(57)【要約】  電子部品パッケージにおいて、封止部材に設けられた貫通孔での安定した導通状態を確保するとともに、パッケージの内部の気密性を十分に確保する。  電子部品パッケージにおいて、対向するように配置されて、電子部品素子２の電極３１，３２を気密封止する第１封止部材（電子部品パッケージ用封止部材）４及び第２封止部材６と、第１封止部材４の基材の第２封止部材６との対向面４２に形成された内部電極５５、第１封止部材４の基材の対向面４２と対向する面４３に形成された外部電極５６と、第１封止部材４の基材を貫通する貫通孔４９と、内部電極５５と外部電極５６とを電気的に接続する貫通孔４９の内側面に形成された貫通電極５７とを備える。そして、貫通孔４９の少なくとも一方の開口面を樹脂材５８で封止する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された第１封止部材及び第２封止部材により電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、
当該電子部品パッケージ用封止部材の基材を貫通する貫通孔と、
前記基材の前記第２封止部材との対向面に形成された内部電極と、
前記基材の前記対向面と対向する面に形成された外部電極と、
前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続する前記貫通孔の内側面に形成された貫通電極とが備えられており、
前記貫通孔の少なくとも一方の開口面が樹脂材で封止されている
ことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
前記樹脂材は、感光性を有しており、
前記貫通孔の少なくとも一方の開口面は、この開口面に配された前記樹脂材からなる樹脂パターンにより封止されていることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
前記貫通孔の内部に、樹脂材が充填されていることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
前記内部電極の少なくとも一部の表面が樹脂材で被覆されていることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
前記外部電極の少なくとも一部の表面が樹脂材で被覆されていることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
前記基材と、前記内部電極、前記外部電極、及び前記貫通電極の各々との間に、樹脂材が介在していることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
前記内部電極及び前記外部電極の少なくとも一方の上に、樹脂材を介して他の電極が形成されていることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項８】
対向して配置された第１封止部材及び第２封止部材により電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージであって、
前記第１封止部材が、請求項１乃至７のいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項９】
対向して配置された第１封止部材及び第２封止部材により電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材を製造するための製造方法であって、
当該電子部品パッケージ用封止部材の基材を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記基材に対し、前記第２封止部材との対向面に位置する内部電極と、前記対向面と対向する面に位置する外部電極と、前記貫通孔の内側面に沿う貫通電極とを形成する電極形成工程と、
前記貫通孔の少なくとも一方の開口面を樹脂材で封止する封孔工程とを有することを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子部品パッケージ用封止部材の製造方法であって、
前記封孔工程は、感光性を有する前記樹脂材を用いたフォトリソグラフィ法により、前記貫通孔の少なくとも一方の開口面を封止する樹脂パターンをパターン形成する工程を含むことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向して配置された第１封止部材及び第２封止部材により電子部品素子の電極が封止されている電子部品パッケージの第１の封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材、この電子部品パッケージ用封止部材を使用してなる電子部品パッケージ、及びその電子部品パッケージ用封止部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品パッケージの内部空間は、この内部空間に搭載した電子部品素子の電極の特性が劣化するのを防ぐために気密封止される。このような内部空間が気密封止された電子部品パッケージとして、例えば、水晶振動子等の圧電振動デバイスが挙げられる。【０００３】
この種の電子部品パッケージとしては、ベースと蓋といった２つの封止部材から構成され、その筐体が直方体のパッケージに構成されたものがある。このようなパッケージの内部空間では、圧電振動片等の電子部品素子がベースに保持接合される。そして、ベースと蓋とが接合されることで、パッケージの内部空間の電子部品素子の電極が気密封止される（例えば、特許文献１参照）。【０００４】
特許文献１に示すような水晶振動子パッケージ（即ち、電子部品パッケージ）のベースには、当該ベースの基材を貫通する貫通孔が設けられている。そして、この貫通孔を介して、ベースの両主面に設けられた電極同士が電気的に接続されている。【０００５】
このようなベースに設けられた貫通孔には、導電部材が充填されており、この導電部材がベースの両主面に設けられた電極と接続されることで、両主面に設けられた電極同士が導通するとともに、パッケージの内部空間の気密性が保持される。ここで、導電部材として、特許文献１には、銀ペースト、及び貫通孔に嵌合される金属部材が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１２４８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、近年では、圧電振動デバイス等の電子部品パッケージにおいて、小型化が求められており、これに伴って、上記したようなベース等の封止部材に設けられる貫通孔は微小化する傾向にある。【０００８】
しかし、特許文献１に開示の銀ペーストのような導電性ペーストは、一般に高い粘性を有することから、微小な貫通孔への充填が困難である。また、導電部材として金属部材を微小な貫通孔に充填する場合には、微小な貫通孔に密に係合する微小な金属部材を製造することが難しい。【０００９】
このため、微小な貫通孔へ導電性ペースト又は金属部材を充填する際に、充填不良が生じることがあった。そして、このような充填不良により貫通孔が完全に封じられないことから、パッケージの内部空間の気密性が損なわれてしまうことがあった。【００１０】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであって、電子部品パッケージの封止部材として使用されることで、その電子部品パッケージの内部に十分な気密性を備えさせることができる電子部品パッケージ用封止部材を提供することを目的とする。【００１１】
また、本発明は、パッケージの内部の気密性が十分に保持された電子部品パッケージを提供することを他の目的とする。【００１２】
また、本発明は、電子部品パッケージの封止部材として使用されることで、その電子部品パッケージの内部に十分な気密性を備えさせることができる電子部品パッケージ用封止部材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するため、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材は、対向して配置された第１封止部材及び第２封止部材により電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、当該電子部品パッケージ用封止部材の基材を貫通する貫通孔と、前記基材の前記第２封止部材との対向面に形成された内部電極と、前記基材の前記対向面と対向する面に形成された外部電極と、前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続する前記貫通孔の内側面に形成された貫通電極とが備えられており、前記貫通孔の少なくとも一方の開口面が樹脂材で封止されていることを特徴とする。【００１４】
この構成によれば、貫通孔の内側面に沿って形成された貫通電極により、内部電極と外部電極とが電気的に接続されるとともに、その貫通孔での導通状態が安定する。また、貫通孔の少なくとも一方の開口面が樹脂材により封止されているため、当該電子部品パッケージ用封止部材が用いられた電子部品パッケージの内部に、十分な気密性を備えさせることができる。なお、本発明でいう当該電子部品パッケージ用封止部材の基材への電極（内部電極、外部電極、及び貫通電極）の形成とは、基材表面に直接、電極を形成することの他、基材表面との間に何らかの物質を介して電極を形成することを含む広い概念とする。【００１５】
また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材では、前記樹脂材は感光性を有しており、前記貫通孔の少なくとも一方の開口面は、この開口面に配された前記樹脂材からなる樹脂パターンにより封止されていてもよい。【００１６】
この構成によれば、貫通孔の少なくとも一方の開口面は、この開口面に配された感光性を有する樹脂材からなる樹脂パターンにより確実に封止される。このような樹脂パターンは、例えば、感光性を有する樹脂材を用いたフォトリソグラフィ法等により簡単且つ精度よく形成され、当該電子部品パッケージ用封止部材が設けられた電子部品パッケージの内部に、十分な気密性を備えさせる。【００１７】
また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材では、前記貫通孔の内部に、樹脂材が充填されていてもよい。【００１８】
この構成によれば、貫通孔は、この貫通孔に充填された樹脂材により確実に封じられるから、当該電子部品パッケージ用封止部材が用いられた電子部品パッケージの内部に、十分な気密性を確実に備えさせることができる。【００１９】
また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材では、前記内部電極の少なくとも一部の表面は、樹脂材で被覆されていてもよい。【００２０】
この構成によれば、内部電極の少なくとも一部の表面は樹脂材で被覆されるから、樹脂材で被覆されている部分の内部電極の電極表面がＣｕ等の酸化し易い金属で構成されている場合において、電極表面の酸化が防止される。【００２１】
また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材では、前記外部電極の少なくとも一部の表面は、樹脂材で被覆されていてもよい。【００２２】
この構成によれば、外部電極の少なくとも一部の表面は樹脂材で被覆されているから、樹脂材で被覆されている部分の外部電極の電極表面がＣｕ等の酸化し易い金属で構成されている場合において、電極表面の酸化が防止される。【００２３】
また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材では、前記基材と、前記内部電極、前記外部電極、及び前記貫通電極の各々との間に、樹脂材が介在していてもよい。【００２４】
この構成によれば、当該電子部品パッケージ用封止部材の基材と、内部電極、外部電極、及び貫通電極の各々との間には、樹脂材が介在しているから、内部電極、外部電極、及び貫通電極の各々を構成する金属と、当該電子部品パッケージ用封止部材の基材とが反応することがなく、内部電極、外部電極、及び貫通電極の各々を構成する金属との反応によって当該電子部品パッケージ用封止部材の基材が劣化することがない。【００２５】
また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材では、前記内部電極及び前記外部電極の少なくとも一方の上に、樹脂材を介して他の電極が形成されていてもよい。【００２６】
この構成によれば、当該電子部品パッケージ用封止部材の厚み方向に複数の配線パターンを備えることができる。【００２７】
また、本発明に係る電子部品パッケージは、対向して配置された第１封止部材及び第２封止部材により電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージであって、前記第１封止部材が、上記した本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする。【００２８】
この構成によれば、第１封止部材として、上記した本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材が使用されているから、その電子部品パッケージ用封止部材によりパッケージの内部の気密性が十分に保持される。さらに、その電子部品パッケージ用封止部材に設けられた貫通孔において、安定した導通状態が確保される。【００２９】
また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材の製造方法は、対向して配置された第１封止部材及び第２封止部材により電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材を製造するための製造方法であって、当該電子部品パッケージ用封止部材の基材を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記基材に対し、前記第２封止部材との対向面に位置する内部電極と、前記対向面と対向する面に位置する外部電極と、前記貫通孔の内側面に沿う貫通電極とを形成する電極形成工程と、前記貫通孔の少なくとも一方の開口面を樹脂材で封止する封孔工程とを有することを特徴とする。【００３０】
この製造方法によれば、電極形成工程で、貫通孔の内側面に沿う貫通電極を形成するため、この貫通電極により、内部電極と外部電極とが電気的に接続されており、且つ貫通孔の内部での導通状態が安定している電子部品パッケージ用封止部材を製造することができる。また、貫通孔の少なくとも一方の開口面を、樹脂材により封止する封孔工程を有しているため、電子部品パッケージの第１封止部材として用いられた時に、その電子部品パッケージの内部に十分な気密性を備えさせることができる電子部品パッケージ用封止部材を製造することができる。【００３１】
また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、前記封孔工程は、感光性を有する前記樹脂材を用いたフォトリソグラフィ法により、前記貫通孔の少なくとも一方の開口面を封止する樹脂パターンをパターン形成する工程を含んでいてもよい。【００３２】
この製造方法によれば、感光性を有する樹脂材を用いたフォトリソグラフィ法により、簡単且つ精度よく樹脂パターンを形成することができ、その結果、貫通孔の少なくとも一方の開口面を、樹脂パターンにより確実に封止することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の電子部品パッケージ用封止部材によれば、電子部品パッケージの封止部材として使用されることで、その電子部品パッケージの内部に十分な気密性を備えさせることができる電子部品パッケージ用封止部材を提供することができる。【００３４】
また、本発明の電子部品パッケージによれば、パッケージの内部の気密性が十分に確保されている電子部品パッケージを提供することができる。【００３５】
また、本発明の電子部品パッケージ用封止部材の製造方法によれば、電子部品パッケージの封止部材として使用されることで、その電子部品パッケージの内部に十分な気密性を備えさせることができる電子部品パッケージ用封止部材を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、実施の形態１に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略断面図であって、図２Ａに示すベースの一点鎖線に沿って全体を切断した時の水晶振動子の概略断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施の形態１に係るベースの概略平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、実施の形態１に係るベースの概略断面図であって、図２Ａの一点鎖線に沿ってベースを切断したときの概略断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、実施の形態１に係るベースの概略底面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、実施の形態１に係る蓋の概略断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、実施の形態１に係る蓋の概略底面図である。
【図４】図４は、実施の形態１に係る水晶振動片の概略底面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａに示すウエハを、図５Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａに示すウエハを、図６Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示すウエハを、図７Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａに示すウエハを、図８Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９Ａに示すウエハを、図９Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０Ａに示すウエハを、図１０Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、図１１Ａに示すウエハを、図１１Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２Ａに示すウエハを、図１２Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３Ａに示すウエハを、図１３Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４Ａに示すウエハを、図１４Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、図１５Ａに示すウエハを、図１５Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１６Ａに示すウエハを、図１６Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、図１７Ａに示すウエハを、図１７Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、図１８Ａに示すウエハを、図１８Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、図１９Ａに示すウエハを、図１９Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、図２０Ａに示すウエハを、図２０Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、図２１Ａに示すウエハを、図２１Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、図２２Ａに示すウエハを、図２２Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図２３Ａ】図２３Ａは、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略平面図である。
【図２３Ｂ】図２３Ｂは、図２３Ａに示すウエハを、図２３Ａの一点鎖線に沿って切断したときの概略断面図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、実施の形態２に係るベースの概略平面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、実施の形態２に係るベースの概略断面図であって、図２４Ａの一点鎖線に沿ってベースを切断したときの概略断面図である。
【図２４Ｃ】図２４Ｃは、実施の形態２に係るベースの概略底面図である。
【図２５Ａ】図２５Ａは、実施の形態３に係るベースの概略平面図である。
【図２５Ｂ】図２５Ｂは、実施の形態３に係るベースの概略断面図であって、図２５Ａの一点鎖線に沿ってベースを切断したときの概略断面図である。
【図２５Ｃ】図２５Ｃは、実施の形態３に係るベースの概略底面図である。
【図２６Ａ】図２６Ａは、実施の形態４に係るベースの概略平面図である。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは、実施の形態４に係るベースの概略断面図であって、図２６Ａの一点鎖線に沿ってベースを切断したときの概略断面図である。
【図２６Ｃ】図２６Ｃは、実施の形態４に係るベースの概略底面図である。
【図２７】図２７は、実施の形態５に係る水晶発振器の内部空間を公開した概略側面図である。
【図２８Ａ】図２８Ａは、実施の形態５に係るベースの概略平面図である。
【図２８Ｂ】図２８Ｂは、実施の形態５に係るベースの概略底面図である。
【図２９Ａ】図２９Ａは、実施の形態６に係るベースの概略平面図である。
【図２９Ｂ】図２９Ｂは、実施の形態６に係るベースの概略断面図であって、図２９Ａの一点鎖線に沿ってベースを切断したときの概略断面図である。
【図２９Ｃ】図２９Ｃは、実施の形態６に係るベースの概略底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明の実施の形態１〜６について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態１〜４、及び６では、圧電振動デバイスである水晶振動子のパッケージに本発明の電子部品パッケージを適用し、さらに電子部品素子として圧電振動片であるＡＴカット水晶振動片を採用した場合を示す。また、実施の形態５では、圧電振動デバイスである水晶発振器のパッケージに本発明の電子部品パッケージを適用し、さらに、電子部品素子として圧電振動片であるＡＴカット水晶振動片とＩＣチップとを採用した場合を示す。
【００３８】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略断面図である。また、図２Ａ〜図２Ｃは、実施の形態１に係るベースの概略構成を示す概略図であり、図２Ａは、概略平面図であり、図２Ｂは、図２Ａの一点鎖線に沿ってベースを切断したときの切断面の状態を示す概略断面図であり、図２Ｃは、概略底面図である。
【００３９】
また、図３Ａ及び図３Ｂは、実施の形態１に係る蓋の概略構成を示す概略図であり、図３Ａは、概略断面図であり、図３Ｂは概略底面図である。さらに、図４は、実施の形態１に係る水晶振動片の概略底面図である。
【００４０】
実施の形態１に係る水晶振動子１には、図１に示すように、ＡＴカット水晶からなる水晶振動片２（本発明でいう電子部品素子）と、この水晶振動片２を保持し、水晶振動片２を気密封止するためのベース４（本発明でいう第１封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）と、ベース４と対向するように配置され、ベース４に保持した水晶振動片２の励振電極３１，３２（本発明でいう電子部品素子の電極）を気密封止するための蓋６（本発明でいう第２封止部材）とが設けられている。
【００４１】
この水晶振動子１では、ベース４と蓋６とからパッケージ（本発明でいう電子部品パッケージ）が構成され、ベース４と蓋６とがＡｕとＳｎの合金からなる接合材７１により接合されて、気密封止された内部空間１１が形成される。この内部空間１１では、ベース４に、水晶振動片２が、金バンプ等の導電性バンプ（不図示）を用いたＦＣＢ法（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）により電気機械的に超音波接合されている。なお、ベース４と水晶振動片２とは、導電性樹脂接合材により接合されていてもよい。
【００４２】
次に、この水晶振動子１の各構成について説明する。
【００４３】
ベース４は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１及び図２Ａ〜図２Ｃに示すように、底部４１と、ベース４の一主面４２の外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４４とから構成された箱状体に成形されている。ベース４は、直方体の一枚板をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形される。
【００４４】
ベース４の壁部４４の天面は、蓋６との接合面であり、この接合面には、蓋６と接合するための第１接合層４５が設けられている。第１接合層４５は、図２Ｂに示すように、スパッタ膜４５１の上にメッキ膜４５２が形成された複数の層の積層構造からなる。スパッタ膜４５１は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されたＭｏからなるＭｏ膜の上に、ＡｕからなるＡｕ膜がスパッタリング法によりスパッタリング形成されてなる。また、メッキ膜４５２は、スパッタ膜４５１の上に、ＡｕからなるＡｕ膜をメッキ形成してなる。
【００４５】
ベース４には、底部４１と壁部４４とによって囲まれたキャビティ４６が形成され、このキャビティ４６は、図１に示すように、平面視矩形状に形成され、キャビティ４６の壁面がテーパー状に形成されている。なお、実施の形態１では、キャビティ４６は、平面視長方形に形成されている。
【００４６】
また、キャビティ４６の底面４６１には、２つの台座部４１１，４１２が、キャビティ４６の短手方向で互いに対向するように設けられている。これら台座部４１１，４１２は、それぞれ、キャビティ４６の底面４６１の短手方向に沿う辺Ｌ１に接するとともに、この短手方向に沿う辺Ｌ１と隣接し、底面４６１の長手方向に沿う辺Ｌ２，Ｌ３に接して設けられている。
【００４７】
また、ベース４の平面視長方形の筺体裏面（他主面４３）には、２つのキャスタレーション４７，４８が形成されている（図１、図２Ｂ、及び図２Ｃ参照）。キャスタレーション４７は、筐体側面に形成され、他主面４３の短手方向に沿う一側辺の全体と、この一側辺に隣接し、他主面４３の長手方向に沿う二つの側辺の一部とに沿って形成されている。キャスタレーション４８は、筐体側面に形成され、他主面４３の短手方向に沿う他側辺の全体と、この他側辺に隣接し、他主面４３の長手方向に沿う二つの側辺の一部とに沿って形成されている。なお、実施の形態１では、壁面がベース４の他主面４３に対して傾斜するように、２つのキャスタレーション４７，４８が形成されている。
【００４８】
また、ベース４には、図１及び図２Ａ〜図２Ｃに示すように、ベース４の基材を貫通する貫通孔４９が形成されている。この貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜を有しテーパー状に形成されている。貫通孔４９の径は、ベース４の他主面４３の側の端部で最大となり、ベース４の一主面４２の側の端部で最小となる。
【００４９】
また、ベース４の基材には、水晶振動片２の励振電極３１，３２それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド５１，５２と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極５３，５４と、電極パッド５１と外部端子電極５３、および電極パッド５２と外部端子電極５４を電気的に接続させる配線パターン（図示省略）とが、形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターンとによりベース４の電極５５，５６，５７が構成される。電極パッド５１，５２は、台座部４１１，４１２の表面に形成され、外部端子電極５３，５４は、キャスタレーション４７，４８に形成されている。そして、配線パターンは、貫通孔４９の内側面４９１を介して、ベース４の一主面４２の電極パッド５１，５２から他主面４３の外部端子電極５３，５４にかけて形成されている。
【００５０】
なお、ベース４の基材に形成された電極５５，５６，５７のうち、ベース４の基材の一主面４２（貫通孔４９の開口面４９２は除く）に形成された電極５５を内部電極（以下、他の電極５６，５７と区別する必要がある場合には内部電極５５と表記する。）といい、ベース４の基材の他主面４３（貫通孔４９の開口面４９３は除く）に形成された電極５６を外部電極（以下、他の電極５５，５７と区別する必要がある場合には、外部電極５６と表記する。）といい、貫通孔４９の内側面４９１から貫通孔４９の開口面４９２，４９３にかけて形成された電極５７を貫通電極（以下、他の電極５５，５６と区別する必要がある場合には、貫通電極５７と表記する。）という。つまり、本実施の形態１において、貫通電極５７は、貫通孔４９の内側面４９１の全体と貫通電極５７の開口面４９２及び４９３の周縁部とに形成されている。
【００５１】
電極パッド５１，５２を含む内部電極５５、外部端子電極５３，５４を含む外部電極５６、及び貫通電極５７は、第１接合層４５と同一の材料からなり、第１接合層４５と同時に形成される。
【００５２】
また、ベース４の一主面４２にあたるキャビティ４６の底面４６１の半分以上の領域に渡って、樹脂パターン５８（樹脂材）が配されており、樹脂パターン５８によって、ベース４の一主面４２の側にある開口面４９２が封止されるとともに、電極パッド５１，５２を除く内部電極５５の一部の表面が樹脂被覆されている。ここで、樹脂パターン５８を構成する樹脂材には、ベース４を構成する材料（例えば、ガラス材料）との密着性が良好な樹脂材をいずれも使用することができ、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリベンズオキサゾール、エポキシ、ポリイミド、又はフッ素系樹脂からなる樹脂材を好適に使用することができる。なお、実施の形態１では、フォトリソグラフィ法により樹脂パターン５８がキャビティ４６の底面４６１に形成されており、樹脂パターン５８を構成する樹脂材には、感光性を有する樹脂材が使用されている。なお、本発明でいう感光性を有する樹脂材とは、感光性を有する樹脂からなる樹脂材の他、感光剤と樹脂とを含む感光性樹脂組成物を含む広い概念とする。
【００５３】
蓋６は、図１、図３Ａ、及び図３Ｂに示すように、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、直方体の一枚板に成形されている。この蓋６には、下面の外周に沿って、第２接合層６１が形成されている。
【００５４】
蓋６の第２接合層６１は、図３Ａに示すように、ＭｏからなるＭｏ膜６１１が形成され、その上にＡｕからなるＡｕ膜６１２が形成された複数の層の積層構造からなる。Ｍｏ膜６１１は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。Ａｕ膜６１２は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。
【００５５】
また、蓋６の第２接合層６１の上には、ベース４との接合前において、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、接合材７１が積層されている。接合材７１は、第２接合層６１上に積層されたＡｕ／Ｓｎ膜７１１と、Ａｕ／Ｓｎ膜７１１上に積層して形成されたＡｕ膜７１２とから構成される。ここで、Ａｕ／Ｓｎ膜７１１は、第２接合層６１上に積層してメッキ形成されたＡｕ膜と、このＡｕ膜の上にメッキ形成されたＳｎ膜とから構成される。Ａｕ膜７１２は、Ａｕ／Ｓｎ膜７１１上に積層してメッキ形成されたＡｕストライクメッキ膜と、Ａｕストライクメッキ膜上に積層してメッキ形成されたＡｕメッキ膜とから構成される。このような接合材７１において、Ａｕ／Ｓｎ膜７１１は、加熱により溶融して、ＡｕＳｎ合金膜となる。なお、接合材７１は、蓋６の第２接合層６１の上にＡｕＳｎ合金をメッキすることにより構成されたものであってもよい。
【００５６】
水晶振動片２は、ＡＴカット水晶片の基板２１からなり、その外形は、図１及び図４に示すように、両主面２２，２３が略矩形状に形成された一枚板の直方体となっている。
【００５７】
この水晶振動片２には、振動領域を構成する振動部２６と、ベース４の電極パッド５１，５２と接合する接合部２７とが設けられ、振動部２６と接合部２７とが一体成形されて基板２１が構成される。また、接合部２７では、基板２１の平面視短辺の中央部分２４を切り欠いている。
【００５８】
この水晶振動片２には、励振を行う一対の励振電極３１，３２と、ベース４の電極パッド５１，５２と電気機械的に接合する一対の端子電極３３，３４と、一対の励振電極３１，３２を一対の端子電極３３，３４に引き出す引出電極３５，３６とが形成されている。一対の励振電極３１，３２は、引出電極３５，３６により引回されて一対の端子電極３３，３４にそれぞれ電気的に接続されている。
【００５９】
一対の励振電極３１，３２は、基板２１の両主面２２，２３であって振動部２６の平面視中央に対向して形成されている。これら一対の励振電極３１，３２は、例えば、基板２１側から、Ｃｒ、Ａｕの順に積層して形成されたＣｒ−Ａｕ膜により構成される。
【００６０】
一対の端子電極３３，３４は、接合部２７の他主面２３に形成されている。一対の端子電極３３，３４のうち一端子電極３３は、基板２１の長手方向に沿う一側辺を含むその近傍に形成され、他端子電極３４は、基板２１の長手方向に沿う他側辺を含むその近傍に形成されている。これら一対の端子電極３３，３４は、例えば、励振電極３１，３２と同様に、基板２１側からＣｒ、Ａｕの順に積層して形成されたＣｒ−Ａｕ膜により構成される。また、一対の端子電極３３，３４は、図４に示すように、上層と下層からなる二層構造となっており、上層はＡｕから構成され、下層はＣｒ−Ａｕから構成されている。下層の主面（平面視の面）の面積は、上層の主面（平面視の面）の面積に対して大きい。
【００６１】
引出電極３５，３６は、振動部２６及び接合部２７に形成され、振動部２６から接合部２７にかけて、対向せずに基板２１の両主面２２，２３に形成されている。これら引出電極３５，３６は、例えば、励振電極３１，３２と同様に、基板２１側からＣｒ、Ａｕの順に積層して形成されたＣｒ−Ａｕ膜により構成される。
【００６２】
上記した構成からなる水晶振動子１では、図１に示すように、ベース４と水晶振動片２とは、導電性バンプ（不図示）を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片２の励振電極３１，３２が、引出電極３５，３６、端子電極３３，３４、導電性バンプを介してベース４の電極パッド５１，５２に電気機械的に接合され、ベース４に水晶振動片２が搭載される。そして、水晶振動片２が搭載されたベース４に、蓋６がＦＣＢ法により仮接合され、その後、窒素雰囲気下で加熱されることにより、接合材７１と第１接合層４５と第２接合層６１とが溶融し、これにより、ベース４の第１接合層４５に蓋６の第２接合層６１が接合材７１を介して接合されて、水晶振動片２を気密封止した水晶振動子１が製造される。導電性バンプには、非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
【００６３】
次に、この水晶振動子１およびベース４の製造方法について図５Ａ〜図２３Ｂを用いて説明する。なお、図５Ａ〜図２３Ｂの各図において、図面番号にＡを含む図（以下、Ａ図という）は、ベース４の製造工程の一工程におけるウエハの一部概略平面図であり、図面番号にＢを含む図は、Ａ図で示しめしたウエハを、Ａ図の一点鎖線に沿って切断したときの切断面の状態を示す概略断面図である。
【００６４】
まず、ベース４を多数個形成するガラス材料からなるウエハ８の両主面を洗浄する（図５Ａ及び図５Ｂ参照）。
【００６５】
ウエハ８の洗浄を終えると、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、その両主面８１，８２に保護層９１を形成する。具体的には、ウエハ８の両主面８１，８２にＭｏからなるＭｏ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成した後、Ｍｏ層上に、Ａｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成し、Ｍo層とＡｕ層からなる保護層９１を形成する。
【００６６】
保護層９１をウエハ８の両主面８１，８２に形成した後に、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、保護層９１上にレジストをスピンコート法により塗布し、ポジレジスト層９４を形成する。
【００６７】
そして、ポジレジスト層９４を保護層９１上に形成した後に、図２Ａ〜図２Ｃに示すベース４の外形、キャビティ４６の底面（台座部４１１，４１２を形成する部分を除く）、及び貫通孔４９を形成する位置上のポジレジスト層９４に対して、露光及び現像を行う。次いで、露光及び現像により露出したベース４の外形、キャビティ４６の底面（台座部４１１，４１２を形成する部分を除く）、及び貫通孔４９が形成される位置上の保護層９１をエッチングする。
【００６８】
ベース４の外形、キャビティ４６の底面（台座部４１１，４１２を形成する部分を除く）、及び貫通孔４９を形成する位置上の保護層９１をエッチングした後、ウエハ８上にレジストをスピンコート法により塗布し、新たなポジレジスト層９４を形成する。
【００６９】
新たなポジレジスト層９４を形成した後に、ベース４の外形、キャビティ４６の底面（台座部４１１，４１２を形成する部分を含む）、及び貫通孔４９を形成する位置上のポジレジスト層９４に対して、露光及び現像を行って、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、ベースの外形、キャビティ４６の底面（台座部４１１，４１２を形成する部分を除く）、及び貫通孔４９を形成する部分のウエハ８を露出させるとともに、台座部４１１，４１２を形成する位置上の保護層９１を露出させる。
【００７０】
次いで、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、保護層９１及びポジレジスト層９４をマスクとし、エッチング液を用いたウェットエッチング法により、ベース４の外形の一部と、キャビティ４６の一部と、及び貫通孔４９の一部（内側面４９１の一部）とをエッチング形成する。
【００７１】
ウエハ８のエッチングを終えた後に、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、台座部４１１，４１２を形成する位置上にある（露出している）保護層９１をメタルエッチングする。
【００７２】
台座部４１１，４１２を形成する位置上にある保護層９１をメタルエッチングした後に、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、保護層９１及びポジレジスト層９４をマスクとし、エッチング液を用いたウェットエッチング法により、ベース４の外形の全体と、キャビティ４６の全体（台座部４１１，４１２を含む）と、貫通孔４９の全体（内側面４９１の全体）とをエッチング形成する。
【００７３】
ウエハ８のエッチングを終えた後に、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、ポジレジスト層９４を剥離除去する。
【００７４】
ポジレジスト層９４を剥離除去した後に、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、露出した保護層９１をメタルエッチングして除去し、ウエハ８の両主面８１，８２の全面を露出させる。
【００７５】
保護層９１をメタルエッチングした後に、ウエハ８（両主面８１，８２及び貫通孔４９の内側面４９１）に、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、メタル層９２を形成する。具体的には、ウエハ８（両主面８１，８２及び貫通孔４９の内側面４９１）に、ＭｏからなるＭｏ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成した後、Ｍｏ層上に、ＡｕからなるＡｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成して積層し、Ｍｏ層とＡｕ層とからなるメタル層９２を形成する。ここで形成したメタル層９２が、第１接合層４５を構成するスパッタ膜４５１（図２Ｂ参照）となる。
【００７６】
メタル層９２をウエハ８の両主面８１，８２に形成した後に、メタル層９２上にレジストをディップコート法により塗布し、新たなポジレジスト層９４を形成する。
【００７７】
ポジレジスト層９４をメタル層９２上に形成した後に、ベース４の第１接合層４５、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターンを形成する位置上のポジレジスト層９４に対して露光及び現像を行い、図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、第１接合層４５、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターンを形成する位置上のメタル層９２を露出させる。
【００７８】
露光及び現像を行い露出したメタル層９２上に、図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、Ａｕをメッキしてメッキ層９３を形成し、第１接合層４５、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４及び配線パターンの外層膜を形成する。なお、ここで形成したメッキ層９３が、第１接合層４５のメッキ膜４５２（図２Ｂ参照）となる。
【００７９】
第１接合層４５と電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターンとを形成した後に、図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、ポジレジスト層９４を剥離除去する。
【００８０】
次いで、図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、ウエハ８上にレジストをディップコート法により塗布し、新たなポジレジスト層９４を形成する。
【００８１】
ポジレジスト層９４をウエハ８上に形成した後に、第１接合層４５と電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターンとを形成するために、第１接合層４５と電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターンとを形成する位置以外のウエハ８上のポジレジスト層９４に対して露光及び現像を行い、図１９Ａ及び図１９Ｂに示すように、第１接合層４５と電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターンとを形成する位置以外のメタル層９２を露出させる。
【００８２】
次いで、図２０Ａ及び図２０Ｂに示すように、露光及び現像を行い露出したメタル層９２をメタルエッチングして除去し、第１接合層４５と電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターンとをパターン形成する。
【００８３】
第１接合層４５と電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターンとを形成した後に、図２１Ａ及び図２１Ｂに示すように、ポジレジスト層９４を剥離除去する。
【００８４】
ウエハ８からポジレジスト層９４を剥離除去した後、図２２Ａ及び図２２Ｂに示すように、ウエハ８の両主面８１，８２及び貫通孔４９の開口面４９２，４９３上に感光性を有する樹脂材をディップコート法又はスプレーコート法により塗布し、樹脂層９５を形成する。
【００８５】
樹脂層９５をウエハ８上に形成した後、図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように、配線パターン５８を形成する位置以外の位置上の樹脂層９５に対して、露光及び現像を行い、樹脂パターン５８をパターン形成する。この樹脂パターン５８により、ウエハ８の一主面８１の側にある貫通孔４９の開口面４９２が樹脂で封止されるとともに、ウエハ８の一主面８１に形成された配線パターン（内部電極５５の一部）の表面が被覆される。
【００８６】
樹脂パターン５８を形成した後、ウエハ８に多数個形成されたベース４を個別分割して個片化し、多数個の図２Ａ〜図２Ｃに示すベース４を製造する。
【００８７】
図２Ａ〜図２Ｃに示すベース４に、図４に示す水晶振動片２を配し、導電性バンプを介してベース４に水晶振動片２をＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、ベース４に水晶振動片２を搭載保持する。また、別工程で、蓋６の第２接合層６１上に接合材７１を積層する（図３Ａ及び図３Ｂ参照）。その後、水晶振動片２を搭載保持したベース４に蓋６をＦＣＢ法により仮接合し、さらに、窒素雰囲気下で加熱して、接合材７１と第１接合層４５と第２接合層６１とを溶融させ、ベース４の第１接合層４５と蓋６の第２接合層６１とを接合材７１を介して本接合し、図１に示す水晶振動子１を製造する。
【００８８】
なお、上記ベース４の製造工程のうち、ウエハ８をエッチングしてベース４の基材に貫通孔４９を形成する工程を貫通孔形成工程という。また、上記フォトリソグラフィ法によってパターン形成されたメタル層９２及びメッキ層９３により、ベース４の基材に電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターンとを（即ち、内部電極５５と外部電極５６と貫通電極５７とを）形成する工程を電極形成工程という。さらに、フォトリソグラフィ法によって樹脂パターン５８をパターン形成し、貫通孔４９の開口面４９２，４９３の少なくとも一方を樹脂材（樹脂パターン５８）で封止する工程を封孔工程という。
【００８９】
本実施の形態１に係る水晶振動子１では、貫通孔４９の内側面４９１の全体に貫通電極５７が形成されているため、この貫通電極５７により、ベース４の一主面４２に形成された内部電極５５とベース４の他主面４３に形成された外部電極５６とが電気的に接続され、貫通孔４９での導通状態が安定する。また、ベース４の一主面４２の側にある貫通孔４９の開口面４９２が、樹脂パターン５８（樹脂材）により封止されているため、貫通孔４９を通じて水晶振動子１のパッケージ内部が外気にさらされることがなく、水晶振動子１のパッケージ内部の気密性が十分に保持される。さらに、キャビティ４６の底面４６１の半分以上に樹脂パターン５８が形成されているため、この樹脂パターン５８により、ベース４の面方向における強度を補強される。
【００９０】
また、本実施の形態１に係る水晶振動子１では、ベース４の一主面４２の側にある貫通孔４９の開口面４９２とこの開口面４９２の周囲に広く（具体的には、キャビティ４６の底面４６１の半分以上の領域に）樹脂パターン５８を形成することで、樹脂パターン５８とベース４を構成する基材（ガラス材）とが直接接触する接触面積が十分に確保されている。このため、ベース４を構成する基材への樹脂パターン５８の接合強度が十分に確保され、水晶振動子１のパッケージの気密安定性が十分に確保される。
【００９１】
＜実施の形態２＞
実施の形態２に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１とほぼ同様の構成とされている。このため、以下、実施の形態１の水晶振動子１と異なる点についてのみ説明する。
【００９２】
実施の形態２に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１とベース４の構成が異なる。
【００９３】
図２４Ａ〜図２４Ｃは、実施の形態２に係るベース４の概略構成を示す概略図であり、図２４Ａは、概略平面図であり、図２４Ｂは、図２４Ａの一点鎖線に沿ってベース４を切断したときの切断面の状態を示す概略断面図であり、図２４Ｃは、概略底面図である。
【００９４】
実施の形態２に係る水晶振動子１のベース４では、平面視長方形の筺体裏面（他主面４３）に、図２４Ｂ及び図２４Ｃに示すように、４つのキャスタレーション４７Ａ，４７Ｂ，４８Ａ，４８Ｂが設けられている。具体的にはキャスタレーション４７Ａは、他主面４３の長手方向に沿う一側辺の一端部からこの一端部に隣接する短手方向に沿う一側辺の一端部に沿って設けられており、キャスタレーション４７Ｂは、他主面４３の長手方向に沿う他側辺の一端部からこの一端部に隣接する短手方向に沿う一側辺の他端部にかけて設けられている。また、キャスタレーション４８Ａは、他主面４３の長手方向に沿う一側辺の他端部からこの他端部に隣接する短手方向に沿う他側辺の一端部に沿って設けられており、キャスタレーション４８Ｂは、他主面４３の長手方向に沿う他側辺の他端部からこの他端部に隣接する短手方向に沿う他側辺の他端部にかけて設けられている。
【００９５】
そして、これら４つのキャスタレーション４７Ａ，４７Ｂ，４８Ａ，４８Ｂのそれぞれに、外部端子電極５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂが形成されている。そして、外部端子電極５３Ａと、電極パッド５１とが配線パターンにより電気的に接続され、外部端子電極５４Ｂと電極パッド５２とが配線パターンにより電気的に接続されている。
【００９６】
そして、図２４Ａ〜図２４Ｃに示すように、樹脂パターン５８は、キャビティ４６の底面４６１を構成するベース４の一主面４２ではなく、筺体裏面を構成するベース４の他主面４３に形成されている。具体的には、樹脂パターン５８は、ベース４の他主面４３において、キャビティ４６の底面と対向する位置に設けられており、この樹脂パターン５８により、他主面４３にある貫通孔４９の開口面４９３が封止されている。
【００９７】
このような実施の形態２に係る水晶振動子１のベース４は、図２３Ａ及び図２３Ｂで示す製造工程において、樹脂パターン５８を、ウエハ８の一主面８１ではなく、ウエハ８の他主面８２に形成する以外は、実施の形態１に係る水晶振動子１のベース４と同様の方法で製造される。
【００９８】
本実施の形態２に係る水晶振動子１では、貫通孔４９の内側面４９１の全体に貫通電極５７が形成されているため、この貫通電極５７により、ベース４の一主面４２に形成された内部電極５５とベース４の他主面４３に形成された外部電極５６とが電気的に接続され、貫通孔４９の内部での導通状態が安定する。また、ベース４の他主面４３の側にある貫通孔４９の開口面４９３が、樹脂パターン５８（樹脂材）により封止されているため、貫通孔４９を通じて水晶振動子１のパッケージ内部が外気にさらされることがなく、水晶振動子１のパッケージ内部の気密性が十分に保持される。さらに、ベース４の他主面４３において、キャビティ４６の底面と対向する位置に樹脂パターン５８が形成されているため、この樹脂パターン５８により、ベース４の面方向における強度が補強される。
【００９９】
また、本実施の形態２に係る水晶振動子１では、ベース４の他主面４３の側にある貫通孔４９の開口面４９３とこの開口面４９３の周囲に広く（具体的には、ベース４の他主面４３におけるキャビィ４６の底面と対向する部分の半分以上の領域に）樹脂パターン５８を形成することで、樹脂パターン５８とベース４を構成する基材（ガラス材）とが直接接触する接触面積が十分に確保されている。このため、ベース４を構成する基材への樹脂パターン５８の接合強度が十分に確保され、水晶振動子１のパッケージの気密安定性が十分に確保される。
【０１００】
本実施の形態２に係る水晶振動子１の構成のうち、上記した以外の構成については、実施の形態１に係る水晶振動子１と同一であり、これにより、実施の形態２に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様の効果を奏する。
【０１０１】
＜実施の形態３＞
実施の形態３に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様の構成とされており、これにより、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様の効果を奏する。このため、以下、実施の形態１の水晶振動子１と異なる点についてのみ説明する。
【０１０２】
実施の形態３に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１とベース４の構成が異なる。
【０１０３】
図２５Ａ〜図２５Ｃは、実施の形態３に係るベース４の概略構成を示す概略図であり、図２５Ａは、概略平面図であり、図２５Ｂは、図２５Ａの一点鎖線に沿ってベース４を切断したときの切断面の状態を示す概略断面図であり、図２５Ｃは、概略底面図である。
【０１０４】
実施の形態３に係る水晶振動子１のベース４において、樹脂パターン５８は、図２５Ａ〜図２５Ｃに示すように、キャビティ４６の底面４６１を構成するベース４の一主面４２にある貫通孔４９の開口面４９２及びその開口面４９２の近傍、並びに、筺体裏面を構成するベース４の他主面４３にある貫通孔４９の開口面４９３及びその開口面４９３の近傍に形成されている。つまり、本実施の形態３では、貫通孔４９の両方の開口面４９２，４９３が樹脂パターン５８により封止されている。
【０１０５】
さらに、本実施の形態３において、貫通孔４９の内部は、樹脂パターン５８の形成に用いられた樹脂材５９が充填されている。
【０１０６】
このような実施の形態３に係る水晶振動子１のベース４は、図２２Ａ及び図２２Ｂに示す製造工程において、ウエハ８の両主面８１，８２及び貫通孔４９の開口面４９２，４９３上に感光剤を含む樹脂をディップコート法により塗布して樹脂層９５を形成するのと同時に、貫通孔４９への樹脂材５９の充填を行い、図２３Ａ及び図２３Ｂで示す製造工程において、樹脂パターン５８を、ウエハ８の一主面８１にある貫通孔４９の開口面４９２及びその開口面４９２の近傍、並びに、ウエハ８の他主面８２にある貫通孔４９の開口面４９３及びその開口面４９３の近傍のみに形成する以外は、実施の形態１に係る水晶振動子１のベース４と同様の方法で製造される。
【０１０７】
本実施の形態３に係る水晶振動子１では、貫通孔４９の内側面４９１の全体に貫通電極５７が形成されているため、この貫通電極５７により、ベース４の一主面４２に形成された内部電極５５とベース４の他主面４３に形成された外部電極５６とが電気的に接続され、貫通孔４９の内部での導通状態が安定する。また、貫通孔４９の両方の開口面４９２，４９３が樹脂パターン５８（樹脂材）により封止されているとともに、貫通孔４９の内部に樹脂材５９が充填されているため、貫通孔４９を通じて水晶振動子１のパッケージ内部が外気にさらされることがなく、水晶振動子１のパッケージ内部の気密性が十分に保持される。
【０１０８】
なお、実施の形態３においては、貫通孔４９の内部に充填する樹脂材５９には、樹脂パターン５８を構成する樹脂材と同じものであって、導電性物質が含まれていないものを使用したが、これに限定されず、例えば、貫通孔４９の内部に充填する樹脂材５９は、樹脂パターン５８を構成する樹脂材と同じものでなくてよく、導電性物質を含むものであってもよい。貫通孔４９の内部に導電性物質を含む樹脂材を充填した場合には、貫通孔４９での導通状態がより安定する。
【０１０９】
本実施の形態３に係る水晶振動子１の構成のうち、上記した以外の構成については、実施の形態１に係る水晶振動子１の構成と同一であり、これにより、本実施の形態３に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様の効果を奏する。
【０１１０】
＜実施の形態４＞
実施の形態４に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様の構成とされており、これにより、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様の効果を奏する。このため、以下、実施の形態１の水晶振動子１と異なる点についてのみ説明する。
【０１１１】
実施の形態４に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１とベース４の構成が異なる。
【０１１２】
図２６Ａ〜図２６Ｃは、実施の形態４に係るベース４の概略構成を示す概略図であり、図２６Ａは、概略平面図であり、図２６Ｂは、図２６Ａの一点鎖線に沿ってベース４を切断したときの切断面の状態を示す概略断面図であり、図２６Ｃは、概略底面図である。
【０１１３】
実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４において、平面視長方形の筺体裏面（他主面４３）には、図２６Ｂ及び図２６Ｃに示すように、４つのキャスタレーション４７Ａ，４７Ｂ，４８Ａ，４８Ｂが設けられている。具体的にはキャスタレーション４７Ａは、他主面４３の長手方向に沿う一側辺の一端部からこの一端部に隣接する短手方向に沿う一側辺の一端部に沿って設けられており、キャスタレーション４７Ｂは、他主面４３の長手方向に沿う他側辺の一端部からこの一端部に隣接する短手方向に沿う一側辺の他端部にかけて設けられている。また、キャスタレーション４８Ａは、他主面４３の長手方向に沿う一側辺の他端部からこの他端部に隣接する短手方向の他側辺に沿う一端部に沿って設けられており、キャスタレーション４８Ｂは、他主面４３の長手方向に沿う他側辺の他端部からこの他端部に隣接する短手方向に沿う他側辺の他端部にかけて設けられている。
【０１１４】
そして、これら４つのキャスタレーション４７Ａ，４７Ｂ，４８Ａ，４８Ｂのそれぞれに、外部端子電極５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂが形成されている。そして、外部端子電極５３Ａと、電極パッド５１とが配線パターンにより電気的に接続され、外部端子電極５４Ｂと電極パッド５２とが配線パターンにより電気的に接続されている。
【０１１５】
また、ベース４の一主面に形成される第１接合層４５Ａは、図２６Ａ〜図２６Ｃに示すように、実施の形態１と同様に、スパッタ膜４５３の上にメッキ膜４５４が積層されて構成されている。ただし、メタル膜４５３とメッキ膜４５４の構成が実施の形態１と異なっている。
【０１１６】
即ち、実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４の第１接合層４５Ａにおいて、スパッタ膜４５３は、スパッタリング法により形成されたＴｉからなるＴｉ膜の上に、ＣｕからなるＣｕ膜がスパッタリング法によりスパッタリング形成されて構成されている。また、メッキ膜４５４は、スパッタ膜４５３の上に、ＮｉからなるＮｉ膜がメッキ形成され、さらに、このＮｉ膜の上に、ＡｕからなるＡｕ膜がメッキ形成されて構成されている。
【０１１７】
また、ベース４の電極５５，５６，５７を構成するメタル層９２は、上記第１接合層４５Ａを構成するスパッタ膜４５３と同一の材料により構成されている。よって、実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４の製造工程では、保護層９１及びメタル層９２の形成を、ウエハ８の両主面８１，８２にＴｉからなるＴｉ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成してＴｉ層を形成後、Ｔｉ層上に、Ｃｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成することにより実施する（図６Ａ、図６Ｂ、図１４Ａ、及び図１４Ｂ参照）。
【０１１８】
また、実施の形態４では、内部電極５５のうち、水晶振動片の励振電極に接続される電極パット５１，５２部分の内部電極５５は、メタル層９２とメッキ層９３とにより構成されており、電極パッド５１，５２以外の内部電極５５は、図２６Ａ〜図２６Ｃに示すように、メタル層９２のみで構成されている。また、外部電極５６は、外部端子電極５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂを含む全てが、メタル層９２とメッキ層９３とにより構成されている。
【０１１９】
また、実施の形態４において、電極５５，５６，５７を構成するメッキ層９３は、上記第１接合層４５Ａを構成するメッキ膜４５４と同一の材料により構成されている。よって、実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４の製造工程では、メッキ層９３の形成を、メタル層９２の上にＮｉからなるＮｉ層をメッキ形成してＮｉ層を形成後、Ｎｉ層上にＡｕ層をメッキ形成することにより実施する（図１６Ａ及び図１６Ｂ参照）。
【０１２０】
また、実施の形態４では、樹脂パターン５８は、図２６Ａ〜図２６Ｃに示すように、ベース４の両主面４２，４３に形成されている。具体的には、キャビティ４６の底面４６１と、筺体裏面のキャビティ４６の底面４６１と対向する部分に樹脂パターン５８が形成されている。これにより、貫通孔４９の両方の開口面４９２，４９３が樹脂材で封止されるとともに、内部電極５５の電極パッド５１，５２以外の部分、即ち、メッキ層９３のみで構成された部分の内部電極５５の表面が、樹脂で被覆される。加えて、外部電極５６の一部の表面が樹脂で被覆される。よって、実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４の製造工程では、樹脂パターン５８を、ウエハ８の両主面８２，８３に形成する。
【０１２１】
上記した以外は、本実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４は、実施の形態１に係る水晶振動子１のベース４と同様の製造工程で製造される。
【０１２２】
本実施の形態４に係る水晶振動子１では、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様に、貫通孔４９の内側面４９１の全体に貫通電極５７が形成されているため、この貫通電極５７により、ベース４の一主面４２に形成された内部電極５５とベース４の他主面４３に形成された外部電極５６とが電気的に接続され、貫通孔４９の内部での導通状態が安定する。また、貫通孔４９の両方の開口面４９２，４９３が、樹脂パターン５８（樹脂材）により封止されているため、貫通孔４９を通じて水晶振動子１のパッケージ内部が外気にさらされることがなく、水晶振動子１のパッケージ内部の気密性が十分に保持される。さらに、ベース４の両主面４２，４３、具体的には、キャビティ４６の底面４６１と、筺体裏面のキャビティ４６の底面４６１と対向する部分に樹脂パターン５８が形成されているため、この樹脂パターン５８により、ベース４の面方向における強度が補強される。
【０１２３】
また、本実施の形態４に係る水晶振動子１では、ベース４の両主面４２，４３の側にある貫通孔４９の開口面４９２，４９３とこの開口面４９３の周囲に広く（具体的には、キャビティ４６の底面４６１の半分以上の領域、及び、他主面４３におけるキャビィ４６の底面と対向する部分の半分以上の領域に）樹脂パターン５８を形成することで、樹脂パターン５８とベース４を構成する基材（ガラス材）とが直接接触する接触面積が十分に確保されている。このため、ベース４を構成する基材への樹脂パターン５８の接合強度が十分に確保され、水晶振動子１のパッケージの気密安定性が十分に確保される。
【０１２４】
また、実施の形態４に係る水晶振動子１では、電極パッド５１，５２以外の内部電極５５は、樹脂パターン５８により表面が被覆されているので、電極パッド５１，５２以外の内部電極５５の電極表面（Ｃｕ層）が酸化することがない。また、実施の形態４に係る水晶振動子１では、電極パッド５１，５２以外の内部電極５５、具体的には、樹脂パターン５８で被覆される部分の内部電極５５に、Ａｕを使用していないので、実施の形態１に比べて電極の形成に必要なＡｕの使用量が少なく、製造コストが安く抑えられる。
【０１２５】
また、実施の形態４に係る水晶振動子１において、蓋（不図示）の下面に形成される第２接合層は、蓋側から順に、ＴｉからなるＴｉ膜、ＣｕからなるＣｕ膜、ＮｉからなるＮｉ膜が積層されて構成されている。Ｔｉ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されており、このＴｉ膜の上には、スパッタリング法によりＣｕ膜がスパッタリング形成されている。また、Ｎｉ膜は、Ｃｕ膜の上に、メッキ処理により形成されている。
【０１２６】
また、蓋の第２接合層の上には、ベース４との接合前において、接合材が積層される。接合材は、第２接合層上に積層されたＡｕ／Ｓｎ膜と、Ａｕ／Ｓｎ膜上に積層して形成されたＡｕ膜とから構成される。ここで、Ａｕ／Ｓｎ膜は、第２接合層上に積層してメッキ形成されたＡｕ膜と、このＡｕ膜の上にメッキ形成されたＳｎ膜とから構成される。また、Ａｕ膜は、Ａｕ／Ｓｎ膜上に積層してメッキ形成されたＡｕストライクメッキ膜と、Ａｕストライクメッキ膜上に積層してメッキ形成されたＡｕメッキ膜とから構成される。このような接合材において、Ａｕ／Ｓｎ膜は、加熱により溶融して、ＡｕＳｎ合金膜となる。なお、接合材は、蓋の第２接合層の上にＡｕＳｎ合金をメッキすることにより形成されたものであってもよい。
【０１２７】
本実施の形態４に係る水晶振動子１の構成のうち、上記した以外の構成については、実施の形態１に係る水晶振動子１の構成と同一であり、これにより、実施の形態４に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様の効果を奏する。
【０１２８】
なお、実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４において、外部電極５６のうち、表面が樹脂パターン５８により被覆される部分の外部電極５６は、Ｔｉ層とＣｕ層とで構成されたメタル層９２のみで構成されていてもよい。この構成によれば、電極の形成に必要なＡｕの使用量をさらに少なくして、さらにコストを安く抑えることができる。
【０１２９】
また、実施の形態４に係る水晶振動子１において、第１接合層４５のメタル膜を構成するＴｉ膜、メタル層９２及び保護層９１の下地を構成するＴｉ層、及び第２接合層の下地を構成するＴｉ膜は、ウエハ８を構成する材料（例えば、ガラス材料）及びＣｕ層を構成するＣｕとの接合性が良好な金属層（金属膜）、例えば、Ｗ、Ｃｒ、又はＭｏからなるコンタクトメタル層（コンタクトメタル膜）に代えてよい。
【０１３０】
＜実施の形態５＞
図２７は、実施の形態５に係る水晶発振器の内部空間を公開した概略側面図である。また、図２８Ａ及び図２８Ｂは、実施の形態５に係る水晶発振器のベースの概略構成を示す図であり、図２８Ａは概略平面図であり、図２８Ｂは概略底面図である。
【０１３１】
実施の形態５に係る水晶発振器１０には、図２７に示すように、ＩＣチップ２０（本発明でいう電子部品素子）と、ＡＴカット水晶からなる水晶振動片２（本発明でいう電子部品素子）と、ＩＣチップ２０と水晶振動片２とを保持し、水晶振動片２を気密封止するためのベース４（本発明でいう第１封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）と、ベース４と対向するように配置され、ベース４に保持した水晶振動片２の励振電極３１，３２（本発明でいう電子部品素子の電極）を気密封止するための蓋６（本発明でいう第２封止部材）とが設けられている。
【０１３２】
この水晶発振器１０では、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様に、ベース４と蓋６とからパッケージ（本発明でいう電子部品パッケージ）が構成され、ベース４と蓋６とがＡｕとＳｎの合金からなる接合材７１により接合されて、気密封止された内部空間１１が形成される。この内部空間１１では、ベース４に、水晶振動片２が、金バンプ等の導電性バンプ９０６を用いたＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合されている。そして、内部空間１１のベース４上に、図２７に示すように、ＩＣチップ２０が、金バンプ等の導電性バンプ９０７を用いたＦＣＢ法により超音波接合されるとともに電気的に接続されている。
【０１３３】
次に、この水晶発振器１０の各構成について説明する。ただし、蓋６及び水晶振動片２の構成については、実施の形態１に係る水晶振動子１の蓋６及び水晶振動片２の構成と同じであるため、説明を省略する。
【０１３４】
ＩＣチップ２０は、内部空間１１のベース４上に、金バンプ等の導電性バンプ９０７を用いたＦＣＢ法により超音波接合されるとともに電気的に接続されている。より具体的には、ＩＣチップ２０は、６つの端子電極（不図示）を備えており、これら６つの端子電極のうち２つの端子電極は、後述する電極パッド５１、５２及び第１配線パターン５０１を介して水晶振動片２の励振電極３１，３２に電気的に接続されており、残りの４つの端子電極は、ベース４の後述する第２配線パターン５０２又は第３配線パターン５０３を介してベース４の筐体裏面に設けられた外部端子電極５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂに電気的に接続されている。
【０１３５】
水晶発振器１０のベース４は、実施の形態１のベース４と同様に、ガラス材料からなり、図２７に示すように、底部４１と、ベース４の一主面４２の外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４４とから構成された箱状体に成形されている。ベース４は、直方体の一枚板をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形される。
【０１３６】
ベース４の壁部４４の天面は、蓋６との接合面であり、この接合面には、蓋６と接合するための第１接合層４５が設けられている。第１接合層４５の構成は、実施の形態１のベース４における第１接合層４５の構成と同じであり、スパッタ膜の上にメッキ膜が形成された複数の層の積層構造からなる。つまり、スパッタ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されたＭｏからなるＭｏ膜の上に、ＡｕからなるＡｕ膜がスパッタリング法によりスパッタリング形成されてなる。また、メッキ膜は、スパッタ膜の上に、ＡｕからなるＡｕ膜をメッキ形成してなる。
【０１３７】
水晶発振器１０のベース４には、実施の形態１のべース４と同様に、底部４１と壁部４４とによって囲まれたキャビティ４６が形成され、このキャビティ４６は、図２７、図２８Ａ、及び図２８Ｂに示すように、平面視長方形状に形成され、キャビティ４６の壁面がテーパー状に形成されている。
【０１３８】
このキャビティ４６の底面４６１には、短手方向に沿う辺Ｌ１の中央部のみに接して、１つの台座部４０１が設けられている。
【０１３９】
また、ベース４の平面視長方形の筺体裏面（他主面４３）には、４つのキャスタレーション４７Ａ，４７Ｂ，４８Ａ，４８Ｂが形成されている。具体的にはキャスタレーション４７Ａは、他主面４３の長手方向に沿う一側辺の一端部からこの一端部に隣接する短手方向に沿う一側辺の一端部に沿って設けられており、キャスタレーション４７Ｂは、他主面４３の長手方向に沿う他側辺の一端部からこの一端部に隣接する短手方向に沿う一側辺の他端部にかけて設けられている。また、キャスタレーション４８Ａは、他主面４３の長手方向に沿う一側辺の他端部からこの他端部に隣接する短手方向に沿う他側辺の一端部に沿って設けられており、キャスタレーション４８Ｂは、他主面４３の長手方向に沿う他側辺の他端部からこの他端部に隣接する短手方向に沿う他側辺の他端部にかけて設けられている。
【０１４０】
また、ベース４には、図２７、図２８Ａ、及び図２８Ｂに示すように、ベース４の基材を貫通する貫通孔４９が、キャビティ４６の底面４６１の４隅にそれぞれ形成されている。この貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜を有しテーパー状に形成されている。貫通孔４９の径は、ベース４の他主面４３の側の端部で最大となり、ベース４の一主面４２の側の端部で最小となる。
【０１４１】
また、ベース４の基材には、水晶振動片２の励振電極３１，３２それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド５１，５２と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂと、電極パッド５１，５２とＩＣチップ２０の電極（不図示）とを電気的に接続させる第１配線パターン５０１と、外部端子電極５３Ａ，５３ＢとＩＣチップ２０の電極（不図示）とを電気的に接続させる第２配線パターン５０２と、外部端子電極５４Ａ，５４ＢとＩＣチップ２０の電極（不図示）とを電気的に接続させる第３配線パターン５０３とが形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂと第１配線パターン５０１と第２配線パターン５０２と第３配線パターン５０３によりベース４の電極５５，５６，５７が構成される。電極パッド５１，５２は、台座部４０１の表面に形成されている。そして電極パッド５１，５２の上に、水晶振動片２を接合させるための導電性バンプ９０６が設けられている。また、外部端子電極５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂは、キャスタレーション４７Ａ，４７Ｂ，４８Ａ，４８Ｂに形成されている。また、第１配線パターン５０１は、ベース４の一主面４２の電極パッド５１，５２からＩＣチップ２０が接合される接合部にかけて形成されている。そして、第２配線パターン５０２及び第３配線パターン５０３は、貫通孔４９の内側面４９１を介して、ベース４の一主面４２のＩＣチップ２０が接合される接合部から他主面４３の外部端子電極５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂにかけて形成されている。
【０１４２】
ここで、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂ、第１配線パターン５０１、第２配線パターン５０２、及び第３配線パターン５０３は、第１接合層４５と同一の材料からなる。
【０１４３】
また、キャビティ４６の底面４６１（ベース４の一主面４２）の貫通孔４９が設けられた４つの隅部の各々と、ベース４の筐体裏面（他主面４３）の各貫通孔４９の開口面４９３と、これら開口面４９３の近傍とには、樹脂パターン５８（樹脂材）が配されている。即ち、樹脂パターン５８によって、ベース４の一主面４２の側にある各貫通孔４９の開口面４９２とベース４の他主面４３の側にある各貫通孔４９の開口面４９３とが封止されるとともに、第２配線パターン５０２及び第３配線パターン５０３の一部の表面が樹脂被覆されている。さらに、貫通孔４９の内部には、樹脂材が充填されている。ここで、樹脂パターン５８を構成する樹脂材及び貫通孔４９の内部に充填される樹脂材には、実施の形態１のベース４における樹脂パターン５８を構成する樹脂材と同じ樹脂材を使用できる。
【０１４４】
さらに、図２７、図２８Ａ、及び図２８Ｂに示すように、第１配線パターン５０１と第２配線パターン５０２とは交差するように形成されており、その交差部分において、第１配線パターン５０１と第２配線パターン５０２との間には、樹脂パターン５８が介在されている。つまり、第２配線パターン５０２の一部を構成する内部電極５５の上に、樹脂パターン５８を介して、第１配線パターン５０１の一部を構成する電極（本発明でいう他の電極）が形成されている。
【０１４５】
このような本実施の形態５に係る水晶発振器１０では、貫通孔４９の内側面４９１の全体に貫通電極５７が形成されているため、この貫通電極５７により、ベース４の一主面４２に形成された内部電極５５とベース４の他主面４３に形成された外部電極５６とが電気的に接続され、貫通孔４９での導通状態が安定する。また、ベース４の一主面４２の側にある各貫通孔４９の開口面４９２とべース４の他主面４３の側にある各貫通孔４９の開口面４９３とが、樹脂パターン５８（樹脂材）により封止されている上に、各貫通孔４９の内部には樹脂材が充填されているため、貫通孔４９を通じて水晶発振器１０のパッケージ内部が外気にさらされることが全くなく、水晶発振器１０のパッケージ内部の気密性が十分に保持される。さらに、第２配線パターン５０２の一部を構成する内部電極５５の上に、樹脂パターン５８を介してさらに、第１配線パターン５０１の一部を構成する電極が形成されており、ベース４は、ベース４の厚み方向に複数の配線パターンを備えた構成とされている。
【０１４６】
このような本実施の形態５に係る水晶発振器１０のベース４は、樹脂パターン５８の形成後に、さらに、樹脂パターン５８の上に電極を形成する工程を備える以外は、実施の形態１に係る水晶振動子１のベース４と同様の方法により製造される。
【０１４７】
また、本実施の形態５に係る水晶発振器１０の構成のうち、上記した以外の構成については、実施の形態１に係る水晶振動子１の構成と同一であり、これにより、実施の形態５に係る水晶発振器１０は、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様の効果を奏する。
【０１４８】
＜実施の形態６＞
実施の形態６に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１とほぼ同様の構成とされている。このため、以下、実施の形態１の水晶振動子１と異なる点についてのみ説明する。
【０１４９】
実施の形態６に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１とベース４の構成が異なる。
【０１５０】
図２９Ａ〜図２９Ｃは、実施の形態６に係るベース４の概略構成を示す概略図であり、図２９Ａは、概略平面図であり、図２９Ｂは、図２９Ａの一点鎖線に沿ってベース４を切断したときの切断面の状態を示す概略断面図であり、図２９Ｃは、概略底面図である。
【０１５１】
図２９Ａ〜図２９Ｃに示すように、樹脂パターン５８は、キャビティ４６の底面４６１を構成するベース４の一主面４２ではなく、筺体裏面を構成するベース４の他主面４３に形成されている。具体的には、樹脂パターン５８は、図２９Ａ〜図２９Ｃに示すように、筺体裏面を構成するベース４の他主面４３にある貫通孔４９の開口面４９３及びその開口面４９３の近傍と、他主面４３の外部電極５６（外部端子電極５３，５４）が形成されている領域を除く全領域とに形成されている。つまり、本実施の形態６では、貫通孔４９の開口面４９３が樹脂パターン５８により封止されているとともに、他主面４３の全体が樹脂パターン５８又は外部電極５６で被覆されている。また、本実施の形態６では、ベース４に形成された２つの貫通孔４９は、上記した実施の形態１のベース４に形成された２つの貫通孔４９（図２Ａ〜図２Ｃ参照）と比べ、近接して設けられている。
【０１５２】
さらに、本実施の形態６において、貫通孔４９の内部は、樹脂パターン５８の形成に用いられた樹脂材５９が充填されている。
【０１５３】
また、外部電極５６は、第１接合層４５のスパッタ膜４５１及びメッキ膜４５２と同一の材料からなるスパッタ膜５６１及びメッキ膜５６２の上に、さらに、第２のメッキ膜５６３が積層された構成とされている。つまり、外部電極５６のスパッタ膜５６１は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されたＭｏからなるＭｏ膜の上に、ＡｕからなるＡｕ膜がスパッタリング法によりスパッタリング形成されてなる。また、メッキ膜５６２は、スパッタ膜５６１の上に、ＡｕからなるＡｕ膜をメッキ形成してなる。また、第２のメッキ膜５６３は、メッキ膜５６２の上に、さらに、金属膜をメッキ形成してなる。この第２のメッキ膜５６３を構成する金属膜の具体例としては、メッキ膜５６２の上にメッキ形成されたＡｕ膜、メッキ膜５６２の上にメッキ形成されたＡｕＣｕ合金からなるＡｕＣｕ合金膜、又は、メッキ膜５６２の上にメッキ形成されたＮｉ膜の上にＡｕ膜がメッキ形成されてなるＮｉ／Ａｕ膜等を挙げることができる。
【０１５４】
このような実施の形態６に係る水晶振動子１のベース４は、図２２Ａ及び図２２Ｂに示す製造工程において、ウエハ８の両主面８１，８２及び貫通孔４９の開口面４９２，４９３上に感光剤を含む樹脂をディップコート法により塗布して樹脂層９５を形成するのと同時に、貫通孔４９への樹脂材５９の充填を行い、図２３Ａ及び図２３Ｂで示す製造工程において、樹脂パターン５８を、ウエハ８の他主面８２にある貫通孔４９の開口面４９３及びその開口面４９３の近傍と、他主面４３の外部電極５６（外部端子電極５３，５４）が形成されている領域を除く全領域とに形成し、さらに、外部電極５６のメッキ膜５６２を構成するメタル層９３（図２３Ｂ参照）上に、上記した外部電極５６の第２のメッキ膜５６３を構成する第２のメタル層をメッキ形成する以外は、実施の形態１に係る水晶振動子１のベース４と同様の方法で製造される。
【０１５５】
本実施の形態６に係る水晶振動子１では、貫通孔４９の内側面４９１の全体に貫通電極５７が形成されているため、この貫通電極５７により、ベース４の一主面４２に形成された内部電極５５とベース４の他主面４３に形成された外部電極５６とが電気的に接続され、貫通孔４９の内部での導通状態が安定する。また、貫通孔４９の一方の開口面４９３が樹脂パターン５８（樹脂材）により封止されているとともに、貫通孔４９の内部に樹脂材５９が充填されているため、貫通孔４９を通じて水晶振動子１のパッケージ内部が外気にさらされることがなく、水晶振動子１のパッケージ内部の気密性が十分に保持される。
【０１５６】
また、本実施の形態６に係るベース４では、筺体裏面を構成するベース４の他主面４３にある貫通孔４９の開口面４９３及びその開口面４９３の近傍から、他主面４３の外部電極５６（外部端子電極５３，５４）が形成されている領域を除く全領域にかけて樹脂パターン５８を形成することで、樹脂パターン５８とベース４を構成する基材（ガラス材）とが直接接触する接触面積が十分に確保されている。このため、ベース４を構成する基材への樹脂パターン５８の接合強度が十分に確保され、水晶振動子１のパッケージの気密安定性が十分に確保される。
【０１５７】
また、本実施の形態６に係るベース４では、樹脂パターン５８により、他主面４３の外周縁に沿う端部全体が被覆されている。即ち、実施の形態１と同様の方法にて、本実施の形態６に係るベース４を製造する場合には、ウエハ８をダイシングしてベース４を個片化する際のウエハ８の切断部に樹脂パターン５８を形成して、ウエハ８の切断部を樹脂材で被覆する。これにより、本実施の形態６に係るベース４の製造においては、ウエハ８の切断部を被覆する樹脂材により、ダイシングによるウエハ（ガラス材）のチッピングの発生が抑制される。
【０１５８】
なお、実施の形態６においては、貫通孔４９の内部に充填する樹脂材５９には、樹脂パターン５８を構成する樹脂材と同じものであって、導電性物質が含まれていないものを使用したが、これに限定されず、例えば、貫通孔４９の内部に充填する樹脂材５９は、樹脂パターン５８を構成する樹脂材と同じものでなくてよく、導電性物質を含むものであってもよい。貫通孔４９の内部に導電性物質を含む樹脂材を充填した場合には、貫通孔４９での導通状態がより安定する。
【０１５９】
本実施の形態６に係る水晶振動子１の構成のうち、上記した以外の構成については、実施の形態１に係る水晶振動子１の構成と同一であり、これにより、本実施の形態６に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１と同様の効果を奏する。
【０１６０】
また、上記した実施の形態１〜６に係るベース４において、樹脂パターン５８は感光性を有する樹脂材を用いたフォトリソグラフィ法により形成されているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではない。例えば、樹脂パターン５８は、樹脂パターン５８を形成する位置に樹脂材を塗布することによって形成されたものであってもよい。つまり、上記した実施の形態１〜６に係るベース４の製造においては、樹脂パターン５８の形成方法として、ウエハ８の両主面８１，８２上に感光性を有する樹脂材をディップコート法又はスプレーコート法により塗布して樹脂層９５を形成した後（図２２Ａ及び図２２B参照）、樹脂層９５に対して露光及び現像を行って樹脂パターン５８を形成する（図２３Ａ及び図２３Ｂ参照）方法を採用しているが、他の方法を採用することも可能である。例えば、樹脂パターン５８の形成方法として、ウエハ８の両主面８１，８２上の樹脂パターン５８の形成位置に、インクジェット法、スクリーン印刷法、又はディスペンサ法により樹脂を吐出して樹脂パターン５８を形成する方法を採用してもよい。このような、フォトリソグラフィ法によらずに形成された樹脂パターン５８は、感光性を備えていない樹脂材により構成されたものであってよい。また、インクジェット法、スクリーン印刷法、又はディスペンサ法によれば、貫通孔４９に、導電性物質を含む樹脂を充填することが可能である。
【０１６１】
なお、上記した実施の形態１〜６に係るベース４において、内部電極５５、外部電極５６、及び貫通電極５７の各々と、ベース４の基材（両主面４２，４３及び貫通孔４９の内側面４９１）との間には、樹脂材が介在していてよい。即ち、図１４Ａ及び図１４Ｂに示す製造工程でメタル層９２を形成する前に、ウエハ８の両主面８１，８２及び貫通孔４９の内側面４９１の電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン（即ち、内部電極５５、外部電極５６、及び貫通電極５７）を形成する部分に樹脂材を塗布し、塗布した樹脂材の上に、メタル層９２を形成してもよい。これによれば、内部電極５５、外部電極５６、及び貫通電極５７の各々とベース４の基材との間に樹脂材が介在するから、ベース４の基材（例えば、ガラス材料からなる基材）と、各電極５５，５６，５７を構成する金属とが反応して、ベース４の基材が劣化することがない。
【０１６２】
また、上記した実施の形態１〜５に係るベース４の製造に関し、樹脂パターン５８を形成する工程（図２３Ａ及び図２３Ｂ参照）では、ベース４を個別分割する際に切断される部分のウエハ８の表面に、樹脂パターン５８を形成してもよい。このように、ウエハ８の切断部に樹脂パターン５８を形成しておくと、ウエハ８を切断する際に加わる外力により、ベース４の側面や外部端子電極５３，５４が破損してしまうことを防止することができる。
【０１６３】
また、実施の形態５に係るベース４において、第２配線パターン５０２の一部を構成する内部電極５５の上に樹脂パターン５８を介して第１配線パターン５０１の一部を構成する電極が形成されたように、上記した実施の形態１〜４、及び６に係るベース４の内部電極５５及び外部電極５６のうち少なくとも一方の上には、樹脂パターン（樹脂材）を介して、他の電極が形成されていてもよい。これによれば、ベース４の厚み方向に複数の配線パターンを備えることができる。
【０１６４】
また、実施の形態１〜６では、ベース４及び蓋６の材料としてガラスを用いているが、ベース４及び蓋６は、いずれも、ガラスを用いて構成されたものに限定されるものではなく、例えば、水晶を用いて構成されたものであってもよい。
【０１６５】
また、実施の形態１〜６では、接合材７１として、主にＡｕＳｎが用いているが、接合材７１は、ベース４と蓋６とを接合させることができるものであれば特に限定されず、例えば、ＣｕＳｎ等のＳｎ合金ろう材を用いて構成されたものであってもよい。
【０１６６】
なお、上記した実施の形態１〜４、及び６に係る水晶振動子１、並びに実施の形態５に係る水晶発振器１０においては、水晶振動片として、ＡＴカット水晶振動片２を使用したが、音叉型の水晶振動片を使用してもよい。
【０１６７】
以上、本発明に係る電子部品パッケージを水晶振動子又は水晶発振器に適用した場合の実施の形態を示したが、これは好適な実施の形態であり、本発明に係る電子部品パッケージは、電子部品素子の電極を対向して配置された封止部材により封止するものであれば、いかなるものであってもよい。よって、本発明に係る電子部品パッケージは、対向して配置された封止部材により、水晶以外の圧電材料、例えば、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等により構成された圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスのパッケージであってもよい。
【０１６８】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【０１６９】
また、この出願は、２０１０年３月４日に日本で出願された特願２０１０−４８０９９に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１７０】
本発明は、圧電振動片等の電子部品素子の電極を気密封止する電子部品のパッケージに適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１７１】
１  水晶振動子
１１  内部空間
２  水晶振動片
２１  基板
２２，２３  主面
２４  短辺の中央部分
２６  振動部
２７  接合部
３１，３２  励振電極
３３，３４  端子電極
３５，３６  引出電極
４  ベース（第１封止部材である電子部品パッケージ用封止部材）
４１  底部
４１１，４１２  台座部
４２  主面（対向面）
４３  主面
４４  壁部
４５  ４５Ａ  第１接合層
４５１  ４５３  スパッタ膜
４５２  ４５４  メッキ膜
４６  キャビティ
４６１  底面
４７，４８  キャスタレーション
４７Ａ，４７Ｂ，４８Ａ，４８Ｂ  キャスタレーション
４９  貫通孔
４９１  内側面
４９２，４９３  開口面
５１，５２  電極パッド
５３，５４  外部端子電極
５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂ  外部端子電極
５５  内部電極
５６  外部電極
５６１  スパッタ膜
５６２  メッキ膜
５６３  第２のメッキ膜
５７  貫通電極
５８  樹脂パターン
５９  樹脂材
６  蓋（第２封止部材）
６１  第２接合層
６１１  Ｍｏ膜
６１２  Ａｕ膜
７１  接合材
７１１  Ａｎ／Ｓｎ膜
７１２  Ａｕ膜
８  ウエハ
８１，８２  主面
９１  保護層
９２  メタル層
９３  メッキ層
９４  ポジレジスト層
９５  樹脂層
１０  水晶発振器（電子部品パッケージ）
２０  ＩＣチップ（電子部品素子）
４０１  台座部
５０１  第１配線パターン
５０２  第２配線パターン
５０３  第３配線パターン
９０６，９０７  導電性バンプ
Ｌ１  短手方向に沿う辺
Ｌ２，Ｌ３  長手方向に沿う辺
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９Ａ】
2011108715.tif 000038
【図１９Ｂ】
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【図２０Ａ】
2011108715.tif 000040
【図２０Ｂ】
2011108715.tif 000041
【図２１Ａ】
2011108715.tif 000042
【図２１Ｂ】
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【図２２Ａ】
2011108715.tif 000044
【図２２Ｂ】
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【図２３Ａ】
2011108715.tif 000046
【図２３Ｂ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
2011108715.tif 000050
【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
2011108715.tif 000052
【図２５Ｃ】
2011108715.tif 000053
【図２６Ａ】
2011108715.tif 000054
【図２６Ｂ】
2011108715.tif 000055
【図２６Ｃ】
2011108715.tif 000056
【図２７】
2011108715.tif 000057
【図２８Ａ】
2011108715.tif 000058
【図２８Ｂ】
2011108715.tif 000059
【図２９Ａ】
2011108715.tif 000060
【図２９Ｂ】
2011108715.tif 000061
【図２９Ｃ】
2011108715.tif 000062
【国際調査報告】
2011108715.tif 000063
2011108715.tif 000064
2011108715.tif 000065
2011108715.tif 000066