(57)【要約】  まず、Ｙｂ2Ｏ3原料粉末を、２００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で一軸加圧成形し、φ３５ｍｍ、厚さ１０ｍｍ程度の円盤状成形体を作製し、焼成用黒鉛モールドに収納した。次いで、ホットプレス法を用いて所定の焼成温度（１５００℃）で焼成を行い、半導体製造装置用耐食性部材を得た。焼成時のプレス圧力は２００ｋｇｆ／ｃｍ２とし、焼成終了までＡｒ雰囲気とした。焼成温度（最高温度）での保持時間は４時間とした。これにより、開気孔率０．２％のＹｂ2Ｏ3焼結体からなる半導体製造装置用耐食性部材を得た。【特許請求の範囲】
【請求項１】
開気孔率が０．３％以下であり、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の焼結体からなる、半導体製造装置用耐食性部材。
【請求項２】
前記焼結体には、Ｍｇ，Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれた少なくとも１種とＯ及びＦの少なくとも１種とを含む粒界相が分散している、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用耐食性部材。
【請求項３】
嵩密度が８．８〜９．２ｇ／ｃｍ3であり、酸化イッテルビウムの焼結体からなる、請求項１又は２記載の半導体製造装置用耐食性部材。
【請求項４】
嵩密度が８．１〜８．４ｇ／ｃｍ3であり、酸化ホルミウムの焼結体からなる、請求項１又は２記載の半導体製造装置用耐食性部材。
【請求項５】
酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の酸化物原料を、（ａ）焼結助剤を用いることなく目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、所定の焼成温度でホットプレス焼成することにより、又は、（ｂ）Ｍｇ，Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物である焼結助剤と共に目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、前記所定の焼成温度より低い温度でホットプレス焼成することにより、前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が０．３％以下の焼結体を得る、半導体製造装置用耐食性部材の製法。
【請求項６】
前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が０．３％以下の焼結体を得たあと、１０００℃以上で大気アニール処理を施す、
請求項５に記載の半導体製造装置用耐食性部材の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置用耐食性部材及びその製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造におけるドライプロセスやプラズマコーティングなどを実施する際に利用される半導体製造装置では、エッチング、クリーニング用として、反応性の高いＦ、Ｃｌ系プラズマが使用される。このため、こうした装置に利用される部材には高い耐食性が必要であり、静電チャックやヒーター等のＳｉウエハと接する部材は更なる高耐食が求められる。このような要求に応えられる耐食性部材として、特許文献１には、ＰＶＤ法によって形成されたＹｂ2Ｏ3やＤｙ2Ｏ3の薄膜が開示されている。これらの薄膜は、プラズマ中でのエッチングレートがアルミナ焼結体などと比べて非常に小さくなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２２２８０３号公報
【発明の開示】
【０００４】
しかし、薄膜は成膜時に気孔やクラックが内在し易いためプラズマによる腐食が進み易く、更に基材との性質の違いや密着性の問題によって腐食の進行及び繰返し使用に伴う剥離等によってデバイス特性に影響を与える可能性があり、静電チャック等への適用には問題があった。これらの部材には焼結体が好適だが、上述の特許文献１では、ＰＶＤ法によって形成されたＹｂ2Ｏ3やＤｙ2Ｏ3の薄膜について評価されているものの、焼結体については評価されていなかった。耐食性部材としては、Ｙ2Ｏ3やＡｌ2Ｏ3の焼結体が知られているものの、よりエッチングレートを小さく抑えることのできる焼結体材料の開発が望まれていた。
【０００５】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、半導体製造装置用耐食性部材として、これまでに知られている焼結体に比べてエッチングレートをより小さく抑えるものを提供することを主目的とする。
【０００６】
本発明者らは、半導体製造装置用耐食性部材として、希土類酸化物の焼結体の適用可能性を鋭意検討したところ、そのうちの一部の希土類酸化物の焼結体が特定の物性を満たすときにエッチングレートの抑制効果が格段に高くなることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明の半導体製造装置用耐食性部材は、開気孔率が０．３％以下であり、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の焼結体からなるものである。
【０００８】
また、本発明の半導体製造装置用耐食性部材の製法は、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の酸化物原料を、（ａ）焼結助剤を用いることなく目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、所定の焼成温度でホットプレス焼成することにより、又は、（ｂ）Ｍｇ，Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物である焼結助剤と共に目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、前記所定の焼成温度より低い温度でホットプレス焼成することにより、前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が０．３％以下の焼結体を得るものである。
【０００９】
本発明の半導体製造装置用耐食性部材によれば、これまでに知られているイットリア焼結体やアルミナ焼結体に比べてエッチングレートをより小さく抑えることできるため、耐食性部材からの発塵量が低減し、半導体製造プロセスにおいて使用される反応性の高いＦ、Ｃｌ系プラズマに長期間耐えることができる。これらの材料は体積抵抗率が１×１０15Ω・ｃｍ以上と高く、静電チャックやヒーター材としても好適である。また、本発明の半導体製造装置用耐食性部材の製法は、こうした耐食性部材を製造するのに適している。特に、焼結助剤を加えたときには、低温で緻密体が得られるため、製造コストが低減される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例７の焼結体の断面（研磨面）を撮影した反射電子像である。
【図２】実施例９の焼結体の断面（研磨面）を撮影した二次電子像である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の半導体製造装置用耐食性部材は、開気孔率が０．３％以下であり、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の焼結体からなるものである。【００１２】
焼結体としては、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の焼結体を用いる。これらは希土類酸化物の焼結体であるが、希土類酸化物の焼結体であっても、例えば酸化ガドリニウムの焼結体は緻密化に問題があり、酸化ユウロピウムの焼結体は緻密化可能であるがエッチングレートを十分抑制できないため適切でなく、酸化ネオジムの焼結体は大気保管中に崩壊してしまうため適切でない。また、焼結体としては、前出の群より選ばれた複数種の焼結体を用いることもできるが、その群より選ばれた１種の焼結体を用いてもよい。焼結体を作製する際に用いる酸化物原料は、不純物金属量が少ないほど好ましく、例えば酸化物の０．１ｗｔ％以下であることが好ましい。【００１３】
開気孔率は、ここでは純水を媒体としたアルキメデス法により測定した値とする。開気孔率が０．３％を超えると、エッチングレートが高くなったり強度が低下したりするため、好ましくない。開気孔率は、できるだけゼロに近いほど好ましい。このため、特に下限値は存在しない。【００１４】
本発明の半導体製造装置用耐食性部材において、焼結体には、Ｍｇ，Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれた少なくとも１種とＯ及びＦの少なくとも１種とを含む粒界相が分散していてもよい。例えば、ＭｇＯを含む粒界相が分散していたり、Ｃａ，Ｆを含む粒界相が分散していてもよい。このような粒界相は、Ｍｇ，Ｃａ又はＳｒを含む焼結助剤（例えばＭｇＦ2とかＣａＦ2など）と共に焼成したときに生成するものであるが、そのような焼結助剤を用いると焼成温度を低くすることができるため、その分、消費エネルギーが少なくなり製造コストが低減する。【００１５】
本発明の半導体製造装置用耐食性部材としては、嵩密度が８．８〜９．２ｇ／ｃｍ3であり、酸化イッテルビウムの焼結体からなるものが好例として挙げられる。この場合、エッチングレートを十分抑制できるばかりでなく、前述の粒界相を分散させることにより強度も高くなる。また、嵩密度が８．１〜８．４ｇ／ｃｍ3であり、酸化ホルミウムの焼結体からなるものも好例として挙げられる。【００１６】
本発明の半導体製造装置用耐食性部材の製法は、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の酸化物原料を、（ａ）焼結助剤を用いることなく目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、所定の焼成温度でホットプレス焼成することにより、又は、（ｂ）Ｍｇ，Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物である焼結助剤と共に目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、前記所定の焼成温度より低い温度でホットプレス焼成することにより、前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が０．３％以下の焼結体を得るものである。この製法は、本発明の半導体製造装置用耐食性部材を得るのに好適である。【００１７】
ここで、不活性雰囲気とは、酸化物原料の焼成に影響を及ぼさない雰囲気であればよく、例えば窒素雰囲気やアルゴン雰囲気、ヘリウム雰囲気などが挙げられる。また、ホットプレス時の焼成温度及びプレス圧力は、開気孔率が０．３％以下の緻密な焼結体が得られるような温度及び圧力であればよく、酸化物原料の種類に応じて適宜設定すればよい。例えば、焼成温度を１５００〜１８００℃の間で設定し、プレス圧力を１００〜３００ｋｇｆ／ｃｍ2の間で設定してもよい。更に、成形時の圧力は、特に制限するものではなく、形状を保持することのできる圧力に適宜設定すればよい。
【実施例】
【００１８】
以下に、本発明の好適な実施例について説明する。Ｙｂ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｇｄ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，Ｅｕ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3原料は、純度９９．９％以上、平均粒径１μｍ以下の市販粉末を使用した。Ａｌ2Ｏ3原料は純度９９．５％以上の平均粒径０．５μｍの市販粉末を使用した。ＭｇＦ2原料は、純度９９．９％以上の市販粉末を必要に応じて０．５〜１μｍに予備粉砕したものを使用した。ＣａＦ2原料についても同様のものを使用した。なお、予備粉砕は溶媒をイソプロピルアルコールとし、ジルコニア製玉石を使用してポットミル粉砕した。【００１９】
［実施例１〜７，比較例１〜６］
実施例１〜５，比較例１〜６では、希土類酸化物原料を単味で用いて、半導体製造装置用耐食性部材を作製した。具体的には、まず、表１に示す希土類酸化物原料粉末を、２００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で一軸加圧成形し、φ５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ程度の円盤状成形体を作製し、焼成用黒鉛モールドに収納した。次いで、ホットプレス法を用いて所定の焼成温度（表１参照）で焼成を行い、半導体製造装置用耐食性部材を得た。焼成時のプレス圧力は２００ｋｇｆ／ｃｍ２とし、焼成終了までＡｒ雰囲気とした。焼成温度（最高温度）での保持時間は４時間とした。【００２０】
実施例６，７では、２種類の希土類酸化物原料を用いて、半導体製造装置用耐食性部材を作製した。具体的には、まず、表１に示す２種類の希土類酸化物原料粉末を秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、φ５ｍｍのアルミナ玉石を用いて４時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中１１０℃で乾燥した。その後３０メッシュの篩に通し、調合粉末とした。この調合粉末を用いて、実施例１〜５，比較例１〜６と同様にして、成形及び焼成を行った。なお、表１の「Ｙｂ2Ｏ3／２５ｍｏｌ％Ｈｏ2Ｏ3」という表記は、１００ｍｏｌ％のＹｂ2Ｏ3に２５ｍｏｌ％のＨｏ2Ｏ3を加えた調合粉末であることを意味する。【００２１】
得られた各焼結体を各種評価用に加工し、以下の評価を行った。各評価結果を表１に示す。
（１）開気孔率・嵩密度
純水を媒体としたアルキメデス法により測定した。試料形状は（２）と同形状に加工したものを用いた。
（２）強度
３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍのＪＩＳＲ１６０１に準じた形状に加工して４点曲げ試験を行い、強度を算出した。
（３）結晶相評価
焼結体を乳鉢で粉砕し、Ｘ線回折装置により結晶相を同定した。測定条件はＣｕＫα，４０ｋＶ，４０ｍＡ，２θ＝１０−７０°とし、封入管式Ｘ線回折装置（ブルカー・エイエックスエス製  Ｄ８  ＡＤＶＡＮＣＥ）を使用した。
（４）粒界相の評価
複合材中の粒界相は、焼結体の結晶相と鏡面研磨した焼結体のＳＥＭ／ＥＤＳ観察から評価した。
（５）エッチングレート
各焼結体表面を鏡面に研磨し、ＩＣＰプラズマ耐食試験装置を用いて下記条件の耐食試験を行った。表面粗さ計により測定した非暴露面と暴露面との段差を試験時間で割ることにより各材料のエッチングレートを算出した。
ＩＣＰ：８００Ｗ、バイアス：４５０Ｗ、導入ガス：ＮＦ3／Ｏ2／Ａｒ＝７５／３５／１００ｓｃｃｍ  ０．０５Ｔｏｒｒ、暴露時間：１０ｈ、試料温度：室温
（６）化学分析
焼結体中の不純物金属量（Ｙｂ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒを除く金属元素）は誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光スペクトル分析、並びに誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）質量分析による。
（７）体積抵抗率測定
ＪＩＳ  Ｃ２１４１に準じた方法により、大気中、室温にて測定した。試験片形状はφ５０ｍｍ×０．５〜１ｍｍとし、主電極は直径２０ｍｍ、ガード電極は内径３０ｍｍ、外径４０ｍｍ、印加電極は直径４０ｍｍとなるよう各電極を銀で形成した。印加電圧は２ｋＶ／ｍｍとし、電圧印加後１分時の電流値を読み取り、その電流値から室温体積抵抗率を算出した。【００２２】
［評価結果］
表１に示すように、実施例１〜４では、Ｙｂ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3をそれぞれ単味で用いて、焼成温度１５００℃で緻密化したところ、エッチレートが２２４〜２５２ｎｍ／ｈであり、耐食性が高かった。また、実施例５では、Ｙｂ2Ｏ3を焼成温度１８００℃で緻密化したところ、エッチレートが２１０ｎｍ／ｈであり、実施例１と比べて耐食性が向上した。実施例５で耐食性が向上した理由は、より高温で焼成したことで粒径が粗大化して相対的に低耐食な粒界面積が減ることによって、全体の耐食性が向上したと推察している。実施例１〜５の材料は体積抵抗率が１×１０15Ω・ｃｍ以上と高く、静電チャックやヒーター材として好適であった。実施例６では、Ｙｂ2Ｏ3とＨｏ2Ｏ3との混合粉末、実施例７では、Ｙｂ2Ｏ3とＥｒ2Ｏ3との混合粉末を用いて、焼成温度１５００℃で緻密化したところ、比較例１〜６に比べて耐食性が優れ、実施例１（単味）に比べて強度が向上し体積抵抗率も高くなる傾向が見られた。これら実施例６，７では、ＸＲＤ解析より、Ｙｂ2Ｏ3のピークが低角度側にシフトしており、Ｈｏ2Ｏ3やＥｒ2Ｏ3のピークが検出されなかったことから、それぞれＹｂ2Ｏ3−Ｈｏ2Ｏ3固溶体（Ｙｂ2Ｏ3−Ｈｏ2Ｏ3ｓｓ）、Ｙｂ2Ｏ3−Ｅｒ2Ｏ3固溶体（Ｙｂ2Ｏ3−Ｅｒ2Ｏ3ｓｓ）を形成していると考えられる。【００２３】
一方、比較例１，２では、Ｙ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3を１５００、１７００℃でそれぞれ焼成したところ、いずれも緻密化したが、耐食性は実施例１〜４より劣っていた。比較例３では、Ｙｂ2Ｏ3を１３００℃で焼成したところ、開気孔率４．６％と気孔が多いため、耐食性が実施例１〜４より劣っていた。比較例４，５では、Ｇｄ2Ｏ3，Ｅｕ2Ｏ3を１５００℃でそれぞれ焼成したところ、Ｇｄ2Ｏ3は開気孔率２．５％と気孔が多いため、耐食性が実施例１〜４より劣っていた。Ｅｕ2Ｏ3は粒界が非常に低耐食であり、粒界を介して焼結体内部にフッ素が侵入し、腐食が進んだと考えられる。Ｙｂ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3は粒界がＥｕ2Ｏ3より高耐食であることが、希土類酸化物中で耐食性が高い要因の一つと推察している。比較例６では、Ｎｄ2Ｏ3を１５００℃で焼成したが、大気保管数日で焼結体が崩壊し、評価不能であった。【００２４】
【表１】
2011122377.tif 000002
【００２５】
［実施例８〜１５］
実施例８〜１５では、希土類酸化物と２Ａ族元素（アルカリ土類金属）のフッ化物との調合粉末を用いて、半導体製造装置用耐食性部材を作製した。具体的には、まず、表２に示す希土類酸化物と２Ａ族元素のフッ化物とを秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、φ５ｍｍのアルミナ玉石を用いて４時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中１１０℃で乾燥した。その後３０メッシュの篩に通し、調合粉末とした。続いて、その調合粉末を、２００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で一軸加圧成形し、φ３５ｍｍ、厚さ１０ｍｍ程度の円盤状成形体を作製し、焼成用黒鉛モールドに収納した。次いで、ホットプレス法を用いて所定の焼成温度（表２）で焼成を行い、半導体製造装置用耐食性部材を得た。焼成時のプレス圧力は２００ｋｇｆ／ｃｍ２とし、焼成終了までＡｒ雰囲気とした。焼成温度（最高温度）での保持時間は４時間とした。なお、表２の「Ｙｂ2Ｏ3／１ｖｏｌ％ＭｇＦ2」という表記は、１００ｖｏｌ％のＹｂ2Ｏ3に１ｖｏｌ％のＭｇＦ2を加えた調合粉末であることを意味する。【００２６】
得られた各焼結体を各種評価用に加工し、先ほどと同様の評価を行った。各評価結果を表２に示す。【００２７】
実施例８，９では、Ｙｂ2Ｏ3に表２に示す所定量のＭｇＦ2を添加し、焼成温度１３００℃で緻密化したところ、焼結中にＭｇＦ2とＹｂ2Ｏ3が反応し、Ｙｂ2Ｏ3マトリックス中に粒状のＭｇＯ，ＹｂＯＦ相が形成された（図１参照）。実施例１と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例１と同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例１よりも高強度化した。【００２８】
実施例１０，１１では、Ｙｂ2Ｏ3に表２に示す所定量のＣａＦ2を添加し、焼成温度１２００〜１３００℃で緻密化したところ、Ｙｂ2Ｏ3マトリックス中にＣａ，Ｆを主とする粒界相が形成された（図２参照）。実施例１と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例１とほぼ同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例１よりも高強度化した。【００２９】
実施例１２，１３では、Ｈｏ2Ｏ3に表２に示す所定量のＭｇＦ2を添加し、焼成温度１３００℃で緻密化したところ、実施例８，９と同様、焼結中にＭｇＦ2とＨｏ2Ｏ3が反応し、Ｈｏ2Ｏ3マトリックス中に粒状のＭｇＯ，ＨｏＯＦ相が形成された。実施例１２，１３では、実施例３と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例３と同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例３よりも高強度化した。【００３０】
実施例１４，１５では、Ｈｏ2Ｏ3に表２に示す所定量のＣａＦ2を添加し、焼成温度１３００℃で緻密化したところ、実施例１０，１１と同様、Ｙｂ2Ｏ3マトリックス中にＣａ，Ｆを主とする粒界相が形成された。実施例１４，１５では、実施例３と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例３とほぼ同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例３よりも高強度化した。【００３１】
実施例９〜１１，１３〜１５の材料は体積抵抗率が１×１０15Ω・ｃｍ以上と高く、静電チャックやヒーター材として好適であった。また、実施例８，１２についても同様の特性が見込まれる。【００３２】
【表２】
2011122377.tif 000003
【００３３】
［実施例１６〜２０］
実施例１６，１７では、実施例１で得られた焼結体（Ｙｂ2Ｏ3・１５００℃焼成品）を厚さ１ｍｍに加工し、それぞれ１１００℃で１０時間、１２００℃で１０時間、大気アニール処理を行った。また、実施例１８では、実施例５で得られた焼結体（Ｙｂ2Ｏ3・１８００℃焼成品）、実施例１９，２０では、実施例６，７で得られた焼結体（それぞれＹｂ2Ｏ3−Ｈｏ2Ｏ3固溶体、Ｙｂ2Ｏ3−Ｅｒ2Ｏ3固溶体）を厚さ１ｍｍに加工し、１２００℃で１０時間、大気アニール処理を行った。【００３４】
得られた各大気アニール処理品を各種評価用に加工し、先ほどと同様の評価（強度を除く）を行った。各評価結果を表３に示す。【００３５】
実施例１６〜２０では、いずれも大気アニール処理を行う前の焼結体に比べて耐食性が向上すると共に体積抵抗率が高くなった。また、いずれも大気アニール処理を行う前の焼結体に比べて白みを帯びた色調に変化した。具体的には、Ｙｂ2Ｏ3焼成品は象牙色から白色に変化し（実施例１６〜１８）、Ｙｂ2Ｏ3−Ｈｏ2Ｏ3固溶体は橙褐色から橙白色に変化し（実施例１９）、Ｙｂ2Ｏ3−Ｅｒ2Ｏ3固溶体は赤褐色から桃色に変化した（実施例２０）。焼成後に大気アニール処理を施すことにより焼結体に含まれる酸素欠損等が低減し、結晶性が向上することで耐食性、体積抵抗率が一段と向上したと推察される。【００３６】
【表３】
2011122377.tif 000004
【００３７】
本出願は、2010年3月30日に出願された日本国特許出願第2010-079251号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容全てが本明細書に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、半導体製造におけるドライプロセスやプラズマコーティングなどを実施する際に利用される半導体製造装置に利用可能である。
【図１】
2011122377.tif 000005
【図２】
2011122377.tif 000006
【国際調査報告】
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