(57)【要約】  配線基板（１００）は、Ｄ層（１４０）に間隙（１４７）を隔てて配される電源プレーン（１４１、１４３）と、電源プレーン（１４１、１４３）の少なくとも一つと、電子素子（１８１）とを電気的に接続する接続部材（１８２、１８３、１８４）と、繰り返し配列されることによって、間隙（１４７）の少なくとも一部と接続部材（１８２、１８３、１８４）とを包含する第１の領域を囲う複数の導体エレメント（１２１）と、Ａ層（１１０）またはＧ層（１７０）に位置し、第１の領域に対向する領域と導体エレメント（１２１）と対向する領域とを包含する第２の領域または第３の領域に延在しているグラウンドプレーン（１１１、１７１）と、を備える。
2011111314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層に間隙を隔てて配される複数の第１導体と、
複数の前記第１導体の少なくとも一つと電子素子とを電気的に接続する第１接続部材と、
前記間隙の少なくとも一部と、前記第１接続部材と前記第１導体との接続点の少なくとも一部と、を包含する第１の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第１導体と対向し設けられた複数の第２導体と、
第２の層に位置し、前記第１の領域および前記第２導体と対向する領域を包含する第２の領域に延在している第３導体と、
前記第２の層に前記第１の層を介して対向している第３の層に位置し、前記第１の領域および前記第２導体と対向する領域を包含する第３の領域に延在している第４導体と、
を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記第１接続部材は複数であり、かつ前記第１接続部材の少なくとも一部が異なる前記第１導体と接続し、
前記第１の領域は、異なる前記第１導体に存在する前記接続点のそれぞれを包含していることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線基板であって、
前記第２導体に接続している第２接続部材を備え、
前記第２接続部材は、さらに前記第１導体に接続している、または前記第３導体もしくは前記第４導体の少なくとも一方と接続していることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項３に記載の配線基板であって、
前記第２導体は、前記第１の層と前記第２の層との中間層、または前記第１の層と前記第３の層との中間層のうち少なくとも一方に配列されることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板であって、
前記第２接続部材は、前記第３導体と前記第４導体とに接続しており、かつ前記第１導体に設けられた開口を通過しており、
前記第２導体は、前記第１導体に対向し、対向している前記第１導体に設けられた前記開口を通過している前記第２接続部材と電気的に接続され、
前記第２導体が形成された層の数が、前記第１層の数と等しいことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項４または５に記載の配線基板であって、
前記第３導体または前記第４導体は、前記第２導体と対向する領域が無孔であることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項３に記載の配線基板であって、
前記第２導体は、前記第２の層を介して前記第１の層と対向する位置、または前記第３の層を介して前記第１の層と対向する位置の少なくとも一方に配列されることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項７に記載の配線基板であって、
前記第２接続部材は、前記第１導体に接続しており、かつ前記第３導体または前記第４導体に設けられた開口を通過しており、
前記第２導体は、前記第３導体または前記第４導体に対向し、対向している前記第３導体または前記第４導体に設けられた前記開口を通過している前記第２接続部材と電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１または２に記載の配線基板であって、
前記第２導体は、前記第２の層または前記第３の層の少なくとも一方に配列されることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の配線基板であって、
前記第２導体は、前記第３導体または前記第４導体が有する開口の中に形成される島状の導体であり、かつ当該第２導体は、前記第３導体または前記第４導体とインダクタによって接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項９に記載の配線基板であって、
前記第２導体は、前記第３導体または前記第４導体が有する開口の中に位置し、一端は前記開口の淵に電気的に接続され、他端は当該開口の淵と非接続のオープン端である伝送線路であり、
かつ前記第２導体は、前記第１導体上の無孔の領域と対向することを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
請求項９乃至１１いずれかに記載の配線基板であって、
前記第１の層は複数の層であり、
前記第２導体は、さらに複数の前記第１の層の少なくとも一つに形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１３】
請求項１乃至１２いずれかに記載の配線基板であって、
前記第１導体は電源プレーンであり、前記第３導体と前記第４導体とはグランドプレーンであり、
複数の前記第１導体のうち、一の第１導体と他の第１導体とが異なる電位を与えられることを特徴とする配線基板。
【請求項１４】
請求項１乃至１３いずれかに記載の配線基板であって、
前記第２導体が配列された層に、さらに信号線が配列されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１５】
請求項１乃至１４いずれかに記載の配線基板であって、
前記第２の層と前記第３の層との中間層に、前記電子素子が実装されている実装領域を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項１６】
請求項１乃至１５いずれかに記載の配線基板であって、
表面層に位置し、前記電子素子が実装されている実装領域と、
前記表面層に設置され、前記実装領域を覆っているメタルキャップとを備えることを特徴とする配線基板。
【請求項１７】
請求項１乃至１６いずれかに記載の配線基板であって、
前記第１導体と前記第２導体と前記第３導体と前記第４導体とは、電磁バンドギャップ構造の少なくとも一部を構成し、
かつ前記電磁バンドギャップ構造は、前記電子素子が発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含むことを特徴とする配線基板。
【請求項１８】
第１の層に間隙を隔てて配される複数の第１導体と、
複数の前記第１導体の少なくとも一つに電気的に接続される電子素子と、
前記間隙の少なくとも一部と、前記第１導体上の前記電子素子との接続点の少なくとも一部と、を包含する第１の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第１導体と対向し設けられた複数の第２導体と、
第２の層に位置し、前記第１の領域および前記第２導体と対向する領域を包含する第２の領域に延在している第３導体と、
前記第２の層に前記第１の層を介して対向している第３の層に位置し、前記第１の領域および前記第２導体と対向する領域を包含する第３の領域に延在している第４導体と、
を備えることを特徴とする電子装置。
【請求項１９】
電子素子で発生したノイズが、第１の層に間隙を隔てて配される複数の第１導体のいずれかと、第２の層に延在している第３導体との中間、または前記複数の第１導体のいずれかと、前記第２の層に前記第１の層を介して対向している第３の層に延在している第４導体との中間の少なくとも一方を伝播し、前記間隙から他方に放射されたとき、
前記第３導体と前記第４導体とによって、放射された前記ノイズを遮蔽し、
さらに、前記間隙の少なくとも一部と、前記第１導体上の前記電子素子との接続点の少なくとも一部と、を包含する第１の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第１導体と対向し設けられた複数の第２導体のいずれかと、前記第３導体または前記第４導体とが対向する空間で、当該ノイズを遮蔽することを特徴とするノイズ遮蔽方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、電子装置およびノイズ遮蔽方法に関する。【０００２】
電子装置において、電子素子から発生したノイズが、電源・グランドプレーンからなる平行平板を一種の導波路として伝播することにより、他の電子素子や近接する無線回路等に悪影響を与えることがある。従って、電子装置においては、ノイズ対策を施すことが一般的であり、数多くの技術が開発されてきた。【０００３】
近年、特定の構造を有する導体パターンを周期的に配置すること（以下、メタマテリアルと記載）で電磁波の伝播特性を制御できることが明らかになっている。特に、特定の周波数帯域における電磁波伝播を抑制するように構成されるメタマテリアルを、電磁バンドギャップ構造（以下、ＥＢＧ構造と記載）と呼び、ＥＢＧ構造を用いたノイズ対策に注目が集まっている。【０００４】
この種の技術として、例えば特許文献１（米国特許第６２６２４９５号明細書）に記載の技術がある。特許文献１のＦＩＧ．２には、シート状の導体プレーンの上方に島状の導体エレメントを複数配置し、この島状の導体エレメントそれぞれをビアで導体プレーンに接続した構造、いわゆるマッシュルーム型のＥＢＧ構造が示されている。【０００５】
また、この種の技術として、特許文献２（特開２００６−２５３９２９号公報）に記載の技術がある。特許文献２の図４には、対向する二つの導体を接続することによって構成されるＥＢＧ構造が示されている。なお、この対向する二つ導体のうち、下段に形成される導体は、Ｂｒａｇｇ周波数で大きな反射係数を得ることができる導体パターンを施すことによって、インダクタンス成分を増大させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第６２６２４９５号明細書
【特許文献２】特開２００６−２５３９２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
多層基板を備える電子装置において、導体層に間隙を隔てて複数の導体が形成される場合、導体に電子素子を接続すると、導体を伝播したノイズが間隙から放射され、導体層とは異なる層または多層基板の外部にノイズが漏洩する。従って、導体層に対してＥＢＧ構造を構成しても、十分なノイズ対策を得ることができなかった。【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、複数に分割された導体を備え、当該導体の間隙から放射したノイズの漏洩を防ぐ配線基板、電子装置およびノイズ遮蔽方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、第１の層に間隙を隔てて配される複数の第１導体と、複数の前記第１導体の少なくとも一つと電子素子とを電気的に接続する第１接続部材と、前記間隙の少なくとも一部と、前記第１接続部材と前記第１導体との接続点の少なくとも一部と、を包含する第１の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第１導体と対向し設けられた複数の第２導体と、第２の層に位置し、前記第１の領域および前記第２導体と対向する領域を包含する第２の領域に延在している第３導体と、前記第２の層に前記第１の層を介して対向している第３の層に位置し、前記第１の領域および前記第２導体と対向する領域を包含する第３の領域に延在している第４導体と、を備えることを特徴とする配線基板が提供される。【００１０】
また、本発明によれば、第１の層に間隙を隔てて配される複数の第１導体と、複数の前記第１導体の少なくとも一つに電気的に接続される電子素子と、前記間隙の少なくとも一部と、前記第１導体上の前記電子素子との接続点の少なくとも一部と、を包含する第１の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第１導体と対向し設けられた複数の第２導体と、第２の層に位置し、前記第１の領域および前記第２導体と対向する領域を包含する第２の領域に延在している第３導体と、前記第２の層に前記第１の層を介して対向している第３の層に位置し、前記第１の領域および前記第２導体と対向する領域を包含する第３の領域に延在している第４導体と、を備えることを特徴とする電子装置が提供される。【００１１】
そして、本発明によれば、電子素子で発生したノイズが、第１の層に間隙を隔てて配される複数の第１導体のいずれかと、第２の層に延在している第３導体との中間、または前記複数の第１導体のいずれかと、前記第２の層に前記第１の層を介して対向している第３の層に延在している第４導体との中間の少なくとも一方を伝播し、前記間隙から他方に放射されたとき、前記第３導体と前記第４導体とによって、放射された前記ノイズを遮蔽し、さらに、前記間隙の少なくとも一部と、前記第１導体上の前記電子素子との接続点の少なくとも一部と、を包含する第１の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第１導体と対向し設けられた複数の第２導体のいずれかと、前記第３導体または前記第４導体とが対向する空間で、当該ノイズを遮蔽することを特徴とするノイズ遮蔽方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数に分割された導体を備え、当該導体の間隙から放射したノイズの漏洩を防ぐ配線基板、電子装置およびノイズ遮蔽方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図である。
【図２】第１の実施形態の配線基板のＤ層を示す図である。
【図３】第１の実施形態の配線基板のＢ層とＦ層を示す図である。
【図４】第１の実施形態の配線基板のＡ層とＧ層を示す図である。
【図５】第１の実施形態の配線基板のＣ層とＥ層を示す図である。
【図６】第１の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図７】第１の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図８】第１の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図９】第１の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図１０】第１の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図１１】第１の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図１２】第１の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図１３】第１の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図である。
【図１５】第２の実施形態の配線基板のＣ層とＥ層を示す図である。
【図１６】第２の実施形態の配線基板のＢ層とＤ層とＦ層を示す図である。
【図１７】第２の実施形態の配線基板のＡ層とＧ層を示す図である。
【図１８】第２の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図１９】第２の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図２０】第２の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図２１】第２の実施形態に用いられる導体エレメントや接続部材の形状や位置について例示する図である。
【図２２】本発明の第３の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図である。
【図２３】第３の実施形態に用いられる導体エレメントの形状を例示する図である。
【図２４】第３の実施形態に用いられる導体エレメントの形状を例示する図である。
【図２５】第３の実施形態に用いられる導体エレメントの形状を例示する図である。
【図２６】第３の実施形態に用いられる導体エレメントの形状を例示する図である。
【図２７】第３の実施形態に用いられる導体エレメントの形状を例示する図である。
【図２８】本発明の第４の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１５】
〔第１の実施形態〕
図１は、本発明の第１の実施形態に係る配線基板１００の上面図と断面図である。より詳細には、図１（Ａ）は配線基板１００の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）で示す断面線における配線基板１００の断面図である。配線基板１００は、互いに対向するＡ層１１０、Ｂ層１２０、Ｃ層１３０、Ｄ層１４０、Ｅ層１５０、Ｆ層１６０およびＧ層１７０を少なくとも備える多層基板である。なお、配線基板１００は、上述の７つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には誘電体層が位置してもよい。また、配線基板１００は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述の７つの層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。
【００１６】
なお、図１において、電子素子１８１は破線で示される。これは、電子素子１８１が未実装であることを意味している。すなわち、配線基板１００の表面には、電子素子１８１を実装する予定領域が定められており、電子素子１８１と電源プレーン１４１を接続する接続部材１８２と、電子素子１８１と電源プレーン１４２を接続する接続部材１８３と、電子素子１８１と電源プレーン１４３を接続する接続部材１８４と、を備える。さらに、配線基板１００は、電子素子１８１とグラウンドプレーン１１１を接続する接続部材１８５と、電子素子１８１とグラウンドプレーン１７１を接続する接続部材１８６と、を備える。そして、配線基板１００は、電子素子１８１と信号線１３１とを接続する接続部材１８７と、電子素子１８１と信号線１８８とを接続する接続部材１８８と、を備える。ここで、電子素子１８１はＬＳＩ等の素子を想定している。配線基板１００に実装される電子素子１８１の数は単一であっても、複数であってもよい。
【００１７】
また、図１（Ａ）において、導体エレメント１２１、１６１は最上層より下層に位置するので破線で示し、双方の位置が平面視で重なっているので、一つの四角形で導体エレメント１２１と導体エレメント１６１とを表すものとする。なお、導体エレメント１２１と導体エレメント１６１とは、必ずしも平面視で重なる位置に配列されなくてもよく、平面視で不一致な位置に配列されてもよい。また、導体エレメント１２１または導体エレメント１６１の形状は四角形に限らず、三角形や六角形等であってもよい。
【００１８】
本実施形態の配線基板１００において、電子素子１８１を実装する予定領域は、間隙１４７の一部と重なる領域に位置している。これは、電源プレーン１４１、１４２、１４３の各々から単一の電子素子１８１に電源供給することを想定した場合、電源プレーン１４１、１４２、１４３の各々への接続が比較的容易となるためである。しかし、電子素子１８１は、必ずしも間隙１４７と平面視で重なる領域に設ける必要はない。
【００１９】
図２は、配線基板１００のＤ層１４０を示す図である。Ｄ層１４０（第１の層）には、電源プレーン１４１、１４２、１４３（複数の第１導体）が間隙１４７を隔てて配される。間隙１４７は絶縁体が充填されているので、電源プレーン１４１、１４２、１４３は、互いに絶縁され、各々に異なる電位を与えることが可能となっている。ただし、必ずしも全て異なる電位を与える必要はなく、互いに等しい電位が与えられてもよい。
【００２０】
電源プレーン１４１は接続部材１８２と接続する接続点、電源プレーン１４２は接続部材１８３と接続する接続点、電源プレーン１４３は接続部材１８４と接続する接続点を有する。なお、本実施形態においては、図示する全ての電源プレーン１４１、１４２、１４３のそれぞれに、接続部材１８２、１８３、１８４との接続点を設けているが、必ずしも全てに設ける必要はない。すなわち、電源プレーン１４１、１４２、１４３の少なくとも一つに接続部材１８２、１８３、１８４との接続点を設ければよい。また、接続部材１８６はグラウンドプレーン１７１と接続するので、電源プレーン１４１に設けられた開口を通過し、電源プレーン１４１と絶縁されている。
【００２１】
図３は、配線基板１００のＢ層１２０とＦ層１６０を示す図である。Ｄ層１４０とＡ層１１０との中間層であるＢ層１２０には、複数の導体エレメント１２１（第２導体）が、間隙１４７の少なくとも一部と、接続部材１８２、１８３、１８４と電源プレーン１４１、１４２、１４３との接続点とを包含する第１の領域を囲うように繰り返し配列され、電源プレーン１４１（または１４２、１４３）と対向し設けられている。また、Ｄ層１４０とＧ層１７０との中間層であるＦ層１６０には、複数の導体エレメント１６１（第２導体）が、上記第１の領域を囲うように繰り返し配列され、電源プレーン１４１（または１４２、１４３）と対向し設けられている。より詳細には、上記第１の領域は、異なる電源プレーン１４１、１４２、１４３に存在する接続点のそれぞれを包含している。ここで、導体エレメント１２１、１３１は相互に間隔を隔てて配列される島状の導体である。なお、Ｂ層１２０における導体エレメント１２１が配列されていない領域、またはＦ層１６０における導体エレメント１６１が配列されていない領域は、絶縁体となっており、接続部材１８２、１８３、１８４、１８６等と絶縁されている。
【００２２】
ここで、上述した繰り返し配列されるとは、少なくとも三つ以上の導体エレメント１２１、１６１が間隔を隔てて連続的に配列されることを意味している。また、導体エレメント１２１、１６１が第１の領域を囲うように繰り返し配列されると説明したが、導体エレメント１２１、１６１は相互に間隔を隔てているので、厳密に第１の領域の平面方向の全部を囲っているわけではない。導体エレメント１２１同士の間隔において、また導体エレメント１６１同士の間隔において、十分に抑制対象の周波数帯域のノイズが抑制できる程度に、当該間隔が定められればよい。
【００２３】
また、導体エレメント１２１、１６１は、第１の領域の一部の方向についてノイズ伝播を抑制する必要がない場合については、当該方向に配列されなくてもよい。
【００２４】
導体エレメント１２１は、それぞれ電源プレーン１４１、１４２、１４３のいずれかに接続部材１２２によって接続されており、導体エレメント１６１は、それぞれ電源プレーン１４１、１４２、１４３のいずれかに接続部材１６２によって接続されている。なお、図１において、接続部材１２２と接続部材１６２とが、平面視で一致するように図示されているが、必ずしも一致する必要はない。また、ここでは接続部材１２２、１６２は、電源プレーン１４１、１４２、１４３のいずれかに接続している形態を説明するが、接続部材１２２、１６２が、グラウンドプレーン１１１、１７１の一方もしくは両方と接続する形態も存在する。このような形態については後述する。
【００２５】
なお、導体エレメント１２１、１６１は、必ずしも電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続される必要はなく、グラウンドプレーン１１１、１７１に接続されてもよいし、いずれに接続されなくてもよい。ただし、当然のことながら、電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続される導体エレメント１２１、１６１は、グラウンドプレーン１１１、１７１に接続されてはならない。
【００２６】
図４は、配線基板１００のＡ層１１０とＧ層１７０を示す図である。グラウンドプレーン１１１（第３導体）は、シート状の導体であって、Ｄ層１４０より上位層であるＡ層１１０（第２の層）に位置し、第１の領域に対向する領域と導体エレメント１２１と対向する領域とを包含する第２の領域に延在している。また、グラウンドプレーン１７１（第４導体）は、シート状の導体であって、Ｄ層１４０より下位層であるＧ層１７０（第３の層）に位置し、第１の領域に対向する領域と導体エレメント１６１と対向する領域とを包含する第３の領域に延在している。ここで、グラウンドプレーン１１１が延在している第２の領域と、グラウンドプレーン１７１が延在している第３の領域とは平面視で不一致であるように図示しているが、一致してもよい。
【００２７】
なお、グラウンドプレーン１１１またはグラウンドプレーン１７１は、接地等によって基準電位が与えられる。また、接続部材１８２、１８３、１８４は電源プレーン１４１、１４２、１４３と接続するので、グラウンドプレーン１１１に設けられた開口を通過し、グラウンドプレーン１１１と絶縁されている。さらに、Ａ層１１０においてグラウンドプレーン１１１が形成されていない領域、またはＧ層１７０においてグラウンドプレーン１７１が形成されていない領域は、絶縁体であってもよいし、導体であってもよいし、それらが混合していてもよい。
【００２８】
図５は、配線基板１００のＣ層１３０とＥ層１５０を示す図である。Ｃ層１３０とＥ層１５０とは、いわゆる配線層であって、それぞれ信号線１３１、信号線１５１が配列される。信号線１３１と信号線１５１の配列パターンは図示したパターンに限らず、接続部材１２２、１６２、１８２、１８３、１８４、１８５、１８６に電気的に接続しない範囲で配列されてよい。例えば、他の層の信号線に接続される信号線１３１、１５１が配列されてもよいし、電子素子１８１に接続される信号線１３１、１５１が配列されてもよい。なお、本実施形態において信号線１３１が配置されるＣ層１３０は、Ｂ層１２０とＤ層１４０の間に位置しているが、これに限らずＡ層１１０〜Ｇ層１７０の間のいずれに位置しても構わない。また、本実施形態において信号線１５１が配置されるＥ層１５０は、Ｄ層１４０とＦ層１６０の間に位置しているが、これに限らずＡ層１１０〜Ｇ層１７０の間のいずれに位置しても構わない。
【００２９】
配線基板１００は、グラウンドプレーン１１１および電源プレーン１４１（または１４２、１４３）からなる第１の平行平板と、グラウンドプレーン１７１および電源プレーン１４１（または１４２、１４３）からなる第２の平行平板の２つのノイズ伝播経路を考えることができる。上記のように構成することによって、導体エレメント１２１は、対向する電源プレーン１４１、１４２、１４３と、対向するグラウンドプレーン１１１と、接続部材１２２と共にＥＢＧ構造の単位セルを構成する。当該単位セルが繰り返し配列されたＥＢＧ構造によって、前記第１の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。また、導体エレメント１６１は、対向する電源プレーン１４１、１４２、１４３と、対向するグラウンドプレーン１７１と、接続部材１６２と共にＥＢＧ構造の単位セルを構成する。当該単位セルが周期的に配列されたＥＢＧ構造によって、前記第２の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。なお、上記のＥＢＧ構造の各々は、電子素子１８１によって発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含むことが望ましい。また、本実施形態の配線基板１００によって構成されるＥＢＧ構造の単位セルは、接続部材１２２または接続部材１６２を含む構造であるが、必ずしもこれに限らない。すなわち、配線基板１００は、グラウンドプレーン１１１と電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との中間層またはグラウンドプレーン１７１と電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との中間層に必ずしも接続部材を形成しなくてもよい。配線基板１００に適用可能な種々のＥＢＧ構造の単位セルについては、後述する。
【００３０】
ここで、単位セルとはＥＢＧ構造を構成する最小単位のことであって、配線基板１００は、繰り返し配列させた単位セルを備えることによって、前記第１の領域から外側に伝播するノイズを効果的に抑制し、第１の領域にノイズを閉じ込めることができる。
【００３１】
なお、導体エレメント１２１と電源プレーン１４１、１４２、１４３の間隔、導体エレメント１２１とグラウンドプレーン１１１の間隔、接続部材１２２、１６２の太さ、導体エレメント１２１の相互間隔および導体エレメント１６１の相互間隔などを調節することにより、抑制対象となる周波数帯域を所望の値に定めることができる。
【００３２】
また、繰り返し配列される単位セル、特に導体エレメント１２１、１６１や接続部材１２２、１６２の相互間隔は、それぞれ周期的であることが望ましい。なぜならば、単位セルが周期的に配置された場合は、ＥＢＧ構造中を伝播する電磁波が周期性に起因するＢｒａｇｇ反射を起こすため、より広帯域なノイズ伝播抑制効果が得られるからである。ただし、導体エレメント１２１の相互間隔と、導体エレメント１６１の相互間隔が必ずしも一致しなくてもよい。同様に、接続部材１２２の相互間隔と、接続部材１６２の相互間隔が必ずしも一致しなくてもよい。また当然、単位セルは周期的に配置される必要はなく、前記第１の領域を取り囲むように繰り返し配置されていれば、本発明の効果を得ることができる。
【００３３】
図１〜図５で図示した導体エレメント１２１、１６１や接続部材１２２、１６２の形状や位置は一例であり、ＥＢＧ構造を構成可能な範囲で多様な形態を採りうる。
【００３４】
図６〜図１３は、導体エレメント１２１、１６１や接続部材１２２、１６２の形状や位置について例示する図である。なお、図６〜図１３は、単一の導体エレメント１２１または単一の導体エレメント１６１に着目し、その周囲を拡大して図示している。図６〜図１３で例示する構造は、それぞれ単一または複数の単位セルを構成しており、配線基板１００は、これらの単位セルのいずれか、または複数の組み合わせを備えるものとする。
【００３５】
図６（Ａ）は、導体エレメント１２１、１６１の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント１２１、１６１は四角形であって、接続部材１２２、１６２に接続されている。
【００３６】
図６（Ｂ）〜（Ｈ）は、図６（Ａ）で図示した導体エレメント１２１、１６１の周囲における配線基板１００の断面図である。そのうち、図６（Ｂ）〜（Ｅ）は、接続部材１２２と接続部材１６２とが異なる部材で構成される例である。図６（Ｂ）では、接続部材１２２、１６２が電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続されており、図１〜図５を用いて説明した構成と同等である。図６（Ｃ）では、接続部材１２２がグラウンドプレーン１１１、接続部材１６２がグラウンドプレーン１７１に接続されている。図６（Ｄ）では、接続部材１２２が電源プレーン１４１、１４２、１４３、接続部材１６２がグラウンドプレーン１７１に接続されている。図６（Ｅ）では、導体エレメント１２１が形成されるＢ層１２０は、Ａ層１１０（第２の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。また、導体エレメント１６１が形成されるＦ層１６０は、Ｇ層１７０（第３の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。そして、接続部材１２２、１６２は電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続し、かつグラウンドプレーン１１１、１７１に設けられた開口を通過している。導体エレメント１２１、１６１とは、グラウンドプレーン１１１、１７１に対向し、当該開口を通過した接続部材１２２、１６２と電気的に接続している。ここで説明したグラウンドプレーン１１１、１１７に設けられている開口は、その中を接続部材１２２、１６２が通過し、また当該開口に対向するように導体エレメント１２１、１６１が配されている。従って、当該開口からのノイズ漏洩を、実質的に防ぐことができる。
【００３７】
上述した図６（Ｂ）〜（Ｅ）の構造は、いわゆるマッシュルーム型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材１２２、１６２はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、図６（Ｂ）および（Ｅ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン１１１、１７１との間でキャパシタンスを形成する。また図６（Ｃ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との間でキャパシタンスを形成する。また図６（Ｄ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン１１１、電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との間でキャパシタンスを形成する。
【００３８】
マッシュルーム型ＥＢＧ構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１２１、１６１を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント１２１、１６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００３９】
図６（Ｆ）〜（Ｈ）では、接続部材１２２と接続部材１６２とが同一の貫通ビアである例である。図６（Ｆ）では、上記貫通ビアが電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続され、グラウンドプレーン１１１、１７１の開口を通過している。図６（Ｇ）では、上記貫通ビアがグラウンドプレーン１１１、１７１に接続され、電源プレーン１４１、１４２、１４３の開口を通過している。図６（Ｈ）では、導体エレメント１２１が形成されるＢ層１２０は、Ａ層１１０（第２の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。また、導体エレメント１６１が形成されるＦ層１６０は、Ｇ層１７０（第３の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。そして、上記貫通ビア（接続部材１２２、１６２）は電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続し、かつグラウンドプレーン１１１、１７１に設けられた開口を通過している。導体エレメント１２１、１６１とは、グラウンドプレーン１１１、１７１に対向し、当該開口を通過した上記貫通ビアと電気的に接続している。
【００４０】
上述した図６（Ｆ）〜（Ｈ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を変形させた例である。詳細には、接続部材１２２、１６２はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、図６（Ｆ）および（Ｈ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン１１１、１７１との間でキャパシタンスを形成する。また図６（Ｇ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との間でキャパシタンスを形成する。
【００４１】
図６（Ｆ）〜（Ｈ）の構造も、マッシュルーム型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１２１、１６１を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント１２１、１６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００４２】
図６（Ｆ）〜（Ｈ）で示した構成を採用することにより、貫通ビアを用いて前記第１、第２の平行平板にＥＢＧ構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。
【００４３】
図７（Ａ）は、導体エレメント１２１、１６１の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント１２１、１６１は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は接続部材１２２、１６１に接続され、他端はオープン端となっている。
【００４４】
図７（Ｂ）〜（Ｈ）は、図７（Ａ）で図示した導体エレメント１２１、１６１の周囲における配線基板１００の断面図である。そのうち、図７（Ｂ）〜（Ｅ）は、接続部材１２２と接続部材１６２とが異なる部材で構成される例である。図７（Ｂ）では、接続部材１２２、１６２が電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続されている。図７（Ｃ）では、接続部材１２２がグラウンドプレーン１１１、接続部材１６２がグラウンドプレーン１７１に接続されている。図７（Ｄ）では、接続部材１２２が電源プレーン１４１、１４２、１４３、接続部材１６２がグラウンドプレーン１７１に接続されている。図７（Ｅ）では、導体エレメント１２１が形成されるＢ層１２０は、Ａ層１１０（第２の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。また、導体エレメント１６１が形成されるＦ層１６０は、Ｇ層１７０（第３の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。そして、接続部材１２２、１６２は電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続し、かつグラウンドプレーン１１１、１７１に設けられた開口を通過している。導体エレメント１２１、１６１とは、グラウンドプレーン１１１、１７１に対向し、当該開口を通過した接続部材１２２、１６２と電気的に接続している。
【００４５】
図７（Ｂ）〜（Ｅ）に示した構造は、導体エレメント１２１、１６１を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材１２２、１６２はインダクタンスを形成している。一方、図７（Ｂ）および（Ｅ）においては導体エレメント１２１、１６１が、それぞれ対向するグラウンドプレーン１１１、１７１と電気的に結合することでグラウンドプレーン１１１、１７１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図７（Ｃ）においては導体エレメント１２１、１６１が、それぞれ対向する電源プレーン１４１（または１４２、１４３）と電気的に結合することで電源プレーン１４１（または１４２、１４３）をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図７（Ｄ）においては導体エレメント１２１、１６１が、それぞれ対向するグラウンドプレーン１１１、電源プレーン１４１（または１４２、１４３）と電気的に結合することで、それぞれグラウンドプレーン１１１、電源プレーン１４１（または１４２、１４３）をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。
【００４６】
オープンスタブ型ＥＢＧ構造は、平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１２１、１６１を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。
【００４７】
また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント１２１、１６１と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント１２１、１６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００４８】
図７（Ｆ）〜（Ｈ）では、接続部材１２２と接続部材１６２とが同一の貫通ビアである例である。図７（Ｆ）では、上記貫通ビアが電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続され、グラウンドプレーン１１１、１７１の開口を通過している。図７（Ｇ）では、上記貫通ビアがグラウンドプレーン１１１、１７１に接続され、電源プレーン１４１、１４２、１４３の開口を通過している。図７（Ｈ）では、導体エレメント１２１が形成されるＢ層１２０は、Ａ層１１０（第２の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。また、導体エレメント１６１が形成されるＦ層１６０は、Ｇ層１７０（第３の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。そして、上記貫通ビア（接続部材１２２、１６２）は電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続し、かつグラウンドプレーン１１１、１７１に設けられた開口を通過している。導体エレメント１２１、１６１とは、グラウンドプレーン１１１、１７１に対向し、当該開口を通過した上記貫通ビアと電気的に接続している。
【００４９】
図７（Ｆ）〜（Ｈ）に示した構造は、導体エレメント１２１、１６１を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造の変形例である。詳細には、接続部材１２２、１６２はインダクタンスを形成している。一方、図７（Ｆ）および（Ｈ）においては導体エレメント１２１、１６１が、それぞれ対向するグラウンドプレーン１１１、１７１と電気的に結合することでグラウンドプレーン１１１、１７１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図７（Ｇ）においては導体エレメント１２１、１６１が、それぞれ対向する電源プレーン１４１（または１４２、１４３）と電気的に結合することで電源プレーン１４１（または１４２、１４３）をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。
【００５０】
図７（Ｆ）〜（Ｈ）に示した構造も、オープンスタブ型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１２１、１６１を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。
【００５１】
また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント１２１、１６１と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント１２１、１６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００５２】
図７（Ｆ）〜（Ｈ）で示した構成を採用することにより、貫通ビアを用いて前記第１、第２の平行平板にＥＢＧ構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。
【００５３】
なお、図７では前記伝送線路の形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。
【００５４】
図８（Ａ）は、導体エレメント１２１、１６１の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント１２１、１６１は四角形の導体であって、開口を有している。その開口の中には、一端が当該開口の淵に接続され、他端は接続部材１２２、１６２に接続される螺旋状のインダクタが形成されている。
【００５５】
図８（Ｂ）〜（Ｆ）は、図８（Ａ）で図示した導体エレメント１２１、１６１の周囲における配線基板１００の断面図である。そのうち、図８（Ｂ）〜（Ｄ）は、接続部材１２２と接続部材１６２とが異なる部材で構成される例である。図８（Ｂ）では、接続部材１２２、１６２が電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続されている。図８（Ｃ）では、接続部材１２２がグラウンドプレーン１１１、接続部材１６２がグラウンドプレーン１７１に接続されている。図８（Ｄ）では、接続部材１２２が電源プレーン１４１、１４２、１４３、接続部材１６２がグラウンドプレーン１７１に接続されている。図８（Ｅ）では、導体エレメント１２１が形成されるＢ層１２０は、Ａ層１１０（第２の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。また、導体エレメント１６１が形成されるＦ層１６０は、Ｇ層１７０（第３の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。そして、接続部材１２２、１６２は電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続し、かつグラウンドプレーン１１１、１７１に設けられた開口を通過している。導体エレメント１２１、１６１とは、グラウンドプレーン１１１、１７１に対向し、当該開口を通過した接続部材１２２、１６２と電気的に接続している。
【００５６】
上述した図８（Ｂ）〜（Ｅ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本として、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造である。詳細には、図８（Ｂ）および（Ｅ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン１１１、１７１との間でキャパシタンスを形成する。また図８（Ｃ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との間でキャパシタンスを形成する。また図８（Ｄ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン１１１、電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材１２２、１６２はマッシュルームの軸部分に相当し、導体エレメント１２１、１６１に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。
【００５７】
インダクタンス増加型ＥＢＧ構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１２１、１６１を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント１２１、１６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００５８】
図８（Ｆ）〜（Ｈ）では、接続部材１２２と接続部材１６２とが同一の貫通ビアである例である。図８（Ｆ）では、上記貫通ビアが電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続され、グラウンドプレーン１１１、１７１の開口を通過している。図８（Ｇ）では、上記貫通ビアがグラウンドプレーン１１１、１７１に接続され、電源プレーン１４１、１４２、１４３の開口を通過している。図８（Ｈ）では、導体エレメント１２１が形成されるＢ層１２０は、Ａ層１１０（第２の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。また、導体エレメント１６１が形成されるＦ層１６０は、Ｇ層１７０（第３の層）を介してＤ層１４０（第１の層）と対向している。そして、上記貫通ビア（接続部材１２２、１６２）は電源プレーン１４１、１４２、１４３に接続し、かつグラウンドプレーン１１１、１７１に設けられた開口を通過している。導体エレメント１２１、１６１とは、グラウンドプレーン１１１、１７１に対向し、当該開口を通過した上記貫通ビアと電気的に接続している。
【００５９】
上述した図８（Ｆ）〜（Ｈ）の構造は、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造の変形例である。詳細には、接続部材１２２、１６２はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、図８（Ｆ）および（Ｈ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン１１１、１７１との間でキャパシタンスを形成する。また図８（Ｇ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との間でキャパシタンスを形成する。
【００６０】
図８（Ｆ）〜（Ｈ）の構造も、マッシュルーム型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１２１、１６１を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント１２１、１６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００６１】
図８（Ｆ）〜（Ｈ）で示した構成を採用することにより、貫通ビアを用いて前記第１、第２の平行平板にＥＢＧ構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。なお、図８では前記インダクタの形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。
【００６２】
図６（Ｂ）〜（Ｄ）、図７（Ｂ）〜（Ｄ）、図８（Ｂ）〜（Ｄ）に示す例を用いる場合、グラウンドプレーン１１１、１７１は、接続部材１２２、１６２が通過する開口を設ける必要がない。このとき、グラウンドプレーン１１１、１７１において、導体エレメント１２１、１６１と対向する領域を無孔とすると、当該領域からノイズが漏洩しない。ここで、導体エレメント１２１、１６１と対向する領域に、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径の孔（開口）が空いている場合でも、無孔と見なしてよい。
【００６３】
また、図６（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）、図７（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）、図８（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）に示す例を用いる場合、グラウンドプレーン１１１、１７１は、接続部材１２２、１６２が通過する開口を有する。しかし、当該開口が、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径であれば、抑制対象のノイズが漏洩しない。
【００６４】
図９（Ａ）は、導体エレメント１２１、１６１の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント１２１、１６１は四角形であって、接続部材１２２、１６２に接続されている。また、図９（Ｂ）は、グラウンドプレーン１１１、１７１において、導体エレメント１２１、１６１と対向する領域の上面図である。ここで図示する領域は開口を有し、当該開口の中に、一端は当該開口の淵に接続され、他端は接続部材１２２、１６２に接続される螺旋状のインダクタが形成される。
【００６５】
図９（Ｃ）、（Ｄ）は、図９（Ａ）で図示した導体エレメント１２１、１６１の周囲における配線基板１００の断面図である。そのうち、図９（Ｃ）は、接続部材１２２と接続部材１６２とが異なる部材で構成されている。そして、接続部材１２２がグラウンドプレーン１１１の開口に形成されるインダクタ、接続部材１６２がグラウンドプレーン１７１の開口に形成されるインダクタに接続されている。
【００６６】
上述した図９（Ｃ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本として、グラウンドプレーン１１１、１７１にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造である。詳細には、図９（Ｃ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材１２２、１６２はマッシュルームの軸部分に相当し、グラウンドプレーン１１１、１７１に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。
【００６７】
インダクタンス増加型ＥＢＧ構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１２１、１６１を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント１２１、１６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００６８】
図９（Ｄ）では、接続部材１２２と接続部材１６２とが同一の貫通ビアであって、電源プレーン１４１、１４２、１４３の開口を通過している。そして、上記貫通ビアがグラウンドプレーン１１１の開口に形成されるインダクタと、グラウンドプレーン１７１の開口に形成されるインダクタと、に接続されている。
【００６９】
上述した図９（Ｄ）の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本として、グラウンドプレーン１１１、１７１にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造の変形例である。詳細には、図９（Ｄ）においては導体エレメント１２１、１６１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材１２２、１６２はマッシュルームの軸部分に相当し、グラウンドプレーン１１１、１７１に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。
【００７０】
インダクタンス増加型ＥＢＧ構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１２１、１６１を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント１２１、１６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。なお、図９では前記インダクタの形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。
【００７１】
続いて説明する図１０〜図１２は、導体エレメント１２１、１６１が、グラウンドプレーン１１１が位置するＡ層１１０（第２の層）またはグラウンドプレーン１７１が位置するＧ層１７０（第３の層）に配列される例である。すなわち、導体エレメント１２１、１６１とグラウンドプレーン１１１、１７１とが同一の層に形成されるので、配線基板１００は上述した例より薄くすることができる。なお、図１０〜図１２のいずれも、接続部材１２２、１６２を必要としない構成である。また、図１０〜図１２において、電源プレーン１４１、１４２、１４３より上段と下段とで対照の構成として図示するが、必ずしも対照である必要はなく、Ａ層１１０とＧ層１７０の一方の層に、導体エレメント１２１または導体エレメント１６１が配列される構成であってもよい。
【００７２】
図１０（Ａ）は、グラウンドプレーン１１１、１７１の中に形成された導体エレメント１２１、１６１の一例の上面図である。グラウンドプレーン１１１、１７１は開口を有している。そして、導体エレメント１２１、１６１は、当該開口の中に形成される島状の導体と、当該島状の導体とグラウンドプレーン１１１、１７１とを接続するインダクタと、から構成される。なお、図１０（Ａ）において、当該インダクタは、当該島状の導体を螺旋状に囲うように図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該インダクタは、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。
【００７３】
図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）で図示した断面線における導体エレメント１２１、１６１の周囲の断面図である。グラウンドプレーン１１１、１７１の中に形成された導体エレメント１２１、１６１が、電源プレーン１４１、１４２、１４３と対向している。
【００７４】
上述した図１０の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造の変形例であり、マッシュルームのヘッド部分と軸部分が、グラウンドプレーン１１１、１１７の開口に設けられることによって、ＥＢＧ構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材１２２、１６２を不要としている。詳細には、導体エレメント１２１、１６１を構成する前記島状の導体がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン１４１（または１４２、１４３）との間でキャパシタンスを形成する。また、導体エレメント１２１、１６１を構成する前記インダクタがマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。
【００７５】
図１０の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記島状の導体が配置された層を、キャパシタンスを形成する対向する電源プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記島状の導体が配置された層を対向する電源プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００７６】
図１１（Ａ）は、グラウンドプレーン１１１、１７１の中に形成された導体エレメント１２１、１６１の一例の上面図である。グラウンドプレーン１１１、１７１は開口を有している。そして、導体エレメント１２１、１６１は当該開口の中に形成され、一端は開口の淵に接続され、他端は開口の淵に非接続であるオープン端である伝送線路である。なお、図１１（Ａ）において、当該伝送線路の形状は螺旋状として図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該伝送線路は、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。
【００７７】
図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）で図示した断面線における導体エレメント１２１、１６１の周囲の断面図である。グラウンドプレーン１１１、１７１の中に形成された導体エレメント１２１、１６１が、電源プレーン１４１、１４２、１４３と対向している。
【００７８】
上述の図１１の構造は、オープンスタブ型のＥＢＧ構造の変形例であり、オープンスタブとして機能する伝送線路がグラウンドプレーン１１１、１７１の開口に設けられることによってＥＢＧ構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材１２２、１６２を不要としている。詳細には、導体エレメント１２１、１６１が、それぞれ対向する電源プレーン１４１（または１４２、１４３）と電気的に結合することで電源プレーン１４１（または１４２、１４３）をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。
【００７９】
オープンスタブ型ＥＢＧ構造は、平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１２１、１６１を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント１２１、１６１と対向する電源プレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと電源プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント１２１、１６１を対向する電源プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００８０】
図１２（Ａ）は、グラウンドプレーン１１１、１７１の中に形成された導体エレメント１２１、１６１の一例の上面図である。導体エレメント１２１、１６１は、グラウンドプレーン１１１、１７１の一部に形成される複数の島状の導体であって、隣接している島状の導体同士が電気的に接続されている。
【００８１】
図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）で図示した断面線における導体エレメント１２１、１６１の周囲の断面図である。グラウンドプレーン１１１、１７１の中に形成された導体エレメント１２１、１６１が、電源プレーン１４１、１４２、１４３と対向している。
【００８２】
上述の図１２の構造は、隣接する前記島状の導体間が電気的に結合することによりキャパシタンスを形成し、それら島状の導体を接続している接続部がインダクタンスを形成することでＥＢＧ構造として機能する。図１２に示すＥＢＧ構造は、前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる並列共振回路の共振周波数がバンドギャップ帯域の中心周波数を与える。したがって、前記島状の導体間の間隔を小さくして、キャパシタンスを大きくする、または前記接続部の長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。
【００８３】
図１３（Ａ）は、導体エレメント１２１の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント１２１は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、電源プレーン１４１（または１４２、１４３）と電気的に結合することで電源プレーン１４１（または１４２、１４３）をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、前記導体エレメント１２１の一端は接続部材１２２と電気的に接続され、他端はオープン端となっている。
【００８４】
図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）で図示した断面線における導体エレメント１２１の周囲の断面図である。図１３（Ｂ）では、接続部材１２２が貫通ビアとして形成されており、上記貫通ビアが導体エレメント１２１とグラウンドプレーン１１１、１７１に接続され、電源プレーン１４１、１４２、１４３の開口を通過している。
【００８５】
図１３（Ａ）、（Ｂ）に示す構成において、導体エレメント１２１は、グラウンドプレーン１１１と電源プレーン１４１、１４２、１４３と、接続部材１２２と共にオープンスタブ型ＥＢＧ構造を構成し、前記第１の平行平板を伝播するノイズを抑制する。同時に、導体エレメント１２１は、グラウンドプレーン１７１と電源プレーン１４１、１４２、１４３と、接続部材１２２と共にオープンスタブ型ＥＢＧ構造を構成し、前記第２の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。すなわち、導体エレメント１２１が形成されたＢ層１２０の数が、電源プレーン１４１、１４２、１４３が形成されたＤ層１４０の数と等しいにも関わらず、第１、第２の平行平板に対してＥＢＧ構造を構成することができる。従って、図７（Ｇ）に示す構成と比べて導体エレメント１６１が不要となるため、Ｆ層１６０における配線の引き回し自由度が向上する。また、Ｆ層１６０に配線を形成する必要がない場合はＦ層１６０を削減することが可能になるため配線基板１００を薄くすることができる。なお、図１３（Ｂ）では導体エレメントをＢ層１２０に配置した場合を例に示したが、Ｂ層１２０ではなく、Ｆ層１６０に配置するような構成も当然考えることができる。この場合も全く同様に第１、第２の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。
【００８６】
図１３（Ａ）、（Ｂ）に示す構造においても、他のオープンスタブ型ＥＢＧ構造と全く同様に、前記導体エレメント１２１を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント１２１と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント１２１、１６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。なお、図１３では前記伝送線路の形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。
【００８７】
図１３（Ｃ）は、導体エレメント１２１の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント１２１は四角形であって、接続部材１２２と電気的に接続されている。
【００８８】
図１３（Ｄ）は、図１３（Ｃ）で図示した断面線における導体エレメント１２１の周囲の断面図である。図１３（Ｄ）では、接続部材１２２が貫通ビアとして形成されており、上記貫通ビアがグラウンドプレーン１１１、１７１に接続され、電源プレーン１４１（または１４２、１４３）の開口を通過している。
【００８９】
図１３（Ｃ）、（Ｄ）で示す構造において、導体エレメント１２１は、グラウンドプレーン１１１と電源プレーン１４１、１４２、１４３と、接続部材１２２と共にマッシュルーム型ＥＢＧ構造を構成し、前記第１の平行平板を伝播するノイズを抑制する。同時に、導体エレメント１２１は、グラウンドプレーン１７１と電源プレーン１４１、１４２、１４３と、接続部材１２２と共にマッシュルーム型ＥＢＧ構造を構成する。すなわち、導体エレメント１２１が形成されたＢ層１２０の数が、電源プレーン１４１、１４２、１４３が形成されたＤ層１４０の数と等しいにも関わらず、第１、第２の平行平板に対してＥＢＧ構造を構成することができる。従って、図６（Ｇ）に示す構成と比べて導体エレメント１６１が不要となるため、Ｆ層１６０における配線の引き回し自由度が向上する。また、Ｆ層１６０に配線を形成する必要がない場合はＦ層１６０を削減することが可能になるため配線基板１００を薄くすることができる。なお、図１３（Ｄ）では導体エレメントをＢ層１２０に配置した場合を例に示したが、Ｂ層１２０ではなく、Ｆ層１６０に配置するような構成も当然考えることができる。この場合も全く同様に第１、第２の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。
【００９０】
ここで、第１の実施形態の効果について説明する。本実施形態に実装予定の電子素子１８１のように、一般的に電子素子は複数の電源電圧を必要とする。このため、配線基板１００の電源プレーン１４１、１４２、１４３は、間隙１４７によって分割されており、異なる電位を持った各々の領域が電子素子１８１に接続されることで複数の電源電圧を供給する構成となっている。このような構成においては、間隙１４７から放射されるノイズを遮蔽しなくては、十分なノイズ対策効果を得ることができない。そこで、本実施形態では、上記のようにグラウンドプレーン１１１、１７１および繰り返し配列された単位セルからなるＥＢＧ構造によって間隙１４７を取り囲んでいる。これにより、電子素子１８１で発生したノイズが、電源プレーン１４１、１４２、１４３のいずれかと、グラウンドプレーン１１１との中間、または電源プレーン１４１、１４２、１４３のいずれかと、グラウンドプレーン１７１との中間の少なくとも一方を伝播し、間隙１４７から他方に放射されたとき、グラウンドプレーン１１１またはグラウンドプレーン１７１によって、放射されたノイズを遮蔽することができる。さらに、繰り返し配列されている複数の導体エレメント１２１のいずれかと、グラウンドプレーン１１１またはグラウンドプレーン１７１とが対向する空間で、当該ノイズを遮蔽することができる。
【００９１】
より詳細には、電子素子１８１で発生したノイズは、接続部材１８２、１８３、１８４を介して、グラウンドプレーン１１１と電源プレーン１４１（または１４２、１４３）からなる第１の平行平板と、グラウンドプレーン１７１と電源プレーン１４１（または１４２、１４３）からなる第２の平行平板のうち少なくとも一方を伝播し、ノイズの一部は電源プレーンの間隙１４７から他方の平行平板に放射される。本実施の形態では、グラウンドプレーン１１１、１７１および、繰り返し配列された単位セルからなるＥＢＧ構造が、電源プレーンの間隙１４７を取り囲み、外部への伝播を遮蔽するように構成されているため、間隙１４７から放射されたノイズが配線基板１００の外部に漏洩することを防ぐことができる。
【００９２】
また、本実施形態で構成されるＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域に、電子素子１８１から発生するノイズの周波数を含めることによって、より高いノイズ抑制効果を得ることができる。
【００９３】
〔第２の実施形態〕
図１４は、本発明の第２の実施形態に係る配線基板２００の上面図と断面図である。より詳細には、図１４（Ａ）は配線基板２００の上面図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）で示す断面線における配線基板２００の断面図である。配線基板２００は、互いに対向するＡ層２１０、Ｂ層２２０、Ｃ層２３０、Ｄ層２４０、Ｅ層２５０、Ｆ層２６０およびＧ層２７０を少なくとも備える多層基板である。なお、配線基板２００は、上述の７つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には誘電体層が位置してもよい。また、配線基板２００は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述の７つの層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。
【００９４】
配線基板２００の表面には電子素子２８１が実装されており、電子素子２８１と電源プレーン２３１を接続する接続部材２８２と、電子素子２８１と電源プレーン２３２を接続する接続部材２８３と、電子素子２８１と電源プレーン２５１を接続する接続部材２８４と、電子素子２８１と電源プレーン２５２を接続する接続部材２８５と、を備える。さらに、配線基板２００は、電子素子２８１とグラウンドプレーン２１１を接続する接続部材２８６と、電子素子２８１とグラウンドプレーン２７１を接続する接続部材２８７と、を備える。そして、配線基板２００は、電子素子２８１と信号線２６３とを接続する接続部材２８８を備える。なお、本実施形態において、電子素子２８１は全ての電源プレーン２３１、２３２、２５１、２５２に接続されているが、少なくとも一つに接続されていればよい。
【００９５】
また、図１４（Ａ）において、導体エレメント２２１、２４１、２６１は最上層より下層に位置するので破線で示し、双方の位置が平面視で重なっているので、一つの四角形で導体エレメント２２１と導体エレメント２４１と導体エレメント２６１とを表すものとする。
【００９６】
図１５は、配線基板２００のＣ層２３０とＥ層２５０とを示す図である。Ｃ層２３０（第１の層）には、電源プレーン２３１、２３２（複数の第１導体）が間隙２３３を隔てて配される。Ｄ層２４０（第１の層）には、電源プレーン２５１、２５２（複数の第１導体）が間隙２５３を隔てて配される。なお、間隙２３３と間隙２５３とは絶縁体が充填されているので、電源プレーン２３１、２３２、２５１、２５２は、互いに絶縁され、各々に異なる電位を与えることが可能な構成となっている。
【００９７】
電源プレーン２３１は接続部材２８２に、電源プレーン２３２は接続部材２８３に、電源プレーン２５１は接続部材２８４に、電源プレーン２５２は接続部材２８５に、それぞれ接続され、電子素子２８１と電気的に接続されている。また、接続部材２８４、２８５、２８７は電源プレーン２３１、２３２に設けられた開口を通過し、電源プレーン２３１、２３２と絶縁されている。そして、接続部材２８７は電源プレーン２５２に設けられた開口を通過し、電源プレーン２５２と絶縁されている。
【００９８】
図１６は、配線基板２００のＢ層２２０とＤ層２４０とＦ層２６０を示す図である。Ｂ層２２０には、複数の導体エレメント２２１（第２導体）が、間隙２３３、２５３の少なくとも一部と、電源プレーン２３１、２３２、２５１、２５２上の電源素子２８１との接続点（接続部材２８２、２８３、２８４、２８５との接続点）とを包含する第１の領域を囲うように繰り返し配列される。また、Ｂ層２２０には、さらに信号線２２３が配列されている。Ｄ層２４０には、複数の導体エレメント２４１（第２導体）が上記第１の領域を囲うように繰り返し配列される。また、Ｄ層２４０には、さらに信号線２４３が配列されている。Ｆ層２６０には、複数の導体エレメント２６１（第２導体）が上記第１の領域を囲うように繰り返し配列される。また、Ｆ層２６０には、さらに信号線２６３が配列されている。なお、信号線２２３、２４３、２６３の配列パターンは図示したパターンに限らず、導体エレメント２２１、２４１、２６１に接触しない範囲で配列されてよい。なお、導体エレメント２２１、２４１、２６１は、いずれ電源プレーン２３１、２３２または電源プレーン２５１、２５２と対向し設けられている。
【００９９】
導体エレメント２２１はＢ層２２０に島状に形成される導体であって、それぞれ電源プレーン２３１、２３２のいずれかに接続部材２２２によって接続されている。また、導体エレメント２４１はＤ層２４０に島状に形成される導体であって、それぞれ電源プレーン２３１、２３２のいずれかに接続部材２４２によって接続されている。さらに、導体エレメント２６１はＦ層２６０に島状に形成される導体であって、それぞれグラウンドプレーン２７１に接続部材２６２によって接続されている。
【０１００】
なお、本実施形態においては、導体エレメント２２１、２４１、２６１を二列で配列する事例を記載したが、第１の実施形態のように単一の列であってもよいし、三列以上であってもよいし、上記第１の領域内の全域に導体エレメント２２１、２４１、２６１が配列されてもよい。
【０１０１】
図１７は、配線基板２００のＡ層２１０とＧ層２７０を示す図である。グラウンドプレーン２１１（第３導体）は、シート状の導体であって、Ｃ層２３０より上位層であるＡ層２１０（第２の層）に位置し、第１の領域に対向する領域と導体エレメント２２１と対向する領域とを包含する第２の領域に延在している。また、グラウンドプレーン２７１（第４導体）は、シート状の導体であって、Ｅ層２５０より下位層であるＧ層２７０（第３の層）に位置し、第１の領域に対向する領域と導体エレメント２４１と対向する領域とを包含する第３の領域に延在している。
【０１０２】
なお、グラウンドプレーン２１１またはグラウンドプレーン２７１は、接地等によって基準電位が与えられる。また、接続部材２８２、２８３、２８４、２８５、２８７はグラウンドプレーン２１１に設けられた開口を通過し、グラウンドプレーン２１１と絶縁されている。
【０１０３】
配線基板２００は、グラウンドプレーン２１１および電源プレーン２３１（または２３２）からなる第１の平行平板と、電源プレーン２３１（または２３２）および電源プレーン２５１（または２５２）からなる第２の平行平板と、電源プレーン２５１（または２５２）およびグラウンドプレーン２７１からなる第３の平行平板の３つのノイズ伝播経路を考えることができる。
【０１０４】
上記のように構成することによって、導体エレメント２２１は、対向する電源プレーン２３１（または２３２）と、対向するグラウンドプレーン２１１と接続部材２２２と共にＥＢＧ構造の単位セルを構成する。当該単位セルが繰り返し配列されたＥＢＧ構造によって、前記第１の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。また、導体エレメント２４１は、対向する電源プレーン２３１（または２３２）と、電源プレーン２５１（または２５２）と、接続部材２４２と共にＥＢＧ構造の単位セルを構成する。当該単位セルが繰り返し配列されたＥＢＧ構造によって、前記第２の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。さらに、導体エレメント２６１は、対向する電源プレーン２５１（または２５２）と、対向するグラウンドプレーン２７１と、接続部材２６２と共にＥＢＧ構造の単位セルを構成する。当該単位セルが繰り返し配列されたＥＢＧ構造によって、前記第３の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。そして、上記のＥＢＧ構造の各々は、電子素子２８１によって発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含むことが望ましい。また、本実施形態の配線基板２００によって構成されるＥＢＧ構造の単位セルは、接続部材２２２または接続部材２６２を含む構造であるが、必ずしもこれに限らない。すなわち、配線基板２００は、グラウンドプレーン２１１と電源プレーン２３１（または２３２）との中間層またはグラウンドプレーン２７１と電源プレーン２５１（または２５２）との中間層に必ずしも接続部材を形成しなくてもよい。配線基板２００に適用可能な種々のＥＢＧ構造の単位セルについては、後述する。
【０１０５】
なお、Ａ層２１０〜Ｇ層２７０の各層の間隔、接続部材２２２、２４２、２６２の太さ、導体エレメント２２１の相互間隔、導体エレメント２４１の相互間隔および導体エレメント２６１の相互間隔などを調節することにより、抑制対象となる周波数帯域を所望の値に定めることができる。
【０１０６】
また、上述したように、繰り返し配列される導体エレメント２２１、２４１、２６１の相互間隔は、ＥＢＧ構成の特性を定めるパラメータであり、それぞれ一定であることが望ましい。ただし、導体エレメント２２１の相互間隔と、導体エレメント２４１の相互間隔と、導体エレメント２６１の相互間隔とが必ずしも一致しなくてもよい。
【０１０７】
図１４〜図１７で図示した導体エレメント２２１、２４１、２６１や接続部材２２２、２５２の形状や位置は一例であり、ＥＢＧ構造を構成可能な範囲で多様な形態を採りうる。ただし、その形態の多くは、図６〜図１３で示した例の一部を組み合わせることによって、構成可能である。以下、図１８〜図２１に示す例は、既に述べた変形例の組み合わせでは構成できない例について説明する。
【０１０８】
図１８〜図２１は、導体エレメント２２１、２４１、２６１や接続部材２２２、２４２、２６２の形状や位置について例示する図である。なお、図１８〜図２１は、単一の導体エレメント２２１、２４１、２６１に着目し、その周囲を拡大して図示している。図１８〜図２１で例示する構造は、それぞれ単一または複数の単位セルを構成しており、配線基板２００は、これらの単位セルのいずれか、または複数の組み合わせを備えるものとする。
【０１０９】
図１８（Ａ）は、導体エレメント２２１、２４１、２６１の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント２２１、２４１、２６１は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は接続部材２２２、２４２、２６２に接続され、他端はオープン端であることを示している。図１８（Ａ）では前記伝送線路の形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。
【０１１０】
図１８（Ｂ）〜（Ｄ）は、図１８（Ａ）で図示した断面線における導体エレメント２２１、２４１、２６１の周囲の断面図である。なお、図１８（Ｂ）〜（Ｄ）のいずれにおいても、接続部材２２２と接続部材２６２とが同一の貫通ビアの一部として形成される。そして、上記貫通ビアがグラウンドプレーン２１１、２７１に接続され、電源プレーン２３１、２３２、２５１、２５２の開口を通過している。
【０１１１】
図１８（Ｂ）〜（Ｄ）に示す構成では、前記貫通ビアが通過するために電源プレーン２３１（または２３２）と電源プレーン２５１（または２５２）に設けられた開口ごとに一つの導体エレメントが配置されており、各々の導体エレメントは、対向する電源プレーンと電気的に結合することで対向する電源プレーンをリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。
【０１１２】
上述のように構成することによって、導体エレメント２２１、２４１、２６１が形成された層の数が、電源プレーン２３１、２３２、２５１、２５２が形成された層の数と等しく、図１４の構成に比べて導体エレメントの数を減らしつつ前記第１、第２、第３の平行平板に対してオープンスタブ型のＥＢＧ構造を構成することができる。これにより、図１４に示す構成と比べて導体エレメントの実装面積を減らすことができるため、配線の引き回し自由度が向上する。また、配線を形成する必要がない場合は、導体エレメントを配置していた層を削減することが可能になるため配線基板２００を薄くすることができる。
【０１１３】
図１８に示す構造においても、他のオープンスタブ型ＥＢＧ構造と全く同様に、前記導体エレメント２２１、２４１または２６１を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント２２１、２４１または２６１と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント２２１、２４１または２６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【０１１４】
詳細には、図１８（Ｂ）は、配線基板２００において導体エレメント２６１が形成されるＦ層２６０を省いても、Ａ層２１０とＧ層２７０との間でＥＢＧ構造を構成する事例である。このとき、導体エレメント２２１はＡ層２１０よりＣ層２３０に近接しており、導体エレメント２４１はＣ層２３０よりＥ層２５０に近接している。図１８（Ｃ）は、配線基板２００において導体エレメント２４１が形成されるＤ層２４０を省いても、Ａ層２１０とＧ層２７０との間でＥＢＧ構造を構成する事例である。このとき、導体エレメント２２１はＡ層２１０よりＣ層２３０に近接しており、導体エレメント２６１はＧ層２７０よりＥ層２５０に近接している。図１８（Ｄ）は、図１８（Ｂ）で示す事例におけるＢ層２２０の位置を、Ｃ層２３０とＤ層２４０との中間層としている。このとき、導体エレメント２２１はＤ層２４０よりＣ層２３０に近接しており、導体エレメント２４１はＢ層２２０よりＥ層２５０に近接している。
【０１１５】
なお、図１８（Ａ）〜（Ｄ）を用いて、オープンスタブ型ＥＢＧ構造を構成する例について説明したが、異なる形状の導体エレメント２６１を採用すれば、別の形態のＥＢＧ構造も採りうる。すなわち、図６（Ａ）と同様の形状の導体エレメント２６１を用いれば、マッシュルーム型ＥＢＧ構造の変形例となり、図８（Ａ）と同様の形状の導体エレメント２６１を用いれば、インダクタンス増加型ＥＢＧ構造の変形例となる。このような変形例の場合も、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【０１１６】
図１９（Ａ）は、グラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１、２５２の中に形成された導体エレメント２２１、２４１、２６１の一例の上面図である。グラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１、２５２は開口を有している。そして、導体エレメント２２１、２４１、２６１は、当該開口の中に形成される島状の導体と、当該島状の導体とグラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１、２５２とを接続するインダクタと、から構成される。なお、図１９（Ａ）において、当該インダクタは、当該島状の導体を螺旋状に囲うように図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該インダクタは、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。
【０１１７】
図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）で図示した断面線における導体エレメント２２１、２４１、２６１の周囲の断面図である。グラウンドプレーン２１１の中に導体エレメント２２１が形成され、電源プレーン２５１、２５２の中に導体エレメント２４１が形成されグラウンドプレーン２７１の中に導体エレメント２６１が形成されている。そして、グラウンドプレーン２１１（導体エレメント２２１）と、電源プレーン２３１、２３２と、電源プレーン２５１、２５２（導体エレメント２４１）と、グラウンドプレーン２７１と、が対向している。上述した図１９の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本としており、マッシュルームのヘッド部分と軸部分が、グラウンドプレーン２１１、２７１、電源プレーン２５１の開口に設けられることによって、ＥＢＧ構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材２２２、２６２を不要としている。詳細には、導体エレメント２２１、２４１、２６１を構成する前記島状の導体がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するプレーンとの間でキャパシタンスを形成する。また、導体エレメント２２１、２４１、２６１を構成する前記インダクタがマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。
【０１１８】
図１９の構造は、マッシュルーム型ＥＢＧ構造と同様に、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記島状の導体が配置された層を、キャパシタンスを形成する対向するプレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記島状の導体が配置された層を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【０１１９】
なお、図１９（Ａ）に図示した導体エレメント２２１、２４１、２６１は、無孔の導体と対向することによって、ＥＢＧ構造を構成することができる。従って、導体エレメント２２１は電源プレーン２３１上の無孔の領域と対向し、導体エレメント２４１は電源プレーン２３１上の無孔の領域と対向し、導体エレメント２６１は電源プレーン２５１上の無孔の領域と対向することが望ましい。このとき、導体エレメント２４１の位置と導体エレメント２６１の位置とは、平面視で不一致となる。また、導体エレメント２２１、２４１、２６１と対向する領域に、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径の孔（開口）が空いている場合でも、無孔と見なしてよい。そして、図１９で示す構成においても、導体エレメント２２１、２４１、２６１と信号線２２３、２４３、２６３とを同一層に形成することは可能であるが、これは、信号線２２３、２４３、２６３と、グラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１とが接触しないことが前提となる。
【０１２０】
図２０（Ａ）は、グラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１、２５２の中に形成された導体エレメント２２１、２４１、２６１の一例の上面図である。グラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１、２５２は開口を有している。そして、導体エレメント２２１、２４１、２６１は、当該開口の中に形成され、一端は開口の淵に接続され、他端は開口の淵に非接続であるオープン端である伝送線路である。なお、図２０（Ａ）において、当該伝送線路の形状は螺旋状として図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該伝送線路は、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。
【０１２１】
図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ）で図示した導体エレメント２２１、２４１、２６１の周囲における配線基板２００の断面図である。グラウンドプレーン２１１の中に導体エレメント２２１が形成され、電源プレーン２５１、２５２の中に導体エレメント２４１が形成されグラウンドプレーン２７１の中に導体エレメント２６１が形成されている。そして、グラウンドプレーン２１１（導体エレメント２２１）と、電源プレーン２３１、２３２と、電源プレーン２５１、２５２（導体エレメント２４１）と、グラウンドプレーン２７１（導体エレメント２６１）と、が対向している。
【０１２２】
上述の図２０の構造は、オープンスタブ型のＥＢＧ構造を基本としており、オープンスタブとして機能する伝送線路がグラウンドプレーン２１１、２７１、電源プレーン２５１の開口に設けられることによってＥＢＧ構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材２２２、２６２を不要としている。詳細には、導体エレメント２２１、２４１、２６１が、それぞれ対向するプレーンと電気的に結合することでマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。図２０に示す構造においても、他のオープンスタブ型ＥＢＧ構造と全く同様に、前記導体エレメント２２１、２４１、２６１を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント２２１、２４１、２６１と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント２２１、２４１、２６１を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【０１２３】
なお、図２０（Ａ）に図示した導体エレメント２２１、２４１、２６１は、無孔の導体と対向することによって、ＥＢＧ構造を構成することができる。従って、導体エレメント２２１は電源プレーン２３１上の無孔の領域と対向し、導体エレメント２４１は電源プレーン２３１上の無孔の領域と対向し、導体エレメント２６１は電源プレーン２５１上の無孔の領域と対向することが望ましい。このとき、導体エレメント２４１の位置と導体エレメント２６１の位置とは、平面視で不一致となる。
【０１２４】
なお、導体エレメント２２１、２４１、２６１と対向する領域に、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径の孔（開口）が空いている場合でも、無孔と見なしてよい。また、図２０で示す構成においても、導体エレメント２２１、２４１、２６１と信号線２２３、２４３、２６３とを同一層に形成することは可能であるが、これは、信号線２２３、２４３、２６３と、グラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１とが接触しないことが前提となる。
【０１２５】
図２１（Ａ）は、グラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１、２５２の中に形成された導体エレメント２２１、２４１、２６１の一例の上面図である。導体エレメント２２１、２４１、２６１は、グラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１、２５２の一部に形成される複数の島状の導体であって、隣接している島状の導体同士が電気的に接続されている。
【０１２６】
図２１（Ｂ）は、図２１（Ａ）で図示した断面線における導体エレメント２２１、２４１、２６１の周囲の断面図である。グラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１、２５２の中に形成された導体エレメント２２１、２４１、２６１が、各々と対向している。上述の図２１の構造は、隣接する前記島状の導体間が電気的に結合することによりキャパシタンスを形成し、それら島状の導体を接続している接続部がインダクタンスを形成することでＥＢＧ構造として機能する。図２１に示すＥＢＧ構造は、前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる並列共振回路の共振周波数がバンドギャップ帯域の中心周波数を与える。したがって、前記島状の導体間の間隔を小さくして、キャパシタンスを大きくする、または前記接続部の長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。
【０１２７】
なお、図２１で示す構成においても、導体エレメント２２１、２４１、２６１と信号線２２３、２４３、２６３とを同一層に形成することは可能であるが、これは、信号線２２３、２４３、２６３と、グラウンドプレーン２１１、２７１または電源プレーン２５１、２５２とが接触しないことが前提となる。
【０１２８】
図１９〜図２１では、電源プレーン２３１、２３２、２５１、２５２が形成される複数の層（Ｃ層２３０、Ｅ層２５０）のうち単一の層（Ｅ層２５０）に導体エレメント２４１が形成される事例を図示したが、二つの層（Ｃ層２３０、Ｅ層２５０）に導体エレメントが形成されてもよい。また、電源プレーンが形成される層が三つ以上である場合、三つ以上の層に導体エレメントが形成されてもよい。
【０１２９】
ここで、第２の実施形態の効果について説明する。本実施形態においては、電源プレーン２３１、２３２、２５１、２５２が形成される層の数が複数である配線基板２００について説明した。そして、上述の構成によって、配線基板２００は、第１の実施形態の配線基板１００と同様に、また、Ａ層２１０〜Ｆ層２６０を伝播するノイズの漏洩を防ぐことができる。
【０１３０】
また、信号線２２３、２４３、２６３が、導体エレメント２２１、２４１、２６１と同一の層に配列されているので、より省スペースな配線を実現することができる。
【０１３１】
〔第３の実施形態〕
図２２は、第３の実施形態に係る配線基板３００の上面図と断面図である。より詳細には、図２２（Ａ）は配線基板３００の上面図であり、図２２（Ｂ）は図２２（Ａ）で示す断面線における配線基板３００の断面図である。配線基板３００は、互いに対向するＡ層３１０、Ｂ層３２０、Ｃ層３３０、Ｄ層３４０、Ｅ層３５０、Ｆ層３６０、Ｇ層３７０、Ｈ層３８０を少なくとも備える多層基板である。なお、配線基板３００は、上述の８つの層以外の層を備えても構わない。また、配線基板３００は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述の８つの層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。
【０１３２】
配線基板３００には、複数の貫通ビア３８２が繰り返し配列されている。なお、貫通ビア３８２は、配線基板３００の最上面から最下面まで貫通するスルーホールの内面に導体が形成されることによって構成されている。
【０１３３】
Ａ層３１０〜Ｇ層３７０については、第１の実施形態で説明した事例のうち、貫通ビアを接続部材とし、当該貫通ビアがグラウンドプレーン１１１、１７１に接続する事例、具体的には図６（Ｇ）、図７（Ｇ）、図８（Ｆ）、図９（Ｄ）、図１３（Ｂ）等で説明した構成のいずれかを適用した配線基板１００におけるＡ層１１０〜Ｇ層１７０と同様である。ただし、本実施形態において信号線が配置されるＣ層３３０は、グラウンドプレーンが位置するＡ層３１０と導体エレメントが位置するＢ層３２０の間に位置している。また、信号線が配置されるＥ層３５０は、導体エレメントが位置するＦ層３６０とグラウンドプレーンが位置するＧ層３７０の間に位置している。
【０１３４】
Ｈ層３８０は、グラウンドプレーン３１１上に積層された誘導体層であって、配線基板３００の表面に露出している。また、Ｈ層３８０は、電子素子３８１が実装されている実装領域と、電子素子３８１を囲うように繰り返し配列される導体エレメント３８３とを備える。導体エレメント３８３は、それぞれ貫通ビア３８２のいずれかと接続し、配線基板３００の表面に露出している。
【０１３５】
導体エレメント３８３の形状は一例、ＥＢＧ構造を構成可能な範囲で多様な形態を採りうる。図２３〜図２７は、導体エレメント３８３の形状を例示する図である。
【０１３６】
図２３（Ａ）は、導体エレメント３８３の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント３８３は四角形であって、貫通ビア３８２に接続されている。図２３（Ｂ）は、図２３（Ａ）で図示した断面線における導体エレメント３８３の周囲の断面図である。導体エレメント３８３は、グラウンドプレーン３１１に対向している。
【０１３７】
図２４で説明する導体エレメント３８３は、上段に形成される導体エレメント３８４と、導体エレメント３８４より下段に形成される導体エレメント３８５とから成る。図２４（Ａ）は、導体エレメント３８４の上面図である。ここで図示する導体エレメント３８４は四角形であって、貫通ビア３８２と非接続である。図２４（Ｂ）は、導体エレメント３８５の上面図である。ここで図示する導体エレメント３８５は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は貫通ビア３８２に接続され、他端はオープン端である。図２４（Ｃ）は、図２４（Ａ）、（Ｂ）で図示した断面線における導体エレメント３８３（導体エレメント３８４と導体エレメント３８５）の周囲の断面図である。導体エレメント３８４と導体エレメント３８５とグラウンドプレーン３１１とは対向している。
【０１３８】
図２５で説明する導体エレメント３８３は、導体エレメント３８４と、導体エレメント３８５とから成る。図２５（Ａ）は、導体エレメント３８４の上面図である。ここで図示する導体エレメント３８４は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は貫通ビア３８２に接続され、他端はオープン端である。図２５（Ｂ）は、導体エレメント３８５の上面図である。ここで図示する導体エレメント３８５は四角形であって、貫通ビア３８２と非接続である。図２５（Ｃ）は、図２５（Ａ）、（Ｂ）で図示した断面線における導体エレメント３８３（導体エレメント３８４と導体エレメント３８５）の周囲の断面図である。導体エレメント３８４と導体エレメント３８５とグラウンドプレーン３１１とは対向している。
【０１３９】
図２６で説明する導体エレメント３８３は、導体エレメント３８４と、導体エレメント３８５とから成る。図２６（Ａ）は、導体エレメント３８４の上面図である。ここで図示する導体エレメント３８４は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は貫通ビア３８２に接続され、他端は導体エレメント３８５と接続部材３８６によって接続されている。図２６（Ｂ）は、導体エレメント３８５の上面図である。ここで図示する導体エレメント３８５は四角形であって、導体エレメント３８４と接続され、貫通ビア３８２とは導体エレメント３８４を介して接続されている。すなわち、直接貫通ビア３８２と導体エレメント３８５とは接続されていない。図２６（Ｃ）は、図２６（Ａ）、（Ｂ）で図示した断面線における導体エレメント３８３（導体エレメント３８４と導体エレメント３８５）の周囲の断面図である。導体エレメント３８４と導体エレメント３８５とグラウンドプレーン３１１とは対向している。
【０１４０】
図２７（Ａ）は、導体エレメント３８３の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント３８３は四角形の導体であって、開口を有している。その開口の中には、一端が当該開口の淵に接続され、他端は貫通ビア３８２に接続されるインダクタが形成されている。このインダクタの形状は螺旋状で図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該インダクタは、折れ線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。図２７（Ｂ）は、図２７（Ａ）で図示した断面線における導体エレメント３８３の周囲の断面図である。導体エレメント３８３は、グラウンドプレーン３１１に対向している。
【０１４１】
なお、導体エレメント３８３は、図２３〜図２７に示した形状以外にも、上述した特許文献２の図４に図示するような形状も採りうる。
【０１４２】
ここで第３の実施形態の効果について説明する。電子素子３８１からＨ層３８０を伝播する表面波の伝播を、導体エレメント３８３が配列されている領域で抑制することができる。また、第１の実施形態と同様に、Ａ層３１０〜Ｇ層３７０を伝播するノイズの漏洩を防ぐことができる。本第の実施形態では第１、第２の実施形態においてＥＢＧ構造を内層に構成するために設けた貫通ビアを利用することで表層にもＥＢＧ構造を構成することができる。このため、Ｈ層３８０の貫通ビア領域の面積を無駄にすることなく有効に利用することができる。
【０１４３】
なお、表面波とは導体プレーン上に誘電体が積層されている場合に、その構造自体が導波路として機能することによって伝播する電磁波のことをいう。また、ここでは配線基板１００の貫通ビアを利用して表層にＥＢＧ構造を構成する場合について示したが、当然第２の実施形態で示した配線基板２００において、貫通ビアを利用することでも全く同様に表層にＥＢＧ構造を構成することができる。
【０１４４】
〔第４の実施形態〕
図２８は、第４の実施形態に係る配線基板４００の上面図と断面図である。より詳細には、図２８（Ａ）は配線基板４００の上面図であり、図２８（Ｂ）は図２８（Ａ）で示す断面線における配線基板４００の断面図である。配線基板４００は、互いに対向するＡ層４１０、Ｂ層４２０、Ｃ層４３０、Ｄ層４４０、Ｅ層４５０、Ｆ層４６０、Ｇ層４７０、Ｈ層４８０を少なくとも備える多層基板である。なお、配線基板４００は、上述の８つの層以外の層を備えても構わない。また、配線基板４００は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述の８つの層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。
【０１４５】
配線基板４００には、複数の貫通ビア４８２が繰り返し配列されている。なお、貫通ビア４８２は、配線基板４００の最上面から最下面まで貫通するスルーホールの内面に導体が形成されることによって構成されている。
【０１４６】
Ａ層４１０〜Ｇ層４７０については、第１の実施形態で説明した事例のうち、貫通ビアを接続部材とし、当該貫通ビアがグラウンドプレーン１１１、１７１に接続する事例、具体的には図６（Ｇ）、図７（Ｇ）、図８（Ｆ）、図９（Ｄ）、図１３（Ｂ）等で説明した構成のいずれかを適用した配線基板１００におけるＡ層１１０〜Ｇ層１７０と同様である。ただし、本実施形態において信号線が配置されるＣ層４３０は、グラウンドプレーンが位置するＡ層４１０と導体エレメントが位置するＢ層４２０の間に位置している。また、信号線が配置されるＥ層４５０は、導体エレメントが位置するＦ層４６０とグラウンドプレーンが位置するＧ層４７０の間に位置している。
【０１４７】
Ｈ層４８０は、グラウンドプレーン４１１上に積層された誘導体層であって、配線基板４００の表面に露出している。また、Ｈ層４８０は、電子素子４８１が実装されている実装領域と、電子素子４８１を囲うメタルキャップパッド４８３とを備える。メタルキャップパッド４８３は、貫通ビア４８２に接続されている。また、メタルキャップパッド４８３にはメタルキャップ４８４が接続され、電子素子４８１を覆っている。
【０１４８】
本実施形態において、配線基板４００は、最上部の表面層であるＨ層４８０に位置し、電子素子４８１が実装されている実装領域と、Ｈ層４８０に設置され、電子素子４８１を覆っているメタルキャップ４８４とを備えることを説明した。しかし、配線基板４００は、最下部の表面層に上記実装領域を備え、メタルキャップ４８４を設置してもよい。
【０１４９】
なお、ここで電子素子４８１を覆うとは、電子素子４８１を基準として全方位を覆うことが望ましい。しかし、メタルキャップ４８４には、抑制対象となる周波数帯域のノイズの波長より十分に短い直径の孔が単一または複数設けられてもよい。
【０１５０】
ここで、第４の実施形態の効果について説明する。本実施形態の配線基板４００は、メタルキャップ４８４を備えるので、電子素子４８１から発生し空中を伝播するノイズを遮蔽することができる。
【０１５１】
また、メタルキャップパッド４８３が貫通ビア４８２に接続されているので、Ｈ層４８０を伝播するノイズ（表面波）を遮蔽することもできる。そして、第１の実施形態と同様に、Ａ層４１０〜Ｇ層４７０を伝播するノイズの漏洩を防ぐことができる。
【０１５２】
さらに、貫通ビア４８２によって占有されるＨ層４００上の領域に、メタルキャップパッド４８３を設けて、メタルキャップ４８４を搭載するので、省スペース化を図ることもできる。なお、ここでは配線基板１００の貫通ビアを利用して表層にＥＢＧ構造を構成する場合について示したが、当然第２の実施形態で示した配線基板２００において、貫通ビアを利用することでも全く同様に表層にメタルキャップを構成することができる。
【０１５３】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【０１５４】
例えば、第２〜第４の実施形態では、配線基板の表面に電子素子が実装されていた。しかし、本発明の配線基板は、グラウンドプレーン（第３導体と第４導体）が形成される層（第２の層と第３の層）の中間層に、電子素子が実装されている実装領域を備えてもよい。ただし、この場合、配線基板は、ビルドアッププロセスで製造されるため、接続部材は非貫通のレーザビアであることが望ましい。
【０１５５】
また、上記の実施形態のいずれにおいても、電源プレーン（第１導体）は、物理的に完全に分離しているように図示しているが、これに限らない。すなわち、本発明の配線基板は、一の電源プレーンと他の電源プレーンとを物理的に接続する接続部等を備えてもよい。ただし、上記接続部は、絶縁体である必要がある。
【０１５６】
なお、当然ながら、上述した実施の形態および変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。
【０１５７】
この出願は、２０１０年３月８日に出願された日本特許出願特願２０１０−０５１０７９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【国際調査報告】
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