【手続補正書】
【提出日】令和2年8月31日(2020.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
ウェハ上に複数の混合モード原子層堆積サイクル（以下、混合モードＡＬＤサイクルという）を付与することを含み、前記各混合モードＡＬＤサイクルは、１回以上のプラズマ強化原子層堆積サイクル（以下、ＰＥＡＬＤサイクルという）および１回以上の熱原子層堆積サイクル（以下、熱ＡＬＤサイクルという）とを含み、前記各ＰＥＡＬＤサイクルは、第１のドーズフェーズとプラズマ曝露フェーズとを含み、前記各熱ＡＬＤサイクルは、第２のドーズフェーズと熱変換フェーズとを含み、前記各ＰＥＡＬＤサイクルおよび前記各熱ＡＬＤサイクルでは、窒素含有反応物質を前記ウェハ上の窒化層に転化させる、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記複数の混合モードＡＬＤサイクルを付与することは、
前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルを付与することを含み、このとき、前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルを付与することは、
シリコン含有前駆体の第１のドーズを気相で前記ウェハに導入することと、
前記ウェハを前記窒素含有反応物質のプラズマに暴露することと、
前記窒素含有反応物質を前記ウェハ上の窒化層に転化させることと、を含み、このとき、前記窒化層はシリコン窒化層である、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記複数の混合モードＡＬＤサイクルを付与することは、
前記１回以上の熱ＡＬＤサイクルを付与することを含み、このとき、前記１回以上の熱ＡＬＤサイクルを付与することは、
前記シリコン含有前駆体の第２のドーズを気相で前記ウェハに導入することと、
高温で前記ウェハを前記窒素含有反応物質に暴露することと、
前記高温で前記窒素含有反応物質を窒化層に転化させることと、を含み、このとき、前記窒化層はシリコン窒化層である、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記高温は、約５００℃から約６３０℃の範囲である、方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法であって、前記ウェハを前記窒素含有反応物質の前記プラズマに暴露する間、前記ウェハを前記高温に維持する、方法。
【請求項６】
請求項３に記載の方法であって、前記高温で前記ウェハを前記窒素含有反応物質に暴露する熱暴露時間は、前記ウェハを前記窒素含有反応物質の前記プラズマに暴露するプラズマ暴露時間よりも長い、方法。
【請求項７】
請求項３に記載の方法であって、前記シリコン窒化層中のシリコン対窒素濃度比は、１．２：１〜１．８：１の間である、方法。
【請求項８】
請求項３に記載の方法であって、前記シリコン窒化層は、約２．０〜約２．５の間の屈折率を有する、方法。
【請求項９】
請求項３に記載の方法であって、前記窒素含有反応物質は、アミンまたはアンモニアを含む、方法。
【請求項１０】
請求項３に記載の方法であって、前記シリコン含有前駆体は、ハロゲン化シランを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法であって、前記各混合モードＡＬＤサイクルは、複数のＰＥＡＬＤサイクルと複数の前記熱ＡＬＤサイクルとを含み、前記各混合モードＡＬＤサイクルにおいて、前記熱ＡＬＤサイクルの数は、前記ＰＥＡＬＤサイクルの数以上である、方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法であって、前記ウェハは、複数のフィーチャを含み、前記フィーチャの各々は、１０：１よりも高い深さ対幅アスペクト比を有する、方法。
【請求項１３】
窒化膜をウェハ上に製造する方法であって、
前記ウェハを処理チェンバ内に供給することと、
窒素含有反応物質のプラズマ転化によって１つ以上の窒化層をウェハ上に堆積させるために、１回以上のＰＥＡＬＤサイクルであって、第１のドーズフェーズとプラズマ曝露フェーズとをそれぞれが含むＰＥＡＬＤサイクルを付与することと、
前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルの前または後に、前記窒素含有反応物質の熱転化によって１つ以上の窒化層を前記ウェハ上に堆積させるために、１回以上の熱ＡＬＤサイクルであって、第２のドーズフェーズと熱変換フェーズとをそれぞれ含む熱ＡＬＤサイクルを付与することと、
前記１つ以上の窒化層から窒化膜を形成することと、を含む方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルは複数のＰＥＡＬＤサイクルを含み、前記１回以上の熱ＡＬＤサイクルは複数の熱ＡＬＤサイクルを含み、前記熱ＡＬＤサイクルの数は、前記ＰＥＡＬＤサイクルの数以上である、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルの付与中および前記１回以上の熱ＡＬＤサイクルの付与中は、前記ウェハの５００℃以上の温度を維持する、方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であって、前記窒素含有反応物質の熱転化の時間は、前記窒素含有反応物質のプラズマ転化の時間よりも長い、方法。
【請求項１７】
請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載の方法であって、前記窒化膜は、シリコン窒化膜である、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、前記シリコン窒化膜は、約２．０〜約２．５の間の屈折率を有する、方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法であって、前記シリコン窒化膜中のシリコン対窒素濃度比は、１．２：１〜１．８：１の間である、方法。
【請求項２０】
請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載の方法であって、前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルを付与することは、前記窒素含有反応物質のプラズマ転化の前に、シリコン含有前駆体の第１のドーズを導入することを含み、
前記１回以上の熱ＡＬＤサイクルを付与することは、前記窒素含有反応物質の熱転化の前に、前記シリコン含有前駆体の第２のドーズを導入することを含み、
前記シリコン含有前駆体は、ハロゲン化シランを含み、
前記窒素含有反応物質は、アミンまたはアンモニアを含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
［他の実施形態］
本発明の例示的な実施形態ならびに応用について、本明細書で図示および記載しているが、本発明の概念、範囲、および趣旨から逸脱することなく、数多くの変形および変更が可能であり、それらの変形例は、本出願を精読することで、当業者に明らかになるであろう。よって、記載の実施形態は例示とみなされるべきであって、限定するものではなく、本発明は、本明細書で提示された詳細に限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲および均等物の範囲内で変更してよい。例えば、以下の適用例として実施可能である。
［適用例１］方法であって、
ウェハ上に複数の混合モード原子層堆積（ＡＬＤ）サイクルを付与することを含み、前記各モードＡＬＤサイクルは、１回以上のプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）サイクルおよび１回以上の熱原子層堆積（熱ＡＬＤ）サイクルを含み、前記各ＰＥＡＬＤサイクルおよび前記各熱ＡＬＤサイクルでは、窒素含有反応物質を前記ウェハ上の窒化層に転化させる、方法。
［適用例２］適用例１に記載の方法であって、前記複数の混合モードＡＬＤサイクルを付与することは、
前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルを付与することを含み、このとき、前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルを付与することは、
シリコン含有前駆体の第１のドーズを気相で前記ウェハに導入することと、
前記ウェハを前記窒素含有反応物質のプラズマに暴露することと、
前記窒素含有反応物質を前記ウェハ上の窒化層に転化させることと、を含み、このとき、前記窒化層はシリコン窒化層である、方法。
［適用例３］適用例２に記載の方法であって、前記複数の混合モードＡＬＤサイクルを付与することは、
前記１回以上の熱ＡＬＤサイクルを付与することを含み、このとき、前記１回以上の熱ＡＬＤサイクルを付与することは、
前記シリコン含有前駆体の第２のドーズを気相で前記ウェハに導入することと、
高温で前記ウェハを前記窒素含有反応物質に暴露することと、
前記高温で前記窒素含有反応物質を窒化層に転化させることと、を含み、このとき、前記窒化層はシリコン窒化層である、方法。
［適用例４］適用例３に記載の方法であって、前記高温は、少なくとも５００℃以上である、方法。
［適用例５］適用例３に記載の方法であって、前記ウェハを前記窒素含有反応物質の前記プラズマに暴露する間、前記ウェハを前記高温に維持する、方法。
［適用例６］適用例３に記載の方法であって、前記高温で前記ウェハを前記窒素含有前駆体に暴露する熱暴露時間は、前記ウェハを前記窒素含有前駆体の前記プラズマに暴露するプラズマ暴露時間よりも長い、方法。
［適用例７］適用例３に記載の方法であって、前記シリコン窒化層中のシリコン対窒素濃度比は、１．２：１〜１．８：１の間である、方法。
［適用例８］適用例３に記載の方法であって、前記シリコン窒化層は、約２．０〜約２．５の間の屈折率を有する、方法。
［適用例９］適用例３に記載の方法であって、前記窒素含有反応物質は、アミンまたはアンモニアを含む、方法。
［適用例１０］適用例３に記載の方法であって、前記シリコン含有前駆体は、ハロゲン化シランを含む、方法。
［適用例１１］適用例１から適用例１０のいずれか１項に記載の方法であって、前
記各混合モードＡＬＤサイクルにおいて、前記１回以上の熱ＡＬＤサイクルの数は、前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルの数以上である、方法。
［適用例１２］適用例１から適用例１０のいずれか１項に記載の方法であって、前記ウェハは、複数のフィーチャを含み、前記フィーチャの各々は、１０：１よりも高い深さ対幅アスペクト比を有する、方法。
［適用例１３］窒化膜をウェハ上に製造する方法であって、
ウェハを処理チェンバ内に供給することと、
窒素含有反応物質のプラズマ転化によって１つ以上の窒化層をウェハ上に堆積させるために、１回以上のプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）サイクルを付与することと、
前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルの前または後に、前記窒素含有反応物質の熱転化によって１つ以上の窒化層を前記ウェハ上に堆積させるために、１回以上の熱原子層堆積（熱ＡＬＤ）サイクルを付与することと、
前記１つ以上の窒化層から窒化膜を形成することと、を含む方法。
［適用例１４］適用例１３に記載の方法であって、前記熱ＡＬＤサイクルの数は、前記ＰＥＡＬＤサイクルの数以上である、方法。
［適用例１５］適用例１３に記載の方法であって、前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルの付与中および前記１回以上の熱ＡＬＤサイクルの付与中は、前記ウェハの５００℃以上の温度を維持する、方法。
［適用例１６］適用例１３に記載の方法であって、前記窒素含有反応物質の熱転化の時間は、前記窒素含有反応物質のプラズマ転化の時間よりも長い、方法。
［適用例１７］適用例１３から適用例１６のいずれか１項に記載の方法であって、前記窒化膜は、シリコン窒化膜である、方法。
［適用例１８］適用例１７に記載の方法であって、前記シリコン窒化膜は、約２．０〜約２．５の間の屈折率を有する、方法。
［適用例１９］適用例１７に記載の方法であって、前記シリコン窒化膜中のシリコン対窒素濃度比は、１．２：１〜１．８：１の間である、方法。
［適用例２０］適用例１３から適用例１６のいずれか１項に記載の方法であって、前記１回以上のＰＥＡＬＤサイクルを付与することは、前記窒素含有反応物質のプラズマ転化の前に、シリコン含有前駆体の第１のドーズを導入することを含み、
前記１回以上の熱ＡＬＤサイクルを付与することは、前記窒素含有反応物質の熱転化の前に、前記シリコン含有前駆体の第２のドーズを導入することを含み、
前記シリコン含有前駆体は、ハロゲン化シランを含み、
前記窒素含有反応物質は、アミンまたはアンモニアを含む、方法。