(57)【要約】  磁性体装置は、基板と、基板の第１主面上に搭載された少なくとも１つの磁性体素子と、基板の第１主面側に配置された軟磁性体の磁気シールドと、を備える。磁気シールドは、本体部と、少なくとも１つの突出部とを備える。本体部は、第１主面側に位置する下面と、その下面と反対側に位置する上面と、を備える。少なくとも１つの突出部は、本体部の上面上に設けられる。少なくとも１つの突出部は、第１主面を上から見て少なくとも磁気シールドと磁性体素子とがオーバーラップする領域を含むカバー領域に備えられる。少なくとも１つの突出部は、本体部の上面に対して、法線方向を除く方向に傾いている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１主面上に搭載された少なくとも１つの磁性体素子と、
前記基板の前記第１主面側に配置された軟磁性体の磁気シールドと
を備え、
前記磁気シールドは、
前記第１主面側に位置する下面と、前記下面と反対側に位置する上面と、を備える本体部と、
前記本体部の前記上面上に設けられた少なくとも１つの突出部と
を備え、
前記少なくとも１つの突出部は、前記第１主面を上から見て少なくとも前記磁気シールドと前記磁性体素子とがオーバーラップする領域を含むカバー領域に備えられ、
前記少なくとも１つの突出部は、前記本体部の前記上面に対して、法線方向を除く方向に傾いている
磁性体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁性体装置であって、
前記突出部の数は複数である
磁性体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の磁性体装置であって、
前記本体部の前記上面側から見たとき、前記カバー領域における前記上面は、前記複数の突出部によって覆われている
磁性体装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の磁性体装置であって、
前記複数の突出部が、前記上面に対して同じ方向に傾いている
磁性体装置。
【請求項５】
請求項２又は３に記載の磁性体装置であって、
前記カバー領域は、第１カバー領域と、前記第１カバー領域と異なる第２カバー領域とを含み、
前記複数の突出部は、
前記第１カバー領域に設けられた少なくとも１つの第１突出部と、
前記第２カバー領域に設けられた少なくとも１つの第２突出部と
を含み、
前記第１突出部及び前記第２突出部の各々は、前記第１カバー領域と前記第２カバー領域との境界から離れるにつれて前記上面に近づくように傾いている
磁性体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
前記磁気シールドと前記磁性体素子との間の空間は、磁気的に空洞である
磁性体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の磁性体装置であって、
前記磁気シールドと前記磁性体素子との間には非磁性絶縁体が充填されている、または、前記磁気シールドと前記磁性体素子の間の空間は空洞である
磁性体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
前記磁性体素子の数は複数であり、
前記カバー領域は、前記複数の磁性体素子の全てをカバーする
磁性体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、
更に、軟磁性体の他の磁気シールドを備え、
前記他の磁気シールドは、前記基板の前記第１主面と逆側の第２主面側に配置され、
前記他の磁気シールドは、
前記第２主面側に位置する下面と、前記下面と反対側に位置する上面と、を備える他の本体部と、
前記他の本体部の前記上面上に設けられた少なくとも１つの他の突出部と
を備え、
前記少なくとも１つの他の突出部は、前記第２主面を下から見て少なくとも前記他の磁気シールドと前記磁性体素子とがオーバーラップする領域を含む他のカバー領域に備えられ、
前記少なくとも１つの他の突出部は、前記他の本体部の前記上面に対して、法線方向を除く方向に傾いている
磁性体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性体装置に関する。特に、本発明は、磁気シールドを備えた磁性体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁性体を利用した磁性体素子が知られている。例えば、磁気抵抗素子（MagnetoResistance
Element）は、磁性体の磁化状態に応じて抵抗値が変わる磁性体素子である。典型的な磁気抵抗素子は、２層の磁性体層に非磁性体層が挟まれた構造を有している。一方の磁性体層は、磁化方向が固定された磁化固定層であり、他方は、磁化方向が反転可能な磁化自由層である。このように構成された磁気抵抗素子の抵抗値は、磁化固定層と磁化自由層の磁化方向が互いに平行である場合よりも、それらが反平行である場合により高くなる。このような磁気抵抗素子を利用することによって、磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM: Magnetic Random Access Memory）や様々な論理回路を構成可能である。【０００３】
磁性体素子を用いた磁性体装置では、その正常動作のために、磁性体の磁化状態（磁化方向等）が外部擾乱によって変動することを防ぐことが重要である。そのために、一般的に、「磁気シールド（magnetic shield）」が利用される。【０００４】
特許文献１（特開２００３−３０９１９６号公報）には、磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージが開示されている。図１は、その磁気シールドパッケージの断面構造を示している。磁気シールドパッケージ１１０は、ＭＲＡＭ素子１１１、ワイヤ１１２、リードフレーム１１３、及び磁気シールド１１４を備えている。ＭＲＡＭ素子１１１は、ワイヤ１１２でリードフレーム１１３に接続されている。更に、ＭＲＡＭ素子１１１は、その周囲全体が中空の磁気シールド１１４に囲まれている。磁気シールド１１４は、絶縁性の軟磁性材料で形成され、図１に示されるように矩形の断面形状を有している。【０００５】
特許文献２（特開２００３−１２４５３８号公報）の図３には、ＢＧＡ基板上に情報記憶装置が搭載され、その情報記憶装置上に放熱器（ヒートシンク）が載置された形態が示されている。この放熱器は、情報記憶装置の表面から鉛直方向に延びるように形成されており、情報記憶装置の熱を逃がす機能を有している。この放熱器は、高透磁率材料で形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３０９１９６号公報
【特許文献２】特開２００３−１２４５３８号公報
【発明の概要】
【０００７】
しかしながら、図１で示された特許文献１の構造の場合、以下に示すような問題点が存在する。即ち、図１で示された構造の場合、ＭＲＡＭ素子１１１の上方において、磁気シールド１１４は水平（デバイス面に平行）である。その水平磁気シールド１１４に対して垂直な外部磁界Ｈｅが印加された場合、理論的には、その外部磁界Ｈｅは磁気シールド１１４を貫通して、磁気シールド１１４より内側のＭＲＡＭ素子１１１近傍に達してしまう。すなわち、所望のシールド効果が十分に得られない。
【０００８】
一方、特許文献２の図３に示された構造の場合、情報記憶装置の表面から高透磁率材料が鉛直方向に延びているため、垂直な外部磁界Ｈｅが印加された場合、鉛直方向に延びる部材が外部磁界Ｈｅを情報記憶装置へ集めてしまう。
【０００９】
本発明の目的は、磁気シールドを備える磁性体装置において、シールド効果をより向上させることができる技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の１つの観点において、磁性体装置が提供される。その磁性体装置は、基板と、基板の第１主面上に搭載された少なくとも１つの磁性体素子と、基板の第１主面側に配置された軟磁性体の磁気シールドと、を備える。磁気シールドは、本体部と、少なくとも１つの突出部とを備える。本体部は、第１主面側に位置する下面と、その下面と反対側に位置する上面と、を備える。少なくとも１つの突出部は、本体部の上面上に設けられる。少なくとも１つの突出部は、第１主面を上から見て少なくとも磁気シールドと磁性体素子とがオーバーラップする領域を含むカバー領域に備えられる。少なくとも１つの突出部は、本体部の上面に対して、法線方向を除く方向に傾いている。
【００１１】
本発明によれば、磁気シールドを備える磁性体装置において、シールド効果がより向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
上記及び他の目的、長所、特徴は、次の図面と共に説明される本発明の実施の形態により明らかになるであろう。【００１３】
【図１】図１は、関連技術に係る典型的な磁気シールドパッケージを示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る磁性体装置の構造を示す断面図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係る磁気シールドの突出部の平面配置パターンの一例を示している。
【図４】図４は、本実施の形態に係る磁気シールドの突出部の平面配置パターンの他の例を示している。
【図５】図５は、本実施の形態に係る磁性体装置の構造を示す断面図である。
【図６】図６は、本実施の形態に係る磁気シールドによる効果を説明するための概略図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係る磁性体装置の第１の変形例を示す断面図である。
【図８】図８は、磁界収束点を説明するための概念図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係る磁気シールドの突出部の平面配置パターンの更に他の例を示している。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係る磁性体装置の第２の変形例を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態に係る磁性体装置の第３の変形例を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態に係る磁性体装置の第４の変形例を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態に係る磁性体装置の第５の変形例を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本実施の形態に係る磁性体装置の第６の変形例を示す断面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、本実施の形態に係る磁性体装置の第７の変形例を示す断面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、本実施の形態に係る磁性体装置のパッケージの例を示す斜視図である。
【図１６】図１６は、本実施の形態に係る磁気シールドの製造方法の一例を示す概念図である。
【図１７】図１７は、本実施の形態に係る磁気シールドの製造方法の他の例を示す概念図である。
【図１８】図１８は、本実施の形態に係る磁気シールドの製造方法の更に他の例を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態に係る磁性体装置を説明する。
【００１５】
１．基本構造
図２は、本発明の実施の形態に係る磁性体装置１の構造を示す断面図である。図２に示されるように、磁性体装置１は、基板１０、磁性体素子２０、及び磁気シールド３０を備えている。以下の説明において、基板１０の表面に垂直な方向はＺ方向であり、Ｚ方向に直交する平面方向は、Ｘ方向及びＹ方向である。
【００１６】
基板１０は、磁性体素子２０が搭載される部材である。基板１０としては、配線基板、リードフレーム、半導体基板などが挙げられる。図２に示されるように、基板１０は、磁性体素子２０が搭載される第１主面（表面）１１と、第１主面１１の逆側の第２主面（裏面）１２を有している。
【００１７】
磁性体素子２０は、磁性体を利用した素子である。磁性体素子２０としては、磁気抵抗素子、ＭＲＡＭチップ、磁気抵抗素子を利用した論理回路などが挙げられる。本実施の形態では、少なくとも１つの磁性体素子２０が、基板１０の第１主面１１上に搭載される。
【００１８】
磁気シールド３０は、軟磁性体材料で形成されている。この軟磁性体材料は、十分に高い比透磁率（好ましくは、１０００以上）を有している。軟磁性体材料としては、鉄、ニッケル、珪素鋼、パーマロイ、フェライト、アモルファス磁性合金、ナノクリスタル磁性合金などが挙げられる。尚、磁気シールド３０とボンディングワイヤ等の内部構造との間のショートが懸念される場合、磁気シールド３０の材料として、絶縁性磁性体（例：フェライト）が用いられてもよい。あるいは、導電性磁性体の磁気シールド３０の表面が、絶縁体でコーティングされてもよい。
【００１９】
図２に示されるように、磁気シールド３０は、基板１０の第１主面１１側に少なくとも配置されている。更に、磁気シールド３０は、本体部３１と、少なくとも１つの突出部３２とを備えている。本体部３１の下面ＬＳは、基板１０の第１主面１１側に位置している。一方、本体部３１の上面ＵＳは、下面ＬＳの逆側の面であり、基板１０の第１主面１１と反対側に位置している。
【００２０】
突出部３２は、本体部３１の上面ＵＳ上に設けられている。突出部３２が設けられる領域は、以下「カバー領域ＲＣ」と参照される。つまり、突出部３２は、カバー領域ＲＣにおける本体部３１の上面ＵＳ上に形成されている。本実施の形態では、カバー領域ＲＣは、少なくとも、磁気シールド３０と磁性体素子２０とがオーバーラップしている領域を含む。言い換えれば、磁気シールド３０の突出部３２は、磁性体素子２０の上方を覆うように配置される。図２で示された例では、カバー領域ＲＣは磁気シールド３０のほぼ全域を含んでおり、そのカバー領域ＲＣにおいて、複数の突出部３２が本体部３１の上面ＵＳ上に形成されている。
【００２１】
更に、図２に示されるように、各突出部３２は、本体部３１の上面ＵＳに対して“斜め”に形成されている。言い換えれば、突出部３２は、本体部３１の上面ＵＳに対して、法線方向を除く方向に傾いている。つまり、突出部３２は、本体部３１の上面ＵＳに対して、０度より大きく９０度未満の角度をなしている。図２で示された例では、複数の突出部３２が、本体部３１の上面ＵＳに対して同じ方向に傾いている。
【００２２】
図３は、磁気シールド３０の突出部３２の平面配置パターンの一例、及び線Ａ−Ａ’に沿った断面構造を示している。図３の例では、板状（フィン状）の突出部３２が、Ｘ方向に沿って一列に配置されている。
【００２３】
図４は、磁気シールド３０の突出部３２の平面配置パターンの他の例、及び線Ａ−Ａ’に沿った断面構造を示している。図４の例では、図３で示された列構造が複数段にわたって配置されている。また、隣り合う段間で列構造がＸ方向にずれている。すなわち、複数の突出部３２が千鳥状に配置されている。
【００２４】
再度図２を参照して説明する。磁気シールド３０と磁性体素子２０との間の空間ＭＣは、“磁気的に空洞”であることが好ましい。この空間ＭＣは、以下「磁気空洞空間ＭＣ」と参照される。“磁気的に空洞”とは、高透磁率の磁気シールド３０（比透磁率＞１０００）に比べて、透磁率が極めて低い（比透磁率〜１）ことを意味する。例えば、図２に示されるように、磁気空洞空間ＭＣは、物理的に空洞である。あるいは、図５に示されるように、磁気空洞空間ＭＣは、非磁性絶縁体４０で充填されていてもよい。非磁性絶縁体４０は、例えば、モールド樹脂（molding compound）である。
【００２５】
２．作用、効果
図６を参照して、本実施の形態に係る構造による効果を説明する。ここでは、デバイス面（基板１０の表面）に垂直なＺ方向の外部磁界Ｈｅを考える。
【００２６】
上述の通り、高透磁率の磁気シールド３０は、本体部３１の上面ＵＳ上に突出部３２を有している。更に、突出部３２は、本体部３１の上面ＵＳに対して斜めである。従って、図６に示されるように、外部磁界Ｈｅの磁束は、突出部３２を通して、本体部３１の内部にスムーズにガイドされる。突出部３２は、磁気シールド３０に磁束を効率的にガイドする「磁束ガイド部」と呼ぶこともできる。外部磁界Ｈｅの磁束は、磁束ガイド部３２によってＺ方向から離れる方向に曲げられ、磁気シールド３０内部に効率的にガイドされる。特に、突出部３２が設けられるカバー領域ＲＣは、磁性体素子２０の上方を覆っている。そのため、外部磁界Ｈｅの磁束は、磁性体素子２０の上方において、磁性体素子２０から離れる方向に曲げられ、磁気シールド３０を貫通することが防止される。従って、シールド効果が向上する。
【００２７】
磁気シールド３０と磁性体素子２０との間に磁気空洞空間ＭＣを設けた場合、磁気シールド効果の観点から言えば、突出部３２が設けられるカバー領域ＲＣは、上述の磁気空洞空間ＭＣ全体をカバーしていることが好ましい（図２参照）。また、カバー領域ＲＣにおいて、本体部３１の上面ＵＳが上から全く見えないことが好ましい（図３、図４参照）。すなわち、上から見たとき、カバー領域ＲＣにおける本体部３１の上面ＵＳが、複数の突出部３２によって覆われていることが好ましい。これにより、カバー領域ＲＣ全体にわたって効果的に磁束がガイドされる。但し、本体部３１の上面ＵＳが上から多少見えていても、同様の効果が得られることに変わりはない。
【００２８】
磁気シールド３０と磁性体素子２０との間の磁気空洞空間ＭＣの透磁率は、磁気シールド３０の透磁率に比べて極めて低いため、高透磁率の磁気シールド３０内部に一旦ガイドされた磁束が、磁気空洞空間ＭＣに漏れ出すことが効果的に防止される。従って、磁気シールド効果をより向上させることができる。
【００２９】
このように、本実施の形態によれば、磁性体素子２０の近傍にまで到達する外部磁界Ｈｅの磁束が大幅に低減される。すなわち、磁気シールドによるシールド効果が向上する。尚、シールド効果は、Ｚ方向の外部磁界に対してだけに限られない。突出部３２を有する磁気シールド３０によって、全方位に対するシールド効果が同様に実現される。
【００３０】
３．変形例
３−１．第１の変形例
既出の例において、突出部３２の傾き方向は一様であった。しかしながら、突出部３２の傾き方向は、本体部３１の上面ＵＳに対して０度より大きく９０度未満の角度をなしていれば、一様でなくてもよい。
【００３１】
図７は、磁性体装置１の第１の変形例を示す断面図である。本変形例において、突出部３２が形成されるカバー領域ＲＣは、第１カバー領域ＲＣ１と、第１カバー領域ＲＣ１と異なる第２カバー領域ＲＣ２を含んでいる。第１カバー領域ＲＣ１と第２カバー領域ＲＣ２とは、互いに重ならない。図７では説明の便宜上、その境界を境界線ＢＮＤとしている。第１カバー領域ＲＣ１には、少なくとも１つの第１突出部３２−１が設けられている。第２カバー領域ＲＣ２には、少なくとも１つの第２突出部３２−２が設けられている。
【００３２】
本体部３１の上面ＵＳに対する傾き方向は、第１突出部３２−１と第２突出部３２−２とで逆である。より詳細には、図７に示されるように、第１突出部３２−１は、磁束を左向き（−Ｘ方向）にガイドするように傾いており、第２突出部３２−２は、磁束を右向き（＋Ｘ方向）にガイドするように傾いている。言い換えれば、第１突出部３２−１及び第２突出部３２−２の各々は、境界線ＢＮＤから離れるにつれて本体部３１の上面ＵＳに近づくように傾いている。このような構造の結果、図７に示されるように、外部磁界の磁束は、磁気シールド３０において左右に“分流”される。このことは、磁気シールド３０の飽和磁化の観点から好適である。分流量を均等にするためには、境界線ＢＮＤは、カバー領域ＲＣの中心付近に位置することが好ましい。
【００３３】
図８は、不適切な例を示している。図８の例では、第１突出部３２−１及び第２突出部３２−２の傾き方向が、図７の場合と比較して反転している。この場合、左側の第１突出部３２−１は磁束を右向きにガイドし、右側の第２突出部３２−２は磁束を左向きにガイドする。そのため、図８に示されるように、磁界収束点ＣＯＮが発生してしまう。磁界収束点ＣＯＮに集まった磁束は、本体部３１から磁気空洞空間ＭＣに出ていかざるを得ず、これは好ましくない。逆に言えば、磁界収束点ＣＯＮが発生しないように複数の突出部３２が配置されていればよい。
【００３４】
尚、本変形例における突出部３２の平面配置パターンも任意である。例えば、既出の図３あるいは図４で示されたものと同様の平面配置パターンで、本変形例に係る構造は実現され得る。あるいは、図９に示されるように、複数の同心円錐台によっても、本変形例に係る構造は実現され得る。
【００３５】
３−２．第２の変形例
図１０は、磁性体装置１の第２の変形例を示す断面図である。磁気シールド３０の突出部３２は、直線的でなくてよく、図１０に示されるように湾曲していてもよい。
【００３６】
３−３．第３の変形例
図１１は、磁性体装置１の第３の変形例を示す断面図である。磁気シールド３０の本体部３１の形状は任意である。例えば図１１に示されるように、磁気シールド３０の本体部３１は、基板１０から見て凸になるように湾曲していてもよい。また、湾曲した本体部３１の頭頂部に突出部３２が設けられていてもよい。
【００３７】
３−４．第４の変形例
図１２は、磁性体装置１の第４の変形例を示す断面図である。パッケージ構造が許せば、図１２に示されるように、基板１０の両側に磁気シールド３０が設けられてもよい。より詳細には、第１磁気シールド３０Ａが第１主面１１側に配置され、第２磁気シールド３０Ｂが第２主面１２側に配置されている。磁気シールド３０Ａ、３０Ｂの各々は、磁気シールド３０と同様である。
【００３８】
第１磁気シールド３０Ａは、本体部３１Ａと、少なくとも１つの突出部３２Ａとを備えている。本体部３１Ａの下面ＬＳは、基板１０の第１主面１１側に位置している。一方、本体部３１Ａの上面ＵＳは、基板１０の第１主面１１と反対側に位置している。突出部３２Ａは、カバー領域ＲＣＡにおける本体部３１Ａの上面ＵＳ上に設けられている。各突出部３２Ａは、本体部３１Ａの上面ＵＳに対して“斜め”に形成されている。
【００３９】
第２磁気シールド３０Ｂは、本体部３１Ｂと、少なくとも１つの突出部３２Ｂとを備えている。本体部３１Ｂの下面ＬＳは、基板１０の第２主面１２側に位置している。一方、本体部３１Ｂの上面ＵＳは、基板１０の第２主面１２と反対側に位置している。突出部３２Ｂは、カバー領域ＲＣＢにおける本体部３１Ｂの上面ＵＳ上に設けられている。各突出部３２Ｂは、本体部３１Ｂの上面ＵＳに対して“斜め”に形成されている。
【００４０】
本変形例によれば、磁気シールド効果が更に向上する。尚、磁束の流れの観点から言えば、図１２に示されるように、第１磁気シールド３０Ａと第２磁気シールド３０Ｂは、基板１０を挟んで対称的であることが好ましい。特に、突出部３２Ａ、３２Ｂの配置パターンが、基板１０を挟んで対称的であると好適である。
【００４１】
３−５．第５の変形例
磁気シールド３０の外周面は露出していてもよいが、腐食防止や加工性を考えると、磁気シールド３０の外側も樹脂封止した方が望ましい。図１３は、磁性体装置１の第５の変形例を示す断面図である。図１３において、磁気シールド３０の外周面（磁気空洞空間ＭＣ側と逆側の面）は、外部モールド樹脂５０によって覆われている。これにより、磁気シールド３０の腐食が防止され、また、加工性も向上する。
【００４２】
更に、磁気シールド３０の外側の外部モールド樹脂５０には、磁性体粉が混合されていてもよい。すなわち、磁気シールド３０の外周面（磁気空洞空間ＭＣ側と逆側の面）は、磁性体粉が混合された外部モールド樹脂５０によって覆われていてもよい。これにより、全体としてのシールド効果が更に高まる。また、磁気シールド３０の端部から放出される磁束を、透磁率の差により、磁気空洞空間ＭＣではなく外部モールド樹脂５０側に集めることができる。磁束の磁気空洞空間ＭＣへの侵入が更に抑制され、好適である。
【００４３】
３−６．第６の変形例
図１４は、磁性体装置１の第６の変形例を示す断面図である。本変形例において、磁気シールド３０は、導電性磁性材料で形成された金属磁気シールドである。そして、その金属磁気シールド３０が接地されている。例えば、基板１０上にグランドパッド６１が設けられ、金属磁気シールド３０は半田６２を介してそのグランドパッド６１に電気的に接続される。このように接地した金属磁気シールド３０は、電磁波シールドの役割も果たすことになり、好適である。
【００４４】
３−７．第７の変形例
図１５Ａは、磁性体装置１の第７の変形例を示す断面図である。本変形例において、基板１０上には複数の磁性体素子２０が搭載され、磁気シールド３０はそれら複数の磁性体素子２０の全てをカバーするように共通に設けられる。例えば、配線基板１０上に２つのＭＲＡＭチップ２０−１、２０−２が搭載され、磁気シールド３０はそれらＭＲＡＭチップ２０−１、２０−２の両方をカバーするように共通に設けられる。
【００４５】
なお、図１５Ａは２つのＭＲＡＭチップ２０−１、２０−２がＸ軸方向に並んだ態様であるが、複数のＭＲＡＭチップがＹ軸方向に並んだ態様、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に２次元的に並んだ態様も、もちろん可能である。
【００４６】
図１５Ｂは、マルチチップモジュールパッケージの例を示している。例えば、基板１０上に、複数のＭＲＡＭチップ２０Ａが搭載される。また、１パッケージ内に、ＭＲＡＭチップ２０Ａと他の半導体チップ２０Ｂが混載されていてもよい。いずれの場合であっても、磁気シールド３０は全てのチップをカバーするように設けられる。
【００４７】
矛盾しない限りにおいて、上述の変形例同士の組み合わせも可能である。
【００４８】
本発明は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージ、ＦＣＢＧＡ（Flip Chip Ball Grid Array）パッケージ、ＱＦＰ（Quad
Flat Package）、マルチチップモジュールパッケージ等の様々なパッケージ（磁気シールドパッケージ）に適用可能である。
【００４９】
４．製造方法
本実施の形態に係る突出部３２を製造する方法は様々考えられる。
【００５０】
例えば、図１６に示されるように、本体部３１となる磁性体板に、まず、溝が形成される。次に、突出部３２となる磁性体小板が溝に打ち込まれる。続いて、その磁性体小板が所望方向に折り曲げられる。
【００５１】
あるいは、図１７に示されるように、本体部３１となる磁性体板に、ブレードで斜めの切りこみが形成される。続いて、その斜めの切りこみに、突出部３２となる磁性体小板が打ち込まれる。
【００５２】
あるいは、図１８に示されるように、磁性体板にプレス歯で切りこんだ後、プレス歯を持ち上げて突出部３２を一気に形成する。
【００５３】
以上、本発明の実施の形態が添付の図面を参照することにより説明された。但し、本発明は、上述の実施の形態に限定されず、要旨を逸脱しない範囲で当業者により適宜変更され得る。
【００５４】
本出願は、２００９年１０月１３日に出願された日本国特許出願２００９−２３６２６６を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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