【手続補正書】
【提出日】令和2年6月25日(2020.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
［画素回路構成］
基板１００上には、複数の副画素のアノード電極にそれぞれ供給する電流を制御する複数の画素回路が形成されている。図２Ａは、画素回路の構成例を示す。各画素回路は、第１のトランジスタＴ１と、第２のトランジスタＴ２と、第３のトランジスタＴ３と、保持容量Ｃ１とを含む。画素回路は、副画素であるＯＬＥＤ素子Ｅ１の発光を制御する。トランジスタは、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。以下、第１のトランジスタＴ１〜第３のトランジスタＴ３をそれぞれトランジスタＴ１〜トランジスタＴ３と略記する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
保持容量電極１９１は、ソース１４２及びドレイン１４３と同様に、高濃度不純物ドープされた低温ポリシリコンである。保持容量電極１９１は、ボトムゲート電極１５３と積層方向において対向するように配置されている。保持容量電極１９１、ボトムゲート電極１５３、及び保持容量電極１９１とボトムゲート電極１５３とに挟まれた下部ゲート絶縁層１５４とが、保持容量Ｃ１を構成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
スイッチングＴＦＴ（Ｔ２）の半導体部及び保持容量電極１９１上に、上部ゲート絶縁層１５６（第２のゲート絶縁層）が形成されている。チャネル部１４１Ａ、１４１Ｂを覆うように、上部ゲート絶縁層１５６上に、走査線１０６が形成されている。走査線１０６は、スイッチングＴＦＴ（Ｔ２）のゲート電極であり、上部ゲート絶縁層１５６を介して、チャネル部１４１Ａ、１４１Ｂと対向する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
データ線１０５、電極１８３、及び電源線１０８の層上に、絶縁性の平坦化層１６１が形成される。そして、絶縁性の平坦化層１６１の上に、アノード電極１６２が形成されている。アノード電極１６２の上に、ＯＬＥＤ素子を分離する絶縁性の画素定義層（Ｐｉｘｅｌ  Ｄｅｆｉｎｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ：ＰＤＬ）１６３が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
半導体部は、ソース１４７、チャネル部１４５、及びドレイン１４６を含む。ソース１４７及びドレイン１４６は高濃度不純物ドープされた低温ポリシリコンである。本例において、ソース１４７及びドレイン１４６はｐ型半導体である。ソース１４７とドレイン１４６に挟まれたチャネル部１４５は、ｉ型半導体である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
補助電源線１０２は、それぞれ、電源線１０８に、下部ゲート絶縁層１５４、上部ゲート絶縁層１５６及び層間絶縁層１５８を貫通するコンタクト部１２１を介して接続されている。コンタクト部１２１は、電源線１０８と補助電源線１０２とを相互接続する。コンタクト部１２１は、保持容量電極１９１（ドープされた半導体部）と接続していてもよい。補助電源線１０２と電源線１０８とをメッシュ状に配列することで、駆動ＴＦＴ（Ｔ１）それぞれに与える電位をより安定させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤ表示装置の画素の光量を制御する回路であって、
有機発光膜に電流を供給する第１の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタのゲート電位を維持する保持容量と、を含み、
前記第１の薄膜トランジスタは、
ボトムゲート電極と、
前記ボトムゲート電極より上層において、前記ボトムゲート電極の一部と重なるように形成されたチャネル部と、
前記チャネル部と前記ボトムゲート電極との間に形成された第１のゲート絶縁層と、
前記チャネル部よりも上層において、前記チャネル部と重なるように形成され、前記ボトムゲート電極と接続された、トップゲート電極と、
前記チャネル部と前記トップゲート電極との間に形成された第２のゲート絶縁層と、を含み、
前記保持容量は、
前記チャネル部と同層において前記トップゲート電極と重なる領域の外に形成され、前記ボトムゲート電極の一部と前記第１のゲート絶縁層を介して重なり、不純物半導体で形成された、保持容量電極を含む、回路。
【請求項２】
請求項１に記載の回路であって、
前記第１のゲート絶縁層の厚みは、前記第２のゲート絶縁層の厚み以下である、回路。
【請求項３】
請求項１に記載の回路であって、
前記第１の薄膜トランジスタのゲート及び前記保持容量に信号を与える第２の薄膜トランジスタをさらに含み、
前記第２の薄膜トランジスタは、
前記第１の薄膜トランジスタの前記チャネル部と同層における半導体部を含み、
前記半導体部は、前記第２の薄膜トランジスタのチャネル部と前記第２の薄膜トランジスタの前記チャネル部に連続する不純物ドープ部とを含み、
前記不純物ドープ部、前記第１の薄膜トランジスタの前記ボトムゲート電極、及び前記第１の薄膜トランジスタの前記トップゲート電極は、共通のコンタクトホールにおいて相互接続されている、回路。
【請求項４】
請求項３に記載の回路であって、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは、第１の基板上において、前記第１の基板と前記第１の基板と対向する第２の基板とを接合する接合部より内側に、配置され、
前記回路は、
前記第２の薄膜トランジスタのドライバ回路と、
前記接合部の下に配置され、前記ドライバ回路のための、前記ボトムゲート電極と同層の配線層と前記トップゲート電極と同層の配線層と、をさらに含む、回路。
【請求項５】
請求項１に記載の回路であって、
前記トップゲート電極より上層において、互いに離間して第１の方向に延びる複数の電源配線と、
前記第１の方向と異なる第２の方向に延び、前記ボトムゲート電極と同層に形成され、前記複数の電源配線とコンタクト部により接続された、複数の補助電源配線と、をさらに含む、回路。
【請求項６】
ＯＬＥＤ表示装置であって、
第１の基板上に配置され、複数の画素であって、各画素が、有機発光膜と、前記有機発光膜を挟む下部電極及び上部電極とを含む、複数の画素と、
前記複数の画素それぞれへ供給する電流を制御して前記複数の画素それぞれの発光量を制御する、複数の画素回路と、を含み、
前記複数の画素回路のそれぞれは、
前記下部電極を介して前記有機発光膜に電流を供給する第１の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタのゲート電位を維持する保持容量と、を含み、
前記第１の薄膜トランジスタは、
ボトムゲート電極と、
前記ボトムゲート電極より上層において、前記ボトムゲート電極の一部と重なるように形成されたチャネル部と、
前記チャネル部と前記ボトムゲート電極との間に形成された第１のゲート絶縁層と、
前記チャネル部よりも上層において、前記チャネル部と重なるように形成され、前記ボトムゲート電極と接続された、トップゲート電極と、
前記チャネル部と前記トップゲート電極との間に形成された第２のゲート絶縁層と、を含み、
前記保持容量は、
前記チャネル部と同層において前記トップゲート電極と重なる領域の外に形成され、前記ボトムゲート電極の一部と前記第１のゲート絶縁層を介して重なり、不純物ドープされた半導体で形成された、保持容量電極を含む、ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記第１のゲート絶縁層の厚みは、前記第２のゲート絶縁層の厚み以下である、ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項８】
請求項６に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の画素回路のそれぞれは、
前記第１の薄膜トランジスタのゲート及び前記保持容量に信号を与える第２の薄膜トランジスタをさらに含み、
前記第２の薄膜トランジスタは、
前記第１の薄膜トランジスタの前記チャネル部と同層における半導体部を含み、
前記半導体部は、前記第２の薄膜トランジスタのチャネル部と前記第２の薄膜トランジスタの前記チャネル部に連続する不純物ドープ部とを含み、
前記不純物ドープ部、前記第１の薄膜トランジスタの前記ボトムゲート電極、及び前記第１の薄膜トランジスタの前記トップゲート電極は、共通のコンタクトホールにおいて相互接続されている、ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記複数の画素回路を囲むように配置され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する、接合部と、
前記接合部よりも内側に配置された、前記第２の薄膜トランジスタのドライバ回路と、
前記接合部の下に配置され、前記ドライバ回路のための、前記ボトムゲート電極と同層の配線層と前記トップゲート電極と同層の配線層と、をさらに含む、ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項１０】
請求項６に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記トップゲート電極より上層において、互いに離間して第１の方向に延びる複数の電源配線と、
前記第１の方向と異なる第２の方向に延び、前記ボトムゲート電極と同層に形成され、前記複数の電源配線とコンタクト部により接続された、複数の補助電源配線と、をさらに
含む、ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項１１】
ＯＬＥＤ表示装置の製造方法であって、
前記ＯＬＥＤ表示装置は、
複数の画素であって、各画素が、有機発光膜と、前記有機発光膜を挟む下部電極及び上部電極とを含む、複数の画素と、
前記複数の画素それぞれへ供給する電流を制御して前記複数の画素それぞれの発光量を制御する、複数の画素回路と、を含み、
前記複数の画素回路の各画素回路は、前記下部電極を介して前記有機発光膜に電流を供給する第１の薄膜トランジスタと、前記第１の薄膜トランジスタのゲート電位を維持する保持容量と、を含み、
前記製造方法は、
第１の基板上に前記第１の薄膜トランジスタのボトムゲート電極を形成する、第１ステップと、
前記ボトムゲート電極の上に第１のゲート絶縁層を形成する、第２ステップと、
前記第１のゲート絶縁層の上に、前記ボトムゲート電極の一部と重なる前記第１の薄膜トランジスタのチャネル部と、前記ボトムゲート電極の他の一部と重なる前記保持容量の保持容量電極とを含む、半導体層を形成する、第３ステップと、
前記半導体層の上に第２のゲート絶縁層を形成する、第４ステップと、
前記第２のゲート絶縁層の上に、前記保持容量電極と重なる領域の外に、前記チャネル部と重なる前記第１の薄膜トランジスタのトップゲート電極を形成する、第５ステップと、
前記トップゲート電極をマスクとして不純部を前記半導体層に注入する、第６ステップと、を含む、製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の製造方法であって、
前記第１のゲート絶縁層の厚みは、前記第２のゲート絶縁層の厚み以下である、製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の製造方法であって、
前記複数の画素回路のそれぞれは、前記第１の薄膜トランジスタのゲート及び前記保持容量に信号を与える第２の薄膜トランジスタをさらに含み、
前記半導体層は、前記第２の薄膜トランジスタのチャネル部を含む半導体部をさらに含み、
第５ステップは、前記第２のゲート絶縁層の上に、前記第２の薄膜トランジスタの前記チャネル部と重なる前記第２の薄膜トランジスタのトップゲート電極をさらに形成し、
前記製造方法は、さらに、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタの前記トップゲート電極の上に、第３の絶縁層を形成するステップと、
前記第１のゲート絶縁層、前記第２のゲート絶縁層、及び前記第３の絶縁層を貫通し、前記第２の薄膜トランジスタの不純物ドープ部、前記第１の薄膜トランジスタのボトムゲート電極、及び前記第１の薄膜トランジスタのトップゲート電極が露出するコンタクトホールを形成するステップと、
前記コンタクトホールに相互接続電極を形成するステップと、をさらに含む、製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の製造方法であって、
前記第１ステップは、前記複数の画素回路の外側に、前記第２の薄膜トランジスタのドライバ回路の下部配線を形成することをさらに含み、
前記第５ステップは、前記複数の画素回路の外側に、前記第２の薄膜トランジスタのド
ライバ回路の上部配線を形成することをさらに含み、
前記製造方法は、
前記下部配線及び前記上部配線を覆うように、前記第１の基板上にガラスフリットを塗設し、前記ガラスフリット上に第２の基板を載置し、前記ガラスフリットをレーザ光により加熱し、溶融させて、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合するステップをさらに含む、製造方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の製造方法であって、
前記第１ステップは、前記ボトムゲート電極と同時に、第１の方向に延びる複数の補助電源配線をさらに形成し、
前記製造方法は、さらに、
前記第１の薄膜トランジスタの前記トップゲート電極より上層において、互いに離間して前記第１の方向と異なる第２の方向に延び、前記複数の画素に対する電流を伝送する複数の電源配線を形成する、ステップと、
前記複数の補助電源配線と前記複数の電源配線とを相互接続するステップと、を含む、製造方法。