(57)【要約】導電層（１３）が凹部（Ｈ）の底に露出するように絶縁層（１５）に凹部（Ｈ）を形成する。凹部（Ｈ）の内面全体を覆うバリア層（１６）を形成する。バリア層（１６）は、導電層（１３）上では導電性を発現し、絶縁層（１５）上では絶縁性を発現する硼窒化ジルコニウム層である。バリア層（１６）の形成後、凹部（Ｈ）に有機金属気相成長法によりアルミニウム層（１７）を埋め込む。
2011059036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の導電層上に形成された絶縁層に、前記導電層を底に有する凹部を形成する工程と、
前記凹部の内面全体を覆うかたちにバリア層を形成する工程と、
前記バリア層の形成に前記バリア層に覆われた前記凹部に少なくとも有機金属気相成長法によりアルミニウム層を埋め込む工程と、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記バリア層が、前記導電層上では導電性を発現し、且つ前記絶縁層上では絶縁性を発現する硼窒化ジルコニウム層であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記アルミニウム層を埋め込む工程は、
前記バリア層に覆われた前記凹部に有機金属気相成長法により第１のアルミニウム層を埋め込む工程と、
前記第１のアルミニウム層が埋め込まれた前記凹部に物理的気相成長法により第２のアルミニウム層を更に埋め込む工程と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記硼窒化ジルコニウム層が形成される真空系にて同硼窒化ジルコニウム層の形成から連続して前記第１のアルミニウム層が形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記バリア層を形成する工程では、前記凹部の底を還元性の雰囲気に曝した後に前記硼窒化ジルコニウム層を形成する請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電層がメタルキャップ層と配線層とからなる積層体であり、
前記絶縁層が前記メタルキャップ層に積層される絶縁体であり、
前記凹部が前記メタルキャップ層を貫通する孔であって、当該凹部の底が前記配線層である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電層がメタルキャップ層と配線層とからなる積層体であり、
前記絶縁層が前記メタルキャップ層に積層される絶縁体であり、
前記凹部の底が前記メタルキャップ層である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板がシリコン基板であり、
前記導電層が前記シリコン基板に積層された金属シリサイド層である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記バリア層は、前記導電層に接触する導電体部分と、前記絶縁層に接触する絶縁体部分とを単一層内に含む硼窒化ジルコニウム層である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、特にＣＶＤ法を用いてアルミニウム配線が形成されてなる半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
微細化や多層化が進む半導体装置の製造方法では、配線加工を容易にすること、配線構造の信頼性を向上すること等、それらを目的としてダマシン法が採用されている。ダマシン法によって接続孔に配線が形成される際にはまず、接続孔の内面全体が覆われるようにバリア層が形成される。続いて接続孔内が充填されるように配線層が形成された後に、接続孔内を除いた部分の余剰となる上記バリア層及び配線層がＣＭＰ技術等によって除去される。そしてこれらの工程を経て、接続孔内を充填するような配線が形成される。このようなバリア層と配線層との組み合わせの一例には、特許文献１に示されるように、（ａ）窒素が反応ガスとなる反応性スパッタリング法によって形成される窒化チタン層と、（ｂ）例えばＭＰＡ（１−Ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｅ  ａｌａｎｅ）、ＤＭＥＡＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ  ａｌａｎｅ）、ＤＭＡＨ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｌｕｍｉｎｕｍ ｈｙｄｒｉｄｅ）、ＴＭＡＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ  ａｌａｎｅ）が原料となる有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によって形成されるアルミニウム層との組み合わせが知られている。【０００３】
上記（ａ）のような反応性スパッタリング法により窒化チタン層を形成すると、接続孔の底に到達する窒素の量が接続孔の開口と比較して少なくなるために、接続孔の底で窒素の濃度も低くなる。その結果、接続孔の開口付近の窒化チタン層よりもチタンの量が相対的に高いＴｉリッチな窒化チタン層が接続孔の底に形成されることとなる。一方、上記（ｂ）のようなＭＯＣＶＤ法によりアルミニウム層を形成すると、アルミニウムは金属Ｔｉのような導電性を有した部分に優先的に吸着するために、導電性の高い下地部分にてアルミニウム層（Ａｌ層）の成長が促進されることとなる。【０００４】
そのため上述したようなＴｉＮ層を下地として上記ＭＯＣＶＤ法が実行されることとなれば、比較的に高い導電性を有する下地部分、すなわち接続孔の底から優先的にＡｌ層が成長することとなる。つまり反応性のスパッタリング法によって形成されるＴｉＮ層と、ＭＯＣＶＤ法によって形成されるＡｌ層との組み合わせからなる配線構成であれば、こうした接続孔に対する埋め込み性が向上されることとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３４０８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、バリア層にＴｉＮ層を用いた場合には、接続孔の側壁にもＴｉＮが成膜され、側壁からもＡｌ膜が成長する。ここで、接続孔のアスペクト比（＝深さ／直径）が高い場合には、接続孔底部周辺で十分にＡｌ膜が成長する前に側壁から成長したＡｌ膜が接続孔を塞いでしまい、接続孔にＡｌを十分に埋め込むことができないという問題点があった。【０００７】
また、配線形成における対象基板の表面には多数の接続孔が含まれることが一般的であり、また接続孔の孔径や深さが、接続孔の接続先となる領域のサイズや接続孔が形成される絶縁層の膜厚に応じて互いに異なることも一般的である。上記反応性のスパッタリング法がこうした多数の接続孔に一度に適用されるとなれば、ＴｉＮ層におけるＴｉ濃度が接続孔の孔径や深さに応じて異なることとなってしまい、ＴｉＮ層におけるＴｉ濃度に依存するＡｌ層の成長も孔径や深さに応じて異なることになってしまう。例えば孔径の小さい接続孔の底ではＴｉリッチのＴｉＮ層が形成される一方、孔径の大きい接続孔の底ではＴｉリッチなＴｉＮ層が形成されなくなるために、孔径の大きい接続孔においてＡｌ層の成長が阻害されることになってしまう。その結果、ＭＯＣＶＤ法によって形成されるＡｌ層の埋め込み不良が発生することとなり、こうした構成からなる配線の信頼性を低下させることとなる。【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機金属気相成長法によって形成されるアルミニウム層が凹部に埋め込まれてなる半導体装置の製造方法であって、有機金属気相成長法によって形成されるアルミニウム層の埋め込み性を高めることによって信頼性を向上可能にする半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための手段及びその作用効果を以下に記載する。
本発明の第１の態様に従う半導体装置の製造方法は、半導体基板の導電層上に形成された絶縁層に、前記導電層を底に有する凹部を形成する工程と、前記凹部の内面全体を覆うかたちにバリア層を形成する工程と、前記バリア層の形成後に前記バリア層に覆われた前記凹部に少なくとも有機金属気相成長法によりアルミニウム層を埋め込む工程ととを備え、前記バリア層は、前記導電層上では導電性を発現し、且つ前記絶縁層上では絶縁性を発現する硼窒化ジルコニウム層である。【００１０】
第１の態様によればまず、導電層を底に有する凹部の内部が硼窒化ジルコニウム層によって覆われることになる。そして、導電層に接する部分のみが導電性となり、絶縁層に接する部分は絶縁性となるので、導電層と接する凹部の底部のみからアルミニウム層が成長する。しかも、形状、サイズ、半導体基板内における位置が互いに異なる凹部であっても、硼窒化ジルコニウム層が凹部の底でのみ導電性を発現することとなる。その結果、側壁から成長したアルミニウム膜により凹部が塞がれることがなく、凹部内をアルミニウムで完全に埋め込むことができる。【００１１】
一例では、前記アルミニウム層を埋め込む工程は、前記バリア層に覆われた前記凹部に有機金属気相成長法により第１のアルミニウム層を埋め込む工程と、前記第１のアルミニウム層が埋め込まれた前記凹部に物理的気相成長法により第２のアルミニウム層を更に埋め込む工程とを備える。【００１２】
この場合、導電性を有するバリア層の底を第１のアルミニウム層で埋め、凹部の開口付近を第２のアルミニウム層で埋めることができ、凹部をアルミニウムで完全に埋め込むことができる。【００１３】
一例では、前記硼窒化ジルコニウム層が形成される真空系にて同硼窒化ジルコニウム層の形成から連続して前記第１のアルミニウム層が形成される。
硼窒化ジルコニウム層の形成と第１のアルミニウム層の形成とが、共通する真空系にて連続的に行われるために、凹部の底を構成する硼窒化ジルコニウム層と大気等との接触が回避でき、凹部の導電性が保持され続ける。よって、硼窒化ジルコニウム層の形成に続く第１のアルミニウム層の形成では、凹部の底から、第１のアルミニウム層がより確実に成長することとなる。したがって、有機金属気相成長法によって形成されるアルミニウム層の埋め込み性を向上させることが可能となり、ひいては半導体装置の信頼性を向上させることが可能になる。【００１４】
一例では、前記バリア層を形成する工程では、前記凹部の底を還元性の雰囲気に曝した後に前記硼窒化ジルコニウム層を形成する。
凹部の底が導電層によって構成される場合であっても、こうした導電層上に絶縁性の残渣等があっては、導電層上の硼窒化ジルコニウム層の導電性が損なわれることとなる。特に絶縁層に凹部を形成する際には、レジストや絶縁層そのものに含まれる有機系の成分が少なからず上述したような絶縁性の残渣となってしまう。この点、凹部の底が還元性の雰囲気に曝された後に硼窒化ジルコニウム層が形成されることから、硼窒化ジルコニウム層の下地における有機系の残渣が還元によって除去可能になる。それゆえに、凹部の底における硼窒化ジルコニウム層が導電性をより確実に発現させることとなり、有機金属気相成長法によって形成されるアルミニウム層の埋め込み性をより確実に向上させることが可能となる。【００１５】
一例では、前記導電層がメタルキャップ層と配線層とからなる積層体であり、前記絶縁層が前記メタルキャップ層に積層される絶縁体であり、前記凹部が前記メタルキャップ層を貫通する孔であって、当該凹部の底が前記配線層である。【００１６】
この層構造の場合、配線層に接続されるアルミニウム配線の埋め込み性が顕著に向上可能になる。特に、凹部の底が還元性の雰囲気に曝された後に硼窒化ジルコニウム層が形成されるとなれば、配線層が酸化されやすい場合であっても、こうした配線層とアルミニウム配線との間の接続抵抗が十分に低減させることも可能となる。【００１７】
一例では、前記導電層がメタルキャップ層と配線層とからなる積層体であり、前記絶縁層が前記メタルキャップ層に積層される絶縁体であり、前記凹部の底が前記メタルキャップ層である。【００１８】
この層構造の場合、メタルキャップ層に接続されるアルミニウム配線の埋め込み性が顕著に向上可能になる。また導電層を構成する配線層がメタルキャップ層に覆われ続けるために、凹部の形成、硼窒化ジルコニウム層の形成、アルミニウム配線の形成に関わらず、同配線層の特性が確実に担保されることとなる。言い換えれば、凹部の形成、硼窒化ジルコニウム層の形成、アルミニウム配線の形成、これらに関わる各種条件の自由度が拡張可能にもなる。【００１９】
一例では、前記半導体基板がシリコン基板であり、前記導電層が前記シリコン基板に積層された金属シリサイド層である。
この層構造の場合、シリコン基板の表層である金属シリサイド層に接続されるアルミニウム配線の埋め込み性が顕著に向上可能になる。【００２０】
一例では、バリア層は、導電層に接触する導電体部分と、絶縁層に接触する絶縁体部分とを単一層内に含む硼窒化ジルコニウム層である。この場合、バリア層の形成に要する工程数を増やすことなく、上記の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】配線形成方法の各工程の流れを示すフローチャート。
【図２】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）第一の実施の形態の配線形成方法における各工程を示す工程図。
【図３】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）第二の実施の形態の配線形成方法における各工程を示す工程図。
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）第三の実施の形態の配線形成方法における各工程を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
（第一の実施形態）
以下、本発明を具体化した第一の実施形態について図１を参照して説明する。図１に示されるように、半導体装置の製造方法としての配線形成方法では、ホール形成工程（ステップＳ１）、硼窒化ジルコニウム（ＺｒＢＮ）の前処理工程（ステップＳ２）、ＺｒＢＮ成膜工程（ステップＳ３）、有機金属気相成長法によるアルミニウム膜の成膜工程（ＭＯＣＶＤ−Ａｌ成膜工程：ステップＳ４）、物理的気相成長法によるアルミニウム膜の成膜工程（ＰＶＤ−Ａｌ成膜工程：ステップＳ５）がこの順に実行される。なお半導体装置とは、例えば各種ＲＡＭや各種ＲＯＭを含むメモリ、ＭＰＵや汎用ロジックを含むロジック等、コンタクトプラグやビアプラグにアルミニウムが採用され得る半導体装置である。図２（ａ）〜（ｄ）は、こうした配線形成方法が半導体基板における多層配線上に適用された一例を示す工程図である。
【００２３】
ホール形成工程（ステップＳ１）ではまず、図２（ａ）に示されるように、下層絶縁層１１、バリア層１２、金属配線層１３、導電層としてのメタルキャップ層１４がこの順に積層されてなる多層配線上に、上層絶縁層１５が形成される。次いで上層絶縁層１５上にレジストマスクが形成された後に、当該レジストマスクがマスクとなるドライエッチング法によって、上層絶縁層１５を貫通する凹部としての貫通孔（ビアホール：ホールＨ）がメタルキャップ層１４を底Ｈｂに有するかたちに形成される。図示した例では、ホールＨの側面は絶縁層１５により提供され、ホールＨの底Ｈｂはメタルキャップ層１４により提供される。よって、ホールＨの内面のうち底Ｈｂのみが導電性である。
【００２４】
なお下層絶縁層１１は、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やスピンコート法等の成膜方法によって形成される、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）や低誘電率有機膜等の絶縁膜を用いることが可能である。バリア層１２は、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）やＣＶＤ法等の成膜方法によって形成される、窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）、硼窒化ジルコニウム膜（ＺｒＢＮ膜）等のバリア膜を用いることが可能である。金属配線層１３は、ＰＶＤ法やめっき法等の成膜方法によって形成される、アルミニウム膜（Ａｌ膜）、銅膜（Ｃｕ膜）、タングステン膜（Ｗ膜）等の金属膜を用いることが可能である。メタルキャップ層１４としては、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等、各種の成膜方法によって形成される、硼窒化ジルコニウム膜や硼化ジルコニウム膜等のメタルキャップ膜を用いることが可能である。
【００２５】
ホールＨが形成される対象である上層絶縁層１５としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、リンが添加されたシリコン酸化膜、硼素が添加されたシリコン酸化膜、低誘電率有機膜等、各種の絶縁膜を用いることが可能である。またこうした上層絶縁層１５の形成方法としては、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、スピンコート法等、これもまた各種の成膜方法が挙げられて、対象となる配線構造に適した方法がこれらの方法のうちから適宜選択されるものであればよい。
【００２６】
ホール形成工程に続くＺｒＢＮ前処理工程（ステップＳ２）では、ホールＨを有する半導体基板が還元性の雰囲気下に置かれて、ホールＨの底Ｈｂであるメタルキャップ層１４の一部が還元性の雰囲気に曝される。上層絶縁層１５にホールＨが形成される際には、レジストマスクに含まれる有機系の成分、ドライエッチング法によって生成される有機系の副生成物、低誘電率有機膜そのものに含まれる有機系の成分等、各種の有機系の成分が少なからずホールＨの底Ｈｂで残渣となってしまう。このＺｒＢＮ前処理工程では、ホールＨの底Ｈｂにおけるこうした残渣を除去可能にする還元性の雰囲気に、同ホールＨの底Ｈｂが曝されることとなる。こうした還元処理がホールＨの底Ｈｂに施されることとなれば、ホールＨの底Ｈｂにおける有機系の残渣が揮発性のガスとなって半導体基板から除去されることとなる。
【００２７】
このような還元性の雰囲気としては、水素ガスやアンモニアガスから構成されるガス雰囲気、水素イオンや水素ラジカルを含むプラズマ雰囲気を用いることが可能である。またこうした還元性の雰囲気の形成方法としては、半導体基板が載置される真空チャンバ内に上述した還元性のガスが供給される態様、さらには水素ガスやアンモニアがマイクロ波源等の励起源に励起されてなるプラズマが同真空チャンバ内に生成される態様が挙げられて、対象となる有機系の残渣に応じた方法がこれらの態様のうちから適宜選択されるものであればよい。例えば上記水素ラジカルが用いられる場合であれば、以下の条件によって上述した還元処理が可能となる。
・基板温度：１００℃〜２５０℃
・水素ガス流量：２００ｓｃｃｍ
・アルゴンガス流量：３０ｓｃｃｍ
・マイクロ波出力：１００Ｗ
・処理圧力：５０〜５００Ｐａ
ＺｒＢＮ前処理工程に続くＺｒＢＮ成膜工程（ステップＳ３）では、図２（ｂ）に示されるように、ホールＨの内面全体を覆うかたちにバリア層としてのＺｒＢＮ層１６が形成される。ここにおけるＺｒＢＮ層１６は、上層絶縁層１５に対するアルミニウム原子の拡散や上層絶縁層１５からホールＨ内への水分等の拡散を抑制する高いバリア性を有する膜であって、導電体であるメタルキャップ層１４上では導電性を発現し、且つ上層絶縁層１５上では絶縁性を発現する膜である。このような電気導電率の指標としては、例えばメタルキャップ層１４上におけるＺｒＢＮ層１６の部分（導電体部分１６ａ）が５〜８μΩ・ｃｍの比抵抗値を示し、また上層絶縁層１５上におけるＺｒＢＮ層１６の部分（絶縁体部分１６ｂ）が１０２Ω・ｃｍ以上の比抵抗値を示すことが挙げられる。
【００２８】
なおホールＨの底Ｈｂがメタルキャップ層１４によって構成される場合であっても、こうしたメタルキャップ層１４上に絶縁性の残渣等があっては、メタルキャップ層１４上のＺｒＢＮ層１６の導電性が損なわれることとなる。特に上記上層絶縁層１５にホールＨが形成される際には、レジストや上層絶縁層１５そのものに含まれる有機系の成分が少なからず上述したような絶縁性の残渣となってしまう。この点、本実施形態では、このＺｒＢＮ層１６の形成に先立ってホールＨの底Ｈｂが還元性の雰囲気に曝されているために、ＺｒＢＮ層１６の下地における有機系の残渣がこれの還元によって除去されて、ホールＨの底ＨｂにおけるＺｒＢＮ層１６が導電性をより確実に発現可能となる。
【００２９】
このようなＺｒＢＮ層１６の形成方法としては、例えば半導体基板が載置される真空チャンバ内に、アルゴンガスによるバブリング法によってＺｒ（ＢＨ４）４が供給されつつ、同真空チャンバ内に窒素ラジカルが供給されることによってＺｒＢＮ層１６が形成されるといったＣＶＤ法が挙げられる。また半導体基板が載置される真空チャンバ内にＺｒ（ＢＨ４）４が間欠的に供給されつつ、同真空チャンバ内に窒素ラジカルが供給されることによってＺｒＢＮ層１６が形成されるといった原子層蒸着法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）も挙げられる。さらにまた、半導体基板が載置される真空チャンバ内において、ジルコニウムと窒化ジルコニウムとホウ化ジルコニウムとからなる群から選択される一つのターゲットと、窒化ホウ素を主成分とするターゲットとが用いられるスパッタリング法によってＺｒＢＮ層１６が形成されるといったスパッタリング方法も挙げられる。例えば上記ＣＶＤ法が用いられる場合であれば、以下の条件によって上述したＺｒＢＮ層１６を得ることが可能となる。
・基板温度：２４０℃
・Ｚｒ（ＢＨ４）４供給方法：アルゴンガスがキャリアガスとなるバブリング法
・Ｚｒ（ＢＨ４）４供給量：１００ｓｃｃｍ
・Ｎ２ガス供給量：１００ｓｃｃｍ
・マイクロ波出力：５００Ｗ
・処理圧力：７００Ｐａ
ＺｒＢＮ成膜工程に続くＭＯＣＶＤ−Ａｌ成膜工程（ステップＳ４）では、ＺｒＢＮ層１６の覆われたホールＨ内にＭＯＣＶＤ法によって第１のアルミニウム層１７が埋め込まれる。この第１のアルミニウム層１７が形成される際には、先行して形成されたＺｒＢＮ層１６が大気等に曝されることなく、且つＺｒＢＮ層１６が形成される真空系にて同ＺｒＢＮ層１６の形成から連続して第１のアルミニウム層１７が形成される。例えば上記ＺｒＢＮ層１６が形成される真空チャンバと上記第１のアルミニウム層１７が形成される真空チャンバとが１つの真空搬送チャンバに連結されたクラスター型の装置が用いられて、ＺｒＢＮ層１６が形成された半導体基板は、真空搬送チャンバを介して、ＺｒＢＮ層１６用の真空チャンバから第１のアルミニウム層１７用の真空チャンバへと搬送される。こうした構成であれば、ＺｒＢＮ層１６と第１のアルミニウム層１７とが共通する真空系で連続的に形成されるために、ホールＨの底Ｈｂを構成するＺｒＢＮ層１６と大気等との接触が回避可能となり、ホールＨの底Ｈｂにおける酸化が抑えられてそれの導電性がより確実に保持され続けることとなる。
【００３０】
その結果、形状、サイズ、半導体基板における位置が互いに異なるホールＨであっても、同ホールＨを覆うバリア層としてのＺｒＢＮ層１６が、ホールＨの底Ｈｂでのみ導電性を発現することとなる。よって、形状やサイズが互いに異なるホールＨであっても、ＺｒＢＮ層１６の形成に続く第１のアルミニウム層１７の形成では、ホールＨの底Ｈｂから、第１のアルミニウム層が成長することとなる。したがって、ＭＯＣＶＤ法によって形成される第１のアルミニウム層１７の埋め込み性を向上させることが可能となる。
【００３１】
このような第１のアルミニウム層１７の原料である有機アルミニウム化合物としては、例えばＭＰＡ（１−Ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｅ  ａｌａｎｅ）、ＤＭＥＡＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ  ａｌａｎｅ）、ＤＭＡＨ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｌｕｍｉｎｕｍ ｈｙｄｒｉｄｅ）、ＴＭＡＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ  ａｌａｎｅ）を用いることが可能である。例えばＭＰＡを用いる場合であれば、以下の条件によって上述した第１のアルミニウム層１７を得ることが可能となる。
・基板温度：９０℃〜１３０℃
・ＭＰＡ供給方法：アルゴンガスがキャリアガスとなるバブリング法
・ＭＰＡ供給量：０．０１ｇ／ｍｉｎ〜０．５ｇ／ｍｉｎ
・処理圧力：１０Ｐａ〜６６６Ｐａ
ＰＶＤ−Ａｌ成膜工程（ステップＳ５）では、ホールＨの殆どが第１のアルミニウム層１７によって埋め込まれた状態から、第２のアルミニウム層１８がスパッタリング法によって半導体基板の表面に形成される。この第２のアルミニウム層１８が形成される際には、半導体基板の温度が３８０℃〜４５０℃に保持されており、アルミニウムの流動性がホールＨの埋め込みに対して利用される。そして第１のアルミニウム層１７によって埋め込まれていないホールＨの部分が第２のアルミニウム層１８によって完全に充填されることとなる。その後、こうした第２のアルミニウム層１８にレジストマスクが形成されて、さらに当該レジストマスクがマスクとなるドライエッチング法が第２のアルミニウム層１８に適用されることによって、メタルキャップ層１４と上層絶縁層１５上とを接続するアルミニウム配線が形成される。
【００３２】
以上説明したように、第一の実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
（１）第１のアルミニウム層１７が埋め込まれる際のホールＨでは、ＺｒＢＮ層に固有の下地の依存性によって同ホールＨの底Ｈｂのみが導電性となる。そしてＺｒＢＮ層１６と第１のアルミニウム層１７とが共通する真空系で連続的に形成されるために、ホールＨの底Ｈｂを構成するＺｒＢＮ層１６と大気等との接触が回避可能となり、ホールＨの底Ｈｂにおける導電性が保持され続けることとなる。その結果、形状やサイズが互いに異なるホールＨであっても、同ホールＨを覆うＺｒＢＮ層１６が、ホールＨの底Ｈｂでのみ導電性を発現することとなる。よって、形状、サイズ、半導体基板における位置が互いに異なるホールＨであっても、ＺｒＢＮ層１６の形成に続く第１のアルミニウム層１７の形成では、ホールＨの底Ｈｂから、第１のアルミニウム層１７が成長することとなる。したがって、ＭＯＣＶＤ法によって形成される第１のアルミニウム層１７の埋め込み性を向上させることが可能となり、ひいては半導体装置の信頼性を向上させることが可能になる。
【００３３】
（２）ホールＨの底Ｈｂが還元性の雰囲気に曝された後にＺｒＢＮ層１６が形成されることから、ＺｒＢＮ層１６の下地における有機系の残渣が還元によって除去可能になる。それゆえに、ホールＨの底ＨｂにおけるＺｒＢＮ層１６が導電性をより確実に発現させることとなり、ＭＯＣＶＤ法によって形成される第１のアルミニウム層１７の埋め込み性をより確実に向上させることが可能となる。
【００３４】
（３）アルミニウムの流動性を利用して第２のアルミニウム層１８が形成される。それゆえに、ＺｒＢＮ層１６における絶縁体部分１６ｂの一部に第１のアルミニウム層１７が形成される場合であっても、第１のアルミニウム層１７による凹凸形状が第２のアルミニウム層１８によって平坦化されることとなる。その結果、第２のアルミニウム層１８上における配線加工を容易にすること、また第２のアルミニウム層１８を含む配線構造の信頼性を向上すること等、それらがより効果的に実現可能となる。
【００３５】
（第二の実施の形態）
以下、本発明を具体化した第二の実施形態について図３を参照して説明する。なお第二の実施形態は、第一の実施形態におけるホールＨの底Ｈｂを金属配線層１３に変更したものであるため、以下ではその変更点について説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ第一の実施形態において説明された図２（ａ）〜（ｄ）に対応する図である。つまり図２（ａ）はホール形成工程（ステップＳ１）及びＺｒＢＮ前処理工程（ステップＳ２）を示す工程図であり、図２（ｂ）はＺｒＢＮ成膜工程を示す工程図であり、図２（ｃ）はＭＯＣＶＤ−Ａｌ成膜工程を示す工程図であり、そして図２（ｄ）はＰＶＤ−Ａｌ成膜工程を示す工程図である。
【００３６】
第二の実施形態におけるホール形成工程（ステップＳ１）では、図３（ａ）に示されるように、上層絶縁層１５及びメタルキャップ層１４を貫通する凹部としての貫通孔（ビアホール：ホールＨ）が導電層としての金属配線層１３を底Ｈｂに有するかたちに形成される。図示した例では、ホールＨの側面は絶縁層１５により提供され、ホールＨの底Ｈｂは金属配線層１３により提供される。よって、ホールＨの内面のうち底Ｈｂのみが導電性である。このホール形成工程（ステップＳ１）に続くＺｒＢＮ前処理工程（ステップＳ２）では、第一の実施形態と同じく、ホールＨを有する半導体基板が還元性の雰囲気下に置かれて、ホールＨの底Ｈｂである金属配線層１３の一部が還元性の雰囲気に曝される。
【００３７】
上述したように上層絶縁層１５及びメタルキャップ層１４にホールＨを形成する際には、レジストマスクに含まれる有機系の成分、ドライエッチング法によって生成される有機系の副生成物、低誘電率有機膜そのものに含まれる有機系の成分等、各種の有機系の成分が少なからずホールＨの底Ｈｂで残渣となってしまう。さらに金属配線層１３が最表面となるかたちに形成されるホールＨにおいては、ホールＨの底Ｈｂと大気等との接触によってホールＨの底Ｈｂである金属配線層１３がそれの酸化を進行させることもある。
【００３８】
第二の実施形態におけるＺｒＢＮ前処理工程では、ホールＨの底Ｈｂにおけるこうした残渣を除去可能にするとともに、ホールＨの底Ｈｂに成長した金属酸化物を還元可能にする雰囲気に、同ホールＨの底Ｈｂが曝されることとなる。こうした還元処理がホールＨの底Ｈｂに施されることとなれば、ホールＨの底Ｈｂにおける有機系の残渣が揮発性のガスとなって半導体基板から除去されるとともに、金属配線層１３の表面を構成する金属酸化物がバルクと同じ特性を有する金属へと還元されることとなる。このような還元性の雰囲気としては、第一の実施形態と同じく、水素ガスやアンモニアガスから構成されるガス雰囲気、水素イオンや水素ラジカルを含むプラズマ雰囲気が挙げられる。
【００３９】
そして上記ホール形成工程及びＺｒＢＮ前処理工程が実行されると、第一の実施形態と同じく、図３（ｂ）に示されるように、ホールＨの内面全体を覆うかたちにバリア層としてのＺｒＢＮ層１６が形成される。この際、ＺｒＢＮ層１６の形成に先立ってホールＨの底Ｈｂが還元性の雰囲気に曝されるために、ＺｒＢＮ層１６の下地における有機系の残渣が還元によって除去されて、さらには金属配線層１３における金属酸化物も還元によって除去されて、ホールＨの底ＨｂにおけるＺｒＢＮ層１６が導電性をより確実に発現させることとなる。
【００４０】
つまりメタルキャップ層１４を露出させるホールＨであっても、同ホールＨにおける底Ｈｂの導電性が確保可能となって、これに積み重ねられるＺｒＢＮ層１６の導電性も確保可能となる。そのためホールＨを形成する際に、薄膜であるメタルキャップ層１４を意図的に残す必要がなく、こうしたメタルキャップ層１４を貫通するかたちでホールＨが形成可能となる。それゆえにホールＨが形成される際に、レジストマスクの厚みの範囲やレジストマスクと上層絶縁層１５との間のエッチングの選択比、さらにドライエッチング法におけるエッチング時間やそれに利用されるガス種等、各種の処理条件においてそれの範囲が拡張可能になる。
【００４１】
このようにしてＺｒＢＮ層１６が形成されると、第一の実施形態と同じく、図３（ｃ）に示されるように、ＺｒＢＮ層１６の覆われたホールＨ内に、ＭＯＣＶＤ法によって第１のアルミニウム層１７が埋め込まれる。次いで、図３（ｄ）に示されるように、ホールＨの殆どが第１のアルミニウム層１７によって埋め込まれた状態から、スパッタリング法によって第２のアルミニウム層１８が半導体基板の表面に形成される。
【００４２】
以上説明したように、第二の実施形態によれば上記（１）〜（３）に加えて以下の効果を得ることができる。
（４）耐酸化性の乏しい金属配線層１３がホールＨの底Ｈｂとなる構成であっても、金属配線層１３の表面に形成され得る金属酸化物がＺｒＢＮ前処理工程（ステップＳ２）によって除去可能となるために、ＺｒＢＮ層１６の導電体部分１６ａではそれの導電性が担保可能となる。
【００４３】
（５）そのうえホールＨを形成する際に、薄膜であるメタルキャップ層１４を意図的に残す必要がなく、こうしたメタルキャップ層１４を貫通するかたちでホールＨが形成可能となる。つまりホールＨが形成される際に、レジストマスクの厚みの範囲やレジストマスクと上層絶縁層１５との間のエッチングの選択比、さらにドライエッチング法におけるエッチング時間やそれに利用されるガス種等、各種の処理条件においてそれの範囲が拡張可能になる。
【００４４】
（６）ホールＨにおいて、底Ｈｂ（金属配線層１３）と当該底Ｈｂから連続する側壁の一部（メタルキャップ層１４）とが導電性の積層体として構成されるために、ホールＨの底付近における導電体の領域について、当該側壁の一部が拡張されることとなる。それゆえに第１のアルミニウム層１７の底付近からの成長が同側壁の一部においも加速されることとなる。
【００４５】
（第三の実施の形態）
以下、本発明を具体化した第三の実施形態について図４を参照して説明する。なお第三の実施形態は、第一の実施形態におけるホールＨの底Ｈｂを半導体基板の表層に変更したものであるため、以下ではその変更点について説明する。図４（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ第一の実施形態において説明された図２（ａ）〜（ｄ）に対応する図である。つまり図４（ａ）はホール形成工程（ステップＳ１）及びＺｒＢＮ前処理工程（ステップＳ２）を示す工程図であり、図４（ｂ）はＺｒＢＮ成膜工程を示す工程図であり、図４（ｃ）はＭＯＣＶＤ−Ａｌ成膜工程を示す工程図であり、そして図４（ｄ）はＰＶＤ−Ａｌ成膜工程を示す工程図である。
【００４６】
第三の実施形態におけるホール形成工程（ステップＳ１）ではまず、図４（ａ）に示されるように、半導体基板としてのシリコン基板Ｓの表層に金属シリサイド層２１が形成されて、当該金属シリサイド層２１上にハードマスク層２２と絶縁層２３がこの順に形成される。次いで絶縁層２３上にレジストマスクが形成された後に、当該レジストマスクがマスクとなるドライエッチング法によって、絶縁層２３を貫通する凹部としての貫通孔（コンタクトホール：ホールＨ）が金属シリサイド層２１を底Ｈｂに有するかたちに形成される。図示した例では、ホールＨの側面は絶縁層２３及びハードマスク層２２により提供され、ホールＨの底Ｈｂは金属シリサイド層２１により提供される。よって、ホールＨの内面のうち底Ｈｂのみが導電性である。
【００４７】
なお金属シリサイド層２１は、ＣＶＤ法によって形成されるチタンシリサイド膜、コバルトシリサイド膜、ニッケルシリサイド膜等であって、その抵抗値が数十μΩ・ｃｍであって、膜厚が２０ｎｍで数十μΩ／□となる膜を用いることが可能である。ハードマスク層２２は、シリコン基板Ｓにトレンチを形成する際に利用されるマスクであって、ＣＶＤ法によって形成されるシリコン窒化膜を用いることが可能である。ホールＨが形成される対象である絶縁層２３としては、第一の実施形態と同じく、ＳｉＯ２、リンが添加されたシリコン酸化膜、硼素が添加されたシリコン酸化膜等、各種の絶縁膜を用いることが可能である。またこうした絶縁層２３の形成方法としても、第一の実施形態と同じく、ＣＶＤ法、スピンコート法等、これもまた各種の成膜方法を用いることが可能である。
【００４８】
このようにしてホールＨが形成されると、第一の実施形態と同じく、ＺｒＢＮ前処理工程（ステップＳ２）では、ホールＨを有する半導体基板が還元性の雰囲気下に置かれて、ホールＨの底Ｈｂである金属シリサイド層２１の一部が還元性の雰囲気に曝される。次いで図４（ｂ）に示されるように、ＺｒＢＮ成膜工程（ステップＳ３）において、ホールＨの内面全体を覆うかたちにバリア層としてのＺｒＢＮ層１６が形成される。続いて図４（ｃ）に示されるように、ＺｒＢＮ層１６の覆われたホールＨ内に、ＭＯＣＶＤ法によって第１のアルミニウム層１７が埋め込まれる。そして図４（ｄ）に示されるように、ホールＨの殆どが第１のアルミニウム層１７によって埋め込まれた状態から、スパッタリング法によって第２のアルミニウム層１８が半導体基板の表面に形成される。
【００４９】
以上説明したように、第三の実施形態によれば上記（１）〜（３）に加えて以下の効果を得ることができる。
（７）シリコン基板Ｓの表層である金属シリサイド層２１においても、これが接続されるアルミニウム配線、すなわちコンタクト配線について、その埋め込み性が向上可能になる。またホールＨを構成する絶縁層がハードマスク層２２と絶縁層２３とからなる積層構造であっても、それらに囲まれるホールＨの底Ｈｂのみが導電体で構成されることから、こうしたホールＨにおいてもアルミニウム配線の埋め込み性が向上可能になる。
【００５０】
なお、上記実施形態は以下のように変更して実施することもできる。
・上記第一の実施形態、及び第二の実施形態においては、上層絶縁層１５、メタルキャップ層１４、及び金属配線層１３の各々が単層構造として具体化されているが、これを変更して、これらの各層は、それの機能が維持される上において多層構造として具体化されてもよい。こうした構成であれば、上層絶縁層１５、メタルキャップ層１４、及び金属配線層１３の適用範囲が拡張可能にもなる。
【００５１】
・上記各実施形態では、ドライエッチング法が第２のアルミニウム層１８に適用されることによって、メタルキャップ層１４と上層絶縁層１５上とを接続するアルミニウム配線が形成される。これを変更して、第２のアルミニウム層１８の表面とＺｒＢＮ層１６（絶縁体部分１６ｂ）の表面とが一致する態様で化学的機械研磨法が第２のアルミニウム層１８に適用されることによって、アルミニウム配線がホールＨの内部にのみ形成されてもよい。こうした構成であっても、上記（１）〜（７）に記載の効果に準じた効果が得られることとなる。
【００５２】
・上記各実施形態では、第１のアルミニウム層１７がホールＨに対してそれの深さ方向の殆どを充填する構成であるが、第２のアルミニウム層１８によってホールＨが十分に埋め込まれるのであれば、第１のアルミニウム層１７が例えばホールＨに対してそれの深さ方向の半分以下を充填だけでもよい。
【００５３】
・上記各実施形態では、ＺｒＢＮ成膜工程の前にＺｒＢＮ前処理工程を実行する構成であるが、ＺｒＢＮ層の形成前において凹部の底が十分に導電性を有する構成であれば、こうしたＺｒＢＮ前処理工程が割愛されてもよい。
【００５４】
・上記各実施形態では、ビアホールやコンタクトホール等といったホールＨとして凹部が具体化されているが、デュアルダマシン法において形成される配線溝等といった溝として凹部が具体化されてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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