Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月9日(2020.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタートスイッチの操作に基づき、複数種類の当選種別のいずれかを当選種別抽選により決定する当選種別抽選手段と、
前記スタートスイッチの操作に基づき、複数種類の図柄がそれぞれ配列された複数の回転リールを回転制御し、回転している回転リールに対応するストップスイッチの操作に応じ、前記当選種別抽選手段の抽選結果に基づいて、操作された前記ストップスイッチに対応する回転リールをそれぞれ停止制御するリール制御手段と、
前記当選種別抽選で決定した当選種別に含まれる小役の入賞に基づいて、前記小役に対応する遊技価値を払い出す払出制御手段と、
前記遊技価値が払い出される場合、払い出される前記遊技価値の数に相当する値に内部カウンタを更新するとともに、表示カウンタの値が前記内部カウンタの値に到達するまで前記表示カウンタを所定契機で更新し、前記表示カウンタの値を表示部に表示する演出制御手段と、
を備え、
前記演出制御手段は、
所定条件が成立した場合、前記表示カウンタの値を前記内部カウンタの値に更新する遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の遊技機は、タートスイッチの操作に基づき、複数種類の当選種別のいずれかを当選種別抽選により決定する当選種別抽選手段と、前記スタートスイッチの操作に基づき、複数種類の図柄がそれぞれ配列された複数の回転リールを回転制御し、回転している回転リールに対応するストップスイッチの操作に応じ、前記当選種別抽選手段の抽選結果に基づいて、操作された前記ストップスイッチに対応する回転リールをそれぞれ停止制御するリール制御手段と、前記当選種別抽選で決定した当選種別に含まれる小役の入賞に基づいて、前記小役に対応する遊技価値を払い出す払出制御手段と、前記遊技価値が払い出される場合、払い出される前記遊技価値の数に相当する値に内部カウンタを更新するとともに、表示カウンタの値が前記内部カウンタの値に到達するまで前記表示カウンタを所定契機で更新し、前記表示カウンタの値を表示部に表示する演出制御手段と、を備え、前記演出制御手段は、所定条件が成立した場合、前記表示カウンタの値を前記内部カウンタの値に更新する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
そして、演出制御手段３３４は、上方液晶表示部１２４ａに表示する画像を更新するタイミングで（フレーム周期ごとに、所定契機で）、払出枚数表示領域１２４ｃに表示される払出枚数を示す、サブＲＡＭ２０２ｃに設けられた見た目カウンタ（表示カウンタ）の値を、内部カウンタの値に達するまで、１ずつ更新する。そして、演出制御手段３３４は、見た目カウンタの値を払出枚数表示領域１２４ｃに表示する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月10日(2020.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に装飾部材が設けられた遊技機において、
前記装飾部材は、
凹部と、
前記凹部の中央部分に配置され、遊技者の移動に追従しているように視認される被視認部材と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
表面に装飾部材が設けられた遊技機において、
前記装飾部材は、
凹部と、
前記凹部の中央部分に配置された凸形状と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月25日(2020.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
持ち手部材である棒状の第一部材と、
キャラクタを視覚的に表す板状の第二部材と、
を備える表示具であって、
前記第一部材は前記第二部材に回動可能に取り付けられており、前記第一部材と前記第二部材との相対位置がとりうる状態が、第一状態と、該第一状態よりも前記第一部材を把持しにくい第二状態と、を含み、
前記第一部材は、
前記第一状態において前記第二部材から遠位となる遠位端部に、前記表示具を他の物品に取り付けるために用いられる部材を取り付けることができ、かつ、
前記第一状態および前記第二状態の一方から他方になる間に前記遠位端部が前記第二部材と重ならない
ように構成されている
表示具。
【請求項２】
前記第二状態において前記第一部材は前記キャラクタの背面側に位置するよう前記第二部材と重なる
請求項１に記載の表示具。
【請求項３】
前記第一部材と前記第二部材との接続機構は、前記第一部材と前記第二部材との相対運動が可能なように、かつ、直接的な外力が加えられていない場合に前記第一部材と前記第二部材との相対位置が維持されるように、構成される
請求項１または２に記載の表示具。
【請求項４】
前記遠位端部は、Ｌ字形状に形成されている
請求項１から３のいずれか一項に記載の表示具。
【請求項５】
前記遠位端部には、前記表示具を他の物品に取り付けるために用いられる前記部材を通すための孔が設けられている
請求項４に記載の表示具。
【請求項６】
前記第二部材は、前記キャラクタが視認可能な第１面と、その反対側の第２面とを含み、前記第２面において前記第一部材と回動可能に接続されている
請求項１から５のいずれか一項に記載の表示具。
【請求項７】
前記第１面には、フラッシュ撮影の際の反射を抑制するための処理が施されている
請求項６に記載の表示具。
【請求項８】
前記第一状態において前記第二部材は携帯端末により撮像され、
前記第二状態において前記表示具は他の物品に取り付けられる
請求項１から７のいずれか一項に記載の表示具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のある態様は、表示具に関する。この表示具は、持ち手部材である棒状の第一部材と、キャラクタを視覚的に表す板状の第二部材と、を備える表示具であって、前記第一部材は前記第二部材に回動可能に取り付けられており、前記第一部材と前記第二部材との相対位置がとりうる状態が、第一状態と、該第一状態よりも前記第一部材を把持しにくい第二状態と、を含み、前記第一部材は、前記第一状態において前記第二部材から遠位となる遠位端部に、前記表示具を他の物品に取り付けるために用いられる部材を取り付けることができ、かつ、前記第一状態および前記第二状態の一方から他方になる間に前記遠位端部が前記第二部材と重ならないように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月7日(2020.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記回生抵抗は前記放熱面に固定され、
前記第２固定部には固定孔または固定用切欠き部が形成され、前記放熱面には前記固定孔または前記固定用切欠き部と重なる位置にねじ孔が形成され、
前記背面板には、前記ねじ孔と重なる位置に貫通穴が形成されていることを特徴とする請求項６に記載のモータ制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
以下、複数の放熱フィン３０のうち、背面板１２に最も近い放熱フィン３０を第１放熱フィン３０Ａとする。本形態では、６枚の放熱フィン３０を備えており、第１放熱フィン３０Ａから前側（＋Ｚ方向）に向かって順に第２放熱フィン３０Ｂ、第３放熱フィン３０Ｃ、第４放熱フィン３０Ｄ、第５放熱フィン３０Ｅ、第６放熱フィン３０Ｆとする。第１放熱フィン３０Ａは、第２基板５０に搭載された第１発熱体５から最も遠い放熱フィンである。また、第２放熱フィン３０Ｂは、第１発熱体５から２番目に遠い放熱フィンである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
第１放熱フィン３０Ａは、背面板１２に最も近い位置に配置されている。第１放熱フィン３０Ａには、＋Ｘ方向の縁から−Ｘ方向に向かって切り欠いた切欠き３５が形成されている。切欠き３５は、第１放熱フィン３０ＡのＹ方向の略中央に設けられている。切欠き３５には、回生抵抗７が配置されている。回生抵抗７を取り外すと、切欠き３５が形成された範囲では、第１放熱フィン３０Ａの隣に位置する第２放熱フィン３０Ｂの放熱面３４と背面板１２とが所定の隙間をもって対向する。回生抵抗７は、第２放熱フィン３０Ｂの−Ｚ方向を向く放熱面３４と背面板１２との間に配置され、第２放熱フィン３０Ｂの放熱面３４に固定されている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月15日(2020.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上述の図８に示す従動ギア４の自転速度と、従動ギア４の公転による角速度（公転速度）と駆動ギア５の角速度との速度差と、の関係は、後述する制御部１００の記憶部に記憶される。例えば成膜処理や装置のメンテナンスを行う際に、成膜装置１のユーザーは、制御部１００の入力部１０４から従動ギア４の自転速度と、回転テーブル２の回転数とを入力することで、入力されたこれらのパラメータと、記憶部に記憶される上記の関係とに基づいて、駆動ギア５の回転数が決定され、決定された回転数で駆動ギア５を回転させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
また上記の例では、制御部１００の記憶部１０３には、ウエハＷの処理温度と回転テーブル２の回転数と離間距離Ｈ３との対応関係が記憶されているが、ウエハＷの処理温度と離間距離Ｈ３との対応関係、回転テーブル２の回転数と離間距離Ｈ３と対応関係のいずれか一方が記憶されていてもよい。つまり、成膜装置１のユーザーがウエハＷの処理温度及び回転テーブル２の回転数のうちの一方を設定することで、離間距離Ｈ３が設定されてもよい。さらに、処理レシピに応じて離間距離Ｈ３を変更することには限られない。例えば、上記の成膜処理が行われていない待機状態であるときに、上記の離間距離Ｈ３が比較的大きくなる高さ位置に駆動ギア５を位置させておき、成膜処理を行う際には、離間距離Ｈ３が比較的小さくなる予め設定された高さ位置に駆動ギア５を位置させるようにしてもよい。つまり、各成膜処理時において駆動ギア５の高さが揃う場合も本発明の権利範囲に含まれる。ただし、より確実に従動ギア４を回転させ、且つ成膜装置１の各部への負荷を抑制するためには、上記のように処理レシピに応じて駆動ギア５の高さを制御することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月19日(2019.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
絶縁層２は、後述するように、下側絶縁層２ａおよび上側絶縁層２ｂを含む。一次巻線導体２０は、絶縁層２の内部において、中心軸ＣＬを持つ四角形螺旋形状に設けられている。中心軸ＣＬは、半導体基板１の表面１ａと平行な方向に伸びる軸である。二次巻線導体３０は、半導体基板１の平面視において一次巻線導体２０と離間させられている。二次巻線導体３０は、絶縁層２の内部において、一次巻線導体２０と平行な中心軸ＣＬを持つ四角形螺旋形状に設けられている。一次巻線導体２０と二次巻線導体３０は、互いに磁気結合している。一次巻線導体２０と二次巻線導体３０は、導体膜で構成されている。一次巻線導体２０と二次巻線導体３０を構成する導体膜は、真空蒸着膜、化学気相成長膜、およびスパッタ膜の群から選択された一つの導体膜である。一次巻線導体２０と二次巻線導体３０を構成する導体膜は、抵抗の低い導電材料で形成されることが好ましい。このような抵抗の低い導電材料は、金属であってもよいしドーピングされた多結晶Ｓｉなどでもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第一の一次側下部線状導体２１が第一平面方向つまりマイナスｙ方向へ伸びた後に、第一の一次側下部線状導体２１と連結した一次側コンタクトビア２６ａが、上側方向に伸びる。「上側方向」は、下側方向と逆向きであり、すなわちｚ軸方向である。複数の一次側コンタクトビア２６はｚ軸と平行に伸びており、互いに構造上の違いはない。ここでいう「下側方向」と「上側方向」は、三次元四角形螺旋形状を説明するための便宜上の表現である。一次側コンタクトビア２６ａが上側方向へ伸びた後に、一次側コンタクトビア２６ａと連結した一次側上部線状導体２５ｂ１が、第二平面方向に伸びる。実施の形態では、「第二平面方向」は、ｙ方向と平行ではなく、ｙ方向ベクトルとｘ方向ベクトルの合成ベクトルである。よって、一次側上部線状導体２５ｂ１の両端は、互いにｘ方向にずれている。「第二平面方向」は、半導体基板１の表面１ａと平行な方向、つまりｘｙ平面と平行な任意の方向に決めることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
［第二変形例］
図１３は、実施の形態の変形例にかかる半導体装置１０１を示す図である。半導体装置１０１は、半導体基板１と、半導体基板１の表面１ａの第一部分に積層された絶縁層２と、絶縁層２に形成された水平マイクロトランス１０と、半導体基板１の表面１ａの第二部分の上に設けられた低電位側回路９０および高電位側回路９２と、を備えている。図１３に示すように、「第一部分」は半導体基板１の表面１ａにおける中央領域１ａ１であり、「第二部分」は半導体基板１の表面１ａにおける上記第一部分の両脇の領域１ａ２である。低電位側回路９０は、半導体基板１の表面１ａの第二部分の上に設けられた下層配線９３、配線ビア９５および上層配線９４を含む。高電位側回路９２は、半導体基板１の表面１ａの第二部分の上に設けられた下層配線９３、配線ビア９５、および上層配線９４を含む。第二変形例にかかる半導体装置１０１は、一つの半導体基板１に、低電位側回路９０および高電位側回路９２とともに水平マイクロトランス１０を集積している点が、実施の形態にかかる半導体装置１００と相違している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
第一の一次巻線導体１２２ａは、実施の形態における一次巻線導体２０に対応しており、第一の二次巻線導体１３２ａは、実施の形態における二次巻線導体３０に対応している。ただし、第一の一次巻線導体１２２ａおよび第一の二次巻線導体１３２ａは、巻数が３である。他の一次巻線導体１２２ｂ、１２２ｚおよび他の二次巻線導体１３２ｂ、１３２ｚは、半導体基板１の平面視において、第一の一次巻線導体１２２ａおよび第一の二次巻線導体１３２ａと離間させられている。他の一次巻線導体１２２ｂ、１２２ｚおよび他の二次巻線導体１３２ｂ、１３２ｚは、第一の一次巻線導体１２２ａおよび第一の二次巻線導体１３２ａと同様に、絶縁層２の内部において四角形螺旋形状に設けられている。ただし、これらは異なる中心軸を有しており、他の一次巻線導体１２２ｂと他の二次巻線導体１３２ｂとが平行な中心軸ＣＬｂを持ち、他の一次巻線導体１２２ｂと他の二次巻線導体１３２ｂとが平行な中心軸ＣＬｚを持つ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2019110237.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2019110237.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2019110237.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2019110237.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2019110237.tif 000005
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2019110237.tif 000006
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2019110237.tif 000007
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2019110237.tif 000008
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2019110237.tif 000009
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2019110237.tif 000010
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2019110237.tif 000011
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2019110237.tif 000012
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2019110237.tif 000013
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2019110237.tif 000014
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2019110237.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月7日(2020.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１、図２に示すように、上フレーム１４には、Ｚ方向に離間した３箇所にフック１９が形成されている。第１カバー部材２１の上板部２１２は、中央のフック１９が係合する係合穴２１４を備えている。また、第２カバー部材２２の上板部２２２は、中央のフック１９を除く他の２箇所のフック１９が係合する係合穴２２４を備えている。同様のフック機構は、下フレーム１５と、第１カバー部材２１の底板部（図示省略）および第２カバー部材２２の底板部２２３との間にも形成されている。これらのフック機構により、第１カバー部材２１および第２カバー部材２２がフレーム１０に固定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（回生抵抗の取付構造）
図６はフレームに対する回生抵抗およびファンの取付構造の説明図である。図５に示すように、放熱フィン３０は、前後方向Ｚに複数配列されており、上下方向Ｙに延在する。
各放熱フィン３０の下端（−Ｙ方向の端部）は、枠部１６から＋Ｘ方向に突出しており、枠部１６の下端よりも上方に位置する。枠部１６の＋Ｘ方向の側面と各放熱フィン３０の下端面によって、背面板１２の側に向かうに従って高さが増大する凹部３２が構成されている。複数の放熱フィン３０において、隣り合う放熱フィン３０の間には、上下方向Ｙに延在する送風路である第１流路３３が形成されている。本形態では、複数の放熱フィン３０の板厚は同一であり、隣り合う放熱フィン３０の間の第１流路３３の幅も同一である。
各放熱フィン３０は、＋Ｚ方向および−Ｚ方向を向く放熱面３４を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2019110220.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2019110220.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月26日(2020.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力およびＲＦ出力を有するシステムであって、前記システムは、
１つ以上のＲＦ増幅器であって、それぞれは、ＲＦ入力、ＲＦ出力、および電力供給入力を有する、１つ以上のＲＦ増幅器と、
前記１つ以上のＲＦ増幅器のうちの少なくとも１つの前記電力供給入力に電力供給電圧を提供するように結合された電圧制御ユニットであって、前記電圧制御ユニットは、伝送される信号の１つ以上の信号特性に部分的に基づいて、異なるレベルの中から前記電力供給電圧を動的に選択する、電圧制御ユニットと、
前記電圧制御ユニットに結合された前記少なくとも１つのＲＦ増幅器のそれぞれに結合された線形化システムであって、前記線形化システムは、デジタル予歪システムを備え、前記デジタル予歪システムは、レベル間の最後の遷移以降の持続時間によってインデックス化された訓練を行う予歪訓練システムを含み、前記線形化システムは、前記１つ以上のＲＦ増幅器のうちの少なくとも１つへの前記ＲＦ入力を予歪することによって、前記システムの線形性を改善し、前記印加された予歪は、少なくとも部分的に、電力供給レベルの選択によってインデックス化される、システム。
【請求項２】
前記ＲＦ増幅器は、ＲＦ電力増幅器として提供される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ＲＦ増幅器の前記電力供給入力に印加される電圧が、レベルの離散セットの中から選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ＲＦ増幅器の前記電力供給入力に印加される電圧が、第１のセットの動作条件のための電圧レベルの離散セットの中から、および前記第１のセットに含まれない他の動作条件のための連続エンベロープトラッキングを提供する入力から選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記１つ以上のＲＦ増幅器のうちの少なくとも１つの前記電力供給入力の選択における変化による、前記システムの前記ＲＦ出力における外乱は、前記１つ以上のＲＦ増幅器のうちの１つの前記ＲＦ入力を介して導入される信号によって補償される、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記システムは、第１の電力増幅器および第２の電力増幅器を有し、前記第１の電力増幅器の前記電力供給入力選択における変化による、前記システムの前記ＲＦ出力における外乱は、前記第２の電力増幅器の前記ＲＦ入力を介して導入される信号によって補償される、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記補償信号は、前記１つ以上のＲＦ増幅器のうちの１つに対する入力のためのベースバンド信号内における付加的成分として導入される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記補償信号は、前記１つ以上のＲＦ増幅器のうちの１つに対する入力のためのベースバンド信号内におけるデジタルデータに適用される倍数因子として導入される、請求項６に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年6月2日(2020.6.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御するネットワークインフラストラクチャノードを伴わない３ｒｄ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｐａｒｔｎｅｒｓｈｉｐ  Ｐｒｏｊｅｃｔ（３ＧＰＰ）ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）アーキテクチャにおいて、デバイス間の無線リンクを可能にするための方法であって、前記方法では、個々のデバイスが他のデバイスと通信するためにフレーム長におけるタイムスロットを選択し、前記方法は、複数の存在信号を利用し、１つの存在信号は、デバイスのグループの識別に関連する一次同期信号と、ランダムに選択された一時的なデバイス識別子に関連する二次同期信号とを含み、前記方法は、第１のデバイスにおいて、
チャネル上で別のデバイスからの存在信号をリッスンすることと、
別のデバイスからの前記存在信号が検出される場合、
前記存在信号に対する確認応答を伝送することと、
前記存在信号の少なくとも１つのシーケンスを利用することによって、前記第１のデバイスのタイムスロット境界を前記存在信号に関連付けられたタイムスロット境界に整合させることと、
リッスンすることによって、前記第１のデバイスの存在信号を伝送するための空きタイムスロットを選択するモードに切り替えることにより、別のデバイスの存在信号を有しないフレーム期間内で複数の空きタイムスロットを決定することと、前記決定された複数の空きタイムスロットから１つの空きタイムスロットを選択することと、前記選択された空きタイムスロット内の存在信号を伝送することと、確認応答が受信される場合、前記第１のデバイスが前記存在信号を周期的に伝送するための前記タイムスロットを選択することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記存在信号は、Ｚａｄｏｆｆ−Ｃｈｕルートシーケンスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
別のデバイスからの前記存在信号が、所定の数の１つ以上のフレーム期間およびランダムに生成された競合期間内で検出されない場合、
前記第１のデバイスが、タイムスロット境界を開始することであって、前記タイムスロット境界を開始することは、選択された時間スロット内で前記第１のデバイスの第１の存在信号を伝送することを含む、ことと、確認応答が別のデバイスから受信される場合、前記第１のデバイスによって使用される前記タイムスロット境界を確立することと、前記第１のデバイスが前記存在信号を周期的に伝送することであって、前記第１のデバイスが前記存在信号を周期的に伝送することは、前記確立されたタイムスロット境界への整合を可能にする、ことと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
ブロック８２２で、または図９のメッセージ９１０に関する、ＰＳのブロードキャストは、ＰＳＳおよび／またはＳＳＳに加えて、またはそれと同時に、システムフレーム番号（ＳＦＮ）を含んでもよい。ＳＦＮは、ＳＦＮが最初の伝送のために０に設定され得る、経過した発見期間（フレーム）の数を追跡するように、ブロードキャストされてもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８９】
ＴＳ境界を確立した後、ＴＳ境界を確立したデバイスは、全発見期間の最初のＴＳ上でＰＳおよびＳＦＮを周期的にブロードキャストしてもよい。ＳＦＮは、各フレームに１だけインクリメントされてもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月6日(2020.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム二次電池用正極活物質の製造に用いる複合金属水酸化物の製造方法であって、
ニッケル塩溶液、コバルト塩溶液、マンガン塩溶液、錯化剤及びアルカリ金属水酸化物を反応槽に供給する工程を有し、
前記反応槽の温度が４０℃以上８０℃以下であり、
前記反応槽の温度を４０℃以上に保持し、かつ前記アルカリ金属水酸化物の重量に対するニッケル、コバルト、及びマンガンの金属としての重量の比が０．９以上となる条件で各溶液を混合し、撹拌する工程を備える、複合金属水酸化物の製造方法。
【請求項２】
前記反応槽内に酸素含有ガスを導入する、請求項１に記載の複合金属水酸化物の製造方法。
【請求項３】
下記式（Ｉ）で表されるリチウム二次電池用正極活物質の製造方法であって、
請求項１または２に記載の複合金属水酸化物の製造方法により複合金属水酸化物を製造する工程と、
リチウム塩と、前記複合金属水酸化物または前記複合金属水酸化物を酸化物化して得られる複合金属酸化物とを混合し、焼成する工程を備える、リチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
Ｌｉ［Ｌｉｘ（Ｎｉ（１−ｙ−ｚ−ｗ）ＣｏｙＭｎｚＭｗ）１−ｘ］Ｏ２    ・・・（Ｉ）
（式（Ｉ）中、０≦ｘ≦０．２、０＜ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．４、０≦ｗ≦０．１、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｃ、Ｙ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｔａ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、及びＳｎからなる群より選択される１種以上の金属を表す。）
【請求項４】
前記焼成する工程の最高保持温度が７００℃以上１１００℃以下であり、前記最高保持温度に達する加熱工程の昇温速度が１８０℃／ｈｒ以上である、請求項３に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項５】
前記リチウム塩が炭酸リチウム、硝酸リチウム、酢酸リチウム、水酸化リチウム、水酸化リチウム水和物、酸化リチウムのうち何れか一つ、または、二つ以上の混合物である、請求項３または４に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項６】
リチウム複合金属酸化物の一次粒子が複数凝集した二次粒子を含み、
前記二次粒子は、内部に形成された空隙と、前記空隙と前記二次粒子の表面とを接続する貫通孔と、を有し、
以下の（ｉ）〜（ｉｉｉ）をすべて満たし、前記二次粒子のＢＥＴ比表面積が０．８ｍ２／ｇ以上１．２ｍ２／ｇ以下であり、
組成式が下記組成式（Ｉ）で表される、リチウム二次電池用正極活物質。
（ｉ）前記二次粒子の断面において、前記断面の外縁で囲まれる図形の長軸長Ａに対する前記図形の短軸長Ｂの比（Ｂ／Ａ）が０．７５以上１．０以下である。
（ｉｉ）前記図形の面積に対する、前記断面に露出した前記空隙の合計面積の割合が２．０％以上４０％以下である。
（ｉｉｉ）前記断面に露出した前記空隙の合計面積に対する、前記断面に露出した前記空隙のうち前記二次粒子の中心部に存在する空隙の面積の割合が６０％以上９９％以下である。
（ただし、前記長軸長は、前記図形において前記図形の重心位置を通る前記図形の径のうち、最長の径である。）
前記中心部は、前記図形の面積をＳとするとき、前記図形の重心位置を中心とし、以下の式で算出されるｒを半径とする円を想定した時、当該円に囲まれる部分である。
ｒ＝（Ｓ／π）０．５／２
Ｌｉ［Ｌｉｘ（Ｎｉ（１−ｙ−ｚ−ｗ）ＣｏｙＭｎｚＭｗ）１−ｘ］Ｏ２    ・・・（Ｉ）
（式（Ｉ）中、０≦ｘ≦０．２、０＜ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．４、０≦ｗ≦０．１、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｃ、Ｙ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｔａ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、及びＳｎからなる群より選択される１種以上の金属を表す。）
【請求項７】
前記二次粒子の中心部における空隙率が１５％以上５０％以下である、請求項６に記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項８】
前記二次粒子の表面部における空隙率が０．１０％以上１０％以下である、請求項６又は７に記載のリチウム二次電池用正極活物質。（ただし、前記表面部は、前記図形において、前記中心部を除いた部分である。）
【請求項９】
水銀圧入法による細孔分布測定において、細孔半径が３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下に細孔ピークを有する、請求項６〜８のいずれか１項に記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１項に記載のリチウム二次電池用正極活物質を有するリチウム二次電池用正極。
【請求項１１】
請求項１０に記載のリチウム二次電池用正極を有するリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月17日(2020.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極に面する側面および正極に面する側面を有する、電気絶縁性バリア、ならびに
該電気絶縁性バリアの該負極に面する側面に接着された、機能化されたナノカーボン粒子
を備え、
該機能化されたナノカーボン粒子は電気伝導性であり、
樹枝状結晶成長のシーディングのために、該機能化されたナノカーボン粒子が、イオン的に会合した金属カチオンで機能化されている、
バッテリ電池。
【請求項２】
前記機能化されたナノカーボン粒子が、カーボンブラック、グラフェン、グラファイト、ナノグラファイト、アモルファスカーボン、または、カーボンブラック、グラフェン、グラファイト、ナノグラファイト、もしくはアモルファスカーボンを含む組み合わせを含む、請求項1記載のバッテリ電池。
【請求項３】
前記金属カチオンが、スルホネート、カルボキシレート、第三級アミン、ジアゾニウム塩、または、スルホネート、カルボキシレート、第三級アミン、もしくはジアゾニウム塩を含む組み合わせを含む官能基とイオン的に会合している、請求項1記載のバッテリ電池。
【請求項４】
前記電気絶縁性バリアが、金属塩を含有する有機電解質に対して透過性である、請求項1記載のバッテリ電池。
【請求項５】
前記金属カチオンを含む金属が、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、または、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、もしくはマグネシウムを含む組み合わせを含む、請求項4記載のバッテリ電池。
【請求項６】
電解質媒体、
該電解質媒体中の正極、
該電解質媒体中にあり、該正極から間隔がおかれている、リチウム含有負極、
負極に面する側面および正極に面する側面を有し、該リチウム含有負極と該正極の間に配置され、電気絶縁性かつ電解質透過性である、セパレータ、ならびに
該セパレータの該負極に面する側面に作動可能に連結された、機能化された複数のナノカーボン粒子
を備え、
樹枝状結晶成長のシーディングのために、該機能化された複数のナノカーボン粒子が、イオン的に会合した金属カチオンで機能化されており、
該機能化された複数のナノカーボン粒子は電気伝導性である、
バッテリ電池。
【請求項７】
複数の樹枝状結晶が前記リチウム含有負極から前記セパレータに向かって伸び、かつ、複数の樹枝状結晶が、該セパレータの前記負極に面する側面から該リチウム含有負極に向かって伸びる、請求項6記載のバッテリ電池。
【請求項８】
前記リチウム含有負極から伸びる前記複数の樹枝状結晶が、前記電解質媒体中において前記負極に面する側面から伸びる前記複数の樹枝状結晶と一体となり、
前記リチウム含有負極から伸びる前記複数の樹枝状結晶と、前記負極に面する側面から伸びる前記複数の樹枝状結晶との間におよそゼロの電位差を生じる、請求項7記載のバッテリ電池。
【請求項９】
前記リチウム含有負極から伸びる前記複数の樹枝状結晶および前記負極に面する側面から伸びる前記複数の樹枝状結晶が二次リチウム金属層を画定する、請求項8記載のバッテリ電池。
【請求項１０】
コイン型電池である、請求項6記載のバッテリ電池。
【請求項１１】
再充電可能である、請求項6記載のバッテリ電池。
【請求項１２】
対称型である、請求項6記載のバッテリ電池。
【請求項１３】
リチウム、カルシウム、マグネシウム、ナトリウム、カリウム、または、リチウム、カルシウム、マグネシウム、ナトリウム、もしくはカリウムを含む組み合わせを含む金属部分を有する、電極、
電解質透過性膜、
該電極と該電解質透過性膜の間に配置された金属樹枝状結晶シーディング物質、および
該電極から該電解質透過性膜へ向かって伸びる少なくとも1つの樹枝状結晶を含み、
該電極から伸びる該少なくとも1つの樹枝状結晶は、該金属樹枝状結晶シーディング物質から伸びる少なくとも1つの樹枝状結晶と一体となり、
該電極、該電解質透過性膜、および該金属樹枝状結晶シーディング物質が、電解質マトリックス中にあり、
該金属樹枝状結晶シーディング物質が、樹枝状結晶成長のシーディングのためにイオン的に会合した金属カチオンで機能化された、電気伝導性金属で機能化されたカーボンナノ粒子を含む、バッテリ電池。
【請求項１４】
前記金属で機能化されたカーボンナノ粒子における金属が、リチウム、カルシウム、マグネシウム、ナトリウム、カリウム、または、リチウム、カルシウム、マグネシウム、ナトリウム、もしくはカリウムを含む組み合わせを含む、請求項13記載のバッテリ電池。
【請求項１５】
前記電極から伸びる樹枝状結晶、および前記金属樹枝状結晶シーディング物質から伸びる樹枝状結晶が、一体となって二次金属部分を形成する、請求項13記載のバッテリ電池。
【請求項１６】
前記金属樹枝状結晶シーディング物質が、一緒に結合した機能化されたナノカーボン凝集物を含む、請求項13記載のバッテリ電池。
【請求項１７】
前記機能化されたナノカーボン粒子が、凝集物を形成する、請求項1記載のバッテリ電池。
【請求項１８】
前記凝集物が一緒に結合して、多孔性層を形成する、請求項17記載のバッテリ電池。
【請求項１９】
前記機能化されたナノカーボン粒子が、一つ以上の隣接する機能化されたナノカーボン粒子に接触する、請求項1に記載のバッテリ電池。
【請求項２０】
セパレータが電気絶縁性かつ電解質透過性である、請求項1に記載のバッテリ電池。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月10日(2020.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
図１（ａ）、図１（ｂ）及び図５は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。  
図２〜図４は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。  
図２は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図３は、図１（ｂ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。図４は、図１（ｂ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。図１（ａ）、図１（ｂ）及び図５は、図２〜図４の矢印ＡＡから見た平面図である。図１（ａ）及び図５は、一部の要素を省略した平面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第４部分ｐ４は、第２方向Ｄ２に沿う。第４部分ｐ４は、例えば、第２方向Ｄ２に沿って延びる。第３部分ｐ３から第４部分ｐ４への方向は、第２方向Ｄ２と交差する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第１部分ｐ１は、第３部分ｐ３及び第６部分ｐ６と連続する。第３部分ｐ３は、第１部分ｐ１及び第５部分ｐ５と連続する。第５部分ｐ５は、第３部分ｐ３及び第２部分ｐ２と連続する。第４部分ｐ４は、第２部分ｐ２及び第６部分ｐ６と連続する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図４に示すように、第７部分領域ｐｒ７は、第４方向Ｄ４（例えば、Ｚ軸方向）において、第３部分領域ｐｒ３と第６部分領域ｐｒ６との間に位置する。第８部分領域ｐｒ８は、第４方向Ｄ４において、第２部分領域ｐｒ２と第１導電領域ｃｒ１との間に位置する。第９部分領域ｐｒ９は、第７部分領域ｐｒ７と第８部分領域ｐｒ８との間に位置する。第９部分領域ｐｒ９は、第７部分領域ｐｒ７を第８部分領域ｐｒ８と接続する。第９部分領域ｐｒ９は、第８部分領域ｐｒ８と連続している。第９部分領域ｐｒ９は、Ｙ軸方向において、第１導電領域ｃｒ１と第３部分領域ｐｒ３との間に位置する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
第８部分領域ｐｒ８は、第１導電領域ｃｒ１と電気的に接続される。第１０部分領域ｐｒ１０は、第１延在領域ｅｒ１と電気的に接続される。これらの電気的な接続は、例えば、第４半導体領域１４を介して行われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図４に示すように、例えば、第４半導体領域１４は、第１１部分領域ｐｒ１１を含む。第１１部分領域ｐｒ１１は、第４方向Ｄ４（例えば、Ｚ軸方向）において、第８部分領域ｐｒ８（第３半導体領域１３の一部）と、第１導電領域ｃｒ１と、の間に位置する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
例えば、図４に示すように、絶縁部３１の一部は、第４方向Ｄ４において、第１部分領域ｐｒ１と第１部分ｐ１（第１導電部ｃｐ１）との間に設けられる。絶縁部３１の別の一部は、Ｙ軸方向において、第３部分領域ｐｒ３（第１半導体領域１１）と第１部分ｐ１との間に設けられる。絶縁部３１の別の一部は、Ｙ軸方向において、第７部分領域ｐｒ７（第３半導体領域１３）と第１部分ｐ１との間に設けられる。絶縁部３１の別の一部は、Ｙ軸方向において、第６部分領域ｐｒ６（第２半導体領域１２）と第１部分ｐ１との間に設けられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図２及び図３に示すように、第６半導体領域１６及び第７半導体領域１７がさらに設けられても良い。第６半導体領域１６は、第１半導体領域１１と電極５２との間に位置する。第７半導体領域１７は、第５半導体領域１６と電極５２との間に位置する。第６半導体領域１６は、第１導電形（例えば、ｎ−形）である。第７半導体領域１７は、例えば、第１導電形（例えば、ｎ＋形であり、例えば、ｎ＋基板）である。この場合、半導体装置１１０は、例えば、ＭＯＳ型トランジスタとして機能する。第７半導体領域１７は、第２導電形（例えば、ｐ＋形であり、例えばｐ＋基板）でも良い。この場合、半導体装置１１０は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）として機能する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
一方、第２参考例においては、最外周において、ゲートトレンチを囲むように、線状のコンタクトトレンチが設けられる。この線状のコンタクトトレンチは、例えば、図１（ａ）に例示するＹ軸方向に沿って延びる。この線状のコンタクトトレンチは、活性部ＡＰと周辺部ＰＰとを分断する。この第２参考例においては、ゲートトレンチが線状のコンタクトトレンチに囲まれるため、高い耐圧が得られると考えられる。しかしながら、この第２参考例においては、線状のコンタクトトレンチが設けられるため、ゲートトレンチに設けられた第１導電部ｃｐ１（ゲート）の周辺部ＰＰへの接続が困難である。この第２参考例において、第１導電部ｃｐ１の周辺部ＰＰへの接続を行う場合には、線状のコンタクト領域のｐ＋領域（例えば第３半導体領域１３など）への接続場所が遠くなり、スイッチング特性が劣化する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図３に示すように、第１延在領域ｅｒ１は、第１２部分領域ｐｒ１２と接する領域ｅｒｒ１を含む。第１２部分領域ｐｒ１２と接するこの領域ｅｒｒ１と、第１部分ｐ１と、の間の第１方向Ｄ１（例えばＸ軸方向）に沿う距離を距離ｄ１とする。実施形態において、距離ｄ１は、例えば、第１部分長さＬｐ１の１倍以上５倍以下である。これにより、例えば、ゲート電極とソース電極と間の良好な絶縁性を確保することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
図１（ａ）に示すように、第２導電領域ｃｒ２がさらに設けられる。第２導電領域ｃｒ２は、第１導電領域ｃｒ１及び第１延在領域ｅｒ１と電気的に接続される。第２導電領域ｃｒ２は、第１導電層５１の一部である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
図６〜図８は、実施形態に係る別の半導体装置を例示する模式的断面図である。  
図６は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面に対応する断面図である。図７は、図１（ｂ）のＢ１−Ｂ２線断面図に対応する断面図である。図８は、図１（ｂ）のＣ１−Ｃ２線断面に対応する断面図である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
第５半導体領域１５は、第２導電形である。第５半導体領域１５は、例えば、ｐ＋形である。第５半導体領域１５における第２導電形の不純物濃度は、第４半導体領域１４における第２導電形の不純物濃度と実施的に同じでも良い。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月26日(2020.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基礎上に配置された免震装置と、
該免震装置に下端が支持された支持鉄骨と、
前記支持鉄骨に設けられた吊下げバーと、
該支持鉄骨に対して水平方向に揺動可能に、上端が前記吊下げバーに支持されたボイラ本体と、
前記支持鉄骨と前記ボイラ本体とに接続されて、水平方向に作動するダンパと、
を備え、
前記ボイラ本体と前記吊下げバーとで構成される構造の第１の固有周期と、前記免震装置と前記支持鉄骨とで構成される第２の固有周期とは等しくなるように構成され、
前記第１の固有周期及び前記第２の固有周期は、前記ボイラ本体の内部要素の固有周期と合致しないボイラ構造。
【請求項２】
前記ボイラ本体は、第１ばねを介して前記支持鉄骨に吊り下げられた状態で支持されている請求項１に記載のボイラ構造。
【請求項３】
前記第１ばねは、多段式振り子である請求項２に記載のボイラ構造。
【請求項４】
前記支持鉄骨と前記ボイラ本体とに接続されて、水平方向に作動するとともに、前記ダンパと並列に配置される第２ばねが設けられている請求項１乃至３のいずれか１項に記載のボイラ構造。
【請求項５】
前記ボイラ本体には、付加質量が設けられている請求項１乃至４のいずれか１項に記載のボイラ構造。
【請求項６】
前記支持鉄骨と前記ボイラ本体との間には、前記ボイラ本体の水平方向の揺動を規制するストッパーが設けられた請求項１乃至５のいずれか１項に記載のボイラ構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明に係るボイラ構造は、基礎上に配置された免震装置と、該免震装置に下端が支持された支持鉄骨と、前記支持鉄骨に設けられた吊下げバーと、該支持鉄骨に対して水平方向に揺動可能に、上端が前記吊下げバーに支持されたボイラ本体と、前記支持鉄骨と前記ボイラ本体とに接続されて、水平方向に作動するダンパと、を備え、前記ボイラ本体と前記吊下げバーとで構成される構造の第１の固有周期と、前記免震装置と前記支持鉄骨とで構成される第２の固有周期とは等しくなるように構成され、前記第１の固有周期及び前記第２の固有周期は、前記ボイラ本体の内部要素の固有周期と合致しないことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月24日(2020.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の調波成分の各々について、目標声質と、振幅スペクトル包絡と、当該調波成分について指示された調波周波数とに応じて、当該調波成分に対応したピークを含む単位帯域内の振幅の分布である調波振幅分布を特定し、
前記振幅スペクトル包絡と、前記複数の調波成分についてそれぞれ特定された複数の調波振幅分布とから、前記目標声質の音声の周波数スペクトルを生成する
コンピュータにより実現される音声合成方法。
【請求項２】
前記調波振幅分布の特定においては、目標声質と調波周波数と振幅スペクトル包絡とを含む制御データと調波振幅分布との間の関係を学習した第１学習済モデルにより、前記調波振幅分布を特定する
請求項１の音声合成方法。
【請求項３】
前記複数の調波振幅分布を単位期間毎に特定し、
前記制御データは、第１単位期間における各調波成分の調波振幅分布を特定するためのデータであり、前記第１単位期間の直前の第２単位期間において当該調波成分について特定された調波振幅分布を含む
請求項２の音声合成方法。
【請求項４】
前記制御データは、前記複数の調波成分のうち第１調波成分の調波振幅分布を特定するためのデータであり、周波数軸上で前記第１調波成分に隣合う第２調波成分について特定された調波振幅分布を含む
請求項２または請求項３の音声合成方法。
【請求項５】
前記複数の調波振幅分布を単位期間毎に特定し、
前記制御データは、一の単位期間における各調波成分の調波振幅分布を特定するためのデータであり、
前記一の単位期間における当該調波成分の調波周波数と、
前記一の単位期間以外の単位期間における当該調波成分の調波周波数、または、前記一の単位期間の前後における当該調波周波数の変化量とを含む
請求項２の音声合成方法。
【請求項６】
前記複数の調波成分の各々について、前記目標声質と、前記振幅スペクトル包絡と、当該調波成分について指示された調波周波数とに応じて、前記単位帯域内の位相の分布である調波位相分布を特定し、
前記振幅スペクトル包絡および位相スペクトル包絡と、前記複数の調波成分についてそれぞれ特定された複数の調波振幅分布および複数の調波位相分布とから、前記目標声質の音声の周波数スペクトルを生成する
請求項２から請求項５の何れかの音声合成方法。
【請求項７】
前記調波位相分布の特定においては、目標声質と調波周波数と振幅スペクトル包絡とを含む制御データと調波位相分布との間の関係を学習した第２学習済モデルにより、前記調波位相分布を特定する
請求項６の音声合成方法。
【請求項８】
前記調波位相分布の特定においては、目標声質と調波周波数と振幅スペクトル包絡と、前記第１学習済モデルにより特定された調波振幅分布とから、前記第２学習済モデルにより前記調波位相分布を特定する
請求項７の音声合成方法。
【請求項９】
前記位相スペクトル包絡は、前記振幅スペクトル包絡から算定される
請求項６から請求項８の何れかの音声合成方法。
【請求項１０】
前記調波振幅分布の特定においては、前記単位帯域内の振幅の分布を示す形状データを、目標声質と調波周波数と振幅スペクトル包絡とを含む制御データに対応させて記憶する記憶装置から、前記複数の調波成分の各々の制御データに対応する形状データを取得し、当該形状データから前記調波成分の調波振幅分布を特定する
請求項１の音声合成方法。
【請求項１１】
前記調波振幅分布の特定においては、前記記憶装置に記憶された複数の形状データの補間により、前記複数の調波成分の各々について調波振幅分布を特定する
請求項１０の音声合成方法。
【請求項１２】
前記形状データは、前記単位帯域における非調波成分の振幅の分布を表し、
前記調波振幅分布の特定においては、前記複数の調波成分の各々について、前記記憶装置から取得した形状データに、当該調波成分の調波周波数に対応する振幅ピーク成分を付加することで、当該調波成分の調波振幅分布を生成する
請求項１０の音声合成方法。
【請求項１３】
前記調波振幅分布は、各調波成分に対応する代表振幅に対する振幅の相対値の分布である
請求項１から請求項１２の何れかの音声合成方法。
【請求項１４】
プロセッサを具備する音声合成システムであって、
前記プロセッサが、メモリに記憶されたプログラムを実行することにより、
複数の調波成分の各々について、目標声質と、振幅スペクトル包絡と、当該調波成分について指示された調波周波数とに応じて、当該調波成分に対応したピークを含む単位帯域内の振幅の分布である調波振幅分布を特定し、
前記振幅スペクトル包絡と、前記複数の調波成分についてそれぞれ特定された複数の調波振幅分布とから、前記目標声質の音声の周波数スペクトルを生成する
音声合成システム。
【請求項１５】
複数の調波成分の各々について、目標声質と、振幅スペクトル包絡と、当該調波成分について指示された調波周波数とに応じて、当該調波成分に対応したピークを含む単位帯域内の振幅の分布である調波振幅分布を特定する処理と、
前記振幅スペクトル包絡と、前記複数の調波成分についてそれぞれ特定された複数の調波振幅分布とから、前記目標声質の音声の周波数スペクトルを生成する処理と
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】音声合成方法、音声合成システムおよびプログラム
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月22日(2020.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
目標に向けて電波誘導により飛しょうする円筒状の飛しょう体本体と、
前記飛しょう体本体の先端側に固定される柱状の第１の連結部材と、
前記第１の連結部材に設けられ、前記第１の連結部材から径方向外側に伸びる柱状の第２の連結部材と、
前記第２の連結部材が挿入される挿入孔が形成され、前記第２の連結部材と前記第１の連結部材とを介して前記飛しょう体本体の先端側に連結される飛しょう体用レドームと、
を備え、
前記飛しょう体用レドームの内周面と、前記第１の連結部材の前記径方向外側の面との間に隙間が形成されることを特徴とする飛しょう体。
【請求項２】
前記第１の連結部材には、前記飛しょう体本体に向けて挿入されるねじを挿入する貫通孔が形成され、
前記第１の連結部材には、前記第２の連結部材が前記貫通孔を挟み込むように前記飛しょう体本体の軸方向に互いに離れて２つ設けられ、
前記飛しょう体用レドームには、前記挿入孔が前記軸方向に互いに離れて２つ形成されることを特徴とする請求項１に記載の飛しょう体。
【請求項３】
前記第２の連結部材は、円柱状の部材であり、
２つの前記挿入孔の内、一方の前記挿入孔は、前記軸方向の幅が周方向の幅よりも広い楕円形状であることを特徴とする請求項２に記載の飛しょう体。
【請求項４】
前記第１の連結部材と前記飛しょう体本体との間に設けられ、前記第１の連結部材から前記飛しょう体本体へ伝わる熱の伝達量を低減する熱伝達抑制部を備えることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の飛しょう体。
【請求項５】
前記第１の連結部材と一体に設けられ、前記第１の連結部材から前記飛しょう体本体へ伝わる熱の伝達量を低減する熱伝達抑制部を備えることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の飛しょう体。
【請求項６】
前記飛しょう体本体と一体に設けられ、前記第１の連結部材から前記飛しょう体本体へ伝わる熱の伝達量を低減する熱伝達抑制部を備えることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の飛しょう体。
【請求項７】
前記飛しょう体本体の先端側に前記第１の連結部材を固定するねじの先端部がねじ込まれるフローティングナットを備えることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載の飛しょう体。