【手続補正書】
【提出日】令和2年9月8日(2020.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数の第１基板及び前記第１基板よりも表面積が小さい第２基板を、面に対して垂直な方向に配列して処理室内に収容する工程と、
（ｂ）前記複数の第１基板及び前記第２基板が配列された基板配列領域に対して処理ガスを供給することで、前記複数の第１基板上に薄膜を形成する工程と、
を有し、
（ｂ）は、
（ｃ）前記基板配列領域のうち、前記複数の第１基板の少なくとも一部が配列された領域を含み、前記第２基板が配列された領域を含まない第１供給領域に対して希釈ガスを供給し、又は前記希釈ガスの供給を不実施とするとともに、
前記基板配列領域のうち、前記第１供給領域以外の領域であって、前記第２基板が配列された領域を含む第２供給領域に対して、前記第１供給領域に対して供給される前記希釈ガスの流量よりも大きい流量で前記希釈ガスを供給する工程を含む、
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ｂ）では、前記第１供給領域及び前記第２供給領域の両方に対して、前記処理ガスを供給する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２供給領域は、前記複数の第１基板の少なくとも他の一部が配列された領域を含む、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ｃ）では、前記第２供給領域における前記処理ガスの濃度が、前記第１供給領域における前記処理ガスの濃度に近づくように、前記第１供給領域に対して供給される前記希釈ガスの流量、および前記第２供給領域に対して供給される前記希釈ガスの流量のうち少なくともいずれかを調整する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ｃ）では、前記第２供給領域に配列された前記複数の第１基板に形成される前記薄膜の厚さが、前記第１供給領域に配列された前記複数の第１基板に形成される前記薄膜の厚さに近づくように、前記第１供給領域に対して供給される前記希釈ガスの流量、および前記第２供給領域に対して供給される前記希釈ガスの流量のうち少なくともいずれかを調整する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ｃ）では、前記希釈ガスを、前記処理ガスを供給する処理ガスノズルとは異なる希釈ガスノズルから前記第２供給領域に対して供給する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板配列領域は、複数の前記第２供給領域を含み、
（ｃ）では、前記希釈ガスを、前記複数の第２供給領域の何れかに対応するように設けられた複数の希釈ガスノズルのそれぞれから、前記複数の第２供給領域に対して個別に供給する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
（ｃ）では、前記複数の第２供給領域に対して供給される前記希釈ガスの流量がそれぞれ個別に調整される、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記希釈ガスノズルは、前記第１供給領域に対応する位置にガス噴出口を備えず、前記第２供給領域に対応する位置にガス噴出口を備えている、請求項６〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記処理ガスノズルは前記第１供給領域及び前記第２供給領域の両方に対して前記処理ガスを供給するように構成されている、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
（ｂ）は、
（ｄ）前記基板配列領域に対して原料ガスを供給する工程と、
（ｅ）前記基板配列領域に対して反応ガスを供給する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行う工程を有し、
（ｃ）は（ｄ）において実行される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板配列領域は、少なくとも前記基板配列領域の一端部側の第１ゾーン、前記基板配列領域の中央部側の第２ゾーン、及び前記基板配列領域の他端部側の第３ゾーンを含み、
前記第２ゾーンは前記第１供給領域に対応し、前記第１ゾーン及び第３ゾーンは前記第２供給領域に対応し、
（ｃ）では、
前記第１ゾーンに対応するように設けられた第１希釈ガスノズルから、前記第１ゾーンに向けて前記希釈ガスを供給し、
前記第３ゾーンに対応するように設けられた第３希釈ガスノズルから、前記第３ゾーンに向けて前記希釈ガスを供給する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
（ｃ）では、前記第２ゾーンに対する前記希釈ガスの供給を不実施とする、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
（ｃ）では、前記第２ゾーンに対応するように設けられた第２希釈ガスノズルから、前記第２ゾーンに向けて前記希釈ガスを供給する、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記基板配列領域は、複数の前記第１供給領域を含み、
（ｃ）では、前記希釈ガスを、前記複数の第１供給領域のいずれかに対応するように設けられた複数の希釈ガスノズルのそれぞれから、前記複数の第１供給領域に対して個別に供給する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
（ｃ）では、前記複数の第１供給領域に対して供給される前記希釈ガスの流量がそれぞれ個別に調整される、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
複数の第１基板及び前記第１基板よりも表面積が小さい第２基板を、面に対して垂直な方向に配列して支持する基板支持具と、
前記複数の第１基板及び前記第２基板を支持した状態の前記基板支持具を収容するように構成された処理室と、
前記複数の第１基板及び前記第２基板が配列された基板配列領域に対して処理ガスを供給するよう構成された処理ガス供給部と、
前記基板配列領域のうち、前記複数の第１基板の少なくとも一部が配列された領域を含み、前記第２基板が配列された領域を含まない第１供給領域に対して希釈ガスを供給し、
又は前記希釈ガスの供給を不実施とするとともに、前記基板配列領域のうち、前記第１供給領域以外の領域であって、前記第２基板が配列された領域を含む第２供給領域に対して、前記第１供給領域に対して供給される前記希釈ガスの流量よりも大きい流量で前記希釈ガスを供給するよう構成された希釈ガス供給部と、を備える基板処理装置。
【請求項１８】
複数の第１基板及び前記第１基板よりも表面積が小さい第２基板を水平姿勢で多段に支持する基板支持具と、
前記複数の第１基板及び前記第２基板を支持した状態の基板支持具を収容するように構成された処理室と、
前記複数の第１基板及び前記第２基板が配列された方向に沿って前記処理室内で立ち上がるように設けられ、前記処理室内に処理ガスを供給するように構成された処理ガスノズルと、
前記複数の第１基板及び前記第２基板が配列された方向に沿って前記処理室内で立ち上がるように設けられ、前記処理室内に希釈ガスを供給するように構成された希釈ガスノズルと、
を備え、
前記希釈ガスノズルは、前記複数の第１基板及び前記第２基板が配列された基板配列領域のうち、前記複数の第１基板が配列された領域を含み、前記第２基板が配列された領域を含まない第１供給領域に対して前記希釈ガスを供給せず、且つ、前記基板配列領域のうち、前記第１供給領域以外の領域であって、前記第２基板が配列された領域を含む第２供給領域に対して前記希釈ガスを供給するように構成されている、基板処理装置。
【請求項１９】
（ａ）複数の第１基板及び前記第１基板よりも表面積が小さい第２基板を、面に対して垂直な方向に配列して基板処理装置の処理室内に収容する手順と、
（ｂ）前記複数の第１基板及び前記第２基板に対して処理ガスを供給することで、前記複数の第１基板上に薄膜を形成する手順と、
を有し、
（ｂ）は、
前記基板配列領域のうち、前記複数の第１基板の少なくとも一部が配列された領域を含み、前記第２基板が配列された領域を含まない第１供給領域に対して希釈ガスを供給し、
又は前記希釈ガスの供給を不実施とするとともに、
前記基板配列領域のうち、前記第１供給領域以外の領域であって、前記第２基板が配列された領域を含む第２供給領域に対して、前記第１供給領域に対して供給される希釈ガスの流量よりも大きい流量で前記希釈ガスを供給する手順を含む手順を、コンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。