【手続補正書】
【提出日】令和2年2月28日(2020.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光エネルギが基板上にエッチングされたフィーチャと相互作用することによって生成された測定光信号を、前記基板上にエッチングされた前記フィーチャの目標形状パラメータの値と関連づける計算モデルを、コンピュータにより生成する方法であって、
前記測定光信号が前記目標形状パラメータの値ほど非目標形状パラメータの値と強く相関しない範囲を決定する工程と、
前記範囲内の前記測定光信号の値を持つ要素を有するトレーニングセットを提供する工程であって、前記トレーニングセットの各要素は、（ｉ）前記基板にエッチングされた前記フィーチャの前記目標形状パラメータの値、および、（ｉｉ）前記基板にエッチングされた前記フィーチャの前記目標形状パラメータの前記値を有するエッチングフィーチャから生成された関連の光信号を含む工程と、
前記トレーニングセットから前記計算モデルを生成する工程と
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記トレーニングセットの前記要素は、さらに、前記基板にエッチングされた前記フィーチャの非目標形状パラメータの値を含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記トレーニングセットの前記要素は、実験的に取得される方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記トレーニングセットの前記要素は、計算的に生成される方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、前記トレーニングセットの前記要素は、表面動力学モデルおよび光学モデリングルーチンから生成される方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記トレーニングセットは、少なくとも約５０の要素を含む方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記トレーニングセットから前記計算モデルを生成する工程は、ニューラルネットワークまたは回帰技術を用いる工程を含む方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記基板上にエッチングされた前記フィーチャの前記目標形状パラメータは、エッチング深さ、ピッチ、または、エッチングクリティカルディメンションである方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記光信号は、前記基板上にエッチングされた前記フィーチャから生成された反射率値を含む方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記測定光信号が前記目標形状パラメータほど非目標形状パラメータと強く相関しない前記範囲は、波長の範囲である方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、前記範囲を決定する工程は、前記目標形状パラメータの異なる値について、前記光信号と前記目標形状パラメータとの相関の変動に従って、前記範囲の変動を決定する工程を含む方法。
【請求項１２】
光エネルギが基板上にエッチングされたフィーチャと相互作用することによって生成された測定光信号から、前記基板上にエッチングされた前記フィーチャの目標形状パラメータの値を計算するよう構成された計算モデルを生成するプログラムであって、前記計算モデルは、請求項１の方法により前記コンピュータによって生成される、プログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプログラムであって、前記計算モデルを生成するために用いられる前記トレーニングセットの前記要素は、さらに、前記基板にエッチングされた前記フィーチャの非目標形状パラメータの値を含むプログラム。
【請求項１４】
請求項１２に記載のプログラムであって、前記計算モデルを生成するために用いられる前記トレーニングセットの前記要素は、実験的に取得されるプログラム。
【請求項１５】
請求項１２に記載のプログラムであって、前記計算モデルを生成するために用いられる前記トレーニングセットの前記要素は、計算的に生成されるプログラム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプログラムであって、前記トレーニングセットの前記要素は、表面動力学モデルおよび光学モデリングルーチンから生成されるプログラム。
【請求項１７】
請求項１２に記載のプログラムであって、前記トレーニングセットは、少なくとも約５０の要素を含むプログラム。
【請求項１８】
請求項１２に記載のプログラムであって、前記計算モデルは、ニューラルネットワークまたは回帰技術を用いて前記トレーニングセットから生成されるプログラム。
【請求項１９】
請求項１２に記載のプログラムであって、前記基板上にエッチングされた前記フィーチャの前記目標形状パラメータは、エッチング深さ、ピッチ、または、エッチングクリティカルディメンションであるプログラム。
【請求項２０】
請求項１２に記載のプログラムであって、前記光信号は、前記基板上にエッチングされた前記フィーチャから生成された反射率値を含むプログラム。
【請求項２１】
請求項１２に記載のプログラムであって、前記計算モデルを生成する時に、前記測定光信号が前記目標形状パラメータほど非目標形状パラメータと強く相関しない前記範囲は、波長の範囲であるプログラム。
【請求項２２】
請求項１２に記載のプログラムであって、前記計算モデルを生成する時に、前記範囲を決定する工程は、前記目標形状パラメータの異なる値について、前記光信号と前記目標形状パラメータとの相関の変動に従って、前記範囲の変動を決定する工程を含むプログラム。
【請求項２３】
エッチング処理中に基板上に生成される１または複数のフィーチャの形状パラメータ値を、コンピュータにより監視または決定する方法であって、
（ａ）光エネルギが前記基板上にエッチングされているフィーチャと相互作用することによって生成された光信号を測定する工程と、
（ｂ）前記測定された光信号の一部を提供する工程であって、前記一部は、光信号が前記フィーチャの目標形状パラメータの値と相関すると決定された範囲によって規定される工程と、
（ｃ）前記測定された光信号から前記目標形状パラメータの値を予測するよう構成されたモデルに前記一部の光信号を適用する工程であって、前記モデルは、光信号がフィーチャの目標形状パラメータの値と相関すると決定された前記範囲を決定することによって生成される工程と、
（ｄ）前記モデルから、エッチングされている前記フィーチャの前記目標形状パラメータの現在の値を決定する工程と、
（ｅ）エッチングされている前記フィーチャの前記目標形状パラメータの前記現在の値を、前記目標形状パラメータのエッチング処理の終点値と比較する工程と、
（ｆ）エッチングされている前記フィーチャの前記目標形状パラメータの前記現在の値が前記終点値に達したことを工程（ｅ）における比較が示すまで、工程（ａ）〜（ｅ）を繰り返す工程と
を備える方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、エッチングされている前記フィーチャの前記目標形状パラメータは、エッチング深さ、ピッチ、または、エッチングクリティカルディメンションである方法。
【請求項２５】
請求項２３に記載の方法であって、さらに、エッチングされている前記フィーチャの前記目標形状パラメータの前記現在の値が前記終点値に達したことを工程（ｅ）における比較が示した時に、前記エッチング処理を終了する工程を備える方法。
【請求項２６】
請求項２３に記載の方法であって、工程（ａ）で生成された光信号を測定することは、前記基板上にエッチングされている前記フィーチャから生成された反射率を測定することを含む方法。
【請求項２７】
請求項２３に記載の方法であって、工程（ｂ）で前記測定された光信号の一部を規定する前記範囲は、前記光信号が前記フィーチャの前記目標形状パラメータの値と相関することを回帰技術を用いて判定された波長の範囲である方法。
【請求項２８】
請求項２３に記載の方法であって、工程（ｂ）で前記測定された光信号の一部を規定する前記範囲は、工程（ａ）〜（ｅ）の２回の繰り返しの間で変化する方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の方法であって、工程（ｂ）で前記測定された光信号の一部を規定する前記範囲は、前記目標形状パラメータの異なる値について、前記光信号と前記目標形状パラメータとの相関の変動に従って変化するように決定される方法。
【請求項３０】
請求項２３に記載の方法であって、工程（ｂ）で前記測定された光信号の一部を規定する前記範囲は、前記光信号が前記目標形状パラメータほど非目標形状パラメータと強く相関しないと判定された範囲である方法。
【請求項３１】
エッチング処理中に基板上に１または複数のフィーチャをエッチングするためのシステムであって、
半導体基板をエッチングするためのエッチング装置と、
前記エッチング装置の動作を制御するためのコントローラと
を備え、
前記コントローラは、
（ａ）光エネルギが前記基板上にエッチングされているフィーチャと相互作用することによって生成された光信号を測定するための実行可能な命令と、
（ｂ）前記測定された光信号の一部を提供するための実行可能な命令であって、前記一部は、光信号が前記フィーチャの目標形状パラメータの値と相関すると決定された範囲によって規定される命令と、
（ｃ）前記測定された光信号から前記目標形状パラメータの値を予測するよう構成されたモデルに前記一部の光信号を適用するための実行可能な命令であって、前記モデルは、光信号がフィーチャの目標形状パラメータの値と相関すると決定された前記範囲を決定することによって生成される命令と、
（ｄ）前記モデルから、エッチングされている前記フィーチャの前記目標形状パラメータの現在の値を決定するための実行可能な命令と、
（ｅ）エッチングされている前記フィーチャの前記目標形状パラメータの前記現在の値を、前記目標形状パラメータのエッチング処理の終点値と比較するための実行可能な命令と、
（ｆ）エッチングされている前記フィーチャの前記目標形状パラメータの前記現在の値が前記終点値に達したことを（ｅ）における比較が示すまで、（ａ）〜（ｅ）を繰り返すための実行可能な命令と
を格納する持続的なメモリを備えるシステム。
【請求項３２】
請求項３１に記載のシステムであって、前記エッチング装置は、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で基板を保持するための基板ホルダと、
前記処理チャンバ内でプラズマを生成するためのプラズマ発生器であって、ＲＦ電源を備えたプラズマ発生器と、
１または複数の処理ガスを前記処理チャンバ内に流すための１または複数のバルブ制御された処理ガス流入口と、
前記処理チャンバからガスを排気するために１または複数の真空ポンプに流体接続された１または複数のガス流出口と
を備えるシステム。
【請求項３３】
請求項３１に記載のシステムあって、エッチングされている前記フィーチャの前記目標形状パラメータは、エッチング深さ、ピッチ、または、エッチングクリティカルディメンションであるシステム。
【請求項３４】
請求項３１に記載のシステムであって、前記コントローラは、さらに、エッチングされている前記フィーチャの前記目標形状パラメータの前記現在の値が前記終点値に達したことを（ｅ）における比較が示した時に、前記エッチング処理を終了するための命令を備えるシステム。
【請求項３５】
請求項３１に記載のシステムであって、（ａ）で生成された光信号を測定するためのコントローラの命令は、前記基板上にエッチングされている前記フィーチャから生成された反射率を測定するための命令を含むシステム。
【請求項３６】
請求項３１に記載のシステムであって、（ｂ）で前記測定された光信号の一部を規定する前記範囲は、前記光信号が前記フィーチャの前記目標形状パラメータの値と相関することを回帰技術を用いて判定された波長の範囲であるシステム。
【請求項３７】
請求項３１に記載のシステムであって、前記コントローラは、さらに、（ｂ）で前記測定された光信号の一部を規定する前記範囲を、（ａ）〜（ｅ）の２回の繰り返しの間で変更するための命令を備えるシステム。
【請求項３８】
請求項３７に記載のシステムであって、（ｂ）で前記測定された光信号の一部を規定する前記範囲は、前記目標形状パラメータの異なる値について、前記光信号と前記目標形状パラメータとの相関の変動に従って変化するように決定されるシステム。
【請求項３９】
請求項３１に記載のシステムであって、（ｂ）で前記測定された光信号の一部を規定する前記範囲は、前記光信号が前記目標形状パラメータほど非目標形状パラメータと強く相関しないと判定された範囲であるシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】エッチングシステム、計算モデルを生成するプログラムおよびその方法