(57)【要約】  共振部（１０１）を構成するＳＡＷデバイス（１１１）は一方端がグランドに接続し、他方端が増幅部（１２２）のトランジスタ（Ｔｒ２）のベースに接続する。トランジスタ（Ｔｒ２）のエミッタは、デカップリングコンデンサ（Ｃｄ１）を介して、増幅部（１２１）のトランジスタ（Ｔｒ１）のベースに接続する。トランジスタ（Ｔｒ１）のエミッタは、共振用コンデンサ（Ｃ２）を介してグランドに接続する。トランジスタ（Ｔｒ１）のエミッタとベースとの間には、共振用コンデンサ（Ｃ１）が接続されている。このようにトランジスタ（Ｔｒ１）および共振用コンデンサ（Ｃ１，Ｃ２）を含む増幅部（１２１）の前段に、別のトランジスタ（Ｔｒ２）を含む増幅部（１２２）を備えることで、共振部（１０１）から増幅部側を見た負性抵抗が増加する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＡＷデバイスを含む共振部と、第１の増幅素子を含む第１の増幅部とを備えた発振回路であって、
前記ＳＡＷデバイスと前記第１の増幅素子の被増幅信号入力端との間に、負性抵抗を増加させるような特性を有する第２の増幅素子を含む第２の増幅部が挿入されてなる、発振回路。
【請求項２】
前記第１の増幅素子および前記第２の増幅素子はエミッタ接地型のトランジスタであり、
前記ＳＡＷデバイスの一方端はグランドへ接続され、
前記ＳＡＷデバイスの他方端は、前記第２の増幅素子となるトランジスタのベースに接続され、
前記第２の増幅素子となるトランジスタのエミッタは、前記第１の増幅素子となるトランジスタのベースに接続し、
前記第１の増幅素子となるトランジスタのエミッタに共振用のコンデンサが接続される、請求項１に記載の発振回路。
【請求項３】
前記ＳＡＷデバイスと第２の増幅素子の被増幅信号入力端との間にコンデンサが挿入された、請求項１または請求項２に記載の発振回路。
【請求項４】
前記ＳＡＷデバイスに抵抗素子が並列接続されている、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の発振回路。
【請求項５】
前記第２の増幅部が複数段接続されてなる、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の発振回路。
【請求項６】
前記第２の増幅部の接続段数は、前記ＳＡＷデバイスのインダクタンスおよび前記負性抵抗の値に基づいて決定されている、請求項５に記載の発振回路。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の発振回路と、
該発振回路の発振周波数を検出する周波数検出回路と、を備えたセンサ。
【請求項８】
前記ＳＡＷデバイスの表面を被検出体の感知面とする感知部を備えた請求項７に記載のセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＳＡＷデバイスを共振部に用いた発振回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、所定周波数の信号を発振する一般的な発振回路として、非特許文献１に示すようなコルピッツ型発振回路がある。そして、一般的なコルピッツ発振回路は、非特許文献にも記載されているように、トランジスタ等の半導体増幅素子と、１個のインダクタと２個のコンデンサとからなる。【０００３】
ところで、このような発振回路をバイオセンサ等に利用する場合、発振周波数の変化に基づいて被検出体をセンシングするため、付着する被検出体の量に応じて発振周波数が変化する構成が必要である。これを実現するため、従来では、上述のインダクタにかえて水晶共振子やＳＡＷデバイスを用いた発振回路が考案されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】”製品ラインアップ、発振子”、［online］、村田製作所ホームページ、［平成２１年１１月９日検索］、インターネット＜URL：http://www.murata.co.jp/products/resonator/basic/ceralock/principle.html＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のＳＡＷデバイスを用いた一般的なコルピッツ発振回路を用いた場合、発振周波数の変化途中で、出力される発振周波数が不安定になったり、場合によっては発振停止してしまうことがある。【０００６】
この発明の目的は、ＳＡＷデバイスを用いた発振周波数が変化するような発振回路であっても、確実且つ安定して発振が継続する発振回路を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、ＳＡＷデバイスを含む共振部と、第１の増幅素子を含む第１の増幅部とを備えた発振回路に関するものである。この発振回路は、ＳＡＷデバイスと第１の増幅素子の被増幅信号入力端との間に、負性抵抗を増加させるような特性を有する第２の増幅素子を含む第２の増幅部が挿入されてなる。【０００８】
一般に発振回路は、図６に示すような等価回路で表すことができる。図Ｘ１は発振回路の一般的な等価回路図である。図６に示すように、発振回路は、インダクタ（Ｌ）および抵抗（ＲＬ）の直列回路からなる共振部と、キャパシタ（Ｃ）および負性抵抗（−Ｒａ）の直列回路からなる増幅部とを備える。そして、これら共振部と増幅部とにより閉回路が形成されることで発振回路が構成される。ここで、本発明で適応する発振回路では、インダクタ（Ｌ）は共振用インダクタで、ＳＡＷデバイスのインダクタンスからなり、抵抗（ＲＬ）はＳＡＷデバイスの共振抵抗からなる。また、キャパシタ（Ｃ）は増幅部に備えられた共振用コンデンサのキャパシタンスからなり、負性抵抗（−Ｒａ）は増幅素子を備える増幅部の増幅率に依存する。そして、増幅部の負性抵抗（−Ｒａ）が共振部の、抵抗（ＲＬ）よりも大きくなるように設定し、共振部と増幅部との位相が一致するように設定することで、発振回路は発振して、発振周波数の信号を出力する。【０００９】
そして、ＳＡＷデバイスを用いた場合、水晶振動子と比較して周波数変化量を大きく取れる特徴があるものの、共振抵抗（ＲＬ）が大きくなることがある。また、センサ感度を上げるために同様に共振子抵抗が大きくなることがあるが、本構成のように第２の増幅部を挿入して、等価回路上の増幅部の負性抵抗を大きくすれば、安定した発振が得られる。【００１０】
また、この発明の発振回路では、第１の増幅素子および第２の増幅素子はエミッタ接地型のトランジスタである。そして、ＳＡＷデバイスの一方端はグランドへ接続され、ＳＡＷデバイスの他方端は第２の増幅素子となるトランジスタのベースに接続される。第２の増幅素子となるトランジスタのエミッタは、第１の増幅素子となるトランジスタのベースに接続される。第１の増幅素子となるトランジスタのエミッタには共振用のコンデンサが接続される。【００１１】
この構成では、上述の発振回路の共振部および増幅部の具体的構成を示すものである。そして、増幅素子としてトランジスタを用いることで、比較的容易な材料で且つ簡素な構成で発振回路を構成することができる。なお、増幅素子としてトランジスタを用いているが、当然にＦＥＴを用いてもよく、同様の構成を実現できる。【００１２】
また、この発明の発振回路では、ＳＡＷデバイスと第２の増幅素子の被増幅信号入力端との間にコンデンサが挿入されている。【００１３】
この構成では、当該コンデンサにより、第２の増幅素子の直流バイアス電圧が遮断され、ＳＡＷデバイスには印加されない。これにより、ＳＡＷデバイスの直流バイアスによる劣化を防止できる。【００１４】
また、この発明の発振回路では、ＳＡＷデバイスに抵抗素子が並列接続されている。【００１５】
この構成では、ＳＡＷデバイスに並列接続される抵抗素子により、ＳＡＷデバイスの焦電効果による異常分極を起こす電荷を放電することができる。これにより、ＳＡＷデバイスの焦電破壊を防止できる。【００１６】
また、この発明の発振回路では、第２の増幅部が複数段接続されてなる。【００１７】
この構成では、上述の第２の増幅部を複数段接続することで、負性抵抗をより大きくすることができる。これにより、より確実で安定な発振を得ることができる。【００１８】
また、この発明の発振回路では、第２の増幅部の接続数は、ＳＡＷデバイスのインダクタンスおよび負性抵抗の値に基づいて決定されている。【００１９】
この構成では、複数段接続する際の設定基準を示している。すなわち、段数が増加すれば、その分、負性抵抗は大きくなるが、浮遊キャパシタンスが増加し、発振条件が悪化する可能性がある。この場合、得られる負性抵抗と生じてしまう浮遊キャパシタンスとの関係を鑑みて、適宜段数を決定することや整合用のインダクタやマイクロストリップ回路等を挿入してキャンセルすることで、適する発振条件で発振させることができる。【００２０】
また、この発明のセンサは上述の発振回路と、該発振回路の発振周波数を検出する周波数検出回路とを備える。【００２１】
この構成では、上述の発振回路を備えたセンサについて示している。そして、上述のような発振回路を用いれば、確実且つ安定に発振信号が得られるので、確実且つ安定なセンシングが可能になる。【００２２】
また、この発明のセンサは、ＳＡＷデバイスの表面を被検出体の感知面とする感知部を備える。【００２３】
この構成では、より具体的なセンサの構成について示している。そして、上述のようなＳＡＷデバイスの表面を感知面とすることで、被検出体に対する感知状態に応じて周波数が変化しても安定して発振信号が得られ、確実且つ安定したセンシングが可能なセンサを構成できる。
【発明の効果】
【００２４】
この発明によれば、ＳＡＷデバイスを用いた発振周波数が変化する発振回路であっても、確実且つ安定して発振信号を継続的に発生して、出力することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１の実施形態に係る発振回路の回路図である。
【図２】本願構成と従来構成とでの増幅回路のインピーダンスの実数成分と虚数成分、すなわち増幅回路の抵抗成分と位相の周波数特性を示した図である。
【図３】本願構成と従来構成とでのセンシング時の発振回路の出力周波数の時間特性を示した図である。
【図４】第２の実施形態の発振回路１０Ａの回路図である。
【図５】第３の実施形態の発振回路１０Ｂの回路図である。
【図６】発振回路の一般的等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の第１の実施形態に係る発振回路について、図を参照して説明する。図１は本実施形態の発振回路１０の回路図である。
【００２７】
発振回路１０はＳＡＷデバイス１１１を備える。ＳＡＷデバイス１１１は、例えば圧電基板上にＩＤＴ電極と反射用電極とを形成することにより実現される。ＳＡＷデバイス１１１の一方端はグランドへ接続し、ＳＡＷデバイス１１１の他方端は、トランジスタＴｒ２のベースに接続している。このＳＡＷデバイス１１１により共振部１０１が構成される。
【００２８】
トランジスタＴｒ２は、本願発明の「第２の増幅素子」に相当し、エミッタが抵抗器Ｒ２３を介してグランドへ接続している。トランジスタＴｒ２のベースには、上述のＳＡＷデバイス１１１が接続されるとともに、抵抗器Ｒ２１を介して駆動電圧入力端子１０４が接続されている。また、トランジスタＴｒ２のコレクタには、抵抗器Ｒ２２を介して駆動電圧入力端子１０４が接続されている。
【００２９】
そして、これらトランジスタＴｒ２、バイアス用の抵抗器Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３により、増幅部１２２（本願発明の「第２の増幅部」に相当する。）が構成される。当該増幅部１２２は、駆動電圧入力端子１０４から所定の駆動電圧が印加されることで、所定の増幅率でトランジスタＴｒ２に入力された信号を増幅して出力する。
【００３０】
トランジスタＴｒ２のエミッタは、デカップリングコンデンサＣｄ１を介してトランジスタＴｒ１のベースに接続している。
【００３１】
トランジスタＴｒ１は、本願発明の「第１の増幅素子」に相当し、エミッタが抵抗器Ｒ１４を介してグランドへ接続している。また、トランジスタＴｒ１のエミッタは、共振用コンデンサＣ２を介してグランドへ接続するとともに、共振用コンデンサＣ１を介して、トランジスタＴｒ１のベースに接続している。このトランジスタＴｒ１のベースが本発明の「被増幅信号入力端」に相当する。
【００３２】
また、トランジスタＴｒ１のベースには、抵抗器Ｒ１１と抵抗器Ｒ１２との接続点（分圧点）が接続されている。この抵抗器Ｒ１１，Ｒ１２の分圧回路は、抵抗器Ｒ１１側が駆動電圧入力端子１０４へ接続され、抵抗器Ｒ１２側がグランドへ接続している。
【００３３】
トランジスタＴｒ１のコレクタには、抵抗器Ｒ１３を介して駆動電圧入力端子１０４が接続される。また、このトランジスタＴｒ１のコレクタは、出力用コンデンサＣｏを介して出力端子１０３に接続している。
【００３４】
そして、これらトランジスタＴｒ１、バイアス用の抵抗器Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４、共振用コンデンサＣ１，Ｃ２、出力用コンデンサＣｏにより、増幅部１２１（本願の「第１の増幅部」に相当する。）が構成させる。当該増幅部１２１は、駆動電圧入力端子１０４から所定の駆動電圧が印加されることで、所定の増幅率でトランジスタＴｒ１に入力された信号を増幅して出力する。また、増幅部１２１は、共振用コンデンサＣ２を介して、グランド経由でＳＡＷデバイス１１１の一方端に接続しており、発振の際のフィードバック用の回路としても機能する。
【００３５】
そして、このような増幅部１２１，１２２により、発振回路１０における共振部１０１に対応する増幅回路１０２が構成される。
【００３６】
このような構成にすることで、ＳＡＷデバイス１１１がインダクタとして作用する周波数帯域において、当該ＳＡＷデバイス１１１を共振用インダクタとして、共振用コンデンサＣ１，Ｃ２を有するコルピッツ型の発振回路１０が実現される。
【００３７】
そして、このように共振用コンデンサＣ１，Ｃ２を有する増幅部１２１の前段に、所定増幅率の増幅部１２２を備えることで、増幅回路１０２としての負性抵抗が増加し、従来の増幅部１２１のみの構成と比較して、ＳＡＷデバイス１１１を有する共振部１０１から増幅回路側を見た負性抵抗を大きくすることができる。
【００３８】
図２は、本願構成と従来構成とでの増幅回路のインピーダンスの実数成分と虚数成分、すなわち増幅回路の抵抗成分と位相の周波数特性を示した図である。図２において横軸は周波数を示し、縦軸は抵抗値および位相を示す。また、図中の細実線が虚数成分Ｉｍを示し、太実線が本願発明の構成による実数成分Ｒｅ（本願）を示し、太破線が従来構成による実数成分Ｒｅ（従来）を示す。
【００３９】
ここで、発振が行われるには、虚数成分Ｉｍすなわち位相が「０」である必要があり、当該位相条件において、ＳＡＷデバイス１１１からなる共振部１０１の抵抗値（共振抵抗）よりも絶対値が大きな負性抵抗値を得られなければならない。さらに、当該負性抵抗値が大きければより安定した発振が可能になる。
【００４０】
図２に示すように、虚数成分Ｉｍ（位相）が「０」の際、従来の構成では、抵抗値は「約−６Ω」の負性抵抗となっている。一方、本願の構成では、抵抗値は「約−３１Ω」の負性抵抗となっている。ここで、周波数広範囲でシフト可能な１ｐｏｒｔ型のＳＡＷデバイスと呼ばれるタイプのＳＡＷデバイス１１１の共振抵抗は、現状、一般に約１０Ωであるので、共振部１０１の抵抗値は約１０Ω強になると考えられる。
【００４１】
したがって、従来構成の場合、増幅回路の負性抵抗の絶対値が共振部１０１の抵抗値よりも小さい。一方、本願構成の場合、増幅回路の負性抵抗の絶対値が共振部１０１の抵抗値よりも、大幅に大きくなる。
【００４２】
ここで、実験的に発振を安定させるためには、共振部の抵抗値に対して、増幅回路の負性抵抗の絶対値が約３倍以上であればよいということがわかっている。したがって、本願構成を用いれば、このような発振の条件を満たすことができ、確実且つ安定な発振を継続的に実現することができる。
【００４３】
図３は、本願構成と従来構成とでのセンシング時の発振回路の出力周波数の時間特性を示した図である。図３において横軸は経過時間ｔであり、縦軸は経過時間ｔ＝０以前での発振周波数を基準とした周波数変化量を示す。そして、当該実験結果は、時間ｔ＝０のタイミングでＳＡＷデバイス１１１からなる感知部により被検出体が感知され始めて、経時的に発振周波数が変化する状態を示している。
【００４４】
図３に示すように、従来の構成では、感知の始まるタイミングから、すなわち発振周波数の変化が始まってから所定時間経過後に、ＳＡＷデバイスの状態変化の影響により、発振が停止してしまう。また、図では詳細な周波数の変動が分かり難いが、従来の構成では、周波数が上下（高低）にバラツキながら遷移してしまう。これは、増幅回路の負性抵抗の絶対値が低く、共振部の抵抗値と殆ど変わらないことにより、発振が不安定になることに起因していると考えられる。
【００４５】
一方、本願発明の構成では、感知の始まるタイミングから、すなわち発振周波数の変化が始まってからも、発振が安定して継続する。これは、本願発明の構成とすることで、図２に示すように、増幅回路として、共振部１０１の抵抗値よりも大幅に大きな絶対値の負性抵抗が得られることによると考えられる。
【００４６】
このように、本実施形態の構成を用いることで、発振周波数の変化範囲が広く共振抵抗が比較的大きなＳＡＷデバイスを共振部に用いても、確実且つ安定して発振を継続することができる。
【００４７】
このような発振回路は、バイオセンサ等の各種センサに用いられる。具体的には、例えば、ＳＡＷデバイスの表面を感知面として、当該感知面に接触する被検出体（液状体等）を検出するセンサに用いることができる。
【００４８】
このようなセンサの場合、上述の発振回路と、周波数検出回路とを備える。周波数検出回路は既知の回路からなり、発振回路から出力される発振信号の周波数を検出する。
【００４９】
このようなセンサでは、被検出体がＳＡＷデバイス表面に付着していなければ、ＳＡＷデバイスの定常状態による発振周波数の発振信号が発振回路から出力される。一方、被検出体がＳＡＷデバイス表面に付着すると、当該被検出体によりＳＡＷデバイスの共振条件が変化し、図３に示すように発振周波数が変化する。
【００５０】
周波数検出回路は、このような発振回路からの出力信号の周波数を経時的に検出する。そして、周波数検出回路は、検出した周波数に応じて被検出体を検知する。例えば、周波数変化量が所定値以上であれば被検出体が有りと判断したり、検出した周波数が特定周波数となれば被検出体が有りと判断したりする等の処理を行う。
【００５１】
そして、このようなセンサに上述の構成からなる発振回路を用いることで、確実且つ安定した発振信号が得られるので、確実且つ安定して被検出体の検出を行うことができる。
【００５２】
次に、第２の実施形態に係る発振回路について図を参照して説明する。図４は本実施形態の発振回路１０Ａの回路図である。本実施形態の発振回路１０Ａは、第１の実施形態の発振回路１０に対して、各種の付加的回路素子を追加したものであり、以下では、追加した回路素子についてのみ説明する。
【００５３】
共振部１０１のＳＡＷデバイス１１１とトランジスタＴｒ２のベースとの間には、コンデンサＣｖが挿入して接続されている。このようなコンデンサＣｖを備えることで、トランジスタＴｒ２の直流バイアス電圧がＳＡＷデバイス１１１に印加させることを防止できる。これにより、ＳＡＷデバイス１１１の直流バイアス電圧による劣化を防止できる。
【００５４】
また、ＳＡＷデバイス１１１には、抵抗器Ｒｓが並列接続されている。すなわち、抵抗器Ｒｓは一方端がグランドへ接続し、他方端がＳＡＷデバイス１１１のコンデンサＣｖとの接続側の端子へ接続している。このような抵抗器Ｒｓを備えることで、ＳＡＷデバイス１１１の焦電性により、ＳＡＷデバイス１１１に不要な電荷が発生しても、当該電荷を抵抗器Ｒｓを介してグランドへ放電することができる。これにより、ＳＡＷデバイス１１１の焦電破壊を防止できる。
【００５５】
増幅部１２２ＡのトランジスタＴｒ２のベースに接続する抵抗器Ｒ２１とコレクタに接続する抵抗器Ｒ２２は、それぞれにおけるトランジスタＴｒ２と接続する側とは反対側の端部が接続されている。この接続点は、デカップリングコンデンサＣ２０を介してグランドへ接続するとともに、デカップリング用抵抗器Ｒ３２を介して駆動電圧入力端子１０４へ接続されている。
【００５６】
増幅部１２１ＡのトランジスタＴｒ１のベースに接続する抵抗器Ｒ１１とコレクタに接続する抵抗器Ｒ１３も、それぞれにおけるトランジスタＴｒ１と接続する側とは反対側の端部が接続されている。この接続点は、デカップリングコンデンサＣ１０を介してグランドへ接続するとともに、デカップリング用抵抗器Ｒ３１を介して駆動電圧入力端子１０４へ接続されている。
【００５７】
さらに、駆動電圧入力端子１０４は、デカップリングコンデンサＣ３０を介してグランドへ接続している。
【００５８】
これらの構成を用いることで、増幅部１２１Ａ，１２２Ａから駆動電圧入力端子１０４へ発振信号が漏洩することを、より効果的に抑制することができる。これにより、より増幅特性に優れる増幅回路が構成できる。
【００５９】
以上のように、本実施形態の構成を用いることで、第１の実施形態に示したような作用効果が得られるとともに、さらに動作特性に優れる発振回路を実現することができる。
【００６０】
次に、第３の実施形態に係る発振回路について、図を参照して説明する。図５は本実施形態の発振回路１０Ｂの回路図である。図５に示すように、本実施形態の発振回路１０Ｂは、第１の実施形態に示した「第２の増幅部」に相当する増幅部１２２を二段接続したものである。したがって、第１の実施形態と異なる回路構成の箇所のみを説明する。
【００６１】
増幅部２２２のトランジスタＴｒ３のベースは、ＳＡＷデバイス１１１のグランドに接続している端部と反対側の端部に接続している。トランジスタＴｒ３のエミッタは抵抗器Ｒ３３を介してグランドへ接続している。トランジスタＴｒ３のベースは抵抗器Ｒ３１を介して駆動電圧入力端子１０４へ接続され、トランジスタＴｒ３のコレクタは抵抗器Ｒ３２を介して駆動電圧入力端子１０４へ接続されている。これにより、後段の増幅部１２２と同じ構成からなる増幅部２２２が形成される。
【００６２】
そして、増幅部２２２のトランジスタＴｒ３のエミッタは、デカップリングコンデンサＣｄ２を介して、増幅部１２２のトランジスタＴｒ２のベースに接続している。
【００６３】
このような構成とすることで、増幅回路２０２は、第１の実施形態に示した増幅部１２１の前段に、第１の実施形態で示した増幅部１２２が接続され、さらにその前段に増幅部２２２が接続された構成となる。これにより、増幅回路２０２としての負性抵抗の絶対値を、さらに大きくすることができる。この結果、さらに確実且つ安定に発振する発振回路を構成することができる。
【００６４】
なお、接続する増幅部の段数は、本実施形態に示すように二段に限るものではなく、三段以上であっても良い。この際、接続する増幅部の段数は、得られる負性抵抗の値と、増加する浮遊キャパシタンスに基づいて設定すればよい。すなわち、接続段数を増加すれば、その分、負性抵抗の絶対値は大きくなるが、段数に応じた浮遊キャパシタンスが生じてしまう。このように発生した浮遊キャパシタンスは、発振に対して悪影響を及ぼしてしまう可能性がある。したがって、接続段数は、ＳＡＷデバイスの共振抵抗の約３倍以上の負性抵抗が得られる最少の段数にしておくとより良い。また、このように最少の段数にすることで、発振回路をできる限り小型に形成することができ、これに応じて当該発振回路を備えるセンサをも小型に形成することができる。
【００６５】
なお、接続段数を増加させる必要がある場合には、整合用のインダクタやマイクロストリップライン等を挿入し、浮遊キャパシタンスをキャンセルすることもできる。
【００６６】
上述の説明では、増幅素子としてトランジスタを用いた例を示したが、ＦＥＴやＯＰアンプ等を用いてもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１０，１０Ａ，１０Ｂ−発振回路、１０１−共振部、１０２−増幅回路、１２１，１２２，１２１Ａ，１２２Ａ，２２１−増幅部、１０３−出力端子、１０４−駆動電圧入力端子、１１１−ＳＡＷデバイス
【図１】
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【図２】
2011062032.tif 000004
【図３】
2011062032.tif 000005
【図４】
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【図５】
2011062032.tif 000007
【図６】
2011062032.tif 000008
【国際調査報告】
2011062032.tif 000009
2011062032.tif 000010
2011062032.tif 000011
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