(57)【要約】  本発明は、放電空間で発生しうる不純物ガスを吸着できる吸着材を配設し、放電電圧の不均一状態を改善することが可能なＰＤＰとその製造方法を提供する。  そのためＰＤＰ１において、前記放電空間１５内（保護膜８の表面上）または前記放電空間１５と通気可能な空間内（蛍光体層１４と隔壁１３の間または蛍光体層１４と誘電体層１２の間の少なくともいずれか、或いは蛍光体層１４中）に、銅イオン交換されたゼオライトからなる吸着材３９を活性化状態で配設し、放電空間１５中のＣＯ２濃度を１×１０−２Ｐａ以下に調節する。
2011142138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の表示電極対と各表示電極対を被覆する第一誘電体層が形成され、さらに前記第一誘電体層の上に保護層が形成された前面基板と、
表面に前記複数のデータ電極と各データ電極を被覆する第二誘電体層が形成され、さらに前記第二誘電体層の上に複数の隔壁が形成され、当該隔壁の側面及び前記第二誘電体の表面に対して直接または間接的に蛍光体層が形成された背面基板とを有し、
前記保護層と前記隔壁が形成された各面が対向するように、前記前面基板及び前記背面基板が放電空間をおいて配置され、
前記放電空間には放電ガスが満たされ、前記放電空間内または前記放電空間と通気可能な空間内に、銅イオン交換されたゼオライト吸着材を備え、前記吸着材が活性化状態にあるプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記放電空間中のＣＯ２濃度が１×１０−２Ｐａ以下に調節されている
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記吸着材はＺＳＭ−５型、ＭＦＩ型、ＢＥＴＡ型、ＭＯＲ型の内のいずれかの型のゼオライトである
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記吸着材は、前記蛍光体層と前記隔壁の間、または前記蛍光体層と前記誘電体層の間の少なくともいずれかに配設されている
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記吸着材は層状に配設されている
請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記吸着材は、前記蛍光体層中に分散して配置されている
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記蛍光体成分と前記吸着材成分の重量比率が０．０１質量％以上２質量％以下の範囲である
請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記吸着材は、前記保護膜の表面に配設されている
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記保護膜の表面に対する前記吸着材の被覆率が２０％以下である
請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記放電ガスは１５％以上のＸｅを含む
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記吸着材は、Ｈ２ＯまたはＣＯ２の少なくともいずれかに対して物理吸着特性及び化学吸着特性の両特性を有する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前面基板を形成する前面基板作製工程と、
背面基板を形成する背面基板作製工程と、
封着材を介し、前記前面基板及び前記背面基板を重ね合わせる重ね合わせ工程と、
前記重ね合わせた前記前面基板及び前記背面基板を封着する封着工程と、
前記重ね合わせた前記前面基板及び前記背面基板の間を排気する排気工程と、
前記前面基板及び前記背面基板の間に存在する放電空間に放電ガスを導入する放電ガス導入工程とを有し、
前記前面基板作製工程及び前記背面基板作製工程の少なくともいずれかにおいて、前記放電空間内または前記放電空間と連通可能な空間内に、銅イオン交換されたゼオライト吸着材を配設する吸着材配設工程を経る
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記吸着材配設工程を経ることにより、
前記放電ガス導入工程後における前記放電空間中のＣＯ２濃度を１×１０−２Ｐａ以下に調節する
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記吸着材として、ＺＳＭ−５型、ＭＦＩ型、ＢＥＴＡ型、ＭＯＲ型の内のいずれかの型のゼオライトを用いる
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記背面基板作製工程は、
背面基板ガラスの表面に、前記複数のデータ電極と各データ電極を被覆する第二誘電体層を形成し、前記第二誘電体層の上に複数の隔壁を形成し、当該隔壁の側面及び前記第二誘電体の表面に対して直接または間接的に蛍光体層を形成するサブ工程を含み、
前記サブ工程では、さらに前記蛍光体層と前記第二誘電体層との間、または前記蛍光体層と前記隔壁との間の少なくともいずれかに前記吸着材を配設する前記吸着材配設工程を経る
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記背面基板作製工程は、
背面基板ガラスの表面に、前記複数のデータ電極と各データ電極を被覆する第二誘電体層を形成し、前記第二誘電体層の上に複数の隔壁を形成し、当該隔壁の側面及び前記第二誘電体の表面に対して直接または間接的に蛍光体層を形成するサブ工程を含み、
前記サブ工程では、さらに前記蛍光体層中に前記吸着材を分散して配置する前記吸着材配設工程を経る
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１７】
前記吸着材配設工程の後に、前記吸着材を活性化状態とする吸着材活性化工程を経る
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１８】
前記吸着材活性化工程を前記排気工程と兼ねて実施する
請求項１７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１９】
前記吸着材活性化工程では、
４００℃以上前記封着材の軟化点以下の温度で前記前面基板及び前記背面基板を加熱する、
請求項１７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２０】
前記吸着材活性化工程では、１×１０−３Ｐａより低圧雰囲気下で、前記前面基板及び前記背面基板を加熱する
請求項１７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２１】
前記吸着材活性化工程では、４時間以上にわたり前記前面基板及び前記背面基板を加熱する
請求項１７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２２】
前記前面基板作製工程は、
前面基板ガラスの表面に複数の表示電極対と各表示電極対を被覆する第一誘電体層を形成し、さらに前記第一誘電体層の上に保護層を形成するサブ工程と、前記吸着材を前記保護膜の表面に配設する前記吸着材配設工程とを含む
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２３】
前記封着工程を非酸化性ガス雰囲気下で実施し、
前記排気工程を、減圧下の非酸化性ガス雰囲気で実施する
請求項２２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２４】
前記非酸化性ガスとして、露点−４５℃以下のＮ２ガスを用いる
請求項２３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２５】
前記吸着材配設工程では、保護膜表面に対する前記吸着材の被覆率を２０％以下とする
請求項２２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２６】
前記吸着材として、Ｈ２ＯまたはＣＯ２の少なくともいずれかに対して物理吸着特性及び化学吸着特性の両特性を有する吸着材を配設する
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２７】
前記排気工程における加熱温度を４００℃とする
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２８】
前記放電ガス導入工程では、Ｘｅを１５％以上含む前記放電ガスを導入する
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２９】
表面に複数の表示電極対と各表示電極対を被覆する第一誘電体層が形成され、さらに前記第一誘電体層の上に保護層が形成された前面基板と、
表面に前記複数のデータ電極と各データ電極を被覆する第二誘電体層が形成され、さらに前記第二誘電体層の上に複数の隔壁が形成され、当該隔壁の側面及び前記第二誘電体の表面に対して直接または間接的に蛍光体層が形成された背面基板とを有し、
前記保護層と前記隔壁が形成された各面が対向するように、前記前面基板及び前記背面基板が放電空間をおいて配置され、
前記放電空間には放電ガスが満たされたプラズマディスプレイパネルの放電空間内における不純物ガス量の評価方法であって、
一定時間駆動させた場合の色度変化を測定するステップと、
前記測定した色度変化の値に基づき、放電空間における不純物ガスの増大量を評価する評価ステップとを経る、
プラズマディスプレイパネルの放電空間内における不純物ガス量の評価方法。
【請求項３０】
前記色度変化の測定は黒表示時における放電セルの微弱発光の色度で測定する
請求項２９に記載のプラズマディスプレイパネルの放電空間内における不純物ガス量の評価方法。
【請求項３１】
前記プラズマディスプレイパネルには、前記蛍光体層として、少なくとも緑色蛍光体層が配設されており、
前記駆動として、緑色点灯駆動を実施する
請求項２９に記載のプラズマディスプレイパネルの放電空間内における不純物ガス量の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関し、特に放電空間内部の放電ガス雰囲気の向上に係る技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、単に「ＰＤＰ」と称する。）には駆動的に大別してＡＣ型とＤＣ型が存在する。放電形式では面放電型と対向放電型の２種類に分けられる。高精細化、大画面化および製造の簡便性から、現状では３電極構造の面放電型のものが主流である。【０００３】
面放電型のＰＤＰでは、少なくとも前面側が透明な一対の基板（前面基板と背面基板）を、放電空間を挟んで対向配置させ、前記放電空間を複数に仕切る隔壁を配置する。前面基板には表示電極対を複数にわたり形成し、背面基板には複数のデータ電極を配設する。各々のデータ電極を区切るように隔壁が形成され、隣接する隔壁の間には赤色、緑色、青色のいずれかの色の蛍光体層が形成される。一対の表示電極対と、一本のデータ電極が放電空間を介して交差する位置に合わせ、放電セルが形成される。駆動時には各放電セルの放電空間で発生する短波長の真空紫外光が蛍光体を励起し、赤色、緑色、青色のいずれかの可視光が発生し、前面基板を通して画像表示（カラー表示）に供される。【０００４】
このようなＰＤＰは、液晶パネル（ＬＣＤ）に比べて高速表示が可能であり、視野角が広いこと、大型化が容易であること、自発光型であるため表示品質が高いことなどの理由から、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の中で注目を集めている。そして多くの人が集まる場所での表示装置や家庭で大画面の映像を楽しむための表示装置として各種の用途に使用されている。【０００５】
表示装置の内部では、ＰＤＰはアルミニウムなどの金属製のシャーシ部材の前面側に保持される。シャーシ部材の背面側にはＰＤＰを発光させるための駆動回路を構成する回路基板を配置し、モジュールが構成される（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１３１５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＰＤＰの放電空間には、前記真空紫外光を発生させるための不活性ガス（放電ガス）が所定圧力で充填されている。放電ガスの組成は放電電圧に影響を及ぼすため重要であり、炭酸ガス（ＣＯ２）や水蒸気（Ｈ２０）等の不純物ガスの放電空間への混入が、放電電圧の変動を誘発する課題となっている。これによりＰＤＰの放電電圧が不均一となり、画像表示品質が低下する。【０００８】
また、ＰＤＰの発光効率を向上させるために放電ガス中のＸｅ分圧を高く設定する方法があるが、放電強度が増すため不純物ガスの放出量も増加し、画像表示品質の低下を招くおそれがある。【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、放電空間で発生しうる不純物ガスを吸着できる吸着材を配設し、放電電圧の不均一状態を改善することが可能なＰＤＰとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、表面に複数の表示電極対と各表示電極対を被覆する第一誘電体層が形成され、さらに前記第一誘電体層の上に保護層が形成された前面基板と、表面に前記複数のデータ電極と各データ電極を被覆する第二誘電体層が形成され、さらに前記第二誘電体層の上に複数の隔壁が形成され、当該隔壁の側面及び前記第二誘電体の表面に対して直接または間接的に蛍光体層が形成された背面基板とを有し、前記保護層と前記隔壁が形成された各面が対向するように、前記前面基板及び前記背面基板が放電空間をおいて配置され、前記放電空間には放電ガスが満たされ、前記放電空間内または前記放電空間と通気可能な空間内に、銅イオン交換されたゼオライト吸着材を備え、前記吸着材が活性化状態にあるＰＤＰとした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のＰＤＰによれば、放電空間で放電により発生する不純ガスを吸着する吸着材を配置することで、放電電圧の不均一状態を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ＰＤＰ１の構成を示す組図である。
【図２】ＰＤＰ１の各電極とドライバとの関係を示す模式図である。
【図３】吸着材３９の配設位置を示す、ＰＤＰ１の断面図である。（保護膜表面粉体）
【図４】ＰＤＰ１の製造過程の一部を示すフロー図である。
【図５】ＰＤＰ１の製造過程における封着工程、排気工程、放電ガス導入工程の温度プロファイルの一例を示す図である。
【図６】吸着材３９の配設位置を示す、ＰＤＰ１Ａの断面図である。（蛍光体下層型）
【図７】ＰＤＰ１Ａ（蛍光体層下・隔壁面塗布型）の製造過程の一部を示すフロー図である。
【図８】吸着材３９の配設位置を示す、ＰＤＰ１Ｂの断面図である。（蛍光体混合型）
【図９】ＰＤＰ１Ｂ（蛍光体混合型）の製造過程の一部を示すフロー図である。
【図１０】実施例及び比較例のＰＤＰの色度変化量を、消灯後の時間変化に対してプロットしたグラフである。
【図１１】吸着材を活性化処理した後に大気吸着させた際の水の吸着量を、温度に対してプロットしたグラフである。
【図１２】吸着材を活性化処理した後に大気吸着させた際の二酸化炭素の吸着量を、温度に対してプロットしたグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜発明の態様＞
本発明の一態様であるＰＤＰは、表面に複数の表示電極対と各表示電極対を被覆する第一誘電体層が形成され、さらに前記第一誘電体層の上に保護層が形成された前面基板と、表面に前記複数のデータ電極と各データ電極を被覆する第二誘電体層が形成され、さらに前記第二誘電体層の上に複数の隔壁が形成され、当該隔壁の側面及び前記第二誘電体の表面に対して直接または間接的に蛍光体層が形成された背面基板とを有し、前記保護層と前記隔壁が形成された各面が対向するように、前記前面基板及び前記背面基板が放電空間をおいて配置され、前記放電空間には放電ガスが満たされ、前記放電空間内または前記放電空間と通気可能な空間内に、銅イオン交換されたゼオライト吸着材を備え、前記吸着材が活性化状態にある構成とした。
【００１４】
ここで、本発明の別の態様として、前記放電空間中のＣＯ２濃度が１×１０−２Ｐａ以下に調節されている構成とすることもできる。
【００１５】
また本発明の別の態様として、前記吸着材はＺＳＭ−５型、ＭＦＩ型、ＢＥＴＡ型、ＭＯＲ型の内のいずれかの型のゼオライトとすることもできる。
【００１６】
また本発明の別の態様として、前記吸着材は、前記吸着材は、前記蛍光体層と前記隔壁の間、または前記蛍光体層と前記誘電体層の間の少なくともいずれかに配設されている構成とすることもできる。
【００１７】
また本発明の別の態様として、前記吸着材は層状に配設されている構成とすることもできる。
【００１８】
また本発明の別の態様として、前記吸着材は、前記蛍光体層中に分散して配置されている構成とすることもできる。
【００１９】
また本発明の別の態様として、前記蛍光体成分と前記吸着材成分の重量比率が０．０１質量％以上２質量％以下の範囲である構成とすることもできる。
【００２０】
また本発明の別の態様として、前記吸着材は、前記保護膜の表面に配設されている構成とすることもできる。
【００２１】
また本発明の別の態様として、前記保護膜の表面に対する前記吸着材の被覆率が２０％以下である構成とすることもできる。
【００２２】
また本発明の別の態様として、前記放電ガスは１５％以上のＸｅを含む構成とすることもできる。
【００２３】
また本発明の別の態様として、前記吸着材は、Ｈ２ＯまたはＣＯ２の少なくともいずれかに対して物理吸着特性及び化学吸着特性の両特性を有する構成とすることもできる。
【００２４】
また本発明の一態様であるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面基板を形成する前面基板作製工程と、背面基板を形成する背面基板作製工程と、封着材を介し、前記前面基板及び前記背面基板を重ね合わせる重ね合わせ工程と、前記重ね合わせた前記前面基板及び前記背面基板を封着する封着工程と、前記重ね合わせた前記前面基板及び前記背面基板の間を排気する排気工程と、前記前面基板及び前記背面基板の間に存在する放電空間に放電ガスを導入する放電ガス導入工程とを有し、前記前面基板作製工程及び前記背面基板作製工程の少なくともいずれかにおいて、前記放電空間内または前記放電空間と連通可能な空間内に、銅イオン交換されたゼオライト吸着材を配設する吸着材配設工程を経るものとする。
【００２５】
ここで本発明の別の態様として、前記吸着材配設工程を経ることにより、
前記放電ガス導入工程後における前記放電空間中のＣＯ２濃度を１×１０−２Ｐａ以下に調節することもできる。
【００２６】
また本発明の別の態様として、前記吸着材として、ＺＳＭ−５型、ＭＦＩ型、ＢＥＴＡ型、ＭＯＲ型の内のいずれかの型のゼオライトを用いることもできる。
【００２７】
また本発明の別の態様として、前記背面基板作製工程は、背面基板ガラスの表面に、前記複数のデータ電極と各データ電極を被覆する第二誘電体層を形成し、前記第二誘電体層の上に複数の隔壁を形成し、当該隔壁の側面及び前記第二誘電体の表面に対して直接または間接的に蛍光体層を形成するサブ工程を含み、前記サブ工程では、さらに前記蛍光体層と前記第二誘電体層との間、または前記蛍光体層と前記隔壁との間の少なくともいずれかに前記吸着材を配設する前記吸着材配設工程を経ることもできる。
【００２８】
また本発明の別の態様として、前記背面基板作製工程は、背面基板ガラスの表面に、前記複数のデータ電極と各データ電極を被覆する第二誘電体層を形成し、前記第二誘電体層の上に複数の隔壁を形成し、当該隔壁の側面及び前記第二誘電体の表面に対して直接または間接的に蛍光体層を形成するサブ工程を含み、前記サブ工程では、さらに前記蛍光体層中に前記吸着材を分散して配置する前記吸着材配設工程を経ることもできる。
【００２９】
また本発明の別の態様として、前記吸着材配設工程の後に、前記吸着材を活性化状態とする吸着材活性化工程を経ることもできる。
【００３０】
或いは本発明の別の態様として、前記吸着材活性化工程を前記排気工程と兼ねて実施することもできる。
【００３１】
また本発明の別の態様として、前記吸着材活性化工程では、４００℃以上前記封着材の軟化点以下の温度で前記前面基板及び前記背面基板を加熱することもできる。
【００３２】
また本発明の別の態様として、前記吸着材活性化工程では、１×１０−３Ｐａより低圧雰囲気下で、前記前面基板及び前記背面基板を加熱することもできる。
【００３３】
また本発明の別の態様として、前記吸着材活性化工程では、４時間以上にわたり前記前面基板及び前記背面基板を加熱することもできる。
【００３４】
また本発明の別の態様として、前記前面基板作製工程は、
前面基板ガラスの表面に複数の表示電極対と各表示電極対を被覆する第一誘電体層を形成し、さらに前記第一誘電体層の上に保護層を形成するサブ工程と、前記吸着材を前記保護膜の表面に配設する前記吸着材配設工程とを含むこともできる。
【００３５】
また本発明の別の態様として、前記封着工程を非酸化性ガス雰囲気下で実施し、前記排気工程を、減圧下の非酸化性ガス雰囲気で実施することもできる。
【００３６】
また本発明の別の態様として、前記非酸化性ガスとして、露点−４５℃以下のＮ２ガスを用いることもできる。
【００３７】
また本発明の別の態様として、前記吸着材配設工程では、保護膜表面に対する前記吸着材の被覆率を２０％以下とすることもできる。
【００３８】
また本発明の別の態様として、前記吸着材として、Ｈ２ＯまたはＣＯ２の少なくともいずれかに対して物理吸着特性及び化学吸着特性の両特性を有する吸着材を配設することもできる。
【００３９】
また本発明の別の態様として、前記排気工程における加熱温度を４００℃とすることもできる。
【００４０】
また本発明の別の態様として、前記放電ガス導入工程では、Ｘｅを１５％以上含む前記放電ガスを導入することもできる。
【００４１】
また本発明の一態様として、表面に複数の表示電極対と各表示電極対を被覆する第一誘電体層が形成され、さらに前記第一誘電体層の上に保護層が形成された前面基板と、表面に前記複数のデータ電極と各データ電極を被覆する第二誘電体層が形成され、さらに前記第二誘電体層の上に複数の隔壁が形成され、当該隔壁の側面及び前記第二誘電体の表面に対して直接または間接的に蛍光体層が形成された背面基板とを有し、前記保護層と前記隔壁が形成された各面が対向するように、前記前面基板及び前記背面基板が放電空間をおいて配置され、前記放電空間には放電ガスが満たされたプラズマディスプレイパネルの放電空間内における不純物ガス量の評価方法であって、一定時間駆動させた場合の色度変化を測定するステップと、前記測定した色度変化の値に基づき、放電空間における不純物ガスの増大量を評価する評価ステップとを経る、プラズマディスプレイパネルの放電空間内における不純物ガス量の評価方法とした。
【００４２】
また、本発明の別の態様として、前記色度変化の測定は黒表示時における放電セルの微弱発光の色度で測定することもできる。
【００４３】
また、本発明の別の態様として、前記プラズマディスプレイパネルには、前記蛍光体層として、少なくとも緑色蛍光体層が配設されており、前記駆動として、緑色点灯駆動を実施することもできる。
【００４４】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。当然ながら本発明は、これらの形式に限定されない。本発明はその技術的範囲を逸脱しない範囲で適宜変更して実施することができる。
＜実施の形態１＞
（ＰＤＰ１の構成）
図１は、実施の形態１のＡＣ型ＰＤＰ１の構成を示す部分斜視図である。当図ではＰＤＰ１の周縁における封着部を含む領域を部分的に示す。
【００４５】
ＰＤＰ１は、前面基板（フロントパネル）２と背面基板（バックパネル）９とを、互いの内側主面が対向するように配置し、両基板２、９の周囲が封着材１６で封止されてなる。ここでＰＤＰ１は、放電セル数が横１９２０個×縦１０８０個の４２Ｖ型フルＨＤの高精細パネルとして例示する。しかしながらＰＤＰ１は、他の仕様、例えばパネルサイズが１００Ｖ型で、画素数７６８０×４０９６の大型・超高精細パネルのＰＤＰにも適用可能である。
【００４６】
図１に示すように、ＰＤＰ１の構成は互いに主面を対向させて配設された第１基板（前面基板２）および第２基板（背面基板９）に大別される。
【００４７】
前面基板２の基板となる前面基板ガラス３には、その一方の主面に所定の放電ギャップ（７０μｍ）をおいて配設された一対の表示電極対６（走査電極４、維持電極５）が複数対にわたりストライプ状に形成されている。
【００４８】
各表示電極対６における走査電極４（維持電極５）は、透明電極４１（５１）にバスライン４２（５２）を積層して構成される。
【００４９】
透明電極４１、５１は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）等の導電性の金属酸化物を透明導電性材料とする透明性の帯状電極（厚さ０．１μｍ、幅１００μｍ）である。
【００５０】
バスライン４２、５２は、Ａｇ厚膜（厚み２μｍ〜１０μｍ）、Ａｌ薄膜（厚み０．１μｍ〜１μｍ）またはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜（厚み０．１μｍ〜１μｍ）等の材料を幅５０μｍ程度で形成した帯状の金属電極である。バスライン５２、４２を用いることで透明電極５１、４１のシート抵抗が下げられる。
【００５１】
なお、表示電極対６はアドレス電極１１と同様にＡｇ等の金属材料のみで構成することもできる。透明電極５１、４１、バスライン５２、４２は、いずれもスパッタリング法で成膜し、エッチングでパターニングできる。
【００５２】
表示電極対６を配設した前面基板ガラス３には、その主面の全面にわたり、酸化鉛（ＰｂＯ）又は酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）又は酸化燐（ＰＯ４）、あるいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とする低融点ガラス（厚み３０μｍ程度）の第一誘電体層（誘電体層７）が、スクリ−ン印刷法等によって形成される。
【００５３】
誘電体層７は、ＡＣ型ＰＤＰ特有の電流制限機能を有し、ＤＣ型ＰＤＰに比べて長寿命化を実現する。
【００５４】
保護膜８は、放電時のイオン衝撃から誘電体層７を保護し、放電開始電圧を低減させる目的で配される厚み０．５μｍ程度の薄膜であって、耐スパッタ性及び二次電子放出係数γに優れるＭｇＯ材料からなる。当該材料は、さらに良好な光学透明性、電気絶縁性を有する。
【００５５】
ここで図３はＰＤＰ１の断面図である。この図３に示すように、ＰＤＰ１の主たる特徴の一つとして、保護膜８の表面に対し、放電空間１５内に存在する不純物ガス（ＣＯ２及びＨ２Ｏ等）を吸着可能で、且つ、Ｘｅを吸脱着する能力を持つ、活性化状態の吸着材３９が粉末状で配設されている。吸着材３９の各粒子は、平均粒径が０．５〜５μｍ程度であり、前面基板２の可視光透過性を低下させない程度の量で配設されている。
【００５６】
この吸着材３９は、例えば銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトで構成するのが好ましい。銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトは、不純物ガスを非常によく吸着する特性があるため、吸着材３９として好適である。
【００５７】
ここで本願発明者らの行った確認実験により、４２インチフルＨＤ規格のＰＤＰで、Ｎｅ−Ｘｅ系放電ガス（Ｘｅ１５％濃度）を用いた構成を動作させた場合、放電空間内部の不純物ガスであるＣＯ２濃度が１×１０−２より高くなると、放電電圧が少なくとも当初より５．６％〜５．９％程度上昇することが分かっている。
【００５８】
これに対し、ＰＤＰ１では上記のような吸着材３９を配設することで、放電空間１５内のＣＯ２濃度を１×１０−２Ｐａ以下にまで低濃度に抑え、放電開始電圧の上昇を防止している。
【００５９】
背面基板９の基板となる背面基板ガラス１０には、その一方の主面に、Ａｇ厚膜（厚み２μｍ〜１０μｍ）、Ａｌ薄膜（厚み０．１μｍ〜１μｍ）又はＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜（厚み０．１μｍ〜１μｍ）等のいずれかからなるアドレス（デ−タ）電極１１が、幅１００μｍで、ｘ方向を長手方向としてｙ方向に一定間隔毎（約９５μｍ）でストライプ状に並設される。
【００６０】
そして、各々のアドレス電極１１を内包するように、背面基板ガラス９の全面にわたって、厚さ３０μｍの第二誘電体層（誘電体層１２）が配設されている。
【００６１】
なお、誘電体層１２は上記７と同様の構成であるが、可視光反射層として機能させることもできる。この場合、ガラス材料中にＴｉＯ２粒子等の可視光反射特性を有する粒子を混合して分散させる。
【００６２】
誘電体層１２の上には、さらに隣接するアドレス電極１１の間隙に合わせ、フォトリソグラフィー法によりストライプ状の隔壁１３（高さ約１００μｍ、幅３０μｍ）が突設され、放電セルが区画されることで誤放電や光学的クロスト−クの発生を防ぐ役割をしている。隔壁１３の形状はストライプ状に限定されず、井桁状、ハニカム状等、各種形状に形成することができる。
【００６３】
隣接する２つの隔壁１３の側面とその間の誘電体層１２の面上には、カラ−表示のための赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各々に対応する蛍光体層１４（１４（Ｒ）、１４（Ｇ）、１４（Ｂ）のいずれか）が厚み５〜３０μｍで形成されている。誘電体層１２は必須ではなく、アドレス電極１１を直接蛍光体層１４で内包するようにしてもよい。
【００６４】
前面基板２と背面基板９は、アドレス電極１１と表示電極対６の互いの長手方向が直交するように対向配置され、両パネル２、９の外周縁部が所定の封着材を含む封着材１６でガス封着されている。そして、両パネル２、９の間に確保される放電空間１５には、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅ等を含む不活性ガス成分からなる放電ガス（一例として、１００％のＸｅからなる希ガス）が所定圧力（３０ｋＰａ）で投入される。ここで、ＰＤＰ１の発光特性を高輝度にするためには、Ｘｅガスを１５％以上の分圧で含む放電ガスが望ましい。
【００６５】
放電空間１５は隣接する隔壁１３の間に存在するスペ−スであり、隣り合う一対の表示電極対６と１本のアドレス電極１１が放電空間１５を挟んで交叉する領域が、画像表示にかかる放電セル（「サブピクセル」とも言う）に対応している。放電セルのピッチは、ｘ方向が１５０μｍ〜１６０μｍ、ｙ方向が４５０μｍ〜４８０μｍである。隣り合うＲＧＢの各色に対応する３つの放電セルで１画素（ｘｙ方向に４５０μｍ〜４８０μｍ角のサイズ）が構成される。
【００６６】
なお、ＰＤＰ１では放電セル数が横１９２０個×縦１０８０個の構成例を示すが、放電セルのサイズ調整は変更可能である。この場合、表示電極対６の走査電極４及び維持電極５の間隔（放電ギャップ）、誘電体層７、１２の誘電率と膜厚、隔壁１３の高さ、隔壁１３のピッチ、蛍光体層１４の膜厚などを適宜調整する必要がある。これにより本発明は、パネルサイズが１００Ｖ型で、放電セル数が横７６８０個×縦４０９６個の大型・超高精細パネルのＰＤＰにも適用可能である。
【００６７】
走査電極４、維持電極５及びアドレス電極１１の各々には、図２に示すように、駆動回路として走査電極ドライバ１１１、維持電極ドライバ１１２、アドレス電極ドライバ１１３Ａ、１１３Ｂが外部接続される。
【００６８】
ＰＤＰ１は上記各ドライバ１１１、１１２、１１３Ａ、１１３Ｂを接続し、公知の駆動方法で駆動することができる。このＰＤＰの駆動方法については、例えば特願２００８−１１６７１９の記載内容を参照することができる。
【００６９】
（ＰＤＰ１の効果について）
以上の構成を持つＰＤＰ１は、放電空間１５に臨む保護膜８の表面に、高い吸着活性状態にある粉末状の吸着材３９が分散配置されている。このため、ＰＤＰ１完成後に、放電空間１５に存在する蛍光体層１４由来のガスや、封着材１６の材料（封着材ペースト）に起因するバインダ、溶剤等の有機成分等（これらをまとめて「不純物ガス」という）が効果的に吸着除去される。特に、放電空間１５内におけるＣＯ２濃度は１０−２Ｐａ以下程度に低く抑えられている。
【００７０】
特にＰＤＰ１では、吸着材３９が保護膜８の近傍に配設されているので、不純物ガスが保護膜８に吸着されるのを効率よく防止できる。従って、保護膜８の劣化防止効果が高く、保護膜８の良好な二次電子放出特性を維持でき、放電開始電圧を始め、駆動中の放電電圧の上昇や変動を抑制できる。
【００７１】
また、放電空間１５中から不純物ガスが除去されるので、放電ガス中のＸｅの励起・電離が、不純物ガスによって妨げられることがない。
【００７２】
その結果、ＰＤＰ１を高精細セル型とし、放電ガス中のＸｅ分圧を高く設定した場合でも、その消費電力を低く抑え、且つ優れた画像表示性能を得ることができる。
【００７３】
なお、吸着材３９として配設した、銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトは、ＰＤＰ１の製品完成後だけでなく、その製造工程中の少なくとも封着工程以降の段階から放電空間１５中に存在する不純物ガスに対して良好な吸着特性を発揮できる。この点においてＰＤＰ１は、特に優れた効果を奏するものである。
【００７４】
なお、一般にＰＤＰは、放電ガス中のＸｅ分圧を増加させると発光効率が上昇するが、高精細型・超高精細型のＰＤＰでは放電電圧が上昇するため、Ｘｅの累積電離が生じて発光効率がそれほど上昇しない。これに対して本願発明者らは、本実施の形態１のようにＰＤＰ１に吸着材３９を適用することによって、放電空間１５内の不純物ガスを吸着材３９で効果的に除去でき、放電ガスが清浄に維持され、放電電圧が顕著に低減されることを確認したものである。
【００７５】
なお、本実施の形態１では保護膜８をＭｇＯで形成したが、保護膜８の材料はこれに限定されず、各種アルカリ土類金属酸化物を用いることもできる。このような保護膜８を形成した場合に、上記と同様に吸着材３９を保護膜８上に分散配置することによって、不純物ガスが吸着され、同様の効果を期待できる。
【００７６】
以上の過程を経ることで、ＰＤＰ１では、高い発光輝度を低い消費電力で得ることができ、高Ｘｅ分圧化による発光効率の上昇を見込める。また、ＰＤＰ１の駆動に伴って発生する不純物ガスも、順次、吸着材３９に吸着されるため、初期特性が長期間にわたって維持され、放電特性が安定し、結果として商品寿命を延ばすことができる。
【００７７】
（本発明に到った経緯）
ＰＤＰにおいて、銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトを吸着材として用いることは、特開２００８−２１８３５９号公報に開示された内容である。一般的には、Ｈ２Ｏ吸着能に非常に優れた吸着材であっても、Ｘｅをも吸着してしまうものは、ＰＤＰへの適用は断念されて来たと想定される。
【００７８】
これは、放電空間内に多量に存在するＸｅを吸着して吸着活性を消失してしまうので、銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトはＰＤＰ用の吸着材として使用できないと考えられてきたためである。
【００７９】
しかし、本発明者らは、上述の銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトなど、特定の吸着材においてＨ２Ｏの吸着優位性が高く、すでにＸｅを吸着していても、これと交換するようにＨ２Ｏを吸着できることを見出した。さらに吸着のメカニズムから、ＣＯ２などの不純物ガスに関しても同様に吸着できるので、吸着活性（放電空間内に充填されたＮｅ、Ｘｅ等の放電ガス以外の不純物ガスを吸着する能力）が維持されることを見出し、本発明に到ったものである。
【００８０】
以下、ＰＤＰ１の製造方法を例示する。
【００８１】
（ＰＤＰ１の製造方法）
図４は、ＰＤＰ１の製造過程の一部を概略的に示すフロー図である。
【００８２】
当図に示される製造過程では、前面基板２を作製するとともに（サブ工程Ａ１〜Ａ４）、これとは別に背面基板９を作製する（サブ工程Ｂ１〜Ｂ６）。
【００８３】
そして、作製された両基板２、９を、封着材を介して互いに重ね合わせる（重ね合わせ工程Ｃ１）。その後、不図示の封着工程、排気工程、放電ガス投入工程を順次経て、ＰＤＰ１を完成する。
【００８４】
当該各工程の全体的な流れは従来とほぼ共通しているが、主な特徴として、工程Ａ４で保護膜８を形成した後に、工程Ａ５で、保護膜８の表面に所定の吸着材３９を配設する点、並びに、封着工程、排気工程を、非酸化性ガス雰囲気下で行う。
【００８５】
以下、各工程について具体的に説明する。
【００８６】
（前面基板作製工程）
前面基板作製工程は以下のサブ工程を含む。
【００８７】
厚さ約１．８ｍｍのソ−ダライムガラスからなる前面基板ガラス３を作製する（工程Ａ１）。板ガラスの製造方法としては、公知のフロート法が例示できる。作製したパネルガラスを所定のサイズに切断し、前面基板ガラス３とする。
【００８８】
次に、前面基板ガラス３の一方の主面上に表示電極対６を形成する（工程Ａ２）。
【００８９】
この工程では、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の透明電極材料を用い、スパッタリング法により最終厚み０．１μｍ、幅１００μｍのストライプ状パターンで、前面基板ガラス３上に成膜し透明電極４１、５１を形成する。次に、Ａｇ材料を用い、スパッタリング法によりストライプ状のパターンで透明電極４１、５１上に成膜し、厚み７μｍ、幅５０μｍのバスライン４２、５２を作製する。
【００９０】
バスライン４２、５２を構成する金属材料は、Ａｇの他にＰｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、また酸化錫、酸化インジウム等を用いることができる。あるいは成膜を繰り返し、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造とすることもできる。
【００９１】
以上で表示電極対６が形成される。
【００９２】
次に、表示電極対６の上から、鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスのペーストを塗布し、焼成して誘電体層７を形成する（工程Ａ３）。非鉛系低融点ガラスとして酸化ビスマス系低融点ガラスが挙げられる。
【００９３】
次に、誘電体層７の表面に、真空蒸着法やスパッタリング法、ＥＢ蒸着法等により、ＭｇＯを含む保護膜８を形成する（工程Ａ４）。ＥＢ蒸着法の場合、ＭｇＯペレットを用い、ＥＢ蒸着装置内にＯ２を０．１ｓｃｃｍで流通させながら製膜し、厚み約１．０μｍの保護膜８を形成する。
【００９４】
次に吸着材配設工程として、保護膜８の上に吸着材３９として銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトを散布する（工程Ａ５）。
【００９５】
具体的には、エチルセルロース等のビヒクルに、吸着材３９の粉末を混合して、吸着材３９の粉末含有率が比較的低いペーストを作製する。このペーストを、印刷法あるいはスピンコート法等で保護膜８の表面上に塗布する。あるいはペーストを作製する代わりに、吸着材３９の粉末を溶媒に分散させ、保護膜８の表面上に散布してもよい。一定乾燥後、５００℃前後の温度で焼成し、保護膜８の表面に吸着材３９の粉末を分散配置する。
【００９６】
ここで吸着材３９は、保護膜８の表面上に均一的に分散させることが、パネル全体に吸着効果が及ぶので好ましいが、表面領域ごとにある程度塗布量を変動させてもよい。例えば、表示電極対６に対応する表面領域で塗布量を多くし、これ以外の表面領域で塗布量を少なくしてもよい。
【００９７】
吸着材３９で保護膜８を被覆する際の被覆率は、高すぎると駆動時に放電を阻害する要因となり、また可視光透過率が低下する要因ともなり得る。従って被覆率は２０％以下が好ましい。また、実用的な被覆率は０．１％以上が好ましい。
【００９８】
銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライト自体の製法は後述する。
【００９９】
以上で前面基板２が作製される。
【０１００】
（背面基板作製工程）
背面基板作製工程は以下のサブ工程を含む。
【０１０１】
厚さ約１．８ｍｍのソ−ダライムガラスからなる背面基板ガラス１０を得る（工程Ｂ１）。この工程Ｂ１は、上記の工程Ａ１と同様の工程である。
【０１０２】
次に、背面基板ガラス１０の一方の主面上に、スクリ−ン印刷法によりＡｇを主成分とする導電体材料を一定間隔（ここでは約９５μｍピッチ）でストライプ状に塗布し、厚さ数μｍ（例えば約５μｍ）のアドレス電極１１を複数にわたり形成する（工程Ｂ２）。アドレス電極１１の電極材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属や、各種金属の炭化物や窒化物等の導電性セラミックスなどの材料やこれらの組み合わせが挙げられる。アドレス電極１１の構成としては、これらの材料からなる層を積層することもできる。
【０１０３】
続いて、アドレス電極１１を形成した背面基板ガラス１０の面全体にわたって、鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスのペーストを塗布し、焼成して誘電体層１２を形成する（工程Ｂ３）。
【０１０４】
次に、誘電体層１２面上に、複数の隔壁１３をストライプ状パタ−ンに形成する（工程Ｂ４）。隔壁１３の壁面と、隣接隔壁１３間で露出している誘電体層１２の表面に、ＡＣ型ＰＤＰで通常使用される赤色（Ｒ）蛍光体、緑色（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光体のいずれかを含む蛍光インクを塗布する。これを乾燥・焼成し、それぞれ蛍光体層１４（１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）とする（工程Ｂ５）。
【０１０５】
ここでＲＧＢ各色蛍光体の化学組成として、例えば以下を例示できるが、当然ながら、これらに限定されるものではない。
【０１０６】
赤色蛍光体；（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ
緑色蛍光体；Ｚｎ２ＳｉＯ４：ＭｎもしくはこれとＹＢＯ３：Ｔｂの混合物
青色蛍光体；（Ｂａ、Ｓｒ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ
（封着材塗布および封着材仮焼成工程）
次に、以下の手順で背面基板９の外周部に封着材フリット（封着材の粉末）を含むペーストを塗布して仮焼成を実施する。また背面基板９に設けられたチップ管取付用孔３１に対し、放電空間１５と連通させるための不図示のチップ管（排気管）を取り付ける（封着フリット塗布及び排気管取付工程Ｂ６）。
【０１０７】
まず、所定の封着材に樹脂バインダ、溶剤を混合して調整し、封着材ペーストを得る。封着材の軟化点としては、４１０℃〜４５０℃の範囲が好適である。
【０１０８】
仮焼成のプロセスでは、まず焼成炉を室温から仮焼成温度まで上昇させる。この仮焼成温度は当該仮焼成工程における最高温度であって、封着材の低融点ガラスの軟化点より高い温度に設定する。ここでは、この仮焼成の最高温度を一定期間（たとえば１０分〜３０分）にわたり温度維持して仮焼成する。その後は、背面基板９の温度を室温まで下降させる。
【０１０９】
このように仮焼成を行うことで、封着材ペースト中の大部分の有機成分を除去するとともに、封着材１６の硬度をある程度確保できる。
【０１１０】
なお、仮焼成工程は一般的には封着材ペースト中の溶剤やバインダ成分を燃焼させ、炭酸ガス（ＣＯ２）を生じさせて除去するが、雰囲気中の酸素等の酸化性ガスが多いと炭酸ガスが急激に発生して封着材のガラス成分が発泡し、封着が不完全になるおそれがある。封着が不完全であると、後に放電ガスのリークの原因となるため、ガラス成分の発泡を防ぐために、仮焼成雰囲気として、酸化ガス成分を低減させた弱酸化性雰囲気（たとえば酸素分圧が１％以下の窒素を含む雰囲気）や、非酸化性雰囲気（窒素を含む雰囲気）で行うことが望ましい。
【０１１１】
なお、本実施の形態１では、封着材１６の仮焼成温度を、封着材１６の軟化点以上に設定する例を示したが、これに限定されない。例えば、封着材１６の軟化点以上で仮焼成を行うと、封着材１６のバインダ成分の残留分が、封着材１６中に含まれる低融点ガラスの軟化によって閉じ込められ、閉じ込められたバインダ成分が揮発しにくいタール成分になってしまう場合がある。その後の封着工程において、封着材１６の流動温度で封着するため、閉じ込められたタール成分が封着材１６の溶解により放出され、蛍光体、ＭｇＯ、吸着材３９に付着し、ＭｇＯの二次電子放出を妨げ、放電電圧の上昇や、蛍光体の輝度低下、吸着材３９の吸着性能低下を招くことがある。この場合、タール成分の発生を防ぐため、仮焼成温度を封着材の軟化点温度未満にすることが望ましい。
【０１１２】
一方、タール成分が発生したとしても、吸着材３９の吸着力を十分に高く保つことができ、蛍光体やＭｇＯの汚染が無視できるレベルに抑制できる場合には、仮焼成温度を軟化点温度以上にしても構わない。
【０１１３】
このように仮焼成温度は、封着材および吸着材３９の種類によって調整することが望ましく、例えば、酸化鉛系ガラスを主成分とする低融点ガラス材料を用いる場合、仮焼成温度を封着材の軟化点よりも１０〜２０℃低く設定するのがタール成分の発生を防止する点で好適である。これらの温度調整には、封着材の軟化点の他に、ガラス転移点を参考にするとよい。
【０１１４】
（重ね合わせ工程）
上記作製した前面基板２と背面基板９とを、表示電極対６及びアドレス電極１１が直交するように対向配置して重ね合わせる（工程Ｃ１）。このとき、両基板２、９が位置ずれを起こさないように、スプリング機構を備えるクリップ（不図示）で挟んで保持する。この位置合わせに際して、各放電セルにおいて、隔壁１３間のｘ方向中間点と、走査電極４と維持電極５の中間点とが合致するように行う。
【０１１５】
（封着工程）
図５に、封着工程、排気工程、ガス導入工程の温度プロファイルを示す。
【０１１６】
封着工程は、室温から封着材１６の流動温度以上の封着温度まで上昇させる工程と、その温度にて一定時間保持する工程と、その後、封着材１６の軟化点下の温度まで下降させる工程とを、非酸化性ガス雰囲気にて行う。非酸化性ガスとしては、Ｎ２またはＡｒが好ましい。
【０１１７】
具体的には、まず、位置合わせした両基板２、９を真空炉に入れ、炉全体を排気ポンプにて１０Ｐａ以下まで排気する。酸化性ガスを排除することで、保護膜８がガス中成分で酸化されて劣化するのを防止できる。排気後、炉全体に露点−４５℃以下の非酸化性ガス（ＡｒまたはＮ２）を導入する。このとき、残留酸素濃度は１００ｐｐｍ以下が好適である。なお、残留水蒸気も酸化性ガスとして作用し、保護膜８を劣化させる原因にもなるが、露点−４５℃以下の非酸化性ガスを導入することで、残留水蒸気を低減することができる。この後、室温から封着材１６の軟化点近傍（４１０〜４５０℃程度）まで昇温し、１時間保持する（以上、ステップ１）。
【０１１８】
次に、封着材１６の軟化点近傍から封着材１６の流動温度以上である封着温度（４５０〜５００℃程度、一例として約４９０℃）まで、炉を温度上昇させ、１時間保持する。温度上昇速度は、急激な温度上昇による炉内温度分布によってパネルの割れが発生しないように調整する。この加熱処理で封着材１６が軟化して前面基板２と背面基板９が封着される。その後、室温近傍まで冷却し、封着された両基板２、９を真空炉から取り出す（以上、ステップ２）。
【０１１９】
なお、本実施の形態１では、封着工程を露点−４５℃以下のＮ２雰囲気中で実施する場合について記述したが、その他の不活性ガス雰囲気でも構わない。特に、ＡｒはＮ２より不活性で、比較的安価であるので好ましい。また、極微量であれば、酸素（あるいは大気）が不活性ガスに混入しても問題ない場合がある。
【０１２０】
（排気工程）
次に、排気炉内に、封着された両基板２、９を設置し、チップ管を介してタ−ボ分子ポンプを接続し、放電空間１５内から真空排気する。真空度は１×１０−３Ｐａ以下とすることが好ましい。前工程において封着された両基板２、９の放電空間１５内部には非酸化性ガスが蓄えられているので、この排気工程は、放電空間１５内部が減圧された非酸化性ガス雰囲気で行われることになる。
【０１２１】
排気完了後、その減圧状態を維持して炉全体の温度を封着材１６の軟化点よりも低い４００〜４２０℃まで上昇させ、４時間保持する（加熱工程）。この温度上昇により、封着された両基板２、９の放電空間１５内部から不純物ガスを排出すると同時に、吸着材３９にすでに吸着されているガスを脱離させる。この温度調整は、封着材１６の軟化点より１０℃以下の温度で一定時間保持させ、その後、室温まで下降させることが好適である。ただし、吸着材３９が活性化する温度以上で、かつ、封着材１６を構成する低融点ガラスのガラス転移点以上で行う必要がある。
【０１２２】
その後、室温近傍まで冷却する冷却工程を行うと、吸着材３９は活性化状態で維持される（以上、ステップ３）。
【０１２３】
なお、上記の工程Ａ５で、保護膜８上に塗布された吸着材３９は、塗布後の大気焼成で窒素ガス、酸素ガス、および、水蒸気などを吸って、不純物ガスの吸着活性が低下するが、上記のように封着工程から排気工程において不活性ガス雰囲気で加熱しているので、それによって吸着材３９はその吸着活性を獲得できる。
【０１２４】
従って、このような排気工程を経ることで、吸着材３９は良好な活性を維持したまま放電空間１５に臨むように配設されている。よって、以降の工程で生じる各種不純物ガスが、効率的に放電空間１５から吸着除去される。
【０１２５】
（放電ガス導入工程）
冷却後、封着された両基板２、９の放電空間１５に、チップ管を通して放電ガスを導入する。
【０１２６】
本実施の形態１では、放電ガスとしてＸｅ１００％のガス（純度９９．９９５％以上のＸｅガス）を用い、封入するガス圧を３０ｋＰａとするが、Ｎｅ−Ｘｅ系混合ガス、Ｎｅ−Ｘｅ−Ａｒ系混合ガス等を使用することもできる。また、Ｘｅの混合比によって、封入圧力も適宜調整することが好ましい。Ｘｅ混合比が低い場合には、封入圧力を高く設定することが好ましく、例えば６０ｋＰａとする。このＰＤＰ１の変形例に係る構成の基本的な製造方法も、上記説明したＰＤＰ１の製造方法と同様である。
【０１２７】
なお、吸着材３９はＸｅガスを脱着可能なので、保護膜８上に配されている吸着材３９はこの放電ガス導入工程で若干のＸｅガスを吸着する。
【０１２８】
（エージング工程）
上記製造したＰＤＰ１に対し、エージング工程を行う。このエージングは、各セルの放電開始電圧が均一に安定するまで、ＰＤＰ１を駆動させて行う。
【０１２９】
このエージング工程で、ＰＤＰ１に初めて通電がなされるため、蛍光体層から不純物ガスが比較的発生しやすいが、不純物ガスに対する良好な吸着活性を有する吸着材３９が放電空間１５に臨んで配設されているため、不純物ガスは速やかに放電空間１５から吸着除去される。
【０１３０】
なお、吸着材３９にはＸｅが吸着された状態となっているので、図３に示すように、吸着材３９は吸着しているＸｅを放出するとともに不純物ガスを吸着する。
【０１３１】
以上の工程によりＰＤＰ１が完成する。
【０１３２】
（銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトの製法）
吸着材３９である、銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトは、以下に例示する方法で作製できる。なお、この方法は各実施の形態で用いる吸着材３９に共通する。
【０１３３】
具体的には、銅イオンと、バッファー作用を有するイオンを含むイオン交換溶液を用いたイオン交換工程（ステップ１）と、銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトを洗浄する洗浄工程（ステップ２）と、これを乾燥する乾燥工程（ステップ３）とを順次経て作製する。
【０１３４】
イオン交換工程（ステップ１）では、銅イオンを含む溶液として、酢酸銅、プロピオン酸銅、塩化銅など、従来既存の化合物の水溶液を用いることができる。中でも酢酸銅は、気体吸着量の増大と強固な吸着を実現する上で望ましい。
【０１３５】
イオン交換溶液中のバッファー作用を有するイオンとしては、例えば酢酸イオン、プロピオン酸イオンなど、銅イオンを含む溶液のイオン解離平衡を緩衝する作用を有するものが利用可能である。この中、低圧領域において大容量の吸着特性を得るために、酢酸イオンが望ましく、特に、酢酸アンモニウムから生じた酢酸イオンが望ましい。
【０１３６】
銅イオンと、バッファー作用を有するイオンとを含むイオン交換溶液は、それぞれのイオンを含む溶液を予め作製した後に混合しても良いが、同一の溶媒にそれぞれの溶質を溶解して調整しても良い。
【０１３７】
調整したイオン交換溶液にゼオライト材料を投入し、混合することでイオン交換処理を行う。なお、このときのイオン交換回数や銅イオン溶液の濃度、バッファー溶液の濃度、イオン交換時間、温度などは、特に限定されないが、イオン交換率を１００％〜１８０％の範囲に設定すると、優れた吸着性能が得られる。より好ましいイオン交換率は１１０％〜１７０％の範囲である。
【０１３８】
なお、ここで言う「イオン交換率」は、２つのＮａ＋あたりにＣｕ２＋が交換されることを前提とした計算値である。実際には銅がＣｕ＋として交換されることもあるので、上記の「イオン交換率」計算値は１００％を越えている。
【０１３９】
次に洗浄工程（ステップ２）に移り、上記イオン交換処理を終えた材料を洗浄する。ここでは不要なイオンの混入を防ぐため、蒸留水等を用いて洗浄することが望ましい。
【０１４０】
十分に洗浄したら、材料を乾燥工程（ステップ３）で乾燥させる。ここでは高温による劣化を防ぐため、１００℃未満の緩やかな条件で乾燥させることが望ましい。また、減圧雰囲気下にて室温で乾燥を行うことも好適である。
【０１４１】
以上の各ステップを経ると、銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトが得られる。
＜実施の形態１に係る性能測定実験１＞
ＰＤＰ１の製造方法に基づいて、以下の実施例１及び比較例１〜３のＰＤＰを作製し、性能測定試験を実施した。いずれのＰＤＰも放電ガスとしてＸｅ１００％を用いた。
【０１４２】
（実施例１）
前面基板作製工程では、吸着材を印刷法により配設した。
【０１４３】
具体的には、吸着材３９の粉末約０．５〜２重量部をエチルセルロース系のビヒクル１００重量部と混合した。これを３本ロールを通してペーストとしたものを、印刷法により、保護膜８（ＭｇＯ層）上に薄く塗布した。そして９０℃で乾燥させた後、空気中５００℃で焼成した。この際、ペーストの濃度調整によって、焼成後の保護膜８が吸着材３９の粉末によって被覆される割合（被覆率）を６％に調整した。
【０１４４】
なお吸着材３９の被覆率は次式から算出した。
【０１４５】
被覆率＝（１−τｐ２／τｐ１）＊１００
ここで、τｐ１は吸着材３９塗布なし基板の直線透過率、τｐ２は吸着材３９塗布基板の直線透過率である。
【０１４６】
封着工程は、露点−４５℃以下のＮ２雰囲気中で実施した。
【０１４７】
（比較例１）
比較例１として、吸着材３９を使用せず、実施例１と同様に封着工程をＮ２雰囲気中で実施し、ＰＤＰを作製した。
【０１４８】
（比較例２）
比較例２として、封着工程を大気中で実施し、吸着材３９を使用しないでＰＤＰを作製した。
【０１４９】
（比較例３）
比較例として、封着工程を大気中で実施した。これ以外は実施例１と同様にして、吸着材３９を使用したＰＤＰを作製した。
【０１５０】
なお、吸着材３９の配設方法、並びに被覆率の評価方法は、実施例１と同じである。
【０１５１】
（参考例１）
参考例１として、保護膜８を吸着材３９で被覆する被覆率を２１％に調整した。これ以外は、実施例１と同様にＰＤＰを作製した。
【０１５２】
（測定評価）
以上のようにして作製した各ＰＤＰについて、放電維持電圧を測定した。
【０１５３】
その測定結果を表１に示す。
【０１５４】
【表１】
2011142138.tif 000003
表１に示す結果から、以下のように考察できる。
【０１５５】
実施例１と比較例１とは、どちらもＮ２ガス中で封着を行っているが、保護膜上に吸着材３９を配した実施例１のＰＤＰは、吸着材３９を配していない比較例１のＰＤＰと比べて、放電維持電圧は低い。これは、吸着材３９が放電空間１５内の不純物ガスを吸着することによって、保護膜８の劣化が抑制されたことを示している。また、吸着材３９の被覆率は６％程度で十分な効果が得られることも示している。
【０１５６】
一方、大気中で封着した比較例２、３では、実施例１と比べて放電維持電圧は高い。これは、比較例２、３では保護膜８の劣化が生じたことを示している。
【０１５７】
そして、比較例２よりも比較例３の方が、放電維持電圧は高くなっている。これは、大気下での加熱中に、大気中に含まれる水や二酸化炭素、酸素などを多量に吸着した吸着材３９は、その一部が排気工程で真空加熱してももはや吸着特性を発現できない状態となり、吸着特性が低下し、吸着効果よりも却って保護膜８上に吸着材３９を配設したことによる放電阻害作用の方が大きくなるためと考えられる。
【０１５８】
なお、実施例１のように封着工程をＮ２ガス雰囲気下で行う場合でも、保護膜８上に吸着材３９が存在することは、ある程度物理的な放電阻害要因になり得ると予想されるが、放電維持電圧の低減効果が得られている理由として次の二点が考えられる。
【０１５９】
一点目は、封着工程においてＮ２ガス雰囲気下で加熱した場合、その後の排気工程で活性化できることから、吸着材３９はエージング工程以降に発せられる不純物ガスを非常に良好に吸着できる点である。それによって、放電空間１５中の不純物ガスは減少するので、相対的に、保護膜８の二次電子放出特性の低下を防ぐと考えられる。
【０１６０】
二点目は、吸着材３９はＸｅガスを脱着できるので、吸着材３９が不純物ガスを吸着する際に、吸着していたＸｅを放出することによって、保護膜８近くでＸｅの励起・電離確率を増加させることが考えられる。
【０１６１】
これらの作用による放電電圧の低減効果が、吸着材３９による保護膜８の放電阻害作用を上回るため、結果的に放電電圧が低減されると考えられる。
【０１６２】
吸着材３９で被覆する被覆率が２０％を超えている参考例１では、比較例２、３と比べると、放電維持電圧は低くなっているが、吸着材３９を配していない比較例１よりも放電維持電圧は高い。これは、吸着材３９の被覆率が２０％を超えると、吸着材３９の不純物ガス吸着による放電維持電圧作用があるものの、吸着材３９が放電を阻害する作用も大きくなることを示している。
＜実施の形態１に係る性能測定実験２＞
次にＰＤＰ１の製造方法に基づき、以下の実施例２及び比較例４〜６のＰＤＰを作製し、性能測定試験を実施した。ここでは放電ガスとしてＮｅ−Ｘｅ系混合ガスを用いた。
【０１６３】
（実施例２）
放電ガスとしてＮｅ−Ｘｅ系混合ガス（Ｘｅ混合比２０％）を用い、放電ガス投入圧力６０ｋＰａとする以外は、実施例１と同様にして実施例２のＰＤＰを作製した。ただし、保護膜８に対する吸着材３９の被覆率は１２％とした。
【０１６４】
（比較例４）
比較例４として、吸着材３９を使用せず、実施例２と同様に封着工程をＮ２雰囲気中で実施し、ＰＤＰを作製した。放電ガスは実施例２と同じである。
【０１６５】
（比較例５）
比較例５として、封着工程を大気中で実施し、吸着材３９を使用しないでＰＤＰを作製した。Ｘｅ混合比は１０％とした。
【０１６６】
（比較例６）
比較例６として、封着工程を大気中で実施する以外は、実施例２と同様に吸着材３９を配設したＰＤＰを作製した。ただし、Ｘｅ混合比は１０％とした。
【０１６７】
（測定評価）
以上のように作製した各ＰＤＰについて、放電維持電圧を測定した。
【０１６８】
その測定結果を表２に示す。
【０１６９】
【表２】
2011142138.tif 000004
表２の結果より、以下のように考察できる。
【０１７０】
実施例２のＰＤＰは比較例４のＰＤＰより放電維持電圧が低下している。これは、吸着材３９が放電空間１５内の不純物ガスを吸着することによって、保護膜の劣化が抑制されたことを示している。
【０１７１】
放電ガスとして、Ｘｅ１００％ではなく、Ｎｅ−Ｘｅ系混合ガスを使用する場合においても、Ｘｅ１００％の場合と同様に、放電維持電圧を低下させる効果を奏することが確認できた。
【０１７２】
放電ガスが共にＸｅ混合比１０％で、大気中で封着した比較例５と比較例６とを比べると、吸着材３９を配していない比較例５よりも、吸着材３９を配した比較例６の方が放電維持電圧が高くなっている。これは、大気下での加熱中に、大気中に含まれる水や二酸化炭素、酸素などを多量に吸着した吸着材３９が放電を阻害するためと考えられる。
【０１７３】
なお、上記実施例１と比べて、実施例２では放電維持電圧が低くなっているが、実施例１ではＸｅ１００％であったのに対して、実施例２ではＸｅ混合比が２０％と低いためである。
【０１７４】
また、比較例５は大気下で加熱したにもかかわらず、実施例２と比べて放電維持電圧が低くなっているのは、実施例２では放電ガスのＸｅ混合比が２０％であるのに対して、比較例５では放電ガスのＸｅ混合比が１０％と低いためである。
【０１７５】
以下、本発明の別の実施の形態について、実施の形態１との差異を中心に述べる。
＜実施の形態２＞
（ＰＤＰ１Ａの構成）
図６に、実施の形態２に係るＰＤＰ１Ａ（蛍光体層下・隔壁面塗布型）の断面図を示す。ＰＤＰ２は基本的にＰＤＰ１と同様の構成であるが、活性化状態にある銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライト粉末からなる吸着材３９が、隣接する隔壁１３と蛍光体層１４（１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）の間、または誘電体層１２と蛍光体層１４（１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）の間に層状に配置され、これによって放電空間１５内のＣＯ２濃度が１×１０−２Ｐａ以下にまで低濃度に抑えられ、放電電圧の低減を図っている点が異なる。
【０１７６】
このような構成を持つＰＤＰ１Ａにおいても、ＰＤＰ１とほぼ同様の効果を期待できる。すなわち、蛍光体層１４中には微小な空隙が多く存在し、当該空隙は実質的に放電空間１５と連通している。このため、駆動に伴って放電空間１５内に発生する不純物ガス等が、蛍光体層１４を通して効率的に吸着材３９に吸着除去される。
【０１７７】
またＰＤＰ１ＡはＰＤＰ１と異なり、吸着材３９の配設工程（以下の工程Ｂ４‘）を大気中で実施しても、吸着材３９の良好な吸着活性状態を得られることが分かっており、この点において製造工程上の大きなメリットが存在する。また、この製造方法を経ることで得られる吸着材３９（銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライト）は、成分中の銅が化学吸着活性の高い１価（Ｃｕ１＋）に還元されるため、極めて良好な化学吸着特性を発揮できる。これにより吸着材３９は、本来の物理吸着特性に加えて化学吸着特性をも相乗的に発揮できるようになっている。
【０１７８】
なお本発明において、吸着材３９の活性化状態とは、ＣＯ２ガスを吸着できる特性を有する状態を指す。ここで「活性化状態」とは、吸着材３９中の上記した銅の価数変化だけではなく、後述するように昇温脱離ガス分析装置による測定結果を示す図１１、１２のグラフ中のピークの存在等によっても定義されるものである。
【０１７９】
（ＰＤＰ１Ａの製造方法）
図７にＰＤＰ１Ａの製造過程の一部を示す。ＰＤＰ１の製造過程との違いは、前面基板作製工程におけるサブ工程の工程Ａ５を省略する一方、背面基板作製工程のサブ工程において、工程Ｂ４と工程Ｂ５の間に、隣接する隔壁１３の表面とその間の誘電体層１２の表面に吸着材３９を含むペーストを塗布し、吸着材３９を配設する吸着材配設工程Ｂ４‘を実施する点である。
【０１８０】
以下、吸着材配設工程Ｂ４‘について具体的に説明する。
【０１８１】
まず、実施の形態１の工程Ａ６の調整方法と同様に、エチルセルロース等のビヒクルに吸着材３９の粉末を混合し、ペーストを作製する。このペーストを印刷法等の方法に基づき、隣接する隔壁１３の表面とその間の誘電体層１２の表面に塗布する。一定乾燥後は、例えば大気雰囲気中において５００℃前後の温度で焼成することで、吸着材３９の粒子を分散配置する。
【０１８２】
なお、工程Ｂ４‘では吸着材３９の入った分散液をスプレー塗布しても良い。さらに、上記ペーストの焼成は、工程Ｂ５の蛍光体の焼成と兼ねて実施することもできる。ここで吸着材３９は塗布対象面に均一に配設すると、放電空間１５と連通する広い領域にわたって均一に吸着効果を期待できるが、例えば誘電体層１２の表面のみ、隔壁１３の表面のみ（さらには１色または２色の蛍光体層１４に対応する誘電体層１２、隔壁１３の表面のみ）等、局所的に設けることもできる。その後は前述の蛍光体層形成工程Ｂ５、封着フリット塗布及び排気管取付工程Ｂ６を順次実施する。
【０１８３】
続いて、前面基板２と背面基板９とを、表示電極対６及びアドレス電極１１が直交するように対向配置して重ね合わせる（工程Ｃ１‘）。
【０１８４】
その後、実施の形態１と同様に、封着工程及び排気工程を順次実施することができる。この場合、ＰＤＰ１の製造工程と同様に、封着工程を非酸化性ガス雰囲気下、排気工程を所定の不活性ガス雰囲気或いは真空中で実施することにより、排気工程と吸着材活性化工程とを兼ねて実施し、吸着材３９の高い吸着活性を得ることができる。このように吸着材活性化工程と排気工程とを兼ねて実施すれば工程の合理化を図れるので好適である。以下、排気工程と吸着材活性化工程とを兼ねて実施する場合の具体的な設定例を述べる。大気圧よりも低圧下、より望ましくは１×１０-３Ｐａよりも低圧雰囲気下において、加熱（焼成）工程を実施する。このときの加熱温度としては４００℃以上、封着材１６の軟化点以下の温度範囲が望ましい。さらに前記加熱に係る時間は４時間以上とするのが望ましい。
【０１８５】
なお、吸着材活性化工程は、上記した排気工程と兼ねて実施する方法のほか、吸着材配設工程Ｂ‘４以後であれば、どのタイミングで行っても良い。例えば吸着材活性化工程は、排気工程後に別途、上記した加熱（焼成）工程の条件で実施することも可能である。
【０１８６】
また、吸着材３９の不純物ガスの吸着活性の再度低下を防ぐため、吸着材活性化工程の実施後は大気中（酸化性ガス）に吸着材を曝さないように留意する。
【０１８７】
なお、上記吸着材活性化工程に関する記述は、後述するＰＤＰ１Ｂの製造方法でも共通する。
【０１８８】
吸着材活性化工程以後はＰＤＰ１の製造方法と同様に放電ガス導入工程、エージング工程を順次経ることで、ＰＤＰ１Ａが完成する。
【０１８９】
なお、ＰＤＰ１Ａの製造方法における封着工程の雰囲気は、上記した非酸化性雰囲気や不活性雰囲気に限定されない。すなわちＰＤＰ１Ａでは、隣接する隔壁１３の表面とその間の誘電体層１２の表面といった、保護膜８の表面から離れた場所、つまり放電を阻害する作用が無く放電空間１５と繋がった場所に吸着材３９を配設することができるため、封着工程における不純物ガスの吸着によって吸着材３９の吸着特性が多少低下しても、放電空間１５内部の不純物ガスの吸着除去による良好な効果が得られる。
＜実施の形態３＞
（ＰＤＰ１Ｂの構成）
図８に、実施の形態２に係るＰＤＰ１Ｂ（蛍光体混合型）の断面図を示す。ＰＤＰ１Ｂの基本構造はＰＤＰ１と同様であるが、活性化状態にある吸着材３９が蛍光体層１４（１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）中に分散配置されていることを主な特徴とする。前述の通り蛍光体層１４（１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）は、内部に多数の空隙を有しているため、放電空間１５中のガスは蛍光体層１４中の吸着材３９まで到達する。
【０１９０】
従って、このような構成を持つＰＤＰ１Ｂにおいても、ＰＤＰ１、１Ａとほぼ同様の効果を期待できる。すなわち、放電空間１５に存在するＨ２ＯやＣＯ２等の不純物ガスを、蛍光体層１４（１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）中で活性化状態にある吸着材３９が効果的に吸着除去し、保護膜８の表面を清浄に保つ。これによりＰＤＰ１Ｂの放電空間１５でも、ＣＯ２濃度が１×１０−２Ｐａ以下にまで低濃度に抑えられている。その結果、優れた放電電圧の低減効果が発揮され、長期にわたり、安定して良好な画像表示性能を期待できる。
【０１９１】
（ＰＤＰ１Ｂの製造方法）
図９にＰＤＰ１Ｂの製造過程の一部を示す。ＰＤＰ１の製造過程との違いは、前面基板作製工程のサブ工程である工程Ａ５を省略する一方、背面基板作製工程のサブ工程において、工程Ｂ４と工程Ｂ６の間に、隣接する隔壁１３の表面とその間の誘電体層１２の表面に吸着材３９を分散させた蛍光体材料を塗布し、蛍光体層１４を形成するとともに、吸着材３９を配設する吸着材配設工程をサブ工程として含む、工程Ｂ５‘を実施する点である。
【０１９２】
以下、工程Ｂ５‘について具体的に説明する。
【０１９３】
まず、ＰＤＰ１の工程Ｂ５で作製した公知の各種蛍光体材料を含む蛍光体インクに対し、粉末状の吸着材３９（銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライト）をさらに投入し、混合する。この混合には、既存の混合装置を用いる、公知の方法を挙げられる。ここで混合比率の一例として、ＰＤＰ１の完成後に蛍光体成分に対して吸着材成分が０．０１質量％以上２質量％以下の範囲で含まれているように調節することが好ましい。
【０１９４】
なお、吸着材３９と蛍光体の混合は粉体の状態、或いは、ペーストの状態のいずれで行っても良い。
【０１９５】
次に、上記調整したインクを隣接する隔壁１３間及び誘電体層１２の表面上に塗布する。これをＰＤＰ１と同様に乾燥・焼成することで工程Ｂ５‘を実施する。
【０１９６】
なお上記インクを塗布する際には、実施の形態２と同様に、放電空間１５内に吸着材３９を均一的に分散させると、ＰＤＰ１Ｂの放電空間１５全体に不純物ガスの吸着効果が及ぶので好ましい。よって均一的に分散させたい場合には、混合対象の蛍光体中によく分散するように留意する。しかしながら場合によっては蛍光体層１４中への分散を均一とせず蛍光体層１４中で分布をもたせてもよい。吸着材３９の混合量は、駆動時の蛍光体の発光量とトレードオフの関係にあるため、適宜調整する。
【０１９７】
工程Ｂ‘５の後、ＰＤＰ１の製造方法と同様に工程Ｂ６を実施する。続いて前面基板２と背面基板９とを、表示電極対６及びアドレス電極１１が直交するように対向配置して重ね合わせる（工程Ｃ１’‘）。その後はＰＤＰ１Ａの製造方法と同様に封着工程、排気工程、放電ガス導入工程、エージング工程を順次経る。これによりＰＤＰ１Ｂが完成する。ここで吸着材活性化工程については、ＰＤＰ１Ａの製造方法と同様に、排気工程と兼ねて実施するか、吸着材配設工程実施後のいずれかのタイミングで実施することができる。いずれの吸着材活性化工程の設定条件も、ＰＤＰ１Ａの製造方法と同様に設定できる。
【０１９８】
＜放電空間内における不純物ガス量の評価方法について＞
次に、ＰＤＰの放電空間内における不純ガス量を評価する方法について述べる。
【０１９９】
一般にＰＤＰの放電開始電圧は、放電空間内に存在するガスの種類によって受ける影響が異なり、変動する。
【０２００】
特にＰＤＰを一定期間点灯した後には、放電空間内部に臨む各構成要素のいずれか、例えば蛍光体層より発生する不純物ガスにより、放電開始電圧が上昇する場合がある。
【０２０１】
ここで不純物ガスによるＰＤＰの放電開始電圧の変動幅は、各色蛍光体層によって異なる。このため本願発明者らが鋭意検討した結果、ＰＤＰの複数の放電セルを含む、ある一定面積の表示領域について色度測定すると、不純物ガス量の変化が色度変化として現れることを見出した。よって、ＰＤＰの色度変化量を測定することにより、放電空間内の不純物ガス量の大小を比較することが可能である。
【０２０２】
以下、この色度変化量に基づく不純物ガス量の評価方法を、実施例及び比較例を作製して例示する。
【０２０３】
（実施例）
実施の形態２で示したＰＤＰ１Ａと同一の放電セルサイズで、同一仕様であるが、表示面積８型のミニサイズのＰＤＰを作製して評価した。
【０２０４】
放電ガスとしてＸｅ２０％−Ｎｅ８０％の混合ガスを用い、封入ガス圧を６０ｋＰａとした。
【０２０５】
具体的な実施例の構成と製造方法は以下の通りとした。
（実施例１）
実施例１は実施の形態２のＰＤＰ１Ａと同様の構成とした。
【０２０６】
吸着材３９として、銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトを用いた。エチルセルロースのビヒクルに、吸着材３９の粉末を混合して、吸着材３９の粉末含有率が比較的低いペーストを作製した。具体的には吸着材０．３質量％と、質量平均分子量約２０万のエチルセルロース６．４質量％と、ブチルカルビトールアセテート９３．３質量％とを混合してペーストを作製した。このペーストを背面基板９全体の隔壁１３側面及び誘電体層１２の表面領域に塗布し、乾燥させた。その後、各色蛍光体を含むインクを公知の印刷法により背面基板側に塗布し、約５００℃で焼成して、蛍光体層１４を形成した。
【０２０７】
次に、ＰＤＰの封着工程における雰囲気を図５と同じ窒素雰囲気下とした。
【０２０８】
その他の製造方法は、ＰＤＰ１の製造方法で述べた通りとした。
（実施例２）
実施例２は実施の形態３のＰＤＰ１Ｂと同様の構成とした。
【０２０９】
実施例１と異なる点として、予め粉体の状態で吸着材０．５質量％と蛍光体９９．５質量％とを、粉体混合機を用いて混合し、得られた混合粉３０質量％と、重量平均分子量約２０万のエチルセルロース４．５質量％と、ブチルカルビトールアセテート６５．５質量％とを混合してペーストを作製した。このペーストをＲＧＢ各色蛍光体について作製した。各ペーストを公知の印刷法により背面基板側に塗布し、約５００℃で焼成して、蛍光体層１４を形成した。これ以外は実施例１と同様とした。
（比較例）
実施例１と異なる点として、吸着材の入っていないＰＤＰを作製した。
（色度変化の測定方法）
上記の通り、ＰＤＰは駆動に伴い放電空間に不純物ガスが発生することで、放電開始電圧が変化する。電圧の変化により、本来は発光しない黒表示を行うべき放電セルにおいても放電が発生し、蛍光体層で紫外光が可視光変換され、微発光を生じうる。不純物ガスによるＰＤＰの放電開始電圧の変動幅は、各色蛍光体層によって異なるため、ＰＤＰ全体では微発光の色バランスが変化し、色度変化を生じる。これを利用し、上記作製した実施例１、２、比較例の各ＰＤＰを一定時間点灯（緑色点灯５分）後、消灯して黒表示にした際の色度変化量を、不純物ガス量を示す指標として調べた。この結果を図１０のグラフ（縦軸を色度変化量とする）に示す。
（測定結果の評価）
図１０に示すように、いずれのＰＤＰも不純物ガスは時間経過に伴い拡散するので、色度変化量は消灯直後が最も大きくなり、次第に減少する。
【０２１０】
実施例１のＰＤＰでは、放電空間と連通する空間に吸着材を配設することで、消灯直後から９００秒後まで一貫して色度変化を小さくでき、放電空間内の不純物ガス量低減に関する吸着材の効果を確認することができた。
【０２１１】
また、実施例２のＰＤＰでも吸着材を入れることにより、色度変化を小さく抑えられ、吸着材によって放電空間内の不純物ガス量が低減される効果を確認できた。
【０２１２】
実施の形態２の構成では、ペースト中の吸着材の重量比を１質量％に増加させることで、消灯後９００秒後の色度変化量を０．００８８まで低下でき、吸着材量の配設量に比例して放電空間の不純物ガスの吸着効果を高められることも確認できた。
【０２１３】
また実施の形態３の構成でも、蛍光体中の吸着材の重量比を２質量％に増加させることで、消灯後９００秒後の色度変化量を０．００６まで低下でき、吸着材量の配設量に比例して放電空間内の不純物ガスの吸着効果を高められることも確認できた。
【０２１４】
なお、銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトはＸｅを吸着するため、放電空間内に過剰量を投入するとＸｅ吸着による効率の低下が引き起こされることから、最適量を入れる必要がある。前記最適量はＰＤＰのサイズ、不純物ガスの発生量、Ｘｅ濃度等により調整する必要がある。
（吸着材の活性化状態の評価）
次に、本発明で吸着材３９として用いる銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトの活性化状態を調べるため、試料について実施の形態２と同様の製造方法における封着工程及び排気工程を経験させた。
【０２１５】
その後、試料の前記吸着材３９を大気中に５分以上曝した。その後、当該試料について、大気雰囲気中より吸着したＨ２ＯとＣＯ２が任意の加熱温度で脱離ガスとなって脱離するときの量を昇温脱離ガス分析装置（ＴＤＳ）で測定した。ＴＤＳは電子科学株式会社製ＴＤＳ１２００を用いた。ステージ温度の温度設定は、到達温度９００℃までとし、２０℃/分の昇温速度とした。また測定にはＳｉＣのホルダーと落とし蓋を用いた。
【０２１６】
その測定結果を図１１（大気吸着させた際のＨ２Ｏ吸着量）および図１２（大気吸着させた際のＣＯ２吸着量）に示す。各図１１、１２における横軸は試料（吸着材３９）を載置するステージの温度、縦軸は各イオン種の脱離ガスの観測強度（任意単位）をそれぞれ示す。
【０２１７】
各図１１、１２に示されるグラフでは、いずれもステージ温度１４０度付近（サンプル温度８０〜１００度程度）とステージ温度３５０度付近（サンプル温度２１０〜２３０度程度）に顕著なピークを観測した。前者は物理吸着されたガスに依るピーク、後者は化学吸着されたガスに依るピークであると捉えられる。これよりＨ２ＯとＣＯ２のいずれのガスも、物理吸着と化学吸着の両方の作用により吸着材中に捕捉されていたと判断できる。よって、封着工程および排気工程を経た後には、吸着材３９が物理吸着特性と化学吸着特性の両方の特性を発揮している状態、つまり吸着材３９が高度に活性化状態にあることを確認できる。
【０２１８】
以上の各実験により、本発明の優位性が確認された。
【０２１９】
＜その他の事項＞
各実施の形態では吸着材３９として、銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトを例示した。この吸着材３９は、不純物ガスを非常によく吸着するが、本発明で用いる吸着材３９はこれに限定されない。これ以外の吸着材３９でも、不純物ガスの吸着活性を保持でき、且つＸｅを着脱可能なものであれば使用できる。具体例としては、銅イオン交換されたＭＦＩ型、ＢＥＴＡ型、もしくはＭＯＲ型のゼオライトを例示できる。また、これらを混合したものを吸着材３９として用いてもよい。
【０２２０】
また上記した各ＰＤＰの製造方法は、一般的なＰＤＰのほか、高精細・超高精細なＰＤＰにも幅広く適用できる。特に、高精細・超高精細（特にセルピッチが１５０μｍ以下で、放電空間１５に臨む部材の占有体積が大きくなる）ＰＤＰを良好な発光効率で長期にわたり駆動させる上で有効である。
【０２２１】
ここで従来から、ＰＤＰに取り付けたチップ管にゲッターを投入して不純物を吸着する技術は存在する。しかしながら実施の形態１では、ゲッターではなく、銅イオン交換されたゼオライトを吸着材３９に用い、且つ当該吸着材３９を保護膜８の表面に分散配置している点で従来技術と大きく異なる。また、実施の形態２では蛍光体層１４と隔壁１３または誘電体層１２の少なくともいずれかの間隙に吸着材３９を配し、実施の形態３では、蛍光体層１４中に吸着材３９を分散配置する点で、やはり従来技術と大きく異なっている。
【０２２２】
また、ゲッターを用いると不純物ガス吸着により次第に粉状に粉砕され、放電空間内に飛散するおそれがある。一方実施の形態１〜３では、吸着材３９に銅イオン交換されたゼオライトを使用することで、少なくとも不純物ガスを吸着しても粉化することはない。
【０２２３】
上記した実施の形態１〜３の製造方法では、封着工程や排気工程を比較的高温環境下で長時間にわたり実施する例を示ししたが、本発明は当然ながらこれらの設定に限定されない。すなわち、封着工程や排気工程の少なくともいずれかを、より短時間または低温度下で実施することも可能である。また、封着工程及び排気工程を一貫して真空（減圧）雰囲気下で管理して行うこともできる。
【産業上の利用可能性】
【０２２４】
本発明のＰＤＰとその製造方法は、特に高精細な画像表示駆動を低い消費電力で実現できる技術として、交通機関及び公共施設、家庭などにおけるテレビ及びコンピューター用の表示装置等の製造に利用できる。いずれの用途においても、初期の放電維持電圧が低く、かつ、放電維持電圧の経時変化が少ないため有用である。特に、次世代の高精細ＰＤＰへの適用性が高く、優れた産業上の利用可能性を有している。
【符号の説明】
【０２２５】
１、１Ａ、１Ｂ    ＰＤＰ
２    前面基板（フロントパネル）
３    前面基板ガラス
４    走査電極
５    維持電極
６    表示電極対
７、１２    誘電体層
８    保護膜
９    背面基板（バックパネル）
１０    背面基板ガラス
１１    アドレス（データ）電極
１３    隔壁
１４（１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）    蛍光体層
１５    放電空間
１６    封着材
３１    チップ管（排気管）取付用の孔
３９    吸着材
４１、５１    透明電極
４２、５２    バスライン
１１１    走査電極ドライバ
１１２    維持電極ドライバ
１１３Ａ、１１３Ｂ    データ電極ドライバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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