【手続補正書】
【提出日】令和2年8月18日(2020.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の照射部分と未照射部分とを有する感光性材料が塗布された基板を搬送する搬送部と、
前記搬送部により搬送される前記基板の一方の面側に配置される第１の電極および第２の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加し、前記第１の電極と前記第２の電極との間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
導電性を有する材料を含むミストを、前記第１の電極と前記第２の電極との間を通過させて前記基板の前記一方の面に供給するミスト供給部と、
を備える電子デバイス製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記感光性材料に電子デバイス用のパターンの形状に応じた分布で光を照射する露光部をさらに有する、
電子デバイス製造装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記感光性材料は、感光性シランカップリング材である、電子デバイス製造装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記光は紫外線である、電子デバイス製造装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記ミスト供給部は、前記基板に対して直交する面で前記ミストを供給する、電子デバイス製造装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記基板は可撓性を有する樹脂である、電子デバイス製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記搬送部は、前記基板を回転ドラムの外周面で支持し、
前記ミスト供給部は、前記回転ドラムの外周面で支持された前記基板に対して前記ミストを供給する、電子デバイス製造装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記ミストが前記基板に供給されることにより成膜された膜の膜厚を計測する膜厚計測部と、
前記膜厚計測部で計測された前記膜厚の結果に基づいて、前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加する前記電圧を制御する制御部とをさらに有する、電子デバイス製造装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記プラズマ発生部は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加する電源部を有し、
前記電源部は、１ｋＨｚ以上６ｋＨｚ未満の周波数の電圧を前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加する、電子デバイス製造装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記プラズマ発生部は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加する電源部を有し、
前記電源部は、１９ｋV以上の電圧を前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加する、電子デバイス製造装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記電源部は、電圧を印加することにより３．８×１０６V／ｍ以上の電界を前記第１の電極と前記第２の電極との間に生じさせる、電子デバイス製造装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記導電性を有する材料は、インジウム、亜鉛、鈴、チタンのいずれか１つ以上を含む金属または金属酸化物微粒子である、電子デバイス製造装置。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電子デバイス製造装置であって、
前記導電性を有する材料は、亜鉛、インジウム、錫、ガリウム、チタン、アルミニウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、シリコン、ハフニウム、タンタル、タングステンのいずれか１つ以上を含む金属塩または金属錯体である、電子デバイス製造装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の電子デバイス製造装置で製造される、半導体装置。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の電子デバイス製造装置で製造される、ディスプレイ。
【請求項１６】
光の照射部分と未照射部分とを有する感光性材料が塗布された基板を搬送する搬送工程と、
前記搬送される前記基板の一方の面側に配置される第１の電極と第２の電極との間に電圧を印加し、前記第１の電極と前記第２の電極との間にプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、
導電性を有する材料を含むミストを、前記第１の電極と前記第２の電極との間に通過させて前記基板の前記一方の面に供給するミスト供給工程と、
を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記感光性材料に電子デバイス用のパターンの形状に応じた分布で光を照射する露光工程をさらに有する、
電子デバイスの製造方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記感光性材料は、感光性シランカップリング材である、電子デバイスの製造方法。
【請求項１９】
請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記光は紫外線である、電子デバイスの製造方法。
【請求項２０】
請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記ミスト供給工程は、前記基板に対して直交する面で前記ミストを供給する、電子デバイスの製造方法。
【請求項２１】
請求項１６〜２０のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記基板は可撓性を有する樹脂である、電子デバイスの製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記ミスト供給工程は、回転ドラムの外周面で支持された前記基板に対して前記ミストを供給する、電子デバイスの製造方法。
【請求項２３】
請求項１６〜２２のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
膜厚計測部によって前記ミストが前記基板に供給されることにより成膜された膜の膜厚を計測する膜厚計測工程と、
前記膜厚計測部で計測された前記膜厚の結果に基づいて、前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加する前記電圧を制御する制御工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
【請求項２４】
請求項１６〜２３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記プラズマ発生工程は、１ｋＨｚ以上６ｋＨｚ未満の周波数の電圧を前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加する、電子デバイスの製造方法。
【請求項２５】
請求項１６〜２４のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記プラズマ発生工程は、
１９ｋV以上の電圧を前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加する、電子デバイスの製造方法。
【請求項２６】
請求項２４または２５に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記プラズマ発生工程は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に３．８×１０６V／ｍ以上の電界を生じさせる、電子デバイスの製造方法。
【請求項２７】
請求項１６〜２６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記導電性を有する材料は、インジウム、亜鉛、鈴、チタンのいずれか１つ以上を含む金属または金属酸化物微粒子である、電子デバイスの製造方法。
【請求項２８】
請求項１６〜２６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記導電性を有する材料は、亜鉛、インジウム、錫、ガリウム、チタン、アルミニウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、シリコン、ハフニウム、タンタル、タングステンのいずれか１つ以上の金属塩または金属錯体を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項２９】
請求項１６〜２８のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法で製造される、半導体装置。
【請求項３０】
請求項１６〜２８のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法で製造される、ディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１の態様は上記の課題を解決するためになされたもので、電子デバイス製造装置であって、光の照射部分と未照射部分とを有する感光性材料が塗布された基板を搬送する搬送部と、前記搬送部により搬送される前記基板の一方の面側に配置される第１の電極および第２の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加し、前記第１の電極と前記第２の電極との間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、導電性を有する材料を含むミストを、前記第１の電極と前記第２の電極との間を通過させて前記基板の前記一方の面に供給するミスト供給部と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の第２の態様は、第１の態様の電子デバイス製造装置で製造される、半導体装置である。また、本発明の第３の態様は、第１の態様の電子デバイス製造装置で製造される、ディスプレイである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の第４の態様は、電子デバイスの製造方法であって、光の照射部分と未照射部分とを有する感光性材料が塗布された基板を搬送する搬送工程と、前記搬送される基板の一方の面側に配置される第１の電極と第２の電極との間に電圧を印加し、前記第１の電極と前記第２の電極との間にプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、導電性を有する材料を含むミストを、前記第１の電極と前記第２の電極との間を通過させて前記基板の前記一方の面に供給するミスト供給工程とを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の第５の態様は、第４の態様の電子デバイスの製造方法で製造される、半導体装置である。また、本発明の第６の態様は、第４の態様の電子デバイスの製造方法で製造される、ディスプレイである。