(57)【要約】  有機ＥＬ素子を低電圧化し、発光効率及び素子寿命が向上し得る有機ＥＬ素子材料として、  Ｎ（ＡｒＡ）（ＡｒＢ）（ＡｒＣ）で表される芳香族アミン誘導体を提供する。  ＡｒＡは下記式（ＩＩ−１）又は（ＩＩ−２）を表す。    Ｌａは、アリーレン基等、Ａｒａは、アリール基等、ｎは、２又は３を表す。  ＡｒＢは下記式（ＩＩＩ）を表す。    Ｌｂは、単結合等、Ｒ１及びＲ２は、アルキル基等、ｏ及びｐは０〜３等、Ｘは、酸素原子等、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、アルキル基等を表す。  ＡｒＣは、アリール基、ヘテロアリール基、下記式（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）又は（ＩＩＩ）を表す。2011059099.tif 000062
2011059099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）で表される芳香族アミン誘導体。
【化１】
2011059099.tif 000055
［式（Ｉ）中、ＡｒAは下記式（II−１）又は（II−２）で表される。
【化２】
2011059099.tif 000056
（式（II−１）及び（II−２）中、Ｌaは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５の芳香族環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロ芳香族環を表す。
Ａｒaは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロアリール基を表す。
ｎは、２又は３を表す。複数のＡｒaは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
式（Ｉ）中、ＡｒBは下記式（III）で表される。
【化３】
2011059099.tif 000057
（式（III）中、Ｌbは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロアリーレン基を表す。
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５のアルキル基、炭素数２〜１５のアルケニル基、環形成炭素数３〜１５のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜２５のアリール基、環形成原子数５〜２５のヘテロアリール基、炭素数１〜１５のアルキル基からなるトリアルキルシリル基、環形成炭素数６〜２５のアリール基からなるトリアリールシリル基、炭素数１〜１５のアルキル基と環形成炭素数６〜２５のアリール基からなるアルキルアリールシリル基、カルバゾリル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。
ｏは０〜３の整数、ｐは０〜４の整数を表す。隣接した複数のＲ1同士及びＲ2同士、並びにＲ1とＲ2は、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｘは、ＣＲ3Ｒ4、ＮＲ5、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
式（Ｉ）中、ＡｒCは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロアリール基を表すか、上記式（II−１）、（II−２）又は（III）で表される。］
【請求項２】
前記ＡｒAが前記式（II−１）で表され、式（II−１）中のＬaがベンゼン環、ビフェニル環、ターフェニル環、クオーターフェニル環、ナフタレン環、フェナントレン環、又は以下のいずれかの構造
【化４】
2011059099.tif 000058
（式中、Ｙは、ＣＲ3'Ｒ4'、ＮＲ5'、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｒ3'、Ｒ4'及びＲ5'は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリール基を表す。波線は、窒素原子との結合位置を示す。）
である、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項３】
前記ＡｒAが前記式（II−２）で表され、式（II−２）中のＬaが、ベンゼン環又はビフェニル環である、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項４】
前記式（II−１）又は（II−２）中のＡｒaがフェニル基である、請求項１〜３のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項５】
式（Ｉ）中、ＡｒBが下記式のいずれかで表される、請求項１〜４のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【化５】
2011059099.tif 000059
（式中、Ｌb、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、ｏ及びｐは、前記式（III）中の定義の通りである。）
【請求項６】
前記式（III）中のＬbが、単結合、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニルジイル基、ターフェニルジイル基又はフェナントリレン基である、請求項１〜５のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項７】
式（Ｉ）中、ＡｒCが前記式（II−１）又は（II−２）で表される、請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項８】
式（Ｉ）中、ＡｒCが前記式（III）で表される、請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項９】
陽極と陰極との間に少なくとも１つの有機薄膜層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、請求項１〜８のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機薄膜層を少なくとも１層以上有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記有機薄膜層として少なくとも正孔輸送層を有し、請求項１〜８のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体が該正孔輸送層に含有されている、請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記有機薄膜層としてさらに電子輸送層を有し、下記式（１）〜（３）のいずれかで表される含窒素複素環誘導体が該電子輸送層に含有されている、請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化６】
2011059099.tif 000060
（式（１）〜（３）中、Ｚ1、Ｚ2及びＺ3は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子が置換した炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシ基である。
ｍは、０〜５の整数であり、ｍが２以上の整数であるとき、複数のＲ11は互いに同一でも異なっていてもよい。また、隣接する複数のＲ11同士が互いに結合して、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を形成していてもよい。
Ａｒ1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ａｒ2は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子が置換した炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ａｒ3は、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０のヘテロ縮合環基又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。）
【請求項１２】
前記正孔輸送層に、下記式（Ａ）で表される化合物を含有する層が接合されている、請求項１０又は１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化７】
2011059099.tif 000061
（上記式（Ａ）中、Ｒ111〜Ｒ116は、それぞれ独立にシアノ基、−ＣＯＮＨ2、カルボキシル基、もしくは−ＣＯＯＲ117（Ｒ117は、炭素数１〜２０のアルキル基である。）を表すか、又は、Ｒ111及びＲ112、Ｒ113及びＲ114、もしくはＲ115及びＲ116が一緒になって−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（非特許文献１参照）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。
Ｔａｎｇらは、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを発光層に、そしてトリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いた、積層構造を有する有機ＥＬ素子を開示している。有機ＥＬ素子において積層構造とする利点としては、（ｉ）発光層への正孔の注入効率を高められること、（ii）陰極より発光層へ注入された電子を正孔輸送（注入）層にてブロックし、発光層における再結合により生成する励起子の生成効率を高められること、（iii）発光層内で生成した励起子を発光層内に閉じ込め易くなること等が挙げられる。この様な積層構造の有機ＥＬ素子では、注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫や、各層の材料自体の研究がなされている。【０００３】
通常、有機ＥＬ素子を高温環境下で駆動又は保管すると、発光色の変化、発光効率の低下、駆動電圧の上昇及び素子寿命の短時間化等の悪影響が生じる。
この様な悪影響を防ぐために、正孔輸送材料として、芳香族モノアミン誘導体（特許文献１参照）、カルバゾール骨格を有する芳香族アミン誘導体（特許文献２参照）、テトラアリールメタン骨格を有する芳香族アミン誘導体（特許文献３参照）等が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３５２０８８号公報
【特許文献２】特開２００９−０２１３３５号公報
【特許文献３】特開２００２−０８３６８５号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】C.W. Tang, S.A. Vanslyke、「アプライド  フィジックス  レターズ（Applied Physics Letters）」、第５１巻、ｐ．９１３、１９８７年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１〜４に開示された芳香族アミン誘導体では、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命が満足のいく程度とは言えず、さらなる改良の余地がある。
そこで本発明の課題は、従来の有機ＥＬ素子材料よりも有機ＥＬ素子を低電圧化し、且つ発光効率及び素子寿命が向上し得る有機ＥＬ素子材料、及びそれを用いた有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特定構造の芳香族炭化水素基と分岐状の芳香族炭化水素基を共に有する芳香族アミン誘導体を、有機ＥＬ素子用材料として、特に正孔輸送材料として用いることにより、有機ＥＬ素子が低電圧化し、
且つ発光効率及び素子寿命が向上することを見出した。【０００８】
すなわち、本発明は、下記［１］及び［２］に関する。
［１］下記式（Ｉ）で表される芳香族アミン誘導体。【０００９】
【化１】
2011059099.tif 000003
【００１０】
［式（Ｉ）中、ＡｒAは下記式（II−１）又は（II−２）で表される。
【化２】
2011059099.tif 000004
【００１１】
（式（II−１）及び（II−２）中、Ｌaは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５の芳香族環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロ芳香族環を表す。
Ａｒaは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロアリール基を表す。
ｎは、２又は３を表す。複数のＡｒaは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
式（Ｉ）中、ＡｒBは下記式（III）で表される。【００１２】
【化３】
2011059099.tif 000005
【００１３】
（式（III）中、Ｌbは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロアリーレン基を表す。
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５のアルキル基、炭素数２〜１５のアルケニル基、環形成炭素数３〜１５のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜２５のアリール基、環形成原子数５〜２５のヘテロアリール基、炭素数１〜１５のアルキル基からなるトリアルキルシリル基、環形成炭素数６〜２５のアリール基からなるトリアリールシリル基、炭素数１〜１５のアルキル基と環形成炭素数６〜２５のアリール基からなるアルキルアリールシリル基、カルバゾリル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。
ｏは０〜３の整数、ｐは０〜４の整数を表す。隣接した複数のＲ1同士及びＲ2同士、並びにＲ1とＲ2は、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｘは、ＣＲ3Ｒ4、ＮＲ5、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
式（Ｉ）中、ＡｒCは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロアリール基を表すか、上記式（II−１）、（II−２）又は（III）で表される。］【００１４】
［２］陽極と陰極との間に少なくとも１つの有機薄膜層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記［１］に記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機薄膜層を少なくとも１層以上有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子の材料として用いると、従来の有機ＥＬ素子材料を用いた場合よりも、有機ＥＬ素子が低電圧化し、且つ発光効率及び素子寿命が向上する。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［芳香族アミン誘導体］
本発明の芳香族アミン誘導体は、下記式（Ｉ）
【化４】
2011059099.tif 000006
【００１７】
で表される。
上記式（Ｉ）中、ＡｒAは、下記式（II−１）又は（II−２）［以下、合わせて式（II）と称することがある。］で表される。
【化５】
2011059099.tif 000007
【００１８】
式（II）中、Ｌaは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５の芳香族環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロ芳香族環を表す。
Ｌaが表す芳香族環としては、例えばベンゼン環、ナフチルベンゼン環、ビフェニル環、ターフェニル環、クオーターフェニル環、ナフタレン環、フェニルナフタレン環、アセナフチレン環、アントラセン環、ベンゾアントラセン環、アセアントラセン環、フェナントレン環、ベンゾフェナントレン環、フェナレニル環、フルオレン環、９，９−ジメチルフルオレン環、７−フェニル−９，９−ジメチルフルオレン環、ペンタセン環、ピセン環、ペンタフェニル環、ピレン環、ベンゾピレン環、クリセン環、ベンゾクリセン環、ｓ−インダセン環、ａｓ−インダセン環、ペリレン環、フルオランテン環、ナフタセン環等が挙げられる。これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、環形成炭素数６〜１８の芳香族環が好ましく、環形成炭素数６〜１２の芳香族環がより好ましい。より具体的には、ベンゼン環、ビフェニル環、ターフェニル環、クオーターフェニル環、ナフタレン環、フェナントレン環、下記構造
【００１９】
【化６】
2011059099.tif 000008
【００２０】
（ここでは、Ｙは、ＣＲ3'Ｒ4'を表す。Ｒ3'及びＲ4'は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリール基を表す。波線は、窒素原子との結合位置を示す。なお、Ｒ3'及びＲ4'については、後述するＲ3及びＲ4と同じものが例示でき、好ましいものも同じである。）
が好ましく、ベンゼン環、ビフェニル環がより好ましい。
さらに、式（II−１）の様に、ＬaとＡｒaとの間に炭素原子を介していない場合、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、Ｌaは、１つの環上の２ヶ所のメタ位がＡｒaで置換されていることが好ましく、ベンゼン環、ビフェニル環、ターフェニル環、クオーターフェニル環、ナフタレン環又はフェナントレン環の同一ベンゼン環上の２ヶ所のメタ位がＡｒaで置換されていることがより好ましい。
一方、式（II−２）の様に、ＬaとＡｒaとの間に炭素原子を介している場合、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、Ｌaは、１つの環上にてパラ置換されていることが好ましく、ベンゼン環、ビフェニル環、ターフェニル環、クオーターフェニル環、ナフタレン環又はフェナントレン環の同一ベンゼン環上においてパラ置換されていることがより好ましい。
【００２１】
（置換基Ａ）
また、Ｌaが表す芳香族環は置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、各種ペンチル基［「各種」とは、直鎖及びあらゆる分岐鎖を含むことを示し、以下同様である。］、各種ヘキシル基等の炭素数１〜１５（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等の環形成炭素数３〜１５（好ましくは３〜１０、より好ましくは５〜６）のシクロアルキル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基等の炭素数１〜１５（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基からなるトリアルキルシリル基；トリフェニルシリル基等の環形成炭素数６〜２５（好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１２）のアリール基からなるトリアリールシリル基；炭素数１〜１５（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基と環形成炭素数６〜２５（好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１２）のアリール基からなるアルキルアリールシリル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；シアノ基等（以下、これらの置換基を「置換基Ａ」と称する。）が挙げられる。
【００２２】
Ｌaが表すヘテロ芳香族環としては、例えばピロール環、ピラジン環、ピリジン環、インドール環、イソインドール環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、カルバゾール環、９−フェニルカルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナジン環、フェノチアジン環、フェノキサジン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、フラザン環、チエニル環、ピロール環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、１−フェニルベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、１−フェニルジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、１−フェニルジベンゾフラン環、ベンゾチアゾール環等が挙げられる。これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、下記構造
【００２３】
【化７】
2011059099.tif 000009
【００２４】
（ここでは、Ｙは、ＮＲ5'、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｒ5'は、炭素数１〜１５のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリール基を表す。波線は、窒素原子との結合位置を示す。なお、Ｒ5'については後述するＲ5と同じものを例示することができ、好ましいものも同じである。）
のものが好ましく、環形成原子数５〜１５のヘテロ芳香族環がより好ましく、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環がさらに好ましい。
また、Ｌaが表すヘテロ芳香族環は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記置換基Ａと同じものが例示できる。
【００２５】
Ｌaとしては、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のビフェニル環が好ましい。特に、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、式（II−１）の様に、ＬaとＡｒaとの間に炭素原子を介していない場合は、Ｌaとしては置換もしくは無置換のビフェニル環がより好ましく、ビフェニル環がさらに好ましい。一方、同様の観点から、式（II−２）の様に、ＬaとＡｒaとの間に炭素原子を介している場合は、Ｌaとしては置換もしくは無置換のベンゼン環がより好ましく、ベンゼン環がさらに好ましい。
【００２６】
式（II）中、Ａｒaは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロアリール基を表す。
Ａｒaが表すアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチルフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クオーターフェニリル基、ナフチル基、フェニルナフチル基、アセナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニリル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、７−フェニル−９，９−ジメチルフルオレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニリル基、ピレニル基、ベンゾピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、ナフタセニル基等が挙げられる。これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、環形成炭素数６〜１８のアリール基が好ましく、環形成炭素数６〜１２のアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニリル基がさらに好ましく、フェニル基が特に好ましい。
また、Ａｒaが表すアリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記置換基Ａと同じものが例示できる。
【００２７】
Ａｒaが表すヘテロアリール基としては、例えばピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、インドリル基、イソインドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、９−フェニルカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニリル基、ピロリル基、チオフェニル基、１−フェニルチオフェニル基、１，４−ジフェニルチオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、１−フェニルベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、１−フェニルジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、１−フェニルジベンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、環形成原子数５〜１５のヘテロアリール基が好ましく、カルバゾリル基（好ましくは９位置換）、９−フェニルカルバゾリル基（好ましくは３位置換）、ジベンゾフラニル基（好ましくは１位置換又は３位置換）、ジベンゾチオフェニル基がより好ましく、カルバゾリル基、９−フェニルカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基がさらに好ましい。
また、Ａｒaが表すヘテロアリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記置換基Ａと同じものが例示できる。
【００２８】
Ａｒaとしては、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５（好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１２）のアリール基が好ましく、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のビフェニリル基がより好ましく、フェニル基、ビフェニリル基がさらに好ましく、フェニル基が特に好ましい。
【００２９】
式（II）中、ｎは２又は３を表す。
有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、式（II−１）の様に、ＬaとＡｒaとの間に炭素原子を介していない場合は、ｎとしては２がより好ましい。一方、同様の観点から、式（II−２）の様に、ＬaとＡｒaとの間に炭素原子を介している場合は、ｎとしては３がより好ましい。
ここで、ＡｒAの具体例を以下に示すが、特にこれらに限定されるものではない。なお、波線は結合部位を示す。
【００３０】
【化８】
2011059099.tif 000010
【００３１】
これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、ＡｒAとしては、
【化９】
2011059099.tif 000011
から選択されるいずれかの基であることが好ましく、
【化１０】
2011059099.tif 000012
から選択されるいずれかの基であることがより好ましく、
【化１１】
2011059099.tif 000013
で表される基であることがさらに好ましい。
【００３２】
式（Ｉ）中、ＡｒBは下記（III）で表される。
【化１２】
2011059099.tif 000014
【００３３】
式（III）中、Ｌbは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロアリーレン基を表す。
Ｌbが表すアリーレン基としては、例えばフェニレン基、ナフチルフェニレン基、ビフェニルジイル基、ターフェニルジイル基、クオーターフェニルジイル基、ナフチリレン基、フェニルナフチリレン基、アセナフチリレン基、アントリレン基、ベンゾアントリレン基、アセアントリレン基、フェナントリレン基、ベンゾフェナントリレン基、フェナレニリレン基、フルオレニレン基、９，９−ジメチルフルオレニレン基、７−フェニル−９，９−ジメチルフルオレニレン基、ペンタセニレン基、ピセニレン基、ペンタフェニレン基、ピレニレン基、ベンゾピレニレン基、クリセニレン基、ベンゾクリセニレン基、ｓ−インダセニレン基、ａｓ−インダセニレン基、ペリレニレン基、フルオランテニレン基、ナフタセニレン基等が挙げられる。これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、環形成炭素数６〜１８のアリーレン基が好ましく、環形成炭素数６〜１２のアリーレン基がより好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニルジイル基、ターフェニルジイル基、フェナントリレン基がさらに好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニルジイル基が特に好ましい。
また、Ｌbが表すアリーレン基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記置換基Ａと同じものが例示できる。
【００３４】
Ｌbが表すヘテロアリーレン基としては、例えばピロリレン基、ピラジニレン基、ピリジニレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、フリレン基、ベンゾフラニレン基、イソベンゾフラニレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、キノキサリニレン基、カルバゾリレン基、９−フェニルカルバゾリレン基、フェナントリジニレン基、アクリジニレン基、フェナジニレン基、フェノチアジニレン基、フェノキサジニレン基、オキサゾリレン基、オキサジアゾリレン基、フラザニレン基、チエニリレン基、ピロリレン基、チオフェニレン基、１−フェニルチオフェニレン基、１，４−ジフェニルチオフェニレン基、ベンゾチオフェニレン基、１−フェニルベンゾチオフェニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、１−フェニルジベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、１−フェニルジベンゾフラニレン基、ベンゾチアゾリレン基等が挙げられる。これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、環形成原子数５〜１５のヘテロアリーレン基が好ましい。
また、Ｌbが表すヘテロアリーレン基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記置換基Ａと同じものが例示できる。
【００３５】
Ｌbとしては、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５（好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１２）のアリーレン基が好ましく、単結合、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニルジイル基、ターフェニルジイル基、フェナントリレン基がより好ましく、単結合、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニルジイル基がさらに好ましい。
【００３６】
式（III）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５のアルキル基、炭素数２〜１５のアルケニル基、環形成炭素数３〜１５のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜２５のアリール基、環形成原子数５〜２５のヘテロアリール基、炭素数１〜１５のアルキル基からなるトリアルキルシリル基、環形成炭素数６〜２５のアリール基からなるトリアリールシリル基、炭素数１〜１５のアルキル基と環形成炭素数６〜２５のアリール基からなるアルキルアリールシリル基、カルバゾリル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。
Ｒ1及びＲ2がそれぞれ独立して表すアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、各種ペンチル基、各種ヘキシル基、各種ヘプチル基、各種オクチル基、各種ノニル基、各種デシル基、各種ウンデシル基、各種ドデシル基等が挙げられる。該アルキル基のアルキル鎖が伸張した場合、本発明の芳香族アミン誘導体の溶解性が向上するため、塗布法による有機ＥＬ素子の作成に好適に使用できる。塗布法に好適な該アルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより好ましい。また、該アルキル基の炭素数が１〜５の場合、本発明の芳香族アミン誘導体の分子量を抑えることができるため、蒸着法による有機ＥＬ素子の作成に好適に使用できる。蒸着法に好適な該アルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３のアルキル基がより好ましい。
【００３７】
Ｒ1及びＲ2がそれぞれ独立して表すアルケニル基としては、上記Ｒ1及びＲ2が表すアルキル基のうち、炭素数が２〜１５のものにおいて、少なくとも１ヶ所の炭素−炭素結合が二重結合になったものが挙げられる。
Ｒ1及びＲ2がそれぞれ独立して表すシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。これらの中でも、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基が好ましく、環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基がより好ましい。
Ｒ1及びＲ2がそれぞれ独立して表すアリール基としては、Ａｒaが表すアリール基と同じものが例示できる。該アリール基としては、環形成炭素数６〜１８のアリール基が好ましく、環形成炭素数６〜１２のアリール基がより好ましい。
Ｒ1及びＲ2がそれぞれ独立して表すヘテロアリール基としては、Ａｒaが表すヘテロアリール基と同じものが例示できる。該ヘテロアリール基としては、環形成原子数５〜１５のヘテロアリール基が好ましい。
【００３８】
Ｒ1及びＲ2がそれぞれ独立して表すトリアルキルシリル基中のアルキル基としては、上記Ｒ1及びＲ2が表すアルキル基と同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。また、シリル基に置換した３つのアルキル基は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ1及びＲ2がそれぞれ独立して表すトリアリールシリル基中のアリール基としては、上記Ｒ1及びＲ2が表すアリール基と同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。また、シリル基に置換した３つのアリール基は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ1及びＲ2がそれぞれ独立して表すアルキルアリールシリル基中のアルキル基及びアリール基としては、上記Ｒ1及びＲ2が表すアルキル基、アリール基と同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。該アルキルアリールシリル基としては、モノアルキルジアリールシリル基、ジアルキルモノアリールシリル基が挙げられる。
Ｒ1及びＲ2がそれぞれ独立して表すハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００３９】
式（III）中、ｏは０〜３の整数を表し、０又は１が好ましく、０がより好ましい。また、ｐは０〜４の整数を表し、０又は１が好ましい。ｏが２又は３、ｐが２〜４の整数である場合、複数のＲ1、Ｒ2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｏが２又は３であるか、ｐが２〜４の整数である場合、又はｏが１〜３の整数であり且つｐが１〜４の整数である場合、隣接した複数のＲ1同士及びＲ2同士、並びにＲ1とＲ2は、互いに結合して環を形成していてもよい。形成された環は、飽和炭化水素部位を一部に含んでいてもよいし、芳香環となっていてもよい。
隣接した複数のＲ1同士及びＲ2同士、並びにＲ1とＲ2は、互いに結合して環を形成する場合、そのＡｒBの具体的な構造としては、例えば以下の構造が挙げられるが、特にこれらに制限されるものではない。
【００４０】
【化１３】
2011059099.tif 000015
【００４１】
これらの中でも、ＡｒBとしては、
【化１４】
2011059099.tif 000016
から選択されるいずれかの基が好ましく、
【化１５】
2011059099.tif 000017
から選択されるいずれかの基がより好ましく、
【化１６】
2011059099.tif 000018
で表される基がさらに好ましい。
【００４２】
式（III）中、Ｘは、ＣＲ3Ｒ4、ＮＲ5、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２５のアリール基を表す。該アルキル基及びアリール基としては、Ｒ1及びＲ2が表すアルキル基及びアリール基と同じものが例示できる。それらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、アルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜５のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。また、同様の観点から、アリール基としては、環形成炭素数６〜１８のアリール基が好ましく、環形成炭素数６〜１２のアリール基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。なお、アリール基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記置換基Ａと同じものが例示できる。
Ｒ3、Ｒ4としては、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、いずれも炭素数１〜１５のアルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜５のアルキル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｒ5としては、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、環形成炭素数６〜２５のアリール基が好ましく、環形成炭素数６〜１８のアリール基がより好ましく、環形成炭素数６〜１２のアリール基がさらに好ましく、フェニル基が特に好ましい。
【００４３】
ＡｒBとしては、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、下記構造
【化１７】
2011059099.tif 000019
（式中、Ｌb、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、ｏ及びｐは、前記式（III）中の定義の通りであり、好ましいものも同じである。）
のいずれかであることが好ましく、
【化１８】
2011059099.tif 000020
（式中、Ｌb、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、ｏ及びｐは、前記式（III）中の定義の通りであり、好ましいものも同じである。）
のいずれかであることがより好ましい。
ここで、ＡｒBの具体例を以下に示すが、特にこれらに限定されるものではない。なお、波線は結合部位を示す。
【００４４】
【化１９】
2011059099.tif 000021
【００４５】
また、式（Ｉ）中、ＡｒCは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２５のヘテロアリール基を表すか、上記式（II−１）、（II−２）又は（III）で表される。
ＡｒCが表すアリール基としては、フェニル基、ナフチルフェニル基、ビフェニリル基、ナフチルビフェニリル基、ターフェニリル基、クオーターフェニリル基、ナフチル基、フェニルナフチル基、ビフェニリルナフチル基、アセナフチル基、アントリル基、アントリルフェニル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニリル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、７−フェニル−９，９−ジメチルフルオレニル基、７−ナフチル−９，９−ジメチルフルオレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニリル基、ピレニル基、ベンゾピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基、フルオランテニルフェニル基、ペリレニル基、ナフタセニル基等が挙げられる。これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、環形成炭素数６〜２５のアリール基が好ましく、環形成炭素数６〜１８のアリール基がより好ましい。
該アリール基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記置換基Ａと同じもの及びカルバゾリル基が例示できる。
【００４６】
ＡｒCが表すヘテロアリール基としては、例えばピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、インドリル基、イソインドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、９−フェニルカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニリル基、ピロリル基、インドリル基、チオフェニル基、１−フェニルチオフェニル基、１，４−ジフェニルチオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、１−フェニルベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、１−フェニルジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、１−フェニルジベンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、環形成原子数５〜１５のヘテロアリール基が好ましく、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基がより好ましい。該ヘテロアリール基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記置換基Ａと同じものが例示できる。
【００４７】
また、ＡｒCは、前記式（II−１）、（II−２）又は（III）で表されるものであってもよく、前記式（II−１）、（II−２）又は（III）で表されることが好ましく、前記式（III）で表されることがより好ましい。この場合、式（II−１）、（II−２）又は（III）中における各基の定義は前記同様であり、好ましいものも同じである。
ＡｒCが前記式（II−１）又は（II−２）で表される場合、ＡｒCはＡｒAと同じでも異なっていてもよいが、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、同じであることが好ましい。
ＡｒCが前記式（III）で表される場合、ＡｒCはＡｒBと同じでも異なっていてもよいが、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、同じであることが好ましい。
ここで、ＡｒCの具体例を以下に示すが、特にこれらに限定されるものではない。なお、波線は結合部位を示す。
【００４８】
【化２０】
2011059099.tif 000022
【００４９】
前記式（１）で表される本発明の芳香族アミン誘導体におけるＡｒA、ＡｒB及びＡｒCの一部をより具体化した化学式構造式としては、以下もの（式中、ＡｒC、Ａｒa、Ｒ1、Ｒ2、Ｌa、Ｌb、ｎ、ｏ、ｐ及びＸは、いずれも前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。）が挙げられる。
【００５０】
【化２１】
2011059099.tif 000023
【００５１】
次に、前記式（Ｉ）で表される本発明の芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、特にこれらに限定されるものではない。
【００５２】
【化２２】
2011059099.tif 000024
【００５３】
【化２３】
2011059099.tif 000025
【００５４】
【化２４】
2011059099.tif 000026
【００５５】
【化２５】
2011059099.tif 000027
【００５６】
【化２６】
2011059099.tif 000028
【００５７】
【化２７】
2011059099.tif 000029
【００５８】
【化２８】
2011059099.tif 000030
【００５９】
【化２９】
2011059099.tif 000031
【００６０】
【化３０】
2011059099.tif 000032
【００６１】
【化３１】
2011059099.tif 000033
【００６２】
【化３２】
2011059099.tif 000034
【００６３】
【化３３】
2011059099.tif 000035
【００６４】
【化３４】
2011059099.tif 000036
【００６５】
【化３５】
2011059099.tif 000037
【００６６】
【化３６】
2011059099.tif 000038
【００６７】
【化３７】
2011059099.tif 000039
【００６８】
【化３８】
2011059099.tif 000040
【００６９】
【化３９】
2011059099.tif 000041
【００７０】
本発明の前記式（Ｉ）で表される芳香族アミン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用である。
なお、本発明の芳香族アミン誘導体の製造方法に特に制限は無く、本明細書の実施例を参照しながら、公知の方法を利用及び応用して製造することができる。
【００７１】
［有機エレクトロルミネッセンス素子］
以下、本発明の有機ＥＬ素子の構成について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の（１）〜（13）を挙げることができるが、特にこれらに限定されるものではない。なお、（８）の素子構成が好ましく用いられる。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（電子輸送層／）電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（10）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（11）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（12）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（13）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（電子輸送層／）電子注入層／陰極
【００７２】
複数の有機薄膜層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできるし、本発明の芳香族アミン誘導体をドーピング材料としても使用することができる。
有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。
また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。
これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
【００７３】
また、本発明の有機ＥＬ素子において、本発明の前記芳香族アミン誘導体は結晶化し難いために上記のいずれの有機薄膜層に用いられてもよいが、有機ＥＬ素子の低電圧化の観点から、正孔注入層又は正孔輸送層に含有されているのが好ましく、正孔輸送層に含有されているのがより好ましい。本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、低駆動電圧で発光効率が高く、且つ素子寿命が長い。
本発明の芳香族アミン誘導体を１つの有機薄膜層、好ましくは正孔注入層又は正孔輸送層に含有させる量は、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、その有機薄膜層の全成分に対して、好ましくは３０〜１００質量％であり、より好ましくは５０〜１００質量％であり、さらに好ましくは８０〜１００質量％であり、特に好ましくは実質１００質量％である。
以下、好ましい形態として、本発明の前記芳香族アミン誘導体を正孔輸送層に含有させた構成の有機ＥＬ素子の各層について説明する。
【００７４】
（基板）
有機ＥＬ素子は、通常、透光性の基板上に作製する。この透光性の基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、その透光性については、波長４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。
このような透光基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等で成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂等の板が挙げられる。
【００７５】
（陽極）
陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４ｅＶ以上（好ましくは４．５ｅＶ以上）の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成することにより得られる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料によっても異なるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００７６】
（陰極）
陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ未満）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、特にこれらに限定されるものではない。該合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
この陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成することにより得られる。
ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、陰極の膜厚は、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００７７】
（絶縁層）
また、一般的に、有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすいため、これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入してもよい。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。なお、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【００７８】
（発光層）
有機ＥＬ素子の発光層は以下（１）〜（３）の機能を併せ持つものである。
（１）注入機能：電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能。
（２）輸送機能：注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能。
（３）発光機能：電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能。
ただし、正孔の注入され易さと電子の注入され易さに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動させることが好ましい。
【００７９】
発光層に使用できるホスト材料又はドーピング材料としては特に制限は無いが、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼン等の縮合多量芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）−４−（フェニルフェノリナート）アルミニウム等の有機金属錯体、アリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、アリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体が好ましく、スチリルアミン誘導体がより好ましい。
【００８０】
（正孔注入層・正孔輸送層）
正孔注入層・正孔輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．７ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入層・正孔輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に、１０-4ｃｍ2／Ｖ・秒以上であることが好ましい。
前記のように、本発明の芳香族アミン誘導体は、特に正孔輸送層に好ましく用いられる。
本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送層に用いる場合、本発明の芳香族アミン誘導体単独で正孔輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。
本発明の芳香族アミン誘導体と混合して正孔輸送層を形成する他の材料としては、上記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。本明細書においては、正孔輸送能を有し、正孔輸送帯域に用いることが可能な材料を正孔輸送材料と呼ぶ。
【００８１】
正孔輸送層用の本発明の芳香族アミン誘導体以外の他の材料の具体例としては、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００８２】
また、本発明の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入材料の中で、効果的な正孔注入材料としては、特に限定されるものではないが、芳香族第三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体が挙げられ、芳香族第三級アミン誘導体が好ましい。
芳香族第三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン等の芳香族第三級モノアミン誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニルイル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニルイル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニルイル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン等の芳香族第三級ジアミン誘導体；Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等の芳香族第三級トリアミン誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ジフェニルアミノ）フェニル−１，１’−ビフェニルイル−４，４’−ジアミン等の芳香族第三級テトラアミン誘導体；又はこれら芳香族第三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、特にこれらに限定されるものではない。これらの中でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、芳香族第三級テトラアミン誘導体が好ましい。
正孔注入材料としてのフタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、例えば、Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ2ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層と陽極との間に、上記芳香族第三級アミン誘導体及び／又はフタロシアニン誘導体を含有する層（正孔輸送層又は正孔注入層）を形成してなることが好ましい。
【００８３】
芳香族第三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体以外の正孔注入層用の材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔注入材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。本明細書においては、正孔注入能を有し、正孔注入帯域に用いることが可能な材料を正孔注入材料と呼ぶ。
本発明の有機ＥＬ素子においては、正孔注入材料として、下記式（Ａ）で表されるヘキサアザトリフェニレン化合物を用いることも好ましい。
【００８４】
【化４０】
2011059099.tif 000042
【００８５】
上記式（Ａ）中、Ｒ111〜Ｒ116は、それぞれ独立にシアノ基、−ＣＯＮＨ2、カルボキシル基、もしくは−ＣＯＯＲ117（Ｒ117は、炭素数１〜２０のアルキル基である。）を表すか、又は、Ｒ111及びＲ112、Ｒ113及びＲ114、もしくはＲ115及びＲ116が一緒になって−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を表す。
なお、Ｒ111〜Ｒ116は、シアノ基、−ＣＯＮＨ2、カルボキシル基又は−ＣＯＯＲ117を表す場合には、いずれも同じ基であることが好ましい。Ｒ111及びＲ112、Ｒ113及びＲ114、もしくはＲ115及びＲ116が一緒になって−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を表す場合、これら全てが−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基であることが好ましい。
また、Ｒ111〜Ｒ116としては、有機ＥＬ素子の駆動電圧、発光効率及び素子寿命の観点から、いずれもシアノ基であることが好ましい。
【００８６】
（電子注入層・電子輸送層）
電子注入層・電子輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい。また、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層（付着改善層）を有していてもよい。
有機ＥＬ素子は、発光した光が電極（この場合は陰極）により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０-5ｃｍ2／Ｖｓ以上であることが好ましい。
電子注入層に用いられる材料としては、具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。
【００８７】
本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム等が好ましく挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
前記含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましく挙げられる。
特に、本発明の有機ＥＬ素子においては、前記含窒素五員誘導体として、下記式（１）〜（３）のいずれかで表されるベンゾイミダゾール誘導体が好ましい。
【００８８】
【化４１】
2011059099.tif 000043
【００８９】
上記式（１）〜（３）中、Ｚ1、Ｚ2及びＺ3は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０のヘテロアリール基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子が置換した炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシ基である。
ｍは、０〜５の整数であり、ｍが２以上の整数であるとき、複数のＲ11は互いに同一でも異なっていてもよい。また、隣接する複数のＲ11同士が互いに結合して、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を形成していてもよい。ｍが２以上の整数であるときに隣接する複数のＲ11同士が互いに結合して表す置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環としては、例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。
Ａｒ1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０のヘテロアリール基である。
Ａｒ2は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子が置換した炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０のヘテロアリール基である。
Ａｒ1及びＡｒ2のうち、少なくとも一方（好ましくはいずれか一方）が、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０のヘテロアリール基であることが好ましい。
Ａｒ3は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０のヘテロアリーレン基である。
Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数９〜６０のヘテロ縮合環基又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
【００９０】
本発明の有機ＥＬ素子においては、本発明の芳香族アミン誘導体を含有する層に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料又は電子注入材料が含有されてもよい。
また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上の観点から、素子の表面に保護層を設けることや、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
【００９１】
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。
角層の膜厚は特に限定されるものではなく、有機ＥＬ素子として適切な膜厚になるように設定すればよい。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がより好ましい。
【００９２】
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。
このような湿式成膜法に適した溶液として、有機ＥＬ材料として本発明の芳香族アミン誘導体と溶媒とを含有する有機ＥＬ材料含有溶液を用いることができる。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。該樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂が挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等が挙げられる。
【実施例】
【００９３】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
なお、下記合成例１〜２３において合成した中間体の構造は、以下の通りである。【００９４】
【化４２】
2011059099.tif 000044
【００９５】
【化４３】
2011059099.tif 000045
【００９６】
＜合成例１（中間体１の合成）＞
アルゴン雰囲気下、１，３，５−トリブロモベンゼン７０ｇ、フェニルボロン酸５４ｇ及びテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム１０．２ｇに、トルエン１２００ｍＬ及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液６５０ｍＬを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２３．９ｇの白色結晶を得た。フィールドディソープションマススペクトル（以下、ＦＤ−ＭＳと称する。）の分析により、該白色結晶を３，５−ジフェニル−１−ブロモベンゼンと同定した。
アルゴン雰囲気下、３，５−ジフェニル−１−ブロモベンゼン２３．９ｇに無水テトラヒドロフラン２５０ｍＬを加え、−４０℃で撹拌中に、１．６ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液６０ｍＬを加えた。反応溶液を０℃まで加温しながら１時間攪拌した。反応溶液を再び−７８℃まで冷却し、ホウ酸トリイソプロピル４３．６ｇの無水テトラヒドロフラン５０ｍＬ溶液を滴下した。反応溶液を室温で５時間攪拌した。１Ｎ塩酸２００ｍＬを加え、１時間攪拌した後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンで洗浄し、１４．８ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該固体を３，５−ジフェニルフェニルボロン酸と同定した。
アルゴン雰囲気下、４−ブロモヨードベンゼン１６．１ｇ、３，５−ジフェニルフェニルボロン酸１４．８ｇ、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）１．３ｇにトルエン３００ｍＬ、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液８０ｍＬを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、１２．５ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色結晶を中間体１と同定した。【００９７】
＜合成例２（中間体２の合成）＞
アルゴン気流下、２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレン５５ｇにヨウ素２３ｇ、過ヨウ素酸２水和物９．４ｇ、水４２ｍＬ、酢酸３６０ｍＬ及び硫酸１１ｍＬを加え、６５℃で３０分撹拌した後、９０℃で６時間反応させた。反応物を氷水に注入し、ろ過した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより、６１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体２と同定した。【００９８】
＜合成例３（中間体３の合成）＞
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ、ジベンゾフラン−４−ボロン酸２２．３ｇ及びテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム２．３１ｇにトルエン３００ｍＬ及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液１５０ｍＬを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２６．２ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色結晶を中間体３と同定した。【００９９】
＜合成例４（中間体４の合成）＞
窒素雰囲気下、ジベンゾフラン１５０ｇに酢酸１Ｌを加え、加熱溶解させた。臭素１８８ｇを時々水冷しながら滴下した後、空冷下に２０時間撹拌した。析出した結晶を濾別し、酢酸、水で順次洗浄し、減圧下乾燥させた。得られた結晶を、減圧蒸留にて精製した後、メタノールで数回再結晶を繰り返し、６６．８ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該固体を中間体４と同定した。【０１００】
＜合成例５（中間体５の合成）＞
アルゴン雰囲気下、中間体４を２４．７ｇに無水テトラヒドロフラン４００ｍＬを加え、−４０℃で撹拌中に、１．６ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液６３ｍＬを加えた。反応溶液を０℃まで加温しながら１時間攪拌した。反応溶液を再び−７８℃まで冷却し、ホウ酸トリメチル２６．０ｇの無水テトラヒドロフラン５０ｍＬ溶液を滴下した。反応溶液を室温で５時間攪拌した。１Ｎ塩酸２００ｍＬを加え、１時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンで洗浄し、１５．２ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該固体を中間体５と同定した。【０１０１】
＜合成例６（中間体６の合成）＞
合成例３において、ジベンゾフラン−４−ボロン酸の代わりに中間体５を２２．３ｇ用いた以外は同様にして反応を行ったところ、２３．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体６と同定した。【０１０２】
＜合成例７（中間体７の合成）＞
９−フェニルカルバゾール１７．７ｇ、ヨウ化カリウム６．０３ｇ及びヨウ素酸カリウム７．７８ｇに、硫酸５．９０ｍＬ及びエタノールを加え、７５℃にて２時間反応した。
冷却後、水、酢酸エチルを加えて分液、抽出した後、重曹水、水を用いて有機層を洗浄し、濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、２１．８ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色固体を中間体７と同定した。【０１０３】
＜合成例８（中間体８の合成）＞
アルゴン気流下、中間体７を１３．１ｇに脱水トルエン及び脱水エーテルを加え、−４５℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．５８ｍｏｌ／Ｌ）２５ｍＬを滴下して、攪拌しながら１時間かけて−５℃まで昇温させた。再び−４５℃まで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル２５ｍＬをゆっくり滴下してから２時間反応させた。
室温に戻した後、１０％希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製し、得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥したところ、７．１０ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該固体を中間体８と同定した。【０１０４】
＜合成例９（中間体９の合成）＞
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ、中間体８を３０．１ｇ及びテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム２．３１ｇに、トルエン３００ｍＬ及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液１５０ｍＬを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２０．２ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色結晶を中間体９と同定した。【０１０５】
＜合成例１０（中間体１０の合成）＞
アルゴン雰囲気下、中間体２を４０．０ｇ、カルバゾール１６．７ｇ、ヨウ化銅（ＣｕＩ）０．２ｇ及び燐酸三カリウム４２．４ｇに、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン２ｍＬ及び１，４−ジオキサン３００ｍＬを加え、１００℃にて２０時間撹拌した。
反応終了後、水３００ｍＬを加えた後分液し、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２４．１ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色結晶を中間体１０と同定した。【０１０６】
＜合成例１１（中間体１１の合成）＞
アルゴン雰囲気下、中間体２を４０．０ｇ、フェニルボロン酸１２．８ｇ及びテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム２．３１ｇに、トルエン３００ｍＬ及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液１５０ｍＬを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、１９．７ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色結晶を中間体１１と同定した。【０１０７】
＜合成例１２（中間体１２の合成）＞
アルゴン雰囲気下、４−トリフェニルメチルフェノール３３．６ｇをジクロロメタン３００ｍＬに溶解させ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物３０．０ｇ及びトリエチルアミン３０．４ｇを加え、３時間撹拌した。
反応終了後、水３００ｍＬを加えた後分液し、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、３７．５ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色結晶を中間体１２と同定した。【０１０８】
＜合成例１３（中間体１３の合成）＞
アルゴン気流下、アセトアミド５．９ｇ、中間体３を３２．３ｇ、ヨウ化銅２．７０ｇ、炭酸カリウム４０．８ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン６．３ｇ、及びキシレン３００ｍＬを入れ、１７５℃にて１９時間反応させた。さらに中間体１を３８．５ｇ入れ、１７５℃にて１９時間反応させた。
冷却後、水を加えてろ過し、残渣をアセトン、メタノール、水で３回洗浄し、２８．４ｇの中間体１３のアセトアミド体を得た。
中間体１３のアセトアミド体２８．４ｇ、水酸化カリウム２６．３ｇ、水２５ｍＬ及びキシレン４０ｍＬを入れて１７５℃にて５時間反応させた。
冷却後、水を加えてろ過し、アセトン、メタノール、水で３回洗浄し、ショートカラム（展開溶媒：トルエン）で精製し、得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄して、減圧乾燥したところ、１６．６ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色固体を中間体１３と同定した。【０１０９】
＜合成例１４（中間体１４の合成）＞
合成例１３において、中間体３の代わりに中間体６を３２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１５．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体１４と同定した。【０１１０】
＜合成例１５（中間体１５の合成）＞
合成例１３において、中間体３の代わりに中間体９を３９．８ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１８．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体１５と同定した。【０１１１】
＜合成例１６（中間体１６の合成）＞
合成例１３において、中間体３の代わりに中間体１０を３９．８ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２１．８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体１６と同定した。【０１１２】
＜合成例１７（中間体１７の合成）＞
合成例１３において、中間体３を６４．６ｇ用い、中間体１を使用しなかった以外は同様に反応を行ったところ、２２．４ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体１７と同定した。【０１１３】
＜合成例１８（中間体１８の合成）＞
合成例３において、ジベンゾフラン−４−ボロン酸の代わりにジベンゾチオフェン−４−ボロン酸を２４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２７．５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体１８と同定した。【０１１４】
＜合成例１９（中間体１９の合成）＞
合成例４において、ジベンゾフランの代わりにジベンゾチオフェンを１６４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、７０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体１９と同定した。【０１１５】
＜合成例２０（中間体２０の合成）＞
合成例５において、中間体４の代わりに中間体１９を２６．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１６．５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体２０と同定した。【０１１６】
＜合成例２１（中間体２１の合成）＞
合成例３において、ジベンゾフラン−４−ボロン酸の代わりに中間体２０を２４．０ｇ用いた以外は同様にして反応を行ったところ、２４．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体２１と同定した。【０１１７】
＜合成例２２（中間体２２の合成）＞
合成例１３において、中間体３の代わりに中間体１８を３３．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１６．４ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体２２と同定した。【０１１８】
＜合成例２３（中間体２３の合成）＞
合成例１３において、中間体３の代わりに中間体２１を３３．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１６．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該白色粉末を中間体２３と同定した。【０１１９】
下記合成実施例１〜３２において製造した本発明の芳香族アミン誘導体の構造は以下の通りである。【０１２０】
【化４４】
2011059099.tif 000046
【０１２１】
【化４５】
2011059099.tif 000047
【０１２２】
【化４６】
2011059099.tif 000048
【０１２３】
＜合成実施例１（芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の製造）＞
アルゴン気流下、中間体１３を５．６ｇ、中間体３を３．２ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１．３ｇ（広島和光株式会社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム４６ｍｇ（アルドリッチ社製）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２１ｍｇ及び脱水トルエン５０ｍLを入れ、８０℃にて８時間反応させた。
冷却後、水５００ｍLを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、５．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１）と同定した。【０１２４】
＜合成実施例２（芳香族アミン誘導体（Ｈ２）の製造）＞
合成実施例１において、中間体３の代わりに中間体６を３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２）と同定した。【０１２５】
＜合成実施例３（芳香族アミン誘導体（Ｈ３）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１４を５．６ｇ用い、中間体３の代わりに中間体６を３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ３）と同定した。【０１２６】
＜合成実施例４（芳香族アミン誘導体（Ｈ４）の製造）＞
合成実施例１において、中間体３の代わりに４−ブロモ−ｐ−ターフェニルを３．１ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ４）と同定した。【０１２７】
＜合成実施例５（芳香族アミン誘導体（Ｈ５）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１４を５．６ｇ用い、中間体３の代わりに４−ブロモ−ｐ−ターフェニルを３．１ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ５）と同定した。【０１２８】
＜合成実施例６（芳香族アミン誘導体（Ｈ６）の製造）＞
合成実施例１において、中間体３の代わりに４−ブロモビフェニルを２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ６）と同定した。【０１２９】
＜合成実施例７（芳香族アミン誘導体（Ｈ７）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１４を５．６ｇ用い、中間体３の代わりに４−ブロモビフェニルを２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．７ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ７）と同定した。【０１３０】
＜合成実施例８（芳香族アミン誘導体（Ｈ８）の製造）＞
合成実施例１において、中間体３の代わりにブロモベンゼンを１．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ８）と同定した。【０１３１】
＜合成実施例９（芳香族アミン誘導体（Ｈ９）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１４を５．６ｇ用い、中間体３の代わりにブロモベンゼンを１．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ９）と同定した。【０１３２】
＜合成実施例１０（芳香族アミン誘導体（Ｈ１０）の製造）＞
合成実施例１において、中間体３の代わりに中間体１１を３．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１０）と同定した。【０１３３】
＜合成実施例１１（芳香族アミン誘導体（Ｈ１１）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１４を５．６ｇ用い、中間体３の代わりに中間体１１を３．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．７ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１１）と同定した。【０１３４】
＜合成実施例１２（芳香族アミン誘導体（Ｈ１２）の製造）＞
合成実施例１において、中間体３の代わりに中間体１を３．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１２）と同定した。【０１３５】
＜合成実施例１３（芳香族アミン誘導体（Ｈ１３）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１４を５．６ｇ用い、中間体３の代わりに中間体１を３．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１３）と同定した。【０１３６】
＜合成実施例１４（芳香族アミン誘導体（Ｈ１４）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１５を６．４ｇ用い、中間体３の代わりに４−ブロモビフェニルを２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１４）と同定した。【０１３７】
＜合成実施例１５（芳香族アミン誘導体（Ｈ１５）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１５を６．４ｇ用い、中間体３の代わりにブロモベンゼンを１．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１５）と同定した。【０１３８】
＜合成実施例１６（芳香族アミン誘導体（Ｈ１６）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１６を６．８ｇ用い、中間体３の代わりに４−ブロモビフェニルを２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１６）と同定した。【０１３９】
＜合成実施例１７（芳香族アミン誘導体（Ｈ１７）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１６を６．８ｇ用い、中間体３の代わりにブロモベンゼンを１．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１７）と同定した。【０１４０】
＜合成実施例１８（芳香族アミン誘導体（Ｈ１８）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１７を５．０ｇ用い、中間体３の代わりに中間体１２を４．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．７ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１８）と同定した。【０１４１】
＜合成実施例１９（芳香族アミン誘導体（Ｈ１９）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２２を５．８ｇ用い、中間体３の代わりに中間体１８を３．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．７ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１９）と同定した。【０１４２】
＜合成実施例２０（芳香族アミン誘導体（Ｈ２０）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２２を５．８ｇ用い、中間体３の代わりに中間体２１を３．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．７ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２０）と同定した。【０１４３】
＜合成実施例２１（芳香族アミン誘導体（Ｈ２１）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２３を５．８ｇ用い、中間体３の代わりに中間体２１を３．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２１）と同定した。【０１４４】
＜合成実施例２２（芳香族アミン誘導体（Ｈ２２）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２２を５．８ｇ用い、中間体３の代わりに４−ブロモ−ｐ−ターフェニルを３．１ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２２）と同定した。【０１４５】
＜合成実施例２３（芳香族アミン誘導体（Ｈ２３）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２３を５．８ｇ用い、中間体３の代わりに４−ブロモ−ｐ−ターフェニルを３．１ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２３）と同定した。【０１４６】
＜合成実施例２４（芳香族アミン誘導体（Ｈ２４）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２２を５．８ｇ用い、中間体３の代わりに４−ブロモビフェニルを２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２４）と同定した。【０１４７】
＜合成実施例２５（芳香族アミン誘導体（Ｈ２５）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２３を５．８ｇ用い、中間体３の代わりに４−ブロモビフェニルを２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２５）と同定した。【０１４８】
＜合成実施例２６（芳香族アミン誘導体（Ｈ２６）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２２を５．８ｇ用い、中間体３の代わりにブロモベンゼンを１．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２６）と同定した。【０１４９】
＜合成実施例２７（芳香族アミン誘導体（Ｈ２７）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２３を５．８ｇ用い、中間体３の代わりにブロモベンゼンを１．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２７）と同定した。【０１５０】
＜合成実施例２８（芳香族アミン誘導体（Ｈ２８）の製造）＞
合成実施例１において、中間体３の代わりに２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを２．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２８）と同定した。【０１５１】
＜合成実施例２９（芳香族アミン誘導体（Ｈ２９）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１４を５．６ｇ用い、中間体３の代わりに２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを２．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２９）と同定した。【０１５２】
＜合成実施例３０（芳香族アミン誘導体（Ｈ３０）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体１５を６．４ｇ用い、中間体３の代わりに２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを２．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ３０）と同定した。【０１５３】
＜合成実施例３１（芳香族アミン誘導体（Ｈ３１）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２２を５．８ｇ用い、中間体３の代わりに２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを２．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ３１）と同定した。【０１５４】
＜合成実施例３２（芳香族アミン誘導体（Ｈ３２）の製造）＞
合成実施例１において、中間体１３の代わりに中間体２３を５．８ｇ用い、中間体３の代わりに２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを２．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ３２）と同定した。【０１５５】
［実施例１（有機ＥＬ素子の製造）］
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記芳香族第三級アミン誘導体（Ｈ２３２）を蒸着し、膜厚６０ｎｍのＨ２３２膜を正孔注入層として成膜した。このＨ２３２膜上に、正孔輸送材料として前記合成実施例１で得た芳香族アミン誘導体（Ｈ１）を蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を成膜した。さらに下記化合物ＥＭ１を蒸着し、膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリルアミン誘導体（Ｄ１）を、ＥＭ１とＤ１の重量比（ＥＭ１：Ｄ１）が４０：２になるように蒸着した。
この膜上に、下記有機金属錯体（Ａｌｑ）を膜厚１０ｎｍとなるよう成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１５６】
【化４７】
2011059099.tif 000049
【０１５７】
［実施例２〜２１（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例１において、正孔輸送材料として芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の代わりに表１に記載の各芳香族アミン誘導体を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１５８】
［実施例２２（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例１において、スチリルアミン誘導体（Ｄ１）の代わりに下記アリールアミン誘導体（Ｄ２）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１５９】
【化４８】
2011059099.tif 000050
【０１６０】
［実施例２３（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例１において、電子輸送材料として有機金属錯体（Ａｌｑ）の代わりに下記ベンゾイミダゾール誘導体（ＥＴ１）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１６１】
【化４９】
2011059099.tif 000051
【０１６２】
［実施例２４（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例１において、芳香族第三級アミン誘導体（Ｈ２３２）の代わりに下記アクセプター化合物（Ｃ−１）１０ｎｍを製膜し、その後、芳香族アミン誘導体（Ｈ１）を厚さ７０ｎｍに製膜した以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１６３】
【化５０】
2011059099.tif 000052
【０１６４】
［比較例１〜３］
実施例１において、正孔輸送材料として芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の代わりに表１に示す様に下記比較化合物１〜３のいずれかを用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１６５】
【化５１】
2011059099.tif 000053
【０１６６】
［比較例４］
実施例２２において、正孔輸送材料として芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の代わりに前記比較化合物１を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１６７】
［比較例５］
実施例２３において、正孔輸送材料として芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の代わりに前記比較化合物１を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１６８】
［比較例６］
実施例２４において、正孔輸送材料として芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の代わりに前記比較化合物１を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１６９】
【表１】
2011059099.tif 000054
【０１７０】
表１より、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、公知の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子に比べ、低駆動電圧で高発光効率を得ることができ、さらに素子寿命が数倍も延びていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１７１】
本発明の芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子用材料（特に正孔輸送材料）として利用すると、発光効率が高く、且つ長寿命の有機ＥＬ素子であって、低電圧化された有機ＥＬ素子が得られる。このため、本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。
また、本発明の芳香族アミン誘導体は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても有用である。
【国際調査報告】
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