(57)【要約】  本願発明の装置は、ビーム（１４）のための所望の特性を格納するため、この特性に従って機器（２）の調整パラメータを決定するため、これらの値を格納するため、及び、これらの格納された値を機器の調整パラメータに付与するための調整手段（４０）を備える。本発明は特に、ナノ構造の製造に応用される。
2005510031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム（１４）特に、イオン又は電子ビームの発生機器（２）用の調整装置であって、このビームはターゲット（１８）と相互作用するためのものであるところの装置が：
−装置のユーザーによって決定されるような粒子ビームのために所望の特性を格納すること、
−これらの特性に従って装置の調整パラメータの値を決定し、これらの値を格納すること、
−これらの格納された値を機器の調整パラメータに付与すること、のために備えた調整手段（４０）を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
調整手段（４０）はさらに、
−荷電粒子（１４）がターゲット（１８）と相互作用するときにこれらのパラメータを連続的に又は周期的に測定し、これらの測定からビームの特性を決定すること、
−これによって決定された特性を格納された特性と比較すること、
−これによって決定された少なくとも一の特性は、対応する格納された特性上に中心がある所定の振幅範囲を越えると、機器（２）の調整パラメータを変更し、及び／又は、機器のユーザーに知らせること、を行うためのものである請求項１に記載の装置。
【請求項３】
荷電粒子はイオンであり、ターゲットは基板（１８）であり、機器（２）はイオン源（４）とこれらのイオンを加速する手段（６）とこれらのイオンを合掌する手段（１０）とを備え、この機器は基板（１８）上に構造特にナノ構造を作製するためのものであり、イオンビームはこの基板を浸食することができ、調整手段４０が：
−作製される構造に従って機器のユーザーによって決定されるように、イオンビームのために所望の特性を格納すること、
−これらの特性に従って機器（２）の調整パラメータの値を決定し、これらの値を格納すること、
−これらの格納された値を機器の調整パラメータに付与すること、のためのものである請求項１に記載の装置。
【請求項４】
調整手段（４０）はさらに：
−構造の作製中に、これらのパラメータを連続的に又は周期的に測定し、これらの測定からビーム（１４）の特性を決定すること、
−これによって決定された特性を格納された特性と比較すること、
−これによって決定された少なくとも一の特性が、対応する格納された特性上に中心を有する所定の振幅範囲を越えるならば、機器（２）の調整パラメータを変え、及び／又は、機器のユーザーに知らせること、のためのものである請求項３に記載の装置。
【請求項５】
イオンビーム（１４）の特性がこのイオンビームのサイズ及び電流密度を備え得ることを特徴とする請求項３又は４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
調整手段（４０）がさらに以下の段階：
−構造の形成のためでなくこの基板の一領域において、基板（１８）上に、格納基準デジタル印に従ってテスト印を形成するために機器（２）を制御することと、
−テスト印をデジタル化することと、
−デジタル化した印と格納された基準デジタル印とを比較することと、
−これらの印が異なるならば、機器の少なくとも一の調整パラメータを変え、これらの段階を機器の適切な調整が得られるまで繰り返すことと、を実施するためのものある請求項３から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
調整手段（４０）がさらに：
−構造の製造中のいかなる時に又は周期的に装置の調整パラメータを測定することと、
−少なくとも一のパラメータがドリフトし、それによって対応する格納されたパラメータ上に中心を有する所定の振幅範囲を越えるならば、測定されたパラメータがこの範囲内に再度見いだされるように測定されたパラメータを変えることと、のためのものである請求項３から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
調整手段（４０）がさらに：
−構造の製造中のいかなる時に又は周期的に装置の調整パラメータを測定することと、
−これらのパラメータのうちの少なくとも一が少なくとも不安定なときに、このパラメータ再度調整するために、製造プロセスを中断し、ユーザーに知らせ、及び／又は、機器を較正すること、のためのものである請求項３から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
調整手段（４０）が機器（２）を較正するために、以下の段階：
−構造の形成のためでなくこの基板の一領域において、基板（１８）上に、格納された基準デジタル印に従ってテスト印を形成するために機器（２）を制御することと、
−テスト印をデジタル化することと、
−デジタル化した印と格納された基準デジタル印とを比較することと、
−これらの印が異なるならば、機器の調整パラメータを変え、これらの段階を機器の適切な調整が得られるまで繰り返すことと、を実施するためのものある請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
調整パラメータが、イオン源（４）のエミッション電流と、イオンのエネルギーと、イオンビームのフォーカシングと、基板（１８）上の書き込み領域の振幅と、無非点収差の補正と、機器（２）と基板（１８）との間の距離とを含む請求項３から９のいずれか一項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビームの発生器の調整装置に関するものである。本発明は特に、イオンビームの発生器の調整装置に関し、さらにイオンビームを用いたナノ製造機器用の調整装置に関するものである。特にイオンプローブのサイズ、すなわちターゲットに送られ焦点が合わされたイオンビームのサイズと共に、ターゲット上でのこのイオンプローブのイオン分布の形状を調整する試みが行われている。本発明は特に、50nmより小さい、非常に小さいサイズの構造の作製に適用され、さらに、10nm又はそれ以下のオーダーのサイズのナノ構造の作製に適用される。本発明は、エレクトロニクス（特に、例えば、単電子トランジスタに関するもの）、超高密度データストレージ（磁気材料上に形成されたナノ構造を用いるもの）、及び、超高速度半導体装置（半導体材料上に形成されたナノ構造を用いるもの）のような種々の分野への応用を見いだしている。本発明は特に、イオン点源、すなわち、非常に明るい発光点領域を有する点源を備えた装置によって照射されたイオンビームの調整に応用される。さらに、このイオン点源はLMISすなわち、液体金属イオン源であるのが好ましい。
【背景技術】
【０００２】
液体金属イオン源に関しては、特許文献１及び２を参照されたい。
【０００３】
また、FIBと称されるイオンビームを発生し、焦点が合わされた（合焦）イオンビームを生成する装置が公知である。これらFIBを用いて、50nm以下のサイズを有する良好な品質のナノ構造を作製することはできないことは留意されたい。
【０００４】
さらに、合焦されたイオンビームの形状を調整する装置は特許文献３により公知である。
【０００５】
特許文献３に開示された調整法は、走査型電子顕微鏡又はイオンビームリソグラフィで従来使用されている調整法の転用に過ぎない。
【０００６】
このような手法はナノメートル範囲では使用できない。
【０００７】
さらに、この公知の手法は、コストが高く、再使用できない破損しやすい較正マーカーを予備的な製造を必要とする。
【０００８】
また、公知の手法では、イオンビームを生成する装置を調整するために、装置のイオン光システムの種々の作動パラメータをチェックし、調整結果はイオンビーム用に使用する意図に一致する理論的解像度を提供することを確かめるオペレータである。
【０００９】
この段階は、解釈し易くかつ妥協するので注意を要する。
【００１０】
オペレータはしばしば作業者の仕事例えば、イオン光システムの解像度の値に対する、このイオン光システム（１組の静電レンズを備えた）とイオンビームのターゲットとの間の種々の距離に対するイオンプローブの現在の値を容易にするために表にしたデータを備える。
【００１１】
しかしながら、装置の調整は注意を要するままである。
【特許文献１】国際特許出願PCT/FR95/00903、国際公開第96／02065号パンフレット（発明者：ジャック・ギラク（Jacques Gierak）、ゲラード・ベン・アサヤン（Gerard Ben Assayang））、米国特許第5,936,251号明細書
【特許文献２】米国特許第4,426,582号明細書（発明者：オロフ（J.H.Orloff）、スワンソン（L.W.Swanson））
【特許文献３】米国特許第4,704,726号明細書（発明者：キョウゴク（H.Kyogoku）、カイト（T.Kaito））（セイコー電子株式会社（Seiko Instruments and Electronics Ltd.）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は上述の欠点の改善策を提供することである。
【００１３】
本発明は特に、自己調整、自己診断、及び自己較正キャパシティをイオンビーム発生（生成）装置に付加することを指向している。
【００１４】
装置にこのようなキャパシティを付加することによって、この装置の応用分野及び後者の生産性を改善しかつ拡大することが、オペレータすなわち、装置のユーザーの介入をほとんど排除することによって可能である。
【００１５】
さらに一般的には、本発明は、オペレータの介入をほとんど排除された荷電粒子ビームの生成装置を調整することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
特に、本発明の目的は、荷電粒子のビーム特に、イオン若しくは電子ビームを調整する装置であって、ここで、このビームはターゲットと相互作用するためのものであって、この装置は以下のための調整手段：
−装置のユーザーによって決定される粒子ビームの所望の特性を格納する段階と、
−これらの特性についての装置の調整パラメータの値を決定し、これらの値を格納する段階と、
−これらの格納された値を装置の調整パラメータに付与する段階と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明の一実施形態では、調整手段はさらに：
−荷電粒子ビームがターゲットと相互作用するときにこれらのパラメータを連続的又は周期的に調整し、これらの測定からビームの特性を決定する段階と、
−それによって決定した特性と格納された特性を比較する段階と、を備える。
【００１８】
本発明の好適な実施形態では、荷電粒子はイオンであり、ターゲットが基板であり、装置はイオン源とこれらのイオンを加速する手段とこれらのイオンを合掌する手段とを備え、この装置は基板上に構造特に、ナノ構造を作製するためのものであり、イオンビームはこの基板を浸食することができ、調整手段は：
−作製される構造について装置のユーザーによって決定されるように、作製されるイオンビームのために所望の特性を格納する段階と、
−これらの特性について装置の調整パラメータの値を決定し、これらの値を格納する段階と、
−これらの格納した値を装置の調整パラメータに与える段階と、を備える。
【００１９】
好適には、調整手段がさらに：
−構造の作製中にこれらのパラメータを連続的又は周期的に測定し、これらの測定からビームの特性を決定する段階と、
−これによって決定された特性と格納された特性とを比較する段階と、
−これによって決定された特性の少なくとも一つが対応する格納された特性上の中心に配置して所定の振幅インターバルの外側にあれば、装置の調整パラメータを変化させ及び／又は装置のユーザーに知らせる段階と、を備える。
【００２０】
イオンビームの特性は、このイオンビームのサイズ及び現在の密度を備えてもよい。
【００２１】
好適には、調整手段はさらに以下の段階：
−基板上の、構造の形成を意図していないこの基板の一領域に、格納された基準デジタル印（インプリント）に従ってテスト印を形成するように、装置を制御する段階と、
−テスト印をデジタル化する段階と、
−デジタル化されたテスト印と格納された基準デジタル印とを比較する段階と、
−これらの印が異なれば、装置の調整パラメータの少なくとも一つを変え、装置の適切な調整が得られるまでこれらのステップを繰り返す段階と、を備える。
【００２２】
本発明の第１の実施形態では、調整手段はさらに：
−構造の作製中のいかなる時も又は周期的に装置の調整パラメータを測定する段階と、
−少なくとも一のパラメータがドリフトし、それによって対応する格納されたパラメータ上に中心がある所定の振幅範囲を超えるならば、測定されたパラメータをこの範囲に再び見いだせるように測定されたパラメータを変える段階と、のためのものである。
【００２３】
第２の実施形態では、調整手段はさらに：
−構造の作製中のいかなる時も又は周期的に装置の調整パラメータを測定する段階と、
−少なくとも一のパラメータの不安定が生じていている場合に、作製プロセスを中断し、ユーザーに知らせ、及び／又は、このパラメータを再びこのパラメータを調整する装置を較正する段階と、のためのものである。
【００２４】
この場合、装置を較正するために、以下の段階：  
−基板上の、構造の形成を意図していないこの基板の一領域に、格納された基準デジタル印（インプリント）に従ってテスト印を形成するように、装置を制御する段階と、
−テスト印をデジタル化する段階と、
−デジタル化されたテスト印と格納された基準デジタル印とを比較する段階と、
−これらの印が異なれば、装置の調整パラメータの少なくとも一つを変え、装置の適切な調整が得られるまでこれらのステップを繰り返す段階と、を実施する調整手段を備えるのが好ましい。
【００２５】
調整パラメータはイオン源の発射（エミッション）電流と、イオンのエネルギーと、イオンビームのフォーカシングと、基板上の書き込み領域の振幅と、無非点収差の補正と、装置と基板との間の距離を含んでもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明は、本発明の装置の実施形態の概要を示した図面を参照して、純粋に説明としてであって、限定するものではないこれ以後に示した実施例の説明を読むことによってより理解が深まるだろう。  
【００２７】
この図では、本発明が応用されるイオンビーム発生装置２の例を概略的に図示したものである。
【００２８】
装置２は、例えばガリウムイオンを用いて作られたイオンビームを生成するための例えば液体金属を有するイオン源４と、生成されたイオンビームを抽出し、加速するシステム６と、源支持体８と、静電光学システム１０とを備える。
【００２９】
システム１０の軸をZ1としてマークし、源４から発射されたイオンビーム１２の軸をZとしてマークし、これらZとZ1とが平行である。
【００３０】
源４によって作られたアセンブリと、その支持体８と、システム１０とは装置２の合焦されたイオンカラムを形成する。システム１０は、合焦されたイオンビーム１４を作るために、ビーム１２を合焦するために（図示しない）静電レンズから成ることが必須である。
【００３１】
イオンビーム１２の発射コーンの中心軸Z（源４の軸）を静電光学システム１０の光学軸Z1に位置合わせするために、源支持体は一組のマイクロメータステージを備える。図中の実践及び点線によって象徴されたこの組１６は、支持体が、それぞれ直交するX軸及びY軸に沿ってかつZ軸へ向けて変位（移動）される。
【００３２】
図はまた、合焦ビーム１４によって処理される基板１８、及び、（この基板１８を浸食することができる）このビーム用のターゲットを形成することを示している。
【００３３】
この基板は、X軸、Y軸及びZ軸にそれぞれ直交する３本の軸に沿って変位するステージ２０上に載置されている。
【００３４】
装置２は、基板１８上にナノ構造を作製するためのものである。
【００３５】
また、イオンビームを生成する装置２の制御システム２２又は作動システムが示されている。
【００３６】
このシステム２２は：
−イオン源４を制御する手段２４と、
−イオンビーム１２を抽出し加速するシステム６を制御する手段２６と、
−静電光学システム１０を制御する手段２８と、
−マイクロメータステージのアセンブリ１６を制御する手段２９と、を備える。
【００３７】
基板支持ステージ２０の変位を制御する手段３０も示している。
【００３８】
制御されたイオン照射によってナノメーターサイズの構造を形成するために、数10ナノメータースケールでイオンプローブを提供するイオンカラムのパラメータを調整する基本的な課題を解決することを指向している。
【００３９】
ジオメトリ形状（サイズ）、プロファイル（ビームの中心軸から離れるときに粒子数のかなりの急激な減少と共に、ターゲットでのイオンプローブの分布の球形度が支配する。数ナノメートルのスケールでは、すべての問題がより複雑である。
【００４０】
この手法はこのイオンビームのプロファイルの非常に精確でかつ迅速な調整を提供することを指向している。関連点は：
−基板１８によって作られたターゲットにおいて、装置２の静電レンズの作用の下でイオンビーム１２をナノメートル寸法のスポット（インパクト）に合焦することと、
−入射イオンプローブの球形度の不足を補正すること、
−ターゲット表面で書き込み領域（静電光学システム１０が備える静電偏向器の作用の下でビームによってアドレス付けがされる領域）を、相対位置が数ナノメートル内で常に精確に知られるように較正することと、である。
【００４１】
ナノ製造用途のために10nmスポットに合焦されたイオンビームの使用のために特別の制限を有する：  
−ターゲットをボンバードする活発なイオンによって誘起されるスパッタリング効果は遅かれ早かれ、較正構造（例えば、電子ビームリソグラフィにおいて従来使用されているシリコン上の通常、金（ゴールド）のマーカー）の破壊につながる
【００４２】
さらに、数10ナノメーターの較正構造は製造に注意を要する。とりわけ、非常に壊れやすく、高価な場合は注意を要する。
【００４３】
イオンビームの使用の周期は数時間を要し、ドリフト及び一時的な不安定の影響を抑制するために、このイオンビームの特性の周期的なチェックを課す。
−１より小さい源スポットのジオメトリ拡大を得るために要する減少したワーキングディスタンス（作動距離）は領域の使用可能な深さを低減する。
【００４４】
さらに、ある基板は、互いに大きく異なる高さを有するパターンを含む。というのも、これらのパターンがすべて理想的な焦点距離に位置しているわけではないからである。
−後者の場合、光軸（Z1軸）でのこのような基板に入射するイオンは、数ミリメートルだけこの軸から偏向した他のイオンより短い距離のパス（経路）をカバーする。
【００４５】
この光路差は欠陥若しくは収差の発生の原因となる。
【００４６】
これらの収差を許容可能な値に制限するために、書き込みサイズは数ミクロンのオーダーの領域に制限される。
【００４７】
いかなる追加の装置なしで、FIBナノ製造技術は小さな基本パターンだけを形成できる。
−基板１８の超精密変位を用いるときは、大きなサイズを規定するために、数個の基本サブ構造が結合する可能性が生じる。しかし、これは、FIB基本書き込み領域のサイズの厳しい較正に依存するままである。
【００４８】
実際、走査領域内に規定（画定）された点の座標と基板支持ステージ２０の変位座標との間にできるだけ完全な合致が要求される。
【００４９】
これはすべて、イオンプローブの走査が（制御手段２８に含まれた）デジタル／アナログ型のＣＡＤ（computer-aided design）ジェネレータによって得られるので複雑である。というのは、それに関する限り、ステージ２０は特定の独立界面によって形成された制御手段３０によって駆動される。
【００５０】
イオンのエネルギー又は後者の性質において、基板とイオンカラムとの間の距離の変動によって、走査領域の振幅の値が変化することにも留意すべきである。
【００５１】
考えられた技術は高速で、高精度であり、かつ、ガリウムイオンのような重い入射イオン又はアルミニウムイオンのような他の金属イオンが、それらが当たるターゲットを局所的にエッチングするという性質を利用することによって、イオンカラムの光学システム１０を較正するために自動化が可能である。
【００５２】
この技術を用いると、イオンビームを生成する同じ装置は較正マークを形成でき、それらを完全に自動でチェックできる。
【００５３】
考えられた技術は、“犠牲領域”において、例えば、矩形の単一のホール（“スポット”）又はクロス型の所定のCADパターンに従って、イオンビームを生成し、単純な構造をエッチングする装置２によって生成された入射イオンビームの浸食効果を利用する。
【００５４】
FIBによって基板をエッチングした後、イオンビーム１４による基板１８の表面の走査に起因する第２の電子３４を適当な偏向手段３２を介して簡単に収集することによって、この構造は、いかなる変化なしで、同じ条件の下でSIM（走査型イオン顕微鏡）において作動される装置２によって画像化される。
【００５５】
ディスプレイ手段３８を備えた電子処理手段３６を、これらの偏向手段３２で提供された信号を処理するために備えている。
【００５６】
偏向手段を介して得られたSIM像は、電子処理手段３６によってデジタル化され、実際にエッチングされた構造に対応するこのデジタル化SIM像において、デジタル化された最初の所定パターン（例えば、正方形、ホール若しくはクロス）をコンピュータによって重畳すること、及び、（デジタル的に）両方の像を識別することが可能である。
【００５７】
例えば正方形型パターンの場合は、不十分な合焦に起因する欠陥が検出されたり、ビーム生成装置２のレンズの合焦効果を段階的に増大することによって修復が見つけられたりする。処理は、デジタル化されたSIM像と最初のパターンが充分一致するまで、種々の拡大のために自動化され、段階的に繰り返してもよい。
−球形度の欠損を補正するために同じ浸食効果、いわゆる非点収差効果を入射イオンのスポットで利用することも可能である。この場合、イオンプローブの印の完全な像は、10nmから20nmのオーダーの単一ホールを孔あけすることによって、数10秒で非常に迅速に得られる。
【００５８】
常に理想的な基準像（円形像）と比較することによって、かつ、得られた楕円の方向に従って、スポットの楕円形プロファイルが明らかになるならば、ユーザーによって確立された決定基準（標準）に合致し、使用されたコンピュータシステムがこのシーケンスを（好適には自動で）で出るまで、補正的でかつ繰り返しのテスト手順をトリガーすることが可能である。
−FIB書き込み領域のサイズの較正は、考えられた技術によって、好適には自動的に実施されてもよい。まず、ほとんど不確かでない長さを用いてライン（平行なラインのネットワーク又は交差するラインのネットワーク）がエッチングされる。
【００５９】
これをするために、イオンビームをスポットモードで維持し、基板１８の表面を走査せず、ここで、後者はこの基板を支持するステージ２０を介して移動し、このステージの変位の測定はレーザー干渉計によって実施される。機械的な精密さは（10nmから5nmのオーダーの）数ナノメートルに入る。
【００６０】
この場合、マーカーはイオンプローブ１４を用いてターゲット１８の表面を走査することによっては形成されず、このターゲットを変位することによってのみ形成され、エッチングイオンビームの中心軸Z1を固定したままである。
【００６１】
これによって製造された構造のSIM像は、1ビット若しくは数ビットのデジタルウェイトが基板１８での公知の変位に合致するように、この像のデジタル化の後に、ビーム発生装置２の増幅段階のゲインが調整され得る。  
【００６２】
走査領域の較正は、レーザー干渉計測定法を用いて実施する。
【００６３】
本発明では、上述の装置を補完し、その意義に付加される装置を提案する。
【００６４】
提案された装置は、制御されたイオン照射によってナノメートルサイズの構造を形成するために、数10ナノメートルのスケールでイオンプローブを提供する唯一のイオンカラムのパラメータの調整を改善し、より効果的にする傾向が顕著である。
【００６５】
特に、荷電粒子ビーム特にイオンビームの生成装置のユーザーに異なるレベルの支援が提案されている：
−以下のような要求される作動条件に従って装置を利用するための最適のパラメータの決定：
・ 要求される解像度を得るために光学モードの選択（例えば、焦点レンズの通電電圧、作動距離、セミ発散（semidivergent）モード、セミ収束（semiconvergent）モード又はコリメートモード（光学システムにおける）又は“クロスオーバー” すなわち荷電粒子特に光学システムにおけるイオンの交差の必要性）、
・ 書き込み領域のサイズ、歪曲（ディストーション）効果の検出及びこれらの効果の数量化、
及び、（装置２の作動システム２２に含まれている）パターン走査発生器のコンピュータプログラムに連結して、、（例えば、走査の又は入射イオンドーズの精密度のような）パラメータ間の不可能又はコンフリクトのこれらのパラメータ又は他の検出の検証。
−光学システムによって提供されたイオンプローブのパラメータ化の決定：
・ 電流分布の特性（例えば、標準偏差の幅）
・ 輸送された電流値
−装置の調整のチェック。
【００６６】
重い入射イオン（ガリウムイオン又は他の金属イオン）が有するそれがあたるターゲットを局所的にエッチングする特性を利用することによって、ビーム生成装置がその固有の較正マークを生成し、走査型イオン顕微鏡でそれらを画像化する。
【００６７】
これを用いて、これらのマーカーの整合性を、調整モジュール、装置２の作動システム２２に集積された計算モジュールによって形成された、本発明による装置において予め詳細に調べられた結果に対してチェックされる。
【００６８】
本発明による装置の例をこれ以降に記載する。
【００６９】
本発明は装置２を用いたナノ製造の所定のシーケンスを完遂することである。
【００７０】
本発明では、装置２２は調整モジュール４０又は計算モジュールによって完成される。
【００７１】
必須にコンピュータを含むこのモジュール４０は、ディスプレイ手段３８を介して（装置のユーザー）情報をオペレータへ提供する。このオペレータに関する限り、オペレータは情報（顕著なデータ）をモジュール４０に提供するように導かれる。情報は図において矢印４２によって示されている。
【００７２】
さらに、本発明を実施するために、調整モジュール４０は、種々の制御手段２４，２６，２８，２９及び３０を制御するために、装置２の作動（オペレーティング）システム２２が含む種々の制御手段２４，２６，２８，２９及び３０に結合されている。
【００７３】
後者は適切なセンサー（図示せず）を備え、それらに種々のユニット４，６，１０，１６及び２０の状態（それらをコントロールする）を知ることができるようにされている。
【００７４】
また、モジュール４０は、走査型イオン顕微鏡モードでの装置の作動を制御するため、及び、この作動からの結果を利用するために、検出手段３２及び電子処理手段３６に結合されている。
【００７５】
本発明では、調整がオペレータに提案され、これらの調整が計算モジュールによって決定される。オペレータはナノ製造シーケンスを開始する。
【００７６】
次いで、モジュール４０は連続的に（又は周期的であるが高速度）、この製造シーケンス中にイオンプローブ（イオンビーム１４）の特性を計算し、計算結果をこのモジュール４０に格納された予め確定した値に比較する。
【００７７】
計算中に得られた結果がこれらの予め確定した値と異なるならば、モジュールは装置の調整のパラメータを調整することによって補正測定を実施し、又は、計算結果と予め確定した値との間の差が大きすぎるならば、モジュール４０はディスプレイ手段３８を介してオペレータに知らせる。
【００７８】
さらに詳細には本発明では、調整モジュール４０は、基板１８上に作製される構造に従って装置２のユーザーによって前もって決定されるように、イオンビーム１４のために所望の特性を格納する。
【００７９】
次いで、モジュール４０は、これらの特性に従って装置２の調整値を決定し、これらの値を格納する。
【００８０】
次いで、モジュールは格納したこれらの値を、制御手段２４，２６，２８及び３０を介して装置２の調整パラメータに与える。これら手段へは、モジュール４０が所望の調整をなすことを可能とする制御信号が送られる。
【００８１】
イオンビーム１４の特性はこのイオンビームのサイズ及びこのビームの電流密度である。
【００８２】
イオンカラムの調整パラメータは以下の通りである：
−イオン源４のエミッション電流、
−イオンのエネルギー、
−焦点レンズに印加される電圧、
−走査領域の振幅すなわち、書き込み領域の振幅、
−イオンビーム１４の無非点収差の補正、
−装置とターゲット１８との間の距離、この距離はZ1軸に平行にステージ２０を変位（移動）することによって調整される。
【００８３】
オペレータが無非点収差の極めて大きな補正を行いたいときは、計算モジュール４０はこのオペレータにディスプレイ手段３８を介してこれを知らせることに留意すべきである。
【００８４】
さらに、基板１８上に構造を作製中に、モジュール４０は連続的または周期的に（好適には高速度（ハイレイト）で）これらのパラメータを測定し、手段２４，２６，２８及び３０を介して行った）これらの測定からビーム１４の特性を決定してもよい。
【００８５】
次いで、モジュールは、これらによって決定された特性と格納された特性とを比較する。これらによって決定された一又は二以上の特性が特性又は対応する格納された特性と（例えば−１０％から＋１０％の範囲の所定のパーセント（割合）だけ）異なるときは、モジュールはオペレータに知らせ、また、ビーム１４に対する適当な特性を得るために装置の調整パラメータを変化させる。
【００８６】
差が大きすぎる場合は、モジュール４０は簡単にオペレータに知らせ、製造と共に進めるために後者からの指示を待つ。
【００８７】
また、この構造の作製を開始する前にで後者の最中に、モジュール４０は以下の段階を実施してもよい：
・ このモジュールは、モジュール４０において前もって格納された基準デジタル印に従うテスト印を、構造を形成するために意図されないこの基板の一領域において、基板１８上に形成するために装置２を制御する。
・ 次いで、モジュールはデジタル化されたテスト印と格納された基準デジタル印とを比較する。
・ これらの印が異なる場合は、モジュールは、この装置の適当な調整が得られるまで、装置２の一又は二以上の調整パラメータを変える。
【００８８】
さらに、モジュール４０は、（一又は二以上のパラメータのいかなるドリフトの事象における制御手段２４，２６及び２８を介して）装置上で作用するためにプログラムされてもよい。実際、製造シーケンスは通常は長時間例えば２時間続く。
【００８９】
モジュール４０は（連続的に又は周期的に）パラメータを測定することができるので、後者のドリフトを検出し、これを修正してもよい。
【００９０】
さらに、モジュール４０は、それは、一又は二以上のパラメータの不安定の事象において、すなわち、後者の突然の変化の事象において、製造シーケンスを中断し、（それについてオペレータに知らせ）をようにプログラムされていてもよい。
【００９１】
この場合、モジュール４０は、構造が形成されていない基板１８上の一領域において、パターン（例えば、クロス又はホール）の形成を用いる先述のような手法に従って、装置２を較正するためのフェイズを開始することが期待されてもよい。
【００９２】
較正はオペレータの介入なしで行われることに留意されたい。モジュール自体が、再びパラメータを調整するために、基板１８において要するエッチングの形成を制御し、モジュール４０は適当な調整が得られるまで後者を変化させる。
【００９３】
さらに、ナノ製造プロセスは非常に低い圧力で行われることに留意すべきである；一又は二以上の理由のために、この圧力は非常に迅速に増大する；また、電子的な性質の問題は装置２に影響を与えがちである；このような場合、モジュール４０はそれ自体で作用できず、オペレータの介入が必要となる。
【００９４】
本発明は、（正又は負の）イオンビームの発生装置の調整に限定されない。電子顕微鏡のような荷電粒子（粒子は電子）のビームを発生する他の装置の調整にも応用される。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明に係る装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００９６】
２  ビームの発生機器
６  イオン加速手段
１４  荷電粒子ビーム
１８  ターゲット
４０  調整手段
【図１】
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【国際調査報告】
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