(57)【要約】  本発明は、機械的強度を維持しつつ、細線化可能な形状保持部を有する回路基板を提供することを課題とする。  本発明は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された配線層と、を有する回路基板であって、上記金属支持基板には開口領域が形成され、上記金属支持基板に接する第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された補強層とを有し、上記開口領域によって分割された上記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を有することを特徴とする回路基板を提供することにより、上記課題を解決する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された配線層と、を有する回路基板であって、
前記金属支持基板には開口領域が形成され、
前記金属支持基板に接する第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された補強層とを有し、前記開口領域によって分割された前記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記開口領域によって分割された前記金属支持基板の一方が、前記回路基板の厚さ方向に可動する可動領域であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第二絶縁層の材料が、前記第一絶縁層の材料と同一であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第二絶縁層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記配線層を覆うカバー層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記補強層の材料が、前記カバー層の材料と同一であることを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
前記補強層の厚さが、前記配線層上の前記カバー層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記補強層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項９】
前記補強層の材料が、前記配線層の材料と同一であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記補強層の材料が、銅であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記補強層が、前記第二絶縁層上の全面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１２】
第一金属層と、前記第一金属層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された補強層および配線層とを有する積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体の絶縁層をエッチングすることにより、前記補強層を支持する第二絶縁層、および、前記配線層を支持する第一絶縁層を形成する絶縁層エッチング工程と、
前記絶縁層エッチング工程の後に、前記第一金属層をエッチングすることにより、開口領域を有する金属支持基板を形成し、これにより、前記第二絶縁層および前記補強層を有し、前記開口領域によって分割された前記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を形成する金属層エッチング工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層エッチング工程において、前記補強層をレジスト層として用いることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記補強層の材料が、前記絶縁層の材料よりもエッチングレートの低い材料であることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記補強層の材料が、ポリイミド樹脂または銅であることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記金属層エッチング工程の後に、前記補強層を除去する除去工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の回路基板であることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項１９】
請求項１８に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項２０】
請求項１９に記載のサスペンションと、前記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項２１】
請求項２０に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機械的強度を維持しつつ、細線化可能な形状保持部を有する回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）に用いられる回路基板として、磁気ヘッドスライダ等の素子を実装するサスペンション用基板が知られている。サスペンション用基板は、通常、金属支持基板（例えばＳＵＳ）、絶縁層（例えばポリイミド樹脂）、配線層（例えばＣｕ）がこの順に積層された基本構造を有し、通常は、一方の先端に素子を実装するための素子実装領域を有し、他方の先端に他の回路基板との接続を行うための接続領域を有する。【０００３】
また、金属支持基板は、通常、剛性が高いため、低剛性化を図るべく金属支持基板の一部を除去することが知られている。一方、金属支持基板の一部を除去すると、逆に、機械的強度の不足に起因する問題が生じる場合がある。そのため、絶縁材料を用いて金属支持基板を補強する技術が知られている。例えば、特許文献１においては、特定の誘電体リミッタを有するサスペンション・アセンブリが開示されている。この技術は、衝撃力によりＨＧＡ（ヘッド・ジンバル・アセンブリ）のヘッド／スライダに加速度が加えられ、ヘッド／スライダを支持するフレキシャ・アセンブリが一定以上に変位した場合、フレキシャ・アセンブリが塑性変形し所定のピボット運動をすることができなくなることを防止するリミッタに関するものであり、小型化に適した誘電体リミッタに関するものである。なお、サスペンション・アセンブリの塑性変形は、磁気ディスク装置に対する衝撃だけでなく、製造工程におけるＨＧＡの取り扱いに起因して発生する場合もある。しかしながら、このような誘電体リミッタ自体の変形を抑制するためには、リミッタの幅を所定の大きさに維持する必要があり、細線化が困難であるという問題がある。【０００４】
また、絶縁層に用いられるポリイミド樹脂を加工する技術として、以下の技術が知られている。例えば、特許文献２においては、絶縁層を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従って、ウェットエッチングにより絶縁層を加工することが記載されている。また、特許文献３においては、溶解速度の異なるポリイミド樹脂を用いて、同一のエッチング液により、溶解速度の速いポリイミド樹脂の除去すべき領域だけを選択的に除去することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１５２８１３号公報
【特許文献２】特許第４１６５７８９号
【特許文献３】特許第３２４８７８６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、機械的強度を維持しつつ、細線化可能な形状保持部を有する回路基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された配線層と、を有する回路基板であって、上記金属支持基板には開口領域が形成され、上記金属支持基板に接する第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された補強層とを有し、上記開口領域によって分割された上記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を有することを特徴とする回路基板を提供する。【０００８】
本発明によれば、形状保持部が第二絶縁層および補強層を有することから、機械的強度を維持しつつ、形状保持部の幅を小さくすることができる。【０００９】
上記発明においては、上記開口領域によって分割された上記金属支持基板の一方が、上記回路基板の厚さ方向に可動する可動領域であることが好ましい。形状保持部が有する形状保持効果が発揮されやすいからである。【００１０】
上記発明においては、上記第二絶縁層の材料が、上記第一絶縁層の材料と同一材料であることが好ましい。第一絶縁層の形成と同時に第二絶縁層を形成することができるからである。【００１１】
上記発明においては、上記第二絶縁層の材料が、ポリイミド樹脂であることが好ましい。絶縁性および加工性に優れているからである。【００１２】
上記発明においては、上記配線層を覆うカバー層をさらに有することが好ましい。配線層の劣化を抑制することができるからである。【００１３】
上記発明においては、上記補強層の材料が、上記カバー層の材料と同一であることが好ましい。カバー層の形成と同時に補強層を形成することができるからである。【００１４】
上記発明においては、上記補強層の厚さが、上記配線層上の上記カバー層の厚さよりも厚いことが好ましい。配線層上のカバー層の厚さを必要以上に厚くすることなく、補強層の厚さのみを厚くすることで、軽量化を図りつつ、形状保持部の補強ができるからである。【００１５】
上記発明においては、上記補強層の材料が、ポリイミド樹脂であることが好ましい。【００１６】
上記発明においては、上記補強層の材料が、上記配線層の材料と同一であることが好ましい。配線層の形成と同時に補強層を形成することができるからである。【００１７】
上記発明においては、上記補強層の材料が、銅であることが好ましい。【００１８】
上記発明においては、上記補強層が、上記第二絶縁層上の全面に形成されていることが好ましい。【００１９】
また、本発明においては、第一金属層と、上記第一金属層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された補強層および配線層とを有する積層体を形成する積層体形成工程と、上記積層体の絶縁層をエッチングすることにより、上記補強層を支持する第二絶縁層、および、上記配線層を支持する第一絶縁層を形成する絶縁層エッチング工程と、上記絶縁層エッチング工程の後に、上記第一金属層をエッチングすることにより、開口領域を有する金属支持基板を形成し、これにより、上記第二絶縁層および上記補強層を有し、上記開口領域によって分割された上記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を形成する金属層エッチング工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法を提供する。【００２０】
本発明によれば、形状保持部を形成することにより、形状安定性に優れた回路基板を得ることができる。【００２１】
上記発明においては、上記絶縁層エッチング工程において、上記補強層をレジスト層として用いることもが好ましい。補強層をレジスト層として用いることができ、別途にレジスト層を設ける必要がないからである。【００２２】
上記発明においては、上記補強層の材料が、上記絶縁層の材料よりもエッチングレートの低い材料であることが好ましい。絶縁層をエッチングする際に、補強層をレジスト層として用いることができ、容易に形状保持部を形成することができるからである。【００２３】
上記発明においては、上記補強層の材料が、ポリイミド樹脂または銅であることが好ましい。【００２４】
上記発明においては、上記絶縁層の材料が、ポリイミド樹脂であることが好ましい。【００２５】
上記発明においては、上記金属層エッチング工程の後に、上記補強層を除去する除去工程を有していても良い。例えば、補強層が金属層であり、形状保持部の機械的強度が強くなりすぎて、金属支持基板の可動部の所定の動きを必要以上に制限する場合は、補強層を除去して、形状保持部の柔軟性を向上させることができる。【００２６】
また、本発明においては、上述した回路基板であることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。【００２７】
本発明によれば、上述した回路基板を用いることで、形状安定性に優れたサスペンション用基板とすることができる。【００２８】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。【００２９】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、形状安定性に優れたサスペンションとすることができる。【００３０】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。【００３１】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、形状安定性に優れたサスペンションとすることができる。【００３２】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。【００３３】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明においては、機械的強度を維持しつつ、細線化可能な形状保持部を有する回路基板を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の回路基板の一例を示す説明図である。
【図２】本発明における形状保持部の位置を説明する概略平面図である。
【図３】本発明における形状保持部の構成を説明する概略断面図である。
【図４】本発明の回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の回路基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【図６】本発明における積層部材を例示する概略断面図である。
【図７】本発明における絶縁層エッチング工程を説明する概略断面図である。
【図８】本発明における絶縁層エッチング工程を説明する概略断面図である。
【図９】本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。
【図１０】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１１】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１２】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の回路基板、回路基板の製造方法、サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブについて詳細に説明する。【００３７】
Ａ．回路基板
まず、本発明の回路基板について説明する。本発明の回路基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された配線層と、を有する回路基板であって、上記金属支持基板には開口領域が形成され、上記金属支持基板に接する第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された補強層とを有し、上記開口領域によって分割された上記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を有することを特徴とするものである。【００３８】
図１は、本発明の回路基板の一例を示す説明図である。図１（ａ）は、本発明の回路基板の一例を示す概略平面図であり、便宜上、第一絶縁層およびカバー層の記載は省略している。また、図１（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。図１（ａ）に示される回路基板は、金属支持基板１１と、金属支持基板１１上に形成された第一絶縁層（図示せず）と、その第一絶縁層上に形成された配線層１３とを有する。さらに、金属支持基板１１には開口領域Ｘが形成され、開口領域Ｘによって分割された金属支持基板１１の間をブリッジする形状保持部１０が形成されている。また、図１（ｂ）に示すように、形状保持部１０は、金属支持基板１１に接する第二絶縁層１と、第二絶縁層１上に形成された補強層２とを有する。なお、図１（ｂ）に示される配線層１３は、第一絶縁層１２上に形成され、かつ、カバー層１４に覆われている。【００３９】
このように、本発明によれば、形状保持部が第二絶縁層および補強層を有することから、機械的強度を維持しつつ、形状保持部の幅（図１（ｃ）における幅Ｗ）を小さくすることができる。これにより、形状保持部の省スペース化を図ることができ、設計自由度を向上させることができる。さらに、本発明における形状保持部は、幅が小さくても、充分な機械的強度を有しているので、回路基板の作製時に形状保持部が変形することを防止することができる。また、本発明によれば、形状保持部を設けることにより、特に回路基板の平面方向（厚さ方向をｚ方向とした場合のｘｙ方向）における形状を安定化させることができる。その結果、ｘｙ方向での回路基板の変形を抑制することができ、形状安定性に優れた回路基板とすることができる。
以下、本発明の回路基板について、回路基板の部材と、回路基板の構成とに分けて説明する。【００４０】
１．回路基板の部材
まず、本発明の回路基板の部材について説明する。本発明の回路基板は、少なくとも金属支持基板、配線層、第一絶縁層および形状保持部を有するものである。【００４１】
本発明における金属支持基板は、通常、回路基板の支持基板として用いられるものである。金属支持基板の材料は、特に限定されるものではなく回路基板の種類に応じて適宜選択されるものであるが、ばね性を有する金属であることが好ましい。サスペンション用基板として有用な回路基板とすることができるからである。金属支持基板の材料としては、例えばＳＵＳ等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。【００４２】
本発明における配線層は、通常、回路基板の配線として用いられるものである。配線層の材料は、特に限定されるものではなく回路基板の種類に応じて適宜選択されるものであるが、導電性を有するものであることが好ましい。サスペンション用基板として有用な回路基板とすることができるからである。配線層の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。また、配線層の厚さとしては、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であり、中でも９μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。また、配線層の表面には、金めっき層が形成されていても良い。配線層の劣化を抑制することができるからである。金めっき層の厚さは、例えば０．１μｍ〜４．０μｍの範囲内である。また、配線層および金めっき層の間には、Ｎｉめっき層が形成されていても良い。【００４３】
本発明における第一絶縁層は、金属支持基板上に形成される層であり、通常、金属支持基板および配線層を絶縁するものである。第一絶縁層の材料としては、例えばポリイミド樹脂（ＰＩ）等を挙げることができる。また、第一絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。また、第一絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜１０μｍの範囲内である。【００４４】
また、本発明の回路基板は、配線層を覆うカバー層を有していても良い。カバー層を設けることにより、配線層の劣化を抑制することができる。カバー層の材料としては、例えばポリイミド樹脂（ＰＩ）等を挙げることができる。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。配線層上（配線層の上面で）のカバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であり、中でも２μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１５μｍの範囲内であることがより好ましい。【００４５】
本発明における形状保持部は、金属支持基板に接する第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された補強層とを有するものである。第二絶縁層の材料は、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、第一絶縁層の材料と同一であることが好ましい。第一絶縁層の形成と同時に第二絶縁層を形成することができるからである。特に、第二絶縁層の材料は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。絶縁性および加工性に優れているからである。また、第二絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜１０μｍの範囲内である。【００４６】
上記補強層は、第二絶縁層上に形成され、第二絶縁層の機械的強度を向上させるものであれば特に限定されるものではない。通常は、補強層を設けることで、形状保持部の厚さが厚くなり、第二絶縁層の機械的強度は向上する。補強層の材料としては、例えば、金属および樹脂等を挙げることができる。【００４７】
また、補強層の材料は、第一絶縁層の材料よりもエッチングレートが低い材料であることが好ましい。後述するように、絶縁層をエッチングする際に、補強層をレジスト層として用いることができ、容易に形状保持部を形成することができるからである。また、補強層の材料は、第一絶縁層に対する密着性が高い材料であることが好ましい。より幅の小さい形状保持部を形成することができるからである。なお、この効果については、後述する図８で詳細に説明する。【００４８】
また、補強層の材料は、カバー層の材料と同一であることが好ましい。カバー層の形成と同時に補強層を形成することができるからである。補強層の材料としては、具体的にはポリイミド樹脂等を挙げることができる。中でも、本発明においては、第二絶縁層および補強層の材料がポリイミド樹脂であることが好ましい。同じポリイミド系の材料を用いることで、密着性に優れた補強層を形成することができ、幅の小さい形状保持部を形成することができるからである。特に、本発明においては、第二絶縁層および補強層の材料がポリイミド樹脂であり、補強層に用いられるポリイミド樹脂のエッチングレートが、第二絶縁層に用いられるポリイミド樹脂のエッチングレートよりも小さいことが好ましい。第一絶縁層をエッチングする際に、補強層をレジスト層として用いることができ、容易に形状保持部を形成することができるからである。【００４９】
また、補強層の材料は、配線層の材料と同一であることが好ましい。配線層の形成と同時に補強層を形成することができるからである。補強層の材料としては、具体的には銅等を挙げることができる。中でも、本発明においては、第二絶縁層の材料がポリイミド樹脂であり、補強層の材料が銅であることが好ましい。ポリイミド樹脂および銅は、密着性に優れており、幅の小さい形状保持部を形成することができるからである。また、補強層が金属である場合、通常はポリイミド樹脂用のエッチング液ではエッチングされないことから、補強層をレジスト層として用いることができ、容易に形状保持部を形成することができる。また、補強層が金属である場合、劣化を防止するために、補強層が上述した金めっき層、Ｎｉめっき層、カバー層等で被覆されていても良い。また、この場合、第二絶縁層と補強層の金属との間には、密着性向上の為の金属薄膜層が形成されていても良い。【００５０】
また、補強層の厚さは、第二絶縁層の機械的強度を向上させるものであれば特に限定されるものではない。上述したように、補強層を、カバー層または配線層と同時に形成する場合は、これらの層と同じ厚さになる場合がある。また、補強層をレジスト層として用いる場合は、レジスト層として機能する程度の厚さが必要になる。補強層の厚さは、補強層の種類によって異なるものであるが、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であり、４μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、４μｍ〜１５μｍの範囲内であることがより好ましい。【００５１】
また、補強層の材料がカバー層の材料と同一である場合、補強層の厚さは、配線層上（配線層の上面で）のカバー層の厚さよりも厚いことが好ましい。具体的には、後述する図４（ｅ）に示すように、補強層２の厚さが、配線層１３上のカバー層１４の厚さよりも厚いことが好ましい。配線層上のカバー層の厚さを必要以上に厚くすることなく、補強層の厚さのみを厚くすることで、軽量化を図りつつ、形状保持部の補強ができるからである。補強層の厚さ（Ａ）と、配線層上のカバー層の厚さ（Ｂ）との差（Ａ−Ｂ）は、例えば２μｍ以上であることが好ましく、２μｍ〜６μｍの範囲内であることがより好ましい。【００５２】
２．回路基板の構成
次に、本発明の回路基板の構成について説明する。本発明の回路基板に用いられる金属支持基板には、開口領域が形成されている（図１（ａ）における開口領域Ｘ）。本発明における「開口領域」とは、金属支持基板が存在しない領域をいい、例えば金属支持基板の一部が除去された領域をいう。本発明における開口領域は、金属支持基板に完全に囲まれている領域であっても良く、その一部がオープンになっている領域であっても良い。【００５３】
本発明においては、開口領域により分割された金属支持基板の一方が、可動領域であることが好ましい。形状保持部が有する形状保持効果が発揮されやすいからである。さらに、この可動領域は、回路基板の厚さ方向（図１（ｂ）における厚さ方向）に可動する領域であることが好ましい。厚さ方向（ｚ方向）に可動する可動領域では、ｚ方向の動きを確保するため、相対的に平面方向（ｘｙ方向）での変位を受けやすくなる。そのため、形状保持部を設けることにより、特にｘｙ方向における形状を保持・安定化させることができ、ｘｙ方向での回路基板の変形を抑制することができる。このような可動領域としては、例えば、素子を実装する素子実装領域を挙げることができる。【００５４】
次に、本発明における形状保持部について説明する。本発明における形状保持部は、開口領域によって分割された金属支持基板の間をブリッジするものである。形状保持部の幅は、特に限定されるものではないが、より小さいことが好ましい。形状保持部の省スペース化を図ることができ、設計自由度を向上させることができるからである。ここで、図１（ｃ）に示されるように、形状保持部１０における第二絶縁層１の底部の幅をＷとした場合、Ｗは、１００μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。Ｗの値が大きすぎると充分な省スペース化を図ることができないからである。一方、Ｗは、３０μｍ以上であることが好ましく、４５μｍ以上であることがより好ましい。Ｗの値が小さすぎると、補強層を保持することが困難になる可能性があるからである。また、本発明における第二絶縁層は、後述するテーパー角を有することが好ましい。【００５５】
本発明における形状保持部が形成される位置は、特に限定されるものではない。例えば図２に示すように、開口領域Ｘによって分割された金属支持基板１１の一方が素子実装領域Ｍを有する金属支持基板１１ａであり、開口領域Ｘによって分割された金属支持基板１１の他方が外枠である金属支持基板１１ｂであり、これらの金属支持基板の間をブリッジするように、形状保持部１０を設けることができる。【００５６】
また、本発明においては、補強層が、第二絶縁層上の少なくとも一部に形成されていれば良い。中でも、本発明においては、補強層が、開口領域および金属支持基板の境界部分を覆うように形成されていることが好ましい。形状保持部の変形（シワ等）が生じやすい部分だからである。具体的には、図３（ａ）に示すように、補強層２が開口領域Ｘおよび金属支持基板１１の境界部分を覆うように、第二絶縁層１上に形成されているものを挙げることができる。この場合、補強層２は、開口領域Ｘおよび金属支持基板１１の境界部分を覆うように形成されていれば、図３（ａ）に示すように分離形成されていても良く、その間隙を埋めるように一体形成されていても良い。また、本発明においては、図３（ｂ）に示すように、補強層２が第二絶縁層１上の全面に形成されていても良い。補強層２が全面形成されることにより、形状保持部全体の強度を増加させ、その中間部での切断も防げるという利点がある。ここでいう「全面」とは、図３（ｂ）のように、補強層２の端部と、第二絶縁層１の端部とが一致している場合のみならず、補強層２の端部が、第二絶縁層１の端部に対して５μｍ以下の範囲で異なっている場合をも含む概念である。例えば、補強層２の端部が、第二絶縁層１の端部よりも多少内側に位置する場合であっても、それは、製造上のアライメント誤差により生じ得るものであり、このような状態であっても、上記の「全面」に該当する。一方、本発明においては、図３（ｃ）に示すように、補強層２が開口領域Ｘにおける第二絶縁層１上のみに形成されていても良い。【００５７】
なお、本発明においては、第二絶縁層上に補強層を設けることで、第二絶縁層の強度を向上させ、形状保持部の変形を抑制しているが、例えば、形状保持部が第二絶縁層のみからなる場合（補強層を有しない場合）は、開口領域および金属支持基板の境界部分における第二絶縁層の厚さを局所的に厚くするか、第二絶縁層の幅を局所的に幅広にすれば、補強層を設けた場合と同様に、形状保持部の変形を抑制することができるものと思われる。なお、本発明における形状保持部の形状は、図１および図２に示されるような直線状の形状に限定されず、曲線状、折れ曲がり形状等の任意の形状を採用することができる。特に、形状保持部の形状は、リミッタとしての機能に応じた形状とすることが好ましい。【００５８】
３．回路基板
本発明の回路基板は、上述した部材および構成を有するものである。さらに、上記のように、本発明の回路基板は、素子実装領域を有していても良い。素子実装領域に実装される素子としては、例えば、磁気ヘッドスライダ、アクチュエータ、半導体等を挙げることができる。また、上記アクチュエータは、磁気ヘッドを有するものであっても良く、磁気ヘッドを有しないものであっても良い。【００５９】
本発明の回路基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることが好ましい。また、回路基板の用途としては、具体的には、ＨＤＤ等に用いられるサスペンション用基板（フレキシャー）、半導体パッケージ基板、フレキシブルプリント基板等を挙げることができる。【００６０】
Ｂ．回路基板の製造方法
次に、本発明の回路基板の製造方法について説明する。本発明の回路基板の製造方法は、第一金属層と、上記第一金属層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された補強層および配線層とを有する積層体を形成する積層体形成工程と、上記積層体の絶縁層をエッチングすることにより、上記補強層を支持する第二絶縁層、および、上記配線層を支持する第一絶縁層を形成する絶縁層エッチング工程と、上記絶縁層エッチング工程の後に、上記第一金属層をエッチングすることにより、開口領域を有する金属支持基板を形成し、これにより、上記第二絶縁層および上記補強層を有し、上記開口領域によって分割された上記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を形成する金属層エッチング工程と、を有することを特徴とするものである。【００６１】
図４は、本発明の回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図４は、補強層の材料が、カバー層の材料と同一である態様である。図４においては、まず、第一金属層１１Ａ、絶縁層１２Ａおよび第二金属層１３Ａを有する積層部材を準備する（図４（ａ））。次に、第二金属層１３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、配線層１３を形成する（図４（ｂ））。次に、配線層１３を覆うようにカバー層１４を形成し、それと同時に補強層２を形成し、積層体２０を得る（図４（ｃ））。なお、図４（ｃ）における、カバー層１４および補強層２の厚さの関係は、あくまで例示であり、特に限定されるものではない。【００６２】
次に、カバー層１４および補強層２におけるエッチングレートが、絶縁層１２Ａにおけるエッチングレートよりも充分に小さい場合は、カバー層１４および補強層２をレジスト層として、絶縁層１２Ａのエッチングを行うことができる。これにより、補強層２を支持する第二絶縁層１、および、配線層１３を支持する第一絶縁層１２を形成する（図４（ｄ））。なお、カバー層１４および補強層２におけるエッチングレートが、絶縁層１２Ａにおけるエッチングレートよりも充分に小さくない場合には、パターニングされたＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）層を介して、絶縁層１２Ａのエッチングを行うことができる。【００６３】
最後に、第一金属層１１Ａをエッチングすることにより、開口領域Ｘを有する金属支持基板１１を形成し、これにより、第二絶縁層１および補強層２を有し、開口領域Ｘによって分割された金属支持基板１１の間をブリッジする形状保持部１０を形成し、回路基板を得る（図４（ｅ））。【００６４】
上記のように、本発明においては、第一金属層１１Ａをエッチングすることにより金属支持基板１１を形成し、絶縁層１２Ａをエッチングすることにより第一絶縁層１２および第二絶縁層１を形成し、第二金属層１３Ａをエッチングすることにより、配線層１３を形成する。【００６５】
一方、図５は、本発明の回路基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。なお、図５は、補強層の材料が、配線層の材料と同一である態様である。図５においても、まず、第一金属層１１Ａ、絶縁層１２Ａおよび第二金属層１３Ａを有する積層部材を準備する（図５（ａ））。次に、第二金属層１３Ａのパターニングを行う際に、配線層１３と同時に補強層２を形成し、積層体２０を得る（図５（ｂ））。その後は、カバー層１４の材料で補強層２を形成しないこと以外は図４と同様にして、回路基板を得る（図５（ｃ）〜（ｅ））。【００６６】
このように、本発明によれば、形状保持部を形成することにより、形状安定性に優れた回路基板を得ることができる。
以下、本発明の回路基板の製造方法について、工程毎に説明する。【００６７】
１．積層体形成工程
まず、本発明における積層体形成工程について説明する。本発明における積層体形成工程は、第一金属層と、上記第一金属層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された補強層および配線層とを有する積層体を形成する工程である。【００６８】
積層体の形成方法は、所望の積層体を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。積層体の形成方法の一例としては、図４（ａ）および図５（ａ）に示される積層部材を用いる方法を挙げることができる。また、本発明においては、アディティブ法により積層体を形成しても良い。【００６９】
本発明における積層体は、配線層を覆うカバー層をさらに有していても良い。なお、積層体に用いられる各部材については、上記「Ａ．回路基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。【００７０】
また、本発明においては、図４（ａ）〜（ｃ）に示したように、積層体の準備工程として、第一金属層、絶縁層、第二金属層を有する積層部材を準備する準備工程と、前記第二金属層に対してウェットエッチングを行い、配線層を形成する配線層形成工程と、前記配線層を覆うカバー層、および、第二絶縁層となる部分の前記絶縁層上に形成された補強層を同時に形成するカバー層／補強層同時形成工程とを行うことが好ましい。カバー層および補強層を同時に形成することにより、製造工程の簡略化を図ることができるからである。【００７１】
さらに、カバー層／補強層同時形成工程においては、補強層の厚さが配線層上のカバー層の厚さよりも厚くなるように、補強層およびカバー層を形成することが好ましい。配線層上のカバー層の厚さを必要以上に厚くすることなく、補強層の厚さのみを厚くすることで、軽量化を図りつつ、形状保持部の補強ができるからである。また、このような厚さの差を設けるために、例えば、カバー層および補強層の材料となる樹脂（紫外線硬化前または熱硬化前の樹脂）の粘度を低く調整することが好ましい。粘度の低い樹脂を用いると、図６（ａ）に示すように、パターニングされた配線層１３では、配線層１３の上面から樹脂が流れ出す。その結果、配線層１３上のカバー層１４の厚さは、樹脂が流れ出した分だけ薄くなる。一方、パターニングされていない絶縁層１２Ａでは、粘度の低い樹脂を用いた場合であっても樹脂が流れ出さず、より厚い補強層２を得ることができる。なお、図６（ａ）は、上述した図４（ｃ）に相当する断面図である。また、粘度の高い樹脂を用いると、図６（ｂ）に示すように、配線層１３上のカバー層１４の厚さと、補強層２の厚さとの差は小さくなる。【００７２】
２．絶縁層エッチング工程
次に、本発明における絶縁層エッチング工程について説明する。本発明における絶縁層エッチング工程は、上記積層体の絶縁層をエッチングすることにより、上記補強層を支持する第二絶縁層、および、上記配線層を支持する第一絶縁層を形成する工程である。【００７３】
絶縁層をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁層の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁層の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。【００７４】
本発明においては、絶縁層エッチング工程において、補強層をレジスト層として用いることが好ましい。補強層をレジスト層として用いることができ、別途にレジスト層を設ける必要がないからである。具体的には、図７（ａ）に示すように、絶縁層１２Ａ上に形成された補強層２をレジスト層として用いて、絶縁層１２Ａのエッチングを行うことができる。この場合、補強層の材料は、絶縁層の材料よりもエッチングレートが低い材料であることが好ましい。レジスト層として有用だからである。【００７５】
また、本発明においては、補強層をレジスト層として用いなくても良い。この場合は、補強層を覆うように別途レジスト層を設ける必要があるが、補強層の材料のエッチングレート等を考慮しなくて良いため、材料選択の幅が広くなるという利点がある。補強層をレジスト層として用いない場合の具体例としては、図７（ｂ）に示すように、補強層２を覆うレジスト層（例えばＤＦＲ層）を設けて、絶縁層１２Ａのエッチングを行う場合を挙げることができる。【００７６】
本発明において、補強層の材料がポリイミド樹脂である場合は、補強層をレジスト層として用いても良く、補強層を覆うレジスト層を別途設けても良い。一方、補強層の材料が銅である場合は、通常はポリイミド樹脂用のエッチング液ではエッチングされないことから、別途レジスト層を設ける必要性は低い。なお、積層体が配線層を覆うカバー層を有する場合には、絶縁層エッチング工程の際に、必要に応じてカバー層を保護するレジスト層を設けても良い。【００７７】
また、本発明における補強層の材料は、絶縁層に対する密着性が高い材料であることが好ましい。より幅の小さい形状保持部を形成することができるからである。従来、絶縁層のエッチングの際に、溶剤型フォトレジストまたはアルカリ現像剥離型フォトレジストをレジスト層として使用すると、特にポリイミド樹脂のエッチング液として一般的に用いられるアルカリ系エッチング液が、レジスト層を溶解させ、絶縁層とレジスト層との密着性が低下する場合がある。そのため、絶縁層とレジスト層との間にエッチング液が浸透し、浸透した部分の絶縁層がエッチングされることにより、絶縁層のテーパー形状が顕著になり、絶縁層の幅を小さくすることが困難になる場合がある。具体的には、図８（ａ）に示すように、従来のレジスト層１５を用いた場合、得られる第二絶縁層１の底部のテーパー角αが小さくなり、第二絶縁層１の頂部を残すために、第二絶縁層１の幅Ｗ１を大きくする必要がある場合がある。【００７８】
これに対して、従来のレジスト層よりも絶縁層に対する密着性が高い補強層をレジスト層として用いた場合は、絶縁層と補強層との間にエッチング液が浸透しにくくなり、絶縁層の幅を小さくすることができる。具体的には、図８（ｂ）に示すように、密着性が高い補強層２をレジスト層として用いた場合、得られる第二絶縁層１の底部のテーパー角αが大きくなり、第二絶縁層１の幅Ｗ２を小さくすることができる。テーパー角αは、例えば、３０°以上であることが好ましく、３５°以上であることがより好ましく、６０°以上であることがさらに好ましく、７０°以上であることが特に好ましい。より、細線化された形状保持部を得ることができるからである。【００７９】
３．金属層エッチング工程
次に、本発明における金属層エッチング工程について説明する。本発明における金属層エッチング工程は、上記絶縁層エッチング工程の後に、上記第一金属層をエッチングすることにより、開口領域を有する金属支持基板を形成し、これにより、上記第二絶縁層および上記補強層を有し、上記開口領域によって分割された上記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を形成する工程である。【００８０】
第一金属層をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、第一金属層の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば第一金属層の材料がＳＵＳである場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、その他の層が、上記エッチング液によりエッチングされる場合は、必要に応じてエッチング液から保護することが好ましい。【００８１】
４．その他の工程
本発明においては、金属層エッチング工程の後に、上記補強層を除去する除去工程を有していても良い。例えば、補強層が金属層であり、形状保持部の機械的強度が強くなりすぎる場合は、補強層を除去して、形状保持部の柔軟性を向上させることができる。このような場合であっても、幅の小さい形状保持部（第二絶縁層）を得ることができる。【００８２】
Ｃ．サスペンション用基板
次に、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、上述した回路基板であることを特徴とするものである。【００８３】
本発明によれば、上述した回路基板を用いることで、形状安定性に優れたサスペンション用基板とすることができる。【００８４】
図９は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。なお、便宜上、カバー層の記載は省略している。図９に示されるサスペンション用基板３０は、一方の先端には、素子を実装するための素子実装領域２１を有し、他方の先端には、他の回路基板との接続を行うための接続領域２２を有する。さらに、サスペンション用基板３０は、素子実装領域２１および接続領域２２を接続するための配線層２３（配線層２３ａ〜２３ｄ）を有する。配線層２３ａおよび２３ｂ、並びに、配線層２３ｃおよび２３ｄはそれぞれ配線対を形成し、一方が記録用であり、他方が再生用である。【００８５】
本発明のサスペンション用基板を構成する各部材については、上記「Ａ．回路基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。【００８６】
Ｄ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。【００８７】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、形状安定性に優れたサスペンションとすることができる。【００８８】
図１０は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１０に示されるサスペンション４０は、上述したサスペンション用基板３０と、素子実装領域２１が形成されている表面とは反対側のサスペンション用基板３０の表面に備え付けられたロードビーム３１とを有するものである。【００８９】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用基板については、上記「Ｃ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。【００９０】
Ｅ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とするものである。【００９１】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、形状安定性に優れたサスペンションとすることができる。【００９２】
図１１は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１１に示される素子付サスペンション５０は、上述したサスペンション４０と、サスペンション４０の素子実装領域２１に実装された素子４１とを有するものである。【００９３】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび素子を有するものである。サスペンションについては、上記「Ｄ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、素子については、上記「Ａ．回路基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。【００９４】
Ｆ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするものである。【００９５】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。【００９６】
図１２は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１２に示されるハードディスクドライブ６０は、上述した素子付サスペンション５０と、素子付サスペンション５０がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク５１と、ディスク５１を回転させるスピンドルモータ５２と、素子付サスペンション５０の素子を移動させるアーム５３およびボイスコイルモータ５４と、上記の部材を密閉するケース５５とを有するものである。【００９７】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｅ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。【００９８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。【０１００】
［実施例１−１］
まず、図４（ａ）に示す積層部材を用意した。ここで、第一金属層１１Ａは厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、絶縁層１２Ａは厚さ１０μｍのポリイミド樹脂であり、第二金属層１３Ａは厚さ１２μｍの電解銅箔である。次に、図４（ｂ）〜（ｄ）に示すように、第二金属層１３Ａのエッチング、カバー層１４および補強層２の形成、絶縁層１２Ａのエッチングを行った。ここで、カバー層１４には、絶縁層１２Ａにおけるポリイミド樹脂よりもエッチングレートの低いポリイミド樹脂を用いた。また、第二絶縁層１の幅は８０μｍとした。【０１０１】
次に、第一金属層１１Ａのエッチングを行うために、エッチングを行わない部分にＤＦＲを用いてレジスト層を形成した。この際、補強層２の表面上にもレジスト層を形成した。その後、図４（ｅ）に示すように、塩化鉄系エッチング液を用いて、レジスト層から露出する第一金属層１１Ａのエッチングを行った。最後に、アルカリ系剥離液を用いて、流量１．２リットル/min.、処理時間４０sec.の条件で処理を行い、レジスト層を剥離し、回路基板を得た。なお、この剥離条件を剥離条件１とした。【０１０２】
［実施例１−２、１−３］
アルカリ系剥離液の流量を２倍にしたこと以外は、実施例１−１と同様にして回路基板を得た（実施例１−２）。なお、この剥離条件を剥離条件２とした。また、アルカリ系剥離液の流量を２倍にし、処理時間を２倍にしたこと以外は、実施例１−１と同様にして回路基板を得た（実施例１−３）。なお、この剥離条件を剥離条件３とした。【０１０３】
［実施例２−１〜２−３、３−１〜３−３、４−１〜４−３、５−１〜５−３］
第二絶縁層１の線幅を７０μｍとしたこと以外は、実施例１−１〜１−３と同様にして回路基板を得た（実施例２−１〜２−３）。また、第二絶縁層１の線幅を６０μｍとしたこと以外は、実施例１−１〜１−３と同様にして回路基板を得た（実施例３−１〜３−３）。また、第二絶縁層１の線幅を５０μｍとしたこと以外は、実施例１−１〜１−３と同様にして回路基板を得た（実施例４−１〜４−３）。また、第二絶縁層１の線幅を４０μｍとしたこと以外は、実施例１−１〜１−３と同様にして回路基板を得た（実施例５−１〜５−３）。【０１０４】
［比較例１−１〜１−３］
補強層２を形成しなかったこと以外は、実施例１−１〜１−３と同様にして回路基板を得た。この回路基板は、第二絶縁層２のみからなる形状保持部１０を有するものである。【０１０５】
［比較例２−１〜２−３、３−１〜３−３、４−１〜４−３、５−１〜５−３］
第二絶縁層１の線幅を７０μｍとしたこと以外は、比較例１−１〜１−３と同様にして回路基板を得た（比較例２−１〜２−３）。また、第二絶縁層１の線幅を６０μｍとしたこと以外は、比較例１−１〜１−３と同様にして回路基板を得た（比較例３−１〜３−３）。また、第二絶縁層１の線幅を５０μｍとしたこと以外は、比較例１−１〜１−３と同様にして回路基板を得た（比較例４−１〜４−３）。また、第二絶縁層１の線幅を４０μｍとしたこと以外は、比較例１−１〜１−３と同様にして回路基板を得た（比較例５−１〜５−３）。【０１０６】
［評価１］
上記の実施例および比較例で得られた回路基板を、５０倍の実体顕微鏡で観察し、開口領域および金属支持基板の境界部分における形状保持部１０にシワが生じているかを確認し、その発生率を評価した。その結果を表１に示す。【０１０７】
【表１】
2011078355.tif 000003
【０１０８】
表１に示されるように、実施例においては、いずれも、シワの発生率が０％であり、ＤＥＲを剥離する際に、形状保持部にシワが生じることを防止できた。これに対して、比較例においては、第二絶縁層の幅を小さくするほど、シワの発生率が増加した。特に、比較例４−１〜４−３および比較例５−１〜５−３では、第二絶縁層の頂部が消失し、シワの発生率を測定することができなかった。また、比較例においては、剥離条件を強くすると、シワの発生率が増加することが確認された。【０１０９】
上記の実施例および比較例では、第一金属層１１Ａをエッチングする工程において、形状保持部を支持する金属層を除去するため、形状保持部は、特に開口領域および金属支持基板の境界部分においてストレスを受けやすくなる。一方、レジスト層を剥離する際、アルカリ系溶液によりレジスト層が膨潤すると、上記の境界部分にストレスが加わる。このようなストレスが加わった場合であっても、上記の実施例では、補強層が第二絶縁層を補強していたため、形状保持部に変形（シワ）が生じなかったものと考えられる。これに対して、上記の比較例では、補強層がないため、膨潤時のストレスを受けて、形状保持部に変形（シワ）が生じたものと考えられる。【０１１０】
［実施例６−１］
実施例１−１と同様の方法により、回路基板を得た。【０１１１】
［実施例６−２］
まず、図５（ａ）に示す積層部材を用意した。ここで、第一金属層１１Ａは厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、絶縁層１２Ａは厚さ１０μｍのポリイミド樹脂であり、第二金属層１３Ａは厚さ１２μｍの電解銅箔である。次に、図５（ｂ）〜（ｄ）に示すように、配線層１３および補強層２の形成、カバー層１４の形成、絶縁層１２Ａのエッチングを行った。ここで、カバー層１４には、ポリイミド樹脂を用いた。また、第二絶縁層１の幅は８０μｍとした。その後、実施例１−１と同様にして、第一金属層１１Ａのエッチングと、レジスト層の剥離とを行った。【０１１２】
［比較例６］
比較例１−１と同様の方法により、回路基板を得た。【０１１３】
［評価２］
実施例６−１、６−２および比較例６で得られた回路基板を、ＳＥＭで観察し、第二絶縁層の底部のテーパー角を測定した。その結果、実施例６−１では３５°になり、実施例６−２では７０°になった。これに対して、比較例６では２５°であった。このように、絶縁層に対して密着性の高い補強層を設けることにより、絶縁層と補強層との間にエッチング液が浸透しにくくなり、高いテーパー角を有する第二絶縁層を得ることができ、第二絶縁層の細線化に有用であることが確認された。【０１１４】
［実施例７］
図４（ａ）に示す積層部材を用意した。ここで、第一金属層１１Ａは厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、絶縁層１２Ａは厚さ１０μｍのポリイミド樹脂であり、第二金属層１３Ａは厚さ９μｍの電解銅箔である。次に、図４（ｂ）〜（ｄ）に示すように、第二金属層１３Ａのエッチング、カバー層１４および補強層２の形成、絶縁層１２Ａのエッチングを行った。ここで、カバー層１４には、絶縁層１２Ａにおけるポリイミド樹脂よりもエッチングレートの低いポリイミド樹脂を用いた。また、第二絶縁層１の幅は８０μｍとした。補強層２はカバー層１４と同じ材料にて形成し、カバー層１４の形成時には、図６（ａ）に示した積層体２０が得られるように、非感光性ポリイミドのワニスを適切な粘度に調整し塗工した。イミド化後の補強層２の厚さは６μｍであり、配線層１３上のカバー層１４の厚さは４μｍであった。その後は、実施例１−１と同様にして回路基板を得た。このようにして、補強層の厚さが配線層上のカバー層の厚さよりも厚い回路基板を得た。【０１１５】
［実施例８］
図５（ａ）に示す積層部材を用意した。ここで、第一金属層１１Ａは厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、絶縁層１２Ａは厚さ１０μｍのポリイミド樹脂であり、第二金属層１３Ａは厚さ９μｍの電解銅箔である。このような積層部材を用いたこと以外は、実施例６−２と同様にして回路基板を得た。
【符号の説明】
【０１１６】
１…第二絶縁層、２…補強層、１０…形状保持部、１１…金属支持基板、１１Ａ…第一金属層、１２…第一絶縁層、１２Ａ…絶縁層、１３…配線層、１３Ａ…第二金属層、１４…カバー層、２０…積層体、Ｘ…開口領域、Ｍ…素子実装領域
【図１】
2011078355.tif 000004
【図２】
2011078355.tif 000005
【図３】
2011078355.tif 000006
【図４】
2011078355.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
2011078355.tif 000010
【図８】
2011078355.tif 000011
【図９】
2011078355.tif 000012
【図１０】
2011078355.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
2011078355.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された配線層と、を有する回路基板であって、
前記金属支持基板には開口領域が形成され、
前記金属支持基板に接する第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された補強層とを有し、かつ、前記開口領域によって分割された前記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記開口領域によって分割された前記金属支持基板の一方が、前記回路基板の厚さ方向に可動する可動領域であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第二絶縁層の材料が、前記第一絶縁層の材料と同一であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第二絶縁層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記配線層を覆うカバー層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記補強層の材料が、前記カバー層の材料と同一であることを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
前記補強層の厚さが、前記配線層上の前記カバー層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記補強層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項９】
前記補強層の材料が、前記配線層の材料と同一であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記補強層の材料が、銅であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記補強層が、前記第二絶縁層上の全面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１２】
第一金属層と、前記第一金属層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された補強層および配線層とを有する積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体の絶縁層をエッチングすることにより、前記補強層を支持する第二絶縁層、および、前記配線層を支持する第一絶縁層を形成する絶縁層エッチング工程と、
前記絶縁層エッチング工程の後に、前記第一金属層をエッチングすることにより、開口領域を有する金属支持基板を形成し、これにより、前記第二絶縁層および前記補強層を有し、かつ、前記開口領域によって分割された前記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を形成する金属層エッチング工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層エッチング工程において、前記補強層をレジスト層として用いることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記補強層の材料が、前記絶縁層の材料よりもエッチングレートの低い材料であることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記補強層の材料が、ポリイミド樹脂または銅であることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記金属層エッチング工程の後に、前記補強層を除去する除去工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の回路基板であることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項１９】
請求項１８に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項２０】
請求項１９に記載のサスペンションと、前記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項２１】
請求項２０に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された配線層と、を有する回路基板であって、
前記金属支持基板には開口領域が形成され、
前記金属支持基板に接する第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された補強層とを有し、かつ、前記開口領域によって分割された前記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記開口領域によって分割された前記金属支持基板の一方が、前記回路基板の厚さ方向に可動する可動領域であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第二絶縁層の材料が、前記第一絶縁層の材料と同一であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第二絶縁層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記配線層を覆うカバー層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記補強層の材料が、前記カバー層の材料と同一であることを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
前記補強層の厚さが、前記配線層上の前記カバー層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記補強層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項９】
前記補強層の材料が、前記配線層の材料と同一であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記補強層の材料が、銅であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記補強層が、前記第二絶縁層上の全面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１２】
第一金属層と、前記第一金属層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された補強層および配線層とを有する積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体の絶縁層をエッチングすることにより、前記補強層を支持する第二絶縁層、および、前記配線層を支持する第一絶縁層を形成する絶縁層エッチング工程と、
前記絶縁層エッチング工程の後に、前記第一金属層をエッチングすることにより、開口領域を有する金属支持基板を形成し、これにより、前記第二絶縁層および前記補強層を有し、かつ、前記開口領域によって分割された前記金属支持基板の間をブリッジする形状保持部を形成する金属層エッチング工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層エッチング工程において、前記補強層をレジスト層として用いることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記補強層の材料が、前記絶縁層の材料よりもエッチングレートの低い材料であることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記補強層の材料が、ポリイミド樹脂または銅であることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１から請求項１１までのいずれかの請求項に記載の回路基板であることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項１８】
請求項１７に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項１９】
請求項１８に記載のサスペンションと、前記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項２０】
請求項１９に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【国際調査報告】
2011078355.tif 000016
2011078355.tif 000017
2011078355.tif 000018
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