(57)【要約】【課題】高硬度膜を形成するインプリント材料の提供。【解決手段】  （Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分を含有するインプリント材料。（Ａ）成分：分子内に５個以上の重合性基を有する化合物（Ｂ）成分：分子内に２個の重合性基を有する化合物（Ｃ）成分：光ラジカル発生剤【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分を含有するインプリント材料。
（Ａ）成分：分子内に５個以上の重合性基を有する化合物
（Ｂ）成分：分子内に２個の重合性基を有する化合物
（Ｃ）成分：光ラジカル発生剤
【請求項２】
更に（Ｄ）成分として溶剤を含有する、請求項１に記載のインプリント材料。
【請求項３】
更に（Ｅ）成分として分子内に２個以上の重合性基を有するシリコーン化合物を含有する、請求項１又は請求項２に記載のインプリント材料。
【請求項４】
前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分の合計１００質量部に基づいて、１０乃至３０質量部の（Ａ）成分、及び９０乃至７０質量部の（Ｂ）成分をそれぞれ含有する、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のインプリント材料。
【請求項５】
前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分は重合性基として、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の有機基を有する化合物であることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のインプリント材料。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜。
【請求項７】
請求項６に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた光学部材。
【請求項８】
請求項６に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた固体撮像素子。
【請求項９】
請求項６に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた半導体素子。
【請求項１０】
請求項６に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた画像表示素子。
【請求項１１】
請求項６に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント材料及び当該材料から作製され、パターンが転写された膜に関する。より詳しくは、本発明は、高硬度、高透明性及び焼成（ベーク）後のクラック耐性を有する膜を形成するインプリント材料、並びに当該材料から作製され、パターンが転写された膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１９９５年、現プリンストン大学のチョウ教授らがナノインプリントリソグラフィという新たな技術を提唱した（特許文献１）。ナノインプリントリソグラフィは、任意のパターンを有する、モールドを樹脂膜が形成された基材と接触させ、当該樹脂膜を加圧すると共に、熱又は光を外部刺激として用い、目的のパターンを、硬化された当該樹脂膜に形成する技術であり、このナノインプリントリソグラフィは、従来の半導体デバイス製造における光リソグラフィ等に比べて簡便・安価にナノスケールの加工が可能であるという利点を有する。したがって、ナノインプリントリソグラフィは、光リソグラフィ技術に代わり、半導体デバイス、オプトデバイス、ディスプレイ、記憶媒体、バイオチップ等の製造への適用が期待されている技術であることから、ナノインプリントリソグラフィに用いる光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物について様々な報告がなされている（特許文献２、３）。【０００３】
しかし、これまでにナノインプリントリソグラフィに用いる材料（以下、「インプリント材料」という。）として種々の材料が開示されているものの、構造物を有する光学部材、層間絶縁膜等に有用な高い硬度及び透明性を与え、かつ焼成後にクラックを発生しない膜を形成するインプリント材料の報告はなされているとはいえない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５７７２９０５号明細書
【特許文献２】特開２００８−１０５４１４号公報
【特許文献３】特開２００８−２０２０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の事情に基づいてなされたものであり、その解決しようとする課題は、高硬度、高透明性及び焼成後のクラック耐性を有する膜を形成するインプリント材料を提供することである。また、当該材料から作製され、パターンが転写された膜を提供することである。
具体的には、焼成後のクラック耐性については、２３０℃における焼成後に急冷させてもクラックが見られない膜を形成する材料の提供を目的とし、硬度については、例えば鉛筆硬度で３Ｈ以上の硬度を有する膜を形成する材料の提供を目的とし、透明性については、例えば９８％以上の高い透過率を有する膜を形成する材料の提供を目的とする。
特に、本発明の特徴は、高硬度、高透明性及び焼成後のクラック耐性等の諸特性について全てを満足する性能を有する膜を形成するインプリント材料を提供することにある。
なお、本明細書では、形成されるパターンサイズがナノメートルオーダーに限らず、例えば、マイクロメートルオーダーである場合を含む光ナノインプリント技術を光インプリントと称する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記の課題を解決するべく鋭意検討を行った結果、分子内に５個以上の重合性基を有する化合物及び分子内に２個の重合性基を有する化合物をインプリント材料に含有させることにより、当該インプリント材料から形成される膜が上記の諸特性について全てを満足する性能を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分を含有するインプリント材料。
（Ａ）成分：分子内に５個以上の重合性基を有する化合物
（Ｂ）成分：分子内に２個の重合性基を有する化合物
（Ｃ）成分：光ラジカル発生剤
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、分子内に５個以上の重合性基を有する化合物及び分子内に２個の重合性基を有する化合物がインプリント材料に含有されているため、当該インプリント材料から作製され、パターンが転写された膜は焼成後にクラックを生じることが無く、高硬度及び高透明性を有する。
本発明のインプリント材料は、光硬化が可能であり、かつその硬化膜は、モールドの離型時にパターンの一部の剥がれが生じないため、所望のパターンが正確に形成された膜が得られる。したがって、良好な光インプリントのパターン形成が可能である。
また、本発明のインプリント材料は、任意の基材上に成膜することができ、インプリント後に形成されるパターンが転写された膜は、画像表示装置用又は太陽電池用の反射防止部材、太陽電池用の集光部材、光学レンズ、光導波路等の光学部材だけでなく、電界効果トランジスタ等の半導体素子の層間絶縁膜及び／又はゲート絶縁膜、ＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子、有機ＥＬ素子等の画像表示素子に好適に用いることができる。本発明のインプリント材料を用いることにより、例えば反射防止部材の表面に、モスアイ構造を形成することができる。
さらに、本発明のインプリント材料は、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の重合性基を有する化合物の種類及び割合を変更することで、硬化速度、動的粘度、膜厚をコントロールすることができる。したがって、本発明のインプリント材料は、製造するデバイス種と露光プロセス及び焼成プロセスの種類に対応した材料の設計が可能であり、プロセスマージンを拡大できるため、光学部材の製造に好適に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明は、分子内に５個以上の重合性基を有する化合物と分子内に２個の重合性基を有する化合物を用いることで、それを含むインプリント材料から形成される膜における焼成後のクラック耐性を向上させ、同時に高硬度、高透明性という性質を付与した点に特徴がある。すなわち、（Ａ）成分の「分子内に５個以上の重合性基を有する化合物」と、（Ｂ）成分の「分子内に２個の重合性基を有する化合物」と、（Ｃ）成分の「光ラジカル発生剤」を含有するインプリント材料である。更には、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分に加えて、（Ｄ）成分として溶剤、（Ｅ）成分として分子内に２個以上の重合性基を有するシリコーン化合物をも含有することのできるインプリント材料である。
以下、各成分について詳細に説明する。
【０００９】
＜（Ａ）成分＞
（Ａ）成分の「分子内に５個以上の重合性基を有する化合物」とは、一分子中に重合性基を５個以上有し、かつ該重合性基が分子末端にあり、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有さない化合物のことを表し、当該化合物の混合物であってもよい。５個以上の重合性基とは、例えば５個乃至６個の重合性基である。また、当該重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機基のことを指す。ここで、アクリロイルオキシ基はアクリロキシ基と、メタアクリロイルオキシ基はメタアクリロキシ基と表現されることがある。
【００１０】
上記（Ａ）成分である分子内に５個以上の重合性基を有する化合物としては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレートが挙げられる。
【００１１】
上記分子内に５個以上の重合性基を有する化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡ、同Ｄ−３１０、同ＤＰＣＡ−２０、同ＤＰＣＡ−３０、同ＤＰＣＡ−６０、同ＤＰＣＡ−１２０（以上、日本化薬株式会社製）、アロニックス（登録商標）Ｍ−４００、同Ｍ−４０２、同Ｍ−４０３、同Ｍ−４０４、同Ｍ−４０５、同Ｍ-４０６（以上、東亜合成株式会社製）、Ａ−ＤＰＨ（新中村化学工業株式会社製）、等を挙げることができる。
【００１２】
上記分子内に５個以上の重合性基を有する化合物は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。
【００１３】
本発明における（Ａ）成分は、それを含むインプリント材料から形成される膜に硬度を付与することができ、その含有量は、当該（Ａ）成分及び後述する（Ｂ）成分の合計１００質量部に基づいて、好ましくは１０乃至３０質量部である。この割合が過少である場合には当該膜の硬度が低下し、過大である場合には焼成後にクラックが発生し、目的とする物性を得ることが困難となる。
【００１４】
＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分の「分子内に２個の重合性基を有する化合物」とは、一分子中に重合性基を２個有し、かつ該重合性基が分子末端にあり、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有さない化合物のことを表し、当該化合物の混合物であってもよい。また、当該重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機基のことを指す。
【００１５】
上記（Ｂ）成分である分子内に２個の重合性基を有する化合物としては、例えば、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エタンジオールジアクリレート、エタンジオールジメタクリレート、２−ヒドロキシプロパンジオールジアクリレート、２−ヒドロキシプロパンジオールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、イソプロピレングリコールジアクリレート、イソプロピレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、Ｎ，Ｎ’−ビス（アクリロイル）システイン、Ｎ，Ｎ’−ビス（メタクリロイル）システイン、チオジグリコールジアクリレート、チオジグリコールジメタクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＦジアクリレート、ビスフェノールＳジアクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジメタクリレート、ジアリルエーテルビスフェノールＡ、ｏ−ジアリルビスフェノールＡ、マレイン酸ジアリル等が挙げられる。
【００１６】
上記分子内に２個の重合性基を有する化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）Ｒ−５２６、同ＮＰＧＤＡ、同ＰＥＧ４００ＤＡ、同ＭＡＮＤＡ、同Ｒ―１６７、同ＨＸ−２２０、同ＨＸ−６２０、同Ｒ−５５１、同Ｒ−７１２、同Ｒ−６０４、同Ｒ−６８４（以上、日本化薬株式会社製）、アロニックス（登録商標）Ｍ−２０３Ｓ、同Ｍ−２０８、同Ｍ−２１１Ｂ、同Ｍ−２１５、同Ｍ−２２０、同Ｍ−２２５、同Ｍ−２７０、同Ｍ−２４０（以上、東亜合成株式会社製）、ビスコート１９５、同２３０、同２６０、同２６５、同３１０ＨＰ、同３３５、同７００（以上、大阪有機化学工業株式会社製）、Ａ−２００、Ａ−４００、Ａ−６００、Ａ−１０００、ＡＢＥ−３００、Ａ−ＢＰＥ−４、Ａ−ＢＰＥ−１０、Ａ−ＢＰＥ−２０、Ａ−ＢＰＰ−３、Ａ−ＤＯＤ、ＤＯＤ−Ｎ、Ａ−ＤＣＰ、Ａ−ＩＢＤ−２Ｅ、Ａ−ＮＰＧ、７０１Ａ、Ａ−Ｂ１２０６ＰＥ、Ａ−ＨＤ−Ｎ、ＡＰＧ−１００、ＡＰＧ−２００、ＡＰＧ−４００、ＡＰＧ−７００、１Ｇ、２Ｇ、３Ｇ、４Ｇ、９Ｇ、１４Ｇ、２３Ｇ、ＢＤ、ＢＧ、ＨＤ−Ｎ、ＮＯＤ、ＩＮＤ、ＢＰＥ−１００、ＢＰＥ−２００、ＢＰＥ−３００、ＢＰＥ−５００、ＢＰＥ−９００、ＢＰＥ−１３００Ｎ、ＮＰＧ、ＤＣＰ、１２０６ＰＥ、７０１、３ＰＧ、９ＰＧ（以上、新中村化学工業株式会社製）が挙げられる。
【００１７】
上記分子内に２個の重合性基を有する化合物は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。
【００１８】
本発明における（Ｂ）成分は、それを含むインプリント材料から形成される膜にクラック耐性を付与することができ、その含有量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に基づいて、好ましくは９０乃至７０質量部である。この割合が過少である場合には焼成後にクラックが発生し、過大である場合には当該膜の硬度が低下し、目的とする物性を得ることが困難となる。
【００１９】
＜（Ｃ）成分＞
（Ｃ）成分である光ラジカル発生剤としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ−ｉｓｏ−ブタレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルジオキシ）ヘキサン、１，４−ビス［α−（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）−ｉｓｏ−プロポキシ］ベンゼン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）ヘキセンヒドロペルオキシド、α−（ｉｓｏ−プロピルフェニル）−ｉｓｏ−プロピルヒドロペルオキシド、２，５−ジメチルヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ブチル−４，４−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）バレレート、シクロヘキサノンペルオキシド、２，２’，５，５’−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−アミルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−ヘキシルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシカルボニル）−４，４’−ジカルボキシベンゾフェノン、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジペルオキシイソフタレート等の有機過酸化物や、９，１０−アントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−クロロアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン等のキノン類や、ベンゾインメチル、ベンゾインエチルエーテル、α−メチルベンゾイン、α−フェニルベンゾイン等のベンゾイン誘導体、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−[４−｛４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）ベンジル｝−フェニル]−２−メチル−プロパン−１−オン、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチル−ベンジル）−１−（４−モリフォリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（ｏ−アセチルオキシム）等が挙げられるが、光硬化時に使用する光源に吸収をもつものであれば、特に限定されるものではない。
【００２０】
上記光ラジカル発生剤は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）６５１、同１８４、同５００、同２９５９、同１２７、同７５４、同９０７、同３６９、同３７９、同３７９ＥＧ、同８１９、同８１９ＤＷ、同１８００、同１８７０、同７８４、同ＯＸＥ０１、同ＯＸＥ０２、同２５０、ＤＡＲＯＣＵＲ（登録商標）１１７３、同ＭＢＦ、同ＴＰＯ、同４２６５（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社（旧チバ・ジャパン株式会社）製）、ＫＡＹＡＣＵＲＥ（登録商標）ＤＥＴＸ、同ＭＢＰ、同ＤＭＢＩ、同ＥＰＡ、同ＯＡ（以上、日本化薬株式会社製）、ＶＩＣＵＲＥ−１０、同５５（以上、ＳＴＡＵＦＦＥＲ  Ｃｏ．ＬＴＤ製）、ＥＳＡＣＵＲＥ  ＫＩＰ１５０、同ＴＺＴ、同１００１、同ＫＴＯ４６、同ＫＢ１、同ＫＬ２００、同ＫＳ３００、同ＥＢ３、トリアジン−ＰＭＳ、トリアジンＡ、トリアジンＢ（以上、日本シイベルヘグナー株式会社製）、アデカオプトマーＮ−１７１７、同Ｎ−１４１４、同Ｎ−１６０６（株式会社ＡＤＥＫＡ（旧旭電子工業株式会社）製）等が挙げられる。
【００２１】
上記光ラジカル発生剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。
【００２２】
本発明のインプリント材料における（Ｃ）成分の含有量は、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の総質量に対して、０．５ｐｈｒ乃至３０ｐｈｒであることが好ましく、１ｐｈｒ乃至２０ｐｈｒであることがより好ましい。この割合が０．１ｐｈｒ以下の場合には、十分な硬化性が得られず、パターニング特性の悪化及びインプリント材料から形成される膜における硬度の低下が起こるからである。ここで、ｐｈｒとは、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総質量１００ｇに対する、光ラジカル発生剤の質量を表す。
【００２３】
＜（Ｄ）成分＞
本発明においては、（Ｄ）成分として溶剤を含有しても良い。
（Ｄ）成分である溶剤は、（Ａ）成分である分子内に５個以上の重合性基を有する化合物の粘度調節の役割を果たす。
【００２４】
上記溶剤としては、例えば、トルエン、ｐ−キシレン、ｏ−キシレン、スチレン、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコ−ルジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、１−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、１，３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、γ−ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピルケトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、アリルアルコール、ｎ−プロパノール、２−メチル−２−ブタノール、イソブタノール、ｎ−ブタノール、２−メチル−１−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−エチルヘキサノール、１−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、１−メトキシ−２−ブタノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフリフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、イソプロピルエーテル、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジン等が挙げられ、上記（Ａ）成分の粘度を調節することができるものであれば、特に限定されるものではない。
【００２５】
しかし、分子内に５個以上の重合性基を有する化合物、分子内に２個の重合性基を有する化合物及び光ラジカル発生剤との相溶性の観点から、好ましくは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ジアセトンアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、メチルセロソルブ、エチレンセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、シクロヘキサノン、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステル等である。
【００２６】
上記溶剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。
【００２７】
＜（Ｅ）成分＞
本発明においては、（Ｅ）成分として分子内に２個以上の重合性基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。
（Ｅ）成分の「分子内に２個以上の重合性基を有するシリコーン化合物」とは、一分子中に重合性基を２個以上有し、かつＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合（シロキサン結合）を主鎖に有するポリマー又はオリゴマーである化合物を表し、当該化合物の混合物であってもよい。また、当該重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機基のことを指す。
【００２８】
上記分子内に２個以上の重合性基を有するシリコーン化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、Ｘ−２２−１６４、Ｘ−２２−１６４ＡＳ、Ｘ−２２−１６４Ａ、Ｘ−２２−１６４Ｂ、Ｘ−２２−１６４Ｃ、Ｘ−２２−１６４Ｅ（以上、信越化学工業株式会社製）、ＢＹＫ（登録商標）−ＵＶ３５７０、同−ＵＶ３５００、同−ＵＶ３５１０（以上、ビックケミー・ジャパン株式会社製）等を挙げることができる。
【００２９】
上記分子内に２個以上の重合性基を有するシリコーン化合物は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。
【００３０】
本発明における（Ｅ）成分は、それを含むインプリント材料から形成される膜の溶剤浸漬時において基材からの剥離防止性を付与することができ、その含有量は上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の合計１００質量部に基づいて、好ましくは１乃至２０質量部、より好ましくは３質量部以上である。この割合が過少である場合には剥離防止性が低下し、過大である場合には当該膜の硬度が低下し、目的とする物性を得ることが困難となる。
【００３１】
本発明のインプリント材料は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、必要に応じて、光増感剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、界面活性剤、密着補助剤等を含有することができる。
【００３２】
上記光増感剤としては、例えば、チオキサンテン系、キサンテン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メロシアニン系、３−置換クマリン系、３，４−置換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン系、フェノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、ベンズアントラセン系、ペリレン系、ケトクマリン系、フマリン系、ボレート系等が挙げられる。
【００３３】
上記光増感剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。当該光増感剤を用いることによって、ＵＶ領域の波長を調整することもできる。
【００３４】
上記紫外線吸収剤としては、例えば、ＴＩＮＵＶＩＮ（登録商標）ＰＳ、同９９−２、同１０９、同３２８、同３８４−２、同４００、同４０５、同４６０、同４７７、同４７９、同９００、同９２８、同１１３０、同１１１ＦＤＬ、同１２３、同１４４、同１５２、同２９２、同５１００、同４００−ＤＷ、同４７７−ＤＷ、同９９−ＤＷ、同１２３−ＤＷ、同５０５０、同５０６０、同５１５１（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社（旧チバ・ジャパン株式会社）製）等が挙げられる。
【００３５】
上記紫外線吸収剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。当該紫外線吸収剤を用いることによって、光硬化時にインプリント材料から形成される膜の最表面の硬化速度を制御することができ、離型性を向上できる場合がある。
【００３６】
上記酸化防止剤としては、例えば、ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０１０、同１０３５、同１０７６、同１１３５、同１５２０Ｌ（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社（旧チバ・ジャパン株式会社）製）等が挙げられる。
【００３７】
上記酸化防止剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。当該酸化防止剤を用いることで、酸化によってインプリント材料から形成される膜が黄色に変色することを防止することができる。
【００３８】
上記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンアセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニエルフェノールエーテル類のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、商品名エフトップ（登録商標）ＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（三菱マテリアル電子化成株式会社（旧株式会社ジェムコ）製）、商品名メガファック（登録商標）Ｆ１７１、同Ｆ１７３、同Ｒ−０８、同Ｒ−３０（ＤＩＣ株式会社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム株式会社製）、商品名アサヒガード（登録商標）ＡＧ７１０、サーフロン（登録商標）Ｓ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（旭硝子株式会社製）等のフッ素系界面活性剤、及びオルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業株式会社製）、ＢＹＫ（登録商標）−３０２、同−３０７、同−３２２、同−３２３、同−３３０、同−３３３、同−３７０、同−３７５、同−３７８（ビックケミー・ジャパン株式会社製）等を挙げることができる。
【００３９】
上記界面活性剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。界面活性剤が使用される場合、その割合は、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の総質量に対して、好ましくは０．０１ｐｈｒ乃至１０ｐｈｒ、より好ましくは０．０１ｐｈｒ乃至５ｐｈｒである。
【００４０】
上記密着補助剤としては、例えば、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。当該密着補助剤を用いることによって、基材との密着性が向上する。当該密着補助剤の含有量は、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の総質量に対して、好ましくは５ｐｈｒ乃至５０ｐｈｒ、より好ましくは１０ｐｈｒ乃至５０ｐｈｒである。
【００４１】
本発明のインプリント材料の調製方法は、特に限定されないが、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分並びに（Ｄ）成分及び／又は（Ｅ）成分が均一に混合した状態であれば良い。また、（Ａ）成分乃至（Ｅ）成分を混合する際の順序は、均一な溶液が得られるなら問題なく、特に限定されない。当該調製方法としては、例えば、（Ａ）成分に（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を所定の割合で混合する方法等が挙げられる。また、これに更に（Ｄ）成分及び／又は（Ｅ）成分を混合し、均一な溶液とする方法等も挙げられる。さらに、この調製方法の適当な段階において、必要に応じて、その他の添加剤を更に添加して混合する方法が挙げられる。
【００４２】
また、（Ｄ）成分である溶剤を用いる場合には、光照射前の被膜及び光照射後の被膜の少なくとも一方に対し、溶剤を蒸発させる目的で、焼成しても良い。焼成機器としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレート、オーブン、ファーネスを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で焼成することができるものであればよい。焼成温度は、溶媒を蒸発させる目的では、特に限定されないが、例えば、４０℃乃至２００℃で行うことができる。
【００４３】
本発明のインプリント材料は、基材に塗布し光硬化し、その後加熱することで所望の被膜を得ることができる。塗布方法としては、公知又は周知の方法、例えば、スピンコート法、ディップ法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、スリットコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法等を挙げることができる。
【００４４】
本発明のインプリント材料を塗布するための基材としては、例えば、シリコン、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が成膜されたガラス（以下、「ＩＴＯ基板」と略す）、シリコンナイトライド（ＳｉＮ）が成膜されたガラス、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が成膜されたガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、アクリル、プラスチック、ガラス、石英、セラミックス等からなる基材を挙げることができる。また、可撓性を有するフレキシブル基材を用いることも可能である。
【００４５】
本発明のインプリント材料を硬化させる光源としては、特に限定されないが、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ＫｒＦエキシマーレーザー、ＡｒＦエキシマーレーザー、Ｆ2エキシマーレーザー、電子線（ＥＢ）、極端紫外線（ＥＵＶ）等を挙げることができる。また、波長は、一般的には、４３６ｎｍのＧ線、４０５ｎｍのＨ線、３６５ｎｍのＩ線、又はＧＨＩ混合線を用いることができる。さらに、露光量は、好ましくは、３０乃至２０００ｍＪ／ｃｍ2、より好ましくは３０乃至１０００ｍＪ／ｃｍ2である。
【００４６】
光インプリントを行う装置は、目的のパターンが得られれば、特に限定されないが、例えば、東芝機械株式会社製のＳＴ５０、Ｏｂｄｕｃａｔ社製のＳｉｎｄｒｅ（登録商標）６０、明昌機構株式会社製のＮＭ−０８０１ＨＢ等の市販されている装置を用いることができる。
【００４７】
本発明で用いる光インプリント用に使用するモールド材としては、例えば、石英、シリコン、ニッケル、カルボニルシラン、グラッシーカーボン等を挙げることができるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。また、モールドは、離型性を高めるために、その表面にフッ素系化合物等の薄膜を形成する離型処理を行っても良い。離型処理に用いる離型剤としては、例えば、ダイキン工業株式会社製のオプツール（登録商標）ＨＤ等が挙げられるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。
【００４８】
光インプリントのパターンは、目的の電子デバイスに適合したパターンを選択すればよく、パターンサイズもこれに準ずる。パターンサイズは、例えば、ナノメートルオーダー及びマイクロメートルオーダーである。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を更に詳しく説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものでない。【００５０】
［被膜形成用塗布液の調製］
＜実施例１＞
ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡ（日本化薬株式会社製）（以下、「ＤＰＨＡ」と略す）３ｇにＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ネオペンチルグリコールジアクリレート（日本化薬株式会社製）（以下、「ＮＰＧＤＡ」と略す）を７ｇ（ＤＰＨＡとＮＰＧＤＡの合計１００質量部の内、７０質量部）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦジャパン株式会社（旧チバ・ジャパン株式会社）製）（以下、「ＯＸＥ０１」と略す）を０．５ｇ(ＤＰＨＡ及びＮＰＧＤＡの総質量に対して５ｐｈｒ)を加え、インプリント材料ＰＮＩ−０１を調製した。【００５１】
＜実施例２＞
ＤＰＨＡ２ｇにＮＰＧＤＡを８ｇ（ＤＰＨＡとＮＰＧＤＡの合計１００質量部の内、８０質量部）、ＯＸＥ０１を０．５ｇ（ＤＰＨＡ及びＮＰＧＤＡの総質量に対して５ｐｈｒ）を加え、インプリント材料ＰＮＩ−０２を調製した。【００５２】
＜実施例３＞
ＤＰＨＡ１ｇにＮＰＧＤＡを９ｇ（ＤＰＨＡとＮＰＧＤＡの合計１００質量部の内、９０質量部）、ＯＸＥ０１を０．５ｇ（ＤＰＨＡ及びＮＰＧＤＡの総質量に対して５ｐｈｒ）を加え、インプリント材料ＰＮＩ−０３を調製した。【００５３】
＜実施例４＞
実施例１で用いたＮＰＧＤＡを、メタアクリロイルオキシ基を２個有する１Ｇ（新中村化学株式会社製）（以下、「１Ｇ」と略す）に変更した以外は実施例１と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−０４を調製した。【００５４】
＜実施例５＞
実施例２で用いたＮＰＧＤＡを１Ｇに変更した以外は実施例２と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−０５を調製した。【００５５】
＜実施例６＞
実施例３で用いたＮＰＧＤＡを１Ｇに変更した以外は実施例３と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−０６を調製した。【００５６】
＜実施例７＞
実施例１で用いたＤＰＨＡをＡ−ＤＰＨ（新中村化学株式会社製）（以下、「Ａ−ＤＰＨ」と略す）に変更した以外は実施例１と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−０７を調製した。【００５７】
＜実施例８＞
実施例２で用いたＤＰＨＡをＡ−ＤＰＨに変更した以外は実施例２と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−０８を調製した。【００５８】
＜実施例９＞
実施例３で用いたＤＰＨＡをＡ−ＤＰＨに変更した以外は実施例３と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−０９を調製した。【００５９】
＜実施例１０＞
実施例１で用いたＤＰＨＡ及びＮＰＧＤＡを、それぞれＡ−ＤＰＨ、１Ｇに変更した以外は実施例１と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−１０を調製した。【００６０】
＜実施例１１＞
実施例２で用いたＤＰＨＡ及びＮＰＧＤＡを、それぞれＡ−ＤＰＨ、１Ｇに変更した以外は実施例２と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−１１を調製した。【００６１】
＜実施例１２＞
実施例３で用いたＤＰＨＡ及びＮＰＧＤＡを、それぞれＡ−ＤＰＨ、１Ｇに変更した以外は実施例３と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−１２を調製した。【００６２】
＜実施例１３＞
実施例１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０１にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、「ＰＧＭＥＡ」と略す）を２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−１３を調製した。【００６３】
＜実施例１４＞
実施例２で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０２にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−１４を調製した。【００６４】
＜実施例１５＞
実施例３で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０３にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−１５を調製した。【００６５】
＜実施例１６＞
実施例４で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０４にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−１６を調製した。【００６６】
＜実施例１７＞
実施例５で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０５にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−１７を調製した。【００６７】
＜実施例１８＞
実施例６で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０６にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−１８を調製した。【００６８】
＜実施例１９＞
実施例７で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０７にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−１９を調製した。【００６９】
＜実施例２０＞
実施例８で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０８にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−２０を調製した。【００７０】
＜実施例２１＞
実施例９で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０９にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−２１を調製した。【００７１】
＜実施例２２＞
実施例１０で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１０にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−２２を調製した。【００７２】
＜実施例２３＞
実施例１１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１１にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−２３を調製した。【００７３】
＜実施例２４＞
実施例１２で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１２にＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−２４を調製した。【００７４】
＜実施例２５＞
実施例１で得られたＰＮＩ−０１に（Ｅ）成分であるＸ−２２−１６４（信越化学工業株式会社製）を０．５ｇ（ＤＰＨＡとＮＰＧＤＡの合計１００質量部の内、５質量部）加え、インプリント材料ＰＮＩ−２５を調製した。【００７５】
＜実施例２６＞
実施例２５で用いたＸ−２２−１６４をＢＹＫ（登録商標）−ＵＶ３５７０（ビックケミー・ジャパン株式会社製）に変更した以外は実施例２５と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−２６を調製した。【００７６】
＜実施例２７＞
実施例２５で用いたＸ−２２−１６４をＢＹＫ（登録商標）−ＵＶ３５００（ビックケミー・ジャパン株式会社製）に変更した以外は実施例２５と同様に、インプリント材料ＰＮＩ−２７を調製した。【００７７】
＜比較例１＞
ＤＰＨＡ１０ｇにＯＸＥ０１を０．５ｇ（ＤＰＨＡに対して５ｐｈｒ）を加えてインプリント材料ＰＮＩ−Ａを調製した。【００７８】
＜比較例２＞
Ａ−ＤＰＨ１０ｇにＯＸＥ０１を０．５ｇ（Ａ−ＤＰＨに対して５ｐｈｒ）を加えてインプリント材料ＰＮＩ−Ｂを調製した。【００７９】
＜比較例３＞
ＮＰＧＤＡ１０ｇにＯＸＥ０１を０．５ｇ（ＮＰＧＤＡに対して５ｐｈｒ）を加えてインプリント材料ＰＮＩ−Ｃを調製した。【００８０】
＜比較例４＞
１Ｇ１０ｇにＯＸＥ０１を０．５ｇ（１Ｇに対して５ｐｈｒ）を加えてインプリント材料ＰＮＩ−Ｄを調製した。【００８１】
＜比較例５＞
比較例１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−ＡにＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−Ｅを調製した。【００８２】
＜比較例６＞
比較例２で得られたインプリント材料ＰＮＩ−ＢにＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−Ｆを調製した。【００８３】
＜比較例７＞
比較例３で得られたインプリント材料ＰＮＩ−ＣにＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−Ｇを調製した。【００８４】
＜比較例８＞
比較例４で得られたインプリント材料ＰＮＩ−ＣにＰＧＭＥＡを２．６ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−Ｈを調製した。【００８５】
［光インプリント用被膜の作製］
実施例１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０１を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−０１Ｆ）を得た。【００８６】
実施例２で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０２を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−０２Ｆ）を得た。【００８７】
実施例３で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０３を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−０３Ｆ）を得た。【００８８】
実施例４で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０４を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−０４Ｆ）を得た。【００８９】
実施例５で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０５を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−０５Ｆ）を得た。【００９０】
実施例６で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０６を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−０６Ｆ）を得た。【００９１】
実施例７で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０７を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−０７Ｆ）を得た。【００９２】
実施例８で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０８を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−０８Ｆ）を得た。【００９３】
実施例９で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０９を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−０９Ｆ）を得た。【００９４】
実施例１０で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１０を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１０Ｆ）を得た。【００９５】
実施例１１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１１を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１１Ｆ）を得た。【００９６】
実施例１２で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１２を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１２Ｆ）を得た。【００９７】
実施例１３で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１３を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１３Ｆ）を得た。【００９８】
実施例１４で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１４を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１４Ｆ）を得た。【００９９】
実施例１５で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１５を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１５Ｆ）を得た。【０１００】
実施例１６で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１６を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１６Ｆ）を得た。【０１０１】
実施例１７で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１７を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１７Ｆ）を得た。【０１０２】
実施例１８で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１８を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１８Ｆ）を得た。【０１０３】
実施例１９で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１９を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１９Ｆ）を得た。【０１０４】
実施例２０で得られたインプリント材料ＰＮＩ−２０を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−２０Ｆ）を得た。【０１０５】
実施例２１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−２１を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−２１Ｆ）を得た。【０１０６】
実施例２２で得られたインプリント材料ＰＮＩ−２２を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−２２Ｆ）を得た。【０１０７】
実施例２３で得られたインプリント材料ＰＮＩ−２３を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−２３Ｆ）を得た。【０１０８】
実施例２４で得られたインプリント材料ＰＮＩ−２４を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−２４Ｆ）を得た。【０１０９】
実施例２５で得られたインプリント材料ＰＮＩ−２５を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−２５Ｆ）を得た。【０１１０】
実施例２６で得られたインプリント材料ＰＮＩ−２６を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−２６Ｆ）を得た。【０１１１】
実施例２７で得られたインプリント材料ＰＮＩ−２７を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−２７Ｆ）を得た。【０１１２】
比較例１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ａを石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ＡＦ）を得た。【０１１３】
比較例２で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｂを石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ＢＦ）を得た。【０１１４】
比較例３で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｃを石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ＣＦ）を得た。【０１１５】
比較例４で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｄを石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ＤＦ）を得た。【０１１６】
比較例５で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｅを石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ＥＦ）を得た。【０１１７】
比較例６で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｆを石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ＦＦ）を得た。【０１１８】
比較例７で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｇを石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ＧＦ）を得た。【０１１９】
比較例８で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｈを石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ＨＦ）を得た。【０１２０】
［光インプリント］
インプリント装置として、ＮＭ−０８０１ＨＢ（明昌機構株式会社製）を使用した。実施例１乃至実施例２７並びに比較例１乃至比較例８で得られた各インプリント材料から作製された光インプリント用被膜をパターニング試験した。用いたモールドはシリコン製であり、パターンは１２０ｎｍのラインアンドスペースとした。モールドは事前にオプツール（登録商標）ＨＤ（ダイキン工業株式会社製）に浸漬し、温度が９０℃、湿度が９０ＲＨ％の高温高湿装置を用いて２時間処理し、純水でリンス後、エアーで乾燥させたものを使用した。【０１２１】
実施例１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０１から作製された光インプリント用被膜ＰＮＩ−０１Ｆにシリコン製モールドを接着させた状態で、上記インプリント装置に設置した。光インプリントは、常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）モールドと基板を分離して離型、というシーケンスで行い、モールドを剥離後クリーンオーブン（ＴＡＢＡＩ  ＥＳＰＥＣ社製  ＰＶＨＣ−２１０）にて２３０℃で１時間焼成を行った。光インプリント後及び焼成後の結果を表１に示す。【０１２２】
実施例２乃至実施例２７並びに比較例１乃至比較例８で得られた各インプリント材料から作製された光インプリント用被膜についても、上記と同様に光インプリント及び焼成を行った。光インプリント後及び焼成後の結果を表１に示す。【０１２３】
【表１】
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【０１２４】
表１において、「光硬化」とは露光後に膜が硬化したかどうかの評価をいい、“○”は硬化した、“×”は硬化しなかった、を示す。「剥がれ」とは、離型時にパターンの一部がモールドに付着する等により剥がれたかどうかの評価をいい、“○”は剥がれなかった、“×”は剥がれがみられた、を示す。「形状」とは、離型後の膜にモールドのパターンが良好に転写されたかどうかの評価をいい、“○”は良好に転写された、“×”は良好に転写されなかった、を示す。「焼成後のクラック」とは光インプリント後に焼成を行い、放冷中にクラックが生じたかどうかの評価をいい、“○”はクラックが見られなかった、“×”はクラックが見られた、を示す。【０１２５】
表１の結果から、実施例１乃至実施例２７で得られた各インプリント材料から作製された光インプリント用被膜は、光インプリントによる良好なパターン形成が可能であった。一方、比較例１、２、５及び６で得られた各インプリント材料から作製された光インプリント用被膜は、焼成後にクラックが発生した。また、比較例３、４、７及び８で得られた各インプリント材料から作製された光インプリント用被膜は、いずれも離型時にパターンの一部が剥がれ、離型後の膜にモールドのパターンが良好に転写されなかった。
以上の結果から、焼成後のクラック耐性を有し、かつ光インプリントによる所望のパターン形成が可能なインプリント材料の構成は、（Ａ）成分：分子内に５個以上の重合性基を有する化合物、（Ｂ）成分：分子内に２個の重合性基を有する化合物、及び（Ｃ）成分：光ラジカル発生剤、が必須であることが明らかとなった。さらに、（Ｄ）成分：溶剤、（Ｅ）成分：分子内に２個以上の重合性基を有するシリコーン化合物を含有しても良いことが明らかとなった。【０１２６】
［鉛筆硬度試験］
鉛筆硬度試験はＪＩＳ  Ｋ５６００−５−４に記載の方法で行った。試験機として、電動鉛筆引っかき硬度試験機  Ｎｏ．５５３−Ｍ（株式会社安田精機製作所製）を使用した。鉛筆硬度試験において、硬さの指標は、（硬い）９Ｈ＞８Ｈ＞７Ｈ＞６Ｈ＞５Ｈ＞４Ｈ＞３Ｈ＞２Ｈ＞Ｈ＞Ｆ＞ＨＢ＞Ｂ＞２Ｂ＞３Ｂ＞４Ｂ＞５Ｂ＞６Ｂ（軟らかい）で示される。【０１２７】
実施例１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０１をシリコンウエハー上にスピンコートし、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とシリコンウエハーを分離して離型、というシーケンスでシリコンウエハー上に光硬化膜を作製し、クリーンオーブンにて２３０℃で１時間焼成後、鉛筆硬度試験を行った。その結果を表２に示す。【０１２８】
実施例２乃至実施例１２及び実施例２５乃至実施例２７で得られた各インプリント材料を用いて、上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成後、鉛筆硬度試験を行った。その結果を表２に示す。【０１２９】
実施例１３で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１３をシリコンウエハー上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とシリコンウエハーを分離して離型、というシーケンスでシリコンウエハー上に光硬化膜を作製し、クリーンオーブンにて２３０℃で１時間焼成後、鉛筆硬度試験を行った。その結果を表２に示す。【０１３０】
実施例１４乃至実施例２４で得られた各インプリント材料を用いて、上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成後、鉛筆硬度試験を行った。その結果を表２に示す。【０１３１】
比較例１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ａをシリコンウエハー上にスピンコートし、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とシリコンウエハーを分離して離型、というシーケンスでシリコンウエハー上に光硬化膜を作製し、クリーンオーブンにて２３０℃で１時間焼成を行ったところ、クラックが発生した為、被膜を得ることができなかった。【０１３２】
比較例２で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｂを上記ＰＮＩ−Ａの代わりに用いた以外は上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成を行ったが、焼成後にクラックが発生した為、被膜を得ることができなかった。【０１３３】
比較例３及び比較例４で得られた各インプリント材料を用いて、上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成後、鉛筆硬度試験を行った。その結果を表２に示す。【０１３４】
比較例５で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｅをシリコンウエハー上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とシリコンウエハーを分離して離型、というシーケンスでシリコンウエハー上に光硬化膜を作製し、クリーンオーブンにて２３０℃で１時間焼成を行ったところ、クラックが発生した為、被膜を得ることができなかった。【０１３５】
比較例６で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｆを上記ＰＮＩ−Ｅの代わりに用いた以外は上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成を行ったが、焼成後にクラックが発生した為、被膜を得ることができなかった。【０１３６】
比較例７及び比較例８で得られた各インプリント材料を用いて、上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成後、鉛筆硬度試験を行った。その結果を表２に示す。【０１３７】
【表２】
2011024673.tif 000003
【０１３８】
表２の結果から、実施例１乃至実施例２７で得られた各インプリント材料は、いずれも３Ｈ以上の鉛筆硬度を有する被膜の形成が可能であった。一方、比較例１、２、５及び６で得られた各インプリント材料は焼成後にクラックが発生し、被膜の形成が不可能であった。比較例３、４、７及び８で得られた各インプリント材料は、いずれもＨ以下の鉛筆硬度となった。以上の結果から、本発明のインプリント材料を用いて得られる膜は、３Ｈ以上の鉛筆硬度を有するものとなる。【０１３９】
［透過率の測定］
透過率測定は、ＵＶ−２５５０  ＵＶ−ＶＩＳＩＢＬＥ  ＳＰＥＣＴＲＯＰＨＯＴＯＭＥＴＥＲ（株式会社島津製作所製）を使用し、波長４００ｎｍにおけるサンプル膜厚２μｍでの透過率を算出した。【０１４０】
実施例１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−０１を石英基板上にスピンコートし、その上に別の石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）被せた石英基板を下側の石英基板より分離して離型、というシーケンスで石英基板上に光硬化膜を作製し、クリーンオーブンにて２３０℃で１時間焼成を行った後、透過率測定を行った。その結果を表３に示す。【０１４１】
実施例２乃至実施例１２及び実施例２５乃至実施例２７で得られた各インプリント材料を用いて、上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成後、透過率測定を行った。その結果を表３に示す。【０１４２】
実施例１３で得られたインプリント材料ＰＮＩ−１３を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行った。その後、別の石英基板を被せて常時２３℃の条件でａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）被せた石英基板を下側の石英基板より分離して離型、というシーケンスで石英基板上に光硬化膜を作製し、クリーンオーブンにて２３０℃で１時間焼成を行った後、透過率測定を行った。その結果を表３に示す。【０１４３】
実施例１４乃至実施例２４で得られた各インプリント材料を用いて、上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成後、透過率測定を行った。その結果を表３に示す。【０１４４】
比較例１で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ａを石英基板上にスピンコートし、その上に別の石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）被せた石英基板を下側の石英基板より分離して離型、というシーケンスで石英基板上に光硬化膜を作製し、クリーンオーブンにて２３０℃で１時間焼成を行ったところ、クラックが発生した為、被膜を得ることができなかった。【０１４５】
比較例２で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｂを上記ＰＮＩ−Ａの代わりに用いた以外は上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成を行ったが、焼成後にクラックが発生した為、被膜を得ることができなかった。【０１４６】
比較例３及び比較例４で得られた各インプリント材料を用いて、上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成後、透過率測定を行った。その結果を表３に示す。【０１４７】
比較例５で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｅを石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行った。その後、別の石英基板を被せて常時２３℃の条件でａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）被せた石英基板を下側の石英基板より分離して離型、というシーケンスで石英基板上に光硬化膜を作製し、クリーンオーブンにて２３０℃で１時間焼成を行ったところ、クラックが発生した為、被膜を得ることができなかった。【０１４８】
比較例６で得られたインプリント材料ＰＮＩ−Ｆを上記ＰＮＩ−Ｅの代わりに用いた以外は上記と同様に光硬化膜の作製及び焼成を行ったが、焼成後にクラックが発生した為、被膜を得ることができなかった。【０１４９】
比較例７及び比較例８で得られた各インプリント材料を用いて、上記と同様に光硬化膜を作製し、焼成後、透過率測定を行った。その結果を表３に示す。【０１５０】
【表３】
2011024673.tif 000004
【０１５１】
表３の結果から、実施例１乃至実施例２７で得られた各インプリント材料のいずれについても、得られた被膜は高透過率を達成していることが確認された。【０１５２】
[ストリッピング（剥離性）試験]
ストリッピング（剥離性）試験は、モノエタノールアミンとジメチルスルホキシドを質量比７０対３０で混合した溶液を作製し、８０℃に加熱後、基材上に形成した被膜を当該溶液に１５分間浸漬させ、浸漬時における基材からの剥離の有無を確認した。また、浸漬後の被膜について、ホットプレート上にて１００℃で１分間焼成を行い、以下の式より浸漬後の残膜率を算出した。
残膜率＝（浸漬後、１００℃で１分間焼成後の膜厚）／（浸漬前の膜厚）【０１５３】
実施例２５乃至実施例２７で得られた各インプリント材料を石英基板上にスピンコートし、その上に別の石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）被せた石英基板を下側の石英基板より分離して離型、というシーケンスで石英基板上に光硬化膜を作製し、クリーンオーブンにて２３０℃で１時間焼成を行った後、剥離性試験を行った。その結果を表４に示す。【０１５４】
【表４】
2011024673.tif 000005
【０１５５】
表４において「剥離」とは浸漬持に膜が基材から剥離したかどうかの評価をいい、“○”は剥離しなかった、“×”は剥離した、を示す。表４の結果から、（Ｅ）成分を含む実施例２５乃至実施例２７で得られた各インプリント材料は、基材からの剥離がなく、残膜率の高い被膜の形成が可能であった。
【産業上の利用可能性】
【０１５６】
本発明のインプリント材料により得られる膜は、電界効果トランジスタ等の半導体素子、固体撮像素子、画像表示素子等の電子デバイス、及び光学部材に好適に用いることができる。
【国際調査報告】
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