(57)【要約】安定してプラズマを生成させることにより、パーティクルの発生を抑制できる基板処理装置の運転方法を提供する。真空排気された真空槽内に基板を配置したのち、まず真空槽内に希ガスを供給し、プラズマ発生手段に電圧を印加して希ガスのプラズマを生成させる。次いで、真空槽内に反応ガスを供給して、反応ガスを希ガスのプラズマと接触させ、反応ガスのプラズマを生成させる。この反応ガスのプラズマを基板に接触させて、基板を処理する。プラズマ生成手段によって反応ガスをプラズマ化するのではなく、まず希ガスをプラズマ化することにより、安定してプラズマが生成され、パーティクルの発生が抑制される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記真空槽内にガスを供給するガス供給部と、プラズマ生成手段に電圧を印加して前記真空槽内のガスのプラズマを生成させるプラズマ生成部と、を有し、
前記真空槽内に配置された基板にプラズマを接触させて、前記基板を処理する基板処理装置の運転方法であって、
前記真空槽内に希ガスを供給し、前記プラズマ生成手段に電圧を印加して前記希ガスのプラズマを生成させるプラズマ着火工程と、
前記真空槽内に反応ガスを供給し、前記反応ガスを前記希ガスのプラズマに接触させて、前記反応ガスのプラズマを生成させ、前記反応ガスのプラズマを基板に接触させて、前記基板を処理するプラズマ処理工程と、
を有する基板処理装置の運転方法。
【請求項２】
前記プラズマ着火工程でのプラズマ生成時の前記真空槽内の圧力は、前記プラズマ処理工程での基板処理開始時の前記真空槽内の圧力より高い請求項１記載の基板処理装置の運転方法。
【請求項３】
前記プラズマ着火工程でのプラズマ生成時の前記真空槽内への前記希ガスの供給流量は、前記プラズマ処理工程での基板処理開始時の前記真空槽内への前記希ガスの供給流量より大きい請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の基板処理装置の運転方法。
【請求項４】
前記希ガスは、Ｈｅと、Ｎｅと、Ａｒと、Ｋｒと、Ｘｅとからなる群より選択されるいずれか１種類のガスを含有する請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の基板処理装置の運転方法。
【請求項５】
前記プラズマ処理工程では、前記反応ガスのプラズマを前記基板に接触させて、前記基板をエッチングする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の基板処理装置の運転方法。
【請求項６】
前記基板は導電性材料からなる電極膜と、強誘電体からなる強誘電体膜とを有し、
前記プラズマ処理工程では、前記反応ガスのプラズマを前記基板に接触させて、前記電極膜又は前記強誘電体膜のいずれか一方又は両方をエッチングする請求項５記載の基板処理装置の運転方法。
【請求項７】
前記電極膜は、Ｐｔと、Ｉｒと、ＩｒＯ2と、ＳｒＲｕＯ3とからなる導電性材料の群のうち少なくとも１種類の導電性材料を含有する請求項６記載の基板処理装置の運転方法。
【請求項８】
前記強誘電体膜は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）と、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）と、チタン酸ビスマスランタン（（Ｂｉ，Ｌａ）4Ｔｉ3Ｏ12：ＢＬＴ）と、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3：ＰＺＴ）と、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（（ＰｂＬａ）（ＺｒＴｉ）Ｏ3：ＰＬＺＴ）と、タンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ3：ＳＢＴ）とからなる群より選択されるいずれか１種類の強誘電体を含有する請求項６又は請求項７のいずれか１項記載の基板処理装置の運転方法。
【請求項９】
前記反応ガスは、フッ素と、塩素と、臭素と、ヨウ素とからなる群より選択されるいずれか１種類のハロゲン元素を化学構造中に含むガスを含有する請求項５乃至請求項８のいずれか１項記載の基板処理装置の運転方法。
【請求項１０】
前記プラズマ処理工程での前記基板処理中は前記基板を２５０℃以上の温度に加熱又は冷却する請求項５乃至請求項９のいずれか１項記載の基板処理装置の運転方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置の運転方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、センサ、アクチュエータ、発信器、ＲＦフィルタ等で開発・実用化されている圧電素子や、各種ＩＣカード、携帯情報端末等の不揮発性メモリとして利用されている強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）は、どちらも強誘電体薄膜を貴金属電極が挟み込んだ構造をしている。
強誘電体薄膜や貴金属電極の微細加工にはプラズマを用いたドライエッチング方法が使用されているが、強誘電体薄膜や貴金属電極は難エッチング材料と呼ばれ、ハロゲンガス（プラズマ）との反応性に乏しく、かつこれらのハロゲン化物は蒸気圧が低いために、エッチング生成物はガスとして排気されずにチェンバーの内壁に付着しやすい。
プラズマ中のイオンが付着物と接触すると、反応して、付着物がチェンバーの内壁から剥離され、パーティクルを発生させる。発生したパーティクルは処理基板の上に付着し、デバイスの歩留まりを低下させる原因となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２６９４４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者は、生成直後のプラズマが不安定なときに、プラズマ中のイオンが付着物と反応してパーティクルの発生が起こることに着目し、いかに安定してプラズマを生成させるかが重要であると認識して研究を行い、本発明を完成させた。
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、安定してプラズマを生成させ、パーティクルの発生を抑制できる基板処理装置の運転方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記真空槽内にガスを供給するガス供給部と、プラズマ生成手段に電圧を印加して前記真空槽内のガスのプラズマを生成させるプラズマ生成部と、を有し、前記真空槽内に配置された基板にプラズマを接触させて、前記基板を処理する基板処理装置の運転方法であって、前記真空槽内に希ガスを供給し、前記プラズマ生成手段に電圧を印加して前記希ガスのプラズマを生成させるプラズマ着火工程と、前記真空槽内に反応ガスを供給し、前記反応ガスを前記希ガスのプラズマに接触させて、前記反応ガスのプラズマを生成させ、前記反応ガスのプラズマを基板に接触させて、前記基板を処理するプラズマ処理工程と、を有する基板処理装置の運転方法である。
本発明は基板処理装置の運転方法であって、前記プラズマ着火工程でのプラズマ生成時の前記真空槽内の圧力は、前記プラズマ処理工程での基板処理開始時の前記真空槽内の圧力より高い基板処理装置の運転方法である。
本発明は基板処理装置の運転方法であって、前記プラズマ着火工程でのプラズマ生成時の前記真空槽内への前記希ガスの供給流量は、前記プラズマ処理工程での基板処理開始時の前記真空槽内への前記希ガスの供給流量より大きい基板処理装置の運転方法である。
本発明は基板処理装置の運転方法であって、前記希ガスは、Ｈｅと、Ｎｅと、Ａｒと、Ｋｒと、Ｘｅとからなる群より選択されるいずれか１種類のガスを含有する基板処理装置の運転方法である。
本発明は基板処理装置の運転方法であって、前記プラズマ処理工程では、前記反応ガスのプラズマを前記基板に接触させて、前記基板をエッチングする基板処理装置の運転方法である。
本発明は基板処理装置の運転方法であって、前記基板は導電性材料からなる電極膜と、強誘電体からなる強誘電体膜とを有し、前記プラズマ処理工程では、前記反応ガスのプラズマを前記基板に接触させて、前記電極膜又は前記強誘電体膜のいずれか一方又は両方をエッチングする基板処理装置の運転方法である。
本発明は基板処理装置の運転方法であって、前記電極膜は、Ｐｔと、Ｉｒと、ＩｒＯ2と、ＳｒＲｕＯ3とからなる導電性材料の群のうち少なくとも１種類の導電性材料を含有する基板処理装置の運転方法である。
本発明は基板処理装置の運転方法であって、前記強誘電体膜は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）と、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）と、チタン酸ビスマスランタン（（Ｂｉ，Ｌａ）4Ｔｉ3Ｏ12：ＢＬＴ）と、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3：ＰＺＴ）と、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（（ＰｂＬａ）（ＺｒＴｉ）Ｏ3：ＰＬＺＴ）と、タンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ3：ＳＢＴ）とからなる群より選択されるいずれか１種類の強誘電体を含有する基板処理装置の運転方法である。
本発明は基板処理装置の運転方法であって、前記反応ガスは、フッ素と、塩素と、臭素と、ヨウ素とからなる群より選択されるいずれか１種類のハロゲン元素を化学構造中に含むガスを含有する基板処理装置の運転方法である。
本発明は基板処理装置の運転方法であって、前記プラズマ処理工程での前記基板処理中は前記基板を２５０℃以上の温度に加熱又は冷却する基板処理装置の運転方法である。
【発明の効果】
【０００６】
生成直後のプラズマが安定し、発生するパーティクルの量が少なくなるので、製品の歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】エッチング装置の構造を説明するための図
【図２】基板処理枚数に対する基板上のパーティクル数の推移を示す図
【符号の説明】
【０００８】
８０……基板処理装置（エッチング装置）
８１……ガス供給部
８２……真空排気部
８３……プラズマ生成手段（ＲＦアンテナ）
８９……真空槽
９２……プラズマ生成部
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜基板処理装置の構造＞
本発明で使用する基板処理装置の一例として、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源を搭載したエッチング装置を説明する。
図１の符号８０はこのエッチング装置を示している。
エッチング装置８０は真空槽８９とプラズマ生成部９２とガス供給部８１と真空排気部８２と温度制御部８８とを有している。
真空槽８９の内部には基板を載置するためのステージ８６が設けられている。ステージ８６には電極９５が設けられており、この電極９５にはチャック用直流電源９６が電気的に接続されている。チャック用直流電源９６から電極９５に直流電圧を印加すると、ステージ８６はステージ８６上に載置された基板を静電吸着により保持できるように構成されている。
【００１０】
温度制御部８８はステージ８６に接続されており、ステージ８６と処理対象物である基板との間にＨｅガス等の熱伝導媒体を流しながら、ステージ８６に設けられたヒーター９９を制御することにより、ステージ８６上に載置された処理対象物である基板を所定の温度に加熱又は冷却できるようにされている。
真空槽８９の天部（天井部分）には石英やアルミナ等からなるＲＦ導入窓９３が設けられており、真空槽８９の外部から内部へ電波を透過できるようにされている。
【００１１】
プラズマ生成部９２は、プラズマ生成手段としてのＲＦアンテナ８３と、マッチングボックス８７ａと、プラズマ用交流電源８４とを有している。ＲＦアンテナ８３はＲＦ導入窓９３の上方に設置され、マッチングボックス８７ａを介してプラズマ用交流電源８４に電気的に接続されている。プラズマ用交流電源８４からＲＦアンテナ８３に交流電圧を印加すると、ＲＦアンテナ８３からＲＦ導入窓９３を透過して真空槽８９内に電波が放射され、真空槽８９内に供給されたエッチングガスをプラズマ化できるようにされている。
【００１２】
またステージ８６に設けられた電極９７にはマッチングボックス８７ｂを介してスパッタ用交流電源８５が電気的に接続されている。スパッタ用交流電源８５からステージ８６の電極９７に交流電圧を印加すると、プラズマ中のイオンが加速されてステージ８６上の基板に衝突し、基板をエッチングできるようにされている。
ガス供給部８１と真空排気部８２はどちらも真空槽８９の外部に配置されている。真空排気部８２は調圧バルブ８２ａと真空ポンプ８２ｂとを有し、真空ポンプ８２ｂは調圧バルブ８２ａを介して真空槽８９内部に接続され、真空槽８９内を真空排気可能にされている。ガス供給部８１は真空槽８９内部に接続され、真空槽８９内にエッチングガスを供給可能にされている。
【００１３】
＜基板処理装置の運転方法＞
本発明である基板処理装置の運転方法を、上述したエッチング装置８０を用いて説明する。
ここでは、上方を向いた面にＩｒ薄膜が成膜された基板を処理対象物として使用する。
まず真空槽８９内を真空排気部８２により真空排気しておく。以降の処理工程では、真空排気部８２は真空槽８９内を真空排気し続けている。
基板を、不図示の搬入装置により真空槽８９内の真空雰囲気を維持しながら、真空槽８９内に搬入し、Ｉｒ薄膜が形成された面とは逆の面をステージ８６に接触させ、Ｉｒ薄膜側を露出させてステージ８６上に配置する。ステージ８６に設けられた電極９５にチャック用直流電源９６から直流電圧を印加して、静電吸着により基板をステージ８６上に保持する。
【００１４】
次いでプラズマ着火工程として、ガス供給部８１から真空槽８９内に希ガスを供給する。
希ガスは、ここではＡｒガスを使用する。本発明の希ガスは、価格や入手しやすさ等の理由からＡｒガスが望ましいが、これに限定されずＨｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等のガスを使用してもよい。
調圧バルブ８２ａの排気コンダクタンスは制御装置９８により制御され、真空層８９内は所定の圧力に調圧されている。このときの圧力は、ＲＦアンテナ８３の構造や真空槽８９の容積、希ガスの供給流量等により変わるが、生成直後のプラズマが最も安定する３Ｐａ〜１０Ｐａの範囲であることが望ましい（Ａ〜ＢはＡ以上Ｂ以下を示す）。
真空槽８９内の圧力が安定したのち、プラズマ用交流電源８４を起動し、ＲＦアンテナ８３に交流電流を流し、ＲＦアンテナ８３からＲＦ導入窓９３を透過して真空槽８９内に電波を放射させ、希ガスのプラズマを生成させる。
【００１５】
後述する反応ガスは多原子分子気体であり、反応ガスのプラズマはプラスイオンとマイナスイオンとを含有するのに対し、希ガスは単原子分子気体であり、希ガスのプラズマはマイナスイオンを含有しない。従って、既にＲＦ導入窓９３にエッチング生成物が付着している場合でも、希ガスのプラズマの場合は、マイナスイオンがエッチング生成物と接触して反応し、エッチング生成物をＲＦ導入窓９３から剥離させることはなく、パーティクルの発生が抑制される。
以降、エッチング処理を終えるまでは、プラズマ用交流電源８４からＲＦアンテナ８３に電力を印加し続けて、希ガスのプラズマを維持する。
【００１６】
次いで、調圧バルブ８２ａの排気コンダクタンスを増加させて、真空槽８９内の圧力を低下させ、プラズマ着火工程でのプラズマ生成時の圧力より低い所定の圧力に調圧する。このときの圧力は、基板をエッチングする圧力である０．２Ｐａ〜３Ｐａの範囲であることが望ましい。
温度制御部８８を起動し、ステージ８６と基板との間にＨｅ等の熱伝導媒体を流しながら、ステージ８６に設けられたヒーター９９を制御することにより、基板を所定の温度に加熱又は冷却する。
基板の温度は室温付近でもエッチング可能であるが、ハロゲン化物の蒸気圧が低い導電性材料や強誘電体等をエッチングする場合は、基板を２５０℃以上、特に３００℃前後に加熱又は冷却するのが望ましい。
【００１７】
真空槽８９内の圧力が安定したのち、プラズマ処理工程として、ここでは真空槽８９内への希ガスの供給流量を減少させ、反応ガスの供給を開始し、反応ガスを希ガスのプラズマと接触させて、反応ガスをプラズマ化し、反応ガスのイオンやラジカル等の活性種を生成して、基板のＩｒ薄膜に接触させる。
反応ガスは、ここではＣｌ2ガスとＯ2ガスとの混合ガスを使用する。
本発明の反応ガスはこれに限定されず、フッ素と、塩素と、臭素と、ヨウ素とからなる群より選択されるいずれか１種類のハロゲン元素を化学構造中に含むハロゲン系ガス等の、基板をエッチングできるガスを含有してもよい。
ここでは希ガスの供給流量を減少させたのち、反応ガスの供給を開始したが、反応ガスの供給を開始したのち、希ガスの供給流量を減少させてもよい。
エッチングに希ガスが不要の場合には、希ガスの供給流量をゼロにしてもよい。
また、希ガスの供給流量は減少させずに、調圧バルブ８２ａの排気コンダクタンスを増加させることにより、反応ガスの供給開始後も真空槽８９内が所定の圧力になるように制御してもよい。
【００１８】
ガスの供給流量と真空層内の圧力がそれぞれ安定したのち、スパッタ用交流電源８５を起動し、ステージ８６に設けられた電極９７に交流電圧を印加して、プラズマ中のイオンを基板のＩｒ薄膜に入射させ、エッチング処理を開始する。
すなわち、プラズマ着火工程でのプラズマ生成時の真空槽８９内の圧力は、プラズマ処理工程での基板処理開始時の真空槽８９内の圧力より高い。またプラズマ着火工程でのプラズマ生成時の真空槽８９内への希ガスの供給流量は、プラズマ処理工程での基板処理開始時の真空槽８９内への希ガスの供給流量より大きい。
Ｉｒ薄膜は反応ガスのプラズマと反応し、生成されたエッチング生成物が蒸発し、又は入射したイオンにスパッタされ、ガス化したエッチング生成物が真空排気されて除去される。
Ｉｒのハロゲン化物は蒸気圧が低いため、エッチング生成物の一部はガスとして排気されずに、ステージ８６を囲むように設けられたシールド９１やＲＦ導入窓９３等のチェンバー内に付着する。
ここではシールド９１は、エッチング生成物が真空槽８９の内壁に付着するのを防止するために設けられている。
【００１９】
Ｉｒ薄膜を所定の膜厚にエッチングしたのち、プラズマ用交流電源８４とスパッタ用交流電源８５の出力をそれぞれ停止し、かつガス供給部８１からの反応ガスの供給を停止する。また温度制御部８８からの希ガスの導入を停止し、ステージ８６の真空吸着を解除する。
次いで、真空槽８９内の真空雰囲気を維持しながら、エッチング後の基板を不図示の搬出装置により取り出す。
【００２０】
ここではＩｒ薄膜が成膜された基板をエッチング処理したが、本発明の処理対象物はこれに限定されず、圧電素子のように、基板上にＰｔ、Ｉｒ、ＩｒＯ2、ＳｒＲｕＯ3等のハロゲン化物の蒸気圧が低い導電性材料からなる電極膜と、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）、チタン酸ビスマスランタン（（Ｂｉ，Ｌａ）4Ｔｉ3Ｏ12：ＢＬＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3：ＰＺＴ）、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（（ＰｂＬａ）（ＺｒＴｉ）Ｏ3：ＰＬＺＴ）、タンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ3：ＳＢＴ）等のハロゲン化物の蒸気圧が低い強誘電体からなる強誘電体膜とが順に積層された処理対象物をエッチング処理してもよい。
すなわち、電極膜又は強誘電体膜のいずれか一方又は両方をエッチング処理してもよい。
【００２１】
本発明で使用する基板処理装置は、上述したようなエッチング装置に限定されず、プラズマＣＶＤ装置、プラズマアッシング装置等の、真空槽内でプラズマを発生させて基板を処理する装置を使用してもよい。
また本発明で使用する基板処理装置のプラズマ源は、上述の誘導結合型（ＩＣＰ）に限定されず、容量結合型（ＣＣＰ）、電子サイクロトロン共鳴型（ＥＣＲ）、へリコン波励起型等のプラズマ源を使用してもよい。
【実施例】
【００２２】
＜実施例１＞
上方を向いた面にＩｒ薄膜が成膜されたφ８インチ基板（直径２０ｃｍの基板）を、エッチング装置８０の真空排気された真空槽８９内に搬入し、Ｉｒ薄膜を露出させてステージ８６上に配置した。
ステージ８６に設けられた電極９５にチャック用直流電源９６から±８００Ｖの直流電圧を印加し、基板をステージ８６に静電吸着した。ステージ８６と基板との間にＨｅガスを８００Ｐａの圧力で流しながら、基板を３００℃の温度に温度制御した。【００２３】
次いで、真空槽８９内にＡｒガスを供給して、真空槽８９内の圧力を７Ｐａにした。真空槽８９内の圧力が安定したのち、プラズマ用交流電源８４からＲＦアンテナ８３に１６００Ｗの電力を印加し、Ａｒガスのプラズマを生成させた。
次いで、調圧バルブ８２ａを制御して、真空槽８９内の圧力を０．５Ｐａに低下させた。【００２４】
次に、Ａｒガスの供給流量を減少させ、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスの供給を開始し、Ａｒ：Ｃｌ2：Ｏ2ガスのそれぞれの供給流量比が１：４：２になるようにした。真空槽８９内に供給されたガスはプラズマと接触して、プラズマ化した。
次いでステージ８６に設けられた電極９７にスパッタ用交流電源８５から３００Ｗの交流電圧を印加し、プラズマ中のイオンを基板に入射させて、Ｉｒ薄膜をエッチングした。【００２５】
所定の時間エッチングしたのち、プラズマ用交流電源８４とスパッタ用交流電源８５の出力をそれぞれ停止し、かつガス供給部８１からの反応ガスの供給を停止した。また温度制御部８８からのＨｅガスの導入を停止し、ステージ８６の真空吸着を解除した。
真空槽８９内の真空雰囲気を維持しながら、エッチング後の基板を真空槽８９から取り出し、次いで、基板上のパーティクル数を計測した。
上記の処理工程を複数枚の基板を一枚ずつ使用して繰り返した。ただし、一枚目の基板の搬入前には真空槽８９内からエッチング生成物を除去したが、二枚目以降は真空槽８９内からのエッチング生成物の除去は行わなかった。【００２６】
＜比較例１＞
上方を向いた面にＩｒ薄膜が成膜されたφ８インチ基板（直径２０ｃｍの基板）を、エッチング装置８０の真空排気された真空槽８９内に搬入し、Ｉｒ薄膜を露出させてステージ８６上に配置した。
ステージ８６に設けられた電極９５にチャック用直流電源９６から±８００Ｖの直流電圧を印加し、基板をステージ８６に静電吸着した。ステージ８６の基板との間にＨｅガスを８００Ｐａの圧力で流しながら、基板を３００℃の温度に温度制御した。
次いで、真空槽８９内にＡｒガスとＣｌ2ガスとＯ2ガスとを１：４：２の流量比で供給して、真空槽８９内の圧力を７Ｐａにした。真空槽８９内の圧力が安定したのち、プラズマ用交流電源８４からＲＦアンテナ８３に１６００Ｗの電力を印加し、真空槽８９内のガスのプラズマを生成させた。【００２７】
次に、調圧バルブ８２ａを制御して、真空槽８９内の圧力を０．５Ｐａに低下させた。
ステージ８６に設けられた電極９７にスパッタ用交流電源８５から３００Ｗの交流電圧を印加し、プラズマ中のイオンを基板に入射させて、Ｉｒ薄膜をエッチングした。
実施例１と同じ所定の時間エッチングしたのち、プラズマ用交流電源８４とスパッタ用交流電源８５の出力をそれぞれ停止し、かつガス供給部８１からの反応ガスの供給を停止した。また温度制御部８８からのＨｅガスの導入を停止し、ステージ８６の真空吸着を解除した。
真空槽８９内の真空雰囲気を維持しながら、エッチング後の基板を真空槽８９から取り出し、次いで、基板上のパーティクル数を計測した。【００２８】
上記の処理工程を複数枚の基板を一枚ずつ使用して繰り返した。ただし、一枚目の基板の搬入前に真空槽８９内からエッチング生成物を除去したが、二枚目以降は真空槽８９内からのエッチング生成物の除去は行わなかった。【００２９】
＜パーティクル数の変化＞
図２は実施例１（Ａｒガスでのプラズマ着火）と比較例１（エッチングガスでのプラズマ着火）のそれぞれの場合における、基板の処理枚数に対するエッチング後の基板上のパーティクル数の推移を示している。
比較例１では基板の処理枚数とともにパーティクル数は増加したが、実施例１では複数枚の基板を処理してもパーティクル数は非常に少ないままであった。【００３０】
この理由は、エッチングガスでプラズマを生成させた場合は、生成直後のプラズマ中のＣｌ-やＯ-といったマイナスイオンがＲＦ導入窓９３に付着したエッチング生成物と接触し、反応して、パーティクルを発生させるが、一方、Ａｒガスでプラズマを生成させた場合は、Ａｒガスが単原子分子気体であるため、プラズマがマイナスイオンを含有せず、安定しているからと考えられる。 
【図１】
2011030721.tif 000003
【図２】
2011030721.tif 000004
【国際調査報告】
2011030721.tif 000005
2011030721.tif 000006