【手続補正書】
【提出日】令和2年11月2日(2020.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）中空閉鎖導体からなる共振空洞（１）であって、
・中心軸Ｚｃを有し、且つ外側導体セクション（１о）を形成する内側表面を有する外側円筒形部分を含む外側壁と、
・前記外側壁内に封入され、及び前記中心軸Ｚｃを有し、且つ内側導体セクション（１ｉ）を形成する外側表面を有する内側円筒形部分を含む内側壁と
を含み、前記中心軸Ｚｃに垂直であり、且つ前記外側円筒形部分及び内側円筒形部分と交差するミッドプレーンＰｍに関して対称である、共振空洞（１）と、
（ｂ）前記ミッドプレーンＰｍに沿って、前記外側導体セクション上の導入入口開口部から前記中心軸Ｚｃまで電子のビーム（４０）を前記共振空洞内に半径方向に注入するように適合された電子供給源（２０）と、
（ｃ）前記共振空洞に結合され、且つ前記外側導体セクションから前記内側導体セクションに向かって、及び前記内側導体セクションから前記外側導体セクションに向かって延在する前記ミッドプレーンＰｍ内の半径方向軌跡に沿って前記電子ビームの前記電子を加速するために、周波数（ｆＲＦ）で発振する電界Ｅを前記外側導体セクションと前記内側導体セクションとの間に生成するように適合されたＲＦシステム（７０）と、
（ｄ）前記ミッドプレーンＰｍの両側に位置決めされ、且つ少なくとも１つの偏向ウィンドウ（３１ｗ）により前記共振空洞と流体連通する偏向チャンバ（３１）内に磁界を生成するように適合されている、第１及び第２磁石（３２）から構成された偏向磁石を含む少なくとも１つの磁石ユニット（３０ｉ）であって、前記磁界は、前記少なくとも１つの偏向ウィンドウを通じて、前記共振空洞から出る電子ビームを前記ミッドプレーンＰｍ内の第１半径方向軌跡に沿って偏向させ、且つ前記少なくとも１つの偏向ウィンドウを通じて又は第２偏向ウィンドウを通じて、前記ミッドプレーンＰｍ内の第２半径方向軌跡に沿って前記中心軸に向かって前記電子ビームを前記共振空洞内にリダイレクトするように適合されており、前記第２半径方向軌跡は前記第１半径方向軌跡と異なる、少なくとも１つの磁石ユニット（３０ｉ）と
を含む電子加速器において、前記共振空洞は、
・内径Ｒ及び中心軸Ｚｃの円筒形外側壁を有する第１半体シェル（１１）と、
・内径Ｒ及び中心軸Ｚｃの円筒形外側壁を有する第２半体シェル（１２）と、
・前記第１及び第２半体シェル間に前記ミッドプレーンＰｍのレベルで挟持された内径Ｒの中心リング要素（１３）と
によって形成され、
前記外側導体セクションを形成する前記表面は、前記第１及び第２半体シェルの前記円筒形外側壁の内側表面により、且つ前記中心リング要素の内側エッジにより形成されていることを特徴とする電子加速器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子加速器において、前記中心リング要素の一部分は、前記第１及び第２半体シェルの両方の前記外側壁の外側表面を越えて半径方向に延在し、前記少なくとも１つの磁石ユニットは、前記中心リング要素の前記一部分上に装着されていることを特徴とする電子加速器。
【請求項３】
請求項２に記載の電子加速器において、前記少なくとも１つの磁石ユニットの前記偏向チャンバは、前記中心リング要素の厚さ内に中空化空洞によって形成され、前記少なくとも１つの偏向ウィンドウは、前記中心軸Ｚｃに対向する前記中心リング要素の前記内側エッジ内に形成されていることを特徴とする電子加速器。
【請求項４】
請求項３に記載の電子加速器において、Ｎ個の磁石ユニット（ここで、Ｎ＞１である）を含み、前記Ｎ個の磁石ユニットの前記偏向チャンバは、前記中心リング要素の前記厚さ内に個々の中空化空洞によって形成され、前記Ｎ個の偏向ウィンドウは、前記中心軸Ｚｃに対向する前記中心リング要素の前記内側エッジ内に形成されていることを特徴とする電子加速器。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の電子加速器において、前記中心リング要素は、リング形状のプレートであって、前記リング形状のプレートの厚さによって分離された第１及び第２主表面を含むリング形状のプレートから製造されており、それぞれの空洞は、前記第１主表面において且つ前記リング形状のプレートの前記内側エッジにおいて開口した凹部によって形成され、カバープレート（１３ｐ）は、前記凹部を封止し、且つ前記内側エッジにおいてのみ開口された空洞を形成して１つ又は複数の偏向ウィンドウを形成するように前記第１主表面に結合されていることを特徴とする電子加速器。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の電子加速器において、前記第１及び第２半体シェルは、同一の形状を有し、且つそれぞれ前記共振空洞の気密性を保証するために封止手段（１４）によって前記中心リング要素に結合されていることを特徴とする電子加速器。
【請求項７】
請求項６に記載の電子加速器において、前記第１及び第２半体シェルのそれぞれは、前記円筒形外側壁、底蓋（１１ｂ、１２ｂ）、及び前記底蓋から突出する中心ピラー（１５ｐ）を含み、前記第１及び第２半体シェルの前記中心ピラーの外側表面は、前記内側導体セクションの一部分を形成していることを特徴とする電子加速器。
【請求項８】
請求項７に記載の電子加速器において、前記第１及び第２半体シェルの前記中心ピラー間に挟持された中心チャンバ（１５ｃ）を含み、前記中心チャンバは、中心軸Ｚｃの円筒形周壁を含み、開口部は、対応する偏向ウィンドウ及び前記導入入口開口部と半径方向にアライメントされ、前記内側導体セクションを形成する前記表面は、前記中心ピラーの外側表面により、且つその間に挟持された前記中心チャンバの前記周壁により形成されていることを特徴とする電子加速器。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の電子加速器において、前記ＲＦシステムは、前記第１半体シェルに結合されており、前記中心リング及び中心チャンバ（１５ｃ）は、望ましいエネルギーに加速された前記電子ビーム（４０）を前記共振空洞から排出するために電子ビーム出口（５０）の向きを変化させるように、前記中心軸Ｚｃを中心として異なる角度向きで前記第１半体シェル上に取り付けられ得ることを特徴とする電子加速器。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の電子加速器において、前記少なくとも１つの磁石ユニットの前記偏向磁石の前記第１及び第２磁石（３２）は、永久磁石であることを特徴とする電子加速器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子加速器において、前記第１及び第２永久磁石（３２）は、個別の磁石要素の１つ又は複数の列を含み、且つ前記ミッドプレーンＰｍに関して前記偏向チャンバの両側に配設されている、前記ミッドプレーンＰｍに平行なアレイにおいて並んで配列されている、好ましくはプリズムの形状のいくつかの個別の磁石要素（３２ｉ）によってそれぞれ形成されていることを特徴とする電子加速器。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の電子加速器において、Ｎ個の磁石ユニット（ここで、Ｎ＞１である）を含み、Ｎ−ｎ個の前記第１及び第２偏向磁石（ここで、ｎ＝０〜Ｎ−１である）は、永久磁石であることを特徴とする電子加速器。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２の何れか１項に記載の電子加速器において、前記少なくとも１つの磁石ユニットは、０．０５Ｔ〜１．３Ｔに含まれる磁界を前記偏向チャンバ内に形成することを特徴とする電子加速器。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子加速器において、前記磁界が０．１Ｔ〜０．７Ｔであることを特徴とする電子加速器。