(57)【要約】  本発明は、高精細な液晶ディスプレイ等の表示体の前面に使用されるタッチパネル用の電極フィルムとして用いた際に、視認性に優れるとともに、生産性に優れ、かつ額縁近傍でのペン摺動耐久性に優れた透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルを提供することを目的とする。  本発明は、透明プラスチックフィルムからなる基材上に、高屈折率層、低屈折率層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した透明導電性フィルムであって、高屈折率層は酸化スズの含有率が１０〜６０質量％である非晶質なインジウム−スズ複合酸化物からなる無機薄膜であり、低屈折率層は屈折率が１．３０〜１．６０の無機薄膜からなり、透明導電性薄膜層は屈折率が１．８０〜２．２０の無機薄膜よりなり、かつ透明導電性フィルムの分光透過率のピークが４５０〜５３０ｎｍに存在し、かつ全光線透過率が９０％以上、カラーｂ値が−２〜２である透明導電性フィルムに関する。
2011048647.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明プラスチックフィルムからなる基材上に、高屈折率層、低屈折率層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した透明導電性フィルムであって、高屈折率層は酸化スズの含有率が１０〜６０質量％である非晶質なインジウム−スズ複合酸化物からなる無機薄膜であり、低屈折率層は屈折率が１．３０〜１．６０の無機薄膜からなり、透明導電性薄膜層は屈折率が１．８０〜２．２０の無機薄膜よりなり、かつ透明導電性フィルムの分光透過率のピークが４５０〜５３０ｎｍに存在し、かつ全光線透過率が９０％以上、カラーｂ値が−２〜２であることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項２】
前記高屈折率層の酸化スズの含有率が２０〜６０質量％であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項３】
前記透明プラスチックフィルムからなる基材の透明導電性薄膜層が積層された面の反対面に低反射処理を施したことを特徴とする請求項１又は２記載の透明導電性フィルム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電性フィルムの透明導電性薄膜層が積層された面の反対面に、粘着剤を介して透明樹脂シートが貼り合わされていることを特徴とする透明導電性シート。
【請求項５】
透明導電性薄膜層を有する一対のパネル板を透明導電性薄膜層が対向するようにスペーサーを介して配置してなるタッチパネルであって、少なくとも一方のパネル板が請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電性フィルムもしくは透明導電性シートからなることを特徴とするタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は透明プラスチックフィルムからなる基材上に高屈折率層、低屈折率層及び透明導電性薄膜層をこの順で積層した透明導電性フィルム又は透明導電性シート（以下、単に透明導電性フィルムともいう）及びこれらを用いたタッチパネルに関するものである。特に高精細な液晶ディスプレイ等の表示体に組み込まれるタッチパネルの電極用フィルムとして用いた場合、視認性に優れるとともにタッチパネルの額縁近傍でのペン摺動耐久性に優れるため表示エリアを広くすることが可能となる透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明でかつ抵抗が小さい薄膜を積層した透明導電性フィルムは、その導電性を利用した用途、例えば、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンス（ＥＬと略記される場合がある）ディスプレイなどのようなフラットパネルディスプレイや、タッチパネルの透明電極など、電気、電子分野の用途に広く使用されている。【０００３】
近年、タッチパネルは入力インターフェイスとして幅広く認知され、特に携帯情報端末やデジタルビデオカメラ、デジタルカメラなどの携帯端末には操作キーを省くため表示ディスプレイにタッチパネルを搭載するケースが増えている。一方、これらの携帯端末に用いられる液晶ディスプレイ等の表示体の高精細化はますます進んでおり、このような表示体の前面に組み込まれるタッチパネル用の電極フィルムは視認性を低下させないことが強く望まれている。
すなわち、電極フィルムの透過率が低い場合、液晶ディスプレイ等の表示体の輝度が低下し、表示画面が暗くなるため表示がみづらくなる。また電極フィルムが着色している場合、液晶ディスプレイ等の表示色（特に白色）の色表示が変化し、鮮明な画像が得られにくくなる。このため、電極フィルムには透過率が高く、かつ着色の少ないことが望まれている。
一方、液晶ディスプレイ等の表示体は大画面化が望まれている。そのため、表示ディスプレイを含む筐体エリア（額縁）はより狭くなり、タッチパネルとしてもより狭い額縁化が望まれ、さらにタッチパネルの額縁近傍は筐体内に収まらずに表示エリア上に存在する状態になってきた。
タッチパネルは、透明導電層を有する一対の透明導電性基板を、透明導電層が対向するようにスペーサーを介して配置してなる。タッチパネルをペン入力する際、固定電極側の透明導電性薄膜と可動電極（フィルム電極）側の透明導電性薄膜同士が接触するが、特に額縁近傍では、可動電極側の透明導電性薄膜に、ペン荷重による強い曲げストレスがかかる。このため、ペン荷重による強い曲げストレスがかかっても、透明導電性薄膜にクラック、剥離などの破壊が生じない、額縁近傍でのペン摺動耐久性に優れる透明導電性フィルムが要望されている。【０００４】
視認性を向上させるためには、反射防止加工等で用いられる屈折率の異なる層を積層させ、光の干渉を利用することが提案されている。すなわち、透明導電膜と基材フィルムの間に屈折率の異なる層を設けて光学干渉を利用することが提案されている（特許文献１〜３）。
【特許文献１】特開平１１−２８６０６６号公報
【特許文献２】特許第３６２６６２４号公報
【特許文献３】特開２００６−３４６８７８号公報  しかしながらこれらの特許文献１〜３記載の透明導電性フィルムは、視認性の改善はできるものの環境安定性又はタッチパネル額縁近傍でのペン摺動耐久性に問題があった。すなわち、特許文献１の実施例１に記載されたように高真空状態まで真空槽を排気した後に形成したインジウムに対するスズ含有率の低い膜を高屈折率層として用いた場合には、成膜中又はタッチパネルの製造工程でかかる熱処理によりＩＴＯ膜の結晶化が起こりやすくなる。このように結晶化したＩＴＯ膜を高屈折層又は透明導電層として有する透明導電性フィルムを電極フィルムとして用いたタッチパネルにおいては、タッチパネル額縁近傍でのペン摺動耐久性がよくない。また特許文献２記載の酸化チタン膜を高屈折層として用いた透明導電性フィルムを用いたタッチパネルにおいては、屋外で使用した場合、入力の位置ずれが生じるという問題が発生する。また特許文献３記載の酸化スズ及び酸化セリウムを含有した酸化インジウム膜を高屈折率層として用いた場合、酸化セリウムを含有するため硬くて脆い膜となるため、タッチパネルの額縁近傍でのペン摺動耐久性が不十分であり、また成膜速度が遅くなるため生産性が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
すなわち、本発明の目的は、上記の従来の問題点に鑑み、高精細な液晶ディスプレイ等の表示体の前面に使用されるタッチパネル用の電極フィルムとして用いた際に、視認性に優れるとともに、生産性に優れ、かつ額縁近傍でのペン摺動耐久性（エッジ耐久性）に優れた透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記のような状況に鑑みなされたものであって、上記の課題を解決することができた透明導電性フィルム、及びタッチパネルとは、以下の構成よりなる。
１．  透明プラスチックフィルムからなる基材上に、高屈折率層、低屈折率層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した透明導電性フィルムであって、高屈折率層は酸化スズの含有率が１０〜６０質量％である非晶質なインジウム−スズ複合酸化物からなる無機薄膜であり、低屈折率層は屈折率が１．３０〜１．６０の無機薄膜からなり、透明導電性薄膜層は屈折率が１．８０〜２．２０の無機薄膜よりなり、かつ透明導電性フィルムの分光透過率のピークが４５０〜５３０ｎｍに存在し、かつ全光線透過率が９０％以上、カラーｂ値が−２〜２であることを特徴とする透明導電性フィルム。
２．  前記高屈折率層の酸化スズの含有率が２０〜６０質量％であることを特徴とする前記１．に記載の透明導電性フィルム。
３．  前記透明プラスチックフィルムからなる基材の透明導電性薄膜層が積層された面の反対面に低反射処理を施したことを特徴とする前記１．又は２．記載の透明導電性フィルム。
４．  前記１．〜３．のいずれかに記載の透明導電性フィルムの透明導電性薄膜層が積層された面の反対面に、粘着剤を介して透明樹脂シートが貼り合わされていることを特徴とする透明導電性シート。
５．  透明導電性薄膜層を有する一対のパネル板を透明導電性薄膜層が対向するようにスペーサーを介して配置してなるタッチパネルであって、少なくとも一方のパネル板が前記１．〜４．のいずれかに記載の透明導電性フィルムもしくは透明導電性シートからなることを特徴とするタッチパネル。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の透明導電性フィルムは、透明プラスチックフィルムからなる基材上に、高屈折率層、低屈折率層及び透明導電性薄膜層の順に積層した構成を有し、特定波長領域に透過率のピークが存在するため、高精細な表示体の前面に配置しても視認性の低下を抑制できる。また前記高屈折率層に酸化スズの含有率を所定値にした非晶質なインジウム−スズ複合酸化物からなる層を用いることにより、生産性に優れ、かつ曲げに対する機械強度を向上させることができる。そのため、タッチパネル額縁近傍においてペン摺動試験を行った際に、透明導電性薄膜に剥離及びクラックが発生しにくくなり、額縁近傍でのペン摺動耐久性を向上させることができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の透明導電性フィルムは、透明プラスチックフィルムからなる基材上に、高屈折率層、低屈折率層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した透明導電性フィルムである。以下、各層別に詳細に説明する。【０００９】
（透明プラスチックフィルムからなる基材）
本発明で用いる透明プラスチックフィルムからなる基材とは、有機高分子を溶融押出し又は溶液押出しをして、必要に応じ、長手方向及び／又は幅方向に延伸、冷却、熱固定を施したフィルムである。有機高分子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ナイロン６、ナイロン４、ナイロン６６、ナイロン１２、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルファン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリアリレート、セルロースプロピオネート、ポリ塩化ビニール、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンオキサイド、ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネン系ポリマーなどが挙げられる。【００１０】
これらの有機高分子のなかで、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネン系ポリマー、ポリカーボネート、ポリアリレートなどが好適である。また、これらの有機高分子は他の有機重合体の単量体を少量共重合してもよいし、他の有機高分子をブレンドしてもよい。【００１１】
本発明で用いる透明プラスチックフィルムからなる基材の厚みは、１０μｍを越え、３００μｍ以下の範囲であることが好ましく、上限値は２６０μｍ、下限値は７０μｍであることが特に好ましい。プラスチックフィルムの厚みが１０μｍ以下では機械的強度が不足し、特にタッチパネルに用いた際のペン入力に対する変形が大きくなる傾向があり、耐久性が不十分となりやすい。一方、厚みが３００μｍを越えると、タッチパネルに用いた際に、フィルムを変形させるためのペン荷重を大きくする必要がある。そのため、透明導電性薄膜にかかる荷重も必然と大きくなり、透明導電性薄膜の耐久性の点で好ましくない。【００１２】
本発明で用いる透明プラスチックフィルムからなる基材は、本発明の目的を損なわない範囲で、前記フィルムをコロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、電子線照射処理、オゾン処理などの表面活性化処理を施してもよい。【００１３】
また、本発明では、基材と透明導電性薄膜層との密着性を向上させ、ペン入力耐久性、耐薬品性の付与、オリゴマーなどの低分子量物の析出防止を目的として、基材と透明導電性薄膜層の間に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層を設けてもよい。【００１４】
前記の硬化型樹脂は、加熱、紫外線照射、電子線照射などのエネルギー印加により硬化する樹脂であれば特に限定されなく、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。生産性の観点からは、紫外線硬化型樹脂を主成分とする硬化型樹脂が好ましい。【００１５】
このような紫外線硬化型樹脂としては、例えば、多価アルコールのアクリル酸又はメタクリル酸エステルのような多官能性のアクリレート樹脂、ジイソシアネート、多価アルコール及びアクリル酸又はメタクリル酸のヒドロキシアルキルエステルなどから合成されるような多官能性のウレタンアクリレート樹脂などを挙げることができる。必要に応じて、これらの多官能性の樹脂に単官能性の単量体、例えば、ビニルピロリドン、メチルメタクリレート、スチレンなどを加えて共重合させることができる。【００１６】
また、透明導電性薄膜と硬化物層との付着力を向上するために、硬化物層を表面処理することが有効である。具体的な方法としては、グロー又はコロナ放電を照射する放電処理法を用いて、カルボニル基、カルボキシル基、水酸基を増加させる方法、酸又はアルカリで処理する化学薬品処理法を用いて、アミノ基、水酸基、カルボニル基などの極性基を増加させる方法、などが挙げられる。【００１７】
紫外線硬化型樹脂は、通常、光重合開始剤を添加して使用される。光重合開始剤としては、紫外線を吸収してラジカルを発生する公知の化合物を特に限定なく使用することができ、このような光重合開始剤としては、例えば、各種ベンゾイン類、フェニルケトン類、ベンゾフェノン類などを挙げることができる。光重合開始剤の添加量は、紫外線硬化型樹脂１００質量部に対して、１〜５質量部とすることが好ましい。【００１８】
塗布液中の樹脂成分の濃度は、コーティング法に応じた粘度などを考慮して適切に選択することができる。例えば、塗布液中に紫外線硬化型樹脂、光重合開始剤の合計量が占める割合は、通常は２０〜８０質量％である。また、この塗布液には、必要に応じて、その他の公知の添加剤、例えば、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤などのレベリング剤などを添加してもよい。【００１９】
本発明において、調製された塗布液は透明プラスチックフィルムからなる基材上にコーティングされる。コーティング法には特に限定されなく、バーコート法、グラビアコート法、リバースコート法などの従来から知られている方法を使用することができる。【００２０】
また、硬化物層の厚みは０．１〜１５μｍの範囲であることが好ましい。硬化物層の厚みの下限値は、０．５μｍがより好ましく、特に好ましくは１μｍである。また、硬化物層の厚みの上限値は、１０μｍがより好ましく、特に好ましくは８μｍである。硬化物層の厚みが０．１μｍ未満の場合には、十分に架橋した構造が形成されにくくなるため、ペン入力耐久性や耐薬品性が低下しやすくなり、オリゴマーなどの低分子量による密着性の低下もおこりやすくなる。一方、硬化物層の厚みが１５μｍを超える場合には、生産性が低下する傾向がある。【００２１】
（高屈折率層）
本発明における高屈折率層は酸化スズの含有率が１０〜６０質量％である非晶質なインジウム−スズ複合酸化物からなる無機薄膜である。より好ましくは酸化スズの含有率が２０〜５０質量％であり、さらに好ましくは３０〜４５質量％である。
高屈折率層は、少なくとも低屈折率層（屈折率が１．３０〜１．６０）より高い屈折率を持つ層である。低屈折率層より高い屈折率を持つ層を透明プラスチックフィルム基材上に形成することによって、光の干渉効果が得られる。
一般的に高屈折率層としてはＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３が用いられる。しかしながら例えばスパッタリング法によりＴｉＯ２膜、Ｎｂ２Ｏ５膜を形成する場合、成膜速度が遅く生産性が低下する。このため生産性の観点からは高屈折率層としてインジウム酸化物が好ましい。
しかし、Ｉｎ２Ｏ３あるいは酸化スズ含有率の低いインジウム−スズ複合酸化膜を形成する場合、生産性は優れるものの、スパッタリングでの成膜中あるいはタッチパネル製造工程中にかかる熱処理により高屈折率層が結晶化する。高屈折率層が結晶化している透明導電性フィルム用いて作製したタッチパネルでは額縁近傍でのペン摺動耐久性が劣る。従って、高屈折率層には結晶粒が存在しないことが好ましい。具体的には、実施例の蘭に記載した測定において結晶粒が観測されないものが好ましい。【００２２】
このため本発明において用いられる高屈折率層は、生産性の観点からインジウム−スズ複合酸化物からなり、酸化スズの含有率が１０〜６０質量％である。酸化スズの含有率が１０質量％未満の場合、成膜中あるいはタッチパネル製造工程中にかかる熱処理による結晶化を抑制することが困難となる。一方、酸化スズの含有率が６０質量％を超える場合、ターゲットの密度を向上させることが困難となり、生産中に放電異常が発生しやすくなり生産性の観点から好ましくない。
なお、酸化スズの含有率が１０〜６０質量％の範囲であっても、酸化スズの含有量が低い領域では製膜条件によって結晶化することがある。特に不活性ガスに対する水分圧の比が低い場合には結晶化しやすい。このような酸化スズの含有量が低い場合（例えば２０質量％以下）では、特に不活性ガスに対する水分圧の比を高くすることにより、結晶化を抑制することができる。好ましい不活性ガスに対する水分圧の比は酸化スズの含有率量によって異なるが、例えばスズ含有率が１０質量％の場合、３×１０−３以上とすることが好ましい。不活性ガスに対する水分圧の比を高くするためには、製膜前の真空暴露条件を調整することによりフィルムの含有水分量を高めにする方法、製膜時にフィルム温度を比較的高くする方法、意図的に水蒸気を導入する方法等任意の方法が挙げられる。その他、使用する基材フィルムの水分含有率によっても左右されるため、これを考慮して適正条件を決める必要がある。また、酸素の分圧比を低くすることによっても結晶化を抑制することが出来る。【００２３】
本発明で用いる高屈折率層の膜厚としては３５〜５０ｎｍが好ましく、さらに好ましくは３８〜４８ｎｍである。５０ｎｍを超えた場合、高屈折率層が成膜中又は加熱処理後に結晶化しやすくなる。また３５ｎｍ未満の場合、透明導電性フィルムの光学特性を改善することが困難となる。なお、高屈折率層の屈折率は１．７０〜２．５０であることが好ましく、さらには１．９０〜２．３０、特には１．９０〜２．１０であることが好ましい。【００２４】
本発明における高屈折率層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、スプレー法などが知られており、必要とする膜厚に応じて、前記の方法を適宜用いることができるが、膜厚のバラツキを低減するという観点からスパッタリング法が好ましい。
スパッタリング法では一般的に金属ターゲットから反応性ガスを導入して金属酸化物を作製する反応性スパッタリング法と酸化物ターゲットから金属酸化物を作製する方法がある。膜厚のバラツキを抑制するには酸化物ターゲットを用いることが好ましい。【００２５】
本発明で用いる高屈折率層は低屈折率層を介して積層する透明導電性薄膜の導電性への影響を抑制するために絶縁体であることが好ましい。具体的には１×１０６Ω／□以上である。そのためインジウム−スズ複合酸化物層を形成する際に反応性ガスを表面抵抗値が最小値となるガス流量の１．５〜５倍流すことが好ましい。１．５倍未満であると表面抵抗値を上記範囲にすることが困難である。また５．０倍を越えるガス流量を流すと膜中に化学量論比以上の酸素が取り込まれたり、又は酸素負イオンの過剰な生成により形成によるダメージの大きな膜が形成しやすくなり、不安定な膜となるため環境試験後の透明導電性薄膜の安定性が低下してしまう。【００２６】
このため高温、高湿環境下（８５℃、８５％ＲＨ、１０００時間）での安定性を得るためにはガス流量を表面抵抗値が最小値となるガス流量の１．５〜３倍にすることが好ましく、そのため酸化スズの含有率が２０〜６０質量％であることが好ましい。２０質量％未満の場合、上記ガス流量では表面抵抗値を１×１０６Ω／□以上にすることが困難となる。【００２７】
（低屈折率層）
本発明における低屈折率層の屈折率は、１．３０〜１．６０が好ましく、さらに好ましくは１．４０〜１．５０である。具体的にはＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの透明金属酸化物、あるいはＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３等の複合金属酸化物からなる層が挙げられる。屈折率が１．３０未満の場合、低屈折率層がポーラスな膜となりその上に形成する透明導電性薄膜層の電気特性を阻害してしまう。一方、屈折率が１．６０を越える場合には、前記光学特性を満足することが困難となる。【００２８】
低屈折率層の膜厚は、本願発明の範囲とする分光透過率、全光線透過率及びカラー値を満足さえすれば、適宜選択できる。例えばＳｉＯ２  薄膜の場合は４５〜６０ｎｍが好ましく、さらに好ましくは５０〜５８ｎｍである。６０ｎｍを超えると透明導電性フィルムの光線透過率は向上するものの着色が生じ分光透過率やカラーｂ値が目標からはずれてしまう。一方、４５ｎｍ未満の場合は、目標とする全光線透過率を得ることが困難となる。【００２９】
本発明における低屈折率層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、スプレー法などが知られており、必要とする膜厚に応じて、前記の方法を適宜用いることができるが、膜厚のバラツキを低減するという観点からスパッタリング法が好ましい。一般的にスパッタリングで形成する場合は反応性ＤＣ又はＡＣスパッタリング法が用いられる。成膜速度を向上するためにＤＣ又はＡＣ電源の電圧値を一定に保つように反応性ガス流量を制御するインピーダンス制御又は特定元素のプラズマ中での発光強度を一定に保つように反応性ガス流量を制御するプラズマエミッション法が用いられる。【００３０】
（透明導電性薄膜層）
本発明における透明導電性薄膜層は屈折率が１．８０〜２．２０の無機薄膜よりなる。より好ましくは、１．９０〜２．１０の無機薄膜であり、さらに好ましくは１．９３〜２．０５の無機薄膜である。透明導電性薄膜の屈折率が１．８０未満の場合は、導電性の良好な透明導電性薄膜層を形成することが困難である。一方、屈折率が２．２０を超える場合も導電性の良好な透明導電性薄膜層を形成することが困難であり、さらに、空気と透明導電性薄膜層との界面での反射が大きくなり、前記光学特性を満たすことが困難となる。
具体的には酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、インジウム−スズ複合酸化物、スズ−アンチモン複合酸化物、亜鉛−アルミニウム複合酸化物、インジウム−亜鉛複合酸化物などが挙げられる。また、屈折率調整のために金属酸化物を適宜添加しても構わない。これらのうち、環境安定性や回路加工性の観点から、インジウム−スズ複合酸化物が好適である。【００３１】
本発明において透明導電性薄膜層を積層して、透明導電性フィルムの表面抵抗値を好ましくは５０〜５０００Ω／□、更に好ましくは１００〜２０００Ω／□とすることによって、透明導電性フィルムとしてタッチパネルなどに使用できる。表面抵抗値が１００Ω／□未満ではタッチパネルの位置認識精度が悪くなり、２０００Ω／□を超えるとタッチパネルの電極間にかける電圧を高くしなければならない場合があり、好ましくない。【００３２】
また生産性の観点から透明導電性薄膜は高屈折率層と同じ素材、例えばインジウム−スズ組成であることが好ましい。組成が異なる場合、高屈折率用、透明導電性薄膜用のそれぞれのターゲット及びカソードが必要となり、設備的にも大掛かりな装置となってしまう。【００３３】
透明導電性薄膜の層構造は、単層構造でもよいし、２層以上の積層構造でもよい。２層以上の積層構造を有する透明導電性薄膜の場合、各層を構成する前記の金属酸化物は同一でもよいし、異なっていてもよい。【００３４】
透明導電性薄膜の膜厚は、４〜２５ｎｍの範囲が好ましく、特に好ましくは５〜２０ｎｍであり、より好ましくは８〜１８ｎｍである。透明導電性薄膜の膜厚が４ｎｍ未満の場合、連続した薄膜になりにくく、良好な導電性が得られにくくなる。一方、透明導電性薄膜の膜厚が２５ｎｍよりも厚い場合、透明性が低下しやすくなるとともに、タッチパネルの額縁近傍での曲げストレスに耐えることができる機械強度を有する膜を得ることが困難になる。【００３５】
本発明における透明導電性薄膜の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、スプレー法などが知られており、必要とする膜厚に応じて、前記の方法を適宜用いることができる。【００３６】
例えば、スパッタリング法の場合、酸化物ターゲットを用いた通常のスパッタリング法、あるいは、金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法等が用いられる。この時、反応性ガスとして、酸素、窒素、等を導入したり、オゾン添加、プラズマ照射、イオンアシスト等の手段を併用したりしてもよい。また、本発明の目的を損なわない範囲で、基板に直流、交流、高周波などのバイアスを印加してもよい。【００３７】
（透明導電性フィルムの光学特性）
本発明の透明導電性フィルムは、上記の透明プラスチックフィルムからなる基材上に、高屈折率層、低屈折率層及び透明導電性薄膜層の順に積層した構成を有し、特定波長領域に透過率のピークが存在するため、高精細な表示体の前面に配置しても視認性の低下を抑制できる。【００３８】
本発明の透明導電性フィルムの分光透過率のピークは、４５０〜５３０ｎｍに存在するので、着色が極めて少なく、かつ透過率に優れるため、本発明の透明導電性フィルムをタッチパネルなどの部材に使用した時に、視認性に優れる。より好ましい分光透過率のピークは、４６０〜５２０ｎｍであり、さらに好ましい分光透過率のピークは、４７０〜５１０ｎｍである。【００３９】
また、本発明の透明導電性フィルムの全光線透過率が９０％以上であるので、本発明の透明導電性フィルムをタッチパネルなどの部材に使用した時に、液晶ディスプレイ等の輝度の低下を抑制できる。
更に、本発明の透明導電性フィルムのカラーｂ値が−２〜２であるので、本発明の透明導電性フィルムをタッチパネルなどの部材に使用した時に、液晶ディスプレイ等の表示体の表示色を損なうことを抑制できる。より好ましいカラーｂ値は−１．０〜１．５であり、さらに好ましくは０〜１．５である。【００４０】
（ニュートンリングの発生を防止）
また、タッチパネルとした際にニュートンリングの発生を防止する目的で、透明プラスチックフィルムの説明において記載した硬化物層に中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１〜０．５μｍの範囲になるように粒子を含有させることが好ましい。Ｒａが０．１未満の場合には、ニュートンリングの発生を防止することが難しくなる。一方、Ｒａが０．５μｍを超える場合には、透明導電性薄膜表面が粗くなりすぎて、ペン摺動耐久性が悪くなる傾向がある。【００４１】
硬化物層に含有させる粒子としては特に限定はないが、無機粒子（例えば、シリカ、炭酸カルシウムなど）、耐熱性有機粒子（例えば、シリコン粒子、ＰＴＦＥ粒子、ポリイミド粒子など）、架橋高分子粒子（架橋ＰＳ粒子、架橋アクリル系粒子など）が例示される。これらの粒子の平均粒径（電子顕微鏡法による）は、０．５〜５μｍであることが好ましい。また、硬化物層中に含有させる粒子の含有量は０．０１〜１０質量％とすることが好ましい。【００４２】
（ハードコート層）
また、タッチパネルとした際の最外層（ペン入力面）の耐擦傷性を、さらに改善させるために、透明プラスチックフィルムの透明導電性薄膜を形成させた表面とは反対面（タッチパネルとした際の最外層のペン入力面）に、ハードコート層を設けることが好ましい。前記ハードコート層の硬度は、鉛筆硬度で２Ｈ以上であることが好ましい。２Ｈ未満の硬度では、透明導電性フィルムのハードコート層としては耐擦傷性の点で不十分である。【００４３】
前記のハードコート層の厚みは０．５〜１０μｍであることが好ましい。厚みが０．５μｍ未満では、耐擦傷性が不十分となりやすく、１０μｍよりも厚い場合には生産性の観点から好ましくない。【００４４】
前記のハードコート層に用いられる硬化型樹脂組成物は、アクリレート系の官能基を有する樹脂が好ましく、例えば、比較的低分子量のポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アルキッド樹脂、スピロアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリチオールポリエン樹脂、多価アルコール等の多官能性化合物の（メタ）アクリート等のオリゴマー又はプレポリマーなどが挙げられる。【００４５】
また、反応性希釈剤としては、エチル（メタ）アクリート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、スチレン、メチルスチレン、Ｎ−ビニルピロリドン等の単官能モノマー並びに多官能モノマー、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート等を比較的多量に含有するものが使用できる。【００４６】
本発明では、オリゴマーとしてウレタンアクリレート、モノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等を混合することが好ましい。【００４７】
また、前記ハードコート層に用いられる硬化型樹脂組成物としては、ポリエステルアクリレートとポリウレタンアクリレートとの混合物が特に好適である。ポリエステルアクリレートは塗膜が非常に硬くてハードコート層として適している。しかしながら、ポリエステルアクリレート単独の塗膜では耐衝撃性が低く脆くなりやすいという問題がある。そこで、塗膜に耐衝撃性及び柔軟性を与えるために、ポリウレタンアクリレートを併用することが好ましい。すなわち、ポリエステルアクリレートにポリウレタンアクリレートを併用することで、塗膜はハードコート層としての硬度を維持しながら、耐衝撃性及び柔軟性という機能を具備することができる。【００４８】
両者の配合割合は、ポリエステルアクリレート樹脂１００質量部に対し、ポリウレタンアクリレート樹脂を３０質量部以下とするのが好ましい。ポリウレタンアクリレート樹脂の配合割合が３０質量部を超えると、塗膜が柔らかくなりすぎて耐衝撃性が不十分となる傾向がある。【００４９】
前記の硬化型樹脂組成物の硬化方法は、通常の硬化方法、すなわち、加熱、電子線又は紫外線の照射によって硬化する方法を用いることができる。例えば、電子線硬化の場合は、コックロフトワルトン型、ハンデグラフ型、共振変圧型、絶縁コア変圧器型、直線型、ダイナミトロン型、高周波型等の各種電子線加速器から放出される５０〜１０００ｋｅＶ、好ましくは１００〜３００ｋｅＶのエネルギーを有する電子線等が使用される。また、紫外線硬化の場合には、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、キセノンアーク、メタルハイライドランプ等の光線から発する紫外線等が利用できる。【００５０】
さらに、電離放射線硬化の場合には、前記の硬化型樹脂組成物中に光重合開始剤や光増感剤を含有させることが好ましい。光重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ミヒラーベンゾイルベンゾエート、α−アミロキシムエステル、テトラメチルチウラムモノサルファイド、チオキサントン類などが挙げられる。また、光増感剤としては、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等が好ましい。【００５１】
ハードコート層に防眩性を付与するためには、硬化型樹脂中にＣａＣＯ３やＳｉＯ２などの無機粒子を分散させる方法、あるいはハードコート層の表面に凹凸形状を形成させる方法が有効である。例えば、凹凸を形成するためには、硬化型樹脂組成物を含む塗液を塗工後、表面に凸形状を有する賦形フィルムをラミネートし、この賦形フィルム上から紫外線を照射し硬化型樹脂を硬化させた後に、賦形フィルムのみを剥離することにより得られる。【００５２】
前記の賦型フィルムには、離型性を有するポリエチレンテレフタレート（以後、ＰＥＴと略す場合がある）等の基材フィルム上に所望の凸形状を設けたもの、あるいは、ＰＥＴ等の基材フィルム上に繊細な凸層を形成したもの等を用いることができる。その凸層の形成は、例えば、無機粒子とバインダー樹脂からなる樹脂組成物を用いて基材フィルム上に塗工することにより得ることができる。【００５３】
前記バインダー樹脂としては、例えば、ポリイソシアネートで架橋されたアクリルポリオールを用い、無機粒子としては、ＣａＣＯ３やＳｉＯ２などを用いることができる。また、この他にＰＥＴ製造時にＳｉＯ２等の無機粒子を練込んだマットタイプのＰＥＴも用いることができる。【００５４】
この賦型フィルムを紫外線硬化型樹脂の塗膜にラミネートした後紫外線を照射して塗膜を硬化する場合、賦型フィルムがＰＥＴを基材としたフィルムの場合、該フィルムに紫外線の短波長側が吸収され、紫外線硬化型樹脂の硬化が不足するという欠点がある。したがって、紫外線硬化型樹脂の塗膜にラミネートする賦型フィルムの全光線透過率が２０％以上のものを使用することが必要である。【００５５】
また、タッチパネルに用いた際に可視光線の透過率をさらに向上させるために、ハードコート層上に低反射処理を施してもよい。この低反射処理は、ハードコート層の屈折率とは異なる屈折率を有する材料を単層もしくは２層以上に積層することが好ましい。【００５６】
単層構造の場合、ハードコート層よりも小さな屈折率を有する材料を用いるのが好ましい。また、２層以上の多層構造とする場合は、ハードコート層と隣接する層は、ハードコート層よりも大きな屈折率を有する材料を用い、この上の層にはこれよりも小さな屈折率を有する材料を選ぶのがよい。このような低反射処理を構成する材料としては、有機材料でも無機材料でも上記の屈折率の関係を満足すれば特に限定されない。例えば、ＣａＦ２、ＭｇＦ２  、ＮａＡｌＦ４  、ＳｉＯ２  、ＴｈＦ４  、ＺｒＯ２  、Ｎｄ２Ｏ３  、ＳｎＯ２  、ＴｉＯ２、ＣｅＯ２  、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｏ３などの誘電体を用いるのが好ましい。【００５７】
この低反射処理は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などのドライコーティングプロセスでも、グラビア方式、リバース方式、ダイ方式などのウェットコーティングプロセスでもよい。【００５８】
さらに、この低反射処理層の積層に先立って、前処理として、コロナ放電処理、プラズマ処理、スパッタエッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、プライマ処理、易接着処理などの公知の表面処理をハードコート層に施してもよい。【００５９】
（透明導電性シート）
本発明の透明導電性シートは、本発明の透明導電性フィルムの透明導電性薄膜層が積層された面の反対面に、粘着剤を介して透明樹脂シートが貼り合わせ積層することで得られる。本発明の透明導電性シートは、タッチパネルの固定電極に用いることができる。すなわち、タッチパネルの固定電極の基板をガラスから本発明の透明樹脂シートに変更することで、軽量かつ割れにくいタッチパネルを作製することができる。【００６０】
前記の粘着剤は、透明性を有するものであれば特に限定はないが、例えばアクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤などが好適である。この粘着剤の厚さは特に限定はないが、通常１〜１００μｍの範囲に設定するのが望ましい。粘着剤の厚みが１μｍ未満の厚さの場合、実用上問題のない接着性を得るのが難しく、１００μｍを越える厚さでは生産性の観点から好ましくない。【００６１】
この粘着剤を介して貼合わせる透明樹脂シートは、ガラスと同等の機械的強度を付与するために使用するものであり、厚さは０．０５〜５ｍｍの範囲が好ましい。前記透明樹脂シートの厚みが０．０５ｍｍ未満では、機械的強度がガラスに比べ不足する。一方、厚さが５ｍｍを越える場合には、厚すぎてタッチパネルに用いるには不適当である。また、この透明樹脂シートの材質は、前記の透明プラスチックフィルムと同様のものを使用することができる。【００６２】
（タッチパネル）
タッチパネルは、透明導電性薄膜層を有する一対の透明導電性基板（フィルム、ガラス、シートのいずれか）を、透明導電性薄膜層が対向するようにスペーサーを介して配置してなる。ペンにより文字を入力した時に、ペンからの押圧により、対向した透明導電性薄膜同士が接触し、電気的にＯＮの状態になり、タッチパネル上でのペンの位置を検出することができる。このペン位置を連続的かつ正確に検出することで、ペンの軌跡から文字を認識することができる。【００６３】
本発明のタッチパネルは、少なくとも一方の透明導電性基板に上記の本発明の透明導電性フィルムを用いたものである。この際、ペン接触側の可動電極が本発明の透明導電性フィルムを用いると、高精細な液晶ディスプレイ等の表示体に組み込まれても視認性が低下するこがなく、またペン摺動耐久性に優れるため、長期にわたって安定なタッチパネルとすることができる。図１に、本発明の透明導電性フィルムを用いた、タッチパネルの例を示す。【００６４】
また、本発明の透明導電性フィルム及び透明導電性シートを使用して得た、ガラス基板を用いないプラスチック製のタッチパネルの断面図を図２に示した。このプラスチック製のタッチパネルは、ガラスを用いていないため、非常に軽量であり、かつ、衝撃により割れたりすることがない。
【実施例】
【００６５】
以下に実施例により本発明をさらに、詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。なお、透明導電性フィルムの性能及び高屈折率層、透明導電性薄膜の結晶性、タッチパネルのペン摺動耐久性試験は、下記の方法により測定した。【００６６】
（１）全光線透過率
ＪＩＳ−Ｋ７１３６に準拠し、日本電色工業（株）製ＮＤＨ−１００１ＤＰを用いて、光線透過率を測定した。【００６７】
（２）表面抵抗値
ＪＩＳ−Ｋ７１９４に準拠し、４端子法にて測定した。測定機は、三菱油化（株）製  Ｌｏｔｅｓｔ  ＡＭＣＰ−Ｔ４００を用いた。【００６８】
（３）カラー（ａ値、ｂ値）
ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準拠し、色差計（日本電色工業製、ＺＥ−２０００）を用いて、標準の光Ｃ／２でカラーａ値、ｂ値を測定した。【００６９】
（４）分光透過率のピーク波長
分光光度計（日立Ｕ−３５００型）を用いて、３８０〜７８０ｎｍの範囲で透明導電性薄膜側に光が照射するようにして、室内の空気を透過率の参照として測定した。測定結果より透過率が最大値となる波長をピーク波長とした。【００７０】
（５）高屈折率層、透明導電性薄膜の結晶性
高屈折率層、透明導電性薄膜を積層したフィルム試料片を３００μｍ×３００μｍの正方形に切り出し、ウルトラミクロトームの試料ホルダに、薄膜面を手前にして固定した。次いで、１μｍ×１μｍ以上の目的観察部位を持つ切片を得られる程度にナイフをフィルム面に対して極めて鋭角に設置し、設定厚み７０ｎｍで切削した。
この切片の導電性薄膜表面側でかつ薄膜の著しい損傷がない部位において、１μｍ×１μｍの観察視野を確保し、透過型電子顕微鏡（ＪＥＯＬ社製、ＪＥＭ−２０１０）を用い、加速電圧２００ｋＶ、明視野で観察倍率５万倍にて写真撮影を行って結晶性を評価した。【００７１】
（６）額縁近傍でのペン摺動耐久性試験
タッチパネルの貼合部の内側から１．５ｍｍ離れた位置をポリアセタール製のペン（先端の形状：０．８ｍｍＲ）に２．５Ｎの荷重をかけ、１万回（往復５０００回）の直線摺動試験をタッチパネルに行った。この時の摺動距離は３０ｍｍ、摺動速度は６０ｍｍ／秒とした。さらに、タッチパネルの上下基板のギャップは１５０μｍであった。この摺動耐久性試験後に、まず、摺動部が白化しているかを目視によって観察した。また、摺動部位近辺を顕微鏡にて観察し、クラックの発生がないか観察した。さらに、ペン荷重１．０Ｎで摺動部を押さえた際の、ＯＮ抵抗（可動電極（フィルム電極）と固定電極とが接触した時の抵抗値）を測定した。【００７２】
（７）ペン摺動耐久性試験
ポリアセタール製のペン（先端の形状：０．８ｍｍＲ）に２．５Ｎの荷重をかけ、１０万回（往復５万回）の直線摺動試験をタッチパネルに行った。この時の摺動距離は３０ｍｍ、摺動速度は６０ｍｍ／秒とした。この摺動耐久性試験後に、まず、摺動部が白化しているかを目視によって観察した。さらに、ペン荷重０．５Ｎで上記の摺動部にかかるように２０ｍｍφの記号○印を筆記し、タッチパネルがこれを正確に読みとれるかを評価した。さらに、ペン荷重０．５Ｎで摺動部を押さえた際の、ＯＮ抵抗（可動電極（フィルム電極）と固定電極とが接触した時の抵抗値）を測定した。【００７３】
（８）高温・高湿下での環境試験
透明導電性フィルムを、（株）ナガノ科学機械製作所製のＬＨ４３−１２Ｐを用いて８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で１０００時間暴露した。この処理後に表面抵抗値、光線透過率、カラーを測定した。【００７４】
（９）高屈折率層、低屈折率層、透明導電性薄膜層の膜厚
高屈折率層、低屈折率層、透明導電性薄膜層を積層したフィルム試料片を１ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切り出し、電子顕微鏡用エポキシ樹脂に包埋した。これをウルトラミクロトームの試料ホルダに固定し、包埋した試料片の短辺に平行な断面薄切片を作製した。次いで、この切片の薄膜の著しい損傷がない部位において、透過型電子顕微鏡（ＪＥＯＬ社製、ＪＥＭ−２０１０）を用い、加速電圧２００ｋＶ、明視野で観察倍率１万倍にて写真撮影を行って得られた写真から膜厚を求めた。【００７５】
（１０）高屈折率層、低屈折率層、透明導電性薄膜層の屈折率
シリコンウェハー上に各層をそれぞれ同成膜条件にて作製した試料について分光エリプソメーター（大塚電子株式会社製、ＦＥ−５０００）を用いて５５０ｎｍの屈折率を評価した。また、各層を設けたフィルムの分光透過率測定データに対して光学シミュレーションソフトを用いてフィッティングを行い、屈折率を算出した。この際、各層の膜厚は前記膜厚評価方法により評価した値を用いた。さらにこのように算出した各層の屈折率がシリコンウェハー上の各層の屈折率と大差ないことを確認した。【００７６】
〔実施例１〕
光重合開始剤含有アクリル系樹脂（大日精化工業社製、セイカビームＥＸＦ−０１Ｊ）１００質量部に、溶剤としてトルエン／ＭＥＫ（８０／２０：質量比）の混合溶媒を、固形分濃度が５０質量％になるように加え、撹拌して均一に溶解し塗布液を調製した。【００７７】
両面に易接着層を有する二軸配向透明ＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、Ａ４３４０、厚み１８８μｍ）に、塗膜の厚みが５μｍになるように、調製した塗布液を、マイヤーバーを用いて塗布した。８０℃で１分間乾燥を行った後、紫外線照射装置（アイグラフィックス社製、ＵＢ０４２−５ＡＭ−Ｗ型）を用いて紫外線を照射（光量：３００ｍＪ／ｃｍ２）し、塗膜を硬化させた。次いで、反対面についても同様に塗膜を設けた後、１８０℃で１分間の加熱処理を施して、揮発成分の低減を行った。【００７８】
また、この硬化物層を積層した二軸配向透明ＰＥＴフィルムを真空暴露するために、真空チェンバー中で巻き返し処理を行った。このときの圧力は０．００２Ｐａであり、暴露時間は２０分とした。また、センターロールの温度は４０℃とした。【００７９】
次に、この硬化物層上にインジウム−スズ複合酸化物からなる高屈折率層を成膜した。このとき、スパッタリング前の圧力を０．０００１Ｐａとし、ターゲットとして酸化スズを３６質量％含有した酸化インジウム（住友金属鉱山社製、密度６．９ｇ／ｃｍ３）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加した。また、Ａｒガスを１３０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを表面抵抗値が最小となるＯ２流量の３倍の流速で流し、０．４Ｐａの雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ただし、通常のＤＣではなく、アーク放電を防止するために、日本イーエヌアイ製ＲＰＧ−１００を用いて５μｓ幅のパルスを５０ｋＨｚ周期で印加した。また、センターロール温度は０℃として、スパッタリングを行った。【００８０】
また、雰囲気の酸素分圧をスパッタプロセスモニター（ＬＥＹＢＯＬＤ  ＩＮＦＩＣＯＮ社製、ＸＰＲ２）にて常時観測しながら、インジウム−スズ複合酸化物薄膜中の酸化度が一定になるように酸素ガスの流量計及びＤＣ電源にフィートバックした。以上のようにして、厚さ４５ｎｍのインジウム−スズ複合酸化物からなる高屈折率層を堆積させた。このようにして得られた高屈折率層の表面抵抗値は１×１０６Ω／□以上であった。【００８１】
さらに前記高屈折層上に低屈折率層としてＳｉＯ２薄膜を形成するには、シリコンをターゲットに用いて、直流マグネトロンスパッタリング法で、真空度を０．２７Ｐａ、ガスとしてＡｒガスを５００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを８０ｓｃｃｍの流速で流した。また、基板の背面には０℃の冷却ロールを設けて、透明プラスチックフィルムを冷却した。このときのターゲットには７．８Ｗ／ｃｍ２の電力を供給し、ダイナミックレートは２３ｎｍ・ｍ／分であった。【００８２】
また、成膜中の電圧値を常時観測しながら、電圧値が一定となるように酸素ガスの流量計にフィートバックした。以上のようにして、厚さ５５ｎｍ、屈折率１．４６の低屈折率層を堆積させた。【００８３】
次に、この低屈折率層上にインジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜を成膜した。このとき、スパッタリング前の圧力を０．０００１Ｐａとし、ターゲットとして酸化スズを３６質量％含有した酸化インジウム（住友金属鉱山社製、密度６．９ｇ／ｃｍ３）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加した。また、Ａｒガスを１３０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを表面抵抗値が最小となる流速で流し、０．４Ｐａの雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ただし、通常のＤＣではなく、アーク放電を防止するために、日本イーエヌアイ製ＲＰＧ−１００を用いて５μｓ幅のパルスを５０ｋＨｚ周期で印加した。また、センターロール温度は１０℃として、スパッタリングを行った。【００８４】
また、雰囲気の酸素分圧をスパッタプロセスモニター（ＬＥＹＢＯＬＤ  ＩＮＦＩＣＯＮ社製、ＸＰＲ２）にて常時観測しながら、インジウム−スズ複合酸化物薄膜中の酸化度が一定になるように酸素ガスの流量計及びＤＣ電源にフィートバックした。以上のようにして、厚さ１５ｎｍ、屈折率１．９６のインジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜を堆積させた。【００８５】
＜タッチパネルの作製＞
この透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法で厚みが２０ｎｍのインジウム−スズ複合酸化物薄膜（酸化スズ含有量：１０質量％）からなる透明導電性薄膜（日本曹達社製、Ｓ５００）を用いた。この２枚のパネル板を透明導電性薄膜が対向するように、直径３０μｍのエポキシビーズを介して、配置しタッチパネルを作製した。【００８６】
〔実施例２〕
実施例１において高屈折率層を作製するターゲットとして酸化スズを１０質量％含有した酸化インジウム（住友金属鉱山社製、密度７．１ｇ／ｃｍ３）とし、Ｏ２ガス流量を表面抵抗値が最小となる流量の５倍とした以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。得られた高屈折率層の表面抵抗値は１×１０６Ω／□以上であった。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。なお、不活性ガスに対する水分圧の比は５×１０−３であった。【００８７】
〔比較例１〕
実施例１において高屈折率層を作製するターゲットとして酸化スズを５質量％含有した酸化インジウム（三井金属鉱業社製、密度７．１ｇ／ｃｍ３）とした以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【００８８】
〔比較例２〕
実施例１において低屈折率層の膜厚を７０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【００８９】
〔比較例３〕
実施例１において低屈折率層の膜厚を４０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【００９０】
〔実施例３〕
実施例１と同様にしてハードコート層／二軸配向透明ＰＥＴフィルムからなる基材／硬化物層／高屈折率層／低屈折率層／透明導電性薄膜層からなる積層体を作製し、次いで、このハードコート層上に順次ＴｉＯ２薄膜層（屈折率：２．３０、膜厚１５ｎｍ）、ＳｉＯ２薄膜層（屈折率：１．４６、膜厚２９ｎｍ）、ＴｉＯ２薄膜層（屈折率：２．３０、膜厚１０９ｎｍ）、ＳｉＯ２薄膜層（屈折率：１．４６、膜厚８７ｎｍ）を積層することで反射防止処理層を形成した。ＴｉＯ２薄膜層を形成するには、チタンをターゲットに用いて、直流マグネトロンスパッタリング法で、真空度を０．２７Ｐａとし、ガスとしてＡｒガスを５００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを８０ｓｃｃｍの流速で流した。また、基板の背面には表面温度が０℃の冷却ロールを設けて、透明プラスチックフィルムを冷却した。このときのターゲットには７．８Ｗ／ｃｍ２の電力を供給し、ダイナミックレートは２３ｎｍ・ｍ／分であった。【００９１】
ＳｉＯ２薄膜を形成するには、シリコンをターゲットに用いて、直流マグネトロンスパッタリング法で、真空度を０．２７Ｐａ、ガスとしてＡｒガスを５００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを８０ｓｃｃｍの流速で流した。また、基板の背面には０℃の冷却ロールを設けて、透明プラスチックフィルムを冷却した。このときのターゲットには７．８Ｗ／ｃｍ２の電力を供給し、ダイナミックレートは２３ｎｍ・ｍ／分であった。さらに、この透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【００９２】
〔実施例４〕
実施例１と同様にして作製した透明導電性フィルムを、アクリル系粘着剤を介して、厚みが１．０ｍｍのポリカーボネート製のシートに貼り付けて、透明導電性積層シートを作製した。この透明導電性積層シートを固定電極として用い、実施例１の透明導電性フィルムを可動電極に用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【００９３】
〔実施例５〕
実施例１において低屈折率層としてフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）からなる薄膜を成膜した以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを形成した。
このとき、スパッタリング前の圧力を０．０００１Ｐａとし、ターゲットとしてフッ化マグネシウム（三井金属製）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２の１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加しマグネトロンスパッタリング法で、真空度を０．２７Ｐａ、ガスとしてＡｒガスを５００ｓｃｃｍの流速で流し成膜を行った。また、成膜中の電圧値を常時観測しながら、電圧値が一定となるように酸素ガスの流量計にフィートバックした。以上のようにして、厚さ６０ｎｍ、屈折率１．３６の低屈折率層を堆積させた。
さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【００９４】
〔実施例６〕
実施例１において硬化物層上に低屈折率層としてアルミニウムーシリコン複合酸化物（Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）からなる薄膜を成膜した以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを形成した。
このとき、スパッタリング前の圧力を０．０００１Ｐａとし、ターゲットとしてＡｌ−Ｓｉ（５０：５０ｗｔ％）（三井金属製）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加しマグネトロンスパッタリング法で、真空度を０．２７Ｐａ、ガスとしてＡｒガスを５００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを８０ｓｃｃｍの流速で流し成膜を行った。また、成膜中の電圧値を常時観測しながら、電圧値が一定となるように酸素ガスの流量計にフィートバックした。以上のようにして、厚さ５０ｎｍ、屈折率１．５５の低屈折率層を堆積させた。
さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【００９５】
〔実施例７〕
実施例１において高屈折率層を作製するターゲットとして酸化スズを２０質量％含有した酸化インジウム（住友金属鉱山社製、密度７．０ｇ／ｃｍ３）とし、Ｏ２ガス流量を表面抵抗値が最小となる流量の４倍とした以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。得られた高屈折率層の表面抵抗値は１×１０６Ω／□以上であった。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【００９６】
〔実施例８〕
実施例１においてガリウムをドープした酸化亜鉛薄膜を透明導電性薄膜に用いた以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。ターゲットとして酸化ガリウムを５質量％含有した酸化亜鉛（東ソー社製）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加した。また、Ａｒガスを１３０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを表面抵抗値が最小となる流速で流し、０．４Ｐａの雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜し、厚さ１４ｎｍ、屈折率２．０５の透明導電性薄膜を得た。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【００９７】
〔実施例９〕
高屈折率層の厚みを４０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。【００９８】
〔実施例１０〕
低屈折率層の厚みを５０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。【００９９】
〔実施例１１〕
透明導電性薄膜の厚みを１０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。【０１００】
〔実施例１２〕
透明導電性薄膜の厚みを２２ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。【０１０１】
〔実施例１３〕
実施例１において高屈折率層を作製するターゲットとして酸化スズを５５質量％含有した酸化インジウム（住友金属鉱山社製、密度６．７ｇ／ｃｍ３）とし、Ｏ２ガス流量を表面抵抗値が最小となる流量の２．５倍とした以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。得られた高屈折率層の表面抵抗値は１×１０６Ω／□以上であった。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【０１０２】
〔比較例４〕
実施例１において低屈折率層としてジルコニア−シリコン複合酸化物（ＺｒＯ２−ＳｉＯ２）からなる薄膜を成膜した以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを形成した。
このとき、スパッタリング前の圧力を０．０００１Ｐａとし、ターゲットとしてＺｒＳｉ２（三井金属製）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加し直流マグネトロンスパッタリング法で、真空度を０．２７Ｐａ、ガスとしてＡｒガスを５００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを８０ｓｃｃｍの流速で流し成膜を行った。また、成膜中の電圧値を常時観測しながら、電圧値が一定となるように酸素ガスの流量計にフィートバックした。以上のようにして、厚さ４５ｎｍ、屈折率１．７５の低屈折率層を堆積させた。【０１０３】
〔比較例５〕
実施例２において、製膜前の巻き返し時の圧力をさらに１桁向上させて０．０００２Ｐａとした以外は、実施例２と同様にして透明導電性フィルムを作製した。この時の不活性ガスに対する水分圧の比は１×１０−３であった。さらにこの透明導電性フィルムを用いて実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【０１０４】
〔比較例６〕
実施例１において高屈折率層を作製するターゲットとして酸化スズを７５質量％含有した酸化インジウム（住友金属鉱山社製、密度５．８ｇ／ｃｍ３）とし、Ｏ２ガス流量を表面抵抗値が最小となる流量の２倍とした。しかしながら、スパッタリング中に異常放電が多発し、高屈折率層を成膜することが出来なかった。【０１０５】
〔比較例７〕
実施例１においてチタンおよびスズをドープした酸化インジウム薄膜を透明導電性薄膜に用いた以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。ターゲットとして酸化インジウム：酸化スズ：酸化チタン＝６０：１０：３０重量％（住友金属鉱山社製）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加した。また、Ａｒガスを１３０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを表面抵抗値が最小となる流速で流し、０．４Ｐａの雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜し、厚さ１５ｎｍ、屈折率２．２５の透明導電性薄膜を得た。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【０１０６】
〔比較例８〕
実施例１においてシリコンおよびスズをドープした酸化インジウム薄膜を透明導電性薄膜に用いた以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。ターゲットとして酸化インジウム：酸化スズ：酸化シリコン＝６０：１０：３０重量％（住友金属鉱山社製）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加した。また、Ａｒガスを１３０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを表面抵抗値が最小となる流速で流し、０．４Ｐａの雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜し、厚さ１８ｎｍ、屈折率１．７５の透明導電性薄膜を得た。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。【０１０７】
〔比較例９〕
高屈折率層の厚みを３０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。【０１０８】
〔比較例１０〕
高屈折率層の厚みを６０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。【０１０９】
〔比較例１１〕
透明導電性薄膜の厚みを３０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。【０１１０】
【表１】
2011048647.tif 000003
【０１１１】
【表２】
2011048647.tif 000004
【０１１２】
表１、２の結果より、本願発明の範囲を満足する実施例１〜１３記載の透明導電性フィルム又は透明導電性シートを用いたタッチパネルは、視認性に優れ、かつ額縁近傍においてポリアセタール製ペン（先端形状：０．８ｍｍＲ）に２．５Ｎの荷重をかけ１万回の摺動試験を行った後でも剥離やクラックの発生もなく、ＯＮ抵抗にも異常がなかった。【０１１３】
一方、高屈折率層が結晶質な比較例１に記載の透明導電性フィルム又は透明導電性シートを用いたタッチパネルは、額縁近傍でポリアセタール製ペン（先端形状：０．８ｍｍＲ）に２．５Ｎの荷重をかけ１万回の摺動試験を行った後にＯＮ抵抗に異常が生じた。さらに、顕微鏡でペン摺動部分を評価すると、透明導電性薄膜の剥離やクラックがみられた。透明導電性薄膜が結晶質である比較例５も同様である。
また、低屈折率層または高屈折率層または透明導電性薄膜の膜厚が厚い〔比較例２、１０、１１〕は全光線透過率が本願発明の範囲外であり透明性が悪く、低屈折率層または高屈折率層の膜厚が薄い〔比較例３、９〕はカラーｂ値が本願発明の範囲外であり色彩が悪く、これらの透明導電性フィルムを用いたタッチパネルは視認性が劣るものであった。比較例４、比較例７は低屈折率層または透明導電性薄膜の屈折率が高いためカラーｂ値が本願発明の範囲外であり色彩が悪い。
比較例７、８は表面抵抗が高すぎ、タッチパネル用途に適さない。さらに比較例６は酸化インジウムに対する酸化スズの割合が多すぎて異常放電が多く、スパッタリング中の異常放電が多く、成膜を行うことが出来なかった。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
本発明の透明導電性フィルム又は透明導電性シートは、高精細な液晶ディスプレイ等の表示体の前面に配置されるタッチパネルに用いた際に、視認性に優れるとともに、タッチパネルの額縁近傍でも剥離、クラック等を生じることがなく、ペン摺動耐久性に優れており、かつ位置検出精度や表示品位にも優れているため、タッチパネルの狭額縁化に対応でき、携帯情報端末やデジタルビデオカメラ、デジタルカメラなどに用いられる、記録媒体の小型化と表示ディスプレイの大画面化が強く要求されるタッチパネルとして特に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明の透明導電性フィルムを用いた、タッチパネルの説明図である。
【図２】本発明の透明導電性フィルムを用いた、ガラス基板を使用しないタッチパネルの説明図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１０：透明導電性フィルム
１１：透明プラスチックフィルム（基材）
１２：硬化物層
１３：高屈折率層
１４：低屈折率層
１５：透明導電性薄膜層
１６：ハードコート層
２０：ビーズ
３０：ガラス板
４０：透明導電性シート
４１：粘着剤
４２：透明樹脂シート
【図１】
2011048647.tif 000005
【図２】
2011048647.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明プラスチックフィルムからなる基材上に、高屈折率層、低屈折率層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した透明導電性フィルムであって、高屈折率層は酸化スズの含有率が２０〜６０質量％である非晶質なインジウム−スズ複合酸化物からなる無機薄膜であり、低屈折率層は屈折率が１．３０〜１．６０の無機薄膜からなり、透明導電性薄膜層は屈折率が１．８０〜２．２０の無機薄膜よりなり、かつ透明導電性フィルムの分光透過率のピークが４５０〜５３０ｎｍに存在し、かつ全光線透過率が９０％以上、カラーｂ値が−２〜２であることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項２】
前記透明プラスチックフィルムからなる基材の透明導電性薄膜層が積層された面の反対面に低反射処理を施したことを特徴とする請求項１記載の透明導電性フィルム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の透明導電性フィルムの透明導電性薄膜層が積層された面の反対面に、粘着剤を介して透明樹脂シートが貼り合わされていることを特徴とする透明導電性シート。
【請求項４】
透明導電性薄膜層を有する一対のパネル板を透明導電性薄膜層が対向するようにスペーサーを介して配置してなるタッチパネルであって、少なくとも一方のパネル板が請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電性フィルムもしくは透明導電性シートからなることを特徴とするタッチパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記のような状況に鑑みなされたものであって、上記の課題を解決することができた透明導電性フィルム、及びタッチパネルとは、以下の構成よりなる。
１．  透明プラスチックフィルムからなる基材上に、高屈折率層、低屈折率層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した透明導電性フィルムであって、高屈折率層は酸化スズの含有率が２０〜６０質量％である非晶質なインジウム−スズ複合酸化物からなる無機薄膜であり、低屈折率層は屈折率が１．３０〜１．６０の無機薄膜からなり、透明導電性薄膜層は屈折率が１．８０〜２．２０の無機薄膜よりなり、かつ透明導電性フィルムの分光透過率のピークが４５０〜５３０ｎｍに存在し、かつ全光線透過率が９０％以上、カラーｂ値が−２〜２であることを特徴とする透明導電性フィルム。
２．  前記透明プラスチックフィルムからなる基材の透明導電性薄膜層が積層された面の反対面に低反射処理を施したことを特徴とする前記１．記載の透明導電性フィルム。
３．  前記１．又は２．に記載の透明導電性フィルムの透明導電性薄膜層が積層された面の反対面に、粘着剤を介して透明樹脂シートが貼り合わされていることを特徴とする透明導電性シート。
４．  透明導電性薄膜層を有する一対のパネル板を透明導電性薄膜層が対向するようにスペーサーを介して配置してなるタッチパネルであって、少なくとも一方のパネル板が前記１．〜３．のいずれかに記載の透明導電性フィルムもしくは透明導電性シートからなることを特徴とするタッチパネル。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
〔参考例１〕
実施例１において高屈折率層を作製するターゲットとして酸化スズを１０質量％含有した酸化インジウム（住友金属鉱山社製、密度７．１ｇ／ｃｍ３）とし、Ｏ２ガス流量を表面抵抗値が最小となる流量の５倍とした以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。得られた高屈折率層の表面抵抗値は１×１０６Ω／□以上であった。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。なお、不活性ガスに対する水分圧の比は５×１０−３であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
〔実施例２〕
実施例１と同様にしてハードコート層／二軸配向透明ＰＥＴフィルムからなる基材／硬化物層／高屈折率層／低屈折率層／透明導電性薄膜層からなる積層体を作製し、次いで、このハードコート層上に順次ＴｉＯ２薄膜層（屈折率：２．３０、膜厚１５ｎｍ）、ＳｉＯ２薄膜層（屈折率：１．４６、膜厚２９ｎｍ）、ＴｉＯ２薄膜層（屈折率：２．３０、膜厚１０９ｎｍ）、ＳｉＯ２薄膜層（屈折率：１．４６、膜厚８７ｎｍ）を積層することで反射防止処理層を形成した。ＴｉＯ２薄膜層を形成するには、チタンをターゲットに用いて、直流マグネトロンスパッタリング法で、真空度を０．２７Ｐａとし、ガスとしてＡｒガスを５００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを８０ｓｃｃｍの流速で流した。また、基板の背面には表面温度が０℃の冷却ロールを設けて、透明プラスチックフィルムを冷却した。このときのターゲットには７．８Ｗ／ｃｍ２の電力を供給し、ダイナミックレートは２３ｎｍ・ｍ／分であった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
〔実施例３〕
実施例１と同様にして作製した透明導電性フィルムを、アクリル系粘着剤を介して、厚みが１．０ｍｍのポリカーボネート製のシートに貼り付けて、透明導電性積層シートを作製した。この透明導電性積層シートを固定電極として用い、実施例１の透明導電性フィルムを可動電極に用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
〔実施例４〕
実施例１において低屈折率層としてフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）からなる薄膜を成膜した以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを形成した。
このとき、スパッタリング前の圧力を０．０００１Ｐａとし、ターゲットとしてフッ化マグネシウム（三井金属製）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２の１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加しマグネトロンスパッタリング法で、真空度を０．２７Ｐａ、ガスとしてＡｒガスを５００ｓｃｃｍの流速で流し成膜を行った。また、成膜中の電圧値を常時観測しながら、電圧値が一定となるように酸素ガスの流量計にフィートバックした。以上のようにして、厚さ６０ｎｍ、屈折率１．３６の低屈折率層を堆積させた。
さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
〔実施例５〕
実施例１において硬化物層上に低屈折率層としてアルミニウムーシリコン複合酸化物（Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）からなる薄膜を成膜した以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを形成した。
このとき、スパッタリング前の圧力を０．０００１Ｐａとし、ターゲットとしてＡｌ−Ｓｉ（５０：５０ｗｔ％）（三井金属製）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加しマグネトロンスパッタリング法で、真空度を０．２７Ｐａ、ガスとしてＡｒガスを５００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを８０ｓｃｃｍの流速で流し成膜を行った。また、成膜中の電圧値を常時観測しながら、電圧値が一定となるように酸素ガスの流量計にフィートバックした。以上のようにして、厚さ５０ｎｍ、屈折率１．５５の低屈折率層を堆積させた。
さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
〔実施例６〕
実施例１において高屈折率層を作製するターゲットとして酸化スズを２０質量％含有した酸化インジウム（住友金属鉱山社製、密度７．０ｇ／ｃｍ３）とし、Ｏ２ガス流量を表面抵抗値が最小となる流量の４倍とした以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。得られた高屈折率層の表面抵抗値は１×１０６Ω／□以上であった。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
〔実施例７〕
実施例１においてガリウムをドープした酸化亜鉛薄膜を透明導電性薄膜に用いた以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。ターゲットとして酸化ガリウムを５質量％含有した酸化亜鉛（東ソー社製）に用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加した。また、Ａｒガスを１３０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを表面抵抗値が最小となる流速で流し、０．４Ｐａの雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜し、厚さ１４ｎｍ、屈折率２．０５の透明導電性薄膜を得た。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
〔実施例８〕
高屈折率層の厚みを４０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
〔実施例９〕
低屈折率層の厚みを５０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
〔実施例１０〕
透明導電性薄膜の厚みを１０ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
〔実施例１１〕
透明導電性薄膜の厚みを２２ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、透明導電性フィルムおよびタッチパネルを作製した。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
〔実施例１２〕
実施例１において高屈折率層を作製するターゲットとして酸化スズを５５質量％含有した酸化インジウム（住友金属鉱山社製、密度６．７ｇ／ｃｍ３）とし、Ｏ２ガス流量を表面抵抗値が最小となる流量の２．５倍とした以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。得られた高屈折率層の表面抵抗値は１×１０６Ω／□以上であった。さらに、この透明導電性フィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
〔比較例５〕
参考例１において、製膜前の巻き返し時の圧力をさらに１桁向上させて０．０００２Ｐａとした以外は、参考例１と同様にして透明導電性フィルムを作製した。この時の不活性ガスに対する水分圧の比は１×１０−３であった。さらにこの透明導電性フィルムを用いて実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
【表１】
2011048647.tif 000007
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
【表２】
2011048647.tif 000008
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
表１、２の結果より、本願発明の範囲を満足する実施例１〜１２及び参考例１記載の透明導電性フィルム又は透明導電性シートを用いたタッチパネルは、視認性に優れ、かつ額縁近傍においてポリアセタール製ペン（先端形状：０．８ｍｍＲ）に２．５Ｎの荷重をかけ１万回の摺動試験を行った後でも剥離やクラックの発生もなく、ＯＮ抵抗にも異常がなかった。
【国際調査報告】
2011048647.tif 000009
2011048647.tif 000010
2011048647.tif 000011
2011048647.tif 000012