【手続補正書】
【提出日】令和2年10月21日(2020.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の処理が行われる処理装置に与えられる目標出力パラメータ値に対応する前記処理装置の制御パラメータである入力パラメータ値が探索される探索装置において、
プロセッサと、
前記目標出力パラメータ値に対応する入力パラメータ値を探索し前記プロセッサにより実行される探索プログラムと、
前記探索プログラムが格納されるメモリとを備え、
モデル学習部とターゲット設定部と処理条件探索部と収束判定部の各々の処理が前記探索プログラムに規定され、
前記処理装置の入力パラメータ値と、前記入力パラメータ値による前記処理装置の処理結果である出力パラメータ値との組である学習データを用いて予測モデルが前記モデル学習部にて求められ、
前記出力パラメータ値の中から選択され前記目標出力パラメータ値に最も近い出力パラメータ値と前記目標出力パラメータ値との間を補間することによってターゲット出力パラメータ値が前記ターゲット設定部にて求められ、
前記目標出力パラメータ値と前記ターゲット出力パラメータ値に対応する入力パラメータ値が前記予測モデルを用いて前記処理条件探索部にて推定され、
前記処理条件探索部により推定された入力パラメータ値による前記処理装置の処理結果である出力パラメータ値が前記目標出力パラメータ値の所定の範囲内に収束しているか否かが前記収束判定部にて判定されることを特徴とする探索装置。
【請求項２】
請求項１に記載の探索装置において、
前記入力パラメータ値の設定可能範囲を示すテーブルが前記メモリに格納され、
初期処理条件設定部の処理が前記探索プログラムに規定され、
前記予測モデルに用いられる入力パラメータ値の各々が３つの値を含むように複数の初期入力パラメータ値が前記テーブルを基に前記初期処理条件設定部にて設定され、
前記初期入力パラメータ値と、前記初期入力パラメータ値による前記処理装置の処理結果である初期出力パラメータ値との組を初期学習データとして用いて前記予測モデルが求められることを特徴とする探索装置。
【請求項３】
請求項２に記載の探索装置において、
前記３つの値の各々を最大値と最小値と平均値の各々とすることを特徴とする探索装置。
【請求項４】
請求項１に記載の探索装置において、
前記目標出力パラメータ値に最も近い出力パラメータ値と前記目標出力パラメータ値との間に複数の前記ターゲット出力パラメータ値が前記ターゲット設定部にて設定されることを特徴とする探索装置。
【請求項５】
請求項１に記載の探索装置において、
収束していると判定された入力パラメータ値が、前記目標出力パラメータ値に対応する入力パラメータ値として出力されることを特徴とする探索装置。
【請求項６】
請求項１に記載の探索装置において、
前記目標出力パラメータ値と前記出力パラメータ値との誤差と、目標出力パラメータに与えられる重みとを基に収束しているか否かが判定されることを特徴とする探索装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の探索装置において、
前記処理装置は、半導体を処理する装置もしくは半導体を含む半導体デバイスを処理する装置または材料を合成処理する合成装置であることを特徴とする探索装置。
【請求項８】
所定の処理が行われる処理装置に与えられる目標出力パラメータ値に対応する前記処理装置の制御パラメータである入力パラメータ値を探索する探索方法において、
前記処理装置の入力パラメータ値と、前記入力パラメータ値による前記処理装置の処理結果である出力パラメータ値との組である学習データを用いて予測モデルを求める工程と、
前記出力パラメータ値の中から選択され目標出力パラメータ値に最も近い出力パラメータ値と前記目標出力パラメータ値との間を補間することによってターゲット出力パラメータ値を求める工程と、
前記目標出力パラメータ値と前記ターゲット出力パラメータ値に対応する入力パラメータ値を前記予測モデルを用いて推定する工程と、
前記推定された入力パラメータ値による前記処理装置の処理結果である出力パラメータ値が前記目標出力パラメータ値の所定の範囲内に収束しているか否かを判定する工程とを有することを特徴とする探索方法。
【請求項９】
請求項８に記載の探索方法において、
前記収束していると判定された入力パラメータ値を前記目標出力パラメータ値に対応する入力パラメータ値として出力することを特徴とする探索方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の探索方法において、
前記予測モデルに用いられる入力パラメータの各々が３つの値を含むように複数の初期入力パラメータ値を前記入力パラメータの設定可能範囲を基に設定する工程をさらに有し、
前記初期入力パラメータ値と、前記初期入力パラメータ値による前記処理装置の処理結果である初期出力パラメータ値との組を初期学習データとして用いて前記予測モデルを求めることを特徴とする探索方法。
【請求項１１】
プラズマを用いて試料がプラズマ処理されるプラズマ処理装置において、
前記試料のプラズマ処理結果である目標出力パラメータ値に対応するプラズマ処理条件である入力パラメータ値を探索する制御が行われる制御装置を備え、
前記制御装置により、
所定の入力パラメータ値と、前記所定のパラメータ値による前記試料のプラズマ処理結果である出力パラメータ値との組である学習データを用いて予測モデルが求められ、
前記出力パラメータ値の中から選択され目標出力パラメータ値に最も近い出力パラメータ値と前記目標出力パラメータ値との間を補間することによってターゲット出力パラメータ値が求められ、
前記目標出力パラメータ値と前記ターゲット出力パラメータ値に対応する入力パラメータ値が前記予測モデルを用いて推定され、
前記推定された入力パラメータ値による前記試料のプラズマ処理結果である出力パラメータ値が前記目標出力パラメータ値の所定の範囲内に収束しているか否かが判定されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置により、
前記予測モデルに用いられる入力パラメータの各々が３つの値を含むように複数の初期入力パラメータ値が前記入力パラメータの設定可能範囲を基に設定され、
前記初期入力パラメータ値と、前記初期入力パラメータ値による前記試料のプラズマ処理結果である初期出力パラメータ値との組を初期学習データとして用いて前記予測モデルが求められることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載のプラズマ処理装置において、
前記目標出力パラメータ値は、プラズマエッチング形状における所定の箇所の寸法であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一態様である、所定の処理が行われる処理装置に与えられる目標出力パラメータ値に対応する処理装置の制御パラメータである入力パラメータ値が探索される探索装置は、プロセッサと、目標出力パラメータ値に対応する入力パラメータ値を探索しプロセッサにより実行される探索プログラムと、探索プログラムが格納されるメモリとを備え、モデル学習部とターゲット設定部と処理条件探索部と収束判定部の各々の処理が探索プログラムに規定され、処理装置の入力パラメータ値と、入力パラメータ値による処理装置の処理結果である出力パラメータ値との組である学習データを用いて予測モデルがモデル学習部にて求められ、出力パラメータ値の中から選択され目標出力パラメータ値に最も近い出力パラメータ値と目標出力パラメータ値との間を補間することによってターゲット出力パラメータ値がターゲット設定部にて求められ、目標出力パラメータ値とターゲット出力パラメータ値に対応する入力パラメータ値が予測モデルを用いて処理条件探索部にて推定され、処理条件探索部により推定された入力パラメータ値による処理装置の処理結果である出力パラメータ値が目標出力パラメータ値の所定の範囲内に収束しているか否かが収束判定部にて判定される。