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【手続補正書】
【提出日】令和2年8月7日(2020.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
端子７２ｂから端子７２ｃに向かう方向に電流を流すと、複数の第２の導線部分の各々を流れる電流の方向は基準座標系における−Ｘ方向となり、第２の付加的磁界成分の方向は、基準座標系におけるＹ方向となる。電流の方向を上記の例とは逆にすると、第２の付加的磁界成分の方向は、基準座標系における−Ｙ方向となる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月8日(2020.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予圧センサと、
軸受と、
前記軸受に隣接して配置される間座とを備え、
前記予圧センサは、
第１方向に作用する圧力に応じて直流抵抗が変化する感圧パターン部と、
前記感圧パターン部を覆う被覆部と、
前記第１方向において前記被覆部に隣接して配置されている緩衝部とを備え、
前記緩衝部を構成する材料の縦弾性係数は、前記被覆部を構成する材料の縦弾性係数未満であり、
前記予圧センサ、前記軸受、および前記間座は、前記第１方向が前記軸受および前記間座の軸方向に沿うように配置されており、
前記予圧センサの前記被覆部および前記緩衝部の少なくともいずれかは、前記間座に接しており、
前記緩衝部を構成する材料の縦弾性係数は、前記間座を構成する材料の縦弾性係数未満である、軸受装置。
【請求項２】
前記被覆部は、前記第１方向の一方側を向いた第１面を有し、
前記緩衝部は、前記第１方向の他方側を向いた第２面を有し、
前記被覆部は、前記第１面とは反対側に位置する第３面をさらに有し、
前記緩衝部は、前記第２面とは反対側に位置する第４面をさらに有し、
前記第３面が前記第４面に接している、請求項１に記載の軸受装置。
【請求項３】
前記緩衝部を構成する材料は、樹脂を含む、請求項１または２に記載の軸受装置。
【請求項４】
前記緩衝部の前記第１方向の厚みは、１００μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の軸受装置。
【請求項５】
前記予圧センサは、前記軸方向において前記軸受と前記間座との間に配置されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の軸受装置。
【請求項６】
前記間座は、第１間座部材と、前記第１間座部材と別体として構成されており、かつ前記軸方向において前記第１間座部材と並んで配置されている第２間座部材とを含み、
前記予圧センサは、前記軸方向において前記第１間座部材と前記第２間座部材との間に配置されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の軸受装置。
【請求項７】
前記間座は、前記軸方向に突出している少なくとも１つの突出部を含み、
前記予圧センサは、前記軸方向において前記突出部と隣接して配置されている、請求項５または６に記載の軸受装置。
【請求項８】
前記緩衝部は、前記軸受および前記間座と同軸の環状部材として構成されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の軸受装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】軸受装置
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月10日(2020.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象の細菌を検出するための方法であって、
少なくとも１種の細菌を複製の間可溶性組換えタンパク質を発現するように遺伝子操作された複数の親バクテリオファージで感染させる工程であって、該可溶性組換えタンパク質の発現が、ウイルスキャプシドプロモーターにより駆動され、該親バクテリオファージが、少なくとも３７摂氏温度であり、そして４５摂氏温度以下である温度で、試料中の該少なくとも１種の細菌を見出し、結合し、感染する、工程と、
該少なくとも１種の感染を受けた細菌を、該細菌が溶解して該細菌中に存在する子孫バクテリオファージを放出するまでインキュベートする工程と、
該子孫バクテリオファージの複製の間に発現される該可溶性組換えタンパク質を検出する工程であって、該可溶性組換えタンパク質の検出は、該細菌が該試料中に存在することを示す、工程と
を含む、方法。
【請求項２】
前記親バクテリオファージが、前記子孫バクテリオファージから分離されない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記可溶性組換えタンパク質が、基質を目に見える産物に変換するために使用し得る酵素、フルオロフォア、またはルミネセンス分子から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記可溶性組換えタンパク質が、ルシフェラーゼである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記バクテリオファージがＴ４バクテリオファージである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１種の細菌が、細菌学的フィルター上の試料から前記細菌を濃縮することによって単離される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記可溶性組換えタンパク質はルシフェラーゼである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ウイルスキャプシドプロモーターが、Ｔ４  Ｓｏｃプロモーターである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記方法は、前記試料中の前記細菌の増菌をすることなく実施され、前記方法は、前記試料中のわずか単一の細菌を検出する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
対象の微生物を検出するための成分を含むキットであって、
少なくとも１種の対象の微生物を感染させるための成分であって、該感染させるための成分が、複製の間可溶性組換えタンパク質を発現するように遺伝子操作された複数の親感染性因子であり、該可溶性組換えタンパク質の発現が、ウイルスキャプシドプロモーターにより駆動され、該親感染性因子が、少なくとも３７摂氏温度であり、そして４５摂氏温度以下で、該試料中の該少なくとも１種の微生物を見出し、結合し、感染する、成分と；
子孫感染性因子の複製の間に発現される該可溶性組換えタンパク質を検出するための成分であって、該可溶性組換えタンパク質の検出は、該微生物が該試料中に存在することを示す、成分と
を含む、キット。
【請求項１１】
前記可溶性組換えタンパク質が、基質を目に見える産物に変換するために使用し得る酵素、フルオロフォア、またはルミネセンス分子から選択される、請求項１０に記載のキット。
【請求項１２】
前記可溶性組換えタンパク質がルシフェラーゼである、請求項１０に記載のキット。
【請求項１３】
前記微生物がＴ４バクテリオファージである、請求項１０に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月14日(2020.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
エンジン（９０）の吸気弁のバルブタイミングを変更可能な吸気側可変バルブ機構（２０）と、
前記エンジンの排気弁のバルブタイミングを変更可能な排気側可変バルブ機構（３０、４０）と、を備え、
前記排気側可変バルブ機構は、排気側電動駆動部（３１、４１）と、前記エンジンのクランクシャフト（９１）と排気側カムシャフト（９３）との間の回転伝達経路に設けられ、前記排気側電動駆動部に接続された入力軸（３５）を有し、前記入力軸の回転を減速して前記排気側カムシャフトに伝達することで前記クランクシャフトに対する前記排気側カムシャフトの回転位相を変換する排気側位相変換部（３３）と、を有し、
回転位相を進角するときの前記入力軸の回転方向は、前記クランクシャフトの回転方向に対して逆方向であり、前記排気側電動駆動部の通電カット時またはフェール時に前記排気側位相変換部に正回転方向トルクが作用すると当該排気側位相変換部が最進角位相に自動的に位相変換されるバルブタイミング調整装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のバルブタイミング調整装置は、エンジン（９０）の吸気弁のバルブタイミングを変更可能な吸気側可変バルブ機構（２０）と、エンジンの排気弁のバルブタイミングを変更可能な排気側可変バルブ機構（３０）とを備える。排気側可変バルブ機構は、排気側電動駆動部（３１、４１）と、エンジンのクランクシャフト（９１）と排気側カムシャフト（９３）との間の回転伝達経路に設けられる排気側位相変換部（３３）とを有する。排気側位相変換部は、排気側電動駆動部に接続された入力軸（３５）を有し、入力軸の回転を減速することでクランクシャフトに対する排気側カムシャフトの回転位相を変換する。回転位相を進角するときの入力軸の回転方向は、クランクシャフトの回転方向に対して逆方向であり、排気側電動駆動部の通電カット時またはフェール時に排気側位相変換部に正回転方向トルクが作用すると当該排気側位相変換部が最進角位相に自動的に位相変換される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月12日(2020.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関（１０）の排気通路（１２）に設けられ、アンモニアを用いて排気中の窒素酸化物を浄化させる選択還元型の触媒（２２）と、
前記排気通路における前記触媒の上流側に、アンモニアを生成するための還元剤を供給する供給装置（２３）と、
前記触媒の下流側に設けられ、排気中のアンモニア濃度に応じたセンサ信号を出力するアンモニアセンサ（２５）と、
前記触媒の下流側に設けられ、排気中のＮＯｘ濃度に応じたセンサ信号を出力するＮＯｘセンサ（２５）と、
前記触媒の下流側に設けられ、排気中の酸素濃度に応じたセンサ信号を出力する酸素センサ（２５）と、
を備える排気浄化システムにおける前記アンモニアセンサの異常判定装置（３０）であって、
前記供給装置による還元剤の供給休止後に前記触媒へのアンモニア供給が継続される継続期間において、前記アンモニアセンサの出力と前記酸素センサの出力とに基づいて、触媒下流側におけるアンモニア濃度を第１濃度値として算出する第１算出部と、
前記継続期間において、前記ＮＯｘセンサの出力と前記酸素センサの出力とに基づいて、触媒下流側におけるアンモニア濃度を第２濃度値として算出する第２算出部と、
前記第１濃度値と前記第２濃度値とに基づいて、前記アンモニアセンサの異常の有無を判定する異常判定部と、
を備え、
前記内燃機関の燃焼休止に伴い前記酸素センサによる酸素濃度の検出値が大気中の酸素濃度と同じ平衡状態になっており、かつ前記継続期間である場合に、前記第１算出部による前記第１濃度値の算出と、前記第２算出部による前記第２濃度値の算出とを行わせるアンモニアセンサの異常判定装置。
【請求項２】
前記内燃機関の燃焼休止に伴い前記酸素センサによる酸素濃度の検出値が大気中の酸素濃度と同じ平衡状態になっており、かつ前記継続期間である場合に、前記第１算出部により算出された複数の前記第１濃度値と、前記第２算出部により算出された複数の前記第２濃度値とに基づいて、前記アンモニアセンサの異常の有無を判定する請求項１に記載のアンモニアセンサの異常判定装置。
【請求項３】
前記第１濃度値と前記第２濃度値とを比較し、その比較結果に基づいて、前記アンモニアの出力を補正する補正部を備える請求項１又は２に記載のアンモニアセンサの異常判定装置。
【請求項４】
前記補正部は、前記第１濃度値と前記第２濃度値との差異が、第１閾値よりも大きく、かつその第１閾値よりも大きい第２閾値よりも小さい場合に、前記アンモニアセンサの出力を補正し、前記第１濃度値と前記第２濃度値との差異が前記第２閾値より大きい場合に、前記アンモニアセンサの出力を補正せず、前記アンモニアセンサの異常発生を通知する請求項３に記載のアンモニアセンサの異常判定装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月11日(2020.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底壁、側壁及び天壁を有し、基板の表面に塗布された有機材料膜中の溶媒を減圧下で除去して乾燥させる真空引き可能な処理容器と、
前記処理容器内で前記基板を支持する基板支持部と、
前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、
前記基板支持部が前記基板を支持する高さ位置を可変に調節する制御部と、
を備え、
前記基板支持部は、第１の支持プレート群と第２の支持プレート群とを有し、
前記制御部は、前記処理容器内において前記基板を載置する際は、前記第１の支持プレート群と前記第２の支持プレート群とが横一列に並んでその上に前記基板が載置されるように、前記第１の支持プレート群の高さ位置を制御し、
前記処理容器内の外部の搬送装置との間で前記基板の受け取り或いは受渡しを行う際は、前記外部の搬送装置の基板保持具が前記第１の支持プレート群を構成する各支持プレートの隙間を利用して前記基板の受け取り或いは受渡しを行うように、前記第１の支持プレート群の高さ位置を前記第２の支持プレート群の高さ位置よりも高い位置に制御する乾燥装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の支持プレート群を構成する各支持プレートと前記第２の支持プレート群を構成する各支持プレートは、水平方向に関して交互に配置されている、乾燥装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記処理容器の前記側壁には開口が設けられており、
前記制御部は、前記外部の搬送装置により前記開口の外部から前記基板が搬入された後、前記制御部が前記第１の支持プレート群の高さ位置を上昇させることにより、前記第１の支持プレート群が前記外部の搬送装置の前記基板保持具から前記基板を受け取る、乾燥装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第２の支持プレート群は、前記処理容器の前記低壁に固定されている、乾燥装置。
【請求項５】
低壁、側壁及び天壁を有し、真空引き可能な処理容器と、前記処理容器内で基板を支持する第１の支持プレート群と第２の支持プレート群とを有する基板支持部と、前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、を備えた乾燥装置によって行われる乾燥処理方法であって、
前記乾燥処理方法は、
前記基板の表面に塗布された有機材料膜中の溶媒を減圧下で除去して乾燥させ、前記処理容器内において前記基板を載置する際は、前記第１の支持プレート群と前記第２の支持プレート群とが横一列に並んでその上に前記基板が載置されるように、前記第１の支持プレート群の高さ位置を制御するステップと、
前記処理容器の外部の搬送装置との間で前記基板の受け取り或いは受渡しを行う際は、前記外部の搬送装置の基板保持具が前記第１の支持プレート群を構成する各支持プレートの隙間を利用して前記基板の受け取り或いは受渡しを行うように、前記第１の支持プレート群の高さ位置を前記第２の支持プレート群の高さ位置よりも高い位置に制御するステップと、
を含む乾燥処理方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の支持プレート群を構成する各支持プレートと前記第２の支持プレート群を構成する各支持プレートは、水平方向に関して交互に配置されている、乾燥処理方法。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記外部の搬送装置により前記処理容器の前記側壁に設けられた開口部を介して基板が搬入された後、前記第１の支持プレート群の高さ位置を上昇させることにより、前記第１の支持プレート群が前記外部の搬送装置の前記基板保持具から前記基板を受け取るように制御するステップ、
をさらに含む、乾燥処理方法。
【請求項８】
請求項５において、
前記第２の支持プレート群は、前記処理容器の前記低壁に固定されている、乾燥処理方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月1日(2020.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダと、
前記シリンダ内に移動可能に挿入されるピストンロッドと、
前記ピストンロッドに連結され、前記シリンダ内を前記ピストンロッドが位置する側である第１室とその反対側である第２室とに分けるピストンと、
前記シリンダの外周を覆う外筒と、
前記シリンダと前記外筒との間に形成される環状のリザーバと、
前記リザーバから前記第２室へ向かう液体の流れのみを許容する吸込通路と、
前記第２室から前記第１室へ向かう液体の流れのみを許容する整流通路と、
前記シリンダ内から前記リザーバへ向かう液体の流れに抵抗を与える減衰弁と、
前記リザーバの内側で且つ前記シリンダと前記外筒との間に配置され、前記シリンダの外周を覆う中間筒と、
前記中間筒と前記シリンダと前記減衰弁との間に形成され、前記シリンダ内に連通する排出通路と、を備え、
前記中間筒は、内周面に、前記排出通路を閉塞するシールリングを収容可能な断面凹状の溝を有し、
前記中間筒の前記溝の両側面のうち前記中間筒の軸端側に位置する側面が前記中間筒の軸方向と直交する面との間に形成される角度をθ１とし、前記中間筒の軸中央側に位置する側面が前記面との間に形成される角度をθ２とした場合に、
θ１＜θ２
の関係を満たすように設定されている緩衝器。
【請求項２】
前記θ１は、５度未満に設定されている請求項１に記載の緩衝器。
【請求項３】
前記θ２は、１０度以下に設定されている請求項１又は請求項２に記載の緩衝器。
【請求項４】
前記溝は、前記中間筒の両端部に設けられており、
各前記溝内には、前記シールリング、及び前記中間筒の軸端側にて前記シールリングと隣接するバックアップリングがそれぞれ設けられている請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の緩衝器。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月29日(2020.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音または音場の圧縮された高次アンビソニックス（HOA）音表現をデコードする方法であって：
前記圧縮されたHOA音表現を含むビットストリームを受領する段階であって、前記ビットストリームは前記圧縮されたHOA音表現に対応するいくつかのHOA係数を含む、段階と；
前記ビットストリームにおいて独立したアクセス単位が存在しているとき、最低の整数βeに基づいて前記圧縮されたHOA音表現をデコードする段階とを含み、前記最低の整数βeは
【数１】
2020060790.tif 000001
基づいて決定され、
【数２】
2020060790.tif 000002
であり、NはHOA次数であり、NMAXは関心対象の最大次数であり、Ω1(N),…,ΩO(N)は仮想スピーカーの方向であり、O＝(N＋1)2はHOA係数シーケンスの数であり、Kはモード行列の二乗されたユークリッド・ノルム||Ψ||22とOとの間の比であり、√KMAX＝1.5である、
方法。
【請求項２】
音または音場の圧縮された高次アンビソニックス（HOA）音表現をデコードする装置であって：
前記圧縮されたHOA音表現を含むビットストリームを受領するよう構成されたプロセッサであって、前記ビットストリームは前記圧縮されたHOA音表現に対応するいくつかのHOA係数を含む、プロセッサと；
前記ビットストリームにおいて独立したアクセス単位が存在しているとき、最低の整数βeに基づいて前記圧縮されたHOA音表現をデコードするよう構成されたプロセッサとを有しており、
前記最低の整数βeは
【数３】
2020060790.tif 000003
に基づいて決定され、
【数４】
2020060790.tif 000004
であり、NはHOA次数であり、NMAXは関心対象の最大次数であり、Ω1(N),…,ΩO(N)は仮想スピーカーの方向であり、O＝(N＋1)2はHOA係数シーケンスの数であり、Kはモード行列の二乗されたユークリッド・ノルム||Ψ||22とOとの間の比であり、√KMAX＝1.5である、
装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月24日(2020.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シネマスクリーンであって、
互いに離間される複数の反射構造体であって、前記シネマスクリーンの中心の上方から前記シネマスクリーンに投影された光を、シアタの観客位置に向かって反射するように構成された前記複数の反射構造体を備え、
前記複数の反射構造体は、前記シネマスクリーンの少なくとも１つの縁から反射される光のより多くを、シアタの側壁、天井、または床から離れて且つ前記シアタの観客位置に向けさせるように、前記シネマスクリーンの少なくとも１つの縁に向かって増加する複数の幾何学的特性を有し、
前記複数の反射構造体間の間隔は、前記シネマスクリーン上で変化している、シネマスクリーン。
【請求項２】
前記複数の反射構造体は、スクリーンの垂線に対する変化するそれぞれの傾斜角度を有する、請求項１に記載のシネマスクリーン。
【請求項３】
前記複数の反射構造体の隣接する反射構造体間の離間距離は、前記複数の反射構造体の傾斜角度の増加に伴って増大する、請求項１に記載のシネマスクリーン。
【請求項４】
スクリーン映像のコントラストに対する周辺光の影響を低減するために非投影光の反射率を低減させる波長に基づいて反射を変化させるように構成されたスペクトルコーティングをさらに備える請求項１に記載のシネマスクリーン。
【請求項５】
スペックル低減コーティングをさらに備える請求項１に記載のシネマスクリーン。
【請求項６】
前記複数の幾何学的特性の各幾何学的特性は、スクリーンの曲率に応じて修正される、請求項１に記載のシネマスクリーン。
【請求項７】
前記シネマスクリーンは、投影角が該シネマスクリーンの中央に対して垂直ではないように少なくとも構成されており、より垂直な照射を受けるスクリーン領域は、該シネマスクリーンに対して垂直な光を前記観客位置の中央に向けて誘導するように構成された複数の幾何学的特性を有する前記複数の反射構造体をより多く含み、より垂直ではない照射を受けるスクリーン領域は、前記照射からの斜め光を前記観客位置の中央に向けて誘導するように構成された複数の幾何学的特性を有する前記複数の反射構造体をより多く含む、請求項１に記載のシネマスクリーン。
【請求項８】
前記シネマスクリーンは、約１０度の下向き角度で投影するように構成されており、該シネマスクリーンの最上部は、主に下方向に反射するように構成された複数の幾何学的特性を有する複数の反射構造体をより多く含み、該シネマスクリーンの最下部は、主に上方向に反射するように構成された複数の幾何学的特性を有する複数の反射構造体を含み、該スクリーンの複数の縁は、主に内向きおよび前記観客位置に向けて反射する、請求項７に記載のシネマスクリーン。
【請求項９】
前記シネマスクリーンは、約１０度の下向き角度で投影するように構成されており、該シネマスクリーンの最上部は、主に下方向に反射するように構成された複数の幾何学的特性を有する反射構造体をより多く含み、該シネマスクリーンの最下部は、主に上方向に反射するように構成された複数の幾何学的特性を有する複数の反射構造体を含み、該シネマスクリーンの複数の縁は、主に内向きおよび前記観客位置に向けて反射する、請求項１に記載のシネマスクリーン。
【請求項１０】
機械的振動を伝播する物質をさらに備える請求項１に記載のシネマスクリーン。
【請求項１１】
高弾性率の基材を含む、請求項１に記載のシネマスクリーン。
【請求項１２】
前記シネマスクリーンの一区画から他の区画へと変化する光学特性を有する基材コーティングをさらに備える請求項１１に記載のシネマスクリーン。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月29日(2020.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音または音場の圧縮された高次アンビソニックス（HOA）音表現をデコードする方法であって：
前記圧縮されたHOA表現を含むビットストリームを受領し、前記圧縮されたHOA表現をデコードして、知覚的にデコードされた信号
【数１】
2020060789.tif 000001
関連する利得補正指数ei(k)および利得補正例外フラグβi(k)を決定する段階と；
前記知覚的にデコードされた信号
【数２】
2020060789.tif 000002
前記関連する利得補正指数ei(k)および前記利得補正例外フラグβi(k)について逆利得制御処理を実行することによって、利得補正された信号フレーム
【数３】
2020060789.tif 000003
を提供する段階と；
優勢音信号のフレーム
【数４】
2020060789.tif 000004
および周囲HOA成分の中間表現のフレームCI,AMB(k)を再構成するために、チャネル再割り当ての間に前記利得補正された信号フレーム
【数５】
2020060789.tif 000005
を再分配する段階とを含み、
前のフレームにおけるトランスポート・チャネルの信号に適用されるビットの最低の整数の数βeは
【数６】
2020060789.tif 000006
に基づき、
【数７】
2020060789.tif 000007
であり、NはHOA次数であり、NMAXは関心対象の最大次数であり、Ω1(N),…,ΩO(N)は仮想スピーカーの方向であり、O＝(N＋1)2はHOA係数シーケンスの数であり、Kはモード行列の二乗されたユークリッド・ノルム||Ψ||22とOとの間の比であり、√KMAX＝1.5である、
方法。
【請求項２】
音または音場の圧縮された高次アンビソニックス（HOA）音表現をデコードする装置であって、当該装置は：
前記圧縮されたHOA表現を含むビットストリームを受領し、前記圧縮されたHOA表現をデコードして、知覚的にデコードされた信号
【数８】
2020060789.tif 000008
関連する利得補正指数ei(k)および利得補正例外フラグβi(k)を決定するよう構成されたプロセッサを有しており；
前記プロセッサはさらに、前記知覚的にデコードされた信号
【数９】
2020060789.tif 000009
前記関連する利得補正指数ei(k)および前記利得補正例外フラグβi(k)について逆利得制御処理を実行することによって、利得補正された信号フレーム
【数１０】
2020060789.tif 000010
を提供するよう構成され、
前記プロセッサはさらに、優勢音信号のフレーム
【数１１】
2020060789.tif 000011
および周囲HOA成分の中間表現のフレームCI,AMB(k)を再構成するために、チャネル再割り当ての間に前記利得補正された信号フレーム
【数１２】
2020060789.tif 000012
を再分配するよう構成され、
前のフレームにおけるトランスポート・チャネルの信号に適用されるビットの最低の整数の数βeは
【数１３】
2020060789.tif 000013
に基づき、
【数１４】
2020060789.tif 000014
であり、NはHOA次数であり、NMAXは関心対象の最大次数であり、Ω1(N),…,ΩO(N)は仮想スピーカーの方向であり、O＝(N＋1)2はHOA係数シーケンスの数であり、Kはモード行列の二乗されたユークリッド・ノルム||Ψ||22とOとの間の比であり、√KMAX＝1.5である、
装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月27日(2020.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全方向高彩度赤色構造色顔料の製造方法であって、
反射性コア層を乾式堆積すること；
前記反射性コア層にわたって延在する金属吸収体層を乾式堆積すること；及び
前記金属吸収体層にわたって延在する誘電体吸収体層を乾式又は湿式堆積すること；
によって多層積層体を製造することを含み、
前記多層積層体は、ａ*ｂ*Ｌａｂカラーマップ上での０〜４０°の間の色相を有する可視光を反射し、前記多層積層体の外側面に対する垂直方向０〜４５°の間のすべての角度から見た場合に、前記ａ*ｂ*Ｌａｂカラーマップ上での前記０〜４０°の範囲内の色相シフトを有する、
全方向高彩度赤色構造色顔料の製造方法。
【請求項２】
前記ａ*ｂ*Ｌａｂカラーマップ上で、前記色相が、１０〜３０°の間であり、及び前記色相シフトが、前記１０〜３０°の範囲内である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反射性コア層が、５０〜２００ナノメートルの厚さを有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記反射性コア層が、反射性金属及び有色の金属のうちの少なくとも１つから作られる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記反射性金属が、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｒ、及びこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記有色の金属が、Ａｕ、Ｃｕ、真鍮、青銅、及びこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つである、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記金属吸収体層が、５〜５００ナノメートルの厚さを有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記金属吸収体層が、Ｃｕ、青銅、真鍮、アモルファスＳｉ、Ｇｅ、ＴｉＮ、及びこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つから作られる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電体吸収体層が、５〜５００ナノメートルの厚さを有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電体吸収体層が、Ｆｅ２Ｏ３から作られる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月12日(2019.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯材及び前記芯材を封入している外皮を有する真空断熱材、並びに前記真空断熱材の少なくとも一部を包囲している緩衝材シートを含む、断熱パネル。
【請求項２】
前記緩衝材シートが、前記真空断熱材の全体を包囲している、請求項１に記載の断熱パネル。
【請求項３】
前記真空断熱材の一部が外部に露出している、請求項１に記載の断熱パネル。
【請求項４】
前記断熱パネルの施工時の前記真空断熱材の損傷を抑制する位置で、前記緩衝材シートが、前記真空断熱材を包囲している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の断熱パネル。
【請求項５】
前記断熱パネルを支持部材の間に配置する際に前記断熱パネルを前記支持部材の間にはめ込んで固定できるような弾性部分を与えるように、前記緩衝材シートが、前記真空断熱材を包囲している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の断熱パネル。
【請求項６】
前記真空断熱材が、２つの主平面及び２組の対向する側面を含む６つの面を有しておりかつ、前記緩衝材シートが、少なくとも１組の前記対向する側面を包囲している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の断熱パネル。
【請求項７】
前記真空断熱材が、２つの主平面及び２組の対向する側面を含む６つの面を有しており、かつ、前記緩衝材シートが、前記真空断熱材の前記２つの主平面と少なくとも１組の前記対向する側面とを包囲している、請求項１〜６のいずれか一項に記載の断熱パネル。
【請求項８】
前記緩衝材シートが、発泡樹脂層を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の断熱パネル。
【請求項９】
前記芯材が、無機繊維である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の断熱パネル。
【請求項１０】
厚みが３０ｍｍ以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の断熱パネル。
【請求項１１】
以下の工程を含む、断熱パネルの施工方法：
構造体の支持部材間に、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の断熱パネルの前記緩衝材シートを変形させてはめ込むことで前記断熱パネルを固定すること。
【請求項１２】
前記構造体が、建築物の壁であり、かつ前記支持部材が横胴縁である、請求項１１に記載の施工方法。
【請求項１３】
外張断熱工法において付加断熱材を与えるための、請求項１１又は１２に記載の施工方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月18日(2020.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ここで、本発明の特定の実施形態を示す図１を参照すると、オレフィン性ガソリン供給原料、例えば、上記の接触分解済みガソリンは、場合による工程において処理される。この場合による工程は、ジオレフィンの選択的水素化およびオレフィンとの反応による、供給原料中に存在するメルカプタン化合物（ＲＳＨ）の一部のチオエーテルへの転化（分子量増加）を行うものである。典型的には、場合による選択水素化工程の間に反応し得るメルカプタンは、以下の通りである（包括的ではないリスト）：メチルメルカプタン、エチルメルカプタン、ｎ−プロピルメルカプタン、ｉｓｏ−プロピルメルカプタン、ｉｓｏ−ブチルメルカプタン、ｔｅｒｔ−ブチルメルカプタン、ｎ−ブチルメルカプタン、ｓｅｃ−ブチルメルカプタン、ｉｓｏ−アミルメルカプタン、ｎ−アミルメルカプタン、α−メチルブチルメルカプタン、α−エチルプロピルメルカプタン、ｎ−ヘキシルメルカプタン、および２−メルカプト−ヘキサン。この目的で、ＦＲＣＮガソリン供給原料は、ライン（１）を介して、選択的水素化触媒反応器（２）に送られる。この選択的水素化触媒反応器（２）は、ジオレフィンを選択的に水素化しかつメルカプタンの分子量を増加させるための触媒の少なくとも１基の固定床または移動床を含有する。ジオレフィンの選択的水素化およびメルカプタンの分子量の増加のための反応は、好ましくは、第ＶＩＩＩ族（新周期律分類（Handbook of Chemistry and Physics, 76th edition, 1995-1996）の８、９および１０族）からの少なくとも１種の元素と、場合による、第ＶＩｂ族（新周期律分類（Handbook of Chemistry and Physics, 76th edition, 1995-1996）の６族）からの少なくとも１種の元素と、担体とを含む硫化触媒上で行われる。第ＶＩＩＩ族からの元素は、好ましくは、ニッケルおよびコバルトから選択され、特にはニッケルである。第ＶＩｂ族からの元素は、それが存在した場合、好ましくは、モリブデンおよびタングステンから選択される；大いに好ましくは、それはモリブデンである。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月14日(2020.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
何れも重量％で、
ベースアスファルト：９３．０〜９６．７％、
ＳＢＳ：３〜５％、
炭素数１２〜２２の飽和脂肪酸：０．３〜２．０％を含有すること
を特徴とするポリマー改質アスファルト組成物。
【請求項２】
上記ベースアスファルトは、
ストレートアスファルト、プロパン脱瀝アスファルト、芳香族系重質鉱油のいずれか一
つ以上を含有すること
を特徴とする請求項１記載のポリマー改質アスファルト組成物。
【請求項３】
上記飽和脂肪酸は、パルミチン酸（Ｃ１６）であること
を特徴とする請求項１又は２記載のポリマー改質アスファルト組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１に記載のポリマー改質アスファルト組成物の製造方法であって、
溶融した状態の上記ベースアスファルトに対して、上記ＳＢＳを混合し、更に上記飽和脂肪酸を添加した後、撹拌する工程を有すること
を特徴とするポリマー改質アスファルト組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月7日(2020.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室の状態を予測する状態予測装置を備えるプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、
プラズマ処理中にモニタされた第一のデータから前記処理室の物理環境の経時変化成分を除去するとともに前記処理室の物理環境の経時変化成分が除去された前記第一のデータを入力データとして前記処理室の状態を予測するための演算を行い、
前記経時変化成分は、前記処理室の物理環境を示す第二のデータから抽出されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、前記第二のデータを用いた主成分分析により前記第二のデータの主成分空間を構築し、前記第一のデータを前記主成分空間へ投影することにより前記主成分空間に投影された前記第一のデータから第一主成分または複数の主成分を除去して元のデータ空間へ戻すことによって前記第一のデータから前記経時変化成分を除去することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のデータは、プラズマの発光データを含み、
前記第二のデータは、前記処理室の内部状態を変化させることにより取得された外部光のデータを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置において、
前記処理室の内部状態を変化させることは、前記処理室の内壁を覆うように配置された石英製カバーの曇り量、前記石英製カバーの表面状態もしくは前記石英製カバーの厚みまたは前記外部光が透過する透過窓の曇り量、前記透過窓の表面状態もしくは前記透過窓の厚みを変化させることであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のデータは、前記試料のプラズマ処理中における、前記試料が載置される試料台に印加される高周波電圧または前記試料台に流れる高周波電流により求められるプラズマインピーダンスを含み、
前記第二のデータは、前記処理室の内壁を覆うように配置された石英製カバーの厚さを変化させることにより取得され、前記高周波電圧または前記高周波電流により求められるプラズマインピーダンスを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、ＰＣＡ−Ｔ−ｓｑｕａｒｅｄまたはＰＣＡ−ＳＰＥを用いて前記処理室の状態を予測するための演算を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、前記第二のデータに主成分分析を行う時の前処理として前記第二のデータから外れ値を除去する処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、前記第二のデータに主成分分析を行う時の前処理として前記第二のデータの特徴量を抽出する処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、前記第二のデータの特徴量として統計値を抽出することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項８に記載のプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、前記第二のデータの特徴量として周波数成分を抽出することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、前記第二のデータから前記物理環境の前記経時変化成分を抽出する手法として機械学習のアルゴリズムを用いることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、前記第二のデータから前記物理環境の前記経時変化成分を抽出する手法として非線形のアルゴリズムを用いることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項７に記載のプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、前記第二のデータに主成分分析を行う時の前処理としてデータの標準化処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１４】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記状態予測装置は、前記第一のデータおよび前記第二のデータを５Ｈｚ以上のサンプリング周波数の間隔毎に取得することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１５】
試料がプラズマ処理される処理室の状態を予測する状態予測装置において、
前記処理室の物理環境の経時変化成分が除去されプラズマ処理中にモニタされた第一のデータを入力データとして前記処理室の状態を予測するための演算が行われる演算部を備え、
前記経時変化成分は、前記処理室の物理環境を示す第二のデータから抽出されることを特徴とする状態予測装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的は、試料がプラズマ処理される処理室と、この処理室の状態を予測する状態予
測装置を備えるプラズマ処理装置において、状態予測装置は、プラズマ処理中にモニタさ
れた第一のデータから処理室の物理環境の経時変化成分を除去するとともに処理室の物理環境の経時変化成分が除去された第一のデータを入力データとして処理室の状態を予測するための演算を行い、経時変化成分は、処理室の物理環境を示す第二のデータから抽出するように構成したことにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記目的は、試料がプラズマ処理される処理室の状態を予測する状態予測装置に
おいて、処理室の物理環境の経時変化成分が除去されプラズマ処理中にモニタされた第一
のデータを入力データとして処理室の状態を予測するための演算が行われる演算部を備え、経時変化成分は、前記処理室の物理環境を示す第二のデータから抽出されるように構成したことにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月17日(2020.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁場中で第１の高周波を印加することにより、軌道半径を増加させながら荷電粒子ビームを加速する円形加速器において、
前記第１の高周波とは周波数の異なる第２の高周波を前記荷電粒子ビームに前記円形加速器内部で印加することにより、前記荷電粒子ビームを出射することを特徴とする円形加速器。
【請求項２】
請求項１に記載の円形加速器において、
前記円形加速器は、前記第２の高周波を印加する高圧電極と接地電極とを有し、
前記高圧電極と前記接地電極とは、所望のエネルギーまで加速された前記荷電粒子ビームが通過する軌道をはさんで設置される
ことを特徴とする円形加速器。
【請求項３】
請求項２に記載の円形加速器において、
前記第２の高周波は、前記荷電粒子ビームの軌道面内かつ前記荷電粒子ビームの軌道と直交する方向である水平方向のベータトロン振動の振幅を増大させる周波数である
ことを特徴とする円形加速器。
【請求項４】
請求項３に記載の円形加速器において、
前記第２の高周波は、水平方向の前記ベータトロン振動の振動数又は前記振動数の小数部のいずれか一方と、前記所望のエネルギーの前記荷電粒子ビームの周回周波数と、の積と略同一である第１の周波数成分を含む
ことを特徴とする円形加速器。
【請求項５】
請求項４に記載の円形加速器において、
前記第２の高周波は、前記第１の周波数成分とは異なる複数の第２の周波数成分を含む
ことを特徴とする円形加速器。
【請求項６】
請求項５に記載の円形加速器において、
前記第２の周波数成分は、前記荷電粒子ビームのチューンの変動、及び／または、ばらつきを考慮した値である
こと特徴とする円形加速器。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載の円形加速器において、
２極以上の極数の磁場成分と、少なくとも４極磁場成分を含む多重極磁場が存在する磁場領域が、前記主磁場中に少なくとも２箇所ある
ことを特徴とする円形加速器。
【請求項８】
請求項７に記載の円形加速器において、
前記磁場領域に含まれる４極以上の極数の多重極磁場成分が、径方向外周側に向かって前記主磁場が強くなる磁場勾配を有する第１の磁場領域である
ことを特徴とする円形加速器。
【請求項９】
請求項８に記載の円形加速器において、
前記磁場領域に含まれる４極以上の極数の多重極磁場成分が、径方向外周側に向かって前記主磁場が弱くなる磁場勾配を有する第２の磁場領域である
ことを特徴とする円形加速器。
【請求項１０】
請求項９に記載の円形加速器において、
前記第１および前記第２の磁場領域が、前記荷電粒子ビームが加速中に周回する軌道より外周側に存在する
ことを特徴とする円形加速器。
【請求項１１】
請求項９又は１０いずれか一項に記載の円形加速器において、
前記荷電粒子ビームが所望のエネルギーまで加速されると、前記第１の高周波を遮断し、前記第２の高周波を立ちあげることを特徴とする円形加速器。
【請求項１２】
請求項１１に記載の円形加速器において、
前記出射に用いる高周波の印加開始後にビームが前記第１の磁場領域または前記第２の磁場領域に達する前に、前記第２の高周波の電圧を低下させるか、又は遮断するように制御することを特徴とする円形加速器。
【請求項１３】
請求項１２に記載の円形加速器において、
前記第２の高周波の印加時間を変える、又は、前記第２の高周波を遮断後に再度印加することを特徴とする円形加速器。
【請求項１４】
請求項１乃至１３いずれかに記載の円形加速器において、
前記第２の高周波の周波数をスイープするすることを特徴とする円形加速器。
【請求項１５】
請求項１乃至１４に記載の円形加速器において、
前記円形加速器は、
前記主磁場を形成し、対向して配置される主磁極を含む主電磁石と、
前記主磁極間に前記荷電粒子ビームを入射するイオン源と、
前記主磁極間に配置され、前記第１の高周波が印加される加速間隙と、
前記主磁場中から前記円形加速器の外部に前記荷電粒子ビームを出射する出射経路と、
を備え、
前記加速間隙は、前記第１の高周波を周波数変調することを特徴とする円形加速器。
【請求項１６】
請求項１乃至１４いずれか一項に記載の円形加速器において、
前記円形加速器は、
前記主磁場を形成し、対向して配置される主磁極を含む主電磁石と、
前記主磁極間に前記荷電粒子ビームを入射するイオン源と、
前記主磁極間に配置され、前記第１の高周波が印加される加速間隙と、
前記主磁場中から前記円形加速器の外部に前記荷電粒子ビームを出射する出射経路と、
を備え、
前記荷電粒子ビームの周回する軌道が、ある一方向に偏芯していることを特徴とする円形加速器。
【請求項１７】
請求項１乃至１６に記載の円形加速器と、ビームを患者に照射する照射装置とを備えたことを特徴とする粒子線治療システム。
【請求項１８】
主磁場中で第１の高周波を印加することにより、軌道半径を増加させながら荷電粒子ビームを加速する円形加速器の運転方法であって、
前記第１の高周波とは周波数の異なる第２の高周波を前記荷電粒子ビームに前記円形加速器内部で印加することにより、前記荷電粒子ビームを出射することを特徴とする円形加速器の運転方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月7日(2020.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極板、前記電極板の一方面に設けられた正極、及び前記電極板の他方面に設けられた負極を含むバイポーラ電極と、前記バイポーラ電極の外縁部に設けられた樹脂部と、を有するシート状の樹脂付電極が積層された蓄電モジュールの製造方法であって、
前記樹脂付電極が載置された第１平面と、前記第１平面と前記樹脂付電極を介して対向するハンドの第２平面とにより、前記樹脂付電極の反りを矯正するように前記樹脂付電極を挟持する工程と、
反りが矯正された状態の前記樹脂付電極の外縁の位置を検出する工程と、
検出された前記位置に基づき、前記樹脂付電極の厚さ方向から見て、前記樹脂付電極の外縁が搬送装置の載置領域の外縁と一致するように、前記ハンドにより前記樹脂付電極を前記載置領域に搬送して載置する工程と、
載置された前記樹脂付電極が前記第２平面と前記載置領域とにより挟持された状態で、前記樹脂付電極を前記載置領域に固定する工程と、
固定された前記樹脂付電極を前記搬送装置によって搬送する工程と、
を含む蓄電モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記固定する工程では、前記樹脂付電極の厚さ方向から見て矩形状を呈する前記樹脂付電極の対角線上の角部に位置する一対の固定部によって前記樹脂付電極を固定し、
前記一対の固定部のそれぞれは、前記樹脂付電極の隣り合う一対の辺において前記樹脂付電極を固定する、請求項１に記載の蓄電モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記搬送装置によって前記樹脂付電極を搬送した後、前記樹脂付電極の固定を解除して前記樹脂付電極を前記載置領域から積層領域に搬送して積層する工程を更に含む、請求項１又は２に記載の蓄電モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月28日(2020.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライバの居眠りを検知する居眠り検知部（２）と、
ドライバの脇見を検知する脇見検知部（２）と、
車速を検知する車速検知部（４）と、
ドライバに警報を実行する報知部（５）と、
ドライバの居眠りの検知結果、ドライバの脇見の検知結果、または、車速の検知結果に基づいて前記報知部による警報の実行を制御する警報制御部（２）とを備え、
前記警報制御部は、車速の検知結果について車速の閾値で区分された判定レベルに応じて前記警報の制御を実行し、車速が前記閾値以下のときには、ドライバの居眠りを検知したときに、警報を実行させ、ドライバの脇見を検知しても、警報を実行させないように構成された車両用警報装置。
【請求項２】
前記閾値は、変更可能なように構成された請求項１記載の車両用警報装置。
【請求項３】
前記警報制御部（２）は、車速が前記閾値よりも大きいときには、ドライバの居眠りを検知したとき、または、ドライバの脇見を検知したときに、警報を実行させるように構成された請求項１または２記載の車両用警報装置。
【請求項４】
前記警報制御部（２）は、車速が０または０に近いときには、ドライバの居眠りを検知しても、ドライバの脇見を検知しても、警報を実行させないように構成された請求項１から３のいずれか一項記載の車両用警報装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１の発明は、ドライバの居眠りを検知する居眠り検知部と、ドライバの脇見を検知する脇見検知部と、車速を検知する車速検知部と、ドライバに警報を実行する報知部と、ドライバの居眠りの検知結果、ドライバの脇見の検知結果、または、車速の検知結果に基づいて前記報知部による警報の実行を制御する警報制御部とを備え、前記警報制御部は、車速の検知結果について車速の閾値で区分された判定レベルに応じて前記警報の制御を実行し、車速が前記閾値以下のときには、ドライバの居眠りを検知したときに、警報を実行させ、ドライバの脇見を検知しても、警報を実行させないように構成された車両用警報装置である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月26日(2020.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図３に示す第１階層ＫＳ１は、最上位階層である。第１階層ＫＳ１に属するメニュー項目ＭＫは、メニュー種別を最も大きく分類した項目であり、最上位階層に属するメニュー項目ＭＫ（以下、最上位メニュー項目ＭＫと表現する）（第１のメニュー項目）である。図３では、第１階層ＫＳ１に属するメニュー項目ＭＫとして、メニュー項目ＭＫ１１、ＭＫ１２、ＭＫ１３、ＭＫ１４の４つを代表して示している。
メニュー項目ＭＫ１１は、画質に関するメニュー項目ＭＫを表示するため項目である。メニュー項目ＭＫ１２は、映像に関するメニュー項目ＭＫを表示するための項目である。メニュー項目ＭＫ１３は、拡張設定以外の設定に関するメニュー項目ＭＫを表示するため項目である。メニュー項目ＭＫ１４は、拡張設定に関するメニュー項目ＭＫを表示するための項目である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図３では、第４階層ＫＳ４に属するメニュー項目ＭＫとして、メニュー項目ＭＫ４１、ＭＫ４２、ＭＫ４３、ＭＫ４４、ＭＫ４５、ＭＫ４６、ＭＫ４７、ＭＫ４８、ＭＫ４９の９つを代表して示している。
メニュー項目ＭＫ４１、ＭＫ４２、ＭＫ４３、ＭＫ４４は、第３階層ＫＳ３に属するメニュー項目ＭＫ３３を細かく分類したメニュー項目ＭＫである。メニュー項目ＭＫ４１は、ポイント補正を実行するためのメニュー項目ＭＫである。メニュー項目ＭＫ４２は、ポイント補正を行う際の交点数（ポイント数）を設定するためのメニュー項目ＭＫである。メニュー項目ＭＫ４３は、ポイント補正において格子線の表示色を設定するためのメニュー項目ＭＫである。メニュー項目ＭＫ４４は、実行したポイント補正を取り止めるためのメニュー項目ＭＫである。
メニュー項目ＭＫ４５、ＭＫ４６、ＭＫ４７、ＭＫ４８、ＭＫ４９は、第３階層ＫＳ３に属するメニュー項目ＭＫ３８を細かく分類したメニュー項目ＭＫである。メニュー項目ＭＫ４５は、エッジブレンディングのオンオフを設定するメニュー項目ＭＫである。メニュー項目ＭＫ４６は、エッジブレンディングを開始する開始位置を設定するメニュー項目ＭＫである。メニュー項目ＭＫ４７は、エッジブレンディングの曲線種類を設定するメニュー項目ＭＫである。メニュー項目ＭＫ４８は、プロジェクター１００の位置合わせのためのマークを表示するためのメニュー項目ＭＫである。メニュー項目ＭＫ４９は、テストパターンを表示するためのメニュー項目ＭＫである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
一方で、制御部１７０は、決定ボタンＫＢを操作して選択したメニュー項目ＭＫに下位の階層があると判別した場合（ステップＳ５：ＹＥＳ）、この下位の階層に属するメニュー項目ＭＫを表示させる（ステップＳ７）。次いで、制御部１７０は、ステップＳ７においてメニュー項目ＭＫを表示させるために操作したメニュー項目ＭＫの操作順を記憶部１６０に記憶する（ステップＳ８）。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月5日(2019.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
光学異方性層は、無機材料からなる複数の複屈折膜を含む。無機材料としては、誘電材料が好ましく、例えば、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｔａ、Ａｌ、Ｈｆ、およびＣｅからなる群より選択される少なくとも１種を含有する酸化物が挙げられる。さらには、Ｔａ２Ｏ３を主成分とするものが好ましく、Ｔａ２Ｏ５にＴｉＯ２を５〜１５質量％添加した材料がさらに好ましい。