【手続補正書】
【提出日】令和1年11月20日(2019.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項２】
第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極と重なり、
前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項３】
第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項４】
第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極と重なり、
前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項５】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項６】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極と重なり、
前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項７】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項８】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極と重なり、
前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項９】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第１のゲート電極は、銅を含む導電膜の積層構造であり、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項１０】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第１のゲート電極は、銅を含む導電膜の積層構造であり、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極と重なり、
前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項１１】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第１のゲート電極は、銅を含む導電膜の積層構造であり、
前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
【請求項１２】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第１のゲート電極は、銅を含む導電膜の積層構造であり、
前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極と重なり、
前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。