(57)【要約】  表示画像の黒輝度を低減してコントラストを高めるとともに、書込み放電を安定に発生して、プラズマディスプレイ装置における画像表示品質を高める。そのために、特定の放電セルで強制初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドを設けるとともに、特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールドには、維持期間の後にプレリセット期間を設け、プレリセット期間では、プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルに第１の補助放電を発生し、その後、プレリセット期間の直後の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において強制初期化動作を行う放電セルに第２の補助放電を発生する。
2011129106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
特定の放電セルで強制初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドを設けるとともに、
前記特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールドには、前記維持期間の後にプレリセット期間を設け、
前記プレリセット期間では、前記プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルに第１の補助放電を発生した後、前記プレリセット期間の直後の前記特定セル初期化サブフィールドの前記初期化期間において前記強制初期化動作を行う放電セルに第２の補助放電を発生する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
前記第１の補助放電を発生するために前記放電セルに印加する電圧は、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する第１の傾斜電圧であり、
前記第２の補助放電を発生するために前記放電セルに印加する電圧は、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する第２の傾斜電圧である
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
前記第２の傾斜電圧を前記走査電極に印加するとともに、前記第２の傾斜電圧を前記走査電極に印加する期間は前記維持電極に正極性の電圧を印加する
ことを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
前記第２の補助放電を発生する放電セルに前記第２の傾斜電圧を印加する期間に、前記第２の補助放電を発生しない放電セルには、所定の正極性の電圧から前記第２の傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧に向かって下降する第３の傾斜電圧を印加する
ことを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
前記特定セル初期化サブフィールドを１フィールドの先頭サブフィールドとし、前記プレリセット期間を設けるサブフィールドを１フィールドの最終サブフィールドとする
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備え、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けるとともに特定セル初期化期間を有するサブフィールドを設けて階調表示するプラズマディスプレイパネルと、
前記維持電極を駆動する維持電極駆動回路と、
前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルに初期化放電を発生する選択初期化波形とのいずれかを前記初期化期間に発生して前記走査電極に印加し、前記特定セル初期化期間においては特定の走査電極に前記強制初期化波形を印加する走査電極駆動回路とを備え、
前記特定セル初期化期間を有するサブフィールドの直前のサブフィールドにおいては前記維持期間の後にプレリセット期間を設け、
前記走査電極駆動回路は、
前記プレリセット期間において、前記プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルに第１の補助放電を発生する第１の傾斜電圧を前記走査電極に印加した後、前記プレリセット期間の直後の前記特定セル初期化期間において前記強制初期化波形を印加する走査電極に第２の傾斜電圧を印加し、
前記維持電極駆動回路は、
前記走査電極駆動回路が前記走査電極に前記第２の傾斜電圧を印加する期間、前記維持電極に正極性の電圧を印加する
ことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記走査電極駆動回路は、
前記第１の傾斜電圧および前記第２の傾斜電圧を、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する傾斜電圧として発生する
ことを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記走査電極駆動回路は、
前記走査電極に前記第２の傾斜電圧を印加する期間、
前記プレリセット期間の直後の前記特定セル初期化期間において前記選択初期化波形を印加する走査電極に、所定の正極性の電圧から前記第２の傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧に向かって下降する第３の傾斜電圧を印加する
ことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示デバイスとして代表的なプラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）は、対向配置された前面基板と背面基板との間に多数の放電セルが形成されている。前面基板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面側のガラス基板上に互いに平行に複数対形成されている。そして、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。【０００３】
背面基板は、背面側のガラス基板上に複数の平行なデータ電極が形成され、それらデータ電極を覆うように誘電体層が形成され、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁が形成されている。そして、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。【０００４】
そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように、前面基板と背面基板とを対向配置して密封する。密封された内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスを封入し、表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルを形成する。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生し、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光してカラーの画像表示を行う。【０００５】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルの発光と非発光とを制御する。そして、１フィールドに発生する発光の回数を制御することにより階調表示を行う。【０００６】
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。【０００７】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生する。これにより、各放電セルにおいて、続く書込み動作のために必要な壁電荷を形成するとともに、書込み放電を安定して発生するためのプライミング粒子（放電を発生させるための励起粒子）を発生する。【０００８】
書込み期間では、走査電極には走査パルスを順次印加し、データ電極には表示すべき画像信号にもとづき選択的に書込みパルスを印加する。これにより、発光を行うべき放電セルの走査電極とデータ電極との間に書込み放電を発生し、その放電セル内に壁電荷を形成する（以下、この動作を「書込み」とも記す）。【０００９】
維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に、サブフィールド毎に定められた数の維持パルスを交互に印加する。これにより、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生し、その放電セルの蛍光体層を発光させる（以下、放電セルを維持放電により発光させることを「点灯」、発光させないことを「非点灯」とも記す）。これにより、各放電セルを、サブフィールド毎に定められた輝度重みに応じた輝度で発光させる。このようにして、パネルの各放電セルを画像信号の階調値に応じた輝度で発光させて、パネルの画像表示領域に画像を表示する。【００１０】
パネルに表示される画像の品質を高める上で重要な要因の１つにコントラストの向上がある。そして、サブフィールド法によるパネルの駆動方法の１つとして、階調表示に関係しない発光を極力減らし、パネルに表示される画像のコントラストを向上させる駆動方法が開示されている。【００１１】
この駆動方法では、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間では全ての放電セルに初期化放電を発生する初期化動作を行う。また、他のサブフィールドの初期化期間では直前のサブフィールドの維持期間で維持放電を発生した放電セルにおいて選択的に初期化放電を発生する初期化動作を行う。【００１２】
維持放電を発生しない黒表示領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は、階調値の大きさに関係なく生じる発光によって変化する。この発光には、例えば、初期化放電によって生じる発光がある。上述の駆動方法では、黒表示領域における発光は、全ての放電セルで初期化放電を発生する初期化動作を行うときの微弱発光だけとなる。これにより、パネルに表示される画像の黒輝度を低減し、コントラストの高い画像をパネルに表示することが可能となる（例えば、特許文献１参照）。【００１３】
また、電圧が徐々に増加する緩やかな傾斜部分を持つ立ち上がり部と、電圧が徐々に減少する緩やかな傾斜部分を持つ立ち下がり部とを有する初期化波形を走査電極に印加し、直前のサブフィールドの維持期間で維持放電を発生した放電セルに初期化放電を発生する初期化期間を設け、かつ、１フィールドの任意の初期化期間の直前に、全ての放電セルを対象として維持電極と走査電極の間に微弱放電を発生する期間を設ける駆動方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。この駆動方法では、パネルに表示される画像の黒輝度を低減し、黒の視認性を向上することができる。【００１４】
また、維持期間において、表示電極対へ維持パルスを印加する動作が終了した後に、上昇する傾斜電圧を維持電極に印加して放電セル内の壁電荷を消去する駆動方法が開示されている（例えば、特許文献３参照）。【００１５】
例えば、上述した特許文献１に記載された駆動方法では、全ての放電セルに初期化放電を発生する初期化動作を１フィールドに１回にすることで、サブフィールド毎に全ての放電セルに初期化放電を発生する場合と比較して、表示画像の黒輝度を下げ、コントラストを高めることができる。【００１６】
しかしながら、近年、パネルの大画面化、高精細化にともない、画像表示品質の更なる向上が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００４−３７８８３号公報
【特許文献３】特開２００４−３４８１４０号公報
【発明の概要】
【００１８】
本発明のパネルの駆動方法は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルを、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するパネルの駆動方法である。そして、特定の放電セルで強制初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドを設けるとともに、特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールドには、維持期間の後にプレリセット期間を設ける。プレリセット期間では、プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルに第１の補助放電を発生した後、プレリセット期間の直後の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において強制初期化動作を行う放電セルに第２の補助放電を発生する。
【００１９】
これにより、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を複数フィールドに１回にすることができるので、１フィールドに１回の割り合いで各放電セルに初期化放電を発生する構成よりも、黒輝度を下げることができる。また、第１の補助放電および第２の補助放電により特定セル初期化サブフィールドにおける初期化放電を安定に発生することができるので、その初期化動作以降の書込み動作を安定に行うことが可能となる。したがって、表示画像の黒輝度を低減してコントラストを高めるとともに、書込み放電を安定に発生して、プラズマディスプレイ装置における画像表示品質を高めることができる。
【００２０】
また、本発明のパネルの駆動方法において、第１の補助放電を発生するために放電セルに印加する電圧は、０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する第１の傾斜電圧であり、第２の補助放電を発生するために放電セルに印加する電圧は、０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する第２の傾斜電圧であってもよい。これにより、第１の補助放電および第２の補助放電を微弱な放電として発生することができるので、放電セル内の壁電荷を適正に調整することができる。
【００２１】
また、本発明のパネルの駆動方法においては、第２の傾斜電圧を走査電極に印加するとともに、第２の傾斜電圧を走査電極に印加する期間は維持電極に正極性の電圧を印加してもよい。これにより、第１の補助放電が発生した放電セルであっても、第２の補助放電を発生することができる。
【００２２】
また、本発明のパネルの駆動方法においては、第２の補助放電を発生する放電セルに第２の傾斜電圧を印加する期間に、第２の補助放電を発生しない放電セルに所定の正極性の電圧から第２の傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧に向かって下降する第３の傾斜電圧を印加してもよい。これにより、プレリセット期間の直後の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において強制初期化動作を行わない放電セルに、そのプレリセット期間において不要な放電が発生しないようにすることができる。
【００２３】
また、本発明のパネルの駆動方法においては、特定セル初期化サブフィールドを１フィールドの先頭サブフィールドとし、プレリセット期間を設けるサブフィールドを１フィールドの最終サブフィールドとしてもよい。
【００２４】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備え、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けるとともに特定セル初期化期間を有するサブフィールドを設けて階調表示するパネルと、維持電極を駆動する維持電極駆動回路と、放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルに初期化放電を発生する選択初期化波形とのいずれかを初期化期間に発生して走査電極に印加し、特定セル初期化期間においては特定の走査電極に強制初期化波形を印加する走査電極駆動回路とを備える。そして、特定セル初期化期間を有するサブフィールドの直前のサブフィールドにおいては維持期間の後にプレリセット期間を設ける。走査電極駆動回路は、プレリセット期間において、プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルに第１の補助放電を発生する第１の傾斜電圧を走査電極に印加した後、プレリセット期間の直後の特定セル初期化期間において強制初期化波形を印加する走査電極に第２の傾斜電圧を印加する。維持電極駆動回路は、走査電極駆動回路が走査電極に第２の傾斜電圧を印加する期間、維持電極に正極性の電圧を印加する。
【００２５】
これにより、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を複数フィールドに１回にすることができるので、１フィールドに１回の割り合いで各放電セルに初期化放電を発生する構成よりも、黒輝度を下げることができる。また、第１の補助放電および第２の補助放電により特定セル初期化期間における初期化放電を安定に発生することができるので、その初期化動作以降の書込み動作を安定に行うことが可能となる。したがって、表示画像の黒輝度を低減してコントラストを高めるとともに、書込み放電を安定に発生して、プラズマディスプレイ装置における画像表示品質を高めることができる。
【００２６】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置における走査電極駆動回路は、第１の傾斜電圧および第２の傾斜電圧を、０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する傾斜電圧として発生する構成であってもよい。れにより、第１の補助放電および第２の補助放電を微弱な放電として発生することができるので、放電セル内の壁電荷を適正に調整することができる。
【００２７】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置における走査電極駆動回路は、走査電極に第２の傾斜電圧を印加する期間、プレリセット期間の直後の特定セル初期化期間において選択初期化波形を印加する走査電極に、所定の正極性の電圧から第２の傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧に向かって下降する第３の傾斜電圧を印加する構成であってもよい。これにより、プレリセット期間の直後の特定セル初期化期間において強制初期化動作を行わない放電セルに、そのプレリセット期間において不要な放電が発生しないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの電極配列図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態における強制初期化動作と選択初期化動作の発生パターンの一例を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形の一例を示す波形図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態における走査電極駆動回路の一構成例を示す回路図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態におけるプレリセット期間および特定セル初期化期間の走査電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。
【図８】図８は、本発明の実施の形態における下りランプ電圧Ｌ５の他の波形形状の一例を示す図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形の他の一例を示す波形図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００３０】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面基板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして、走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。
【００３１】
この保護層２６は、２次電子放出係数が大きく、かつ耐久性に優れた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主成分とする材料で形成されている。
【００３２】
ガラス製の背面基板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００３３】
これら前面基板２１と背面基板３１とを、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置する。そして、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着する。そして、その内部の放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスを放電ガスとして封入する。なお、本実施の形態では、発光効率を向上するためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。
【００３４】
放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。こうして、パネル１０には複数の放電セルが形成される。
【００３５】
そして、これらの放電セルで放電を発生し、放電セルの蛍光体層３５を発光（放電セルを点灯）することにより、パネル１０にカラーの画像を表示する。
【００３６】
なお、パネル１０においては、表示電極対２４が延伸する方向に配列された連続する３つの放電セル、すなわち、赤色（Ｒ）に発光する放電セルと、緑色（Ｇ）に発光する放電セルと、青色（Ｂ）に発光する放電セルの３つの放電セルで１つの画素が構成される。
【００３７】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えば隔壁が垂直方向（列方向）にのみ配置されるストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００３８】
図２は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、水平方向（行方向）に延長されたｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列されており、垂直方向（列方向）に延長されたｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成される。すなわち、１対の表示電極対２４上には、ｍ個の放電セルが形成され、ｍ／３個の画素が形成される。そして、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成され、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の画像表示領域となる。例えば、画素数が１９２０×１０８０個のパネルでは、ｍ＝１９２０×３となり、ｎ＝１０８０となる。
【００３９】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。
【００４０】
なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法によってパネル１０に階調を表示する。サブフィールド法では、１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドにそれぞれ輝度重みを設定する。それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【００４１】
各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。そして、各サブフィールドの書込み期間では、発光すべき放電セルに書込み放電を発生することで、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御する。そして、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによってパネル１０に画像を表示する。
【００４２】
輝度重みとは、各サブフィールドで表示する輝度の大きさの比を表すものであり、各サブフィールドでは輝度重みに応じた数の維持パルスを維持期間に発生する。そのため、例えば、輝度重み「８」のサブフィールドは、輝度重み「１」のサブフィールドの約８倍の輝度で発光し、輝度重み「２」のサブフィールドの約４倍の輝度で発光する。したがって、画像信号に応じた組み合わせで各サブフィールドを選択的に発光することによってパネル１０に様々な階調を表示し、パネル１０に画像を表示することができる。
【００４３】
初期化期間では、放電セルに初期化放電を発生し、続く書込み期間における書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する初期化動作を行う。本実施の形態では、初期化期間において「強制初期化動作」と「選択初期化動作」との２つのうちのいずれかの初期化動作を行う。強制初期化動作とは、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する初期化動作のことである。また、選択初期化動作とは、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する初期化動作のことである。
【００４４】
そして、１フィールドの先頭サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）の初期化期間においては、「特定セル初期化動作」を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルで選択初期化動作を行う。特定セル初期化動作とは、特定の放電セルで強制初期化動作を行い、他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化動作のことである。したがって、１フィールドの先頭サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）の初期化期間においては、特定の放電セルには強制初期化動作を行うための強制初期化波形を印加し、他の放電セルには選択初期化動作を行うための選択初期化波形を印加する。以下、特定セル初期化動作を行う初期化期間を「特定セル初期化期間」と呼称し、特定セル初期化期間を有するサブフィールドを「特定セル初期化サブフィールド」と呼称する。また、全ての放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を「選択初期化期間」と呼称し、選択初期化期間を有するサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する。
【００４５】
なお、本実施の形態では、１フィールドをサブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ８までの８つのサブフィールドで構成し、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ８までの各サブフィールドにはそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）の輝度重みを設定する例を説明する。そして、サブフィールドＳＦ１を特定セル初期化サブフィールドとし、サブフィールドＳＦ２からサブフィールドＳＦ８を選択初期化サブフィールドとする。
【００４６】
また、本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールドにおいて強制初期化動作を行う放電セルが互いに異なる「第１のフィールド」と「第２のフィールド」とを交互に発生してパネル１０を駆動するものとする。以下、強制初期化動作の発生パターンについて説明する。
【００４７】
図３は、本発明の実施の形態における強制初期化動作と選択初期化動作の発生パターンの一例を示す図である。図３において、横軸はフィールドを表し、縦軸は走査電極２２を表す。また、図３に示す「○」は、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１の初期化期間において強制初期化動作を行うことを表し、「×」は、その初期化期間において選択初期化動作を行うことを表す。
【００４８】
図３に示すように、本実施の形態において、第１のフィールドにおける特定セル初期化サブフィールドでは、配置的に見て奇数番目の走査電極２２上に形成される放電セルで強制初期化動作を行う。また、第２のフィールドにおける特定セル初期化サブフィールドでは、配置的に見て偶数番目の走査電極２２上に形成される放電セルで強制初期化動作を行う。そして、「第１のフィールド」と「第２のフィールド」とを交互に発生する。こうすることで、本実施の形態では、各放電セルにおいて２フィールドに１回ずつ強制初期化動作を行う。
【００４９】
本実施の形態においては、このようにパネル１０を駆動することで、黒輝度を上昇させる要因となる発光を極力減らして黒輝度を低減し、表示画像のコントラスト比を向上する。これは次のような理由による。
【００５０】
黒輝度を上昇させる要因の１つに、初期化放電による発光がある。ただし、選択初期化動作は、直前のサブフィールドで維持放電を発生しなかった放電セルでは放電が発生しないので、黒輝度の明るさに実質的に影響を与えない。しかし、強制初期化動作は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電が発生するので、黒輝度の明るさに影響を与える。すなわち、強制初期化動作の発生頻度が大きくなるほど黒輝度は上昇する。したがって、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を低減すれば、表示画像の黒輝度を低減し、コントラストを向上することができる。
【００５１】
そこで、本実施の形態では、図３に示すように、第１のフィールドと、第２のフィールドとを交互に発生する。第１のフィールドは、配置的に見て奇数番目の走査電極２２上に形成される放電セルで強制初期化動作を行う特定セル初期化サブフィールドを有する。第２のフィールドは、配置的に見て偶数番目の走査電極２２上に形成される放電セルで強制初期化動作を行う特定セル初期化サブフィールドを有する。
【００５２】
これにより、各放電セルで強制初期化動作を行う回数を、２フィールドに１回にすることができる。したがって、この構成では、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を半分に低減して黒輝度を低減し、パネル１０に表示される画像のコントラスト比を向上することができる。
【００５３】
次に、第１のフィールド、第２のフィールドについて説明する。なお、上述したように、本実施の形態では、第１のフィールド、第２のフィールドをそれぞれサブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ８までの８つのサブフィールドで構成し、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ８までの各サブフィールドにそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）の輝度重みを設定する。しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００５４】
図４は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の一例を示す波形図である。図４には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのそれぞれに印加する駆動電圧波形を示す。
【００５５】
また、図４には、以下の駆動電圧波形を示す。すなわち、特定セル初期化サブフィールドである第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１と、第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１の初期化期間と、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ２の初期化期間および書込み期間と、最終サブフィールドであるサブフィールドＳＦ８の維持期間およびプレリセット期間とを図４に示す。したがって、サブフィールドＳＦ１と、サブフィールドＳＦ２からサブフィールドＳＦ８とでは、初期化期間に走査電極２２に印加する駆動電圧の波形形状が異なる。
【００５６】
なお、サブフィールドＳＦ２の書込み期間以降からサブフィールドＳＦ８の書込み期間までは図示していないが、サブフィールドＳＦ１を除く各サブフィールドは選択初期化サブフィールドであり、維持パルスの発生数を除き、各期間でほぼ同様の駆動電圧波形を発生する。また、第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１の書込み期間および維持期間を図示していないが、第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１の書込み期間および維持期間と、第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１の書込み期間および維持期間とは、ほぼ同様の駆動電圧波形を発生する。
【００５７】
また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中からサブフィールドデータ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００５８】
まず、特定セル初期化サブフィールドである第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１について説明する。
【００５９】
なお、上述したように、本実施の形態においては、第１のフィールドの特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、配置的に見て上から奇数番目、すなわち（１＋２×Ｎ）番目（Ｎは０以上の整数）の走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）には、強制初期化動作を行うための強制初期化波形を印加する。また、配置的に見て上から偶数番目、すなわち（２＋２×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）には、選択初期化動作を行うための選択初期化波形を印加する。
【００６０】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには、それぞれ電圧０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）には、電圧Ｖｉ１を印加し、電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに（例えば、約１．３Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧（以下、「上りランプ電圧Ｌ１」と呼称する）を印加する。このとき、電圧Ｖｉ１は、維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）に対して放電開始電圧未満の電圧に設定し、電圧Ｖｉ２は維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【００６１】
この上りランプ電圧Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。そして、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）上に負極性の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上および維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）上には正極性の壁電圧が蓄積される。この電極上の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００６２】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間後半部では、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）に印加する電圧を電圧Ｖｉ２から電圧Ｖｉ２よりも低い電圧Ｖｉ３に下げる。また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正極性の電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）に、電圧Ｖｉ３から負極性の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに（例えば、約−１．０Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降する傾斜電圧（以下、「下りランプ電圧Ｌ２」と呼称する）を印加する。このとき、電圧Ｖｉ３は、維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）に対して放電開始電圧未満の電圧に設定し、電圧Ｖｉ４は、維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【００６３】
この下りランプ電圧Ｌ２を走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）に印加する間に、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）上の負極性の壁電圧および維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）上の正極性の壁電圧が弱められ、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上の正極性の壁電圧は書込み期間での書込み動作に適した値に調整される。
【００６４】
以上の電圧波形が、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形である。そして、強制初期化波形を走査電極２２に印加する動作が強制初期化動作である。
【００６５】
一方、サブフィールドＳＦ１の初期化期間前半部において、走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）には、電圧Ｖｉ１を印加せず、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２’に向かって緩やかに上昇する上りランプ電圧Ｌ１’を印加する。この上りランプ電圧Ｌ１’は、上りランプ電圧Ｌ１と同じ勾配で、上りランプ電圧Ｌ１と同じ時間だけ上昇を続ける電圧波形である。したがって、電圧Ｖｉ２’は、電圧Ｖｉ２から電圧Ｖｉ１を引いた電圧に等しい電圧となる。このとき、電圧Ｖｉ２’は維持電極２３に対して放電開始電圧未満の電圧となるように各電圧および上りランプ電圧Ｌ１’を設定する。これにより、上りランプ電圧Ｌ１’を印加した放電セルでは放電は実質的に発生しない。
【００６６】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間後半部において、走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）には、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）と同様に、下りランプ電圧Ｌ２を印加する。
【００６７】
以上の電圧波形が、第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１において走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）に印加する選択初期化波形である。
【００６８】
以上により、第１のフィールドの特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）における初期化動作が終了する。
【００６９】
なお、詳細な説明は省略するが、第２のフィールドの特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、初期化期間において、配置的に見て上から偶数番目、すなわち（２＋２×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）には、強制初期化動作のための強制初期化波形を印加する。そして、配置的に見て上から奇数番目、すなわち（１＋２×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）には、選択初期化動作のための選択初期化波形を印加する。すなわち、第２のフィールドの特定セル初期化サブフィールドでは、第１のフィールドの特定セル初期化サブフィールドにおいて選択初期化動作を行った放電セルでは強制初期化動作を行い、第１のフィールドの特定セル初期化サブフィールドにおいて強制初期化動作を行った放電セルでは選択初期化動作を行う。
【００７０】
続く書込み期間では、走査電極２２に走査パルスを印加するとともにデータ電極３２に選択的に書込みパルスを印加し、発光するべき放電セルに選択的に書込み放電を発生して、続く維持期間で維持放電を発生するための壁電荷をその放電セル内に形成する書込み動作を行う。
【００７１】
サブフィールドＳＦ１の書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれには電圧Ｖｃｃ（例えば、Ｖｃｃ＝Ｖａ＋Ｖｓｃ）を印加する。
【００７２】
次に、配置的に見て上から１番目（１行目）の走査電極ＳＣ１に負極性の電圧Ｖａの走査パルスを印加する。そして、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうちの１行目において発光するべき放電セルのデータ電極Ｄｋに正極性の電圧Ｖｄの書込みパルスを印加する。
【００７３】
電圧Ｖｄの書込みパルスを印加した放電セルのデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（電圧Ｖｄ−電圧Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。これによりデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との電圧差が放電開始電圧を超え、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。
【００７４】
また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加しているため、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との電圧差は、外部印加電圧の差である（電圧Ｖｅ−電圧Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅを、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態とすることができる。
【００７５】
これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生することができる。こうして、発光するべき放電セルに書込み放電が発生し、走査電極ＳＣ１上に正極性の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負極性の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負極性の壁電圧が蓄積される。
【００７６】
このようにして、１行目において発光するべき放電セルで書込み放電を発生して各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極３２と走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。
【００７７】
以上の書込み動作を、走査電極ＳＣ２、走査電極ＳＣ３、・・・、走査電極ＳＣｎという順番で、ｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、サブフィールドＳＦ１の書込み期間が終了する。このようにして、書込み期間では、発光するべき放電セルに選択的に書込み放電を発生し、その放電セルに壁電荷を形成する。
【００７８】
維持期間では、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の比例定数を乗じた数の維持パルスを走査電極２２および維持電極２３に交互に印加して、直前の書込み期間に書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生し、その放電セルを発光する維持動作を行う。この比例定数が輝度倍率である。例えば、輝度倍率が２倍のとき、輝度重み「２」のサブフィールドの維持期間では、走査電極２２と維持電極２３とにそれぞれ４回ずつ維持パルスを印加する。そのため、その維持期間で発生する維持パルスの数は８となる。
【００７９】
サブフィールドＳＦ１の維持期間では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる電圧０（Ｖ）を印加するとともに走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正極性の電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。書込み放電を発生した放電セルでは、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの電圧差が、維持パルスの電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなる。
【００８０】
これにより、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの電圧差が放電開始電圧を超え、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が発生する。そして、この放電により発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。また、この放電により、走査電極ＳＣｉ上に負極性の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正極性の壁電圧が蓄積される。さらに、データ電極Ｄｋ上にも正極性の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が発生しなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００８１】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。維持放電を発生した放電セルでは、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの電圧差が放電開始電圧を超える。これにより、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が発生し、維持電極ＳＵｉ上に負極性の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正極性の壁電圧が蓄積される。
【００８２】
以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加する。こうして表示電極対２４の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を発生した放電セルで維持放電が継続して発生する。
【００８３】
そして、維持期間における維持パルスの発生後（維持期間の最後）に、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、ベース電位である電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｅｒｓまで緩やかに（例えば、約１０Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧（以下、「消去ランプ電圧Ｌ３」と呼称する）を印加する。
【００８４】
電圧Ｖｅｒｓを放電開始電圧を超える電圧に設定することで、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへ印加する消去ランプ電圧Ｌ３が放電開始電圧を超えて上昇する間に、維持放電を発生した放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に、微弱な放電が持続して発生する。この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Ｄｋ上の正極性の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、例えば（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。以下、この放電を「消去放電」と記す。
【００８５】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧が電圧Ｖｅｒｓに到達したら、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへの印加電圧を電圧０（Ｖ）まで下降する。こうして、サブフィールドＳＦ１の維持期間における維持動作が終了する。
【００８６】
以上により、サブフィールドＳＦ１の駆動動作が終了する。
【００８７】
次に、選択初期化サブフィールドについてサブフィールドＳＦ２を例に挙げて説明する。
【００８８】
サブフィールドＳＦ２の初期化期間では、選択初期化波形を全ての走査電極２２に印加する。この選択初期化波形は、強制初期化波形の前半部を省略した駆動電圧波形である。具体的には、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには放電開始電圧未満となる電圧（例えば、電圧０（Ｖ））から放電開始電圧を超える負極性の電圧Ｖｉ４に向かって、下りランプ電圧Ｌ２と同じ勾配で下降する下りランプ電圧Ｌ４を印加する。
【００８９】
これにより、直前のサブフィールド（図４では、サブフィールドＳＦ１）の維持期間に維持放電を発生した放電セルでは微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。また、データ電極Ｄｋ上には、直前の維持期間に発生した維持放電によって十分な正極性の壁電圧が蓄積されているので、この壁電圧の過剰な部分が放電され、データ電極Ｄｋ上の壁電圧は書込み動作に適した壁電圧に調整される。
【００９０】
一方、直前のサブフィールド（図４では、サブフィールドＳＦ１）の維持期間に維持放電を発生しなかった放電セルでは、初期化放電は発生せず、直前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。
【００９１】
上述の波形が、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形である。そして、選択初期化波形を走査電極２２に印加する動作が選択初期化動作である。
【００９２】
以上により、選択初期化サブフィールドの初期化期間における選択初期化動作が終了する。
【００９３】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間に発生する選択初期化波形と、サブフィールドＳＦ２の初期化期間に発生する選択初期化波形とは、波形形状が互いに異なる。しかし、サブフィールドＳＦ１の初期化期間に発生する選択初期化波形は、初期化期間前半部では放電が発生せず、初期化期間後半部の動作はサブフィールドＳＦ２の初期化期間における選択初期化動作と実質的に同等である。したがって、本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１の初期化期間に発生する、上りランプ電圧Ｌ１’と下りランプ電圧Ｌ２とを有する初期化波形を、選択初期化波形としている。
【００９４】
サブフィールドＳＦ２の書込み期間では、サブフィールドＳＦ１の書込み期間と同様の駆動電圧波形を各電極に印加し、発光するべき放電セルの各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。
【００９５】
サブフィールドＳＦ２の維持期間も、サブフィールドＳＦ１の維持期間と同様に、輝度重みに応じた数の維持パルスを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに交互に印加し、書込み期間において書込み放電を発生した放電セルに維持放電を発生する。
【００９６】
サブフィールドＳＦ３以降の各サブフィールドの初期化期間および書込み期間では、各電極に対してサブフィールドＳＦ２の初期化期間および書込み期間と同様の駆動電圧波形を印加する。また、サブフィールドＳＦ３以降の各サブフィールドの維持期間では、維持パルスの発生数を除き、サブフィールドＳＦ２と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。
【００９７】
そして、本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールドにおいて、維持期間の後にプレリセット期間を設けるものとする。このサブフィールドは、本実施の形態では、１フィールドの最終サブフィールドであるサブフィールドＳＦ８である。
【００９８】
このプレリセット期間は、続くフィールドのサブフィールドＳＦ１における初期化動作を安定にするための働きを有する。このプレリセット期間では、走査電極２２に、第１の傾斜電圧（以下、「下りランプ電圧Ｌ５」と記す）を印加し、続いて、第２の傾斜電圧（以下、「下りランプ電圧Ｌ６」と記す）または第３の傾斜電圧（以下、「下りランプ電圧Ｌ６’」と記す）のいずれかを印加する。
【００９９】
具体的には、走査電極２２に消去ランプ電圧Ｌ３を印加した後、維持電極２３およびデータ電極３２に電圧０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極２２に、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧Ｖｉ４に向かって下りランプ電圧Ｌ２と同じ勾配（例えば、約−１．０Ｖ／μｓｅｃ）で下降する下りランプ電圧Ｌ５（第１の傾斜電圧）を印加する。
【０１００】
電圧Ｖｉ４をデータ電極３２に対して放電開始電圧を超える電圧に設定することで、プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セル、すなわちサブフィールドＳＦ８の維持期間において維持放電を発生した放電セルには、走査電極２２とデータ電極３２との間に第１の補助放電となる微弱な放電が発生する。このとき、この放電は、向かい合う電極間に発生するので、対抗放電となる。
【０１０１】
下りランプ電圧Ｌ５を走査電極２２に印加した後は、走査電極２２への印加電圧を電圧０（Ｖ）に戻し、維持電極２３に正極性の電圧（図４では、電圧Ｖｓ）を印加する。
【０１０２】
そして、続くサブフィールドＳＦ１の初期化期間において強制初期化波形を印加する走査電極２２（図４に示す例では、走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ））には、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧Ｖｉ４に向かって下りランプ電圧Ｌ２と同じ勾配（例えば、約−１．０Ｖ／μｓｅｃ）で下降する下りランプ電圧Ｌ６（第２の傾斜電圧）を印加する。すなわち、プレリセット期間の直後の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において強制初期化動作を行う放電セルには、維持電極２３に正極性の電圧Ｖｓを印加し、走査電極２２に下りランプ電圧Ｌ６を印加する。
【０１０３】
電圧Ｖｉ４を維持電極２３に対して放電開始電圧を超える電圧に設定することで、走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）上に形成される放電セル内に第２の補助放電となる微弱な放電が発生する。これにより、それらの放電セル内にプライミング粒子を発生するとともに、走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）上には正極性の壁電圧を形成し、維持電極ＳＵ（２＋２×Ｎ）上には負極性の壁電圧を形成することができる。なお、維持電極２３に電圧Ｖｓを印加することで、第１の補助放電が発生した放電セルであっても、第２の補助放電を発生することができる。
【０１０４】
なお、走査電極２２に下りランプ電圧Ｌ６を印加する期間に維持電極２３に印加する正極性の電圧（図４では、電圧Ｖｓ）は、選択初期化期間に維持電極２３に印加する正極性の電圧（図４では、電圧Ｖｅ）よりも高い電圧である。
【０１０５】
また、走査電極２２に下りランプ電圧Ｌ５を印加する期間に維持電極２３に印加する電圧（図４では、電圧０（Ｖ））は、走査電極２２に下りランプ電圧Ｌ６を印加する期間に維持電極２３に印加する正極性の電圧よりも低い電圧である。したがって、この電圧は、図４には電圧０（Ｖ）とする例を示しているが、必ずしも電圧０（Ｖ）に限定されるものではなく、例えば数ボルト程度の負極性の電圧（例えば、−１０（Ｖ）程度まで）であってもよい。
【０１０６】
一方、続くサブフィールドＳＦ１の初期化期間において選択初期化波形を印加する走査電極２２（図４に示す例では、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ））には、所定の正極性の電圧である電圧Ｖｓｃを印加する。そして、電圧Ｖｓｃから電圧Ｖｉ５に向かって、下りランプ電圧Ｌ６と同じ勾配で下りランプ電圧Ｌ６と同じ時間だけ電圧下降する下りランプ電圧Ｌ６’（第３の傾斜電圧）を印加する。電圧Ｖｉ５は、電圧Ｖｓｃに負極性の電圧Ｖｉ４を重畳した電圧に等しい電圧となるため、下りランプ電圧Ｌ６の最低電圧である電圧Ｖｉ４よりも高い電圧となる。電圧Ｖｉ５が放電開始電圧未満の電圧となるように各電圧および下りランプ電圧Ｌ６’を設定することで、下りランプ電圧Ｌ６’を印加した放電セル（図４に示す例では、走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）上に形成される放電セル）では実質的に放電は発生しない。
【０１０７】
以上が、本実施の形態においてパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【０１０８】
次に、本実施の形態において、プレリセット期間に下りランプ電圧Ｌ５と、下りランプ電圧Ｌ６または下りランプ電圧Ｌ６’を発生し走査電極２２に印加する理由について説明する。
【０１０９】
プレリセット期間において、下りランプ電圧Ｌ５を発生し走査電極２２に印加するのは、次のような理由による。
【０１１０】
例えば、第１のフィールドの最終サブフィールドにおける消去ランプ電圧Ｌ３による消去動作から、続く第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１の初期化期間までの時間が延びると、そのサブフィールドＳＦ１の特定セル初期化期間で選択初期化動作を行う放電セルにおいて、下りランプ電圧Ｌ２による初期化放電が不安定になることが確認された。この現象は、第２のフィールドの最終サブフィールドにおける消去ランプ電圧Ｌ３による消去動作から、続く第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１の初期化期間までの時間が延びた場合も同様である。
【０１１１】
これは、消去放電により調整された壁電荷が時間の経過とともに減少して初期化放電が発生しにくくなるためと考えられる。そして、初期化放電が不安定になると、壁電荷が適正に初期化されず、続く書込み期間における書込み動作が不安定になる。ただし、強制初期化動作を行う放電セルには、上りランプ電圧Ｌ１による初期化放電が発生するので、この現象は生じない。
【０１１２】
例えば、第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１において選択初期化動作を行う放電セルに初期化放電を安定に発生するためには、第１のフィールドにおける消去ランプ電圧Ｌ３による消去動作から第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１における選択初期化動作までの時間をできるだけ短縮することが望ましい。同様に、第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１において選択初期化動作を行う放電セルに初期化放電を安定に発生するためには、第２のフィールドにおける消去ランプ電圧Ｌ３による消去動作から第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１における選択初期化動作までの時間をできるだけ短縮することが望ましい。しかし、本実施の形態においては、強制初期化動作を行うために上りランプ電圧Ｌ１を発生する時間、および、下りランプ電圧Ｌ６（または下りランプ電圧Ｌ６’）を発生する時間が必要となる。
【０１１３】
そこで、本実施の形態では、消去ランプ電圧Ｌ３による消去動作の後に、走査電極２２に下りランプ電圧Ｌ５を印加するものとする。これにより、サブフィールドＳＦ８の維持期間において維持放電を発生した放電セルには、走査電極２２とデータ電極３２との間に微弱な放電（対抗放電）が発生する。
【０１１４】
この放電は、初期化放電と同様の働きを有している。そのため、この放電により、データ電極３２上の正極性の壁電圧は書込み動作に適した値に調整され、放電セル内の壁電荷は消去放電発生後の放電セル内と比較して安定した状態となる。また、放電セル内のプライミング粒子も放電の発生に適した状態に調整される。したがって、第１のフィールドのサブフィールドＳＦ８に続く第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１の特定セル初期化期間において選択初期化動作を行う放電セル、および、第２のフィールドのサブフィールドＳＦ８に続く第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１の特定セル初期化期間において選択初期化動作を行う放電セルでは、安定した初期化放電が発生する。ただし、下りランプ電圧Ｌ５による対抗放電がすでに発生しているため、この選択初期化動作では、対抗放電は発生せず、走査電極２２と維持電極２３との間の放電だけが発生する。このとき、この放電は、並行する電極間に発生するので、面放電となる。
【０１１５】
このように、消去ランプ電圧Ｌ３による消去動作の後に下りランプ電圧Ｌ５による放電を発生することで、消去ランプ電圧Ｌ３による消去動作からサブフィールドＳＦ１における選択初期化動作までの時間が延びた場合でも、サブフィールドＳＦ１の書込み期間における書込み動作を安定に発生することが可能となる。
【０１１６】
プレリセット期間において、下りランプ電圧Ｌ６を発生し、続くサブフィールドＳＦ１の初期化期間に強制初期化動作を行う放電セルに印加するのは、次のような理由による。
【０１１７】
発光効率を高めるためにパネル１０内の放電ガスのキセノン分圧を高めると、放電遅れが大きくなることが確認されている。放電遅れとは、放電セルに印加する電圧が放電開始電圧を超えてから実際に放電が発生するまでの時間のことである。例えば、上りランプ電圧Ｌ１を走査電極２２に印加して強制初期化動作を行うとき、放電遅れが大きいと、放電セルに印加する電圧が放電開始電圧を超えてから実際に放電が発生するまでの間に上りランプ電圧Ｌ１の電圧が大きく上昇する。そのため、放電セル内に強い放電（以下、「強放電」と記す）が発生することがある。
【０１１８】
強放電が発生すると、放電セル内に過剰な壁電荷およびプライミング粒子を形成し、その結果、続く書込み期間において誤放電が誘発され、続く維持期間において、書込みがなされていないにもかかわらず維持放電が生じて発光する放電セルが生じることがある。
【０１１９】
下りランプ電圧Ｌ６により発生する放電は、この強放電の発生を防止する働きを有する。下りランプ電圧Ｌ６により発生する放電は、上述したように、放電セル内にプライミング粒子を発生するとともに壁電荷を適正な状態に調整することができる。これにより、続く強制初期化動作における放電遅れを改善することができる。すなわち、上りランプ電圧Ｌ１による初期化放電発生時に強放電の発生を防止することが可能となる。
【０１２０】
プレリセット期間において、下りランプ電圧Ｌ６’を発生し、続くサブフィールドＳＦ１の初期化期間に選択初期化動作を行う放電セルに印加するのは、次のような理由による。
【０１２１】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間に選択初期化動作を行う放電セルにおいては、上りランプ電圧Ｌ１による初期化放電は発生しないので下りランプ電圧Ｌ６による放電は不要である。むしろ、不要な放電を発生せず、下りランプ電圧Ｌ５による放電で調整した壁電荷の状態を損なわないようにすることが望ましい。
【０１２２】
そこで、続くサブフィールドＳＦ１の初期化期間において選択初期化波形を印加する走査電極２２（図４に示す例では、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ））には電圧Ｖｓｃを印加する。これにより、その走査電極２２に印加する電圧は、電圧Ｖｓｃから、維持電極２３に対して放電開始電圧を超えない電圧Ｖｉ５まで電圧下降する下りランプ電圧Ｌ６’となる。したがって、その走査電極２２上に形成される放電セルにおいては、放電が発生せず、下りランプ電圧Ｌ５による放電で調整した壁電荷の状態を維持することができる。
【０１２３】
このように、本実施の形態では、最終サブフィールドの維持期間終了後にプレリセット期間を設け、プレリセット期間では、下りランプ電圧Ｌ５を全ての放電セルに印加し、その後、続くフィールドのサブフィールドＳＦ１の初期化期間において強制初期化動作を行う放電セルには下りランプ電圧Ｌ６を印加し、選択初期化動作を行う放電セルには下りランプ電圧Ｌ６’を印加する。これにより、サブフィールドＳＦ１の初期化期間において、安定した初期化動作を行うことが可能となる。
【０１２４】
なお、本実施の形態において各電極に印加する電圧値は、例えば、電圧Ｖｉ１＝１４７（Ｖ）、電圧Ｖｉ２＝３５７（Ｖ）、電圧Ｖｉ２’＝２１０（Ｖ）、電圧Ｖｉ３＝２１０（Ｖ）、電圧Ｖｉ４＝−１６０（Ｖ）、電圧Ｖｅ＝１２５（Ｖ）、電圧Ｖｅｒｓ＝２１０（Ｖ）、電圧Ｖｓｃ＝１４７（Ｖ）、電圧Ｖｓ＝２１０（Ｖ）、電圧Ｖａ＝−１８５（Ｖ）、電圧Ｖｄ＝６０（Ｖ）である。また、電圧Ｖｃｃは負極性の電圧Ｖａ＝−１８５（Ｖ）に正極性の電圧Ｖｓｃ＝１４７（Ｖ）を重畳する（Ｖｃｃ＝Ｖａ＋Ｖｓｃ）ことで発生することができ、その場合、電圧Ｖｃｃ＝−３８（Ｖ）となる。電圧Ｖｉ５は、電圧Ｖｓｃ＝１４７（Ｖ）に電圧Ｖｉ４＝−１６０（Ｖ）を重畳した電圧（Ｖｉ５＝Ｖｓｃ＋Ｖｉ４）となるので、例えば、電圧Ｖｉ５＝−１３（Ｖ）となる。
【０１２５】
ただし、上述した電圧値や勾配の具体的な数値は単なる一例に過ぎず、本発明は、各電圧値や勾配が上述した数値に限定されるものではない。各電圧値や勾配等は、パネルの放電特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづき最適に設定することが望ましい。
【０１２６】
なお、本実施の形態では、プレリセット期間において、続くサブフィールドＳＦ１の初期化期間に選択初期化波形を印加する走査電極２２に対して印加する電圧を、下りランプ電圧Ｌ６’に限定するものではない。放電セルに放電が発生しない電圧であれば下りランプ電圧Ｌ６’でなくともよい。例えば、下りランプ電圧Ｌ６’に代えて電圧０（Ｖ）を印加する構成であってもよい。
【０１２７】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図５は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０と駆動回路とを備えている。
【０１２８】
駆動回路は、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５、および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【０１２９】
画像信号処理回路４１は、パネル１０の画素数および入力された画像信号ｓｉｇにもとづき、各放電セルに階調値を割り当てる。そして、その階調値を、サブフィールド毎の発光・非発光を示すサブフィールドデータ（発光・非発光をデジタル信号の「１」、「０」に対応させたデータのこと）に変換する。すなわち、画像信号処理回路４１は、１フィールド毎の画像信号をサブフィールド毎の発光・非発光を示すサブフィールドデータに変換する。
【０１３０】
例えば、入力された画像信号がＲ信号、Ｇ信号、Ｂ信号を含むときには、そのＲ信号、Ｇ信号、Ｂ信号にもとづき、各放電セルにＲ、Ｇ、Ｂの各階調値を割り当てる。あるいは、入力された画像信号が輝度信号（Ｙ信号）および彩度信号（Ｃ信号、またはＲ−Ｙ信号およびＢ−Ｙ信号、またはｕ信号およびｖ信号等）を含むときには、その輝度信号および彩度信号にもとづきＲ信号、Ｇ信号、Ｂ信号を算出し、その後、各放電セルにＲ、Ｇ、Ｂの各階調値（１フィールドで表現される階調値）を割り当てる。そして、各放電セルに割り当てたＲ、Ｇ、Ｂの階調値を、サブフィールド毎の発光・非発光を示すサブフィールドデータに変換する。
【０１３１】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖにもとづき、各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生する。そして、発生したタイミング信号を、それぞれの回路ブロック（画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４等）へ供給する。
【０１３２】
データ電極駆動回路４２は、サブフィールド毎のサブフィールドデータを、各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換する。そして、その信号、およびタイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづき、各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。書込み期間では書込みパルスを発生し、各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに印加する。
【０１３３】
走査電極駆動回路４３は、初期化波形発生回路、維持パルス発生回路、走査パルス発生回路（図には示さず）を備え、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて駆動電圧波形を作成し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに印加する。
【０１３４】
初期化波形発生回路は、初期化期間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形をタイミング信号にもとづいて発生する。
【０１３５】
維持パルス発生回路は、維持期間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスをタイミング信号にもとづいて発生する。
【０１３６】
走査パルス発生回路は、複数の走査電極駆動ＩＣ（以下、「走査ＩＣ」と略記する）を備え、書込み期間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスをタイミング信号にもとづいて発生する。
【０１３７】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅを発生する回路を備え（図５には示さず）、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて駆動電圧波形を作成し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎのそれぞれに印加する。維持期間では、タイミング信号にもとづいて維持パルスを発生し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する。
【０１３８】
次に、走査電極駆動回路４３の詳細とその動作について説明する。
【０１３９】
図６は、本発明の実施の形態における走査電極駆動回路４３の一構成例を示す回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生する維持パルス発生回路５０と、初期化波形を発生する初期化波形発生回路５１と、走査パルスを発生する走査パルス発生回路５２とを備える。そして、走査パルス発生回路５２の各出力端子は、パネル１０の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに接続されている。
【０１４０】
なお、本実施の形態では、走査パルス発生回路５２に入力される電圧を「基準電位Ａ」と記す。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作を「オン」、遮断させる動作を「オフ」と表記し、スイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。なお、図６では、各回路に入力される制御信号（タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号）の信号経路の詳細は省略する。
【０１４１】
また、図６には、負極性の電圧Ｖａを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５４）が動作しているときに、その回路と、維持パルス発生回路５０、電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）、および電圧Ｖｅｒｓを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５５）とを電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ７を用いた分離回路を示している。また、電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）が動作しているときに、その回路と、電圧Ｖｒよりも低い電圧の電圧Ｖｅｒｓを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５５）とを電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ６を用いた分離回路を示している。
【０１４２】
維持パルス発生回路５０は、電力回収回路５６とクランプ回路５７とを備えている。
【０１４３】
電力回収回路５６は、電力回収用のコンデンサＣ１１、スイッチング素子Ｑ１１、スイッチング素子Ｑ１２、逆流防止用のダイオードＤｉ１、ダイオードＤｉ２、共振用のインダクタＬ１１を有している。なお、電力回収用のコンデンサＣ１１は電極間容量Ｃｐに比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収回路５６の電源として働くように、電圧値Ｖｓの半分の約Ｖｓ／２に充電されている。
【０１４４】
クランプ回路５７は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子Ｑ１３、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを電圧０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子Ｑ１４を有している。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき各スイッチング素子を切り換えて維持パルスを発生する。
【０１４５】
例えば、維持パルスを立ち上げる際には、スイッチング素子Ｑ１１をオンにして電極間容量ＣｐとインダクタＬ１１とを共振させ、電力回収用のコンデンサＣ１１に蓄えられた電力を、スイッチング素子Ｑ１１、ダイオードＤｉ１、インダクタＬ１１を介して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに供給する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が電圧Ｖｓに近づいた時点で、スイッチング素子Ｑ１３をオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプする。
【０１４６】
維持パルスを立ち下げる際には、スイッチング素子Ｑ１２をオンにして電極間容量ＣｐとインダクタＬ１１とを共振させ、電極間容量Ｃｐの電力を、インダクタＬ１１、ダイオードＤｉ２、スイッチング素子Ｑ１２を通して電力回収用のコンデンサＣ１１に回収する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が電圧０（Ｖ）に近づいた時点で、スイッチング素子Ｑ１４をオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを電圧０（Ｖ）にクランプする。
【０１４７】
初期化波形発生回路５１は、ミラー積分回路５３と、ミラー積分回路５４と、ミラー積分回路５５とを有する。図６には、ミラー積分回路５３の入力端子を入力端子ＩＮ１、ミラー積分回路５４の入力端子を入力端子ＩＮ２、ミラー積分回路５５の入力端子を入力端子ＩＮ３と示している。なお、ミラー積分回路５３およびミラー積分回路５５は上昇する傾斜電圧を発生し、ミラー積分回路５４は下降する傾斜電圧を発生する。
【０１４８】
ミラー積分回路５３は、スイッチング素子Ｑ１とコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とを有し、初期化動作時に、走査電極駆動回路４３の基準電位Ａを電圧Ｖｉ２’までランプ状に緩やかに（例えば、１．３Ｖ／μｓｅｃで）上昇させて上りランプ電圧Ｌ１’を発生する。
【０１４９】
ミラー積分回路５５は、スイッチング素子Ｑ３とコンデンサＣ３と抵抗Ｒ３とを有し、維持期間の最後に、基準電位Ａを上りランプ電圧Ｌ１’よりも急峻な勾配（例えば、１０Ｖ／μｓｅｃ）で電圧Ｖｅｒｓまで上昇させて消去ランプ電圧Ｌ３を発生する。
【０１５０】
ミラー積分回路５４は、スイッチング素子Ｑ２とコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とを有し、初期化動作時に、基準電位Ａを電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに（例えば、−１．０Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降させて下りランプ電圧Ｌ２、下りランプ電圧Ｌ４、下りランプ電圧Ｌ５および下りランプ電圧Ｌ６を発生する。
【０１５１】
走査パルス発生回路５２は、ｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに走査パルスを印加するためのスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎおよびスイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを備えている。スイッチング素子ＱＨｊ（ｊ＝１〜ｎ）の一方の端子とスイッチング素子ＱＬｊの一方の端子とは互いに接続されており、その接続箇所が走査パルス発生回路５２の出力端子となって、走査電極ＳＣｊに接続されている。また、スイッチング素子ＱＨｊの他方の端子は入力端子ＩＮｂであり、スイッチング素子ＱＬｊの他方の端子は入力端子ＩＮａである。
【０１５２】
なお、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは複数の出力毎にまとめられ、ＩＣ化されている。このＩＣが走査ＩＣである。
【０１５３】
また、走査パルス発生回路５２は、書込み期間において基準電位Ａを負極性の電圧Ｖａに接続するためのスイッチング素子Ｑ５と、電圧Ｖｓｃを発生し基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳する電源ＶＳＣと、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳して発生させた電圧Ｖｃを入力端子ＩＮｂに印加するためのダイオードＤｉ３１およびコンデンサＣ３１とを備えている。そして、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎの入力端子ＩＮｂには電圧Ｖｃを入力し、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎの入力端子ＩＮａには基準電位Ａを入力する。
【０１５４】
このように構成された走査パルス発生回路５２では、書込み期間においては、スイッチング素子Ｑ５をオンにして基準電位Ａを負極性の電圧Ｖａに等しくし、入力端子ＩＮａには負極性の電圧Ｖａを印加し、入力端子ＩＮｂには電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃとなった電圧Ｖｃ（図４に示す電圧Ｖｃｃ）を印加する。そして、サブフィールドデータにもとづき、走査パルスを印加する走査電極ＳＣｉに対しては、スイッチング素子ＱＨｉをオフ、スイッチング素子ＱＬｉをオンにすることで、スイッチング素子ＱＬｉを経由して走査電極ＳＣｉに負極性の走査パルス電圧Ｖａを印加する。走査パルスを印加しない走査電極ＳＣｈ（ｈは、１〜ｎのうちｉを除いたもの）に対しては、スイッチング素子ＱＬｈをオフ、スイッチング素子ＱＨｈをオンにすることで、スイッチング素子ＱＨｈを経由して走査電極ＳＣｈに電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃ（図４に示す電圧Ｖｃｃ）を印加する。
【０１５５】
次に、プレリセット期間において下りランプ電圧Ｌ５、下りランプ電圧Ｌ６および下りランプ電圧Ｌ６’を発生し、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において強制初期化波形および選択初期化波形を発生する動作を、図７を用いて説明する。
【０１５６】
図７は、本発明の実施の形態におけるプレリセット期間および特定セル初期化期間の走査電極駆動回路４３の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、この図面では、強制初期化波形を印加する走査電極２２を「走査電極ＳＣｘ」と表し、選択初期化波形を印加する走査電極２２を「走査電極ＳＣｙ」と表す。
【０１５７】
なお、サブフィールドＳＦ１を除く選択初期化サブフィールドにおいて選択初期化波形を発生するときの走査電極駆動回路４３の動作については説明を省略するが、選択初期化波形である下りランプ電圧Ｌ４を発生する動作は、図７に示す下りランプ電圧Ｌ２を発生する動作と同様であるものとする。また、図７には、消去ランプ電圧Ｌ３を発生する動作もあわせて示す。
【０１５８】
また、図７では、プレリセット期間を期間Ｔ１２〜期間Ｔ１６で示す５つの期間に分割し、特定セル初期化期間（サブフィールドＳＦ１の初期化期間）を期間Ｔ１〜期間Ｔ４で示す４つの期間に分割し、消去ランプ電圧Ｌ３を発生する期間については期間Ｔ１１として示し、それぞれの期間について説明する。また、以下、電圧Ｖｉ１は電圧Ｖｓｃに等しいものとし、電圧Ｖｉ２は電圧Ｖｓｃ＋電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ２’は電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ３は維持パルスを発生するときに用いる電圧Ｖｓに等しいものとし、電圧Ｖｉ４は負極性の電圧Ｖａに等しいものとして説明する。また、図面にはスイッチング素子をオンする信号を「Ｈｉ」、オフする信号を「Ｌｏ」と表記する。
【０１５９】
なお、図７には、電圧Ｖｓを電圧Ｖｓｃよりも高い電圧値に設定した例を示しているが、電圧Ｖｓと電圧Ｖｓｃとは互いに等しい電圧値であってもよく、あるいは、電圧Ｖｓの方が電圧Ｖｓｃよりも低い電圧値であってもかまわない。
【０１６０】
以下、特定セル初期化期間の動作、消去動作、プレリセット期間の動作の順で説明する。
【０１６１】
まず、期間Ｔ１に入る前に維持パルス発生回路５０のクランプ回路５７のスイッチング素子Ｑ１３をオフにし、スイッチング素子Ｑ１４をオンにして基準電位Ａを電圧０（Ｖ）にする。また、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフにし、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに基準電位Ａ、すなわち電圧０（Ｖ）を印加する。また、スイッチング素子Ｑ６をオフにし、ミラー積分回路５５を基準電位Ａから電気的に分離する。また、図示はしていないが、スイッチング素子Ｑ７をオンにし、ミラー積分回路５３を基準電位Ａに接続しておく。
【０１６２】
（期間Ｔ１）
期間Ｔ１では、走査電極ＳＣｘに接続されたスイッチング素子ＱＨｘをオンにし、スイッチング素子ＱＬｘをオフにする。これにより、強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣｘには、基準電位Ａ（このとき、電圧０（Ｖ））に電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ（すなわち、電圧Ｖｃ＝電圧Ｖｓｃ）を印加する。
【０１６３】
一方、走査電極ＳＣｙに接続されたスイッチング素子ＱＨｙはオフの状態を維持し、スイッチング素子ＱＬｙはオンの状態を維持する。これにより、選択初期化波形を印加する走査電極ＳＣｙに、基準電位Ａ、すなわち電圧０（Ｖ）を印加する。
【０１６４】
（期間Ｔ２）
期間Ｔ２では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ１と同じ状態を維持する。すなわち、走査電極ＳＣｘに接続されたスイッチング素子ＱＨｘはオンの状態を維持し、スイッチング素子ＱＬｘはオフの状態を維持し、走査電極ＳＣｙに接続されたスイッチング素子ＱＨｙはオフの状態を維持し、スイッチング素子ＱＬｙはオンの状態を維持する。
【０１６５】
次に、上りランプ電圧Ｌ１’を発生するミラー積分回路５３の入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ１に所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ１に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１のソース電圧がランプ状に上昇し、基準電位Ａが電圧０（Ｖ）からランプ状に上昇し始める。この電圧上昇は、入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖｒに到達するまで継続する。
【０１６６】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、１．３Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ１に入力する定電流を発生する。こうして、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２’（本実施の形態では、電圧Ｖｒに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１’を発生する。
【０１６７】
スイッチング素子ＱＨｙはオフであり、スイッチング素子ＱＬｙはオンなので、走査電極ＳＣｙには、この上りランプ電圧Ｌ１’がそのまま印加される。
【０１６８】
一方、スイッチング素子ＱＨｘはオンであり、スイッチング素子ＱＬｘはオフなので、走査電極ＳＣｘには、この上りランプ電圧Ｌ１’に電圧Ｖｓｃを重畳した電圧、すなわち電圧Ｖｉ１（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃに等しい）から電圧Ｖｉ２（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃ＋電圧Ｖｒに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１が印加される。
【０１６９】
（期間Ｔ３）
期間Ｔ３では入力端子ＩＮ１を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ１への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５３の動作を停止する。また、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフにし、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにして、基準電位Ａを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。また、維持パルス発生回路５０のクランプ回路５７のスイッチング素子Ｑ１３をオンにし、スイッチング素子Ｑ１４をオフにして、基準電位Ａを電圧Ｖｓに接続する。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧は電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）まで低下する。
【０１７０】
（期間Ｔ４）
期間Ｔ４では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ３と同じ状態を維持する。また、図示はしていないが、スイッチング素子Ｑ７をオフにし、ミラー積分回路５３および維持パルス発生回路５０を基準電位Ａから電気的に分離する。
【０１７１】
次に、下りランプ電圧Ｌ２を発生するミラー積分回路５４の入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ２に所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ２のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、走査電極駆動回路４３の出力電圧も、負極性の電圧Ｖｉ４に向かってランプ状に下降し始める。この電圧下降は、入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖａに到達するまで継続する。
【０１７２】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、−１．０Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ２に入力する定電流を発生する。
【０１７３】
そして、走査電極駆動回路４３の出力電圧が負極性の電圧Ｖｉ４（本実施の形態では、電圧Ｖａに等しい）に到達したら、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ２への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５４の動作を停止する。
【０１７４】
こうして、電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）から負極性の電圧Ｖｉ４に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ２を発生し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０１７５】
なお、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にしてミラー積分回路５４の動作を停止したら、スイッチング素子Ｑ５をオンにして、基準電位Ａを電圧Ｖａにする。また、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオンにし、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオフにする。こうして、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ、すなわち、電圧Ｖｃｃ（本実施の形態では、電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃに等しい）を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加し、続く書込み期間に備える。
【０１７６】
本実施の形態では、このようにして、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において、強制初期化波形および選択初期化波形を発生する。そして、スイッチング素子ＱＨｘとスイッチング素子ＱＨｙ、およびスイッチング素子ＱＬｘとスイッチング素子ＱＬｙをそれぞれ制御することで、強制初期化波形を走査電極ＳＣｘに印加し、選択初期化波形を走査電極ＳＣｙに印加する。
【０１７７】
なお、下りランプ電圧Ｌ２、下りランプ電圧Ｌ４は、図７に示すように電圧Ｖａまで下降する構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２を重畳した電圧に到達した時点で、下降を停止する構成としてもよい。また、下りランプ電圧Ｌ２および下りランプ電圧Ｌ４は、あらかじめ設定された電圧に到達した後、直ちに上昇する構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、あらかじめ設定された電圧に到達したら、その後、その電圧を一定期間維持する構成であってもよい。
【０１７８】
次に、消去ランプ電圧Ｌ３を発生する動作を説明する。
【０１７９】
（期間Ｔ１１）
期間Ｔ１１では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎはオフにし、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎはオンにして、基準電位Ａを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに接続する。また、スイッチング素子Ｑ６をオンにして、消去ランプ電圧Ｌ３を発生するミラー積分回路５５を基準電位Ａに接続する。
【０１８０】
次に、ミラー積分回路５５の入力端子ＩＮ３を「Ｈｉ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ３に所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ３に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ３のソース電圧がランプ状に上昇し、基準電位Ａが電圧０（Ｖ）からランプ状に上昇し始める。この電圧上昇は、入力端子ＩＮ３を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖｅｒｓに到達するまで継続する。
【０１８１】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、１０Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ３に入力する定電流を発生する。こうして、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｅｒｓに向かって上昇する消去ランプ電圧Ｌ３を発生し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。なお、電圧Ｖｅｒｓは電圧Ｖｓ以上の電圧であってもよく、あるいは電圧Ｖｓ以下の電圧であってもよい。
【０１８２】
次に、プレリセット期間における走査電極駆動回路４３の動作を説明する。
【０１８３】
（期間Ｔ１２）
消去ランプ電圧Ｌ３が電圧Ｖｅｒｓに到達した後、入力端子ＩＮ３を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ３への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５５の動作を停止する。また、スイッチング素子Ｑ６をオフにして、ミラー積分回路５５を基準電位Ａから電気的に分離する。また、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ１１と同じ状態を維持する。そして、図示はしていないが、維持パルス発生回路５０のクランプ回路５７のスイッチング素子Ｑ１３をオフにし、スイッチング素子Ｑ１４をオンにして、基準電位Ａを０（Ｖ）に接続する。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧はベース電位である電圧０（Ｖ）まで低下する。
【０１８４】
（期間Ｔ１３）
期間Ｔ１３では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ１２と同じ状態を維持する。また、図示はしていないが、スイッチング素子Ｑ７をオフにし、ミラー積分回路５３および維持パルス発生回路５０を基準電位Ａから電気的に分離する。
【０１８５】
次に、下りランプ電圧Ｌ５を発生するミラー積分回路５４の入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ２に所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ２のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、走査電極駆動回路４３の出力電圧も、負極性の電圧Ｖｉ４に向かってランプ状に下降し始める。この電圧下降は、入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖａに到達するまで継続する。
【０１８６】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、−１．０Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ２に入力する定電流を発生する。こうして、ベース電位である電圧０（Ｖ）から負極性の電圧Ｖｉ４に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ５を発生し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０１８７】
（期間Ｔ１４）
下りランプ電圧Ｌ５が負極性の電圧Ｖｉ４（本実施の形態では、電圧Ｖａに等しい）に到達したら、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ２への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５４の動作を停止する。また、図示はしていないが、スイッチング素子Ｑ７をオンにし、維持パルス発生回路５０のクランプ回路５７のスイッチング素子Ｑ１３をオフにし、スイッチング素子Ｑ１４をオンにして基準電位Ａを０（Ｖ）に接続する。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧はベース電位である電圧０（Ｖ）まで上昇する。また、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ１３と同じ状態を維持する。
【０１８８】
そして、期間Ｔ１５が開始する前の時刻ｔ１で、走査電極ＳＣｙに接続されたスイッチング素子ＱＨｙをオンにし、スイッチング素子ＱＬｙをオフにする。これにより、下りランプ電圧Ｌ６’を印加する走査電極ＳＣｙには、基準電位Ａ（このとき、電圧０（Ｖ））に電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ（すなわち、電圧Ｖｃ＝電圧Ｖｓｃ）を印加する。
【０１８９】
（期間Ｔ１５）
期間Ｔ１５では、走査電極ＳＣｘに接続されたスイッチング素子ＱＨｘはオフの状態を維持し、スイッチング素子ＱＬｘはオンの状態を維持し、走査電極ＳＣｙに接続されたスイッチング素子ＱＨｙはオンの状態を維持し、スイッチング素子ＱＬｙはオフの状態を維持する。
【０１９０】
次に、下りランプ電圧Ｌ６を発生するミラー積分回路５４の入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ２に所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ２のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、基準電位Ａが電圧０（Ｖ）から負極性の電圧Ｖｉ４に向かってランプ状に下降し始める。この電圧下降は、入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖａに到達するまで継続する。
【０１９１】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、−１．０Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ２に入力する定電流を発生する。こうして、ベース電位である電圧０（Ｖ）から負極性の電圧Ｖｉ４に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ６を発生する。
【０１９２】
スイッチング素子ＱＨｘはオフであり、スイッチング素子ＱＬｘはオンなので、走査電極ＳＣｘには、この下りランプ電圧Ｌ６がそのまま印加される。
【０１９３】
一方、スイッチング素子ＱＨｙはオンであり、スイッチング素子ＱＬｙはオフなので、走査電極ＳＣｙには、この下りランプ電圧Ｌ６に電圧Ｖｓｃが重畳された電圧、すなわち電圧Ｖｉ１（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃに等しい）から電圧Ｖｉ５（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃ−電圧Ｖａに等しい）に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ６’が印加される。
【０１９４】
（期間Ｔ１６）
下りランプ電圧Ｌ６が負極性の電圧Ｖｉ４（本実施の形態では、電圧Ｖａに等しい）に到達したら、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ２への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５４の動作を停止する。また、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフにし、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにするとともに、図示はしていないが、スイッチング素子Ｑ７をオンにし、維持パルス発生回路５０のクランプ回路５７のスイッチング素子Ｑ１３をオフにし、スイッチング素子Ｑ１４をオンにして基準電位Ａを電圧０（Ｖ）に接続する。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧はベース電位である電圧０（Ｖ）まで上昇する。
【０１９５】
本実施の形態ではこのようにして、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧Ｖｉ４に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ６を発生して走査電極ＳＣｘに印加する。また、電圧Ｖｓｃから電圧Ｖｉ５に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ６’を発生して走査電極ＳＣｙに印加する。
【０１９６】
なお、下りランプ電圧Ｌ５、下りランプ電圧Ｌ６は、図７に示すように電圧Ｖａまで下降する構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２を重畳した電圧に到達した時点で、下降を停止する構成としてもよい。また、下りランプ電圧Ｌ５、下りランプ電圧Ｌ６および下りランプ電圧Ｌ６’は、あらかじめ設定された電圧に到達した後、直ちに上昇する構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、あらかじめ設定された電圧に到達したら、その後、その電圧を一定期間維持する構成であってもよい。
【０１９７】
以上説明したように、本実施の形態では、所定の走査電極２２に強制初期化波形を印加し、他の走査電極２２に選択初期化波形を印加する特定セル初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドと、全ての走査電極２２に選択初期化波形を印加する選択初期化期間を有する選択初期化サブフィールドとを設ける。そして、特定セル初期化期間において配置的に見て奇数番目の走査電極（１＋２×Ｎ）上に形成された放電セルに強制初期化波形を印加する第１のフィールドと、特定セル初期化期間において配置的に見て偶数番目の走査電極２２上に形成された放電セルに強制初期化波形を印加する第２のフィールドとを交互に発生する。
【０１９８】
これにより、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を２フィールドに１回にすることができるので、１フィールドに１回の割り合いで各放電セルに強制初期化動作を行う構成よりも、黒輝度（例えば、階調値「０」の輝度）を下げることができ、表示画像のコントラスト比を向上することができる。
【０１９９】
また、１フィールドの最終サブフィールドにおいて、維持期間の後にプレリセット期間を設ける。プレリセット期間では、走査電極２２に下りランプ電圧Ｌ５を印加し、その後、続くサブフィールドＳＦ１の初期化期間において強制初期化波形を印加する走査電極２２には下りランプ電圧Ｌ６を印加し、続くサブフィールドＳＦ１の初期化期間において選択初期化波形を印加する走査電極２２には下りランプ電圧Ｌ６’を印加する。
【０２００】
これにより、続くフィールドのサブフィールドＳＦ１における初期化動作を安定にし、以降の書込み動作を安定に行うことが可能となる。
【０２０１】
したがって、本実施の形態によれば、パネル１０に表示する画像の黒輝度を低減してコントラスト比を高めるとともに、書込み動作を安定してプラズマディスプレイ装置における画像表示品質を高めることが可能となる。
【０２０２】
なお、本実施の形態では、第１のフィールドの特定セル初期化期間では配置的に見て奇数番目の走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）に強制初期化波形を印加し、第２のフィールドの特定セル初期化期間では配置的に見て偶数番目の走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）に強制初期化波形を印加する構成を説明したが、第１のフィールドの特定セル初期化期間では配置的に見て偶数番目の走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）に強制初期化波形を印加し、第２のフィールドの特定セル初期化期間では配置的に見て奇数番目の走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）に強制初期化波形を印加する構成であってもよい。
【０２０３】
なお、本発明における強制初期化波形は、何ら実施の形態に示した波形に限定されるものではない。強制初期化波形は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する波形であればどのような波形であってもかまわない。
【０２０４】
また、本実施の形態では、選択初期化期間に発生する選択初期化波形（下りランプ電圧Ｌ４）およびプレリセット期間に発生する下りランプ電圧Ｌ５を全て同じ勾配で発生する構成を説明したが、本発明は、下りランプ電圧Ｌ４および下りランプ電圧Ｌ５を何らこの波形形状に限定するものではない。下りランプ電圧Ｌ４および下りランプ電圧Ｌ５は、直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する波形であればどのような波形形状であってもかまわない。例えば、下りランプ電圧Ｌ４および下りランプ電圧Ｌ５を複数の期間に分け、各期間で勾配を変えて下りランプ電圧Ｌ４および下りランプ電圧Ｌ５を発生してもよい。
【０２０５】
図８は、本発明の実施の形態における下りランプ電圧Ｌ５の他の波形形状の一例を示す図である。例えば、図８に示すように、走査電極２２への印加電圧を、放電が発生するまで（例えば、電圧０（Ｖ）から−１０電圧０（Ｖ））まで）は下りランプ電圧Ｌ５よりも急峻な勾配（例えば、−８Ｖ／μｓｅｃ）で下降し、それ以降（例えば、−１０電圧０（Ｖ）から−１３５（Ｖ）まで）はやや緩やかに（例えば、−２．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降し、最後に（例えば、−１３５（Ｖ）から−１６電圧０（Ｖ）まで）は下りランプ電圧Ｌ５と同じ勾配（例えば、−１．０Ｖ／μｓｅｃ）で下降して下りランプ電圧Ｌ５’を発生してもよい。このような構成であっても、上述と同様の効果を得ることができる。また、この構成では、下りランプ電圧Ｌ５’（および選択初期化波形）の発生に要する期間を下りランプ電圧Ｌ５を発生するときと比較して短縮できるという効果も得ることができる。また、下りランプ電圧Ｌ５’を発生するのと同様の手順で選択初期化期間に下りランプ電圧Ｌ４’を発生する構成としてもよい。
【０２０６】
また、特定セル初期化期間に発生する選択初期化波形は、何ら実施の形態に示した波形形状に限定されるものではない。本実施の形態に示す特定セル初期化期間に発生する選択初期化波形は、特定セル初期化期間前半部に選択初期化動作を行う放電セルに初期化放電が発生しない波形の一例を示したものに過ぎず、初期化放電が発生しない波形であればどのような波形形状であってもよい。例えば、初期化期間前半部を電圧０（Ｖ）に維持する波形であってもかまわない。
【０２０７】
なお、本実施の形態では、下りランプ電圧Ｌ６を、下りランプ電圧Ｌ５と同じ波形形状で発生する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。下りランプ電圧Ｌ６を、下りランプ電圧Ｌ５とは異なる勾配または異なる最小電圧で発生する構成としてもかまわない。
【０２０８】
なお、本実施の形態では、第１のフィールドと第２のフィールドとを交互に繰り返して発生することで各放電セルに２フィールドに１回の頻度で強制初期化動作を行う構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。
【０２０９】
例えば、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）に強制初期化波形を印加する特定セル初期化期間を有するフィールドと、走査電極ＳＣ（２＋３×Ｎ）に強制初期化波形を印加する特定セル初期化期間を有するフィールドと、走査電極ＳＣ（３＋３×Ｎ）に強制初期化波形を印加する特定セル初期化期間を有するフィールドとを順番に発生して、各放電セルで３フィールドに１回の頻度で強制初期化動作を行う構成としてもよい。あるいは、それ以下の頻度で各放電セルに強制初期化動作を行う構成としてもよい。このような構成では、表示画像の黒輝度をより低減することができる。
【０２１０】
また、上述した２種類のフィールド（第１のフィールド、第２のフィールド）に加えて新たなフィールドを設ける構成としてもよい。例えば、第１のフィールドと第２のフィールドとの間に、全てのサブフィールドを選択初期化サブフィールドとする第３のフィールドを設ける構成としてもよい。この構成でも、表示画像の黒輝度をより低減することができる。
【０２１１】
あるいは、全ての放電セルに強制初期化動作を行う全セル初期化サブフィールドをサブフィールドＳＦ１とする第４のフィールドを、第１のフィールドと第２のフィールドとの間に設ける構成としてもよい。この構成では、初期化放電をより安定に発生することができる。
【０２１２】
ただし、これらのいずれの構成においても、本発明においては、サブフィールドＳＦ１の初期化期間に強制初期化動作を行う放電セルに対しては、その直前のプレリセット期間において下りランプ電圧Ｌ６を印加して第２の補助放電を発生し、サブフィールドＳＦ１の初期化期間に選択初期化動作を行う放電セルに対しては、その直前のプレリセット期間において、第２の補助放電を発生しない下りランプ電圧Ｌ６’を印加するものとする。
【０２１３】
なお、本実施の形態では、プレリセット期間において、下りランプ電圧Ｌ５を走査電極２２に印加する期間、維持電極２３に電圧０（Ｖ）を印加する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。プレリセット期間において、下りランプ電圧Ｌ５により発生する第１の補助放電は、選択初期化動作により発生する放電に実質的に等しい。したがって、最終サブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに放電が発生する範囲であれば、下りランプ電圧Ｌ５を走査電極２２に印加する期間に維持電極２３に印加する電圧は、どのような電圧であってもよい。例えば、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｅの間のいずれの電圧であってもよい。
【０２１４】
図９は、本発明の実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の他の一例を示す波形図である。図９に示す駆動電圧波形が図４に示した駆動電圧波形と異なる点は、走査電極２２に、下りランプ電圧Ｌ４に代えて下りランプ電圧Ｌ４’を印加し、下りランプ電圧Ｌ５に代えて下りランプ電圧Ｌ５’を印加した点である。ただし、図４に示した駆動電圧波形と比較して、この変更点によりパネル１０の動作に差は生じないので、説明は省略する。
【０２１５】
また、図９に示す駆動電圧波形では、下りランプ電圧Ｌ５’を走査電極２２に印加する直前に維持電極２３に電圧Ｖｅを印加し、下りランプ電圧Ｌ５’を走査電極２２に印加する期間は維持電極２３をハイインピーダンス状態（フローティング状態）にする。この構成では、最終サブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルには、走査電極２２とデータ電極３２との間に対抗放電が発生するとともに、走査電極２２と維持電極２３との間に面放電も発生する。したがって、この場合、サブフィールドＳＦ１の初期化期間において選択初期化動作を行う放電セルには、初期化放電は発生しなくなる。しかし、下りランプ電圧Ｌ５’による放電が選択初期化動作による放電に実質的に等しくなるので、消去動作の直後に選択初期化動作を行う構成に実施的に等しくなる。したがって、上述と同様に、それ以降の書込み動作を安定にすることが可能となる。なお、本実施の形態では、放電セルにおける放電の発生の有無にかかわらず、選択初期化波形を放電セルに印加した場合には、その放電セルで選択初期化動作が行われたものと見なす。
【０２１６】
なお、本実施の形態では、１フィールドの先頭サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）を特定セル初期化サブフィールドとし、１フィールドの最終サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ８）にプレリセット期間を設ける構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。特定セル初期化サブフィールドはサブフィールドＳＦ２、あるいはそれ以降のサブフィールドであってもよい。ただし、プレリセット期間を設けるサブフィールドは必ず特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールドとする。例えば、サブフィールドＳＦ２を特定セル初期化サブフィールドとする場合、サブフィールドＳＦ１の維持期間の後にプレリセット期間を設けるものとする。
【０２１７】
なお、図４、図７、図９に示したタイミングチャートは本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこれらのタイミングチャートに限定されるものではない。
【０２１８】
なお、本実施の形態においては、１つのフィールドを８つのサブフィールドで構成する例を説明した。しかし、本発明は１フィールドを構成するサブフィールドの数が何ら上記の数に限定されるものではない。例えば、サブフィールドの数を８よりも多くすることで、パネル１０に表示できる階調の数をさらに増加することができる。
【０２１９】
また、本実施の形態においては、サブフィールドの輝度重みを「２」のべき乗とし、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ８の各サブフィールドの輝度重みを（１、２、４、８、１６、３２，６４，１２８）に設定する例を説明した。しかし、各サブフィールドに設定する輝度重みは、何ら上記の数値に限定されるものではない。例えば、（１、２、３、７、１２、３１，５０，９８）等として階調を決めるサブフィールドの組合せに冗長性を持たせることにより、動画擬似輪郭の発生を抑制したコーディングが可能となる。１フィールドを構成するサブフィールドの数や、各サブフィールドの輝度重み等は、パネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置１の仕様等に応じて適宜設定すればよい。
【０２２０】
なお、本発明における実施の形態に示した各回路ブロックは、実施の形態に示した各動作を行う電気回路として構成されてもよく、あるいは、同様の動作をするようにプログラミングされたマイクロコンピュータ等を用いて構成されてもよい。
【０２２１】
なお、本実施の形態では、１画素をＲ、Ｇ、Ｂの３色の放電セルで構成する例を説明したが、１画素を４色あるいはそれ以上の色の放電セルで構成するパネルにおいても、本実施の形態に示した構成を適用することは可能であり、同様の効果を得ることができる。
【０２２２】
なお、上述した駆動回路は一例を示したものであり、駆動回路の構成は上述した構成に限定されるものではない。
【０２２３】
なお、本発明における実施の形態は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを第１の走査電極グループと第２の走査電極グループとに分割し、書込み期間を、第１の走査電極グループに属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第１の書込み期間と、第２の走査電極グループに属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第２の書込み期間とで構成する、いわゆる２相駆動によるパネルの駆動方法にも適用させることができる。
【０２２４】
なお、本発明における実施の形態は、走査電極と走査電極とが隣り合い、維持電極と維持電極とが隣り合う電極構造、すなわち前面板に設けられる電極の配列が、「・・・、走査電極、走査電極、維持電極、維持電極、走査電極、走査電極、・・・」となる電極構造のパネルにおいても有効である。
【０２２５】
なお、本実施の形態において示した具体的な各数値、例えば、上りランプ電圧Ｌ１、下りランプ電圧Ｌ２、消去ランプ電圧Ｌ３、下りランプ電圧Ｌ４、下りランプ電圧Ｌ４’、下りランプ電圧Ｌ５、下りランプ電圧Ｌ５’、下りランプ電圧Ｌ６、下りランプ電圧Ｌ６’の各傾斜電圧の勾配等は、画面サイズが５０インチ、表示電極対２４の数が１０２４のパネル１０の特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態における一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、各数値はパネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にあわせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。また、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重み等も本発明における実施の形態に示した値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切り換える構成であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２２６】
本発明は、表示画像の黒輝度を低減してコントラストを高めるとともに、書込み放電を安定に発生して画像表示品質を高めることができるので、パネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置として有用である。
【符号の説明】
【０２２７】
１    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル
２１    前面基板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面基板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
５０    維持パルス発生回路
５１    初期化波形発生回路
５２    走査パルス発生回路
５３，５４，５５    ミラー積分回路
５６    電力回収回路
５７    クランプ回路
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ５，Ｑ６，Ｑ７，Ｑ１１，Ｑ１２，Ｑ１３，Ｑ１４，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ    スイッチング素子
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ１１，Ｃ３１    コンデンサ
Ｄｉ１，Ｄｉ２，Ｄｉ３１    ダイオード
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３    抵抗
Ｌ１１    インダクタ
Ｌ１，Ｌ１’    上りランプ電圧
Ｌ２，Ｌ４，Ｌ４’，Ｌ５，Ｌ５’，Ｌ６，Ｌ６’    下りランプ電圧
Ｌ３    消去ランプ電圧
【図１】
2011129106.tif 000003
【図２】
2011129106.tif 000004
【図３】
2011129106.tif 000005
【図４】
2011129106.tif 000006
【図５】
2011129106.tif 000007
【図６】
2011129106.tif 000008
【図７】
2011129106.tif 000009
【図８】
2011129106.tif 000010
【図９】
2011129106.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月28日(2012.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
特定の放電セルで強制初期化動作を行い、前記特定の放電セル以外の他の放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドを設けるとともに、前記特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールドの維持期間の後にプレリセット期間を設け、
前記プレリセット期間では、前記プレリセット期間の直前の前記維持期間に維持放電を発生した放電セルで前記走査電極と前記データ電極間、または前記走査電極と前記維持電極間で第１の補助放電を発生させるための電圧を前記走査電極に印加した後、前記特定の放電セルで前記走査電極と前記維持電極間で第２の補助放電を発生するための電圧を前記走査電極に印加することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
前記第１の補助放電を発生するために前記走査電極に印加する電圧は、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する第１の傾斜電圧であり、前記第２の補助放電を発生するために前記走査電極に印加する電圧は、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する第２の傾斜電圧であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
前記第２の補助放電を発生するための電圧を前記走査電極に印加する期間は前記維持電極に正極性の電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
前記第２の補助放電を発生する放電セルに前記第２の傾斜電圧を印加する期間に、前記第２の補助放電を発生しない放電セルには、所定の正極性の電圧から前記第２の傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧に向かって下降する第３の傾斜電圧を印加することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
前記特定セル初期化サブフィールドを１フィールドの先頭サブフィールドとし、前記プレリセット期間を設けるサブフィールドを１フィールドの最終サブフィールドとすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備え、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けるとともに、特定の放電セルで強制初期化動作を行い、前記特定の放電セル以外の他の放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドを設けて階調表示するプラズマディスプレイパネルと、
前記維持電極を駆動する維持電極駆動回路と、
前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルに初期化放電を発生する選択初期化波形とのいずれかを前記初期化期間に発生して前記走査電極に印加し、前記特定セル初期化期間においては前記特定の放電セルの走査電極に前記強制初期化波形を印加する走査電極駆動回路とを備え、
前記特定セル初期化期間を有するサブフィールドの直前のサブフィールドにおいては前記維持期間の後にプレリセット期間を設け、
前記走査電極駆動回路は、前記プレリセット期間において、前記プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルで前記走査電極と前記データ電極間、または前記走査電極と前記維持電極間で第１の補助放電を発生させるための電圧を前記走査電極に印加した後、前記特定の放電セルで前記走査電極と前記維持電極間で第２の補助放電を発生するための電圧を前記走査電極に印加し、
前記維持電極駆動回路は、前記走査電極駆動回路が前記走査電極に前記第２の補助放電を発生するための電圧を印加する期間、前記維持電極に正極性の電圧を印加することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記走査電極駆動回路は、前記第１の補助放電を発生させるための電圧および前記第２の補助放電を発生するための電圧を、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する傾斜電圧として発生することを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対と、前記表示電極対と立体交差するように配置されるデータ電極とを有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
特定の放電セルで強制初期化動作を行い、前記特定の放電セル以外の他の放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドを設けるとともに、前記特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールドの維持期間の後にプレリセット期間を設け、
前記プレリセット期間では、前記プレリセット期間の直前の前記維持期間に維持放電を発生した放電セルで前記走査電極と前記データ電極間、または前記走査電極と前記維持電極間で第１の補助放電を発生させるための電圧を前記走査電極に印加した後、前記特定の放電セルで前記走査電極と前記維持電極間で第２の補助放電を発生するための電圧を前記走査電極に印加することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
前記第１の補助放電を発生するために前記走査電極に印加する電圧は、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する第１の傾斜電圧であり、前記第２の補助放電を発生するために前記走査電極に印加する電圧は、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する第２の傾斜電圧であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
前記第２の補助放電を発生するための電圧を前記走査電極に印加する期間は前記維持電極に正極性の電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
前記第２の補助放電を発生する放電セルに前記第２の傾斜電圧を印加する期間に、前記第２の補助放電を発生しない放電セルには、所定の正極性の電圧から前記第２の傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧に向かって下降する第３の傾斜電圧を印加することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
前記特定セル初期化サブフィールドを１フィールドの先頭サブフィールドとし、前記プレリセット期間を設けるサブフィールドを１フィールドの最終サブフィールドとすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対と、前記表示電極対と立体交差するように配置されるデータ電極とを有する放電セルを複数備え、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けるとともに、特定の放電セルで強制初期化動作を行い、前記特定の放電セル以外の他の放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドを設けて階調表示するプラズマディスプレイパネルと、
前記維持電極を駆動する維持電極駆動回路と、
前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルに初期化放電を発生する選択初期化波形とのいずれかを前記初期化期間に発生して前記走査電極に印加し、前記特定セル初期化期間においては前記特定の放電セルの走査電極に前記強制初期化波形を印加する走査電極駆動回路とを備え、
前記特定セル初期化期間を有するサブフィールドの直前のサブフィールドにおいては前記維持期間の後にプレリセット期間を設け、
前記走査電極駆動回路は、前記プレリセット期間において、前記プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルで前記走査電極と前記データ電極間、または前記走査電極と前記維持電極間で第１の補助放電を発生させるための電圧を前記走査電極に印加した後、前記特定の放電セルで前記走査電極と前記維持電極間で第２の補助放電を発生するための電圧を前記走査電極に印加し、
前記維持電極駆動回路は、前記走査電極駆動回路が前記走査電極に前記第２の補助放電を発生するための電圧を印加する期間、前記維持電極に正極性の電圧を印加することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記走査電極駆動回路は、前記第１の補助放電を発生させるための電圧および前記第２の補助放電を発生するための電圧を、電圧０（Ｖ）から負極性の電圧に向かって下降する傾斜電圧として発生することを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【国際調査報告】
2011129106.tif 000012
2011129106.tif 000013
2011129106.tif 000014
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