【手続補正書】
【提出日】令和2年2月12日(2020.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を曲げるための装置であって、この基板は表面、裏面、および周縁を有し、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
基板を横切る差圧を形成して、基板の上に応力を加えるための圧力変調器と、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、このホルダーは表リングおよび裏リングを含み、それぞれのリングは、基板の周縁近傍で基板に接触するための環状のサポートを含み、表リングは表面に接触するように取り付けられ、裏リングは基板の裏面に接するように取り付けられた基板ホルダーと、を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
それぞれのサポートは、個別の半径部分で基板に接することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
圧力変調器は、ポンプであることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
表リングおよび裏リングは、シールを形成するように基板に取り付けられて、基板を横切る差圧を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
環状のサポートは、実質的にシールされたキャビティと単体のベントを含み、このサポートは、基板の表面の１つに接触するように取り付けられて、それとの間でシールを形成し、ベントは、基板上に応力を加えるために、キャビティを通って真空に引けることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
基板と組み合わせて、基板は周縁に隣接して配置されたコーティングを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
チャンバは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルチャンバであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
半導体基板に応力を加えるための装置であって、この基板は、表面、裏面、および周縁を有する装置を有し、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、このホルダーは、
表リングと、
裏リングと、
表リングと裏リングとを保持するためのクランプとを含み、
それぞれのリングは、基板の周縁近傍で基板に接触するための環状のサポートを含み、表リングは表面に接触するように取り付けられ、裏リングは基板の裏面に接するように取り付けられた基板ホルダーと、を含むことを特徴とする装置。
【請求項９】
ほぼ円形の半導体基板に応力を加えるための装置であって、基板は、中心軸と、中心軸とほぼ直交する表面および裏面と、表面から裏面に延びる周縁と、周縁の近傍で裏面に接続されたリングとを有し、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、
基板の裏面上のリングと噛み合うように取り付けられたフランジを有するほぼ平坦な裏サポートであって、基板上に応力を加えるように移動可能な裏サポートを含む基板ホルダーと、を含むことを特徴とする装置。
【請求項１０】
裏サポートは、基板より大きな速度で膨張する材料から形成され、基板とサポートに与えられた熱により、基板が引っ張られることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
フランジは、リングの内部にあることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
裏サポートは、基板より小さい速度で膨張する材料から形成され、基板とサポートに与えられた熱により、基板が圧縮されることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
リングは、フランジの内部にあることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
更に、基板の表面に隣接して配置された表サポートを含むことを特徴とする請求項９〜１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
更に、基板の上に応力を加えるのに十分な、基板を横切る差圧を形成するための圧力変調器を含み、
基板ホルダーは、更に、
表リングおよび裏リングを含み、
それぞれのリングは、基板の周縁に隣接した個別の半径方向の位置で、基板に接触するための環状のサポートを含み、表リングは表面に接触するように取り付けられ、裏リングは基板の裏面に接するように取り付けられたことを特徴とする請求項９〜１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】
表リングと裏リングは、基板にシールを形成するように取り付けられ、基板を横切る差圧の形成を容易にすることを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
環状のサポートは、実質的にシールされたキャビティと単体のベントを含み、このサポートは、基板の表面の１つに接触するように取り付けられて、それとの間でシールを形成し、ベントは、基板上に応力を加えるために、キャビティを通って真空に引けることを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
基板と組み合わせて、基板は周縁に隣接して配置されたコーティングを含むことを特徴とする請求項９〜１７のいずれかに記載の装置。
【請求項１９】
チャンバは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルチャンバであることを特徴とする請求項９〜１８のいずれかに記載の装置。
【請求項２０】
半導体基板に応力を加えるための装置であって、基板は、中心軸と、中心軸とほぼ直交する表面および裏面と、表面から裏面に延びる周縁とを有し、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
チャンバ中に配置された基板ホルダーであって、
ほぼ平坦な裏サポートと、
基板を、周縁において中心軸に向かって、半径方向に内方にほぼ均一に圧縮する、基板を受けて圧縮するプレスと、を含む基板ホルダーと、を含むことを特徴とする装置。
【請求項２１】
基板は、ほぼ円形で、プレスは、基板を受けるためのほぼ円形の開口部を含むことを特徴とする請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
基板を受けるための開口部を形成する複数の円弧形状のセグメントを含み、セグメントは基板を圧縮するために内方に移動可能である請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
更に、基板の上に応力を加えるのに十分な、基板を横切る差圧を形成するための圧力変調器を含み、
基板ホルダーは、更に、
表リングおよび裏リングを含み、
それぞれのリングは、基板の周縁に隣接した個別の半径方向の位置で、基板に接触するための環状のサポートを含み、表リングは表面に接触するように取り付けられ、裏リングは基板の裏面に接するように取り付けられたことを特徴とする請求項２０〜２２のいずれかに記載の装置。
【請求項２４】
表リングと裏リングは、基板にシールを形成するように取り付けられ、基板を横切る差圧の形成を容易にすることを特徴とする請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
環状のサポートは、実質的にシールされたキャビティと単体のベントを含み、このサポートは、基板の面の１つに接触するように取り付けられて、それとの間でシールを形成し、ベントは、基板上に応力を加えるために、キャビティを通って真空に引けることを特徴とする請求項２３に記載の装置。
【請求項２６】
プレスは、基板より小さい速度で膨張する材料から形成され、基板とプレスに与えられた熱により、基板が圧縮されることを特徴とする請求項２１〜２５のいずれかに記載の装置。
【請求項２７】
基板と組み合わせて、基板は周縁に隣接して配置されたコーティングを含むことを特徴とする請求項２１〜２６のいずれかに記載の装置。
【請求項２８】
チャンバは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルチャンバであることを特徴とする請求項２１〜２７のいずれかに記載の装置。
【請求項２９】
表面、裏面、周縁、および中心軸を有する半導体基板を半径方向に膨張させるための装置であって、この基板は、
内方に向かって中心軸を指す三角形状のセグメントであって、中心軸から外方に移動し、基板を拡張するように形成されたセグメントと、
それぞれのセグメント中に形成され、セグメントと基板との間に真空を形成するための流体経路と、を含むことを特徴とする装置。
【請求項３０】
半導体基板を曲げるための装置であって、この基板は表面、裏面、および周縁を有し、基板は、ほぼ平坦な位置と曲げ位置との間で移動可能であり、この装置は、
チャンバと、
チャンバを加熱するためのヒータと、
基板の上に応力を加えるために十分な、基板を横切る差圧を形成するための圧力変調器と、
チャンバ中に配置された基板ホルダーと
を備え、
このホルダーは、
第１のサポートであって、第１のサポートは、凹形状であり、そこを通る複数の孔を有し、圧力変調器が孔を通って真空に引くように適用され、これにより基板を第１のサポートに引っ張る第１のサポートと、
第１のサポートに対向する第２のサポートであって、第２のサポートは、キャビティとベントを含み、第２のサポートは、基板の面の１つに接触するように取り付けられて、キャビティとベントは、基板上に応力を加えるために、それらを通って真空に引くことが可能である第２のサポートと
を含むことを特徴とする装置。
【請求項３１】
第１のサポートは、その平坦な位置に基板の一部を接触させるための上部部分を含み、基板が曲げ位置にある場合、基板の比較的大きな部分が、第１のサポートに接触することを特徴とする請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
第２のサポートは、凹形状である請求項３０に記載の装置。
【請求項３３】
第２のサポートは、基板の周縁の近傍のみで基板に接触するように取り付けられる請求項３０に記載の装置。
【請求項３４】
基板と組み合わせて、基板は周縁に隣接して配置された保護コーティングを含むことを特徴とする請求項３０〜３３のいずれかに記載の装置。
【請求項３５】
チャンバは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルチャンバであることを特徴とする請求項３０〜３４のいずれかに記載の装置。