Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月10日(2020.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【図１】本発明の触媒担持用ハニカム構造体の一実施形態に係る模式的な斜視図である。
【図２】本発明の触媒担持用ハニカム構造体の別の一実施形態に係る模式的な斜視図である。
【図３】図２に係る触媒担持用ハニカム構造体の高さ方向（セルの延びる方向）に平行な断面の模式図である。
【図４】初期吸水速度の測定方法を説明するための模式図である。
【図５】隔壁がハニカム構造体の高さ方向（セルの延びる方向）に垂直な方向に初期吸水速度の分布を示す場合の概念的な断面図である。
【図６】隔壁がハニカム構造体の高さ方向（セルの延びる方向）に平行な方向に初期吸水速度の分布を示す場合の概念的な断面図である。
【図７】初期吸水速度の異なる複数のハニカム構造体の外周側壁同士を接合材によって接合することによって作製したハニカム接合体の概念的な断面図である。
【図８】実施例１−１と比較例１について、入口側と出口側における初期吸水速度の変化を示すグラフである。
【図９】実施例１−１と比較例１について、入口側と出口側における触媒担持量の変化を示すグラフである。
【図１０】実施例１−１〜実施例１−３、及び比較例２の結果による初期吸水速度の低下率と触媒担持量の低下率の関係を示すグラフである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
隔壁の初期吸水速度の調整方法には制限はない。例えば、隔壁の材質や気孔率を部位によって変える方法、並びに、疎水性物質が付着した隔壁は初期吸水速度が遅くなることを利用して、隔壁の一部に疎水性物質を付着させる方法がある。これらの中でも、製造コスト及び簡便性の観点から、隔壁の一部に疎水性物質を付着させる方法が好ましい。初期吸水速度を低くしたい隔壁部分に選択的（本明細書において、選択的というのは優先的であることを含む概念である。）に疎水性物質を付着させることで、隔壁のゾーニングを行うことが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ハニカム成形体の一実施形態においては、すべてのセルを第一の底面から第二の底面まで貫通させてもよい。また、ハニカム成形体の別の一実施形態においては、第一の底面から第二の底面まで延び、第一の底面が開口して第二の底面が目封止された複数の第一セルと、第一の底面が目封止されて第二の底面が開口する複数の第二セルを含み、第一のセル及び第二のセルが隔壁を介して交互に隣接配置されているセル構造を有することができる。ハニカム成形体の底面を目封止する方法は、特に限定されるものではなく、周知の手法を採用することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月18日(2020.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機性汚泥に高分子凝集剤を添加して前記有機性汚泥を凝集させる工程と、
前記凝集された汚泥を濃縮及び加圧脱水する工程と、
前記濃縮後又は前記加圧脱水後の汚泥に有機凝結剤を添加する工程と、
前記有機凝結剤が添加された汚泥を機械的に脱水する工程と、を含み、
前記有機凝結剤が添加された汚泥およびその脱水ろ液のうちの少なくとも一方のｐＨが６以上であり、前記濃縮及び加圧脱水された汚泥の蒸発残留物（ＴＳ）が４０〜１５０ｇ／Ｌであることを特徴とする有機性汚泥の脱水方法。
【請求項２】
前記有機凝結剤は、ｐＨ４のカチオン度が５ｍｅｑ/ｇ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の有機性汚泥の脱水方法。
【請求項３】
前記有機凝結剤は、２５℃における原液の粘度が５０ｍＰａ・ｓ以上の液状であることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機性汚泥の脱水方法。
【請求項４】
前記有機凝結剤は、分子量が４０００を超え１５０万以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機性汚泥の脱水方法。
【請求項５】
前記有機凝結剤は、無希釈もしくは希釈倍率６０倍以下に希釈した溶液として添加することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機性汚泥の脱水方法。
【請求項６】
有機性汚泥に高分子凝集剤を添加して前記有機性汚泥を凝集させる凝集手段と、
前記凝集された汚泥を濃縮する濃縮手段と、
前記濃縮された汚泥を加圧脱水する加圧脱水手段と、
前記濃縮後又は前記加圧脱水後の汚泥に有機凝結剤を添加する有機凝結剤添加手段と、
前記有機凝結剤が添加された汚泥を機械的に脱水する脱水手段と、を含み、
前記有機凝結剤が添加された汚泥およびその脱水ろ液のうちの少なくとも一方のｐＨが６以上であり、前記濃縮及び加圧脱水された汚泥の蒸発残留物（ＴＳ）が４０〜１５０ｇ／Ｌであることを特徴とする有機性汚泥の脱水に用いる処理装置。
【請求項７】
前記濃縮・加圧脱水手段と前記有機凝結剤添加手段との間に設けられ、前記濃縮及び加圧脱水後の汚泥を分断して少なくともブロック状に形成する分断手段を有することを特徴とする、請求項６に記載の有機性汚泥の脱水に用いる処理装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月20日(2020.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂粉末の層を形成する工程と、前記樹脂粉末の層を形成した後に前記樹脂粉末の層の造形領域にレーザ光を照射して、前記造形領域の前記樹脂粉末を溶融結合し、固化して、固化層を形成する工程とを繰り返すことにより、ｎ（ｎは３以上の整数）層の前記樹脂粉末の層を形成すると共に、前記ｎ層の樹脂粉末の層内に前記ｎ層の前記固化層を積層して造形物を作製する粉末床溶融結合造形物の作製方法であって、
前記樹脂粉末の層にレーザ光を照射する工程では、
前記ｎ層の樹脂粉末の層のうち、下から第１層目の前記樹脂粉末の層の前記造形領域に前記レーザ光を第１のエネルギーで照射し、
第２層目乃至第ｎ−１層目の前記樹脂粉末の層の各々の前記造形領域のうち、上下に隣接する前記樹脂粉末の層の前記造形領域のうちの少なくとも一方から外側にはみ出しているはみ出し部、及び前記隣接する樹脂粉末の層の前記造形領域と重なる前記はみ出し部の内側の少なくとも前記樹脂粉末の層の厚さ分の幅の重なり部に前記レーザ光を前記第１のエネルギーで照射し、前記はみ出し部及び前記重なり部の内側の中央部に前記レーザ光を前記第１のエネルギーよりも低い第２のエネルギーで照射し、
第ｎ層目の前記樹脂粉末の層の前記造形領域に前記レーザ光を前記第１のエネルギーで照射することを特徴とする粉末床溶融結合造形物の作製方法。
【請求項２】
前記第２層目乃至前記第ｎ−１層目の前記樹脂粉末の層の各々は、所定の幅の外周部を有し、
前記樹脂粉末の層にレーザ光を照射する工程では、
前記外周部の一部に前記はみ出し部が重なっている場合には、前記はみ出し部及び前記重なり部と共に、前記外周部のうちの前記はみ出し部が重なっていない部分に前記レーザ光を前記第１のエネルギーで照射することを特徴とする請求項１に記載の粉末床溶融結合造形物の作製方法。
【請求項３】
前記樹脂粉末の層にレーザ光を照射する工程の後に、前記ｎ層の樹脂粉末の層から積層された前記ｎ層の固化層を取り出し、前記積層されたｎ層の固化層を等方的に加圧することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の粉末床溶融結合造形物の作製方法。
【請求項４】
前記造形物の作成の間、前記樹脂粉末を、該樹脂粉末の表面が該樹脂粉末の融点よりも１０℃〜１５℃程度低い温度に維持されるように、予備加熱することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の粉末床溶融結合造形物の作製方法。
【請求項５】
前記樹脂粉末の層にレーザ光を照射する工程では、前記第２層目乃至前記第ｎ−１層目の前記樹脂粉末の層のうち、前記はみ出し部がない前記樹脂粉末の層における前記造形領域の所定の幅の外周部に、前記レーザ光を前記第１のエネルギーで照射することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の粉末床溶融結合造形物の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月13日(2019.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
外国為替等の取引を行う場合において、ＮＤＦ（Non-Deliverable Forward）取引のように、外貨等の現物の受け渡しを行わず、価格変動に応じた差金決済を行う取引手法がある。例えば特許文献１では、銀行が顧客から外国為替予約の申込を受け付け、ＮＤＦ取引に係る差金決済、送金等を行う為替変動リスクヘッジ方法が開示されている。
また、非特許文献１には、ビットコインのような仮想通貨（暗号資産）のシステムにおいて、未来の通貨価格に基づいた決済を、取引当事者間の信頼関係を不要として行うことができる方法が開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−９９６２１号公報
【非特許文献１】Thaddeus Dryja、“Discreet Log Contract”、インターネット＜https://adiabat.github.io/dlc.pdf＞
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
一つの側面では、非特許文献１に記載の方法を応用して、差金決済を伴う取引を、中央管理者を不要として行うことができる情報処理装置等を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月25日(2020.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１成分と第２成分とを含む混合信号に対してニューラルネットワークを適用することで、前記第１成分が強調された第１信号を生成し、
前記第１信号を加工することで第２信号を生成し、
前記第２信号から算定される評価指標に応じて前記ニューラルネットワークを訓練する
コンピュータにより実現される機械学習方法。
【請求項２】
前記第１信号に対する加工は、前記第１信号の信号特性を変化させる信号処理である
請求項１の機械学習方法。
【請求項３】
前記第１信号に対する加工は、前記第１信号に対して効果を付与する処理である
請求項１または請求項２の機械学習方法。
【請求項４】
前記第１信号に対する加工は、線形演算であり、
前記訓練においては、自動微分を利用した誤差逆伝播により前記ニューラルネットワークを訓練する
請求項１から請求項３の何れかの機械学習方法。
【請求項５】
前記第１信号に対する加工は、ＦＩＲフィルタである
請求項１から請求項４の何れかの機械学習方法。
【請求項６】
前記評価指標は、前記第２信号と前記第１成分を表す正解信号とから算定される信号対歪比である
請求項１から請求項５の何れかの機械学習方法。
【請求項７】
前記混合信号は、収音装置が生成する音響信号である
請求項１から請求項６の何れかの機械学習方法。
【請求項８】
前記混合信号は、検出装置による検出結果を表す検出信号である
請求項１の機械学習方法。
【請求項９】
第１成分と第２成分とを含む混合信号に対してニューラルネットワークを適用することで、前記第１成分が強調された第１信号を生成する成分強調部と、
前記第１信号を加工することで第２信号を生成する信号加工部と、
前記第２信号から算定される評価指標に応じて前記ニューラルネットワークを訓練する学習処理部と
を具備する機械学習装置。
【請求項１０】
前記第１信号に対する加工は、線形演算であり、
前記学習処理部は、自動微分を利用した誤差逆伝播により前記ニューラルネットワークを学習する
請求項９の機械学習装置。
【請求項１１】
前記信号加工部は、ＦＩＲフィルタである
請求項９または請求項１０の機械学習装置。
【請求項１２】
前記評価指標は、前記第２信号と前記第１成分を表す正解信号とから算定される信号対歪比である
請求項９から請求項１１の何れかの機械学習装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月22日(2020.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリデバイスであって、
定期的なオンダイ終端（定期的なＯＤＴ）及びドライバキャリブレーションを実行するためのキャリブレーション回路と、
前記メモリデバイスにより受信されるセルフリフレッシュ命令に応答して、前記メモリデバイスをセルフリフレッシュモードにするためのセルフリフレッシュ回路と、を備え、
前記定期的なＯＤＴ及びドライバキャリブレーションは、前記メモリデバイスが前記セルフリフレッシュモードである間に実行される
メモリデバイス。
【請求項２】
前記メモリデバイスは、前記定期的なＯＤＴ及びドライバキャリブレーションを可能にするためのレジスタ空間を備える
請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項３】
最も直近のＯＤＴ及びドライバ設定は、前記メモリデバイスがそれらをラッチするための命令を受信するまで、前記メモリデバイスによる使用のために正式にラッチされない
請求項１または２に記載のメモリデバイス。
【請求項４】
前記メモリデバイスは、ＯＤＴ及びドライバキャリブレーションのシーケンスの完了に応じて、前記メモリデバイスのモードレジスタ空間にフラグをセットする
請求項１から３のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
【請求項５】
前記メモリデバイスは、前記定期的なＯＤＴ及びドライバキャリブレーションの定期的な時間間隔を指定するためのレジスタ空間を備える
請求項１から４のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
【請求項６】
前記メモリデバイスは、ＤＩＭＭ上に配置される
請求項１から５のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
【請求項７】
前記ＤＩＭＭは、コンピュータシステムにプラグ接続される
請求項６に記載のメモリデバイス。
【請求項８】
定期的なオンダイ終端（定期的なＯＤＴ）及びドライバキャリブレーションを実行するようにメモリデバイスに命令するための論理回路を備え、
前記定期的なＯＤＴ及びドライバキャリブレーションは、前記メモリデバイスがセルフリフレッシュモードである間に実行される
メモリコントローラ。
【請求項９】
前記メモリコントローラは、前記メモリデバイスの最も直近のＯＤＴ及びドライバキャリブレーション設定をラッチするように、前記メモリデバイスに命令する
請求項８に記載のメモリコントローラ。
【請求項１０】
前記メモリコントローラは、前記メモリデバイスによりフラグがセットされることに応答して、前記メモリデバイスの最も直近のＯＤＴ及びドライバキャリブレーション設定をラッチするように、前記メモリデバイスに命令する
請求項９に記載のメモリコントローラ。
【請求項１１】
前記メモリコントローラは、前記メモリデバイスのレジスタ空間に、前記定期的なＯＤＴ及びドライバキャリブレーションの定期的な時間間隔をプログラムする
請求項８から１０のいずれか一項に記載のメモリコントローラ。
【請求項１２】
前記メモリコントローラは、前記セルフリフレッシュモードに入るように前記メモリデバイスに命令する
請求項８から１１のいずれか一項に記載のメモリコントローラ。
【請求項１３】
前記メモリコントローラは、コンピュータシステム内にある
請求項８から１２のいずれか一項に記載のメモリコントローラ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月6日(2020.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサとメモリを有する計算機で、要素間の類似度を分析する分析方法であって、
前記計算機が、医療行為の要素を含む医療データを読み込む第１のステップと、
前記計算機が、前記医療行為の要素の集合に対して予め設定された第１のキーで前記医療行為の要素を整列する第２のステップと、
前記計算機が、前記医療データから前記医療行為の要素の集合に対応する第２のキーを取得して、前記整列された前記医療行為の要素の集合に前記第２のキーを組み合わせて学習データを生成する第３のステップと、
前記計算機が、ニューラルネットワークで前記学習データの学習を実施して前記医療行為の要素の分散表現を算出する第４のステップと、
前記計算機が、前記分散表現に基づいて前記医療行為の要素間の類似度を算出する第５のステップと、
を含み、
前記第１のキーが、前記医療行為を実施した時間情報であり、
前記第２のキーが、傷病名の情報であることを特徴とする分析方法。
【請求項２】
請求項１に記載の分析方法であって、
前記第３のステップは、
前記医療行為の要素の集合の中から選択したひとつの医療行為の要素を第１の学習データとするステップと、
前記選択した医療行為の要素の周辺要素を取得して、当該周辺要素に前記第２のキーを追加して第２の学習データを生成するステップと、
を含むことを特徴とする分析方法。
【請求項３】
請求項１に記載の分析方法であって、
前記第３のステップは、
前記傷病名の情報を前記医療行為の要素の集合に組み合わせる際に、
前記傷病名の情報が複数存在する場合には、主傷病に対応する傷病名の情報を選択し、
前記選択した傷病名の情報の時間情報と、前記医療行為の時間情報とを比較して、前記傷病名の情報の時間情報が、前記医療行為の時間情報よりも早いものを選択し、前記傷病名の情報と前記医療行為の要素の集合とを組み合わせて学習データを生成することを特徴とする分析方法。
【請求項４】
請求項１に記載の分析方法であって、
前記第２のステップは、
前記医療行為の要素の集合から、保険点数が所定の閾値以下の医療行為の要素を削除することを特徴とする分析方法。
【請求項５】
請求項１に記載の分析方法であって、
前記計算機が、前記算出された類似度に基づいて、医療行為と比較対象医療行為の対応関係を設定した類似度情報を生成する第６のステップと、
前記計算機が、ルール番号と、対象項目と、対応医療行為を含むルール情報を読み込む第７のステップと、
前記計算機が、前記対応医療行為からひとつの要素を選択して前記類似度情報を検索し、前記医療行為と一致し、かつ類似度が所定値以上の比較対象医療行為を選択する第８のステップと、
前記計算機が、前記ルール情報の対象項目と選択された前記比較対象医療行為の組み合わせのうち、前記ルール情報に存在しない組み合わせを新たなルールの候補として出力する第９のステップと、
をさらに含むことを特徴とする分析方法。
【請求項６】
請求項５に記載の分析方法であって、
前記所定値は、
前記ルール番号と前記対象項目が同一である対応医療行為同士の類似度を所定値とすることを特徴とする分析方法。
【請求項７】
プロセッサとメモリを有して、要素間の類似度を分析する分析装置であって、
医療行為の要素を含む医療データを読み込んで、前記医療行為の要素の集合に対して予め設定された第１のキーで前記医療行為の要素を整列し、前記医療データから前記医療行為の要素の集合に対応する第２のキーを取得して、前記整列された前記医療行為の要素の集合に前記第２のキーを組み合わせて学習データを生成するデータ整形部と、
ニューラルネットワークで前記学習データの学習を実施して前記医療行為の要素の分散表現を算出し、前記分散表現に基づいて前記医療行為の要素間の類似度を算出する類似度計算部と、を有し、
前記第１のキーが、前記医療行為を実施した時間情報であり、
前記第２のキーが、傷病名の情報であることを特徴とする分析装置。
【請求項８】
請求項７に記載の分析装置であって、
前記データ整形部は、
前記医療行為の要素の集合の中から選択したひとつの医療行為の要素を第１の学習データとし、前記選択した医療行為の要素の周辺要素を取得して、当該周辺要素に前記第２のキーを追加して第２の学習データを生成することを特徴とする分析装置。
【請求項９】
請求項７に記載の分析装置であって、
前記データ整形部は、
前記傷病名の情報を前記医療行為の要素の集合に組み合わせる際に、
前記傷病名の情報が複数存在する場合には、主傷病に対応する傷病名の情報を選択し、
前記選択した傷病名の情報の時間情報と、前記医療行為の時間情報とを比較して、前記傷病名の情報の時間情報が、前記医療行為の時間情報よりも早いものを選択し、前記傷病名の情報と前記医療行為の要素の集合とを組み合わせて学習データを生成することを特徴とする分析装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の分析装置であって、
前記データ整形部は、
前記医療行為の要素の集合から、保険点数が所定の閾値以下の医療行為の要素を削除することを特徴とする分析装置。
【請求項１１】
請求項７に記載の分析装置であって、
新たなルールの候補を生成するパターン抽出部をさらに有し、
前記類似度計算部は、
前記算出された類似度に基づいて、医療行為と比較対象医療行為の対応関係を設定した類似度情報を生成し、
前記パターン抽出部は、
ルール番号と、対象項目と、対応医療行為を含むルール情報を読み込んで、前記対応医療行為からひとつの要素を選択して前記類似度情報を検索し、前記医療行為と一致し、かつ類似度が所定値以上の比較対象医療行為を選択し、前記ルール情報の対象項目と選択された前記比較対象医療行為の組み合わせのうち、前記ルール情報に存在しない組み合わせを新たなルールの候補として出力することを特徴とする分析装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の分析装置であって、
前記所定値は、
前記ルール番号と前記対象項目が同一である対応医療行為同士の類似度を所定値とすることを特徴とする分析装置。
【請求項１３】
プロセッサとメモリを有する計算機で、要素間の類似度を分析させるためのプログラムであって、
医療行為の要素を含む医療データを読み込む第１のステップと、
前記医療行為の要素の集合に対して予め設定された第１のキーで前記医療行為の要素を整列する第２のステップと、
前記医療データから前記医療行為の要素の集合に対応する第２のキーを取得して、前記整列された前記医療行為の要素の集合に前記第２のキーを組み合わせて学習データを生成する第３のステップと、
ニューラルネットワークで前記学習データの学習を実施して前記医療行為の要素の分散表現を算出する第４のステップと、
前記分散表現に基づいて前記医療行為の要素間の類似度を算出する第５のステップと、
を前記計算機に実行させ、
前記第１のキーが、前記医療行為を実施した時間情報であり、
前記第２のキーが、傷病名の情報であることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月5日(2020.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自車両（Ｍ１）に搭載されて前記自車両を制御する車両制御装置（１０、１０ａ、１０ｂ）であって、
前記自車両が対向車線を横切って右左折を行う予定であること、を検出する右左折検出部（１４）と、
前記自車両の右左折先の状況を検出する状況検出部（２０、２０ｂ）と、
対向車（Ｍ５）の前記右左折先への走行予定を検出する対向車予定検出部（３５）と、
検出された前記状況と前記走行予定とを用いて、前記自車両が前記右左折を実行可能となるタイミングを推定するタイミング推定部（４０）と、
を備え、
前記対向車予定検出部は、前記走行予定の少なくとも一部として前記対向車の前記右左折先への走行に要する時間を推定する時間推定部（３６）を有し、
前記タイミング推定部は、前記走行予定として推定された前記時間を用いて、前記タイミングを推定する、
車両制御装置。
【請求項２】
自車両（Ｍ１）に搭載されて前記自車両を制御する車両制御装置（１０、１０ａ、１０ｂ）であって、
前記自車両が対向車線を横切って右左折を行う予定であること、を検出する右左折検出部（１４）と、
前記自車両の右左折先の状況を検出する状況検出部（２０、２０ｂ）と、
対向車（Ｍ５）の前記右左折先への走行予定を検出する対向車予定検出部（３５）と、
検出された前記状況と前記走行予定とを用いて、前記自車両が前記右左折を実行可能となるタイミングを推定するタイミング推定部（４０）と、
を備え、
前記対向車予定検出部は、前記走行予定の少なくとも一部として前記対向車の前記右左折先への走行軌跡を推定する軌跡推定部（３６ａ）を有し、
前記タイミング推定部は、前記走行予定として推定された前記走行軌跡を用いて、前記タイミングを推定する、
車両制御装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の車両制御装置において、
前記状況検出部は、前記右左折先における前記自車両の走行スペース（ＦＳ）の有無を検出するスペース検出部（２１）を有し、
前記タイミング推定部は、検出された前記走行スペースの有無を用いて、前記タイミングを推定する、
車両制御装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の車両制御装置において、
前記状況検出部は、前記右左折先における前記対向車の走行が妨げられる状況を検出する走行妨害検出部（２２ｂ）を有し、
前記タイミング推定部は、検出された前記走行が妨げられる状況に基づいて、前記タイミングを推定する、
車両制御装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の車両制御装置において、
推定された前記タイミングで前記自車両に前記右左折を誘導する誘導部（５０）をさらに備える、
車両制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本開示の一形態によれば、車両制御装置（１０、１０ａ、１０ｂ）が提供される。この車両制御装置は、自車両（Ｍ１）に搭載されて前記自車両を制御する車両制御装置であって；前記自車両が対向車線を横切って右左折を行う予定であること、を検出する右左折検出部（１４）と；前記自車両の右左折先の状況を検出する状況検出部（２０、２０ｂ）と；対向車（Ｍ５）の前記右左折先への走行予定を検出する対向車予定検出部（３５）と；検出された前記状況と前記走行予定とを用いて、前記自車両が前記右左折を実行可能となるタイミングを推定するタイミング推定部（４０）と；を備え；前記対向車予定検出部は、前記走行予定の少なくとも一部として前記対向車の前記右左折先への走行に要する時間を推定する時間推定部（３６）を有し；前記タイミング推定部は、前記走行予定として推定された前記時間を用いて、前記タイミングを推定する。
本開示の他の形態によれば、車両制御装置（１０、１０ａ、１０ｂ）が提供される。この車両制御装置は、前記自車両が対向車線を横切って右左折を行う予定であること、を検出する右左折検出部（１４）と；前記自車両の右左折先の状況を検出する状況検出部（２０、２０ｂ）と；対向車（Ｍ５）の前記右左折先への走行予定を検出する対向車予定検出部（３５）と；検出された前記状況と前記走行予定とを用いて、前記自車両が前記右左折を実行可能となるタイミングを推定するタイミング推定部（４０）と；を備え；前記対向車予定検出部は、前記走行予定の少なくとも一部として前記対向車の前記右左折先への走行軌跡を推定する軌跡推定部（３６ａ）を有し；前記タイミング推定部は、前記走行予定として推定された前記走行軌跡を用いて、前記タイミングを推定する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月14日(2019.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商品またはサービスの購入時に、購入者に対して、前記商品またはサービスに対する支払金額を表示するとともに、金融商品の購入金額の入力を受け付ける手段と、
前記支払金額および前記購入金額を加算して決済処理を行う手段と、
前記支払金額を前記商品またはサービスの提供者に支払う手段と、
前記購入者が前記購入金額で前記金融商品を購入する処理を行う手段と、
を備える決済装置。
【請求項２】
請求項１に記載の決済装置であって、
選択可能な前記金融商品を表示する手段と、
前記金融商品を選択させる手段と、
をさらに備え、
前記金融商品を購入する処理を行う手段は、選択された前記金融商品を購入する処理を行うこと、
を特徴とする決済装置。
【請求項３】
請求項１に記載の決済装置であって、
前記金融商品ごとに、利率およびリスクを提示する手段をさらに備えること、
を特徴とする決済装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月3日(2020.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の主面を有する回路基板と、前記第１の主面に積層された第１のソルダーレジスト層と、前記第２の主面に積層された第２のソルダーレジスト層とを含むプリント配線板であって、
第１のソルダーレジスト層の厚さをｔ１（μｍ）、硬化後の弾性率（２３℃）をＧ１（ＧＰａ）とし、第２のソルダーレジスト層の厚さをｔ２（μｍ）、硬化後の弾性率（２３℃）をＧ２（ＧＰａ）とし、プリント配線板の厚さをＺ（μｍ）とするとき、下記条件（１）〜（３）：
（１）  Ｚ≦２５０；
（２）  （ｔ１＋ｔ２）／Ｚ≧０．１；及び
（３）  Ｇ１×［ｔ１／（ｔ１＋ｔ２）］＋Ｇ２×［ｔ２／（ｔ１＋ｔ２）］≧６
を満たし、Ｇ１が６以上であり、
第１のソルダーレジスト層が、樹脂組成物を含み、当該樹脂組成物の硬化後の弾性率（２３℃）が６ＧＰａ以上である、プリント配線板。
【請求項２】
第１のソルダーレジスト層の硬化後のガラス転移温度（Ｔｇ）が１５０℃以上である、請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
第１のソルダーレジスト層が、無機充填材含有量が６０質量％以上である樹脂組成物を硬化して形成される、請求項１又は２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
条件（２）について、０．１≦（ｔ１＋ｔ２）／Ｚ≦０．５である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項５】
Ｇ２が６以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項６】
第１のソルダーレジスト層の硬化後の弾性率（２００℃）をＧ１’（ＧＰａ）、第２のソルダーレジスト層の硬化後の弾性率（２００℃）をＧ２’（ＧＰａ）とするとき、下記条件（４）：
（４）  Ｇ１’×［ｔ１／（ｔ１＋ｔ２）］＋Ｇ２’×［ｔ２／（ｔ１＋ｔ２）］≧０．２
をさらに満たす、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のプリント配線板を含む半導体装置。
【請求項８】
第１及び第２の主面を有する回路基板と、前記第１の主面に積層された第１のソルダーレジスト層と、前記第２の主面に積層された第２のソルダーレジスト層とを含む厚さＺが２５０μｍ以下のプリント配線板の前記第１ソルダーレジスト層及び前記第２のソルダーレジスト層を形成するための樹脂シートセットであって、
第１の支持体と、該第１の支持体と接合している第１の樹脂組成物層とを含む第１の樹脂シートと、
第２の支持体と、該第２の支持体と接合している第２の樹脂組成物層とを含む第２の樹脂シートと
を含み、
第１の樹脂組成物層の厚さｔ１ｐ（μｍ）、第１の樹脂組成物層の硬化後の弾性率（２３℃）Ｇ１（ＧＰａ）、第２の樹脂組成物層の厚さｔ２ｐ（μｍ）、及び第２の樹脂組成物層の硬化後の弾性率（２３℃）Ｇ２（ＧＰａ）が、下記関係式（２’）〜（３’）：
（２’）  （ｔ１ｐ＋ｔ２ｐ）／Ｚ≧０．１；及び
（３’）  Ｇ１×［ｔ１ｐ／（ｔ１ｐ＋ｔ２ｐ）］＋Ｇ２×［ｔ２ｐ／（ｔ１ｐ＋ｔ２ｐ）］≧６
を満たし、Ｇ１が６以上であり、
第１の樹脂組成物層を構成する樹脂組成物の硬化後の弾性率（２３℃）が６ＧＰａ以上である、樹脂シートセット。
【請求項９】
支持体と、
前記支持体と接合しているソルダーレジスト用光硬化性樹脂組成物層とを含む樹脂シートであって、
前記樹脂組成物層の厚さが、５μｍ以上１２０μｍ以下であり、
前記樹脂組成物層の硬化物の２３℃における弾性率が、６ＧＰａ以上４０ＧＰａ以下である、
樹脂シート。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月12日(2019.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターポーザ基板と、
前記インターポーザ基板の上のＬＳＩチップと、を含み、
前記ＬＳＩチップの上に設けられた電極パッドと、前記インターポーザ基板の前記ＬＳＩチップと重畳しない領域に設けられたパッドとが、前記ＬＳＩチップの外側を通る配線によって電気的に接続されている半導体装置。
【請求項２】
前記配線はワイヤーである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ＬＳＩチップはトランジスタを含み、
前記トランジスタは前記電極パッドと重畳する請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
さらに、前記ＬＳＩチップの上に設けられた再配線層を含み、
前記電極パッドは前記再配線層に設けられている請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記再配線層は、複数の配線層を含み、
前記複数の配線層の各々は、無機絶縁層によって被覆され、
前記無機絶縁層の上に有機絶縁層が設けられている請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記無機絶縁層は、
第２無機絶縁層と、
前記第２無機絶縁層の上の第１無機絶縁層と、を含み、
前記第２無機絶縁層は、前記第１無機絶縁層よりもＣｕの拡散速度が遅い材料である請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２無機絶縁層の材料は酸化珪素であり、
前記第１無機絶縁層の材料は窒化珪素である請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記有機絶縁層の材料は、ポリイミドである請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記有機絶縁層は、無機フィラーが含まれている請求項５乃至請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月24日(2020.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子増倍管に用いられる第１段ダイノードであって、
底壁部と、
所定方向における前記底壁部の両端部から一方の側に延在する一対の側壁部と、を備え、
前記底壁部における前記一方の側の底面、及び前記一対の側壁部における前記一方の側の一対の側面によって、電子放出面が構成されており、
前記一対の側面のそれぞれは、前記所定方向に平行な断面において凹状に湾曲する曲面であり、
前記所定方向における前記電子放出面の幅をＬとし、前記一対の側面のそれぞれの曲率半径をＲとすると、Ｒ≧０．１Ｌが成立する、第１段ダイノード。
【請求項２】
前記一対の側面のそれぞれの曲率半径は、２ｍｍよりも大きい、請求項１に記載の第１段ダイノード。
【請求項３】
前記底面は、前記所定方向に垂直な断面において凹状に湾曲する曲面である、請求項１又は２に記載の第１段ダイノード。
【請求項４】
前記電子放出面は、１つの電子通過開口と対向している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の第１段ダイノード。
【請求項５】
光電陰極と、
複数段のダイノードと、
アノードと、を備え、
前記複数段のダイノードは、所定面上に配列された第１段ダイノード及び第２段ダイノードと、を含み、
前記第１段ダイノードは、
底壁部と、
前記所定面に垂直な所定方向における前記底壁部の両端部から前記光電陰極側且つ前記第２段ダイノード側に延在する一対の側壁部と、を有し、
前記第１段ダイノードでは、前記底壁部における前記光電陰極側且つ前記第２段ダイノード側の底面、及び前記一対の側壁部における前記光電陰極側且つ前記第２段ダイノード側の一対の側面によって、電子放出面が構成されており、
前記一対の側面のそれぞれは、前記所定方向に平行な断面において凹状に湾曲する曲面であり、
前記所定方向における前記電子放出面の幅をＬとし、前記一対の側面のそれぞれの曲率半径をＲとすると、Ｒ≧０．１Ｌが成立する、光電子増倍管。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月4日(2020.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【図１】実施例１の導電路において被覆電線の撚り解き領域の撚りを戻した状態をあらわす断面図
【図２】被覆電線の撚り解き領域の撚りを戻す前の状態をあらわす断面図
【図３】コネクタ装置の正面図
【図４】電線ホルダがツイストペア線を保持した状態をあらわす正面図
【図５】電線保持部の突起の形状をあらわす断面図
【図６】電線保持部の別の形態の突起の形状をあらわす断面図
【図７】電線保持部の更に別の形態の突起の形状をあらわす断面図
【図８】実施例２の導電路において被覆電線の撚り解き領域の撚りを戻した状態をあらわす平面図
【図９】被覆電線の撚り解き領域の撚りを戻す前の状態をあらわす平面図
【図１０】実施例３の導電路において被覆電線の撚り解き領域の撚りを戻した状態をあらわす平面図
【図１１】被覆電線の撚り解き領域の撚りを戻す前の状態をあらわす平面図
【図１２】実施例４において端子金具をハウジングに挿入し、電線ホルダでツイストペア線を保持した状態をあらわす平面図
【図１３】実施例５の導電路において被覆電線の撚り解き領域の撚りを戻した状態をあらわす平断面図
【図１４】被覆電線の被覆電線の撚り解き領域の撚りを戻した後で電線ホルダをハウジングに取り付けた状態をあらわす平面図
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
コアホルダ２０の内周のうち後端部領域には、円筒形をなす磁性体コア２４が取り付けられている。磁性体コア２４は、単一部材でもよく、半割状の一対のコア構成体を合体したものでもよい。コアホルダ２０の前端部には、一対のロック孔２５が形成されている。コアホルダ２０は、一対のロック孔２５を一対のロック突起１９に嵌合することで、端子収容部材１７に対し、端子収容部材１７の後端部を包囲するように組み付けられている。端子収容部材１７にコアホルダ２０を組み付けることにより、ハウジング１６が構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
電線ホルダ２６は、ヒンジ部で連結された一対の電線側半割部材２７を有し、一対の電線側半割部材２７を合体させることで全体として円筒形をなしている。電線ホルダ２６の内周前端部には、雌ネジ部２８が形成されている。雌ネジ部２８は、電線ホルダ２６をハウジング１６に組み付ける際に、雄ネジ部２２と協動することでガイド手段２３としての機能を発揮する。電線ホルダ２６の内周のうち前後方向における中央部には、磁性体コア２９が取り付けられている。磁性体コア２９は、単一部材でもよく、半割状の一対のコア構成体を合体したものでもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月30日(2020.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ばねクリップ２４の付勢力は、第１端子２０が上下方向と交差する方向に応力が加えられた際に、第１接触部２８が、ばねクリップ２４の第１押さえ部３４の下面及び第２接触部３２の上面と摺動することで、第１端子２０は、第２端子２２に対して相対変位することが可能な程度の付勢力となっている。これにより、第１端子２０は、図９に示すように、第２端子２２に対して、前後方向Ｄ１、左右方向Ｄ２、及び、第１接続部２６の上下方向の軸Ｓの回転方向Ｄ３に相対変位可能となっている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月4日(2020.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【図１】実施形態１のリアクトルの斜視図である。
【図２】コイルを除いた図１のリアクトルの分解斜視図である。
【図３】実施形態１のリアクトルにおける外側コア部と保持部材との係合状態、及び保持部材と内側コア部との係合状態を説明する部分拡大図である。
【図４】実施形態２のリアクトルにおける外側コア部と保持部材との係合状態、及び保持部材と内側コア部との係合状態を説明する部分拡大図である。
【図５】図４とは異なる外側押え部材の構成を示す概略図である。
【図６】実施形態３のリアクトルにおける外側コア部と保持部材との係合状態、及び保持部材と内側コア部との係合状態を説明する部分拡大図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
＜９＞実施形態に係るリアクトルの一形態として、
前記内側コア部の少なくとも周面が軟磁性粉末と樹脂とを含む複合材料の成形体で構成される形態を挙げることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
この押え側係合部５１０は、保持部材４の枠側係合部４１０に係合することで、外側押え部材５を保持部材４に固定する機能を持つ。枠側係合部４１０は、図２の紙面奥側の保持部材４に示されるように、コイル収納部４２の一部が厚み方向に凹むことで形成されている。この枠側係合部４１０は、図３に示すコア収納部４３の側壁を側方に向って切り欠いた切欠き部４５に繋がっている。切欠き部４５があることで、保持部材４のコア収納部４３に外側コア部３２を嵌め込んだときに、外側コア部３２の側方の周面３２ｓと切欠き部４５との間に、保持部材４の厚み方向に貫通する挿入孔が形成される。その挿入孔に外側押え部材５の係合脚片５１の端部を挿入すれば、係合脚片５１の押え側係合部５１０が枠側係合部４１０に引っ掛かり、外側押え部材５が保持部材４に固定される。そして、保持部材４に固定された外側押え部材５の押圧片５０が外側コア部３２の外方面３２ｏを押圧し、外側コア部３２が保持部材４に押し付けられ、機械的に係合する。外側コア部３２の内方面３２ｅは、内側コア部３１の端面３１ｅに接触する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記内側コア部の少なくとも周面が軟磁性粉末と樹脂とを含む複合材料の成形体で構成される請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のリアクトル。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月9日(2020.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層と、
第２導電層と、
第１端部と第２端部とを有し、前記第１端部にて前記第１導電層に接続され、前記第２端部にて前記第２導電層に接続された抵抗層とを備え、
前記抵抗層はｎ型不純物を含まず、かつｐ型不純物を含む多結晶シリコンよりなり、
前記抵抗層の厚み方向における前記ｐ型不純物の濃度分布は、濃度ピークと、前記濃度ピークにおける前記ｐ型不純物の濃度よりも２桁以上低い前記ｐ型不純物の濃度を有する低濃度部分とを含み、
前記濃度ピークおよび前記低濃度部分は、前記第１端部および前記第２端部の間において、前記抵抗層の中央部に位置している、半導体装置。
【請求項２】
前記抵抗層は、下面と、前記下面に対して前記厚み方向に対向する上面とを有し、
前記濃度ピークは、前記上面から前記抵抗層の厚みの１／３の範囲内に位置している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記濃度ピークよりも前記ｐ型不純物の濃度が２桁低い部分は、前記上面から前記抵抗層の厚みの４／５の範囲内に位置している、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記抵抗層は、下面と、前記下面に対して前記厚み方向に対向する上面とを有し、
前記抵抗層は、第１層と、前記第１層の前記上面側の面に接する第２層とを有し、
前記第１層における複数の結晶粒と前記第２層における複数の結晶粒とは、前記第１層と前記第２層との境界において互いに分断されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記濃度ピークは、前記第２層内に位置する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ｐ型不純物はボロンを含む、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
第１端部と第２端部とを有し、ｎ型不純物を含まず、かつｐ型不純物を含む多結晶シリコンよりなる抵抗層を形成する工程と、
前記第１端部にて前記抵抗層に接続する第１導電層と、前記第２端部にて前記抵抗層に接続する第２導電層とを形成する工程とを備え、
前記ｐ型不純物を含む前記抵抗層を形成する工程は、
前記抵抗層を成膜する工程と、
前記抵抗層にｐ型不純物を導入する工程と、
前記抵抗層に導入された前記ｐ型不純物を活性化させるために前記抵抗層をアニールする工程とを含み、
前記アニールされた前記抵抗層の厚み方向における前記ｐ型不純物の濃度分布は、濃度ピークと、前記濃度ピークにおける前記ｐ型不純物の濃度よりも２桁以上低い前記ｐ型不純物の濃度を有する低濃度部分とを含み、
前記濃度ピークおよび前記低濃度部分は、前記第１端部および前記第２端部の間において、前記抵抗層の中央部に位置している、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記抵抗層は、下面と、前記下面に対して前記厚み方向に対向する上面とを有し、
前記抵抗層に前記ｐ型不純物を導入する工程は、前記濃度ピークが前記上面から前記抵抗層の厚みの１／３の範囲内に位置するように行われる、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記抵抗層に前記ｐ型不純物を導入する工程と前記抵抗層をアニールする工程とは、前記濃度ピークにおける前記ｐ型不純物の濃度よりも２桁低い前記ｐ型不純物の濃度を有する部分が前記上面から前記抵抗層の厚みの４／５の範囲内に位置するように行われる、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ｐ型不純物はボロンを含む、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記抵抗層は、下面と、前記下面に対して前記厚み方向に対向する上面とを有し、
前記抵抗層を成膜する工程は、第１層を形成する工程と、前記第１層の前記上面側の面
に接する第２層を形成する工程とを有し、
前記第１層における複数の結晶粒と前記第２層における複数の結晶粒とは、前記第１層と前記第２層との境界において互いに分断されるように前記第１層および前記第２層が形成される、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記抵抗層に前記ｐ型不純物を導入する工程は、前記濃度ピークが前記第２層内に位置するように行われる、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ｐ型不純物はボロンを含む、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記抵抗層に前記ｐ型不純物を導入する工程において、前記抵抗層にフッ化ボロンを注入することにより前記抵抗層に前記ｐ型不純物が導入される、請求項１０または請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年7月20日(2020.7.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
オートフォーカスセンサとしての２Ｄイメージセンサの使用は、位相検出オートフォーカスのための全く新しいアプローチも提供する。他の実施の形態において、相関は、両方の照明領域に存在するイメージパターン及びそれぞれの領域内の位置の間の変位を決定する２次元相関である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位相検出オートフォーカスシステムのカメラの撮影レンズに対するフォーカス測定信号を生成する方法であって、前記撮影レンズからの少なくとも一つの対の光束の焦点をオートフォーカスセンサの照明領域の対応する対に合わせることと、フォーカス測定信号を生成するために前記照明領域から値を読み出すとともに前記照明領域の画素の値の間の相関分析を行うことと、を備え、前記オートフォーカスセンサは、前記カメラの撮影センサから分離した単一の高解像度の２次元ＣＭＯＳイメージセンサであり、前記イメージセンサは、光感応画素の単一の連続する２次元アレイによって構成され、各画素は、各画素に関連したオンチップの光不感応記憶素子を有する方法。
【請求項２】
前記相関分析で用いられる画素を、前記照明領域から動的に及び／又は適応的に選択する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記相関分析は、ターゲットを前記位相検出オートフォーカスシステムの視野に配置するステップ、前記位相検出オートフォーカスシステムとは異なる手段により前記ターゲットに焦点を合わせるステップ及び前記照明領域における前記ターゲットの描写の間の変位を決定するステップを備える較正を備える請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記照明領域の間の方向に垂直な方向の前記決定された変位の成分を決定し、前記相関分析で用いられる画素のセットを、前記垂直な方向の前記成分に等しい変位を有するように選択する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記画素の選択は、第１のセットの画素を選択するとともに前記相関分析を行うことと、相関が不十分である場合には第２のセットの画素を選択するとともに前記相関分析を行うことと、を備える請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記画素の選択は、前記領域の異なるセットの画素の値の間の相関分析を行うことと、相関を記録することと、前記フォーカス測定信号の生成に用いられる一つ以上のセットの画素を選択することと、を備える請求項２に記載の方法。
【請求項７】
光条件に適合するために前記照明領域の各々の中の隣接する画素を結合することによって有効画素サイズを増大することと、前記領域の結合した画素の値の間の相関分析を行うことと、を更に備える請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
相関は、両方の前記照明領域に存在するイメージパターン及びそれぞれの前記照明領域内の前記イメージパターンの位置の間の変位を決定する２次元相関である請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
カメラの撮影レンズの焦点を検出する位相検出オートフォーカスシステムであって、少なくとも一つの対の光束の焦点を前記カメラの撮影センサから分離した単一の高解像度の２次元ＣＭＯＳイメージセンサの照明領域の対応する対に合わせる光学素子を備え、前記イメージセンサは、光感応画素の単一の連続する２次元アレイによって構成され、各画素は、各画素に関連したオンチップ光不感応記憶素子を有する位相検出オートフォーカスシステム。
【請求項１０】
照明画素領域からの値を前記センサから読み出す手段と、フォーカス測定信号を生成するために前記照明領域の画素の値の間の相関分析を行うとともに前記相関分析で用いるために画素を前記照明領域から動的に及び／又は適応的に選択する評価ユニットと、を更に備える請求項９に記載の位相検出オートフォーカスシステム。