【手続補正書】
【提出日】令和2年2月6日(2020.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極の上に設けられ、第１領域と、前記第１領域を囲む第２領域と、を有する第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１領域の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域と電気的に接続された第２電極と、
前記第１領域から前記第２半導体領域に向かう第１方向に垂直な第２方向において、前記第２半導体領域とゲート絶縁部を介して対向するゲート電極と、
前記第２領域の上に第１絶縁部を介して設けられ、前記第１方向及び前記第２方向に垂直な第３方向において互いに離間して複数設けられた第１導電部であって、複数の前記第１導電部は、前記第２方向において前記ゲート電極と並び、前記第２電極又は前記ゲート電極と電気的に接続された、前記第１導電部と、
前記第２電極又は前記ゲート電極と電気的に接続され、前記第２領域の上に第２絶縁部を介して設けられ、前記第３方向において前記ゲート電極及び前記複数の第１導電部と並ぶ第２導電部と、
を備え、
前記第１導電部の前記第２方向における長さは、前記ゲート電極の前記第２方向における長さよりも長い半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は、前記第２方向において互いに離間して複数設けられ、
前記第２導電部は、前記第３方向において前記複数のゲート電極及び前記複数の第１導電部と並び、
前記第１絶縁部同士の間の前記第３方向における距離は、前記ゲート絶縁部同士の間の前記第２方向における距離以下である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２電極又は前記ゲート電極と電気的に接続された複数の第３導電部と、
前記複数の第３導電部の上に設けられ、前記ゲート電極と電気的に接続された第３電極と、
をさらに備え、
前記複数の第３導電部は、前記第３方向において互いに離間し、
前記複数の第３導電部のそれぞれは、前記第２領域の上に第３絶縁部を介して設けられ、
前記ゲート電極の一部は、前記第２方向において、前記複数の第１導電部の一部と前記複数の第３導電部との間に位置し、
前記複数の第３導電部のそれぞれの前記第２方向における長さは、前記複数の第１導電部のそれぞれの前記第２方向における長さよりも長い請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１絶縁部中に設けられ、前記第２方向において前記第１導電部と離間した第４導電部をさらに備えた請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１導電部は、さらに、前記第２方向において複数設けられ、
前記ゲート電極は、前記第２方向において、複数の前記第１導電部の一部と、複数の前記第１導電部の別の一部と、の間に位置する請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２導電部は、前記第３方向において複数設けられ、
前記ゲート電極は、前記第３方向において、複数の前記第２導電部の１つと、複数の前記第２導電部の別の１つと、の間に位置する請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
第１電極と、
前記第１電極の上に設けられ、第１領域と、前記第１領域を囲む第２領域と、を有し、前記第１電極と電気的に接続された第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１領域の上に設けられた第２導電形の複数の第２半導体領域と、
それぞれが、前記複数の第２半導体領域のそれぞれの上に設けられた第１導電形の複数の第３半導体領域と、
前記複数の第３半導体領域の上に設けられ、前記複数の第２半導体領域及び前記複数の第３半導体領域と電気的に接続された第２電極と、
それぞれが、前記第１領域から前記第２半導体領域に向かう第１方向に垂直な第２方向において、前記複数の第２半導体領域のそれぞれとゲート絶縁部を介して対向する複数のゲート電極と、
前記第２領域の上に第１絶縁部を介して設けられ、前記第２方向において互いに離間して複数設けられた第１導電部であって、複数の前記第１導電部は、前記第１方向及び前記第２方向に垂直な第３方向において前記ゲート電極と並び、前記第２電極又は前記ゲート電極と電気的に接続された、前記第１導電部と、
前記第２電極又は前記ゲート電極と電気的に接続され、前記第２領域の上に第２絶縁部を介して設けられ、前記第２方向において前記ゲート電極及び前記複数の第１導電部と並ぶ第２導電部と、
を備え、
前記第１導電部の前記第３方向における長さは、前記ゲート電極の前記第２方向における長さよりも長い半導体装置。
【請求項８】
前記ゲート電極は、前記第２方向において互いに離間して複数設けられ、
前記第２導電部は、前記第２方向において前記複数のゲート電極及び前記複数の第１導電部と並び、
前記第１絶縁部同士の間の前記第２方向における距離は、前記ゲート絶縁部同士の間の前記第２方向における距離以下である請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
第１電極と、
前記第１電極の上に設けられ、第１領域と、前記第１領域を囲む第２領域と、を有し、前記第１電極と電気的に接続された第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１領域の上に設けられた第２導電形の複数の第２半導体領域と、
それぞれが、前記複数の第２半導体領域のそれぞれの上に設けられた第１導電形の複数の第３半導体領域と、
前記複数の第３半導体領域の上に設けられ、前記複数の第２半導体領域及び前記複数の第３半導体領域と電気的に接続された第２電極と、
それぞれが、前記第１領域から前記第２半導体領域に向かう第１方向に垂直な第２方向において、前記複数の第２半導体領域のそれぞれとゲート絶縁部を介して対向する複数のゲート電極と、
前記第２領域の上に第１絶縁部を介して設けられ、前記第１方向及び前記第２方向に垂直な第３方向において互いに離間して複数設けられた第１導電部であって、複数の前記第１導電部は、前記第２方向において前記ゲート電極と並び、前記第２電極又は前記ゲート電極と電気的に接続された、前記第１導電部と、
前記第２領域の上に第２絶縁部を介して設けられ、前記第２方向において互いに離間して複数設けられた第２導電部であって、複数の前記第２導電部は、前記第３方向において前記複数のゲート電極と並び、前記第２電極又は前記ゲート電極と電気的に接続された、前記第２導電部と、
を備えた半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、第１電極と、第１導電形の第１半導体領域と、第２導電形の第２半導体領域と、第１導電形の第３半導体領域と、第２電極と、ゲート電極と、第１導電部と、第２導電部と、を備える。前記第１半導体領域は、前記第１電極の上に設けられている。前記第１半導体領域は、第１領域と、前記第１領域を囲む第２領域と、を有する。前記第２半導体領域は、前記第１領域の上に設けられている。前記第３半導体領域は、前記第２半導体領域の上に設けられている。前記第２電極は、前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域と電気的に接続されている。前記ゲート電極は、前記第１領域から前記第２半導体領域に向かう第１方向に垂直な第２方向において、前記第２半導体領域とゲート絶縁部を介して対向している。前記第１導電部は、前記第２領域の上に第１絶縁部を介して設けられている。前記第１導電部は、前記第１方向及び前記第２方向に垂直な第３方向において、互いに離間して複数設けられている。複数の前記第１導電部は、前記第２方向において前記ゲート電極と並び、前記第２電極又は前記ゲート電極と電気的に接続されている。前記第２導電部は、前記第２電極又は前記ゲート電極と電気的に接続されている。前記第２導電部は、前記第２領域の上に第２絶縁部を介して設けられている。前記第２導電部は、前記第３方向において前記ゲート電極及び前記複数の第１導電部と並んでいる。前記第１導電部の前記第２方向における長さは、前記ゲート電極の前記第２方向における長さよりも長い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置を表す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ’断面図及びＣ−Ｃ’断面図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程を表す工程断面図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程を表す工程断面図である。
【図６】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程を表す工程断面図である。
【図７】第１実施形態に係る半導体装置が接続された電気回路を例示する回路図である。
【図８】図７に表した電気回路中の半導体装置における電流及び電圧の波形を表すグラフである。
【図９】第１実施形態に係る半導体装置中の正孔の流れを模式的に表す平面図である。
【図１０】第１実施形態の変形例に係る半導体装置を表す平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ’断面図である。
【図１２】第２実施形態に係る半導体装置を表す平面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ’断面図及びＢ−Ｂ’断面図である。
【図１４】図１２のＣ−Ｃ’断面図である。
【図１５】第１実施形態に係る半導体装置の一部を表す平面図及び第２実施形態に係る半導体装置の一部を表す平面図である。
【図１６】第３実施形態に係る半導体装置を表す平面図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
（第２実施形態）
図１２は、第２実施形態に係る半導体装置を表す平面図である。
図１３は、図１２のＡ−Ａ’断面図及びＢ−Ｂ’断面図である。
図１４は、図１２のＣ−Ｃ’断面図である。
なお、図１２の平面図は、図１３のＤ−Ｄ’線における断面を表している。