【手続補正書】
【提出日】令和1年12月13日(2019.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１光電変換部と、
第２光電変換部と、
前記第１光電変換部および前記第２光電変換部の上に設けられた導光部とを備え、
前記第１光電変換部の受光面に沿った第１平面と、
前記第１光電変換部の受光面に沿った面であって、前記第１平面よりも前記受光面に近接する第２平面と、
前記第１光電変換部の受光面に沿った面であって、前記第２平面よりも前記受光面に近接する第３平面とを有し、
前記導光部は、前記第１平面と、前記第２平面と、前記第３平面のそれぞれにおいて、第１部分と、前記第１部分に囲まれた第２部分とを含み、
前記第１部分と、前記第２部分はともにシリコンと窒素を主として含み、前記第２部分の方が、前記第１部分よりも、シリコンと窒素の密度が低く、
前記第１平面において、前記第２部分の幅の長さは第１の長さであり、
前記第２平面において、前記第２部分の幅の長さは第２の長さであり、
前記第３平面において、前記第２部分の幅の長さは第３の長さであり、
前記第２の長さが、前記第１の長さと、前記第３の長さのそれぞれよりも短く、
前記第２平面において、前記第１部分の幅の長さが、前記第１部分の前記第１平面における幅の長さよりも短いことを特徴とする光電変換素子。
【請求項２】
第１光電変換部と、
第２光電変換部と、
前記第１光電変換部および前記第２光電変換部の上に設けられた導光部とを備え、
前記第１光電変換部の受光面に沿った第１平面と、
前記第１光電変換部の受光面に沿った面であって、前記第１平面よりも前記受光面に近接する第２平面と、
前記第１光電変換部の受光面に沿った面であって、前記第２平面よりも前記受光面に近接する第３平面とを有し、
前記導光部は、前記第１平面と、前記第２平面と、前記第３平面のそれぞれにおいて、第１部分と、前記第１部分に囲まれた第２部分とを含み、
前記第１部分と、前記第２部分はともにシリコンと窒素を主として含み、前記第２部分は、前記第１部分よりもＡｒを多く含み、
前記第１平面において、前記第２部分の幅の長さは第１の長さであり、
前記第２平面において、前記第２部分の幅の長さは第２の長さであり、
前記第３平面において、前記第２部分の幅の長さは第３の長さであり、
前記第２の長さが、前記第１の長さと、前記第３の長さのそれぞれよりも短く、
前記第２平面において、前記第１部分の幅の長さが、前記第１部分の前記第１平面における幅の長さよりも短いことを特徴とする光電変換素子。
【請求項３】
第１光電変換部と、
第２光電変換部と、
前記第１光電変換部および前記第２光電変換部の上に設けられた導光部とを備え、
前記第１光電変換部の受光面に沿った第１平面と、
前記第１光電変換部の受光面に沿った面であって、前記第１平面よりも前記受光面に近接する第２平面と、
前記第１光電変換部の受光面に沿った面であって、前記第２平面よりも前記受光面に近接する第３平面とを有し、
前記導光部は、第１部分と、前記第１部分に囲まれ、前記第１部分よりも屈折率の低い第２部分とを含み、
前記第１平面において、前記第２部分の幅の長さは第１の長さであり、
前記第２平面において、前記第２部分の幅の長さは第２の長さであり、
前記第３平面において、前記第２部分の幅の長さは第３の長さであり、
前記第２の長さが、前記第１の長さと、前記第３の長さのそれぞれよりも短く、
前記第２平面において、前記第１部分の幅の長さが、前記第１部分の前記第１平面における幅の長さよりも短いことを特徴とする光電変換素子。
【請求項４】
前記第１部分と、前記第２部分はともにシリコンと窒素を主として含み、前記第２部分の方が、前記第１部分よりも、窒素に対するシリコンの比が低いことを特徴とする請求項３に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記第１部分と、前記第２部分はともにシリコンと窒素を主として含み、
前記第２部分の方が、前記第１部分よりも、シリコンと窒素の密度が低いことを特徴とする請求項３または４に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記第２部分は、前記第１部分よりもＡｒを多く含むことを特徴とする請求項１、３、４、５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項７】
前記第１平面において、前記第１部分の幅の長さは第４の長さであり、
前記第２平面において、前記第１部分の幅の長さは第５の長さであり、
前記第３平面において、前記第１部分の幅の長さは第６の長さであり、
前記第５の長さが、前記第４の長さと、前記第６の長さのそれぞれよりも長いことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項８】
前記第１平面から前記第２平面に向かって、前記第２部分の前記第１光電変換部の受光面に平行な幅が単調に減少し、
前記第２平面から前記第３平面に向かって、前記第２部分の前記第１光電変換部の受光面に平行な幅が単調に増加することを特徴とする請求項１〜７に記載の光電変換素子。
【請求項９】
前記第１の長さが、前記第３の長さ以上であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項１０】
前記第３の長さが、前記第１の長さよりも長いことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項１１】
前記光電変換素子は複数の層間膜を有し、
前記複数の層間膜のうち、最も入射面側に位置する層間膜の位置に前記第１平面が位置することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項１２】
前記第１光電変換部の電荷を蓄積する電荷蓄積部をさらに有し、
前記第３平面が、第１領域と、前記第１領域よりも前記電荷蓄積部に近接する第２領域とを有し、
前記第１光電変換部から前記電荷蓄積部への方向である第１方向の、前記第２領域における前記第１部分の長さが、
前記第１方向に対して平面視において交差する第２方向の、前記第１領域における前記第１部分の長さよりも短いことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光電変換素子と、
前記光電変換素子が出力する信号を用いて画像を生成する信号処理部とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上記の課題を鑑みて為されたものであり、その一の態様は、第１光電変換部と、第２光電変換部と、前記第１光電変換部および前記第２光電変換部の上に設けられた導光部とを備え、前記第１光電変換部の受光面に沿った第１平面と、前記第１光電変換部の受光面に沿った面であって、前記第１平面よりも前記受光面に近接する第２平面と、前記第１光電変換部の受光面に沿った面であって、前記第２平面よりも前記受光面に近接する第３平面とを有し、前記導光部は、前記第１平面と、前記第２平面と、前記第３平面のそれぞれにおいて、第１部分と、前記第１部分に囲まれた第２部分とを含み、前記第１部分と、前記第２部分はともにシリコンと窒素を主として含み、前記第２部分の方が、前記第１部分よりも、シリコンと窒素の密度が低く、前記第１平面において、前記第２部分の幅の長さは第１の長さであり、前記第２平面において、前記第２部分の幅の長さは第２の長さであり、前記第３平面において、前記第２部分の幅の長さは第３の長さであり、前記第２の長さが、前記第１の長さと、前記第３の長さのそれぞれよりも短く、前記第２平面において、前記第１部分の幅の長さが、前記第１部分の前記第１平面における幅の長さよりも短いことを特徴とする光電変換素子である。