【手続補正書】
【提出日】令和2年5月8日(2020.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チェンバにおける基板支持体であって、
ベースプレートと、
基板を支持するために前記ベースプレート上に配置されたセラミック層と、
前記セラミック層と前記ベースプレートとの間に配置された接着層と、
前記セラミック層と前記ベースプレートとの間で、前記接着層の外周縁の周りに配置されたシールであって、
前記接着層に隣接して形成された内側層であって、第１の材料を含む内側層と、
前記内側層に隣接して、前記内側層が外側層と前記接着層との間にあるように形成された外側層であって、第２の材料を含む外側層と、
を有するシールと、
を備え、
前記内側層は、前記ベースプレートの上面から前記セラミック層の下面まで延び、前記基板処理チェンバから前記接着層をシールし、
前記内側層の外面は凹状であり、前記外側層はＯリングを含み、
前記外側層は、前記接着層に接触しない、
基板支持体。
【請求項２】
請求項１に記載の基板支持体であって、
前記第１の材料は、ポリマである、基板支持体。
【請求項３】
請求項１に記載の基板支持体であって、
前記第１の材料は、シリコーンおよびエポキシのうちの少なくとも１つを含む、基板支持体。
【請求項４】
請求項１に記載の基板支持体であって、
前記第２の材料は、テフロンである、基板支持体。
【請求項５】
請求項１に記載の基板支持体であって、
前記外側層は、前記第２の材料とは異なる第３の材料を含むコアを有する、基板支持体。
【請求項６】
請求項５に記載の基板支持体であって、
前記第３の材料は、パーフルオロエラストマポリマである、基板支持体。
【請求項７】
請求項５に記載の基板支持体であって、
前記第３の材料は、前記第２の材料よりも高い弾性を有する、基板支持体。
【請求項８】
請求項１に記載の基板支持体であって、
前記第２の材料は、前記第１の材料よりも高い耐プラズマ性を有する、基板支持体。
【請求項９】
請求項１に記載の基板支持体であって、
前記内側層は、前記接着層に直接隣接しており、前記外側層は、前記内側層から離間している、基板支持体。
【請求項１０】
方法であって、
基板処理チェンバにおいて基板支持体のベースプレートの上に、基板を支持するためのセラミック層を配置することと、
前記セラミック層と前記ベースプレートとの間に接着層を配置することと、
前記セラミック層と前記ベースプレートとの間で、前記接着層の外周縁の周りにシールを配置することであって、
前記接着層に隣接して形成される内側層であって、第１の材料を含む内側層と、
前記内側層に隣接して、前記内側層が外側層と前記接着層との間にあるように形成される外側層であって、第２の材料を含む外側層と、を含むシールを配置することと、
を含み、
前記内側層は、前記ベースプレートの上面から前記セラミック層の下面まで延び、前記基板処理チェンバから前記接着層をシールし、
前記内側層の外面は凹状であり、前記外側層はＯリングを含み、
前記外側層は、前記接着層に接触しない、
方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第１の材料は、ポリマである、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第１の材料は、シリコーンおよびエポキシのうちの少なくとも１つを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第２の材料は、テフロンである、方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載の方法であって、
前記外側層は、前記第２の材料とは異なる第３の材料を含むコアを有する、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第３の材料は、パーフルオロエラストマポリマである、方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第３の材料は、前記第２の材料よりも高い弾性を有する、方法。
【請求項１７】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第２の材料は、前記第１の材料よりも高い耐プラズマ性を有する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上述のように、コントローラは、ツールによって実行される処理工程または工程群に応じて、他のツール回路またはモジュール、他のツール部品、クラスタツール、他のツールインタフェース、隣接するツール、近隣のツール、工場の至るところに配置されたツール、メインコンピュータ、他のコントローラ、または半導体製造工場においてツール場所および／もしくはロードポートとの間でウェハの容器を移動させる材料搬送で使用されるツール、のうちの１つ以上と通信し得る。本開示は以下の適用例としても実現できる。
［適用例１］
基板処理システムにおける基板支持体であって、
ベースプレートと、
基板を支持するために前記ベースプレート上に配置されたセラミック層と、
前記セラミック層と前記ベースプレートとの間に配置された接着層と、
前記セラミック層と前記ベースプレートとの間で、前記接着層の外周縁の周りに配置されたシールであって、
前記接着層に隣接して形成された内側層であって、第１の材料を含む内側層と、
前記内側層に隣接して、前記内側層が外側層と前記接着層との間にあるように形成された外側層であって、第２の材料を含む外側層と、
を有するシールと、
を備える基板支持体。
［適用例２］
適用例１に記載の基板支持体であって、
前記第１の材料は、ポリマである、基板支持体。
［適用例３］
適用例１に記載の基板支持体であって、
前記第１の材料は、シリコーンおよびエポキシのうちの少なくとも１つを含む、基板支持体。
［適用例４］
適用例１に記載の基板支持体であって、
前記第２の材料は、テフロンである、基板支持体。
［適用例５］
適用例１に記載の基板支持体であって、
前記外側層は、Ｏリングを含む、基板支持体。
［適用例６］
適用例１に記載の基板支持体であって、
前記外側層は、前記第２の材料とは異なる第３の材料を含むコアを有する、基板支持体。
［適用例７］
適用例６に記載の基板支持体であって、
前記第３の材料は、パーフルオロエラストマポリマである、基板支持体。
［適用例８］
適用例６に記載の基板支持体であって、
前記第３の材料は、前記第２の材料よりも高い弾性を有する、基板支持体。
［適用例９］
適用例１に記載の基板支持体であって、
前記第２の材料は、前記第１の材料よりも高い耐プラズマ性を有する、基板支持体。
［適用例１０］
適用例１に記載の基板支持体であって、
前記内側層は、前記接着層に直接隣接しており、前記外側層は、前記内側層から離間している、基板支持体。
［適用例１１］
適用例１に記載の基板支持体であって、
前記内側層の外面は、凹状である、基板支持体。
［適用例１２］
方法であって、
基板処理システムにおいて基板支持体のベースプレートの上に、基板を支持するためのセラミック層を配置することと、
前記セラミック層と前記ベースプレートとの間に接着層を配置することと、
前記セラミック層と前記ベースプレートとの間で、前記接着層の外周縁の周りにシールを配置することであって、
前記接着層に隣接して形成される内側層であって、第１の材料を含む内側層と、
前記内側層に隣接して、前記内側層が外側層と前記接着層との間にあるように形成される外側層であって、第２の材料を含む外側層と、を含むシールを配置することと、
を含む方法。
［適用例１３］
適用例１２に記載の方法であって、
前記第１の材料は、ポリマである、方法。
［適用例１４］
適用例１２に記載の方法であって、
前記第１の材料は、シリコーンおよびエポキシのうちの少なくとも１つを含む、方法。
［適用例１５］
適用例１２に記載の方法であって、
前記第２の材料は、テフロンである、方法。
［適用例１６］
適用例１２に記載の方法であって、
前記外側層は、Ｏリングを含む、方法。
［適用例１７］
適用例１２に記載の方法であって、
前記外側層は、前記第２の材料とは異なる第３の材料を含むコアを有する、方法。
［適用例１８］
適用例１７に記載の方法であって、
前記第３の材料は、パーフルオロエラストマポリマである、方法。
［適用例１９］
適用例１７に記載の方法であって、
前記第３の材料は、前記第２の材料よりも高い弾性を有する、方法。
［適用例２０］
適用例１２に記載の方法であって、
前記第２の材料は、前記第１の材料よりも高い耐プラズマ性を有する、方法。