【手続補正書】
【提出日】令和2年8月19日(2020.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ−ドーパントとして１以上の金属元素と、１以上のホスフィンオキシド基を含む１以上の電子輸送母材化合物とを含む電気的にドープされた半導体材料であって、
前記金属元素は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｙｂ，Ｓｍ，Ｅｕ及びＭｎから選択され、
前記電子輸送母材化合物は、同一条件下でサイクリックボルタンメトリーにより測定されるとき、トリス（２−ベンゾ［ｄ］チアゾール−２−イル）フェノキシアルミニウムよりも低い還元電位であって、かつＮ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’−オクタフェニル−９，９’−スピロビ［フルオレン］−２，２’，７，７’−テトラミンよりも高い還元電圧を有する、半導体材料。
【請求項２】
請求項１に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記金属元素は、実質的に元素の状態で含まれている、半導体材料。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記電子輸送母材化合物は、式（Ｉ）の化合物である、半導体材料：
【化１】
2020025121.tif 000001
ここで、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ３０アルキル、Ｃ３−Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ２−Ｃ３０ヘテロアルキル、Ｃ６−Ｃ３０アリール、Ｃ２−Ｃ３０ヘテロアリール、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ、Ｃ３−Ｃ３０シクロアルコキシ、Ｃ６−Ｃ３０アリールオキシから選ばれ、置換基Ｒ１，Ｒ２及びＲ３のそれぞれは任意に、さらにホスフィンオキシド基を含み、置換基Ｒ１，Ｒ２及びＲ３のうち１以上は、１０以上の非局在化電子からなる共役系を含む。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記金属元素は、その第１イオン化電位及び第２イオン化電位の合計が２５ｅＶよりも低い、半導体材料。
【請求項５】
請求項３又は４に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記１０以上の非局在化電子からなる共役系がホスフィンオキシド基に直接に結合している、半導体材料。
【請求項６】
請求項３又は４に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記１０以上の非局在化電子からなる共役系は、スペーサ基Ａによってホスフィンオキシド基から離れている、半導体材料。
【請求項７】
請求項６に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記スペーサ基Ａは、２価の、６員環の芳香族炭素環基又は複素環基である、半導体材料。
【請求項８】
請求項７に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記スペーサ基Ａは、フェニレン、アジン−２，４−ジイル、アジン−２，５−ジイル、アジン−２，６−ジイル、１，３−ジアジン−２，４−ジイル、及び１，３−ジアジン−２，５−ジイルから選択される、半導体材料。
【請求項９】
請求項３〜８の何れか一項に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記１０以上の非局在化電子からなる共役系は、Ｃ１４−Ｃ５０アリール又はＣ８−Ｃ５０ヘテロアリールである、半導体材料。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、１以上の金属カチオンと１以上のアニオンとからなる金属塩添加物をさらに含む、半導体材料。
【請求項１１】
請求項１０に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記金属カチオンは、Ｌｉ＋又はＭｇ２＋である、半導体材料。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記金属塩添加物は、前記金属カチオンに結合した窒素原子及び酸素原子を含む、５、６又は７員環を含む金属錯体、及び式（II）の構造を有する錯体から選択される、半導体材料：
【化２】
2020025121.tif 000002
ここで、Ａ１は、Ｃ６−Ｃ３０アリーレン、又は芳香族環にＯ，Ｓ及びＮから選択される１以上の原子を含むＣ２−Ｃ３０ヘテロアリーレンであり、Ａ２とＡ３のそれぞれは独立して、Ｃ６−Ｃ３０アリール、及び芳香族環にＯ，Ｓ及びＮから選択される１以上の原子を含むＣ２−Ｃ３０へテロアリールから選択される。
【請求項１３】
請求項１０〜１２の何れか一項に記載された電気的にドープされた半導体材料であって、前記アニオンは、ホスフィンオキシド基で置換されたフェノレート、８−ヒドロキシキノリノレート及びピラゾールボレートからなる群から選択される、半導体材料。
【請求項１４】
請求項１〜１３の何れか一項に記載された半導体材料を製造する方法であって、
１以上のホスフィンオキシド基を含む前記電子輸送母材化合物と、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｙｂ，Ｓｍ，Ｅｕ及びＭｎから選択される前記金属元素とが、減圧下で同時蒸発及び同時蒸着される工程を含み、
前記電子輸送母材化合物は、同一条件下でサイクリックボルタンメトリーにより測定されるとき、トリス（２−ベンゾ［ｄ］チアゾール−２−イル）フェノキシアルミニウムよりも低い還元電位であって、かつＮ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’−オクタフェニル−９，９’−スピロビ［フルオレン］−２，２’，７，７’−テトラミンよりも高い還元電圧を有し、
前記半導体材料における前記金属元素の含量が、０．５重量％〜２５重量％である、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載された方法であって、前記金属元素は、３０００℃よりも低い標準沸点を有する、方法。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載された方法であって、前記金属元素は、その第１イオン化電位及び第２イオン化電位の合計が１６ｅＶよりも高い、方法。
【請求項１７】
請求項１４〜１６の何れか一項に記載された方法であって、前記金属元素は、実質的に空気に安定である、方法。
【請求項１８】
請求項１４〜１７の何れか一項に記載された方法であって、前記金属元素は、線形蒸発源から蒸発される、方法。
【請求項１９】
請求項１４〜１８の何れか一項に記載された方法によって製造される、電気的にドープされた半導体材料。
【請求項２０】
陰極、陽極、及び前記陰極と陽極との間に請求項１〜１３，１９の何れか一項に記載された電気的にドープされた半導体材料を含む、電子デバイス。
【請求項２１】
請求項２０に記載された電子デバイスであって、前記電気的にドープされた半導体材料が、電荷発生層、電子輸送層又は電子注入層で含まれている、電子デバイス。
【請求項２２】
請求項２１に記載された電子デバイスであって、前記電荷発生層、電子輸送層又は電子注入層は、５ｎｍよりも厚い、電子デバイス。
【請求項２３】
請求項２１又は２２に記載された電子デバイスであって、前記電子輸送層は、発光層により近い第１の区画と前記陰極により二つ近い第２の区画とを含み、前記第１の区画及び第２の区画はその組成が異なっている、電子デバイス。
【請求項２４】
請求項２３に記載された電子デバイスであって、前記第１の区画は、第１の電子輸送母材からなる、電子デバイス。
【請求項２５】
請求項２３に記載された電子デバイスであって、前記第１の区画は、前記第１の電子輸送母材と、１以上の金属カチオン及び１以上のアニオンからなる金属塩添加物とを含む、電子デバイス。
【請求項２６】
請求項２５に記載された電子デバイスであって、前記第１の区画は、前記第１の電子輸送母材と金属塩添加物とからなり、前記第２の区画は、請求項１〜１３，１９の何れか１項に記載された電気的にドープされた半導体材料からなる、電子デバイス。
【請求項２７】
請求項２６に記載された電子デバイスであって、前記第２の区画は、第２の電子輸送母材と金属元素とからなる、電子デバイス。
【請求項２８】
請求項２４〜２７の何れか一項に記載された電子デバイスであって、前記第１の区画は、５０ｎｍよりも薄い、電子デバイス。
【請求項２９】
請求項２１〜２８の何れか一項に記載された電子デバイスであって、前記電子輸送層又は電子注入層は、発光層に隣接し、前記発光層は、同一条件下でサイクリックボルタンメトリーにより測定された場合に、前記隣接する電子輸送層又は前記電子注入層の電子輸送母材化合物よりも負である還元電位を有する化合物からなる、電子デバイス。
【請求項３０】
請求項２１〜２９の何れか一項に記載された電子デバイスであって、前記電子輸送層又は前記電子注入層は、半導体金属酸化物からなる陰極に隣接する、電子デバイス。
【請求項３１】
請求項３０に記載された電子デバイスであって、前記半導体金属酸化物は、酸化インジウムスズである、半導体デバイス。
【請求項３２】
請求項３０又は３１に記載された電子デバイスであって、前記陰極は、スパッタリングにより製造される、電子デバイス。
【請求項３３】
請求項１９〜３２の何れか一項に記載された電子デバイスであって、前記発光層は、青色又は白色の光を発光する、電子デバイス。
【請求項３４】
請求項１９〜３３の何れか一項に記載された電子デバイスであって、前記発光層は、１以上のポリマーを含む、半導体デバイス。
【請求項３５】
請求項３４に記載された電子デバイスであって、前記ポリマーは、青色の光を発光するポリマーである、電子デバイス。
【請求項３６】
請求項１９〜３５の何れか一項に記載された電子デバイスであって、タンデム型ＯＬＥＤである、電子デバイス。