(57)【要約】  配線板の製造方法は、導体パターン（６３）上に、約２〜６０ｗｔ％の割合でシリカ系フィラーを含有する樹脂絶縁層（１０６）を形成することと、樹脂絶縁層（１０６）に、導体パターン（６３）への吸収率が約３０〜６０％の範囲にあるレーザ光を照射することにより、導体パターン（６３）に至る開口部（１０６ａ）を形成することと、を含む。
2011152312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターン上に、約２〜６０ｗｔ％の割合でシリカ系フィラーを含有する樹脂絶縁層を形成することと、
前記樹脂絶縁層に、前記導体パターンへの吸収率が約３０〜６０％の範囲にあるレーザ光を照射することにより、前記導体パターンに至る開口部を形成することと、
を含む、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項２】
前記導体パターンは、銅からなり、
前記レーザ光は、約４５０〜６００ｎｍの範囲にある波長を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板の製造方法。
【請求項３】
前記レーザ光は、約５００〜５６０ｎｍの範囲にある波長を有する、
ことを特徴とする請求項２に記載の配線板の製造方法。
【請求項４】
前記導体パターンは、銅からなり、
前記レーザ光の光源は、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、アルゴンイオンレーザ、及び銅蒸気レーザのいずれかである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項５】
前記導体パターンは、銅からなり、
前記レーザ光は、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第２高調波である、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項６】
前記レーザ光の照射は、１つの被照射体につき１回の走査で行われる、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項７】
前記レーザ光の照射は、被照射体の全面に行われる、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項８】
前記レーザ光の照射によって、前記露出される導体パターンの表面の酸化被膜を除去する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項９】
前記レーザ光の照射によって、前記露出される導体パターンの表面に凹凸を形成する、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザ光の前記シリカ系フィラーへの吸収率が約１０％未満である、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記シリカ系フィラーの平均粒子径は、約０．５〜２０μｍの範囲にある、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記シリカ系フィラーは、シリカ、シリカで表面処理した金属化合物、及びタルクの少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記シリカ系フィラーは、破砕状の無定形シリカを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１４】
前記レーザ光の照射は、前記樹脂絶縁層が半硬化の状態で行われる、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板の製造方法に関し、特に絶縁層から導体パターンを露出させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ソルダーレジスト（絶縁層）にＣＯ２レーザを照射することにより、ソルダーレジストに開口を形成し、その開口部にパッドを露出させる配線板の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３０８５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示される製造方法においては、ＣＯ２レーザの導体（例えば銅）への吸収率は低い（例えば約１０％）ため、ＣＯ２レーザの照射によって熱反応が起こってソルダーレジスト（絶縁層）を炭化させるおそれがある。またその結果、その炭化したソルダーレジストが、パッド上で残渣となり、外層の導体においては半田の濡れ性を低下させ、内層の導体においてはビアの接続信頼性を低下させることが懸念される。【０００５】
また、ＣＯ２レーザの照射では、パッド表面の酸化被膜を除去しきれず、パッド（ビア接続端子や外部接続端子など）の導通抵抗が高くなることが懸念される。【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、内層の導体においてはビアの接続信頼性、外層の導体においては半田の濡れ性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点に係る配線板の製造方法では、導体パターン上に、約２〜６０ｗｔ％の割合でシリカ系フィラーを含有する樹脂絶縁層を形成することと、前記樹脂絶縁層に、前記導体パターンへの吸収率が約３０〜６０％の範囲にあるレーザ光を照射することにより、前記導体パターンに至る開口部を形成することと、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、内層の導体においてはビアの接続信頼性、外層の導体においては半田の濡れ性を向上することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線板の平面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る配線板の表面に電子部品を実装した例を示す図である。
【図４】図１中の一部を拡大して示す図である。
【図５】図４中の一部を拡大して示す図である。
【図６】ソルダーレジストから露出される導体層の表面の一部を拡大して示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図８Ａ】絶縁層上に導体層を形成する第１の工程を説明するための図である。
【図８Ｂ】絶縁層上に導体層を形成する第２の工程を説明するための図である。
【図８Ｃ】絶縁層上に導体層を形成する第３の工程を説明するための図である。
【図９】図８Ａ〜図８Ｃの工程により形成された導体層（パッド）を示す図である。
【図１０】絶縁層上にパッド（導体パターン）を覆うようなソルダーレジストを形成する工程を説明するための図である。
【図１１】レーザ照射工程を説明するための平面図である。
【図１２】レーザ照射工程を説明するための断面図である。
【図１３】レーザ（厳密にはその照準）を移動させる場合の条件の一例を説明するための図である。
【図１４】各材料について、レーザの波長と吸収率との関係を示すグラフである。
【図１５】波長の異なる５つのレーザ光を照射して、ソルダーレジストの穴開け及びデスミアを行った結果を示す図表である。
【図１６】パッド（導体パターン）が、金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっき膜の３層構造からなる配線板の一例を示す断面図である。
【図１７】ソルダーレジスト（絶縁層）に含まれるフィラーが主に球形シリカから構成される例を示す図である。
【図１８】上記実施形態の製造方法を、配線板の内層部位を形成するために採用した例を示す図である。
【図１９】上記実施形態の製造方法を、電子部品を内蔵する配線板を製造するために採用した例を示す図である。
【図２０】上記実施形態の製造方法を、フレックスリジッド配線板を製造するために採用した例を示す図である。
【図２１】上記実施形態の製造方法を、他の配線板を内蔵する配線板を製造するために採用した例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向（又はコア基板の厚み方向）に相当する配線板の積層方向を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（配線板の主面に平行な方向）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００１１】
本実施形態では、相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面（Ｚ１側の面）、第２面（Ｚ２側の面）という。すなわち、第１面の反対側の主面が第２面であり、第２面の反対側の主面が第１面である。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。
【００１２】
導体層とは、導体パターンを含む層をいう。導体層の導体パターンは任意であり、導体回路を構成する配線（グランドも含む）や、パッド、ランド等を含む場合もあれば、導体回路を構成しないベタパターン等である場合もある。また、電子部品や他の配線板を内蔵する配線板では、その電子部品の電極や他の配線板のパッドも、導体パターンに含まれる。パッドには、外部接続端子のほか、ビア接続端子や電子部品の電極なども含まれる。絶縁層には、層間絶縁層のほか、ソルダーレジストなども含まれる。開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。孔には、ビアホール及びスルーホールが含まれる。孔内に形成される導体のうち、孔の内面（側面及び底面）に形成された導体膜をコンフォーマル導体といい、孔に充填された導体をフィルド導体という。
【００１３】
めっきとは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出した導体の層（例えば金属の層）をいう。めっきには、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００１４】
レーザ光は、可視光に限られない。レーザ光には、可視光のほか、紫外線やＸ線等の短い波長の電磁波や、赤外線等の長い波長の電磁波も含まれる。各材料へのレーザ光の吸収率は、分光光度計により測定される値である。
【００１５】
本実施形態の配線板１００は、図１（断面図）及び図２（平面図）に示すように、例えば多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。配線板１００は、基板２００（コア基板）と、絶縁層１０１〜１０４（層間絶縁層）と、ソルダーレジスト１０５、１０６（絶縁層）と、導体層１１３〜１１６と、を有する。ここで、基板２００の第１面側には、２層の絶縁層１０１、１０３と２層の導体層１１３、１１５とが交互に積層されている。また、基板２００の第２面側には、２層の絶縁層１０２、１０４と２層の導体層１１４、１１６とが交互に積層されている。そして、第１面側の最外層にはソルダーレジスト１０５が形成され、第２面側の最外層にはソルダーレジスト１０６が形成されている。本実施形態において、導体層１１３〜１１６は、それぞれ配線やパッド（端子）等で構成される導体回路を含む。ただしこれに限られず、導体層１１３〜１１６の導体パターンは任意であり、各層ごとに回路化されていることは必須ではない。また、本実施形態において、絶縁層１０１〜１０４及びソルダーレジスト１０５、１０６は、樹脂絶縁層に相当する。
【００１６】
図３に示すように、配線板１００の表面（片面又は両面）には、例えば半田１０００ａにより、電子部品１０００（又は他の配線板等）が実装される。配線板１００は、例えば携帯電話等の回路基板として使用することができる。
【００１７】
なお、配線板１００は、リジッド配線板であっても、フレキシブル配線板であってもよい。また、配線板１００は、両面配線板であっても、片面配線板であってもよい。導体層及び絶縁層の層数も任意である。
【００１８】
基板２００は、絶縁層１００ａと、導体層１１１、１１２と、を有する。基板２００としては、例えば両面銅張積層板を用いることができる。また、基板２００は、両面銅張積層板又は絶縁板を出発材料として、めっき等により、製造することもできる。
【００１９】
図４に、図１中の領域Ｒ１を拡大して示す。
【００２０】
パッド６３は、導体層１１６（ひいては導体パターン）の一部であり、外部接続端子として機能する。なお、パッド６３上に半田１０００ａ（図３）を形成する際には、パッド６３の表面に、例えばＮｉ／Ａｕ等の保護導体膜を形成してもよい。
【００２１】
パッド６３は、導体６３ａと、酸化被膜６３ｂと、から構成される。酸化被膜６３ｂは、導体６３ａの表面に形成され、導体６３ａを覆っている。ただし、ソルダーレジスト１０６には開口部１０６ａ（例えば孔）が形成され、開口部１０６ａにおいては、酸化被膜６３ｂが除去されている。これにより、導体６３ａ（パッド６３の面Ｆ１）が、その開口部１０６ａに露出し、パッド６３に半田１０００ａ（図３）を設けた場合において、酸化被膜６３ｂによる導通抵抗の増大を招かなくなると考えられる。なお、導体６３ａの表面に酸化被膜６３ｂが形成されることは必須ではない。
【００２２】
ここで、面Ｆ１（露出される導体層１１６の表面）には、図５及び図６（面Ｆ１の一部の拡大図）に示すように、凹凸が形成されている。これにより、パッド６３の面Ｆ１と半田１０００ａ（図３）等との接合強度が向上し得ると考えられる。面Ｆ１の十点平均粗さは、約０．５〜１μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２３】
さらに、図２及び図５に示すように、開口部１０６ａの縁には、凸部Ｐ１が形成されている。また、図５中、開口部１０６ａに露出する面Ｆ１と、ソルダーレジスト１０６の開口部１０６ａ側の側面Ｆ２との角度θは、例えば約９０°以上である。
【００２４】
ソルダーレジスト１０６（絶縁層）は、樹脂６１に約２〜６０ｗｔ％の割合でフィラー６２を含有させてなる。樹脂６１は、絶縁性及び熱硬化性を有する。フィラー６２は、シリカ系フィラーからなる。フィラー６２の含有量が上記範囲にあると、パッド６３表面を損傷することなく、低いレーザ強度でソルダーレジスト１０６に開口部１０６ａを形成することが可能になると考えられる（詳しくは後述する）。また、プリント配線板として、ソルダーレジスト１０６の低ＣＴＥ（熱膨張率）化の要求を満足することもできると考えられる。
【００２５】
シリカ系フィラーとしては、ケイ酸塩鉱物を用いることが好ましい。ケイ酸塩鉱物としては、シリカ、タルク、雲母、カオリン、及びケイ酸カルシウムの少なくとも１つを含むことが好ましく、中でも、シリカ、シリカで表面処理した金属化合物、及びタルクの少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００２６】
好ましい１つの例では、ソルダーレジスト１０６が、約１０〜２０ｗｔ％のタルク（３ＭｇＯ・４ＳｉＯ２・Ｈ２Ｏ）及び約１０〜２０ｗｔ％のシリカからなるシリカ系フィラー、すなわち合計約２０〜４０ｗｔ％のシリカ系フィラーを含む。
【００２７】
シリカとしては、破砕シリカ、球形シリカ、溶融シリカ、及び結晶シリカの少なくとも１つを用いることが好ましい。本実施形態では、フィラー６２（シリカ系フィラー）が破砕状の無定形シリカ（以下、破砕シリカという）を含む。破砕シリカは、球形シリカに比べて反射率が低いため、後述するレーザ吸収率低減の効果とソルダーレジスト１０６の除去効率を向上する効果とを、フィラー６２の含有量によって微調整し易くなると考えられる。特に、フィラー６２（シリカ系フィラー）の５０ｗｔ％以上が、破砕シリカであることが好ましい。このようにフィラー６２の主成分（半分以上）が破砕シリカであると、フィラー６２がレーザを反射することによって導体へのダメージを小さくする又はダメージの進行を遅らせる効果（詳しくは後述）が大きくなると考えられる。ただしこれに限られず、破砕シリカの含有量は５０ｗｔ％より少なくてもよく、さらには、フィラー６２が、破砕シリカを含んでいなくてもよい（後述の図１７参照）。
【００２８】
フィラー６２（シリカ系フィラー）の平均粒子径は、約０．５〜２０μｍの範囲にあることが好ましい。フィラー６２の平均粒子径が上記範囲にあると、フィラー６２によるレーザ吸収率低減の効果（詳しくは後述）が大きくなると考えられる。
【００２９】
本実施形態では、樹脂６１が、熱硬化性のエポキシ樹脂からなる。ただしこれに限られず、樹脂６１（熱硬化性樹脂）としては、エポキシ樹脂のほか、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、フッ素系樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ポリエステル樹脂、イミド樹脂（ポリイミド）、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、又はアラミド樹脂などを用いることができる。また、樹脂６１は、熱硬化性樹脂ではなく、紫外線硬化性樹脂からなってもよい。紫外線硬化性樹脂としては、例えばエポキシアクリレート樹脂、又はアクリル樹脂などがあげられる。
【００３０】
パッド６３を含め、導体層１１３〜１１６は、例えば無電解めっき膜と、電解めっき膜との２層からなる。ただしこれに限られず、例えばパッド６３等は、金属箔（例えば銅箔）と、無電解めっき膜と、電解めっき膜との３層で構成されてもよい（後述の図１６参照）。
【００３１】
本実施形態では、無電解めっき膜及び電解めっき膜が、銅からなる。そして、無電解めっき膜を形成する際には、触媒としてパラジウムが用いられる。ただしこれに限られず、無電解めっき膜及び電解めっき膜は、他の材料（例えば銅以外の金属）からなってもよい。また、各導体層は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。触媒の種類も、任意である。また、必要なければ、触媒を使用しなくてもよい。
【００３２】
本実施形態では、絶縁層１００ａ及び絶縁層１０１〜１０４が、熱硬化性のエポキシ樹脂からなる。ただしこれに限られず、絶縁層１００ａ及び絶縁層１０１〜１０４の材料は任意である。絶縁層１０１〜１０４を構成する樹脂としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂のほか、例えばイミド樹脂（ポリイミド）、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、アラミド樹脂などを用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂（フッ素樹脂）などを用いることができる。これらの材料は、例えば絶縁性、誘電特性、耐熱性、又は機械的特性等の観点から、必要性に応じて選ぶことが望ましい。また、上記樹脂には、添加剤として、硬化剤、安定剤、フィラーなどを含有させることができる。また、各絶縁層は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００３３】
配線板１００は、例えば基板２００に、絶縁層１０１〜１０４と、導体層１１３〜１１６と、を交互にビルドアップした後、最外層にソルダーレジスト１０５、１０６を設けることで、製造することができる。
【００３４】
絶縁層１０１〜１０４は、例えば樹脂フィルムを用いた真空ラミネートにより、形成（積層）することができる。導体層１１３〜１１６は、例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、形成することができる。ソルダーレジスト１０５、１０６は、例えばスクリーン印刷、ロールコート、又はラミネート等により製造することができる。
【００３５】
上記配線板１００（特に図４に示した構造）は、例えば図７に示すような手順で製造される。
【００３６】
まず、ステップＳ１１で、絶縁層（下層絶縁層）上に導体層を形成する。
【００３７】
具体的には、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂からなる絶縁層１０４（下層絶縁層）を準備し、例えばエッチングにより、絶縁層１０４の第２面を粗化する。続けて、例えば浸漬により、絶縁層１０４の第２面（粗化面）に触媒を吸着させる。この触媒は、例えばパラジウムである。浸漬には、例えば塩化パラジウムやパラジウムコロイド等の溶液を使用することができる。触媒を固定するため、浸漬後に加熱処理を行ってもよい。
【００３８】
続けて、図８Ａに示すように、例えば化学めっき法により、絶縁層１０４の第２面上に、例えば無電解めっき膜１００１を形成する。めっき液としては、例えば還元剤等が添加された硫酸銅溶液などを用いることができる。還元剤としては、例えばホルマリン、次亜リン酸塩、又はグルオキシル酸などを用いることができる。
【００３９】
続けて、図８Ｂに示すように、無電解めっき膜１００１上にめっきレジスト１００２を形成する。めっきレジスト１００２は、所定の位置に開口部１００２ａを有する。続けて、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト１００２の開口部１００２ａに、例えば銅の電解めっき膜１００３を形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅（含リン銅）を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜１００１を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、陰極の露出している無電解めっき膜１００１の第２面に、銅を析出させる。これにより、無電解めっき膜１００１上に、部分的に電解めっき膜１００３が形成される。めっき液としては、例えば硫酸銅溶液、ピロリン酸銅溶液、青（シアン）化銅溶液、又はホウフッ化銅溶液などを用いることができる。
【００４０】
続けて、図８Ｃに示すように、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト１００２を除去する。続けて、例えばレーザ又はエッチングにより、不要な無電解めっき膜１００１を除去すると、図９に示すように、導体６３ａが形成され、導体６３ａの表面には、酸化被膜６３ｂが形成される。その結果、導体層１１６中にパッド６３が形成される。なお、パッド６３の導体６３ａの構造は、無電解めっき膜及び電解めっき膜の２層構造に限られず任意である（後述の図１６参照）。
【００４１】
続けて、図７のステップＳ１２で、絶縁層１０４（下層絶縁層）上にパッド６３（導体パターン）を覆うようなソルダーレジスト（上層絶縁層）を形成する。
【００４２】
具体的には、図１０に示すように、絶縁層１０４上に、例えばスクリーン印刷、ロールコート、又はラミネート等により、ソルダーレジスト１０６（上層絶縁層）を形成する。これにより、パッド６３は、ソルダーレジスト１０６で覆われる。前述したように、ソルダーレジスト１０６は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂からなる樹脂６１に、約２〜４０ｗｔ％の割合で、シリカ系フィラーからなるフィラー６２を含有させてなる。この段階では、ソルダーレジスト１０６は、半硬化の状態となっている。また、ソルダーレジスト１０６の色は、後述のグリーンレーザとの相性を考慮し、緑系、黒系、又は青系にすることが好ましい。
【００４３】
続けて、図７のステップＳ１３で、レーザ光を照射することにより、パッド６３（導体パターン）上のソルダーレジスト１０６を除去し、その部分にパッド６３を露出させる。
【００４４】
具体的には、例えば図１１及び図１２に示すように、被照射体（ソルダーレジスト１０６等）の第２面側に、開口部１００４ａを有する遮光マスク１００４を設けた状態で、被照射体の全面（詳しくは第２面全域）にグリーンレーザを照射する。ここで、グリーンレーザとは、波長約１０６４ｎｍの基本波の第２高調波であって、波長約５３２ｎｍのレーザ光を指す。
【００４５】
このレーザ光の照射は、ソルダーレジスト１０６が半硬化の状態で行われる。
【００４６】
上記グリーンレーザを被照射体の全面に照射する場合には、例えば被照射体を固定してグリーンレーザ（厳密にはその照準）を移動させること、又は、逆にグリーンレーザ（厳密にはその照準）を固定して被照射体を移動させることが好ましい。グリーンレーザを移動させる場合には、例えばガルバノミラーによりグリーンレーザを移動させる（走査する）ことが好ましい。また、被照射体を移動させる場合には、例えばシリンドリカルレンズによりグリーンレーザをライン光として、これを所定の位置に照射しつつ、コンベアにより被照射体を移動させることが好ましい。
【００４７】
なお、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。
【００４８】
ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。また、同じ照射位置に複数回のレーザ照射を行う場合において、ショットごとにレーザ強度を変えてもよい。
【００４９】
ここで、ガルバノミラーによりグリーンレーザを移動させる場合の条件の一例を示す。図１３中、レーザ光のスポット径ｄ２１は、例えば３０μｍである。この例では、レーザ光の走査方向を、Ｘ方向とする。Ｘ方向の単位移動量ｄ２２（隣り合うスポットの照射中心Ｐ間の距離）は、例えば２０μｍである。また、Ｙ方向の単位移動量ｄ２３（隣り合うスポットの照射中心Ｐ間の距離）は、例えば１５μｍである。レーザ光の走査速度は、例えば３０００mm／secである。すなわち、１ショットごとにレーザ光をＸ方向に２０μｍ走査する場合には、レーザ光は、１秒間に１５万ショット照射されることになる。
【００５０】
以下、こうした条件でレーザ照射を行う場合を例にして、レーザ照射態様の一例について説明する。
【００５１】
この例では、まず、被照射体のＸ−Ｙ平面上の第１のライン、例えば（０，０）〜（ＸＸ，０）について、レーザ照射を行う。具体的には、最初の照射位置（０，０）に対してレーザ照射を行い、そのレーザ照射が終わったら、単位移動量ｄ２２だけＸ２側に移動し、次の照射位置（２０，０）に対してレーザ照射を行う。そして、図１１中に矢印で示すように、レーザ照射及びＸ２側への移動を繰り返して、被照射体のＸ方向に設定された各照射位置に、順次レーザ照射を行っていく。こうして、被照射体のＸ方向全域についてグリーンレーザの照射が終わったら、第１のラインに対するレーザ照射は完了したことになる。
【００５２】
続けて、被照射体のＸ−Ｙ平面上の第２のライン、例えば（０，１５）〜（ＸＸ，１５）について、レーザ照射を行う。具体的には、グリーンレーザは、図１１中に矢印で示すように、第１のラインの最後の照射位置（ＸＸ，０）から、Ｘ座標を原点に戻すとともに、Ｙ座標を単位移動量ｄ２３だけＹ１側に移動し、照射位置（０，１５）から、再び第１のラインと同様、Ｘ２側に向かってレーザ光を走査する。こうして、各ラインについて順次レーザ照射を行うことで、被照射体の第２面（Ｘ−Ｙ平面）全域にグリーンレーザを照射することができる。
【００５３】
ここでは、Ｘ方向に沿ってレーザ光を走査する例を示したが、Ｙ方向に沿ってレーザ光を走査してもよい。また、遮光マスク１００４を用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部分のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。その他、照射位置やレーザ強度の制御方法等も任意である。
【００５４】
図７のステップＳ１３におけるレーザ光の照射は、１つの被照射体につき１回の走査で行われる。これにより、高い生産効率で、配線板１００を製造することができる。ただし、配線板１００の製造方法は、こうした走査方法に限られず、１つの被照射体につき２回以上のレーザ走査を行ってもよい。
【００５５】
さらに、ソルダーレジスト１０６に開口部１０６ａを形成して、パッド６３が露出した後も、レーザ照射を続けてデスミアを行う。具体的には、パッド６３（銅）の表面にレーザ照射をして、パッド６３上の樹脂残渣及びパッド６３の表面の酸化被膜６３ｂ（酸化銅）を除去する。これにより、パッド６３上の樹脂残渣が低減し、樹脂残渣による半田の濡れ性の低下が抑制されると考えられる。また、導体６３ａ（パッド６３の面Ｆ１）が開口部１０６ａに露出することにより、パッド６３に半田１０００ａ（図３）を設けた場合において、酸化被膜６３ｂによる導通抵抗の増大を招かなくなると考えられる。しかも、穴開け（ソルダーレジスト１０６の除去）及びデスミアが、共通のレーザ照射工程によって行われるため、別途デスミア工程を設ける必要がない。また、導体６３ａ（パッド６３の面Ｆ１）に粗化面が形成されている場合、パッド６３（銅）の表面にレーザ照射をして平滑化する、これにより、その後のパッドの表面処理（例えば、Ｎｉ／Ａｕめっき）における残留ボイドを低減することができ、半田の脱落防止の効果が期待できる。
【００５６】
また、このレーザ光の照射によって、ソルダーレジスト１０６から露出されるパッド６３の面Ｆ１（導体層１１６の表面）に凹凸（図５及び図６参照）が形成される。これにより、パッド６３の面Ｆ１と半田１０００ａ（図３）等との接合強度が向上し得ると考えられる。
【００５７】
本実施形態では、上記穴開け及びデスミアのためのレーザ照射（図７のステップＳ１３）において、グリーンレーザを用いることにより、レーザ照射後のパッド６３（導体パターン）上の樹脂残渣を除去し、パッド６３の表面の酸化被膜６３ｂを除去することができると考えられる。また、フィラー６２の含有量等を適切な範囲に調整することにより、低いレーザ強度、すなわち少ないショット数（例えば１ショット）で、ソルダーレジスト１０６に開口部１０６ａを形成することができると考えられる。以下、図１４等を参照して、このことについて、説明する。
【００５８】
図１４は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、及びシリカ（線Ｌ１３）の各々にレーザ光を照射した場合における、レーザ光の波長と吸収率との関係を示すグラフである。なお、エポキシ樹脂を他の樹脂（特に熱硬化性樹脂）に代えても、概ね同様の結果が得られると考えられる。
【００５９】
まず、波長約５３２ｎｍのレーザ光ＬＺ３（グリーンレーザ）と、波長約１０６４０ｎｍのレーザ光ＬＺ５とを比較する。レーザ光ＬＺ３としては、例えばＹＡＧ又はＹＶＯ４レーザの第２高調波を用いることができる。レーザ光ＬＺ５の光源としては、例えばＣＯ２レーザを用いることができる。
【００６０】
図１４に示されるように、レーザ光ＬＺ５の吸収率は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）及びシリカ（線Ｌ１３）の両方で高いが、レーザ光ＬＺ３の吸収率は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）では約５０〜７０％と高く、シリカ（線Ｌ１３）では約１０％未満と低い。本実施形態においては、ソルダーレジスト１０６に、樹脂６１（エポキシ樹脂）だけでなく、フィラー６２（シリカ系フィラー）も含まれているため、グリーンレーザをソルダーレジスト１０６に照射した場合には、フィラー６２によって、ソルダーレジスト１０６の分解反応（光化学反応）の進行が抑制されると考えられる。その結果、ソルダーレジスト１０６に穴開けするためのレーザ照射（図７のステップＳ１３）においては、ソルダーレジスト１０６下のパッド６３が過剰に除去されにくくなると考えられる。特に、レーザ光ＬＺ３では、シリカ（線Ｌ１３）での吸収率が約１０％未満であるため、こうした効果が大きいと考えられる。
【００６１】
ここで、本実施形態に係る配線板の製造方法におけるフィラー６２の含有量は、約２〜４０ｗｔ％の範囲にある。発明者の実験の結果等から、フィラー６２の含有量が約２ｗｔ％未満の場合はパッド６３表面へのダメージが懸念される一方、フィラー６２の含有量が約４０ｗｔ％を超える場合はソルダーレジスト１０６の除去が困難になると考えられる。そこで、ソルダーレジスト１０６に含まれるフィラー６２の含有量を約２〜４０ｗｔ％に調整すれば、パッド６３表面を損傷することなく、少ないショット数でソルダーレジスト１０６に開口部１０６ａを形成することが可能になると考えられる。しかも、ソルダーレジスト１０６に含まれる樹脂成分が選択的に除去されることにより、ソルダーレジスト１０６とパッド６３との界面付近でフィラー６２が濃縮されると考えられる。そしてその結果、その界面付近のフィラー６２によって、レーザ光の照射エネルギーが抑制されるようになり、パッド６３を過剰に除去せずに、酸化被膜６３ｂだけを除去することが可能になると考えられる。
【００６２】
また、フィラー６２（シリカ系フィラー）の平均粒子径は、約０．５〜２０μｍの範囲にあることが好ましい考えられる。フィラー６２の平均粒子径が約０．５μｍ未満の場合はパッド６３表面へのダメージが懸念される一方、フィラー６２の平均粒子径が約２０μｍを超える場合はソルダーレジスト１０６の除去が困難になると考えられる。そこで、ソルダーレジスト１０６に含まれるフィラー６２の平均粒子径を約０．５〜２０μｍに調整すれば、パッド６３表面を損傷することなく、少ないショット数でソルダーレジスト１０６に開口部１０６ａを形成することが可能になると考えられる。
【００６３】
図１４に示されるように、銅（線Ｌ１２）での吸収率は、レーザ光ＬＺ５よりもレーザ光ＬＺ３の方が高い。穴開け後のデスミアにおいては、銅でのレーザ光の吸収率が、ある程度高い方が好ましいと考えられる。酸化被膜６３ｂを除去し易くなるからである。ただし、銅でのレーザ光の吸収率が高過ぎると、銅（導体６３ａ）が過剰に削られてしまうなどの不都合が生じるおそれがある。この点、グリーンレーザは、適度に銅に吸収されるため、デスミアのためのレーザ照射に適していると考えられる。銅でのレーザ光の吸収率は、約５０％であることが好ましいと考えられる。
【００６４】
また、波長約１０６４ｎｍのレーザ光ＬＺ４よりも小さな波長を有するレーザ光は、主に光化学反応により被照射体を分解し、レーザ光ＬＺ４よりも大きな波長を有するレーザ光は、主に熱反応により被照射体を分解すると考えられる。２つの反応を比較すると、光を熱に変換して使用する熱反応よりも、光をそのまま使用する光化学反応の方がエネルギー効率が高いと考えられる。このことから、グリーンレーザは、エネルギー効率の面でも優れていると考えられる。
【００６５】
次に、波長約２００ｎｍのレーザ光ＬＺ１と、波長約３５５ｎｍのレーザ光ＬＺ２（ＵＶレーザ）と、波長約５３２ｎｍのレーザ光ＬＺ３（グリーンレーザ）とを比較する。なお、レーザ光ＬＺ１の光源としては、例えばエキシマレーザを用いることができる。レーザ光ＬＺ２としては、例えばＹＡＧ又はＹＶＯ４レーザの第３高調波を用いることができる。
【００６６】
これらレーザ光ＬＺ１〜ＬＺ３は、主に光化学反応より被照射体を分解する点で共通すると考えられる。しかし、図１４に示されるように、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、及びシリカ（線Ｌ１３）での吸収率については、レーザ光ＬＺ１が最も高く、次にレーザ光ＬＺ２が高く、レーザ光ＬＺ３が最も低い。より詳しくみると、レーザ光ＬＺ２、ＬＺ３の吸収率は、高い方から、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、シリカ（線Ｌ１３）の順になっているが、レーザ光ＬＺ１の吸収率は、高い方から、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、シリカ（線Ｌ１３）、銅（線Ｌ１２）の順になっている。しかも、レーザ光ＬＺ１では、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）での吸収率とシリカ（線Ｌ１３）での吸収率との間にほとんど差がない。したがって、先のレーザ照射工程（図７のステップＳ１３）において、エキシマレーザを用いた場合には、フィラー６２によるレーザ吸収率低減の効果は低いと考えられる。
【００６７】
以上より、上記穴開け及びデスミアのためのレーザ照射（図７のステップＳ１３）に用いるレーザ光は、主に光化学反応により被照射体を分解できるもの、すなわち約１０６４ｎｍ以下の波長を有することが好ましいと考えられる。また、銅でのレーザ光の吸収率がある程度高くなるように、レーザ光の吸収率は、高い方から、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、シリカ（線Ｌ１３）の順になっていることが好ましいと考えられる。したがって、上記レーザ光の波長は、図１４中の範囲Ｒ２１、すなわち約３００〜１０６４ｎｍの範囲にあることが好ましいと考えられる。さらに、フィラー６２によるレーザ吸収率低減の効果や、ソルダーレジスト１０６を除去する効率等を考慮すると、上記レーザ光の波長は、約４５０〜６００ｎｍの範囲（範囲Ｒ２２）にあることが好ましく、中でも、約５００〜５６０ｎｍの範囲（範囲Ｒ２３）にあることがより好ましいと考えられる。
【００６８】
光源としては、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、アルゴンイオンレーザ、又は銅蒸気レーザが好ましいと考えられる。例えばＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを光源とした場合、基本波により波長約１０６４ｎｍのレーザ光が得られ、第２高調波により波長約５３２ｎｍのレーザ光が得られ、第３高調波により波長約３５５ｎｍのレーザ光が得られる。また、アルゴンイオンレーザによれば、約４８８〜５１５ｎｍの範囲にある波長を有するレーザ光が得られる。また、銅蒸気レーザによれば、約５１１〜５７８ｎｍの範囲にある波長を有するレーザ光が得られる。ただし、光源はこれらに限られず任意であり、必要なレーザ光の波長に応じて適切なものを選定することが好ましい。また、各光源の基本波を用いてもよく、各光源の高調波を用いてもよい。
【００６９】
上記穴開け及びデスミアのためのレーザ照射（図７のステップＳ１３）に用いられるレーザ光のパッド６３（銅）への吸収率は、約３０〜６０％の範囲にあることが好ましいと考えられる。以下、このことについて、図１５を参照して説明する。
【００７０】
図１５は、波長の異なる５つのレーザ光ＬＺ１〜ＬＺ５をソルダーレジスト１０６に照射して、上記穴開け及びデスミアを行った結果を示す図表である。
【００７１】
図１５に示されるように、銅への吸収率が約６０％を超える場合（例えばレーザ光ＬＺ１、ＬＺ２）はパッド６３表面の損傷が懸念される一方、銅への吸収率が約３０％未満の場合（例えばレーザ光ＬＺ４、ＬＺ５）はソルダーレジスト１０６や酸化被膜６３ｂの除去が困難になると考えられる。そこで、パッド６３（銅）への吸収率が約３０〜６０％の範囲にあるレーザ光（例えばレーザ光ＬＺ３）を用いれば、パッド６３表面へのダメージを抑制しつつ、レーザ照射後のパッド６３（導体パターン）上の樹脂残渣を低減することができると考えられる。
【００７２】
レーザ照射工程（図７のステップＳ１３）により、配線板１００（特に図４に示した構造）が完成する。上記のように、このレーザ照射工程によって、パッド６３上の樹脂残渣を除去するとともに、パッド６３の表面の酸化被膜６３ｂを除去することができると考えられる。またその結果、配線板１００におけるパッド６３（外部接続端子）の電気的特性が向上すると考えられる。
【００７３】
以上、本発明の実施形態に係る配線板の製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【００７４】
パッド６３の導体６３ａは、無電解めっき膜及び電解めっき膜の２層構造からなるものに限られない。例えば図１６（図４に対応した断面図）に示すように、絶縁層１０４側から順に、金属箔２００１（例えば銅箔）、例えば銅の無電解めっき膜２００２、及び例えば銅の電解めっき膜２００３が積層された３層構造からなる導体６３ａであってもよい。さらに、導体６３ａの層数は２層や３層に限られず任意であり、例えば４層以上で構成される導体６３ａであってもよい。
【００７５】
上記実施形態では、ソルダーレジスト１０６に含まれるフィラー６２（シリカ系フィラー）の５０ｗｔ％以上が破砕シリカであったが、これに限られず、任意のシリカ系フィラーをフィラー６２として採用することができる。例えば図１７に示すように、ソルダーレジスト１０６に含まれるフィラー６２（シリカ系フィラー）の５０ｗｔ％以上が、球形シリカであってもよい。
【００７６】
パッド６３（特に導体６３ａ）の材料として、銅以外の導体を用いてもよい。図１４に示した関係に準ずる関係が得られれば、前述した効果に準ずる効果が得られると考えられる。
【００７７】
上記実施形態では、図７及び図８〜図１２に示した方法を用いて図１中の領域Ｒ１の構造（外層部位）を形成する場合について言及したが、上記方法は、図１８中の領域Ｒ２の構造（内層部位）を形成するために採用してもよい。この場合、絶縁層１０４に代わって、絶縁層１０２（層間絶縁層）が下層絶縁層となり、ソルダーレジスト１０６に代わって、絶縁層１０４（層間絶縁層）が上層絶縁層となる。この例において、絶縁層１０４は、樹脂に約２〜６０ｗｔ％の割合でフィラーを含有させてなるなど、上記実施形態で示したソルダーレジスト１０６の材料と同様の材料からなることが好ましい。
【００７８】
上記実施形態では、図７のステップＳ１３で、レーザ光を照射することにより、外部接続端子として機能するパッド６３を露出するようにした。しかしこれに限られず、他の導体パターン（配線板に内蔵される電子部品や他の配線板のパッドなど）を露出する場合に、上記方法を用いてもよい。また、外部接続端子（半田バンプなど）を配置するための孔ではなく、内層におけるビアホールやスルーホール等の開口部を、前述のレーザ照射によって形成してもよい。さらには、孔以外の開口部（例えば溝や切欠など）を、前述のレーザ照射によって形成してもよい。
【００７９】
例えば図１９に示すように、上記方法により、電子部品３０１ａを内蔵する配線板３０１を製造する場合には、上記レーザ照射により、電子部品３０１ａの電極３０１ｂ（導体層３０１ｃ中の導体パターン）を露出させてもよい。これにより、電子部品３０１ａの電極３０１ｂとその上層導体層とのビア接続部Ｒ３１を形成することができる。
【００８０】
例えば図２０に示すように、上記方法により、フレックスリジッド配線板３０２を製造する場合には、上記レーザ照射により、フレキシブル配線板３０２ａのパッド３０２ｂ（導体層３０２ｃ中の導体パターン）を露出させてもよい。これにより、フレキシブル配線板３０２ａのパッド３０２ｂとリジッド部（上層導体層）とのビア接続部Ｒ３２を形成することができる。
【００８１】
例えば図２１に示すように、上記方法により、他の配線板３０３ａ（例えば高密度な配線板）を内蔵する配線板３０３を製造する場合には、上記レーザ照射により、他の配線板３０３ａのパッド３０３ｂ（導体層３０３ｃ中の導体パターン）を露出させてもよい。これにより、他の配線板３０３ａのパッド３０３ｂとその上層導体層とのビア接続部Ｒ３３を形成することができる。
【００８２】
その他の点についても、配線板１００の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。例えばビア接続部Ｒ３１〜Ｒ３３は、コンフォーマル導体であっても、フィルド導体であってもよい。
【００８３】
配線板１００の製造方法は、図７に示した内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【００８４】
上記実施形態及び各変形例は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。
【００８５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明に係る配線板の製造方法は、電子機器の回路基板等の製造に適している。
【符号の説明】
【００８７】
６１  樹脂
６２  フィラー
６３  パッド
６３ａ  導体
６３ｂ  酸化被膜
１００  配線板
１００ａ、１０１〜１０４  絶縁層
１０５、１０６  ソルダーレジスト（絶縁層）
１０６ａ  開口部
１１１〜１１６  導体層
２００  基板
３０１、３０３  配線板
３０２  フレックスリジッド配線板
３０１ａ  電子部品
３０２ａ  フレキシブル配線板
３０３ａ  他の配線板
３０１ｂ  電極
３０２ｂ、３０３ｂ  パッド
３０１ｃ〜３０３ｃ  導体層
１０００  電子部品
１０００ａ  半田
１００１  無電解めっき膜
１００２  めっきレジスト
１００２ａ  開口部
１００３  電解めっき膜
１００４  遮光マスク
１００４ａ  開口部
２００１  金属箔
２００２  無電解めっき膜
２００３  電解めっき膜
Ｆ１  面
Ｆ２  側面
Ｐ１  凸部
Ｒ３１〜Ｒ３３  ビア接続部
【図１】
2011152312.tif 000003
【図２】
2011152312.tif 000004
【図３】
2011152312.tif 000005
【図４】
2011152312.tif 000006
【図５】
2011152312.tif 000007
【図６】
2011152312.tif 000008
【図７】
2011152312.tif 000009
【図８Ａ】
2011152312.tif 000010
【図８Ｂ】
2011152312.tif 000011
【図８Ｃ】
2011152312.tif 000012
【図９】
2011152312.tif 000013
【図１０】
2011152312.tif 000014
【図１１】
2011152312.tif 000015
【図１２】
2011152312.tif 000016
【図１３】
2011152312.tif 000017
【図１４】
2011152312.tif 000018
【図１５】
2011152312.tif 000019
【図１６】
2011152312.tif 000020
【図１７】
2011152312.tif 000021
【図１８】
2011152312.tif 000022
【図１９】
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【図２０】
2011152312.tif 000024
【図２１】
2011152312.tif 000025
【国際調査報告】
2011152312.tif 000026
2011152312.tif 000027
2011152312.tif 000028
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