(57)【要約】  高い気密性を有する電子部品および素子用パッケージを提供し、これらの製造方法において、工程を簡略化し、生産性を向上させる。  本発明の、素子と該素子を収納したパッケージとを有する電子部品は、該パッケージが、セラミック基体と蓋体と前記セラミック基体と前記蓋体を接続する接続部材とを具備し、前記蓋体の前記接続部材との接合部は金属からなり、前記接続部材はアルミニウムを主成分とする金属からなり、かつ、前記セラミック基体と直接接合しており、前記素子は前記セラミック基体または前記蓋体に固定されている。
2011058834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子と該素子を収納したパッケージとを有する電子部品において、
該パッケージは、セラミック基体と、蓋体と、該セラミック基体と該蓋体を接続する接続部材とを具備し、
前記蓋体の前記接続部材との接合部は金属からなり、
前記接続部材はアルミニウムを主成分とする金属からなり、かつ、前記セラミック基体と直接接合しており、
前記素子は前記セラミック基体または前記蓋体に固定されていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記接続部材は、アルミニウムを８６ｗｔ％以上含有する金属からなること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記蓋体の前記接続部材との接合部はアルミニウムを主成分とする金属からなること、
を特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記蓋体が前記素子を収納可能な凹部を有していること、
を特徴とする請求項１乃至３の内いずれか１項に記載の電子部品
【請求項５】
前記パッケージ内に電解液が注入されていること、
を特徴とする請求項１乃至４の内いずれか１項に記載の電子部品
【請求項６】
素子を収納するためのパッケージにおいて、
該パッケージは、セラミック基体と、蓋体と、該セラミック基体と該蓋体を接続する接続部材とを具備し、
前記蓋体の前記接続部材との接合部は金属からなり、
前記接続部材はアルミニウムを主成分とする金属からなり、かつ、前記セラミック基体と直接接合していること、
を特徴とする素子用パッケージ。
【請求項７】
素子と、該素子を収納するための、セラミック基体と蓋体からなるパッケージとを有する電子部品の製造方法において、
素子と、セラミック基体と、金属からなる接合部を有する蓋体と、を準備する工程と、
前記セラミック基体の表面にアルミニウムを主成分とする金属からなる接続部材を形成する工程と、
前記セラミック基体または前記蓋体に前記素子を固定する工程と、
前記接続部材に前記蓋体の接合部を接合することでパッケージを形成する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記接続部材を形成する工程は、
アルミニウムを主成分とする金属からなる溶湯を準備する工程と、
前記セラミック基体に前記溶湯を付着させた後、該溶湯を凝固させることで、前記セラミック基体の表面に金属層を形成する工程と、
前記金属層をパターニングすることで接続部材を形成する工程とを有すること、
を特徴とする請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記金属層を形成する工程の後に、
該金属層をパターニングすることで前記素子を固定するための内部電極を形成する工程を更に備えること、
を特徴とする請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記接続部材は、アルミニウムを８６ｗｔ％以上含有する金属からなること、
を特徴とする請求項７乃至９の内いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記蓋体の接合部はアルミニウムを主成分とする金属からなること、
を特徴とする請求項７乃至１１の内いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記蓋体が前記素子を収納可能な凹部を有していること、
を特徴とする請求項７乃至１１の内いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記接続部材に前記蓋体を接合する工程は、
レーザ溶接にて行われることを特徴とする請求項７乃至１２の内いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記パッケージ内に電解液を注入する工程を更に備えること、
を特徴とする請求項７乃至１３の内いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１５】
素子を収納するためのパッケージの製造方法であって、
セラミック基体と金属からなる接合部を有する蓋体とを準備する工程と、
前記セラミック基体の表面にアルミニウムを主成分とする金属からなる接続部材を形成する工程と、
前記接続部材に前記蓋体の接合部を接合する工程と、
を有することを特徴とする素子用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い気密性を有する電子部品および素子用パッケージ、並びにこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より電子機器の小型化・薄型化に伴い、電気二重層コンデンサや電池、圧電デバイスなどの電子部品はより一層の小型化・薄型化が要求されている。このような電子部品としては、回路基板等への実装に適した表面実装型のものが多用されている。表面実装型の電子部品は、セラミックなどの絶縁材料で形成された基体に、金属製の蓋体を接続部材で接合することで構成されたパッケージ内に、素子が収納された構造が採用される場合がある。特許文献１には、図７に示すような、電池の構造が開示されている。【０００３】
図７に記載の電池１８０は、素子と、該素子が収納される素子用パッケージと、電解液からなっている。【０００４】
以下に、素子用パッケージの構造について説明する。酸化アルミニウムからなるセラミック基体１１０は上面の中央部に凹部を有し、この凹部の内側面と底面との間に段差１１０ａが形成されている。前記凹部の底面には内部電極１２２ａが形成されており、段差１１０ａの上面には内部電極１２２ｂが形成されている。さらに、セラミック基体１１０の外部底面には、外部電極１２４ａ，１２４ｂが設けられている。内部電極１２２ａから外部電極１２４ａにかけては接続電極１２３ａが、内部電極１２２ｂから外部電極１２４ｂにかけては接続電極１２３ｂが、それぞれ形成されている。これらの電極は、タングステンにて構成されている。【０００５】
また、セラミック基体１１０の上面には、前記凹部を取り囲むようにして、タングステンからなる金属下地層１２８ａが接合されている。金属下地層１２８ａはニッケルめっき１２８ｂで覆われており、下地層１２８を形成している。【０００６】
そして、セラミック基体１１０の前記凹部を取り囲むようにして、鉄−ニッケル−コバルト合金の表面にアルミニウム層が形成された枠状部材１２６が、アルミニウムロウ１２７にて下地層１２８にロウ付けされている。アルミニウムロウ１２７は下地層１２８の表面を覆うように形成されている。【０００７】
この下地層１２８によって、セラミック基体１１０上面のアルミニウムロウ１２７との濡れ性が良くなり、セラミック基体１１０と枠状部材１２６との接合強度がより強固なものとなる。【０００８】
そして、枠状部材１２６上に、アルミニウムからなる蓋体１５０がアルミニウムロウ１２５にてロウ付けされている。【０００９】
この素子用パッケージ内には、素子１４０が収納されている。素子１４０は、ＬｉＣｏＯ2およびアセチレンブラックを含有する板状の正極１４１と、コークスを含有する板状の負極１４２が、ポリオレフィン繊維製の不織布からなるセパレータ１４３を介して積層されることで形成されている。正極１４１が内部電極１２２ａに、負極１４２が内部電極１２２ｂにそれぞれ接続されることで、セラミック基体１１０の凹部内に素子１４０が固定されている。【００１０】
また、この素子用パッケージ内には、四フッ化ホウ酸リチウムが有機溶媒としてのジメトキシエタンに溶解された電解液１７０が注入されている。【００１１】
このようにして、気密に封止された電池１８０が構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００５−６３９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上述した従来技術は、電池１８０の使用時や製造過程において、アルミニウムロウ１２７からなるアルミニウム層に微小なクラックが生じた場合、電解液１７０が下地層１２８と接触してしまうという問題があった。電解液１７０が下地層１２８と接触すると、下地層１２８が腐食してしまい、電池１８０の気密性が低下する。このような接触は、アルミニウムロウ１２７で下地層１２８の表面が十分に覆われていない場合や、ロウ付けの際にアルミニウムロウ１２７と下地層１２８の金属が合金化してしまい、下地層１２８の金属が表面に露出したりした場合にも発生する。【００１４】
また、このような合金化が起こると、接合部の強度が著しく低下する危険性がある。【００１５】
さらに、セラミック基体１１０と蓋体１５０の接合のために、アルミニウムロウ１２５，１２７、枠状部材１２６、下地層１２８を必要とし、製造工程が煩雑となり、多大な手間及び労力を要するため、生産性が低いという問題もあった。【００１６】
そこで、本発明では、高い気密性を有する電子部品および素子用パッケージを提供し、これらの製造方法において、工程を簡略化し、生産性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明の電子部品は、素子と該素子を収納したパッケージとを有する電子部品において、該パッケージは、セラミック基体と、蓋体と、前記セラミック基体と前記蓋体を接続する接続部材とを具備し、前記蓋体の前記接続部材との接合部は金属からなり、前記接続部材はアルミニウムを主成分とする金属からなり、かつ、前記セラミック基体と直接接合しており、前記素子は前記セラミック基体または前記蓋体に固定されていること、を特徴としている。【００１８】
また、本発明の電子部品は、前記接続部材が、アルミニウムを８６ｗｔ％以上含有する金属からなることが好ましい。【００１９】
また、本発明の電子部品は、前記蓋体の前記接続部材との接合部がアルミニウムを主成分とする金属からなることが好ましい。【００２０】
また、本発明の電子部品は、前記蓋体が前記素子を収納可能な凹部を有していることが好ましい。【００２１】
また、本発明の電子部品は、前記パッケージ内に電解液が注入されていることが好ましい。【００２２】
また、本発明の素子用パッケージは、素子を収納するためのパッケージであって、該パッケージは、セラミック基体と、蓋体と、前記セラミック基体と前記蓋体を接続する接続部材とを具備し、前記蓋体の前記接続部材との接合部は金属からなり、前記接続部材はアルミニウムを主成分とする金属からなり、かつ、前記セラミック基体と直接接合していること、を特徴としている。【００２３】
また、本発明によれば、素子と、セラミック基体と、金属からなる接合部を有する蓋体と、を準備する工程と、前記セラミック基体の表面にアルミニウムを主成分とする金属からなる接続部材を形成する工程と、前記セラミック基体または前記蓋体に前記素子を固定する工程と、前記接続部材に前記蓋体の接合部を接合することでパッケージを形成する工程と、を有することを特徴とする、素子と該素子を収納するための、セラミック基体と蓋体からなるパッケージとを有する電子部品の製造方法が提供される。【００２４】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記接続部材を形成する工程が、アルミニウムを主成分とする金属からなる溶湯を準備する工程と、前記セラミック基体に前記溶湯を付着させた後、該溶湯を凝固させることで、前記セラミック基体の表面に金属層を形成する工程と、前記金属層をパターニングすることで接続部材を形成する工程とを有することが好ましい。【００２５】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記金属層を形成する工程の後に、該金属層をパターニングすることで前記素子を固定するための内部電極を形成する工程を更に備えることが好ましい。【００２６】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記接続部材が、アルミニウムを８６ｗｔ％以上含有する金属からなることが好ましい。【００２７】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記蓋体の接合部がアルミニウムを主成分とする金属からなることが好ましい。【００２８】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記蓋体が前記素子を収納可能な凹部を有していることが好ましい。【００２９】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記接続部材に前記蓋体を接合する工程が、レーザ溶接にて行われることが好ましい。【００３０】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記パッケージ内に電解液を注入する工程を更に備えていることが好ましい。【００３１】
また、本発明によれば、セラミック基体と金属からなる接合部を有する蓋体とを準備する工程と、前記セラミック基体の表面にアルミニウムを主成分とする金属からなる接続部材を形成する工程と、前記接続部材に前記蓋体の接合部を接合する工程と、を有することを特徴とする、素子を収納するための素子用パッケージの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００３２】
以上のように、本発明に係る電子部品および素子用パッケージは、セラミック基体と蓋体とを接続する接続部材がアルミニウムを主成分とする金属からなるため、高い強度を有し、電解質に対しても耐食性が高い。このため、高い気密性を有する。【００３３】
また、接続部材として下地層などを必要としないため、工程が簡略化され、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施の形態による、セラミック基体の表面に金属層を形成する工程を説明するための模式図である。
【図２】本発明の実施の形態による、基板の構成を示すための模式図である。
【図３】本発明の実施の形態による、セラミック基体に素子を固定する工程を説明するための模式図である。
【図４】本発明の実施の形態による、電子部品の製造方法および構成を説明するための模式図である。
【図５】本発明の変形例による、電子部品の製造方法を説明するための模式図である。
【図６】本発明の他の変形例による、電子部品の製造方法を説明するための模式図である。
【図７】従来の電子部品の構成を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下において、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
【００３６】
図１は、本発明の実施の形態による、セラミック基体の表面に金属層を形成する工程を説明するための図である。
【００３７】
まず、基体として、図１（Ａ）に示すような、スルーホール１１ａ，１１ｂを有するアルミナからなるセラミック基体１０を準備する。
【００３８】
また、所望の組成の、アルミニウムを主成分とする金属をるつぼの中にセットし、その後、窒素ガス雰囲気中において前記るつぼをヒーターで加熱することにより、前記金属を溶解することで、溶湯を準備する。本実施の形態においては、前記アルミニウムを主成分とする金属として、アルミニウムを９９ｗｔ％含有する金属を用いた。
【００３９】
次いで、セラミック基体１０を前記溶湯中に浸漬する。これにより、セラミック基体１０の表面に前記溶湯が付着される。この時、スルーホール１１ａ，１１ｂ内にも前記溶湯が流れ込み、充填される。その後、セラミック基体１０は前記溶湯中から窒素雰囲気中に取り出され、表面に付着された溶湯が徐々に冷却，凝固され、セラミック基体１０の表面に接合される。これにより、図１（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、セラミック基体１０の表面およびスルーホール１１ａ，１１ｂ内にアルミニウムの金属層２０が形成された複合部材３０が得られる。このような溶湯を用いたセラミックと金属の接合では、溶湯状態から徐々に金属を冷却するプロセスを経るため、金属とセラミックとの高い格子整合性が得られ、接合強度が強固なものとなる。
【００４０】
その後、複合部材３０の表面が研磨機で研磨され、金属層２０の表面が均質化される。
【００４１】
次に、前記金属層をパターニングすることで、接続部材や内部電極等を形成する工程について説明する。
【００４２】
まず、金属層２０の表面に感光レジスト膜を形成し、遮光パターンマスクを当てて露光し、さらに現像処理を行い、遮光した部分のレジスト膜を除去した。次いで、金属層２０のレジスト膜が被着したマスキング部分を残して、その他の部分を塩化第二鉄−塩酸混合エッチング溶液で溶解することでパターニングを行った。これにより、図２に示すように、セラミック基体１０の表面に内部電極２２ａ，２２ｂ、外部電極２４ａ，２４ｂ、接続部材２１が形成された、基板３１が得られた。
【００４３】
接続部材２１は、内部電極２２ａ，２２ｂを取り囲むようにして枠状に形成される。
【００４４】
また、内部電極２２ａと外部電極２４ａは、スルーホール１１ａ内に形成された金属層２０からなる接続電極２３ａで電気的に接続されている。
【００４５】
また、内部電極２２ｂと外部電極２４ｂは、スルーホール１１ｂ内に形成された金属層２０からなる接続電極２３ｂで電気的に接続されている。
【００４６】
なお、外部電極２４ａ，２４ｂの表面には、はんだとの濡れ性を良くするためにめっきが施される。本実施の形態においては、外部電極２４ａ，２４ｂの表面に、ニッケルめっきおよび金めっきにより、金属層を順次被着した。
【００４７】
このように、内部電極や外部電極、接続電極が、溶湯により形成された金属層のパターニングによって接続部材と同時に形成されるため、それぞれを別々の工程で形成する場合と比較して、工程が簡略化され、生産性が向上する。
【００４８】
次に、図３を参照しながら、セラミック基体に素子を固定する工程について説明する。
【００４９】
素子４０は、正極４１と負極４２が、その間に絶縁性のセパレータ４３を介在させて巻回されることで形成されている。正極４１や負極４２としては、アルミニウムからなるシート状集電体の表面に、活性炭を含む分極性電極層が担持されたものを用いた。
【００５０】
正極４１の一方の端部は、超音波溶接により、セラミック基体１０の表面に形成された内部電極２２ａに接続され、固定される。負極４２の一方の端部は、超音波溶接により、セラミック基体１０の表面に形成された内部電極２２ｂに接続され、固定される。なお、これらの接続は超音波溶接に限るものではなく、レーザ溶接やＴＩＧ溶接などを用いてもよい。
【００５１】
次に、接続部材に蓋体の接合部を接合することで、素子用パッケージを形成する工程について説明する。
【００５２】
まず、図４（Ａ）に示すような、素子４０を収納可能な凹部５１ａおよび貫通孔５２ａを有する、アルミニウムを９９ｗｔ％含有する金属からなる蓋体５０ａを準備する。蓋体５０ａの縁に位置する端部５０ａ’は、凹部５１ａとは反対側に、つまり外側に、折り曲げられている。
【００５３】
セラミック基体１０の表面に形成された接続部材２１に、蓋体５０ａの端部５０ａ’がレーザ溶接接合されることで、素子４０を収納するための素子用パッケージが得られる。
【００５４】
溶接は抵抗溶接や超音波溶接などの接合方法を用いてもよいが、レーザ溶接が好ましい。レーザ溶接は、端部５０ａ’の接続部材２１との接触面とは反対側の表面５３’上にレーザビーム６０が照射されることで行われる。レーザ溶接を用いることで、他の接合方法と比較して微小な領域の部分的な溶接が可能であるため、溶接むらがなく、封止不良が低減されることに加え、セラミック基体１０の接合部周辺などを熱により損傷させる危険性が低い。また、抵抗溶接のように溶接部分を強く押圧する必要がないため、セラミック基体や蓋体、接続部材の損傷や変形が抑えられる。また、接合幅の設定が容易であるため、電子部品の様々なサイズに適用でき、電子部品の小型化にも対応可能である。接合幅を変えることによる接合強度の設計も容易に行える。また、超音波溶接などと比べて、溶接の際のスパッタの飛散を少なくできるため、これに起因するショートの発生が抑制できる。
【００５５】
なお、レーザ溶接を行う場合、接続部材２１の厚さＴ２は端部５０ａ’の厚さＴ１よりも厚くすることが好ましい。このようにすることで、より小さなレーザのエネルギーで、強固に溶接接合を行うことができる。
【００５６】
接続部材２１はアルミニウムを８６ｗｔ％以上含有していることが好ましく、９９ｗｔ％以上含有しているとより好ましい。アルミニウム以外の金属の含有量が多いと、溶接時などにおいて合金化が進み、接続部材の強度が著しく低下する危険性がある。また、金属間の融点の違いによって溶接むらなどの接続むらが生じ、封止不良が発生する危険性もある。
【００５７】
次に、素子用パッケージ内に電解液を注入し、該パッケージを封止する工程について説明する。
【００５８】
図４（Ｂ）に示すように、孔５２ａより電解液７０を前記素子用パッケージ内に注入する。電解液７０は、電解質としてＴＥＭＡ−ＢＦ4（テトラフルオロホウ酸トリエチルメチルアンモニウム）、有機溶媒としてＰＣ（プロピレンカーボネート）を用いた。
【００５９】
その後、アルミニウム製の金属球５４が孔５２ａを塞ぐように設置され、レーザ溶接により蓋体５０ａに溶接されることにより、前記素子用パッケージが気密に封止される。
【００６０】
以上により、電気二重層コンデンサ８０が得られる。
【００６１】
このように、本実施の形態によれば、接続部材として、電解液に対して耐食性の低い金属による下地層を形成する必要がなく、耐食性の高いアルミニウムを主成分とする金属を用いているため、接続部材が電解液との接触により腐食されることがなく、素子用パッケージの高い気密性が確保される。また、下地層に使用している金属等と合金化して、強度が劣化することもない。
【００６２】
また、一般的に前記下地層としてはタングステンやニッケルなどが使用されるが、本実施の形態では下地層を必要としないため、原料コストが低減されることに加えて、工程が簡略化され、生産性が向上する。
【００６３】
また、内部電極も前記接続部材と同じ材料で形成されているため、電解液に対する高い耐食性が得られる。
【００６４】
また、蓋体や該蓋体の接続部材との接合部もアルミニウムを主成分とする金属を用いているため、電解液に対する高い耐食性が得られる。
【００６５】
また、本実施の形態では、電子部品として電気二重層コンデンサについて説明を行ったが、これに限定されるものではなく、電池や圧電デバイスなどの素子用パッケージ内に素子を有する電子部品に適用が可能である。
【００６６】
なお、本実施の形態では、セラミック基体１０としてアルミナを用いたが、これに限定されるものではなく、例えば窒化アルミニウムなどを用いてもよい。窒化アルミニウムは、アルミナと比較して材料としてのコストが高いものの、熱伝導率が高く、放熱性に優れる。
【００６７】
また、本実施の形態において、蓋体５０ａの外側の表面５３には、外観良好性の向上、強度強化、熱膨張抑制などのためにＳＵＳ，コバール，４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金など、蓋体５０ａとは異なる材料からなる金属がクラッドされることで、クラッド層が形成されていてもよい。この場合、セラミック基体１０の表面に形成された接続部材２１に、蓋体５０ａの端部５０ａ’をレーザ溶接する際、溶接で発生する熱により接続部材２１と前記クラッド層が合金化することを防止するため、端部５０ａ’のアルミニウムを主成分とする層の厚さＴ１は１０μｍ以上であることが好ましい。
【００６８】
また、本実施の形態においては、接続部材２１として、ケイ素を４．５〜１４ｗｔ％の範囲で含有したアルミニウム−ケイ素系の合金が用いられてもよい。該合金は、熱膨張係数がセラミック基体と近い。このため、該合金を接続部材として用いた場合、セラミック基体と接続部材の熱膨張率の差に起因する熱応力が小さくなり、ひび等の発生が抑制され、素子用パッケージの気密性が向上する。このような合金としては、例えば、ＪＩＳ規格に規定されているＡ４０４３（ケイ素含有量４．５〜６．０ｗｔ％）やＡ４０３２（ケイ素含有量１１．０〜１３．５ｗｔ％）が用いられる。
【００６９】
また、本実施の形態では、アルミニウムを９９ｗｔ％含有する金属からなる蓋体５０ａを用いたが、該蓋体は前記接続部材との接合部がアルミニウムを主成分とする金属からなるものであればよい。該接合部が、アルミニウムを８６ｗｔ％以上含有しているとより好ましい。
【００７０】
また、凹部を有する蓋体は、接合部のみがアルミニウムを主成分とする金属からなり、他の部分はセラミックで形成されていてもよい。また、セラミック基体の方が、凹部を有していてもよい。しかし、セラミック基体と蓋体にて形成される素子用パッケージの側壁は金属からなることが好ましい。この場合、セラミック基体と蓋体の熱膨張率の差に起因する熱応力を側壁が吸収、緩和しやすくなる。このため、側壁にひび等が発生し、素子用パッケージの気密性が劣化する危険性が少ない。
【００７１】
また、本実施の形態では、蓋体の表面にレーザビームが照射されることで蓋体の溶接が行われたが、図５に示す変形例のように、蓋体５０ｂと接続部材２１との界面にレーザビーム６１が照射されることで溶接が行われてもよい。蓋体５０ｂは素子４０を収納可能な凹部５１ｂを有しており、縁に位置する端部５０ｂ’は折り曲げられていない。
【００７２】
この場合、レーザビーム６１が誤ってセラミック基体１０に照射されることを防ぐため、接続部材２１の厚さを厚くすることが好ましい。また、本変形例によれば、端部５０ｂ’が凹部５１ｂとは反対側に、つまり外側に、折り曲げられていてもよいが、折り曲げられていない方が、素子用パッケージの内容積を大きくすることができる。
【００７３】
また、本実施の形態では、蓋体の孔を塞ぐために金属球を用いたが、図６に示す他の変形例のように、孔５２ｃの周囲から外部に突出した突出部５０ｃ’を有する蓋体５０ｃを用いてもよい。この場合、図６（Ａ）に示すように、孔５２ｃより電解液７０が素子用パッケージ内に注入された後、突出部５０ｃ’にレーザビーム６２が照射される。これにより突出部５０ｃ’が溶融され、その後、冷却されることで、図６（Ｂ）に示すように、孔５２ｃを塞ぐ栓５０ｃ”が形成され、素子用パッケージが気密に封止される。このようにして、電気二重層コンデンサ８１が得られる。
【００７４】
なお、図５および図６においては、図１乃至４と同一の要素に関しては、同一の符号を付している。
【符号の説明】
【００７５】
１０，１１０ セラミック基体
１１ａ，１１ｂ スルーホール
２０ 金属層
２１ 接続部材
２２ａ，２２ｂ，１２２ａ，１２２ｂ 内部電極
２３ａ，２３ｂ，１２３ａ，１２３ｂ 接続電極
２４ａ，２４ｂ，１２４ａ，１２４ｂ 外部電極
３０ 複合部材
３１ 基板
４０，１４０ 素子
４１，１４１ 正極
４２，１４２ 負極
４３，１４３ セパレータ
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，１５０ 蓋体
５０ａ’，５０ｂ’ 端部
５０ｃ’ 突出部
５０ｃ” 栓
５１ａ，５１ｂ 凹部
５２ａ，５２ｃ 孔
５３，５３’ 表面
５４ 金属球
６０，６１，６２ レーザビーム
７０，１７０ 電解液
８０，８１ 電気二重層コンデンサ
１１０ａ 段差
１２５，１２７ アルミニウムロウ
１２６ 枠状部材
１２８ 下地層
１２８ａ 金属下地層
１２８ｂ めっき
１８０ 電池
Ｔ１，Ｔ２ 厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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