【手続補正書】
【提出日】令和1年12月4日(2019.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板を有する光電変換装置であって、
前記シリコン基板は、光電変換を行う第１部分と、前記第１部分よりも前記シリコン基板の受光面から離れて配され、炭素を含有する第２部分とを含み、
前記第２部分における炭素ピーク濃度が１×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上かつ１×１０２０［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下であり、
前記第２部分における酸素ピーク濃度が前記炭素ピーク濃度の１／１０００以上かつ１／１０以下である、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記受光面に直交する方向において、前記第２部分と前記受光面との間に前記第１部分が配されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第１部分は、炭素濃度が酸素濃度より低い領域に配されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記シリコン基板が前記炭素ピーク濃度を示す位置は、前記受光面からの距離が３μｍから２０μｍの範囲内に配されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか1項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２部分は、炭素濃度が１×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上である第１領域を有し、前記受光面に直交する方向における前記第１領域の寸法が３μｍ以下である、
ことを特徴と請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第２部分は、炭素濃度が１×１０１９［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上である第２領域を有し、前記第２領域における酸素濃度が３×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第２部分は、炭素濃度が１×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上かつ１×１０１９［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下である第３領域を有し、前記第３領域における酸素濃度が１×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１部分を含む画素から信号を読み出すための周辺回路部を更に備え、
前記周辺回路部は、シリサイド領域を有するトランジスタを含み、前記シリサイド領域は、ニッケルおよびコバルトの少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記シリコン基板には、ＳＴＩ構造を有する絶縁体によって構成された素子分離部が設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第１部分は、ｎ型の第１不純物領域と、前記第１不純物領域と前記第２部分との間に位置するｐ型の第２不純物領域と、を含み、
前記第２不純物領域と前記第２部分との間にはｎ型の不純物領域が設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
半導体基板の製造方法であって、
２×１０１６［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上かつ８×１０１７［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下の酸素濃度を有する酸素含有部、および、３×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下の酸素濃度を有する炭素含有部を含むシリコン板を準備する工程と、
前記炭素含有部が前記酸素含有部とシリコン層との間に配置されるように前記シリコン板の上にシリコン層を形成する工程と、を含み、
前記半導体基板は、前記シリコン板のシリコンおよび前記シリコン層のシリコンを含み、
前記半導体基板の炭素ピーク濃度は、１×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上かつ１×１０２０［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下であり、
前記半導体基板における酸素ピーク濃度が前記炭素ピーク濃度の１／１０００以上かつ１／１０以下である、
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項１２】
前記シリコン板を準備する前記工程は、２×１０１６［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上かつ８×１０１７［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下の酸素濃度でシリコンウエハに炭素を注入する工程を含み、
前記シリコン板は、前記シリコンウエハのシリコンを含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１３】
前記炭素を注入する前記工程は、１０ＫｅＶ〜２００ＫｅＶの範囲内の加速エネルギーで炭素イオンを加速して注入することでなされる、
ことを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１４】
前記炭素を注入する前記工程では、前記炭素のドーズ量が１×１０１４［ａｔｏｍｓ／ｃｍ２］から５×１０１５［ａｔｏｍｓ／ｃｍ２］の範囲内となるようになされる、
ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１５】
前記炭素を注入する前記工程では、開口部を有するマスクを用い、前記開口部を介して炭素を注入する、
ことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１６】
前記シリコン板を準備する前記工程は、ＭＣＺ法で単結晶シリコンインゴットを形成すること、および、前記単結晶シリコンインゴットをスライスしてシリコンウエハを形成すること、を含み、
前記シリコン板は、前記シリコンウエハのシリコンを含む、
ことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１７】
光電変換装置の製造方法であって、
第１半導体領域、および、前記第１半導体領域の上に配置された第２半導体領域を含むシリコン基板を準備する工程と、
前記第２半導体領域に光電変換部を形成する工程と、を含み、
前記第１半導体領域の炭素ピーク濃度が１×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上かつ１×１０２０［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下であり、
前記第１半導体領域における酸素ピーク濃度が前記炭素ピーク濃度の１／１０００以上かつ１／１０以下である、
ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１半導体領域は、２×１０１６［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上かつ８×１０１７［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下の酸素濃度を有する酸素含有部を含む、
ことを特徴とする請求項１７に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２半導体領域に、前記光電変換部を含む画素から信号を読み出すための周辺回路のトランジスタを形成する工程を更に含み、
前記トランジスタは、シリサイド領域を含み、
前記シリサイド領域は、ニッケルおよびコバルトの少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする請求項１８に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの画像データを処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項２１】
光電変換装置であって、
光電変換部が配置されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の表面の上に配置された、トランジスタのゲート電極と、を備え、
前記シリコン基板における、前記光電変換部よりも前記シリコン基板の前記表面から遠い位置における炭素濃度が１×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上かつ１×１０２０［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下であり、
前記位置における酸素濃度が前記位置における前記炭素濃度の１／１０００以上かつ１／１０以下である、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２２】
前記位置における前記炭素濃度が１×１０１９［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上である、
ことを特徴とする請求項２１に記載の光電変換装置。
【請求項２３】
前記位置における前記酸素濃度が１×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上である、
ことを特徴とする請求項２１又は２２に記載の光電変換装置。
【請求項２４】
前記シリコン基板は、２×１０１６［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上かつ８×１０１７［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下の酸素濃度を有する領域を含み、
前記領域は、前記位置よりも前記シリコン基板の前記表面から離れている、
ことを特徴とする請求項２１に記載の光電変換装置。
【請求項２５】
前記領域の前記酸素濃度が２×１０１７［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］未満である、
ことを特徴とする請求項２４に記載の光電変換装置。
【請求項２６】
前記領域の前記酸素濃度が前記領域の炭素濃度より大きい、
ことを特徴とする請求項２４に記載の光電変換装置。
【請求項２７】
前記トランジスタは、ニッケルおよびコバルトの少なくとも１つを含むシリサイド領域を含む、
ことを特徴とする請求項２１乃至２６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２８】
前記表面と前記位置との距離は、６μｍ以上かつ１２μｍ以下ある、
ことを特徴とする請求項２１乃至２７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２９】
前記シリコン基板は、前記シリコン基板の第１深さで前記炭素ピーク濃度を示し、前記シリコン基板の第２深さで前記酸素ピーク濃度を示す、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項３０】
請求項２１乃至２９のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの画像データを処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、シリコン基板を有する光電変換装置に係り、前記シリコン基板は、光電変換を行う第１部分と、前記第１部分よりも前記シリコン基板の受光面から離れて配され、炭素を含有する第２部分とを含み、前記第２部分における炭素ピーク濃度が１×１０１８［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以上かつ１×１０２０［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３］以下であり、前記第２部分における酸素ピーク濃度が前記炭素ピーク濃度の１／１０００以上かつ１／１０以下である。