(57)【要約】本発明は、輝度を充分なものとしたうえで、色によって応答速度、透過率、視野角等の特性に差が生じることを抑制し、しかも製造工程における歩留まりを向上することができ、ＣＰＡ、ＭＶＡ、ＩＰＳ等の種々の表示モードに適用することができる表示パネル及び表示装置を提供する。本発明の表示パネルは、複数の副画素によって１つの画素が構成される表示パネルであって、上記表示パネルは、複数の矩形領域に分けたときに、上記矩形領域の少なくとも１つが２つ以上の副画素を含むように構成されるものであり、上記副画素は、矩形領域の短辺と平行な辺の長さが略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なる表示パネルである。
2012002073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の副画素によって１つの画素が構成される表示パネルであって、
該表示パネルは、１つの画素を含む領域を複数の矩形領域に分けたときに、該矩形領域の少なくとも１つが２つ以上の副画素を含むように構成されるものであり、
該副画素は、矩形領域の短辺と平行な辺の長さが略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なることを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記表示パネルは、複数の副画素が矩形状であり、矩形状の長辺が同一方向に並んで画素が構成されたものであり、
該副画素は、矩形状の短辺の長さが略同一であり、矩形状の長辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記表示パネルは、複数の副画素が配向規制手段を有する副画素電極によって構成され、少なくとも１つの副画素が２つ以上の該副画素電極を含むものであり、
該表示パネルにおける画素を平面視した場合に、配向規制手段と副画素電極のエッジとの距離が同一画素内の２つ以上の副画素における副画素電極で略同一であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記表示パネルは、複数の副画素が２種以上の配向規制手段を有する副画素電極によって構成されるものであり、
該表示パネルにおける画素を平面視した場合に、１種の配向規制手段と他の１種の配向規制手段との距離が同一画素内の２つ以上の副画素における副画素電極で略同一であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記画素は、パネル主面を平面視したときに、表示領域内における、前記副画素が配置されている領域以外の領域に、矩形状の遮光領域を有する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項６】
前記遮光領域は、薄膜トランジスタが配置される
ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記遮光領域は、柱状スペーサが配置される
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記遮光領域は、副画素電極及び／又は補助容量配線が配置される
ことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項９】
前記表示パネルは、画素の行方向で、１つの画素に含まれる同一行方向の副画素数の自然数倍ごとに各色を示すための副画素電極の電位の極性を反転させる
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、補助容量配線と、該走査線及び該信号線のそれぞれと接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタと接続された副画素電極とを備え、
該一対の基板の他方は、対向電極を備え、
前記副画素電極は、一つの副画素に対応して配置され、
面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさ及び補助容量の大きさの少なくとも一つが面積の小さい副画素のそれらよりも大きい
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記表示パネルは、表示素子として液晶層を用いる液晶表示パネルである
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル及び表示装置に関する。より詳しくは、表示パネルにおける多原色を用いた表示技術に関し、特に４色以上の多原色を用いて各画素を構成しつつ、高輝度かつ色再現範囲が高い等の表示特性を発揮でき、ＣＰＡ（Continuous Pinwheel Alignment）、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）、ＩＰＳ（In-Plane-Switching）等の種々の表示モードに適応し得る表示パネル及び表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表示パネルは、一般的に赤（Ｒ）、青（Ｂ）、緑（Ｇ）からなる基本３原色又はそれよりも多くの色単位を含んで１つの画素が構成されたものであり、様々な方式のパネルが実用化されてモバイルディスプレイパネルから大型ディスプレイパネルまで多くの製品が供給されている。中でも液晶表示パネルは、一対のガラス基板等に液晶表示素子を挟持して構成され、薄型で軽量かつ低消費電力といった特長を活かして、モバイル用途や各種のモニター、テレビ等、日常生活やビジネスに欠かすことのできないものとなっている。近年においては、電子ブック、フォトフレーム、ＩＡ（産業機器）、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）用途等に幅広く採用されているが、これらの用途において、中小型機種への搭載を目的とした、高精細・高透過率特性を有するモバイルディスプレイパネルが強く要求される流れにある。【０００３】
このような表示パネルとしては、白輝度の向上及び／又は色再現範囲の拡大等を目的として色ごとに画素面積を変えた、ＲＧＢＹ画素等の４色以上の多原色画素を用いた表示装置（主にＴＶ機種等）に関連する技術が報告されている（例えば、特許文献１〜５参照。）。
また、４色の副画素から構成される単位画素配列をマトリックス状に配列してカラー表示を行うカラー表示装置において、各色の総面積は略等しくしながらも、色毎に副画素の面積および数が異なっているカラー表示装置が開示されている（例えば、特許文献６参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００７／０６３６２０号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２００７／０８８６５６号パンフレット
【特許文献３】特開２００８−０１５０７０号公報
【特許文献４】国際公開第２００８／１５３００３号パンフレット
【特許文献５】国際公開第２００７／０１３２１０号パンフレット
【特許文献６】特開２００８−９６５４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した特許文献１〜５に記載の従来設計の表示パネルにおいては、ＲＧＢ等の３色の液晶パネル（図１９）をＲＧＢＷ、ＲＧＢＹ等の４色（図２０）にする等、多原色化したうえで、色によって開口率（表示面積）を変えることで（図２１）、通常は視感度の低い色（Ｒ、Ｂ）の面積を大きくして単色の輝度低下をなるべく避け（視認しにくくし）ながらも、白輝度を向上させることで、輝度と広色再現範囲の両方を満たすパネルを得ることができる。なお、図２１には面積差を１．５：１とした表示パネルを例示している。しかしながら、このような従来設計の表示パネルにおいては、色毎に大きさを変えるために、例えば副画素をストライプ状に配置した表示パネルにおいては副画素の短辺が小さくなり、特に高精細なパネルや、多原色化したパネルにおいては、１色あたりの副画素が小さくなり、小さい方の副画素（特にその短辺）は更に小さくなる。結果として、小さい方の副画素のパターン密度が高いことから歩留まりが低下したり、開口率が低下して多原色化のメリットを得にくくなったりする。また、色毎に副画素の副画素電極の径が異なることから応答・視角特性が色毎に異なることになってしまう。【０００６】
また、上述した特許文献６に記載のカラー表示装置は、各色の総面積が略等しいものである。このような表示装置は、ＲＧＢの３色ではなくＲＧＢＷ等の４色にしたという点で、白輝度は３色のときよりも高くすることができる。しかしながら、各色の面積が等しいため、単色の輝度低下が避けられないものであった。【０００７】
パネルの精細度を高くするために副画素を小さくする場合は、例えば液晶表示パネルでは特にＣＰＡ（Continuous Pinwheel Alignment）モードを使用するのが有効である。しかしながら、副画素が小さくなると駆動に必要な配線やＴＦＴ、配向規制手段（配向分割手段）の配置により非透過部の割合が増加し、４色等の多原色にすることによる開口率低下の影響が大きく、多原色化のメリットが得られにくい。更に、副画素面積を変えるにあたり副画素電極の面積を変えると、従来設計では副画素電極エッジと配向規制手段との距離が色によって異なるものとなる。その結果、色によって応答速度・透過率や視野角等の特性に差が出、色付き・斜め色付きの原因となる。更に、多原色を用いた表示技術に関して、ＭＶＡやＩＰＳ等の種々の表示モードにおいても上述したのと同様な課題を有することになる。【０００８】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、輝度を充分なものとしたうえで、色によって応答速度、透過率、視野角等の特性に差が生じることを抑制し、しかも製造工程における歩留まりを向上することができ、ＣＰＡ、ＭＶＡ、ＩＰＳ等の種々の表示モードに適用することができる表示パネル及び表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、多原色を用いた表示技術、特に広色再現範囲を目的とする４色以上の多原色によって各画素を構成する技術をＣＰＡ、ＭＶＡ、ＩＰＳ等の種々の表示モードに適用したところ、単色の輝度低下をなるべく避けるようにすれば上述した課題が生じること、そのような課題が色毎に副画素の短辺の大きさが異なり、小さな副画素の短辺が非常に小さくなってしまうことに起因することに着目した。これにより、従来技術の構成によっては、多原色にすることによる開口率低下の影響が大きく、輝度が低下し、多原色化の利点が充分に得られないということ、また、歩留まり（製品の生産性）が充分に優れたものにならないことを見いだした。そして、複数の副画素によって構成される１つの画素において、矩形領域を特定し、矩形領域の短辺と平行な辺の長さが略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なる形態が上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。【００１０】
すなわち、本発明は、複数の副画素によって１つの画素が構成される表示パネルであって、上記表示パネルは、１つの画素を含む領域を複数の矩形領域に分けたときに、上記矩形領域の少なくとも１つが２つ以上の副画素を含むように構成されるものであり、上記副画素は、矩形領域の短辺と平行な辺の長さが略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なる表示パネルである。製造工程における歩留まりを考慮すると、異なるパターン間はある程度の距離が必要である。ある同一面積の画素構成部材を副画素内に配置する場合、副画素電極の辺が図２４のように短いと当該画素構成部材が長辺方向に長く延びてしまい、開口率を十分に高めることができない。しかし短辺をより長くすることができれば、図２５に示したようによりその延びを抑えて開口率を高めることができる。【００１１】
上記形態は、次の（１）〜（３）の３つの形態を上位概念化したものである。
すなわち、（１）各画素中にストライプ状のように矩形状の複数の副画素が並んだ構成を有する場合、矩形状の短辺の長さが略同一であり、矩形状の長辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なる形態、（２）副画素がサブピクセル等の副画素電極によって構成され、ＣＰＡ等の表示モードのように副画素電極内に液晶分子の配向規制手段を有する場合、配向規制手段と副画素電極のエッジとの距離が同一画素内の２つ以上の副画素における副画素電極で略同一である形態、（３）ＭＶＡ等の表示モードのように副画素電極内にリブ、スリット等の２種以上の配向規制手段を有する場合、１種の配向規制手段と他の１種の配向規制手段との距離が同一画素内の２つ以上の副画素における副画素電極で略同一である形態のいずれかの構成又はこれらを組み合わせた構成の全てが技術的範囲に含まれるように上位概念化したものである。本発明においては、上記（１）〜（３）のいずれかの構成又はこれらを組み合わせた構成とすることが好適である。
なお、上記（１）〜（３）のいずれかの構成又はこれらを組み合わせた構成は、それら個々の構成が１つの発明であり、上記上位概念化した本発明から独立した発明と見ることも従属した発明と見ることもできる。【００１２】
本発明においては、３色構成のパネルにおいても４色以上の多原色を用いた表示パネルにおいても適用することが可能であるが、４色以上の多原色を構成するものであることが好ましい。すなわち、上記複数色の副画素とは、通常は３色以上であり、４色以上であることが本発明の効果を発揮するうえで特に好適である。なお、本発明の適用範囲としては、多原色技術のみに限られるものではなく、例えば、液晶表示パネルにおけるＣＰＡモード等において積層柱を用いた形態等においても、本発明の効果を発揮することができる。
複数色の副画素によって１つの画素が構成されるとは、複数色の副画素がパネル平面上に並んで１つの画素として表示に供されることをいう。複数色の副画素の配列形態は、ストライプ状であってもよく、田の字状であってもよい。いわゆるデルタ配列のように、列方向がずれた配置になっていてもよい。【００１３】
上記画素は、その領域を複数の矩形領域に分けたものである限り、特に限定されないが、長辺及び短辺が同一の矩形領域に分けたものであることが好ましい。また、矩形領域の長辺が同一方向に並んで表示パネルを構成する形態が好ましい。また、上記矩形領域のいずれもが２つ以上の副画素を含むように構成されることが好ましい。そして、１つの画素を含む領域を複数の矩形領域に分けるものである。上記１つの画素を含む領域は、通常は矩形状であり、その他の画素の一部を含んでいても良いが、その他の画素の全部を含まないものである。また、１つの画素の外縁が実質的に含まれるものの中で最小面積であることが好ましい。本明細書中、画素を含む、又は、副画素を含むとは、本発明の作用効果を発揮するものである限り、当該画素又は副画素（以下、画素等ともいう。）が実質的に内部に含まれていればよく、画素等の一部の突起状部分等が領域の外にはみ出しているものであってもよいし、隣接する他の画素等の一部の突起状部分等が領域内に入り込んでいるものであってもよい。矩形領域の具体的な形態については、後述する実施形態において詳しく説明する。このように分けた際のいずれか一通りにおいて、上記矩形領域の少なくとも１つが２つ以上の副画素を含むように構成され、上記副画素が該領域の短辺方向と平行な方向の長さが同一であるとともに、上記矩形領域の長辺方向と平行な方向の長さが少なくとも一色の副画素で異なるものであればよく、上述した本発明の作用効果が発揮されることになる。【００１４】
上記副画素は、矩形状であってもよいし、矩形状以外の形状（例えば、５角形以上の多角形、楕円形等）であってもよいし、これらが組み合わされた形態であってもよい。なお、後述するように、本発明の好ましい形態の一つは、上記副画素が矩形状である形態である。
上記矩形領域の短辺方向と平行な方向の長さが同一であるとは、本発明の作用効果を発揮する限り、実質的に同一である形態を含むものである。また、該矩形領域の長辺方向と平行な方向の長さが少なくとも一色の副画素で異なるとは、色によっては当該長さが同一のものがあってもよく、少なくとも一色において当該長さが他の色における当該長さと異なるものであればよい。【００１５】
上記矩形領域の短辺と平行な辺の長さが略同一であるとは、ある一つの副画素における当該長さを１００％としたときに、当該長さと他の一つの副画素における上記矩形状の短辺の長さの差が±１０％以下であることをいう。【００１６】
上記本発明の形態について概念図を用いて説明すれば、次のようになる。なお、本発明は、これらの概念的形態に限定されるものでない。
図２６〜図２８は、１つの画素を概念的に表すものであり、図２６及び図２７は、４つの矩形状の副画素がストライプ状に並んだ形態、図２８は、４つの矩形状又は多角形状の副画素が田の字型に並んだ形態を表している。
図２６については、各副画素が複数の副画素電極によって構成され、赤色（Ｒ）の副画素がＲ１、Ｒ２、Ｒ３の副画素電極からなり、緑色（Ｇ）の副画素がＧ１、Ｇ２の副画素電極からなり、青色（Ｂ）の副画素がＢ１、Ｂ２、Ｂ３の副画素電極からなり、黄色（Ｙ）の副画素がＹ１、Ｙ２の副画素電極からなる。図中、点線で囲んだＰの範囲、すなわち、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｇ１、Ｇ２の副画素電極及びグレー（灰色）部の領域を含んだ領域が、１つの画素を含んだ領域を複数の矩形領域に分けたときの１つの矩形領域（Ｐ）を示している。点線で囲んだＰ′の範囲、すなわち、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｙ１、Ｙ２の副画素電極及びグレー部の領域を含んだ領域が、１つの画素を含んだ領域を複数の矩形領域に分けたときの１つの矩形領域（Ｐ′）を示している。この図２６の形態においては、矩形領域（Ｐ）及び（Ｐ′）が２つ以上の副画素を含むように構成されていて、上記矩形領域の少なくとも１つが２つ以上の副画素を含むように構成されるという構成要件を満たしている。また、副画素における矩形領域（Ｐ）の短辺と平行な辺、すなわち、図２６に向かって見て、矩形領域（Ｐ）の短辺であるＲ１及びＧ１の上の辺と平行な副画素Ｒ１の上の辺の長さ（ａ）と副画素Ｇ１の上の辺の長さ（ｂ）とが略同一である（ａとｂとが略同一の長さ）。矩形領域（Ｐ′）についても同様となっている（ｃとｄとが略同一の長さ）。好ましくは、矩形領域の短辺と平行な副画素の辺の長さが全て略同一であることであり、図２６においては、ａ、ｂ、ｃ及びｄが全て略同一の長さとなることである。更に、矩形領域（Ｐ）の長辺であるＲ１、Ｒ２及びＲ３の左の辺と平行な副画素の辺の長さが、赤色（Ｒ）の副画素及び青色（Ｂ）の副画素においてはｅとなり、緑色（Ｇ）の副画素及び黄色（Ｙ）の副画素においては、ｆとなり、矩形領域の長辺と平行な副画素の辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なることになる。この形態の場合、矩形領域（Ｐ′）の長辺であるＢ１、Ｂ２及びＢ３の左の辺を基準としても同様である。
本発明における上記矩形領域とは、このように１つの画素を含んだ領域において、副画素の形状や大きさ、副画素電極の形状や大きさ、配置等を決定するために概念的に創出されたものであり、この矩形領域の考えを用いて副画素及び副画素電極を設計することができる。【００１７】
図２７については、各副画素が複数の副画素電極によって構成され、赤色（Ｒ）の副画素がＲの副画素電極からなり、緑色（Ｇ）の副画素がＧの副画素電極からなり、青色（Ｂ）の副画素がＢの副画素電極からなり、黄色（Ｙ）の副画素がＹの副画素電極からなる。図中、点線で囲んだＱの範囲、すなわち、Ｒ、Ｇの副画素電極及びグレー部の領域を含んだ領域が、１つの画素を含んだ領域を複数の矩形領域に分けたときの１つの矩形領域（Ｑ）を示している。点線で囲んだＱ′の範囲、すなわち、Ｂ、Ｙの副画素電極及びグレー部の領域を含んだ領域が、１つの画素を含んだ領域を複数の矩形領域に分けたときの１つの矩形領域（Ｑ′）を示している。
図２８については、各副画素が複数の副画素電極によって構成され、赤色（Ｒ）の副画素がＲ１、Ｒ２、Ｒ３の副画素電極からなり、緑色（Ｇ）の副画素がＧ１、Ｇ２の副画素電極からなり、青色（Ｂ）の副画素がＢ１、Ｂ２、Ｂ３の副画素電極からなり、黄色（Ｙ）の副画素がＹ１、Ｙ２の副画素電極からなる。図中、点線で囲んだＳの範囲、すなわち、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｇ１、Ｇ２の副画素電極及びグレー部の領域を含んだ領域が、１つの画素を含んだ領域を複数の矩形領域に分けたときの１つの矩形領域（Ｓ）を示している。点線で囲んだＳ′の範囲、すなわち、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｙ１、Ｙ２の副画素電極及びグレー部の領域を含んだ領域が、１つの画素を含んだ領域を複数の矩形領域に分けたときの１つの矩形領域（Ｓ′）を示している。
これら図２７及び図２８の形態においても、上記図２６の形態と同様に本発明の構成を適用することができる。【００１８】
本発明の表示パネルにおける好ましい形態について以下に詳しく説明する。
上記表示パネルは、複数の副画素が矩形状であり、矩形状の長辺が同一方向に並んで画素が構成されたものであり、上記副画素は、矩形状の短辺の長さが略同一であり、矩形状の長辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なるものであることが好ましい。
このように副画素自体も矩形状である形態が好適である。上記矩形状の長辺が同一方向に並ぶとは、矩形状の長辺を介してその両隣に矩形状の副画素が並ぶ形態であってもよく、矩形状の長辺が連なるようにして副画素が並ぶ形態（言い換えれば、矩形状の短辺を介してその両隣に矩形状の副画素が並ぶ形態）であってもよいが、矩形状の長辺を介してその両隣に矩形状の副画素が並ぶ形態が好ましい。同一方向とは、本発明の効果を発揮する限りにおいて、実質的に同一である形態を含むものである。また、上記矩形状の短辺の長さが略同一とは、ある一つの副画素における当該長さを１００％としたときに、当該長さと他の一つの副画素における上記矩形状の短辺の長さの差が±１０％以下であることをいう。【００１９】
本発明の表示パネルは、複数の副画素が配向規制手段を有する副画素電極によって構成され、少なくとも１つの副画素が２つ以上の該副画素電極を含むものであり、上記表示パネルにおける画素を平面視した場合に、配向規制手段と副画素電極のエッジとの距離が同一画素内の２つ以上の副画素における副画素電極で略同一であることが好ましい。
このように、各色が更に複数の副画素電極を有している場合、副画素電極は同一のＴＦＴで駆動されていてもよいし、同じ信号線（ソースバスライン）と走査線で駆動される別のＴＦＴで駆動されてもよい。また、副画素電極の面積（大きさ）はほぼ同一（略同一）とし、各色に含まれる副画素電極の数を変えることによって色によって表示画素面積を変化させる形態が特に好ましい。上記配向規制手段は、通常は、突起状構造物、対向電極の切開部、又は、絶縁体上に設けられた段差部（通常は窪み）である。また、上記略同一とは、同一画素内の１つの副画素電極における配向規制手段と副画素電極のエッジとの距離を１００％としたとき、該距離と同一画素内の他の副画素電極における配向規制手段と副画素電極のエッジとの距離との差が、それぞれ±１０％以下であることをいう。このような形態により、特にＣＰＡモード等の液晶表示パネル等において、配向状態をより均質にして副画素間の応答速度の特性差を充分に低減することができ、また、視野角特性を充分に向上することができる。【００２０】
上記表示パネルは、複数の副画素が２種以上の配向規制手段を有する副画素電極によって構成されるものであり、上記表示パネルにおける画素を平面視した場合に、１種の配向規制手段と他の１種の配向規制手段との距離が同一画素内の２つ以上の副画素における副画素電極で略同一であることが好ましい。
上記副画素は、それぞれ一つの副画素電極を有する形態が好ましい。上記１種の配向規制手段と他の１種の配向規制手段は、それぞれが互いに平行なリブ又は対向電極の切開部及びスリット又は画素電極エッジである形態が好ましい。また、上記略同一とは、同一画素内の１つの副画素電極における１種の配向規制手段と他の１種の配向規制手段との距離を１００％としたとき、該距離と同一画素内の他の副画素電極における１種の配向規制手段と他の１種の配向規制手段との距離との差が、それぞれ±１０％以下であることをいう。このような形態により、特にＭＶＡモード等の液晶表示パネル等において、配向状態をより均質にして副画素間の応答速度の特性差を充分に低減することができ、また、視野角特性を充分に向上することができる。 【００２１】
上記画素は、パネル主面を平面視したときに、表示領域内における上記副画素が配置されている領域以外の領域に、矩形状の遮光領域を有することが好ましい。矩形状とは、本発明の効果を発揮する限り、突起及び／又は窪みを有していてもよく、実質的に矩形状であればよい。言い換えれば、上記矩形領域の長辺方向と平行な方向の長さが少なくとも一色の副画素で異なり、当該長さがより短い副画素において長さが短い分だけ生じたスペースに遮光領域を配置する形態が好ましい。例えば、副画素電極の数が少ない副画素の非透過領域に、副画素電極の数が多い方の副画素のＴＦＴ素子やコンタクトホール等の非透過部のパターンを配置することで、開口率、特に大きい方の副画素の開口率を向上させることができる。上記遮光領域は、薄膜トランジスタが配置される形態が好ましい。【００２２】
上記遮光領域は、柱状スペーサが配置される形態が好適である。特にセル厚保持手段として積層柱を用いる場合に、面積の小さい方の副画素の副画素電極を配置していない部分に積層柱を配置する形態が好ましい。
また、上記遮光領域は、副画素電極及び／又は補助容量配線が配置される形態が好適である。このような形態とすることにより、柱状スペーサや副画素電極及び／又は補助容量配線によって開口率が低下することを充分に防止することができる。また、画素電極のない部分に柱状スペーサを配置することによって、上下リーク（副画素電極−対向共通電極（ＣＯＭ電極）間リーク）を回避することができる。特に副画素が小さい場合、上記遮光領域に、柱状スペーサや副画素電極及び／又は補助容量配線が配置される形態は特に好適なものとなる。【００２３】
上記表示パネルは、画素の行方向で、１つの画素に含まれる同一行方向の副画素数の自然数倍ごとに各色を示すための副画素電極の電位の極性を反転させることが好ましい。特に、１つの画素に含まれる同一行方向の副画素数が偶数個である場合、当該形態が特に好ましい。このように単色表示時に横方向に同一極性がならばないように対策を行うことにより、横シャドーを回避できる。上記形態は、駆動方法によるものであってもよく、設計によるものであってもよい。【００２４】
上記一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、補助容量配線と、該走査線及び該信号線のそれぞれと接続された薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジスタと接続された副画素電極とを備え、上記一対の基板の他方は、対向電極を備え、上記副画素電極は、１つの副画素に対応して配置され、上記走査線と上記副画素電極とは、ゲートドレイン容量Ｃｇｄを形成し、上記信号線と上記副画素電極とは、ソースドレイン容量Ｃｓｄを形成し、上記補助容量配線と上記副画素電極とは、補助容量Ｃｃｓを形成し、上記副画素電極と上記対向電極とは、液晶容量Ｃｌｃを形成し、上記表示パネルの駆動時における走査線の電位差をＶｇｐ−ｐとしたとき、引き込み電圧ΔＶｄ＝Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｓｄ＋Ｃｃｓ＋Ｃｌｃ）×Ｖｇｐ−ｐ、白表示時と黒表示時のΔＶｄの差：Ω、及び、Ｃｃｓ／Ｃｌｃの少なくとも一つは、各色で同じであることが好ましい。具体的には、面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさ及び補助容量の大きさの少なくとも一つが面積の小さい副画素のそれらよりも大きいものとすることが好ましく、このようにすることで、ΔＶｄ、Ω値及びＣｃｓ／Ｃｌｃの少なくとも一つを全色略同等にすることができる。なお、上記「面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさ及び補助容量の大きさの少なくとも一つが面積の小さい副画素のそれらよりも大きい」とは、面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさが面積の小さい副画素におけるスイッチング素子の大きさよりも大きいか、その補助容量の大きさが面積の小さい副画素における補助容量の大きさよりも大きいか、又は、これらの組み合わせをいう。それにより色によって最適対向電圧や補助容量の割合に差が出ないようにして、焼きつき等のない優れた表示品位のパネルを得ることができる。なお、走査線の電位差Ｖｇｐ−ｐは、｜Ｖｇｈ−Ｖｇｌ｜によって表される（Ｖｇｈは、ＴＦＴをオン・オフした際の、走査線における最も高い電圧を表し、Ｖｇｌは、同様に走査線における最も低い電圧を表す。）。また、白表示時と黒表示時のΔＶｄの差Ωは、液晶は白表示時と黒表示時で容量が異なることに伴い発生する、白表示時と黒表示時のΔＶｄ値の差であり、以下の式で求められる：Ω＝｜ΔＶｄ（黒）−ΔＶｄ（白）｜＝｜Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｓｄ＋Ｃｃｓ＋Ｃｌｃ（黒））×Ｖｇｐ−ｐ―Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｓｄ＋Ｃｃｓ＋Ｃｌｃ（白））×Ｖｇｐ−ｐ｜。なお、Ｃｌｃ（黒）とは、黒表示時のＣｌｃを意味し、Ｃｌｃ（白）とは、白表示時のＣｌｃを意味する。
上記形態にあっては、面積の小さい副画素の、副画素電極を配置していない部分に副画素電極や補助容量（補助容量配線）を設ける形態が特に好適である。これにより、面積の小さい副画素の実質開口部を大きくすることができ、高輝度な液晶表示装置を得ることができる。【００２５】
上記副画素は、複数の副画素電極を有し、上記副画素電極は、それぞれの面積が同一であり、副画素が有する副画素電極の数が少なくとも一色の副画素で異なることが好ましい。これにより、種々の液晶表示装置において配向状態をより均質にして副画素間の応答速度の特性差を充分に低減しつつ、副画素の面積を変えて輝度を充分に高いものとすることができる。上記面積が同一であるとは、本発明の作用効果を発揮できる限り実質的に同一であればよい。【００２６】
本発明の表示パネルは、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを有する液晶表示パネルであることが好ましい。言い換えれば、表示素子として液晶層を用いる液晶表示パネルであることが好ましい。液晶表示パネルに本発明を適用することにより、本発明の効果をより充分に発揮することができる。本発明の表示パネルは、ＣＰＡモード、ＭＶＡモードに適用できるとともに、ＴＮ（Twisted Nematic）モードにおいても狭い方の副画素の製造を簡単にし、歩留まりを向上させる等の本発明の効果を発揮することができるし、ＴＢＡ（Transverse Bend Alignment）モード、ＦＦＳ（Frings Field Switching）モード等のＩＰＳモード等にも好適に適用可能なものである。特に、本発明は垂直液晶モード（電圧無印可時に液晶分子が基板平面に対して実質的に垂直に配向するモード。中でも、ＣＰＡモード）に好適であり、ＣＰＡモードで多原色表示を行い、かつ色毎に開口率を変える場合、特に本発明の技術が不可避となるといえる。【００２７】
本発明はまた、本発明の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置でもある。
これにより、上述した本発明の表示パネルと同様の効果を発揮することができる。また、本発明の表示装置が備える表示パネルの好ましい形態は、上述した本発明の表示パネルの好ましい形態と同様である。
本発明の表示パネル及び表示装置は、電子ブック、フォトフレーム、ＩＡ、ＰＣ用途等の中型クラスの製品で用いることが特に好ましい。【００２８】
上述した各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の表示パネル及び表示装置によれば、輝度を充分なものとしたうえで、歩留まりに優れ、色による応答速度の特性差が充分に低減され、視野角特性が充分に向上されたものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施形態１−１の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図２】図１においてブラックマトリックスを省略した図である。
【図３】実施形態１−２の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図４】図３においてブラックマトリックスを省略した図である。
【図５】実施形態１−１の液晶表示パネルの副画素電極を示す平面模式図である。
【図６】実施形態１−１の液晶表示パネルの変形例（実施形態１−３）を示す平面模式図である。
【図７】実施形態１−１の液晶表示パネルの変形例（実施形態１−４）を示す平面模式図である。
【図８】実施形態２−１の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図９】図８においてブラックマトリックスを省略した図である。
【図１０】実施形態２−２の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図１１】図１０においてブラックマトリックスを省略した図である。
【図１２】実施形態３の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図１３】図１２において副画素の副画素電極及び対向電極に設けられた配向規制手段だけを示した図である。
【図１４】図１２において副画素の副画素電極及び信号線だけを示した図である。
【図１５】実施形態４の液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図１６】図１５において副画素の副画素電極及び対向電極に設けられた配向規制手段だけを示した図である。
【図１７】図１５において副画素の副画素電極及び信号線だけを示した図である。
【図１８】実施形態３及び４の液晶表示パネルを示す断面模式図である。
【図１９】従来の３色のストライプ状に配列した副画素によって１つの画素が構成される液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図２０】従来の４色のストライプ状に配列した副画素によって１つの画素が構成される液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図２１】図２０に示した液晶表示パネルにおいて各副画素電極の面積比を変更した液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図２２】従来の４色の田の字状に配列した副画素によって１つの画素が構成される液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図２３】図２２に示した液晶表示パネルにおいて各副画素電極の面積比を変更した液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図２４】液晶表示パネルにおいて各副画素電極の面積比を変更した液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図２５】液晶表示パネルにおいて各副画素電極の面積比を変更した液晶表示パネルを示す平面模式図である。
【図２６】４つの矩形状の副画素がストライプ状に並んだ形態を表す概念図である。
【図２７】４つの矩形状の副画素がストライプ状に並んだ形態を表す概念図である。
【図２８】４つの矩形状又は多角形状の副画素が田の字型に並んだ形態を表す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
なお、ＴＦＴが設けられた基板は、ＴＦＴアレイ基板ともいう。カラーフィルタ（ＣＦ）が設けられた、ＴＦＴアレイ基板に対向する基板は、対向基板又はＣＦ基板ともいう。また、以下の実施形態では、記載を簡単にするために、各色を表す副画素を単に画素ともいう。以下では、ＲＧＢＹを用いた形態だけを説明するが、ＲＧＢＹの代わりに、ＲＧＢＷ等の４色以上の原色を用いた形態を適宜適用することができる。
以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。例えば、以下では液晶表示パネル及び液晶表示装置について説明するが、本発明は有機ＥＬ表示パネル等のその他の表示パネルに適用可能な部分を含むものである。
【００３２】
実施形態１
実施形態１は、ＣＰＡモードの液晶表示パネルにおいて副画素をストライプ状に配置した形態に係るものである。
【００３３】
図１は、実施形態１−１の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図２は、図１においてブラックマトリックスを省略した図である。実施形態１の液晶表示パネルは、以下の特徴を有する。
【００３４】
走査線２１及び信号線２３は、ガラス基板の主面上に格子状に配置され、Ｃｓ配線１９は、隣接する走査線２１の間に走査線２１と平行に配置される。
走査線２１及び信号線２３で区画された複数の画素領域には、赤（Ｒ）の画素領域に３つの副画素電極１１Ｒ、緑（Ｇ）の画素領域に２つの副画素電極１１Ｇ、青（Ｂ）の画素領域に３つの副画素電極１１Ｂ、黄（Ｙ）の画素領域に２つの副画素電極１１Ｙが配置されている。これらの４つの画素領域から単位画素２７が構成されている。なお、それぞれの副画素電極は、どの色も面積が略同一である。各単位画素２７は、複数色を表示する副画素電極を含む矩形領域に分けられる。副画素電極の数は、色によって変える。その結果、色毎に有効開口部の面積が異なる。ここで、色の視感度（明度）及び／又は色純度（彩度）の違いにより、求めるパネルの特性に応じて、適宜面積の違いを設定するとよい。通常視感度の比較的高い色と比較的低い色で面積を変え、視感度の比較的高い色の面積を小さくし、比較的低い色の面積を大きくする。具体的には、単位画素２７は、図１に示した単位画素２７を縦方向に等分割する一点鎖線を境にして、赤（Ｒ）の画素領域と緑（Ｇ）の画素領域とからなる矩形領域と、青（Ｂ）の画素領域と黄（Ｙ）の画素領域とからなる矩形領域とに分けたときに、図１における左側の矩形領域は２つの副画素（Ｒ及びＧ）を含むように構成され、右側の矩形領域は２つの副画素（Ｂ及びＹ）を含むように構成される。すなわち、図１での単位画素２７を示す破線と単位画素２７を縦方向に等分割する一点鎖線とに囲まれた部分が、実施形態１−１における矩形領域であり、他の実施形態についても同様である。そして、それぞれの副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ及びＹ（例えば、Ｒの副画素は２９ａで表され、Ｇの副画素は２９ｂで表される）は、矩形領域の短辺と平行な辺（図２における図横方向の辺）の長さａがそれぞれ略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺（図２における縦方向の辺）の長さｂ１、ｂ２がＲ、ＢとＧ、Ｙとで異なる。なお、３色の表示パネルにおいても、本実施形態のように色によって副画素電極の数を変えて（増やして）、白輝度向上等の本発明の効果を発揮することができる。
【００３５】
赤（Ｒ）の画素及び青（Ｂ）の画素では、３つの副画素電極が矩形状の副画素電極の長辺と平行な方向に並んで副画素が構成されるのに対し、緑（Ｇ）の画素及び黄（Ｙ）の画素では、２つの副画素電極がこの方向に並んで副画素が構成されている。なお、図２における赤（Ｒ）の画素及び青（Ｂ）の画素における副画素の縦方向の長さｂ１は緑（Ｇ）の画素及び黄（Ｙ）の画素における副画素の縦方向の長さｂ２の略３／２倍である。
【００３６】
また、図１では、表示パネルは、複数の副画素ＲＧＢＹが矩形状（略長方形）であるが、略楕円形であってもよい。中でも、矩形状であることが好ましく、矩形状の長辺が略同一方向に並んで、更に言えば該長辺を挟んで（介して）副画素ＲＧＢＹが隣接するように並んで画素が構成されたものであり、副画素ＲＧＢＹは、矩形状の短辺の長さが略同一であり、矩形状の長辺の長さがＲ、ＢとＧ、Ｙとで異なるものである形態が好適である。
【００３７】
対向基板は、ガラス基板の主面上に、画素領域毎に赤（Ｒ）のＣＦ層、緑（Ｇ）のＣＦ層、青（Ｂ）のＣＦ層、及び、黄（Ｙ）のＣＦ層が配置され、各ＣＦ層の間は、ブラックマトリックスと呼ばれる遮光部（以下、ＢＭ〔ブラックマトリックス〕ともいう。）で仕切られている。また、図１及び図２における副画素が小さい方の副画素の下側の、副画素電極を置かない領域にも矩形状のＢＭが配置されている。そして、図２に示されるように、これらのＢＭ下に自副画素（Ｇ又はＹ）のＴＦＴ２５Ｇ、２５Ｙが配置されるだけでなく、隣接副画素（Ｂ又はＹの右隣のＲ）のＴＦＴ２５Ｂ、２５Ｒも配置される。また、フォトスペーサ２８も配置されている。
【００３８】
また、対向基板には、配向規制手段１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ、１３Ｙが設けられている。
表示パネルは、複数の副画素ＲＧＢＹが配向規制手段１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ、１３Ｙをそれぞれ有する副画素電極１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｙによって構成され、表示パネルにおける画素を平面視した場合に、配向規制手段１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ、１３Ｙと副画素電極１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｙのエッジとの距離は、それぞれ略同一である。配向規制手段１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ、１３Ｙは、突起状構造物、絶縁体上に設けられた段差部（通常は、ＴＦＴアレイ基板側の絶縁体上に設けられた窪み）、又は、対向電極の切開部（切り欠き）であり、例えば、底部の形状が円形状、長円形状、バー形状、Ｙ字状又はＹ字と逆Ｙ字を重ね合わせた形状の突起又は段差部、又は、同様の形状の対向電極に設けられた切り欠きである。
【００３９】
また、ＴＦＴアレイ基板において、ＴＦＴのドレイン電極から引き出された配線が、コンタクトホール１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ、１７Ｙを介して、各々の副画素電極１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｙに接続され、さらに上記配線はＣＳ（補助容量）配線１９上に設けられたＣＳ（補助）容量１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ、１５Ｙに接続されている。
【００４０】
実施形態１−１の液晶表示パネルは、更に、以下の特徴を有する。
色毎の副画素電極における矩形領域の長辺と平行な長さ・短辺と平行な長さは、どの色も略同一であり、その差はおおむね±１０％程度以下である。そして、色毎の副画素電極の面積は、どの色も略同一であり、その差は、長さの差がおおむね±１０％程度以下であることから、おおむね±２０％程度以下である。例えば、図５は、実施形態１−１の液晶表示パネルの副画素電極を示す平面模式図であるところ、副画素電極の径Ａの長さ１００％に対して、副画素電極の径Ａと副画素電極の径Ａ′との差は、±１０％以下であり、副画素電極の径Ｂの長さ１００％に対して、副画素電極の径Ｂと副画素電極の径Ｂ′との差は、±１０％以下であり、径Ａ及び径Ｂを有する副画素電極の面積１００％に対して、径Ａ及び径Ｂを有する副画素電極の面積と径Ａ′及び径Ｂ′を有する副画素電極の面積との差は、±２０％以下である。
【００４１】
パネルはＲＧＢＹやＲＧＢＷ等の４色で構成されており、ＲＧＢＹの場合は、視感度が共に小さいＲ、Ｂを大きく、Ｇ、Ｙを小さくすると、透過率を向上させつつ色再現範囲を広げることができ、効果的である。面積の大小の比は、ＲＢ：ＧＹ（ＲＢ：ＧＷ）＝４：１〜１：１の範囲である。より好ましくは、２．２：１〜１．２：１の範囲である。
【００４２】
実施形態１の液晶表示パネルは、更に、以下の特徴を有する。
同じ色の副画素電極は、電気的に接続されていてもよいし、同一走査線・同一信号線によって駆動される異なるＴＦＴに接続される、電気的に接続されない同色の画素電極であってもよい。
副画素電極が小さい方の副画素の、副画素電極を置かない領域には矩形状のＢＭを配置する。上記領域のＢＭの下に、コンタクトホールやＴＦＴ、ＣＳ（補助）容量、フォトスペーサ２８、画素電極、バスライン等を配置させることができる。
上記領域に、自画素のＴＦＴだけでなく、隣接副画素のコンタクトホールやＴＦＴ、ＣＳ容量、バスライン等を配置させてもよい。これにより、自画素及び隣接副画素の開口率を好適に向上させることができる。なお、図１は、ＢＭ下に、自画素のＴＦＴだけでなく、隣接画素のＴＦＴも配置した形態である。
また、同一行の同一色の極性が偏らないようにすること、すなわち、前記表示パネルは、画素の行方向で、１つの画素に含まれる同一行方向の副画素数の自然数倍ごとに各色を示すための副画素電極の電位の極性を反転させることにより、横シャドー（クロストーク）を回避することができる。
【００４３】
実施形態１−１の液晶表示パネルは、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、言い換えれば、第１の基板（アレイ基板）、第２の基板（対向基板）、及び、第１の基板と第２の基板とに挟持された液晶層を備える。該第１の基板は、複数の走査線２１／複数の信号線２３／スイッチング素子（ＴＦＴ２５Ｒ等）／層間絶縁膜／層間絶縁膜上の副画素電極を基板側からこの順で有する。また、副画素電極上に垂直配向膜を有する。該第２の基板は、対向電極、配向規制手段１３Ｒ等（突起状構造物及び／又は対向電極の切開部）、及び、垂直配向膜を有する。また、特にＣＰＡモードでは、配向規制手段としてＴＦＴアレイ基板側の絶縁体上に設けられた段差部（通常は窪み）が有用であり、これを用いることにより上述した対向電極への配向規制手段の配置は必要なくなる。言い換えれば、対向電極の配向規制手段に追加して、又は、対向電極の配向規制手段の代わりに、ＴＦＴアレイ基板側の絶縁体上に設けられた段差部（通常は窪み）を用いることが可能であり、部材及び製造工程を省略できる点で、対向電極の配向規制手段の代わりに、ＴＦＴアレイ基板側の絶縁体上に設けられた段差部（通常は窪み）を用いる形態が好ましい。また、該液晶層は、誘電異方性が負の液晶材料である。
【００４４】
実施形態１−１の液晶表示パネルは、面積の大きい副画素のスイッチング素子の大きさ又は補助容量の少なくともいずれかを、面積の大きい副画素の方が面積の小さい副画素よりも大きくなるようにする。
これにより、走査線と副画素電極とが形成するゲートドレイン容量をＣｇｄとし、信号線と副画素電極とが形成するソースドレイン容量をＣｓｄとし、補助容量配線と副画素電極とが形成する補助容量をＣｃｓとし、副画素電極と対向電極とが形成する液晶容量をＣｌｃとし、表示パネルの駆動時における走査線の電位差をＶｇｐ−ｐとしたとき、引き込み電圧ΔＶｄ＝Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｓｄ＋Ｃｃｓ＋Ｃｌｃ）×Ｖｇｐ−ｐ、白表示時と黒表示時のΔＶｄの差Ω、及び、Ｃｃｓ／Ｃｌｃが、各色で同じである。
なお、走査線の電位差Ｖｇｐ−ｐ、白表示時と黒表示時のΔＶｄの差Ωは、上述したものと同様である。
【００４５】
図３は、実施形態１−２の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図４は、図３においてブラックマトリックスを省略した図である。実施形態１−２は、実施形態１−１に追加して、上記ＢＭ下に、自副画素のコンタクトホール、ＣＳ（補助）容量及びフォトスペーサを配置した形態である。実施形態１−２のその他の構成は、実施形態１−１の構成と同様である。
【００４６】
１画素を１８０μｍとして概算した結果で実施形態１−１及び１−２の効果を示す。
従来技術では、ＲＧＢパネルをＲＧＢＹ化等の４色化（例えば、図２０）すると、ＣＦ透過率は向上するものの４色化による開口率低下のため、透過率向上率は８％にとどまり、単色・補色の輝度低下も課題となる（特にＲとＭ（マゼンタ）とが顕著に視認される。）。
なお、ＲとＭ以外では、例えば、Ｇ、Ｂ、Ｃ（シアン）は自然画では気にならない程度のものであり、ＹはＹ（Ｙ絵素の点灯）とＲ＋Ｇ（Ｒ絵素とＧ絵素とを同時点灯）との両方から作られるため輝度は向上する。ここで、Ｙは、Ｙ絵素の点灯とＲ＋Ｇを同時点灯することの両方から作成できるため、Ｙ絵素自体の面積以上の輝度が得られる一方、それ以外の単色（Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃ（＝Ｂ＋Ｇ）、Ｍ（＝Ｒ＋Ｂ））は構成する絵素そのものの面積分しか輝度を得られないため、このようになる。
単色・補色輝度を改善するため、ＲＢ：ＧＹを１．５：１にすると（例えば、図２１）、透過率はＲＧＢ３色のときよりむしろ低下した。しかも、副画素電極の径（副画素電極の短辺の長さ）が大幅に異なるため（ＲＢ：４５μｍ、ＧＹ：３１μｍ）、色によって応答速度や視覚特性が変化する課題が残る。
【００４７】
実施形態１−１
実施形態１−１のように、副画素電極の面積を全色略同等とし、面積率が低い副画素の副画素電極をおかない領域に矩形状のＢＭを配置し、隣接副画素のＴＦＴを配置したところ、ＲＧＢのときと同等以上の透過率が確保できた。さらにＹを追加して入れることにより、色再現範囲は５％拡大された。以上のように色再現範囲と透過率との両方を向上させることができる。副画素電極の径は全色同等であるため、応答速度・視角特性の色による差はみられない。
【００４８】
実施形態１−２
実施形態１−２のように、副画素電極を置かない領域のＢＭの下に隣接副画素のＴＦＴ及び自副画素のコンタクトホールとＣＳ容量を配置したところ、ＲＧＢのときよりも透過率を１０％以上向上させることができ、さらにＹを追加して入れることにより、色再現範囲は５％拡大された。以上のように色再現範囲と透過率の両方を向上させることができる。副画素電極の径は全色同等であるため、応答速度・視角特性の色による差はみられない。
【００４９】
図６は、実施形態１−１の液晶表示パネルの変形例（実施形態１−３）を示す平面模式図である。図７は、実施形態１−１の液晶表示パネルの変形例（実施形態１−４）を示す平面模式図である。図６及び図７では、画素内の副画素電極だけを概略的に示している。実施形態１−３及び実施形態１−４では、表示パネルは、一つの画素を縦線である一点鎖線で均等に２つに分けたときに、該矩形領域のそれぞれが２つの副画素を含むように構成されるものであり、該副画素は、矩形領域の短辺と平行な辺の長さａが略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺の長さｂ１、ｂ２が少なくとも１つの副画素で異なるものであるが、各副画素電極の大きさが異なるものとなっている。このような実施形態１−３及び１−４においては、応答速度・視角特性の色による差がみられる点で実施形態１−１及び実施形態１−２よりもやや劣るものである。
【００５０】
実施形態２
図８は、実施形態２−１の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図９は、図８においてブラックマトリックスを省略した図である。実施形態２は、ＣＰＡモードの液晶表示パネルにおいて副画素を田の字状に配置した形態に係るものである。
走査線１２１及び信号線１２３は、ガラス基板の主面上に格子状に配置され、Ｃｓ配線１１９は、隣接する走査線１２１の間に走査線１２１と平行に配置される。
走査線１２１及び信号線１２３で区画された複数の画素領域には、赤（Ｒ）の画素領域に３つの副画素電極１１１Ｒ、緑（Ｇ）の画素領域に２つの副画素電極１１１Ｇ、青（Ｂ）の画素領域に３つの副画素電極１１１Ｂ、黄（Ｙ）の画素領域に２つの副画素電極１１１Ｙが配置されている。これらの４つの画素領域から単位画素１２７が構成されている。なお、それぞれの副画素電極は、どの色も面積が略同一である。各単位画素１２７は、複数色を表示する副画素電極を含む矩形領域に分けられ、この副画素電極で構成される。副画素電極の数は、色によって変える。その結果、色毎に有効開口部の面積が異なる。ここで、色の視感度（明度）及び／又は色純度（彩度）の違いにより、求めるパネルの特性に応じて、適宜面積の違いを設定するとよい。通常視感度の比較的高い色と比較的低い色で面積を変え、視感度の比較的高い色の面積を小さくし、比較的低い色の面積を大きくする。具体的には、単位画素１２７は、図８に示した単位画素１２７を横方向に等分割する一点鎖線を境にして、赤（Ｒ）の画素領域と緑（Ｇ）の画素領域とからなる矩形領域と、青（Ｂ）の画素領域と黄（Ｙ）の画素領域とからなる矩形領域とに分けたときに、図８における上側の矩形領域は２つの副画素（Ｒ及びＧ）を含むように構成され、下側の矩形領域は２つの副画素（Ｂ及びＹ）を含むように構成される。それぞれの副画素１１９Ｒ、１１９Ｇ、１１９Ｂ及び１１９Ｙは、矩形領域の短辺と平行な辺（図９における縦方向の辺）の長さａがそれぞれ略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺（図９における横方向の辺）の長さｂ１、ｂ２がＲ、ＢとＧ、Ｙとで異なる。
【００５１】
赤（Ｒ）の画素及び青（Ｂ）の画素では、３つの副画素電極が直角を形成するように並び、矩形領域の長辺と平行な方向には２つの副画素電極が並んで副画素が構成されるのに対し、緑（Ｇ）の画素及び黄（Ｙ）の画素では、２つの副画素電極が矩形領域の短辺と平行な方向に並び、矩形領域の長辺と平行な方向には１個分の副画素電極だけで副画素が構成されている。図９における赤（Ｒ）の画素及び青（Ｂ）の画素における矩形領域の長辺と平行な辺の長さｂ１は緑（Ｇ）の画素及び黄（Ｙ）の画素における矩形領域の長辺と平行な辺の長さｂ２の略２倍である。画素内の非透過部を考慮すると、本実施形態の実質的な開口面積比はＲＢ：ＧＹ＝１．５：１である。
【００５２】
対向基板は、ガラス基板の主面上に、画素領域毎に赤（Ｒ）のＣＦ層、緑（Ｇ）のＣＦ層、青（Ｂ）のＣＦ層、及び、黄（Ｙ）のＣＦ層が配置され、各ＣＦ層の間は、ブラックマトリックスと呼ばれる遮光部（ＢＭ）で仕切られている。また、図８及び図９における副画素電極を置かない矩形状の領域（上下の矩形領域における中央下側）にもＢＭが配置されている。そして、図９に示されるように、これらのＢＭ下に自副画素（Ｇ又はＹ）のＴＦＴ１２５Ｇ、１２５Ｙが配置されるだけでなく、隣接副画素（Ｂ又はＹの右側のＲ）のＴＦＴ１２５Ｂ、１２５Ｒも配置する。また、フォトスペーサ１２８も配置されている。
【００５３】
実施形態２−１では、ＢＭ下に、自画素のＴＦＴだけでなく、隣接画素のＴＦＴも配置した形態である。
【００５４】
図１０は、実施形態２−２の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図１１は、図１０においてブラックマトリックスを省略した図である。実施形態２−２は、実施形態２−１に追加して、上記ＢＭ下に、自副画素及び他副画素のコンタクトホール、ＣＳ（補助）容量を配置した形態である。
【００５５】
実施形態２−１、実施形態２−２のその他の構成（全体構成）は、それぞれ実施形態１−１、実施形態１−２のその他の構成（全体構成）に準じる。
【００５６】
１画素を１８０μｍとして概算した結果で実施形態２の効果を示す。
従来技術では、ＲＧＢパネルをＲＧＢＹ化（４色化）する際、特に高精細なパネルでは図２２のような正方絵素（正方副画素）にするのが開口率確保の観点で効果的である。単純に４色化すると、ＣＦ透過率は向上するものの４色化による開口率低下のため、透過率向上率は２６％であるが、単色・補色の輝度低下が課題となる（単色の輝度低下率：約１０％（ＲＧＢ比）、ただし白輝度が向上しているため、実際にはもっと低下しているように視認される。）。
単色・補色輝度を改善するため、ＲＢ：ＧＹを１．５：１にすると（例えば、図２３）、透過率は１０％アップにとどまる。しかも、副画素電極の径（副画素電極の短辺の長さ）が大幅に異なるため（ＲＢ：４３μｍ、ＧＹ：３３μｍ）、色によって応答速度や視覚特性が変化する課題が残る。
【００５７】
実施形態２−１
実施形態２−１のように、副画素電極の面積を全色略同等とし、副画素電極をおかない領域に矩形状のＢＭを配置し、隣接副画素のＴＦＴを配置したところ、透過率は５％向上した。さらにＹを追加して入れることにより、色再現範囲は５％拡大された。以上のように色再現範囲と透過率の両方を向上させることができる。副画素電極の径は全色同等であるため、応答速度・視角特性の色による差はみられない。
【００５８】
実施形態２−２
実施形態２−２のように、副画素電極を置かない領域のＢＭの下に隣接副画素のＴＦＴ及び自副画素と他副画素のコンタクトホールとＣＳ容量を配置したところ、ＲＧＢのときよりも透過率を２４％以上向上させることができ、さらにＹを追加して入れることにより、色再現範囲は５％拡大された。以上のように色再現範囲と透過率の両方を向上させることができる。副画素電極の径は全色同等であるため、応答速度・視角特性の色による差はみられない。
【００５９】
実施形態３
実施形態３は、ＭＶＡモードの液晶表示パネルにおいて副画素をストライプ状に配置した形態に係るものである。
【００６０】
図１２は、実施形態３の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図１３は、図１２において副画素の副画素電極及び対向電極に設けられた配向規制手段だけを示した図である。図１４は、図１２において副画素の副画素電極及び信号線だけを示した図である。
【００６１】
走査線２２１及び信号線２２３は、ガラス基板の主面上に格子状に配置される。
走査線２２１及び信号線２２３が配置された複数の画素領域には、赤（Ｒ）の画素領域に副画素電極２３１Ｒ、緑（Ｇ）の画素領域に副画素電極２３１Ｇ、青（Ｂ）の画素領域に副画素電極２３１Ｂ、黄（Ｙ）の画素領域に２つの副画素電極２３１Ｙが配置されている。これらの４つの画素領域から単位画素２２７が構成されている。各単位画素２２７は、複数色を表示する副画素電極を含む矩形領域に分けられ、この副画素電極で構成される。副画素電極の面積は、色によって変える。その結果、色毎に有効開口部の面積が異なる。ここで、色の視感度（明度）及び／又は色純度（彩度）の違いにより、求めるパネルの特性に応じて、適宜面積の違いを設定するとよい。通常視感度の比較的高い色と比較的低い色で面積を変え、視感度の比較的高い色の面積を小さくし、比較的低い色の面積を大きくする。具体的には、単位画素２２７は、図１２に示した単位画素２２７を横方向に等分割する一点鎖線を境にして、黄（Ｙ）の画素領域と赤（Ｒ）の画素領域とからなる矩形領域と、緑（Ｇ）の画素領域と青（Ｂ）の画素領域とからなる矩形領域とに分けたときに、図１２における左側の矩形領域は２つの副画素（Ｙ及びＲ）を含むように構成され、右側の矩形領域は２つの副画素（Ｇ及びＢ）を含むように構成される。それぞれの副画素Ｙ、Ｒ、Ｇ及びＢは、矩形領域の短辺と平行な辺ａ１（図１３における横方向の辺）の長さがそれぞれ略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺ｃ１、ｃ２（図１３における縦方向の辺）の長さがＹ、ＧとＲ、Ｂとで異なる。
【００６２】
図１２における赤（Ｒ）の画素及び青（Ｂ）の画素における副画素の縦方向の長さは緑（Ｇ）の画素及び黄（Ｙ）の画素における副画素の縦方向の長さの略１．３倍である。
画素内の非透過部を考慮すると、本実施形態の実質的な開口面積比はＲＢ：ＧＹ＝１．５：１である。
【００６３】
また、実施形態３では、表示パネルは、複数の副画素ＲＧＢＹが矩形状（略長方形）又は略楕円形であり、矩形状の長辺が略同一方向に並んで、かつ該長辺を挟んで副画素ＲＧＢＹが隣接するように並んで画素が構成されたものであり、該副画素ＲＧＢＹは、矩形状の短辺の長さａ１が略同一であり、矩形状の長辺の長さｃ１、ｃ２がＲ、ＢとＧ、Ｙとで異なるものでもある。
【００６４】
対向基板は、ガラス基板の主面上に、画素領域毎に赤（Ｒ）のＣＦ層、緑（Ｇ）のＣＦ層、青（Ｂ）のＣＦ層、及び、黄（Ｙ）のＣＦ層が配置され、各ＣＦ層の間は、ブラックマトリックスと呼ばれる遮光部（ＢＭ）で仕切られている。また、図１及び図２における副画素が小さい方の副画素の上下側の、副画素電極を置かない領域にもＢＭが配置されている。そして、図１２に示されるように、これらのＢＭ下に自副画素（Ｇ又はＹ）のＴＦＴ２２５Ｇ、２２５Ｙが配置されるだけでなく、隣接副画素（Ｂ又はＲ）のＴＦＴ２２５Ｂ、２２５Ｒも配置することができる。また、フォトスペーサ２２８も配置されている。
【００６５】
また、対向基板には、配向規制手段であるリブ２３３Ｙ、２３３Ｒ、２３３Ｇ、２３３Ｂが設けられている。
表示パネルは、複数の副画素ＹＲＧＢがリブ２３３Ｙ、２３３Ｒ、２３３Ｇ、２３３Ｂをそれぞれ有する副画素電極２３１Ｙ、２３１Ｒ、２３１Ｇ、２３１Ｂによって構成され、表示パネルにおける画素を平面視した場合に、リブ２３３Ｙ、２３３Ｒ、２３３Ｇ、２３３Ｂと副画素電極２３１Ｙ、２３１Ｒ、２３１Ｇ、２３１Ｂのエッジとの距離ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４及びリブ２３３Ｙ、２３３Ｇと副画素電極２３１Ｙ、２３１Ｇのエッジとの距離ｅ１、ｅ３及び、リブ２３３Ｒ、リブ２３３Ｂとスリット２３５Ｒ、２３５Ｂとの距離ｅ２、ｅ４は、全て略同一である。
【００６６】
実施形態３のように、副画素電極を置かない領域のＢＭの下に、自副画素のＴＦＴ及び隣接副画素のＴＦＴを配置したところ、ＲＧＢのときよりも透過率を７％以上向上させることができ、さらにＹを追加して入れることにより、色再現範囲は５％拡大された。以上のように色再現範囲と透過率の両方を向上させることができる。副画素電極の径は全色同等であるため、応答速度・視角特性の色による差はみられない。
【００６７】
実施形態４
実施形態４は、ＭＶＡモードの液晶表示パネルにおいて副画素を田の字状に配置した形態に係るものである。
図１５は、実施形態４の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図１６は、図１５において副画素の副画素電極及び対向電極に設けられた配向規制手段だけを示した図である。図１７は、図１５において副画素の副画素電極及び信号線だけを示した図である。
【００６８】
走査線３２１及び信号線３２３は、ガラス基板の主面上に格子状に配置される。
走査線３２１及び信号線３２３が配置された複数の画素領域には、赤（Ｒ）の画素領域に副画素電極３３１Ｒ、緑（Ｇ）の画素領域に副画素電極３３１Ｇ、青（Ｂ）の画素領域に副画素電極３３１Ｂ、黄（Ｙ）の画素領域に副画素電極３３１Ｙが配置されている。これらの４つの画素領域から単位画素が構成されている。単位画素を含む領域３２７は、複数色を表示する副画素電極を含む矩形領域に分けられ、この副画素電極で構成される。副画素電極の面積は、色によって変える。その結果、色毎に有効開口部３３９Ｒ、３３９Ｇ、３３９Ｂ、３３９Ｙの面積が異なる。ここで、色の視感度（明度）及び／又は色純度（彩度）の違いにより、求めるパネルの特性に応じて、適宜面積の違いを設定するとよい。通常視感度の比較的高い色と比較的低い色で面積を変え、視感度の比較的高い色の面積を小さくし、比較的低い色の面積を大きくする。具体的には、単位画素３２７は、図１５に示した単位画素３２７を横方向に等分割する一点鎖線を境にして、緑（Ｇ）の画素領域と赤（Ｒ）の画素領域とからなる略矩形領域と、青（Ｂ）の画素領域と黄（Ｙ）の画素領域とからなる略矩形領域とに分けたときに、図１５における上側の略矩形領域は２つの副画素（Ｇ及びＲ）を含むように構成され、下側の略矩形領域は２つの副画素（Ｂ及びＹ）を含むように構成される。それぞれの副画素Ｇ、Ｒ、Ｂ及びＹは、略矩形領域の短辺と平行な辺（図１６における縦方向の辺）の長さａがそれぞれ略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺（図１６における横方向の辺）の長さｂ１、ｃ１がＹ、ＧとＲ、Ｂとで異なる。
【００６９】
図１６における赤（Ｒ）の画素及び青（Ｂ）の画素における副画素の横方向の長さｂ１は緑（Ｇ）の画素及び黄（Ｙ）の画素における副画素の横方向の長さｃ１の略２倍である。画素内の非透過部を考慮すると、本実施形態の実質的な開口面積比はＲＢ：ＧＹ＝１．５：１である。
また、実施形態４では、表示パネルは、複数の副画素ＲＧＢＹが多角形状である。
【００７０】
対向基板は、ガラス基板の主面上に、画素領域毎に赤（Ｒ）のＣＦ層、緑（Ｇ）のＣＦ層、青（Ｂ）のＣＦ層、及び、黄（Ｙ）のＣＦ層が配置され、各ＣＦ層の間は、ブラックマトリックスと呼ばれる遮光部（ＢＭ）で仕切られている。また、図１５における副画素電極を置かない領域にもＢＭが配置されている（太い実線で囲んだ部分３３９Ｇ、３３９Ｙが面積の小さい副画素のＢＭ開口部を表し、太い実線で囲んだ部分３３９Ｒ、３３９Ｂが面積の大きい副画素のＢＭ開口部を表す。）。そして、図１５に示されるように、これらのＢＭ下に副画素（Ｇ、Ｒ、Ｂ、Ｙ）のＴＦＴ３２５Ｇ、３２５Ｒ、３２５Ｂ、３２５Ｙを配置することができる。また、フォトスペーサ３２８も配置されている。
【００７１】
また、対向基板には、配向規制手段であるリブ３３３Ｙ、３３３Ｒ、３３３Ｇ、３３３Ｂが設けられている。
表示パネルは、複数の副画素ＹＲＧＢがリブ３３３Ｙ、３３３Ｒ、３３３Ｇ、３３３Ｂをそれぞれ有する副画素電極３３１Ｙ、３３１Ｒ、３３１Ｇ、３３１Ｂによって構成され、表示パネルにおける画素を平面視した場合に、リブ３３３Ｙ、３３３Ｒ、３３３Ｇ、３３３Ｂと副画素電極３３１Ｙ、３３１Ｒ、３３１Ｇ、３３１Ｂのエッジとの距離ｄ１、ｄ２、ｄ４、ｄ６及びリブ３３３Ｒ、３３３Ｂとスリット３３５Ｒ、３３５Ｂとの距離ｄ３、ｄ５は、全て略同一である。
【００７２】
実施形態４のように、副画素電極を置かない領域のＢＭの下に、自副画素のＴＦＴ及び隣接副画素のＴＦＴを配置したところ、ＲＧＢのときよりも透過率を２６％以上向上させることができ、さらにＹを追加して入れることにより、色再現範囲は５％拡大された。以上のように色再現範囲と透過率の両方を向上させることができる。副画素電極の径は全色同等であるため、応答速度・視角特性の色による差はみられない。
【００７３】
図１８は、実施形態３及び４の液晶表示パネルを示す断面模式図である。ここでは、実施形態３及び４のリブを参照番号３３で表し、実施形態３及び４のスリット（電極切欠き部）を参照番号３５で表す。
表示パネルにおける画素を平面視した場合に、リブ３３とスリット（切欠き部）３５との距離を略同一とすることにより、実質的にもリブとスリットとの距離を略同一とすることができる。
【００７４】
上述した実施形態における各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【００７５】
なお、本願は、２０１０年６月２８日に出願された日本国特許出願２０１０−１４６８２５号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。
【符号の説明】
【００７６】
１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１１Ｙ、１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、１１１Ｙ、２１１Ｒ、２１１Ｇ、２１１Ｂ、２１１Ｙ、３１１Ｒ、３１１Ｇ、３１１Ｂ、３１１Ｙ、２３１Ｒ、２３１Ｇ、２３１Ｂ、２３１Ｙ、３３１Ｒ、３３１Ｇ、３３１Ｂ、３３１Ｙ：副画素電極
１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ、１３Ｙ、１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂ、１１３Ｙ、２１３Ｒ、２１３Ｇ、２１３Ｂ、２１３Ｙ、３１３Ｒ、３１３Ｇ、３１３Ｂ、３１３Ｙ：配向規制手段
１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ、１５Ｙ：ＣＳ（補助）容量
１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ、１７Ｙ：コンタクトホール
１９、１１９：ＣＳ（補助容量）配線
２１、１２１、２２１：走査線
２３、１２３、２２３：信号線 
２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ、２５Ｙ、１２５Ｒ、１２５Ｇ、１２５Ｂ、１２５Ｙ、２２５Ｒ、２２５Ｇ、２２５Ｂ、２２５Ｙ：ＴＦＴ
２７、１２７、２２７、３２７：単位画素
２９ａ、２９ｂ：副画素
３３、２３３Ｙ、２３３Ｒ、２３３Ｇ、２３３Ｂ、３３３Ｙ、３３３Ｒ、３３３Ｇ、３３３Ｂ：リブ
３５、２３５Ｒ、２３５Ｂ、３３５Ｒ、３３５Ｂ：スリット
ＢＭ：ブラックマトリックス
【図１】
2012002073.tif 000003
【図２】
2012002073.tif 000004
【図３】
2012002073.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012002073.tif 000009
【図８】
2012002073.tif 000010
【図９】
2012002073.tif 000011
【図１０】
2012002073.tif 000012
【図１１】
2012002073.tif 000013
【図１２】
2012002073.tif 000014
【図１３】
2012002073.tif 000015
【図１４】
2012002073.tif 000016
【図１５】
2012002073.tif 000017
【図１６】
2012002073.tif 000018
【図１７】
2012002073.tif 000019
【図１８】
2012002073.tif 000020
【図１９】
2012002073.tif 000021
【図２０】
2012002073.tif 000022
【図２１】
2012002073.tif 000023
【図２２】
2012002073.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2012002073.tif 000026
【図２５】
2012002073.tif 000027
【図２６】
2012002073.tif 000028
【図２７】
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【図２８】
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【手続補正書】
【提出日】平成24年10月31日(2012.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の副画素によって１つの画素が構成される表示パネルであって、
該表示パネルは、１つの画素を含む領域を複数の矩形領域に分けたときに、該矩形領域の少なくとも１つが２つ以上の副画素を含むように構成されるものであり、
該副画素は、矩形領域の短辺と平行な辺の長さが略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なり、
該矩形領域の長辺と平行な辺の長さがより短い分だけ、副画素が配置されている領域以外の領域があり、該副画素が配置されている領域以外の領域に遮光領域が配置され、該遮光領域に、該矩形領域の長辺と平行な辺の長さがより長い副画素の薄膜トランジスタ及び／又はコンタクトホールが配置されている
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記表示パネルは、複数の副画素が矩形状であり、矩形状の長辺が同一方向に並んで画素が構成されたものであり、
該副画素は、矩形状の短辺の長さが略同一であり、矩形状の長辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記表示パネルは、複数の副画素が配向規制手段を有する副画素電極によって構成され、少なくとも１つの副画素が２つ以上の該副画素電極を含むものであり、
該表示パネルにおける画素を平面視した場合に、配向規制手段と副画素電極のエッジとの距離が同一画素内の２つ以上の副画素における副画素電極で略同一であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記表示パネルは、複数の副画素が２種以上の配向規制手段を有する副画素電極によって構成されるものであり、
該表示パネルにおける画素を平面視した場合に、１種の配向規制手段と他の１種の配向規制手段との距離が同一画素内の２つ以上の副画素における副画素電極で略同一であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記画素は、パネル主面を平面視したときに、表示領域内における、前記副画素が配置されている領域以外の領域に、矩形状の遮光領域を有する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項６】
前記遮光領域は、薄膜トランジスタが配置される
ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記遮光領域は、柱状スペーサが配置される
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記遮光領域は、副画素電極及び／又は補助容量配線が配置される
ことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項９】
前記表示パネルは、画素の行方向で、１つの画素に含まれる同一行方向の副画素数の自然数倍ごとに各色を示すための副画素電極の電位の極性を反転させる
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、補助容量配線と、該走査線及び該信号線のそれぞれと接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタと接続された副画素電極とを備え、
該一対の基板の他方は、対向電極を備え、
前記副画素電極は、一つの副画素に対応して配置され、
面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさ及び補助容量の大きさの少なくとも一つが面積の小さい副画素のそれらよりも大きい
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記表示パネルは、表示素子として液晶層を用いる液晶表示パネルである
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項１２】
複数の副画素によって１つの画素が構成される表示パネルであって、
該表示パネルは、１つの画素を含む領域を複数の矩形領域に分けたときに、該矩形領域の少なくとも１つが２つ以上の副画素を含むように構成されるものであり、
該副画素は、矩形領域の短辺と平行な辺の長さが略同一であり、矩形領域の長辺と平行な辺の長さが少なくとも１つの副画素で異なり、
該表示パネルは、複数の副画素が２種以上の配向規制手段を有する副画素電極によって構成されるものであり、
該表示パネルにおける画素を平面視した場合に、１種の配向規制手段と他の１種の配向規制手段との距離が同一画素内の２つ以上の副画素における副画素電極で略同一である
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置。
【国際調査報告】
2012002073.tif 000031
2012002073.tif 000032
2012002073.tif 000033
2012002073.tif 000034