(57)【要約】  コア基板（１０）の両側に、それぞれ２層以上の導体層（２１、３１、４１、５１、６１、７１）と２層以上の絶縁層（２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ）とが交互に積層された配線板（１００）であって、コア基板（１０）及び積層された絶縁層（２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ）は、それぞれ孔（１２ａ、２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ）にめっきが充填されてなる接続導体（１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２）を有する。また、コア基板の接続導体（１２）及び積層された絶縁層の接続導体（２２、３２、４２、５２、６２、７２）は、積重されている。そして、積層された絶縁層における一側の外層の接続導体（６２）の位置と他側の外層の接続導体（７２）の位置とは、コア基板の接続導体（１２）の位置から略同一の方向にシフトされている。
2011122245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板の両側に、それぞれ２層以上の導体層と２層以上の絶縁層とが交互に積層された配線板であって、
前記コア基板及び前記積層された絶縁層は、それぞれ孔にめっきが充填されてなる接続導体を有し、
前記コア基板の前記接続導体及び前記積層された絶縁層の前記接続導体は、積重されており、
前記積層された絶縁層における一側の外層の前記接続導体の位置と他側の外層の前記接続導体の位置とは、前記コア基板の前記接続導体の位置から略同一の方向にシフトされている、
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記積層された絶縁層における内層の前記接続導体は、前記コア基板の両側において、それぞれ前記コア基板の前記接続導体と前記外層の前記接続導体との間に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記コア基板の前記接続導体及び前記積層された絶縁層の前記接続導体は、前記コア基板の両側において、それぞれ前記コア基板から上層側に向かって略一定の方向にシフトされる態様で配置されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の配線板。
【請求項４】
前記略一定の方向へのシフトの角度は、略一定である、
ことを特徴とする請求項３に記載の配線板。
【請求項５】
前記略一定の方向へのシフトの量は、略一定である、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の配線板。
【請求項６】
前記コア基板の一側における前記シフトされる方向と、前記コア基板の他側における前記シフトされる方向とは、互いに同一である、
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項７】
各層間における前記シフトの量は、それぞれ約１〜２５μｍの範囲にある、
ことを特徴とする請求項３乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項８】
前記配線板には、該配線板を積層方向に貫通するスルーホール又は切欠が形成され、
前記スルーホール又は前記切欠の壁面には、めっきが形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項９】
前記スルーホールの開口形状は長円である、
ことを特徴とする請求項８に記載の配線板。
【請求項１０】
前記絶縁層は、芯材を樹脂含浸してなる、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１１】
前記コア基板の両側には、それぞれ３層以上の導体層と３層以上の絶縁層とが交互に積層される、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１２】
孔にめっきが充填されてなる接続導体を有するコア基板を準備することと、
前記コア基板の両側に、絶縁層を形成することと、
前記コア基板の両側において、前記絶縁層に孔を形成することと、
前記コア基板の両側において、前記絶縁層の前記孔にめっきを充填して接続導体を形成することと、
前記コア基板の両側において、前記絶縁層上に導体層を形成することと、
を含み、
前記絶縁層の形成及び前記接続導体の形成及び前記導体層の形成を繰り返すことで、前記コア基板の両側に、２層以上の前記導体層と２層以上の前記絶縁層とを交互に積層し、前記コア基板の前記接続導体及び前記積層された絶縁層の前記接続導体を積重するとともに、前記積層された絶縁層における一側の外層の前記接続導体の位置と他側の外層の前記接続導体の位置とを、前記コア基板の前記接続導体の位置から略同一の方向にシフトさせる、配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記積層された絶縁層における内層の前記接続導体を、前記コア基板の両側において、それぞれ前記コア基板の前記接続導体と前記外層の前記接続導体との間に配置する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の配線板の製造方法。
【請求項１４】
前記コア基板の前記接続導体及び前記積層された絶縁層の前記接続導体を、前記コア基板の両側において、それぞれ前記コア基板から上層側に向かって略一定の方向にシフトされる態様で配置する、
ことを特徴とする請求項１３に記載の配線板の製造方法。
【請求項１５】
前記コア基板の両側に、それぞれ３層以上の導体層と３層以上の絶縁層とを交互に積層する、
ことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１６】
前記配線板にスルーホールを形成することと、
前記スルーホールの壁面にめっきを形成することと、
を含む、
ことを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１７】
前記スルーホールの壁面へのめっきの形成と、最外層の前記孔へのめっきの形成とは、同時に行われる、
ことを特徴とする請求項１６に記載の配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板の両側に、それぞれ２層以上の導体層と２層以上の絶縁層とが交互に積層された配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、スルーホールにめっきが充填されてなるスルーホール導体と、ビアホールにめっきが充填されてなるビア導体と、を有する配線板が開示されている。これらスルーホール導体とビア導体とは、直上（Ｚ方向）に積重されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２１０９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の配線板では、硬い導体（金属）が偏在し、落下衝撃等の外部から瞬時に加わる応力に対して脆くなると考えられる。【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、優れた電気特性を有する配線板を容易に製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係る配線板は、コア基板の両側に、それぞれ２層以上の導体層と２層以上の絶縁層とが交互に積層された配線板であって、前記コア基板及び前記積層された絶縁層は、それぞれ孔にめっきが充填されてなる接続導体を有し、前記コア基板の前記接続導体及び前記積層された絶縁層の前記接続導体は、積重されており、前記積層された絶縁層における一側の外層の前記接続導体の位置と他側の外層の前記接続導体の位置とは、前記コア基板の前記接続導体の位置から略同一の方向にシフトされている。【０００７】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、孔にめっきが充填されてなる接続導体を有するコア基板を準備することと、前記コア基板の両側に、絶縁層を形成することと、前記コア基板の両側において、前記絶縁層に孔を形成することと、前記コア基板の両側において、前記絶縁層の前記孔にめっきを充填して接続導体を形成することと、前記コア基板の両側において、前記絶縁層上に導体層を形成することと、を含み、前記絶縁層の形成及び前記接続導体の形成及び前記導体層の形成を繰り返すことで、前記コア基板の両側に、２層以上の前記導体層と２層以上の前記絶縁層とを交互に積層し、前記コア基板の前記接続導体及び前記積層された絶縁層の前記接続導体を積重するとともに、前記積層された絶縁層における一側の外層の前記接続導体の位置と他側の外層の前記接続導体の位置とを、前記コア基板の前記接続導体の位置から略同一の方向にシフトさせる。【０００８】
なお、準備することには、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、優れた電気特性を有する配線板を容易に製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線板の平面図である。
【図３Ａ】フィルドスタックのフィルド導体が斜め方向（ＸＹ方向）にシフトされる例を示す図である。
【図３Ｂ】フィルドスタックのフィルド導体がＹ方向にシフトされる例を示す図である。
【図４】フィルドスタックを拡大して示す図である。
【図５Ａ】図４の一部、詳しくはコア基板のフィルド導体及びその第２面上に積重されるフィルド導体を拡大して示す図である。
【図５Ｂ】図４の一部、詳しくはコア基板のフィルド導体及びその第１面上に積重されるフィルド導体を拡大して示す図である。
【図６】フィルドスタックにおけるフィルド導体のシフト量を示す図である。
【図７】６層、８層、及び１０層の配線板にかかる応力について、シミュレーションをした結果を示すグラフである。
【図８】６層、８層、及び１０層の配線板にかかる応力について、シミュレーションをした結果を示す図表である。
【図９】８層品、１０層品の各層におけるクラック占有率について、シミュレーションをした結果を示す図表である。
【図１０】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図１１Ａ】コア基板を準備する第１の工程を説明するための図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図１１Ｄ】図１１Ｃの工程の後の第４の工程を説明するための図である。
【図１２Ａ】コア基板の両側に絶縁層を形成する工程を説明するための図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａの工程の後、ビアホールを形成する工程を説明するための図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｂの工程の後のめっき工程を説明するための図である。
【図１２Ｄ】図１２Ｃの工程の後のパターニング工程を説明するための図である。
【図１３】図１２Ｄの工程の後、コア基板の両側にビルドアップする工程を説明するための図である。
【図１４】図１３の工程の後、コア基板の両側に絶縁層を形成する工程を説明するための図である。
【図１５Ａ】図１４の工程の後、ビアホール及びスルーホールを形成する工程を説明するための図である。
【図１５Ｂ】図１５Ａの工程の後のめっき工程を説明するための図である。
【図１６】フィルドスタックにおけるフィルド導体のシフト角度が一定ではない例を示す図である。
【図１７】フィルドスタックにおけるコア基板のフィルド導体及びその第２面上に積重されるフィルド導体の位置関係の第１の別例を示す図である。
【図１８】フィルドスタックにおけるコア基板のフィルド導体及びその第２面上に積重されるフィルド導体の位置関係の第２の別例を示す図である。
【図１９】フィルドスタックにおけるコア基板のフィルド導体及びその第１面上に積重されるフィルド導体の位置関係の第１の別例を示す図である。
【図２０】フィルドスタックにおけるコア基板のフィルド導体及びその第１面上に積重されるフィルド導体の位置関係の第２の別例を示す図である。
【図２１】フィルドスタックにおけるフィルド導体のシフト量が一定ではない例を示す図である。
【図２２Ａ】フィルドスタックの各フィルド導体がジグザグ状に配置された第１の例を示す図である。
【図２２Ｂ】フィルドスタックの各フィルド導体がジグザグ状に配置された第２の例を示す図である。
【図２３】フィルドスタックのシフト方向が略一定ではなく、一側の外層の接続導体の位置と他側の外層の接続導体の位置とが、コア基板の接続導体の位置から略同一の方向にシフトされ、内層の接続導体が、コア基板の接続導体と外層の接続導体との間にある配線板の例を示す断面図である。
【図２４】図２３に示す配線板の平面図である。
【図２５】フィルドスタックのシフト方向が略一定ではなく、一側の外層の接続導体の位置と他側の外層の接続導体の位置とが、コア基板の接続導体の位置から略同一の方向にシフトされ、内層の接続導体が、コア基板の接続導体と外層の接続導体との間にない配線板の例を示す断面図である。
【図２６】図２５に示す配線板の平面図である。
【図２７Ａ】ビアホール及びスルーホールの横断面の形状の第１の別例を示す図である。
【図２７Ｂ】ビアホール及びスルーホールの横断面の形状の第２の別例を示す図である。
【図２７Ｃ】ビアホール及びスルーホールの横断面の形状の第３の別例を示す図である。
【図２８】フィルドスタックを形成するためのビアホールについて、非相似の図形を組み合わせた例を示す図である。
【図２９Ａ】ビアホール及びスルーホールの縦断面の形状の第１の別例を示す図である。
【図２９Ｂ】ビアホール及びスルーホールの縦断面の形状の第２の別例を示す図である。
【図３０Ａ】フィルドスタックの近傍にスルーホールが配置された例を示す図である。
【図３０Ｂ】スルーホールを１つだけ有する配線板の一例を示す図である。
【図３１Ａ】導体層及びビア導体の第１の構造を示す図である。
【図３１Ｂ】導体層及びビア導体の第２の構造を示す図である。
【図３１Ｃ】導体層及びビア導体の第３の構造を示す図である。
【図３２】コア基板のフィルド導体がスルーホール導体である例を示す図である。
【図３３】スルーホールに代えて、切欠を用いた例を示す断面図である。
【図３４】スルーホールに代えて、切欠を用いた例を示す平面図である。
【図３５】スルーホールと切欠とを併用した例を示す図である。
【図３６】切欠の形成方法の一例を示す図である。
【図３７Ａ】相反する方向にシフトされる２つのフィルドスタックを有する配線板の一例を示す図である。
【図３７Ｂ】図３７Ａの断面図である。
【図３８】電子部品を内蔵する配線板の一例を示す図である。
【図３９】表面に電子部品が実装された配線板の一例を示す図である。
【図４０】６層の配線板の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向（又はコア基板の厚み方向）に相当する配線板の積層方向を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（配線板の主面に平行な方向）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００１２】
フィルド導体又はその孔に関しては、Ｚ方向に直交する断面（Ｘ−Ｙ平面）を、横断面という。また、Ｚ方向に平行な断面（Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面）を、縦断面という。
【００１３】
フィルド導体に関しては、Ｚ方向に平行で、且つ、横断面の中心（円以外では各横断面の重心）を通る線を軸とする。すなわち、概ねＺ方向が、軸方向に相当する。
【００１４】
本実施形態では、相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面（Ｚ１側の面）、第２面（Ｚ２側の面）という。すなわち、第１面の反対側の主面が第２面であり、第２面の反対側の主面が第１面である。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。また、最外層を外層といい、外層よりも下層を内層という。
【００１５】
回路等の配線（グランドも含む）として機能し得る導体パターンを含む層のほか、ベタパターンのみからなる層も、導体層という。また、絶縁層を貫通する孔内に形成される導体を、接続導体という。
【００１６】
孔には、ビアホール及びスルーホールが含まれる。ビアホールとは、例えば絶縁層の一側に導体層（主に下層側の導体層）がある状態で穴開けを行うことによって形成され、絶縁層の他側からその導体層に至る孔をいう。ビアホール内に形成される導体（以下、ビア導体という）は、絶縁層の一側に導体層がある状態で形成されるため、ビア導体と絶縁層の少なくとも一側の導体層とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される。一方、スルーホールとは、絶縁層の一側又は両側に導体層がある場合はその導体層も含めて絶縁層を貫通するように形成される孔をいう。スルーホール内に形成される導体（以下、スルーホール導体という）は、通常、めっき等により、絶縁層の両側の導体層と一緒に形成されるため、スルーホール導体と絶縁層の両側の導体層とは、少なくとも一部で連続している。
【００１７】
孔内又は切欠内に形成される導体（ビア導体やスルーホール導体等）のうち、孔又は切欠の壁面（側面及び底面）に形成された導体膜をコンフォーマル導体といい、孔又は切欠に充填された導体をフィルド導体という。導体層には、上記導体パターンのほかに、フィルド導体のランドなどが含まれることもある。
【００１８】
めっきとは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出した導体層（例えば金属層）をいう。めっきには、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００１９】
孔又は柱体（突起）の「幅」は、特に指定がなければ、円の場合には直径を意味し、円以外の場合には２√（断面積／π）を意味する。孔又は柱体（突起）がテーパしている場合には、作用及び効果に鑑みて、対応箇所の値、平均値、又は最大値等のうち、最も適切な値を比較して、２以上の孔又は突起の「幅」の一致又は不一致（どちらが大きいか等）を判定することが望ましい。ただし、比較すべき値を明記している場合は、この限りでない。
【００２０】
本実施形態の配線板１００は、プリント配線板である。配線板１００は、図１及び図２に示すように、コア基板１０と、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａと、導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１と、フィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２と、を備える。すなわち、コア基板１０の第１面側には、３層の絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａと３層の導体層２１、４１、６１とが交互に積層されている。また、コア基板１０の第２面側には、３層の絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａと３層の導体層３１、５１、７１とが交互に積層されている。ここで、コア基板１０は、コア部に相当する。また、コア部よりも上層の絶縁層２０ａ〜７０ａ等は、ビルドアップ部に相当する。
【００２１】
コア基板１０は、絶縁層１０ａと、導体層１１ａ、１１ｂと、フィルド導体１２と、を有する。絶縁層１０ａには、絶縁層１０ａを貫通するビアホール１２ａが形成されている。フィルド導体１２は、ビアホール１２ａにめっきが充填されて構成される。フィルド導体１２は、接続導体に相当する。本実施形態では、フィルド導体１２がビア導体である。ビア導体はスルーホール導体よりも容易に形成できるため、こうした構造は、コスト低減等に有利である。ただしこれに限られず、フィルド導体１２は、スルーホール導体であってもよい（後述の図３２参照）。
【００２２】
絶縁層１０ａは、例えばエポキシ樹脂からなる。エポキシ樹脂は、例えば樹脂含浸処理により、ガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）やアラミド繊維（例えばアラミド不織布）等の補強材を含んでいることが好ましい。補強材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。ただしこれに限定されず、絶縁層１０ａの材料は任意である。
【００２３】
導体層１１ａ、１１ｂは、例えば銅箔及び銅のめっきからなる。また、フィルド導体１２は、例えば銅のめっきからなる。フィルド導体１２の形状は、例えば第１面側から第２面側に向かって広がるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、フィルド導体１２の横断面（Ｘ−Ｙ平面）の形状は例えば真円である。しかしこれに限定されず、フィルド導体１２の形状は任意である（後述の図２７Ａ〜図２９Ｂ参照）。
【００２４】
本実施形態では、導体層１１ａ、１１ｂが、銅箔と、無電解めっき膜と、電解めっき膜との３層構造を有する（後述の図３１Ａ参照）。しかし、導体層１１ａ、１１ｂの構造は、これに限られず任意である（後述の図３１Ｂ及び図３１Ｃ参照）。
【００２５】
コア基板１０の第１面側には絶縁層２０ａが積層され、コア基板１０の第２面側には絶縁層３０ａが積層される。そして、絶縁層２０ａの第１面上には導体層２１が形成され、絶縁層３０ａの第２面上には導体層３１が形成される。また、絶縁層２０ａの第１面側には絶縁層４０ａが積層され、絶縁層３０ａの第２面側には絶縁層５０ａが積層される。そして、絶縁層４０ａの第１面上には導体層４１が形成され、絶縁層５０ａの第２面上には導体層５１が形成される。さらに、絶縁層４０ａの第１面側には絶縁層６０ａが積層され、絶縁層５０ａの第２面側には絶縁層７０ａが積層される。そして、絶縁層６０ａの第１面上には導体層６１が形成され、絶縁層７０ａの第２面上には導体層７１が形成される。
【００２６】
導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１は、例えば銅箔及び銅のめっきからなる。
【００２７】
本実施形態では、導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１が、銅箔と、無電解めっき膜と、電解めっき膜との３層構造を有する（後述の図３１Ａ参照）。しかし、導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１の構造は、これに限られず任意である（後述の図３１Ｂ及び図３１Ｃ参照）。
【００２８】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａは、層間絶縁層に相当する。絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａは、それぞれ芯材を樹脂含浸してなる。芯材としては、例えばガラス繊維又はアラミド繊維等の無機材料を用いることができる。樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いることができる。
【００２９】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａは、それぞれビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａにめっきが充填されてなるフィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２（いずれもビア導体）を有する。フィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の各々は、接続導体に相当する。フィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２は、例えば銅のめっきからなる。フィルド導体２２、４２、６２の形状は、例えば第２面側から第１面側に向かって広がるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、フィルド導体２２、４２、６２の横断面（Ｘ−Ｙ平面）の形状は例えば真円である。また、フィルド導体３２、５２、７２の形状は、例えば第１面側から第２面側に向かって広がるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、フィルド導体３２、５２、７２の横断面（Ｘ−Ｙ平面）の形状は例えば真円である。しかしこれに限定されず、フィルド導体２２等の形状は任意である（後述の図２７Ａ〜図２９Ｂ参照）。
【００３０】
配線板１００においては、コア部（コア基板１０）のフィルド導体１２、及びビルドアップ部のフィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２は、コア基板１０の両側（第１面側及び第２面側）において、それぞれコア基板１０から上層側に向かって略一定の方向（例えばＸ２側）にシフトされるように積重されることで、Ｚ方向に沿ってフィルドスタックＳが延設される。隣接するフィルド導体同士は密着（接触）し、互いに導通する。フィルドスタックＳは、配線板１００の両面の導体層、すなわち第１面上の導体層６１と第２面上の導体層７１とを相互に電気的に接続する。
【００３１】
フィルドスタックＳは、全層のフィルド導体が積重された構造、いわゆるフルスタック構造になっている。このため、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できるため、層間接続における配線長の短縮を図ることができる。
【００３２】
フィルドスタックＳの配置や数は、任意である。例えばフィルドスタックＳが複数あってもよい（後述の図３７Ａ及び図３７Ｂ参照）。
【００３３】
図２に示されるように、本実施形態では、フィルドスタックＳのフィルド導体がＸ方向にシフトされているが、これに限られず、シフト方向は任意である。例えばシフト方向は、図３Ａに示すように、斜め方向（ＸＹ方向）であっても、図３Ｂに示すように、Ｙ方向であってもよい。
【００３４】
本実施形態では、コア基板１０の一側（第１面側）におけるシフト方向と、コア基板１０の他側（第２面側）におけるシフト方向とが、いずれもＸ方向（詳しくはＸ２側）であり、互いに略同一である。ただしこれに限定されず、例えば第１面側のシフト方向がＸ方向であり、第２面側のシフト方向がＸＹ方向又はＹ方向であってもよい。また、フィルドスタックＳの各フィルド導体が、Ｘ−Ｙ平面において直線上に配置されることは必須ではなく、例えばジグザグ状に配置されていてもよい（後述の図２２Ａ及び図２２Ｂ参照）。
【００３５】
配線板１００には、全層を貫通するスルーホール１０２ａが形成され、スルーホール１０２ａの壁面には、例えばめっきからなるコンフォーマル導体１０２（スルーホール導体）が形成されている。すなわち、スルーホール１０２ａは、配線板１００をＺ方向（積層方向）に貫通する。
【００３６】
本実施形態では、コンフォーマル導体１０２が、導体層６１と導体層７１とを電気的に接続する。しかし、コンフォーマル導体１０２が配線板１００両面の導体層（導体層６１、７１）を相互に電気的に接続することは必須ではない。例えばコンフォーマル導体１０２は、配線板１００のグランドライン等と電気的に接続されていても、あるいは他の導体の全てと絶縁されて電気的に孤立していてもよい。
【００３７】
本実施形態では、コンフォーマル導体１０２の構造が、例えば無電解めっき膜と、電解めっき膜との２層構造である。しかし、コンフォーマル導体１０２の構造は、これに限られず任意である。例えば無電解めっき膜のみ又は電解めっき膜のみからなるコンフォーマル導体１０２であってもよい。
【００３８】
コンフォーマル導体１０２は、スルーホール１０２ａに導体が充填されるフィルド導体とは異なり、スルーホール１０２ａの壁面のみに導体を有するため、スルーホール１０２ａ内に空洞が形成され、配線板１００の歪みが緩和され易くなる。ただしこれに限定されず、コンフォーマル導体１０２に代えて、フィルド導体を用いてもよい。
【００３９】
スルーホール１０２ａの形状は例えば円柱であり、スルーホール１０２ａの開口形状は例えば長円である。スルーホール１０２ａの開口形状が長円であることで、Ｘ−Ｙ平面における広い領域の強度を効果的に向上させることができると考えられる。
【００４０】
スルーホール１０２ａは、例えば配線板１００の周縁部に配置される。ただし、スルーホール１０２ａの数や、開口形状、配置等は任意である（後述の図２７Ａ〜図２７Ｃ、図３０Ａ、及び図３０Ｂ参照）。
【００４１】
図４に、フィルドスタックＳを拡大して示す。図４に示されるように、本実施形態では、フィルドスタックＳが、コア基板１０のフィルド導体１２を変曲点とするＶ字状に形成される。フィルドスタックＳのシフト角度（Ｚ方向からの傾き）は、コアから第１面側の最外層まで略一定の角度θ１であり、コアから第２面側の最外層まで略一定の角度θ２である。コア基板１０の一側（第１面側）におけるシフト角度（角度θ１）とコア基板１０の他側（第２面側）におけるシフト角度（角度θ２）とは、互いに略同一である。角度θ１及びθ２は、例えば約１０°である。ただしこれに限定されず、シフト角度は任意である。また、シフト角度は略一定でなくてもよい（後述の図１６参照）。
【００４２】
図５Ａ及び図５Ｂに、図４の一部を拡大して示す。図５Ａ、図５Ｂ中、範囲Ｒ１１は、ビアホール１２ａの第１面側の開口範囲であり、範囲Ｒ１２は、ビアホール１２ａの第２面側の開口範囲である。
【００４３】
本実施形態では、同じテーパ方向のフィルド導体を積重するとき、例えばフィルド導体１２の第２面側にフィルド導体３２を積重するとき、図５Ａに示すように、フィルド導体３２の下層側（第１面側）の端面３２ｂの一端（内側端）が範囲Ｒ１１内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１１の外で範囲Ｒ１２内に配置される。なお、フィルド導体３２の第２面側にフィルド導体５２を積重するとき、フィルド導体５２の第２面側にフィルド導体７２を積重するとき、フィルド導体１２の第１面側にフィルド導体２２を積重するとき、フィルド導体２２の第１面側にフィルド導体４２を積重するとき、又はフィルド導体４２の第１面側にフィルド導体６２を積重するときも、同様の位置関係になる。
【００４４】
また、テーパ方向が逆のフィルド導体を積重するとき、例えばフィルド導体１２の第１面側にフィルド導体２２を積重するとき、図５Ｂに示すように、フィルド導体２２の下層側（第２面側）の端面２２ｂの一端（内側端）が範囲Ｒ１１内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１１の外で範囲Ｒ１２内に配置される。
【００４５】
ただしこうした位置関係に限られず、少なくとも各フィルド導体が積重されていれば足りる。ここで、積重されているとは、フィルド導体の下層側端面の少なくとも一端（内側端）が、その下層に形成された孔の少なくとも一側の開口範囲内にあることをいう（後述の図１７〜図２０参照）。
【００４６】
図６に示すように、本実施形態では、フィルドスタックＳのシフト量（詳しくはＸ方向へのシフト量）が、コアから第１面側の最外層まで略一定である。コア基板１０の一側（第１面側）におけるシフト量とコア基板１０の他側（第２面側）におけるシフト量とは、互いに略同一である。図６においては、フィルド導体１２の軸Ｐ１とフィルド導体２２又は３２の軸Ｐ２とのＸ方向の距離をシフト量ｄ１、フィルド導体２２又は３２の軸Ｐ２とフィルド導体４２又は５２の軸Ｐ３とのＸ方向の距離をシフト量ｄ２、フィルド導体４２又は５２の軸Ｐ３とフィルド導体６２又は７２の軸Ｐ４とのＸ方向の距離をシフト量ｄ３として示している。シフト量ｄ１、ｄ２、ｄ３は、それぞれ約１〜３０μｍの範囲にあることが好ましく、約１〜２５μｍの範囲にあることがより好ましい。ただしこれに限定されず、シフト量は任意である。また、シフト量は略一定でなくてもよい（後述の図２１参照）。
【００４７】
以上説明したように、本実施形態の配線板１００では、フィルド導体１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２が、コア基板１０の両側において、それぞれコア基板１０から上層側に向かって略一定の方向（例えばＸ２側）にシフトされるように積重される。以下、この構造をシフトスタック構造という。
【００４８】
シフトスタック構造では、硬いフィルド導体１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２がＸ方向又はＹ方向に広がり、硬い導体が全く存在しない領域が少なくなり、ひいては配線板１００のＸ−Ｙ平面において強度の低い領域が少なくなる。このため、落下衝撃等の外部から瞬時に加わる応力や、ヒートサイクルによって重畳的に加わる熱応力に対して強くなると考えられる。
【００４９】
また、シフトスタック構造では、フィルドスタックＳを構成する各フィルド導体が、コア基板１０のフィルド導体１２を変曲点とするように積重されている。こうした構造によれば、コア基板１０のフィルド導体１２を挟んで両側に積重される各フィルド導体が直線上（Ｚ軸上）に並ばないため、ヒートサイクルによって重畳的に加わる熱応力が緩和されると考えられる。
【００５０】
なお、ヒートサイクルによる熱応力は、主に、絶縁層（樹脂）とビア導体（金属）との熱膨張率の差に起因して生じると考えられる。
【００５１】
また、本実施形態の配線板１００にはスルーホール１０２ａが形成され、スルーホール１０２ａの壁面には、めっき（コンフォーマル導体１０２）が形成されている。以下、この構造をスルーホール構造という。
【００５２】
シフトスタック構造では、フィルドスタックＳが折れ曲がることで、Ｚ方向の応力に対する強度が低下することが懸念される。これに対し、スルーホール構造では、コンフォーマル導体１０２がＺ方向にまっすぐ延びるため、Ｚ方向の応力に対する強度を高めると考えられる。このため、スルーホール構造によれば、シフトスタック構造による強度低下を補強することができると考えられる。
【００５３】
また、スルーホール１０２ａの開口形状が長円であるため、Ｘ−Ｙ平面における広い領域の強度を効果的に向上させることができると考えられる。
【００５４】
上記シフトスタック構造やスルーホール構造は、配線板の層数（導体層の数）が多くなるほど有用であり、特にコア基板の両側に、それぞれ２層以上の導体層と２層以上の絶縁層とが交互に積層された６層（導体層の数）以上の配線板に適用することが有効である。以下、図７〜図９を参照して、このことについて説明する。
【００５５】
図７及び図８に、６層、８層、及び１０層の配線板（６層品、８層品、１０層品）にかかる応力（特にヒートサイクルによる熱応力）について、シミュレーションをした結果を示す。６層品、８層品、１０層品は、いずれもフルスタック構造を有するものである。図７中、線Ｌ１は、６層品に係るデータであり、線Ｌ２は、８層品に係るデータであり、線Ｌ３は、１０層品に係るデータである。
【００５６】
図７及び図８に示されるように、６層品、８層品、及び１０層品のいずれにおいても、コアにかかる応力が最も大きく、コアから離れるほど応力は小さくなる。また、６層品、８層品、及び１０層品の各々にかかる応力を比較すると、１０層品における応力が最も大きく、次に８層品における応力が大きく、６層品における応力が最も小さい。このことから、層数が多くなるほど、配線板における応力は大きくなると推察される。
【００５７】
図９に、８層品、１０層品の各層におけるクラック占有率について、シミュレーションをした結果を示す。
【００５８】
図９に示されるように、クラックの大半は、コア（コア基板）に集中すると考えられる。これにより、コアにおける接続信頼性の低下が懸念される。
【００５９】
また、図９に示されるように、１段目（コア基板上の絶縁層）にも、クラックは発生する。したがって、コア基板のビア導体を単に補強しただけでは、今度はその上（１段目）のビア導体にクラックの集中が起きることが懸念される。また上述のように、層数が多くなるほど配線板における応力は大きくなると考えられるため、コア周辺におけるクラックの発生は、配線板の層数が多くなるほど深刻になると考えられる。
【００６０】
この点、本実施形態の配線板１００に係る上記シフトスタック構造によれば、上述のように、強度の低い領域が少なくなるため、コア周辺におけるクラックの発生は抑制されると考えられる。
【００６１】
また、本実施形態の配線板１００に係る上記スルーホール構造によれば、上述のように、シフトスタック構造による強度低下を補強することができると考えられるため、コア周辺におけるクラックの発生は抑制されると考えられる。しかも、スルーホール構造によれば、配線板１００の全層を平均的に補強することができるため、コア基板１０を局部的に補強する場合に比べて、新たな応力集中部位を生じさせることは少ないと考えられる。このため、コア基板１０におけるクラックの発生だけでなく、コア基板１０の上層（絶縁層２０ａ〜７０ａ）におけるクラックの発生も抑制されると考えられる。
【００６２】
また、クラックの発生率は、６層以上、あるいは８層以上になると特に高くなるため、上記シフトスタック構造は、６層以上、中でも８層以上の配線板に適用することが特に有効であると考えられる。なお、本実施形態の配線板１００は、８層（導体層１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１、５１、６１、７１）の配線板である。ただしこれに限定されず、７層以下の配線板や９層以上の配線板（例えば６層又は１０層の配線板など）であってもよい（図４０参照）。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態の配線板１００に係る上記シフトスタック構造及び上記スルーホール構造によれば、高放熱性、低導通抵抗、及び高密度配線を有するプリント配線板が得られると考えられる。
【００６４】
上記配線板１００は、例えば図１０に示すような手順で製造される。
【００６５】
ステップＳ１０では、コア基板１０が、準備される。
【００６６】
図１１Ａ〜図１１Ｄに、コア基板１０の製造方法を示す。
【００６７】
まず、図１１Ａに示すように、両面銅張積層板１０００（出発材料）を準備する。両面銅張積層板１０００は、絶縁層１０ａと、銅箔１００１及び１００２と、を有する。絶縁層１０ａの第１面には銅箔１００１が形成され、絶縁層１０ａの第２面には銅箔１００２が形成される。絶縁層１０ａの材料は、前述したように、例えば補強材入りのエポキシ樹脂である。
【００６８】
続けて、図１１Ｂに示すように、例えばレーザにより、絶縁層１０ａにビアホール１２ａを形成する。ビアホール１２ａは、銅箔１００２及び絶縁層１０ａを貫通するが、銅箔１００１までは貫通しない。これにより、絶縁層１０ａの第２面側から銅箔１００１に至るビアホール１２ａが形成される。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【００６９】
続けて、図１１Ｃに示すように、例えば銅のパネルめっき（ビアホール１２ａへのめっき及び全面めっき）により、銅箔１００１の第１面上にめっき１００３を形成し、銅箔１００２の第２面上及びビアホール１２ａ内にめっき１００４を形成する。これにより、ビアホール１２ａには、めっき１００４が充填される。その結果、フィルド導体１２が形成される。めっき１００３、１００４は、例えば、まず無電解めっきを行い、続けて無電解めっき膜を陰極として電解めっきを行うことで、形成される（後述の図３１Ａ参照）。無電解めっきのめっき液としては、例えば還元剤等が添加された硫酸銅溶液などを用いることができる。また、電解めっきのめっき液としては、例えば硫酸銅溶液、ピロリン酸銅溶液、青（シアン）化銅溶液、又はホウフッ化銅溶液などを用いることができる。
【００７０】
続けて、図１１Ｄに示すように、例えばリソグラフィ技術により、絶縁層１０ａの両面の導体層をパターニングする。これにより、絶縁層１０ａの第１面上に導体層１１ａが形成され、絶縁層１０ａの第２面上に導体層１１ｂが形成される。その結果、コア基板１０が完成する。
【００７１】
続けて、図１０のステップＳ１１では、コア基板１０の両側に、絶縁層を形成する。
【００７２】
具体的には、例えば図１２Ａに示すように、第１面側から、銅箔１００５、絶縁層２０ａ、コア基板１０、絶縁層３０ａ、及び銅箔１００６を順に配置する。これにより、積層体が形成される。この積層体では、コア基板１０が絶縁層２０ａ及び３０ａによって挟まれ、さらにこれらが、銅箔１００５及び銅箔１００６によって挟まれる。この段階では、絶縁層２０ａ及び３０ａは、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。
【００７３】
続けて、上記積層体をＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層２０ａ、３０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【００７４】
続けて、図１０のステップＳ１２では、コア基板１０の両側において、絶縁層にビアホールを形成する。
【００７５】
具体的には、例えば図１２Ｂに示すように、例えばレーザにより、絶縁層２０ａにビアホール２２ａが形成され、絶縁層３０ａにビアホール３２ａが形成される。この際、フィルドスタックＳを形成するためのビアホール２２ａ及び３２ａは、下層（コア基板１０）のフィルド導体１２（ビア導体）から所定の方向（例えばＸ２側）へずらして形成される。これにより、フィルドスタックＳを構成するフィルド導体２２及び３２の軸Ｐ２が、フィルド導体１２の軸Ｐ１からＸ２側へシフト量ｄ１だけシフトされることになる。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施すことが好ましい。
【００７６】
続けて、図１０のステップＳ１３では、めっきをする。
【００７７】
具体的には、図１２Ｃに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、銅箔１００５の第１面上及びビアホール２２ａ内にめっき１００７を形成し、銅箔１００６の第２面上及びビアホール３２ａ内にめっき１００８を形成する。これにより、ビアホール２２ａ、３２ａには、それぞれめっき１００７、１００８が充填される。その結果、フィルド導体２２及び３２が形成される。めっき１００７、１００８は、例えば図１１Ｃの工程と同様、まず無電解めっきを行い、続けて無電解めっき膜を陰極として電解めっきを行うことで、形成される（後述の図３１Ａ参照）。
【００７８】
続けて、図１０のステップＳ１４では、導体層のパターニングをする。
【００７９】
具体的には、図１２Ｄに示すように、例えばリソグラフィ技術により、両面の導体層をパターニングする。これにより、絶縁層２０ａの第１面上に導体層２１が形成され、絶縁層３０ａの第２面上に導体層３１が形成される。
【００８０】
続けて、図１０のステップＳ１５では、ステップＳ１１〜Ｓ１４の工程を繰り返すことにより、図１３に示すように、絶縁層４０ａ及び５０ａ、ビアホール４２ａ及び５２ａ、フィルド導体４２及び５２、並びに導体層４１及び５１を形成する。フィルドスタックＳを構成するフィルド導体４２及び５２の位置については、フィルド導体４２の軸Ｐ３が、フィルド導体２２の軸Ｐ２からＸ２側へシフト量ｄ２だけシフトされ、フィルド導体５２の軸Ｐ３が、フィルド導体３２の軸Ｐ２からＸ２側へシフト量ｄ２だけシフトされる。
【００８１】
続けて、図１０のステップＳ１６では、コア基板１０の両側に、絶縁層を形成する。
【００８２】
具体的には、例えば図１４に示すように、コア基板１０の第１面側に、絶縁層６０ａ及び銅箔１００９を積層し、コア基板１０の第２面側に、絶縁層７０ａ及び銅箔１０１０を積層する。そして、この積層体をＺ方向に加熱プレスする。これにより、プリプレグ（絶縁層６０ａ、７０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【００８３】
続けて、図１０のステップＳ１７では、コア基板１０の両側において絶縁層にビアホールを形成するとともに、全層を貫通するスルーホールを形成する。
【００８４】
具体的には、図１５Ａに示すように、例えばレーザにより、絶縁層６０ａを貫通するビアホール６２ａ、絶縁層７０ａを貫通するビアホール７２ａ、及び全層を貫通するスルーホール１０２ａを形成する。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【００８５】
レーザの照射においては、例えば遮光マスクを設けた状態で被照射体の全面にレーザ光を照射する。ただしこれに限られず、遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部位のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。また、レーザ光の走査中において、ビアホール６２ａ及び７２ａを形成する部位よりも、スルーホール１０２ａを形成する部位に照射するレーザ光の強度（光量）を強めることで、ビアホール６２ａ及び７２ａ、並びにスルーホール１０２ａを、１回の走査で形成することができる。この際、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。
【００８６】
フィルドスタックＳを形成するためのビアホール６２ａ及び７２ａは、下層（絶縁層４０ａ、５０ａ）のフィルド導体４２、５２（ビア導体）から所定の方向（例えばＸ２側）へずらして形成される。これにより、フィルドスタックＳを構成するフィルド導体６２及び７２の位置については、フィルド導体６２の軸Ｐ４が、フィルド導体４２の軸Ｐ３からＸ２側へシフト量ｄ３だけシフトされ、フィルド導体７２の軸Ｐ４が、フィルド導体５２の軸Ｐ３からＸ２側へシフト量ｄ３だけシフトされることになる。
【００８７】
続けて、図１０のステップＳ１８では、めっきをする。
【００８８】
具体的には、図１５Ｂに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、銅箔１００９の第１面上、ビアホール６２ａ内、銅箔１０１０の第２面上、ビアホール７２ａ内、及びスルーホール１０２ａ内に、めっき１０１１を形成する。これにより、ビアホール６２ａ、７２ａには、それぞれめっき１０１１が充填され、スルーホール１０２ａの壁面にも、めっき１０１１が形成される。その結果、フィルド導体６２及び７２、並びにコンフォーマル導体１０２が形成される。めっき１０１１は、例えば図１１Ｃの工程と同様、まず無電解めっきを行い、続けて無電解めっき膜を陰極として電解めっきを行うことで、形成される（後述の図３１Ａ参照）。本実施形態では、スルーホール１０２ａの壁面へのめっき１０１１の形成と、最外層のビアホール（ビアホール６２ａ及び７２ａ）へのめっき１０１１の形成とが、同時に行われる。このため、工程数の削減、ひいてはコスト削減が図られると考えられる。
【００８９】
続けて、図１０のステップＳ１９では、例えばリソグラフィ技術により、両面の導体層をパターニングする。これにより、先の図１に示したように、絶縁層６０ａの第１面上に導体層６１が形成され、絶縁層７０ａの第２面上に導体層７１が形成される。その結果、配線板１００が完成する。その後、例えば最外層に外部接続端子を形成することで、その外部接続端子を通じて、配線板１００を他の配線板と接続したり、配線板１００に電子部品を実装したりすることが可能になる（後述の図３９参照）。
【００９０】
なお、導体パターンの形成方法は任意である。例えばめっきレジストを用いてパターン部のみに選択的にめっきする手法、いわゆるパターンめっき法により、各導体層を形成してもよい。
【００９１】
以上、本発明の実施形態に係る配線板及びその製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【００９２】
フィルドスタックＳのシフト角度が略一定であることは必須ではなく、例えば図１６に示すように、フィルド導体４２からフィルド導体６２へのシフト角度（角度θ１２）を、フィルド導体２２からフィルド導体４２へのシフト角度（角度θ１１）よりも大きくし、フィルド導体５２からフィルド導体７２へのシフト角度（角度θ２２）を、フィルド導体３２からフィルド導体５２へのシフト角度（角度θ２１）よりも大きくしてもよい。
【００９３】
フィルドスタックＳにおける隣接フィルド導体の位置関係は、先の図５Ａ及び図５Ｂに示したものに限られない。要は、少なくとも各フィルド導体が積重されていれば足りる。
【００９４】
具体的には、同じテーパ方向のフィルド導体を積重するとき、例えばフィルド導体１２の第２面側にフィルド導体３２を積重するとき、図５Ａの位置関係に代えて、図１７に示すように、フィルド導体３２の下層側（第１面側）の端面３２ｂの一端（内側端）が範囲Ｒ１１内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１２の外に配置されるようにしてもよい。あるいは、図１８に示すように、フィルド導体３２の下層側（第１面側）の端面３２ｂの一端（内側端）が範囲Ｒ１１の外で範囲Ｒ１２内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１２の外に配置されるようにしてもよい。なお、フィルド導体３２の第２面側にフィルド導体５２を積重するとき、フィルド導体５２の第２面側にフィルド導体７２を積重するとき、フィルド導体１２の第１面側にフィルド導体２２を積重するとき、フィルド導体２２の第１面側にフィルド導体４２を積重するとき、又はフィルド導体４２の第１面側にフィルド導体６２を積重するときについても、同様である。
【００９５】
また、テーパ方向が逆のフィルド導体を積重するとき、例えばフィルド導体１２の第１面側にフィルド導体２２を積重するとき、図５Ｂの位置関係に代えて、図１９に示すように、フィルド導体２２の下層側（第２面側）の端面２２ｂの一端（内側端）が範囲Ｒ１１内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１２の外に配置されるようにしてもよい。あるいは、図２０に示すように、フィルド導体２２の下層側（第２面側）の端面２２ｂの一端（内側端）が範囲Ｒ１１の外で範囲Ｒ１２内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１２の外に配置されるようにしてもよい。
【００９６】
フィルドスタックＳのシフト量が略一定であることは必須ではなく、例えば図２１に示すように、前述のシフト量ｄ１、ｄ２、ｄ３について、シフト量ｄ３が最も大きく、次にシフト量ｄ２が大きく、シフト量ｄ１が最も小さくなるように、これらを設定してもよい。
【００９７】
フィルドスタックＳのフィルド導体１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２が、Ｘ−Ｙ平面において直線上に配置されることは必須ではない。例えばフィルドスタックＳの各フィルド導体を斜め方向（ＸＹ方向）にシフトする場合においては、図２２Ａ又は図２２Ｂに示すように、コア基板１０の第１面側のフィルド導体２２、４２、６２及びコア基板１０の第２面側のフィルド導体３２、５２、７２が、それぞれＸ−Ｙ平面においてジグザグ状に配置されてもよい。要は、フィルドスタックＳの各フィルド導体（接続導体）が、コア基板１０の両側において、それぞれコア基板１０から上層側に向かって略一定の方向にシフトされる態様で配置されていれば、前述したような、コア周辺におけるクラック発生抑制などの効果が得られると考えられる。
【００９８】
上記実施形態では、フィルドスタックＳのフィルド導体１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２が、コア基板１０の両側において、それぞれコア基板１０から上層側に向かって略一定の方向（例えばＸ２側）にシフトされる態様で配置されている（図２及び図４参照）。しかしこれに限られず、フィルドスタックＳの各フィルド導体が略一定の方向にシフトされなくても、フィルド導体６２、７２（外層の接続導体）の位置が、フィルド導体１２（コア基板１０の接続導体）の位置から、コア基板１０の両側で略同一の方向にシフトされていれば、フィルドスタックＳの各フィルド導体が略一定の方向にシフトされている場合に得られる効果に準ずる効果は得られると考えられる。
【００９９】
例えば図２３（図４に対応する図）及び図２４（図２に対応する図）に示す例では、第１面側のフィルド導体６２の位置も、第２面側のフィルド導体７２の位置も、フィルド導体１２の位置からＸ２側にシフトされている。すなわち、フィルド導体６２の位置とフィルド導体７２の位置とは、同一の方向にシフトされている。こうした構造によっても、前述したような、コア周辺におけるクラック発生抑制などの効果が期待できると考えられる。
【０１００】
また、この例において、フィルド導体２２、４２（第１面側の内層の接続導体）は、フィルド導体６２のシフト方向（Ｘ方向）において、フィルド導体１２（コア基板１０の接続導体）とフィルド導体６２（第１面側の外層の接続導体）との間（範囲Ｒ２１）に配置されている。さらに、フィルド導体３２、５２（第２面側の内層の接続導体）は、フィルド導体７２のシフト方向（Ｘ方向）において、フィルド導体１２（コア基板１０の接続導体）とフィルド導体７２（第２面側の外層の接続導体）との間（範囲Ｒ２２）に配置されている。このような配置にすることで、前述したような、コア周辺におけるクラック発生抑制などの効果が高まると考えられる。ただし、こうした配置は必須の構成ではない。例えば図２５（図４に対応する図）及び図２６（図２に対応する図）に示すように、フィルド導体４２、５２が、それぞれ範囲Ｒ２１、Ｒ２２の外に配置されていてもよい。
【０１０１】
各層におけるビアホール１２ａ等やスルーホール１０２ａの横断面（Ｘ−Ｙ平面）の形状は任意である。
【０１０２】
例えばこれらの面の形状は、真円のほか、例えば図２７Ａに示すように正四角形であってもよく、また、正六角形や正八角形等の他の正多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。ただし、熱応力の集中を防止する上では、角が丸みを帯びていた方が好ましい。
【０１０３】
また、上記横断面の形状は、楕円であってもよく、長方形や三角形等であってもよい。さらに、図２７Ｂ又は図２７Ｃに示すように、十字形又は正多角星形など、中心から放射状に直線を引いた形（複数の羽根を放射状に配置した形）も、上記横断面の形状として有効である。
【０１０４】
フィルドスタックＳを形成するためのビアホール１２ａ等の形状として、上記形状を任意に組み合わせて採用してもよい。例えば図２８に示すように、非相似の図形を組み合わせてもよい。
【０１０５】
各層におけるビアホール１２ａ等やスルーホール１０２ａの縦断面の形状も任意である。例えば図２９Ａに示すように、コア部のビアホール１２ａの形状を円柱にしてもよい。また、ビルドアップ部のビアホール２２ａ等の形状を円柱にしてもよい。
【０１０６】
さらに、図２９Ｂに示すように、ビアホール３２ａの形状を鼓形にしてもよい。この形状では、第１面及び第２面における開口部３２ｃ、３２ｅの間に位置する幅狭部３２ｄの幅が開口部３２ｃ、３２ｅの幅よりも小さいため、めっきのフィルド性が向上すると考えられる。またその結果、表面の平坦性が高まると考えられる。また、フィルド導体３２の側面が斜面になるため、両者の接着強度が向上すると考えられる。なお、ビアホール１２ａ、２２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、及びスルーホール１０２ａの形状を鼓形にしてもよい。
【０１０７】
スルーホール１０２ａの位置は、配線板１００の周縁部に限られない。例えば図３０Ａに示すように、フィルドスタックＳの近傍にスルーホール１０２ａを配置してもよい。
【０１０８】
スルーホール１０２ａの数は任意である。例えば図３０Ｂに示すように、スルーホール１０２ａの数は１つであってもよい。
【０１０９】
導体層１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１、５１、６１、７１及びフィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の構造は任意である。
【０１１０】
例えば上記実施形態では、導体層１１ａ等の構造を、図３１Ａに示す導体層２００４のように、絶縁層２００１上に、金属箔２００２（例えば銅箔）と、無電解めっき膜２００３ａと、電解めっき２００３ｂとが、この順に積層された３層構造とした。また、フィルド導体２２等の構造を、図３１Ａに示すフィルド導体２００５のように、無電解めっき膜２００３ａと、電解めっき２００３ｂと、の２層構造とした。
【０１１１】
しかしこれに限られず、上記導体層１１ａ等の構造は、例えば図３１Ｂに示す導体層２００４のように、無電解めっき膜２００３ａを割愛した２層構造であってもよい。また、上記フィルド導体２２等の構造は、電解めっき２００３ｂのみからなる構造であってもよい。
【０１１２】
あるいは、例えば図３１Ｃに示す導体層２００４のように、上記導体層１１ａ等の構造は、金属箔２００２を割愛した２層構造であってもよい。
【０１１３】
図３１Ａ〜図３１Ｃには、ビア導体を図示したが、コンフォーマル導体１０２（スルーホール導体）についても、同様の構造を採用することができる。なお、無電解めっき膜２００３ａ等を割愛することで、導体層の密着性が低下することが懸念されるため、必要に応じて、密着性を高めるための表面処理を絶縁層２００１（絶縁層１０ａ等）に施すことが好ましい。
【０１１４】
フィルド導体１２は、ビア導体に限られない。例えば図３２に示すように、フィルド導体１２は、スルーホール導体であってもよい。図３２の例では、フィルド導体１２が、スルーホール１２ｂにめっきが充填されて構成される。すなわち、フィルド導体１２と絶縁層１０ａの両側の導体層１１ａ、１１ｂとは、少なくとも一部で連続している。
【０１１５】
図３３及び図３４（図３３の断面図）に示すように、スルーホール１０２ａに代えて、配線板１００をＺ方向（積層方向）に貫通する切欠１０２ｂを用いてもよい。切欠１０２ｂは、配線板１００の側面に形成される。切欠１０２ｂの壁面には、コンフォーマル導体１０２が形成される。また、図３５に示すように、スルーホール１０２ａと切欠１０２ｂとを併用してもよい。切欠１０２ｂは、例えば図３６に示すように、スルーホール１０２ａを形成した後、線Ｌ１０で、スルーホール１０２ａを分割（切断）することによって形成することができる。ただしこれに限られず、切欠１０２ｂの形成方法は任意である。
【０１１６】
フィルドスタックＳの数は１つに限られず任意である。例えば図３７Ａ及び図３７Ｂ（図３７Ａの断面図）に示すように、配線板１００は、相反する方向にシフトされる２つのフィルドスタックＳを有していてもよい。
【０１１７】
配線板１００が、電子部品を有し、電子デバイスとなっていてもよい。
【０１１８】
例えば図３８に示すように、配線板１００に電子部品３００１が内蔵されていてもよい。図３８の例では２つの電子部品３００１が内蔵されているが、電子部品の数は任意である。例えば１つの電子部品のみが配線板１００に内蔵されていてもよい。電子部品を内蔵する配線板１００によれば、電子デバイスの高機能化が可能になる。
【０１１９】
また、例えば図３９に示すように、配線板１００の表面に電子部品３００２が実装されていてもよい。図３９の例では配線板１００の両面に電子部品３００２が実装されているが、配線板１００の片面のみに電子部品３００２が実装されてもよい。また、電子部品の数は任意である。例えば１つの電子部品のみが配線板１００に実装されていてもよい。
【０１２０】
その他の点についても、配線板１００の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１２１】
配線板１００の層数は任意である。例えば図４０に示すように、８層よりも少ない６層の配線板１００であっても、少なくともフィルド導体４２、５２（外層の接続導体）の位置が、フィルド導体１２（コア基板１０の接続導体）の位置からコア基板１０の両側で略同一の方向（例えばＸ２側）にシフトされていれば、前述したような、コア周辺におけるクラック発生抑制などの効果が期待できると考えられる。また逆に、例えば高機能化等を図るべく、例えば図１に示した構造が完成した後、さらに積層を続けて、８層よりも多層の配線板としてもよい。
【０１２２】
各導体層の材料は、上記のものに限定されず、用途等に応じて変更可能である。例えば導体層の材料として、銅以外の金属を用いてもよい。また、各絶縁層の材料も任意である。ただし、絶縁層を構成する樹脂としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、前述のエポキシ樹脂のほか、例えばイミド樹脂（ポリイミド）、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、アラミド樹脂などを用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂（フッ素樹脂）などを用いることができる。これらの材料は、例えば絶縁性、誘電特性、耐熱性、又は機械的特性等の観点から、必要性に応じて選ぶことが望ましい。また、上記樹脂には、添加剤として、硬化剤、安定剤、フィラーなどを含有させることができる。また、各導体層及び各絶縁層は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【０１２３】
上記実施形態の工程は、図１０のフローチャートに示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１２４】
上記実施形態や変形例等は、任意に組み合わせることができる。
【０１２５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
本発明に係る配線板は、電子機器の回路基板に適している。また、本発明に係る配線板の製造方法は、電子機器の回路基板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１２７】
１０  コア基板
１０ａ  絶縁層
１１ａ、１１ｂ  導体層
１２  フィルド導体（接続導体）
１２ａ  ビアホール
１２ｂ  スルーホール
２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ  絶縁層
２１、３１、４１、５１、６１、７１  導体層
２２、３２、４２、５２、６２、７２  フィルド導体（接続導体）
２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ  ビアホール
１００  配線板
１０２  コンフォーマル導体
１０２ａ  スルーホール
１０２ｂ  切欠
１０００  両面銅張積層板
１００１、１００２、１００５、１００６  銅箔
１００３、１００４、１００７、１００８、１０１１  めっき
１００９、１０１０  銅箔
２００１  絶縁層
２００２  金属箔
２００３ａ  無電解めっき膜
２００３ｂ  電解めっき
２００４  導体層
２００５  フィルド導体
３００１、３００２  電子部品
Ｓ  フィルドスタック
【図１】
2011122245.tif 000003
【図２】
2011122245.tif 000004
【図３Ａ】
2011122245.tif 000005
【図３Ｂ】
2011122245.tif 000006
【図４】
2011122245.tif 000007
【図５Ａ】
2011122245.tif 000008
【図５Ｂ】
2011122245.tif 000009
【図６】
2011122245.tif 000010
【図７】
2011122245.tif 000011
【図８】
2011122245.tif 000012
【図９】
2011122245.tif 000013
【図１０】
2011122245.tif 000014
【図１１Ａ】
2011122245.tif 000015
【図１１Ｂ】
2011122245.tif 000016
【図１１Ｃ】
2011122245.tif 000017
【図１１Ｄ】
2011122245.tif 000018
【図１２Ａ】
2011122245.tif 000019
【図１２Ｂ】
2011122245.tif 000020
【図１２Ｃ】
2011122245.tif 000021
【図１２Ｄ】
2011122245.tif 000022
【図１３】
2011122245.tif 000023
【図１４】
2011122245.tif 000024
【図１５Ａ】
2011122245.tif 000025
【図１５Ｂ】
2011122245.tif 000026
【図１６】
2011122245.tif 000027
【図１７】
2011122245.tif 000028
【図１８】
2011122245.tif 000029
【図１９】
2011122245.tif 000030
【図２０】
2011122245.tif 000031
【図２１】
2011122245.tif 000032
【図２２Ａ】
2011122245.tif 000033
【図２２Ｂ】
2011122245.tif 000034
【図２３】
2011122245.tif 000035
【図２４】
2011122245.tif 000036
【図２５】
2011122245.tif 000037
【図２６】
2011122245.tif 000038
【図２７Ａ】
2011122245.tif 000039
【図２７Ｂ】
2011122245.tif 000040
【図２７Ｃ】
2011122245.tif 000041
【図２８】
2011122245.tif 000042
【図２９Ａ】
2011122245.tif 000043
【図２９Ｂ】
2011122245.tif 000044
【図３０Ａ】
2011122245.tif 000045
【図３０Ｂ】
2011122245.tif 000046
【図３１Ａ】
2011122245.tif 000047
【図３１Ｂ】
2011122245.tif 000048
【図３１Ｃ】
2011122245.tif 000049
【図３２】
2011122245.tif 000050
【図３３】
2011122245.tif 000051
【図３４】
2011122245.tif 000052
【図３５】
2011122245.tif 000053
【図３６】
2011122245.tif 000054
【図３７Ａ】
2011122245.tif 000055
【図３７Ｂ】
2011122245.tif 000056
【図３８】
2011122245.tif 000057
【図３９】
2011122245.tif 000058
【図４０】
2011122245.tif 000059
【国際調査報告】
2011122245.tif 000060
2011122245.tif 000061
2011122245.tif 000062
2011122245.tif 000063