(57)【要約】  シリコンの金属汚染を防止し、シリコンの内部の純度を測定できるシリコン純度測定器、シリコン選別装置、及びシリコン純度測定方法を提供する。  シリコン純度測定器１０は、検査台と、この検査台上に配置したシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させる磁界発生器１４と、測定用磁界を瞬断した後の磁界の減衰度合いを判定する判定部３６とを備え、判定部３６が判定した減衰度合いからシリコンの内部の純度を特定する構成とする。
2011045829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査台と、この検査台上に配置したシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させる磁界発生器と、前記測定用磁界を瞬断した後の磁界の減衰度合いを判定する判定部とを備え、前記判定部が判定した減衰度合いから前記シリコンの内部の純度を特定することを特徴とするシリコン純度測定器。
【請求項２】
前記磁界発生器及び前記判定部を収容する筐体を備え、この筐体に前記検査台と、特定した純度を表示する表示部とを設けたことを特徴とする請求項１に記載のシリコン純度測定器。
【請求項３】
検査台と、この検査台上に配置したシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させる磁界発生器と、前記測定用磁界を瞬断した後の磁界の減衰度合いを判定する判定部とを備え、前記判定部が判定した減衰度合いから前記シリコンの内部の純度を特定するシリコン純度測定器を、シリコンを搬送する搬送路に設け、前記シリコン純度測定器の下流の前記搬送路に、前記シリコン純度測定器で測定した前記シリコンの内部の純度に基づいて、前記シリコンを選別する選別器を設けたことを特徴とするシリコン選別装置。
【請求項４】
検査台に配置したシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させ、この測定用磁界を瞬断し、瞬断後の磁界の減衰度合いを判定し、判定した減衰度合いからシリコンの内部の純度を特定することを特徴とするシリコン純度測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンの純度を測定するシリコン純度測定器、シリコン選別装置、及びシリコン純度測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンの精製時等に廃棄されたシリコンの廃材は、太陽電池の原料等として利用可能な程度の純度を有し、再資源として利用可能な有用物である。シリコンの廃材は、破砕されてブロックに分けられ、その純度により選別され、再利用されている。シリコンは、抵抗値が大きいほど純度が高いという特性を有しており、従来、抵抗測定器によって抵抗値が測定され、その抵抗値に応じて仕分けされていた。
シリコンブロックの抵抗値を測定する抵抗測定器としては、４深針法を用いたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この抵抗測定器は、４本の深針（金属製電極）を備え、これらの金属製電極を人手によってシリコンブロックの表面に押し当てることにより、シリコンブロックの抵抗値を測定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２３２８２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の抵抗測定器は、金属製電極をシリコンブロックに押し当てて抵抗値を測定するので、接触圧力の違いによる測定誤差が生じるとともに、シリコンブロックが金属製電極によって金属汚染されてしまう。
また、シリコンは、酸化するほど抵抗値が高くなるので、シリコンブロックの表面は、時間が経つにつれ、その内部よりも抵抗値が高くなる。したがって、上記従来の抵抗測定器によってシリコンブロックの表面の抵抗値を測定した場合には、シリコンブロックの内部の抵抗値よりも高い抵抗値が測定されてしまい、選別の際に、内部の純度が低いシリコンブロックを内部の純度が高いシリコンブロックに混入させるおそれがある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、シリコンの金属汚染を防止し、シリコンの内部の純度を測定できるシリコン純度測定器、シリコン選別装置、及びシリコン純度測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明は、検査台と、この検査台上に配置したシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させる磁界発生器と、前記測定用磁界を瞬断した後の磁界の減衰度合いを判定する判定部とを備え、前記判定部が判定した減衰度合いから前記シリコンの内部の純度を特定することを特徴とする。【０００６】
上記構成において、前記磁界発生器及び前記判定部を収容する筐体を備え、この筐体に前記検査台と、特定した純度を表示する表示部とを設けてもよい。【０００７】
また、本発明は、検査台と、この検査台上に配置したシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させる磁界発生器と、前記測定用磁界を瞬断した後の磁界の減衰度合いを判定する判定部とを備え、前記判定部が判定した減衰度合いから前記シリコンの内部の純度を特定するシリコン純度測定器を、シリコンを搬送する搬送路に設け、前記シリコン純度測定器の下流の前記搬送路に、前記シリコン純度測定器で測定した前記シリコンの内部の純度に基づいて、前記シリコンを選別する選別器を設けたことを特徴とする。【０００８】
また、本発明は、検査台に配置したシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させ、この測定用磁界を瞬断し、瞬断後の磁界の減衰度合いを判定し、判定した減衰度合いからシリコンの内部の純度を特定することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、検査台と、この検査台上に配置したシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させる磁界発生器と、測定用磁界を瞬断した後の磁界の減衰度合いを判定する判定部とを備え、判定部が判定した減衰度合いからシリコンの内部の純度を特定するため、シリコンの金属汚染を防止し、シリコンの内部の純度を測定できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係るシリコン純度測定器を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】図３は、測定用磁界が発生した状態のシリコン純度測定器を示す図である。
【図４】図４は、測定用コイルの電圧波形を示す図である。
【図５】図５は、減衰特性とシリコン内部純度との関係を示す図である。
【図６】図６は、減衰時間とシリコン内部純度との関係を示す図である。
【図７】図７は、シリコン純度測定器の機能的構成を示すブロック図である。
【図８】図８は、シリコン選別装置を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るシリコン純度測定器を示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
シリコン純度測定器１０は、図１に示すように、略箱状の筐体１２を備えている。筐体１２の上板１２Ａには、スイッチ２２及び表示部２４が隣接して配置されている。筐体１２の上板１２Ａには、シリコンブロック（シリコン）２００を載せる検査台１３が一体に形成されている。検査台１３は、例えば、プラスチック等の非金属製の素材を用いて構成されている。これにより、シリコンブロック２００と金属との接触が防止され、シリコンブロック２００の金属汚染が防止される。
【００１２】
シリコンブロック２００は、例えば、シリコンの精製時に生じるシリコンの廃材を所定の程度まで破砕した破砕物である。各シリコンブロック２００は、破砕物であるため、各種の形状を呈する。本実施の形態では、シリコンブロック２００は、例えば５ｃｍ程度の大きさとなる様に破砕される。但し、５ｃｍ程度とは、一つのシリコンブロック２００について、任意の端部間の長さを測定した場合の長さを指す。
【００１３】
筐体１２内には、図２に示すように、測定用磁界を発生させる磁界発生器１４と、この磁界発生器１４を取り付けるプリント基板１６と、測定部３０（図７参照）を収納するシールドケース１８とが収容されている。磁界発生器１４は、検査台１３の下方に設けられ、一対の測定用コイル１４Ａを備えている。一対の測定用コイル１４Ａは、プリント基板１６上に隣接して配置されている。磁界発生器１４は、測定用コイル１４Ａを高周波で発振させることにより、測定用磁界を発生させる。シールドケース１８は、プリント基板１６の裏面側に取り付けられている。
【００１４】
図３は、測定用磁界が発生した状態のシリコン純度測定器１０を示す図である。
磁界発生器１４によって発生した測定用磁界１００は、磁界発生器１４から検査台１３側に長くなるようにされており、検査台１３上に配置されたシリコンブロック２００の内部に磁束が透過するようになっている。本実施の形態のシリコン純度測定器１０は、検査台１３から所定の高さＨ（例えば、１０ｍｍ）までの範囲において、シリコンブロック２００の内部の純度を測定できるように構成されている。
純度の測定には、測定用コイル１４Ａへの高周波の出力を遮断したときの、測定用コイル１４Ａとシリコンブロック２００との相互作用による磁界の減衰度合いが利用される。
【００１５】
図４は、測定用コイル１４Ａの電圧波形を示す図である。なお、図４は、横軸に時間を、縦軸に電圧を示している。
一般に、測定用コイル１４Ａ（図２）を高周波で発振させ、測定用コイル１４Ａへ高周波の出力を急速に遮断して測定用磁界を瞬断すると、図４中の領域Ｘに示すように、測定用コイル１４Ａの電圧が減衰し、電圧波形は減衰（リンギング）波形となる。この減衰特性とシリコン内部純度との間には、相関関係がある。
【００１６】
図５に、減衰特性とシリコン内部純度との関係を示す。なお、図５は、横軸に時間を、縦軸に電圧を示している。図５に示すＰ１〜Ｐ４は、シリコン内部純度の高さを示し、図５には、シリコン内部純度毎の減衰特性が示されている。シリコン内部純度は、Ｐ４、Ｐ３、Ｐ２、Ｐ１の順に高純度となる。
図５に示すように、電圧は、シリコン内部純度が高いほど緩やかに減衰している。より詳細には、電圧が所定電圧Ｖ２に減衰するまでの時間は、一番高いシリコン内部純度Ｐ１の減衰特性で一番長い時間ｔ１となっており、シリコン内部純度Ｐ２の減衰特性で時間ｔ２、シリコン内部純度Ｐ３の減衰特性で時間ｔ３、そして、一番低いシリコン内部純度Ｐ４の減衰特性で一番短い時間ｔ４となっている。すなわち、シリコン内部純度が高いほど減衰する時間が長くなっている。
【００１７】
ここで、リンギング波形の先頭電圧Ｖ０（図４参照）は、温度等に応じて変化するおそれがある。したがって、電圧が所定電圧Ｖ１（例えば、１．５Ｖ）から所定電圧Ｖ２（例えば、０．５Ｖ）に減衰するまでの減衰時間（ｔＰ１〜ｔＰ４）とシリコン内部純度（Ｐ１〜Ｐ４）との関係を見ることが望ましい。
【００１８】
図６に、減衰時間とシリコン内部純度との関係を示す。なお、図６は、横軸に減衰時間を、縦軸にシリコン内部純度を示している。
電圧が所定電圧Ｖ１から所定電圧Ｖ２に減衰するまでの減衰時間も、シリコン内部純度が高いほど長くなり、一番高いシリコン内部純度Ｐ１で一番長い減衰時間ｔＰ１となっており、シリコン内部純度Ｐ２で減衰時間ｔＰ２、シリコン内部純度Ｐ３で減衰時間ｔＰ３、そして、一番低いシリコン内部純度Ｐ４で一番短い減衰時間ｔＰ４となっている。
【００１９】
図７は、シリコン純度測定器１０の機能的構成を示すブロック図である。
シリコン純度測定器１０は、シリコン純度測定器１０を制御する制御部２０と、この制御部２０に接続され、シリコンブロックの内部の純度を測定する測定部３０とを備えている。制御部２０は、図示しないＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等を備え、シリコンブロックの内部の純度を測定する測定処理を実行して、測定制御信号を測定部３０に出力する。制御部２０には、測定処理を実行させるためのスイッチ２２が接続されている。また、制御部２０には、表示部２４が接続されており、この表示部２４は、処理結果に応じた表示内容を表示する。
【００２０】
測定部３０は、発振部３２と、電圧検出部３４と、減衰度合い判定部（判定部）３６と、シリコン純度特定部３８とを備えて構成されている。発振部３２は、例えばコルピッツ型高周波発振器等を用いて構成されている。発振部３２は、制御部２０が出力した測定制御信号に基づいて、高周波発振を行い、高周波を磁界発生器１４に出力する。電圧検出部３４は、制御部２０が出力した測定制御信号に基づいて、磁界発生器１４（測定用コイル１４Ａ）の電圧を検出し、この電圧を減衰度合い判定部３６に出力する。減衰度合い判定部３６は、電圧検出部３４が出力した電圧から所定電圧Ｖ１，Ｖ２間の減衰時間を判定し、判定した減衰時間をシリコン純度特定部３８に出力する。
【００２１】
シリコン純度特定部３８は、減衰度合い判定部３６が出力した減衰時間に対応するシリコンブロックの内部の純度を複数のレベルとして特定し、特定したレベルを測定結果として制御部２０に出力する。レベルの数は、シリコンブロックの選別数に応じて設定され、本実施の形態では、３つに設定されている。例えば、シリコン純度特定部３８は、図６に示すように、減衰時間が減衰時間ｔＰ１以上の場合には、純度をレベルＡと特定し、減衰時間が減衰時間ｔＰ２以上で減衰時間ｔＰ１未満の場合には、純度をレベルＢと特定し、減衰時間が減衰時間ｔＰ２未満の場合には、純度をレベルＣと特定する。なお、これら閾値となる減衰時間ｔＰ１，ｔＰ２は、選別に必要な純度に応じて設定され、ＣＰＵにより読み出し可能にＲＯＭに格納されている。
【００２２】
次に、図１〜図３及び図７を参照し、シリコン純度測定器１０の動作を説明する。
作業者によってスイッチ２２が押されると、制御部２０は、測定制御信号を発振部３２及び電圧検出部３４に出力する。発振部３２は、測定制御信号が入力されると、所定の期間（例えば、１０μｓｅｃ）だけ高周波を磁界発生器１４の測定用コイル１４Ａに出力し、測定用コイル１４Ａへの高周波の出力を急速に遮断する。
電圧検出部３４は、測定制御信号が入力されると、測定用コイル１４Ａの電圧を検出し、この電圧を減衰度合い判定部３６に出力する。減衰度合い判定部３６は、電圧検出部３４から電圧が入力されると、入力された電圧から所定電圧Ｖ１，Ｖ２間の減衰時間を判定し、判定した減衰時間をシリコン純度特定部３８に出力する。
【００２３】
シリコン純度特定部３８は、減衰時間が入力されると、入力された減衰時間と閾値である減衰時間ｔＰ１，ｔＰ２と比較し、シリコンブロック２００の純度をレベルＡ〜Ｃのいずれかであるか特定して、特定したレベルを測定結果として制御部２０に出力する。制御部２０は、測定結果が入力されると、測定結果を表示部２４に出力し、表示部２４にシリコンブロック２００の内部の純度を「Ａ」、「Ｂ」、又は「Ｃ」として表示させる。
【００２４】
このように構成することにより、シリコンブロック２００の内部の純度を測定できるので、シリコンブロック２００を適正に選別することが可能になる。また、検査台１３上にシリコンブロック２００を配置するだけで、シリコンブロック２００の内部の純度を測定できるので、シリコンブロック２００の表面の平坦に近い面を探して４本の金属製電極を押し当てる場合に比べ、測定作業の手間を省いて短時間で測定できるとともに、測定誤差を少なくできる。また、短時間で測定できるので、作業効率を向上し、コストダウンを図ることができる。金属製電極をシリコンブロック２００に押し当てる必要がないので、シリコンブロック２００の金属汚染を防止できる。
【００２５】
図８は、シリコン純度測定器１０が搭載されるシリコン選別装置を示す概略構成図である。
シリコン選別装置１は、シリコンブロック２００が供給される供給器４０と、この供給器４０から供給されたシリコンブロック２００を搬送する搬送路５０と、この搬送路５０の搬送過程で、シリコンブロック２００の内部の純度を測定するシリコン純度測定器１０と、シリコンブロック２００を選別する選別器６０とを備えている。
供給器４０は、搬送路５０の上流に設けられ、作業者等によって供給されたシリコンブロック２００を所定の間隔Ｌで搬送路５０に供給する。所定の間隔Ｌは、シリコン純度測定器１０での測定に影響が出ない程度の距離に設定される。
【００２６】
搬送路５０は、非金属製の素材を用いて構成されている。これにより、シリコンブロック２００と金属との接触が防止され、シリコンブロック２００の金属汚染が防止される。搬送路５０は、例えばコンベア等で構成され、図中矢印に示すように、シリコンブロック２００を、供給器４０からシリコン純度測定器１０を経由させて選別器６０に搬送する。搬送路５０は、シリコン純度測定器１０の上方に延出しており、検査台１３（図１）と近接して配置される。
選別器６０は、搬送路５０の下流に設けられ、シリコン純度測定器１０が測定した純度に応じて、シリコンブロック２００を選別容器６０Ａ〜６０Ｃに選別する。なお、選別容器６０Ａ〜６０Ｃは、シリコン純度測定器１０によって判定される純度のレベルＡ〜Ｃと対応している。
【００２７】
供給器４０及び選別器６０のうち、シリコンブロック２００が接触する可能性のある箇所は、プラスチック等の非金属製の素材を用いて構成され、あるいは非金属製の素材により被覆されている。これにより、シリコンブロック２００と金属との接触が防止され、シリコンブロック２００の金属汚染が防止される。
シリコン選別装置１は、シリコン選別装置１全体を制御するコントローラ７０を備えている。コントローラ７０は、供給器４０、シリコン純度測定器１０の制御部２０、及び選別器６０に接続されている。
【００２８】
次に、シリコン選別装置１の動作を説明する。
シリコン選別装置１に電源が投入されると、コントローラ７０は、供給器４０に対して供給制御信号を出力する。供給器４０は、コントローラ７０が出力した供給制御信号に基づいて、シリコンブロック２００を所定の間隔Ｌで搬送路５０に供給する。搬送路５０に供給されたシリコンブロック２００は、搬送路５０によってシリコン純度測定器１０上に搬送され、内部の純度が測定される。なお、シリコン純度測定器１０は、シリコンブロック２００が搬送路５０上に配置された状態でも、シリコンブロック２００の内部の純度を測定できるようになっている。
【００２９】
内部の純度が測定されたシリコンブロック２００は、搬送路５０によって選別器６０に搬送される。これと同時に、コントローラ７０は、シリコン純度測定器１０の制御部２０からシリコンブロック２００の内部の純度を示す測定結果を取得し、この測定結果を選別器６０に出力する。選別器６０は、コントローラ７０が出力した測定結果に基づいて、搬送されたシリコンブロック２００を選別容器６０Ａ〜６０Ｃに選別する。すなわち、選別器６０は、測定結果が「Ａ」の場合、該当のシリコンブロック２００を選別容器６０Ａに収容し、測定結果が「Ｂ」の場合、該当のシリコンブロック２００を選別容器６０Ｂに収容し、測定結果が「Ｃ」の場合、該当のシリコンブロック２００を選別容器６０Ｃに収容する。
【００３０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、シリコン純度測定器１０は、検査台１３と、この検査台１３上に配置したシリコンブロック２００の内部に磁束が透過するように測定用磁界１００を発生させる磁界発生器１４と、測定用磁界１００を瞬断した後の磁界の減衰度合いを判定する減衰度合い判定部３６とを備え、減衰度合い判定部３６が判定した減衰度合いからシリコンブロック２００の内部の純度を特定する。また、シリコン純度測定器１０は、磁界発生器１４及び減衰度合い判定部３６を含む測定部３０を収容する筐体１２を備え、この筐体１２に、検査台１３と、特定した純度を表示する表示部２４とを設けた。このため、シリコンブロック２００の内部の純度を測定できるとともに、シリコンブロック２００に金属電極を押し当てる必要がなくなるので、シリコンブロック２００の金属汚染を防止できる。
【００３１】
但し、上記実施の形態は本発明の一態様であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能であるのは勿論である。
例えば、上記実施の形態では、シリコン純度特定部３８は、入力された減衰時間に対応するシリコンブロック２００の内部の純度を複数のレベルに分けて特定していたが、減衰時間とシリコン内部純度との関係を示す情報から、入力された減衰時間に対応するシリコンブロック２００の内部の純度を数値として特定してもよい。この場合、減衰時間とシリコン内部純度との関係を示す情報は、予め実験を繰り返す等により取得されており、ＣＰＵにより読み出し可能にＲＯＭに格納される。また、純度を数値及びレベルの両方で特定してもよい。したがって、表示部２４には、純度の数値を表示させてもよく、また、純度の数値及びレベルの両方を表示させてもよい。
【００３２】
また、上記実施の形態では、シリコン純度測定器１０は、シリコン選別装置１に搭載されていたが、単体で使用されてもよい。
また、上記実施の形態では、検査台１３の下方に磁界発生器１４を配置したが、磁界発生器１４を検査台１３の側方、あるいは、上方に配置してもよい。
【００３３】
また、上記実施の形態では、検査台１３の下方に１つの磁界発生器１４を配置した１チャネル構成のシリコン純度測定器１０を例に説明したが、検査台１３の下方に複数の磁界発生器を配置してシリコン純度測定器を多チャンネル構成にしてもよい。この場合、磁界発生器を別個に時分割方式で動作させてもよいし、同一の周波数で同時に動作させた場合に互い干渉を起こさない磁界発生器毎にグループ分けし、各グループを時分割方式で順次動作させるように構成してもよい。この構成により、より高速で、処理量の多いシリコン純度測定器１０を構成することが可能となる。
【００３４】
また、上記実施の形態では、シリコン選別装置１は、搬送路５０上にシリコンブロック２００を配置した状態で、シリコンブロック２００の内部の純度を測定する構成としたが、搬送路５０上のシリコンブロック２００をシリコン純度測定器１０の検査台１３に運ぶ構成としてもよい。
【符号の説明】
【００３５】
１  シリコン選別装置
１０  シリコン純度測定器
１２  筐体
１３  検査台
１４  磁界発生器
１４Ａ  測定用コイル
２４  表示部
３６  減衰度合い判定部（判定部）
４０  供給器
５０  搬送路
６０  選別器
１００  測定用磁界
２００  シリコンブロック（シリコン）
【図１】
2011045829.tif 000003
【図２】
2011045829.tif 000004
【図３】
2011045829.tif 000005
【図４】
2011045829.tif 000006
【図５】
2011045829.tif 000007
【図６】
2011045829.tif 000008
【図７】
2011045829.tif 000009
【図８】
2011045829.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月3日(2012.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査台と、この検査台上に配置した一つの廃材のシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させる複数の測定用コイルと、前記測定用磁界を瞬断した後の前記測定用コイル毎の磁界の減衰度合いを判定する判定部とを備え、前記判定部が判定した減衰度合いから前記シリコンの内部の純度を特定することを特徴とするシリコン純度測定器。
【請求項２】
前記測定用コイル及び前記判定部を収容する筐体を備え、この筐体に前記検査台と、特定した純度を表示する表示部とを設けたことを特徴とする請求項１に記載のシリコン純度測定器。
【請求項３】
検査台と、この検査台上に配置した一つの廃材のシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させる複数の測定用コイルと、前記測定用磁界を瞬断した後の前記測定用コイル毎の磁界の減衰度合いを判定する判定部とを備え、前記判定部が判定した減衰度合いから前記シリコンの内部の純度を特定するシリコン純度測定器を、シリコンを搬送する搬送路に設け、前記シリコン純度測定器の下流の前記搬送路に、前記シリコン純度測定器で測定した前記シリコンの内部の純度に基づいて、前記シリコンを選別する選別器を設けたことを特徴とするシリコン選別装置。
【請求項４】
検査台に配置した一つの廃材のシリコンの内部に磁束が透過するように複数の測定用コイルによって測定用磁界を発生させ、この測定用磁界を瞬断し、瞬断後の前記測定用コイル毎の磁界の減衰度合いを判定し、判定した減衰度合いからシリコンの内部の純度を特定することを特徴とするシリコン純度測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明は、検査台と、この検査台上に配置した一つの廃材のシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させる複数の測定用コイルと、前記測定用磁界を瞬断した後の前記測定用コイル毎の磁界の減衰度合いを判定する判定部とを備え、前記判定部が判定した減衰度合いから前記シリコンの内部の純度を特定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記構成において、前記測定用コイル及び前記判定部を収容する筐体を備え、この筐体に前記検査台と、特定した純度を表示する表示部とを設けてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、検査台と、この検査台上に配置した一つの廃材のシリコンの内部に磁束が透過するように測定用磁界を発生させる複数の測定用コイルと、前記測定用磁界を瞬断した後の前記測定用コイル毎の磁界の減衰度合いを判定する判定部とを備え、前記判定部が判定した減衰度合いから前記シリコンの内部の純度を特定するシリコン純度測定器を、シリコンを搬送する搬送路に設け、前記シリコン純度測定器の下流の前記搬送路に、前記シリコン純度測定器で測定した前記シリコンの内部の純度に基づいて、前記シリコンを選別する選別器を設けたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、検査台に配置した一つの廃材のシリコンの内部に磁束が透過するように複数の測定用コイルによって測定用磁界を発生させ、この測定用磁界を瞬断し、瞬断後の前記測定用コイル毎の磁界の減衰度合いを判定し、判定した減衰度合いからシリコンの内部の純度を特定することを特徴とする。
【国際調査報告】
2011045829.tif 000011
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