【手続補正書】
【提出日】令和2年5月13日(2020.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層を有する第１の部材と、第２の部材とを有する電子部品の製造方法であって、
前記第１の部材の金属層上に、ニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層を形成し、
前記ニッケル（Ｎｉ）めっき層上又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層上に、銅（Ｃｕ）めっき層を形成し、
前記銅（Ｃｕ）めっき層と、前記第２の部材との間に、すず（Ｓｎ）を含む半田材料を配し、
前記半田材料を溶融させた後、凝固させることにより、前記ニッケル（Ｎｉ）めっき層側又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層側に、銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）−すず（Ｓｎ）を含む合金層を有し、銅（Ｃｕ）を０．５質量％以上２質量％以下含む接合部分を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
銅（Ｃｕ）層を有する第１の部材と、半導体デバイスとを有する電子部品の製造方法であって、
前記第１の部材の銅（Ｃｕ）層上に、ニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層を形成し、
前記ニッケル（Ｎｉ）めっき層上又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層上に、厚みが０．０３μｍ以上２μｍ以下になるように銅めっき層を形成し、
前記銅（Ｃｕ）めっき層と、前記電子デバイスとの間に、すず（Ｓｎ）を含む半田材料を配し、
前記半田材料を溶融させた後、凝固させることにより、前記ニッケル（Ｎｉ）めっき層側又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層側に、銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）−すず（Ｓｎ）を含む合金層を有する接合部分を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３】
金属層を有する第１の部材と、第２の部材とを有する電子部品の製造方法であって、
前記第１の部材の金属層上に、第１のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層を形成し、
前記第２の部材上に、第２のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層を形成し、
前記第１のニッケル（Ｎｉ）めっき層上又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層上に厚みが０．０３μｍ以上２μｍ以下になるように第１の銅（Ｃｕ）めっき層を形成し、
前記第２のニッケル（Ｎｉ）めっき層上又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層上に厚みが０．０３μｍ以上２μｍ以下になるように第２の銅（Ｃｕ）めっき層を形成し、
前記第１の銅（Ｃｕ）めっき層と、前記第２の銅（Ｃｕ）めっき層間に、すず（Ｓｎ）を含む半田材料を配し、
前記半田材料を溶融させた後、凝固させることにより、
前記第１のニッケル（Ｎｉ）めっき層側又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層側に、銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）−すず（Ｓｎ）を含む第１の合金層を有し、銅（Ｃｕ）を０．５質量％以上２質量％以下含む第１の接合部分を形成し、
前記第２のニッケル（Ｎｉ）めっき層側又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層側に、銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）−すず（Ｓｎ）を含む第２の合金層を有し、銅（Ｃｕ）を０．５質量％以上２質量％以下含む第２の接合部分を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記ニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層は、次亜リン酸を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記銅めっき層は、硫酸銅、硫酸、及び塩素を含む置換銅めっき液を用いて形成され、
前記置換銅めっき液は、前記塩素を８ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下含むことを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記銅めっき層は、硫酸銅、硫酸、及び塩素を含む置換銅めっき液を用いて形成され、
前記置換銅めっき液は、前記塩素を含み、
前記銅めっき層にＯＳＰ処理を施すことを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記ニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層を形成した後、
前記銅めっき層を形成する前に、
酒石酸を１ｇ／Ｌ以上６０ｇ／Ｌ以下含む酸性処理液により処理を施すことを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記電子部品を、２５０℃で６０分放置した後に、半田ボールプル試験をサンプル数ｎで行った場合に、
前記半田層で破壊した半田破壊モード数の、ｎに対する比率である半田破壊モード比率が５５％以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
絶縁板と、
前記絶縁板の表面に形成又は配置された金属層と、
前記金属層上に位置する第１のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層と、
導体板と、
前記導体板上に位置する第２のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層と、
すず（Ｓｎ）を含む半田層と、
前記第１のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層側に銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）−すず（Ｓｎ）を含む第１の合金層を有し、銅（Ｃｕ）を０．５質量％以上２質量％以下含む第１の接合部分と、
前記第２のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層側に銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）−すず（Ｓｎ）を含む第２の合金層を有し、銅（Ｃｕ）を０．５質量％以上２質量％以下含む第２の接合部分が形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項１０】
金属配線層が形成された半導体デバイスと、
絶縁板と、
前記絶縁板の表面に形成又は配置された第１の金属層と、
前記第１の金属層上に位置する第１のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層と、
前記金属配線層と接続された、すず（Ｓｎ）を含む半田層と、
前記第１のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層側に銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）−すず（Ｓｎ）を含む第１の合金層を有し、銅（Ｃｕ）を０．５質量％以上２質量％以下含む接合部分が形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項１１】
金属配線層が形成された半導体デバイスと、
絶縁板と、
金属からなる放熱板と、
前記絶縁板の第１の表面に形成又は配置された第１の金属層と、
前記絶縁板の第２の表面に形成又は配置された第２の金属層と、
前記第１の金属層上に位置する第１のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層と、
前記第２の金属層上に位置する第２のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層と、
前記放熱板上に位置する第３のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層と、
前記金属配線層と接続された、すず（Ｓｎ）を含む第１の半田層と、
前記第２のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層と、前記第３のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層間に位置する第２の半田層と、
前記第１のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層側に銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）−すず（Ｓｎ）を含む第１の合金層を有し、銅（Ｃｕ）を０．５質量％以上２質量％以下含む第１の接合部分と、
前記第２のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層側に銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）−すず（Ｓｎ）を含む第２の合金層を有し、銅（Ｃｕ）を０．５質量％以上２質量％以下含む第２の接合部分と、
前記第３のニッケル（Ｎｉ）めっき層又はニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき層側に銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）−すず（Ｓｎ）を含む第３の合金層を有し、銅（Ｃｕ）を０．５質量％以上２質量％以下含む第３の接合部分が形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項１２】
前記半田層を、２５０℃で６０分放置した後に、半田ボールプル試験をサンプル数ｎで行った場合に、
前記半田層で破壊した半田破壊モード数の、ｎに対する比率である半田破壊モード比率が５５％以上であることを特徴とする請求項９又は請求項１０又は請求項１１に記載の電子部品。
【請求項１３】
前記半導体デバイスは、ワイドバンドギャップ半導体を有することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の電子部品。
【請求項１４】
冷却器を更に具備し、前記冷却器を介して放熱されることを特徴とする請求項９又は請求項１０又は請求項１１に記載の電子部品。