【手続補正書】
【提出日】令和2年1月16日(2020.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ流路及び前記マイクロ流路に連通する第１の開口部に対応する型にシリコーン樹脂を塗布し、
前記第１の開口部に対応した遮光部を有するマスクを用いて、前記シリコーン樹脂を光により硬化させ、
未硬化の前記シリコーン樹脂を除去し、
硬化した前記シリコーン樹脂を前記型から離型する、
ことを特徴とするマイクロ流路の製造方法。
【請求項２】
）
前記シリコーン樹脂は、前記型の高さより厚く塗布されることを特徴とする請求項１記載のマイクロ流路の製造方法。
【請求項３】
前記型から硬化した前記シリコーン樹脂を離型する前に、前記マイクロ流路の前記第１の開口部に対応した第２の開口部を有する支持基板を硬化した前記シリコーン樹脂に接合することを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロ流路の製造方法。
【請求項４】
前記型が離型された前記シリコーン樹脂の面にセンサを具備する基板を接合することを特徴とする請求項３記載のマイクロ流路の製造方法。
【請求項５】
マイクロ流路に対応する第１の型にシリコーン樹脂を塗布し、
前記マイクロ流路に連通する第１の開口部に対応する第２の型に前記シリコーン樹脂を塗布し、
前記第１の型と前記第２の型を合体させ、
前記シリコーン樹脂を光により硬化させ、
前記第１の型と前記第２の型の一方を硬化した前記シリコーン樹脂から離型し、
前記第１の型と前記第２の型の他方に残留した未硬化の前記シリコーン樹脂を除去し、
前記第１の型と前記第２の型の他方を硬化した前記シリコーン樹脂から離型する、
ことを特徴とするマイクロ流路の製造方法。
【請求項６】
前記第１の型の高さと前記第２の型の高さは異なることを特徴とする請求項５に記載のマイクロ流路の製造方法。
【請求項７】
前記シリコーン樹脂は、前記第１の型の高さ、及び前記第２の型の高さより厚く塗布されることを特徴とする請求項６に記載のマイクロ流路の製造方法。
【請求項８】
前記第１の型は第１の基板の上に形成され、
前記第２の型は第２の基板の上に形成され、
少なくとも前記第１の型と前記第１の基板の間、又は前記第２の型と前記第２の基板の間に遮光層が形成されている、
ことを特徴とする請求項７記載のマイクロ流路の製造方法。
【請求項９】
前記第２の型から硬化した前記シリコーン樹脂を離型する前に、前記第１の型から硬化した前記シリコーン樹脂を離型し、
硬化した前記シリコーン樹脂の前記第１の型が離型された面にセンサを具備する第３の基板を接合することを特徴とする請求項８記載のマイクロ流路の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の型から硬化した前記シリコーン樹脂を離型する前に、前記第２の型から硬化した前記シリコーン樹脂を離型し、
硬化した前記シリコーン樹脂の前記第２の型が離型された面に前記第１の開口部に対応する第２の開口部を有する支持基板を接合することを特徴とする請求項８記載のマイクロ流路の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
マイクロ流路１１ａの高さ（膜厚）と、開口部１１ｂ、１１ｃの高さ（膜厚）は、異なっている。このため、マイクロ流路１１ａや、開口部１１ｂ、１１ｃの形状に応じて、上記リソグラフィ工程を複数回行ってもよい。すなわち、リソグラフィ工程を複数回行うことにより、型２の第１の突起部２ａや第２の突起部２ｂ及び第３の突起部２ｃの高さが、マイクロ流路１１ａや開口部１１ｂ、１１ｃの高さと一致するように調整される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、硬化したシリコーン樹脂１１と半導体基板１２の接合は、次のように行われる。先ず、シリコーン樹脂１１と半導体基板１２の表面が酸素プラズマ中で活性化される。次いで、半導体基板１２の主面にシリコーン樹脂１１が設置され、荷重と熱が印加される。表面活性化処理の条件、及び荷重と熱の印加条件は使用するシリコーン樹脂３により適宜選択される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図３Ｆに示す構造により、マイクロ流路１１ａ内に、例えば開口部１１ｂから検体液等を導入することにより、半導体基板１２上に配置されセンサ１３によって検体液等の物理的又は化学的情報を検出することが可能となる。
（第１の実施形態の効果）
第１の実施形態によれば、基板１上に設けられたマイクロ流路１１ａ及び開口部１１ｂ、１１ｃに対応する型２にシリコーン樹脂３を塗布し、開口部１１ｂ、１１ｃに対応する遮光部４ａを有するマスク４を用いて光をシリコーン樹脂３に照射して、シリコーン樹脂３を硬化させ、未硬化のシリコーン樹脂３、及び型２を順次除去して、マイクロ流路１１ａ、及び開口部１１ｂ、１１ｃを有するシリコーン樹脂１１を形成している。このため、開口部１１ｂ、１１ｃを、ドリルなどを用いて形成する場合に比べて、開口部１１ｂ、１１ｃの周縁にバリがなく、滑らかな開口部１１ｂ、１１ｃを形成することが可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
遮光層３１のサイズ（直径）は、第３の突起部２ｂ−２、２ｃ−２のサイズ（直径）より必ずしも大きい必要はなく、第３の突起部２ｂ−２、２ｃ−２のサイズ以上であればよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
遮光層３１は、後述するように、第１の型２−１と第２の型２−２が接触する領域上の一部、或いは全部がカバーされるように配置されてもよい。さらに、図５Ａに示すように、遮光層３１は、第１の基板１−１と第１の型２−１との間に設けてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
次いで、図５Ｅに示すように、シリコーン樹脂３が塗布された第１の基板１−１と第２の基板１−２が積層される。すなわち、第２の型２−２としての第３の突起部２ｂ−２、２ｃ−２が、第１の型２−１としての第２の突起部２ｂ−１、２ｃ−１に対向するように位置決めされ、これらが積層される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
次いで、図５Ｉに示すように、第２の型２−２から硬化したシリコーン樹脂１１が離型される。離型されたシリコーン樹脂１１はマイクロ流路１１ａと、マイクロ流路１１ａに連通する開口部１１ｂ、１１ｃを有している。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
第４の実施形態において、図６Ａ乃至図６Ｆの工程は、第３の実施形態とほぼ同様であるため、詳細な説明は省略する。但し、図６Ａ、図６Ｂに示すように、第１の型２−１の高さＨ１と第２の型２−２の高さＨ２の関係が第３の実施形態と相違する。すなわち、第４の実施形態では、第２の型２−２の高さＨ２が第１の型２−１の高さＨ１より低くされている。このため、第４の実施形態において、第１の型２−１より第２の型２−２のほうが、離型性が向上されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
図６Ｆに示すように、シリコーン樹脂３が塗布された第１の型２−１と第２の型２−２を合体して第２の基板１−２側から紫外線が照射された後、加熱されることによりシリコーン樹脂３が硬化される。この後、第３の実施形態では、硬化されたシリコーン樹脂１１から先ず第１の型２−１を離型したが、第４の実施形態では、第１の型２−１を離型する前に、第２の型２−２が離型される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
すなわち、図６Ｇに示すように、硬化したシリコーン樹脂１１から第２の型２−２が離型される。前述したように、第２の型２−２の高さＨ２は、第１の型２−１の高さＨ１より低いため、第２の型２−２は、硬化されたシリコーン樹脂１１から容易に離型することが可能である。第２の型２−２を外したことにより、硬化したシリコーン樹脂１１に開口部１１ｂ、１１ｃが形成される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
次いで、図６Ｉに示すように、第１の型２−１から硬化されたシリコーン樹脂１１が離型される。シリコーン樹脂１１は、支持基板８に支持されているため、第１の型２−１からシリコーン樹脂１１を容易に外すことが可能である。このようにして、マイクロ流路１１ａを有する硬化されたシリコーン樹脂１１が露出される。