【手続補正書】
【提出日】令和2年9月3日(2020.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハオーバレイを補正するためのシステムであって、
基板の湾曲を測定し、１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする湾曲測定を生成するように構成された計測モジュールであって、前記基板は作用表面を有すると共に前記作用表面の反対側に裏側表面を有し、前記基板は、前記基板の前記作用表面上に半導体デバイスの少なくとも一部を形成するために行われる１つ以上の微細加工プロセスステップによってもたらされる初期オーバレイ誤差を有する、計測モジュールと、
前記湾曲測定を受け取り、前記湾曲測定に基づいてオーバレイ補正パターンを生成するように構成されたコントローラであって、前記オーバレイ補正パターンは前記湾曲測定に基づいて前記基板上の特定の位置における内部応力への調整を画定し、前記基板上の第１所与位置は、前記オーバレイ補正パターン内で前記基板上の第２所与位置と比較して画定される異なる内部応力調整を有する、コントローラと、
基板ホルダ及び基板処置コンポーネントを有するプロセスモジュールであって、前記基板処置コンポーネントは、前記基板上の前記特定の位置における前記基板上の内部応力を前記基板の変更された湾曲をもたらす前記オーバレイ補正パターンにしたがって物理的に変更するように構成されており、前記変更された湾曲を有する前記基板は、第２オーバレイ誤差を有し、前記第２オーバレイ誤差は、前記初期オーバレイ誤差と比較して低減されたオーバレイ誤差を有する、プロセスモジュールと、
前記基板を前記計測モジュールから前記プロセスモジュールへ自動的に移動する自動基板ハンドリングシステムと、
を備え、
前記計測モジュールと、前記プロセスモジュールと、前記自動基板ハンドリングシステムと、は共通のプラットフォーム上にある、システム。
【請求項２】
ウェハオーバレイを補正するためのシステムであって、
基板の湾曲を測定し、１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする湾曲測定を生成するように構成された計測モジュールであって、前記基板は作用表面を有すると共に前記作用表面の反対側に裏側表面を有し、前記基板は、前記基板の前記作用表面上に半導体デバイスの少なくとも一部を形成するために行われる１つ以上の微細加工プロセスステップによってもたらされる初期オーバレイ誤差を有する、計測モジュールと、
前記湾曲測定を受け取り、前記湾曲測定に基づいてオーバレイ補正パターンを生成するように構成されたコントローラであって、前記オーバレイ補正パターンは前記湾曲測定に基づいて前記基板上の特定の位置における内部応力への調整を画定し、前記基板上の第１所与位置は、前記オーバレイ補正パターン内で前記基板上の第２所与位置と比較して画定される異なる内部応力調整を有する、コントローラと、
基板ホルダ及び基板処置コンポーネントを有するプロセスモジュールであって、前記基板処置コンポーネントは、前記基板上の前記特定の位置における前記基板上の内部応力を前記基板の変更された湾曲をもたらす前記オーバレイ補正パターンにしたがって物理的に変更するように構成されており、前記変更された湾曲を有する前記基板は、第２オーバレイ誤差を有し、前記第２オーバレイ誤差は、前記初期オーバレイ誤差と比較して低減されたオーバレイ誤差を有する、プロセスモジュールと、
を備え、
前記プロセスモジュールは、前記基板上の前記第１所与位置が前記第２所与位置と比較してより多くの材料を付加されることができるという点で、前記基板の前記裏側表面上の材料の位置特定付加により前記基板上の内部応力を変更するように構成されている、
システム。
【請求項３】
ウェハオーバレイを補正するためのシステムであって、
基板の湾曲を測定し、１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする湾曲測定を生成するように構成された計測モジュールであって、前記基板は作用表面を有すると共に前記作用表面の反対側に裏側表面を有し、前記基板は、前記基板の前記作用表面上に半導体デバイスの少なくとも一部を形成するために行われる１つ以上の微細加工プロセスステップによってもたらされる初期オーバレイ誤差を有する、計測モジュールと、
前記湾曲測定を受け取り、前記湾曲測定に基づいてオーバレイ補正パターンを生成するように構成されたコントローラであって、前記オーバレイ補正パターンは前記湾曲測定に基づいて前記基板上の特定の位置における内部応力への調整を画定し、前記基板上の第１所与位置は、前記オーバレイ補正パターン内で前記基板上の第２所与位置と比較して画定される異なる内部応力調整を有する、コントローラと、
基板ホルダ及び基板処置コンポーネントを有するプロセスモジュールであって、前記基板処置コンポーネントは、前記基板上の前記特定の位置における前記基板上の内部応力を前記基板の変更された湾曲をもたらす前記オーバレイ補正パターンにしたがって物理的に変更するように構成されており、前記変更された湾曲を有する前記基板は、第２オーバレイ誤差を有し、前記第２オーバレイ誤差は、前記初期オーバレイ誤差と比較して低減されたオーバレイ誤差を有する、プロセスモジュールと、
を備え、
前記プロセスモジュールは、前記基板上の前記第１所与位置が、第２所与位置と比較してより多くの材料を除去されることができる点で、前記基板の前記裏側表面上の材料の位置特定除去により前記基板上の内部応力を変更するように構成されており、
前記プロセスモジュールは、前記基板の前記裏側表面に１つ以上の膜を付加し、所与の位置において、前記１つ以上の膜から材料を選択的に除去するように構成されている、
システム。
【請求項４】
ウェハオーバレイを補正するためのシステムであって、
基板の湾曲を測定し、１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする湾曲測定を生成するように構成された計測モジュールであって、前記基板は作用表面を有すると共に前記作用表面の反対側に裏側表面を有し、前記基板は、前記基板の前記作用表面上に半導体デバイスの少なくとも一部を形成するために行われる１つ以上の微細加工プロセスステップによってもたらされる初期オーバレイ誤差を有する、計測モジュールと、
前記湾曲測定を受け取り、前記湾曲測定に基づいてオーバレイ補正パターンを生成するように構成されたコントローラであって、前記オーバレイ補正パターンは前記湾曲測定に基づいて前記基板上の特定の位置における内部応力への調整を画定し、前記基板上の第１所与位置は、前記オーバレイ補正パターン内で前記基板上の第２所与位置と比較して画定される異なる内部応力調整を有する、コントローラと、
基板ホルダ及び基板処置コンポーネントを有するプロセスモジュールであって、前記基板処置コンポーネントは、前記基板上の前記特定の位置における前記基板上の内部応力を前記基板の変更された湾曲をもたらす前記オーバレイ補正パターンにしたがって物理的に変更するように構成されており、前記変更された湾曲を有する前記基板は、第２オーバレイ誤差を有し、前記第２オーバレイ誤差は、前記初期オーバレイ誤差と比較して低減されたオーバレイ誤差を有する、プロセスモジュールと、
を備え、
前記プロセスモジュールは、前記基板上の前記第１所与位置が、第２所与位置と比較してより多くの粒子をインプランテーションされることができるという点で、前記基板の前記裏側表面への粒子の位置特定インプランテーションにより前記基板上の内部応力を変更するように構成されている、
システム。
【請求項５】
ウェハオーバレイを補正するためのシステムであって、
基板の湾曲を測定し、１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする湾曲測定を生成するように構成された計測モジュールであって、前記基板は作用表面を有すると共に前記作用表面の反対側に裏側表面を有し、前記基板は、前記基板の前記作用表面上に半導体デバイスの少なくとも一部を形成するために行われる１つ以上の微細加工プロセスステップによってもたらされる初期オーバレイ誤差を有する、計測モジュールと、
前記湾曲測定を受け取り、前記湾曲測定に基づいてオーバレイ補正パターンを生成するように構成されたコントローラであって、前記オーバレイ補正パターンは前記湾曲測定に基づいて前記基板上の特定の位置における内部応力への調整を画定し、前記基板上の第１所与位置は、前記オーバレイ補正パターン内で前記基板上の第２所与位置と比較して画定される異なる内部応力調整を有する、コントローラと、
基板ホルダ及び基板処置コンポーネントを有するプロセスモジュールであって、前記基板処置コンポーネントは、前記基板上の前記特定の位置における前記基板上の内部応力を前記基板の変更された湾曲をもたらす前記オーバレイ補正パターンにしたがって物理的に変更するように構成されており、前記変更された湾曲を有する前記基板は、第２オーバレイ誤差を有し、前記第２オーバレイ誤差は、前記初期オーバレイ誤差と比較して低減されたオーバレイ誤差を有する、プロセスモジュールと、
を備え、
前記プロセスモジュールは、硬化膜の位置特定温度変調によって、前記基板上の内部応力を変更するように構成されている、
システム。
【請求項６】
前記プロセスモジュールが前記基板上の異なる位置を独立して変更するように構成されており、前記異なる位置の少なくとも一部が互いに比較して異なって変更されるという点で、前記プロセスモジュールは内部応力を差動的に変更するように構成されている、
請求項１乃至５いずれか１項記載のシステム。
【請求項７】
前記プロセスモジュールは、前記基板上の複数の位置における内部応力を増強し又は緩和するように構成されている、
請求項１乃至５いずれか１項記載のシステム。
【請求項８】
前記プロセスモジュールは、前記基板の前記作用表面上又は前記基板の前記裏側表面上の内部応力を物理的に変更するように構成されている、
請求項１乃至５いずれか１項記載のシステム。
【請求項９】
前記プロセスモジュールは、前記基板の前記裏側表面上の内部応力を物理的に変更する間、前記作用表面が上方を向くように前記基板を保持するように構成されている、
請求項１乃至５いずれか１項記載のシステム。
【請求項１０】
前記計測モジュール及び前記プロセスモジュールは、前記基板を前記計測モジュールから前記プロセスモジュールへ自動的に移動する自動基板ハンドリングシステムを有する共通のプラットフォーム上にある、
請求項２乃至５いずれか１項記載のシステム。
【請求項１１】
前記プロセスモジュールは、前記基板上の前記第１所与位置が前記第２所与位置と比較してより多くの材料を付加されることができるという点で、前記基板の前記裏側表面上の材料の位置特定付加により前記基板上の内部応力を変更するように構成されている、
請求項１、３、４又は５記載のシステム。
【請求項１２】
前記プロセスモジュールは、前記基板上の前記第１所与位置が、第２所与位置と比較してより多くの材料を除去されることができる点で、前記基板の前記裏側表面上の材料の位置特定除去により前記基板上の内部応力を変更するように構成されて
いる、
請求項１、２、４又は５記載のシステム。
【請求項１３】
前記プロセスモジュールは、前記基板の前記裏側表面に１つ以上の膜を付加し、所与の位置において、前記１つ以上の膜から材料を選択的に除去するように構成されている、
請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
前記プロセスモジュールは、前記基板上の前記第１所与位置が、第２所与位置と比較してより多くの粒子をインプランテーションされることができるという点で、前記基板の前記裏側表面への粒子の位置特定インプランテーションにより前記基板上の内部応力を変更するように構成されている、
請求項１、２、３又は５記載のシステム。
【請求項１５】
前記プロセスモジュールは、硬化膜の位置特定温度変調によって、前記基板上の内部応力を変更するように構成されている、
請求項１乃至４いずれか１項記載のシステム。
【請求項１６】
前記コントローラは、前記湾曲測定に加えて、前記作用表面のデバイスパラメータに基づいてオーバレイ補正パターンを生成するように構成されている、
請求項１乃至５いずれか１項記載のシステム。
【請求項１７】
前記コントローラは、平面間偏差、参照平面からのＺ高さ偏差、関心位置の多次元微分解析、ゼルニケ多項式解析、ピクセル化された基底関数の最適化及び球面ベッセル関数を含む群から選択された計算方法を用いてオーバレイ補正パターンを生成するように構成されている、
請求項１乃至５いずれか１項記載のシステム。
【請求項１８】
表側作用表面と裏側表面とを有する基板上の前記基板上のウェハオーバレイを、前記表側作用表面上での１以上のプロセスステップが行われた後に、補正するためのシステムであって、前記システムは、
前記表側作用表面上での１以上のプロセスステップが行われた後に、基板の湾曲を測定し、１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする湾曲測定を生成するように構成された計測モジュールと、
前記表側作用表面上での１以上のプロセスステップが行われた後に、前記基板の前記裏側表面を放射線感受性材料で被覆するように構成されたコーティングモジュールと、
前記表側作用表面上での１以上のプロセスステップが行われた後に、前記基板の前記湾曲測定に基づく前記基板上の特定の位置の内部応力への調整を画定するオーバレイ補正パターンを生成するように構成されたコントローラであって、前記基板上の第１所与位置は、前記オーバレイ補正パターン内で前記基板上の第２所与位置と比較して画定される異なる内部応力調整を有する、コントローラと、
前記オーバレイ補正パターンに基づく化学線のパターンに前記裏側表面を曝露するように構成されたイメージングモジュールと、
前記放射線感受性材料が前記基板の前記裏側表面上にレリーフパターンを形成する結果となるように、化学線のパターンへの曝露の後に前記放射線感受性材料を現像するように構成された現像モジュールと、
前記表側作用表面上での１以上のプロセスステップが行われた後に、前記表側作用表面上で次のプロセスステップが行われる前に、前記レリーフパターンをエッチングマスクとして用いて前記基板の前記裏側表面をエッチングし、それにより前記基板のオーバレイ誤差を低減するように構成されたエッチングモジュールと、
を備えるシステム。
【請求項１９】
前記計測モジュール、前記コーティングモジュール、前記イメージングモジュール、前記現像モジュール及び前記エッチングモジュールの間で前記基板を移送するように構成された自動基板ハンドリングシステムをさらに備える、
請求項１８記載のシステム。
【請求項２０】
前記計測モジュール、前記コーティングモジュール、前記イメージングモジュール、前記現像モジュール及び前記エッチングモジュールの全ては、共通のプラットフォーム上にある、
請求項１９記載のシステム。
【請求項２１】
前記自動基板ハンドリングシステムは、前記作用表面又は前記裏側表面が選択的に上を向くように、前記基板を回転するように構成されている、
請求項１９記載のシステム。
【請求項２２】
前記裏側表面から残留する放射線感受性材料を除去するように構成されたストリッピングモジュールをさらに備える、
請求項１８記載のシステム。
【請求項２３】
前記ストリッピングモジュールは、前記裏側表面から前記残留する放射線感受性材料を焼き払うためにプラズマを使用するか又は、前記裏側表面から前記残留する放射線感受性材料を除去するために液体化学作用を使用するように構成されている、
請求項２２記載のシステム。
【請求項２４】
前記基板の前記裏側表面上の前記放射線感受性材料をベーキングするように構成されたベーキングモジュールをさらに備える、
請求項１８記載のシステム。
【請求項２５】
前記基板の前記裏側表面上に１つ以上の膜を堆積するように構成された堆積モジュールをさらに備える、
請求項１８記載のシステム。
【請求項２６】
前記堆積モジュールが、応力に対抗する２つ以上の膜を堆積するように構成されている、
請求項２５記載のシステム。
【請求項２７】
前記システムは、湾曲補正イメージとして化学線の前記パターンを生成するように構成されている、
請求項１８記載のシステム。
【請求項２８】
前記システムは、少なくとも２次の湾曲を低減するのに十分な少なくとも前記湾曲補正イメージを生成するように構成されている、
請求項２７記載のシステム。
【請求項２９】
前記システムは、前記レリーフパターンを画定するのに十分な、オーバレイ補正パターンを生成するように構成されており、前記レリーフパターンは、フォトリソグラフィチャック上に配置されているときに、前記フォトリソグラフィチャック上のピンと接触するのに十分である現像後の機械的サポート構造を提供するために、可溶性エリア内で十分なサポート構造を確定する、
請求項２７記載のシステム。
【請求項３０】
前記エッチングモジュールは、前記基板の前記裏側表面をエッチングするように構成されて
いる、
請求項１８記載のシステム。
【請求項３１】
前記イメージングモジュールは、直接書込曝露ツールを使用するように構成されている、
請求項１８記載のシステム。
【請求項３２】
前記イメージングモジュールは、前記基板に電磁放射を方向づけるために１つ以上のミラーを使用する、
請求項３１記載のシステム。
【請求項３３】
前記イメージングモジュールは、４３６ナノメートル、４０５ナノメートル、３６５ナノメートル、２４８ナノメートル、及び１９３ナノメートルを含む群から選択されるスペクトル線を有する光源を使用して前記基板の前記裏側表面上にイメージを投影するように構成されている、
請求項３１記載のシステム。
【請求項３４】
前記基板の前記裏側表面又は前記表側作用表面をクリーニングするように構成されたクリーニングモジュールをさらに備える、
請求項１８記載のシステム。
【請求項３５】
前記基板の湾曲を測定するように構成された前記計測モジュールは、前記Ｚ高さ偏差を光学的又は音響的に測定するための機構を備える、
請求項１８記載のシステム。
【請求項３６】
ウェハオーバレイを補正するための方法であって、
作用表面を有し、かつ前記作用表面の反対側に裏側表面を有する基板を受け取る、基板受取ステップであって、前記基板は、前記基板の前記作用表面上に半導体デバイスの少なくとも一部を形成するために行われる１つ以上の微細加工プロセスステップによってもたらされる初期オーバレイ誤差を有する、基板受取ステップと、
１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする、前記基板の初期湾曲測定を受け取る、初期湾曲測定受取ステップと、
前記基板の前記初期湾曲測定に基づいて、前記基板上の特定の位置における内部応力への調整を画定するオーバレイ補正パターンを生成する、オーバレイ補正パターン生成ステップであって、前記基板上の第１所与位置は、前記オーバレイ補正パターン内の前記基板上の第２所与位置と比較して画定される異なる内部応力調整を有する、オーバレイ補正パターン生成ステップと、
前記基板の変更された湾曲をもたらす前記オーバレイ補正パターンに従って、前記基板上の特定の位置における前記基板上の内部応力を物理的に変更する、内部応力物理的変更ステップであって、前記変更された湾曲を有する前記基板は、第２オーバレイ誤差を有し、前記第２オーバレイ誤差は、前記初期オーバレイ誤差と比較して低減されたオーバレイ誤差を有する、内部応力物理的変更ステップと、
を含む方法。
【請求項３７】
ウェハオーバレイを補正するための方法であって、
作用表面を有し、かつ前記作用表面の反対側に裏側表面を有する基板を受け取る、基板受取ステップであって、前記基板は、前記基板の前記作用表面上に半導体デバイスの少なくとも一部を形成するために行われる１つ以上の微細加工プロセスステップによってもたらされる初期オーバレイ誤差を有する、基板受取ステップと、
１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする、前記基板の初期湾曲測定を受け取る、初期湾曲測定受取ステップと、
前記基板の前記初期湾曲測定に基づいて、前記基板上の特定の位置における内部応力への調整を画定するオーバレイ補正パターンを生成する、オーバレイ補正パターン生成ステップであって、前記基板上の第１所与位置は、前記オーバレイ補正パターン内の前記基板上の第２所与位置と比較して画定される異なる内部応力調整を有する、オーバレイ補正パターン生成ステップと、
前記基板の変更された湾曲をもたらす前記オーバレイ補正パターンに従って、前記基板上の特定の位置における前記基板上の内部応力を物理的に変更する、内部応力物理的変更ステップであって、前記変更された湾曲を有する前記基板は、第２オーバレイ誤差を有し、前記第２オーバレイ誤差は、前記初期オーバレイ誤差と比較して低減されたオーバレイ誤差を有する、内部応力物理的変更ステップと、
を含み、
初期湾曲測定受取ステップは、前記初期湾曲測定を生成するために前記基板を測定するステップを含み、
前記基板を測定するステップ及び内部応力物理的変更ステップは、両方とも、湾曲を測定するように構成された基板計測モジュールから、前記基板内の内部応力を変更する基板加工モジュールへ、自動的に基板を移動させる自動基板ハンドリングシステムを有する共通のプラットフォーム上で実行される、
方法。
【請求項３８】
ウェハオーバレイを補正するための方法であって、
作用表面を有し、かつ前記作用表面の反対側に裏側表面を有する基板を受け取る、基板受取ステップであって、前記基板は、前記基板の前記作用表面上に半導体デバイスの少なくとも一部を形成するために行われる１つ以上の微細加工プロセスステップによってもたらされる初期オーバレイ誤差を有する、基板受取ステップと、
１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする、前記基板の初期湾曲測定を受け取る、初期湾曲測定受取ステップと、
前記初期湾曲測定及び前記作用表面のパラメータに基づいてオーバレイ補正パターンを生成する、オーバレイ補正パターン生成ステップであって、
前記基板のオーバレイ誤差を低減するために計算される、前記基板上の複数の位置の前記基板上の内部応力への位置特定調整を画定する、オーバレイ補正パターン生成ステップと、
前記オーバレイ補正パターンに従って、前記基板上の特定の位置における前記基板上の内部応力を物理的に変更し、したがって前記基板の変更された湾曲が生じる、内部応力物理的変更ステップであって、前記変更された湾曲を有する前記基板は、第２オーバレイ誤差を有し、前記第２オーバレイ誤差は、前記初期オーバレイ誤差と比較して低減されたオーバレイ誤差を有する、内部応力物理的変更ステップと、
を含む方法。
【請求項３９】
ウェハオーバレイを補正するための方法であって、
作用表面を有し、かつ前記作用表面の反対側に裏側表面を有する基板を受け取る、基板受取ステップであって、前記基板は、前記基板の前記作用表面上に半導体デバイスの少なくとも一部を形成するために行われる１つ以上の微細加工プロセスステップによってもたらされる初期オーバレイ誤差を有する、基板受取ステップと、
１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする、前記基板の初期湾曲測定を受け取る、初期湾曲測定受取ステップと、
前記基板の前記初期湾曲測定に基づいて、前記基板上の特定の位置における内部応力への調整を画定するオーバレイ補正パターンを生成する、オーバレイ補正パターン生成ステップであって、前記基板上の第１所与位置は、前記オーバレイ補正パターン内の前記基板上の第２所与位置と比較して画定される異なる内部応力調整を有する、オーバレイ補正パターン生成ステップと、
前記基板の変更された湾曲をもたらす前記オーバレイ補正パターンに従って、前記基板上の特定の位置における前記基板上の内部応力を物理的に変更する、内部応力物理的変更ステップであって、前記変更された湾曲を有する前記基板は、第２オーバレイ誤差を有し、前記第２オーバレイ誤差は、前記初期オーバレイ誤差と比較して低減されたオーバレイ誤差を有する、内部応力物理的変更ステップと、
を含み、
初期湾曲測定受取ステップは、前記初期湾曲測定を生成するために前記基板を測定するステップを含み、
前記基板を測定するステップ及び内部応力物理的変更ステップは、両方とも、湾曲を測定するように構成された基板計測モジュールから、前記基板内の内部応力を変更する基板加工モジュールへ、自動的に基板を移動させる自動基板ハンドリングシステムを有する共通のプラットフォーム上で実行される、
方法。
【請求項４０】
内部応力物理的変更ステップは、前記基板上の異なる位置が独立して変更されるように、内部応力を差動的に変更するステップを含み、
前記異なる位置の少なくとも一部が互いに比較して異なるように変更される、
請求項３６乃至３９いずれか１項記載の方法。
【請求項４１】
前記基板の前記初期湾曲測定は、非平面基板を特徴づけ、
前記基板の前記変更された湾曲は、前記非平面基板又は平面基板を特徴づける、
請求項３６乃至３９いずれか１項記載の方法。
【請求項４２】
前記基板上における内部応力物理的変更ステップは、前記基板上の前記作用表面上又は前記基板上の前記裏側表面上の内部応力を増強させ又は緩和させるステップ含む。
請求項３６乃至３９いずれか１項記載の方法。
【請求項４３】
前記基板の前記作用表面上における集積回路の製造の間、内部応力物理的変更ステップを基板上で複数回繰り返すステップをさらに含む。
請求項３６乃至３９いずれか１項記載の方法。
【請求項４４】
前記基板上の特定の位置における前記基板上の内部応力物理的変更ステップは、位置特定粒子インプランテーション、位置特定エッチング、位置特定架橋、位置特定温度差分硬化、及び位置特定差分堆積を含む群から選択された処置プロセスを使用するステップを含む。
請求項３６乃至３９いずれか１項記載の方法。
【請求項４５】
前記処置プロセスは、前記作用表面が上方に向けられている間、前記基板の前記裏側表面をプロセスする、
請求項４４記載の方法。
【請求項４６】
前記オーバレイ補正パターンは、前記基板の前記作用表面上のデバイスパラメータに基づく、
請求項３６乃至３９いずれか１項記載の方法。
【請求項４７】
前記オーバレイ補正パターンは、平面間偏差、参照平面からのｚ高さ偏差、関心位置の多次元微分解析、ゼルニケ多項式解析、ピクセル化された基底関数の最適化及び球面ベッセル関数を含む群から選択される計算方法を用いて生成される、
請求項３６乃至３９いずれか１項記載の方法。
【請求項４８】
ウェハオーバレイを補正するための方法であって、
作用表面を有し、かつ前記作用表面の反対側に裏側表面を有する基板を受け取る、基板受取ステップであって、
前記基板は、前記基板の前記作用表面上に半導体デバイスの少なくとも一部を形成するために行われる１つ以上の微細加工プロセスステップによってもたらされる初期オーバレイ誤差を有する、基板受取ステップと、
１つ以上の参照Ｚ高さ値に対する前記基板上のＺ高さ偏差をマッピングする、前記基板の湾曲測定を生じさせる前記基板の湾曲を測定する、湾曲測定ステップと、
前記基板の前記湾曲測定に基づいて、前記基板上の特定の位置における内部応力への調整を画定するオーバレイ補正パターンを生成する、オーバレイ補正パターン生成ステップであって、前記基板上の第１所与位置は、前記オーバレイ補正パターン内の前記基板上の第２所与位置と比較して画定される異なる内部応力調整を有する、オーバレイ補正パターン生成ステップと、
前記基板の前記裏側表面をフォトレジスト層でコーティングするステップと、
前記オーバレイ補正パターンに基づく化学線のパターンを使用して前記基板の前記裏側表面上にフォトレジスト層をイメージングするステップと、
前記裏側表面の部分をカバーしないフォトレジストのレリーフパターンをもたらす前記フォトレジスト層の可溶性部分を除去するために前記フォトレジスト層を現像するステップと、
前記レリーフパターンをエッチングマスクとして使用して前記裏側表面のカバーされていない部分をエッチングする、エッチングステップであって、前記エッチングは前記基板の変更された湾曲をもたらし、前記変更された湾曲を有する前記基板は第２オーバレイ誤差を有し、前記第２オーバレイ誤差は、前記初期オーバレイ誤差と比較して低減されたオーバレイ誤差を有する、エッチングステップと、
を含む、方法。
【請求項４９】
前記基板の前記裏側表面は、エッチングされるときに変更可能である内部応力を有する１つ以上の堆積膜を含む。
請求項４８記載の方法。
【請求項５０】
前記フォトレジスト層で前記裏側表面をコーティングするステップの前に、前記基板の前記裏側表面上に１つ以上の膜を堆積させるステップを、をさらに含む。
請求項４８記載の方法。
【請求項５１】
前記裏側表面上に前記１つ以上の膜を堆積させるステップは、第１膜を堆積させるステップ及び第２膜を堆積させるステップを含む、
請求項４８記載の方法。
【請求項５２】
前記第１膜及び前記第２膜は対向する応力を有する、
請求項５１記載の方法。
【請求項５３】
前記裏側表面上に前記１つ以上の膜を堆積させるステップは、第１膜を堆積させるステップ及び第２膜を堆積させるステップを含み、
第１膜は、圧縮内部応力を有し、
第２膜は、張力の内部応力を有する、
請求項５０記載の方法。
【請求項５４】
前記化学線のパターンは直接書込投影デバイスを使用して投影させる、
請求項４８記載の方法。
【請求項５５】
前記直接書込投影デバイスは、１つ以上のマイクロミラーを使用して前記基板上に光を投影するように構成されている、
請求項５４記載の方法。
【請求項５６】
前記オーバレイ補正パターンを生成するステップは、基板ホルダのチャックピンとの接触のための画定された物理的サポートを残すためにエッチングマスクの十分な部分を画定するステップを含む。
請求項４８記載の方法。
【請求項５７】
前記基板を受け取るステップ、前記基板の湾曲を測定するステップ、前記裏側表面をコーティングするステップ、前記フォトレジスト層をイメージングするステップ、及び前記裏側表面のカバーされていない部分をエッチングするステップの全てのステップが、基板のオーバレイ誤差補正を実行するためのモジュール間で前記基板を移送する自動基板ハンドリングシステムを使用する共通のプラットフォーム上で実行される、
請求項４８記載の方法。
【請求項５８】
前記裏側表面が下方を向いている間に、前記裏側表面がコーティングされる、
請求項４８記載の方法。
【請求項５９】
前記裏側表面のカバーされていない部分をエッチングするステップの後に前記レリーフパターンを除去するステップをさらに含む、
請求項４８記載の方法。
【請求項６０】
前記レリーフパターンは、大気圧において、生成されたプラズマを使用して除去される、
請求項４８記載の方法。
【請求項６１】
前記裏側表面のカバーされていない部分をエッチングするステップは、液体化学作用を使用するステップを含む。
請求項４８記載の方法。