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【手続補正書】
【提出日】令和2年10月29日(2020.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
当たり判定処理で大当たり又は小当たりであるかを判定可能な遊技制御手段と、
演出を制御可能な演出制御手段と、を備え、
前記遊技制御手段は、所定の第１遊技状態と、前記第１遊技状態よりも遊技者に有利な第２遊技状態と、に制御可能な遊技機において、
前記遊技制御手段は、
前記第１遊技状態にて、前記当たり判定処理で小当たりと判定することに基づいて、前記第２遊技状態に移行させることが可能であり、
前記第１遊技状態にて、前記当たり判定処理の結果を示す識別図柄の変動表示の回数が規定回数に達することに基づいて、前記第２遊技状態に移行させることが可能であり、
前記演出制御手段は、
前記当たり判定処理で小当たりと判定されることに基づいて前記第１遊技状態が終了する際に実行する演出と、
前記識別図柄の変動表示の回数が前記規定回数に達することに基づいて前記第１遊技状態が終了する際に実行する演出と、を異ならせることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
当たり判定処理で大当たり又は小当たりであるかを判定可能な遊技制御手段と、
演出を制御可能な演出制御手段と、を備え、
前記遊技制御手段は、所定の第１遊技状態と、前記第１遊技状態よりも遊技者に有利な第２遊技状態と、に制御可能な遊技機において、
前記遊技制御手段は、
前記第１遊技状態にて、前記当たり判定処理で小当たりと判定することに基づいて、前記第２遊技状態に移行させることが可能であり、
前記第１遊技状態にて、前記当たり判定処理の結果を示す識別図柄の変動表示の回数が規定回数に達することに基づいて、前記第２遊技状態に移行させることが可能であり、
前記演出制御手段は、
前記当たり判定処理で小当たりと判定されることに基づいて前記第１遊技状態が終了する際に実行する演出と、
前記識別図柄の変動表示の回数が前記規定回数に達することに基づいて前記第１遊技状態が終了する際に実行する演出と、を同一又は実質的に同一にすることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものである。すなわちその課題とするところは、斬新な期待感を抱かせることが可能な遊技機を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の遊技機は、
当たり判定処理で大当たり又は小当たりであるかを判定可能な遊技制御手段と、
演出を制御可能な演出制御手段と、を備え、
前記遊技制御手段は、所定の第１遊技状態と、前記第１遊技状態よりも遊技者に有利な第２遊技状態と、に制御可能な遊技機において、
前記遊技制御手段は、
前記第１遊技状態にて、前記当たり判定処理で小当たりと判定することに基づいて、前記第２遊技状態に移行させることが可能であり、
前記第１遊技状態にて、前記当たり判定処理の結果を示す識別図柄の変動表示の回数が規定回数に達することに基づいて、前記第２遊技状態に移行させることが可能であり、
前記演出制御手段は、
前記当たり判定処理で小当たりと判定されることに基づいて前記第１遊技状態が終了する際に実行する演出と、
前記識別図柄の変動表示の回数が前記規定回数に達することに基づいて前記第１遊技状態が終了する際に実行する演出と、を異ならせることを特徴とする遊技機である。
また本願発明は、
当たり判定処理で大当たり又は小当たりであるかを判定可能な遊技制御手段と、
演出を制御可能な演出制御手段と、を備え、
前記遊技制御手段は、所定の第１遊技状態と、前記第１遊技状態よりも遊技者に有利な第２遊技状態と、に制御可能な遊技機において、
前記遊技制御手段は、
前記第１遊技状態にて、前記当たり判定処理で小当たりと判定することに基づいて、前記第２遊技状態に移行させることが可能であり、
前記第１遊技状態にて、前記当たり判定処理の結果を示す識別図柄の変動表示の回数が規定回数に達することに基づいて、前記第２遊技状態に移行させることが可能であり、
前記演出制御手段は、
前記当たり判定処理で小当たりと判定されることに基づいて前記第１遊技状態が終了する際に実行する演出と、
前記識別図柄の変動表示の回数が前記規定回数に達することに基づいて前記第１遊技状態が終了する際に実行する演出と、を同一又は実質的に同一にすることを特徴とする遊技機である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の遊技機によれば、斬新な期待感を抱かせることが可能である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月15日(2020.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザにより指定された治療内容を設定する治療内容設定部と、
前記ユーザの身体の部位に接触する複数の電極へ印加されるパルス電圧を制御することにより、前記治療内容に従って前記部位の治療を行なう治療実行部と、
前記治療実行部により前記部位の治療が行なわれる前に、所定の周波数範囲に含まれる第１周波数のパルス電圧を出力する出力制御部とを備え、
前記第１周波数のパルス電圧が出力された場合に、前記治療内容設定部は、ユーザが希望する希望電気刺激強度の入力を受け付け、
前記治療実行部は、前記希望電気刺激強度に対応するパルス電圧を前記所定の周波数範囲において変化させることにより前記部位の治療を実行し、
前記第１周波数は、前記所定の周波数範囲における最大周波数である、電気治療器。
【請求項２】
前記出力制御部は、電気刺激強度を徐々に増大させ、当該電気刺激強度に対応するパルス電圧を前記第１周波数で出力する、請求項１に記載の電気治療器。
【請求項３】
前記出力制御部は、前記希望電気刺激強度に対応するパルス電圧を、前記所定の周波数範囲に含まれる第２周波数で出力し、
前記希望電気刺激強度に対応するパルス電圧が前記第２周波数で出力され、前記希望電気刺激強度を用いた前記部位の治療の実行が前記ユーザにより許可された場合、前記治療実行部は、前記希望電気刺激強度に対応するパルス電圧を前記周波数範囲において変化させることにより前記部位の治療を実行する、請求項１または２に記載の電気治療器。
【請求項４】
前記第２周波数は、２０Ｈｚ〜６０Ｈｚの範囲内の周波数である、請求項３に記載の電気治療器。
【請求項５】
前記治療実行部は、前記所定の周波数範囲における最小周波数から最大周波数へと増加する周波数の方向に掃引し、そして、前記最大周波数から前記最小周波数へと減少する周波数の方向に掃引することにより、前記パルス電圧の周波数を変化させる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気治療器。
【請求項６】
前記電気治療器は、低周波治療器である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気治療器。
【請求項７】
電気治療器の制御方法であって、
ユーザにより指定された治療内容を設定するステップと、
前記ユーザの身体の部位に接触する複数の電極へ印加されるパルス電圧を制御することにより、前記治療内容に従って前記部位の治療を実行するステップと、
前記実行するステップにより前記部位の治療が行なわれる前に、所定の周波数範囲に含まれる第１周波数のパルス電圧を出力するステップとを含み、
前記第１周波数のパルス電圧が出力された場合に、前記設定するステップは、ユーザが希望する希望電気刺激強度の入力を受け付けることを含み、
前記実行するステップは、前記希望電気刺激強度に対応するパルス電圧を前記所定の周波数範囲において変化させることにより前記部位の治療を実行することを含み、
前記第１周波数は、前記所定の周波数範囲における最大周波数である、制御方法。
【請求項８】
端末装置と、
前記端末装置と無線通信可能に構成された電気治療器とを備え、
前記電気治療器は、
ユーザにより指定された治療内容を設定する治療内容設定部と、
前記ユーザの身体の部位に接触する複数の電極へ印加されるパルス電圧を制御することにより、前記治療内容に従って前記部位の治療を行なう治療実行部と、
前記治療実行部により前記部位の治療が行なわれる前に、所定の周波数範囲に含まれる第１周波数のパルス電圧を出力する出力制御部とを含み、
前記第１周波数のパルス電圧が出力された場合に、前記治療内容設定部は、前記端末装置を介してユーザが希望する希望電気刺激強度の入力を受け付け、
前記治療実行部は、前記希望電気刺激強度に対応するパルス電圧を前記所定の周波数範囲において変化させることにより前記部位の治療を実行し、
前記第１周波数は、前記所定の周波数範囲における最大周波数である、治療システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月26日(2020.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が流下可能な遊技領域が形成された遊技盤を備え、前記遊技領域を流下した遊技球が所定の始動口に入球することに基づいて抽選を行い、該抽選の結果に基づいて図柄の変動表示を行い、該図柄の変動表示の結果として当り結果が導出された場合に所定の可変入賞装置を動作させる当り遊技を実行する遊技機において、
所定の設定決定条件の成立に基づいて、前記当り結果が導出される確率に関する設定情報を決定可能な設定情報決定手段と、
所定の設定確認条件の成立に基づいて、前記設定情報決定手段が決定した前記設定情報を所定の表示部に表示可能な設定情報確認手段と、
少なくとも前記設定確認条件が成立して前記設定情報を前記表示部に表示している間、前記当り遊技中の動作を停止する当り中動作停止手段と、を備える
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記した目的を達成するために、請求項１に係る発明においては、
遊技球が流下可能な遊技領域が形成された遊技盤を備え、前記遊技領域を流下した遊技球が所定の始動口に入球することに基づいて抽選を行い、該抽選の結果に基づいて図柄の変動表示を行い、該図柄の変動表示の結果として当り結果が導出された場合に所定の可変入賞装置を動作させる当り遊技を実行する遊技機において、
所定の設定決定条件の成立に基づいて、前記当り結果が導出される確率に関する設定情報を決定可能な設定情報決定手段と、
所定の設定確認条件の成立に基づいて、前記設定情報決定手段が決定した前記設定情報を所定の表示部に表示可能な設定情報確認手段と、
少なくとも前記設定確認条件が成立して前記設定情報を前記表示部に表示している間、前記当り遊技中の動作を停止する当り中動作停止手段と、を備える
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月2日(2020.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が流下可能な遊技領域が形成された遊技盤を備え、前記遊技領域を流下した遊技球が所定の始動口に入球することに基づいて抽選を行い、該抽選の結果に基づいて図柄の変動表示を行い、該図柄の変動表示の結果として当り結果が導出された場合に所定の当り遊技を実行する遊技機において、
所定の不正行為の有無を判定可能な不正判定手段と、
前記不正判定手段による判定結果に基づいて、所定の不正報知を可能な不正報知手段と、
ホール管理者による特定開始操作が行われると、前記不正判定手段による判定が不能な状態とされ、該特定開始操作後にホール管理者による特定終了操作が行われると、前記不正判定手段による判定が可能な状態とされる判定状態変更手段と、を備える
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記した目的を達成するために、請求項１に係る発明においては、
遊技球が流下可能な遊技領域が形成された遊技盤を備え、前記遊技領域を流下した遊技球が所定の始動口に入球することに基づいて抽選を行い、該抽選の結果に基づいて図柄の変動表示を行い、該図柄の変動表示の結果として当り結果が導出された場合に所定の当り遊技を実行する遊技機において、
所定の不正行為の有無を判定可能な不正判定手段と、
前記不正判定手段による判定結果に基づいて、所定の不正報知を可能な不正報知手段と、
ホール管理者による特定開始操作が行われると、前記不正判定手段による判定が不能な状態とされ、該特定開始操作後にホール管理者による特定終了操作が行われると、前記不正判定手段による判定が可能な状態とされる判定状態変更手段と、を備える
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記構成では、ホール管理者による操作に基づいて、不正判定手段による判定が不能な状態と、不正判定手段による判定が可能な状態と、を切り替え可能にすることで、予期しない不正対策機能の作動によって遊技機に対する正当な点検作業等に支障が生ずることを抑制することが可能となる（例えば、段落１０８８〜１１６８の記載を参照）。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月14日(2020.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶手段と計算手段と指示手段とを備えた情報処理システムであって、
前記記憶手段は、所定のルールとユーザの第１の口座に関する情報とを記憶し、
前記計算手段は、前記所定のルールに基づいて、前記第１の口座から、前記ユーザの第２の口座に振り替えるべき振替金額を算出し、
前記指示手段は、前記振替金額に基づいて、前記第１の口座を管理する所定の金融機関装置に所定の資金振替指示情報を送信し、
前記所定のルールとして、第１のルールがユーザにより設定可能であり、前記第１のルールとは異なる第２のルールがユーザにより設定可能であり、
前記第１のルールは、所定の金額と所定の設定金額との差で示される端数金額を前記振替金額として算出するルールである、
情報処理システム。
【請求項２】
前記第２のルールが、ユーザにより設定された所定期間毎に所定の固定金額を前記振替金額として算出するルールである
請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記第２のルールが、キャッシュバックが行われた場合に、その対象額分を前記振替金額として算出するルールである
請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記第２のルールが、ポイント付与が行われた場合に、その対象額分を前記振替金額として算出するルールである
請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記記憶手段が、
前記所定のルールとなる、入力操作に応じて設定された所定の資金計算ルール情報を記憶する資金計算ルール記憶手段と、
前記顧客の資金口座に関する口座情報を記憶する口座情報記憶手段と、からなる
請求項１〜４のいずれか一項に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記計算手段が、
前記資金計算ルール情報に基づいて、前記顧客の資金口座から所定の蓄積口座に振り替えるべき振替資金の振替金額を計算する資金計算手段からなる
請求項５に記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記指示手段が、
前記計算された振替金額に基づいて、前記顧客の資金口座を管理する所定の金融機関装置に所定の資金振替指示情報を送信する資金振替指示手段からなる
請求項５又は６に記載の情報処理システム。
【請求項８】
前記振替金額を含む所定の蓄積資金情報を生成する蓄積資金情報生成手段を備える
請求項５〜７のいずれか一項に記載の情報処理システム。
【請求項９】
前記資金計算ルールとして、
キャッシュバックが行われた場合に、その対象額分を前記振替金額として算出するその他ルールを設定可能である
請求項５〜８のいずれか一項記載の情報処理システム。
【請求項１０】
前記資金計算ルールとして、
ポイント付与が行われた場合に、その対象額分を前記振替金額として算出するその他ルールを設定可能である
請求項５〜９のいずれか一項記載の情報処理システム。
【請求項１１】
前記金融機関装置からの資金振替結果に応じて、振替の成功有無を示す資金振替ステータスを変更する
請求項５〜１０のいずれか一項記載の情報処理システム。
【請求項１２】
情報処理システムを構成するコンピュータを、
記憶手段、計算手段、指示手段、として機能させ、
前記記憶手段に、所定のルールとユーザの第１の口座に関する情報とを記憶させ、
前記計算手段に、前記所定のルールに基づいて、前記第１の口座から、前記ユーザの第２の口座に振り替えるべき振替金額を算出させ、
前記指示手段に、前記振替金額に基づいて、前記第１の口座を管理する所定の金融機関装置に所定の資金振替指示情報を送信させ、
前記所定のルールとして、第１のルールがユーザにより設定可能であり、前記第１のルールとは異なる第２のルールがユーザにより設定可能であり、
前記第１のルールは、所定の金額と所定の設定金額との差で示される端数金額を前記振替金額として算出するルールである、
情報処理プログラム。
【請求項１３】
情報処理システムを構成するコンピュータを用いて、
記憶手順、計算手順、指示手順、を実行し、
前記記憶手順において、所定のルールとユーザの第１の口座に関する情報とを記憶させ、
前記計算手段において、前記所定のルールに基づいて、前記第１の口座から、前記ユーザの第２の口座に振り替えるべき振替金額を算出させ、
前記指示手段において、前記振替金額に基づいて、前記第１の口座を管理する所定の金融機関装置に所定の資金振替指示情報を送信させ、
前記所定のルールとして、第１のルールがユーザにより設定可能であり、前記第１のルールとは異なる第２のルールがユーザにより設定可能であり、
前記第１のルールは、所定の金額と所定の設定金額との差で示される端数金額を前記振替金額として算出するルールである、
情報処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理システム、プログラム及び方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、金融商品への投資・運用等を支援する技術に関し、特に、顧客が金融商品を購入するための資金を貯蓄するのに有効な情報処理システムとなる端数資金振替蓄積システムと、それに用いられるプログラム及び方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の情報処理システムは、記憶手段と計算手段と指示手段とを備えた情報処理システムであって、前記記憶手段は、所定のルールとユーザの第１の口座に関する情報とを記憶し、前記計算手段は、前記所定のルールに基づいて、前記第１の口座から、前記ユーザの第２の口座に振り替えるべき振替金額を算出し、前記指示手段は、前記振替金額に基づいて、前記第１の口座を管理する所定の金融機関装置に所定の資金振替指示情報を送信し、前記所定のルールとして、第１のルールがユーザにより設定可能であり、前記第１のルールとは異なる第２のルールがユーザにより設定可能であり、
前記第１のルールは、所定の金額と所定の設定金額との差で示される端数金額を前記振替金額として算出するルールである、構成としてある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以下、本発明に係る情報処理システムとして、端数資金振替蓄積システムの実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
ここで、以下に示す本発明の端数資金振替蓄積システムは、プログラム（ソフトウェア）の命令によりコンピュータで実行される処理，手段，機能によって実現される。プログラムは、コンピュータの各構成要素に指令を送り、以下に示す本発明に係る所定の処理や機能等を行わせることができる。すなわち、本発明における各処理や手段，機能は、プログラムとコンピュータとが協働した具体的手段によって実現される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月18日(2020.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、表示用ドライバと、を有する表示システムであって、
前記表示パネルは、第１表示領域と、第２表示領域と、を有し、
前記第１表示領域は、前記第２表示領域よりも狭く、
前記表示用ドライバは、第１クロック信号と、第１デジタルデータと、によって、第１アナログデータを生成する機能を有し、
前記表示用ドライバは、第２クロック信号と、第２デジタルデータと、によって、第２アナログデータを生成する機能を有し、
前記第１クロック信号の周波数は、前記第２クロック信号の周波数よりも低く、
前記表示用ドライバは、前記第１表示領域に対して、前記第１アナログデータを送信し、前記第２表示領域に対して、前記第２アナログデータを送信する表示システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記表示パネルは、湾曲した表示面を有し、
前記第１表示領域及び前記第２表示領域は、前記湾曲した表示面に含まれる表示システム。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
撮像センサを有し、
前記撮像センサは、対象物の位置を特定する機能を有し、
前記対象物の位置が第１地点から第２地点に移動したとき、前記第１表示領域及び前記第２表示領域の割合を変更する機能を有する表示システム。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記表示用ドライバは、シフトレジスタと、デジタルアナログ変換回路と、を有し、
前記シフトレジスタには、前記第１クロック信号、前記第２クロック信号のいずれか一が入力され、
前記デジタルアナログ変換回路には、前記第１デジタルデータ、前記第２デジタルデータのいずれか一が入力される表示システム。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
発振回路を有し、
前記発振回路は、前記表示用ドライバと電気的に接続され、
前記発振回路は、インバータと、回路と、を有し、
前記回路は、第１端子と、第２端子と、を有し、
前記第１端子は、前記インバータの出力端子と電気的に接続され、
前記回路は、前記第１端子と前記第２端子との間の抵抗値を可変する機能を有し、
前記発振回路は、
前記抵抗値を可変する機能によって、前記回路の前記第１端子と前記第２端子との間の抵抗値を第１抵抗値としたとき、前記第１抵抗値に対応した前記第１クロック信号を生成して、前記表示用ドライバに前記第１クロック信号を供給する機能と、
前記抵抗値を可変する機能によって、前記回路の前記第１端子と前記第２端子との間の抵抗値を第２抵抗値としたとき、前記第２抵抗値に対応した前記第２クロック信号を生成して、前記表示用ドライバに前記第２クロック信号を供給する機能と、を有し、
前記第１抵抗値は、前記第２抵抗値よりも高い表示システム。
【請求項６】
請求項５において、
前記回路は、データ保持回路を有し、
前記データ保持回路は、第３端子と、第４端子と、を有し、
前記第３端子は、前記第１端子と電気的に接続され、
前記第４端子は、前記第２端子と電気的に接続され、
前記データ保持回路は、データを格納する機能を有し、
前記データ保持回路は、前記第３端子と前記第４端子との間を非導通にするか、前記第３端子と前記第４端子との間の抵抗値を前記データに基づいた値にするか、を選択する機能を有する表示システム。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記表示パネルは、トランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続される表示素子と、を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する表示システム。
【請求項８】
請求項７において、
前記表示素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である表示システム。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の表示システムを有する移動体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月23日(2020.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料位置での試料から回折されるＸ線エネルギーを検出するために用いられるＸ線回折法システムにおける二次元検出器の空間的向きを決定する方法であって、
前記試料位置に多結晶材料を配置するステップと、
回折されたＸ線エネルギーがそれから出力されるように、Ｘ線ビームを前記多結晶材料に向かって導くステップと、
前記Ｘ線ビームの方向と検出器の検出面の中心から前記試料までの直線との間で定義される第１のスイング角において位置決めされた前記検出器を用いて、前記回折されたＸ線エネルギーによって形成される第１の回折パターンを検出するステップと、
前記第１のスイング角とは異なる第２のスイング角に位置決めされた前記検出器を用いて、前記回折されたＸ線エネルギーによって形成される第２の回折パターンを検出するステップと、
前記検出面上の前記第１及び第２の回折パターンの前記検出された位置を比較し、それに応答して前記空間的向きを決定するステップであって、前記第１及び第２の回折パターンの間の交差の点を特定し、それらの交点の相対位置を、既知の検出器の向きに対応する予想される相対位置と比較することを含む、該ステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１及び第２のスイング角とは異なるスイング角において位置決めされた前記検出器を用いて、前記回折されたＸ線エネルギーによって形成される少なくとも１つの追加の回折パターンを検出し、前記検出面上の前記回折パターンの前記検出された位置を比較し、それに応答して前記空間的向きを決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記検出器の前記空間的向きを決定するステップは、前記試料の中心と前記検出器の検出面の中心との間の軸の周りの、前記検出器の回転方向の向きを決定するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記検出器の前記空間的向きを決定するステップは、前記検出器の検出面の平面内の軸の周りの、前記検出器の回転方向の向きを決定するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記軸は第１の軸であり、前記検出器の前記空間的向きを決定するステップは、前記第１の軸に垂直な前記検出器の検出面の平面内の第２の軸の周りの、前記検出器の回転方向の向きを決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記検出器の前記空間的向きを決定した後に、それに対して較正プロセスの一部として必要な調整を行うステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記検出器の前記空間的向きを決定した後に、所望の向きからの前記空間的向きの偏差を補正するように、後続の回折法測定を補償するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
試料位置での試料から回折されるＸ線エネルギーを検出するために用いられるＸ線回折法システムにおける二次元検出器の空間的向きを較正する方法であって、
試料位置に多結晶材料を配置するステップと、
回折されたＸ線エネルギーがそれから出力されるように、Ｘ線ビームを前記多結晶材料に向かって導くステップと、
前記Ｘ線ビームの方向と検出器の検出面の中心から前記試料までの直線との間で定義される複数の異なるスイング角において位置決めされた前記検出器を用いて、前記回折されたＸ線エネルギーによって形成される複数の回折パターンを検出するステップと、
前記検出面上の前記回折パターンの前記検出された位置を比較し、それに応答して前記空間的向きを決定するステップであって、前記回折パターンの間の交差の点を特定し、それらの交点の相対位置を、既知の検出器の向きに対応する予想される相対位置と比較することを含む、該ステップと、
前記検出器を較正された位置に向け直すように、前記回折パターンの相対位置に基づいて、前記検出器の前記向きを調整するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記検出器の前記空間的向きを較正するステップは、前記試料の中心と前記検出器の検出面の中心との間の軸の周りの、前記検出器の回転方向の向きを調整するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記検出器の前記空間的向きを較正するステップは、前記検出器の検出面の平面内の軸の周りの、前記検出器の回転方向の向きを調整するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記軸は第１の軸であり、前記検出器の前記空間的向きを調整するステップは、前記第１の軸に垂直な前記検出器の検出面の平面内の第２の軸の周りの、前記検出器の回転方向の向きを調整するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
試料位置での試料から回折されるＸ線エネルギーを検出するために用いられる、二次元検出器を有するＸ線回折法システムにおいて、検出器の検出面の中心と、前記試料位置の中心との間のロール軸の周りの前記検出器の角度配向を決定する方法であって、
前記試料位置に多結晶材料を配置するステップと、
前記回折されたＸ線エネルギーがそれから出力されるように、Ｘ線ビームを第１の方向に沿って、前記多結晶材料に向かって導くステップと、
前記ロール軸が、前記第１の方向に実質的に垂直となるように、前記検出器を位置決めするステップと、
前記検出面の前記中心の極めて近傍にある、前記回折されたＸ線エネルギーによって形成される回折パターンの実質的に線形な部分を検出し、前記検出器の画素アレイに対する前記線形な部分の向きを識別するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記検出器の前記角度配向を決定した後に、それに対して較正プロセスの一部として必要な調整を行うステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記検出器の前記角度配向を決定した後に、所望の向きからの前記角度配向の偏差を補正するように、後続の回折法測定を補償するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月18日(2020.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置のチャンバをクリーニングする方法であって、
前記チャンバから分離された遠隔プラズマ源内でプラズマを生成させるステップであって、当該プラズマがラジカル及びイオンを含むステップと、
前記遠隔プラズマ源内で生成したイオンの大部分が前記チャンバに入るのを防止し前記遠隔プラズマ源から前記チャンバにラジカルを入れることにより、前記遠隔プラズマ源で生成したラジカルで、前記チャンバ内に荷電粒子を生成することなく前記チャンバをクリーニングするステップと、
クリーニング中に前記チャンバの構成要素上に生じたＤＣバイアスを検出するステップと、
前記検出されたＤＣバイアスを使用してクリーニングの終点を決定し、終点を決定したらクリーニングを停止するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記構成要素がガス導入システムの構成要素である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記構成要素は、前記遠隔プラズマ源内で生成されたラジカルのための導管として機能する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記構成要素がシャワーヘッドである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記構成要素が、前記チャンバ内に配置された基板支持体、前記チャンバの壁の電気的に絶縁された部分、又はポンピング通路である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記プラズマ処理装置がＰＥＣＶＤ装置である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ＤＣバイアスが定常状態に達したことを検出することにより前記終点が決定される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
クリーニングがＦラジカルを使用して実施される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
遠隔プラズマ源内で生成されたプラズマがＮＦ３を前駆体として使用する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記チャンバ内に１つ又は２つ以上の誘電体膜が堆積された後に前記チャンバがクリーニングされる、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記１つ又は２つ以上の誘電体膜がケイ素含有誘電性材料の膜である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ケイ素含有誘電性材料が二酸化ケイ素又は窒化ケイ素である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記遠隔プラズマ源が、前記チャンバに対して電気的に浮遊している間に、前記チャンバのクリーニングおよびＤＣバイアスの検出が実行される請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
プラズマ処理装置を洗浄する方法であって、
前記プラズマ処理装置の処理空間から分離された遠隔プラズマ源内でプラズマを生成し、当該プラズマがラジカルおよびイオンを含んでいるステップであって、前記プラズマ処理装置は、前記プラズマ処理装置によってプラズマ処理が行われる処理空間を仕切る本体を有するプロセスチャンバと、前記処理空間から排ガスを送り出す導管を含んでいる、ステップと、
前記遠隔プラズマ源内で生成したイオンの大部分が前記プロセスチャンバに入るのを防止するとともに前記プロセスチャンバ内に荷電粒子を生成することなく、前記遠隔プラズマ源から前記プロセスチャンバに前記遠隔プラズマ源で生成したラジカルを入れることにより前記プロセスチャンバをクリーニングするステップと、
クリーニング中に前記プロセスチャンバの構成要素上に生じたＤＣバイアスを検出するステップと、
前記検出されたＤＣバイアスを使用してクリーニングの終点を決定し、終点を決定したらクリーニングを停止するステップと、
を含む、方法。
【請求項１５】
前記構成要素が、前記プロセスチャンバの本体に接続されたガス導入システムの構成要素である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記構成要素が、前記プロセスチャンバ内に配置された基板支持体、前記プロセスチャンバの壁の電気的に絶縁された部分、又は導管を構成するポンピング通路である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
プラズマ処理装置のプロセスチャンバを洗浄する方法であって、
プロセスチャンバから分離された遠隔プラズマ源内でプラズマを生成するステップであって、前記プラズマはラジカルおよびイオンを含んでいるステップと、
前記リモートプラズマ源で生成されたイオンの大部分がプロセスチャンバに入るのを防止しながら、前記ラジカルがリモートプラズマ源からプロセスチャンバに入ることにより、リモートプラズマ源で生成されたラジカルでプロセスチャンバを洗浄するステップと、
洗浄中にプラズマ処理装置の構成要素に生じたＤＣバイアスを検出するステップと、
検出されたＤＣバイアスを使用して、クリーニングの終点を決定し、終点が決定したらクリーニングを停止するステップと、
を含み、
前記プラズマは、ガスを遠隔プラズマ源に導入し、ガスを励起することによって生成され、
前記プロセスチャンバのクリーニングおよびＤＣバイアスの検出は、プラズマ処理装置内の、遠隔プラズマ源内以外の場所でガスを励起してプラズマを生成することなく実行される、
方法。
【請求項１８】
前記構成要素がガス導入システムの構成要素である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記構成要素が、遠隔プラズマ源で生成されたラジカルのための導管として機能する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記構成要素がシャワーヘッドである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記構成要素が、基板支持体、プロセスチャンバの壁の電気的に絶縁された部分、またはポンピング通路である、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月28日(2020.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント装置であって、
基板のための基板支持面を有するチャック領域を含む基板ホルダと、
少なくとも１つの凸部を含むインプリント面を有するテンプレートのためのテンプレートホルダと、
前記基板、前記テンプレート、前記基板ホルダ、又はそれらの任意の組み合わせにおける歪みの少なくとも一部に基づいて、特定エリアに成形可能材料の量を塗布するように構成されたプロセッサと、
を含むことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記歪みは、前記テンプレートの主面、インプリント領域内における前記チャック領域の前記基板支持面、前記インプリント領域内における前記基板の主面に沿った平面性での偏差、前記テンプレート又は前記基板における倍率又は直交性の歪みを含む、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記プロセッサは、前記歪みの少なくとも一部に基づいて前記成形可能材料の塗布パターンを決定するように更に構成されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記塗布パターンの決定は、第１エリア内で第１面密度に、および第２エリア内で第２面密度に前記成形可能材料が塗布されるように行われ、
前記第１エリアでは、前記歪みが、前記テンプレートが前記第１エリア内で前記成形可能材料に接触するときに、前記少なくとも１つの凸部と前記基板の主面とが更に離れうることを示し、
前記第２エリアでは、前記歪みが、前記テンプレートが前記第２エリア内で前記成形可能材料に接触するときに、前記少なくとも１つの凸部と前記基板の前記主面とが互いに近づきうることを示し、
前記第１面密度は前記第２面密度より大きい、ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
少なくとも１つの凸部を含むインプリント面を有するテンプレートを設ける工程であって、前記少なくとも１つの凸部は主面を規定する工程と、
基板支持面を有するチャック領域を含む基板ホルダを設ける工程と、
前記チャック領域の上に基板を配置する工程であって、前記基板はインプリント領域内に主面を有する工程と、
前記基板、前記テンプレート、インプリント装置、又はそれらの任意の組み合わせにおける歪みを定量化する工程と、
前記歪みの少なくとも一部に基づいて、前記基板の前記主面の上に成形可能材料を塗布する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記成形可能材料を塗布する工程は、第１エリア内で第１面密度に、および第２エリア内で第２面密度に前記成形可能材料が塗布されるように行われ、
前記第１エリアでは、前記歪みが、前記テンプレートが前記第１エリア内で前記成形可能材料に接触するときに、前記少なくとも１つの凸部と前記主面とが更に離れうることを示し、
前記第２エリアでは、前記歪みが、前記テンプレートが前記第２エリア内で前記成形可能材料に接触するときに、前記少なくとも１つの凸部と前記主面とが互いに近づきうることを示し、
前記第１面密度は前記第２面密度より大きい、ことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１エリアおよび第２エリアは、同じ凸部の異なる離間したエリアに対応する、ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記成形可能材料を重合させてポリマ層を形成するように前記成形可能材料を紫外線に曝す工程を更に含み、前記ポリマ層は、第１エリア内で第１厚および第２エリア内で第２厚を含み、前記第１厚は前記第２厚より厚い、ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第１厚は、前記第２厚より少なくとも５％、少なくとも１１％、又は少なくとも２０％厚く、前記第２厚より多くとも２００％、多くとも１５０％、又は多くとも９５％厚い、ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板は半導体ウェハである、ことを特徴とする請求項５乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月6日(2020.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱フレームと、
第１及び第２接触部を有し、前記放熱フレームの一側に配置された第１リードフレームと、
第３及び第４接触部を有し、前記放熱フレームの他側に配置された第２リードフレームと、
前記放熱フレーム、前記第１及び第２リードフレームと結合され、第１キャビティを有する絶縁性材質の本体と、
前記第１キャビティの底に露出した前記放熱フレームの上に配置された複数の発光素子と、
を含み、
前記本体は、前記第１キャビティ内に配置され、前記複数の発光素子のうち少なくとも１つ以上を取り囲む反射部を含み、
前記反射部は、前記第１キャビティの下部に配置された第１〜第３反射隔壁を含み、
前記第１反射隔壁は、前記第１キャビティの内側面の一側から他側に延長され、
前記第２反射隔壁は、前記第１反射隔壁と対向し、前記第１キャビティの内側面の一側から他側に延長され、
前記第３反射隔壁は、前記第１反射隔壁の中心から前記第２反射隔壁の中心に延長され、
前記第１〜第３反射隔壁の各高さは、前記発光素子の高さ以上であり、前記第１キャビティの内側面の高さ以下であり、
前記第１リードフレームの第１接触部及び第２接触部は、前記第１キャビティの内側面の一側底に露出し、
前記第２リードフレームの第３接触部及び第４接触部は、前記第２キャビティの内側面の他側底に露出し、
前記第１接触部及び前記第３接触部は、前記第１反射隔壁の外側に配置され、
前記第２接触部及び前記第４接触部は、前記第２反射隔壁の外側に配置され、
前記発光素子は、前記第１キャビティ内で、前記第１接触部と前記第３接触部に電気的に連結された第１グループの発光素子と、前記第２接触部と前記第３接触部に電気的に連結された第２グループの発光素子とを含む、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記本体は、前記第１キャビティの底で前記放熱フレームの上部に配置された第１結合部を含み、
前記第１〜第３反射隔壁は、前記第１結合部の上に配置され、
前記第１結合部は、第１及び第２延長部を含み、
前記第１延長部は、前記第１キャビティの内側面と直接接し、前記反射部の下部両側で相互対向するように配置され、
前記第２延長部は、前記第１延長部から前記第１〜第３反射隔壁の下部内側及び下部外側に延長され、
前記第１延長部は、前記第１及び第２反射隔壁のそれぞれの下部外側に延長され、
前記第１反射隔壁と前記第２反射隔壁は相互平行であり、
前記第１反射隔壁と前記第２反射隔壁との間の一側領域には、前記第１グループの発光素子が配置され、
前記第１反射隔壁と前記第２反射隔壁との間の他側領域には、前記第２グループの発光素子が配置される、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記本体の第１キャビティから離隔した第２キャビティと、
前記第２キャビティの内に配置された保護素子と、
前記第２キャビティの底に延長された前記放熱フレームの一部と、前記第１リードフレームの第５接触部と、前記第２リードフレームの第６接触部とを含み、
前記保護素子は、前記放熱フレームの一部上に配置され、前記第５接続部と前記第２接続部に電気的に連結され、
前記第５接触部は、前記第１リードフレームの第１接触部から延長され、
前記第６接触部は、前記第２リードフレームの第３接触部から延長される、請求項１または２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記放熱フレーム、第１及び第２リードフレームの間には、第１及び第２スペーサーを含み、
前記放熱フレームは、前記本体の外側部に露出する第１突出部と、前記複数の発光素子が配置される実装部及び前記実装部から延長された第１屈曲部とを含み、
前記第１屈曲部は、前記第１突出部より大きい幅を有し、
前記第１リードフレームは、外側部に露出する第２突出部と、前記第１屈曲部方向に対向する第２屈曲部とを含み、
前記第２リードフレームは、外側部に露出する第３突出部と、前記第１屈曲部方向に対向する第３屈曲部とを含み、
前記第２及び第３屈曲部の第１方向に突出した幅は、前記第１及び第２スペーサーの幅より大きく、
前記第２及び第３屈曲部の前記第１方向と直交する第２方向の幅は、前記第１及び第２スペーサーの幅と同一または大きい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１及び第２リードフレームは前記第１キャビティを中心に相互対称する角に配置された第１及び第２パッドをさらに含み、
前記第１及び第２パッドは、上部が前記本体から露出し、
前記本体は、前記第１パッドの外側に配置された第１保護部及び前記第２パッドの外側に配置された第２保護部を含み、
前記第１保護部は、相互連結され、前記第１パッドの外側と直接接する第３及び第４直線部を含み、
前記第２保護部は、相互連結され、前記第２パッドの外側と直接接する第５及び第６直線部を含み、
前記第１及び第２パッドは、少なくとも１つ以上の貫通孔を含み、
前記第１パッドは、前記第１接触部の外側端部に配置され、
前記第２パッドは、前記第４接触部の外側端部に配置される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月13日(2020.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁層を形成する、第１の工程と、
前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する、第２の工程と、
前記第２の絶縁層上に剥離層を形成する、第３の工程と、
前記剥離層の表面にプラズマ処理を行う、第４の工程と、
前記剥離層上に第３の絶縁層を形成する、第５の工程と、
加熱処理を行う、第６の工程と、
前記剥離層と前記第３の絶縁層とを分離する、第７の工程と、を有し、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、それぞれ、シリコン及び窒素を含み、
前記第２の絶縁層は、シリコン及び酸素を含む、剥離方法。
【請求項２】
基板上に第１の絶縁層を形成する、第１の工程と、
前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する、第２の工程と、
前記第２の絶縁層上に剥離層を形成する、第３の工程と、
前記剥離層の表面にプラズマ処理を行う、第４の工程と、
前記剥離層上に第３の絶縁層を形成する、第５の工程と、
加熱処理を行う、第６の工程と、
前記剥離層と前記第３の絶縁層とを分離する、第７の工程と、を有し、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、それぞれ、水素をブロックする機能を有し、
前記第２の絶縁層は、加熱されることで水素を放出する機能を有する、剥離方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記プラズマ処理は、亜酸化窒素を含む雰囲気下で行われる、剥離方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記プラズマ処理は、亜酸化窒素及びシランを含む雰囲気下で行われる、剥離方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第４の工程では、前記プラズマ処理を行うことで、前記剥離層上に第４の絶縁層を形成する、剥離方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第４の工程では、前記プラズマ処理を行うことで、前記剥離層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層は、前記剥離層に含まれる材料の少なくとも一つを含む、剥離方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月16日(2020.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物半導体と、前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体とを有し、
前記第２の酸化物半導体は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の両側に位置する第１の領域及び第２の領域とを有し、
前記第２の酸化物半導体上に位置し且つソース電極またはドレイン電極の一方として機能する、第１の金属酸化物層と前記第１の金属酸化物層上の第２の導電体と前記第２の導電体上の第２の金属酸化物層との積層構造を有し、
前記第２の酸化物半導体上に位置し且つ前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方として機能する、第３の金属酸化物層と前記第３の金属酸化物層上の第３の導電体と前記第３の導電体上の第４の金属酸化物層との積層構造を有し、
前記第２の金属酸化物層上及び前記第４の金属酸化物層上に位置し、前記第２の金属酸化物層と重なる領域と、前記第４の金属酸化物層と重なる領域と、前記チャネル形成領域と重なる領域と、を有する第３の酸化物半導体を有し、
前記第３の酸化物半導体上に、ゲート絶縁膜を介して、第５の金属酸化物層と前記第５の金属酸化物層上の第４の導電体とを有する半導体装置。
【請求項２】
同一面上に第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の酸化物半導体と、前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体とを有し、
前記第２の酸化物半導体は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の両側に位置する第１の領域及び第２の領域とを有し、
前記第２の酸化物半導体上に位置し且つ第１のソース電極または第１のドレイン電極の一方として機能する、第１の金属酸化物層と前記第１の金属酸化物層上の第２の導電体と前記第２の導電体上の第２の金属酸化物層との積層構造を有し、
前記第２の酸化物半導体上に位置し且つ前記第１のソース電極または前記第１のドレイン電極の他方として機能する、第３の金属酸化物層と前記第３の金属酸化物層上の第３の導電体と前記第３の導電体上の第４の金属酸化物層との積層構造を有し、
前記第２の金属酸化物層上及び前記第４の金属酸化物層上に位置し、前記第２の金属酸化物層と重なる領域と、前記第４の金属酸化物層と重なる領域と、前記チャネル形成領域と重なる領域と、を有する第３の酸化物半導体を有し、
前記第３の酸化物半導体上に、第１のゲート絶縁膜を介して、第５の金属酸化物層と前記第５の金属酸化物層上の第４の導電体とを有し、
前記第２のトランジスタは、
前記第３の酸化物半導体と同一材料を有する第４の酸化物半導体と、
前記第４の酸化物半導体上に、第２のゲート絶縁膜を介して、第６の金属酸化物層と前記第６の金属酸化物層上の第５の導電体とを有し、
前記第３の酸化物半導体の下面と接する第２のソース電極及び第２のドレイン電極を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月23日(2019.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を出射する発光素子と、前記発光素子が設けられる基板と、前記発光素子から出射された光をシートに導くライトガイドと、を備える照明ユニットと、
前記照明ユニットにより光が照射されたシートからの反射光に基づいて、前記シートの画像を読み取る読取ユニットと、
を有し、
前記ライトガイドは、前記基板の第一面と当接し且つ前記ライトガイドと前記基板との位置決めを行う位置決め面と、前記基板の第一面とは反対側の第二面と当接し且つ前記基板の第一面が前記位置決め面に向かって押圧されるように前記基板を押圧する押圧部と、を備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記第一面は、前記発光素子が設けられる面であり、
前記第二面は、前記発光素子が設けられない面であることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記ライトガイドは、前記ライトガイドの長手方向における略中央部に設けられた長手方向位置決め部であって、前記ライトガイドと前記基板との前記長手方向における位置決めを行う長手方向位置決め部を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記基板は、前記押圧部が嵌まる凹部を備え、
前記押圧部が前記凹部に嵌まることにより、前記ライトガイドの長手方向における前記ライトガイドと前記基板との位置決めが行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記押圧部は、前記長手方向における第一の位置に設けられた第一押圧部と、前記長手方向において前記第一の位置とは異なる第二の位置に設けられた第二押圧部とを備え、
前記凹部は、前記基板の長手方向において、前記第一押圧部に対応する位置に設けられた第一凹部と、前記第二押圧部に対応する位置に設けられた第二凹部とを備え、
前記第一押圧部が前記第一凹部に嵌まり、前記第二押圧部が前記第二凹部に嵌まることを特徴とする請求項４に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記長手方向における前記第一押圧部と前記第一凹部との隙間は、前記長手方向における前記第二押圧部と前記第二凹部との隙間よりも狭いことを特徴とする請求項５に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記発光素子は、第一の発光素子と、前記基板の長手方向において前記第一の発光素子に隣接する第二の発光素子と、を含み、
前記押圧部は、前記長手方向における前記第一の発光素子と前記第二の発光素子との間の位置において前記基板を押圧することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項８】
前記押圧部は前記ライトガイドの長手方向に複数設けられ、前記位置決め面は前記ライトガイドの長手方向に複数設けられ、前記位置決め面の数は前記押圧部の数よりも多いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項９】
前記押圧部は、前記基板の第一面に直交する方向から前記基板を見たとき、前記位置決め面にオーバーラップしないように配置されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項１０】
前記押圧部は可撓性のアームであり、前記アームが撓むことにより前記基板を押圧することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項１１】
前記基板は金属であり、前記ライトガイドは樹脂であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の画像読取装置と、
前記画像読取装置によって読み取られた画像に基づいて画像を形成する画像形成部と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の構成は、基板（金属製の平面部材）とライトガイドとの対向面を粘着部材で固着している。そのため、発光素子を連続点灯して、発光素子からの熱を基板が十分に拡散することができなかった場合、ライトガイドが基板に対して反ってしまうという状況が発生しうる。上記課題に鑑み、本発明は、ライトガイドが基板に対して反ってしまうことを抑制することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するための画像読取装置は、
光を出射する発光素子と、前記発光素子が設けられる基板と、前記発光素子から出射された光をシートに導くライトガイドと、を備える照明ユニットと、
前記照明ユニットにより光が照射されたシートからの反射光に基づいて、前記シートの画像を読み取る読取ユニットと、
を有し、
前記ライトガイドは、前記基板の第一面と当接し且つ前記ライトガイドと前記基板との位置決めを行う位置決め面と、前記基板の第一面とは反対側の第二面と当接し且つ前記基板の第一面が前記位置決め面に向かって押圧されるように前記基板を押圧する押圧部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、ライトガイドが基板に対して反ってしまうことを抑制することができる。