(57)【要約】  大発光面積を有し、製造が容易な有機電界発光素子およびその製造方法を提供する。  第１屈折率ｎ１を有する第１基板１１と、第１基板１１の上面に接合され、第１屈折率ｎ１より高い第２屈折率ｎ２を有する第２基板１２と、一辺１４ａが第２基板１２の上面１２ａと同一平面を形成するように第２基板１２に埋め込まれた楔形の複数の金属配線１４と、第２基板１２および複数の金属配線１４の上面１２ａに形成された透明電極１５と、複数の金属配線１４と対向する透明電極１５部分上に形成された絶縁層１６と、絶縁層１６が形成された透明電極１５上に形成された有機発光層１７と、有機発光層１７上に形成された金属電極１８と、を具備する。
2011016086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１屈折率を有する第１基板と、
前記第1基板の上面に接合され、前記第１屈折率より高い第２屈折率を有する第２基板と、
一辺が前記第２基板の上面と同一平面を形成するように前記第２基板に埋め込まれた楔形の複数の金属配線と、
前記第２基板および前記複数の金属配線の上面に形成された透明電極と、
前記複数の金属配線と対向する前記透明電極部分上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層が形成された前記透明電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された金属電極と、
を具備することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記有機発光層が、前記絶縁層が形成された前記透明電極上に有機発光材料を塗布することにより形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記第１基板および前記第２基板が、プラスチックであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記複数の金属配線が並置され、隣なり合う前記金属配線間の距離が１ｍｍ以上、且つ１０ｍｍ以下であり、前記第２基板の厚さが０．１ｍｍ以上、且つ１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
第１屈折率を有する第１基板の上面に、一辺が上面と同一平面を形成するように埋め込まれた楔形の複数の金属配線を有し、且つ前記第１屈折率より高い第２屈折率を有する第２基板が接合された複合基板を形成する工程と、
前記第２基板および前記複数の金属配線の上面に透明電極を形成する工程と、
前記複数の金属配線と対向する前記透明電極部分上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層が形成された前記透明電極上に、有機発光材料を塗布して有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上に金属電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記複合基板を形成する工程は、
前記第２基板の上面に、前記第２基板が軟化する温度より高く、且つ溶融する温度より低い温度に加熱された前記複数の金属配線の楔の頂点を当接させ、前記一辺が前記上面と同一平面を形成するまで前記一辺を押圧することにより、前記複数の金属配線を前記第２基板に埋め込み、前記第１基板の上面に前記第２基板の下面を重ね、前記第１基板と前記第２基板とを熱圧着することにより行うことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記複合基板を形成する工程は、
第３基板上に前記複数の金属配線を、前記一辺が前記第３基板に接するように載置し、前記第３基板上に前記複数の金属配線を覆うように前記第２基板材料の第２溶融液を滴下し、前記第２溶融液を固化させることにより、前記複数の金属配線を前記第２基板に埋め込み、
前記第２基板上に前記第１基板材料の第１溶融液を滴下し、前記第１溶融液を固化させた後に、前記第３基板を除去することにより行うことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記透明電極部分上に絶縁層を形成する工程は、
前記透明電極の上面全面に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上にレジスト膜を形成し、前記複数の金属配線をマスクとして前記第１基板の下面側から露光するフォトリソグラフィ法により前記複数の金属配線と対向する領域の前記レジスト膜を残置し、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングすることにより行うことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記第２基板を、予め室温より高く、前記第２基板が軟化する温度より低い温度に加熱しておくことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、一対の電極に挟持された有機発光層に電圧を印加して、陰極から電子を、陽極から正孔を注入し、電子と正孔を再結合させることにより励起子を生成し、励起子が放射失活する際の発光を利用する発光素子である。【０００３】
従来、有機電界発光素子として、有機発光層からの光の取り出し効率を高めるためにメサ加工が施された基板（Shaped Substrates）を用いたものが知られている（例えば、非特許文献１参照。）。【０００４】
この有機電界発光素子では、ガラス基板上に有機発光層より高い屈折率を有する高屈折率層が形成され、高屈折率層およびガラス基板にメサ加工が施され、高屈折率層上に透明電極と金属電極とで挟持された有機発光層が形成されている。【０００５】
更に、メサの側壁に金属ミラーが形成され、金属ミラー上にメサを平坦化するためのポリイミド層が形成され、ポリイミド層上には透明電極とコンタクトする金属配線が形成されている。【０００６】
有機発光層から高屈折率層に入射した光のうち、高屈折率層内を横方向に進行する光は、金属ミラーで反射され、進路がガラス基板側に曲げられるので、有機電界発光素子の外に取り出すことができる。【０００７】
然しながら、この有機電界発光素子では、高屈折率層内を横方向に進行する光は、高屈折率層とガラス基板との界面での全反射と金属電極での正反射とを繰り返しながら進行するが、高屈折率層が薄いため、単位長さ当たりの反射回数が多くなる。【０００８】
その結果、この横方向に進行する光は反射回数に応じて急速に減衰するので、隣接するメサ間の距離、即ち金属配線間の距離が大きくなると、金属ミラーに到達する光が減少し、光取り出し効率の向上効果が損なわれ、有機電界発光素子の大面積化が困難になるという問題がある。【０００９】
更に、この有機電界発光素子は製造工程が複雑であり、製造に多大な時間と費用を要するという問題がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Optics Letters, 22, 396(1997)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、大発光面積を有し、製造が容易な有機電界発光素子およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様の有機電界発光素子は、第１屈折率を有する第１基板と、前記第1基板の上面に接合され、前記第１屈折率より高い第２屈折率を有する第２基板と、一辺が前記第２基板の上面と同一平面を形成するように前記第２基板に埋め込まれた楔形の複数の金属配線と、前記第２基板および前記複数の金属配線の上面に形成された透明電極と、前記複数の金属配線と対向する前記透明電極部分上に形成された絶縁層と、前記絶縁層が形成された前記透明電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された金属電極と、を具備することを特徴としている。【００１３】
本発明の一態様の有機電界発光素子の製造方法は、第１屈折率を有する第１基板の上面に、一辺が上面と同一平面を形成するように埋め込まれた楔形の複数の金属配線を有し、且つ前記第１屈折率より高い第２屈折率を有する第２基板が接合された複合基板を形成する工程と、前記第２基板および前記複数の金属配線の上面に透明電極を形成する工程と、前記複数の金属配線と対向する前記透明電極部分上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層が形成された前記透明電極上に、有機発光材料を塗布して有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層上に金属電極を形成する工程と、を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、大発光面積を有し、製造が容易な有機電界発光素子およびその製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施例１に係る有機電界発光素子を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図２】有機電界発光素子において、横方向に進行する光の伝播経路を比較例と対比して示す図。
【図３】比較例の有機電界発光素子を示す断面図。
【図４】有機電界発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図５】有機電界発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図６】有機電界発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図７】本発明の実施例２に係る有機電界発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【図８】有機電界発光素子の製造工程を順に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１７】
本発明の実施例１に係る有機電界発光素子について図１を用いて説明する。図１は有機電界発光素子を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。【００１８】
図１に示すように、本実施例の有機電界発光素子１０は、第１屈折率ｎ１を有する第１基板１１の上面に第１屈折率ｎ１より高い第２屈折率ｎ２を有する第２基板１２が接合された複合基板１３を有する。【００１９】
第１基板１１は、プラスチックで、例えば第１屈折率ｎ１が１．５１、厚さが３００μｍ程度のポリエチレンフィルムからなる。第２基板１２は、プラスチックで、例えば第２屈折率ｎ２が１．７、厚さｔ１が１００μｍ程度のポリイミドフィルムからなる。この第１基板１１と第２基板１２の接合面１３ａ、および第２基板１２の上面１２ａは、いずれも平坦に形成されている。【００２０】
第２基板１２には、複数の金属配線１４が形成されている。金属配線１４の各々は、例えばアルミニウムからなり、楔形の断面構造、およびストライプ形の平面構造を有する。この金属配線１４の各々は、ピッチＰ１で並置され、楔の一辺１４ａが第２基板１２の上面１２ａと同一平面を形成し、且つ楔の頂点１４ｂが複合基板１３の接合面１３ａと接するように第２基板１２に埋め込まれている。  
ここでは、金属配線１４の各々は、ピッチＰ１が１ｍｍ程度、楔の一辺１４ａの幅がピッチＰ１のほぼ１／１０の０．１ｍｍ程度、楔の頂点１４ｂまでの高さ（楔の高さ）が、第２基板１２の厚さｔ１にほぼ等しく設定されている。【００２１】
金属配線１４のピッチＰ１は、後述する透明電極１５の導電率に応じて、横方向（紙面のＸ方向）の電位降下による有機発光層１７の発光量の低下が無視できる程度の間隔に設定されている。  
また、金属配線１４の各々は、ストライプの両端が互いに接続され、同電位にされている（図示せず）。【００２２】
第２基板１２の上面には透明電極１５が形成されている。この透明電極１５は、例えば屈折率が１．８、厚さが１００ｎｍ程度のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、第２基板１２および複数の金属配線１４の上面１２ａの全面に形成されている。この透明電極１５は、有機電界発光素子１０のアノード電極となる。【００２３】
この透明電極１５上には、絶縁層１６が形成されている。この絶縁層１６は、例えば厚さが１００ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなり、金属配線１４の各々に対向する領域の透明電極１５部分上に形成されている。【００２４】
この絶縁層１６は、後述する有機発光層１７からの光の多くが金属配線１４で遮光されて有機電界発光素子１０の外に取り出せないため、金属配線１４に対向する領域の透明電極１５部分から有機発光層１７を絶縁分離して、無駄な電力の消費を防止するために形成される。【００２５】
絶縁層１６が形成された透明電極１５の上面全面には、有機発光層１７が形成されている。有機発光層１７は、例えば屈折率が１．７、厚さが１００ｎｍ程度の有機材料膜からなり、例えば塗布法により形成される。【００２６】
この有機発光層１７は、透明電極１５と後述する金属電極１８との間に電圧が印加されると、有機発光層内に電子と正孔が注入され、電子と正孔の再結合により生成した励起子の放射失活により発光する。【００２７】
有機発光層１７上には、金属電極１８が形成されている。この金属膜１８は、例えば厚さが３００ｎｍ程度のアルミニウム膜からなり、有機電界発光素子１０のカソード電極となる。【００２８】
上記構造の有機電界発光素子では、金属配線１４が埋め込まれ、平坦な上面を有する複合基板１３が、塗布法で有機発光層１７を形成可能にするとともに、有機発光層１７からの光の取出し効率を高めるように構成している。【００２９】
即ち、楔形の金属配線１４の傾斜側面は、第２基板１２内を横方向に進行する光１９の進路を下方の第１基板１１側に曲げるミラーとして機能する。【００３０】
そして、有機発光層１７から第２基板１２に入射した光のうち、第２基板１２内を横方向に進行する光は、第１基板１１と第２基板１２との界面（接合面）１３ａでの全反射と、金属電極１８での正反射とを繰り返しながら進行する。しかし、横方向に進行する光は、第２基板１２が１００μｍ程度と厚く形成されているため、第２基板１２内における光の単位長さ当たりの反射回数が少なく、減衰せずに長い距離を進行することができる。【００３１】
その結果、第２基板１２内を横方向に進行する光は、ピッチＰ１が大きくても楔形の金属配線１４の傾斜側面に到達し、下方の第１基板１１側に曲げられて、第１基板１１に入射する確率が高まる。【００３２】
しかも、第２基板１２から第１基板１１に入射した光の多くは、進路を下方にとる確率が高まり、第１基板１１と空気との界面で全反射されずに有機電界発光素子１０の外に取り出される。【００３３】
更に、横方向に進行する光の伝搬経路について、図２及び図３を参照して、詳細に説明する。【００３４】
図２は有機電界発光素子１０において、横方向に進行する光の伝搬経路を、比較例と対比して説明するための図である。ここで、比較例とは、図３に示すように、非特許文献１に記載された有機電界発光素子のことである。【００３５】
比較例の有機電界発光素子３０は、ガラス基板３１上に高屈折率層３２（ＴｉＯ２、〜１μｍ厚）が形成され、高屈折率層３２およびガラス基板３１にメサ加工が施され、高屈折率層３２上に透明電極（ＩＴＯ膜）３３と、金属電極層３４とで挟持された有機発光層３５が形成された構造である。【００３６】
更に、ガラス基板３１のメサの両側壁と、高屈折率層３２のメサの一方の側壁とに金属ミラー３６が形成され、ガラス基板３１の金属ミラー３６上にメサを平坦化するためのポリイミド層３７が形成され、ポリイミド層３７上には透明電極層３３とコンタクトする金属配線３８が形成されている。【００３７】
始めに、比較例について説明する。図２（ｂ）に示すように、比較例の有機電界発光素子３０においては、高屈折率層３２の厚さｔ２が〜１μｍと薄く、且つ高屈折率層３２とガラス基板３１との界面での全反射の臨界角θ２（〜２９．５°）が小さい。【００３８】
そのため、横方向に進行する光２２は、高屈折率層３２とガラス基板３１との界面での全反射と、金属電極３４での正反射とを繰り返しながら横方向に進行するが、１回の反射で進む距離Ｌ２が最小で１．３６μｍと小さいので、単位長さ当りの反射回数が増大する。【００３９】
その結果、横方向に進行する光は、短い距離で減衰してしまう。例えば、金属電極３４の反射率が０．９の場合、光が最小で８μｍ（６×Ｌ２）程度進行したところで、強度はほぼ半減する。【００４０】
このことは、金属ミラー３６を機能させるためには、ガラス基板３１における隣接するメサ間の距離、即ち隣接する金属配線３８の間の距離を大きくすることができないことを示している。【００４１】
一方、本実施例の有機電界発光素子１０においては、第１基板１２の厚さｔ１が〜１００μｍと厚く、且つ第１基板１２と第２基板１３との界面での全反射の臨界角θ１（〜６２．６°）が大きい。【００４２】
そのため、横方向に進行する光２１は、第１基板１２と第２基板１３との界面での全反射と、金属電極１８での正反射とを繰り返しながら横方向に進行するが、１回の反射で進む距離Ｌ１が最小で３８６μｍと大きいので、単位長さ当りの反射回数が減少する。【００４３】
その結果、横方向に進行する光は、減衰するまでに長い距離を進行することができる。例えば、金属電極１８の反射率が０．９の場合、光の強度が半減するまでに、最小で２ｍｍ以上（６×Ｌ１）進行することができる。【００４４】
このことは、隣接する金属配線１４の間の距離を大きくしても、金属配線１４のミラーを十分に機能させることができることを示している。【００４５】
従って、本実施例の有機電界発光素子１０は、光取り出し効率を維持して金属配線１４のピッチＰ１を大きくすることが可能であり、大面積で発光させることが必要な照明用途の有機電界発光素子に適した構造である。【００４６】
次に、上記構造の有機電界発光素子１０の製造方法について説明する。図４乃至図６は有機電界発光素子１０の製造工程を順に示す断面図である。  
まず、第１基板１１、第２基板１２、楔形の複数の金属配線１４を用意する。  
次に、図４（ａ）に示すように、楔形の複数の金属配線１４を、第２基板１２であるポリイミドが軟化する温度（〜２００℃）より高く、且つ溶融する温度（〜３５０℃）より低い温度（〜２５０℃）に加熱した後、楔の頂点１４ｂを第２基板１２の上面１２ａに当接させる。【００４７】
楔形の金属配線１４は、例えばＶ字状の断面を有するブレードを用いてアルミニウム板を切断することにより形成する。金属配線１４の加熱は、金属配線１４を熱板上に載置して加熱する、または高周波により誘導加熱する、あるいは通電して自己加熱するなどの種々の方法により行うことができる。【００４８】
次に、図４（ｂ）に示すように、楔の一辺１４ａを押圧し、楔形の金属配線１４を第２基板１２に押し込んでいく。  
次に、図４（ｃ）に示すように、楔の一辺１４ａが第２基板１２の上面１２ａと同一平面を形成するまで、更に押し込み、楔形の複数の金属配線１４を第２基板１２に埋め込む。【００４９】
次に、図４（ｄ）に示すように、第１基板１１の上面に第２基板１２の下面１２ｂを重ねて熱圧着し、第１基板１１と第２基板１２とを接合する。これにより、第１屈折率ｎ１を有する第１基板１１上に、楔形の複数の金属配線１４が埋め込まれ、第１屈折率ｎ１より高い第２屈折率ｎ２を有する第２基板１２が接合され、平坦な上面を有する複合基板１３が得られる。【００５０】
次に、図５（ａ）に示すように、第２基板１２および楔形の複数の金属配線１４の上面１２ａの全面に透明電極１５として、例えばスパッタリング法により厚さ１００ｎｍ程度のＩＴＯ膜を形成する。【００５１】
次に、図５（ｂ）に示すように、透明電極１５上の全面に、例えばスパッタリング法により厚さ１００ｎｍ程度の絶縁膜としてのシリコン酸化膜５１を形成し、シリコン酸化膜５１上にレジスト膜５２を形成した後、楔形の複数の金属配線１４をマスクとして、第１基板１１の下面側からレジスト膜５２に光５３を照射する。【００５２】
次に、図５（ｃ）に示すように、レジスト膜５２を現像した後、光５３が照射された領域のレジスト膜５２を選択的に除去し、楔形の複数の金属配線１４と対向する領域のシリコン酸化膜５１部分上にレジスト膜５２を残置する。【００５３】
次に、図６（ａ）に示すように、残置されたレジスト膜５２をマスクとして、シリコン酸化膜５１を、例えばフッ酸を含む水溶液を用いてエッチングする。これにより、透明電極１５上に金属配線１４と対向する領域の透明電極１５部分上に絶縁層１６が形成される。【００５４】
次に、図６（ｂ）に示すように、レジスト膜５２を除去した後に、絶縁層１６が形成された透明電極１５の上面全面に、塗布法により厚さ１００ｎｍ程度の有機発光層１７を形成する。具体的には、溶剤に溶かした有機発光材料をスピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法などにより塗布した後、乾燥して溶剤を飛散させることにより有機発光層１７を形成することができる。【００５５】
次に、図６（ｃ）に示すように、有機発光層１７上に、例えば真空蒸着法により厚さ３００ｎｍ程度の金属電極１８としてのアルミニウム膜を形成する。これにより、図１に示す有機電界発光素子１０が得られる。【００５６】
本実施例の有機電界発光素子１０の製造工程では、フォトリソグラフィ工程は、図５（ｂ）に示すように、金属配線１４をマスクとして自己整合的にレジスト膜５２を露光し、シリコン酸化膜５１をパターニングする工程の１回のみで足りる。【００５７】
一方、比較例の有機電界発光素子３０の製造工程では、透明電極３３とメサ３１ａのパターニング、金属ミラー３６のパターニング、金属配線３８のパターニング、有機発光層３５と金属電極３４のパターニングを行うには、少なくとも４回のフォトリソグラフィ工程が必要である。【００５８】
仮に、高屈折率層３２を１００μｍまで厚くできたとしても、ガラス基板３１の上面と高屈折率層３２の上面との間に大きな段差が生じるので、塗布法により有機発光層３５を形成することができなくなる。  
仮に、この段差をポリイミドで平坦化したとしても、高屈折率層３２のメサにおいて、ガラス基板とポリイミドとの屈折率差が小さくなるので、光の取り出し効率が低下することになる。【００５９】
以上説明したように、本実施例では、プラスチック製の第１基板１１上に、楔形の複数の金属配線１４が埋め込まれ、且つ第１基板１１の屈折率ｎ１より高い第２屈折率ｎ２を有するプラスチック製の第１基板１２が接合された、平坦な上面を有する複合基板１３を用いている。【００６０】
その結果、第２基板１２を厚膜化（１００μｍ以上、且つ１ｍｍ以下）できるので、第２基板１２の厚さに応じて、金属配線１４のピッチＰ１を大きく（１ｍｍ以上、且つ１０ｍｍ以下）し、発光面積を大きくすることができる。【００６１】
有機電界発光素子１０の製造においては、複合基板１３の上面が平坦に形成されているので、有機発光層１７を塗布法により形成することができる。また、フォトリソグラフィ工程は、金属配線１４をマスクとして自己整合的に絶縁層１６を形成する工程の１回のみで足りる。  
従って、大発光面積を有し、製造の容易な有機電界発光素子およびその製造方法が得られる。【００６２】
ここでは、第２基板１２を加熱していないが、第２基板１２を予め室温より高く、第２基板１２が軟化する温度より低い温度に加熱しておくことが好ましい。第２基板１２を予め加熱しておくことにより、金属配線１４の押し込みが容易になり、短時間で押し込める利点がある。【００６３】
金属配線１４がストライプ状に配列されている場合について説明したが、特に限定されない。ストライプ状の他、格子状、放射状、環状、またはそれらを組み合わせた形状とすることが可能である。【００６４】
金属配線１４が放射状の場合は、隣り合う金属配線１４間の距離が連続的に変化するので、その距離が１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲に収まるように配置することが望ましい。
【実施例２】
【００６５】
本発明の実施例２に係る有機電界発光素子の製造方法について、図７を用いて説明する。図７は本実施例の有機電界発光素子の製造工程の要部を順に示す断面図である。  
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。本実施例が実施例１と異なる点は、金属配線の埋め込みを、並置された楔形の金属配線間に溶融した樹脂を滴下し、溶融した樹脂を固化させることによりおこなうことにある。【００６６】
即ち、図７（ａ）に示すように、第３基板６１、例えば厚さ１００μｍ程度の金属板上に、例えば耐熱温度２５０℃程度のシリコーンオイルを主成分とする離形剤を塗布した後、楔の一辺１４ａを第３基板６１側にして、楔形の複数の金属配線１４を第３基板６１上にピッチＰ１で並置する。更に、並置された金属配線１１の回りに、型枠６２を設置する。【００６７】
次に、図７（ｂ）に示すように、第３基板６１上に、ディスペンサー６３に充填された溶融ポリイミド（第１溶融液）６４を楔の頂点１４ｂが沈むまで滴下する。【００６８】
次に、溶融したポリイミドを固化させる。これにより、楔の一辺１４ａが上面１２ａと同一平面を形成するように、楔形の複数の金属配線１４が埋め込まれた第２基板１２を形成する。【００６９】
次に、図７（ｃ）に示すように、第２基板１２上に、ディスペンサー６５に充填された溶融ポリエチレン（第２溶融液）６６を滴下する。  
次に、図８（ａ）に示すように、溶融したポリエチレンを固化させる。これにより、第２基板１２の下面１２ｂに第１基板１１を接合する。【００７０】
次に、図８（ｂ）に示すように、第１基板１１を真空チャックに吸着して固定した後、巻き取るようにして、第２基板１２から第３基板６１を剥離する。【００７１】
次に、図８（ｃ）に示すように、型枠６２(図示せず)を除去することにより、第１屈折率ｎ１を有する第１基板１１上に、楔形の複数の金属配線１４が埋め込まれ、且つ第１屈折率ｎ１より高い第２屈折率ｎ２を有する第２基板１２が接合され、平坦な上面を有する複合基板１３が得られる。【００７２】
次に、図５および図６に示した工程に従い、透明電極１５、絶縁層１６、有機発光層１７、金属電極１８を形成することにより、図１に示す有機電界発光素子１０が得られる。【００７３】
以上説明したように、本実施例では、並置された楔形の金属配線１４間に溶融したポリイミドを滴下して固化させることにより、金属配線１４を第２基板１２に埋め込み、第２基板１２上に溶融したポリエチレンを滴下して固化させることにより、第２基板１２に第１基板１１を接合している。【００７４】
これにより、金属配線１４の第２基板１２への埋め込みと、第１基板１１と第２基板１２との接合を同一工程で連続しておこなうことができるので、製造工程が短縮される利点がある。従って、時間と費用が削減される利点がある。【００７５】
ここでは、第３基板６１を巻き取るようにして、第２基板１２から剥離する場合について説明したが、第３基板６１をエッチングにより除去することも可能である。例えば、金属配線１４が金で、第３基板６１がアルミニウムの場合、アルミニウムのエッチャント、例えばリン酸を含む水溶液を用いてエッチングすることができる。
【符号の説明】
【００７６】
１０、３０  有機電界発光素子
１１  第１基板
１２  第２基板
１２ａ  上面
１２ｂ  下面
１３  複合基板
１３ａ  接合面
１４、３８  金属配線
１４ａ  一辺
１４ｂ  頂点
１５、３３  透明電極
１６  絶縁層
１７、３５  有機発光層
１８、３４  金属電極
１９、２１、２２、５３  光
３１  ガラス基板
３１ａ  メサ
３２  高屈折率層（ＴｉＯ２層）
３６  金属ミラー
３７  ポリイミド
５１  シリコン酸化膜
５２  レジスト膜
６１  第３基板
６２  型枠
６３、６５  ディスペンサー
６４  溶融ポリイミド
６６  溶融ポリエチレン
【図１】
2011016086.tif 000003
【図２】
2011016086.tif 000004
【図３】
2011016086.tif 000005
【図４】
2011016086.tif 000006
【図５】
2011016086.tif 000007
【図６】
2011016086.tif 000008
【図７】
2011016086.tif 000009
【図８】
2011016086.tif 000010
【国際調査報告】
2011016086.tif 000011
2011016086.tif 000012
2011016086.tif 000013
2011016086.tif 000014