(57)【要約】  有機層をスパッタリング法による陰極形成のダメージから保護する方法と、こうして得られる安定性の高い有機ＥＬを提供する。本発明の有機ＥＬは絶縁層１２上に配置された下部電極膜１３ａと、下部電極膜１３ａ上に配置された有機層２１と、有機層２１上に配置された上部電極膜２８を有し、下部電極膜１３ａに正電荷を印加し、上部電極膜２８に負電荷を印加すると有機層２１が発光するように構成されている。有機層２１上には導電性の保護膜２３を蒸着法により形成し、保護膜２３上に上部電極膜２８をスパッタリング法で形成しているので、有機層２１はスパッタリング法によるダメージを受けない。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に配置された下部電極膜と、
前記下部電極膜上に配置された有機層と、
前記有機層上に配置された上部電極膜とを有し、
前記下部電極膜に正電圧を印加し、前記上部電極膜に負電圧を印加して、前記有機層に膜厚方向に電流を流すと、前記有機層が発光するように構成された有機ＥＬであって、
前記有機層と前記上部電極膜との間には、蒸着法で形成された透明な保護膜が配置され、
前記上部電極膜は前記保護膜上にスパッタリング法で形成された有機ＥＬ。
【請求項２】
前記有機層と前記保護膜との間には、電子注入性金属が添加された電子輸送性の有機物からなる電子輸送層が配置された請求項１記載の有機ＥＬ。
【請求項３】
前記保護膜は、化学構造中の酸素が二酸化スズの化学量論比よりも少ないスズ酸化物と、リチウムを含有する化学構造中の酸素が二酸化スズの化学量論比よりも少ないスズ酸化物と、リチウムを含有する化学構造中の酸素が三酸化モリブデンの化学量論比よりも少ないモリブデン酸化物のいずれか一つ又は二つ以上の物質を含有する請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の有機ＥＬ。
【請求項４】
前記保護膜は、ＳｎＯ2-x（ｘは０より大きく２より小さい数）と、Ｌｉを含有するＳｎＯ2-xと、Ｌｉを含有するＭｏＯ3-y（ｙは０より大きく３より小さい数）のいずれか一つ又は二つ以上の物質を含有する請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の有機ＥＬ。
【請求項５】
絶縁層上に下部電極膜を形成し、
前記下部電極膜上に有機層を形成し、
前記有機層上に上部電極膜を形成し、
前記下部電極膜に正電圧を印加し、前記上部電極膜に負電圧を印加して、前記有機層に膜厚方向に電流を流すと、前記有機層が発光するように構成された有機ＥＬの電極形成方法であって、
前記有機層上に透明な導電性の保護膜を蒸着法で形成したのち、
前記保護膜上に前記上部電極膜をスパッタリング法により形成する有機ＥＬの電極形成方法。
【請求項６】
前記有機層上に電子注入性金属が添加された電子輸送性の有機物からなる電子輸送層を蒸着法で形成したのち、
前記電子輸送層上に前記保護膜を蒸着法で形成する請求項５記載の有機ＥＬの電極形成方法。
【請求項７】
前記保護膜として、化学構造中の酸素が二酸化スズの化学量論比よりも少ないスズ酸化物と、リチウムを含有する化学構造中の酸素が二酸化スズの化学量論比よりも少ないスズ酸化物と、リチウムを含有する化学構造中の酸素が三酸化モリブデンの化学量論比よりも少ないモリブデン酸化物のいずれか一つ又は二つ以上を蒸着法により前記有機層上に形成する請求項５又は請求項６のいずれか１項記載の有機ＥＬの電極形成方法。
【請求項８】
前記保護膜として、ＳｎＯ2-x（ｘは０より大きく２より小さい数）と、Ｌｉを含有するＳｎＯ2-xと、Ｌｉを含有するＭｏＯ3-y（ｙは０より大きく３より小さい数）のいずれか一つ又は二つ以上を蒸着法により前記有機層上に形成する請求項５又は請求項６のいずれか１項記載の有機ＥＬの電極形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ及び有機ＥＬの電極形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬは、発光効率が高く、薄い発光装置を組み立てることができることから、近年では、大面積化するテレビや照明用デバイスへの応用が提案されている。
基板上に形成される有機ＥＬは、光の取り出し側の違いにより二つのタイプに大別される。即ち、基板の反対側から光を取り出すトップエミッション型と、基板側から光を取り出すボトムエミッション型である。基板にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成する場合は、ボトムエミッション型ではＴＦＴが光の取り出しを妨げるため、トップエミッション型が好ましい。この場合、光取り出し方向に透明な電極を配置する必要がある。【０００３】
図３(ａ)、（ｂ）の符号１００は従来技術のトップエミッション型有機ＥＬを使用した有機ＥＬランプであり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＢ−Ｂ線切断断面図である。
有機ＥＬランプ１００は金属又はガラスの基板１１１を有している。基板１１１が導電体の場合は、基板１１１上に絶縁性の薄膜から成る絶縁層１１２が配置されている。絶縁層１１２上には突条１１５が配置されており、突条１１５によって囲まれた領域の内側の絶縁層１１２上に、下部電極膜１１３ａと有機層１２１が形成されている。他方、突条１１５によって囲まれた領域の外側の絶縁層１１２上には、引出電極膜１１３ｂが配置されている。
有機層１２１の表面上と引出電極膜１１３ｂの表面上には上部電極膜１２８が形成されており、有機層１２１は、上部電極膜１２８によって引出電極膜１１３ｂに電気的に接続されている。【０００４】
下部電極膜１１３ａと引出電極膜１１３ｂとを電源に接続し、下部電極膜１１３ａに正電圧、引出電極膜１１３ｂに負電圧を印加すると、下部電極膜１１３ａと上部電極膜１２８との間に電流が流れ、有機層１２１内で発光光が発生する。上部電極膜１２８は透明であり、有機層１２１内で発生した発光光は上部電極膜１２８を透過して外部に放射される。
上部電極膜１２８を形成する際には、真空蒸着法では、ピンホールのない膜を均一（±５％以下）に成膜するのが難しく、特に基板が大きくなると、基板全体の膜厚を制御できないという問題があるため、スパッタリング法で成膜するのが望ましい。【０００５】
ただし、スパッタリング法におけるスパッタ粒子は蒸着法と比較して数十〜数百倍の運動エネルギーを有し、またスパッタリング法はプラズマを用いているため荷電粒子（電子、イオン）の発生や反跳アルゴンの入射による、有機層１２１への各種のダメージが懸念される。【０００６】
スパッタリング法による有機層１２１へのダメージは、有機ＥＬ素子の層構造を変化させ、発光効率の低下、リーク電流の発生、素子寿命低下などの問題を発生させる。
従って、上部電極膜１２８をスパッタリング法により成膜する前に有機層１２１上に保護膜を形成しておくなどの対策が必要である。例えば特許文献１では、有機層上に金属酸化膜を形成し、その上に陽極を形成する技術を開示しているが、この技術では陰極を形成することはできない。有機ＥＬは、有機層上には陰極を形成する構造が一般的であり、有機層上にスパッタリング法で陰極を形成すると有機層がダメージを受けるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２５９５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
有機層上に陰極を形成する場合でも、有機層をスパッタリング法によるダメージから保護して、有機ＥＬ素子の安定性を高めるための方法が求められていた。
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、有機層をスパッタリング法によるダメージから保護して陰極を形成する方法と、こうして得られる安定性の高い有機ＥＬを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明は、絶縁層上に配置された下部電極膜と、前記下部電極膜上に配置された有機層と、前記有機層上に配置された上部電極膜とを有し、前記下部電極膜に正電圧を印加し、前記上部電極膜に負電圧を印加して、前記有機層に膜厚方向に電流を流すと、前記有機層が発光するように構成された有機ＥＬであって、前記有機層と前記上部電極膜との間には、蒸着法で形成された透明な保護膜が配置され、前記上部電極膜は前記保護膜上にスパッタリング法で形成された有機ＥＬである。
本発明は有機ＥＬであって、前記有機層と前記保護膜との間には、電子注入性金属が添加された電子輸送性の有機物からなる電子輸送層が配置された有機ＥＬである。
本発明は有機ＥＬであって、前記保護膜は、化学構造中の酸素が二酸化スズの化学量論比よりも少ないスズ酸化物と、リチウムを含有する化学構造中の酸素が二酸化スズの化学量論比よりも少ないスズ酸化物と、リチウムを含有する化学構造中の酸素が三酸化モリブデンの化学量論比よりも少ないモリブデン酸化物のいずれか一つ又は二つ以上の物質を含有する有機ＥＬである。
本発明は有機ＥＬであって、前記保護膜は、ＳｎＯ2-x（ｘは０より大きく２より小さい数）と、Ｌｉを含有するＳｎＯ2-x（ｘは０より大きく２より小さい数）と、Ｌｉを含有するＭｏＯ3-y（ｙは０より大きく３より小さい数）のいずれか一つ又は二つ以上の物質を含有する有機ＥＬである。
本発明は、絶縁層上に下部電極膜を形成し、前記下部電極膜上に有機層を形成し、前記有機層上に上部電極膜を形成し、前記下部電極膜に正電圧を印加し、前記上部電極膜に負電圧を印加して、前記有機層に膜厚方向に電流を流すと、前記有機層が発光するように構成された有機ＥＬの電極形成方法であって、前記有機層上に透明な導電性の保護膜を蒸着法で形成したのち、前記保護膜上に前記上部電極膜をスパッタリング法により形成する有機ＥＬの電極形成方法である。
本発明は有機ＥＬの電極形成方法であって、前記有機層上に電子注入性金属が添加された電子輸送性の有機物からなる電子輸送層を蒸着法で形成したのち、前記電子輸送層上に前記保護膜を蒸着法で形成する有機ＥＬの電極形成方法である。
本発明は有機ＥＬの電極形成方法であって、前記保護膜として、化学構造中の酸素が二酸化スズの化学量論比よりも少ないスズ酸化物と、リチウムを含有する化学構造中の酸素が二酸化スズの化学量論比よりも少ないスズ酸化物と、リチウムを含有する化学構造中の酸素が三酸化モリブデンの化学量論比よりも少ないモリブデン酸化物のいずれか一つ又は二つ以上を蒸着法により前記有機層上に形成する有機ＥＬの電極形成方法である。
本発明は有機ＥＬの電極形成方法であって、前記保護膜として、ＳｎＯ2-x（ｘは０より大きく２より小さい数）と、Ｌｉを含有するＳｎＯ2-x（ｘは０より大きく２より小さい数）と、Ｌｉを含有するＭｏＯ3-y（ｙは０より大きく３より小さい数）のいずれか一つ又は二つ以上を蒸着法により前記有機層上に形成する有機ＥＬの電極形成方法である。
【発明の効果】
【００１０】
陰極形成の際に、スパッタリング法によるダメージから有機層を保護して、素子欠陥の発生を防ぐことができるので、安定性の高い有機ＥＬが得られ、大面積有機ＥＬの生産性が向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の有機ＥＬを使用した有機ＥＬランプを説明するための図  (ａ)：平面図  （ｂ）：断面図
【図２】（ａ）〜（ｆ）：本発明の有機ＥＬを使用した有機ＥＬランプの製造工程を説明するための図
【図３】従来技術の有機ＥＬを使用した有機ＥＬランプを説明するための図  (ａ)：平面図  （ｂ）：断面図
【図４】本発明で使用する第一の真空蒸着装置の模式図
【図５】本発明で使用する第二の真空蒸着装置の模式図
【図６】本発明で使用するスパッタ装置の模式図
【符号の説明】
【００１２】
１２……絶縁層
１３ａ……下部電極膜
２１……有機層
２１ｃ……電子輸送層
２３……保護膜
２８……上部電極膜
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜有機ＥＬの構造＞
図１（ａ）は本発明の有機ＥＬを使用した有機ＥＬランプ１０の平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線切断断面図を示している。
有機ＥＬランプ１０は上方を向いた面が鏡面処理された基板１１を有している。基板１１の上方を向いた面上にＳｉＯ2等の透明な絶縁物から成る絶縁層１２が配置され、その表面にＩＴＯ等の透明な導電性薄膜１３が配置されている。
導電性薄膜１３には内外で薄膜表面を二分する、一部開口を有するリング状、すなわち半リング状の溝が形成され、この溝内には樹脂性の突条１５が溝の長さ方向に沿って配置されている。突条１５の長さ方向の両端は、導電性薄膜１３の縁に位置しており、リングの内側と外側で導電性薄膜１３を二分している。導電性薄膜１３が二分された部分のうち、突条１５で一部囲まれた方を下部電極膜１３ａとし、突条１５の外側の部分を引出電極膜１３ｂとすると、下部電極膜１３ａと引出電極膜１３ｂとは、突条１５によって互いに絶縁されている。下部電極膜１３ａと引出電極膜１３ｂは、絶縁層１２によって、基板１１とも絶縁されている。
【００１４】
この有機ＥＬランプ１０では、下部電極膜１３ａはホール注入性を有する物質で構成されており、例えばＩＴＯ膜が用いられている。下部電極膜１３ａの上方を向いた面上には、それぞれ有機薄膜から成るホール輸送層２１ａと、発光層２１ｂと、電子輸送層２１ｃとがこの順序で積層された有機層２１が配置されている。（図２（ｄ）参照）
下部電極膜１３ａはホール輸送層２１ａと接触しており、下部電極膜１３ａがホール注入層として機能する。下部電極膜１３ａがホール注入性の無い物質で形成されている場合は、下部電極膜１３ａとホール輸送層２１ａとの間にホール注入層を配置すればよい。
【００１５】
発光層２１ｂ上には、電子輸送性の有機物に電子注入性金属が２重量％添加された電子輸送層２１ｃが配置されている。
ここでは電子輸送性の有機物としてＡｌｑ3等の材料が用いられ、電子注入性金属としてＬｉが用いられている。
電子輸送層２１ｃ上には、透明な導電性の保護膜２３が配置されている。保護膜２３は電子輸送層２１ｃ上に蒸着法によって形成されており、有機層２１にダメージは与えられていない。
【００１６】
保護膜２３は、ここではＳｎＯ2-x（化学構造中の酸素が二酸化スズの化学量論比よりも少ないスズ酸化物、ｘは０より大きく２より小さい数）と、Ｌｉ（リチウム）を２重量％含有するＳｎＯ2-x（化学構造中の酸素が二酸化スズの化学量論比よりも少ないスズ酸化物、ｘは０より大きく２より小さい数）と、Ｌｉ（リチウム）を２重量％含有するＭｏＯ3-y（化学構造中の酸素が三酸化モリブデンの化学量論比よりも少ないモリブデン酸化物、ｙは０より大きく３より小さい数）のいずれか一つ又は二つ以上の物質で構成されている。
すなわち、保護膜２３は、ＳｎＯ2-xと、Ｌｉを２重量％含有するＳｎＯ2-xと、Ｌｉを２重量％含有するＭｏＯ3-yのいずれか一つ又は二つ以上の物質を含有している。
本発明では、保護膜２３の膜厚は１０Å〜４００Åの範囲の厚みが望ましい。
【００１７】
保護膜２３と引出電極膜１３ｂ上には、両方に亘って、スパッタリング法により、透明な導電性物質から成る上部電極膜２８が形成されている。
ここでは上部電極膜２８としてＩＺＯが用いられている。
本発明では、上部電極膜２８の膜厚は１５０Å〜３０００Åの範囲の厚みが望ましい。
【００１８】
上部電極膜２８は、ＩＺＯに電子注入性金属を２重量％添加した電子注入性金属含有ＩＺＯで構成されていてもよい。
有機層２１上には保護膜２３が配置されているため、有機層２１にはスパッタリング法によるダメージは与えられていない。
有機層２１は、上部電極膜２８を介して引出電極膜１３ｂに電気的に接続されている。
【００１９】
下部電極膜１３ａと引出電極膜１３ｂとは、有機層２１の位置から離間した場所で露出され配線に接続されており、配線を介して下部電極膜１３ａに正電圧を印加し、引出電極膜１３ｂに負電圧を印加すると、下部電極膜１３ａと上部電極膜２８の間に電圧が印加される。
その電圧に対し、下部電極膜１３ａと有機層２１と保護膜２３と上部電極膜２８とは直列接続されて直列回路を形成しており、有機層２１に膜厚方向に電流が流れ、発光層２１ｂが発光する。
【００２０】
絶縁層１２、下部電極膜１３ａ、有機層２１、保護膜２３、上部電極膜２８はいずれも透明であり、発光層２１ｂが発光し、上部電極膜２８側に進行する発光光は、上部電極膜２８を透過して外部に放射される。
【００２１】
基板１１の絶縁層１２と接触する面は電解加工によって鏡面にされており、基板１１側に向かった発光光は絶縁層１２を透過し、基板１１の鏡面で反射し、基板１１上の各層を透過して外部に放射される。
なお、基板１１としてガラス基板を使用することもできる。ガラス基板を使用すれば、基板１１側へも光を放射できる。またガラス基板の場合は絶縁層１２が不要となる。
【００２２】
＜有機ＥＬの形成方法＞
次に、上記の有機ＥＬランプ１０の形成方法を説明する。
金属の基板１１の上方を向いた面を電解加工によって鏡面にし、基板１１の鏡面上に透明な絶縁層１２を成膜する。次いで、絶縁層１２上に透明な導電性薄膜１３を成膜する（図２（ａ））。
ここでは、絶縁層１２としてＳｉＯ2を成膜し、導電性薄膜１３としてＩＴＯを成膜する。
【００２３】
本発明の基板１１は、金属又はガラスの基板１１ａ上にＳｉＯ2等の基板絶縁層１１ｂを成膜し、基板絶縁層１１ｂ上にスパッタリング法によってＡｌ（アルミニウム）又はＡｇ（銀）合金から成る鏡面層１１ｃを成膜して、鏡面層１１ｃを電界加工によって鏡面にして、形成されてもよい（図２（ｂ））。
次いで、導電性薄膜１３に半リング状の溝をエッチングし、この溝の内部に絶縁性の樹脂を塗布して、突条１５を形成する（図２（ｃ））。
【００２４】
突条１５の長さ方向の両端は、導電性薄膜１３の縁に位置している。従って、導電性薄膜１３は突条１５により、突条１５で一部囲まれた部分の下部電極膜１３ａと、突条１５の外側の部分の引出電極膜１３ｂに二分される。
次いで、この処理対象物の突条１５の外側をマスクした状態で、下部電極膜１３ａ上に、真空蒸着法によって有機薄膜から成るホール輸送層２１ａと、発光層２１ｂとをこの順序で積層する。
【００２５】
図４は本発明で使用する第一の真空蒸着装置４０の模式図を示している。第一の真空蒸着装置４０は、第一の主真空槽４４と、第一の主真空槽４４内に配置された第一の主るつぼ４２ａと、第一の副るつぼ４２ｂを有している。
第一の主真空槽４４に設けられた第一の主排気口４３は真空ポンプ４７に接続され、第一の主真空槽４４内部は排気可能にされている。
発光層２１ｂが形成された処理対象物を、突条１５の外側をマスクした状態で、第一の主真空槽４４内に配置された第一の主基板ホルダ４５に、処理対象物の発光層２１ｂ側がるつぼの方を向くように取り付ける。図４の符号４９はこの処理対象物を示している。
【００２６】
第一の主るつぼ４２ａに電子輸送性の有機物を入れ、第一の副るつぼ４２ｂに電子注入性金属を入れる。真空ポンプ４７で第一の主真空槽４４内を真空排気しながら、第一の主るつぼ４２ａと第一の副るつぼ４２ｂを加熱器４６ａ、４６ｂでそれぞれ加熱し、電子輸送性の有機物と電子注入性金属とを別々に蒸発させ、有機層２１上に一緒に到達させ、共蒸着させる。
ここでは電子輸送性の有機物としてＡｌｑ3等の材料を用い、電子注入性金属としてＬｉを用いる。
このとき、電子輸送性の有機物に電子注入性金属が２重量％添加されるようにし、電子輸送層２１ｃを形成する（図２（ｄ））。ここでは、ホール輸送層２１ａと発光層２１ｂと電子輸送層２１ｃとから有機層２１が構成される。
【００２７】
図５は本発明で使用する第二の真空蒸着装置５０の模式図を示している。第二の真空蒸着装置５０は、第二の主真空槽５４と、第二の主真空槽５４内に配置された第二のるつぼ５２を有している。
第二の主真空槽５４に設けられた第二の主排気口５３は真空ポンプ５７に接続され、第二の主真空槽５４内部は排気可能にされている。
有機層２１が形成された処理対象物を、突条１５の外側をマスクした状態で、第二の主真空槽５４内の第二の主基板ホルダ５５に、処理対象物の有機層２１側がるつぼの方を向くように取り付ける。図５の符号５９はこの処理対象物を示している。
【００２８】
第二のるつぼ５２に金属酸化物から成る保護膜材料を入れる。真空ポンプ５７で第二の主真空槽５４内を真空排気しながら、第二のるつぼ５２を加熱器５６で加熱し、保護膜材料を蒸発させる。
蒸発によりガス状の金属酸化物からＯ原子が外れ、このＯ原子から成るＯ2ガスが真空排気されることにより、電子輸送層２１ｃ上に酸素欠陥した金属酸化物が到達し、酸素欠陥した金属酸化物から成る保護膜２３が形成される（図２（ｅ））。
ここでは保護膜材料としてＳｎＯ2を用いる。酸素欠陥した金属酸化物としてＳｎＯ2-x（ｘは０より大きく２より小さい数）が形成される。
【００２９】
本発明は、第二の主真空槽５４内にもう一つるつぼを追加して配置し、追加したるつぼにリチウムを入れて、第二のるつぼ５２内のＳｎＯ2と追加したるつぼ内のリチウムとを別々に蒸発させ、電子輸送層２１ｃ上に一緒に到達させ、共蒸着して、ＳｎＯ2-x（ｘは０より大きく２より小さい数）にリチウムが２重量％添加された保護膜２３を形成してもよい。
【００３０】
また本発明は、第二のるつぼ５２内にＭｏＯ3を入れ、追加したるつぼにリチウムを入れて、第二のるつぼ内のＭｏＯ3と追加したるつぼ内のリチウムとを別々に蒸発させ、電子輸送層２１ｃ上に一緒に到達させ、共蒸着して、ＭｏＯ3-y（ｙは０より大きく３より小さい数）にリチウムが２重量％添加された保護膜２３を形成してもよい。
すなわち、ＳｎＯ2-xと、Ｌｉを２重量％含有するＳｎＯ2-xと、Ｌｉを２重量％含有するＭｏＯ3-yのいずれか一つ又は二つ以上の物質を電子輸送層２１ｃ上に蒸着して保護膜２３を形成する。
【００３１】
図６は本発明で使用するスパッタ装置６０の模式図を示している。スパッタ装置６０は、副真空槽６４と、副真空槽６４内に配置され、透明な導電性物質から成るスパッタターゲット６８を有している。
副真空槽６４に設けられたガス供給口６６はスパッタガスが貯蔵されたガスボンベ６１に接続され、副真空槽６４内部にスパッタガスを供給可能にされている。
副真空槽６４に設けられた副排気口６３は真空ポンプ６２に接続され、副真空槽６４内部を排気可能にされている。
【００３２】
保護膜２３が形成された処理対象物から突条１５の外側にされたマスクを除去したのち、副真空槽６４内の副基板ホルダ６５に、処理対象物を基板１１側が副基板ホルダ６５と接触するように取り付ける。図６の符号６９はこの処理対象物を示している。
【００３３】
真空ポンプ６２で副真空槽６４内を真空排気しながら、ガス供給口６６からスパッタガスを副真空槽６４内に供給し、スパッタターゲット６８に負の高電圧を印加する。副基板ホルダ６５と副真空槽６４は共に接地されている。副基板ホルダ６５とスパッタターゲット６８間の放電により、スパッタガスが電離され、イオン化されたスパッタガスがスパッタターゲット６８に衝突し、スパッタ粒子をはじき飛ばす。スパッタ粒子が処理対象物６９上に到達することにより、処理対象物６９の保護膜２３と引出電極膜１３ｂの両方に亘って、透明な導電性物質から成る上部電極膜２８が形成される（図２（ｆ））。
【００３４】
このとき、処理対象物６９の有機層２１上に配置された保護膜２３は、有機層２１がスパッタリング法によりダメージを受けることから防ぐ。
ここではスパッタガスとしてＡｒガスとＯ2ガスを用いる。
また、ここではスパッタターゲット６８としてＩＺＯを用いる。上部電極膜２８としてはＩＺＯ膜が形成される。
スパッタターゲット６８として電子注入性金属を２重量％ドーピングしたＩＺＯを用い、上部電極膜２８として電子注入性金属含有ＩＺＯ膜を形成してもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2011040193.tif 000009
2011040193.tif 000010
2011040193.tif 000011
2011040193.tif 000012