Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月13日(2020.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の第１部位を撮像し、医用画像データを生成する撮像部を備え、
前記撮像部は、前記第１部位とは異なる前記被検体の第２部位における生体情報を検知する検知部から前記生体情報を取得し、前記被検体の第２部位における運動により変化する前記生体情報に基づいて前記第１部位を撮像する、
医用画像診断装置。
【請求項２】
被検体の第１部位を複数の時相において撮像し、複数時相の医用画像データを生成する撮像部と、
前記第１部位とは異なる前記被検体の第２部位における生体情報を複数時相に亘って検知する検知部から前記第２部位における複数時相の生体情報を取得し、互いに同じ時相に該当する前記複数時相の生体情報と前記複数時相の医用画像データとをそれぞれ関連付し、前記生体情報の変化が発生した時相に対応する時相の医用画像データを前記複数の医用画像データの中から選択する選択部と、
を備える医用画像診断装置。
【請求項３】
前記撮像部の撮像対象である第１部位と、前記検知部の検知対象である前記第２部位とを対応付けて記憶する記憶部をさらに備える、
請求項１又は請求項２に記載の医用画像診断装置。
【請求項４】
前記撮像部による撮像対象部位を入力する設定部をさらに備え、
前記設定部は、前記記憶部で記憶されている第１部位および第２部位の複数の組の情報の中から、入力された前記撮像対象部位に対応する前記検知部の検知対象部位を特定する、
請求項３に記載の医用画像診断装置。
【請求項５】
前記記憶部は、検知対象部位である前記第２部位と、当該第２部位に対する生体情報を検知する前記検知部の種別情報とを対応付けて記憶し、
前記設定部は、入力された検知対象部位に基づいて、前記検知部の種別を特定する、
請求項４に記載の医用画像診断装置。
【請求項６】
前記設定部は、前記検知部の種別として、光学カメラを特定した場合、前記検知部が前記光学カメラにより前記第２部位の光学画像を取得するように前記検知部に指示する、
請求項４に記載の医用画像診断装置。
【請求項７】
前記検知部は、前記光学カメラにより取得した光学画像に基づいて、前記生体情報の変化を検知する、
請求項６に記載の医用画像診断装置。
【請求項８】
前記検知部は、加速度センサにより取得した加速度情報に基づいて、前記生体情報の変化を検知する、
請求項５に記載の医用画像診断装置。
【請求項９】
前記検知部は、筋電計により取得した筋電情報に基づいて、前記生体情報の変化を検知する、
請求項５に記載の医用画像診断装置。
【請求項１０】
前記検知部は、集音マイクにより取得した音声情報に基づいて、前記生体情報の変化を検知する、
請求項５に記載の医用画像診断装置。
【請求項１１】
前記検知部の検知対象部位を示す画像情報を表示する表示部をさらに備える、
請求項５に記載の医用画像診断装置。
【請求項１２】
前記撮像部は、診断に関する被検体の状態を観察する範囲を観察範囲とし、前記観察範囲のうち有効な診断を行う範囲を診断範囲とし、前記検知部で検知された前記生体情報の変化に基づいて、前記診断範囲を前記観察範囲内において移動させる、
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の医用画像診断装置。
【請求項１３】
前記撮像部は、前記被検体の第１部位を撮像し、
前記検知部は光学カメラであり、前記第２部位として、前記第１部位とは異なる前記被検体の部位を少なくとも含む領域から、前記被検体の光学画像を取得する、
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の医用画像診断装置。
【請求項１４】
前記光学カメラにより取得される光学画像の撮影領域は、前記第１部位を含まない、
請求項１３に記載の医用画像診断装置。
【請求項１５】
前記光学カメラにより取得される光学画像の撮影領域は、前記第１部位を包含する、
請求項１３に記載の医用画像診断装置。
【請求項１６】
前記検知部をさらに有し、
前記検知部は前記撮像部を支持する架台装置に配置される、
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の医用画像診断装置。
【請求項１７】
前記医用画像診断装置はＸ線ＣＴ装置である、
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の医用画像診断装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の医用画像診断装置と、
前記検知部と、
を有する医用画像診断システム。
【請求項１９】
前記検知部は光学カメラであり、前記撮像部を支持する架台装置または前記医用画像診断装置が配置される場所の天井若しくは床に配置される、
請求項１８に記載の医用画像診断システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】医用画像診断装置および医用画像診断システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
コンソール装置１２の処理回路８１は、図３の構成に加えて、設定機能８１７および撮像タイミング決定機能８１９を有する。設定機能８１７および撮像タイミング決定機能８１９の各機能は記憶回路８２に格納されたプログラムを処理回路８１が実行することによって実現される機能である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月5日(2020.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔料を含有する水性インクを吐出するノズルを有するラインヘッドと、前記ノズルからの前記水性インクの吐出状態を回復させる回復機構と、を備えたインクジェット記録装置を使用して、前記水性インクを記録媒体に付与して画像を記録するインクジェット記録方法であって、
前記顔料の平均粒子径が、８０ｎｍ以上であり、
前記水性インクの寿命時間１０ｍ秒における動的表面張力が、５５ｍＮ／ｍ以下であり、
前記回復機構が、前記ノズル内の前記水性インクを流動させるインク流動機構を含み、
前記インク流動機構の作動時に前記ノズル内の前記水性インクの粘度を低下させることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項２】
前記インク流動機構の作動時に、前記ノズル内の前記水性インクを加熱して前記水性インクの粘度を低下させる請求項１に記載のインクジェット記録方法。
【請求項３】
前記インク流動機構の作動時に、前記ノズル内の前記水性インクを搖動して前記水性インクの粘度を低下させる請求項１に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４】
前記インク流動機構が、前記ノズル内の前記水性インクを加圧して流動させる機構である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項５】
前記インク流動機構が、前記ノズル内の前記水性インクを吸引して流動させる機構である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項６】
前記ラインヘッドの前記ノズルに連通するインク供給経路を閉塞した状態で前記ノズル内を減圧状態とした後、前記インク供給経路を開放して、前記ノズル内の前記水性インクを吸引する請求項５に記載のインクジェット記録方法。
【請求項７】
前記回復機構が、さらに、前記ラインヘッドの吐出口面をワイピングするワイピング機構を備える請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項８】
前記ノズルから予備吐出データに基づいて前記水性インクを吐出する予備吐出を行う工程を有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項９】
前記顔料の平均粒子径が、２００ｎｍ以下である請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１０】
前記水性インクの寿命時間１０ｍ秒における動的表面張力が、４７ｍＮ／ｍ以下である請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１１】
前記水性インクの寿命時間１０ｍ秒における動的表面張力が、３０ｍＮ／ｍ以上である請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１２】
前記水性インク中の前記顔料の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、２．００質量％以上１０．００質量％以下である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１３】
前記水性インクが、さらに界面活性剤を含有する請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１４】
前記水性インク中の前記界面活性剤の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、０．２５質量％以上３．００質量％以下である請求項１３に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１５】
前記界面活性剤が、アセチレングリコール系界面活性剤である請求項１３又は１４に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１６】
前記水性インクが、さらに、その表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下の水溶性有機溶剤を含有する請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１７】
前記水溶性有機溶剤が、グリコールエーテル類及び１，２−アルカンジオール類からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１６に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１８】
顔料を含有する水性インクと、その内部に充填された前記水性インクを吐出するノズルを有するラインヘッドと、前記ノズルからの前記水性インクの吐出状態を回復させる回復機構と、を備えた、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法に用いるインクジェット記録装置であって、
前記顔料の平均粒子径が、８０ｎｍ以上であり、
前記水性インクの寿命時間１０ｍ秒における動的表面張力が、５５ｍＮ／ｍ以下であり、
前記回復機構が、前記ノズル内の前記水性インクを流動させるインク流動機構を含み、
前記インク流動機構の作動時に前記ノズル内の前記水性インクの粘度を低下させる手段をさらに備えることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月10日(2020.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラインヘッドを備えたインクジェット記録装置を使用して記録媒体に画像を記録するインクジェット記録方法であって、
前記ラインヘッドは、水性インクを吐出する複数のノズルが所定方向に配列されて構成されたノズル列をそれぞれ有する複数の記録素子基板を備えるとともに、複数の前記記録素子基板は、隣接する前記記録素子基板の端部ノズル同士が、前記所定方向と交差する方向において重複する重複部を構成するように、前記所定方向に配列されており、
前記ノズル列の端部を構成する前記端部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｅ（℃）と、前記ノズル列の中央部を構成する中央部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｃ（℃）とが、Ｔｅ＞Ｔｃの関係を満たすことを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項２】
前記端部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｅ（℃）と、前記中央部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｃ（℃）とが、Ｔｅ≧Ｔｃ＋１０の関係を満たす請求項１に記載のインクジェット記録方法。
【請求項３】
前記重複部を構成する重複部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｊ（℃）と、前記中央部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｃ（℃）とが、Ｔｊ＞Ｔｃの関係を満たす請求項１に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４】
前記重複部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｊ（℃）と、前記中央部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｃ（℃）とが、Ｔｊ≧Ｔｃ＋１０の関係を満たす請求項３に記載のインクジェット記録方法。
【請求項５】
前記水性インクの２５℃における表面張力が、４５ｍＮ／ｍ以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項６】
前記水性インクの２５℃における表面張力が、１５ｍＮ／ｍ以上である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項７】
前記水性インクが、染料及び顔料の少なくとも一方の色材を含有する請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項８】
前記顔料が、（ｉ）樹脂分散剤により分散された顔料、及び（ｉｉ）その粒子表面に直接又は他の原子団を介してアニオン性基が結合した顔料の少なくとも一方である請求項７に記載のインクジェット記録方法。
【請求項９】
前記端部ノズルから吐出される前記水性インクの平均温度Ｔｅ（℃）が、２５℃以上７０℃以下である請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１０】
前記中央部ノズルから吐出される前記水性インクの平均温度Ｔｃ（℃）１５℃以上６０℃以下である請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１１】
前記ラインヘッドのインク吐出方式が、前記水性インクに熱エネルギーを付与する方式である請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１２】
前記水性インクが吐出しない程度の電流を、前記水性インクに熱エネルギーを付与して吐出するためのヒータに繰り返し通電することで、前記平均温度Ｔｅ（℃）と前記平均温度Ｔｃ（℃）がＴｅ＞Ｔｃの関係を満たすように前記ラインヘッド内の前記水性インクの温度を制御する請求項１１に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１３】
複数の前記記録素子基板の配列態様が、千鳥状又はインライン状である請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法に用いる、ラインヘッドを備えたインクジェット記録装置であって、
前記ラインヘッドは、水性インクを吐出する複数のノズルが所定方向に配列されて構成されたノズル列をそれぞれ有する複数の記録素子基板を備えるとともに、複数の前記記録素子基板は、隣接する前記記録素子基板の端部ノズル同士が、前記所定方向と交差する方向において重複する重複部を構成するように、前記所定方向に配列されており、
前記ノズル列の端部を構成する前記端部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｅ（℃）と、前記ノズル列の中央部を構成する中央部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｃ（℃）とが、Ｔｅ＞Ｔｃの関係を満たすように、
前記端部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｅ（℃）と、前記中央部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｃ（℃）との関係を制御する手段をさらに備えることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的は以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明によれば、ラインヘッドを備えたインクジェット記録装置を使用して記録媒体に画像を記録するインクジェット記録方法であって、前記ラインヘッドは、水性インクを吐出する複数のノズルが所定方向に配列されて構成されたノズル列をそれぞれ有する複数の記録素子基板を備えるとともに、複数の前記記録素子基板は、隣接する前記記録素子基板の端部ノズル同士が、前記所定方向と交差する方向において重複する重複部を構成するように、前記所定方向に配列されており、前記ノズル列の端部を構成する前記端部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｅ（℃）と、前記ノズル列の中央部を構成する中央部ノズルから吐出される水性インクの平均温度Ｔｃ（℃）とが、Ｔｅ＞Ｔｃの関係を満たすことを特徴とするインクジェット記録方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月6日(2020.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体と、液体を吐出するラインヘッドと、前記ラインヘッド内の液体を加熱する加熱機構と、を備えたインクジェット記録装置を使用して、前記液体を記録媒体に吐出して付与する液体吐出方法であって、
前記液体が、アニオン性基を有する成分を含有する水性の液体であり、
前記ラインヘッドの内部には、前記液体を吐出する吐出口を有する液体流路と、前記液体流路に連通する液体供給口とが形成されており、前記液体流路及び前記液体供給口の少なくともいずれかの内壁面が、親水性材料を含む保護膜で被覆されていることを特徴とする液体吐出方法。
【請求項２】
前記アニオン性基を有する成分が、下記（ｉ）〜（ｖ）からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１に記載の液体吐出方法。
（ｉ）その粒子表面に直接又は他の原子団を介してアニオン性基が結合した自己分散顔料
（ｉｉ）アニオン性基を有する樹脂
（ｉｉｉ）アニオン性界面活性剤
（ｉｖ）多価金属塩及び有機酸からなる群より選択される、前記液体中でアニオンを発生しうる反応剤
（ｖ）前記液体中で解離してアニオンを発生しうる１価カチオンの塩
【請求項３】
前記液体が、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１又は２に記載の液体吐出方法。
（ｉ）色材を含有するインク
（ｉｉ）色材を含有するインクと併用される反応液
（ｉｉｉ）色材を含有するインクと併用される、色材を含有しないクリアインク
【請求項４】
前記液体が、さらに顔料を含有し、
前記アニオン性基を有する成分が、前記顔料を分散するための樹脂分散剤である請求項１又は２に記載の液体吐出方法。
【請求項５】
前記ラインヘッド内の前記液体を、４０℃以上７０℃以下に加熱する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液体吐出方法。
【請求項６】
前記前記液体流路及び前記液体供給口の両方の内壁面が、前記保護膜で被覆されている請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液体吐出方法。
【請求項７】
前記保護膜の表面が、マイナスに帯電している請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液体吐出方法。
【請求項８】
前記親水性材料の、純水についての静的接触角が、５０℃以下である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液体吐出方法。
【請求項９】
前記親水性材料が、金属の酸化物、窒化物、及び炭化物からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１乃至８のいずれか１項に記載の液体吐出方法。
【請求項１０】
前記金属が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＡｌからなる群より選択される少なくとも１種である請求項９に記載の液体吐出方法。
【請求項１１】
前記金属が、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＡｌからなる群より選択される少なくとも１種である請求項９に記載の液体吐出方法。
【請求項１２】
前記金属が、Ｔｉである請求項９に記載の液体吐出方法。
【請求項１３】
前記親水性材料が、酸化チタン又は炭化チタンである請求項１乃至８のいずれか１項に記載の液体吐出方法。
【請求項１４】
前記アニオン性基を有する成分の電荷量が、０．００５ｍｍｏｌ／ｇ以上である請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の液体吐出方法。
【請求項１５】
前記アニオン性基を有する成分の電荷量が、０．０５０ｍｍｏｌ／ｇ以下である請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の液体吐出方法。
【請求項１６】
液体と、その内部に前記液体が充填された、前記液体を吐出するラインヘッドと、前記ラインヘッド内の液体を加熱する加熱機構と、を備えたインクジェット記録装置であって、
前記液体が、アニオン性基を有する成分を含有する水性の液体であり、
前記ラインヘッドの内部には、前記液体を吐出する吐出口を有する液体流路と、前記液体流路に連通する液体供給口とが形成されており、前記液体流路及び前記液体供給口の少なくともいずれかの内壁面が、親水性材料を含む保護膜で被覆されていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月22日(2019.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一軸延伸ポリプロピレンフィルムから成る外層と、
順不同でバリア層及び樹脂中間層と、
シーラント層と、
をこの順に有する積層フィルムであって、
前記シーラント層が以下の条件（１）〜（３）：
（１）積層フィルムＭＤ方向におけるヤング率が２００ＭＰａ以上である、
（２）膜厚が外層の膜厚に対して２．５倍以下である、及び
（３）積層フィルムＭＤ方向における引裂き強度が１Ｎ以上５Ｎ以下である、
のすべてを満たすことを特徴とする、前記積層フィルム。
【請求項２】
シーラント層が直鎖低密度ポリエチレンフィルムである、請求項１に記載の積層フィルム。
【請求項３】
積層フィルムＭＤ方向におけるシーラント層の引裂き強度が１Ｎ以上３Ｎ以下である、請求項１又は２に記載の積層フィルム。
【請求項４】
積層フィルムＴＤ方向におけるシーラント層の引裂き強度が、積層フィルムＭＤ方向におけるシーラント層の引裂き強度の、２．５倍以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層フィルム。
【請求項５】
バリア層及び樹脂中間層が、ポリ塩化ビニリデンコート／２軸延伸ナイロン、ポリ塩化ビニリデンコート／２軸延伸ポリエチレンテレフタレート、アルミニウム蒸着／ポリエチレンテレフタレート、アルミニウム蒸着／２軸延伸ナイロン、シリカ蒸着／２軸延伸ポリエチレンテレフタレート、シリカ蒸着／２軸延伸ナイロン、ポリビニルアルコール／２軸延伸ポリプロピレン、ポリカルボン酸系ポリマー／２軸延伸ナイロン、メタキシレンジアミン−ナイロン複合フィルム、及びエチレンビニルアルコール共重合体−ナイロン複合フィルムから成る群から選択される積層材料である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層フィルム。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層フィルムのシーラント層同士をシールして製袋されて成る、包装袋。
【請求項７】
前記シールが超音波による夾雑物シールである、請求項６に記載の包装袋。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層フィルムのシーラント層同士を超音波シールする工程を含むことを特徴とする、製袋方法。
【請求項９】
前記超音波シールする工程が、超音波による夾雑物シール工程である、
請求項８に記載の製袋方法。
【請求項１０】
請求項６又は７に記載の包装袋と、この包装袋に充填された内容物とを含む、充填包装袋。
【請求項１１】
内容物が高粘度食品である、請求項１０に記載の充填包装袋。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月19日(2020.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔料を含有する水不溶性ポリマー粒子、及び水を含む水系インクを記録媒体上に吐出して記録するインクジェット記録方法であって、
該顔料が、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１７７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド２５４、Ｃ．Ｉ．ピグメント・グリーン７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・グリーン３６及びＣ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：６から選ばれる１種以上であり、
該粒子を構成する水不溶性ポリマーが、（ｂ−１）イオン性モノマー由来の構成単位と、（ｂ−２）疎水性モノマー由来の構成単位と、（ｂ−３）グラフト鎖を形成し得るモノマー由来の構成単位とを含み、
該水系インクにおける水不溶性ポリマーに対する顔料の質量比〔顔料／水不溶性ポリマー〕が、３０／７０以上９０／１０以下であり、
該記録媒体と純水との接触時間１００ｍ秒における該記録媒体の吸水量が０ｇ／ｍ２以上１０ｇ／ｍ２以下である、インクジェット記録方法。
【請求項２】
前記グラフト鎖がポリアルキレングリコール鎖及びポリスチレン鎖から選ばれる１種以上である、請求項１に記載のインクジェット記録方法。
【請求項３】
前記（ｂ−３）モノマーが、芳香族基含有マクロモノマーとポリアルキレングリコールマクロモノマーとの併用である、請求項１又は２に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４】
前記（ｂ−１）モノマーが、アクリル酸及びメタクリル酸から選ばれる１種以上であり、前記（ｂ−２）モノマーが、脂肪族アルコール由来の炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸エステル及び芳香族基含有モノマーから選ばれる１種以上である、請求項１〜３のいずれかに記載のインクジェット記録方法。
【請求項５】
前記水不溶性ポリマーの酸価が３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である、請求項１〜４のいずれかに記載のインクジェット記録方法。
【請求項６】
前記水不溶性ポリマーの重量平均分子量が５万以上５０万以下である、請求項１〜５のいずれかに記載のインクジェット記録方法。
【請求項７】
前記記録媒体がフィルムである、請求項１〜６のいずれかに記載のインクジェット記録方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月20日(2020.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の並列インバータ部を含むモジュラー変換装置システムの出力電力を制御する方法であって、前記複数の並列インバータ部は、少なくとも第１位相の出力ノードを有する第１インバータ部、及び、少なくとも第２位相の出力ノードを有する第２インバータを含み、前記方法は、
前記第１及び第２インバータ部それぞれのスイッチ素子を、初期駆動信号で駆動して、同相の出力電力を生成することと、
前記第１及び第２位相出力ノードにおける第１及び第２電圧に基づいて、ゲートドライバ・オフセット値を決定することと、
前記決定したゲートドライバ・オフセット値に基づいて、前記第１及び第２インバータ部それぞれの前記スイッチ素子を、後続の駆動信号で駆動して、同相の出力電圧の生成時に前記第１及び第２インバータ部のそれぞれにより供給される電流量をバランスさせることと、を含む方法であって、
前記第１及び第２位相出力ノードの各々は、前記モジュラー変換装置システムの少なくとも１つの積分器に結合されており、前記ゲートドライバ・オフセット値を決定することは、
前記少なくとも１つの積分器を用いて、少なくとも１つの基準電圧（ＶＤＣ＋、ＶＤＣ−）に対する前記第１及び第２電圧の各々を積分することを含む、方法。
【請求項２】
前記ゲートドライバ・オフセット値を決定することは、
前記第１及び第２インバータ部の各々について、印加電圧-秒値を算出することを含み、前記ゲートドライバ・オフセット値は、前記算出したそれぞれの印加電圧-秒値の差分に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの基準電圧は、系統接地電圧である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１及び第２電圧の各積分は、前記第１及び第２インバータ部のスイッチングの１サイクルにおいて行われ、前記方法は、
前記スイッチングサイクルの完了時に、前記積分器リセットすることをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
前記積分器のリセットは、前記第１及び第２インバータ部のゲートドライバに供給される制御信号の立ち上がりエッジを検出すると実行される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの積分器は、第１及び第２積分器を含み、前記方法は、
前記第１及び第２インバータ部の第１スイッチングサイクルにおいて、前記第１積分器を用いて前記第１及び第２電圧の各積分を行うことと、
前記第１及び第２インバータ部の第２スイッチングサイクルにおいて、前記第２積分器を用いて前記第１及び第２電圧の各積分を行うことと、をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
システムコントローラと、
並列に接続されていると共に、同相の出力電力を生成するよう構成されている、少なくとも第１及び第２インバータ部と、
を含むモジュラー変換装置システムであって、前記第１及び第２インバータ部の各インバータ部は、
位相出力ノードが間に接続された一対のスイッチ素子と、
一対のゲートドライバと、を含み、各ゲートドライバは、前記システムコントローラからそれぞれの制御信号を受信すると共に、前記一対のスイッチ素子それぞれのスイッチングを制御する駆動信号を生成するよう構成されており、前記システムコントローラは、
ゲートドライバ・オフセット値を、前記第１及び第２インバータ部それぞれにおける前記位相出力ノードの電圧に基づいて決定し、
前記決定したゲートドライバ・オフセット値に基づいて、前記第１及び第２インバータ部それぞれの前記スイッチ素子を、後続の駆動信号で制御して、同相の出力電圧の生成時に前記第１及び第２インバータ部のそれぞれにより供給される電流量をバランスさせるよう構成されている、モジュラー変換装置システムであって、
前記第１インバータ部の前記位相出力ノードに結合された１又は複数の第１積分器と、
前記第２インバータ部の前記位相出力ノードに結合された１又は複数の第２積分器と、をさらに含み、
前記ゲートドライバ・オフセット値を決定することは、
前記１又は複数の第１積分器、及び、前記１又は複数の第２積分器を用いて、少なくとも１つの基準電圧（ＶＤＣ＋、ＶＤＣ−）に対する前記第１及び第２電圧の各々を積分することを含む、モジュラー変換装置システム。
【請求項８】
前記システムコントローラは、さらに、前記第１及び第２インバータ部の各々について、印加電圧-秒値を算出するよう構成されており、前記ゲートドライバ・オフセット値は、前記算出したそれぞれの印加電圧-秒値の差分に基づく、請求項７に記載のモジュラー変換装置システム。
【請求項９】
前記少なくとも１つの基準電圧は、系統接地電圧である、請求項７または８に記載のモジュラー変換装置システム。
【請求項１０】
前記第１及び第２電圧の各積分は、前記第１及び第２インバータ部のスイッチングの１サイクルにおいて行われ、
前記システムコントローラは、さらに、前記スイッチングサイクルの完了時に、前記１又は複数の第１積分器、及び、前記１又は複数の第２積分器をリセットするよう構成されている、請求項７または８に記載のモジュラー変換装置システム。
【請求項１１】
前記１又は複数の第１加算器、及び、前記１又は複数の第２加算器のリセットは、前記第１及び第２インバータ部の各々に含まれる前記一対のゲートドライバに供給される制御信号の立ち上がりエッジを検出すると実行される、請求項１０に記載のモジュラー変換装置システム。
【請求項１２】
前記１又は複数の第１積分器は、第１群の複数の積分器を含み、前記１又は複数の第２積分器は、第２群の複数の積分器を含み、
前記第１群と前記第２群それぞれの複数の積分器のうちの少なくとも１つの積分器は、前記第１及び第２インバータ部の第１スイッチングサイクルにおいて、前記第１及び第２電圧の各積分を行うよう構成されており、
前記第１群と前記第２群それぞれの複数の積分器のうちの少なくとも別の１つの積分器は、前記第１及び第２インバータ部の第２スイッチングサイクルにおいて、前記第１及び第２電圧の各積分を行うよう構成されている、請求項７〜１１のいずれか１つに記載のモジュラー変換装置システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月2日(2020.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための方法であって、
基板処理システムの処理チャンバ内に基板を位置決めするステップであって、前記基板は、前記基板の作業表面上に炭素含有材料の層を包含するステップと、
前記基板処理システムの蒸気処理領域内で過酸化水素蒸気を受け取るステップと、
前記蒸気処理領域内の放射に前記過酸化水素蒸気を暴露することによってヒドロキシルラジカル蒸気を生成するステップであって、前記放射が前記基板の作業表面に到達することがないステップと、
前記ヒドロキシルラジカル蒸気及び残りの過酸化水素蒸気を前記基板の作業表面に向けるステップであって、前記炭素含有材料を化学的に改質させる、ステップと、
を含み、ここで、前記ヒドロキシルラジカル蒸気を前記基板の前記作業表面に向けるステップは、前記基板を摂氏１００度未満に維持することを包含する、方法。
【請求項２】
十分なヒドロキシルラジカル蒸気が、炭素含有材料の前記層と接触して、前記炭素含有材料を酸化して気体状態にする、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
酸化された炭素含有材料を前記処理チャンバから除去するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記過酸化水素蒸気を暴露するステップが、前記過酸化水素蒸気を紫外線に暴露するステップを包含する、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記過酸化水素蒸気を紫外線に暴露するステップが、十分な紫外線に暴露することを包含し、前記ヒドロキシルラジカル蒸気が前記過酸化水素蒸気から生成される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
基板を処理するための方法であって、
基板処理システムの処理チャンバ内に基板を位置決めするステップであって、前記基板は、前記基板の作業表面上に炭素含有材料の層を包含するステップと、
前記基板処理システムの蒸気処理領域内で過酸化水素蒸気を受け取るステップと、
前記蒸気処理領域内の前記過酸化水素蒸気を処理することによってヒドロキシルラジカル蒸気を生成するステップと、
前記ヒドロキシルラジカル蒸気及び残りの過酸化水素蒸気を前記基板の前記作業表面に向けるステップは、前記炭素含有材料を化学的に改質させる、ステップと、
を含み、ここで、前記ヒドロキシルラジカル蒸気を前記基板の前記作業表面に向けるステップは、前記基板を、前記処理チャンバの所与の圧力に対して前記過酸化水素蒸気の凝縮温度よりも低い温度に維持することを包含する、方法。
【請求項７】
前記過酸化水素蒸気を受け取るステップが、大気圧で前記過酸化水素蒸気を受け取ることを包含する、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記蒸気処理領域は、前記基板が前記処理チャンバ内に位置決めされるときに、前記基板上の前記処理チャンバ内の領域を包含する、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記蒸気処理領域は、前記処理チャンバの外側に配置される、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記蒸気処理領域が、紫外光を受光するように構成された石英導管を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
炭素含有材料の前記層が、アモルファスカーボン、フォトレジスト、スピンオンカーボン、及びエッチング後ポリマー残渣からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記過酸化水素蒸気を受け取るステップは、前記過酸化水素蒸気をキャリアガスと共に受け取ることを包含し、且つ、前記過酸化水素蒸気の濃度が１〜４０％である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ヒドロキシルラジカル蒸気を前記基板の前記作業表面に向けるステップは、炭素含有材料の前記層を部分的に酸化するため、十分なヒドロキシルラジカル蒸気を向けることを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
基板を処理するための方法であって、
基板処理システムの処理チャンバ内に基板を位置決めするステップであって、前記基板は、前記基板の作業表面上に炭素含有材料の層を包含するステップと、
前記基板処理システムの蒸気処理領域内で過酸化水素蒸気を受け取るステップと、
前記基板処理システムの前記蒸気処理領域内にアルカン又はアルケンを受け取るステップと、
前記過酸化水素蒸気を処理すること、及び前記蒸気処理領域内の前記アルカン又はアルケンを処理することによって有機過酸化物を生成するステップと、
ヒドロキシルラジカル蒸気、前記有機過酸化物及び残存する過酸化水素蒸気を前記基板の作業表面に向けるステップであって、それによりヒドロキシルラジカル蒸気が炭素含有材料の前記層と接触するようにする、ステップと、
を含む、方法。
【請求項１５】
前記過酸化水素蒸気を紫外線放射に暴露するステップは、紫外線放射が前記基板の前記作業表面に向けられないように紫外線放射源を位置決めすることを包含する、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月2日(2020.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子であって、
基板と、
前記基板の上に位置し、且つ第１ＤＢＲスタック、発光スタック、第２ＤＢＲスタック及びコンタクト層を順次含むエピタキシャル構造と、
前記エピタキシャル構造の上に位置する電極と、
前記コンタクト層と前記電極との間に位置する電流ブロック層と、
前記電流ブロック層の中に形成された複数の第１開口と、を含み、
前記電極は、前記複数の第１開口の中に埋め込まれ、且つ前記コンタクト層と接触する、発光素子。
【請求項２】
前記第２ＤＢＲスタックの前記複数の第１開口の直下に位置する部分の導電率は、前記第２ＤＢＲスタックの前記電流ブロック層により覆われている他部の導電率に略等しい、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記電極の中に位置し、且つ前記複数の第１開口の中にそれぞれ形成された複数の第２開口、をさらに含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
レーザ閾値電流及び前記レーザ閾値電流よりも大きい飽和電流を有する発光素子であって、
基板と、
第１ＤＢＲスタック、発光スタック、第２ＤＢＲスタック及びコンタクト層を順次含むエピタキシャル構造と、を含み、
前記発光素子の第１順方向電流が前記レーザ閾値電流と前記飽和電流との間のものである場合、前記発光素子は、１５度よりも小さいファーフィールド角を有するコヒーレント光を放出する、発光素子。
【請求項５】
前記発光素子の第２順方向電流が前記レーザ閾値電流よりも小さい場合、前記発光素子は、６０度よりも大きいファーフィールド角を有する非コヒーレント光を放出する、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
発光素子であって、
基板と、
前記基板の上に位置しており、第１電流でコヒーレント光を放出する第１放射放出領域と、コヒーレント光を放出することが可能であり、且つ前記第１電流で非コヒーレント光を放出する第２放射放出領域とを含む複数の放射放出領域と、
前記複数の放射放出領域に位置し、且つ複数の第１延在電極を有する電極と、を含み、
前記第１放射放出領域及び前記第２放射放出領域は、第１ＤＢＲスタック、発光スタック及び第２ＤＢＲスタックを含み、
前記複数の第１延在電極のうちの１つは前記第１放射放出領域を囲み、前記複数の第１延在電極のうちのもう１つは前記第２放射放出領域を囲む、発光素子。
【請求項７】
前記電極は、前記複数の第１延在電極に接続する複数の第２延在電極をさらに含む、請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１放射放出領域を囲む前記第１延在電極に接続する前記第２延在電極の数は、前記第２放射放出領域を囲む前記第１延在電極に接続する前記第２延在電極の数よりも多い、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１放射放出領域を囲む前記第１延在電極の幅は、前記第２放射放出領域を囲む前記第１延在電極の幅と異なる、請求項６に記載の発光素子。
【請求項１０】
複数の分離しているコンタクト領域を有するコンタクト層、をさらに含み、
前記複数の分離しているコンタクト領域は、前記第２ＤＢＲスタックの上に二次元のアレイ状に配列されている、請求項６に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月14日(2020.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス（１４）と、
前記半導体デバイス（１４）が取り付けられる基板（１２）と、
前記半導体デバイス（１４）および前記基板（１２）が内部に成形される成形された収容部（４２）と、
前記収容部（４２）内部に部分的に成形されかつ当該収容部（４２）から突出するとともに前記半導体デバイス（１４）と電気的に接続される少なくとも１つの電源端子（２４）と、
前記収容部（４２）内部に少なくとも部分的に成形されかつ前記基板（１２）の延伸方向（Ｅ）に当該基板（１２）から突出する収容された回路基板（３０）とを備え、
前記収容された回路基板（３０）は、ピン（４０）のための少なくとも１つのレセプタクル（３８）を含み、
前記レセプタクル（３８）は、前記収容された回路基板（３０）を介して前記半導体デバイス（１４）の制御入力部（３６）と電気的に接続されている、半導体モジュール（１０）。
【請求項２】
前記収容部（４２）に取り付けられる外部回路基板（５０）を備え、当該外部回路基板（５０）は、前記半導体デバイス（１４）の制御回路（５４）を搭載し、
前記外部回路基板（５０）は、前記レセプタクル（３８）に圧入された圧入ピン（４０）を含む、請求項１に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項３】
前記レセプタクル（３８）は、少なくとも部分的に金属層でコーティングされた前記回路基板（３０）を貫通する孔を含み、および／または、
前記レセプタクル（３８）は、圧入ピン（４０）を受け入れるように適合され、および／または、
前記レセプタクル（３８）は、前記基板が向けられる方向と直交する方向に向けられている、請求項１または請求項２に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項４】
前記収容部（４２）は、外部回路基板（５０）を取り付けるように適合された突出部（４８）を含む、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項５】
前記突出部（４８）と前記少なくとも１つのレセプタクル（３８）とは、同じ方向に向けられている、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項６】
前記収容された回路基板（３０）は、多層回路基板であって、少なくとも２つの導電層（３２）を含み、および／または、
前記収容された回路基板（３０）は、前記収容された回路基板（３０）の異なる導電層（３２）に電気的に接続された少なくとも２つのレセプタクル（３８）を含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項７】
前記半導体デバイス（１４）は、前記電源端子（２４）を流れる電流を切り替えるように適合され、かつ前記制御入力部（３６）によって制御されるように適合された半導体スイッチを含む、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項８】
前記収容部（４２）は、前記収容部（４２）の本体（４６）から突出した型構造体（４４）を含み、前記型構造体においては前記収容された回路基板（３０）が機械的に支持され、および／または、
前記収容された回路基板（３０）は、前記収容部（４２）の本体（４６）から突出する型構造体（４４）の内部に収容され、前記型構造体（４４）は、前記レセプタクル（３８）と位置合わせされた孔を有する、
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項９】
前記基板（１２）は、電気的な絶縁層（２０）によって絶縁された２つの金属層（１６，１８）を含む絶縁金属基板である、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項１０】
前記半導体デバイス（１４）は、前記基板（１２）に接合されている、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項１１】
前記収容された回路基板（３０）は、前記基板（１２）に取り付けられている、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの電源端子（２４）は、前記基板（１２）に取り付けられている、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの電源端子（２４）および前記回路基板（３０）は、前記基板（１２）が向けられた横方向（Ｅ）に前記半導体モジュール（１０）から突出し、および／または、
前記基板（１２）、前記収容された回路基板（３０）および／または前記少なくとも１つの電源端子（２４）は、前記基板（１２）が向けられた横方向（Ｅ）に向けられている、請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項１４】
前記収容された回路基板（３０）は、前記収容部（４２）に成形された少なくとも１つのワイヤボンド（３４）に接続されており、および／または、
前記少なくとも１つのワイヤボンド（３４）は、前記半導体デバイス（１４）および／または前記基板（１２）の金属層（１６）に接合されている、請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【請求項１５】
前記半導体デバイス（１４）と熱接触されかつ部分的に前記収容部（４２）に成形されるとともに当該収容部（４２）から突出するベースプレート（２２）をさらに備え、および／または、
前記ベースプレート（２２）は、前記基板（１２）に接合されている、請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０）。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月18日(2020.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信ビームトレーニングのための複数のＤＭＧビーコンとプローブ要求とを含む送信フレームを生成するフレーム生成部と、
前記複数のＤＭＧビーコンの各々を、ＤＭＧビーコン毎に指向性を変えながら指向性送信し、前記プローブ要求を疑似オムニ送信する送信部と、
を含む、通信装置。
【請求項２】
前記送信ビームトレーニングが完了する前に前記プローブ要求を受信した通信相手装置から、疑似オムニ送信により送信されたプローブ応答を受信する受信部を含む、
請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記送信部は、前記受信部が前記プローブ応答を受信した後に、指向性送信によってフレームを送信する、
請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記プローブ要求は、ビーコン送信間隔（ＢＴＩ）中に、前記複数のＤＭＧビーコンを送信した後に送信される、
請求項１に記載の通信装置。
【請求項５】
送信ビームトレーニングのための複数のＤＭＧビーコンとプローブ要求とを含む送信フレームを生成し、
前記複数のＤＭＧビーコンの各々を、ＤＭＧビーコン毎に指向性を変えながら指向性送信し、
前記プローブ要求を疑似オムニ送信する、
通信方法。
【請求項６】
前記送信ビームトレーニングが完了する前に前記プローブ要求を受信した通信相手装置から、疑似オムニ送信により送信されたプローブ応答を受信する、
請求項５に記載の通信方法。
【請求項７】
前記プローブ応答を受信した後に、指向性送信によってフレームを送信する、
請求項６に記載の通信方法。
【請求項８】
前記プローブ要求は、ビーコン送信間隔（ＢＴＩ）中に、前記複数のＤＭＧビーコンを送信した後に送信される、
請求項５に記載の通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置及び通信方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本開示は、通信装置及び通信方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本開示の一態様に係る通信装置は、送信ビームトレーニングのための複数のＤＭＧビーコンとプローブ要求とを含む送信フレームを生成するフレーム生成部と、前記複数のＤＭＧビーコンの各々を、ＤＭＧビーコン毎に指向性を変えながら指向性送信し、前記プローブ要求を疑似オムニ送信する送信部と、を含む。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月27日(2020.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置であって、
主走査方向の１ラインを複数に分割した主走査領域毎の周波数から成る補正情報、及び、前記周波数が適用されるタイミングを示す前記主走査領域毎の補正カウントから成る補正タイミング情報に基づき、クロックを生成するクロック生成手段と、
前記生成されたクロック、及び、画像を書き出すタイミングを示す書き出しカウントに基づき、画像信号を生成する信号生成手段と、
予め記憶されている前記補正タイミング情報を、前記画像形成装置の走査速度特性に基づき更新する更新手段と
を有することを特徴とする画像形成装置。 
【請求項２】
前記更新手段は、
中間転写ベルト上の主走査位置が異なる２箇所に補正タイミング検知用パターンを形成する形成手段と、
前記形成されたパターンの検出信号に基づき疎密差情報を導出する導出手段と、
前記導出された疎密差情報に基づき、補正タイミングのシフト量を決定する決定手段と、
前記決定されたシフト量に基づき、前記予め記憶されている前記補正タイミング情報を成す補正カウントを書き換える書き換え手段と
を有することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記補正タイミング検知用パターンは、前記中間転写ベルト上の主走査方向における、左端部と右端部との何れかの端部及び中央部に形成されることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記導出手段は、前記端部に形成された補正タイミング検知用パターンと前記中央部に形成された補正タイミング検知用パターンとの間の距離の理論値からの誤差、又は、前記端部に形成された補正タイミング検知用パターンの検出信号におけるパルス間の時間間隔と前記中央部に形成された補正タイミング検知用パターンの検出信号におけるパルス間の時間間隔との間の差分を、前記疎密差情報として導出することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記更新手段は、前記疎密差情報と前記補正タイミングのシフト量との対応関係を規定するテーブルを保持し、
前記決定手段は、前記導出した疎密差情報及び前記テーブルに基づき、前記補正タイミングのシフト量を決定することを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記補正タイミング検知用パターンは、前記中間転写ベルト上の主走査方向における左端部と右端部とに形成されることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記導出手段は、前記左端部に形成された補正タイミング検知用パターンの検出信号の強度と、前記右端部に形成された補正タイミング検知用パターンの検出信号の強度との間の差分を、前記疎密差情報として導出することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記補正タイミング検知用パターンの検出信号の強度は、該補正タイミング検知用パターンの濃度に応じた値であることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記中間転写ベルト上の主走査位置が異なる２箇所に形成される前記補正タイミング検知用パターンを読み取るための２個のセンサを更に有することを特徴とする請求項２乃至８の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
画像形成装置の画像形成方法であって、
主走査方向の１ラインを複数に分割した主走査領域毎の周波数から成る補正情報、及び、前記周波数が適用されるタイミングを示す前記主走査領域毎の補正カウントから成る補正タイミング情報に基づき、クロックを生成するステップと、
前記生成されたクロック、及び、画像を書き出すタイミングを示す書き出しカウントに基づき、画像信号を生成するステップと、
予め記憶されている前記補正タイミング情報を前記画像形成装置の走査速度特性に基づき更新するステップと
を有することを特徴とする画像形成方法。
【請求項１１】
コンピュータに請求項１０に記載の方法を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、画像形成装置であって、主走査方向の１ラインを複数に分割した主走査領域毎の周波数から成る補正情報、及び、前記周波数が適用されるタイミングを示す前記主走査領域毎の補正カウントから成る補正タイミング情報に基づき、クロックを生成するクロック生成手段と、前記生成されたクロック、及び、画像を書き出すタイミングを示す書き出しカウントに基づき、画像信号を生成する信号生成手段と、予め記憶されている前記補正タイミング情報を、前記画像形成装置の走査速度特性に基づき更新する更新手段とを有することを特徴とする画像形成装置である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月9日(2020.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記ロッドは、前記個別可動駒と当接する端部が球面状に形成されていることが好ましい。これによれば、第二部材高さのばらつきのみならず、第二部材の上面（露出面）が傾斜している場合であっても、その傾斜が個別可動駒に与える影響を吸収することができる。