(57)【要約】  本発明によれば、リードフレームまたは回路基板と、前記リードフレームまたは回路基板上に積層および／または並列して搭載された１以上の半導体素子と、前記リードフレームまたは回路基板と前記半導体素子とを電気的に接合する銅ワイヤと、前記半導体素子と前記銅ワイヤを封止する封止材とを備えた半導体装置であって、前記銅ワイヤの線径が１８μｍ以上２３μｍ以下であり、前記封止材がエポキシ樹脂組成物の硬化物で構成されており、前記エポキシ樹脂組成物が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）球状シリカ、（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体を含むものであり、当該半導体装置が前記エポキシ樹脂組成物による封止成形後に個片化する工程を経て得られることを特徴とする半導体装置が提供される。
2011043058.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的接合部を備える、ダイパッド部を有するリードフレームまたは回路基板と、
前記リードフレームの前記ダイパッド部上または前記回路基板上に積層もしくは並列して搭載された、電極パッドを備える１以上の半導体素子と、
前記リードフレームまたは前記回路基板の前記電気的接合部と、前記半導体素子の前記電極パッドとを電気的に接合する銅ワイヤと、
前記半導体素子と前記銅ワイヤとを封止する封止材と、
を備える半導体装置であって、
前記銅ワイヤの線径が１８μｍ以上、２３μｍ以下であり、
前記封止材がエポキシ樹脂組成物の硬化物から構成され、
前記エポキシ樹脂組成物が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）球状シリカ、（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体を含み、
前記半導体装置は、前記エポキシ樹脂組成物による封止成形後に個片化する工程を経て得られる半導体装置。
【請求項２】
前記（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体の平均粒径が、１μｍ以上、１０μｍ以下である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体の前記エポキシ樹脂組成物全質量に対する含有割合が、１質量％以上、１０質量％以下である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体が、結晶水を２０質量％以上含有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体が、水酸化アルミニウムおよび／または水酸化マグネシウムである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記エポキシ樹脂組成物が、水酸化ジルコニウム、ハイドロタルサイト、ベーマイトからなる群より選択される１種以上のアルミニウム腐食防止剤をさらに含む請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記（Ｃ）球状シリカのモード径が３５μｍ以下であり、かつ前記（Ｃ）球状シリカに含まれる５５μｍ以上の粒子の含有率が０．１質量％以下である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記エポキシ樹脂が、
一般式（１）：
2011043058.tif 000027
（一般式（１）において、−Ｒ１−はフェニレン基またはナフチレン基であり、−Ｒ１−がナフチレン基である場合、グリシジルエーテル基の結合位置はα位であってもβ位であってもよく、−Ｒ２−はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ３およびＲ４は、それぞれＲ１およびＲ２に導入され、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていてもよく、ａは０〜５の整数であり、ｂは０〜８の整数であり、ｎ１の平均値は１以上、３以下の正数である）で表されるエポキシ樹脂、
一般式（２）：
2011043058.tif 000028
（一般式（２）において、Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていても良く、Ｒ６は水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよく、ｃおよびｄは０または１の整数であり、ｅは０〜５の整数である）で表されるエポキシ樹脂、
一般式（３）：
2011043058.tif 000029
（一般式（３）において、Ｒ７およびＲ８は水素原子またはメチル基であり、ｎ３は０〜５の整数である）で表されるエポキシ樹脂、および
一般式（４）：
2011043058.tif 000030
（一般式（４）において、ｎ４の平均値は０以上、４以下の正数である）で表されるエポキシ樹脂、
からなる群から選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂を含む請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記硬化剤が、
一般式（５）：
2011043058.tif 000031
（一般式（５）において、−Ｒ９−はフェニレン基またはナフチレン基であり、−Ｒ９−がナフチレン基である場合、水酸基の結合位置はα位であってもβ位であってもよく、−Ｒ１０−はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれＲ９、Ｒ１０に導入され、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていてもよく、ｆは０〜５の整数であり、ｇは０〜８の整数であり、ｎ５の平均値は１以上、３以下の正数である）で表されるフェノール樹脂を含む請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記硬化剤が、
一般式（６）：
2011043058.tif 000032
（一般式（６）において、ｎ６の平均値は０以上、４以下の正数である）で表されるフェノール樹脂を含む請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。より詳しくは、ダイパッド部を有するリードフレームまたは回路基板と、前記リードフレームのダイパッド部上または前記回路基板上に積層もしくは並列して搭載された１以上の半導体素子と、前記リードフレームのダイパッド部または前記回路基板に設けられた電気的接合部と前記半導体素子に設けられた電極パッドとを電気的に接合する銅ワイヤと、前記半導体素子と前記銅ワイヤとを封止する封止材とを備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来からダイオード、トランジスタ、集積回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物の硬化物により封止されている。特に集積回路では、エポキシ樹脂、フェノール樹脂系硬化剤、および溶融シリカ、結晶シリカ等の無機充填材を配合した、耐熱性、耐湿性に優れたエポキシ樹脂組成物が用いられている。ところが近年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々進み、また半導体装置の表面実装化が促進され、半導体素子の封止で用いられているエポキシ樹脂組成物の耐熱性、耐湿性の要求は益々厳しいものとなってきている。【０００３】
一方、半導体装置に対するコストダウンの要求も激しく、従来の金線接合ではコストが高いため、アルミ、銅合金、銅などの非金金属による接合も採用されている。しかしながら、特に、自動車用途において、非金金属には、コストに加え、１５０℃を超えるような高温環境下での高温保管特性、高温動作特性、６０℃、相対湿度６０％を超える高温・高湿環境下での耐湿信頼性といった電気的信頼性も要求される。また、非金ワイヤによる接合においては、マイグレーション、腐食、電気抵抗値の増大といった問題があり、必ずしも満足できるものではなかった。【０００４】
特に銅ワイヤを用いた半導体装置においては、耐湿信頼性試験において銅が腐食し易すく信頼性に欠けるといった問題がある。ワイヤ線径の比較的太い銅ワイヤはディスクリート用パワーデバイスにおいて使用実績があるものの、ワイヤ線径２５μｍ以下の銅ワイヤは、ＩＣ用途、特に回路基板起因の不純物の影響を受ける片面封止パッケージへの適用は難しいのが現状である。【０００５】
特許文献１では、銅ワイヤ自体の加工性を改善することで接合部の信頼性を向上させることが提案されている。また、特許文献２では、銅線に導電性金属を被覆することで、銅線の酸化を防止し、接合信頼性を改善することが提案されている。しかし、樹脂で封止されたパッケージすなわち半導体装置自体の腐食、耐湿信頼性といった電気的信頼性については考慮されていない。【０００６】
また、パッケージの小型薄肉化と同時に生産性の向上を図るために、多数個の半導体素子を一括成形し、成形後に個片に切り分けて各素子を得るＭＡＰ成形が主流となりつつある。ＭＡＰ成形品は、薄く大型の成形品を成形するために、封止樹脂には、低粘度化、個片化する場合の切断に耐え得る強度、割れ欠けしない柔軟さ、更にはカットする刃に対する低摩耗性などが要求される。上述したパッケージ信頼性の向上のためには、封止樹脂に、無機充填材を高充填化して吸湿率を低下させることが好ましい。しかし、無機充填材の高充填化により、切削抵抗が高く刃が摩耗しやすく、個片化時に刃に噛みこみ破損するという問題が生じる場合がある。したがって、封止樹脂には、個片化のしやすさ、および刃に対する低磨耗性が要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特公平６−０１７５５４号公報
【特許文献２】特開２００７−１２７７６号公報
【発明の概要】
【０００８】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、リードフレームまたは回路基板と、半導体素子と、銅ワイヤと、封止材とを備えた半導体装置であって、前記半導体素子と前記銅ワイヤを、前記封止材用のエポキシ樹脂組成物で一括封止成形した後に、成形品をカットして個片化するＭＡＰ方式で得られる半導体装置において、封止成形後の個片化が容易であり、カットに用いる刃の摩耗が少なく、かつリードフレームまたは回路基板の電気的接合部と半導体素子の電極パッドとを電気的に接合する銅ワイヤが腐食し難く、高温保管特性、高温動作特性、耐湿信頼性のバランスに優れた半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明によると、電気的接合部を備える、ダイパッド部を有するリードフレームまたは回路基板と、該リードフレームの該ダイパッド部上または該回路基板上に積層もしくは並列して搭載された、電極パッドを備える１以上の半導体素子と、該リードフレームまたは該回路基板の該電気的接合部と、該半導体素子の該電極パッドとを電気的に接合する銅ワイヤと、該半導体素子と該銅ワイヤとを封止する封止材と、を備える半導体装置であって、該銅ワイヤの線径が１８μｍ以上、２３μｍ以下であり、該封止材がエポキシ樹脂組成物の硬化物から構成され、該エポキシ樹脂組成物が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）球状シリカ、（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体を含み、該半導体装置は、該エポキシ樹脂組成物による封止成形後に個片化する工程を経て得られる半導体装置が提供される。
【００１０】
本発明の一実施形態によると、上記半導体装置において、上記（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体の平均粒径は、１μｍ以上、１０μｍ以下である。
【００１１】
本発明の一実施形態によると、上記半導体装置において、上記（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体の上記エポキシ樹脂組成物全質量に対する含有割合は、１質量％以上、１０質量％以下である
【００１２】
本発明の一実施形態によると、上記半導体装置において、上記（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体は、結晶水を２０質量％以上含有する。
【００１３】
本発明の一実施形態によると、上記半導体装置において、上記（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体は、水酸化アルミニウムおよび／または水酸化マグネシウムである。
【００１４】
本発明の一実施形態によると、上記半導体装置において、上記エポキシ樹脂組成物は、水酸化ジルコニウム、ハイドロタルサイト、ベーマイトからなる群より選択される１種以上のアルミニウム腐食防止剤をさらに含む。
【００１５】
本発明の一実施形態によると、上記半導体装置において、上記（Ｃ）球状シリカのモード径は３５μｍ以下であり、かつ上記（Ｃ）球状シリカに含まれる５５μｍ以上の粒子の含有率は０．１質量％以下である。
【００１６】
本発明の一実施形態によると、上記半導体装置において、上記エポキシ樹脂は、
一般式（１）：
2011043058.tif 000003
（一般式（１）において、−Ｒ１−はフェニレン基またはナフチレン基であり、−Ｒ１−がナフチレン基である場合、グリシジルエーテル基の結合位置はα位であってもβ位であってもよく、−Ｒ２−はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ３およびＲ４は、それぞれＲ１およびＲ２に導入され、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていてもよく、ａは０〜５の整数であり、ｂは０〜８の整数であり、ｎ１の平均値は１以上、３以下の正数である）で表されるエポキシ樹脂、
一般式（２）：
2011043058.tif 000004
（一般式（２）において、Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていても良く、Ｒ６は水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよく、ｃおよびｄは０または１の整数であり、ｅは０〜５の整数である）で表されるエポキシ樹脂、
一般式（３）：
2011043058.tif 000005
（一般式（３）において、Ｒ７およびＲ８は水素原子またはメチル基であり、ｎ３は０〜５の整数である）で表されるエポキシ樹脂、および
一般式（４）：
2011043058.tif 000006
（一般式（４）において、ｎ４の平均値は０以上、４以下の正数である）で表されるエポキシ樹脂、
からなる群から選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂を含む。
【００１７】
本発明の一実施形態によると、上記半導体装置において、上記硬化剤は、
一般式（５）：
2011043058.tif 000007
（一般式（５）において、−Ｒ９−はフェニレン基またはナフチレン基であり、−Ｒ９−がナフチレン基である場合、水酸基の結合位置はα位であってもβ位であってもよく、−Ｒ１０−はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれＲ９、Ｒ１０に導入され、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていてもよく、ｆは０〜５の整数であり、ｇは０〜８の整数であり、ｎ５の平均値は１以上、３以下の正数である）で表されるフェノール樹脂を含む。
【００１８】
本発明の一実施形態によると、上記半導体装置において、上記硬化剤は、
一般式（６）：
2011043058.tif 000008
（一般式（６）において、ｎ６の平均値は０以上、４以下の正数である）で表されるフェノール樹脂を含む。
【００１９】
本発明に従うと、リードフレームまたは回路基板と、半導体素子と、銅ワイヤと、封止材とを備えた半導体装置であって、前記半導体素子と前記銅ワイヤを前記封止材用のエポキシ樹脂組成物で一括封止成形した後に、成形品をカットして個片化するＭＡＰ方式の半導体装置において、封止成形後の個片化が容易で、カットする刃の摩耗が少なく、かつリードフレームまたは回路基板の電気的接合部と半導体素子の電極パッドとを電気的に接合する銅ワイヤが腐食し難く、高温保管特性、高温動作特性、耐湿信頼性のバランスに優れた半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の断面構造を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の半導体装置について詳細に説明する。
本発明の半導体装置は、リードフレームまたは回路基板と、半導体素子と、銅ワイヤと、封止材とを備えた半導体装置であって、半導体素子と銅ワイヤを、封止材用のエポキシ樹脂組成物で一括封止成形した後に、成形品をカットして個片化するＭＡＰ方式で得られる半導体装置である。
【００２２】
図１は、本発明の半導体装置の一例である回路基板に並列に搭載した複数の半導体素子を一括で封止成形した後、個片化する半導体装置（ＭＡＰタイプのＢＧＡ）における一括封止成形後（個片化前）の概略を示す断面図である。回路基板６上に、ダイボンド材硬化体２により半導体素子１が並列に複数固定されている。半導体素子１の電極パッド５と回路基板６の電極パッド７とは銅ワイヤ３によって電気的に接合されている。回路基板６の半導体素子１が搭載された面と反対側の面には半田ボール８が形成されており、この半田ボール８は回路基板６の電極パッド７と回路基板６の内部で電気的に接合されている。封止材４は、例えば、前記エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されたものであり、回路基板６の半導体素子１が複数搭載された片面側のみがこの封止材４により一括で封止成形されている。尚、ダイシングライン９に沿ってダイシングすることで、個片化される。図１では、個片化後の半導体装置において、回路基板６上に半導体素子１が１個搭載されたものを示したが、２個以上が並列又は積層されて搭載されていてもよい。
【００２３】
したがって、上記の個片化により得られる本発明の半導体装置は、電気的接合部である電極パッド７を備える、ダイパッド部を有するリードフレームまたは回路基板６と、リードフレームのダイパッド部上または回路基板６上に積層もしくは並列して搭載された、電極パッド５を備える１以上の半導体素子１と、リードフレームまたは回路基板６の電極パッド７と、半導体素子１の電極パッド５とを電気的に接合する銅ワイヤ３と、半導体素子１と銅ワイヤ３とを封止する封止材４とを備える。
【００２４】
上記半導体装置において、銅ワイヤの線径が１８μｍ以上、２３μｍ以下であり、封止材がエポキシ樹脂組成物の硬化物で構成されており、エポキシ樹脂組成物が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）球状シリカ、（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体を含む。また、上記半導体装置は、エポキシ樹脂組成物による封止成形後に個片化する工程を経て得られる。本発明の半導体装置は、かかる構成により、封止成形後の個片化が容易で、カットする刃の摩耗が少なく、リードフレームまたは回路基板の電気的接合部と半導体素子の電極パッドとを電気的に接合する銅ワイヤが腐食し難く、高温保管特性、高温動作特性、耐湿信頼性のバランスに優れる。以下、各構成について詳細に説明する。
【００２５】
先ず、本発明の半導体装置で用いられる銅ワイヤについて説明を行う。ダイパッド部を有するリードフレームまたは回路基板と、リードフレームのダイパッド部上または回路基板上に積層もしくは並列して搭載された１以上の半導体素子と、リードフレームまたは回路基板の電気的接合部と半導体素子の電極パッドとを電気的に接合するワイヤと、半導体素子とワイヤを封止する封止材とを備えた半導体装置においては、集積度の向上のため狭パッドピッチ、小ワイヤ径が要求され、具体的には、２３μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下のワイヤ径が求められている。ワイヤとして銅ワイヤを用いた場合における銅ワイヤ自身の加工性に起因する接合信頼性を向上させるため、ワイヤ径を大きくすることで接合面積を増大し、接合不足に起因する耐湿信頼性の低下を改善するという考え方もあるが、このようにワイヤ径を太くすることによる改善手法では集積度の向上を図ることはできず、片面封止型の半導体装置として満足できるものが得られない。また１８μｍを下回るワイヤ径では銅ワイヤ自身の硬さが十分に発揮できずワイヤスイープ（「ワイヤ流れ」とも称す）を起こし組み立て自体が困難である。
【００２６】
本発明の半導体装置で用いられる銅ワイヤは、２３μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下のワイヤ径でありかつ１８μｍ以上のワイヤ径であることが好ましい。この範囲であれば、銅ワイヤ先端のボール形状が安定し、接合部分の接合信頼性を向上させることができる。また、銅ワイヤ自身の硬さによりワイヤスイープを防止することが可能となる。
【００２７】
本発明の半導体装置で用いられる銅ワイヤは、特に限定はされないが、銅純度９９．９９質量％以上であることが好ましく、９９．９９９質量％以上であることがより好ましい。一般に銅に対して各種元素（ドーパント）を添加することで接合時における銅ワイヤ先端のボール側形状の安定化を図ることができる。０．０１質量％より多い量のドーパントを添加すると、ワイヤボンド接合時にボール部分が硬くなり半導体素子の電極パッド側にダメージを与え、接合不足に起因する耐湿信頼性の低下、高温保管特性の低下、電気抵抗値の増大といった不具合が生じる。これに対し、銅純度９９．９９質量％以上の銅ワイヤであれば、ボール部分は充分な柔軟性を有しているため、接合時にパッド側にダメージを与える恐れがない。尚、本発明の半導体装置で用いられる銅ワイヤは、芯線である銅にＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂｅ、Ａｌまたは希土類金属を０．００１〜０．００３質量％ドープすることでさらにボール形状と接合強度が改善される。
【００２８】
本発明の半導体装置で用いられる銅ワイヤは、銅合金を溶解炉で鋳造し、その鋳塊をロール圧延し、さらにダイスを用いて伸線加工を行い、連続的にワイヤを掃引しながら加熱する後熱処理を施して得ることができる。
【００２９】
次に、本発明の半導体装置で用いられる封止材について説明を行う。本発明の半導体装置で用いられる封止材は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）球状シリカ、（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物から構成される。
【００３０】
銅ワイヤを用いた半導体装置は高温および高湿環境下にて電気接合部の腐食といった問題が懸念される。そのため耐湿信頼性の改善のためには半導体封止材料中のナトリウム、塩素といったイオン性不純物を低減させることが望ましい。以下、本発明の半導体装置で用いられる封止材を構成するエポキシ樹脂組成物の各構成成分について説明を行う。
【００３１】
本発明の半導体装置で用いられる封止材用のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）を含む。本願明細書中において、エポキシ樹脂（Ａ）とは、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマーを指し、その分子量、分子構造は特に限定されない。エポキシ樹脂（Ａ）としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロアントラセンジオール型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。また、銅ワイヤを用いた半導体装置における高温および高湿環境下での電気接合部の腐食の観点から、これらのエポキシ樹脂中に含有されるナトリウムイオン、塩素イオンといったイオン性不純物の量は、それぞれ１０ｐｐｍ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【００３２】
尚、エポキシ樹脂のイオン性不純物の量は、以下のようにして測定することができる。先ず、エポキシ樹脂５ｇと蒸留水５０ｇとをテフロン（登録商標）製耐圧容器中に密閉し、１２５℃、相対湿度１００％ＲＨ、２０時間の処理（プレッシャークッカー処理）を行う。室温まで冷却した後、抽出水を遠心分離、２０μｍフィルターにてろ過し、キャピラリー電気泳動装置（例えば、大塚電子株式会社製ＣＡＰＩ―３３００）を用いて不純物イオン濃度を測定する。ここで得られる不純物イオン濃度（単位ｐｐｍ）は試料５ｇ中から抽出された不純物イオンを１０倍に希釈した数値であるため、下記式により樹脂組成物単位質量あたりの各イオン量に換算する。単位はｐｐｍ。
試料単位質量あたりの不純物イオン＝（キャピラリー電気泳動装置で求めた不純物イオン濃度）×５０÷５
尚、後述する硬化剤中に含有されるイオン性不純物の量についても、同様の方法で測定することができる。
【００３３】
一括で封止成形した後に個片化する工程を経て得られる半導体装置としての信頼性を考慮すると、薄型大型の製品であることから、反りによる内蔵半導体素子へのダメージ、銅ワイヤと素子との接合部分への応力による信頼性の低下を防止するために、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、一般式（２）で表されるエポキシ樹脂、一般式（３）で表されるエポキシ樹脂、一般式（４）で表されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂を含有することが特に好ましい。
【００３４】
2011043058.tif 000009
（一般式（１）において、−Ｒ１−はフェニレン基またはナフチレン基であり、−Ｒ１−がナフチレン基である場合、グリシジルエーテル基の結合位置はα位であってもβ位であってもよく、−Ｒ２−はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ３およびＲ４は、それぞれＲ１およびＲ２に導入され、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていてもよく、ａは０〜５の整数であり、ｂは０〜８の整数であり、ｎ１の平均値は１以上、３以下の正数である）；
【００３５】
2011043058.tif 000010
（一般式（２）において、Ｒ５は炭素数１〜４の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていても良く、Ｒ６は水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよく、ｃおよびｄは０または１の整数であり、ｅは０〜５の整数である）；
【００３６】
2011043058.tif 000011
（一般式（３）において、Ｒ７およびＲ８は水素原子またはメチル基であり、ｎ３は０〜５の整数である）；
【００３７】
2011043058.tif 000012
（一般式（４）において、ｎ４の平均値は０以上、４以下の正数である）。
【００３８】
一般式（１）、および一般式（４）で表されるエポキシ樹脂は、熱時弾性率が低く、低吸湿率の成形品を得ることができる特徴を有する。これにより、半導体素子接合部への応力を低減させ、さらに耐湿信頼性を向上する効果を得ることができる。
【００３９】
一般式（２）で表されるエポキシ樹脂は、分子内にナフタレン骨格を有するため、嵩高く、剛直性が高いことから、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物の硬化収縮率が小さくなり、低反り性に優れる特徴を有する。これにより、半導体素子接合部への応力を低減させる効果を得ることができる。
【００４０】
また、一般式（３）で表されるエポキシ樹脂は、嵩高い基を持ち、剛直性が高いことから、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物の硬化収縮率が小さくなり、低反り性に優れる特徴を有する。これにより、半導体素子接合部への応力を低減させる効果を得ることができる。
【００４１】
一般式（１）、（２）、（３）、（４）で表されるエポキシ樹脂の配合割合としては、エポキシ樹脂（Ａ）全体に対して、２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることが特に好ましい。配合割合が上記範囲内であると、半導体素子接合部への応力を効果的に低減させることができる。
【００４２】
エポキシ樹脂（Ａ）全体の配合割合の下限値としては特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物全体に対して、３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）全体の配合割合が上記範囲内であると、粘度上昇によるワイヤスイープやワイヤ切れを引き起こす恐れが少ない。また、エポキシ樹脂（Ａ）全体の配合割合の上限値としては特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物全体に対して、１５質量％以下であることが好ましく、１３質量％以下であることがより好ましい。エポキシ樹脂全体の配合割合の上限値が上記範囲内であると、吸湿率増加による耐湿信頼性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００４３】
本発明の半導体装置で用いられる封止材用のエポキシ樹脂組成物は、硬化剤（Ｂ）を含む。硬化剤（Ｂ）としては、例えば、重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、縮合型の硬化剤の３タイプに大別することができる。
【００４４】
重付加型の硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドラジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、フェノールポリマーなどのポリフェノール化合物；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などが挙げられる。
【００４５】
触媒型の硬化剤としては、例えば、ベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸などが挙げられる。
【００４６】
縮合型の硬化剤としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂系硬化剤；メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などが挙げられる。
【００４７】
これらの中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、保存安定性等のバランスの点からフェノール樹脂系硬化剤が好ましい。フェノール樹脂系硬化剤とは、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、その分子量、分子構造は特に限定されない。フェノール樹脂系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格および／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。また、銅ワイヤを用いた半導体装置における高温および高湿環境下での電気接合部の腐食の観点から、これらのフェノール樹脂系硬化剤中に含有されるナトリウムイオン、塩素イオンといったイオン性不純物の量は、１０ｐｐｍ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【００４８】
一括で封止成形した後に個片化する工程を経て得られる半導体装置としての信頼性を考慮すると、薄型大型の製品であることから、反りによる内蔵半導体素子へのダメージ、銅ワイヤと素子との接合部分への応力による信頼性の低下を防止するために、エポキシ樹脂組成物は、中でも、一般式（５）で表されるフェノール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の硬化剤、および／または、一般式（６）で表されるフェノール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の硬化剤を含有することが特に好ましい。
【００４９】
2011043058.tif 000013
（一般式（５）において、−Ｒ９−はフェニレン基またはナフチレン基であり、−Ｒ９−がナフチレン基である場合、水酸基の結合位置はα位であってもβ位であってもよく、−Ｒ１０−はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれＲ９、Ｒ１０に導入され、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、それらは互いに同じであっても異なっていてもよく、ｆは０〜５の整数であり、ｇは０〜８の整数であり、ｎ５の平均値は１以上、３以下の正数である）。
【００５０】
2011043058.tif 000014
（一般式（６）において、ｎ６の平均値は０以上、４以下の正数である）。
【００５１】
一般式（５）で表されるフェノール樹脂のうち、−Ｒ９−および／またはＲ１０−がナフチレン基であるものでは、剛直性が高いことから、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物の硬化収縮率が小さくなり、低反り性に優れる特徴を有する点で好ましい。これにより、半導体素子接合部への応力を低減させることができる。
【００５２】
また、−Ｒ９−および／または−Ｒ１０−がフェニレン基、ビフェニレン基であるものでは、架橋点間距離が長くなるため、これらを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿率が低く、かつ高温下において低弾性率化する特徴を有するため好ましい。これにより半導体素子接合部への応力を低減させ、さらに耐湿信頼性を向上させることができる。
【００５３】
一般式（５）で表わされるフェノール樹脂としては、例えば、フェニレン骨格を含有するフェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格を含有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格を含有するナフトールアラルキル樹脂等が挙げられるが、一般式（５）の構造であれば特に限定するものではない。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【００５４】
一般式（５）で表されるフェノール樹脂の配合割合としては、硬化剤（Ｂ）全体に対して、２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることが特に好ましい。配合割合が上記範囲内であると半導体装置における半導体素子接合部への応力を低減させる効果を効果的に得ることができる。
【００５５】
一般式（６）で表されるフェノール樹脂は、熱時弾性率が低く、低吸湿率の成形品を得ることができる特徴を有する。これにより、半導体素子接合部への応力を低減させ、さらに耐湿信頼性を向上する効果を得ることができる。
【００５６】
硬化剤（Ｂ）全体の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全エポキシ樹脂組成物中に、０．８質量％以上であることが好ましく１．５質量％以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、充分な流動性を得ることができる。また、硬化剤（Ｂ）全体の配合割合の上限値についても、特に限定されないが、全エポキシ樹脂組成物中に、１０質量％以下であることが好ましく、８質量％以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、吸湿率増加による耐湿信頼性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００５７】
また、硬化剤（Ｂ）としてフェノール樹脂系硬化剤を用いる場合におけるエポキシ樹脂とフェノール樹脂系硬化剤との配合比率としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数（ＥＰ）と全フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基数（ＯＨ）との当量比（ＥＰ）／（ＯＨ）が０．８以上、１．３以下であることが好ましい。当量比がこの範囲であると、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化性の低下、または樹脂硬化物の物性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００５８】
本発明の半導体装置で用いられる封止材用のエポキシ樹脂組成物には、充填材として、球状シリカ（Ｃ）および金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体（Ｄ）を用いることができる。本発明では、球状シリカ（Ｃ）として、モード径３５μｍ以下であるものが好ましく、更に３０μｍ以下であるものがより好ましい。この範囲のものを用いることでワイヤピッチの狭い半導体装置にも適用することが可能となる。さらに、球状シリカ（Ｃ）として、５５μｍ以上の粗大粒子の含有量が０．１質量％以下であるものが好ましく、０．０５質量％以下であるものがより好ましい。この範囲のものを用いることで、粗大粒子がワイヤ間に挟まり押し倒すことで生じるワイヤスイープを抑制することができる。このような特定の粒度分布を有する充填材は、市販されている充填材をそのまま、或いは、それらの複数を混合したり、篩分したりすること等により、調整して得ることができる。また、本発明で用いる溶融球状シリカのモード径は、市販のレーザー式粒度分布計（例えば、株式会社島津製作所製、ＳＡＬＤ−７０００等）など用いて測定することができる。
【００５９】
本発明で用いられる球状シリカ（Ｃ）は、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑制する。また、球状シリカ（Ｃ）の粒度分布がより広くなるよう調整することにより、エポキシ樹脂組成物中の球状シリカ(Ｃ)の含有量を高めることができる。
【００６０】
球状シリカ（Ｃ）の含有割合は限定されないが、半導体装置の反りを考慮すると、エポキシ樹脂組成物全体に対して、８２質量％以上であることが好ましく、８６質量％以上であることがより好ましい。反りの低減効果以外にも、上記下限値を下回わらない範囲であれば、低吸湿性、低熱膨張性が得られるため耐湿信頼性が不十分となる恐れが少ない。また、球状シリカの含有割合の上限値は、成形性を考慮すると、エポキシ樹脂組成物全体に対して、９２質量％以下であることが好ましく、８９質量％以下であることがより好ましい。上記上限値を超えない範囲であれば、流動性が低下し成形時に充填不良等が生じたり、高粘度化による半導体装置内のワイヤスイープ等の不都合が生じたりする恐れが少ない。
【００６１】
本発明で用いられる金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体（Ｄ）は、半導体装置を個片化する際に結晶水を放出し、刃との摩擦による発熱を抑えることで、切削抵抗を低減し、ひいては刃の摩耗を抑える効果を発揮するものである。また、金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体（Ｄ）は塩基性を示すため、高温下での電気接合部の腐食を起こす酸性ガスを中和し、高温保管性を向上させる効果を発揮することができる。金属水酸化物の平均粒径および金属水酸化物固溶体中の固体の平均粒径は１μｍ以上、１０μｍ以下が好ましく、更に２μｍ以上、５μｍ以下がより好ましい。上記下限値未満では材料粘度上昇によるワイヤスイープ発生の可能性があり、上記上限値を超えると切削時に金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体（Ｄ）の脱落が起こることで成形品断面の巣の発生、脱落した粒子による成形品のカケが発生する可能性がある。
【００６２】
金属水酸化物中の結晶水の含有率、金属水酸化物固溶体中の結晶水の含有率としては、いずれも２０質量％以上であることが好ましい。上記下限値未満のものを用いると結晶水の放出による発熱の抑制や、切削抵抗の低減の効果が十分に発揮されないので好ましくない。また、全金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体（Ｄ）成分の添加量は、全エポキシ樹脂組成物中に０．５質量％以上、１０質量％以下であることが好ましく、特に１〜５質量％であることが好ましい。上記下限値を下回ると、結晶水の放出による発熱の抑制や切削抵抗の低減の効果が期待できない。上記上限値を超えると、極端に流動性が低下したり、成形品の強度が低下するために、固片化時に割れ欠けを生じるという問題がある。
【００６３】
本発明に用いられる（Ｄ）成分は、結晶水を２０質量％以上含有する金属水酸化物および／または結晶水を２０質量％以上含有する金属水酸化物固溶体であることが好ましい。このような金属水酸化物としては特に限定されないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等が挙げられる。また、一部分をベーマイト化、微細化、あるいはナトリウムイオンの低減化等をして、結晶水の放出開始温度を上げた高耐熱タイプの水酸化アルミニウムを用いることもできる。これらは単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。また、金属水酸化物の結晶中の一部の元素を、鉄、ニッケル、チタン、亜鉛、珪素等の別の元素と置換し、固溶体を形成した金属水酸化物固溶体を用いることもできる。これらは単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
【００６４】
本発明の半導体装置で用いられる封止材用のエポキシ樹脂組成物には、上述の（Ｃ）成分、（Ｄ）成分以外の充填材を併用することができる。併用できるその他の充填材としては、一般に封止材用のエポキシ樹脂組成物に使用されているものが挙げられる。例えば、破砕シリカ、アルミナ、チタンホワイト、窒化珪素等が挙げられ、これらの充填材は、単独で使用しても、２種類以上を併用しても差し支えない。またこれらがカップリング剤により表面処理されていてもかまわない。充填材の形状としては、流動性改善のために、できるだけ真球状であり、かつ粒度分布が広いことが好ましい。
【００６５】
（Ｃ）成分、（Ｄ）成分およびその他の充填材からなる全充填材の含有割合については、特に限定されないが、反り、耐湿信頼性等の観点から、エポキシ樹脂組成物全体に対して、８０質量％以上であることが好ましく、８８質量％以上であることがより好ましい。また、流動性等の観点から、エポキシ樹脂組成物全体に対して、９２質量％以下であることが好ましく、９０質量％以下であることがより好ましい。
【００６６】
本発明の半導体装置で用いられる封止材用のエポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤をさらに含んでもよい。硬化促進剤は、エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤（たとえば、フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基）との架橋反応を促進させるものであればよく、一般に封止材用のエポキシ樹脂組成物に使用するものを用いることができる。例えば、１、８−ジアザビシクロ（５、４、０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケンおよびその誘導体；トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート；ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種以上を併用しても差し支えない。
【００６７】
硬化促進剤の配合割合の下限値としては特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物全体に対して、０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましい。硬化促進剤の配合割合の下限値が上記範囲内であると、硬化性の低下を引き起こす恐れが少ない。また、硬化促進剤の配合割合の上限値としては特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物全体に対して、１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤の配合割合の上限値が上記範囲内であると、流動性の低下を引き起こす恐れが少ない。
【００６８】
硬化促進剤のうちでは、流動性の観点で、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物がより好ましい。ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物で用いられるホスフィン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチルホスフィンなどが挙げられる。また、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物で用いられるキノン化合物としては、例えば、１，４−ベンゾキノン、メチル−１，４−ベンゾキノン、メトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン、１，４−ナフトキノンなどが挙げられる。これらホスフィン化合物とキノン化合物との付加物のうち、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物がより好ましい。ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては特に制限はないが、例えば、原料として用いられるホスフィン化合物とキノン化合物とを両者が溶解する有機溶媒中で付加反応させて単離すればよい。
【００６９】
本発明の半導体装置で用いられる封止材用のエポキシ樹脂組成物には、さらに必要に応じて、水酸化ジルコニウム等のアルミニウム腐食防止剤；酸化ビスマス水和物、酸化マグネシウム水和物および酸化アルミニウム水和物等の無機イオン交換体；γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；シリコーンゴム等の低応力成分；カルナバワックス等の天然ワックス、合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤；酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。
【００７０】
特にアルミニウム腐食防止剤に関しては、高温時に銅ワイヤとアルミパッドとの接合部を腐食するガスである酸性ガスを中和することのできる塩基性のものが望ましく、上述した（Ｄ）成分である水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが適用できるほか、例えば、水酸化ジルコニウム、ハイドロタルサイト、ベーマイト等が挙げられる。これらのアルミニウム腐食防止剤を含むことで銅ワイヤを含む半導体装置の高温保管特性をさらに向上させることが可能である。
【００７１】
本発明の半導体装置で用いられる封止材用のエポキシ樹脂組成物において、上記アルミニウム腐食防止剤の配合量としては特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物全体に対して、０．１〜１重量％であることが好ましい。さらに好ましくは０．１〜０．５重量％である。
アルミニウム腐食防止剤の配合量を上記下限値以上とすることにより、高温保管性、耐湿性の向上を図ることができる。また、上記上限値以下とすることにより、ワイヤースイープ、ＰＭＣ後反り、工程反り変動量を増大させることなく高温保管特性、耐湿性を向上させることができる。
【００７２】
上記アルミニウム腐食防止剤の平均粒径は、１μｍ以上、１０μｍ以下が好ましい。更に好ましくは２μｍ以上、５μｍ以下である。
アルミニウム腐食防止剤の平均粒径を上記下限値以上とすることにより、ＰＭＣ後反り、工程反り変動量を増大させることなく、高温保管特性、耐湿性を向上するとすることができる。また、上記上限値以下とすることにより、ワイヤースイープを増大させることなく高温保管特性、耐湿性を向上させることができる。
【００７３】
本発明の半導体装置で用いられる封止材用のエポキシ樹脂組成物は、前記（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）球状シリカとともに、前記（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体として、水酸化アルミニウムおよび／または水酸化マグネシウムを含有し、さらに、水酸化ジルコニウム、ハイドロタルサイト、ベーマイトからなる群より選ばれるアルミニウム腐食防止剤を一種以上含有することが特に好ましい。
これにより、切削性、工具磨耗性、ＰＭＣ後反り、工程反り変動量に優れ、かつ高温保管特性、耐湿性を飛躍的に向上させることができる。
【００７４】
さらに、必要に応じて無機充填材をエポキシ樹脂またはフェノール樹脂で予め処理して用いてもよく、処理の方法としては、溶媒を用いて混合した後に溶媒を除去する方法や、直接無機充填材に添加し、混合機を用いて混合処理する方法等がある。
【００７５】
本発明の半導体装置で用いられる封止材用のエポキシ樹脂組成物は、前述の各成分を、例えば、ミキサー等を用いて常温混合したもの、さらにその後、ロール、ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕したものなど、必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したものを用いることができる。
【００７６】
次に本発明の半導体装置について説明する。本発明の半導体装置は、ダイパッド部を有するリードフレームまたは回路基板と、リードフレームのダイパッド部上または回路基板上に積層もしくは並列して搭載された１以上の半導体素子と、リードフレームまたは回路基板に設けられた電気的接合部と半導体素子に設けられた電極パッドとを電気的に接合する銅ワイヤと、半導体素子と銅ワイヤとを封止する封止材とを備えた半導体装置である。また、本発明の半導体装置は封止材用のエポキシ樹脂組成物を用いて、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で、複数個の半導体素子等の電子部品を一括で封止成形した後、個片化する工程を経て得られる。
【００７７】
本発明に用いられるリードフレームまたは回路基板としては特に制限はなく、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、クワッド・フラット・ノンリーデッド・パッケージ（ＱＦＮ）、リードフレーム・ＢＧＡ（ＬＦ−ＢＧＡ）、モールド・アレイ・パッケージタイプのＢＧＡ（ＭＡＰ−ＢＧＡ）などの従来公知の半導体装置に用いられるリードフレームまたは回路基板が挙げられる。電気的接合部とは、リードフレームにおけるワイヤボンド部、および回路基板における電極パッドなど、リードフレームまたは回路基板においてワイヤを接合する端子を意味する。
【００７８】
本発明の半導体装置の形態としては、エポキシ樹脂組成物による封止成形後に個片化する工程を経て得られるＭＡＰ型のボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、ＭＡＰ型のチップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、ＭＡＰ型のクワッド・フラット・ノンリード（ＱＦＮ）等が挙げられる。上記トランスファーモールドなどの成形方法で封止された半導体装置は、そのまま、或いは８０℃〜２００℃程度の温度で、１０分〜１０時間程度の時間をかけて完全硬化させた後、個片化する工程を経て電子機器等に搭載される。尚、個片化する工程は、一括封止成形後、熱処理により完全硬化させる前であってもよい。
【実施例】
【００７９】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割合は質量部とする。実施例、比較例で用いた封止材用のエポキシ樹脂組成物の各成分について、以下に示す。【００８０】
封止材用のエポキシ樹脂組成物の各成分：
（エポキシ樹脂）
Ｅ−１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、ＹＬ−６８１０。融点４５℃、エポキシ当量１７２ｇ／ｅｑ）。【００８１】
Ｅ−２：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（一般式（１）において、−Ｒ１−がフェニレン基、−Ｒ２−がビフェニレン基、ａが０、ｂが０であるエポキシ樹脂。日本化薬株式会社製、ＮＣ３０００。軟化点５８℃、エポキシ当量２７４ｇ／ｅｑ、ｎ１は平均値で２．５）。
2011043058.tif 000015
【００８２】
Ｅ−３：一般式（２）で表わされるエポキシ樹脂（一般式（２）において、Ｒ６が水素原子であり、ｃが０、ｄが０、ｅが０である成分５０質量％、Ｒ６が水素原子であり、ｃが１、ｄが０、ｅが０である成分４０質量％、Ｒ６が水素原子であり、ｃが１、ｄが１、ｅが０である成分１０質量％の混合物であるエポキシ樹脂。ディーアイシー株式会社製、ＨＰ４７７０。軟化点７２℃、エポキシ当量２０５ｇ／ｅｑ）。
2011043058.tif 000016
【００８３】
Ｅ−４：一般式（３）で表わされるエポキシ樹脂（一般式（３）においてＲ７、Ｒ８がともに水素原子、ｎ３が０。三菱化学株式会社製、ＹＸ−８８００。融点１１０℃、エポキシ当量１８１ｇ／ｅｑ）。
2011043058.tif 000017
【００８４】
Ｅ−５：一般式（４）で表わされるエポキシ樹脂（ディーアイシー株式会社製、ＨＰ−７２００Ｌ。軟化点５６℃、エポキシ当量２４５ｇ／ｅｑ、ｎ４は平均値で０．４）。
2011043058.tif 000018
【００８５】
Ｅ−６：オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＥＯＣＮ−１０２０−５５。軟化点５５℃、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ）。【００８６】
（硬化剤）
Ｈ−１：フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト株式会社製、ＰＲ−ＨＦ−３。軟化点８０℃、水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ）。【００８７】
Ｈ−２：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（一般式（５）において、−Ｒ９−がフェニレン基、−Ｒ１０−がビフェニレン基、ｆが０、ｇが０である化合物。明和化成株式会社製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ。軟化点６５℃、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ、ｎ５は平均値で１．９）。
Ｈ−３：フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂（一般式（５）において、−Ｒ９−がナフチレン基、−Ｒ１０−がフェニレン基、ｆが０、ｇが０である化合物。東都化成株式会社製、ＳＮ−４８５。軟化点８７℃、水酸基当量２１０ｇ／ｅｑ、ｎ５は平均値で１．８）。
2011043058.tif 000019
【００８８】
Ｈ−４：一般式（６）で表わされるフェノール樹脂（日本化薬株式会社製、カヤハードＤＰＮ。軟化点８７℃、水酸基当量１６５ｇ／ｅｑ、ｎ６は平均値で０．６）。
2011043058.tif 000020
【００８９】
（球状シリカ）
溶融球状シリカ１：株式会社マイクロン製、ＨＳ−２０２（モード径３５μｍ、比表面積３．５ｍ２／ｇ、５５μｍ以上の粗大粒子の含有量０．０２質量％）
溶融球状シリカ２：株式会社マイクロン製、ＨＳ−１０５を３００メッシュの篩を用いて粗大粒子を除去したもの（モード径３７μｍ、比表面積２．５ｍ２／ｇ、５５μｍ以上の粗大粒子の含有量０．１質量％）
溶融球状シリカ３：電気化学工業株式会社製、ＦＢ−９４０（モード径３０μｍ、比表面積３．２ｍ２／ｇ、５５μｍ以上の粗大粒子の含有量０．２質量％）
溶融球状シリカ４：株式会社マイクロン製、ＨＳ−２０３（モード径３０μｍ、比表面積３．７ｍ２／ｇ、５５μｍ以上の粗大粒子の含有量０．０１質量％）【００９０】
（金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体等）
金属水酸化物１：住友化学株式会社製、水酸化アルミニウムＣＬ−３０３（平均粒径３μｍ、結晶水含有量３４質量％）
金属水酸化物２：住友化学株式会社製、水酸化アルミニウムＣＬ−３０８（平均粒径８μｍ、結晶水含有量３４質量％）
金属水酸化物３：昭和電工株式会社製、水酸化アルミニウムＨ４２Ｍ（平均粒径１μｍ、結晶水含有量３４質量％）
金属水酸化物４：日本軽金属株式会社製、水酸化アルミニウムＢＷ１５３（平均粒径１５μｍ、結晶水含有量３４質量％）
金属水酸化物５：神島化学工業株式会社製、水酸化マグネシウムＷ−Ｈ４（平均粒径２μｍ、結晶水含有量３１質量％）
金属水酸化物固溶体：タテホ化学工業株式会社製、エコーマグＺ−１０（平均粒径１μｍ、結晶水含有量２７質量％）
未焼成クレー：（白石カルシウム株式会社製、カオブライト９０（平均粒径１μｍ、結晶水含有量１３質量％）
タルク：竹原化学工業株式会社製、ミクロライト（平均粒径２．５μｍ、結晶水含有量５質量％）
尚、金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体等の結晶水含有量は、ＴＧ／ＤＴＡ分析装置で、２５℃〜６５０℃まで５℃／分で昇温した時の、質量減少値で表した。【００９１】
アルミニウム腐食防止剤１：共和化学株式会社製、ＤＨＴ−４Ａ、平均粒径０．５μｍ、ハイドロタルサイト
アルミニウム腐食防止剤２：東亞合成株式会社製、ＩＸＥ−８００、平均粒径５μｍ、ＺｒＯ（ＯＨ）２【００９２】
（硬化促進剤）
硬化促進剤１：一般式（７）で表されるトリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物
2011043058.tif 000021
【００９３】
（カップリング剤）
エポキシシラン：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン【００９４】
（着色剤）
カーボンブラック【００９５】
（離型剤）
カルナバワックス【００９６】
封止材用のエポキシ樹脂組成物の製造
（実施例１）
Ｅ−１                  １．４０質量部
Ｅ−４                  ３．２７質量部
Ｈ−２                  ５．３３質量部
溶融球状シリカ１        ８６質量部
金属水酸化物１          ３質量部
硬化促進剤１            ０．３質量部
エポキシシラン          ０．２５質量部
カーボンブラック        ０．２５質量部
カルナバワックス        ０．２質量部
上記成分を常温でミキサーを用いて混合し、次に７０〜１００℃でロール混練し、冷却後粉砕して封止材用のエポキシ樹脂組成物を得た。【００９７】
（実施例２〜３４、比較例１〜４）
表１〜５に記載の封止材用エポキシ樹脂組成物の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得た。【００９８】
実施例、比較例で用いたワイヤについて、以下に示す。
銅ワイヤ：タツタ電線株式会社製、ＴＣ−Ｅ（銅純度９９．９９質量％、線径は表１〜５に示した。）
金ワイヤ：住友金属鉱山株式会社製、ＮＬ−４（金純度９９．９９質量％、線径は表５に示した。）【００９９】
各実施例および各比較例で得られた封止材用のエポキシ樹脂組成物について、以下の評価を行った。得られた結果を表１〜５に示す。【０１００】
評価方法
スパイラルフロー：低圧トランスファー成形機（コータキ精機株式会社製、ＫＴＳ−１５）を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型に、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰa、保圧時間１２０秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。単位はｃｍ。８０ｃｍ以下であるとパッケージ未充填などの成形不良が生じる場合がある。【０１０１】
ワイヤ流れ率：アルミニウムパッドを形成したＴＥＧチップ（３．５ｍｍ×３．５ｍｍ、パッドピッチは５０μｍ）を３５２ピンＢＧＡ（基板は厚さ０．５６ｍｍ、ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板、パッケージサイズは３０×３０ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ）のダイパッド部上に接着し、ＴＥＧチップのアルミニウムパッドと基板側端子とを、ワイヤを用いてワイヤピッチ８０μｍでワイヤボンディングした。これを、低圧トランスファー成形機（ＴＯＷＡ製、Ｙシリーズ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分の条件でエポキシ樹脂組成物により封止成形して、３５２ピンＢＧＡパッケージを作製し、１７５℃、４時間の条件で後硬化した。室温まで冷却後、軟Ｘ線透視装置（ソフテックス（株）製、ＰＲＯ−ＴＥＳＴ１００）で観察し、ワイヤの流れ率を（流れ量）／（ワイヤ長）の比率で表し、この値が最も大きくなるワイヤ部の値を記した。単位は％。この値が５％を超えると、隣接するワイヤ同士が接触する可能性が高い。【０１０２】
切削抵抗および工具摩耗性：低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製、ＫＴＳ−３０）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１８０秒の条件で成形した３ｍｍ厚の試験片を、ポストキュアとして１７５℃で８時間加熱処理した後、ドリルを切削工具とした摩耗試験装置を用いて切削抵抗および工具摩耗性の評価を行った。この試験装置は、ドリル径３ｍｍ、刃の切れが同等のドリルを使用し、ドリル回転数８５０ｒｐｍ、荷重２Ｋｇ重（１９．６Ｎ）に設定されたものである。試験片はそれぞれ３０回ずつ穿孔して評価を行うが、刃の切れ具合の差による誤差を回避するため試験片を３０回穿孔し、その前後に３ｍｍ厚のアルミ板を穿孔し、次に示す値より切削抵抗並びに工具摩耗性を評価した。
切削抵抗：ｔ１／ｔＡｌ０
工具磨耗性：ｔＡｌ３０／ｔＡｌ０
ｔ１：試験片１回目穿孔時の穿孔所要時間
ｔＡｌ０：試験片穿孔前のアルミ板穿孔所要時間
ｔＡｌ３０：試験片３０回目穿孔後の、アルミ板穿孔所要時間
尚、切削抵抗および工具磨耗性は共に値が小さいもの程良好である。【０１０３】
高温保管特性（１８５℃）：アルミニウム電極パッドを形成したＴＥＧ（ＴＥＳＴ  ＥＬＥＭＥＮＴ  ＧＲＯＵＰ）チップ（３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）を３５２ピンＢＧＡ（基板は厚さ０．５６ｍｍ、ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板、パッケージサイズは３０×３０ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ）のダイパッド部上に接着し、ＴＥＧチップのアルミニウム電極パッドと基板側端子とをデージーチェーンになるように、ワイヤを用いてワイヤピッチ５０μｍでワイヤボンディングした。これを、低圧トランスファー成形機（ＴＯＷＡ製、Ｙシリーズ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分の条件でエポキシ樹脂組成物により封止成形して、３５２ピンＢＧＡパッケージを作製した。作製したパッケージを、１７５℃、８時間で後硬化した後、高温保管試験（１８５℃）を行った。２４時間毎に配線間の電気抵抗値の測定を行い、その値が初期値に対し２０％増加したパッケージを不良と判定し、不良になるまでの時間を測定した。不良時間はｎ＝５ヶの測定で、１ケでも不良が発生した時間で示した。単位は時間。全てのパッケージで１０００Ｈｒまで不良発生のなかったものは１０００＜とした。【０１０４】
高温保管特性（２００℃）：アルミニウム電極パッドを形成したＴＥＧ（ＴＥＳＴ  ＥＬＥＭＥＮＴ  ＧＲＯＵＰ）チップ（３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）を３５２ピンＢＧＡ（基板は厚さ０．５６ｍｍ、ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板、パッケージサイズは３０×３０ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ）のダイパッド部上に接着し、ＴＥＧチップのアルミニウム電極パッドと基板側端子とをデージーチェーンになるように、ワイヤを用いてワイヤピッチ５０μｍでワイヤボンディングした。これを、低圧トランスファー成形機（ＴＯＷＡ製、Ｙシリーズ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分の条件でエポキシ樹脂組成物により封止成形して、３５２ピンＢＧＡパッケージを作製した。作製したパッケージを、１７５℃、８時間で後硬化した後、高温保管試験（２００℃）を行った。２４時間毎に配線間の電気抵抗値の測定を行い、その値が初期値に対し２０％増加したパッケージを不良と判定し、不良になるまでの時間を測定した。不良時間はｎ＝５ヶの測定で、１ケでも不良が発生した時間で示した。単位は時間。【０１０５】
高温動作特性：アルミニウム電極パッドを形成したＴＥＧ（ＴＥＳＴ  ＥＬＥＭＥＮＴ  ＧＲＯＵＰ）チップ（３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）を３５２ピンＢＧＡ（基板は厚さ０．５６ｍｍ、ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板、パッケージサイズは３０×３０ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ）のダイパッド部上に接着し、ＴＥＧチップのアルミニウム電極パッドと基板側端子とをデージーチェーンになるように、ワイヤを用いてワイヤピッチ５０μｍでワイヤボンディングした。これを、低圧トランスファー成形機（ＴＯＷＡ製、Ｙシリーズ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分の条件でエポキシ樹脂組成物により封止成形して、３５２ピンＢＧＡパッケージを作製した。作製したパッケージを１７５℃、８時間で後硬化した後、デージーチェーンにつないだ両端に０．１Ａの直流電流を流す。この状態で１８５℃での高温保管を行い、１２時間毎に配線間の電気抵抗値が初期値に対し２０％増加したパッケージを不良と判定し、不良になるまでの時間を測定した。不良時間はｎ＝４ヶの測定で、１ケでも不良が発生した時間で示した。単位は時間。【０１０６】
耐湿信頼性（１３０℃）：アルミニウム回路を形成したＴＥＧチップ（３．５ｍｍ×３．５ｍｍ、アルミニウム回路は保護膜なしの剥き出し）を３５２ピンＢＧＡ（基板は厚さ０．５６ｍｍ、ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板、パッケージサイズは３０×３０ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ）のダイパッド部上に接着し、アルミニウムパッドと基板側端子を、ワイヤを用いてワイヤピッチ８０μｍでワイヤボンディングした。これを、低圧トランスファー成形機（ＴＯＷＡ製、Ｙシリーズ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分の条件でエポキシ樹脂組成物により封止成形して、３５２ピンＢＧＡパッケージを作製した。作製したパッケージを、１７５℃、８時間で後硬化した後、ＩＥＣ６８−２−６６に準拠しＨＡＳＴ（Ｈｉｇｈｌｙ  Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ａｎｄ  ｈｕｍｉｄｉｔｙ  Ｓｔｒｅｓｓ  Ｔｅｓｔ）試験を行った。試験条件は１３０℃、８５％ＲＨ、２０Ｖ印加、１６８時間処理をして回路のオープン不良有無を測定した。１パッケージあたり４端子を持ち、５パッケージで計２０回路を評価で用いた。単位は不良回路の個数。【０１０７】
耐湿信頼性（１４０℃）：アルミニウム回路を形成したＴＥＧチップ（３．５ｍｍ×３．５ｍｍ、アルミニウム回路は保護膜なしの剥き出し）を３５２ピンＢＧＡ（基板は厚さ０．５６ｍｍ、ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板、パッケージサイズは３０×３０ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ）のダイパッド部に接着し、アルミニウムパッドと基板側端子を、ワイヤを用いてワイヤピッチ８０μｍでワイヤボンディングした。これを、低圧トランスファー成形機（ＴＯＷＡ製、Ｙシリーズ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分の条件でエポキシ樹脂組成物により封止成形して、３５２ピンＢＧＡパッケージを作製した。作製したパッケージを、１７５℃、８時間で後硬化した後、ＩＥＣ６８−２−６６に準拠しＨＡＳＴ（Ｈｉｇｈｌｙ  Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ａｎｄ  ｈｕｍｉｄｉｔｙ  Ｓｔｒｅｓｓ  Ｔｅｓｔ）試験を行った。試験条件は１４０℃、８５％ＲＨ、２０Ｖ印加、１６８時間処理をして回路のオープン不良有無を測定した。１パッケージあたり４端子を持ち５パッケージで計２０回路を評価で用いた。単位は不良回路の個数。【０１０８】
後硬化（ＰＭＣ）後の反り量：低圧トランスファー成形機（ＴＯＷＡ製、Ｙシリーズ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分の条件でエポキシ樹脂組成物により封止成形して、２２５ピンＢＧＡパッケージ（基板厚さ０．３６ｍｍＢＴ樹脂ガラスクロス基材、パッケージサイズ２４×２４ｍｍ、封止樹脂厚さ１．１７ｍｍ、シリコンチップサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍをダイボンディングしたもの）を作製した。作製したパッケージを、１７５℃、８時間で後硬化した後、２５℃で表面粗さ計を用いてパッケージのゲートから対角方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を後硬化後の反り量とした。単位はμｍ。ｎ＝３の平均値を表に記載した。【０１０９】
工程反り変動量：前記後硬化後の反り量の測定の後、ＩＲリフロー処理（２６０℃ＪＥＤＥＣ条件準拠）した後、２５℃で表面粗さ計を用いてパッケージのゲートから対角方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を工程反り量とした。この値を用いて、下記式により工程反り変動量を求めた。単位はμｍ。ｎ＝３の平均値を表に記載した。
工程反り変動量＝工程反り量−後硬化後の反り量【０１１０】
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【０１１１】
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【０１１２】
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【０１１３】
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【０１１４】
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【０１１５】
表１〜５から明らかなように、実施例１〜３４は、ワイヤ流れ率、高温保管特性、高温動作特性、耐湿信頼性に優れていた。
特に、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）球状シリカとともに、（Ｄ）金属水酸化物および／または金属水酸化物固溶体として、水酸化アルミニウムを含有し、さらに、水酸化ジルコニウム、ハイドロタルサイトをアルミニウム腐食防止剤として含有するエポキシ樹脂組成物を用いた実施例２〜４、実施例１４〜１６は、表中に示される他の特性とともに、２００℃における高温保管性、１４０℃における耐湿信頼性においても優れた特性を示した。【０１１６】
本発明により得られる半導体装置は、ダイパッド部を有するリードフレームまたは回路基板と、前記リードフレームのダイパッド部上または前記回路基板上に積層もしくは並列して搭載された１以上の半導体素子と、前記リードフレームのダイパッド部または前記回路基板に設けられた電気的接合部と前記半導体素子に設けられた電極パッドとを電気的に接合する銅ワイヤと、前記半導体素子と前記銅ワイヤとを封止する封止材とを備えた半導体装置、とりわけ、前記封止材用のエポキシ樹脂組成物で一括封止成形した後に、成形品をカットして個片化するＭＡＰ方式の半導体装置に好適に用いることができる。
【図１】
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【国際調査報告】
2011043058.tif 000034
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