【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法であって、
炭化ケイ素半導体ボディの第１の表面において前記炭化ケイ素半導体ボディにトレンチを形成することと、
前記トレンチの底面または上面の少なくとも一方に拡散バリアを形成することと、
前記トレンチに充填材を形成することと、
前記充填材の一部にドーパントを導入することと、
拡散処理により、前記トレンチの底面及び上面間の垂直方向に沿って、前記充填材に前記ドーパントを広げるように構成された、前記炭化ケイ素半導体ボディの熱処理を行うことと、
前記炭化ケイ素半導体ボディの熱処理により引き起こされた拡散処理によって、前記充填材から前記炭化ケイ素半導体ボディに前記ドーパントを導入することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記ドーパントが、ホウ素又はガリウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記充填材（２１６）が、酸化物を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記充填材（２１６）が、多結晶シリコンを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記充填材（２１６）における前記ドーパントの拡散係数及び前記半導体ボディ（２０５）における前記ドーパントの拡散係数の比率が、１１００℃の温度に対して２より大きい、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
第１及び第２の領域からの前記ドーパントを混合するように構成された、前記半導体ボディ（２０５）の熱処理の前に、前記半導体ボディの前記第１の表面に拡散バリアを形成することを更に含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記拡散バリアが、窒化物又はＳｉＣを含む層又は層スタックである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ドーパントイオンが、垂直方向（ｙ）に対して０．１５°未満の傾斜で注入される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記半導体ボディ（２０５）に前記トレンチ（２０３）を形成する前に、前記半導体ボディ（２０５）の前記第１の表面上にエッチングマスク（２０６）を形成することを更に含み、前記トレンチ（２０３）が、前記エッチングマスク（２０６）を用いる選択エッチングプロセスによって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記充填材（２１６）の上側における第２の領域（２１８）にドーパントイオンを導入する前に、前記エッチングマスク（２０６）を用いる選択エッチングプロセスによって、前記充填材（２１６）の一部を前記トレンチ（２０３）から除去することを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記エッチングマスク（２０６）が、窒化物、炭素、酸化物の少なくとも１つを含むパターン層又はパターン層スタックである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
第１及び第２の領域（２１２、２１８）間の距離が、拡散処理によって前記第１及び第２の領域からの前記ドーパントを混合するように構成された前記半導体ボディの熱処理の前には５０μｍより小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記トレンチに隣接する第１の半導体ボディ部分（２２２）への、前記充填材（２１６）からの前記ドーパントの拡散を引き起こすように構成された、前記半導体ボディ（２０５）の追加熱処理を更に含み、前記ドーパントが、前記第１の半導体ボディ部分（２２２）のカウンタードーピングを引き起こす、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
第２の半導体ボディ部分が、前記第１の半導体ボディ部分（２２２）に隣接して配置され、前記方法が、前記第１及び第２の半導体ボディ部分を含む超接合構造を含む超接合半導体デバイスとして前記半導体デバイスを形成することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
追加熱処理によって、前記充填材から、前記トレンチを囲む前記半導体ボディの一部への前記ドーパントの拡散を引き起こした後で、前記充填材を除去し、前記トレンチに半導体材料を形成することを更に含む、請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体材料が、エピタキシャル成長プロセスによって形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
第１及び第２の領域からの前記ドーパントを混合するように構成された、前記半導体ボディの前記熱処理の温度又は平均温度Ｔ１と、前記半導体ボディにドーパントを拡散するための前記追加熱処理の温度又は平均温度Ｔ２とが、Ｔ１−Ｔ２＞１００Ｋを満たす、請求項１３から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
半導体を陽子で照射することによって、前記半導体ボディに水素関連のドナーを形成し、それに前記半導体ボディの熱処理が続くことを更に含む、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
第１の領域が、前記充填材に対応する材料を含む、請求項１から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
第１の領域が、前記半導体ボディの一部である、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
特定の実施形態が、本明細書で図示され説明されているが、様々な代替及び／又は等価な実装形態が、本発明の範囲から逸脱せずに、図示され説明された特定の実施形態に代用され得ることが、当業者によって理解されよう。本出願は、本明細書で論じられる特定の実施形態のどんな適応又は変更も含むように意図されている。従って、本発明が、請求項及びそれらの均等物によってのみ限定されることが意図されている。  また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
半導体デバイスを形成する方法であって、
半導体ボディ（２０５）の第１の表面（２０７）において前記半導体ボディ（２０５）にトレンチ（２０３）を形成することと、
イオン注入（２１４０）によって、前記トレンチの底面における第１の領域（２１２）にドーパントを導入することと、
前記トレンチ（２０３）に充填材（２１６）を形成することと、
前記充填材（２１６）の上側における第２の領域（２１８）にドーパントを導入することと、
前記第１の表面（２０７）に垂直な垂直方向（ｙ）に沿って、拡散処理により、前記第１及び第２の領域（２１２、２１８）からの前記ドーパントを混合するように構成された、前記半導体ボディの熱処理と、
を含む方法。
（態様２）
前記半導体ボディ（２０５）が、シリコン半導体ボディであり、前記ドーパントが、ガリウムを含む、態様１に記載の方法。
（態様３）
前記半導体ボディ（２０５）が、炭化ケイ素半導体ボディであり、前記ドーパントが、ホウ素又はガリウムを含む、態様１に記載の方法。
（態様４）
前記充填材（２１６）が、酸化物を含む、態様１〜３のいずれか一項に記載の方法。
（態様５）
前記充填材（２１６）が、多結晶シリコンを含む、態様１〜４のいずれか一項に記載の方法。
（態様６）
前記充填材（２１６）における前記ドーパントの拡散係数及び前記半導体ボディ（２０５）における前記ドーパントの拡散係数の比率が、１１００℃の温度に対して２より大きい、態様１〜５のいずれか一項に記載の方法。
（態様７）
前記トレンチ（２０３）の底面における前記第１の領域（２１２）にドーパントイオンを注入する前に、前記トレンチ（２０３）の底面に拡散バリア（２０９）を形成することを更に含む、態様１〜６のいずれか一項に記載の方法。
（態様８）
前記第１及び第２の領域からの前記ドーパントを混合するように構成された、前記半導体ボディ（２０５）の熱処理の前に、前記半導体ボディの前記第１の表面に拡散バリアを形成することを更に含む、態様１〜７のいずれか一項に記載の方法。
（態様９）
前記拡散バリアが、窒化物又はＳｉＣを含む層又は層スタックである、態様８に記載の方法。
（態様１０）
前記ドーパントイオンが、垂直方向（ｙ）に対して０．１５°未満の傾斜で注入される、態様１に記載の方法。
（態様１１）
前記半導体ボディ（２０５）に前記トレンチ（２０３）を形成する前に、前記半導体ボディ（２０５）の前記第１の表面上にエッチングマスク（２０６）を形成することを更に含み、前記トレンチ（２０３）が、前記エッチングマスク（２０６）を用いる選択エッチングプロセスによって形成される、態様１に記載の方法。
（態様１２）
前記充填材（２１６）の上側における第２の領域（２１８）にドーパントイオンを導入する前に、前記エッチングマスク（２０６）を用いる選択エッチングプロセスによって、前記充填材（２１６）の一部を前記トレンチ（２０３）から除去することを更に含む、態様１１に記載の方法。
（態様１３）
前記エッチングマスク（２０６）が、窒化物、炭素、酸化物の少なくとも１つを含むパターン層又はパターン層スタックである、態様１２に記載の方法。
（態様１４）
前記第１及び第２の領域（２１２、２１８）間の距離が、拡散処理によって前記第１及び第２の領域からの前記ドーパントを混合するように構成された前記半導体ボディの熱処理の前には５０μｍより小さい、態様１に記載の方法。
（態様１５）
前記トレンチに隣接する第１の半導体ボディ部分（２２２）への、前記充填材（２１６）からの前記ドーパントの拡散を引き起こすように構成された、前記半導体ボディ（２０５）の追加熱処理を更に含み、前記ドーパントが、前記第１の半導体ボディ部分（２２２）のカウンタードーピングを引き起こす、態様１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
（態様１６）
第２の半導体ボディ部分が、前記第１の半導体ボディ部分（２２２）に隣接して配置され、前記方法が、前記第１及び第２の半導体ボディ部分を含む超接合構造を含む超接合半導体デバイスとして前記半導体デバイスを形成することを更に含む、態様１５に記載の方法。
（態様１７）
追加熱処理によって、前記充填材から、前記トレンチを囲む前記半導体ボディの一部への前記ドーパントの拡散を引き起こした後で、前記充填材を除去し、前記トレンチに半導体材料を形成することを更に含む、態様１５又は１６に記載の方法。
（態様１８）
前記半導体材料が、エピタキシャル成長プロセスによって形成される、態様１７に記載の方法。
（態様１９）
前記半導体ボディが、シリコン半導体ボディであり、前記第１及び第２の領域からの前記ドーパントを混合するように構成された、前記半導体ボディの前記熱処理の温度又は平均温度Ｔ１と、前記シリコン半導体ボディにドーパントを拡散するための前記追加熱処理の温度又は平均温度Ｔ２とが、Ｔ１−Ｔ２＞５０Ｋを満たす、態様１５〜１８のいずれか一項に記載の方法。
（態様２０）
前記半導体ボディが、炭化ケイ素半導体ボディであり、前記第１及び第２の領域からの前記ドーパントを混合するように構成された、前記半導体ボディの前記熱処理の温度又は平均温度Ｔ１と、前記炭化ケイ素半導体ボディにドーパントを拡散するための前記追加熱処理の温度又は平均温度Ｔ２とが、Ｔ１−Ｔ２＞１００Ｋを満たす、態様１５〜１８のいずれか一項に記載の方法。
（態様２１）
半導体を陽子で照射することによって、前記半導体ボディに水素関連のドナーを形成し、それに前記半導体ボディの熱処理が続くことを更に含む、態様１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
（態様２２）
前記第１の領域が、前記充填材に対応する材料を含む、態様１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
（態様２３）
前記第１の領域が、前記半導体ボディの一部である、態様１〜６のいずれかに記載の方法。
（態様２４）
半導体デバイスを形成する方法であって、
炭化ケイ素半導体ボディの第１の表面において前記炭化ケイ素半導体ボディにトレンチを形成することと、
前記トレンチに充填材を形成することと、
前記充填材の一部にドーパントを導入することと、
拡散処理により、前記トレンチの底面及び上面間の垂直方向に沿って、前記充填材に前記ドーパントを広げるように構成された、前記炭化ケイ素半導体ボディの熱処理と、
前記炭化ケイ素半導体ボディの熱処理により引き起こされた拡散処理によって、前記充填材から前記炭化ケイ素半導体ボディに前記ドーパントを導入することと、
を含む方法。
（態様２５）
前記充填材（２１６）における前記ドーパントの拡散係数及び前記半導体ボディ（２０５）における前記ドーパントの拡散係数の比率が、１１００℃の温度に対して２より大きい、態様２４に記載の方法。