【手続補正書】
【提出日】令和2年9月18日(2020.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体を備えるコア及び
前記コアを実質的に覆うシェルを備えており、
前記コアは、第１側と前記第１側の反対側の第２側とを有し、前記コアは、前記シェルが前記第１側で最も薄く且つ前記第２側で最も厚くなるように前記シェルの内側に偏心して配置され、前記シェルは、前記第１側でゼロ以上の厚さを有しており、 
前記コア及び前記シェルは、それぞれ異なる格子定数を有し、前記シェルが歪力を前記コアに及ぼすようになっており、前記歪力は、前記コアの励起子微細構造を修正するように構成されている、量子ドット。
【請求項２】
請求項１に記載の量子ドットにおいて、
前記コアはＣｄＳｅを含み、前記シェルはＣｄＳを含む量子ドット。
【請求項３】
請求項１に記載の量子ドットにおいて、
前記コアはウルツ鉱型結晶構造を含み、前記第１側は前記ウルツ鉱型結晶構造の（０００１）ファセットを含む量子ドット。
【請求項４】
請求項１に記載の量子ドットにおいて、
前記シェルの厚さは、前記第１側で約１ｎｍ未満である量子ドット。
【請求項５】
請求項１に記載の量子ドットにおいて、
前記歪力は、前記第１側及び前記第２側を通る軸に垂直な各方向において前記コアを圧縮する２軸の力を含む量子ドット。
【請求項６】
請求項１に記載の量子ドットにおいて、
前記シェルは、前記第１側及び前記第２側を通る軸を中心として実質的に６回対称である量子ドット。
【請求項７】
請求項１に記載の量子ドットにおいて、
前記シェルの厚さは、前記コアの表面に沿って前記第１側から前記第２側に向かって移動するときに減少しない量子ドット。
【請求項８】
請求項１に記載の量子ドットにおいて、
前記量子ドットに関連する第１の励起子吸収ピークは、第１のピークエネルギーを有する第１の修正ピークと、第２のピークエネルギーを有する第２の修正ピークとに分裂され、前記第１のピークエネルギーは、室温での熱エネルギー分よりも大きく前記第２のピークエネルギーから分離されている量子ドット。
【請求項９】
請求項８に記載の量子ドットにおいて、
前記第１の修正ピークに対応する第１の数の励起子遷移は、前記第１の励起子吸収ピークに対応する第２の数の励起子遷移と比較して、低減されている量子ドット。
【請求項１０】
請求項８に記載の量子ドットにおいて、
前記第１の励起子吸収ピークの分裂は、前記量子ドットの光学利得閾値が少なくとも約１．１分の１に減少することを含む量子ドット。
【請求項１１】
請求項８に記載の量子ドットにおいて、
前記量子ドットのフォトルミネッセンス線幅は、４０ｍｅＶより小さい量子ドット。
【請求項１２】
請求項１に記載の量子ドットにおいて、
実質的に均一な厚さを有し、且つ前記量子ドットを不動態化して前記量子ドットのフォトルミネッセンス量子収率を増加させるように構成された追加のシェルをさらに含む量子ドット。
【請求項１３】
請求項１２に記載の量子ドットにおいて、
前記追加のシェルは、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、及びＺｎＳのいずれか１つを含む量子ドット。
【請求項１４】
請求項１に記載の量子ドットにおいて、
前記量子ドットは、コロイド量子ドットである量子ドット。
【請求項１５】
コア−シェル型量子ドットを合成する方法であって、
液体媒体中に分散されたＣｄＳｅ粒子を含むコアを提供し；
前記コアをオクタデセン及びオレイルアミンと混合して、反応混合物を作製し；
前記反応混合物から前記液体媒体を選択的に除去し；
前記反応混合物を約２８０℃〜約３２０℃の範囲にまで加熱し；且つ
前記反応混合物にオレイン酸カドミウム及びトリオクチルホスフィンスルフィドを添加して、前記コア上にＣｄＳシェルを形成すること
を含む方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法において、
前記オレイン酸カドミウム及び前記トリオクチルホスフィンスルフィドは、同時に且つ連続的に前記反応混合物に添加される方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法において、
前記コア−シェル型量子ドット上に追加のＣｄＳシェルを成長させることをさらに含み、
前記追加のＣｄＳシェルを成長させることは、
前記コア−シェル型量子ドットを含む別の反応混合物を約２８０℃〜約３２０℃の範囲にまで加熱し；且つ
前記加熱後に、前記追加のＣｄＳシェルを形成するための前駆体として、さらなるオレイン酸カドミウム及びオクタンチオールを、前記別の反応混合物に添加すること
を含む方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、
前記さらなるオレイン酸カドミウム及びオクタンチオールは、オクタデセンで希釈され；且つ
前記さらなるオレイン酸カドミウム及びオクタンチオールは、同時に且つ連続的に前記別の反応混合物に添加される方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法において、
前記方法は、さらなるオレイルアミンを前記別の反応混合物に添加することをさらに含み、前記さらなるオレイルアミンは、前記コア−シェル型量子ドットの分散性を増大させるように構成されている方法。
【請求項２０】
光帰還構造；及び
前記光帰還構造と光通信する発光体を備えるレーザであって、
前記発光体は、請求項１に記載の量子ドットを含み、前記コアの励起子微細構造の前記修正が利得閾値を低減してレーザ発振を容易にするように構成されており、
前記レーザは連続波レーザを含むレーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
静水圧歪みＣＱＤ及び２軸歪みＣＱＤは、同様の平均サイズ（図１０の挿入図を参照）及び吸収断面積を有しており、両者の吸収スペクトル（図４ａ〜図４ｂ及び図９ａ〜図９ｂを参照）は２つの差異を示している。すなわち、２軸歪みＣＱＤの第１の吸収ピークは２つに分裂しており、それははるかに急な吸収端を示す。異なる程度の薄肉シェル非対称性を有する一連の試料は、第１の励起子ピークの漸進的な分裂を示し（図１０を参照）、最大６７ｍｅＶに達する。いくつかのＣｄＳ単層の第２の均一なシェルを加えた後、分裂は５５ｍｅＶにまでわずかに減少する（図１０ｂを参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
励起子微細構造は、４（スピン縮退の場合は×２）電子と８（×２）正孔の基礎を用いて、構成相互作用法を用いて計算される。得られた状態間の光学遷移の強度は、計算された双極子遷移要素に基づいて計算される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７４】
図１４ａ〜図１４ｄは、単一ドットＰＬ線幅データを示している。図１４ａ〜図１４ｂは、静水圧歪みＣＱＤ及び２軸歪みＣＱＤの典型的な単一ドットスペクトルを示し、ＦＷＨＭはそれぞれ６０ｍｅＶ及び３２ｍｅＶである。図１４ｃは、２４個の静水圧歪みＣＱＤが平均ＰＬ線幅６３ｍｅＶ及びピーク位置１．９６ｅＶを示し、標準偏差がそれぞれ１１．８％及び０．６７％であることを示している。図１４ｄは、２０個の２軸歪み単一ドットが平均ＰＬ線幅３６ｍｅＶ及びピーク位置１．９５ｅＶを示し、標準偏差がそれぞれ７．２％及び０．５％であることを示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７６】
図１６ａ〜図１６ｄは、静水圧歪みＣＱＤフィルム試料及び２軸歪みＣＱＤフィルム試料のＳＥＭ断面及びＡＦＭ画像を示している。図１６ａは、１６５ｎｍの厚さを示す静水圧歪みＣＱＤフィルムの断面ＳＥＭを示している。図１６ｂは、静水圧歪みＣＱＤのＡＦＭ画像及び高さトレースを示している。図１６ｃは、１４５ｎｍのフィルム厚さを示す２軸歪みＣＱＤフィルムの断面ＳＥＭを示している。図１６ｄは、２軸歪みＣＱＤのＡＦＭ画像及び高さトレースを示している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2018041960.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2018041960.tif 000002