(57)【要約】本発明は、送受信ユニット（１）と、識別情報（５）がデジタル識別情報語の形式で格納されている識別ラベル（２）とからなるラベル識別機構に関するものである。ポリマー技術によって予め形成され、後に、導体トラックのオフセット印刷によって識別情報（５）を設けている、回路構造の形態をなしている識別ラベル（２）上の回路では、安価な大量生産によってエネルギー消費を最小限に抑えた識別ラベルを提供することが可能となる。識別情報処理の大部分が、送受信ユニット（１）移行されている。この送受信ユニット（１）は、検出手段（６）と符号解読手段（７）とを備えている。検出手段（６）は、一次コイル（Ｌ１）に接続されており、送信磁界（３）のエネルギー含量を検出するためのものである。また、符号解読手段（７）は、磁界（３）のエネルギー含量の変化、および、検出されたこれらの変化の時間的遅延に基づいて、識別情報（５）を符号解読し、そこから識別情報（５）を２進符号として確定するものである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次コイル（Ｌ１）を通じて周期的な交番磁界を放出する送受信ユニット（１）と、
デジタル識別情報語（５）をビットとして格納しており、送受信ユニット（１）から送信された交番磁界（３）と誘導結合することによって、送信磁界のエネルギー含量の変調に対応する遅延させながら、格納された識別情報（５）を出力する識別ラベル（２）とを備えたラベル識別機構において、
上記送受信ユニット（１）には、
一次コイル（Ｌ１）に接続されており、送信磁界のエネルギー含量の検出を行う検出手段（６）と、
識別ラベル（２）から交番磁界（３）に変調された識別情報を、検出手段（６）によって検出された交番磁界のエネルギー含量における変化に基づいて、かつ、検出されたこの変化の時間的遅延に基づいて、符号解読して、識別情報を２進符号として確定する符号解読手段（７）とが設けられていることを特徴とするラベル識別機構。
【請求項２】
上記識別情報語の設定された各ビット（ｉ）は、既知の基本エネルギー量の整数倍に相当しており、基本エネルギー量は、送受信ユニットに対する識別ラベルの位置およびその距離に依存していることを特徴とする請求項１に記載のラベル識別機構。
【請求項３】
上記整数倍とは、上記基本エネルギー量の２ｉ倍であることを特徴とする請求項２に記載のラベル識別機構。
【請求項４】
送受信ユニット（１）は、上記基本エネルギー量を、識別ラベル（２）から放出される位置依存性を有する参照信号によって校正するものであり、上記参照信号は、識別情報に相当する、識別ラベルの緩衝記憶されたエネルギーの量によって定量されることを特徴とする請求項２または３に記載のラベル識別機構。
【請求項５】
上記送受信ユニット（１）によって放出された交番磁界（３）は、正弦波であり、識別ラベル（２）の識別情報語を表している記憶内容は、ある一つの半波長に変調されるとともに、上記参照信号は、上記正弦波振動の隣接するもう一つの半波長に変調されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のラベル識別機構。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のラベル識別機構に適用できる識別ラベルであって、
上記送受信ユニット（１）から放出された交番磁界（３）内に設けられるとともに、交番磁界と誘導結合できる二次コイル（Ｌ２）と、
上記識別情報（５）をビットに２進符号として格納するための電気的記憶ユニット（４）と、
上記二次コイル（Ｌ２）と記憶ユニット（４）とを接続するための切替手段とを備え、
上記記憶ユニット（４）は、二次コイル（Ｌ２）から取り出されたエネルギーを、交番磁界（３）の１つの半波長の間のみ緩衝記憶するものであり、その記憶ユニットに格納された識別情報に相当する当該エネルギーは、切替手段および二次コイルによって、交番磁界のもう一つの半波長の間に再伝送されていることを特徴とする識別ラベル。
【請求項７】
上記記憶ユニット（４）は、互いのソースおよび／またはドレイン端子と並列接続したｎ個のメモリートランジスタ（１４０‐１４ｎ−１）を有しており、このメモリートランジスタそれぞれは、ｎ個の２進識別情報語（５）のうちの１ビットに相当することを特徴とする請求項６に記載の識別ラベル。
【請求項８】
上記記憶ユニット（４）は、参照信号を格納する別のメモリートランジスタ（１５）を備え、メモリートランジスタ（１５）は、もう一つのメモリートランジスタと並列接続していることを特徴とする請求項６または７に記載の識別ラベル。
【請求項９】
上記識別情報語のビット（ｉ）の位置は、全メモリートランジスタ（１４０‐１４ｎ−１）のそれぞれに対応する幅によって確定されていることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の識別ラベル。
【請求項１０】
上記識別情報語の各ビットの論理状態（「０」または「１」）は、メモリートランジスタ（１４０‐１４ｎ−１）のソース端子および／またはドレイン端子の接続によって確定されていることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の識別ラベル。
【請求項１１】
上記識別ラベル（２）のトランジスタは、ポリマートランジスタであることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の識別ラベル。
【請求項１２】
上記接続を確定する各メモリートランジスタの導体トラックは、オフセット印刷によって製造されていることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか１項に記載の識別ラベル。
【請求項１３】
ラベル識別機構において、送受信ユニット（１）の１次コイル（Ｌ１）から放出された周期的な交番磁界と、識別ラベル（２）に接続された二次コイル（Ｌ２）とを誘導結合することにより、識別ラベルから２進符号として伝送される識別情報（５）の符号化方法であって、
上記識別情報（５）は、識別ラベル内に２進符号として格納され、送信磁界（３）のエネルギー含量の変調による遅延とともに出力されるものであり、
上記識別情報の各ビット（ｉ）が、送受信ユニット（１）に対する識別ラベル（２）の位置およびその距離に依存した既知の基本エネルギー量の２ｉ倍に相当するように符号化されることを特徴とする符号化方法。
【請求項１４】
正弦波の形状の交番磁界（３）である場合、送受信ユニット（１）にて、半波長の間に識別ラベル（２）から放出された位置依存性を有する参照信号によって基本エネルギー量が校正され、上記参照信号は、隣接する半波長の間に識別ラベルに緩衝記憶される、識別情報に相当するエネルギーの量によって定量されることを特徴とする請求項１３に記載の符号化方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、送受信ユニットおよび識別ラベルを備えたラベル識別機構に関するものである。送受信ユニットは、一次コイルを介して周期的な交番磁界を放出するものである。また、識別ラベルは、デジタル識別情報語をビットとして格納するとともに、送受信ユニットにより送信された交番磁界との誘導結合によって、格納された識別情報を、送信磁界のエネルギー含量の変調と、そのエネルギー含量の変調による遅延とに基づいて出力する。さらに、本発明は、ラベル識別機構に用いられる識別ラベル、および、ラベル識別機構に用いられる符号化方法に関するものである。
【０００２】
ラベル識別機構には、例えば、値札のバーコードの識別、空港で荷物分配のために鞄に貼られたステッカーに表示された識別情報の検出、または、集約的な畜産業における飼料量の記録のために用いられるチップカードの識別情報の識別といった、さまざまな用途がある。このような用途に用いられる識別ラベルは、ＩＤタグ（ID-Tags）と呼ばれている。ほとんどの場合、このような識別ラベルは無線で読み出すことができる。ラベル識別機構は、送受信機構の許容範囲と、送受信機構の位置的依存性とが、その機能性の重要な基準となる。この点から、ラベル識別機構は、その活動範囲が広く、かつ、位置的に影響されないことが望まれる。また、例えば大型スーパーといった多くの場合では、識別ラベルは非常に安価で製造される必要がある。さらには、管理使用者（Endbenutzer）のみが、いつでも識別ラベルに情報を提供できるようにすることが望まれ、また、識別ラベルの情報を最後まで確実に読み出すことができること望まれる。
【０００３】
従来技術に開示されたラベル識別機構は、位置的な自由度が高く（位置依存性が低く）、許容範囲の広い。このラベル識別機構は、今のところ、集積フラッシュメモリーを備えたシリコン集積回路として製造されている。このようなシリコン回路としては、価格が比較的高いく、そのため限定された分野でのみ使用されてきた。昨今のスーパーのレジでは、例えばバーコード型の識別ラベルに供給された識別情報を、レーザースキャナーで認識し、検出し（entinventarisiert）、検出した識別情報から、価格を読み出している。しかしながら、値札や商品へのバーコードの印刷はほとんどコストがかからず、安価に行うことができる一方で、このようなバーコードの読み取り方法は連続して行うため、今のところ、コストを抑えてその読み取りを行うためには人の手を借りるしかなかった。
【０００４】
そこで、安価に製造できる識別ラベルを備え、かつ、人の手を借りずに電気によって作動することができるラベル識別機構を提供することが望まれる。ラベル識別機構用途の増加は、大量生産に伴い、価格的に優位になるが、識別ラベルに必要な集積回路を現在よりもはるかに安価に製造しなくてはならないという前提条件がある。生産性の向上、および、チップの所要面積の低減によって、その一部は実現することができるが、このような新しい数多くの用途に必要となる低機能性を備えたシリコン集積回路は、拡張性のある（skalierbare）回路によってではなく、拡張性の低いタグによる制限を受けることになる。したがって、ラベル識別機構に適した大型市場を開拓するためには、集積回路（ＩＣ）の製造方法も簡略化する必要がある。
【０００５】
現時点で考えられる集積回路の製造コストを著しく抑えるための非常に興味深い代替案としては、例えばプリントポリマートランジスタのような非常に安価な新しい製造方法を用いる、ということが考えられる。簡単に言えば、それは、現行のシリコン集積回路の回路を、ポリマートランジスタを形成する製造方法に転用するというものである。しかしながら、これにより、一連の新たな問題が生じることになる。つまり、ＣＭＯＳ回路に用いられる、性能のよいポリマーベースｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタを製造することは、少なくとも現行の観点に基づけば不可能である。さらに、ポリマー内における電荷担体の移動性が非常に悪いため、ポリマートランジスタ回路の消費電力量が、現行のＣＭＯＳ回路よりも何倍も多くなるということが想定される。また、ポリマー技術に基づいた不揮発性メモリーも、現時点では同じく達成不可能である。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、送受信ユニットと識別ラベルとを備えたラベル識別機構を提供するものであり、エネルギー消費量を最小限に、かつ、大部分の情報処理が上記送受信ユニットに移される識別ラベルの電子装置に対する要求性を最小限にしたラベル識別機構を提供するものである。また、本発明の目的はさらに、管理使用者によって、識別ラベル上に簡単に識別情報を形成できる符号化方法を提示することにある。
【０００７】
これらの目的は、特許請求の範囲にしたがって達成されるものである。
【０００８】
第１の主要な特徴としては、本発明のラベル識別機構は、送受信ユニットが、検出手段と、符号解読手段を備えていることを特徴としている。この検出手段は、一次コイルに接続されており、送信磁界のエネルギー含量を検出するためのものである。また、符号解読手段は、識別ラベルから交番磁界に変調された識別情報を、検出手段によって検出された交番磁界のエネルギー含量における変化に基づいて、かつ、検出された上記変化の時間的遅延に基づいて、符号解読して、識別情報を２進符号として確定するものである。
【０００９】
エネルギー消費量を抑えるために、放出された交番磁界から取り出されたエネルギーを、識別ラベルは、交番磁界の最大で１周期の間に格納する。
【００１０】
また、識別ラベルでは、識別情報の各ビットが、送受信ユニットに対する識別ラベルの位置およびその距離に依存する既知の基本エネルギー量の整数倍に相当する。この整数倍は、基本エネルギー量の２ｉ倍であってもよいことが好ましく、このとき、ｉは、識別情報語の中のビット位置を示している。
【００１１】
この基本エネルギー量は、送受信ユニットに、識別ラベル２から放出される位置依存性を有する参照信号によって校正され。このとき、この参照信号は、識別ラベルの緩衝記憶されたエネルギー（このエネルギーは識別情報に相当する）の量を定量している。なお、この校正は、本発明では、送受信ユニットにおいて行われる。
【００１２】
一例としては、送受信ユニットによって放出された交番磁界は、正弦波の形状をしている場合、識別ラベルの識別情報がある一つの半波長に変調されるとともに、参照信号が上記正弦波振動の隣接するもう一つの半波長に変調されている。
【００１３】
このようなラベル識別システムに用いられることが好ましい識別ラベルは、上記送受信ユニットから放出された交番磁界と誘導結合できる二次コイルと、上記識別情報を２進符号としてビットで格納するための電気的記憶ユニットと、二次コイルと記憶ユニットとを接続するための切替手段とを備えている。識別ラベルに位置する記憶ユニットは、二次コイルＬ２から取り出されたエネルギーを、交番磁界３の１つの半波長の間のみ緩衝記憶し、その識別ラベルまたは記憶ユニットに格納された識別情報に相当する当該エネルギーは、切替手段および二次コイルによって、交番磁界の他の半波長の間に再伝送される。
【００１４】
また、識別ラベルの記憶ユニットは、互いのソースおよび／またはドレイン端子と並列接続したｎ個のメモリートランジスタ（１４０‐１４ｎ−１）を有している。これらのメモリートランジスタは、ｎ個の２進識別情報語を格納するためのものである。また、各メモリートランジスタは、識別情報語の１つのビットに相当する。さらに、上記記憶ユニットは、参照信号を格納するための他のメモリートランジスタを備えている。
【００１５】
この記憶ユニットでは、識別情報語のビット位置を、メモリートランジスタの幅によって確定し、各ビット位置の論理状態を、メモリートランジスタをそれぞれ接続することによって確定することが好ましい。識別情報を格納するメモリートランジスタがポリマートランジスタである場合、接続を決定するメモリートランジスタの導体トラック（配線）（Leiterbahnen）を、オフセット印刷によって製造することができ、かつ、残りの識別ラベルより後の時点でも製造することができる。
【００１６】
また、主要な他の形態では、本発明は、ラベル識別システムにおいて、送受信ユニットの一次コイルから放出された周期的な交番磁界と、識別ラベルに接続された二次コイルとを誘導結合することにより、識別ラベルから２進符号の形状で伝送される識別情報の符号化方法を実現するものである。このとき、この識別情報は、識別ラベルに格納され、送信磁界のエネルギー含量の変調による遅延とともに出力される。
【００１７】
この符号化方法は、識別情報の各ビットが、送受信ユニットに対する識別ラベルの位置およびその距離に依存性を有する既知の基本エネルギー量の２ｉ倍に相当するように符号化されることが好ましい。
【００１８】
さらに、この符号化方法の特徴として、正弦波の形状の交番磁界である場合、送受信ユニットにて、半波長の間に識別ラベルから放出された位置依存性を有する参照信号によって、基本エネルギー量が校正されるということが有効である。この参照信号は、隣接する半波長の間に識別ラベルに緩衝記憶される、識別情報に相当するエネルギーの量によって定量される。
【００１９】
次に、本発明のラベル識別機構の実施形態と、このラベル識別機構に適用することができる識別ラベルの実施形態と、さらに、本発明の符号化方法とに関して、添付図面を参照しながら詳述する。
【００２０】
図１は、本発明のラベル識別機構を示す概略的な機能ブロックを示す図である。図２は、本発明のラベル識別機構の送受信ユニット内での識別情報の符号解読について説明した図である。図３は、本発明の場合に用いることができる識別ラベル用の回路の実施形態を示す図である。図４は、識別ラベルのメモリー内におけるビットの様々な組合せに対して、出力を経時的に示した、シミュレーション結果の図である。
【００２１】
図１に示した機能ブロック図では、送受信ユニット１が、一次コイルＬ１を通じて交番磁界３を放出している。識別ラベル２は、交番磁界３と誘導的に結合する二次コイルＬ２を備えている。識別ラベル２の記憶ユニット４には、図示した例の場合では８つのビット位置を有する２進識別情報語５が格納されている。
【００２２】
送受信ユニット１は、さらに、検出手段６と符号解読手段７とを備えている。この検出手段６は、一次コイルＬ１に接続され、送信磁界３のエネルギー含量を検出する。また、符号解読手段７は、上記検出手段６によって検出された磁界のエネルギー含量の変化と、この変化に伴う各検出時間遅延とに基づいて、識別ラベル２から伝送された識別情報を符号解読し、２進符号としてその識別情報を確定する。
【００２３】
伝送前にデータを符号化し、伝送後に再び符号解読するという通信規約（プロトコル）が、データの無線伝送にとって重要な境界条件である。このラベル識別機構は、製造コストを可能な限り抑えた製品にしようとするため、識別ラベルよりもはるかに少ない個数を要求される送受信ユニット上での符号解読に注力することになる。上記によれば、交番磁界は、一次コイルＬ１を通じて、郵政当局者によって認可された周波数（例えば１２５ｋＨｚ）で送受信ユニットに放出される。送受信ユニット１の検出手段６は、それと同時に、例えば、一定の送信電圧に必要な電流に基づいて、交番磁界のエネルギー含量を検出する。
【００２４】
識別ラベル２は、磁気エネルギーを静電エネルギーに変換したり、後に、磁気エネルギーに戻すことによって、上記エネルギー含量を変調する。識別ラベル２により交番磁界から取り出された磁気エネルギーの総量によって、また、このエネルギーを磁気エネルギーに再び変換する際の時間的遅延によって、個々のビット位置は符号化される。識別ラベルに設定される各ビットｉは、整数倍（例えば２ｉ）の基本エネルギー量に相当するが、この基本エネルギー量は、送受信ユニット１に対する識別ラベル２の位置およびその距離に依存するものである。エネルギー総量を１ビットに相当する基本エネルギー量とするのであれば、その全エネルギー量から特性値が得られる。この特性値は、２進符号に直接、再演算され、今度はこの２進符号が、識別ラベル内での個々のメモリービットの値に相当する。しかしながら、上記した基本エネルギー量は、上述した境界条件下において周知である必要がある。
【００２５】
また、一次コイルＬ１に対する二次コイルＬ２の正確な距離や位置を確定することができないので、記憶内容と同様に位置依存性を有するとともに、識別ラベルに緩衝記憶されたエネルギー総量によって定量される、参照信号が必要となる。この参照信号は、その後、交番磁界３の正または負の半波長に変調でき、また一方で、記憶内容は、同じ振動の交番磁界の、隣接する負または正の半波長に符号化される。しかしながら、上記参照信号の他の位相分割も考えられる。このように、符号化方法は、一対であるコイルＬ１・Ｌ２の距離および位置とは無関係になる。もし、１周期の間に、２度にわたって変換されるならば、すなわち、交番磁界３の１振動周期の間に、伝送エネルギーが、磁気エネルギーから電気エネルギーに、そして電気エネルギーから磁気エネルギーに変換されるならば、さらに、エネルギー効率がよく、かつ、簡単な回路構造によって、識別ラベル上にビット信号を生成することも可能になる。
【００２６】
図２は、交番磁界の出力Ｐと時間ｔとの関係を示すとともに、上記送受信ユニットにおいて実行された符号解読方法を概略的に示したものである。この図の左側には、最大出力Ｐｍａｘを有する、例えば正弦波のような周期的な、交番信号（Wechselsignal）の第１半波長を示し、右側は、第２半波長（図示せず）内の時間軸に、出力Ｐｄに相当するエネルギー量を有する検出信号Ｄを示している。この検出信号Ｄは、ｎ個の遅延時間ｔ０、・・・、ｔｎ−１のうちの１つに基づいて検出される。上述したように、送受信ユニット１内の符号解読手段７は、検出信号Ｄの、出力Ｐｄによって示されるエネルギー量と、この検出信号Ｄが生じたところの遅延時間に相当するタイムスロットとに基づいて、識別情報を符号解読化し、２進符号として符号解読した情報を生成する。
【００２７】
次に、図３に基づいて、本発明にかかる識別ラベル内における好ましい回路構造および機能について説明する。この回路は、周辺回路のためではなく、記憶内容の伝送のためのエネルギーだけを必要とする回路であることが望ましい。無線通信ラベル識別機構においては、識別ラベルには、二次コイルＬ２を経由して交番磁界３からのみ、エネルギーが供給されるので、このエネルギーは、交流電圧または交流（電流）として、主に、識別ラベル内にも存在している。これに対し、標準的な回路技術は、直流電流または直流によって機能している。また、本発明で提案する符号化方法では、１次エネルギーの損失の多い整流を、防止することができる。各半波長のエネルギーは、回路により緩衝記憶され、識別ラベル内に組み込まれた識別情報語に相当する変換体として再び伝送される。もし、二次コイルＬ２によって生成された電流信号または電圧信号が、直接、クロック信号、制御信号、および、入力信号として利用されるならば、もはや、一定の供給電圧をトランジスタに印加する必要はない。
【００２８】
識別ラベルから送受信ユニットへの識別情報語の伝送は、二次コイルＬ２の端部Ａ・Ｂと、二次コイルの接地Ｅに接続されたセンタタップとの間の電気抵抗の変調によって行うことができる。この変調により、一次コイルＬ１（図３には示していない）に可変的な相互誘導を導き、対応する変調電流を一次コイル内に生じさせる。その後、この変調は、上記送受信ユニットの１次回路にて電流測定を行うことによって検出される。その結果、二次コイルＬ２の電気抵抗の変調は、既に生じている相互誘導によって送受信ユニットに伝送される。
【００２９】
図３の右側には、二次コイルＬ２内での電気抵抗変調用の簡単な回路構造を示している。なお、この二次コイルの外側の末端ＡおよびＢは、この回路構造の端子ＡおよびＢに接続されている。
【００３０】
図３の回路構造は、例えばｐ型ポリマートランジスタを有した単型の（einzigen Typ）ＭＯＳトランジスタを示したものである。上述の境界条件は、図３に示したような回路構造において満たすことができる。つまり、抵抗の変化または消費電流は、メモリートランジスタ１４０−１４ｎ−１と記憶ユニット４の基準トランジスタ１５とによって、ほぼ排他的に決定される。図３に示した回路構造は、分かりやすくするために、３つの領域に分けることができる。部材番号８で示した左側の第１部分は、駆動回路である。この駆動回路は、識別情報メモリー４の各メモリービットと、基準トランジスタ１５とに対して、２つのトランジスタ１７・１８を備えている。第１トランジスタ１７のソース端子はセンタタップＣに接続されており、第１トランジスタ１７のゲート端子は、二次コイルＬ２の下端Ａに接続されている。また、第１トランジスタ１７のドレイン端子は、第２トランジスタ１８のソース端子に接続されている。第２トランジスタ１８のゲート端子は、二次コイルＬ２の上端Ｂに接続されており、一方、第２トランジスタ１８のドレイン端子は、メモリートランジスタ１４０−１４ｎ−１または基準トランジスタ１５の、ゲート端子に接続されている。二次コイルＬ２の２つの外部末端ＡおよびＢは、電圧信号において１８０°位相変換されるので、２つの駆動トランジスタ１７・１８のうちの１つは、常に、閾値未満の電圧であり、カットオフ領域（Sperrbereich）内である。二次コイルＬ２のセンタタップとメモリートランジスタのゲートとの間では、変位電流を介してのみ電流が流れることができる。しかしながら、このような変位電流は、二次コイルＬ２により印加される交流電圧によって、２つの駆動トランジスタ１７・１８のゲート電極にて生じるものである。これらの駆動トランジスタによって、結果的には、メモリートランジスタ１４０−１４ｎ−１のゲート端子に、電荷移動が生じる。これにより、ソースとゲートとの間に、交流の正および負ゲート電圧が存在することになる。これにより、メモリートランジスタおよび基準トランジスタ１５において、導電性が高くなったり低くなったりする。もし、メモリートランジスタ１４０−１４ｎ−１のドレイン（ソース）が、上端の外部コイル端子Ｂ（または下端の外部コイル端子Ａ）に接続され、基準トランジスタ１５が、もう一方の外部コイル端子Ａ（または外部コイル端子Ｂ）に接続されるならば、二次コイル（Ｌ２）に接続された全回路の導電率となる交番磁界の１つの半波長をメモリートランジスタ１４０−１４ｎ−１が確定し、交番磁界のもう１つの半波長を基準トランジスタ１５が確定する。
【００３１】
また、メモリートランジスタｉの符号化は、メモリートランジスタの幅２ｉから得ることができ、複数のトランジスタにおける幅の違いによって、デジタル識別情報語の中のビットの位置が確定される。また、論理状態は、メモリートランジスタ１４０−１４ｎ−１をコンタクト接続することにより確定することができる。なお、接地へのドレインの端子の接続は「０」で表すことができ、ドレインの上端（または下端）の外部コイル端子Ａ・Ｂへの接続は「１」で表すことができる。また、基準トランジスタ１５は、可能な限りメモリートランジスタの平均ビット幅を有している方がよく、基準トランジスタ１５のドレイン端子は、二次コイルＬ２の下端（または上端）外部コイル端子Ａ（またはＢ）に接続されている必要がある。
【００３２】
図４は、ビットまたはデジタル語の異なる組合せの場合について、図３に示した回路での消費電力をシミュレーションした結果を示す図である。図４にはさらに、ビット８＝「１」と、ビット１〜７＝「１」との区別をまだ十分に行うことができない図３に示す回路構造についても示している。区別が十分にできない理由としては、組合せたビットが互いに近似した出力値を有しているからである。詳しくは示さないが、第２半波長の電力消費は、基準トランジスタ１５から生成した参照信号を示している。
【００３３】
図３に示した回路構造を備えた識別ラベルを製造するためには、情報を、識別ラベルが保持することができるように符号化する必要である。この符号化をできるだけコストをかけずに行うためには、情報を確定する工程に至るまでの識別ラベルを、前もって、低コストで大量生産することが有効である。図３に示した回路構造の場合では、メモリートランジスタ１４０−１４ｎ−１のドレイン接続線のみが、論理「０」または論理「１」という１つのビットの内容に対して責任を負うが、回路の残りの部分は、記憶する内容に対して関係である。さらに、識別情報メモリー４を構成しているメモリートランジスタ１４０−１４ｎ−１の端子のみが、管理使用者によって、記憶内容となる論理状態「０」または「１」に相当する線に接続すればよい。この接続（配線）は、安価で簡単なオフセット印刷によって行うことが好ましい。しかしながら、前提条件として、好ましくはポリマー技術を用いた回路の製造プロセスが、予め形成された回路に、そういった印刷方法または類似した印刷方法によって、配線できるようになっている必要がある。
【００３４】
本発明のラベル識別機構の場合、送信信号の交番磁界内での一次コイルＬ１の消費電力に基づいて、識別ラベルの情報を符号解読することが好ましい。さらに、信号は、送信信号の半波長の、振幅、位相、または、形状に基づいて符号化することが好ましい。よって、送信信号のもう一つの半波長上の基準信号によって、位置依存性のある信号は校正されるため、上記信号を位置とは無関係に符号解読することができる。
【００３５】
また、識別情報を記憶するため、および、駆動するために識別ラベルに必要となる回路は、非常に安価なポリマー技術によって予め形成されることが好ましく、識別ラベルの情報内容を決定導体トラックは、回路の作成後にオフセット印刷方法によって形成することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明のラベル識別システムを示す概略的な機能ブロック図である。
【図２】本発明のラベル識別システムの送受信ユニットにおける識別情報の符号解読について説明した図である。
【図３】本発明の場合に用いることができる識別ラベル用の回路の実施例を示す図である。
【図４】識別ラベルのメモリーにおける様々なビットの組合せに対する、経時的な出力を示した、シミュレーション結果の図である。
【符号の説明】
【００３７】
１          送受信ユニット
２          識別ラベル
３          交番磁界
４          記憶ユニット
５          識別情報
６          検出手段
７          符号解読手段
Ｌ１        一次コイル
Ｌ２        二次コイル
８          制御回路
１４０・・・１４ｎ−１  メモリートランジスタ
１５        基準トランジスタ
１７、１８  駆動回路８のトランジスタ
Ａ、Ｂ      二次コイルＬ２の外部コイル端子
Ｃ          二次コイルＬ２のセンタコイルタップ
Ｅ          接地
Ｐ、Ｐｍａｘ、Ｐｄ  出力値
Ｄ          検出信号
ｔ、ｔ０、ｔｎ−１  時間
【図１】
2005522066.tif 000003
【図２】
2005522066.tif 000004
【図３】
2005522066.tif 000005
【図４】
2005522066.tif 000006
【国際調査報告】
2005522066.tif 000007
2005522066.tif 000008
2005522066.tif 000009
2005522066.tif 000010