【手続補正書】
【提出日】令和1年11月29日(2019.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するためのシステムであって、
チャンバと、
チャックアセンブリと、
イオン源と、を備え、
前記チャックアセンブリは、
基板サポートと、
前記基板サポートの下方領域の中心点に結合された中心サポートを有する歳差アセンブリであり、前記中心サポートは、静止している、歳差アセンブリと、を含み、
前記歳差アセンブリは、さらに、第１のアクチュエータおよび第２のアクチュエータを含み、前記第１のアクチュエータは、前記下方領域内の、前記中心点からずらされた第１の位置に接続され、前記第２のアクチュエータは、前記下方領域内の、前記中心点からずらされた第２の位置に接続され、
前記歳差アセンブリは、前記第１のアクチュエータおよび前記第２のアクチュエータが、前記第１のアクチュエータが第１の周波数にしたがって上下に移動するとともに前記第２のアクチュエータが第２の周波数にしたがって上下に移動するように前記中心サポートに相対的に上下に移動するときに、前記基板サポートに歳差運動が与えられ、前記第１の周波数は、前記第２の周波数から独立しているように、プログラムされ、
前記イオン源は、前記チャンバに接続され、前記イオン源は、前記チャックアセンブリの前記基板サポートの方を向いており、前記イオン源は、プラズマが発生するときにイオンを生成するように構成され、前記イオンは、前記基板サポートの方に向けられ、
前記歳差運動は、前記基板サポート上に前記基板が存在するときに前記基板サポートに与えられ、前記歳差運動は、前記基板サポートの回転を伴うことなく前記基板サポートの回転傾斜を引き起こし、前記基板の前記回転傾斜は、前記イオン源によって生成されたイオンを、絶えず変化する入射角で前記基板の表面に衝突させるように構成される、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のアクチュエータは、第１の振幅で上下に移動し、前記第２のアクチュエータは、第２の振幅で上下に移動し、前記第１の振幅は、前記第２の振幅とは独立に制御される、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、さらに、
前記歳差運動をプログラムするために前記歳差アセンブリと通信しているコントローラを備えるシステム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムであって、
前記コントローラは、前記基板上の特徴がどのようにエッチングされるかを制御するために、前記歳差運動を管理して前記プラズマからのイオンの入射角を設定する、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、
前記歳差運動は、周期的であり、前記第１の位置は、前記基板が前記基板サポート上に搭載されるときに初期ポジションにあり、前記第１の位置から前記初期ポジションまでの距離は、時間とともに正弦波状に変化する、システム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１の位置および前記第２の位置は、前記下方領域の辺縁部にあり、前記第１の位置は、前記中心点を基準として前記第２の位置から９０度離れている、システム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１の位置および前記第２の位置は、前記下方領域の辺縁部の近くにある、システム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１のアクチュエータおよび前記第２のアクチュエータの前記上下の移動は、前記歳差運動を生み出すために、前記歳差アセンブリによって別々にかつ独立に制御される、システム。
【請求項９】
請求項１に記載のシステムであって、
前記基板の辺縁部上の点は、前記歳差運動中に上下に移動する、システム。
【請求項１０】
基板を処理するためのシステムであって、
チャンバと、
チャックアセンブリと、
イオン源と、を備え、
前記チャックアセンブリは、
基板サポートと、
中心サポートと、第１の回転カムと、第２の回転カムとを含む歳差アセンブリであり、前記中心サポートは、静止しており、前記基板サポートの底面の中心点に結合される、歳差アセンブリと、を含み、
前記第１の回転カムは、前記底面内の、前記中心点からずらされた第１の位置に接続され、前記第２の回転カムは、前記底面内の、前記中心点からずらされた第２の位置に接続され、
前記歳差アセンブリは、前記第１の回転カムおよび前記第２の回転カムが前記第１の位置および前記第２の位置を上下に移動させるときに、前記基板サポートに歳差運動が与えられるように、プログラムされ、
前記第１の回転カムは、前記第２の回転カムとは独立に移動し、
前記イオン源は、前記基板サポートの方を向いており、プラズマが発生するときにイオンを生成し、前記歳差運動は、前記基板サポートの回転を伴うことなく前記基板サポートの回転傾斜を引き起こし、前記基板の前記回転傾斜は、前記イオン源によって生成されたイオンを、絶えず変化する入射角で前記基板の表面に衝突させるように構成される、システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシステムであって、
前記第１の位置は、第１の振幅で上下に移動し、前記第２の位置は、第２の振幅で上下に移動し、前記第１の振幅は、前記第２の振幅とは独立に制御される、システム。
【請求項１２】
請求項１０に記載のシステムであって、さらに、
前記歳差運動をプログラムするために前記歳差アセンブリと通信しているコントローラを備えるシステム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のシステムであって、
前記コントローラは、前記基板上の特徴がどのようにエッチングされるかを制御するために、前記歳差運動を管理して前記プラズマからのイオンの入射角を設定する、システム。
【請求項１４】
請求項１０に記載のシステムであって、
前記歳差運動は、周期的であり、前記第１の位置は、前記基板が前記基板サポート上に搭載されるときに初期ポジションにあり、前記第１の位置から前記初期ポジションまでの距離は、時間とともに正弦波状に変化する、システム。
【請求項１５】
基板を処理するための方法であって、
基板をチャンバ内で基板サポート上に搭載することと、
歳差アセンブリによって、前記基板サポートの歳差運動を引き起こすことと、
を備え、
前記歳差運動は、前記基板が前記基板サポート上にあるときに与えられ、前記歳差運動は、前記基板サポートの回転を伴うことなく前記基板サポートの回転傾斜を引き起こし、前記基板の前記回転傾斜は、前記チャンバの上方でイオン源によって生成されたイオンを、絶えず変化する入射角で前記基板の表面に衝突させるように構成され、
前記歳差アセンブリは、中心サポートと、第１のアクチュエータと、第２のアクチュエータとを含み、前記中心サポートは、上下の移動に関しては静止しており、前記基板サポートの下方領域の中心点に結合され、
前記第１のアクチュエータは、前記基板サポートの前記下方領域内で前記中心点からずらされた第１の位置に接続され、前記第２のアクチュエータは、前記基板サポートの前記下方領域内で前記中心点からずらされた第２の位置に接続され、
前記歳差運動は、前記第１のアクチュエータおよび前記第２のアクチュエータが、前記第１のアクチュエータが第１の周波数にしたがって上下に移動するとともに前記第２のアクチュエータが第２の周波数にしたがって上下に移動するように前記中心サポートに相対的に上下に移動するときに、形成され、前記第１の周波数は、前記第２の周波数に対して独立に設定されており、
前記基板サポートの回転を伴うことなく前記中心サポートに対する前記回転傾斜をおこすように、前記第１の周波数は、前記第２の周波数に対して暫定的にずらされて設定されている、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記第１のアクチュエータは、第１の振幅で上下に移動し、前記第２のアクチュエータは、第２の振幅で上下に移動し、前記第１の振幅は、前記第２の振幅とは独立に制御される、方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、さらに、
前記歳差運動をプログラムするために、コントローラが前記歳差アセンブリと通信しており、前記コントローラは、前記基板上の特徴がどのようにエッチングされるかを制御するために、前記歳差運動を管理してプラズマからのイオンの入射角を設定する、方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、
前記歳差運動は、周期的であり、前記第１の位置は、前記基板が前記基板サポート上に搭載されるときに初期ポジションにあり、前記第１の位置から前記初期ポジションまでの距離は、時間とともに正弦波状に変化する、方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載の方法であって、
前記第１の位置および前記第２の位置は、前記下方領域の辺縁部にあり、前記第１の位置は、前記中心点を基準として前記第２の位置から９０度離れている、方法。
【請求項２０】
請求項１５に記載の方法であって、
前記方法の動作は、１つ以上のプロセッサによって実行されるときのコンピュータプログラムによって実施され、前記コンピュータプログラムは、非一過性のコンピュータ読み取り可能媒体に記録されている、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
以上の実施形態は、理解を明瞭にする目的で幾らか詳細に説明されてきたが、添付の特許請求の範囲内で特定の変更および修正が可能であることが明らかである。したがって、本明細書で説明される実施形態は、例示的であって限定的ではないと見なされ、本明細書で与えられる詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲およびそれらの均等物の範囲内で変更されてよい。
本開示は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
基板を処理するためのシステムであって、
チャンバと、
チャックアセンブリと、
イオン源と、を備え、
前記チャックアセンブリは、
基板サポートと、
前記基板サポートの下方領域の中心点に結合された中心サポートを有する歳差アセンブリであり、前記中心サポートは、静止している、歳差アセンブリと、を含み、
前記歳差アセンブリは、さらに、第１のアクチュエータおよび第２のアクチュエータを含み、前記第１のアクチュエータは、前記下方領域内の、前記中心点からずらされた第１の位置に接続され、前記第２のアクチュエータは、前記下方領域内の、前記中心点からずらされた第２の位置に接続され、
前記歳差アセンブリは、前記第１のアクチュエータおよび前記第２のアクチュエータが、前記第１のアクチュエータが第１の周波数にしたがって上下に移動するとともに前記第２のアクチュエータが第２の周波数にしたがって上下に移動するように前記中心サポートに相対的に上下に移動するときに、前記基板サポートに歳差運動が与えられ、前記第１の周波数は、前記第２の周波数から独立しているように、プログラムされ、
前記イオン源は、前記チャンバに接続され、前記イオン源は、前記チャックアセンブリの前記基板サポートの方を向いており、前記イオン源は、プラズマが発生するときにイオンを生成するように構成され、前記イオンは、前記基板サポートの方に向けられ、
前記歳差運動は、前記基板サポート上に前記基板が存在するときに前記基板サポートに与えられ、前記歳差運動は、前記基板サポートの回転を伴うことなく前記基板サポートの回転傾斜を引き起こし、前記基板の前記回転傾斜は、前記イオン源によって生成されたイオンを、絶えず変化する入射角で前記基板の表面に衝突させるように構成される、システム。
適用例２：
適用例１のシステムであって、
前記第１のアクチュエータは、第１の振幅で上下に移動し、前記第２のアクチュエータは、第２の振幅で上下に移動し、前記第１の振幅は、前記第２の振幅とは独立に制御される、システム。
適用例３：
適用例１のシステムであって、さらに、
前記歳差運動をプログラムするために前記歳差アセンブリと通信しているコントローラを備えるシステム。
適用例４：
適用例３のシステムであって、
前記コントローラは、前記基板上の特徴がどのようにエッチングされるかを制御するために、前記歳差運動を管理して前記プラズマからのイオンの入射角を設定する、システム。
適用例５：
適用例１のシステムであって、
前記歳差運動は、周期的であり、前記第１の位置は、前記基板が前記基板サポート上に搭載されるときに初期ポジションにあり、前記第１の位置から前記初期ポジションまでの距離は、時間とともに正弦波状に変化する、システム。
適用例６：
適用例１のシステムであって、
前記第１の位置および前記第２の位置は、前記下方領域の辺縁部にあり、前記第１の位置は、前記中心点を基準として前記第２の位置から９０度離れている、システム。
適用例７：
適用例１のシステムであって、
前記第１の位置および前記第２の位置は、前記下方領域の辺縁部の近くにある、システム。
適用例８：
適用例１のシステムであって、
前記第１のアクチュエータおよび前記第２のアクチュエータの前記上下運動は、前記歳差運動を生み出すために、前記歳差アセンブリによって別々にかつ独立に制御される、システム。
適用例９：
適用例１のシステムであって、
前記基板の辺縁部上の点は、前記歳差運動中に上下に移動する、システム。
適用例１０：
基板を処理するためのシステムであって、
チャンバと、
チャックアセンブリと、
イオン源と、を備え、
前記チャックアセンブリは、
基板サポートと、
中心サポートと、第１の回転カムと、第２の回転カムとを含む歳差アセンブリであり、前記中心サポートは、静止しており、前記基板サポートの底面の中心点に結合される、歳差アセンブリと、を含み、
前記第１の回転カムは、前記底面内の、前記中心点からずらされた第１の位置に接続され、前記第２の回転カムは、前記底面内の、前記中心点からずらされた第２の位置に接続され、
前記歳差アセンブリは、前記第１の回転カムおよび前記第２の回転カムが前記第１の位置および前記第２の位置を上下に移動させるときに、前記基板サポートに歳差運動が与えられるように、プログラムされ、
前記第１の回転カムは、前記第２の回転カムとは独立に移動し、
前記イオン源は、前記基板サポートの方を向いており、プラズマが発生するときにイオンを生成し、前記歳差運動は、前記基板サポートの回転を伴うことなく前記基板サポートの回転傾斜を引き起こし、前記基板の前記回転傾斜は、前記イオン源によって生成されたイオンを、絶えず変化する入射角で前記基板の表面に衝突させるように構成される、システム。
適用例１１：
適用例１０のシステムであって、
前記第１の位置は、第１の振幅で上下に移動し、前記第２の位置は、第２の振幅で上下に移動し、前記第１の振幅は、前記第２の振幅とは独立に制御される、システム。
適用例１２：
適用例１０のシステムであって、さらに、
前記歳差運動をプログラムするために前記歳差アセンブリと通信しているコントローラを備えるシステム。
適用例１３：
適用例１２のシステムであって、
前記コントローラは、前記基板上の特徴がどのようにエッチングされるかを制御するために、前記歳差運動を管理して前記プラズマからのイオンの入射角を設定する、システム。
適用例１４：
適用例１０のシステムであって、
前記歳差運動は、周期的であり、前記第１の位置は、前記基板が前記基板サポート上に搭載されるときに初期ポジションにあり、前記第１の位置から前記初期ポジションまでの距離は、時間とともに正弦波状に変化する、システム。
適用例１５：
基板を処理するための方法であって、
基板をチャンバ内で基板サポート上に搭載することと、
歳差アセンブリによって、前記基板サポートの歳差運動を引き起こすことと、
を備え、
前記歳差運動は、前記基板が前記基板サポート上にあるときに与えられ、前記歳差運動は、前記基板サポートの回転を伴うことなく前記基板サポートの回転傾斜を引き起こし、前記基板の前記回転傾斜は、前記チャンバの上方でイオン源によって生成されたイオンを、絶えず変化する入射角で前記基板の表面に衝突させるように構成され、
前記歳差アセンブリは、中心サポートと、第１のアクチュエータと、第２のアクチュエータとを含み、前記中心サポートは、静止しており、前記基板サポートの下方領域の中心点に結合され、
前記第１のアクチュエータは、前記基板サポートの前記下方領域内で前記中心点からずらされた第１の位置に接続され、前記第２のアクチュエータは、前記基板サポートの前記下方領域内で前記中心点からずらされた第２の位置に接続され、
前記歳差運動は、前記第１のアクチュエータおよび前記第２のアクチュエータが、前記第１のアクチュエータが第１の周波数にしたがって上下に移動するとともに前記第２のアクチュエータが第２の周波数にしたがって上下に移動するように前記中心サポートに相対的に上下に移動するときに、形成され、前記第１の周波数は、前記第２の周波数から独立している、方法。
適用例１６：
適用例１５の方法であって、
前記第１のアクチュエータは、第１の振幅で上下に移動し、前記第２のアクチュエータは、第２の振幅で上下に移動し、前記第１の振幅は、前記第２の振幅とは独立に制御される、方法。
適用例１７：
適用例１５の方法であって、さらに、
前記歳差運動をプログラムするために、コントローラが前記歳差アセンブリと通信しており、前記コントローラは、前記基板上の特徴がどのようにエッチングされるかを制御するために、前記歳差運動を管理してプラズマからのイオンの入射角を設定する、方法。
適用例１８：
適用例１５の方法であって、
前記歳差運動は、周期的であり、前記第１の位置は、前記基板が前記基板サポート上に搭載されるときに初期ポジションにあり、前記第１の位置から前記初期ポジションまでの距離は、時間とともに正弦波状に変化する、方法。
適用例１９：
適用例１５の方法であって、
前記第１の位置および前記第２の位置は、前記下方領域の辺縁部にあり、前記第１の位置は、前記中心点を基準として前記第２の位置から９０度離れている、方法。
適用例２０：
適用例１５の方法であって、
前記方法の動作は、１つ以上のプロセッサによって実行されるときのコンピュータプログラムによって実施され、前記コンピュータプログラムは、非一過性のコンピュータ読み取り可能媒体に記録されている、方法。