【手続補正書】
【提出日】令和2年6月24日(2020.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システム用の基板サポートであって、
ベースプレートと、
前記ベースプレート上に配置されたセラミック層であって、前記セラミック層は、下面と、基板を支持するように構成された上面と、前記セラミック層の周縁の周りで前記下面から前記上面まで広がる側壁と、を有し、第１材料を含む、セラミック層と、
前記ベースプレートと前記セラミック層との間に設けられた接着層と、
前記セラミック層の前記側壁上に形成された保護層であって、前記セラミック層の前記側壁上に施された溶射皮膜に相当し、前記第１材料とは異なる第２材料を含む保護層と、
を備える、基板サポート。
【請求項２】
請求項１に記載の基板サポートであって、
前記第２材料は、非アルミナ系材料である、基板サポート。
【請求項３】
請求項１に記載の基板サポートであって、
前記溶射皮膜は、酸化イットリウム溶射皮膜である、基板サポート。
【請求項４】
請求項１に記載の基板サポートであって、
前記第２材料は、前記第１材料よりも高い耐プラズマ性を有する、基板サポート。
【請求項５】
請求項１に記載の基板サポートであって、
前記保護層の厚さは、０．００５インチ（０．１２７ｍｍ）〜０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）の間である、基板サポート。
【請求項６】
請求項１に記載の基板サポートであって、
前記保護層は、前記下面に隣接した前記側壁の下縁から、前記上面に隣接した前記側壁の上縁まで広がっている、基板サポート。
【請求項７】
請求項１に記載の基板サポートであって、
前記保護層は、前記下面に隣接した前記側壁の下縁から、前記上面に隣接した前記側壁の上縁から所定の距離まで広がっている、基板サポート。
【請求項８】
請求項７に記載の基板サポートであって、
前記所定の距離は、前記上縁から少なくとも０．００１インチ（０．０２５ｍｍ）である、基板サポート。
【請求項９】
請求項１に記載の基板サポートであって、
前記上面に隣接した前記側壁の上縁は、面取りされている、基板サポート。
【請求項１０】
請求項１に記載の基板サポートであって、
前記下面に隣接した前記側壁の下縁および前記上面に隣接した前記側壁の上縁の少なくとも一方において、前記保護層の厚さが漸減している、基板サポート。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板サポートであって、
前記保護層の前記厚さは、０．００５インチ（０．１２７ｍｍ）〜０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）の間から０．００１インチ（０．０２５ｍｍ）まで漸減している、基板サポート。
【請求項１２】
請求項１に記載の基板サポートであって、
前記ベースプレートと前記セラミック層の前記下面との間で前記接着層の周縁の周りに配置された保護シールをさらに備え、前記保護シールは、前記セラミック層の前記下面上には及んでいない、基板サポート。
【請求項１３】
基板処理システム用の基板サポートを形成する方法であって、前記方法は、
ベースプレートを準備することと、
前記ベースプレート上に接着層を堆積させることと、
前記ベースプレート上にセラミック層を配置することと、を含み、前記セラミック層は、下面と、基板を支持するように構成された上面と、前記セラミック層の周縁の周りで前記下面から前記上面まで広がる側壁と、を有し、前記セラミック層は、第１材料を含み、
前記方法は、
前記第１材料とは異なる第２材料を含む保護層を、前記セラミック層の前記側壁上に形成することと、
前記セラミック層の前記側壁を研磨することと、
前記セラミック層の前記側壁を酸エッチングすること、のうちの少なくとも１つを含む方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記第２材料は、非アルミナ系材料である、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、
前記保護層を形成することは、前記セラミック層の前記側壁に酸化イットリウム溶射皮膜を施すことを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であって、
前記第２材料は、前記第１材料よりも高い耐プラズマ性を有する、方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の方法であって、
前記セラミック層の前記側壁を研磨することは、３０マイクロインチ（０．７６マイクロメートル）未満の表面粗さまで前記側壁を研磨することを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１３に記載の方法であって、
前記セラミック層の前記側壁を研磨することは、１０マイクロインチ（０．２５マイクロメートル）未満の表面粗さまで前記側壁を研磨することを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１３に記載の方法であって、
前記セラミック層の前記側壁を酸エッチングすることは、前記側壁のガラス相材料の外側部分を除去するために、前記側壁を酸エッチングすることを含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
上述のように、コントローラは、ツールによって実行される処理工程または工程群に応じて、他のツール回路またはモジュール、他のツール部品、クラスタツール、他のツールインタフェース、隣接するツール、近隣のツール、工場の至るところに配置されたツール、メインコンピュータ、他のコントローラ、または半導体製造工場においてツール場所および／もしくはロードポートとの間でウェハの容器を移動させる材料搬送で使用されるツール、のうちの１つ以上と通信し得る。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
＜適用例１＞
基板処理システム用の基板サポートであって、
ベースプレートと、
前記ベースプレート上に配置されたセラミック層であって、前記セラミック層は、下面と、基板を支持するように構成された上面と、前記セラミック層の周縁の周りで前記下面から前記上面まで広がる側壁と、を有し、第１材料を含む、セラミック層と、
前記ベースプレートと前記セラミック層との間に設けられた接着層と、
前記セラミック層の前記側壁上に形成された保護層であって、前記第１材料とは異なる第２材料を含む保護層と、
を備える、基板サポート。
＜適用例２＞
適用例１に記載の基板サポートであって、
前記第２材料は、非アルミナ系材料である、基板サポート。
＜適用例３＞
適用例１に記載の基板サポートであって、
前記第２材料は、酸化イットリウム溶射皮膜である、基板サポート。
＜適用例４＞
適用例１に記載の基板サポートであって、
前記第２材料は、前記第１材料よりも高い耐プラズマ性を有する、基板サポート。
＜適用例５＞
適用例１に記載の基板サポートであって、
前記保護層の厚さは、０．００５インチ（０．１２７ｍｍ）〜０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）の間である、基板サポート。
＜適用例６＞
適用例１に記載の基板サポートであって、
前記保護層は、前記下面に隣接した前記側壁の下縁から、前記上面に隣接した前記側壁の上縁まで広がっている、基板サポート。
＜適用例７＞
適用例１に記載の基板サポートであって、
前記保護層は、前記下面に隣接した前記側壁の下縁から、前記上面に隣接した前記側壁の上縁から所定の距離まで広がっている、基板サポート。
＜適用例８＞
適用例７に記載の基板サポートであって、
前記所定の距離は、前記上縁から少なくとも０．００１インチ（０．０２５ｍｍ）である、基板サポート。
＜適用例９＞
適用例１に記載の基板サポートであって、
前記上面に隣接した前記側壁の上縁は、面取りされている、基板サポート。
＜適用例１０＞
適用例１に記載の基板サポートであって、
前記下面に隣接した前記側壁の下縁および前記上面に隣接した前記側壁の上縁の少なくとも一方において、前記保護層の厚さが漸減している、基板サポート。
＜適用例１１＞
適用例１０に記載の基板サポートであって、
前記保護層の前記厚さは、０．００５インチ（０．１２７ｍｍ）〜０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）の間から０．００１インチ（０．０２５ｍｍ）まで漸減している、基板サポート。
＜適用例１２＞
適用例１に記載の基板であって、
前記ベースプレートと前記セラミック層の前記下面との間で前記接着層の周縁の周りに配置された保護シールをさらに備え、前記保護シールは、前記セラミック層の前記下面上には及んでいない、基板。
＜適用例１３＞
基板処理システム用の基板サポートを形成する方法であって、前記方法は、
ベースプレートを準備することと、
前記ベースプレート上に接着層を堆積させることと、
前記ベースプレート上にセラミック層を配置することと、を含み、前記セラミック層は、下面と、基板を支持するように構成された上面と、前記セラミック層の周縁の周りで前記下面から前記上面まで広がる側壁と、を有し、前記セラミック層は、第１材料を含み、
前記方法は、
前記第１材料とは異なる第２材料を含む保護層を、前記セラミック層の前記側壁上に形成することと、
前記セラミック層の前記側壁を研磨することと、
前記セラミック層の前記側壁を酸エッチングすること、のうちの少なくとも１つを含む方法。
＜適用例１４＞
適用例１３に記載の基板サポートであって、
前記第２材料は、非アルミナ系材料である、基板サポート。
＜適用例１５＞
適用例１３に記載の基板サポートであって、
前記保護層を形成することは、前記セラミック層の前記側壁に酸化イットリウム溶射皮膜を施すことを含む、基板サポート。
＜適用例１６＞
適用例１３に記載の基板サポートであって、
前記第２材料は、前記第１材料よりも高い耐プラズマ性を有する、基板サポート。
＜適用例１７＞
適用例１３に記載の基板サポートであって、
前記セラミック層の前記側壁を研磨することは、３０マイクロインチ（０．７６マイクロメートル）未満の表面粗さまで前記側壁を研磨することを含む、基板サポート。
＜適用例１８＞
適用例１３に記載の基板サポートであって、
前記セラミック層の前記側壁を研磨することは、１０マイクロインチ（０．２５マイクロメートル）未満の表面粗さまで前記側壁を研磨することを含む、基板サポート。
＜適用例１９＞
適用例１３に記載の基板サポートであって、
前記セラミック層の前記側壁を酸エッチングすることは、前記側壁のガラス相材料の外側部分を除去するために、前記側壁を酸エッチングすることを含む、基板サポート。