(57)【要約】  本発明の情報記録媒体（１）は、記録膜（１１４，１２４）を備え、記録膜（１１４，１２４）にレーザ光（１８）を照射することによって情報の記録及び再生が可能な情報記録媒体であって、記録膜（１１４，１２４）に対してレーザ光（１８）の入射側に配置された、混合誘電体膜（第２誘電体膜１１６，１２６）をさらに備えている。混合誘電体膜は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）で構成される混合誘電体材料を含んでいる。
2011024381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録膜を備え、前記記録膜にレーザ光を照射することによって情報の記録及び再生が可能な情報記録媒体であって、
前記記録膜に対して前記レーザ光入射側に配置された混合誘電体膜をさらに備え、
前記混合誘電体膜は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）で構成される混合誘電体材料を含む、
情報記録媒体。
【請求項２】
前記混合誘電体膜が、前記酸化物Ｘを３０ｍｏｌ％以下で含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記混合誘電体膜に含まれるＺｎの硫化物及びＳｉの酸化物において、Ｚｎの硫化物及びＳｉの酸化物の合計に対するＳｉの酸化物のモル比率が０．３以下である、請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記酸化物Ｘが、Ｔｉの酸化物及びＮｂの酸化物より選ばれる少なくとも何れか一つである、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記混合誘電体材料が、式：
｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）
で表され、
前記式中、ｘ及びｙは、０＜ｘ＜１００、０＜ｙ＜１をそれぞれ満たし、且つ、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記式において、ｘ及びｙは、０＜ｘ≦３０、０＜ｙ≦０．３をそれぞれ満たす、請求項５に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記Ｄが、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5より選ばれる少なくとも何れか一つである、請求項５に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍにおける前記混合誘電体膜の屈折率が２．１５以上、且つ、消衰係数が０．０４以下である、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記記録膜と前記混合誘電体膜との間に、界面膜がさらに設けられた、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記混合誘電体膜の膜厚が、２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
前記レーザ光入射側と反対側から、第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が順に配置され、
前記第１情報層〜第Ｎ情報層に含まれる少なくとも一つの情報層が、前記レーザ光入射側から、前記混合誘電体膜及び前記記録膜をこの順に備えている、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
前記第１情報層〜第Ｎ情報層に含まれる第ｎ情報層が、前記レーザ光入射側から、前記混合誘電体膜及び前記記録膜をこの順に備え、ｎが１＜ｎ≦Ｎを満足する整数である、請求項１１に記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）によって構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、
前記工程において、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＤ（ただし、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである）を含むスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、前記混合誘電体膜を形成する、
情報記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記スパッタリングターゲットを用いて形成した前記混合誘電体膜が、前記Ｄを３０ｍｏｌ％以下で含む、請求項１３に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記スパッタリングターゲットを用いて形成した前記混合誘電体膜に含まれるＺｎＳ及びＳｉＯ2において、ＺｎＳ及びＳｉＯ2の合計に対するＳｉＯ2のモル比率が０．３以下である、請求項１３に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）で構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、
前記工程において、ＺｎＳとＳｉＯ2とからなる第１のスパッタリングターゲットと、Ｄ（ただし、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである）からなる第２のスパッタリングターゲットとを用い、２つ以上のカソードを用いて前記第１のスパッタリングターゲット及び前記第２のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングすることにより、前記混合誘電体膜を形成する、情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記第１のスパッタリングターゲットが、ＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％以下で含む、請求項１６に記載の情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的手段によって情報を記録及び再生する情報記録媒体と、その製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光学的情報記録媒体の一例として、レーザ光を用いて光学的手段により情報の記録、消去及び書換えを行う相変化形情報記録媒体がある。この相変化形情報記録媒体としては、現在商品化されているＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃメディア等があり、デジタルハイビジョン放送に対応した大容量メディアとして、片面２層のＢＤ−ＲＥ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）メディア（記録容量５０ＧＢ、転送速度３６Ｍｂｐｓ（１倍速））が商品化されている。【０００３】
この片面２層のＢＤ−ＲＥメディアは、２つの情報層を有し、レーザ光入射側からみて奥側に位置する全反射型の情報層Ｌ０と、レーザ光入射側に位置する半透過型の情報層Ｌ１とが、光学分離層を介して設けられている。半透過型の情報層Ｌ１の構成としては、光学分離層の表面上に、透過率調整膜、反射膜、第１誘電体膜、第１界面膜、記録膜、第２界面膜及び第２誘電体膜がこの順に形成されたものが挙げられる。【０００４】
記録膜には、結晶相と非晶質相との間で可逆変化を起こす相変化材料が用いられ、例えばＧｅ50Ｔｅ50とＳｂ40Ｔｅ60を結ぶライン上の組成を有する材料（特許文献１参照）や、前記材料においてＳｂをＢｉに置き換えた、Ｇｅ50Ｔｅ50とＢｉ40Ｔｅ60を結ぶライン上の組成を有する材料（特許文献２参照）や、又は、Ｓｂを主成分（７０原子％近傍）とし、ＳｂＴｅの共晶点近傍の組成をベースとして有する材料（特許文献３参照）が用いられる。一般に、情報の記録は、高パワー（記録パワー）のレーザ光を記録膜に照射し、当該記録膜を融点よりも高温に加熱して照射部を溶融させた後、急冷させて、非晶質相を形成することにより行われる。一方、情報の消去は、記録時より低パワー（消去パワー）のレーザ光を記録膜に照射し、当該記録膜をその結晶化温度よりは高く、且つ、融点よりも低い温度に加熱して昇温させた後、徐冷して結晶相を形成することにより行われる。このように形成された結晶部と非晶質部とで反射率差が生じるため、情報を再生することができる。結晶部と非晶質部との間での反射率差及び反射率比が大きいほど、良好な再生信号品質を得ることができる。【０００５】
第１誘電体膜と第２誘電体膜は、光学距離（＝屈折率×物理距離）を調節することで記録膜の光吸収効率を高め、結晶相における反射率と非晶質相における反射率との差を大きくし、信号振幅を大きくする機能を有する。また、記録膜を水分等から保護する機能も兼ね備える。これら誘電体膜の材料の一例として、８０ｍｏｌ％のＺｎＳと２０ｍｏｌ％のＳｉＯ2の混合物（以下、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20と表記する。）が挙げられる（例えば、特許文献４及び特許文献５参照）。この材料は、非晶質材料であり、熱伝導率が低く、高屈折率で高透明性を有するという特性を有する。また、膜形成時の成膜速度が速く、機械的特性や耐湿性にも優れている。このような優れた特性を有するため、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20は、誘電体膜を形成するのに非常に適した材料として実用化されてきた。【０００６】
透過率調整膜は、透過率を調整する機能を有する。この膜に屈折率ｎの大きい材料（好ましくはｎ≧２．５）を適用することにより、情報層の透過率を高くすることができ、また、記録膜が結晶相の場合の情報層の透過率と、記録膜が非晶質相の場合の情報層の透過率とを、互いに近づけることができる。【０００７】
第１界面膜と第２界面膜は、繰り返し書き換え記録を行う際、第１誘電体膜や第２誘電体膜を構成する元素が記録膜に拡散することを防止し、記録膜の書換え特性が変わらないようにする目的で設けられる。これら界面膜の材料としては、例えばＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3とを含む材料が開示されている（例えば特許文献６参照）。この材料は、青紫色波長領域（４０５ｎｍ付近）のレーザ光に対して透明性が高く、また高融点であるため耐熱性も高い、優れた材料である。【０００８】
反射膜は、光学的には記録膜に吸収される光量を増大させる機能を有し、熱的には記録膜で生じた熱を速やかに拡散させ、記録膜を急冷し非晶質化し易くする機能を有する。さらに、記録膜、界面膜及び誘電体膜を使用環境から保護する機能をも有する。このため、反射膜の材料として、熱伝導率の高いＡｇ合金が好ましく適用されてきた。【０００９】
今後さらなる記録コンテンツの容量増大やパソコン用途への普及、また環境面を考慮した省資源化、省スペース化のため、ディスク１枚あたりの容量を増やす必要がある。【００１０】
ディスク１枚あたりの容量を増やすためには、積層する情報層をより多くすること（多層化）や、１情報層あたりの記録容量をより高めること（高密度記録化）が挙げられる。【００１１】
情報層の多層化のためには、レーザ光入射側からみて奥に位置する情報層からも正しく（高Ｓ／Ｎ比の）情報を読み出せるよう、手前に位置する半透過型の情報層の透過率を高める必要がある。情報層の透過率を高めるためには、前述した構成において、レーザ光の吸収が大きい、記録膜や反射膜の膜厚を薄く設計しなければならない。しかしながら、反射率を維持しながら記録膜や反射膜の膜厚を薄くすると、反射率比が小さくなり、信号品質が劣化したり、書換え性能が悪化したりする。このため、記録膜及び反射膜について、薄くできる膜厚値には限界がある。そこで、多層情報記録媒体においては、積層する情報層が多くなるほど、設定反射率を低くすると同時に再生光のパワーを向上させて、高Ｓ／Ｎ比の信号を記録・再生できるようにしている。【００１２】
また１情報層あたり（面内）の記録容量を増やすためには、記録（マーク／スペース）密度を上げ、例えば１つの情報層あたりの記録容量を、２５ＧＢから３０ＧＢや３３．４ＧＢにすることも考えられる。記録密度が上がることにより、記録マーク（非晶質部）とスペース（結晶部）との間隔がつまる。このため、各層の材料組成や情報記録媒体の構成を、高密度記録に適したものにする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開昭６３−２２５９３４号公報
【特許文献２】特開昭６３−２２５９３５号公報
【特許文献３】特開平１−３０３６４３号公報
【特許文献４】特開昭６２−２８９９３７号公報
【特許文献５】特開昭６３−２５９８５５号公報
【特許文献６】特開２００３−３２３７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明者らは、相変化形情報記録媒体において、記録膜からの熱の放熱過程に注目し、従来構成における課題を見出した。【００１５】
上述のように、多層情報記録媒体においては、多層化により情報層の数が増えると再生光のパワーも上げなければならない。再生光のパワーが上がると、記録膜への熱負荷が大きくなり、非晶質の記録マークがその熱により結晶化してしまうことで、信号品質が劣化する。この現象は、再生サイクル（同じトラックを繰り返し再生）時に、より顕著となる。この問題を解決するためには記録膜からの放熱効率を向上させなければならないが、前述のように、半透過型の情報層では、透過率を上げるために反射膜の膜厚も薄くなっているため、記録膜からの反射膜側への放熱効率を向上させることは困難であり、放熱効率はむしろ低下している。【００１６】
また、高密度記録化によっても、マーク／スペース間隔がつまってくることで、相互の熱干渉の影響が大きくなり、より放熱効率を高める必要がある。【００１７】
そこで、本発明者らは、記録膜に対してレーザ光入射側に配置された第２誘電体膜の放熱効率を上げることで、記録膜に蓄積される熱を速やかに放熱させ、上記課題を解決することを考えた。具体的には、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20よりも高い熱伝導率を有する誘電体材料を、第２誘電体膜に適用することを考えた。【００１８】
ＺｎＳ−ＳｉＯ2は低熱伝導性のため、それよりも熱伝導率の高い誘電体材料に置換すれば、第２誘電体膜の高熱伝導率化が可能である。ただし、第２誘電体膜は、光学距離の調整により信号振幅を高める機能を有する必要があるため、高透明性や適正な屈折率を有していなければならない。そのため光学的特性も満足した誘電体材料が必要となる。【００１９】
そこで、本発明は、第２誘電体膜に従来用いられている材料よりも高い熱伝導率を有し、同時に、従来の材料と同程度の光学特性（高透明性や適正な屈折率）も有する材料を実現することによって、再生光に対する耐久性（以下、再生耐久性と記する）に優れ、また信号品質や繰り返し書き換え特性も良好な情報記録媒体を提供することを目的とする。さらに、本発明は、このような情報記録媒体を製造する方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明の情報記録媒体は、記録膜を備え、前記記録膜にレーザ光を照射することによって情報の記録及び再生が可能な情報記録媒体であって、前記記録膜に対して前記レーザ光入射側に配置された混合誘電体膜をさらに備え、前記混合誘電体膜は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）で構成される混合誘電体材料を含む。【００２１】
また、本発明の第１の情報記録媒体の製造方法は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）によって構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、前記工程において、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＤ（ただし、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである）を含むスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、前記混合誘電体膜を形成する。【００２２】
また、本発明の第２の情報記録媒体の製造方法は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）で構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、前記工程において、ＺｎＳとＳｉＯ2とからなる第１のスパッタリングターゲットと、Ｄ（ただし、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである）からなる第２のスパッタリングターゲットとを用い、２つ以上のカソードを用いて前記第１のスパッタリングターゲット及び前記第２のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングすることにより、前記混合誘電体膜を形成する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明において、記録膜よりもレーザ光入射側に配置される混合誘電体膜に用いられる混合誘電体材料は、従来の情報記録媒体において前記混合誘電体膜と対応する膜（第２誘電体膜）に一般的に用いられていた（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20よりも、高い熱伝導率を有する。このような混合誘電体材料を含む混合誘電体膜は、再生サイクル時の記録膜に蓄積された熱を速やかに拡散して、記録膜に熱負荷がかかることを抑制できる。これにより、本発明によれば、再生耐久性向上の効果が得られる。また、同時に、この高い放熱効果により、記録マーク（非晶質）の安定を高めることができ、高い信号保存性を得ることができる。また、この混合誘電体膜は、高透明性を有していることで、高い信号品質や繰り返し書き換え特性を得ることも可能である。【００２４】
また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態１における情報記録媒体の一部断面図
【図２】本発明の実施の形態２における情報記録媒体の一部断面図
【図３】本発明の情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う記録再生装置の一例の一部構成の概略図
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の情報記録媒体は、記録膜を備え、前記記録膜にレーザ光を照射することによって情報の記録及び再生が可能な情報記録媒体である。本発明の情報記録媒体は、記録膜に対してレーザ光入射側に配置された混合誘電体膜をさらに備えている。混合誘電体膜は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘで構成される混合誘電体材料を含んでいる。ここで、「酸化物Ｘ」とは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物のことであり、本明細書において、以降も同様の意味でこの表記を用いる。
【００２７】
本発明における混合誘電体膜は、本発明の効果を損なわない限り、前記混合誘電体材料以外の他の成分が含まれていてもよい。本発明における混合誘電体膜は、十分な効果を安定的に得るために、実質的に前記混合誘電体材料からなることが好ましい。この場合、混合誘電体膜は、混合誘電体材料を９５ｍｏｌ％以上含むことが望ましい。混合誘電体膜に微量（２ｍｏｌ％以下程度）の不純物が混入していたとしても、その効果に影響を及ぼさない程度であれば問題ない。混合誘電体膜は、混合誘電体材料のみから形成されていてもよい。
【００２８】
また、前記混合誘電体膜が前記酸化物Ｘを３０ｍｏｌ％以下で含むことにより、当該混合誘電体膜の透明性をより高めることができ、信号品質をより向上させることができる。
【００２９】
また、前記混合誘電体膜に含まれるＺｎの硫化物及びＳｉの酸化物において、Ｚｎの硫化物及びＳｉの酸化物の合計に対するＳｉの酸化物のモル比率を０．３以下とすることにより、当該混合誘電体膜の屈折率の低下が抑えられ、信号品質をより向上させることができる。
【００３０】
前記酸化物ＸをＴｉの酸化物及びＮｂの酸化物より選ばれる少なくとも何れか一つとすることによって、前記混合誘電体膜をより高熱伝導率化でき、再生耐久性や信号保存性をさらに向上させることができる。
【００３１】
前記混合誘電体材料が、式：
｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）
で表される材料であってもよい。なお、前記式中、ｘ及びｙは、０＜ｘ＜１００、０＜ｙ＜１をそれぞれ満たし、且つ、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである。これにより、前記混合誘電体膜の透明性をより高めることができ、また非晶質性も向上させることができるので、信号品質や繰り返し書換え性能をより向上させることができる。さらに、前記式において、ｘ及びｙが、０＜ｘ≦３０、０＜ｙ≦０．３をそれぞれ満たすようにすれば、前記混合誘電体膜の透明性をより一層高めることができ、信号品質を向上させることができる。なお、本明細書において、「｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）」とは、（１００−ｘ）ｍｏｌ％の「（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y」と、ｘｍｏｌ％の酸化物「Ｄ」との混合物であることを示している。また、「Ｄ」は、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つを表しており、本明細書においては、以降も同様の意味でこの表記を用いる。
【００３２】
前記ＤをＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5より選ばれる少なくとも何れか一つとすることによって、前記混合誘電体膜をより高熱伝導率化でき、再生耐久性や信号保存性をより向上させることができる。
【００３３】
また、波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍにおける前記混合誘電体膜の屈折率を２．１５以上、且つ、消衰係数を０．０４以下とすることは、反射率比が向上するので、好ましい。
【００３４】
また、前記記録膜と前記混合誘電体膜との間に、界面膜がさらに設けられていてもよい。この界面膜により、混合誘電体膜中の元素が記録膜中に拡散することが抑制されるので、記録特性の低下を抑制できる。
【００３５】
前記混合誘電体膜の膜厚を２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることで、信号品質をより向上させることができる。
【００３６】
本発明の構造は、複数の情報層が設けられた多層情報記録媒体に対しても適用できる。詳しくは、レーザ光入射側と反対側から、第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が順に配置され、前記第１情報層〜第Ｎ情報層に含まれる少なくとも一つの情報層が、レーザ光入射側から、前記混合誘電体膜及び前記記録膜をこの順に備えるようにすればよい。このように、本発明の構造を多層情報記録媒体に適用すれば、本発明における効果をより高く得ることができる。また、前記第１情報層〜第Ｎ情報層に含まれる第ｎ情報層が、レーザ光入射側から前記混合誘電体膜及び前記記録膜をこの順に備え、ｎが１＜ｎ≦Ｎを満足する整数であることにより、本発明における効果をさらに高く得ることができる。
【００３７】
次に、本発明の第１及び第２の情報記録媒体の製造方法について述べる。
【００３８】
本発明の第１及び第２の製造方法では、混合誘電体膜を、スパッタリング法を用いて形成する。スパッタリング法を用いることで、スパッタリングターゲットの組成と同じ組成を有する誘電体薄膜を形成できる。
【００３９】
そこで、本発明の第１の製造方法は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘによって構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、前記工程において、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＤを含むスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、前記混合誘電体膜を形成する、というものである。スパッタリングターゲットは、成膜する目的の混合誘電体膜の組成に応じて、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＤ以外の他の成分を含んでいてもよい。このスパッタリングターゲットに含まれる他の成分及びその含有量は、上述の、混合誘電体膜に含まれる他の成分と同様である。
【００４０】
また、前記第１の製造方法において、前記スパッタリングターゲットを用いて形成した前記混合誘電体膜が、前記Ｄを３０ｍｏｌ％以下で含むことが好ましい。
【００４１】
また、前記第１の製造方法において、前記スパッタリングターゲットを用いて形成した前記混合誘電体膜に含まれるＺｎＳ及びＳｉＯ2において、ＺｎＳ及びＳｉＯ2の合計に対するＳｉＯ2のモル比率が０．３以下であることが好ましい。
【００４２】
一方、本発明の第２の製造方法は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘで構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、前記工程において、ＺｎＳとＳｉＯ2とからなる第１のスパッタリングターゲットと、Ｄからなる第２のスパッタリングターゲットとを用い、２つ以上のカソードを用いて前記第１のスパッタリングターゲットおよび前記第２のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングすることにより、前記混合誘電体膜を形成する、というものである。このとき、前記第１のスパッタリングターゲットが、ＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％以下で含むことが好ましい。
【００４３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は例示的なものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。
【００４４】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体（光学的情報記録媒体）の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体１は、情報を記録再生する情報層を３層含んでおり、片面からのエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１８の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。情報記録媒体１は、基板１１上に、光学分離層１３、１５等を介して順次積層された、第１情報層１２、第２情報層１４及び第３情報層１６を有し、さらに第３情報層１６に接してカバー層１７が設けられている。第１情報層１２は全反射型の情報層であり、第２情報層１４及び第３情報層１６は半透過型の情報層である。
【００４５】
基板１１は円盤状の透明な基板である。基板１１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン及びポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１１の第１情報層１２側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための案内溝（トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されていてもよい。基板１１において、第１情報層１２側の面と反対側の面は、平滑であることが好ましい。なお、基板１１の厚さは５００μｍ〜１３００μｍ程度であるが、１０５０μｍ〜１１５０μｍの範囲にあることがより好ましい。
【００４６】
カバー層１７は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）及び遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、あるいは誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層１７には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、又はＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層１７を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって、第３情報層１６における第２誘電体膜１２６に貼り合わせることにより形成する。カバー層１７の厚さは、ＮＡ（Numerical Aperture）＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚さである４０μｍ〜８０μｍ程度が好ましく、５０μｍ〜６５μｍ程度がより好ましい。
【００４７】
光学分離層１３及び１５は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）及び遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、あるいは誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。光学分離層１３及び１５は、第１情報層１２、第２情報層１４及び第３情報層１６のフォーカス位置を区別するために用いられる。その厚さは、対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λとによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。また、第２情報層１４における裏焦点の影響を防ぐため、光学分離層１３と光学分離層１５との膜厚は、互いに異なることが好ましい。また、光学分離層１３及び１５において、レーザ光の入射側の面に、案内溝が形成されていてもよい。
【００４８】
次にまず、第１情報層１２の構成について説明する。第１情報層１２は、基板１１の表面上に、反射膜１０１、第１誘電体膜１０２、第１界面膜１０３、記録膜１０４、第２界面膜１０５及び第２誘電体膜１０６が、この順に積層されることにより形成されている。
【００４９】
反射膜１０１は、記録膜１０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射膜１０１は、記録膜１０４で生じた熱を速やかに拡散させ、記録膜１０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、反射膜１０１は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
【００５０】
反射膜１０１の材料には、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｔｉ及びＷといった熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、ＡｌにＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等を添加したＡｌ合金、ＡｕにＣｕ、Ｃｒ、Ｎｄ等を添加したＡｕ合金、ＡｇにＣｕ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｄ等を添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＣｕにＰｄ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｇｄ、Ｙ等を添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＮｄにＡｕやＰｄ等を添加したＡｇ合金、又はＡｇ−ＩｎにＳｎやＧａ等を添加したＡｇ合金、あるいはＡｇ−Ｇａ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｇａ−Ｙ、Ａｇ−Ｇａ−Ａｌ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｓｉといった合金を用いることもできる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射膜１０１の材料として好ましい。なお、添加濃度は、３ｗｔ％以下が好ましい。反射膜１０１の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、反射膜１０１が２４０ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて記録感度が低下する場合がある。したがって、反射膜１０１の膜厚は３０ｎｍ〜２４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５１】
第１誘電体膜１０２は、光学的距離を調節して記録膜１０４の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。また記録膜１０４において発生した熱を速やかに反射膜１０１へ拡散し、記録膜１０４を冷却する働きも有する。この熱拡散効果が優れている場合、記録膜１０４への熱的負荷が軽減されて、良好な繰り返し書き換え特性が得られる。第１誘電体膜１０２の材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＺｒＳｉＯ4、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｅＯ2及びＤｙ2Ｏ3等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物、及び、ＬａＦ3、ＣｅＦ3及びＹＦ3等のフッ化物を用いることができる。また、それらより選ばれる混合物でもよい。具体的な例として、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3（安定化ジルコニアもしくは部分安定化ジルコニア）、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＯ、ＺｒＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＴｉＯ2、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2、ＴｉＯ2−Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2−Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｄｙ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2、ＴｉＯ2−ＣｅＯ2、ＺｒＯ2−ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3−ＡｌＮ、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＣ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｄｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3及びＺｒＯ2−Ｄｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3等が挙げられる。第１誘電体膜１０２の膜厚は、２ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましく、より反射光量の変化率を大きくするためには３ｎｍ〜４０ｎｍであることがより好ましい。
【００５２】
第１界面膜１０３及び第２界面膜１０５は、第１誘電体膜１０２及び第２誘電体膜１０６から記録膜１０４への元素の拡散を防止したり、また外部からの水分の混入を防止したりするバリアとしての働きを有する。誘電体膜からの元素拡散が生じると、記録膜１０４の結晶化速度の低下により書換え特性を低下させたり、結晶化温度の低下により信号保存性を悪化させたりする。例えば、第１誘電体膜１０６にＺｎＳ−ＳｉＯ2等ＺｎＳを含む誘電体材料を適用すると、記録時に記録膜１０４にＳ元素が拡散し、結晶化速度が低下し書換え特性が低下する。
【００５３】
また、第１界面膜１０３及び第２界面膜１０５は、記録膜１０４と接して設けられているため、記録膜１０４の結晶化速度を促進又は抑制する働きも有する。また、記録膜１０４と密着性に優れていることが望まれる。これらの界面膜には光吸収の少ない材料を適用することが好ましい。第１界面膜１０３及び第２界面膜１０５の材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＺｒＳｉＯ4、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｅＯ2及びＤｙ2Ｏ3等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物、及び、ＬａＦ3、ＣｅＦ3及びＹＦ3等のフッ化物を用いることができる。またそれらより選ばれる混合物でもよい。それらの中でもＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｙ、Ｚｎ及びＤｙより選ばれる少なくとも一つの酸化物を含んでいることにより、記録膜１０４との密着性をより向上させることができる。具体的には、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3（安定化ジルコニアもしくは部分安定化ジルコニア）、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＯ、ＺｒＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＴｉＯ2、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2、ＺｒＯ2−Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｄｙ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2、ＴｉＯ2−ＣｅＯ2、ＺｒＯ2−ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3−ＡｌＮ、ＺｒＯ2−ＳｉＣ、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＣ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3及びＤｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3が挙げられる。第１界面膜１０３及び第２界面膜１０５の膜厚は１ｎｍ〜１２ｎｍであることが好ましい。界面膜の膜厚が薄すぎると、バリアとしての十分な効果が得られず、記録膜１０４への元素の拡散や水分の混入を招き、信号品質が悪化する。また、膜厚が厚すぎると記録膜１０４に対する結晶化促進又は抑制効果が大きくなりすぎ、記録・再生特性が悪化する。このため、膜厚は２ｎｍ〜１０ｎｍであることがより好ましい。
【００５４】
記録膜１０４は、例えば、レーザ光の照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料からなる。この材料としては、例えば、式：ＧｅaＭ１bＭ２cＴｅ100-(a+b+c)（原子％）で表される材料を用いることができる。なお、本明細書において、「ＧｅaＭ１bＭ２cＴｅ100-(a+b+c)（原子％）」とは、「Ｇｅ」原子、「Ｍ１」原子、「Ｍ２」原子及び「Ｏ」原子を合わせた数を基準（１００％）として表された組成式であることを示している。以下、同様の表記方法を同様の意味で用いる。この材料によれば、非晶質相が安定で、結晶相と非晶質相との間で高い光学変化量を取ることができる。Ｍ１は、Ｓｂ及びＢｉより選ばれる少なくとも何れか一つの元素である。Ｍ２は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｅ、Ｒｕ、Ｒｓ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｗ、Ｐｔ及びＡｕより選ばれる少なくとも何れか一つの元素である。ａは３０≦ａ≦５５を満たすことが好ましく、３７≦ａ≦４９を満たすことがより好ましい。また、ｂは０＜ｂ≦２０を満たすことが好ましく、０＜ｂ≦１２を満たすことがより好ましい。また、ｃは０≦ｃ≦２０を満たすことが好ましく、０＜ｃ≦１２を満たすことがより好ましい。また、３５≦ａ＋ｂ＋ｃ≦６０を満たすことが好ましい。
【００５５】
また、記録膜１０４の材料としては、例えば、式：ＳｂdＴｅeＧｅfＭ３(100-d-e-f)（原子％）で表される材料を用いることができる。Ｍ３は、Ａｕ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｓｎ及びＢｉより選ばれる少なくとも何れか一つの元素である。このような材料によれば、高結晶化能を有する記録膜を形成することができる。ｄ、ｅ、ｆは、７０≦ｄ≦９０、０≦ｅ≦２５、３≦ｆ≦２５を満たすことが好ましい。
【００５６】
記録膜１０４の膜厚は、良好な記録特性を得るため５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。記録膜１０４が厚すぎる場合は、熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録膜１０４が薄すぎる場合は、情報記録媒体１の反射率の変化量が小さくなる。このため、膜厚は７．５ｎｍ〜１３ｎｍであることがさらに好ましい。
【００５７】
また、記録膜１０４は、非可逆的相変化材料で形成することができる。非可逆的相変化材料としては、例えば特開平７−２５２０９公報（特許第２００６８４９号）に開示されるように、ＴｅＯx＋Ｍ４（ただし、Ｍ４はＰｄやＧｅ等の元素。）を用いることが好ましい。記録膜１０４が非可逆的相変化材料の場合、１回のみ書き込み可能な追記形の情報記録媒体となるが、そのような情報記録媒体においても、記録感度、信号保存性の課題を改善するため、本発明が好ましく適用される。
【００５８】
なお、記録膜１０４は、相変化材料に限らず、磁場の印加と光の照射で記録、消去及び再生を行う光磁気材料を用いてもよい。その材料としては、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｎｄ及びＳｍより成る希土類金属群のうち少なくとも何れか一つの元素と、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉより成る遷移金属群のうち少なくとも何れか一つの元素とを含む材料を用いることができる。具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｅ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｓｍ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｓｃ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。記録膜１０４の材料が光磁気材料である場合、情報記録媒体の構成は図１と必ずしも一致しないが、本発明における記録膜の両側の界面膜構成及び材料は、好ましく適用することができる。
【００５９】
第２誘電体膜１０６は記録膜１０４を水分等から保護する働きと、第１誘電体膜１０２と同様、光学的距離を調節して記録膜１０４の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。第２誘電体膜１０６は、例えば、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5及びＡｌ2Ｏ3等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＺｎＳ等の硫化物、及び、ＳｉＣ等の炭化物を用いることができる。これらの材料において、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物は非晶質材料で、成膜速度が速く、また屈折率が高く、機械的強度や耐湿性が良好であるため、第２誘電体膜１０６に適用する材料として特に優れている。第２誘電体膜１０６の膜厚は、マトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により、記録膜１０４が結晶相の場合と非晶質相の場合との反射光量の変化率を大きくし、また記録膜１０４での光吸収が大きくなる条件により、決定することができる。具体的な膜厚としては、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、２５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。また、第２誘電体膜１０６に、本発明における混合誘電体材料を用いることもできる。
【００６０】
次に、第２情報層１４の構成について説明する。第２情報層１４は、光学分離層１３の表面上に、透過率調整膜１１０、反射膜１１１、第１誘電体膜１１２、第１界面膜１１３、記録膜１１４、第２界面膜１１５及び第２誘電体膜１１６が、この順に積層されることにより形成されている。
【００６１】
透過率調整膜１１０は、第２情報層１４の透過率を調整する働きを有する。この膜を設けることにより、記録膜１１４が結晶相時における第２情報層１４の透過率Ｔc（％）と、記録膜１１４が非晶質相時における第２情報層１４の透過率Ｔa（％）とを共に高くすることができる。具体的には、透過率調整膜１１０を設けた場合、透過率調整膜１１０が無い場合に比べ、Ｔc及びＴaを２〜８％向上させることができる。また、記録膜１１４において発生した熱を速やかに反射膜１１１へ拡散し、記録膜１１４を冷却する働きも有する。透過率をより高めるため、透過率調整膜１１０の屈折率ｎ１及び消衰係数ｋ１は、ｎ１≧２．０及びｋ１≦０．１を満たすことが好ましく、さらにｎ１≧２．４及びｋ１≦０．０５を満たすことがより好ましい。透過率調整膜１１０には、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3及びＣｅＯ2等の酸化物や、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることができ、その膜厚ｄ１は、（１／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（７／３２）λ／ｎ１、又は、（９／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（２１／３２）λ／ｎ１を満たすことが好ましい。
【００６２】
反射膜１１１には、前述した反射膜１０１と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。膜厚としては、４ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、７ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００６３】
第１誘電体膜１１２には、前述した第１誘電体膜１０２と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。膜厚としては、３ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、４ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００６４】
第１界面膜１１３は、前述した第１界面膜１０３と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。膜厚としては、３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００６５】
記録膜１１４は、前述した記録膜１０４と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。しかし、膜厚は、レーザ光の透過率を上げるため、なるべく薄くすることが好ましく、４ｎｍ〜１０ｎｍ範囲内にあることがより好ましい。また、特に、上述のＧｅaＭ１bＭ２cＴｅ100-(a+b+c)（原子％）で表される材料を用いることが好ましい。
【００６６】
第２界面膜１１５は、前述した第２界面膜１０５と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。膜厚としては、２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００６７】
本実施の形態における第２誘電体膜１１６は、本発明の情報記録媒体の特徴を成す部分であり、本発明における混合誘電体膜に相当する。第２誘電体膜１１６は前述した第２誘電体膜１０６と同様に、水分等から記録膜１１４保護する働きや、光学的距離を調節して記録膜１１４の光吸収率を高める働きや、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きを有する。さらに、本発明における混合誘電体材料を用いることで、第２誘電体膜１１６側への放熱効果を上げ、記録膜１１４に蓄えられる熱を速やかに拡散することができる。
【００６８】
ここで用いられる混合誘電体材料には、Ｚｎの硫化物（好ましくはＺｎＳ）、Ｓｉの酸化物（好ましくはＳｉＯ2）が含まれるので、高い非晶質性を得ることができる。混合誘電体材料には、ＺｎＳよりも熱伝導率の高い酸化物Ｘがさらに添加されているので、高熱伝導化が実現できる。さらに、酸化物Ｘの形態としては、それぞれ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2であることがより好ましいと考える。また、前記酸化物Ｘは高屈折率及び高透明性を有しているため、波長４００〜４１０ｎｍにおける第２誘電膜１１６の屈折率を２．１５以上、且つ、消衰係数を０．０４以下とできる。
【００６９】
具体的に、混合誘電体膜を構成する元素の系を挙げると、例えば、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔｉ−Ｏ）、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｎｂ−Ｏ）、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔａ−Ｏ）、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｅ−Ｏ）、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔｉ−Ｏ）−（Ｎｂ−Ｏ）及び（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔｉ−Ｏ）−（Ｔａ−Ｏ）、等が挙げられる。なお、ここでは、Ｚｎの硫化物を（Ｚｎ−Ｓ）、Ｓｉの酸化物を（Ｓｉ−Ｏ）、Ｔｉの酸化物を（Ｔｉ−Ｏ）、Ｎｂの酸化物を（Ｎｂ−Ｏ）、Ｔａの酸化物を（Ｔａ−Ｏ）、Ｃｅの酸化物を（Ｃｅ−Ｏ）と表記している。
【００７０】
また、より良好な信号品質を得るために、混合誘電体膜は、酸化物Ｘを３０ｍｏｌ％以下で含むことが好ましい。また、より良好な信号品質を得るために、混合誘電体膜に含まれるＺｎの硫化物及びＳｉの酸化物において、Ｚｎの硫化物及びＳｉの酸化物の合計に対するＳｉの酸化物のモル比率が０．３以下であることが好ましい。また、第２誘電体膜１１６の膜厚は、２５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内が好ましい。
【００７１】
次に、第３情報層１６の構成について説明する。第３情報層１６は、光学分離層１５の表面上に、透過率調整膜１２０、反射膜１２１、第１誘電体膜１２２、第１界面膜１２３、記録膜１２４、第２界面膜１２５及び第２誘電体膜１２６が、この順に積層されることにより形成されている。
【００７２】
第３情報層１６の構成は、基本的には第２情報層１４と同様である。
【００７３】
透過率調整膜１２０は、透過率調整膜１１０と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。
【００７４】
反射膜１２１は、反射膜１１１と同様の材料を用いることができ、また、機能も同様である。しかし、その膜厚は、透過率を上げるためになるべく薄くすることが好ましく、５ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００７５】
第１誘電体膜１２２の材料には、第１誘電体膜１１２と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。
【００７６】
第１界面膜１２３は、実施の形態１で示した第１界面膜１１３と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。なお、第１界面膜１２３は、第１誘電体１２２からの元素拡散が生じる場合等、必要に応じて設けることができる。
【００７７】
記録膜１２４は、記録膜１１４と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。しかし、その膜厚は、透過率を上げるためになるべく薄くすることが好ましく、４ｎｍ〜８ｎｍ範囲内にあることがより好ましい。
【００７８】
第２界面膜１２５は、第２界面膜１１５と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。
【００７９】
第２誘電体膜１２６は、第２誘電体膜１１６と同様に、本発明における混合誘電体材料を用いることができる。また、機能及び形状も同様である。
【００８０】
なお、本実施の形態では、第２情報層１４の第２誘電体膜１１６及び第３情報層１６の第２誘電体膜１２６に、共に本発明における混合誘電体膜を適用した。しかし、本発明の情報記録媒体では、混合誘電体膜を含む情報層が少なくとも一つ含まれていればよい。そのため、第３情報層１６の第２誘電体膜１２６に本発明における混合誘電体膜を適用した場合は、第２情報層１４の第２誘電体膜１１６を本発明における混合誘電体材料で形成する必要はなく、例えば第２誘電体膜１０６に用いた材料を用いることもできる。
【００８１】
情報記録媒体１が完成した状態おける各情報層からの反射率は、良好な信号振幅を得るために、１．３％〜５．０％であることが好ましく、１．３％〜３．３％であることがより好ましい。また、フォーカスサーボ（引き込み）を安定させるために、各情報層からの反射率はおおよそ同等であることがより好ましい。
【００８２】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体１の製造方法について説明する。
【００８３】
情報記録媒体１に含まれる各反射膜、第１誘電体膜、第１界面膜、記録膜、第２界面膜、第２誘電体膜及び透過率調整膜は、気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。
【００８４】
まず、基板１１（例えば、厚さ１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【００８５】
続けて、まず、反射膜１０１を成膜する。このとき、基板１１に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に反射膜１０１を成膜する。反射膜１０１は、反射膜１０１を構成する金属又は合金からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスの何れでもよい。なかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。これ以下に述べる希ガスについても同様である。）雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中で、スパッタリングすることにより形成される。
【００８６】
続いて、反射膜１０１上に第１誘電体膜１０２を成膜する。第１誘電体膜１０２は、第１誘電体膜１０２を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。
【００８７】
続いて、第１誘電体膜１０２上に第１界面膜１０３を成膜する。第１界面膜１０３は、第１界面膜１０３を構成する誘電体の混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、別の例として、第１界面膜１０３を構成する金属元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成することもできる。
【００８８】
続いて、第１界面膜１０３上に記録膜１０４を成膜する。記録膜１０４は、その組成に応じて、Ｇｅ−Ｍ１−Ｍ２−Ｔｅ合金やＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｍ３合金からなるターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、Ｋｒガス雰囲気中、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中又はＫｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。
【００８９】
続いて、記録膜１０４上に第２界面膜１０５を成膜する。第２界面膜１０５は、第２界面膜１０５を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、別の例として、第２界面膜１０４を構成する金属元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成することもできる。
【００９０】
続いて、第２界面膜１０５上に第２誘電体膜１０６を成膜する。第２誘電体膜１０６は、第２誘電体膜１０６を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、別の例として、第２誘電体膜１０６を構成する金属元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成することもできる。
【００９１】
続いて、第２誘電体膜１０６上に光学分離層１３を形成する。光学分離層１３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、第１情報層３０１上に塗布してスピンコートした後に、当該樹脂を硬化させることにより形成できる。なお、光学分離層１３に案内溝を設ける場合は、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された光学分離層１３が形成できる。
【００９２】
続けて第２情報層１４を形成する。まず透過率調整膜１１０を形成する。透過率調整膜１１０は、透過率調整膜１１０を構成する誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、又はＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、透過率調整膜１１０は、構成する金属元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成することもできる。
【００９３】
続けて、透過率調整膜１１０上に反射膜１１１を形成する。反射膜１１１は、前述した反射膜１０１と同様の方法で形成できる。
【００９４】
続けて、反射膜１１１上に第１誘電体膜１１２を形成する。第１誘電体膜１１２は、前述した第１誘電体膜１０２と同様の方法で形成できる。
【００９５】
続けて、第１誘電体膜１１２上に第１界面膜１１３を形成する。第１界面膜１１３は、前述した第１界面膜１０３と同様の方法で形成できる。
【００９６】
続けて、第１界面膜１１３上に記録膜１１４を形成する。記録膜１１４は、前述した記録膜１０４と同様の方法で形成できる。
【００９７】
続けて、記録膜１１４上に第２界面膜１１５を形成する。第２界面膜１１５は、前述した第２界面膜１０５と同様の方法で形成できる。
【００９８】
続けて、第２界面膜１１５上に第２誘電体膜１１６を形成する。第２誘電体膜１１６は、前述した第２誘電体膜１０６と同様の方法で形成できる。また、別の例として、ＺｎＳとＳｉＯ2とからなるスパッタリングターゲットと、Ｄからなるスパッタリングターゲットを、２つの電源を用いて同時にスパッタリングする共スパッタによって形成することもできる。
【００９９】
続いて、第２誘電体膜１１６上に光学分離層１５を形成する。光学分離層１５は、前述した光学分離層１３と同様の方法で形成できる。
【０１００】
続けて第３情報層１６を形成する。第３情報層１６の形成方法は、基本的には前述した第２情報層１４と同様の方法で形成できる。
【０１０１】
まず光学分離層１５上に透過率調整膜１２０を形成する。透過率調整膜１２０は、前述した透過率調整膜１１０と同様の方法で形成できる。
【０１０２】
続けて、透過率調整膜１２０上に反射膜１２１を形成する。反射膜１２１は、前述した反射膜１１１と同様の方法で形成できる。
【０１０３】
続けて、反射膜１２１上に第１誘電体膜１２２を形成する。第１誘電体膜１２２は、前述した第１誘電体膜１１２と同様の方法で形成できる。
【０１０４】
続けて、第１誘電体膜１２２上に第１界面膜１２３を形成する。第１界面膜１２３は、前述した第１界面膜１１３と同様の方法で形成できる。
【０１０５】
続けて、第１界面膜１２３上に記録膜１２４を形成する。記録膜１２４は、前述した記録膜１１４と同様の方法で形成できる。
【０１０６】
続けて、記録膜１２４上に第２界面膜１２５を形成する。第２界面膜１２５は、前述した第２界面膜１１５と同様の方法で形成できる。
【０１０７】
続けて、第２界面膜１２５上に第２誘電体膜１２６を形成する。第２誘電体膜１２６は、前述した第２誘電体膜１１６と同様の方法で形成できる。
【０１０８】
上記各スパッタリング工程における電源は、直流（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源及び高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源を用いることができ、供給電力はともに１Ｗ〜１０ｋＷとしてよい。なお、ＤＣ電源を用いて行うスパッタリングをＤＣスパッタリング、ＲＦ電源を用いて行うスパッタリングをＲＦスパッタリングと呼ぶ。
【０１０９】
また、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ〜５０Ｐａとすればよい。
【０１１０】
最後に、第２誘電体膜１２６上にカバー層１７を形成する。カバー層１７は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、第１の誘電体膜１７上に塗布してスピンコートとした後に、当該樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層１７には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン及びＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスによって形成された円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第２誘電体膜１２６に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの円盤状の基板を密着させ、スピンコートにより樹脂を均一に延ばし、当該樹脂を硬化させることで形成できる。
【０１１１】
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及び分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
【０１１２】
なお、第２誘電体膜１０６、１１６及び１２６をそれぞれ成膜した後、光学分離層１３及び１５をそれぞれ形成した後、又はカバー層１７を形成した後に、必要に応じて記録膜１０４、１１４及び１２４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化工程は、レーザビームの照射により行うことができる。なお、初期化で用いるレーザビームの波長は、ビーム幅を広げることで、初期化に要する時間を短縮して情報記録媒体の製造コストを下げるために、７９０〜８３０ｎｍであることが好ましい。
【０１１３】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体（光学的情報記録媒体）のさらに別の一例を説明する。図２に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体２は、情報を記録再生する情報層をＮ層（Ｎは２以上の整数）含んでおり、片面からのエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１８の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。情報記録媒体２には、光学分離層２２、２４、２５及び２７を介して、順次積層された第１情報層２１から第Ｎ情報層２８を有している。
【０１１４】
基板１１及びカバー層１７は、それぞれ実施の形態１で示したものと、材料、機能及び形状が同様である。
【０１１５】
光学分離層２２、２４、２５及び２７は何れも、実施の形態１で示した光学分離層１３及び１５と、材料、機能及び形状が同様である。
【０１１６】
次に、第１情報層２１の構成について説明する。第１情報層２１は、基板１１の表面上に、反射膜１０１、第１誘電体膜１０２、第１界面膜１０３、記録膜１０４、第２界面膜１０５及び第２誘電体膜１０６が、この順に積層されることにより形成されている。基板１１、反射膜１０１、第１誘電体膜１０２、第１界面膜１０３、記録膜１０４、第２界面膜１０５及び第２誘電体膜１０６は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能及び形状が同様である。
【０１１７】
次に、第ｎ（ｎは、１＜ｎ≦Ｎを満たす整数）情報層２６の構成について説明する。第ｎ情報層２６の構成を、図２に示す。第ｎ情報層２６は、光学分離層２５の表面上に、透過率調整膜２００、反射膜２０１、第１誘電体膜２０２、第１界面膜２０３、記録膜２０４、第２界面膜２０５及び第２誘電体膜２０６が、この順に積層されることにより形成されている。
【０１１８】
透過率調整膜２００は、実施の形態１で示した透過率調整膜１１０と同様の材料を用いて形成でき、また、機能及び形状も透過率調整層１１０と同様である。
【０１１９】
反射膜２０１は、実施の形態１で示した反射膜１１１と同様の材料を用いて形成でき、また、機能及び形状も反射膜１１１と同様である。
【０１２０】
第１誘電体膜２０２は、実施の形態１で示した第１誘電体膜１１２と同様の材料を用いて形成でき、また、機能及び形状も第１誘電体膜１１２と同様である。
【０１２１】
第１界面膜２０３は、実施の形態１で示した第１界面膜１１３と同様の材料を用いて形成でき、また、機能及び形状も第１界面膜１１３と同様である。なお、第１界面膜２０３は、第１誘電体膜２０２からの元素拡散が生じる場合等、必要に応じて設けることができる。
【０１２２】
記録膜２０４は、実施の形態１で示した記録膜１１４と同様の材料を用いて形成でき、また、機能も記録膜１１４と同様である。しかし、膜厚は、レーザ光の透過率を上げるため、なるべく薄くすることが好ましい。したがって、記録膜２０４が第２情報層及び第３情報層に含まれる記録膜の場合は、その厚さが１０ｎｍ以下であることが好ましく、記録膜２０４が第４以上の情報層に含まれる記録膜の場合は、その厚さが５ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１２３】
第２界面膜２０５は、実施の形態１で示した第２界面膜１１５と同様の材料を用いて形成でき、また、機能及び形状も第２界面膜１１５と同様である。
【０１２４】
第２誘電体膜２０６は、実施の形態１で示した第２誘電体膜１１６と同様に、本発明における混合誘電体材料を用いて形成できる。また、その機能及び形状も、第２誘電体膜１１６と同様である。
【０１２５】
なお、本発明における混合誘電体膜は、少なくとも一つの情報層の第２誘電体膜に適用されればよい。その場合、他の情報層の第２誘電体膜は、本発明における混合誘電体材料以外の他の材料で形成されていてもよい。好ましくは、第ｎ（ｎは、１＜ｎ≦Ｎを満たす整数）情報層に含まれる第２誘電体膜に本発明における混合誘電体膜を適用することである。よりレーザ光入射側の情報層に含まれる第２誘電体膜に、本発明における混合誘電体膜を適用することが望ましい。
【０１２６】
情報記録媒体２が完成した状態おける各情報層からの反射率は、良好な信号振幅を得るために、１．３％〜６．５％であることが好ましい。また、３層以上の情報層を有する情報記録媒体においては、レーザ光入射側からみてより奥側に配置された情報層（より基板１１に近い情報層）に対して記録再生を行う場合に、レーザ光１８が多くの情報層を通過していかなくてはならない。そのため、より基板１１に近い情報層には、レーザ光１８が到達しにくくなる。したがって、そのような場合でも良好な信号振幅が得られるように、各情報層からの反射率は、１．３％〜３．３％であることが好ましい。また、フォーカスサーボ（引き込み）を安定させるために、各情報層からの反射率はおおよそ同等であることがより好ましい。
【０１２７】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体２の製造方法について説明する。
【０１２８】
まず、基板１１（例えば、厚さ１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【０１２９】
続けて、第１情報層２１を形成するため、反射膜１０１、第１誘電体膜１０２、第１界面膜１０３、記録膜１０４、第２界面膜１０５及び第２誘電体膜１０６を順次成膜する。形成方法は、それぞれ実施の形態１で示したものと同様である。
【０１３０】
続いて、第１誘電体膜１０６上に光学分離層２２を形成する。光学分離層２２の形成方法は、実施の形態１で示した光学分離層１３及び１５と同様である。
【０１３１】
続けて第２情報層２３を形成し、さらに続けて光学分離層２４を形成する。第２情報層２３の形成方法は、例えば下記に示す第ｎ情報層２６と同様である。光学分離層２４の形成方法は、光学分離層２２と同様である。
【０１３２】
その後、第３情報層、第４情報層、…第ｎ−１情報層を、光学分離層を介しながら順次形成する。さらに、第ｎ−１情報層上に、光学分離層２２と同様の方法で光学分離層２５を形成する。
【０１３３】
続けて、光学分離層２５上に、第ｎ情報層２６を形成する。まず、透過率調整膜２００を形成する。透過率調整膜２００は、実施の形態１で説明した透過率調整膜１１０と同様の方法で形成できる。
【０１３４】
続けて、透過率調整膜２００上に反射膜２０１を形成する。反射膜２０１は、実施の形態１で説明した反射膜１１１と同様の方法で形成できる。
【０１３５】
続けて、反射膜２０１上に第１誘電体膜２０２を形成する。第２誘電体膜２０２は、実施の形態１で説明した第１誘電体膜１１２と同様の方法で形成できる。
【０１３６】
続けて、第１誘電体膜２０２上に第１界面膜２０３を形成する。第１界面膜２０３は、実施の形態１で説明した第１界面膜１１３と同様の方法で形成できる。
【０１３７】
続けて、第１界面膜２０３上に記録膜２０４を形成する。記録膜２０４は、実施の形態１で説明した記録膜１１４と同様の方法で形成できる。
【０１３８】
続けて、記録膜２０４上に第２界面膜２０５を形成する。第２界面膜２０５は、実施の形態１で説明した第２界面膜１１５と同様の方法で形成できる。
【０１３９】
続けて、第２界面膜２０５上に第２誘電体膜２０６を形成する。第２誘電体膜２０６は、実施の形態１で説明した第２誘電体膜１１６と同様の方法で形成できる。
【０１４０】
以上のように第ｎ情報層２６を形成した後、第Ｎ−１情報層まで光学分離層を介して順次積層し、さらに、光学分離層２７、第Ｎ情報層２８及びカバー層１７を順に形成する。
【０１４１】
なお、ここでは、第ｎ情報層２６が第３情報層から第Ｎ−１情報層の何れかである場合を例に挙げたが、第ｎ情報層２６が第Ｎ情報層であってもよい。その場合は、第ｎ情報層２６を形成した後、その上にカバー層１７を形成すればよい。
【０１４２】
なお、第２誘電体膜１０６や第２誘電体膜２０６を成膜した後、光学分離層を形成した後又はカバー層１７を形成した後に、必要に応じて各々の情報層における記録膜の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。何れの場合の初期化も、レーザビームの照射により行うことができる。なお、初期化で用いるレーザビームの波長は、ビーム幅を広げることで、初期化に要する時間を短縮して情報記録媒体の製造コストを下げるために、７９０〜８３０ｎｍであることが好ましい。
【０１４３】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３として、実施の形態１で説明した情報記録媒体１又は実施の形態２で説明した情報記録媒体２に対して、情報の記録再生を行う方法の一例について説明する。図３に、本実施の形態の記録再生方法に用いられる装置の一例である、記録再生装置３の一部の構成を模式的に示している。記録再生装置３は、情報記録媒体３５（情報記録媒体１又は情報記録媒体２に相当）を回転させるスピンドルモータ３１と、半導体レーザ（レーザ光源）３２を備える光学ヘッド３３と、半導体レーザ３２から出射されるレーザ光１８を集光する対物レンズ３４とを備える。
【０１４４】
対物レンズ３４の開口数（ＮＡ）は、レーザ光１８のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．０の範囲内であることが好ましい。レーザ光の波長は４５０ｎｍ以下（より好ましくは３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの青紫領域）であることが好ましい。情報を記録再生する際の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去率が得られる２．５ｍ／秒〜２５ｍ／秒の範囲内であることが好ましい。
【０１４５】
情報記録媒体３５への情報の記録、消去及び書換え記録は、レーザ光１８のパワーをピークパワー（ライトパワー）、ボトム・クーリングパワー及びバイアスパワー（イレースパワー）との間で変調させることによって行われる。ピークパワーのレーザ光を照射することにより情報記録媒体３５の記録膜の局所的な一部が溶融し、ボトム・クーリングパワーで冷却効果を持たせることにより非晶質相が形成される。その非晶質相が記録部（記録マーク）となる。記録マーク間ではバイアスパワーのレーザ光が照射され、結晶相が形成される。その結晶相が消去部となる。ピークパワーのレーザ光を照射するときには、パルス列で形成するマルチパルスとするのが一般的である。マルチパルスはピークパワーとバイアスパワーのパワーレベルで変調させてもよいし、０ｍＷからピークパワーの任意のパワーレベルで変調させてよい。前記のパルス変調方式には、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ規格に順ずるＮ−１ストラテジ、Ｎ／２ストラテジ及びキャッスル型（ドッグボーン型）を用いたり、任意の変調方式を用いたりすることができる。
【０１４６】
また、マーク及びスペース長は、パルスジェネレータ等を設け、周期クロックを与えることにより、所望の長さにできる。Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃシステムにおいては、例えば１倍速時における周期クロックを、６６ＭＨｚ（＝１５．１５ｎｓ）に設定することができる。
【０１４７】
なお、基板１１に案内溝が設けられている場合、情報は、レーザ光の入射側から近い溝面（グルーブ）、又はレーザ光の入射側から遠い溝面（ランド）、又はその両方に記録してもよい。
【０１４８】
また、情報の再生はレーザ光を情報記録媒体３５に照射し、情報記録媒体３５からの信号を検出器で読み取ることにより行われる。再生時におけるレーザ光パワーは、記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ情報記録媒体の記録マーク検出のための十分な反射光量が得られるパワーとする。
【０１４９】
なお、図３は本実施の形態及び実施例を説明するのに必要な構成のみを図示したものであり、各制御回路や駆動回路、また集光レンズやアクチュエータ等の細かな部品も図示していないものがある。実際の記録再生装置では、これらの部品は必要に応じて追加される。
【実施例】
【０１５０】
以下に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。【０１５１】
（実施例１）
実施例１では、図１に示す情報記録媒体１と同じ構成を有する情報記録媒体を作製した。以下は、本実施例の情報記録媒体の製造方法である。【０１５２】
まず、基板１１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板１１上に、反射膜１０１として厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜１０２として厚さ１０ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、第１界面膜１０３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜１０４として厚さ９ｎｍのＧｅ49.0Ｓｂ1.0Ｉｎ3.0Ｔｅ51.0（原子％）膜、第２界面膜１０５として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜１０６として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜した。第２誘電体膜１０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第２情報層１４及び第３情報層１６がない場合の第１情報層１２の反射率が、記録膜１０４が結晶相状態で２０〜２５％になるよう決定した。【０１５３】
続けて、第１情報層１２上に案内溝の設けられた光学分離層１３を形成し、光学分離層１３上に第２情報層１４を形成した。第２情報層１４は、透過率調整膜１１０として厚さ１７ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、反射膜１１１として厚さ１０ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜１１２として厚さ８ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜、第１界面膜１１３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜１１４として厚さ７．５ｎｍのＧｅ46.3Ｓｂ1.0Ｉｎ2.0Ｔｅ50.7（原子％）膜、第２界面膜１１５として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜１１６として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜した。【０１５４】
第２誘電体膜１１６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６がない場合の第２情報層１４の反射率が、記録膜１１４が結晶相状態で４％〜６％、透過率（基板鏡面部）が４５％〜５２％となるように設定した。【０１５５】
続けて、第１情報層１４上に案内溝の設けられた光学分離層１５を形成し、光学分離層１５上に第３情報層１６を形成した。第３情報層１６は、透過率調整膜１２０として厚さ１６ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、反射膜１２１として厚さ７ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜１２２として厚さ８ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜、第１界面膜１１３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜１２４として厚さ６ｎｍのＧｅ46.3Ｓｂ1.0Ｉｎ2.0Ｔｅ50.7（原子％）膜、第２界面膜１２５として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜１２６として、本発明における混合誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。【０１５６】
第２誘電体膜１２６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６の反射率が、記録膜１２４が結晶相状態で１．５％〜４％、透過率（基板鏡面部）が５５％〜６０％となるように設定した。【０１５７】
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜１２６上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１７を形成し、情報記録媒体１を作製した。最後に、第１情報層１２の記録膜１０４、第２情報層１４の記録膜１１４及び第３情報層１６の記録膜１２４の全面をレーザ光で結晶化させる初期化工程を行った。【０１５８】
本実施例では、第２誘電体膜１２６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。ＤをＴｉＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）、（２０，０．２）、（３０，０．２）、（４０，０．２）、（７．５，０．１）、（７．５，０．１５）、（７．５，０．３）、（７．５，０．４）及び（４０，０．４）とした材料を適用したサンプルを作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ１−１０１〜１−１１２とした。さらに、ＤをＮｂ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）、（２０，０．２）、（３０，０．２）、（４０，０．２）、（７．５，０．１）、（７．５，０．１５）、（７．５，０．３）、（７．５，０．４）及び（４０，０．４）とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ１−１１３〜１−１２４とした。【０１５９】
本実施例では、第２誘電体膜１２６は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2又はＮｂ2Ｏ5）で構成された１つのスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより形成した（第１の方法）。具体的には、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝97.5（ＴｉＯ2）2.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝95（ＴｉＯ2）5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝90（ＴｉＯ2）10（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＴｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝70（ＴｉＯ2）30（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝60（ＴｉＯ2）40（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.9（ＳｉＯ2）0.1｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.85（ＳｉＯ2）0.15｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.7（ＳｉＯ2）0.3｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット及び｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝60（ＴｉＯ2）40（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットを用いて、それぞれ同じ組成を有する混合誘電体膜を成膜した。また、これらのスパッタリングターゲットにおいて、ＴｉＯ2をＮｂ2Ｏ5に置き換えた組成を有するスパッタリングターゲットを用いて、それぞれ同じ組成を有する混合誘電体膜を成膜した。【０１６０】
また、第２誘電体膜１２６を別の方法（第２の方法）で成膜したサンプルも別途作製した。この方法では、ＺｎＳとＳｉＯ2とからなるスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2スパッタリングターゲット又はＮｂ2Ｏ5スパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより、第２誘電体膜１２６を形成した。具体的には、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとＴｉＯ2スパッタリングターゲットとを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝97.5（ＴｉＯ2）2.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝95（ＴｉＯ2）5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝90（ＴｉＯ2）10（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＴｉＯ2）20（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝70（ＴｉＯ2）30（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝60（ＴｉＯ2）40（ｍｏｌ％）の混合誘電体膜を成膜した。また、（ＺｎＳ）90（ＳｉＯ2）10（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、（ＺｎＳ）85（ＳｉＯ2）15（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、（ＺｎＳ）70（ＳｉＯ2）30（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット又は（ＺｎＳ）60（ＳｉＯ2）40（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2スパッタリングターゲットとを用いて、ＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.9（ＳｉＯ2）0.1｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.85（ＳｉＯ2）0.15｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.7（ＳｉＯ2）0.3｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝60（ＴｉＯ2）40（ｍｏｌ％）の混合誘電体膜を成膜した。また、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと、Ｎｂ2Ｏ5スパッタリングターゲットとを用いて、ＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝97.5（Ｎｂ2Ｏ5）2.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝95（Ｎｂ2Ｏ5）5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝90（Ｎｂ2Ｏ5）10（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ｎｂ2Ｏ5）20（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝70（Ｎｂ2Ｏ5）30（ｍｏｌ％）の混合誘電体膜を成膜した。また、（ＺｎＳ）90（ＳｉＯ2）10（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、（ＺｎＳ）85（ＳｉＯ2）15（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、（ＺｎＳ）70（ＳｉＯ2）30（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット又は（ＺｎＳ）60（ＳｉＯ2）40（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと、Ｎｂ2Ｏ5スパッタリングターゲットとを用いて、ＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.9（ＳｉＯ2）0.1｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.85（ＳｉＯ2）0.15｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.7（ＳｉＯ2）0.3｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝60（Ｎｂ2Ｏ5）40（ｍｏｌ％）の混合誘電体膜を成��した。【０１６１】
このように２種類のスパッタリングターゲットを用いて、組成を微調整した混合誘電体膜を作製した。なお、ディスクＮｏ．１−１０１〜１−１２４には、それぞれ、第１の方法で作製したサンプル及び第２の方法で作製したサンプルの両方が存在する。【０１６２】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第２誘電体膜１２６に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を適用した従来例の情報記録媒体（ディスクＮｏ．１−００１）も作製した。【０１６３】
以上のように作製された情報記録媒体の各サンプルについて、以下の評価を行った。【０１６４】
＜光学定数＞
まず、第２誘電体膜１２６に用いられた混合誘電体材料について、波長４０５ｎｍにおける光学定数（屈折率ｎ及び消衰係数ｋ）を、分光エリプソメーターを用いて測定した。上記の方法で作製されたサンプルとは別に、屈折率測定用のサンプルを作製した。屈折率測定用のサンプルは、石英基板上に第２誘電体膜１２６となる材料をスパッタリング法によって成膜することにより準備した。【０１６５】
＜信号品質評価＞
各サンプルの信号品質評価を、図３で示した記録再生装置３を用いて行った。レーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブ（レーザ入射側に近い方の溝部）に情報の記録を行った。記録及び再生の線速度は７．３６ｍ／ｓ、周期クロックは６６ＭＨｚ（線速度と周期クロックの関係から最短マーク長（２Ｔ）＝０．１１１μｍであり、１情報層あたり３３．４ＧＢ密度の２倍速記録に相当）とした。再生パワーは、第１及び第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷとした。再生光には、無変調のレーザ光を用いた。【０１６６】
信号品質評価は、８Ｔマークを１０回記録し、その変調度を測定することによって行った。変調度が５０％以上を◎、４５％以上で５０％未満のものを○、４０％以上で４５％未満のものを△、４０％未満のものを×とした。【０１６７】
＜再生耐久性評価＞
記録再生に用いた装置、記録及び再生の線速度及び周期クロックは、信号品質評価の場合と同じにした。再生耐久性の評価は、２Ｔ〜９Ｔのランダム信号を記録し、ＳＥＲ（Ｓｙｍｂｏｌ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ）が基準値１．０×１０-3を超える再生回数を測定することによって行った。再生パワーは、第１情報層に対しては２．２ｍＷ、第２情報層に対しては１．６ｍＷ、第３情報層に対して１．２ｍＷとした。再生光には無変調のレーザ光を用いた。再生回数が１００万回以上を◎、５０万回以上で１００万回未満を○、１０万回以上で５０万回未満を△、１０万回未満のものを×とした。なお、評価の対象となるランダムマークの記録は、Ｎ−１変調方式を用いて、各サンプルにおいてＳＥＲが最も良好となるライトパワー、イレースパワー、ボトム・クーリングパワーを設定し、ＤＯＷ１０（Ｄｉｒｅｃｔ  ＯｖｅｒＷｒｉｔｅ  １０）記録することで行った。【０１６８】
＜信号保存性評価＞
記録再生に用いた装置、記録及び再生の線速度及び周期クロックは、信号品質評価の場合と同じにした。信号保存性の評価は、２Ｔ〜９Ｔのランダム信号を記録し、その情報記録媒体について、８０℃、２０％ＲＨ（Relative Humidity）、５０時間の条件の恒温槽で加速試験を行い、加速試験前からのＳＥＲの劣化量を評価することによって行った。劣化量が＋１．０×１０-4以下を◎、＋１．０×１０-4より大きく＋５．０×１０-4以下を○、＋５．０×１０-4より大きく＋１．０×１０-3以下を△、＋１．０×１０-3より大きいものを×とした。なお、評価の対象となるランダムマークの記録は、再生耐久性同様に、Ｎ−１変調方式を用いて、各情報記録媒体においてＳＥＲが最も良好となるライトパワー、イレースパワー、ボトム・クーリングパワーを設定し、ＤＯＷ１０（Ｄｉｒｅｃｔ  ＯｖｅｒＷｒｉｔｅ  １０）記録することで行った。【０１６９】
以上のような評価方法により、本実施例における各サンプルについて、第３情報層１６の評価を行った。結果を表１に示す。なお、表１において、信号品質、再生耐久性及び信号保存性を総合的に評価し、総合評価として、何れかの項目で１つでも×があるものは×、×がなく△が２つ以上あるものは△、×がなく△が１つ以下あるいはすべての項目で○のものは○、×と△がなく◎が１つ以上あるものを◎とした。また、表１に示された結果は、上記第２の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第１の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。【０１７０】
なお、総合評価が×の情報記録媒体は実用レベルには達していないが、△、○及び◎は実用レベルを満足している。実用レベルを満足している情記録媒体において、△よりも○のほうが優れており、◎のほうがより優れていることを示す。【０１７１】
【表１】
2011024381.tif 000003
【０１７２】
表１に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．１−１０１〜１−１２４）でも、再生耐久性及び信号保存性について、従来例であるディスクＮｏ．１−００１を大きく改善した結果が得られた。信号品質の評価において、ディスクＮｏ．１−１０７、１−１１２、１−１１９、１−１２３及び１−１２４が△となっている。これは、屈折率ｎが２．１５よりも小さく、又は、消衰係数ｋが０．０５以上になることで、記録膜が結晶相の時の反射率と非晶質相の時の反射率とのコントラスト（反射率比）が小さくなり、変調度が小さくなったと考えられる。この結果から、混合誘電体膜は、波長４０５ｎｍ近傍（波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍ）において、屈折率が２．１５以上、且つ、消衰係数が０．０４以下であることが好ましいことがわかった。表１に示す結果から、このような光学特性は、混合誘電体膜に含まれるＤの種類によって多少の差はあるものの、混合誘電体膜におけるＤの含有量を３０ｍｏｌ％以下とすることで実現しやすくなり、さらにｙの値を０．３以下とすることでより実現しやすくなると考えられる。なお、ディスクＮｏ．１−１０７、１−１１２、１−１１９、１−１２３及び１−１２４のサンプルは、総合評価に示す通り何れも○であり、実用レベルに達している。また、第２誘電体膜１２６を１つのスパッタリングターゲットから成膜したものと、２つのスパッタリングターゲット（ＲＦカソード）を用いて成膜したもので同じ性能が確認された。この結果から、第２誘電体膜１２６はどちらの成膜方法でも形成可能であることがわかった。【０１７３】
さらに、別の実施例として、第２誘電体膜１２６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とし、ＤとしてＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ2、（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5、（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5及び（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ１−１２５〜１−１３１とする。また（ｘ，ｙ）＝（２０，０．２）とし、ＤとしてＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ2、（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5、（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5及び（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ１−１３２〜１−１３８とする。【０１７４】
また、ディスクＮｏ．１−１２５〜１−１３８における第２誘電体膜１２６は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つ）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより形成した（第３の方法）。具体的には、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（Ｔａ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、及び、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＣｅＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＴｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ｎｂ2Ｏ5）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ｔａ2Ｏ5）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、及び、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＣｅＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5｝20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5｝20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5｝20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットを用いて、それぞれスパッタリングターゲットと同じ組成の混合誘電体膜を成膜した。【０１７５】
また、第２誘電体膜１２６の別の形成方法（第４の方法）として、ＺｎＳとＳｉＯ2からなるスパッタリングターゲットとＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つからなるスパッタリングターゲットを、２つのＲＦカソードを用いて成膜したサンプルも用意した。具体的には、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとＴｉＯ2スパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＴｉＯ2）20（ｍｏｌ％）を成膜した。また、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとＮｂ2Ｏ5スパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ｎｂ2Ｏ5）20（ｍｏｌ％）を成膜した。また、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとＴａ2Ｏ5スパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（Ｔａ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ｔａ2Ｏ5）20（ｍｏｌ％）を成膜した。また、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとＣｅＯ2スパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＣｅＯ2）7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＣｅＯ2）20（ｍｏｌ％）を成膜した。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと（ＴｉＯ2）50（Ｎｂ2Ｏ5）50（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5｝20（ｍｏｌ％）を成膜した。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと（ＴｉＯ2）50（Ｔａ2Ｏ5）50（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5｝20（ｍｏｌ％）を成膜した。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと（ＴｉＯ2）50（ＣｅＯ2）50（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5｝20（ｍｏｌ％）を成膜した。【０１７６】
なお、ディスクＮｏ．１−１２５〜１−１３８には、それぞれ、第３の方法で作製したサンプル及び第４の方法で作製したサンプルの両方が存在する。【０１７７】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第２誘電体膜１２６に、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ａｌ2Ｏ3）20（ｍｏｌ％）膜、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＭｇＯ）20（ｍｏｌ％）膜、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＳｎＯ2）20（ｍｏｌ％）膜をそれぞれ適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．１−００２〜１−００４）も作製した。【０１７８】
以上のように作製された各サンプルについて、前述した方法と同様の評価方法で、第３情報層１６の信号品質、再生耐久性及び信号保存性を評価した。結果を表２に示す。なお、各評価項目の◎、○、△及び×の判定基準は前述と同様である。また、表２に示された結果は、上記第４の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第３の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。【０１７９】
【表２】
2011024381.tif 000004
【０１８０】
表２に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．１−１２５〜１−１３８）でも、再生耐久性及び信号保存性において、従来例であるディスクＮｏ．１−００１を大きく改善した結果が得られた。再生耐久性及び信号保存性の評価において、Ｄが同量含有される場合、ＤとしてＴｉＯ2及び／又はＮｂ2Ｏ5が含有されている誘電体のほうが、Ｔａ2Ｏ5及び／又はＣｅＯ2が含有される誘電体よりも、改善度が大きいことがわかった。これは、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5の熱伝導率がＴａ2Ｏ5やＣｅＯ2よりも高く、記録膜に蓄熱される熱をより効率的に放熱できるためであると考えられる。よって、Ｄとしては、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも何れか一つがより好ましいことがわかった。なお、ＤとしてＴａ2Ｏ5やＣｅＯ2を含有するサンプルも、総合評価に示す通り、何れも△、○であり、実用レベルに達している。また、第２誘電体膜１２６を１つのターゲットから成膜したものと、２つのターゲット（ＲＦカソード）を用いて成膜したもので同じ性能がでており、第２誘電体膜１２６はどちらの成膜方法でも形成可能である。【０１８１】
また、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合物に、Ｔｉ酸化物、Ｎｂ酸化物、Ｔａ酸化物及びＣｅ酸化物以外の他の酸化物を加えたディスクＮｏ．１−００２〜１−００４のサンプルは、いずれも信号品質及び／又は信号保存性が×となり、総合評価が×となった。この結果から、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合物にＴｉ酸化物、Ｎｂ酸化物、Ｔａ酸化物及びＣｅ酸化物以外の他の酸化物を添加した材料では、信号品質、再生耐久性及び信号保存性が全て良好な情報記録媒体を得ることが困難であることが確認された。【０１８２】
以上のように、本発明の構成により、従来の情報記録媒体を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。【０１８３】
（実施例２）
実施例２では、図１に示す情報記録媒体１の別の例を作製した。本実施例では、第２の情報層１４の第２誘電体層１１６と、第３情報層１６の第２誘電体層１２６とが、実施例１の情報記録媒体とは異なるが、これら以外の構成は実施例１と同じである。【０１８４】
本実施例では、実施例１で示した情報記録媒体１において、第２情報層１４の第２誘電体層１１６に本発明における混合誘電体膜を適用した。第２誘電体膜１１６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、実施例１同様、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６がない場合の第２情報層１４の反射率が、記録膜１１４が結晶相状態で４〜６％、透過率（基板鏡面部）が４５％〜５２％となるように設定した。【０１８５】
本実施例では、第２誘電体膜１１６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。ＤをＴｉＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）、（２０，０．２）、（３０，０．２）、（４０，０．２）、（７．５，０．１）、（７．５，０．１５）、（７．５，０．３）、（７．５，０．４）及び（４０，０．４）とした材料を適用したサンプルを作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．をそれぞれ２−１０１〜２−１１２とする。また、ＤをＮｂ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）、（２０，０．２）、（３０，０．２）、（４０，０．２）、（７．５，０．１）、（７．５，０．１５）、（７．５，０．３）、（７．５，０．４）及び（４０，０．４）とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ２−１１３〜２−１２４とする。【０１８６】
なお、ディスクＮｏ．２−１０１〜２−１２４には、それぞれ、第２誘電体膜１１６を、実施例１の第１の方法のようにＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2又はＮｂ2Ｏ5）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成したサンプルと、実施例１の第２の方法のように、ＺｎＳ及びＳｉＯ2を含むスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2又はＮｂ2Ｏ5スパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより形成したサンプルとの両方が存在する。【０１８７】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第２誘電体膜１１６に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を適用した従来例の情報記録媒体（ディスクＮｏ．２−００１）も作製した。【０１８８】
本実施例では、第３情報層１６の第２誘電体膜１２６には本発明の混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）を適用し、マトリクス法に基づく計算により膜厚を決定した。具体的には、実施例１同様、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６の反射率が、記録膜１２４が結晶相状態で１．５％〜４％、透過率（基板鏡面部）が５５％〜６０％となるように設定した。【０１８９】
第２誘電体膜１２６は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2を含む１つのスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより形成した。【０１９０】
その他の情報層の膜材料や構成、また作製工程は、実施例１と同様である。【０１９１】
以上のように作製された各サンプルについて、実施例１に示した評価方法のとおり、第２情報層１４の信号品質、再生耐久性及び信号保存性を評価した。結果を表３に示す。なお、各評価項目の◎、○、△及び×の判定基準は前述と同様である。また、表３に示された結果は、上記第２の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第１の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。【０１９２】
【表３】
2011024381.tif 000005
【０１９３】
表３に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．２−１０１〜２−１２４）でも、再生耐久性及び信号保存性について、従来例であるディスクＮｏ．２−００１を大きく改善した結果が得られた。信号品質の評価において、ディスクＮｏ．２−１０７、２−１１２、２−１１９、２−１２３及び２−１２４が△となっている。これは、屈折率ｎが２．１５よりも小さく、又は、消衰係数ｋが０．０５以上になることで、記録膜が結晶相の時の反射率と非晶質相の時の反射率とのコントラスト（反射率比）が小さくなり、変調度が小さくなったと考えられる。この結果から、混合誘電体膜は、波長４０５ｎｍ近傍（波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍ）において、屈折率が２．１５以上、且つ、消衰係数が０．０４以下であることが好ましいことがわかった。表３に示す結果から、このような光学特性は、混合誘電体膜に含まれるＤの種類によって多少の差はあるものの、混合誘電体膜におけるＤの含有量を３０ｍｏｌ％以下とすることで実現しやすくなり、さらにｙの値を０．３以下とすることでより実現しやすくなると考えられる。なお、ディスクＮｏ．２−１０７、２−１１２、２−１１９、２−１２３及び２−１２４のサンプルは、表３に示すとおり、総合評価は何れも○であり、実用レベルに達している。【０１９４】
さらに、別の実施例として、第２誘電体膜１１６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とし、ＤとしてＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ2、（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5、（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5及び（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ２−１２５〜２−１３１とする。また、（ｘ，ｙ）＝（２０，０．２）とし、ＤとしてＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ2、（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5、（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5及び（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ２−１３２〜２−１３８とする。【０１９５】
なお、ディスクＮｏ．２−１２５〜２−１３８には、それぞれ、第２誘電体膜１１６を、実施例１の第３の方法のようにＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つ）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成したサンプルと、実施例１の第４の方法のように、ＺｎＳ及びＳｉＯ2を含むスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つを含むスパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより形成したサンプルとの両方が存在する。【０１９６】
以上のように作製された各サンプルに対して、前述した方法と同様の評価方法で、第２情報層１４の信号品質、再生耐久性及び信号保存性を評価した。結果を表４に示す。なお、各評価項目の◎、○、△及び×の判定基準は前述と同様である。また、表４に示された結果は、上記第４の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第３の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。【０１９７】
【表４】
2011024381.tif 000006
【０１９８】
表４に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．２−１２５〜２−１３８）でも、再生耐久性及び信号保存性において、従来例であるディスクＮｏ．２−００１を大きく改善した結果が得られた。再生耐久性及び信号保存性の評価において、Ｄが同量含有される場合、ＤとしてＴｉＯ2及び／又はＮｂ2Ｏ5が含有されている誘電体のほうが、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2が含有される誘電体よりも、改善度が大きいことがわかった。これは、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5の熱伝導率がＴａ2Ｏ5やＣｅＯ2よりも高く、記録膜に蓄熱される熱をより効率的に放熱できるためであると考えられる。よって、Ｄとしては、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも何れか一つがより好ましいことがわかった。なお、ＤとしてＴａ2Ｏ5やＣｅＯ2を含有するサンプルも、総合評価に示す通り、何れも△、○であり、実用レベルに達している。【０１９９】
以上のように、本発明の構成により、従来の情報記録媒体を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。【０２００】
（実施例３）
実施例３では、図１に示す情報記録媒体１の別の例を作製した。本実施例では、実施例１で示した情報記録媒体の第１情報層１２の第２誘電体層１０６に本発明における混合誘電体膜を適用した。第２誘電体膜１０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第２情報層１４及び第３情報層１６がない場合の第１情報層１２の反射率が、記録膜１０４が結晶相状態で２０％〜２５％になるよう決定した。【０２０１】
本実施例では、第２誘電体膜１０６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。ＤをＴｉＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）とした材料を適用したサンプルを作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ３−１０１〜３−１０５とする。また、ＤをＮｂ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）としたサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．をそれぞれ３−１０６〜３−１１０とする。また、ＤをＴａ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を３−１１１とする。また、ＤをＣｅＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を３−１１２とする。また、Ｄを（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を３−１１３とする。【０２０２】
なお、ディスクＮｏ．３−１０１〜３−１１３には、それぞれ、第２誘電体膜１０６を、実施例１の第３の方法のようにＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つ）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成したサンプルと、実施例１の第４の方法のように、ＺｎＳ及びＳｉＯ2を含むスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つを含むスパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより形成したサンプルとの両方が存在する。【０２０３】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第２誘電体膜１０６に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）を適用した従来例の情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−００１とする。）も作製した。【０２０４】
本実施例では、第２情報層１４の第２誘電体膜１１６に、本発明における混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）を適用し、マトリクス法に基づく計算により膜厚を決定した。具体的には、実施例１同様、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６がない場合の第２情報層１４の反射率が、記録膜１１４が結晶相状態で４％〜６％、透過率（基板鏡面部）が４５％〜５２％となるように設定した。【０２０５】
第２誘電体膜１１６は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2を含む１つのスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより形成した。【０２０６】
本実施例の第３情報層１６の第２誘電体膜１２６に、本発明における混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）を適用し、マトリクス法に基づく計算により膜厚を決定した。具体的には、実施例１同様、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６の反射率が、記録膜１２４が結晶相状態で１．５％〜４％、透過率（基板鏡面部）が５５％〜６０％となるように設定した。【０２０７】
第２誘電体膜１２６は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2を含む１つのスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより形成された。【０２０８】
その他の情報層の膜材料や構成、また作製工程は、実施例１と同様である。【０２０９】
以上のように作製された各サンプルについて、実施例１に示した評価方法のとおり、第１情報層１２の信号品質、再生耐久性及び信号保存性を評価した。結果を表５に示す。なお、各評価項目の◎、○、△及び×の判定基準は実施例１と同様である。また、表５に示された結果は、上記第４の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第３の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。【０２１０】
【表５】
2011024381.tif 000007
【０２１１】
表５に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．５−１０１〜５−１１３）でも、再生耐久性及び信号保存性について、従来例であるディスクＮｏ．３−００１を大きく改善した結果が得られた。特に第１情報層に関しては、信号保存性が従来例に対し大きく改善し、表５に示すとおり、何れのサンプルもより優れた実用レベルに達している。【０２１２】
以上のように、本発明の構成により、従来の情報記録媒体を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。【０２１３】
（実施例４）
実施例４では、図２に示す情報記録媒体２の一例を作製した。本実施例では、４つの情報層（Ｎ＝４）を有する情報記録媒体について説明する。以下は、本実施例の情報記録媒体の製造方法である。【０２１４】
まず、基板１１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板１１上に、反射膜１０１として厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜１０２として厚さ７ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、第１界面膜１０３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜１０４として厚さ１０ｎｍのＧｅ49.0Ｓｂ1.0Ｉｎ3.0Ｔｅ51.0（原子％）膜、第２界面膜１０５として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜１０６として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜した。第２誘電体膜１０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第２〜第４情報層がない場合の第１情報層２１の反射率が、記録膜１０４が結晶相状態で２５％〜３５％になるよう決定した。【０２１５】
続けて、第１情報層２１上に案内溝の設けられた光学分離層２２を形成し、光学分離層２２上に第２情報層２３を形成する。第２情報層２３は、透過率調整膜として厚さ１８ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、反射膜として厚さ８ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜として厚さ７ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜、第１界面膜として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜として厚さ６．５ｎｍのＧｅ46.3Ｓｂ1.0Ｉｎ2.0Ｔｅ50.7（原子％）膜、第２界面膜として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜２０６として、本発明における混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜することによって形成された。【０２１６】
第２情報層２３の第２誘電体膜の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第３及び第４情報層がない場合の第２情報層２３の反射率が、第２情報層２３の記録膜が結晶相状態で６〜９％、透過率（基板鏡面部）が５１％〜５８％となるように設定した。【０２１７】
続けて、第２情報層２３上に案内溝の設けられた光学分離層２４を形成し、光学分離層２４上に第３情報層を形成した。なお、本実施例では、第３情報層が実施の形態２における第ｎ情報層２６に相当するので、以下、第３情報層２６と記載する。第３情報層２６は、透過率調整膜２００として厚さ１８ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、反射膜２０１として厚さ６．５ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜２０２として厚さ６ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜、第１界面膜２０３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜２０４として厚さ５．８ｎｍのＧｅ46.3Ｓｂ1.0Ｉｎ2.0Ｔｅ50.7（原子％）膜、第２界面膜２０５として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜２０６として、本発明における混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜することによって形成された。【０２１８】
第２誘電体膜２０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第４情報層２８がない場合の第３情報層２６の反射率が、第３情報層２６の記録膜２０４が結晶相状態で３〜５％、透過率（基板鏡面部）が５６％〜６３％となるように設定した。【０２１９】
続けて、第３情報層２６上に案内溝の設けられた光学分離層２７を形成し、光学分離層２７上に第４情報層２８を形成した。第４情報層２８は、第３情報層２６と同じ膜構成を有していた。透過率調整膜として厚さ１７ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、反射膜として厚さ５．５ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜として厚さ６ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜、第１界面膜として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜として厚さ５．５ｎｍのＧｅ46.3Ｓｂ1.5Ｉｎ1.5Ｔｅ50.7（原子％）膜、第２界面膜として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜として、本発明における混合誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜することによって形成された。【０２２０】
第４情報層２８の第２誘電体膜の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第４情報層２８の反射率が、記録膜が結晶相状態で１％〜３％、透過率（基板鏡面部）が５８％〜６５％となるように設定した。【０２２１】
その後に、紫外線硬化樹脂を、第４情報層２８の第２誘電体膜上に塗布してスピンコートした後に、紫外線により当該樹脂を硬化させて、カバー層１７を形成した。このようにして、本実施例の情報記録媒体を作製した。最後に、第１〜第４情報層の記録膜の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。【０２２２】
本実施例では、第４情報層２８の第２誘電体膜である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。ＤをＴｉＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）とした材料を適用したサンプルを作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ４−１０１〜４−１０５とする。また、ＤをＮｂ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ４−１０６〜４−１１０とする。また、ＤをＴａ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を４−１１１とする。また、ＤをＣｅＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を４−１１２とする。また、Ｄを（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を４−１１３とする。【０２２３】
なお、ディスクＮｏ．４−１０１〜４−１１３には、それぞれ、第４情報層２８の第２誘電体膜を、実施例１の第３の方法のようにＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つ）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成したサンプルと、実施例１の第４の方法のように、ＺｎＳ及びＳｉＯ2を含むスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つを含むスパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより形成したサンプルとの両方が存在する。【０２２４】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第４情報層２８の第２誘電体膜に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を適用した従来例の情報記録媒体（ディスクＮｏ．４−００１）も作製した。【０２２５】
以上のように作製された情報記録媒体の各サンプルについて、以下の評価を行った。【０２２６】
＜信号品質評価＞
各サンプルの信号品質評価を、図３で示した記録再生装置３を用いて行った。レーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブ（レーザ入射側に近い方の溝部）に情報の記録を行った。記録及び再生の線速度は７．３６ｍ／ｓ、周期クロックは６６ＭＨｚ（線速度と周期クロックの関係から最短マーク長（２Ｔ）＝０．１１１μｍであり、１情報層あたり３３．４ＧＢ密度の２倍速記録に相当）とした。再生パワーは、第１及び第２情報層に対しては１．８ｍＷ、第３情報層に対しては１．６ｍＷ、第４情報層に対して１．３ｍＷとした。再生光には、無変調のレーザ光を用いた。【０２２７】
信号品質の評価は、８Ｔマークを１０回記録し、その変調度を測定することによって行った。変調度が４５％以上を◎、４０％以上で４５％未満のものを○、３５％以上で４０％未満のものを△、３５％未満のものを×とした。【０２２８】
＜再生耐久性＞
記録再生に用いた装置、記録及び再生の線速度及び周期クロックは、信号品質評価の場合と同じにした。再生耐久性の評価は、２Ｔ〜９Ｔのランダム信号を記録し、ＳＥＲが基準値５．０×１０-3を超える再生回数を測定することによって行った。再生パワーは、第３情報層に対しては１．８ｍＷ、第４情報層に対しては１．４ｍＷとした。再生光には、無変調のレーザ光を用いた。再生回数が１００万回以上を◎、５０万回以上で１００万回未満を○、１０万回以上で５０万回未満を△、１０万回未満のものを×とした。なお、評価の対象となるランダムマークの記録は、Ｎ−１変調方式を用いて、各サンプルにおいてＳＥＲが最も良好となるライトパワー、イレースパワー、ボトム・クーリングパワーを設定し、ＤＯＷ１０記録することで行った。【０２２９】
＜信号保存性評価＞
記録再生に用いた装置、記録及び再生の線速度及び周期クロックは、信号品質評価の場合と同じにした。信号保存性の評価は、２Ｔ〜９Ｔのランダム信号を記録し、その情報記録媒体を８０℃、２０％ＲＨ、５０時間の条件の恒温槽で加速試験を行い、加速試験前からのＳＥＲの劣化量を評価することによって行った。劣化量が＋１．０×１０-4以下を◎、＋１．０×１０-4より大きく＋５．０×１０-4以下を○、＋５．０×１０-4より大きく＋１．０×１０-3以下を△、＋１．０×１０-3より大きいものを×とした。なお、評価の対象となるランダムマークの記録は再生耐久性同様に、Ｎ−１変調方式を用いて、各情報記録媒体においてＳＥＲが最も良好となるライトパワー、イレースパワー、ボトム・クーリングパワーを設定し、ＤＯＷ１０記録することで行った。【０２３０】
以上のような評価方法により、本実施例における各サンプルについて、第４情報層２８の評価を行った。結果を表６に示す。なお表６において、信号品質、再生耐久性及び信号保存性を総合的に評価し、総合評価として、何れかの項目で１つでも×があるものは×、×がなく△が２つ以上あるものは△、×がなく△が１つ以下あるいはすべての項目で○のものは○、×と△がなく◎を１つ以上あるものを◎とした。また、表６に示された結果は、上記第４の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第３の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。【０２３１】
なお、総合評価が×の情報記録媒体は実用レベルには達していないが、△、○及び◎は実用レベルを満足している。実用レベルを満足している情記録媒体において、△よりも○のほうが優れており、◎のほうがより優れていることを示す。【０２３２】
【表６】
2011024381.tif 000008
【０２３３】
表６に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．４−１０１〜４−１１３）でも、信号品質、再生耐久性及び信号保存性について、従来例であるディスクＮｏ．４−００１を大きく改善した結果が得られた。何れのサンプルも、総合評価に示す通り、実用レベルに達している。【０２３４】
以上のように、本発明の構成により、従来の情報記録媒体を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。【０２３５】
（実施例５）
実施例５では、図２に示す情報記録媒体２の別の一例を作製した。本実施例では、実施例４で示した情報記録媒体の第３情報層２６の第２誘電体層２０６に、本発明における混合誘電体膜を適用した。第３情報層２６の第２誘電体膜２０６の膜厚は、実施例４同様、４０５ｎｍのレーザ光において、第４情報層がない場合の第３情報層２６の反射率が、第３情報層２６の記録膜２０４が結晶相状態で３〜５％、透過率（基板鏡面部）が５６％〜６３％となるように設定した。【０２３６】
本実施例では、第３情報層２６の第２誘電体膜２０６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。ＤをＴｉＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）とした材料を適用したサンプルを作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ５−１０１〜５−１０５とする。また、ＤをＮｂ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ５−１０６〜５−１１０とする。また、ＤをＴａ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を５−１１１とする。また、ＤをＣｅＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を、５−１１２とする。また、Ｄを（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を、５−１１３とする。【０２３７】
なお、ディスクＮｏ．５−１０１〜５−１１３には、それぞれ、第２誘電体膜２０６を、実施例１の第３の方法のようにＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つ）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成したサンプルと、実施例１の第４の方法のように、ＺｎＳ及びＳｉＯ2を含むスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つを含むスパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより形成したサンプルとの両方が存在する。【０２３８】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第２誘電体膜２０６に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．５−００１）も作製した。【０２３９】
本実施例では、第４情報層２８の第２誘電体膜には、本発明における混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）膜を適用し、マトリクス法に基づく計算により膜厚を決定した。具体的には、実施例４と同様に、４０５ｎｍのレーザ光において、第４情報層２８の反射率が、第４情報層２８の記録膜が結晶相状態で１〜３％、透過率（基板鏡面部）が５８％〜６５％となるように設定した。【０２４０】
その他の情報層の膜材料や構成、また作製工程は、実施例４と同様である。【０２４１】
以上のように作製された各サンプルについて、実施例４に示した評価方法の通り、第３情報層１４の信号品質、再生耐久性及び信号保存性を評価した。結果を表７に示す。なお、各評価項目の◎、○、△及び×の判定基準は実施例４と同様である。また、表７に示された結果は、上記第４の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第３の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。【０２４２】
【表７】
2011024381.tif 000009
【０２４３】
表７に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．５−１０１〜５−１１３）でも、信号品質、再生耐久性及び信号保存性について、従来例であるディスクＮｏ．４−００１を大きく改善した結果が得られた。何れのサンプルも、総合評価に示す通り、実用レベルに達していた。【０２４４】
以上のように、本発明の構成により、従来の情報記録媒体を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。【０２４５】
以上、本発明の実施の形態について例を取り上げ説明したが、前述したように、本発明は上記の実施の形態に限定されず本発明の技術発想に基づいて他の実施の形態にも適用できる。例えば、実施の形態１や２で示すような複数の情報層を有する多層情報記録媒体においては、何れかの情報層に追記形や再生専用形の情報層を含んでいてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２４６】
本発明の情報記録媒体とその製造方法は、優れた混合誘電体材料を有し、大容量な光学的情報記録媒体として、例えばＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ、ＤＶＤ−ＲＡＭのようなＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）に有用である。また、直径６ｃｍや８ｃｍのような小径ディスクに応用することもできる。また、さらなる大容量の情報記録媒体として、ＳＩＬ（Ｓｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ）を用いた光学系により、近接場光を利用し高密度記録が可能な情報記録媒体にも有用である。さらに、電気的情報記録媒体として、電気的なスイッチング素子としても有用である。何れも書換え形や追記形に応用することが可能である。
【図１】
2011024381.tif 000010
【図２】
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【図３】
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【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】明細書
【発明の名称】情報記録媒体とその製造方法
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的手段によって情報を記録及び再生する情報記録媒体と、その製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光学的情報記録媒体の一例として、レーザ光を用いて光学的手段により情報の記録、消去及び書換えを行う相変化形情報記録媒体がある。この相変化形情報記録媒体としては、現在商品化されているＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃメディア等があり、デジタルハイビジョン放送に対応した大容量メディアとして、片面２層のＢＤ−ＲＥ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）メディア（記録容量５０ＧＢ、転送速度３６Ｍｂｐｓ（１倍速））が商品化されている。
【０００３】
この片面２層のＢＤ−ＲＥメディアは、２つの情報層を有し、レーザ光入射側からみて奥側に位置する全反射型の情報層Ｌ０と、レーザ光入射側に位置する半透過型の情報層Ｌ１とが、光学分離層を介して設けられている。半透過型の情報層Ｌ１の構成としては、光学分離層の表面上に、透過率調整膜、反射膜、第１誘電体膜、第１界面膜、記録膜、第２界面膜及び第２誘電体膜がこの順に形成されたものが挙げられる。
【０００４】
記録膜には、結晶相と非晶質相との間で可逆変化を起こす相変化材料が用いられ、例えばＧｅ50Ｔｅ50とＳｂ40Ｔｅ60を結ぶライン上の組成を有する材料（特許文献１参照）や、前記材料においてＳｂをＢｉに置き換えた、Ｇｅ50Ｔｅ50とＢｉ40Ｔｅ60を結ぶライン上の組成を有する材料（特許文献２参照）や、又は、Ｓｂを主成分（７０原子％近傍）とし、ＳｂＴｅの共晶点近傍の組成をベースとして有する材料（特許文献３参照）が用いられる。一般に、情報の記録は、高パワー（記録パワー）のレーザ光を記録膜に照射し、当該記録膜を融点よりも高温に加熱して照射部を溶融させた後、急冷させて、非晶質相を形成することにより行われる。一方、情報の消去は、記録時より低パワー（消去パワー）のレーザ光を記録膜に照射し、当該記録膜をその結晶化温度よりは高く、且つ、融点よりも低い温度に加熱して昇温させた後、徐冷して結晶相を形成することにより行われる。このように形成された結晶部と非晶質部とで反射率差が生じるため、情報を再生することができる。結晶部と非晶質部との間での反射率差及び反射率比が大きいほど、良好な再生信号品質を得ることができる。
【０００５】
第１誘電体膜と第２誘電体膜は、光学距離（＝屈折率×物理距離）を調節することで記録膜の光吸収効率を高め、結晶相における反射率と非晶質相における反射率との差を大きくし、信号振幅を大きくする機能を有する。また、記録膜を水分等から保護する機能も兼ね備える。これら誘電体膜の材料の一例として、８０ｍｏｌ％のＺｎＳと２０ｍｏｌ％のＳｉＯ2の混合物（以下、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20と表記する。）が挙げられる（例えば、特許文献４及び特許文献５参照）。この材料は、非晶質材料であり、熱伝導率が低く、高屈折率で高透明性を有するという特性を有する。また、膜形成時の成膜速度が速く、機械的特性や耐湿性にも優れている。このような優れた特性を有するため、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20は、誘電体膜を形成するのに非常に適した材料として実用化されてきた。
【０００６】
透過率調整膜は、透過率を調整する機能を有する。この膜に屈折率ｎの大きい材料（好ましくはｎ≧２．５）を適用することにより、情報層の透過率を高くすることができ、また、記録膜が結晶相の場合の情報層の透過率と、記録膜が非晶質相の場合の情報層の透過率とを、互いに近づけることができる。
【０００７】
第１界面膜と第２界面膜は、繰り返し書き換え記録を行う際、第１誘電体膜や第２誘電体膜を構成する元素が記録膜に拡散することを防止し、記録膜の書換え特性が変わらないようにする目的で設けられる。これら界面膜の材料としては、例えばＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3とを含む材料が開示されている（例えば特許文献６参照）。この材料は、青紫色波長領域（４０５ｎｍ付近）のレーザ光に対して透明性が高く、また高融点であるため耐熱性も高い、優れた材料である。
【０００８】
反射膜は、光学的には記録膜に吸収される光量を増大させる機能を有し、熱的には記録膜で生じた熱を速やかに拡散させ、記録膜を急冷し非晶質化し易くする機能を有する。さらに、記録膜、界面膜及び誘電体膜を使用環境から保護する機能をも有する。このため、反射膜の材料として、熱伝導率の高いＡｇ合金が好ましく適用されてきた。
【０００９】
今後さらなる記録コンテンツの容量増大やパソコン用途への普及、また環境面を考慮した省資源化、省スペース化のため、ディスク１枚あたりの容量を増やす必要がある。
【００１０】
ディスク１枚あたりの容量を増やすためには、積層する情報層をより多くすること（多層化）や、１情報層あたりの記録容量をより高めること（高密度記録化）が挙げられる。
【００１１】
情報層の多層化のためには、レーザ光入射側からみて奥に位置する情報層からも正しく（高Ｓ／Ｎ比の）情報を読み出せるよう、手前に位置する半透過型の情報層の透過率を高める必要がある。情報層の透過率を高めるためには、前述した構成において、レーザ光の吸収が大きい、記録膜や反射膜の膜厚を薄く設計しなければならない。しかしながら、反射率を維持しながら記録膜や反射膜の膜厚を薄くすると、反射率比が小さくなり、信号品質が劣化したり、書換え性能が悪化したりする。このため、記録膜及び反射膜について、薄くできる膜厚値には限界がある。そこで、多層情報記録媒体においては、積層する情報層が多くなるほど、設定反射率を低くすると同時に再生光のパワーを向上させて、高Ｓ／Ｎ比の信号を記録・再生できるようにしている。
【００１２】
また１情報層あたり（面内）の記録容量を増やすためには、記録（マーク／スペース）密度を上げ、例えば１つの情報層あたりの記録容量を、２５ＧＢから３０ＧＢや３３．４ＧＢにすることも考えられる。記録密度が上がることにより、記録マーク（非晶質部）とスペース（結晶部）との間隔がつまる。このため、各層の材料組成や情報記録媒体の構成を、高密度記録に適したものにする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開昭６３−２２５９３４号公報
【特許文献２】特開昭６３−２２５９３５号公報
【特許文献３】特開平１−３０３６４３号公報
【特許文献４】特開昭６２−２８９９３７号公報
【特許文献５】特開昭６３−２５９８５５号公報
【特許文献６】特開２００３−３２３７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明者らは、相変化形情報記録媒体において、記録膜からの熱の放熱過程に注目し、従来構成における課題を見出した。
【００１５】
上述のように、多層情報記録媒体においては、多層化により情報層の数が増えると再生光のパワーも上げなければならない。再生光のパワーが上がると、記録膜への熱負荷が大きくなり、非晶質の記録マークがその熱により結晶化してしまうことで、信号品質が劣化する。この現象は、再生サイクル（同じトラックを繰り返し再生）時に、より顕著となる。この問題を解決するためには記録膜からの放熱効率を向上させなければならないが、前述のように、半透過型の情報層では、透過率を上げるために反射膜の膜厚も薄くなっているため、記録膜からの反射膜側への放熱効率を向上させることは困難であり、放熱効率はむしろ低下している。
【００１６】
また、高密度記録化によっても、マーク／スペース間隔がつまってくることで、相互の熱干渉の影響が大きくなり、より放熱効率を高める必要がある。
【００１７】
そこで、本発明者らは、記録膜に対してレーザ光入射側に配置された第２誘電体膜の放熱効率を上げることで、記録膜に蓄積される熱を速やかに放熱させ、上記課題を解決することを考えた。具体的には、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20よりも高い熱伝導率を有する誘電体材料を、第２誘電体膜に適用することを考えた。
【００１８】
ＺｎＳ−ＳｉＯ2は低熱伝導性のため、それよりも熱伝導率の高い誘電体材料に置換すれば、第２誘電体膜の高熱伝導率化が可能である。ただし、第２誘電体膜は、光学距離の調整により信号振幅を高める機能を有する必要があるため、高透明性や適正な屈折率を有していなければならない。そのため光学的特性も満足した誘電体材料が必要となる。
【００１９】
そこで、本発明は、第２誘電体膜に従来用いられている材料よりも高い熱伝導率を有し、同時に、従来の材料と同程度の光学特性（高透明性や適正な屈折率）も有する材料を実現することによって、再生光に対する耐久性（以下、再生耐久性と記する）に優れ、また信号品質や繰り返し書き換え特性も良好な情報記録媒体を提供することを目的とする。さらに、本発明は、このような情報記録媒体を製造する方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明の情報記録媒体は、記録膜を備え、前記記録膜にレーザ光を照射することによって情報の記録及び再生が可能な情報記録媒体であって、前記記録膜に対して前記レーザ光入射側に配置された混合誘電体膜をさらに備え、前記混合誘電体膜は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）で構成される混合誘電体材料を含む。
【００２１】
また、本発明の第１の情報記録媒体の製造方法は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）によって構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、前記工程において、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＤ（ただし、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである）を含むスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、前記混合誘電体膜を形成する。
【００２２】
また、本発明の第２の情報記録媒体の製造方法は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）で構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、前記工程において、ＺｎＳとＳｉＯ2とからなる第１のスパッタリングターゲットと、Ｄ（ただし、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである）からなる第２のスパッタリングターゲットとを用い、２つ以上のカソードを用いて前記第１のスパッタリングターゲット及び前記第２のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングすることにより、前記混合誘電体膜を形成する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明において、記録膜よりもレーザ光入射側に配置される混合誘電体膜に用いられる混合誘電体材料は、従来の情報記録媒体において前記混合誘電体膜と対応する膜（第２誘電体膜）に一般的に用いられていた（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20よりも、高い熱伝導率を有する。このような混合誘電体材料を含む混合誘電体膜は、再生サイクル時の記録膜に蓄積された熱を速やかに拡散して、記録膜に熱負荷がかかることを抑制できる。これにより、本発明によれば、再生耐久性向上の効果が得られる。また、同時に、この高い放熱効果により、記録マーク（非晶質）の安定を高めることができ、高い信号保存性を得ることができる。また、この混合誘電体膜は、高透明性を有していることで、高い信号品質や繰り返し書き換え特性を得ることも可能である。
【００２４】
また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】  本発明の実施の形態１における情報記録媒体の一部断面図
【図２】  本発明の実施の形態２における情報記録媒体の一部断面図
【図３】  本発明の情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う記録再生装置の一例の一部構成の概略図
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の情報記録媒体は、記録膜を備え、前記記録膜にレーザ光を照射することによって情報の記録及び再生が可能な情報記録媒体である。本発明の情報記録媒体は、記録膜に対してレーザ光入射側に配置された混合誘電体膜をさらに備えている。混合誘電体膜は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘで構成される混合誘電体材料を含んでいる。ここで、「酸化物Ｘ」とは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物のことであり、本明細書において、以降も同様の意味でこの表記を用いる。
【００２７】
本発明における混合誘電体膜は、本発明の効果を損なわない限り、前記混合誘電体材料以外の他の成分が含まれていてもよい。本発明における混合誘電体膜は、十分な効果を安定的に得るために、実質的に前記混合誘電体材料からなることが好ましい。この場合、混合誘電体膜は、混合誘電体材料を９５ｍｏｌ％以上含むことが望ましい。混合誘電体膜に微量（２ｍｏｌ％以下程度）の不純物が混入していたとしても、その効果に影響を及ぼさない程度であれば問題ない。混合誘電体膜は、混合誘電体材料のみから形成されていてもよい。
【００２８】
また、前記混合誘電体膜が前記酸化物Ｘを３０ｍｏｌ％以下で含むことにより、当該混合誘電体膜の透明性をより高めることができ、信号品質をより向上させることができる。
【００２９】
また、前記混合誘電体膜に含まれるＺｎの硫化物及びＳｉの酸化物において、Ｚｎの硫化物及びＳｉの酸化物の合計に対するＳｉの酸化物のモル比率を０．３以下とすることにより、当該混合誘電体膜の屈折率の低下が抑えられ、信号品質をより向上させることができる。
【００３０】
前記酸化物ＸをＴｉの酸化物及びＮｂの酸化物より選ばれる少なくとも何れか一つとすることによって、前記混合誘電体膜をより高熱伝導率化でき、再生耐久性や信号保存性をさらに向上させることができる。
【００３１】
前記混合誘電体材料が、式：
｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）
で表される材料であってもよい。なお、前記式中、ｘ及びｙは、０＜ｘ＜１００、０＜ｙ＜１をそれぞれ満たし、且つ、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである。これにより、前記混合誘電体膜の透明性をより高めることができ、また非晶質性も向上させることができるので、信号品質や繰り返し書換え性能をより向上させることができる。さらに、前記式において、ｘ及びｙが、０＜ｘ≦３０、０＜ｙ≦０．３をそれぞれ満たすようにすれば、前記混合誘電体膜の透明性をより一層高めることができ、信号品質を向上させることができる。なお、本明細書において、「｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）」とは、（１００−ｘ）ｍｏｌ％の「（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y」と、ｘｍｏｌ％の酸化物「Ｄ」との混合物であることを示している。また、「Ｄ」は、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つを表しており、本明細書においては、以降も同様の意味でこの表記を用いる。
【００３２】
前記ＤをＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5より選ばれる少なくとも何れか一つとすることによって、前記混合誘電体膜をより高熱伝導率化でき、再生耐久性や信号保存性をより向上させることができる。
【００３３】
また、波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍにおける前記混合誘電体膜の屈折率を２．１５以上、且つ、消衰係数を０．０４以下とすることは、反射率比が向上するので、好ましい。
【００３４】
また、前記記録膜と前記混合誘電体膜との間に、界面膜がさらに設けられていてもよい。この界面膜により、混合誘電体膜中の元素が記録膜中に拡散することが抑制されるので、記録特性の低下を抑制できる。
【００３５】
前記混合誘電体膜の膜厚を２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることで、信号品質をより向上させることができる。
【００３６】
本発明の構造は、複数の情報層が設けられた多層情報記録媒体に対しても適用できる。詳しくは、レーザ光入射側と反対側から、第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が順に配置され、前記第１情報層〜第Ｎ情報層に含まれる少なくとも一つの情報層が、レーザ光入射側から、前記混合誘電体膜及び前記記録膜をこの順に備えるようにすればよい。このように、本発明の構造を多層情報記録媒体に適用すれば、本発明における効果をより高く得ることができる。また、前記第１情報層〜第Ｎ情報層に含まれる第ｎ情報層が、レーザ光入射側から前記混合誘電体膜及び前記記録膜をこの順に備え、ｎが１＜ｎ≦Ｎを満足する整数であることにより、本発明における効果をさらに高く得ることができる。
【００３７】
次に、本発明の第１及び第２の情報記録媒体の製造方法について述べる。
【００３８】
本発明の第１及び第２の製造方法では、混合誘電体膜を、スパッタリング法を用いて形成する。スパッタリング法を用いることで、スパッタリングターゲットの組成と同じ組成を有する誘電体薄膜を形成できる。
【００３９】
そこで、本発明の第１の製造方法は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘによって構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、前記工程において、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＤを含むスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、前記混合誘電体膜を形成する、というものである。スパッタリングターゲットは、成膜する目的の混合誘電体膜の組成に応じて、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＤ以外の他の成分を含んでいてもよい。このスパッタリングターゲットに含まれる他の成分及びその含有量は、上述の、混合誘電体膜に含まれる他の成分と同様である。
【００４０】
また、前記第１の製造方法において、前記スパッタリングターゲットを用いて形成した前記混合誘電体膜が、前記Ｄを３０ｍｏｌ％以下で含むことが好ましい。
【００４１】
また、前記第１の製造方法において、前記スパッタリングターゲットを用いて形成した前記混合誘電体膜に含まれるＺｎＳ及びＳｉＯ2において、ＺｎＳ及びＳｉＯ2の合計に対するＳｉＯ2のモル比率が０．３以下であることが好ましい。
【００４２】
一方、本発明の第２の製造方法は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘで構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、前記工程において、ＺｎＳとＳｉＯ2とからなる第１のスパッタリングターゲットと、Ｄからなる第２のスパッタリングターゲットとを用い、２つ以上のカソードを用いて前記第１のスパッタリングターゲットおよび前記第２のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングすることにより、前記混合誘電体膜を形成する、というものである。このとき、前記第１のスパッタリングターゲットが、ＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％以下で含むことが好ましい。
【００４３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は例示的なものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。
【００４４】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体（光学的情報記録媒体）の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体１は、情報を記録再生する情報層を３層含んでおり、片面からのエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１８の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。情報記録媒体１は、基板１１上に、光学分離層１３、１５等を介して順次積層された、第１情報層１２、第２情報層１４及び第３情報層１６を有し、さらに第３情報層１６に接してカバー層１７が設けられている。第１情報層１２は全反射型の情報層であり、第２情報層１４及び第３情報層１６は半透過型の情報層である。
【００４５】
基板１１は円盤状の透明な基板である。基板１１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン及びポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１１の第１情報層１２側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための案内溝（トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されていてもよい。基板１１において、第１情報層１２側の面と反対側の面は、平滑であることが好ましい。なお、基板１１の厚さは５００μｍ〜１３００μｍ程度であるが、１０５０μｍ〜１１５０μｍの範囲にあることがより好ましい。
【００４６】
カバー層１７は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）及び遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、あるいは誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層１７には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、又はＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層１７を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって、第３情報層１６における第２誘電体膜１２６に貼り合わせることにより形成する。カバー層１７の厚さは、ＮＡ（Numerical Aperture）＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚さである４０μｍ〜８０μｍ程度が好ましく、５０μｍ〜６５μｍ程度がより好ましい。
【００４７】
光学分離層１３及び１５は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）及び遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、あるいは誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。光学分離層１３及び１５は、第１情報層１２、第２情報層１４及び第３情報層１６のフォーカス位置を区別するために用いられる。その厚さは、対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λとによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。また、第２情報層１４における裏焦点の影響を防ぐため、光学分離層１３と光学分離層１５との膜厚は、互いに異なることが好ましい。また、光学分離層１３及び１５において、レーザ光の入射側の面に、案内溝が形成されていてもよい。
【００４８】
次にまず、第１情報層１２の構成について説明する。第１情報層１２は、基板１１の表面上に、反射膜１０１、第１誘電体膜１０２、第１界面膜１０３、記録膜１０４、第２界面膜１０５及び第２誘電体膜１０６が、この順に積層されることにより形成されている。
【００４９】
反射膜１０１は、記録膜１０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射膜１０１は、記録膜１０４で生じた熱を速やかに拡散させ、記録膜１０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、反射膜１０１は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
【００５０】
反射膜１０１の材料には、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｔｉ及びＷといった熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、ＡｌにＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等を添加したＡｌ合金、ＡｕにＣｕ、Ｃｒ、Ｎｄ等を添加したＡｕ合金、ＡｇにＣｕ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｄ等を添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＣｕにＰｄ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｇｄ、Ｙ等を添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＮｄにＡｕやＰｄ等を添加したＡｇ合金、又はＡｇ−ＩｎにＳｎやＧａ等を添加したＡｇ合金、あるいはＡｇ−Ｇａ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｇａ−Ｙ、Ａｇ−Ｇａ−Ａｌ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｓｉといった合金を用いることもできる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射膜１０１の材料として好ましい。なお、添加濃度は、３ｗｔ％以下が好ましい。反射膜１０１の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、反射膜１０１が２４０ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて記録感度が低下する場合がある。したがって、反射膜１０１の膜厚は３０ｎｍ〜２４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５１】
第１誘電体膜１０２は、光学的距離を調節して記録膜１０４の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。また記録膜１０４において発生した熱を速やかに反射膜１０１へ拡散し、記録膜１０４を冷却する働きも有する。この熱拡散効果が優れている場合、記録膜１０４への熱的負荷が軽減されて、良好な繰り返し書き換え特性が得られる。第１誘電体膜１０２の材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＺｒＳｉＯ4、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｅＯ2及びＤｙ2Ｏ3等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物、及び、ＬａＦ3、ＣｅＦ3及びＹＦ3等のフッ化物を用いることができる。また、それらより選ばれる混合物でもよい。具体的な例として、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3（安定化ジルコニアもしくは部分安定化ジルコニア）、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＯ、ＺｒＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＴｉＯ2、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2、ＴｉＯ2−Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2−Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｄｙ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2、ＴｉＯ2−ＣｅＯ2、ＺｒＯ2−ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3−ＡｌＮ、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＣ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｄｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3及びＺｒＯ2−Ｄｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3等が挙げられる。第１誘電体膜１０２の膜厚は、２ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましく、より反射光量の変化率を大きくするためには３ｎｍ〜４０ｎｍであることがより好ましい。
【００５２】
第１界面膜１０３及び第２界面膜１０５は、第１誘電体膜１０２及び第２誘電体膜１０６から記録膜１０４への元素の拡散を防止したり、また外部からの水分の混入を防止したりするバリアとしての働きを有する。誘電体膜からの元素拡散が生じると、記録膜１０４の結晶化速度の低下により書換え特性を低下させたり、結晶化温度の低下により信号保存性を悪化させたりする。例えば、第１誘電体膜１０６にＺｎＳ−ＳｉＯ2等ＺｎＳを含む誘電体材料を適用すると、記録時に記録膜１０４にＳ元素が拡散し、結晶化速度が低下し書換え特性が低下する。
【００５３】
また、第１界面膜１０３及び第２界面膜１０５は、記録膜１０４と接して設けられているため、記録膜１０４の結晶化速度を促進又は抑制する働きも有する。また、記録膜１０４と密着性に優れていることが望まれる。これらの界面膜には光吸収の少ない材料を適用することが好ましい。第１界面膜１０３及び第２界面膜１０５の材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＺｒＳｉＯ4、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｅＯ2及びＤｙ2Ｏ3等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物、及び、ＬａＦ3、ＣｅＦ3及びＹＦ3等のフッ化物を用いることができる。またそれらより選ばれる混合物でもよい。それらの中でもＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｙ、Ｚｎ及びＤｙより選ばれる少なくとも一つの酸化物を含んでいることにより、記録膜１０４との密着性をより向上させることができる。具体的には、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3（安定化ジルコニアもしくは部分安定化ジルコニア）、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＯ、ＺｒＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＴｉＯ2、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2、ＺｒＯ2−Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｄｙ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｄｙ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2、ＴｉＯ2−ＣｅＯ2、ＺｒＯ2−ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3−ＡｌＮ、ＺｒＯ2−ＳｉＣ、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＣ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＳｉＯ2−ＺｎＳ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、ＺｒＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3及びＤｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3が挙げられる。第１界面膜１０３及び第２界面膜１０５の膜厚は１ｎｍ〜１２ｎｍであることが好ましい。界面膜の膜厚が薄すぎると、バリアとしての十分な効果が得られず、記録膜１０４への元素の拡散や水分の混入を招き、信号品質が悪化する。また、膜厚が厚すぎると記録膜１０４に対する結晶化促進又は抑制効果が大きくなりすぎ、記録・再生特性が悪化する。このため、膜厚は２ｎｍ〜１０ｎｍであることがより好ましい。
【００５４】
記録膜１０４は、例えば、レーザ光の照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料からなる。この材料としては、例えば、式：ＧｅaＭ１bＭ２cＴｅ100-(a+b+c)（原子％）で表される材料を用いることができる。なお、本明細書において、「ＧｅaＭ１bＭ２cＴｅ100-(a+b+c)（原子％）」とは、「Ｇｅ」原子、「Ｍ１」原子、「Ｍ２」原子及び「Ｏ」原子を合わせた数を基準（１００％）として表された組成式であることを示している。以下、同様の表記方法を同様の意味で用いる。この材料によれば、非晶質相が安定で、結晶相と非晶質相との間で高い光学変化量を取ることができる。Ｍ１は、Ｓｂ及びＢｉより選ばれる少なくとも何れか一つの元素である。Ｍ２は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｅ、Ｒｕ、Ｒｓ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｗ、Ｐｔ及びＡｕより選ばれる少なくとも何れか一つの元素である。ａは３０≦ａ≦５５を満たすことが好ましく、３７≦ａ≦４９を満たすことがより好ましい。また、ｂは０＜ｂ≦２０を満たすことが好ましく、０＜ｂ≦１２を満たすことがより好ましい。また、ｃは０≦ｃ≦２０を満たすことが好ましく、０＜ｃ≦１２を満たすことがより好ましい。また、３５≦ａ＋ｂ＋ｃ≦６０を満たすことが好ましい。
【００５５】
また、記録膜１０４の材料としては、例えば、式：ＳｂdＴｅeＧｅfＭ３(100-d-e-f)（原子％）で表される材料を用いることができる。Ｍ３は、Ａｕ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｓｎ及びＢｉより選ばれる少なくとも何れか一つの元素である。このような材料によれば、高結晶化能を有する記録膜を形成することができる。ｄ、ｅ、ｆは、７０≦ｄ≦９０、０≦ｅ≦２５、３≦ｆ≦２５を満たすことが好ましい。
【００５６】
記録膜１０４の膜厚は、良好な記録特性を得るため５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。記録膜１０４が厚すぎる場合は、熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録膜１０４が薄すぎる場合は、情報記録媒体１の反射率の変化量が小さくなる。このため、膜厚は７．５ｎｍ〜１３ｎｍであることがさらに好ましい。
【００５７】
また、記録膜１０４は、非可逆的相変化材料で形成することができる。非可逆的相変化材料としては、例えば特公平７−２５２０９公報（特許第２００６８４９号）に開示されるように、ＴｅＯx＋Ｍ４（ただし、Ｍ４はＰｄやＧｅ等の元素。）を用いることが好ましい。記録膜１０４が非可逆的相変化材料の場合、１回のみ書き込み可能な追記形の情報記録媒体となるが、そのような情報記録媒体においても、記録感度、信号保存性の課題を改善するため、本発明が好ましく適用される。
【００５８】
なお、記録膜１０４は、相変化材料に限らず、磁場の印加と光の照射で記録、消去及び再生を行う光磁気材料を用いてもよい。その材料としては、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｎｄ及びＳｍより成る希土類金属群のうち少なくとも何れか一つの元素と、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉより成る遷移金属群のうち少なくとも何れか一つの元素とを含む材料を用いることができる。具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｅ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｓｍ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｓｃ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。記録膜１０４の材料が光磁気材料である場合、情報記録媒体の構成は図１と必ずしも一致しないが、本発明における記録膜の両側の界面膜構成及び材料は、好ましく適用することができる。
【００５９】
第２誘電体膜１０６は記録膜１０４を水分等から保護する働きと、第１誘電体膜１０２と同様、光学的距離を調節して記録膜１０４の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。第２誘電体膜１０６は、例えば、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5及びＡｌ2Ｏ3等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＺｎＳ等の硫化物、及び、ＳｉＣ等の炭化物を用いることができる。これらの材料において、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物は非晶質材料で、成膜速度が速く、また屈折率が高く、機械的強度や耐湿性が良好であるため、第２誘電体膜１０６に適用する材料として特に優れている。第２誘電体膜１０６の膜厚は、マトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により、記録膜１０４が結晶相の場合と非晶質相の場合との反射光量の変化率を大きくし、また記録膜１０４での光吸収が大きくなる条件により、決定することができる。具体的な膜厚としては、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、２５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。また、第２誘電体膜１０６に、本発明における混合誘電体材料を用いることもできる。
【００６０】
次に、第２情報層１４の構成について説明する。第２情報層１４は、光学分離層１３の表面上に、透過率調整膜１１０、反射膜１１１、第１誘電体膜１１２、第１界面膜１１３、記録膜１１４、第２界面膜１１５及び第２誘電体膜１１６が、この順に積層されることにより形成されている。
【００６１】
透過率調整膜１１０は、第２情報層１４の透過率を調整する働きを有する。この膜を設けることにより、記録膜１１４が結晶相時における第２情報層１４の透過率Ｔc（％）と、記録膜１１４が非晶質相時における第２情報層１４の透過率Ｔa（％）とを共に高くすることができる。具体的には、透過率調整膜１１０を設けた場合、透過率調整膜１１０が無い場合に比べ、Ｔc及びＴaを２〜８％向上させることができる。また、記録膜１１４において発生した熱を速やかに反射膜１１１へ拡散し、記録膜１１４を冷却する働きも有する。透過率をより高めるため、透過率調整膜１１０の屈折率ｎ１及び消衰係数ｋ１は、ｎ１≧２．０及びｋ１≦０．１を満たすことが好ましく、さらにｎ１≧２．４及びｋ１≦０．０５を満たすことがより好ましい。透過率調整膜１１０には、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3及びＣｅＯ2等の酸化物や、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることができ、その膜厚ｄ１は、（１／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（７／３２）λ／ｎ１、又は、（９／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（２１／３２）λ／ｎ１を満たすことが好ましい。
【００６２】
反射膜１１１には、前述した反射膜１０１と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。膜厚としては、４ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、７ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００６３】
第１誘電体膜１１２には、前述した第１誘電体膜１０２と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。膜厚としては、３ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、４ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００６４】
第１界面膜１１３は、前述した第１界面膜１０３と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。膜厚としては、３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００６５】
記録膜１１４は、前述した記録膜１０４と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。しかし、膜厚は、レーザ光の透過率を上げるため、なるべく薄くすることが好ましく、４ｎｍ〜１０ｎｍ範囲内にあることがより好ましい。また、特に、上述のＧｅaＭ１bＭ２cＴｅ100-(a+b+c)（原子％）で表される材料を用いることが好ましい。
【００６６】
第２界面膜１１５は、前述した第２界面膜１０５と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。膜厚としては、２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００６７】
本実施の形態における第２誘電体膜１１６は、本発明の情報記録媒体の特徴を成す部分であり、本発明における混合誘電体膜に相当する。第２誘電体膜１１６は前述した第２誘電体膜１０６と同様に、水分等から記録膜１１４保護する働きや、光学的距離を調節して記録膜１１４の光吸収率を高める働きや、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きを有する。さらに、本発明における混合誘電体材料を用いることで、第２誘電体膜１１６側への放熱効果を上げ、記録膜１１４に蓄えられる熱を速やかに拡散することができる。
【００６８】
ここで用いられる混合誘電体材料には、Ｚｎの硫化物（好ましくはＺｎＳ）、Ｓｉの酸化物（好ましくはＳｉＯ2）が含まれるので、高い非晶質性を得ることができる。混合誘電体材料には、ＺｎＳよりも熱伝導率の高い酸化物Ｘがさらに添加されているので、高熱伝導化が実現できる。さらに、酸化物Ｘの形態としては、それぞれ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2であることがより好ましいと考える。また、前記酸化物Ｘは高屈折率及び高透明性を有しているため、波長４００〜４１０ｎｍにおける第２誘電膜１１６の屈折率を２．１５以上、且つ、消衰係数を０．０４以下とできる。
【００６９】
具体的に、混合誘電体膜を構成する元素の系を挙げると、例えば、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔｉ−Ｏ）、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｎｂ−Ｏ）、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔａ−Ｏ）、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｅ−Ｏ）、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔｉ−Ｏ）−（Ｎｂ−Ｏ）及び（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔｉ−Ｏ）−（Ｔａ−Ｏ）、等が挙げられる。なお、ここでは、Ｚｎの硫化物を（Ｚｎ−Ｓ）、Ｓｉの酸化物を（Ｓｉ−Ｏ）、Ｔｉの酸化物を（Ｔｉ−Ｏ）、Ｎｂの酸化物を（Ｎｂ−Ｏ）、Ｔａの酸化物を（Ｔａ−Ｏ）、Ｃｅの酸化物を（Ｃｅ−Ｏ）と表記している。
【００７０】
また、より良好な信号品質を得るために、混合誘電体膜は、酸化物Ｘを３０ｍｏｌ％以下で含むことが好ましい。また、より良好な信号品質を得るために、混合誘電体膜に含まれるＺｎの硫化物及びＳｉの酸化物において、Ｚｎの硫化物及びＳｉの酸化物の合計に対するＳｉの酸化物のモル比率が０．３以下であることが好ましい。また、第２誘電体膜１１６の膜厚は、２５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内が好ましい。
【００７１】
次に、第３情報層１６の構成について説明する。第３情報層１６は、光学分離層１５の表面上に、透過率調整膜１２０、反射膜１２１、第１誘電体膜１２２、第１界面膜１２３、記録膜１２４、第２界面膜１２５及び第２誘電体膜１２６が、この順に積層されることにより形成されている。
【００７２】
第３情報層１６の構成は、基本的には第２情報層１４と同様である。
【００７３】
透過率調整膜１２０は、透過率調整膜１１０と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。
【００７４】
反射膜１２１は、反射膜１１１と同様の材料を用いることができ、また、機能も同様である。しかし、その膜厚は、透過率を上げるためになるべく薄くすることが好ましく、５ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００７５】
第１誘電体膜１２２の材料には、第１誘電体膜１１２と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。
【００７６】
第１界面膜１２３は、実施の形態１で示した第１界面膜１１３と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。なお、第１界面膜１２３は、第１誘電体１２２からの元素拡散が生じる場合等、必要に応じて設けることができる。
【００７７】
記録膜１２４は、記録膜１１４と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。しかし、その膜厚は、透過率を上げるためになるべく薄くすることが好ましく、４ｎｍ〜８ｎｍ範囲内にあることがより好ましい。
【００７８】
第２界面膜１２５は、第２界面膜１１５と同様の材料を用いることができ、また、機能及び形状も同様である。
【００７９】
第２誘電体膜１２６は、第２誘電体膜１１６と同様に、本発明における混合誘電体材料を用いることができる。また、機能及び形状も同様である。
【００８０】
なお、本実施の形態では、第２情報層１４の第２誘電体膜１１６及び第３情報層１６の第２誘電体膜１２６に、共に本発明における混合誘電体膜を適用した。しかし、本発明の情報記録媒体では、混合誘電体膜を含む情報層が少なくとも一つ含まれていればよい。そのため、第３情報層１６の第２誘電体膜１２６に本発明における混合誘電体膜を適用した場合は、第２情報層１４の第２誘電体膜１１６を本発明における混合誘電体材料で形成する必要はなく、例えば第２誘電体膜１０６に用いた材料を用いることもできる。
【００８１】
情報記録媒体１が完成した状態おける各情報層からの反射率は、良好な信号振幅を得るために、１．３％〜５．０％であることが好ましく、１．３％〜３．３％であることがより好ましい。また、フォーカスサーボ（引き込み）を安定させるために、各情報層からの反射率はおおよそ同等であることがより好ましい。
【００８２】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体１の製造方法について説明する。
【００８３】
情報記録媒体１に含まれる各反射膜、第１誘電体膜、第１界面膜、記録膜、第２界面膜、第２誘電体膜及び透過率調整膜は、気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。
【００８４】
まず、基板１１（例えば、厚さ１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【００８５】
続けて、まず、反射膜１０１を成膜する。このとき、基板１１に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に反射膜１０１を成膜する。反射膜１０１は、反射膜１０１を構成する金属又は合金からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスの何れでもよい。なかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。これ以下に述べる希ガスについても同様である。）雰囲気中、又は希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中で、スパッタリングすることにより形成される。
【００８６】
続いて、反射膜１０１上に第１誘電体膜１０２を成膜する。第１誘電体膜１０２は、第１誘電体膜１０２を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。
【００８７】
続いて、第１誘電体膜１０２上に第１界面膜１０３を成膜する。第１界面膜１０３は、第１界面膜１０３を構成する誘電体の混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、別の例として、第１界面膜１０３を構成する金属元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成することもできる。
【００８８】
続いて、第１界面膜１０３上に記録膜１０４を成膜する。記録膜１０４は、その組成に応じて、Ｇｅ−Ｍ１−Ｍ２−Ｔｅ合金やＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｍ３合金からなるターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、Ｋｒガス雰囲気中、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中又はＫｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。
【００８９】
続いて、記録膜１０４上に第２界面膜１０５を成膜する。第２界面膜１０５は、第２界面膜１０５を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、別の例として、第２界面膜１０５を構成する金属元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成することもできる。
【００９０】
続いて、第２界面膜１０５上に第２誘電体膜１０６を成膜する。第２誘電体膜１０６は、第２誘電体膜１０６を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、別の例として、第２誘電体膜１０６を構成する金属元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成することもできる。
【００９１】
続いて、第２誘電体膜１０６上に光学分離層１３を形成する。光学分離層１３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、第１情報層３０１上に塗布してスピンコートした後に、当該樹脂を硬化させることにより形成できる。なお、光学分離層１３に案内溝を設ける場合は、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された光学分離層１３が形成できる。
【００９２】
続けて第２情報層１４を形成する。まず透過率調整膜１１０を形成する。透過率調整膜１１０は、透過率調整膜１１０を構成する誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、又はＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、透過率調整膜１１０は、構成する金属元素を含むスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成することもできる。
【００９３】
続けて、透過率調整膜１１０上に反射膜１１１を形成する。反射膜１１１は、前述した反射膜１０１と同様の方法で形成できる。
【００９４】
続けて、反射膜１１１上に第１誘電体膜１１２を形成する。第１誘電体膜１１２は、前述した第１誘電体膜１０２と同様の方法で形成できる。
【００９５】
続けて、第１誘電体膜１１２上に第１界面膜１１３を形成する。第１界面膜１１３は、前述した第１界面膜１０３と同様の方法で形成できる。
【００９６】
続けて、第１界面膜１１３上に記録膜１１４を形成する。記録膜１１４は、前述した記録膜１０４と同様の方法で形成できる。
【００９７】
続けて、記録膜１１４上に第２界面膜１１５を形成する。第２界面膜１１５は、前述した第２界面膜１０５と同様の方法で形成できる。
【００９８】
続けて、第２界面膜１１５上に第２誘電体膜１１６を形成する。第２誘電体膜１１６は、前述した第２誘電体膜１０６と同様の方法で形成できる。また、別の例として、ＺｎＳとＳｉＯ2とからなるスパッタリングターゲットと、Ｄからなるスパッタリングターゲットを、２つの電源を用いて同時にスパッタリングする共スパッタによって形成することもできる。
【００９９】
続いて、第２誘電体膜１１６上に光学分離層１５を形成する。光学分離層１５は、前述した光学分離層１３と同様の方法で形成できる。
【０１００】
続けて第３情報層１６を形成する。第３情報層１６の形成方法は、基本的には前述した第２情報層１４と同様の方法で形成できる。
【０１０１】
まず光学分離層１５上に透過率調整膜１２０を形成する。透過率調整膜１２０は、前述した透過率調整膜１１０と同様の方法で形成できる。
【０１０２】
続けて、透過率調整膜１２０上に反射膜１２１を形成する。反射膜１２１は、前述した反射膜１１１と同様の方法で形成できる。
【０１０３】
続けて、反射膜１２１上に第１誘電体膜１２２を形成する。第１誘電体膜１２２は、前述した第１誘電体膜１１２と同様の方法で形成できる。
【０１０４】
続けて、第１誘電体膜１２２上に第１界面膜１２３を形成する。第１界面膜１２３は、前述した第１界面膜１１３と同様の方法で形成できる。
【０１０５】
続けて、第１界面膜１２３上に記録膜１２４を形成する。記録膜１２４は、前述した記録膜１１４と同様の方法で形成できる。
【０１０６】
続けて、記録膜１２４上に第２界面膜１２５を形成する。第２界面膜１２５は、前述した第２界面膜１１５と同様の方法で形成できる。
【０１０７】
続けて、第２界面膜１２５上に第２誘電体膜１２６を形成する。第２誘電体膜１２６は、前述した第２誘電体膜１１６と同様の方法で形成できる。
【０１０８】
上記各スパッタリング工程における電源は、直流（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源及び高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源を用いることができ、供給電力はともに１Ｗ〜１０ｋＷとしてよい。なお、ＤＣ電源を用いて行うスパッタリングをＤＣスパッタリング、ＲＦ電源を用いて行うスパッタリングをＲＦスパッタリングと呼ぶ。
【０１０９】
また、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ〜５０Ｐａとすればよい。
【０１１０】
最後に、第２誘電体膜１２６上にカバー層１７を形成する。カバー層１７は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を、第１の誘電体膜１７上に塗布してスピンコートとした後に、当該樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層１７には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン及びＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスによって形成された円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第２誘電体膜１２６に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの円盤状の基板を密着させ、スピンコートにより樹脂を均一に延ばし、当該樹脂を硬化させることで形成できる。
【０１１１】
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及び分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
【０１１２】
なお、第２誘電体膜１０６、１１６及び１２６をそれぞれ成膜した後、光学分離層１３及び１５をそれぞれ形成した後、又はカバー層１７を形成した後に、必要に応じて記録膜１０４、１１４及び１２４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化工程は、レーザビームの照射により行うことができる。なお、初期化で用いるレーザビームの波長は、ビーム幅を広げることで、初期化に要する時間を短縮して情報記録媒体の製造コストを下げるために、７９０〜８３０ｎｍであることが好ましい。
【０１１３】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体（光学的情報記録媒体）のさらに別の一例を説明する。図２に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体２は、情報を記録再生する情報層をＮ層（Ｎは２以上の整数）含んでおり、片面からのエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１８の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。情報記録媒体２には、光学分離層２２、２４、２５及び２７を介して、順次積層された第１情報層２１から第Ｎ情報層２８を有している。
【０１１４】
基板１１及びカバー層１７は、それぞれ実施の形態１で示したものと、材料、機能及び形状が同様である。
【０１１５】
光学分離層２２、２４、２５及び２７は何れも、実施の形態１で示した光学分離層１３及び１５と、材料、機能及び形状が同様である。
【０１１６】
次に、第１情報層２１の構成について説明する。第１情報層２１は、基板１１の表面上に、反射膜１０１、第１誘電体膜１０２、第１界面膜１０３、記録膜１０４、第２界面膜１０５及び第２誘電体膜１０６が、この順に積層されることにより形成されている。基板１１、反射膜１０１、第１誘電体膜１０２、第１界面膜１０３、記録膜１０４、第２界面膜１０５及び第２誘電体膜１０６は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能及び形状が同様である。
【０１１７】
次に、第ｎ（ｎは、１＜ｎ≦Ｎを満たす整数）情報層２６の構成について説明する。第ｎ情報層２６の構成を、図２に示す。第ｎ情報層２６は、光学分離層２５の表面上に、透過率調整膜２００、反射膜２０１、第１誘電体膜２０２、第１界面膜２０３、記録膜２０４、第２界面膜２０５及び第２誘電体膜２０６が、この順に積層されることにより形成されている。
【０１１８】
透過率調整膜２００は、実施の形態１で示した透過率調整膜１１０と同様の材料を用いて形成でき、また、機能及び形状も透過率調整層１１０と同様である。
【０１１９】
反射膜２０１は、実施の形態１で示した反射膜１１１と同様の材料を用いて形成でき、また、機能及び形状も反射膜１１１と同様である。
【０１２０】
第１誘電体膜２０２は、実施の形態１で示した第１誘電体膜１１２と同様の材料を用いて形成でき、また、機能及び形状も第１誘電体膜１１２と同様である。
【０１２１】
第１界面膜２０３は、実施の形態１で示した第１界面膜１１３と同様の材料を用いて形成でき、また、機能及び形状も第１界面膜１１３と同様である。なお、第１界面膜２０３は、第１誘電体膜２０２からの元素拡散が生じる場合等、必要に応じて設けることができる。
【０１２２】
記録膜２０４は、実施の形態１で示した記録膜１１４と同様の材料を用いて形成でき、また、機能も記録膜１１４と同様である。しかし、膜厚は、レーザ光の透過率を上げるため、なるべく薄くすることが好ましい。したがって、記録膜２０４が第２情報層及び第３情報層に含まれる記録膜の場合は、その厚さが１０ｎｍ以下であることが好ましく、記録膜２０４が第４以上の情報層に含まれる記録膜の場合は、その厚さが５ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１２３】
第２界面膜２０５は、実施の形態１で示した第２界面膜１１５と同様の材料を用いて形成でき、また、機能及び形状も第２界面膜１１５と同様である。
【０１２４】
第２誘電体膜２０６は、実施の形態１で示した第２誘電体膜１１６と同様に、本発明における混合誘電体材料を用いて形成できる。また、その機能及び形状も、第２誘電体膜１１６と同様である。
【０１２５】
なお、本発明における混合誘電体膜は、少なくとも一つの情報層の第２誘電体膜に適用されればよい。その場合、他の情報層の第２誘電体膜は、本発明における混合誘電体材料以外の他の材料で形成されていてもよい。好ましくは、第ｎ（ｎは、１＜ｎ≦Ｎを満たす整数）情報層に含まれる第２誘電体膜に本発明における混合誘電体膜を適用することである。よりレーザ光入射側の情報層に含まれる第２誘電体膜に、本発明における混合誘電体膜を適用することが望ましい。
【０１２６】
情報記録媒体２が完成した状態おける各情報層からの反射率は、良好な信号振幅を得るために、１．３％〜６．５％であることが好ましい。また、３層以上の情報層を有する情報記録媒体においては、レーザ光入射側からみてより奥側に配置された情報層（より基板１１に近い情報層）に対して記録再生を行う場合に、レーザ光１８が多くの情報層を通過していかなくてはならない。そのため、より基板１１に近い情報層には、レーザ光１８が到達しにくくなる。したがって、そのような場合でも良好な信号振幅が得られるように、各情報層からの反射率は、１．３％〜３．３％であることが好ましい。また、フォーカスサーボ（引き込み）を安定させるために、各情報層からの反射率はおおよそ同等であることがより好ましい。
【０１２７】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体２の製造方法について説明する。
【０１２８】
まず、基板１１（例えば、厚さ１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【０１２９】
続けて、第１情報層２１を形成するため、反射膜１０１、第１誘電体膜１０２、第１界面膜１０３、記録膜１０４、第２界面膜１０５及び第２誘電体膜１０６を順次成膜する。形成方法は、それぞれ実施の形態１で示したものと同様である。
【０１３０】
続いて、第１誘電体膜１０６上に光学分離層２２を形成する。光学分離層２２の形成方法は、実施の形態１で示した光学分離層１３及び１５と同様である。
【０１３１】
続けて第２情報層２３を形成し、さらに続けて光学分離層２４を形成する。第２情報層２３の形成方法は、例えば下記に示す第ｎ情報層２６と同様である。光学分離層２４の形成方法は、光学分離層２２と同様である。
【０１３２】
その後、第３情報層、第４情報層、…第ｎ−１情報層を、光学分離層を介しながら順次形成する。さらに、第ｎ−１情報層上に、光学分離層２２と同様の方法で光学分離層２５を形成する。
【０１３３】
続けて、光学分離層２５上に、第ｎ情報層２６を形成する。まず、透過率調整膜２００を形成する。透過率調整膜２００は、実施の形態１で説明した透過率調整膜１１０と同様の方法で形成できる。
【０１３４】
続けて、透過率調整膜２００上に反射膜２０１を形成する。反射膜２０１は、実施の形態１で説明した反射膜１１１と同様の方法で形成できる。
【０１３５】
続けて、反射膜２０１上に第１誘電体膜２０２を形成する。第２誘電体膜２０２は、実施の形態１で説明した第１誘電体膜１１２と同様の方法で形成できる。
【０１３６】
続けて、第１誘電体膜２０２上に第１界面膜２０３を形成する。第１界面膜２０３は、実施の形態１で説明した第１界面膜１１３と同様の方法で形成できる。
【０１３７】
続けて、第１界面膜２０３上に記録膜２０４を形成する。記録膜２０４は、実施の形態１で説明した記録膜１１４と同様の方法で形成できる。
【０１３８】
続けて、記録膜２０４上に第２界面膜２０５を形成する。第２界面膜２０５は、実施の形態１で説明した第２界面膜１１５と同様の方法で形成できる。
【０１３９】
続けて、第２界面膜２０５上に第２誘電体膜２０６を形成する。第２誘電体膜２０６は、実施の形態１で説明した第２誘電体膜１１６と同様の方法で形成できる。
【０１４０】
以上のように第ｎ情報層２６を形成した後、第Ｎ−１情報層まで光学分離層を介して順次積層し、さらに、光学分離層２７、第Ｎ情報層２８及びカバー層１７を順に形成する。
【０１４１】
なお、ここでは、第ｎ情報層２６が第３情報層から第Ｎ−１情報層の何れかである場合を例に挙げたが、第ｎ情報層２６が第Ｎ情報層であってもよい。その場合は、第ｎ情報層２６を形成した後、その上にカバー層１７を形成すればよい。
【０１４２】
なお、第２誘電体膜１０６や第２誘電体膜２０６を成膜した後、光学分離層を形成した後又はカバー層１７を形成した後に、必要に応じて各々の情報層における記録膜の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。何れの場合の初期化も、レーザビームの照射により行うことができる。なお、初期化で用いるレーザビームの波長は、ビーム幅を広げることで、初期化に要する時間を短縮して情報記録媒体の製造コストを下げるために、７９０〜８３０ｎｍであることが好ましい。
【０１４３】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３として、実施の形態１で説明した情報記録媒体１又は実施の形態２で説明した情報記録媒体２に対して、情報の記録再生を行う方法の一例について説明する。図３に、本実施の形態の記録再生方法に用いられる装置の一例である、記録再生装置３の一部の構成を模式的に示している。記録再生装置３は、情報記録媒体３５（情報記録媒体１又は情報記録媒体２に相当）を回転させるスピンドルモータ３１と、半導体レーザ（レーザ光源）３２を備える光学ヘッド３３と、半導体レーザ３２から出射されるレーザ光１８を集光する対物レンズ３４とを備える。
【０１４４】
対物レンズ３４の開口数（ＮＡ）は、レーザ光１８のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．０の範囲内であることが好ましい。レーザ光の波長は４５０ｎｍ以下（より好ましくは３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの青紫領域）であることが好ましい。情報を記録再生する際の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去率が得られる２．５ｍ／秒〜２５ｍ／秒の範囲内であることが好ましい。
【０１４５】
情報記録媒体３５への情報の記録、消去及び書換え記録は、レーザ光１８のパワーをピークパワー（ライトパワー）、ボトム・クーリングパワー及びバイアスパワー（イレースパワー）との間で変調させることによって行われる。ピークパワーのレーザ光を照射することにより情報記録媒体３５の記録膜の局所的な一部が溶融し、ボトム・クーリングパワーで冷却効果を持たせることにより非晶質相が形成される。その非晶質相が記録部（記録マーク）となる。記録マーク間ではバイアスパワーのレーザ光が照射され、結晶相が形成される。その結晶相が消去部となる。ピークパワーのレーザ光を照射するときには、パルス列で形成するマルチパルスとするのが一般的である。マルチパルスはピークパワーとバイアスパワーのパワーレベルで変調させてもよいし、０ｍＷからピークパワーの任意のパワーレベルで変調させてよい。前記のパルス変調方式には、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ規格に順ずるＮ−１ストラテジ、Ｎ／２ストラテジ及びキャッスル型（ドッグボーン型）を用いたり、任意の変調方式を用いたりすることができる。
【０１４６】
また、マーク及びスペース長は、パルスジェネレータ等を設け、周期クロックを与えることにより、所望の長さにできる。Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃシステムにおいては、例えば１倍速時における周期クロックを、６６ＭＨｚ（＝１５．１５ｎｓ）に設定することができる。
【０１４７】
なお、基板１１に案内溝が設けられている場合、情報は、レーザ光の入射側から近い溝面（グルーブ）、又はレーザ光の入射側から遠い溝面（ランド）、又はその両方に記録してもよい。
【０１４８】
また、情報の再生はレーザ光を情報記録媒体３５に照射し、情報記録媒体３５からの信号を検出器で読み取ることにより行われる。再生時におけるレーザ光パワーは、記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ情報記録媒体の記録マーク検出のための十分な反射光量が得られるパワーとする。
【０１４９】
なお、図３は本実施の形態及び実施例を説明するのに必要な構成のみを図示したものであり、各制御回路や駆動回路、また集光レンズやアクチュエータ等の細かな部品も図示していないものがある。実際の記録再生装置では、これらの部品は必要に応じて追加される。
【０１５０】
【実施例】
以下に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【０１５１】
（実施例１）
実施例１では、図１に示す情報記録媒体１と同じ構成を有する情報記録媒体を作製した。以下は、本実施例の情報記録媒体の製造方法である。
【０１５２】
まず、基板１１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板１１上に、反射膜１０１として厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜１０２として厚さ１０ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、第１界面膜１０３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜１０４として厚さ９ｎｍのＧｅ49.0Ｓｂ1.0Ｉｎ3.0Ｔｅ51.0（原子％）膜、第２界面膜１０５として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜１０６として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜した。第２誘電体膜１０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第２情報層１４及び第３情報層１６がない場合の第１情報層１２の反射率が、記録膜１０４が結晶相状態で２０〜２５％になるよう決定した。
【０１５３】
続けて、第１情報層１２上に案内溝の設けられた光学分離層１３を形成し、光学分離層１３上に第２情報層１４を形成した。第２情報層１４は、透過率調整膜１１０として厚さ１７ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、反射膜１１１として厚さ１０ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜１１２として厚さ８ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜、第１界面膜１１３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜１１４として厚さ７．５ｎｍのＧｅ46.3Ｓｂ1.0Ｉｎ2.0Ｔｅ50.7（原子％）膜、第２界面膜１１５として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜１１６として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜した。
【０１５４】
第２誘電体膜１１６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６がない場合の第２情報層１４の反射率が、記録膜１１４が結晶相状態で４％〜６％、透過率（基板鏡面部）が４５％〜５２％となるように設定した。
【０１５５】
続けて、第１情報層１４上に案内溝の設けられた光学分離層１５を形成し、光学分離層１５上に第３情報層１６を形成した。第３情報層１６は、透過率調整膜１２０として厚さ１６ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、反射膜１２１として厚さ７ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜１２２として厚さ８ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜、第１界面膜１１３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜１２４として厚さ６ｎｍのＧｅ46.3Ｓｂ1.0Ｉｎ2.0Ｔｅ50.7（原子％）膜、第２界面膜１２５として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜１２６として、本発明における混合誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。
【０１５６】
第２誘電体膜１２６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６の反射率が、記録膜１２４が結晶相状態で１．５％〜４％、透過率（基板鏡面部）が５５％〜６０％となるように設定した。
【０１５７】
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜１２６上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１７を形成し、情報記録媒体１を作製した。最後に、第１情報層１２の記録膜１０４、第２情報層１４の記録膜１１４及び第３情報層１６の記録膜１２４の全面をレーザ光で結晶化させる初期化工程を行った。
【０１５８】
本実施例では、第２誘電体膜１２６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。ＤをＴｉＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）、（２０，０．２）、（３０，０．２）、（４０，０．２）、（７．５，０．１）、（７．５，０．１５）、（７．５，０．３）、（７．５，０．４）及び（４０，０．４）とした材料を適用したサンプルを作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ１−１０１〜１−１１２とした。さらに、ＤをＮｂ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）、（２０，０．２）、（３０，０．２）、（４０，０．２）、（７．５，０．１）、（７．５，０．１５）、（７．５，０．３）、（７．５，０．４）及び（４０，０．４）とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ１−１１３〜１−１２４とした。
【０１５９】
本実施例では、第２誘電体膜１２６は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2又はＮｂ2Ｏ5）で構成された１つのスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより形成した（第１の方法）。具体的には、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝97.5（ＴｉＯ2）2.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝95（ＴｉＯ2）5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝90（ＴｉＯ2）10（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＴｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝70（ＴｉＯ2）30（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝60（ＴｉＯ2）40（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.9（ＳｉＯ2）0.1｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.85（ＳｉＯ2）0.15｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.7（ＳｉＯ2）0.3｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット及び｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝60（ＴｉＯ2）40（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットを用いて、それぞれ同じ組成を有する混合誘電体膜を成膜した。また、これらのスパッタリングターゲットにおいて、ＴｉＯ2をＮｂ2Ｏ5に置き換えた組成を有するスパッタリングターゲットを用いて、それぞれ同じ組成を有する混合誘電体膜を成膜した。
【０１６０】
また、第２誘電体膜１２６を別の方法（第２の方法）で成膜したサンプルも別途作製した。この方法では、ＺｎＳとＳｉＯ2とからなるスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2スパッタリングターゲット又はＮｂ2Ｏ5スパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより、第２誘電体膜１２６を形成した。具体的には、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとＴｉＯ2スパッタリングターゲットとを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝97.5（ＴｉＯ2）2.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝95（ＴｉＯ2）5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝90（ＴｉＯ2）10（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＴｉＯ2）20（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝70（ＴｉＯ2）30（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝60（ＴｉＯ2）40（ｍｏｌ％）の混合誘電体膜を成膜した。また、（ＺｎＳ）90（ＳｉＯ2）10（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、（ＺｎＳ）85（ＳｉＯ2）15（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、（ＺｎＳ）70（ＳｉＯ2）30（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット又は（ＺｎＳ）60（ＳｉＯ2）40（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2スパッタリングターゲットとを用いて、ＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.9（ＳｉＯ2）0.1｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.85（ＳｉＯ2）0.15｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.7（ＳｉＯ2）0.3｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝60（ＴｉＯ2）40（ｍｏｌ％）の混合誘電体膜を成膜した。また、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと、Ｎｂ2Ｏ5スパッタリングターゲットとを用いて、ＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝97.5（Ｎｂ2Ｏ5）2.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝95（Ｎｂ2Ｏ5）5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝90（Ｎｂ2Ｏ5）10（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ｎｂ2Ｏ5）20（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝70（Ｎｂ2Ｏ5）30（ｍｏｌ％）の混合誘電体膜を成膜した。また、（ＺｎＳ）90（ＳｉＯ2）10（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、（ＺｎＳ）85（ＳｉＯ2）15（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、（ＺｎＳ）70（ＳｉＯ2）30（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット又は（ＺｎＳ）60（ＳｉＯ2）40（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと、Ｎｂ2Ｏ5スパッタリングターゲットとを用いて、ＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.9（ＳｉＯ2）0.1｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.85（ＳｉＯ2）0.15｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.7（ＳｉＯ2）0.3｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）、｛（ＺｎＳ）0.6（ＳｉＯ2）0.4｝60（Ｎｂ2Ｏ5）40（ｍｏｌ％）の混合誘電体膜を成��した。
【０１６１】
このように２種類のスパッタリングターゲットを用いて、組成を微調整した混合誘電体膜を作製した。なお、ディスクＮｏ．１−１０１〜１−１２４には、それぞれ、第１の方法で作製したサンプル及び第２の方法で作製したサンプルの両方が存在する。
【０１６２】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第２誘電体膜１２６に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を適用した従来例の情報記録媒体（ディスクＮｏ．１−００１）も作製した。
【０１６３】
以上のように作製された情報記録媒体の各サンプルについて、以下の評価を行った。
【０１６４】
＜光学定数＞
まず、第２誘電体膜１２６に用いられた混合誘電体材料について、波長４０５ｎｍにおける光学定数（屈折率ｎ及び消衰係数ｋ）を、分光エリプソメーターを用いて測定した。上記の方法で作製されたサンプルとは別に、屈折率測定用のサンプルを作製した。屈折率測定用のサンプルは、石英基板上に第２誘電体膜１２６となる材料をスパッタリング法によって成膜することにより準備した。
【０１６５】
＜信号品質評価＞
各サンプルの信号品質評価を、図３で示した記録再生装置３を用いて行った。レーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブ（レーザ入射側に近い方の溝部）に情報の記録を行った。記録及び再生の線速度は７．３６ｍ／ｓ、周期クロックは６６ＭＨｚ（線速度と周期クロックの関係から最短マーク長（２Ｔ）＝０．１１１μｍであり、１情報層あたり３３．４ＧＢ密度の２倍速記録に相当）とした。再生パワーは、第１及び第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷとした。再生光には、無変調のレーザ光を用いた。
【０１６６】
信号品質評価は、８Ｔマークを１０回記録し、その変調度を測定することによって行った。変調度が５０％以上を◎、４５％以上で５０％未満のものを○、４０％以上で４５％未満のものを△、４０％未満のものを×とした。
【０１６７】
＜再生耐久性評価＞
記録再生に用いた装置、記録及び再生の線速度及び周期クロックは、信号品質評価の場合と同じにした。再生耐久性の評価は、２Ｔ〜９Ｔのランダム信号を記録し、ＳＥＲ（Ｓｙｍｂｏｌ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ）が基準値１．０×１０-3を超える再生回数を測定することによって行った。再生パワーは、第１情報層に対しては２．２ｍＷ、第２情報層に対しては１．６ｍＷ、第３情報層に対して１．２ｍＷとした。再生光には無変調のレーザ光を用いた。再生回数が１００万回以上を◎、５０万回以上で１００万回未満を○、１０万回以上で５０万回未満を△、１０万回未満のものを×とした。なお、評価の対象となるランダムマークの記録は、Ｎ−１変調方式を用いて、各サンプルにおいてＳＥＲが最も良好となるライトパワー、イレースパワー、ボトム・クーリングパワーを設定し、ＤＯＷ１０（Ｄｉｒｅｃｔ  ＯｖｅｒＷｒｉｔｅ  １０）記録することで行った。
【０１６８】
＜信号保存性評価＞
記録再生に用いた装置、記録及び再生の線速度及び周期クロックは、信号品質評価の場合と同じにした。信号保存性の評価は、２Ｔ〜９Ｔのランダム信号を記録し、その情報記録媒体について、８０℃、２０％ＲＨ（Relative Humidity）、５０時間の条件の恒温槽で加速試験を行い、加速試験前からのＳＥＲの劣化量を評価することによって行った。劣化量が＋１．０×１０-4以下を◎、＋１．０×１０-4より大きく＋５．０×１０-4以下を○、＋５．０×１０-4より大きく＋１．０×１０-3以下を△、＋１．０×１０-3より大きいものを×とした。なお、評価の対象となるランダムマークの記録は、再生耐久性同様に、Ｎ−１変調方式を用いて、各情報記録媒体においてＳＥＲが最も良好となるライトパワー、イレースパワー、ボトム・クーリングパワーを設定し、ＤＯＷ１０（Ｄｉｒｅｃｔ  ＯｖｅｒＷｒｉｔｅ  １０）記録することで行った。
【０１６９】
以上のような評価方法により、本実施例における各サンプルについて、第３情報層１６の評価を行った。結果を表１に示す。なお、表１において、信号品質、再生耐久性及び信号保存性を総合的に評価し、総合評価として、何れかの項目で１つでも×があるものは×、×がなく△が２つ以上あるものは△、×がなく△が１つ以下あるいはすべての項目で○のものは○、×と△がなく◎が１つ以上あるものを◎とした。また、表１に示された結果は、上記第２の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第１の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。
【０１７０】
なお、総合評価が×の情報記録媒体は実用レベルには達していないが、△、○及び◎は実用レベルを満足している。実用レベルを満足している情記録媒体において、△よりも○のほうが優れており、◎のほうがより優れていることを示す。
【０１７１】
【表１】
2011024381.tif 000013
【０１７２】
表１に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．１−１０１〜１−１２４）でも、再生耐久性及び信号保存性について、従来例であるディスクＮｏ．１−００１を大きく改善した結果が得られた。信号品質の評価において、ディスクＮｏ．１−１０７、１−１１２、１−１１９、１−１２３及び１−１２４が△となっている。これは、屈折率ｎが２．１５よりも小さく、又は、消衰係数ｋが０．０５以上になることで、記録膜が結晶相の時の反射率と非晶質相の時の反射率とのコントラスト（反射率比）が小さくなり、変調度が小さくなったと考えられる。この結果から、混合誘電体膜は、波長４０５ｎｍ近傍（波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍ）において、屈折率が２．１５以上、且つ、消衰係数が０．０４以下であることが好ましいことがわかった。表１に示す結果から、このような光学特性は、混合誘電体膜に含まれるＤの種類によって多少の差はあるものの、混合誘電体膜におけるＤの含有量を３０ｍｏｌ％以下とすることで実現しやすくなり、さらにｙの値を０．３以下とすることでより実現しやすくなると考えられる。なお、ディスクＮｏ．１−１０７、１−１１２、１−１１９、１−１２３及び１−１２４のサンプルは、総合評価に示す通り何れも○であり、実用レベルに達している。また、第２誘電体膜１２６を１つのスパッタリングターゲットから成膜したものと、２つのスパッタリングターゲット（ＲＦカソード）を用いて成膜したもので同じ性能が確認された。この結果から、第２誘電体膜１２６はどちらの成膜方法でも形成可能であることがわかった。
【０１７３】
さらに、別の実施例として、第２誘電体膜１２６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とし、ＤとしてＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ2、（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5、（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5及び（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ１−１２５〜１−１３１とする。また（ｘ，ｙ）＝（２０，０．２）とし、ＤとしてＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ2、（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5、（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5及び（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ１−１３２〜１−１３８とする。
【０１７４】
また、ディスクＮｏ．１−１２５〜１−１３８における第２誘電体膜１２６は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つ）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより形成した（第３の方法）。具体的には、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（Ｔａ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、及び、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＣｅＯ2）7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＴｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ｎｂ2Ｏ5）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ｔａ2Ｏ5）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、及び、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＣｅＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5｝20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5｝20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲット、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5｝20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットを用いて、それぞれスパッタリングターゲットと同じ組成の混合誘電体膜を成膜した。
【０１７５】
また、第２誘電体膜１２６の別の形成方法（第４の方法）として、ＺｎＳとＳｉＯ2からなるスパッタリングターゲットとＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つからなるスパッタリングターゲットを、２つのＲＦカソードを用いて成膜したサンプルも用意した。具体的には、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとＴｉＯ2スパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＴｉＯ2）20（ｍｏｌ％）を成膜した。また、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとＮｂ2Ｏ5スパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（Ｎｂ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ｎｂ2Ｏ5）20（ｍｏｌ％）を成膜した。また、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとＴａ2Ｏ5スパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（Ｔａ2Ｏ5）7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ｔａ2Ｏ5）20（ｍｏｌ％）を成膜した。また、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとＣｅＯ2スパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＣｅＯ2）7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＣｅＯ2）20（ｍｏｌ％）を成膜した。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと（ＴｉＯ2）50（Ｎｂ2Ｏ5）50（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットとを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5｝20（ｍｏｌ％）を成膜した。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと（ＴｉＯ2）50（Ｔａ2Ｏ5）50（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5｝20（ｍｏｌ％）を成膜した。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットと（ＴｉＯ2）50（ＣｅＯ2）50（ｍｏｌ％）からなるスパッタリングターゲットを用いてＲＦ電源のパワーを調整し、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5｛（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5｝7.5（ｍｏｌ％）及び｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80｛（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5｝20（ｍｏｌ％）を成膜した。
【０１７６】
なお、ディスクＮｏ．１−１２５〜１−１３８には、それぞれ、第３の方法で作製したサンプル及び第４の方法で作製したサンプルの両方が存在する。
【０１７７】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第２誘電体膜１２６に、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（Ａｌ2Ｏ3）20（ｍｏｌ％）膜、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＭｇＯ）20（ｍｏｌ％）膜、｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝80（ＳｎＯ2）20（ｍｏｌ％）膜をそれぞれ適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．１−００２〜１−００４）も作製した。
【０１７８】
以上のように作製された各サンプルについて、前述した方法と同様の評価方法で、第３情報層１６の信号品質、再生耐久性及び信号保存性を評価した。結果を表２に示す。なお、各評価項目の◎、○、△及び×の判定基準は前述と同様である。また、表２に示された結果は、上記第４の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第３の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。
【０１７９】
【表２】
2011024381.tif 000014
【０１８０】
表２に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．１−１２５〜１−１３８）でも、再生耐久性及び信号保存性において、従来例であるディスクＮｏ．１−００１を大きく改善した結果が得られた。再生耐久性及び信号保存性の評価において、Ｄが同量含有される場合、ＤとしてＴｉＯ2及び／又はＮｂ2Ｏ5が含有されている誘電体のほうが、Ｔａ2Ｏ5及び／又はＣｅＯ2が含有される誘電体よりも、改善度が大きいことがわかった。これは、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5の熱伝導率がＴａ2Ｏ5やＣｅＯ2よりも高く、記録膜に蓄熱される熱をより効率的に放熱できるためであると考えられる。よって、Ｄとしては、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも何れか一つがより好ましいことがわかった。なお、ＤとしてＴａ2Ｏ5やＣｅＯ2を含有するサンプルも、総合評価に示す通り、何れも△、○であり、実用レベルに達している。また、第２誘電体膜１２６を１つのターゲットから成膜したものと、２つのターゲット（ＲＦカソード）を用いて成膜したもので同じ性能がでており、第２誘電体膜１２６はどちらの成膜方法でも形成可能である。
【０１８１】
また、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合物に、Ｔｉ酸化物、Ｎｂ酸化物、Ｔａ酸化物及びＣｅ酸化物以外の他の酸化物を加えたディスクＮｏ．１−００２〜１−００４のサンプルは、いずれも信号品質及び／又は信号保存性が×となり、総合評価が×となった。この結果から、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合物にＴｉ酸化物、Ｎｂ酸化物、Ｔａ酸化物及びＣｅ酸化物以外の他の酸化物を添加した材料では、信号品質、再生耐久性及び信号保存性が全て良好な情報記録媒体を得ることが困難であることが確認された。
【０１８２】
以上のように、本発明の構成により、従来の情報記録媒体を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０１８３】
（実施例２）
実施例２では、図１に示す情報記録媒体１の別の例を作製した。本実施例では、第２の情報層１４の第２誘電体層１１６と、第３情報層１６の第２誘電体層１２６とが、実施例１の情報記録媒体とは異なるが、これら以外の構成は実施例１と同じである。
【０１８４】
本実施例では、実施例１で示した情報記録媒体１において、第２情報層１４の第２誘電体層１１６に本発明における混合誘電体膜を適用した。第２誘電体膜１１６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、実施例１同様、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６がない場合の第２情報層１４の反射率が、記録膜１１４が結晶相状態で４〜６％、透過率（基板鏡面部）が４５％〜５２％となるように設定した。
【０１８５】
本実施例では、第２誘電体膜１１６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。ＤをＴｉＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）、（２０，０．２）、（３０，０．２）、（４０，０．２）、（７．５，０．１）、（７．５，０．１５）、（７．５，０．３）、（７．５，０．４）及び（４０，０．４）とした材料を適用したサンプルを作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．をそれぞれ２−１０１〜２−１１２とする。また、ＤをＮｂ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）、（２０，０．２）、（３０，０．２）、（４０，０．２）、（７．５，０．１）、（７．５，０．１５）、（７．５，０．３）、（７．５，０．４）及び（４０，０．４）とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ２−１１３〜２−１２４とする。
【０１８６】
なお、ディスクＮｏ．２−１０１〜２−１２４には、それぞれ、第２誘電体膜１１６を、実施例１の第１の方法のようにＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2又はＮｂ2Ｏ5）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成したサンプルと、実施例１の第２の方法のように、ＺｎＳ及びＳｉＯ2を含むスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2又はＮｂ2Ｏ5スパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより形成したサンプルとの両方が存在する。
【０１８７】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第２誘電体膜１１６に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を適用した従来例の情報記録媒体（ディスクＮｏ．２−００１）も作製した。
【０１８８】
本実施例では、第３情報層１６の第２誘電体膜１２６には本発明の混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）を適用し、マトリクス法に基づく計算により膜厚を決定した。具体的には、実施例１同様、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６の反射率が、記録膜１２４が結晶相状態で１．５％〜４％、透過率（基板鏡面部）が５５％〜６０％となるように設定した。
【０１８９】
第２誘電体膜１２６は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2を含む１つのスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより形成した。
【０１９０】
その他の情報層の膜材料や構成、また作製工程は、実施例１と同様である。
【０１９１】
以上のように作製された各サンプルについて、実施例１に示した評価方法のとおり、第２情報層１４の信号品質、再生耐久性及び信号保存性を評価した。結果を表３に示す。なお、各評価項目の◎、○、△及び×の判定基準は前述と同様である。また、表３に示された結果は、上記第２の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第１の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。
【０１９２】
【表３】
2011024381.tif 000015
【０１９３】
表３に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．２−１０１〜２−１２４）でも、再生耐久性及び信号保存性について、従来例であるディスクＮｏ．２−００１を大きく改善した結果が得られた。信号品質の評価において、ディスクＮｏ．２−１０７、２−１１２、２−１１９、２−１２３及び２−１２４が△となっている。これは、屈折率ｎが２．１５よりも小さく、又は、消衰係数ｋが０．０５以上になることで、記録膜が結晶相の時の反射率と非晶質相の時の反射率とのコントラスト（反射率比）が小さくなり、変調度が小さくなったと考えられる。この結果から、混合誘電体膜は、波長４０５ｎｍ近傍（波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍ）において、屈折率が２．１５以上、且つ、消衰係数が０．０４以下であることが好ましいことがわかった。表３に示す結果から、このような光学特性は、混合誘電体膜に含まれるＤの種類によって多少の差はあるものの、混合誘電体膜におけるＤの含有量を３０ｍｏｌ％以下とすることで実現しやすくなり、さらにｙの値を０．３以下とすることでより実現しやすくなると考えられる。なお、ディスクＮｏ．２−１０７、２−１１２、２−１１９、２−１２３及び２−１２４のサンプルは、表３に示すとおり、総合評価は何れも○であり、実用レベルに達している。
【０１９４】
さらに、別の実施例として、第２誘電体膜１１６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とし、ＤとしてＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ2、（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5、（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5及び（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ２−１２５〜２−１３１とする。また、（ｘ，ｙ）＝（２０，０．２）とし、ＤとしてＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ2、（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5、（ＴｉＯ2）0.5（Ｔａ2Ｏ5）0.5及び（ＴｉＯ2）0.5（ＣｅＯ2）0.5とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ２−１３２〜２−１３８とする。
【０１９５】
なお、ディスクＮｏ．２−１２５〜２−１３８には、それぞれ、第２誘電体膜１１６を、実施例１の第３の方法のようにＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つ）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成したサンプルと、実施例１の第４の方法のように、ＺｎＳ及びＳｉＯ2を含むスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つを含むスパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより形成したサンプルとの両方が存在する。
【０１９６】
以上のように作製された各サンプルに対して、前述した方法と同様の評価方法で、第２情報層１４の信号品質、再生耐久性及び信号保存性を評価した。結果を表４に示す。なお、各評価項目の◎、○、△及び×の判定基準は前述と同様である。また、表４に示された結果は、上記第４の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第３の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。
【０１９７】
【表４】
2011024381.tif 000016
【０１９８】
表４に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．２−１２５〜２−１３８）でも、再生耐久性及び信号保存性において、従来例であるディスクＮｏ．２−００１を大きく改善した結果が得られた。再生耐久性及び信号保存性の評価において、Ｄが同量含有される場合、ＤとしてＴｉＯ2及び／又はＮｂ2Ｏ5が含有されている誘電体のほうが、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2が含有される誘電体よりも、改善度が大きいことがわかった。これは、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5の熱伝導率がＴａ2Ｏ5やＣｅＯ2よりも高く、記録膜に蓄熱される熱をより効率的に放熱できるためであると考えられる。よって、Ｄとしては、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも何れか一つがより好ましいことがわかった。なお、ＤとしてＴａ2Ｏ5やＣｅＯ2を含有するサンプルも、総合評価に示す通り、何れも△、○であり、実用レベルに達している。
【０１９９】
以上のように、本発明の構成により、従来の情報記録媒体を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０２００】
（実施例３）
実施例３では、図１に示す情報記録媒体１の別の例を作製した。本実施例では、実施例１で示した情報記録媒体の第１情報層１２の第２誘電体層１０６に本発明における混合誘電体膜を適用した。第２誘電体膜１０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第２情報層１４及び第３情報層１６がない場合の第１情報層１２の反射率が、記録膜１０４が結晶相状態で２０％〜２５％になるよう決定した。
【０２０１】
本実施例では、第２誘電体膜１０６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。ＤをＴｉＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）とした材料を適用したサンプルを作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ３−１０１〜３−１０５とする。また、ＤをＮｂ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）としたサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．をそれぞれ３−１０６〜３−１１０とする。また、ＤをＴａ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を３−１１１とする。また、ＤをＣｅＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を３−１１２とする。また、Ｄを（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を３−１１３とする。
【０２０２】
なお、ディスクＮｏ．３−１０１〜３−１１３には、それぞれ、第２誘電体膜１０６を、実施例１の第３の方法のようにＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つ）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成したサンプルと、実施例１の第４の方法のように、ＺｎＳ及びＳｉＯ2を含むスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つを含むスパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより形成したサンプルとの両方が存在する。
【０２０３】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第２誘電体膜１０６に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）を適用した従来例の情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−００１とする。）も作製した。
【０２０４】
本実施例では、第２情報層１４の第２誘電体膜１１６に、本発明における混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）を適用し、マトリクス法に基づく計算により膜厚を決定した。具体的には、実施例１同様、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６がない場合の第２情報層１４の反射率が、記録膜１１４が結晶相状態で４％〜６％、透過率（基板鏡面部）が４５％〜５２％となるように設定した。
【０２０５】
第２誘電体膜１１６は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2を含む１つのスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより形成した。
【０２０６】
本実施例の第３情報層１６の第２誘電体膜１２６に、本発明における混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）を適用し、マトリクス法に基づく計算により膜厚を決定した。具体的には、実施例１同様、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層１６の反射率が、記録膜１２４が結晶相状態で１．５％〜４％、透過率（基板鏡面部）が５５％〜６０％となるように設定した。
【０２０７】
第２誘電体膜１２６は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2を含む１つのスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより形成された。
【０２０８】
その他の情報層の膜材料や構成、また作製工程は、実施例１と同様である。
【０２０９】
以上のように作製された各サンプルについて、実施例１に示した評価方法のとおり、第１情報層１２の信号品質、再生耐久性及び信号保存性を評価した。結果を表５に示す。なお、各評価項目の◎、○、△及び×の判定基準は実施例１と同様である。また、表５に示された結果は、上記第４の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第３の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。
【０２１０】
【表５】
2011024381.tif 000017
【０２１１】
表５に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．３−１０１〜３−１１３）でも、再生耐久性及び信号保存性について、従来例であるディスクＮｏ．３−００１を大きく改善した結果が得られた。特に第１情報層に関しては、信号保存性が従来例に対し大きく改善し、表５に示すとおり、何れのサンプルもより優れた実用レベルに達している。
【０２１２】
以上のように、本発明の構成により、従来の情報記録媒体を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０２１３】
（実施例４）
実施例４では、図２に示す情報記録媒体２の一例を作製した。本実施例では、４つの情報層（Ｎ＝４）を有する情報記録媒体について説明する。以下は、本実施例の情報記録媒体の製造方法である。
【０２１４】
まず、基板１１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板１１上に、反射膜１０１として厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜１０２として厚さ７ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、第１界面膜１０３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜１０４として厚さ１０ｎｍのＧｅ49.0Ｓｂ1.0Ｉｎ3.0Ｔｅ51.0（原子％）膜、第２界面膜１０５として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜１０６として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜した。第２誘電体膜１０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第２〜第４情報層がない場合の第１情報層２１の反射率が、記録膜１０４が結晶相状態で２５％〜３５％になるよう決定した。
【０２１５】
続けて、第１情報層２１上に案内溝の設けられた光学分離層２２を形成し、光学分離層２２上に第２情報層２３を形成する。第２情報層２３は、透過率調整膜として厚さ１８ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、反射膜として厚さ８ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜として厚さ７ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜、第１界面膜として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜として厚さ６．５ｎｍのＧｅ46.3Ｓｂ1.0Ｉｎ2.0Ｔｅ50.7（原子％）膜、第２界面膜として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜２０６として、本発明における混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜することによって形成された。
【０２１６】
第２情報層２３の第２誘電体膜の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第３及び第４情報層がない場合の第２情報層２３の反射率が、第２情報層２３の記録膜が結晶相状態で６〜９％、透過率（基板鏡面部）が５１％〜５８％となるように設定した。
【０２１７】
続けて、第２情報層２３上に案内溝の設けられた光学分離層２４を形成し、光学分離層２４上に第３情報層を形成した。なお、本実施例では、第３情報層が実施の形態２における第ｎ情報層２６に相当するので、以下、第３情報層２６と記載する。第３情報層２６は、透過率調整膜２００として厚さ１８ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、反射膜２０１として厚さ６．５ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜２０２として厚さ６ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜、第１界面膜２０３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜２０４として厚さ５．８ｎｍのＧｅ46.3Ｓｂ1.0Ｉｎ2.0Ｔｅ50.7（原子％）膜、第２界面膜２０５として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜２０６として、本発明における混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜することによって形成された。
【０２１８】
第２誘電体膜２０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第４情報層２８がない場合の第３情報層２６の反射率が、第３情報層２６の記録膜２０４が結晶相状態で３〜５％、透過率（基板鏡面部）が５６％〜６３％となるように設定した。
【０２１９】
続けて、第３情報層２６上に案内溝の設けられた光学分離層２７を形成し、光学分離層２７上に第４情報層２８を形成した。第４情報層２８は、第３情報層２６と同じ膜構成を有していた。透過率調整膜として厚さ１７ｎｍの（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）膜、反射膜として厚さ５．５ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇを９６ｗｔ％以上含む）膜、第１誘電体膜として厚さ６ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜、第１界面膜として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）膜、記録膜として厚さ５．５ｎｍのＧｅ46.3Ｓｂ1.5Ｉｎ1.5Ｔｅ50.7（原子％）膜、第２界面膜として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）膜、第２誘電体膜として、本発明における混合誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜することによって形成された。
【０２２０】
第４情報層２８の第２誘電体膜の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第４情報層２８の反射率が、記録膜が結晶相状態で１％〜３％、透過率（基板鏡面部）が５８％〜６５％となるように設定した。
【０２２１】
その後に、紫外線硬化樹脂を、第４情報層２８の第２誘電体膜上に塗布してスピンコートした後に、紫外線により当該樹脂を硬化させて、カバー層１７を形成した。このようにして、本実施例の情報記録媒体を作製した。最後に、第１〜第４情報層の記録膜の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０２２２】
本実施例では、第４情報層２８の第２誘電体膜である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。ＤをＴｉＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）とした材料を適用したサンプルを作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ４−１０１〜４−１０５とする。また、ＤをＮｂ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ４−１０６〜４−１１０とする。また、ＤをＴａ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を４−１１１とする。また、ＤをＣｅＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を４−１１２とする。また、Ｄを（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を４−１１３とする。
【０２２３】
なお、ディスクＮｏ．４−１０１〜４−１１３には、それぞれ、第４情報層２８の第２誘電体膜を、実施例１の第３の方法のようにＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つ）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成したサンプルと、実施例１の第４の方法のように、ＺｎＳ及びＳｉＯ2を含むスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つを含むスパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより形成したサンプルとの両方が存在する。
【０２２４】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第４情報層２８の第２誘電体膜に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を適用した従来例の情報記録媒体（ディスクＮｏ．４−００１）も作製した。
【０２２５】
以上のように作製された情報記録媒体の各サンプルについて、以下の評価を行った。
【０２２６】
＜信号品質評価＞
各サンプルの信号品質評価を、図３で示した記録再生装置３を用いて行った。レーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブ（レーザ入射側に近い方の溝部）に情報の記録を行った。記録及び再生の線速度は７．３６ｍ／ｓ、周期クロックは６６ＭＨｚ（線速度と周期クロックの関係から最短マーク長（２Ｔ）＝０．１１１μｍであり、１情報層あたり３３．４ＧＢ密度の２倍速記録に相当）とした。再生パワーは、第１及び第２情報層に対しては１．８ｍＷ、第３情報層に対しては１．６ｍＷ、第４情報層に対して１．３ｍＷとした。再生光には、無変調のレーザ光を用いた。
【０２２７】
信号品質の評価は、８Ｔマークを１０回記録し、その変調度を測定することによって行った。変調度が４５％以上を◎、４０％以上で４５％未満のものを○、３５％以上で４０％未満のものを△、３５％未満のものを×とした。
【０２２８】
＜再生耐久性＞
記録再生に用いた装置、記録及び再生の線速度及び周期クロックは、信号品質評価の場合と同じにした。再生耐久性の評価は、２Ｔ〜９Ｔのランダム信号を記録し、ＳＥＲが基準値５．０×１０-3を超える再生回数を測定することによって行った。再生パワーは、第３情報層に対しては１．８ｍＷ、第４情報層に対しては１．４ｍＷとした。再生光には、無変調のレーザ光を用いた。再生回数が１００万回以上を◎、５０万回以上で１００万回未満を○、１０万回以上で５０万回未満を△、１０万回未満のものを×とした。なお、評価の対象となるランダムマークの記録は、Ｎ−１変調方式を用いて、各サンプルにおいてＳＥＲが最も良好となるライトパワー、イレースパワー、ボトム・クーリングパワーを設定し、ＤＯＷ１０記録することで行った。
【０２２９】
＜信号保存性評価＞
記録再生に用いた装置、記録及び再生の線速度及び周期クロックは、信号品質評価の場合と同じにした。信号保存性の評価は、２Ｔ〜９Ｔのランダム信号を記録し、その情報記録媒体を８０℃、２０％ＲＨ、５０時間の条件の恒温槽で加速試験を行い、加速試験前からのＳＥＲの劣化量を評価することによって行った。劣化量が＋１．０×１０-4以下を◎、＋１．０×１０-4より大きく＋５．０×１０-4以下を○、＋５．０×１０-4より大きく＋１．０×１０-3以下を△、＋１．０×１０-3より大きいものを×とした。なお、評価の対象となるランダムマークの記録は再生耐久性同様に、Ｎ−１変調方式を用いて、各情報記録媒体においてＳＥＲが最も良好となるライトパワー、イレースパワー、ボトム・クーリングパワーを設定し、ＤＯＷ１０記録することで行った。
【０２３０】
以上のような評価方法により、本実施例における各サンプルについて、第４情報層２８の評価を行った。結果を表６に示す。なお表６において、信号品質、再生耐久性及び信号保存性を総合的に評価し、総合評価として、何れかの項目で１つでも×があるものは×、×がなく△が２つ以上あるものは△、×がなく△が１つ以下あるいはすべての項目で○のものは○、×と△がなく◎を１つ以上あるものを◎とした。また、表６に示された結果は、上記第４の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第３の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。
【０２３１】
なお、総合評価が×の情報記録媒体は実用レベルには達していないが、△、○及び◎は実用レベルを満足している。実用レベルを満足している情記録媒体において、△よりも○のほうが優れており、◎のほうがより優れていることを示す。
【０２３２】
【表６】
2011024381.tif 000018
【０２３３】
表６に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．４−１０１〜４−１１３）でも、信号品質、再生耐久性及び信号保存性について、従来例であるディスクＮｏ．４−００１を大きく改善した結果が得られた。何れのサンプルも、総合評価に示す通り、実用レベルに達している。
【０２３４】
以上のように、本発明の構成により、従来の情報記録媒体を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０２３５】
（実施例５）
実施例５では、図２に示す情報記録媒体２の別の一例を作製した。本実施例では、実施例４で示した情報記録媒体の第３情報層２６の第２誘電体層２０６に、本発明における混合誘電体膜を適用した。第３情報層２６の第２誘電体膜２０６の膜厚は、実施例４同様、４０５ｎｍのレーザ光において、第４情報層がない場合の第３情報層２６の反射率が、第３情報層２６の記録膜２０４が結晶相状態で３〜５％、透過率（基板鏡面部）が５６％〜６３％となるように設定した。
【０２３６】
本実施例では、第３情報層２６の第２誘電体膜２０６である混合誘電体膜に、｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）で表される混合誘電体材料を用いた。ＤをＴｉＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）とした材料を適用したサンプルを作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ５−１０１〜５−１０５とする。また、ＤをＮｂ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（２．５，０．２）、（５，０．２）、（７．５，０．２）、（１０，０．２）及び（２０，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。これらのサンプルのディスクＮｏ．を、それぞれ５−１０６〜５−１１０とする。また、ＤをＴａ2Ｏ5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を５−１１１とする。また、ＤをＣｅＯ2とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を、５−１１２とする。また、Ｄを（ＴｉＯ2）0.5（Ｎｂ2Ｏ5）0.5とし、（ｘ，ｙ）＝（７．５，０．２）とした材料を適用したサンプルも作製した。このサンプルのディスクＮｏ．を、５−１１３とする。
【０２３７】
なお、ディスクＮｏ．５−１０１〜５−１１３には、それぞれ、第２誘電体膜２０６を、実施例１の第３の方法のようにＺｎＳ、ＳｉＯ2及び（ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つ）を含む１つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成したサンプルと、実施例１の第４の方法のように、ＺｎＳ及びＳｉＯ2を含むスパッタリングターゲットと、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2の少なくとも一つを含むスパッタリングターゲットとを、２つのＲＦカソードを用いて同時にスパッタリングすることにより形成したサンプルとの両方が存在する。
【０２３８】
比較サンプルとして、上記構成の情報記録媒体の第２誘電体膜２０６に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）膜を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．５−００１）も作製した。
【０２３９】
本実施例では、第４情報層２８の第２誘電体膜には、本発明における混合誘電体膜である｛（ＺｎＳ）0.8（ＳｉＯ2）0.2｝92.5（ＴｉＯ2）7.5（ｍｏｌ％）膜を適用し、マトリクス法に基づく計算により膜厚を決定した。具体的には、実施例４と同様に、４０５ｎｍのレーザ光において、第４情報層２８の反射率が、第４情報層２８の記録膜が結晶相状態で１〜３％、透過率（基板鏡面部）が５８％〜６５％となるように設定した。
【０２４０】
その他の情報層の膜材料や構成、また作製工程は、実施例４と同様である。
【０２４１】
以上のように作製された各サンプルについて、実施例４に示した評価方法の通り、第３情報層２６の信号品質、再生耐久性及び信号保存性を評価した。結果を表７に示す。なお、各評価項目の◎、○、△及び×の判定基準は実施例４と同様である。また、表７に示された結果は、上記第４の方法で作製されたサンプルについての結果であるが、上記第３の方法で作製されたサンプルについても同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。
【０２４２】
【表７】
2011024381.tif 000019
【０２４３】
表７に示すように、本実施例における何れの情報記録媒体（ディスクＮｏ．５−１０１〜５−１１３）でも、信号品質、再生耐久性及び信号保存性について、従来例であるディスクＮｏ．５−００１を大きく改善した結果が得られた。何れのサンプルも、総合評価に示す通り、実用レベルに達していた。
【０２４４】
以上のように、本発明の構成により、従来の情報記録媒体を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０２４５】
以上、本発明の実施の形態について例を取り上げ説明したが、前述したように、本発明は上記の実施の形態に限定されず本発明の技術発想に基づいて他の実施の形態にも適用できる。例えば、実施の形態１や２で示すような複数の情報層を有する多層情報記録媒体においては、何れかの情報層に追記形や再生専用形の情報層を含んでいてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２４６】
本発明の情報記録媒体とその製造方法は、優れた混合誘電体材料を有し、大容量な光学的情報記録媒体として、例えばＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ、ＤＶＤ−ＲＡＭのようなＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）に有用である。また、直径６ｃｍや８ｃｍのような小径ディスクに応用することもできる。また、さらなる大容量の情報記録媒体として、ＳＩＬ（Ｓｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ）を用いた光学系により、近接場光を利用し高密度記録が可能な情報記録媒体にも有用である。さらに、電気的情報記録媒体として、電気的なスイッチング素子としても有用である。何れも書換え形や追記形に応用することが可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録膜を備え、前記記録膜にレーザ光を照射することによって情報の記録及び再生が可能な情報記録媒体であって、
前記記録膜に対して前記レーザ光入射側に配置された混合誘電体膜をさらに備え、
前記混合誘電体膜は、Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）で構成される混合誘電体材料を含む、
情報記録媒体。
【請求項２】
前記混合誘電体膜が、前記酸化物Ｘを３０ｍｏｌ％以下で含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記混合誘電体膜に含まれるＺｎの硫化物及びＳｉの酸化物において、Ｚｎの硫化物及びＳｉの酸化物の合計に対するＳｉの酸化物のモル比率が０．３以下である、請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記酸化物Ｘが、Ｔｉの酸化物及びＮｂの酸化物より選ばれる少なくとも何れか一つである、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記混合誘電体材料が、式：
｛（ＺｎＳ）1-y（ＳｉＯ2）y｝100-x（Ｄ）x（ｍｏｌ％）
で表され、
前記式中、ｘ及びｙは、０＜ｘ＜１００、０＜ｙ＜１をそれぞれ満たし、且つ、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記式において、ｘ及びｙは、０＜ｘ≦３０、０＜ｙ≦０．３をそれぞれ満たす、請求項５に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記Ｄが、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5より選ばれる少なくとも何れか一つである、請求項５に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍにおける前記混合誘電体膜の屈折率が２．１５以上、且つ、消衰係数が０．０４以下である、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記記録膜と前記混合誘電体膜との間に、界面膜がさらに設けられた、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記混合誘電体膜の膜厚が、２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
前記レーザ光入射側と反対側から、第１情報層〜第Ｎ情報層（Ｎは２以上の整数）が順に配置され、
前記第１情報層〜第Ｎ情報層に含まれる少なくとも一つの情報層が、前記レーザ光入射側から、前記混合誘電体膜及び前記記録膜をこの順に備えている、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
前記第１情報層〜第Ｎ情報層に含まれる第ｎ情報層が、前記レーザ光入射側から、前記混合誘電体膜及び前記記録膜をこの順に備え、ｎが１＜ｎ≦Ｎを満足する整数である、請求項１１に記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）によって構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、
前記工程において、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＤ（ただし、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである）を含むスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、前記混合誘電体膜を形成する、
情報記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記スパッタリングターゲットを用いて形成した前記混合誘電体膜が、前記Ｄを３０ｍｏｌ％以下で含む、請求項１３に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記スパッタリングターゲットを用いて形成した前記混合誘電体膜に含まれるＺｎＳ及びＳｉＯ2において、ＺｎＳ及びＳｉＯ2の合計に対するＳｉＯ2のモル比率が０．３以下である、請求項１３に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
Ｚｎの硫化物、Ｓｉの酸化物及び酸化物Ｘ（ただし、酸化物Ｘは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｅより選ばれる少なくとも何れか一つの元素の酸化物である）で構成される混合誘電体材料を含む混合誘電体膜を形成する工程を含み、
前記工程において、ＺｎＳとＳｉＯ2とからなる第１のスパッタリングターゲットと、Ｄ（ただし、Ｄは、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5及びＣｅＯ2より選ばれる少なくとも何れか一つである）からなる第２のスパッタリングターゲットとを用い、２つ以上のカソードを用いて前記第１のスパッタリングターゲット及び前記第２のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングすることにより、前記混合誘電体膜を形成する、情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記第１のスパッタリングターゲットが、ＳｉＯ2を４０ｍｏｌ％以下で含む、請求項１６に記載の情報記録媒体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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2011024381.tif 000024
2011024381.tif 000025
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