(57)【要約】    【課題】  電解めっきを充填したスルーホール内にボイドが残らないプリント配線板の製造方法を提供する。    【解決手段】  スルーホール導体４２が、軸心方向に突出している突出部３８ａを備える第１電解めっき膜３８と、該第１電解めっき膜により形成された凹部内に充填されている第２電解めっき膜４０とから成る。第１電解めっき膜３８と第２電解めっき膜４０との界面の断面形状が、貫通孔３４の開口側を開口とするＵ字状である。即ち、第１電解めっき膜３８がＵ字形状に形成され、鋭角部が無いのでボイドが抜けやすく、スルーホール内にボイドが残らない。【選択図】  図３
2011062037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と第１面とは反対側の第２面とを有し、貫通孔を備える基板と、該基板の第１面上に形成されている第１導体回路と、前記基板の第２面上に形成されている第２導体回路と、前記貫通孔に内部に充填されためっきからなり前記第１導体回路と前記第２導体回路とを接続するスルーホール導体とからなるプリント配線板であって、
前記スルーホール導体は、
前記貫通孔の内壁面上に形成された無電解めっき膜と、
該無電解めっき膜上に形成されていて、前記第１面に開口する第１開口部と前記第２面に開口する第２開口部とを有する第１電解めっき膜と、
前記第１開口部内に充填されている第２電解めっき膜と、
前記第２開口部内に充填されている第３電解めっき膜と、からなり、
前記第１開口部及び前記第２開口部は、前記貫通孔の軸方向の中央部に向かうに連れてテーパしていて、断面が略Ｕ字状であるプリント配線板。
【請求項２】
前記第１電解めっき膜はパルスめっきにより形成されている請求項１のプリント配線板。
【請求項３】
前記第２電解めっき膜及び前記第３電解めっき膜は直流めっきにより形成されている請求項１のプリント配線板。
【請求項４】
前記第１電解めっき膜は、前記開口部のテーパの勾配を変化させる屈曲部を有している請求項１のプリント配線板。
【請求項５】
前記開口部の開口端部から前記屈曲部に至るテーパの勾配は、前記屈曲部から前記開口部の底部に至るテーパの勾配よりも小さい請求項１のプリント配線板。
【請求項６】
前記第２電解めっき膜及び前記第３電解めっき膜は同時に形成される請求項１のプリント配線板。
【請求項７】
前記貫通孔の内壁面上に形成される第１電解めっき膜の厚さａと前記基板の第１面上に形成される第１電解めっき膜の厚さｂとの比率［（ａ／ｂ）×１００］で表わされるスローイングパワーの値は２００％以上である請求項１のプリント配線板。
【請求項８】
前記貫通孔のアスペクト比は、１〜７の範囲である請求項１のプリント配線板。
【請求項９】
前記貫通孔の径は、該貫通孔の軸方向において略同一である請求項１のプリント配線板。
【請求項１０】
第１面と第１面とは反対側の第２面とを有し、貫通孔を備える基板と、該基板の第１面に形成されている第１導体回路と、前記基板の第２面に形成されている第２導体回路と、前記貫通孔に充填されためっきからなり前記第１導体回路と前記第２導体回路とを接続するスルーホール導体とからなるプリント配線板の製造方法であって、
前記貫通孔の内壁面上に無電解めっき膜を形成することと、
前記無電解めっき膜上に第１電解めっき膜を形成して、前記第１面に開口する第１開口部と前記第２面に開口する第２開口部とを設けることと、
前記第１開口部内に第２電解めっき膜を充填することと、
前記第２開口部内に第３電解めっき膜を充填することと、により前記スルーホール導体を形成し、
前記第１開口部及び前記第２開口部は、前記貫通孔の軸方向の中央部に向かうに連れてテーパしていて、断面が略Ｕ字状であるプリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１電解めっき膜はパルスめっきにより形成される請求項１０のプリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２電解めっき膜及び前記第３電解めっき膜は直流めっきにより形成される請求項１０のプリント配線板の製造方法
【請求項１３】
前記第１開口部内に前記第２電解めっき膜を充填することと、前記第２開口部内に前記第３電解めっき膜を充填することとは同時である請求項１０のプリント配線板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１電解めっき膜は、前記開口部のテーパの勾配を変化させる屈曲部を有している請求項１０のプリント配線板の製造方法。
【請求項１５】
前記パルスめっきにより第１電解めっき膜を形成する際、
前記基板の第１面側及び第２面側において周期的に電極極性を変更させる請求項１０のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板の貫通孔にめっきを充填することで形成されているスルーホール導体を有するプリント配線板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁基板の表裏の接続には、絶縁基板の貫通孔の内壁上にめっき膜を設けてなるスルーホール導体が用いられる。貫通孔の内部には、必要に応じて樹脂が充填されている。ここで、例えばプリント配線板を形成する配線の高密度化に伴って貫通孔の径が小径化された場合、貫通孔の内部に樹脂を充填する構造では信頼性を確保することが難しくなるので、貫通孔をめっきにより充填することが行われている。【０００３】
特許文献１には、スルーホール導体用の貫通孔をめっきにより充填する場合の充填方法が開示されている。特許文献１では、貫通孔の内壁に対する析出速度が、基板表面の析出速度よりも早い電解めっき液を用い、特許文献１の図１中に示されているようスルーホールの中途部近傍に最狭部を形成するよう、スルーホールの開口部近傍の金属層よりも厚い金属層を、スルーホールの中途部近傍に形成する。更に、電解めっきを継続することで、最狭部を閉塞するようにめっきを設け、スルーホール導体を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４２４８３５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の充填方法では、スルーホールの中途部近傍の電解めっき膜から成る最狭部が、断面Ｖ字形状、即ち、鋭角部を有する。このため、最狭部を閉塞した後に続けて電解めっきを行う際に、鋭角部においてめっき液の液回りが低下して該鋭角部にボイドが残る可能性がある。【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、電解めっきを充填したスルーホール内にボイドが残らないプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、第１面と第１面とは反対側の第２面とを有し、貫通孔を備える基板と、該基板の第１面上に形成されている第１導体回路と、前記基板の第２面上に形成されている第２導体回路と、前記貫通孔に内部に充填されためっきからなり前記第１導体回路と前記第２導体回路とを接続するスルーホール導体とからなるプリント配線板であって、前記スルーホール導体は、前記貫通孔の内壁面上に形成された無電解めっき膜と、該無電解めっき膜上に形成されていて、前記第１面に開口する第１開口部と前記第２面に開口する第２開口部とを有する第１電解めっき膜と、前記第１開口部内に充填されている第２電解めっき膜と、前記第２開口部内に充填されている第３電解めっき膜と、からなり、前記第１開口部及び前記第２開口部は、前記貫通孔の軸方向の中央部に向かうに連れてテーパしていて、断面が略Ｕ字状であることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１のプリント配線板及び請求項１０のプリント配線板の製造方法では、断面略Ｕ字状の第１開口部及び第２開口部を有する第１電解めっき膜を形成し、第１開口部及び第２開口部にさらに電解めっき膜を充填することでスルーホール導体を形成している。
即ち、第１開口部及び第２開口部が断面略Ｕ字形状に形成されているため、鋭角部が無く、開口部の内部に電解めっき膜を形成する際にはめっき液の流れがスムーズになる。このため、各開口部の内部にボイドが残ることがほとんどない。その結果、ボイドを起点としたクラックがスルーホール導体の内部に発生することが無く、第１導体回路と第２導体回路との間の接続信頼性を確保できる。さらに、スルーホール導体の表面（スルーホールランド）の平坦性が向上し、スルーホールランド直上にビアを配置しても接続信頼性が低下しない。
また、ボイドを抑制することで、めっきの厚みの薄い部分が形成されることがなくなり、スルーホール導体の強度が低下するおそれがほとんど無い。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面ある。
【図２】第１実施形態に係るプリント配線板の絶縁基板の断面図である。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図５】第１実施形態に係るプリント配線板の絶縁基板の断面図である。
【図６】第１実施形態の直流電気めっきの説明図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図８】第２実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板について図１〜図４を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係るプリント配線板を示している。
プリント配線板１０は、絶縁基板３０の上面（第１面）に第１導体回路４４ａを有し、絶縁基板３０の下面（第２面）に第２導体回路４４ｂを有している。これら第１導体回路４４ａと第２導体回路４４ｂとは、絶縁基板３０の貫通孔３４に形成されたスルーホール導体４２により接続されている。
絶縁基板３０の第１面上及び第２面上には、層間樹脂絶縁層６０、１６０と導体回路６２、１６２とが交互に積層されてなるビルドアップ層８０が形成されている。そして、異なる層に位置する導体回路はビア導体６４、１６４を介して接続されている。即ち、第１導体回路４４ａと第３導体回路６２とはビア導体６４、１６４を介して接続されている。このビア導体６４は、スルーホール導体４２の直上に形成されている。
最外層の導体回路１６４の上及び層間樹脂絶縁層１６０の上には、開口部７０ａを有するソルダーレジスト層７０が形成されている。ソルダーレジスト層７０の開口部により露出するビア導体上及び導体回路上にバンプ７４が形成されている。
【００１１】
図２に絶縁基板３０の断面を示す。スルーホール導体４２は、貫通孔３４の内壁面上に形成された無電解めっき膜３６と、無電解めっき膜３６上に形成されて第１開口部３８ａ及び第２開口部３８ｂを有する第１電解めっき膜３８と、第１開口部３８ａの内部に形成されている第２電解めっき膜４０ａと、第２開口部３８ｂの内部に形成されている第３電解めっき膜４０ｂとを有している。第１電解めっき膜３８は、貫通孔の軸方向の略中央部において第１開口部３８ａと第２開口部３８ｂとを分断する接続部３８ｃを有している。この第１電解めっき膜３８は、パルスめっきにより形成されている。
第１開口部は、絶縁基板３０の第１面側に開口しており、第１面から貫通孔の軸方向の中央部に向かってテーパしている。第２開口部は、絶縁基板３０の第２面側に開口しており、第２面から貫通孔の軸方向の中央部に向かってテーパしている。そして、第１開口部及び第２開口部は、断面略Ｕ字状である。
第１電解めっき膜は、各開口部のテーパの勾配を変化させる屈曲部３８ｄを有している。即ち、開口部の開口から屈曲部３８ｄに至る勾配Ｋ１は、屈曲部３８ｄから貫通孔の軸方向の中央部に至る勾配Ｋ２（接続部の勾配）よりも小さい。
なお、ここでいう「断面」とは、貫通孔の略中心を通り、軸心に対して垂直をなす直線で切ったときの断面を意味する。また、「略Ｕ字状」とは、テーパの勾配を変化させる屈曲部を有する形状を意味する。例えば、図２及び図５に示すように、開口部の開口端部から屈曲部に至る勾配Ｋ１の大きさは特に限定されない。
貫通孔の内壁面上に形成される第１電解めっき膜の厚さａと前記前記基板の第１面上に形成される第１電解めっき膜の厚さｂとの比率［（ａ／ｂ）×１００］で表わされるスローイングパワーの値は２００％以上である。なお、前記「厚みａ」とは、接続部の厚みの１／２の値を意味する。この場合、絶縁基板の表面に析出される第１電解めっき膜の厚みを薄くしつつ、貫通孔の内壁に析出される第１電解めっき膜の厚みを厚くして有底の開口部を容易に形成することが可能となる。即ち、貫通孔の開口部分で第１電解めっき膜により貫通孔が閉塞されることが抑制されるとともに、導体回路を形成する際のエッチング時間の短縮が可能となる。
【００１２】
第２電解めっき膜及び第３電解めっき膜は直流めっきにより形成されている。第１開口部の内部に第２電解めっき膜を形成することと、第２開口部の内部に第３電解めっき膜を形成することとは、同時に行われる。
第１導体回路４４ａ（第２導体回路４４ｂ）は、絶縁基板上に形成されている銅箔と、銅箔上に形成されている無電解めっき膜と、無電解めっき膜上に形成されている第１電解めっき膜と、第１電解めっき膜上に形成されている第２電解めっき膜（第３電解めっき膜）とから形成されている。
【００１３】
第１実施形態のプリント配線板の製造工程について説明する。本明細書では、スルーホール導体の形成方法について特に詳しく説明する。その後のビルドアップ層等については従来公知の方法を用いて製造する。
（１）両面銅張積層板３０Ａを準備する（図３（Ａ））。両面銅張積層板の絶縁層（絶縁基板）３０は厚さ約０．４μｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロス等の心材とからなり、絶縁基板３０の上面と下面に銅箔３２、３２が積層されている。ドリルで両面銅張積層板に、直径が約１００μｍの貫通孔３４を形成する（図３（Ｂ））。
【００１４】
（２）両面銅張積層板の表面、貫通孔３４の内壁面に触媒核を付着させる（図示せず）。次に、下記組成・条件の無電解銅めっき水溶液中に、触媒が付与された絶縁基板を浸漬して、基板表面と貫通孔の内壁に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜３６を形成する（図３（Ｃ））。
〔無電解めっき液〕
ＮｉＳＯ4                       ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                          ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                          ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                        ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                        ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α’−ビピリジル            １００    ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール          ０．１０    ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
時間                        ４０  分
温度                        ３４  ℃
【００１５】
（３）下記組成の電解めっき液で貫通孔３４内及び絶縁基板３０の両面に第１電解めっき膜３８を形成する（図３（Ｄ））。この第１電解めっき膜３８は、基板の厚み方向の中央部において、貫通孔の内壁面から軸心（径方向中央部）Ｘ−Ｘに向かって突き出すように析出する。そして、軸心部分で先端が接続されて接続部３８ｃが形成される。
この第１電解めっき膜３８は、絶縁基板の第１面側に開口する第１開口部と、絶縁基板の第２面側に開口する第２開口部とを有している。第１電解めっき膜３８はパルスめっきにより形成される。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ０．５  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．８  ｍｏｌ／ｌ
硫酸鉄                        ５  ｇ／ｌ
レベリング剤                  ５０    ｍｇ／ｌ
光沢剤                        ５０    ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
温度                        ３４±２  ℃
【００１６】
本実施形態のパルスめっきについて説明する。
本実施形態のパルスめっきでは、絶縁基板３０の第１面側及び第２面側の一方に陽極電解を施し、絶縁基板３０の第１面側及び第２面側の他方に陰極電解を施し、これらの電極極性を周期的に逆転させる。
即ち、絶縁基板３０の上面側（第１面側）及び下面側（第２面側）において電極極性を適宜変更させながらめっきを行うことで、貫通孔３４の軸線方向中央部ではめっき膜の析出を継続しつつ、貫通孔３４の上面側（第１面側）及び下面側（第２面側）に対する第１電解めっき膜の析出・溶解を繰り返す。その結果、貫通孔３４内の中央部の第１電解めっき膜を相対的に厚くして膨らませ、貫通孔３４の第１面上及び第２面上の第１電解めっき膜を相対的に薄くしつつ、断面が略Ｕ字形状の開口部を形成することが可能となる。
【００１７】
（４）第１電解めっき膜３８により形成された開口部内を充填する第２電解めっき膜４０は、直流めっきにより形成される。この直流めっきを行う装置を図６を参照して説明する。
図６は、第１実施形態に係る直流めっき装置の構成を示す。めっき装置は、めっき液１２を満たしためっき槽１４と、めっき液１２を循環させるための循環装置１６と、プリント配線板３０の表面側のめっき面（基板表面）に接触している多孔質樹脂（スポンジ）から成る絶縁体２０Ａと、裏面側のめっき面（基板裏面）に接触しているスポンジから成る絶縁体２０Ｂと、絶縁体２０Ａ、２０Ｂをプリント配線板３０に沿って上下に移動させる昇降装置２４とから構成されている。絶縁体２０Ａ、２０Ｂは昇降装置２４により上下移動する昇降バー２２を介して移動する。プリント配線板２０は、陰極側に接続されている。めっき槽内には、図示しない陽極が設けられ、陽極内には銅球が収容されている。
【００１８】
めっき液１２の組成及びめっき条件は以下の通り。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
硫酸鉄                    １９．５  ｍｌ／ｌ
レベリング剤                  ５０    ｍｇ／ｌ
光沢剤                        ５０    ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                        ２２±２  ℃
【００１９】
図４（Ａ）、図４（Ｂ）を参照して、該めっき装置を用いる第２電解めっき膜４０の形成について説明する。まず、絶縁基板３０の上面に絶縁体２０Ａを押し当て、下面に絶縁体２０Ｂを押し当てる（図４（Ａ））。絶縁体２０Ａ、２０Ｂの大きさ（面積）は、絶縁基板の０．８０で、絶縁体の接触割合は絶縁基板に対して０．５０に調整する。絶縁体を絶縁基板３０に接触させる時、絶縁体が基板の表面に接触後、さらに基板（被めっき面）の表面に対して、１．０〜１５．０ｍｍ押し込むことが望ましい。押し込み量が１．０ｍｍ未満では、絶縁体を用いないめっき方法と同等な結果になりやすい。１５．０ｍｍを越える押し込み量では、めっき液の供給が阻害されるために、第１電解めっき膜３８により形成された開口部内のめっき膜の厚さにバラツキが発生しやすい。基板表面や開口部内のめっき膜のバラツキを小さくするといった観点から２〜８ｍの押し込み量が最も好ましい。そして、基板表面に形成される第２電解めっき膜の厚みが過剰に厚くなることを抑制することが可能となる。
【００２０】
絶縁基板３０に絶縁体２０Ａ、２０Ｂを接触させながら基板と絶縁体を相対的に移動させる（図４（Ａ））。基板に対する絶縁体の移動速度は７ｍ／ｍｉｎに設定する。この移動速度は１．０〜１６．０ｍ／ｍｉｎの範囲であることが望ましい。この範囲であると、基板表面に形成される第２電解めっき膜の厚みを薄くすることが可能となる。その上、絶縁体により、第１電解めっき膜３８により形成された開口部内にめっき液を供給できるので、該開口部内をめっきで容易に充填することが可能となる。
【００２１】
第１実施形態では、上述のめっき液１２に絶縁基板を浸漬する。そして、絶縁体が絶縁基板に押し当てられる。絶縁体が絶縁基板に押し当てられながら絶縁体と基板は相対的に移動させられる。その状態を保ちながら基板３０表面に電解めっき膜４０ａ、４０ｂが形成され、同時に、貫通孔３４内の第１電解めっき膜３８により形成された開口部内に電解めっき膜４０ａ、４０ｂが充填される（図４（Ｂ））。
なお、第１電解めっき膜４０ａ及び第２電解めっき膜４０ｂを形成する際の電解めっき液に鉄イオンを含有させてもよい。この場合、絶縁体が被めっき面へ接触することにより、その接触した部分ではめっき膜の成長が遅くなる。特に、絶縁体により鉄イオンがめっき界面に強制的に供給されて鉄イオンの還元反応が起こり、銅の析出を抑える。
一方、絶縁体が接触しない部分ではめっき界面に鉄イオンが濃度勾配により拡散するのみで強制的には供給されず、鉄イオンの還元反応が低くめっきの成長速度が速い。そのために、開口部分のめっきは成長するが、開口部分以外の被めっき面上のめっき膜は厚くなりすぎない。このため、導体回路を形成する際のエッチング時間を短縮でき、高密度な導体回路を形成することが可能となる。
【００２２】
（５）第２電解めっき膜４０の形成後、所定パターンのエッチングレジスト４１を形成する（図４（Ｃ））。
【００２３】
（６）エッチングレジストから露出する、第２電解めっき膜４０、第１電解めっき膜３８、無電解めっき膜３６及び銅箔３２をエッチングで溶解した後、エッチングレジストを除去し、導体回路４４ａ、４４ｂを形成する（図２）。第１導体回路４４ａと第２導体回路４４ｂとはスルーホール導体４２を介して接続される。
【００２４】
第１実施形態のプリント配線板では、貫通孔３４の内部に電解めっきを行う際、まず第１開口部及び第２開口部を有する第１電解めっき膜を形成し、次いで、第１開口部内に第２電解めっき膜を形成し、第２開口部内に第３電解めっき膜を形成している。双方の開口部は、断面略Ｕ字状に形成されるため、第２電解めっき膜及び第３電解めっき膜を形成する際、緩やかに湾曲する壁面に沿ってめっき液の流れがスムーズになって循環しやすくなり、めっきが析出する際にボイドが生じにくい。このため、スルーホール導体の強度、接続信頼性を確保しやすくなる。加えて、スルーホール導体の表面（スルーホールランド）の平坦性が向上し、スルーホール導体の直上にビア導体を配置しても信頼性が低下しないと考えられる。
本実施形態のようにドリルを用いて形成される貫通孔、即ち、軸線方向における径が略同一である貫通孔においても、上述したパルスめっきを用いることで、めっきを充填するのに最適な形状の開口部を形成することが可能となる。さらに、絶縁基板の表面のめっきの厚みの増大を極力抑制することが可能となる。
【００２５】
スルーホール導体用の貫通孔の直径は、８０〜２５０μｍであることが望ましい。８０μｍ未満では、パルスめっきにより第１電解めっき膜を形成しても、断面を略Ｕ字形状にすることが難しい。一方、２５０μｍを越えると、パルスめっきにより第１電解めっき膜を形成しても貫通孔の中央部に接続部を形成することが難しくなる。
【００２６】
また、スルーホール用の貫通孔のアスペクト比は１〜７の範囲であることが望ましい。７を越えると、パルスめっきにより第１電解めっき膜を形成しても、断面をＵ字形状にすることが難しい。一方、１未満では、パルスめっきにより第１電解めっき膜を形成しても貫通孔の中央部に接続部を形成することが難しくなる。
【００２７】
スルーホールの内壁面に形成される第１電解めっき膜の厚みａと、基板の表面に形成される第１電解めっき膜の厚みｂとの比率［（ａ／ｂ）×１００］で表わされるスローイングパワーの値が２００％以上となることが好ましい。この場合、絶縁基板の表面に析出される第１電解めっき膜の厚みを薄くしつつ、貫通孔の内壁に析出される第１電解めっき膜の厚みを厚くして有底の開口部を容易に形成することが可能となる。即ち、貫通孔の開口部分で第１電解めっき膜により貫通孔が閉塞されることが抑制されるとともに、導体回路を形成する際のエッチング時間の短縮が可能となる。
（第１実施形態の改変例）
第２電解めっき膜及び第３電解めっき膜をパルスめっきにより形成してもよい。
【００２８】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法について、図７及び図８を参照して説明する。この第２実施形態では、絶縁基板の貫通孔をレーザーにより形成する。
（１）両面銅張積層板３０Ａを準備する（図７（Ａ））。まず、レーザーで両面銅張積層板の上面から開口を形成すると共に下面から開口を形成することで、開口径が約９０μｍ、中央部径（最小径）が約６０μｍの断面鼓状の貫通孔３４を形成する（図７（Ｂ））。
貫通孔３４の最小径Ｄ１と開口径Ｄ２は、Ｄ１／Ｄ２＝１／４〜９／１０を満たすことが好ましい。Ｄ１／Ｄ２がこの範囲の場合、貫通孔３４の内部をめっきで充填しやすくなる。
【００２９】
（２）続いて、貫通孔３４の内面に残留するスミア等を過マンガン酸塩法を用いて除去する。そして、両面銅張積層板の表面、スルーホール用貫通孔３４の内壁面に触媒核を付着させる（図示せず）。次に、基板表面と貫通孔の内壁に無電解銅めっき膜３６を形成する（図７（Ｃ））。
【００３０】
（３）貫通孔３４の内部及び絶縁基板３０の両面に、上述の第１実施形態と同様に第１電解めっき膜３８を形成する（図８（Ａ））。この第１電解めっき膜３８は、絶縁基板３０の第１面側に開口する第１開口部３８ａ、第２面側に開口する第２開口部３８ｂを有する。
【００３１】
（４）第１電解めっき膜３８により形成された開口部内を充填する第２電解めっき膜４０は、直流めっきにより形成する（図８（Ｂ））。ここでは、第１実施形態と異なり絶縁体を接触させることなくめっきを行う。
【００３２】
（５）第２電解めっき膜４０の形成後、所定パターンのエッチングレジストを形成する（図示せず）。そして、エッチングレジストから露出する、第２電解めっき膜４０、第１電解めっき膜３８、無電解めっき膜３６及び銅箔３２をエッチングで溶解する。次いで、エッチングレジストを除去し、導体回路４４ａ、４４ｂ及びスルーホール導体４２を完成する（図８（Ｃ））。
（第２実施形態の改変例）
第２電解めっき膜及び第３電解めっき膜をパルスめっきにより形成してもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１０  プリント配線板
３０  絶縁基板
３４  貫通孔
３６  無電解めっき膜
３８  第１電解めっき膜
３８ａ  突出部
４０  第１電解めっき膜
４２  スルーホール導体
４４  導体回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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