(57)【要約】  磁性体装置は、基板と、基板の第１主面上に搭載された少なくとも１つの磁性体素子と、基板の第１主面側に配置された軟磁性体の磁気シールドと、を備える。磁気シールドは、基板から見て凸になるように湾曲する湾曲領域を含む。その湾曲領域は、少なくとも、基板上面から見て磁気シールドと磁性体素子とがオーバーラップする領域を含む。磁気シールドと磁性体素子との間の空間は、磁気的に空洞である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１主面上に搭載された少なくとも１つの磁性体素子と、
前記基板の前記第１主面側に配置された軟磁性体の磁気シールドと
を備え、
前記磁気シールドは、前記基板から見て凸になるように湾曲する湾曲領域を含み、
前記湾曲領域は、少なくとも、前記基板上面から見て前記磁気シールドと前記磁性体素子とがオーバーラップする領域を含み、
前記磁気シールドと前記磁性体素子との間の空間は、磁気的に空洞である
磁性体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁性体装置であって、
前記磁気シールドと前記磁性体素子との間には非磁性絶縁体が充填されている、または、前記磁気シールドと前記磁性体素子の間の空間は空洞である
磁性体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁性体装置であって、
前記磁気シールドの前記空間と逆側の面は、磁性体粉が混合された外部モールド樹脂によって覆われている
磁性体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
前記磁気シールドは、導電性磁性材料で形成され、且つ、接地されている
磁性体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
前記磁性体素子の数は複数であり、
前記湾曲領域は、前記複数の磁性体素子の全てをカバーする
磁性体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
前記湾曲領域は、前記磁気シールドの全域にわたる
磁性体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
更に、軟磁性体の他の磁気シールドを備え、
前記他の磁気シールドは、前記基板の前記第１主面と逆側の第２主面側に配置され、
前記他の磁気シールドは、前記基板から見て凸になるように湾曲する他の湾曲領域を備え、
前記他の磁気シールドと前記基板との間の空間は、磁気的に空洞である
磁性体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性体装置に関する。特に、本発明は、磁気シールドを備えた磁性体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁性体を利用した磁性体素子が知られている。例えば、磁気抵抗素子（Magneto Resistance
Element）は、磁性体の磁化状態に応じて抵抗値が変わる磁性体素子である。典型的な磁気抵抗素子は、２層の磁性体層に非磁性体層が挟まれた構造を有している。一方の磁性体層は、磁化方向が固定された磁化固定層であり、他方は、磁化方向が反転可能な磁化自由層である。このように構成された磁気抵抗素子の抵抗値は、磁化固定層と磁化自由層の磁化方向が互いに平行である場合よりも、それらが反平行である場合により高くなる。このような磁気抵抗素子を利用することによって、磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM: Magnetic Random Access Memory）や様々な論理回路を構成可能である。【０００３】
磁性体素子を用いた磁性体装置では、その正常動作のために、磁性体の磁化状態（磁化方向等）が外部擾乱によって変動することを防ぐことが重要である。そのために、一般的に、「磁気シールド（magnetic shield）」が利用される。【０００４】
特許文献１（特開２００３−１２４５３８号公報）には、ＭＲＡＭチップを封止する樹脂の表面が湾曲している情報記憶装置が開示されている。ＭＲＡＭチップの樹脂封止には、高透磁率粉末が混合された樹脂が用いられている。言い換えれば、ＭＲＡＭチップの周囲が、高透磁率粉末が混合された封止樹脂で固められている。【０００５】
特許文献２（特開２００３−３０９１９６号公報）には、磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージが開示されている。図１は、その磁気シールドパッケージの断面構造を示している。磁気シールドパッケージ１１０は、ＭＲＡＭ素子１１１、ワイヤ１１２、リードフレーム１１３、及び磁気シールド１１４を備えている。ＭＲＡＭ素子１１１は、ワイヤ１１２でリードフレーム１１３に接続されている。更に、ＭＲＡＭ素子１１１は、その周囲全体が中空の磁気シールド１１４に囲まれている。磁気シールド１１４は、絶縁性の軟磁性材料で形成され、図１に示されるように矩形の断面形状を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１２４５３８号公報
【特許文献２】特開２００３−３０９１９６号公報
【発明の概要】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の技術には、以下に示すような問題点が存在する。即ち、特許文献１に記載の情報記憶装置は、ＭＲＡＭチップを封止する樹脂の表面が湾曲した態様であるが、ＭＲＡＭチップの周囲が高透磁率粉末が混合された封止樹脂で固められており、封止樹脂とＭＲＡＭチップの間に透磁率の低い空間が存在しない。この構造の場合、高周波の磁界変動に対するシールド効果は得られるかもしれないが、静磁界に対するシールド効果は得られない。それは、静磁界の磁束は高透磁率領域に集中するためである。ＭＲＡＭチップを取り囲む高透磁率樹脂は、ＭＲＡＭチップの周りに静磁界の磁束を集中させるため、そのＭＲＡＭチップに対してシールド効果ではなく、むしろダメージを与えてしまう。
【０００８】
一方、図１で示された特許文献２の構造の場合、ＭＲＡＭ素子１１１と磁気シールド１１４との間に透磁率の低い空間が存在する。しかしながら、ＭＲＡＭ素子１１１の上方において、磁気シールド１１４は水平（デバイス面に平行）である。このため、その水平磁気シールド１１４に対して垂直な外部磁界Ｈｅが印加された場合、理論的には、その外部磁界Ｈｅは磁気シールド１１４を貫通して、磁気シールド１１４より内側のＭＲＡＭ素子１１１近傍に達してしまう。すなわち、所望のシールド効果が十分に得られない。
【０００９】
本発明の目的は、磁気シールドを備える磁性体装置において、シールド効果をより向上させることができる技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の１つの観点において、磁性体装置が提供される。その磁性体装置は、基板と、基板の第１主面上に搭載された少なくとも１つの磁性体素子と、基板の第１主面側に配置された軟磁性体の磁気シールドと、を備える。磁気シールドは、基板から見て凸になるように湾曲する湾曲領域を含む。その湾曲領域は、少なくとも、基板上面から見て磁気シールドと磁性体素子とがオーバーラップする領域を含む。磁気シールドと磁性体素子との間の空間は、磁気的に空洞である。
【００１１】
本発明によれば、磁気シールドを備える磁性体装置において、シールド効果がより向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
上記及び他の目的、長所、特徴は、次の図面と共に説明される本発明の実施の形態により明らかになるであろう。【００１３】
【図１】図１は、関連技術に係る典型的な磁気シールドパッケージを示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る磁性体装置の構造を示す断面図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係る磁気シールドの形状の一例を示す斜視図である。
【図４】図４は、本実施の形態に係る磁気シールドの形状の他の例を示す斜視図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る磁性体装置の構造を示す断面図である。
【図６】図６は、本実施の形態に係る磁気シールドによる効果を説明するための概略図である。
【図７】図７は、シミュレーション条件を説明するための概略図である。
【図８】図８は、シミュレーション条件を説明するための概略図である。
【図９】図９は、シールド効果の曲率依存性を示すグラフである。
【図１０】図１０は、シールド効果の厚さ依存性を示すグラフである。
【図１１】図１１は、本実施の形態に係る磁性体装置の第１の変形例を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態に係る磁性体装置の第２の変形例を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態に係る磁性体装置の第３の変形例を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本実施の形態に係る磁性体装置の第４の変形例を示す断面図である。
【図１５】図１５は、本実施の形態に係る磁性体装置の第５の変形例を示す断面図である。
【図１６】図１６は、本実施の形態に係る磁性体装置のパッケージの一例を示す断面図である。
【図１７】図１７は、本実施の形態に係る磁性体装置のパッケージの他の例を示す断面図である。
【図１８】図１８は、本実施の形態に係る磁性体装置のパッケージの更に他の例を示す断面図である。
【図１９】図１９は、本実施の形態に係る磁性体装置のパッケージの更に他の例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態に係る磁性体装置を説明する。
【００１５】
１．基本構造
図２は、本発明の実施の形態に係る磁性体装置１の構造を示す断面図である。図２に示されるように、磁性体装置１は、基板１０、磁性体素子２０、及び磁気シールド３０を備えている。以下の説明において、基板１０の表面に垂直な方向はＺ方向であり、Ｚ方向に直交する平面方向は、Ｘ方向及びＹ方向である。
【００１６】
基板１０は、磁性体素子２０が搭載される部材である。基板１０としては、配線基板、リードフレーム、半導体基板などが挙げられる。図２に示されるように、基板１０は、磁性体素子２０が搭載される第１主面（表面）１１と、第１主面１１の逆側の第２主面（裏面）１２を有している。
【００１７】
磁性体素子２０は、磁性体を利用した素子である。磁性体素子２０としては、磁気抵抗素子、ＭＲＡＭチップ、磁気抵抗素子を利用した論理回路などが挙げられる。本実施の形態では、少なくとも１つの磁性体素子２０が、基板１０の第１主面１１上に搭載される。
【００１８】
磁気シールド３０は、軟磁性体材料で形成されている。この軟磁性体材料は、十分に高い比透磁率（好ましくは、１０００以上）を有している。軟磁性体材料としては、鉄、ニッケル、珪素鋼、パーマロイ、フェライト、アモルファス磁性合金、ナノクリスタル磁性合金などが挙げられる。尚、磁気シールド３０とボンディングワイヤ等の内部構造との間のショートが懸念される場合、磁気シールド３０の材料として、絶縁性磁性体（フェライト、等）が用いられてもよい。あるいは、導電性磁性体の磁気シールド３０の表面が、絶縁体でコーティングされてもよい。
【００１９】
図２に示されるように、磁気シールド３０は、基板１０の第１主面１１側に少なくとも配置されている。更に、磁気シールド３０の少なくとも一部分は、基板１０から見て凸になるように湾曲している。磁気シールド３０が湾曲している領域は、以下「湾曲領域ＲＣ」と参照される。本実施の形態では、湾曲領域ＲＣは、少なくとも、磁気シールド３０と磁性体素子２０とがオーバーラップしている領域を含む。言い換えれば、磁気シールド３０の湾曲部分が、磁性体素子２０の上方を覆っている。図２で示された例では、湾曲領域ＲＣは、磁気シールド３０の全域にわたっている。
【００２０】
図３及び図４は、磁気シールド３０の形状の例を示す斜視図である。図３の例では、磁気シールド３０はドーム形状を有している。図４の例では、磁気シールド３０は、トンネル形状（部分円筒形状）を有している。
【００２１】
再度図２を参照して説明する。磁気シールド３０と磁性体素子２０との間の空間ＭＣは、“磁気的に空洞”であり、以下「磁気空洞空間ＭＣ」と参照される。“磁気的に空洞”とは、高透磁率の磁気シールド３０（比透磁率＞１０００）に比べて、透磁率が極めて低い（比透磁率〜１）ことを意味する。例えば、図２に示されるように、磁気空洞空間ＭＣは、物理的に空洞である。あるいは、図５に示されるように、磁気空洞空間ＭＣは、非磁性絶縁体４０で充填されていてもよい。非磁性絶縁体４０は、例えば、モールド樹脂（molding compound）である。
【００２２】
２．作用、効果
図６を参照して、本実施の形態に係る構造による効果を説明する。ここでは、デバイス面（基板１０の表面）に垂直なＺ方向の外部磁界Ｈｅを考える。
【００２３】
上述の通り、磁気シールド３０は、基板１０から見て凸形状に湾曲した湾曲領域ＲＣを有している。従って、湾曲領域ＲＣのほとんど全ての位置で、Ｚ方向の外部磁界Ｈｅが磁気シールド３０の表面に対して垂直でなくなる。その結果、図６に示されるように、外部磁界Ｈｅの磁束は、磁気シールド３０を貫通することなく、高透磁率の磁気シールド３０内部に効率的にガイドされる。言い換えれば、外部磁界Ｈｅの磁束は、磁気シールド３０によって、Ｚ方向から離れる方向に曲げられる。特に、湾曲領域ＲＣは磁性体素子２０の上方を覆っているため、外部磁界Ｈｅの磁束は、磁性体素子２０の上方において、磁性体素子２０から離れる方向に曲げられる。
【００２４】
更に、磁気シールド３０と磁性体素子２０との間の磁気空洞空間ＭＣの透磁率は、磁気シールド３０の透磁率に比べて極めて低い。従って、高透磁率の磁気シールド３０内部に一旦ガイドされた磁束が、磁気空洞空間ＭＣに漏れ出すことが効果的に防止される。このように、本実施の形態によれば、磁性体素子２０の近傍にまで到達する外部磁界Ｈｅの磁束が大幅に低減される。すなわち、磁気シールド３０によるシールド効果が向上する。このため、磁性体素子２０として垂直磁化膜を利用したＭＲＡＭチップを採用した場合、本実施の形態の磁気シールド３０は特に好適である。
【００２５】
本願発明者らは、シミュレーションを通して、本実施の形態による効果を実証した。図７及び図８は、シミュレーション条件を説明するための図である。磁気シールド３０の形状は、図４で示されたトンネル形状（部分円筒形状）である。円筒の長手方向の長さは２０ｍｍである。円筒の内径の曲率半径はｒ［ｍｍ］であり、その曲率は１／ｒ［／ｍｍ］である。磁気シールド３０の厚さはｄ［ｍｍ］である。磁気シールド３０の比透磁率は２０００であり、その飽和磁化は１［Ｔ］である。また、磁気シールド３０の底部からＺ方向に２０ｍｍ離れた位置に、磁石が配置された。その磁石の平面積は２０ｍｍ×２８ｍｍであり、その厚さは５０ｍｍである。その磁石の保磁力は３０００［Ｏｅ］であり、残留磁化は４０００［Ｇ］である。この磁石により生成される垂直磁界に対するシールド効果が調べられた。
【００２６】
図９は、シールド効果の曲率依存性を示すグラフである。縦軸は素子近傍の垂直磁界［Ｏｅ］を表し、横軸は曲率１／ｒ［／ｍｍ］を表している。厚さｄは０．１５ｍｍに固定されている。曲率１／ｒ＝０の場合は、図１で示された水平の磁気シールドに相当する。図９から、磁気シールドを湾曲させることによってシールド効果が高まっていることが分かる。但し、曲率があまりにも大きくなり過ぎると、シールド効果が弱くなる傾向もある。曲率が０．０６［／ｍｍ］以下であると十分なシールド効果が得られ、好適である。
【００２７】
図１０は、シールド効果の厚さ依存性を示すグラフである。縦軸は素子近傍の垂直磁界［Ｏｅ］を表し、横軸は厚さｄ［ｍｍ］を表している。曲率半径ｒは２６ｍｍに固定されている。図１０から、十分なシールド効果を得るためには、ある程度の厚さｄが必要であることが分かる。厚さｄが０．１ｍｍ以下の場合、磁気シールド３０は飽和状態にあると考えられる。一方、厚さｄが５ｍｍ以上になると、磁気シールド３０内部の反磁界成分が弱くなると考えられる。
【００２８】
以上に説明されたように、本実施の形態によれば、磁気シールドによるシールド効果が向上する。尚、シールド効果は、Ｚ方向の外部磁界に対してだけに限られない。湾曲した磁気シールド３０によって、全方位に対するシールド効果が同様に実現される。
【００２９】
３．変形例
３−１．第１の変形例
図１１は、磁性体装置１の第１の変形例を示す断面図である。図１１に示されるように、湾曲領域ＲＣは、磁気シールド３０のうち一部分だけであってもよい。その場合でも、湾曲領域ＲＣは、磁性体素子２０と磁気シールド３０とがオーバーラップする領域を少なくとも含んでいる。
【００３０】
３−２．第２の変形例
図１２は、磁性体装置１の第２の変形例を示す断面図である。パッケージ構造が許せば、図１２に示されるように、基板１０の両側に磁気シールド３０が設けられてもよい。より詳細には、第１磁気シールド３０Ａが第１主面１１側に配置され、第２磁気シールド３０Ｂが第２主面１２側に配置されている。磁気シールド３０Ａ、３０Ｂの各々は、磁気シールド３０と同様である。すなわち、磁気シールド３０Ａ、３０Ｂの各々は、基板１０から見て凸になるように湾曲している。更に、磁気シールド３０Ａ、３０Ｂの各々と基板１０との間の空間ＭＣは、磁気的に空洞である。本変形例によれば、シールド効果が更に向上する。
【００３１】
３−３．第３の変形例
磁気シールド３０の外周面は露出していてもよいが、腐食防止や加工性を考えると、磁気シールド３０の外側も樹脂封止した方が望ましい。図１３は、磁性体装置１の第３の変形例を示す断面図である。図１３において、磁気シールド３０の外周面（磁気空洞空間ＭＣ側と逆側の面）は、外部モールド樹脂５０によって覆われている。これにより、磁気シールド３０の腐食が防止され、また、加工性も向上する。
【００３２】
更に、磁気シールド３０の外側の外部モールド樹脂５０には、磁性体粉が混合されていてもよい。すなわち、磁気シールド３０の外周面（磁気空洞空間ＭＣ側と逆側の面）は、磁性体粉が混合された外部モールド樹脂５０によって覆われていてもよい。これにより、全体としてのシールド効果が更に高まる。また、磁気シールド３０の端部から放出される磁束を、透磁率の差により、磁気空洞空間ＭＣではなく外部モールド樹脂５０側に集めることができる。磁束の磁気空洞空間ＭＣへの侵入が更に抑制され、好適である。
【００３３】
３−４．第４の変形例
図１４は、磁性体装置１の第４の変形例を示す断面図である。本変形例において、磁気シールド３０は、導電性磁性材料で形成された金属磁気シールドである。そして、その金属磁気シールド３０が接地されている。例えば、基板１０上にグランドパッド６１が設けられ、金属磁気シールド３０は半田６２を介してそのグランドパッド６１に電気的に接続される。このように接地した金属磁気シールド３０は、電磁波シールドの役割も果たすことになり、好適である。
【００３４】
３−５．第５の変形例
図１５は、磁性体装置１の第５の変形例を示す断面図である。本変形例において、基板１０上には複数の磁性体素子２０が搭載され、磁気シールド３０はそれら複数の磁性体素子２０の全てをカバーするように共通に設けられる。例えば、配線基板１０上に２つのＭＲＡＭチップ２０−１、２０−２が搭載され、磁気シールド３０はそれらＭＲＡＭチップ２０−１、２０−２の両方をカバーするように共通に設けられる。
【００３５】
なお、図１５は２つのＭＲＡＭチップ２０−１、２０−２がＸ軸方向に並んだ態様であるが、複数のＭＲＡＭチップがＹ軸方向に並んだ態様、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に２次元的に並んだ態様も、もちろん可能である。
【００３６】
矛盾しない限りにおいて、上述の変形例同士の組み合わせも可能である。
【００３７】
４．パッケージ例
以下、本発明が適用された磁気シールドパッケージの様々な例を説明する。
【００３８】
図１６は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージの例を示している。外部端子としての半田ボール（Solder Ball）７１を有する配線基板１０上に、磁性体素子２０が搭載されている。磁性体素子２０は、例えば、垂直磁化膜を利用したＭＲＡＭチップである。配線基板１０とＭＲＡＭチップ２０との間の接着層７２は、ＤＡＦ（Die Attach Film）あるいはＤＡＰ（Die Attach Paste）である。ＭＲＡＭチップ２０は、ボンディングワイヤ７３を介して、配線基板１０に電気的に接続されている。
【００３９】
磁気シールド３０と配線基板１０との間の磁気空洞空間ＭＣは、物理的に空洞であってもよいし、非磁性絶縁体４０で充填されていてもよい。磁気シールド３０とボンディングワイヤ７３との間のショートが懸念される場合、磁気シールド３０の材料として、絶縁性磁性体（フェライト、等）が用いられてもよい。あるいは、導電性磁性体の磁気シールド３０の表面が、絶縁体でコーティングされてもよい。
【００４０】
磁気シールド３０は、接着剤７４で配線基板１０に固定されてもよい。磁気空洞空間ＭＣが非磁性絶縁体４０で充填される場合、接着剤７４はなくてもよい。あるいは、磁気シールド３０が金属磁気シールドである場合、その金属磁気シールド３０は、導電部材（半田、導電性樹脂、導電性接着剤、等）を介して、配線基板１０のグランドパッドに電気的に接続されてもよい。磁気シールド３０の外周面は、磁性体粉が混合された外部モールド樹脂５０によって覆われていてもよい。
【００４１】
図１７は、ＦＣＢＧＡ（Flip Chip Ball Grid Array）パッケージの例を示している。外部端子としての半田ボール８１を有する配線基板１０上に、磁性体素子２０が搭載されている。磁性体素子２０は、例えば、垂直磁化膜を利用したＭＲＡＭチップである。ＭＲＡＭチップ２０上には接続端子としての半田バンプ８２が形成されており、ＭＲＡＭチップ２０は、その半田バンプ８２を介して、配線基板１０に電気的に接続されている。
【００４２】
磁気シールド３０と配線基板１０との間の磁気空洞空間ＭＣは、物理的に空洞であってもよいし、非磁性絶縁体４０で充填されていてもよい。磁気シールド３０は、接着剤８４で配線基板１０に固定されてもよい。磁気空洞空間ＭＣが非磁性絶縁体４０で充填される場合、接着剤８４はなくてもよい。あるいは、磁気シールド３０が金属磁気シールドである場合、その金属磁気シールド３０は、導電部材（半田、導電性樹脂、導電性接着剤、等）を介して、配線基板１０のグランドパッドに電気的に接続されてもよい。磁気シールド３０の外周面は、磁性体粉が混合された外部モールド樹脂５０によって覆われていてもよい。
【００４３】
図１８は、ＱＦＰ（Quad Flat Package）の例を示している。基板１０に相当するダイパッド９１上に、磁性体素子２０が搭載されている。磁性体素子２０は、例えば、垂直磁化膜を利用したＭＲＡＭチップである。ダイパッド９１とＭＲＡＭチップ２０との間の接着層９２は、ＤＡＦあるいはＤＡＰである。ＭＲＡＭチップ２０は、ボンディングワイヤ９３を介して、外部端子としてのリードフレーム（lead frame）９５に電気的に接続されている。
【００４４】
磁気シールド３０は、リードフレーム９５上に載置される。従って、磁気シールド３０は絶縁性磁性体で形成される、あるいは、導電性の磁気シールド３０が絶縁体でコーティングされることが望ましい。磁気シールド３０は、絶縁性の接着剤９４でリードフレーム９５に固定されてもよい。磁気シールド３０の内側の磁気空洞空間ＭＣは、物理的に空洞であってもよいし、非磁性絶縁体４０で充填されていてもよい。磁気シールド３０の外周面は、磁性体粉が混合された外部モールド樹脂５０によって覆われていてもよい。
【００４５】
図１８に示されるように、ダイパッド９１（基板１０）の両側に、第１磁気シールド３０Ａと第２磁気シールド３０Ｂがそれぞれ配置されると好適である。当然、第２磁気シールド３０Ｂが除かれても、本発明の効果は得られる。
【００４６】
図１９は、マルチチップモジュールパッケージの例を示している。例えば、基板１０上に、複数のＭＲＡＭチップ２０Ａが搭載される。また、１パッケージ内に、ＭＲＡＭチップ２０Ａと他の半導体チップ２０Ｂが混載されていてもよい。いずれの場合であっても、磁気シールド３０は全てのチップをカバーするように設けられる。
【００４７】
以上、本発明の実施の形態が添付の図面を参照することにより説明された。但し、本発明は、上述の実施の形態に限定されず、要旨を逸脱しない範囲で当業者により適宜変更され得る。
【００４８】
本出願は、２００９年１０月１３日に出願された日本国特許出願２００９−２３６３２６を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011046091.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2011046091.tif 000013
【図１２】
2011046091.tif 000014
【図１３】
2011046091.tif 000015
【図１４】
2011046091.tif 000016
【図１５】
2011046091.tif 000017
【図１６】
2011046091.tif 000018
【図１７】
2011046091.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１主面上に搭載された少なくとも１つの磁性体素子と、
前記基板の前記第１主面側に配置された軟磁性体の磁気シールドと
を備え、
前記磁気シールドは、前記基板から見て凸になるように湾曲する湾曲領域を含み、
前記湾曲領域は、少なくとも、前記基板上面から見て前記磁気シールドと前記磁性体素子とがオーバーラップする領域を含み、
前記磁気シールドと前記磁性体素子との間の空間は、磁気的に空洞であり、
前記磁気シールドの厚さは、０．１ｍｍ〜５ｍｍである
磁性体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁性体装置であって、
前記磁気シールドと前記磁性体素子との間には非磁性絶縁体が充填されている、または、前記磁気シールドと前記磁性体素子の間の空間は空洞である
磁性体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁性体装置であって、
前記磁気シールドの前記空間と逆側の面は、磁性体粉が混合された外部モールド樹脂によって覆われている
磁性体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
前記磁気シールドは、導電性磁性材料で形成され、且つ、接地されている
磁性体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
前記磁性体素子の数は複数であり、
前記湾曲領域は、前記複数の磁性体素子の全てをカバーする
磁性体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
前記湾曲領域は、前記磁気シールドの全域にわたる
磁性体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
更に、軟磁性体の他の磁気シールドを備え、
前記他の磁気シールドは、前記基板の前記第１主面と逆側の第２主面側に配置され、
前記他の磁気シールドは、前記基板から見て凸になるように湾曲する他の湾曲領域を備え、
前記他の磁気シールドと前記基板との間の空間は、磁気的に空洞である
磁性体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
前記磁気シールドの前記湾曲領域の曲率は、０．０６［／ｍｍ］以下である
磁性体装置。
【国際調査報告】
2011046091.tif 000022
2011046091.tif 000023
2011046091.tif 000024
2011046091.tif 000025