(57)【要約】【要訳】【課題】【解決手段】本発明は、少なくとも１つの格子要素によって使用される波長と異なる波長の電磁放射線を減衰させる減衰器に関する。格子要素は、少なくとも１つの格子周期を生じる格子溝部を有している。本発明は、少なくとも１つの格子周期が使用される波長よりも相当に大きいことによって特徴付けられる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用される波長、特に、少なくとも１つの格子要素（２０、６２０、６５６．１）を有するＥＵＶ投影露光システム内で使用される波長と異なる波長の電磁放射線を減衰させるための減衰器であって、前記格子要素（２０、６２０、６５６．１）は、少なくとも１つの格子周期（ｐ）を作り出す格子溝部（４５０）と格子面とを有する減衰器において、前記少なくとも１つの格子周期（ｐ）は、使用される波長よりもかなり大きく、この格子周期（ｐ）は、使用される波長の１５０倍高く、特に、好ましくは２００倍高いことを特徴とする減衰器。
【請求項２】
前記格子要素（２０、６２０、６５６．１）は、双対格子であり、前記格子溝部は、格子に直交する方向に、第１の高さ（Ｈ１）と第２の高さ（Ｈ２）とを有する異なる高さ（Ｈ（ｚ））を有していることを特徴とする請求項１の減衰器。
【請求項３】
前記格子溝部の第１の高さ（Ｈ１）と第２の高さ（Ｈ２）との間の差が、格子深さｈを規定しており、この格子深さは、
【数１】
2005536900.tif 000009
であり、ｈは、格子深さであり、
λminは、減衰器によって減衰される中で最も短い波長であり、
λmaxは、減衰器によって減衰される中で最も長い波長であり、
αは、表面の法線に対する光線の入射角度であり、
ｎは、≧０の整数であることを特徴とする、請求項１もしくは２の減衰器。
【請求項４】
ビーム束の光線が、格子要素に衝突し、ビーム束の光線は、前記格子面に直交するように位置する表面の法線に対して＜３０°の角度で衝突することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１の減衰器。
【請求項５】
ビーム束の光線が、前記格子要素に衝突し、ビーム束の光線は、前記格子面に直交するように位置する表面の法線に対して＞７０°の角度で衝突することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１の減衰器。
【請求項６】
ビーム束の光線と表面の法線とは、入射面を規定し、格子ベクトル（３０８）は、格子要素の入射面に直交するように位置し、これによって、格子面の格子溝部（４５０）は、格子要素に衝突するビーム束の光線（３００）の方向に対して平行な方向に延びていることを特徴とする請求項５の減衰器。
【請求項７】
前記格子要素は、複数の個々の格子要素（４６０．１、４６０．２、４６０．３、４６０．４、４６０．５、４６０．６、４６０．７、４６０．８）であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１の減衰器。
【請求項８】
前記個々の格子要素（４６０．１、４６０．２、４６０．３、４６０．４、４６０．５、４６０．６、４６０．７、４６０．８）は、異なる格子深さを有する複数の格子溝部（４５０）を備えていることを特徴とする請求項７の減衰器。
【請求項９】
対物面とフィールド面とを有し、≦１００ｎｍの波長のための照明システムであって、この照明システムは、
請求項１乃至８のいずれか１に関わる少なくとも１つの格子要素を有する少なくとも１つの減衰器（２０、６２０、６５６．１）と、
前記対物面（２）からフィールド面（１００）への光線路内の減衰器に対して下流に位置されたダイヤフラム面内の少なくとも１つの物理的ダイヤフラム（２２、６２２、６８４、６８８．１）とを具備し、この物理的ダイヤフラムは、少なくとも１つの減衰器の少なくとも１つの格子要素０次の回折の位置にある開口を有していることを特徴とする照明システム。
【請求項１０】
前記ダイヤフラム（２２、６２２、６８４、６８８．１）の開口のサイズは、減衰器の少なくとも１つの格子要素によってより高い次数に回折された使用の波長の光もまたダイヤフラムを通過するように選択されていることを特徴とする請求項９の照明システム。
【請求項１１】
前記開口（２２、６２２、６８４、６８８．１）のサイズは、使用される波長の１０倍のサイズの波長を有する光が、減衰器の少なくとも１つの格子要素によってより高い次数に回折され、ダイヤフラムによってほぼ完全にブロックされることを特徴とする請求項９もしくは１０の照明システム。
【請求項１２】
この照明システムは、集光器（３、６０３）を更に具備し、前記減衰器は、第１の光源（１）からこの光源（１）と集光器（３、６０３）との下流に位置されたフィールド面（１００）への光線路内の第１の光学要素であることを特徴とする、請求項９乃至１１のいずれか１の照明システム。
【請求項１３】
前記照明システムは、請求項１乃至８のいずれか１つに関わる少なくとも２つの減衰器、具体的には第１の減衰器（６２０）と少なくとも１つの第２の減衰器（６５６．１）とを具備していることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１の照明システム。
【請求項１４】
前記第１の減衰器（６２０）の少なくとも１つの格子要素の表面の法線に対して＞７０°の角度で光源（１）からフィールド面（１００）へ照明システムを通過するビーム束の光線は、第１の減衰器（６２０）に衝突し、前記第２の減衰器（６５６．１）の少なくとも１つの格子要素の表面の法線に対して＜２０°の角度で光源（１）からフィールド面（１００）へと照明システムを通過するビーム束の光線は、第２の減衰器（６５６．１）に衝突することを特徴とする請求項１３の照明システム。
【請求項１５】
この照明システムは、第１の格子要素（６５４）を備えた第１の光学要素と、第２の格子要素（６５６）を備えた第２の光学要素とを有する混合ユニット（５０）を具備し、前記２つの格子要素の少なくとも一方（６５６）は、減衰器（６５６.１）として構成されていることを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１の照明システム。
【請求項１６】
他のダイヤフラム（６８４、６８８．１、６８８.２）が、光源（１）からフィールド面（１００）への光路内の減衰器（６５６．１）の下流に設けられ、これら他のダイヤフラムは、減衰器の少なくとも１つの格子要素の０次の回折の位置にある開口を有していることを特徴とする請求項１５の照明システム。
【請求項１７】
請求項９乃至１６のいずれか１つに関わる照明システムを有するミクロ電子工学部品を作るための投影露光システムであって、
構造支持マスクと、
投影レンズと、
感光性物体とを具備し、前記構造支持マスクは、感光物体上に突出していることを特徴とする投影露光システム。
【請求項１８】
請求項１２に関わる投影露光システムを有する、ミクロ電子工学の半導体部品、特に半導体部品を作る方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、使用される波長と異なる波長を減衰させるための減衰器に関する。
【背景技術】
【０００２】
使用される波長は、≦１００ｎｍの波長領域内の波長であると好ましく、特に、ＥＵＶリソグラフィーのために使用され得る波長領域、即ち、１１乃至１４ｎｍの領域内の波長であると好ましく、特に、１３．５ｎｍであると最も好ましい。
【０００３】
電子部品の構造上の幅の更なる縮小、特にサブミクロン範囲での更なる縮小を可能にするために、マイクロリソグラフィーに使用される光の波長を減じることが必要である。例えば柔らかなＸ線を有するリソグラフィー、即ち、いわゆるＥＵＶリソグラフィーなどの１００ｎｍより小さい波長を有する光を使用することが可能である。
【０００４】
ＥＵＶリソグラフィーは、今後最も有望なリソグラフィー技術の１つである。現在は、０．２乃至０．３の開口数では、１１乃至１４ｎｍの範囲内の波長、特に１３．５ｎｍの波長が、ＥＵＶリソグラフィーのための波長であるとされている。ＥＵＶリソグラフィーにおける像の品質は、投影レンズ（projection lens）と照射システムとによって決定される。照射システムは、構造支持マスク（即ち、いわゆるレチクル）が配置されているフィールド面に、可能な限り均質の照射を与えなくてはならない。投影レンズは、フィールド面を、感光レンズが配置されている像面（いわゆる焦点もしくはウエハ面）内に撮像する。ＥＵＶリソグラフィーのための投影露光システムには、反射性光学要素が設けられている。ＥＵＶ投影露光システムの焦点面内のフィールド面の形状は、典型的には、２ｍｍ（幅）×２２乃至２６ｎｍ（アーク長）の高アスペクト比を有するリング形のフィールドの形状である。投影システムは、通常は、走査モードで運転される。ＥＵＶ投影露光システムに関する以下の刊行行物、
Ｗ．Ｕｌｒｉｃｈ、Ｓ．Ｂｅｉｅｒｓｄｏｒｆｅｒ、Ｈ．Ｊ．Ｍａｎｎ、“Ｔｒｅｎｄｓ  ｉｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｅｓｉｇｎ  ｏｆ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｅｎｓｅｓ  ｆｏｒ  ＵＶ  ａｎｄ  ＥＵＶ−Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”ｉｎ  Ｓｏｆｔ−Ｘ−Ｒａｙ  ａｎｄ  ＥＵＶ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍｓ、Ｗ．Ｍ．Ｋａｉｓｅｒ、Ｒ．Ｈ．Ｓｔｕｌｅｎ（発行者）、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．４１４６（２０００）、ｐ１３〜２４と、
Ｍ．Ａｎｔｏｎｉ、Ｗ．Ｓｉｎｇｅｒ、Ｊ．Ｓｃｈｕｌｔｚ、Ｊ．Ｗａｎｇｌｅｒ、Ｉ．Ｅｓｃｕｄｅｒｏ−Ｓａｎｚ、Ｂ．Ｋｒｕｉｚｉｎｇａ、“Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｏｐｔｉｃｓ  Ｄｅｓｉｇｎ  ｆｏｒ  ＥＵＶ−Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”ｉｎ  Ｓｏｆｔ  Ｘ  Ｒａｙ  ａｎｄ  ＥＵＶ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍｓ、Ｗ．Ｍ．Ｋａｉｓｅｒ、Ｒ．Ｈ．Ｓｔｕｌｅｎ（発行者）、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．４１４６（２０００）、ｐ２５〜３４とを本明細書で参照し、これらの開示の範囲は、完全に本出願に組み込まれる。
【０００５】
≦１００ｎｍの波長を有する照射システムの場合、こうした照射システムの光源が放射線を射出し、これが、投影露光システムのウエハ面内の感光性物体の望ましくない露光をもたらす可能性があり、更に、多層ミラーなどの露光システムの光学部品がこれによって加熱されるという問題がある。ＥＵＶシステムでは、１３．５ｎｍの波長で、例えば、ＥＵＶ波長の周囲の領域内でスペクトルフィルタリングを実行し、例えば１３０ｎｍからの高反射率を有する入射放射線を反射する多層ミラーが、使用される。特にＤＵＶ波長領域、即ち、１３０ｎｍ〜３３０ｎｍの範囲内の波長を有する放射線は、ウエハ面内の感光性物体の露光をもたらす。近いＵＶ領域、可視即ち赤外線領域内の、即ち３３０ｎｍを超える波長の放射線が、ミラーを加熱する。
【０００６】
この好ましくない放射線を除去するか減衰するために、例えばジルコニウムでできた透過フィルターが、≦１００ｎｍの波長のための照射システム内で使用される。このようなフィルター、即ち、減衰器は、光の損失率が高いという欠点を有している。これらはまた、熱負荷によって容易に破損され得る。
【０００７】
あるいは、従来のスペクトルフィルタリングの概念に係わる格子要素によるフィルタリングを与えることが可能である。このような方法では、格子要素の格子周期は、使用される波長の放射線が第１の次数で回折されるように選定されている。光路内の格子要素の下流のダイヤフラムの働きによって、使用される波長と異なる波長の相当量の放射線を有する０次の回折の光を、０次の回折の放射線をブロックすることによって特に除去することが可能である。使用される波長が例えば１３．５ｎｍの放射線は、１次でほぼ完全に回折され、光路内の下流のダイヤフラムによって以下の照射システムへと完全に通過することを許される。
【０００８】
このようなスペクトルフィルターの利点は、少なくとも、理論的には完全に望ましくない波長を抑制するかブロックすることができる可能性である。このような構成によって、１３０ｎｍ乃至３３０ｎｍの波長領域内の放射線を示す望ましくないＤＵＶ放射線をほぼ完全にブロックすることが可能である。ＥＵＶ照射システム内のこのようなフィルター要素は、ＥＰ−Ａ−１２０２２９１と同時係属の米国特許出願Ｎｏ．ＵＳ２００２／０１８６８１１Ａ１とに示されている。これらの開示の範囲は、完全に本発明に組み込まれている。
【０００９】
ＥＰ−Ａ−１２０２２９１と同時係属の米国特許出願Ｎｏ．２００２／０１８６８１１Ａ１に説明され、特に階層格子として提供されている格子要素は、これらが６０％より小さい全効率を示し、格子の製造に高需要を置いているという欠点を有している。従って、格子は、光学機能性を有さなくてはならず、例えば、1次の回折の形成が所定の程度まで使用される波長において非収差で生じ得るような、回折力を有さなくてはならない。
【００１０】
ＥＰ−Ａ−１２０２２９１と同時係属の米国特許出願ＵＳ２００２／０１８６８１１Ａ１とによって知られている回折格子の働きは、以下の格子方程式によって説明される。
【数２】
2005536900.tif 000003
【００１１】
この方程式では、格子周期はｐ、回折次数はｎ、格子の正規の面に対する入射角度はαｉ、格子の正規の面に対する回折光線の角度はβ、波長はλである。
【００１２】
ＥＰ−Ａ−１２０２２９１と同時係属の米国特許出願ＵＳ２００２／０１８６８１１Ａ１とで説明されている格子要素は、個々の回折次数と波長とが明らかに互いから独立している場合のスペクトルフィルタリングのための≦２００ｎｍの波長のための照射システムに適している。これは、０次と１次との間の十分に大きい回折、例えば回折角度γ＝β―αｉ＞２°によって果たされる。例えばγ＞２°の比較的大きな回折角度γによる例えば１３．５ｎｍの波長での回折は、格子溝部が放射線の入射面に対して実質的に直交するように整列され、格子が格子入射で、即ち入射角度αが面の正規面に対して７０°より大きい中で使用される方法で、果たされる。かくして、５００ｌ／ｍｍ乃至１０００ｌ／ｍｍの格子周期は、十分である。入射面は、入射ビームが格子面を貫くときの格子面の入射ベクトルと正規ベクトルとによって規定される平面として規定される。かくして、正接面で格子溝部に直交するように位置された格子ベクトルは、ほぼ入射面内に位置している。格子ベクトルが入射面内に位置されている場合、格子回折のベクトル方程式は、上述された方程式（１）に換算され得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
公知のスペクトルフィルター又は減衰器の欠点は、薄いフィルムの場合には、これらが熱負荷によって破損される可能性があり、非常に低い透過効率を見せることである。ＥＰ−Ａ−１２０２２９１に説明されているような格子がフィルター又は減衰器として使用される場合、ＤＵＶ放射線が特にブロックされ得る。しかし、ＥＵＶ放射線の領域では非常に効率が低いという欠点がある。このような格子の最大に可能な効率は、わずか３５％乃至５０％である。
【００１４】
かくして、本発明の目的は、この技術の欠点を克服し、望ましくない波長を特に抑制し得るが、採用される光源に必要とされるパワーをより少なくするために従来の公知の解決法よりも実質的に高い効率を示す減衰器とスペクトルフィルターとを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この問題は、少なくとも１つの格子要素を有する減衰器が与えられる本発明に係わって解決される。本発明では、格子は、少なくとも１つの格子周期を作る格子溝部を有し、この格子周期は、使用される波長よりも相当に大きく、即ち、ＥＵＶ放射線の場合は、使用される波長の１３．５ｎｍよりも著しく大きい。
【００１６】
発明者たちは、光学部品、特にミラーへの損傷を避け、例えばＤＵＶ領域内の間違った波長によって感光性基板への望ましくない露光を避けるためには、ＤＵＶ放射線の範囲並びに／もしくは赤外線放射線の範囲内の望ましくない波長を完全に抑制する必要はなく、この放射線を使用される波長の放射線に比べて減衰させることで十分であることに、驚きを持って気が付いた。光源のスペクトル特性に基いて、例えば、使用される波長に対して２０％までの所定の波長領域の減衰が、十分である。
【００１７】
本発明の減衰器によるＤＵＶ又はＩＲ領域内の望ましくない波長のフィルタリング即ち減衰は、０次の回折が、本発明の減衰器が使用され、望ましくない長い波長の放射線が、使用される光の波長よりも相当に長い格子要素の格子周期によって０次以外の次数に回折されるような照射システム内のＥＰ−Ａ−１ ２０２ ２９１に開示されている格子要素の例えば1次の回折の代わりに使用される方法で、果たされる。０次の回折より僅かに長い直径を有するダイヤフラムが０次の近くに取着されている場合、比較的長い波長を有する放射線を含む全ての高い回折次数は、ブロックされ得る。
【００１８】
好ましくは、本発明に関わる減衰器は、照射システム、例えば１３．５ｎｍの使用される波長を有するＥＵＶ照射システムなどで使用される。０次の辺りのダイヤフラムが、好ましくはビーム焦点内の、例えば源の第１の像内の照射システム内に配置されている。また、高い回折次数が照射されるフィールドの近くに位置するようになる方法で、照射システム内で望ましくない放射線を回折させることが可能である。望ましくない放射線は、このような例では、フィールドダイヤフラムによってブロックされ得る。フィールドダイヤフラムは、所定の放射線のみを照射フィールドまで通すフィールド面の中又は近くの１つもしくは複数のダイヤフラムで構成されている。ミラーのエッジそれ自体が、ミラーのエッジが、照射されるフィールドの完全照射が求められるように設計され得ると好ましいことから、望ましくない放射線をブロックするダイヤフラムとして働く。
【００１９】
望ましくない長い波長の放射線が、０次の回折以外の回折次数に少なくとも部分的に回折され得ることによって、ＤＵＶ並びに／もしくは赤外線の領域内の放射線が、実質的に照射システム内で例えばダイヤフラムを利用して回折された放射線をブロックすることによって減衰され得る。
【００２０】
本発明の格子周期は、使用される波長の１５０倍より大きいと好ましく、使用される波長の２００倍より大きいと特に好ましい。また、本発明に関わる減衰器は、格子入射そして正規入射で操作され得る。本出願で、格子入射は、格子に衝突するビーム束の光線が格子の正規面に対して入射角度αｉ＞７０°を有すると理解される。格子入射の場合、格子の格子ベクトルは、格子の入射面に対して実質的に直交するように延び、この入射面は、入射光線と正規面とによって規定されていると好ましい。
【００２１】
正規の入射は、格子に衝突するビーム束の光線が、格子の正規面に対して入射角度αｉ＜３０°を有すると理解される。
【００２２】
回折角度γ＝β＝αｉは、格子ベクトルが入射面に実質的に直交するような格子の場合と、格子を実質的に直交している入射で、即ち、正規面に対する入射角度αｉ＜３０°と小さな回折角度とで使用する場合との両方において、方程式（２）によって概算で算出され得る。
【数３】
2005536900.tif 000004
【００２３】
方程式（２）は、入射面に直交して延びている格子ベクトルを有する格子のためにいわゆる円錐状の回折領域内に位置されていることから、格子入射のための近似式である。これは、格子溝部が、入射光線に平行な向きにされていることを意味する。回折次数は、円錐面に位置する。
【００２４】
使用される光が、本発明に関わる減衰器又は格子要素内で回折されないが、０次でこれを使用することから、格子要素は、使用される波長に対して光学的な影響を全く有さない。これは、回折要素の０次では、格子が設けられるキャリア面の光学特性が実質的に変化しないためである。この結果、格子は、湾曲面に対する不利点がなく設けられ得る。本発明に関わる減衰器の格子が低周波数格子であることによって、使用される波長が、１３０ｎｍの妨害波長のためにγ（１３０ｎｍ）≒２°に対してただγ（１３．５ｎｍ）≒０．２°だけ、方程式（２）に従っておおよそ４μｍの周期ｐで＋／−１次に回折される。他の例では、この回折が、例えば１３．５ｎｍでただおおよそ０．２ｍｒａｄだけ、しかし、１３０ｎｍでおおよそ２ｍｒａｄだけ、１次で起こる。第１の例でおおよそ２°だけ、第２の例で２ｍｒａｄだけ１次に回折される光線の結果、例えば減衰器の下流の光線通路内にダイヤフラムを導入することによって、例えば照明システム１３０ｎｍの望ましくない放射線を減衰させることが可能になっている。
【００２５】
使用される波長のために０次の回折で少なくとも１つの格子要素を有する減衰器の操作することは、製造上の利点を有する。かくして、例えば、格子がワンピース型に形成されているか幾つかのセグメントから形成されているかは無関係である。更に、この格子は、これが照明システムの光線の集光路内で使用される場合には、円錐形にテーパ付けされた格子溝部を有し得る。この配置は、任意で選択可能で、これの位置と、妨害光が回折される回折次数のぼけとにのみ影響する。これは、使用される波長のための光をまた収容している０次の回折の光のための何であれ実質的には全く関係がない。
【００２６】
かくして、本発明に関わる格子要素は、製造上の欠点に対して非常に鈍感である。
【００２７】
本発明に関わる格子は、特に、２つの異なる高さのみを有するいわゆる双対の格子として設計されていると好ましい。例えば、局所的な座標システムに関して第１の高さはＨ１＝０で、第２の高さＨ２＝ｈである。異なる高さの複数の区域が、例えば均等な幅で、従って、格子周期ｐの半分の幅で選択され得る。異なる高さの区域の２つの幅の率はまた、アスペクト比として知られている。異なる高さと均等な幅を有する構造体を有する双対の格子の場合、１のアスペクト比が得られる。また、異なる形で幅を選択することも可能であり、この結果、周期は、高さＨ１及びＨ２を有する２つの異なる高さの区域の幅の合計で得られる。回折効率は、構造上の幅の変動、即ち、アスペクト比を通して異なる回折次数で影響され得る。
【００２８】
１つの有益な双対の格子は、エッジの勾配の険しさである。エッジの勾配が険しいことで、入射面に対して直交する周期を有する場合には、双対の格子の濃淡が低くされる。この場合、入射面に対して直交するということは、格子ベクトルが入射面に対して実質的に直交していることを示す。格子溝部が入射光線、即ち、入射面の方向に平行になっていることから、特に、比較的高い講師構造体での格子入射下で濃淡と従って使用される波長のための光の喪失とが低くされるようにすることができる。格子は、使用される波長のために実質的に不可視である。
【００２９】
このような双対の格子要素の回折効率は、以下の式が格子深さを求める場合に最大に達する。
【数４】
2005536900.tif 000005
【００３０】
ｈλｎは、波長λでの最大回折効率のための格子深さであり、入射角度αｉは、表面の法線に関し、ｎは、整数である。好ましい実施形態で格子要素が２つの高さ、即ち第１の高さと第２の高さとをのみ有する双対の格子として設計されている場合は、回折光は、実質的に０次の回折と＋／−１次の回折との間に分配する。方程式（３）に関わるｈ＝ｈλ１ｎだと、光のおおよそ８０％が、波長λ１、例えばλ１＝１３０ｎｍの場合に＋／−1次の回折に回折される。従って、２０％より小さいこの波長λ１の光強度の一部のみが０次に留まる。ＥＵＶ放射線に対する相対的な減衰を考えるためには、例えば１３．５ｎｍでのＥＵＶ放射線のための減衰器の反射率を考えることが必要である。例えばルテニウムのコーティングを有する表面の法線に対して７６°の入射角度αｉでの格子入射下では、８０％を超える反射率が果たされ、即ち、所望のＥＵＶ放射線がまた、２０％まで減衰される。これを考慮すると、波長λ１のために８０％（ＤＵＶ、即ち１３０ｎｍ）から２０％（ＥＵＶで、即ち１３．５ｎｍ）までの減衰を、即ち、λ＝１３．５ｎｍに対して７５％の減衰を果たすことが可能である。方程式（３）によると、格子深さは、所定の波長がビームから実質的に回折されるように、選択され得る。有利には、深さｈｎは、０次で望ましくないＤＵＶ及びＩＲ波長が＋／−１次に回折されるように選択される。
【００３１】
方程式（３）は、場合によると使用される波長λ＝１３．５ｎｍの場合に果たされることが理解される。しかし、回折角度は、例えば、十分であるように、またＤＵＶ領域内の波長を有する光を回折させるように構成された格子の場合の±１次などの比較的高めの次数で、１３．５ｎｍでは非常に小さい。このような格子は、周期性ｐ＝４μｍと格子深さ２１０ｎｍなどを有している。このような格子の場合は、±１次に回折される使用の波長１３．５ｎｍの光が、０次の単なる僅かなぼけのような効果を有するように０次の非常に近くに位置する。
【００３２】
他方で、深さｈｎを有する格子は、他の波長と深さとでは他の効果を有する。
【数５】
2005536900.tif 000006
【００３３】
実質的には回折はなく、即ち、この状況を満たす波長を有する全体的な光は、他の回折次数に回折されず、０次の回折へと、そして鏡面反射へと移動する。
【００３４】
一般的に、回折効率ηは、双対の格子深さと波長とに応じて単純な公式で表され得る。
【数６】
2005536900.tif 000007
【００３５】
ｈは、格子深さであり、ｃｍは、望みの回折次数の最大回折効率であり、即ち、−1次の回折の場合にはおおよそｃ-１≒４０％であり、＋1次の回折の場合にはｃ１≒４０％であり、全体的には、両回折次数のためにはおおよそｃ-１＋ｃ１≒２ｃ１≒８０％である。この回折効率は、材料の特性に依存し、また付加的に、使用される格子材料の波長または各波長における反射率にも左右される可能性がある。
【００３６】
上述された説明から明らかなように、本発明に関わる格子要素は、様々の波長を０次から所定の分だけ回折させるように使用され得る。平均的には、最大回折効率２ｃ１のおおよそ５０％のみが、特定のスペクトル領域に達する。即ち、妨害放射線のおおよそ４０％のみが除外される。適当な深さを選択することによって、特に強く発生する妨害波長の最適な抑制を果たすことが可能である。
【００３７】
上述されているように、本発明に関わる減衰器は、所定の波長で望ましくないＤＵＶ放射線の強度の最大８０％を除外し得る。他の波長では、例えば、格子は機能しない。かくして、この格子は、幾らか強く発生し波長を妨害するＤＵＶ領域がほぼ完全に除外されるように設計されていると好ましい。これを果たすために、格子深さｈが、状態（condition）（３）が可能な中で最も多数の波長のために満たされるように、有益な実施形態で与えられる。更なる特有の有益な実施形態では、格子深さｈが、平均の回折効率が所望のスペクトル領域内の最大値をとるように選択されている。
【００３８】
全ＤＵＶ波長の平均では、おおよそ４０％の平均回折効率と、かくして、この望ましくない放射線の減衰とを同じだけ果たすことが可能である。他方で、例えばλ＝１３．５ｎｍの使用される波長の反射率は、好ましい実施形態でルテニウムコーティングが使用され、格子が格子入射下で使用される、即ち、ビーム束の光線が正接面に対して＜２０°の角度で、または、表面の法線に対してαｉ＞７０°の角度で衝突した場合には、おおよそ８０％である。このような減衰器としての格子要素によって、望ましくないＤＵＶ波長の両の例えば２５％まで減じることが可能である。特定の有益な実施形態では、おおよそ６８％の平均の回折効率が、１３０ｎｍ乃至３３０ｎｍのＤＵＶスペクトル領域の波長の場合には表面の法線に対する入射角度７６°でおおよそ２１０ｎｍの深さへ最適化することによって果たされる。これは、ＤＵＶ波長領域内の６０％までの所定量の望ましくない放射線の減衰に対応している。回折効率が格子周期から実質的に独立しているため、これは、幾つかの格子周期に適用し、通常の入射角度下で使用され得る本発明に関わる減衰器のための類似した方法で使用され得る。このような変形は、当業者には明らかである。
【００３９】
ＤＵＶ波長領域内の放射線の高くさえある抑制を果たすために、本発明の原則は、例えば格子入射下または通常の入射ミラーでの複合的な反射で好ましい実施形態で何度か連続して使用され得る。通常の入射ミラーは、ビーム光線または光線が罷正接面に対してαｉ＞２０°の角度でまたは表面の法線に対して７０°の角度で衝突するミラーである。
【００４０】
格子溝部は、格子入射下で光線の集光路内で円錐状に（即ち、テーパ付けされるように）設計されている。小さな開口角度では、これは、強制的には必要とされない。完成した格子はまた、小さな濃淡が容認できる場合には同じ周期を有する単一の大きな双対の格子として設計され得る。
【００４１】
テーパ付けされた格子溝部の代わりに、格子はまた、集光ビーム束の局所的な入射角度に対して夫々の形で方向付けられた個々のセグメントによって形成されてもよい。また、個々のセグメントの格子周期は、異なっていてよい。
【００４２】
光線の集光路内で、格子にわたって入射角度αｉは変化する。この結果、波長もまた、方程式（１）が最も高い回折効率を果たす格子によって変化する。
【００４３】
特に有益な実施形態では、格子深さはまた、例えば分割または進行を設定し得る製造方法によって後ろに数回連なるように配置された異なる格子深さを有する個々の格子要素に代わって、格子にわたって変化する。
【００４４】
本発明は、実施形態と図面とを参照して説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
図１は、本発明に係わる格子要素を有するＥＵＶ投影露光システムを示している。このＥＵＶ投影露光システムは、光源１と、集光光学素子、いわゆる、独国特許出願ＤＥ１０１３８３１３Ａ１と、２００２年１月２３日に本出願人に代わってＵＳＰＴＯに提出された同時係属の米国特許出願２００３−００４３４５５Ａ１（この開示の範囲は、本出願に組み込まれている）とに係わるネスト（nested）集光器として構成されている集光器３とを有している。集光器３は、照射システムの対物面に配置された光源１を、光源５の像、即ち、ダイヤフラム面７の中もしくは近くのいわゆる第２の光源に投影する。
【００４６】
本例では、レーザープラズマ源あるいはプラズマ放出源などの光源１が、照射システムの対物面２内に配置されている。第１の光源１の像は、照射システム１０のダイヤフラム面７の中あるいは近くに位置するようになる。また第１の光源の像は、第２の光源５としても示されている。
【００４７】
付加的なダイヤフラム２４が、少なくとも１つの格子要素を有する本発明に係わる減衰器２０とダイヤフラム面７の物理的ダイヤフラム２２との間に配置されている。本発明に関われば、０次の焦点は、ダイヤフラム２２の面７内に位置するようになる。即ち、光源は、０次の回折で実際に無非収差的に、ダイヤフラムの面に、集光器と減衰器とによって投影され、そこに第２の光源５をもたらす。＋１もしくは−1次の回折などの全ての他の回折次数は、比較的長い波長の光、例えば、比較的長い波長の光もしくは放射線のためのダイヤフラム２２及び２４によってブロックされている。使用される放射線の比較的低い回折次数、例えば±1次の回折での比較的低い回折角度によって、この光は、ダイヤフラムによっては概してブロックされない。代わりに、使用される波長の光のぼけが０次の回折の近くで生じる。他の回折次数への偏向は、図１には示されていない。この点で、図３を参照したい。
【００４８】
投影システムの照射システムは、更に、米国特許Ｎｏ．６、４３８、１９９Ｂ１（開示の範囲は完全に本出願に組み込まれている）に説明されているように、リング形のフィールドを有するフィールド面１００を成形及び照射するための光学システム５０を有する。局所ｘ、ｙ、ｚ座標システムが、フィールド面１００に示されている。光学システム５０は、２つのフェーセット（faceted）ミラーを有し、これらは、フィールド面１００内のフィールドの均質の照射のための混合ユニット５２のようなフライアイズ（fly eye’s）レンズとも呼ばれる回折システム５４、５６内にある。更に、照射システムは、混合ユニット５２とフィールド形成かすり入射ミラー７０とに加えて、２つの投影ミラー６２、６４を備えた投影レンズ５８を有する。光の流出を抑えるための付加的なダイヤフラム８２、８４、８８が、この光学システム内に配置されている。
【００４９】
第１のフェーセットミラー５４（いわゆるフィールドフェーセット（facet）ミラー）が、第２のフェーセットミラー５６（いわゆる瞳孔フェーセットミラー）の中又は近くに複数の第２の光源を作る。以下の投影レンズ５８は、瞳孔フェーセットミラーを、投影レンズ２０２の射出ひとみ２００内に来る照射システムの射出ひとみに投影する。投影レンズの射出ひとみ２００は、主ビームＣＲと投影レンズ２０２の光軸ＨＡとの交差点で与えられる。第１のフェーセットミラー５４と第２のフェーセットミラー５６との個々のフェーセットの傾斜角度は、第１のフェーセットミラーの個々のフィールドフェーセットの像が照射システムのフィールド面１００に実質的に重なるような方法で設計されており、かくして、このフィールド面内に位置するようになる構造支持マスクに対するほぼ均質な照射が得られる。リング形フィールドのセグメントが、かすり入射（grazing incidence）のもとで操作されるフィールド形成かすり入射ミラー７０によって形成される。
【００５０】
フィールド面１００内に配置され、またレチクルとして示されている構造支持マスクは、投影レンズ２０２によって、フィールド面１００の像面２０４に投影される。投影レンズは、２０００年１２月１３日に米国特許庁に出願人の代わりとして提出された米国出願６０／２５５２１４のように、あるいは、米国特許Ｎｏ．６、３５３、４７０（この開示の範囲は完全に本出願に組み込まれている）に開示されているように、６ミラー投影レンズである。
【００５１】
ウエハなどの露光される物体は、投影レンズの像面２０４に配置される。
【００５２】
図２は、少なくとも１つの格子要素を有する本発明に関わる減衰器のｘ〜ｚ方向での断面図を示している。このような減衰器の３次元概略図が、図３に示されている。断面図は、格子要素上にぶつかるビーム束の光線の入射方向に対して直交している。格子要素の周期的な高さの特徴Ｈ（ｚ）が示されている。本発明に関わる減衰器は、第１の高さＨ１と第２の高さＨ２とを有する格子要素のような双対の格子要素（binary grating element）を有している。第１の高さＨ１＝０と第２の高さＨ２＝Ｈとの間の差が、溝部の深さである。本例では、溝部の深さは、図３に示されているように、ｈ＝Ｈ−０＝Ｈである。ｘ方向の高さ方向で生じる格子要素の周期性が、ｐで示されている。高さＨ１＝０を有する構造の幅は、ｂ１で示され、高さＨ２＝Ｈを有する構造の幅は、ｂ２で示されている。周期は、ｂ１＋ｂ２＝ｐの合計から得られる。本例では、ｂ１＝ｂ２である。またアスペクト比はｂ１／ｂ２＝１である。他のアスペクト比であってもよい。
【００５３】
例えばＤＵＶ波長領域の１３０ｎｍの光が、＋１もしくは−１次でγ＝２°によって回折される場合は、概算で３．７μｍの格子周期ｐを求める。このような格子によって高い次数、例えば±１次に回折されるＥＵＶ放射線は、上述されたように、０．２°だけ回折され、面７に第２の光源５の僅かなぼけをもたらすのみである。
【００５４】
図３は、本発明に関わる減衰器を３次元で示している。局所ｘ、ｙ、ｚ座標システムが再び示されている。格子溝部は、ｙ方向に、即ち、ビーム束の光線が衝突する方向に対して平行に方向付けられている。格子への正接面に位置された格子ベクトル３０８は、格子溝部に直交するように延び、かくして、ｘ方向に向いている。格子に衝突するビーム束の複数の光線のうち代表的なビーム３００、例えば、格子面に衝突するビーム束の主光線が、示されている。光線３００は、面３０２の法線に対して入射角度αｉで格子要素に衝突する。入射角度αｉは、７０°より大きい。面の法線３０２は、ｚ方向と一致している。衝突した光線３００と法線３０２とは、局所入射面を規定し、本例では、この入射面はｙ−ｚ面と一致している。０次に回折されたビーム束の光線は、３０２で示されており、＋１次、−１次に回折された光線は、夫々に、３０４、３０６で示されている。格子ベクトルが入射面に直交する向きで延びるような格子を用いる場合は、回折された光線は、入射面に入らない。回折光線に対応する０次のみが、単に、入射面に位置するようになるだけである。他の回折次数は、格子ベクトルに向かう方向と高さ方向とに回折される。本例では、円錐状の格子回折について述べている。
【００５５】
図４は、入射角度αｉ=７６°で、４つの異なる格子深さ１３５ｎｍ、２１０ｎｍ、３４０ｎｍ及び５００ｎｍについての、波長λp全体にわたる、方程式（５）に関わる２つの1次の回折の１つに対する回折効率η（ｈ、λ）の形態を示している。双対の格子が想定されている。参照符号は、格子深さ１３５ｎｍには参照符号３５０、格子深さ２１０ｎｍには参照符号３５２、格子深さ３４０ｎｍには参照符号３５４ｍ、そして格子深さ５００ｎｍには参照符号３５６というように、使用されている。浅い格子深さｈ＝２１０ｎｍ（曲線３５２）では、例えばたった１つの回折の最高点が、ＤＵＶスペクトル領域内のおおよそλ≒２００ｎｍにある。例えば比較的深い格子深さｈ＝３４０ｎｍ（曲線３５４）が選択された場合は、最高点の回折効率は、波長λ≒１１０ｎｍ及びλ≒３３０ｎｍのための方程式（５）に関わって得られる。波長λ≒３３０ｎｍと、例えばこの波長の３分の１であるλ≒１１０ｎｍなどの多数の比較的短い波長では、おおよそ≒４０％の最高の回折効率が、２つの1次の回折で果たされる。即ち、これら波長については、０次のおおよそ８０％が回折されて、除去される。前記の理想的な波長の間の波長のために、回折効率のsin２のような形状が、近似的に得られ、即ち、他の波長のためには、０次に定められたＤＵＶ放射線の強度は、ただ減じられるのみであり、格子は、例えば波長λ≒１６５ｎｍでの深さｈ＝３４０ｎｍには、全く影響を与えないだろう。かくして、抑えられたか透過されたＤＵＶ放射線の波長と量とが、格子深さによって割り出される。源が均等に分配されたＤＵＶスペクトル又は放射線の知られていないスペクトルの分配を与える場合、格子深さｈは、抑えられるスペクトル領域に渡って、このスペクトル領域にわたって平均化されたような方程式（５）、即ち、図４に関わる回折効率の最高点が得られるような方法で、最適なものが選択される。
【００５６】
図５は、αｉ＝７６°の入射角度での格子深さに応じた、２つのスペクトル領域、即ち、１３０ｎｍ乃至３３０ｎｍのＤＵＶスペクトル領域（参照符号３６０）と、１３０ｎｍ乃至６００ｎｍのより広域にわたる波長領域（参照符号３６２）とのための平均回折効率ηmittelを示している。曲線の形状は、これらの回折効率を方程式（５）に従って平均化することによって得られる。即ち、
【数７】
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【００５７】
η（ｈ、λ）は方程式（５）に係わる回折効率を示し、ｈは格子深さを示し、λminは、平均化される波長領域のうち最も短い波長を、λmaxは、最も長い波長を示し、また、Ｐ（λ）は、減衰器に衝突するスペクトル分布を示している。本例では、Ｐ（λ）は、これらの一般性を限定せず、１に等しい設定定数である。
【００５８】
考えられたスペクトル領域にわたる４つの例についての形状η（ｈ、λ）が、図４に示されている。このスペクトル領域を調べると、図５の方程式（６）に係わる最大の平均回折効率は、格子深さおおよそ２１０ｎｍのところに見られる。平均化された回折効率は、本例では≒３４％である。両方の1次の回折において、放射線の６８％が、１３０ｎｍ乃至３３０ｎｍの波長によって回折される。望ましくない放射線の３２％の最高点が、０次で、留まりつづける。これが、１３．５ｎｍの使用される波長の場合の少なくとも８０％のルテニウムの反射率と比較されると、望ましくないＤＵＶ放射線の透過は３２％：８０％≒４０％で得られ、即ち、望ましくない放射線の６０％の相対抑制が得られる。より広域のスペクトル領域１３０ｎｍ乃至６００ｎｍの場合、理想的な溝部の深さは、おおよそｈ≒４２０ｎｍで見られる。平均回折効率は、おおよそ≒２９％であり、これが、おおよそ≒４７％より大きいパーセンテージまで、夫々のスペクトル領域の抑制をもたらす。
【００５９】
図６ａは、例えばαｉ＝７６°の格子入射で本発明に係わる減衰器上に集まって衝突するビーム束のための格子溝部４５０の構成を示している。格子溝部は、局所的な入射面に対して理想的には平行に整列されている。上述されたように、局所的な入射面は、ビーム束の夫々衝突する光線と表面の通常のベクトルとによって規定される。表面の通常のベクトルは、格子面に直交するように延びている。本例では、集光ビームの焦点が、格子の右方向に位置している。格子の全ての溝部４５０は、この焦点に向かっている。本発明に係わる減衰器の機能性のために、格子が円錐状にテーパが付けられた格子溝部から構成されている必要は全くない。特に、ＮＡ≒０．２までの小さな開口を有する例では、格子はまた、図３に示されているように、実質的に平行な格子溝部から構成されていてもよい。これは、製造上の観点から見るとより単純である。図６ｂに示されているように、格子はまた、同じ格子周期のセグメント４６０．１、４６０．２で形成されていてもよい。
【００６０】
図７は、本発明に係わる減衰器の詳細な構成を格子要素に基いたｘ−ｚ断面図で概略的に示している。まず、閉鎖（stop）層５０２が、基板５００上に設けられる。この基板５００は、シリコーンなどで形成され得る。材料５０４が、閉鎖層５０２上に適用される。そして、材料が、例えば公知のエッチング技術などによって構造化される。閉鎖層５０２は、エッチングプロセスが終わったあと、このエッチングが基板５００のまで進まないようにするために、使用される。ＥＵＶ領域内の反射性を高くするために、エッチングされた構造体に、大量のＥＵＶ放射線を反射するコーティング５０６が与えられる。このようなコーティングは、ルテニウムもしくは多層構造のモリブデナム及びシリコーンなどであり得る。閉鎖層そして閉鎖層上に適用される材料の両方が、非常に高い表面品質を有するように処理され得るという利点を有している。例えばαｉ＞７０°の格子入射での高い反射性を確実にするように、格子は、ｒｍｓ〜０．６ｎｍ程度の非常に低い荒さを示さなくてはならない。かくして、以下の方法は、製造のために薦められる。
【００６１】
まず、閉鎖層５０２を有する平面基板５００が研磨される。そして、基板が、層５０４でコーティングされる。層５０４は、所定の厚さのエッチング可能な層である。この所定の層の厚さは、表面のラップ仕上げなどの仕上げによって与えられ得る。このエッチング可能な層は、フォトリソグラフィ技術を利用して構築され得る。
【００６２】
エッチング可能な層そして基板の両方がよく研磨され得ることから、荒さが小さくされ得る。エッチング可能な層は、方向エッチング、例えば、抵抗即ち保護層によって保護されていないところでのエッチング可能な層に対するイオンビーミングを利用して、基板のところまで除去され得る。よく制御された深さの格子溝部を有する格子が製造され得る。
【００６３】
図８（ａ）は、本発明に係わる減衰器を有する投影露光システムの他の実施形態を概略図で示している。本実施形態の減衰器は、小さな入射角度で操作されるミラーに取着されている。本例では、減衰器は、照射システムの瞳孔フェーセット６５６に取着されている。この照射システムは、光源６０１を光源６０５の第１の像に投影する集光器６０３を有している。集光器６０３と光源６０５の像との間の光路は、本発明に係わる第１の減衰器を有し得る平面ミラー６２０によって導かれる。このために、ダイヤフラム６２２が、光源６０５の第１の像の面に配置されている。
【００６４】
投影露光システムの照射システムは、リング形のフィールド６９０．１を有するフィールド面７００を成形及び照射するための光学システム６５０を更に有している。この光学システム６５０は、フィールドの均質の照射のための混合ユニットとして２つのフェーセットミラー６５４、６５６と、２つの投影ミラー６６２、６６４を有する投影レンズ６５８と、フィールド形成格子入射ミラー６７０とを有している。この光学システムには、また、光の漏れを抑制するための付加的なダイヤフラム６８４、６８８．１及び６８８．２が配置されている。
【００６５】
いわゆるフィールドフェーセットミラー６５６である第１のフェーセットミラー６５４は、第２のフェーセットミラー６５６、いわゆる瞳孔フェーセットミラーの中又は近くに複数の第２の光源を作る。ミラー６６２、６６４及び６７０から成る以下の投影レンズは、瞳孔フェーセットミラーを照射システムの射出ひとみに投影する。照射システムの射出ひとみは、本例では、投影レンズの射出ひとみと一致している（本明細書では示されず）。第１のフェーセットミラー６５４と第２のフェーセットミラー６５６との個々のフェーセットの傾斜角度は、第１のフェーセットミラーの個々のフィールドフェーセットの像が、照射システムのフィールド面７００に実質的に重なり、かくして、このフィールド面内に位置するようになる構造支持マスクに対するほぼ均質の照射が得られるように設計されている。リング形フィールドのセグメントは、格子入射で操作されるフィールド形成格子入射ミラー６７０によって形成される。望ましくない放射線を減衰するための本発明に係わる格子が、各瞳孔フェーセットに位置されている場合、フィールドのほぼ二重の像が、フィールド面７００内の、照射されるフィールドの近くに作られる。瞳孔フェーセット６５６．１による光路が、本例のための１例として示されている。瞳孔フェーセット６５６．１は、関連したフィールドフェーセット６５４．１をフィールド６９０．１に投影する。衝突する放射線が、瞳孔フェーセット６５６．１上に格子によって回折される。これによって、フィールド照射６９０．１の近くで、２つの他のフィールド照射６９０．２及び６９０．３が、1次の回折に従って作られる。これらは、関連した放射線が投影レンズ（図示されず）の焦点面での感光性基板の露光をもたらし得ないように、付加的なダイヤフラム６８４、６８８．１及び６８８．２によってブロックされる。
【００６６】
本実施形態では、フェーセットミラーの格子が、例えば、回折次数が実質的に入射面内に位置するようになる、即ち、格子ベクトルが入射面内に位置するようになる方法で、設計されている。1次の回折６９０．２及び６９０．３が望ましいフィールド６９０．１に重なり得ず、かくして、完全に分けられ得ることを確実にするために、回折角度は、十分に大きく選択されなくてはならない。これは、以下のように算出され得る。瞳孔フェーセット６５６．１と関連したフィールドフェーセット６５４．１との間の距離は、本例では、おおよそ１ｍである。ｙ方向のフィールドフェーセットの高さは、本例では、おおよそ３ｍｍである。瞳孔フェーセットの放射線開口は、３ｍｒａｄである。回折次数を完全に分けるためには、瞳孔フェーセット６５６．１の位置の回折角度が放射線開口より大きくなるように選択すれば十分である。本例での回折角度は、かくして、＞３ｍｒａｄである。入射角度４ｍｒａｄが、例えば１３０ｎｍよりも高い放射線のために選択された場合、求められている格子周期≒３２μｍが得られる。入射角度αｉ≒５°では、理想的な格子深さｈ≒５１ｎｍが、本例では１３０ｎｍ乃至３３０ｎｍの波長の放射線を抑制するために方程式（５）から割り出され得る。本発明に係わる減衰器が、平面ミラー６２０の減衰器と組み合わせられた例の瞳孔フェーセットミラー６５６内で使用される場合、ｈ≒９０ｎｍなどの他の深さが、１３０ｎｍ乃至３３０ｎｍのスペクトルにわたる望ましくない放射線の可能な限りで最も高い減衰を得るために有益になることもある。
【００６７】
図８（ｂ）は、瞳孔フェーセットミラー６５６．１上の格子を概略的に示している。この構成は、本例でもまた、複数の格子溝部６５５によって概略的に示された双対の格子によって成されていると好ましい。本発明に係わる減衰器が同じ形状でフィールドフェーセット６４５か集光器６０３を含む照射システムの他のミラーかの上に適用され得ることが、理解されるだろう。
【００６８】
本発明は、最初に、高効率で製造が簡単であることによって特に特徴付けられるＥＵＶリソグラフィーのための光減衰器を提供している。
【００６９】
本出願の開示内容は、所定の請求項の所定の要素と他の請求項の所定の要素との全ての可能な組み合わせと、そして全ての請求項の間の組み合わせとを有することを、当業者は理解するだろう。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明に係わる格子要素の形状の減衰器を有するＥＵＶ投影露光システムを示している。
【図２】本発明に係わる減衰器のｘ方向の高さを示している。
【図３】本発明に係わる座標システムを有する減衰器の３次元構成を示している。
【図４】所定の格子深さに応じた波長での回折効率を示している。
【図５】所定の格子深さに応じたスペクトル領域での平均の回折効率を示している。
【図６ａ】円錐状の回折線を有する格子要素を示している。
【図６ｂ】多数の別個のセグメントから成る格子要素を示している。
【図７】本発明に係わる減衰器の層構造をｘ〜ｚ断面図で示している。
【図８】（ａ）は通常の入射ミラーに本発明に係わる格子要素を有する投影露光システムを示し、（ｂ）は格子を有する通常の入射ミラーを示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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2005536900.tif 000020
2005536900.tif 000021