【手続補正書】
【提出日】令和2年1月31日(2020.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板の一方の主面と両面プリント配線基板の一方の主面との間に設けられて使用される半導体パッケージであって、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上に３端子半導体素子を構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の外部に引き出された第１電極パッド、第２電極パッドおよび第３電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ1 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第１電極パッドの先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ3 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第２電極パッドの先端は辺Ｓ3 に平行であり、前記第３電極パッドは前記第３電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ4 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第３電極パッドの先端は辺Ｓ4 に平行であり、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッド、前記第２電極パッドおよび前記第３電極パッドの前記樹脂から突出した部分の前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて所定の回路が構成されることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
金属基板の一方の主面と両面プリント配線基板の一方の主面との間に設けられて使用される半導体パッケージであって、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上に３端子半導体素子を構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の上方に引き出された第１電極パッド、第２電極パッドおよび第３電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ1 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第１電極パッドの外側の先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ3 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第２電極パッドの外側の先端は辺Ｓ3 に平行であり、前記第３電極パッドは前記第３電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ4 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第３電極パッドの外側の先端は辺Ｓ4 に平行であり、
前記樹脂の輪郭は、前記半導体チップの側面の前記樹脂の厚さの分だけ前記半導体チップより大きいが、前記半導体チップの外形とほぼ相似になっており、
前記第１電極パッドの前記先端、前記第２電極パッドの前記先端および前記第３電極パッドの前記先端は前記樹脂の輪郭と一致し、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッド、前記第２電極パッドおよび前記第３電極パッドの前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて所定の回路が構成されることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
前記半導体層はＧａＮ系半導体層、前記３端子半導体素子はＧａＮ系電界効果トランジスタである請求項１または２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記ＧａＮ系電界効果トランジスタは分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタである請求項３記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第１電極はソース電極、前記第２電極はドレイン電極、前記第３電極はゲート電極である請求項３または４記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
金属基板と、
前記金属基板の一方の主面上に実装された一つまたは複数の半導体パッケージと、
前記一つまたは複数の半導体パッケージ上に所定の回路を構成するように設けられた所定の配線を一方の主面に有する両面プリント配線基板とを有し、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上に３端子半導体素子を構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の外部に引き出された第１電極パッド、第２電極パッドおよび第３電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ1 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第１電極パッドの先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ3 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第２電極パッドの先端は辺Ｓ3 に平行であり、前記第３電極パッドは前記第３電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ4 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第３電極パッドの先端は辺Ｓ4 に平行であり、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッド、前記第２電極パッドおよび前記第３電極パッドの前記樹脂から突出した部分の前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の前記所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて前記所定の回路が構成されているモジュール。
【請求項７】
金属基板と、
前記金属基板の一方の主面上に実装された一つまたは複数の半導体パッケージと、
前記一つまたは複数の半導体パッケージ上に所定の回路を構成するように設けられた所定の配線を一方の主面に有する両面プリント配線基板とを有し、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上に３端子半導体素子を構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の上方に引き出された第１電極パッド、第２電極パッドおよび第３電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ1 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第１電極パッドの外側の先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ3 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第２電極パッドの外側の先端は辺Ｓ3 に平行であり、前記第３電極パッドは前記第３電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ4 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第３電極パッドの外側の先端は辺Ｓ4 に平行であり、
前記樹脂の輪郭は、前記半導体チップの側面の前記樹脂の厚さの分だけ前記半導体チップより大きいが、前記半導体チップの外形とほぼ相似になっており、
前記第１電極パッドの前記先端、前記第２電極パッドの前記先端および前記第３電極パッドの前記先端は前記樹脂の輪郭と一致し、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッド、前記第２電極パッドおよび前記第３電極パッドの前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の前記所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて前記所定の回路が構成されているモジュール。
【請求項８】
一つまたは複数のモジュールを有し、
少なくとも一つの前記モジュールは、
金属基板と、
前記金属基板の一方の主面上に実装された一つまたは複数の半導体パッケージと、
前記一つまたは複数の半導体パッケージ上に所定の回路を構成するように設けられた所定の配線を一方の主面に有する両面プリント配線基板とを有し、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上に３端子半導体素子を構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の外部に引き出された第１電極パッド、第２電極パッドおよび第３電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ1 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第１電極パッドの先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ3 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第２電極パッドの先端は辺Ｓ3 に平行であり、前記第３電極パッドは前記第３電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ4 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第３電極パッドの先端は辺Ｓ4 に平行であり、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッド、前記第２電極パッドおよび前記第３電極パッドの前記樹脂から突出した部分の前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の前記所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて前記所定の回路が構成されているモジュール
である電気機器。
【請求項９】
一つまたは複数のモジュールを有し、
少なくとも一つの前記モジュールは、
金属基板と、
前記金属基板の一方の主面上に実装された一つまたは複数の半導体パッケージと、
前記一つまたは複数の半導体パッケージ上に所定の回路を構成するように設けられた所定の配線を一方の主面に有する両面プリント配線基板とを有し、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上に３端子半導体素子を構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の上方に引き出された第１電極パッド、第２電極パッドおよび第３電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ1 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第１電極パッドの外側の先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ3 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第２電極パッドの外側の先端は辺Ｓ3 に平行であり、前記第３電極パッドは前記第３電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ4 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第３電極パッドの外側の先端は辺Ｓ4 に平行であり、
前記樹脂の輪郭は、前記半導体チップの側面の前記樹脂の厚さの分だけ前記半導体チップより大きいが、前記半導体チップの外形とほぼ相似になっており、
前記第１電極パッドの前記先端、前記第２電極パッドの前記先端および前記第３電極パッドの前記先端は前記樹脂の輪郭と一致し、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッド、前記第２電極パッドおよび前記第３電極パッドの前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の前記所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて前記所定の回路が構成されているモジュール
である電気機器。
【請求項１０】
金属基板の一方の主面と両面プリント配線基板の一方の主面との間に設けられて使用される半導体パッケージであって、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上にダイオードを構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極および前記第２電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の外部に引き出された第１電極パッドおよび第２電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ1 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第１電極パッドの先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ3 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第２電極パッドの先端は辺Ｓ3 に平行であり、
前記第１電極および前記第２電極がアノード電極およびカソード電極を構成し、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドがアノード電極パッドおよびカソード電極パッドを構成し、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドの前記樹脂から突出した部分の前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて所定の回路が構成されることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１１】
金属基板の一方の主面と両面プリント配線基板の一方の主面との間に設けられて使用される半導体パッケージであって、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上にダイオードを構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極および前記第２電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の上方に引き出された第１電極パッドおよび第２電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ1 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第１電極パッドの外側の先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ3 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第２電極パッドの外側の先端は辺Ｓ3 に平行であり、
前記樹脂の輪郭は、前記半導体チップの側面の前記樹脂の厚さの分だけ前記半導体チップより大きいが、前記半導体チップの外形とほぼ相似になっており、
前記第１電極パッドの前記先端および前記第２電極パッドの前記先端は前記樹脂の輪郭と一致し、
前記第１電極および前記第２電極がアノード電極およびカソード電極を構成し、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドがアノード電極パッドおよびカソード電極パッドを構成し、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドの前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて所定の回路が構成されることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１２】
金属基板と、
前記金属基板の一方の主面上に実装された一つまたは複数の半導体パッケージと、
前記一つまたは複数の半導体パッケージ上に所定の回路を構成するように設けられた所定の配線を一方の主面に有する両面プリント配線基板とを有し、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上にダイオードを構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極および前記第２電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の外部に引き出された第１電極パッドおよび第２電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ1 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第１電極パッドの先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ3 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第２電極パッドの先端は辺Ｓ3 に平行であり、
前記第１電極および前記第２電極がアノード電極およびカソード電極を構成し、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドがアノード電極パッドおよびカソード電極パッドを構成し、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドの前記樹脂から突出した部分の前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の前記所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて前記所定の回路が構成されているモジュール。
【請求項１３】
金属基板と、
前記金属基板の一方の主面上に実装された一つまたは複数の半導体パッケージと、
前記一つまたは複数の半導体パッケージ上に所定の回路を構成するように設けられた所定の配線を一方の主面に有する両面プリント配線基板とを有し、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上にダイオードを構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極および前記第２電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の上方に引き出された第１電極パッドおよび第２電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ1 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第１電極パッドの外側の先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ3 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第２電極パッドの外側の先端は辺Ｓ3 に平行であり、
前記樹脂の輪郭は、前記半導体チップの側面の前記樹脂の厚さの分だけ前記半導体チップより大きいが、前記半導体チップの外形とほぼ相似になっており、
前記第１電極パッドの前記先端および前記第２電極パッドの前記先端は前記樹脂の輪郭と一致し、
前記第１電極および前記第２電極がアノード電極およびカソード電極を構成し、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドがアノード電極パッドおよびカソード電極パッドを構成し、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドの前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の前記所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて前記所定の回路が構成されているモジュール。
【請求項１４】
一つまたは複数のモジュールを有し、
少なくとも一つの前記モジュールは、
金属基板と、
前記金属基板の一方の主面上に実装された一つまたは複数の半導体パッケージと、
前記一つまたは複数の半導体パッケージ上に所定の回路を構成するように設けられた所定の配線を一方の主面に有する両面プリント配線基板とを有し、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上にダイオードを構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極および前記第２電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の外部に引き出された第１電極パッドおよび第２電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ1 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第１電極パッドの先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記樹脂上を経由して辺Ｓ3 に垂直な方向でかつ前記半導体層および前記サファイア基板に平行な方向に突出し、当該突出した前記第２電極パッドの先端は辺Ｓ3 に平行であり、
前記第１電極および前記第２電極がアノード電極およびカソード電極を構成し、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドがアノード電極パッドおよびカソード電極パッドを構成し、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドの前記樹脂から突出した部分の前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の前記所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて前記所定の回路が構成されているモジュール
である電気機器。
【請求項１５】
一つまたは複数のモジュールを有し、
少なくとも一つの前記モジュールは、
金属基板と、
前記金属基板の一方の主面上に実装された一つまたは複数の半導体パッケージと、
前記一つまたは複数の半導体パッケージ上に所定の回路を構成するように設けられた所定の配線を一方の主面に有する両面プリント配線基板とを有し、
前記半導体パッケージは、
サファイア基板の第１主面上にダイオードを構成する半導体層が設けられ、前記半導体層上に第１電極、第２電極および第３電極が三角形に配置された、長方形の平面形状を有する半導体チップと、
前記第１電極および前記第２電極とそれぞれ接触して電気的に接続され、前記半導体層の上方に引き出された第１電極パッドおよび第２電極パッドと、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、前記半導体層および前記サファイア基板の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂と、
を有し、
前記半導体チップの四つの辺を反時計方向に順にＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 としたとき、前記第１電極は、辺Ｓ1 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ1 、Ｓ2 に近接して設けられており、前記第１電極の長辺の長さは辺Ｓ1 の長さより短く、前記第２電極は、辺Ｓ3 に平行な長辺と辺Ｓ2 に平行な短辺とを有する細長い長方形の形状を有し、辺Ｓ2 、Ｓ3 に近接して設けられており、前記第２電極の長辺の長さは辺Ｓ3 の長さより短く、前記第３電極は、辺Ｓ4 に平行な長辺と辺Ｓ1 に平行な短辺とを有する長方形の形状を有し、前記第１電極と辺Ｓ4 との間の領域において辺Ｓ1 、Ｓ4 に近接して設けられ、
前記第１電極パッドは前記第１電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ1 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第１電極パッドの外側の先端は辺Ｓ1 に平行であり、前記第２電極パッドは前記第２電極から前記半導体層に対して垂直上方に引き出された後、辺Ｓ3 に跨がるように前記半導体層の上方を前記半導体層に平行に延在し、前記第２電極パッドの外側の先端は辺Ｓ3 に平行であり、
前記樹脂の輪郭は、前記半導体チップの側面の前記樹脂の厚さの分だけ前記半導体チップより大きいが、前記半導体チップの外形とほぼ相似になっており、
前記第１電極パッドの前記先端および前記第２電極パッドの前記先端は前記樹脂の輪郭と一致し、
前記第１電極および前記第２電極がアノード電極およびカソード電極を構成し、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドがアノード電極パッドおよびカソード電極パッドを構成し、
前記半導体パッケージは、前記サファイア基板の第２主面を前記金属基板の前記一方の主面に接触させて前記金属基板の前記一方の主面上に実装され、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドの前記サファイア基板と反対側の面が前記両面プリント配線基板の前記一方の主面の前記所定の配線の所定の部位に電気的に接続されて前記所定の回路が構成されているモジュール
である電気機器。