(57)【要約】  本発明によれば、炭素数５〜８０の１−アルケンと無水マレイン酸とを共重合して共重合物を得る工程と、前記共重合物と、炭素数５〜２５のアルコールとを、トリフルオロメタンスルホン酸の存在下でエステル化反応させて、式（ｃ）〜（ｆ）から選択される少なくとも１つの繰り返し単位を含むエステル化物を含有する反応混合物を得る工程を含む、エステル化物の製造方法が提供され、ここで式（ｃ）〜（ｆ）において、Ｒは炭素数３〜７８の脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ２は炭素数５〜２５の炭化水素基を示し、ｍは、前記１−アルケン（Ｘ）と前記無水マレイン酸（Ｙ）の共重合モル比Ｘ／Ｙを示し、１／２〜１０／１であり、ｎは１以上の整数である。2011148627.tif 000010
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素数５〜８０の１−アルケンと無水マレイン酸とを共重合して共重合物を得る工程と、
前記共重合物と、炭素数５〜２５のアルコールとを、トリフルオロメタンスルホン酸の存在下でエステル化反応させて、式（ｃ）〜（ｆ）から選択される少なくとも１つの繰り返し単位を含むエステル化物を含有する反応混合物を得る工程を含む、エステル化物の製造方法。
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（式（ｃ）〜（ｆ）中、Ｒは炭素数３〜７８の脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ２は炭素数５〜２５の炭化水素基を示し、ｍは、前記１−アルケン（Ｘ）と前記無水マレイン酸（Ｙ）の共重合モル比Ｘ／Ｙを示し、１／２〜１０／１であり、ｎは１以上の整数である。）
【請求項２】
エステル化物を含有する反応混合物を得る前記工程の後に、遊離トリフルオロメタンスルホン酸を減圧処理により除去する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反応混合物が、前記炭素数５〜８０の１−アルケンを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ＧＰＣにより測定される、前記反応混合物中の前記炭素数５〜８０の１−アルケンの含有割合が、８質量％以上、２０質量％以下である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記１−アルケンが、炭素数２８〜６０の１−アルケンである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アルコールが、ステアリルアルコールである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記トリフルオロメタンスルホン酸が、前記共重合物と前記炭素数５〜２５のアルコールとの全質量に対し、１００ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下の量である、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エステル化物の製造方法に関する。より詳細には、半導体素子の封止材料に用いるためのエステル化物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の封止材料において、エステル化物は、連続成形性および耐リフロー性を改善するための添加剤として有用である。このようなエステル化物は、酸無水物と１−アルケンとの重合物、ならびにアルコールから合成することができる（特許文献１）。【０００３】
酸無水物と１−アルケンとの重合物と、アルコールとを反応させてエステル化物を得る反応は遅いため触媒を必要とする。特許文献１では、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒として使用して、この反応を行っている。しかし、このようなスルホン酸は、得られる反応生成物中に残留する場合がある。このようなｐ−トルエンスルホン酸が残留したエステル化物を、半導体素子の封止材として用いた場合、半導体素子の絶縁不良の原因となる場合がある。そのため、特許文献１の方法で得られたエステル化物を、半導体素子の封止材として用いるためには、残存するスルホン酸類を、半導体素子の絶縁不良等の不具合が生じないレベルまで低減することが必要である。スルホン酸類は、反応生成物を洗浄することにより除去可能であるが、洗浄による除去は、その操作が煩雑な上に、スルホン酸類の除去効率も高いとは言えない。また、さらに過剰な洗浄を行った場合には、半導体素子の封止に必要な耐リフロー性や離型性に関与する低分子量のエステル化物や１−アルケンが除去される場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特願２０１０−１２２１９１
【発明の概要】
【０００５】
本発明はかかる状況に鑑みなされたものであり、精製効率に優れた、半導体素子の封止材として有用なエステル化物の製造方法を提供するものである。
【０００６】
本発明によると、炭素数５〜８０の１−アルケンと無水マレイン酸とを共重合して共重合物を得る工程と、上記共重合物と、炭素数５〜２５のアルコールとを、トリフルオロメタンスルホン酸の存在下でエステル化反応させて、式（ｃ）〜（ｆ）から選択される少なくとも１つの繰り返し単位を含むエステル化物を含有する反応混合物を得る工程を含む、エステル化物の製造方法が提供される。
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（式（ｃ）〜（ｆ）中、Ｒは炭素数３〜７８の脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ２は炭素数５〜２５の炭化水素基を示し、ｍは、前記１−アルケン（Ｘ）と前記無水マレイン酸（Ｙ）の共重合モル比Ｘ／Ｙを示し、１／２〜１０／１であり、ｎは１以上の整数である。）
【０００７】
本発明の一実施形態によると、上記方法は、エステル化物を含有する反応混合物を得る上記工程の後に、遊離トリフルオロメタンスルホン酸を減圧処理により除去する工程をさらに含む。
【０００８】
本発明の一実施形態によると、上記方法において、上記反応混合物は、上記炭素数５〜８０の１−アルケンを含有する。
【０００９】
本発明の一実施形態によると、上記方法において、ＧＰＣにより測定される、上記反応混合物中の上記炭素数５〜８０の１−アルケンの含有割合は、８面積％以上、２０面積％以下である。
【００１０】
本発明の一実施形態によると、上記方法において、上記１−アルケンは、炭素数２８〜６０の１−アルケンである。
【００１１】
本発明の一実施形態によると、上記方法において、上記アルコールは、ステアリルアルコールである。
【００１２】
本発明の一実施形態によると、上記方法において、上記トリフルオロメタンスルホン酸は、上記共重合物と上記炭素数５〜２５のアルコールとの全質量に対し、１００ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下の量である。
【００１３】
本発明によれば、酸無水物と１−アルケンとの重合物と、アルコールとの反応において、トリフルオロメタンスルホン酸を触媒として用いることにより、スルホン酸成分の含有量が低減された反応混合物を得ることができ、エステル化物の効率的な製造方法が実現される。すなわち、スルホン酸成分を除去する必要がないためスルホン酸成分の除去に起因する作業効率の低下を伴うことなく、エステル化物を効率良く得ることができる。また、トリフルオロメタンスルホン酸は、必要に応じて、減圧蒸留により除去することができる。このため、スルホン酸成分の含有量が十分に低減された反応混合物を得ることができる。また、このようにして得られるエステル化物を半導体素子の封止材として用いた場合、スルホン酸成分に起因した半導体素子の絶縁不良等の不具合の発生を低減することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明のエステル化物の製造方法について説明する。
本発明のエステル化物の製造方法は、以下の工程を含む。
（ａ）炭素数５〜８０の１−アルケンと無水マレイン酸とを共重合して共重合物を得る工程；および
（ｂ）工程（ａ）で得られた共重合物と、炭素数５〜２５のアルコールとを、トリフルオロメタンスルホン酸の存在下でエステル化反応させて、式（ｃ）〜（ｆ）から選択される少なくとも１つの繰り返し単位を含むエステル化物を含有する反応混合物を得る工程。
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（式（ｃ）〜（ｆ）中、Ｒは炭素数３〜７８の脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ２は炭素数５〜２５の炭化水素基を示し、ｍは、上記１−アルケン（Ｘ）と上記無水マレイン酸（Ｙ）の共重合モル比Ｘ／Ｙを示し、１／２〜１０／１であり、ｎは１以上の整数である。）
【００１５】
上記工程（ａ）で用いられる炭素数５〜８０の１−アルケンとしては、例えば、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン、１−ドコセン、１−テトラコンテン、１−ヘキサコンテン、１−オクタコセン、１−トリアコンテン、１−ヘントリアコンテン、１−ドトリアコンテン、１−トリトリアコンテン、１−テトラトリアコンテン、１−ペンタトリアコンテン、１−ヘキサトリアコンテン、１−テトラコンテン、１−ヘンテトラコンテン、１−ドテトラコンテン、１−トリテトラコンテン、１−テトラテトラコンテン、１−ペンタコンテン、１−ヘンペンタコンテン、１−ドペンタコンテン、１−トリペンタコンテン、１−ペンタペンタコンテン、１−ヘキサコンテン、１−ヘプタコンテン、１−オクタコンテン等の直鎖型１−アルケン、３−メチル−１−トリアコンテン、３，４−ジメチル−トリアコンテン、３−メチル−１−テトラコンテン、３，４−ジメチル−テトラコンテン等の分岐型１−アルケンなどが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１６】
１−アルケンの炭素数は、得られるエステル化合物を半導体素子の封止材として用いた場合、半導体素子が備えるリードフレームに対する接着性の観点から、炭素数１０〜７０がより好ましく、離型性の観点から、炭素数２８〜６０がさらに好ましい。
【００１７】
上記工程（ａ）で得られる炭素数５〜８０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物としては、例えば、式（９）および式（１０）で示される構造を有する化合物が挙げられ、市販品としては、１−オクタコセン、１−トリアコンテン、１−テトラコンテン、１−ペンタコンテン、１−ヘキサコンテン等を原料として用いたダイヤカルナ（登録商標）３０（三菱化学株式会社製商品名）が挙げられる。
【化９】
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【化１０】
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【００１８】
上記一般式（９）及び（１０）中のＲは、炭素数３〜７８の脂肪族炭化水素基を示し、ｎは１以上の整数である。ｍは、１−アルケンと無水マレイン酸の共重合比を示し、特に制限はないが、１−アルケンをＸモル、無水マレイン酸をＹモルとした場合、Ｘ／Ｙ、すなわち、ｍは、１／２〜１０／１であり、好ましくは１／２〜５／１であり、より好ましくは１／２〜２／１であり、さらに好ましくはほぼ等モル程度の１／１前後である。
【００１９】
１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物の製造方法としては、特に制限はなく、原材料を反応させる等の一般的な共重合方法を用いることができる。反応には、１−アルケンと無水マレイン酸が溶解可能な有機溶剤等を用いてもよい。有機溶剤としては特に制限はないが、トルエンが好ましく、芳香族系溶剤、エーテル系溶剤、ハロゲン系溶剤等も使用できる。反応温度は、使用する有機溶剤の種類によっても異なるが、反応性、生産性の観点から、５０〜２００℃とすることが好ましく、１００〜１５０℃とすることがより好ましい。反応時間は、共重合物が得られれば特に制限はないが、生産性の観点から１〜３０時間とするのが好ましく、より好ましくは２〜１５時間、さらに好ましくは４〜１０時間である。反応終了後、必要に応じて、加熱減圧下等で未反応成分、溶剤等を除去することができる。その条件は、温度を１００〜２２０℃、より好ましくは１２０〜１８０℃、圧力を１３．３×１０３Ｐａ以下、より好ましくは８×１０３Ｐａ以下、時間を０．５〜１０時間とすることが好ましい。また、反応には、必要に応じてアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）や過酸化ベンゾイル（ＢＰＯ）等のラジカル重合系開始剤を加えてもよい。
【００２０】
工程（ａ）で得られた共重合物は、工程（ｂ）において、トリフルオロメタンスルホン酸の存在下、炭素数５〜２５のアルコールを用いてエステル化される。
【００２１】
上記工程（ｂ）で用いられる炭素数５〜２５のアルコールとしては、例えば、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、オクチルアルコール、デシルアルコール、ラウリルアルコール、ミリスチルアルコール、セチルアルコール、ステアリルアルコール、エイコシルアルコール、ベヘニルアルコール、２−メチル−デカン−１−オール、２−エチル−デカン−１−オール、２−ヘキシル−オクタン−１−オール、等の直鎖型又は分岐型の脂肪族飽和アルコール、ヘキセノール、２−ヘキセン−１−オール、１−ヘキセン−３−オール、ペンテノール、２−メチル−１−ペンテーノール等の直鎖型又は分岐型の脂肪族不飽和アルコールなどが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのなかでも、得られるエステル化物を半導体素子の封止材として用いた場合の離型性の観点から、炭素数１０〜２５の直鎖型アルコールが好ましく、連続成形性の観点から、炭素数１５〜２０の直鎖型脂肪族飽和アルコールがより好ましい。アルコールの炭素数が上記下限値未満では、連続成形性（離型性）が劣り、上記上限値を超えると半導体素子の銅製リードフレームに対する接着性が低下する傾向がある。
【００２２】
トリフルオロメタンスルホン酸の量は、その性能を発揮するために、共重合物とアルコールの全質量に対して、１００ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下の量とすることが好ましい。上記下限値を下回ると、エステル化触媒として十分機能せず、上記上限値を超えると、得られるエステル化物が酸化される場合がある。エステル化物の酸化物は、半導体素子の封止材として用いられた場合、連続成形性が低下する傾向がある。
【００２３】
工程（ａ）で得られる共重合物と炭素数５〜２５のアルコールとのモル比は、特に制限はなく、任意に設定可能であるが、この反応モル比を調整することによって、エステル化物の親水性の程度をコントロールすることが可能であるので、適用する半導体封止材に合わせて適宜設定することが好ましい。反応には、１−アルケンと無水マレイン酸が溶解可能な有機溶剤等を用いてもよい。有機溶剤としては特に制限はないが、トルエンが好ましく、芳香族系溶剤、エーテル系溶剤、ハロゲン系溶剤等も使用できる。反応温度は、使用する有機溶剤の種類によっても異なるが、反応性、生産性の観点から、５０〜２００℃とすることが好ましく、１２０〜１７０℃がより好ましい。反応時間は、共重合物が得られれば特に制限はないが、生産性の観点から１〜３０時間とするのが好ましく、より好ましくは２〜３０時間、さらに好ましくは４〜２８時間である。反応終了後、必要に応じて、加熱減圧下等で未反応成分、溶剤等を除去することができる。その条件は、温度を１００〜２２０℃、より好ましくは１２０〜１８０℃、圧力を１３．３×１０3Ｐａ以下、より好ましくは８×１０3Ｐａ以下、時間を０．５〜１０時間とすることが好ましい。
【００２４】
１−アルケンと無水マレイン酸の共重合物を、上記の炭素数５〜２５のアルコールを用いてエステル化して得られるエステル化物は、式（ｃ）〜（ｆ）から選択される少なくとも１つの繰り返し単位を含む。
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【００２５】
式（ｃ）〜（ｆ）中、Ｒは炭素数３〜７８の脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ２は炭素数５〜２５の炭化水素基を示し、ｍは、上記１−アルケン（Ｘ）と上記無水マレイン酸（Ｙ）の共重合モル比Ｘ／Ｙを示し、１／２〜１０／１であり、ｎは１以上の整数である。
【００２６】
本発明のエステル化物は、（１）主鎖骨格中に式（ｃ）〜（ｆ）のいずれか１種単独を含むもの、（２）主鎖骨格中に式（ｃ）〜（ｆ）のいずれか２種以上をランダムに含むか、規則的に含むか、もしくはブロック状に含むもの、等が挙げられ、これらを単独であっても、２種以上の混合物であってもよい。
【００２７】
共重合物とアルコールとのエステル化反応の反応収率は、好ましくは７０モル％以上であり、より好ましくは８０モル％以上であり、さらに好ましくは９０％以上である。
【００２８】
工程（ｂ）で得られるエステル化物を含む反応混合物は、工程（ａ）において未反応で存在する１−アルケンを含んでいてもよい。反応混合物中の１−アルケンの含有割合は、ＧＰＣにより測定した場合、８質量％以上、２０質量％以下であることが好ましい。含有割合が上記下限値以上であると、離型性を向上する効果が得られる。含有割合が上記上限値以下であると、接着性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００２９】
本発明の方法で得られるエステル化物の数平均分子量は、２０００〜１００００であることが好ましい。上記範囲であれば、エステル化物を半導体の封止材として用いた場合、半導体素子の銅製リードフレームに対する接着性と離型性との両立が実現できる。
【００３０】
１−アルケンと無水マレイン酸の共重合物を、トリフルオロメタンスルホン酸の存在下で、アルコールでエステル化した化合物の配合量は、特に制限はないが、エポキシ樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上、１０質量部以下が好ましく、１質量部以上、５質量部以下がより好ましい。配合量が上記下限値未満では離型性が低下する傾向があり、上記上限値を超えると、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性が不十分となる傾向がある。
【００３１】
本発明において、工程（ｂ）の後、必要に応じて、工程（ｂ）で得られた反応混合物中の遊離トリフルオロメタンスルホン酸を、減圧処理により除去してもよい。上記方法により、トリフルオロメタンスルホン酸の含有量を低減できるため、工程（ｂ）で得られるエステル化物を含む反応性生物は、半導体封止材として用いた場合、半導体素子の銅製リードフレームに対する接着性と離型性が良好である。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明について実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は何らこれらに限定されない。【００３３】
（合成例１）
炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物（ダイヤカルナＲ３０、三菱化学株式会社製）１００．０ｇ、およびステアリルアルコール４７．０ｇを、３００ｍｌの４つ口セパラブルフラスコに仕込み、７０℃で溶解させた後に、１０ｗｔ％トリフルオロメタンスルホン酸水溶液０．５ｇを添加した。得られた反応混合物を１５０℃で５時間攪拌した。
その後、液温を１２０℃まで冷却して、３０Ｔｏｒｒの減圧下で、２時間減圧蒸留することにより、遊離のトリフルオロメタンスルホン酸と水を除去して、エステル化物Ａを１４４ｇ得た。ＧＰＣ測定結果から、エステル化物Ａ中の１−アルケン含有量は１５質量％であった。またエステル化物Ａの硫黄含有量は７４ｐｐｍであった。【００３４】
（合成例２）
炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物（ダイヤカルナＲ３０、三菱化学株式会社製）１００．０ｇ、およびステアリルアルコール４７．０ｇを、３００ｍｌの４つ口セパラブルフラスコに仕込み、７０℃で溶解させた後に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１．５ｇを添加した。得られた反応混合物を１５０℃で４時間攪拌した。
その後、液温を８０℃まで冷却して、アセトン１３１．７ｇを還流下で６０分間かけて滴下した。滴下後は攪拌を止め、液温７０℃で６０分間静置させると、反応母液が２層に分離した。未反応のステアリルアルコールおよびスルホン酸成分を含む上層のアセトン層は除去した。残る下層を３０Ｔｏｒｒの減圧下で、９０℃で６時間減圧留去を行うことにより、残存するアセトンを除去して、エステル化物Ｂを１４４ｇ得た。ＧＰＣ測定結果から、エステル化物Ｂ中の１−アルケン含有量は１０質量％であった。またエステル化物Ｂの硫黄含有量は８００ｐｐｍであった。【００３５】
（合成例３）
炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物（ダイヤカルナＲ３０、三菱化学株式会社製）１００．０ｇ、およびステアリルアルコール４７．０ｇを、コンデンサーを装着した３００ｍｌの４つ口セパラブスフラスコに仕込み、７０℃で溶解させた後に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１．５ｇを添加した。得られた反応混合物を１５０℃で４時間攪拌した。
その後、液温を８０℃まで冷却して、アセトン１３１．７ｇを還流下で６０分間かけて滴下した。滴下後は攪拌を止め、液温７０℃で６０分間静置させると、反応母液が２層に分離した。未反応のステアリルアルコールおよびスルホン酸成分を含む上層のアセトン層は除去した。この洗浄操作を３回行った後、残る下層を３０Ｔｏｒｒの減圧下で、９０℃で６時間減圧留去を行うことにより、残存するアセトンを除去して、エステル化物Ｃを１３５ｇ得た。ＧＰＣ測定結果から、エステル化物Ｃ中の１−アルケン含有量は７質量％であった。またエステル化物Ｃの硫黄含有量は４００ｐｐｍであった。
（実施例１）
上記合成例１で得られたエステル化物Ａ、および以下の表に示す成分を、表に示す質量部で配合し、混練温度１００℃、混練時間３０分の条件で二軸混練して冷却後粉砕し、樹脂組成物を作製した。得られた樹脂組成物を、半導体封止材としての性能（連続成形性）について評価した。結果を表１に示す。
（比較例１〜２）
上記合成例２および３で得られたエステル化物ＢおよびＣ、および以下の表に示す成分を、表に示す質量部で配合し、混練温度１００℃、混練時間３０分の条件で二軸混練して冷却後粉砕し、樹脂組成物を作製した。得られた樹脂組成物を、半導体封止材としての性能（連続成形性）について評価した。結果を表１に示す。【００３６】
上記実施例および比較例で使用した各成分について、以下に示す。
エポキシ樹脂１：エポキシ当量１８５ｇ／ｅｑ、融点１０８℃のビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシ株式会社製商品名エピコートＹＸ−４０００Ｋ）
エポキシ樹脂２：エポキシ当量２３７ｇ／ｅｑ、軟化点５２℃のフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬製商品名ＮＣ２０００）
フェノール樹脂系硬化剤１：水酸基当量１９９ｇ／ｅｑ、軟化点６４℃のビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂（明和化成株式会社製商品名ＭＥＨ−７８５１ＳＳ）
無機充填材１：平均粒径１０．８μｍ、比表面積５．１ｍ２／ｇの球状溶融シリカ
硬化促進剤１：トリフェニルホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加物
カップリング剤１：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（チッソ製商品名Ｓ５１０＝ＧＰＳ−Ｍ）
着色剤１：カーボンブラック（三菱化学株式会社製商品名カーボン＃５）【００３７】
連続成形性（エアベントブロック及び型汚れ）の測定方法は以下の通りである。
低圧トランスファー自動成形機（第一精工（株）製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間７０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物によりチップなどを封止して８０ピンクワッドフラットパッケージ（８０ｐＱＦＰ；銅製リードフレーム、パッケージ外寸：１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ厚、パッドサイズ：６．５ｍｍ×６．５ｍｍ、チップサイズ６．０ｍｍ×６．０ｍｍ×０．３５ｍｍ厚）を得る成形を、連続で４００ショットまで行った。
エアベントブロックの評価については、５０ショット毎に金型を目視により観察することで、エアベントブロック（エアベント（幅０．５ｍｍ、厚さ５０μｍ）部に樹脂硬化物が固着してエアベントを塞いだ状態）の有無を確認し、次の４段階で評価した。好ましい順は、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・の順であるが、Ｃランク以上であれば実用可能範囲である。評価結果を下記に示した。
Ａ：４００ショットまで問題なし
Ｂ：３００ショットまでにエアベントブロック発生
Ｃ：２００ショットまでにエアベントブロック発生
Ｄ：１００ショットまでにエアベントブロック発生
型汚れについては、４００ショット成形後の金型を観察し、ゲート口からの汚れの広がり具合の程度から、次の５段階で評価した。好ましい順は、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・の順であるが、Ｃランク以上であれば実用可能範囲である。
Ａ：汚れなし
Ｂ：汚れの広がりがキャビティ表面の２０面積％以下
Ｃ：汚れの広がりがキャビティ表面の２０面積％超〜４０面積％以下
Ｄ：汚れの広がりがキャビティ表面の４０面積％超〜６０面積％以下
Ｅ：汚れの広がりがキャビティ表面の６０面積％超
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【国際調査報告】
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