【手続補正書】
【提出日】令和2年6月2日(2020.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次荷電粒子ビームを放出するように構成された荷電粒子源と、
前記一次荷電粒子ビームの少なくとも第１のビームレットおよび第２のビームレットを生成するように構成された開口部を有する開孔装置と、
ブランキング装置であって、
少なくとも前記第１のビームレット用の第１のブランキング偏向器および前記第２のビームレット用の第２のブランキング偏向器、ならびに
前記第１のブランキング偏向器を部分的にまたは完全に取り囲む第１のシールド要素を有するシールドアセンブリであって、前記第１のブランキング偏向器が前記第１のシールド要素の孔に設けられる、シールドアセンブリを備える、ブランキング装置と、
を備えるマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
前記シールドアセンブリが前記第１のブランキング偏向器から前記第２のビームレットへのクロストークを低減させるように構成されている、請求項１に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
前記シールドアセンブリが前記第１のブランキング偏向器の上流に前記第１のビームレット用の第２のシールド要素
をさらに備える、請求項１または２に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
前記ブランキング装置が第１のウエハ上に設けられ、前記第２のシールド要素が第２のウエハ上に、または第２のウエハによって設けられている、請求項３に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】
前記第２のシールド要素が第１の孔径を有し、前記第１の孔径とは異なる第１の開孔径を有する前記第１のビームレット用の１つまたは複数の第１の開孔をさらに備える、請求項３または４に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】
前記シールドアセンブリが前記第１のブランキング偏向器の下流に前記第１のビームレット用の第３のシールド要素
をさらに備える、請求項１から５までのいずれか１項に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項７】
前記第３のシールド要素が第２の孔径を有し、前記第２の孔径とは異なる第２の開孔径を有する前記第１のビームレット用の１つまたは複数の第２の開孔をさらに備える、請求項６に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項８】
前記第１のブランキング偏向器が前記第１のビームレットを前記第２のビームレットから分割するための多重極装置を含んでいる、請求項１から７までのいずれか１項に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項９】
前記第１のビームレットと前記第２のビームレットとの前記分割が、光軸に垂直な平面内で、試料上の別々のビームレット位置、または前記第１のビームレットおよび前記第２のビームレットの仮想放出源のうちの少なくとも１つを提供する、請求項８に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項１０】
前記第１のビームレットおよび前記第２のビームレットに別々に作用するように構成された多重極装置をさらに備える、請求項１から９までのいずれか１項に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項１１】
前記多重極装置が第３のウエハ上に設けられる、請求項１０に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項１２】
前記多重極装置及び前記ブランキング装置が第１のウエハ上に設けられる、請求項１０に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項１３】
前記第１のビームレットおよび前記第２のビームレットに別々に作用するように構成された多重極装置をさらに備え、前記多重極装置が第３のウエハ上に設けられ、前記第１のウエハ、前記第２のウエハ、および前記第３のウエハが任意の順番で互いの上に積み重ねられている、請求項４に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項１４】
前記ブランキング装置が光軸に沿って２５０μｍ以上の長さを有する、請求項１から１３のいずれか１項に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項１５】
一次荷電粒子ビームを放出するように構成された荷電粒子源と、
前記一次荷電粒子ビームの少なくとも第１のビームレットおよび第２のビームレットを生成するように構成された開口部を有する開孔装置と、
ブランキング装置であって、
少なくとも前記第１のビームレット用の第１のブランキング偏向器および前記第２のビームレット用の第２のブランキング偏向器、ならびに
前記第１のブランキング偏向器を部分的にまたは完全に取り囲む第１のシールド要素を有するシールドアセンブリであって、前記第１のブランキング偏向器が１００°以上の円弧を有する電極を含む、シールドアセンブリを備える、ブランキング装置と、
を備えるマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項１６】
前記第１のビームレットおよび前記第２のビームレット用のビームダンプ
をさらに備える、請求項１から１５までのいずれか１項に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項１７】
前記第１のビームレットによって生成された第１の信号ビームレットを検出するための第１のセンサと、前記第２のビームレットによって生成された第２の信号ビームレットを検出するための第２のセンサと、を有する検出器アセンブリ
をさらに備える、請求項１から１６までのいずれか１項に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項１８】
一次荷電粒子ビームを放出するように構成された荷電粒子源と、
前記一次荷電粒子ビームの少なくとも第１のビームレットおよび第２のビームレットを生成するように構成された開口部を有する開孔装置と、
ブランキング装置であって、
少なくとも前記第１のビームレット用の第１のブランキング偏向器および前記第２のビームレット用の第２のブランキング偏向器、ならびに
前記第１のブランキング偏向器を部分的にまたは完全に取り囲む第１のシールド要素と、前記第２のビームレット用の、第２のブランキング偏向器を部分的にまたは完全に取り囲むさらなる第１のシールド要素と、前記第２のビームレット用の、前記さらなる第１のブランキング偏向器の上流のさらなる第２のシールド要素と、前記さらなる第１のブランキング偏向器の下流の前記第２のビームレット用のさらなる第３のシールド要素と、を含む、シールドアセンブリを備える、ブランキング装置と、
を備えるマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項１９】
荷電粒子ビーム装置を動作させるための方法であって、
一次荷電粒子ビームを生成するステップと、
前記一次荷電粒子ビームから第１のビームレットを、および前記一次荷電粒子ビームから第２のビームレットを生成するステップと、
試料上で前記第１のビームレットおよび前記第２のビームレットを走査するステップと、
前記第１のビームレット用の第１のブランキング偏向器の第１の偏向場を用いて前記第１のビームレットをブランキングするステップと、
前記第２のビームレットへのクロストークを低減させるために前記第１のブランキング偏向器の前記第１の偏向場をシールドするステップと、
を備え、前記第１のブランキング偏向器が第１のシールド要素の孔に設けられる、方法。
【請求項２０】
前記第１の偏向場が前記第１のブランキング偏向器に印加された非対称電位によって生成される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記シールドアセンブリは、前記第１のブランキング偏向器の上流の前記第１のビームレット用の第２のシールド要素と、前記第１のブランキング偏向器の下流の前記第１のビームレット用の第３のシールド要素と、を備える、請求項１に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。
【請求項２２】
前記第１のシールド要素が、前記第１のブランキング偏向器の面内で前記第１のブランキング偏向器を完全に取り囲む、請求項１に記載のマルチビーム荷電粒子ビーム装置。