【手続補正書】
【提出日】令和2年1月27日(2020.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タングステン先端部を有する冷電界エミッタを含む荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から荷電粒子ビームを抽出するように構成された抽出電極アセンブリと、
前記荷電粒子源と磁気コンデンサレンズとの間のビーム制限開孔と、
前記荷電粒子ビームを平行にするように適合され、第１の内側磁極片および第１の外側磁極片を含む前記磁気コンデンサレンズであって、前記荷電粒子源と前記第１の内側磁極片との間の第１の軸方向距離が約２０ｍｍ以下であり、前記第１の軸方向距離が前記荷電粒子源と前記第１の外側磁極片との間の第２の軸方向距離よりも大きい、前記磁気コンデンサレンズと、
前記荷電粒子ビームを１０ｋｅＶ以上のエネルギーに加速するための加速区間であって、前記磁気コンデンサレンズの場が前記加速区間と少なくとも部分的に重なり合う、加速区間と、
第２の内側磁極片および第２の外側磁極片を含む磁気対物レンズであって、前記第２の内側磁極片と試料の表面との間の第３の軸方向距離が約２０ｍｍ以下であり、前記第３の軸方向距離が前記第２の外側磁極片と前記試料の前記表面との間の第４の軸方向距離よりも大きく、前記磁気コンデンサレンズと前記磁気対物レンズとの組合せ作用が前記荷電粒子ビームを前記試料の前記表面上に集束させる、磁気対物レンズと、
前記荷電粒子ビームを１０ｋｅＶ以上の前記エネルギーから２ｋｅＶ以下のランディングエネルギーに減速させるための減速区間であって、前記磁気対物レンズの場が前記減速区間と少なくとも部分的に重なり合う、減速区間と、
を備える、荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
前記第１の内側磁極片が第１の内径を有し、前記第１の内径が前記第１の軸方向距離以上である、請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
前記第２の内側磁極片が第２の内径を有し、前記第２の内径が前記第３の軸方向距離以上である、請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
前記ビーム制限開孔が前記抽出電極アセンブリに含まれている、請求項１から３までのいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】
前記磁気対物レンズが軸方向間隙レンズである、請求項１から４までのいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】
前記荷電粒子源と前記磁気コンデンサレンズの前記第１の内側磁極片との間の前記第１の軸方向距離が約１０ｍｍ以下である、請求項１から５までのいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項７】
前記磁気コンデンサレンズおよび前記磁気対物レンズが前記荷電粒子ビームの軸に沿って互いにほぼ対称に配置されている、請求項１から６までのいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項８】
前記磁気対物レンズの前記第２の内側磁極片と前記試料の前記表面との間の前記第３の軸方向距離が約１０ｍｍ未満である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項９】
前記ビーム制限開孔が、前記荷電粒子ビームを軸方向に前記ビーム制限開孔を通過させて、前記荷電粒子ビームのビーム電流を低減させるように構成されている、請求項１から８までのいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１０】
前記タングステン先端部が（３、１、０）配向を有するタングステン単結晶である、請求項１から９までのいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１１】
前記荷電粒子ビームを前記試料の前記表面を横切って走査するように適合された走査偏向器ユニットであって、前記抽出電極と前記磁気対物レンズとの間に配置され、特に、前記磁気対物レンズの場の近傍に配置されている、走査偏向器ユニット
をさらに備える、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１２】
タングステン先端部を有する冷電界エミッタを用いて荷電粒子ビームを形成する荷電粒子を生成するステップと、
加速区間において前記荷電粒子を加速するステップと、
磁気コンデンサレンズによって前記荷電粒子ビームを平行にするステップと、
前記磁気コンデンサレンズと、内側磁極片および外側磁極片を有する磁気対物レンズとの組合せ作用によって前記荷電粒子ビームを試料の表面上に集束させるステップであって、前記磁気対物レンズの前記内側磁極片と前記試料の前記表面との間の軸方向距離が約２０ｍｍ未満であり、前記軸方向距離が前記外側磁極片と前記試料の前記表面との間のさらなる軸方向距離よりも大きい、ステップと、
減速区間において、前記荷電粒子を前記試料の前記表面のランディングエネルギーに減速させるステップと、
を含む、荷電粒子ビーム装置を動作させる方法。
【請求項１３】
前記磁気対物レンズが軸方向間隙レンズである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記磁気コンデンサレンズの場が前記加速区間と少なくとも部分的に重なり合う、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記磁気対物レンズの場が前記減速区間と少なくとも部分的に重なり合う、請求項１２から１４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記加速区間において、前記荷電粒子が、少なくとも１０ｋｅＶ、特に少なくとも１５ｋｅＶのエネルギーに、特に少なくとも３０ｋｅＶのエネルギーに加速される、請求項１２から１５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記減速区間において、前記荷電粒子が、約３ｋｅＶ以下、特に約１ｋｅＶ以下のランディングエネルギーに減速される、請求項１２から１５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
単結晶先端部を有する冷電界エミッタを含む荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から荷電粒子ビームを抽出するように構成された抽出電極アセンブリと、
前記荷電粒子源と磁気コンデンサレンズとの間のビーム制限開孔と、
前記荷電粒子ビームを平行にするように適合され、第１の内側磁極片および第１の外側磁極片を含む前記磁気コンデンサレンズであって、前記荷電粒子源と前記第１の内側磁極片との間の第１の軸方向距離が約２０ｍｍ以下であり、前記第１の軸方向距離が前記荷電粒子源と前記第１の外側磁極片との間の第２の軸方向距離よりも大きい、前記磁気コンデンサレンズと、
前記荷電粒子ビームを１０ｋｅＶ以上のエネルギーに加速するための加速区間であって、前記磁気コンデンサレンズの場が前記加速区間と少なくとも部分的に重なり合う、加速区間と、
第２の内側磁極片および第２の外側磁極片を含む磁気対物レンズであって、前記第２の内側磁極片と試料の表面との間の第３の軸方向距離が約２０ｍｍ以下であり、前記第３の軸方向距離が前記第２の外側磁極片と前記試料の前記表面との間の第４の軸方向距離よりも大きく、前記磁気コンデンサレンズと前記磁気対物レンズとの組合せ作用が前記荷電粒子ビームを前記試料の前記表面上に集束させる、磁気対物レンズと、
前記荷電粒子ビームを１０ｋｅＶ以上の前記エネルギーから２ｋｅＶ以下のランディングエネルギーに減速させるための減速区間であって、前記磁気対物レンズの場が前記減速区間と少なくとも部分的に重なり合う、減速区間と、
を備える、荷電電子装置。
【請求項１９】
前記第１の内側磁極片が第１の内径を有し、前記第１の内径が前記第１の軸方向距離以上である、請求項１８に記載の荷電電子装置。
【請求項２０】
前記磁気対物レンズが軸方向間隙レンズである、請求項１８または１９に記載の荷電電子装置。