Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月12日(2019.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー素子であって、
‐基板（１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，２１１，２１２，２１３，３１１ａ〜３１１ｍ，４１１，４１２，４１３）と、
‐前記基板上の、少なくとも１つの反射層系を有する積層体（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，２２１，２２２，２２３，３２１ａ〜３２１ｍ，４２１，４２２，４２３）とを備え、
‐前記ミラー素子の曲率は、所定の動作温度に対する所望の意図される曲率に基づいて、前記積層体によってかけられる非消失の曲げ力によって生成され、
‐前記生成された曲率は、少なくとも１０Ｋの温度間隔（ΔＴ）に亘って１０％以下で変動し、
前記ミラー素子は、補償層（２３１，２３２，２３３，３３１ａ，３３１ｂ，・・・）を備え、該補償層は、前記温度間隔（ΔＴ）内で生じる温度変化を伴う、前記積層体（２２１，２２２，２２３，３２１ａ，３２１ｂ・・・）によってかけられる曲げ力の変動を、該曲げ力の前記ミラー素子の曲率への影響に関して、少なくとも部分的に補償するミラー素子。
【請求項２】
請求項１に記載のミラー素子において、前記生成された曲率は、少なくとも１０Ｋの温度間隔（ΔＴ）に亘って、１％以下、特に０．１％以下で変動することを特徴とするミラー素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のミラー素子において、均等層（４４１，４４２，４４３）を備え、該均等層は、該均等層（４４１，４４２，４４３）を備えていない類似の設計と比較して、前記積層体（４２１，４２２，４２３）と前記基板（４１１，４１２，４１３）の間の機械的張力の伝達を低減することを特徴とするミラー素子。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載のミラー素子において、前記基板（１１１，１１２，１１３，１１４，１１５）の平均熱膨張係数は第１の値を有し、前記積層体（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５）の平均熱膨張係数は第２の値を有し、前記第１の値及び前記第２の値は、これら２つの値の内の大きい値に対して、±１０％以内、特に±３％以内、更に±１％以内で対応することを特徴とするミラー素子。
【請求項５】
請求項４に記載のミラー素子において、前記基板（１１２，１１３，１１４，１１５）は少なくとも２つの異なる材料から製造されることを特徴とするミラー素子。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載のミラー素子において、更に張力誘導層（３５１ｂ，３５１ｃ，・・・；４５２，４５３）を備えることを特徴とするミラー素子。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載のミラー素子において、複数のミラー素子から構成されるミラー構成体のミラー素子であることを特徴とするミラー素子。
【請求項８】
請求項７に記載のミラー素子において、相互に独立して傾斜可能であることを特徴とするミラー素子。
【請求項９】
請求項７又は８に記載のミラー素子において、前記ミラー構成体はファセットミラー、特に視野ファセットミラー又は瞳ファセットミラーであることを特徴とするミラー素子。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載のミラー素子において、３０ｎｍ未満、特に１５ｎｍ未満の動作波長用に設計されたものであることを特徴とするミラー素子。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか一項に記載のミラー素子において、マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー素子であることを特徴とするミラー素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の少なくとも１つのミラー素子を備える、マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系、特に照明デバイス又は投影レンズ。
【請求項１３】
照明デバイス及び投影レンズを備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、請求項１２に記載の光学系を備えることを特徴とする投影露光装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月19日(2019.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元シーンにおいてポリライン（ＡＬ）を描画するためのコンピュータ実装方法であって、
ａ）前記三次元シーンにおいて前記ポリラインのセグメント（Ｓ１）を描画するステップであって、前記セグメントは開始点（Ｐ１）と終了点（Ｐ２）とを有する、該描画するステップと、
ｂ）前記三次元シーンにおいて、３つの直交平面（ＰＬＡ、ＰＬＢ、ＰＬＣ）のセットを表すグラフィカルツール（ＰＳＴ）を表示するステップであって、前記平面の１つが前記セグメントに直交する、該表示するステップと、
ｃ）前記平面の１つを選択するステップと、
ｄ）前記ポリライン（Ｓ２）の別のセグメントを描画し、開始点を、ステップａ）において描画された前記セグメントの前記終了点と一致させ、ステップｃ）において選択された前記平面（ＰＬＡ）内に置かせるステップと
を備え、
前記ステップａ）、ｃ）、およびｄ）が、ユーザによって提供された入力コマンドに従って実行されることを特徴とするコンピュータ実装方法。
【請求項２】
前記ステップｄ）が、グリッド（ＧＲ）を備えた前記選択された平面の拡大表現（ＰＬＡ’）を表示するステップであって、その上に前記ポリラインの前記セグメントが描画される、該表示するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項３】
前記グリッドがスナップ点（ＳＰ）を備え、前記セグメントの前記描画において前記ユーザを助けることを特徴とする請求項２に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項４】
前記グリッドは、描画されることになる前記セグメントの前記開始点のまわりに配置されたスナップ点の円形パターンを備えたことを特徴とする請求項３に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項５】
ステップｄ）は、前記ユーザがポインタツール（ＰＴ）を使用することによって前記セグメントの終了点（Ｐ３）を選択し、前記ポインタツールが常にその中にとどまるように、前記表示された拡大表現前記選択された平面を自動的に適合させるステップを備えたことを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載のコンピュータ実装方法。
【請求項６】
前記拡大表現前記選択された平面は、ステップｄ）の完了中またはその後に削除されたことを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載のコンピュータ実装方法。
【請求項７】
前記グラフィカルツールは、ステップｃ）およびｄ）の１つの完了中、その後に削除されたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のコンピュータ実装方法。
【請求項８】
前記ステップｂ）ないしｄ）は、複数回繰り返されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のコンピュータ実装方法。
【請求項９】
前記ステップｂ）は、前記グラフィカルツールを前記セグメントの前記終了点に近接して表示するステップを備えたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１０】
不揮発性コンピュータ可読データ記憶媒体（Ｍ１〜Ｍ４）上に記憶され、コンピュータシステムに請求項１ないし９のいずれかに記載の方法を実行させるコンピュータ実行可能命令を備えたことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１１】
コンピュータシステムに請求項１ないし９のいずれかに記載の方法を実行させるコンピュータ実行可能命令（ＥＸＰ）を含むことを特徴とする不揮発性コンピュータ可読データ記憶媒体（Ｍ１〜Ｍ４）。
【請求項１２】
メモリ（Ｍ１〜Ｍ４）に結合されたプロセッサ（Ｐ）とグラフィカルユーザインタフェース（ＫＢ、ＰＤ、ＤＣ、ＤＹ）とを備え、前記メモリは、コンピュータ支援設計システムに請求項１ないし９のいずれかに記載の方法を実行させるコンピュータ実行可能命令（ＥＸＰ）を記憶したことを特徴とするコンピュータ支援設計システム。
【請求項１３】
メモリ（Ｍ１〜Ｍ４）に結合されたプロセッサ（Ｐ）とグラフィカルユーザインタフェース（ＫＢ、ＰＤ、ＤＣ、ＤＹ）とを備え、前記メモリは、三次元イラストオーサリングシステムに請求項１ないし９のいずれかに記載の方法を実行させるコンピュータ実行可能命令（ＥＸＰ）を記憶したことを特徴とする三次元イラストオーサリングシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月6日(2019.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】入力装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、前記表示部と重なる領域を有するタッチパネルと、を有し、
前記表示部は、ボタンの画像を表示する機能を有し、
前記表示部は、前記ボタンの画像が表示される位置を変更する機能を有する、可撓性を有する入力装置。
【請求項２】
表示部と、前記表示部と重なる領域を有するタッチパネルと、ハプティック素子と、ハプティックコントローラーと、を有し、
前記表示部は、ボタンの画像を表示する機能を有し、
前記表示部は、前記ボタンの画像が表示される位置を変更する機能を有し、
前記ハプティック素子は、ハプティック効果を生じさせる機能を有し、
前記ハプティックコントローラーは、前記ハプティック効果に関する情報を前記ハプティック素子に送信する機能を有する、可撓性を有する入力装置。
【請求項３】
表示部と、前記表示部と重なる領域を有するタッチパネルと、ハプティック素子と、ハプティックコントローラーと、記憶部と、を有し、
前記記憶部は、前記表示部に表示されるボタンの画像の位置に関する情報、または、プリセットたるボタン配置に関する情報を有し、
前記表示部は、前記表示部に表示されるボタンの画像の位置に関する前記情報、または、プリセットたるボタン配置に関する前記情報を用いて、ボタンの画像を表示する機能を有し、
前記表示部は、前記ボタンの画像が表示される位置を変更する機能を有し、
前記ハプティック素子は、ハプティック効果を生じさせる機能を有し、
前記ハプティックコントローラーは、前記ハプティック効果に関する情報を前記ハプティック素子に送信する機能を有する、可撓性を有する入力装置。
【請求項４】
表示部と、前記表示部と重なる領域を有するタッチパネルと、ハプティック素子と、ハプティックコントローラーと、記憶部と、を有し、
前記タッチパネルは、前記タッチパネルに触れた手の大きさを読み取り、前記手の大きさに関する情報を前記記憶部に送信する機能を有し、
前記記憶部は、前記表示部に表示されるボタンの画像の位置に関する情報、または、プリセットたるボタン配置に関する情報を有しており、
前記表示部は、前記表示部に表示されるボタンの画像の位置に関する前記情報、または、プリセットたるボタン配置に関する前記情報を用いて、さらに前記手の大きさに関する情報を用いてボタンの画像を表示する機能を有し、
前記表示部は、前記ボタンの画像が表示される位置を変更する機能を有し、
前記ハプティック素子は、ハプティック効果を生じさせる機能を有し、
前記ハプティックコントローラーは、前記ハプティック効果に関する情報を前記ハプティック素子に送信する機能を有する、可撓性を有する入力装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
ハプティック入力素子を有し、
前記ハプティック入力素子は、振動、温度、または圧力、を検知する機能を有する、可撓性を有する入力装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記表示部は、前記ボタンの画像以外の画像または情報を表示する機能を有する、可撓性を有する入力装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記タッチパネルは、前記表示部の基材の一部を基材として有している、可撓性を有する入力装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記タッチパネルと前記表示部との間に、前記タッチパネルの一部を浮き上がらせる機能を有する素子を有する、可撓性を有する入力装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記表示部は、可撓性を有するＯＬＥＤパネルを有する、可撓性を有する入力装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
可撓性を有する蓄電池を有する、可撓性を有する入力装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記蓄電池は、前記表示部と少なくとも一部が重なる、可撓性を有する入力装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
前記蓄電池は、前記入力装置の縁に搭載されている、可撓性を有する入力装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月6日(2019.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光センサのセットと、
基板と、
を含む光センサデバイスであって、
該基板に配置されたマルチスペクトルフィルタアレイは、
該基板の上に配置された第１の誘電体ミラーと、
該第１の誘電体ミラーの上に配置されたスペーサであって、層のセットを含むスペーサと、
該スペーサの上に配置された第２の誘電体ミラーと、
を含み、
該第２の誘電体ミラーは、センサ素子のセットの２つ以上のセンサ素子と整列している光センサデバイス。
【請求項２】
前記第１の誘電体ミラーは、均一な厚さを有する請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項３】
前記スペーサは、前記第１の誘電体ミラーの上に全面的に配置されている請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項４】
前記第２の誘電体ミラーは、前記センサ素子のセットの大多数と整列している請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項５】
前記第２の誘電体ミラーは、前記センサ素子のセットのすべてを覆っている請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項６】
前記層のセットは、スペーサ層のセットを含み、
該スペーサ層のセットの第１の層は、前記光センサのセットと整列している光チャネルのセットの第１のチャネルに対応し、および第１の厚さに関連付けられ、
該スペーサ層のセットの第２の層は、該光チャネルのセットの第２のチャネルに対応し、および該第１の厚さと異なる第２の厚さに関連付けられている、
請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項７】
前記第１の誘電体ミラーおよび前記第２の誘電体ミラーは、
水素化シリコンベースのミラー、または
二酸化シリコンベースのミラー
のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項８】
前記スペーサは、
酸化物ベースの材料、
窒化物ベースの材料、
ゲルマニウムベースの材料、または
シリコンベースの材料、
のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項９】
マルチスペクトルフィルタアレイの１つ以上の層は、堆積層であって、
該堆積層は、パルスマグネトロンスパッタリングプロセスまたはリフトオフプロセスを使用して前記基板の上に堆積されている請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項１０】
前記基板は、半導体基板またはガラスベースの基板であり、および前記光センサのセットは、
該基板の上に配置されたフォトダイオードアレイ、
該基板の上に配置された電荷結合素子（ＣＣＤ）センサアレイ、または
該基板の上に配置された相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）センサアレイ、
のうちの少なくとも１つを更に含む請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項１１】
前記光センサのセットに向けられた光をフィルタにかけるために前記マルチスペクトルフィルタアレイの上に配置された１つ以上のフィルタ層であって、
該１つ以上のフィルタ層は、
帯域外遮蔽層のセット、
反射防止コーティング層のセット、または
高次抑制層のセット、
のうちの少なくとも１つを含む、１つ以上のフィルタ層を更に含む請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項１２】
前記第１の誘電体ミラーまたは前記第２の誘電体ミラーのうちの少なくとも１つは、４分の１波長スタックミラーである請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項１３】
第１の層に向けられた光の一部を反射するための第１の誘電体ミラーであり、光センサのセットに関連付けられた基板の上に堆積されている第１の層と、
該第１の層の上のみに堆積され、センサ素子のセットに対応するチャネルのセットに関連付けられた第２の層のセットであって、
該チャネルのセットのチャネルは、該光センサのセットの特定の光センサに向けられるべき光の特定の波長に対応する特定の厚さに関連付けられている第２の層のセットと、
第３の層に向けられた光の一部を反射するための第２の誘電体ミラーであり、該第２の層のセットに関連付けられた複数の該センサ素子のセットの上に堆積されている第３の層と、
を含む光フィルタ。
【請求項１４】
前記センサデバイスが光源に露光された場合、前記光センサのセットに向けられた光のスペクトル範囲は、約７００ｎｍから約１１００ｎｍの間である請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項１５】
前記層のセットは、ニオブチタン酸化物ベースの材料を含む請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項１６】
前記層のセットは、チャネルのセットに関連付けられ、
前記チャネルのセットは、不均一なチャネル間隔に関連付けられている請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項１７】
基板に組み込まれた光センサのセットと、
該基板の上に堆積されたマルチスペクトルフィルタアレイと、
を含むシステムであって、
該マルチスペクトルフィルタアレイは、
光源からの光を部分的に反射する第１の誘電体ミラーであって、高屈折率の層および低屈折率の層の第１の４分の１波長スタックを含む第１の誘電体ミラーと、
光源からの光を部分的に反射する第２の誘電体ミラーであって、高屈折率の層および低屈折率の層の第２の４分の１波長スタックを含む第２の誘電体ミラーと、
該第１の誘電体ミラーと該第２の誘電体ミラーとの間に配置された複数の高屈折率のスペーサ層と、
を含むシステム。
【請求項１８】
前記光センサのセットは、スーパーアレイの複数の光センサである請求項１に記載の光センサデバイス。
【請求項１９】
前記高屈折率の層は、水素化シリコン層であり、および前記低屈折率の層は、二酸化シリコン層である請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記高屈折率のスペーサ層は、
水素化シリコン層、
酸化チタン層、
酸化ニオブ層、または
酸化チタン層、
のうちの少なくとも１つである請求項１７に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月3日(2020.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料の動的引張応力／歪応答を測定するための装置であって、
ストライカ棒（１０４）、
ストレッチャ棒（１０６）、
前記ストライカ棒（１０４）を前記ストレッチャ棒（１０６）に向けて駆動するように構成された駆動アセンブリ（１１４）、
試験サンプル（６００、１１００）の第１の部分を受容し、前記試験サンプル（６００、１１００）の前記第１の部分を固定された位置に維持するように構成された、静止被検査物マウント（１３２）、及び
前記ストレッチャ棒（１０６）に取り付けられた可動被検査物マウント（１３４）であって、前記試験サンプル（６００、１１００）の第２の部分を受容し、前記試験サンプル（６００、１１００）の試験又は測定の間に、前記静止被検査物マウント（１３２）から離れる方向に移動するように構成された、可動被検査物マウント（１３４）
を備え、前記ストライカ棒（１０４）が、前記ストレッチャ棒（１０６）と一列に整列するように配置され、前記ストレッチャ棒（１０６）が、前記ストライカ棒（１０４）による前記可動被検査物マウント（１３４）への衝撃により、前記静止被検査物マウント（１３２）から離れる方向に移動するように構成されている、装置。
【請求項２】
前記ストライカ棒（１０４）が、前記ストライカ棒（１０４）による前記可動被検査物マウント（１３４）への前記衝撃からもたらされる、前記ストレッチャ棒（１０６）を通る圧力波を生成するように構成され、
前記圧力波が、前記ストレッチャ棒（１０６）の第１の端部から前記ストレッチャ棒（１０６）の第２の端部へ移動し、前記ストレッチャ棒（１０６）の前記第１の端部に戻るように、前記ストライカ棒（１０４）と前記ストレッチャ棒（１０６）が構成され、
前記ストライカ棒（１０４）の前記ストレッチャ棒（１０６）との物理的な接触の間に、前記圧力波が、前記ストレッチャ棒（１０６）の前記第１の端部から前記ストライカ棒（１０４）の中へ移動するように、前記ストライカ棒（１０４）と前記ストレッチャ棒（１０６）が構成され、及び
前記圧力波が前記ストレッチャ棒（１０６）の前記第１の端部から前記ストライカ棒（１０４）の中へ移動した後で、前記ストライカ棒（１０４）と前記ストレッチャ棒（１０６）が、互いから物理的に分離するように構成され、それによって、前記試験サンプル（６００、１１００）の前記試験又は測定の間に、前記圧力波が前記ストライカ棒（１０４）内に閉じ込められる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ストライカ棒（１０４）が、第１の材料から形成され、
前記ストレッチャ棒（１０６）が、前記第１の材料から形成され、
前記ストライカ棒（１０４）が、第１の長さを有し、
前記ストレッチャ棒（１０６）が、第２の長さを有し、及び
前記第１の長さが、前記第２の長さよりも長い、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ストライカ棒（１０４）が、第１の材料から形成され、
前記ストレッチャ棒（１０６）が、前記第１の材料とは異なる第２の材料から形成され、及び
前記圧力波が前記第２の材料を通るときよりも前記第１の材料を通るときに遅い速度で移動するように、前記第１の材料と前記第２の材料が構成されている、請求項２又は３に記載の装置。
【請求項５】
前記静止被検査物マウント（１３２）を受容する被検査物マウント支持体を更に備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記被検査物マウント支持体が、前記被検査物マウント支持体を通る第１の開孔を備え、前記静止被検査物マウント（１３２）が、前記静止被検査物マウント（１３２）を通る第２の開孔を備え、及び前記ストライカ棒（１０４）が、前記可動被検査物マウント（１３４）に衝撃を与える前に、前記第１の開孔と前記第２の開孔を通って延伸するように構成されている、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記駆動アセンブリ（１１４）が、チャネルアセンブリ内に配置されたばねを備え、及び
前記ばねが、前記ストライカ棒（１０４）を前記ストレッチャ棒（１０６）に向けて駆動するように構成されている、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記静止被検査物マウント（１３２）が、内部に、前記試験サンプル（６００、１１００）の前記第１の部分を受容するように構成された第１の溝を備え、
前記可動被検査物マウント（１３４）が、内部に、前記試験サンプル（６００、１１００）の前記第２の部分を受容するように構成された第２の溝を備え、及び
前記静止被検査物マウント（１３２）と前記可動被検査物マウント（１３４）のうちの少なくとも一方が、内部に、前記試験サンプル（６００、１１００）の前記試験又は測定の間に、前記試験サンプル（６００、１１００）が凹部にまたがるように構成された前記凹部を備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記ストライカ棒（１０４）を準備位置に維持し、前記試験又は測定を開始するために前記ストライカ棒（１０４）を解放するように構成された、解放アセンブリを更に備える、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年11月2日(2020.11.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
別の好ましい実施形態において、相Ｐ１が「術後相Ｐ１」である場合、それは創傷治癒の炎症相および増殖相を含むが、リモデリング相は含まない。この点に関して、術後の創傷治癒は、傷の瞬間に始まり、数か月から数年続き得、炎症相を発端に、それに続く増殖相、順にリモデリング相が続く、複雑な一連の事象を含む。炎症相は、典型的には傷／手術直後に開始して２〜５日続き、止血（血管収縮、血小板凝集、トロンボプラスチンの血塊形成）ならびに炎症（血管拡張およびファゴサイトーシス）を特徴とする。増殖相は、典型的には２日から３週起こり、肉芽形成（繊維芽細胞がコラーゲン床上に広がり、欠損を塞ぎ、新しい毛細管を産生する）、収縮（傷の端が一緒に引き寄せ欠損を減少させる）および上皮形成（湿った表面を横断して、細胞が起源の地点から約３ｃｍ全ての方向に進む）を特徴とする。最後に、リモデリング相が典型的には３週〜２年起こり、傷と瘢痕組織への引っ張り強度を増加させる新しいコラーゲン形成を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月7日(2020.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）２ｗ／ｗ％以上のミノキシジル、
ｂ）グリチルレチン酸及び／又はその塩、パントテニールエチルエーテル、パンテノール、ヒノキチオール、及びジフェンヒドラミン及び／又はその塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の有効成分
ｃ）プロピレングリコール、及び
ｄ）酸
を含有することを特徴とする外用組成物。
【請求項２】
ミノキシジルの濃度が５ｗ／ｗ％以上である請求項１に記載の外用組成物。
【請求項３】
ａ）２ｗ／ｗ％以上のミノキシジル、
ｂ）グリチルレチン酸及び／又はその塩、パントテニールエチルエーテル、パンテノール、ヒノキチオール、ジフェンヒドラミン及び／又はその塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の有効成分、
ｃ）プロピレングリコール、及び
ｄ）酸を混合して混合物を調製する工程と、
前記混合物にｅ）水、ｆ）低級アルコールを加えて全量調製する工程を含むことを特徴と
する外用組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月7日(2020.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）２ｗ／ｗ％以上のミノキシジル、
ｂ）トコフェロール及び／又はその誘導体、
ｃ）プロピレングリコール、
ｄ）３０ｗ／ｗ％以上の低級アルコール、及び
ｅ）酸
を含有することを特徴とする外用組成物。
【請求項２】
ミノキシジルの濃度が５ｗ／ｗ％以上である請求項１に記載の外用組成物。
【請求項３】
ａ）２ｗ／ｗ％以上のミノキシジル、
ｂ）トコフェロール及び／又はその誘導体、
ｃ）プロピレングリコール及び
ｅ）酸を混合して調製する工程と、前記混合物にｆ）水、ｄ）低級アルコールを加えて全
量調製する工程を含むことを特徴とする外用組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月27日(2020.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電圧を生成する電圧生成回路と、
入力データに基づいて前記複数の電圧から電圧選択を行い、選択電圧として第Ｋの電圧と第Ｌの電圧（Ｋ及びＬは互いに異なる１以上の整数）を出力する電圧選択回路と、
前記第Ｋの電圧が入力される第１の演算増幅器と、
前記第Ｌの電圧が入力される第２の演算増幅器と、
を含み、
前記第１、第２の演算増幅器は、チョッパー型の演算増幅器であることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。
【請求項２】
請求項１に記載のＤ／Ａ変換回路において、
前記電圧生成回路と前記電圧選択回路とにより構成される第１のＤ／Ａ変換器と、
第２のＤ／Ａ変換器と、
を含み、
前記第１のＤ／Ａ変換器の前記電圧選択回路は、
前記入力データの上位側ビットに基づいて電圧選択を行い、
前記第２のＤ／Ａ変換器は、
前記第１の演算増幅器の第１の出力電圧と前記第２の演算増幅器の第２の出力電圧の間を電圧分割した複数の電圧を生成する第２の電圧生成回路と、
前記入力データの下位側ビットに基づいて、前記第２の電圧生成回路からの前記複数の電圧から電圧選択を行う第２の電圧選択回路と、
を含むことを特徴とするＤ／Ａ変換回路。
【請求項３】
請求項２に記載のＤ／Ａ変換回路において、
前記第２の電圧選択回路の出力電圧が入力される第３の演算増幅器を含み、
前記第３の演算増幅器は、チョッパー型の演算増幅器であることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のＤ／Ａ変換回路において、
前記電圧生成回路は、
高電位側電源電圧と低電位側電源電圧を抵抗分割する第１のラダー抵抗回路と、
前記高電位側電源電圧と前記低電位側電源電圧を抵抗分割する第２のラダー抵抗回路を含み、
前記電圧選択回路は、
前記第１のラダー抵抗回路の複数の分割電圧から選択された電圧を、前記第Ｋの電圧として前記第１の演算増幅器に出力し、
前記第２のラダー抵抗回路の複数の分割電圧から選択された電圧を、前記第Ｌの電圧として前記第２の演算増幅器に出力することを特徴とするＤ／Ａ変換回路。
【請求項５】
請求項４に記載のＤ／Ａ変換回路において、
前記第１のラダー抵抗回路の第ｓ（ｓは１以上の整数）の分割電圧が、前記第Ｋの電圧として前記第１の演算増幅器に供給される第１の場合において、前記第２のラダー抵抗回路の第ｔ（ｔは１以上の整数）の分割電圧が、前記第Ｌの電圧として前記第２の演算増幅器に供給され、
前記第１の場合に対して前記入力データが切り替わった第２の場合において、前記第１のラダー抵抗回路の第ｓ＋１の分割電圧が、前記第Ｋの電圧として前記第１の演算増幅器に供給され、前記第２のラダー抵抗回路の前記第ｔの分割電圧が、前記第Ｌの電圧として前記第２の演算増幅器に供給され、
前記第１の場合及び前記第２の場合に対して前記入力データが切り替わった第３の場合において、前記第１のラダー抵抗回路の前記第ｓ＋１の分割電圧が、前記第Ｋの電圧として前記第１の演算増幅器に供給され、前記第２のラダー抵抗回路の第ｔ＋１の分割電圧が、前記第Ｌの電圧として前記第２の演算増幅器に供給されることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。
【請求項６】
温度検出データに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、前記発振周波数の周波数制御データを出力する処理回路と、
前記周波数制御データである前記入力データのＤ／Ａ変換を行うと共に、Ｄ／Ａ変換により得られた電圧を平滑化するフィルター回路を有する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のＤ／Ａ変換回路と、
前記Ｄ／Ａ変換回路の出力電圧と振動子を用いて、前記周波数制御データにより設定される前記発振周波数の発振信号を生成する発振回路と、
を含むことを特徴とする回路装置。
【請求項７】
請求項６に記載の回路装置において、
前記Ｄ／Ａ変換回路は、
前記処理回路からｉ＝ｎ＋ｍビットの前記周波数制御データを受けて、前記周波数制御データのｍビットのデータに基づいて前記周波数制御データのｎビットのデータを変調する変調回路を含むことを特徴とする回路装置。
【請求項８】
請求項７に記載の回路装置において、
前記変調回路の変調周波数をｆｍとし、前記チョッパー型の演算増幅器のチョッピング周波数をｆｐとした場合に、ｆｍ＝ｆｐであることを特徴とする回路装置。
【請求項９】
温度検出データに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、前記発振周波数の周波数制御データを出力する処理回路と、
前記周波数制御データである入力データのＤ／Ａ変換を行うと共に、Ｄ／Ａ変換により得られた電圧を平滑化するフィルター回路を有するＤ／Ａ変換回路と、
前記フィルター回路の出力電圧と振動子を用いて、前記周波数制御データにより設定される前記発振周波数の発振信号を生成する発振回路と、
を含み、
前記Ｄ／Ａ変換回路は、
チョッパー型の演算増幅器と、
前記処理回路からｉ＝ｎ＋ｍビットの前記周波数制御データを受けて、前記周波数制御データのｍビットのデータに基づいて前記周波数制御データのｎビットのデータを変調する変調回路と、
を含み、
前記変調回路の変調周波数をｆｍとし、前記チョッパー型の演算増幅器のチョッピング周波数をｆｐとした場合に、ｆｍ＝ｆｐであることを特徴とする回路装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記変調回路の変調周波数をｆｍとし、前記変調回路の変調パターンのうち最も周波数が低い変調パターンの周波数をｆｍｍｉｎ＝ｆｍ／Ｎ（Ｎは２以上の整数）とし、前記フィルター回路のカットオフ周波数をｆｃとした場合に、ｆｃ＜ｆｍｍｉｎであることを特徴とする回路装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の回路装置において、
前記チョッパー型の演算増幅器のチョッピング周波数をｆｐとした場合に、ｆｃ＜ｆｍｍｉｎ＜ｆｐであることを特徴とする回路装置。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれか一項に記載の回路装置と、
前記振動子と、
を含むことを特徴とする発振器。
【請求項１３】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のＤ／Ａ変換回路を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のＤ／Ａ変換回路を含むことを特徴とする移動体。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月27日(2019.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数の光学素子が載置される光学台と、
前記光学素子へ入射する光を供給する光源と、
前記光源と光学台との間に配置され、前記光学台に入射する光の特性を調整するアオリスペーサと、を備え、
前記アオリスペーサにより前記光学台へ入射される光の特性が調整された状態で、前記光学台と前記光源とが直接固定される、
光ピックアップ。
【請求項２】
前記アオリスペーサは、略円筒形状を有し、
前記アオリスペーサの前記円筒形状の中空部分に前記光源の一部が挿入され、
前記略円筒形状を構成する２つの側面の一方の面であって、前記光源と対向する光源側対向面と、
前記略円筒形状を構成する２つの側面の他方の面であって、前記光学台と対向する光学台側対向面と、
前記光源側対向面の一 部が前記光源側に隆起している光源側凸部と、
前記光学台側対向面の一部が前記光学台側に隆起している光学台側凸部と、
を備える請求項１に記載の光ピックアップ。
【請求項３】
前記アオリスペーサの略円筒形状の円筒断面に実質的に平行な面に前記光源側対向面と前記光学台側対向面とを投影した場合に、投影された前記光源側凸部と前記光学台側凸部との位相の位置関係が異なる、
請求項２に記載の光ピックアップ。
【請求項４】
前記投影された前記光源側凸部と前記光学台側凸部との位相の位置が、実質的に直交した位置関係である、
請求項３に記載の光ピックアップ。
【請求項５】
前記アオリスペーサの円筒形状は、前記光源側対向面の開口部の大きさと前記光学台側対向面の開口部の大きさとが異なるものである、
請求項２に記載の光ピックアップ。
【請求項６】
１または複数の光学素子が載置される光学台と、
前記光学素子へ入射する光を供給する光源と、
前記光源と光学台との間に配置され、前記光学台に入射する光の特性を調整するアオリスペーサと、を備え、
前記アオリスペーサは、略円筒形状を有し、
前記アオリスペーサの前記円筒形状の中空部分に前記光源の一部が挿入され、
前記略円筒形状を構成する２つの側面の一方の面であって、
前記光源と対向する光源側対向面と、
前記略円筒形状を構成する２つの側面の他方の面であって、
前記光学台と対向する光学台側対向面と、
前記光源側対向面の一部が前記光源側に隆起している円弧状の光源側凸部と、
前記光学台側対向面の一部が前記光学台側に隆起している光学台側凸部と、を備え、
前記円弧状の光源側凸部の円弧面の中心と、前記光源の発行点とが実質的に一致していることを特徴とする光ピックアップ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月16日(2020.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端子を有し、平面視形状が四角形である回路素子と、
前記回路素子上に配置され、平面視形状が四角形である振動子と、
前記回路素子が配置されており、第２端子を有するベースと、
前記第１端子と前記第２端子とを接続するワイヤーと、を有し、
前記回路素子の平面視で、前記振動子は、その少なくとも１つの辺が前記回路素子の隣り合う２つの辺のそれぞれに対して交差する方向に延在するように、かつ、前記第１端子と重ならないように配置されていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項２】
前記平面視で、
前記振動子の少なくとも１つの角部は、前記回路素子の外側に位置している請求項１に記載の振動デバイス。
【請求項３】
前記平面視で、
前記振動子の少なくとも１つの角部は、前記回路素子の輪郭に接している請求項１に記載の振動デバイス。
【請求項４】
前記平面視で、
前記回路素子の面積をＭ１とし、前記振動子の面積をＭ２としたとき、０．５≦Ｍ２／Ｍ１≦１である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の振動デバイス。
【請求項５】
前記第２端子は、前記平面視で、前記回路素子の周囲に、前記回路素子の４つの辺のそれぞれに沿って複数配置されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の振動デバイス。
【請求項６】
前記振動子は、振動片と、前記振動片を収納している振動片パッケージと、を有している請求項１ないし５のいずれか１項に記載の振動デバイス。
【請求項７】
前記振動片パッケージは、前記回路素子と反対側の面に配置されている第３端子を有している請求項６に記載の振動デバイス。
【請求項８】
前記ベースに配置され、前記回路素子および前記振動子を覆うモールド部を有している請求項１ないし７のいずれか１項に記載の振動デバイス。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の振動デバイスを有することを特徴とする発振器。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の振動デバイスを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の振動デバイスを有することを特徴とする移動体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月16日(2020.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端子を有するベースと、
前記ベースに配置され、第２端子を有する回路素子と、
前記ベースの平面視で、前記第１端子と前記第２端子との間に位置し、振動片および前記振動片を収納する振動片パッケージを備えている振動子と、
前記振動子に配置されている配線部と、
前記第１端子と前記配線部とを電気的に接続する第１ワイヤーと、
前記配線部と前記第２端子とを電気的に接続する第２ワイヤーと、を有することを特徴とする振動デバイス。
【請求項２】
前記振動子は、前記ベースの平面視で、前記回路素子と重ならずに前記ベースに配置されている請求項１に記載の振動デバイス。
【請求項３】
前記振動片パッケージは、前記振動片が配置されている基体と、前記基体との間に前記振動片を収納するように前記基体に接合されている蓋体と、を有し、前記蓋体を前記ベース側に向けて配置され、
前記基体の前記ベース側と反対側の面には、前記振動片と電気的に接続されている第３端子が配置されており、
前記第２端子は、複数配置されており、
前記配線部と電気的に接続されていない前記第２端子と、前記第３端子と、を電気的に接続する第３ワイヤーを有している請求項１または２に記載の振動デバイス。
【請求項４】
前記基体は、基部と、前記基部から立設している枠状の側壁部と、を有し、
前記第３端子と前記第３ワイヤーとの接続部は、前記ベースの平面視で、前記側壁部と重なっている請求項３に記載の振動デバイス。
【請求項５】
前記第３端子は２つ設けられており、
２つの前記第３端子の間に前記面の中心が位置しており、
２つの前記第３端子の間に前記配線部が設けられている請求項３または４に記載の振動デバイス。
【請求項６】
前記配線部は、前記振動片パッケージに配置されている基板と、前記基板に設けられている配線と、を有している請求項１ないし５のいずれか１項に記載の振動デバイス。
【請求項７】
前記第１端子に電源電圧または基準電位が印加される請求項１ないし６のいずれか１項に記載の振動デバイス。
【請求項８】
前記ベースの平面視で、前記ベースは、第１辺、第２辺、第３辺および第４辺を有する四角形状をなし、
前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺および前記第４辺に沿って、前記第１端子を含む複数の端子が配置されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の振動デバイス。
【請求項９】
前記振動子の厚さは、前記回路素子の厚さよりも大きい請求項１ないし８のいずれか１項に記載の振動デバイス。
【請求項１０】
前記ベースに配置され、前記回路素子および前記振動子を覆うモールド部を有している請求項１ないし９のいずれか１項に記載の振動デバイス。
【請求項１１】
第１端子を有するベースと、
前記第１端子と電気的に接続されている第２端子を有する回路素子と、
配線部が配置されている振動子と、を備え、
前記第１端子と前記第２端子とが前記配線部を介して電気的に接続されていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の振動デバイスを有することを特徴とする発振器。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の振動デバイスを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の振動デバイスを有することを特徴とする移動体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月15日(2020.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像光を投射するプロジェクター本体部と、
前記プロジェクター本体部からの画像光の投影領域において、撮像範囲の異なる２組の視差画像を撮像可能とする第１撮像部、第２撮像部、第３撮像部及び第４撮像部を備えるプロジェクターシステム。
【請求項２】
前記第１撮像部は、前記プロジェクター本体部の投射光軸に対して、前記プロジェクター本体部の投射方向に垂直な第１方向に離間した位置に配置され、
前記第２撮像部は、前記投射光軸に対して、前記第１方向と反対の方向である第２方向に離間した位置に配置され、
前記第１撮像部と前記第２撮像部とにおいて、前記プロジェクター本体部からの画像光の投影領域までの距離が異なっており、
前記第１撮像部と前記第２撮像部とは、１組の視差画像を撮像する、請求項１に記載のプロジェクターシステム。
【請求項３】
前記第３撮像部は、前記投射光軸に対して前記第２方向に離間した位置に配置され、
前記第４撮像部は、前記投射光軸に対して前記第１方向に離間した位置に配置され、
前記第３撮像部と前記第４撮像部とにおいて、前記プロジェクター本体部からの画像光の投影領域までの距離が異なっており、
前記第３撮像部と前記第４撮像部とは、前記第１撮像部と前記第２撮像部とによる１組の視差画像とは別の１組の視差画像を撮像する、請求項２に記載のプロジェクターシステム。
【請求項４】
前記第１撮像部および前記第３撮像部は、前記第２撮像部および前記第４撮像部よりも投影領域に近い側に配置されている、請求項３に記載のプロジェクターシステム。
【請求項５】
前記第１撮像部、前記第２撮像部、前記第３撮像部及び前記第４撮像部は、所定角度範囲内のあおり角で傾いており、
前記第１撮像部は、前記第２撮像部よりもあおり角が大きく、
前記第３撮像部は、前記第４撮像部よりもあおり角が大きい、請求項４に記載のプロジェクターシステム。
【請求項６】
前記第１撮像部と前記第３撮像部とにおいて、前記プロジェクター本体部からの画像光の投影領域までの距離が等しい、請求項３〜５のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項７】
前記第２撮像部と前記第４撮像部とにおいて、前記プロジェクター本体部からの画像光の投影領域までの距離が等しい、請求項３〜６に記載のプロジェクターシステム。
【請求項８】
前記第１撮像部、前記第２撮像部、前記第３撮像部及び前記第４撮像部は、前記プロジェクター本体部を収納する筐体の四隅に配置されている、請求項１及び２のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項９】
前記第１撮像部及び前記第２撮像部は、前記プロジェクター本体部を収納する筐体の四隅の対角位置に配置され、
前記第３撮像部及び前記第４撮像部は、前記筐体の四隅のうち前記第１撮像部及び前記第２撮像部とは別の対角位置に配置されている、請求項３に記載のプロジェクターシステム。
【請求項１０】
前記第１撮像部及び前記第２撮像部は、前記プロジェクター本体部からの画像光の投影領域のうち少なくとも半分の領域について撮像し、
前記第３撮像部及び前記第４撮像部は、前記プロジェクター本体部からの画像光の投影領域のうち前記第１撮像部及び前記第２撮像部において撮像されない残りの領域を含む少なくとも半分の領域について撮像する、請求項３〜９のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項１１】
前記第１撮像部及び前記第２撮像部は、画像光の投影領域のうち、前記第１方向と前記第２方向とのうちの一方向側の端の領域を含む少なくとも半分の領域を撮像し、
前記第３撮像部及び前記第４撮像部は、画像光の投影領域のうち、前記第１方向と前記第２方向とのうちの他方向側の端の領域を含む少なくとも半分の領域を撮像する、請求項３〜９のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項１２】
プロジェクター本体部は、画像光を斜方投射する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項１３】
前記第１撮像部、前記第２撮像部、前記第３撮像部及び前記第４撮像部は、前記プロジェクター本体部からの画像光の投影領域について撮像する範囲に対応してそれぞれ傾いている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項１４】
前記第１撮像部、前記第２撮像部、前記第３撮像部及び前記第４撮像部は、前記プロジェクター本体部からの画像光の投影領域を含む撮像領域を撮像して前記撮像領域に存する指示体を検出可能にする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項１５】
前記第１撮像部、前記第２撮像部、前記第３撮像部及び前記第４撮像部で取得した画像光の情報に基づく画像投射位置と、前記第１撮像部、前記第２撮像部、前記第３撮像部および前記第４撮像部により検出された指示体の位置とを特定し、特定された指示体の位置の情報を反映した画像投射を行う、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項１６】
前記第１撮像部及び前記第２撮像部は、第１視差画像を撮像し、
前記第３撮像部及び前記第４撮像部は、第２視差画像を撮像し、
前記第１視差画像の撮像範囲は、前記第２視差画像の撮像範囲と部分的に重なる、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年6月23日(2020.6.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
用語“リスク”とは、何らかの危険な事象が将来発生する確率に、当該危険な事象が実際に起こったときの影響の重大さ（ｓｅｖｅｒｉｔｙ）を乗じたものをいう。そのような危険な事象は、例えば、自車両と他の車両（対象車両）又は擬似交通実体との衝突であり得る。上記重大さは、例えば、衝突しようとする自車両と、対象車両又は仮定の交通シーン実体と、の間の衝突時における相対衝突速度、車両質量、衝突方向、衝撃ポイント、等々を含み得る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
算出されたリスク尺度は、ステップＳ７において評価される。次に、評価されたリスク尺度に基づいて、自車両についての制御動作が実行される。リスク尺度は、将来において発生し得る自車両と擬似交通実体との間の擬似衝突又は擬似距離などの危険事象（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｅｖｅｎｔ）の確率に、その危険事象が実際に発生したときの結果の重大さ（ｓｅｖｅｒｉｔｙ）を乗じたものに相当する。上記結果の重大さは、例えば、衝突しようとする自車両と他車両又は仮定の交通シーン実体との間の衝突時の相対衝突速度、車両質量、衝突方向、衝撃ポイントを含み得る。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月13日(2019.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板に溝及び凸部を形成する工程と、
加熱処理して凸部をすべてシリコン酸化膜にする加熱酸化工程と、
シリコン酸化膜を帯電させる帯電工程と、を備えている
ことを特徴とする静電誘導装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン酸化膜を厚さ方向に除去し、部分的に前記シリコン基板を露出させる工程を備えている
ことを特徴とする請求項１に記載の静電誘導装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記溝は、
第１の幅を有する複数の第１の溝と、
前記第１の幅より広い第２の幅を有する複数の第２の溝を備え、
前記第２の溝に形成される前記シリコン酸化膜を、厚さ方向に完全に除去し、
前記第２の溝において、前記シリコン基板を露出させ、
前記第１の溝の前記シリコン酸化膜を、互いに独立した極形状とした
ことを特徴とする請求項２に記載の静電誘導装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１の溝の深さと前記第２の溝の深さは、同じである
ことを特徴とする請求項３に記載の静電誘導装置用基板の製造方法。
【請求項５】
互いに独立した極形状とした前記シリコン酸化膜を帯電させた
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の製造方法で製造された静電誘導装置用基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】静電誘導装置用基板の製造方法及び静電誘導装置用基板
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、静電誘導作用を利用して電気機械変換を行う静電誘導装置に用いる基板の製造方法及び静電誘導装置用基板に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
シリコン酸化膜を厚さ方向に除去し、部分的に前記シリコン基板を露出させる工程を備えることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
溝は、第１の幅を有する複数の第１の溝と、
第１の幅より広い第２の幅を有する複数の第２の溝と備え、
第２の溝に形成されるシリコン酸化膜を厚さ方向に完全に除去し、
第２の溝において、シリコン基板を露出させ、
第１の溝の前記シリコン酸化膜を、互いに独立した極形状とすることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１の溝の深さと第２の溝の深さは、同じであることが好ましい。
また、本発明の静電誘導装置用基板は、互いに独立した極形状であるシリコン酸化膜を帯電させることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月13日(2020.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
半導体基板と、前記半導体基板に形成されたディープＰウェルと、前記ディープＰウェルに形成されたＮウェル及びＰウェルと、前記半導体基板の表面部に形成された半導体層と、前記半導体層と前記ディープＰウェルとの間に形成され、前記半導体層と前記ディープＰウェルとを電気的に分離する埋め込み絶縁層とを含み、前記Ｎウェルと前記Ｐウェルとの間にｐｎ接合が形成され、前記半導体層の前記Ｎウェルに対向する位置にＰＭＯＳトランジスタが形成され、前記半導体層の前記Ｐウェルに対向する位置にＮＭＯＳトランジスタが形成された半導体装置の動作調整方法であって、
（ａ）ソース−ゲート間電圧が０Ｖである場合の前記ＰＭＯＳトランジスタのドレイン電流−基板バイアス電圧特性を得るステップと、
（ｂ）前記ドレイン電流−基板バイアス電圧特性から、前記ＰＭＯＳトランジスタがオンになる最高の基板バイアス電圧である最高基板バイアス電圧を得るステップと、
（ｃ）前記ＮＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧の下限値を、前記最高基板バイアス電圧に前記ｐｎ接合のビルトインポテンシャルを加えた電圧として決定するステップと、
（ｄ）前記ＮＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧を、負電圧であり、且つ、前記下限値よりも高い電圧に決定するステップ
とを具備する
半導体装置の動作調整方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の観点では、半導体基板（４１）と、半導体基板（４１）に形成されたディープＰウェル（４２）と、ディープＰウェル（４２）に形成されたＮウェル（１３）及びＰウェル（１４）と、半導体基板（４１）の表面部に形成された半導体層（１５）と、半導体層（１５）とディープＰウェル（４２）との間に形成され、半導体層（１５）とディープＰウェル（４２）とを電気的に分離する埋め込み絶縁層（１６）とを含み、Ｎウェル（１３）とＰウェル（１４）との間にｐｎ接合が形成され、半導体層（１５）のＮウェル（１３）に対向する位置にＰＭＯＳトランジスタ（１７）が形成され、半導体層（１５）のＰウェル（１４）に対向する位置にＮＭＯＳトランジスタ（１８）が形成された半導体装置の動作調整方法が提供される。当該動作調整方法は、
（ａ）ソース−ゲート間電圧が０Ｖである場合のＰＭＯＳトランジスタ（１７）のドレイン電流−基板バイアス電圧特性を得るステップと、
（ｂ）ドレイン電流−基板バイアス電圧特性から、ＰＭＯＳトランジスタ（１７）がオンになる最高の基板バイアス電圧である最高基板バイアス電圧を得るステップと、
（ｃ）ＮＭＯＳトランジスタ（１８）の基板バイアス電圧の下限値を、最高基板バイアス電圧にｐｎ接合のビルトインポテンシャルを加えた電圧として決定するステップと、
（ｄ）ＮＭＯＳトランジスタ（１８）の基板バイアス電圧を、負電圧であり、且つ、下限値よりも高い電圧に決定するステップとを具備する。