(57)【要約】  この磁気記録媒体は、磁気記録層（２０）が形成されたガラス基板（１Ｇ）の主表面には、ガラス基板（１Ｇ）の中心と同心に、ガラス基板（１Ｇ）よりも熱伝導率が大きい複数の環状の第１熱伝導領域（１０１）が設けられ、第１熱伝導領域（１０１）は、複数のトラック（Ｔ）を跨ぐように設けられ、第１熱伝導領域（１０１）の主表面からの深さ（Ｈ）よりも、第１熱伝導領域（１０１）の半径方向の幅（Ｗ）の方が大きく設けられる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱アシスト記録方式に用いられる磁気記録媒体であって、
環状の円板形状を有するガラス基板（１Ｇ）と、
前記ガラス基板の２つの主表面のうち少なくとも一方の主表面に設けられ、記録領域として周方向（ｃ）に分離される複数のセクター（ｓ）を有する環状のトラック（Ｔ）が半径方向（ｒ）に複数規定される磁気記録層（２０）と、を備え、
前記磁気記録層（２０）が形成された前記ガラス基板（１Ｇ）の前記主表面には、前記ガラス基板（１Ｇ）の中心と同心に、前記ガラス基板（１Ｇ）よりも熱伝導率が大きい複数の環状の第１熱伝導領域（１０１）が設けられ、
前記第１熱伝導領域（１０１）は、複数の前記トラック（Ｔ）を跨ぐように設けられ、
前記第１熱伝導領域（１０１）の前記主表面からの深さ（Ｈ）よりも、前記第１熱伝導領域（１０１）の半径方向の幅（Ｗ）の方が大きく設けられる、磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第１熱伝導領域（１０１）の前記主表面からの深さ（Ｈ）は、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第１熱伝導領域（１０１）の前記ガラス基板（１Ｇ）の単位面積当たりに配置される面積は、前記ガラス基板（１Ｇ）の内周側に向かうほど大きく設けられる、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第１熱伝導領域（１０１）に交差するように前記ガラス基板（１Ｇ）の半径方向（ｒ）に延び、前記ガラス基板（１Ｇ）よりも熱伝導率が大きい第２熱伝導領域（１０２）をさらに含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第２熱伝導領域（１０２）の前記主表面からの深さ（Ｈ）は、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満である、請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記第２熱伝導領域（１０２）の前記ガラス基板（１Ｇ）の単位面積当たりに配置される面積は、前記ガラス基板（１Ｇ）の内周側に向かうほど大きく設けられる、請求項４に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク（ＨＤＤ）等の情報記録媒体用の基板、特に熱アシスト記録媒体用の基板として適する磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク（ＨＤＤ）等の情報記録媒体用の基板としては、アルミニウム合金が用いられていた。しかしながら、アルミニウム合金は、変形しやすく、また研磨後の基板表面の平滑性が十分ではない等の問題を有していたため、現在ではガラス基板が広く使用されている（たとえば特許文献１〜６）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−０８００２５号公報
【特許文献２】特開２０００−１６９１８４号公報
【特許文献３】特開２００６−３２７９３５号公報
【特許文献４】特開２００６−３２７９３６号公報
【特許文献５】特開２００７−１６１５５２号公報
【特許文献６】国際公開第２００９／０２８５７０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
昨今、上記のような情報記録媒体においては、その情報記録量の増大に伴って記録密度を超高密度状態とすることが求められている。記録手段としては磁性方式が採用されているため、記録密度を高密度化すると記録の保持力が弱くなり、所謂「熱揺らぎ」として知られるように、記録中に発生する熱の影響により記録が消失してしまうという問題があった。【０００５】
また、熱アシスト用の磁気ディスクの情報記録時に磁気記録膜における記録予定箇所を加熱すると、当該記録予定箇所とともにその周囲も有意に昇温する。一方、熱アシスト用の磁気ディスクにおいては、高記録密度化の観点からは磁気記録膜の保磁力は高い方が好ましく、磁気記録膜の保磁力が高いほど、情報記録時に際し、磁気記録膜に対する加熱の程度を強くする必要がある。【０００６】
しかしながら、従来の熱アシスト用の磁気ディスクでは、情報記録時に、加熱の程度が強すぎて、磁気記録膜における所定温度以上の昇温範囲が広すぎると、磁気記録されたセクターの隣のセクターや、内外周側に位置するトラックのセクター（以下、隣接セクター）にまで熱が広がり、隣接セクターの磁気記録状態に影響を与えるおそれがある（クロスライト現象）。【０００７】
このクロスライト現象を改善するために、特許文献１では、各トラックの間に熱伝導領域を設けて熱の広がりを抑制する構造が開示されている。しかし、各トラックの間に熱伝導領域を設けた場合には、熱伝導領域の表面粗さが、ガラス基板の表面に比べて粗くなるため、熱伝導領域の表面粗さが磁気記録膜の表面粗さに影響を与える。その結果、磁気記録ヘッドを用いた記録情報の読出し時に磁気記録ヘッドがガラス基板に衝突し、リードエラーを発生させることが考えられる。【０００８】
本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、クロスライト現象の抑制を図るとともに、リードエラーの発生率を低下させることを可能とする磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に基づいた磁気記録媒体は、熱アシスト記録方式に用いられる磁気記録媒体であって、環状の円板形状を有するガラス基板と、上記ガラス基板の２つの主表面のうち少なくとも一方の主表面に設けられ、記録領域として周方向に分離される複数のセクターを有する環状のトラックが半径方向に複数規定される磁気記録層とを備え、上記磁気記録層が形成された上記ガラス基板の上記主表面には、上記ガラス基板の中心と同心に、上記ガラス基板よりも熱伝導率が大きい複数の環状の第１熱伝導領域が設けられ、上記第１熱伝導領域は、複数の上記トラックを跨ぐように設けられ、上記第１熱伝導領域の上記主表面からの深さよりも、上記第１熱伝導領域の半径方向の幅の方が大きく設けられる。【００１０】
他の形態では、上記第１熱伝導領域の上記主表面からの深さは、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満である。【００１１】
他の形態では、上記第１熱伝導領域の上記ガラス基板の単位面積当たりに配置される面積は、上記ガラス基板の内周側に向かうほど大きく設けられる。【００１２】
他の形態では、上記第１熱伝導領域に交差するように上記ガラス基板の半径方向に延び、上記ガラス基板よりも熱伝導率が大きい第２熱伝導領域をさらに含む。【００１３】
他の形態では、上記第２熱伝導領域の上記主表面からの深さは、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満である。【００１４】
他の形態では、上記第２熱伝導領域の上記ガラス基板の単位面積当たりに配置される面積は、上記ガラス基板の内周側に向かうほど大きく設けられる。
【発明の効果】
【００１５】
この発明に基づいた磁気記録媒体によれば、クロスライト現象の抑制を図るとともに、リードエラーの発生率を低下させることを可能とする磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態における熱アシスト磁気記録装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態における熱アシスト磁気記録装置の概略構成を示す側面図である。
【図３】実施の形態における磁気ディスクに用いられるガラス基板を示す斜視図である。
【図４】実施の形態における磁気ディスクを示す斜視図である。
【図５】実施の形態における他の磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図６】実施の形態における磁気ディスクの製造工程を示すフロー図である。
【図７】実施の形態における磁気ディスクに設けられる熱伝導領域の配置を示す平面模式図である。
【図８】図７中のＶＩＩＩ線矢視の部分拡大断面図である。
【図９】実施の形態における磁気ディスクのトラックとセクターとを模式的に示す平面図である。
【図１０】実施の形態における磁気ディスクに設けられる熱伝導領域の製造工程を示す第１断面図である。
【図１１】実施の形態における磁気ディスクに設けられる熱伝導領域の製造工程を示す第２断面図である。
【図１２】実施の形態における磁気ディスクに設けられる熱伝導領域の製造工程を示す第３断面図である。
【図１３】実施の形態における磁気ディスクに設けられる熱伝導領域の製造工程を示す第４断面図である。
【図１４】実施の形態における磁気ディスクに設けられる熱伝導領域の他の配置を示す平面模式図である。
【図１５】図１４中のＸＶ線矢視の部分拡大断面図である。
【図１６】実施の形態における他の磁気ディスクの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に基づいた磁気記録媒体およびその製造方法について、以下、図を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。
【００１８】
また、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。また、各実施の形態における構成を適宜組み合わせて用いることは当初から予定されていることである。
【００１９】
（熱アシスト磁気記録装置２の概略構成）
まず、図１から図６を参照して、熱アシスト磁気記録装置２の概略構成の一例について説明する。なお、図１は、熱アシスト磁気記録装置２の概略構成を示す平面図、図２は、熱アシスト磁気記録装置２の概略構成を示す側面図、図３は、磁気ディスク１に用いられるガラス基板１Ｇを示す斜視図、図４は、磁気ディスク１を示す斜視図、図５は、他の磁気ディスク１Ａの部分拡大断面図、図６は、磁気ディスクの製造工程を示すフロー図である。
【００２０】
図１に示すように、熱アシスト磁気記録装置２は、矢印ＤＲ１方向に回転駆動される磁気記録媒体である熱アシスト磁気記録用の磁気ディスク１に対して、磁気記録ヘッド２Ｄが対向配置されている。
【００２１】
磁気記録ヘッド２Ｄは、サスペンション２Ｃの先端部に搭載されている。サスペンション２Ｃは、支軸２Ａを支点として矢印ＤＲ２方向（トラッキング方向）に回動可能に設けられている。支軸２Ａには、トラッキング用アクチュエーター２Ｂが取り付けられている。
【００２２】
図２に示すように、磁気ディスク１を挟んで、磁気記録ヘッド２Ｄが対向する側には、レーザー光ＬＢが照射される。磁気ディスク１上の記録する部分をレーザー光ＬＢで瞬間的に加熱し、磁気記録ヘッド２Ｄで磁気ディスク１にデータを記録する。
【００２３】
磁気ディスク１に形成された磁性層の磁気粒子は、その温度が上昇すると保持力が低くなる。レーザー光ＬＢで磁性層を加熱することで、常温では高い保持力を有する磁性層でも、通常の磁気記録ヘッド２Ｄでの記録が可能となり、超高密度記録の実現を可能とする。
【００２４】
なお、ここでは磁気記録ヘッド２Ｄの位置とレーザー光ＬＢの照射位置とは磁気ディスクに対して対向する構成としているが、ヘッドの構成と位置制御を簡略化するためにはそれらを磁気ディスク１に対して同一の側に配置構成してもよい。とくに磁気ディスク１の両面を記録面として使用する際には同一の側に配置構成することとなる。
【００２５】
（磁気ディスク１の構成）
次に、図３および図４を参照して、磁気ディスク１の構成について説明する。なお、図３は、磁気ディスク１に用いられるガラス基板１Ｇを示す斜視図、図４は、磁気ディスク１を示す斜視図である。
【００２６】
図３に示すように、磁気ディスク１に用いられるガラス基板１Ｇは、中心に孔１１が形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板１Ｇは、外周端面１２、内周端面１３、表主表面１４、および裏主表面１５を有している。ガラス基板１Ｇの大きさの一例としては、外径約６４ｍｍ、内径約２０ｍｍ、厚さ約０．８ｍｍである。
【００２７】
ガラス基板１Ｇの後述する磁性層２３が形成される主表面には、ガラス基板１Ｇの中心と同心に、複数の環状の熱伝導領域が設けられている。熱伝導領域の詳細構造は後述する。
【００２８】
図４に示すように、磁気ディスク１は、上記したガラス基板１Ｇの表主表面１４上に磁性層２３が形成されている。図示では、表主表面１４上にのみ磁性層２３が形成されているが、裏主表面１５上に磁性層２３を設けることも可能である（図１１参照）。
【００２９】
磁性層２３の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。
【００３０】
スピンコート法での膜厚は約０．３μｍ〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４μｍ〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５μｍ〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成が好ましい。
【００３１】
磁性層２３に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。近年では、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられるようになってきている。
【００３２】
また、磁気記録ヘッドの滑りをよくするために磁性層２３の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００３３】
さらに必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。
【００３４】
また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
【００３５】
磁性層２３の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。
【００３６】
なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ２)層を形成してもよい。
【００３７】
（磁気ディスク１Ａ）
図５に、他の磁気ディスク１Ａの構成の一例を示す。図５は、他の磁気ディスク１Ａの部分拡大断面図である。この磁気ディスク１Ａは、ガラス基板１Ｇの上に複数層を有する磁気記録層２０が形成されている。
【００３８】
磁気記録層２０は、ガラス基板１Ｇの表主表面１４上に直接形成されるＡｌＮ等からなるシード（凹凸制御）層２１、シード（凹凸制御）層２１の上に形成される厚さ約６０ｎｍの下地層２２、下地層２２の上に形成される厚さ約３０ｎｍの磁性層２３、磁性層２３の上に形成される厚さ約１０ｎｍの保護層２４、および、保護層２４の上に形成される厚さ約０．８ｎｍの潤滑層２５を含んでいる。
【００３９】
なお、上記磁気ディスク１Ａの構成はあくまでも一例であり、磁気ディスク１Ａに要求される性能に応じて、ガラス基板１Ｇの大きさ、磁気記録層２０の構成は適宜変更される。
【００４０】
（ガラス基板１Ｇの製造工程）
次に、図６のフローチャートを用いて、本実施の形態に係るガラス基板を含む磁気ディスク１Ａの製造方法を説明する。
【００４１】
まず、ステップ１０（以下、「Ｓ１０」と略す。ステップ２０以降も同様。）の「ガラス溶融工程」において、基板を構成するガラス素材を溶融する。次に、Ｓ２０の「プレス成形工程」において、溶融ガラスを下型上に流し込み、上型によってプレス成形する。
【００４２】
Ｓ３０の「粗研磨工程」において、プレス成形されたガラス基板の表面が研磨加工され、ガラス基板の平坦度などが予備調整される。さらに、Ｓ４０の「精密研磨工程」において、ガラス基板に研磨加工が再度施され、平坦度などが微調整される。なお、熱伝導領域の製造工程については後述する。
【００４３】
次に、Ｓ５０の「洗浄工程」において、ガラス基板は洗浄される。以上の工程により、ハードディスク用基板に適用可能なガラス基板が得られる。
【００４４】
さらに、Ｓ６０の「成膜工程」において、上記のガラス基板上に、記録層となる膜が形成される。最後に、Ｓ７０の「後熱処理工程」において、結晶磁界異方性向上のための加熱処理を施す。加熱温度は、約６００℃である。以上により、ハードディスク（磁気ディスク）が完成する。
【００４５】
（第１熱伝導領域１０１）
次に、図７から図９を参照して、本実施の形態における磁気ディスク１Ａに設けられる第１熱伝導領域１０１について詳細に説明する。なお、図７は、第１熱伝導領域１０１の配置を示す磁気ディスク１Ａの平面模式図、図８は、図７中のＶＩＩＩ線矢視の部分拡大断面図、図９は、磁気ディスク１ＡのトラックＴとセクターＳとを模式的に示す平面図である。
【００４６】
図７および図８を参照して、ガラス基板１Ｇの磁気記録層２０が形成される主表面には、ガラス基板１Ｇの中心と同心に、ガラス基板１Ｇの熱伝導率よりも大きい複数の環状の第１熱伝導領域１０１が設けられている。この第１熱伝導領域１０１の各々は、磁気記録層２０に磁気記録される領域であるトラックＴを跨ぐように設けられている。図８の磁気記録層２０に示す破線は、トラックＴをイメージして記載したものであり、実際のトラックＴの幅、トラック・ピッチとは一致していない。
【００４７】
本実施の形態においては、隣接する第１熱伝導領域１０１の半径方向（ｒ）の間隔（Ｐ）は、約０．２５μｍ〜約０．５μｍ程度、第１熱伝導領域１０１の半径方向（ｒ）の幅（Ｗ）は、約０．１μｍ〜約０．２μｍ程度、ガラス基板１Ｇの主表面１４からの深さ（Ｈ）は、約０．００５μｍ（５ｎｍ）以上〜約０．０２μｍ（２０ｎｍ）未満程度である。また、深さ（Ｈ）よりも幅（Ｗ）の方が大きくなるように設けられている。
【００４８】
ここで、図９を参照して、磁気ディスク１Ａの記録密度が、たとえば１０００Ｇｂｉｔ／平方インチの場合、１つのセクターＳの周方向（ｃ）の幅（ＳＷ）は、約１００ｎｍ程度、トラックＴの半径方向（ｒ）の幅（ＴＷ）は、約１０ｎｍ程度、トラックピッチ（ＴＰ）は、約１５０ｎｍ程度となる。その結果、第１熱伝導領域１０１の半径方向（ｒ）の幅（Ｗ）が、約０．１５μｍである場合には、１つの第１熱伝導領域１０１は、約１５本程度のトラックＴに跨って設けられていることになる。
【００４９】
第１熱伝導領域１０１には、ガラス基板１Ｇよりも熱伝導率が大きい材料として、Ａｇ、Ａｇ合金（たとえば、ＡｇＳｉ）、Ａl、Ａl合金、Ａｕ、Ｃｕなど、高熱伝導材料を用いることが好ましい。ガラス基板１Ｇの熱伝導率は、約０．６Ｗ／ｍ・ｋであるのに対して、上述した高熱伝導材料の熱伝導率は、約２００Ｗ／ｍ・ｋ〜約４００Ｗ／ｍ・ｋ程度である。また、磁気ディスク１Ａの情報記録においては、記録が実行されるトラックＴが内周側に位置するほど、単位時間あたりに供給される熱エネルギーが大きい。その為、第１熱伝導領域１０１のガラス基板１Ｇの単位面積当たりに配置される面積は、ガラス基板１Ｇの内周側に向かうほど大きくした方が好ましい。
【００５０】
たとえば、複数の第１熱伝導領域１０１の半径方向（ｒ）の幅（Ｗ）がすべて同じ場合には、内周側ほど半径方向（ｒ）の第１熱伝導領域１０１のピッチを細かく（０．１μｍ〜０．３μｍ）することが好ましい。また、複数の第１熱伝導領域１０１の半径方向（ｒ）の幅（Ｗ）が異なる場合には、内周側ほど半径方向（ｒ）の第１熱伝導領域１０１の幅（Ｗ）を大きくすることが好ましい。
【００５１】
（第１熱伝導領域１０１の製造方法）
次に、図１０から図１３を参照して、第１熱伝導領域１０１の製造方法について説明する。なお、図１０から図１３は、磁気ディスクに設けられる熱伝導領域の製造工程を示す第１から第４断面図である。
【００５２】
図１０を参照して、ガラス基板１Ｇの表主表面１４上に所定の開口パターンが形成されたレジストマスク２０１を形成する。次に、図１１に示すように、レジストマスク２０１を用いて、ガラス基板１Ｇに対してエッチング処理を施し、複数条の溝１０１ｇを形成する。
【００５３】
次に、図１２を参照して、溝１０１ｇに対応して開口を有するレジストマスク２０１の上方から、各溝に対して所定の高熱伝導材料をスパッタリング法を用いて堆積させる。高熱伝導材料としては、上述したＡｇ、Ａｇ合金（たとえば、ＡｇＳｉ）、Ａl、Ａl合金、Ａｕ、Ｃｕなどが用いられる。これにより、溝１０１ｇ内に第１熱伝導領域１０１が形成される。その後、レジストマスク２０１をガラス基板１Ｇの上から除去する。
【００５４】
ここで、ガラス基板１Ｇの内周側の熱伝導部ほど高い熱伝導率を設定する場合には、例えば、相互に熱伝導率の異なる材料よりなる複数のターゲットを用いて行なうスパッタリング法により、溝１０１ｇごとに各材料の堆積速度を異ならしめつつ、溝１０１ｇごとに異なる組成比で高熱伝導材料を堆積させる。
【００５５】
次に、図１３を参照して、ガラス基板１Ｇの表主表面１４の上に、磁気記録層２０を形成する。磁気記録層２０としては、図５を用いて説明した、シード（凹凸制御）層、下地層、磁性層、保護層、および潤滑層等が、スパッタリング法により成膜される。以上により、磁気ディスク１Ａが完成する。
【００５６】
以上、本実施の形態における磁気ディスク１Ａによれば、ガラス基板１Ｇの磁気記録層２０が形成される主表面には、ガラス基板１Ｇの中心と同心に、複数の環状の第１熱伝導領域１０１が設けられている。この第１熱伝導領域１０１の各々は、磁気記録層２０に磁気記録される領域であるトラックＴを跨ぐように設けられている。
【００５７】
これにより、レーザー光を用いたセクターへの情報記録時の加熱においても、第１熱伝導領域１０１において放熱が促進されるため、隣接セクターの磁気記録状態に影響を与えるクロスライト現象の発生を抑制することができる。
【００５８】
また、第１熱伝導領域１０１の製造時においては、第１熱伝導領域１０１深さ（Ｈ）よりも幅（Ｗ）の方が大きくなるように形成し、また、深さ（Ｈ）も、約１５ｎｍ程度と比較的浅く形成している。
【００５９】
これにより、第１熱伝導領域１０１の深さが２０ｎｍ〜１００ｎｍに比べて、スパッタリング法を用いた第１熱伝導領域１０１の表面の粗さを低減させることが可能となる。その結果、第１熱伝導領域１０１の表面粗さが磁気記録膜２０の表面粗さに影響を与えることを抑制することが可能となる。
【００６０】
スパッタリング法を用いて成膜した場合、成膜粒子を成長させながら膜を積層させるため、膜厚さが厚くなればなるほど成膜粒子の径が大きくなる。その結果、積層された膜の表面粗さは、最終的に成膜された粒子の径の大きさに依存するからである。
【００６１】
その結果、第１熱伝導領域１０１を設けることによる磁気記録層２０の表面粗さへの悪影響を抑制させ、磁気記録ヘッドを用いた記録情報の読出し時に磁気記録ヘッドが磁気ディスク１Ａに衝突し、リードエラーを発生させることを抑制することが可能となる。
【００６２】
なお、上記実施の形態では、第１熱伝導領域１０１として、ガラス基板１Ｇの中心と同心に、複数の環状の第１熱伝導領域１０１を設けた場合について説明しているが、図１４および図１５に示すように、第１熱伝導領域１０１に交差するように半径方向（ｒ）に延びる第２熱伝導領域１０２を設けることも可能である。第２熱伝導領域１０２の深さおよび幅（周方向（ｃ））は、第１熱伝導領域１０１と同様である。また、図１４では、第２熱伝導領域１０２を９０度ピッチで４本設ける場合について示しているが、設ける本数は適宜選択されるものである。
【００６３】
また、内周側ほど熱の拡散効果を大きくしたほうが好ましいことから、ガラス基板１Ｇの内周側に向かうほど、ガラス基板１Ｇの単位面積当たりに配置される第２熱伝導領域１０２の面積を大きくした方が好ましいといえる。たとえば、ガラス基板１Ｇの内周側に向かうほど、第２熱伝導領域１０２の半径方向(r)の幅が大きくなるように設けることが好ましい。
【００６４】
また、第２熱伝導領域１０２の周方向（ｃ）の幅も、第１熱伝導領域１０１と同様に、約０．１μｍ〜約０．２μｍ程度に設けられることから、１つのセクターＳの幅（ＳＷ）が、約０．０５μｍ〜約０．１μｍ程度であることから、１つの第２熱伝導領域１０２は、１〜２のセクターＳに跨って設けられていることになる。
【００６５】
なお、上記実施の形態において、ガラス基板１Ｇの表主表面１４側に磁気記録層を設ける場合について説明したが、図１６に示すように、ガラス基板１Ｇの裏主表面１５側にも磁気記録層を設けることが可能であり、この場合には裏主表面１５側にも熱伝導領域が設けられる。
【００６６】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６７】
１，１Ａ，１Ｂ  磁気ディスク、１Ｇ  ガラス基板、２  熱アシスト磁気記録装置、２Ａ  支軸、２Ｂ  トラッキング用アクチュエーター、２Ｃ  サスペンション、２Ｄ  磁気記録ヘッド、１１  孔、１２  外周端面、１３  内周端面、１４  表主表面、１５  裏主表面、２０  磁気記録層、２１  シード（凹凸制御）層、２２  下地層、２３  磁性層、２４  保護層、２５  潤滑層、１０１  第１熱伝導領域、１０２  第２熱伝導領域。
【図１】
2011162280.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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