【手続補正書】
【提出日】令和2年6月17日(2020.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理する方法であって、
（ａ）第１の材料を含む露出層と、前記第１の材料とは異なる第２の材料を含む少なくとも１つの突出フィーチャとを有する半導体基板を提供するステップと、
（ｂ）前記少なくとも１つの突出フィーチャの側壁を含め、前記第１の材料と前記第２の材料との両方の上にＳｎＯ２層を堆積するステップとを含み、
前記第１の材料および前記第２の材料が、第１のエッチング化学反応に関して、ＳｎＯ２のエッチングレートに対する前記第１の材料のエッチングレートの比が１よりも大きく、第２のエッチング化学反応に関して、ＳｎＯ２のエッチングレートに対する前記第２の材料のエッチングレートの比が１よりも大きくなるように選択される
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ＳｎＯ２層がコンフォーマルに堆積される方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記ＳｎＯ２層が原子層堆積（ＡＬＤ）によって堆積される方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記ＳｎＯ２層が約５〜３０ｎｍの厚さに堆積される方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記ＳｎＯ２層が約１０〜２０ｎｍの厚さに堆積される方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記第１の材料が、酸化ケイ素および窒化ケイ素からなる群から選択される材料を含む方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記第２の材料が、非晶質シリコンおよび炭素からなる群から選択される材料を含む方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記第１の材料が酸化ケイ素を含み、前記第１のエッチング化学反応がプラズマ・フルオロカーボン・エッチングである方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記第２の材料が非晶質シリコンを含み、前記第２のエッチング化学反応が酸化性の酸素含有化学反応を含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記第２のエッチング化学反応がプラズマエッチングであり、プラズマが、ＨＢｒおよびＯ2を含むプロセスガス中で生成される方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
（ｃ）前記ＳｎＯ２層を堆積した後、前記少なくとも１つの突出部の前記側壁を覆う前記ＳｎＯ２層を完全には除去することなく、前記半導体基板の水平面から前記ＳｎＯ２層を完全に除去するステップ
をさらに含む方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
（ｄ）前記半導体基板の水平面から前記ＳｎＯ２層を除去した後、前記第２のエッチング化学反応を使用して、前記少なくとも１つの突出部の前記側壁を覆っていた前記ＳｎＯ２層を完全には除去することなく前記少なくとも１つの突出部を完全に除去し、それによりＳｎＯ２スペーサを形成するステップ
をさらに含む方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
（ｅ）前記ＳｎＯ２スペーサを形成した後、前記第１のエッチング化学反応を使用して、前記ＳｎＯ２スペーサを完全には除去することなく前記第１の材料の露出部分を除去し、それにより、前記第１の材料の層の下にあるハードマスク層の一部を露出するステップ
をさらに含む方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
ステップ（ｅ）の後、前記ＳｎＯ２層の下にあった第１の材料の前記層を完全には除去することなく、前記ＳｎＯ２層と前記ハードマスク層の露出部分との両方を除去するステップ
をさらに含む方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、ステップ（ｅ）が、前記半導体基板をプラズマ・フルオロカーボン・エッチングに曝すステップを含む方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、ステップ（ｅ）の後、水素含有ガスを含むプロセスガス中でプラズマを生成して、揮発性の水素化スズを生成することによって、エッチングチャンバを洗浄するステップをさらに含む方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記水素含有ガスが、Ｈ2および／またはＮＨ3である方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって、前記半導体基板が、前記第２の材料を含む複数の突出フィーチャを備え、最も近い突出フィーチャ間の距離が約１０〜１００ｎｍである方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法であって、前記半導体基板が、前記第２の材料を含む複数の突出フィーチャを備え、最も近い突出フィーチャ間の距離が約４０〜１００ｎｍである方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の方法であって、前記半導体基板が、前記第２の材料を含む複数の突出フィーチャを備え、最も近い突出フィーチャ間の距離が約１０〜３０ｎｍである方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法であって、
フォトレジストを前記半導体基板に塗布するステップと、
前記フォトレジストを露光するステップと、
前記フォトレジストをパターン形成し、パターンを前記半導体基板に転写するステップと、
前記半導体基板から前記フォトレジストを選択的に除去するステップと
をさらに含む方法。
【請求項２２】
請求項１に記載の方法であって、前記第１の材料が、窒化ケイ素および酸化ケイ素からなる群から選択される材料を含み、前記第２の材料が、非晶質シリコンおよび炭素からなる群から選択される材料を含む方法。
【請求項２３】
請求項１に記載の方法であって、ステップ（ｂ）における前記堆積するステップは、前記半導体基板の前記第１の材料および前記第２の材料をスズ含有前駆体および酸素含有前駆体に曝すステップを含み、前記方法は、
（ｃ）ＳｎＯ2層を堆積した後、前記少なくとも１つの突出部の前記側壁を覆う前記ＳｎＯ2層を完全には除去することなく、前記半導体基板の水平面から前記ＳｎＯ2層を完全に除去するステップと、
（ｄ）前記半導体基板の水平面から前記ＳｎＯ2層を除去した後、前記第２のエッチング化学反応を使用して、前記少なくとも１つの突出部の前記側壁を覆っていた前記ＳｎＯ2層を完全には除去することなく前記少なくとも１つの突出部を完全に除去し、それによりＳｎＯ2スペーサを形成するステップと
をさらに含む方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、前記堆積するステップは、Ｒｘ−Ｓｎ−Ａ（４−ｘ）の化学式を有する前記スズ含有前駆体に前記半導体基板の前記第１の材料および前記第２の材料を曝すステップを含み、
ｘは、０、１、２、または３でありえ、
Ｒは、脂肪族置換基、ヘテロ脂肪族置換基、またはそれらの組合せから選択されることができ、
Ａは、ＹＲ’ｚであり、Ｙは、ＮまたはＯから選択されることができ、
ｚは、ＹがＯのときに１であり、ＹがＮのときに２であり、
各Ｒ’は、脂肪族置換基、ヘテロ脂肪族置換基、またはそれらの組合せから独立して選択されることができる方法。
【請求項２５】
請求項２３に記載の方法であって、前記スズ含有前駆体は、スズ（ＩＩ）およびスズ（ＩＶ）からなる群から選択される方法。
【請求項２６】
請求項２４に記載の方法であって、ＹＲ’ｚの第１のＲ’は、ＹＲ’ｚの第２のＲ’と同じである方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法であって、前記スズ含有前駆体は、テトラキス（ジメチルアミノ）スズである方法。
【請求項２８】
請求項２４に記載の方法であって、ＹＲ’ｚの第１のＲ’は、ＹＲ’ｚの第２のＲ’とは異なる方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の方法であって、前記スズ含有前駆体は、テトラキス（エチルメチルアミノ）スズである方法。
【請求項３０】
請求項２４に記載の方法であって、ＲおよびＲ’の各々は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、またはそれらの組合せから独立して選択されることができる方法。
【請求項３１】
請求項３０に記載の方法であって、前記アルキル基は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、またはこれらの組合せである方法。
【請求項３２】
請求項２３に記載の方法であって、前記スズ含有前駆体は、アルキル置換スズアミドである方法。
【請求項３３】
請求項２３に記載の方法であって、前記スズ含有前駆体は、テトラキス（ジメチルアミノ）スズ、テトラキス（エチルメチルアミノ）スズ、Ｎ2、Ｎ3−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ブタン−２、３−ジアミノ−スズ（ＩＩ）、および１，３−ビス（１，２−メチルエチル）−４，５−ジメチル−（４Ｒ，５Ｒ）−１，３，２−ジアザスタノリジン−２−イリジンからなる群から選択される方法。
【請求項３４】
請求項２３に記載の方法であって、前記スズ含有前駆体は、テトラキス（ジメチルアミノ）スズである方法。
【請求項３５】
請求項２３に記載の方法であって、ステップ（ｂ）は、前記半導体基板を前記スズ含有前駆体および前記酸素含有前駆体に順次に曝すステップを含み、ステップ（ｂ）は、前記半導体基板を前記スズ含有前駆体および前記酸素含有前駆体に順次に曝すステップの間に、前記半導体基板を収容するプロセスチャンバを不活性ガスでパージするステップをさらに含む方法。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法であって、前記ＳｎＯ2層を堆積するステップは、前記スズ含有前駆体および前記酸素含有前駆体の各々を独立して気相に維持するプロセスパラメータで実施される方法。
【請求項３７】
請求項３６に記載の方法であって、前記プロセスパラメータは、約２０〜５００℃の前記プロセスチャンバの温度である方法。
【請求項３８】
請求項３６に記載の方法であって、前記プロセスパラメータは、前記スズ含有前駆体および前記酸素含有前駆体の各々が独立して約１０〜１０，０００ｓｃｃｍで流される流量である方法。
【請求項３９】
請求項２３に記載の方法であって、前記酸素含有前駆体は、オゾン、水、酸素、過酸化水素、およびＮＯからなる群から選択される方法。
【請求項４０】
請求項２３に記載の方法であって、前記スズ含有前駆体および前記酸素含有前駆体の各々は、ヘリウム、アルゴン、および窒素からなる群から選択されるキャリアガスと独立して混合される方法。
【請求項４１】
請求項２３に記載の方法であって、前記ＳｎＯ2層を堆積するステップは、化学気相成長プロセス、原子層堆積、またはそれらの組合せのうちの少なくとも１つを使用して実施される方法。
【請求項４２】
請求項２３に記載の方法であって、前記ＳｎＯ2を堆積するステップは、前記半導体基板の前記第１の材料および前記第２の材料をスズ含有前駆体および酸素含有前駆体に順次に曝すステップを含む方法。
【請求項４３】
半製造された半導体デバイスであって、第１の材料の露出層と、前記第１の材料の前記層上にある複数のＳｎＯ２スペーサとを備える半導体デバイス。
【請求項４４】
半導体基板上にＳｎＯ２層を堆積するための装置であって、
ＳｎＯ２堆積中に前記半導体基板を保持するために構成された基板ホルダを有するプロセスチャンバと、
反応物を導入するための入口と、
プログラム命令を含む制御部とを備え、前記プログラム命令が、
第１の材料の露出層と、第２の材料からなる複数の突出部とを有する半導体基板上にＳｎＯ２層をコンフォーマルに堆積するためのものであり、前記第１の材料が、窒化ケイ素と酸化ケイ素からなる群から選択され、前記第２の材料が、非晶質シリコンおよび炭素からなる群から選択される
装置。
【請求項４５】
半導体基板を処理するためのシステムであって、
１つまたは複数の堆積プロセスチャンバと、
１つまたは複数のエッチングプロセスチャンバと、
プログラム命令を含むプロセス制御部とを備え、前記プログラム命令が、
（ａ）第１の材料を含む露出層と、前記第１の材料とは異なる第２の材料を含む少なくとも１つの突出フィーチャとを有する半導体基板を提供するため、および
（ｂ）前記少なくとも１つの突出フィーチャの側壁を含め、前記第１の材料と前記第２の材料との両方の上にＳｎＯ２層を堆積するためのものであり、
前記第１の材料および前記第２の材料が、第１のエッチング化学反応に関して、ＳｎＯ２のエッチングレートに対する前記第１の材料のエッチングレートの比が１よりも大きく、第２のエッチング化学反応に関して、ＳｎＯ２のエッチングレートに対する前記第２の材料のエッチングレートの比が１よりも大きくなるように選択される
システム。
【請求項４６】
請求項４５に記載のシステムであって、さらにステッパを備えるシステム。
【請求項４７】
コードを含む非一時的なコンピュータ可読媒体であって、前記コードが、
（ａ）第１の材料を含む露出層と、前記第１の材料とは異なる第２の材料を含む少なくとも１つの突出フィーチャとを有する半導体基板を提供するため、および
（ｂ）前記少なくとも１つの突出フィーチャの側壁を含め、前記第１の材料と前記第２の材料との両方の上にＳｎＯ２層を堆積するためのものであり、
前記第１の材料および前記第２の材料が、第１のエッチング化学反応に関して、ＳｎＯ２のエッチングレートに対する前記第１の材料のエッチングレートの比が１よりも大きく、第２のエッチング化学反応に関して、ＳｎＯ２のエッチングレートに対する前記第２の材料のエッチングレートの比が１よりも大きくなるように選択される
非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項４８】
堆積装置であって、
（ａ）半導体基板を保持するために構成された基板ホルダを有するプロセスチャンバと、
（ｂ）スズ含有前駆体および酸素含有前駆体を導入するために構成された前記プロセスチャンバにおける入口と、
（ｃ）第１の材料の層と、ＳｎＯ2層を含む第２の材料からなる複数の突出フィーチャとを含む前記半導体基板を被覆するように、前記半導体基板を前記スズ含有前駆体および前記酸素含有前駆体と接触させるために構成されたプログラム命令を含む制御部と
を備える堆積装置。
【請求項４９】
請求項４８に記載の堆積装置であって、前記スズ含有前駆体は、Ｒｘ−Ｓｎ−Ａ（４−ｘ）の化学式を有し、
ｘは、０、１、２、または３でありえ、
Ｒは、脂肪族置換基、ヘテロ脂肪族置換基、またはそれらの組合せから選択されることができ、
Ａは、ＹＲ’ｚであり、Ｙは、ＮまたはＯから選択されることができ、
ｚは、ＹがＯのときに１であり、ＹがＮのときに２であり、
各Ｒ’は、脂肪族置換基、ヘテロ脂肪族置換基、またはそれらの組合せから独立して選択されることができる堆積装置。
【請求項５０】
請求項４８に記載の堆積装置であって、前記スズ含有前駆体は、テトラキス（ジメチルアミノ）スズ、テトラキス（エチルメチルアミノ）スズ、Ｎ2、Ｎ3−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ブタン−２、３−ジアミノ−スズ（ＩＩ）、および１，３−ビス（１，２−メチルエチル）−４，５−ジメチル−（４Ｒ，５Ｒ）−１，３，２−ジアザスタノリジン−２−イリジンからなる群から選択される堆積装置。
【請求項５１】
請求項４９に記載の堆積装置であって、前記制御部は、前記半導体基板を前記スズ含有前駆体および前記酸素含有前駆体と順次に接触させるために構成されたプログラム命令を含む堆積装置。
【請求項５２】
１つまたは複数の堆積チャンバと、１つまたは複数のエッチングチャンバと、プログラム命令を含む制御部とを備えるシステムであって、前記プログラム命令が、
（ｉ）第１の材料を含む露出層と、前記第１の材料とは異なる第２の材料を含む少なくとも１つの突出フィーチャとを有する半導体基板上に、前記少なくとも１つの突出フィーチャの側壁を含め、前記第１の材料と前記第２の材料との両方の上にＳｎＯ2層を堆積させ、前記第１の材料および前記第２の材料が、第１のエッチング化学反応に関して、ＳｎＯ2のエッチングレートに対する前記第１の材料のエッチングレートの比が１よりも大きく、第２のエッチング化学反応に関して、ＳｎＯ2のエッチングレートに対する前記第２の材料のエッチングレートの比が１よりも大きくなるように選択され、前記堆積させるステップは、前記半導体基板の前記第１の材料および前記第２の材料をスズ含有前駆体および酸素含有前駆体に曝すステップを含み、
（ｉｉ）前記ＳｎＯ2層を堆積した後、前記少なくとも１つの突出部の前記側壁を覆う前記ＳｎＯ2層を完全には除去することなく、前記半導体基板の水平面から前記ＳｎＯ2層を完全に除去させ、
（ｉｉｉ）前記半導体基板の水平面から前記ＳｎＯ2層を除去した後、前記第２のエッチング化学反応を使用して、前記少なくとも１つの突出部の前記側壁を覆っていた前記ＳｎＯ2層を完全には除去することなく前記少なくとも１つの突出部を完全に除去し、それによりＳｎＯ2スペーサを形成させる
ために構成されているシステム。
【請求項５３】
請求項５２に記載のシステムであって、ステップ（ｉ）のための前記プログラム命令は、前記半導体基板の前記第１の材料および前記第２の材料をスズ含有前駆体および酸素含有前駆体に順次に曝すことによってＳｎＯ2を堆積させるために構成されたプログラム命令を含むシステム。