(57)【要約】  本発明の態様に係る露光装置は、所定の円筒面に沿って設けられたパターンを前記円筒面の円周方向に回転させつつ前記パターンを基板に転写する露光装置であって、前記パターンのうち前記円筒面の第１領域に配置される第１部分パターンの像を第１投影領域に投影する第１投影光学系と、前記パターンのうち前記第１領域と異なる第２領域に配置される第２部分パターンの像を、前記第１投影領域と異なる第２投影領域に投影する第２投影光学系と、前記パターンの前記円周方向への回転に同期して、前記第１投影領域及び前記第２投影領域に前記基板を案内する案内装置と、を備える。
2011129369.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の円筒面に沿って設けられたパターンを前記円筒面の円周方向に回転させつつ前記パターンを基板に転写する露光装置であって、
前記パターンのうち前記円筒面の第１領域に配置される第１部分パターンの像を第１投影領域に投影する第１投影光学系と、
前記パターンのうち前記第１領域と異なる第２領域に配置される第２部分パターンの像を、前記第１投影領域と異なる第２投影領域に投影する第２投影光学系と、
前記パターンの前記円周方向への回転に同期して、前記第１投影領域及び前記第２投影領域に前記基板を案内する案内装置と、
を備える露光装置。
【請求項２】
前記第１部分パターンと前記第２部分パターンとは、前記円筒面の中心軸線に沿って相互に所定間隔を置いて設けられるとともに、前記円筒面の円周方向に相互に所定量ずれて設けられ、
前記パターンの回転進行方向に関して前記円筒面の円周方向に沿った前記第１領域から前記第２領域までのピッチＮと、前記案内装置による前記基板の移動経路に沿った前記第１投影領域と前記第２投影領域とのピッチＬと、前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系の投影倍率βと、前記所定量Ｓとは、Ｓ＝Ｎ−Ｌ／β及びＬ≦β×Ｎの関係を満たす
請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１部分パターンと前記第２部分パターンとは、前記円筒面の中心軸線に沿って相互に所定間隔を置いて設けられるとともに、前記円筒面の円周方向に相互に所定量ずれて設けられ、
前記円筒面の直径Ｄと、前記案内装置による前記基板の移動経路に沿った前記第１投影領域と前記第２投影領域とのピッチＬと、前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系の投影倍率βと、前記所定量Ｓとは、Ｓ＝π×Ｄ／２−Ｌ／β及びＬ≦β×π×Ｄ／２の関係を満たす
請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記所定間隔は、前記第１投影領域の端部位置と前記第２投影領域の端部位置とが、前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系によって前記基板の移動経路上において少なくとも一部重なるように設定されている
請求項２又は請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記案内装置は、前記第１投影領域及び第２投影領域に位置する前記基板をそれぞれ支持する第１支持部及び第２支持部を有する
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第１支持部及び前記第２支持部は、前記円筒面の湾曲方向に対して、それぞれ前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系によって光学的に対応する方向に湾曲した第１湾曲部及び第２湾曲部を有し、該第１及び第２湾曲部に沿って前記基板を湾曲させて該基板を支持する
請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１湾曲部及び前記第２湾曲部は、それぞれ前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系に向けて凸状に湾曲されている
請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１湾曲部及び前記第２湾曲部は、前記円筒面と同一の曲率で湾曲されている
請求項６又は請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１支持部及び前記第２支持部は、それぞれ表面に沿って前記基板を案内する案内ローラーと、該案内ローラーを前記表面の円周方向に沿って回転させるローラー駆動部と、を有し、
前記第１湾曲部及び前記第２湾曲部は、それぞれ対応する前記案内ローラーの表面部に設けられている
請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記ローラー駆動部は、前記パターンの回転と同期して前記案内ローラーを回転させる
請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系は、
前記円筒面の内側に配置されて、前記パターンから発した光を前記円筒面の外側に射出させる第１光学系と、
前記第１光学系を介した前記光を前記第１投影領域又は前記第２投影領域に照射して前記パターンの像を投影する第２光学系と、
をそれぞれ含む請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第１光学系は、前記円筒面の近傍に前記パターンの中間像を結像する
請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１光学系は、前記中間像の結像位置を調整する調整部を含む
請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記パターンの位置情報を検出する検出部を備え、
前記調整部は、前記検出部の検出結果に基づいて前記中間像の結像位置を調整する
請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系は、それぞれ前記円筒面の近傍に該第１投影光学系の瞳面及び該第２投影光学系の瞳面を形成する
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１６】
所定の円筒面に沿って設けられたパターンを前記円筒面の円周方向に回転させつつ前記パターンを基板に転写する露光装置であって、
前記パターンの像を投影領域に投影する投影光学系と、
前記パターンの前記円周方向への回転に同期して、前記投影領域に前記基板を案内し、且つ前記投影領域に位置する前記基板を湾曲させて支持する湾曲部を有する案内装置と、を備える露光装置。
【請求項１７】
前記湾曲部は、投影光学系に向けて凸状に湾曲されている
請求項１６に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記湾曲部は、前記円筒面と同一の曲率半径で湾曲されている
請求項１６又は請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
帯状の基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を該基板の長手方向に搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部による前記基板の搬送経路に沿って設けられ、該搬送経路に沿って搬送される前記基板に対して処理を行う基板処理部と、を備え、
前記基板処理部は、前記基板にパターンを転写する請求項１から請求項１８のいずれか一項に記載の露光装置を含む
基板処理装置。
【請求項２０】
基板を処理してデバイスを製造するデバイス製造方法であって、
請求項１から請求項１９のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記基板にパターンを転写することと、
前記パターンが転写された前記基板を該パターンに基づいて加工することと、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、基板処理装置及びデバイス製造方法に関する。
本願は、２０１０年４月１３日に出願された米国仮出願第６１／３２３，５１４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子が知られている。現在、これらの表示素子では、各画素に対応して基板表面に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を形成する能動的素子（アクティブデバイス）が主流となってきている。【０００３】
近年では、可撓性を有する基板（例えばフィルム部材など）上に表示素子を形成する技術が提案されている。このような技術として、例えばロール・トゥ・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）と呼ばれる手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。ロール方式では、基板供給側の供給用ローラーに巻かれた帯状の基板を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側の回収用ローラーで巻き取りながら基板を搬送する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開２００８／１２９８１９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、表示装置では表示画面の大型化が期待されており、上記のようなロール方式においても、帯状の基板に大型の表示素子を効率的に製造可能とする技術が要望されている。【０００６】
そこで、本発明に係る態様は、帯状の基板に表示素子を効率的に製造することができる露光装置、基板処理装置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る第１の態様による露光装置は、所定の円筒面に沿って設けられたパターンを前記円筒面の円周方向に回転させつつ前記パターンを基板に転写する露光装置であって、前記パターンのうち前記円筒面の第１領域に配置される第１部分パターンの像を第１投影領域に投影する第１投影光学系と、前記パターンのうち前記第１領域と異なる第２領域に配置される第２部分パターンの像を、前記第１投影領域と異なる第２投影領域に投影する第２投影光学系と、前記パターンの前記円周方向への回転に同期して、前記第１投影領域及び前記第２投影領域に前記基板を案内する案内装置と、を備える。【０００８】
本発明に係る第２の態様による基板処理装置は、帯状の基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を該基板の長手方向に搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部による前記基板の搬送経路に沿って設けられ、該搬送経路に沿って搬送される前記基板に対して処理を行う基板処理部と、を備え、前記基板処理部は、前記基板にパターンを転写する上記露光装置を含む。【０００９】
本発明に係る第３の態様によるデバイス製造方法は、基板を処理してデバイスを製造するデバイス製造方法であって、上記露光装置を用いて、前記基板にパターンを転写することと、前記パターンが転写された前記基板を該パターンに基づいて加工することと、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る態様によれば、帯状の基板に表示素子を効率的に製造することができる露光装置、基板処理装置及びデバイス製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す概略図。
【図２】本実施形態に係る露光装置の構成を示す概略図。
【図３】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す斜視図。
【図４Ａ】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す斜視図。
【図４Ｂ】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す斜視図。
【図５】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す斜視図。
【図６】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す平面図。
【図７】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す模式図。
【図８】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す平面図。
【図９】本実施形態に係る露光装置の動作の様子を示す図。
【図１０】本実施形態に係る露光装置の他の構成を示す図。
【図１１】本実施形態に係る露光装置の他の構成を示す図。
【図１２】本実施形態に係る露光装置の他の構成を示す図。
【図１３】本実施形態に係る露光装置の他の構成を示す図。
【図１４】本実施形態に係る露光装置の他の構成を示す図。
【図１５】本実施形態に係る露光装置の他の構成を示す図。
【図１６】本実施形態に係る露光装置の他の構成を示す図。
【図１７】本実施形態に係る露光装置の他の構成を示す図。
【図１８】半導体デバイスを製造する際の製造工程の一部を示すフローチャート。
【図１９】液晶表示素子の製造する際の製造工程の一部を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。  
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置ＦＰＡの構成を示す図である。  
図１に示すように、基板処理装置ＦＰＡは、帯状の基板（例えば、帯状のフィルム部材）ＦＢを供給する基板供給部ＳＵ、基板ＦＢの表面（被処理面）に対して処理を行う基板処理部ＰＲ、基板ＦＢを回収する基板回収部ＣＬ、及び、これらの各部を制御する制御部ＣＯＮＴを有している。
【００１３】
なお、本実施形態では、図１に示すようにＸＹＺ座標系を設定し、以下では適宜このＸＹＺ座標系を用いて説明を行う。ＸＹＺ座標系は、例えば、水平面に沿ってＸ軸及びＹ軸が設定され、鉛直方向に沿って上向きにＺ軸が設定される。また、基板処理装置ＦＰＡは、全体としてＸ軸に沿って、そのマイナス側（−側）からプラス側（＋側）へ基板ＦＢを搬送する。その際、帯状の基板ＦＢの幅方向（短尺方向）は、Ｙ軸方向に設定される。
【００１４】
基板処理装置ＦＰＡは、基板供給部ＳＵから基板ＦＢが送り出されてから、基板回収部ＣＬによって基板ＦＢが回収されるまでの間に、基板ＦＢの表面に各種処理を実行する装置である。基板処理装置ＦＰＡは、基板ＦＢ上に例えば有機ＥＬ素子、液晶表示素子等の表示素子（電子デバイス）を形成する場合に用いることができる。
【００１５】
基板処理装置ＦＰＡにおいて処理対象となる基板ＦＢとしては、例えば樹脂フィルムやステンレス鋼などの箔（フォイル）を用いることができる。例えば、樹脂フィルムは、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、などの材料を用いることができる。
【００１６】
基板ＦＢは、例えば２００℃程度の熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。
【００１７】
基板ＦＢの幅方向（短尺方向）の寸法は例えば１ｍ〜２ｍ程度に形成されており、長さ方向（長尺方向）の寸法は例えば１０ｍ以上に形成されている。勿論、この寸法は一例に過ぎず、これに限られることは無い。例えば基板ＦＢのＹ方向の寸法が５０ｃｍ以下であっても構わないし、２ｍ以上であっても構わない。また、基板ＦＢのＸ方向の寸法が１０ｍ以下であっても構わない。
【００１８】
基板ＦＢは、可撓性を有するように形成されている。ここで可撓性とは、基板に自重程度の力を加えても線断したり破断したりすることはなく、該基板を撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、上記可撓性は、該基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度などの環境、等に応じて変わる。なお、基板ＦＢとしては、１枚の帯状の基板を用いても構わないが、複数の単位基板を接続して帯状に形成される構成としても構わない。
【００１９】
基板供給部ＳＵは、例えばロール状に巻かれた基板ＦＢを基板処理部ＰＲへ送り出して供給する。この場合、基板供給部ＳＵには、基板ＦＢを巻きつける軸部や当該軸部を回転させる回転駆動装置などが設けられる。この他、例えばロール状に巻かれた状態の基板ＦＢを覆うカバー部などが設けられた構成であっても構わない。なお、基板供給部ＳＵは、ロール状に巻かれた基板ＦＢを送り出す機構に限定されず、帯状の基板ＦＢをその長さ方向に順次送り出す機構を含むものであればよい。
【００２０】
基板回収部ＣＬは、基板処理部ＰＲからの基板ＦＢを例えばロール状に巻きとって回収する。基板回収部ＣＬには、基板供給部ＳＵと同様に、基板ＦＢを巻きつけるための軸部や当該軸部を回転させる回転駆動装置、回収した基板ＦＢを覆うカバー部などが設けられている。なお、基板処理部ＰＲにおいて基板ＦＢがパネル状に切断される場合などには例えば基板ＦＢを重ねた状態に回収するなど、ロール状に巻いた状態とは異なる状態で基板ＦＢを回収する構成であっても構わない。
【００２１】
基板処理部ＰＲは、基板供給部ＳＵから供給される基板ＦＢを基板回収部ＣＬへ搬送すると共に、搬送の過程で基板ＦＢの被処理面Ｆｐに対して処理を行う。基板処理部ＰＲは、例えば処理装置１０、搬送装置３０及びアライメント装置５０を有している。
【００２２】
処理装置１０は、基板ＦＢの被処理面Ｆｐに対して例えば有機ＥＬ素子を形成するための各種装置を有している。このような装置としては、例えば被処理面Ｆｐ上に隔壁を形成するための隔壁形成装置、電極を形成するための電極形成装置、発光層を形成するための発光層形成装置などが挙げられる。より具体的には、液滴塗布装置（例えばインクジェット型塗布装置、スピンコート型塗布装置）、成膜装置（例えば蒸着装置、スパッタリング装置）、露光装置、現像装置、表面改質装置、洗浄装置などが挙げられる。これらの各装置は、基板ＦＢの搬送経路に沿って適宜設けられる。本実施形態では、処理装置１０として、露光装置が設けられている。
【００２３】
搬送装置３０は、基板処理部ＰＲ内において基板ＦＢを基板回収部ＣＬ側へ搬送するローラー装置Ｒを有している。ローラー装置Ｒは、基板ＦＢの搬送経路に沿って複数設けられている。複数のローラー装置Ｒのうち少なくとも一部のローラー装置Ｒには、駆動機構（不図示）が取り付けられている。このようなローラー装置Ｒが回転することにより、基板ＦＢがＸ軸方向に搬送されるようになっている。複数のローラー装置Ｒのうち一部のローラー装置Ｒが基板ＦＢの表面と交差する方向に移動可能に設けられた構成であっても構わない。
【００２４】
アライメント装置５０は、基板ＦＢに対してアライメント動作を行う。アライメント装置５０は、基板ＦＢの位置を検出するアライメントカメラ５１と、当該アライメントカメラ５１の検出結果に基づいて基板ＦＢの位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する調整装置５２とを有している。
【００２５】
アライメントカメラ５１は、例えば基板ＦＢに形成されたアライメントマークを検出し、検出結果を制御部ＣＯＮＴに送信する。制御部ＣＯＮＴは、当該検出結果に基づいて基板ＦＢの位置情報を求め、当該位置情報に基づいて調整装置５２による調整量を制御する。
【００２６】
図２は、処理装置１０として用いられる露光装置ＥＸの構成を示す図である。露光装置ＥＸは、マスクＭに形成されたパターンＰｍの像を基板ＦＢに投影する装置である。露光装置ＥＸは、図２に示すように、マスクＭを照明する照明装置ＩＵと、マスクＭを保持して移動及び回転可能なマスク移動装置ＭＳＴと、基板ＦＢに対してパターンＰｍの拡大像を投影する投影装置ＰＵと、基板ＦＢを案内する基板案内装置ＦＳＴとを有している。
【００２７】
照明装置ＩＵは、マスクＭに露光光ＥＬＩを照明する。照明装置ＩＵは、光源装置２０と、照射光学系２１とを有している。光源装置２０から射出される露光光ＥＬＩは、照射光学系２１を介して複数の方向からマスクＭに対して照射される。なお、照射光学系２１は、図２において簡略化して示されているが、実際には、露光光ＥＬＩを導光する複数の光学素子を含むものである。
【００２８】
マスク移動装置ＭＳＴは、保持部４０及び駆動装置ＡＣＭを有している。保持部４０は、概形として円筒状に形成されており、その外周面に相当する円筒面４０ａに沿ってマスクＭを保持するように形成されている。保持部４０は、円筒面４０ａの円周方向に沿って（すなわち、円筒面４０ａの中心軸線としての軸線Ｃ回りに）回転可能に設けられている。駆動装置ＡＣＭは、保持部４０を円筒面４０ａに沿って回転駆動させると共に、保持部４０を図中Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向へ移動させることができる。
【００２９】
マスクＭは、保持部４０によって取り外し可能に保持される。マスクＭとしては、例えばシート状に形成された透過型マスクが用いられる。マスクＭは、パターンＰｍが円筒面４０ａに沿って配置されるように、パターンＰｍが形成されたパターン面を円筒面４０ａの内側に向けて保持部４０に保持される。このため、パターンＰｍは、実質的に円筒面４０ａに一致する面上に配置されることになる。
【００３０】
投影装置ＰＵは、複数の投影光学系ＰＬを有している。複数の投影光学系ＰＬの一部は、マスクＭに対して基板ＦＢの上流側（−Ｘ側）に配置されており、保持部４０の＋Ｘ側に配置されたパターンＰｍの拡大像を、保持部４０よりも−Ｘ側に位置する基板ＦＢに対して投影する。また、複数の投影光学系ＰＬの他の一部は、マスクＭに対して基板ＦＢの下流側（＋Ｘ側）に配置されており、保持部４０の−Ｘ側に配置されたパターンＰｍの拡大像を、保持部４０よりも＋Ｘ側に位置する基板ＦＢに対して投影する。
【００３１】
各投影光学系ＰＬは、第１結像部６０及び第２結像部６１を有している。第１結像部６０は、円筒状の保持部４０の内側の領域（以下では、この内側の領域のことを適宜保持部４０の内部と称する）に設けられている。第１結像部６０は、マスクＭを透過して保持部４０内部に入射された露光光を、円筒状の保持部４０の外側の領域（以下では、この外側の領域のことを適宜保持部４０の外部と称する）へ射出する。第２結像部６１は、保持部４０の外部に設けられている。第２結像部６１は、第１結像部６０からの露光光を受光して基板ＦＢに照射する。投影光学系ＰＬは、例えば、第１結像部６０が等倍又は略等倍の投影倍率を有し、第２結像部６１が拡大の投影倍率（拡大倍率）を有することによって、パターンＰｍの拡大像を基板ＦＢに投影する。
【００３２】
基板案内装置ＦＳＴは、投影装置ＰＵによってパターンＰｍの像が投影される投影領域ＰＡを経由するように基板ＦＢを案内する。基板案内装置ＦＳＴは、案内部８０、上流側ローラー８１、下流側ローラー８２及び駆動装置ＡＣＦを有している。案内部８０は、保持部４０の＋Ｘ側に配置される投影光学系ＰＬの投影領域ＰＡと−Ｘ側に配置される投影光学系ＰＬの投影領域ＰＡとに対応した位置にそれぞれ配置されている。
【００３３】
各案内部８０は、基板ＦＢを支持する支持面（支持部）８０ａを有している。案内部８０は、図示しないエアベアリング機構が設けられており、このエアベアリング機構によって基板ＦＢを支持面８０ａ上に非接触に支持することができる。支持面８０ａは、投影光学系ＰＬについて円筒面４０ａと光学的に共役な位置に配置されている。支持面８０ａは、湾曲部８３を有している。湾曲部８３は、投影光学系ＰＬによってマスクＭの湾曲方向と光学的に対応する方向に湾曲されている。具体的には、投影光学系ＰＬに向かって凹の円筒面状に湾曲されたマスクＭに対応して、湾曲部８３は、投影光学系ＰＬに向かって凸の円筒面状に湾曲されている。案内部８０に案内される基板ＦＢは、湾曲部８３の表面形状に倣って湾曲して案内される。
【００３４】
なお、湾曲部８３が配置される位置は、上記のようにマスクＭ（円筒面４０ａ）と光学的に共役な位置に限定されず、その位置から例えば投影光学系ＰＬによるパターンＰｍの像の焦点深度の範囲内でずれた位置であっても構わない。焦点深度δは例えば、
−ｋ・λ／ＮＡ２≦δ≦＋ｋ・λ／ＮＡ２
で表される。ここで、λは露光光ＥＬＩの波長（中心波長）、ＮＡは投影光学系ＰＬの像側の開口数、ｋはプロセス係数（結像に関与する諸条件に基づいて決定される定数）である。
【００３５】
湾曲部８３は、マスクＭの曲率（円筒面４０ａの曲率半径）と同一の曲率（曲率半径）で湾曲されている。基板ＦＢがマスクＭの曲率と同一の曲率となるように湾曲されて案内されるため、露光光ＥＬＩがマスクＭに照射される照射面と、露光光ＥＬＩが基板ＦＢに照射される照射面とが同一の曲率（曲率半径）となる。換言すると、投影光学系ＰＬの視野領域内に位置するマスクＭの曲率（曲率半径）と、投影光学系ＰＬの投影領域（すなわち、視野領域内のパターンＰｍが投影される領域）内に位置する基板ＦＢの曲率（曲率半径）とが等しくなる。このため、投影光学系ＰＬの視野領域内及び投影領域内の全面にわたってマスクＭと基板ＦＢとが相互に共役関係を満足することとなり、投影領域内の全面にわたってパターンＰｍの拡大像を基板ＦＢに良好に投影することができる。
【００３６】
支持面８０ａには、湾曲部８３の上流側及び下流側に、それぞれ第二湾曲部８４が形成されている。第二湾曲部８４は、案内部８０における基板ＦＢの搬入部及び搬出部に相当する位置に設けられている。第二湾曲部８４は、湾曲部８３よりも曲率が大きく（すなわち、曲率半径が小さく）なるように湾曲されている。このため、案内部８０によって支持される基板ＦＢは、案内部８０の上流側及び下流側の端部と接触することが回避され、この端部によって損傷されることがなくなる。また、基板ＦＢの先端部を支持面８０ａ上に搬入する際に、案内部８０の上流側の端部に接触させることなく滑らかに搬入させることができる。
本実施形態では、湾曲部８３を設けることで、案内部８０に案内される基板ＦＢは、湾曲部８３の表面形状に倣って湾曲して案内されるので、平面状のまま案内される場合と比較して、支持面８０ａ（投影領域）における基板ＦＢに、皺や弛みが生じ難くなる。そのため、基板ＦＢのアライメントや焦点合わせの精度を向上させることができる。例えば、上流側ローラー８１、下流側ローラー８２及び駆動装置ＡＣＦを制御して、基板ＦＢに、伸びが生じない程度の大きさの張力を加えて、基板ＦＢを湾曲部８３の表面形状に倣わせるように設定することができる。  
【００３７】
上流側ローラー８１は、基板ＦＢを案内部８０に搬入する。下流側ローラー８２は、基板ＦＢを案内部８０から搬出する。上流側ローラー８１及び下流側ローラー８２は、例えば所定の搬送速度で基板ＦＢを搬送する。駆動装置ＡＣＦは、上流側ローラー８１及び下流側ローラー８２の回転速度を調整する。
【００３８】
駆動装置ＡＣＦは、制御部ＣＯＮＴからの制御信号に基づいて上流側ローラー８１及び下流側ローラー８２の回転速度を調整し、これによって基板ＦＢの搬送速度を調整する。制御部ＣＯＮＴは、マスクＭの回転速度に応じた搬送速度で基板ＦＢが搬送されるように、駆動装置ＡＣＭの駆動及び駆動装置ＡＣＦの駆動を制御する。具体的には、制御部ＣＯＮＴは、円筒面４０ａに沿ったマスクＭの移動速度（周速度）に対する、基板ＦＢの長さ方向への搬送速度（すなわち、基板ＦＢの表面の移動速度）の比が、投影光学系ＰＬの投影倍率（拡大倍率）と等しくなるように、駆動装置ＡＣＭ及び駆動装置ＡＣＦの駆動を制御する。
【００３９】
図３は、マスク移動装置ＭＳＴの構成を示す斜視図である。図３では、保持部４０の内部に投影装置ＰＵの一部が配置された状態を示している。図４Ａは、保持部４０の構成を示す斜視図である。図４Ｂは、マスクＭに形成されるパターンＰｍを示す図である。
【００４０】
図２、図３、図４Ａに示すように、マスク移動装置ＭＳＴの保持部４０は、円筒面４０ａに沿って形成されている。保持部４０は、軸線Ｃを中心として円筒面４０ａの円周方向に沿って回転可能に設けられている。保持部４０は、不図示の固定装置などによって露光装置ＥＸに対して着脱可能に設けられている。
【００４１】
保持部４０は、リング部４３及び連結部４４を有している。リング部４３は、軸線Ｃを共通の中心軸として５つ配列されている。連結部４４は、これら５つのリング部４３を連結する位置に配置されている。連結部４４は、隣り合う２つのリング部４３を、円周方向に沿った２箇所の位置で連結するように設けられている。当該２箇所の連結部４４は、例えば軸線Ｃを基準として対称な位置（軸線Ｃを挟んで対向する位置）に配置されている。連結部４４は、５つのリング部４３の間の４箇所に円周方向に２つずつ、合計８つ設けられている。なお、保持部４０を構成するリング部４３及び連結部４４の数は、上記の数に限定されるものではない。特に、リング部４３の数は、投影光学系の数に対応して設けられる。
【００４２】
保持部４０は、リング部４３と連結部４４とで形成される複数の開口部ＯＰを有している。開口部ＯＰは、保持部４０の内部と外部とを連通するように形成されている。複数の開口部ＯＰには、第一開口部４１及び第二開口部４２が含まれている。第一開口部４１及び第二開口部４２は、露光光ＥＬＩを通過可能に形成されている。
【００４３】
第一開口部４１は、保持部４０のうちマスクＭを保持する部分に設けられる。第一開口部４１は、軸線Ｃに沿って４つ（第一開口部４１ａ〜４１ｄ）設けられている。保持部４０は、リング部４３及び連結部４４のうち第一開口部４１ａ〜４１ｄの周囲の領域にマスク吸着部ＳＣを有している。
【００４４】
マスク吸着部ＳＣは、例えばリング部４３及び連結部４４に設けられた不図示の吸引口と、当該吸引口に接続された不図示の吸引ポンプとを有している。マスク吸着部ＳＣは、吸引口を介してマスクＭを吸引することにより、マスクＭを保持部４０に吸着可能となっている。マスク吸着部ＳＣは、マスクＭの吸引を停止することでマスクＭの保持を解除することができるようになっている。マスク吸着部ＳＣの吸引を調整することにより、マスクＭの取り付け、取り外しの切り替えをスムーズに行うことができるようになっている。
【００４５】
マスクＭ（Ｍａ〜Ｍｄ）は、各第一開口部４１ａ〜４１ｄについて１枚ずつ保持されている。マスクＭａ〜Ｍｄは、図４Ｂに示すように、所定方向（軸線Ｃに対応する方向）に相互につなぎ合わせた場合に全体として所望のパターンＰｍが形成されるように、それぞれパターンＰａ〜Ｐｄが形成されている。換言すると、マスクＭａ〜Ｍｄのそれぞれに形成されているパターンＰａ〜Ｐｄを所定方向につなぎ合わせることでパターンＰｍが構成される。なお、マスクＭａ，Ｍｂのうち相互に隣り合う端部領域（図４Ｂにおいて、相互につなぎ合わされる部分）には、同一パターンが形成されている。同様に、マスクＭｂ，Ｍｃ及びマスクＭｃ，Ｍｄのうち、それぞれ相互に隣り合う端部領域においても、同一パターンが形成されている。
【００４６】
第二開口部４２は、第一開口部４１ａ〜４１ｄと同様、軸線Ｃに沿って４つ（第二開口部４２ａ〜４２ｄ）設けられている。第二開口部４２は、軸線Ｃを基準として第一開口部４１と対称な位置（軸線Ｃを挟んで対向する位置）に設けられている。第二開口部４２ａ〜４２ｄは、例えば円周方向の寸法及び軸線Ｃ方向の寸法がそれぞれ第一開口部４１ａ〜４１ｄと同一に形成されている。第一開口部４１ａ〜４１ｄと第二開口部４２ａ〜４２ｄとは、互いに円筒面４０ａの円周方向にずれるように配置されている。
【００４７】
保持部４０の軸線Ｃ方向の両端部には、不図示の回転機構等に接続される被接続部４３ａが形成されている。当該回転機構は、上記の駆動装置ＡＣＭの一部である。このような回転機構としては、例えば保持部４０を回転させる歯車機構の一部であっても構わないし、リニアモータ機構の可動子（磁石部あるいはコイル部）であっても構わない。
【００４８】
図５は、照明装置ＩＵの一部の構成と投影装置ＰＵの一部の構成とを示す図である。図６は、照明装置ＩＵ及び投影装置ＰＵの構成を模式的に示す図である。  
図３、図５、図６に示すように、照明装置ＩＵは、保持部４０に保持される４枚のマスクＭ（Ｍａ〜Ｍｄ）ごとに設けられた４つの照明光学系ＩＬ（照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｄ）を有している。照明光学系ＩＬａは、第一開口部４１ａに設けられるマスクＭａを照明する。照明光学系ＩＬｂは、第一開口部４１ｂに設けられるマスクＭｂを照明する。照明光学系ＩＬｃは、第一開口部４１ｃに設けられるマスクＭｃを照明する。照明光学系ＩＬｄは、第一開口部４１ｄに設けられるマスクＭｄを照明する。このうち、照明光学系ＩＬａ及びＩＬｃは、保持部４０の＋Ｘ側に配置されており、保持部４０の外部から内部に向かってマスクＭａ，Ｍｃをそれぞれ照明する。また、照明光学系ＩＬｂ及びＩＬｄは、保持部４０の−Ｘ側に配置されており、保持部４０の外部から内部に向かってマスクＭｂ，Ｍｄをそれぞれ照明する。照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｄは、例えばマスクＭａ〜Ｍｄのピッチ（すなわち、隣り合う中心間距離）に対応するピッチでＹ方向に配置されている。
【００４９】
図７は、投影装置ＰＵの構成を模式的に示す図である。  
図２、図３、図５〜図７に示すように、投影装置ＰＵは、４つの照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｄ及び４つのマスクＭａ〜Ｍｄにそれぞれ対応した４つの投影光学系ＰＬ（ＰＬａ〜ＰＬｄ）を有している。照明光学系ＩＬａ及びマスクＭａには投影光学系ＰＬａが、照明光学系ＩＬｂ及びマスクＭｂには投影光学系ＰＬｂが、照明光学系ＩＬｃ及びマスクＭｃには投影光学系ＰＬｃが、照明光学系ＩＬｄ及びマスクＭｄには投影光学系ＰＬｄが、それぞれ対応して配置されている。
【００５０】
投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｄの第１結像部６０（６０ａ〜６０ｄ）は、それぞれ保持部４０の内部に配置されている。第１結像部６０ａは、照明光学系ＩＬａからマスクＭａを介した露光光ＥＬＩの光路に配置されている。第１結像部６０ｂは、照明光学系ＩＬｂからマスクＭｂを介した露光光ＥＬＩの光路に配置されている。第１結像部６０ｃは、照明光学系ＩＬｃからマスクＭｃを介した露光光ＥＬＩの光路に配置されている。第１結像部６０ｄは、照明光学系ＩＬｄからマスクＭｄを介した露光光ＥＬＩの光路に配置されている。
【００５１】
第１結像部６０ａ〜６０ｄは、フレーム６２に保持されている（図５参照）。フレーム６２は、保持部４０の内部において軸線Ｃに沿って配置されている。保持部４０の内部に配置されたフレーム６２及び各第１結像部６０ａ〜６０ｄは、保持部４０には接触しない位置に保持されている。
【００５２】
第１結像部６０ａ〜６０ｄは、図６に示すように、それぞれ照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｄからマスクＭａ〜Ｍｄ及び第一開口部４１ａ〜４１ｄを介した露光光ＥＬＩを、保持部４０の内部において軸線Ｃを跨ぐように導光し、第二開口部４２ａ〜４２ｄを介して保持部４０の外部に射出する。
【００５３】
図６及び図７に示すように、第１結像部６０（６０ａ〜６０ｄ）は、保持部４０の内部に瞳面６５（６５ａ〜６５ｄ）を形成する。本実施形態では、軸線Ｃの近傍（例えば軸線Ｃの入射面側の近傍）に瞳面６５ａ〜６５ｄが形成されている。当該瞳面６５ａ〜６５ｄには、開口絞り６３（６３ａ〜６３ｄ）が設けられている。なお、ここでは、瞳面とは、光学系の入射瞳又は射出瞳と共役な面を含むものとしている。
【００５４】
また、図６及び図７に示すように、第１結像部６０（６０ａ〜６０ｄ）は、第二開口部４２（４２ａ〜４２ｄ）の近傍にパターンＰｍ（Ｐａ〜Ｐｄ）の中間像を形成する。本実施形態では、第二開口部４２（４２ａ〜４２ｄ）よりも保持部４０の内側にパターンＰｍ（Ｐａ〜Ｐｄ）の中間像６６（６６ａ〜６６ｄ）が形成されている。また、中間像６６（６６ａ〜６６ｄ）が形成される位置には、開閉可能なブラインド６４（６４ａ〜６４ｄ）が設けられている。ブラインド６４ａ〜６４ｄは、制御部ＣＯＮＴによって開閉が制御される。
【００５５】
一方、投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｄの第２結像部６１（６１ａ〜６１ｄ）は、それぞれ保持部４０の外部に配置されている。第２結像部６１ａ〜６１ｄは、それぞれ第１結像部６０ａ〜６０ｄから射出された露光光ＥＬＩを受光し、中間像６６ａ〜６６ｄの拡大像、ひいてはパターンＰａ〜Ｐｄの拡大像を所定の投影領域ＰＡａ〜ＰＡｄに投影する。ここで、投影領域ＰＡａ，ＰＡｃは、保持部４０よりも−Ｘ側に設けられ、投影領域ＰＡｂ，ＰＡｄは、保持部４０よりも＋Ｘ側に設けられている。そして、保持部４０よりも−Ｘ側の案内部８０は、投影領域ＰＡａ，ＰＡｃの下部に配置され、保持部４０よりも＋Ｘ側の案内部８０は、投影領域ＰＡｂ，ＰＡｄの下部に配置されている。
【００５６】
図８は、マスク移動装置ＭＳＴと基板ＦＢとの位置関係を示す平面図である。  
図８に示すように、投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｄによる投影領域ＰＡａ〜ＰＡｄは、例えばＹ方向に沿って２辺が平行な形状（本実施形態では、平行四辺形状）に形成されている。投影領域ＰＡａ〜ＰＡｄは、Ｙ方向の端部の幅（Ｘ方向の寸法）が徐々に小さくなるように形成されている。以下、この幅が徐々に小さくなっている部分をテーパー部分と表記する。なお、投影領域ＰＡａ〜ＰＡｄの形状は、平行四辺形状に限定されるものではなく、例えばＹ方向の端部にテーパー部を有する台形状または六角形状とすることもできる。投影領域ＰＡａ〜ＰＡｄの形状は、それぞれブラインド６４ａ〜６４ｄによって設定される。
【００５７】
投影光学系ＰＬａ及び投影光学系ＰＬｂは、投影領域ＰＡａの＋Ｙ側に形成されるテーパー部分のＹ方向に関する位置と投影領域ＰＡｂの−Ｙ側に形成されるテーパー部分のＹ方向に関する位置とが重なるように配置されている。また、投影光学系ＰＬｂ及び投影光学系ＰＬｃは、投影領域ＰＡｂの＋Ｙ側に形成されるテーパー部分のＹ方向に関する位置と投影領域ＰＡｃの−Ｙ側に形成されるテーパー部分のＹ方向に関する位置とが重なるように配置されている。更に、投影光学系ＰＬｃ及び投影光学系ＰＬｄは、投影領域ＰＡｃの＋Ｙ側に形成されるテーパー部分のＹ方向に関する位置と投影領域ＰＡｄの−Ｙ側に形成されるテーパー部分のＹ方向に関する位置とが重なるように配置されている。
【００５８】
図８の一部には、保持部４０を＋Ｙ方向に見たときの模式図が示されている。ここで、上記の第一開口部４１ａ〜４１ｄのうち軸線Ｃ方向に沿って隣り合う２つの第一開口部の円周方向の相互のずれ量（または、軸線Ｃ方向に隣り合う２つの第一開口部にそれぞれ設けられるマスクＭの各パターンの円周方向の相互のずれ量）をＳ、保持部４０（円筒面４０ａ）の直径をＤ、投影光学系ＰＬａ，ＰＬｃ（第一投影光学系）による投影領域と投影光学系ＰＬｂ，ＰＬｄ（第二投影光学系）による投影領域とのＸ軸方向のピッチ（一般には、基板ＦＢの移動経路に沿ったピッチ）をＬ、投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｄの投影倍率をβとすると、以下の式を満たすようにずれ量Ｓが設定されている。
Ｓ＝π×Ｄ／２−Ｌ／β（ただし、Ｌ≦β×π×Ｄ／２）
【００５９】
なお、本実施形態では、第一投影光学系に対応する照射光学系２１と第二投影光学系に対応する照射光学系２１とが、互いに対向する方向からマスクＭに露光光ＥＬＩを照射し、第一投影光学系の視野領域と第二投影光学系の視野領域とが互いに、軸線Ｃを挟んでマスクＭの反対側に位置するものとしていたが、かかる構成に限定されるものではない。これに対応して、ずれ量Ｓは、マスクＭの回転進行方向に関して円筒面４０ａの円周方向に沿った第一投影光学系の視野領域から第二投影光学系の視野領域までのピッチ（中心間距離）Ｎと、ピッチＬと、投影倍率βとを用いて次式によって設定される。
Ｓ＝Ｎ−Ｌ／β（ただし、Ｌ≦β×Ｎ）
また、ピッチＮに対応する円筒面４０ａの円弧の中心角φ（ラジアン）を用いると、ずれ量Ｓは、さらに次式によって設定できる。
Ｓ＝φ×Ｄ／２−Ｌ／β
なお、ピッチＮは、マスクＭの回転進行方向に関して円筒面４０ａの円周方向に沿った基板ＦＢの下流側に投影領域を形成する投影光学系の視野領域から基板ＦＢの上流側に投影領域を形成する投影光学系の視野領域までのピッチと言い換えることができる。
【００６０】
上記のように構成された基板処理装置ＦＰＡは、制御部ＣＯＮＴの制御により、ロール方式によって有機ＥＬ素子、液晶表示素子などの表示素子（電子デバイス）を製造する。以下、上記構成の基板処理装置ＦＰＡを用いて表示素子を製造する工程を説明する。
【００６１】
まず、不図示のローラーに巻き付けられた帯状の基板ＦＢを基板供給部ＳＵに取り付ける。制御部ＣＯＮＴは、この状態から基板供給部ＳＵから当該基板ＦＢが送り出されるように、不図示のローラーを回転させる。そして、基板処理部ＰＲを通過した当該基板ＦＢを基板回収部ＣＬに設けられた不図示のローラーで巻き取らせる。この基板供給部ＳＵ及び基板回収部ＣＬを制御することによって、基板ＦＢの被処理面Ｆｐを基板処理部ＰＲに対して連続的に搬送することができる。
【００６２】
制御部ＣＯＮＴは、基板ＦＢが基板供給部ＳＵから送り出されてから基板回収部ＣＬで巻き取られるまでの間に、基板処理部ＰＲの搬送装置３０によって基板ＦＢを当該基板処理部ＰＲ内で適宜搬送させつつ、処理装置１０によって表示素子の構成要素を基板ＦＢ上に順次形成させる。この工程の中で、露光装置ＥＸによって処理を行う場合、まず保持部４０にマスクＭａ〜Ｍｄを取り付ける。
【００６３】
次に、制御部ＣＯＮＴは、照明装置ＩＵからマスクＭのパターンＰｍに対して露光光ＥＬＩを照射させる。投影光学系ＰＬは、パターンＰｍの拡大像を投影領域ＰＡａ〜ＰＡｄに対して投影する。
【００６４】
図９に示すように、投影領域ＰＡａ〜ＰＡｄは、基板ＦＢのうち案内部８０の湾曲部８３上に配置された領域に形成される。基板ＦＢの当該部分は、湾曲部８３に倣って湾曲されている。投影領域ＰＡａ〜ＰＡｄは、湾曲された基板ＦＢ上に形成される。
【００６５】
制御部ＣＯＮＴは、まず保持部４０の上流側（−Ｘ側）において露光処理を行わせる。制御部ＣＯＮＴは、照明光学系ＩＬａ及びＩＬｃから露光光ＥＬＩをそれぞれマスクＭａ及びＭｃのパターンＰａ及びＰｃに照射させる。当該露光光ＥＬＩは、マスクＭａ及びＭｃ、第一開口部４１ａ及び４１ｃを順に透過し、保持部４０の内部において投影光学系ＰＬａ及びＰＬｃの第１結像部６０ａ及び６０ｃにそれぞれ入射する。
【００６６】
第１結像部６０ａ及び６０ｃを介した露光光ＥＬＩは、第二開口部４２ａ及び４２ｃを通過して第２結像部６１ａ及び６１ｃに入射する。第２結像部６１ａ及び６１ｃを介した露光光ＥＬＩは、投影領域ＰＡａ及びＰＡｃに照射される。この動作により、投影領域ＰＡａ及びＰＡｃには、パターンＰａの拡大像及びパターンＰｃの拡大像がそれぞれ投影されることになる。この状態で、制御部ＣＯＮＴは、駆動装置ＡＣＭによって保持部４０を回転させつつ、基板ＦＢを＋Ｘ方向に移動させる。これによって、基板ＦＢのうちＹ方向に離れた２つの領域が、投影領域ＰＡａ，ＰＡｃに投影されるパターンＰａ，Ｐｃの拡大像によって＋Ｘ側から−Ｘ側へと順に露光され、基板ＦＢにＸ軸方向に沿った帯状の露光領域ＰＢａ，ＰＢｃが形成される。このとき、制御部ＣＯＮＴは、円筒面４０ａに沿ったマスクＭの移動速度に対する基板ＦＢの長さ方向への移動速度の比が、投影光学系ＰＬの投影倍率（拡大倍率）と等しくなるように、保持部４０の回転速度と基板ＦＢの移動速度とを調整しつつ、駆動装置ＡＣＭ及び駆動装置ＡＣＦに当該動作を行わせる。
【００６７】
続いて、制御部ＣＯＮＴは、基板ＦＢの移動にともない露光領域ＰＢａ，ＰＢｃの＋Ｘ側端部が投影領域ＰＡｂ及びＰＡｄと等しいＸ方向位置に到達したら、次に保持部４０の下流側（＋Ｘ側）において露光処理を行わせる。制御部ＣＯＮＴは、照明光学系ＩＬｂ及びＩＬｄから露光光ＥＬＩをそれぞれマスクＭｂ及びＭｄのパターンＰｂ及びＰｄに照射させる。
【００６８】
パターンＰｂ及びＰｄを介した露光光ＥＬＩは、第一開口部４１ｂ及び４１ｄ、第１結像部６０ｂ及び６０ｄ、第二開口部４２ｂ及び４２ｄを順に通過して第２結像部６１ｂ及び６１ｄに入射する。第２結像部６１ｂ及び６１ｄを介した露光光ＥＬＩは、投影領域ＰＡｂ及びＰＡｄに照射される。
【００６９】
投影領域ＰＡｂ及びＰＡｄには、パターンＰｂ及びＰｄの拡大像がそれぞれ投影される。これによって、基板ＦＢのうちＹ方向に離れた２つの領域が、投影領域ＰＡｂ，ＰＡｄに投影されるパターンＰｂ，Ｐｄの拡大像によって＋Ｘ側から−Ｘ側へと順に露光され、Ｘ軸方向に沿った帯状の露光領域ＰＢｂ，ＰＢｄが基板ＦＢに形成される。このとき、露光領域ＰＢｂの−Ｙ側の端部及び＋Ｙ側の端部は、それぞれ露光領域ＰＢａの＋Ｙ側の端部及び露光領域ＰＢｃの−Ｙ側の端部に重なった状態で露光され、露光領域ＰＢｄの−Ｙ側の端部は、露光領域ＰＢｃの＋Ｙ側の端部に重なった状態で露光される。また、制御部ＣＯＮＴは、引き続き円筒面４０ａに沿ったマスクＭの移動速度に対する基板ＦＢの長さ方向への移動速度が投影光学系ＰＬの投影倍率と等しくなるように、保持部４０の回転速度と基板ＦＢの移動速度とを、それぞれ駆動装置ＡＣＭ及び駆動装置ＡＣＦに調整させる。
【００７０】
本実施形態では、基板ＦＢ上には、投影領域ＰＡａ〜ＰＡｄに投影される単独の像のみによって露光される部分と、投影領域ＰＡａに投影される像の一部と投影領域ＰＡｂに投影される像の一部とによって露光される部分と、投影領域ＰＡｂに投影される像の一部と投影領域ＰＡｃに投影される像の一部とによって露光される部分と、投影領域ＰＡｃに投影される像の一部と投影領域ＰＡｄに投影される像の一部とによって露光される部分と、が形成されることになる。このように露光動作を行うことにより、基板ＦＢ上には、図４Ｂに示したパターンＰｍの拡大像に対応する露光パターンＰｆが形成されることになる。
【００７１】
以上のように、本実施形態によれば、パターンＰｍを有するマスクＭを保持して該マスクＭを移動させるマスク移動装置ＭＳＴであって、円筒状に形成されパターンＰｍが円筒面４０ａ上に配置されるようにマスクＭを円筒面４０ａに沿って取り外し可能に保持する保持部４０を有することとしたので、パターンＰｍの像を帯状の基板ＦＢに効率的に露光することができる。これにより、帯状の基板ＦＢに表示素子を効率的に製造することができる移動装置ＭＳＴを提供することができる。
【００７２】
また、本実施形態によれば、マスクＭを介した露光光が保持部４０の内部を通過するように形成されているため、保持部４０の内部の空間を有効活用することができる。これにより、露光装置ＥＸの省スペース化を図ることができる。また、保持部４０を円筒面の円周方向に沿って回転させる駆動装置ＡＣＭが保持部４０の軸線Ｃ方向の端部を介して当該保持部４０を回転させるため、保持部４０の内部を通過する露光光を遮ることなく保持部４０を回転させることができる。
【００７３】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態では、基板ＦＢを案内する基板案内装置ＦＳＴにおいて、基板ＦＢを支持する案内部８０を用いる構成としたが、これに限られることは無い。例えば図１０に示すように、保持部４０の円筒面４０ａと同一径の円筒面を備えた案内ローラー１４０を用いる構成としても構わない。
【００７４】
この場合、制御部ＣＯＮＴは、保持部４０と案内ローラー１４０とを回転させる際に、保持部４０の駆動装置ＡＣＭと案内ローラー１４０の駆動装置（ローラー駆動部）ＡＣＦとを同期させて制御する。具体的には、制御部ＣＯＮＴは、円筒面４０ａに沿ったマスクＭの移動速度に対する、案内ローラー１４０の表面に沿った基板ＦＢの移動速度の比が、投影光学系ＰＬの投影倍率（拡大倍率）と等しくなるように、駆動装置ＡＣＭと駆動装置ＡＣＦとの駆動を制御する。
【００７５】
また、上記実施形態では、照明装置ＩＵをマスク移動装置ＭＳＴ（保持部４０）の外部に配置し、マスクＭを透過型マスクとし、保持部４０の外部からマスクＭを透過させて露光光ＥＬＩを保持部４０の内部に入射する構成としたが、これに限られることは無い。例えば、図１１に示すように、まずマスクＭとして反射型のマスクを用いることとし、照明装置ＩＵから保持部４０の軸線Ｃ方向の端部を介して露光光ＥＬＩを保持部４０の内部に引き回し、当該保持部４０の内部においてマスクＭに露光光ＥＬＩを反射させることにより、保持部４０の内部に露光光ＥＬＩを通過させる構成としても構わない。
【００７６】
また、上記実施形態では、上記の露光装置ＥＸを１つ用いた基板処理装置ＦＰＡの構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば図１２に示すように、露光装置ＥＸを複数（例えば、２つ）配置させた構成としても構わない。この場合、基板ＦＢ上には、第１露光装置ＥＸ１による露光パターンＰｆ１と、第２露光装置ＥＸ２による露光パターンＰｆ２とが形成されることになる。
【００７７】
また、上記実施形態では、保持部４０に４枚のマスクＭを保持させる構成としたが、これに限られることは無く、例えば図１３に示すように、４つのパターンＰａ〜Ｐｄが形成された１枚のマスクＭを保持部４０に保持させる構成としても構わない。この場合、保持部４０の第一開口部４１ａ〜４１ｄに対応する位置にはパターンＰａ〜Ｐｄを形成しておき、第二開口部４２ａ〜４２ｄに対応する位置には、開口部Ｐｏを形成しておくようにする。この構成により、マスクＭの取り付け、取り外し、交換動作を容易に行うことができる。
【００７８】
また、上記実施形態では、保持部４０の円周方向に第一開口部４１と第二開口部４２と１つずつ形成する構成としたが、これに限られることは無い。例えば、図１４に示すように、保持部４０の円周方向に第一開口部１４１及び第二開口部１４２を３つずつ形成し、第一開口部１４１にそれぞれ対応するマスクＭ１，Ｍ２，Ｍ３を形成する構成としても構わない。また、保持部４０の円周方向に第一開口部及び第二開口部を２つずつ、あるいは４つ以上ずつ形成する構成としても勿論構わない。
【００７９】
また、上記実施形態では、マスクＭを保持部４０に保持させる際、保持部４０のリング部４３の形状にマスクＭの周縁部を沿わせるようにしてマスクＭを湾曲させる構成としたが、これに限られることは無い。例えば図１５に示すように、例えば気体供給ポンプ９０などを用いて保持部４０の内部に気体を供給し、保持部４０の内部の圧力を利用してマスクＭの湾曲を調整する構成としても構わない。
【００８０】
また、上記実施形態の構成に加えて、例えば図１６に示すように、回転位置に配置された保持部４０の円筒面４０ａ上の所定位置についての位置情報（例えばＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の座標など）を検出するセンサ（検出部）９１を設ける構成としても構わない。この構成によれば、円筒面４０ａの位置座標の変化を検出することにより、保持部４０の偏心回転を検出することができる。なお、センサ９１は、円筒面４０ａの固定位置の位置情報の代わりにマスクＭの所定位置の位置情報を検出する構成としてもよい。
【００８１】
加えて、センサ９１の検出結果に応じて例えば露光光ＥＬＩの結像位置を調整する調整部を設ける構成としても構わない。このような構成としては、例えば図１６に示すように、第１結像部６０の一部としてあるいは当該第１結像部６０とは別個に、平行平板ガラス６７や焦点調整レンズ６８などを設ける構成が挙げられる。この場合、平行平板ガラス６７は、第１結像部６０の光軸６０ｘに対して傾斜可能とし、焦点調整レンズ６８は、光軸６０ｘに沿って移動可能（位置可変）とするとよい。なお、平行平板ガラス６７は、光軸６０ｘと交差するとともに円筒面４０ａの軸線Ｃに平行な軸を中心として傾斜可能（回転可能）とすることが好ましい。
【００８２】
また、上記実施形態では、第１結像部６０が保持部４０の軸線Ｃよりも光路上流側に瞳面６５を形成し、保持部４０の内部にパターンＰｍの中間像６６を形成するように配置された構成としたが、これに限られることは無い。例えば図１７に示すように、保持部４０の軸線Ｃよりも光路下流側に瞳面６５を形成する構成としても構わない。また、パターンＰｍの中間像６６を保持部４０の外部に形成する構成としても構わない。更に、瞳面６５を保持部４０の外部に形成する構成としても構わない。
【００８３】
また、上記実施形態の構成に加えて、図１７に示すように、例えば第一開口部４１にブラインド４８を設ける構成としても構わない。また、例えばマスクＭを挟んで保持するクランプ機構４５を配置する構成としても構わない。当該クランプ機構４５は、例えば保持部４０の連結部４４などに配置することができる。勿論、保持部４０のリング部４３にクランプ機構４５を設ける構成としても構わない。
また、図１７の構成において、第２結像部６１を省いて、パターンＰｍの像を基板上に投影するようにすることもできる。
【００８４】
次に本発明の一実施形態による露光装置をリソグラフィー工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１８は、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを製造する際の製造工程の一部を示すフローチャートである。まず、図１８のステップＳ１０において、帯状の基板に金属膜が蒸着される。次のステップＳ１２において、その基板の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ１４において、露光装置ＥＸを用いて、マスクＭ上のパターンの像が投影装置ＰＵ（投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ４）を介して、その基板の各ショット領域に順次露光転写される（転写工程）。
【００８５】
その後、ステップＳ１６において、その基板のフォトレジストの現像（現像工程）が行われた後、ステップＳ１８において、レジストパターンを介してその基板のエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、その基板の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く効率的に製造することができる。
【００８６】
また、露光装置ＥＸでは、帯状の基板に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造することもできる。以下、図１９のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図１９は、マイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造する際の製造工程の一部を示すフローチャートである。
【００８７】
図１９中のパターン形成工程Ｓ２０では、本実施形態の露光装置ＥＸを用いてマスクＭのパターンを感光性基板（例えば、レジストが塗布されたガラス製もしくはプラスティック製の基板）に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レチクル剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程Ｓ２２へ移行する。
【００８８】
次に、カラーフィルタ形成工程Ｓ２２では、Ｒ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、又はＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程Ｓ２２の後に、セル組み立て工程Ｓ２４が実行される。セル組み立て工程Ｓ２４では、パターン形成工程Ｓ２０にて得られた所定パターンを有する基板、及びカラーフィルタ形成工程Ｓ２２にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。
【００８９】
セル組み立て工程Ｓ２４では、例えば、パターン形成工程Ｓ２０にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程Ｓ２２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。その後、モジュール組立工程Ｓ２６にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く効率的に製造することができる。
【符号の説明】
【００９０】
ＥＸ…露光装置  Ｍ…マスク  Ｐｍ…パターン  ＩＵ…照明装置  ＭＳＴ…マスク移動装置  ＰＵ…投影装置  ＦＳＴ…基板案内装置  ＥＬＩ…露光光  ＡＣＭ、ＡＣＦ…駆動装置  ＰＬ…投影光学系  ＰＡ…投影領域  ＦＰＡ…基板処理装置  ＦＢ…基板  ＳＵ…基板供給部  ＰＲ…基板処理部  ＣＬ…基板回収部  ＣＯＮＴ…制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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