【手続補正書】
【提出日】令和2年2月6日(2020.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システム内の基板支持体であって、
基板を支持するよう構成された内側部分と、
前記内側部分を囲むエッジリングと、
コントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
（ｉ）前記エッジリングを上げて、前記エッジリングを前記基板と選択的に係合させること、および、（ｉｉ）前記内側部分を下げて、前記エッジリングを前記基板と選択的に係合させること、の内の少なくとも一方を実行し、
前記エッジリングが前記基板に係合したことを示す測定信号に応答して、前記エッジリングが前記基板と係合した時を決定し、
前記エッジリングが前記基板と係合した時の決定に基づいて、前記基板処理システムの少なくとも１つの特性を計算するように構成されている、基板支持体。
【請求項２】
請求項１に記載の基板支持体であって、前記エッジリングが前記基板と係合した時を決定するために、前記コントローラは、更に、前記エッジリングを前記基板と係合させるために前記エッジリングが上げられた量および前記内側部分が下げられた量の少なくとも一方を決定するように構成されている、基板支持体。
【請求項３】
請求項１に記載の基板支持体であって、前記少なくとも１つの特性は、前記エッジリングの寸法である、基板支持体。
【請求項４】
請求項１に記載の基板支持体であって、更に、前記基板を備え、前記基板は、前記基板の縁部から外向きに伸びる少なくとも１つの接触フィンガを備え、前記少なくとも１つの接触フィンガは、前記エッジリングと係合するよう構成されている、基板支持体。
【請求項５】
請求項４に記載の基板支持体であって、前記接触フィンガは、前記エッジリングの内径と係合するよう構成されている、基板支持体。
【請求項６】
請求項１に記載の基板支持体であって、前記エッジリングが前記基板と係合した時を決定するために、前記コントローラは、前記測定信号を用いて、前記基板の表面から反射された信号を監視するように構成されている、基板支持体。
【請求項７】
請求項１に記載の基板支持体であって、前記基板処理システムの前記少なくとも１つの特性を計算するために、前記コントローラは、前記エッジリングを前記基板と係合させるために前記エッジリングが上げられた量および前記内側部分が下げられた量の少なくとも一方を決定するように構成されている、基板支持体。
【請求項８】
請求項１に記載の基板支持体であって、さらに、
前記エッジリングを支持するために配置された複数のピンと、
前記コントローラに応答して、前記複数のピンのそれぞれを選択的に上下させるよう構成された複数のアクチュエータと、
を備える、基板支持体。
【請求項９】
請求項１に記載の基板支持体であって、さらに、
前記コントローラに応答して、前記内側部分を選択的に上下させるよう構成された少なくとも１つのアクチュエータを備える、基板支持体。
【請求項１０】
基板処理システムの特性を決定する方法であって、
基板支持体の内側部分の上にテスト基板を配置する工程であって、前記テスト基板は、前記テスト基板の縁部から外向きに伸びる接触フィンガを備える、工程と、
（ｉ）前記内側部分を囲むエッジリングを上げて、前記エッジリングの内径を前記接触フィンガと係合させること、および、（ｉｉ）前記内側部分を下げて、前記エッジリングの前記内径を前記接触フィンガと係合させること、の内の少なくとも一方を実行する工程と、
前記エッジリングの前記内径が前記基板の前記接触フィンガに係合したことを示す測定信号に応答して、前記エッジリングの前記内径が前記接触フィンガと係合した時を決定する工程と、
前記エッジリングの前記内径が前記接触フィンガと係合した時の決定に基づいて、前記基板処理システムの少なくとも１つの特性を計算する工程と、
を備える、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記エッジリングの前記内径が前記基板と係合した時を決定する工程は、前記エッジリングの前記内径を前記基板と係合させるために前記エッジリングが上げられた量および前記内側部分が下げられた量の少なくとも一方を決定する工程を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、前記少なくとも１つの特性は、前記エッジリングの寸法である、方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の方法であって、前記基板は、前記基板の縁部から外向きに伸びる少なくとも１つの接触フィンガを備え、前記少なくとも１つの接触フィンガは、前記エッジリングと係合するよう構成されている、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記接触フィンガは、前記エッジリングの内径と係合するよう構成されている、方法。
【請求項１５】
請求項１０に記載の方法であって、前記エッジリングが前記基板と係合した時を決定する工程は、前記測定信号を用いて、前記基板の表面から反射された信号を監視する工程を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１０に記載の方法であって、前記基板処理システムの前記少なくとも１つの特性を計算する工程は、前記エッジリングを前記基板と係合させるために前記エッジリングが上げられた量および前記内側部分が下げられた量の少なくとも一方を決定する工程を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１０に記載の方法であって、前記エッジリングを上げる工程は、前記エッジリングを支持するために配置された複数のピンと、前記複数のピンのそれぞれを選択的に上下させるよう構成された複数のアクチュエータとを用いて、前記エッジリングを上げる工程を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１０に記載の方法であって、前記内側部分を下げる工程は、前記内側部分を選択的に上下させるよう構成された少なくとも１つのアクチュエータを用いて、前記内側部分を下げる工程を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。本開示は以下の適用例としても実現できる。
［適用例１］
基板処理システム内の基板支持体であって、
基板を支持するよう構成された内側部分と、
前記内側部分を囲むエッジリングと、
コントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
（ｉ）前記エッジリングを上げて、前記エッジリングを前記基板と選択的に係合させること、および、（ｉｉ）前記内側部分を下げて、前記エッジリングを前記基板と選択的に係合させること、の内の少なくとも一方を実行し、
前記エッジリングが前記基板と係合した時を決定し、
前記エッジリングが前記基板と係合した時の決定に基づいて、前記基板処理システムの少なくとも１つの特性を計算する、基板支持体。
［適用例２］
適用例１に記載の基板支持体であって、前記エッジリングが前記基板と係合した時を決定することは、前記エッジリングを前記基板と係合させるために前記エッジリングが上げられた量および前記内側部分が下げられた量の少なくとも一方を決定することを含む、基板支持体。
［適用例３］
適用例１に記載の基板支持体であって、前記少なくとも１つの特性は、前記エッジリングの寸法である、基板支持体。
［適用例４］
適用例１に記載の基板支持体であって、前記基板は、前記基板の縁部から外向きに伸びる少なくとも１つの接触フィンガを備え、前記少なくとも１つの接触フィンガは、前記エッジリングと係合するよう構成されている、基板支持体。
［適用例５］
適用例４に記載の基板支持体であって、前記接触フィンガは、前記エッジリングの内径と係合するよう構成されている、基板支持体。
［適用例６］
適用例１に記載の基板支持体であって、前記エッジリングが前記基板と係合した時を決定するために、前記コントローラは、前記基板の表面から反射された信号を監視する、基板支持体。
［適用例７］
適用例１に記載の基板支持体であって、前記基板処理システムの前記少なくとも１つの特性を計算するために、前記コントローラは、前記エッジリングを前記基板と係合させるために前記エッジリングが上げられた量および前記内側部分が下げられた量の少なくとも一方を決定する、基板支持体。
［適用例８］
適用例１に記載の基板支持体であって、さらに、
前記エッジリングを支持するために配置された複数のピンと、
前記コントローラに応答して、前記複数のピンのそれぞれを選択的に上下させるよう構成された複数のアクチュエータと、
を備える、基板支持体。
［適用例９］
適用例１に記載の基板支持体であって、さらに、
前記コントローラに応答して、前記内側部分を選択的に上下させるよう構成された少なくとも１つのアクチュエータを備える、基板支持体。
［適用例１０］
基板処理システムの特性を決定する方法であって、
基板支持体の内側部分の上にテスト基板を配置する工程であって、前記テスト基板は、前記テスト基板の縁部から外向きに伸びる接触フィンガを備える、工程と、
（ｉ）前記内側部分を囲むエッジリングを上げて、前記エッジリングの内径を前記接触フィンガと係合させること、および、（ｉｉ）前記内側部分を下げて、前記エッジリングの前記内径を前記接触フィンガと係合させること、の内の少なくとも一方を実行する工程と、
前記エッジリングの前記内径が前記接触フィンガと係合した時を決定する工程と、
前記エッジリングの前記内径が前記接触フィンガと係合した時の決定に基づいて、前記基板処理システムの少なくとも１つの特性を計算する工程と、
を備える、方法。
［適用例１１］
適用例１０に記載の方法であって、前記エッジリングの前記内径が前記基板と係合した時を決定する工程は、前記エッジリングの前記内径を前記基板と係合させるために前記エッジリングが上げられた量および前記内側部分が下げられた量の少なくとも一方を決定する工程を含む、方法。
［適用例１２］
適用例１０に記載の方法であって、前記少なくとも１つの特性は、前記エッジリングの寸法である、方法。
［適用例１３］
適用例１０に記載の方法であって、前記基板は、前記基板の縁部から外向きに伸びる少なくとも１つの接触フィンガを備え、前記少なくとも１つの接触フィンガは、前記エッジリングと係合するよう構成されている、方法。
［適用例１４］
適用例１３に記載の方法であって、前記接触フィンガは、前記エッジリングの内径と係合するよう構成されている、方法。
［適用例１５］
適用例１０に記載の方法であって、前記エッジリングが前記基板と係合した時を決定する工程は、前記基板の表面から反射された信号を監視する工程を含む、方法。
［適用例１６］
適用例１０に記載の方法であって、前記基板処理システムの前記少なくとも１つの特性を計算する工程は、前記エッジリングを前記基板と係合させるために前記エッジリングが上げられた量および前記内側部分が下げられた量の少なくとも一方を決定する工程を含む、方法。
［適用例１７］
適用例１０に記載の方法であって、前記エッジリングを上げる工程は、前記エッジリングを支持するために配置された複数のピンと、前記複数のピンのそれぞれを選択的に上下させるよう構成された複数のアクチュエータとを用いて、前記エッジリングを上げる工程を含む、方法。
［適用例１８］
適用例１０に記載の方法であって、前記内側部分を下げる工程は、前記内側部分を選択的に上下させるよう構成された少なくとも１つのアクチュエータを用いて、前記内側部分を下げる工程を含む、方法。