【手続補正書】
【提出日】令和2年4月28日(2020.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長λｏを発振波長の目標値とする、光出射側面及び光反射側面を有する窒化物半導体構造体を準備する工程と、
前記光出射側面に出射側ミラーを形成する工程と、
前記光反射側面に反射側ミラーを形成する工程とを備える半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記半導体レーザ素子の実際の発振波長λａは、５００ｎｍ以上であり、且つ、λｏ±Ｘｎｍ（５≦Ｘ≦１５）の範囲内にあり、
前記出射側ミラー形成工程において、λｏ±Ｘｎｍの範囲内で、前記反射側ミラーよりも反射率が低く且つ波長の増加と共に反射率が増加する出射側ミラーを、前記光出射側面に形成し、
前記窒化物半導体構造体の活性層がＩｎを含み、
前記出射側ミラー形成工程において、
屈折率の異なる２種類以上の膜が積層された積層構造を有し、
実質的にλｏ／４ｎの整数倍の膜厚であるλ／４膜を複数含み、
実質的にλｏ／４ｎの整数倍とは異なる膜厚である非λ／４膜を少なくとも１つ含む前記出射側ミラーを形成し、
前記λ／４膜の数が前記非λ／４膜の数よりも多い前記出射側ミラーを形成する、半導体レーザ素子の製造方法。
（ただし、ｎは各膜の屈折率である。）
【請求項２】
前記出射側ミラー形成工程において、
前記非λ／４膜の数が１つである前記出射側ミラーを形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
前記出射側ミラー形成工程において、
前記非λ／４膜が最も外側の膜である前記出射側ミラーを形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
前記出射側ミラー形成工程において、
λｏ±Ｘｎｍの範囲内で波長が１０ｎｍ増加するごとに２％以上変化する反射率を有する前記出射側ミラーを形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
前記反射側ミラー形成工程において、
λｏ±Ｘｎｍの範囲内における波長の増加に対する変化量が前記出射側ミラーよりも小さい反射率を有する前記反射側ミラーを形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記反射側ミラー形成工程において、
λｏ±Ｘｎｍの範囲内で実質的に一定の反射率を有する前記反射側ミラーを形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
Ｘは１５であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
前記実際の発振波長λａは、５１５〜５４０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項９】
光出射側面及び光反射側面を有する窒化物半導体構造体と、
前記光出射側面に設けられた出射側ミラーと、
前記光反射側面に設けられた反射側ミラーとを備えた、発振波長が５００ｎｍ以上の半導体レーザ素子であって、
前記出射側ミラーは、前記発振波長を含む１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の幅の波長領域において、前記反射側ミラーの反射率よりも低く且つ波長の増加と共に増加する反射率を有し、
前記窒化物半導体構造体の活性層がＩｎを含み、
前記出射側ミラーは、
屈折率の異なる２種類以上の膜が積層された積層構造であり、
実質的にλ／４ｎの整数倍の膜厚であるλ／４膜を１以上有し、
実質的にλ／４ｎの整数倍とは異なる膜厚である非λ／４膜を少なくとも１つ有し、
前記λ／４膜の数が前記非λ／４膜の数よりも多い、半導体レーザ素子。
（ただし、λは前記波長領域の範囲内の波長であり、ｎは各膜の屈折率である。）
【請求項１０】
前記非λ／４膜の数は１つであることを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記非λ／４膜は、前記出射側ミラーを構成する膜のうち最も外側の膜であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記出射側ミラーは、前記波長領域において、波長が１０ｎｍ増加するごとに２％以上変化する反射率を有することを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記反射側ミラーは、前記波長領域において、実質的に一定の反射率を有することを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記発振波長は、５１５〜５４０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図７に示すように、ｐ側半導体層１３の上側には例えばリッジ１３ａが設けられている。活性層１２のうちリッジ１３ａの直下の部分及びその近傍が光導波路領域である。また、リッジ１３ａの側面から連続するｐ側半導体層１４の上面に絶縁膜７０を設けてよい。
絶縁膜７０は、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ等の酸化物又は窒化物等の単層又は積層膜によって形成することができる。リッジ１３ａは、出射側ミラー形成工程Ｓ２０２及び反射側ミラー形成工程Ｓ２０４よりも前に形成する。すなわち、窒化物半導体構造体準備工程Ｓ１００において、リッジ１３ａが形成された窒化物半導体構造体１０を準備する。絶縁膜７０についても同様に、出射側ミラー形成工程Ｓ２０２及び反射側ミラー形成工程Ｓ２０４よりも前に形成することができる。
尚、上述のような本発明は、次の態様を包含していることを確認的に述べておく。
第１態様：波長λｏを発振波長の目標値とする、光出射側面及び光反射側面を有する窒化物半導体構造体を準備する工程と、
前記光出射側面に出射側ミラーを形成する工程と、
前記光反射側面に反射側ミラーを形成する工程とを備える半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記半導体レーザ素子の実際の発振波長λａは、５００ｎｍ以上であり、且つ、λｏ±Ｘｎｍ（５≦Ｘ≦１５）の範囲内にあり、 
前記出射側ミラー形成工程において、λｏ±Ｘｎｍの範囲内で、前記反射側ミラーよりも反射率が低く且つ波長の増加と共に反射率が増加する出射側ミラーを、前記光出射側面に形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
第２態様：前記出射側ミラー形成工程において、
屈折率の異なる２種類以上の膜が積層された積層構造を有し、
実質的にλｏ／４ｎの整数倍の膜厚であるλ／４膜を複数含み、
実質的にλｏ／４ｎの整数倍とは異なる膜厚である非λ／４膜を少なくとも１つ含む前記出射側ミラーを形成することを特徴とする上記第１態様に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
（ただし、ｎは各膜の屈折率である。）
第３態様：前記出射側ミラー形成工程において、
前記λ／４膜の数が前記非λ／４膜の数よりも多い前記出射側ミラーを形成することを特徴とする上記第２態様に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
第４態様：前記出射側ミラー形成工程において、
前記非λ／４膜の数が１つである前記出射側ミラーを形成することを特徴とする上記第３態様に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
第５態様：前記出射側ミラー形成工程において、
前記非λ／４膜が最も外側の膜である前記出射側ミラーを形成することを特徴とする上記第４態様に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
第６態様：前記出射側ミラー形成工程において、
λｏ±Ｘｎｍの範囲内で波長が１０ｎｍ増加するごとに２％以上変化する反射率を有する前記出射側ミラーを形成することを特徴とする上記第１態様〜第５態様のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
第７態様：前記反射側ミラー形成工程において、
λｏ±Ｘｎｍの範囲内における波長の増加に対する変化量が前記出射側ミラーよりも小さい反射率を有する前記反射側ミラーを形成することを特徴とする上記第１態様〜第６態様のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
第８態様：前記反射側ミラー形成工程において、
λｏ±Ｘｎｍの範囲内で実質的に一定の反射率を有する前記反射側ミラーを形成することを特徴とする上記第７態様に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
第９態様：Ｘは１５であることを特徴とする上記第１態様〜第８態様のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
第１０態様：前記実際の発振波長λａは、５１５〜５４０ｎｍの範囲内であることを特徴とする上記第１態様〜第９態様のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
第１１態様：光出射側面及び光反射側面を有する窒化物半導体構造体と、
前記光出射側面に設けられた出射側ミラーと、
前記光反射側面に設けられた反射側ミラーとを備えた、発振波長が５００ｎｍ以上の半導体レーザ素子であって、
前記出射側ミラーは、前記発振波長を含む１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の幅の波長領域において、前記反射側ミラーの反射率よりも低く且つ波長の増加と共に増加する反射率を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
第１２態様：前記出射側ミラーは、
屈折率の異なる２種類以上の膜が積層された積層構造であり、
実質的にλ／４ｎの整数倍の膜厚であるλ／４膜を１以上有し、
実質的にλ／４ｎの整数倍とは異なる膜厚である非λ／４膜を少なくとも１つ有することを特徴とする上記第１１態様に記載の半導体レーザ素子。
（ただし、λは前記波長領域の範囲内の波長であり、ｎは各膜の屈折率である。）
第１３態様：前記非λ／４膜の数は１つであることを特徴とする上記第１２態様に記載の半導体レーザ素子。
第１４態様：前記非λ／４膜は、前記出射側ミラーを構成する膜のうち最も外側の膜であることを特徴とする上記第１３態様に記載の半導体レーザ素子。
第１５態様：前記出射側ミラーは、前記波長領域において、波長が１０ｎｍ増加するごとに２％以上変化する反射率を有することを特徴とする上記第１１態様〜第１４態様のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
第１６態様：前記反射側ミラーは、前記波長領域において、実質的に一定の反射率を有することを特徴とする上記第１１態様〜第１５態様のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
第１７態様：前記発振波長は、５１５〜５４０ｎｍの範囲内であることを特徴とする上記第１１態様〜第１６態様のいずれかに記載の半導体レーザ素子。