(57)【要約】  下記一般式（Ｉ）で表されるナジイミド骨格を有するポリアミドイミドとする。それにより、耐熱性及び透明性に優れる、ナジイミド骨格を有する、新規なポリアミドイミドを提供する。2011121850.tif 000035（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基であり、Ｒ４は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
2011121850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表されるナジイミド骨格を有するポリアミドイミド。
【化１】
2011121850.tif 000029
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基であり、Ｒ４は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
【請求項２】
下記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体、
【化２】
2011121850.tif 000030
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基である。）
又は、下記一般式（III）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸と、
【化３】
2011121850.tif 000031
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
下記一般式（IV）で表されるジアミン化合物と、
Ｈ２Ｎ−Ｒ４−ＮＨ２    （IV）
（但し、式中Ｒ４は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
を反応させることを特徴とする請求項１記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
【請求項３】
前記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体が、下記（１）の工程を含む方法で得られることを特徴とする請求項２に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
（１）工程：下記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物と、
【化４】
2011121850.tif 000032
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
ギ酸エステルとを、
ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、を含む触媒系の存在下で反応させる。
【請求項４】
前記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物が、下記（ａ−１）及び（ａ−２）の工程を含む方法で得られることを特徴とする、請求項２又は３に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
（ａ−１）工程：下記一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、
【化５】
2011121850.tif 000033
下記一般式（VII）で表されるジアミン化合物とを反応させ、
Ｈ２Ｎ−Ｒ１−ＮＨ２    （VII）
（但し、式中Ｒ１は、脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
下記一般式（VIII）で表されるナジアミド酸化合物を得る。
【化６】
2011121850.tif 000034
（但し、式中Ｒ１は、脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
（ａ−２）工程：前記ナジアミド酸化合物を脱水閉環して、前記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物を得る。
【請求項５】
前記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物が、下記（ｂ−１）工程を含む方法で得られることを特徴とする、請求項２又は３に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
（ｂ−１）工程：前記一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、
下記一般式（IX）で表されるジイソシアネート化合物と、を反応させて、前記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物を得ることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
ＯＣＮ−Ｒ１−ＮＣＯ    （IX）
（但し、式中Ｒ１は、脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
【請求項６】
前記ルテニウム化合物が、分子内にカルボニル配位子とハロゲン配位子とを合わせ持つルテニウム錯体である請求項３〜５のいずれか一項に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
【請求項７】
前記ハロゲン化物塩が、四級アンモニウム塩である請求項３〜６のいずれか一項に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
【請求項８】
前記触媒系がさらに塩基性化合物を含む請求項３〜７のいずれか一項に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
【請求項９】
前記塩基性化合物が、三級アミンである請求項８に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
【請求項１０】
前記触媒系がさらにフェノール化合物を含む請求項３〜９のいずれか一項に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
【請求項１１】
前記触媒系がさらに有機ハロゲン化合物を含む請求項３〜１０のいずれか一項に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
【請求項１２】
前記一般式（III）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸が、前記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体を加水分解して得られることを特徴とする請求項２〜１１のいずれか一項に記載のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い耐熱性及び透明性を有するポリマーとして有用である、ナジイミド骨格を有するポリアミドイミドに関する。また、本発明はその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光電子機器等に利用される光学部材用樹脂には、電子基板等への実装プロセスや高温動作下での耐熱性や機械特性、又はその汎用性から、エポキシ樹脂が広く使用されてきた。しかし、近年、光電子機器分野でも高強度のレーザー光や青色光、近紫外光の利用が広がり、従来以上に透明性、耐熱性及び耐光性に優れた樹脂が求められている。【０００３】
一般にエポキシ樹脂は、可視光での透明性は高いが、紫外から近紫外域では十分な透明性が得られない。また、脂環族エポキシ樹脂と酸無水物からなる硬化物は、近紫外領域での透明性が比較的高いが、熱や光によって着色し易い等の問題がある。また、耐熱、耐紫外線着色性の向上が求められており、様々なエポキシ樹脂が検討されている（例えば、特許文献１〜４参照）。【０００４】
一方、ポリアミド、ポリアミドイミド等の耐熱性樹脂は、耐熱性、絶縁性、耐光性や機械的特性に優れており、また、種々の溶媒に可溶で作業性に優れることから、エレクトロニクス分野で半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜等として幅広く使用されている。その中でも、脂環族構造を持つポリアミドが、紫外領域での透明性に優れるため、光電子機器、各種ディスプレイ等の材料として検討され始めている（例えば、特許文献５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３０８６８３号公報
【特許文献２】特開２００６−１３１８６７号公報
【特許文献３】特開２００３−１７１４３９号公報
【特許文献４】特開２００４−７５８９４号公報
【特許文献５】特許第３０９１７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、近年の光電子機器、各種ディスプレイ等の技術的進歩に伴い、より一層の耐熱性、透明性等に優れた材料が求められている。【０００７】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものである。具体的には、耐熱性及び透明性に優れる、ナジイミド骨格を有するポリアミドイミド及びその製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
即ち、本発明は以下の通りである。【０００９】
本発明は、下記一般式（Ｉ）で表されるナジイミド骨格を有するポリアミドイミドに関する。
【化１】
2011121850.tif 000003
【００１０】
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基であり、Ｒ４は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
また本発明は、下記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体、
【化２】
2011121850.tif 000004
【００１１】
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基である。）
又は、下記一般式（III）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸と、
【化３】
2011121850.tif 000005
【００１２】
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
下記一般式（IV）で表されるジアミン化合物と、
Ｈ２Ｎ−Ｒ４−ＮＨ２    （IV）
（但し、式中Ｒ４は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
を反応させることを特徴とするナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。【００１３】
本発明は、上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体が、下記（１）工程を含む方法で得られることを特徴とするナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。【００１４】
（１）工程：下記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物と、
【化４】
2011121850.tif 000006
【００１５】
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
ギ酸エステルとを、
ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、を含む触媒系の存在下で反応させて上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体を得る。【００１６】
本発明は、上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物が、下記（ａ−１）及び（ａ−２）の工程を含むことを特徴とするナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。【００１７】
（ａ−１）工程：下記一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、
【化５】
2011121850.tif 000007
【００１８】
下記一般式（VII）で表されるジアミン化合物とを反応させ、
Ｈ２Ｎ−Ｒ１−ＮＨ２    （VII）
（但し、式中Ｒ１は、脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
下記一般式（VIII）で表されるナジアミド酸化合物を得る。
【化６】
2011121850.tif 000008
【００１９】
（但し、式中Ｒ１は、脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
（ａ−２）工程：上記ナジアミド酸化合物を脱水閉環して、上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物を得る。【００２０】
本発明は、上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物が、下記（ｂ−１）工程を含む方法で得られることを特徴とするナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。【００２１】
（ｂ−１）工程：上記一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、下記一般式（IX）で表されるジイソシアネート化合物と、を反応させて、上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物を得る。【００２２】
ＯＣＮ−Ｒ１−ＮＣＯ    （IX）
（但し、式中Ｒ１は、脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
本発明は、上記ルテニウム化合物が、分子内にカルボニル配位子とハロゲン配位子とを合わせ持つルテニウム錯体であるナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。【００２３】
本発明は、上記ハロゲン化物塩が、四級アンモニウム塩であるナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。【００２４】
本発明は、上記触媒系がさらに塩基性化合物を含むナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。【００２５】
本発明は、上記塩基性化合物が、三級アミンであるナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。【００２６】
本発明は、上記触媒系がさらにフェノール化合物を含むナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。【００２７】
本発明は、上記触媒系がさらに有機ハロゲン化合物を含むナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。【００２８】
本発明は、上記一般式（III）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸が、上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体を加水分解して得られることを特徴とするナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。
【発明の効果】
【００２９】
本発明により得られるナジイミド骨格を有するポリアミドイミドは、耐熱性及び透明性に優れるため、半導体・液晶に用いられる電子部品、光ファイバー、光学レンズ等に代表される光学材料、さらには、ディスプレイ関連材料、医療用材料として使用することができる。また、本発明の製造方法により、ナジイミド骨格を有するポリアミドイミドを簡便に製造することができる。【００３０】
本願の開示は、２０１０年３月２９日に出願された特願２０１０−７４５３６号に記載の主題と関連しており、それらの開示内容は引用によりここに援用される。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明についてより詳細に説明する。
【００３２】
＜１＞本発明のナジイミド骨格を有するポリアミドイミド
本発明の一実施形態は、下記一般式（Ｉ）で表されるナジイミド骨格を有するポリアミドイミドに関する。
【化７】
2011121850.tif 000009
【００３３】
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基であり、Ｒ４は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
なお、上記式中のＲ１は、後述の一般式（II）、（III）、（V）、（VII）、（VIII）、（IX）で表される化合物の中のＲ１と同じである。上記式中のＲ４は、後述の一般式（IV）で表されるジアミン化合物の中のＲ４と同じである。詳細については、下記＜２＞において説明する。
【００３４】
また、上記式中、ｎは２〜８００である。
【００３５】
本発明のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドは、数平均分子量を２，０００〜２５０，０００とすることが好ましく、３，０００〜２２０，０００とすることがより好ましい。数平均分子量が、２，０００未満では、耐熱性等が低下する傾向があり、２５０，０００を超えると、溶媒への溶解性が低下する傾向がある。
【００３６】
ナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの数平均分子量を上記範囲とするには、本願の製造方法により製造すればよい。
【００３７】
なお、数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（以降、ＧＰＣと略記する）を用いて、下記条件で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて算出する。
【００３８】
装置：（株）日立製作所製、Ｌ６０００型
カラム：昭和電工（株）製、Ｓｈｏｄｅｘ  ＫＤ−８０６Ｍ×１本
溶離液：Ｎ−メチル−２−ピロリドン  １．０ｍｌ／ｍｉｎ
検出器：ＵＶ（２８０ｎｍ）
＜２＞本発明のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法
本発明の一実施形態は、下記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体、
【化８】
2011121850.tif 000010
【００３９】
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基である。）
又は、下記一般式（III）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸と、
【化９】
2011121850.tif 000011
【００４０】
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
下記一般式（IV）で表されるジアミン化合物と、
Ｈ２Ｎ−Ｒ４−ＮＨ２    （IV）
（但し、式中Ｒ４は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
を反応させることを特徴とするナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法に関する。
【００４１】
（一般式（IV）で表されるジアミン化合物）
本発明における一般式（IV）で表されるジアミン化合物は、上記一般式（IV）中のＲ４が脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基であるものが挙げられ、特に制限は無いが、具体的に例えば、１,２−ジアミノエタン、１,３−ジアミノプロパン、１,４−ジアミノブタン、１,５−ジアミノペンタン、１,６−ジアミノヘキサン、１,７−ジアミノヘプタン、１,８−ジアミノオクタン、１,９−ジアミノノナン、１,１０−ジアミノデカン、１,１１−ジアミノウンデカン、１,１２−ジアミノドデカン、３,９−ビス（３−アミノプロピル）−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ〔５,５〕ウンデカン、メチルペンタメチレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン化合物；
１,２−ジアミノシクロヘキサン、メチレンジアミノシクロヘキサミン、ノルボルナンジアミン等の脂環族ジアミン化合物；
２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、２,２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、２,２−ビス〔３,５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、２,２−ビス〔３,５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロ−２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロ−２,２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕シクロヘキサン、１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕シクロペンタン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、４,４'−カルボニルビス（ｐ−フェニレンオキシ）ジアニリン、４,４'−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｍ−ベンジルアミン、α−（３−アミノフェニル）メチルアミン、α−（３−アミノフェニル）エチルアミン、α−（３−アミノフェニル）プロピルアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ジアミン化合物；
ジアミノシロキサン；
主鎖がエチレンオキサイド；
プロピレンオキサイド；
エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの共重合体であるジアミン化合物；
主鎖がゴムであるジアミン化合物；
下記一般式（X）で表されるポリオキシアルキレンジアミン類；等が挙げられ、これらは、単独あるいは２種以上を混合して使用することもできる。
【化１０】
2011121850.tif 000012
【００４２】
（但し、式中ａは０〜２０、ｂは０〜７０、ｃは１〜９０である）
ポリオキシアルキレンジアミン類として具体的には特に制限は無いが、例えば、三井化学ファイン（株）製の商品名：ジェファーミン  Ｄ−２３０（ａ＝０、ｂ＝０、ｃ＝２〜３）、Ｄ−４００（ａ＝０、ｂ＝０、ｃ＝５〜６）、Ｄ−２０００（ａ＝０，ｂ＝０，ｃ＝約３３）、Ｄ−４０００等のジェファーミンＤシリーズ；ジェファーミンＥＤ−６００（ｂ＝９．０、ａ＋ｃ＝３．６）、ＥＤ−９００（ｂ＝１２．０、ａ＋ｃ＝３．６）、ＥＤ−２００３（ｂ＝３８．７、ａ＋ｃ＝６．０）等のジェファーミンＥＤシリーズ；等を使用することができ、これらは、単独あるいは２種以上を混合して使用することもできる。
【００４３】
（一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体）
上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体は、下記の（１）の工程を含む方法で得られたものが好ましい。
【００４４】
（１）工程：下記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物と、
【化１１】
2011121850.tif 000013
【００４５】
（但し、式中Ｒ１は脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
ギ酸エステルとを、
ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、を含む触媒系の存在下で反応させる。
【００４６】
上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物と反応させて、上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体とする際の原料として使用可能なギ酸エステルとしては、特に制限は無く、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソプロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸アミル、ギ酸イソアミル、ギ酸アリル、ギ酸ビニル、ギ酸ベンジル等から適宜選択して使用することができる。コスト及び反応性の観点から、ギ酸メチル、ギ酸エチル等の直鎖状のアルキルギ酸エステルが好ましく、ギ酸メチルがより好適である。
【００４７】
なお、ギ酸エステルのエステル部分は、上記一般式（II）中のＲ２及びＲ３に対応する。
【００４８】
上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物とギ酸エステルとの反応の触媒系は、ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、を含む。
【００４９】
なお、ここで「触媒系」とは、触媒そのものだけでなく、触媒の作用を助ける添加剤、増感剤等も含むものである。
【００５０】
上記ルテニウム化合物は、ルテニウムを含むものであればよく、特に制限はない。好適なルテニウム化合物の具体例として、［Ｒｕ（ＣＯ）３Ｃｌ２］２、［Ｒｕ（ＣＯ）２Ｃｌ２］ｎ、［Ｒｕ（ＣＯ）３Ｃｌ３］−、［Ｒｕ３（ＣＯ）１１Ｃｌ］−、［Ｒｕ４（ＣＯ）１３Ｃｌ］−等の、分子内にカルボニル配位子とハロゲン配位子とを合わせ持つルテニウム化合物等が挙げられ、なかでも、反応率向上の観点から、［Ｒｕ（ＣＯ）３Ｃｌ２］２、［Ｒｕ（ＣＯ）２Ｃｌ２］ｎ等がより好ましい。
【００５１】
上記ルテニウム化合物は、ＲｕＣｌ３、Ｒｕ３（ＣＯ）１２、ＲｕＣｌ２（Ｃ８Ｈ１２）、Ｒｕ（ＣＯ）３（Ｃ８Ｈ８）、Ｒｕ（ＣＯ）３（Ｃ８Ｈ１２）、及びＲｕ（Ｃ８Ｈ１０）（Ｃ８Ｈ１２）等を前駆体化合物として使用し、上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物を得る反応前又は反応中に、上記ルテニウム化合物を上記前駆体化合物から調製して、反応系に導入してもよい。
【００５２】
上記ルテニウム化合物の使用量は、原料である一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物に対して、好ましくは１／１００００〜１当量、より好ましくは１／１０００〜１／５０当量である。製造コストを考えるとルテニウム化合物の使用量はより少ないほうが好ましいが、１／１００００当量未満の場合は反応が極端に遅くなる傾向にある。
【００５３】
上記コバルト化合物は、コバルトを含むものであればよく、特に制限はない。好適なコバルト化合物の具体例として、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｃｏ（ＣＯ）４、Ｃｏ４（ＣＯ）１２等カルボニル配位子を持つコバルト化合物；酢酸コバルト、プロピオン酸コバルト、安息香酸コバルト、クエン酸コバルト等のカルボン酸化合物を配位子に持つコバルト化合物；
リン酸コバルト等が挙げられる。なかでも、反応率向上の観点から、Ｃｏ２（ＣＯ）８、酢酸コバルト、クエン酸コバルト等がより好ましい。
【００５４】
上記コバルト化合物の使用量は、上記ルテニウム化合物に対して１／１００〜１０当量、好ましくは１／１０〜５当量である。上記ルテニウム化合物に対する上記コバルト化合物の比率が１／１００より低くても、また１０より高くても、上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体（以下、「エステル化合物」ともいう）の生成量は著しく低下する傾向にある。
【００５５】
上記ハロゲン化物塩は、塩化物イオン、臭化物イオン及びヨウ化物イオン等のハロゲンイオンと、カチオンと、から構成される化合物であればよく、特に限定されない。上記カチオンは、無機物イオン及び有機物イオンのいずれであってもよい。また、上記ハロゲン化物塩は、分子内に１以上のハロゲンイオンを含んでもよい。
【００５６】
ハロゲン化物塩を構成する無機物イオンは、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選択される１種の金属イオンであってもよい。具体例として、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム等のイオンが挙げられる。
【００５７】
また、有機物イオンは、有機化合物から誘導される１価以上の有機基であってよい。一例として、アンモニウム、ホスホニウム、ピロリジニウム、ピリジウム、イミダゾリウム、及びイミニウム等のイオンが挙げられ、これらイオンの水素原子はアルキル基及びアリール基等の炭化水素基によって置換されていてもよい。特に限定するものではないが、好適な有機物イオンの具体例として、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘプチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、トリオクチルメチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ベンジルトリブチルアンモニウム、テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラフェニルホスホニウム、ベンジルトリフェニルホスホニウム、ブチルメチルピロリジニウム、オクチルメチルピロリジニウム、ビス（トリフェニルホスフィン）イミニウム等のイオンが挙げられる。なかでも、反応率向上の観点から、ブチルメチルピロリジニウムクロリド、ビス（トリフェニルホスフィン）イミニウムアイオダイト、リオクチルメチルアンモニウムクロリド等の四級アンモニウム塩のイオンがより好ましい。
【００５８】
本発明で使用するハロゲン化物塩は、固体の塩である必要はなく、室温付近又は１００℃以下の温度領域で液体となる、ハロゲン化物イオンを含むイオン性液体を用いてもよい。このようなイオン性液体に用いられるカチオンの具体例として、１−エチル３−メチルイミダゾリウム、１−プロピル−３−メチルイミダゾリウム、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−ペンチル−３−メチルイミダゾリウム、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、１−ヘプチル−３−メチルイミダゾリウム、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウム、１−デシル−３−メチルイミダゾリウム、１−ドデシル−３−メチルイミダゾリウム、１−テトラデシル−３−メチルイミダゾリウム、１−ヘキサデシル−３−メチルイミダゾリウム、１−オクタデシル−３−メチルイミダゾリウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、１−エチルピリジニウム、１−ブチルピジリニウム、１−ヘキシルピリジニウム、８−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、８−エチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、８−プロピル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、８−ブチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、８−ペンチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、８−ヘキシル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、８−ヘプチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、８−オクチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等の有機物イオンが挙げられる。
【００５９】
本発明では、上述のハロゲン化物塩を単独で用いても、複数組み合わせて用いてもよい。
【００６０】
上述のハロゲン化物塩のうち、好適なハロゲン化物塩は、塩化物塩、臭化物塩、ヨウ化物塩であり、カチオンが有機物イオンである。特に限定するものではないが、本発明において好適なハロゲン化物塩の具体例として、ブチルメチルピロリジニウムクロリド、ビス（トリフェニルホスフィン）イミニウムアイオダイト、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド等が挙げられる。
【００６１】
ハロゲン化物塩の添加量は、例えば、ルテニウム化合物に対して１〜１０００当量、好ましくは２〜５０当量である。１当量を超える添加量とすることによって、反応速度を効果的に高めることができる。一方、添加量が１０００当量を超えると、添加量をさらに増加したとしても、反応促進のさらなる向上効果は得られない傾向がある。
【００６２】
本発明における一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物とギ酸エステルとの反応は、上記のルテニウム化合物とコバルト化合物とハロゲン化物塩とを含む触媒系に、必要に応じて、塩基性化合物、フェノール化合物及び有機ハロゲン化合物のいずれか１種又は２種以上を追加することによって、上記触媒系による反応促進の効果をより高めることが可能である。
【００６３】
本発明で使用する塩基性化合物としては、無機化合物であっても、有機化合物であってもよい。塩基性の無機化合物の具体例として、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物塩、アルコキシド等が挙げられる。塩基性の有機化合物の具体例として、一級アミン化合物、二級アミン化合物、三級アミン化合物、ピリジン化合物、イミダゾール化合物、キノリン化合物等が挙げられる。
【００６４】
上述の塩基性化合物のなかでも、反応促進効果の観点から、三級アミン化合物が好適である。本発明に使用可能である好適な三級アミン化合物の具体例として、トリアルキルアミン、N−アルキルピロリジン、キヌクリジン及びトリエチレンジアミン等が挙げられる。
【００６５】
塩基性化合物の添加量は、特に限定されるものではないが、例えば、ルテニウム化合物に対して１〜１０００当量、好ましくは、２〜２００当量である。添加量を１当量以上とすることによって、促進効果の発現がより顕著になる傾向がある。また、添加量が１０００当量を超えると、添加量をさらに増加したとしても、反応促進のさらなる向上効果は得られない傾向がある。
【００６６】
本発明で使用するフェノール化合物としては、特に限定されない。使用可能なフェノール化合物の具体例として、フェノール、クレゾール、アルキルフェノール、メトキシフェノール、フェノキシフェノール、クロルフェノール、トリフルオロメチルフェノール、ヒドロキノン及びカテコール等が挙げられる。
【００６７】
フェノール化合物の添加量は、特に限定されるものではないが、例えば、ルテニウム化合物に対して１〜１０００当量、好ましくは、２〜２００当量である。添加量を１当量以上とすることによって、促進効果の発現がより顕著になる傾向がある。また、添加量が１０００当量を超えると、添加量をさらに増加したとしても、反応促進のさらなる向上効果は得られない傾向がある。
【００６８】
本発明で使用する有機ハロゲン化合物としては、特に限定されない、使用可能な有機ハロゲン化合物の具体例として、ハロゲン化メチル、ジハロゲンメタン、ジハロゲンエタン、トリハロゲンメタン、テトラハロゲン炭素、ハロゲン化ベンゼン等が挙げられる。
【００６９】
有機ハロゲン化合物の添加量は、特に限定されるものではないが、例えば、ルテニウム化合物に対して１〜１０００当量、好ましくは、２〜２００当量である。添加量を１当量以上とすることによって、促進効果の発現がより顕著になる傾向がある。また、添加量が１０００当量を超えると、添加量をさらに増加したとしても、反応促進のさらなる向上効果は得られない傾向がある。
【００７０】
本発明における一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物とギ酸エステルとの反応では、特に溶媒を用いることなく進行させることができる。
【００７１】
しかし、必要に応じて、溶媒を使用してもよい。使用可能な溶媒は、原料として使用する化合物、つまり一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物とギ酸エステル等を溶解できればよく、特に限定されない。
【００７２】
好適に使用できる溶媒の具体例として、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、エチルベンゼン、クメン、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルイミダゾリジノン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラリン等が挙げられる。
【００７３】
本発明における一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物とギ酸エステルとの反応は、８０℃〜２００℃の温度範囲で実施することが好ましい。上記反応は、１００℃〜１６０℃の温度範囲で実施することがより好ましい。８０℃よりも高い温度で反応を実施することによって、反応速度が速まり、反応を効率よく進めやすくなる。その一方で、反応温度を２００℃以下に制御することによって、原料として使用するギ酸エステルの分解を抑制することができる。ギ酸エステルが分解すると、一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物に対するエステル基の付加が達成されなくなるため、高すぎる反応温度は望ましくない。
【００７４】
反応温度が、原料として使用する一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物又はギ酸エステルのいずれかの沸点を超える場合には、耐圧容器内で反応を行う必要がある。反応の終結は、ガスクロマトグラフ、ＮＭＲ等周知の分析技術を用いて確認することができる。
【００７５】
上記方法により得られる一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体は、ポリアミドイミドの製造のために、反応液のまま用いることも可能であるが、好ましくは、減圧蒸留等により単離して用いる。
【００７６】
（一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物の合成）
上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物は、下記に示す（ａ）の合成方法又は（ｂ）の合成方法で得ることができる。
【００７７】
まず、（ａ）の合成方法について説明する。
【００７８】
上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物を得るための（ａ）の合成方法は、下記（ａ−１）及び（ａ−２）の工程を含む。
【００７９】
・（ａ−１）工程
（ａ−１）工程において、下記一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、
【化１２】
2011121850.tif 000014
【００８０】
下記一般式（VII）で表されるジアミン化合物とを反応させ、
Ｈ２Ｎ−Ｒ１−ＮＨ２    （VII）
（但し、式中Ｒ１は、脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
下記一般式（VIII）で表されるナジアミド酸化合物を得る。
【化１３】
2011121850.tif 000015
【００８１】
（但し、式中Ｒ１は、脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
上記一般式（VII）で表されるジアミン化合物は、式中のＲ１が脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基であれば特に制限は無く、具体的に例えば、１,２−ジアミノエタン、１,３−ジアミノプロパン、１,４−ジアミノブタン、１,５−ジアミノペンタン、１,６−ジアミノヘキサン、１,７−ジアミノヘプタン、１,８−ジアミノオクタン、１,９−ジアミノノナン、１,１０−ジアミノデカン、１,１１−ジアミノウンデカン、１,１２−ジアミノドデカン、３,９−ビス（３−アミノプロピル）−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ〔５,５〕ウンデカン、メチルペンタメチレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン化合物；
１,２−ジアミノシクロヘキサン、メチレンジアミノシクロヘキサミン、ノルボルナンジアミン等の脂環族ジアミン化合物；
２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、２,２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、２,２−ビス〔３,５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、２,２−ビス〔３,５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロ−２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロ−２,２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕シクロヘキサン、１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕シクロペンタン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、４,４'−カルボニルビス（ｐ−フェニレンオキシ）ジアニリン、４,４'−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｍ−ベンジルアミン、α−（３−アミノフェニル）メチルアミン、α−（３−アミノフェニル）エチルアミン、α−（３−アミノフェニル）プロピルアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ジアミン化合物；
ジアミノシロキサン；
主鎖がエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの共重合体であるジアミン化合物；
主鎖がゴムであるジアミン化合物；
下記一般式（X）で表されるポリオキシアルキレンジアミン類等が挙げられ、これらは、単独あるいは２種以上を混合して使用することもできる。
【化１４】
2011121850.tif 000016
【００８２】
（但し、式中ａは０〜２０、ｂは０〜７０、ｃは１〜９０である。）
ポリオキシアルキレンジアミン類として具体的には特に制限は無いが、例えば、三井化学ファイン（株）製の商品名：ジェファーミン  Ｄ−２３０（ａ＝０、ｂ＝０、ｃ＝２〜３）、Ｄ−４００（ａ＝０、ｂ＝０、ｃ＝５〜６）、Ｄ−２０００（ａ＝０，ｂ＝０，ｃ＝約３３）、Ｄ−４０００等のジェファーミンＤシリーズ；ジェファーミンＥＤ−６００（ｂ＝９．０、ａ＋ｃ＝３．６）、ＥＤ−９００（ｂ＝１２．０、ａ＋ｃ＝３．６）、ＥＤ−２００３（ｂ＝３８．７、ａ＋ｃ＝６．０）等のジェファーミンＥＤシリーズ；等を使用することができ、これらは、単独あるいは２種以上を混合して使用することもできる。
【００８３】
（ａ−１）工程における一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、一般式(VII)で表されるジアミン化合物との反応は、一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物の酸無水物基のモル数に対する、一般式(VII)で表されるジアミンのアミノ基のモル数を０．７〜１．５とすることが好ましく、０．８〜１．３とすることがより好ましく、０．９〜１．２とすることがさらに好ましく、０．９５〜１．０５とすることが特に好ましい。０．７未満あるいは１．５を超えると、得られる一般式（VIII）で表されるナジアミド酸化合物中の不純物が多くなり、その後の反応の妨げになる可能性がある。
【００８４】
反応温度は、０〜１５０℃とすることが好ましく、反応時間は、バッチの規模、採用される反応条件により、適宜選択できる。
【００８５】
（ａ−１）工程で得られたナジアミド酸化合物は、反応溶液のまま次の工程（ａ−２）に使用可能である。
【００８６】
・（ａ−２）工程
（ａ−２）工程において、上記ナジアミド酸化合物を脱水閉環して、上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物を得る。
【００８７】
上記一般式（VIII）で表されるナジアミド酸化合物を脱水閉環して、上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物とする反応には、特に制限は無く、例えば、無水酢酸又は五酸化リン等の脱水剤を用いる化学閉環法、溶媒存在下で加熱還流する熱閉環法等を用いることができるが、製造コストや得られるポリアミドイミド中の残存イオン性不純物濃度等を考慮すると、熱閉環法が好ましい。
【００８８】
上記熱閉環法は、５０〜２５０℃で実施することが好ましく、脱水閉環し易くするために、減圧反応とすることもできる。
【００８９】
上記一般式（VIII）で表されるナジアミド酸化合物を得る反応（ａ−１）工程と、ナジアミド酸化合物を脱水閉環して、一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物とする反応（ａ−２）工程は、段階的に行うことも連続的に行うこともできるが、コスト面を考慮すれば、連続で行うことが好ましい。
【００９０】
上記一般式（VIII）で表されるナジアミド酸化合物を得る反応（ａ−１）工程と、ナジアミド酸化合物を脱水閉環して、一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物とする反応（ａ−２）工程は、無溶媒でも実施可能だが、必要に応じて、溶媒を使用することもできる。
【００９１】
使用できる有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶媒；ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒；ブチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶媒；トルエン、キシレン、ｐ−シメン、１，２，３，４−テトラヒドロキシナフタレン等の芳香族系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン等が挙げられるが、溶解性、沸点、コスト面を考慮すれば、その後のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造で使用する極性溶媒を使用するのが好ましく、無溶媒で反応を行うのがさらに好ましい。
【００９２】
溶媒の好ましい使用量は、ナジアミド酸化合物の総量に対して、５０〜３００質量％である。
【００９３】
次に（ｂ）の合成方法について説明する。
【００９４】
上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物を得るための（ｂ）の合成方法は、（ｂ−１）工程を含む。
【００９５】
・（ｂ−１）
（ｂ−１）工程において、上記一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、下記一般式（IX）で表されるジイソシアネート化合物と、を反応して、上記一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物を得る。
【００９６】
ＯＣＮ−Ｒ１−ＮＣＯ    （IX）
（但し、式中Ｒ１は、脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基である。）
上記一般式（IX）で表されるジイソシアネート化合物は、上記式中のＲ１が脂肪族基、脂環族基及び芳香族基から選ばれる２価の有機基であれば特に制限はなく、具体的に例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、リジンジイソシアネート等の脂肪族イソシアネート；
イソホロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、シクロヘキシレンジイソシアネート等の脂環族イソシアネート；
４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−［２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン］ジイソシアネート、ビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、ビフェニル−３，３′−ジイソシアネート、ビフェニル−３，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジエチルビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−ジエチルビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジメトキシビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−ジメトキシビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、ナフタレン−２，６−ジイソシアネート、１，３−フェニレンジイソシアネート、４−クロロ−６−メチル−１，３−フェニレンジイソシアネート等の芳香族イソシアネート；等を使用することができ、これらは、単独あるいは２種以上を混合して使用することもできる。
【００９７】
（ｂ−１）工程における一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、一般式(IX)で表されるジイソシアネート化合物との反応は、一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物の酸無水物基の当量数に対する、一般式(IX)で表されるジイソシアネート化合物のイソシアネート基の当量数を１．０〜２．０とすることが好ましく、１．０〜１．７とすることがより好ましく、１．０〜１．５とすることがさらに好ましく、１．０〜１．３とすることが特に好ましい。１．０未満だと、未反応の５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物が残存し易くなる傾向が有る。２．０を超えると、ジイソシアネート化合物同士の副反応が起こり易くなる傾向があり、得られるポリアミドイミドの分子量を大きくすることが困難になり、機械特性、耐熱性等が低下する傾向がある。
【００９８】
（ｂ−１）工程の反応温度は、８０〜２００℃とすることが好ましく、９０〜１９０℃とすることがより好ましく、１００〜１８０℃とすることが特に好ましい。反応時間は、バッチの規模、採用される反応条件により、適宜選択できる。
【００９９】
（ｂ−１）工程における、一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、上記一般式（IX）で表されるジイソシアネート化合物との反応は、溶媒を使用することができる。使用可能な溶媒は、原料として使用する化合物（一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物及び一般式（IX）で表されるジイソシアネート化合物）を溶解できればよく、特に限定されない。
【０１００】
好適に使用できる溶媒の具体例として、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン等の含窒素系溶媒；
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒；
ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン等の含硫黄系溶媒；
γ−ブチロラクトン、酢酸セロソルブ等のエステル系溶媒；
シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；等が挙げられる。
【０１０１】
溶媒の使用量は、一般式（VI）で表される５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、上記一般式（IX）で表されるジイソシアネート化合物との総量１００質量部に対して、２０〜５００質量部とすることが好ましく、３０〜３００質量部にすることがより好ましく、５０〜２００質量部にすることが特に好ましい。使用量が２０質量部未満だと、原料が十分に溶解せず、反応速度が遅くなる傾向がある。一方、５００質量部を超えても、１バッチ当りのビスナジイミド化合物の収量が低下するだけで、特に利点は無い。
【０１０２】
（ナジイミド骨格を有するポリアミドイミドを得るための反応条件）
上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を持つジカルボン酸誘導体と、上記一般式（IV）で表されるジアミン化合物との使用量は、ナジイミド骨格を持つジカルボン酸誘導体のアルコキシ基のモル数に対するアミノ基のモル数を０．７〜２．０とすることが好ましく、０．８〜１．７とすることがより好ましく、０．９〜１．５とすることがさらに好ましく、０．９５〜１．３とすることが特に好ましい。０．７未満あるいは２．０を超えると、得られるナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの分子量を大きくすることが困難になり、機械特性、耐熱性等が低下する傾向がある。
【０１０３】
なお、本発明のナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの製造方法において、上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体に代えて、下記一般式（III）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸を原料として用いることも可能である。
【０１０４】
上記一般式（III）で現されるナジイミド骨格を持つジカルボン酸と、上記一般式（IV）で表されるジアミン化合物との使用量は、ナジイミド骨格を有するジカルボン酸のカルボキシル基のモル数に対するアミノ基のモル数を０．７〜２．０とすることが好ましく、０．８〜１．７とすることがより好ましく、０．９〜１．５とすることがさらに好ましく、０．９５〜１．３とすることが特に好ましい。モル数を上記範囲とする理由は、上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を持つジカルボン酸誘導体と、上記一般式（IV）で表されるジアミン化合物との使用量の場合と同様である。
【０１０５】
本発明における一般式（III）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸は、上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を持つジカルボン酸誘導体を加水分解して得ることができる。
【０１０６】
上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体を加水分解して一般式(III)で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸とする方法には、特に制限は無く、例えば、特許第２５９１４９２号又は特開２００８−３１４０６号公報等に記載されている酸加水分解、アルカリ加水分解等を使用することができる。あるいは、酸成分又はアルカリ成分を加えること無しに、耐熱容器内で水分存在下、１４０℃以上の高温で加熱することによっても加水分解することができる。
【０１０７】
上記方法による反応の終結は、ガスクロマトグラフ、液体クロマトグラフ、ＮＭＲ等周知の分析技術を用いて確認することができる。得られた一般式(III)で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸は、蒸留、再結晶、再沈等で単離してポリアミドイミドの原料として用いることができる。
【０１０８】
本発明における一般式（II）で表されるナジイミド骨格を持つジカルボン酸誘導体又は一般式（III）で表されるナジイミド骨格を持つジカルボン酸と、一般式（IV）で表されるジアミン化合物との反応条件は、特に制限が無く、特許第３０９１７８４号公報等で紹介されている方法を使用することができる。例えば、原料の融点以上の温度で加熱・溶融させ、液相均一系で重縮合反応を行う溶解重縮合法、室温ないし１００℃以下の温度で重縮合反応を行う低温重縮合法、原料及び得られるポリアミドイミドの融点の２０〜３０℃下付近温度で結晶状態のまま固相で加熱して重縮合反応を行う固相重縮合法、有機溶媒中、窒素気流下１００〜３００℃の温度で重縮合させる溶液重縮合法等の方法を使用できる。
【０１０９】
上記溶液重縮合法で使用する有機溶媒としては、原料として使用する化合物（上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を持つジカルボン酸誘導体又は一般式（III）で表されるナジイミド骨格を持つジカルボン酸、及び一般式（IV）で表されるジアミン化合物）を溶解できればよく、特に限定されない。好適に使用できる溶媒の具体例として、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン等の含窒素系溶媒；
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒；
ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン等の含硫黄系溶媒；
γ−ブチロラクトン、酢酸セロソルブ等のエステル系溶媒；
シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；等を使用することができる。
【０１１０】
なお、上記溶液重縮合法で使用する有機溶媒の使用量は、原料として使用する化合物（上記一般式（II）で表されるナジイミド骨格を持つジカルボン酸誘導体又は一般式（III）で表されるナジイミド骨格を持つジカルボン酸、及び一般式（IV）で表されるジアミン化合物）の総量１００質量部に対して、５０〜２００質量部とすることが好ましい。反応時間は、バッチの規模、採用される反応条件により適宜選択することができる。
【０１１１】
なお、上記方法により得られるナジイミド骨格を有するポリアミドイミドを含む反応液は、ポリマー溶液となっているので、常圧あるいは減圧環境下、加熱することにより、ポリアミドイミドを単離できる。
【０１１２】
ナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの数平均分子量を２，０００〜２５０，０００とするには、本願の製造方法により製造すればよい。
【実施例】
【０１１３】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。しかし、本発明の範囲は以下の実施例によって限定されるものではない。【０１１４】
＜一般式（V）で表されるビスナジイミド化合物の合成＞
（合成例１）〔ビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−１）の合成〕
【化１５】
2011121850.tif 000017
【０１１５】
Ｒ１＝（ＣＨ２）６
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた１リットルフラスコに、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物  ２２３．０４ｇ及びヘキサメチレンジアミン  ７８．８８ｇ（酸無水物／アミン（当量比）＝１．００／１．００）を仕込み、８０℃まで昇温して３０分間攪拌する。その後、１６０℃まで昇温し、減圧条件下（フラスコ内の圧力：約８．８×１０４Ｐａ）２時間攪拌し、ビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−１）  ２７６ｇを得た。得られたビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−１）を液体クロマトグラフィーで分析したところ、純度は１００％であった。また、ＮＤＩ−１のＦＴ−ＩＲスペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ−１付近にイミド基の特性吸収が確認された。【０１１６】
（合成例２）〔ビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−２）の合成〕
【化１６】
2011121850.tif 000018
【０１１７】
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた１リットルフラスコに、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物  １９６．８ｇ、ヘキサメチレンジイソシアネート  １００．８ｇ（酸無水物／イソシアネート（当量比）＝１．００／１．００）及びＮ−メチルピロリドン  ２９７．６ｇ仕込み、オイルバスで加熱した。１２０℃まで昇温した後、３時間反応させた後、減圧蒸留によって溶媒であるＮ−メチルピロリドンを除去し、ビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−２）  ２４０ｇを得た。得られたビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−２）を液体クロマトグラフィーで分析したところ、純度は１００％であった。また、ＮＤＩ−２のＦＴ−ＩＲスペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ−１付近にイミド基の特性吸収が確認された。【０１１８】
（合成例３）〔ビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−３）の合成〕
【化１７】
2011121850.tif 000019
【０１１９】
なお、Ｒ１は上記一般式（X）に対応するものであり、式（X）中のａ＝０、ｂ＝０、ｃ＝２．６である。【０１２０】
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた１リットルフラスコに、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物  １６４．００ｇ及びジェファーミン  Ｄ−２３０（三井化学ファイン（株）商品名、アミン価：８．３（Ｍｅｑ／ｇ）、分子量：２４１、アミン当量：１２０．４８）  １２０．４８ｇ（酸無水物／アミン（当量比）＝１．００／１．００）を仕込み、８０℃まで昇温して３０分間攪拌する。その後、１６０℃まで昇温し、減圧条件下（フラスコ内の圧力：約８．８×１０４Ｐａ）２時間攪拌し、ビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−３）  ２５０ｇを得た。得られたビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−３）を液体クロマトグラフィーで分析したところ、純度は１００％であった。また、ＮＤＩ−３のＦＴ−ＩＲスペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ−１付近にイミド基の特性吸収が確認された。【０１２１】
（合成例４）〔ビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−４）の合成〕
【化１８】
2011121850.tif 000020
【０１２２】
なお、Ｒ１は上記一般式（X）に対応するものであり、式（X）中のａ＝０、ｂ＝０、ｃ＝５．６である。【０１２３】
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた１リットルフラスコに、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物  １３１．８３ｇ及びジェファーミン  Ｄ−４００（三井化学ファイン（株）商品名、アミン価：４．６（Ｍｅｑ／ｇ）、分子量：４３５、アミン当量：２１７．３９）  １７３．９１ｇ（酸無水物／アミン（当量比）＝１．００／１．００）を仕込み、８０℃まで昇温して３０分間攪拌する。その後、１６０℃まで昇温し、減圧条件下（フラスコ内の圧力：約８．８×１０４Ｐａ）２時間攪拌し、ビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−４）  ２７５ｇを得た。得られたビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−４）を液体クロマトグラフィーで分析したところ、純度は１００％であった。また、ＮＤＩ−４のＦＴ−ＩＲスペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ−１付近にイミド基の特性吸収が確認された。【０１２４】
（合成例５）〔ビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−５）の合成〕
【化１９】
2011121850.tif 000021
【０１２５】
なお、Ｒ１は上記一般式（X）に対応するものであり、式（X）中のａ＝０、ｂ＝０、ｃ＝３３．１である。【０１２６】
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた１リットルフラスコに、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物  ４１．００ｇ及びジェファーミン  Ｄ−２０００（三井化学ファイン（株）商品名、アミン価：０．９８（Ｍｅｑ／ｇ）、分子量：２０４１、アミン当量：１０２０．４１）  ２５５．１０ｇ（酸無水物／アミン（当量比）＝１．００／１．００）を仕込み、８０℃まで昇温して３０分間攪拌する。その後、１６０℃まで昇温し、減圧条件下（フラスコ内の圧力：約８．８×１０４Ｐａ）２時間攪拌し、ビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−５）  ２８０ｇを得た。得られたビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−５）を液体クロマトグラフィーで分析したところ、純度は１００％であった。また、ＮＤＩ−５のＦＴ−ＩＲスペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ−１付近にイミド基の特性吸収が確認された。【０１２７】
＜一般式（II）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体の合成＞
（合成例６）〔ナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体（II−a）の合成〕
【化２０】
2011121850.tif 000022
【０１２８】
室温下、内容積５００ｍｌのステンレス製加圧反応装置内で、ルテニウム化合物として［Ｒｕ（ＣＯ）３Ｃｌ２］２を０．２５ｍｍｏｌ、コバルト化合物としてＣｏ２（ＣＯ）８を０．２５ｍｍｏｌ、ハロゲン化物塩としてトリオクチルメチルアンモニウムクロリド  ５ｍｍｏｌ、塩基性化合物としてトリエチルアミン  ２０ｍｍｏｌ、フェノール化合物としてｐ−クレゾール  ５ｍｍｏｌを混合した触媒系に、合成例１で得られたビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−１）を１００ｍｍｏｌ、ギ酸メチルを５０ｍＬ加えたのち、窒素ガス０．５ＭＰａで反応容器をパージし、１２０℃で８時間保持した。【０１２９】
その後反応装置を室温まで冷却し、放圧し、残存有機相の一部を抜き取り、ガスクロマトグラフを用いて分析した。分析結果によれば、反応によって生成したナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチルは９３．０ｍｍｏｌ（ナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル基準で収率９３．０％）であった。得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II−a）を減圧蒸留で単離した。【０１３０】
（合成例７）〔ナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体（II−b）の合成〕
【化２１】
2011121850.tif 000023
【０１３１】
室温下、内容積５００ｍｌのステンレス製加圧反応装置内で、ルテニウム化合物として［Ｒｕ（ＣＯ）３Ｃｌ２］２を０．２５ｍｍｏｌ、コバルト化合物としてＣｏ２（ＣＯ）８を０．２５ｍｍｏｌ、ハロゲン化物塩としてトリオクチルメチルアンモニウムクロリド  ５ｍｍｏｌ、塩基性化合物としてトリエチルアミン  ２０ｍｍｏｌ、フェノール化合物としてｐ−クレゾール  ５ｍｍｏｌを混合した触媒系に、合成例２で得られたビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−２）を１００ｍｍｏｌ、ギ酸メチルを５０ｍＬ加えたのち、窒素ガス０．５ＭＰａで反応容器をパージし、１２０℃で８時間保持した。【０１３２】
その後反応装置を室温まで冷却し、放圧し、残存有機相の一部を抜き取り、ガスクロマトグラフを用いて分析した。分析結果によれば、反応によって生成したナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチルは９２．８ｍｍｏｌ（ナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル基準で収率９２．８％）であった。得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II−b）を減圧蒸留で単離した。【０１３３】
（合成例８）〔ナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体（II−c）の合成〕
【化２２】
2011121850.tif 000024
【０１３４】
室温下、内容積５００ｍｌのステンレス製加圧反応装置内で、ルテニウム化合物として［Ｒｕ（ＣＯ）３Ｃｌ２］２を０．２５ｍｍｏｌ、コバルト化合物としてＣｏ２（ＣＯ）８を０．２５ｍｍｏｌ、ハロゲン化物塩としてトリオクチルメチルアンモニウムクロリド  ５ｍｍｏｌ、塩基性化合物としてトリエチルアミン  ２０ｍｍｏｌ、フェノール化合物としてｐ−クレゾール  ５ｍｍｏｌを混合した触媒系に、合成例３で得られたビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−３）を１００ｍｍｏｌ、ギ酸メチルを５０ｍＬ加えたのち、窒素ガス０．５ＭＰａで反応容器をパージし、１２０℃で８時間保持した。【０１３５】
その後反応装置を室温まで冷却し、放圧し、残存有機相の一部を抜き取り、ガスクロマトグラフを用いて分析した。分析結果によれば、反応によって生成したナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチルは９０．９ｍｍｏｌ（ナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル基準で収率９０．９％）であった。得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II−c）を減圧蒸留で単離した。【０１３６】
（合成例９）〔ナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体（II−d）の合成〕
【化２３】
2011121850.tif 000025
【０１３７】
室温下、内容積５００ｍｌのステンレス製加圧反応装置内で、ルテニウム化合物として［Ｒｕ（ＣＯ）３Ｃｌ２］２を０．２５ｍｍｏｌ、コバルト化合物としてＣｏ２（ＣＯ）８を０．２５ｍｍｏｌ、ハロゲン化物塩としてトリオクチルメチルアンモニウムクロリド  ５ｍｍｏｌ、塩基性化合物としてトリエチルアミン  ２０ｍｍｏｌ、フェノール化合物としてｐ−クレゾール  ５ｍｍｏｌを混合した触媒系に合成例４で得られたビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−４）を１００ｍｍｏｌ、ギ酸メチルを５０ｍＬ加えたのち、窒素ガス０．５ＭＰａで反応容器をパージし、１２０℃で８時間保持した。【０１３８】
その後反応装置を室温まで冷却し、放圧し、残存有機相の一部を抜き取り、ガスクロマトグラフを用いて分析した。分析結果によれば、反応によって生成したナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチルは９０．１ｍｍｏｌ（ナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル基準で収率９０．１％）であった。得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II−d）を減圧蒸留で単離した。【０１３９】
（合成例１０）〔ナジイミド骨格を有するジカルボン酸誘導体（II−e）の合成〕
【化２４】
2011121850.tif 000026
【０１４０】
室温下、内容積５００ｍｌのステンレス製加圧反応装置内で、ルテニウム化合物として［Ｒｕ（ＣＯ）３Ｃｌ２］２を０．２５ｍｍｏｌ、コバルト化合物としてＣｏ２（ＣＯ）８を０．２５ｍｍｏｌ、ハロゲン化物塩としてトリオクチルメチルアンモニウムクロリド  ５ｍｍｏｌ、塩基性化合物としてトリエチルアミン  ２０ｍｍｏｌ、フェノール化合物としてｐ−クレゾール  ５ｍｍｏｌを混合した触媒系に合成例５で得られたビスナジイミド化合物（ＮＤＩ−５）を１００ｍｍｏｌ、ギ酸メチルを５０ｍＬ加えたのち、窒素ガス０．５ＭＰａで反応容器をパージし、１２０℃で８時間保持した。【０１４１】
その後反応装置を室温まで冷却し、放圧し、残存有機相の一部を抜き取り、ガスクロマトグラフを用いて分析した。分析結果によれば、反応によって生成したナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチルは８８．８ｍｍｏｌ（ナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル基準で収率８８．８％）であった。得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II−e）を減圧蒸留で単離した。【０１４２】
＜一般式（III）で表されるナジイミド骨格を有するジカルボン酸の合成＞
（合成例１１）〔ナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−a）の合成〕
【化２５】
2011121850.tif 000027
【０１４３】
冷却管を取り付けた１リットルナス型フラスコに、合成例６で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II-a）  ３０ｇ及びメタノール  ２００ｇを投入して均一溶液とした後、１０％水酸化ナトリウム溶液  ２００ｇを仕込み、１００℃のオイルバスに入れ、６時間加熱還流した。その後、反応液量が１４０ｇになるまでメタノールを留去し、これに３６％塩酸  ４８ｍｌを加え、ｐＨを１としたところ、白色粉末が沈殿した。この白色粉末をろ過、水洗、乾燥し、ナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−a）  ２８ｇを得た。【０１４４】
（合成例１２）〔ナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−b）の合成〕
合成例１１において、合成例６で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II-a）を、合成例７で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II-b）に変更した以外は、合成例１１と全く同様の操作を行い、ナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−b）  ２８ｇを得た。【０１４５】
（合成例１３）〔ナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−c）の合成〕
合成例１１において、合成例６で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II-a）を、合成例８で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II-c）に変更した以外は、合成例１１と全く同様の操作を行い、ナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−c）  ２８ｇを得た。【０１４６】
（合成例１４）〔ナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−d）の合成〕
合成例１１において、合成例６で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II-a）を、合成例９で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II-d）に変更した以外は、合成例１１と全く同様の操作を行い、ナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−d）  ２９ｇを得た。【０１４７】
（合成例１５）〔ナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−e）の合成〕
合成例１１において、合成例６で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II-a）を、合成例１０で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II-e）に変更した以外は、合成例１１と全く同様の操作を行い、ナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−e）  ２９ｇを得た。【０１４８】
＜ナジイミド骨格を有するポリアミドイミドの合成＞
（実施例１）〔ナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−１）の合成〕
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた５００ｍｌフラスコに、合成例１１で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−a）  ２１０．００ｇ（０．４２モル）を投入して２４０℃まで昇温する。その後、４，４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン  ８８．２０ｇ（０．４２モル）（ジカルボン酸／ジアミン（モル比）＝１．００／１．００）を仕込み、２６５℃まで昇温した後、５時間反応させて、数平均分子量が８８，０００のナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−１）を得た。【０１４９】
得られたナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−１）をＮ−メチルピロリドンに一旦溶解した後、テフロン（登録商標）基板上に塗布し、２５０℃で加熱して、有機溶媒を乾燥させて、膜厚３０μｍの塗膜を形成した。この塗膜のガラス転移温度（Ｔｇ）、熱分解開始温度（５％質量減少温度、Ｔｄ５）、引張り強度及び破断伸び下記条件で測定した。結果を表１に示す。【０１５０】
（１）ガラス転移温度（Ｔｇ）
熱機械分析装置（セイコー電子（株）製、５２００型  ＴＭＡ）で測定した。【０１５１】
測定モード：エクステンション
測定スパン：１０ｍｍ
荷重：１０ｇ
昇温速度：５℃／ｍｉｎ
雰囲気：空気
（２）熱分解開始温度（５％質量減少温度、Ｔｄ５）
示差熱天秤（セイコー電子（株）製、５２００型  ＴＧ−ＤＴＡ）で測定した。【０１５２】
昇温速度：５℃／ｍｉｎ
雰囲気：空気
（３）引張り強度及び破断伸び
オートグラフ（（株）島津製作所製、商品名：ＡＧＳ−１０００Ｇ）で測定した。【０１５３】
（４）光線透過率
また、得られたナジイミド骨格を持つポリアミドイミド（ＰＡＩ−１）の各波長における光線透過率を、日本分光（株）製  Ｖ−５７０型ＵＶ／ＶＩＳスペクトロフォトメーターで測定した。評価結果をまとめて表１に示す。【０１５４】
（実施例２）〔ナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−２）の合成〕
実施例１において、合成例１１で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−a）を、合成例１２で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−b）に変更した以外は、実施例１と全く同様の操作を行い、数平均分子量が８８，０００のナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−２）を得た。【０１５５】
得られたナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−２）の特性を実施例１と同様に評価した。結果をまとめて表１に示す。【０１５６】
（実施例３）〔ナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−３）の合成〕
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた５００ｍｌフラスコに、合成例１３で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−c）  ２１０．００ｇ（０．４２モル）を投入して２４０℃まで昇温する。その後、４，４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン  ７５．５０ｇ（０．３６モル）（ジカルボン酸／ジアミン（モル比）＝１．００／１．００）を仕込み、２６５℃まで昇温した後、５時間反応させて、数平均分子量が８５，０００のナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−３）を得た。【０１５７】
得られたナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−３）の特性を実施例１と同様に評価した。結果をまとめて表１に示す。【０１５８】
（実施例４）〔ナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−４）の合成〕
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた５００ｍｌフラスコに、合成例１４で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−d）  ２４４．８０ｇ（０．３０モル）を投入して２４０℃まで昇温する。その後、４，４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン  ７５．５０ｇ（０．３６モル）（ジカルボン酸／ジアミン（モル比）＝１．００／１．００）を仕込み、２６５℃まで昇温した後、５時間反応させて、数平均分子量が８２，０００のナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−４）を得た。【０１５９】
得られたナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−４）の特性を実施例１と同様に評価した。結果をまとめて表１に示す。【０１６０】
（実施例５）〔ナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−５）の合成〕
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた５００ｍｌフラスコに、合成例１５で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸（III−e）  ２８４．２８ｇ（０．１２モル）を投入して２４０℃まで昇温する。その後、４，４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン  ２５．２０ｇ（０．１２モル）（ジカルボン酸／ジアミン（モル比）＝１．００／１．００）を仕込み、２６５℃まで昇温した後、５時間反応させて、数平均分子量が８０，０００のナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−５）を得た。【０１６１】
得られたナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−５）の特性を実施例１と同様に評価した。結果をまとめて表１に示す。【０１６２】
（実施例６）〔ナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−６）の合成〕
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた５００ｍｌフラスコに、合成例６で得られたナジイミド骨格を有するジカルボン酸メチル（II−a）  ２１６．４８ｇ（０．４１０モル）を仕込み、フラスコ内の温度を６０℃に調整した後、４，４’−ジアミノシクロヘキシルメタン  ８６．１０ｇ（０．４１０モル）（ジカルボン酸メチル／ジアミン（モル比）＝１．００／１．００）を２時間かけて添加する。１６０℃まで昇温した後、３時間反応させて、さらに１９０℃で２時間反応させ、数平均分子量が７０，０００のナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−６）を得た。【０１６３】
得られたナジイミド骨格を有するポリアミドイミド（ＰＡＩ−６）の特性を実施例１と同様に評価した。結果をまとめて表１に示す。【０１６４】
（比較例１）〔芳香族ポリアミドイミド（ＰＡＩ−７）の合成〕
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた５００ｍｌフラスコに、トリメリット酸無水物  ５１．８４ｇ（０．２７０モル）、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート  ６８．８５ｇ（０．２７５モル）（トリカルボン酸無水物／ジイソシアネート（モル比）＝１．００／１．０２）及びＮ−メチルピロリドン  １８１．０４ｇを仕込み、１２０℃まで昇温した後、５時間反応させて、数平均分子量が１１０，０００の芳香族ポリアミドイミド（ＰＡＩ−７）を得た。【０１６５】
得られた芳香族ポリアミドイミド（ＰＡＩ−７）の特性を実施例１と同様に評価した。結果をまとめて表１に示す。【０１６６】
（比較例２）〔ポリアミドイミド（ＰＡＩ−８）の合成〕
攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた５００ｍｌフラスコに、トリメリット酸無水物  ４９．９２ｇ（０．２６０モル）、４，４’−シクロヘキシルメタンジイソシアネート６９．４８ｇ（０．２６５モル）（トリカルボン酸無水物／ジイソシアネート（モル比）＝１．００／１．０２）及びＮ−メチルピロリドン  １７９．１０ｇを仕込み、１２０℃まで昇温した後、５時間反応させて、数平均分子量が７６，０００のポリアミドイミド（ＰＡＩ−８）を得た。【０１６７】
得られたポリアミドイミド（ＰＡＩ−８）の特性を実施例１と同様に評価した。結果をまとめて表１に示す。
【表１】
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【０１６８】
表１からわかるように、実施例１〜６で得られたナジイミド骨格を有するポリアミドイミドは、耐熱性がよく且つ光線透過率が高いのに対し、比較例１及び２で得られたポリアミドイミドは、光線透過率に劣るものであった。
【産業上の利用可能性】
【０１６９】
本発明により、耐熱性及び透明性に優れるナジイミド骨格を有するポリアミドイミドが得られる。そのため、半導体・液晶に用いられる電子部品、光ファイバー、光学レンズ等に代表される光学材料、さらには、ディスプレイ関連材料、医療用材料として使用することができる。
【国際調査報告】
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