【手続補正書】
【提出日】令和2年3月18日(2020.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で原子層エッチング（ＡＬＥ）を実施するための方法であって、
（ａ）前記基板の表面上で、前記基板表面の少なくとも１つの単分子層を改質層に変換するように構成された表面改質動作を実施することと、
（ｂ）前記基板表面上で、前記基板表面から前記改質層を除去するように構成された除去動作を実施することであって、前記改質層を除去することは、金属錯体と前記改質層の変換種との間で配位子交換反応が起こるように前記基板表面を前記金属錯体に曝露することを含むことと、
（ｃ）前記除去動作に続いて、前記基板表面上で、前記基板表面の前記金属錯体への前記曝露から形成された残留物を除去するように構成されたプラズマ処理を実施することであって、前記残留物は、前記プラズマ処理によって揮発されることと、
（ｄ）前記基板表面から所定の厚さがエッチングされるまで、動作（ａ）から（ｃ）を繰り返すことと
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板表面は、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属リン化物、金属硫化物、または金属ヒ化物を含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記表面改質動作を実施することは、前記基板表面をハロゲン含有プラズマに曝露することを含み、前記ハロゲン含有プラズマへの前記曝露は、前記基板表面の前記少なくとも１つの単分子層をハロゲン種に変換するように構成される、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記基板表面を前記ハロゲン含有プラズマに曝露することは、ハロゲン含有ガスを前記基板が配置されているチャンバ内に導入し、プラズマを点弧することを含む、方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法であって、
前記基板表面を前記ハロゲン含有プラズマに曝露することは、前記ハロゲン含有プラズマを遠隔プラズマ源から受け取ることを含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記除去動作を実施することは、前記基板表面をスズ（ＩＩ）アセチルアセトネート（Ｓｎ（ａｃａｃ）２）蒸気に曝露することを含み、前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２蒸気への前記曝露は、ａｃａｃ配位子を前記改質層の原子と交換するように構成される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記プラズマ処理を実施することは、前記基板表面を水素プラズマに曝露することを含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記基板表面を前記水素プラズマに曝露することは、水素ガスを前記基板が配置されているチャンバ内に導入し、プラズマを点弧することを含む、方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、
前記基板表面を前記水素プラズマに曝露することは、前記水素プラズマを遠隔プラズマ源から受け取ることを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
動作（ａ）は、第１のチャンバで実施され、
動作（ｂ）は、第２のチャンバで実施される、方法。
【請求項１１】
基板上で原子層エッチング（ＡＬＥ）を実施するための方法であって、
（ａ）前記基板の表面上で、前記基板表面の少なくとも１つの単分子層を改質層に変換するように構成された表面改質動作を実施することと、
（ｂ）前記基板表面上で、前記基板表面から前記改質層を除去するように構成された除去動作を実施することであって、前記改質層を除去することは、金属錯体と前記改質層の変換種との間で配位子交換反応が起こるように前記基板表面を前記金属錯体に曝露することを含むことと、
（ｃ）所定回数のサイクルの間、動作（ａ）および（ｂ）を繰り返すことと、
（ｄ）動作（ｃ）に続いて、前記基板表面上で、前記基板表面の前記金属錯体への前記曝露から形成された残留物を除去するように構成されたプラズマ処理を実施することであって、前記残留物は、前記プラズマ処理によって揮発されることと、
（ｅ）前記基板表面から所定の厚さがエッチングされるまで、動作（ａ）から（ｄ）を繰り返すことと
を備える、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記基板表面は、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属リン化物、金属硫化物、または金属ヒ化物を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
前記表面改質動作を実施することは、前記基板表面をハロゲン含有プラズマに曝露することを含み、前記ハロゲン含有プラズマへの前記曝露は、前記基板表面の前記少なくとも１つの単分子層をハロゲン種に変換するように構成される、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記基板表面を前記ハロゲン含有プラズマに曝露することは、ハロゲン含有ガスを前記基板が配置されているチャンバ内に導入し、プラズマを点弧することを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、
前記基板表面を前記ハロゲン含有プラズマに曝露することは、前記ハロゲン含有プラズマを遠隔プラズマ源から受け取ることを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の方法であって、
前記除去動作を実施することは、前記基板表面をスズ（ＩＩ）アセチルアセトネート（Ｓｎ（ａｃａｃ）２）蒸気に曝露することを含み、前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２蒸気への前記曝露は、ａｃａｃ配位子を前記改質層の原子と交換するように構成される、方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法であって、
前記プラズマ処理を実施することは、前記基板表面を水素プラズマに曝露することを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
前記基板表面を前記水素プラズマに曝露することは、水素ガスを前記基板が配置されているチャンバ内に導入し、プラズマを点弧することを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法であって、
前記基板表面を前記水素プラズマに曝露することは、前記水素プラズマを遠隔プラズマ源から受け取ることを含む、方法。
【請求項２０】
請求項１１に記載の方法であって、
動作（ａ）は、第１のチャンバで実施され、
動作（ｂ）は、第２のチャンバで実施される、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
上述の実施形態は、明確な理解のために多少詳しく説明されてきたが、一定の変更および修正が本開示の実施形態の範囲内で実施されてよいことは明らかであろう。本実施形態の工程、システム、および装置の実施には多くの別の方法があることに注意されたい。従って、本実施形態は、限定ではなく例示と見なされるべきであり、本明細書に述べられる詳細に限定されるべきではない。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
＜適用例１＞
基板上で原子層エッチング（ＡＬＥ）を実施するための方法であって、
（ａ）前記基板の表面上で、前記基板表面の少なくとも１つの単分子層を改質層に変換するように構成された表面改質動作を実施することと、
（ｂ）前記基板表面上で、前記基板表面から前記改質層を除去するように構成された除去動作を実施することであって、前記改質層を除去することは、前記改質層を揮発させるように構成された配位子交換反応を介して起こることと、
（ｃ）前記除去動作に続いて、前記基板表面上で、前記基板表面からの前記除去動作によって生成された残留物を除去するように構成されたプラズマ処理を実施することであって、前記残留物は、前記プラズマ処理によって揮発されることと、
（ｄ）前記基板表面から所定の厚さがエッチングされるまで、動作（ａ）から（ｃ）を繰り返すことと
を備える、方法。
＜適用例２＞
適用例１に記載の方法であって、
前記表面改質動作を実施することは、前記基板表面をフッ素含有プラズマに曝露することを含み、前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、前記基板表面の前記少なくとも１つの単分子層をフッ素種に変換するように構成される、方法。
＜適用例３＞
適用例２に記載の方法であって、
前記基板表面は、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属リン化物、金属硫化物、または金属ヒ化物を含み、
前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、金属フッ化物を形成する、方法。
＜適用例４＞
適用例２に記載の方法であって、
前記基板表面を前記フッ素含有プラズマに曝露することは、フッ素含有ガスを前記基板が配置されているチャンバ内に導入し、プラズマを点弧することを含む、方法。
＜適用例５＞
適用例４に記載の方法であって、
前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、約１５秒より短い期間に、約１０ｍＴｏｒｒから５００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力で実施される、方法。
＜適用例６＞
適用例２に記載の方法であって、
前記除去動作を実施することは、前記基板表面をスズ（ＩＩ）アセチルアセトネート（Ｓｎ（ａｃａｃ）２）蒸気に曝露することを含み、前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２蒸気への前記曝露は、ａｃａｃ配位子を前記改質層のフッ素原子と交換するように構成される、方法。
＜適用例７＞
適用例６に記載の方法であって、
前記基板表面を前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２に曝露することは、前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２を前記基板が配置されているチャンバ内に蒸気として導入することを含む、方法。
＜適用例８＞
適用例７に記載の方法であって、
前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２への前記曝露は、約１秒から３０秒の期間に実施される、方法。
＜適用例９＞
適用例６に記載の方法であって、
前記プラズマ処理を実施することは、前記基板表面を水素プラズマに曝露することを含み、前記水素プラズマへの前記曝露は、前記基板表面上で、スズ、フッ化スズ、または酸化スズの残留物を揮発させるように構成される、方法。
＜適用例１０＞
適用例９に記載の方法であって、
前記基板表面を前記水素プラズマに曝露することは、水素ガスを前記基板が配置されているチャンバ内に導入し、プラズマを点弧することを含む、方法。
＜適用例１１＞
適用例１０に記載の方法であって、
前記水素プラズマへの前記曝露は、約１秒から３０秒の期間に実施される、方法。
＜適用例１２＞
適用例１に記載の方法であって、
動作（ａ）は、第１のチャンバで実施され、
動作（ｂ）は、第２のチャンバで実施される、方法。
＜適用例１３＞
適用例１２に記載の方法であって、
動作（ｄ）は、前記第１のチャンバで実施される、方法。
＜適用例１４＞
適用例１２に記載の方法であって、
動作（ｄ）は、第３のチャンバで実施される、方法。
＜適用例１５＞
基板上で原子層エッチング（ＡＬＥ）を実施するための方法であって、
（ａ）前記基板の表面上で、前記基板表面の少なくとも１つの単分子層を改質層に変換するように構成された表面改質動作を実施することと、
（ｂ）前記基板表面上で、前記基板表面から前記改質層を除去するように構成された除去動作を実施することであって、前記改質層を除去することは、前記改質層を揮発させるように構成される配位子交換反応を介して起こることと、
（ｃ）所定回数のサイクルの間、動作（ａ）および（ｂ）を繰り返すことと、
（ｄ）動作（ｃ）に続いて、前記基板表面上で、前記基板表面からの前記除去動作によって生成された残留物を除去するように構成されたプラズマ処理を実施することであって、前記残留物は、前記プラズマ処理によって揮発されることと、
（ｅ）前記基板表面から所定の厚さがエッチングされるまで、動作（ａ）から（ｄ）を繰り返すことと
を備える、方法。
＜適用例１６＞
適用例１５に記載の方法であって、
前記表面改質動作を実施することは、前記基板表面をフッ素含有プラズマに曝露することを含み、前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、前記基板表面の前記少なくとも１つの単分子層をフッ素種に変換するように構成され、
前記除去動作を実施することは、前記基板表面をスズ（ＩＩ）アセチルアセトネート（Ｓｎ（ａｃａｃ）２）蒸気に曝露することを含み、前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２蒸気への前記曝露は、ａｃａｃ配位子を前記改質層のフッ素原子と交換するように構成され、
前記プラズマ処理を実施することは、前記基板表面を水素プラズマに曝露することを含み、前記水素プラズマへの前記曝露は、前記基板表面上で、スズ、フッ化スズ、または酸化スズの残留物を揮発させるように構成される、方法。
＜適用例１７＞
適用例１６に記載の方法であって、
前記基板表面は、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属リン化物、金属硫化物、または金属ヒ化物を含み、
前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、金属フッ化物を形成する、方法。
＜適用例１８＞
適用例１６に記載の方法であって、
前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、約１５秒より短い期間に、約１０ｍＴｏｒｒから５００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力で実施され、
前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２への前記曝露は、約１秒から３０秒の期間に実施され、
前記水素プラズマへの前記曝露は、約１秒から３０秒の期間に実施される、方法。