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【手続補正書】
【提出日】令和2年5月1日(2020.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腐食性環境で使用するための半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）であって、
−前記腐食性環境内の腐食性成分によって腐食され得る材料の少なくとも１つの第１のボンドパッド（１２）を備える処理デバイス（１０´）と、
−少なくとも１つの第２のボンドパッド（２１、２１´）を備えるセンサデバイス（２０、２０´）であって、前記第２のボンドパッドは、第１の耐腐食性材料よりなる、及び／又は第１の耐腐食性材料によって被覆されている、センサデバイスと、
−前記処理デバイスの前記少なくとも１つの第１のボンドパッドと前記センサデバイスの前記少なくとも１つの第２のボンドパッドとの間の信号接続を行うための少なくとも１つのボンディングワイヤ（３４）と、を備え、
前記処理デバイス（１０´）は、第２の耐腐食性材料（３２）によって部分的にオーバーモールドされており、かつ前記耐腐食性材料（３２）内の空洞（３６）に部分的に曝露され、前記センサデバイス（２０、２０´）は、前記空洞（３６）内に存在し、
前記処理デバイス（１０´）と前記センサデバイス（２０、２０´）との間の信号接続を前記空洞（３６）内で物理的に行うことを可能にするために再配信層（１８）が提供される一方で、前記第２の耐腐食性材料（３２）は、前記少なくとも１つの第１のボンドパッド（１２）を被覆する、半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項２】
前記再配信層（１８）は、オーバーパッドメタライゼーションを備える、請求項１に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項３】
前記オーバーパッドメタライゼーションは、第３の耐腐食性材料からなり、前記オーバーパッドメタライゼーション（１８）は、近位部分（１８ａ）及び遠位部分（１８ｃ）を備える形状を有し、前記遠位部分（１８ｃ）は、前記近位部分（１８ａ）から距離（Ｌ２）に位置し、中間部分（１８ｂ）を介して前記近位部分（１８ａ）に接続され、前記近位部分（１８ａ）は、前記少なくとも１つの第１のボンドパッド（１２）を被覆する形状を有する、請求項２に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項４】
前記ボンディングワイヤは、前記オーバーパッドメタライゼーション（１８）の前記遠位部分（１８ｃ）に接続された第１の端部と、前記センサデバイス（２０、２０´）の前記少なくとも１つの第２のボンドパッド（２１、２１´）に接続された第２の端部と、を有し、前記ボンディングワイヤ（３４）は、第４の耐腐食性材料からなる、請求項３に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項５】
前記第１の耐腐食性材料及び／又は前記第３の耐食性材料及び／又は前記第４の耐腐食性材料は、以下の選択肢：
−貴金属、
−金のみ、
−白金のみ、
−Ａｕ及びＰｔのみからなる混合物、
−Ａｕ又はＰｔを含有する合金、
のうちの１つから個別に選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項６】
前記センサデバイス（２０、２０´）は、基板（３３´）の頂部に、かつ前記処理デバイス（１０´）に近接して実装される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体センサアセンブリ（３０´）。
【請求項７】
前記センサデバイス（２０、２０´）は、前記処理デバイス（１０´）の頂部に位置する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´´）。
【請求項８】
前記再配信層（１８）の頂部にパッシベーション層（４０）をさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項９】
前記センサデバイス（２０、２０´）の頂部に適用されたゲル（３８）をさらに備える、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項１０】
基板を備え、前記基板（３３、３３´、３３´´）はリードフレームである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項１１】
前記処理デバイス（１０´）は、第２のボンディングワイヤ（３５）を介して基板（３３、３３´、３３´´）に接続された第３のボンドパッド（１１）をさらに備え、前記第２のボンディングワイヤ（３５）も前記第２の耐腐食性材料（３２）によって封止されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項１２】
前記処理デバイス（１０´）は、ＣＭＯＳチップであり、前記センサデバイスは異なる技術で作製されている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項１３】
前記ＣＭＯＳチップは、マイクロプロセッサ及び不揮発性メモリを備える、請求項１２に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項１４】
５ｍｍ×１０ｍｍ×８ｍｍより小さい外形寸法を有する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項１５】
前記センサデバイス（２０、２０´）は、絶対圧センサ又は差圧センサ又は赤外線センサである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）。
【請求項１６】
半導体センサアセンブリ（３０、３０´、３０´´）を製造する方法であって、
−腐食性環境中の腐食性成分によって腐食され得る材料の少なくとも１つの第１のボンドパッド（１２）を備える処理デバイス（１０´）を提供する工程と、
−少なくとも１つの第２のボンドパッド（２１、２１´）を備えるセンサデバイス（２０、２０´）を提供する工程であって、前記第２のボンドパッドは、第１の耐腐食性材料からなり、及び／又は第１の耐腐食性材料で被覆されている、工程と、
−少なくとも１つのボンディングワイヤ（３４）によって、前記処理デバイスの前記少なくとも１つの第１のボンドパッドと前記センサデバイスの前記少なくとも１つの第２のボンドパッドとの間の信号接続を行う工程と、
−前記処理デバイス（１０´）を第２の耐腐食性材料（３２）によって部分的にオーバーモールドする工程であって、このようにして前記処理デバイス（１０´）を前記第２の耐腐食性材料（３２）内の空洞（３６）に部分的に曝露させる、工程と、
−前記空洞（３６）内に前記センサデバイス（２０、２０´）を実装する工程と、
−前記処理デバイスを部分的にオーバーモールドする前に、前記処理デバイス（１０´）と前記センサデバイス（２０、２０´）との間の前記信号接続を前記空洞（３６）内で物理的に行うことを可能にするための再配信層（１８）を提供する一方で、前記第２の耐腐食性材料（３２）が前記少なくとも１つの第１のボンドパッド（１２）を被覆する工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月24日(2020.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂面、底面、および内径壁を有する本体と、
前記本体に配置された摩耗インジケータ材料であって、前記本体の前記頂面の下方に間隔をおいて配置され、前記本体を構成する材料とは異なる非蛍光材料である、摩耗インジケータ材料と、を含む、プラズマ処理チャンバのためのエッジリング。
【請求項２】
内部容積を有するチャンバ本体と、
前記内部容積に配置された基板支持体と、
前記基板支持体上に配置されたエッジリングであって、
頂面、底面、および内径壁を有する石英本体、ならびに
前記本体に配置され、前記本体の前記頂面の下方に間隔を置いて配置され、前記本体を構成する材料とは異なる非蛍光材料である、摩耗インジケータ材料
を含む、エッジリングと、
前記エッジリングとインターフェースするように置かれ、前記摩耗インジケータ材料を検出するように構成された１つまたは複数のセンサと、
を備える、プラズマ処理チャンバ。
【請求項３】
エッジリングおよび外側リングを有するリングアセンブリ上の摩耗を示すメトリックを得るステップであって、前記エッジリングが頂面を有する本体を有し、かつシリコンを含有し、前記リングアセンブリが、前記プラズマ処理チャンバ内でのプラズマによる処理の前に、プラズマ処理チャンバの基板支持体上に配置される、ステップと、
センサによって前記リングアセンブリに対する前記メトリックをモニタするステップと、
前記メトリックがしきい値を超えていると判定するステップと、
前記メトリックが前記しきい値を超えたことに応答して信号を生成するステップと、
を含む、リングアセンブリの浸食を検出する方法。
【請求項４】
前記エッジリングの上方で前記プラズマ処理チャンバに配置された前記センサによって前記頂面の下方の前記本体に埋め込まれた信号材料の浸食を検知するステップ、
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記信号材料が前記本体の前記頂面に沿って配置されたシリコン含有層の下方に配置された層である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記エッジリングの下方に配置された電磁気センサによって前記プラズマが存在する状態で前記エッジリングの向こう側まで抵抗を測定するステップと、
前記測定された抵抗の値に基づいて前記プロセスパラメータまたは保守スケジュールを修正するステップと、
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記センサによって前記エッジリングの前記頂面までの距離を測定するステップであって、前記センサが前記プラズマ処理チャンバに配置された、前記プラズマにさらされるセンサである、ステップと、
前記距離が最大のしきい値を超えていると判定するステップと、
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記センサによって前記エッジリングの前記頂面までの距離を測定するステップであって、前記センサが前記基板支持体に配置されている、ステップと、
前記距離が最大のしきい値を超えていると判定するステップと、
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
音響センサによって音響信号を前記エッジリングの下方から得るステップ
をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
光センサによって光信号を前記エッジリングの上方から得るステップ
をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記摩耗インジケータ材料が、
円筒状ピン
を構成する、請求項１に記載のエッジリング又は請求項２に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１２】
前記摩耗インジケータ材料が、
環状のバンド
を構成する、請求項１に記載のエッジリング又は請求項２に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１３】
前記摩耗インジケータ材料が、
前記エッジリングの前記本体の反射率とは異なる反射率
を備える、請求項１に記載のエッジリング又は請求項２に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１４】
前記摩耗インジケータ材料が、
前記摩耗インジケータ材料および前記本体がプラズマにさらされるときに、前記本体から放出されるイオンとは異なるイオンを放出する材料、
を含む、請求項１に記載のエッジリング又は請求項２に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１５】
前記摩耗インジケータ材料がＳｉＯであり、前記本体の前記材料が石英である、請求項１に記載のエッジリング又は請求項２に記載のプラズマ処理チャンバ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月6日(2019.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体と、ゲート絶縁体と、ゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体には、チャネル領域が形成され、
前記チャネル領域は、インジウムと、元素Ｍと、亜鉛と、を有し、
前記元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムから一以上選ばれ、
前記ゲート絶縁体は、シリコンと、酸素と、を有し、
前記ゲート絶縁体において、前記酸素の原子数は、前記シリコンの原子数の１．５倍以上であり、
前記チャネル領域のキャリア密度は、１×１０９ｃｍ−３以上５×１０１６ｃｍ−３以下であり、
前記チャネル領域のエネルギーギャップは、２．７ｅＶ以上３．１ｅＶ以下であり、
前記ゲート絶縁体は、欠陥準位を有し、
前記欠陥準位と、前記チャネル領域の伝導帯の下端のエネルギーとの差は、０．２ｅＶ以上１．０ｅＶ以下である半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート絶縁体は、前記チャネル領域の上面または下面のいずれか一方に接し、
前記インジウム、元素Ｍおよび亜鉛の原子数比はそれぞれｘ、ｙおよびｚで表され、
ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）は、０．３３以上０．７以下を満たし、
ｙ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）は、０．０８以上０．３３以下を満たす半導体装置。
【請求項３】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、第１の酸化物半導体と、第２の酸化物半導体と、ゲート絶縁体と、ゲート電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体は、第１の領域を有し、
前記第２の酸化物半導体は、前記第１の酸化物半導体と接する第２の領域を有し、
前記ゲート絶縁体は、前記第２の領域と接する領域を有し、
前記第１の領域には、チャネル領域が形成され、
前記第１の領域および前記第２の領域は、インジウムと、元素Ｍと、亜鉛と、を有し、
前記元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムから一以上選ばれ、
前記ゲート絶縁体は、シリコンと、酸素と、を有し、
前記ゲート絶縁体において、前記酸素の原子数は、前記シリコンの原子数の１．５倍以上であり、
前記第１の領域のキャリア密度は、１×１０９ｃｍ−３以上５×１０１６ｃｍ−３以下であり、
前記第１の領域のエネルギーギャップは、２．７ｅＶ以上３．１ｅＶ以下であり、
前記第２の領域のエネルギーギャップは、前記第１の領域のエネルギーギャップよりも０．１５ｅＶ以上２ｅＶ以下大きい半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の領域が有する前記インジウム、元素Ｍおよび亜鉛の原子数比はそれぞれｘ１、ｙ１およびｚ１で表され、
ｘ１／（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１）は、０．３３以上０．７以下を満たし、
ｙ１／（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１）は、０．０８以上０．３３以下を満たす半導体装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記ゲート絶縁体は、トラップ準位を有し、
前記トラップ準位と、前記第１の領域の伝導帯の下端のエネルギーとの差は、０．２ｅＶ以上１．０ｅＶ以下であり、
前記トラップ準位と、前記第２の領域の伝導帯の下端のエネルギーとの差は、−０．２ｅＶ以上０．８ｅＶ以下である半導体装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の領域の厚さは、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記トランジスタのチャネル長は、０．０１μｍ以上１５μｍ以下である領域を有し、
前記トランジスタのドレインとソースとの間に０．１Ｖ以上３０Ｖ以下の電位差が印加される場合のしきい値は−０．５Ｖ以上２Ｖ以下である半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記ゲート絶縁体は、厚さが５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である領域を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月5日(2020.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された貫通孔の内側にレンズが配置され、前記基板の光入射面側と反対側に配線層が形成されたレンズ付き基板と、
前記レンズ付き基板の前記配線層と電気的に接続されている固体撮像素子と
を備え、
前記固体撮像素子のチップサイズは、前記レンズ付き基板のチップサイズよりも小さく構成された
カメラモジュール。
【請求項２】
前記レンズ付き基板は、他のレンズ付き基板と積層されている
請求項１に記載のカメラモジュール。
【請求項３】
他の基板に実装される第１の接続端子をさらに備える
請求項１または２に記載のカメラモジュール。
【請求項４】
前記レンズ付き基板には、受動部品が実装されている
請求項１乃至３のいずれかに記載のカメラモジュール。
【請求項５】
前記第１の接続端子は、はんだボールであり、
前記はんだボールの高さは、前記固体撮像素子の高さよりも高い
請求項３に記載のカメラモジュール。
【請求項６】
前記レンズ付き基板の前記配線層と前記固体撮像素子とは、第２の接続端子で電気的に接続されている
請求項１乃至５のいずれかに記載のカメラモジュール。
【請求項７】
前記第２の接続端子は、金スタッドバンプ、はんだボール、または、銅ピラーである
請求項６に記載のカメラモジュール。
【請求項８】
前記第２の接続端子は、アンダフィル樹脂で覆われている
請求項６または７に記載のカメラモジュール。
【請求項９】
前記レンズ付き基板の前記配線層と前記固体撮像素子とは、異方性導電性樹脂または金属接合で電気的に接続されている
請求項１乃至５のいずれかに記載のカメラモジュール。
【請求項１０】
基板に形成される貫通孔の内側にレンズが配置され、前記基板の光入射面側と反対側に配線層が形成されるレンズ付き基板の前記配線層に、前記レンズ付き基板のチップサイズよりも小さいチップサイズの固体撮像素子を搭載して電気的に接続する
カメラモジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記基板に前記配線層を形成した後に、前記貫通孔と前記レンズを前記基板に形成する
請求項１０に記載のカメラモジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記基板に前記貫通孔と前記レンズを形成した後に、前記配線層を前記基板に形成する
請求項１０に記載のカメラモジュールの製造方法。
【請求項１３】
受光面側に接続端子が形成された前記固体撮像素子を、前記レンズ付き基板に搭載して電気的に接続する
請求項１０乃至１２のいずれかに記載のカメラモジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記レンズ付き基板の前記配線層に接続端子を形成し、前記接続端子に前記固体撮像素子を搭載して電気的に接続する
請求項１０乃至１２のいずれかに記載のカメラモジュールの製造方法。
【請求項１５】
基板状態の前記レンズ付き基板の前記配線層に、個片化された前記固体撮像素子を搭載して電気的に接続した後、基板状態の前記レンズ付き基板を個片化する
請求項１０乃至１４のいずれかに記載のカメラモジュールの製造方法。
【請求項１６】
セミアディティブ法を用いて、前記基板に前記配線層を形成する
請求項１０乃至１５のいずれかに記載のカメラモジュールの製造方法。
【請求項１７】
基板に形成された貫通孔の内側にレンズが配置され、前記基板の光入射面側と反対側に配線層が形成されたレンズ付き基板と、
前記レンズ付き基板の前記配線層と電気的に接続されている固体撮像素子と
を備え、
前記固体撮像素子のチップサイズは、前記レンズ付き基板のチップサイズよりも小さく構成された
カメラモジュール
を備える電子機器。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月6日(2020.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示素子と、前記表示素子からの光を射出瞳に導く光学系とを有する表示手段と、
補正テーブルを用いて、前記表示素子が表示する画像の輝度を補正する補正手段と、を有し、
前記補正テーブルは、予め前記射出瞳の位置から所定の方向に所定の距離ずらした位置で取得された前記表示素子の画像の輝度分布に基づいて生成され、
前記所定の方向は、前記射出瞳の位置にユーザの眼球の瞳孔を置いた場合の、前記射出瞳の位置から前記ユーザの眼球の回転中心に相当する位置に向かう方向であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記補正テーブルは、前記表示素子が表示する画像の輝度差が所定の範囲内に収まるように生成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記補正テーブルは、前記所定の距離ずらした位置に撮像装置の入射瞳を置いて撮像した前記表示素子の画像の輝度分布に基づいて生成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記所定の距離は、１１ｍｍから１３ｍｍの間であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記補正手段は、前記射出瞳の位置から所定の方向に複数の異なる距離ずらした位置で取得された複数の前記表示素子の画像の輝度分布に基づいて生成された複数の補正テーブルから選択された１つの補正テーブルを用いて画像を補正することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記補正手段は、複数の補正テーブルから、ユーザにより指定されて補正テーブルを用いて画像を補正することを特徴とする請求項５記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記補正手段は、複数の異なる瞳孔径に基づいて取得された複数の前記表示素子の画像の輝度分布に基づいて生成された複数の補正テーブルから選択された１つの補正テーブルを用いて、当該画像を補正することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記補正手段は、前記複数の補正テーブルから、前記表示素子が表示する画像の明るさに基づいて補正テーブルを選択し、当該画像を補正することを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置。
【請求項９】
ユーザの頭部に装着されて使用されることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記表示素子は、現実空間の画像と仮想画像とが重畳されて生成された合成画像を表示することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
画像を表示する表示素子と、前記表示素子からの光を射出瞳に導く光学系とを有する表示手段によって画像を表示するステップと、
補正テーブルを用いて、前記表示素子が表示する画像の輝度を補正する補正ステップと、を有し、
前記補正テーブルは、予め前記射出瞳の位置から所定の方向に所定の距離ずらした位置で取得された前記表示素子の画像の輝度分布に基づいて生成され、
前記所定の方向は、前記射出瞳の位置にユーザの眼球の瞳孔を置いた場合の、前記射出瞳の位置から前記ユーザの眼球の回転中心に相当する位置に向かう方向であることを特徴とする画像表示方法。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１から１０のいずれか１項に記載の画像表示装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、画像を表示する表示素子と、前記表示素子からの光を射出瞳に導く光学系とを有する表示手段と、補正テーブルを用いて、前記表示素子が表示する画像の輝度を補正する補正手段と、を有し、前記補正テーブルは、予め前記射出瞳の位置から所定の方向に所定の距離ずらした位置で取得された前記表示素子の画像の輝度分布に基づいて生成され、前記所定の方向は、前記射出瞳の位置にユーザの眼球の瞳孔を置いた場合の、前記射出瞳の位置から前記ユーザの眼球の回転中心に相当する位置に向かう方向であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月8日(2020.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
画像処理装置１００Ｃでは、図６に示した画像処理装置１００Ｂに比べて、メモリー４を用いる処理がさらに少なくなっている。このため、画像処理装置１００Ｃ（比較例３）では、フレームレート制御部９が同期信号を必要とするタイミングが、画像処理装置１００Ｂ（比較例２）に比べて早くなる。このため、画像処理装置１００Ｃ（比較例３）では、比較例２よりも、切替部１６での出力信号の切り替えタイミングが、フレームレート制御部９が同期信号を必要とするタイミングよりも遅くなり、画質の低下が生じる可能性が高くなる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月12日(2020.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの画像のデータを複数の画素を単位として読み出し可能な撮像装置であって、
前記撮像装置を装着する左目および右目にそれぞれ対応する２つの撮像素子と、
前記２つの撮像素子のそれぞれについて、撮像される画像の範囲を前記単位により分割したうち、１以上の欠陥画素を含む前記単位に関する情報である欠陥画素情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段より前記欠陥画素情報を読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段により読み出された前記欠陥画素情報に基づいて、前記２つの撮像素子のそれぞれによって撮像された画像のデータから前記単位ごとに読み出される前記複数の画素のうち、前記欠陥画素を補正する補正手段と、
を有し、
前記欠陥画素情報は、前記２つの撮像素子のそれぞれで撮像される画像を前記単位により分割したうち、前記１以上の欠陥画素を含む前記単位の、前記画像内での位置を示す情報と、前記単位を構成する複数の画素内での、前記１以上の欠陥画素の位置を示す情報とを含む撮像装置。
【請求項２】
前記読み出し手段により読み出された前記欠陥画素情報に基づいて、前記２つの撮像素子のそれぞれによって撮像された画像に前記欠陥画素が含まれているか否かの判定を前記単位ごとに行う判定手段を更に有し、
前記補正手段は、前記判定手段により前記欠陥画素が含まれていると判定された場合、前記欠陥画素を補正する請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の画素の単位で前記欠陥画素情報を前記記憶手段に書き込む書き込み手段を更に有する請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記欠陥画素情報は、前記２つの撮像素子のそれぞれで撮像される画像を前記単位により分割したうち、前記１以上の欠陥画素を含む単位の、前記画像内での位置を示す座標情報と、前記複数の画素内での前記欠陥画素の位置を示すフラグ情報と、を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項記載の撮像装置。
【請求項５】
前記欠陥画素情報は、前記２つの撮像素子のそれぞれで撮像される画像を前記単位により分割したうち、前記１以上の欠陥画素を含む前記単位の、前記画像内での位置を示す情報として、前記撮像装置により撮像される画像の水平方向及び垂直方向のうち少なくとも一方向に対して複数の画素を前記単位とした際の座標を含み、前記単位を構成する複数の画素内での、前記１以上の欠陥画素の位置を示す情報として、前記複数の画素のうち欠陥画素を特定する情報を含む請求項１記載の撮像装置。
【請求項６】
ユーザの頭部に装着されて使用される前記撮像装置である請求項１乃至５の何れか１項記載の撮像装置。
【請求項７】
前記欠陥画素情報は、更に、左目に対応した撮像素子画素か、右目に対応した撮像素子画素かを識別する情報を含む請求項６記載の撮像装置。
【請求項８】
前記フラグ情報は、前記複数の画素それぞれに対して欠陥画素か否かを示す信号である請求項４記載の撮像装置。
【請求項９】
前記複数の画素は、ベイヤーの逓倍の画素群である請求項１乃至８何れか１項記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記複数の画素は、ベイヤーである請求項１乃至８何れか１項記載の撮像装置。
【請求項１１】
１つの画像のデータを複数の画素を単位として読み出し可能な撮像装置が実行する欠陥画素の補正方法であって、
前記撮像装置は、前記撮像装置を装着する左目および右目にそれぞれ対応する２つの撮像素子と、
前記２つの撮像素子のそれぞれについて、撮像される画像の範囲を前記単位により分割したうち、１以上の欠陥画素を含む前記単位に関する情報である欠陥画素情報を記憶する記憶手段を有し、
前記記憶手段より前記欠陥画素情報を読み出す読み出し工程と、
前記読み出し工程により読み出された前記欠陥画素情報に基づいて、前記２つの撮像素子のそれぞれによって撮像された画像のデータから前記単位ごとに読み出される前記複数の画素のうち、前記欠陥画素を補正する補正工程と、
を含み、
前記欠陥画素情報は、前記２つの撮像素子のそれぞれで撮像される画像を前記単位により分割したうち、前記１以上の欠陥画素を含む前記単位の、前記画像内での位置を示す情報と、前記単位を構成する複数の画素内での、前記１以上の欠陥画素の位置を示す情報とを含む欠陥画素の補正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の撮像装置は、１つの画像のデータを複数の画素を単位として読み出し可能な撮像装置であって、前記撮像装置を装着する左目および右目にそれぞれ対応する２つの撮像素子と、前記２つの撮像素子のそれぞれについて、撮像される画像の範囲を前記単位により分割したうち、１以上の欠陥画素を含む前記単位に関する情報である欠陥画素情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段より前記欠陥画素情報を読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段により読み出された前記欠陥画素情報に基づいて、前記２つの撮像素子のそれぞれによって撮像された画像のデータから前記単位ごとに読み出される前記複数の画素のうち、前記欠陥画素を補正する補正手段と、を有し、前記欠陥画素情報は、前記２つの撮像素子のそれぞれで撮像される画像を前記単位により分割したうち、前記１以上の欠陥画素を含む前記単位の、前記画像内での位置を示す情報と、前記単位を構成する複数の画素内での、前記１以上の欠陥画素の位置を示す情報とを含む。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月28日(2020.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持面で基板を保持する保持部材と、
前記保持面から突出することにより前記保持面の上方で前記基板を支持可能な支持部材と、を有し、
前記保持面から前記支持部材が突出した状態で、前記保持面の上方への前記基板の搬入又は前記保持面の上方からの前記基板の搬出がされる基板保持装置において、
前記支持部材を高さ方向に駆動する駆動手段と、を有し、
前記駆動手段は、前記基板の搬入がされるときの又は前記基板の搬出がされるときの前記支持部材の上端の高さを、前記基板の湾曲状態に基づいて変えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
第１の基板の第１の湾曲量よりも大きな第２の湾曲量の第２の基板が搬入され又は搬出される場合、
前記駆動手段は、前記上端の高さを、前記第１の基板が搬入される場合よりも低くすることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記保持面の上方へ搬入され又は前記保持面の上方から搬出されるときの前記第１の基板の高さと前記第２の基板の高さは互いに等しいことを特徴とする請求項２に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記駆動手段は、前記基板が搬入された後に前記支持部材を前記基板に近づける方向に駆動し、該近づける方向に駆動する間における前記支持部材が前記基板と接触するときの前記支持部材の加速度の絶対値が所定値以下となるように前記支持部材を駆動することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項５】
第１の基板の第１の湾曲量よりも大きな第２の湾曲量の第２の基板の搬入した後のほうが前記第１の基板を搬入した後よりも前記支持部材の高さが高くなるように前記駆動手段は前記支持部材を前記近づける方向に駆動させることを特徴とする請求項４に記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記駆動手段は第１の駆動手段であり、前記保持部材を前記高さ方向に沿って駆動する第２の駆動手段を有し、
前記第２の駆動手段は、前記基板の搬入又は搬出に伴い、前記保持部材を前記基板の搬入出経路から遠ざかる方向に駆動することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項７】
保持面で基板を保持する保持部材と、
前記保持面から突出することにより前記保持面の上方で前記基板を支持可能な支持部材と、
前記保持部材と前記支持部材との少なくとも一方の部材を高さ方向に駆動する駆動手段と、
前記駆動手段が前記少なくとも一方の部材を駆動して前記保持面から前記支持部材を突出させた後、前記支持部材が前記基板を支持した状態で前記保持面に沿って前記保持部材と前記基板とを相対的に回転させる回転手段と、を有し、
前記駆動手段は、前記回転手段が前記保持部材と前記基板とを相対的に回転させるときの前記保持面からの前記支持部材の突出量を、前記基板の湾曲状態に基づいて変えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項８】
前記駆動手段は、第１の基板の第１の湾曲量よりも大きな第２の湾曲量の第２の基板を支持する場合の前記突出量は、第１の基板を支持する場合の前記突出量よりも大きくなるように前記少なくとも一方の部材を駆動することを特徴とする請求項７に記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記回転手段は、前記支持部材を前記保持面の面内方向に移動させることを特徴とする請求項７又は８に記載の基板保持装置。
【請求項１０】
前記基板の湾曲量を検出する検出手段を有し、
該検出手段は、
支持部で支持された前記基板の面外方向に移動する移動部材と、
前記移動部材と前記基板との接触を検知する検知手段と、を有し、
前記面外方向における、前記検知手段が前記基板を検知したときの前記移動部材の位置に基づいて、前記基板の湾曲状態を検出することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板保持装置と、
前記基板保持装置が保持した基板に対してパターンを形成する形成手段と、を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンの形成された基板を処理する処理工程と、を有し、
前記処理した基板を含む物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（駆動プロファイルの決定方法）
基板が保持面５０２ｂの上方まで搬入されるときに、ピン５０３の退避が不十分だとピン５０３と基板とが衝突し、基板が破損する恐れがある。そこで、決定部７０２は、基板が搬入されるときの基板の搬入出経路とピン５０３との距離が基板の反りに応じて変わるように駆動プロファイルを決定する。これにより、駆動部５０１は、ピン５０３の上端の高さが基板の湾曲量に基づいて変わるようにピン５０３を駆動することとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図８（ｃ）ハンドは４００により基板３００がチャック５０２の上方に搬入された状態を示す図である。その後、図８（ｄ）に示すように駆動部５０１がピン５０３を距離Ｄ２だけ上昇させ、かつ、図８（ｅ）に示すように、ハンド４００がわずかに下降することにより、基板３００をピン５０３に受け渡す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
図１０は、持ち替え動作の様子を示す図である。図１０（ａ）はチャック５０２が基板３００を吸着保持している様子を示している。次に、図１０（ｂ）に示すように、決定部７０２が決定した駆動指令に基づいて、駆動部５０７がチャック５０２を下降させ、駆動部５０１がピン５０３を上昇させる。これにより、保持面５０２ｂからピン５０３を突出量Ｄ３だけ突出した状態となる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月7日(2020.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図１０（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図１０（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１０（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月5日(2019.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
二次電池の第１電極に接続される第１電源端子と、
前記二次電池の第２電極に接続される第２電源端子と、
放電制御スイッチのゲート端子と充電制御スイッチのゲート端子とに接続される充電制御端子と、
検出端子と、
制御回路と、
前記充電制御端子から充電制御信号を出力する出力回路と
を備え、
前記放電制御スイッチおよび前記充電制御スイッチは、前記第２電極に接続される充電経路に配置され、
前記検出端子は、前記充電経路のうちの、前記放電制御スイッチおよび前記充電制御スイッチを隔てて前記第２電極の反対側の位置に接続され、
前記充電経路に設けられる充電端子と、前記第１電極に接続される充放電経路に設けられる充放電端子との間に、充電器が接続されている場合であって、前記制御回路が充電を許可する場合に、前記出力回路は、第１電源端子の電圧を出力し、
前記充電端子と前記充放電端子との間に前記充電器が接続されている場合であって、前記制御回路が充電を禁止する場合に、前記出力回路は、前記第１電源端子の電圧とは異なる前記検出端子の電圧を出力し、
前記充電端子と前記充放電端子との間に前記充電器が接続されていない場合に、前記出力回路は、前記第１電源端子の電圧とは異なる前記第２電源端子の電圧を出力可能に構成されている
充放電制御回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記充電端子と前記充放電端子との間に前記充電器が接続されている場合であって、前記制御回路が充電を許可する場合に、前記第１電源端子の電圧によって前記放電制御スイッチおよび前記充電制御スイッチがオンし、
前記充電端子と前記充放電端子との間に前記充電器が接続されている場合であって、前記制御回路が充電を禁止する場合に、前記検出端子の電圧によって前記充電制御スイッチがオフし、
前記充電端子と前記充放電端子との間に前記充電器が接続されていない場合であって、前記二次電池からの放電電流が前記充電経路を流れる場合に、前記第２電源端子の電圧によって前記放電制御スイッチがオフする
請求項２に記載の充放電制御回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一実施形態は、二次電池の第１電極に接続される第１電源端子と、前記二次電池の第２電極に接続される第２電源端子と、放電制御スイッチのゲート端子と充電制御スイッチのゲート端子とに接続される充電制御端子と、検出端子と、制御回路と、前記充電制御端子から充電制御信号を出力する出力回路とを備え、前記放電制御スイッチおよび前記充電制御スイッチは、前記第２電極に接続される充電経路に配置され、前記検出端子は、前記充電経路のうちの、前記放電制御スイッチおよび前記充電制御スイッチを隔てて前記第２電極の反対側の位置に接続され、前記充電経路に設けられる充電端子と、前記第１電極に接続される充放電経路に設けられる充放電端子との間に、充電器が接続されている場合であって、前記制御回路が充電を許可する場合に、前記出力回路は、第１電源端子の電圧を出力し、前記充電端子と前記充放電端子との間に前記充電器が接続されている場合であって、前記制御回路が充電を禁止する場合に、前記出力回路は、前記第１電源端子の電圧とは異なる前記検出端子の電圧を出力し、前記充電端子と前記充放電端子との間に前記充電器が接続されていない場合に、前記出力回路は、前記第１電源端子の電圧とは異なる前記第２電源端子の電圧を出力可能に構成されている充放電制御回路である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の一実施形態の充放電制御回路では、前記充電端子と前記充放電端子との間に前記充電器が接続されている場合であって、前記制御回路が充電を許可する場合に、前記第１電源端子の電圧によって前記放電制御スイッチおよび前記充電制御スイッチがオンし、前記充電端子と前記充放電端子との間に前記充電器が接続されている場合であって、前記制御回路が充電を禁止する場合に、前記検出端子の電圧によって前記充電制御スイッチがオフし、前記充電端子と前記充放電端子との間に前記充電器が接続されていない場合であって、前記二次電池からの放電電流が前記充電経路を流れる場合に、前記第２電源端子の電圧によって前記放電制御スイッチがオフする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月12日(2020.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢＳデジタル放送あるいは高度ＢＳデジタル放送を受信するためのＢＳチューナと、
広帯域ＣＳデジタル放送あるいは高度広帯域ＣＳデジタル放送を受信するためのＣＳチューナと、
受信可能な放送波種別の放送波をサーチし、前記放送波種別ごとの前記放送波の放送信号に含まれるサービス識別を検出し、検出した前記サービス識別を情報として保持する第１の制御部と、
受信する放送波のサービスを選択するために、前記ＢＳデジタル放送を受信するときに選択されるＢＳボタンと、前記広帯域ＣＳデジタル放送を受信するときに選択されるＣＳボタンと、前記高度ＢＳデジタル放送あるいは前記高度広帯域ＣＳデジタル放送を受信するときに選択される高度ボタンと、前記放送波種別ごとのサービスに対応したチャンネルを変更するためのボタンとを有するリモートコントローラと、
前記保持されている前記サービス識別の中から前記リモートコントローラの操作により選択される任意のサービス識別の放送信号のうち少なくとも映像信号をデコードし表示用出力を得る第２の制御部とを備える、テレビジョン受信機。
【請求項２】
前記サービス識別は、チャンネルリストを生成するための情報である、請求項１記載のテレビジョン受信機。
【請求項３】
前記第２の制御部が、前記デコード及び前記表示用出力の機能力に応じたサービス識別を決める場合、放送局から送られてくるサービス形式種別の情報を参照する、請求項１記載のテレビジョン受信機。
【請求項４】
前記第１の制御部が、前記第２の制御部の前記デコード及び前記表示用出力の機能力に応じた前記サービス識別を決める場合、前記放送局から送られてくるサービス形式種別の情報を参照する、請求項３記載のテレビジョン受信機。
【請求項５】
前記サービス形式種別は、４Ｋ画質用の映像信号と、８Ｋ画質用の映像信号を識別する情報である、請求項３又は４記載のテレビジョン受信機。
【請求項６】
前記第２の制御部が、前記第１の制御部が保持した前記サービス識別の情報に基づいて前記映像信号を選択して処理する場合、前記リモートコントローラから前記高度ＢＳデジタル放送あるいは前記高度広帯域ＣＳデジタル放送の放送種別を与えられている場合は、当該放送種別に含まれる前記サービス識別の情報に基づいて前記映像信号を選択する、請求項１記載のテレビジョン受信機。
【請求項７】
受信可能な放送波種別の放送波をサーチし、前記放送波種別ごとの前記放送波の放送信号に含まれるサービス識別を検出し、前記サービス識別を情報として保持する第１の制御部と、前記保持されている前記サービス識別の中から選択される任意のサービス識別の放送信号のうち少なくとも映像信号をデコードし表示用出力を得る第２の制御部と、を備えるテレビジョン受信機の受信方法であって、
前記第２の制御部により、前記映像信号をデコードし表示用出力を得る場合、前記デコード及び前記表示用出力の機能力に応じたサービス識別に基づいて、前記映像信号を前記デコードし前記表示用出力を得る、テレビジョン受信機の受信方法。
【請求項８】
受信可能な放送波種別の放送波をサーチし、前記放送波種別ごとの前記放送波の放送信号に含まれるサービス識別を検出し、前記サービス識別を情報として保持する第１の制御部と、前記保持されているサービス識別の中から選択される任意のサービス識別の放送信号のうち少なくとも映像信号をデコードし表示用出力を得る第２の制御部と、を備えるテレビジョン受信機の受信方法であって、
前記第１の制御部により、前記サービス識別を情報として保持する場合、少なくとも前記第２の制御部の前記デコード及び前記表示用出力の機能力に応じたサービス識別を前記情報として保持し、
前記第２の制御部により、前記第１の制御部が保持した前記サービス識別の情報に基づいて前記映像信号を選択して処理する、テレビジョン受信機の受信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一実施形態によれば、ＢＳデジタル放送あるいは高度ＢＳデジタル放送を受信するためのＢＳチューナと、
広帯域ＣＳデジタル放送あるいは高度広帯域ＣＳデジタル放送を受信するためのＣＳチューナと、
受信可能な放送波種別の放送波をサーチし、前記放送波種別ごとの前記放送波の放送信号に含まれるサービス識別を検出し、検出した前記サービス識別を情報として保持する第１の制御部と、
受信する放送波のサービスを選択するために、前記ＢＳデジタル放送を受信するときに選択されるＢＳボタンと、前記広帯域ＣＳデジタル放送を受信するときに選択されるＣＳボタンと、前記高度ＢＳデジタル放送あるいは前記高度広帯域ＣＳデジタル放送を受信するときに選択される高度ボタンと、前記放送波種別ごとのサービスに対応したチャンネルを変更するためのボタンとを有するリモートコントローラと、
前記保持されている前記サービス識別の中から前記リモートコントローラの操作により選択される任意のサービス識別の放送信号のうち少なくとも映像信号をデコードし表示用出力を得る第２の制御部とを備える、テレビジョン受信機が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
他の実施形態によれば、受信可能な放送波種別の放送波をサーチし、前記放送波種別ごとの前記放送波の放送信号に含まれるサービス識別を検出し、前記サービス識別を情報として保持する第１の制御部と、前記保持されている前記サービス識別の中から選択される任意のサービス識別の放送信号のうち少なくとも映像信号をデコードし表示用出力を得る第２の制御部と、を備えるテレビジョン受信機の受信方法であって、
前記第２の制御部により、前記映像信号をデコードし表示用出力を得る場合、前記デコード及び前記表示用出力の機能力に応じたサービス識別に基づいて、前記映像信号を前記デコードし前記表示用出力を得る、テレビジョン受信機の受信方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月23日(2020.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
一方、ステップS602において、温度安定化ユニット201が放射線撮影装置1に接続されている（温度安定化ユニット201が有効に機能している）場合（ステップS602でYes）、処理はステップS608に進む。なお、ステップS603において、バッテリの残容量が所定量より大きい場合も（ステップS603でNo）、同様に処理はステップS608に進む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
＜第四の実施形態＞
第四の実施形態では、放射線撮影装置1が温度安定化ユニット201に接続されているか否かの判定に加えて、要求される撮影枚数に応じて、オフセット補正の方法を切り換える例について説明する。ここで、要求される撮影枚数というのは、事前に撮影枚数が決められる撮影における撮影枚数を意味する。事前に撮影枚数が決められる撮影には、例えば、トモシンセシスや血管造影におけるDSA（Digital Subtraction Angiography）における撮影などが挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
一方、ステップS702において、温度安定化ユニット201が放射線撮影装置1に接続されている（温度安定化ユニット201が有効に機能している）場合（ステップS702でYes）、処理はステップS708に進む。なお、ステップS703において、S701で受信した撮影モードに含まれる要求される撮影枚数が所定枚数未満の場合も（ステップS703でNo）、同様に処理はステップS708に進む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
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