(57)【要約】    低温急速熱アニーリング（ＲＴＡ）処理の前又は後に実施可能な電磁誘導加熱（ＥＭｉｌｉ）を用いて浅い接合を実現する方法及びシステムである。これらの方法及びシステムは、例えば、ＲＦ又はマイクロ波を用いて、シリコンウエハ内での電流発生を誘導可能な電磁界を誘導でき、従って、ウエハをその表面からでなく体積内部から加熱する電子と格子構造との間のオーム衝突を発生させる。こうしたＥＭｉｌｉ加熱は、ドーパント材料を活性化できる。シリコン構造体中の欠陥は、ＥＭｉｌｉアニーリングと、拡散を最小限とする低温（概ね摂氏５００乃至８００度）ＲＴＡとを組み合わせることで修復でき、従来のＲＴＡのみを用いるアニーリング法と比べて、注入時の接合深さとアニーリング後の接合深さとの差を最小限にする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体をアニーリングするための方法であって、
前記半導体構造体を振動磁界に暴露する段階と、
低温急速熱アニーリング（ＬＴＲＴＡ）処理を前記半導体構造体に施す段階とを含んだ、半導体構造体をアニーリングするための方法。
【請求項２】
前記暴露する段階が、時間変動する電磁界に暴露する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記暴露する段階が、マイクロ波振動数バンドの周波数を提供する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記暴露する段階が、高周波（ＲＦ）バンドの周波数を提供する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＬＴＲＴＡを施す前記段階が、前記半導体を概ね摂氏８００度未満の温度に暴露する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ＬＴＲＴＡを施す前記段階が、前記半導体を、概ね摂氏５００度を上回り且つ概ね摂氏８００度未満の温度を備えた炉に暴露する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ＬＴＲＴＡを施す前記段階が、前記半導体を電磁界に暴露する段階より前に実行可能な、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ＬＴＲＴＡを施す前記段階が、このＬＴＲＴＡを行うために炉を用いる段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ドーパントを半導体構造体に注入するための方法であって、
前記ドーパントを前記半導体に注入するためにイオン注入を用いる段階と、
電磁誘導加熱（ＥＭＩＨ）を用いて前記ドーパントを活性化する段階と、
低温急速熱アニーリング（ＲＴＡ）処理を施す段階とを含む、ドーパントを半導体構造体に注入するための方法。
【請求項１０】
前記ドーパントが、ｎ型ドーパント及びｐ型ドーパントの少なくとも一方である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ＥＭＩＨを用いて前記ドーパントを活性化する前記段階が、前記ドーパントを振動磁界に暴露する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ドーパントを活性化する前記段階が、前記ドーパントを時間変動する電磁界に暴露する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ドーパントを活性化する前記段階が、高周波（ＲＦ）及びマイクロ波振動数の少なくとも一方を提供する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
ＬＴＲＴＡを施す前記段階が、前記半導体を概ね摂氏８００度未満の温度に暴露する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
ＬＴＲＴＡを施す前記段階が、前記半導体を、概ね摂氏５００度を上回り且つ概ね摂氏８００度未満の温度を備えた炉に暴露する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
ＬＴＲＴＡを施す前記段階が、前記ドーパントを活性化する前記段階より前に実行可能な、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
ＬＴＲＴＡを施す前記段階が、このＬＴＲＴＡを行うために炉を用いる段階を含む、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の方法及びシステムは、一般に、アニーリング工程に関し、より詳細には、非熱的（原語：athermal）アニーリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のイオン注入システムは、ボロンなどのドーパント材料をイオン化する段階と、これらイオンを加速して所定のエネルギーレベルを備えたイオンビームを形成する段階と、このイオンビームを半導体表面すなわちウエハに向けて照射し、ドーパント材料を半導体に導入し且つ半導体の導電率を変化させる段階とを含む。イオンが半導体の結晶格子内に一旦埋め込まれると、これらイオンは、急速熱アニーリング（ＲＴＡ）又は急速熱処理（ＲＴＰ）と呼ばれる処理を用いて活性化できる。ＲＴＡの実行時には、半導体を所定温度で所定時間にわたり加熱するため炉に導入できる。ＲＴＡは、イオン注入が原因となる結晶構造内の欠陥を修復できる。
【０００３】
イオン注入及びＲＴＰ処理は、接合深さと呼ばれる注入領域の深さ決定の一因となる。通常の技能を備えた当業者であれば、イオン注入による接合深さは、半導体に注入されるイオンのエネルギーに基づくことは理解するはずである。従って、浅い注入領域は、低エネルギーイオンビームを用いて形成できる。残念ながら、ＲＴＡの伝統的な方法は、シリコンの温度を、シリコンの溶融温度に近い温度である摂氏１１００度乃至摂氏１２００度に接近した範囲まで上昇させる段階を含む。従って、ＲＴＡ処理にともなう高温が注入領域を更に分散させるので、ＲＴＡは注入接合深さを更に増加させてしまう。
【０００４】
小型のデバイスと、従ってより浅い接合とに対する、絶え間ない又増大し続ける要求を考慮した場合、接合深さの増加は特に困難な問題である。イオン注入を従来のＲＴＡと組み合わせた現在の方法及びシステムでは、より浅い接合への要求を満足させられない可能性が高いと予想されている。
【０００５】
発明の概要
開示した方法及びシステムは、半導体構造体をアニーリングするための特徴を含み、これらの特徴は、半導体構造体を振動磁界に暴露することと、低温急速熱アニーリング（ＬＴＲＴＡ）処理を半導体構造体に施すこととを含む。この電磁界は、例えば、マイクロ波又は高周波（ＲＦ）バンドの周波数を備えた信号により提供可能な時間変動する電磁界でよい。
【０００６】
一実施形態では、このＬＴＲＴＡは、半導体を概ね摂氏８００度未満の温度に暴露する段階を含みうるが、別の実施形態では、この温度は、概ね摂氏５００度より高く概ね摂氏８００度未満の範囲が可能である。ＲＴＡを炉又は他のアニーリング装置内で実行してよい。
【０００７】
開示した方法及びシステムでは、ＬＴＲＴＡは、電磁界又はエネルギーを印加する前又は後に実行してよい。
【０００８】
従って、これら方法及びシステムは、ドーパント材料イオンを半導体構造体すなわちウエハに注入可能なイオン注入システムを用いて実現でき、且つ／又はそうしたイオン注入システムに適用できる。この半導体ウエハには、例えばシリコン又はガリウム砒素が含まれる。ドーパントは、ｎ型ドーパント及びｐ型ドーパントの何れが一方でよい。
【０００９】
他の目的及び利点は、明細書及び図面を考慮すれば明らかになるはずである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
全体的な理解を可能とするため、幾つかの例示的な実施形態を次に説明するが、通常の技能を備えた当業者であれば、ここに記載されたシステム及び方法を変更及び修正して、他の適切な応用例となるシステム及び方法を提供したり、それ以外の追加及び修正が、ここに記載されたシステム及び方法の範囲から離れることなく可能であることは理解するはずである。
【００１１】
特に指定されていない場合は、図示した実施形態は、特定実施形態の様々な細部のレジ的特徴を提供し、従って、図示した内容の特徴、構成要素、モジュール、及び／又は局面は、開示したシステム及び方法から逸脱することなく、それ以外の方法で組み合わせ、分離、交換、及び／又は再構成可能である。
【００１２】
イオン注入時には、加速されエネルギーを付与されたドーパントイオンが、母体すなわちシリコン表面に衝突してシリコン原子を元々の格子位置から変位させる際に、注入領域が損傷を受ける。ドーパントイオンは、シリコン格子内で高エネルギーの非平衡位置を占めることがあるが、電気的に活性ではない。急速熱アニーリング（ＲＴＡ）処理は、シリコン及びドーパントイオンにエネルギーを与え、イオンを平衡位置まで移動させ、結果として、結晶配列を復元することにより注入損傷を修復する。残念ながら、半導体表面を摂氏１０００度乃至１２００度範囲の高温に暴露するＲＴＡ処理は、しばしばドーパントの再分布又は拡散の原因ともなってしまう。一定の注入ドーズ量に関してＲＴＡは、接合深さを、例えば注入時範囲よりもかなり深くしてしまうことがある。
【００１３】
例えば、トランジスタ・デバイスに関しては、小型デバイスに対する絶え間ない要求により、結果としてゲート下方での横方向拡散の制限と、浅いソース／ドレーン拡張領域におけるドーパント材料の高濃度維持がもたらされると予想される。従って、開示した方法及びシステムは、低面積抵抗を備えたデバイスとの非常に浅い接合をもたらすために、非熱的アニーリングと急速熱アニーリングとを組み合わせることが含まれる。従って、これら方法及びシステムは、電磁界を利用してシリコンウエハ内に電流を誘導し、高エネルギー電子とシリコン格子構造との間でオーム衝突（原語：ohmic  collision）を引き起こして、構造内部からシリコンの急速加熱を行う（高温を構造表面に加えるＲＴＡとは対照的に）。本明細書で電磁誘導加熱（ＥＭＩＨ）と呼ぶ非熱的加熱は、ＲＴＡ（ＲＴＰとしても知られ且つ呼ばれる）を用いた方法又はシステムに比べて高い活性を実現可能なエネルギーを与えてドーパントを活性化する。低温ＲＴＡ（ＬＴＲＴＡ）は、概ね摂氏８００度未満の温度であると理解されているが、図示した実施形態に関しては、好適には概ね摂氏５００度と概ね摂氏８００度との間であって、ＥＭＩＨを行う前及び／又は後に実行して、更にシリコン構造を修復し、拡散を最小限に抑えることもできる。ＬＴＲＴＡは、ドーパント活性化及び結晶欠陥修復のためにＲＴＡアニーリングのみを用いる処理に概ね関連したものに比べ、かなり低い低温で一定時間で実行できる。通常の技能を備えた当業者であれば、単にＬＴＲＴＡを用いるだけでは、ドーパントを活性化できず、表面抵抗を大きくする結果を招きかねないことは理解するはずである。従って、ドーパントを活性化する非熱的アニーリングと、構造的欠陥を修復するＬＴＲＴＡ（概ね摂氏５００乃至８００度）ＲＴＡとを組み合わせることで、ＲＴＡのみを用いる方法に比べて、ドーパント材料を活性化し、格子構造を修復し、注入時の接合深さとアニーリング後の接合深さとの差を最小化できる。
【００１４】
ＥＭＩＨは、ファラデーの法則及びアンペアの法則を独特に応用したものと理解できる。シリコンウエハを振動磁界に暴露すると、電子が誘導されウエハ内を流れる。こうした電子が格子に衝突する際に、シリコンウエハを加熱するエネルギーを放出する。ＥＭＩＨによるこの非熱的内部加熱は、例えば、ウエハを所定の温度の炉に暴露し、シリコンが外表面から内部に向かって加熱され、シリコンが溶融する可能性を高めてしまうＲＴＡと比較可能である。
【００１５】
通常の技能を備えた当業者であれば、銅のような高導電性の材料に関しては、誘導電流が、入射（原語：incident）電磁界に部分的又は完全に干渉する磁界を再誘導することは理解するはずである。或いは、石英のような絶縁材料は自由キャリアが欠如しており、電流を発生させることはなく、従って、入射界をその材料に透過させてしまう。シリコンのような半導体は、導体及び絶縁体の特性を備えることができ、そのため、ウエハ容積全体において相当な電流を誘導可能なかなりの電磁界透過を引き起こす能力がある。
【００１６】
開示した方法及びシステムでは、電磁界の誘導は、シリコンサンプルを高周波（ＲＦ）及びマイクロ波範囲の周波数を備えた電磁エネルギーに暴露することで実行できるが、通常の技能を備えた当業者であれば、これら方法及びシステムは、こうした周波数範囲に限定されず、電磁エネルギーを誘導する他の方法も使用可能なことは理解するはずである。シリコンウエハ内での誘導電流により引き起こされるウエハの急速内部オーム加熱は、ＲＴＡがもたらす表面加熱により可能な活性化よりも効果的なドーパント活性化を実現できる。
【００１７】
ここで図１を参照すると、マイクロ波システムの一実施形態は、１７センチメートルの半径と、特定のマイクロ波モードに同調させるため１５乃至４５センチメートルの範囲で調節可能な高さとを備える共振空洞を含む。マグネトロン源が、２．４５ＧＨｚで最大３０００ワットの出力を提供する。通常の技能を備えた当業者であれば、周知のＴＭ０１１及びＴＭ１１１モードに限定されないがそれらを含めた様々なモードが図１のシステムで提供できることは理解するはずである。図２Ａ及び２Ｂは、図１のマイクロ波空洞中における、それぞれＴＭ０１１及びＴＭ１１１の磁界パターンを示す。
【００１８】
図３を参照すると、励磁ＲＦ磁束を渦巻き状の銅アンテナと共に用いた、開示した方法及びシステムのＲＦ実施形態を示す。Ｌタイプの一致した（原語：matching）ネットワークを介して一致させた（原語：matched）電源が、１３．５６ＭＨｚの固定周波数で、最大１０００ワットまでを出力する。図３のシステムでは、シリコンウエハを、アンテナの至近距離場におけるコイル巻線の２．５センチメートル下方のセラミックチャック上に配置できる。図示したシステムでは、セラミックチャックは、摂氏１５０度まで加熱可能である。
【００１９】
通常の技能を備えた当業者であれば、図１及び３に示した代表的な電磁誘導システムは例示的なものに過ぎず、その実装は、これら実施形態又は本明細書に記載した特徴に限定されるものでないことは理解するはずである。更に、図２Ａ及び２Ｂは２つの磁界パターンを示しているが、こうしたパターンは例示目的で示したものであって、限定的なものではない。従って、これらに替わる方法、周波数、装置、磁界パターン、これらより少ない又は付加的な構成要素又は代替要素などを用いた他のシステムであっても、本明細書で開示した方法及びシステムの範囲から逸脱することなく使用可能である。
【００２０】
図１及び３に示したシステムでは、光学高温計又はライトパイプを用いて放射光を収集することにより温度測定を行う。収集した放射光は、例えば、収集光の強さをブロックボデー放射スペクトルに付き合わせてシリコンウエハの温度を測定するラクストロン（原語：Ｌｕｘｔｒｏｎ）モデルアナライザによって分析できる。実施形態によっては、このスペクトルを修正又はスケール変更して、シリコンの放射率に基づいて正確に温度測定を行ってもよい。
【００２１】
ＥＭＩＨを用いた方法及びシステムは、誘導電流の大きさと、従って温度とを正確に予測できる。上述のように、ファラデーの法則及びアンペアの法則の解から、誘導電流密度及び吸収電力（原語：power  absorbed）に関して次が与えられる。
【００２２】
【数１】
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【００２３】
上記式において、  は浸透厚（原語：skin depth）、  は周波数、  は透過率permeability）、  は導電率、ｔｗは厚さ、“ａ”は半径、Ｈｏは入射磁界である。図４は、式１による導電率に基づいた電力吸収のグラフを示す。図４及び式１に示すように、吸収電力は導電率  と共に増加して、ピークに達する。ピークに達した後は、吸収電力は、増加率と同様の割合及び漸近線でゼロまで減少する。
【００２４】
温度と導電率との関係は、電力吸収と導電率との図４に示した関係を理解する助けになろう。図５は、様々な基板ドーピングレベルに関する導電率と温度との関係を示す。導電率は移動度とキャリア密度との積として表現できるが、キャリアの流れを妨害する衝突数が増加するので、移動度は温度と共に減少する一方、増大した熱エネルギーがキャリアを価電子帯から伝導帯に移行させるので、キャリア密度は温度と共に増加する。従って、図５が示すように、導電率は、温度が概ね摂氏１００度を超えるまで減少することがあり、この間に衝突がキャリア移動度を妨害する。温度が更に上昇すると、真性キャリア（原語：intrinsic
carrier）の増加が移動度の損失を上回り、導電率が温度と共に単調的に増加可能となる。図５に示した最大導電率は、図４のピーク電力吸収レベルに関連しており、従って、図４と図５とを温度増加の関数として見ると、図示したより少量のドーピングに関しては、温度が概ね１００度まで上昇するにつれ、導電率（図５）は減少し、従って電力吸収（図４）も減少し、ウエハ温度が上昇するのが防止される。これは吸収の谷とも呼ばれることがある。しかし、ウエハ温度がこの温度を超えて上昇すると（図５）、導電率は温度と共に上昇し、結果的に、急激な温度上昇を引き起こす電力吸収の増加を招く。概ね摂氏５００度において、真性キャリア濃度が大幅にドーピングを上回り、導電率と従って加熱とが、基板ドーピングから無関係となり、更に、様々なドーパントドーズ量のシリコンウエハが同一の特性で加熱されることになる。
【００２５】
図４及び５を参照し、且つ高周波数場（例えば、マクロ波）はより低い周波数場（例えばＲＦ）に比べて加熱が効率的であるという推定に基づけば、幾つかの実施形態では、シリコンウエハを吸収の谷を上回る温度まで予熱することが必要となる場合もあるかもしれない。実施形態によっては、所与の電力レベルに関しては、ウエハの数が１つか複数であるかにかかわらず、同一のウエハ温度が達成できることもある。従って、バッチ生産処理も同様に効果的となりうる。
【００２６】
本発明の方法及びシステムの一実施形態では、Ｂ＋及びＢＦ２＋イオンを、１０１５／ｃｍ３のドーズ量で、２５０ｅＶ乃至２．２ｋｅＶの注入エネルギー範囲にわたり、１０乃至２０オーム・ｃｍの抵抗率を備えたｎ型シリコンウエハに注入した。別のサンプルを、プラズマドーピング（ＰＬＡＤ）（ＢＦ３ガス）を用いて１０１５／ｃｍ２のドーズ量で注入した。これらサンプルは、大気圧及び非制御環境において、ＥＭＩＨ（特に、ＲＦ及びマイクロ波の実施形態）を用いて摂氏９００度又は１０００度までアニーリングした。図６は、二次イオン質量分析から１０１８／ｃｍ３で評価した、面積抵抗に対する接合深さを示す。図６の実線は、アニーリング及びドーピング技術における改善を評価するための現在のセマテック境界曲線である。通常の技能を備えた当業者であれば、セマテック曲線の下方にあるデータ点は、セマテック標準に比べて、活性化したドーパントの割合が高いこと及び／又はより効率的なアニール処理ドーパント水準を示すことを理解するはずである。
【００２７】
図７を参照すると、注入時及びマイクロ波スパイクアニール処理ＰＬＡＤサンプルに関する二次イオン質量分析の結果をグラフ化したものである。通常の技能を備えた当業者であれば、酸素増速拡散効果を除去する酸素管理環境（例えば、３３乃至１００ｐｐｍ）を使えば、より効率的な変化図が得られることは理解するはずである。
【００２８】
本明細書で開示した方法及びシステムの一実施形態では、１．０ｅ１５／ｃｍ２の注入ドーズ量での、ＥＭＩＨアニーリング、具体的には１３．９６ＭＨｚでのＲＦアニーリングを用いた、２５０ｅＶ及び５００ｅＶにおけるＢ＋の注入と、５００ｅＶ、１．１ｋｅＶ、２．２ｋｅＶ、及び４．５ｋｅＶにおけるＢＦ２＋の注入とに関して、面積抵抗を測定した。幾つかの実施形態では、ＲＦアニーリング時間は、摂氏１０００度及び摂氏９００度まで上昇するのに３０秒とする一方、他の実施形態ではスパイクアニーリングを同一温度まで行った。イオンビームエネルギーの全ての測定範疇において、３０秒で１０００度のＲＦアニーリングが、ほぼ３００オーム／ｓｑ乃至８５０オーム／ｓｑという最良の面積抵抗を示した。本明細書に記載したその他の実験は、約５００オーム／ｓｑ乃至７０００オーム／ｓｑの面積抵抗を示した。従って、このＲＦアニーリングはドーパントを活性化するが、格子構造には欠陥が残った。
【００２９】
別の実施形態では、マイクロ波ＥＭＩＨアニーリングを２．４５ＧＨｚで３０秒間と、摂氏１０００及び９００度でスパイクアニーリングを行い、面積抵抗の測定値は、約１５０オーム／ｓｑ乃至１０００オーム／ｓｑの間で変動があった。ここでも格子構造には欠陥が残った。
【００３０】
ＥＭＩＨアニーリングを行う前か後にＬＴＲＴＡ（すなわち、摂氏５００乃至８００度）を行うことで、注入による格子構造中の欠陥が修復されるが、その際に、ドーパントを活性化するためシリコン温度を摂氏９００度乃至１２００度の範囲とする必要がある従来のＲＴＡ法による望ましくない拡散効果が現れることもない。従って、ＥＭＩＨを低温ＲＴＡと組み合わせる開示した方法及びシステムを用いることで、低拡散及び面積抵抗を備え、高濃度ドーパント活性化及び格子修復を実現した接合及び構造が達成できる。
【００３１】
低温急速熱アニーリング（ＲＴＡ）処理の前又は後に実施可能な電磁誘導加熱（ＥＭＩＨ）を用いて浅い接合を実現する方法及びシステムを説明してきた。これらの方法及びシステムは、例えば、ＲＦ又はマイクロ波を用いて、シリコンウエハ内での電流発生を誘導可能な電磁界を誘導でき、従って、ウェハをその表面からでなく体積内部から加熱する電子と格子構造との間のオーム衝突を発生させる。こうしたＥＭＩＨ加熱はドーパント材料を活性化できる。シリコン構造体中の欠陥は、ＥＭＩＨアニーリングと、拡散を最小限とする低温（概ね摂氏５００乃至８００度）ＲＴＡとを組み合わせることで修復でき、従来のＲＴＡのみを用いるアニーリング法と比べて、注入時の接合深さとアニーリング後の接合深さとの差を最小限にする。
【００３２】
本明細書に記載した方法及びシステムは、特定のハードウェア又はソフトウェアに限定されるものでなく、多くの計算機環境又は処理環境で応用可能である。これら方法及びシステムは、ハードウェア又はソフトウェア、或いはハードウェアとソフトウェアの組合せによっても実現可能である。これら方法及びシステムは、プロセッサ、そのプロセッサが読み出し可能な記憶媒体（揮発性及び不揮発性記憶装置、並びに／或いは記憶素子）、１つ又は複数の入力装置、及び１つ又は複数の出力装置をそれぞれ含んだ、１つ又は複数のプログラム可能コンピュータで実行する１つ又は複数のコンピュータプログラムで実施可能である。
【００３３】
これらの方法及びシステムは、特定の実施形態に関連して説明してきたが、それに限定されない。言うまでもなく、上述の教示を参考にすれば、多くの修正及び変更が可能なことが明らかとなることもあろう。例えば、本明細書で説明した方法及びシステムは、シリコン半導体に関連したものだが、例えば周期表のＩＶ族からの他の半導体やその他の半導体も使用できる。更に、サンプルの実施形態はボロン（Ｂ＋）をｐ型ドーパントして示したが、これら方法及びシステムはｎ型ドーパントにも適用できる。炉を使ってＬＴＲＴＡを実行可能な場合、ＬＴＲＴＡは概ね摂氏５００度乃至８００度として説明したが、ＬＴＲＴＡは概ね摂氏８００度未満の温度へ暴露することを含むと理解できる。開示した方法及びシステムは、振動磁界を発生させて半導体内に電流を誘導する段階を含み、又、説明した方法及びシステムは、ＲＦ及びマイクロ波システムを含むが、時間変動すなわち振動磁界を提供する任意周波数の電磁波であれば使用可能である。例えば、ＥＭＩＨを用いた一実施形態は、時間変動磁界を提供するための可動永久磁石を含んでもよい。
【００３４】
当業者であれば、部材の詳細、材料、及び配列に多くの付加的変更を行うことができる。従って、本開示の方法及びシステムは、本明細書に開示された実施形態に限定されるものではなく、具体的に記載されたものとは異なる様態で実行可能であって、法律によって許された最大の範囲で解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】マイクロ波周波数を用いて電磁誘導加熱（ＥＭＩＨ）アニーリングを実行するためのシステム及び方法の一実施形態である。
【図２】（Ａ）ＴＭ０１１磁界パターンである。  （Ｂ）ＴＭ１１１磁界パターンである。
【図３】ＥＭＩＨアニーリングを実行するための高周波システム及び方法の一実施形態である。
【図４】電力吸収と導電率との関係を示す。
【図５】様々なドーパントレベルに関する導電率と温度との関係を示す。
【図６】アニーリング及びドーピング技術における改善を評価するためのセマテック境界線である。
【図７】注入時サンプル及びマイクロ波スパイクアニール処理プラズマドープ（ＰＬＡＤ）サンプルに関する二次イオン質量分析の変化図を示す。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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2005510873.tif 000013
2005510873.tif 000014