(57)【要約】  弾性波装置は、基板と、基板の一方主面に設けられた弾性波素子とを有する。基板の側面には、一方主面よりも他方主面側において側面から突出した突出部が設けられている。
2011065499.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の一方の主面に設けられた弾性波素子と、
を有し、
前記基板の側面には、前記一方の主面よりも他方の主面側において該側面から突出した突出部が設けられている
弾性波装置。
【請求項２】
前記基板の側面を厚み方向に一方の主面側の第１領域と他方の主面側の第２領域とに二等分したときに、前記突出部が前記第２領域に設けられている
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記突出部は、前記他方の主面の外周に沿って該外周の全周に亘って設けられている
請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記突出部は、前記他方の主面に近い位置に向かうにつれて外方に広がるテーパ状とされている
請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記基板の側面の前記突出部よりも前記一方の主面側の部分を覆うとともに、前記突出部に対して前記一方の主面側から当接する、前記基板よりも軟らかい樹脂膜をさらに有する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記一方の主面上に設けられた、前記弾性波素子を封止するカバーをさらに有し、
前記カバーの側面は前記基板の側面よりも内側に位置することによって段差を形成しており、
前記樹脂膜は、前記基板の側面から前記カバーの側面に跨って設けられているとともに、前記段差に対して前記一方の主面側から当接している
請求項５に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記基板の側面の前記突出部よりも前記一方の主面側、および前記突出部の前記基板の側方に面する面は、ブレードによる切断面によって構成されている切断面である
請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
一方の主面に複数の弾性波素子が設けられたウェハの前記一方の主面側部分を第１ブレードによって切断して複数の弾性波装置を区画する溝部を形成する第１切断工程と、
第１ブレードよりも刃厚の薄い第２ブレードによって、前記溝部に沿って前記ウェハの他方の主面側部分を切断して前記ウェハを分離する第２切断工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１切断工程の後、かつ前記第２切断工程の前に、前記溝部に樹脂を充填する工程をさらに有する
請求項８に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１切断工程よりも前に、前記ウェハの前記他方の主面に樹脂層を形成する工程をさらに有し、
前記第１切断工程では、前記樹脂層を切断せず、
前記第２切断工程では、前記樹脂層を切断する
請求項８または９に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板と、基板の主面上に設けられた弾性波素子とを有する弾性波装置が知られている。特許文献１は、基板の側面や裏面（弾性波素子が設けられる主面とは反対側の主面）を樹脂により覆うことにより、耐衝撃性の向上が図られた弾性波装置を開示している。【０００３】
弾性波装置は、製造後から実装されるまでの間の運搬時などにおいて、基板の側方から衝撃を受けることがある。なお、特許文献１は、耐衝撃性について言及しているものの、基板の側方からの衝撃に特に着目しているわけではない。その結果、特許文献１の弾性波装置は、基板側方からの衝撃に特に好適な態様とはなっていない。【０００４】
従って、基板側方からの耐衝撃性を向上できる弾性波装置およびその製造方法が提供されることが好ましい。【０００５】
【特許文献１】特開２００８−５４６４号公報
【発明の概要】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る弾性波装置は、基板と、該基板の一方の主面に設けられた弾性波素子と、を有する。前記基板の側面には、前記一方の主面よりも他方の主面側において該側面から突出した突出部が設けられている。
【０００７】
本発明の一実施形態に係る弾性波装置の製造方法は、一方の主面に複数の弾性波素子が設けられたウェハの前記一方の主面側部分を第１ブレードによって切断して複数の弾性波装置を区画する溝部を形成する第１切断工程と、第１ブレードよりも刃厚の薄い第２ブレードによって、前記溝部に沿って前記ウェハの他方の主面側部分を切断して前記ウェハを分離する第２切断工程と、を有する。
【０００８】
上記の構成および手順によれば、弾性波装置の搬送時などにおいて、弾性波装置の側面に衝撃が加えられる場合に、突出部に衝突が生じやすくなる。一方、弾性波装置の性能維持に関しては、他方の主面側部分の形状維持よりも弾性波素子が設けられている一方の主面側部分の形状維持が支配的である。従って、弾性波装置は、全体として、基板側方からの耐衝撃性が向上することになる。これによって、弾性波素子の形状維持やカバーと基板との密着性維持が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１のＳＡＷ装置を一部を破断して示す概略斜視図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における概念的な断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、図４（ｄ）の続きを示す断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｄ）は、図５（ｃ）の続きを示す断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１〜第３の変形例に係る突出部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１１】
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。
【００１２】
ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、全体として概ね直方体状に形成されている。直方体の一の面には、複数の端子３が露出している。複数の端子３の数および配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子３が一の面の外縁に沿って配列されている場合を例示している。
【００１３】
ＳＡＷ装置１は、複数の端子３のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子３のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、複数の端子３が露出している面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、端子３を実装面上の端子に接続した状態で実装される。
【００１４】
図２は、ＳＡＷ装置１を、一部を破断して示す斜視図である。また、図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【００１５】
ＳＡＷ装置１は、基板５と、基板５に設けられたＳＡＷ素子７とを有している。また、ＳＡＷ装置１は、ＳＡＷ素子７の保護等を目的として、ＳＡＷ素子７を覆うカバー９と、基板５の側面を覆う樹脂膜１１と、基板５のＳＡＷ素子７側とは反対側に設けられた裏面電極１３と、裏面電極１３に積層された樹脂層１５とを有している。
【００１６】
基板５は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板５は、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶基板である。基板５は、概ね、薄型の直方体状に形成されており、第１主面５ａと、その背面側の第２主面５ｂ（図３）と、第１主面５ａおよび第２主面５ｂの側方（外周側）に面する側面５ｃとを有している。側面５ｃには、側面５ｃよりも外側に突出した突出部５ｄが形成されている。
【００１７】
突出部５ｄは、第２主面５ｂの外周に沿って、この外周の全周に亘って設けられている。換言すれば、突出部５ｄは、側面５ｃの第２主面５ｂ側部分が拡径することによって形成されていると捉えることもできるし、圧電基板３の第１主面５ａ側を外周の全周に亘って切り欠いたときに、切り欠かれずに残った部分によって形成されていると捉えることもできる。突出部５ｄの断面形状（図３に示す断面形状）は概ね矩形である。また、突出部５ｄは、側面５ｃを上下方向に第１領域（第１主面５ａ側の領域）と第２領域（第２主面５ｂ側の領域）とに二等分したときに、第２領域内に設けられている。
【００１８】
基板５の１辺の長さは、例えば、０．５ｍｍ〜２ｍｍである。基板５の厚さは、例えば、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍである。突出部５ｄの出っ張り量は、例えば、５〜１０μｍである。突出部５ｄの厚さは、例えば、２５〜５０μｍである。
【００１９】
ＳＡＷ素子７は、ＳＡＷ装置１に入力された信号をフィルタリングするためのものである。ＳＡＷ素子７は、第１主面５ａに設けられている。ＳＡＷ素子７は、一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）１７を有している。各櫛歯状電極１７は、基板５におけるＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１７ａ（図２）と、バスバー１７ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１７ｂとを有している。櫛歯状電極１７同士は、それぞれの電極指１７ｂが互いに噛み合うように設けられている。
【００２０】
なお、図２および図３は模式図であることから、数本の電極指１７ｂを有する一対の櫛歯状電極１７を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数のＳＡＷ素子７が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてよい。ＳＡＷ素子７は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２１】
カバー９は、第１主面５ａの平面視においてＳＡＷ素子７を囲む枠部１９と、枠部１９の開口を塞ぐ蓋部２１とを有している。そして、第１主面５ａ（厳密には後述する保護膜２９）、枠部１９および蓋部２１によって囲まれた空間により、ＳＡＷの伝搬を容易化するための振動空間Ｓが形成されている。なお、振動空間Ｓは、適宜な数および形状で設けられてよく、本願では、２つの振動空間Ｓが設けられている場合を例示している。
【００２２】
枠部１９は、概ね一定の厚さの層に振動空間Ｓとなる開口が１つ以上形成されることによって構成される。本実施形態では振動空間Ｓは２つ設けられている。枠部１９の厚さ（振動空間Ｓの高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部２１は、枠部１９上に積層される、概ね一定の厚さの層によって構成されている。蓋部２１の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。
【００２３】
カバー９の平面形状は、例えば、基板５の平面形状と同様であり、本実施形態では矩形である。カバー９は、例えば、第１主面５ａと概ね同等の広さを有し、第１主面５ａの概ね全面を覆っている。ただし、カバー９は、第１主面５ａよりも若干狭く、側面５ｃとカバー９の側面９ｃとの間には段差が形成されている。当該段差は、第１主面５ａの全周に亘って形成されている。当該段差の大きさは、例えば、５〜２０μｍである。
【００２４】
枠部１９および蓋部２１は、例えば、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
【００２５】
枠部１９および蓋部２１は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。本例では、説明の便宜上、枠部１９と蓋部２１との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１９と蓋部２１とが同一材料によって形成され、一体的に形成されていてもよい。
【００２６】
樹脂膜１１は、側面５ｃのうち突出部５ｄよりも第１主面５ａ側の部分およびカバー９の側面９ｃを覆っている。樹脂膜１１は、基板５、カバー９および樹脂膜１１により構成されるＳＡＷ装置１の外形が直方体状になるように、突出部５ｄに起因する段差、および基板５とカバー９との段差を埋めるように設けられている。すなわち、樹脂膜１１は、側面５ｃのうち突出部５ｄよりも第１主面５ａ側の部分の全面および側面９ｃの全面を覆い、また、樹脂膜１１の外周面１１ｅは突出部５ｄの頂面５ｅと面一であり、樹脂膜１１の第１主面５ａ側の端面１１ａはカバー９の上面９ａと面一である。
【００２７】
樹脂膜１１は、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、ビフェノール樹脂、またはポリイミド樹脂により形成されている。樹脂膜１１は、基板５よりもヤング率が低い。すなわち、樹脂膜１１は、基板５よりも軟らかく、衝撃を吸収しやすい。
【００２８】
裏面電極１３は、第２主面５ｂの全面を覆っている。裏面電極１３の厚さは、例えば、１μｍ〜数μｍである。裏面電極１３は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。温度変化等によって基板５にチャージされた電荷が裏面電極１３に流れることにより、ＳＡＷ素子７の焦電破壊が抑制される。
【００２９】
樹脂層１５は、第２主面５ｂ（裏面電極１３）の全面を覆っている。樹脂層１５の厚さは、例えば、２５μｍ〜５０μｍである。樹脂層１５は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂によって形成されている。樹脂層１５は、樹脂膜１１と同様に、基板５よりもヤング率が低い。
【００３０】
端子３は、第１主面５ａに立てられており、カバー９に形成された孔部９ｈを介してカバー９の上面９ａにおいて露出している。具体的には、孔部９ｈは、振動空間Ｓの外側において、枠部１９および蓋部２１を第１主面５ａの面する方向へ貫通している。
【００３１】
第１主面５ａには、ＳＡＷ素子７に接続された配線２３（図２）と、配線２３に接続された複数のパッド２５とが設けられている。端子３は、パッド２５上に設けられることにより、ＳＡＷ素子７と接続されている。
【００３２】
図３に示すように、第１主面５ａ上には、導体層２７と、導体層２７を覆う保護膜２９とが設けられている。
【００３３】
導体層２７は、ＳＡＷ素子７、配線２３（図２）の少なくとも一部、およびパッド２５の少なくとも一部を構成している。導体層２７は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。
【００３４】
保護膜２９は、導体層２７の酸化防止等に寄与するものである。保護膜２９は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料によって形成される。例えば、保護膜２９は、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンなどによって形成されている。保護膜２９の厚さは、例えば、導体層２７の厚さの１／１０程度（１０ｎｍ〜３０ｎｍ）、または導体層２７の厚さと同等以上（１００ｎｍ〜３００ｎｍ）である。
【００３５】
保護膜２９は、例えば、第１主面５ａの概ね全体に亘って設けられており、カバー９は保護膜２９上に積層されている。また、樹脂膜１１の第１主面５ａ上の部分も、保護膜２９上に積層されている。一方、端子３の配置位置においては、保護膜２９は除去されており、パッド２５は、保護膜２９から露出している。
【００３６】
なお、カバー９は、厳密には、第１主面５ａに直接的には設けられておらず、保護膜２９等の上に設けられている。本例では、このように所定の部材や層などが間接的に基板５の主面に設けられており、直接的には基板５の主面に設けられていない場合も、これら所定の部材や層などが基板５の主面に設けられていると表現することがあるものとする。積層の語についても同様である。
【００３７】
第１主面５ａ上には、この他、導体層２７または保護膜２９上に積層される絶縁膜、当該絶縁膜を介して導体層２７に積層され、配線２３の一部を構成する他の導体層、パッド２５の上層部分を構成し、パッド２５と端子３との接続を強化する接続強化層等が設けられてもよい。
【００３８】
（ＳＡＷ装置の製造方法）
図４（ａ）〜図６（ｄ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する断面図である。製造工程は、図４（ａ）から図６（ｄ）まで順に進んでいく。
【００３９】
以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板５となる母基板（ウェハ３１）を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。
【００４０】
ただし、図４（ａ）〜図５（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、図６（ａ）〜図６（ｄ）では、３つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。導体層や絶縁層等は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。同様に、ウェハ３１の第１主面および第２主面にも、基板５の第１主面５ａおよび第２主面５ｂの符号を付す。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、まず、基板５の第１主面５ａ上には、導体層２７が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相堆積）法等の薄膜形成法により、第１主面５ａ上に導体層２７となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によってパターニングが行われる。これにより、ＳＡＷ素子７、配線２３の少なくとも一部およびパッド２５の少なくとも一部を含む導体層２７が形成される。
【００４２】
次に、図４（ｂ）に示すように、保護膜２９が形成される。具体的には、まず、保護膜２９となる薄膜がＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法によって形成される。次に、導体層２７のうちパッド２５を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護膜２９が形成される。
【００４３】
保護膜２９が形成されると、図４（ｃ）に示すように、枠部１９となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることによって、または保護膜２９等と同様の薄膜形成法によって形成される。
【００４４】
枠部１９となる薄膜が形成されると、図４（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法によって、薄膜の一部が除去され、振動空間Ｓとなる開口および孔部９ｈの下方側部分が形成される。また、ダイシングラインに沿って溝が形成され、枠部１９の側面も形成される。すなわち、薄膜から枠部１９が形成される。なお、フォトリソグラフィーは、ポジ型およびネガ型のいずれでもよい。
【００４５】
枠部１９が形成されると、図５（ａ）に示すように、枠部１９の形成方法と同様の方法によって、蓋部２１が形成される。具体的には、まず、蓋部２１となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂によって形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。薄膜を枠部１９に積層することにより、枠部１９の開口は塞がれ、振動空間Ｓが構成される。
【００４６】
次に、フォトリソグラフィー法により、薄膜の一部が除去され、孔部９ｈの上方側部分が形成される。また、ダイシングラインに沿って溝が形成され、蓋部２１の側面も形成される。すなわち、薄膜から蓋部２１が形成される。なお、フォトリソグラフィーは、ポジ型およびネガ型のいずれでもよい。
【００４７】
蓋部２１が形成されると、図５（ｂ）に示すように、端子３が形成される。具体的には、まず、下地層３３が、カバー９の上面９ａおよび孔部９ｈの内部に亘って形成される。下地層３３は、金属層であり、例えば、スパッタリング法で形成される。
【００４８】
次に、下地層３３上に、レジスト層３７が形成される。レジスト層３７は、例えば、スピンコーティング法等の手法で基板に薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィー法によってパターニングされることにより形成される。パターニングによって薄膜の一部が除去されることにより、下地層３３は、孔部９ｈおよびその周囲部分において露出する。
【００４９】
その後、電気めっき法によって下地層３３の露出部分に金属を析出させる。これにより、中実部３５が形成される。
【００５０】
中実部３５が形成されると、図５（ｃ）に示すように、下地層３３のレジスト層３７に被覆されていた部分およびレジスト層３７を除去する。これにより、端子３が形成される。すなわち、端子３の表面側部分が下地層３３によって構成され、端子３の内部側部分（大部分）が中実部３５によって構成される。なお、図３においては、下地層３３の図示は省略した。
【００５１】
その後、第２主面５ｂに、裏面電極１３および樹脂層１５が順次形成される（図５（ｃ））。具体的には、裏面電極１３は、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ法等の薄膜形成法によって形成される。樹脂層１５は、例えば、樹脂シートを裏面電極１３に密着した後、熱硬化することによって形成される。なお、樹脂層１５は、ポッティング法や印刷法によって形成されてもよい。
【００５２】
樹脂層１５が形成されると、図６（ａ）に示すように、ウェハ状のＳＡＷ装置１の樹脂層１５と、ダイシングテープ３９とを接着する。
【００５３】
次に、図６（ｂ）に示すように、第１ブレード４１により、ウェハ３１の第１主面５ａ側部分をダイシングラインに沿って切断する。これにより、複数のＳＡＷ装置１を区画する溝部３１ａが形成される。
【００５４】
溝部３１ａが形成されると、図６（ｃ）に示すように、樹脂膜１１を構成する樹脂を溝部３１ａに充填する。樹脂の充填は、例えば、ディスペンサ４３を用いて行われる。また、充填された樹脂は、加熱されることによって硬化される。
【００５５】
樹脂の充填および硬化がなされると、図６（ｄ）に示すように、第１ブレード４１よりも刃厚の薄い第２ブレード４５により、溝部３１ａに沿って、ウェハ状のＳＡＷ装置１を第１主面５ａ側から切断する。具体的には、溝部３１ａに充填された樹脂、ウェハ３１の第２主面５ｂ側部分、裏面電極１３および樹脂層１５を、溝部３１ａの概ね中央において切断する。
【００５６】
これにより、複数のＳＡＷ装置１は互いに分離される。また、第１ブレード４１および第２ブレード４５の刃厚の差に起因して、突出部５ｄが形成される。例えば、第１ブレード４１の刃厚が５０μｍであり、第２ブレードの刃厚が４０μｍである場合、突出部５ｄの突出量は（５０−４０）／２＝５μｍである。
【００５７】
なお、第１ブレード４１は、例えば、固定砥粒式のブレードであり、複数の固定砥粒４１ａと、複数の固定砥粒４１ａを保持する結合材４１ｂとを有している。同様に、第２ブレード４５は、複数の固定砥粒４５ａと、複数の固定砥粒４５ａを保持する結合材４５ｂとを有している。
【００５８】
砥粒の材質、粒径、砥粒の密度、結合材の材質、刃厚は、適宜に選択されてよく、第１ブレード４１と第２ブレード４５とで刃厚以外の条件の一部が共通していてもよい。例えば、第１ブレード４１および第２ブレード４５は、砥粒の材質、粒径、および砥粒の密度が共通であり、結合材の種類が異なる。結合材４１ｂは、圧電基板（基板５）の切断に適したものが選択され、結合材４５ｂは、樹脂（樹脂膜１１および樹脂層１５の少なくとも一方）の切断に適したものが選択される。
【００５９】
以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板５と、基板５の第１主面５ａに設けられたＳＡＷ素子７とを有する。基板５の側面５ｃには、第１主面５ａよりも第２主面５ｂ側において突出部５ｄが設けられている。
【００６０】
従って、ＳＡＷ装置１の搬送時などにおいて、側面５ｃに衝撃が加えられる場合に、側面５ｃの第１主面５ａ側部分よりも、突出部５ｄにおいて衝突が生じやすくなる。一方、ＳＡＷ装置１の性能維持に関しては、第２主面５ｂ側部分の形状維持よりも第１主面５ａ側部分の形状維持が支配的である。従って、ＳＡＷ装置１は、全体として、基板５の側方からの衝撃に対する耐衝撃性が向上することになる。具体的には、基板５の側方からの衝撃に対する第１主面５ａ側部分の保護が強化されることにより、ＳＡＷ素子７の形状維持（フィルタ精度維持）やカバー９と基板５（保護膜２９）との密着性維持（導電層の酸化抑制効果）が向上する。なお、特許文献１は、側面からの衝撃に対して、第１主面５ａ側を第２主面５ｂ側よりも優先的に保護する思想は開示していない。
【００６１】
突出部５ｄは、第２主面５ｂの外周に沿って設けられている。従って、第１主面５ａに平行な種々の方向からの衝撃に対して第１主面５ａ側の保護を強化可能である。また、図６（ｂ）および図６（ｄ）を参照して説明したように、刃厚の異なる第１ブレード４１および第２ブレード４５を用いることによって突出部５ｄを形成するなど、ダイシングのときの切削幅を変化させる簡便な方法で突出部５ｄを形成することができる。
【００６２】
ＳＡＷ装置１は、側面５ｃの突出部５ｄよりも第１主面５ａ側の部分を覆うとともに、突出部５ｄに対して第１主面５ａ側から当接する、基板５よりも軟らかい樹脂膜１１を有する。従って、樹脂膜１１により側面５ｃに対する衝撃を吸収し、ＳＡＷ装置１の第１主面５ａ側部分の保護を強化することができる。なお、基板５よりも軟らかい樹脂膜１１とは、ヤング率で比較して軟らかい場合をいう。すなわち樹脂膜１１は基板５よりもヤング率が小さい。また、突出部５ｄが樹脂膜１１の第２主面５ｂ側への移動を規制するストッパとして機能し、樹脂膜１１の側面５ｃからの剥離が抑制される。
【００６３】
樹脂膜１１は、その側面が突出部５ｄよりも内側に位置するようにして形成しておいてもよい。換言すれば、突出部５ｄを樹脂膜１１の側面よりも外方に突出するように形成してもよい。これにより、基板５の側方から側面と平行な面を有する物体がＳＡＷ装置１に衝突するような場合には、その物体と突出部５ｄとが衝突することでＳＡＷ装置１の第１主面５ａに大きな衝撃が伝わるのを抑制でき、一方、基板５の側方から突出部５ｄに触れないような点状の物体がＳＡＷ装置１に衝突するような場合には、樹脂膜１１によって衝突時の衝撃を緩和し、ＳＡＷ装置１の第１主面５ａに大きな衝撃が伝わるのを抑制することができる。
【００６４】
ＳＡＷ装置１は、第１主面５ａ上に設けられ、ＳＡＷ素子７を封止するカバー９を有する。カバー９の側面９ｃは、基板５の側面５ｃよりも内側に位置することによって段差を形成している。樹脂膜１１は、基板５の側面５ｃからカバー９の側面９ｃに跨って設けられるとともに、上記の段差に対して第１主面５ａ側から当接している。従って、カバー９と基板５（厳密には保護膜２９）との合わせ目が樹脂膜１１によって覆われることになり、合わせ目からの水分の浸入やカバー９の基板５からの剥離が抑制される。さらに、カバー９と基板５との段差が樹脂膜１１の第２主面５ｂ側への移動を規制するストッパとして機能し、樹脂膜１１の側面９ｃや側面５ｃからの剥離が抑制される。
【００６５】
また、ＳＡＷ装置１の製造方法は、第１主面５ａに複数のＳＡＷ素子７が設けられたウェハ３１の第１主面５ａ側部分を第１ブレード４１によって切断して複数のＳＡＷ装置１を区画する溝部３１ａを形成する第１切断工程（図６（ｂ））を有する。また、当該製造方法は、第１ブレード４１よりも刃厚の薄い第２ブレード４５によって、溝部３１ａに沿ってウェハ３１の第２主面５ｂ側部分を切断してウェハ３１を分離する第２切断工程（図６（ｄ））を有する。
【００６６】
従って、突出部５ｄを簡便に形成することができる。また、２つの工程において互いに異なるブレードを用いることから、それぞれの工程に適したブレードを用いることができる。例えば、第１切断工程（図６（ｂ））では、粒径の大きな第１ブレード４１による切削によって高速に切断を行い、第２切断工程（図６（ｄ））では、粒径の小さな第２ブレード４５による切削により、ブレードがウェハを貫通するときに生じやすい欠けの発生を抑制できる。
【００６７】
ＳＡＷ装置１の製造方法は、第１切断工程（図６（ｂ））の後、かつ第２切断工程（図６（ｄ））の前に、溝部３１ａに樹脂を充填する工程（図６（ｃ））をさらに有する。従って、上述のような、側面５ｃの突出部５ｄよりも第１主面５ａ側を覆うとともに、突出部５ｄに密着する樹脂膜１１を簡便に構成することができる。
【００６８】
ＳＡＷ装置１の製造方法は、第１切断工程（図６（ｂ））よりも前に、ウェハ３１の第２主面５ｂに樹脂層１５を形成する工程（図５（ｃ））をさらに有する。第１切断工程（図６（ｂ））では、樹脂層１５を切断せず、第２切断工程（図６（ｄ））では、樹脂層１５を切断する。従って、第１ブレード４１として圧電基板の切断に適したものを選択し、第２ブレード４５として樹脂層１５の切断に適したものを選択することにより、第２主面５ｂにおける欠けやクラックの発生を抑制することができる。
【００６９】
図７（ａ）〜７（ｃ）は、突出部５ｄの第１〜第３の変形例を示す断面図である。第１〜第３の変形例の突出部５ｄは、第２主面５ｂ側ほど外方に広がるようにテーパ状に形成されている。換言すれば、第１〜第３の変形例の突出部５ｄは、第２主面５ｂ側ほど（第２主面５ｂに近い位置にあるものほど）突出している。
【００７０】
より具体的には、図７（ａ）に示す第１の変形例においては、突出部５ｄは、断面形状が概ね直角三角形に形成されている。図７（ｂ）に示す第２の変形例においては、突出部５ｄは、断面形状が概ね台形に形成されている。図７（ｃ）に示す第３の変形例においては、突出部５ｄは、第１主面５ａ側の一部の断面形状が概ね矩形（長方形）に、第２主面５ｂ側の一部の断面形状が概ね台形に形成されている。突出部５ｄのテーパ面（５ｅ）の、側面５ｃに対する傾斜角（テーパ面が側面５ｃに平行なときを０°とする）は、例えば、５°〜４０°である。
【００７１】
なお、第１〜第３の変形例において、突出部５ｄが第２主面５ｂの外周に沿って設けられてよいこと、突出部５ｄに対して第１主面５ａ側から当接する樹脂膜１１が設けられてよいこと等は、実施形態と同様である。
【００７２】
第１の変形例の突出部５ｄは、実施形態の突出部５ｄに比較して、突出部５ｄの第１主面５ａ側の根元における応力集中を緩和できる一方で、衝突の発生位置を第２主面５ｂ側に集中させることができる。また、第２および第３の変形例の突出部５ｄは、実施形態の突出部５ｄに比較して、衝突の発生位置を第２主面５ｂ側に集中させることができる。第１〜第３の変形例の突出部５ｄは、例えば、第２ブレード４５の全体もしくは外周縁をテーパ状にすることなどによって形成可能である。
【００７３】
（実施例）
実施形態および第１の変形例の基板５について、具体的な寸法等を設定して、衝撃に関するシミュレーション計算を行った。具体的には、以下のとおりである。
【００７４】
［シミュレーション条件］
基板５の基本寸法：Ｌｘ（図２参照）＝０．６ｍｍ
Ｌｙ（図２参照）＝０．８ｍｍ
Ｌｚ（図２参照）＝０．２ｍｍ
突出部５ｄの寸法：ｄ１（図２および図７（ａ）参照）＝０．００７５ｍｍ
ｄ２（図２および図７（ａ）参照）＝０．０３７５ｍｍ
基板５のヤング率：２３０ＧＰａ（ＬｉＴａＯ３を想定）
基板５のポアソン比：０．３（ＬｉＴａＯ３を想定）
基板５の密度：７４５０ｋｇ／ｍ３（ＬｉＴａＯ３を想定）
想定した状況：基板５がＹ方向（図２参照）に落下してＸＺ平面（Ｙ方向に直交する面）に衝突する状況を想定した。衝突時の速度は３．２ｍ／ｓ、衝突時の加速度は９．８ｍ／２（重力加速度）を想定した。
【００７５】
［計算方法］
有限要素法により、基板５における応力分布を時系列で算出した。
すなわち、基板５をＹ方向に落下させると、突出部５ｄがＸＺ平面に衝突して突出部５ｄに応力が生じる。この応力は、時間の経過に伴って基板５全体へ伝搬する。この様子を再現し、基板５の各部の各時点における応力を調査した。
【００７６】
［評価方法］
第１主面５ａにおいて発生した最大応力を抽出した。
理由：上述のように、ＳＡＷ装置１の性能維持に関しては、第２主面５ｂ側部分の形状維持よりも第１主面５ａ側部分の形状維持が支配的であると考えられ、また、応力の平均値よりも最大値の影響が大きいと考えられるからである。
なお、第１主面５ａにおいて発生する最大応力の、第１主面５ａ内における発生位置および発生時点は、シミュレーション条件により異なる。
【００７７】
［シミュレーション結果］
実施形態の突出部５ｄの場合
第１主面５ａ内の最大応力：２．８×１０８Ｐａ
第１の変形例の突出部５ｄの場合
第１主面５ａ内の最大応力：２．５×１０８Ｐａ
【００７８】
シミュレーション結果より、突出部５ｄが矩形の場合よりも、突出部５ｄが第２主面５ｂ側ほど突出するテーパ形状である場合の方が、第１主面５ａにおいて発生する応力の最大値が小さいことが確認された。
【００７９】
本発明は、以上の実施形態および変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００８０】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。また弾性波装置は、弾性境界波を利用した弾性境界波装置であってもよい。
【００８１】
弾性波装置において、樹脂膜（１１）、裏面電極（１３）、樹脂層（１５）、保護膜（２９）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層などが形成されてもよい。また弾性境界波装置の場合は振動空間Ｓを設けずに弾性波装置を作製することができる。
【００８２】
また突出部５ｄの形状は上述したものに限られない。たとえば、圧電基板３の第１主面３ａから第２主面３ｂに向かって漸次広がるようにして突出部５ｄが形成されてもよい。換言すれば圧電基板３を側面視したときにその形状が概略台形状になるように突出部５ｄを設けるようにしてもよい。
【００８３】
ウェハの切断は、ブレードを用いて行われるものに限定されない。例えば、切断は、レーザを用いて行われてもよい。また、例えば、第１切断工程はブレードを用いて行われ、第２切断工程はレーザを用いて行われるなど、複数の方法が組み合わされてもよい。
【００８４】
なお、ＳＡＷ装置において、側面（５ｃ）の突出部（５ｄ）よりも一方の主面（５ａ）側、および突出部の、基板の側方に面する面（５ｅ）がブレードによる切断面によって構成されているか否かは、例えば、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）による表面の観察によって特定可能である。例えば、ウェハがブレードによって切断された場合は、側面には砥粒による切削によって形成された主面に平行な直線状（厳密には弧状）の溝が形成されるので、当該溝をＳＥＭによって観察可能である。
【００８５】
第２切断工程（図６（ｄ））の切断は、一方の主面５ａ側（第１切断工程において切断される側）から行われなくてもよく、他方の主面５ｂ側から行われてもよい。
【００８６】
樹脂膜１１となる樹脂の充填工程（図６（ｃ））において、樹脂はカバー９の上面９ａまで充填されなくてもよい。例えば、樹脂は、基板５の一方の主面５ａ以下まで充填されてもよいし、カバーの上面以下まで充填されてもよい。
【符号の説明】
【００８７】
１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、５…基板、５ａ…第１主面（一方の主面）、５ｂ…第２主面（他方の主面）、５ｃ…側面、５ｄ…突出部、７…ＳＡＷ素子（弾性波素子）。
【図１】
2011065499.tif 000003
【図２】
2011065499.tif 000004
【図３】
2011065499.tif 000005
【図４】
2011065499.tif 000006
【図５】
2011065499.tif 000007
【図６】
2011065499.tif 000008
【図７】
2011065499.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の一方の主面に設けられた弾性波素子と、
を有し、
前記基板の側面には、前記一方の主面よりも他方の主面側において該側面から突出した突出部が設けられている
弾性波装置。
【請求項２】
前記基板の側面を厚み方向に一方の主面側の第１領域と他方の主面側の第２領域とに二等分したときに、前記突出部が前記第２領域のみに設けられている
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記突出部は、前記他方の主面の外周に沿って該外周の全周に亘って設けられている
請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記突出部は、少なくとも厚み方向の途中から前記他方の主面に至るまでの部分が、前記他方の主面に近い位置に向かうにつれて外方に広がるテーパ状とされている
請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記基板の側面の前記突出部よりも前記一方の主面側の部分を覆うとともに、前記突出部に対して前記一方の主面側から当接する、前記基板よりも軟らかい樹脂膜をさらに有する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記一方の主面上に設けられた、前記弾性波素子を封止するカバーをさらに有し、
前記カバーの側面は前記基板の側面よりも内側に位置することによって段差を形成しており、
前記樹脂膜は、前記基板の側面から前記カバーの側面に跨って設けられているとともに、前記段差に対して前記一方の主面側から当接している
請求項５に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記基板の側面の前記突出部よりも前記一方の主面側、および前記突出部の前記基板の側方に面する面は、ブレードによる切断面によって構成されている切断面である
請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
一方の主面に複数の弾性波素子が設けられたウェハの前記一方の主面側部分を第１ブレードによって切断して複数の弾性波装置を区画する溝部を形成する第１切断工程と、
第１ブレードよりも刃厚の薄い第２ブレードによって、前記溝部に沿って前記ウェハの他方の主面側部分を切断して前記ウェハを分離する第２切断工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１切断工程の後、かつ前記第２切断工程の前に、前記溝部に樹脂を充填する工程をさらに有する
請求項８に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１切断工程よりも前に、前記ウェハの前記他方の主面に樹脂層を形成する工程をさらに有し、
前記第１切断工程では、前記樹脂層を切断せず、
前記第２切断工程では、前記樹脂層を切断する
請求項８または９に記載の弾性波装置の製造方法。
【国際調査報告】
2011065499.tif 000010
2011065499.tif 000011
2011065499.tif 000012
2011065499.tif 000013