(57)【要約】光と熱とが掛け合わされる状況であっても、長期間に亘って反射率を向上させることを可能としたＬＥＤ光源装置及びその製造方法を提供することを目的とする。基材と、基材上に形成された電極と、電極が形成された基材表面において電極以外を覆い隠すように配置された白色無機レジスト層と、電極と接続されたＬＥＤ素子を有し、白色無機レジスト層は無機バインダに分散又は混合された白色の無機微粒子を含むことを特徴とするＬＥＤ光源装置、及びそのようなＬＥＤ光源装置の製造方法。
2012002580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上に形成された電極と、
前記電極が形成された基材表面において前記電極以外を覆い隠すように配置された白色無機レジスト層と、
前記電極と接続されたＬＥＤ素子と、を有し、
前記白色無機レジスト層は、無機バインダに分散又は混合された白色の無機微粒子を含む、
ことを特徴とするＬＥＤ光源装置。
【請求項２】
前記電極は導電性ポストを更に有し、
前記白色無機レジスト層が、前記導電性ポスト以外の基板を覆い隠すように配置されており、
前記ＬＥＤ素子は前記導電性ポストと接続されている、請求項１に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項３】
前記ＬＥＤ素子は、前記導電性ポストに対してフリップチップ実装されている、請求項２に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項４】
前記導電性ポストと前記ＬＥＤ素子は、金錫共晶結合されている、請求項２に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項５】
前記白色無機レジスト層に覆われ、前記ＬＥＤ素子と接続されたツェナーダイオードを更に有する、請求項１に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項６】
前記基材は、樹脂基材である、請求項１に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項７】
前記白色無機レジスト層と前記基材との間に配置された白色有機レジスト層を更に有する、請求項１に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項８】
基材上に電極を形成し、
前記電極が形成された基材表面において前記電極以外を覆い隠すように白色レジスト材料を配置し、
前記白色レジスト材料を研磨して前記電極の表面のみを露出させることによって白色無機レジスト層を形成し、
露出された前記電極とＬＥＤ素子を接続する、ステップを有し、
前記白色無機レジスト層は、無機バインダに分散又は混合された白色の無機微粒子を含む、
ことを特徴とするＬＥＤ光源装置の製造方法。
【請求項９】
前記電極上に導電性ポストを形成するステップを更に有し、
白色レジスト材料を配置するステップは、前記導電性ポスト以外を覆い隠すように  白色レジスト材料を配置し、
白色無機レジスト層を形成するステップは、前記白色レジスト材料を研磨して前記導電性ポストの表面のみを露出させる、請求項８に記載のＬＥＤ光源装置の製造方法。
【請求項１０】
白色無機レジスト層を形成するステップは、前記導電性ポストの周囲のみ前記白色レジスト材料を研磨する、請求項９に記載のＬＥＤ光源装置の製造方法。
【請求項１１】
前記白色無機レジスト層と前記基材との間に白色有機レジスト層を形成するステップを更に有する、請求項８に記載のＬＥＤ光源装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ光源装置及びその製造方法に関し、特に、ＬＥＤ発光素子を有するＬＥＤ光源装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材と、基材上に形成される電極と、電極上に実装される発光素子と、発光素子を基材上に封止する封止体を有する発光ダイオードにおいて、基材の電極部分以外を遮光膜で覆い、遮光膜の上に白系の樹脂材からなる光反射膜を形成することが知られている（特許文献１参照）。
基材と、基材上に形成される電極と、電極上に実装される発光素子と、発光素子を基材上に封止する封止体を有する発光ダイオードにおいて、基材の電極部分以外に、白色無機レジスト層を形成し、白色光に対する反射率を高めることが知られている（特許文献２参照）。特許文献２に記載の白色無機レジスト層には、微細な酸化チタン（ＴｉＯ２）微粒子及び硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）微粒子の無機材料や、微細な多孔質アクリル樹脂微粒子及びポリカーボネイト樹脂微粒子の有機材料が利用できることが記載されている。なお、具体的な白色無機レジスト層の例としては、タムラ化研株式会社製のソルダーレジストＦＩＮＥＤＥＬ  ＤＳＲ−３３０Ｓ４２−１３Ｗ（商品名）、太陽インキ製造株式会社製のＳ−１００Ｗ  ＣＭ２９（商品名）、及び太陽インキ製造株式会社製のフォトファイナーＰＭＲ−６０００  Ｗ３０／ＣＡ−４０  Ｇ３０（商品名）を利用できることが記載されている。
しかしながら、特許文献１及び２に記載される光反射膜や白色無機レジスト層は、有機材料を主たる成分にする物、又は有機バインダに無機材料を分散又は混入させるものであった。したがって、光反射率を向上させることはできても、光と熱による劣化が生じ易いという問題があった。特に、光の波長が、紫外域ではなく４００ｎｍ以上の可視光域の波長であっても光と熱とが掛け合わされることによって、有機材料が分解し、光反射膜や白色無機レジスト層が有効に機能しなくなる場合があった。また、電極の周囲に光反射膜や白色無機レジスト層を形成するためには通常は印刷法等が利用されるが、そのような方法で光反射膜や白色無機レジスト層を形成する場合には所定のマージンを取らねばならない。したがって、電極の周囲等に光反射膜や白色無機レジスト層を形成することができない箇所が生じ、基材全体の反射率が低下する要因となっていた。
入出力電極端子部と、入出力電極端子部上に形成され且つ入出力電極端子部とほぼ同じ大きさを有する導電性ポストと、導電性ポストが形成された側に形成された樹脂層を有する半導体素子を、回路基板端子と導電性ポストが接続するように回路基板に実装することが知られている（特許文献３参照）。
しかしながら、特許文献３では、導電性ポストは、半導体素子と回路基板との間の隙間を埋める封止材としての樹脂層を容易に配置するためのものであって、半導体素子の電極を樹脂層により覆い隠すためのものではなかった。
ｎ型窒化物半導体、ｐ型窒化物半導体、及びその間に配置された活性層等を含む発光素子と、発光素子の各電極のボンディング面のそれぞれに設けられたバンプと、バンプの上面が露出するように発光素子全体を覆う透明性モールドを有する発光装置が知られている（特許文献４参照）。特許文献４に記載の発光装置では、バンプの形成後にバンプを覆うように透明性モールドを形成し、その後透明性モールドの表面を研磨することによって、バンプの表面が露出されるようにしている。
しかしながら、特許文献４に記載の発光装置は、バンプや透明性モールドをウエハー上に形成するものであって、発光素子を実装する基板の反射率を向上させようとするものではなかった。
【特許文献１】特開２００９−１７６８４７号公報（図７）
【特許文献２】特開２００８−２５８２９６号公報（第１２頁）
【特許文献３】特開２００１−１３５６６２号公報（図５）
【特許文献４】特開２００２−１１８２９３号公報（図３）
【発明の概要】
【０００３】
本明細書では、上記の不具合を解決することを可能としたＬＥＤ光源装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本明細書では、光と熱とが掛け合わされる状況であっても、長期間に亘って高い反射率を維持することを可能としたＬＥＤ光源装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本明細書では、基板全体の反射率を向上させることを可能としたＬＥＤ光源装置及びＬＥＤ光源装置の製造方法を提供することを目的とする。
本明細書では、発光素子からの光及び熱の影響を抑え、且つ発光素子からの光を効率良く反射して光の利用効率を向上させることを可能とした、ＬＥＤ光源装置及びＬＥＤ光源装置の製造方法を提供することを目的とする。
ＬＥＤ光源装置は、基材と、基材上に形成された電極と、電極が形成された基材表面において電極以外を覆い隠すように配置された白色無機レジスト層と、電極と接続されたＬＥＤ素子を有し、白色無機レジスト層は無機バインダに分散又は混合された白色の無機微粒子を含むことを特徴とする。
ＬＥＤ光源装置の製造方法は、基材上に電極を形成し、電極が形成された基材表面において電極以外を覆い隠すように白色レジスト材料を配置し、白色レジスト材料を研磨して電極の表面のみを露出させることによって白色無機レジスト層を形成し、露出された電極とＬＥＤ素子を接続する段階を有し、白色無機レジスト層は無機バインダに分散又は混合された白色の無機微粒子を含む、ことを特徴とする。
ＬＥＤ光源装置及びＬＥＤ光源装置の製造方法では、基材は、樹脂基材であることが好ましい。
ＬＥＤ光源装置及びその製造方法では、無機バインダに分散又は混合された白色の無機微粒子を含む白色無機レジスト層を利用していることから、基材の光及び熱による劣化を大幅に低減することができるので、反射率が高く且つ耐久性の高い基材を利用する必要がない。したがって、樹脂基材等を利用することができるので、安価且つ容易に製造することが可能となった。
ＬＥＤ光源装置及びその製造方法では、無機バインダに分散又は混合された白色の無機微粒子を含む白色無機レジスト層を利用していることから、ＬＥＤ素子から発生される光及び熱に対して安定であり、ＬＥＤ光源装置の輝度の低下を長期間に渡って防止することが可能となった。
ＬＥＤ光源装置及びその製造方法では、無機バインダに分散又は混合された白色の無機微粒子を含む白色無機レジスト層を利用していることから、白色無機レジスト層や光反射層、電極、及び／又は基材が劣化して分解し、封止体に移行することがなく、封止体の劣化や封止体の透明度が低下することによる光量の低下を長期間に渡って防止することが可能となった。
ＬＥＤ光源装置及びその製造方法では、無機バインダに分散又は混合された白色の無機微粒子を含む白色無機レジスト層を利用していることから、白色無機レジスト層の熱伝導率が高く、ＬＥＤ素子から発せられる熱を効率よく基材全体に分散することができるので、放熱効果が高い。したがって、基材の一部に熱が集中又はこもることがなく、基材の熱による劣化を長期間に渡って防止することが可能となった。
ＬＥＤ光源装置は、基板と、基板上に形成された電極と、電極上に形成された導電性ポストと、導電性ポスト部分以外の電極及び基板を覆い隠すように配置された反射層と、導電性ポストと接合された発光素子を有することを特徴とする。
ＬＥＤ光源装置では、発光素子は、導電性ポストに対してフリップチップ実装されていることが好ましい。
ＬＥＤ光源装置では、導電性ポストと発光素子は、金錫共晶接合されていることが好ましい。
ＬＥＤ光源装置の製造方法は、基板上に電極を形成し、電極上に導電性ポストを形成し、基板、電極及び導電性ポストを覆い隠すように反射材料を配置し、反射材料を研磨して導電性ポストの表面のみを露出させることによって反射層を形成し、露出された導電性ポストと発光素子を接合する段階を有することを特徴とする。
ＬＥＤ光源装置及びＬＥＤ光源装置の製造方法では、ＬＥＤ光源装置の発光面側において、装置に必要な素子と接合するための導電性ポスト以外の全ての部分が反射層に覆われているため、装置の反射効率を著しく高めることが可能となった。
ＬＥＤ光源装置及びＬＥＤ光源装置の製造方法では、一旦基板の発光面側の全て反射層を形成し、その後その上部を研磨することによって導電性ポスト部分を露出させるようにしたので、印刷法によって光反射層を形成する場合と比較して、電極の周囲にマージン等を取る必要がなく、基板の発光面側の反射率を著しく高めることが可能となった。さらに、基板の発光面側全体を反射層で覆うようにしたので、反射率が低かったり光や熱で劣化したりする基板材料、例えば、樹脂基板等を利用することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
図１は、ＬＥＤ光源装置１の概略断面図である。
図２（ａ）〜図２（ｇ）は、ＬＥＤ光源装置１の製造工程を説明するための図（１）である。
図３（ａ）〜図３（ｄ）は、ＬＥＤ光源装置１の製造工程を説明するための図（２）である。
図４は、基材の耐熱耐光試験装置の概略構成図である。
図５（ａ）〜図５（ｃ）は、図４に示す試験装置を用いて実験を行った結果を示す図である。
図６（ａ）〜図６（ｂ）は、図４に示す試験装置を用いて実験を行った結果を示す図である。
図７は、他のＬＥＤ光源装置２の概略断面図である。
図８は、更に他のＬＥＤ光源装置３の概略断面図である。
図９は、更に他のＬＥＤ光源装置４の概略断面図である。
図１０は、更に他のＬＥＤ光源装置５の概略図である。
図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、ＬＥＤ光源装置５の製造工程を説明するための図（１）である。
図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は、ＬＥＤ光源装置５の製造工程を説明するための図（２）である。
図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、ＬＥＤ光源装置５の製造工程を説明するための図（３）である。
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、ＬＥＤ光源装置５の電極及び導電性ポストの配置例を示した図である。
図１５は、更に他のＬＥＤ光源装置６の概略断面図である。
図１６は、更に他のＬＥＤ光源装置７の概略断面図である。
図１７は、更に他のＬＥＤ光源装置８の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
以下図面を参照して、ＬＥＤ光源装置及びその製造方法について説明する。但し、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。
図１は、ＬＥＤ光源装置１の概略断面図である。
ＬＥＤ光源装置１は、基材１０の上面上（発光面側）に形成された電極１４ａ及び１４ｂ、基材１０の下面上（例えば、マザー基材に実装される側）に形成された電極１４ｃ及び１４ｄ、電極１４ａ上に形成されたＮｉメッキ層１５ａ及びＡｇメッキ層１６ａ、電極１４ｂ上に形成されたＮｉメッキ層１５ｂ及びＡｇメッキ層１６ｂ、白色無機レジスト層３０、電極１４ｂと接合されたＬＥＤ素子４０、ＬＥＤ素子４０と電極１４ａとを接続するワイヤ４１、ＬＥＤ素子４０と電極１４ｂとを接続するワイヤ４３、ＬＥＤ素子４０、ワイヤ４１及び４３、及び基材１０の上面側を覆うように配置された封止体５０等から構成されている。なお、ワイヤ４１は位置４２で電極１４ａ上にボンディングされ、ワイヤ４３は位置４４で電極１４ｂ上にボンディングされている。
基材１０は、ガラスクロスと無機フィラーにより熱安定性、寸法安定性を強化したエポキシ樹脂（ガラスエポキシ樹脂）によって構成されている。しかしながら、基材１０は、絶縁性、耐熱性を持った他の素材、例えば、一般的なプリン配線基板用基材であるベークライト、通常のエポキシ樹脂よりも耐熱性に優れているＢＴレジンを用いたＢＴレジン基材やシリコーン基材、セラミックス基材である窒化アルミなどにより構成されたものであっても良い。特に、白色無機レジスト層３０が基材１０の発光面側全体に形成されることから、反射率の低い、アイボリー色等の一般的な有色系エポキシ樹脂、シリコーン、窒化アルミ（反射率４０％程度）や、透明なガラス等も利用することが可能である。
電極１４ａ及び電極１４ｃは、基材１０に形成されたスルーホール１１を介して導通されている。電極１４ｂ及び電極１４ｄも、基材１０に形成されたスルーホール１１を介して導通されている。電極１４ａ、電極１４ｂ、電極１４ｃ及び電極１４ｄは、Ｃｕによって形成されている。また、ワイヤ４１及び４３は、Ａｕにより構成されている。
白色無機レジスト層３０は、無機バインダとして機能するシリカゾルに白色無機微粒子である酸化チタンのフィラーを分散又は混合させたものである。白色無機レジスト層３０は、低温（１５０℃程度）で硬化させるための触媒（例えば、酢酸等の有機酸や塩酸等の無機酸）が混入されているが、この触媒がなくても硬化反応は進行する。
なお、白色無機レジスト層３０は、上記の材料に限定されるものではなく、無機バインダに白色のフィラーが分散されたものであれば、他のものを利用することが可能である。例えば、無機バインダとしては、アルカリシリケート、コロイダルシリカ、水性シリカゾル、オルガノシリカゾル等の珪素化合物、コロイダルアルミナ、コロイダルジルコニア等の無機コロイド、アルキルシリケート等の多価金属アルコキシドを利用することができる。また、白色フィラーとしては、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ白、タルクを利用することができる。
ＬＥＤ素子４０として、青色光を発光する窒化物系化合物半導体（例えば、青色ＬＥＤ）が用いられている。ＬＥＤ素子４０は、発光部を図中の上側に向けて、底部が電極１４ｂ上に接合され、ワイヤ４１及び４３によって、電極１４ａ及び１４ｂと接続されている。しかしながら、ＬＥＤ素子４０は、金バンプ等を利用して、発光面をフェースダウンにしてフリップチップ実装されていても良い。金バンプは、金錫共晶層、金バンプ層及びＵＢＭ（アンダーバンプメタル）層の積層構造を有していることが好ましい。また、金バンプによる金錫共晶接合は、ＬＥＤ素子４０を電極に比較的低温（約３００℃）で接合できるにもかかわらず、後にＬＥＤ光源装置１がマザー基材にリフロー方式ではんだ付けされるとき（約２６０℃）にも接合が維持されるので、接続信頼性を増加させることが可能となる。
封止体５０は、透光性を有するシリコーン系の樹脂材料によって構成され、白色無機レジスト層３０上にＬＥＤ素子４０、ワイヤ４１及び４３を覆うようにして形成されている。また、封止体５０には、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体が混入され、ＬＥＤ素子４０からの青色光と蛍光体からの黄色光が混ざり合って擬似白色光が出射されるように構成されている。しかしながら、ＬＥＤ素子４０及び封止体５０の種類及び構成は、上記に限定されず、他の種類のＬＥＤや蛍光体を用いても良いし、封止体５０には蛍光体を含まないように構成しても良い。
ＬＥＤ光源装置１では、ＬＥＤ素子４０及び封止体５０に含まれる蛍光体から下方に向かう光は、白色無機レジスト層３０によって反射され、封止体５０を通過して外部へ向けて出射される。白色無機レジスト層３０は、基材１０上において、電極１４ａ及び１４ｂ以外の全ての領域を覆っているので、半導体発光素子１の反射率を非常に高く維持することが可能となる。また、同時に、白色無機レジスト層３０は、ＬＥＤ素子４０から発せられる熱を基材１０全体に伝える放熱効果が高い。したがって、白色無機レジスト層３０及び基材１０の一部に熱が集中して材質が変性、変色又は分解を起こすことを防止する効果もある。
以下図２及び図３を用いて、ＬＥＤ光源装置１の製造方法について説明する。
最初に、図２（ａ）に示す様な両面に銅箔１３を張り合わせたアイボリー色の両面銅貼りＢＴレジンから構成される基材１０に、図２（ｂ）に示す様に、スルーホール１１を２箇所形成する。
次に、図２（ｃ）に示す様に、上面と下面の電極を導通させるためにスルーホール内を銅メッキ法によりＣｕ１２を充填する。
次に、図２（ｄ）に示す様に、フォトリソシ用レジスト２０を、基材１０上に形成する。なお、後述する電極形成の為に、レジスト２０形成前に、基材１０に下地処理を行うようにしてもよい。
次に、図２（ｅ）に示す様に、フォトリソ法を用い、配線パターンに応じてレジストを露光後、部分的にレジスト２０を除去し、図２（ｆ）に示すように露出したＣｕ面をエッチング後、図２（ｇ）に示すように残りのレジスト２０を除去することによりＣｕから構成される電極１４を形成する。電極１４は、スルーホール１１を介して、基材１０の上下で導通されている。電極１４の厚さは３０〜４５μｍである。
次に、図３（ａ）に示す様に、基材１０の図中の上部側に、基材１０の上部側表面及び電極１４を全て覆う様に、白色無機レジストをスクリーン印刷によって配置する。その後、１５０℃の雰囲気下で硬化させ、白色無機レジスト層３１を形成する。前述したように、電極１４の厚さが３０〜４５μｍであるので、白色無機レジスト層３１の厚さは、３５〜５０μｍ程度であることが好ましい。なお、白色無機レジストは、無機バインダとして機能するシリカゾルに白色顔料である酸化チタンのフィラーと硬化収縮を防止するためのシリカフィラーを分散したものである。
次に、図３（ｂ）に示す様に、電極１４の上部表面が露出する程度まで、白色無機レジスト層３１をバフ研磨して、白色無機レジスト層３０を形成する。したがって、白色無機レジスト層３０の厚さは、電極１４の厚さに等しい。
次に、図３（ｃ）に示す様に、電極１４の図中上部側にＮｉメッキ層１５及びＡｇメッキ層１６を形成する。
次に、図３（ｄ）に示す様に、Ｎｉ−Ａｇメッキ層が形成された電極上に、ＬＥＤ素子４０を接合し、ワイヤ４１及び４３によりＬＥＤ素子４０と電極１４とを接続する。その後、封止体５０をＬＥＤ素子４０、ワイヤ４１及び４３を覆うように形成して、ＬＥＤ光源装置１を完成する。
図４は、基材の耐熱耐光試験装置の概略構成図である。
図４に示す試験装置は、Ａｌ厚板台６０、厚板台６０上に配置された試験用基材６２、発光面側を試験用基材６２上に接触させるように配置されたＬＥＤ素子パッケージ６３、ＬＥＤ素子パッケージ６３上に配置されたＡｌブロック６１等から構成される。ＬＥＤ素子パッケージ６３は、前述したＬＥＤ光源装置１のＬＥＤ素子４０を利用しているが、その駆動装置（電源を含む）は図示していない。ＬＥＤ素子パッケージ６３は、ＬＥＤ素子４０を多数個配列した５ＷクラスのＬＥＤパッケージである。Ａｌブロック６１はＬＥＤ素子パッケージ６３と試験用基材６２の接触面から漏れ光が出ない程度の重さのものであれば良い。
図５及び図６は、図４に示す試験装置を用いて実験を行った結果を示す図である。
実験は、図４に示す試験装置を、１００℃雰囲気下に置き、ＬＥＤ素子パッケージ６３を点灯させて１週間放置して、実験前と実験後における基材の状況を検査した。
図５（ａ）は、基材１０と同じアイボリー色のＢＴレジン基材に、白色無機レジスト層３０を設けずに、上記実験を行った結果を示している。ここで、図５（ａ）の７０が実験前の基材表面の一部を示し、図５（ａ）の７１が実験後の基材表面を示している。
実験後の基材表面でＬＥＤ素子パッケージ６３が接触していた部分８０は、ガラスクロスとフィラーのみとなる白化現象を起こしてぼろぼろの状態となっている。また、その周囲部分８１では、基材の表面が茶色に変色している。部分８０では、ＬＥＤ素子パッケージ６３からの光及び熱の相互作用によって、基材の有機物が低分子化して分解してしまったものと推測できる。また、周囲部分８１では、ＬＥＤ素子パッケージ６３からの熱によって、基材の表面が変色してしまったものと推測できる。
図５（ｂ）は、特許文献２に記載の白色材料と同等である山栄化学株式会社製レジストインキ；ＬＥ−６０００Ｓ（商品名）（エポキシアクリレート樹脂に白色無機顔料として酸化チタンを含む）を基板１０と同じアイボリー色のＢＴレジン基材上に、厚さ３０μｍで形成した上で、上記実験を行った結果を示している。ここで、図５（ｂ）の７２が実験前の基材表面の一部を示し、図５（ｂ）の７３が実験後の基材表面を示している。
実験後の基材表面でＬＥＤ素子パッケージ６３が接触していた部分８２は、レジストインキはもとより、基材であるＢＴレジンも白化現象を起こし、当初光沢面であったレジストインキ塗布表面がマット状に変化し、図５（ａ）と同様の状態となっている。また、その周囲部分８３もレジストインキ塗布表面はマット状に変化し、下のＢＴレジン基材が茶色に変色しており、図５（ａ）と同様の結果となった。部分８２では、ＬＥＤ素子パッケージ６３からの光及び熱の相互作用によって、レジストインキの有機バインダが低分子化して分解し、無機の微粒子のみが残存した状態となり、下のＢＴレジンも分解し、ガラスクロスとフィラーのみが残存する状態となってしまったものと推測できる。また、周囲部分８３では、ＬＥＤ素子パッケージ６３からの熱によって、レジストインキの有機バインダが分解すると共にＢＴレジンも変色してしまったものと推測できる。なお、ここでは、有機バインダに白色の無機フィラーを混合、または分散したレジストインキを用いたが、有機バインダに白色の有機フィラーを混合、または分散したレジストインキを用いた場合は有機バインダと共に有機フィラーも分解してしまうと推測できる。
図５（ｃ）は、図１に示す白色無機レジスト層３０と同じ材質の白色無機レジスト（無機バインダに無機の酸化チタン（ＴｉＯ２）微粒子を分散させたもの）を基板１０と同じアイボリー色のガラスエポキシ樹脂基材上に、厚さ３０μｍで形成した上で、上記実験を行った結果を示している。ここで、図５（ｃ）の７４が実験前の基材表面の一部を示し、図５（ｃ）の７５が実験後の基材表面を示している。
実験後の基材表面でＬＥＤ素子パッケージ６３が接触していた部分８４は、目視では、実験前の状況と同様であり、特に白化現象も変色も見られない。同様に、ここでは図示していないが、基材裏面も、実験前後で、目視では、大きな差は見受けられなかった。一方、図５（ａ）の７１の裏面や図５（ｂ）の７３の裏面はＬＥＤパッケージを置いた部分が濃い茶色に変色していた。これらの結果は、基材上に形成した白色無機レジスト層３０と同じ材質の白色無機レジストが、無機バインダに無機の微小粒子を分散して形成したものであることから、光及び熱の相互作用によっても大きな影響を受けなかったからであると推測される。
耐熱耐光試験前後の基材サンプルを測色計にて、青色ＬＥＤのピーク波長である４５０ｎｍの反射率を測定した結果を、表１に示す。
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この表１の結果から、本願発明の構成にて実験を行った図５（ｃ）が、他の構成（図５（ａ）及び（ｂ））に比べて、格段に高い反射率を維持できていることが判る。
図６は、基材１０として白色無機フィラーを充填した白色ガラスエポキシ樹脂基材に、白色無機レジスト層３０を設けずに、耐熱耐光実験を行い、試験前後の基材１０表面の赤外吸収スペクトル測定を行った結果を示している。ここで、図６（ａ）が実験前、図６（ｂ）が実験後の基材の結果を示している。
試験前の図６（ａ）では、１０００ｃｍ−１から３０００ｃｍ−１域で、ガラスエポキシ樹脂基材のエポキシ樹脂に由来する多くのピークが確認されるが、試験後の図６（ｂ）では、それらのピークは消失し無機物であるガラスやフィラー等のブロードな吸収ピークのみが確認される。
図７は、他のＬＥＤ光源装置２の概略断面図である。
図７において、前述した図１に示すＬＥＤ光源装置１と同じ構成には、同じ番号を付して、説明を省略する。図７において、図１に示すＬＥＤ光源装置１との差異は、放熱用のＡｌ金属基板１３上に樹脂基材１２が配置されている点である。樹脂基材１２の厚さは、図１に示すＬＥＤ光源装置１の基材１０と比べて１００μｍ程度に薄くなっておりよりＬＥＤ素子４０からの熱をＡｌ金属基板１３へ放熱し易く構成されている。
なお、樹脂基材１２上には電極１４ａ及び１４ｂが形成され、電極１４ａ及び１４ｂ以外の樹脂基材１２上には、白色無機レジスト層３０が形成されている。白色無機レジスト層３０の製造方法は、前述したＬＥＤ光源装置１における白色無機レジスト層３０の製造方法と同様である。
ＬＥＤ素子４０は、ワイヤ４１及び４３によって、位置４２及び４４で、電極１４ａ及び１４ｂにボンディングされている。なお、電極１４ａ及び１４ｂの表面に、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成しても良い。また、電極１４ａ及び１４ｂは、マザー基板等と接続するための不図示の電極と導通しているものとする。
図７に示すＬＥＤ光源装置２においても、樹脂基板１２上の電極１４ａ及び１４ｂ以外の全ての領域に白色無機レジスト層３０が形成されているため、図１に示すＬＥＤ光源装置１と同様に、ＬＥＤ素子４０からの光及び熱による劣化が長期に渡って防止され得る。
図８は、更に他のＬＥＤ光源装置３の概略断面図である。
図８において、前述した図７に示すＬＥＤ光源装置２と同じ構成には、同じ番号を付して、説明を省略する。図８において、図７に示すＬＥＤ光源装置２との差異は、ＬＥＤ素子４０が、電極１４ｂ上に接合されているのではなく、Ａｌ金属基板１３上の直接接合されている点である。したがって、図８に示すＬＥＤ光源装置３においては、樹脂基板１２´は、ＬＥＤ素子４０がＡｌ金属基板１３と接合される箇所には配置されていない。
また、図８に示すＬＥＤ光源装置３においては、白色無機レジスト層３０は、樹脂基板１２´上で、電極１４ａ及び１４ｂが配置されている箇所以外の全ての箇所に形成されているが、Ａｌ金属基板１３上には形成されていない。これは、Ａｌ金属基板１３が熱及び光に対する耐性を有しているからである。しかしながら、反射率をより向上させるために、Ａｌ金属基板１３上の樹脂基板１２´が配置されていない箇所にも白色無機レジスト層３０を形成しても良い。
図８に示すＬＥＤ光源装置３においても、樹脂基板１２´上の電極１４ａ及び１４ｂ以外の全ての領域に白色無機レジスト層３０が形成されている。したがって、ＬＥＤ光源装置３は、図１に示すＬＥＤ光源装置１と同様に、ＬＥＤ素子４０からの光及び熱による劣化が長期に亘って防止され得る。
図９は、更に他のＬＥＤ光源装置４の概略断面図である。
図９において、前述した図８に示すＬＥＤ光源装置３と同じ構成には、同じ番号を付して、説明を省略する。図９において、図８に示すＬＥＤ光源装置３との差異は、ＬＥＤ素子４０が、Ａｌ金属基板１３´上に形成された凹部９０で、Ａｌ金属基板１３´と接合されている点である。したがって、図９に示すＬＥＤ光源装置４においては、樹脂基板１２´は、Ａｌ金属基板１３´の凹部９０には配置されていない。
また、図９に示すＬＥＤ光源装置４においては、白色無機レジスト層３０は、樹脂基板１２´上で、電極１４ａ及び１４ｂが配置されている箇所以外の全ての箇所に形成されているが、Ａｌ金属基板１３´の凹部９０には形成されていない。これは、Ａｌ金属基板１３´が熱及び光に対する耐性を有しているからである。しかしながら、反射率をより向上させるために、Ａｌ金属基板１３´の凹部９０内にも白色無機レジスト層３０を形成しても良い。
図９に示すＬＥＤ光源装置４においても、樹脂基板１２´上の電極１４ａ及び１４ｂ以外の全ての領域に白色無機レジスト層３０が形成されている。したがって、ＬＥＤ光源装置４は、図１に示すＬＥＤ光源装置１と同様に、ＬＥＤ素子４０からの光及び熱による劣化が長期に亘って防止され得る。
図１０（ａ）は、更に他のＬＥＤ光源装置５の上面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡＡ´断面図である。
ＬＥＤ光源装置５は、基板１１０の上面上（発光面側）に形成された電極１１４ａ及び１１４ｂ、基板１１０の下面上（マザー基板に実装される側）に形成された電極１１４ｃ及び１１４ｄ、電極１１４ａ上に形成された導電性ポスト１１５ａ及び１１５ｂ、電極１１４ｂ上に形成された導電性ポスト１１５ｃ及び１１５ｄを有している。電極１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ及び１１４ｄと、導電性ポスト１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄは、Ｃｕから構成されている。
基板１１０は、セラミックによって構成されている。しかしながら、基板１１０は、絶縁性、耐熱性を持った他の素材、例えば、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、シリコーン、窒化アルミなどにより構成されたものであっても良い。特に、後述する反射層１３０（白色無機レジスト層）が基板１１０の発光面側全体に形成されることから、反射率の低い、シリコーン、窒化アルミ（反射率４０％程度）、ガラス、樹脂等も利用することが可能である。
電極１１４ａ及び電極１１４ｃは、基板１１０に形成されたスルーホール１１１を介して導通されており、電極１１４ｂ及び電極１１４ｄも、基板１１０に形成されたスルーホール１１１を介して導通されている。なお、後述するように、反射層１３０が電極に設けられるので、電極部分による反射率の低下を考慮する必要がない。したがって、電極を設計する際に、例えば、電極の幅を狭くする等の設計をわざわざする必要がなく、設計の自由度が増すこととなる。
導電性ポスト１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄの表面には、Ｎｉ−Ａｕメッキ層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ及び１１８ｄが施されている。同様に、電極１１４ｃ及び電極１１４ｄの表面にもＮｉ−Ａｕメッキ層１１８ｅ及び１１８ｆが施されている。Ｎｉ−Ａｕメッキ層１１８ａ〜１１８ｆは、電極又は導電性ポスト側にＮｉ層を有し、Ｎｉ層の上にＡｕ層を有する、２層構造となっている。
基板１１０の上面上には、導電性ポスト１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄ以外の電極１１４ａ及び１１４ｂと基板表面を覆い隠すように、反射層１３０が形成されている。また、電極１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ及び１１４ｄと基板１１０との間には、ＴｉＷ−Ｃｕから構成されるシードメタル層１１３が形成されている。
反射層１３０は、反射性微粒子である酸化チタンをオルガノポリシロキサンからなるバインダと混練したペースト状の白色インク（白色無機レジスト材）を、焼結して固めたものである。白色インクとしては、他の無機反射性微粒子を利用しても良い。
反射層１３０では、反射層１３０からの反射光に指向性がなく、良く散乱するので、青色ＬＥＤと封止体１５０に混入される蛍光体によって白色光を出射しようとする場合に、特に有利である。即ち、Ａｇ電極などの反射光に指向性が生じる金属反射層を備える場合と比較して、前述した白色インクによる反射層１３０を形成する方が好ましい。
導電性ポスト１１５ａ及び導電性ポスト１１５ｃ上には、発光ダイオード等からなるＬＥＤ素子１４０が、発光面をフェースダウンにしてフリップチップ実装されており、導電性ポスト１１５ｂ及び１１５ｄ上にはツェナーダイオード１４１がフリップチップ実装されている。
ＬＥＤ素子１４０及びツェナーダイオード１４１は、金バンプ１１９によって導電性ポストと接続されている。また、金バンプ１１９は、厚さが２〜３μｍの金錫共晶層、１０〜３０μｍの金バンプ層及び厚さが０．３μｍのＵＢＭ（アンダーバンプメタル）層の積層構造を有している。ＵＢＭ層がＬＥＤ素子１４０及びツェナーダイオード１４１側に配置され、金錫共晶層が導電性ポスト１１５側に配置され、金錫共晶層とＵＢＭ層の中間に金バンプ層が配置されている。また、ＵＢＭ層は、金バンプ１１９を電解メッキ法で形成する際に共通電極の一部が金バンプ部を電気的に孤立させるときに残ったものであり、ＴｉＷとＡｕの２層構造となっている。
金バンプ１１９による金錫共晶接合は、ＬＥＤ素子１４０及びツェナーダイオード１４１を導電性ポストに比較的低温（約３００℃）で接合できる。さらに、後でＬＥＤ光源装置５がマザー基板にリフロー方式ではんだ付けされるとき（約２６０℃）にも接合が維持されるので、接続信頼性を増加させることが可能となる。なお、金バンプ１１９の代わりに、半田バンプ、金スタッドバンプ等を利用しても良い。さらに、ＬＥＤ素子１４０は、ボンディングワイヤによって導電性ポストと接続されるように構成されても良い。また、必ずしもツェナーダイオード１４１は、ＬＥＤ光源装置５に含まれる必要はない。
封止体１５０は、透光性を有するシリコーン系の樹脂材料によって構成され、ＬＥＤ素子１４０及びツェナーダイオード１４１を覆うようにして反射層１３０上に形成されている。なお、封止体１５０には、必要に応じて蛍光材料を混入するようにしても良い。例えば、ＬＥＤ素子１４０として、青色光を発光する窒化物系化合物半導体（例えば、青色ＬＥＤ）を用い、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体を封止体１５０混入し、ＬＥＤ素子１４０からの青色光と蛍光体からの黄色光が混ざり合って擬似白色光を出射するようにしても良い。
ＬＥＤ光源装置５では、ＬＥＤ素子１４０からの光は、反射層１３０によって反射され、封止体１５０を通過して外部へ向けて出射される。反射層１３０は、基板１１０上において、導電性ポスト１１５ａ〜１１５ｄ以外の全ての領域を覆っているので、半導体発光素子１の反射率を非常に高く維持することが可能となる。また同時に反射層１３０は、ＬＥＤ素子１４０から発せられる熱を基板１１０に均一（非局所的）に伝達したり、光を基板１１０に対し遮断したりしているため、基板１１０の熱や光による劣化を防止する効果もある。
以下図１１〜図１３を用いて、ＬＥＤ光源装置５の製造方法について説明する。
最初に、図１１（ａ）に示す様に、セラミック材料からなる基板１１０にスルーホール１１１を２箇所形成する。図１１（ａ）では、スルーホールの図中の上側の内径が大きく、図中下側の内径が小さいが、上下で内径が同じであっても、内径の大きさが逆であっても良い。
次に、図１１（ｂ）に示す様に、ＴｉＷとＣｕの２層構造を有するシールドメタル層１１３（厚さ、０．３μｍ）を蒸着法によって基板１１０の表面全体に成膜する。シールドメタル層１１３は、後述する電解メッキ用の下地処理に相当する。
次に、図１１（ｃ）に示す様に、電極形成用のレジストパターン１２０を、フォトリソグラフィー法によって基板１１０上に形成する。
次に、図１１（ｄ）に示す様に、レジストパターン１２０を利用して、電解メッキ法によって、Ｃｕから構成される電極１４を形成する。電極１１４は、スルーホール１１１を介して、基板１１０の上下で導通されている。電極１１４の厚さは、１０〜１５μｍである。なお、図１１（ｄ）では、スルーホール１１１の形状に合わせて、電極１１４に浅い穴が形成されているが、このような穴を形成しないように、電極１１４を形成しても良い。
次に、図１２（ａ）に示す様に、導電性ポスト形成用のレジストパターン１２１を、フォトリソグラフィー法によって電極１１４及びレジストパターン１２０上に形成する。また、この時に、基板１１０の下面全体にマスキングテープ１２２を貼付する。
次に、図１２（ｂ）に示す様に、レジストパターン１２１を利用して、電解メッキ法によって、Ｃｕから構成される導電性ポスト１１５を電極１１４上に形成する。導電性ポスト１１５の厚さは、３０μｍ程度である。
次に、図１２（ｃ）に示す様に、導電性ポスト１１５を形成した側のレジストパターン１２０及び１２１を所定の除去材料を利用して除去する。
次に、図１２（ｄ）に示す様に、基板１１０の上面側のレジストパターン１２０及び１２１を除去した後に残存しているシードメタル層１１３（Ｂの箇所参照）を、エッチング法によって除去する。
次に、図１３（ａ）に示す様に、基板１１０の導電性ポスト１１５を形成した側に、電極１１４及び導電性ポスト１１５を全て覆う様に、白色インク層１３１をスクリーン印刷によって形成する。前述したように、電極１１４の厚さが１０〜１５μｍであり、導電性ポスト１１５の厚さが３０μｍであるので、白色インク層１３１の厚さは、５０μｍ程度であることが好ましい。
次に、図１３（ｂ）に示す様に、導電性ポスト１１５の上部表面が露出する程度まで、白色インク層１３１の上部を研磨して、反射層１３０を形成する。したがって、反射層１３０の厚さは、電極１１４及び導電性ポスト１１５の厚さを足した厚さに等しい。なお、白色インクにより反射層を形成する場合、反射層１３０の厚さが３０μｍ以上あれば、反射率を９０％以上に維持することが可能となる。
次に、図１３（ｃ）に示す様に、フリップチップ接合及び半田リフローのためマスキングテープ１２２を除去し、電解メッキ法により導電性ポスト１１５及び基板１１０の図中下側の電極１１４の表面に、Ｎｉ−Ａｕメッキ層１１８を形成する。Ｎｉ−Ａｕメッキ層１１８は、前述したように、電極１１４又は導電性ポスト１１５側にＮｉ層を有し、Ｎｉ層の上にＡｕ層を有する、２層構造となっている。
次に、図１３（ｄ）に示す様に、導電性ポスト１１５上にＬＥＤ素子１４０及びツェナーダイオード１４１を接合し、封止体１５０をＬＥＤ素子１４０及びツェナーダイオード１４１を覆うように形成して、ＬＥＤ光源装置５を完成する。なお、図１３（ｃ）の工程の後、基板１１０の図中下側のレジストパターン１２０を所定の除去材料を利用して除去し、レジストパターン１２０を除去した後に残存しているシードメタル層１１３（Ｃの箇所参照）を、エッチング法によって除去している。
なお、複数の基板１１０が配列した集合基板を準備し、スルーホール形成から封止体１５０の形成に至るような様々な工程を経て最後に集合基板を切断しＬＥＤ光源装置を得る集合工法が一般的である。本実施形態の製造工程は集合工法を念頭におきながら個別の基板１１０について各工程を説明したものである。本実施形形態に相当する集合工法では、メッキ用共通電極としてシードメタル層１１３を集合基板の両面全体に亘って形成する。しかしながらメッキ用の共通電極はシードメタルに限られることはない。良く知られた手法として、集合基板状態では各基板の電極１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ，１１４ｄが接続し、集合基板の個片化時に切断により電極１１４ａ，１１４ｃの組と、電極１１４ｂ，１１４ｄの組が分離するようなメッキ電極を使用することもできる。この場合には、シードメタル層１１３の形成や除去が不要となる。
また、金バンプ１１９が備える金錫共晶層の代わりに、導電性ポスト１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄ上に金錫共晶層又は、錫層を設け、金バンプ１１９と導電性ポスト１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄを共晶接合しても良い。同様に導電性ポスト１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄ上に銀錫共晶層を設け、金バンプ１１９の金錫共晶層とともに金バンプ１１９と導電性ポスト１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄを共晶接合しても良い。本実施形態では導電性ポスト１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄ上に電解メッキ法でＮｉ−Ａｕメッキ層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ及び１１８ｄを形成していたが、これらは電解メッキ法でなく無電解メッキで形成してもよい。
図１４は、ＬＥＤ光源装置５の電極及び導電性ポストの配置例を示した図である。
図１４（ａ）は、導電性ポスト１１５が形成された側の電極１１４ａと電極１１４ｂの配置例を示している。図示されるように、導電性ポスト１１５ａ及び１１５ｂは、電極１１４ａ上に形成され、導電性ポスト１１５ｃ及び１１５ｄは、電極１１４ｂ上に形成されている。また、電極１１４ａ及び１１４ｂは、導電性ポスト以外の部分では、完全に反射層１３０によって覆われている。
図１４（ｂ）は、導電性ポスト１１５が形成されていない側の電極１１４ｃと電極１１４ｄの配置例を示している。前述したように、電極１１４ｃはスルーホール１１１を介して電極１１４ａと導通しており、電極１１４ｄはスルーホール１１１を介して電極１１４ｂと導通している。なお、便宜上、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）において、電極１１４及び導電性ポスト１１５上のＮｉ−Ａｕメッキ層１８は省略している記載している。また、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示した電極及び導電性ポストの形状は一例であって、それらに限定されるものではない。
図１５は、更に他のＬＥＤ光源装置６を示す概略断面図である。
図１５に示すＬＥＤ光源装置６と図１０に示すＬＥＤ光源装置５との差異は、ＬＥＤ光源装置６において、ツェナーダイオード１４１が、反射層１３０に覆われている点のみである。他の点は、図１０に示すＬＥＤ光源装置５と同様であるので、その説明を省略する。
図１５に示す様に、ＬＥＤ光源装置６では、基板１１０に凹部１６０が形成され、凹部１６０内にツェナーダイオード１４１が金バンプ１１９’を上に受けて配置されている。ツェナーダイオード１４１は、金バンプ１１９’で、電極１６１の裏側に接続されている。電極１６１は、反射層１３０上にメッキ法によって形成され、ツェナーダイオード１４１の金バンプ１１９’とＬＥＤ素子１４０の金バンプ１１９を接続している。反射層１３０は、導電性ポスト１１５及び電極１６１を除いた全て、即ち、電極１１４及びツェナーダイオード１４１を覆うように配置されている。また、金バンプ１１９によって、ＬＥＤ素子１４０と導電性ポスト１１５とが接合されている。
図１５に示すＬＥＤ光源装置６では、ＬＥＤ素子１４０のみが、反射層１３０上に配置される構成となっているので、ツェナーダイオード１４１自体によってＬＥＤ素子１４０から出射された光が吸収されることを防止することができる。したがって、図１５に示すＬＥＤ光源装置６では、図１０に示すＬＥＤ光源装置５より、より効率良く、ＬＥＤ素子１４０からの光を利用することができるという利点がある。
図１６は、更に他のＬＥＤ光源装置７を示す概略断面図である。
図１６に示すＬＥＤ光源装置７と図１０に示すＬＥＤ光源装置５との差異の１つは、基板１１０と反射層１３０との間、電極１１４ａ及び１１４ｂと反射層１３０との間に、白色有機レジスト層２００を有している点である。また、他の差異は、図１６に示すＬＥＤ光源装置７では、スルーホール１１１に金属ペースト２０１を充填しているため、電極１１４ａ及び１１４ｂの下部が平坦化している点である。他の点は、図１０に示すＬＥＤ光源装置５と同様であるので、その説明を省略する。
白色有機レジスト層２００は、厚さが１０〜１５μｍであり、シリコーン樹脂などの有機バインダに酸化チタン等の反射性微粒子を含んだものである。白色有機レジスト層２００は、図１３（ａ）の工程の直前に回路基板の上面全体に塗布して形成する。その後、図１３（ａ）の工程を継続する。即ち、白色有機レジスト層２００を下地として、反射層１３０が成膜される。
スルーホール１１１への金属ペースト２０１の充填は、図１１（ｃ）の工程によってシードメタル層１１３が成膜された直後に行われることが好ましい。
白色無機レジスト層である反射層１３０が厚い場合、基板１１０と反射層１３０の熱膨張率の違いで反射層１３０にクラックが入ったり、反射層１３０が剥がれたり、する場合が考えられる。ＬＥＤ光源装置７では、白色無機レジスト層である反射層１３０よりも軟質な白色有機レジスト層２００が反射層１３０のバッファとなり、反射層１３０のクラック及び／又は剥がれを防止している。また、白色有機レジスト層２００にも反射性微粒子が含まれているため、反射効果を損なうことなく、反射層１３０を薄くすることが可能となる。さらに、白色有機レジスト層２００は、反射層１３０によって遮光されているため、光劣化から防護されることとなる。
図１７は、更に他のＬＥＤ光源装置８を示す概略断面図である。
図１７に示すＬＥＤ光源装置８と図１０に示すＬＥＤ光源装置５との差異の１つは、反射層１３１が、導電性ポスト１１５ａ〜１１５ｄの形状が分かる程度に薄く形成されている点である。また、他の差異は、図１７に示すＬＥＤ光源装置８では、スルーホール１１１に金属ペースト２０１を充填しているため、電極１１４ａ及び１１４ｂの下部が平坦化している点である。他の点は、図１０に示すＬＥＤ光源装置５と同様であるので、その説明を省略する。
反射層１３１は導電性ポスト１１５ａ〜１１５ｄの形状が分かる程度に薄く形成されているが、その最上部は導電性ポスト１１５ａ〜１１５ｄと高さが一致するように形成されている。反射膜１３１は、図１３（ａ）の工程において、図１７に示すような形状に形成される。反射膜１３１の最上部以外は、導電性ポスト１１５ａ〜１１５ｄの高さの約１／２の厚さである。
スルーホール１１１への金属ペースト２０１の充填は、図１１（ｃ）の工程によってシードメタル層１１３が成膜された直後に行われることが好ましい。
ＬＥＤ光源装置８では、最初導電性ポスト１１５ａ〜１１５ｄの上面及び周囲のみで、最初導電性ポスト１１５ａ〜１１５ｄの高さより高くなるように反射層１３１を形成する。その後、導電性ポスト１１５ａ〜１１５ｄと高さが一致するように研磨される。図１０に示したＬＥＤ光源装置５では、基板表面全体を研磨して反射層１３１全体の高さと導電性ポスト１１５ａ〜１１５ｄと高さが一致するようにしている。これに対して、ＬＥＤ光源装置８では、導電性ポスト１１５ａ〜１１５ｄの上面及び周囲のみ研磨すれば良いので、研磨量が少なくてすむ。
さらに、反射層１３１が薄いことによって、基板１１０と反射層１３１との熱膨張率の差によって集合基板（回路基板が連結されたもの）がうねったり、反ったりすることを防止できるという利点も有している。
【図１】
2012002580.tif 000004
【図２（ａ）】
2012002580.tif 000005
【図２（ｂ）】
2012002580.tif 000006
【図２（ｃ）】
2012002580.tif 000007
【図２（ｄ）】
2012002580.tif 000008
【図２（ｅ）】
2012002580.tif 000009
【図２（ｆ）】
2012002580.tif 000010
【図２（ｇ）】
2012002580.tif 000011
【図３（ａ）】
2012002580.tif 000012
【図３（ｂ）】
2012002580.tif 000013
【図３（ｃ）】
2012002580.tif 000014
【図３（ｄ）】
2012002580.tif 000015
【図４】
2012002580.tif 000016
【図６（ａ）】
2012002580.tif 000017
【図６（ｂ）】
2012002580.tif 000018
【図７】
2012002580.tif 000019
【図８】
2012002580.tif 000020
【図９】
2012002580.tif 000021
【図１０（ａ）】
2012002580.tif 000022
【図１０（ｂ）】
2012002580.tif 000023
【図１１（ａ）】
2012002580.tif 000024
【図１１（ｂ）】
2012002580.tif 000025
【図１１（ｃ）】
2012002580.tif 000026
【図１１（ｄ）】
2012002580.tif 000027
【図１２（ａ）】
2012002580.tif 000028
【図１２（ｂ）】
2012002580.tif 000029
【図１２（ｃ）】
2012002580.tif 000030
【図１２（ｄ）】
2012002580.tif 000031
【図１３（ａ）】
2012002580.tif 000032
【図１３（ｂ）】
2012002580.tif 000033
【図１３（ｃ）】
2012002580.tif 000034
【図１３（ｄ）】
2012002580.tif 000035
【図１４（ａ）】
2012002580.tif 000036
【図１４（ｂ）】
2012002580.tif 000037
【図１５】
2012002580.tif 000038
【図１６】
2012002580.tif 000039
【図１７】
2012002580.tif 000040
【図５（ａ）】
2012002580.tif 000041
【図５（ｂ）】
2012002580.tif 000042
【図５（ｃ）】
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【国際調査報告】
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