Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月5日(2020.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
寝台装置本体と、
前記寝台装置本体に着脱可能に装着される介助バーと、
前記介助バーに設けられ、前記寝台装置の使用者の動作または音声を検知する第１検知手段と、
前記第１検知手段が前記使用者の動作または音声を検知したとき、前記介助バーを動作させて、使用者の支援行為を行う第１支援手段と、
を備えている寝台装置。
【請求項２】
前記寝台装置本体に載置可能な第２センサと、
前記第２センサで取得された情報からを前記使用者の重心位置を算出する制御部をさらに含み、
前記使用者の重心位置が所定の範囲から外れたのちに、前記第１支援手段は前記使用者の支援行為を行う、請求項１に記載の寝台装置。
【請求項３】
請求項２に記載の寝台装置と、
前記寝台装置の使用者の支援行為を行う第２支援手段を有する支援装置と、を備え、
前記利用者の重心位置が所定の範囲から外れたのちに、前記第２支援手段が、前記寝台装置の使用者の支援行為を行う、支援システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月4日(2020.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
半導体素子が搭載された領域を封止樹脂で封止した樹脂封止体から剥離除去可能な導電性基板の一方の側の面に、面全体を覆う第１のレジストマスクを形成するとともに、前記導電性基板の他方の側の面に、所定間隔をあけて配列される複数の所定位置を開口する第１のレジストマスクを形成する工程と、
前記第１のレジストマスクの開口から前記導電性基板にハーフエッチング加工を施し、該導電性基板の他方の側の面に、所定間隔をあけて配列される複数の凹部を形成する工程と、
前記導電性基板の両面に形成した前記第１のレジストマスクを除去する工程と、
前記導電性基板の一方の側の面に、端子に対応する複数の所定位置を開口する第２のレジストマスクを形成するとともに、該導電性基板の他方の側の面に、面全体を覆う第２のレジストマスクを形成する工程と、
前記第２のレジストマスクの開口から前記導電性基板にめっき加工を施し、複数の端子を形成する工程と、
前記導電性基板の面に形成したレジストマスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体素子搭載用基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明による半導体素子搭載用基板の製造方法は、半導体素子が搭載された領域を封止樹脂で封止した樹脂封止体から剥離除去可能な導電性基板の一方の側の面に、面全体を覆う第１のレジストマスクを形成するとともに、前記導電性基板の他方の側の面に、所定間隔をあけて配列される複数の所定位置を開口する第１のレジストマスクを形成する工程と、前記第１のレジストマスクの開口から前記導電性基板にハーフエッチング加工を施し、該導電性基板の他方の側の面に、所定間隔をあけて配列される複数の凹部を形成する工程と、前記導電性基板の両面に形成した前記第１のレジストマスクを除去する工程と、前記導電性基板の一方の側の面に、端子に対応する複数の所定位置を開口する第２のレジストマスクを形成するとともに、該導電性基板の他方の側の面に、面全体を覆う第２のレジストマスクを形成する工程と、前記第２のレジストマスクの開口から前記導電性基板にめっき加工を施し、複数の端子を形成する工程と、前記導電性基板の面に形成したレジストマスクを除去する工程と、を有することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
そして、このような本発明の半導体素子搭載用基板は、半導体素子が搭載された領域を封止樹脂で封止した樹脂封止体から剥離除去可能な導電性基板の一方の側の面に、面全体を覆う第１のレジストマスクを形成するとともに、導電性基板の他方の側の面に、所定間隔をあけて配列される複数の所定位置を開口する第１のレジストマスクを形成する工程と、第１のレジストマスクの開口から導電性基板にハーフエッチング加工を施し、導電性基板の他方の側の面に、所定間隔をあけて配列される複数の凹部を形成する工程と、導電性基板の両面に形成した第１のレジストマスクを除去する工程と、導電性基板の一方の側の面に、端子に対応する複数の所定位置を開口する第２のレジストマスクを形成するとともに、導電性基板の他方の側の面に、面全体を覆う第２のレジストマスクを形成する工程と、第２のレジストマスクの開口から導電性基板にめっき加工を施し、複数の端子を形成する工程と、導電性基板の面に形成したレジストマスクを除去する工程と、を有することによって製造可能である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月23日(2020.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を処理する方法であって、
複数のホールが表面に設けられた被処理体を処理容器内に搬入する工程と、
プラズマＣＶＤにより前記ホールの内面に膜を形成する工程と、
前記膜を等方的にエッチングする工程と、
を含む、
方法。
【請求項２】
膜を形成する前記工程とエッチングする前記工程とは、繰り返し実行される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
エッチングする前記工程は、
窒素を含む第１のガスからプラズマを生成し、前記ホールの内面に混合層を形成する工程と、
次いで、フッ素を含む第２のガスからプラズマを生成し、前記混合層を除去する工程と、
を繰り返して、前記膜を等方的にエッチングする、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のガスは、ＮＦ３ガスおよびＯ２ガスを含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のガスは、ＮＦ３ガス、Ｏ２ガス、Ｈ２ガスおよびＡｒガスを含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のガスは、ＣＨ３Ｆガス、Ｏ２ガスおよびＡｒガスを含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項７】
膜を形成する前記工程は、
前記ホールの内面に第１の膜を形成する段階と、
前記第１の膜上に第２の膜を形成する段階と、
を備え、
エッチングする前記工程における前記第１の膜のエッチング耐性は、前記第２の膜のエッチング耐性よりも低い、
請求項１から６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
第１の膜を形成する前記段階は、
前記被処理体にアミノシラン系ガスを吸着させることと、
酸素を含むガスからプラズマを生成することと、を繰り返すこと、
を含み、
第２の膜を形成する前記段階は、プラズマＣＶＤにより該第２の膜を形成する、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
被処理体を処理する方法であって、
被処理体を処理容器内に搬入する工程であって、該被処理体には複数のホールが表面に設けられており、該複数のホールは第１のホール幅を有する第１のホール及び該第１のホール幅よりも大きい第２のホール幅を有する第２のホールを含む、該工程と、
前記被処理体にシーケンスを実行する工程と、
を備え、
前記シーケンスは、
前記複数のホールのそれぞれの内面に膜を形成する工程であって、前記第１のホールに形成される該膜の厚さが前記第２のホールに形成される該膜の厚さよりも小さくなるように該膜を形成する、該工程と、
前記膜を等方的にエッチングする工程であって、該エッチング後における前記第１のホール幅と前記第２のホール幅との差は、膜を形成する前記工程の開始時における該第１のホール幅と該第２のホール幅との差よりも小さい、該工程と、
を含む、
方法。
【請求項１０】
膜を形成する前記工程は、プラズマＣＶＤによる成膜処理を含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記膜は、シリコンを含有する、
請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記シーケンスは、繰り返し実行される、
請求項９から１１の何れか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2019041020.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2019041020.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2019041020.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2019041020.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月23日(2020.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を処理する方法であって、該被処理体には複数のトレンチが該被処理体の表面に設けられており、該方法は、
複数の前記トレンチのトレンチ幅を測定する第１工程と、
前記第１工程において測定した前記トレンチ幅の前記表面におけるバラツキが予め設定された基準範囲内にない場合に該トレンチ幅を調節する第２工程と、
前記バラツキが前記基準範囲内にあり且つ前記第１工程において測定した前記トレンチ幅が予め設定された基準幅よりも狭い場合に該トレンチ幅を広げるエッチング処理を行う第３工程と、
を含む基本工程を備え、
前記表面は、当該方法において複数の領域に区分けされており、
前記第２工程は、
前記表面の温度を複数の前記領域ごとに調節する第４工程と、
前記トレンチの内面に膜を形成する膜形成処理を行う第５工程と、
を備え、
前記第４工程は、前記膜形成処理における前記表面の温度と前記トレンチの内面に堆積する膜の膜厚との対応を示す予め取得された対応データを用いて、該膜の形成によって前記バラツキを低減するように該表面の温度を調節し、
前記膜形成処理は、
前記被処理体が収容されたプラズマ処理装置の処理容器内に第１のガスを供給する第６工程と、
前記第６工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第７工程と、
前記第７工程の実行後に、前記処理容器内で第２のガスのプラズマを生成する第８工程と、
前記第８工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第９工程と、
を含む第１シーケンスを繰り返し実行し、
前記エッチング処理は、
前記処理容器内に第３のガスのプラズマを生成し該第３のガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を前記トレンチの内面の原子層に等方的に形成する第１０工程と、
前記第１０工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第１１工程と、
前記第１１工程の実行後に、前記処理容器内において第４のガスのプラズマを生成し該第４のガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第１２工程と、
前記第１２工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第１３工程と、
を含む第２シーケンスを繰り返し実行し前記膜を原子層ごとに除去することによって該膜を等方的にエッチングし、
前記膜は、シリコンを含み、
前記第１のガスは、アミノシラン系ガスを含み、
前記第２のガスは、酸素原子を含有するガスを含み、
前記第３のガスは、窒素を含み、
前記第４のガスは、フッ素を含み、
前記第１２工程において生成される前記第４のガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
前記第６工程は、前記第１のガスのプラズマを生成しない、
方法。
【請求項２】
前記基本工程は、前記第２工程の実行後および前記第３工程の実行後に前記第１工程に戻る、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基本工程は、繰り返し実行され、
前記基準範囲は、前記基本工程の実行が繰り返されるごとに段階的に狭くなる、
請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のガスは、モノアミノシランを含む、
請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のガスのアミノシラン系ガスは、１〜３個のケイ素原子を有するアミノシランを含む、
請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のガスのアミノシラン系ガスは、１〜３個のアミノ基を有するアミノシランを含む、
請求項１〜３，５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第４のガスは、ＮＦ３ガスおよびＯ２ガスを含む混合ガスである、
請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第４のガスは、ＮＦ３ガス、Ｏ２ガス、Ｈ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第４のガスは、ＣＨ３Ｆガス、Ｏ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
被処理体を処理する方法であって、
（ａ）複数の領域に区分けされた表面に複数のトレンチが設けられた被処理体を処理容器内に搬入し、
（ｂ）前記複数のトレンチの各々のトレンチ幅を測定し、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記トレンチ幅のバラツキが予め設定された基準範囲内となるように行う膜形成処理によって該トレンチ幅の該バラツキを調節し、該膜形成処理は、
（ｉ）前記（ｂ）において測定された前記複数のトレンチの各々の前記トレンチ幅に基づいて、前記複数の領域ごとに前記被処理体の表面の温度を調節し、
（ｉｉ）第１のガスを前記被処理体の表面に付着させることによって、該被処理体の表面に反応前駆体を形成し、
（ｉｉｉ）第２のガスのプラズマによって、前記反応前駆体から前記被処理体の表面に層を形成し、
（ｉＶ）前記（ｉｉ）及び前記（ｉｉｉ）を繰り返して、前記トレンチの内面に膜を形成する、
方法。
【請求項１１】
（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記複数のトレンチの各々の内面に形成された前記膜を等方的にエッチングする、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記（ｃ）及び（ｄ）を繰り返す、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記（ｄ）では、原子層エッチングが用いられる、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記原子層エッチングは、
前記トレンチの内面に形成された膜を表面改質するために、プラズマを用いて該膜の表面に混合層を形成する、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
被処理体を処理する方法であって、
（ａ）複数のトレンチが設けられた被処理体を処理容器内に搬入し、
（ｂ）前記被処理体の表面の複数の領域ごとに、前記複数のトレンチの各々のトレンチ幅を測定し、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記トレンチ幅のバラツキが予め設定された基準範囲内となるように行う膜形成処理によって該トレンチ幅の該バラツキを調節し、該膜形成処理は、
（ｉ）前記複数の領域ごとに前記被処理体の表面の温度を調節し、
（ｉｉ）第１のガスを前記被処理体の表面に付着させることによって、該被処理体の表面に反応前駆体を形成し、
（ｉｉｉ）第２のガスのプラズマによって、前記反応前駆体から前記被処理体の表面に層を形成し、
（ｉＶ）前記（ｉｉ）及び前記（ｉｉｉ）を繰り返して、前記トレンチの内面に膜を形成し、
前記（ｉ）は、前記被処理体の表面の温度と前記トレンチの内面に形成された前記膜の膜厚との対応を示す予め取得された対応データを用いて、該被処理体の表面の温度を調節する、
方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月15日(2020.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
基板を保持面上で保持する保持部と、
研磨部と前記保持面とを接触させて前記保持面をクリーニングするクリーニング部材と、を有し、
前記クリーニング部材は、前記研磨部に配置され気体を供給するための供給口と、前記研磨部の周辺に配置され気体を吸引するための吸引口と、前記研磨部の周辺に設けられた平坦部と、を有し、
前記平坦部は、前記研磨部と前記保持面とが接触している状態で、前記保持面に沿って平行で前記保持面に接触しない面を有する
ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記研磨部と前記保持面とが接触している状態で形成される、前記クリーニング部材と前記保持部の間の空間に前記供給口を介して気体を供給する供給部と、前記吸引口を介して前記空間から気体を吸引する吸引部を有することを特徴とする、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記研磨部と前記保持面とが接触している状態で形成される、前記平坦部と前記保持部の間の第１空間から前記吸引部に吸引される気体の流量より、前記研磨部と前記保持面とが接触している状態で形成される、前記研磨部と前記保持部の間の第２空間から前記吸引部に吸引される気体の流量の方が多くなることを特徴とする、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記クリーニング部材は、前記吸引口の周辺に第２吸引口を有し、
前記吸引部は、前記第２吸引口を介して前記気体を吸引することを特徴とする、請求項２又は請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記クリーニング部材は、前記第２吸引口の周辺に設けられた第２平坦部を有し、
前記第２平坦部は、前記研磨部と前記保持面とが接触している状態で、前記保持面に沿って平行で前記保持面に接触しない第２面を有することを特徴とする、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記研磨部と前記保持面とが接触している状態で形成される、前記第２平坦部と前記保持部の間の第３空間から前記吸引部に吸引される気体の流量より、前記研磨部と前記保持面とが接触している状態で形成される、前記平坦部と前記保持部の間の第１空間から前記吸引部に吸引される気体の流量の方が多くなることを特徴とする、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記研磨部と前記保持面とが接触している状態で前記クリーニング部材、及び前記保持部のうち少なくとも１つを移動させて前記保持部をクリーニングすることを特徴とする、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記クリーニング部材で前記保持面をクリーニングした後に、粘着部材で前記保持面をクリーニングすることを特徴とする、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記クリーニング部材で前記保持面をクリーニングした後に、粘着部材で前記クリーニング部材をクリーニングすることを特徴とする、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記研磨部と前記保持面とが接触している状態では前記研磨部と前記保持部に配置された複数の突起とが接触していることを特徴とする、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記供給口は、前記研磨部の中央に配置されることを特徴とする、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、を有し、
処理した前記基板を用いて物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、基板を保持面上で保持する保持部と、研磨部と前記保持面とを接触させて前記保持面をクリーニングするクリーニング部材と、を有し、前記クリーニング部材は、前記研磨部に配置され気体を供給するための供給口と、前記研磨部の周辺に配置され気体を吸引するための吸引口と、前記研磨部の周辺に設けられた平坦部と、を有し、前記平坦部は、前記研磨部と前記保持面とが接触している状態で、前記保持面に沿って平行で前記保持面に接触しない面を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
図１５（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月10日(2020.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズを有する撮像装置を搭載した移動装置を制御する制御装置であって、
前記レンズのズーム位置に関する情報を含むレンズ情報を取得する取得手段と、
ズーム位置に応じて決まる前記レンズの鏡筒の長さに基づいて、前記レンズが被写体に接触しないように前記移動装置の移動を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記レンズ情報は、合焦可能な最短の被写体距離を示す情報を含み、
前記取得手段は、前記撮像装置と所定の被写体との間の現在の距離を示す情報を更に取得し、
前記制御手段は、
前記現在の距離が前記最短の被写体距離未満であるか否かを判定し、
前記現在の距離が前記最短の被写体距離未満の場合、前記撮像装置と前記所定の被写体との間の距離が前記最短の被写体距離以上になるように移動するように前記移動装置を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記取得手段は、前記移動装置に関する情報を含む移動装置情報を更に取得し、
前記制御手段は、前記移動装置情報に更に基づいて前記移動装置の移動を制御する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記移動装置情報は、前記移動装置に搭載可能な最大重量を示す情報を含み、
前記レンズ情報は、前記レンズの重量を示す情報を含み、
前記取得手段は、前記レンズを除いた前記撮像装置の重量を示す情報を更に取得し、
前記制御手段は、
前記レンズの重量と前記レンズを除いた前記撮像装置の重量との合計が前記最大重量を超えているか否かを判定し、
前記合計が前記最大重量を超えている場合、前記移動装置が移動を開始しないように制御する
ことを特徴とする請求項３に記載の制御装置。
【請求項５】
移動装置に搭載された撮像装置を制御する制御装置であって、
前記撮像装置のレンズに関する情報を含むレンズ情報と、前記移動装置に関する情報を含む移動装置情報と、を取得する取得手段と、
前記レンズ情報及び前記移動装置情報に基づいて前記レンズを制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする制御装置。
【請求項６】
前記移動装置情報は、前記移動装置の所定の部分の位置を示す情報を含み、
前記レンズ情報は、前記レンズのズーム位置を目標位置へ移動させるズーム制御が行われることを示す情報を含み、
前記制御手段は、
前記所定の部分の前記位置に基づき、前記レンズのズーム位置が前記目標位置へ移動した場合に前記所定の部分が撮影範囲に含まれるか否かを判定し、
前記レンズのズーム位置が前記目標位置へ移動した場合に前記所定の部分が前記撮影範囲に含まれる場合、前記所定の部分が前記撮影範囲に含まれる位置へ前記レンズのズーム位置が移動しないように制御する
ことを特徴とする請求項５に記載の制御装置。
【請求項７】
前記移動装置情報は、前記移動装置の所定の部分の位置を示す情報を含み、
前記レンズ情報は、前記レンズの現在のズーム位置を示す情報を含み、
前記制御手段は、
前記所定の部分の前記位置に基づき、前記現在のズーム位置が前記所定の部分が撮影範囲に含まれるズーム位置から閾値以上離れているか否かを判定し、
前記レンズのズーム位置を前記所定の部分が前記撮影範囲に含まれるズーム位置の方向へ移動させるズーム制御が行われる際に、前記現在のズーム位置が前記所定の部分が前記撮影範囲に含まれるズーム位置から閾値以上離れていない場合、前記現在のズーム位置が前記所定の部分が前記撮影範囲に含まれるズーム位置から前記閾値以上離れている場合よりも遅い速度で前記レンズのズーム位置を移動させるように制御する
ことを特徴とする請求項５に記載の制御装置。
【請求項８】
前記移動装置は、プロペラを有する航空機であり、
前記所定の部分は、前記プロペラである、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の制御装置。
【請求項９】
前記移動装置は、航空機である
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１０】
前記制御装置は、前記撮像装置又は前記移動装置に含まれる
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の制御装置と、
前記撮像装置と、
前記移動装置と、
を備えることを特徴とする制御システム。
【請求項１２】
レンズを有する撮像装置を搭載した移動装置を制御する制御装置が実行する制御方法であって、
前記レンズのズーム位置に関する情報を含むレンズ情報を取得する取得工程と、
ズーム位置に応じて決まる前記レンズの鏡筒の長さに基づいて、前記レンズが被写体に接触しないように前記移動装置の移動を制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする制御方法。
【請求項１３】
移動装置に搭載された撮像装置を制御する制御装置が実行する制御方法であって、
前記撮像装置のレンズに関する情報を含むレンズ情報と、前記移動装置に関する情報を含む移動装置情報と、を取得する取得工程と、
前記レンズ情報及び前記移動装置情報に基づいて前記レンズを制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする制御方法。
【請求項１４】
コンピュータを、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１５】
コンピュータを、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の制御装置の各手段として機能させるためのプログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、レンズを有する撮像装置を搭載した移動装置を制御する制御装置であって、前記レンズのズーム位置に関する情報を含むレンズ情報を取得する取得手段と、ズーム位置に応じて決まる前記レンズの鏡筒の長さに基づいて、前記レンズが被写体に接触しないように前記移動装置の移動を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする制御装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月3日(2020.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像内で前記画像を分割したブロックを単位としてイントラ予測し符号化を行う画像符号化装置であって、
前記ブロックが長方形ブロックであるかを判定する判定部と、
前記長方形ブロックと判定された際に、前記長方形ブロックの短い辺に隣接する画素を参照する予測方向のうち、予測方向を反転したときに前記長方形ブロックの長い辺に隣接する左又は上のブロックの隣接画素を参照する予測方向を、イントラ予測方向の選定対象として設定する予測方向設定部と、
を備えることを特徴とする画像符号化装置。
【請求項２】
前記隣接画素は、前記長方形ブロックが垂直方向に長い場合に、前記長方形ブロックの長い辺又は前記長い辺を垂直下方向に拡張した延長線に隣接する左のブロックに含まれ、前記長方形ブロックが水平方向に長い場合に、前記長方形ブロックの長い辺又は前記長い辺を水平右方向に拡張した延長線に隣接する上のブロックに含まれる、ことを特徴とする請求項１に記載の画像符号化装置。
【請求項３】
前記予測方向設定部は、前記長方形ブロックについて、左下方向から右上方向への前記イントラ予測方向、又は右上方向から左下方向への前記イントラ予測方向を、前記選定対象とする、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像符号化装置。
【請求項４】
前記左下方向から右上方向へのイントラ予測方向は、前記長方形ブロック内の予測対象画素を基準にして、右水平方向を０度として反時計回りに１８０度から２２５度の角度方向であり、前記右上方向から左下方向へのイントラ予測方向は、前記予測対象画素を基準にして、反時計回りに４５度から９０度の角度方向である、ことを特徴とする請求項３に記載の画像符号化装置。
【請求項５】
前記予測方向設定部は、少なくとも前記選定対象として設定したイントラ予測方向と共に、設定したイントラ予測方向を反転した方向について、前記長方形ブロック内の全ての予測対象画素の夫々と前記隣接画素との距離の総和を、前記左下方向から右上方向へのイントラ予測方向と前記右上方向から左下方向へのイントラ予測方向のそれぞれについて算出し、前記算出した各距離の総和のうち小さい方に対応するイントラ予測方向を前記選定対象として設定する、ことを特徴とする請求項２乃至４の何れかに記載の画像符号化装置。
【請求項６】
前記予測方向設定部は、少なくとも前記選定対象として設定したイントラ予測方向と共に、設定したイントラ予測方向を反転した方向について、前記長方形ブロック内の最左上と最右下の予測対象画素の夫々と前記隣接画素との各距離の和を、前記左下方向から右上方向へのイントラ予測方向と前記右上方向から左下方向へのイントラ予測方向の夫々について算出し、前記算出した各距離の和のうち小さい方に対応するイントラ予測方向を、前記選定対象として設定する、ことを特徴とする請求項２乃至４の何れかに記載の画像符号化装置。
【請求項７】
前記予測方向設定部は、少なくとも前記選定対象として設定したイントラ予測方向と共に、設定したイントラ予測方向を反転した方向について、前記長方形ブロック内の最右下の予測対象画素と前記隣接画素との距離を、前記左下方向から右上方向へのイントラ予測方向と前記右上方向から左下方向へのイントラ予測方向のそれぞれについて算出し、前記算出した各距離のうち小さい方に対応するイントラ予測方向を前記選定対象として設定する、ことを特徴とする請求項２乃至４の何れかに記載の画像符号化装置。
【請求項８】
前記予測方向設定部は、前記長方形ブロックが選択された際の予測方向を選定する際の処理として、長方形ブロックの短い辺に隣接する画素を参照する予測方向の内、予測方向を反転したときに前記長方形ブロックの長い辺に隣接する左又は上のブロックの隣接画素を参照するイントラ予測方向となる長方形ブロックの短い辺に隣接する左又は上のブロックの画素を参照する方向に対しては、前記選定対象から除外する、ことを特徴とする請求項１に記載の画像符号化装置。
【請求項９】
画像内で前記画像を分割したブロックを単位としてイントラ予測し復号を行う画像復号装置であって、
前記ブロックが長方形ブロックであるかを判定するブロック判定部と、
前記長方形ブロックと判定された際のイントラ予測方向を選定する際に、前記長方形ブロックの短い辺に隣接する画素を参照する予測方向のうち、予測方向を反転したときに前記長方形ブロックの長い辺に隣接する左又は上のブロックの隣接画素を参照する予測方向を、イントラ予測方向の選定対象として設定する予測方向設定部と、
を備えることを特徴とする画像復号装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月28日(2020.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を読み取って画像データを生成する読取手段と、
少なくとも前記画像データとカラー画素の数の閾値に基づいて前記原稿がカラー原稿であるかモノクロ原稿であるかを判定するカラー判定を行う判定手段と、
前記カラー判定の結果に基づいて前記画像データを処理する処理手段と、
前記閾値として第１の閾値を設定する第１のオブジェクトと、前記閾値として第２の閾値を設定する第２のオブジェクトを含む画面を表示する表示手段と、
操作部と、を有し、
前記判定手段は、前記第１のオブジェクトが前記操作部によって選択されている場合には、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第１の閾値を超えたことに基づいて前記原稿が前記カラー原稿であると判定し、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第１の閾値を超えていないことに基づいて前記原稿が前記モノクロ原稿であると判定し、前記第２のオブジェクトが前記操作部によって選択されている場合には、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第２の閾値を超えたことに基づいて前記原稿が前記カラー原稿であると判定し、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第２の閾値を超えていないことに基づいて前記原稿が前記モノクロ原稿であると判定し、前記第２の閾値は前記第１の閾値より大きいことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記閾値は前記原稿の読取を行うジョブごとに設定可能であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記判定手段が前記原稿が前記カラー原稿であると判定した場合に前記処理手段は前記画像データをカラーファイルとして記憶し、前記判定手段が前記原稿がモノクロ原稿であると判定した場合に前記処理手段は前記画像データをモノクロファイルとして記憶することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画面は、さらに、前記閾値に関わらず前記原稿が前記カラー原稿であると前記画像処理装置に判定させるための第３のオブジェクトを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
画面を表示する表示手段と、操作部とを有する画像処理装置の制御方法であって、
原稿を読み取って画像データを生成する読取工程と、
少なくとも前記画像データとカラー画素の数の閾値に基づいて前記原稿がカラー原稿であるかモノクロ原稿であるかを判定するカラー判定を行う判定工程と、
前記カラー判定の結果に基づいて前記画像データを処理する処理工程と、
前記閾値として第１の閾値を設定する第１のオブジェクトと、前記閾値として第２の閾値を設定する第２のオブジェクトを含む画面を前記表示手段に表示する表示工程と、を有し、
前記判定工程では、前記第１のオブジェクトが前記操作部によって選択されている場合には、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第１の閾値を超えたことに基づいて前記原稿が前記カラー原稿であると判定し、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第１の閾値を超えていないことに基づいて前記原稿が前記モノクロ原稿であると判定し、前記第２のオブジェクトが前記操作部によって選択されている場合には、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第２の閾値を超えたことに基づいて前記原稿が前記カラー原稿であると判定し、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第２の閾値を超えていないことに基づいて前記原稿が前記モノクロ原稿であると判定し、前記第２の閾値は前記第１の閾値より大きいことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項６】
コンピュータに、請求項５に記載の制御方法を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、原稿がカラー原稿であるかモノクロ原稿であるかを判定するための閾値をユーザが変えることができる仕組みを提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の画像処理装置は、原稿を読み取って画像データを生成する読取手段と、少なくとも前記画像データとカラー画素の数の閾値に基づいて前記原稿がカラー原稿であるかモノクロ原稿であるかを判定するカラー判定を行う判定手段と、前記カラー判定の結果に基づいて前記画像データを処理する処理手段と、前記閾値として第１の閾値を設定する第１のオブジェクトと、前記閾値として第２の閾値を設定する第２のオブジェクトを含む画面を表示する表示手段と、操作部と、を有し、前記判定手段は、前記第１のオブジェクトが前記操作部によって選択されている場合には、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第１の閾値を超えたことに基づいて前記原稿が前記カラー原稿であると判定し、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第１の閾値を超えていないことに基づいて前記原稿が前記モノクロ原稿であると判定し、前記第２のオブジェクトが前記操作部によって選択されている場合には、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第２の閾値を超えたことに基づいて前記原稿が前記カラー原稿であると判定し、少なくとも前記画像データに含まれるカラー画素の数が前記第２の閾値を超えていないことに基づいて前記原稿が前記モノクロ原稿であると判定し、前記第２の閾値は前記第１の閾値より大きいことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、原稿がカラー原稿であるかモノクロ原稿であるかを判定するための閾値をユーザが変えることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月30日(2020.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書をスキャンして得られたスキャン画像に対して設定される付帯情報を生成する装置であって、
前記スキャン画像に含まれる少なくとも１つの文字領域をユーザに選択させるＵＩ画面上に、前記スキャン画像を表示する表示制御手段と、
前記ＵＩ画面を介してユーザが選択した前記少なくとも１つの文字領域に対してＯＣＲ処理を行ない、少なくとも１つの文字列を取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された前記少なくとも1つの文字列に基づいて前記付帯情報を生成する生成手段と、
を備え、
前記生成手段は、
ユーザが複数の文字領域を選択した場合であって、選択された前記複数の文字領域間の位置関係が所定の条件を満たさない場合、選択された前記複数の文字領域に対して前記ＯＣＲ処理を行って取得された複数の文字列の間に区切り文字を挿入することにより前記付帯情報を生成し、
ユーザが複数の文字領域を選択した場合であって、選択された前記複数の文字領域間の位置関係が所定の条件を満たす場合、選択された前記複数の文字領域に対して前記ＯＣＲ処理を行って取得された複数の文字列に基づき、当該複数の文字列の間に前記区切り文字を挿入することなく前記付帯情報を生成する、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記所定の条件は、現にユーザにより選択された文字領域及びその１つ前に選択された文字領域が特定の方向に連続していることである、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記所定の条件は、現に選択された文字領域における基準となる位置とその１つ前に選択された文字領域における基準となる位置が同じかどうか、及び、現に選択された文字領域とその１つ前に選択された文字領域とが隣り合っているかどうかに基づいて、前記特定の方向に連続していると判定される場合に満たされる、ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
現に選択された文字領域とその１つ前に選択された文字領域の間に別の文字領域が存在しないとき、現に選択された文字領域とその１つ前に選択された文字領域とが隣り合っていると判定される、ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
現に選択された文字領域とその１つ前に選択された文字領域の間に別の文字領域が存在せず、かつ、現に選択された文字列領域とその１つ前に選択された文字列領域の間の距離が所定の閾値内の場合に、現に選択された文字領域とその１つ前に選択された文字領域とが隣り合っていると判定される、ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記所定の閾値は、ユーザが選択した文字領域の高さの３倍未満であることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記生成手段は、
複数の単語が登録された辞書データを有し、
ユーザが選択中の文字領域から抽出された文字列と前方一致する単語が前記辞書データ内に存在する場合、当該選択に係る文字領域と特定の方向に連続している文字領域に対してさらに前記ＯＣＲ処理を行ない、該ＯＣＲ処理によって抽出された文字列を用いて前記付帯情報を生成する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか1項に記載の装置。
【請求項８】
前記特定の方向は、前記文書のフォーマット又は前記文書で使用されている言語に基づき決定されることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか1項に記載の装置。
【請求項９】
前記表示制御手段は、さらに、前記生成手段で生成された付帯情報を表示するとともに、当該表示された付帯情報を構成する文字列の間に区切り文字を挿入するためのボタンを表示し、
前記生成手段は、前記ボタンがユーザによって押下された場合、当該押下されたボタンに対応する位置に区切り文字を挿入して、前記付帯情報を修正する、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか1項に記載の装置。
【請求項１０】
前記付帯情報は、前記スキャン画像のファイル名である、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか1項に記載の装置。
【請求項１１】
前記付帯情報は、前記スキャン画像をアップロードするためのアップロード先を示すパス名である、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか1項に記載の装置。
【請求項１２】
前記付帯情報は、前記スキャン画像をＦＡＸ送信するための送信先を示すＦＡＸ番号である、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか1項に記載の装置。
【請求項１３】
前記付帯情報は、前記スキャン画像をメール送信するための送信先を示すメールアドレスである
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか1項に記載の装置。
【請求項１４】
文書をスキャンして得られたスキャン画像に対して設定される付帯情報を生成する方法であって、
表示されたスキャン画像に含まれる少なくとも１つの文字領域をユーザが選択可能なＵＩ画面上に、前記スキャン画像を表示する表示制御ステップと、
前記ＵＩ画面を介してユーザが選択した前記少なくとも１つの文字領域に対してＯＣＲ処理を行ない、少なくとも１つの文字列を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにて取得された前記少なくとも1つの文字列に基づいて前記付帯情報を生成する生成ステップと、
を含み、
前記生成ステップでは、
ユーザが複数の文字領域を選択した場合であって、選択された前記複数の文字領域間の位置関係が所定の条件を満たさない場合、選択された前記複数の文字領域に対して前記ＯＣＲ処理を行って取得された複数の文字列の間に区切り文字を挿入することにより前記付帯情報が生成され、
ユーザが複数の文字領域を選択した場合であって、選択された前記複数の文字領域間の位置関係が所定の条件を満たす場合、選択された前記複数の文字領域に対して前記ＯＣＲ処理を行って取得された複数の文字列に基づき、当該複数の文字列の間に前記区切り文字を挿入することなく前記付帯情報が生成される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
コンピュータを、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月27日(2019.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の回転偏波を発生する回転偏波発生部と、複数の情報信号を発生する情報信号発生部と、上記回転偏波と上記情報信号とを乗算し、発信信号として発信する発信部と、上記複数の情報信号の一つを上記複数の回転偏波のうちの一つの回転偏波に乗算して発信する無線チャンネル取得状態か、上記複数の情報信号を上記複数の回転偏波に乗算して発信する通常送信状態かを切り替える状態切替えスイッチと、を有する送信機と、
上記送信機からの上記発信信号を受信する受信部と、この受信部に受信された信号を重み付する重み付け回路部と、この重み付け回路部により重み付けされた信号を上記送信機から送信された上記情報信号に再生する受信ベースバンド部と、を有する受信機と、
を備えることを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
請求項１に記載の無線通信システムにおいて、
上記送信機は、上記状態切り替えスイッチにより、上記複数の情報信号の一つを上記複数の回転偏波のうちの一つの回転偏波に乗算して発信し、上記受信機は受信した信号を上記重み付け回路部により重み付けし、上記送信機から送信された上記情報信号に再生し、
上記送信機は、上記状態切り替えスイッチにより上記無線チャンネル取得状態とし、上記複数の情報信号を上記複数の回転偏波に乗算して複数の情報信号を発信し、上記受信機は受信した複数の信号を上記重み付け回路部により重み付し、重み付けした信号を、上記無線チャンネル取得状態のときに再生した上記情報信号を用いて再生することを特徴とする無線通信システム。
【請求項３】
請求項２に記載の無線通信システムにおいて、
上記受信部の重み付け回路部は、受信された信号を複数の互いに異なる位相角で重み付する複数の重み付け回路を有し、
上記送信機は、上記状態切り替えスイッチにより、上記複数の情報信号の一つを上記複数の回転偏波のうちの一つの回転偏波に乗算して発信し、上記受信機は受信した信号を複数の互いに異なる位相角で重み付けし、上記送信機から送信された上記複数の情報信号に再生し、
上記送信機は、上記状態切り替えスイッチにより上記無線チャンネル取得状態とし、上記複数の情報信号を上記複数の回転偏波に乗算して複数の信号を発信し、上記受信機は受信した複数の信号を上記複数の重み付け回路により重み付けされた信号を、上記無線チャンネル取得状態のときに再生した上記複数の情報信号を用いて再生することを特徴とする無線通信システム。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の無線通信システムにおいて、
上記送信機は、偏波回転周期を分割する符号を発生する偏波角度識別符号発生器を有し、上記偏波角度識別符号発生器が発生した偏波角度識別符号を上記複数の情報信号に重畳し、上記受信機は、上記偏波角度識別符号を用いて上記送信機が用いた回転偏波毎に受信信号を分離することを特徴とする無線通信システム。
【請求項５】
請求項２又は３に記載の無線通信システムにおいて、
上記送信機は、偏波回転周期と同一周期の巡回符号を発生する偏波回転周期巡回符号発生器を有し、上記偏波回転周期巡回符号発生器が発生した偏波回転周期巡回符号を上記複数の情報信号に重畳し、上記受信機は、上記偏波回転周期巡回符号を用いて上記送信機が用いた回転偏波毎に受信信号を分離することを特徴とする無線通信システム。
【請求項６】
請求項２又は３に記載の無線通信システムにおいて、
上記送信機は、偏波回転周期を分割する符号を発生する偏波角度識別符号発生器と、偏波回転周期と同一周期の巡回符号を発生する偏波回転周期巡回符号発生器と、上記偏波角度識別符号発生器と上記偏波回転周期巡回符号発生器とを切り替える符号切り替えスイッチとを有し、上記偏波角度識別符号発生器が発生した偏波角度識別符号と上記偏波回転周期巡回符号発生器が発生した偏波回転周期巡回符号とを上記符号切り替えスイッチにより切り替えて、上記複数の情報信号に重畳し、上記受信機は、上記偏波角度識別符号又は上記偏波回転周期巡回符号を用いて上記送信機が用いた回転偏波毎に受信信号を分離することを特徴とする無線通信システム。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちのいずれか一項に記載の無線通信システムにおいて、
上記回転偏波発生部が発生する複数の回転偏波は、互いに初期位相が異なり、周波数及び回転方向が同一であることを特徴とする無線通信システム。
【請求項８】
請求項１乃至６のうちのいずれか一項に記載の無線通信システムにおいて、
上記回転偏波発生部が発生する複数の回転偏波は、互いに初期偏波が異なり、周波数及び回転方向が同一であることを特徴とする無線通信システム。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちのいずれか一項に記載の無線通信システムにおいて、
上記情報信号発生部が発生する上記複数の情報信号は、互いに異なる遅延が施されていることを特徴とする無線通信システム。
【請求項１０】
請求項１乃至８のうちのいずれか一項に記載の無線通信システムにおいて、
上記情報信号発生部が発生する上記複数の情報信号は、情報信号が時分割されて複数の情報信号とされていることを特徴とする無線通信システム。
【請求項１１】
請求項４乃至６のうちのいずれか一項記載の無線通信システムにおいて、
上記状態切替えスイッチは、上記無線チャンネル取得状態と、上記通常送信状態とを、上記偏波回転周期の整数倍の時間で交互に切り替えることを特徴とする無線通信システム。
【請求項１２】
請求項４乃至６のうちのいずれか一項記載の無線通信システムにおいて、
上記状態切替えスイッチは、上記無線チャンネル取得状態を上記偏波回転周期の整数倍の時間で実行し、上記通常送信状態を、上記無線チャンネル取得状態の実行時間より長い、上記偏波回転周期の整数倍の時間で実行するように、上記無線チャンネル取得状態と上記通常送信状態とを切り替えることを特徴とする無線通信システム。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のうちのいずれか一項記載の無線通信システムを備えることを特徴とする昇降機制御システム。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のうちのいずれか一項記載の無線通信システムを備えることを特徴とする変電所制御システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月7日(2020.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の一対の電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、Ｉｎ酸化物またはＩｎ−Ｚｎ酸化物であり、
前記第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｇａ、またはＹ）であり、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記Ｉｎ、前記Ｍ、及び前記Ｚｎの原子数の総和に対して、前記Ｉｎの含有量が４０％以上５０％以下の領域と、前記Ｍの含有量が５％以上３０％以下の領域と、を有する、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記一対の電極と接する領域において、シート抵抗が１×１０２Ω／□以上１×１０６Ω／□未満である領域を有する、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜の結晶構造をＸＲＤ分析により測定した場合に、
前記第１の酸化物半導体膜は、２θ＝３１°近傍にピークが観察されず、
前記第２の酸化物半導体膜は、２θ＝３１°近傍にピークが観察される、半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記Ｍを含まない領域を有する、半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記Ｉｎと前記Ｍと前記Ｚｎの原子数比をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ：ｙ：ｚとしたとき、ｘが４の場合、ｙが１．５以上２．５以下であり、且つｚが２以上４以下である領域を有する、半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記Ｉｎ、前記Ｍ、及び前記Ｚｎの原子数比は、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３近傍である、半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記Ｉｎと前記Ｍと前記Ｚｎの原子数比をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ：ｙ：ｚとしたとき、ｘが５の場合、ｙが０．５以上１．５以下であり、且つｚが５以上７以下である領域を有する、半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記Ｉｎ、前記Ｍ、及び前記Ｚｎの原子数比は、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６近傍である、半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置と、
表示素子と、を有する、表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の表示装置と、
操作キーまたはバッテリと、を有する、電子機器。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月7日(2020.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に位置し、かつ活性領域、側壁及び上表面を含む発光積層であって、前記上表面が第一部分及び前記第一部分に囲まれた第二部分を有する発光積層と、
前記基板と前記発光積層との間に位置する接合構造と、
前記第一部分及び前記側壁を被覆し、かつ前記第二部分を露出させる電極と、
前記接合構造と前記電極との間に位置する絶縁層とを含む、発光デバイス。
【請求項２】
前記発光デバイスはさらに保護層を含み、
前記電極が前記第二部分に対応して位置する第一開口を含み、前記保護層が前記第一開口内に位置する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記発光積層の積層方向において、前記絶縁層が前記発光積層に重なる第一領域、及び前記発光積層から露出される第二領域を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記上表面の前記第一部分の面積が前記上表面の前記第二部分の面積より大きい、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記電極が第一開口を含み、前記第一開口の断面積と前記上表面の面積の比率が約１．５％から５％である、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記発光デバイスはさらに、前記絶縁層及び前記基板の間に位置する反射層を含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記基板と前記電極との間に位置する接触層をさらに含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記発光積層の積層方向において、前記接触層と前記第二部分が重なる、請求項７に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記保護層は前記電極の上を被覆し、かつ前記保護層が前記電極の一部を露出させる第二開口を有する、請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記発光積層の積層方向において、前記第一開口と前記第二開口が重ならない、請求項９に記載の発光デバイス。