(57)【要約】  軽量化を図りつつ、不都合の発生を防止することが可能な放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法を提供する。  放射線検出パネル３は、表面４ａに複数の光電変換素子１５が二次元状に配列された素子基板４と、放射線を光に変換するシンチレータ６が表面５ａに形成され、シンチレータ６と複数の光電変換素子１５とが対向する状態で配置されたシンチレータ基板５と、複数の光電変換素子１５およびシンチレータ６の周囲の部分に配置され、素子基板４とシンチレータ基板５とを接着する接着剤２２と、を備え、接着剤２２は、光硬化型の接着剤であり、シンチレータ基板５は、光透過性のプラスチック基板５０１と、プラスチック基板５０１の少なくとも一方の面に形成された光透過性の無機系薄膜５０２と、を備えて構成されている。
2011108156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板と、
放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成され、前記シンチレータと前記複数の光電変換素子とが対向する状態で配置された第２の基板と、
前記複数の光電変換素子および前記シンチレータの周囲の部分に配置され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着剤と、を備え、
前記接着剤は、光硬化型の接着剤であり、
前記第２の基板は、光透過性のプラスチック基板と、前記プラスチック基板の少なくとも一方の面に形成された光透過性の無機系薄膜と、を備えることを特徴とする放射線検出パネル。
【請求項２】
前記第２の基板は、さらに、前記プラスチック基板の他方の面に形成された光透過性の無機系薄膜を備えることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の放射線検出パネル。
【請求項３】
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板と、
放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成され、前記シンチレータと前記複数の光電変換素子とが対向する状態で配置された第２の基板と、
前記複数の光電変換素子および前記シンチレータの周囲の部分に配置され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着剤と、を備え、
前記第２の基板は、前記第１の基板よりも薄く一方の面に前記シンチレータが形成されたガラス基板と、前記ガラス基板の他方の面に接着されたプラスチック基板と、を備えることを特徴とする放射線検出パネル。
【請求項４】
前記ガラス基板と前記プラスチック基板とは剥離可能に接着されていることを特徴とする請求の範囲第３項に記載の放射線検出パネル。
【請求項５】
前記プラスチック基板は、フィルム状の基板であることを特徴とする請求の範囲第１項から第４項の何れか一項に記載の放射線検出パネル。
【請求項６】
請求の範囲第１項から第５項の何れか一項に記載の放射線検出パネルを備えることを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項７】
前記第１の基板の前記表面には、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された前記複数の光電変換素子とを備える検出部が設けられ、
前記シンチレータは、照射された放射線を光に変換する蛍光体を備え、
前記接着剤は、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第１の基板と前記第２の基板との間の位置であって、前記検出部および前記シンチレータの外側の位置で接合し、
前記検出部の前記シンチレータに対向する面側に積層された有機物からなる平坦化層を備え、
前記平坦化層は、前記検出部の外側の位置まで延設され、
前記接着剤は、少なくとも前記平坦化層の延在方向の端面を被覆するように配置されることを特徴とする請求の範囲第６項に記載の放射線画像検出器。
【請求項８】
前記シンチレータの前記蛍光体は、ハロゲン化物を含有する材料で形成されていることを特徴とする請求の範囲第７項に記載の放射線画像検出器。
【請求項９】
前記シンチレータの前記蛍光体は、前記ハロゲン化物としてＣｓＩを含有することを特徴とする請求の範囲第８項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１０】
前記シンチレータの前記蛍光体は、柱状結晶として形成されていることを特徴とする請求の範囲第７項から第９項の何れか一項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１１】
前記検出部を含む前記第１の基板の前記第２の基板に対向する側の面は、無機層で被覆されており、当該無機層の前記第２の基板側の表面に前記平坦化層が形成されていることを特徴とする請求の範囲第７項から第１０項の何れか一項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１２】
前記接着剤は、防湿性を有することを特徴とする請求の範囲第７項から第１１項の何れか一項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１３】
前記接着剤として、エポキシ系の樹脂が用いられていることを特徴とする請求の範囲第１２項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１４】
前記第２の基板は、前記第１の基板と同等の熱膨張係数を有する材料で構成されていることを特徴とする請求の範囲第７項から第１３項の何れか一項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１５】
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板の当該複数の光電変換素子の周囲の部分、或いは、放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成された第２の基板の当該シンチレータの周囲の部分に、接着剤を配置する接着剤配置工程と、
前記接着剤を介して、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記複数の光電変換素子と前記シンチレータとが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程と、
前記第１の基板、前記第２の基板および前記接着剤により形成される内部空間を減圧して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた状態で、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、を有し、
前記第２の基板は、前記シンチレータが一方の面に形成され、前記第１の基板よりも薄いガラス基板と、前記ガラス基板の他方の面に接着されたプラスチック基板と、前記ガラス基板と前記プラスチック基板とを剥離可能に接着する接着層と、を備えて構成されており、
さらに、前記接着剤硬化工程の後、前記プラスチック基板を前記ガラス基板から剥離する剥離工程を有することを特徴とする放射線検出パネルの製造方法。
【請求項１６】
請求の範囲第１５項に記載の放射線検出パネルの製造方法により製造された放射線検出パネルを用いて放射線画像検出器を製造することを特徴とする放射線画像検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上にフォトダイオード等の複数の光電変換素子を二次元状に配列し、光電変換素子の放射線入射側にシンチレータを配置した放射線検出パネルを用いた放射線画像検出器（Flat Panel Detector（ＦＰＤ）ともいう。）が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
このような放射線画像検出器は、通常、放射線検出パネルに照射された放射線をシンチレータで可視光等の他の波長の光に変換し、変換した光を光電変換素子に入射させて素子内で電荷を発生させ、発生した電荷を取り出すことで、放射線情報を変換して最終的に電気信号として検出するように構成されている。【０００３】
さらに、近年では、ケーブルレスで駆動可能な可搬型に構成されたカセッテ型の放射線画像検出器が開発されている。放射線画像検出器をこのように構成した場合、患者のベッドサイド等におけるポータブル撮影をはじめとする自由度の高い撮影が可能となる。また、据置き型の検出器と異なり、容易に持ち運びができるため、撮影室が複数あるような場合に、用途等に応じて１つの放射線画像検出器を異なる撮影室に移動させて撮影を行うことも可能となる。
このように可搬型に構成された放射線画像検出器においては、持ち運びをより容易なものとするために、更なる軽量化が望まれている。【０００４】
ところで、放射線画像検出器が備える放射線検出パネルは、シンチレータが一方の面に形成されたシンチレータ基板と、シンチレータの下側に積層されシンチレータにより変換された光を検出して電気信号に変換する光電変換素子が一方の面に形成された素子基板と、等を備えて構成されており、これらが積層された積層構造となっている。そして、シンチレータ基板および素子基板には、ともに厚みが０．６ｍｍ程度のガラス基板が用いられている（例えば、特許文献２参照）。【０００５】
このように、シンチレータ基板および素子基板には、ともに厚みが０．６ｍｍ程度のガラス基板が用いられているため、放射線検出パネルの重量は、放射線画像検出器の総重量の約１／４も占めている。したがって、放射線検出パネルの軽量化が実現できれば、放射線画像検出器の軽量化が可能となる。
放射線検出パネルの軽量化を実現する手法としては、例えば、厚み０．６ｍｍのガラス基板に代えて、ガラス基板よりも比重が小さく軽量なプラスチック基板（樹脂基板）や、アルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の薄膜が表面に形成されたグラファイト基板（例えば、特許文献３参照）を用いる手法、厚み０．６ｍｍよりも薄い薄型のガラス基板を用いる手法等が考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００３−５３２０７２号公報
【特許文献２】特開２００９−１０４０４２号公報
【特許文献３】ＵＳＰ６１７２３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、単に、厚み０．６ｍｍのガラス基板に代えて、プラスチック基板を用いたり、アルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の薄膜が表面に形成されたグラファイト基板を用いたり、薄型のガラス基板を用いたりするだけでは、従来と同等の性能を維持できない、従来と同様の方法で製造できない等の不都合が生じてしまう。【０００８】
具体的には、シンチレータは、素子基板と、シンチレータ基板と、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせるための接着剤と、により密閉された内部空間内に配置されているが、プラスチック基板はガラス基板よりも防湿性に劣るため、ガラス基板に代えてプラスチック基板を用いると、シンチレータが劣化し易くなるという不都合が生じてしまう。
また、アルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の薄膜が表面に形成されたグラファイト基板は光を透過することができないため、ガラス基板に代えてアルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の薄膜が表面に形成されたグラファイト基板を用いると、素子基板とシンチレータ基板との貼り合わせに光硬化型の接着剤を使用できないという不都合が生じてしまう。
また、厚み０．６ｍｍよりも薄い薄型のガラス基板は、厚み０．６ｍｍのガラス基板よりも破壊に要するエネルギーが小さく壊れ易いため、厚み０．６ｍｍのガラス基板に代えて薄型のガラス基板を用いると、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によって、この薄型のガラス基板に割れや亀裂などが入るという不都合が生じてしまう。【０００９】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、軽量化を図りつつ、不都合の発生を防止することが可能な放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線検出パネルは、
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板と、
放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成され、前記シンチレータと前記複数の光電変換素子とが対向する状態で配置された第２の基板と、
前記複数の光電変換素子および前記シンチレータの周囲の部分に配置され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着剤と、を備え、
前記接着剤は、光硬化型の接着剤であり、
前記第２の基板は、光透過性のプラスチック基板と、前記プラスチック基板の少なくとも一方の面に形成された光透過性の無機系薄膜と、を備えることを特徴とする。【００１１】
また、本発明の放射線検出パネルは、
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板と、
放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成され、前記シンチレータと前記複数の光電変換素子とが対向する状態で配置された第２の基板と、
前記複数の光電変換素子および前記シンチレータの周囲の部分に配置され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着剤と、を備え、
前記第２の基板は、前記第１の基板よりも薄く一方の面に前記シンチレータが形成されたガラス基板と、前記ガラス基板の他方の面に接着されたプラスチック基板と、を備えることを特徴とする。【００１２】
また、本発明の放射線画像検出器は、上記の本発明の放射線検出パネルを備えることを特徴とする。【００１３】
また、本発明の放射線検出パネルの製造方法は、
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板の当該複数の光電変換素子の周囲の部分、或いは、放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成された第２の基板の当該シンチレータの周囲の部分に、接着剤を配置する接着剤配置工程と、
前記接着剤を介して、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記複数の光電変換素子と前記シンチレータとが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程と、
前記第１の基板、前記第２の基板および前記接着剤により形成される内部空間を減圧して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた状態で、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、を有し、
前記第２の基板は、前記シンチレータが一方の面に形成され、前記第１の基板よりも薄いガラス基板と、前記ガラス基板の他方の面に接着されたプラスチック基板と、前記ガラス基板と前記プラスチック基板とを剥離可能に接着する接着層と、を備えて構成されており、
さらに、前記接着剤硬化工程の後、前記プラスチック基板を前記ガラス基板から剥離する剥離工程を有することを特徴とする。【００１４】
また、本発明の放射線画像検出器の製造方法は、上記の本発明の放射線検出パネルの製造方法により製造された放射線検出パネルを用いて放射線画像検出器を製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のような方式の放射線検出パネルおよび放射線画像検出器によれば、接着剤は、光硬化型の接着剤であり、第２の基板は、光透過性のプラスチック基板と、プラスチック基板の一方の面に積層され、当該第２の基板の表面を形成する光透過性の無機系薄膜と、を備えて構成されている。
すなわち、第２の基板として、ガラス基板よりも比重が小さく軽量なプラスチック基板を用いているため、素子基板とシンチレータ基板とが同じ厚みのガラス基板で構成されている場合と比較して、放射線検出パネルを軽量化することができる。
また、このように放射線検出パネルの軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器が可搬型に構成されている場合は特に、放射線画像検出器の持ち運びをより容易なものとすることが可能となる。
また、このように放射線検出パネルの軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器の落下強度を向上させることが可能となる。【００１６】
また、プラスチック基板はガラス基板よりも防湿性に劣るが、本発明における第２の基板は、当該第２の基板の表面が無機系薄膜で形成されており、この無機系薄膜で、第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせるための接着剤と、により密閉された内部空間への湿気（水蒸気）の流入を妨害し得る構成となっているため、シンチレータが劣化し易くなる等の不都合の発生を防止することが可能となる。
また、本発明のように接着剤が光硬化型の接着剤である場合、光を透過することができない基板を用いると、当該接着剤を硬化させることができないが、本発明における第２の基板は、当該第２の基板が備えるプラスチック基板と無機系薄膜とがともに光透過性であり、当該接着剤を硬化させる波長の光を透過し得る構成となっているため、第１の基板と第２の基板との貼り合わせに光硬化型の接着剤を使用できない等の不都合の発生を防止することが可能となる。【００１７】
また、本発明のような方式の放射線検出パネルおよび放射線画像検出器によれば、第２の基板は、シンチレータが一方の面に形成され、第１の基板よりも薄いガラス基板と、ガラス基板の他方の面に接着されたプラスチック基板と、ガラス基板とプラスチック基板とを接着する接着層と、を備えて構成されている。
すなわち、第２の基板として、第１の基板よりも薄く軽量な薄型のガラス基板を用いているため、第１の基板と第２の基板とが同じ厚みのガラス基板で構成されている場合と比較して、放射線検出パネルを軽量化することができる。
また、このように放射線検出パネルの軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器が可搬型に構成されている場合は特に、放射線画像検出器の持ち運びをより容易なものとすることが可能となる。
また、このように放射線検出パネルの軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器の落下強度を向上させることが可能となる。【００１８】
また、薄型のガラス基板は壊れ易いが、本発明における第２の基板は、薄型のガラス基板にガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板が貼り付けられて形成されており、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる際の荷重に耐え得る構成となっているため、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる際の荷重によって第２の基板に割れや亀裂などが入る等の不都合の発生を防止することが可能となる。【００１９】
また、本発明のような方式の放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法によれば、接着剤硬化工程の後、プラスチック基板をガラス基板から剥離する剥離工程を有している。
したがって、接着剤硬化工程の後に剥離工程を行うことで、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、ガラス基板からプラスチック基板を剥離することができるため、放射線検出パネルが備える第２の基板をガラス基板のみから構成されたものとすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１の実施の形態に係る放射線画像検出器の外観斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る放射線検出パネルが備える第１の基板表面の構成を示す平面図である。
【図４】図３の第１の基板上の小領域に形成された光電変換素子や薄膜トランジスタなどの構成を示す拡大図である。
【図５】ＣＯＦやＰＣＢ基板などが取り付けられた第１の基板を説明する図である。
【図６】蛍光体が柱状構造を有するシンチレータの構成およびその第２の基板への貼付を説明する拡大模式図である。
【図７】第１の実施の形態に係る放射線検出パネルの拡大断面図である。
【図８Ａ】接着剤の中に設置されているスペーサの一例として断面円形状の棒状のスペーサを表す図である。
【図８Ｂ】接着剤の中に設置されているスペーサの一例として球形状のスペーサを表す図である。
【図９】第１の実施の形態に係る放射線検出パネルの接着剤近傍の部分の拡大断面図である。
【図１０】シンチレータの蛍光体が層状に形成された放射線検出パネルの拡大断面図である。
【図１１】第１の実施の形態に係る放射線検出パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図１２】減圧貼り合わせ工程等に用いられるチャンバの構成例を示す図である。
【図１３】フィルムの下方空間が減圧されて第１の基板と第２の基板とが貼り合わされた状態を表す図である。
【図１４】第１の基板上に間隙が形成されるように配置された接着剤を表す斜視図である。
【図１５】第１の基板と第２の基板との仮貼り合わせにより接着剤の間隙の部分に開口部が形成されることを説明する図である。
【図１６】減圧貼り合わせ工程で接着剤が延在方向に押し広げられて開口部が封止されることを説明する図である。
【図１７】第１の実施の形態に係る放射線画像検出器の製造方法を示すフローチャートである。
【図１８】第２の実施の形態に係る放射線検出パネルの接着剤近傍の部分の拡大断面図である。
【図１９】ガラス基板からプラスチック基板が剥離された放射線検出パネルを説明するための図である。
【図２０】第２の実施の形態に係る放射線検出パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図２１】第３の実施の形態に係る放射線画像検出器を示す斜視図である。
【図２２】図２１におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図２３】シンチレータの拡大図であり、シンチレータがガラス基板に貼付される状態を表す図である。
【図２４】放射線画像検出器の基板の構成を示す平面図である。
【図２５】ＣＯＦやＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図２６】放射線画像検出器の等価回路を表すブロック図である。
【図２７】第３の実施の形態に係る放射線画像検出器の光電変換素子やシンチレータを含む部分の拡大された断面図である。
【図２８】第３の実施の形態に係る放射線画像検出器の基板部分の断面図である。
【図２９】平坦化層を接着剤の外側まで延在させるように構成した放射線画像検出器の基板部分の断面図である。
【図３０】従来の放射線画像検出器の基板部分の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。
【００２２】
［第１の実施の形態］
まず、第１の実施の形態に係る放射線検出パネル３、放射線画像検出器１、放射線検出パネル３の製造方法および放射線画像検出器１の製造方法について説明する。
【００２３】
［放射線検出パネルおよび放射線画像検出器］
まず、本実施形態に係る放射線検出パネル３および放射線画像検出器１の構成について説明する。
【００２４】
なお、以下では、図１や図２に示すように、放射線画像検出器１や放射線検出パネル３における各部材の相対的な位置関係、特に上下関係について、放射線画像検出器１の筐体２における放射線が入射する面Ｘ側を上側に向け、筐体２における放射線が入射する面Ｘとは反対側の面Ｙ側を下側に向けて配置した場合の位置関係に基づいて説明する。
【００２５】
図１は、本実施形態に係る放射線画像検出器１の外観斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
放射線画像検出器１は、図１や図２に示すように、放射線検出パネル３が筐体２内に収納されて構成されている。
【００２６】
筐体２は、カーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板５１とバック板５２とで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
また、筐体２の側面部分には、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ５３、蓋５４、外部の装置と接続される端子５５、電源スイッチ５６等が配置されている。
【００２７】
筐体２の内部には、図２に示すように、第１の基板４（以下「素子基板４」という。）、第２の基板５（以下「シンチレータ基板５」という。）、シンチレータ６等を備えた放射線検出パネル３が配置されている。
また、放射線検出パネル３の下方には、図示しない鉛の薄板等を介して基台７が配置され、基台７には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＡＭ（Random Access Memory）などの各種の電子部品８等が配設されたＰＣＢ基板９、緩衝部材１０等が取り付けられている。
【００２８】
本実施形態では、素子基板４は、放射線や紫外線などの光を透過する光透過性のガラス基板で構成されている。
また、本実施形態では、素子基板４の厚みは、０．６ｍｍ程度に設定されている。
なお、素子基板４は、ガラス基板に限定されるものではなく、例えば、光透過性のプラスチック基板で構成されていてもよい。
また、素子基板４の厚みは、０．６ｍｍに限定されるものではない。
【００２９】
図３は、素子基板４表面の構成を示す平面図である。素子基板４の表面（すなわちシンチレータ６（図２参照）に対向する側の面）４ａ上には、複数の走査線１１と複数の信号線１２とが互いに交差するように配設されている。また、複数のバイアス線１３が、複数の信号線１２と平行に配置されており、本実施形態では、各バイアス線１３は、素子基板４上の一方側の端部で１本の結線１４により結束されている。
【００３０】
また、素子基板４の表面４ａ上で複数の走査線１１と複数の信号線１２とにより区画された各小領域Ｒには、光電変換素子１５がそれぞれ設けられている。このように、本実施形態では、素子基板（第１の基板）４は、その表面４ａに複数の光電変換素子１５が二次元状に配列されて形成されている。また、光電変換素子１５はそれぞれバイアス線１３に接続されており、本実施形態では、図示しないバイアス電源からバイアス線１３を介して光電変換素子１５にバイアス電圧が印加されるように構成されている。
【００３１】
本実施形態では、光電変換素子１５として、放射線の照射を受けたシンチレータ６から出力された光の照射を受けると光エネルギを吸収して内部に電子正孔対を発生させることで光エネルギを電荷に変換するフォトダイオードが用いられている。
また、図４の拡大図に示すように、各小領域Ｒには、各光電変換素子１５につき１つの薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下「ＴＦＴ」という。）１６が設けられており、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｓが光電変換素子１５の１つの電極と、ドレイン電極１６ｄが信号線１２と、ゲート電極１６ｇが走査線１１とそれぞれ接続されている。
【００３２】
本実施形態の放射線検出パネル３では、図３に示すように、上記のように構成された素子基板４の表面４ａ上において、走査線１１や信号線１２、結線１４の端部がそれぞれ入出力端子（パッドともいう）１８に接続されている。
また、図５に示すように、走査線１１、信号線１２、結線１４、光電変換素子１５等は、これらを腐食や損傷から保護する絶縁層、すなわち窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるパッシベーション層１７で被覆されている。
【００３３】
また、図５に示すように、各入出力端子１８には、ＣＯＦ（Chip On Film）１９が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）などの異方性導電性接着材料２０を介して圧着されている。また、ＣＯＦ１９は、素子基板４の裏面４ｂ側に引き回されており、裏面４ｂ側でＰＣＢ基板９とＣＯＦ１９とが圧着されて接続されている。
【００３４】
また、図５に示すように、素子基板４の表面４ａにおける複数の光電変換素子１５等が形成された部分には、複数の光電変換素子１５等による表面の凹凸を平坦化し、図５では図示を省略するシンチレータ６が光電変換素子１５に対向するように配置された際にその下地とするために、パッシベーション層１７を介して複数の光電変換素子１５等を被覆するように透明な樹脂等が塗布されて平坦化層２１が形成されている。
【００３５】
本実施形態では、平坦化層２１は、シンチレータ６の蛍光体６ａから出力される光を透過する透明のアクリル系感光性樹脂で形成されている。なお、図５では、シンチレータ６のほか、電子部品８等の図示が省略されている。
【００３６】
シンチレータ６（図２参照）は、入射した放射線を別の波長の光に変換するものであり、蛍光体を主たる成分とする。具体的には、本実施形態では、シンチレータ６として、Ｘ線等の放射線が入射すると、波長が３００ｎｍ〜８００ｎｍの電磁波、すなわち可視光を中心として紫外光から赤外光にわたる光を出力するものが用いられている。蛍光体としては、例えばＣｓＩ：Ｔｌ等の母体材料内に発光中心物質が付活されたものが好ましく用いられる。
【００３７】
シンチレータ６は、本実施形態では、図６の拡大図に示すように、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持膜６ｂの上に、例えば気相成長法により蛍光体６ａを成長させて形成されたものであり、蛍光体６ａの柱状結晶からなっている。気相成長法としては、蒸着法やスパッタ法などが好ましく用いられる。
【００３８】
いずれの手法においても、蛍光体６ａを支持膜６ｂ上に独立した細長い柱状結晶として気相成長させることができる。蛍光体６ａの各柱状結晶は、支持膜６ｂ付近では太く、先端（図６中では下側の端部）Ｐａに向かうに従って細くなっていき、先端Ｐａは鋭角状の略円錐形状となるように成長して形成される。
【００３９】
本実施形態では、このようにして蛍光体６ａが柱状結晶として形成されたシンチレータ６は、蛍光体６ａの柱状結晶の鋭角状の先端Ｐａが下側、すなわち前述した素子基板４の複数の光電変換素子１５側を向くように、その支持膜６ｂがシンチレータ基板（第２の基板）５の下方側の表面５ａに貼付されている。このようにして、シンチレータ６は、シンチレータ基板５で支持されている。
【００４０】
なお、蛍光体６ａの柱状結晶の全体がフィルム等で覆われた状態でシンチレータ６が形成される場合もあり、その場合には、フィルムの厚さは均一とされ、後述するように蛍光体６ａの先端Ｐａが平坦化層２１の表面に当接する際には、蛍光体６ａの先端Ｐａがフィルムを介して平坦化層２１の表面に当接する状態となる。
【００４１】
本実施形態では、シンチレータ基板（第２の基板）５は、例えば、図７に示すように、光透過性のプラスチック基板５０１と、プラスチック基板５０１の一方の面に積層され、当該シンチレータ基板５の表面５ａを形成する光透過性の無機系薄膜５０２と、プラスチック基板５０１の他方の面に積層され、当該シンチレータ基板５の裏面５ｂを形成する光透過性の無機系薄膜５０３と、を備えて構成されている。
また、本実施形態では、シンチレータ基板５の厚みは、素子基板４と同等又はそれ以下に設定されており、無機系薄膜５０２，５０３の厚みはそれぞれ１μｍ程度に設定されている。
【００４２】
プラスチック基板５０１としては、ＰＥＴ（polyethylene terephthalate）、アクリル、ナイロン、ポリカーボネート等の透明な樹脂基板（プラスチック基板）が好ましく用いられる。
また、無機系薄膜５０２，５０３としては、ＳｉＮやＳｉＯなどからなる透明なケイ素化合物薄膜、酸化インジウムや酸化亜鉛、酸化錫などからなる透明な酸化金属系薄膜、或いはこれらの組み合わせからなる透明な薄膜が好ましく用いられる。
すなわち、シンチレータ基板５は、透明なプラスチック基板５０１の両面に、透明な無機系薄膜５０２，５０３を積層することによって形成することができる。
【００４３】
なお、プラスチック基板５０１は、少なくとも放射線と光硬化型の接着剤である接着剤２２（後述）を硬化させる波長の光とを透過できる基板であれば、透明な基板に限定されるものではない。すなわち、例えば、接着剤２２が紫外線硬化型の接着剤である場合、プラスチック基板５０１は、少なくとも放射線と紫外線とを透過できる基板であればよい。
また、プラスチック基板５０１は、フレキシブルなフィルム状の基板であってもよいし、リジッドな板状の基板であってもよい。
【００４４】
また、無機系薄膜５０２，５０３は、少なくとも放射線と光硬化型の接着剤である接着剤２２（後述）を硬化させる波長の光とを透過できる薄膜であれば、透明な薄膜に限定されるものではない。すなわち、例えば、接着剤２２が紫外線硬化型の接着剤である場合、無機系薄膜５０２，５０３は、少なくとも放射線と紫外線とを透過できる薄膜であればよい。
なお、無機系薄膜５０２，５０３は、導電性を有していてもよいし、導電性を有していなくてもよい。
【００４５】
また、シンチレータ基板５は、少なくとも表面５ａが無機系薄膜５０２で形成されているものであれば、裏面５ｂは無機系薄膜５０３で形成されずにプラスチック基板５０１が露出していてもよい。
ここで、無機系薄膜５０３は、放射線検出パネル３の製造過程で発生する歪応力等のプラスチック基板５０１に加わる応力のバランスに応じて適宜に設置可能なものである。したがって、シンチレータ基板５においては、プラスチック基板５０１の一方の面にのみ、すなわちプラスチック基板５０１におけるシンチレータ６側（表面５ａ側）の面にのみ無機系薄膜５０２が積層されたものであっても、放射線検出パネル３の製造過程で発生する歪応力等の影響で当該シンチレータ基板５が反ってしまう等の不都合が生じないのであれば、プラスチック基板５０１の他方の面には、すなわちプラスチック基板５０１におけるシンチレータ６側と反対側（裏面５ｂ側）の面には無機系薄膜５０３は積層されていなくてもよい。
【００４６】
また、シンチレータ基板５の厚みは、当該シンチレータ基板５が素子基板４よりも軽量であれば、素子基板４と同等又はそれ以下に限定されるものではない。
また、無機系薄膜５０２の厚みは、当該無機系薄膜５０２で、後述する内部空間Ｃへの湿気（水蒸気）の流入を妨害できるのであれば、１μｍに限定されるものではない。
また、無機系薄膜５０３の厚みは、当該無機系薄膜５０３で、プラスチック基板５０１に加わる応力のバランスをとることができるのであれば、１μｍに限定されるものではない。
【００４７】
図７は、図２における放射線検出パネル３の端部部分の拡大図である。なお、図７において、放射線検出パネル３の各部材の相対的な大きさや厚さ、部材間の間隔等は、必ずしも実際の放射線検出パネル３の構造を反映していない。
【００４８】
図７に示すように、放射線検出パネル３は、シンチレータ基板５が、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが複数の光電変換素子１５や平坦化層２１に対向するように配置されて形成されている。
【００４９】
また、素子基板４とシンチレータ基板５との間隙部分であってシンチレータ６や複数の光電変換素子１５の周囲の部分には、その全周にわたって接着剤２２が配置されており、素子基板４とシンチレータ基板５とは接着剤２２によって接着されている。また、素子基板４とシンチレータ基板５との間の部分には、それらと接着剤２２とにより、外部から区画された内部空間Ｃが形成されている。
【００５０】
素子基板４とシンチレータ基板５とが接着剤２２によりシンチレータ６や複数の光電変換素子１５の周囲の部分の全周にわたって接着しているため、シンチレータ６や光電変換素子１５などを含む内部空間Ｃは密閉されている。また、内部空間Ｃは、その内部圧力が大気圧より低くなるように、その内部が減圧されて形成されている。また、シンチレータ６は湿気があると劣化する場合があるため、減圧されている内部空間Ｃの内部の空気がドライエアや、Ａｒ等の不活性ガスで置換されていればより好ましい。
【００５１】
本実施形態では、接着剤２２は、光を照射すると硬化する光硬化型の接着剤であり、防湿性の高いシールが形成できる等の観点から、光硬化型のエポキシ系樹脂を用いた接着剤や、光硬化型のアクリル系樹脂を用いた接着剤が好ましく用いられる。
光硬化型の接着剤としては、例えば、光開始剤や光重合性化合物などを含む紫外線硬化型樹脂等を用いることが可能である。
なお、以下では、接着剤２２として、光硬化型の接着剤の一種である紫外線硬化型の接着剤を用いた場合について説明するが、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００５２】
本実施形態では、接着剤２２中には、図８Ａに示すような断面円形状の棒状のスペーサＳ（Ｓａ）や、図８Ｂに示すような球形状のスペーサＳ（Ｓｂ）が複数設置されている。
【００５３】
その際、例えば、図９に示すように、内部空間Ｃが減圧されているため、大気圧により素子基板４やシンチレータ基板５を介して接着剤２２を押し潰す方向に外力が加わるが、スペーサＳの直径が小さすぎると、接着剤２２やスペーサＳによって素子基板４とシンチレータ基板５との間隔を維持できなくなる可能性がある。
そのため、外力で素子基板４とシンチレータ基板５とが接近して、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが平坦化層２１等に強く押し付けられて損傷してしまう場合がある。蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが損傷すると、得られた放射線画像の鮮鋭性が低下する。
【００５４】
また、逆に、スペーサＳの直径が大きすぎると、接着剤２２に近い部分ではシンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが平坦化層２１から離れてしまい、シンチレータ６と光電変換素子１５との距離が遠くなる。
しかし、接着剤２２から遠いシンチレータ部分では、大気圧により蛍光体６ａの先端Ｐａが平坦化層２１の表面に当接するため、シンチレータ６と光電変換素子１５との距離が近くなる。そのため、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａと光電変換素子１５との距離が放射線検出パネル３の全域で一様でなくなり、得られる放射線画像の鮮鋭性が損なわれてしまう。
【００５５】
そこで、スペーサＳとしては、例えば、図９に示すように、スペーサＳの直径が、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが平坦化層２１の表面に当接するように配置された状態において素子基板４とシンチレータ基板５との間隔と略同一であるようなスペーサを用いることが好ましい。
【００５６】
このようなスペーサＳを用いることで、上記のような事態が生じることを防止して、大気圧を利用してシンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａを適切に平坦化層２１に当接させることが可能となる。また、そのため、シンチレータ６を損傷することなく、蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａと光電変換素子１５との距離を、放射線検出パネル３の全域において一様とすることが可能となる。また、そのため、画像全体において鮮鋭性が一様な放射線画像を得ることが可能となる。
【００５７】
本実施形態では、スペーサＳは、金属（合金を含む）、セラミック、ガラス等の無機系材料で形成されている。
なお、スペーサＳは、無機系材料で形成されたものに限定されるものではなく、例えば、樹脂系（プラスチック系）スペーサ等の有機系材料で形成されたスペーサであってもよいし、有機系材料で形成されたスペーサの表面に無機系材料で形成されたコーティング層が設けられたものであってもよいし、無機系材料で形成されたスペーサの表面に有機系材料で形成されたコーティング層が設けられたものであってもよい。
【００５８】
また、本実施形態においては、複数のスペーサＳは、素子基板４とシンチレータ基板５との間に配置された接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて配置されていることとする。スペーサＳ同士の間隔は、後述するように素子基板４とシンチレータ基板５とが減圧貼り合わせされる際等に、素子基板４やシンチレータ基板５に外力が加わっても割れや亀裂などが入らないように、素子基板４やシンチレータ基板５の材質やスペーサＳ自体の材質などに応じて適宜の間隔に設定される。
【００５９】
このように、複数のスペーサＳを、接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて配置することによって、素子基板４やシンチレータ基板５に加わった外力を複数のスペーサＳが的確に分散して対抗するため、素子基板４やシンチレータ基板５に割れや亀裂などが生じることを的確に防止することが可能となる。
また、このように素子基板４やシンチレータ基板５に割れや亀裂などが生じることが的確に防止されるため、割れ等が生じてその近傍の光電変換素子１５やシンチレータ６の蛍光体６ａが損傷される等の不具合が生じることが確実に防止される。
また、割れ等が生じないため、内部空間Ｃに外気が流入せず、内部空間Ｃの減圧状態が維持される。そのため、シンチレータ６の蛍光体６ａの先端Ｐａと平坦化層２１とが離間してシンチレータ６の蛍光体６ａの先端Ｐａと光電変換素子１５とが離れて画像の鮮鋭性が失われたり、内部空間Ｃに湿気を帯びた外気が流入して内部空間Ｃが湿気を有する状態になってシンチレータ６が劣化したりするといった不具合の発生を確実に防止することが可能となる。
【００６０】
なお、本実施形態では、シンチレータ６の蛍光体６ａが、上記のように柱状結晶構造を有する場合について説明したが、シンチレータ６の蛍光体６ａは必ずしも柱状結晶構造を有するものである必要はなく、本発明は、例えば図１０に示したように、蛍光体６ａが層状に形成されたシンチレータ６＊を用いる場合にも同様に適用することが可能である。
【００６１】
この場合、シンチレータ６＊は、例えばＧＯＳ（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）等で構成された蛍光体６ａをシンチレータ基板５に塗布して層状に形成される。そして、シンチレータ６＊が光電変換素子１５に対向するようにシンチレータ基板５が素子基板４上に載置され、素子基板４とシンチレータ基板５とが接着剤２２で接着される。そして、内部空間Ｃが減圧されて密閉される。
【００６２】
このように構成すれば、上記の実施形態の場合と同様に、大気圧により、内部空間Ｃの内部でシンチレータ６＊の蛍光体６ａの光電変換素子１５側の先端（端面）Ｐｂが平坦化層２１に対して全面的に当接するようになる。
そのため、蛍光体６ａの先端Ｐｂと光電変換素子１５との距離を放射線検出パネル３の全域において一様とすることが可能となり、放射線検出パネル３の素子基板４上の全ての光電変換素子１５において鮮鋭性が一様となり、画像全体において鮮鋭性が一様な放射線画像を検出することが可能となる。
【００６３】
次に、本実施形態に係る放射線検出パネル３や放射線画像検出器１の作用について説明する。
【００６４】
本実施形態では、放射線検出パネル３の軽量化を図るために、シンチレータ基板５として、ガラス基板よりも比重が小さく軽量なプラスチック基板５０１を用いるようにした。
この場合、単にシンチレータ基板としてプラスチック基板５０１を用いるだけでは、有機系材料からなるプラスチック基板５０１は無機系材料からなるガラス基板よりも防湿性に劣るため、外部から内部空間Ｃに湿気（水蒸気）が流入し易くなって、シンチレータ６が劣化し易くなる等の不都合が生じてしまう。
【００６５】
これに対し、本実施形態では、シンチレータ基板５の表面５ａが無機系薄膜５０２で形成されているため、この無機系薄膜５０２によって、内部空間Ｃへの湿気（水蒸気）の流入を妨害することができる。
【００６６】
また、接着剤として、無機物同士を十分な接着性で貼り合わせることができる接着剤、有機物同士を十分な接着性で貼り合わせることができる接着剤は知られているが、これらと同等の十分な接着性で無機物と有機物とを貼り合わせることができる接着剤は知られていない。
【００６７】
例えば、素子基板およびシンチレータ基板がともにガラス基板である場合、接着剤で、素子基板表面のガラス面（或いは、本実施形態のように素子基板表面がＳｉＮｘ等からなるパッシベーション層で覆われている場合はパッシベーション層）と、シンチレータ基板表面のガラス面とを接着、すなわち無機物同士を接着することになるため、十分な接着性で素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせることが可能である。
【００６８】
一方、単にシンチレータ基板としてプラスチック基板５０１を用いるだけでは、接着剤で、素子基板表面のガラス面（或いは、ＳｉＮｘ等からなるパッシベーション層）と、シンチレータ基板表面のプラスチック面とを接着、すなわち無機物と有機物とを接着することになる。
この場合、無機物同士の接着よりも接着性に劣るため、素子基板とシンチレータ基板とを十分な接着性で貼り合わせることができず、素子基板とシンチレータ基板との間に隙間ができてしまう等の虞がある。これでは、外部から内部空間Ｃに湿気（水蒸気）を含む外気が流入してシンチレータ６が劣化し易くなる、外部から内部空間Ｃに外気が流入して内部空間Ｃの減圧状態が維持できなくなり蛍光体６ａの先端Ｐａ，Ｐｂと光電変換素子１５との距離が放射線検出パネル３の全域において一様にならなくなる等の不都合が生じてしまう。
【００６９】
これに対し、本実施形態では、シンチレータ基板５の表面５ａが無機系薄膜５０２で形成されているため、素子基板４とシンチレータ基板５との接着が、素子基板表面のパッシベーション層１７とシンチレータ基板表面の無機系薄膜５０２との接着、すなわち無機物同士の接着となって、十分な接着性で素子基板４とシンチレータ基板５とを貼り合わせることができる。
【００７０】
また、本実施形態のように接着剤２２が光硬化型の接着剤である場合、シンチレータ基板として、前述したアルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の薄膜が表面に形成されたグラファイト基板のような、光を透過することができない基板を用いると、接着剤２２を硬化できない。したがって、シンチレータ基板として光を透過することができない基板を用いると、素子基板とシンチレータ基板との貼り合わせに接着剤２２、すなわち光硬化型の接着剤が使用できない等の不都合が生じてしまう。
【００７１】
これに対し、本実施形態では、シンチレータ基板５が光透過性のプラスチック基板５０１と光透過性の無機系薄膜５０２，５０３とにより構成されているため、接着剤２２を硬化させる波長の光を透過することができる。
【００７２】
また、シンチレータ基板として、単に前述したような薄型のガラス基板を用いると、薄型のガラス基板は壊れ易いため、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板に割れや亀裂などが入る等の不都合が生じてしまう。
【００７３】
これに対し、本実施形態では、シンチレータ基板５がガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板５０１により構成されているため、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重に耐えることができる。
【００７４】
以上説明した第１の実施の形態に係る放射線検出パネル３および放射線画像検出器１によれば、接着剤２２は、光硬化型の接着剤であり、シンチレータ基板（第２の基板）５は、光透過性のプラスチック基板５０１と、プラスチック基板５０１の一方の面に積層され、当該シンチレータ基板５の表面５ａを形成する光透過性の無機系薄膜５０２と、を備えて構成されている。
すなわち、シンチレータ基板５として、ガラス基板よりも比重が小さく軽量なプラスチック基板５０１を用いているため、素子基板とシンチレータ基板とが同じ厚みのガラス基板で構成されている場合と比較して、放射線検出パネル３を軽量化することができる。
【００７５】
また、このように放射線検出パネル３の軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器１が可搬型に構成されている場合は特に、放射線画像検出器１の持ち運びをより容易なものとすることが可能となる。
また、このように放射線検出パネル３の軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器１の落下強度を向上させることが可能となる。
【００７６】
また、プラスチック基板５０１はガラス基板よりも防湿性に劣るが、本実施形態におけるシンチレータ基板５は、シンチレータ基板５の表面５ａが無機系薄膜５０２で形成されており、この無機系薄膜５０２で、内部空間Ｃへの湿気（水蒸気）の流入を妨害し得る構成となっているため、シンチレータ６が劣化し易くなる等の不都合の発生を防止することが可能となる。
【００７７】
また、無機物と有機物とを十分な接着性で貼り合わせることは困難であるが、本実施形態においては、シンチレータ基板５の表面５ａが無機系薄膜５０２で形成されており、接着剤２２で、素子基板４の表面４ａを形成するパッシベーション層１７と、シンチレータ基板５の表面５ａを形成する無機系薄膜５０２とを接着、すなわち無機物同士を接着することになるため、素子基板およびシンチレータ基板がともにガラス基板である場合と同等の十分な接着性で素子基板４とシンチレータ基板５とを貼り合わせることができる。
【００７８】
また、本実施形態のように接着剤２２が光硬化型の接着剤である場合、光を透過することができない基板を用いると、接着剤２２を硬化させることができない。これに対し、本実施形態におけるシンチレータ基板５は、シンチレータ基板５が備えるプラスチック基板５０１と無機系薄膜５０２，５０３とがともに光透過性であり、接着剤２２を硬化させる波長の光を透過し得る構成となっているため、素子基板とシンチレータ基板との貼り合わせに光硬化型の接着剤を使用できない等の不都合の発生を防止することが可能となる。
【００７９】
また、シンチレータ基板として単に薄型のガラス基板を用いると、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板に割れや亀裂などが入ってしまう虞がある。これに対し、本実施形態におけるシンチレータ基板５は、ガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板５０１により構成されており、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重に耐え得る構成となっているため、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板５に割れや亀裂などが入る等の不都合の発生を防止することが可能となる。
【００８０】
また、本実施形態では、シンチレータ基板（第２の基板）５は、さらに、プラスチック基板５０１の他方の面に積層され、当該シンチレータ基板５の裏面５ｂを形成する光透過性の無機系薄膜５０３を備えて構成されている。
したがって、プラスチック基板５０１の両面に無機系薄膜５０２，５０３が設けられているため、プラスチック基板５０１の一方の面にのみ無機系薄膜５０２が設けられている場合と比較して、製造過程で発生する歪応力等のプラスチック基板５０１に加わる応力のバランスが均一化されるため、放射線検出パネル３の製造過程で発生する歪応力等の影響でシンチレータ基板５が反ってしまう等の不都合の発生を防止することが可能となる。
【００８１】
［放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法］
次に、本実施形態に係る放射線検出パネル３の製造方法および放射線画像検出器１の製造方法について説明する。
【００８２】
なお、以下では、蛍光体６ａが柱状結晶構造を有するシンチレータ６を用いた放射線検出パネル３や放射線画像検出器１の製造方法について説明するが、蛍光体６ａが層状に形成されたシンチレータ６＊を用いた放射線検出パネル３や放射線画像検出器についても同様に説明され、本発明が適用される。
【００８３】
まず、本実施形態に係る放射線検出パネル３の製造方法について、図１１に示すフローチャートに基づいて説明する。
【００８４】
まず、素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分、或いは、シンチレータ基板５のシンチレータ６の周囲の部分に、複数のスペーサＳを含む接着剤２２を配置する（接着剤配置工程：ステップＳ１）。
【００８５】
ここで、素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分、或いは、シンチレータ基板５のシンチレータ６の周囲の部分に、複数のスペーサＳが接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて配置される状態に接着剤２２を配置する方法としては、種々の方法を採用することができる。
例えば、接着剤２２に予め複数のスペーサＳを投入して攪拌し、シリンジ等を用いて複数のスペーサＳを含む接着剤２２を、素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分、或いは、シンチレータ基板５のシンチレータ６の周囲の部分に塗布することで、複数のスペーサＳが接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて配置される状態を実現できるのであれば、その方法を採用することができる。
また、先に、素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分、或いは、シンチレータ基板５のシンチレータ６の周囲の部分に、スペーサＳを含まない接着剤２２を塗布して配置しておき、素子基板４上に配置した接着剤２２に対して複数のスペーサＳを接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて配置する方法を採用することもできる。
【００８６】
なお、以下では、接着剤２２を素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分に配置する場合を例にとって説明するが、接着剤配置工程（ステップＳ１）以降の各工程において、接着剤２２をシンチレータ基板５のシンチレータ６の周囲の部分に配置する場合も同様に説明することが可能である。
【００８７】
次いで、接着剤２２を介して、素子基板４とシンチレータ基板５とを、シンチレータ６と複数の光電変換素子１５とが対向する状態で仮貼り合わせする（仮貼り合わせ工程：ステップＳ２）。
【００８８】
なお、仮貼り合わせとは、後述する減圧貼り合わせ工程（ステップＳ４）において素子基板４とシンチレータ基板５とを本格的に貼り合わせる前に、素子基板４上にシンチレータ基板５を載置して、或いは、シンチレータ基板５上に素子基板４を載置して、接着剤２２により素子基板４とシンチレータ基板５とが仮に貼り合わされた状態をいう。
【００８９】
次に、このようにして仮貼り合わせされた放射線検出パネル３に対して減圧貼り合わせ工程（ステップＳ４）等の処理を行うが、本実施形態では、これらの処理を、図１２に示すようなチャンバ３０内で行っている。
なお、このチャンバ３０と同様の機能を奏するものであれば、減圧貼り合わせ工程（ステップＳ４）等の処理を行う装置は図１２に示すチャンバ３０に限定されない。
【００９０】
本実施形態では、チャンバ３０は、基台３１と、フィルム３２と、基台３１に対して着脱可能な蓋部材３３と、を備えている。そして、基台３１と蓋部材３３との各側面には、Ｏリング状のシール部材３４ａ，３４ｂがそれぞれ配設されており、蓋部材３３が基台３１に取り付けられた際には、基台３１のシール部材３４ａと蓋部材３３のシール部材３４ｂで上下からフィルム３２を挟持するようにしてフィルム３２を密封状に固定している。
【００９１】
また、基台３１の底部は平面状に形成されており、図示しない開口部を介して減圧用ポンプ３５が取り付けられている。フィルム３２は、紫外線を透過し、伸縮性を有する素材で形成されている。また、本実施形態では、蓋部材３３には、その内部に紫外線照射装置３６が取り付けられており、さらに、図示しない開口部を介してポンプ３７が取り付けられている。なお、ポンプ３７を設ける代わりに、蓋部材３３に単に開口部を設けるように構成することも可能である。
【００９２】
仮貼り合わせ工程（ステップＳ２）が終了すると、図１２に示したように、仮貼り合わせされた放射線検出パネル３をチャンバ３０の基台３１上に載置する。
そして、放射線検出パネル３のシンチレータ基板５の上方側からシンチレータ基板５を被覆するようにフィルム３２を載置し（フィルム載置工程：ステップＳ３）、基台３１のシール部材３４ａと蓋部材３３のシール部材３４ｂで上下からフィルム３２を挟持するようにしてフィルム３２の上方から基台３１に蓋部材３３を取り付ける。
【００９３】
ここで、前述したように、素子基板４とシンチレータ基板５と接着剤２２とで外部から区画された内部空間Ｃ内の湿気（水蒸気）を排除するために、チャンバ３０内の空気、或いは少なくとも放射線検出パネル３を含むフィルム３２の下方の空間（以下「下方空間Ｒ１」という。）内の空気をドライエアや不活性ガスで置換するように構成してもよい。
【００９４】
次いで、減圧用ポンプ３５を駆動して、放射線検出パネル３を含むフィルム３２の下方空間Ｒ１を減圧することで、放射線検出パネル３の内部空間Ｃを大気圧より低い圧力（例えば０．２気圧〜０．５気圧）に徐々に減圧していく。
【００９５】
チャンバ３０の蓋部材３３とフィルム３２との間の空間（以下「上方空間Ｒ２」という。図１２参照）は下方空間Ｒ１よりも高圧になるため、チャンバ３０の下方空間Ｒ１を減圧していくと、図１３に示すように、放射線検出パネル３のシンチレータ基板５の上方からフィルム３２が張り付くようになり、放射線検出パネル３は、フィルム３２を介して上方の上方空間Ｒ２からの圧力で押圧されて、素子基板４とシンチレータ基板５とが貼り合わされる（減圧貼り合わせ工程：ステップＳ４）。
【００９６】
このように減圧貼り合わせ工程（ステップＳ４）を行っても、シンチレータ基板５はガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板５０１により構成されており、素子基板とシンチレータ基板とを減圧貼り合わせする際の荷重に耐えることができるため、シンチレータ基板５に割れや亀裂などが入る等の不都合が生じることがない。
【００９７】
ところで、仮貼り合わせ工程（ステップＳ２）の終了時点で、素子基板４やシンチレータ基板５が接着剤２２に密着してしまうと、内部空間Ｃが、内部圧力が大気圧の状態で密閉される。そして、この状態で上記のような減圧貼り合わせを行うと、外部は減圧されるが、内部空間Ｃの内部は大気圧のままであるため、内部空間Ｃの気体が接着剤２２によるシールを破って外部に噴出して、接着剤２２によるシールが破壊されてしまい、接着不良を生じてしまう。
【００９８】
また、接着剤２２によるシールが破壊された部分で内部空間Ｃと外部とをつなぐ気体の流路が形成されてしまうため、外部を大気圧に戻すと内部空間Ｃに外気が流入する。そのため、湿気（水蒸気）を含む外気が流入して、シンチレータ６が劣化する等の不具合が生じてしまう。
【００９９】
そこで、本実施形態では、上記の接着剤配置工程（ステップＳ１）の段階で、図１４に示すように、接着剤２２を、素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分に、接着剤２２の延在方向に間隙Ｇが形成されるように塗布して配置することとする。接着剤２２を、シンチレータ基板５のシンチレータ６の周囲の部分に配置する場合も同様である。
なお、図１４および後述する図１５、図１６では、スペーサＳの図示が省略されている。また、間隙Ｇは１カ所だけでなく、複数の箇所に形成することも可能である。
【０１００】
このように間隙Ｇを形成すると、仮貼り合わせ工程（ステップＳ２）で素子基板４とシンチレータ基板５とが仮貼り合わせされた際、図１５に示すように、接着剤２２の間隙Ｇの部分に、内部空間Ｃとその外側の空間とを連通する開口部２４が形成される。そして、チャンバ３０等を用いた減圧貼り合わせ工程（ステップＳ４）で、下方空間Ｒ１を徐々に減圧すると、内部空間Ｃの内部の気体が接着剤２２の開口部２４を通って排出され、内部空間Ｃの内部の圧力が減圧される。
【０１０１】
また、開口部２４の開口の大きさ、すなわち接着剤２２の間隙Ｇの間隔を適切な大きさに形成しておけば、図１６に示すように、上方空間Ｒ２からの大気圧による押圧等で放射線検出パネル３の素子基板４とシンチレータ基板５とが互いに接近する際に、接着剤２２が延在方向に押し広げられて接着剤２２同士が結合して開口部２４を封止し、内部空間Ｃを密閉することが可能となる。
【０１０２】
このようにして、減圧貼り合わせ工程（ステップＳ４）では、下方空間Ｒ１が減圧される際に、内部空間Ｃの内部の気体が開口部２４を通って排出されて内部空間Ｃが減圧されるとともに、フィルム３２を介する上方空間Ｒ２からの圧力による押圧のため、シンチレータ基板５が素子基板４側に徐々に移動し、シンチレータ６の蛍光体６ａの先端Ｐａと素子基板４の平坦化層２１とが図９に示した状態に当接する。
【０１０３】
そして、その状態で、開口部２４が封止されて、接着剤２２と素子基板４やシンチレータ基板５とが密着した状態で素子基板４とシンチレータ基板５とが接着剤２２を介して貼り合わされる。また、内部空間Ｃが所定の圧力（例えば０．２気圧〜０．５気圧）に減圧された状態で密閉される。
【０１０４】
なお、その際、チャンバ３０の蓋部材３３側のポンプ３７を駆動させてチャンバ３０の上方空間Ｒ２を適度に加圧したり減圧したりして、放射線検出パネル３の素子基板４とシンチレータ基板５とを確実に貼り合わせるように構成することも可能であり、チャンバ３０の上方空間Ｒ２の圧調整は適宜行われる。
【０１０５】
また、前述したように、チャンバ３０の蓋部材３３にポンプ３７を設ける代わりに単なる開口部を設けた場合でも、チャンバ３０の上方空間Ｒ２の内部圧力が大気圧に維持され、下方空間Ｒ１よりも高圧となるため、放射線検出パネル３を適度に加圧して素子基板４とシンチレータ基板５とを確実に貼り合わせることが可能となる。
【０１０６】
減圧貼り合わせ工程（ステップＳ４）が終了すると、続いて、貼り合わされた放射線検出パネル３に対して、チャンバ３０の蓋部材３３に設けられた紫外線照射装置３６（図１３参照）から紫外線を照射し、接着剤２２を硬化させて、素子基板４とシンチレータ基板５とを確実に貼り合わせることによって（接着剤硬化工程：ステップＳ５）、放射線検出パネル３を製造する。
【０１０７】
このように接着剤硬化工程（ステップＳ５）を行って、シンチレータ基板５側から紫外線、すなわち接着剤２２を硬化させる波長の光を照射しても、シンチレータ基板５は光透過性のプラスチック基板５０１と光透過性の無機系薄膜５０２，５０３とにより構成されており、紫外線を透過することができるため、接着剤２２を硬化できない等の不都合が生じることがない。
【０１０８】
なお、本実施形態では、シンチレータ基板５やフィルム３２が紫外線を透過する材料で形成されているため、紫外線照射装置３６から照射された紫外線が接着剤２２に到達して、接着剤２２が確実に硬化する。しかしながら、フィルム３２やシンチレータ基板５を透過した紫外線が、シンチレータ６や光電変換素子１５などに到達すると、それらに悪影響を及ぼす場合がある。
【０１０９】
そのため、それを防止するために、シンチレータ基板５とシンチレータ６との間に、光（紫外線）を遮光する遮光層を形成することが好ましい。
なお、遮光層は、シンチレータ基板５とシンチレータ６との間ではなく、シンチレータ基板５とシンチレータ６との間に設けるとともに、シンチレータ基板５のシンチレータ６が設けられた面とは反対側の面側に形成することも可能である。また、遮光層は紫外線を遮光するが、放射線は透過するものであることが必要である。
【０１１０】
上記のようにして、素子基板４とシンチレータ基板５とが接着剤２２を介して減圧環境下で貼り合わされて内部空間Ｃが密閉され、接着剤２２全体が硬化すると、製造された放射線検出パネル３を大気圧中に移しても内部空間Ｃには外気が流入せず、内部空間Ｃの減圧状態が維持される。
【０１１１】
また、このように内部空間Ｃの減圧状態が維持されるため、素子基板４やシンチレータ基板５が大気圧でその厚さ方向に常時押圧される状態となる。そのため、図９に示したように、放射線検出パネル３を、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａやシンチレータ６＊の層状の蛍光体６ａの先端Ｐｂが、素子基板４上に形成された複数の光電変換素子１５やそれをパッシベーション層１７を介して被覆する平坦化層２１の表面に当接する状態に維持することが可能となる。
【０１１２】
そのため、放射線検出パネル３を、図２等に示したように筐体２内に収納して保持すれば、シンチレータ６，６＊が損傷されることのない状態で、蛍光体６ａの先端Ｐａ，Ｐｂと光電変換素子１５との距離を放射線検出パネル３の全域において均一にすることが可能となり、前述したような有効な機能を有する放射線検出パネル３を製造することが可能となる。
【０１１３】
さらに、製造された放射線検出パネル３を大気圧中に移しても、シンチレータ基板５の表面５ａが無機系薄膜５０２で形成されているため、この無機系薄膜５０２で、内部空間Ｃへの湿気（水蒸気）の流入を妨害することができる。
【０１１４】
また、シンチレータ基板５の表面５ａが無機系薄膜５０２で形成されており、接着剤２２で、素子基板４の表面４ａを形成するパッシベーション層１７と、シンチレータ基板５の表面５ａを形成する無機系薄膜５０２とを接着、すなわち無機物同士を接着することになるため、十分な接着性で素子基板４とシンチレータ基板５とを貼り合わせることができる。
【０１１５】
したがって、製造された放射線検出パネル３においては、外部から内部空間Ｃに湿気（水蒸気）が流入してシンチレータ６が劣化し易くなる、外部から内部空間Ｃに外部から内部空間Ｃに外気が流入して内部空間Ｃの減圧状態が維持できなくなり蛍光体６ａの先端Ｐａ，Ｐｂと光電変換素子１５との距離が放射線検出パネル３の全域において一様にならなくなる等の不都合が生じることがない。
【０１１６】
次に、本実施形態に係る放射線画像検出器１の製造方法について、図１７に示すフローチャートに基づいて説明する。
【０１１７】
まず、上記のようにして放射線検出パネル３の製造工程（ステップＳ１０）が終了すると、続いて、シンチレータ基板５と貼り合わされた素子基板４上に形成された入出力端子１８に、異方性導電接着フィルムを貼付したり異方性導電ペーストを塗布したりする等してＣＯＦ１９を圧着し（ＣＯＦ圧着工程：ステップＳ１１）、さらに、入出力端子１８とＣＯＦ１９との通電を検査する（ＣＯＦ通電検査工程：ステップＳ１２）。
【０１１８】
次いで、ＣＯＦ１９が素子基板４の裏面４ｂ側に引き回されてＰＣＢ基板９とＣＯＦ１９とが圧着されて接続され（ＰＣＢ基板圧着工程：ステップＳ１３）、素子基板４等における金属製の部材の露出部分等の腐食する可能性がある部分に対して腐食防止のためにシリコンゴムや樹脂を塗布する（腐食防止工程：ステップＳ１４）。
【０１１９】
次いで、上記のようにしてＣＯＦ１９やＰＣＢ基板９などが取り付けられた放射線検出パネル３に、図示しない支持台や基台などを固定してモジュール化した後（モジュール形成工程：ステップＳ１５）、そのモジュール化された放射線検出パネル３を筐体２内に収納して（モジュール収納工程：ステップＳ１６）、放射線画像検出器１を製造する。
【０１２０】
［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態に係る放射線検出パネル３、放射線画像検出器１、放射線検出パネル３の製造方法および放射線画像検出器１の製造方法について説明する。
なお、第２の実施の形態においては、接着剤２２およびシンチレータ基板５Ａの構成が第１の実施の形態と異なる。したがって、異なる箇所のみについて説明し、その他の共通する部分は同一符号を付して説明は省略する。
【０１２１】
［放射線検出パネルおよび放射線画像検出器］
まず、本実施形態に係る放射線検出パネル３および放射線画像検出器１の構成について説明する。
【０１２２】
なお、以下では、蛍光体６ａが柱状結晶構造を有するシンチレータ６を用いた放射線検出パネル３や放射線画像検出器１について説明するが、蛍光体６ａが層状に形成されたシンチレータ６＊を用いた放射線検出パネル３や放射線画像検出器１についても同様に説明され、本発明が適用される。
【０１２３】
まず、本実施形態では、接着剤２２は、加熱することにより硬化する熱硬化型の接着剤、或いは、光を照射すると硬化する光硬化型の接着剤であり、防湿性の高いシールが形成できる等の観点から、エポキシ系樹脂を用いた接着剤や、アクリル系樹脂を用いた接着剤が好ましく用いられる。
熱硬化型の接着剤としては、例えば、熱硬化性樹脂を用いた接着剤やさらに硬化促進剤等が添加された接着剤などを用いることが可能である。
また、光硬化型の接着剤としては、例えば、光開始剤や光重合性化合物などを含む紫外線硬化型樹脂等を用いることが可能である。
なお、以下では、接着剤２２として光硬化型の接着剤の一種である紫外線硬化型の接着剤を用いた場合について説明するが、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【０１２４】
また、本実施形態では、シンチレータ基板（第２の基板）５Ａは、例えば、図１８に示すように、シンチレータ６が一方の面に形成され、素子基板（第１の基板）４よりも薄いガラス基板５０４と、ガラス基板５０４の他方の面に接着されたプラスチック基板５０５と、ガラス基板５０４とプラスチック基板５０５とを接着する接着層５０６と、を備えて構成されている。
【０１２５】
ガラス基板５０４としては、厚みが素子基板４の半分以下、すなわち厚みが０．３ｍｍ以下の透明なガラス基板が好ましく用いられる。
なお、ガラス基板５０４の厚みは、素子基板４よりも薄く、かつ、シンチレータ基板５Ａが素子基板４よりも軽量であれば、０．３ｍｍ以下に限定されるものではない。
また、ガラス基板５０４は、少なくとも放射線と光硬化型の接着剤である接着剤２２を硬化させる波長の光とを透過できる基板であれば、透明な基板に限定されるものではない。
また、ガラス基板５０４は、接着剤２２が光硬化型の接着剤でない場合、少なくとも放射線を透過できればよい。
【０１２６】
また、プラスチック基板５０５としては、ＰＥＴ、アクリル、ナイロン、ポリカーボネート等の透明な樹脂基板（プラスチック基板）が好ましく用いられる。
なお、プラスチック基板５０５は、フレキシブルなフィルム状の基板であってもよいし、リジッドな板状の基板であってもよい。
また、プラスチック基板５０５の厚みは、素子基板４とシンチレータ基板５Ａとを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板５Ａに割れや亀裂などが入ることを防止でき、かつ、シンチレータ基板５Ａが素子基板４よりも軽量であれば、特に限定されるものではない。
また、プラスチック基板５０５は、少なくとも放射線と光硬化型の接着剤である接着剤２２を硬化させる波長の光とを透過できる基板であれば、透明な基板に限定されるものではない。
また、プラスチック基板５０５は、接着剤２２が光硬化型の接着剤でない場合、少なくとも放射線を透過できればよい。
【０１２７】
また、接着層５０６としては、ガラス基板５０４とプラスチック基板５０５とを貼り合わせることができる透明な接着層が好ましく用いられる。
なお、接着層５０６は、少なくとも放射線と光硬化型の接着剤である接着剤２２を硬化させる波長の光とを透過できる層であれば、透明な層に限定されるものではない。
また、接着層５０６、接着剤２２が光硬化型の接着剤でない場合、少なくとも放射線を透過できればよい。
【０１２８】
ここで、ガラス基板５０４に貼り付けられたプラスチック基板５０５は、シンチレータ基板５Ａを、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重に耐え得る基板とするために設けられたものである。
したがって、素子基板４とシンチレータ基板５Ａとが貼り合わされた後であれば、例えば、図１９に示すように、プラスチック基板５０５を接着層５０６とともにガラス基板５０４から剥離してもよい。
【０１２９】
この場合、接着層５０６として、紫外線を照射すると接着力が低下する紫外線剥離型の接着剤からなる接着層や、加熱すると接着力が低下する熱剥離型の接着剤からなる接着層などの、所定条件が付与されると接着力が低下する接着層を採用すれば、プラスチック基板５０５をガラス基板５０４から容易に剥離することが可能となる。
【０１３０】
次に、本実施形態に係る放射線検出パネル３や放射線画像検出器１の作用について説明する。
【０１３１】
本実施形態では、放射線検出パネル３の軽量化を図るために、シンチレータ基板５Ａとして、素子基板４よりも薄く軽量な薄型のガラス基板５０４を用いるようにした。
この場合、単にシンチレータ基板として薄型のガラス基板５０４を用いるだけでは、薄型のガラス基板５０４は壊れ易いため、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板に割れや亀裂などが入る等の不都合が生じてしまう。
【０１３２】
これに対し、本実施形態では、ガラス基板５０４に、ガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板５０５が貼り付けられているため、シンチレータ基板５Ａは素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重に耐えることができる。
【０１３３】
なお、この他の点は第１の実施の形態で示したものと同様であるので、その説明は省略する。
【０１３４】
以上説明した第２の実施の形態に係る放射線検出パネル３および放射線画像検出器１によれば、シンチレータ基板（第２の基板）５Ａは、シンチレータ６が一方の面に形成され、素子基板（第１の基板）４よりも薄いガラス基板５０４と、ガラス基板５０４の他方の面に接着されたプラスチック基板５０５と、ガラス基板５０４とプラスチック基板５０５とを接着する接着層５０６と、を備えて構成されている。
すなわち、シンチレータ基板５Ａとして、素子基板４よりも薄く軽量な薄型のガラス基板５０４を用いているため、素子基板とシンチレータ基板とが同じ厚みのガラス基板で構成されている場合と比較して、放射線検出パネル３を軽量化することができる。
【０１３５】
また、このように放射線検出パネル３の軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器１が可搬型に構成されている場合は特に、放射線画像検出器１の持ち運びをより容易なものとすることが可能となる。
また、このように放射線検出パネル３の軽量化を図ることができるため、放射線画像検出器１の落下強度を向上させることが可能となる。
【０１３６】
また、薄型のガラス基板５０４は壊れ易いが、本実施形態におけるシンチレータ基板５は、ガラス基板５０４にガラス基板よりも脆性が低く壊れ難いプラスチック基板５０５が貼り付けられて形成されており、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重に耐え得る構成となっているため、素子基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる際の荷重によってシンチレータ基板５Ａに割れや亀裂などが入る等の不都合の発生を防止することが可能となる。
【０１３７】
また、シンチレータ基板として単にプラスチック基板を用いると、シンチレータ基板の防湿性が低い、素子基板とシンチレータ基板とを十分な接着性で貼り合わせることができない等の影響で、外部から内部空間Ｃに湿気（水蒸気）が流入してシンチレータ６が劣化してしまったり、外部から内部空間Ｃに外気が流入して内部空間Ｃの減圧状態が維持できなくなり蛍光体６ａの先端Ｐａ，Ｐｂと光電変換素子１５との距離が放射線検出パネル３の全域において一様にならなくなってしまったりする虞がある。これに対し、本実施形態では、シンチレータ基板５Ａのシンチレータ６側はガラス基板５０４であり、無機系材料で形成されているため、シンチレータ６が劣化し易くなる、蛍光体６ａの先端Ｐａ，Ｐｂと光電変換素子１５との距離が放射線検出パネル３の全域において一様にならなくなる等の不都合の発生を防止することが可能となる。
【０１３８】
また、シンチレータ基板として光を透過することができない基板を用いると、素子基板とシンチレータ基板との貼り合わせに接着剤２２として光硬化型の接着剤を使用できないが、本実施形態では、シンチレータ基板５Ａを光透過性のガラス基板５０４と光透過性のプラスチック基板５０５と光透過性の接着層５０６とにより構成可能であるため、素子基板とシンチレータ基板との貼り合わせに光硬化型の接着剤を使用できない等の不都合の発生を防止することが可能となる。
【０１３９】
また、本実施形態では、シンチレータ基板（第２の基板）５Ａは、さらに、ガラス基板５０４とプラスチック基板５０５とを剥離可能に接着する接着層５０６を備えて構成されている。
したがって、ガラス基板５０４とプラスチック基板５０５とが剥離可能であるため、素子基板４とシンチレータ基板５Ａとを貼り合わせた後、ガラス基板５０４からプラスチック基板５０５を剥離することによって、シンチレータ基板５Ａをガラス基板５０４のみから構成されたものとすることができる。
【０１４０】
［放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法］
次に、本実施形態に係る放射線検出パネル３の製造方法および放射線画像検出器１の製造方法について説明する。
【０１４１】
なお、以下では、蛍光体６ａが柱状結晶構造を有するシンチレータ６を用いた放射線検出パネル３や放射線画像検出器１の製造方法について説明するが、蛍光体６ａが層状に形成されたシンチレータ６＊を用いた放射線検出パネル３や放射線画像検出器１の製造方法についても同様に説明され、本発明が適用される。
【０１４２】
まず、本実施形態に係る放射線検出パネル３の製造方法について、図２０に示すフローチャートに基づいて説明する。
【０１４３】
まず、接着剤配置工程（ステップＳ１）を行うが、接着剤配置工程（ステップＳ１）〜接着剤硬化工程（ステップＳ５）は、図１１のフローチャートで示した第１の実施の形態に係る放射線検出パネル３の製造方法における接着剤配置工程（ステップＳ１）〜接着剤硬化工程（ステップＳ５）と同一であるため、詳細な説明は省略する。
【０１４４】
素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分、或いは、シンチレータ基板５Ａのシンチレータ６の周囲の部分に、複数のスペーサＳを含む接着剤２２を配置する（接着剤配置工程：ステップＳ１）と、接着剤２２を介して、素子基板４とシンチレータ基板５Ａとを、複数の光電変換素子１５とシンチレータ６とが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程（ステップＳ２）と、放射線検出パネル３のシンチレータ基板５の上方側からシンチレータ基板５を被覆するようにフィルム３２を載置するフィルム載置工程（ステップＳ３）と、素子基板４、シンチレータ基板５Ａおよび接着剤２２により形成される内部空間Ｃを減圧して、素子基板４とシンチレータ基板５Ａとを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程（ステップＳ４）と、素子基板４とシンチレータ基板５Ａとが貼り合わされた状態で、接着剤２２を硬化させる接着剤硬化工程（ステップＳ５）と、を行うことによってガラス基板５０４にプラスチック基板５０５が貼り付けられた状態の放射線検出パネル３（図１８参照）を製造する。
【０１４５】
そして、ガラス基板５０４からプラスチック基板５０５が剥離された状態の放射線検出パネル３（図１９参照）を製造する場合は、さらに、接着剤硬化工程（ステップＳ５）の後、プラスチック基板５０５をガラス基板５０４から剥離する剥離工程（ステップＳ６）を行う。これより、ガラス基板５０４から接着層５０６とともにプラスチック基板５０５が剥離された状態の放射線検出パネル３を製造することができる。
【０１４６】
この剥離工程（ステップＳ６）では、接着層５０６が、紫外線剥離型の接着剤からなる接着層であれば、ガラス基板５０４にプラスチック基板５０５が貼り付けられた状態の放射線検出パネル３（図１８参照）に、例えばシンチレータ基板５Ａの裏面５ｂ側から紫外線を照射することにより、接着層５０６の接着力を低下させて、プラスチック基板５０５をガラス基板５０４から剥離する。
【０１４７】
また、接着層５０６が、熱剥離型の接着剤からなる接着層であれば、ガラス基板５０４にプラスチック基板５０５が貼り付けられた状態の放射線検出パネル３（図１８参照）を加熱することにより、接着層５０６の接着力を低下させて、プラスチック基板５０５をガラス基板５０４から剥離する。
【０１４８】
また、第２の実施の形態の放射線画像検出器１の製造方法は、図１７のフローチャートで示した第１の実施の形態に係る放射線画像検出器１の製造方法と同一であるため、説明は省略する。
【０１４９】
以上説明した第２の実施の形態に係る放射線検出パネル３の製造方法や放射線画像検出器１の製造方法によれば、接着剤硬化工程（ステップＳ５）の後、プラスチック基板５０５をガラス基板５０４から剥離する剥離工程（ステップＳ６）を行ってもよい。
したがって、接着剤硬化工程（ステップＳ５）の後に剥離工程（ステップＳ６）を行うことで、素子基板４とシンチレータ基板５Ａとを貼り合わせた後、ガラス基板５０４からプラスチック基板５０５を剥離することができるため、放射線検出パネル３が備えるシンチレータ基板５Ａをガラス基板５０４のみから構成されたものとすることが可能となる。
【０１５０】
［第３の実施の形態］
次に、第３の実施の形態に係る放射線画像検出器１００１について説明する。
【０１５１】
なお、以下では、放射線画像検出器（放射線画像撮影装置）が、持ち運び可能な可搬型（すなわちいわゆるカセッテ型）である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像検出器に対しても適用される。
【０１５２】
図２１は、本実施形態に係る放射線画像検出器の外観斜視図であり、図２２は、図２１のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。本実施形態では、放射線画像検出器１００１は、図２１や図２２に示すように、筐体１００２内にシンチレータ１００３や第１基板１００４等が収納されて構成されている。
【０１５３】
筐体１００２は、少なくとも放射線入射面Ｘが放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図２１や図２２では、筐体１００２がフレーム板１００２Ａとバック板１００２Ｂとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体１００２を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
【０１５４】
また、図２１に示すように、筐体１００２の側面部分には、電源スイッチ１０３６や、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ１０３７、バッテリ１０２４（図２６参照）の交換等のために開閉可能とされた蓋部材１０３８等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材１０３８の側面部には、図示しない外部装置と無線で通信するための通信手段であるアンテナ装置１０３９が埋め込まれている。
【０１５５】
また、図２２に示すように、筐体１００２の内部には、第１の基板１００４（以下第１基板１００４という。）の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台１０３１が配置され、基台１０３１には、電子部品１０３２等が配設されたＰＣＢ基板１０３３や緩衝部材１０３４等が取り付けられている。なお、本実施形態では、第１基板１００４やシンチレータ１００３の放射線入射面Ｘには、それらを保護するための第２の基板１０３５（以下第２基板１０３５という。）が配設されている。
【０１５６】
本実施形態では、シンチレータ１００３は、図２３の拡大図に示すように、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持膜１００３ｂの上に、例えば気相成長法により蛍光体１００３ａを成長させて形成されたものであり、蛍光体１００３ａの柱状結晶からなっている。
【０１５７】
シンチレータ１００３は、入射した放射線を別の波長の光に変換するものであり、蛍光体を主たる成分とする。具体的には、本実施形態では、シンチレータ１００３として、Ｘ線等の放射線が入射すると、波長が３００ｎｍ〜８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光を中心として紫外光から赤外光にわたる光を出力するものが用いられるようになっている。
【０１５８】
本実施形態では、シンチレータ１００３の蛍光体１００３ａは、ハロゲン化物を含有する材料で形成されており、特にＣｓＩ：Ｔｌ等の母体材料内に発光中心物質が付活されたものが好ましく用いられる。
【０１５９】
そして、本実施形態では、蛍光体１００３ａを支持膜１００３ｂ上に互いに独立した細長い柱状結晶として形成されており、蛍光体１００３ａの各柱状結晶は、支持膜１００３ｂ付近では太く、先端（図２３中では下側の端部）Ｐａに向かうに従って細くなっていき、先端Ｐａは鋭角状の略円錐形状となるように成長して形成されるようになっている。
【０１６０】
なお、シンチレータ１００３は、上記のように蛍光体１００３ａが柱状結晶として形成される場合に限定されず、本発明は、シンチレータ１００３が、例えば支持膜１００３ｂ上や第２基板１０３５の面上に塗布したペースト状の蛍光体１００３ａを硬化させて形成されたシンチレータ等である場合についても適用される。
【０１６１】
本実施形態では、シンチレータ１００３は、蛍光体１００３ａの柱状結晶の鋭角状の先端Ｐａが下側、すなわち第１基板１００４側を向くように配置され、支持膜１００３ｂが第２基板１０３５に貼付されることにより、シンチレータ１００３が第２基板１０３５に固定されるようになっている。
【０１６２】
なお、本実施形態では、第２基板１０３５は、後述する第１基板１００４と同様にガラス基板で構成されている。これは、第１基板１００４と第２基板１０３５は周囲の温度によってそれぞれ膨張するが、その際、互いの熱膨張係数が異なるものであると、温度によって貼り合わせた両方の基板１００４、１０３５が撓む等の問題が生じる。この問題を回避するために、本実施形態では、上記のように両方の基板１００４、１０３５を同じ材質のガラス基板としているが、少なくとも、第１基板１００４と第２基板１０３５とが同等の熱膨張係数を有する材料で構成されていることが好ましい。
【０１６３】
第１基板１００４は、本実施形態では、上記のようにガラス基板で構成されており、図２４に示すように、第１基板１００４のシンチレータ１００３に対向する側の面１００４ａ上には、複数の走査線１００５と複数の信号線１００６とが互いに交差するように配設されている。第１基板１００４の面１００４ａ上の複数の走査線１００５と複数の信号線１００６により区画された各小領域ｒには、光電変換素子（放射線検出素子）１００７がそれぞれ設けられている。
【０１６４】
このように、走査線１００５と信号線１００６で区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の光電変換素子１００７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図２４に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【０１６５】
本実施形態では、光電変換素子１００７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各光電変換素子１００７は、スイッチ手段であるＴＦＴ１００８のソース電極に接続されている。また、ＴＦＴ１００８のドレイン電極は信号線１００６に接続されている。
【０１６６】
そして、ＴＦＴ１００８は、後述する走査駆動手段１０１５から走査線１００５を介してゲート電極にオン電圧が印加されるとオン状態となり、光電変換素子１００７内に蓄積されている電荷を信号線１００６に放出させるようになっている。また、ＴＦＴ１００８は接続された走査線１００５にオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、光電変換素子１００７から信号線１００６への電荷の放出を停止して光電変換素子１００７内に電荷を保持するようになっている。
【０１６７】
本実施形態では、列状に配置された複数の光電変換素子１００７にそれぞれバイアス線１００９が接続されており、各バイアス線１００９は、第１基板１００４の検出部Ｐの外側の位置で１本の結線１０１０に結束されている。
【０１６８】
また、各走査線１００５や各信号線１００６、バイアス線１００９の結線１０１０は、それぞれ第１基板１００４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう）１０１１に接続されている。各入出力端子１０１１には、図２５に示すように、ＩＣ１０１２ａ等のチップが組み込まれたＣＯＦ（Chip On Film）１０１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１０１３を介して接続されている。
【０１６９】
また、ＣＯＦ１０１２は、第１基板１００４の裏面１００４ｂ側に引き回され、裏面１００４ｂ側で前述したＰＣＢ基板１０３３に接続されるようになっている。本実施形態では、このようにして、放射線画像検出器１００１の第１基板１００４部分が形成されている。
【０１７０】
なお、図２５では、電子部品１０３２等の図示が省略されている。また、本実施形態では、走査線１００５や信号線１００６、バイアス線１００９等は、アルミニウム或いはアルミニウムを含む合金で形成されている。
【０１７１】
ここで、図２６を用いて放射線画像検出器１００１の回路構成について説明する。
【０１７２】
各光電変換素子１００７の第１基板１００４に近い側には下部電極１００７ｂが設けられ、第１基板１００４から遠い側には上部電極１００７ａが設けられている。そして、各光電変換素子１００７の上部電極１００７ａにはそれぞれバイアス線１００９が接続されており、各バイアス線１００９は結線１０１０に結束されてバイアス電源１０１４に接続されている。各バイアス線１００９は、バイアス電源１０１４からバイアス電圧（本実施形態では逆バイアス電圧）をそれぞれ各光電変換素子１００７の上部電極１００７ａに供給するようになっている。
【０１７３】
また、各光電変換素子１００７の下部電極１００７ｂはＴＦＴ１００８のソース電極１００８ｓ（図２６中ではＳと表記されている。）に接続されており、各ＴＦＴ１００８のゲート電極１００８ｇ（図２６中ではＧと表記されている。）は、走査駆動手段１０１５のゲートドライバ１０１５ｂから延びる走査線１００５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ１００８のドレイン電極１００８ｄ（図２６中ではＤと表記されている。）は各信号線１００６にそれぞれ接続されている。
【０１７４】
走査駆動手段１０１５は、ゲートドライバ１０１５ｂにオン電圧やオフ電圧を供給する電源回路１０１５ａと、走査線１００５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えるゲートドライバ１０１５ｂとを備えている。ゲートドライバ１０１５ｂは、前述したように、走査線１００５の各ラインＬ１〜Ｌｘを介してＴＦＴ１００８のゲート電極１００８ｇに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各ＴＦＴ１００８のオン状態とオフ状態とを制御するようになっている。
【０１７５】
また、各信号線１００６は、読み出しＩＣ１０１６内に形成された各読み出し回路１０１７にそれぞれ接続されている。読み出し回路１０１７は、増幅回路１０１８と、相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling）回路１０１９等で構成されている。
【０１７６】
そして、例えば、放射線画像撮影の際、被写体を介して放射線画像検出器１００１に放射線が照射されると、シンチレータ１００３で放射線が所定の波長の電磁波に変換されて、その直下の光電変換素子１００７に照射される。そして、光電変換素子１００７内では、照射された放射線の線量（電磁波の光量）に応じて電荷（電気信号）が発生する。
【０１７７】
各光電変換素子１００７からの電荷の読み出し処理においては、走査駆動手段１０１５のゲートドライバ１０１５ｂから走査線１００５の各ラインＬ１〜Ｌｘを介してゲート電極１００８ｇにオン電圧が印加されたＴＦＴ１００８がオン状態となり、光電変換素子１００７から信号線１００６に電荷が放出される。
【０１７８】
そして、光電変換素子１００７から放出された電荷量に応じて増幅回路１０１８から電圧値が出力され、それを相関二重サンプリング回路１０１９で相関二重サンプリングしてアナログ値の画像データがマルチプレクサ１０２１に出力される。マルチプレクサ１０２１から順次出力された画像データは、Ａ／Ｄ変換器１０２０で順次デジタル値の画像データに変換され、記憶手段１０２３に出力されて順次保存されるようになっている。
【０１７９】
制御手段１０２２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。制御手段１０２２は、放射線画像検出器１００１の各部材の動作等を制御するようになっている。
【０１８０】
制御手段１０２２には、ＤＲＡＭ（Dynamic ＲＡＭ）等で構成される記憶手段１０２３や、放射線画像検出器１００１の各機能部に電力を供給するバッテリ１０２４が接続されている。また、制御手段１０２２には、前述したアンテナ装置１０３９が接続されており、また、図示を省略するが、前述した電源スイッチ１０３６やインジケータ１０３７等（図２１参照）が接続されている。
【０１８１】
ところで、本実施形態では、図２７の拡大された断面図に示すように、第１基板１００４の第２基板１０３５に対向する側の面、すなわち前述した第１基板１００４の表面１００４ａは、当該表面１００４ａ上に形成された光電変換素子１００７や走査線１００５、信号線１００６、バイアス線１００９、結線１０１０等の配線（以下、それらを総称して配線１０５０という。）を防護するための無機層１０５１で被覆されている。
【０１８２】
本実施形態では、無機層１０５１は窒化珪素（ＳｉＮ）を主成分とする無機材料で形成されている。なお、本実施形態では、無機層１０５１は、図２４に示した第１基板１００４の表面１００４ａのうち、ＣＯＦ１０１２（図２５参照）が接続される入出力端子１０１１の部分以外の全ての部分を被覆するように形成されている。
【０１８３】
また、無機層１０５１の第２基板１０３５側の表面には、各光電変換素子１００７や配線１０５０によって生じている無機層１０５１の表面の凹凸を平坦にするための平坦化層１０５２が形成されている。本実施形態では、平坦化層１０５２は、アクリル系の樹脂が無機層１０５１上に積層され、それが硬化されて形成されている。
【０１８４】
そして、図２７や図２８に示すように、前述したように蛍光体１００３ａの先端Ｐａが第１基板１００４側を向くように配置され固定された第２基板１０３５が、シンチレータ１００３の蛍光体１００３ａの先端Ｐａが第１基板１００４上に形成された平坦化層１０５２の表面に当接する状態で第１基板１００４上に配置されるようになっている。しかし、本実施形態では、シンチレータ１００３の蛍光体１００３ａと平坦化層１０５２とは直接的には接着されていない。なお、図２８では、無機層１０５１の図示が省略されている。
【０１８５】
本実施形態では、図２８に示すように、第１基板１００４と第２基板１０３５とは、第１の基板１００４と第２の基板１０３５との間の、検出部Ｐやシンチレータ１００３の外側の位置で接着剤１０５３により接着されている。
【０１８６】
そして、本実施形態では、第１基板１００４と第２基板１０３５と接着剤１０５３で包囲された内部空間Ｃが外部の大気圧より減圧された状態で第１基板１００４と第２基板１０３５が接着剤１０５３で貼り合わされるようになっており、それにより、第１基板１００４と第２基板１０３５が外気圧で外側から押圧されて、シンチレータ１００３の蛍光体１００３ａが平坦化層１０５２に当接（或いは圧接）した状態が維持されるようになっている。
【０１８７】
また、図２８に示すように、平坦化層１０５２は、各光電変換素子１００７等が形成された検出部Ｐの外側の位置まで延設され形成されており、接着剤１０５３は、少なくとも平坦化層１０５２の延在方向（すなわち図中では左右方向）の端面１０５２ａを被覆するように配置されている。
【０１８８】
本実施形態では、接着剤１０５３は、防湿性を有する材料で形成されており、特にエポキシ系の樹脂が好ましく用いられる。また、本実施形態では、接着剤１０５３は、光（特に紫外線）が照射されることにより硬化する光硬化型（紫外線硬化型）の接着剤が用いられているが、これに限定されず、例えば加熱することにより硬化する熱硬化型の接着剤等を用いることも可能である。また、接着剤１０５３として光硬化型の接着剤を用いる場合には、光開始剤や光重合性化合物等のほか、硬化促進剤等を含有する接着等を用いることが可能である。
【０１８９】
なお、図２４や図２５に入出力端子１０１１は、図２８では図示が省略されており、接着剤１０５３のさらに外側の第１基板１００４上に配置されるようになっている。すなわち、接着剤１０５３は、図２４では、検出部Ｐの端部と各入出力端子１０１１との間に配置されるようになっており、検出部Ｐの端部と各入出力端子１０１１との間隔は、実際には接着剤１０５３が配置される分だけ図２４に記載した間隔よりも広く設計される。
【０１９０】
次に、本実施形態に係る放射線画像検出器１００１の作用について説明する。
【０１９１】
本実施形態では、上記のように、配線１０５０等が無機層１０５１（図２７参照）で被覆されている。しかし、前述したように、無機層１０５１を緻密に、すなわち小孔がない全くない状態に形成したり、分厚く形成したりすると、無機層１０５１内に生じる応力のために第１基板１００４等に曲がり等の変形が生じてしまう。
【０１９２】
そのため、本実施形態においても、無機層１０５１は、顕微鏡レベルの無数の小孔を有する状態に形成されており、仮に内部空間Ｃに湿気を含む空気が入り込んでシンチレータ１００３の蛍光体１００３ａが潮解した場合には、無機層１０５１自体では、蛍光体１００３ａから溶け出したハロゲンを含む成分が配線１０５０に到達することを確実に防止することはできず、アルミニウム等で形成された走査線１００５や信号線１００６、バイアス線１００９等の配線１０５０がハロゲンを含む成分で腐食されることを防止することができない。
【０１９３】
すなわち、放射線画像検出器１００を例えば図３０に示したように構成し、例えばシンチレータ１０７の蛍光体１０６をハロゲン化物を含有する材料で形成したような場合、各基板１０１、１０５と接着剤１０８で包囲され各光電変換素子１０２やシンチレータ１０７が内包された内部空間Ｃに湿気を含む空気が入り込むと、蛍光体１０６が潮解してハロゲンを含む成分が溶け出して、アルミニウム等で形成された信号線等の配線１０３を腐食する場合がある。そして、配線１０３が腐食されると断線する等して、放射線画像検出器１００が設計通りに機能しなくなる場合がある。
【０１９４】
このような現象が生じることを防止するために、例えば基板１０１上に設けられた各光電変換素子１０２や配線１０３等を図示しない無機層等で被覆し、その上側に平坦化層１０３を形成するように構成される場合もある。しかし、上記のように蛍光体１０６から溶け出したハロゲンを含む成分が配線１０３等に到達しないようにするために、無機層を緻密に（すなわち小孔がない全くない状態で）形成したり分厚く形成したりすると、無機層内に生じる応力のために、基板１０１に曲がり等の変形が生じてしまう場合がある。
【０１９５】
そのため、各光電変換素子１０２や配線１０３を無機層で被覆するように構成するとしても、無機層を必要以上に緻密に形成したり分厚く形成することができず、無機層が顕微鏡レベルの小孔を有する状態にしか形成することができない。そのため、通常、配線１０３等を被覆する無機層を形成するだけでは、蛍光体１０６から溶け出したハロゲンを含む成分が配線１０３に到達することを確実に防止することができない。
【０１９６】
しかし、本実施形態では、上記のように、平坦化層１０５２が、各光電変換素子１００７等が形成された検出部Ｐ（図２４や図２６等参照）の外側の位置まで延設され形成されており、接着剤１０５３の下方の位置まで延設されている。そのため、図２８に示したように、少なくとも内部空間Ｃ内では、配線１０５０や光電変換素子１００７は、無機層１０５１の上方からさらに平坦化層１０５２で被覆された状態になっている。
【０１９７】
そのため、上記のように仮に内部空間Ｃに湿気を含む空気が入り込んでシンチレータ１００３の蛍光体１００３ａが潮解してハロゲンを含む成分が蛍光体１００３ａから溶け出したとしても、平坦化層１０５２によりその成分が配線１０５０等に到達することが阻止される。このように、本実施形態では、平坦化層１０５２がハロゲンを含む成分等から配線１０５０等を的確に防護して、ハロゲンを含む成分等により配線１０５０が腐食されることを確実に防止することが可能となる。
【０１９８】
一方、このように平坦化層１０５２で配線１０５０を防護することができるため、これを敷衍して、平坦化層１０５２を第１基板１００４のさらに広い範囲を被覆するように設けることが考えられる。
【０１９９】
しかし、このように構成すると、例えば図２９に示すように、平坦化層１０５２が接着剤１０５３の外側まで延在するようになるが、この状態では、今度は、アクリル系の樹脂等で形成された平坦化層１０５２を介して、すなわち平坦化層１０５２内を通って、外気中の水分が内部空間Ｃに入り込んでしまう場合がある。上記のように、第１基板１００４と第２基板１０３５と接着剤１０５３で包囲された内部空間Ｃが外部の大気圧より減圧された状態である場合には、この平坦化層１０５２を介した外気中の水分の流入が、より生じ易くなる。
【０２００】
そして、このように外気中の水分が内部空間Ｃ内に流入すると、内部空間Ｃ内の空気が湿気を帯びるようになり、シンチレータ１００３の蛍光体１００３ａが潮解し易くなる。すなわち、図２９に示したように平坦化層１０５２が接着剤１０５３の外側まで延在するように設けると、接着剤１０５３の外側まで延設された平坦化層１０５２の存在により、蛍光体１００３ａからハロゲンを含む成分が溶け出すそもそもの原因であるシンチレータ１００３の蛍光体１００３ａの潮解を、逆に助長してしまうことになる。
【０２０１】
それに対して、本実施形態（図２８参照）のように、平坦化層１０５２を、各光電変換素子１００７等が形成された検出部Ｐの外側からさらに外側の接着剤１０５３の下方の位置まで延設させるが、接着剤１０５３の外側までは延設させず、接着剤１０５３を平坦化層１０５２の延在方向の端面１０５２ａを被覆するように配置されるように構成することで、平坦化層１０５２が外気に触れないようにすることができる。
【０２０２】
そのため、上記のように、平坦化層１０５２によりハロゲンを含む成分が配線１０５０等に到達して配線１０５０を腐食することを確実に阻止することが可能となるだけでなく、平坦化層１０５２を介して外気中の水分が内部空間Ｃに入り込むことが的確に防止されるため、ハロゲンを含む成分が溶け出すそもそもの原因であるシンチレータ１００３の蛍光体１００３ａの潮解が生じることを的確に防止することが可能となる。
【０２０３】
その際、上記の本実施形態のように、接着剤１０５３をエポキシ系の樹脂等の防湿性を有する材料で形成すれば、外気中の水分が接着剤１０５３や平坦化層１０５２を介して内部空間Ｃに入り込むことも確実に防止されるようになるため、より好ましい。
【０２０４】
以上説明した第３の実施の形態に係る放射線画像検出器１００１によれば、検出部Ｐに形成された光電変換素子１００７や、走査線１００５や信号線１００６、バイアス線１００９、結線１０１０等の配線１０５０等を被覆するように積層されて形成された有機物からなる平坦化層１０５２を、検出部Ｐの外側の位置まで延設するとともに、接着剤１０５３で少なくとも平坦化層１０５２の延在方向の端面１０５２ａ（図２８参照）を被覆するように構成した。
【０２０５】
そのため、仮に内部空間Ｃに湿気を含む空気が入り込んでシンチレータ１００３の蛍光体１００３ａが潮解してハロゲンを含む成分が溶け出したとしても、平坦化層１０５２によりハロゲンを含む成分等が配線１０５０等に到達することが阻止される。そのため、平坦化層１０５２により配線１０５０等が的確に防護されて、ハロゲンを含む成分等により配線１０５０が腐食されることを確実に防止することが可能となる。
【０２０６】
また、接着剤１０５３が、平坦化層１０５２の延在方向の端面１０５２ａを被覆するように配置されるため、外気中の水分が平坦化層１０５２を介して内部空間Ｃに入り込むことが防止される。そのため、シンチレータ１００３の蛍光体１００３ａからハロゲンを含む成分が溶け出すそもそもの原因である蛍光体１００３ａの潮解が発生することを的確に防止することが可能となり、ハロゲンを含む成分等により配線１０５０が腐食されることをさらに確実に防止することが可能となる。
【０２０７】
なお、上記のように有機物からなる平坦化層１０５２を無機層１０５１に積層して設ける場合、両者の密着性が必ずしも強くなるように形成できない場合がある。しかし、本実施形態のように、平坦化層１０５２を、検出部Ｐの外側の位置まで延設するとともに、接着剤１０５３で少なくとも平坦化層１０５２の延在方向の端面１０５２ａを被覆するように構成すれば、接着剤１０５３と平坦化層１０５２が密着し、また、接着剤１０５３と無機層１０５１が密着する。
【０２０８】
そのため、接着剤１０５３により平坦化層１０５２と無機層１０５１との密着性を補強することが可能となり、平坦化層１０５２が無機層１０５１から剥がれてしまうことを確実に防止することが可能となるといった効果もある。
【０２０９】
なお、本発明は上記の各実施形態に限定されず、本発明の趣旨から逸脱しない限り、適宜変更可能であることはいうまでもない。
また、上記の各実施形態の構成を組み合わせて適用しても良い。すなわち、第１の実施の形態と第３の実施の形態とを組み合わせることも可能であるし、第２の実施の形態と第３の実施の形態とを組み合わせることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０２１０】
放射線画像撮影を行う分野（特に医療分野）において利用可能性がある。
【符号の説明】
【０２１１】
１，１００１  放射線画像検出器
３  放射線検出パネル
４  素子基板（第１の基板）
４ａ  表面
５，５Ａ  シンチレータ基板（第２の基板）
５ａ  表面
５ｂ  裏面
６，６＊，１００３  シンチレータ
１５，１００７  光電変換素子
２２，１０５３  接着剤
５０１  プラスチック基板
５０２  無機系薄膜
５０３  無機系薄膜
５０４  ガラス基板
５０５  プラスチック基板
５０６  接着層
１００３ａ  蛍光体
１００４  第１基板（第１の基板）
１００４ａ  表面（第１の基板の第２の基板に対向する側の面）
１００５  走査線
１００６  信号線
１０３５  第２基板（第２の基板）
１０５１  無機層
１０５２  平坦化層
１０５２ａ  端面
Ｃ  内部空間
Ｐ  検出部
ｒ  領域
【図１】
2011108156.tif 000003
【図２】
2011108156.tif 000004
【図３】
2011108156.tif 000005
【図４】
2011108156.tif 000006
【図５】
2011108156.tif 000007
【図６】
2011108156.tif 000008
【図７】
2011108156.tif 000009
【図８Ａ】
2011108156.tif 000010
【図８Ｂ】
2011108156.tif 000011
【図９】
2011108156.tif 000012
【図１０】
2011108156.tif 000013
【図１１】
2011108156.tif 000014
【図１２】
2011108156.tif 000015
【図１３】
2011108156.tif 000016
【図１４】
2011108156.tif 000017
【図１５】
2011108156.tif 000018
【図１６】
2011108156.tif 000019
【図１７】
2011108156.tif 000020
【図１８】
2011108156.tif 000021
【図１９】
2011108156.tif 000022
【図２０】
2011108156.tif 000023
【図２１】
2011108156.tif 000024
【図２２】
2011108156.tif 000025
【図２３】
2011108156.tif 000026
【図２４】
2011108156.tif 000027
【図２５】
2011108156.tif 000028
【図２６】
2011108156.tif 000029
【図２７】
2011108156.tif 000030
【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【国際調査報告】
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