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【手続補正書】
【提出日】令和2年11月5日(2020.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイヤ摩耗状態を推定するタイヤシステムであって、
車両に備えられるタイヤ（４）に対応して配置され、前記タイヤに関するデータを送信するタイヤ側装置（１）と、
前記タイヤに関するデータに基づいてタイヤ摩耗状態を推定する摩耗推定部（３）と、を備え、
前記タイヤ側装置は、前記タイヤに関するデータとして、該タイヤの製造されてからの経過時間に関するデータを保持し、前記摩耗推定部に対して前記経過時間に関するデータを送信し、
前記摩耗推定部は、前記タイヤが使用開始されてからの走行距離と前記経過時間に関するデータが示すタイヤ劣化度とに基づいて前記タイヤ摩耗状態を推定し、
前記摩耗推定部は、タイヤ種に関するデータの入力を行う情報入力部（３２）と、前記タイヤ種に対応した前記タイヤの摩耗のし難さの指標となるライフ性能値を記憶したデータベースを有する通信センター（２００）に対して前記タイヤ種に関するデータを送信すると共に、該通信センターから送信した前記タイヤ種に関するデータが表す前記タイヤ種と対応する前記ライフ性能値に関するデータを取得し、前記走行距離と前記タイヤ劣化度に加えて前記ライフ性能値に基づいて前記タイヤ摩耗状態を推定する制御部（３３）と、を有しているタイヤシステム。
【請求項２】
前記摩耗推定部は、前記走行距離に基づいて算出されるタイヤ摩耗量の基準値となる基準摩耗量を前記タイヤ劣化度に基づいて補正することで、前記タイヤ摩耗状態の推定を行う請求項１に記載のタイヤシステム。
【請求項３】
前記タイヤ側装置は、前記タイヤの回転に応じた検出信号を出力する回転検出部（１１）と、前記検出信号に基づいて前記走行距離を算出する距離取得部を構成すると共に前記経過時間に関するデータに加えて前記走行距離に関するデータの送信を制御する制御部（１２）と、を有し、
前記摩耗推定部は、前記走行距離に関するデータと前記経過時間に関するデータに基づいて、前記タイヤ摩耗状態を推定する請求項１または２に記載のタイヤシステム。
【請求項４】
前記摩耗推定部は、データ入力を行う情報入力部（３２）と、前記情報入力部から入力されたデータを用いて前記タイヤ摩耗状態を推定する制御部（３３）と、を有し、
前記情報入力部は、前記走行距離に関するデータを入力し、
前記制御部は、前記情報入力部から入力された前記走行距離に関するデータと前記タイヤ側装置から送信されてきた前記経過時間に関するデータが示す前記タイヤ劣化度とに基づいて前記タイヤ摩耗状態を推定する請求項１または２に記載のタイヤシステム。
【請求項５】
前記タイヤ側装置は、タイヤ空気圧監視システムにおけるタイヤ空気圧の検出を行って該タイヤ空気圧に関するデータを送信するセンサ送信機であり、前記タイヤに関するデータとして、該タイヤの製造されてからの経過時間に関するデータを保持しつつ、タイヤ交換が行われると前記経過時間をリセットし、前記タイヤ交換からの時間を新たに前記経過時間に関するデータとして保持する請求項１ないし４のいずれか１つに記載のタイヤシステム。
【請求項６】
タイヤ摩耗状態を推定するタイヤシステムであって、
車両に備えられるタイヤ（４）に対応して配置され、前記タイヤに関するデータを送信するタイヤ側装置（１）と、
前記タイヤに関するデータに基づいてタイヤ摩耗状態を推定する摩耗推定部（３）と、を備え、
前記タイヤ側装置は、前記タイヤの回転に応じた検出信号を出力する回転検出部（１１）と、前記検出信号に基づいて走行距離を算出する距離取得部を構成すると共に前記走行距離に関するデータの送信を制御する第１制御部（１２）と、を有し、
前記摩耗推定部は、データ入力を行う情報入力部（３２）と、前記情報入力部から入力されたデータを用いて前記タイヤ摩耗状態を推定する第２制御部（３３）と、を有し、
前記情報入力部は、前記タイヤに関するデータとして、該タイヤの製造されてからの経過時間に関するデータを入力し、前記タイヤ側装置から送信されてきた前記走行距離に関するデータと前記経過時間に関するデータが示すタイヤ劣化度とに基づいて前記タイヤ摩耗状態を推定し、
さらに、前記摩耗推定部は、前記情報入力部にてタイヤ種に関するデータを入力し、前記第２制御部にて、前記タイヤ種に対応した前記タイヤの摩耗のし難さの指標となるライフ性能値を記憶したデータベースを有する通信センター（２００）に対して前記タイヤ種に関するデータを送信すると共に、該通信センターから送信した前記タイヤ種に関するデータが表す前記タイヤ種と対応する前記ライフ性能値に関するデータを取得し、前記走行距離と前記タイヤ劣化度に加えて前記ライフ性能値に基づいて前記タイヤ摩耗状態を推定するタイヤシステム。
【請求項７】
前記摩耗推定部は、前記車両とは別に設けられ、ユーザに所持される携帯機（３）である請求項１ないし６のいずれか１つに記載のタイヤシステム。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載のタイヤ摩耗状態を推定するタイヤシステムは、車両に備えられるタイヤ（４）に対応して配置され、タイヤに関するデータを送信するタイヤ側装置（１）と、タイヤに関するデータに基づいてタイヤ摩耗状態を推定する摩耗推定部（３）と、を備え、タイヤ側装置は、タイヤに関するデータとして、該タイヤの製造されてからの経過時間に関するデータを保持し、摩耗推定部に対して経過時間に関するデータを送信し、摩耗推定部は、タイヤが使用開始されてからの走行距離と経過時間に関するデータが示すタイヤ劣化度とに基づいてタイヤ摩耗状態を推定する。また、摩耗推定部は、タイヤ種に関するデータの入力を行う情報入力部（３２）と、タイヤ種に対応したタイヤの摩耗のし難さの指標となるライフ性能値を記憶したデータベースを有する通信センター（２００）に対してタイヤ種に関するデータを送信すると共に、通信センターから送信したタイヤ種に関するデータが表すタイヤ種と対応するライフ性能値に関するデータを取得し、走行距離とタイヤ劣化度に加えてライフ性能値に基づいてタイヤ摩耗状態を推定する制御部（３３）と、を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このように、経過時間に関するデータが表すタイヤ劣化度に基づいてタイヤ摩耗状態の推定を行っている。このため、単に走行距離に基づいてタイヤ摩耗状態を推定するのではなく、タイヤ劣化度を加味して推定することが可能となる。これにより、より精度良くタイヤ摩耗状態を推定することが可能となる。また、タイヤ劣化度に加えてライフ性能値を加味してタイヤ摩耗状態を推定しているため、タイヤ種に応じたタイヤの削れ具合の差を加味して推定することが可能となる。したがって、更に精度良くタイヤ摩耗状態を推定することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月9日(2020.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出対象から入射する電磁波を結像する第１結像部と、
基準面を有し、前記第１結像部から前記基準面に入射する電磁波を第１方向へ進行させる進行部と、
前記第１方向へ進行した電磁波を検出する第１検出部と
を備える電磁波検出装置の調整方法であって、
前記第１結像部と前記基準面の少なくとも一部との間の距離である結像距離を変更する変更ステップと、
変更された前記結像距離において、前記第１方向へ進行した電磁波を前記第１検出部によって検出する検出ステップと、
前記検出ステップにおける検出結果に基づいて判定値を算出する算出ステップと、
前記判定値が基準値以上となったときの前記結像距離に基づいて、前記第１結像部と前記進行部との位置を調整する調整ステップと
を含む、電磁波検出装置の調整方法。
【請求項２】
前記検出ステップにおいて、前記検出対象に含まれる１つの点から入射する電磁波に基づいて、前記１つの点までの距離情報を、前記検出結果として検出する、請求項１に記載の電磁波検出装置の調整方法。
【請求項３】
前記検出ステップにおいて、前記検出対象に含まれる複数の点それぞれから入射する電磁波に基づいて、前記複数の点それぞれまでの距離情報を、前記検出結果として検出する、請求項１に記載の電磁波検出装置の調整方法。
【請求項４】
前記検出対象は、特定のパターンを含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電磁波検出装置の調整方法。
【請求項５】
前記検出対象は、平面を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電磁波検出装置の調整方法。
【請求項６】
前記進行部は、前記基準面に沿って位置する複数の画素を備え、
前記各画素は、前記第１結像部から前記基準面に入射した電磁波を、第１方向へ進行させる第１状態と、前記第１方向と異なる第２方向へ進行させる第２状態とのいずれかの状態に遷移し、
前記各画素を前記第１状態及び前記第２状態のいずれかの状態に遷移させることによって、前記検出対象に含まれる少なくとも１つの点から入射する電磁波を第１方向へ進行させる進行ステップをさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電磁波検出装置の調整方法。
【請求項７】
前記第２方向へ進行した電磁波を検出する第２検出部を備える、請求項６に記載の電磁波検出装置の調整方法。
【請求項８】
前記第１検出部及び前記第２検出部の検出対象に向けて電磁波を放射する放射部をさらに備える、請求項７に記載の電磁波検出装置の調整方法。
【請求項９】
前記放射部は、第１放射部と第２放射部とを含み、
前記第１検出部は、前記第１放射部から放射された電磁波の反射波を検出し、
前記第２検出部は、前記第２放射部から放射された電磁波の反射波を検出する、請求項８に記載の電磁波検出装置の調整方法。
【請求項１０】
前記第１検出部及び前記第２検出部は、同一の前記放射部から放射された電磁波の反射波を検出する、請求項８又は９に記載の電磁波検出装置の調整方法。
【請求項１１】
前記放射部が放射する電磁波を走査する走査部をさらに備える、請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の電磁波検出装置の調整方法。
【請求項１２】
前記電磁波検出装置は、
前記検出対象へ電磁波を放射する放射部と、
前記基準面に沿って配置され、各々が前記放射部から放射された電磁波が前記検出対象で反射した反射波を前記第１方向へ進行させる第１状態又は前記第１方向へ進行させない第２状態へ遷移する複数の画素と、
前記第１検出部によって検出される前記反射波のうち、所定以上の強度を有する前記反射波の検出に基づいて前記検出対象との距離を算出する制御部と
を有し、
前記算出ステップにおいて、前記制御部によって算出された距離に基づき前記判定値を算出する、請求項１乃至５に記載の電磁波調整装置の調整方法。
【請求項１３】
前記電磁波検出装置において、
前記検出対象は、第１距離に位置する第１領域と、前記第１距離と異なる第２距離に位置する第２領域を有し、前記第１領域と前記第２領域は前記電磁波検出装置からの平面視において互いに隣接しており、
前記算出ステップにおいて、前記放射部が前記検出対象へ放射した電磁波の前記反射波が入射する、前記第１状態として前記画素からの電磁波に基づいて検出する前記検出対象との距離の検出数に基づいて前記判定値を算出する、請求項１２に記載の電磁波調整装置の調整方法。
【請求項１４】
前記電磁波検出装置において、
前記検出対象は、第１距離に位置する第１領域と、前記第１距離と異なる第２距離に位置する第２領域を有し、前記第１領域と前記第２領域は前記電磁波検出装置からの平面視において互いに隣接しており、
前記算出ステップにおいて、前記放射部が前記第１領域へ放射した電磁波の前記反射波が入射する、前記第１状態とした前記画素に、前記第２領域からの電磁波が入射するか否かに基づいて前記判定値を算出する、請求項１２に記載の電磁波調整装置の調整方法。
【請求項１５】
前記電磁波検出装置は、前記放射部から放射した電磁波の放射方向を変化させて前記検出対象を走査する走査部を有し、
前記制御部は、走査された前記検出対象からの前記反射波が入射する前記画素を前記第１状態へ遷移させることで電磁波が放射される前記検出対象の各領域までの距離を測定し、
前記算出ステップにおいて、測定された複数の距離と前記画素とを対応付けた結果の分布に基づいて前記判定値を算出する、請求項１２に記載の電磁波調整装置の調整方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の電磁波検出装置の調整方法によって前記第１結像部と前記進行部との位置が調整された、
電磁波検出装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月4日(2020.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上流側から流体を導入する導入ポートと、下流側へ流体を導出する導出ポートと、前記導入ポートと前記導出ポートとを連通させる第１弁孔と、前記第１弁孔と同軸状に設けられたガイド孔とを有するボディと、
前記導入ポートに連通する入口ポートと、前記導出ポートに連通する出口ポートと、前記入口ポートと前記出口ポートとをつなぐ通路に前記第１弁孔と同軸状に設けられた第２弁孔とを有し、前記ガイド孔に摺動可能に支持され、前記第１弁孔に接離して第１弁を開閉する第１弁体と、
前記第１弁体を前記第１弁の開閉方向に駆動するためのロータを含むモータと、
前記ロータに同軸状に接続されたシャフトと、
前記シャフトに一体に設けられ、前記第１弁体に同軸状に挿通され、前記第２弁孔に接離して第２弁を開閉する第２弁体と、
前記第１弁体を前記第１弁の閉弁方向に付勢する第１スプリングと、
前記第１スプリングと同軸状に設けられ、前記第２弁体を前記第２弁の閉弁方向に付勢する第２スプリングと、
前記ロータの回転運動を前記シャフトの並進運動に変換するねじ送り機構と、
前記第２弁体のリフト量が所定値以上となったときに前記第１弁体と前記第２弁体とを一体変位可能に作動連結する作動連結機構と、
を備えたことを特徴とする電動弁。
【請求項２】
前記第２スプリングが、前記第１弁体と前記シャフトとの間に介装されていることを特徴とする請求項１に記載の電動弁。
【請求項３】
前記ガイド孔と前記第１弁体との間に介装された第１シールリングをさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の電動弁。
【請求項４】
前記第１弁体の内方に前記第２弁体を収容する弁室が形成され、
前記第１弁体の前記第１弁孔とは反対側に背圧室が形成され、
前記弁室と前記背圧室とが連通し、
前記第２弁孔とは異なる位置で前記弁室と前記第１弁孔とを連通する連通路が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の電動弁。
【請求項５】
前記第１弁体と前記第２弁体との間に介装された第２シールリングをさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の電動弁。
【請求項６】
前記ガイド孔および前記第１弁体の一方に前記第１シールリングが嵌着され、他方における前記第１シールリングとの当接面に潤滑表面処理が施されていることを特徴とする請求項３に記載の電動弁。
【請求項７】
前記ガイド孔および前記第１弁体の一方に前記第１シールリングが嵌着され、他方と前記第１シールリングとが当接し、前記ガイド孔および前記第１弁体のうち前記一方には、前記第１シールリングの前記当接がされる面とは反対側の面に前記第１弁孔の上流側圧力を導入するための圧力導入路が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電動弁。
【請求項８】
前記第１弁体および前記第２弁体の一方に前記第２シールリングが嵌着され、他方における前記第２シールリングとの当接面に潤滑表面処理が施されていることを特徴とする請求項５に記載の電動弁。
【請求項９】
前記第１弁体および前記第２弁体の一方に前記第２シールリングが嵌着され、他方と前記第２シールリングとが当接し、前記第１弁体および前記第２弁体のうち前記一方には、前記第２シールリングの前記当接がされる面とは反対側の面に前記第１弁孔の上流側圧力を導入するための圧力導入路が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電動弁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の電動弁は、上流側から流体を導入する導入ポートと、下流側へ流体を導出する導出ポートと、前記導入ポートと前記導出ポートとを連通させる第１弁孔と、前記第１弁孔と同軸状に設けられたガイド孔とを有するボディと、前記導入ポートに連通する入口ポートと、前記導出ポートに連通する出口ポートと、前記入口ポートと前記出口ポートとをつなぐ通路に前記第１弁孔と同軸状に設けられた第２弁孔とを有し、前記ガイド孔に摺動可能に支持され、前記第１弁孔に接離して第１弁を開閉する第１弁体と、前記第１弁体を前記第１弁の開閉方向に駆動するためのロータを含むモータと、前記ロータに同軸状に接続されたシャフトと、前記シャフトに一体に設けられ、前記第１弁体に同軸状に挿通され、前記第２弁孔に接離して第２弁を開閉する第２弁体と、前記第１弁体を前記第１弁の閉弁方向に付勢する第１スプリングと、前記第１スプリングと同軸状に設けられ、前記第２弁体を前記第２弁の閉弁方向に付勢する第２スプリングと、前記ロータの回転運動を前記シャフトの並進運動に変換するねじ送り機構と、前記第２弁体のリフト量が所定値以上となったときに前記第１弁体と前記第２弁体とを一体変位可能に作動連結する作動連結機構と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月9日(2020.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体中のイオンの濃度を測定する電解質濃度測定装置において、
前記液体を供給されるイオン選択性電極と、
電位の基準となる比較電極と、
前記イオン選択性電極の電位を取得する電位測定部と、
前記電位測定部にて取得した電位から前記液体中に含まれるイオンの濃度を算出する濃度算出部と、
前記イオン選択性電極の電位を監視して電位応答曲線を生成する電位監視部と、
各種動作のタイミングに関するタイミング信号を取得するタイミング信号取得部と、
前記電位応答曲線及び前記タイミング信号の関連性に基づき装置の異常予兆を検知する電位応答曲線解析部と
を備え、
前記電位応答曲線解析部は、機構部の動作時及びその直後の前記電位応答曲線の波形から、電極の物理的な変化及び前記機構部の劣化の予兆を判断する電解質濃度測定装置。
【請求項２】
液体中のイオンの濃度を測定する電解質濃度測定装置において、
前記液体を供給されるイオン選択性電極と、
電位の基準となる比較電極と、
前記イオン選択性電極の電位を取得する電位測定部と、
前記電位測定部にて取得した電位から前記液体中に含まれるイオンの濃度を算出する濃度算出部と、
前記イオン選択性電極の電位を監視して電位応答曲線を生成する電位監視部と、
各種動作のタイミングに関するタイミング信号を取得するタイミング信号取得部と、
前記電位応答曲線及び前記タイミング信号の関連性に基づき装置の異常予兆を検知する電位応答曲線解析部と
を備え、
前記電位応答曲線解析部は、前記液体の流路内での前記液体の移動に関係する機構部の動作停止時における電位応答曲線の波形から、前記イオン選択性電極のイオン感応膜の表面の汚染を判断する電解質濃度測定装置。
【請求項３】
液体中のイオンの濃度を測定する電解質濃度測定装置において、
前記液体を供給されるイオン選択性電極と、
電位の基準となる比較電極と、
前記イオン選択性電極の電位を取得する電位測定部と、
前記電位測定部にて取得した電位から前記液体中に含まれるイオンの濃度を算出する濃度算出部と、
前記イオン選択性電極の電位を監視して電位応答曲線を生成する電位監視部と、
各種動作のタイミングに関するタイミング信号を取得するタイミング信号取得部と、
前記電位応答曲線及び前記タイミング信号の関連性に基づき装置の異常予兆を検知する電位応答曲線解析部と
を備え、
装置内の挙動を検知するセンサを更に備え、
前記電位応答曲線解析部は、前記電位応答曲線、前記タイミング信号、及び前記センサの検出信号の関連性に基づき異常予兆を検知する電解質濃度測定装置。
【請求項４】
前記電位応答曲線解析部は、前記タイミング信号が得られたタイミングにおける前記電位応答曲線の特徴量を算出し、この特徴量に従って装置の異常予兆を検知する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電解質濃度測定装置。
【請求項５】
前記電位応答曲線解析部は、
前記電位応答曲線の特徴量に関するライブラリデータを有し、前記ライブラリデータの特徴量を、電位応答曲線の特徴量と比較して装置の異常予兆を検知する、請求項４に記載の電解質濃度測定装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月19日(2020.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出通路が内部に形成される吐水部材を備え、
前記吐出通路は、水を吐き出すための吐出口と、上流側から流入する水を溜めるための貯溜室と、前記貯溜室内の水を前記吐出口に送り出すための絞り流路とにより形成され、
前記吐水部材は、第１分割部材と第２分割部材を組み付けて構成され、
前記吐出口、前記貯溜室及び前記絞り流路のそれぞれが前記第１分割部材と前記第２分割部材の両方により画定され、
前記吐出口の横幅方向での前記吐出通路の寸法を通路幅とし、前記横幅方向に直交する水平方向を前後方向とし、前記前後方向での前記吐出通路の寸法を奥行寸法としたとき、前記吐出通路は、平面視において、前記通路幅より前記奥行寸法が小さくなるように形成されることを特徴とする吐水装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月5日(2020.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｄを含まず、蛍光半値幅が、４０ｎｍ以下であり、Ｃｕの残存量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする量子ドット。
【請求項２】
前記量子ドットのコアが、ＺｎＴｅＳ、ＺｎＴｅＳｅ、或いは、ＺｎＴｅＳｅＳで形成されており、
前記量子ドットの蛍光半値幅が、２５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の量子ドット。
【請求項３】
前記量子ドットは、前記ナノクリスタルをコアとし、前記コアの表面にシェルが被覆されたコアシェル構造を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の量子ドット。
【請求項４】
蛍光波長が、４００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の量子ドット。
【請求項５】
前記量子ドットの表面が配位子で覆われていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の量子ドット。
【請求項６】
前記配位子は、脂肪族アミン系化合物、ホスフィン系化合物、及び、脂肪族カルボン酸系化合物の少なくともいずれか１種から選択されることを特徴とする請求項５に記載の量子ドット。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の量子ドットを含むことを特徴とする波長変換部材。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の量子ドットを含むことを特徴とする照明部材。
【請求項９】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の量子ドットを含むことを特徴とするバックライト装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の量子ドットを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
有機銅化合物、或いは、無機銅化合物と、有機カルコゲン化合物とから、前駆体としての銅カルコゲニドを合成し、前記前駆体を用いて、Ｃｄを含まない量子ドットを合成し、前記量子ドットの銅の残存量を１００ｐｐｍ以下とすることを特徴とする量子ドットの製造方法。
【請求項１２】
前記銅カルゴゲニドからなる前駆体の銅と亜鉛とを金属交換することを特徴とする請求項１１に記載の量子ドットの製造方法。
【請求項１３】
金属交換反応を、１８０℃以上２８０℃以下で行うことを特徴とする請求項１２に記載の量子ドットの製造方法。
【請求項１４】
前記銅カルコゲニドを、１６０℃以上２５０℃以下の反応温度で合成することを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の量子ドットの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明における量子ドットは、Ｃｄを含まず、蛍光半値幅が、４０ｎｍ以下であり、Ｃｕの残存量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。本発明では、前記量子ドットのコアが、ＺｎＴｅＳ、ＺｎＴｅＳｅ、或いは、ＺｎＴｅＳｅＳで形成されており、前記量子ドットの蛍光半値幅が、２５ｎｍ以下であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の量子ドットの製造方法は、有機銅化合物、或いは、無機銅化合物と、有機カルコゲン化合物とから、前駆体としての銅カルコゲニドを合成し、前記前駆体を用いて、Ｃｄを含まない量子ドットを合成し、前記量子ドットのＣｕの残存量を１００ｐｐｍ以下とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月27日(2020.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素繊維とマトリクス樹脂を含むプリプレグであって、
前記マトリクス樹脂がエポキシ樹脂、成分（Ｃ）、及び成分（Ｄ）を含んでなる硬化性樹脂組成物であり、
前記硬化性樹脂組成物は、前記硬化性樹脂組成物を２枚のガラス板の間に注入して、板状に成形し、２℃／分で昇温し、オーブン雰囲気温度１３５℃で９０分保持して加熱硬化させて、厚さ２ｍｍの樹脂板を作製した樹脂板について測定した曲げ弾性率が３．７〜６ＧＰａ、破断伸度が７〜１５％である、プリプレグ。
成分（Ｃ）：２官能以上の（メタ）アクリレート化合物類、および
成分（Ｄ）：ラジカル重合開始剤を含む硬化剤。
【請求項２】
前記成分（Ｃ）が、エチレングリコール、ビスフェノールＡ、又はエチレングリコール若しくはビスフェノールＡにエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド若しくはカプロラクトンを付加して得たジオール類を（メタ）アクリル酸と反応させることによりエステル化して得たジ（メタ）アクリレート類；トリメチロールプロパン、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート又はペンタエリスリトールにエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド若しくはカプロラクトンを付加して得たアルコール類を（メタ）アクリル酸と反応させることによりエステル化して得たトリ（メタ）アクリレート類；及びジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、又はペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール若しくはトリペンタエリスリトールにエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド若しくはカプロラクトンを付加して得たポリオール類を（メタ）アクリル酸と反応させることによりエステル化して得たポリ（メタ）アクリレート類からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物である、請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
前記成分（Ｄ）がさらにジシアンジアミド、ウレア類、イミダゾール類、芳香族アミン類の中から選ばれる少なくとも１種である成分（ｄ１）を含む、請求項１又は２に記載のプリプレグ。
【請求項４】
前記成分（ｄ１）を前記硬化性樹脂組成物に含まれる全エポキシ樹脂１００質量部に対し、１〜１５質量部含む、請求項３に記載のプリプレグ。
【請求項５】
前記成分（ｄ２）を前記硬化性樹脂組成物に含まれる全エポキシ樹脂および全（メタ）アクリレート化合物類の合計１００質量部に対し、０．１〜５質量部含む、請求項４に記載のプリプレグ。
【請求項６】
前記成分（Ｃ）を前記硬化性樹脂組成物に含まれる全エポキシ樹脂１００質量部に対し、５〜４５質量部含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプリプレグ。
【請求項７】
さらに、成分（Ｅ）として熱可塑性樹脂を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプリプレグ。
【請求項８】
前記成分（Ｅ）を前記硬化性樹脂組成物に含まれる全エポキシ樹脂１００質量部に対して１質量部以上１５質量部以下含む、請求項７に記載のプリプレグ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のプリプレグを硬化して得られる、繊維強化プラスチック。
【請求項１０】
ビスフェノール型エポキシ樹脂とエチレングリコール、ビスフェノールＡ、又はエチレングリコール若しくはビスフェノールＡにエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド若しくはカプロラクトンを付加して得たジオール類を（メタ）アクリル酸と反応させることによりエステル化して得たジ（メタ）アクリレート類；トリメチロールプロパン、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート又はペンタエリスリトールにエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド若しくはカプロラクトンを付加して得たアルコール類を（メタ）アクリル酸と反応させることによりエステル化して得たトリ（メタ）アクリレート類；及びジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、又はペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール若しくはトリペンタエリスリトールにエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド若しくはカプロラクトンを付加して得たポリオール類を（メタ）アクリル酸と反応させることによりエステル化して得たポリ（メタ）アクリレート類からなる群より選ばれる少なくとも１種の（メタ）アクリレートとの海島構造を有し、ラジカル重合開始剤を含むマトリクス樹脂と炭素繊維からなるプリプレグを硬化して得られる繊維強化プラスチックであって、前記繊維強化プラスチックは、以下の（Ｉ）〜（ＶＩ）に記す方法で作製したときの曲げ強度が１８００ＭＰａ以上、曲げ弾性率が６５ＧＰａ以上、破断伸度が８％以上である、繊維強化プラスチック。
（Ｉ）作製した樹脂含有量２５質量％の一方向プリプレグから、縦２００ｍｍ×横７２ｍｍの長方形状のプリプレグを、長辺方向に対して繊維軸方向が４５度となるように、２枚切り出す。この２枚のプリプレグの繊維の方向をお互いに交差するように、かつ短辺方向に９ｍｍずらして張り合わせる。
（ＩＩ）離型処理したマンドレルに、上記張り合わせたプリプレグを、その長辺とマンドレル軸方向が同一方向になるように捲回した。マンドレルは、直径６ｍｍ、長さ３００ｍｍのステンレス製丸棒を使用する。
（ＩＩＩ）その上に、作製した一方向プリプレグから、縦２００ｍｍ×横１５３ｍｍの長方形状のプリプレグを、長辺方向が繊維方向となるように切り出したものを、その繊維方向がマンドレル軸方向と同一になるように、マンドレルに捲回する。
（ＩＶ）さらに、その上から、ラッピングテープとして、耐熱性フィルムテープを巻きつけて捲回物を覆い、硬化炉中、１３０℃で９０分間、加熱成形する。なお、ラッピングテープの幅は１５ｍｍ、張力は３Ｎ、巻き付けピッチ（巻き付け時のずれ量）は１ｍｍとし、これを積層体と同じ厚みになるようラッピングする。
（Ｖ）この後、マンドレルを抜き取り、ラッピングテープを除去して、内径６ｍｍ、長さ２００ｍｍの繊維強化プラスチックを得る。
【請求項１１】
管状である請求項９又は１０に記載の繊維強化プラスチック。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月16日(2020.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数層のエマルション粒子を含有する水性樹脂分散体を製造する方法であって、当該エマルション粒子の原料に用いられる単量体成分として酸基含有単量体の含有率が０．３質量％以下である単量体成分を多段で乳化重合させる際に、乳化重合に用いられる全単量体成分のうちの４５〜８５質量％の単量体成分を乳化重合させてｐＨが２．２〜２．８である水性樹脂分散体を調製した後、残りの単量体成分としてピペリジン基含有単量体を含有する単量体成分を用い、当該単量体成分を乳化重合させてｐＨが８．５〜１０である水性樹脂分散体を調製することを特徴とする水性樹脂分散体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、複数層のエマルション粒子を含有する水性樹脂分散体を製造する方法であって、当該エマルション粒子の原料に用いられる単量体成分として酸基含有単量体の含有率が０．３質量％以下である単量体成分を多段で乳化重合させる際に、乳化重合に用いられる全単量体成分のうちの４５〜８５質量％の単量体成分を乳化重合させてｐＨが２．２〜２．８である水性樹脂分散体を調製した後、残りの単量体成分としてピペリジン基含有単量体を含有する単量体成分を用い、当該単量体成分を乳化重合させてｐＨが８．５〜１０である水性樹脂分散体を調製することを特徴とする水性樹脂分散体の製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月26日(2020.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者の操作に応じて遊技球を発射し、該発射された遊技球を外レールと該外レールの内側に設けられた内レールとの間を通って上方へ誘導し、前記内レールの上端から遊技領域内に遊技球が進入しうる遊技機において、
前記遊技領域が前面側に形成された遊技パネルと、
前記遊技パネルに設けられ、枠内への遊技球の進入を阻害する周壁部を有する枠状のセンター役物と、
前記センター役物の前記周壁部における特定部位から枠外左方向に向けて延出し、前記遊技パネルの前面に沿って設けられた左方側延出領域部と、
前記遊技パネルの前面に沿って設けられた前記左方側延出領域部の面部から前方に突出した突出部と、
前記左方側延出領域部の後側に設けられた特定の発光部と、
所定の演出を実行する演出実行手段と、を備え、
前記左方側延出領域部には、前記内レールの上端よりも上方で、且つ、前記センター役物の前記周壁部と前記外レールとの間に前記突出部が位置するように設けられており、当該突出部によって、前記内レールの上端から前記遊技領域内に進入した遊技球の流下態様に変化を与えることを可能にし、
前記演出実行手段は、前記左方側延出領域部の後側に設けられた前記特定の発光部を発光させる発光演出を実行可能であり、
さらに、前記センター役物の前記周壁部における所定部位から枠外右方向に向けて延出する右方側延出領域部が前記遊技パネルの前面に沿って設けられる
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、上記したような従来の遊技機は、遊技領域に斬新さが無く、遊技興趣の低下を招くおそれがあった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記した目的を達成するため、本発明は、
遊技者の操作に応じて遊技球を発射し、該発射された遊技球を外レールと該外レールの内側に設けられた内レールとの間を通って上方へ誘導し、前記内レールの上端から遊技領域内に遊技球が進入しうる遊技機において、
前記遊技領域が前面側に形成された遊技パネルと、
前記遊技パネルに設けられ、枠内への遊技球の進入を阻害する周壁部を有する枠状のセンター役物と、
前記センター役物の前記周壁部における特定部位から枠外左方向に向けて延出し、前記遊技パネルの前面に沿って設けられた左方側延出領域部と、
前記遊技パネルの前面に沿って設けられた前記左方側延出領域部の面部から前方に突出した突出部と、
前記左方側延出領域部の後側に設けられた特定の発光部と、
所定の演出を実行する演出実行手段と、を備え、
前記左方側延出領域部には、前記内レールの上端よりも上方で、且つ、前記センター役物の前記周壁部と前記外レールとの間に前記突出部が位置するように設けられており、当該突出部によって、前記内レールの上端から前記遊技領域内に進入した遊技球の流下態様に変化を与えることを可能にし、
前記演出実行手段は、前記左方側延出領域部の後側に設けられた前記特定の発光部を発光させる発光演出を実行可能であり、
さらに、前記センター役物の前記周壁部における所定部位から枠外右方向に向けて延出する右方側延出領域部が前記遊技パネルの前面に沿って設けられる
ことを特徴とする遊技機である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月21日(2020.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄イオンと、アルミニウムイオンと、酸化タングステンと、芳香族スルホン酸とが水性溶媒中に存在していることを特徴とする水性組成物。
【請求項２】
鉄イオンを、前記水性組成物に対して０．００００３質量％〜０．０８６７質量％含有する、請求項１に記載の水性組成物。
【請求項３】
アルミニウムイオンを、前記水性組成物に対して０．００２質量％〜６．６６質量％含有する、請求項１又は２に記載の水性組成物。
【請求項４】
酸化タングステンを、前記水性組成物に対して０．０００００１質量％〜０．００２６質量％含有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の水性組成物。
【請求項５】
芳香族スルホン酸を、前記水性組成物に対して０．０００１１質量％〜０．３６６７質量％含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の水性組成物。
【請求項６】
請求項１に記載の水性組成物から水分を除去することにより得られうる粉体組成物。
【請求項７】
物品の表面加工方法であって：
前記物品に請求項１〜５のいずれか一項に記載の水性組成物を適用する工程；及び
前記水性組成物から水分を除去する工程
を含む、方法。
【請求項８】
前記物品が、繊維及び／又は皮革を表面に有する物品である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
請求項６に記載の粉体組成物を含有する物品の製造方法であって、請求項１〜５のいずれか一項に記載の水性組成物又は請求項６に記載の粉体組成物と前記物品の原料との混合物を原料として用いて製造する工程を含む、方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の粉体組成物を含有する物品の製造方法であって、請求項１〜５のいずれか一項に記載の水性組成物又は請求項６に記載の粉体組成物を含有するインク又は塗料を前記物品に適用する工程を含む、方法。
【請求項１１】
前記物品が、繊維、皮革、及び樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を表面に有する物品である、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項６に記載の粉体組成物を表面に含む、物品。
【請求項１３】
繊維、皮革、及び樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を表面に有する物品である、請求項１２に記載の物品。
【請求項１４】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の水性組成物又は請求項６に記載の粉体組成物を含有する、インク又は塗料。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月13日(2020.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビタミンＤ化合物の制御放出のための貯蔵安定性製剤であって、
２５−ヒドロキシビタミンＤ2及び２５−ヒドロキシビタミンＤ3の一方または両方と、
セルロース化合物、ポロキサマー、ポリ（エチレンオキシド）ポリマー、ポビドン、ヒュームドシリカ、及びそれらの混合物から成る群から選択される物質を含む安定化剤と、
の混合物を含み、前記安定化剤は、あらゆる追加のコーティングまたは殻を除く前記製剤の総計重量（重量％）に基づいて前記製剤の少なくとも約５％の量で存在する、前記製剤。
【請求項２】
前記安定化剤の量が、２５℃で６０％相対湿度の貯蔵条件に２ヶ月間曝露した後のインビトロ溶解試験中の４時間後の任意の所与の時点に放出されるビタミンＤ化合物の量と、前記製剤を前記貯蔵条件に曝露する前に行われるインビトロ溶解中の同じ溶解時点で放出される量との間の差を３０％未満に維持するのに有効である、請求項１に記載の貯蔵安定性製剤。
【請求項３】
前記２５−ヒドロキシビタミンＤ2及び２５−ヒドロキシビタミンＤ3の一方または両方に放出可能に結合し、かつそれを制御可能に放出するマトリックスを含む、請求項１又は２に記載の貯蔵安定性製剤。
【請求項４】
前記２５−ヒドロキシビタミンＤ2及び２５−ヒドロキシビタミンＤ3の一方または両方を含む親油性マトリックスを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の貯蔵安定性製剤。
【請求項５】
前記親油性マトリックスがワックスを含む、請求項４に記載の貯蔵安定性製剤。
【請求項６】
前記製剤が、前記製剤を摂取する対象の消化管における前記ビタミンＤ化合物の持続放出のための経口製剤である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の貯蔵安定性製剤。
【請求項７】
前記安定化剤がセルロース化合物を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の貯蔵安定性製剤。
【請求項８】
前記セルロース化合物がセルロースエーテルを含む、請求項７に記載の貯蔵安定性製剤。
【請求項９】
前記セルロースエーテルが、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、及びヒドロキシプロピルセルロースの１つ以上を含む、請求項８に記載の貯蔵安定性製剤。
【請求項１０】
前記セルロース化合物がヒドロキシプロピルメチルセルロースを含む、請求項９に記載の貯蔵安定性製剤。
【請求項１１】
前記ビタミンＤ化合物が２５−ヒドロキシビタミンＤ3を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の貯蔵安定性製剤。
【請求項１２】
ビタミンＤ化合物の制御放出のための貯蔵安定性製剤であって、
２５−ヒドロキシビタミンＤ2及び２５−ヒドロキシビタミンＤ3の一方または両方と、
非ワックスのマトリックスと、
セルロース化合物、ポロキサマー、ポリ（エチレンオキシド）ポリマー、ポビドン、ヒュームドシリカ、及びそれらの混合物から成る群から選択される物質を含む安定化剤と、
の混合物を含む、前記製剤。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の製剤を含む、カプセル、錠剤、サシェ、糖衣錠、または坐薬の形態の制御放出剤形。
【請求項１４】
５〜８０μｇの２５−ヒドロキシビタミンＤ3、好ましくは３０μｇまたは６０μｇの２５−ヒドロキシビタミンＤ3を含有する、請求項１３に記載の制御放出剤形。
【請求項１５】
ビタミンＤ応答性疾患の治療に使用するための、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の製剤または請求項１３〜１４のいずれか一項に記載の剤形。
【請求項１６】
前記ビタミンＤ応答性疾患が、
（ａ）癌、皮膚障害（例えば乾癬）、副甲状腺障害（例えば副甲状腺機能亢進症及び二次性副甲状腺機能亢進症）、骨障害（例えば骨粗鬆症）、及び自己免疫障害から選択される、または、
（ｂ）二次性副甲状腺機能亢進症である、
請求項１５に記載の製剤または剤形。
【請求項１７】
患者が、
（ａ）慢性腎疾患（ＣＫＤ）を有する、または、
（ｂ）３期または４期である慢性腎疾患を有する、
（ｃ）３期または４期である慢性腎疾患及びビタミンＤ不足を有する、または、
（ｄ）３期または４期である慢性腎疾患及びビタミンＤ欠乏を有する、
請求項１５または１６に記載の製剤または剤形。
【請求項１８】
二次性副甲状腺機能亢進症の治療に使用するための、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の製剤または請求項１３〜１４のいずれか一項に記載の剤形であって、前記副甲状腺機能亢進症は慢性腎疾患の二次疾患であってもよい、前記製剤または剤形。
【請求項１９】
二次性副甲状腺機能亢進症の治療に使用するための、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の製剤または剤形であって、前記副甲状腺機能亢進症は慢性腎疾患３期または４期の二次疾患である、前記製剤または剤形。
【請求項２０】
患者が、
（ａ）ヒト、または
（ｂ）成人ヒト
である、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の製剤または剤形。
【請求項２１】
１日当たり５〜８０μｇの２５−ヒドロキシビタミンＤ3、好ましくは３０μｇまたは６０μｇの２５−ヒドロキシビタミンＤ3が投与される、請求項１５〜２０のいずれか一項に記載の製剤または剤形。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月24日(2020.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
賦活元素を含むβサイアロンの組成を有する焼成物を準備する工程と、
前記焼成物を、賦活元素を含む化合物とともに粉砕し粉砕物を得る工程と、
前記粉砕物を、温度が１８５０℃以上２１００℃以下で熱処理して熱処理物を得る工程と、を含むことを特徴とするβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項２】
賦活元素を含むβサイアロンの組成を有する焼成物を準備する工程と、
前記焼成物又は後述する熱処理物を、賦活元素を含む化合物とともに粉砕し粉砕物を得る工程と、
前記粉砕物を、温度が１８５０℃以上２１００℃以下で熱処理して熱処理物を得る工程と、を含み、
前記粉砕物を得る工程と前記熱処理物を得る工程をこの工程順で二回以上繰り返すことを特徴とするβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項３】
前記粉砕物の比表面積が０．２ｍ２／ｇ以上である、請求項２に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項４】
前記粉砕物の粒度分布における小径側からの体積累積頻度が１０％に達する粒径Ｄ１０が１μｍ以上１２μｍ以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項５】
前記粉砕物の粒度分布における小径側からの体積累積頻度が９０％に達する粒径Ｄ９０が１５μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１から４のいずれか一項に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理を不活性ガス雰囲気中で行なう、請求項１から５のいずれか一項に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項７】
前記熱処理物を得る工程において、賦活元素を含有する化合物とともに前記粉砕物の熱処理を行なう、請求項１から６のいずれか一項に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項８】
前記賦活元素が、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｓｍ及びＤｙからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素である、請求項１から７のいずれか一項に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理物を得る工程における熱処理温度未満の温度で前記熱処理物を希ガス雰囲気中でアニール処理してアニール処理物を得るアニール処理工程を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項１０】
前記アニール処理工程において、賦活元素を含有する化合物とともに前記熱処理物のアニール処理を行なう、請求項９に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項１１】
前記熱処理物又は前記アニール処理物を、酸性溶液と接触させる後処理工程を含む、請求項９又は１０のいずれか一項に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項１２】
前記熱処理物又は前記アニール処理物を、塩基性物質と接触させる後処理工程を含む、請求項９又は１０のいずれか一項に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項１３】
前記焼成物が、式Ｓｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（式中、ｚは、０＜ｚ≦４．２を満たす数である。）で表される組成を有する請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項１４】
前記粉砕物を得る工程において、ボールミル、振動ミル、ハンマーミル、ロールミル又
はジェットミルから選択された少なくとも一つを用いて、粉砕時間を２０時間以上６０時
間以下として、前記焼成物又は前記熱処理物を粉砕する、請求項１から１３のいずれか一項に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項１５】
前記粉砕物を得る工程において、窒化ケイ素製のボールと磁製ポットとを用いたボール
ミルにより前記焼成物又は前記熱処理物を粉砕する、請求項１４に記載のβサイアロン蛍光体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月13日(2020.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリセルの一部を構成する第１ＭＩＳＦＥＴが形成される第１領域、および、第２ＭＩＳＦＥＴが形成される第２領域を有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）半導体基板に、第１導電型の第１ウェルを形成する工程、
（ｂ）前記第１領域の前記半導体基板上に開口部を有し、且つ、前記第２領域の前記半導体基板を覆う第１レジストパターンを形成する工程、
（ｃ）前記第１レジストパターンをマスクとして、前記第１導電型と反対の第２導電型の不純物をイオン注入することで、前記第１領域の前記第１ウェルの表面に前記第１ＭＩＳＦＥＴの第１チャネル領域を形成する工程、
（ｄ）前記第１レジストパターンをマスクとして、窒素をイオン注入することで、前記第１チャネル領域内に窒素導入箇所を形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記第１レジストパターンを除去する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記第１領域の前記第１チャネル領域上に、電荷の保持が可能なトラップ性絶縁膜を有する前記第１ＭＩＳＦＥＴの第１ゲート絶縁膜を形成する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後、前記第１ゲート絶縁膜上に、前記第１ＭＩＳＦＥＴの第１ゲート電極を形成する工程、
を有し、
前記（ｄ）工程における前記窒素のドーズ量は、前記（ｃ）工程における前記不純物のドーズ量よりも高い、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記窒素導入箇所の窒素濃度は、１×１０２０〜２×１０２０／ｃｍ３である、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程において、前記窒素導入箇所を形成するためのイオン注入は、前記窒素のドーズ量を５×１０１４〜１×１０１５／ｃｍ２の範囲とした条件で行われる、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ＭＩＳＦＥＴの前記第１チャネル領域は、砒素をイオン注入することで形成され、
前記（ｃ）工程において、前記第１チャネル領域を形成するためのイオン注入は、前記砒素のドーズ量を２×１０１２／ｃｍ２以下の範囲とした条件で行われる、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、更に、
（ｈ）前記（ｂ）工程前に、前記第１領域および前記第２領域の前記半導体基板上に、第１絶縁膜を形成する工程、
（ｉ）前記（ｄ）工程と前記（ｅ）工程との間に、前記第１レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行うことで、前記第１領域の前記第１絶縁膜を除去する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程では、前記第１レジストパターンを、前記第２領域の前記第１絶縁膜上に形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ゲート絶縁膜は、前記半導体基板上に形成された第１酸化シリコン膜と、前記第１酸化シリコン膜上に形成され、且つ、窒化シリコン膜である前記トラップ性絶縁膜と、前記トラップ性絶縁膜上に形成された第２酸化シリコン膜と、を有し、
前記第１酸化シリコン膜には、前記窒素導入箇所から窒素が導入されている、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記不揮発性メモリセルの書き込み動作または消去動作は、ＦＮトンネル現象を用いて行われる、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体装置は、第３ＭＩＳＦＥＴが形成される第３領域を有し、
前記第１ＭＩＳＦＥＴは、前記不揮発性メモリセルのメモリトランジスタを構成し、
前記第３ＭＩＳＦＥＴは、前記不揮発性メモリセルの選択トランジスタを構成し、
前記（ｂ）工程において、第１レジストパターンは、前記第３領域を覆う、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、更に、
（ｊ）前記（ａ）工程前に、前記半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体層と、を準備する工程、
（ｋ）前記（ｊ）工程と前記（ａ）工程との間に、前記第１領域および前記第２領域の前記半導体層を除去する工程、
（ｌ）前記（ｂ）工程と前記（ｃ）工程との間に、前記第１レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行うことで、前記第１領域の前記絶縁層を除去する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程では、前記第１レジストパターンを、前記第２領域の前記絶縁層上に形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程において、第１導電性膜をパターニングすることで、前記第１領域に、前記第１ゲート電極が形成され、前記第２領域に、前記第２ＭＩＳＦＥＴの第２ゲート電極が形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ＭＩＳＦＥＴは、ｎ型のトランジスタであり、
前記第２ＭＩＳＦＥＴは、ｐ型のトランジスタである、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ＭＩＳＦＥＴおよび前記第２ＭＩＳＦＥＴは、それぞれｎ型のトランジスタである、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程の後、かつ、前記（ｆ）工程の前に、前記半導体基板に熱処理を施すことで、前記第１チャネル領域に含まれる不純物を活性化させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記熱処理は、９５０℃で、１分程度とした条件で行われる、半導体装置の製造方法。