【手続補正書】
【提出日】令和2年8月21日(2020.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバ内に収容され、基板を保持するための基板保持ユニットと、
発光ダイオードを有する発光部と、前記発光ダイオードからの光を受ける受光ダイオードを有する受光部と、前記発光ダイオードと前記受光ダイオードとの間に形成される光路であって、前記チャンバ内の所定領域を通過するように配置された光路の周囲の雰囲気に含まれる所定の種類の気体の濃度をＴＤＬＡＳ方式で計測するＴＤＬＡＳ気体濃度計測部とを有するＴＤＬＡＳ気体濃度計測ユニットとを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記所定領域が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方の上方空間に設けられている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む筒状のガードをさらに含み、前記発光部および前記受光部が、前記チャンバ内において前記ガードの外側に配置されていて、
前記ガードには、前記発光ダイオードの発光波長が透過可能な材質を用いて形成された透過窓であって、前記光路が通過する透過窓が形成されている、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ガードを、前記基板の周縁部から飛散する処理液を捕獲可能な上位置と、前記上位置よりも下方に設定された下位置であって、前記基板の周縁部の側方から下方に退避した下位置との間で、前記基板保持ユニットに対して昇降させるガード昇降ユニットをさらに含み、
前記ガードが前記上位置に位置する場合に、前記光路が前記透過窓を透過する、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む筒状のガードをさらに含み、
前記発光部および前記受光部が前記ガードに支持されている、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記発光部および前記受光部が、前記ガードの内周端部に埋設されている、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記発光部が、第１の発光ダイオードと、前記第１の発光ダイオードとは発光波長の異なる第２の発光ダイオードとを含み、
前記ＴＤＬＡＳ気体濃度計測部が、前記第１の発光ダイオードと前記受光ダイオードとの間に形成される第１の光路の周囲の雰囲気に含まれる第１の種類の気体の濃度をＴＤＬＡＳ方式で計測し、かつ前記第２の発光ダイオードと前記受光ダイオードとの間に形成される第２の光路の周囲の雰囲気に含まれる第２の種類の気体の濃度をＴＤＬＡＳ方式で計測する複数気体濃度計測部を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記チャンバが、互いに異なる第１のチャンバおよび第２のチャンバを含み、
前記受光部が、前記第１のチャンバに配置された第１の受光ダイオードと、前記第２のチャンバに配置された第２の受光ダイオードとを含み、
前記ＴＤＬＡＳ気体濃度計測部が、前記発光ダイオードと前記第１の受光ダイオードとの間に形成される第３の光路であって、前記第１のチャンバの内部空間を通過するように配置された第３の光路の周囲の雰囲気に含まれる所定気体の濃度をＴＤＬＡＳ方式で計測し、かつ前記発光ダイオードと前記第２の受光ダイオードとの間に形成される第４の光路であって、前記第２のチャンバの内部空間を通過するように配置された第４の光路の周囲の雰囲気に含まれる所定気体の濃度をＴＤＬＡＳ方式で計測する複数チャンバ濃度計測部
を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記発光ダイオードが、前記チャンバ外に配置されており、
前記発光部が、前記チャンバ内に配置された第１の窓と、前記発光ダイオードからの光を前記第１の窓に導く導光ケーブルとをさらに有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記受光部および前記発光部の少なくとも一方が、当該一方よりも他方側に配置された第２の窓を有しており、
前記受光部および前記発光部の少なくとも前記一方に配置され、前記第２の窓を開閉するシャッタをさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板の上面の着液位置に向けて処理液を吐出するノズルをさらに含み、
前記光路が、平面視で、前記基板の上面における処理液の着液位置を回避した位置に配置されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記発光ダイオードが、アンモニアの吸収帯の波長を発光するように設けられている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記発光ダイオードが、水の吸収帯の波長を発光するように設けられている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に、水よりも低い低表面張力を有する低表面張力液体を供給するための低表面張力液体供給ユニットと、
前記基板の上面に存在している低表面張力液体を前記基板の上面から排除するための低表面張力液体排除ユニットと、
前記低表面張力液体排除ユニットを制御する制御装置とをさらに含み、
前記制御装置が、前記ＴＤＬＡＳ気体濃度計測ユニットによって、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に低表面張力液体が存在している状態において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方の上方空間における湿度を計測する湿度計測工程を実行し、
前記制御装置が、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が所定の湿度よりも低い場合に、前記低表面張力液体排除ユニットにより前記基板の上面から低表面張力液体を排除する低表面張力液体排除工程を実行し、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が前記所定の湿度よりも高い場合に、前記低表面張力液体排除工程を実行しない、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面にリンス液を供給するリンス液供給ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に、リンス液よりも低い低表面張力を有する低表面張力液体を供給するための低表面張力液体供給ユニットと、
前記基板の上面に存在している低表面張力液体を前記基板の上面から排除するための低表面張力液体排除ユニットと、
前記低表面張力液体供給ユニットを制御する制御装置とをさらに含み、
前記制御装置が、前記ＴＤＬＡＳ気体濃度計測ユニットによって、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面にリンス液が存在している状態において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方の上方空間における湿度を計測する湿度計測工程を実行し、
前記制御装置が、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が所定の湿度よりも低い場合に、前記低表面張力液体供給ユニットにより前記基板の上面に低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給工程を実行し、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が前記所定の湿度よりも高い場合に、前記低表面張力液体供給工程を実行しない、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
基板保持ユニットに保持されている基板の上面に低表面張力液体が存在している状態において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方の上方空間における湿度を、ＴＤＬＡＳ方式で計測する湿度計測工程と、
前記湿度計測工程で計測された前記湿度が所定の湿度よりも低い場合に、低表面張力液体排除ユニットにより前記基板の上面から低表面張力液体を排除する低表面張力液体排除工程とを含み、
前記湿度計測工程で計測された前記湿度が前記所定の湿度よりも高い場合に、前記低表面張力液体排除工程を実行しない、基板処理方法。
【請求項１７】
基板保持ユニットに保持されている基板の上面にリンス液が存在している状態において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方の上方空間における湿度を、ＴＤＬＡＳ方式で計測する湿度計測工程と、
前記湿度計測工程で計測された前記湿度が所定の湿度よりも低い場合に、前記基板の上面に低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給工程とを含み、
前記湿度計測工程で計測された前記湿度が前記所定の湿度よりも高い場合に、前記低表面張力液体供給工程を実行しない、基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明の一実施形態は、チャンバと、前記チャンバ内に収容され、基板を保持するための基板保持ユニットと、発光ダイオードを有する発光部と、前記発光ダイオードからの光を受ける受光ダイオードを有する受光部と、前記発光ダイオードと前記受光ダイオードとの間に形成される光路であって、前記チャンバ内の所定領域を通過するように配置された光路の周囲の雰囲気に含まれる所定の種類の気体の濃度をＴＤＬＡＳ方式で計測するＴＤＬＡＳ気体濃度計測部とを有するＴＤＬＡＳ気体濃度計測ユニットとを含む、基板処理装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明の一実施形態では、前記所定領域が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方の上方空間に設けられている。
この構成によれば、発光部と受光部との間に形成される光路が、基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方空間（以下、単に「上方空間」という）を通過する。これにより、上方空間の雰囲気に含まれる所定の種類の気体の濃度を、精度良く計測できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この構成によれば、このような周辺部材との干渉という問題が発生するのを抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む筒状のガードをさらに含む。そして、前記発光部および前記受光部が、前記チャンバ内において前記ガードの外側に配置されている。そして、前記ガードには、前記発光ダイオードの発光波長が透過可能な材質を用いて形成された透過窓であって、前記光路が通過する透過窓が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記ガードを、前記基板の周縁部から飛散する処理液を捕獲可能な上位置と、前記上位置よりも下方に設定された下位置であって、前記基板の周縁部の側方から下方に退避した下位置との間で、前記基板保持ユニットに対して昇降させるガード昇降ユニットをさらに含む。そして、前記ガードが前記上位置に位置する場合に、前記光路が前記透過窓を透過する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む筒状のガードをさらに含む。そして、前記発光部および前記受光部が前記ガードに支持されている。
この構成によれば、発光部および受光部がガードに支持されている。これにより、比較的簡単に発光部および受光部を配置できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この発明の一実施形態では、前記発光部および前記受光部が、前記ガードの内周端部に埋設されている。
この構成によれば、発光部および受光部が、ガードの内周端部に埋設されていれば、上方空間に光路を良好に配置できる。
この発明の一実施形態では、前記発光部が、第１の発光ダイオードと、前記第１の発光ダイオードとは発光波長の異なる第２の発光ダイオードとを含む。そして、前記ＴＤＬＡＳ気体濃度計測部が、前記第１の発光ダイオードと前記受光ダイオードとの間に形成される第１の光路の周囲の雰囲気に含まれる第１の種類の気体の濃度をＴＤＬＡＳ方式で計測し、かつ前記第２の発光ダイオードと前記受光ダイオードとの間に形成される第２の光路の周囲の雰囲気に含まれる第２の種類の気体の濃度をＴＤＬＡＳ方式で計測する複数気体濃度計測部を含む。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この発明の一実施形態では、前記チャンバが、互いに異なる第１のチャンバおよび第２のチャンバを含む。そして、前記受光部が、前記第１のチャンバに配置された第１の受光ダイオードと、前記第２のチャンバに配置された第２の受光ダイオードとを含む。そして、前記ＴＤＬＡＳ気体濃度計測部が、前記発光ダイオードと前記第１の受光ダイオードとの間に形成される第３の光路であって、前記第１のチャンバの内部空間を通過するように配置された第３の光路の周囲の雰囲気に含まれる所定気体の濃度をＴＤＬＡＳ方式で計測し、かつ前記発光ダイオードと前記第２の受光ダイオードとの間に形成される第４の光路であって、前記第２のチャンバの内部空間を通過するように配置された第４の光路の周囲の雰囲気に含まれる所定気体の濃度をＴＤＬＡＳ方式で計測する複数チャンバ濃度計測部を含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この発明の一実施形態では、前記発光ダイオードが、前記チャンバ外に配置されている。そして、前記発光部が、前記チャンバ内に配置された第１の窓と、前記発光ダイオードからの光を前記第１の窓に導く導光ケーブルとをさらに有する。
この構成によれば、発光ダイオードをチャンバ外に配置しながら、発光ダイオードからの光を受光ダイオードへと導くことができる。発光ダイオードがチャンバ外に配置されているから、チャンバ内の雰囲気に含まれる処理液が発光ダイオードに悪影響を与えることがない。これにより、発光ダイオードに悪影響を与えることなく、チャンバ内の雰囲気に含まれる所定の種類の気体の濃度を精度良く計測できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この発明の一実施形態では、前記受光部および前記発光部の少なくとも一方が、当該一方よりも他方側に配置された第２の窓を有している。そして、前記基板処理装置が、前記受光部および前記発光部の少なくとも前記一方に配置され、前記第２の窓を開閉するシャッタをさらに含む。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板の上面の着液位置に向けて処理液を吐出するノズルをさらに含む。そして、前記光路が、平面視で、前記基板の上面における処理液の着液位置を回避した位置に配置されている。
この構成によれば、光路が、平面視で、基板の上面における処理液の着液位置を回避している。そのため、光路が、ノズルや、ノズルから吐出され前記着液位置に達していない処理液と干渉することを抑制または防止できる。これにより、気体濃度の計測精度を、より一層向上させることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この発明の一実施形態では、前記発光ダイオードが、アンモニアの吸収帯の波長を発光するように設けられている。
この構成によれば、発光ダイオードの発光波長が、アンモニアの吸収帯の波長を含むので、チャンバ内の雰囲気に含まれるアンモニアの濃度を精度良く計測できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
この発明の一実施形態では、前記発光ダイオードが、水の吸収帯の波長を発光するように設けられている。
この構成によれば、発光ダイオードの発光波長が、水の吸収帯の波長を含むので、チャンバ内の雰囲気に含まれる水の濃度、すなわち、チャンバ内の湿度を精度良く計測できる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に、水よりも低い低表面張力を有する低表面張力液体を供給するための低表面張力液体供給ユニットと、前記基板の上面に存在している低表面張力液体を前記基板の上面から排除するための低表面張力液体排除ユニットと、前記低表面張力液体排除ユニットを制御する制御装置とをさらに含む。そして、前記制御装置が、前記ＴＤＬＡＳ気体濃度計測ユニットによって、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に低表面張力液体が存在している状態において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方の上方空間における湿度を計測する湿度計測工程を実行する。そして、前記制御装置が、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が所定の湿度よりも低い場合に、前記低表面張力液体排除ユニットにより前記基板の上面から低表面張力液体を排除する低表面張力液体排除工程を実行し、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が前記所定の湿度よりも高い場合に、前記低表面張力液体排除工程を実行しない。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面にリンス液を供給するリンス液供給ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に、リンス液よりも低い低表面張力を有する低表面張力液体を供給するための低表面張力液体供給ユニットと、前記基板の上面に存在している低表面張力液体を前記基板の上面から排除するための低表面張力液体排除ユニットと、前記低表面張力液体供給ユニットを制御する制御装置とをさらに含む。そして、前記制御装置が、前記ＴＤＬＡＳ気体濃度計測ユニットによって、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面にリンス液が存在している状態において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方の上方空間における湿度を計測する湿度計測工程を実行する。そして、前記制御装置が、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が所定の湿度よりも低い場合に、前記低表面張力液体供給ユニットにより前記基板の上面に低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給工程を実行し、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が前記所定の湿度よりも高い場合に、前記低表面張力液体供給工程を実行しない。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この発明の一実施形態は、基板保持ユニットに保持されている基板の上面に低表面張力液体が存在している状態において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方の上方空間における湿度を、ＴＤＬＡＳ方式で計測する湿度計測工程と、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が所定の湿度よりも低い場合に、低表面張力液体排除ユニットにより前記基板の上面から低表面張力液体を排除する低表面張力液体排除工程とを含み、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が前記所定の湿度よりも高い場合に、前記低表面張力液体排除工程を実行しない、基板処理方法を提供する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
この方法によれば、湿度計測工程で計測された湿度が所定の湿度よりも低い場合のみ、低表面張力液体排除工程が実行される。基板の上面に存在する低表面張力液体に水が混じっていない状態で低表面張力液体排除工程が実行されるので、パターン倒壊を抑制または防止できる。
この発明の一実施形態は、基板保持ユニットに保持されている基板の上面にリンス液が存在している状態において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の上方の上方空間における湿度を、ＴＤＬＡＳ方式で計測する湿度計測工程と、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が所定の湿度よりも低い場合に、前記基板の上面に低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給工程とを含み、前記湿度計測工程で計測された前記湿度が前記所定の湿度よりも高い場合に、前記低表面張力液体供給工程を実行しない、基板処理方法を提供する。