(57)【要約】【課題】  磁性体部分と非磁性体部分を交互に有するトラックを形成するための方法に用いられる、非磁性体の充填剤（平坦化膜形成組成物）であり、磁性体表面の微細な溝に十分に充填され、且つ光硬化時（露光時）と露光後焼成時に充填部分に収縮を生じないことが求められるハードディスク用平坦化膜形成組成物及びそれを用いたハードディスクの製造方法を提供する。【解決課題】  室温大気圧下で液体状態にある、分子量３００乃至１０，０００の多官能（メタ）アクリレート化合物を少なくとも１種含むハードディスク用平坦化膜形成組成物。該化合物は好ましくは分子内に２乃至２０個の（メタ）アクリレート基を有する化合物である。また、該化合物の分子量は好ましくは３００乃至２，３００である。  磁性体表面上に凹凸を形成する第１工程と、該凹凸が形成された磁性体表面上を前記平坦化膜形成組成物で被覆する第２工程と、該被覆された磁性体表面上を磁性体表面が露出するまでエッチングして平坦化する第３工程とを含む、ハードディスクの製造方法。【選択図】図２
2011132640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
室温大気圧下で液体状態にある、分子量３００乃至１０，０００の多官能（メタ）アクリレート化合物を少なくとも１種含むハードディスク用平坦化膜形成組成物。
【請求項２】
前記化合物が分子内に２乃至２０個の（メタ）アクリレート基を有する化合物である、請求項１に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物。
【請求項３】
前記化合物の分子量が３００乃至２，３００である、請求項１又は請求項２に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物。
【請求項４】
更に光重合開始剤を含む、請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物。
【請求項５】
磁性体表面上に凹凸を形成する第１工程と、該凹凸が形成された磁性体表面上を請求項１乃至請求項４のうちいずれか１項に記載の平坦化膜形成組成物で被覆する第２工程と、該被覆された磁性体表面上を磁性体表面が露出するまでエッチングして平坦化する第３工程とを含む、ハードディスクの製造方法。
【請求項６】
更に平坦化された磁性体表面上に硬質物質を被覆する第４工程を含む、請求項５に記載のハードディスクの製造方法。
【請求項７】
前記第１工程において、凹凸の形成がナノインプリント法に従い行われる、請求項５又は請求項６に記載のハードディスクの製造方法。
【請求項８】
前記第３工程において、平坦化がドライエッチングにより行われる、請求項５乃至請求項７のうちいずれか１項に記載のハードディスクの製造方法。
【請求項９】
前記第４工程で用いられる硬質物質がダイヤモンドライクカーボンである、請求項６乃至請求項８のうちいずれか１項に記載のハードディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、ハードディスク用平坦化膜形成組成物及びそれを用いたハードディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  ハードディスクドライブはヘッドの高性能化と磁気記録メディアの高性能化が共に進行し、大容量化と小型化が進行している。  磁気記録メディアの高性能化という点では、面記録密度を高めることで大容量化が達成されている。しかしながら、記録密度を高める際には、磁気ヘッドの点で磁界広がりが問題となる。磁界広がりはヘッドを小さくしてもある値以下には小さくならないため、サイドライトと呼ばれる現象が発生してしまう。サイドライトが発生すると記録時に隣接トラックへの書き込みが生じ、既に記録したデータに上書きしデータの消失を生じる。また、磁界広がりは再生時に隣接トラックからの余分な信号を読み込み、クロストークを生じる。  このような問題を解決するためにトラック間を非磁性材料で充填し、物理的、磁気的に分離することで解決しようとするディスクリートトラックメディアやビットパターンドメディアという技術が提案されている。  これらのメディア作製時において磁性体あるいは非磁性体パターンを形成する方法として光ナノインプリント法の応用が提案されている（特許文献１参照）。この様に光ナノインプリント法を応用してメディアを作製する場合は、磁性体表面に光ナノインプリント法に従いパターンを形成し、ドライエッチングを用いて磁性体表面に溝（凹凸）を形成する。そして、その溝に非磁性体材料を埋め込み、平坦化を行って磁性体表面の頭出し（露出）を行い、磁性体と非磁性体を分離した形で複数のトラックを形成する。その後、磁性体部分と非磁性体部分を有する平坦化された磁性体表面上に硬質物質（例えばダイヤモンドライクカーボン）等を被覆し、その面が磁気ヘッドと接触する。【０００３】  ところで、従来技術として、ＣＤやＤＶＤ等の表面保護層としてアクリレート系化合物を用いる方法が提案されている（特許文献２参照）。  また、基板上に非磁性体層とその上面に磁性体層を有する磁気記録媒体において、非磁性体層をより少ない電子線照射で硬化させるために、非磁性体粉末と電子線硬化型多官能アクリレートモノマーを用いる方法が提案されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−０３７５４１
【特許文献２】特開２００６−１０２７４４
【特許文献３】特開２００６−２０２４１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  光学メディアの表面の保護膜としてアクリレート系化合物が用いられている。  しかし、ディスクリートトラックメディアやビットパターンドメディアという技術、即ち、磁性体表面に微細な溝（数十ｎｍ）を形成し、その溝に非磁性体材料を充填し光硬化し平坦化して、磁性体部分と非磁性体部分を交互に有するトラックを形成する方法において用いられるところの、非磁性体の充填剤（平坦化膜形成組成物）については、斯かる化合物の用途として提案されていない。  そこで、本発明は、磁性体表面の微細な溝に十分に充填され、且つ光硬化時（露光時）と露光後焼成時に充填部分に収縮を生じないことが求められるところの新規なハードディスク用平坦化膜形成組成物を提供する。また、それを用いたハードディスクの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  本発明は第１観点として、室温大気圧下で液体状態にある、分子量３００乃至１０，０００の多官能（メタ）アクリレート化合物を少なくとも１種含むハードディスク用平坦化膜形成組成物、  第２観点として、前記化合物が分子内に２乃至２０個の（メタ）アクリレート基を有する化合物である、第１観点に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物、  第３観点として、前記化合物の分子量が３００乃至２，３００である、第１観点又は第２観点に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物、  第４観点として、更に光重合開始剤を含む、第１観点乃至第３観点のうちいずれか１項に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物、  第５観点として、磁性体表面上に凹凸を形成する第１工程と、該凹凸が形成された磁性体表面上を第１観点乃至第４観点のうちいずれか１項に記載の平坦化膜形成組成物で被覆する第２工程と、該被覆された磁性体表面上を磁性体表面が露出するまでエッチングして平坦化する第３工程とを含む、ハードディスクの製造方法、  第６観点として、更に平坦化された磁性体表面上に硬質物質を被覆する第４工程を含む、第５観点に記載のハードディスクの製造方法、  第７観点として、前記第１工程において、凹凸の形成がナノインプリント法に従い行われる、第５観点又は第６観点に記載のハードディスクの製造方法、  第８観点として、前記第３工程において、平坦化がドライエッチングにより行われる、第５観点乃至第７観点のうちいずれか１項に記載のハードディスクの製造方法、  第９観点として、前記第４工程で用いられる硬質物質がダイヤモンドライクカーボンである、第６観点乃至第８観点のうちいずれか１項に記載のハードディスクの製造方法である。
【発明の効果】
【０００７】  メディア作製時において、磁性体表面の微細な溝に充填させる組成物として無機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いた場合と比較して、本発明の有機系化合物を含むハードディスク用平坦化膜形成組成物は以下のような有利な効果を有する。  無機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いる場合は、該組成物を凹凸基板上に塗布し、２００℃以上の温度で加熱によるリフローを行い、ＣＭＰや湿式エッチング等で無機被覆部分を削り、加熱硬化し、ドライエッチングを行って表面を平坦化させ、更にダイヤモンドライクカーボンの被覆を行う。  これに対し、本発明の有機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いる場合は、該組成物を凹凸基板上に塗布し、露光し、その後必要であれば露光後加熱を行い、ドライエッチングを行って表面を平坦化させ、更にダイヤモンドライクカーボンの被覆を行う。したがって、本発明の有機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いる場合は、加熱によるリフローを行わなくても被覆のみで磁性体表面の微細な溝に該組成物を充填させることができる。即ち被覆工程（本発明の第２工程）でリフローを必要としない。【０００８】  また、無機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いる場合は、ＣＭＰや湿式エッチングで無機被覆部分を除去した後にドライエッチングによる平坦化が行われるために工程数が増える。  これに対し、本発明の有機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いる場合は、ドライエッチングのみで平坦化（本発明の第３工程）させることが可能なので製造工程の簡略化及びプロセス数低減による生産性の向上及び低コスト化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、材質がシリコン、深さが１００ｎｍ、ラインとスペースは３０ｎｍの等間隔で形成されている凹凸を有する基板であり、膜を作成する前の断面をＳＥＭ（電子顕微鏡）で観察した写真である。
【図２】図２は、実施例１で調製した平坦化膜形成組成物を図１の凹凸を有する基板上に被覆し、露光し、次いで露光後加熱を行って得られた基板の断面をＳＥＭ（電子顕微鏡）で測定して平坦化性を観察した写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】  本発明は、室温大気圧下で液体状態にある、分子量３００乃至１０，０００の多官能（メタ）アクリレート化合物を少なくとも１種含むハードディスク用平坦化膜形成組成物である。  また、本発明のハードディスク用平坦化膜形成組成物は、前記多官能（メタ）アクリレート化合物、光重合開始剤及び有機溶剤を含み、所望により界面活性剤等の添加剤も含有することができる。  なお、本発明では、室温とは２０乃至２５℃をいう。
【００１１】  本発明の平坦化膜形成組成物における固形分の割合は、０．０１乃至２０質量％、又は０．１乃至１０質量％、又は１乃至１０質量％である。ここで、固形分とは平坦化膜形成組成物の全成分から有機溶剤を除去した残りの成分である。  本発明の平坦化膜形成組成物における多官能（メタ）アクリレート化合物の含有量は、該平坦化膜形成組成物の固形分中の含有量に基づいて、５０乃至９９質量％、又は６０乃至９５質量％、又は７０乃至９０質量％である。  本発明の平坦化膜形成組成物における光重合開始剤の含有量は、該平坦化膜形成組成物の固形分中の含有量に基づいて、０．５乃至３０質量％、又は５乃至３０質量％、又は１０乃至３０質量％である。  本発明の平坦化膜形成組成物における界面活性剤等の添加剤の含有量は、該平坦化膜形成組成物の固形分中の含有量に基づいて、０．０００１乃至１質量％、又は０．００１乃至０．５質量％である。
【００１２】  本発明の平坦化膜形成組成物では、有機系化合物として多官能（メタ）アクリレート化合物を用いているが、露光時は官能基数の少ない（メタ）アクリレート化合物は収縮が少なく、その後の露光後加熱においては官能基数の多い（メタ）アクリレート化合物は収縮が少ない（架橋密度を高くすることで熱収縮を抑えることができる）。これらの点から、前記多官能（メタ）アクリレート化合物は、分子内に２乃至２０個の（メタ）アクリレート基を有することが好ましい。  また、前記多官能（メタ）アクリレート化合物は３００乃至２，３００の分子量を有することが好ましい。  なお、本発明では（メタ）アクリレート化合物とは、アクリレート化合物とメタクリレート化合物の両方をいい、同様に（メタ）アクリレート基についても、アクリレート基とメタクリレート基の両方をいう。  また、本発明では、多官能（メタ）アクリレート化合物は、少なくとも２つの、アクリレート基、メタクリレート基、又はそれらの組み合わせを有する。  前記多官能（メタ）アクリレート化合物としては、以下に例示することができる。
【００１３】
【化１】
2011132640.tif 000003
【００１４】
【化２】
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【００１５】  式（１−１）で表される多官能アクリレート化合物は分子量５５２．５７と６０６．６１の化合物を５０／５０のモル比で含有し、室温（２３℃）で液体であるジペンタエリスリトールヘキサアクリレートであり、日本化薬（株）より入手することができる。  式（１−２）で表される多官能アクリレート化合物は分子量３１２．３２であり、室温（２３℃）で液体であるペンタエリスリトールトリアクリレートであり、シグマ  アルドリッチ（株）より入手することができる。  式（１−３）で表される多官能アクリレート化合物は分子量３１０．３４であり、室温（２３℃）で液体であるトリメチロールプロパントリアクリレートであり、新中村化学工業（株）より入手することができる。  式（１−４）で表される多官能アクリレート化合物は分子量４００であり、室温（２３℃）で液体であるエトキシ化ビスフェノールＡジアクリレートであり、新中村化学工業（株）から入手できる。  式（１−５）で表される多官能アクリレート化合物は分子量５００であり、室温（２３℃）で液体であるエトキシ化ビスフェノールＡジアクリレートであり、新中村化学工業（株）から入手できる。  式（１−６）で表される多官能メタクリレート化合物は分子量３６４．５２であり、室温（２３℃）で液体であるトリシクロデカンジメタノールジメタクリレートであり、新中村化学工業（株）から入手できる。  式（１−７）で表される多官能アクリレート化合物は分子量３３６．４７であり、室温（２３℃）で液体であるトリシクロデカンジメタノールジアクリレートであり、新中村化学工業（株）から入手できる。  式（１−８）で表される多官能アクリレート化合物は分子量５００であり、室温（２３℃）で液体であるエチレンオキシド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートであり、日本化薬（株）から入手することができる。  式（１−９）で表される多官能アクリレート化合物は分子量４００であり、室温（２３℃）で液体であるビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレートであり、大阪ガスケミカル（株）より入手することができる。  式（１−１０）で表される多官能アクリレート化合物は分子量３５２．３４であり、室温（２３℃）で液体であるペンタエリスリトールテトラアクリレートであり、新中村化学工業（株）より入手することができる。  これらの多官能（メタ）アクリレート化合物は単独でも、二種以上の化合物の混合物としても使用することができる。
【００１６】  本発明の平坦化膜形成組成物は光重合開始剤を含有することができる。光重合開始剤は、光照射によって前記多官能（メタ）アクリレート化合物の重合を開始することができる作用を有する化合物であれば特に限定はない。光重合開始剤としては、例えば、光照射により酸（ブレンステッド酸又はルイス酸）、塩基、ラジカル、又はカチオンを発生する化合物を使用することができる。その中でも、特に光ラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。
【００１７】  前記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、  商品名：イルガキュア［登録商標］３６９（式２−１、ＢＡＳＦジャパン（株）製、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１）、  商品名：イルガキュア［登録商標］５００（式２−２、ＢＡＳＦジャパン（株）製、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン＋ベンゾフェノン）、  商品名：イルガキュア［登録商標］８１９（式２−３、ＢＡＳＦジャパン（株）製、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイン）−フェニルフォスフィンオキサイド）、  商品名：イルガキュア［登録商標］６５１（式２−４、ＢＡＳＦジャパン（株）製、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン）、  商品名：イルガキュア［登録商標］１８４（式２−５、ＢＡＳＦジャパン（株）製、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン）、  商品名：ダロキュア［登録商標］１１７３（式２−６、ＢＡＳＦジャパン（株）製、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン）、  商品名：イルガキュア［登録商標］２９５９（式２−７、ＢＡＳＦジャパン（株）製、１−（４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル）−１−プロパン−１−オン）、  商品名：イルガキュア［登録商標］１２７（式２−８、ＢＡＳＦジャパン（株）製、２−ヒドロキシ−１−（４−（４−（２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオニル）ベンジル）フェニル）−２−メチル−プロパン−１−オン）、  商品名：イルガキュア［登録商標］９０７（式２−９、ＢＡＳＦジャパン（株）製、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン）、  商品名：イルガキュア［登録商標］３７９（式２−１０、ＢＡＳＦジャパン（株）製、２−（ジメチルアミノ）−２−（４−（メチルフェニル）メチル）−１−（４−（４−モルホリニル）フェニル）−１−ブタノン）、  商品名：イルガキュア［登録商標］ＯＸＥ０１（式２−１１、ＢＡＳＦジャパン（株）製、１，２−オクタンジオン１，４−（４−フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム））等が挙げられる。
【００１８】
【化３】
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【００１９】  本発明の平坦化膜形成組成物は界面活性剤を含有することができる。  前記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、商品名：エフトップ［登録商標］ＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（三菱マテリアル電子化成（株）（旧（株）トーケムプロダクツ）製）、商品名：メガファック［登録商標］Ｆ１７１、同Ｆ１７３、同Ｒ−０８、同Ｒ−３０（ＤＩＣ（株）（旧大日本インキ化学工業工業（株））製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、商品名：アサヒガード［登録商標］ＡＧ７１０，サーフロン［登録商標］Ｓ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、及びオルガノシロキサンポリマ−ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また二種以上の組み合わせで使用することもできる。
【００２０】  また、発明のハードディスク用平坦化膜形成組成物は、上記多官能（メタ）アクリレート化合物及び光重合開始剤以外に有機溶剤も含有することができる。  前記有機溶剤としては、例えば、トルエン、ｐ−キシレン、ｏ−キシレン、スチレン、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、１−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、１−メトキシ−２−ブタノール、シクロヘキサノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、γ−ブチルラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノーマルブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピルケトン、酢酸ノーマルプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ノーマルブチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、アリルアルコール、ノーマルプロパノール、２−メチル−２−ブタノール、イソブタノール、ノーマルブタノール、２−メチル−１−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−エチルヘキサノール、１−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、１−メトキシ−２−ブタノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、イソプロピルエーテル、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジノンが挙げられる。
【００２１】  また、本発明は磁性体表面上に凹凸を形成する第１工程と、該凹凸が形成された磁性体表面上を本発明の平坦化膜形成組成物で被覆する第２工程と、該被覆された磁性体表面上を磁性体表面が露出するまでエッチングして平坦化する第３工程とを含む、ハードディスクの製造方法である。
【００２２】  第１工程では、磁性体表面上に凹凸が形成される。  磁性体表面上に凹凸を形成する方法は、例えば、磁性体表面上に光又は熱ナノインプリント法を用いてトラックパターンを形成する。そして、そのパターンを用いてドライエッチング法により磁性体表面を加工し凹凸を形成する。この時用いるエッチングガスとしては、フッ素系ガスによるドライエッチングによって行なわれることが好ましい。フッ素系ガスとしては、例えば、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）、パーフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）、パーフルオロプロパン（Ｃ3Ｆ8）、トリフルオロメタン、及びジフルオロメタン（ＣＨ2Ｆ2）等が挙げられる。
【００２３】  第２工程では、凹凸が形成された磁性体表面上を本発明の平坦化膜形成組成物で塗布して被覆する。この工程では平坦化膜形成組成物を凹凸面を有する磁性体上に塗布し、平坦化膜形成組成物で凹凸面が充填され、更にその上に平坦化膜形成組成物が上塗りされてもよい。そしてこの平坦化膜形成組成物を光照射によって硬化させる。  塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法等の方法を採用することができる。  また、ディップコート法ではメチルノナフルオロイソブチルエーテル（異性体としてメチルノナフルオロブチルエーテルを含む）や、１，１，１，２，２，３，４，５，５，５−デカフルオロペンタンを含む有機溶剤を用いることができる。  さらに、スピンコート法は好ましく用いることができる。例えば１０乃至１００００ｒｐｍの回転数で、３乃至６０秒間適用することができる。  膜厚としては５ｎｍ乃至１０μｍの範囲とすることが可能であるが、凹凸が数十ｎｍであるために、特に５ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲で用いることが可能である。  光照射は、例えば、波長が１５０ｎｍ乃至１０００ｎｍ、又は２００乃至７００ｎｍ、又は３００乃至６００ｎｍである光を用いて行うことができる。光照射は例えば、超高圧水銀ランプ、フラッシュＵＶランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、ＤＥＥＰ−ＵＶ（深紫外）ランプ、キセノンショートアークランプ、ショートアークメタルハライドランプ、ＹＡＧレーザ励起用ランプ及びキセノンフラッシュランプ等を使用して行うことができる。光照射は、例えば、超高圧水銀ランプを用い、紫外域の２８９ｎｍ、２９７ｎｍ、３０３ｎｍ、３１３ｎｍ（ｊ線）、３３４ｎｍ、３６５ｎｍ（ｉ線）や、可視光域の４０５ｎｍ（ｈ線）、４３６ｎｍ（ｇ線）、５４６ｎｍ、５７９ｎｍの波長をピークとした輝線スペクトルを含めた波長２５０ｎｍ程度から６５０ｎｍ程度までの全波長を照射することによって行うことができる。照射量としては１０乃至１０００ｍＷ、又は１０乃至１００ｍＷで２乃至１００秒、又は５乃至２０秒間行われる。  また、第２工程では、露光後、必要に応じて露光後加熱（ｐｏｓｔ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂａｋｅ）を行なうこともできる。露光後加熱は、加熱温度７０℃乃至１７０℃、加熱時間１乃至１０分間から適宜、選択される。
【００２４】  第３工程では、平坦化膜で被覆された磁性体表面上を磁性体表面が露出するまでエッチングして、磁性体表面と該平坦化膜表面を平坦化する。  この時に用いられるエッチングガスはテトラフルオロメタン（ＣＦ4）、パーフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）、パーフルオロプロパン（Ｃ3Ｆ8）、トリフルオロメタン、一酸化炭素、アルゴン、酸素、窒素、六フッ化硫黄、ジフルオロメタン、三フッ化窒素及び三フッ化塩素等のガスを用いて行われる。  このようにして磁性体表面に非磁性体（本発明の平坦化膜が充填された溝）の溝がトラックパターンとして形成され、磁性体表面と非磁性体表面は平坦な面を形成している。
【００２５】  本発明では更に第４工程として、平坦化された磁性体表面上に厚み数十ｎｍの硬質物質を蒸着により被覆することができる。硬質物質としてはダイヤモンドライクカーボンが挙げられる。
【実施例】
【００２６】  以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、実施例で用いた各測定装置は以下のとおりである。  膜厚は光学式膜厚計（フィルメトリクス社製のＦ２０）を用いて測定した。  原子間力顕微鏡はビーコインストルメンツ社デジタルインスツルメンツ社製ナノスコープＩＶ型ディメンション３１００を使用し、プローブが単結晶Ｓｉ（Ｓｕｐｅｒ−Ｓｈａｒｐ  Ｔｙｐｅ（Ｎａｎｏ  Ｗｏｒｌｄ））を、バネ定数が約３０Ｎ／ｍ、共振周波数が約２９０ｋＨｚで測定した。  ＵＶ照射装置はオーク製作所製、無電極ランプシステムＱＲＥ４０１６を用い、照度が２０ｍＷ／ｃｍ2として使用した。【００２７】  実施例１  ３０ｍＬのナス型フラスコに２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が５００乃至６５０ｇ／ｍｏＬのジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物（日本化薬（株）製、商品名：カヤラッド  ＤＰＨＡ（以下、ＤＰＨＡと略す）、上記式（１−１））の３０質量％プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡと略す）溶液を２．００００ｇ秤量し、０．１２００ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１））を加え、メガファック［登録商標］Ｒ−３０（ＤＩＣ（株）製）の０．１質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０６００ｇ加え、１２．８２１５ｇのＰＧＭＥＡを加えた後、室温にてスターラーを用いて２４時間攪拌し、均一な透明溶液（ＡＳＶ−１）を調製した。【００２８】  実施例２  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が３１２．３２ｇ／ｍｏＬのペンタエリスリトールトリアクリレート（シグマ  アルドリッチ（株）製、（以下、ＰＴＡと略す）、上記式（１−２））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−２）を調製した。【００２９】  実施例３  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が３１０．３４ｇ／ｍｏＬのトリメチロールプロパントリアクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名：Ａ−ＴＭＰＴ（以下、Ａ−ＴＭＰＴと略す）、上記式（１−３））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−３）を調製した。【００３０】  実施例４  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が４００ｇ／ｍｏＬ程度のエトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名：Ａ−ＢＰＥ−４（以下、Ａ−ＢＰＥ−４と略す）、上記式（１−４））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−４）を調製した。【００３１】  実施例５  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が５００ｇ／ｍｏＬ程度のエトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名：Ａ−ＢＰＥ−１０（以下、Ａ−ＢＰＥ−１０と略す）、上記式（１−５））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−５）を調製した。【００３２】  実施例６  使用した多官能メタクリレート化合物���ＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が３６４．５２ｇ／ｍｏＬのトリシクロデカンジメタノールジメタクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名：ＤＣＰ（以下、ＤＣＰと略す）、上記式（１−６））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−６）を調製した。【００３３】  実施例７  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が３３６．４７ｇ／ｍｏＬのトリシクロデカンジメタノールジアクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名：Ａ−ＤＣＰ（以下、Ａ−ＤＣＰと略す）、上記式（１−７））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−７）を調製した。【００３４】  実施例８  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が５００ｇ／ｍｏＬ程度のエチレンオキシド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名：ＤＰＥＡ−１２（以下、ＤＰＥＡ−１２と略す）、上記式（１−８））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−８）を調製した。【００３５】  実施例９  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が２，３００ｇ／ｍｏＬの官能基数が１５の多官能ウレタンアクリレートの混合物（新中村化学工業（株）製、商品名：ＵＡ−５３Ｈ（以下、ＵＡ−５３Ｈと略す））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−９）を調製した。【００３６】  実施例１０  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が４００ｇ／ｍｏＬ程度のビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレート（大阪ガスケミカル（株）製、商品名：ＥＡ０２００（以下、ＥＡ０２００と略す）、上記式（１−９））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−１０）を調製した。【００３７】  実施例１１  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が３５２．３４ｇ／ｍｏＬのペンタエリスリトールテトラアクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名：Ａ−ＴＭＭＴ（以下、Ａ−ＴＭＭＴと略す）、上記式（１−１０））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−１１）を調製した。【００３８】  実施例１２  ３０ｍＬのナス型フラスコに２３℃、大気圧下で、液体性状を有するＤＰＨＡ（上記式（１−１））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を２．００００ｇと、ＥＡ０２００（上記式（１−９））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．５０００ｇ加え、０．１５００ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９を加え、メガファック［登録商標］Ｒ−３０の０．１質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０７５０ｇ加え、１９．７７６９ｇのＰＧＭＥＡを加えた後、室温にてスターラーを用いて２４時間攪拌し、均一な透明溶液（ＡＳＶ−１２）を調製した。【００３９】  実施例１３  ３０ｍＬのナス型フラスコに２３℃、大気圧下で、液体性状を有するＤＰＨＡ（上記式（１−１））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を１．００００ｇと、ＥＡ０２００（上記式（１−９））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を１．００００ｇ加え、０．１２００ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９を加え、メガファック［登録商標］Ｒ−３０の０．１質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０６００ｇ加え、１２．８２１５ｇのＰＧＭＥＡを加えた後、室温にてスターラーを用いて２４時間攪拌し、均一な透明溶液（ＡＳＶ−１３）を調製した。【００４０】  実施例１４  ３０ｍＬのナス型フラスコに２３℃、大気圧下で、液体性状を有するＤＰＨＡ（上記式（１−１））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．５００ｇと、ＥＡ０２００（上記式（１−９））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を２．００００ｇ加え、０．１５００ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９を加え、メガファック［登録商標］Ｒ−３０の０．１質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０７５０ｇ加え、１９．７７６９ｇのＰＧＭＥＡを加えた後、室温にてスターラーを用いて２４時間攪拌し、均一な透明溶液（ＡＳＶ−１４）を調製した。【００４１】  比較例１  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が２１２．２４ｇ／ｍｏＬのネオペンチルグリコールジアクリレート（新中村化学工業（株）製、（以下、ＮＰＧＤＡと略す）、下記式（３−１））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−１５）を調製した。【化４】
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【００４２】  比較例２  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が１００．１２ｇ／ｍｏＬのメタクリル酸メチル（（以下、ＭＭＡと略す）、下記式（３−２））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−１６）を調製した。【化５】
2011132640.tif 000007
【００４３】  比較例３  使用した多官能アクリレート化合物をＤＰＨＡから２３℃、大気圧下で、固体性状を有する分子量が３８１．４２ｇ／ｍｏＬのエトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名：Ａ−９３００（以下、Ａ−９３００と略す）、下記式（３−３））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−１７）を調製した。【化６】
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【００４４】  比較例４  ３０ｍＬのナス型フラスコに２３℃、大気圧下で、固体性状を有するフェニルシルセスキオキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社製；Ｍｗ７００、（以下、ＰＳＱと略す）、下記式（３−４））の３０質量％のＰＧＭＥＡ溶液を３．００００ｇと、０．１％ＰＧＭＥＡとしたメガファック［登録商標］Ｒ−３０溶液を０．０９００ｇ（固形分を１００質量部としたときの０．０１質量部）加え、１９．４１２３ｇのＰＧＭＥＡを加えた後、室温にてスターラーを用いて２４時間攪拌し、均一な透明溶液（ＡＳＶ−１８）を調製した。【化７】
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【００４５】  実施例１５  使用した光ラジカル重合開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は実施例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−１９）を調製した。【００４６】  実施例１６  使用した光ラジカル重合開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は実施例２と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−２０）を調製した。【００４７】  実施例１７  使用した光ラジカル重合開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は実施例３と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−２１）を調製した。【００４８】  実施例１８  使用した光ラジカル重合開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は実施例４と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−２２）を調製した。【００４９】  実施例１９  使用した光ラジカル重合開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は実施例５と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−２３）を調製した。【００５０】  実施例２０  使用した光ラジカル重合開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は実施例６と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−２４）を調製した。【００５１】  実施例２１  使用した光ラジカル重合開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は実施例７と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−２５）を調製した。【００５２】  実施例２２  使用した光ラジカル重合開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は実施例１１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−２６）を調製した。【００５３】  比較例５  使用した光ラジカル重合開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は比較例１と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−２７）を調製した。【００５４】  比較例６  使用した光ラジカル重合開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は比較例２と同様に均一な透明溶液（ＡＳＶ−２８）を調製した。【００５５】  比較例７  使用した光ラジカル開始剤をＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９からＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１１））に変更した以外は比較例３と同様に���一な透明溶液（ＡＳＶ−２９）を調製した。【００５６】  実施例２３  ３０ｍＬのナス型フラスコに２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が５００乃至６５０ｇ／ｍｏＬのＤＰＨＡ（上記式（１−１））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を２．００００ｇ秤量し、０．０６００ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１））を加え、メガファック［登録商標］Ｒ−３０（ＤＩＣ（株）製）の０．１質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０６００ｇ加え、１４．３８１５ｇのＰＧＭＥＡを加えた後、室温にてスターラーを用いて２４時間攪拌し、均一な透明溶液（ＡＳＶ−３０）を調製した。【００５７】  実施例２４  ３０ｍＬのナス型フラスコに２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が５００乃至６５０ｇ／ｍｏＬのＤＰＨＡ（上記式（１−１））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を２．００００ｇ秤量し、０．１８００ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１））を加え、メガファック［登録商標］Ｒ−３０（ＤＩＣ（株）製）の０．１質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０６００ｇ加え、１７．２６１５ｇのＰＧＭＥＡを加えた後、室温にてスターラーを用いて２４時間攪拌し、均一な透明溶液（ＡＳＶ−３１）を調製した。【００５８】  実施例２５  ３０ｍＬのナス型フラスコに２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が５００乃至６５０ｇ／ｍｏＬのＤＰＨＡ（上記式（１−１））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を２．００００ｇ秤量し、０．１２００ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１））を加え、メガファック［登録商標］Ｒ−３０（ＤＩＣ（株）製）の０．１質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０６００ｇ加え、１２．３６５２ｇのＰＧＭＥＡを加え、３．４５６３ｇのメタノールを加えた後、室温にてスターラーを用いて２４時間攪拌し、均一な透明溶液（ＡＳＶ−３２）を調製した。【００５９】  実施例２６  ３０ｍＬのナス型フラスコに２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が５００乃至６５０ｇ／ｍｏＬのＤＰＨＡ（上記式（１−１））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を２．００００ｇ秤量し、０．１２００ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１））を加え、メガファック［登録商標］Ｒ−３０（ＤＩＣ（株）製）の０．１質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０６００ｇ加え、１２．３６５２ｇのＰＧＭＥＡを加え、３．４５６３ｇのイソプロパノールを加えた後、室温にてスターラーを用いて２４時間攪拌し、均一な透明溶液（ＡＳＶ−３３）を調製した。【００６０】  実施例２７  ３０ｍＬのナス型フラスコに２３℃、大気圧下で、液体性状を有する分子量が５００乃至６５０ｇ／ｍｏＬのＤＰＨＡ（上記式（１−１））の３０質量％ＰＧＭＥＡ溶液を２．００００ｇ秤量し、０．１２００ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ［登録商標］３６９（ＢＡＳＦジャパン（株）製、上記式（２−１））を加え、メガファック［登録商標］Ｒ−３０（ＤＩＣ（株）製）の０．１質量％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０６００ｇ加え、１２．３６５２ｇのＰＧＭＥＡを加え、３．４５６３ｇのアニソールを加えた後、室温にてスターラーを��いて２４時間攪拌し、均一な透明溶液（ＡＳＶ−３４）を調製した。【００６１】＜平坦化膜形成組成物の製膜と体積収縮率＞  ＡＳＶ−１乃至ＡＳＶ−１７、及びＡＳＶ−１９乃至ＡＳＶ−３４の各平坦化膜形成組成物をそれぞれスピンコート法によって４インチのシリコンウェハ上に膜厚が８５ｎｍになるようにスピンコートした。膜厚は光学式膜厚計にて測定した（スピンコート後の膜厚をＸとする）。スピンコート後の膜はＵＶ照射装置（波長３６５ｎｍ）を用い、照度が２０ｍＷ／ｃｍ2にて１０秒間、大気下で光照射した。露光後の膜厚は光学式膜厚計にて測定した（露光後の膜厚をＹとする）。次いで、大気下でホットプレートを用いて１３０℃で５分間露光後焼成した。焼成後の膜厚は光学式膜厚計にて測定した（焼成後の膜厚をＺとする）。  露光時の体積収縮率は膜厚Ｘを１００％としたときに、Ｙの値を百分率で示した値を１００から差し引いた値と定義する。  焼成時の体積収縮率は膜厚Ｙを１００％としたときに、Ｚの値を百分率で示した値を１００から差し引いた値と定義する。  また、ＡＳＶ−１８の平坦化膜形成組成物は、スピンコート法によって４インチのシリコンウェハ上に膜厚が８５ｎｍになるようにスピンコートした。膜厚は光学式膜厚計にて測定して８５．０ｎｍであった（スピンコート後の膜厚をＬとする）。スピンコート後の膜は大気圧下でホットプレートを用いて１３０℃で５分間焼成した。焼成後の膜厚は光学式膜厚計にて測定し８５．３ｎｍであった（焼成後の膜厚をＭとする）。  焼成時の体積収縮率は膜厚Ｌを１００％としたときに、Ｍの値を百分率で示した値を１００から差し引いた値と定義する。【００６２】
【表１】
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【００６３】
【表２】
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【００６４】
【表３】
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【００６５】  体積収縮率測定では約１０％以内であれば平坦化されていると考えられる。  ＡＳＶ−１乃至ＡＳＶ−１４、及びＡＳＶ−１５乃至ＡＳＶ−１７の膜の結果から、分子量が３００以下の多官能（メタ）アクレート化合物を用いると、露光時及び焼成時の体積収縮率が著しく大きくなり、膜減り特性が悪いことがわかった。体積収縮率が大きく、膜減りが大きいと、ＨＤＤ上の平坦化膜として段差を埋め込む材料として用いた場合、段差の形状を反映しやすくなり、平坦性が悪化することが考えられる。平坦性が悪化すると、ＨＤＤ上の平滑性が失われることから、磁気ヘッドが基板表面とクラッシュし、正常な動作を行えなくなる。  ＡＳＶ−１９乃至ＡＳＶ−２６、及びＡＳＶ−２７乃至ＡＳＶ−２９の膜の結果から、光ラジカル重合開始剤を変更しても分子量が３００以下の多官能（メタ）アクレート化合物を用いると、露光時及び焼成時の体積収縮率が著しく大きくなり、膜減り特性が悪いことがわかった。  ＡＳＶ−１、並びにＡＳＶ−３０及びＡＳＶ−３１の膜を比較すると、光ラジカル重合開始剤の添加量を平坦化膜形成組成物の固形分に対して１０乃至３０質量部の範囲で変更しても、体積収縮率の変化はほぼなく、良好であることがわかった。  ＡＳＶ−１、及びＡＳＶ−３２乃至ＡＳＶ−３４の膜を比較すると、本発明の平坦化膜形成組成物に混合溶剤を用いても体積収縮率の変化はほぼなく、良好であることがわかった。  また、ＡＳＶ−１８の膜はポリシロキサンであるが、加熱硬化時に体積膨張が発生し平坦化することはできなかった。【００６６】＜平坦化膜形成組成物の製膜と体積収縮率２＞  ＡＳＶ−１による平坦化膜形成組成物をスピンコート法によって４インチのシリコンウェハ上に膜厚が８５ｎｍになるようにスピンコートした。膜厚は光学式膜厚計にて測定した（スピンコート後の膜厚をＸとする）。スピンコート後の膜はＵＶ照射装置（波長３６５ｎｍ）を用い、照度が２０ｍＷ／ｃｍ2にて１０秒間、大気下で光照射した。露光後の膜厚は光学式膜厚計にて測定した（露光後の膜厚をＹとする）。次いで、大気下でホットプレートを用いて１６０℃で５分間露光後焼成した。焼成後の膜厚は光学式膜厚計にて測定した（焼成後の膜厚をＺとする）。  露光時の体積収縮率は膜厚Ｘを１００％としたときに、Ｙの値を百分率で示した値を１００から差し引いた値と定義する。  焼成時の体積収縮率は膜厚Ｙを１００％としたときに、Ｚの値を百分率で示した値を１００から差し引いた値と定義する。【００６７】
【表４】
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【００６８】＜ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による平坦化性＞  実施例１で調製したＡＳＶ−１を構造物付き基板（図１）上でスピンコートを行った。構造物付き基板の材質はシリコンであり、深さが１００ｎｍ、ラインとスペースは３０ｎｍの等間隔で形成されているものを使用した。スピンコートは構造物が付いていないシリコン基板上で８５ｎｍ製膜できる条件と同様の条件とした。  スピンコート後、膜はＵＶ照射装置を用い、照度が２０ｍＷ／ｃｍ2にて１０秒間、大気下で光照射した。次いで、大気下でホットプレートを用いて１３０℃で５分間露光後焼成した。焼成後の膜表面はＡＦＭを用いて表面解析を行った。ＡＦＭの測定箇所はラインとスペースが存在する方向の垂直方向とした。ＡＦＭの表面解析の結果から、段差上の平坦化膜の表面は１ｎｍ以下の凹凸であり、最大表面粗さ（Ｒmax）は１．４８３ｎｍであることがわかった。  実施例１０で調製したＡＳＶ−１０を上記と同様な基板を用いて同様に製膜しＡＦＭを測定した。ＡＦＭの表面解析の結果から、段差上の平坦化膜の表面は１ｎｍ以下の凹凸であり、最大表面粗さ（Ｒmax）は１．４９９ｎｍであることがわかった。  比較例３で調製したＡＳＶ−１７を上記と同様な基板を用いて同様に製膜しＡＦＭを測定した。ＡＦＭの表面解析の結果から、段差上の平坦化膜の表面は３ｎｍ以上の凹凸であり、最大表面粗さ（Ｒmax）は４．９０８ｎｍであることがわかった。  比較例４で調製したＡＳＶ−１８を上記と同様な基板を用いて同様に製膜しＡＦＭを測定した。ＡＦＭの表面解析の結果から、段差上の平坦化膜の表面は３ｎｍ以上の凹凸であり、最大表面粗さ（Ｒmax）は６．３３７ｎｍであることがわかった。  ＡＳＶ−１及びＡＳＶ−１０の膜の結果から、室温大気圧下で、液体性状を有する分子量が３００ｇ／ｍｏＬ以上の材料は、露光時及び焼成時の体積収縮率が小さく、構造物付き基板上での平坦性に優れることがわかった。  一方、ＡＳＶ−１７の膜の結果から、体積収縮率が小さいものの、室温大気圧下で固体性状を有する材料は、平坦性が悪く、表面ラフネスが大きいことがわかった。また、ＡＳＶ−１８の膜の結果から、体積収縮率がないものの、室温大気圧下で固体性状を有する材料は、平坦性が悪く、表面ラフネスが大きいことがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００６９】  本発明は、磁性体部分と非磁性体部分を交互に有するトラックを形成するための方法に用いられる、非磁性体の充填剤（平坦化膜形成組成物）であり、磁性体表面の微細な溝に十分に充填され、且つ光硬化時（露光時）と露光後焼成時に充填部分に収縮を生じないことが求められるハードディスク用平坦化膜形成組成物と、それを用いたハードディスクの製造方法に適用できる。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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