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【手続補正書】
【提出日】令和2年7月29日(2020.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】正極活物質の作製方法、及びリチウムイオン二次電池の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム、コバルト、フッ素、及びマグネシウムを含む複合酸化物に、アルミニウムを有する材料を被覆する工程と、
前記被覆された前記複合酸化物を５００℃以上１２００℃以下で５０時間以下加熱する工程と、
を有する、正極活物質の作製方法。
【請求項２】
正極活物質を用いて正極を形成する工程と、
前記正極、セパレータ、及び負極を電解質に含浸させる工程と、
前記正極、前記セパレータ、及び前記負極を順に積層する工程と、を有し、
前記正極を形成する工程は、
リチウム、コバルト、フッ素、及びマグネシウムを含む複合酸化物に、アルミニウムを有する材料を被覆する工程と、
前記被覆された前記複合酸化物を５００℃以上１２００℃以下で５０時間以下加熱する工程と、を有する、
リチウムイオン二次電池の作製方法。
【請求項３】
正極活物質を用いて正極を形成する工程と、
前記正極、セパレータ、及び負極を電解質に含浸させる工程と、
前記正極、前記セパレータ、及び前記負極を順に積層する工程と、を有し、
前記正極を形成する工程において、前記正極活物質は、リチウム及びコバルトを含む複合酸化物を有する正極活物質であって、コバルト、アルミニウム、マグネシウム及びフッ素を表層部に有する、リチウムイオン二次電池の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月13日(2020.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛直方向に交差する所定方向に並べて配置される複数の単電池を組み合わせることで構成される組電池（２０，３０）を冷却する冷却器（１０）であって、
前記組電池において前記所定方向及び鉛直方向を含む面に平行な外面を前記組電池の側面とするとき、
前記組電池の側面に接触するように配置され、内部を流れる冷媒と前記組電池との間で熱交換を行うことにより前記組電池を冷却する熱交換部（１１）を備え、
前記熱交換部の内部には、鉛直方向上方に向かって冷媒の流れる冷媒流路（１１０）が形成され、
前記冷媒流路には、鉛直方向上方に向かう冷媒の流れを阻害して各単電池を均一に冷却するように冷媒の流れを変化させる阻害部（１１１）が設けられ、
前記阻害部は、前記熱交換部において互いに対向する両側壁部のそれぞれの内面が互いに接触するように前記両側壁部のうちの少なくとも一方の側壁部を凹状に変形させた部分からなる
冷却器。
【請求項２】
前記熱交換部は、鉛直方向に延びるように前記冷媒流路が形成されるプレート部材からなり、
前記熱交換部の鉛直方向下方の部分に接続される第１タンク部（１２）と、
前記熱交換部の鉛直方向上方の部分に接続される第２タンク部（１３）と、を更に備え、
前記第１タンク部に流入した冷媒が、前記熱交換部、前記第２タンク部を順に流れる
請求項１に記載の冷却器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決する冷却器（１０）は、鉛直方向に交差する所定方向に並べて配置される複数の単電池を組み合わせることで構成される組電池（２０，３０）を冷却する。冷却器は、組電池において所定方向及び鉛直方向を含む面に平行な外面を組電池の側面とするとき、組電池の側面に接触するように配置され、内部を流れる冷媒と組電池との間で熱交換を行うことにより組電池を冷却する熱交換部（１１）を備える。熱交換部の内部には、鉛直方向上方に向かって冷媒の流れる冷媒流路（１１０）が形成されている。冷媒流路には、鉛直方向上方に向かう冷媒の流れを阻害して各単電池を均一に冷却するように冷媒の流れを変化させる阻害部（１１１）が設けられる。阻害部は、熱交換部において互いに対向する両側壁部のそれぞれの内面が互いに接触するように両側壁部のうちの少なくとも一方の側壁部を凹状に変形させた部分からなる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月18日(2020.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室で基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部の基板支持面と対向する前記処理室の壁に設けられた複数の反応ガス供給孔と、
前記処理室に固定され、前記反応ガス供給孔のそれぞれに連通する反応ガス供給管と、
前記反応ガス供給管の上流に設けられ、反応ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部とを有する複数の反応ガス供給部と、
前記プラズマ生成部に接続され、複数の前記プラズマ生成部を個別に制御するプラズマ制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記反応ガス供給部は、
前記プラズマ生成部と前記処理室との間で、前記反応ガス供給管に接続される不活性ガス供給管と、
前記不活性ガス供給管と前記プラズマ生成部との間で前記反応ガス供給管に接続されるバイパス管と、
を有する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記反応ガス供給管には、前記バイパス管の接続部と前記不活性ガス供給管の合流部の間に第一のバルブが設けられ、
前記不活性ガス供給管には第二のバルブが設けられ、
前記バイパス管には第三のバルブが設けられる、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記バイパス管には、プラズマモニタ部が設けられ、前記プラズマモニタ部が検出したプラズマの状態は、前記制御部に送信される請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記プラズマ生成部には前記プラズマ制御部が接続され、
前記プラズマ制御部は、それぞれの前記プラズマモニタ部で検出した検出値が所望の状態でないと判断したら、所望の状態となるよう、前記プラズマモニタ部に対応した前記プラズマ制御部を制御する請求項１から４のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板支持部は、回転可能な構造である請求項１から請求項５のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記反応ガス供給孔は、前記基板の中心と偏心するよう構成される請求項１から請求項６のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理室は、前記反応ガスと反応する原料ガスを供給する原料ガス供給部と連通され、
前記原料ガス供給部から前記原料ガスを供給する際は、前記第二のバルブ、前記第三のバルブを開にすると共に、前記第一のバルブを閉とし、
前記原料ガス供給部から前記原料ガスを供給せずに、前記反応ガス供給部から反応ガスを供給する際は、前記第二のバルブ、前記第三のバルブを閉にすると共に、前記第一のバルブを開とするよう制御する請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理室は、前記処理室の雰囲気をパージするパージガス供給部と連通され、
前記パージガス供給部から前記パージガスを供給する際は、
前記第二のバルブ、第三のバルブを開にすると共に、前記第一のバルブを閉とし、
前記パージガス供給部から前記パージガスを供給せずに、前記反応ガス供給部から反応ガスを供給する際は、前記第二のバルブ、前記第三のバルブを閉にすると共に、前記第一のバルブを開とするよう制御する請求項３または請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
処理室に基板を搬入して基板支持部に載置する工程と、
前記基板支持部の基板支持面と対向する前記処理室の壁に設けられた複数の反応ガス供給孔のそれぞれと対応して設けられた前記処理室に固定される反応ガス供給管と、前記反応ガス供給管の上流に設けられ、反応ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部とを有する複数の反応ガス供給部から、
複数の前記プラズマ生成部を個別に制御しつつ、反応ガスを供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
処理室に基板を搬入して基板支持部に載置する手順と、
前記基板支持部の基板支持面と対向する前記処理室の壁に設けられた複数の反応ガス供給孔のそれぞれと対応して設けられた前記処理室に固定される反応ガス供給管と、前記反応ガス供給管の上流に設けられ、反応ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部とを有する複数の反応ガス供給部から、
複数の前記プラズマ生成部を個別に制御しつつ、反応ガスを供給する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月4日(2020.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられたエミッタ電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられたコレクタ電極と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられた第１のゲート電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられた第２のゲート電極と、
前記半導体層の中に設けられた第１導電形のドリフト領域と、
前記半導体層の中に前記ドリフト領域と前記第２の面との間の一部に設けられ、一部が前記第２のゲート電極と対向し、一部が前記コレクタ電極と接する第２導電形のコレクタ領域と、
前記半導体層の中に前記コレクタ領域と前記第２の面との間の一部に設けられ、一部が前記第２のゲート電極と対向し、一部が前記コレクタ電極と接する第１導電形の領域と、を備え、
前記コレクタ電極と前記コレクタ領域とが接する部分をコンタクト面と定義し、
前記コンタクト面に位置する第１の点と最も近い前記第２のゲート電極を結んだ前記コンタクト面の中の線分上に存在し、前記第２のゲート電極から最も遠い点を第２の点と定義し、
前記第２の点と、前記第２の点と最も近い前記第２のゲート電極との間の距離を前記コレクタ電極の実効ゲート距離と定義した場合に、
前記コレクタ電極が第１の実効ゲート距離と、前記第１の実効ゲート距離と異なる第２の実効ゲート距離を有する半導体装置。
【請求項２】
前記ドリフト領域と前記第２の面との間に設けられ、前記ドリフト領域よりも第１導電形不純物濃度の高く、前記第２のゲート電極と前記ドリフト領域との間に位置する第１の領域と、前記コレクタ電極と前記ドリフト領域との間に位置する第２の領域と、を有し、前記第１の領域の第１導電形不純物濃度が前記第２の領域の第１導電形不純物濃度よりも高い第１導電形のバッファ領域を、更に備える請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の面に垂直な断面において、前記コレクタ電極と前記第２のゲート電極が交互に配置され、前記コレクタ電極が前記断面において異なる幅を有する請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のゲート電極に閾値電圧以上の電圧が印加されたオン状態から、前記第１のゲート電極に閾値電圧未満の電圧を印加してオフ状態に移行する際に、前記第１のゲート電極に閾値電圧未満の電圧を印加した後に、時間差を設けて前記第２のゲート電極に閾値電圧以上の電圧を印加する請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられたエミッタ電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられた第１のコレクタ電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられた第２のコレクタ電極と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられた第１のゲート電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられた第２のゲート電極と、
前記半導体層の中に設けられた第１導電形のドリフト領域と、
前記半導体層の中に前記ドリフト領域と前記第２の面との間の一部に設けられ、一部が前記第２のゲート電極と対向し、一部が前記第１のコレクタ電極と接する第２導電形の第１のコレクタ領域と、
前記半導体層の中に前記第１のコレクタ領域と前記第２の面との間の一部に設けられ、一部が前記第２のゲート電極と対向し、一部が前記第１のコレクタ電極と接する第１導電形の領域と、
前記半導体層の中に前記ドリフト領域と前記第２の面との間の一部に設けられ、一部が前記第２のコレクタ電極と接する第２導電形の第２のコレクタ領域と、を備え、
前記第２のコレクタ電極の前記第２の面と接する部分は全て前記第２のコレクタ領域に接する半導体装置。
【請求項６】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられたエミッタ電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられたコレクタ電極と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられたゲート電極と、
前記第２の面と前記コレクタ電極との間の一部に設けられた絶縁層と、
を備える半導体装置。
【請求項７】
前記半導体層の中に設けられた第１導電形のドリフト領域と、
前記半導体層の中に前記ドリフト領域と前記第２の面との間の一部に設けられ、一部が前記コレクタ電極と接する第２導電形のコレクタ領域と、を更に備える請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、前記第２の面に平行な仮想面において、前記コレクタ電極の一部と、前記コレクタ電極の別の一部との間に挟まれる請求項６又は請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられたエミッタ電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられたコレクタ電極と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられた第１のゲート電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられた第２のゲート電極と、
前記半導体層の中に設けられた第１導電形のドリフト領域と、
前記半導体層の中に前記ドリフト領域と前記第２の面との間の一部に設けられ、一部が前記第２のゲート電極と対向し、一部が前記コレクタ電極と接する第２導電形のコレクタ領域と、
前記半導体層の中に前記コレクタ領域と前記第２の面との間の一部に設けられ、一部が前記第２のゲート電極と対向し、一部が前記コレクタ電極と接する第１導電形の領域と、を備え、
前記コレクタ電極と前記コレクタ領域とが接する部分をコンタクト面と定義し、
前記コンタクト面に位置する第１の点と最も近い前記第２のゲート電極を結んだ前記コンタクト面の中の線分上に存在し、前記第２のゲート電極から最も遠い点を第２の点と定義し、
前記第２の点と、前記第２の点と最も近い前記コンタクト面の端部との間の距離を前記コレクタ電極の実効幅と定義した場合に、
前記コレクタ電極が第１の実効幅と、前記第１の実効幅と異なる第２の実効幅を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月2日(2020.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を加工する加工部と、
前記被加工物の形状または位置を測定する測定部と、
前記測定部による測定結果に基づいて前記加工部を制御する加工制御部と、を有し、
前記測定部は可動である加工装置。
【請求項２】
さらに、前記加工部および前記測定部が配された加工台と、
前記被加工物を載置する載置台を有し、
前記加工台は、前記載置台に対して相対的に移動可能である、
請求項１に記載の加工装置。
【請求項３】
さらに、前記加工部および前記測定部を所定の旋回軸周りに旋回駆動させる旋回駆動部を有する、
請求項１または２に記載の加工装置。
【請求項４】
さらに、前記加工部および前記測定部を並進移動可能に駆動させる並進駆動機部を備える、
請求項１から３までのいずれか一項に記載の加工装置。
【請求項５】
さらに、前記加工台を第一軸方向、および、前記第一軸方向と交差する第二軸方向に並進移動可能に駆動させる第一駆動部と、
前記載置台を前記第一軸方向、および、前記第二軸方向と交差する方向である第三軸方向に並進移動可能に駆動させ、かつ、前記第一軸と平行な軸を中心に回動可能に駆動させる第二駆動部とを有し、
前記加工台は、前記加工部を前記第二軸と平行な軸を中心に回動可能に駆動する旋回駆動部を含む、
請求項２に記載の加工装置。
【請求項６】
さらに、前記測定部を所定の旋回軸周りに旋回駆動させる旋回駆動部と、
前記測定部を所定の軸方向に並進移動可能に駆動させる並進駆動機部と、を有し、
前記測定部は、前記旋回軸周りの駆動を固定した状態で、前記並進移動による移動を行い前記被加工物の測定を実行する、
請求項１または２に記載の加工装置。
【請求項７】
前記測定部は、前記被加工物の三次元形状を測定する光切断センサーを含む、
請求項１から６までのいずれか一項に記載の加工装置。
【請求項８】
前記測定部は、所定のパターンの光を前記被加工物に向けて投影し前記被加工物に投影されたパターンを撮影することにより前記被加工物の三次元形状を測定する三次元形状測定部を含む、
請求項１から６までのいずれか一項に記載の加工装置。
【請求項９】
前記加工部は、前記被加工物の校正用の加工と、前記被加工物の製品製造のための加工を行う、
請求項１から８までのいずれか一項に記載の加工装置。
【請求項１０】
前記加工部は、複数の条件に基づいて前記被加工物の校正用の加工を行い、
前記測定部は、前記複数の条件に基づいて行われた前記校正用の加工による前記被加工物の形状または位置を測定し、
前記加工制御部は、前記測定部による測定結果に基づいて、前記被加工物の製品製造のための加工を制御する、
請求項１から８までのいずれか一項に記載の加工装置。
【請求項１１】
前記校正用の加工を行う際の前記複数の条件は、前記製品製造のための加工を行う際の加工条件を含む、
請求項１０に記載の加工装置。
【請求項１２】
前記被加工物は、前記校正用の加工を行う校正用加工領域、および、前記製品製造のための加工を行う製品用加工領域を含む、
請求項９から１１までのいずれか一項に記載の加工装置。
【請求項１３】
前記被加工物の校正用加工領域は、前記製品用加工領域と一体的に形成される、
請求項１２に記載の加工装置。
【請求項１４】
前記被加工物の前記校正用加工領域は、前記製品用加工領域の加工の際に削り取られる、
請求項１２または１３に記載の加工装置。
【請求項１５】
前記加工部は工具を取り外し可能に取り付ける工具取り付け部を含む、
請求項１から１４までのいずれか一項に記載の加工装置。
【請求項１６】
前記工具は刃ものを含む、
請求項１５に記載の加工装置。
【請求項１７】
加工部によって被加工物を加工することと、
前記被加工物の形状または位置を可動な測定部によって測定することと、
前記測定部による測定結果に基づいて前記加工部を制御することと、
を含む加工方法。
【請求項１８】
被加工物を加工する加工部と、
前記被加工物の形状または位置を測定する測定部と、
前記加工部、および、前記測定部が配された加工台と、
前記測定部による測定結果に基づいて前記加工部を制御する加工制御部と、
を有する加工装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加工装置および加工方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、加工装置および加工方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の第１の態様による加工装置は、被加工物を加工する加工部と、前記被加工物の形状または位置を測定する測定部と、前記測定部による測定結果に基づいて前記加工部を制御する加工制御部と、を有し、前記測定部は可動である。
本発明の第２の態様による加工方法は、加工部によって被加工物を加工することと、前記被加工物の形状または位置を可動な測定部によって測定することと、前記測定部による測定結果に基づいて前記加工部を制御することと、を含む。
本発明の第３の態様による加工装置は、被加工物を加工する加工部と、前記被加工物の形状または位置を測定する測定部と、前記加工部、および、前記測定部が配された加工台と、前記測定部による測定結果に基づいて前記加工部を制御する加工制御部と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月1日(2020.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体で満たされた内部空間と弾性変形可能な湾曲面を有する表層を備えた測定対象物の内圧を、トノメトリ法により測定する装置であって、
ダイアフラムを備える圧力センサと、前記圧力センサを前記測定対象物に押し付ける押圧手段と、各種演算を行い装置の働きを制御する制御手段と、を有しており、
前記制御手段は、前記測定対象物の表層に平坦部が生じるように前記圧力センサが前記測定対象物に押し付けられた状態において、前記ダイアフラムに変位が生じている場合に、前記圧力センサの前記測定対象物との接触面における、前記ダイアフラムの法線方向の変位の値を取得し、該取得された変位の値に基づいて、前記測定対象物に作用する張力の影響を排除する、
ことを特徴とする、圧力測定装置。
【請求項２】
ダイアフラムの弾性がそれぞれ異なる複数の前記圧力センサを有しており、
前記制御手段は、該複数の圧力センサにおける前記ダイアフラムの法線方向の変位の値を取得し、該取得された複数の変位の値と、それぞれの値が取得されたときの圧力センサの出力値とを用いて、前記測定対象物に作用する張力の影響を排除した内圧測定値を算出する、
ことを特徴とする、請求項１に記載の圧力測定装置。
【請求項３】
前記押圧手段は、異なる押圧力で複数回前記圧力センサを前記測定対象物に押圧し、
前記制御手段は、前記異なる押圧力による複数回の押圧それぞれについて、前記ダイアフラムの法線方向の変位の値を取得し、該取得された複数の変位の値と、それぞれの値が取得されたときの圧力センサの出力値とを用いて、前記測定対象物に作用する張力の影響を排除した内圧測定値を算出する、
ことを特徴とする、請求項１に記載の圧力測定装置。
【請求項４】
前記圧力センサは、前記ダイアフラムを備える面が壁の一部となっている密閉空間をさらに備え、
前記密閉空間内の圧力を取得するセンサ内圧取得手段と、
前記密閉空間内を加圧及び減圧するセンサ内圧調整手段と、を有しており、
前記制御手段は、前記圧力センサが前記測定対象物に押し付けられた状態で、前記ダイアフラムの法線方向の変位の値が０になるように、前記密閉空間内の圧力を調整し、該変
位の値が０となった状態の前記密閉空間内の圧力の値を、前記測定対象物の内圧の値とすることで、前記測定対象物に作用する張力の影響を排除する、
ことを特徴とする、請求項１に記載の圧力測定装置。
【請求項５】
前記圧力センサは、前記ダイアフラムを備える面が壁の一部となっている密閉空間をさらに備え、
前記密閉空間内の圧力を取得するセンサ内圧取得手段と、
前記密閉空間内を加圧及び減圧するセンサ内圧調整手段と、を有しており、
前記圧力センサが前記測定対象物に押し付けられた状態で、前記センサ内圧調整手段は、異なる圧力で複数回内圧を印加し、前記制御手段は、前記異なる圧力による複数回の印加圧力それぞれについて、前記ダイアフラムの法線方向の変位の値を取得し、該取得された複数の変位の値と、それぞれの値が取得されたときの前記密閉空間内の圧力の値とを用いて、前記測定対象物に作用する張力の影響を排除した内圧測定値を算出する、
ことを特徴とする、請求項１に記載の圧力測定装置。
【請求項６】
流体で満たされた内部空間と弾性変形可能な湾曲面を有する表層を備えた測定対象物の内圧を、ダイアフラムを備える圧力センサを用いてトノメトリ法により測定する方法であって、
前記測定対象物の表層に平坦部が生じるように前記圧力センサが前記測定対象物に押し付けられた状態において、前記ダイアフラムに変位が生じている場合に、前記圧力センサが前記測定対象物に押し付けられた接触面における、前記ダイアフラムの法線方向の変位の値を取得する、歪み取得ステップと、
前記歪み取得ステップで取得された前記ダイアフラムの法線方向の変位の値に基づいて、前記測定対象物に作用する張力の影響を排除する、張力成分排除ステップと、を有する
圧力測定方法。
【請求項７】
前記歪み取得ステップでは、前記ダイアフラムの法線方向の変位の値を複数取得し、
前記張力成分排除ステップでは、前記歪み取得ステップで取得された複数の値と、それぞれの値が取得されたときの圧力センサの出力値とを用いて、前記測定対象物に作用する張力の影響を排除した内圧測定値を算出する、
ことを特徴とする、請求項６に記載の圧力測定方法。
【請求項８】
前記歪み取得ステップでは、ダイアフラムの弾性が異なる複数の圧力センサにより、前記変位の値を取得する、
ことを特徴とする、請求項６に記載の圧力測定方法。
【請求項９】
前記歪み取得ステップでは、圧力センサが異なる押圧力で複数回測定対象物に押圧されることで、当該異なる押圧力に応じた前記ダイアフラムの法線方向の変位の値を複数回取得する、
ことを特徴とする、請求項６に記載の圧力測定方法。
【請求項１０】
前記圧力センサは前記ダイアフラムを備える面が壁の一部となっている密閉空間を内部にさらに備えており、
前記張力成分排除ステップでは、前記圧力センサが前記測定対象物に押し付けられた状態において、前記ダイアフラムの法線方向の変位の値が０になるように、前記密閉空間内を加圧し、当該加圧後の密閉空間内の圧力の値を前記測定対象物の内圧の値とすることで、前記測定対象物に作用する張力の影響を排除する、
ことを特徴とする、請求項６に記載の圧力測定方法。
【請求項１１】
前記圧力センサは前記ダイアフラムを備える面が壁の一部となっている密閉空間を内部
にさらに備えており、
前記歪み取得ステップでは、前記圧力センサが前記測定対象物に押し付けられた状態において、前記密閉空間内を異なる圧力で複数回加圧し、当該異なる内部圧力に応じた前記ダイアフラムの法線方向の変位の値を複数回取得する、
ことを特徴とする、請求項６に記載の圧力測定方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月7日(2020.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
一方、第一コイル層１５および第四コイル層１８は、回転軸１の軸方向に対して＋４５゜傾斜した配線を含んで構成されており、該配線の周囲に発生する交流磁界の磁束の一部は、回転軸１の被検出面５の表層部を、透磁率が減少した方向である−４５゜方向に通過する。このため、第一コイル層１５および第四コイル層１８のインダクタンスは、それぞれ減少する。また、第二コイル層１６および第三コイル層１７は、回転軸１の軸方向に対して−４５゜傾斜した配線を含んで構成されており、該配線の周囲に発生する交流磁界の磁束の一部は、回転軸１の被検出面５の表層部を、透磁率が増加した方向である＋４５゜方向に通過する。このため、第二コイル層１６および第三コイル層１７のインダクタンスは、それぞれ増大する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月7日(2020.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
１  回転軸
２  転がり軸受
３  トルクセンサ
４  内輪軌道
５  被検出面
６  外輪
７  ニードル
８  保持器
９  内向鍔部
１０  外輪軌道
１１  センサホルダ
１２  嵌合筒部
１３  バックヨーク
１４  検出部
１５  第一コイル層
１６  第二コイル層
１７  第三コイル層
１８  第四コイル層
１９  第一検出コイル
２０  第二検出コイル
２１  第三検出コイル
２２  第四検出コイル
２３  ブリッジ回路
２４  発振器
２５  ロックイン増幅器
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月11日(2020.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定粒子を含む液体を液滴群とする液滴群生成工程と、
生成した前記液滴群、及び前記液滴群を乾燥して残った前記被測定粒子の少なくともいずれかを捕集体に捕集する捕集工程と、
前記捕集体に捕集した前記液滴群、及び前記捕集体に捕集する前の前記液滴群の少なくともいずれかから前記液体を乾燥除去する乾燥工程と、
を有し、
前記捕集工程と前記乾燥工程とを並行してかつ連続的に行うことを特徴とする、液中粒子の捕集方法。
【請求項２】
前記液体が、電子部品製造に使用される液体であることを特徴とする、請求項１に記載の液中粒子の捕集方法。
【請求項３】
前記液体が、含まれる粒径５０ｎｍ以上の微粒子数が１個／ｍｌ未満の超純水であり、前記被測定粒子は粒径が５０ｎｍ未満の粒子であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の液中粒子の捕集方法。
【請求項４】
被測定粒子を含む液体を液滴群とする液滴群生成工程と、
生成した前記液滴群、及び前記液滴群を乾燥して残った前記被測定粒子の少なくともいずれかを捕集体に捕集する捕集工程と、
前記捕集体に捕集した前記液滴群、及び前記捕集体に捕集する前の前記液滴群の少なくともいずれかから前記液体を乾燥除去する乾燥工程と、
前記捕集体の上の前記被測定粒子を検出する検出工程と、
を有し、
前記捕集工程と前記乾燥工程とを並行してかつ連続的に行うことを特徴とする、液中粒子の検出方法。
【請求項５】
前記粒子検出工程は、ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＡＦＭ、ＥＤＸ、ＥＥＬＳ、ＸＰＳの少なくともいずれかの方法で、前記被測定粒子を検出、観察、計測、及び分析の少なくともいずれかを行うことを特徴とする、請求項４に記載の液中粒子の検出方法。
【請求項６】
粒子を含む液体を液滴群とする液滴群生成手段と、
前記液滴群生成手段で生成した前記液滴群及び生成した前記液滴群を乾燥させて残った前記粒子の少なくともいずれかを捕集する捕集手段と、
前記捕集手段に捕集された前記液滴群、及び前記捕集手段に捕集される前の前記液滴群の少なくともいずれかから前記液体を乾燥除去する乾燥手段と、
を有する液中粒子の捕集装置。
【請求項７】
粒子を含む液体を液滴群とする液滴群生成手段と、
前記液滴群生成手段の下方に設けられ、生成した前記液滴群、及び生成した前記液滴群を乾燥させて残った前記粒子の少なくともいずれかを捕集する捕集手段を着脱可能に固定する固定手段と、
前記固定手段に固定された前記捕集手段、及び前記捕集手段に捕集される前の前記液滴群の少なくともいずれかを加熱する加熱手段と、
を有する液中粒子の捕集装置。
【請求項８】
前記捕集手段の表面に存在するブランク粒子の数が１．０×１０４個／ｍｍ２未満であることを特徴とする、請求項６又は７に記載の液中粒子の捕集装置。
【請求項９】
前記液滴群生成手段が連続的に前記液滴群を生成させると並行して、前記乾燥手段又は加熱手段が前記捕集手段、及び前記捕集手段に捕集される前の前記液滴群の少なくともいずれかを連続的に乾燥又は加熱するように構成されている、請求項６から８のいずれか１項に記載の液中粒子の捕集装置。
【請求項１０】
前記捕集手段は、金属製の板状部材である、請求項６から９のいずれか１項に記載の液中粒子の捕集装置。
【請求項１１】
前記捕集手段の表面の少なくとも一部が粗化又は研磨されていることを特徴とする、請求項６から１０のいずれか１項に記載の液中粒子の捕集装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月11日(2019.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ質量％（ＷＡｌ％）が０．１≦ＷＡｌ＜１を満足し、かつ、Ａｌのｋ殻を対象とするＸ線吸収微細構造測定において１５６５〜１５７０ｅＶの範囲内にＡｌ−Ｏ結合を示すピークが観測され、
Ｓｉ質量％（ＷＳｉ％）が６０≦ＷＳｉ≦９０を満足し、
Ｏ質量％（ＷＯ％）が５≦ＷＯ≦３０を満足し、
Ａｌ質量％（ＷＡｌ％）とＦｅ質量％（ＷＦｅ％）の関係がＷＡｌ＞ＷＦｅを満足するＡｌ及びＯ含有シリコン材料を含むことを特徴とする負極活物質。
【請求項２】
Ａｌ質量％（ＷＡｌ％）が０．１≦ＷＡｌ＜１を満足し、かつ、Ａｌのｋ殻を対象とするＸ線吸収微細構造測定において１５６５〜１５７０ｅＶの範囲内にＡｌ−Ｏ結合を示すピークが観測され、
Ｏ質量％（ＷＯ％）が５≦ＷＯ≦３０を満足するＡｌ及びＯ含有シリコン材料を含むことを特徴とする負極活物質（ただし、コア部と、そのコア部の表面の少なくとも一部を被覆する被覆部とを含み、前記コア部は、ケイ素系材料（ＳｉＯx ：０＜ｘ＜０．５）を含有すると共に、前記被覆部は、非結晶性あるいは低結晶性のケイ素系材料（ＳｉＯy ：０．５≦ｙ≦１．８）を含有するものを除く。）。
【請求項３】
Ａｌ質量％（ＷＡｌ％）が０＜ＷＡｌ＜１を満足し、かつ、Ａｌのｋ殻を対象とするＸ線吸収微細構造測定において１５６５〜１５７０ｅＶの範囲内にＡｌ−Ｏ結合を示すピークが観測され、
複数枚の板状シリコン体が厚さ方向に積層されてなる構造を有するＡｌ及びＯ含有シリコン材料を含むことを特徴とする負極活物質。
【請求項４】
前記Ａｌ及びＯ含有シリコン材料がＦｅを含有し、前記Ａｌ及びＯ含有シリコン材料のＦｅ質量％（ＷＦｅ％）が０＜ＷＦｅを満足する請求項１〜３のいずれか１項に記載の負極活物質。
【請求項５】
前記Ａｌ質量％（ＷＡｌ％）が０．２５≦ＷＡｌ＜１を満足する請求項１〜４のいずれか１項に記載の負極活物質。
【請求項６】
前記Ａｌ及びＯ含有シリコン材料のＯ質量％（ＷＯ％）が５≦ＷＯ≦２１を満足する請求項１〜５のいずれか１項に記載の負極活物質。
【請求項７】
前記Ａｌ及びＯ含有シリコン材料がＣａを含有し、前記Ａｌ及びＯ含有シリコン材料のＣａ質量％（ＷＣａ％）が０＜ＷＣａ≦３を満足する請求項１〜６のいずれか１項に記載の負極活物質。
【請求項８】
前記Ａｌ及びＯ含有シリコン材料がハロゲンを含有し、前記Ａｌ及びＯ含有シリコン材料のハロゲン質量％（ＷＸ％）が０＜ＷＸ≦３を満足する請求項１〜７のいずれか１項に記載の負極活物質。
【請求項９】
前記Ａｌ及びＯ含有シリコン材料が炭素で被覆されており、
前記Ａｌ及びＯ含有シリコン材料の炭素質量％（ＷＣ％）が１≦ＷＣ≦１０を満足する請求項１〜８のいずれか１項に記載の負極活物質。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の負極活物質を具備する負極。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の負極活物質を具備する二次電池。
【請求項１２】
Ａｌ質量％（ＷＡｌ％）が０＜ＷＡｌ＜１を満足し、かつ、Ａｌのｋ殻を対象とするＸ線吸収微細構造測定において１５６５〜１５７０ｅＶの範囲内にＡｌ−Ｏ結合を示すピークが観測されるＡｌ及びＯ含有シリコン材料を含む負極活物質の製造方法であって、
ａ）Ｃａ、Ａｌ及びＳｉを含む溶湯を冷却して、固体とする工程、
ｂ）前記固体を酸水溶液と反応させて、Ａｌ及びＯ含有シリコン材料の前駆体を得る工程、
ｃ）前記前駆体を３００℃以上で加熱する工程、
を含むことを特徴とする負極活物質の製造方法。
【請求項１３】
前記ａ）工程が、Ｃａ、Ａｌ及びＳｉを含む溶湯を冷却して固体とする工程、及び、前記固体の固体状態を維持しつつ加熱するアニール工程を含む、請求項１２に記載の負極活物質の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月15日(2020.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オピオイド系薬物の鎮痛効果を増強するための薬用組成物であって、前記薬用組成物は、５−（（２−（６−アミノ−９Ｈ−プリン−９−イル）エチル）アミノ）ペンタン−１−オール  （ＮＢ００１）、６−アミノ−９−（２−パラトリルオキシ−エチル）−９Ｈ−プリン−８−チオール  （ＮＢ０１０）、４−（９Ｈ−プリン−６−イル）モルホリン  （ＮＢ０１１）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、ことを特徴とする薬用組成物。
【請求項２】
オピオイド系薬物の鎮痛効果を増強することは、オピオイド系薬物耐性を低下させることである、ことを特徴とする請求項１に記載の薬用組成物。
【請求項３】
前記ＮＢ００１、前記ＮＢ０１０及び前記ＮＢ０１１は、製薬上許容される塩又は溶媒和物をさらに含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の薬用組成物。
【請求項４】
前記オピオイド系薬物はモルヒネである、ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の薬用組成物。
【請求項５】
神経因性疼痛による不安及び他の疾患に関連する不安や憂鬱を治療するための薬用組成物であって、前記薬用組成物は、５−（（２−（６−アミノ−９Ｈ−プリン−９−イル）エチル）アミノ）ペンタン−１−オール  （ＮＢ００１）、６−アミノ−９−（２−パラトリルオキシ−エチル）−９Ｈ−プリン−８−チオール  （ＮＢ０１０）、４−（９Ｈ−プリン−６−イル）モルホリン  （ＮＢ０１１）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、ことを特徴とする薬用組成物。
【請求項６】
慢性内臓痛並びにそれに関連する不安及び憂鬱を治療するための薬用組成物であって、前記薬用組成物は、５−（（２−（６−アミノ−９Ｈ−プリン−９−イル）エチル）アミノ）ペンタン−１−オール  （ＮＢ００１）、６−アミノ−９−（２−パラトリルオキシ−エチル）−９Ｈ−プリン−８−チオール  （ＮＢ０１０）、４−（９Ｈ−プリン−６−イル）モルホリン  （ＮＢ０１１）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、ことを特徴とする薬用組成物。
【請求項７】
モルヒネの慢性的な使用による掻痒反応を治療するための薬用組成物であって、前記薬用組成物は、５−（（２−（６−アミノ−９Ｈ−プリン−９−イル）エチル）アミノ）ペンタン−１−オール  （ＮＢ００１）、６−アミノ−９−（２−パラトリルオキシ−エチル）−９Ｈ−プリン−８−チオール  （ＮＢ０１０）、４−（９Ｈ−プリン−６−イル）モルホリン  （ＮＢ０１１）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、ことを特徴とする薬用組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月26日(2019.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ質量％（ＷＡｌ％）が０＜ＷＡｌ＜１を満足し、Ｏ質量％（ＷＯ％）が５≦ＷＯ≦３０を満足し、かつ、粉末Ｘ線回折測定において２７°〜２９°の範囲内にピークトップが観測されるシリコン結晶由来ピークの半値全幅が６°〜１０°の範囲内であるＡｌ含有シリコン材料を含むことを特徴とする負極活物質。
【請求項２】
前記Ａｌ含有シリコン材料のＳｉ質量％（ＷＳｉ％）が６０≦ＷＳｉ≦９０を満足する請求項１に記載の負極活物質。
【請求項３】
複数枚の板状シリコン体が厚さ方向に積層されてなる構造を有する請求項１又は２に記載の負極活物質。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の負極活物質を具備する負極。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の負極活物質を具備する二次電池。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の負極活物質の製造方法であって、
ａ）Ｃａ、Ａｌ及びＳｉを含む溶湯を冷却して、固体とする工程、
ｂ）前記固体を酸と反応させて、Ａｌ含有シリコン材料の前駆体を得る工程、
ｃ）前記前駆体を３００℃以上で加熱する工程、
を含むことを特徴とする負極活物質の製造方法。
【請求項７】
Ａｌ質量％（ＷＡｌ％）が０＜ＷＡｌ＜１を満足し、かつ、粉末Ｘ線回折測定において２７°〜２９°の範囲内にピークトップが観測されるシリコン結晶由来ピークの半値全幅が０．６°以上であるＡｌ含有シリコン材料を含むことを特徴とする負極活物質の製造方法であって、
ａ）Ｃａ、Ａｌ及びＳｉを含む溶湯を冷却して、固体とする工程、及び、前記固体の固体状態を維持しつつ加熱するアニール工程、
ｂ）前記固体を酸と反応させて、Ａｌ含有シリコン材料の前駆体を得る工程、
ｃ）前記前駆体を３００℃以上で加熱する工程、
を含むことを特徴とする負極活物質の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月11日(2020.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャフトに固定される内輪と前記シャフトの径方向において前記内輪よりも外側に設けられる外輪とを有し、前記シャフトに固定された前記内輪と前記外輪が相対的に回転可能なベアリングであって、当該ベアリングの前記シャフトに対するスラスト方向の移動を規制するために前記シャフトに装着される軸用止め輪であって、
前記軸用止め輪が前記シャフトに装着された際に前記外輪と対向する対向部と、
前記シャフトの径方向において前記対向部に対して内側に設けられ、前記スラスト方向において前記対向部から突出し、前記対向部と前記外輪とが非接触となるように前記内輪に当接する凸部と、
を有することを特徴とする軸用止め輪。
【請求項２】
前記凸部は、前記ベアリングの回転方向に複数設けられていることを特徴とする請求項１に記載の軸用止め輪。
【請求項３】
前記凸部と前記対向部とを連結する面は、前記凸部の先端部から前記軸用止め輪の外縁側に向かって傾斜する傾斜面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の軸用止め輪。
【請求項４】
前記スラスト方向において、前記凸部が突出する方向と反対の方向に向かって前記対向部と反対側の面から突出する他の凸部を更に有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の軸用止め輪。
【請求項５】
前記他の凸部は、前記ベアリングの回転方向に複数設けられていることを特徴とする請求項４に記載の軸用止め輪。
【請求項６】
前記他の凸部と前記対向部と反対側の面とを連結する面は、前記他の凸部の先端部から前記軸用止め輪の外縁側に向かって傾斜する傾斜面であることを特徴とする請求項４又は５に記載の軸用止め輪。
【請求項７】
前記凸部と前記他の凸部の前記スラスト方向の幅は、同一であることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の軸用止め輪。
【請求項８】
前記凸部と前記他の凸部は隣接して配置され、且つ、連結されていることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の軸用止め輪。
【請求項９】
前記他の凸部の前記スラスト方向の幅は、前記凸部の前記スラスト方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の軸用止め輪。
【請求項１０】
前記他の凸部は、前記シャフトの径方向において前記軸用止め輪における前記シャフトが嵌合する孔の中心に対して、前記シャフトを嵌入させるための開口と反対の位置に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の軸用止め輪。
【請求項１１】
前記対向部には、スラスト方向に貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の軸用止め輪。
【請求項１２】
前記貫通孔は、前記軸用止め輪における前記シャフトが嵌合する孔と連通して形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の軸用止め輪。
【請求項１３】
前記軸用止め輪は、樹脂製であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の軸用止め輪。
【請求項１４】
前記軸用止め輪は、金属製であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の軸用止め輪。
【請求項１５】
シートに画像を形成する画像形成装置において、
前記画像形成装置が有する回転部材の回転軸となるシャフトと、
前記シャフトに装着されるベアリングと、
前記シャフトに装着されるとともに、前記ベアリングのスラスト方向の移動を規制する請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の軸用止め輪と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１６】
前記回転部材は、シートを搬送する搬送ローラであることを特徴とする請求項１５に記載の画像形成装置。
【請求項１７】
前記回転部材は、シートを搬送する搬送ローラに駆動力を伝達するためのギアであることを特徴とする請求項１５に記載の画像形成装置。
【請求項１８】
シートを搬送するシート搬送装置において、
前記シート搬送装置が有する回転部材の回転軸となるシャフトと、
前記シャフトに装着されるベアリングと、
前記シャフトに装着されるとともに、前記ベアリングのスラスト方向の移動を規制する請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の軸用止め輪と、
を有することを特徴とするシート搬送装置。
【請求項１９】
前記回転部材は、シートを搬送する搬送ローラであることを特徴とする請求項１８に記載のシート搬送装置。
【請求項２０】
前記回転部材は、シートを搬送する搬送ローラに駆動力を伝達するためのギアであることを特徴とする請求項１８に記載のシート搬送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】軸用止め輪、画像形成装置、シート搬送装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明に係る軸用止め輪の代表的な構成は、シャフトに固定される内輪と前記シャフトの径方向において前記内輪よりも外側に設けられる外輪とを有し、前記シャフトに固定された前記内輪と前記外輪が相対的に回転可能なベアリングであって、当該ベアリングの前記シャフトに対するスラスト方向の移動を規制するために前記シャフトに装着される軸用止め輪であって、前記軸用止め輪が前記シャフトに装着された際に前記外輪と対向する対向部と、前記シャフトの径方向において前記対向部に対して内側に設けられ、前記スラスト方向において前記対向部から突出し、前記対向部と前記外輪とが非接触となるように前記内輪に当接する凸部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月1日(2020.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
旋回モータと、
一対の旋回供給ラインにより前記旋回モータと接続された旋回供給弁であって、旋回操作が行われるときに前記旋回供給ラインの一方をブロックする旋回供給弁と、
逆止弁が設けられた吸入ラインを通じて作動油を吸入し、吐出ラインを通じて作動油を吐出するポンプと、
前記ポンプと連結された回生モータと、
旋回加速操作および旋回等速操作が行われるときに前記旋回供給ラインの一方からタンクへの作動油の流通を許容し、旋回加速操作および旋回等速操作が行われないときに前記旋回供給ラインの双方からタンクへの作動油の流通を禁止する第１旋回排出弁と、
旋回減速操作が行われるときに前記旋回供給ラインの一方から前記回生モータへの作動油の流通を許容し、旋回減速操作が行われないときに前記旋回供給ラインの双方から前記回生モータへの作動油の流通を禁止する第２旋回排出弁と、
アキュムレータを前記吐出ラインと接続する蓄圧位置と、前記アキュムレータを前記吸入ラインにおける前記逆止弁の下流側部分と接続する放圧位置と、前記アキュムレータを前記吐出ラインおよび前記吸入ラインにおける前記逆止弁の下流側部分から遮断する中立位置との間で切り換えられるアキュムレータ切換弁と、
前記アキュムレータ切換弁を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、旋回減速操作が単独で行われることを含む蓄圧条件を満たすときに前記アキュムレータ切換弁を前記蓄圧位置に切り換え、放圧条件を満たすときに前記アキュムレータ切換弁を前記放圧位置に切り換え、前記蓄圧条件と前記放圧条件のどちらも満たさないときに前記アキュムレータ切換弁を前記中立位置に切り換える、建設機械の油圧駆動システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明の１つの側面からの建設機械の油圧駆動システムは、ブームシリンダと、ブーム上げ供給ラインおよびブーム下げ供給ラインにより前記ブームシリンダと接続されたブーム制御弁であって、ブーム下げ操作が行われるときに前記ブーム上げ供給ラインをブロックするブーム制御弁と、逆止弁が設けられた吸入ラインを通じて作動油を吸入し、吐出ラインを通じて作動油を吐出するポンプと、前記ブーム上げ供給ラインと前記吸入ラインにおける前記逆止弁の下流側部分とを接続する回生ラインと、ブーム下げ操作が行われるときに前記ブーム上げ供給ラインと前記吸入ラインにおける前記逆止弁の下流側部分とを前記回生ラインを通じて連通させ、ブーム下げ操作が行われないときに前記回生ラインを通じた作動油の流通を禁止する回生弁と、前記吸入ラインにおける前記逆止弁の下流側部分の圧力を所定圧以下に保つリリーフ弁と、アキュムレータを前記吐出ラインと接続する蓄圧位置と、前記アキュムレータを前記吸入ラインにおける前記逆止弁の下流側部分と接続する放圧位置と、前記アキュムレータを前記吐出ラインおよび前記吸入ラインにおける前記逆止弁の下流側部分から遮断する中立位置との間で切り換えられるアキュムレータ切換弁と、前記アキュムレータ切換弁を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、ブーム下げ操作が単独で行われることを含む蓄圧条件を満たすときに前記アキュムレータ切換弁を前記蓄圧位置に切り換え、放圧条件を満たすときに前記アキュムレータ切換弁を前記放圧位置に切り換え、前記蓄圧条件と前記放圧条件のどちらも満たさないときに前記アキュムレータ切換弁を前記中立位置に切り換える、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
旋回供給弁４７は、旋回操作装置５３にて左旋回操作または右旋回操作が行われること
により、全てのライン２４，４８，４９をブロックする中立位置から左旋回作動位置（図
４の右側位置）または右旋回作動位置（図４の左側位置）に切り換えられる。左旋回作動
位置では、旋回供給弁４７は、左旋回供給ライン４８を第１吐出ライン２４と連通すると
ともに、右旋回供給ライン４９をブロックする。一方、右旋回作動位置では、旋回供給弁
４７は、右旋回供給ライン４９を第１吐出ライン２４と連通するとともに、左旋回供給ラ
イン４８をブロックする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
第１旋回排出弁９３は、旋回加速操作が行われるとき（旋回操作信号が増加するとき）、および旋回等速操作が行われるとき（旋回操作信号がゼロ以外で一定のとき）に、全てのライン９１，９２，９４をブロックする中立位置から左旋回作動位置（図４の左側位置）または右旋回作動位置（図４の右側位置）に切り換えられる。一方、旋回加速操作および旋回等速操作が行われないときは、第１旋回排出弁９３は中立位置に維持される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
左旋回作動位置では、第１旋回排出弁９３は、左旋回排出ライン９２をタンクライン９４と連通するとともに、右旋回排出ライン９１をブロックする。一方、右旋回作動位置では、第１旋回排出弁９３は、右旋回排出ライン９１をタンクライン９４と連通するとともに、左旋回排出ライン９２をブロックする。つまり、第１旋回排出弁９３は、旋回加速操作および旋回等速操作が行われるときに、左旋回供給ライン４８または右旋回供給ライン４９からタンクへの作動油の流通を許容し、旋回加速操作および旋回等速操作が行われないとき（例えば、後述する旋回減速操作が行われるとき）に、左旋回供給ライン４８および右旋回供給ライン４９からタンクへの作動油の流通を禁止する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
第２旋回排出弁９７は、旋回減速操作が行われるとき（旋回操作信号が減少するとき）に、全てのライン９５，９６，９８をブロックする中立位置から左旋回作動位置（図４の左側位置）または右旋回作動位置（図４の右側位置）に切り換えられる。つまり、旋回操作が行われるときは、前半は第１旋回排出弁９３が使用されるが、後半は第２旋回排出弁９７が使用される。一方、旋回減速操作が行われないときは、第２旋回排出弁９７は中立位置に維持される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
また、第１実施形態におけるブームシリンダ１３から排出される作動油からエネルギを回生するための構成（回生弁６１および回生ライン６２）と、第３実施形態における旋回モータ１６から排出される作動油からエネルギを回生するための構成（回生モータ７６、旋回供給弁４７、第１旋回排出弁９３および第２旋回排出弁９７）とが組み合わされてもよい。