(57)【要約】【課題】  本発明は、種類の異なる除草活性成分を複数併用することなく、薬害を軽減又は防止し、環境負荷を低減し得る除草剤用薬害軽減剤、薬害が軽減された除草剤組成物及び作物の薬害軽減方法を提供する。【解決手段】本発明の除草剤用薬害軽減剤は、一般式（Ｉ）（ここで、ＲはＣ１〜Ｃ４アルキル基又はヒドロキシシクロヘキシル基を表わし、Ｘはカルボキシル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基を表わす。）で示される化合物又はその塩を主成分とすることを特徴とし、本発明の薬害が軽減された除草剤組成物は、上記本発明の除草剤用薬害軽減剤と、１又は２以上の特定の除草活性化合物を含有することを特徴とする。【選択図】なし【化１】2011145329.tif 000017
2011145329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
2011145329.tif 000014
（ここで、ＲはＣ１〜Ｃ４アルキル基又はヒドロキシシクロヘキシル基を表わし、
Ｘはカルボキシル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基を表わす。）
で示される化合物又はその塩を主成分とすることを特徴とする除草剤用薬害軽減剤。
【請求項２】
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＸが、Ｒを含む基の４位に結合する請求項１に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項３】
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲがメチル基であり、Ｘがカルボキシル基又はヒドロキシル基である請求項２に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項４】
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲがメチル基であり、Ｘがカルバモイル基又はジメチルカルバモイル基である請求項２に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項５】
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲがメチル基であり、Ｘがメトキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基である請求項２に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項６】
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲが４−ヒドロキシシクロヘキシル基であり、Ｘがカルボキシル基又はヒドロキシル基である請求項２に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項７】
一般式（Ｉ）で示される化合物の塩が、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、イソプロピルアンモニウム塩、トリメチルスルホニウム塩、トリエタノールアミンとの塩若しくはジメチルジステアリルアンモニウム塩から選ばれる化合物である請求項１乃至６のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項８】
一般式（Ｉ）で示される化合物の塩が、カルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩であると共に、Ｘがカルボキシル基である請求項７に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項９】
（Ａ）請求項１〜８のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、
（Ｂ）スルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれる１又は２以上の除草活性化合物、
を含有することを特徴とする薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１０】
スルホニル尿素系化合物が、ベンスルフロンメチル、ピラゾスルフロンエチル、ハロスルフロンメチル、アジムスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、フルセトスルフロン、イマゾスルフロン、エトキシスルフロン又はプロピリスルフロンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１１】
スルホンアミド系化合物がペノキススラムである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１２】
クロロアセトアニリド系化合物がブタクロール、プレチラクロール又はテニルクロールである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１３】
チオカルバマート系化合物がチオベンカルブ、エスプロカルブ又はモリネートである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１４】
ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物がピリミノバックメチル、ピリフタリド、ビスピリバックナトリウム又はピリベンゾキシムである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１５】
テトラゾリノン系化合物がフェントラザミドである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１６】
トリアゾール系化合物がカフェンストロール又はイプフェンカルバゾンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１７】
ピラゾール系化合物がピラゾレート、ピラゾキシフェン、ピラクロニル又はベンゾフェナップである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１８】
シクロヘキサンジオン系化合物がベンゾビシクロン、メソトリオン又はテフリルトリオンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１９】
フェノキシカルボン酸系化合物が２，４−Ｄ、ＭＣＰＡ、ＭＣＰＢ又はクロメプロップである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項２０】
オキサジノン系化合物がオキサジクロメホンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項２１】
ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物がピリミスルファンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項２２】
イソオキサゾリン系化合物がフェノキサスルホン又はピロキサスルホンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項２３】
（Ａ）請求項１〜８のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、
（Ｂ）スルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれた１又は２以上の除草活性化合物を、
同時に施用するか或いは近接施用することを特徴とする、該除草活性化合物による作物の薬害軽減方法。
【請求項２４】
一般式（Ｉ’）
【化２】
2011145329.tif 000015
（ここで、Ｒ１はメチル基を表わし、Ｘ１はＲ１を含む基の４位に結合するＣ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、カルバモイル基又はジメチルカルバモイル基を表わす。）
で示される化合物。
【請求項２５】
一般式（Ｉ’’）
【化３】
2011145329.tif 000016
（ここで、Ｒ２はメチル基を表わし、Ｘ２はＲを含む基の４位に結合するカルボキシル基を表わす。）
で示される化合物のカルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種類の異なる除草活性成分を複数併用することなく、薬害を軽減又は防止し、環境負荷を低減し得る除草剤用薬害軽減剤、薬害が軽減された除草剤組成物及び作物の薬害軽減方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
公知の除草剤において、例えばピリミスルファンが、低薬量でノビエ、タマガヤツリ、コナギ、ヒメミソハギ等の一年生雑草や、マツバイ、ウリカワ、オモダカ等の多年生雑草、特に水田雑草に高い除草効果を示し、又、広範な除草スペクトラムを有するものとして知られている（特許文献１参照）。【０００３】
しかし、これらの除草剤は時としてイネに対して薬害を及ぼすことがあり、特に高温、砂質土壌、漏水田等の不良環境条件下において、又、浅植苗、移植、播種直後の苗等に対して、薬害が一層強まり、又、不本意に又は偶発的に過剰量が施用される場合にも薬害をもたらすことがある。【０００４】
そこで、従来から、より選択性の高い除草活性化合物の開発に加え、除草活性化合物の選択性を高めるための除草剤用薬害軽減剤（Ｓａｆｅｎｅｒ）の開発が進められている。実用化されている除草剤用薬害軽減剤としては、例えばクロロアセトアニリド系化合物のプレチラクロールに対するフェンクロリム、アリルオキシ系化合物のフェノキサプロップ−エチルに対するクロラゾール等が挙げられ、又、スルホニル尿素系化合物の薬害軽減剤として、ベンゾイルオキシムエーテル系化合物を利用する試み（特許文献２参照）も提案されている。しかしながら、これらの薬害軽減剤は特定の除草活性化合物だけに対し使用されるものであって、広く一般的に使用できるものではない。【０００５】
又、ピリミスルファンと、プレチラクロール、ブタクロール等の特定の他の除草活性化合物とを組み合わせて使用することにより、高い除草効果とイネへの安全性とを両立する試みも提案されている（特許文献３参照）が、複数の除草活性化合物を併用することなく、高い除草効果とイネへの安全性とを両立する技術は未だ確立されていないのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−４４５４６号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献２】欧州特許ＥＰ−Ａ１２２２３１号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献３】特開２０００−２８１５１３号公報（特許請求の範囲その他）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、このような事情の下、除草活性成分が、これを単に施用した場合にはイネ等の対象作物の生育障害や生育抑制、分けつ抑制、横化などの薬害症状が発現するようなものであっても、対象作物の当該薬害症状を、種類の異なる除草活性成分を複数併用することなく、しかも除草効果を犠牲にすることなく、軽減又は防止しうる除草剤用薬害軽減剤、薬害が軽減された除草剤組成物及び作物の薬害軽減方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、前記した好ましい特性を有する除草剤組成物を開発するために種々研究を重ねた結果、公知の除草活性化合物であるスルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類に、それ自体では格別農薬活性を示さない特定の化合物を配合してなる除草剤組成物が課題解決に資することを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。【０００９】
即ち、本発明は、以下のとおりの除草剤用薬害軽減剤、薬害が軽減された除草剤組成物及び該除草剤による、特にイネ科植物に対する薬害軽減方法を提供するものである。【００１０】
（１）  一般式（Ｉ）
【化１】
2011145329.tif 000003
（ここで、ＲはＣ１〜Ｃ４アルキル基又はヒドロキシシクロヘキシル基を表わし、
Ｘはカルボキシル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基を表わす。）
で示される化合物又はその塩を主成分とすることを特徴とする除草剤用薬害軽減剤。【００１１】
（２）一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＸが、Ｒを含む基の４位に結合する前記（１）に記載の除草剤用薬害軽減剤。【００１２】
（３）一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲがメチル基であり、Ｘがカルボキシル基又はヒドロキシル基である前記（２）に記載の除草剤用薬害軽減剤。【００１３】
（４）一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲがメチル基であり、Ｘがカルバモイル基又はジメチルカルバモイル基である前記（２）に記載の除草剤用薬害軽減剤。【００１４】
（５）一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲがメチル基であり、Ｘがメトキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基である前記（２）に記載の除草剤用薬害軽減剤。【００１５】
（６）一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲが４−ヒドロキシシクロヘキシル基であり、Ｘがカルボキシル基又はヒドロキシル基である前記（２）に記載の除草剤用薬害軽減剤。【００１６】
（７）一般式（Ｉ）で示される化合物の塩が、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、イソプロピルアンモニウム塩、トリメチルスルホニウム塩、トリエタノールアミンとの塩若しくはジメチルジステアリルアンモニウム塩から選ばれる化合物である（１）乃至（６）のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤。【００１７】
（８）一般式（Ｉ）で示される化合物の塩が、カルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩であると共に、Ｘがカルボキシル基である（７）に記載の除草剤用薬害軽減剤。
（９）（Ａ）前記（１）〜（８）のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、
（Ｂ）スルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれる１又は２以上の除草活性化合物、
を含有することを特徴とする薬害が軽減された除草剤組成物。【００１８】
（１０）スルホニル尿素系化合物が、ベンスルフロンメチル、ピラゾスルフロンエチル、ハロスルフロンメチル、アジムスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、フルセトスルフロン、イマゾスルフロン、エトキシスルフロン又はプロピリスルフロンである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００１９】
（１１）スルホンアミド系化合物がペノキススラムである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００２０】
（１２）クロロアセトアニリド系化合物がブタクロール、プレチラクロール又はテニルクロールである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００２１】
（１３）チオカルバマート系化合物がチオベンカルブ、エスプロカルブ又はモリネートである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００２２】
（１４）ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物がピリミノバックメチル、ピリフタリド、ビスピリバックナトリウム又はピリベンゾキシムである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００２３】
（１５）テトラゾリノン系化合物がフェントラザミドである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００２４】
（１６）トリアゾール系化合物がカフェンストロール又はイプフェンカルバゾンである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００２５】
（１７）ピラゾール系化合物がピラゾレート、ピラゾキシフェン、ピラクロニル又はベンゾフェナップである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００２６】
（１８）シクロヘキサンジオン系化合物がベンゾビシクロン、メソトリオン又はテフリルトリオンである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００２７】
（１９）フェノキシカルボン酸系化合物が２，４−Ｄ、ＭＣＰＡ、ＭＣＰＢ又はクロメプロップである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００２８】
（２０）オキサジノン系化合物がオキサジクロメホンである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００２９】
（２１）ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物がピリミスルファンである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００３０】
（２２）イソオキサゾリン系化合物がフェノキサスルホン又はピロキサスルホンである前記（９）に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。【００３１】
（２３）（Ａ）前記（１）〜（８）のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、
（Ｂ）スルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれた１又は２以上の除草活性化合物を、
同時に施用するか或いは近接施用することを特徴とする、該除草活性化合物による作物の薬害軽減方法。【００３２】
（２４）一般式（Ｉ’）
【化２】
2011145329.tif 000004
（ここで、Ｒ１はメチル基を表わし、Ｘ１はＲ１を含む基の４位に結合するＣ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、カルバモイル基又はジメチルカルバモイル基を表わす。）
で示される化合物。【００３３】
（２５）一般式（Ｉ’’）
【化３】
2011145329.tif 000005
（ここで、Ｒ２はメチル基を表わし、Ｘ２はＲ２を含む基の４位に結合するカルボキシル基を表わす。）
で示される化合物のカルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の除草剤用薬害軽減剤及び薬害が軽減された除草剤組成物は、広範な除草活性化合物について、それを単に施用した場合にはイネ等の対象作物の生育障害や生育抑制、分けつ抑制、黄化などの薬害症状を生じさせるものであっても、十分な除草効果を犠牲にすることなく、対象作物の薬害症状を軽減又は防止しうるので、対象作物の薬害症状を軽減又は防止する除草剤用薬害軽減剤又は薬害が軽減された除草剤組成物、特にイネ作用或いは水田イネ作用の薬害軽減剤又は農薬組成物として有用である。【００３５】
又、本発明方法は、対象作物、特にイネの生育障害や生育抑制、黄化などの薬害症状が発現するような除草活性化合物の施用量であっても、本発明の薬害軽減剤の併用により薬害症状を軽減又は防止しうるので、除草活性化合物による作物の薬害軽減方法として有用である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明の除草剤用薬害軽減剤において主成分として使用する、一般式（Ｉ）で表される化合物中、Ｒはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基やｔ−ブチル基等のＣ１〜Ｃ４アルキル基又はヒドロキシシクロヘキシル基を表わし、Ｘはカルボキシル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基を表わしている。
【００３７】
特に好ましい化合物は、一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＸが、Ｒを含む基の４位に結合した化合物であり、具体的には例えば、
Ｒがメチル基でＸがカルボキシル基である４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸、Ｒがメチル基でＸがヒドロキシル基である４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール、Ｒがメチル基でＸがカルバモイル基である４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、Ｒがメチル基でＸがジメチルカルバモイル基である４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキサンカルボキサミド、Ｒがメチル基でＸがメトキシカルボニル基である４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸メチル、Ｒがメチル基でＸがベンジルオキシカルボニル基である４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸ベンジル、Ｒが４−ヒドロキシシクロヘキシル基でＸがカルボキキシル基である４−〔１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル〕シクロヘキサンカルボン酸、Ｒが４−ヒドロキシシクロヘキシル基でＸがヒドロキキシル基である２，２’−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン、の中から選ばれる。尚、本発明の除草剤用薬害軽減剤は、１又は２以上の一般式（Ｉ）で表される化合物それ自体でも、後述する農薬用担体を併用してもよい。
【００３８】
本発明の除草剤用薬害軽減剤において主成分として使用する、一般式（Ｉ）で表される化合物は、塩、特に除草剤の成分として使用できる塩であっても良く、この塩としては、具体的には例えば、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、イソプロピルアンモニウム塩、トリメチルスルホニウム塩、トリエタノールアミンとの塩若しくはジメチルジステアリルアンモニウム塩等を挙げることができる。又、本発明で使用する一般式（Ｉ）で表される化合物は、幾何異性体（ｃｉｓ体及びｔｒａｎｓ体）及びそれらのあらゆる比率の混合物も含むものである。
【００３９】
上記塩中、特にカルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩が好ましく、この場合の上記Ｘはカルボキシル基となる。
【００４０】
尚、上記一般式（Ｉ）で表される化合物の中でも下記（Ｉ’）
【化４】
2011145329.tif 000006
で表される化合物は新規化合物である。
【００４１】
上記一般式（Ｉ’）において、Ｒ１はメチル基を表わし、Ｘ１はＲ１を含む基の４位に結合するＣ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、カルバモイル基又はジメチルカルバモイル基を表わしている。
【００４２】
又、上記一般式（Ｉ）で表される化合物の中でも下記（Ｉ’’）
【化５】
2011145329.tif 000007
で表される化合物のカルシウム塩、トリエタノールアミンとの塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩も新規化合物である。
【００４３】
上記一般式（Ｉ’’）において、Ｒ２はメチル基を表わし、Ｘ２はＲを含む基の４位に結合するカルボキシル基を表わしている。
【００４４】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物は、例えば以下に示す方法により製造することができるが、これらの方法に限定されるものではない。
【００４５】
[製造方法１]
一般式（Ｉ）の１種である、次の一般式（Ｉａ）で表される化合物は、下記に例示する反応式からなる方法により製造することができる。
【化６】
2011145329.tif 000008
（式中、Ｒ及びＸ１は前記した通りであり、Ｑはハロゲン原子、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、ピリジル基又はイミダゾリル基オキシ基、ハロアルキルカルボニルオキシ基、ハロアルコキシカルボニルオキシ基又はベンゾイルオキシ基等の脱離基を表す。）
【００４６】
（工程１）
即ち、一般式（ＩＩ）で表される化合物は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物とハロゲン化剤、酸無水物、酸ハロゲン化物又は脱水縮合剤とを、溶媒中又は無溶媒中で反応させることによって製造することができる。
【００４７】
本工程で使用できるハロゲン化剤としては、例えば塩化オキザリル又は塩化チオニル等、酸無水物としては、例えば無水酢酸又は無水トリフルオロ酢酸等、酸ハロゲン化物としては、例えば塩化アセチル又は塩化プロピル等、脱水縮合剤としては、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）、Ｎ−（３−ジメチルアミノプロピル）−Ｎ’−エチルカルボジイミド（ＷＳＣ）、Ｎ，Ｎ−カルボニルジイミダゾール、２−クロロ−１，３−ジメチルイミダゾリウムクロリド又はヨウ化−２−クロロ−１−ピリジニウム等を挙げることができる。
【００４８】
ハロゲン化剤、酸無水物、酸ハロゲン化物の使用量は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物１モルに対して０．０１〜２０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１〜１０モルである。
【００４９】
脱水縮合剤の使用量は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物１モルに対して０．５〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１．０〜１．２モルである。
【００５０】
溶媒としては本反応を阻害しないものであればよく、例えばジクロロメタン又はクロロホルム等のハロゲン炭化水素類、ジエチルエーテル又はテトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼン又はトルエン等の芳香族炭化水素類が挙げられる。
【００５１】
溶媒の使用量は一般式（ＩＩＩ）で表される化合物１モルに対して０．０１〜１００Ｌであり、好ましくは０．１〜１０Ｌである。
【００５２】
反応温度は−２０℃から使用する不活性溶媒の沸点域の範囲から選択すればよく、好ましくは０℃〜１００℃の範囲で行うのがよい。反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、通常１０分〜４８時間である。
【００５３】
この反応の目的物である一般式（ＩＩ）で表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。
【００５４】
（工程２）
一般式（ＩＩ）で表される化合物と、Ｃ１〜Ｃ４アルコール、ベンジルアルコール、アンモニア又はジメチルアミンとを溶媒中、塩基の存在下又は非存在下で反応させることにより、一般式（Ｉａ）の化合物を製造することができる。
【００５５】
ここで使用するＣ１〜Ｃ４アルコール、ベンジルアルコール、アンモニア又はジメチルアミンの使用量は、一般式（ＩＩ）で表される化合物１モルに対して０．５〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１．０〜１．２モルである。
【００５６】
本工程で使用できる塩基としては、例えばトリエチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）等の有機アミン類；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等の金属炭酸塩類；炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸水素塩類；酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸カルシウム、酢酸マグネシウム等の金属酢酸塩類に代表される金属カルボン酸塩類；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムターシャリーブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムターシャリーブトキシド等の金属アルコキシド；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物；水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の金属水素化物等が挙げられる。
【００５７】
塩基の使用量は、一般式（ＩＩ）で表される化合物１モルに対して０．５〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１．０〜１．２モルである。
【００５８】
本工程で使用できる溶媒としては、本反応の進行を阻害しないものであればよく、例えば、アセトニトリル等のニトリル類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム等のエーテル類；ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；ベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリノン等のイミダゾリノン類；ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物類等を使用することができ、更にこれらの混合溶媒も使用することができる。
【００５９】
反応温度は−２０℃から使用する不活性溶媒の沸点域の範囲から選択すればよく、好ましくは０℃〜１００℃の範囲で行うのがよい。又、四級アンモニウム塩等の相間移動触媒を用いて、二層系で反応させることもできる。
【００６０】
反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、通常１０分〜４８時間である。
【００６１】
反応の目的物である一般式（Ｉａ）で表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。
【００６２】
[製造方法２]
【化７】
2011145329.tif 000009
（式中、Ｒは前記した通りであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基又はベンジル基を表す。）
【００６３】
即ち、一般式（Ｉｂ）で表される化合物は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物とアルキル化剤とを、塩基存在下に反応させることによって製造することができる。
【００６４】
本工程でのアルキル化剤の使用量は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物１モルに対して３．０〜１０．０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは３．０〜６．０モルである。
【００６５】
使用できる塩基としては、前記製造方法１の工程２で説明した塩基と同様のものを挙げることができる。
【００６６】
塩基の使用量は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物１モルに対して３.０〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは３．０〜６．０モルである。
【００６７】
使用できるアルキル化剤としては、例えば、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸等のジアルキル硫酸；ヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ベンジルクロリド、ベンジルブロマイド、プロパギルブロマイド、ブロモ酢酸エチル、クロロアセトニトリル等のハロゲン化アルキル；ｐ−トルエンスルホン酸エトキシエチル、メタンスルホン酸シクロペンチル等のスルホン酸エステルなどを挙げることができる。
【００６８】
使用できる溶媒としては、前記製造方法１の工程２で説明した溶媒と同様のものを挙げることができる。
【００６９】
反応温度は−２０℃から使用する不活性溶媒の沸点域の範囲から選択すればよく、好ましくは０℃〜１００℃の範囲で行うのがよい。反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、通常１０分〜４８時間である。
【００７０】
反応の目的物である一般式（Ｉｂ）で表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。
【００７１】
[製造方法３]
【化８】
2011145329.tif 000010
（式中、Ｒは前記した通りであり、Ｍはアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム、イソプロピルアンモニウム、トリメチルスルホニウム、トリエタノールアンモニウム又はジメチルジステアリルアンモニウムを表す。）
【００７２】
即ち、一般式（Ｉｃ）で表される化合物は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物と塩基性物質とを反応させることにより製造することができる。
【００７３】
本反応で使用できる塩基性物質としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア、イソプロピルアミン、トリエタノールアミン、トリメチルスルホニウムヒドロキシド等が挙げられる。
【００７４】
塩基性物質の使用量は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物１モルに対して１．０〜１０．０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１．０〜３．０モルである。
【００７５】
本反応は場合によっては溶媒を使用して行うことができる。溶媒としては、本反応の進行を阻害しないものであればよく、メタノール、エタノール、プロパノール又はイソプロパノール等のアルコール類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン又はジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、ベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン又はトルエン等の芳香族炭化水素類、水等を使用することができ、これらの溶媒は単独でもしくは混合して使用することができる。
【００７６】
反応温度は−１０℃から使用する不活性溶媒の沸点域であり、好ましくは０℃〜使用する不活性溶媒の沸点である。反応時間は反応温度、反応量等により一定しないが、一般的には１〜４８時間の範囲から選択すればよい。
【００７７】
更に、一般式（Ｉｃ）で表される化合物のアルカリ金属塩と、塩化ジメチルジステアリルアンモニウム等の四級アンモニウム塩又は塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩等とを塩交換反応させることによりアルカリ土類金属塩や四級アンモニウム塩等の別の塩に変換することもできる。
【００７８】
四級アンモニウム塩又はアルカリ金属塩の使用量は、一般式（Ｉｃ）で表される化合物のアルカリ金属塩１モルに対して１．０〜１０．０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１．０〜３．０モルである。尚、この塩交換反応で使用できる溶媒、反応温度及び反応時間は、前記製造方法２と同様である。
【００７９】
一方、本発明の薬害が軽減された除草剤組成物は、
（Ａ）成分：上記一般式（Ｉ）で表される化合物を主成分とする除草剤用薬害軽減剤
（Ｂ）成分：１又は２以上の特定の除草活性化合物
を含有することを特徴とするものである。
【００８０】
（Ａ）成分と組み合わせて使用する（Ｂ）成分の除草活性化合物としては、例えばクロジナホップ（ｃｌｏｄｉｎａｆｏｐ−ｐｒｏｐａｒｇｙｌ）、シハロホップ・ブチル（ｃｙｈａｌｏｆｏｐ−ｂｕｔｙｌ）、ジクロホップ・メチル（ｄｉｃｌｏｆｏｐ−ｍｅｔｈｙｌ）、ジクロホップ・Ｐ・メチル（ｄｉｃｌｏｆｏｐ−Ｐ−ｍｅｔｈｙｌ）、フェノキサプロップ・Ｐ・エチル（ｆｅｎｏｘａｐｒｏｐ−Ｐ−ｅｔｈｙｌ）、フルアジホップ（ｆｌｕａｚｉｆｏｐ−ｂｕｔｙｌ）、フルアジホップ・Ｐ（ｆｌｕａｚｉｆｏｐ−Ｐ−ｂｕｔｙｌ）、ハロキシホップ（ｈａｌｏｘｙｆｏｐ）、ハロキシホップ−エトティル（ｈａｌｏｘｙｆｏｐ−ｅｔｏｔｙｌ）、ハロキシホップ・Ｐ（ｈａｌｏｘｙｆｏｐ−Ｐ）、メタミホップ（ｍｅｔａｍｉｆｏｐ）、プロパキザホップ（ｐｒｏｐａｑｕｉｚａｆｏｐ）、キザロホップ（ｑｕｉｚａｌｏｆｏｐ−ｅｔｈｙｌ）、キザロホップ・Ｐ・エチル（ｑｕｉｚａｌｏｆｏｐ−Ｐ−ｅｔｈｙｌ）、キザロホップ・Ｐ・テフリル（ｑｕｉｚａｌｏｆｏｐ−Ｐ−ｔｅｆｕｒｙｌ）、フェンチアプロップ・エチル（ｆｅｎｔｈｉａｐｒｏｐ−ｅｔｈｙｌ）、アロキシジム（ａｌｌｏｘｙｄｉｍ）、ブトロキシジム（ｂｕｔｒｏｘｙｄｉｍ）、クレトジム（ｃｌｅｔｈｏｄｉｍ）、シクロキシジム（ｃｙｃｌｏｘｙｄｉｍ）、プロホキシジム（ｐｒｏｆｏｘｙｄｉｍ）、セトキシジム（ｓｅｔｈｏｘｙｄｉｍ）、テプラロキシジム（ｔｅｐｒａｌｏｘｙｄｉｍ）、トラルコキシジム（ｔｒａｌｋｏｘｙｄｉｍ）、アミノピラリド（ａｍｉｎｏｐｙｒａｌｉｄ）、ピノキサデン（ｐｉｎｏｘａｄｅｎ）、イマザメタベンズ（ｉｍａｚａｍｅｔｈａｂｅｎｚ−ｍｅｔｈｙｌ）、イマザモックス（ｉｍａｚａｍｏｘ）、イマザピク（ｉｍａｚａｐｉｃ）（アミン等との塩を含む）、イマザピル（ｉｍａｚａｐｙｒ）（イソプロピルアミン等の塩を含む）、イマザキン（ｉｍａｚａｑｕｉｎ）、イマゼタピル（ｉｍａｚｅｔｈａｐｙｒ）、ビスピリバックナトリウム（ｂｉｓｐｙｒｉｂａｃ−ｓｏｄｉｕｍ）、ピリベンゾキシム（ｐｙｒｉｂｅｎｚｏｘｉｍ）、ピリフタリド（ｐｙｒｉｆｔａｌｉｄ）、ピリミノバック・メチル（ｐｙｒｉｍｉｎｏｂａｃ−ｍｅｔｈｙｌ）、ピリチオバックナトリウム（ｐｙｒｉｔｈｉｏｂａｃ−ｓｏｄｉｕｍ）、ピリミスルファン（ｐｙｒｉｍｉｓｕｌｆａｎ）、フルカルバゾンナトリウム（ｆｌｕｃａｒｂａｚｏｎｅ−ｓｏｄｉｕｍ）、チエンカルバゾン（ｔｈｉｅｎｃａｒｂａｚｏｎｅ）（ナトリウム塩、メチルエステル等を含む）、プロポキシカルバゾンナトリウム（ｐｒｏｐｏｘｙｃａｒｂａｚｏｎｅ−ｓｏｄｉｕｍ）、プロカルバゾンナトリウム（ｐｒｏｃａｒｂａｚｏｎｅ−ｓｏｄｉｕｍ）、アミドスルフロン（ａｍｉｄｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）、アジムスルフロン（ａｚｉｍｓｕｌｆｕｒｏｎ）、ベンスルフロン・メチル（ｂｅｎｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）、クロリムロン・エチル（ｃｈｌｏｒｉｍｕｒｏｎ−ｅｔｈｙｌ）、クロルスルフロン（ｃｈｌｏｒｓｕｌｆｕｒｏｎ）、シノスルフロン（ｃｉｎｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）、シクロスルファムロン（ｃｙｃｌｏｓｕｌｆａｍｕｒｏｎ）、エタメトスルフロン・メチル（ｅｔｈａｍｅｔｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）、エトキシスルフロン（ｅｔｈｏｘｙｓｕｌｆｕｒｏｎ）、フラザスルフロン（ｆｌａｚａｓｕｌｆｕｒｏｎ）、フルピルスルフロン（ｆｌｕｐｙｒｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ−ｓｏｄｉｕｍ）、フォラムスルフロン（ｆｏｒａｍｓｕｌｆｕｒｏｎ）、ハロスルフロン・メチル（ｈａｌｏｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）、イマゾスルフロン（ｉｍａｚｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）、ヨードスルフロンメチルナトリウム（ｉｏｄｏｓｕｌｆｕｌｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ−ｓｏｄｉｕｍ）、メソスフロン・メチル（ｍｅｓｏｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）、メトスルフロン・メチル（ｍｅｔｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）、ニコスルフロン（ｎｉｃｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）、オキサスルフロン（ｏｘａｓｕｌｆｕｒｏｎ）、プリミスルフロン（ｐｒｉｍｉｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）、プロスルフロン（ｐｒｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）、ピラゾスルフロン・エチル（ｐｙｒａｚｏｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｅｔｈｙｌ）、リムスルフロン（ｒｉｍｓｕｌｆｕｒｏｎ）、スルホメツロン・メチル（ｓｕｌｆｏｍｅｔｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）、スルフォスルフロン（ｓｕｌｆｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）、チフェンスルフロン・メチル（ｔｈｉｆｅｎｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）、トリアスルフロン（ｔｒｉａｓｕｌｆｕｒｏｎ）、トリベニュロン・メチル（ｔｒｉｂｅｎｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）、トリフロキシスルフロンナトリウム（ｔｒｉｆｌｏｘｙｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｓｏｄｉｕｍ）、トリフルスルフロン・メチル（ｔｒｉｆｌｕｓｕｌｆｕｒｏｎ−ｍｅｔｈｙｌ）、トリトスルフロン（ｔｒｉｔｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）、オルトスルファムロン（ｏｒｔｈｏｓｕｌｆａｍｕｒｏｎ）、プロピリスルフロン（ｐｒｏｐｙｒｉｓｕｌｆｕｒｏｎ）、メタゾスルフロン（ｍｅｔａｚｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）、フルセトスルフロン（ｆｌｕｃｅｔｏｓｕｌｆｕｒｏｎ）、クロランスラム・メチル（ｃｌｏｒａｎｓｕｌａｍ−ｍｅｔｈｙｉ）、ジクロスラム（ｄｉｃｌｏｓｕｌａｍ）、フロラスラム（ｆｌｏｒａｓｕｌａｍ）、フルメツラム（ｆｌｕｍｅｔｓｕｌａｍ）、メトスラム（ｍｅｔｏｓｕｌａｍ）、ペノキススラム（ｐｅｎｏｘｓｕｌａｍ）、ピロクススラム（ｐｙｒｏｘｓｕｌａｍ）、ＨＮＰＣ−Ｃ−９９０８（コード番号）、デスメディファム（ｄｅｓｍｅｄｉｐｈａｍ）、フェンメディファム（ｐｈｅｎｍｅｄｉｐｈａｍ）、クロリダゾン（ｃｈｌｏｒｉｄａｚｏｎ）、ブロムピラゾン（ｂｒｏｍｐｙｒａｚｏｎ）、アメトリン（ａｍｅｔｒｙｎ）、アトラジン（ａｔｒａｚｉｎｅ）、シアナジン（ｃｙａｎａｚｉｎｅ）、デスメトリン（ｄｅｓｍｅｔｒｙｎｅ）、ジメタメトリン（ｄｉｍｅｔｈａｍｅｔｒｙｎ）、エグリナジン（ｅｇｌｉｎａｚｉｎｅ−ｅｔｈｙｌ）、プロメトン（ｐｒｏｍｅｔｏｎ）、プロメトリン（ｐｒｏｍｅｔｒｙｎ）、プロパジン（ｐｒｏｐａｚｉｎｅ）、シマジン（ｓｉｍａｚｉｎｅ）、シメトリン（ｓｉｍｅｔｒｙｎ）、テルブメトン（ｔｅｒｂｕｍｅｔｏｎ）、テルブチラジン（ｔｅｒｂｕｔｈｙｌａｚｉｎｅ）、テルブトリン（ｔｅｒｂｕｔｒｙｎ）、トリエタジン（ｔｒｉｅｔａｚｉｎｅ）、メタミトロン（ｍｅｔａｍｉｔｒｏｎ）、メトリブジン（ｍｅｔｒｉｂｕｚｉｎ）、アミカルバゾン（ａｍｉｃａｒｂａｚｏｎｅ）、ブロマシル（ｂｒｏｍａｃｉｌ）、レナシル（ｌｅｎａｃｉｌ）、ターバシル（ｔｅｒｂａｃｉｌ）、ペンタノクロール（ｐｅｎｔａｎｏｃｈｌｏｒ）、プロパニル（ｐｒｏｐａｎｉｌ）、クロルブロムロン（ｃｈｌｏｒｂｒｏｍｕｒｏｎ）、クロロトルロン（ｃｈｌｏｒｏｔｏｌｕｒｏｎ）、クロロクスロン（ｃｈｌｏｒｏｘｕｒｏｎ）、ジメフロン（ｄｉｍｅｆｕｒｏｎ）、ジウロン（ｄｉｕｒｏｎ）、エチジムロン（ｅｔｈｉｄｉｍｕｒｏｎ）、フェニュロン（ｆｅｎｕｒｏｎ）、フルオメツロン（ｆｌｕｏｍｅｔｕｒｏｎ）、イソプロツロン（ｉｓｏｐｒｏｔｕｒｏｎ）、イソウロン（ｉｓｏｕｒｏｎ）、リニュロン（ｌｉｎｕｒｏｎ）、メタベンズチアズロン（ｍｅｔｈａｂｅｎｚｔｈｉａｚｕｒｏｎ）、メトブロムロン（ｍｅｔｏｂｒｏｍｕｒｏｎ）、メトキスロン（ｍｅｔｏｘｕｒｏｎ）、モノリニュロン（ｍｏｎｏｌｉｎｕｒｏｎ）、ネブロン（ｎｅｂｕｒｏｎ）、シデュロン（ｓｉｄｕｒｏｎ）、テブチウロン（ｔｅｂｕｔｈｉｕｒｏｎ）、メトベンズロン（ｍｅｔｏｂｅｎｚｕｒｏｎ）、ベンタゾン（ｂｅｎｔａｚｏｎｅ）、ブロモフェノキシム（ｂｒｏｍｏｆｅｎｏｘｉｍ）、ブロモキシニル（ｂｒｏｍｏｘｙｎｉｌ）（酪酸、オクタン酸又はヘプタン酸等のエステル体を含む）、アイオキシニル（ｉｏｘｙｎｉｌ）、ピリダフォル（ｐｙｒｉｄａｆｏｌ）、ピリデート（ｐｙｒｉｄａｔｅ）、ジクワット（ｄｉｑｕａｔ）、パラコート（ｐａｒａｑｕａｔ  ｄｉｃｈｌｏｒｉｄｅ）、アシフルオルフェン（ａｃｉｆｌｕｏｒｆｅｎ−ｓｏｄｉｕｍ）、ビフェノックス（ｂｉｆｅｎｏｘ）、クロメトキシフェン（ｃｈｌｏｍｅｔｈｏｘｙｆｅｎ）、エトキシフェン（ｅｔｈｏｘｙｆｅｎ−ｅｔｈｙｌ）、フルオログリコフェン（ｆｌｕｏｒｏｇｌｙｃｏｆｅｎ−ｅｔｈｙｌ）、ホメサフェン（ｆｏｍｅｓａｆｅｎ）、ラクトフェン（ｌａｃｔｏｆｅｎ）、オキシフルオルフェン（ｏｘｙｆｌｕｏｒｆｅｎ）、シニドン・エチル（ｃｉｎｉｄｏｎ−ｅｔｈｙｌ）、フルミクロラック・ペンチル（ｆｌｕｍｉｃｌｏｒａｃ−ｐｅｎｔｙｌ）、フルミオキサジン（ｆｌｕｍｉｏｘａｚｉｎ）、クロルフタリム（ｃｈｌｏｒｐｈｔｈａｌｉｍ）、オキサジアルギル（ｏｘａｄｉａｒｇｙｌ）、オキサジアゾン（ｏｘａｄｉａｚｏｎ）、ペントキサゾン（ｐｅｎｔｏｘａｚｏｎｅ）、フルアゾレート（ｆｌｕａｚｏｌａｔｅ）、ピラフルフェン・エチル（ｐｙｒａｆｌｕｆｅｎ−ｅｔｈｙｌ）、ベンズフェンジゾン（ｂｅｎｚｆｅｎｄｉｚｏｎｅ）、ブタフェナシル（ｂｕｔａｆｅｎａｃｉｌ）、サフルフェナシル（ｓａｆｌｕｆｅｎａｃｉｌ）、フルチアセット・メチル（ｆｌｕｔｈｉａｃｅｔ−ｍｅｔｈｙｌ）、チジアジミン（ｔｈｉｄｉａｚｉｍｉｎ）、アザフェニジン（ａｚａｆｅｎｉｄｉｎ）、カルフェントラゾン・エチル（ｃａｒｆｅｎｔｒａｚｏｎｅ−ｅｔｈｙｌ）、スルフェントラゾン（ｓｕｌｆｅｎｔｒａｚｏｎｅ）、ベンカルバゾン（ｂｅｎｃａｒｂａｚｏｎｅ）、ノルフルラゾン（ｎｏｒｆｌｕｒａｚｏｎ）、ジフルフェニカン（ｄｉｆｌｕｆｅｎｉｃａｎ）、ピコリナフェン（ｐｉｃｏｌｉｎａｆｅｎ）、ベンゾビシクロン（ｂｅｎｚｏｂｉ���ｙｃｌｏｎ）、メソトリオン（ｍｅｓｏｔｒｉｏｎｅ）、ピラスルホトール（ｐｙｒａｓｕｌｆｏｔｏｌｅ）、イソキサフルトール（ｉｓｏｘａｆｌｕｔｏｌｅ）、イソキサクロルトール（ｉｓｏｘａｃｈｌｏｒｔｏｌｅ）、ベンゾフェナップ（ｂｅｎｚｏｆｅｎａｐ）、ピラゾレート（ｐｙｒａｚｏｌａｔｅ）、ピラゾキシフェン（ｐｙｒａｚｏｘｙｆｅｎ）、スルコトリオン（ｓｕｌｃｏｔｒｉｏｎｅ）、テフリルトリオン（ｔｅｆｕｒｙｌｔｒｉｏｎ）、テムボトリオン（ｔｅｍｂｏｔｒｉｏｎｅ）、ピラスルホトール（ｐｙｒａｓｕｌｆｏｔｏｌｅ）、トプラメゾン（ｔｏｐｒａｍｅｚｏｎｅ）、ビシクロピロン（ｂｉｃｙｃｌｏｐｙｒｏｎｅ）、４−クロロ−５−（１，３−ジオキソシクロヘキサ−２−イル）カルボニル−２，３−ジヒドロベンゾチオフェン−１，１−ジオキシド、アクロニフェン（ａｃｌｏｎｉｆｅｎ）、クロマゾン（ｃｌｏｍａｚｏｎｅ）、アミトロール（ａｍｉｔｒｏｌｅ）、グリホサート（ｇｌｙｐｈｏｓａｔｅ）（ナトリウム、アミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ジメチルアミン又はトリメシウム等の塩を含む）、ビラナホス（ｂｉｌａｎａｆｏｓ）、グルホシネート（ｇｌｕｆｏｓｉｎａｔｅ）（アミン又はナトリウム等の塩を含む）、アシュラム（ａｓｕｌａｍ）、プロピザミド（ｐｒｏｐｙｚａｍｉｄｅ）、テブタム（ｔｅｂｕｔａｍ）、クロルタル・ジメチル（ｃｈｌｏｒｔｈａｌ−ｄｉｍｅｔｈｙｌ）、ベンフルラリン（ｂｅｎｆｌｕｒａｌｉｎ）、ブトラリン（ｂｕｔｒａｌｉｎ）、ジニトラミン（ｄｉｎｉｔｒａｍｉｎｅ）、エタルフルラリン（ｅｔｈａｌｆｌｕｒａｌｉｎ）、フルクロラリン（ｆｌｕｃｈｌｏｒａｌｉｎ）、オリザリン（ｏｒｙｚａｌｉｎ）、ペンジメタリン（ｐｅｎｄｉｍｅｔｈａｌｉｎ）、プロジアミン（ｐｒｏｄｉａｍｉｎｅ）、トリフルラリン（ｔｒｉｆｌｕｒａｌｉｎ）、アミプロホス・メチル（ａｍｉｐｒｏｆｏｓ−ｍｅｔｈｙｌ）、ブタミホス（ｂｕｔａｍｉｆｏｓ）、ジチオピル（ｄｉｔｈｉｏｐｙｒ）、チアゾピル（ｔｈｉａｚｏｐｙｒ）、カルベタミド（ｃａｒｂｅｔａｍｉｄｅ）、クロルプロファム（ｃｈｌｏｒｐｒｏｐｈａｍ）、プロファム（ｐｒｏｐｈａｍ）、スエップ（ｓｗｅｐ）、カルブチレート（ｋａｒｂｕｔｉｌａｔｅ）、ジフェナミド（ｄｉｐｈｅｎａｍｉｄ）、ナプロパミド（ｎａｐｒｏｐａｍｉｄｅ）、ナプロアニリド（ｎａｐｒｏａｎｉｌｉ
ｄｅ）、アセトクロ−ル（ａｃｅｔｏｃｈｌｏｒ）、アラクロール（ａｌａｃｈｌｏｒ）、ブタクロール（ｂｕｔａｃｈｌｏｒ）、ブテナクロール（ｂｕｔｅｎａｃｈｌｏｒ）、ジエタチル（ｄｉｅｔｈａｔｙｌ−ｅｔｈｙｌ）、ジメタクロール（ｄｉｍｅｔｈａｃｈｌｏｒ）、ジメテナミド（ｄｉｍｅｔｈｅｎａｍｉｄ）、ジメテナミド・Ｐ（ｄｉｍｅｔｈｅｎａｍｉｄ−Ｐ）、メタザクロール（ｍｅｔａｚａｃｈｌｏｒ）、メトラクロール（ｍｅｔｏｌａｃｈｌｏｒ）、ペトキサミド（ｐｅｔｈｏｘａｍｉｄ）、プレチラクロール（ｐｒｅｔｉｌａｃｈｌｏｒ）、プロパクロール（ｐｒｏｐａｃｈｌｏｒ）、プロピソクロール（ｐｒｏｐｉｓｏｃｈｌｏｒ）、Ｓ−メトラクロール（Ｓ−ｍｅｔｏｌａｃｈｌｏｒ）、テニルクロール（ｔｈｅｎｙｌｃｈｌｏｒ）、フルフェナセット（ｆｌｕｆｅｎａｃｅｔ）、メフェナセット（ｍｅｆｅｎａｃｅｔ）、フェントラザミド（ｆｅｎｔｒａｚａｍｉｄｅ）、フェノキサスルホン（ｆｅｎｏｘａｓｕｌｆｏｎｅ）、ピロキサスルホン（ｐｙｒｏｘａｓｕｌｆｏｎｅ）、イソキサベン（ｉｓｏｘａｂｅｎ）、ジクロベニル（ｄｉｃｈｌｏｂｅｎｉｌ）、クロルチアミド（ｃｈｌｏｒｔｈｉａｍｉｄ）、フルポキサム（ｆｌｕｐｏｘａｍｅ）、ジノテルブ（ｄｉｎｏｔｅｒｂ）、ＤＮＯＣ（アミン又はナトリウム等の塩を含む）、ベンフレセート（ｂｅｎｆｕｒｅｓａｔｅ）、エトフメセート（ｅｔｈｏｆｕｍｅｓａｔｅ）、ダラポン（ｄａｌａｐｏｎ）、フルプロパネート（ｆｌｕｐｒｏｐａｎａｔｅ）、ＴＣＡ（ナトリウム、カルシウム又はアンモニア等の塩を含む）、ベンスリド（ｂｅｎｓｕｌｉｄｅ）、ブチレート（ｂｕｔｙｌａｔｅ）、シクロエート（ｃｙｃｌｏａｔｅ）、ジメピペレート（ｄｉｍｅｐｉｐｅｒａｔｅ）、ＥＰＴＣ、エスプロカルブ（ｅｓｐｒｏｃａｒｂ）、モリネート（ｍｏｌｉｎａｔｅ）、オルベンカルブ（ｏｒｂｅｎｃａｒｂ）、ペブレート（ｐｅｂｕｌａｔｅ）、プロスルホカルブ（ｐｒｏｓｕｌｆｏｃａｒｂ）、チオベンカルブ（ｔｈｉｏｂｅｎｃａｒｂ）、チオカルバジル（ｔｉｏｃａｒｂａｚｉｌ）、トリアレート（ｔｒｉ−ａｌｌａｔｅ）、バーナレート（ｖｅｒｎｏｌａｔｅ）、クロランベン（ｃｈｌｏｒａｍｂｅｎ）、２，３，６−ＴＢＡ、ジカンバ（ｄｉｃａｍｂａ）（アミン、ジエチルアミン、イソプロピルアミン、ジグリコールアミン、ナトリウム又はリチウム等の塩を含む）、２，４，５−Ｔ、２，４−Ｄ（アミン、ジエチルアミン、トリエタノールアミン、イソプロピルアミン、ナトリウム又はリチウム等の塩を含む）、２，４−ＤＢ、クロメプロップ（ｃｌｏｍｅｐｒｏｐ）、ジクロルプロップ（ｄｉｃｈｌｏｒｐｒｏｐ）、ジクロルプロップ−Ｐ（ｄｉｃｈｌｏｒｐｒｏｐ−Ｐ）、ＭＣＰＡ、ＭＣＰＡ・チオエチル（ＭＣＰＡ−ｔｈｉｏｅｔｈｙｌ）、ＭＣＰＢ（ナトリウム塩、エチルエステル等を含む）、メコプロップ（ｍｅｃｏｐｒｏｐ）（ナトリウム、カリウム、イソプロピルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミン等の塩を含む）、メコプロップ−Ｐ・カリウム塩（ｍｅｃｏｐｒｏｐ−Ｐ）、クロピラリド（ｃｌｏｐｙｒａｌｉｄ）、フルロキシピル（ｆｌｕｒｏｘｙｐｙｒ）、ピクロラム（ｐｉｃｌｏｒａｍ）、トリクロピル（ｔｒｉｃｌｏｐｙｒ）、トリクロピル−ブトティル（ｔｒｉｃｌｏｐｙｒ−ｂｕｔｏｔｙｌ）、キンクロラック（ｑｕｉｎｃｌｏｒａｃ）、キンメラック（ｑｕｉｎｍｅｒａｃ）、ナプタラム（ｎａｐｔａｌａｍ）（ナトリウム等との塩を含む）、ジフルフェンゾピル（ｄｉｆｌｕｆｅｎｚｏｐｙｒ）、フラムプロップ・Ｍ（ｆｌａｍｐｒｏｐ−Ｍ）（メチル、エチル、イソプロピルエステルを含む）、フラムプロップ（ｆｌａｍｐｒｏｐ）（メチル、エチル、イソプロピルエステルを含む）、クロルフルレノール（ｃｈｌｏｒｆｌｕｒｅｎｏｌ−ｍｅｔｈｙｌ）、シンメチリン（ｃｉｎｍｅｔｈｙｌｉｎ）、クミルロン（ｃｕｍｙｌｕｒｏｎ）、ダイムロン（ｄａｉｍｕｒｏｎ）、メチルダイムロン（ｍｅｔｈｙｌｄｙｍｕｒｏｎ）、ジフェンゾコート（ｄｉｆｅｎｚｏｑｕａｔ）、エトベンザニド（ｅｔｏｂｅｎｚａｎｉｄ）、ホサミン（ｆｏｓａｍｉｎｅ）、ピリブチカルブ（ｐｙｒｉｂｕｔｉｃａｒｂ）、オキサジクロメホン（ｏｘａｚｉｃｌｏｍｅｆｏｎｅ）、アクロレイン（ａｃｒｏｌｅｉｎ）、ＡＥ−Ｆ−１５０９４４（コード番号）、アミノシクロピラクロル（ａｍｉｎｏｃｙｃｌｏｐｙｒａｃｈｌｏｒ）、シアナミド（ｃｙａｎａｍｉｄｅ）、ヘプタマロキシログルカン（ｈｅｐｔａｍａｌｏｘｙｌｏｇｌｕｃａｎ）、インダジフラム（ｉｎｄａｚｉｆｌａｍ）、トリアジフラム（ｔｒｉａｚｉｆｌａｍ）、キノクラミン（ｑｕｉｎｏｃｌａｍｉｎｅ）、エンドタール二ナトリウム塩（ｅｎｄｏｔｈａｌ−ｄｉｓｏｄｉｕｍ）、フェニソファム（ｐｈｅｎｉｓｏｐｈａｍ）、ＢＤＰＴ（ＢＤＰＴ）、ＢＡＵ−９４０３（コード番号）、ＳＹＮ−５２３（コード番号）、ＳＹＰ−２４９（コード番号）、ＪＳ−９１３（コード番号）、ＩＲ−６３９６（コード番号）、メチオゾリン（ｍｅｔｉｏｚｏｌｉｎ）、トリアファモン（Ｔｒｉａｆａｍｏｎｅ）、ＨＷ−０２（コード番号）、ＢＣＳ−ＡＡ１０５７９（コード番号）、フルフェンピル・エチル（ｆｌｕｆｅｎｐｙｒ−ｅｔｈｙｌ）、プロフルアゾール（ｐｒｏｆｌｕａｚｏｌ）、ピラクロニル（ｐｙｒａｃｌｏｎｉｌ）、ＳＹＰ−２９８（コード番号）、ＳＹＰ−３００（コード番号）、ベフルブタミド（ｂｅｆｌｕｂｕｔａｍｉｄ）、フルリドン（ｆｌｕｒｉｄｏｎｅ）、フルロクロリドン（ｆｌｕｒｏｃｈｌｏｒｉｄｏｎｅ）、フルルタモン（ｆｌｕｒｔａｍｏｎｅ）、アニロホス（ａｎｉｌｏｆｏｓ）、ブロモブチド（ｂｒｏｍｏｂｕｔｉｄｅ）、カフェンストロール（ｃａｆｅｎｓｔｒｏｌｅ）、インダノファン（ｉｎｄａｎｏｆａｎ）、ピペロホス（ｐｉｐｅｒｏｐｈｏｓ）、イプフェンカルバゾン（ｉｐｆｅｎｃａｒｂａｚｏｎｅ）、ベナゾリン（ｂｅｎａｚｏｌｉｎ）等の化合物が挙げられる。
【００８１】
前記（Ｂ）成分の除草活性化合物として特に好ましい化合物は、
例えばベンスルフロンメチル、ピラゾスルフロンエチル、ハロスルフロンメチル、アジムスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、フルセトスルフロン、イマゾスルフロン、エトキシスルフロン又はプロピリスルフロン等のスルホニル尿素系化合物；
例えばペノキススラム等のスルホンアミド系化合物；
例えばブタクロール、プレチラクロール又はテニルクロール等のクロロアセトアニリド系化合物；
例えばチオベンカルブ、エスプロカルブ又はモリネート等のチオカルバマート系化合物；
例えばピリミノバックメチル、ピリフタリド、ビスピリバックナトリウム又はピリベンゾキシム等のピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物；
例えばフェントラザミド等のテトラゾリノン系化合物；
例えばカフェンストロール又はイプフェンカルバゾン等のトリアゾール系化合物；
例えばピラゾレート、ピラゾキシフェン、ピラクロニル又はベンゾフェナップ等のピラゾール系化合物；
例えばベンゾビシクロン、メソトリオン又はテフリルトリオン等のシクロヘキサンジオン系化合物；
例えば２，４−Ｄ、ＭＣＰＡ、ＭＣＰＢ又はクロメプロップ等のフェノキシカルボン酸系化合物；
オキサジクロメホン等のオキサジノン系化合物；
例えばピリミスルファン等のジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物；
例えばフェノキサスルホン又はピロキサスルホン等のイソオキサゾリン系化合物等；
又はそれらの塩類；
が挙げられる。
【００８２】
本発明の除草剤組成物に用いられる上記（Ｂ）成分は、そのほとんどが例えば、ザ・ペスティサイド・マニュアル（Ｔｈｅ  Ｐｓｅｔｉｃｉｄｅ  Ｍａｎｕａｌ）第１４版［ブリティッシュ・クロップ・プロテクション・カウンシル（Ｂｒｉｔｉｓｈ  Ｃｒｏｐ  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ  Ｃｏｕｎｃｉｌ）発行、２００６年］、ＷＯ９４／００８９９９号公報、ＷＯ００／０２１９２４号公報及びＷＯ０３／０６１３８８号公報に記載されている公知のものである。
【００８３】
又、ピリミスルファン、即ちＮ−［２−［４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル（ヒドロキシ）メチル］−６−（メトキシメチル）フェニル］ジフルオロメタンスルホンアミドは、ＷＯ００／００６５５３号公報に記載されている。
【００８４】
又、フェノキサスルホン、即ち３−（２，５−ジクロロ−４−エトキシベンジルスルホニル）−４，５−デヒドロ−５，５−ジメトキシイソオキサゾールは、ＷＯ０１／０１２６１３号公報に記載されている。
【００８５】
又、ピロキサスルホン、即ち３−［（５−ジフルオロメトキシ−１−メチル−３−トリフルオロメチルピラゾール−４−イル）メチルスルホニル］−４，５−ジヒドロ−５，５−ジメチルイソオキサゾールは、ＷＯ０２／０６２７７０号公報に記載されている。
【００８６】
一方、上記除草活性化合物の塩としては、例えば、ナトリウム又はカリウム等のアルカリ金属の塩；カルシウム、マグネシウム又はバリウム等のアルカリ土類金属の塩；マンガン、銅、亜鉛又は鉄等の遷移金属の塩；アンモニウム塩；塩酸、臭化水素酸、リン酸又は硫酸等の無機酸との塩；メタンスルホン酸等のＣ１〜Ｃ４アルキルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸若しくはトルエンスルホン酸等の芳香族スルホン酸、シュウ酸、マレイン酸、フマル酸、乳酸、酒石酸、アジピン酸又は安息香酸等の有機酸との塩を挙げることができる。
【００８７】
尚、本発明の除草剤組成物においては、更に、前記以外の除草活性化合物を組み合わせて用いてもよい。
【００８８】
本発明の除草剤組成物において、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との使用割合は、両者の種類、対象作物の種類や生育時期、例えばイネ等における移植期などにより適宜変動することができるが、（Ｂ）成分の質量に対して（Ａ）成分の質量が通常０．１〜２００倍量である。
【００８９】
本発明の除草剤組成物において、（Ａ）成分の施用量については特に限定されるものではないが、農地１ヘクタール当たり、通常、１０〜５０００ｇ、好ましくは５０〜３０００ｇ、更に好ましくは１００〜２０００ｇの範囲で選ばれる。
【００９０】
本発明の除草剤組成物において、（Ｂ）成分の施用量については特に限定されるものではないが、農地１ヘクタール当たり、通常、
スルホニル尿素系化合物では、１〜２００ｇ、好ましくは５〜１００ｇ、
スルホンアミド系化合物では、５〜５０ｇ、好ましくは１０〜３０ｇ、
クロロアセトアニリド系化合物では、５０〜３０００ｇ、好ましくは１００〜２０００ｇ、
チオカルバマート系化合物では、５００〜５０００ｇ、好ましくは１０００〜４０００ｇ、
ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物では、５〜５００ｇ、好ましくは１０〜２００ｇ、
テトラゾリノン系化合物では、５０〜１０００ｇ、好ましくは１００〜５００ｇ、
トリアゾール系化合物では、５０〜１０００ｇ、好ましくは１００〜５００ｇ、
ピラゾール系化合物では、１００〜５０００ｇ、好ましくは５００〜３０００ｇ、
シクロヘキサンジオン系化合物では、５〜１０００ｇ、好ましくは１０〜５００ｇ、
フェノキシカルボン酸系化合物では、５０〜２０００ｇ、好ましくは１００〜１０００ｇ、
オキサジノン系化合物では、５〜２００ｇ、好ましくは１０〜１００ｇ、
ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物では、５〜２００ｇ、好ましくは１０〜１００ｇ、
イソオキサゾリン系化合物では５０〜１０００ｇ、好ましくは１００〜５００ｇ、
の範囲で選ばれる。
【００９１】
本発明の除草剤組成物は、必要に応じ農薬製剤に通常用いられる添加成分を含有することができる。この添加成分としては、固体担体又は液体担体等の担体、界面活性剤、結合剤、粘着付与剤、増粘剤、着色剤、拡展剤、展着剤、凍結防止剤、固結防止剤、崩壊剤、分解防止剤等が挙げられる。その他必要に応じ、防腐剤や、植物片等を添加成分として用いてもよい。これらの添加成分は単独で用いてもよいし、又、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９２】
上記添加成分について説明する。固体担体としては、例えば石英、クレー、カオリナイト、ピロフィライト、セリサイト、タルク、ベントナイト、酸性白土、アタパルジャイト、ゼオライト、珪藻土等の天然鉱物質類；炭酸カルシウム、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、塩化カリウム等の無機塩類；合成ケイ酸、合成ケイ酸塩、デンプン、セルロース、植物粉末等の有機固体担体；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン等のプラスチック担体等が挙げられる。
【００９３】
液体担体としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等の一価アルコール類や、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール類のようなアルコール類；プロピレン系グリコールエーテル等の多価アルコール系化合物類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；エチルエーテル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類；ノルマルパラフィン、ナフテン、イソパラフィン、ケロシン、鉱油等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ、アルキルナフタレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類；酢酸エチル、ジイソプロピルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、アジピン酸ジメチル等のエステル類、γ‐ブチロラクトン等のラクトン類；ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ‐アルキルピロリジノン等のアミド類；アセトニトリル等のニトリル類；ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物類；大豆油、ナタネ油、綿実油、ヒマシ油等の植物油；水等を挙げることができる。
【００９４】
界面活性剤としては、例えばソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン樹脂酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸ジエステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンジアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルホルマリン縮合物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、アルキルポリオキシエチレンポリプロピレンブロックポリマーエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド、ポリオキシエチレン脂肪酸ビスフェニルエーテル、ポリアルキレンベンジルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンスチリルフェニルエーテル、アセチレンジオール、ポリオキシアルキレン付加アセチレンジオール、ポリオキシエチレンエーテル型シリコーン、エステル型シリコーン、フッ素系界面活性剤、ポリオキシエチレンひまし油、ポリオキシエチレン硬化ひまし油等の非イオン性界面活性剤；アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物の塩、アルキルナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物の塩、脂肪酸塩、ポリカルボン酸塩、Ｎ‐メチル‐脂肪酸サルコシネート、樹脂酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸塩等のアニオン性界面活性剤；ラウリルアミン塩酸塩、ステアリルアミン塩酸塩、オレイルアミン塩酸塩、ステアリルアミン酢酸塩、ステアリルアミノプロピルアミン酢酸塩、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルトリメチルアンモニウムクロライド、アルキルジメチルベンザルコニウムクロライド等のアルキルアミン塩等のカチオン界面活性剤；アミノ酸型又はベタイン型等の両性界面活性剤等が挙げられる。
【００９５】
又、結合剤や粘着付与剤としては、例えばカルボキシメチルセルロースやその塩、デキストリン、水溶性デンプン、キサンタンガム、グアーガム、蔗糖、ポリビニルピロリドン、アラビアゴム、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリアクリル酸ナトリウム、平均分子量６０００〜２００００のポリエチレングリコール、平均分子量１０万〜５００万のポリエチレンオキサイド、燐脂質（例えばセファリン、レシチン等）等が挙げられる。
【００９６】
増粘剤としては、例えばキサンタンガム、グアーガム、ウェランガム、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルピロリドン、カルボキシビニルポリマー、アクリル系ポリマー、デンプン系化合物及び水溶性多糖類のような水溶性高分子；高純度ベントナイト、フュームドシリカ（ｆｕｍｅｄ  ｓｉｌｉｃａ，ホワイトカーボン）のような無機微粉等が挙げられる。
【００９７】
着色剤としては、例えば酸化鉄、酸化チタン、プルシアンブルーのような無機顔料；アリザリン染料、アゾ染料、金属フタロシアニン染料のような有機染料等が挙げられる。
【００９８】
拡展剤としては、例えばシリコーン系界面活性剤、セルロース粉末、デキストリン、加工デンプン、ポリアミノカルボン酸キレート化合物、架橋ポリビニルピロリドン、マレイン酸とスチレン類の共重合体、（メタ）アクリル酸系共重合体、多価アルコールからなるポリマーとジカルボン酸無水物とのハーフエステル、ポリスチレンスルホン酸の水溶性塩等が挙げられる。
【００９９】
展着剤としては、例えばパラフィン、テルペン、ポリアミド樹脂、ポリアクリル酸塩、ポリオキシエチレン、ワックス、ポリビニルアルキルエーテル、アルキルフェノールホルマリン縮合物、合成樹脂エマルション等が挙げられる。
【０１００】
凍結防止剤としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール類等が挙げられる。
【０１０１】
固結防止剤としては、例えばデンプン、アルギン酸、マンノース、ガラクトース等の多糖類、ポリビニルピロリドン、フュームドシリカ（ｆｕｍｅｄ  ｓｉｌｉｃａ，ホワイトカーボン）、エステルガム、石油樹脂等が挙げられる。
【０１０２】
崩壊剤としては、例えばトリポリリン酸ソーダ、ヘキサメタリン酸ソーダ、ステアリン酸金属塩、セルロース粉末、デキストリン、メタクリル酸エステル系の共重合体、ポリビニルピロリドン、ポリアミノカルボン酸キレート化合物、スルホン化スチレン・イソブチレン・無水マレイン酸共重合体、デンプン・ポリアクリロニトリルグラフト共重合体等が挙げられる。
【０１０３】
分解防止剤としては、例えばゼオライト、生石灰、酸化マグネシウム等の乾燥剤、サリチル酸系、ベンゾフェノン系等の紫外線吸収剤等が挙げられる。
【０１０４】
防腐剤としては、例えばソルビン酸カリウム、１，２−ベンズチアゾリン−３−オン等が挙げられる。
【０１０５】
植物片としては、例えばおがくず、ヤシガラ、トウモロコシ穂軸、タバコ茎等が挙げられる。
【０１０６】
本発明の除草剤組成物に上記添加成分を含有させる場合、その含有割合は、質量基準で、担体では通常５〜９５％、好ましくは２０〜９０％、界面活性剤では通常０．１％〜３０％、好ましくは０．５〜１０％、その他の添加剤では０．１〜３０％、好ましくは０．５〜１０％の範囲で選ばれる。
【０１０７】
本発明の除草剤組成物は、液剤、乳剤、水和剤、粉剤、油剤、顆粒水和剤、フロアブル剤、乳懸濁剤、粒剤、ジャンボ剤、サスポエマルション、マイクロカプセル等の任意の剤型に製剤化して使用される。この製剤化時に、（Ｂ）成分以外の農薬、例えば他の除草剤、殺虫剤、殺菌剤、植物成長調節剤や、肥料等との混合組成物とすることもできる。
【０１０８】
又、本発明の除草剤組成物は、上記任意の製剤を水溶性フィルムで包装した形態にしてもよく、この形態で施用すると、省力化に資し、又、安全性を高めることができる。
【０１０９】
本発明の除草剤組成物は、雑草の発生前から生育期までの任意の時期に施用して、雑草防除と対象作物への薬害軽減とを共に発現させることができ、対象作物としては、イネが本発明の除草剤組成物の適用効果が最も顕著なので好ましい。
【０１１０】
一方、本発明の該除草活性化合物による作物の薬害軽減方法においては、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分を同時に施用してもよいし、又、近接施用してもよい。ここで近接施用とは、上記（Ｂ）成分による対象作物の薬害が顕現しないうちに、上記（Ｂ）成分の施用からの期間を近接させて上記（Ａ）成分を施用することを意味する。又、同時施用については、レディミックスの形態で適用することができ、例えばあらかじめ製剤化された本発明組成物を用いてもよいし、又、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを別個に用意し、使用時に混合される現場調合物の形態で、即ちタンクミックスの形態で適用することもできる。
【０１１１】
本発明の除草剤組成物の製造方法は特に制限されないが、通常、以下の方法が用いられる。
（１）全原料の混合品に適当量の水を加えて混練後、一定の大きさの穴を開けたスクリーンから押し出し造粒し乾燥する方法。
（２）薬害軽減剤、除草活性化合物及び界面活性剤を有機溶剤に溶解又は懸濁し、担体に吸着させる方法。
（３）全原料の混合品を、適当な粉砕機で混合粉砕する方法。
【実施例】
【０１１２】
次に、実施例により本発明を実施するための最良の形態を説明するが、本発明はこれらのみに限定されるべきものではない【０１１３】
実施例１〜１０
水耕試験
ムラシゲ・スクーグ培地用塩類（和光純薬株式会社製）の２５％水溶液に、各種の薬害軽減剤、即ち（Ａ）成分を１０ｐｐｍの濃度になるように添加し、更に所定量の除草活性成分、即ち（Ｂ）成分を添加した。該溶液５０ｍＬを三角フラスコに分取し、各種の液体培地を調製した。又、同様にして、ムラシゲ・スクーグ培地用塩類２５％水溶液のみを５０ｍＬ入れた液体培地（以下「無処理培地」と称する）を調製した。育苗用培土で２葉期まで生育させたイネ（金南風）を、根部を１ｃｍの長さを残して切断した。根部を切断したイネを上記の培地に浸漬し、グロースチャンバー内で２５℃、明期：１６時間、暗期：８時間の条件で生育させた。７日後に根部の長さを測定した。その測定値の平均値（ｎ＝３）をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率（無処理区比）を求めた。結果を表１に示す。【０１１４】
比較例１〜６
（Ａ）成分を添加しなかったこと以外は実施例と同様にして調製した液体培地により、あらかじめ１ｃｍの長さに根部を切断したイネを生育させ、７日後に根部の長さを測定した。その測定値の平均値（ｎ＝３）をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率（無処理区比）を求めた。結果を表１に示す。【０１１５】
尚、「無処理区」とは、前記無処理培地で作物を生育させた作物区分を意味する。【０１１６】
【表１】
2011145329.tif 000011
【０１１７】
実施例１１〜３４
水耕試験
ムラシゲ・スクーグ培地用塩類（和光純薬株式会社製）の２５％水溶液に、各種の薬害軽減剤、即ち（Ａ）成分を２．５ｐｐｍの濃度になるように添加し、更に所定量の除草活性成分、即ち（Ｂ）成分を添加した。該溶液５０ｍＬを三角フラスコに分取し、各種の液体培地を調製した。又、同様にして、ムラシゲ・スクーグ培地用塩類２５％水溶液のみを５０ｍＬ入れた液体培地（以下「無処理培地」と称する）を調製した。育苗用培土で２葉期まで生育させたイネ（金南風）を、根部を１ｃｍの長さを残して切断した。根部を切断したイネを上記の培地に浸漬し、グロースチャンバー内で２５℃、明期：１６時間、暗期：８時間の条件で生育させた。１４日後に草丈の長さを測定した。その測定値の平均値（ｎ＝３）をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率（無処理区比）を求めた。結果を表２に示す。【０１１８】
比較例７〜１２
（Ａ）成分を添加しなかったこと以外は実施例と同様にして調製した液体培地により、あらかじめ１ｃｍの長さに根部を切断したイネを生育させ、１４日後に草丈の長さを測定した。その測定値の平均値（ｎ＝３）をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率（無処理区比）を求めた。結果を表２に示す。【０１１９】
尚、「無処理区」とは、前記無処理培地で作物を生育させた作物区分を意味する。【０１２０】
【表２】
2011145329.tif 000012
【０１２１】
表１及び表２から明らかなように、実施例のイネのほうが比較例よりも根部又は草丈が長くなり、根部抑制の薬害が軽減されていること分かる。【０１２２】
実施例３５〜４０
ポット試験
フェノキサスルホン２部、ピリミスルファン０．５部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム７０．５部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、フェノキサスルホン及びピリミスルファンを含有する粒剤を得た。育苗用培土で２葉期まで生育させたイネ（金南風）を、根部を１ｃｍの長さを残して切断した。根部を切断したイネを、土壌を充填した面積１／５０００ａのワグネルポットに、茎葉基部の深度が１ｃｍとなるように移植した。イネを移植したワグネルポットに注水し、水面から土壌表面までの深さが４ｃｍとなるように管理した。イネの移植から３日後に、前記の除草剤化合物、即ち（Ｂ）成分を含有する粒剤を２０ｍｇ処理し、更に所定量の各種の薬害軽減剤、即ち（Ａ）成分を水面に処理した後、温室内でイネを生育させた。粒剤の処理から１２日後、２０日後及び３０日後にイネの生育状況を達観調査し、薬害の発現程度を０〜１００の指数で評価し（０＝無処理区と同等の生育状況；１００＝完全枯死）、その指数の平均値（ｎ＝３）を求めた。結果を表３に示す。【０１２３】
比較例１３
（Ａ）成分を処理しなかったこと以外は実施例と同様にして、イネを移植したワグネルポットに粒剤を処理し、イネを生育させた。粒剤の処理から１２日後、２０日後及び３０日後にイネの生育状況を達観調査し、薬害の発現程度を０〜１００の指数で評価し（０＝無処理区と同等の生育状況；１００＝完全枯死）、その指数の平均値（ｎ＝３）を求めた。結果を表３に示す。【０１２４】
尚、「無処理区」とは、前記（Ｂ）成分を含有する粒剤を施用せず、又（Ａ）成分も処理せずに作物を生育させた作物区分を意味する。【０１２５】
【表３】
2011145329.tif 000013
【０１２６】
以下、本発明組成物の各種製剤についてその例を示す。尚、以下の記載において、「部」は「質量部」を意味する。【０１２７】
実施例４１
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール２部、フェノキサスルホン２部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６９部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。【０１２８】
実施例４２
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸５部、フェノキサスルホン２部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６６部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。【０１２９】
実施例４３
２，２’−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン１０部、フェノキサスルホン２部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６１部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、２，２’−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。【０１３０】
実施例４４
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸１０部、フェノキサスルホン１０部、フュームドシリカ（ホワイトカーボン）５部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩１０部及びクレー６５部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有する水和剤を得た。【０１３１】
実施例４５
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸２部、フェノキサスルホン４部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水７８．７部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有するフロアブル剤を得た。【０１３２】
実施例４６
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸８部、フェノキサスルホン８部、酵素変性デキストリン３部、アセチレンジオール３部、含水プラスチック中空ビーズ１２部、無水硫酸ナトリウム２０部及び尿素４６部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径５ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。長さ３〜２０ｍｍに整粒した後、品温６０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。【０１３３】
実施例４７
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール５部、フェノキサスルホン２部、ベンスルフロンメチル１部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６５部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール、フェノキサスルホン及びベンスルフロンメチルを含有する粒剤を得た。【０１３４】
実施例４８
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール１０部、ピリミスルファン１部、アルファー化でんぷん３部、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム１部及びクレー８５部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温６０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール及びピリミスルファンを含有する粒剤を得た。【０１３５】
実施例４９
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸５部、ピリミスルファン２部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水７７．７部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びピリミスルファンを含有するフロアブル剤を得た。【０１３６】
実施例５０
２，２’−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン２部、ピリミスルファン３部、酵素変性デキストリン３部、アセチレンジオール３部、含水プラスチック中空ビーズ１２部、無水硫酸ナトリウム２０部及び尿素５７部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径５ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。長さ３〜２０ｍｍに整粒した後、品温６０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、２，２’−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン及びピリミスルファンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。【０１３７】
実施例５１
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸１０部、ピリミノバックメチル１部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６２部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びピリミノバックメチルを含有する粒剤を得た。【０１３８】
実施例５２
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール１０部、ピリミノバックメチル２部、ベンスルフロンメチル３部、酵素変性デキストリン３部、アセチレンジオール３部、含水プラスチック中空ビーズ１２部、無水硫酸ナトリウム２０部及び尿素４７部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径５ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。長さ３〜２０ｍｍに整粒した後、品温６０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール、ピリミノバックメチル及びベンスルフロンメチルを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。【０１３９】
実施例５３
２，２’−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン５部、チオベンカルブ５部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、フュームドシリカ（ホワイトカーボン）５部、珪藻土１０部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム４８部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温５０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、２，２’−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン及びチオベンカルブを含有する粒剤を得た。【０１４０】
実施例５４
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸１０部、フェントラザミド３部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６０部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェントラザミドを含有する粒剤を得た。【０１４１】
実施例５５
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸１０部、オキサジクロメホン１部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水７３．７部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びオキサジクロメホンを含有するフロアブル剤を得た。【０１４２】
実施例５６
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸５部、カフェンストロール２部、ベンゾビシクロン４部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水７３．７部を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸、カフェンストロール及びベンゾビシクロンを含有するフロアブル剤を得た。【０１４３】
実施例５７
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール５部、ブタクロール５部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、フュームドシリカ（ホワイトカーボン）５部、珪藻土１０部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム４８部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温５０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノール及びブタクロールを含有する粒剤を得た。【０１４４】
実施例５８
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸２０部、ペノキススラム１部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム５２部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びペノキススラムを含有する粒剤を得た。【０１４５】
実施例５９
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸３部、オキサジクロメホン１部、クロメプロップ３部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水７７．７部を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸、オキサジクロメホン及びクロメプロップを含有するフロアブル剤を得た。【０１４６】
実施例６０
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸４部、ベンゾフェナップ８部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６１部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びベンゾフェナップを含有する粒剤を得た。【０１４７】
実施例６１
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド５部、フェノキサスルホン２部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６６部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。【０１４８】
実施例６２
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド１０部、フェノキサスルホン１０部、フュームドシリカ（ホワイトカーボン）５部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩１０部及びクレー６５部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有する水和剤を得た。【０１４９】
実施例６３
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド２部、フェノキサスルホン４部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水７８．７部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有するフロアブル剤を得た。【０１５０】
実施例６４
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド８部、フェノキサスルホン８部、酵素変性デキストリン３部、アセチレンジオール３部、含水プラスチック中空ビーズ１２部、無水硫酸ナトリウム２０部及び尿素４６部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径５ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。長さ３〜２０ｍｍに整粒した後、品温６０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。【０１５１】
実施例６５
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド５部、フェノキサスルホン２部、ベンスルフロンメチル１部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６５部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、フェノキサスルホン及びベンスルフロンメチルを含有する粒剤を得た。【０１５２】
実施例６６
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド１０部、ピリミスルファン１部、アルファー化でんぷん３部、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム１部及びクレー８５部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温６０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミスルファンを含有する粒剤を得た。【０１５３】
実施例６７
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド５部、ピリミスルファン２部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水７７．７部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミスルファンを含有するフロアブル剤を得た。【０１５４】
実施例６８
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド２部、ピリミスルファン３部、酵素変性デキストリン３部、アセチレンジオール３部、含水プラスチック中空ビーズ１２部、無水硫酸ナトリウム２０部及び尿素５７部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径５ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。長さ３〜２０ｍｍに整粒した後、品温６０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミスルファンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。【０１５５】
実施例６９
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド１０部、ピリミノバックメチル１部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６２部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミノバックメチルを含有する粒剤を得た。【０１５６】
実施例７０
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド１０部、ピリミノバックメチル２部、ベンスルフロンメチル３部、酵素変性デキストリン３部、アセチレンジオール３部、含水プラスチック中空ビーズ１２部、無水硫酸ナトリウム２０部及び尿素４７部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径５ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。長さ３〜２０ｍｍに整粒した後、品温６０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、ピリミノバックメチル及びベンスルフロンメチルを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。【０１５７】
実施例７１
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド５部、チオベンカルブ５部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、フュームドシリカ（ホワイトカーボン）５部、珪藻土１０部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム４８部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温５０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びチオベンカルブを含有する粒剤を得た。【０１５８】
実施例７２
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド１０部、フェントラザミド３部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６０部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェントラザミドを含有する粒剤を得た。【０１５９】
実施例７３
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド１０部、オキサジクロメホン１部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水７３．７部を湿式粉砕機により用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びオキサジクロメホンを含有するフロアブル剤を得た。【０１６０】
実施例７４
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド５部、カフェンストロール２部、ベンゾビシクロン４部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水７３．７部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、カフェンストロール及びベンゾビシクロンを含有するフロアブル剤を得た。【０１６１】
実施例７５
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド５部、ブタクロール５部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、フュームドシリカ（ホワイトカーボン）５部、珪藻土１０部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム４８部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温５０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びブタクロールを含有する粒剤を得た。【０１６２】
実施例７６
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド２０部、ペノキススラム１部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム５２部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びペノキススラムを含有する粒剤を得た。【０１６３】
実施例７７
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド３部、オキサジクロメホン１部、クロメプロップ３部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水７７．７部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、オキサジクロメホン及びクロメプロップを含有するフロアブル剤を得た。【０１６４】
実施例７８
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド４部、ベンゾフェナップ８部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６１部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びベンゾフェナップを含有する粒剤を得た。【０１６５】
次に、本発明の除草活性化合物による作物の薬害軽減方法についてその例を示す。【０１６６】
実施例７９
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸１０部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩２部、珪藻土３０部及びクレー５８部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸を含有する水和剤を得た。別に、フェノキサスルホン２部、酵素変性デキストリン１部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部、ベントナイト２５部及び炭酸カルシウム６１部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒した。品温７０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、フェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。この水和剤と粒剤を水田雑草へ同時に施用した。【０１６７】
実施例８０
前記実施例７９で製造したフェノキサスルホンを含有する粒剤を水田雑草へ施用し、３日後、前記実施例７９で製造した４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸を含有する水和剤を水田雑草へ施用した。【０１６８】
実施例８１
前記実施例７９で製造した４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸を含有する水和剤を水田雑草へ施用し、７日後、前記実施例７９で製造したフェノキサスルホンを含有する粒剤を水田雑草へ施用した。【０１６９】
実施例８２
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド１０部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩２部、珪藻土３０部及びクレー５８部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボンキサミドを含有する水和剤を得た。別に、ピリミスルファン２部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩５部、プロピレングリコール１０部、キサンタンガム０．３部及び水８２．７部を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、ピリミスルファンを含有するフロアブル剤を得た。この水和剤とフロアブルを水田雑草へ同時に施用した。【０１７０】
実施例８３
前記実施例８２で製造したピリミスルファンを含有するフロアブルを水田雑草へ施用し、５日後、前記実施例８２で製造した４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミドを含有する水和剤を水田雑草へ施用した。【０１７１】
実施例８４
前記実施例８２で製造した４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミドを含有する水和剤を水田雑草へ施用し、５日後、前記実施例８２で製造したピリミスルファンを含有するフロアブルを水田雑草へ施用した。【０１７２】
実施例８５
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸メチルの製造
氷冷下メタノール１６０ｍＬに塩化アセチル１．８ｇ（２２．７ｍｍｏｌ）を加え、１０分間攪拌した後、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸５．３６ｇ（２９．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１８時間攪拌した。反応溶液を水に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出し、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下留去し、得られた残渣を、酢酸エチル：ヘキサン＝１：２０の混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４−ｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸メチル５．５９ｇを無色液体として得た。
屈折率（２０℃）１．４５２（ｃｉｓ体：ｔｒａｎｓ体＝３．４：１）【０１７３】
実施例８６
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸ベンジルの製造
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸４．０ｇ（２１．７ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２５ｍＬに溶解し、炭酸カリウム６．０ｇ（４３．５ｍｍｏｌ）、ベンジルブロミド４．８ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で２０時間攪拌した。反応溶液を水に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧下留去し、得られた残渣を、酢酸エチル：ヘキサン＝１：２０の混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸ベンジル５．６５ｇを無色液体として得た。
屈折率（２０℃）１．５０３（ｃｉｓ体：ｔｒａｎｓ体＝３：１）【０１７４】
実施例８７
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミドの製造
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸１０．０ｇ（５４．３ｍｍｏｌ）を塩化メチレン５０ｍＬに溶解し、触媒量のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを加え、氷冷下で塩化オキサリル２０．７ｇ（１６３ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で３時間攪拌した。減圧下溶媒を留去し、過剰量の３０％アンモニア水に氷冷下で滴下し、室温で１０分間攪拌した。この溶液を塩化メチレン３０ｍＬで４度抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し、得られた残渣を、酢酸エチル：ヘキサン＝４：１の混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド６．４ｇを無色結晶として得た。
融点１５１〜１５３℃  （ｃｉｓ体：ｔｒａｎｓ体＝４：１）【０１７５】
実施例８８
４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキサンカルボキサミドの製造
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸１．０ｇ（５．４ｍｍｏｌ）を塩化メチレン１０ｍＬに溶解し、触媒量のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、塩化オキサリル２．１ｇ（１６．５ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流した。３時間後、氷冷下で過剰量の４０％ジメチルアミン水溶液に加え、室温で５分間攪拌した。この溶液に０．５Ｍクエン酸水溶液１００ｍＬを加え、塩化メチレン２０ｍＬで４度抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し、得られた残渣を、酢酸エチル：ヘキサン＝１：２〜１：１のグラジエント混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキサンカルボキサミドのｃｉｓ体０．８９ｇ及びｔｒａｎｓ体０．２３ｇを無色結晶として得た。
融点４４〜４６℃（ｃｉｓ体），８１〜８２℃（ｔｒａｎｓ体）【０１７６】
実施例８９
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸カルシウム塩の製造
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸５．０ｇ（２７．２ｍｍｏｌ）に蒸留水２０ｍＬを加え、３３％水酸化ナトリウム水溶液４．０ｇを滴下し、室温で３時間撹拌した。反応溶液に、５０％塩化カルシウム２水和物水溶液３．５ｇを滴下し、さらに蒸留水９０ｍＬを加え、室温で３０分間攪拌した。得られた沈殿物をろ過し、重量変化がなくなるまで減圧乾燥して、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸カルシウム塩６．０ｇを無色結晶として得た。【０１７７】
実施例９０
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸トリエタノールアミン塩の製造
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸３．０ｇ（１６．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍＬに溶解し、トリエタノールアミン２．４ｇ（１６．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間攪拌した。減圧下溶媒を留去し、ヘキサン３０ｍＬを加えた。得られた結晶をろ過し、ジイソプロピルエーテルで洗浄し、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸トリエタノールアミン塩２．８ｇを無色結晶として得た。
融点６９〜７２℃（ｃｉｓ体：ｔｒａｎｓ体＝２．４：１）【０１７８】
実施例９１
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸ジメチルジステアリルアンモニウム塩の製造
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸１．５ｇ（８．１４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン９０ｍＬに溶解し、１０％水酸化ナトリウム水溶液３．６ｍＬを加え、８０℃で３０分攪拌した。反応液を室温まで冷却し、塩化ジメチルジステアリルアンモニウム４．７７ｇ（８．１４ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で２時間攪拌した後、室温で１２時間攪拌した。減圧下溶媒を留去し、得られた残渣を水１０ｍＬ、ジエチルエーテル２０ｍＬで洗浄し、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸ジメチルジステアリルアンモニウム塩を１．４ｇ得た。
屈折率（２０℃）１．４７１（ｃｉｓ体：ｔｒａｎｓ体＝２．２：１）
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
2011145329.tif 000018
（ここで、ＲはＣ１〜Ｃ４アルキル基又はヒドロキシシクロヘキシル基を表わし、
Ｘはカルボキシル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基を表わす。）
で示される化合物又はその塩を主成分とすることを特徴とする除草剤用薬害軽減剤。
【請求項２】
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＸが、Ｒを含む基の４位に結合する請求項１に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項３】
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲがメチル基であり、Ｘがカルボキシル基又はヒドロキシル基である請求項２に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項４】
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲがメチル基であり、Ｘがカルバモイル基又はジメチルカルバモイル基である請求項２に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項５】
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲがメチル基であり、Ｘがメトキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基である請求項２に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項６】
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲが４−ヒドロキシシクロヘキシル基であり、Ｘがカルボキシル基又はヒドロキシル基である請求項２に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項７】
一般式（Ｉ）で示される化合物の塩が、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、イソプロピルアンモニウム塩、トリメチルスルホニウム塩、トリエタノールアミンとの塩若しくはジメチルジステアリルアンモニウム塩から選ばれる化合物である請求項１乃至６のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項８】
一般式（Ｉ）で示される化合物の塩が、カルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩であると共に、Ｘがカルボキシル基である請求項７に記載の除草剤用薬害軽減剤。
【請求項９】
（Ａ）請求項１〜８のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、
（Ｂ）スルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれる１又は２以上の除草活性化合物、
を含有することを特徴とする薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１０】
スルホニル尿素系化合物が、ベンスルフロンメチル、ピラゾスルフロンエチル、ハロスルフロンメチル、アジムスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、フルセトスルフロン、イマゾスルフロン、エトキシスルフロン又はプロピリスルフロンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１１】
スルホンアミド系化合物がペノキススラムである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１２】
クロロアセトアニリド系化合物がブタクロール、プレチラクロール又はテニルクロールである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１３】
チオカルバマート系化合物がチオベンカルブ、エスプロカルブ又はモリネートである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１４】
ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物がピリミノバックメチル、ピリフタリド、ビスピリバックナトリウム又はピリベンゾキシムである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１５】
テトラゾリノン系化合物がフェントラザミドである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１６】
トリアゾール系化合物がカフェンストロール又はイプフェンカルバゾンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１７】
ピラゾール系化合物がピラゾレート、ピラゾキシフェン、ピラクロニル又はベンゾフェナップである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１８】
シクロヘキサンジオン系化合物がベンゾビシクロン、メソトリオン又はテフリルトリオンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項１９】
フェノキシカルボン酸系化合物が２，４−Ｄ、ＭＣＰＡ、ＭＣＰＢ又はクロメプロップである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項２０】
オキサジノン系化合物がオキサジクロメホンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項２１】
ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物がピリミスルファンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項２２】
イソオキサゾリン系化合物がフェノキサスルホン又はピロキサスルホンである請求項９に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
【請求項２３】
（Ａ）請求項１〜８のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、
（Ｂ）スルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれた１又は２以上の除草活性化合物を、同時に施用するか或いは近接施用することを特徴とする、該除草活性化合物による作物の薬害軽減方法。
【請求項２４】
（削除）
【請求項２５】
（削除）
【国際調査報告】
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