(57)【要約】本発明は、ライニング支持体（１０）に関するものであって、複数の導電性パッド（１２）と、これら導電性パッドに対して電気的に接続された共通アドレッシングコンタクト（１８）と、複数の導電性パッドの中から、電気化学的手段によってライニングすべき少なくとも１つのパッドを選択するための選択手段と、を具備している。本発明においては、選択手段が、シフト手段（２０）を備え、このシフト手段が、共通アドレッシングコンタクトと、アドレッシング対象をなすパッドと、の間に接続されている。本発明を使用することにより、導電性トラックをコーティングすることができる。
2005536733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライニング支持体（１０）であって、
基板上に形成された複数の導電性パッド（１２，４２７，４１８，４１４’）と、
これら導電性パッドに対して電気的に接続された共通アドレッシングコンタクト（１８，４２４）と、
前記複数の導電性パッド（１２，４２７，４１８，４１４’）の中から、電気化学的手段によってライニングすべき少なくとも１つのパッドを選択するための選択手段と、
を具備する場合において、
前記選択手段が、シフト手段（２０，４２２，４１４，４２７，４１８）を備え、
このシフト手段が、成膜体（４２９，４３４）を得るために前記共通アドレッシングコンタクト（１８，４２４）に対して印加するのに必要なバイアス電圧をシフトさせ、このシフトにより、同じ共通アドレッシングコンタクト（１８，４２４）に対して電気的に接続された第２グループをなす複数のパッド（１２，４１８，４１４，４１４’）上においては成膜を引き起こすことなく、当該共通アドレッシングコンタクト（１８，４２４）に対して電気的に接続された第１グループをなす複数のパッド（１２，４２７，４１８）上において前記成膜体（４２９，４３４）が得られるようになっていることを特徴とするライニング支持体。
【請求項２】
請求項１記載のライニング支持体において、
前記共通アドレッシングコンタクト（１８，４２４）に対して印加するのに必要なバイアス電圧をシフトさせる前記シフト手段（２０，４２２，４１４，４２７，４１８）が、第１導電材料（４１８，４２７，４２２，４１４）から形成された前記導電性パッドを備えて構成され、
前記第２グループをなす前記導電性パッドが、前記第１材料とは異なる第２導電材料（４１８，４２７，４２２，４１４）から形成されていることを特徴とするライニング支持体。
【請求項３】
請求項２記載のライニング支持体において、
前記第１および前記第２導電材料（４１４，４２２）が、互いに同じ性質を有しかつ互いに異なるドーピング状況とされた半導体材料（４１４，４２２）から形成されていることを特徴とするライニング支持体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のライニング支持体において、
前記シフト手段（２０，４２２，４１４，４２７，４１８）が、しきい値手段を備え、
このしきい値手段が、前記共通アドレッシングコンタクト（１８，４２４）と、前記第２グループをなす前記各導電性パッド（１２，４１４’，４１８）と、の間に接続された少なくとも１つのダイオード（１３，４２２，４１４）を有していることを特徴とするライニング支持体。
【請求項５】
請求項４記載のライニング支持体において、
前記ダイオード（１３，４２２，４１４）が、前記共通アドレッシングコンタクト（１８，４２４）から前記少なくとも１つの導電性パッド（１２，４１４’，４１８）に向けて開状態をなすような向きとされていることを特徴とするライニング支持体。
【請求項６】
請求項１記載のライニング支持体において、
導電性パッド（１２）が、電気的に開始されるライニングによってライニングされる場合に、
前記シフト手段が、少なくとも１つの電気抵抗（１５）を備え、
この電気抵抗（１５）の抵抗値（Ｒ）が、前記第１グループをなす前記パッド（１２）のライニングを可能とし得る電圧を前記共通アドレッシングコンタクト（１８）に対して印加したときに、前記第２グループをなすパッドのライニングを禁止し得るに十分な大きさとされていることを特徴とするライニング支持体。
【請求項７】
請求項１記載のライニング支持体において、
前記バイアス電圧をシフトさせるための前記シフト手段が、互いに直列接続された少なくとも１つの電気抵抗（１５）と少なくとも１つのダイオード（１３）とを備えていることを特徴とするライニング支持体。
【請求項８】
請求項１記載のライニング支持体において、
少なくとも１つの導電性パッド（１２，４２７，４１８，４１４’）が、素子の形態としてライニングされ、
前記素子が、化学的テストパッドと、生物学的テストパッドと、融着可能な材料からなるアンカー止めパッドと、電気的コンタクトパッドと、機械的コンタクトパッドと、メンブランと、加速度計の地震錘と、コンデンサプレートと、の中のいずれかとされていることを特徴とするライニング支持体。
【請求項９】
請求項１記載のライニング支持体において、
第１タイプの導電性を有した半導体層（４１４）を備え、
この半導体層（４１４）内に、第２タイプの導電性を有した複数のドーピング領域（４２２）を有し、
第２タイプの導電性を有したこれらドーピング領域の各々が、前記基板の表面を構成する少なくとも１つの導電性パッド（４１４）に対して接続され、
第２タイプの導電性を有したこれら前記ドーピング領域（４２２）が、前記層（４１４）と共に、ダイオードタイプのシフト手段を形成していることを特徴とするライニング支持体。
【請求項１０】
請求項１記載のライニング支持体において、
前記導電性パッド（１２）が、基板（１４）の第１面（１０１）上に配置され、
この第１面（１０１）とは反対側に位置した面（１０２）上には、導電性パッド（１２）に対向して、導電性層（１２０）が設けられ、
この導電性層が、共通アドレッシングコンタクト（１８）を形成していることを特徴とするライニング支持体。
【請求項１１】
請求項１記載のライニング支持体において、
前記導電性パッド（１２）が、基板（１４）の第１面（１０１）上に配置され、
この第１面（１０１）とは反対側に位置した面（１０２）上には、導電性パッド（１２）に対向して、導電性層（１２１）が設けられ、
この導電性層が、共通アドレッシングコンタクト（１８）を形成し、
前記基板（１４）の抵抗値が、前記支持体（１０）の少なくとも１つの他の導電性パッド（１２）のライニングを可能とし得る電圧を前記共通アドレッシングコンタクト（１８）に対して印加したときに、前記支持体（１０）の少なくとも１つの導電性パッド（１２）のライニングを禁止し得るに十分な大きさとされていることを特徴とするライニング支持体。
【請求項１２】
デバイスであって、
特に、センサとされ、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載された支持体を具備していることを特徴とするデバイス。
【請求項１３】
センサであって、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載された支持体を具備し、
前記支持体が、互いに電気的性質が相違する第１材料（４１８）および第２材料（４１４’）から形成された複数の導電性パッド（４２７，４１８，４１４’）を備え、
前記第１材料から形成された導電性パッドと、前記第２材料から形成された導電性パッドとが、互いに電気的に接続され、
前記第１材料から形成された導電性パッドが、第１ライニング（４３４）を付帯し、
前記第２材料から形成された導電性パッドが、前記第１ライニング（４３４）とは相違する第２ライニング（４２８）を付帯していることを特徴とするセンサ。
【請求項１４】
請求項１３記載のセンサにおいて、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載された支持体を具備し、
前記支持体が、導電材料から形成された第１導電性パッド（４１８）を備え、
この導電性パッドが、第１タイプの半導体材料（４１４）に対して電気的に接続され、
前記半導体材料が、第２タイプの半導体材料（４２２）に対してのみ電気的に接続され、
この第２タイプの半導体材料（４２２）が、第２導電性パッド（４２７）を介して、共通アドレッシングコンタクト（４２４）に対して電気的に接続され、
前記第１導電性パッド（４１８）と前記第２導電性パッド（４２７）とが、互いに同じ導電性材料からなり、
前記第１導電性パッド（４１８）が、ライニング（４２９）を付帯し、
前記第２導電性パッド（４２７）が、前記ライニング（４２９）とは相違するライニング（４３４）を付帯していることを特徴とするセンサ。
【請求項１５】
請求項１３または１４記載のセンサにおいて、
前記複数のライニングの各々が、少なくとも１つの電気懸架されたライニングであることを特徴とするセンサ。
【請求項１６】
ライニングされた複数の導電性パッドを備えてなる支持体を形成するためのライニング方法であって、
前記支持体の前記複数の導電性パッドを、ライニング材料を含有したあるいはライニング材料の前駆体を含有した少なくとも１つの媒体（３４）に対して接触させ、
共通アドレッシングコンタクト（１８）と参照電極（３２）との間に少なくとも１つのバイアス電圧を印加し、
このようなライニング方法において、
前記支持体の一部の前記導電性パッドを、第１導電性材料から形成し、なおかつ、前記支持体の残部をなす前記導電性パッドを、第２導電性材料から形成し、
前記支持体上において前記共通アドレッシングコンタクトと第１パッドとの間に電圧シフト手段を形成し、これにより、前記共通アドレッシングコンタクトに対して印加された電圧が、前記第１パッド上においては第１電圧値となり、前記第２パッド上においては第２電圧値となるものとし、
前記共通アドレッシングコンタクトに対して電圧を印加し、この際、前記第１パッドにおいてはライニングを引き起こすには十分な電圧値が印加され、かつ、前記第２パッドにおいてはライニングは引き起こし得ないような電圧値となるようにすることを特徴とするライニング方法。
【請求項１７】
請求項１６記載のライニング方法において、
前記ライニング材料あるいは前記ライニング材料前駆体が、少なくとも一方のパッドのところにおいて、電気的に開始されるライニングを引き起こすことを特徴とするライニング方法。
【請求項１８】
請求項１６記載のライニング方法において、
前記電圧シフト手段がしきい値手段とされた支持体を使用し、
電気的に観測される手段によってあるいは電気的に開始される手段によって、ライニングを行うことを特徴とするライニング方法。
【請求項１９】
請求項１６記載のライニング方法において、
前記電圧シフト手段が少なくとも１つの電気抵抗を備えているような支持体を使用し、
電気的に開始される手段によって、ライニングを行うことを特徴とするライニング方法。
【請求項２０】
請求項１７記載のライニング方法において、
ライニングしきい値電圧（Ｖｇ ，ＶｇＡ，ＶｇＢ）以下の電圧と、飽和電圧（Ｖｓａｔ ，ＶｓａｔＡ，ＶｓａｔＢ）以上の電圧と、の間にわたって少なくとも１回の走査を行うことにより、バイアス電圧を印加することを特徴とするライニング方法。
【請求項２１】
請求項１７記載のライニング方法において、
少なくとも最初のステップ時に、導電性パッドに対して第１媒体を接触させることによって、保護ライニングを形成し、
その後のライニングステップ時に、導電性パッドに対して第２媒体を接触させ、これにより、最初のライニングステップ時のライニング箇所および既に行われたライニングステップ時のライニング箇所をライニングすることなく、パッドのライニングを行うことを特徴とするライニング方法。
【請求項２２】
請求項１７記載のライニング方法において、
導電性パッドに対して、電気的に開始されるライニングに適した少なくとも１つの媒体を接触させ、
前記媒体を、ビニルモノマーと、環式モノマーと、ジアゾニウム塩と、ヨードニウム塩と、スルホニウム塩と、ホスホニウム塩と、これらの混合物と、の中から選択された少なくとも１つの化合物を含有したものとすることを特徴とするライニング方法。
【請求項２３】
請求項１６記載のライニング方法において、
前記支持体の前記導電性パッドに対して、電気的に観測されるライニングに適した少なくとも１つの媒体を接触させ、
前記媒体を、金属塩を含有したもの、あるいは、ポリエレクトロライトや；ピロールやチオフェンやアニリンやこれらの派生物といったような導電性ポリマーの前駆体や；フェノールやエチレンジアミンやジアミンといったような電解重合可能なモノマーから形成された前駆体；といったようなポリマーを含有したもの、とすることを特徴とするライニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性パッドを備えた支持体と、電気化学的手段によってそのような導電性パッドをライニングするための方法、に関するものである。ライニングという用語は、ライニングの目的のために支持体上に設けられたパッドの表面に対して、材料を成膜したりあるいは材料を取り付けたりするといったような操作を意味する。
【背景技術】
【０００２】
本発明の様々な見地に係わる分析支持体の分野における背景技術は、参考文献［１］〜［７］として示されている。
【０００３】
本発明において想定される支持体の一例は、生物学の分野において『バイオチップ』として公知であるような、生物学的分析や化学的分析のための支持体の大量生産のために使用される基板である。この基板は、１つまたは複数の同一のバイオチップを備えており、各バイオチップは、テストパッドとして使用される複数の導電性パッドを有している。基板のカット後には、試薬すなわち『プローブ分子』が事前に機能付与されているようなこれらパッドを使用することにより、与えられた媒体中に、ターゲット分子すなわち試薬に対して反応性を有した分子が存在することを、検出することができる。媒体の異なる成分を同時に分析するには、複数のパッドを、様々な試薬すなわち様々なプローブ分子を事前にライニングしておく必要がある。ライニングは、一般に、ライニング材料またはその前駆体を含有している媒体中に支持体を浸漬することにより、行われる。
【０００４】
一般に、対象をなす支持体は、複数の導電性パッドを備えて構成されている。同一のライニングを必要とする互いに同一のパッドは、複数のパッドからなるのファミリーを構成する。
【０００５】
ある種のパッドあるいはあるファミリーをなす複数のパッドを選択的にライニングしつつ、なおかつ、他のパッドあるいは他のファミリーをなすパッドをライニングさせずに、これら他のパッドあるいは他のファミリーをなすパッドについては、他のライニング材料によってその後に成膜を行うことに関しては、様々な手法が公知である。第１の手法においては、ライニングされなければならない複数のパッドに対して選択的に対応した開口を有したマスクを、支持体上に形成する。
【０００６】
この手法は、時間がかかるとともに高価である。なぜなら、成膜すべきすべてのタイプのライニング材料に関して、そのたびごとに、対応するマスクを所定位置に位置決めし、その後、除去する必要があるからである。
【０００７】
他の手法においては、電気化学的手段によってライニング材料を成膜する。この場合、ライニング対象をなすパッドの選択は、ライニング対象をなすパッドに対して、ライニング材料の成膜を誘起する電圧を選択的に印加することにより、また、ライニング対象外のパッドに対してはライニング材料の成膜を禁止する電圧を選択的に印加することにより、行われる。この成膜手法は、特にかなり多数の導電性パッドに対して様々な材料をライするといったような場合に、実施が容易である。
【０００８】
しかしながら、導電性パッドに対するアドレッシングという問題点が発生する。アドレッシングは、アドレッシングコンタクトを介在させて使用することにより、行うことができる。アドレッシングコンタクトは、導電性のものであって、ライニング対象をなす導電性パッドに対してそれぞれ接続される。アドレッシングコンタクトは、一般に、電圧を印加するために設けられた外部アドレッシングデバイスに対して容易に接触し得るようにして、支持体のエッジのところに配置される。
【０００９】
ライニングすべきパッドの密度（単位表面積あたりにおけるパッドの数）の増加は、アドレッシングコンタクトの多重化を招き、配線が困難なものとなってしまう。
【００１０】
最初の解決手法においては、ライニング対象をなすパッドファミリーの各々に対して、それぞれ対応するアドレッシングプロットを使用することである。アドレッシングプロットは、そのパッドファミリー内のすべてのパッドに対して、内部接続を介して接続される。この解決手法は、支持体の表面上において同じパッドファミリー内のパッドどうしが均等に分散配置されている場合（この状況は、支持体が、一連をなす同一の複数の構成要素をグループ分けしている状況に相当する）には、第１の問題点をもたらす。この場合には、幾何学的理由により、単一の表面上に異なる内部連結を形成することができない。様々な内部連結の交差を可能とする技術を利用可能とすることが必要となる。その上、この場合にも、パッドの密度が増加した際には、内部連結の多重化によって制限される。
【００１１】
上記様々な欠点は、部分的には、ライニング対象をなす様々な電極パッドあるいは様々な電極パッドファミリーを選択的に連結し得るコミュテータを、支持体に装備することによって克服することができる。よって、アドレッシングコンタクトの数を、低減することができる。例えば、コミュテータは、マルチプレクサアドレッシングシステムの形態とすることができる。
【００１２】
アドレッシング支持体に対してコミュテータを装備した場合には、コミュテータの通信状態を管理するための新たなアドレッシング制御方式が必要とされる。その上、コミュテータすなわちマルチプレクサ手段の使用は、支持体のコストを、かなり増加させてしまう。それは、導電性パッドのために利用可能な表面積を低減させてしまうからである。
【特許文献１】国際公開第００／５７４６７号パンフレット（参考文献［１］）
【特許文献２】米国特許第６，１３７，１８３号明細書（参考文献［２］）
【特許文献３】欧州特許出願公開第０ ９２４ ７５６号明細書（参考文献［３］）
【特許文献４】米国特許第６，１４０，１４４号明細書（参考文献［４］）
【特許文献５】欧州特許出願公開第０ ０３８ ２４４号明細書（参考文献［５］）
【特許文献６】欧州特許出願公開第０ ５００ ４１５号明細書（参考文献［６］）
【特許文献７】欧州特許出願公開第０ ４９９ ５２８号明細書（参考文献［７］）
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の目的は、上述した様々な欠点や制限を有することなくライニング済み支持体または裸支持体をライニングし得るような、裸のあるいは既に部分的にライニングされた支持体、ならびに、方法を提供することである。
【００１４】
実際、本発明の１つの目的は、マスクもコミュテータも使用することなく、支持体の様々なパッドを選択的にライニングし得るような方法を提供することである。
【００１５】
電気化学的手段によるライニングが、電解電流の停止と同時に終了する場合には、そのライニングは、電気的に観測されるライニングとして分類される。ライニングの成長には、電流の流通が必須である。
【００１６】
電気的に観測される反応は、金属の電解成膜や、ポリマー（ポリエレクトロライト）の電解成膜や、導電性ポリマー前駆体（ピロール、アニリン、チオフェン、ＥＤＯＴ、等）の電解重合や、フェノールやエチレンジアミンやより一般的にはジアミンといったようなものの電解重合、と見なすことができる。
【００１７】
ライニングは、また、電気化学的手段によって引き起こすことができ、対象をなすパッドに適した電圧を印加することにより開始される。
【００１８】
電気的に開始される反応においては、ライニング媒体内において、ライニングは、支持体の導電性パッドに対して、しきい値を超えた電圧を印加された時点で、開始される。このしきい値は、媒体に関連している。言い換えれば、形成しようとするライニング材料や、ライニング媒体を含有した電解溶液を形成するのに使用している溶媒の性質や、電気化学的溶液内に導入された材料の性質や、支持体の導電性パッドの化学的性質、に関連している。しかしながら、成膜プロセスは、本質的に、化学的なものである。よって、ライニングの形成は、バイアス電圧が除去された後においてさえも、継続する。言い換えれば、ライニングの形成は、電気化学的バスの外部の電気回路が開状態とされた後においてさえも、継続する。
【００１９】
電気的に開始される手段によるライニングの場合には、ライニングパッド上におけるライニングコーティングの成長は、ライニングしきい値電位またはライニングしきい値電圧として公知の電圧値において、開始される。ライニングは、飽和電圧として既知の電圧値において、最適な態様で形成される。この飽和電圧とライニングしきい値電圧との間の差は、また、ライニング電圧幅として公知である。
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明は、ライニング支持体であって、基板上に形成された複数の導電性パッドと、これら導電性パッドに対して電気的に接続されかつ外部電源から電圧が印加される共通アドレッシングコンタクトと、複数の導電性パッドの中から、電気化学的手段によってライニングすべき少なくとも１つのパッドを選択するための選択手段と、を具備するライニング支持体を提供する。選択手段は、シフト手段を備え、このシフト手段は、成膜体を得るために共通アドレッシングコンタクトに対して印加するのに必要なバイアス電圧をシフトさせ、このシフトにより、同じ共通アドレッシングコンタクトに対して電気的に接続された第２グループをなす複数のパッド上においては成膜を引き起こすことなく、当該共通アドレッシングコンタクトに対して電気的に接続された第１グループをなす複数のパッド上において成膜体が得られるようになっている。
【００２１】
複数のパッドからなるグルーブは、単一のパッドのみを備えるものとしても良いことを指摘しておく。
【００２２】
この結果を達成するため、本発明の第１変形例においては、第１グループをなす複数の導電性パッドを、第１導電材料から形成し、他のパッドを、第２導電材料から形成する。このようなシフト手段は、導電性パッドが様々な材料から形成されていて、ライニング材料の形成に必要なバイアス電圧が互いに相違する場合に、適用される。
【００２３】
本発明の第２変形例においては、共通アドレッシングコンタクトと少なくとも１つのアドレッシングパッドとの間に、電圧シフト手段を接続する。このようなシフト手段を使用することにより、外部電源からの供給電圧と比較して、パッドに対して印加される電圧値を調節することができる。
【００２４】
すべての目的に関し、本発明は、ライニング支持体であって、基板上に形成された複数の導電性パッドと、これら導電性パッドに対して電気的に接続された共通アドレッシングコンタクトと、複数の導電性パッドの中から、電気化学的手段によってライニングすべき少なくとも１つのパッドを選択するための選択手段と、を具備し、選択手段が、レジデント手段を備え、このレジデント手段が、成膜体を得るために共通アドレッシングコンタクトに対して印加するのに必要なバイアス電圧をシフトさせ、このシフトにより、同じ共通アドレッシングコンタクトに対して電気的に接続された第２グループをなす複数のパッド上においては成膜を引き起こすことなく、当該共通アドレッシングコンタクトに対して電気的に接続された第１グループをなす複数のパッド上において成膜体が得られるようになっていることを特徴とするライニング支持体に関するものである。
【００２５】
上述したように、共通アドレッシングコンタクトに対して印加するのに必要なバイアス電圧をシフトさせるシフト手段は、一実施形態においては、第１導電材料から形成された導電性パッドを備えて構成され、第２グループをなす導電性パッドは、第１材料とは異なる第２導電材料から形成されている。
【００２６】
第１および第２導電材料は、例えば、互いに同じ性質を有しかつ互いに異なるドーピング状況とされたすなわち互いに異なる導電状況とされた半導体材料から形成される。
【００２７】
上述した一実施形態においては、シフト手段は、しきい値手段を備え、このしきい値手段は、共通アドレッシングコンタクトと、第２グループをなす各導電性パッドと、の間に接続された少なくとも１つのダイオードを有している。
【００２８】
このダイオードは、例えば、共通アドレッシングコンタクトから少なくとも１つの導電性パッドに向けて開状態をなすような向きとされる。
【００２９】
複数の導電性パッドが、電気的に開始されるライニングによってライニングされるという一実施形態においては、シフト手段は、少なくとも１つの電気抵抗を備え、この電気抵抗の抵抗値（Ｒ）は、第１グループをなすパッドのライニングを可能とし得る電圧を共通アドレッシングコンタクトに対して印加したときに、第２グループをなすパッドのライニングを禁止し得るに十分な大きさとされる。
【００３０】
バイアス電圧をシフトさせるためのシフト手段（あるいは、レジデント手段）は、互いに直列接続された少なくとも１つの電気抵抗と少なくとも１つのダイオードとを備えることができる。
【００３１】
ライニングされたパッドは、ライニングされた素子とすることができ、素子は、化学的テストパッドと、生物学的テストパッドと、融着可能な材料からなるアンカー止めパッドと、電気的コンタクトパッドと、機械的コンタクトパッドと、メンブランと、加速度計の地震錘と、コンデンサプレートと、の中のいずれかを形成することができる。
【００３２】
基板が、第１タイプの導電性を有した半導体である場合には、第２タイプの導電性を有した複数のドーピング領域を有することができ、第２タイプの導電性を有したこれらドーピング領域の各々は、基板の表面を構成する少なくとも１つの導電性パッドに対して接続され、第２タイプの導電性を有したこれらドーピング領域は、基板と共に、ダイオードタイプのシフト手段を形成する。
【００３３】
本発明は、さらに、ライニングされた複数の導電性パッドを備えてなる支持体を形成するためのライニング方法に関するものであって、支持体の複数の導電性パッドを、ライニング材料を含有したあるいはライニング材料の前駆体を含有した少なくとも１つの媒体に対して接触させ、共通アドレッシングコンタクトと参照電極との間に少なくとも１つのバイアス電圧を印加し、このようなライニング方法において、
支持体の一部の導電性パッドを第１導電性材料から形成しなおかつ支持体の残部をなす導電性パッドを第２導電性材料から形成するという構成と；支持体上において共通アドレッシングコンタクトと第１パッドとの間に電圧シフト手段を形成し、これにより、共通アドレッシングコンタクトに対して印加された電圧が、第１パッド上においては第１電圧値となり、第２パッド上においては第２電圧値となるものとするという構成と；のいずれかを採用し、
共通アドレッシングコンタクトに対して電圧を印加し、この際、第１パッドにおいてはライニングを引き起こすには十分な電圧値が印加され、かつ、第２パッドにおいてはライニングは引き起こし得ないような電圧値となるようにすることを特徴としている。
【００３４】
好ましくは、ライニング材料あるいはライニング材料前駆体は、少なくとも一方のパッドのところにおいて、電気的に開始されるライニングを引き起こす。
【００３５】
好ましくは、電圧シフト手段がしきい値手段とされた支持体を使用し、電気的に観測される手段によってあるいは電気的に開始される手段によって、ライニングを行う。
【００３６】
本発明による方法の一実施形態においては、電圧シフト手段が少なくとも１つの電気抵抗を備えているような支持体を使用し、電気的に開始される手段によって、ライニングを行う。
【００３７】
好ましくは、ライニング材料が、電気的に開始されるものである場合には、特に、電気懸架されるものである場合には、ライニングしきい値電圧以下の電圧と、飽和電圧以上の電圧と、の間にわたって少なくとも１回の走査を行うことにより、バイアス電圧を印加する。
【００３８】
反応が、電気的に開始されるものである場合には、パッドのところにおいて、下側しきい値と、後述の上側しきい値と、の間にわたって、複数回の走査を行って、電源から可変電圧を印加する。これにより、ライニング層の厚さを、より厚いものとすることができる。各走査時には、それまでの走査によってはライニングされなかった導電性パッドのサイト上において、反応を開始することができる。パッド上において電気懸架が起こるサイトは、この時点では未だ、『サイト』と称される。十分な数の走査を行うことによって、サイトの飽和を達成することができる。これにより、同じライニングを受領することを意図した複数のパッドに関してそれぞれ使用されているシフト手段どうしの間に性能のばらつきが存在したにしても、均一なライニングを得ることができる。言い換えれば、すべての可能なライニングサイトで、ライニングが開始される。ライニング対象をなすパッドのところにおいて誘起される電圧のばらつきは、ライニング操作時に活性化される各パッドのところにおける電圧どうしの差が進行中のライニングの電圧幅と比較して小さなものとなるような、ものとされる。
【００３９】
本発明によるライニング方法の一実施形態においては、少なくとも最初のステップ時に、導電性パッドに対して第１媒体を接触させることによって、保護ライニングを形成し、その後のライニングステップ時に、導電性パッドに対して第２媒体を接触させ、これにより、最初のライニングステップ時のライニング箇所および既に行われたライニングステップ時のライニング箇所をライニングすることなく、パッドのライニングを行う。
【００４０】
保護ライニングを形成することにより、既にライニングされ終わっているパッドが、電気絶縁状態とされ、これにより、以降のライニング操作に対して鈍感なものとされる。よって、より大きなバイアス電圧を印加することができ、これにより、より大きなライニングしきい値を有したパッドのライニングの成長を開始させることができる。異なるライニング媒体内においては、新たなライニングを、先のライニングの場合に必要とされた電圧値よりも低い電圧値によって、行うことができる。
【００４１】
導電性パッドのライニングが、共通アドレッシングコンタクトに対して印加されたバイアス電圧が、電圧シフト手段によって決定された電圧しきい値を超えるとすぐに可能であることを思い起こされたい。このしきい値は、電気的に開始される成長ライニング材料に固有の補助的しきい値によって、増大させることができる。
【００４２】
本発明によるライニング方法の一実施形態においては、導電性パッドに対して、電気的に開始されるライニングに適した少なくとも１つの媒体を接触させ、媒体は、求核攻撃または求電子的攻撃による劈開によって引き起こし得るような、ビニルモノマーと、環式モノマーと、ジアゾニウム塩と、ヨードニウム塩と、スルホニウム塩と、ホスホニウム塩と、これらの混合物と、の中から選択された少なくとも１つの化合物を含有したものとされる。
【００４３】
本発明によるライニング方法の一実施形態においては、支持体の導電性パッドに対して、電気的に観測されるライニングに適した少なくとも１つの媒体を接触させ、媒体は、金属塩を含有したもの、あるいは、ポリエレクトロライトや、導電性ポリマーの前駆体（ピロールやアニリンやチオフェンやＥＤＯＴやアセチレンやこれらの派生物）や、電解重合可能な分子（フェノールやナフトール等、エチレンジアミンやより一般的にはジアミン、特にアルキルジアミン、等）を含有したもの、とされる。
【００４４】
上述したように、バイアス電圧のシフト手段は、支持体上に実在している。このことは、例えば、これら手段が、製造時にしか機能しないにもかかわらず、支持体を備えたシリコン上において機械加工された最終的なチップまたはバイオチップまたは電気化学的構造上に存在することを意味している。
【００４５】
使用される電気化学的方法が、電気的に観測されるものである場合には、共通アドレッシングコンタクトに対してある種の複数のパッドを接続しているダイオードの導電しきい値により、これらパッドのライニングを得るのに必要な電気化学的電流の流通を阻止することができる。
【００４６】
使用される電気化学的方法が、電気的に開始されるものである場合には、共通アドレッシングコンタクトに対してある種の複数のパッドを接続しているダイオードの導電しきい値により、ライニングの形成を防止しているパッドのところにおいて得られる電圧値を低減することができる。
【００４７】
いずれの場合においても、以下の２つの条件が満たされた場合には、ダイオードを介して接続されたパッド上におけるライニング形成は、阻止される。すなわち、第１は、電源のところにおいて印加されたバイアス電圧が、ライニング開始のためのしきい値電圧値と、ダイオードの導電しきい値と、の合計値よりも小さいままであること。第２は、ダイオードの漏洩電流が、ライニングのために使用される典型的な電気化学的電流と比較して、十分に小さいものであること。さらに、共通アドレッシングコンタクトに対して直接的に接続されたパッド上において、最良のライニング条件を達成するために、ダイオードは、そのダイオードの導電しきい値が、考慮されている反応のライニング電圧の幅と少なくとも同程度の大きさとなるように、選択される。
【００４８】
よって、互いに直列に接続された１つまたは複数のダイオードを使用することにより、共通アドレッシングコンタクトに対して例えば直接的に接続されたパッドと、共通アドレッシングコンタクトに対してそれらダイオードを介して接続されたパッドと、の間にわたって、電圧しきい値を形成することができる。
【００４９】
与えられたパッドおよび与えられたライニングタイプに関し、電気的に開始される反応を引き起こすことなく、最大の電気化学的電流を得るには、抵抗を、電圧シフト手段として考慮することができる。その場合には、その電流において、抵抗は、理想的にはライニング電圧幅よりも大きいような、電圧降下を引き起こす。これにより、電圧シフト手段として使用されている電気抵抗と、電気アドレッシング手段の配線抵抗に対応したアクセス抵抗と、を識別することができる。後者の抵抗は、シフト用抵抗の最小抵抗値と比較して、ずっと小さな値とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
本発明の他の特徴点や利点は、添付図面を参照しつつ、以下の詳細な説明を読むことにより、明瞭となるであろう。以下の説明は、本発明を何ら限定するものではなく単なる例示に過ぎない。
【００５１】
以下の説明においては、様々な図面にわたって、互いに同一の部材または互いに同様の部材または互いに等価な部材に対しては、図面間にわたっての比較を容易なものとし得るよう、同じ符号が付されている。さらに、図示をより明瞭なものとするために、すべての部材は、互いに同じスケールで図示されているわけではない。
【００５２】
図１Ａに示すように、支持体（１０）を形成するための、それ自体は公知であるようなアセンブリの一例は、好ましくは、３電極型構成（３電極型アセンブリ）である。このアセンブリは、バス（３４）を含有している容器（３６）を備えている。バス（３４）の中には、動作電極（３７）に対して接続された支持体（１０）と、参照電極（３２）と、対向電極（３１）と、が含浸されている。定電圧源（３５）が、支持体（１０）に対して接続されたされた動作電極（３７）と、参照電極（３２）と、対向電極（３１）と、に対して接続されている。使用されている３電極型アセンブリにおいては、電圧は、参照電極（３２）を基準として測定される。
【００５３】
アセンブリは、また、２つの電極（動作電極および対向電極）だけを有した構成とすることもでき、この場合には、電圧（Ｖ）は、に対する電位差として測定される。
【００５４】
電気化学的回路（３３）は、定電圧源（３５）と；電極（３１，３７，３２）と、あるいは場合によっては電極（３１，３７）と；バス（３４）と；支持体（１０）と；図１Ａ中に示されているようなこれら各構成要素間の配線と；から構成されている。
【００５５】
３電極型アセンブリまたは２電極型アセンブリのいずれかにおいて、参照電位に対しての電圧（Ｖ）が一定となるようにして、支持体（１０）に対して電圧を印加する。符号（３５）は、好ましくは３つの電極を有したアセンブリを形成するための定電圧源を示している。
【００５６】
図１Ｂは、バス（３４）を含有している容器（３６）内に含浸された状態で、本発明の一実施形態をなす支持体（１０）を示している。
【００５７】
ライニング支持体（１０）は、基板（１４）上に設けられた複数の導電性パッド（１２）を備えている。これらパッド（１２）は、電気化学的手段によってライニングを受領し得るものとされている。図示の例においては、複数の導電性パッド（１２）は、互いに同一のものであって、所定の分布パターンに従って配置されている。しかしながら、複数の導電性パッド（１２）の分布および形状は、任意に様々なものとすることができる。すべてのパッド（１２）は、図１Ｂにおいて符号（１８）によって象徴的に示された共通アドレッシングコンタクトに対して、共通電極（１１）を介して、電気的に接続されている。パッド（１２）の各々は、支持体（１０）が電気化学的回路（３３）内で接続されているときには、対象をなすパッド（１２）上で得られたバイアス電圧をシフトさせることを意図した１つまたは複数の構成要素（２０）に対して、電気的に直列的なものとされている。構成要素（２０）は、全体として、ライニング対象をなす１つまたは複数のパッド（１２）を選択することを意図した手段を形成する。構成要素（２０）は、１つまたは複数のダイオード（１３）、および／または、１つまたは複数の抵抗（１５）、を備えている。いくつかのダイオード（１３）は、互いに直列的に接続することができる。同様に、１つまたは複数のダイオード（１３）は、１つまたは複数の抵抗（１５）に対して、直列的に接続することができる。
【００５８】
電気化学的バスの組成は、導電性パッド上に形成することを意図したライニングのタイプに応じて、幅広く様々ななものとすることができる。以下の説明の最初の部分に記載しているように、電気的に開始されるライニングに適した媒体と、電気的に観測したライニングに適した媒体とは、識別される。
【００５９】
電気的に観測される反応におけるライニング媒体においては、電気化学的回路内を流れる電流がゼロでなくなるとすぐに、ライニングが、開始される。しかしながら、実際には、電流は弱いものである。他方、電気的回路が開放状態である場合には、ライニングの成長は、自動的に中断される。
【００６０】
電気的に開始される反応におけるライニング媒体においては、電流が流れ始めても、ライニングは、開始されない。ライニングは、支持体の導電性パッドに対して印加される電圧がしきい値を超えた場合にのみ、開始される。電気的に観測される反応とは異なり、しきい値電圧以下の電圧においては、電流は流れるもののライニングが成長しない。このしきい値は、媒体に関連している。言い換えれば、しきい値は、形成しようとするすなわち成膜しようとするライニング材料と、電気化学的溶液を形成するために使用された溶媒の性質すなわちライニング媒体を含有していて電解溶液内に導入された溶媒の性質と、支持体の導電性パッドの化学的性質と、に関連している。しかしながら、成膜プロセスは、本質的に化学的なものである。したがって、ライニングの形成は、バイアス電圧を除去した後においてさえも継続することができる。言い換えれば、電気化学的バスへの外部回路が開放された後においてさえも継続することができる。
【００６１】
図１Ｃおよび図１Ｄは、本発明の実施形態を示している。
【００６２】
これら実施形態においては、支持体（１０）は、半導体基板（１４）を備えている。この半導体基板（１４）の第１面（１０１）上には、複数の導電性パッド（１２）が配置されている。半導体基板（１４）のうちの、第１面（１０１）とは反対側に位置した面（１０２）上には、共通アドレッシングコンタクト（１８）が配置されている。
【００６３】
図１Ｃに図示された第１実施形態においては、コンタクト（１８）は、導電性層（１２０）という形態とされている。これにより、半導体基板（１４）の抵抗値に基づく同じアクセス抵抗を介して、基板内を通って、すべての導電性パッド（１２）に対して電気的な接続を行うことができる。この場合には、すべてのパッド（１２）は、導電性面（１２０）から同じ距離のところに位置している。共通アドレッシングコンタクト（１２０）に対して電圧を印加することにより、すべての導電性パッド（１２）に対して同じ電圧を適用することができる。ただし、導電性パッド（１２）に対して印加される電圧値は、基板による電圧降下の分だけ、共通アドレッシングコンタクト（１２０）に対して印加された電圧値よりも、小さな電圧値となっている（この電圧降下分は、電圧源が、共通アドレッシングコンタクト（１２０）に対して、電圧を印加することにより、補償することができる）。よって、すべての導電性パッド（１２）上において、同じライニングを得ることができる。
【００６４】
図１Ｄに図示された第２実施形態においては、基板（１４）は、抵抗性のものであって、共通アドレッシングコンタクト（１８）は、導電性プロット（すなわち、導電性の小区画、いわば、導電性ストリップ）（１２１）という形態とされている。導電性プロット（１２１）は、導電性パッド（１２）のそれぞれからは、異なる距離のところに位置している。基板は、共通アドレッシングコンタクト（１２１）に対して電圧を印加したときには、支持体の少なくとも１つの導電性パッド（１２）のライニングを禁止し、かつ、支持体の他の少なくとも１つの導電性パッド（１２）のライニングを可能とし得るような、抵抗値を有するものとされている。
【００６５】
図２は、図１Ａおよび図１Ｂに示す回路（３３）内を流れる電気化学的電流の変化をＹ軸としてより詳細に示すボルタモグラムである。電流は、導電性パッド（１２）と参照電極（３２）との間で測定された電圧の関数として、示されている。この電圧は、Ｘ軸として示されている。したがって、このグラフは、選択手段（２０）の存在を考慮したものではなく、そのため、定電圧源（３５）によって印加された電圧と、パッド（１２）上で得られた電圧と、の間の差を考慮したものではない。電流（Ｉ）と電圧（Ｕ）とは、それぞれ任意単位で示されている。
【００６６】
例示として与えられた図２のグラフは、電気的に開始される反応によって得られた特別のライニング方法に相当している。この方法においては、電気的懸架（あるいは、電気的グラフティング）が行われる。これは、例えば、求核攻撃または求電子的攻撃による劈開によって引き起こし得るような、ビニルモノマーあるいは環式モノマーの電気的還元または電気的酸化によって得ることができる、あるいは、電気的に劈開可能な前駆体の電気的還元または電気的酸化によってさえ得ることができる、特に、ジアゾニウム塩やスルホニウム塩やホスホニウム塩やヨードニウム塩の電気的還元によって得ることができる。モノマーの電気的懸架により、導電性パッドまたは半導性パッド上において、電子共有的に（あるいは、共有結合的に）ポリマーを固定することができる。このようなポリマーは、化学的成長によって、表面上において電気的に還元された第１モノマーを起点として、表面上において『成長』する。表面上に第１モノマーをアンカー止めするという第１ステップだけが電気化学的なものであり、成長そのものは、純粋に化学的なものである。したがって、実際に、電気的に開始される反応である。よって、ジアゾニウム塩および類似化合物の電気的懸架においては、一般に、層が成長することはない。これは、したがって、最も簡潔に言えば、電気的に開始される反応の特別の場合である。
【００６７】
以下の説明においては、電圧は、絶対値で示され、参照電極に対して測定された動作電極の絶対的な電圧値である。上述したように、それら電圧値は、３電極型アセンブリにおいては、実験的に実際に印加された電圧に単純に対応する（電気化学的回路内の電圧降下分は、定電圧源により補償される）。２電極型アセンブリにおいては、グラフには詳細に示されていないものの、電圧値（Ｖ）とは異なる電圧値（Ｖ’）を印加する必要がある。与えられたライニングに関して一定であるような電圧値の極性は、ライニング極性として既知である。
【００６８】
バイアス電圧が、ゼロと開始電圧値（Ｖｓ ）との間である場合には、検出不可能でさえあるような非常に弱い電流が、回路内を流れる。どのような場合であっても、この電流は、表面分析手段によってその後に検出可能であるような成膜を行うには、不十分なものである。この事実のために、および、所望の目的が与えられれば、この場合に考慮されている共重合が、最小のバイアス電圧で開始されるような電気的に開始される反応であることがわかる。
【００６９】
開始電圧から、ライニングしきい値電圧（Ｖｇ）までは、電気化学的回路内を、弱い電流が流れる。この電流は、必ずしも、ライニング現象を引き起こさない。ライニング現象は、溶液内で起こる結合化学反応を本質的に促進させる競合的寄生反応に対応する。したがって、意味のある有機的成膜は起こらない。
【００７０】
実際、回路内を流れる電気化学的電流は、導電性パッド上におけるライニング材料の成長に対しては、厳密には対応していない。電気化学的電流は、互いに個別のかつ競合的な少なくとも２つの反応を引き起こす。第１の現象は、導電性パッド上におけるライニングの形成に対応した所望の現象である。他の現象は、ライニング支持体とは独立的に、電気化学的バス内でのポリマーの寄生的形成に対応したものである。このようにして形成されたポリマーは、物理的吸着によって導電性パッドに対して付着し得るものの、このような付着は、安定的なものではなく、このようなポリマーは、すすぎによって除去される。
【００７１】
実際のライニングは、しきい値電圧（Ｖｇ ）から確立される。『飽和電圧』として公知の電圧は、Ｖｓａｔ によって表されている。一般に、飽和電圧（Ｖｓａｔ ）は、ピーク電圧（Ｖｐ ）よりも大きい。ピーク電圧とは、導電性パッドに対しての電圧印加時間につれて、懸架される材料の厚さが変化しなくなり始める電圧である。このような厚さは、与えられた電解バスの中で得ることができる最大厚さに対する漸近的限界である。飽和電圧値は、また、Ｖｇ 以下の電圧値とこの最小値（Ｖｓａｔ ）以上の停止電圧値との間にわたっての電圧走査に関して、停止電圧値ごとにそれぞれ対応する曲線を得る場合に、複数の曲線を得ることができる最小値に対応する。フィルムの厚さは、サイクル数の関数である。例えば、ボルタメトリック条件またはマルチスロット条件においては、得られる様々な曲線は、使用される停止電圧値の厳密な値にかからわらず、すべて同じこの漸近線を有している。飽和電圧値は、また、Ｖｇ 以下の電圧値とＶｓａｔ 以上の電圧値との間にわたってのボルタメトリックサイクルを十分な数だけ行った場合に、電気懸架されたポリマーチェイン内において導電性パッドの金属サイトの飽和を達成し得る最小電圧値である。Ｖｇ とＶｓａｔ との間の電圧区間においては、ライニング現象が、支配的である。この電圧区間は、ライニング電圧の幅として公知である。
【００７２】
Ｖｓａｔ を超えてバイアス電圧をさらに増加させたときには、導電性パッドのライニングの現象が、例えば電気化学的バス中の溶液内での材料形成といったような他の競合的現象と比較して、劣勢の現象となる。しかしながら、表面上におけるポリマーの電気的懸架に基づく成膜は、安定化する。
【００７３】
よって、ライニング対象をなすパッドのバイアス電圧は、理想的には飽和電圧（Ｖｓａｔ ）と少なくとも同程度には維持される。
【００７４】
電気的に観測される反応は、部分的には、成膜体（有機成膜体の場合には、懸架されない）の形成を引き起こすという共通の性質を有している。この場合には、材料の量は、したがって一般的には、厚さは、成膜時に回路内を流れる電荷（電流の時間積分）に比例する。ライニングは、電流と同時に開始され、電流停止によって停止する。
【００７５】
図３は、導電性パッドから見たアドレッシング回路をモデル化して示している。ライニング時には、ライニング対象をなす導電性パッド（１２）と参照電極（３２）との間に存在する電圧（Ｖ）は、アドレッシング回路を構成している様々なインピーダンスを通って流れる電流に依存する。
【００７６】
様々なパラメータの重要性を理解するには、また、ライニングに関してのそれらパラメータの影響を理解するには、この回路中に存在するの様々なインピーダンスの影響を分析する必要がある。
【００７７】
使用されているモデルは、まず最初に、抵抗Ｒ（３２２）を備えている。この抵抗は、共通電極（１１）による電圧降下を考慮したものである。図１Ｂと関連して、与えられたパッドに関し、この抵抗は、このパッド（１２）と共通アドレッシングコンタクト（１８）とを接続している配線（１１）の長さに由来する抵抗である。この抵抗は、配線の長さが様々であることにより、可変的なものである。定電圧源（３５）と導電性パッド（１２）との間に配置されたこの抵抗（３２２）を流れる電流（Ｉｃ ）は、電気化学的電流の合計である。この電流は、電圧降下を誘起する。すなわち、δＶ＝Ｒ×Ｉｃ。
【００７８】
この電流は、使用されている領域のピーク電圧（Ｖｐ ）に対して、最大値（Ｉｍ ）を示す。操作者が電圧Ｖ＝Ｖｓａｔ＋δＶｓａｔを印加したと仮定すれば、δＶｓａｔ というｄｄｐ電圧が、抵抗Ｒに基づく電圧降下よりも大きい限りにおいては、すなわち、δＶｍａｘ ＝Ｒ×Ｉｍ よりも大きい限りにおいては、ボルタモグラムは、したがって、懸架電圧領域は、この抵抗の存在によっては、あまり影響されない。言い換えれば、δＶｍａｘ ≦δＶｓａｔ である限りにおいては、電圧は、どこにおいても、Ｖｓａｔ よりも大きく、電気的に開始される反応によって成膜されるフィルムは、動作電極上での局所的電圧降下の幾何学的影響にかかわらず、どこにおいても、同じ厚さとなる。この状況は、直列抵抗（Ｒ）の値が、次式によって定義されるパッドの処理に関する差分インピーダンス（Ｒｇ ）と比較して小さい場合に、見受けられる。すなわち、Ｒｇ＝（Ｖｐ−Ｖｇ）／Ｉｍ。
【００７９】
一般に、抵抗（Ｒ）は、ライニング対象をなす導電性パッドと定電圧源（３５）との間に位置した共通電極（１１）に沿った電圧降下を、共通電極を流れる最大電流に関して、パッドを処理するのに必要な電流によって割算することによって決定された、等価抵抗である。この抵抗（Ｒ）の計算においては、特に、他のパッドを同時的に処理するのに必要な電流の影響を考慮しなければならない。この抵抗（Ｒ）は、アクセス抵抗としてあるいはパッド電極抵抗として、既知である。
【００８０】
また、電気化学的電流の最大値（Ｉｍ ）は、懸架が行われる単位表面あたりにおける電流密度に対応する。それは、したがって、パッドの表面積に比例する。この電流密度は、同様にして、使用されている電気化学的方法の差分的処理処理抵抗特性を決定することができる。
【００８１】
アクセス抵抗（Ｒ）を超えないような、抵抗の一次的な大きさは、以下のアプローチから与えることができる。懸架時に電流密度として測定される典型的な値は、およそ、１ｍＡ／ｃｍ２ である。各側辺が１００μｍであるようなパッドの場合には、これは、１００ｎＡという電流に相当する。懸架領域の典型的な幅（ΔＶ）は、およそ３００ｍＶである。これは、およそ３ＭΩという差分懸架インピーダンスを与える。抵抗（Ｒ）の１つの電極によって個別的に供給される導電性パッドについては、この抵抗（Ｒ）がこの値と比較して小さい限りにおいては、共通電極（１１）による電圧降下は、ライニングには全く影響がない。一般化は、抵抗（Ｒ）を、上記パッドの電極の抵抗へと置き換えることにより、実現される。
【００８２】
図４は、導電性パッド（１２）上ではなく共通アドレッシングコンタクト（１８）上で測定された電圧（Ｖｒ ）の関数として確立された他のボルタモグラムである。よって、このグラフは、選択手段（２０）の影響を考慮したものである。
【００８３】
図４のボルタモグラムは、図２と同じ状況下において、選択手段がしきい値手段であるという特別のケースにおいて、この場合には、選択手段がダイオードであるという特別のケースにおいて、確立される。。図２の曲線と図４の曲線との間の比較を容易なものとするために、図４の曲線に対して、図２の曲線が破線でもって示されている。
【００８４】
共通電極（１１）と導電性パッド（１２）の間に配置されたダイオード（１３）の影響をモデル化するためには、電圧の確立に対応した一次的効果を検証することにより、図３において提案された電気モデルに戻る必要がある。非常に単純なモデルにおいては、図４のボルタモグラムのモデル化は、仮想的ダイオード（３１６）を備えた電気回路によって、得ることができる。仮想的ダイオード（３１６）は、しきい値電圧がＶｓ であって、直列抵抗（Ｒｇ ）に関連しており、これにより、ボルタモグラムの傾斜を考慮することができる。シフト手段として使用されているダイオード（１３）は、考慮すべき漏洩電流を可能とするための並列抵抗Ｒｄ （３１２）が付設された完全なダイオード（３０６）によって、モデル化することができる。このモデル化においては、しきい値電圧（Ｖｓ ）の前においては、電気化学的電流が、挿入ダイオード（３０６）の漏洩電流よりも小さいことを前提としている。
【００８５】
すべての電圧がゼロであるという初期状態から、定電圧源（３５）の電圧値にまで、電位（Ｖｒ ）が増加することにより、抵抗（Ｒｇ ）を通しての弱い漏洩電流が発生し、これにより、導電性パッド（１２）を電気的に帯電することができる。すなわち、導電性パッド（１２）のレベルにおける電圧（Ｖ）は、電圧（Ｖｒ ）に等しい。これら電圧値が、しきい値（Ｖｓ ）よりも小さいままである限りにおいては、電気化学的反応は、起こらない。電圧（Ｖ，Ｖｒ ）が、しきい値（Ｖｓ ）に到達した時点で、溶液内での化学反応に本質的に由来する最初の電気化学的電流の兆候が存在する。この電流は、抵抗（Ｒｄ ）に由来して電圧（Ｖｒ ，Ｖ）間のシフトを形成する。したがって、導電性パッドのレベルにおける電圧（Ｖ）は、定電圧源により供給された電圧（Ｖｒ ）よりも小さい。この相違の漸近値は、Ｖｄ であって、この漸近値は、ダイオードの導電しきい値に対応する。漏洩抵抗が大きい場合には、電流がライニングを引き起こすよりもずっと先に、漸近値へと到達する。
【００８６】
したがって、実際に、新たな曲線がシフトしていることが観測される。より詳細には、Ｖｄに等しいδＶの分だけ、大きな電圧の方へと、新たな曲線が平行移動的にシフトしていることが観測される。シフト量（δＶ）は、シフト手段を形成している互いに直列接続された１つまたは複数のダイオードの導電しきい値に対応する。
【００８７】
ライニング材料の１つまたは複数の種を含有している電気化学的バスにおいては、ライニングしきい値の有無にかかわらず、したがって、シフトの手段が付設されていないある種のパッドおよび／または小さなシフト量のシフト手段が付設されているある種のパッドに関しては、選択的にライニングを許容することができ、なおかつこれと同時に、大きなシフト量のシフト手段が付設されている他のパッドに関しては、ライニングを禁止することができる。シフト量の大きさは、ダイオードの導電しきい値に関連している。定電圧源によって同じ電圧（Ｖｒ ）が供給されることにより、最大バイアス電圧値の選択により、ライニングを行う局所的電圧（Ｖ）を様々なものとされる。例えば、第１グループをなす複数のパッドには、シフト手段を付設せず、なおかつ、第２グループをなす複数のパッドには、δＶよりも大きなしきい値（Ｖｄ ）のダイオードを付設した場合には、最大値（Ｖｓａｔ ）という電圧の印加は、第１グループをなす複数のパッドに対するライニングを許容し、なおかつ、第２グループをなす複数のパッドのライニングには不十分な電圧値である。
【００８８】
未だライニングされていないパッドは、その後、同じバス内においてあるいは他のバス内において、共通アドレッシングコンタクトに対して、電圧シフト量を超えるバイアス電圧を印加することによって、ライニングを行うことができ、この場合、存在するライニング種のライニングしきい値に打ち勝つことができる。ここで、電気的に開始される手段によってライニングされるのに適した種のライニングしきい値（Ｖｇ ）と、シフトの手段を形成するダイオードの導電しきい値（δＶまたはＶｄ ）と、を混同しないことが重要である。
【００８９】
次なる電気化学的バスが異なる場合には、ライニングしきい値（Ｖｇ ）は、最初のバスのライニングしきい値よりも、小さなものとすることができる。未だライニングされていない導電性パッドのライニングは、先の場合に印加されたバイアス電圧よりも低いものとし得るようなバイアス電圧の印加によって、行うことができる。既にライニングされているパッドは、ライニング用のコーティングが利用可能な表面を覆い尽くしている場合にはあるいはライニング用のコーティングが電気絶縁性である場合には、新たなバイアス電圧によっては、もはや、影響されることがない。
【００９０】
ライニング支持体が、より大きなライニングしきい値を有したライニング種をさらに含有している同じバス内に維持されている場合には、未だライニングされていないパッドは、あるいは、未だライニングされていないそれらパッドの少なくともいくつかは、共通アドレッシングコンタクトに対して十分な電圧を印加することによって、ライニングすることができる。この電圧は、特に、シフト電圧量（δＶ）に打ち勝ち得るに十分なものとされ、成膜することを意図した種のライニングしきい値電圧（Ｖｇ ）以上の電圧値とされる。
【００９１】
よって、実際、様々なライニングパッドに対して、様々なしきい値を有した様々な選択手段を付設することにより、選択的にライニングを行うべき様々な導電性パッドファミリーを、識別することができる。
【００９２】
図５は、参照電極（３２）と共通アドレッシングコンタクト（１８）との間において測定された電圧（Ｖｒ ）の関数として確立された他のボルタモグラムを示している。図５のボルタモグラムは、したがって、選択手段（２０）の影響を考慮している。
【００９３】
図５のボルタモグラムは、図４のボルタモグラムと類似している。図５のボルタモグラムは、図２と同じ条件下とされた導電性パッドについて確立されたものではあるけれども、相違点は、選択手段が、しきい値を有していない手段であるということである。この例においては、選択手段は、抵抗（１５）である。図２の曲線と図５の曲線との間の比較を容易とし得るよう、図５においては、図２の曲線が、破線によって示されている。
【００９４】
介入した抵抗の影響は、共通電極（１１）の影響に関して、既に間接的に上述したとおりである。
【００９５】
新たな曲線も、また、シフトしていることが観測される。しかしながら、図５の場合には、図４の場合の平行移動的なシフトとは異なり、電解電流（Ｉ）に比例したシフトとなっている。その結果、バイアス電圧の関数として曲線が変形している。より詳細には、図２に示された曲線と、図５において実線で示されているような、抵抗（１５）という形態でシフト手段を導入したことに起因して得られた曲線と、の間のシフト量（δＶ）は、Ｒをシフト手段の抵抗値としたときに、δＶ＝Ｒ×Ｉとなっている。電流が小さい場合にはあるいは電流がゼロである場合には、シフトは、存在していない。図５における２つの曲線のしきい値電圧（Ｖｓ ）は、したがって、同じとなっている。
【００９６】
抵抗手段によって導入されたシフト量（δＶ）は、ダイオードによってシフトを導入する場合と同様の選択を可能とする。
【００９７】
それでもなお、例えば電解といったような電気的に観測される反応によって成膜される材料に関しては、ライニングが、電流が流れ出すとすぐに開始されることを指摘しておく。これらの特別の材料については、本発明によるシフト手段は、純粋な抵抗手段とすることができない。実際、抵抗によるシフト量（δＶ）は、ある程度の電流の流通を前提としている。しかしながら、電流の流通は、たとえ電流値が小さいとしても、選択されていない導電性パッド上において、寄生的に、電気的に観測されるライニングを引き起こすには十分である。他方においては、シフト手段は、しきい値をシフトさせるシフト手段とすることができる。言い換えれば、例えばダイオードといったような素子を備えてなるシフト手段とすることができる。その場合、ライニングすべきパッドの選択は、共通アドレッシングコンタクトに対して印加される電圧がダイオードの導電しきい値を超えるかあるいは超えないかによって、決定される。
【００９８】
いずれの場合においても、有機材料コーティングをもたらす電解技術の場合には、空間的解像度を高精度化することが、より困難であることに注意されたい。なぜなら、有機材料のコーティングの場合には、その厚さが、処理時間と局所的電圧値との関数として急激に増加するからである。これは、特に、電気的に観測される反応の場合である。例えば電圧降下が様々に異なることによって引き起こされるような、最小の電圧不均一さは、厚さのばらつきをもたらし、多くの場合、縁取り効果をもたらす。縁取り効果という用語は、ライニングが、対象をなす導電性パッドの表面に限定されるのではなく、このパッドを超えて非制御的に延在することを、意味している。
【００９９】
他方においては、例えば上述したようなモノマーといったようなモノマーを使用した電気的に開始される反応に基づく電気化学的懸架により、局所的な懸架を行うことができる。それは、特性が、電圧の不均一さにそれほど敏感でないからである。このような局所的懸架は、マスクを使用することなく、支持体のパッド密度を大きくすることを可能とする。
【０１００】
電気的懸架の場合には、電気的に開始される反応から形成されるコーティングの厚さは、懸架されるポリマーのチェイン長さと、懸架密度と、に依存する。本発明による方法においては、コーティングの厚さが急速に局所的に飽和する。これにより、縁取り効果を制限することができる。
【０１０１】
密度だけが、懸架反応の電気化学的運動学に依存する機能である。コーティングの第１レベルの均一さは、各パッドの表面における電圧が、最小の懸架運動学を保証する電圧ウィンドウ内にあるとすぐに、得られる。このような制限の少ない条件は、インピーダンス手段が特性として電圧不均一さを増大させ得るものであったにしても、インピーダンス手段を使用したアドレッシングの実用的実施を容易なものとする。
【０１０２】
厚さの均一さが、得られるコーティングの性質にとって重要なパラメータである場合には、共通電極（１１）の内部抵抗によって引き起こされるような、あるいは、ダイオード特性のばらつきによって引き起こされるような、電圧変動を、飽和モードにおいてこの方法を使用することによって、補償することができる。つまり、懸架サイトの数の飽和が得られる程度にまで、飽和電圧を超えた電圧走査を繰り返すことによって、そのような電圧変動を補償することができる。コーティングの厚さは、もはや局所的電圧の厳密な値に依存するものではなく、電圧ウィンドウ内に存在していることに依存する固有値である。
【０１０３】
図６〜図９は、支持体のライニングに関する連続的な各ステップを示すボルタモグラムである。単純化のため、前提条件として、支持体が、単に、記号（Ａ，Ｂ）によってそれぞれ示される２つの導電性パッドファミリーを備えているものであり、しきい値をシフトさせる手段という態様の選択手段が設けられている、ものとする。より詳細には、第１の導電性パッドファミリー（Ａ）は、シフト手段を有することなくまたは小さなシフトを導入するシフト手段を有した状態で、共通アドレッシングコンタクト（１８）に対して接続されている。一方、第２の導電性パッドファミリー（Ｂ）は、より大きなシフトを導入するシフト手段を有した状態で、共通アドレッシングコンタクト（１８）に対して接続されている。
【０１０４】
図６〜図９に示すグラフは、ライニング材料の電気的に開始される懸架に対応する。
【０１０５】
図６は、２つの導電性パッドファミリー（Ａ，Ｂ）のそれぞれに電圧（Ｖｒ ）を印加した場合のボルタモグラム曲線を示している。これら曲線は、シフト手段のために、互いにシフトしている。シフト手段は、第２導電性パッドファミリー（Ｂ）に関してのライニングしきい値（ＶｇＢ）が、第１導電性パッドファミリー（Ａ）に関しての飽和電圧値（ＶｓａｔＡ）よりも、大きいものであるように、選択されている。ここで、記号（ＶｓＡ，ＶｓＢ，ＶｇＡ，ＶｇＢ，ＶｓａｔＡ，ＶｓａｔＢ）は、それぞれ、参照電極と定電圧源との間において測定した際の、したがって、各ファミリーにそれぞれ異なるシフト手段が存在することも考慮した際の、ファミリー（Ａ）に関する開始しきい値、ファミリー（Ｂ）に関する開始しきい値、ファミリー（Ａ）に関するライニングしきい値、ファミリー（Ｂ）に関するライニングしきい値、ファミリー（Ａ）に関する飽和電圧値、および、ファミリー（Ｂ）に関する飽和電圧値、を示している。
【０１０６】
図示の例においては、電気化学的電位（Ｕ１ ）の印加は、『オールオアナッシング』タイプのものではなく、第１導電性パッドファミリー（Ａ）に関するライニングしきい値（ＶｇＡ）以下の初期値と、第１導電性パッドファミリー（Ａ）に関するＶｇＡよりも大きな値ＶｓａｔＡと、の間にわたっての連続的走査を行う。印加電圧がライニングしきい値（ＶｇＡ）を超えるとすぐに、ライニング材料の懸架が、ファミリー（Ａ）に属するすべてのパッド上において開始される。他方、印加電圧が、ＶｇＢよりも小さいままであることにより、第２ファミリー（Ｂ）に属するすべてのパッド上においては、ライニングは形成されない。電圧（ＶｓａｔＡ）が、電圧（ＶｇＢ）よりも小さいことを指摘しておくべきである。
【０１０７】
印加電圧が、ゼロに向けてあるいはしきい値電圧（ＶｓＡ）以下の電圧へと戻った後においては、ライニングプロセスは、懸架が既に開始された導電性パッドのサイト上においては継続される。この現象は、図示されていない。それは、この現象が、ライニングバスの外部回路内における電気化学的電流に関連していないからである。懸架するサイトの数を増加させるために、バイアス電圧（Ｕ１ ）へのさらなる走査を行うことができる。この走査に際しては、電圧は、常に、第２導電性パッドファミリー（Ｂ）のライニングしきい値以下に制限される。
【０１０８】
図７および図８は、バイアス電圧の連続的走査に対応したボルタモグラムを示している。第１導電性パッドファミリーの（Ａ）に関連するボルタモグラムの電気化学的電流が、同じバイアス電圧に対して減少していることが、観測される。これは、飽和した導電性パッドが増大して、懸架対象をなすフリーサイトの数が常に減少することに起因するものである。
【０１０９】
言い換えれば、何回かの走査の後には、第１導電性パッドファミリー（Ａ）は、完全にライニングされ、もはや新たなライニング分子を受領することができなくなる。ライニング材料が電気絶縁性を有しているという特別の場合には、第１ファミリー（Ａ）の導電性パッドは、絶縁的なものとなる。
【０１１０】
この時点で、さらに、第２ファミリーの導電性パッドのライニングが要望された場合には、図９に示すように、より大きなバイアス電圧（Ｕ２ ）まで、走査を行うことができる。
【０１１１】
他の可能性においては、ライニング支持体を、他の電気化学的バスに対して接触させることができる。この電気化学的バスは、他のしきい値を有したライニング種を含有することができる。様々な電圧での走査を、さらに行うことができる。バイアス電圧が、シフト手段によって課されたしきい値を超えて、ライニング種のライニングしきい値に到達することにより、ライニングを行うことができる。特に、既にライニングされたパッドが、絶縁性のものである場合には、そのようなライニング済みパッドは、新たな処理に対して鈍感なままである。ここで、『絶縁性ライニング』とは、電気的に開始される反応を再スタートさせることを禁止するようなライニングを意味している。この新たな反応が、例えば、電気懸架反応である場合には、（ｉ）新たな反応の溶剤による第１ライニングの非膨潤と；（ｉｉ）第１ライニング内における新たな反応のモノマーの不溶性と；（ｉｉｉ）第１ライニングの存在によって導電性パッドのサイトの最大に占有されることと（最大の懸架レベル）；が、既にライニングされたパッドの絶縁性（電気化学的意味での絶縁性）を、それぞれ個別に、もたらすことができる。
【０１１２】
図１０〜図１３は、図６〜図９と同様のグラフである。ただし、相違点は、図１０〜図１３のグラフは、選択手段がしきい値タイプのものではないようなライニング支持体において確立されたものであるということである。選択手段は、電気抵抗という態様のシフト手段を備えている。
【０１１３】
シフト手段が単に抵抗から構成されていることにより、導電性パッドファミリー（Ａ，Ｂ）に関する曲線どうしの間のシフトは、電気化学的電流につれて、したがって、印加されたバイアス電圧につれて、増大する。上記の例と同様に、電圧（Ｕ１ ）が、第１導電性パッドファミリー（Ａ）に関するライニングしきい値（ＶｇＡ）以下の初期値と、第１導電性パッドファミリー（Ａ）に関するＶｇＡよりも大きな値ＶｓａｔＡと、の間にわたっての連続的走査によって、印加される。ここで、ＶｓａｔＡは、第２ファミリー（Ｂ）に属する導電性パッドに関するライニングしきい値（ＶｇＢ）よりも、十分に小さなものとされている。
【０１１４】
抵抗からなる選択手段により、小さな電気化学的電流にもかかわらず、選択的なライニングを得ることができることを、思い起こされたい。これは、ライニング反応が懸架反応を起こす場合には、そのライニング反応が、ここでは、特定のしきい値を有した電気的に開始される反応であることによる。これらしきい値は、ライニング材料に固有のものであり、したがって、選択手段とは独立的である。ライニング材料が、反応に関する固有のしきい値を有していない場合には、上述したようにして、しきい値選択手段が使用される。
【０１１５】
図１３に対応する最終ステップの際には、第２導電性パッドファミリー（Ｂ）のライニングしきい値（ＶｇＢ）と、第２導電性パッドファミリー（Ｂ）の飽和電圧（ＶｓａｔＢ）と、の間にわたっての走査によって、１つまたは複数の他のライニング種を含有した電気化学的バス内において、新たなバイアス電圧が印加される。図示の例においては、バイアス電圧の走査は、電圧（Ｕ１ ）よりも大きな電圧（Ｕ２ ）まで行われる。ライニング材料の電気的に開始される反応のしきい値が、より小さい場合には、走査は、既に行った電圧よりも小さい電圧とすることができる。シフト手段がダイオードを有していない限りにおいては、導電しきい値を超える必要はない。
【０１１６】
図１４Ａおよび図１４Ｂは、プレコーティング工程として公知の工程時に選択的ライニングを必要とするような電気的機械的デバイスのための、本発明による特別の実施形態を示している。支持体（１０）は、シリコンウェハから形成されており、このシリコンウェハ上において、圧力センサ内において使用することを意図した複数の電気的機械的マイクロ構造が微小機械加工されている。図１４Ａおよび図１４Ｂは、これらマイクロ構造のうちの、１つのみが図示されている。図１４Ｂは、横断面図であり、図１４Ａは、平面図である。図１４Ｃは、マイクロ構造と相互連結基板とからなるアセンブリを横断面図によって示している。
【０１１７】
使用された支持体（１０）は、ＳＯＩ基板（シリコンオンインシュレータ）（４１２）が、シリカ層（４１０）と単結晶シリコン層（４１４）とによってカバーされて、構成されている。例えばシリカ層（４１０）の化学エッチングといったような局所的エッチングにより、真空セル（４２０）を形成することができる。エッチング後におけるセル（４２０）の不浸透性は、真空セル（４２０）をシールするためのプラグ（４２１）によって保証されている。真空セル（４２０）のうちの、単結晶シリコン層（４１４）の中央部分（４１４’）から構成されている頂部は、圧力の影響によって変形し得るようなメンブラン（４１４’）として、機能する。この変形により、電気容量の変化を引き起こし、この電気容量変化が、基板（４１２）および単結晶シリコン層（４１４）のそれぞれの上における金の局所的成膜によって形成された電気コンタクト（４１６，４１８）を使用して、２つのシリコン面（４１２，４１４）の間において測定される。この実施形態においては、コンタクト（４１６）は、さらに、単結晶シリコン層（４１４）の部分（４１４”）を被覆している。この場合、この部分（４１４”）は、この単結晶シリコン層（４１４）のエッチング箇所（４２３）によって、この単結晶シリコン層（４１４）の残部に対しては、電気絶縁されている。層（４１４）は、ｐタイプである。ダイオードが、単結晶シリコン層（４１４）の中央部分（４１４’）の全周にわたって形成されたｎタイプの局所的インプラント（４２２）によって、層（４１４）の表面のところに、形成されている。メンブラン（４１４’）とｎタイプドーピング部分（４２２）との間においてこのｐｎ接合が形成されていることのために、メンブラン（４１４’）の電位が、成膜体（４２７）の電位および共通電極（４２４）の電位に対して、シフトされることに注意されたい。このシフトの大きさは、後述するように、ｐｎ接合によって形成されたダイオードのしきい値に対応する。この周縁接合（４２２）の存在のために、この周縁接合（４２２）を介して共通電極（４２４）に対して電気的に接続された部分を、ライニングから保護し得ることがわかる。一方、接合（４２２）上の部分は、ライニングされる。当然のことながら、同じ結果は、中央部分（４１４’）を完全には囲まない接合（４２２）の場合にも達成すること
ができる。そのような場合には、絶縁部分を設ける必要がある。この絶縁部分は、この絶縁部分とｎ型ドーピング部分（４２２）とが協働して中央部分（４１４’）を取り囲むようにして、設けられる。この実施形態においては、第１タイプの半導性パッド（４１４’）は、第２タイプの半導性材料（４２２）に対してのみ、電気的に接続される。第２タイプの半導性材料（４２２）は、第２導電性パッド（４２７）を介して、共通アドレッシング電極（４２４）に対して電気的に接続される。
【０１１８】
第１共通電極（４２４）は、金の蒸発によって形成されたトラックであって、マイクロ構造ウェハ上に形成された様々なインプラント（４２２）に対して接続される。様々なインプラント（４２２）自体は、金からなる成膜体（４２７）によってコーティングされる。その結果、各成膜体（４２７）と共通電極（４２４）との間には、金製の電気的接続が存在することとなる。
【０１１９】
同様に金の蒸発によって形成されたトラックをなす第２の共通電極（４２６）により、すべてのコンタクト（４１６）を、第２共通バイアスパッドに対して電気的に接続することができる。
【０１２０】
第１および第２の電極（４２４，４２６）は、共通電極と称される。それは、これら電極が、同じウェハからなる支持体（１０）上の、すべてのインプラント（４２２）とすべてのコンタクト（４１６）とをそれぞれ接続するからである。
【０１２１】
図１４Ｃに示すように、上述した支持体（１０）によって形成されたマイクロ構造は、相互連結基板として公知の基板（４３０）に対して、機械的にかつ電気的に組み付けられる。図１４Ｃにおいては、センサ用のマイクロ構造を形成する支持体（１０）として組み付けられた様子が、横断面図によって示されている。相互連結基板（４３０）は、ケーシング内に支持体（１０）を配置し得るように機能することができる、あるいは、センサを形成するための図示していない他の構成部材を収容し得るように機能することができる。図示の例においては、相互連結基板（４３０）には、メンブラン（４１４’）に対向して、ウィンドウ（４２５）が形成されている。これにより、圧力を測定しようとする媒体に対して、メンブラン（４１４’）を、直接的に機械的に接触させることができる。
【０１２２】
支持体（１０）と相互連結基板（４３０）との間における機械的かつ電気的な連結は、以下のようにして形成される。熱融着可能な導電性材料（４３２，４３４）を、金製コンタクト（４１８，４１６）の上方において支持体（１０）上に成膜する。これにより、相互連結基板（４３０）の導電性部分に対しての電気的かつ機械的な連結が保証される。
【０１２３】
機械的連結は、メンブラン（４１４’）を囲む金コーティング部分（４２７）の上方に成膜された絶縁性熱融着可能材料内のライニング（４２９）によって、得られる。
【０１２４】
メンブラン（４１４’）自体は、生体適合性ライニング（４２８）によってコーティングされる。特にバイオ医学の分野といったような、多様な応用のために、メンブラン（４１４’）の表面を、機能的なものとする必要がある。これにより、その表面に対して、例えば、生体適合特性を付与することができる、あるいは、センサの汚染をもたらしかねない細胞付着を制限することができる。この機能化は、制御された厚さとされた成膜体（４２８）によって、得られる。成膜体（４２８）は、メンブラン（４１４’）の弾性をあまり変化させないものとされる。例えばビニルモノマーあるいは劈開可能環式分子を含有しているバスを使用することにより、特に、その特性が調節可能であるようなコーティングを形成することができる。ここで、ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）やメチルメタクリレート（ＭＭＡ）やブチルメタクリレート（ＢＭＡ）やポリエチレングリコールジメタクリレート（ＰＥＧ−ｄｉ−ＭＡ）やＮ−ビニルピロリドン（ＮＶＰ）の電気的懸架、および、より一般的には、生体適合特性を有した置換器（分子または巨大分子）によって機能付加された活性化ビニルモノマーの電気的懸架、により、特にＩＳＯ  １０９９３規格を満たすという観点において、良好な生体適合性を有したポリマーフィルムを得ることができる。電気懸架によって得られたフィルムは、一般に、大きな懸架レベルにおいては絶縁性であるものの、電気絶縁性が、特に溶液内において、電気懸架されたポリマーが疎水性である場合には、特に問題となることはない。
【０１２５】
支持体（１０）と相互連結基板（４３０）との間の組み付けを形成するための特に好適な方法においては、カット後に、電気的かつ機械的な相互連結のための融着可能材料（『フリップ−チップポリマー』）からなる成膜体を使用することによって、支持体（１０）を、この支持体（１０）の前面を相互連結基板（４３０）に向けつつ、組み付ける（『フリップ−チップ』手法として知られている）。上記により、一方においては、絶縁性熱融着可能材料（４２９）が、不浸透性の機械的連結を保証すること、および、他方においては、導電性熱融着可能材料（４３２）が、機械的かつ電気的な連結を保証すること、そして、これらによって、電気的かつ機械的な連結がなされることは、理解されるであろう。
【０１２６】
よって、構造（１０）の前面のある種の導電性パッド上において様々なライニング（４２８，４２９，４３４，４３２）を使用することにより、様々な補足的機能をもたらすことができる。これらライニングは、すべてのマイクロ構造上において大量生産的に同時に行われるプレコーティング時に形成される。すなわち、シリコン基板のカットの前に、形成される。
【０１２７】
マイクロ構造（１０）は、電気的に接続された導電性表面上において様々なライニングによってもたらされなければならない互いに異なる３つの機能を、必要とする。すなわち、第１ライニング（４２９）は、メンブラン（４１４’）の周縁部分（４２７）の上方に形成された絶縁性熱融着可能ポリマーをもたらし；第２ライニング（４３４）は、コンタクト（４１８）の上方に形成された導電性熱融着可能ポリマーをもたらし；第３ライニング（４３４）は、メンブラン（４１４’）の上方に形成された生体適合性ライニングをもたらす。また、導電性ではあるものの必ずしも熱融着可能である必要はないライニング（４３２）を、コンタクト（４１６）およびトラック（４２６）の上方に形成しても良いことに、注意されたい。これらライニングは、後述するように、電気的成膜によって形成される。
【０１２８】
上述したような材料に起因する選択性を使用することによって、第１の選択性を容易に得ることができる。この例においては、金製の成膜体が、シリコン表面とは区別したい部分上において、使用されている。マイクロエレクトロニクスの中で使用されるこれら２つの材料に対しての懸架電圧は、実際、十分に相違しており、第１の選択性を提供することができる。追加的に必要な選択性は、中央部分（４１４’）を囲む接合（４２２）によって、上述したような本発明によるアドレッシングの実施により、得られる。
【０１２９】
第１のライニング（４２９）は、第１共通電極（４２４）を、金に上にライニング（４２９）を形成するのに必要な電圧に対応した電圧（Ｖ０）へとバイアスすることにより、すべてのシール用接合上に形成される。
【０１３０】
第２ライニング（４３４）は、第１共通電極（４２４）を、金に上にライニング（４３４）を形成するのに必要な電圧に対してインプラント（４２２）によって形成されたダイオードのしきい値の分だけ増分させた電圧（Ｖ１）へとバイアスすることにより、すべてのコンタクト（４１８）上に形成される。メンブラン（４１４’）は、この時点では、ライニングされない。なぜなら、シリコン上における懸架電圧が、金の上における懸架電圧よりも大きいからである。したがって、この場合にも、互いに電気的に接続された導電性材料間における性質上の差異に基づく選択性が使用される。
【０１３１】
第３のライニング（４２８）は、第１共通電極（４２４）を、シリコン上にライニング（４２８）を形成するのに必要な電圧に対して上記ダイオード（４２２）のしきい値の分だけ増分させた電圧（Ｖ２）へとバイアスすることにより、すべてのメンブラン（４１４’）上に形成される。
【０１３２】
これらの３つの操作の際には、第２電極（４２６）は、ゼロ電圧に維持される。コンタクト（４１６）のライニング（４３２）は、ライニング（４３２）とは個別的に実行される。ライニング（４３２）は、また、第２ライニング（４３４）の成膜と同時に形成することもできる。その際には、第２共通電極（４２６）を、金に上にライニング（４３２）を形成するのに必要な電圧に対応した電圧（Ｖ３）へとバイアスし得るような、補助的電源が使用される。
【０１３３】
ライニング（４２９）は、例えば、ポリブチルメタクリレート（ＰＢＭＡ）の層に対応する。
【０１３４】
ライニング（４３４）は、例えば、銀塩よってドーピングされた約０．５μｍ厚さのＰＢＭＡの層に対応する。
【０１３５】
ライニング（４２８）は、例えば、約０．５μｍ厚さのポリ−（ＰＥＧ−ジメタクリレート）の層に対応する。これらの層は、電解質支持体としてのテトラエチルアンモウムパークロレートの存在下において、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）中で、それぞれブチルメタクリレートおよびＰＥＧジメタクリレートを含有したバス内において、形成される。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１Ａ】３電極型バス内に含浸されたライニング支持体を概略的に示す図である。
【図１Ｂ】本発明によるライニング支持体と、そのような支持体を備えて形成された電気化学的ライニング回路と、を概略的に示す図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態を概略的に示す断面図である。
【図１Ｄ】本発明の他の実施形態を概略的に示す断面図である。
【図２】ライニング支持体の導電性パッドに対して印加されたバイアス電圧の関数として、電解ライニング回路内を流れる電解電流の変化を示すグラフである。
【図３】電気化学的回路の全体を示す電気回路図である。
【図４】図２の変形例を示すグラフであって、本発明による支持体の共通アドレッシングコンタクトに対してバイアス電圧を印加した場合の様子を示している。
【図５】図２の変形例を示すグラフであって、本発明による支持体の共通アドレッシングコンタクトに対してバイアス電圧を印加した場合の様子を示している。
【図６】支持体に対しての本発明による第１タイプのライニング方法に関する各ステップ時における電気化学的電流の変化具合を示すグラフである。
【図７】支持体に対しての本発明による第１タイプのライニング方法に関する各ステップ時における電気化学的電流の変化具合を示すグラフである。
【図８】支持体に対しての本発明による第１タイプのライニング方法に関する各ステップ時における電気化学的電流の変化具合を示すグラフである。
【図９】支持体に対しての本発明による第１タイプのライニング方法に関する各ステップ時における電気化学的電流の変化具合を示すグラフである。
【図１０】支持体に対しての本発明による第２タイプのライニング方法に関する各ステップ時における電気化学的電流の変化具合を示すグラフである。
【図１１】支持体に対しての本発明による第２タイプのライニング方法に関する各ステップ時における電気化学的電流の変化具合を示すグラフである。
【図１２】支持体に対しての本発明による第２タイプのライニング方法に関する各ステップ時における電気化学的電流の変化具合を示すグラフである。
【図１３】支持体に対しての本発明による第２タイプのライニング方法に関する各ステップ時における電気化学的電流の変化具合を示すグラフである。
【図１４Ａ】本発明によるライニング支持体の特別の実施形態を示す平面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ａのライニング支持体を示す断面図である。
【図１４Ｃ】本発明による２つのライニング支持体からなるアセンブリを示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３７】
１０    ライニング支持体
１２    導電性パッド
１３    ダイオード
１５    電気抵抗
１８    共通アドレッシングコンタクト
２０    シフト手段
４１４’  導電性パッド
４１８    導電性パッド
４２４    共通アドレッシングコンタクト
４２７    導電性パッド
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2005536733.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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