【手続補正書】
【提出日】令和2年11月10日(2020.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元タッチ・センサを動作させる方法であって、
平面基板材料を設けるステップと、
前記平面基板材料の第１部分上に複数の電極を配置するステップであって、
前記第１部分が中央直線状スパインで構成され、
複数のタッチ・センサ・ブランチが前記中央直線状スパインから反対方向に延伸し、前記複数のタッチ・センサ・ブランチが曲線状であり、
前記複数の電極がタッチ・センサを形成する、ステップと、
前記第１部分の何れをも収容しない、前記平面基板材料の第２部分を除去するステップと、
３次元オブジェクトにわたり前記平面基板材料の第１部分を配置するステップであって、前記第１部分を通じてギャップが存在することなく、前記第１部分が複数の列および行を有する前記タッチ・センサを形成するように、前記第１部分を前記３次元オブジェクトの表面に適合させる、ステップと、
平面型タッチ・センサ用に使用されるのと同一の検出および追跡アルゴリズムを実質的に使用して、前記平面基板材料の第１部分上の１つ以上のオブジェクトの検出および追跡を実行するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、更に、前記平面基板材料の第１部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、前記列および前記行を形成するために前記複数の電極がどこでも相互に交差して、前記容量感知ノードが形成される、ステップを含む、方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、更に、前記容量感知ノードが各前記行において等距離の間隔となるものの、異なる行は、各行における前記容量感知ノードの間で異なる間隔を有するように前記容量感知ノードを形成するステップを含む、方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、更に、前記容量感知ノード間の異なる間隔を補償するために、前記検出および追跡アルゴリズムにおいてオフセットを供給するステップを含む、方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法であって、更に、前記平面型タッチ・センサ用のアルゴリズムとは実質的に異なるように、前記検出および追跡アルゴリズムを変更するステップを含む、方法。
【請求項６】
３次元タッチ・センサを動作させる方法であって、
平面基板材料を設けるステップと、
前記平面基板材料の第１部分上に複数の電極を配置するステップであって、
前記第１部分が中央直線状スパインで構成され、
複数のタッチ・センサ・ブランチが前記中央直線状スパインから反対方向に延伸し、
前記複数のタッチ・センサ・ブランチが直線状であり、
前記複数の電極がタッチ・センサを形成する、ステップと、
前記第１部分の何れをも収容しない、前記平面基板材料の第２部分を除去するステップと、
３次元オブジェクトにわたり前記平面基板材料の第１部分を配置するステップであって、前記第１部分を通じてギャップが存在することなく、前記第１部分が複数の列および行を有する前記タッチ・センサを形成するように、前記第１部分を前記３次元オブジェクトの表面に適合させる、ステップと、
平面型タッチ・センサ用に使用されるのと同一の検出および追跡アルゴリズムを実質的に使用して、前記平面基板材料の第１部分上の１つ以上のオブジェクトの検出および追跡を実行するステップと、
を含む、方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法であって、更に、前記平面基板材料の第１部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、前記列および前記行を形成するために前記複数の電極がどこでも相互に交差して、前記容量感知ノードが形成される、ステップを含む、方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法であって、更に、前記容量感知ノードが前記行のそれぞれにおいて等距離の間隔となるものの、異なる行は、前記容量感知ノードの間で異なる間隔を有するように前記容量感知ノードを形成するステップを含む、方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法であって、更に、前記容量感知ノード間の異なる間隔を補償するために、前記検出および追跡アルゴリズムにおいてオフセットを供給するステップを含む、方法。
【請求項１０】
請求項６記載の方法であって、更に、前記平面型タッチ・センサ用のアルゴリズムとは実質的に異なるように、前記検出および追跡アルゴリズムを変更するステップを含む、方法。
【請求項１１】
３次元タッチ・センサを動作させる方法であって、
平面基板材料を設けるステップと、
前記平面基板材料の第１部分上に複数の電極を配置するステップであって、
前記第１部分が中央直線状スパインで構成され、
複数のタッチ・センサ・ブランチが前記中央直線状スパインから反対方向に延伸し、
前記複数のタッチ・センサ・ブランチが直線状であり、
前記複数の電極が、相互に直角となる複数の行および列を有するタッチ・センサを形成する、ステップと、
前記第１部分の何れをも収容しない、前記平面基板材料の第２部分を除去するステップと、
３次元オブジェクトにわたり前記平面基板材料の第１部分を配置するステップであって、前記第１部分を通じて実質的なギャップを設けながら前記３次元オブジェクトの表面に前記第１部分を適合させて、前記第１部分が前記タッチ・センサを形成する、ステップと、
平面型タッチ・センサ用に使用されるのと同一の検出および追跡アルゴリズムを実質的に使用して、前記平面基板材料の第１部分上の１つ以上のオブジェクトの検出および追跡を実行するステップと、
を含む、方法。
【請求項１２】
請求項９記載の方法であって、更に、前記平面基板材料の第１部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、前記列および前記行を形成するために前記複数の電極がどこでも相互に交差して、前記容量感知ノードが形成される、ステップを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の方法であって、更に、前記容量感知ノードが前記行および前記列のそれぞれにおいて等距離の間隔となるように前記容量感知ノードを形成するステップを含む、方法。
【請求項１４】
３次元タッチ・センサを動作させる方法であって、
平面基板材料を設けるステップと、
前記平面基板材料の第１部分上に複数の電極を配置するステップであって、
前記第１部分が２つのスパインから相互に向けて延伸する２つのセットの互いに組み合った(interdigitated)フィンガで構成され、
前記２つのセットの互いに組み合ったフィンガが直線状であり、
前記複数の電極が、相互に直角となる複数の行および列を有するタッチ・センサを形成する、ステップと、
前記第１部分の何れをも収容しない、前記平面基板材料の第２部分を除去するステップと、
３次元オブジェクトにわたり前記平面基板材料の第１部分を配置するステップであって、前記第１部分を通じて実質的なギャップを設けながら前記３次元オブジェクトの表面に前記第１部分を適合させて、前記第１部分が前記タッチ・センサを形成する、ステップと、
平面型タッチ・センサ用に使用されるのと同一の検出および追跡アルゴリズムを実質的に使用して、前記平面基板材料の第１部分上の１つ以上のオブジェクトの検出および追跡を実行するステップと、
を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法であって、更に、前記平面基板材料の第１部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、前記列および前記行を形成するために前記複数の電極がどこでも相互に交差して、前記容量感知ノードが形成される、ステップを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法であって、更に、前記容量感知ノードが前記行および前記列のそれぞれにおいて等距離の間隔となるように前記容量感知ノードを形成するステップを含む、方法。
【請求項１７】
３次元タッチ・センサを動作させる方法であって、
平面基板材料を設けるステップと、
前記平面基板材料の第１部分上に複数の電極を配置するステップであって、
前記第１部分が、円形外部縁のまわりに少なくとも部分的に延伸するスパインで構成され、
複数のフィンガが平行であり、前記スパインから外部に延伸し、
前記複数のフィンガが直線状であり、
前記複数の電極が、相互に直角となる複数の行および列を有するタッチ・センサを形成する、ステップと、
前記第１部分の何れをも収容しない、前記平面基板材料の第２部分を除去するステップと、
３次元オブジェクトにわたり前記平面基板材料の第１部分を配置するステップであって、前記第１部分を通じて実質的なギャップを設けながら前記３次元オブジェクトの表面に前記第１部分を適合させて、前記第１部分が前記タッチ・センサを形成する、ステップと、
平面型タッチ・センサ用に使用されるのと同一の検出および追跡アルゴリズムを実質的に使用して、前記平面基板材料の第１部分上の１つ以上のオブジェクトの検出および追跡を実行するステップと、
を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法であって、更に、前記平面基板材料の第１部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、前記列および前記行を形成するために前記複数の電極がどこでも相互に交差して、前記容量感知ノードが形成される、ステップを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法であって、更に、前記容量感知ノードが前記行および前記列のそれぞれにおいて等距離の間隔となるように前記容量感知ノードを形成するステップを含む、方法。