(57)【要約】  製造コストを低減でき、基板表面のデザインの自由度が向上する電子部品及びその製造方法を提供する。  基板１２と、基板１２の第１の主面１２ａに実装された第１の電子部品２，４と、基板１２の第１の主面１２ａ及び第１の電子部品２，４を被覆する第１の樹脂層２０と、基板１２の第２の主面１２ｂに実装された第２の電子部品６と、基板１２の第２の主面１２ｂ及び第２の電子部品６を被覆する第２の樹脂層３０と、導電性を有するシールド層４２と、基板１２の側面１２ｓに達するように基板１２に形成された接地電極１８とを備える。シールド層４２は、第１の樹脂層２０と、基板１２の側面１２ｓと、第２の樹脂層３０の基板１２に隣接する部分とを覆うように連続して一体に形成され、接地電極１８に接して接地電極１８と電気的に接続されている。
2012023332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１及び第２の主面と前記第１及び第２の主面の間に延在する側面とを有する基板と、
前記基板の第１の主面に実装された第１の電子部品と、
前記基板の第２の主面に実装された第２の電子部品と、
前記基板の前記第１の主面に、前記第１の主面及び前記第１の電子部品を被覆するように形成された第１の樹脂層と、
前記基板の前記第２の主面に、前記第２の主面及び前記第２の電子部品を被覆するように形成された第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と、前記基板と、前記第２の樹脂層の前記基板に隣接する部分とを覆うように連続して一体に形成された、導電性を有するシールド層と、
前記基板に、前記基板の前記側面に達するように形成され、前記シールド層に接して前記シールド層と電気的に接続された接地電極と、
を備えたことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第２の樹脂層は、前記基板の前記第２の主面に接する第１の主面と、前記第１の主面に対向する第２の主面と、前記第１の主面と前記第２の主面との間に延在する側面とを有し、
前記シールド層は、前記第２の樹脂層の前記側面に、前記第２の樹脂層の前記第２の主面との間に間隔を設けて形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記シールド層が導電性樹脂により形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
互いに対向する第１及び第２の主面を有し、分割されて複数の個基板となる部分を含む基板の前記個基板となる部分に、それぞれ、前記個基板となる部分の外縁に達する接地電極が形成され、前記個基板となる部分の前記第１の主面に、それぞれ、第１の電子部品が実装され、前記個基板となる部分の前記第２の主面に、それぞれ、第２の電子部品が実装され、前記第１の主面に前記第１の主面及び前記第１の電子部品を被覆する第１の樹脂層が形成され、前記第２の主面に前記第２の主面及び前記第２の電子部品を被覆する第２の樹脂層が形成された集合基板を準備する第１の工程と、
前記基板が前記個基板に分割されるように、前記第１の樹脂層の前記基板とは反対側の主面から、前記第１の樹脂層と、前記基板と、前記第２の樹脂層の前記基板側部分とを切断して、前記集合基板に有底溝を形成し、前記基板の切断面に前記接地電極を露出させる第２の工程と、
露出させた前記接地電極に接して電気的に接続されるように、前記有底溝内と前記第１の樹脂層の前記基板とは反対側の前記主面とに、導電性を有する材料を用いて、シールド層を形成する第３の工程と、
前記集合基板を、前記基板の分割された前記個基板に沿って切断して個片に分割する第４の工程と、
備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品及びその製造方法に関し、詳しくは、シールド層を備えた電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、図７の断面図に示すように、基板１１１の上下両面に、部品１１２，１１３を内蔵する樹脂層１１４，１１５が配置された電子部品１１０において、樹脂層１１４の上面に金属膜のシールド層１１６を形成する構成が提案されている。シールド層１１６は、樹脂層１１１を貫通する接続端子１１７を介して、基板１１１の上面に形成された接地電極（図示せず）と接続される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許４０４２７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図７の構成は、樹脂層１１４に接続端子１１７を形成する工程、すなわち、シールド層１１６を基板１１１に電気的に接続するためだけに行う工程が必要となるため、製造コストが高くなる。また、基板１１１の上面には、基板１１１とシールド層１１６とを電気的に接続するための接地電極を形成する必要があるため、基板のデザインに制約がある。【０００５】
本発明は、かかる実情に鑑み、製造コストを低減でき、基板のデザインの自由度が向上する電子部品及びその製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した電子部品を提供する。【０００７】
電子部品は、（ａ）互いに対向する第１及び第２の主面と前記第１及び第２の主面の間に延在する側面とを有する基板と、（ｂ）前記基板の第１の主面に実装された第１の電子部品と、（ｃ）前記基板の第２の主面に実装された第２の電子部品と、（ｄ）前記基板の前記第１の主面に、前記第１の主面及び前記第１の電子部品を被覆するように形成された第１の樹脂層と、（ｅ）前記基板の前記第２の主面に、前記第２の主面及び前記第２の電子部品を被覆するように形成された第２の樹脂層と、（ｆ）前記第１の樹脂層と、前記基板と、前記第２の樹脂層の前記基板に隣接する部分とを覆うように連続して一体に形成された、導電性を有するシールド層と、（ｇ）前記基板に、前記基板の前記側面に達するように形成され、前記シールド層に接して前記シールド層と電気的に接続された接地電極とを備える。【０００８】
上記構成によれば、シールド層を形成するときに、同時に、基板の側面に達している接地電極にシールド層を電気的に接続することができるので、シールド層と基板とを電気的に接続するためだけに行う工程が不要である。シールド層は、基板の側面で接地電極と電気的に接続されるため、基板の第１の主面には、第１の樹脂層を貫通する接続端子と接続される接地電極を設ける必要がない。【０００９】
好ましくは、前記第２の樹脂層は、前記基板の前記第２の主面に接する第１の主面と、前記第１の主面に対向する第２の主面と、前記第１の主面と前記第２の主面との間に延在する側面とを有する。前記シールド層は、前記第２の樹脂層の前記側面に、前記第２の樹脂層の前記第２の主面との間に間隔を設けて形成されている。【００１０】
この場合、第２の樹脂層の第２の主面に、電子部品を他の回路基板等に実装するための外部電極を設けたときに、シールド層と他の回路基板等との間に間隔が設けられるため、シールド層と他の回路基板等との間の絶縁を容易に確保することができる。【００１１】
好ましくは、前記シールド層が導電性樹脂により形成されている。【００１２】
導電性樹脂を用いると、金属箔を用いる方法でシールド層を形成する場合と比較して、シールド層を容易に形成することができる。【００１３】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した電子部品の製造方法を提供する。【００１４】
電子部品の製造方法は、（ｉ）互いに対向する第１及び第２の主面を有し、分割されて複数の個基板となる部分を含む基板の前記個基板となる部分に、それぞれ、前記個基板となる部分の外縁に達する接地電極が形成され、前記個基板となる部分の前記第１の主面に、それぞれ、第１の電子部品が実装され、前記個基板となる部分の前記第２の主面に、それぞれ、第２の電子部品が実装され、前記第１の主面に前記第１の主面及び前記第１の電子部品を被覆する第１の樹脂層が形成され、前記第２の主面に前記第２の主面及び前記第２の電子部品を被覆する第２の樹脂層が形成された集合基板を準備する第１の工程と、（ii）前記基板が前記個基板に分割されるように、前記第１の樹脂層の前記基板とは反対側の主面から、前記第１の樹脂層と、前記基板と、前記第２の樹脂層の前記基板側部分とを切断して、前記集合基板に有底溝を形成し、前記基板の切断面に前記接地電極を露出させる第２の工程と、（iii）露出させた前記接地電極に接して電気的に接続されるように、前記有底溝内と前記第１の樹脂層の前記基板とは反対側の前記主面とに、導電性を有する材料を用いて、シールド層を形成する第３の工程と、（iｖ）前記集合基板を、前記基板の分割された前記個基板に沿って切断して個片に分割する第４の工程とを備える。【００１５】
上記第３の工程において、シールド層を形成するときに、同時に、基板の切断面に露出している接地電極にシールド層を電気的に接続することができるので、シールド層と基板とを電気的に接続するためだけに行う工程が不要である。シールド層は、基板の切断面で接地電極と電気的に接続されるため、基板の第１の主面には、第１の樹脂層を貫通する接続端子と接続される接地電極を設ける必要がない。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、シールド層と基板とを電気的に接続するためだけに行う工程が不要であるため、製造コストを低減できる。また、基板の第１の主面には、第１の樹脂層を貫通する接続端子と接続される接地電極を設ける必要がないため、基板の第１の主面には、第１の樹脂層を貫通する接続端子と接続される接地電極を設ける場合に比べ、基板のデザインの自由度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図２】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図３】電子部品の拡大断面図である。（実施例１）
【図４】電子部品の断面図である。（実施例１）
【図５】電子部品の断面図である。（実施例２）
【図６】電子部品の断面図である。（実施例３）
【図７】電子部品の断面図である。（従来例）
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図６を参照しながら説明する。
【００１９】
＜実施例１＞  実施例１の電子部品１０について、図１〜図４を参照しながら説明する。
【００２０】
図４は、電子部品１０の断面図である。図４に示すように、電子部品１０は、基板１２の第１の主面である上面１２ａと、上面１２ａに実装された第１の電子部品２，４とが、第１の樹脂層２０で被覆されている。また、基板１２の第２の主面である下面１２ｂと、下面１２ｂに実装された第２の電子部品６とが、第２の樹脂層３０で被覆されている。基板１２の上面１２ａと下面１２ｂに実装される電子部品２，４，６は、表面実装部品であり、例えば、半導体等の能動素子、あるいは、コンデンサ、インダクタ、抵抗等の受導素子である。電子部品２，４，６は、それぞれ樹脂層２０，３０により封止されている。
【００２１】
第２の樹脂層３０の下面３０ｂには、電子部品１０を他の回路基板等に実装するための外部電極３４が形成されている。外部電極３４は、第２の樹脂層３０を貫通する接続端子３２を介して、基板１２の下面１２ｂに形成された端子電極１５に電気的に接続されている。
【００２２】
基板１２は、セラミック基板やガラスエポキシ等の樹脂基板であり、上面１２ａ及び下面１２ｂには、電子部品２，４，６を実装するための実装電極１３，１４，１６が形成されている。
【００２３】
基板１２の内部には、基板１２の側面１２ｓに達する接地電極１８が形成されている。接地電極１８は、基板１２内の不図示の配線パターンや層間接続導体を介して、基板１２の下面１２ｂに形成された端子電極１５に電気的に接続され、接続端子３２、外部電極３４を介して、接地される。
【００２４】
基板１２がセラミック多層基板で形成されると、高密度な配線形成が可能であり基板厚みを薄くすることができ、電子部品１０の低背化が容易である。通常、セラミック基板を薄くすると割れやすいが、両側に配置された樹脂層２０，３０によって補強され、割れが防止されるため、基板１２となるセラミック多層基板を薄くすることができる。
【００２５】
樹脂層２０，３０は、エポキシ系樹脂などの合成樹脂に、シリカ等の無機化合物がフィラーとして混入されており、熱伝導性が高められている。
【００２６】
電子部品１０の表面には、導電性樹脂により、導電性を有するシールド層４２が形成されている。シールド層４２は、第１の樹脂層２０の上面２０ａ及び側面２０ｓと、基板１２の側面１２ｓと、第２の樹脂層３０の側面３０ｓのうち基板１２側の部分３０ｐとに連続して一体に形成されている。第２の樹脂層３０の側面３０ｓのうち基板１２とは反対側の部分３０ｑと、シールド層４２の側面４２ｓとは、同一面に含まれるように形成されている。
【００２７】
シールド層４２は、第２の樹脂層３０の下面３０ｂとの間に間隔を設けるように形成されている。これにより、外部電極３４とシールド層４２との絶縁を確保することができ、外部電極３４を介して電子部品１０が実装される他の回路基板等と、シールド層４２との間の絶縁も容易に確保することができる。
【００２８】
図３の拡大断面図に示すように、シールド層４２は、基板１２の側面１２ｓに達している接地電極１８に接して電気的に接続されているので、基板１２の上面１２ａには、第１の樹脂層２０を貫通する接続端子を介してシールド層４２の天面部４２ａと接続するための接地電極を設ける必要がない。そのため、基板１２のデザインの自由度が上がる。
【００２９】
図４に示すように、シールド層４２は、基板１２の上面１２ａに実装された第１の樹脂層２０内の電子部品２，４の周囲を覆うように形成され、導電性を有するので、電子部品２，４に対して電磁波（電界と磁界またはその両方）の侵入や漏洩を阻止する。
【００３０】
図示していないが、基板１２の下面１２ｂに形成され、基板１２の側面１２ｓの外縁に達している下面側の接地電極パターンに、シールド層４２が接して電気的に接続される構成としてもよい。あるいは、基板１２の上面１２ａに形成され、基板１２の側面１２ｓの外縁に達している上面側の接地電極パターンに、シールド層４２が接して電気的に接続される構成としてもよい。
【００３１】
シールド層４２と接する接地電極１８は、基板１２の内部において下面１２ｂ側に配置するほど、基板１２の上面１２ａに実装された電子部品２，４に対するシールド特性が向上する。シールド層４２が、基板１２の下面１２ｂに形成された接地電極パターンと接する構成にすると、電子部品２，４に対するシールド特性が最もよくなる。基板１２の下面１２ｂに第２の樹脂層３０が配置されているため、基板１２の下面１２ｂに接地電極を配置することが可能であり、特性のよい電子部品を提供することができる。
【００３２】
シールド層４２は、第２の樹脂層３０にまで達しているため、第２の樹脂層３０に配置されている電子部品６に対してもシールド効果が得られる。
【００３３】
シールド層４２は、第１の樹脂層２０から、基板１２の側面１２ｓを横断して、第２の樹脂層３０にまで達しているため、接着強度を高めることができる。シールド層４２が接着される第１の樹脂層２０の側面２０ｓと、基板１２の側面１２ｓと、第２の樹脂層３０の側面３０ｓのうち基板１２側とは、詳しくは後述するが、第１の樹脂層２０側から第２の樹脂層３０に達する有底溝４０（図１（ｂ）参照）を形成することにより形成される。
【００３４】
第１の樹脂層２０及び第２の樹脂層３０は基板１２に比べ柔らかく、熱に弱いので、有底溝形成工程において形成される有底溝の側面は、第１の樹脂層２０及び第２の樹脂層３０の方が基板１２よりも荒れやすい。すなわち、基板１２の側面１２ｓよりも、第１の樹脂層２０の側面２０ｓ及び第２の樹脂層３０の側面３０ｓのうち基板１２側の部分３０ｐの方が荒れやすい。シールド層４２の先端部は、より荒れた第２の樹脂層３０の側面３０ｓのうち基板１２側の部分３０ｐに配置されるため、接着強度が高まる。
【００３５】
また、シールド層４２が導電性材料と樹脂とを含み、第１及び２の樹脂層２０，３０と同種の材料である樹脂を含む場合、シールド層４２は第１及び２の樹脂層２０，３０に対してより強固な接着強度が得られる。
【００３６】
一方、基板１２がセラミック基板の場合、シールド層４２は、異種材料であるセラミック基板とは十分に密着せず、剥がれやすい。基板１２がプリント基板場合は、プリント基板の厚み方向の熱膨張係数がシールド層４２の熱膨張係数より大きいため、シールド層４２は基板１２から剥がれやすい。
【００３７】
しかし、シールド層４２は、基板１２の側面１２ｓを横断して基板１２の両側の第１及び第２の樹脂層２０，３０に相対的に強く接着されるため、シールド層が基板の側面の途中まで形成され、シールド層の端部が基板の側面で終わっている場合に比べ、シールド層の接着強度を高めることができる。
【００３８】
次に、電子部品１０の製造方法について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１及び図２は、電子部品１０の製造工程を示す断面図である。電子部品１０は、集合基板の状態で作製した後、個片に分割する。
【００３９】
（１）まず、図１（ａ）に示すように、基板１２に電子部品２，４，６が実装され、樹脂層２０，３０で覆われた集合基板を準備する。
【００４０】
具体的には、基板１２の下面１２ｂに電子部品６を実装した後、第２の樹脂層３０を形成するための半硬化状態の樹脂シートの一方主面に基板１２の下面１２ｂが対向するように基板１２を配置するとともに、半硬化状態の樹脂シートの他方主面に、外部電極３４を形成するための銅箔を配置し、加熱圧着する。
【００４１】
樹脂シートは、熱硬化性樹脂（エポキシ、フェノール、シアネート等）中に無機フィラー（Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等）を混合したものである。半硬化状態とは、Ｂステージ状態又はプリプレグ状態をさす。半硬化状態の樹脂シートは、加熱圧着によって、基板１２の下面１２ｂに圧着し、同時に電子部品６と基板１２との間の隙間にも充填される。真空引きしながら樹脂シートを圧着すれば、樹脂内のボイドの発生を防げる。
【００４２】
樹脂シートには、予め、レーザー等で、貫通孔を形成した後、貫通孔内に、導電性樹脂（Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属粒子とエポキシ、フェノール、シアネート等の熱硬化性樹脂の混合物）を充填することにより、接続端子３２を形成しておく。
【００４３】
加熱圧着時に、銅箔は、接続端子３２と接するように位置決めする。また、基板１２は、基板１２の下面１２ｂに形成された端子電極１５に接続端子３２が接するように位置決めする。
【００４４】
加熱圧着により、樹脂シートに設けられた接続端子３２が硬化し、基板１２の下面１２ｂの端子電極１５と導通すると同時に、銅箔とも導通する。
【００４５】
樹脂シートの加熱硬化後、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離の各工程を経て、銅箔をパターニングすることにより、外部電極３４を形成する。
【００４６】
次いで、基板１２の下面１２ｂに第２の樹脂層３０が圧着された状態で、基板１２の上面１２ａに設けた実装電極１３，１４に電子部品２，４を実装する。次いで、第２の樹脂層３０と同様に、基板１２の上面１２ａに、第１の樹脂層２０を形成するための半硬化状態の樹脂シートを配置し、加熱圧着し、樹脂シートを硬化させて、第１の樹脂層２０を形成する。
【００４７】
（２）次いで、図１（ｂ）に示すように、集合基板を個基板に分割するための仮想分割線１１に沿って、第１の樹脂層２０側から第２の樹脂層３０に達する有底溝４０を加工する。有底溝４０は、第１の樹脂層２０と基板１２とを完全に切断し、第２の樹脂層３０の途中までの深さとなるように形成する。
【００４８】
セラミック基板は途中の深さで切断を終了するとクラックや破損が生じるが、基板１２を完全に切断するため、基板１２がセラミック基板であっても、そのような問題は生じない。
【００４９】
有底溝４０を形成することにより、基板１２の切断面、すなわち基板１２の側面１２ｓには、仮想分割線１１の近傍に達し、あるいは仮想分割線１１を横断するように基板１２の内部に予め形成された接地電極１８が露出する。
【００５０】
（３）次いで、図２（ｃ）に示すように、有底溝４０内と第１の樹脂層２０の上面２０ａとにシールド層４２を形成する。例えば、有底溝４０内に、導電性材料と樹脂とを含むシールド剤を塗布し、スピンコートにより第１の樹脂層２０の上面２０ａに薄く均一に塗り拡げた後、シールド剤を硬化させることにより、シールド層４２を形成する。真空状態でシールド剤を塗布するなど、スピンコート以外の方法でシールド層４２を形成してもよい。
【００５１】
シールド層４２は、基板１２の切断面、すなわち基板１２の側面１２ｓに露出した接地電極１８に接して電気的に接続される。
【００５２】
（４）次いで、図２（ｄ）に示すように、ダイシングブレード５０等を用いて、有底溝４０内に形成されたシールド層４２と第２の樹脂層３０とを、仮想分割線１１に沿って切断し、個片に分割する。このとき、有底溝４０内に形成されたシールド層４２は分割され、分割された切断面によってシールド層４２の側面４２が形成される。
【００５３】
仮想分割線１１に沿ってシールド層４２と第２の樹脂層３０にブレイク溝を形成し、ブレイクすることにより、個片に分割してもよい。
【００５４】
以上の（１）〜（４）の工程により、電子部品１０が完成する。
【００５５】
なお、本実施例においては、接続端３２は樹脂シートに形成された貫通孔に導電性樹脂を充填して形成されているが、基板１２にピンなどの金属端子を実装した後に、樹脂シートを加熱圧着させることで接続端子３２を形成してもよい。
【００５６】
電子部品１０は、シールド層４２の形成と同時に、基板１２の側面１２ｓに達している接地電極１８にシールド層４２が接続される。そのため、シールド層と基板とを電気的に接続するためだけに行う工程が不要であり、製造コストを低減できる。
【００５７】
＜実施例２＞  実施例２の電子部品１０ａについて、図５を参照しながら説明する。図５は、電子部品１０ａの断面図である。
【００５８】
図５に示すように、実施例２の電子部品１０ａは、実施例１の電子部品１０と略同様に形成されている。以下では、実施例１と同じ構成部分には同じ符号を用い、実施例１との相違点を中心に説明する。
【００５９】
実施例２の電子部品１０ａは、実施例１の電子部品１０と異なり、第２の樹脂層３０の側面３０ｔ全体が、基板１２の側面１２ｓ及び第１の樹脂層２０の側面２０ｓとともに同一面内に含まれるように形成されており、シールド層４４の側面４４ｓと、第２の樹脂層３０の側面３０ｔとの間には段差４４ｔが形成されている。
【００６０】
電子部品１０ａは、実施例１の電子部品１０と略同じ工程によって作製することができる。すなわち、実施例１の電子部品１０を作製する（２）の工程において、第２の樹脂層３０の途中までの深さの有底溝４０を形成する代わりに、第２の樹脂層３０を完全に切断して、集合基板を個片に分割した後、ディッピングにより、第１の樹脂層２０と基板１２と第２の樹脂層３０の基板１２側の部分とを覆うシールド層４４を連続して一体に形成する。
【００６１】
電子部品１０ａは、シールド層４４の形成と同時に、基板１２の側面１２ｓに達している接地電極１８にシールド層４４が接続される。そのため、シールド層を基板側に電気的に接続するためだけに行う工程が不要であり、製造コストを低減できる。
【００６２】
基板１２の上面１２ａには、第１の樹脂層２０を貫通する接続端子を介してシールド層４４の天面部４４ａと接続するための接地電極を設ける必要がないため、基板１２のデザインの自由度が上がる。
【００６３】
＜実施例３＞  実施例３の電子部品１０ｂについて、図６を参照しながら説明する。図６は、電子部品１０ｂの断面図である。
【００６４】
実施例２の電子部品１０ｂは、実施例１の電子部品１０と略同じ工程によって作製することができる。すなわち、実施例１の電子部品１０を作製する（３）の工程において、シールド層４６をスパッタリングにより形成する以外は、実施例１と同じ工程で作製する。
【００６５】
シールド層４６は金属膜であるため、有底溝４０の内周面と底面とに沿って薄く形成される。そのため、シールド層４６には、有底溝４０の内周面と底面とに沿って形成された側面４６ｓに続き、有底溝４０の底面に沿って形成された段面４６ｔが形成されている。
【００６６】
電子部品１０ｂは、シールド層４６の形成と同時に、基板１２の側面１２ｓに達している接地電極１８にシールド層４６が接続される。そのため、シールド層を基板側に電気的に接続するためだけに行う工程が不要であり、製造コストを低減できる。
【００６７】
基板１２の上面１２ａには、第１の樹脂層を貫通する接続端子を介してシールド層４６の天面部４６ａと接続するための接地電極を設ける必要がないため、基板１２のデザインの自由度が上がる。
【００６８】
＜まとめ＞  以上に説明した電子部品は、シールド層と基板とを電気的に接続するためだけに行う工程が不要であるため、製造コストを低減できる。また、基板の上面には、第１の樹脂層を貫通する接続端子を介してシールド層の天面部と接続するための接地電極を設ける必要がないため、基板のデザインの自由度が向上する。
【００６９】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【００７０】
例えば、シールド層を、めっきにより形成してもよい。
【符号の説明】
【００７１】
１０，１０ａ，１０ｂ  電子部品
１１  仮想分割線
１２  基板
１２ａ  上面（第１の主面）
１２ｂ  下面（第２の主面）
１３，１４  実装電極
１５  端子電極
１６  実装電極
１８  接地電極
２０  第１の樹脂層
２０ａ  上面
２０ｓ  側面
３０  第２の樹脂層
３０ｂ  側面（第２の主面）
３０ｓ，３０ｔ  側面
３２  接続端子
３４  外部電極
４０  有底溝
４２  シールド層
４２ａ  天面部
４２ｓ  側面
４４  シールド層
４４ａ  天面部
４４ｓ  側面
４４ｔ  段差
４６  シールド層
４６ａ  天面部
４６ｓ  側面
４６ｔ  段面
５０  ダイシングブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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