【手続補正書】
【提出日】令和2年5月15日(2020.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
前記基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
前記磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
前記保磁力Ｈｃ１と、前記磁気記録媒体の長手方向における前記磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たし、
前記磁気記録媒体は、６０℃で７２時間保管されたとき、前記磁気記録媒体の長手方向の収縮率が０．１％以下である磁気記録媒体。
【請求項２】
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
前記基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
前記磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
前記保磁力Ｈｃ１と、前記磁気記録媒体の長手方向における前記磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たし、
前記基体の平均厚みをＴＢ、前記磁気記録媒体の平均厚みをＴＬとしたとき、（ＴＬ−ＴＢ）／ＴＢの値が、０．４１以下である磁気記録媒体。
【請求項３】
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
前記基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
前記磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
前記保磁力Ｈｃ１と、前記磁気記録媒体の長手方向における前記磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たし、
前記磁気記録媒体の長手方向のヤング率は、８．５ＧＰａ以下である磁気記録媒体。
【請求項４】
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
前記基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
前記磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
前記保磁力Ｈｃ１と、前記磁気記録媒体の長手方向における前記磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たし、
前記基体の長手方向のヤング率は、８．０ＧＰａ以下である磁気記録媒体。
【請求項５】
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
前記基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
前記磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
前記保磁力Ｈｃ１と、前記磁気記録媒体の長手方向における前記磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たし、
前記磁気記録媒体は、前記磁気記録媒体の長手方向におけるテンションを増減させることで、前記磁気記録媒体の幅を調整可能に構成されている磁気記録媒体。
【請求項６】
前記磁性層が、複数のサーボバンドを有し、
前記磁性層の表面の面積に対する複数の前記サーボバンドの総面積の割合が、４．０％以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記サーボバンドの数が、５以上である請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記サーボバンドの数が、５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上である請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記サーボバンドの幅が、９５μｍ以下である請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記磁性層が、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
前記データトラックの幅が、３．０μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記磁性層が、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラックの幅Ｗの比率Ｗ／ＬがＷ／Ｌ≦２００の関係を満たすように、データを記録可能に構成されている請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記磁性層が、磁化反転間距離の最小値Ｌが４８ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記保磁力Ｈｃ２が、２０００Ｏｅ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．６μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】
前記基体の平均厚みが、４．２μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．６μｍ以下であり、
前記磁性層が、複数のサーボバンドを有し、前記サーボバンドの数が、５以上であり、
前記磁性層が、複数のデータトラックを形成可能に構成され、前記データトラックの幅が、１．６μｍ以下であり、磁化反転間距離の最小値Ｌが、５０ｎｍ以下であり、前記磁化反転間距離の最小値Ｌと前記データトラックの幅Ｗの比率Ｗ／ＬがＷ／Ｌ≦３０の関係を満たす請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１７】
前記磁性粉が、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】
前記六方晶フェライトが、ＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含み、
前記ε酸化鉄が、ＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種を含む請求項１７に記載の磁気記録媒体。
【請求項１９】
前記磁性層の平均厚みが、８０ｎｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項２０】
前記磁性層の平均厚みが、７０ｎｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項２１】
前記保磁力Ｈｃ１と、前記保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７の関係を満たす請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項２２】
前記保磁力Ｈｃ１が、２２００Ｏｅ以上である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項２３】
前記基体の平均厚みは、３．８μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項２４】
前記基体の平均厚みは、３．４μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項２５】
前記磁性層の平均厚みは、５０ｎｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項２６】
前記磁性粉の平均粒子サイズは、８ｎｍ以上２２ｎｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項２７】
前記磁性粉の平均粒子サイズは、１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項２８】
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上２．５以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項２９】
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上２．１以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項３０】
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上１．８以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項３１】
前記磁性粉の平均粒子体積は、５６００ｎｍ３以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項３２】
前記磁性粉の平均粒子体積は、２５０ｎｍ３以上５６００ｎｍ３以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項３３】
前記磁性粉の平均粒子体積は、９００ｎｍ３以上５６００ｎｍ３以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項３４】
前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．２μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項３５】
前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．０μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項３６】
前記磁気記録媒体の平均厚みが、４．６μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項３７】
前記磁気記録媒体の平均厚みが、４．４μｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項３８】
前記保磁力Ｈｃ１と前記保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．６５の関係を満たす請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項３９】
前記保磁力Ｈｃ１と前記保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の課題を解決するために、第１の開示は、
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
磁気記録媒体の垂直方向における磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
保磁力Ｈｃ１と、磁気記録媒体の長手方向における磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たし、
磁気記録媒体は、６０℃で７２時間保管されたとき、磁気記録媒体の長手方向の収縮率が０．１％以下である磁気記録媒体である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の開示は、
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
磁気記録媒体の垂直方向における磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
保磁力Ｈｃ１と、磁気記録媒体の長手方向における磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たし、
基体の平均厚みをＴＢ、磁気記録媒体の平均厚みをＴＬとしたとき、（ＴＬ−ＴＢ）／ＴＢの値が、０．４１以下である磁気記録媒体である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第３の開示は、
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
磁気記録媒体の垂直方向における磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
保磁力Ｈｃ１と、磁気記録媒体の長手方向における磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たし、
磁気記録媒体の長手方向のヤング率は、８．５ＧＰａ以下である磁気記録媒体である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第４の開示は、
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
磁気記録媒体の垂直方向における磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
保磁力Ｈｃ１と、磁気記録媒体の長手方向における磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たし、
基体の長手方向のヤング率は、８．０ＧＰａ以下である磁気記録媒体である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第５の開示は、
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
磁気記録媒体の垂直方向における磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
保磁力Ｈｃ１と、磁気記録媒体の長手方向における磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たし、
磁気記録媒体は、磁気記録媒体の長手方向におけるテンションを増減させることで、磁気記録媒体の幅を調整可能に構成されている磁気記録媒体である。