Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月21日(2020.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管腔体を含む領域に対するボリュームスキャンを実行して、管腔体を含むボリュームデータを生成するボリューム生成部と、
前記管腔体を含むボリュームデータから３次元の管腔体領域データを抽出する管腔体抽出部と、
前記３次元の管腔体領域データに基づいて、前記管腔体の分岐面を決定する分岐面決定部と、
前記分岐面を基準として、前記管腔体を分割して複数の区間を決定する区間決定部と、
前記３次元の管腔体領域データに基づいて、前記複数の区間の各区間においてプラークを推定するプラーク推定部と、
前記プラークに基づいて前記各区間の最大の管腔体壁厚を算出し、前記各区間の最大の管腔体壁厚に基づいてプラークスコアを算出するスコア算出部と、
を有する超音波診断装置。
【請求項２】
前記プラーク推定部は、前記３次元の管腔体領域データに基づいて前記各区間の管腔体壁厚の変位を求め、変位の頂点に係る管腔体壁厚を閾値と比較することで前記プラークを推定する、
請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項３】
前記ボリューム生成部は、前記管腔体を含むボリュームデータとして、頸動脈を含むボリュームデータを生成し、
前記管腔体抽出部は、前記頸動脈を含むボリュームデータから、前記３次元の管腔体領域データとして、３次元の頸動脈領域データを抽出する、
請求項１又は２に記載の超音波診断装置。
【請求項４】
前記分岐面決定部は、前記３次元の頸動脈領域データに基づいて、頸動脈の内頸動脈と外頸動脈との膨隆点を検出し、前記膨隆点を含む面を前記分岐面として決定する、
請求項３に記載の超音波診断装置。
【請求項５】
前記分岐面決定部は、前記３次元の頸動脈領域データに基づいて、前記膨隆点の接平面を前記分岐面として決定する、
請求項４に記載の超音波診断装置。
【請求項６】
前記スコア算出部は、前記プラークスコアとして、左側の頸動脈に係るプラークスコアと、右側の頸動脈に係るプラークスコアと、両側の頸動脈に係るプラークスコアとのうち少なくとも１つを算出する、
請求項３乃至５のうちいずれか一項に記載の超音波診断装置。
【請求項７】
前記スコア算出部は、前記プラークに基づいて前記各区間の最大ＩＭＴ（Intima-Media Thickness）を算出し、前記各区間の最大ＩＭＴに基づいて前記プラークスコアを算出する、
請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の超音波診断装置。
【請求項８】
前記スコア算出部は、前記プラークスコアをディスプレイに表示する、
請求項１乃至７のうちいずれか一項に記載の超音波診断装置。
【請求項９】
前記スコア算出部は、前記３次元の管腔体領域データの全体を、前記複数の区間の個数の断面でカットした場合の前記個数の断面画像データを、ディスプレイに表示する、
請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載の超音波診断装置。
【請求項１０】
前記スコア算出部は、前記３次元の管腔体領域データの複数の区間を、前記複数の区間の個数の断面でそれぞれカットした場合の前記個数の断面画像データを、ディスプレイに表示する、
請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載の超音波診断装置。
【請求項１１】
管腔体を含むボリュームデータから３次元の管腔体領域データを抽出する管腔体抽出部と、
前記３次元の管腔体領域データに基づいて、前記管腔体の分岐面を決定する分岐面決定部と、
前記分岐面を基準として、前記管腔体を分割して複数の区間を決定する区間決定部と、
前記３次元の管腔体領域データに基づいて、前記複数の区間の各区間においてプラークを推定するプラーク推定部と、
前記プラークに基づいて前記各区間の最大の管腔体壁厚を算出し、前記各区間の最大の管腔体壁厚に基づいてプラークスコアを算出するスコア算出部と、
を有する医用画像処理装置。
【請求項１２】
コンピュータに、
管腔体を含むボリュームデータから３次元の管腔体領域データを抽出する機能と、
前記３次元の管腔体領域データに基づいて、前記管腔体の分岐面を決定する機能と、
前記分岐面を基準として、前記管腔体を分割して複数の区間を決定する機能と、
前記３次元の管腔体領域データに基づいて、前記複数の区間の各区間においてプラークを推定する機能と、
前記プラークに基づいて前記各区間の最大の管腔体壁厚を算出し、前記各区間の最大の管腔体壁厚に基づいてプラークスコアを算出する機能と、
を実現させるプラークスコア算出プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
入力インターフェース３０は、操作者によって操作が可能な入力デバイスからの信号を入力する回路と、入力デバイスとを含む。入力デバイスは、トラックボール、スイッチ、マウス、キーボード、操作面に触れることで入力操作を行うタッチパッド、表示画面とタッチパッドとが一化されたタッチスクリーン、光学センサを用いた非接触入力回路、及び音声入力回路等によって実現される。操作者により入力デバイスが操作されると、入力インターフェース３０はその操作に応じた入力信号を生成して処理回路１８に出力する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
医用画像処理装置６０は、ネットワークＮを介してデータ送受信可能に超音波診断装置１０や医用画像管理装置５０等の機器に接続される。医用画像処理装置６０としては、例えば、超音波診断装置１０によって生成された超音波画像に対して各種画像処理を施すワークステーションや、タブレット端末等の携帯型情報処理端末等が挙げられる。なお、医用画像処理装置６０はオフラインの装置であって、超音波診断装置１０によって生成された超音波画像を可搬型の記憶媒体を介して読み出し可能な装置であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月3日(2020.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側に遊技媒体が流通する遊技領域が設けられる遊技パネルを備えた遊技機であって、
前記遊技パネルは前後に貫通している開口部を有し、
前記遊技パネルの前面に取付けられる平板状の取付部、及び該取付部から後方の前記開口部内に延出しており表面に複数の凹凸からなる装飾が施されている枠状の後枠部、を有する透明なセンター役物を備えた
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
手段１：遊技機において、
「前面側に遊技媒体が流通する遊技領域が設けられる遊技パネルを備えた遊技機であって、
前記遊技パネルは前後に貫通している開口部を有し、
前記遊技パネルの前面に取付けられる平板状の取付部、及び該取付部から後方の前記開口部内に延出しており表面に複数の凹凸からなる装飾が施されている枠状の後枠部、を有する透明なセンター役物を備えた」ものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月29日(2020.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者に有利な特別遊技を行うか否かの判定を行う判定手段と、
前記判定の結果に基づいて、所定の表示手段を含む演出手段を用いて所定の演出を実行可能な演出実行手段と、を備え、
前記演出実行手段は、
前記特別遊技が行われる可能性が高いことを示唆する後段演出を実行可能であり、
前記後段演出の前に、複数のオブジェクトを前記表示手段に表示させる前段演出を実行することがあり、
前記複数のオブジェクトの各オブジェクトには、遊技者が識別可能な識別情報が含まれ、
前記前段演出には、前記複数のオブジェクトの前記識別情報が前記後段演出の内容を示唆する組み合わせとなり且つ前記複数のオブジェクトの全てに第１の色が含まれる第１の前段演出と、前記複数のオブジェクトの前記識別情報が前記後段演出の内容を示唆する組み合わせとなり且つ前記複数のオブジェクトの全てに第２の色が含まれる第２の前段演出と、前記複数のオブジェクトの前記識別情報が前記後段演出の内容を示唆する組み合わせとなり且つ前記複数のオブジェクトの一部のオブジェクトに前記第１の色が含まれて他のオブジェクトに前記第２の色が含まれる第３の前段演出と、があり、
前記第１の前段演出が実行されたときと、前記第２の前段演出が実行されたときと、前記第３の前段演出が実行されたときとで、前記特別遊技が行われる確率が互いに異なる、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本明細書に開示される遊技機は、遊技者に有利な特別遊技を行うか否かの判定を行う判定手段と、前記判定の結果に基づいて、所定の表示手段を含む演出手段を用いて所定の演出を実行可能な演出実行手段と、を備え、前記演出実行手段は、前記特別遊技が行われる可能性が高いことを示唆する後段演出を実行可能であり、前記後段演出の前に、複数のオブジェクトを前記表示手段に表示させる前段演出を実行することがあり、前記複数のオブジェクトの各オブジェクトには、遊技者が識別可能な識別情報が含まれ、前記前段演出には、前記複数のオブジェクトの前記識別情報が前記後段演出の内容を示唆する組み合わせとなり且つ前記複数のオブジェクトの全てに第１の色が含まれる第１の前段演出と、前記複数のオブジェクトの前記識別情報が前記後段演出の内容を示唆する組み合わせとなり且つ前記複数のオブジェクトの全てに第２の色が含まれる第２の前段演出と、前記複数のオブジェクトの前記識別情報が前記後段演出の内容を示唆する組み合わせとなり且つ前記複数のオブジェクトの一部のオブジェクトに前記第１の色が含まれて他のオブジェクトに前記第２の色が含まれる第３の前段演出と、があり、前記第１の前段演出が実行されたときと、前記第２の前段演出が実行されたときと、前記第３の前段演出が実行されたときとで、前記特別遊技が行われる確率が互いに異なる、ことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月22日(2020.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト多能性幹細胞由来のナチュラルキラー（ＮＫ）系細胞を生成する方法であって、該方法は、
（ｉ）ヒト多能性幹細胞を、ＢＭＰ活性化因子を含む組成物と接触させて細胞分化および拡大させて、ヒト多能性幹細胞由来の中胚葉細胞を得るステップと、
（ｉｉ）該ヒト多能性幹細胞由来の中胚葉細胞を、ＢＭＰ活性化因子、ｂＦＧＦ、およびＧＳＫ３阻害剤を含む組成物と接触させて細胞分化および拡大させるステップであって、該組成物が、ＴＧＦβ受容体阻害剤を含まない、ステップと、
（ｉｉｉ）ステップ（ｉｉ）の接触された細胞を、ＲＯＣＫ阻害剤とｂＧＦＧ、ＶＥＧＦ、ＳＣＦ、ＩＬ６およびＩＬ１１からなる群から選択される１または複数の増殖因子およびサイトカインとを含む組成物と接触させて細胞分化および拡大させて、ヒト多能性幹細胞由来の二次造血内皮を得るステップであって、該組成物が、ＴＧＦβ受容体阻害剤を含まない、ステップと、
（ｉｖ）該ヒト多能性幹細胞由来の二次造血内皮を、ＳＣＦ、Ｆｌｔ３Ｌ、ＩＬ３、ＩＬ７、およびＩＬ１５からなる群から選択される１または複数の増殖因子およびサイトカインを含む組成物と接触させて、該ヒト多能性幹細胞由来のＮＫ系細胞を生成するステップであって、該組成物が、ＶＥＧＦ、ｂＦＧＦ、ＢＭＰ活性化因子およびＲＯＣＫ阻害剤のうちの１つまたは複数を含まないか、または実質的に含まない、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記ヒト多能性幹細胞と接触させる組成物が、ｂＦＧＦをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記方法が、
播種されたヒト多能性幹細胞、多能性幹細胞由来の中胚葉細胞、および／または二次造血性内皮を、約２％〜約１０％の低酸素圧下に置くステップ；あるいは
ステップ（ｉ）の前に、ヒト多能性幹細胞をＭＥＫ阻害剤、ＧＳＫ３阻害剤、およびＲＯＣＫ阻害剤を含む組成物と接触させて、該細胞を播種し、拡大するステップであって、
該組成物が、ＴＧＦβ受容体阻害剤を含まないか、または
ヒト多能性幹細胞由来のＮＫ系細胞を生成することが、胚様体の発生を欠く；単層培養下にある；フィーダーフリー条件下にある；および／または間質フリー条件下にあるか、または
該ヒト多能性幹細胞が、人工多能性幹細胞（ｉＰＳＣ）またはナイーブｉＰＳＣである、
ステップと
をさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ヒト多能性幹細胞由来のＮＫ系細胞が、多能性幹細胞由来のプレＮＫ細胞前駆体、ＮＫ細胞前駆体、またはＮＫ細胞を含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ヒト多能性幹細胞が、ｉＰＳＣまたはナイーブｉＰＳＣである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＧＳＫ３阻害剤がＣＨＩＲ９９０２１を含むか、または前記ＢＭＰ活性化因子がＢＭＰ４を含むか、または前記ＲＯＣＫ阻害剤がチアゾビビンまたはＹ−２７６３２を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ヒト多能性幹細胞由来のＮＫ細胞を生成するための分化プラットフォームであって、該分化プラットフォームは、
（ｉ）ＢＭＰ活性化因子を含む培養培地であって、該培地は、ヒト多能性幹細胞由来の中胚葉細胞をヒト多能性幹細胞から分化および拡大させるのに適している、培地と、
（ｉｉ）ＢＭＰ活性化因子、ｂＦＧＦ、およびＧＳＫ３阻害剤を含み、ＴＧＦβ受容体阻害剤を含まない培養培地と、
（ｉｉｉ）ＲＯＣＫ阻害剤とｂＧＦＧ、ＶＥＧＦ、ＳＣＦ、ＩＬ６およびＩＬ１１からなる群から選択される１または複数の増殖因子およびサイトカインとを含み、ＴＧＦβ受容体阻害剤を含まない培養培地であって、該培地が、ヒト多能性幹細胞由来の二次造血内皮を（ｉｉ）における培養培地と接触させられた細胞から分化させるのに適している、培地と、
（ｉｖ）ＳＣＦ、Ｆｌｔ３Ｌ、ＩＬ３、ＩＬ７、およびＩＬ１５からなる群から選択される１または複数の増殖因子およびサイトカインを含む培養培地であって、該培地が、ＶＥＧＦ、ｂＦＧＦ、ＢＭＰ活性化因子およびＲＯＣＫ阻害剤のうちの１つまたは複数を含まず、ヒト多能性幹細胞由来の二次造血内皮をヒト多能性幹細胞由来のＮＫ細胞前駆体またはＮＫ細胞へと分化させるのに適している、培地と
を含む、分化プラットフォーム。
【請求項８】
（ｉ）における培養培地がｂＦＧＦをさらに含む、請求項７に記載の分化プラットフォーム。
【請求項９】
（ａ）（ｖ）ＭＥＫ阻害剤、ＧＳＫ３阻害剤、およびＲＯＣＫ阻害剤を含み、ＴＧＦβ受容体阻害剤を含まない培養培地であって、該培地が、ヒト多能性幹細胞を播種および拡大するのに適している、培地をさらに含み、
（ｂ）該ヒト多能性幹細胞がｉＰＳＣまたはナイーブｉＰＳＣである、
請求項７に記載の分化プラットフォーム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月3日(2020.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側に遊技媒体が流通する遊技領域が設けられる遊技パネルを備えた遊技機であって、
前記遊技パネルの開口部に設けられ、
前記遊技パネルよりも前方へ延出しており、内側への遊技媒体の侵入を阻止している周壁部と、
該周壁部の後端から内側へ延出しており、前記遊技パネルに取付けられる取付部を備えたセンター役物であり、
前記センター役物は、前記取付部に設けられた取付孔を通して前記遊技パネルにネジ止めされた
ことを特徴とした遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
手段１：遊技機において、
「前面側に遊技媒体が流通する遊技領域が設けられる遊技パネルを備えた遊技機であって、
前記遊技パネルの開口部に設けられ、
前記遊技パネルよりも前方へ延出しており、内側への遊技媒体の侵入を阻止している周壁部と、
該周壁部の後端から内側へ延出しており、前記遊技パネルに取付けられる取付部を備えたセンター役物であり、
前記センター役物は、前記取付部に設けられた取付孔を通して前記遊技パネルにネジ止めされた」ものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月25日(2019.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技中に抽選契機が発生すると、所定の抽選を実行する抽選実行手段と、
少なくとも前記所定の抽選の当選確率に関する設定の処理を実行可能な設定手段と、
遊技領域に配置された入賞口と、
遊技球が前記入賞口に入球することによって払い出される賞球数、及び、前記遊技領域に発射した遊技球の数を示すアウト数に基づいてベースを算出するベース算出手段と、
前記ベースを表示するベース表示装置と、
前記ベースを算出する際に実行されるベース算出処理又は前記ベース表示装置に前記ベースを表示する際に実行されるベース表示処理の少なくとも一方を含むベース関連処理を実行するベース関連処理実行手段と、
前記設定の処理及び前記ベース関連処理のうち、一方の処理の実行中には、他方の処理の少なくとも一部の処理の実行を制限する制限手段と
を備える遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
遊技の実行に必要となる第１処理を実行する第１処理実行手段と、
遊技の実行に必要とならない第２処理を実行する第２処理実行手段とを備え、
前記制限手段は、
前記一方の処理の実行中であるか否かを判断し、判断結果が肯定である場合には前記他方の処理の少なくとも一部の処理の実行を制限すると決定し、判断結果が否定である場合には前記他方の処理の少なくとも一部の処理の実行を制限しないと決定する判断処理を実行し、
前記第２処理実行手段は、
前記第２処理に含まれる処理として、前記判断処理を実行することを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遊技機において、
前記ベース表示装置は、
前記設定の値又は前記ベースを表示可能であり、前記設定の値を表示している際には前記ベースを表示せず、前記ベースを表示している際には前記設定の値を表示しないことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月25日(2019.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技中に抽選契機が発生すると、所定の抽選を実行する抽選実行手段と、
少なくとも前記所定の抽選の当選確率に関する設定の処理を実行可能な設定手段と、
遊技領域に配置された入賞口と、
遊技球が前記入賞口に入球することによって払い出される賞球数、及び、前記遊技領域に発射した遊技球の数を示すアウト数に基づいてベースを算出するベース算出手段と、
前記ベースを表示するベース表示装置とを備え、
前記ベース表示装置は、
前記設定の値を表示することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
遊技の実行に必要となる第１処理を実行する第１処理実行手段と、
遊技の実行に必要とならない第２処理を実行する第２処理実行手段とを備え、
前記第１処理実行手段は、
前記第１処理に含まれる処理として、前記ベース表示装置に前記設定の値を表示する処理を実行し、
前記第２処理実行手段は、
前記第２処理に含まれる処理として、前記ベースを算出する処理又は前記ベース表示装置に前記ベースを表示する処理の少なくとも一方を含むベース関連処理を実行することを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遊技機において、
前記ベース表示装置は、
前記設定の値を変更している状態と、前記設定の値を参照している状態とでは、異なる表示態様で前記設定の値を表示し、前記設定の値を表示している際には、前記ベースを表示しないことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月13日(2019.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層と、
前記第１配線層の上に配置され、感光性樹脂から形成された絶縁層と、
前記絶縁層に形成され、前記第１配線層に到達するビアホールと、
前記ビアホール内から前記絶縁層の上に形成され、前記第１配線層に接続された第２配線層と
を有し、
前記ビアホール内の前記第１配線層の表面が粗化面となっており、
前記第１配線層の粗化面の表面粗さ（Ｒａ）は、前記ビアホール以外の領域の前記第１配線層の表面粗さ（Ｒａ）よりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１配線層の粗化面の表面粗さ（Ｒａ）は、前記絶縁層の表面粗さ（Ｒａ）よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２配線層は、シード層と、前記シード層の上に形成された金属めっき層とにより形成され、前記シード層がスパッタ膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１配線層の粗化面の表面粗さ（Ｒａ）は３０ｎｍ〜６００ｎｍであり、前記絶縁層及び前記ビアホール以外の領域の前記第１配線層の各表面粗さ（Ｒａ）は３０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１配線層は銅層からなり、
前記第１配線層の粗化面には、前記銅層の表面から厚み方向に、前記銅層の結晶粒の粒界部に沿って設けられた隙間によって凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
第１配線層の上に、感光性樹脂層を形成する工程と、
前記感光性樹脂層を露光、現像することにより、前記第１配線層に到達するビアホールを備えた絶縁層を形成する工程と、
前記ビアホール内の前記第１配線層の表面を粗化面にする工程と、
前記ビアホール内から前記絶縁層の上に、前記第１配線層に接続される第２配線層を形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１配線層の表面を粗化面にする工程において、
前記ビアホール内をギ酸溶液で処理して、前記第１配線層の表面を粗化面にし、
前記第１配線層の粗化面の表面粗さ（Ｒａ）は、前記ビアホール以外の領域の前記第１配線層の表面粗さ（Ｒａ）よりも大きく設定されることを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１配線層は銅層からなり、
前記第１配線層の表面を粗化面にする工程において、
前記ギ酸溶液によって、前記銅層の結晶粒の粒界部が表面から厚み方向にエッチングされて凹凸が形成されることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２配線層を形成する工程は、
前記ビアホール内及び前記絶縁層の表面に、スパッタ法によりシード層を形成する工程と、
前記シード層の上に、開口部が設けられためっきレジスト層を形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジスト層の開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジスト層を除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクにして前記シード層を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１配線層の粗化面の表面粗さ（Ｒａ）は３０ｎｍ〜６００ｎｍであり、前記絶縁層及び前記ビアホール以外の領域の前記第１配線層の各表面粗さ（Ｒａ）は３０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、第１配線層と、前記第１配線層の上に配置され、感光性樹脂から形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成され、前記第１配線層に到達するビアホールと、前記ビアホール内から前記絶縁層の上に形成され、前記第１配線層に接続された第２配線層とを有し、前記ビアホール内の前記第１配線層の表面が粗化面となっており、前記第１配線層の粗化面の表面粗さ（Ｒａ）は、前記ビアホール以外の領域の前記第１配線層の表面粗さ（Ｒａ）よりも大きい配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以上のように、感光性樹脂層３００ａからビアホールＶＨを備えた絶縁層３００を形成する製造方法においても、ビアホールＶＨ内の樹脂スミアを除去する処理が必要であることが分かった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
これにより、第１配線層２０の粗化面ＲＳによるアンカー効果によって第２配線層２２のシード層２２ａが第１配線層２０に密着性よく形成されている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月16日(2020.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１トランジスタと、
第２トランジスタと、
導電体と、を有し、
前記第１トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記導電体を介して、前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１トランジスタは酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は第１領域および第２領域を有し、
前記第１領域は前記第１トランジスタのゲートと重畳する領域を有し、
前記第２領域は前記導電体と接し、
前記第２領域は前記第１領域よりも低抵抗であり、
前記第２領域は、前記導電体に含まれる金属のうち、少なくとも１つを含む、半導体装置。
【請求項２】
第１トランジスタと、
第２トランジスタと、
導電体と、
絶縁体と、を有し、
前記第１トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記導電体を介して、前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１トランジスタは酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は第１領域、第２領域および第３領域を有し、
前記第１領域は前記第１トランジスタのゲートと重畳する領域を有し、
前記第２領域は前記導電体と接し、
前記第３領域は、前記絶縁体を介して、前記導電体と重畳する領域を有し、
前記第２領域は前記第１領域よりも低抵抗であり、
前記第３領域は前記第１領域よりも低抵抗であり、
前記第２領域および前記第３領域は、前記絶縁体に含まれる金属のうち、少なくとも１つを含む、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
容量素子を有し、
前記導電体は前記容量素子の電極として機能する、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月25日(2019.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記検査装置を複数有し、前記搬送装置は、前記基板および前記温度測定基板を各検査装置のステージに搬送することを特徴とする請求項１に記載の検査システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記検査システムは、前記検査装置を複数有し、前記搬送装置は、前記温度測定基板を各検査装置のステージに搬送して前記温度測定基板の温度を測定することを特徴とする請求項１３に記載の検査システムにおける温度測定方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記温度測定基板は、前記温度測定部材が基材上に形成されてなることを特徴とする請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の検査システムにおける温度測定方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記第１および第２の観点において、前記検査装置を複数有し、前記搬送装置は、前記基板および前記温度測定基板を各検査装置のステージに搬送するようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月10日(2020.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【図１】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子の構成を示す概略平面図。
【図２Ａ】図１のＰ１−Ｐ１線における概略断面図。
【図２Ｂ】図２ＡのＱ１部を示す拡大図。
【図２Ｃ】図２ＡのＱ２部を示す拡大図。
【図２Ｄ】貫通孔を構成する第１の孔部と第２の孔部との平面配置例を示す拡大図。
【図３】第２の孔部の底部に形成される「成膜層の厚さ」と、「第２の開口幅／第２の孔部の深さ」との相関を示すグラフ。
【図４】封止膜に生じる虞のある膜欠陥を説明するための図であり、図２Ｃに相当する拡大図。
【図５Ａ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｂ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｃ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｄ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｅ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｆ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｇ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｈ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｉ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｊ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｋ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｌ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｍ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｎ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｏ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｐ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｑ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図５Ｒ】本実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造工程を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図６】第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子の構成を示す図１のＰ１−Ｐ１線の位置に相当する概略断面図。
【図７】本発明のＭＥＭＳ素子を備える電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。
【図８】本発明のＭＥＭＳ素子を備える電子機器としての携帯電話機の構成を示す斜視図。
【図９】本発明のＭＥＭＳ素子を備える電子機器としてのデジタルカメラの構成を示す斜視図。
【図１０】本発明のＭＥＭＳ素子を備える移動体としての自動車の構成を示す斜視図。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
貫通孔は、平面視で、蓋部５のキャビティー７の領域で、基部２１に対して振動部２２が設けられている側と反対側に配設されている。貫通孔を構成する第２の孔部６２は、表面シリコン層１３に設けられている第１の孔部６０と重なる位置に配設されている。また、貫通孔を構成する第１の孔部６０は、第２の孔部６２に連通するようにシリコン層１３に配設されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
なお、本実施形態では、封止膜の第１の層としての第１の配線電極５６の内側に、封止膜の第２の層としての第２の配線電極５７が積層されている。このように、第１の配線電極５６と第２の配線電極５７の二つの層を設けることにより、封止の信頼性を更に高めることができる。以下、このことについて、図４を参照して詳細に説明する。なお、図４は、第１の孔部６０の存在に起因して封止膜（第１の配線電極５６）に生じる虞のある膜欠陥を説明するための図であり、図２Ｃに相当する拡大図である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月3日(2020.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックを主成分とする誘電体層と、金属を主成分とする内部電極層と、が交互に積層された積層構造を備え、
少なくともいずれかの前記内部電極層は、セラミックを主成分とし当該内部電極層の平均厚みの４０％以上の径を有する粒子を含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記内部電極層に含まれる粒子の最大径は、２００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記粒子が存在する箇所は、前記内部電極層において前記内部電極層の平均厚み未満となる箇所であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記内部電極層の平均厚みは、０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記内部電極層の主成分金属は、ニッケルであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記粒子の主成分セラミックは、チタン酸バリウムであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記誘電体層の主成分セラミックは、チタン酸バリウムであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項８】
前記内部電極層の平均厚みは、複数の内部電極層について延在方向において等間隔に同じ箇所で厚みを測定して算出したことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項９】
セラミック粉末を含むグリーンシート上に、平均粒径が１００ｎｍ以下で粒度分布の標準偏差が１．５以下の金属粉末を主成分とし、平均粒径が１０ｎｍ以下で粒度分布の標準偏差が５以下のセラミック粉末を共材として含む金属導電ペーストのパターンを配置する第１工程と、
前記第１工程によって得られた積層単位を複数積層して得られたセラミック積層体を焼成することで、前記金属粉末の焼結によって内部電極層を形成し、前記グリーンシートのセラミック粉末の焼結によって誘電体層を形成する第２工程と、を含み、
少なくともいずれかの前記内部電極層に、セラミックを主成分とし当該内部電極層の厚みの４０％以上の径を有する粒子を存在させることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１０】
前記第２工程において、室温から最高温度までの平均昇温速度を３０℃／分以上８０℃／分以下とすることを特徴とする請求項９記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１１】
前記金属粉末は、ニッケルを主成分とすることを特徴とする請求項９または１０記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１２】
前記共材は、チタン酸バリウムを主成分とすることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１３】
前記グリーンシートのセラミック粉末は、チタン酸バリウムを主成分とすることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１４】
前記内部電極層の平均厚みは、複数の内部電極層について延在方向において等間隔に同じ箇所で厚みを測定して算出したことを特徴とする請求項９〜１３のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層の主成分セラミックをチタン酸バリウムとしてもよい。前記内部電極層の平均厚みは、複数の内部電極層について延在方向において等間隔に同じ箇所で厚みを測定して算出してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記グリーンシートのセラミック粉末は、チタン酸バリウムを主成分としてもよい。前記内部電極層の平均厚みは、複数の内部電極層について延在方向において等間隔に同じ箇所で厚みを測定して算出してもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月11日(2020.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラの情報を取得する情報取得手段と、
前記カメラの情報に基づいて、前記カメラにより撮像された画像における撮影時の着目対象を推定する推定手段と、
前記画像を、複数種類の分割方法で、それぞれ複数の分割領域に分割する領域分割手段と、
前記複数種類の分割方法のそれぞれについて、前記複数の分割領域における動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段と、を備え、
前記領域分割手段は、前記推定手段により推定された着目対象に応じて、前記画像を分割する複数種類の分割方法のそれぞれにおける分割領域の大きさ及び分割数の少なくとも一方を変更することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記複数種類の分割方法は、前記複数の分割領域のそれぞれが前記画像における主被写体を含むように前記画像を分割する第１の分割方法と、前記複数の分割領域のそれぞれが前記画像における背景を含むように前記画像を分割する第２の分割方法とを含むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記領域分割手段は、前記推定手段により推定された前記着目対象が主被写体である度合いが高くなるにつれて、前記第１の分割方法における前記複数の分割領域の大きさを小さくするか、前記分割領域の数を増やすかの少なくともいずれかを行うとともに、前記第２の分割方法における前記複数の分割領域の大きさを大きくするか、前記分割領域の数を減らすかの少なくともいずれかを行うことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記領域分割手段は、前記第１の分割方法における前記複数の分割領域の数と、前記第２の分割方法における前記複数の分割領域の数の和が一定となるように、前記第１の分割方法における前記複数の分割領域の数と、前記第２の分割方法における前記複数の分割領域の数を変更することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記カメラの情報は、撮影モード、主被写体情報、シャッタースピード、焦点距離、奥行き情報、慣性センサ情報、ユーザ指示情報の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記推定手段は、前記カメラの情報の１つまたは複数に基づいて、撮影時の着目対象が主被写体である度合いおよび背景である度合いを算出することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記推定手段は、前記カメラの情報のそれぞれについて算出された、前記着目対象が主被写体である度合い及び背景である度合いを加重加算することにより、最終的な前記着目対象が主被写体である度合い及び背景である度合いを算出することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記動きベクトルの信頼度を算出する信頼度算出手段と、前記動きベクトルに対して、前記信頼度を用いてクラスタリング処理を行うクラスタリング手段とをさらに備え、
前記領域分割手段は、前記推定手段および前記クラスタリング手段の出力に基づいて、前記画像を分割する複数種類の分割方法のそれぞれにおける分割領域の大きさ及び分割数の少なくとも一方を変更することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記動きベクトルの信頼度を算出する信頼度算出手段と、前記動きベクトルに対して、前記信頼度を用いてクラスタリング処理を行うクラスタリング手段とをさらに備え、
前記動きベクトル検出手段は、前記第１の分割方法における複数の分割領域のそれぞれにおいて着目点を設定し、該着目点に基づいて前記複数の分割領域における動きベクトルを検出し、
前記領域分割手段は、前記第１の分割方法における複数の分割領域のそれぞれにおいて設定された前記着目点のうち、前記クラスタリング手段により主被写体の動きベクトルが検出されたと判定された着目点の分布に基づいて、前記第１の分割方法における複数の分割領域の大きさを変更することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記領域分割手段は、前記推定手段の出力に基づいて得られる目標の動きベクトル数と、前記クラスタリング手段の出力から得られる実際の動きベクトル数との比較に基づいて、前記画像を分割する複数種類の分割方法のそれぞれにおける分割領域の大きさ及び分割数の少なくとも一方を変更することを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記信頼度算出手段は、前記動きベクトルを算出する画像間の相関値の演算の結果に基づいて、前記動きベクトルの信頼度を算出することを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記信頼度算出手段は、複数の前記動きベクトルの信頼度を加重加算することにより、最終的な動きベクトルの信頼度を算出することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記信頼度算出手段は、前記動きベクトルを算出する画像間の相関の最大値が大きくなるにつれて、前記動きベクトルの信頼度を高く算出することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
前記信頼度算出手段は、前記動きベクトルを算出する画像間の相関の最大値と最小値との差分が大きくなるにつれて、前記動きベクトルの信頼度を高く算出することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１５】
前記信頼度算出手段は、前記動きベクトルを算出する画像間の相関の最大値と最小値の差分と、相関の最大値と平均値の差分との比率が大きくなるにつれて、前記動きベクトルの信頼度を高く算出することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１６】
前記信頼度算出手段は、前記動きベクトルを算出する画像間の相関の最大値と、少なくとも一つの相関の極大値との差分が大きくなるにつれて、前記動きベクトルの信頼度を高く算出することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１７】
カメラの情報を取得する情報取得工程と、
前記カメラの情報に基づいて、前記カメラにより撮像された画像における撮影時の着目対象を推定する推定工程と、
前記画像を、複数種類の分割方法で、それぞれ複数の分割領域に分割する領域分割工程と、
前記複数種類の分割方法のそれぞれについて、前記複数の分割領域における動きベクトルを検出する動きベクトル検出工程と、を有し、
前記領域分割工程では、前記推定工程において推定された着目対象に応じて、前記画像を分割する複数種類の分割方法のそれぞれにおける分割領域の大きさ及び分割数の少なくとも一方を変更することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の画像処理方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１９】
請求項１７に記載の画像処理方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月15日(2020.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラウドサービスを利用するクラウドユーザーを一意に識別するためのクラウドユーザー認証情報と、デバイスの機能を利用するローカルユーザーを一意に識別するためのローカルユーザー認証情報と、を管理するクラウドシステムと、
前記クラウドユーザー認証情報と前記ローカルユーザー認証情報とを管理する前記デバイスと、
リクエストを前記クラウドシステムに送信するクライアントデバイスと、
を含む情報処理システムであって、
前記クラウドシステムは、
前記クライアントデバイスからリクエストを受信したことに応じて、前記デバイスの機能を利用するための実行要求、および前記リクエストを送信したユーザーの前記ローカルユーザー認証情報を前記デバイスに送信し、
前記デバイスは、
前記実行要求に基づく処理の実行結果、および前記ローカルユーザー認証情報に対応する前記クラウドユーザー認証情報を前記クラウドシステムに送信することを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
前記クラウドユーザー認証情報は、
前記クラウドユーザーを一意に識別し、他のクラウドユーザー認証情報と重複することのないクラウドユーザーＵＵＩＤであり、
前記ローカルユーザー認証情報は、
前記ローカルユーザーを一意に識別し、他のローカルユーザー認証情報と重複することのないローカルユーザーＵＵＩＤであることを特徴とする請求項１記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記クラウドシステムは、
前記クラウドユーザー認証情報と前記クラウドユーザー認証情報とを紐付けるための認証連携情報を介して前記クラウドユーザー認証情報と前記ローカルユーザー認証情報とを紐付けたクラウド紐付け情報を管理し、
前記デバイスは、
前記認証連携情報を介して前記クラウドユーザー認証情報と前記ローカルユーザー認証情報とを紐付けたデバイス紐付け情報を管理することを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか一つに記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記認証連携情報は、
ユーザーが前記クライアントデバイスにログインし、前記認証連携情報を発行するための発行要求が前記クラウドシステムに送信されたことで、前記クラウドシステムが前記認証連携情報を発行することを特徴とする請求項３に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記認証連携情報は、
前記ユーザーが前記デバイスにログインし、前記認証連携情報を発行するための発行要求が前記クラウドシステムに送信されたことで、前記クラウドシステムが前記認証連携情報を発行されることを特徴とする請求項３に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記クラウドシステムは、
前記クラウド紐付け情報に対して紐付けられた暗号鍵を用いて、前記デバイスの機能を実行するための実行要求に署名情報を付与して前記デバイスに送信し、前記デバイスにおいて該署名情報が検証されることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか一つに記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記デバイスは、
前記デバイス紐付け情報に対して紐付けられた暗号鍵を用いて、前記実行結果に前記署名情報を付与して前記クラウドシステムに送信し、前記クラウドシステムにおいて該署名情報が検証されることを特徴とする請求項６に記載の情報処理システム。
【請求項８】
前記情報処理システムは、
前記デバイスが、前記ユーザーによるログイン操作を必要とするマルチユーザーデバイスか、前記ログイン操作を必要としないシングルユーザーデバイスであるかを判定する判定手段をさらに有し、
前記判定手段によって前記デバイスが前記シングルユーザーデバイスと判定された場合、
前記クラウドシステムは、
前記クラウドユーザー認証情報と前記実行要求とを前記デバイスに送信し、
前記デバイスは、
前記実行要求を実行したことで得られた前記実行結果と、前記実行要求とともに受信したクラウドユーザー認証情報とを前記クラウドシステムに送信することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の情報処理システム。
【請求項９】
クラウドサービスを利用するクラウドユーザーを一意に識別するためのクラウドユーザー認証情報と、デバイスの機能を利用するローカルユーザーを一意に識別するためのローカルユーザー認証情報と、を管理するクラウドシステムと、
前記クラウドユーザー認証情報と前記ローカルユーザー認証情報とを管理する前記デバイスと、
リクエストを前記クラウドシステムに送信するクライアントデバイスと、
を含む情報処理システムの制御方法であって、
前記クラウドシステムは、
前記クライアントデバイスからリクエストを受信したことに応じて、前記デバイスの機能を利用するための実行要求、および前記リクエストを送信したユーザーの前記ローカルユーザー認証情報を前記デバイスに送信し、
前記デバイスは、
前記実行要求に基づく処理の実行結果、および前記ローカルユーザー認証情報に対応する前記クラウドユーザー認証情報を前記クラウドシステムに送信することを特徴とする情報処理システムの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
クラウドサービスを利用するクラウドユーザーを一意に識別するためのクラウドユーザー認証情報と、デバイスの機能を利用するローカルユーザーを一意に識別するためのローカルユーザー認証情報と、を管理するクラウドシステムと、前記クラウドユーザー認証情報と前記ローカルユーザー認証情報とを管理する前記デバイスと、リクエストを前記クラウドシステムに送信するクライアントデバイスと、を含む情報処理システムであって、前記クラウドシステムは、前記クライアントデバイスからリクエストを受信したことに応じて、前記デバイスの機能を利用するための実行要求、および前記リクエストを送信したユーザーの前記ローカルユーザー認証情報を前記デバイスに送信し、前記デバイスは、前記実行要求に基づく処理の実行結果、および前記ローカルユーザー認証情報に対応する前記クラウドユーザー認証情報を前記クラウドシステムに送信することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月18日(2020.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、複数の画素と、制御部とを備えた光電変換装置であって、
前記複数の画素の各々は、光電変換部と、ダイオードとを有し、
前記光電変換部は、
第１の電極層と、
前記第１の電極層と前記半導体基板との間に設けられた第２の電極層と、
前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に設けられた光電変換層とを有し、
前記ダイオードは、第１導電型の第１の不純物拡散部と第２導電型の第２の不純物拡散部とを有し、
前記第２の電極層は、前記第１の不純物拡散部に接続され、
前記制御部は、前記第１の不純物拡散部と前記第２の不純物拡散部とが順バイアス状態となる電圧と、前記第１の不純物拡散部と前記第２の不純物拡散部とが逆バイアス状態となる電圧とを前記ダイオードにそれぞれ印加することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記ダイオードは、前記第１の不純物拡散部と前記第２の不純物拡散部とで形成されたＰＮ接合部を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２の不純物拡散部は、半導体基板上に形成されたウェル領域であり、
前記第１の不純物拡散部は、前記ウェル領域の内部に形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記ウェル領域が、前記複数の画素で共有されている
ことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第２の不純物拡散部に接続され、前記ダイオードを順バイアス状態にすることによって前記第２の電極層に蓄積された信号電荷をリセットする
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記ダイオードは、前記第１の不純物拡散部、前記第２の不純物拡散部、及び前記半導体基板で形成された縦型オーバーフロードレイン構造を有し、
前記制御部は、前記半導体基板に接続され、前記ダイオードを順バイアス状態にすることによって前記第２の電極層に蓄積された信号電荷をリセットする
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記制御部は、バイアス制御容量を介して前記第２の電極層に接続され、前記第２の電極層の電位を前記バイアス制御容量を介して制御する
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記ダイオードは、ツェナーダイオードであり、
前記制御部は、前記ダイオードをツェナー降伏させることによって前記第２の電極層に蓄積された信号電荷をリセットする
ことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記ダイオードをツェナー降伏させた後に、前記ダイオードを順バイアス状態にする
ことを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記画素は、前記第２の電極層に蓄積された信号電荷に基づく信号を増幅する第１の増幅部を更に有する
ことを特徴とする請求項３から９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記画素は、前記第１の増幅部の後段にクランプ容量及び第２のノードを介して接続された第２の増幅部、及び、前記第２のノードに接続された第２のダイオード、を更に有し、
前記制御部は、前記第２のダイオードの端子間の電圧を制御して、前記第２のノードにクランプ電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１０に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記第２のダイオードは、第１導電型の第３の不純物拡散部と前記第２の不純物拡散部とで形成されたＰＮ接合部を有し、
前記第３の不純物拡散部は、前記ウェル領域の内部に形成され、前記第２のノードに接続されている
ことを特徴とする請求項１１に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記制御部は、前記第２の不純物拡散部に接続され、前記第２のダイオードを順バイアス状態にすることによって前記第２のノードの電位を制御する
ことを特徴とする請求項１２に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記制御部は、第２のバイアス制御容量を介して前記第２のノードに接続され、前記第２のノードの電位を前記第２のバイアス制御容量を介して制御する
ことを特徴とする請求項１２に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される撮像信号を処理する信号処理装置と、
を備える撮像システム。
【請求項１６】
移動体であって、
請求項１から１４のいずれか１項に記載の光電変換装置を有する撮像装置と、
前記光電変換装置の第１の光電変換部で生じた信号電荷に基づく信号と、第２の光電変換部で生じた信号電荷に基づく信号とを処理し、被写体までの距離情報を取得する信号処理部と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する主制御部と、
を備えることを特徴とする移動体。