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【手続補正書】
【提出日】令和1年12月4日(2019.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のバルブであって、前記第１のバルブは、サンプリング装置から前記第１のバルブと連結された保持ループの中にサンプルを受ける第１のバルブの形態を有する第１のバルブと、
前記第１のバルブと連結された複数のシリンジポンプであって、前記複数のシリンジポンプは、前記第１のバルブからインライン希釈サンプルを届けるために、第２のバルブの形態の前記第１のバルブへ、キャリア液体を供給するように構成されたキャリアシリンジポンプと、前記第２のバルブの形態の前記第１のバルブへ、希釈液を供給するように構成された希釈シリンジポンプと、前記第２のバルブ形態の前記第１のバルブへ、標準液体を供給するように構成された標準シリンジポンプとを含む複数のシリンジポンプと、
前記第１のバルブと連結された第２のバルブであって、前記第２のバルブは、前記第１のバルブから、前記第２のバルブに連結されたサンプル保持ループの中に前記インライン希釈サンプルを受けるように構成された第１のバルブの形態を有し、前記第２のバルブは、少なくとも溶離液源またはキャリア液源の１つと連結され、前記インライン希釈サンプルのそれぞれの他の化学種から、前記インライン希釈サンプルの１以上の化学種を分離するために、前記サンプル保持ループから、スペシエーションカラムへ、前記インライン希釈サンプルを運ぶために少なくとも、前記溶離液源からの溶離液または前記キャリア液源からのキャリア液の少なくとも１つを受けるように構成された前記第２のバルブの形態を有する第２のバルブと、を備えるシステム。
【請求項２】
さらに前記希釈シリンジポンプ及び前記標準シリンジポンプと操作可能に連結されたコンピュータシステムを備える請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記コンピュータシステムは、インライン希釈要因に従って、前記希釈シリンジポンプ及び前記標準シリンジポンプのそれぞれによって出力される流量を制御するように構成されている請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記インライン希釈要因は、前記コンピュータシステムによってアクセスできる、非一時的キャリア媒体部品に記憶されている請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記コンピュータシステムは複数のインライン希釈要因に従って、前記希釈シリンジポンプ及び前記標準シリンジポンプのそれぞれによって出力される前記流量を制御するように構成されている請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記コンピュータシステムは、前記複数のインライン希釈要因に従ってインライン希釈された前記サンプルの誘導結合プラズマ分光分析システムによる分析に基づいた校正カーブを発生するように構成されている請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記スペシエーションカラムは、誘導結合プラズマトーチ部品に連結されている請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記スペシエーションカラムは、前記誘導結合プラズマトーチ部品の噴射機に連結されている請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
さらに、前記第２のバルブと前記スペシエーションカラムの間を連結するスペシエーションバイパスバルブを有する請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記スペシエーションバイパスバルブは、前記第２のバルブから、前記スペシエーションカラムを通って、誘導結合プラズマトーチ部品への第１の流れの経路を提供するスペシエーション形態を含み、前記スペシエーションバイパスバルブは、前記第２のバルブから前記スペシエーションカラムを通らずに、前記誘導結合プラズマトーチ部品への第２の流れの経路を提供するスペシエーションバイパス形態を含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
液体サンプルをバルブシステムの第１のバルブへ、前記第１のバルブが第１のバルブの形態の間、導入する工程と、
前記液体サンプルを前記第１のバルブに連結された保持ループへ、運ぶ工程と、
前記第１のバルブの第２のバルブの形態の間、前記液体サンプルを前記保持ループから前記第１のバルブに連結されたキャリア液体ポンプによって供給されるキャリア液体とともに運ぶ工程と、
インライン希釈サンプルを提供するために、前記第１のバルブに連結された希釈液体ポンプによって供給される希釈液体または前記第１のバルブに連結された標準液体ポンプによって供給される標準液体の少なくともいずれか１つでインラインでサンプルを希釈する工程と、
前記バルブシステムの第２のバルブに連結されたサンプル保持ループへ、前記第２のバルブが第１のバルブの形態の間、インライン希釈サンプルを運ぶ工程と、
前記第２のバルブが第２の形態の間、前記保持ループからスペシエーションカラムへインライン希釈サンプルを運ぶ工程を有する方法。
【請求項１２】
さらに、インライン希釈要因に従った前記希釈シリンジポンプ及び前記標準シリンジポンプのそれぞれによって出力される流量を制御する工程を有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
さらに、前記希釈シリンジポンプ及び前記標準シリンジポンプのそれぞれに連結されたコンピュータシステムによってアクセス可能な、非一時的キャリア媒体部品にインライン希釈要因を記憶する工程を有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
さらに、複数の希釈要因に従って、前記希釈シリンジポンプ及び前記標準シリンジポンプのそれぞれによって出力される流量を制御する工程を有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
さらに、前記複数の希釈要因に従って、前記インライン希釈サンプルの誘導結合プラズマ分光分析システムによる分析に基づく校正カーブを生成する工程を有する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
さらに、前記スペシエーションカラムにおいて前記インライン希釈サンプルから化学種を分離する工程及び分離された前記化学種を誘導結合プラズマ分光分析システムに運ぶ工程を有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２のバルブが第２の形態の間、前記保持ループからスペシエーションカラムへ前記インライン希釈サンプルを運ぶ工程において、
前記インライン希釈サンプルを保持ループから、前記第２のバルブ及び前記スペシエーションカラムの間に連結されたスペシエーションバイパスバルブへ運ぶ工程を有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記スペシエーションバイパスバルブは、前記第２のバルブからスペシエーションカラムを通って誘導結合プラズマトーチ部品への第１の流れの経路を提供するスペシエーション形態を含み、
前記スペシエーションバイパスバルブは、前記第２のバルブからスペシエーションカラムを通らずに誘導結合プラズマトーチ部品への第２の流れの経路を提供するスペシエーションバイパス形態を含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくも前記キャリア液体ポンプ、前記希釈液体ポンプ、または前記標準液体ポンプのいずれか１つがシリンジポンプを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記キャリア液体ポンプ、前記希釈液体ポンプ、または前記標準液体ポンプのそれぞれがシリンジポンプを含む請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月11日(2019.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ支援設計（ＣＡＤ）システムにおいて複合面をモデル化する入力デバイスであって、
コンピュータのユーザインタフェースに表示されるモデル化された面に対応する可鍛性外面であって、前記可鍛性外面は、前記可鍛性外面に圧力を加えることによってユーザが入力を前記入力デバイスに提供することを可能にするように変形可能である、可鍛性外面と、
前記可鍛性外面に動作可能に結合された１つまたは複数のトランデューサであって、前記１つまたは複数のトランデューサは、前記可鍛性外面を変形させるように加わる前記圧力を測定するように構成されている、１つまたは複数のトランデューサと、
前記１つまたは複数のトランデューサに動作可能に結合されたプロセッサであって、前記プロセッサは、前記測定された圧力に基づいて、前記可鍛性外面の変位を判定するように構成されている、プロセッサと、
前記プロセッサに通信可能に結合された接続インタフェースであって、前記接続インタフェースは、前記判定された変位を前記コンピュータに送信するように構成されている、接続インタフェースと
を備えたことを特徴とする入力デバイス。
【請求項２】
前記１つまたは複数のトランデューサは、圧電トランデューサであることを特徴とする請求項１に記載の入力デバイス。
【請求項３】
前記１つまたは複数のトランデューサは、前記トランデューサが前記可鍛性外面を変形させるように加わる様々なポイントの圧力を測定するように前記可鍛性外面の下の配列または格子に配置されることを特徴とする請求項２に記載の入力デバイス。
【請求項４】
前記表示されるモデル化された面は、３Ｄ空間で表されることを特徴とする請求項１に記載の入力デバイス。
【請求項５】
前記可鍛性外面を変形させることが前記表示されるモデル化された面をクレイで成形することをシミュレートするように、前記ユーザの入力は、前記可鍛性外面を押すこと、引っ張ること、突くこと、押し付けること、切り抜くこと、および彫ることのうちの少なくとも１つによって前記可鍛性外面を変形させることを特徴とする請求項１に記載の入力デバイス。
【請求項６】
前記可鍛性外面は、（ｉ）ゴム表皮内での異なる密度のシリコンゲル、（ｉｉ）微粉の周囲の薄肉ゴム膜部、および（ｉｉｉ）独立気泡ポリウレタン気泡ゴムから構成されることを特徴とする請求項１に記載の入力デバイス。
【請求項７】
前記入力デバイスは、前記コンピュータの前記ユーザインタフェース上の前記表示されるモデル化された面によって反映される基本形状をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の入力デバイス。
【請求項８】
複合面をモデル化するコンピュータシステムであって、
ユーザインタフェースに通信可能に結合されたコンピュータであって、前記コンピュータは、モデル化された面を前記ユーザインタフェース上で表示するように構成されている、コンピュータと、
接続インタフェースによって前記コンピュータに通信可能に結合された入力デバイスであって、前記入力デバイスは、
前記表示されるモデル化された面に対応する可鍛性外面であって、前記可鍛性外面は、前記可鍛性外面に圧力を加えることによってユーザが前記入力デバイスに入力を提供することを可能にするように変形可能である、可鍛性外面と、
前記可鍛性外面に動作可能に結合された１つまたは複数のトランデューサであって、前記１つまたは複数のトランデューサは、前記可鍛性外面を変形させるように加わる前記圧力を測定するように構成されている、１つまたは複数のトランデューサと、
前記１つまたは複数のトランデューサに動作可能に結合されたプロセッサであって、前記プロセッサは、前記測定された圧力に基づいて、前記可鍛性外面の変位を判定するように構成されている、プロセッサと、
前記プロセッサに通信可能に結合された前記接続インタフェースであって、前記接続インタフェースは、前記判定された変位を前記コンピュータに送信するように構成されている、接続インタフェースと
を備え、
前記コンピュータは、（ｉ）前記判定された変位を前記接続インタフェースから受信し、および（ｉｉ）前記判定された変位を前記表示されるモデル化された面の対応する変位に変換し、それによって、前記表示されるモデル化された面が前記可鍛性外面の前記変形を反映するように前記ユーザインタフェース上で更新されるようにさらに構成されている
ことを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項９】
前記コンピュータは、前記可鍛性外面の前記判定された変位を前記表示されるモデル化された面上のそれぞれの位置にマッピングすることによって前記表示されるモデル化された面の前記対応する変位を計算し、および、
前記計算された変位に従って前記表示されるモデル化された面の形状を視覚的に調節する
ことによって前記判定された変位を変換するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項８に記載のコンピュータシステム。
【請求項１０】
複合面をモデル化する方法であって、
モデル化された面を表示するコンピュータに通信可能に結合された入力デバイスによって、入力を受信するステップであって、前記入力は、前記入力デバイスの可鍛性外面を変形させるように圧力を加えることによって提供される、ステップと、
前記入力デバイスの前記可鍛性外面を変形させるように加わる前記圧力を測定するステップであって、前記測定は、前記入力デバイス内に位置する１つまたは複数のトランデューサによって実行される、ステップと、
前記測定された圧力に基づいて、前記可鍛性外面の変位を判定するステップであって、前記判定は、前記入力デバイス内の前記１つまたは複数のトランデューサに通信可能に結合された少なくとも１つのプロセッサによって実行される、ステップと、
前記判定された変位を前記コンピュータに送信して、前記可鍛性外面の前記変形を反映するように前記表示されるモデル化された面を更新することを促進するステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月25日(2019.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線装置の位置を特定するための無線装置検出（ＷＤＤ）コンピュータ装置であって、
メモリと通信するプロセッサを含んでなり、前記プロセッサは、
複数のアンカーポイントから複数のステータスメッセージを受信し、前記複数のステータスメッセージにおける各ステータスメッセージは、対応するアンカーポイントで受信された、第１無線装置からの第１無線信号に関連付けられた受信信号強度を含んでおり、
前記複数のアンカーポイントから複数のサブセットを決定し、各サブセットは、前記複数のアンカーポイントのうちの所定数のアンカーポイントを含んでおり、
前記複数のサブセットの各々について、当該各サブセットにおける前記複数のアンカーポイントの各々からの対応する前記受信信号強度に少なくとも部分的に基づいて、前記第１無線装置の候補位置を特定し、
前記複数の候補位置のクラスタリングを生成し、
前記クラスタリングに基づいて、前記複数のサブセットから第１グループのサブセットを選択し、
第１グループのサブセットに含まれる前記アンカーポイントから受信した受信信号強度に基づいて、前記第１無線装置の最終位置を算出するように構成されている、ＷＤＤコンピュータ装置。
【請求項２】
前記プロセッサは、さらに、
複数の位置を登録しており、各位置は、前記複数のアンカーポイントのうちの１つと関連付けられており、
前記複数のサブセットの各々について、サブセットに含まれる前記アンカーポイントの前記位置、及び、これに対応する前記受信信号強度に基づいて、前記第１無線装置の前記候補位置を特定するように構成されている、請求項１に記載のＷＤＤコンピュータ装置。
【請求項３】
前記プロセッサは、さらに、各サブセットに関連付けられた前記候補位置が互いに所定の距離内である前記候補位置のクラスタリングに基づいて前記第１グループを選択するように構成されている、請求項１に記載のＷＤＤコンピュータ装置。
【請求項４】
前記プロセッサは、さらに、
各アンカーポイントに関連付けられた前記受信信号強度を、所定の第１閾値と比較し、
受信信号強度が、前記所定の第１閾値を超えていないと判断すると、前記複数のアンカーポイントから、当該受信信号強度に対応するアンカーポイントを排除するように構成されている、請求項１に記載のＷＤＤコンピュータ装置。
【請求項５】
前記プロセッサは、さらに、
各アンカーポイントに関連付けられた前記受信信号強度を、所定の第２閾値と比較し、
受信信号強度が、前記所定の第２閾値を超えていると判断すると、前記複数のアンカーポイントから、当該受信信号強度に対応するアンカーポイントを排除するように構成されている、請求項１に記載のＷＤＤコンピュータ装置。
【請求項６】
前記プロセッサは、さらに、
前記複数のアンカーポイントの各々から受信したステータスメッセージの数を、所定の閾値と比較し、
前記アンカーポイントから受信したステータスメッセージの数が前記所定の閾値を超えていないと判断すると、当該アンカーポイントを、複数のアンカーポイントから排除する、請求項１に記載のＷＤＤコンピュータ装置。
【請求項７】
前記複数のステータスメッセージにおける各ステータスメッセージは、前記第１無線装置に関連付けられた個別の識別子を含む、請求項１に記載のＷＤＤコンピュータ装置。
【請求項８】
前記複数のサブセットの各々に含まれるアンカーポイントの数は、所定の閾値数に基づく、請求項１に記載のＷＤＤコンピュータ装置。
【請求項９】
無線装置の位置を特定するためのシステムであって、
第１無線装置から無線信号を受信し、
前記無線信号の受信信号強度を求め、
前記受信信号強度を含むステータスメッセージを無線装置検出（ＷＤＤ）コンピュータ装置に送信する、構成とされている複数のアンカーポイントと、
請求項１〜８のいずれかに記載のＷＤＤコンピュータ装置と、を含み、前記ＷＤＤコンピュータ装置は、前記複数のアンカーポイントと通信するように構成されている、システム。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の無線装置検出（ＷＤＤ）コンピュータ装置を用いて実施される、無線装置の位置を特定する方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月15日(2020.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのポリマーおよび少なくとも１つの塩基性添加物を含むポリマー組成物であって、前記少なくとも１つの塩基性添加物が、２０℃で水中の１重量％溶液で測定されるときに１３以下および７以上のｐＨを有し、
前記少なくとも１つのポリマーが、多糖エステルからなる群から選択される、ポリマー組成物。
【請求項２】
前記多糖エステルが、セルロースエステルまたはデンプンエステルから選択される、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項３】
前記少なくとも１つのポリマーがセルロースエステルであり、そして前記少なくとも１つのセルロースエステルが、セルロースアセテート、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート、セルロースアセテートプロピオネートおよびセルロースアセテートブチレートからなる群から選択される、請求項２に記載のポリマー組成物。
【請求項４】
前記少なくとも１つの塩基性添加物が、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ土類金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属重炭酸塩、ＺｎＯおよび塩基性Ａｌ２Ｏ３からなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項５】
前記少なくとも１つの塩基性添加物が、２０℃で１０−６〜７０ｇ／１００ｍＬ水の溶解度を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項６】
前記少なくとも１つの塩基性添加物が、ＭｇＯ、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＭｇＣＯ３、ＣａＯ、Ｃａ（ＯＨ）２、ＣａＣＯ３、ＮａＨＣＯ３、ＺｎＯ、Ｎａ２ＣＯ３、およびＫＨＣＯ３からなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項７】
前記組成物が、ポリマーおよび添加物の重量に関連し０．０１〜４０重量％の塩基性添加物を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項８】
前記少なくとも１つの塩基性添加物が、アルカリ土類金属酸化物、Ｃａ（ＯＨ）２、ＭｇＣＯ３、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属重炭酸塩、および塩基性Ａｌ２Ｏ３からなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項９】
前記少なくとも１つの塩基性添加物が、群Ｋ２ＣＯ３および塩基性Ａｌ２Ｏ３の群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載のポリマー組成物。         
【請求項１０】
前記少なくとも１つの塩基性添加物が、細かく分布した粒子の形態で前記ポリマー組成物中に存在し、Ｄ９０粒子径が１０μｍ以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの塩基性添加物が、０．０１〜４０重量％の量で細かく分布した粒子の形態で前記ポリマー組成物中に存在する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項１２】
前記ポリマー組成物が、少なくとも１個のカルボニル官能基および前記カルボニル官能基のα−位のＣ−Ｈ結合を持った溶媒で起こる自動縮合反応の少なくとも１つの抑制剤をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの抑制剤が、カルボン酸およびアルコールからなる群から選択される、請求項１２に記載のポリマー組成物。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの抑制剤が、クエン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸およびグリセロールからなる群から選択される、請求項１３に記載のポリマー組成物。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの抑制剤が、０．００１〜１０重量％の量で前記ポリマー組成物中に存在する、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載のポリマー組成物。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のポリマー組成物の製造方法、または請求項１〜１５のいずれか一項に記載のポリマー組成物を含む物品の製造方法であって、少なくとも１つの工程が、ａ）前記少なくとも１つの塩基性添加物および任意選択的に前記少なくとも１つの抑制剤を、少なくとも１つの溶媒を含む液相で前記少なくとも１つのポリマーと接触させ、その後前記少なくとも１つの溶媒を分離して本発明によるポリマー組成物を得る工程、ｂ）前記少なくとも１つの塩基性添加物および任意選択的に前記少なくとも１つの抑制剤を、少なくとも１つの溶媒を含む液相で前記少なくとも１つのポリマーと接触させ、その後結果として生じた混合物を紡糸して前記ポリマー組成物を含む繊維を得る工程、ｃ）前記少なくとも１つの塩基性添加物および任意選択的に前記少なくとも１つの抑制剤を、少なくとも１つの溶媒を含む液相で前記少なくとも１つのポリマーと接触させ、そしてここで、結果として生じた混合物がその後、前記ポリマー組成物を含むフィルムを得るために、フィルム生成法、好ましくはフィルムキャスティング法で処理される工程、ｄ）前記少なくとも１つの塩基性添加物を、前記少なくとも１つのポリマーの少なくとも一部が融解状態にある、前記少なくとも１つのポリマーと接触させ、任意選択的に前記混合物を冷却して本発明によるポリマー組成物を得る工程、ならびにｅ）前記少なくとも１つの塩基性添加物を、前記少なくとも１つのポリマーの少なくとも一部が融解状態にある、前記少なくとも１つのポリマーと接触させ、その後前記混合物を押し出すおよび／またはフィルムブローして前記ポリマー組成物を含む成形部品、繊維、フィルム、深絞りフィルム、射出成形品、厚壁成形部品、粒状体、マイクロビーズ、ビーズ、容器またはフラワーポットを得る工程の群から選択される少なくとも１つの工程を含む方法。
【請求項１７】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のポリマー組成物を含むフィルタトウ、または請求項１６に記載の少なくとも１つの工程ｂ）を含む方法によって製造された繊維を含むフィルタトウ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月12日(2020.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験体における癌を治療するための医薬組成物であって、0.001%〜20%(w/w)のコエンザイムQ10(CoQ10)化合物を含み、被験体は少なくとも1つの化学療法レジメンによる癌の治療に失敗している、医薬組成物。
【請求項２】
被験体が、少なくとも2つの先行化学療法レジメンによる癌の治療に失敗している、請求項1に記載の医薬組成物。
【請求項３】
癌が難治性癌である、請求項1又は2に記載の医薬組成物。
【請求項４】
少なくとも1つの化学療法レジメンによる失敗が、化学療法レジメンによる治療中又はその後の腫瘍成長を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
少なくとも1つの化学療法レジメンによる失敗が、化学療法レジメンによる用量制限毒性を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
被験体が、CoQ10化合物の投与の結果として臨床的恩恵を示す、請求項1〜5のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
臨床的恩恵が、RECIST 1.1基準に基づく安定疾患、RECIST 1.1基準に基づく部分応答、及びRECIST 1.1基準に基づく完全応答からなる群から選択される1つ以上の臨床的恩恵である、請求項6に記載の医薬組成物。
【請求項８】
被験体が、CoQ10化合物の投与の結果として、応答において用量制限毒性を示さない、請求項1〜7のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
癌がステージIIIの腫瘍を含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
癌がステージIVの腫瘍を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
癌が転移性である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
癌が固形腫瘍を含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
癌が、肉腫、癌腫及び黒色腫からなる群から選択される、請求項1〜12のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
癌が、膀胱癌、結腸癌、直腸癌、子宮内膜癌、乳癌、腎臓癌、肺癌、黒色腫、膵臓癌、前立腺癌、甲状腺癌、皮膚癌、肝臓癌、骨癌、脳癌、子宮頸癌、胃癌、口腔(mouth)及び口腔(oral)癌、神経芽細胞腫、精巣癌、子宮癌、及び外陰癌からなる群から選択される癌である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
癌が、膵臓癌、子宮肉腫、粘液脂肪肉腫、平滑筋肉腫、軟骨肉腫、骨肉腫、結腸の結腸腺癌、子宮頸部扁平上皮癌腫、扁桃扁平上皮癌腫、甲状腺乳頭癌、腺様嚢胞癌、滑膜細胞肉腫、悪性線維性組織球腫、線維形成性肉腫、肝細胞癌腫、紡錘細胞肉腫、及び胆管癌腫からなる群から選択される癌である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
被験体が、アドリアマイシン、イホスファミド、エトポシド、ビンクリスチン、ジェムザール、タキソテール、及びTh-302からなる群から選択される少なくとも1つの化学療法剤を含む化学療法レジメンによる治療に失敗している、請求項1〜15のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
被験体が、トポイソメラーゼI阻害剤、トポイソメラーゼII阻害剤、分裂阻害剤、アルキル化剤、白金化合物、及び代謝拮抗剤からなる群から選択される少なくとも1つの化学療法剤を含む化学療法レジメンによる治療に失敗している、請求項1〜15のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
組成物が、週に少なくとも1回、週に少なくとも2回、又は週に少なくとも3回投与される、請求項1〜17のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
CoQ10化合物が、少なくとも5.6mg/kg/投与、少なくとも11.2mg/kg/投与、少なくとも22.5mg/kg/投与、少なくとも33mg/kg/投与、少なくとも44mg/kg/投与、少なくとも50mg/kg/投与、少なくとも58.7mg/kg/投与、少なくとも75mg/kg/投与、少なくとも78.2mg/kg/投与、少なくとも100mg/kg/投与、少なくとも104.3mg/kg/投与、少なくとも125mg/kg/投与、少なくとも139mg/kg/投与、少なくとも150mg/kg/投与、及び少なくとも200mg/kg/投与からなる群から選択される投与量で投与される、請求項1〜18のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
組成物の少なくとも12、16、26又は33回の用量が被験体に投与される、請求項1〜19のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
被験体が、8つ以下の化学療法レジメンに失敗している、請求項1〜20のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２２】
被験体が、5つ以下の化学療法レジメンに失敗している、請求項1〜20のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２３】
組成物が注射又は注入によって投与される、請求項1〜20のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２４】
被験体がヒトである、請求項1〜23のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２５】
CoQ10化合物がナノ分散物として製剤化される、請求項1〜24のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２６】
CoQ10化合物が、下記:
水溶液;
粒子のナノ分散物に分散したCoQ10;及び
分散安定化剤及びオプソニン化抑制剤の少なくとも1つ
を含むCoQ10製剤における静脈投与用に提供され、ここで、CoQ10のナノ分散物は、200nm未満の平均粒径を有するナノ粒子に分散される、請求項1〜25のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２７】
組成物が、追加剤とともに被験体に投与される、請求項1〜26のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２８】
追加剤が化学療法剤である、請求項27に記載の医薬組成物。
【請求項２９】
CoQ10化合物がコエンザイムQ10である、請求項1〜28のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月6日(2020.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記：
【化１】
2020183414.tif 000001
と、ホスホルアミデートとを、塩基の存在下で接触させる工程を含む、ヌクレオシドホスホルアミデートを調製する方法。
【請求項２】
前記塩基が塩化ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ホスホルアミデートが、以下：
【化２】
2020183414.tif 000002
またはその光学異性体である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ホスホルアミデートが、以下：
イソプロピル２−アミノプロパノエート、フェニルジクロロホスフェートおよび第２の塩基を接触させて、混合物を提供する工程、
前記混合物と、ペンタフルオロフェノールまたは２−クロロ−４−ニトロフェノールとを接触させて、ホスホルアミデートの混合物を提供する工程
によって調製される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記混合物から前記ホスホルアミデートの光学異性体を沈殿させる工程をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の塩基がトリエチルアミンである、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記イソプロピル２−アミノプロパノエートが、（Ｓ）−イソプロピル２−アミノプロパノエートである、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
以下：
【化３】
2020183414.tif 000003
を単離する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ペンタフルオロフェノキシ−フェノキシ−ホスホリルアミノエステルを合成する方法であって、
以下：
【化４】
2020183414.tif 000004
またはその塩、およびフェニルホスホロジクロリデートを含む混合物と、塩基とを接触させて、反応混合物を形成する工程、
前記反応混合物と、ペンタフルオロフェノールおよび追加の塩基とを接触させて、生成混合物を形成する工程、
前記生成混合物から、ジアステレオマー混合物を単離する工程、ならびに
前記ジアステレオマー混合物から、以下：
【化５】
2020183414.tif 000005
を単離する工程、
を含む、方法。
【請求項１０】
前記塩基がトリエチルアミンである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記反応混合物および前記生成混合物が、溶媒ジクロロメタンをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ジアステレオマー混合物を単離する工程が、前記生成物から固体を濾過する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ジアステレオマー混合物から、以下：
【化６】
2020183414.tif 000006
を単離する工程が、前記ジアステレオマー混合物と、ペンタフルオロフェノール、塩基およびジメチルアミノピリジンとを、酢酸エチルおよびヘキサン中で組み合わせる工程、ならびに
濾過によって固体：
【化７】
2020183414.tif 000007
を単離する工程
を含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月22日(2019.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円環状の振動子と円環状の接触体とを備えた超音波モータであって、
前記振動子は、前記接触体と接する円環状の振動板と、圧電素子を備え、
前記円環状の振動板は、面上に放射状に伸びる溝部をＸ箇所に有し、該円環状の振動板の外径を２Ｒ（単位ｍｍ）としたとき、
前記Ｘは２Ｒ／０．８５−５≦Ｘ≦２Ｒ／０．８５＋１０を満たす自然数であり、
隣接する前記溝部同士を隔てる隔壁部の外径側の円周方向の長さの平均値Ｌｔｏｐと前記溝部の外径側の円周方向の長さの平均値Ｌｂｔｍの比は０．８０≦Ｌｔｏｐ／Ｌｂｔｍ≦１．３５の範囲にあり、
前記Ｘ箇所の溝部の中心深さを円周方向に順にＤ１〜Ｄｘとしたとき、該Ｄ１〜ＤＸは、５種以上の異なる値を取る
ことを特徴とする超音波モータ。
【請求項２】
前記圧電素子は室温におけるヤング率が１１０ＧＰａ以上１４５ＧＰａ以下である圧電セラミックスを有することを特徴とする請求項１に記載の超音波モータ。
【請求項３】
前記Ｄ１〜ＤＸの最大値と最小値との差分が前記振動板の最大厚みＴｄｉａに対して５％以上２５％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の超音波モータ。
【請求項４】
前記Ｄ１〜ＤＸの平均値Ｄａｖｅが前記振動板の最大厚みＴｄｉａに対して２５％以上５０％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項５】
前記圧電素子は円環状であって、円環状に配置された圧電セラミックスと、該圧電セラミックスの前記振動板と対向する面上に該圧電セラミックスと該振動板との間に挟まれるように設けられた共通電極と、該圧電セラミックスの前記共通電極が設けられた面とは反対側の面上に設けられた複数の電極とを有しており、該複数の電極は、２つの駆動相電極と１つ以上の非駆動相電極と１つ以上の検知相電極よりなり、前記円環状の圧電素子の面上の任意の位置を通る、当該円環と中心を共にする円の円周を７等分した１つの円弧の長さをλとして円周長を７λで表したとき、前記２つの駆動相電極の円周方向の長さはそれぞれ３λであり、それらは円周方向にλ／４および３λ／４の長さを有する２つの間隔部により互いに円周方向に離隔され、前記圧電セラミックスの各駆動相電極と接する部分は円周方向に交互に極性が反転する６つの分極部からなり、前記１つ以上の非駆動相電極および前記１つ以上の検知相電極は前記２つの間隔部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項６】
前記振動板の外径２Ｒが９０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項７】
前記振動板の内径２Ｒｉｎ（単位ｍｍ）が、２Ｒ−１６≦２Ｒｉｎ≦２Ｒ−６の関係を満たすことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項８】
前記圧電セラミックスは円環状の一片の圧電セラミックスであり、該圧電セラミックスの外径が、前記振動板の外径より小さく、かつ、該圧電セラミックスの内径が、前記振動板の内径より大きいことを特徴とする請求項５に記載の超音波モータ。
【請求項９】
前記振動板の最大厚みＴｄｉａが、４ｍｍ以上６ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項１０】
前記振動板が、鋼を５０質量％以上、クロムを１０．５質量％以上含有する合金よりなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項１１】
前記Ｘが偶数であり、前記Ｄ１〜Ｄｘのうち、Ｄ１〜ＤＸ／２の深さ変動とＤＸ／２＋１〜ＤＸの深さ変動とが一致することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項１２】
前記検知相電極に最も近接する溝部の中心深さをＤｓｅｎ（ｓｅｎは１≦ｓｅｎ≦Ｘの自然数）としたときに、｜Ｄｓｅｎ＋１−Ｄｓｅｎ−１｜／Ｄｓｅｎが５％以下であることを特徴とする請求項５に記載の超音波モータ。
【請求項１３】
前記溝部の中心深さが極大となる溝部が１２箇所以上あることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項１４】
前記極大となる溝部のうち、その中心深さが前記Ｄ１〜ＤＸの平均値Ｄａｖｅの１．１５倍以上１．３０倍以下である溝部が８箇所以上であることを特徴とする請求項１３に記載の超音波モータ。
【請求項１５】
前記極大となる溝部のうち、中心深さが最も大きい溝部と二番目に大きい溝部の間に位置する溝部の数Ｉが、Ｉ≧Ｘ／１８の関係を満たすことを特徴とする請求項１３または１４に記載の超音波モータ。
【請求項１６】
前記圧電素子が下記一般式（１）
（Ｂａ１−ｓＣａｓ）ＴｉＯ３  （１）
（式中、０．１０≦ｓ≦０．３０）  
または、下記一般式（２）
（ＮａｑＢａ１−ｒ）（ＮｂｒＴｉ１−ｒ）Ｏ３  （２）（式中、０．８０≦ｑ≦０．９５、０．８５≦ｒ≦０．９５）
で表わされるペロブスカイト型金属酸化物を主成分とし、該圧電セラミックスに含まれる主成分以外の金属成分の含有量が前記金属酸化物１００重量部に対して金属換算で１重量部以下であることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項１７】
前記圧電素子は鉛の含有量が１０００ｐｐｍ未満である圧電セラミックスを有することを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項１８】
前記２Ｒは５７ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項１９】
前記Ｄ１〜ＤＸは１つ以上の正弦波を重ね合せた曲線に沿うように変化していることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の超音波モータ。
【請求項２０】
前記Ｄ１〜Ｄｘの変化における極大となる溝部と極小となる溝部とがそれぞれ１２箇所以上１６箇所以下あることを特徴とする請求項１９に記載の超音波モータ。
【請求項２１】
前記Ｄ１〜Ｄｘの変化における極大となる溝部と極小となる溝部とは互いに隣接しないことを特徴とする請求項１９または２０に記載の超音波モータ。
【請求項２２】
請求項１乃至２１のいずれか一項に記載の超音波モータと、該超音波モータと電気的に接続される駆動回路を少なくとも有することを特徴とする駆動制御システム。
【請求項２３】
前記駆動回路が前記振動子に７次の曲げ振動波を発生させる信号発生機構を有することを特徴とする請求項２２に記載の駆動制御システム。
【請求項２４】
請求項２２または２３に記載の駆動制御システムと前記超音波モータに力学的に接続した光学部材とを少なくとも有することを特徴とする光学機器。
【請求項２５】
円環状の振動子であって、
円環状の振動板と、圧電素子を備え、
前記円環状の振動板は、面上に放射状に伸びる溝部をＸ箇所に有し、該円環状の振動板の外径を２Ｒ（単位ｍｍ）としたときに、
前記Ｘは２Ｒ／０．８５−５≦Ｘ≦２Ｒ／０．８５＋１０を満たす自然数であり、前記２Ｒは５７ｍｍ以上であり、
隣接する前記溝部同士を隔てる隔壁部の外径側の円周方向の長さの平均値Ｌｔｏｐと前記溝部の外径側の円周方向の長さの平均値Ｌｂｔｍの比は０．８０≦Ｌｔｏｐ／Ｌｂｔｍ≦１．３５の範囲にある
ことを特徴とする振動子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月3日(2019.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
異なる位置に位置決めされている複数のウエハー処理チャンバーと、
前記異なる位置において前記ウエハー処理チャンバーを支持するシャーシーと、
１つまたは複数のマルチ・ウエハー・カセットであって、各マルチ・ウエハー・カセットは、垂直方向の軸線に沿ってアレイ状に配置されているＮ個のウエハー支持構造体を有し、前記ウエハー支持構造体は、直径Ｄの半導体ウエハーを支持するようにサイズ決めされており、Ｎは、１よりも大きい整数であり、各半導体ウエハー支持構造体は、前記アレイにおける任意の隣接する１つまたは複数のウエハー支持構造体から平均距離ｄだけ間隔を空けて配置され、
それぞれが、移動の間、半導体ウエハーを支持するように構成されているエンド・エフェクターを有する１つまたは複数のロボット・アームであって、前記１つまたは複数のロボット・アームは、前記１つまたは複数のマルチ・ウエハー・カセットから前記複数のウエハー処理チャンバーへ、および、前記１つまたは複数のマルチ・ウエハー・カセットへ、半導体ウエハーを搬送するように構成され、
前記１つまたは複数のマルチ・ウエハー・カセットのそれぞれの一部である少なくとも１つのスロット・ドア機構を有する少なくとも１つのバッファー・ガス・マイクロクライメイト・システムと、各スロット・ドア機構は、Ｄよりも大きい幅および（Ｎ−１）・ｄよりも低い高さを有する水平スロットを備えるプレート形状のドアを含むこと、
を備える、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、さらに、前記１つまたは複数のマルチ・ウエハー・カセットのうちの少なくとも１つを受け入れ、水平方向の軸線に沿って、前記受け入れられた前記１つまたは複数のマルチ・ウエハー・カセットのうちの少なくとも１つを水平位置の間で平行移動させるように構成されている、水平ウエハー・カセット・コンベヤーを備え、
前記ウエハー処理チャンバーは、前記水平ウエハー・カセット・コンベヤーのいずれかの側において、間隔を空けて配置された位置に位置決めされており、
前記１つまたは複数のロボット・アームのうちの第１のロボット・アームは、第１のマルチ・ウエハー・カセットが少なくとも前記水平な位置のうちの第１の水平な位置に位置決めされているときに、前記１つまたは複数のマルチ・ウエハー・カセットのうちの前記第１のマルチ・ウエハー・カセットと、前記ウエハー処理チャンバーの第１のウエハー処理チャンバー、前記ウエハー処理チャンバーの第２のウエハー処理チャンバー、前記ウエハー処理チャンバーの第３のウエハー処理チャンバー、および、前記ウエハー処理チャンバーの第４のウエハー処理チャンバーの間で、半導体ウエハーを搬送するように構成されており、
前記第１のウエハー処理チャンバーおよび前記第２のウエハー処理チャンバーは、前記水平ウエハー・カセット・コンベヤーの第１の側に配置されており、
前記第３のウエハー処理チャンバーおよび前記第４のウエハー処理チャンバーは、前記水平ウエハー・カセット・コンベヤーの第２の側に配置されており、
前記水平ウエハー・カセット・コンベヤーの前記第１の側は、前記水平ウエハー・カセット・コンベヤーの前記第２の側に対して、前記水平ウエハー・カセット・コンベヤーの反対側にある、装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の装置であって、
各スロット・ドア機構は、機械的な入力に応答して、前記マルチ・ウエハー・カセットの前記ウエハー支持構造体に対して垂直方向に前記ドアを平行移動させるように構成されている駆動機構を含み、スロット・ドアは、前記マルチ・ウエハー・カセットの一部であり、
各ドアは、（２・Ｎ−１）・ｄよりも高い高さを有する、装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の装置であって、前記少なくとも１つのバッファー・ガス・マイクロクライメイト・システムは、さらに、１つまたは複数のバッファー・ガス・ディストリビューターを含み、前記１つまたは複数のバッファー・ガス・ディストリビューターは、前記１つまたは複数のエンド・エフェクターによって支持されている前記半導体ウエハーの対向表面にわたってバッファー・ガスを流すように構成されており、
前記１つまたは複数のバッファー・ガス・ディストリビューターのそれぞれは、前記１つまたは複数のエンド・エフェクターのうちの異なる１つに関連付けられており、
各バッファー・ガス・ディストリビューターは、前記ロボット・アームの少なくともいくつかの移動の間、前記関連付けられたエンド・エフェクターと縦に並んで移動するように構成されており、前記関連付けられたエンド・エフェクターは、前記ロボット・アームの一部であり、
各バッファー・ガス・ディストリビューターおよび関連付けられたエンド・エフェクターは、間隔を空けて配置されており、そのバッファー・ガス・ディストリビューターおよび関連付けられたエンド・エフェクターは、Ｎ個の半導体ウエハーが前記Ｎ個のウエハー支持構造体によって支持されているときに、前記Ｎ個のウエハー支持構造体によって支持されている前記Ｎ個の半導体ウエハーのスタックの中へ挿入可能であり、
各バッファー・ガス・ディストリビューターおよび関連付けられたエンド・エフェクターは、Ｎ個の半導体ウエハーの前記スタックにおけるウエハー間ギャップ内に適合するようにそれぞれサイズ決めされている、装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の装置であって、
各機械的なインターフェースは、少なくとも１つのバッファー・ガス・ポートを含み、
各マルチ・ウエハー・カセットは、少なくとも１つのバッファー・ガス入口部を含み、
各マルチ・ウエハー・カセットの前記少なくとも１つのバッファー・ガス入口部は、そのマルチ・ウエハー・カセットがその機械的なインターフェースにインターフェース接続されているときに、各機械的なインターフェースの前記少なくとも１つのバッファー・ガス・ポートに整合しており、それによって、バッファー・ガスがその少なくとも１つのバッファー・ガス・ポートおよび少なくとも１つのバッファー・ガス入口部を介してそのマルチ・ウエハー・カセットの内部空間へ導入されることを可能にする、装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月17日(2020.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子アセンブリを形成する方法であって、
粘着層を用意するステップと、
第１の側および第２の側を有しており、前記第１の側が電子装置を有している電子回路部品を用意するステップと、
前記電子回路部品の前記第１の側を前記粘着層に接触させて配置するステップと、
結合材料を、前記粘着層のうちの前記電子回路部品の前記第１の側によって覆われていない部分へと、前記電子回路部品の前記第２の側を実質的に覆う深さまで堆積させるステップと、
前記結合材料を硬化させ、硬化した結合材料とするステップと、
前記粘着層を取り除くステップと
を含んでおり、
前記堆積させられた硬化した結合材料は、前記電子回路部品により近いより堅固な材料組成物と、前記電子回路部品からより遠いより堅固でない材料組成物とで構成され、前記堆積させられた硬化した結合材料を構成する前記より堅固な材料組成物および前記より堅固でない材料組成物は、同じ硬化作業の際に、実質的に同時に硬化させられ、
前記電子回路部品は、前記硬化した結合材料によって堅固に取り付けられた状態に保持される、方法。
【請求項２】
前記堆積は、異なる硬化可能結合材料組成物を含んでいる少なくとも２つの異なる印刷ヘッドを使用して達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記堆積は単一の印刷ヘッドを使用して達成され、前記結合材料は変化するＵＶ硬化ポリマー材料にてる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
電子アセンブリを形成する方法であって、
粘着層を用意するステップと、
第１の側および第２の側を有しており、前記第１の側が電子装置を有している電子回路部品を用意するステップと、
前記電子回路部品の前記第１の側を前記粘着層に接触させて配置するステップと、
結合材料を、前記粘着層のうちの前記電子回路部品の前記第１の側によって覆われていない部分へと、前記電子回路部品の前記第２の側を実質的に覆う深さまで堆積させるステップと、
前記結合材料を硬化させ、硬化した結合材料とするステップと、
前記粘着層を取り除くステップと
を含んでおり、
前記電子回路部品は、前記硬化した結合材料によって堅固に取り付けられた状態に保持され、
前記粘着層は、傾斜した側面と、傾斜した側面の間の平坦な部分とによって定められる、空洞部を備えて形成され、前記平坦な部分は、前記電子回路部品を受け入れるようなサイズとされており、
前記電子回路部品の前記第１の側は、前記平坦な部分の表面において前記粘着層に接触させて配置され、前記第１の表面は、前記粘着層の前記平坦な部分の前記表面に接触し、
前記堆積させるステップは、前記硬化した
結合材料を、前記粘着層のうちの前記電子回路部品の前記第１の側によって覆われていない部分へと、前記電子回路部品の前記第２の側を実質的に覆う深さまで堆積させ、残りの空洞部を前記結合材料で埋めることをさらに含む、方法。
【請求項５】
前記電子回路部品の前記第１の表面および前記硬化した結合材料の第１の表面は、互いに実質的に平坦である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記硬化した結合材料と前記電子回路部品の前記第１の表面との間に導電性の配線を配置するステップ
をさらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記結合材料を堆積させるステップの前に、前記粘着層の一部分に沿って広がり、かつ前記電子回路部品の側面に沿って高さ方向に上方へと延びる予備結合材料を、堆積させるステップと、
前記結合材料を堆積させるステップの前に、前記予備結合材料を硬化させ、硬化した予備結合材料とするステップと
をさらに含み、
前記硬化した予備結合材料は、前記硬化した結合材料よりも堅い性質を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記粘着層の表面および前記結合材料の表面へと実質的に透明な基板を配置するステップ
をさらに含み、
前記結合材料を硬化させるステップは、前記透明基板を通して前記結合材料へと硬化をもたらし、前記結合材料を硬化させるステップを含み、
前記粘着層を取り除くステップは、前記導電性の電子部品の各側に斜面の構成をもたらす、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記結合材料を堆積させるステップは、インクジェット式の印刷、エアロゾル式の印刷、および押し出し式の印刷のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記硬化した結合材料と前記電子回路部品の前記第１の表面との間に導電性の配線を配置するステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、
前記結合材料を堆積させるステップに先立って予備結合材料を堆積させるステップを含み、前記予備結合材料は、前記粘着層の一部分に沿って、かつ前記電子回路部品の側面に沿って高さ方向に上方へと延び、
前記結合材料を堆積させるステップに先立って、前記予備結合材料を硬化した予備結合材料へと硬化させるステップを含み、前記硬化した予備結合材料は、前記硬化した結合材料よりも堅い性質を有する、
請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
前記堆積させられた硬化した結合材料は、前記電子回路部品により近いより堅固な材料組成物と、前記電子回路部品からより遠いより堅固でない材料組成物とで構成される、請求項４に記載の方法。
【請求項１３】
前記粘着層の表面および前記結合材料の表面へと実質的に透明な基板を配置するステップ
をさらに含み、
前記結合材料を硬化させるステップは、前記透明基板を通して前記結合材料へと硬化をもたらし、前記結合材料を硬化させるステップを含み、
前記粘着層を取り除くステップは、前記導電性の電子部品の各側に斜面の構成をもたらす、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月28日(2019.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量素子を有する半導体装置であって、
前記容量素子は、
第１の導電体と、
前記第１の導電体の上面を覆う領域と、前記第１の導電体の側面を覆う領域と、を有する絶縁体と、
前記絶縁体を介して、前記第１の導電体の上面を覆う領域と、前記第１の導電体の側面を覆う領域と、を有する第２の導電体と、を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
凸部を有する第２の絶縁体を有し、
前記第１の導電体は、前記凸部上に配置される半導体装置。
【請求項３】
半導体基板上の第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの上の、酸化物半導体を有する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの上容量素子と、を有し、
前記容量素子は、第１の導電体、第２の導電体、および絶縁体を有し、
前記第２の導電体は、前記絶縁体を介して、前記第１の導電体の上面を覆う領域と、前記第１の導電体の側面を覆う領域と、を有する半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上の第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの上の、酸化物半導体を有する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの上の層間膜と、
前記層間膜上の容量素子と、を有し、
前記容量素子は、第１の導電体、第２の導電体、および絶縁体を有し、
前記層間膜と、前記絶縁体とが接する領域における前記絶縁体の上面は、前記層間膜と、前記第１の導電体とが接する領域における前記第１の導電体の底面よりも、下方である半導体装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとの間には、第１のバリア性を有する層間膜、およびバリア性を有する配線を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記容量素子と、前記第２のトランジスタとの間には、第２のバリア性を有する層間膜を有する半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記絶縁体は、酸化アルミニウムを含む層と、前記酸化アルミニウムを含む層上の酸化シリコンを含む層と、を有する半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の導電体は、角部に丸みを有する半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８いずれか一において、
前記第２の導電体は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、前記第２の層上の第３の層と、を有し、
前記第２の層の側面は、前記第１の層の側面および前記第３の層の側面の各々より内側に位置する半導体装置。