(57)【要約】  対向配置された基板である前面板と背面板との間に形成された放電空間を、配管を通じて排気するステップと、放電空間に配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入するステップと、配管系統に残留した放電ガスを配管から回収するステップとを備える。
2011061921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気するステップと、
次に前記放電空間に、前記配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入するステップと、
次に前記配管および前記ガス配管に残留した放電ガスを前記配管から回収するステップと、
を備える、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記放電ガスを回収するステップは、回収用配管が前記配管に接続され前記回収用配管を通じて放電ガスを回収するステップをさらに含む、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記放電ガスを回収するステップは、回収した放電ガスの特性値を測定するステップと、前記特性値によって前記放電ガスを回収するステップの終了時間を決定するステップと、をさらに含む、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記特性値は、回収した放電ガスの圧力である、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記特性値は、回収した放電ガス中の酸素、窒素、アルゴン、二酸化炭素のうちの少なくとも一つの濃度である、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記放電ガスを回収するステップの後に、
前記ガス配管から不活性ガスを導入するステップを、さらに含む、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気する排気手段と、
前記放電空間に、前記配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入する放電ガス導入手段と、
前記配管および前記ガス配管に残留した放電ガスを回収する放電ガス回収手段と、
を備え、
前記放電ガス回収手段は、前記配管と接続する、
プラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、
回収した放電ガスの特性値を測定する測定手段をさらに備える、
プラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、
前記測定手段は、圧力計またはガス濃度計である、
プラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項１０】
請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、
前記ガス配管には、不活性ガス供給手段がさらに接続される、
プラズマディスプレイパネルの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここに開示された技術は、表示デバイスなどに用いられるプラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）の製造装置は、製造途中のＰＤＰであるワークに連結される配管用のヘッドと、ヘッドに繋がった配管と、配管に放電ガスを吐出するためのガスボンベと、配管内に残留する放電ガスを回収する放電ガス回収回路とを備える。放電ガス回収回路はカプラを介して配管に対して着脱可能に接続される（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
しかしながら、配管内に大気中の不純ガスが混入した場合、ＰＤＰ内に不純ガスが流入する。不純ガスがＰＤＰ内へ流入すると、ＰＤＰの放電状態が悪化する。つまり、ＰＤＰの画像表示品位が低下することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２２４２８６号公報
【発明の概要】
【０００５】
ＰＤＰの製造方法は、対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気するステップと、次に放電空間に配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入するステップと、次に配管およびガス配管に残留した放電ガスを配管から回収するステップとを備える。
【０００６】
ＰＤＰの製造装置は、対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気する排気手段と、放電空間に配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入する放電ガス導入手段と、配管およびガス配管に残留した放電ガスを回収する放電ガス回収手段とを備える。さらに、放電ガス回収手段は、配管と接続される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１はＰＤＰの構造を示す斜視図である。
【図２】図２は実施の形態１および２に係る製造工程のフロー図である。
【図３】図３は封着・排気時における把持部材の取り付け状態を示す平面図である。
【図４】図４は給排気穴に排気管を取り付けた状態を示す断面図である。
【図５】図５は従来のＰＤＰ製造装置の構成を示す概略図である。
【図６】図６は従来の封着・排気工程のフロー図である。
【図７】図７は封着・排気工程のチップオフの状態を示す断面図である。
【図８】図８は封着・排気工程のチップオフの状態を示す断面図である。
【図９】図９は封着・排気工程のチップオフの状態を示す断面図である。
【図１０】図１０は実施の形態１および２に係る封着・排気工程のフロー図である。
【図１１】図１１は実施の形態１および２に係るＰＤＰ製造装置の構成を示す概略図である。
【図１２】図１２は比較例のＰＤＰ製造装置の構成を示す概略図である。
【図１３】図１３は回収した放電ガスの全圧力変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［１．ＰＤＰ１の概要］
本実施の形態に係るＰＤＰ１は、交流面放電型ＰＤＰである。図１に示すように、ＰＤＰ１は、一対の前面板２と背面板３とが、隔壁４を挟んで対向した構造である。
【０００９】
前面板２は、前面ガラス基板５上に形成された複数対の走査電極６と維持電極７と、からなる表示電極８を有する。さらに、前面板２は、表示電極８を被覆する誘電体層９と、誘電体層９を被覆する保護層１０とを有する。また、走査電極６と維持電極７は、透明電極６ａ、７ａにバス電極６ｂ、７ｂを積層した構造であってもよい。
【００１０】
背面板３は、背面ガラス基板１１の主面上に形成された複数のデータ電極１２を有する。さらに、背面板３は、データ電極１２を被覆する誘電体層１３と、誘電体層１３上のデータ電極１２の間に相当する位置に形成された隔壁４とを有する。さらに、背面板３は、隣接する隔壁４の間に形成された蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂと、を有する。
【００１１】
前面板２と背面板３とで放電空間１５が形成される。図１中の矢印は画像の表示方向１６を示している。
【００１２】
［２．ＰＤＰ１の製造方法］
図２に示すように、ＰＤＰ１の製造方法は前面板２を形成するステップ（Ｓ１０）と、背面板３を形成するステップ（Ｓ２０）と、前面板２と背面板３とを組立てるステップ（Ｓ３０）に大別される。Ｓ１０は、走査電極／維持電極を形成するステップ（Ｓ１１）と、誘電体層を形成するステップ（Ｓ１２）と、保護膜を形成するステップ（Ｓ１３）とからなる。Ｓ２０は、データ電極を形成するステップ（Ｓ２１）と、下地誘電体層を形成するステップ（Ｓ２２）と、隔壁を形成するステップ（Ｓ２３）と、蛍光体層を形成するステップ（Ｓ２４）とからなる。また、Ｓ３０は、封着、排気、放電ガス導入を行うステップ（Ｓ３１）と、エージングを行うステップ（Ｓ３２）、ＰＤＰを取り出すステップ（Ｓ３３）とからなる。
【００１３】
［２−１．Ｓ３１の前段階］
図３に示すように、封着の準備として、前面板２、背面板３いずれかの周辺部に、画像表示領域１８を囲うように封止部材１７が形成される。封止部材１７は、フリットガラス、有機樹脂などを含む。封止部材１７は、スクリーン印刷法、インジェクション法などにより、塗布される。次に、封止部材１７中の有機樹脂成分が、加熱により除去される。次に、前面板２と背面板３とが対向配置される。所定の位置に合わされた前面板２と背面板３とが、クリップなどの把持部材２０によってずれないように仮固定される。
【００１４】
ＰＤＰ１内を排気するために、ＰＤＰ１にはあらかじめ給排気穴１９が形成されている。給排気穴１９は、ＰＤＰ１のコーナー部に形成されている。その理由は、主に２つある。画像表示領域１８であって隔壁４が形成されている領域には、給排気穴１９を形成することは困難である。ＰＤＰ１の長辺部あるいは短辺部には、ＰＤＰ１に電力などを供給するフレキシブル回路基板が取り付けられているため、給排気穴１９を形成することは困難である。
【００１５】
一方、ＰＤＰ１においては、画像表示領域１８以外の領域（外郭部）を極力小さくすることが求められている。したがって、給排気穴１９は封止部材１７に近い位置に形成される。
【００１６】
図４に示すように、給排気穴１９には排気管２１が、封着材であり中心部に空孔を有するタブレット２２を介して取り付けられている。タブレット２２の材料としては、例えば、低融点フリットガラスなどが用いられる。タブレット２２は、給排気穴１９の中心とタブレット２２の空孔の中心が合うように配置される。また、排気管２１は、排気管２１の背面板３側の端部の開口部の中心と給排気穴１９の中心とが略一致するように位置決めされた後、取り付けられる。排気管２１は、排気管２１の中心と給排気穴１９の中心とがずれないように図示しない固定治具によって固定される。また、排気管２１の背面板３の反対側の端部には、排気ヘッド２３が接続されている。排気ヘッド２３は、ＰＤＰ１内を排気しＰＤＰ１内に放電ガスを供給するガス給排気部と、給排気穴１９とを排気管２１などを介して接続される。
【００１７】
［２−２．Ｓ３１の詳細］
［２−２−１．従来技術］
図５に示すように、従来のＰＤＰ製造装置３０ａは、加熱機構３２を備えた炉体３３に、ガス給排気部である真空排気装置系３４とガス導入装置系３５とが接続された構成である。図５において、点線で囲んだ箇所が真空排気装置系３４である。図５において、破線で囲んだ箇所がガス導入装置系３５である。
【００１８】
真空排気装置系３４は、バルブ３６ａ、マニホールド３７ａ、真空排気装置３８、主バルブ３９、配管５０から構成される。ガス導入装置系３５はガスボンベ等を有する放電ガス導入装置４０ａ、バルブ３６ｂ、マニホールド３７ａ、主バルブ３９、ガス配管５２、配管５０から構成される。真空排気装置系３４とガス導入装置系３５は、マニホールド３７ａ、主バルブ３９、配管５０の一部を共有している。なお、図５において、給排気穴１９および排気管２１周辺部の記述は省略されている。
【００１９】
図５および図６に示すように、Ｓ３４では、まず把持部材２０で仮固定されたＰＤＰ１が、炉体３３内に載置される。次に、加熱機構３２は、炉体３３内を封止部材１７およびタブレット２２が溶融する温度まで昇温する。その後、加熱機構３２は、炉体３３内を、封止部材１７およびタブレット２２が固化する温度まで冷却する。封止部材１７によって、前面板２と背面板３とが気密封着される。また、タブレット２２によって、排気管２１と背面板３とが気密封着される。
【００２０】
Ｓ３５では、加熱機構３２は、再度、炉体３３内を所定の温度に加熱する。次に、真空排気装置系３４は、ＰＤＰ１内を排気する。ＰＤＰ１内は、排気ヘッド２３、配管５０などを通じて排気される。このとき、真空排気装置系３４のバルブ３６ａは開き、ガス導入装置系３５のバルブ３６ｂは閉じている。
【００２１】
Ｓ３６では、加熱機構３２は、炉体３３の温度を、例えば、室温近くまで降温する。
【００２２】
Ｓ３７では、放電ガスがＰＤＰ１内に導入される。このときバルブ３６ａは閉じられる。バルブ３６ｂは開かれる。放電ガスは、例えば、ネオン（Ｎｅ）８０％−キセノン（Ｘｅ）２０％の混合ガスである。放電ガス導入後のＰＤＰ１内の圧力は、約５３ｋＰａ〜８０ｋＰａである。
【００２３】
Ｓ３８では、排気管２１の所定の部分が局部的に加熱される。排気管２１の一部が溶融し、さらに閉塞する。排気管２１の閉塞した部分が切断される。排気管２１は封じ切られ、ＰＤＰ１が、気密封止（チップオフ）される。
【００２４】
Ｓ３９では、ＰＤＰ１がＰＤＰ製造装置３０ａから取り出される。
【００２５】
Ｓ４０では、配管５０およびガス配管５２の内部圧力が大気圧（海抜０ｍでは、約１０１．３ｋＰａ）になるまで放電ガスがさらに導入される。
【００２６】
Ｓ４１では、排気管余剰部２１ａ（図９参照）が除去される。大気圧まで放電ガスが導入される理由は、排気管余剰部２１ａが除去される際に大気中の不純ガスが真空排気装置系３４およびガス導入装置系３５の内部に混入することを避けるためである。
【００２７】
Ｓ４２では、排気管２１とタブレット２２とが配置されたＰＤＰ１が炉体３３内に載置される。
【００２８】
Ｓ４３では、排気管２１の洗浄のために放電ガスが流される。
【００２９】
以上でＳ３１に含まれる一連のサイクルが完了する。
【００３０】
Ｓ４０およびＳ４３は、重要なステップである。これらが省略されると、ＰＤＰ１内部に不純ガスが混入する場合がある。不純ガスは、ＰＤＰ１の画像表示時に、例えば輝度低下、色ムラ等の不具合を発生させる場合がある。
【００３１】
［２−３．Ｓ３８の詳細］
図７に示すように、ガスバーナー６０のガス噴出孔６１から噴出されるガスによる火炎６３は、排気管２１の側面を加熱する。排気管２１の温度が加熱によって軟化点温度（一例として、約６３０℃）に達すると、排気管２１は徐々に溶融し始める。
【００３２】
このとき、排気管２１の内圧はＰＤＰ１内部と同圧（約５３ｋＰａ〜８０ｋＰａ）であり外気圧（大気圧）よりも減圧されている。したがって、図８に示すように、排気管２１の側面は徐々に排気管２１の内側へと吸い込まれていく。
【００３３】
さらにガスバーナー６０による加熱を継続すると、排気管２１の溶融した壁同士は融合し合って閉塞する。その後、図９に示すように、排気管２１の閉塞した部分が切断される。排気管２１は、ＰＤＰ１に固定されている。排気管余剰部２１ａは、ＰＤＰ１から分離され、排気ヘッド２３に固定されている。
【００３４】
従来、放電ガス導入のためのガス配管５２は、単一の系統で形成されていた。よって、Ｓ４０およびＳ４３に用いるガスとして、放電ガスを使用するしかなかった。
【００３５】
放電ガスには、例えば、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスが用いられる。Ｘｅは、大気中に０．０８７ｐｐｍしか含まれない希少価値の高いものである。また、Ｘｅは、生産量に制限があり、現在需要増で入手困難な材料となっている。一方、配管径を小さくすることにより、配管容積（Ｘｅガス残留量）を減少させることも考えられる。しかし、この場合、排気時のコンダクタンスが低下するため、排気能力が低下する。また、コンダクタンスの低下を補うために、配管長を短くすることも考えられる。しかし、配管長を短くすることは、製造装置の制約から困難である。以上のように、配管容積を減少することは困難である。したがって、Ｘｅの使用量を抑えることが重要である。
【００３６】
［３−１．実施の形態１］
［３−１−１．放電ガス回収の概要］
図１０において、図６に示されたステップと同じステップには同符号が付されている。図１１において、図５に示された従来技術と同じ構成には、同符合が付されている。さらに、実施の形態１において、従来技術の説明と重複する部分は、適宜省略される。
【００３７】
図１１に示すように、ＰＤＰ製造装置３１は、回収部４８を備えたことが特徴である。回収部４８は、真空排気装置系３４と接続される接続部４１と、接続部４１の下流に配置された排気装置４２と、放電ガスを一時的に貯留するタンク４４と、タンク４４の放電ガスを加圧する増圧部４５と、加圧された放電ガスを収納する回収容器４７を有する。
【００３８】
さらに、ＰＤＰ製造装置３１は、回収部４８と接続するためのバルブ３６ｄを設けた排出口４３を有する。また、ＰＤＰ製造装置３１は、不活性ガス導入装置４０ｂおよびバルブ３６ｃを備えている。
【００３９】
図１０に示すように、本実施の形態では、Ｓ３９においてＰＤＰ１が取り出された後、Ｓ４０１において接続部４１が排出口４３と接続される。なお、Ｓ３８（チップオフ）で、排気管余剰部２１ａが封止されているため、ＰＤＰ１を取り出したとしても、配管５０およびガス配管５２（以下、配管系統と称する）の放電ガスは保持される。このため、ＰＤＰ１の取り出しと回収部４８の接続のタイミングは上記に限られず、前後しても構わない。
【００４０】
次に、バルブ３６ｄが開かれる。排気装置４２によって接続部４１からの漏れがないことが確認される。次に、主バルブ３９およびバルブ３６ｅが開かれる。配管系統に残留した放電ガスがタンク４４に回収される。最後に、バルブ３６ｄが閉じられる。その後、接続部４１と排出口４３との接続が解除される。回収された放電ガスは、増圧部４５で加圧されて回収容器４７に貯められる。
【００４１】
また、Ｓ４０２およびＳ４３において、バルブ３６ｃが開かれ、不活性ガス導入装置４０ｂから不活性ガスが導入される。
【００４２】
なお、本実施の形態において、ＰＤＰ１と真空排気装置系３４とガス導入装置系３５とは、共に移動する。一方、回収部４８は固定されている。つまり、回収部４８の前にチップオフ後のＰＤＰ１と真空排気装置系３４とガス導入装置系３５とが到着すると、接続部４１が排出口４３と接続される。
【００４３】
本実施の形態においては、配管系統に残留した放電ガスが回収部４８の回収容器４７に貯められる。その後、回収された放電ガスは、再精製されることにより、高純度化される。高純度化された放電ガスは、再利用される。
【００４４】
［３−１−２．放電ガス回収の詳細］
本実施の形態では、接続部４１が排出口４３に接続された後に、バルブ３６ｄを閉じられたまま、バルブ３６ｇが開けられる。排気装置４２により、大気開放されていた部分が真空排気される。接続部４１の圧力が、排気開始から２０秒後に５０ｋＰａ以下まで下がればよい。
【００４５】
圧力は、接続部４１に設けられた圧力計（図示せず）で確認される。２０秒後に５０ｋＰａ以下という数値は、排気装置４２の排気能力と許容リーク量の関係で決まる。この数値は、後述される再精製時の不純物混入量規定以下になるように設定すればよい。
【００４６】
次に、真空排気装置系３４とガス導入装置系３５とを連結するために、主バルブ３９およびバルブ３６ｅ、またはバルブ３６ｅおよびバルブ３６ｆが開けられる。その後、バルブ３６ｄが開けられて配管系統に残留していた放電ガスが、排気装置４２の後部に接続されたタンク４４に排気される。排気が終わるとバルブ３６ｄが閉じられて接続部４１の接続が解除される。増圧部４５はタンク４４に貯められた放電ガスの圧力を上昇させる。増圧された放電ガスは、回収容器４７へ送られる。
【００４７】
この後、排気管余剰部２１ａを除去する必要がある。しかし、このまま排気管余剰部２１ａを除去すると、配管系統の内部が負圧になっているため、大気が配管系統に流入する。すなわち、大気中の不純ガスが配管系統に混入してしまう。
【００４８】
［３−１−３．不活性ガスの導入］
配管系統に放電ガスが残留することは回避できない。しかし、本実施の形態では、ガス導入装置系３５は、不活性ガス導入装置４０ｂおよびバルブ３６ｃをさらに有する。配管系統に不活性ガスを導入することより、配管系統に残留したＸｅの量を削減することができる。
【００４９】
上述のように、従来、Ｓ４０において、配管系統の内部圧力が大気圧になるまで放電ガスがさらに導入されていた。
【００５０】
一方、本実施の形態においては、Ｓ４０２において、バルブ３６ｃが開けられて不活性ガス導入装置４０ｂから不活性ガスが、配管系統に導入される。不活性ガスによって、配管系統の内部圧力は、大気圧になるまで上昇する。
【００５１】
放電ガスの削減量は、大気中に放出されていた約４Ｌと、排気管２１の洗浄量分の約０．５Ｌとの合計である約４．５Ｌである。ただし、削減量は、回収された放電ガスが１００％再精製できる場合である。さらに、削減量は配管系統の容積に依存する。
【００５２】
なお、放電ガスの代替ガスである不活性ガスは、窒素（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ），アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、ラドン（Ｒｎ）などが用いられる。ただし、Ｘｅの使用量を削減するためにはＸｅは避けて、他の不活性ガスを選択すべきである。
【００５３】
本実施の形態では不活性ガスとしてＮｅが用いられた。Ｎｅは安価である。また、本実施の形態においては、Ｎｅは放電ガスの一成分であるから、ＰＤＰ１に混入したとしても、発光特性に与える影響を低減できる。
【００５４】
また、本実施の形態における製造装置において、バルブ３６ｃなどの不具合によって不活性ガスがＰＤＰ１内に流入することを防止するために、以下の施策が取り入れられた。
【００５５】
まず、マニホールド３７ａに真空圧力計４６が設けられた。配管内の真空度が、ある基準を満たすようにしている。具体的には、バルブ３６ａだけが開けられてバルブ３６ｂ、３６ｃおよび主バルブ３９が閉じられた状態において、真空排気装置３８で配管内が排気される。このとき真空圧力計４６の圧力が１．０×１０-5Ｐａ以下になることを確認する。これによって、たとえバルブ３６ｃがリークし、ＰＤＰ１に不活性ガスが流入したとしても、上記の真空度以下であれば、ＰＤＰ１の画像表示品質を維持することができる。
【００５６】
また、放電ガス導入装置４０ａの圧力より不活性ガス導入装置４０ｂの圧力が低く設定された。これにより、ＰＤＰ１内へ放電ガスを導入する際に、バルブ３６ｃがリークしていたとしても優先的に放電ガス導入装置４０ａの放電ガスがＰＤＰ１内へ導入される。
【００５７】
さらに、放電ガス導入用のマニホールド３７ｂと排気用のマニホールド３７ａが分離された。また、マニホールド３７ａと接続部４１とが、排出口４３を介して接続できる。これは以下の理由に基づく。
【００５８】
一般的に、閉じられた配管内のガスを排気（回収）する場合、到達圧力はポンプの能力に依存する。到達圧力に達する時間は、配管の容積に依存する。つまり配管の容積が大きければ、ある到達圧力に達する時間が長くなり、逆に小さければ、その時間は短くなる。
【００５９】
図１２に示すように、比較例のＰＤＰ製造装置３０ｂにおいては、マニホールド３７ａに設けられた排出口４３ａの他に、マニホールド３７ｂにも排出口４３ｂが設けられている（回収部４８の記載は省略される）。
【００６０】
上述のとおり、排出口４３ａに回収部４８を接続して放電ガスを回収するよりも、排出口４３ｂに回収部４８を接続して放電ガスを回収する方が、回収のために排気する配管系統の容積は小さくなる。すなわち、放電ガスの回収が終了する圧力に達する時間は短くなる。つまり、放電ガスの回収効率が向上することになる。
【００６１】
しかしながら、排出口４３ｂが設けられた場合、Ｓ３７において、回収部４８が排出口４３ｂから取り外された際に、排出口４３ｂからガス配管５２へ大気中の不純ガスが混入する可能性が生じる。ガス配管５２に不純ガスが混入した場合、排気管２１を介して、ＰＤＰ１内に不純ガスが流入する。不純ガスがＰＤＰ１内へ流入すると、ＰＤＰ１の放電状態が悪化する。つまり、ＰＤＰ１の画像表示品位が低下することになり、ＰＤＰ１の製造装置としては致命的な欠陥となる。
【００６２】
そこで、本実施の形態では、図１１に示すように、回収部４８が真空排気装置系３４に設けられた。したがって、排出口４３から大気中の不純ガスが混入したとしても、真空排気装置系３４に流入するにとどまる。すなわち、ＰＤＰ１内への不純ガスの流入を抑制することができる。よって、ＰＤＰ１の製造歩留まりを維持することができる。
【００６３】
［３−２．実施の形態２］
本実施の形態では、放電ガスを回収する時間が決定される。図１１に示すように、回収部４８は、真空圧力計４６を備えている。よって回収している放電ガスの圧力の測定ができる。本実施の形態においては、真空圧力計４６の値がある一定値に達した時点（またはそれに基づいた一定時間）で回収が停止される。
【００６４】
本来、回収時間を十分に設けることによって、放電ガスの回収量は増加する。しかし、図１３に示すように、回収時間の経過に伴い配管系統に残留した放電ガスが回収され、回収ガスの全圧力は低下していく。ここで回収ガスの全圧力とは、真空圧力計４６が示す値である。
【００６５】
しかしながら、図１３に示すように、回収ガス中には一定量の大気が存在する。これは、回収部４８の接続部４１と排出口４３との接続箇所からの大気のリーク（配管系統への大気の漏れ）に起因している。回収部４８と、ガス導入装置系３５と接続された真空排気装置系３４とは、接続解除が可能な構成である。すなわち、完全な密閉型の接続形態ではない。このため、完全な密閉型の接続形態と比較して接続部に僅かながら大気のリークが生じている。その結果、図１３に示すように、回収ガスの全圧力の変化と同様に、回収ガス中の放電ガスの存在比は低下していく。一方、回収ガス中の大気の存在比は増加していく。
【００６６】
ところで、大気中にはアルゴン（Ａｒ）が１体積％程度存在する。回収ガスの再精製において、回収ガス中に残留したＡｒを除去することは、比較的困難である。よって、再精製された放電ガスを用いる場合、ＰＤＰ１内へＡｒが混入する。発明者らが検討した結果、放電ガス中にＡｒが存在した場合、画像表示に必要な駆動電圧がＰＤＰ１の点灯時間に伴い上昇する、という不具合が発生することが判明した。これはＰＤＰ１として致命的な欠陥である。
【００６７】
そこで本実施の形態では、放電ガスの回収量の確保と大気中の不純ガスの混入低減を両立させるため、真空圧力計４６によって回収ガスの全圧力を測定する。全圧力値の変動から、回収時間をある所定の値にて（または、この値に基づいた時間にて）停止している。
【００６８】
具体的には、回収の終了時間は次のように決定された。まず、放電ガス中のＡｒ濃度に対するＰＤＰ１の駆動電圧の変化が測定された。さらに、ＰＤＰ１が良好な画像表示レベルを維持し得るためには、放電ガス中のＡｒ濃度は、体積換算で１ｐｐｍ以下とすることが必要であると判断された。次に、回収されたガスにおける許容Ａｒ濃度が見積もられた。なお、許容Ａｒ濃度は、一般的なガス精製方法である深冷分離法の精製能力から算出された。
【００６９】
そして回収ガスの全圧力が、許容Ａｒ濃度に達する圧力（または、それに達する時間）に達した時点で回収が停止された。
【００７０】
これにより、大気中の不純ガスの混入を抑制することができる。すなわち、ＰＤＰ１内への不純ガスの流入を抑制することができる。よって、ＰＤＰ１の製造歩留まりを維持することができる。
【００７１】
［３−３．その他の実施の形態］
実施の形態１および実施の形態２において、ＰＤＰ製造装置３１は、不活性ガス導入手段である不活性ガス導入装置４０ｂを備えている。しかし、ＰＤＰ製造装置３１において不活性ガス導入装置４０ｂは、必須の要件ではない。すなわち、ＰＤＰ製造装置３１は、放電ガス導入装置４０ａと、真空排気装置系３４に設けられた排出口４３と、排出口４３に接続される回収部４８とを備えていれば、大気中の不純ガスの放電ガスの回収をすることができる。
【００７２】
［４．まとめ］
実施の形態に開示されたＰＤＰの製造方法は、対向配置された基板である前面板２と背面板３との間に形成された放電空間を、配管５０を通じて排気するステップ（Ｓ３５）と、放電空間に配管５０から分岐したガス配管５２を通じて放電ガスを導入するステップ（Ｓ３７）と、配管系統に残留した放電ガスを配管５０から回収するステップ（Ｓ４０１）とを備える。
【００７３】
このような方法によれば、ＰＤＰ１に導入できずに配管系統に残留した放電ガスを回収することができる。さらに、ＰＤＰ１内への不純ガスの流入を抑制することができる。よって、ＰＤＰ１の製造歩留まりを維持することができる。
【００７４】
さらに、放電ガスを回収するステップ（Ｓ４０１）は、回収用配管である接続部４１が配管５０に設けられた排出口４３に接続され接続部４１を通じて放電ガスを回収するステップをさらに含んでもよい。
【００７５】
このような方法によれば、回収部４８の接続および接続の解除がより容易になる。よって、放電ガスの回収の効率が向上する。
【００７６】
さらに、放電ガスを回収するステップ（Ｓ４０１）は、回収した放電ガスの特性値を測定するステップと、特性値によって放電ガスを回収するステップの終了時間を決定するステップと、をさらに含んでもよい。
【００７７】
このような方法によれば、回収された放電ガスに大気中の不純ガスが混入することを抑制できる。
【００７８】
さらに、特性値は、回収した放電ガスの圧力であってもよい。
【００７９】
このような方法によれば、真空圧力計などによって、簡易に特性値が測定できる。
【００８０】
さらに、特性値は、回収した放電ガス中の酸素、窒素、アルゴン、二酸化炭素のうちの少なくとも一つの濃度であってもよい。
【００８１】
このような方法によれば、ＰＤＰ１の放電特性に影響を与える不純ガスの濃度を直接測定できるので、回収を停止する時間をより正確に設定できる。
【００８２】
なお、放電ガスを回収するステップ（Ｓ４０１）の後に、ガス配管５２から不活性ガスを導入するステップ（Ｓ４０２）をさらに含んでもよい。
【００８３】
このような方法によれば、配管系統に残留する放電ガス量を削減できる。よって、回収された放電ガスの再精製にかかるコストを削減できる。
【００８４】
実施の形態に開示されたＰＤＰ製造装置３１は、対向配置された基板である前面板２と背面板３との間に形成された放電空間を、配管５０を通じて排気する排気手段である真空排気装置３８と、放電空間に、配管５０から分岐したガス配管５２を通じて放電ガスを導入する放電ガス導入手段である放電ガス導入装置４０ａと、配管系統に残留した放電ガスを回収する放電ガス回収手段である回収部４８とを備える。さらに、回収部４８は、配管５０と接続される。
【００８５】
このような構成によれば、ＰＤＰ１に導入できずに配管系統に残留した放電ガスを回収することができる。さらに、ＰＤＰ１内への不純ガスの流入を抑制することができる。よって、ＰＤＰ１の製造歩留まりを維持することができる。
【００８６】
さらに、回収部は、回収した放電ガスの特性値を測定する測定手段をさらに備えてもよい。
【００８７】
このような構成によれば、回収された放電ガスに大気中の不純ガスが混入することを抑制できる。
【００８８】
さらに、測定手段は、圧力計またはガス濃度計であってもよい。
【００８９】
このような構成によれば、特に圧力計が用いられた場合には、簡易に特性値が測定できる。特にガス濃度計が用いられた場合には、ＰＤＰ１の放電特性に影響を与える不純ガスの濃度を直接測定できるので、回収を停止する時間をより正確に設定できる。
【００９０】
さらに、ガス配管５２には、不活性ガス供給手段である、不活性ガス導入装置４０ｂがさらに接続されてもよい。
【００９１】
このような構成によれば、配管系統に残留する放電ガス量を削減できる。よって、回収された放電ガスの再精製にかかるコストを削減できる。
【００９２】
実施の形態におけるＰＤＰ１では、適正な放電ガスが規定通り導入されて、発光ムラ、輝度低下、などの問題が発生しなかった。また、放電ガスの使用量は従来よりも大幅に削減できた。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
以上のように本発明は、ＰＤＰの製造において放電ガスの使用効率を向上させるので、ＰＤＰの製造に広く有用である。
【符号の説明】
【００９４】
１    ＰＤＰ
１９    給排気穴
２１    排気管
２１ａ    排気管余剰部
２２    タブレット
２３    排気ヘッド
３０ａ，３０ｂ，３１    ＰＤＰ製造装置
３２    加熱機構
３３    炉体
３４    真空排気装置系
３５    ガス導入装置系
３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅ，３６ｆ    バルブ
３７ａ，３７ｂ    マニホールド
３８    真空排気装置
３９    主バルブ
４０ａ    放電ガス導入装置
４０ｂ    不活性ガス導入装置
４１    接続部
４２    排気装置
４３，４３ａ，４３ｂ    排出口
４４    タンク
４５    増圧部
４６    真空圧力計
４７    回収容器
４８    回収部
５０    配管
５２    ガス配管
【図１】
2011061921.tif 000003
【図２】
2011061921.tif 000004
【図３】
2011061921.tif 000005
【図４】
2011061921.tif 000006
【図５】
2011061921.tif 000007
【図６】
2011061921.tif 000008
【図７】
2011061921.tif 000009
【図８】
2011061921.tif 000010
【図９】
2011061921.tif 000011
【図１０】
2011061921.tif 000012
【図１１】
2011061921.tif 000013
【図１２】
2011061921.tif 000014
【図１３】
2011061921.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月5日(2011.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気するステップと、
次に前記放電空間に、前記配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入するステップと、
次に前記配管および前記ガス配管に残留した放電ガスを回収するステップと、
を備え、
前記放電ガスを回収するステップは、回収した放電ガスの特性値を測定するステップと、前記特性値によって前記放電ガスを回収するステップの終了時間を決定するステップと、をさらに含む、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記放電ガスを回収するステップは、回収用配管が前記配管に接続され前記回収用配管を通じて放電ガスを回収するステップをさらに含む、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記特性値は、回収した回収ガスの圧力である、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記特性値は、回収した回収ガス中の酸素、窒素、アルゴン、二酸化炭素のうちの少なくとも一つの濃度である、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気するステップと、
次に前記放電空間に、前記配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入するステップと、
次に前記配管および前記ガス配管に残留した放電ガスを回収するステップと、
を備え、
前記放電ガスを回収するステップの後に、前記ガス配管から前記ガス配管および前記配管に不活性ガスを導入するステップをさらに含む、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドンの群から選ばれる少なくとも一種である、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気するステップと、
次に前記放電空間に、前記配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入するステップと、
次に前記配管および前記ガス配管に残留した放電ガスを回収するステップと、
を備え、
前記放電ガスを回収するステップは、前記配管から前記ガス配管が分岐する位置と前記排気手段との間から回収する、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気する排気手段と、
前記放電空間に、前記配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入する放電ガス導入手段と、
前記配管および前記ガス配管に残留した放電ガスを回収する放電ガス回収手段と、
を備え、
前記放電ガス回収手段は、前記配管から前記ガス配管が分岐する位置と前記排気手段との間で、前記配管と接続する、
プラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、
回収した放電ガスの特性値を測定する測定手段をさらに備える、
プラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項１０】
請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、
前記ガス配管には、不活性ガス供給手段がさらに接続される、
プラズマディスプレイパネルの製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気するステップと、
次に前記放電空間に、前記配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入するステップと、
次に前記配管および前記ガス配管に残留した放電ガスを回収するステップと、
を備え、
前記放電ガスを回収するステップは、回収した回収ガスの特性値を測定するステップと、前記特性値によって前記放電ガスを回収するステップの終了時間を決定するステップと、をさらに含む、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記放電ガスを回収するステップは、回収用配管が前記配管に接続され前記回収用配管を通じて放電ガスを回収するステップをさらに含む、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記特性値は、回収した回収ガスの圧力である、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記特性値は、回収した回収ガス中の酸素、窒素、アルゴン、二酸化炭素のうちの少なくとも一つの濃度である、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記放電ガスを回収するステップの後に、前記ガス配管から前記ガス配管および前記配管に不活性ガスを導入するステップをさらに含む、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドンの群から選ばれる少なくとも一種である、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気するステップと、
次に前記放電空間に、前記配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入するステップと、
次に前記配管および前記ガス配管に残留した放電ガスを回収するステップと、
を備え、
前記放電ガスを回収するステップは、前記配管から前記ガス配管が分岐する位置と前記排気手段との間から回収し、
さらに、前記放電ガスを回収するステップは、回収した回収ガスの特性値を測定するステップと、前記特性値によって前記放電ガスを回収するステップの終了時間を決定するステップと、を含む、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
対向配置された基板の間に形成された放電空間を、配管を通じて排気する排気手段と、
前記放電空間に、前記配管から分岐したガス配管を通じて放電ガスを導入する放電ガス導入手段と、
前記配管および前記ガス配管に残留した放電ガスを回収する放電ガス回収手段と、
を備え、
前記放電ガス回収手段は、前記配管から前記ガス配管が分岐する位置と前記排気手段との間で、前記配管と接続し、
さらに、回収した回収ガスの特性値を測定する測定手段と、回収の終了時間を決定する終了時間決定手段と、を備える、
プラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、
前記ガス配管には、不活性ガス供給手段がさらに接続される、
プラズマディスプレイパネルの製造装置。
【国際調査報告】
2011061921.tif 000016
2011061921.tif 000017
2011061921.tif 000018
2011061921.tif 000019
2011061921.tif 000020
2011061921.tif 000021
2011061921.tif 000022