(57)【要約】  ＩＤＴ電極の少なくとも一部が圧電基板に形成されている溝に埋め込まれている弾性境界波装置において、音速を高速化する。  弾性境界波装置１は、圧電基板１０と、第１の誘電体層１１と、ＩＤＴ電極１３とを備えている。圧電基板１０の表面１０ｂには、溝１０ａが形成されている。第１の誘電体層１１は、圧電基板１０の表面１０ｂ上に形成されている。ＩＤＴ電極１３は、圧電基板１０と第１の誘電体層１１との境界において、少なくとも一部が溝１０ａ内に位置するように形成されている。溝１０ａの内側において、溝１０ａの内面の上端部分と、圧電基板１０の表面１０ｂとのなす角の大きさである溝角度γが９０度未満である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に溝が形成されている圧電基板と、
前記圧電基板の表面上に形成されている第１の誘電体層と、
前記圧電基板と前記第１の誘電体層との境界において、少なくとも一部が前記溝内に位置するように形成されているＩＤＴ電極とを備え、
前記溝の内側において、前記溝の内面の上端部分と、前記圧電基板の表面とのなす角の大きさである溝角度が９０度未満である、弾性境界波装置。
【請求項２】
前記ＩＤＴ電極の一部は、前記溝外に位置しており、
前記ＩＤＴ電極の前記溝外に位置する部分は、前記圧電基板から離れるに従って先細っている、請求項１に記載の弾性境界波装置。
【請求項３】
前記第１の誘電体層の上に形成されており、前記第１の誘電体層よりも速い音速を有する第２の誘電体層をさらに備える、請求項１または２に記載の弾性境界波装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の誘電体層のそれぞれは、酸化珪素、窒化珪素または窒化アルミニウムからなる、請求項３に記載の弾性境界波装置。
【請求項５】
前記ＩＤＴ電極の前記溝内に位置する部分の平均密度が、前記圧電基板の平均密度よりも高い、請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性境界波装置。
【請求項６】
前記ＩＤＴ電極の前記溝内に位置する部分の少なくとも一部は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択された一種の金属、またはＰｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金からなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の弾性境界波装置。
【請求項７】
前記ＩＤＴ電極は、複数の電極層の積層体により形成されており、前記複数の電極層のうちの少なくとも一層の抵抗率は、５μΩｃｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の弾性境界波装置。
【請求項８】
前記抵抗率が５μΩｃｍ以下である電極層は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇからなる群から選択された一種の金属、またはＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金からなる、請求項７に記載の弾性境界波装置。
【請求項９】
前記ＩＤＴ電極は、複数の電極層の積層体により形成されており、前記ＩＤＴ電極と前記溝の底面との間と、隣り合う前記電極層の間とのうちの少なくとも一箇所に拡散防止膜が形成されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の弾性境界波装置。
【請求項１０】
前記拡散防止膜は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴａからなる群から選択された一種の金属、またはＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴａからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金からなる、請求項９に記載の弾性境界波装置。
【請求項１１】
前記圧電基板がＬｉＴａＯ３からなる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の弾性境界波装置。
【請求項１２】
前記ＩＤＴ電極は、前記圧電基板の溝内に位置しており、Ｐｔを含む第１の電極層と、前記圧電基板の溝外に位置しており、Ａｌを含む第２の電極層とを有し、前記第１の誘電体層が酸化珪素からなり、
前記圧電基板のオイラー角を（φ、θ、ψ）とし、前記溝角度をγとしたときに、オイラー角（φ、θ、ψ）のθ及び溝角度γが下記表１〜４に規定の範囲内にあり、かつオイラー角のφ及びψのそれぞれが０°±５°の範囲内にある、請求項１１に記載の弾性境界波装置。
【表１】
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【表２】
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【表３】
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【表４】
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【請求項１３】
前記圧電基板がＬｉＮｂＯ３からなる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の弾性境界波装置。
【請求項１４】
前記圧電基板のオイラー角を（φ、θ、ψ）とし、前記溝角度をγとしたときに、−５°≦φ≦＋５°、＋８０°≦θ≦＋１３０°、−１０°≦ψ≦＋１０°及び１０°≦γ＜９０°を満たす、請求項１３に記載の弾性境界波装置。
【請求項１５】
前記圧電基板のオイラー角を（φ、θ、ψ）とし、前記溝角度をγとしたときに、−５°≦φ≦＋５°、＋２００°≦θ≦＋２５０°、−１０°≦ψ≦＋１０°及び１０°≦γ＜９０°を満たす、請求項１３に記載の弾性境界波装置。
【請求項１６】
前記溝角度が、１０°以上８０°以下の範囲内にある、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の弾性境界波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振子やフィルタ装置として用いられる弾性境界波装置に関し、詳細には、ＩＤＴ電極の少なくとも一部が圧電基板に形成されている溝に埋め込まれている弾性境界波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性境界波装置は、空洞を有するパッケージを要さず、弾性表面波装置よりも小型化できる弾性波装置である。このため、近年、弾性境界波装置に対する注目が高まってきている。【０００３】
例えば、下記の特許文献１には、ＩＤＴ電極の少なくとも一部が圧電基板に形成されている溝に埋め込まれている弾性境界波装置が開示されている。この弾性境界波装置のＩＤＴ電極の一部分を拡大した略図的断面図を図７８に示す。図７８に示すように、弾性境界波装置１０１は、ＬｉＮｂＯ３基板１０２を備えている。ＬｉＮｂＯ３基板１０２の上には、酸化珪素膜１０３が形成されている。ＬｉＮｂＯ３基板１０２と、酸化珪素膜１０３との境界には、ＩＤＴ電極１０４が形成されている。ＩＤＴ電極１０４は、ＬｉＮｂＯ３基板１０２に形成されている溝１０２ａ内に埋め込まれている。ＩＤＴ電極１０４の上面は、ＬｉＮｂＯ３基板１０２の表面と面一とされている。【０００４】
特許文献１には、ＩＤＴ電極１０４の上面がＬｉＮｂＯ３基板１０２の表面と面一とされており、酸化珪素膜１０３の上面が平坦であるため、低い挿入損失を実現できる旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ２００８／０４４４１１  Ａ１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＩＤＴ電極１０４がＬｉＮｂＯ３基板１０２の溝１０２ａに埋め込まれた弾性境界波装置１０１では、伝搬する弾性境界波の音速を十分に高めることができないという問題があった。【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＩＤＴ電極の少なくとも一部が圧電基板に形成されている溝に埋め込まれている弾性境界波装置において、音速を高速化することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る弾性境界波装置は、圧電基板と、第１の誘電体層と、ＩＤＴ電極とを備えている。圧電基板の表面には、溝が形成されている。第１の誘電体層は、圧電基板の表面上に形成されている。ＩＤＴ電極は、圧電基板と第１の誘電体層との境界において、少なくとも一部が溝内に位置するように形成されている。溝の内側において、溝の内面の上端部と、圧電基板の表面とのなす角の大きさである溝角度が９０度未満である。【０００９】
なお、本明細書において、圧電基板の表面には、溝の底面や側面は含まれないものとする。【００１０】
本発明のある特定の局面では、ＩＤＴ電極の一部は、溝外に位置しており、ＩＤＴ電極の溝外に位置する部分は、圧電基板から離れるに従って先細っている。この構成では、第１の誘電体層とＩＤＴ電極との間に隙間が形成され難くなるため、フィルタ特性や共振特性の劣化を抑制することができる。【００１１】
本発明の他の特定の局面では、弾性境界波装置は、第１の誘電体層の上に形成されており、第１の誘電体層よりも速い音速を有する第２の誘電体層をさらに備えている。第２の誘電体層を設けることにより、弾性境界波が第１の誘電体層に効果的に閉じ込められる。従って、導波路効果により、挿入損失を小さくすることができる。【００１２】
本発明の別の特定の局面では、第１及び第２の誘電体層のそれぞれは、酸化珪素、窒化珪素または窒化アルミニウムからなる。【００１３】
本発明のさらに他の特定の局面では、ＩＤＴ電極の溝内に位置する部分の平均密度が、圧電基板の平均密度よりも高い。溝角度が９０°よりも小さい場合に、ＩＤＴ電極の溝内に位置する部分の平均密度を圧電基板の平均密度よりも高くすることによって、ストップバンドを大きくすることができる。【００１４】
本発明のさらに別の特定の局面では、ＩＤＴ電極の溝内に位置する部分の少なくとも一部は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択された一種の金属、またはＰｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金からなる。【００１５】
本発明のまた他の特定の局面では、ＩＤＴ電極は、複数の電極層の積層体により形成されており、複数の電極層のうちの少なくとも一層の抵抗率は、５μΩｃｍ以下である。この構成では、ＩＤＴ電極の抵抗を低くすることができるため、挿入損失をより小さくすることができる。【００１６】
本発明のまた別の特定の局面では、抵抗率が５μΩｃｍ以下である電極層は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇからなる群から選択された一種の金属、またはＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金からなる。【００１７】
本発明のさらにまた他の特定の局面では、ＩＤＴ電極は、複数の電極層の積層体により形成されており、ＩＤＴ電極と溝の底面との間と、隣り合う電極層の間とのうちの少なくとも一箇所に拡散防止膜が形成されている。この構成によれば、電極層間における電極材料の拡散を防止することができる。また、隣り合う電極層間の密着性を高めることができる。【００１８】
本発明のさらにまた別の特定の局面では、拡散防止膜は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴａからなる群から選択された一種の金属、またはＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴａからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金からなる。【００１９】
本発明のまたさらに他の特定の局面では、圧電基板がＬｉＴａＯ３からなる。【００２０】
本発明のまたさらに別の特定の局面では、ＩＤＴ電極は、圧電基板の溝内に位置しており、Ｐｔを含む第１の電極層と、圧電基板の溝外に位置しており、Ａｌを含む第２の電極層とを有し、第１の誘電体層が酸化珪素からなり、圧電基板のオイラー角を（φ、θ、ψ）とし、溝角度をγとしたときに、オイラー角（φ、θ、ψ）のθ及び溝角度γが下記表１〜４に規定の範囲内にあり、かつオイラー角のφ及びψのそれぞれが０°±５°の範囲内にある。この構成によれば、圧電基板がＬｉＴａＯ３からなる場合に、ストップバンドをより大きくすることができる。【００２１】
【表１】
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【００２２】
【表２】
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【００２３】
【表３】
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【００２４】
【表４】
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【００２５】
本発明のさらに異なるある特定の局面では、圧電基板がＬｉＮｂＯ３からなる。【００２６】
本発明のさらに異なる他の特定の局面では、圧電基板のオイラー角を（φ、θ、ψ）とし、溝角度をγとしたときに、−５°≦φ≦＋５°、＋８０°≦θ≦＋１３０°、−１０°≦ψ≦＋１０°及び１０°≦γ＜９０°を満たす。この構成では、圧電基板がＬｉＮｂＯ３からなり、ＳＨモードの弾性境界波を利用する場合に、ストップバンドをより大きくすることができる。【００２７】
本発明のさらに異なる別の特定の局面では、圧電基板のオイラー角を（φ、θ、ψ）とし、溝角度をγとしたときに、−５°≦φ≦＋５°、＋２００°≦θ≦＋２５０°、−１０°≦ψ≦＋１０°及び１０°≦γ＜９０°を満たす。この構成では、圧電基板がＬｉＮｂＯ３からなり、ストンリーモードの弾性境界波を利用する場合に、ストップバンドをより大きくすることができる。【００２８】
本発明のまた異なる特定の局面では、溝角度が、１０°以上８０°以下の範囲内にある。この構成では、音速をより速くすることができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明では、圧電基板と、圧電基板の上に形成されている第１の誘電体層と、圧電基板と第１の誘電体層との境界に形成されているＩＤＴ電極とを有する弾性境界波装置において、ＩＤＴ電極の少なくとも一部が埋め込まれている圧電基板の溝の溝角度が９０度未満とされているため、音速を高速化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、実施形態に係る弾性境界波装置の略図的平面図である。
【図２】図２は、弾性境界波装置の略図的断面図である。
【図３】図３は、ＩＤＴ電極をＡｌにより形成した場合の、溝角度γと、弾性境界波の音速との関係を表すグラフである。
【図４】図４は、ＩＤＴ電極をＰｔにより形成した場合の、溝角度γと、弾性境界波の音速との関係を表すグラフである。
【図５】図５は、ＩＤＴ電極をＡｌにより形成した場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６】図６は、ＩＤＴ電極をＰｔにより形成した場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図７】図７は、第１の変形例におけるＩＤＴ電極の一部を拡大した略図的断面図である。
【図８】図８は、第１の電極層の波長規格化膜厚が１％で、第２の電極層のうちの溝１０ａ内に位置する部分の波長規格化膜厚が５％で、第２の電極層のうちの溝１０ａ外に位置する部分の波長規格化膜厚が１０％である場合の溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図９】図９は、第１の電極層の波長規格化膜厚が３％で、第２の電極層のうちの溝１０ａ内に位置する部分の波長規格化膜厚が３％で、第２の電極層のうちの溝１０ａ外に位置する部分の波長規格化膜厚が１０％である場合の溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図１０】図１０は、第１の電極層の波長規格化膜厚が５％で、第２の電極層のうちの溝１０ａ内に位置する部分の波長規格化膜厚が１％で、第２の電極層のうちの溝１０ａ外に位置する部分の波長規格化膜厚が１０％である場合の溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図１１】図１１は、第２の変形例におけるＩＤＴ電極の一部を拡大した略図的断面図である。
【図１２】図１２は、第３の変形例におけるＩＤＴ電極の一部を拡大した略図的断面図である。
【図１３】図１３は、第４の変形例におけるＩＤＴ電極の一部を拡大した略図的断面図である。
【図１４】図１４は、第５の変形例におけるＩＤＴ電極の一部を拡大した略図的断面図である。
【図１５】図１５は、第６の変形例におけるＩＤＴ電極の一部を拡大した略図的断面図である。
【図１６】図１６は、第７の変形例におけるＩＤＴ電極の一部を拡大した略図的断面図である。
【図１７】図１７は、第８の変形例におけるＩＤＴ電極の一部を拡大した略図的断面図である。
【図１８】図１８は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図１９】図１９は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図２０】図２０は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図２１】図２１は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図２２】図２２は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図２３】図２３は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図２４】図２４は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図２５】図２５は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図２６】図２６は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図２７】図２７は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図２８】図２８は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図２９】図２９は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図３０】図３０は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図３１】図３１は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図３２】図３２は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図３３】図３３は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図３４】図３４は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図３５】図３５は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図３６】図３６は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図３７】図３７は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を２０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図３８】図３８は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図３９】図３９は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図４０】図４０は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図４１】図４１は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図４２】図４２は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図４３】図４３は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図４４】図４４は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図４５】図４５は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図４６】図４６は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図４７】図４７は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図４８】図４８は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図４９】図４９は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図５０】図５０は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図５１】図５１は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図５２】図５２は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図５３】図５３は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図５４】図５４は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図５５】図５５は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図５６】図５６は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図５７】図５７は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を４０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図５８】図５８は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図５９】図５９は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６０】図６０は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６１】図６１は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１２６°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６２】図６２は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６３】図６３は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６４】図６４は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６５】図６５は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３０°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６６】図６６は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６７】図６７は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６８】図６８は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図６９】図６９は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３４°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図７０】図７０は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図７１】図７１は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図７２】図７２は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図７３】図７３は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１３８°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図７４】図７４は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を２％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図７５】図７５は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を４％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図７６】図７６は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を６％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図７７】図７７は、第８の変形例において、圧電基板にオイラー角（０°、１４２°、０°）のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合において、Ｐｔの波長規格化膜厚を８％とし、Ａｌの波長規格化膜厚を５％、１０％、１５％とし、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚を６０％とし、ＳｉＮの波長規格化膜厚を１００％とし、各層間のＴｉの波長規格化膜厚を１０％とした場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を表すグラフである。
【図７８】図７８は、特許文献１に記載されている弾性境界波装置のＩＤＴ電極の一部分を拡大した略図的断面図である。
【図７９】図７９は、第９の変形例におけるＩＤＴ電極の一部を拡大した略図的断面図である。
【図８０】図８０は、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がオイラー角（０，８５°，０）であるＬｉＮｂＯ３基板からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。
【図８１】図８１は、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がオイラー角（０，９５°，０）であるＬｉＮｂＯ３基板からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。
【図８２】図８２は、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がオイラー角（０，１０５°，０）であるＬｉＮｂＯ３基板からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。
【図８３】図８３は、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がオイラー角（０，１１５°，０）であるＬｉＮｂＯ３基板からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。
【図８４】図８４は、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がオイラー角（０，１２５°，０）であるＬｉＮｂＯ３基板からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。
【図８５】図８５は、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がオイラー角（０，２０５°，０）であるＬｉＮｂＯ３基板からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。
【図８６】図８６は、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がオイラー角（０，２１５°，０）であるＬｉＮｂＯ３基板からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。
【図８７】図８７は、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がオイラー角（０，２２５°，０）であるＬｉＮｂＯ３基板からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。
【図８８】図８８は、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がオイラー角（０，２３５°，０）であるＬｉＮｂＯ３基板からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。
【図８９】図８９は、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がオイラー角（０，２４５°，０）であるＬｉＮｂＯ３基板からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３２】
図１は、本実施形態に係る弾性境界波装置の略図的平面図である。図２は、本実施形態に係る弾性境界波装置の略図的断面図である。図２に示すように、弾性境界波装置１は、所謂三媒質型の弾性境界波装置であり、圧電基板１０と、第１及び第２の誘電体層１１，１２とを備えている。
【００３３】
圧電基板１０は圧電材料からなるものである限りにおいて特に限定されない。圧電基板１０は、例えば、ＬｉＮｂＯ３基板やＬｉＴａＯ３基板などにより構成することができる。
【００３４】
圧電基板１０の上には、第１の誘電体層１１が形成されている。第１の誘電体層１１の上には、第２の誘電体層１２が形成されている。第２の誘電体層１２の音速は、第１の誘電体層１１の音速よりも速い。
【００３５】
第１及び第２の誘電体層１１，１２の材質は、第２の誘電体層１２の音速が第１の誘電体層１１の音速よりも速くなる限りにおいて特に限定されず、例えば、ＳｉＯ２などの酸化珪素やＳｉＮなどの窒化珪素などの他に、ＡｌＮなどの窒化アルミニウムなどにより第１及び第２の誘電体層１１，１２を形成することができる。
【００３６】
より具体的には、例えば、第１の誘電体層１１をＳｉＯ２などの酸化珪素により形成し、第２の誘電体層１２を、ＳｉＮなどの窒化珪素や、ＡｌＮなどの窒化アルミニウムにより形成することができる。
【００３７】
圧電基板１０と、第１の誘電体層１１との境界には、ＩＤＴ電極１３が形成されている。ＩＤＴ電極１３の少なくとも一部は、圧電基板１０に形成されている複数の溝１０ａ内に位置している。すなわち、ＩＤＴ電極１３の少なくとも一部は、圧電基板１０に形成されている複数の溝１０ａ内に埋め込まれている。具体的には、本実施形態では、ＩＤＴ電極１３の全体が溝１０ａ内に埋め込まれている。ＩＤＴ電極１３の表面と、圧電基板１０の表面１０ｂとは、面一とされている。
【００３８】
具体的には、図１に示すように、本実施形態では、ＩＤＴ電極１３は、それぞれ互いに間挿し合う一対のくし歯電極により形成されている第１〜第３のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを含む。第１〜第３のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃは、弾性波伝搬方向に沿って配列されている。第１〜第３のＩＤＴ電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃの弾性境界波伝搬方向の両側には、グレーティング反射器１４，１５が配置されている。このグレーティング反射器１４，１５も、圧電基板１０に形成されている溝１０ａに埋め込まれている。
【００３９】
図２に示すように、ＩＤＴ電極１３が埋め込まれている溝１０ａの横断面形状は、圧電基板１０の表面１０ｂから離れるに従って幅狭となる形状とされている。具体的には、本実施形態では、溝１０ａの横断面形状は、略台形とされている。そして、圧電基板１０の表面１０ｂ側に位置する、溝１０ａの内面の上端部と、圧電基板１０の表面１０ｂとのなす角のうち、溝１０ａの内側に位置する側の角の大きさ（溝角度）γが９０度未満とされている。このため、以下のように、ＩＤＴ電極１３において発生する弾性境界波の音速が高められている。
【００４０】
図３は、ＩＤＴ電極１３をＡｌにより形成した場合の、溝角度γと、弾性境界波の音速との関係を表すグラフである。図３に示す結果から、溝角度γを９０°未満にすることにより、溝角度が９０°である場合よりも弾性境界波の音速を高められることが分かる。また、溝１０ａ内に形成されているＩＤＴ電極１３が、密度が低いＡｌにより形成されている場合は、溝角度γの減少に伴って、弾性境界波の音速が一次関数的に増大することが分かる。
【００４１】
図４は、ＩＤＴ電極１３をＰｔにより形成した場合の、溝角度γと、弾性境界波の音速との関係を表すグラフである。図４に示す結果から、ＩＤＴ電極１３がＰｔにより形成されている場合であっても、溝角度γを９０°未満にすることにより、溝角度が９０°である場合よりも弾性境界波の音速を高められることが分かる。但し、溝１０ａ内に形成されているＩＤＴ電極１３が、密度が高いＰｔにより形成されている場合は、溝角度γの減少に対する弾性境界波の音速の変化率が、溝角度γが小さいほど高くなる傾向にあることが分かる。具体的には、溝角度γが８０°より大きい場合は、溝角度γの減少に伴って弾性境界波の音速は、それほど大きくは増大しない。それに対して、溝角度γが８０°以下である場合は、溝角度γの減少に伴って弾性境界波の音速が大きく増大する。
【００４２】
これらの結果から、ＩＤＴ電極１３の種類に関わらず、溝角度γを９０°未満にすることにより、溝角度γが９０°であるときよりも弾性境界波の音速を高めることができる。また、溝角度γは８０°以下であることが好ましい。溝角度γを８０°以下とすることにより、ＩＤＴ電極１３の種類に関わらず、弾性境界波の音速を大幅に高めることができる。
【００４３】
溝角度γの下限は、弾性境界波の音速との関係においては、特に限定されないが、溝角度γの下限は、例えば、１０°であることが好ましく、３０°であることが好ましく、４５°であることが好ましく、５５°であることがより好ましい。
【００４４】
なお、図３，４に弾性境界波の音速を示す弾性境界波装置の設計パラメータは、以下の通りである。
【００４５】
圧電基板１０：回転角が（０，１３８°，０）のＬｉＴａＯ３基板、
ＩＤＴ電極１３の電極指比率（ｄｕｔｙ）：０．５、
第１の誘電体層１１：ＳｉＯ２層（波長規格化膜厚：４０％）、
第２の誘電体層１２：ＳｉＮ層（波長規格化膜厚：１００％）、
次に、図３に示す、ＩＤＴ電極１３をＡｌにより形成した場合について、溝角度とストップバンドとの関係を示す。その結果を図５に示す。また、図４に示す、ＩＤＴ電極１３をＰｔにより形成した場合についても、溝角度とストップバンドとの関係を示す。その結果を図６に示す。
【００４６】
図５に示すように、ＩＤＴ電極１３が低密度のＡｌにより形成されている場合は、溝角度γが小さくなるにつれて、ストップバンドが小さくなる傾向にある。具体的には、ＩＤＴ電極１３が低密度のＡｌにより形成されている場合は、溝角度γが小さくなるにつれて、ストップバンドがほぼ一次関数的に小さくなる傾向にある。
【００４７】
それに対して、ＩＤＴ電極１３が高密度のＰｔにより形成されている場合は、溝角度γが９０°未満である場合は、溝角度γが９０°である場合よりもストップバンドが大きくなる傾向にある。
【００４８】
これらの結果から、溝角度γを９０°未満とすると共に、Ｐｔのような高密度の導電材料によりＩＤＴ電極１３を形成することにより、弾性境界波の音速を高めつつ、ストップバンドを大きくできることが分かる。
【００４９】
なお、図６に示す結果から、ＩＤＴ電極１３が高密度のＰｔにより形成されている場合は、溝角度γが小さくなるにつれて、ストップバンドが一次関数的に大きくならないことが分かる。溝角度γが９０°〜約７０°の範囲内においては、溝角度γが小さくなるにつれて、ストップバンドが単調増加する傾向にあるが、溝角度γが約７０°よりも小さい範囲内においては、溝角度γが小さくなるにつれて、ストップバンドが単調減少する傾向にある。但し、溝角度γが５５°である場合においても、溝角度γが９０°である場合よりもストップバンドは大きくなる。従って、ＩＤＴ電極１３がＰｔからなる場合は、ストップバンドを大きくするためには、溝角度γは、９０°未満５５°以上であることがより好ましく、約７０°であることがさらに好ましいことが分かる。
【００５０】
次に、ＩＤＴ電極１３の電極の密度とストップバンドとの関係を求めた。具体的には、溝角度γが６０°であるときと、９０°であるときとのそれぞれにおいて、ＩＤＴ電極１３の平均密度を種々変化させたときのストップバンドの大きさとの関係を、下記表５に示す。
【００５１】
【表５】
2011018913.tif 000007
【００５２】
上記表５に示すように、圧電基板１０（ＬｉＴａＯ３基板）の密度（７．４５ｇ／ｃｍ３）よりもＩＤＴ電極１３の平均密度が小さい場合は、溝角度γが６０°である場合よりも、溝角度γが９０°である場合の方がストップバンドが大きくなった。それに対して、圧電基板１０の密度（７．４５ｇ／ｃｍ３）よりもＩＤＴ電極１３の平均密度が大きい場合は、溝角度γが６０°である場合の方が、溝角度γが９０°である場合よりもストップバンドが大きくなった。この結果から、溝角度γを小さくすることによりストップバンドが大きくなるという効果は、ＩＤＴ電極１３が溝１０ａ内に完全に埋め込まれており、ＩＤＴ電極１３の表面が、圧電基板１０の表面１０ｂと面一である場合には、ＩＤＴ電極１３の平均密度が、圧電基板１０の平均密度よりも高い場合に得られることが分かる。すなわち、ＩＤＴ電極１３の平均密度を、圧電基板１０の平均密度よりも高くし、かつ、溝角度γを９０°未満にすることにより、弾性境界波の音速を高めつつ、ストップバンドを大きくできることが分かる。
【００５３】
従って、溝１０ａ内に位置するＩＤＴ電極１３の材料は、導電材料である限りにおいて特に限定されないが、ＩＤＴ電極１３の少なくとも一部は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択された一種の金属、またはＰｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金などの高密度な導電材料からなるものであることが好ましい。
【００５４】
以下、上記実施形態の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００５５】
（第１の変形例）
上記第１の実施形態では、ＩＤＴ電極１３の全体が溝１０ａ内に埋め込まれており、かつ、ＩＤＴ電極１３が単一の導電層により形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、ＩＤＴ電極１３のうちの一部のみが溝１０ａに埋め込まれており、残りの部分が圧電基板１０の表面１０ｂよりも上側に位置していてもよい。また、ＩＤＴ電極１３が複数の導電層の積層体により形成されていてもよい。
【００５６】
本変形例では、図７に示すように、少なくとも一部が溝１０ａ内に位置するように圧電基板１０上に形成されている第１の電極層１３ａと、第１の電極層１３ａに積層されている第２の電極層１３ｂとの電極層積層体によりＩＤＴ電極１３が形成されている。ＩＤＴ電極１３の一部は、圧電基板１０の表面１０ｂよりも上側に位置している。より具体的には、第１の電極層１３ａは、溝１０ａ内に形成されている。そして、第２の電極層１３ｂの一部が溝１０ａ内に位置しており、残りの部分が圧電基板１０の表面１０ｂよりも上側に位置している。
【００５７】
また、図７９に示すように、ＩＤＴ電極１３の溝１０ａ外に位置する部分１３Ｙは、圧電基板１０から離れるに従って先細るように形成されていてもよい。図７９に示す例では、具体的には、ＩＤＴ電極１３の溝１０ａ外に位置する部分１３Ｙの横断面形状は、上底の長さＴが下底の長さＲよりも短い略台形状に形成されている。
【００５８】
図７９に示すように、ＩＤＴ電極１３の溝１０ａ外に位置する部分１３Ｙを先細り形状とすることにより、第１の誘電体層１１とＩＤＴ電極１３との間に隙間が形成され難くなる。従って、第１の誘電体層１１とＩＤＴ電極１３との間に隙間が形成されることにより弾性境界波が散乱することを抑制することができる。その結果、挿入損失等の特性劣化を抑制することができる。
【００５９】
また、第１の誘電体層１１が酸化ケイ素からなる場合は、第１の誘電体層１１とＩＤＴ電極１３との間に隙間が形成されることによる周波数温度特性の劣化も抑制することができる。
【００６０】
また、ＩＤＴ電極１３の溝１０ａ外に位置する部分１３Ｙの横断面形状は、台形状に限定されるものではなく、半楕円形状、半長円状、三角形状などであってもよい。
【００６１】
第１の電極層１３ａは、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択された一種の金属、またはＰｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金などの、圧電基板１０よりも高密度の材料により形成されている。そして、ＩＤＴ電極１３の溝１０ａ内に位置する部分１３Ｚの平均密度が、圧電基板１０の平均密度よりも高くされている。すなわち、第１の電極層１３ａと、第２の電極層１３ｂの溝１０ａ内に位置する部分との平均密度が、圧電基板１０の平均密度よりも高くされている。具体的には、本実施形態では、第１の電極層１３ａがＰｔにより形成されており、第２の電極層１３ｂがＡｌにより形成されている。
【００６２】
下記の表６に、第１の電極層１３ａの厚さと、第２の電極層１３ｂのうちの溝１０ａ内に位置する部分の厚さとの比率を種々変化させた場合のＩＤＴ電極１３の溝１０ａ内に位置する部分１３Ｚの平均密度を示す。
【００６３】
また、図８に、第１の電極層１３ａの波長規格化膜厚が１％で、第２の電極層１３ｂのうちの溝１０ａ内に位置する部分の波長規格化膜厚が５％で、第２の電極層１３ｂのうちの溝１０ａ外に位置する部分の波長規格化膜厚が１０％である場合の溝角度γと、ストップバンドとの関係を示す。
【００６４】
図９に、第１の電極層１３ａの波長規格化膜厚が３％で、第２の電極層１３ｂのうちの溝１０ａ内に位置する部分の波長規格化膜厚が３％で、第２の電極層１３ｂのうちの溝１０ａ外に位置する部分の波長規格化膜厚が１０％である場合の溝角度γと、ストップバンドとの関係を示す。
【００６５】
図１０に、第１の電極層１３ａの波長規格化膜厚が５％で、第２の電極層１３ｂのうちの溝１０ａ内に位置する部分の波長規格化膜厚が１％で、第２の電極層１３ｂのうちの溝１０ａ外に位置する部分の波長規格化膜厚が１０％である場合の溝角度γと、ストップバンドとの関係を示す。
【００６６】
なお、図８〜図１０において、「１３４°」で示すグラフが、回転角が（０°，１３４°，０°）であるＬｉＴａＯ３基板を圧電基板１０として用いた場合のグラフである。「１３８°」で示すグラフが、回転角が（０°，１３８°，０°）であるＬｉＴａＯ３基板を圧電基板１０として用いた場合のグラフである。「１４２°」で示すグラフが、回転角が（０°，１４２°，０°）であるＬｉＴａＯ３基板を圧電基板１０として用いた場合のグラフである。
【００６７】
【表６】
2011018913.tif 000008
【００６８】
上記表６に示すように、第１の電極層１３ａの波長規格化膜厚が１％で、第２の電極層１３ｂのうちの溝１０ａ内に位置する部分の波長規格化膜厚が５％である場合は、ＩＤＴ電極１３の溝１０ａ内に位置する部分の平均密度が５．４１ｇ／ｃｍ３であり、圧電基板１０（ＬｉＴａＯ３基板）の密度（７．４５ｇ／ｃｍ３）よりも小さい。この場合には、図８に示すように、溝角度γが９０°であるときにストップバンドがもっとも大きく、溝角度γが９０°から小さくなるにつれてストップバンドが小さくなる傾向にある。
【００６９】
上記表６に示すように、第１の電極層１３ａの波長規格化膜厚が３％で、第２の電極層１３ｂのうちの溝１０ａ内に位置する部分の波長規格化膜厚が３％である場合は、ＩＤＴ電極１３の溝１０ａ内に位置する部分の平均密度が１１．３４ｇ／ｃｍ３であり、圧電基板１０（ＬｉＴａＯ３基板）の密度（７．４５ｇ／ｃｍ３）よりも大きい。同様に、第１の電極層１３ａの波長規格化膜厚が５％で、第２の電極層１３ｂのうちの溝１０ａ内に位置する部分の波長規格化膜厚が１％である場合は、ＩＤＴ電極１３の溝１０ａ内に位置する部分の平均密度が１７．９５ｇ／ｃｍ３であり、圧電基板１０（ＬｉＴａＯ３基板）の密度（７．４５ｇ／ｃｍ３）よりも大きい。これらの場合には、図９及び図１０に示すように、溝角度γを９０°未満とすることにより、溝角度γを９０°とする場合よりもストップバンドを大きくできることが分かる。
【００７０】
これらの結果から、ＩＤＴ電極１３が導電層積層体により形成されている場合であっても、ＩＤＴ電極１３の溝１０ａ内に位置する部分１３Ｚの平均密度を、圧電基板１０の平均密度よりも高くすることによって、弾性境界波の音速を高めつつ、ストップバンドを大きくできることが分かる。また、ＩＤＴ電極１３の溝１０ａ内に位置する部分１３Ｚの平均密度を、圧電基板１０の平均密度よりも高くすることによって、弾性境界波の音速を高めつつ、ストップバンドを大きくできるという効果は、ＩＤＴ電極１３の一部のみが溝１０ａ内に位置しており、他の部分が圧電基板１０の表面１０ｂよりも上側に位置している場合においても同様に得られることが分かる。
【００７１】
なお、第２の電極層１３ｂの材料は、導電材料である限りにおいて特に限定されない。第２の電極層１３ｂの材料は、圧電基板１０の密度よりも高いものであってもよいし、低いものであってもよい。例えば、第２の電極層１３ｂを、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択された一種の金属、またはＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金などの、圧電基板１０よりも高密度の材料により形成してもよい。
【００７２】
但し、ＩＤＴ電極１３の電気抵抗率が大きくなると、弾性境界波装置の挿入損失が大きくなるため、第２の電極層１３ｂは、電気抵抗率の低い金属または合金により形成されていることが好ましい。第２の電極層１３ｂの電気抵抗率は、５μΩｃｍ以下であることが好ましく、従って、第２の電極層１３ｂは、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇからなる群から選択された一種の金属、またはＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金などの低抵抗率材料からなることが好ましい。
【００７３】
次に、図１７の断面形状を有する構造において、圧電基板１０がＬｉＴａＯ３からなる場合の、圧電基板１０のオイラー角（φ、θ、ψ）のθ及び溝角度γと、ストップバンドとの関係を確認した。
【００７４】
図１７に示すように、本実験に際して作製した弾性境界波装置では、ＩＤＴ電極１３は、圧電基板１０側から、第１の拡散防止膜１３ｃ、第１の電極層１３ａ、第２の拡散防止膜１３ｄ、第２の電極層１３ｂ及び第３の拡散防止膜１３ｅがこの順番で積層された積層体により形成されている。第１〜第３の拡散防止膜１３ｃ〜１３ｅのそれぞれは、波長規格化膜厚が０．５％のＴｉ膜により形成した。第１の電極層１３ａは、波長規格化膜厚が２，４，６または８％のＰｔ膜により形成した。第２の電極層１３ｂは、波長規格化膜厚が５，１０または１５％の膜厚のＡｌ膜により形成した。なお、第１の拡散防止膜１３ｃと、第１の電極層１３ａとが溝１０ａ内に位置しており、それ以外の部分は、溝１０ａ外に位置している。第１の誘電体層１１は、波長規格化膜厚が２０，４０または６０％のＳｉＯ２膜により形成し、第２の誘電体膜１２は、波長規格化膜厚が１００％のＳｉＮ膜により形成した。
【００７５】
図１８〜図７７に、オイラー角が（０°、１２６°〜１４２°、０°）であるＬｉＴａＯ３基板により圧電基板が構成されている場合の、Ｐｔの波長規格化膜厚が２％、４％、６％、８％、Ａｌの波長規格化膜厚が５％、１０％、１５％、ＳｉＯ２の波長規格化膜厚が２０％、４０％、６０％である場合の、溝角度γと、ストップバンドとの関係を示す。
【００７６】
また、図１８〜図７７に示す各条件のデータの近似式を、最小二乗法を用いて算出した。なお、近似式は、二次関数(ｙ＝ａｘ２±ｂｘ＋ｃ、但し、ｙは、ストップバンド、ｘは、溝角度である。)であるものとした。算出した各条件のデータの近似式におけるａ、ｂ、ｃの値を下記の表７〜１１に示す。
【００７７】
さらに、得られた近似式より、溝角度が９０°であるときのストップバンドの大きさと、ストップバンドが、溝角度が９０°であるときのストップバンド以上である領域の溝角度の下限値、すなわち、ストップバンドが、溝角度が９０°であるときのストップバンドと等しくなるときの溝角度を算出した。これらの結果も、下記の表７〜表１１に示す。
【００７８】
【表７】
2011018913.tif 000009
【００７９】
【表８】
2011018913.tif 000010
【００８０】
【表９】
2011018913.tif 000011
【００８１】
【表１０】
2011018913.tif 000012
【００８２】
【表１１】
2011018913.tif 000013
【００８３】
次に、表７〜表１１に示す結果と、溝角度の物理的に撮り得る範囲とから、圧電基板１０がＬｉＴａＯ３基板からなる場合に、溝角度が９０°であるときよりもストップバンドを大きくできる溝角度の範囲を算出した。算出結果を、下記の表１２〜１５に示す。
【００８４】
具体的には、溝の横断面形状が台形となる溝角度の下限は、溝の波長規格化深さが２％で、デューティーが０．４〜０．６の場合、約１０°である。このため、例えば、ストップバンドが、溝角度が９０°であるときのストップバンド以上である領域の溝角度の下限値が１０°より大きいときは、溝角度が９０°であるときよりもストップバンドを大きくできる溝角度の範囲の下限値として、溝角度が９０°であるときのストップバンド以上である領域の溝角度の下限値を採用した。一方、ストップバンドが、溝角度が９０°であるときのストップバンド以上である領域の溝角度の下限値が１０°未満であるときは、溝角度が９０°であるときよりもストップバンドを大きくできる溝角度の範囲の下限値を１０°とした。
【００８５】
以上より、圧電基板１０がＬｉＴａＯ３基板からなる場合には、オイラー角（φ、θ、ψ）のθ及び溝角度γを、下記表１２〜１５に規定の範囲内とすることにより、ストップバンドを大きくできることが分かる。
【００８６】
なお、上記データでは、φ、ψのそれぞれを０°としているが、０°のときのデータが、０°±５°の範囲内に一般的に適用可能なことは当業者にとっては周知である。
【００８７】
【表１２】
2011018913.tif 000014
【００８８】
【表１３】
2011018913.tif 000015
【００８９】
【表１４】
2011018913.tif 000016
【００９０】
【表１５】
2011018913.tif 000017
【００９１】
また、圧電基板１０がＬｉＮｂＯ３のときは、圧電基板のオイラー角を（φ、θ、ψ）とし、溝角度をγとしたときに、−５°≦φ≦＋５°、＋８０°≦θ≦＋１３０°、−１０°≦ψ≦＋１０°及び１０°≦γ＜９０°を満たすことが好ましい。この構成によれば、圧電基板１０がＬｉＮｂＯ３からなり、ＳＨモードの弾性境界波を利用する場合に、ストップバンドをより大きくすることができる。また、弾性境界波の伝搬ロスを特に小さくすることができ、不要なスプリアスの発生を効果的に抑制することができる。
【００９２】
図８０〜図８４に、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がＬｉＮｂＯ３からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。なお、図８０〜図８４に示すデータにおける設計パラメータは以下の通りである。
【００９３】
圧電基板１０：オイラー角（φ、θ、ψ）が（０，８５°，０）、（０，９５°，０）、（０，１０５°，０）、（０，１１５°，０）または（０，１２５°，０）のＬｉＮｂＯ３基板
ＩＤＴ電極１３の電極指比率（ｄｕｔｙ）：０．５
第１の誘電体層１１：ＳｉＯ２層（波長規格化膜厚：６０％）
第１の電極層１３a；Ｐｔ層（波長規格化膜厚：４％）
第２の電極層１３ｂ；Ａｌ層（波長規格化膜厚：１０％）
第１〜第３の拡散防止膜１３ｃ〜１３ｅ；Ｔｉ膜（波長規格化膜厚が０．５％）
【００９４】
また、圧電基板１０がＬｉＮｂＯ３のときは、−５°≦φ≦＋５°、＋２００°≦θ≦＋２５０°、−１０°≦ψ≦＋１０°及び１０°≦γ＜９０°を満たすようにすることも好ましい。この構成によれば、圧電基板１０がＬｉＮｂＯ３からなり、ストンリーモードの弾性境界波を利用する場合に、ストップバンドをより大きくすることができる。また、弾性境界波の伝搬ロスを特に小さくすることができ、不要なスプリアスの発生を効果的に抑制することができる。
【００９５】
図８５〜図８９に、図１７に示す断面形状を有し、圧電基板がＬｉＮｂＯ３からなる場合の溝角度（γ）とストップバンドとの関係を示す。なお、図８５〜図８９に示すデータにおける設計パラメータは以下の通りである。
【００９６】
圧電基板１０：オイラー角（φ、θ、ψ）が（０，２０５°，０）、（０，２１５°，０）、（０，２２５°，０）、（０，２３５°，０）または（０，２４５°，０）のＬｉＮｂＯ３基板
ＩＤＴ電極１３の電極指比率（ｄｕｔｙ）：０．５
第１の誘電体層１１：ＳｉＯ２層（波長規格化膜厚：６０％）
第１の電極層１３a；Ｐｔ層（波長規格化膜厚：４％）
第２の電極層１３ｂ；Ａｌ層（波長規格化膜厚：１０％）
第１〜第３の拡散防止膜１３ｃ〜１３ｅ；Ｔｉ膜（波長規格化膜厚が０．５％）
【００９７】
なお、本明細書において、オイラー角、結晶軸及び等価なオイラー角の意味は以下の通りとする。
【００９８】
（オイラー角）
本明細書において、基板の切断面と境界波の伝搬方向を表現するオイラー角（φ、θ、ψ）は、文献「弾性波素子技術ハンドブック」（日本学術振興会弾性波素子技術第１５０委員会、第１版第１刷、平成３年１月３０日発行、５４９頁）記載の右手系オイラー角を用いた。
【００９９】
すなわち、例えばＬｉＮｂＯ３の結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚに対し、Ｚ軸を軸としてＸ軸を反時計廻りにφ回転しＸａ軸を得る。
【０１００】
次に、Ｘａ軸を軸としてＺ軸を反時計廻りにθ回転しＺ′軸を得る。
【０１０１】
Ｘａ軸を含み、Ｚ′軸を法線とする面を基板の切断面とした。
【０１０２】
そして、Ｚ′軸を軸としてＸａ軸を反時計廻りにψ回転した軸Ｘ′方向を境界波の伝搬方向とした。
【０１０３】
（結晶軸）
また、オイラー角の初期値として与える結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚ軸をｃ軸と平行とし、Ｘ軸を等価な３方向のａ軸のうち任意の１つと平行とし、Ｙ軸はＸ軸とＺ軸を含む面の法線方向とする。
【０１０４】
（等価なオイラー角）
なお、本発明におけるオイラー角（φ、θ、ψ）は結晶学的に等価であればよい。
例えば、文献（日本音響学会誌３６巻３号、１９８０年、１４０〜１４５頁）によれば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３は三方晶系３ｍ点群に属する結晶であるので、〔１〕式が成り立つ。
【０１０５】
Ｆ（φ、θ、ψ）＝Ｆ（６０°−φ、−θ、１８０°−ψ）
＝Ｆ（６０°＋φ、−θ、ψ）
＝Ｆ（φ、１８０°＋θ、１８０°−ψ）
＝Ｆ（φ、θ、１８０°＋ψ）            ・・・〔１〕
ここで、Ｆは、電気機械結合係数ｋｓ２、伝搬損失、ＴＣＦ、ＰＦＡ、ナチュラル一方向性などの任意の境界波特性である。
【０１０６】
ＰＦＡのナチュラル一方向性は、例えば伝搬方向を正負反転してみた場合、符号は変わるものの絶対量は等しいので実用上等価であると考えられる。
【０１０７】
なお、上記の文献は表面波に関するものであるが、境界波に関しても結晶の対称性は同様に扱える。
【０１０８】
例えば、オイラー角（３０°、θ、ψ）の境界波伝搬特性は、オイラー角（９０°、１８０°−θ、１８０°−ψ）の境界波伝搬特性と等価である。
【０１０９】
また、例えば、オイラー角（３０°、９０°、４５°）の境界波伝搬特性は、表１６に示すオイラー角の境界波伝搬特性と等価である。
【０１１０】
また、本発明において計算に用いた導体の材料定数は多結晶体の値であるが、エピタキシャル膜などの結晶体においても、膜自体の結晶方位依存性より基板の結晶方位依存性が境界波特性に対して支配的であるので、〔１〕式により、実用上問題ない程度に同等の境界波伝搬特性が得られる。
【０１１１】
【表１６】
2011018913.tif 000018
【０１１２】
（その他の変形例）
上記実施形態では、圧電体並びに第１及び第２の誘電体層により構成されている三媒質型の弾性境界波装置について説明したが、本発明に係る弾性境界波装置は、三媒質型の弾性境界波装置に限定されない。本発明に係る弾性境界波装置は、第２の誘電体層を有さない二媒質型の弾性境界波装置であってもよい。但し、第２の誘電体層を設けることによって、導波路効果により、挿入損失を小さくできることより、本発明に係る弾性境界波装置は、三媒質型の弾性境界波装置であることが好ましい。
【０１１３】
本発明において、ＩＤＴ電極構造は、上記実施形態や第１の変形例に示した構造に限定されない。ＩＤＴ電極は、例えば、図１１〜図１６に示すような構造を有するものであってもよい。
【０１１４】
図１１に示す例では、ＩＤＴ電極１３は、圧電基板１０上において、溝１０ａ内に形成されている第１の拡散防止膜１３ｃと、第１の拡散防止膜１３ｃの上に形成されている第１の電極層１３ａと、第１の電極層１３ａの上に形成されている第２の電極層１３ｂと、第１の電極層１３ａと第２の電極層１３ｂとの間に形成されている第２の拡散防止膜１３ｄとにより構成されている。そして、第１及び第２の電極層１３ａ、１３ｂ並びに第１及び第２の拡散防止膜１３ｃ、１３ｄの全てが溝１０ａ内に形成されている。図１１に示すように、隣り合う電極層１３ａ、１３ｂの間や、電極層１３ａと圧電基板１０との間に拡散防止膜１３ｃ、１３ｄを設けることにより、電極層１３ａ、１３ｂからの電極材料の拡散を防止することができる。また、電極層１３ａ、１３ｂの密着性を高めることができる。
【０１１５】
拡散防止膜１３ｃ、１３ｄの材料は特に限定されないが、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴａからなる群から選択された一種の金属、またはＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴａからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む合金により拡散防止膜１３ｃ、１３ｄを形成することができる。
【０１１６】
また、図１２に示す例では、電極層として、第１の電極層１３ａのみが設けられており、第１の電極層１３ａと圧電基板１０との間に第１の拡散防止膜１３ｃが形成されている。第１の電極層１３ａの一部が溝１０ａ内に位置し、残りの部分は、溝１０ａ外に位置している。
【０１１７】
図１３に示す例も、図１２に示す例と同様に、第１の電極層１３ａと、第１の拡散防止膜１３ｃとによりＩＤＴ電極１３が構成されている。図１３に示す例では、第１の電極層１３ａの中央部分の表面が圧電基板１０の表面１０ｂと面一となっており、第１の電極層１３ａの端部を除いた部分が溝１０ａ内に位置している。
【０１１８】
図１４に示す例は、図１１に示す例と同様に、第１及び第２の電極層１３ａ、１３ｂと、第１及び第２の拡散防止膜１３ｃ、１３ｄとによりＩＤＴ電極１３が構成されている。図１１に示す例では、ＩＤＴ電極１３の全体が溝１０ａ内に位置しているが、図１４に示す例では、第１の電極層１３ａの一部と、第２の拡散防止膜１３ｄと、第２の電極層１３ｂとが溝１０ａ外に位置している。このため、図１４に示す例では、溝１０ａの内部には、密度の高い導電材料からなる第１の電極層１３ａのみが位置しており、密度の低い導電材料からなる第２の電極層１３ｂは位置していない。
【０１１９】
図１５に示す例も、図１１に示す例及び図１４に示す例と同様に、第１及び第２の電極層１３ａ、１３ｂと、第１及び第２の拡散防止膜１３ｃ、１３ｄとによりＩＤＴ電極１３が構成されている。図１５に示す例では、第１及び第２の電極層１３ａ、１３ｂのうち、密度の高い導電材料で形成されている第１の電極層１３ａのみが溝１０ａ内に位置しており、第２の電極層１３ｂは、溝１０ａ外に位置している。具体的には、第１の電極層１３ａと、第１及び第２の拡散防止膜１３ｃ、１３ｄとが溝１０ａ内に位置しており、第２の電極層１３ｂは、溝１０ａ外に位置している。
【０１２０】
図１６に示す例も、図１１，１４及び１５に示す例と同様に、第１及び第２の電極層１３ａ、１３ｂと、第１及び第２の拡散防止膜１３ｃ、１３ｄとによりＩＤＴ電極１３が構成されている。図１６に示す例では、第１及び第２の電極層１３ａ、１３ｂのそれぞれの一部が溝１０ａ内に位置している。すなわち、密度が低い導電材料により形成されている第２の電極層１３ｂの一部も溝１０ａ内に位置している。
【０１２１】
なお、図１１〜図１６に示す例では、ＩＤＴ電極１３が、電極層として、第１及び第２の電極層１３ａ、１３ｂのみを有する場合について説明したが、ＩＤＴ電極１３は、３層以上の電極層を有するものであってもよい。
【０１２２】
また、本発明に係る弾性境界波装置は、例えば、共振子であってもよいし、フィルタ装置であってもよい。
【０１２３】
また、圧電基板に形成されている溝の横断面形状は、台形状に特に限定されるものではなく、例えば、半楕円形状、半長円状、三角形状などであってもよい。
【０１２４】
また、溝の内面の上端部と圧電基板の表面とのなす角度が９０°未満であればよく、溝の内面の一部に、圧電基板の表面とのなす角度が９０°以上である部分が存在してもよい。
【符号の説明】
【０１２５】
１…弾性境界波装置
１０…圧電基板
１０ａ…溝
１０ｂ…圧電基板の表面
１１…第１の誘電体層
１２…第２の誘電体層
１３…ＩＤＴ電極
１３Ａ…第１のＩＤＴ電極
１３Ｂ…第２のＩＤＴ電極
１３Ｃ…第３のＩＤＴ電極
１３Ｚ…ＩＤＴ電極の溝内に位置する部分
１３ａ…第１の電極層
１３ｂ…第２の電極層
１３ｃ…第１の拡散防止膜
１３ｄ…第２の拡散防止膜
１３ｅ…第３の拡散防止膜
１４，１５…グレーティング反射器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６】
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【図８７】
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【図８８】
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【図８９】
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【国際調査報告】
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2011018913.tif 000113
2011018913.tif 000114
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