁石が打たれていないときの前記センサ電圧の０．７５倍、０．５倍および０．２倍の電圧にされていてもよい。