(57)【要約】下記式（Ｉ）で表される化合物。但し、Ｒ１〜Ｒ１４の全てが水素原子である場合を除く。2011055529.tif 000102
2011055529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）で表される化合物。
【化８４】
2011055529.tif 000089
（式中、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜３０のアルキル基、炭素数３〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有していてもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環状構造を形成してもよい。
但し、Ｒ１〜Ｒ１４の全てが水素原子である場合を除く。）
【請求項２】
Ｒ１〜Ｒ１４の少なくとも１つが、炭素数３〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０アリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基及びシアノ基から選択される基である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
下記式（Ａ−１）で表される有機薄膜トランジスタ用化合物。
【化８５】
2011055529.tif 000090
（式中、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有していてもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環状構造を形成してもよい。
但し、Ｒ１〜Ｒ１４の全てが水素原子である場合を除く。）
【請求項４】
下記式（Ａ−２）で表される有機薄膜トランジスタ用化合物。
【化８６】
2011055529.tif 000091
（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１４は、式（Ａ−１）のＲ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１４と同様である。）
【請求項５】
請求項３又は４に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
【請求項６】
少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が請求項３又は４に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の有機薄膜トランジスタを備えた装置。
【請求項８】
下記式（Ｂ−１）で表わされる化合物。
【化８７】
2011055529.tif 000092
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
環Ａｒ１は、下記式（Ｂ−２）〜（Ｂ−５）のいずれかで表わされる縮合環である。）
【化８８】
2011055529.tif 000093
（式中、太線部の７及び８の数字は、それぞれ式（Ｂ−１）で表わされる化合物のアントラセン骨格の７位及び８位に対応する。
Ｘ１は、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｎ（Ｒ２１）−である。
Ｒ５〜Ｒ２１は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
但し、Ｒ１３〜Ｒ１６の全て、及びＲ１７〜Ｒ２０の全てが水素原子である場合を除く。）
【請求項９】
下記式（Ｂ−６）で表わされる請求項８に記載の化合物。
【化８９】
2011055529.tif 000094
（式中、Ｒ２２及びＲ２３は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
環Ａｒ２は、下記式（Ｂ−７）〜（Ｂ−１０）のいずれかで表わされる縮合環である。）
【化９０】
2011055529.tif 000095
（式中、太線部の７及び８の数字は、それぞれ式（Ｂ−６）で表わされる化合物のアントラセン骨格の７位及び８位に対応する。
Ｘ２は、−Ｓ−、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ３２）−を表わす。
Ｒ２４〜Ｒ３２は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
但し、Ｒ２８及びＲ２９の全て、並びにＲ３０及びＲ３１の全てが水素原子である場合を除く。）
【請求項１０】
下記式（Ｂ−１）で表わされる有機薄膜トランジスタ用化合物。
【化９１】
2011055529.tif 000096
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
環Ａｒ１は、下記式（Ｂ−２）〜（Ｂ−５）のいずれかで表わされる縮合環である。）
【化９２】
2011055529.tif 000097
（式中、太線部の７及び８の数字は、それぞれ式（Ｂ−１）で表わされる化合物のアントラセン骨格の７位及び８位に対応する。
Ｘ１は、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｎ（Ｒ２１）−である。
Ｒ５〜Ｒ２１は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
但し、Ｒ１３〜Ｒ１６の全て、及びＲ１７〜Ｒ２０の全てが水素原子である場合を除く。）
【請求項１１】
下記式（Ｂ−６）で表わされる請求項１０に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物。
【化９３】
2011055529.tif 000098
（式中、Ｒ２２及びＲ２３は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有しもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
環Ａｒ２は、下記式（Ｂ−７）〜（Ｂ−１０）のいずれかで表わされる縮合環である。）
【化９４】
2011055529.tif 000099
（式中、太線部の７及び８の数字は、それぞれ式（Ｂ−６）で表わされる化合物のアントラセン骨格の７位及び８位に対応する。
Ｘ２は、−Ｓ−、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ３２）−を表わす。
Ｒ２４〜Ｒ３２は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
但し、Ｒ２８及びＲ２９の全て、並びにＲ３０及びＲ３１の全てが水素原子である場合を除く。）
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、請求項１０又は１１に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の有機薄膜トランジスタを備えた装置。
【請求項１５】
請求項１０又は１１に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を塗布して有機半導体層を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
下記式（Ｃ−１）又は式（Ｃ−２）で表わされる化合物。
【化９５】
2011055529.tif 000100
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数２〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数２〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、又は炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
Ｘは、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｎ（Ｒ１３）−である。
Ｒ９〜Ｒ１３は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜３０のアルキル基（Ｒ１３はメチル基でもよい。）、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数２〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
Ｒ１〜Ｒ１２の少なくとも１つは水素以外の基である。）
【請求項１７】
前記式（Ｃ−１）で表される化合物が下記式（Ｃ−３）で表わされる化合物であり、前記式（Ｃ−２）で表される化合物が下記式（Ｃ−４）で表わされる化合物である、請求項１６に記載の化合物。
【化９６】
2011055529.tif 000101
（式中、Ｘ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０及びＲ１１は、請求項１６と同様な基を表わす。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０及びＲ１１の少なくとも１つは水素以外の基である。）
【請求項１８】
有機薄膜トランジスタ用化合物である、請求項１６又は１７に記載の化合物。
【請求項１９】
請求項１８に記載の化合物を含む、有機薄膜トランジスタ。
【請求項２０】
少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、請求項１８に記載の化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
【請求項２１】
請求項１９又は２０に記載の有機薄膜トランジスタを備えた装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタ用化合物、及びそれを用いた有機薄膜トランジスタに関する。さらに詳しくは、塗布プロセスが適用可能な有機薄膜トランジスタ用化合物及びそれを有機半導体層に利用した有機薄膜トランジスタに関する。また、本発明は、含ヘテロ環非対称性芳香族化合物、有機薄膜トランジスタ用化合物、及びそれを用いた有機薄膜トランジスタに関する。さらに詳しくは、塗布プロセスが適用可能で酸化安定性が良好な含ヘテロ環非対称性芳香族化合物である有機薄膜トランジスタ用化合物、及びそれを有機半導体層に利用した有機薄膜トランジスタに関する。また、本発明は、新規な含ヘテロ環非対称性芳香族化合物、塗布プロセス可能な有機薄膜トランジスタ用化合物及びそれを有機半導体層に利用した有機薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴと略記する場合がある）は、液晶表示装置等の表示用のスイッチング素子として広く用いられている。代表的なＴＦＴは、基板上にゲート電極、絶縁体層、半導体層をこの順に有し、半導体層上に、所定の間隔をあけて形成されたソース電極及びドレイン電極を有している。有機半導体層はチャネル領域を成しており、ゲート電極に印加される電圧でソース電極とドレイン電極の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作する。【０００３】
従来、このＴＦＴは、アモルファスや多結晶のシリコンを用いて作製されていたが、このようなシリコンを用いたＴＦＴの作製に用いられるＣＶＤ（化学気相成長）装置は、非常に高額であり、ＴＦＴを用いた表示装置等の大型化は、製造コストの大幅な増加を伴うという問題点があった。また、アモルファスや多結晶のシリコンを成膜するプロセスは非常に高い温度下で行われるので、基板として使用可能な材料の種類が限られてしまうため、軽量な樹脂基板等は使用できないという問題があった。また、賦形性や柔軟性に優れる樹脂基板等は使用できないという問題があった。【０００４】
このような問題を解決するために、アモルファスや多結晶のシリコンに代えて有機物を用いたＴＦＴが提案されている。有機物でＴＦＴを形成する際に用いる成膜方法として真空蒸着法や塗布法等が知られているが、これらの成膜方法によれば、製造コストの上昇を抑えつつ素子の大型化が実現可能になり、成膜時に必要となるプロセス温度を比較的低温にすることができる。このため、このような有機ＴＦＴでは、基板に用いる材料の選択時の制限が少ないといった利点があり、その実用化が期待されており、盛んに研究報告がなされている。【０００５】
有機ＴＦＴの有機物半導体層に用いるｐ型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）材料としては、共役系ポリマーやチオフェン等の多量体、金属フタロシアニン化合物、ペンタセン等の縮合芳香族炭化水素等が、単体又は他の化合物との混合物の状態で用いられている。また、ｎ型ＦＥＴ材料としては、例えば、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボキシルジアンヒドライド（ＮＴＣＤＡ）、１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタン（ＴＣＮＮＱＤ）、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボキシルジイミド（ＮＴＣＤＩ）や、フッ素化フタロシアニンが知られている。【０００６】
一方、有機ＴＦＴと同じように電気伝導を用いるデバイスとして有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子がある。有機ＥＬ素子では、一般に１００ｎｍ以下の超薄膜に、膜厚方向に１０５Ｖ／ｃｍ以上の強電界を印加して強制的に電荷を流しているのに対し、有機ＴＦＴの場合には、数μｍ以上の距離を１０５Ｖ／ｃｍ以下の電界で高速に電荷を流す必要があるため、有機ＴＦＴに用いられる有機物自体に、さらなる電導性が必要であった。
しかしながら、従来の有機ＴＦＴにおける上記有機半導体材料は電界効果移動度が小さく、応答速度が遅く、トランジスタとしての高速応答性に問題があった。また、オン／オフ比も小さかった。【０００７】
尚、ここで言うオン／オフ比とは、ゲート電圧をかけたとき（オン）のソース−ドレイン間に流れる電流を、ゲート電圧をかけないとき（オフ）のソース−ドレイン間に流れる電流で割った値である。オン電流とは、通常、ゲート電圧を増加させていき、ソース−ドレイン間に流れる電流が飽和したときの電流値（飽和電流）である。【０００８】
有機ＴＦＴの代表的な材料としてペンタセンが挙げられ、特許文献１及び２では、ペンタセンを有機半導体層に用いた有機ＴＦＴを作製している。ペンタセンは大気中における安定性が低いという欠点があるため、素子作製直後は非常に高い移動度を示すものの、時間の経過と共に移動度が低下してしまう。
大気中における安定性を向上させるため、フェナセン化合物を用いるという方法がある。例えば、非特許文献１は、ピセン（［５］フェナセン）を、特許文献３は［５］〜［１１］フェナセンを提案している。しかしながら、これらの化合物は、有機溶媒に対する溶解性が低く、塗布プロセスに適用できないという欠点があった。【０００９】
特許文献４は、塗布プロセスを用いて製造した有機薄膜トランジスタであって、含ヘテロ環縮合芳香族化合物からなる有機半導体層を備える有機薄膜トランジスタを開示する。特許文献４は、当該化合物が保存安定性に優れると開示する。しかし、保存安定性を評価した有機ＴＦＴは、蒸着法で製造したＴＦＴのみであり、塗布プロセスを用いて製造した有機ＴＦＴについては、保存安定性の評価はなされていない。【００１０】
大気中における安定性を向上させる工夫として、フェナントレン骨格の両端にチオフェン環を配した５環縮合環構造、又はクリセン骨格の一方あるいは両端にチオフェン環を配した５環以上の縮合環構造が特許文献５に開示されている。しかし、溶解性についての記載や示唆はない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平５−５５５６８号公報
【特許文献２】特開２００１−９４１０７号公報
【特許文献３】特開２００９−２１８３３３号公報
【特許文献４】特開２００９−２６７１４０号公報
【特許文献５】特開２０１０−１７７６３７号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】H．  Okamotoら、Journal  of  the  American  Chemical  Society、130巻、10470頁、2008年
【発明の概要】
【００１３】
本発明の目的は、塗布プロセスの適用が可能であり、かつ酸化安定性に優れる有機薄膜トランジスタ用化合物を提供することである。
本発明の目的は、優れたトランジスタ特性を有する有機薄膜トランジスタを提供することである。
【００１４】
本発明によれば、以下の有機薄膜トランジスタ用化合物等が提供される。
１．下記式（Ｉ）で表される化合物。
【化１】
2011055529.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜３０のアルキル基、炭素数３〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有していてもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環状構造を形成してもよい。
但し、Ｒ１〜Ｒ１４の全てが水素原子である場合を除く。）
２．Ｒ１〜Ｒ１４の少なくとも１つが、炭素数３〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０アリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基及びシアノ基から選択される基である１に記載の化合物。
３．下記式（Ａ−１）で表される有機薄膜トランジスタ用化合物。
【化２】
2011055529.tif 000004
（式中、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有していてもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環状構造を形成してもよい。
但し、Ｒ１〜Ｒ１４の全てが水素原子である場合を除く。）
４．下記式（Ａ−２）で表される有機薄膜トランジスタ用化合物。
【化３】
2011055529.tif 000005
（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１４は、式（Ａ−１）のＲ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１４と同様である。）
５．３又は４に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
６．少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が３又は４に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
７．５又は６に記載の有機薄膜トランジスタを備えた装置。
８．下記式（Ｂ−１）で表わされる化合物。
【化４】
2011055529.tif 000006
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
環Ａｒ１は、下記式（Ｂ−２）〜（Ｂ−５）のいずれかで表わされる縮合環である。）
【化５】
2011055529.tif 000007
（式中、太線部の７及び８の数字は、それぞれ式（Ｂ−１）で表わされる化合物のアントラセン骨格の７位及び８位に対応する。
Ｘ１は、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｎ（Ｒ２１）−である。
Ｒ５〜Ｒ２１は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
但し、Ｒ１３〜Ｒ１６の全て、及びＲ１７〜Ｒ２０の全てが水素原子である場合を除く。）
９．下記式（Ｂ−６）で表わされる８に記載の化合物。
【化６】
2011055529.tif 000008
（式中、Ｒ２２及びＲ２３は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
環Ａｒ２は、下記式（Ｂ−７）〜（Ｂ−１０）のいずれかで表わされる縮合環である。）
【化７】
2011055529.tif 000009
（式中、太線部の７及び８の数字は、それぞれ式（Ｂ−６）で表わされる化合物のアントラセン骨格の７位及び８位に対応する。
Ｘ２は、−Ｓ−、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ３２）−を表わす。
Ｒ２４〜Ｒ３２は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
但し、Ｒ２８及びＲ２９の全て、並びにＲ３０及びＲ３１の全てが水素原子である場合を除く。）
１０．下記式（Ｂ−１）で表わされる有機薄膜トランジスタ用化合物。
【化８】
2011055529.tif 000010
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
環Ａｒ１は、下記式（Ｂ−２）〜（Ｂ−５）のいずれかで表わされる縮合環である。）
【化９】
2011055529.tif 000011
（式中、太線部の７及び８の数字は、それぞれ式（Ｂ−１）で表わされる化合物のアントラセン骨格の７位及び８位に対応する。
Ｘ１は、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｎ（Ｒ２１）−である。
Ｒ５〜Ｒ２１は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
但し、Ｒ１３〜Ｒ１６の全て、及びＲ１７〜Ｒ２０の全てが水素原子である場合を除く。）
１１．下記式（Ｂ−６）で表わされる１０に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物。
【化１０】
2011055529.tif 000012
（式中、Ｒ２２及びＲ２３は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有しもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
環Ａｒ２は、下記式（Ｂ−７）〜（Ｂ−１０）のいずれかで表わされる縮合環である。）
【化１１】
2011055529.tif 000013
（式中、太線部の７及び８の数字は、それぞれ式（Ｂ−６）で表わされる化合物のアントラセン骨格の７位及び８位に対応する。
Ｘ２は、−Ｓ−、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ３２）−を表わす。
Ｒ２４〜Ｒ３２は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
但し、Ｒ２８及びＲ２９の全て、並びにＲ３０及びＲ３１の全てが水素原子である場合を除く。）
１２．１０又は１１に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
１３．少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、１０又は１１に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
１４．１２又は１３に記載の有機薄膜トランジスタを備えた装置。
１５．１０又は１１に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を塗布して有機半導体層を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法。
１６．下記式（Ｃ−１）又は式（Ｃ−２）で表わされる化合物。
【化１２】
2011055529.tif 000014
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数２〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数２〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、又は炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
Ｘは、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｎ（Ｒ１３）−である。
Ｒ９〜Ｒ１３は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜３０のアルキル基（Ｒ１３はメチル基でもよい。）、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数２〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
Ｒ１〜Ｒ１２の少なくとも１つは水素以外の基である。）
１７．前記式（Ｃ−１）で表される化合物が下記式（Ｃ−３）で表わされる化合物であり、前記式（Ｃ−２）で表される化合物が下記式（Ｃ−４）で表わされる化合物である、１６に記載の化合物。
【化１３】
2011055529.tif 000015
（式中、Ｘ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０及びＲ１１は、１６と同様な基を表わす。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０及びＲ１１の少なくとも１つは水素以外の基である。）
１８．有機薄膜トランジスタ用化合物である、１６又は１７に記載の化合物。
１９．１８に記載の化合物を含む、有機薄膜トランジスタ。
２０．少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、１８に記載の化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
２１．１９又は２０に記載の有機薄膜トランジスタを備えた装置。
【００１５】
本発明によれば、塗布プロセスが可能であり、且つ酸化安定性に優れる有機薄膜トランジスタ用化合物が提供できる。
本発明によれば、優れたトランジスタ特性を有する有機薄膜トランジスタが提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の薄膜トランジスタの一実施形態を示す図である。
【図２】本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態を示す図である。
【図３】本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態を示す図である。
【図４】本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態を示す図である。
【図５】本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態を示す図である。
【図６】本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の第１の態様について説明する。
本発明の第１の態様の有機薄膜トランジスタ用化合物は、下記式（Ａ−１）で表される化合物である。
【化１４】
2011055529.tif 000016
（式中、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有していてもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環状構造を形成してもよい。
但し、Ｒ１〜Ｒ１４の全てが水素原子である場合を除く。）
【００１８】
式（Ａ−１）で表される有機薄膜トランジスタ用化合物（以下、本発明の第１の化合物という場合がある）は、π共役系を拡張することで分子間の相互作用を強くし、有機薄膜トランジスタ用材料として用いたときに高い移動度を得ることができる。また、本発明の化合物は、その構造を非対称とする、及び／又は置換基を導入することにより、有機溶媒に対する溶解性を向上させることができる。
加えて、ペンタセンに代表されるベンゼン環が一直線上に並んだリニアポリアセンと異なり、本発明の化合物は、一部のベンゼン環がジグザグに配置されたフェナセン構造をとるので、優れた酸化安定性を有する。
【００１９】
式（Ａ−１）においては、好ましくはＲ１〜Ｒ１４の少なくとも１つが、炭素数３〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０アリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基及びシアノ基から選択される基である。
【００２０】
本発明の第１の化合物は、好ましくは下記式（Ａ−２）で表される有機薄膜トランジスタ用化合物である。第１の化合物は、式（Ａ−２）の構造をとることによって、分子間相互作用が強くなり、高い移動度が期待できる。
【化１５】
2011055529.tif 000017
（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１４は、式（Ａ−１）のＲ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１４と同様である。）
【００２１】
式（Ａ−２）で表わされる化合物のうち、Ｒ１のみが水素原子以外の置換基であって、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１４が全て水素原子である化合物は、反応工程が短縮でき、且つ製造が容易な点で優れた化合物である。
上記の場合に、Ｒ１は、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であって、これらはさらに置換基を有していてもよい。
【００２２】
以下、本発明の第１の化合物の各置換基について説明する。
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数１〜３０のアルキル基は、好ましくは炭素数２〜３０のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基が挙げられる。
上記のアルキル基のうち、溶解性の点から、直鎖状アルキル基が好ましい。炭素数が３〜１８の直鎖状アルキル基が好ましく、特に、炭素数５〜１２の直鎖状アルキル基が好ましい。尚、炭素数が１９以上の直鎖状アルキル基では、有機薄膜トランジスタに用いた際に耐熱性が不十分となるおそれがある。
【００２３】
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数２〜３０のアルケニル基は、好ましくは炭素数３〜３０のアルケニル基であり、例えばエテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ペンタジエニル基、ヘキセニル基、ヘキサジエニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、オクタジエニル基、２−エチルヘキセニル基、デセニル基等が挙げられる。
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数２〜３０のアルキニル基としては、エチニル基、プロピニル基、２−フェニルエチニル基、ｎ−ブチニル基、ｎ−ペンチニル基、ｎ−ヘキシニル基、ｎ−ヘプチニル基、ｎ−オクチニル基等が挙げられる。
【００２４】
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数１〜３０のハロアルキル基としては、例えば、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、フルオロメチル基、１−フルオロエチル基，２−フルオロエチル基、２−フルオロイソブチル基、１，２−ジフロロエチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
【００２５】
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数１〜３０のアルコキシ基は、−ＯＸ１で表される基であり、Ｘ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられ、Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基は、−ＯＸ２で表される基であり、Ｘ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００２６】
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数１〜３０のアルキチオ基は、−ＳＸ１で表される基であり、Ｘ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられ、Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基は、−ＳＸ２で表される基であり、Ｘ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００２７】
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基は、−ＮＨＸ１で表される基であり、ジアルキルアミノ基は−ＮＸ１Ｘ３で表される基であり、Ｘ１及びＸ３は、それぞれ前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。尚、Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基のアルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよく、環構造としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン等が挙げられる。
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数６〜６０のアリールアミノ基としては、アミノ基に結合する置換基のうち少なくともひとつがアリール基であればよく、具体的には、フェニルアミノ、メチルフェニルアミノ、ジフェニルアミノ、ジｐ−トリルアミノ、ジｍ−トリルアミノ、フェニルｍ−トリルアミノ、フェニル−１−ナフチルアミノ、フェニル−２−ナフチルアミノ、フェニル（ｓｅｃ−ブチルフェニル）アミノ、フェニルｔ−ブチルアミノ、ビス（４−メトキシフェニル）アミノ、フェニル−４−カルバゾリルフェニルアミノ等を挙げることができる。
【００２８】
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基は、−ＳＯ２Ｘ１で表される基であり、Ｘ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられ、Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基は、−ＳＯ２Ｘ２で表される基であり、Ｘ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００２９】
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ペリレニル基、テトラセニル基、ペンタセニル基等が挙げられる。
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数３〜６０の芳香族複素環基としては、例えばジチエノフェニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、キノリニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾチアジアゾニル基等が挙げられる。
【００３０】
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数３〜２０のアルキルシリル基としては、−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３で表される基であり、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
Ｒ１〜Ｒ１４の炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基としては、トリメチルシリルエチニル基、トリエチルシリルエチニル基、トリイソプピルシリルエチニル基、ターシャリーブチルジメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
【００３１】
Ｒ１〜Ｒ１４がさらに有する置換基としては、アリールスルホニル基が挙げられる。
【００３２】
上記各置換基において、アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基が、移動度と溶解性の両方の向上が期待されるため、好ましい。特に好ましくは、アルキル基である。さらには、同様の理由から、炭素数７〜６０のアリールアルキル基も好ましい。アリールアルキル基を構成する芳香族炭化水素基及びアルキル基としては前記の基が挙げられる。
【００３３】
本発明の第１の化合物の具体例を以下に示す。
【化１６】
2011055529.tif 000018
【化１７】
2011055529.tif 000019
【化１８】
2011055529.tif 000020
【００３４】
本発明の第１の化合物は、例えば下記合成経路に従って製造できる。
【化１９】
2011055529.tif 000021
（Ｒは置換基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
【００３５】
工程１は、出発原料Ａであるハロゲン化アリールをメタル化又はホウ素化して、中間体Ｂを合成する工程である。工程１に用いる反応としては、宮浦−石山ホウ素化反応、ｎ−ブチルリチウムとトリメトキシボランを用いるホウ素化反応、ｎ−ブチルリチウムと塩化トリブチルスズを用いるスタニル化反応、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムと塩化亜鉛を用いる有機亜鉛試薬への変換反応等が挙げられる。これらのうち、良好な収率と生成する化合物の溶解度が高い点から宮浦−石山ホウ素化反応が好ましい。
【００３６】
工程２は、中間体Ｂとベンズアルデヒド誘導体との連結を行なって、中間体Ｃを合成する工程である。工程２に用いる反応としては、鈴木−宮浦カップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、根岸カップリング反応等が挙げられる。これらのうち、良好な収率を与える点から鈴木−宮浦カップリング反応が好ましい。
【００３７】
工程３では、Ｗｉｔｔｉｇ試薬を用いてホルミル基をメチルエノールエーテルに変換し、中間体Ｄを合成する工程である。工程３で用いる試薬としては、塩化（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムを挙げることができる。
【００３８】
工程４は、酸を用いて環化反応を行ない、中間体Ｅを合成する工程である。工程４では、種々のルイス酸、プロトン酸を用いることができ、良好な収率を与えることからメタンスルホン酸を用いると好ましい。
【００３９】
工程５は、中間体Ｅに置換基を導入して最終体Ｆを合成する工程である。工程５に用いる反応としては、鈴木−宮浦カップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、根岸カップリング反応、檜山カップリング反応、熊田カップリング反応、溝呂木−Ｈｅｃｋ反応等を用いることができる。これらのうち、良好な収率を与えることから熊田カップリング反応を用いることが好ましい。
【００４０】
以下、本発明の第２の態様について説明する。
本発明の第２の態様の化合物は、下記式（Ｂ−１）で表わされる化合物（含ヘテロ環非対称性芳香族化合物）である。
【化２０】
2011055529.tif 000022
（Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
環Ａｒ１は、下記式（Ｂ−２）〜（Ｂ−５）のいずれかで表わされる縮合環である。）
【化２１】
2011055529.tif 000023
（式中、太線部の７及び８の数字は、それぞれ式（１）で表わされる化合物のアントラセン骨格の７位及び８位に対応する。
Ｘ１は、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｎ（Ｒ２１）−である。
Ｒ５〜Ｒ２１は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
但し、Ｒ１３〜Ｒ１６の全て、及びＲ１７〜Ｒ２０の全てが水素原子である場合を除く。）
【００４１】
式（Ｂ−１）で表される化合物（以下、単に本発明の第２の化合物という場合がある）は、化合物全体又は分子間へのπ電子共役系の拡張、及びヘテロ原子の重原子効果によって分子間の相互作用を強くし、有機薄膜トランジスタ用材料として用いたときに高い移動度を得ることができる。
また、本発明の第２の化合物は、その構造を非対称とする、及び／又は置換基を導入することにより、有機溶媒に対する溶解性を向上させることができる。
加えて、ペンタセンに代表されるベンゼン環が一直線上に並んだリニアポリアセンと異なり、本発明の化合物は、一部のベンゼン環が屈曲して配置されており、フェナセンと等価構造をとるので、優れた酸化安定性を有する。
【００４２】
式（Ｂ−１）で表わされる化合物において、環Ａｒ１は、移動度、溶解性、酸化安定性の点の観点から、好ましくは式（Ｂ−２）、（Ｂ−３）又は（Ｂ−４）で表わされる縮合環であり、より好ましくは式（Ｂ−２）又は（Ｂ−４）で表わされる縮合環である。
【００４３】
本発明の第２の化合物は、好ましくは下記式（Ｂ−６）で表わされる化合物である。
【化２２】
2011055529.tif 000024
（式中、Ｒ２２及びＲ２３は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有しもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
環Ａｒ２は、下記式（Ｂ−７）〜（Ｂ−１０）のいずれかで表わされる縮合環である。）
【化２３】
2011055529.tif 000025
（式中、太線部の７及び８の数字は、それぞれ式（Ｂ−６）で表わされる化合物のアントラセン骨格の７位及び８位に対応する。
Ｘ２は、−Ｓ−、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ３２）−を表わす。
Ｒ２４〜Ｒ３２は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
但し、Ｒ２８及びＲ２９の全て、並びにＲ３０及びＲ３１の全てが水素原子である場合を除く。）
【００４４】
式（Ｂ−６）で表わされる化合物は、Ｒ１，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１３，Ｒ１６，Ｒ１７及びＲ２０が水素原子である式（Ｂ−１）で表わされる化合物であり、強い分子間相互作用を有し、有機薄膜トランジスタに用いた場合に高い移動度が期待できる。
【００４５】
式（Ｂ−６）で表わされる化合物において、環Ａｒ２は、移動度、溶解性、酸化安定性の点の観点から、好ましくは式（Ｂ−７）、（Ｂ−８）又は（Ｂ−９）で表わされる縮合環であり、より好ましくは式（Ｂ−７）又は（Ｂ−９）で表わされる縮合環である。
【００４６】
尚、アントラセン骨格の位置番号は、以下の通りである。
【化２４】
2011055529.tif 000026
【００４７】
以下、本発明の第２の化合物の各置換基について説明する。
Ｘ１及びＸ２は、好ましくは−Ｓ−である。これは、ヘテロ原子（Ｏ，Ｎ及びＳ）は重原子効果と呼ばれる相互作用を有し、これらヘテロ原子のうち、Ｓが大きい相互作用を有するためである。
また、Ｘ１及びＸ２が−Ｎ（Ｒ２１）−及び−Ｎ（Ｒ３２）−である場合、Ｒ２１及びＲ３２は、本発明の化合物の合成が容易及び副生成物の生成が少ない観点から、好ましくは水素原子以外の置換基であり、より好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、特に好ましくはメチル基である。Ｒ２１及びＲ３２が水素原子以外の置換基である場合には、高い移動度も期待できる。
【００４８】
Ｒ１，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１３，Ｒ１６，Ｒ１７及びＲ２０が水素原子であることが好ましい。また、Ｒ２とＲ３の一方、Ｒ７とＲ８の一方、Ｒ１１とＲ１２の一方、Ｒ１９とＲ２０の一方、Ｒ２２とＲ２３の一方、Ｒ２４とＲ２５の一方、Ｒ２６とＲ２７の一方、Ｒ２８とＲ２９の一方、及びＲ３０とＲ３１の一方が水素原子であると、本発明の化合物の合成が容易であるので好ましい。
隣接する基が共に水素原子以外の置換基である場合には、短鎖アルキル基等の嵩高くない置換基が好ましい。
【００４９】
Ｒ１〜Ｒ３２のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
ハロゲン原子が直接、芳香族環あるいはヘテロ環と結合する場合、その結合位置は、好ましくはＲ２とＲ３の一方、Ｒ７とＲ８の一方、Ｒ１１とＲ１２の一方、Ｒ１９とＲ２０の一方、Ｒ２２とＲ２３の一方、Ｒ２４とＲ２５の一方、Ｒ２６とＲ２７の一方、Ｒ２８とＲ２９の一方、及びＲ３０とＲ３１の一方である。
【００５０】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数１〜３０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基が挙げられる。
これらアルキル基のうち、移動度及び溶解性の観点から、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基である。
Ｒ２とＲ３、Ｒ７とＲ８のように隣接する基が共にアルキル基である場合は、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７及びＲ８が、それぞれ炭素数１〜５のアルキル基のような短鎖アルキル基であると、本発明の化合物の合成が容易であり好ましい。
【００５１】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数２〜３０のアルケニル基としては、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ペンタジエニル基、ヘキセニル基、ヘキサジエニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、オクタジエニル基、２−エチルヘキセニル基、デセニル基が挙げられ、好ましくは炭素数２〜１０のアルケニル基である。
アルケニル基が直接、芳香族環あるいはヘテロ環と結合する場合、その結合位置は、好ましくはＲ２とＲ３の一方、Ｒ７とＲ８の一方、Ｒ１１とＲ１２の一方、Ｒ１９とＲ２０の一方、Ｒ２２とＲ２３の一方、Ｒ２４とＲ２５の一方、Ｒ２６とＲ２７の一方、Ｒ２８とＲ２９の一方、及びＲ３０とＲ３１の一方である。
アルケニル基に付加する置換基としては、フェニル基及び／又はアルキル基で置換されてなるフェニル基が挙げられる。この場合、当該置換基は直鎖状のアルケニル基の末端に付加することが好ましい。また、アルケニル基に付加するアルキル基としては、直鎖状のアルキル基が好ましい。
【００５２】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数２〜３０のアルキニル基としては、エチニル基、プロピニル基、２−フェニルエチニル基、ｎ−ブチニル基、ｎ−ペンチニル基、ｎ−ヘキシニル基、ｎ−ヘプチニル基、ｎ−オクチニル基、ｎ−ウンデシニル基、ｎ−ドデシニル基が挙げられ、好ましくは炭素数２〜１２のアルキニル基である。
アルキニル基の三重結合は、好ましくは本発明の化合物の芳香族環あるいはヘテロ環と、アルキレン基を介さずに結合する。
アルキニル基に付加する置換基としては、フェニル基及び／又はアルキル基で置換されてなるフェニル基が挙げられる。この場合、当該置換基は直鎖状のアルキニル基の末端に付加することが好ましい。また、アルキニル基に付加するアルキル基としては、直鎖状のアルキル基が好ましい。
アルキニル基に付加する他の置換基としては、トリアルキルシリル基が挙げられる。シリル基と結合するアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の短鎖アルキル基が好ましい。
【００５３】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数１〜３０のハロアルキル基の具体例は、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、フルオロメチル基、１−フルオロエチル基，２−フルオロエチル基、２−フルオロイソブチル基、１，２−ジフロロエチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜１０の１−ハロアルキル基である。
【００５４】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数１〜３０のアルコキシ基は、−ＯＹ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基は、−ＯＹ２で表される基であり、Ｙ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００５５】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数１〜３０のアルキルチオ基は、−ＳＹ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基は、−ＳＹ２で表される基であり、Ｙ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００５６】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基は、−ＮＨＹ１で表される基であり、好ましくは炭素数１〜１０のアルキルアミノ基である。Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基は−ＮＹ１Ｙ３で表される基であり、好ましくはアルキル基がそれぞれ炭素数１〜１０のアルキル基であるジアルキルアミノ基である。Ｙ１及びＹ３は、それぞれ前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
尚、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基のアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよく、環構造としては、例えばピロリジン、ピペリジン等が挙げられる。
本発明の第２の化合物では、好ましくは式（Ｂ−２）のＲ７、式（Ｂ−３）のＲ１２、式（Ｂ−４）のＲ１４又はＲ１５、式（Ｂ−５）のＲ１８又はＲ１９、式（Ｂ−７）のＲ２４、式（Ｂ−８）のＲ２７、式（Ｂ−９）のＲ２８又はＲ２９、式（Ｂ−１０）のＲ３０又はＲ３１が、アルキルアミノ基あるいはジアルキルアミノ基である。
【００５７】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数６〜６０のアリールアミノ基としては、アミノ基に結合する置換基のうち少なくとも１つがアリール基であればよく、具体的には、フェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジｐ−トリルアミノ基、ジｍ−トリルアミノ基、フェニルｍ−トリルアミノ基、フェニル−１−ナフチルアミノ基、フェニル−２−ナフチルアミノ基、フェニル（ｓｅｃ−ブチルフェニル）アミノ基、フェニルｔ−ブチルアミノ基、ビス（４−メトキシフェニル）アミノ基、フェニル−４−カルバゾリルフェニルアミノ基等を挙げることができる。
本発明の第２の化合物では、好ましくは式（Ｂ−２）のＲ７、式（Ｂ−３）のＲ１２、式（Ｂ−４）のＲ１４又はＲ１５、式（Ｂ−５）のＲ１８又はＲ１９、式（Ｂ−７）のＲ２４、式（Ｂ−８）のＲ２７、式（Ｂ−９）のＲ２８又はＲ２９、式（Ｂ−１０）のＲ３０又はＲ３１が、アリールアミノ基である。
【００５８】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基は、−ＳＯ２Ｙ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられ、Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基は、−ＳＯ２Ｙ２で表される基であり、Ｙ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００５９】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ペリレニル基、テトラセニル基、ペンタセニル基等が挙げられる。
【００６０】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数３〜６０の芳香族複素環基としては、チオフェニル基、ジチエノフェニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、キノリニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾチアジアゾニル基等が挙げられる。
本発明の化合物では、好ましくは式（Ｂ−２）のＲ７、式（Ｂ−３）のＲ１２、式（Ｂ−４）のＲ１４又はＲ１５、式（Ｂ−５）のＲ１８又はＲ１９、式（Ｂ−７）のＲ２４、式（Ｂ−８）のＲ２７、式（Ｂ−９）のＲ２８又はＲ２９、式（Ｂ−１０）のＲ３０又はＲ３１が、芳香族複素環基である。
芳香族複素環基の置換基としては、前記アルキル基が挙げられる。
【００６１】
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数３〜２０のアルキルシリル基は、−ＳｉＹ１Ｙ２Ｙ３で表される基であり、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３は、それぞれ前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。当該アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の短鎖のアルキル基が好ましい。
Ｒ１〜Ｒ３２の炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基としては、トリメチルシリルエチニル基、トリエチルシリルエチニル基、トリイソプピルシリルエチニル基、ターシャリーブチルジメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
【００６２】
Ｒ１〜Ｒ３２は、好ましくはそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、又はシアノ基である。特に置換基がアルキル基であると、溶解性及び移動度の向上が期待できる
【００６３】
本発明の第２の化合物の具体例を以下に示す。
【化２５】
2011055529.tif 000027
【化２６】
2011055529.tif 000028
【化２７】
2011055529.tif 000029
【化２８】
2011055529.tif 000030
【化２９】
2011055529.tif 000031
【化３０】
2011055529.tif 000032
【化３１】
2011055529.tif 000033
【化３２】
2011055529.tif 000034
【化３３】
2011055529.tif 000035
【化３４】
2011055529.tif 000036
【化３５】
2011055529.tif 000037
【化３６】
2011055529.tif 000038
【化３７】
2011055529.tif 000039
【化３８】
2011055529.tif 000040
【化３９】
2011055529.tif 000041
【化４０】
2011055529.tif 000042
【化４１】
2011055529.tif 000043
【化４２】
2011055529.tif 000044
【化４３】
2011055529.tif 000045
【化４４】
2011055529.tif 000046
【化４５】
2011055529.tif 000047
【化４６】
2011055529.tif 000048
【化４７】
2011055529.tif 000049
【化４８】
2011055529.tif 000050
【化４９】
2011055529.tif 000051
【化５０】
2011055529.tif 000052
【化５１】
2011055529.tif 000053
【化５２】
2011055529.tif 000054
【００６４】
本発明の第２の化合物は、例えば下記合成経路（合成法Ｉ、合成法II及び合成法III）に従って製造できる。
【００６５】
【化５３】
2011055529.tif 000055
（Ｘは、本発明の第２の化合物のＸ１及びＸ２と同様である）
【００６６】
工程１は、出発原料Ａであるハロゲン化ベンゾヘテロ環化合物と２位がメタル化又はホウ素化している３−ブロモナフタレンを連結して中間体Ｂを合成する工程である。工程１に用いる反応としては鈴木−宮浦カップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、根岸カップリング反応，檜山カップリング等が挙げられる。このうち、良好な収率を与える点から鈴木−宮浦カップリング反応が好ましい。
尚、出発原料Ａは市販品もしくは下記論文を参考に合成することができる。
J．Med．Chem．2006  4374-4383．
ELI  LILLY  AND  COMPANY；WO2006/107784；(2006)；(A1)
【００６７】
工程２は、中間体Ｂをホルミル化して中間体Ｃを合成する工程である。工程２に用いる反応としては、Ｓｔｉｌｌｅカルボニル化反応，、ＢｕＬｉ／ＤＭＦあるいはＭｇ／ＤＭＦを用いるホルミル化反応等が挙げられる。これらのうち、取り扱いが容易な点からＢｕＬｉ／ＤＭＦを用いるホルミル化反応が好ましい。
【００６８】
工程３は、Ｗｉｔｔｉｇ試薬を用いてホルミル基をメチルエノールエーテルへ変換し、中間体Ｄを合成する工程である。工程３で用いる試薬としては、塩化（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムを挙げることができる。
【００６９】
工程４は、酸を用いて環化反応を行ない、最終体Ｅを合成する工程である。工程４では、種々のルイス酸、プロトン酸を用いることができ、良好な収率を与えることからメタンスルホン酸を用いると好ましい。
【００７０】
【化５４】
2011055529.tif 000056
【００７１】
工程５は、出発原料Ｆであるハロゲン化アリールとへテロ環を含むメタル化合物又はホウ素化合物と連結して、中間体Ｇを合成する工程である。工程５に用いる反応としては、鈴木−宮浦カップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、根岸カップリング反応，檜山カップリング等が挙げられる。これらのうち、良好な収率を与える点から鈴木−宮浦カップリング反応が好ましい。
【００７２】
工程６は、Ｗｉｔｔｉｇ試薬を用いてホルミル基をメチルエノールエーテルへ変換し、中間体Ｈを合成する工程である。工程６で試薬としては、塩化（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムを挙げることができる。
【００７３】
工程７は、酸を用いて環化反応を行ない、最終体Ｉを合成する工程である。工程７では、種々のルイス酸、プロトン酸を用いることができ、良好な収率を与えることからメタンスルホン酸が好ましい。
【００７４】
【化５５】
2011055529.tif 000057
【００７５】
工程８は、出発原料Ｊであるハロゲン化ベンゾヘテロ環化合物に置換基を導入して中間体Ｋを合成する工程である。工程８に用いる反応としては、鈴木−宮浦カップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、根岸カップリング反応，檜山カップリング反応，根岸カップリング反応等が挙げられる。これらのうち、良好な収率を与える点から鈴木−宮浦カップリング反応，根岸カップリング反応が好ましい。
【００７６】
工程９は、中間体Ｋを臭素化して中間体Ｌを合成する工程である。工程９で用いる試薬としては、Ｎ−ブロモスクシンイミドやＢｕＬｉ／Ｂｒ２等が挙げられる。これらのうち、取り扱いが容易な点からＮ−ブロモスクシンイミドを用いることが好ましい。
【００７７】
工程１０は、２位がメタル化又はホウ素化された３−ブロモナフタレンと中間体Ｍとを連結する工程である。工程１０で用いる反応としては、鈴木−宮浦カップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、根岸カップリング反応，檜山カップリング等が挙げられる。これらのうち、良好な収率を与える点から鈴木−宮浦カップリング反応が好ましい。
【００７８】
工程１１は、中間体Ｍをホルミル化して中間体Ｎを合成する工程である。工程１１で用いる反応としては、Ｓｔｉｌｌｅカルボニル化反応、ＢｕＬｉ／ＤＭＦあるいはＭｇ／ＤＭＦを用いるホルミル化反応等が挙げられる。これらのうち、取り扱いが容易な点からＢｕＬｉ／ＤＭＦを用いるホルミル化反応が好ましい。
【００７９】
工程１２は、Ｗｉｔｔｉｇ試薬を用いてホルミル基をメチルエノールエーテルへ変換し、中間体Ｏを合成する工程である。工程１２に用いる試薬としては塩化（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムを挙げることができる。
【００８０】
工程１３は、酸を用いて環化反応を行ない、最終体Ｐを合成する工程である。工程１３では、種々のルイス酸、プロトン酸を用いることができ、良好な収率を与えることからメタンスルホン酸が好ましい。
【００８１】
以下、本発明の第３の態様について説明する。
本発明の第３の態様の化合物は、下記式（Ｃ−１）又は式（Ｃ−２）で表わされる。
【化５６】
2011055529.tif 000058
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数２〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数２〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、又は炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。
Ｘは、−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｎ（Ｒ１３）−である。
Ｒ９〜Ｒ１３は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のハロアルキル基、炭素数２〜３０のアルコキシ基、炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基、炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数３〜６０の芳香族複素環基、炭素数３〜２０のアルキルシリル基、炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基又はシアノ基であり、これらはさらに置換基を有してもよい。
前記炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基の２つのアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい。Ｒ１３は、メチル基であってもよい。
Ｒ１〜Ｒ１２の少なくとも１つは水素以外の基である。）
【００８２】
式（Ｃ−１）及び式（Ｃ−２）で表される化合物（以下、本発明の第３の化合物という場合がある）は、化合物全体又は分子間へのπ電子共役系の拡張、及びヘテロ原子の重原子効果によって、分子間の相互作用を強くしている。これにより、有機薄膜トランジスタ用材料として用いたときに高い移動度を得ることができる。
また、本発明の第３の化合物は、その構造を非対称とする、及び／又は置換基を導入することにより、有機溶媒に対する溶解性を向上させることができる。
加えて、ペンタセンに代表されるベンゼン環が一直線上に並んだリニアポリアセンと異なり、本発明の第３の化合物は、一部のベンゼン環が屈曲して配置されており、フェナセンと等価構造をとるので、優れた酸化安定性を有する。
【００８３】
本発明の第３の化合物は、好ましくは下記式（Ｃ−３）又は式（Ｃ−４）で表わされる化合物である。
【化５７】
2011055529.tif 000059
（式中、Ｘ、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０及びＲ１１は、（Ｃ−１）及び（Ｃ−２）と同様な基を表わす。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０及びＲ１１の少なくとも１つは水素以外の基である。）
【００８４】
式（Ｃ−３）又は式（Ｃ−４）で表わされる化合物は、Ｒ１〜Ｒ３，Ｒ６〜Ｒ９，及びＲ１２が水素原子である式（Ｃ−１）又は式（Ｃ−２）で表わされる化合物であり、強い分子間相互作用を有し、有機薄膜トランジスタに用いた場合に高い移動度が期待できる。
また、Ｒ４とＲ５の一方、Ｒ１０とＲ１１の一方が水素原子であると、本発明の第３の化合物の合成が容易であるので好ましい。
【００８５】
以下、本発明の第３の化合物の各置換基について説明する。
Ｘは、好ましくは−Ｓ−である。これは、ヘテロ原子（Ｏ，Ｎ及びＳ）は重原子効果と呼ばれる相互作用を有し、これらヘテロ原子のうち、Ｓが大きい相互作用を有するためである。
また、Ｘが−Ｎ（Ｒ１３）−である場合、Ｒ１３は、本発明の第３の化合物の合成が容易及び副生成物の生成が少ない観点から、好ましくは水素原子以外の置換基であり、より好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、特に好ましくはメチル基である。Ｒ１３が水素原子以外の置換基である場合には、高い移動度も期待できる。Ｒ１３は、Ｒ１〜Ｒ１２の場合と異なり、メチル基であってもよい。
【００８６】
Ｒ１〜Ｒ１３のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
ハロゲン原子が直接、式（Ｃ−１）〜式（Ｃ−４）を構成する芳香族環あるいはヘテロ環と結合する場合、その結合位置は、好ましくはＲ４とＲ５の一方、Ｒ１０とＲ１１の一方である。
【００８７】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数２〜３０のアルキル基としては、例えば、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基が挙げられる。
これらアルキル基のうち、溶解性の点から直鎖状アルキル基が好ましい。炭素数が３〜１８の直鎖状アルキル基が好ましく、特に、５〜１２の直鎖状アルキル基が好ましい。尚、炭素数が１９以上の直鎖状アルキル基では、有機薄膜トランジスタに用いた際に耐熱性が不十分となるおそれがある。
尚、炭素数１のアルキル基（メチル基）の場合、化合物の溶解性が不十分であり、塗布プロセスでの使用に支障をきたす。Ｒ１３はメチル基であってもよい。
Ｒ４とＲ５、Ｒ１０とＲ１１のように隣接する基が共にアルキル基である場合は、それぞれ炭素数１〜５のアルキル基のような短鎖アルキル基であると、本発明の第３の化合物の合成が容易であり好ましい。
【００８８】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数２〜３０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ペンタジエニル基、ヘキセニル基、ヘキサジエニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、オクタジエニル基、２−エチルヘキセニル基、デセニル基が挙げられ、好ましくは炭素数２〜１０のアルケニル基である。また、例示したように、二重結合を２個以上有する基であってもよいが、二重結合を１個有するアルケニル基が、目的とする化合物の合成を容易にする点で好適である。
アルケニル基が直接、式（Ｃ−１）〜式（Ｃ−４）を構成する芳香族環あるいはヘテロ環と結合する場合、その結合位置は、好ましくはＲ４とＲ５の一方、Ｒ１０とＲ１１の一方である。
【００８９】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数２〜３０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２−フェニルエチニル基、ｎ−ブチニル基、ｎ−ペンチニル基、ｎ−ヘキシニル基、ｎ−ヘプチニル基、ｎ−オクチニル基、ｎ−ウンデシニル基、ｎ−ドデシニル基が挙げられ、好ましくは炭素数２〜１２のアルキニル基である。
アルキニル基の三重結合は、好ましくは本発明の第３の化合物の式（Ｃ−１）〜式（Ｃ−４）を構成する芳香族環あるいはヘテロ環と、アルキル基を介さずに結合する。アルキニル基の結合位置は、好ましくはＲ４とＲ５の一方、Ｒ１０とＲ１１の一方である。
アルキニル基に付加する置換基としては、フェニル基及び／又はアルキル基で置換されてなるフェニル基が挙げられる。この場合のアルキル基としては、上記の炭素数２〜３０のアルキル基が挙げられるが、メチル基であってもよい。好適な範囲も同様である。
【００９０】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数１〜３０のハロアルキル基としては、例えば、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、フルオロメチル基、１−フルオロエチル基，２−フルオロエチル基、２−フルオロイソブチル基、１，２−ジフロロエチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜１０の１−ハロアルキル基である。
【００９１】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数２〜３０のアルコキシ基は、−ＯＹ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基は、−ＯＹ２で表される基であり、Ｙ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００９２】
Ｒ１〜Ｒ８の炭素数２〜３０のアルキルチオ基は、−ＳＹ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
Ｒ９〜Ｒ１３の炭素数１〜３０のアルキルチオ基は、−ＳＹ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、メチル基及び前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数１〜３０のハロアルキルチオ基は、−ＳＹ２で表される基であり、Ｙ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００９３】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基は、−ＮＨＹ１で表される基であり、好ましくは炭素数１〜１０のアルキルアミノ基である。Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基は−ＮＹ１Ｙ３で表される基であり、好ましくはアルキル基がそれぞれ炭素数１〜１０のアルキル基であるジアルキルアミノ基である。Ｙ１及びＹ３は、それぞれメチル基及び前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
尚、炭素数２〜６０のジアルキルアミノ基のアルキル基は、互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよく、環構造としては、例えばピロリジン、ピペリジン等が挙げられる。
本発明の第３の化合物におけるアルキルアミノ基あるいはジアルキルアミノ基の結合位置は、好ましくはＲ４とＲ５の一方、Ｒ１０とＲ１１の一方である。
【００９４】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数６〜６０のアリールアミノ基としては、アミノ基に結合する置換基のうち少なくとも１つがアリール基であればよく、具体的には、フェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジｐ−トリルアミノ基、ジｍ−トリルアミノ基、フェニルｍ−トリルアミノ基、フェニル−１−ナフチルアミノ基、フェニル−２−ナフチルアミノ基、フェニル（ｓｅｃ−ブチルフェニル）アミノ基、フェニルｔ−ブチルアミノ基、ビス（４−メトキシフェニル）アミノ基、フェニル−４−カルバゾリルフェニルアミノ基等を挙げることができる。
本発明の化合物におけるアリールアミノ基の結合位置は、好ましくはＲ４とＲ５の一方、Ｒ１０とＲ１１の一方である。
【００９５】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数１〜３０のアルキルスルホニル基は、−ＳＯ２Ｙ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、メチル基及び前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられ、Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数１〜３０のハロアルキルスルホニル基は、−ＳＯ２Ｙ２で表される基であり、Ｙ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００９６】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ペリレニル基、テトラセニル基、ペンタセニル基等が挙げられる。
本発明の第３の化合物における芳香族炭化水素基の結合位置は、好ましくはＲ４とＲ５の一方、Ｒ１０とＲ１１の一方である。
【００９７】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数３〜６０の芳香族複素環基としては、チオフェニル基、ジチエノフェニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、キノリニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾチアジアゾニル基等が挙げられる。
本発明の第３の化合物における芳香族複素環基の結合位置は、好ましくはＲ４とＲ５の一方、Ｒ１０とＲ１１の一方である。
芳香族複素環基の置換基としては、メチル基及び前記アルキル基が挙げられる。
【００９８】
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数３〜２０のアルキルシリル基は、−ＳｉＹ１Ｙ２Ｙ３で表される基であり、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３は、それぞれメチル基及び前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。当該アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の短鎖のアルキル基が好ましい。
Ｒ１〜Ｒ１３の炭素数５〜６０のアルキルシリルエチニル基としては、トリメチルシリルエチニル基、トリエチルシリルエチニル基、トリイソプピルシリルエチニル基、ターシャリーブチルジメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
Ｒ９〜Ｒ１３は、シアノ基であってもよい。
【００９９】
Ｒ１〜Ｒ１３は、好ましくはそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数２〜３０のアルコキシ基である。特に置換基がアルキル基であると、溶解性及び移動度の更なる向上が期待できる。
【０１００】
本発明の第３の化合物の具体例を以下に示す。
【化５８】
2011055529.tif 000060
【化５９】
2011055529.tif 000061
【化６０】
2011055529.tif 000062
【化６１】
2011055529.tif 000063
【化６２】
2011055529.tif 000064
【化６３】
2011055529.tif 000065
【化６４】
2011055529.tif 000066
【化６５】
2011055529.tif 000067
【化６６】
2011055529.tif 000068
【０１０１】
これらの第３の化合物は、π共役系を拡張し，またヘテロ原子の重原子効果によって分子間の相互作用を強くすることで、有機トランジスタ材料として用いたときに高い移動度を得ることが出来る。
また、非対称の構造や置換基を導入することにより溶解性を向上させることができる。
ペンタセンに代表されるベンゼン環が一直線上並んだリニアポリアセンに比べ、これらの材料では一部のベンゼン環がジグザグに配置されたフェナセンの等価体構造をとることで酸化安定性を向上させることが出来る。
【０１０２】
本発明の第３の化合物は、例えば、下記の合成法Ａ又はＢで合成することができる。
・合成法Ａ
【化６７】
2011055529.tif 000069
（式中、Ｘは上述した式（Ｃ−１）と同様の基を表し、Ｒは式（Ｃ−１）のＲ１等と同様の基を表し、Ｍはボロン酸等であり、Ｍｅはメチル基である。）
【０１０３】
工程１は、出発原料の２位がホウ素化あるいはメタル化されたベンゾヘテロ環化合物の誘導体とナフタレン誘導体を連結して中間体Ａを合成する工程であり、その際に用いる反応としては鈴木−宮浦カップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、根岸カップリング反応，檜山カップリング等が挙げられる。このうち、良好な収率を与える点から鈴木−宮浦カップリング反応が好ましい。
尚、出発原料は市販品を用いるか、もしくは公知の方法で合成することができる。
工程２では、中間体Ａをホルミル化して中間体Ｂを合成する工程であり，その際に用いる反応としてはＢｕＬｉ／ＤＭＦを用いるホルミル化反応，ＣＨ２ＣｌＯＭｅを用いるＦｒｉｅｄｅｌ−Ｃｒａｆｔｓ反応等が挙げられる。このうち，取り扱いが容易な点からＢｕＬｉ／ＤＭＦを用いるホルミル化反応が好ましい。
工程３では、Ｗｉｔｔｉｇ試薬を用いてホルミル基をメチルエノールエーテルへ変換し、中間体Ｃを合成する工程であり、その際に用いる試薬としては塩化（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムを挙げることができる。
工程４では、酸を用いて環化反応を行ない、最終体Ｄを合成する工程であり、種々のルイス酸、プロトン酸を用いることが出来る。このうち、良好な収率を与えることからメタンスルホン酸が好ましい。
【０１０４】
・合成法Ｂ
【化６８】
2011055529.tif 000070
（式中、Ｘは上述した式（Ｃ−１）と同様の基を表し、Ｒは式（Ｃ−１）のＲ１等と同様の基を表し、Ｍはボロン酸等であり、Ｍｅはメチル基である。）
【０１０５】
工程５では、３−ブロモ−２−ホルミルベンゾヘテロ環化合物と２位がホウ素化あるいはメタル化されたナフタレン誘導体を連結して中間体Ｅを合成する工程であり，その際に用いる反応としては鈴木−宮浦カップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、檜山カップリング等が挙げられる。このうち、良好な収率を与える点から鈴木−宮浦カップリング反応が好ましい。
尚，出発原料は市販品を用いるか，もしくは公知の方法で合成することができる。
工程６では、Ｗｉｔｔｉｇ試薬を用いてホルミル基をメチルエノールエーテルへ変換し、中間体Ｆを合成する工程であり、その際に用いる試薬としては塩化（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムを挙げることができる。
工程７では、酸を用いて環化反応を行ない、最終体Ｇを合成する工程であり、種々のルイス酸、プロトン酸を用いることが出来る。このうち、良好な収率を与えることからメタンスルホン酸が好ましい。
【０１０６】
尚、トランジスタのような電子デバイスにおいては、純度の高い材料を用いることにより電界効果移動度やオン／オフ比を高めることができる。従って必要に応じて、製造した本発明の第１、第２及び第３の化合物（以下、これらをまとめて本発明の化合物と言う場合がある）をカラムクロマトグラフィー、再結晶、蒸留、昇華等の手法により精製を加えることが望ましい。好ましくはこれらの精製方法を繰り返し用いたり、複数の方法を組み合わせたりすることにより、本発明の化合物の純度を向上させる。さらに精製の最終工程として昇華精製を少なくとも２回以上繰り返すことが望ましい。これらの手法を用いることによりＨＰＬＣで測定した純度９０％以上の材料とすることが好ましく、さらに好ましくは９５％以上、特に好ましくは９８．５％以上の材料とすることにより、有機薄膜トランジスタの電界効果移動度やオン／オフ比を高め、材料が本来持っている性能を引き出すことができる。
【０１０７】
本発明の化合物は、有機薄膜トランジスタに好適に用いることができる有機薄膜トランジスタ用化合物であり、有機薄膜トランジスタの有機半導体層材料として特に好適に用いることができる。
本発明の化合物は、有機溶媒に対して高い溶解性を有するので、有機薄膜トランジスタの製造の際に塗布プロセスを適用することができる。また、本発明の化合物は酸化安定性に優れるので、本発明の化合物を用いた有機薄膜トランジスタは、そのトランジスタ特性の経時劣化を低減することができる。
【０１０８】
本発明の化合物を用いて塗布プロセスで有機薄膜トランジスタを製造する場合において、本発明の化合物を溶解させる溶媒としては、トルエン，キシレン等の芳香族系の溶媒；ジクロロメタン，クロロホルム，クロロベンゼン等のハロゲン系溶媒；ジエチルエーテル，テトラヒドロフラン，ジメトキシエタン、アニソール等のエーテル系溶媒；ヘキサン，ヘプタン等の炭化水素系溶媒、Ｎ−メチルピロリドン等のラクタム等が挙げられる。また、これらの溶媒は任意の割合で混合して用いてもよい。塗布プロセスにおいては、その方式により滑らかな膜質等の好適な膜質が得られる溶媒を選択することが好ましい。
本発明の化合物が溶解してなる塗布液は、膜厚０．５ｎｍ〜２μｍの有機半導体層を得る場合、本発明の化合物の濃度は０．０５〜２．０重量％の範囲が好ましい。
【０１０９】
本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成について説明する。
本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成は、少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタである。本発明の有機薄膜トランジスタは、好ましくは有機半導体層が、本発明の化合物を含んでなる。
尚、トランジスタの構造は、特に限定されず、有機半導体層の成分以外が公知の素子構成を有するものであってもよい。
【０１１０】
有機薄膜トランジスタの素子構成の具体例を図を用いて説明する。
図１〜図４は、本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成の一例を示す図である。
図１の有機薄膜トランジスタ１は、基板１０上に、相互に所定の間隔をあけて対向するように形成されたソース電極１１及びドレイン電極１２を有する。そして、ソース電極１１、ドレイン電極１２及びそれらの間の間隙を覆うように有機半導体層１３が形成され、さらに、絶縁体層１４が積層されている。絶縁体層１４の上部であって、かつソース電極１１及びドレイン電極１２の間の間隙上にゲート電極１５が形成されている。
【０１１１】
図２の有機薄膜トランジスタ２は、基板１０上に、ゲート電極１５及び絶縁体層１４をこの順に有し、絶縁体層１４上に、所定の間隔をあけて形成された一対のソース電極１１及びドレイン電極１２を有し、その上に有機半導体層１３が形成される。有機半導体層１３がチャネル領域を成しており、ゲート電極１５に印加される電圧でソース電極１１とドレイン電極１２の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作する。
【０１１２】
図３の有機薄膜トランジスタ３は、基板１０上に、ゲート電極１５、絶縁体層１４及び有機半導体層１３をこの順に有し、有機半導体層１３上に、所定の間隔をあけて形成された一対のソース電極１１及びドレイン電極１２を有する。
【０１１３】
図４の有機薄膜トランジスタ４は、基板１０上に有機半導体層１３を有し、有機半導体層１３上に、所定の間隔をあけて形成された一対のソース電極１１及びドレイン電極１２を有する。そして、さらに絶縁体層１４及びゲート電極１５をこの順に有している。
【０１１４】
本発明の有機薄膜トランジスタは、電界効果トランジスタ構造を有している。上述したとおり、電極の位置、層の積層順等によりいくつかの構成がある。有機薄膜トランジスタは、有機半導体層（有機化合物層）と、相互に所定の間隔をあけて対向するように形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極、ドレイン電極からそれぞれ所定の距離をあけて形成されたゲート電極とを有し、ゲート電極に電圧を印加することによってソース−ドレイン電極間に流れる電流を制御する。ここで、ソース電極とドレイン電極の間隔は本発明の有機薄膜トランジスタを用いる用途によって決定され、通常は０．１μｍ〜１ｍｍ、好ましくは１μｍ〜１００μｍ、さらに好ましくは５μｍ〜１００μｍである。
【０１１５】
有機薄膜トランジスタは、上記の素子構成の他にも、種々の構成が提案されている。本発明の有機薄膜トランジスタは、ゲート電極に印加される電圧でソース電極とドレイン電極の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作や増幅等の効果が発現する仕組みを有すれば、上記素子構成に限定されるものではない。
【０１１６】
例えば、産業技術総合研究所の吉田らにより第４９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集２７ａ−Ｍ−３（２００２年３月）において提案されたトップアンドボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ（図５参照）や、千葉大学の工藤らにより電気学会論文誌１１８−Ａ（１９９８）１４４０頁において提案された縦形の有機薄膜トランジスタ（図６参照）のような素子構成を有するものであってもよい。
以下、有機薄膜トランジスタの構成部材について説明する。
【０１１７】
（有機半導体層）
本発明の有機薄膜トランジスタにおける有機半導体層は、好ましくは本発明の有機薄膜トランジスタ用化合物を含んでなる。
有機半導体層は、本発明の化合物１種類からなってもよく、複数種からなってもよい。また、有機半導体層は、本発明の目的を損なわない範囲で、ペンタセン、チオフェンオリゴマー等の公知の半導体を含んでもよく、複数の化合物の混合物からなる薄膜又は積層体であってもよい。
【０１１８】
有機半導体層の膜厚は、特に制限されることはないが、通常、０．５ｎｍ〜１μｍであり、２ｎｍ〜２５０ｎｍであると好ましい。
また、有機半導体層の形成方法は特に限定されることはなく公知の方法を適用でき、例えば、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、真空蒸着法、化学蒸着、材料を溶媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、インクジェット法等の印刷、塗布法及びベーキング、エレクトロポリマラインゼーション、溶液からのセルフ・アセンブリ、及びこれらの組合せた方法を用いることができる。
【０１１９】
有機半導体層の結晶性を向上させることにより、電界効果移動度を向上させることができるので、成膜方法に関わらず成膜後にアニーリングを実施すると高性能デバイスが得られるため好ましい。アニーリングの温度は５０〜２００℃が好ましく、７０〜２００℃であるとさらに好ましく、時間は１０分〜１２時間が好ましく、１〜１０時間であるとさらに好ましい。
【０１２０】
（基板）
本発明の有機薄膜トランジスタにおける基板は、有機薄膜トランジスタの構造を支持する役目を担う。基板の材料としてはガラスの他、金属酸化物や窒化物等の無機化合物、プラスチックフィルム（ＰＥＴ，ＰＥＳ，ＰＣ）や金属基板又はこれら複合体や積層体等も用いることが可能である。また、基板以外の構成要素により有機薄膜トランジスタの構造を十分に支持し得る場合には、基板を使用しないことも可能である。基板の材料としてはシリコン（Ｓｉ）ウエハが用いられることが多いが、Ｓｉ自体をゲート電極兼基板として用いることができる。また、Ｓｉの表面を酸化し、ＳｉＯ２を形成して絶縁層として活用することも可能である。この場合、基板兼ゲート電極のＳｉ基板にリード線接続用の電極として、Ａｕ等の金属層を成膜することもある。
【０１２１】
（電極）
本発明の有機薄膜トランジスタにおける、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の材料としては、導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン、鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられる。
【０１２２】
前記電極の形成方法としては、例えば、蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、大気圧プラズマ法、イオンプレーティング、化学気相蒸着、電着、無電解メッキ、スピンコーティング、印刷又はインクジェット等が挙げられる。また、必要に応じて行うパターニングの方法としては、上記の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅等の金属箔上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法等がある。
【０１２３】
このようにして形成された電極の膜厚は電流の導通さえあれば特に制限はないが、好ましくは０．２ｎｍ〜１０μｍ、さらに好ましくは４ｎｍ〜３００ｎｍの範囲である。この好ましい範囲内であれば、膜厚が薄いことにより抵抗が高くなり電圧降下を生じることがない。また、上記膜厚の範囲は、厚すぎないため膜形成に時間がかからず、保護層や有機半導体層等他の層を積層する場合に、段差が生じることが無く積層膜が円滑にできる。
【０１２４】
本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極の他の形成方法としては、上記の導電性材料を含む、溶液、ペースト、インク、分散液等の流動性電極材料を用いて形成することもできる。この場合特に、導電性ポリマー、又は白金、金、銀、銅を含有する金属微粒子を含む流動性電極材料を用いて形成する方法が好ましい。
【０１２５】
溶媒や分散媒体としては、有機半導体へのダメージを抑制するため、水を６０質量％以上、好ましくは９０質量％以上含有する溶媒又は分散媒体であることが好ましい。金属微粒子を含有する分散物としては、例えば、公知の導電性ペースト等を用いてもよいが、通常粒子径が０．５ｎｍ〜５０ｎｍ、１ｎｍ〜１０ｎｍの金属微粒子を含有する分散物であると好ましい。
【０１２６】
金属微粒子の材料としては、例えば、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、亜鉛等を用いることができる。これらの金属微粒子を、主に有機材料からなる分散安定剤を用いて、水や任意の有機溶剤である分散媒中に分散した分散物を用いて電極を形成するのが好ましい。
【０１２７】
金属微粒子の分散物の製造方法としては、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合成法等の物理的生成法や、コロイド法、共沈法等の、液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する化学的生成法が挙げられ、好ましくは、特開平１１−７６８００号公報、同１１−８０６４７号公報、同１１−３１９５３８号公報、特開２０００−２３９８５３号公報等に示されたコロイド法、特開２００１−２５４１８５号公報、同２００１−５３０２８号公報、同２００１−３５２５５号公報、同２０００−１２４１５７号公報、同２０００−１２３６３４号公報等に記載されたガス中蒸発法により製造された金属微粒子の分散物である。
【０１２８】
金属微粒子分散物を用いて直接インクジェット法によりパターニングしてもよく、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーション等により形成してもよい。また凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等の印刷法でパターニングする方法も用いることができる。電極を成形し、溶媒を乾燥させた後、必要に応じて１００℃〜３００℃、好ましくは１５０℃〜２００℃の範囲で形状様に加熱することにより、金属微粒子を熱融着させ、目的の形状を有する電極パターンを形成できる。
【０１２９】
ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の他の材料として、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマーを用いることも好ましい。例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸の錯体等が好適に用いられる。これらの材料を用いることによりソース電極とドレイン電極の有機半導体層との接触抵抗を低減することができる。形成方法もインクジェット法によりパターニングしてもよく、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーション等により形成してもよい。また凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等の印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【０１３０】
特にソース電極及びドレイン電極を形成する材料は、前述した例の中でも有機半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。この際の電気抵抗は、即ち電流制御デバイスを作製したとき電界効果移動度と対応しており、大きな移動度を得るためにはできるだけ抵抗が小さいことが必要である。これは一般に電極材料の仕事関数と有機半導体層のエネルギー準位との大小関係で決まる。
【０１３１】
電極材料の仕事関数（Ｗ）をａ、有機半導体層のイオン化ポテンシャルを（Ｉｐ）をｂ、有機半導体層の電子親和力（Ａｆ）をｃとすると、以下の関係式を満たすことが好ましい。ここで、ａ、ｂ及びｃはいずれも真空準位を基準とする正の値である。
ｐ型有機薄膜トランジスタの場合には、ｂ−ａ＜１．５ｅＶ（式（Ｉ））であることが好ましく、さらに好ましくはｂ−ａ＜１．０ｅＶである。有機半導体層との関係において上記関係が維持できれば高性能なデバイスを得ることができるが、特に電極材料の仕事関数はできるだけ大きいことものを選ぶことが好ましく、仕事関数４．０ｅＶ以上であることが好ましく、さらに好ましくは仕事関数４．２ｅＶ以上である。
【０１３２】
金属の仕事関数の値は、例えば化学便覧  基礎編ＩＩ−４９３頁（改訂３版  日本化学会編  丸善株式会社発行１９８３年）に記載されている４．０ｅＶ又はそれ以上の仕事関数をもつ有効金属の前記リストから選別すればよい。
高仕事関数金属は、主としてＡｇ（４．２６，４．５２，４．６４，４．７４ｅＶ），Ａｌ（４．０６，４．２４，４．４１ｅＶ），Ａｕ（５．１，５．３７，５．４７ｅＶ），Ｂｅ（４．９８ｅＶ），Ｂｉ（４．３４ｅＶ），Ｃｄ（４．０８ｅＶ），Ｃｏ（５．０ｅＶ），Ｃｕ（４．６５ｅＶ），Ｆｅ（４．５，４．６７，４．８１ｅＶ），Ｇａ（４．３ｅＶ），Ｈｇ（４．４ｅＶ），Ｉｒ（５．４２，５．７６ｅＶ），Ｍｎ（４．１ｅＶ），Ｍｏ（４．５３，４．５５，４．９５ｅＶ），Ｎｂ（４．０２，４．３６，４．８７ｅＶ），Ｎｉ（５．０４，５．２２，５．３５ｅＶ），Ｏｓ（５．９３ｅＶ），Ｐｂ（４．２５ｅＶ），Ｐｔ（５．６４ｅＶ），Ｐｄ（５．５５ｅＶ），Ｒｅ（４．７２ｅＶ），Ｒｕ（４．７１ｅＶ），Ｓｂ（４．５５，４．７ｅＶ），Ｓｎ（４．４２ｅＶ），Ｔａ（４．０，４．１５，４．８ｅＶ），Ｔｉ（４．３３ｅＶ），Ｖ（４．３ｅＶ），Ｗ（４．４７，４．６３，５．２５ｅＶ），Ｚｒ（４．０５ｅＶ）等である。
【０１３３】
これらの中でも、貴金属（Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ），Ｎｉ，Ｃｏ，Ｏｓ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｖ，Ｗが好ましい。金属以外では、ＩＴＯ、ポリアニリンやＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのような導電性ポリマー及び炭素が好ましい。電極材料としては、これら高仕事関数の物質を１種又は複数含んでいても、仕事関数が前記式（Ｉ）を満たせば特に制限を受けるものではない。
【０１３４】
ｎ型有機薄膜トランジスタの場合にはａ−ｃ＜１．５ｅＶ（式（ＩＩ））であることが好ましく，さらに好ましくはａ−ｃ＜１．０ｅＶである。有機半導体層との関係において上記関係が維持できれば高性能なデバイスを得ることができるが、特に電極材料の仕事関数はできるだけ小さいものを選ぶことが好ましく、仕事関数４．３ｅＶ以下であることが好ましく、さらに好ましくは仕事関数３．７ｅＶ以下である。
【０１３５】
低仕事関数金属の具体例としては、例えば化学便覧  基礎編ＩＩ−４９３頁（改訂３版  日本化学会編  丸善株式会社発行１９８３年）に記載されている４．３ｅＶ又はそれ以下の仕事関数をもつ有効金属の前記リストから選別すればよく、Ａｇ（４．２６ｅＶ），Ａｌ（４．０６，４．２８ｅＶ），Ｂａ（２．５２ｅＶ），Ｃａ（２．９ｅＶ），Ｃｅ（２．９ｅＶ），Ｃｓ（１．９５ｅＶ），Ｅｒ（２．９７ｅＶ），Ｅｕ（２．５ｅＶ），Ｇｄ（３．１ｅＶ），Ｈｆ（３．９ｅＶ），Ｉｎ（４．０９ｅＶ），Ｋ（２．２８ｅＶ），Ｌａ（３．５ｅＶ），Ｌｉ（２．９３ｅＶ），Ｍｇ（３．６６ｅＶ），Ｎａ（２．３６ｅＶ），Ｎｄ（３．２ｅＶ），Ｒｂ（４．２５ｅＶ），Ｓｃ（３．５ｅＶ），Ｓｍ（２．７ｅＶ），Ｔａ（４．０，４．１５ｅＶ），Ｙ（３．１ｅＶ），Ｙｂ（２．６ｅＶ），Ｚｎ（３．６３ｅＶ）等が挙げられる。これらの中でも、Ｂａ，Ｃａ，Ｃｓ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｆ，Ｋ，Ｌａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｎｄ，Ｒｂ，Ｙ，Ｙｂ，Ｚｎが好ましい。
【０１３６】
電極材料としては、これら低仕事関数の物質を１種又は複数含んでいても、仕事関数が前記式（ＩＩ）を満たせば特に制限を受けるものではない。ただし、低仕事関数金属は、大気中の水分や酸素に触れると容易に劣化してしまうので、必要に応じてＡｇやＡｕのような空気中で安定な金属で被覆することが望ましい。被覆に必要な膜厚は１０ｎｍ以上必要であり、膜厚が熱くなるほど酸素や水から保護することができるが、実用上、生産性を上げる等の理由から１ｕｍ以下にすることが望ましい。
【０１３７】
本発明の有機薄膜トランジスタでは、例えば、電荷の注入効率を向上させる目的で、有機半導体層とソース電極及びドレイン電極との間に、バッファ層を設けてもよい。バッファ層としてはｎ型有機薄膜トランジスタに対しては有機ＥＬの陰極あるいは電子注入層に用いられるにＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＣｓＦ、Ｎａ２ＣＯ３、ＫＣｌ、ＭｇＦ２、ＣａＣＯ３等のアルカリ金属、アルカリ土類金属でイオン結合を持つ化合物が望ましい。また、Ａｌｑ３等有機ＥＬで電子注入層、電子輸送層として用いられる化合物を挿入してもよい。
【０１３８】
ｐ型有機薄膜トランジスタに対してはＦｅＣｌ３、ＴＣＮＱ、Ｆ４−ＴＣＮＱ、ＨＡＴ等のシアノ化合物、ＣＦｘやＧｅＯ２、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＶＯ２、Ｖ２Ｏ３、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＲｅＯ３、ＰｂＯ２等のアルカリ金属、アルカリ土類金属以外の金属酸化物、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の無機化合物が望ましい。
これら酸化物は多くの場合、酸素欠損を起こし、これが正孔注入に好適である。さらにはＴＰＤやＮＰＤ等のアミン系化合物やＣｕＰｃ等の有機ＥＬ素子において正孔注入層、正孔輸送層として用いられる化合物でもよい。また、上記の化合物二種類以上からなる混合物が望ましい。
【０１３９】
バッファ層は、キャリアの注入障壁を下げることにより閾値電圧を下げ、トランジスタを低電圧駆動させる効果があることが知られているが、本発明の化合物に対しても低電圧駆動させる効果を有する。
バッファ層は、電極と有機半導体層との間に薄く存在すればよく、その厚みは０．１ｎｍ〜３０ｎｍ、好ましくは０．３ｎｍ〜２０ｎｍである。
【０１４０】
（絶縁体層）
本発明の有機薄膜トランジスタにおける絶縁体層の材料としては、電気絶縁性を有し薄膜として形成できるものであるのなら特に限定されず、金属酸化物（珪素の酸化物を含む）、金属窒化物（珪素の窒化物を含む）、高分子、有機低分子等室温での電気抵抗率が１０Ωｃｍ以上の材料を用いることができ、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。
【０１４１】
無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、ランタン酸化物、フッ素酸化物、マグネシウム酸化物、ビスマス酸化物、チタン酸ビスマス、ニオブ酸化物，チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、五酸化タンタル、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム及びこれらを組合せたもの等が挙げられ、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンが好ましい。
また、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ（ｘ、ｙ＞０））、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
【０１４２】
さらに、絶縁体層は、アルコキシド金属を含む前駆物質で形成されていてもよく、この前駆物質の溶液を、例えば基板に被覆し、これを熱処理を含む化学溶液処理をすることにより絶縁体層が形成される。
前記アルコキシド金属における金属としては、例えば、遷移金属、ランタノイド、又は主族元素から選択され、具体的には、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、チタン（Ｔｉ）、ビスマス（Ｂｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコン（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、フランシウム（Ｆｒ）ベリリウム（Ｂｅ）マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ニオブ（Ｎｂ）、タリウム（Ｔｌ）、水銀（Ｈｇ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、スカンジウム（Ｓｃ）及びイットリウム（Ｙ）等が挙げられる。また、前記アルコキシド金属におけるアルコキシドとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブチルアルコール等を含むアルコール類、メトキシエタノール、エトキシエタノール、プロポキシエタノール、ブトキシエタノール、ペントキシエタノール、ヘプトキシエタノール、メトキシプロパノール、エトキシプロパノール、プロポキシプロパノール、ブトキシプロパノール、ペントキシプロパノール、ヘプトキシプロパノールを含むアルコキシアルコール類等から誘導されるものが挙げられる。
【０１４３】
本発明において、絶縁体層を上記したような材料で構成すると、絶縁体層中に分極が発生しやすくなり、トランジスタ動作のしきい電圧を低減することができる。
【０１４４】
有機化合物を用いた絶縁体層としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系あるいは光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、及びシアノエチルプルラン等を用いることもできる。
【０１４５】
その他、ワックス、ポリエチレン、ポリクロロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリビニルクロライド、ポリフッ化ビニリデン、ポリサルホン、ポリイミドシアノエチルプルラン、ポリ（ビニルフェノール）（ＰＶＰ）、ポリ（メチルメタクレート）（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリオレフィン、ポリアクリルアミド、ポリ（アクリル酸）、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリイミド、ポリキシリレン、エポキシ樹脂に加え、プルラン等の高い誘電率を持つ高分子材料を使用することも可能である。
【０１４６】
絶縁体層に用いる有機化合物材料、高分子材料として、特に好ましいのは撥水性を有する材料である。撥水性を有することにより絶縁体層と有機半導体層との相互作用を抑え、有機半導体が本来保有している凝集性を利用して有機半導体層の結晶性を高めデバイス性能を向上させることができる。このような例としては、Ｙａｓｕｄａら  Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．４２（２００３）ｐｐ．６６１４−６６１８に記載のポリパラキシリレン誘導体やＪａｎｏｓ  Ｖｅｒｅｓ  ら  Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．１６（２００４）ｐｐ．４５４３−４５５５に記載の材料が挙げられる。
【０１４７】
また、図１及び図４に示すようなトップゲート構造を用いるときに、このような有機化合物を絶縁体層の材料として用いると、有機半導体層に与えるダメージを小さくして成膜することができるため有効な方法である。
【０１４８】
前記絶縁体層は、前述したような無機又は有機化合物材料を複数用いた混合層であってもよく、これらの積層構造体であってもよい。この場合、必要に応じて誘電率の高い材料と撥水性を有する材料を混合したり、積層することによりデバイスの性能を制御することもできる。
【０１４９】
前記絶縁体層は、陽極酸化膜、又は該陽極酸化膜を構成として含んでもよい。陽極酸化膜は封孔処理されることが好ましい。陽極酸化膜は、陽極酸化が可能な金属を公知の方法により陽極酸化することにより形成される。陽極酸化処理可能な金属としては、アルミニウム又はタンタルを挙げることができ、陽極酸化処理の方法には特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。陽極酸化処理を行なうことにより、酸化被膜が形成される。陽極酸化処理に用いられる電解液としては、多孔質酸化皮膜を形成することができるものならば、いかなるものでも使用でき、一般には、硫酸、燐酸、蓚酸、クロム酸、ホウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸等あるいはこれらを２種類以上組み合わせた混酸又はそれらの塩が用いられる。
【０１５０】
陽極酸化の処理条件は使用する電解液により種々変化するので一概に特定し得ないが、一般的には、電解液の濃度が１〜８０質量％、電解液の温度５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｃｍ２、電圧１〜１００ボルト、電解時間１０秒〜５分の範囲が適当である。好ましい陽極酸化処理は、電解液として硫酸、リン酸又はホウ酸の水溶液を用い、直流電流で処理する方法であるが、交流電流を用いることもできる。これらの酸の濃度は５〜４５質量％であることが好ましく、電解液の温度２０〜５０℃、電流密度０．５〜２０Ａ／ｃｍ２で２０〜２５０秒間電解処理するのが好ましい。
【０１５１】
絶縁体層の厚さとしては、層の厚さが薄いと有機半導体に印加される実効電圧が大きくなるので、デバイス自体の駆動電圧、閾電圧を下げることができるが、逆にソース−ゲート間のリーク電流が大きくなるので、適切な膜厚を選ぶ必要があり、通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２μｍ、さらに好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
【０１５２】
前記絶縁体層と有機半導体層の間に、任意の配向処理を施してもよい。
配向処理の好ましい例としては、絶縁体層表面に撥水化処理等を施し絶縁体層と有機半導体層との相互作用を低減させ有機半導体層の結晶性を向上させる方法であり、具体的には、シランカップリング剤、例えば、ヘキサメチルジシラザン、オクタデシルトリクロロシラン、トリクロロメチルシラザンや、アルカン燐酸、アルカンスルホン酸、アルカンカルボン酸等の自己組織化配向膜材料を、液相又は気相状態で、絶縁膜表面に接触させ自己組織化膜を形成後、適度に乾燥処理を施す方法が挙げられる。また、液晶の配向に用いられるように、絶縁膜表面にポリイミド等で構成された膜を設置し、その表面をラビング処理する方法も好ましい。
【０１５３】
前記絶縁体層の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、特開平１１−６１４０６号公報、同１１−１３３２０５号公報、特開２０００−１２１８０４号公報、同２０００−１４７２０９号公報、同２０００−１８５３６２号公報に記載の大気圧プラズマ法等のドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法等の塗布による方法、印刷やインクジェット等のパターニングによる方法等のウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤又は水に必要に応じて界面活性剤等の分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えば、アルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。
【０１５４】
本発明の有機薄膜トランジスタの形成方法としては、特に限定されず公知の方法によればよいが、所望の素子構成に従い、基板投入、ゲート電極形成、絶縁体層形成、有機半導体層形成、ソース電極形成、ドレイン電極形成までの一連の素子作製工程を全く大気に触れることなく形成すると、大気との接触による大気中の水分や酸素等による素子性能の阻害を防止できるため好ましい。やむをえず、一度大気に触れさせなければならないときは、有機半導体層成膜以後の工程は大気に全く触れさせない工程とし、有機半導体層成膜直前には、有機半導体層を積層する面を紫外線照射、紫外線／オゾン照射、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等で清浄化・活性化した後、有機半導体層を積層することが好ましい。また、ｐ型ＴＦＴ材料の中には一旦大気にふれさせ、酸素等を吸着させることにより性能が向上するものもあるので、材料によっては適宜大気にふれさせる。
【０１５５】
大気中に含まれる酸素、水等の有機半導体層に対する影響を考慮し、有機トランジスタ素子の外周面の全面又は一部に、ガスバリア層を形成してもよい。ガスバリア層を形成する材料としては、この分野で常用されるものを使用でき、例えば、ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリクロロトリフロロエチレン等が挙げられる。さらに、前記絶縁体層で例示した、絶縁性を有する無機物も使用できる。
【０１５６】
本発明では、ソース電極−ドレイン電極間を流れる電流を利用して発光し、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタを提供することができる。即ち、有機薄膜トランジスタを発光素子（有機ＥＬ）として用いることができる。発光を制御するためのトランジスタと発光素子を統合できるため、ディスプレイの開口率向上や作製プロセスの簡易化によるコストダウンが可能となり実用上の大きなメリットを与える。有機発光トランジスタとして用いるときは、ソース電極、ドレイン電極の一方から正孔、もう一方から電子を注入する必要あり、発光性能を向上させるため以下の条件を満たすことが好ましい。
【０１５７】
有機薄膜発光トランジスタでは、正孔の注入性を向上させるため、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方は正孔注入性電極であることが好ましい。正孔注入電極とは上記仕事関数４．２ｅＶ以上の物質を含む電極である。
【０１５８】
有機薄膜発光トランジスタは、電子の注入性を向上させるため、好ましくはソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方は電子注入性電極であり、さらに好ましくは、一方が正孔注入性であり、且つ、もう一方が電子注入性である電極を備える有機薄膜発光トランジスタである。
尚、電子注入性電極とは上記仕事関数４．３ｅＶ以下の物質を含む電極である。
【０１５９】
正孔の注入性を向上させるため、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の電極と有機半導体層の間に正孔注入層を挿入することが好ましい。正孔注入層には有機ＥＬ素子において、正孔注入材料、正孔輸送材料として用いられるアミン系材料が挙げられる。
【０１６０】
電子の注入性を向上させるため、有機薄膜発光トランジスタは、好ましくはソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の電極と有機半導体層の間に電子注入性層を挿入し、さらに好ましくは一方の電極に正孔注入層を備え、且つ、もう一方の電極に電子注入層を挿入する。上述の正孔注入層と同じく、電子注入層には有機ＥＬ素子に用いられる電子注入材料を用いることができる
【０１６１】
本発明の有機薄膜トランジスタを用いた装置とは、本発明の有機薄膜トランジスタを用いる装置であればよく、例えば、回路、パーソナルコンピュータ、ディスプレイ、携帯電話、電子ペーパー等である。
【実施例】
【０１６２】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されない。【０１６３】
実施例１
化合物（Ａ８）を以下の合成スキームに従って合成した。
【化６９】
2011055529.tif 000071
【０１６４】
［中間体Ａ１の合成］
２００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに２−ブロモアントラセン（２．２ｇ，８．２ｍｍｏｌ）、ビスピナコラトジボロン（２．３ｇ，９．０ｍｍｏｌ）、ジフェニルホスフィノフェロセンジクロロパラジウム／ジクロロメタン錯体（０．２ｇ，０．２４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２．６ｇ、２７ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ジメチルスルホキシド（３０ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を８０℃で１０時間攪拌した。反応終了後、トルエン及び水を加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗精製物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ１（１．７ｇ、収率６８％）を得た。
中間体Ａ１の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。結果を以下に示す。
δ  8.57(s,1H)，8.47(s,1H)，8.40(s,1H)，8.03-7.99(m,2H)，7.98(d,J=8Hz,1H)，7.79(dd,J=1Hz,1H)，7.48-7.45(m,2H)，1.41(s,12H)【０１６５】
［中間体Ａ２の合成］
２００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに中間体Ａ１（３．６ｇ，１２ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−５−クロロベンズアルデヒド（２．４ｇ，１１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．３８ｇ，０．３３ｍｍｏｌ）を秤りとり、ジメトキシエタン（４０ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液に炭酸ナトリウム（３．８ｇ，３６ｍｍｏｌ）の２０ｍＬ水溶液を加え、１１時間加熱還流した。反応終了後、水を加え、得られた固体を濾過した後、水及びメタノールで洗浄した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ２（３．４ｇ、収率９８％）を得た。
中間体Ａ２の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。結果を以下に示す。
δ  10.03(s,1H)，8.50(s,1H)，8.48(s,1H)，8.12(d,J=9Hz,1H)，8.06-8.03(m,3H)，7.95(s,1H)，7.66(dd,J=8,2Hz,1H)，7.57(d,J=8Hz,1H)，7.53-7.47(m,3H)【０１６６】
［中間体Ａ３の合成］
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに(メトキシメチル)トリフェニルホスホニウムクロリド（５．５ｇ，１６ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水テトラヒドロフラン（１２０ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液に、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（１．８ｇ，１６ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌し、さらに中間体Ａ２（３．４ｇ，１１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１０時間攪拌した。反応終了後、水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ３（４．１ｇ）を２種の異性体混合物として得た（ｑｕａｎｔ．Ｅ体：Ｚ体＝２：３）。
中間体Ａ３の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。結果を以下に示す。尚、積分値はＺ体の水素１つ分を１Ｈとした。
δ  8.44(s,2H)，8.42(s,3H)，8.18(d,J=2Hz,1H)，8.03-7.99(m,6H)，7.53(d,J=10Hz,2.6H)，7.49-7.43(m,8H)，7.39-7.23(m,8H)，6.49(d,J=13Hz,1.6H)，6.10(d,J=7Hz,1H)，5.76(d,J=13Hz,1.6H)，5.19(d,J=7Hz,1H)，3.78(s,3H)，3.49(s,5H)【０１６７】
［中間体Ａ４の合成］
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに中間体Ａ３（３．８ｇ，１１ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ジクロロメタン（１６０ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を氷冷し、メタンスルホン酸（０．７ｍＬ，１１ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、５℃で１時間、室温で８時間攪拌した。反応終了後、溶液を濃縮し、メタノールを加えた後、生じた固体を濾過し、中間体Ａ４（２．８ｇ、収率８１％）を得た。
中間体Ａ４の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。結果を以下に示す。
δ  9.29(s,1H)，8.94(d,J=9Hz,1H)，8.69(d,J=9Hz,1H)，8.56(d,J=9Hz,1H)，8.51(s,1H)，8.19-8.08(m,3H)，8.00-7.98(m,2H)，7.65(dd,J=9,2Hz,1H)，7.61-7.57(m,2H)【０１６８】
［化合物（Ａ８）の合成］
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに中間体Ａ４（０．７０ｇ，２．２ｍｍｏｌ）、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（II）ジクロリド（０．０６ｇ，０．１１ｍｍｏｌ，５ｍｏｌ％）を秤り取り、系内をアルゴン置換した後、無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）に溶解させた。オクチルマグネシウムブロミドの１．０ＭのＴＨＦ溶液（３．４ｍＬ，３．４ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ）を加え、２日間攪拌した。希塩酸を加えて反応を停止し、有機層を抽出した。硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（Ａ８）を得た（０．６８ｇ，７８％）。
化合物（Ａ８）の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。結果を以下に示す。
δ  9.29(s,1H)，8.88(d,J=10Hz,1H)，8.67(d,J=9Hz,1H)，8.62(d,J=9Hz,1H)，8.50(s,1H)，8.18-8.16(m,1H)，8.08(m,2H)，7.80(s,1H)，7.57-7.56(m,3H)，2.86(t,J=8Hz,2H)，1.78(t,J=8Hz,2H)，1.43-1.26(m,10H)，0.89(t,J=8Hz,3H)
また、化合物（Ａ−８）のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析結果を以下に示す。
計算値Ｃ３０Ｈ３０＝３９０、実測値ｍ／ｚ＝３９０（Ｍ＋，１００）．【０１６９】
得られた化合物（Ａ８）について、以下の方法により、溶解度及び酸化安定性を評価した。結果を表１に示す。
（１）溶解度
化合物（Ａ８）を０．５ｍｇ秤りとり、室温下において、０．４ｗｔ％トルエン溶液となるようにトルエンを加えた。この溶液を５分間攪拌した後、沈殿物がないかどうか目視で確認し、沈殿物がないときを「○」とし、沈殿物があるときを「×」とした。
尚、化合物（Ａ８）は、室温下でトルエンに１ｗｔ％以上の濃度で溶解した。
（２）酸化安定性
化合物（Ａ８）をテトラヒドロフランに溶解させ、この溶液を蛍光灯照射下にて４０分間放置した。光照射前後のＨＰＬＣ純度を測定した。純度低下が１％以下であれば「○」とし、１％以上であれば「×」とした。【０１７０】
［有機薄膜トランジスタの製造］
ガラス基板を中性洗剤、純水、アセトン及びエタノールで各３０分超音波洗浄した後、スパッタ法にて金（Ａｕ）を４０ｎｍ成膜してゲート電極を作製した。次いで、この基板を熱ＣＶＤ装置の成膜部にセットした。一方、原料の蒸発部には、絶縁体層の原料のポリパラキシレン誘導体［ポリパラ塩化キシレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）］（商品名；ｄｉＸ−Ｃ，第三化成社製）２５０ｍｇをシャーレに入れて設置した。熱ＣＶＤ装置を真空ポンプで真空に引き、５Ｐａまで減圧した後、蒸発部を１８０℃、重合部を６８０℃まで加熱して２時間放置し、ゲート電極上に厚さ１μｍの絶縁体層を形成した。次いで化合物（Ａ８）をクロロホルムに溶解させて０．５重量％クロロホルム溶液とし、絶縁体層まで成膜した基板の上にスピンコーター（ミカサ社製：１Ｈ−Ｄ７）で成膜し、窒素雰囲気下８０℃にて乾燥させ有機半導体層とした。金属マスクを通して金を５０ｎｍの膜厚で成膜することにより、互いに接しないソース電極及びドレイン電極を、間隔（チャンネル長Ｌ）が７５μｍになるように形成した。このとき、ソース電極とドレイン電極の幅（チャンネル幅Ｗ）は５ｍｍとし、有機薄膜トランジスタを作製した。【０１７１】
得られた有機薄膜トランジスタのゲート電極に−７０Ｖのゲート電圧ＶＧを印加し、ｐ型駆動させた。ソース−ドレイン電極間の電流のオン／オフを測定し、正孔の電界効果移動度μを算出した。結果を表１に示す。【０１７２】
実施例２
実施例１の化合物（Ａ８）の合成において、オクチルマグネシウムブロミドの代わりにドデシルマグネシウムブロミドを用いた他は同様の反応を行い、化合物（Ａ１２）を合成した。
化合物（Ａ１２）の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。結果を以下に示す。
δ  9.29(s,1H)，8.88(d,J=10Hz,1H)，8.67(d,J=9Hz,1H)，8.62(d,J=9Hz,1H)，8.50(s,1H)，8.18-8.16(m,1H)，8.08(m,2H)，7.80(s,1H)，7.57-7.56(m,3H)，2.86(t,J=8Hz,2H)，1.78(t,J=8Hz,2H)，1.43-1.26(m,18H)，0.88(t,J=8Hz,3H)
また、化合物（Ａ１２）のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析結果を以下に示す。
計算値Ｃ３４Ｈ３８＝４４６、実測値ｍ／ｚ＝４４６（Ｍ＋，１００）【０１７３】
得られた化合物（Ａ１２）の溶解度及び酸化安定性を実施例１と同様にして評価した。また、化合物（Ａ８）の代わりに化合物（Ａ１２）を用いた他は実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを製造し、評価した。結果を表１に示す。
尚、化合物（Ａ１２）は、室温下でトルエンに０．４ｗｔ％以上の濃度で溶解した。【０１７４】
実施例３
中間体（Ａ７）を以下の合成スキームに従って合成した。
【化７０】
2011055529.tif 000072
【０１７５】
［中間体Ａ５の合成］
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコにボロン酸（２．２ｇ，１４ｍｍｏｌ）、５−ブロモ−２−メトキシベンズアルデヒド（２．８ｇ，１３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．５ｇ，０．４３ｍｍｏｌ）を秤りとり、ジメトキシエタン（６０ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液に炭酸ナトリウム（４．０ｇ，３８ｍｍｏｌ）の３０ｍＬ水溶液を加え、１１時間加熱還流した。反応終了後、水を加え、酢酸エチルにて抽出、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ５（１．６ｇ、収率５０％）を得た。【０１７６】
［中間体Ａ６の合成］
１００ｍＬナス型フラスコに中間体Ａ５（１．０ｇ，３．８ｍｍｏｌ）を秤りとり、ジクロロメタン（１０ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液に三臭化ホウ素の1Ｍジクロロメタン溶液（５．０ｍｌ，５．０ｍｍｏｌ）を０℃で加え、１時間撹拌した。反応終了後、水を加え、酢酸エチルにて抽出、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ６（０．３８ｇ、収率４０％）を得た。【０１７７】
［中間体Ａ７の合成］
１００ｍＬナス型フラスコに中間体Ａ６（０．３０ｇ，１．３ｍｍｏｌ）、コリジン（０．３５ｍｌ，２．７ｍｍｏｌ）を秤りとり、ジクロロメタン（１５ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液に無水トリフルオロメタンスルホン酸（０．３５ｍｌ，２．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌した。反応終了後、水を加え、酢酸エチルにて抽出、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ７（０．３７ｇ、収率８０％）を得た。【０１７８】
［化合物Ａ４０の合成］
実施例１の中間体Ａ２の合成で２−ブロモ−５−クロロベンズアルデヒドの代わりに中間体Ａ７を用いた他は実施例１と同様にして、化合物Ａ４０を得た。
化合物（Ａ４０）のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析結果を以下に示す。
計算値Ｃ３０Ｈ２８＝３８８、実測値ｍ／ｚ＝３８８（Ｍ＋，１００）【０１７９】
得られた化合物（Ａ４０）の溶解度及び酸化安定性を実施例１と同様にして評価した。また、化合物（Ａ８）の代わりに化合物（Ａ４０）を用いた他は実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを製造し、評価した。結果を表１に示す。
尚、化合物（Ａ４０）は、室温下でトルエンに０．４ｗｔ％以上の濃度で溶解した。【０１８０】
実施例４
中間体Ａ８を以下の合成スキームに従って合成した。
【化７１】
2011055529.tif 000073
【０１８１】
［中間体Ａ８の合成］
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに１−オクチン（１．４ｍｌ，９．５ｍｍｏｌ）、５−ブロモ−２−メトキシベンズアルデヒド（１．７ｇ，７．９ｍｍｏｌ）、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)（０．５０ｇ，０．７１ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（０．２７ｇ，１．４ｍｍｏｌ）を秤りとり、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液にトリエチルアミン（２０ｍＬ）を加え、１２時間加熱還流した。反応終了後、セライトろ過し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ８（０．７７ｇ、収率４０％）を得た。【０１８２】
［化合物Ａ４１の合成］
実施例３の中間体Ａ６の合成で中間体Ａ５の代わりに中間体Ａ８を用いた他は実施例３と同様にして、化合物Ａ４１を得た。
化合物（Ａ４１）のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析結果を以下に示す。
計算値Ｃ３０Ｈ２６＝３８６、実測値ｍ／ｚ＝３８６（Ｍ＋，１００）【０１８３】
得られた化合物（Ａ４１）の溶解度及び酸化安定性を実施例１と同様にして評価した。また、化合物（Ａ８）の代わりに化合物（Ａ４１）を用いた他は実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを製造し、評価した。結果を表１に示す。
尚、化合物（Ａ４１）は、室温下でトルエンに０．４ｗｔ％以上の濃度で溶解した。【０１８４】
比較例１
ペンタセンの溶解度及び酸化安定性を実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。表１にあるように、ペンタセンの０．４ｗｔ％トルエン溶液は得られなかった。また、化合物（Ａ８）の代わりにペンタセンを用いて、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタの製造を試みたが、ペンタセンの０．５重量％クロロホルム溶液が得られなかったため、有機薄膜トランジスタは製造できなかった。
【化７２】
2011055529.tif 000074
【０１８５】
比較例２
ピセンの溶解度及び酸化安定性を実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。表１にあるように、ピセンのテトラヒドロフラン溶液は得られなかったため、酸化安定性を評価することができなかった。また、化合物（Ａ８）の代わりにピセンを用いて、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタの製造を試みたが、ピセンの０．５重量％クロロホルム溶液が得られなかったため、有機薄膜トランジスタは製造できなかった。
【化７３】
2011055529.tif 000075
【０１８６】
【表１】
2011055529.tif 000076
【０１８７】
実施例５
化合物（Ｂ１）を以下の合成スキームに従って合成した。
【化７４】
2011055529.tif 000077
【０１８８】
[中間体Ａ１の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに２−ブロモアントラセン（６．３ｇ、２５ｍｍｏｌ）、２−ホルミルチオフェン−３−イルボロン酸（５．０ｇ、３２ｍｍｏｌ、１．３ｅｑ．）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（１．０ｇ、０．８７ｍｍｏｌ、３ｍｏｌ％）を秤り取って添加し、系内をアルゴン置換した後、ジメトキシエタン（７５ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（３５ｍＬ、７０ｍｍｏｌ、２．８ｅｑ．）を加え、１日加熱還流した。反応終了後、トルエン及び水を加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた粗精製物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ１（３．５ｇ、収率４９％）を得た。【０１８９】
[中間体Ａ２の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド（１３ｇ、３７ｍｍｏｌ、３．１ｅｑ．）を秤りとり、無水ＴＨＦ（９０ｍＬ）に溶解し、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（３．６ｇ、３２ｍｍｏｌ、２．７ｅｑ．）を加え、室温で１時間攪拌した。この反応溶液に中間体Ａ１（３．５ｇ、１４ｍｍｏｌ）を加え、室温で１日攪拌した。反応終了後、水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ２（１．２ｇ、収率３２％）を２種の異性体混合物（Ｅ体：Ｚ体＝３：１）として得た。【０１９０】
［化合物（Ｂ１）の合成］
２００ｍＬナス型フラスコに中間体Ａ２（１．２ｇ、３．８ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ジクロロメタン（６０ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液を氷冷し、メタンスルホン酸を数滴ゆっくり滴下し、５℃で１時間及び室温で８時間攪拌した。反応終了後、溶液を濃縮し、メタノールを加えた後、生じた固体を濾過し、化合物（Ｂ１）（０．６ｇ、収率６５％）を得た。
化合物（Ｂ１）の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。結果を以下に示す。
δ  ９．２６（ｓ，１Ｈ），８．８４（ｄ，７Ｈｚ，１Ｈ），８．４７（ｓ，１Ｈ），８．２５（ｄ，８Ｈｚ，１Ｈ），８．１６（ｄ，９Ｈｚ，２Ｈ），８．０７（ｄ，９Ｈｚ，１Ｈ），８．０３（ｄ，５Ｈｚ，１Ｈ），８．００（ｄ，９Ｈｚ，１Ｈ），７．６５（ｄ，５Ｈｚ，１Ｈ），７．５９−７．５２（ｍ，２Ｈ）
また、化合物（Ｂ１）のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析結果を以下に示す。
計算値Ｃ２０Ｈ１２Ｓ＝２８４、実測値ｍ／ｚ＝２８４（Ｍ＋，１００）【０１９１】
調製した化合物（Ｂ１）の固体（０．２８ｇ）を、１．０ｃｃｍ窒素気流下１８０℃／２０Ｐａで昇華精製することにより化合物（Ｂ１）の淡黄色結晶（０．１ｇ）を得た。
精製した化合物（Ｂ１）の淡黄色結晶の純度をＨＰＬＣ（ＵＶ２５４ｎｍ）で確認したところ、主成分ピーク（化合物（Ｂ１））が９６．１面積％であった。【０１９２】
昇華精製して得られた化合物（Ｂ１）について、以下の方法により、溶解度及び酸化安定性を評価した。結果を表２に示す。
（Ｉ）溶解度
化合物（Ｂ１）を０．５ｍｇ秤りとり、室温下において、０．４ｗｔ％トルエン溶液となるようにトルエンを加えた。この溶液を５分間攪拌した後、沈殿物がないかどうか目視で確認し、沈殿物がないときを「○」とし、沈殿物があるときを「×」とした。
（II）酸化安定性
化合物（Ｂ１）をテトラヒドロフランに溶解させ、この溶液を蛍光灯照射下にて４０分間放置した。光照射前後のＨＰＬＣ純度を測定した。純度低下が１％未満であれば酸化安定性を有するとして「○」とし、１％以上であれば酸化安定性を有さないとして「×」とした。【０１９３】
[塗布プロセスを用いた有機薄膜トランジスタの製造]
ガラス基板を中性洗剤、純水、アセトン及びエタノールで各３０分超音波洗浄した後、スパッタ法にて金（Ａｕ）を４０ｎｍ成膜してゲート電極を作製した。次いで、この基板を熱ＣＶＤ装置の成膜部にセットした。一方、原料の蒸発部には、絶縁体層の原料のポリパラキシレン誘導体［ポリパラ塩化キシレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）］（商品名；ｄｉＸ−Ｃ，第三化成社製）２５０ｍｇをシャーレに入れて設置した。熱ＣＶＤ装置を真空ポンプで真空に引き、５Ｐａまで減圧した後、蒸発部を１８０℃、重合部を６８０℃まで加熱して２時間放置し、ゲート電極上に厚さ１μｍの絶縁体層を形成した。次いで化合物（Ｂ１）をクロロホルムに溶解させて０．５重量％クロロホルム溶液とし、絶縁体層まで成膜した基板の上にスピンコーター（ミカサ社製：１Ｈ−Ｄ７）で成膜し、窒素雰囲気下８０℃にて乾燥させ有機半導体層とした。金属マスクを通して金を５０ｎｍの膜厚で成膜することにより、互いに接しないソース電極及びドレイン電極を、間隔（チャンネル長Ｌ）が７５μｍになるように形成した。このとき、ソース電極とドレイン電極の幅（チャンネル幅Ｗ）は５ｍｍとし、有機薄膜トランジスタを作製した。【０１９４】
得られた有機薄膜トランジスタのゲート電極に−７０Ｖのゲート電圧ＶＧを印加し、ｐ型駆動させた。ソース−ドレイン電極間の電流のオン／オフを測定し、正孔の電界効果移動度μを算出した。結果を表２に示す。【０１９５】
実施例６
化合物（Ｂ１７）を以下の合成スキームに従って合成した。
【化７５】
2011055529.tif 000078
【０１９６】
[中間体Ｂ１の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに５−ブロモベンゾ［ｂ］チオフェン（１０．８ｇ、５０．７ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ＴＨＦ（１２０ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を−７８℃に冷却し、１．０８Ｍリチウムジイソプロピルアミド／ヘキサン溶液（５６．０ｍＬ、６０．５ｍｍｏｌ、１．２ｅｑ．）を加え、０℃に昇温して１時間攪拌した。この反応溶液を再び−７８℃に冷却した後，１−ヨードオクタン（１８．０ｍＬ、９９．７ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ．）を加え、徐々に昇温して室温で１日攪拌した。反応終了後、水、酢酸エチルを加え、有機層を酢酸エチルで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗精製物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｂ１（１６．５ｇ、収率１００％）を得た。【０１９７】
[中間体Ｂ２の合成]
窒素雰囲気下、２、２、６、６−テトラメチルピペリジン（８．２ｇ、５８ｍｍｏｌ、１．５ｅｑ．）を無水ＴＨＦ（８０ｍｌ）に溶解し、ドライアイス／メタノール浴で−３０℃に冷却した。これにｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、３７ｍＬ、５９ｍｍｏｌ、１ｅｑ．ｔｏＴＭＰ）を滴下し、−２０℃で２０分間撹拌した。反応混合物を−７４℃に冷却し、ホウ酸トリイソプロピル（１８ｍＬ、７８ｍｍｏｌ、２ｅｑ．）を加え、５分後、２−ブロモナフタレン／無水ＴＨＦ溶液（８ｇ、３９ｍｍｏｌ／１５ｍＬ）を１０分かけて滴下した。反応混合物を−７４℃〜室温で１０時間撹拌し、一晩放置した。反応混合物を水浴で冷却し、５％塩酸水溶液（１００ｍｌ）を徐々に加えて失活させ、トルエン（１００ｍｌ）で希釈した。これを５％水酸化ナトリウム水溶液（１５０ｍｌ）で抽出し、水層を氷浴で冷却、濃塩酸を徐々に加えてｐＨ＝２に調整した。生じた固体をろ別し、水で洗浄して白色固体である中間体Ｂ２（８．０ｇ、収率８２％）を得た。【０１９８】
[中間体Ｂ３の合成]
３００ｍＬナス型フラスコに中間体Ｂ１（２１．０ｇ、６４．６ｍｍｏｌ、１．６ｅｑ．）、中間体Ｂ２（１０．０ｇ、３９．９ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（１．００ｇ、０．８６５ｍｍｏｌ、２ｍｏｌ％）を秤りとり、ジメトキシエタン（２００ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液に、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１２．６ｇ／Ｈ２Ｏ１００ｍＬ、１１９ｍｍｏｌ、３．０ｅｑ．）を加え、６時間加熱還流した。反応終了後、水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｂ３（８．４０、収率４７％）を得た。【０１９９】
[中間体Ｂ４の合成]
３００ｍＬナス型フラスコに中間体Ｂ３（８．４ｇ、１９ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ＴＨＦ（１８０ｍＬ），無水トルエン（１００ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を−６０℃に冷却した後、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１８ｍＬ、２８ｍｍｏｌ、１．５ｅｑ）を加え、１時間攪拌した。さらに無水ＤＭＦ（２．９ｍＬ、３８ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ．）を加え、室温に昇温して１日攪拌した。水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｂ４（４．１ｇ、収率５５％）を得た。【０２００】
[中間体Ｂ５の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド（１０ｇ、３０ｍｍｏｌ、２．９ｅｑ．）を秤りとり、無水ＴＨＦ（１００ｍＬ）に溶解させた。ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（２．８ｇ、２５ｍｍｏｌ、２．５ｅｑ．）を加え、室温で３０分間攪拌した。中間体Ｂ４（４．１ｇ、１０ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ溶液（３０ｍＬ）を加え、室温で１日攪拌した。水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｂ５（４．３ｇ、収率１００％）を２種の異性体混合物として得た。【０２０１】
[化合物（Ｂ１７）の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに中間体Ｂ５（４．３ｇ、１０ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ジクロロメタン（２００ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を氷冷し、メタンスルホン酸（２滴）をゆっくり滴下し、氷冷下１日攪拌した。反応終了後、水を加え、有機層をジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（Ｂ１７）（１．２ｇ、収率３１％）を得た。【０２０２】
化合物（Ｂ１７）の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。結果を以下に示す。
δ９．２３（ｓ，１Ｈ）、８．７４（ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ，１Ｈ）、８．４４（ｓ，１Ｈ）、８．１５（ｔ，Ｊ＝９Ｈｚ，２Ｈ）、８．０７−８．０２（ｍ，２Ｈ）、７．９５（ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ，１Ｈ）、７．６８（ｓ，１Ｈ）、７．５７−７．５４（ｍ，２Ｈ）、３．０３（ｔ，Ｊ＝９Ｈｚ，２Ｈ）、１．８７−１．８２（ｍ，２Ｈ）、１．４９−１．２９（ｍ，１０Ｈ）、０．８９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）
また、化合物（Ｂ１７）のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析結果を以下に示す。
計算値Ｃ２８Ｈ２８Ｓ＝３９６、実測値ｍ／ｚ＝３９６（Ｍ＋，１００）【０２０３】
調製した化合物（Ｂ１７）の固体（１．０ｇ）を、１．０ｃｃｍ窒素気流下２２０℃／１８Ｐａで昇華精製することにより化合物（Ｂ１７）の淡黄色結晶（０．９ｇ）を得た。
精製した化合物（Ｂ１７）の淡黄色結晶の純度をＨＰＬＣ（ＵＶ２５４ｎｍ）で確認したところ、主成分ピーク（化合物（Ｂ１７））が９９．３面積％であった。【０２０４】
得られた化合物（Ｂ１７）の溶解度及び酸化安定性を実施例５と同様にして評価した。また、化合物（Ｂ１）の代わりに化合物（Ｂ１７）を用いた他は実施例５と同様にして塗布プロセスを用いて有機薄膜トランジスタを製造し、評価した。結果を表２に示す。【０２０５】
実施例７
化合物（Ｂ５５２）を以下の合成スキームに従って合成した。
【化７６】
2011055529.tif 000079
【０２０６】
[中間体Ｃ１の合成]
３００ｍＬナス型フラスコに５−ブロモベンゾ［ｂ］チオフェン（５．６ｇ、２６ｍｍｏｌ）、ジクロロ（ジフェニルホスフィノプロパン）ニッケル（０．５４ｇ、１．０ｍｏｌ、４ｍｏｌ％）を秤りとり、無水ＴＨＦ（５０ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液に、１．０Ｍオクチルマグネシウムブロミド（３１ｍＬ、３１ｍｍｏｌ、１．２ｅｑ．）を加え、室温で１日攪拌した。反応終了後、塩酸、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｃ１（４．１ｇ、収率６２％）を得た。【０２０７】
[中間体Ｃ２の合成]
３００ｍＬナス型フラスコに中間体Ｃ１（４．１ｇ、１６ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ＤＭＦ（８０ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液に、Ｎ−ブロモスクシンイミド（３．８ｇ、２１ｍｍｏｌ、１．３ｅｑ．）を加え、室温で１日攪拌した。反応終了後、水、酢酸エチルを加え、有機層を酢酸エチルで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｃ２（５．０ｇ、収率１００％）を得た。【０２０８】
中間体Ｃ３の合成
３００ｍＬナス型フラスコに中間体Ｃ３（５．０ｇ、１５ｍｏｌ）、３−ブロモナフタレン−２−イルボロン酸（３．９ｇ、１５ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（１．０ｇ、０．８７ｍｍｏｌ、６ｍｏｌ％）を秤りとり、ジメトキシエタン（１００ｍＬ）に溶解させた。この反応溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（５．０ｇ／Ｈ２Ｏ  ５０ｍＬ、４７ｍｍｏｌ、３．１ｅｑ．）を加え、２日間加熱還流した。反応終了後、水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｃ３（５．５ｇ、収率８０％）を得た。【０２０９】
[中間体Ｃ４の合成]
３００ｍＬナス型フラスコに中間体Ｃ４（５．５ｇ、１２ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ＴＨＦ（５０ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を−７８℃を冷却した後、１．６７Ｍのｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１１ｍＬ、１８ｍｍｏｌ、１．５ｅｑ）を加え、１時間攪拌した。無水ＤＭＦ（２ｍＬ、１４ｍｍｏｌ、１．２ｅｑ．）を加え、室温に昇温して５時間攪拌した。水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｃ４（３．２ｇ、収率６７％）を得た。【０２１０】
[中間体Ｃ５の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド（８．２ｇ、２４ｍｍｏｌ、３．０ｅｑ．）を秤りとり、無水ＴＨＦ（５０ｍＬ）に溶解させた。ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（２．３ｇ、２１ｍｍｏｌ、２．６ｅｑ．）を加え、室温で３０分間攪拌した。中間体Ｃ４（３．２ｇ、８．０ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ溶液（２０ｍＬ）を加え、室温で１日攪拌した。水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｃ５（１．５ｇ、収率４４％）を２種の異性体混合物として得た。【０２１１】
[化合物（Ｂ５５２）の合成]
３００ｍＬ  四つ口ナス型フラスコに中間体Ｃ５（１．５ｇ、３．５ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ジクロロメタン（７０ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を氷冷し、メタンスルホン酸（５滴）をゆっくり滴下し、氷冷下１日攪拌した。反応終了後、水を加え、有機層をジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（Ｂ５５２）（０．６ｇ、収率２９％）を得た。【０２１２】
化合物（Ｂ５５２）の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。結果を以下に示す。
δ９．０５（ｄ，９Ｈｚ，１Ｈ），８．８１（ｄ，６Ｈｚ，１Ｈ），８．８０（ｄ，６Ｈｚ，１），８．７１（ｓ，１Ｈ），８．１０（ｄ，９Ｈｚ，１Ｈ），８．０５（ｄ，９Ｈ，１Ｈ），８．００（ｄ，８Ｈｚ，１Ｈ），７．９１（ｄ，８Ｈｚ，１Ｈ），７．７２（ｔ，８Ｈｚ，１Ｈ），７．６４（ｔ，８Ｈｚ，１Ｈ），７．３７（ｄ，８Ｈ，１Ｈ），２．９１（ｔ，８Ｈｚ，２Ｈ），１．８３−１．７６（ｍ，２Ｈ），１．４７−１．３０（ｍ，１０Ｈ），０．８８（ｔ，６Ｈｚ，３Ｈ）
また、化合物（Ｂ５５２）のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析結果を以下に示す。
計算値Ｃ２８Ｈ２８Ｓ＝３９６、実測値ｍ／ｚ＝３９６（Ｍ＋，１００）【０２１３】
調製した化合物（Ｂ５５２）の固体（０．６ｇ）を、１．０ｃｃｍ窒素気流下２２０℃／１９Ｐａで昇華精製することにより化合物（Ｂ５５２）の淡黄色結晶（０．５ｇ）を得た。
精製した化合物（Ｂ５５２）の淡黄色結晶の純度をＨＰＬＣ（ＵＶ２５４ｎｍ）で確認したところ、主成分ピーク（化合物（Ｂ５５２））が９９．３面積％であった。【０２１４】
得られた化合物（Ｂ５５２）の溶解度及び酸化安定性を実施例５と同様にして評価した。また、化合物（Ｂ１）の代わりに化合物（Ｂ５５２）を用いた他は実施例５と同様にして塗布プロセスを用いて有機薄膜トランジスタを製造し、評価した。結果を表２に示す。【０２１５】
比較例３
下記ペンタセン（Ａ）の溶解度及び酸化安定性を実施例５と同様にして評価した。結果を表２に示す。表２にあるように、ペンタセン（Ａ）の０．４ｗｔ％トルエン溶液は得られなかった。また、化合物（Ｂ１）の代わりにペンタセン（Ａ）を用いて、実施例５と同様にして有機薄膜トランジスタの製造を試みたが、ペンタセン（Ａ）の０．５重量％クロロホルム溶液が得られなかったため、有機薄膜トランジスタは製造できなかった。
【化７７】
2011055529.tif 000080
【０２１６】
比較例４
ピセン（Ｂ）の溶解度及び酸化安定性を実施例５と同様にして評価した。結果を表２に示す。表２にあるように、ピセン（Ｂ）のテトラヒドロフラン溶液は得られなかったため、酸化安定性を評価することができなかった。また、化合物（Ｂ１）の代わりにピセン（Ｂ）を用いて、実施例５と同様にして有機薄膜トランジスタの製造を試みたが、ピセン（Ｂ）の０．５重量％クロロホルム溶液が得られなかったため、有機薄膜トランジスタは製造できなかった。
【化７８】
2011055529.tif 000081
【０２１７】
【表２】
2011055529.tif 000082
【０２１８】
実施例８
化合物（Ｃ５６）を以下の合成スキームに従って合成した。
【化７９】
2011055529.tif 000083
【０２１９】
[中間体Ａ１の合成]
３００ｍＬ四つ口フラスコに３−ブロモベンゾフラン−２−カルバルデヒド（２．９６ｇ，１３．２ｍｍｏｌ）、６−オクチルナフタレン−２−イルボロン酸（４．３８ｇ，１５．４ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（１．００ｇ，０．８６５ｍｍｏｌ，７ｍｏｌ％）を秤りとり、ＤＭＥ（１００ｍＬ）に溶解させた。１．０Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（４０．０ｍＬ，４０．０ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）を加え、４時間加熱還流した。有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ１（５．３３ｇ，ｑｕａｎｔ．）を得た。【０２２０】
[中間体Ａ２の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド（１４ｇ，４１ｍｍｏｌ、３．０ｅｑ．）を秤りとり、無水ＴＨＦ（７０ｍＬ）に溶解させた。ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（３．９ｇ、３５ｍｍｏｌ、２．５ｅｑ．）を加え、室温で３０分間攪拌した。中間体Ａ１（５．３ｇ、１４ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ溶液（３０ｍＬ）を加え、室温で１日攪拌した。水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ２（５．１ｇ、収率９０％）を２種の異性体混合物として得た。【０２２１】
［化合物（Ｃ５６）の合成］
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに中間体Ａ２（５．１ｇ、１２ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ジクロロメタン（３０ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を氷冷し、メタンスルホン酸（２滴）をゆっくり滴下し、氷冷下１日攪拌した。反応終了後、メタノールを加え、生じた沈殿物を濾過し、化合物（Ｃ５６）（１．８ｇ、収率３８％）を得た。
化合物（Ｃ５６）の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。【０２２２】
また、化合物（Ｃ５６）のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析結果を以下に示す。
計算値Ｃ２８Ｈ２８Ｏ＝３８０、実測値ｍ／ｚ＝３８０（Ｍ＋，１００）
＜ＦＤ−ＭＳ測定＞
装置：ＨＸ１１０（日本電子社製）
条件：加速電圧  ８ｋＶ
スキャンレンジ  ｍ／ｓ＝５０〜１５００
化合物（Ｃ５６）の固体（１．４４ｇ）を２２０℃、３．１×１０−２Ｐａで昇華精製することにより白色結晶（０．４０ｇ）を得た。
精製した化合物（Ｃ５６）の淡黄色結晶の純度をＨＰＬＣ（ＵＶ２５４ｎｍ）で確認したところ、主成分ピーク（化合物（Ｃ５６））が９８．８面積％であった。【０２２３】
昇華精製して得られた化合物（Ｃ５６）について、以下の方法により、溶解度及び酸化安定性を評価した。結果を表３に示す。
（Ｉ）溶解度
化合物（Ｃ５６）を０．５ｍｇ秤りとり、室温下０．４ｗｔ％となるように各溶剤（ヘキサン及びトルエン）を加えた。溶液を５分間攪拌した後、沈殿物がないかどうか確認した。沈殿物がないとき、溶解したと判断し「○」、沈殿物があるとき、溶解していないと判断し「×」で記載した。
（II）酸化安定性
化合物（Ｃ５６）をテトラヒドロフランに溶解させ、この溶液を蛍光灯照射下にて４０分間放置した。光照射前後のＨＰＬＣ純度を測定した。純度低下が１％未満であれば酸化安定性を有するとして「○」とし、１％以上であれば酸化安定性を有さないとして「×」とした。【０２２４】
[塗布プロセスを用いた有機薄膜トランジスタの製造]
ガラス基板を中性洗剤、純水、アセトン及びエタノールで各３０分超音波洗浄した後、スパッタ法にて金（Ａｕ）を４０ｎｍ成膜してゲート電極を作製した。次いで、この基板を熱ＣＶＤ装置の成膜部にセットした。一方、原料の蒸発部には、絶縁体層の原料のポリパラキシレン誘導体［ポリパラ塩化キシレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）］（商品名；ｄｉＸ−Ｃ，第三化成社製）２５０ｍｇをシャーレに入れて設置した。熱ＣＶＤ装置を真空ポンプで真空に引き、５Ｐａまで減圧した後、蒸発部を１８０℃、重合部を６８０℃まで加熱して２時間放置し、ゲート電極上に厚さ１μｍの絶縁体層を形成した。次いで化合物（Ｃ５６）をクロロホルムに溶解させて０．５重量％クロロホルム溶液とし、絶縁体層まで成膜した基板の上にスピンコーター（ミカサ社製：１Ｈ−Ｄ７）で成膜し、窒素雰囲気下８０℃にて乾燥させ有機半導体層（膜厚５０ｎｍ）とした。金属マスクを通して金を５０ｎｍの膜厚で成膜することにより、互いに接しないソース電極及びドレイン電極を、間隔（チャンネル長Ｌ）が７５μｍになるように形成した。このとき、ソース電極とドレイン電極の幅（チャンネル幅Ｗ）は５ｍｍとし、有機薄膜トランジスタを作製した。【０２２５】
得られた有機薄膜トランジスタのゲート電極に−７０Ｖのゲート電圧ＶＧを印加し、ｐ型駆動させた。ソース−ドレイン電極間の電流のオン／オフを測定し、正孔の電界効果移動度μを下式より算出した。結果を表３に示す。
ＩＤ＝（Ｗ／２Ｌ）・Ｃμ・（ＶＧ−ＶＴ）２
（ＩＤはソース−ドレイン間電流、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃはゲート絶縁体層の単位面積当たりの電気容量、ＶＴはゲート閾値電圧、ＶＧはゲート電圧である。）【０２２６】
実施例９
化合物（Ｃ１４６）を以下の合成スキームに従って合成した。
【化８０】
2011055529.tif 000084
【０２２７】
[中間体Ｂ１の合成]
３００ｍＬ四つ口フラスコにベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イルボロン酸（５．３２ｇ，３０．０ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−６−オクチルナフタレン（９．５４ｇ，３０．０ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（１．００ｇ，０．８６５ｍｍｏｌ，３ｍｏｌ％）を秤りとり，ＤＭＥ（１５０ｍＬ）に溶解させた。炭酸ナトリウム（９．５４ｇ，９０．０ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ．）の水溶液（１００ｍＬ）を加え、２日加熱還流した。有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｂ１（５．５９ｇ，収率５０％）を得た。【０２２８】
[中間体Ｂ２の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに中間体Ｂ１（３．０ｇ，８．６ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ＴＨＦ（３５ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を−７８℃に冷却し、１．６７Ｍのｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（５．７ｍＬ，９．５ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ．）を加え、室温に昇温して１時間攪拌した。反応溶液を氷冷し、無水ジメチルホルムアミド（１．０ｍＬ，１２ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ．）を加え、１日攪拌した。水を加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し中間体Ｂ２（０．６ｇ，収率１７％）を得た。【０２２９】
[中間体Ｂ３の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド（４．１ｇ，１２ｍｍｏｌ、３．０ｅｑ．）を秤りとり、無水ＴＨＦ（２５ｍＬ）に溶解させた。ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（１．２ｇ、１０ｍｍｏｌ、２．７ｅｑ．）を加え、室温で３０分間攪拌した。中間体Ｂ２（１．５ｇ、３．９ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ溶液（１０ｍＬ）を加え、室温で１日攪拌した。水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｂ３（１．７ｇ、ｑｕａｎｔ．）を２種の異性体混合物として得た。【０２３０】
[化合物（Ｃ１４６）の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに中間体Ｂ３（１．７ｇ、３．９ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ジクロロメタン（３０ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を氷冷し、メタンスルホン酸（２滴）をゆっくり滴下し、氷冷下１日攪拌した。反応終了後、水を加え、有機層をジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（Ｃ１４６）（１．１ｇ、収率６９％）を得た。
化合物（Ｃ１４６）の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。【０２３１】
また、化合物（Ｃ１４６）のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析結果を以下に示す。
計算値Ｃ２８Ｈ２８Ｓ＝３９６、実測値ｍ／ｚ＝３９６（Ｍ＋，１００）
化合物（Ｃ１４６）の固体（１．０６ｇ）を１．０ｃｃｍ窒素気流下２４０℃／１９Ｐａで昇華精製することにより白色結晶（１．０１ｇ）を得た。
精製した化合物（Ｃ１４６）の淡黄色結晶の純度をＨＰＬＣ（ＵＶ２５４ｎｍ）で確認したところ、主成分ピーク（化合物（Ｃ１４６））が９９．６面積％であった。【０２３２】
得られた化合物（Ｃ１４６）の溶解度及び酸化安定性を実施例８と同様にして評価した。また、化合物（Ｃ５６）の代わりに化合物（Ｃ１４６）を用いた他は実施例８と同様にして塗布プロセスを用いて有機薄膜トランジスタを製造し、評価した。結果を表３に示す。【０２３３】
実施例１０
化合物（Ｃ１９１）を以下の合成スキームに従って合成した。
【化８１】
2011055529.tif 000085
【０２３４】
[中間体Ｃ１の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに、２−ブロモ−６−オクチルナフタレン（８．２ｇ，２６ｍｍｏｌ）、ベンゾフラン−２−イルボロン酸（５．０ｇ，３１ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（１．０ｇ，０．８７ｍｍｏｌ，５ｍｏｌ％）を秤りとり、ＤＭＥ（１００ｍＬ）に溶解させた。炭酸ナトリウム（１０ｇ，９６ｍｍｏｌ，３．７ｅｑ．）の水溶液（１００ｍＬ）を加え、１日加熱還流した。有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｃ１（３．７ｇ，収率４０％）を得た。【０２３５】
[中間体Ｃ２の合成]
２００ｍＬナス型フラスコに原料（１．０ｇ，２．８ｍｍｏｌ）を秤りとり，無水ジクロロメタン（１８ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を氷冷し、四塩化スズ（０．６ｍＬ，５．３ｍｍｏｌ，１．９ｅｑ．）、ジクロロメチルメチルエーテル（０．３ｍＬ，３．４ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．）を加え，８時間攪拌した。反応終了後、塩酸を加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｃ２（１．０ｇ，９３％）を得た。【０２３６】
[中間体Ｃ３の合成]
３００ｍＬ四つ口ナス型フラスコに（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド（２．７ｇ，７．９ｍｍｏｌ、３．０ｅｑ．）を秤りとり、無水ＴＨＦ（２６ｍＬ）に溶解させた。ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（０．７３ｇ、６．５ｍｍｏｌ、２．５ｅｑ．）を加え、室温で３０分間攪拌した。原料アルデヒド（１．０ｇ、２．６ｍｍｏｌ）を加え、室温で１日攪拌した。水、トルエンを加え、有機層をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｃ３（１．１ｇ、収率１００％）を２種の異性体混合物として得た。【０２３７】
[化合物（Ｃ１９１）の合成]
２００ｍＬナス型フラスコに原料（１．１ｇ，２．８ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ジクロロメタン（４０ｍＬ）に溶解させた。反応溶液を氷冷し、メタンスルホン酸（１０滴）を加え、１時間攪拌した。さらにメタンスルホン酸（２０滴）を加え、４時間攪拌した。反応終了後、水を加え、有機層をクロロホルムで抽出し、炭酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（Ｃ１９１）（０．７ｇ，７１％）を得た。
化合物（Ｃ１９１）の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）により行った。【０２３８】
また、化合物（Ｃ１９１）のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析結果を以下に示す。
計算値Ｃ２８Ｈ２８Ｓ＝３８０、実測値ｍ／ｚ＝３８０（Ｍ＋，１００）
化合物（Ｃ１９１）の固体（０．５４ｇ）を１．０ｃｃｍ窒素気流下２４０℃、１９Ｐａで昇華精製することにより白色結晶（０．５１ｇ）を得た。
精製した化合物（Ｃ１９１）の淡黄色結晶の純度をＨＰＬＣ（ＵＶ２５４ｎｍ）で確認したところ、主成分ピーク（化合物（Ｃ１９１））が９９．７面積％であった。【０２３９】
得られた化合物（Ｃ１９１）の溶解度及び酸化安定性を実施例８と同様にして評価した。また、化合物（Ｃ５６）の代わりに化合物（Ｃ１９１）を用いた他は実施例８と同様にして塗布プロセスを用いて有機薄膜トランジスタを製造し、評価した。結果を表３に示す。【０２４０】
比較例５
下記ペンタセン（Ａ）の溶解度及び酸化安定性を実施例８と同様にして評価した。結果を表３に示す。表３にあるように、ペンタセン（Ａ）の０．４ｗｔ％トルエン溶液及びヘキサン溶液は得られなかった。また、化合物（Ｃ５６）の代わりにペンタセン（Ａ）を用いて、実施例８と同様にして有機薄膜トランジスタの製造を試みたが、ペンタセン（Ａ）の０．５重量％クロロホルム溶液が得られなかったため、有機薄膜トランジスタは製造できなかった。
【化８２】
2011055529.tif 000086
【０２４１】
比較例６
ピセン（Ｂ）の溶解度及び酸化安定性を実施例８と同様にして評価した。結果を表３に示す。表３にあるように、ピセン（Ｂ）のテトラヒドロフラン溶液は得られなかったため、酸化安定性を評価することができなかった。また、化合物（Ｃ５６）の代わりにピセン（Ｂ）を用いて、実施例８と同様にして有機薄膜トランジスタの製造を試みたが、ピセン（Ｂ）の０．５重量％クロロホルム溶液が得られなかったため、有機薄膜トランジスタは製造できなかった。
【化８３】
2011055529.tif 000087
【０２４２】
【表３】
2011055529.tif 000088
【０２４３】
表３より、本発明の化合物は、ペンタセンやピセンが溶解しない、非ハロゲン系溶媒であるトルエンやヘキサンにも良く溶けることが分かる。また、酸化安定性に優れる。さらに電界効果移動度についても優れることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０２４４】
本発明の化合物は、塗布プロセスへの適用が可能であり、かつ酸化安定性がある有機薄膜トランジスタが得られる。また、本発明の有機電界効果トランジスタは、薄膜ディスプレイのための電子デバイスのような表示用電子機器、プラスチックＩＣカードや情報タグのようなウエアラブル電子機器、バイオセンサのような医療機器や測定装置に用いることができる。【０２４５】
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。
【図１】
2011055529.tif 000103
【図２】
2011055529.tif 000104
【図３】
2011055529.tif 000105
【図４】
2011055529.tif 000106
【図５】
2011055529.tif 000107
【図６】
2011055529.tif 000108
【国際調査報告】
2011055529.tif 000109
2011055529.tif 000110
2011055529.tif 000111
2011055529.tif 000112
2011055529.tif 000113
2011055529.tif 000114