【手続補正書】
【提出日】令和2年2月26日(2020.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理するための装置であって、
処理領域を囲む処理チャンバであって、
処理ガスを前記処理領域に分配するためのシャワーヘッドと、
表面および縁部を有する移動可能なペデスタルであって、前記表面上に半導体基板を保持すること、および、上げ位置または下げ位置に配置されることが可能であり、前記上げ位置にある前記移動可能なペデスタルが、前記移動可能なペデスタルと前記シャワーヘッドとの間の上側チャンバ領域を形成し、かつ、前記移動可能なペデスタルの下方の下側チャンバ領域を形成する、移動可能なペデスタルと、
前記シャワーヘッドに隣接する領域であって、前記領域は、前記移動可能なペデスタルの前記縁部と前記シャワーヘッドに隣接する前記領域との間に調節可能なギャップを形成するために、前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置に移動された時に、前記移動可能なペデスタルの前記縁部と整列できる、領域と、を備えた、処理チャンバと、
前記シャワーヘッドに接続された流入口と、
前記処理領域内でプラズマを点火するためのプラズマ発生器と、
前記装置の動作を制御するためのコントローラであって、前記移動可能なペデスタルを前記上げ位置または下げ位置に移動させるためのマシン読み取り可能な命令を備えた、コントローラと、
を備え、
前記移動可能なペデスタルの前記縁部と前記シャワーヘッドに隣接する前記領域との間の前記調節可能なギャップの距離を変更することによって、前記上側チャンバ領域と前記下側チャンバ領域との間に、圧力差が形成される、装置。
【請求項２】
半導体基板を処理するための装置であって、
処理領域を囲む処理チャンバであって、
処理ガスを前記処理領域に分配するためのシャワーヘッドと、
表面および縁部を有する移動可能なペデスタルであって、前記表面上に半導体基板を保持すること、および、上げ位置または下げ位置に配置されることが可能であり、前記上げ位置にある前記移動可能なペデスタルが、前記移動可能なペデスタルと前記シャワーヘッドとの間の上側チャンバ領域を形成し、かつ、前記移動可能なペデスタルの下方の下側チャンバ領域を形成する、移動可能なペデスタルと、
前記シャワーヘッドに隣接する領域であって、前記移動可能なペデスタルの前記縁部と前記シャワーヘッドに隣接する前記領域との間に調節可能なギャップを形成するために、前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置に移動された時に、前記移動可能なペデスタルの前記縁部と整列できる、領域と、を備えた、処理チャンバと、
前記シャワーヘッドに接続された流入口と、
前記処理領域内でプラズマを点火するためのプラズマ発生器と、
前記装置の動作を制御するためのコントローラであって、前記移動可能なペデスタルを前記上げ位置または下げ位置に移動させるためのマシン読み取り可能な命令を備えた、コントローラと、
を備え、
前記移動可能なペデスタルの前記縁部と前記シャワーヘッドに隣接する前記領域との間の前記調節可能なギャップを変更することによって、前記上側チャンバ領域と前記下側チャンバ領域との間に圧力差が形成され、
前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置にある時の前記調節可能なギャップは、前記移動可能なペデスタルが前記下げ位置にある時の前記処理チャンバの圧力の少なくとも約２〜約１０，０００倍の前記上げ位置に前記移動可能なペデスタルがある時の前記上側チャンバ領域の圧力を生成するほど狭い、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記シャワーヘッドの近くの前記領域は、前記装置の側壁の一部である、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記移動可能なペデスタルの前記表面は、前記移動可能なペデスタルの前記縁部に隣接する環状隆起領域を備える、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記移動可能なペデスタルの前記表面および前記移動可能なペデスタルの前記縁部は、９０°より大きい角度で交わる、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記移動可能なペデスタルの前記表面および前記移動可能なペデスタルの前記縁部は、垂直の角度で交わる、装置。
【請求項７】
半導体基板を処理するための装置であって、
処理チャンバであって、
処理ガスを前記装置に分配するためのシャワーヘッドと、
前記半導体基板を保持するための移動可能なペデスタルであって、傾斜縁部を備え、上げ位置にある前記移動可能なペデスタルが、前記移動可能なペデスタルと前記シャワーヘッドとの間の上側チャンバ領域を形成し、かつ、前記移動可能なペデスタルの下方の下側チャンバ領域を形成するように、前記上げ位置または下げ位置に配置されることが可能である、移動可能なペデスタルと、
前記シャワーヘッドに隣接する傾斜領域であって、前記移動可能なペデスタルの前記傾斜縁部と前記シャワーヘッドに隣接する前記傾斜領域との間に調節可能なギャップを形成するために、前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置に移動された時に、前記移動可能なペデスタルの前記傾斜縁部と整列し接触できる傾斜領域と、を備えた、処理チャンバと、
処理ガスを前記シャワーヘッドに供給するための前記シャワーヘッドに接続された流入口と、
前記処理チャンバ内でプラズマを点火するためのプラズマ発生器と、
前記装置の動作を制御するためのコントローラであって、前記移動可能なペデスタルを前記上げ位置または下げ位置に移動させるためのマシン読み取り可能な命令を備えた、コントローラと、
を備え、
前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置にある時に前記移動可能なペデスタルの前記傾斜縁部と前記シャワーヘッドに隣接する前記傾斜領域との間の前記調節可能なギャップを変更することによって、前記上側チャンバ領域と前記下側チャンバ領域との間に圧力差が形成され、
前記傾斜領域の内側縁部から前記傾斜領域の外側縁部までの距離は、約５０ｍｍ〜約２００ｍｍの間である、装置。
【請求項８】
半導体基板を処理するための装置であって、
処理領域を囲む処理チャンバであって、
処理ガスを前記処理領域に分配するためのシャワーヘッドと、
表面および縁部を有する移動可能なペデスタルであって、前記表面上に半導体基板を保持すること、および、上げ位置または下げ位置に配置されることが可能であり、前記上げ位置にある前記移動可能なペデスタルが、前記移動可能なペデスタルと前記シャワーヘッドとの間の上側チャンバ領域を形成し、かつ、前記移動可能なペデスタルの下方の下側チャンバ領域を形成する、移動可能なペデスタルと、
前記シャワーヘッドに隣接する側壁領域であって、前記移動可能なペデスタルの前記縁部と前記シャワーヘッドに隣接する前記側壁領域との間に調節可能なギャップを形成するために、前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置に移動された時に、前記移動可能なペデスタルの前記縁部と整列できる側壁領域と、を備えた、処理チャンバと、
前記シャワーヘッドに接続された流入口と、
前記処理領域内でプラズマを点火するためのプラズマ発生器と、
前記装置の動作を制御するためのコントローラであって、前記移動可能なペデスタルを前記上げ位置または下げ位置に移動させるためのマシン読み取り可能な命令を備えた、コントローラと、
を備え、
前記移動可能なペデスタルの前記縁部と前記シャワーヘッドに隣接する前記側壁領域との間の前記調節可能なギャップの距離を変更することによって、前記上側チャンバ領域と前記下側チャンバ領域との間に圧力差が形成される、装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載の装置であって、
前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置にある時の前記上側チャンバ領域と前記下側チャンバ領域との間の前記圧力差は、約５０ｍＴｏｒｒ〜約５Ｔｏｒｒの間である、装置。
【請求項１０】
請求項１および請求項３ないし８のいずれか一項に記載の装置であって、
前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置にある時の前記上側チャンバ領域の圧力は、前記移動可能なペデスタルが前記下げ位置にある時の前記上側チャンバ領域の圧力の少なくとも約２〜約１０，０００倍でありうる、装置。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載の装置であって、
前記コントローラは、さらに、
前記移動可能なペデスタルが前記下げ位置にある時に前記処理領域においてプラズマを生じさせるためのマシン読み取り可能な命令と、
前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置にある時に有機蒸気を前記処理領域に導入させるためのマシン読み取り可能な命令と、
を備える、装置。
【請求項１２】
シャワーヘッドおよび基板を保持するための移動可能なペデスタルを備えた処理チャンバ内で前記基板上の不揮発性金属をエッチングする方法であって、
前記移動可能なペデスタルは、上げ位置にある前記移動可能なペデスタルが、前記移動可能なペデスタルと前記シャワーヘッドとの間の上側チャンバ領域を形成し、かつ、前記移動可能なペデスタルの下方の下側チャンバ領域を形成するように、前記上げ位置または下げ位置に配置されることが可能であり、
前記方法は、
前記移動可能なペデスタルが前記下げ位置にある時に前記基板上の前記不揮発性金属をプラズマに暴露させて、前記不揮発性金属を改質し、改質済みの不揮発性金属を形成する工程と、
前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置にある時に前記改質済みの不揮発性金属を有機蒸気に暴露させて、前記改質済みの不揮発性金属を除去する工程と、
を備え、
前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置にある時に、前記処理チャンバ内で前記上側チャンバ領域と前記下側チャンバ領域との間に、圧力差が形成される、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記移動可能なペデスタルが前記上げ位置にある時の前記上側チャンバ領域の圧力は、前記移動可能なペデスタルが前記下げ位置にある時の前記下側チャンバ領域の圧力の少なくとも約２〜約１０，０００倍である、方法。