(57)【要約】  ドレイン電極（１３６）と、ソース電極（１３５）と、ゲート電極（１３２）とのうち、少なくとも１つは、アルミニウム合金材料膜を含み、アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、アルミニウムおよび列挙された元素と異なる元素を含む他の成分とを含み、合金成分の元素と他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされる。
2011021439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板（１２３）と、
前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子（１１５）と、
前記スイッチング素子に設けられた電極（１３２，１３５）と、
前記スイッチング素子に接続された引出配線（１１１，１１３）と、
前記引出配線に接続されたパッド部（１１２，１１４）と、
を備え、
前記電極と前記引出配線と前記パッド部との少なくとも１つは、アルミニウム合金材料膜を含み、
前記アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、アルミニウムおよび前記列挙された元素と異なる元素を含む他の成分とを含み、
前記合金成分の元素と前記他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされた、液晶表示装置。
【請求項２】
前記アルミニウム合金材料膜は、前記合金成分を０．５ｗｔ％以上含む、請求の範囲第１項に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記アルミニウム合金材料膜に含まれる前記合金成分は、４．５ｗｔ％以下とされた、請求の範囲第１項または請求の範囲第２項に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記アルミニウム合金材料膜は、導電性の析出物（１１９ａ，１２９ａ）を含む、請求の範囲第１項から請求の範囲第３項のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子の電極は、ドレイン電極（１３６）を含み、
前記ドレイン電極に接続された画素電極（１１６）をさらに備え、
前記ドレイン電極は、前記アルミニウム合金材料膜（１３６ｂ）を含み、
前記画素電極は、前記ドレイン電極のアルミニウム合金材料膜に接続され、
前記アルミニウム合金材料膜の表面のうち、少なくとも、前記画素電極と接触する部分には、前記析出物が露出するように形成された、請求の範囲第４項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記スイッチング素子は、半導体層（１３４）をさらに含み、
前記スイッチング素子の前記電極は、前記半導体層上に形成されたソース電極（１３５）およびドレイン電極（１３６）を含み、
前記ドレイン電極および前記ソース電極は、前記アルミニウム合金材料膜（１３５ｂ，１３６ｂ）と、前記アルミニウム合金材料膜および前記半導体層の間に配置された金属膜（１３５ａ，１３６ａ）を含み、
前記金属膜は、前記合金成分の元素および前記他の成分の元素よりも、密度の大きい元素により形成された、請求の範囲第１項から請求の範囲第５項のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記ドレイン電極および前記ソース電極は、前記アルミニウム合金材料膜と前記金属膜との間に形成され、アルミニウムにより形成された中間膜（１３５ｅ，１３６ｅ）をさらに含む、請求の範囲第６項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記金属膜は、モリブデンにより形成された、請求の範囲第６項または請求の範囲第７項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記パッド部は、前記アルミニウム合金材料膜により形成された、請求の範囲第１項から請求の範囲第８項のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記パッド部上に形成された透明導電膜（１４１，１４２）をさらに備え、
前記パッド部は、前記アルミニウム合金材料膜により形成され、
前記アルミニウム合金材料膜は、導電性の析出物を含み、
前記パッド部の表面のうち、前記透明導電膜と接触する部分には、導電性の析出物が露出するように形成された、請求の範囲第９項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記スイッチング素子の前記電極は、ソース電極およびドレイン電極を含み、
前記パッド部は、第１アルミニウム合金材料膜により形成され、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、第２アルミニウム合金材料膜を含み、
前記第１アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む第１合金成分と、アルミニウムおよび前記列挙された元素と異なる元素を含む第１の他の成分とを含み、前記第１合金成分の元素と前記第１の他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされ、
前記第２アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む第２合金成分と、アルミニウムおよび前記列挙された元素と異なる元素を含む第２の他の成分とを含み、前記第２合金成分の元素と前記第２の他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされ、
前記第１アルミニウム合金材料膜は、導電性の第１析出物（１２９ａ）を含み、
前記第２アルミニウム合金材料膜は、導電性の第２析出物（１１９ａ）を含み、
前記第１析出物の分布密度は、前記第２析出物の分布密度よりも高い、請求の範囲第１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記スイッチング素子の前記電極は、ソース電極（１３５）およびゲート電極（１３２）を含み、
前記引出配線は、前記ソース電極に接続されるソースライン（１１３）と、前記ゲート電極に接続されたゲートラインとを含み、
前記パッド部は、前記ソースラインに接続されたソースパッド（１１４）と、前記ゲートラインに接続されたゲートパッド（１１２）とを含み、
前記ソースパッドと前記ゲートパッドとは、前記第１アルミニウム合金材料膜により形成された、請求の範囲第１１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記スイッチング素子は、
前記基板の主表面上に形成されたゲート電極（１３２）と、
前記ゲート電極上に形成された半導体層（１３４）と、
前記半導体層上に形成されたソース電極（１３５）と、
前記半導体層上に形成され、前記ソース電極と間隔をあけて形成されたドレイン電極（１３６）とを含み、
前記引出配線は、前記ゲート電極に接続されたゲートライン（１１１）と、前記ソース電極に接続されたソースライン（１１３）とを含み、
前記パッド部は、前記ゲートラインに接続されたゲートパッドと、前記ソースラインに接続されたソースパッドとを含み、
前記ゲート電極と、前記ゲートラインと、前記ゲートパッドとは、前記アルミニウム合金材料膜により形成された、請求の範囲第１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記ソース電極と、前記ドレイン電極とは、前記アルミニウム合金材料膜を含む、請求の範囲第１３項に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板（１２３）と、
前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子（１１５）と、
前記スイッチング素子に設けられた電極（１３２，１３５）と、
前記スイッチング素子に接続された引出配線（１１１，１１３）と、
前記引出配線に接続されたパッド部（１１２，１１４）と、
前記パッド部上に形成された透明導電膜（１４１，１４２）と、
を備え、
前記電極と前記引出配線と前記パッド部との少なくとも１つは、アルミニウム合金材料膜を含み、
前記アルミニウム合金材料膜と前記透明導電膜との電位差は、アルミニウム膜と前記透明導電膜との電位差よりも小さい、液晶表示装置。
【請求項１６】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、
前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に設けられた電極と、
前記スイッチング素子に接続された引出配線と、
前記引出配線に接続されたパッド部と、
を備え、
前記電極と前記引出配線と前記パッド部との少なくとも１つは、アルミニウム合金材料膜を含み、
前記アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、ホウ素（Ｂ）、ネオジム(Ｎｄ
）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、およびジルコニウム（Ｚｒ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む他の成分とを有する、液晶表示装置。
【請求項１７】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に設けられた電極と、前記スイッチング素子に接続された引出配線と、前記引出配線に接続されたパッド部とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
主表面を有する基板を準備する工程と、
母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、アルミニウムおよび前記列挙された元素と異なる元素を含む他の成分とを含み、前記合金成分の元素と前記他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされたアルミニウム合金材料膜を形成する工程と、
前記アルミニウム合金材料膜をパターニングして、前記電極と前記引出配線と前記パッド部との少なくとも１つを形成する工程と、
を備えた、液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記アルミニウム合金材料膜は、前記合金成分を０．５ｗｔ％以上含む、請求の範囲第１７項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記アルミニウム合金材料膜に含まれる前記合金成分は、４．５ｗｔ％以下とされた、請求の範囲第１７項または請求の範囲第１８項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記電極は、前記アルミニウム合金材料膜をウエットエッチングでパターニングすることで形成される、請求の範囲第１７項から請求の範囲第１９項のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記アルミニウム合金材料膜を加熱することで、前記アルミニウム合金材料膜内に析出物を形成する工程と、
前記析出物を前記アルミニウム合金材料膜の表面に露出させる工程と、
前記アルミニウム合金材料膜の表面のうち、前記析出物が露出した部分に透明導電膜を形成する工程とをさらに備えた、請求の範囲第１７項から請求の範囲第２０項のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記電極を形成する工程は、前記アルミニウム合金材料膜を前記基板の主表面上に形成する工程と、前記アルミニウム合金材料膜をパターニングして、ゲート電極を形成する工程とを含み、
前記電極は、ゲート電極とされた、請求の範囲第１７項から請求の範囲第２１項のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程をさらに備え、
前記ゲート絶縁膜を形成する熱によって、前記アルミニウム合金材料膜内に導電性の析出物を形成する、請求の範囲第２２項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記基板の主表面上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上であって、前記ゲート電極の上方に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に形成され、前記合金成分の元素および前記他の成分の元素よりも、密度の大きい元素により形成された金属膜を形成する工程とをさらに備え、
前記電極を形成する工程は、前記金属膜上に前記アルミニウム合金材料膜を形成する工程と、前記アルミニウム合金材料膜をパターニングして、前記電極としてのソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを含む、請求の範囲第１７項から請求の範囲第２３項のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記金属膜は、モリブデンにより形成された、請求の範囲第２４項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように絶縁膜を形成する工程をさらに備え、
前記絶縁膜を形成する熱によって、前記ソース電極およびドレイン電極内に析出物を形成する、請求の範囲第２４項または請求の範囲第２５項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２７】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に設けられた電極と、前記スイッチング素子に接続された引出配線と、前記引出配線に接続されたパッド部とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
主表面を有する基板を準備する工程と、
母材としてのアルミニウムと、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、ホウ素（Ｂ）、ネオジム(Ｎｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、およびジルコニウム（Ｚｒ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む他の成分とを有する、アルミニウム合金材料膜を形成する工程と、
前記アルミニウム合金材料膜をパターニングして、前記電極と前記引出配線と前記パッド部との少なくとも１つを形成する工程と、
を備えた、液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から各種の液晶表示装置が提案されている。たとえば、特開平９−１９７４３３号公報（特許文献１）に記載された液晶表示装置は、透明な基板と、この基板上に形成されたゲート電極およびゲートパッドと、ソース電極およびドレイン電極とを備える。【０００３】
ゲートパッドは、アルミニウム（Ａｌ）等から形成された金属膜と、この金属膜上に形成され、チタン（Ｔｉ）等から形成された金属膜とを含む。ソース電極およびドレイン電極も、チタン等から形成されている。【０００４】
さらに、特開２００４−２１４６０６号公報（特許文献２）にも、アルミニウム合金膜を採用した表示デバイスが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１９７４３３号公報
【特許文献２】特開２００４−２１４６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の液晶表示装置は、製造する過程において、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する際に、チタン（Ｔｉ）をパターニングする必要が生じる。【０００７】
チタン（Ｔｉ）をパターニングする際には、プラズマドライエッチングが採用される。ドライエッチングでチタン（Ｔｉ）をパターニングすると、チャンバ内にチタンの微細なダストが発生する。【０００８】
チタンのダストが基板上に落ちると、ゲート電極等のパターニングを正確にすることができず、歩留まりが著しく低下する。【０００９】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、歩留まりの向上を図ることができる液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置は、画素配列領域および画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に設けられた電極と、スイッチング素子に接続された引出配線と、引出配線に接続されたパッド部とを備える。上記電極と引出配線とパッド部との少なくとも１つは、アルミニウム合金材料膜を含む。上記アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、アルミニウムおよび列挙された元素と異なる元素を含む他の成分とを含み、合金成分の元素と他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされる。【００１１】
好ましくは、上記アルミニウム合金材料膜は、合金成分を０．５ｗｔ％以上含む。
好ましくは、上記アルミニウム合金材料膜に含まれる合金成分は、４．５ｗｔ％以下とされる。好ましくは、上記アルミニウム合金材料膜は、導電性の析出物を含む。【００１２】
好ましくは、上記スイッチング素子の電極は、ドレイン電極を含み、ドレイン電極に接続された画素電極をさらに備え、上記ドレイン電極は、アルミニウム合金材料膜を含み、画素電極は、ドレイン電極のアルミニウム合金材料膜に接続される。上記アルミニウム合金材料膜の表面のうち、少なくとも、画素電極と接触する部分には、析出物が露出するように形成される。【００１３】
好ましくは、上記スイッチング素子は、半導体層をさらに含み、スイッチング素子の電極は、半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極を含み。上記ドレイン電極およびソース電極は、アルミニウム合金材料膜と、アルミニウム合金材料膜および半導体層の間に配置された金属膜を含み、金属膜は、合金成分の元素および他の成分の元素よりも、密度の大きい元素により形成される。【００１４】
好ましくは、上記ドレイン電極およびソース電極は、アルミニウム合金材料膜と金属膜との間に形成され、アルミニウムにより形成された中間膜をさらに含む。好ましくは、上記金属膜は、モリブデンにより形成される。【００１５】
好ましくは、上記パッド部は、アルミニウム合金材料膜により形成される。好ましくは、上記パッド部上に形成された透明導電膜をさらに備え、パッド部は、アルミニウム合金材料膜により形成され、アルミニウム合金材料膜は、導電性の析出物を含む。上記パッド部の表面のうち、透明導電膜と接触する部分には、導電性の析出物が露出するように形成される。【００１６】
好ましくは、上記スイッチング素子の電極は、ソース電極およびドレイン電極を含み、パッド部は、第１アルミニウム合金材料膜により形成され、ソース電極およびドレイン電極は、第２アルミニウム合金材料膜により形成される。上記第１アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む第１合金成分と、アルミニウムおよび列挙された元素と異なる元素を含む第１の他の成分とを含み、第１合金成分の元素と第１の他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされる。上記第２アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む第２合金成分と、アルミニウムおよび列挙された元素と異なる元素を含む第２の他の成分とを含み、第２合金成分の元素と第２の他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされる。上記第１アルミニウム合金材料膜は、導電性の第１析出物を含み、第２アルミニウム合金材料膜は、導電性の第２析出物を含む。上記第１析出物の分布密度は、第２析出物の分布密度よりも高い。【００１７】
好ましくは、上記スイッチング素子の電極は、ソース電極およびゲート電極を含み、引出配線は、ソース電極に接続されるソースラインと、ゲート電極に接続されたゲートラインとを含む。上記パッド部は、ソースラインに接続されたソースパッドと、ゲートラインに接続されたゲートパッドとを含み、ソースパッドとゲートパッドとは、第１アルミニウム合金材料膜により形成される。【００１８】
好ましくは、上記スイッチング素子は、基板の主表面上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された半導体層と、半導体層上に形成されたソース電極と、半導体層上に形成され、ソース電極と間隔をあけて形成されたドレイン電極とを含み、引出配線は、ゲート電極に接続されたゲートラインと、ソース電極に接続されたソースラインとを含む。上記パッド部は、ゲートラインに接続されたゲートパッドと、ソースラインに接続されたソースパッドとを含み、ゲート電極と、ゲートラインと、ゲートパッドとは、アルミニウム合金材料膜により形成される。【００１９】
好ましくは、上記ソース電極と、ドレイン電極と、ソースパッドは、アルミニウム合金材料膜を含む。【００２０】
本発明に係る液晶表示装置は、画素配列領域および画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に設けられた電極と、スイッチング素子に接続された引出配線と、引出配線に接続されたパッド部と、パッド部上に形成された透明導電膜とを備える。上記電極と引出配線とパッド部との少なくとも１つは、アルミニウム合金材料膜を含み、アルミニウム合金材料膜と透明導電膜との電位差は、アルミニウム膜と透明導電膜との電位差よりも小さい。【００２１】
本発明に係る液晶表示装置は、画素配列領域および画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に設けられた電極と、スイッチング素子に接続された引出配線と、引出配線に接続されたパッド部とを備える。上記電極と引出配線とパッド部との少なくとも１つは、アルミニウム合金材料膜を含み、アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、ホウ素（Ｂ）、ネオジム(Ｎｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、およびジルコニウム（Ｚｒ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む他の成分とを有する。【００２２】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、上記画素配列領域および画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に設けられた電極と、スイッチング素子に接続された引出配線と、引出配線に接続されたパッド部とを備えた液晶表示装置の製造方法である。そして、主表面を有する基板を準備する工程と、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、アルミニウムおよび列挙された元素と異なる元素を含む他の成分とを含み、合金成分の元素と他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされたアルミニウム合金材料膜を形成する工程と、アルミニウム合金材料膜をパターニングして、電極と引出配線とパッド部との少なくとも１つを形成する工程とを備える。【００２３】
好ましくは、上記アルミニウム合金材料膜は、合金成分を０．５ｗｔ％以上含む。
好ましくは、上記アルミニウム合金材料膜に含まれる合金成分は、４．５ｗｔ％以下とされる。好ましくは、上記電極は、アルミニウム合金材料膜をウエットエッチングでパターニングすることで形成される。好ましくは、上記アルミニウム合金材料膜を加熱することで、アルミニウム合金材料膜内に析出物を形成する工程と、析出物をアルミニウム合金材料膜の表面に露出させる工程と、アルミニウム合金材料膜の表面のうち、析出物が露出した部分に透明導電膜を形成する工程とをさらに備える。【００２４】
好ましくは、上記電極を形成する工程は、アルミニウム合金材料膜を基板の主表面上に形成する工程と、アルミニウム合金材料膜をパターニングして、ゲート電極を形成する工程とを含み、電極は、ゲート電極とされる。【００２５】
好ましくは、上記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程をさらに備え、ゲート絶縁膜を形成する熱によって、アルミニウム合金材料膜内に導電性の析出物を形成する。【００２６】
好ましくは、上記基板の主表面上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上であって、ゲート電極の上方に半導体層を形成する工程と、半導体層上に形成され、合金成分の元素および他の成分の元素よりも、密度の大きい元素により形成された金属膜を形成する工程とをさらに備える。上記電極を形成する工程は、金属膜上にアルミニウム合金材料膜を形成する工程と、アルミニウム合金材料膜をパターニングして、電極としてのソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを含む。【００２７】
好ましくは、上記金属膜は、モリブデンにより形成される。好ましくは、上記ソース電極およびドレイン電極を覆うように絶縁膜を形成する工程をさらに備え、絶縁膜を形成する熱によって、ソース電極およびドレイン電極内に析出物を形成する。【００２８】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に設けられた電極と、前記スイッチング素子に接続された引出配線と、前記引出配線に接続されたパッド部とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、主表面を有する基板を準備する工程と、母材としてのアルミニウムと、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、ホウ素（Ｂ）、ネオジム(Ｎｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、およびジルコニウム（Ｚｒ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む他の成分とを有する、アルミニウム合金材料膜を形成する工程と、アルミニウム合金材料膜をパターニングして、電極と引出配線とパッド部との少なくとも１つを形成する工程とを備える。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係る液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法によれば、歩留まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態１に係るテレビジョン受信機５００の構成を示す分解斜視図である。
【図２】液晶表示装置３００を模式的に示す斜視図である。
【図３】液晶表示素子２００を模式的に示す平面図である。
【図４】液晶表示パネル１０１および偏光板１５６との配置状態を示す分解斜視図である。
【図５】液晶表示パネル１０１の平面図である。
【図６】アクティブマトリックス基板１３０に形成された薄膜トランジスタアレイを示す回路図である。
【図７】アクティブマトリックス基板１３０の断面図である。
【図８】周辺領域１０５に形成されたソースパッド１１４の断面図である。
【図９】画素配列領域１０７内の一部を模式的に示す平面図である。
【図１０】アルミニウム合金材料膜１３６ｂと画素電極１１６との接触部位を模式的に示す断面図である。
【図１１】ＩＴＯ膜１４１とゲートパッド１１２との接触部分を詳細を示す断面図である。
【図１２】液晶表示装置３００の製造工程の第１製造工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に示す液晶表示装置３００の製造工程の第１製造工程において、ソースパッド１１４が形成される領域の断面図である。
【図１４】図１２および図１３に示された液晶表示装置３００の製造工程後の製造工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に示す製造工程において、ソースパッド１１４の断面図である。
【図１６】図１４および図１５に示す製造工程時における平面図である。
【図１７】図１４から図１６に示された液晶表示装置３００の製造工程後の製造工程を示す断面図である。
【図１８】図１７に示す製造工程時におけるソースパッド１１４の断面図である。
【図１９】図１７および図１８に示された製造工程時における平面図である。
【図２０】図１７から図１９に示された製造工程後の製造工程を示す断面図である。
【図２１】図２０に示す製造工程時におけるソースパッド１１４の断面図である。
【図２２】図２０および図２１に示す製造工程の時の平面図である。
【図２３】本実施の形態２に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板１３０の断面図である。
【図２４】ソースパッド１１４の断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置３００の製造工程の第１製造工程を示す断面図である。
【図２６】ソースパッド１１４が形成される領域における断面図である。
【図２７】図２５、図２６に示す製造工程後の製造工程を示す断面図である。
【図２８】ソースパッド１１４が形成される領域における断面図である。
【図２９】図２７および図２８に示す製造工程後の製造工程を示す断面図である。
【図３０】図２９に示す製造工程時において、ソースパッド１１４が形成された領域における断面図である。
【図３１】図２９および図３０に示す製造工程の後の製造工程を示す断面図である。
【図３２】図３１に示す製造工程時において、ソースパッド１１４が形成された領域における断面図である。
【図３３】本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の断面図である。
【図３４】ソースパッド１１４の断面図である。
【図３５】本実施の形態３に係る液晶表示装置３００の製造工程のうち、第１製造工程を示す断面図である。
【図３６】図３５に示す製造工程において、ソースパッドが形成される領域の断面図である。
【図３７】図３５および図３６に示す製造工程後の製造工程を示す断面図である。
【図３８】図３７に示す製造工程において、ソースパッドが形成される領域の断面図である。
【図３９】図３７および図３８に示す製造工程後の製造工程を示す断面図である。
【図４０】図３９に示す製造工程において、ソースパッドが形成される領域の断面図である。
【図４１】図３９および図４０に示す製造工程後の製造工程を示す断面図である。
【図４２】図４１に示す製造工程において、ソースパッドが形成される領域の断面図である。
【図４３】図４１および図４２に示す製造工程後の製造工程を示す断面図である。
【図４４】図４３に示す製造工程において、ソースパッドが形成される領域の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の実施の形態に係る液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法について、図１から図４４を用いて説明する。
【００３２】
なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。また、以下に複数の実施の形態が存在する場合、特に記載がある場合を除き、各々の実施の形態の特徴部分を適宜組合わせることは、当初から予定されている。
【００３３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係るテレビジョン受信機５００の構成を示す分解斜視図である。この図１に示すように、テレビジョン受信機５００は、前面側に配置される筐体１８１と、背面側に配置される筐体１８２と、筐体１８１および筐体１８２間に配置された液晶表示装置３００と、操作用回路１８４と、支持用部材１８５とを備えている。
【００３４】
液晶表示装置３００は、筐体１８１および筐体１８２によって包み込まれ、筐体１８１および筐体１８２によって挟持されている。
【００３５】
筐体１８１には、開口部１８３が形成されており、液晶表示装置３００に表示される画像を外部に透過可能とされている。筐体１８２には、液晶表示装置３００を操作するための操作用回路１８４が設けられている。筐体１８２は、支持用部材１８５によって支持されている。
【００３６】
図２は、液晶表示装置３００を模式的に示す斜視図である。この図２に示すように、液晶表示装置３００は、液晶表示パネル１０１を含む液晶表示素子２００と、液晶表示パネル１０１の一方の主表面に装着された偏光板１５６と、液晶表示パネル１０１の他方の主表面に装着された偏光板と、液晶表示パネル１０１に光を照射するバックライトユニット１８６とを備えている。
【００３７】
図３は、液晶表示素子２００を模式的に示す平面図である。この図３に示すように、液晶表示素子２００は、液晶表示パネル１０１と、液晶表示パネル１０１のゲート端子部１５０に接続されたゲートドライバ１５２と、液晶表示パネル１０１のソース端子部１５１に接続されたソースドライバ１５３と、ゲートドライバ１５２およびソースドライバ１５３が接続されたプリント基板配線１５４と、プリント基板配線１５４が接続された表示制御回路１５５とを備えている。
【００３８】
図４は、液晶表示パネル１０１および偏光板１５６との配置状態を示す分解斜視図である。この図４に示すように、液晶表示パネル１０１の一方の主表面には、偏光板１５６ａが装着され、液晶表示パネル１０１の他方の主表面には、他の偏光板１５６ｂが装着されている。
【００３９】
なお、偏光板１５６ａの偏光軸方向と、偏光板１５６ｂの偏光軸方向とは互いに直交するように形成されている。偏光板１５６ａには、図２に示すバックライトユニット１８６からの光が放射される。
【００４０】
液晶表示パネル１０１は、アクティブマトリックス基板と、このアクティブマトリックス基板と対向するように、間隔をあけて配置された対向基板と、アクティブマトリックス基板および対向基板間に封入された液晶層とを含む。
【００４１】
図５は、液晶表示パネル１０１の平面図である。この図５に示すように、液晶表示パネル１０１は、表示領域１０３および非表示領域１０４を含む画素配列領域１０７と、この画素配列領域１０７の周囲に位置する周辺領域１０５とを含む。
【００４２】
表示領域１０３は、画像を表示する領域であり、複数の画素により形成されている。非表示領域１０４は、画像を表示しない領域であり、表示領域１０３の周囲に配置されている。図６は、アクティブマトリックス基板１３０に形成された薄膜トランジスタアレイを示す回路図である。
【００４３】
アクティブマトリックス基板１３０は、画素配列領域１０７および画素配列領域１０７の周囲に位置する周辺領域１０５とを含む透明基板１２３を備える。
【００４４】
透明基板１２３の主表面のうち、画素配列領域１０７の表示領域１０３が位置する部分には、複数の薄膜トランジスタ（スイッチング素子）１１５が配列している。薄膜トランジスタ１１５のゲート電極に接続されるゲートライン１１１と、薄膜トランジスタ１１５のソース電極に接続されるソース配線１１３とが、アクティブマトリックス基板１３０に複数形成されている。薄膜トランジスタ１１５のドレイン電極には画素電極１１６が接続されている。
【００４５】
アクティブマトリックス基板１３０は、通常、長方形形状とされている。ゲートライン１１１は、アクティブマトリックス基板１３０の長手方向に延びており、ゲートライン１１１は、アクティブマトリックス基板１３０の短手方向に間隔をあけて複数形成されている。ソース配線１１３は、短手方向に延びており、長手方向に間隔をあけて複数形成されている。
【００４６】
ゲートライン１１１とソース配線１１３とによって囲まれる領域内に１つの画素電極１１６が配置されている。
【００４７】
ゲートライン１１１は、薄膜トランジスタ１１５から引き出され、画素配列領域１０７から周辺領域１０５に達するように延びている。そして、ゲートライン１１１のうち、周辺領域１０５上に位置する部分に、ゲートパッド１１２が形成されている。
【００４８】
ソース配線１１３は、薄膜トランジスタ１１５から引き出され、画素配列領域１０７から周辺領域１０５に達するように延びている。そして、ソース配線１１３のうち、周辺領域１０５上に位置する部分には、ソースパッド１１４が形成されている。
【００４９】
図７は、アクティブマトリックス基板１３０の断面図である。なお、図７において、図面の左側は、表示領域１０３における断面図であり、右側は、周辺領域１０５に形成されたゲートパッド１１２の断面図である。図８は、周辺領域１０５に形成されたソースパッド１１４の断面図である。図９は、画素配列領域１０７内の一部を模式的に示す平面図である。
【００５０】
図７に示すように、アクティブマトリックス基板１３０は、透明基板１２３を備え、透明基板１２３上には、薄膜トランジスタ１１５が形成されている。アクティブマトリックス基板１３０は、画素配列領域１０７内に位置し、透明基板１２３上に形成されたゲート電極１３２と、透明基板１２３上に形成され、ゲート電極１３２に接続されたゲートライン１１１と、周辺領域１０５に位置し、透明基板１２３上に形成されたゲートパッド１１２と、ゲート電極１３２、ゲートライン１１１およびゲートパッド１１２を覆うように形成されたゲート絶縁膜１３３とを備える。
【００５１】
ゲート電極１３２と、ゲートライン１１１と、ゲートパッド１１２とは、図９に示すように、一体に形成されている。ゲートライン１１１は、ゲート電極１３２とゲートパッド１１２とを接続しており、ゲートパッド１１２はゲートライン１１１の端部に形成されている。
【００５２】
図７において、アクティブマトリックス基板１３０は、ゲート絶縁膜１３３の上面上に形成され、ゲート電極１３２の上方に位置する半導体層１３４と、この半導体層１３４上に形成されたドレイン電極（第１電極）１３６と、半導体層１３４上に形成され、ドレイン電極１３６から間隔をあけて形成されたソース電極１３５とを備える。
【００５３】
薄膜トランジスタ１１５は、ゲート電極１３２と、半導体層１３４と、ソース電極１３５およびドレイン電極１３６とを含む。
【００５４】
半導体層１３４は、ゲート絶縁膜１３３上に形成されたアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜：ｉ層）１３４ａと、このアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａ上に形成されたアモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂとを備える。アモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａは、薄膜トランジスタ１１５のチャネル部として機能する。
【００５５】
図９に示すように、ドレイン電極１３６には、ドレイン配線１１７が接続されており、このドレイン配線１１７は、ドレインパッド部１１８に接続されている。このドレインパッド部１１８には、画素電極１１６が接続されている。ドレイン電極１３６と、ドレイン配線１１７と、ドレインパッド部１１８とは一体的に形成されており、ドレイン電極１３６と画素電極１１６とは電気的に接続されている。画素電極１１６は、ＩＴＯ膜から形成されている。
【００５６】
ソース電極１３５には、ソース配線１１３が接続されており、ソース配線１１３の端部には、コンタクト１２５を介して、ソースパッド１１４が接続されている。
【００５７】
ソース電極１３５およびソース配線１１３は、ゲート絶縁膜１３３上に形成されており、ソースパッド１１４は、透明基板１２３の主表面上に形成されている。
【００５８】
図９に示すコンタクト１２５は、ゲート絶縁膜１３３を貫通するように形成されており、ソースパッド１１４の端部とソース配線１１３の端部とを接続している。
【００５９】
ゲート電極１３２とゲートライン１１１とゲートパッド１１２と、ソースパッド１１４とは、いずれも、透明基板１２３の主表面上に形成されており、同一の第１アルミニウム合金材料膜によって形成されている。
【００６０】
ドレイン電極１３６と、ドレイン配線１１７と、ドレインパッド部１１８と、ソース電極１３５と、ソース配線１１３とは、第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂ，１３５ｂと、このアルミニウム合金材料膜１３６ｂ，１３５ｂ下に形成された金属膜１３６ａ，１３５ａとを含む。
【００６１】
第１アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分（第１合金成分）と、アルミニウムおよび上記列挙された元素と異なる元素を含む他の成分（第１の他の成分）とを含み、合金成分の元素と他の成分の元素との合計の元素が３種類以上のアルミニウム合金材料膜とされている。
【００６２】
第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂも、母材としてのアルミニウムと、コ
バルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分（第２合金成分）と、アルミニウムおよび上記列挙された元素と異なる元素を含む他の成分（第２の他の成分）とを含み、合金成分の元素と他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされたアルミニウム合金材料膜とされる。
【００６３】
第１アルミニウム合金材料膜および第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂは、いずれも、ウエットエッチングでパターニングすることができ、各配線、パッドおよび電極を形成する際にダストが発生することを抑制することができ、良好にパターニングすることができる。これにより、アクティブマトリックス基板１３０および液晶表示装置３００等の歩留まりの向上を図ることができる。
【００６４】
第１アルミニウム合金材料膜と、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂとにおいて、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合金成分として含むことで、ＩＴＯ膜等の透明導電膜とのコンタクト抵抗の向上を図ることができる。
【００６５】
さらに、アルミニウム、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）以外の元素を他の成分（第１の他の成分、第２の他の成分）を含むことで、シート抵抗(sheet  resistance)の低減および耐薬液性の向上を図ることができる。
【００６６】
他の成分としては、たとえば、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、ホウ素（Ｂ）、ネオジム(Ｎｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、およびジルコニウム（Ｚｒ）を採用することができる。
【００６７】
図７に示すように、画素電極１１６は、ドレインパッド部１１８のアルミニウム合金材料膜１３６ｂに接続されている。
【００６８】
上記アルミニウム合金材料膜とＩＴＯ膜と間の電位差は１．０Ｖ程度である一方で、アルミニウムとＩＴＯ膜との間の電位差は、１．６Ｖ程度である。このため、上記アルミニウム合金材料膜とＩＴＯ膜とを接触させた場合と、アルミニウムとＩＴＯ膜とを接触させた場合とを比較すると、上記アルミニウム合金材料膜の方が腐食し難くなっている。このため、図７にも示されるように、画素電極１１６とアルミニウム合金材料膜とを直接接続することができる。同様に、アルミニウム合金材料膜により形成されたゲートパッド１１２とＩＴＯ膜（透明導電膜）１４１とを直接接触させることができる。
【００６９】
図１０は、アルミニウム合金材料膜１３６ｂと画素電極１１６との接触部位を模式的に示す断面図である。
【００７０】
この図１０に示すように、アルミニウム合金材料膜１３６ｂは、母材１１９ｂと、複数の析出物１１９ａとを含む。
【００７１】
析出物１１９ａは、導電性の粒状析出物である。析出物１１９ａは、母材１１９ｂ内から母材１１９ｂの表面に亘って分布している。そして、第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂの表面のうち、画素電極１１６と接触する部分では、析出物１１９ａは、母材１１９ｂの表面から露出している。
【００７２】
そして、この露出する析出物１１９ａと画素電極１１６とが接触することで、画素電極１１６と第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂとの接触抵抗を低く抑えることができる。
【００７３】
ここで、析出物は、ＡｌxＲY（XおよびYは正の整数：Ｒは、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズのいずれかの元素）である。
【００７４】
たとえば、アルミニウム合金材料膜１３６ｂの合金成分として、Ｎｉ（ニッケル）を少なくとも含む場合には、析出物１１９ａは、Ａｌ3Ｎｉとなる。
【００７５】
好ましくは、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂに含まれる、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種を含む合金成分を０．５ｗｔ％以上とする。このような合金成分を採用することで、当該第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ、１３６ｂと、ＩＴＯ膜とを積層した時の現像液耐性を確保することができ、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂに腐食が発生することを抑制することができる。さらに、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂとＩＴＯ膜とのコンタクト抵抗を低く抑えることができる。
【００７６】
さらに、好ましくは、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分を４．５ｗｔ％以下とする。このようなアルミニウム合金材料膜を採用することで、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂに腐食が発生することを抑制することができると共に、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂとＩＴＯ膜とのコンタクト抵抗を低く抑えることができる。
【００７７】
アルミニウム合金材料膜としては、たとえば、母材としてのアルミニウム（Al）と、合金成分としてのニッケル（Ni）と、他の成分としての銅（Cu）およびランタン（La）とを含むAl-Ni-Cu-La合金材料膜が挙げられる。
【００７８】
他の例としては、母材としてのアルミニウム（Al）と、合金材料としてのニッケル（Ni）およびゲルマニウム（Ge）と、他の成分としてのネオジム（Nd）とを含むAl-Ni-Ge-Nd合金材料膜が挙げられる。
【００７９】
他の例としては、母材としてのアルミニウム（Al）と、合金成分としてのコバルト（Co）およびゲルマニウム（Ge）と、他の成分としてのネオジウム（Nd）とを含むAl-Co-Ge-Nd合金材料膜が挙げられる。
【００８０】
他の例としては、アルミニウム合金材料膜として、たとえば、母材としてのアルミニウム（Al）と、合金成分としてのニッケル（Ni）と、他の成分としてのホウ素（B)とを含むAl-Ni-B合金材料膜を挙げることができる。
【００８１】
上記のアルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、アルミニウムおよび列挙された元素と異なる元素を含む他の成分とを有するアルミニウム合金材料膜であって、「アルミニウムおよび列挙された元素と異なる元素」が、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、ホウ素（Ｂ）、ネオジム(Ｎｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、およびジルコニウム（Ｚｒ）とされている。このアルミニウム合金材料膜によれば、ＩＴＯ膜との接触抵抗の低減およびシート抵抗の低減を図ることができると共に、耐薬液性を確保することができる。
【００８２】
さらに、「アルミニウムおよび列挙された元素と異なる元素」として、好ましくは、銅（Cu）、ランタン（La）、ホウ素（B）、ネオジム(Nd）を採用する。
【００８３】
さらに、上記アルミニウム合金材料膜のうち、Al-Ni-Cu-La合金材料膜、Al-Ni-Ge-Nd合金材料膜、およびAl-Co-Ge-Nd合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、アルミニウムおよび列挙された元素と異なる元素を含む他の成分とを含み、合金成分の元素と他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされている。
【００８４】
このアルミニウム合金材料膜によれば、ＩＴＯ膜との接触抵抗の低減およびシート抵抗の低減を図ることができると共に、耐薬液性を確保することができる。
【００８５】
さらに、具体的な例としては、たとえば、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群からニッケル（Ｎｉ）を選択する。そして、１．０ｗｔ％のニッケルと、０．５ｗｔ％の銅（Ｃｕ）と、０．３ｗｔ％のランタン（Ｌａ）と、アルミニウム（Ａｌ）から構成されたアルミニウム合金材料膜を第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂとして採用することができる。なお、合金成分として、ニッケルを採用するのが好ましい。
【００８６】
金属膜１３５ａ，１３６ａは、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂの下面に形成されており、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂと、半導体層１３４との間に形成されている。
【００８７】
金属膜１３５ａ，１３６ａは、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂの合成金属の元素の密度と、アルミニウムおよびコバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、スズと異なる他の成分の元素の密度よりも、大きな密度の元素より形成される。
【００８８】
金属膜１３５ａ，１３６ａは、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）から形成されている。この金属膜１３５ａ，１３６ａは、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂ内に含まれる合金成分が半導体層１３４に達し、上記合金成分が半導体層１３４内に拡散されることを抑制し、薄膜トランジスタ１１５のＶｔｈ値等が変動することを抑制する。
【００８９】
また、図７において、アクティブマトリックス基板１３０は、ゲートパッド１１２の上面に形成されたＩＴＯ膜１４１を備え、ゲートパッド１１２とＩＴＯ膜１４１とは直接接触している。
【００９０】
図１１は、ＩＴＯ膜１４１とゲートパッド１１２との接触部分を詳細を示す断面図であり、この図１１にも示されるように、ゲートパッド１１２は、母材１２９ｂと、複数の析出物１２９ａとを含む。
【００９１】
析出物１２９ａは、導電性の粒状析出物である。析出物１２９ａは、母材１２９ｂ内から母材１２９ｂの表面に亘って分布している。
【００９２】
そして、ゲートパッド１１２の表面のうち、ＩＴＯ膜１４１と接触する部分では、析出物１２９ａが露出している。この析出物１２９ａとＩＴＯ膜１４１とが接触することで、ＩＴＯ膜１４１とゲートパッド１１２との接触抵抗の低減が図られている。
【００９３】
好ましくは、ゲートパッド１１２に含まれる、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種を含む合金成分を０．５ｗｔ％以上とする。このような合金成分を採用することで、当該ゲートパッド１１２と、ＩＴＯ膜とを積層した時の現像液耐性を確保することができ、ゲートパッド１１２に腐食が発生することを抑制することができると共に、ゲートパッド１１２とＩＴＯ膜とのコンタクト抵抗を低く抑えることができる。
【００９４】
さらに、好ましくは、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分を０．５ｗｔ％以上４．５ｗｔ％以下とする。このようなアルミニウム合金材料膜を採用することで、ゲートパッド１１２に腐食が発生することを抑制することができると共に、ゲートパッド１１２とＩＴＯ膜とのコンタクト抵抗を低く抑えることができる。
【００９５】
具体的な例としては、たとえば、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群からニッケルを選択する。そして、１．０ｗｔ％のニッケル（Ｎｉ）と、０．５ｗｔ％の銅（Ｃｕ）と、０．３ｗｔ％のランタン（Ｌａ）と、アルミニウム（Ａｌ）から構成されたアルミニウム合金をゲートパッド１１２として採用することができる。この例では、アルミニウム合金材料の合金成分として、ニッケルが採用され、他の成分として、銅とランタンとが採用されている。
【００９６】
ここで、ゲートパッド１１２およびソースパッド１１４を形成する第１アルミニウム合金材料膜内に形成された析出物１２９ａの分布密度は、第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂ内に形成された析出物１１９ａの分布密度よりも高くなっている。
【００９７】
このため、ＩＴＯ膜１４１とゲートパッド１１２との界面おいて、単位面積あたりにおいて、析出物１２９ａが母材１２９ｂから露出する面積は、画素電極１１６と第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂとの界面において、単位面積あたりにおいて、析出物１１９ａが母材１１９ｂから露出する面積よりも広くなっている。
【００９８】
図７において、画素配列領域１０７内において、アクティブマトリックス基板１３０は、ソース電極１３５、ドレイン電極１３６およびドレインパッド部１１８を覆うように形成された層間絶縁膜１４０を備える。
【００９９】
層間絶縁膜１４０は、ソース電極１３５、ドレイン電極１３６およびドレインパッド部１１８を覆うようにゲート絶縁膜１３３上に形成されたパッシベーション膜１３７と、このパッシベーション膜１３７上に形成された平坦化膜１３８とを含む。
【０１００】
パッシベーション膜１３７は、窒化シリコン膜から形成されており、たとえば、２５０度程度でＣＶＤ法により形成する。なお、パッシベーション膜１３７と、ゲート絶縁膜１３３とは、いずれも窒化シリコン膜により形成されているが、ゲート絶縁膜１３３の方がパッシベーション膜１３７よりも組織が緻密である。平坦化膜１３８は、アクリルベースの合成樹脂等の有機材料から形成されている。
【０１０１】
層間絶縁膜１４０には、ドレインパッド部１１８に達するように形成されたコンタクトホール１７５が形成されている。画素電極１１６は、平坦化膜１３８の上面上からコンタクトホール１７５の内周面を通って、アルミニウム合金材料膜１３６ｂの上面に達するように形成されている。
【０１０２】
アクティブマトリックス基板１３０は、周辺領域１０５に形成されたゲートパッド１１２と、このゲートパッド１１２の上面に形成されたＩＴＯ膜１４１とを備える。
【０１０３】
ゲートパッド１１２の周囲には、ゲート絶縁膜１３３と、このゲート絶縁膜１３３上に形成されたアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａとが形成されている。ゲート絶縁膜１３３およびアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａには、ゲートパッド１１２の上面に達するコンタクトホール１７０が形成されている。ＩＴＯ膜１４１は、アモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａの上面からコンタクトホール１７０の内周面を通って、ゲートパッド１１２の上面に達するように形成されている。
【０１０４】
図８において、ソースパッド１１４の周囲には、ゲート絶縁膜１３３と、このゲート絶縁膜１３３上に形成されたアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａとが形成されている。ゲート絶縁膜１３３およびアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａには、ソースパッド１１４の上面に達するコンタクトホール１７６が形成されている。ＩＴＯ膜１４１は、アモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａの上面からコンタクトホール１７６の内周面を通って、ソースパッド１１４の上面に達するように形成されている。
【０１０５】
図１２から図２２を用いて、本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置３００の製造方法について説明する。
【０１０６】
図１２は、液晶表示装置３００の製造工程の第１製造工程を示す断面図である。図１３は、図１２に示す液晶表示装置３００の製造工程の第１製造工程において、ソースパッド１１４が形成される領域の断面図である。
【０１０７】
図１２および図１３に示すように、透明基板１２３の主表面上に、アルミニウム合金材料膜をたとえば、スパッタ蒸着法を用いて形成する。
【０１０８】
その後、形成されたアルミニウム合金材料膜をパターニングして、ゲート電極１３２と、ゲートライン１１１と、ゲートパッド１１２と、ソースパッド１１４とを透明基板１２３の主表面上に形成する。上述のように、アルミニウム合金材料膜はウエットエッチングにより、パターニングすることができ、良好に、ゲートライン１１１、ゲートパッド１１２、ゲート電極１３２およびソースパッド１１４を形成することができる。
【０１０９】
なお、ゲートライン１１１、ゲートパッド１１２、ゲート電極１３２およびソースパッド１１４の膜厚は、たとえば、２０００Å程度とされる。
【０１１０】
図１４は、上記図１２および図１３に示された液晶表示装置３００の製造工程後の製造工程を示す断面図であり、図１５は、図１４に示す製造工程において、ソースパッド１１４の断面図である。
【０１１１】
この図１４および図１５に示すように、ゲート電極１３２、ゲートライン１１１、ゲートパッド１１２およびソースパッド１１４を覆うように、ゲート絶縁膜１３３が透明基板１２３の主表面上に形成される。
【０１１２】
ゲート絶縁膜１３３は、たとえば、ＣＶＤ法により形成され、成膜温度は、たとえば、３５０℃程度とされる。
【０１１３】
ゲート絶縁膜１３３を形成する際には、チャンバー内の温度が高くなり、既に形成されたゲート電極１３２、ゲートライン１１１、ゲートパッド１１２およびソースパッド１１４も温度も上昇する。その後、ゲート電極１３２、ゲートライン１１１、ゲートパッド１１２およびソースパッド１１４が冷えることで、ゲート電極１３２、ゲートライン１１１、ゲートパッド１１２およびソースパッド１１４内に導電性の析出物が析出する。析出物は、ＡｌxＲY（xおよびyは正の整数：Ｒは、Ｃｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ、およびＳｎのいずれか）である。
【０１１４】
なお、ゲート絶縁膜１３３は、窒化シリコン膜から形成され、ゲート絶縁膜１３３の膜厚は、たとえば、４１００Å程度とされる。
【０１１５】
そして、ゲート絶縁膜１３３を形成した後、ゲート絶縁膜１３３の上面上に、アモルファスシリコン膜（ｉ層）と、アモルファスシリコン膜（ｎ＋層）とをＣＶＤ法により順次形成する。その後、アモルファスシリコン膜（ｉ層）およびアモルファスシリコン膜（ｎ＋層）がパターニングされる。これにより、アモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａとアモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂとを含む半導体層１３４が形成される。
【０１１６】
アモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａの膜厚は、たとえば、１７５０Å程度とされ、アモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂは、たとえば、５５０Å程度とされる。
【０１１７】
アモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａは、ゲート絶縁膜１３３の上面のうち、ゲート電極１３２の上方に位置する部分と、ゲートパッド１１２の上方に位置する部分とに残留する。
【０１１８】
ゲート電極１３２の上方に形成されたアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａは、ゲート電極１３２を覆うようにパターニングされる。このアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａの上面には、アモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂが間隔をあけて位置するように形成される。
【０１１９】
ゲートパッド１１２の上方に形成されたアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａには、穴部１３４ｆが形成されている。このゲートパッド１１２の上方に形成されたアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａの上面にはアモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂが形成されている。このアモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂにも、穴部１３４ｆと連通する穴部１３４ｅが形成されている。
【０１２０】
そして、穴部１３４ｅと穴部１３４ｆとによって、ゲートパッド１１２の上方に位置するゲート絶縁膜１３３の上面が外方に露出している。
【０１２１】
ソースパッド１１４の上方に形成されたアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａには、穴部１３４ｈが形成されている。このソースパッド１１４の上方に形成されたアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａの上面には、アモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂが形成されている。このアモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂにも、穴部１３４ｈに連通する穴部１３４ｇが形成されている。
【０１２２】
そして、穴部１３４ｈと穴部１３４ｇによって、ソースパッド１１４の上方に位置するゲート絶縁膜１３３の上面が外方に露出している。
【０１２３】
図１６は、上記図１４および図１５に示す製造工程時における平面図である。この図１６に示すように、透明基板１２３の主表面上には、一方向に延びゲートライン１１１が、間隔をあけて複数形成されている。そして、ゲートライン１１１の端部には、ゲートパッド１１２が形成されている。さらに、透明基板１２３の主表面上には、複数のソースパッド１１４が、ゲートライン１１１の延在方向に間隔をあけて形成されている。
【０１２４】
図１７は、上記図１４から図１６に示された液晶表示装置３００の製造工程後の製造工程を示す断面図であり、図１８は、図１７に示す製造工程時におけるソースパッド１１４の断面図である。
【０１２５】
図１７および図１８において、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）によって形成された金属膜１３６ａと、第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂとを順次形成する。
【０１２６】
そして、積層された金属膜１３５ａおよび第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂをマスクを用いてパターニングする。この際、金属膜１３５ａおよび第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂをウエットエッチングでパターニングすることができ、ソース電極１３５およびドレイン電極１３６を良好にパターニングすることができる。
【０１２７】
このように、ソース電極１３５およびドレイン電極１３６を形成した後、ゲート電極１３２およびソースパッド１１４上に位置するアモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂも除去される。
【０１２８】
図１９は、図１７および図１８に示された製造工程時における平面図である。この図１９に示すように、金属膜１３５ａおよび第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂをパターニングすることで、ソース配線１１３、ドレインパッド部１１８、ドレイン配線１１７、ドレイン電極１３６、ソース電極１３５とが形成される。
【０１２９】
さらに、ソース配線１１３のうち、ソースパッド１１４を構成する第１アルミニウム合金材料膜の端部の上方に位置するソース配線１１３の端部には、コンタクトホール１２５ａが形成される。
【０１３０】
このコンタクトホール１２５ａは、ソース配線１１３と、ソースパッド１１４との間に位置するゲート絶縁膜１３３を貫通する。このため、コンタクトホール１２５ａの底部からソースパッド１１４を形成する第１アルミニウム合金材料膜の上面が露出する。
【０１３１】
図２０は、上記図１７から図１９に示された製造工程後の製造工程を示す断面図であり、図２１は、図２０に示す製造工程時におけるソースパッド１１４の断面図である。
【０１３２】
この図２０および図２１において、まず、窒化シリコン膜であるパッシベーション膜１３７をＣＶＤ法を用いて形成する。このときの成膜温度は、たとえば、２５０度程度とされている。
【０１３３】
パッシベーション膜１３７は、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂおよびゲート絶縁膜１３３を覆うように形成される。
【０１３４】
パッシベーション膜１３７を形成する際の熱によって、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂも加熱される。これにより、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ内に析出物が形成される。
【０１３５】
なお、パッシベーション膜１３７の成膜温度は、ゲート絶縁膜１３３の成膜温度よりも低い。このため、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ，１３６ｂ内に析出する析出物の析出密度は、ゲートライン１１１等を構成する第１アルミニウム合金材料膜内に析出している析出物の析出密度よりも低くなっている。なお、析出密度とは、単位体積内に析出した析出物の体積とする。
【０１３６】
パッシベーション膜１３７を形成した後、平坦化膜１３８を形成する。平坦化膜１３８は、たとえば、アクリルベースの有機材料から形成される。この平坦化膜１３８をパターニングして、周辺領域１０５上に位置する部分が除去される。これにより、ソースパッド１１４およびゲートパッド１１２上に位置する平坦化膜１３８が除去される。さらに、このパターニングの際に、平坦化膜１３８にコンタクトホールがパターニングされる。
【０１３７】
このパターニングが施された平坦化膜１３８をマスクとして、パッシベーション膜１３７等をパターニングする。
【０１３８】
これにより、表示領域１０３においては、図２０に示すように、ドレインパッド部１１８上に位置するパッシベーション膜１３７がパターニングされ、ドレインパッド部１１８の上面の一部が露出する。
【０１３９】
さらに、図２０に示すように、周辺領域１０５においては、アモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａをマスクとして、ゲート絶縁膜１３３がパターニングされ、コンタクトホール１７０が形成される。また、図２１に示すように、ソースパッド１１４上に形成されたゲート絶縁膜１３３は、アモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａをマスクとしてパターニングされる。これにより、コンタクトホール１７６が形成され、ソースパッド１１４の上面の一部が露出される。なお、ゲート絶縁膜１３３およびパッシベーション膜１３７のいずれもが窒化シリコン膜で形成されている。
【０１４０】
そして、コンタクトホール１７５から露出する第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂの上面と、ゲートパッド１１２の上面と、ソースパッド１１４の上面とをアルカリ性の溶液で表面処理を施す。
【０１４１】
当該表面処理により、析出物が第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ、ソースパッド１１４およびゲートパッド１１２の上面から露出する。
【０１４２】
図２２は、上記図２０および図２１に示す製造工程の時の平面図である。この図２２に示すように、ソースパッド１１４の表示領域１０３側の端部は、平坦化膜１３８およびパッシベーション膜１３７によって覆われる。
【０１４３】
そして、平坦化膜１３８およびパッシベーション膜１３７には、ソースパッド１１４の端部に達するコンタクトホール１２５ａが形成される。
【０１４４】
図７および図８に示すように、ＩＴＯ膜を平坦化膜１３８およびアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａ上に形成する。その後、このＩＴＯ膜にパターニングを施して、画素電極１１６、ＩＴＯ膜１４１およびＩＴＯ膜（透明導電膜）１４２を形成する。
【０１４５】
なお、図９に示すように、コンタクトホール１２５ａ内にＩＴＯ膜が形成されることで、ソースパッド１１４と、ソース配線１１３とが電気的に接続される。このようにして、本実施の形態に係る液晶表示装置の液晶表示装置３００を製造することができる。
【０１４６】
（実施の形態２）
図２３から図３２を用いて、本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置３００について説明する。なお、図２３から図３２に示された構成のうち、上記図１から図２２に示された構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【０１４７】
図２３は、本実施の形態２に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板１３０の断面図である。図２４は、ソースパッド１１４の断面図である。
【０１４８】
この図２３に示すように、ソース電極１３５は、半導体層１３４およびゲート絶縁膜１３３上に形成され、モリブデン（Ｍｏ）から形成された金属膜１３５ａと、金属膜１３５ａ上に形成され、アルミニウム（Ａｌ）から形成された金属膜（中間膜）１３５ｅと、この金属膜１３５ｅ上に形成された第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂとを備えている。
【０１４９】
同様に、ドレイン電極１３６は、半導体層１３４およびゲート絶縁膜１３３上に形成された金属膜１３６ａと、この金属膜１３６ａの上面上に形成された金属膜１３６ｅと、この金属膜１３６ｅの上面上に形成された第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂとを含む。
【０１５０】
このように、ソース電極１３５、ドレイン電極１３６およびドレインパッド部１１８等は、アルミニウム合金材料膜と、拡散防止膜として機能する金属膜との間に配置され、Ａｌから形成された金属膜を含む。
【０１５１】
このように、Ａｌから形成された金属膜を含むことで、電気的抵抗を低減することができると共に、製造コストの低廉化を図ることができる。
【０１５２】
図２５から図３２を用いて、本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置３００の製造方法について説明する。
【０１５３】
図２５は、本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置３００の製造工程の第１製造工程を示す断面図であり、図２６は、ソースパッド１１４が形成される領域における断面図である。
【０１５４】
この図２５および図２６に示すように、上記実施の形態１において述べたように、第１アルミニウム金属材料膜を形成し、ウエットエッチングでパターニングすることで、ゲート電極１３２、ゲートライン１１１、ゲートパッド１１２およびソースパッド１１４を形成する。
【０１５５】
図２７は、上記図２５、図２６に示す製造工程後の製造工程を示す断面図であり、図２８は、ソースパッド１１４が形成される領域における断面図である。
【０１５６】
この図２７および図２８に示すように、半導体層１３４をゲート電極１３２上、ゲートパッド１１２上およびソースパッド１１４上に形成する。
【０１５７】
図２９は、上記図２７および図２８に示す製造工程後の製造工程を示す断面図であり、図３０は、図２９に示す製造工程時において、ソースパッド１１４が形成された領域における断面図である。
【０１５８】
この図２９および図３０に示すように、モリブデン（Ｍｏ）から形成された金属膜とアルミニウム（Ａｌ）から形成された金属膜と、上記第２アルミニウム合金材料膜を順次形成する。そして、積層されたこれら金属膜を、ウエットエッチングでパターニングして、ソース電極１３５、ドレイン電極１３６、ドレインパッド部１１８を形成する。
【０１５９】
図３１は、図２９および図３０に示す製造工程の後の製造工程を示す断面図であり、図３２は、図３１に示す製造工程時において、ソースパッド１１４が形成された領域における断面図である。
【０１６０】
この図３１および図３２に示すように平坦化膜１３８およびパッシベーション膜１３７を形成する。
【０１６１】
その後、平坦化膜１３８上にＩＴＯ膜を形成し、このＩＴＯ膜をパターニングすることで、画素電極１１６等を形成する。
【０１６２】
（実施の形態３）
図３３から図４４を用いて、本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置３００について説明する。なお、図３３から図４４に示す構成のうち、上記図１から図３２に示された構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１６３】
図３３は、本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の断面図であり、図３４はソースパッド１１４の断面図である。
【０１６４】
これら、図３３および図３４に示すように、画素電極１１６は、パッシベーション膜１３７の上面に形成されている。さらに、ゲートパッド１１２の周縁部には、ゲート絶縁膜１３３が形成され、このゲート絶縁膜１３３上には、パッシベーション膜１３７が形成されている。そして、ゲート絶縁膜１３３およびパッシベーション膜１３７には、コンタクトホール１７０が形成され、ゲートパッド１１２の上面の一部が露出している。
【０１６５】
さらに、ＩＴＯ膜（透明導電膜）１４１は、パッシベーション膜１３７の上面からコンタクトホール１７０の内周面を通って、ゲートパッド１１２の上面に達するように形成されている。
【０１６６】
図３４において、ソースパッド１１４の周縁部には、ゲート絶縁膜１３３が形成され、このゲート絶縁膜１３３の上面上にパッシベーション膜１３７が形成されている。さらに、ゲート絶縁膜１３３およびパッシベーション膜１３７には、ゲート絶縁膜１３３およびパッシベーション膜１３７を貫通し、ソースパッド１１４の上面に達するコンタクトホールじ１７６が形成されている。さらに、ＩＴＯ膜１４２は、パッシベーション膜１３７の上面からコンタクトホール１７６の内周面を通って、ソースパッド１１４の上面に達するように形成されている。
【０１６７】
このように、本実施の形態３に係る液晶表示装置３００においては、平坦化膜１３８が形成されておらず、画素電極１１６、ＩＴＯ膜１４１，１４２がパッシベーション膜１３７上に形成されている。
【０１６８】
なお、本実施の形態３に係る液晶表示装置３００においても、ゲートライン１１１、ゲートパッド１１２およびソースパッド１１４は、上記実施の形態１、２と同様に、第１アルミニウム合金材料膜により形成されている。さらに、第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂ，１３５ｂも、上記実施の形態１，２と同様のアルミニウム合金材料から形成されている。
【０１６９】
このように構成された液晶表示装置３００の製造方法について、図３５から図４４を用いて、説明する。
【０１７０】
図３５は、本実施の形態３に係る液晶表示装置３００の製造工程のうち、第１製造工程を示す断面図であり、図３６は、上記図３５に示す製造工程において、ソースパッドが形成される領域の断面図である。
【０１７１】
この図３５および図３６に示すように、透明基板１２３の主表面上に、アルミニウム合金材料膜を形成し、形成されたアルミニウム合金材料膜をウエットエッチングによりパターニングする。これにより、透明基板１２３の主表面上に、ゲートライン１１１、ゲートパッド１１２、ソースパッド１１４およびゲート電極１３２が形成される。
【０１７２】
その後、図３７および図３８に示すように、ゲートライン１１１、ゲートパッド１１２、ソースパッド１１４およびゲート電極１３２を覆うように、透明基板１２３の主表面上に、ゲート絶縁膜１３３を形成する。その後、アモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａと、アモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂとを積層し、アモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａと、アモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂにパターニングを施す。
【０１７３】
これにより、ゲートパッド１１２およびソースパッド１１４の上方に位置するアモルファスシリコン膜（ｉ層）１３４ａおよびアモルファスシリコン膜（ｎ＋層）１３４ｂが除去される。
【０１７４】
次に、図３９および図４０に示すように、モリブデン（Ｍｏ）から形成された金属膜とアルミニウム（Ａｌ）から形成された金属膜と、上記第２アルミニウム合金材料膜を順次形成する。そして、積層されたこれら金属膜を、ウエットエッチングでパターニングする。これにより、ゲートパッド１１２およびソースパッド１１４の上方に位置する各金属膜は、除去される。
【０１７５】
そして、ドレインパッド１１８、ドレイン電極１３６、およびソース電極１３５が形成される。
【０１７６】
次に、図４１および図４２に示すように、パッシベーション膜１３７を形成する。このパッシベーション膜１３７上に、レジスト膜１５７を形成する。レジスト膜１５７をパターニングして、穴部１５７ａ，１５７ｂ，１５７ｃを形成する。穴部１５７ａは、ドレインパッド１１８の上方に位置し、穴部１５７ｂは、ゲートパッド１１２の上方に位置する。さらに、穴部１５７ｃは、ソースパッド１１４の上方に位置する。
【０１７７】
次に、図４３および図４４に示すように、各穴部が形成されたレジスト膜１５７をマスクとして、パッシベーション膜１３７およびゲート絶縁膜１３３をパターニングする。
【０１７８】
これにより、ドレインパッド１１８の上面の一部が露出すると共に、ゲートパッド１１２の上面の一部が露出する。また、ソースパッド１１４の上面の一部が露出する。そして、レジスト膜１５７は除去される。
【０１７９】
そして、アルカリ性の溶液で、第２アルミニウム合金材料膜１３６ｂの上面、ゲートパッド１１２の上面およびソースパッド１１４の上面に表面処理を施す。
【０１８０】
その後、ＩＴＯ膜１３９を形成し、この形成されたＩＴＯ膜１３９をパターニングして、画素電極１１６、ＩＴＯ膜１４１およびＩＴＯ膜１４２を形成する。このようにして、本実施の形態３に係る液晶表示装置３００を製造することができる。
【０１８１】
なお、上記実施の形態１〜３においては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を含む薄膜トランジスタ１１５を備えた液晶表示装置３００について説明したが、これに限られない。たとえば、低温ポリシリコン（p-Si）を利用した、低温ポリシリコンＴＦＴを採用した液晶表示装置３００についても、本発明は適用することはできる。さらに、薄膜トランジスタ１１５にかえて、酸化物半導体を採用してもよい。
【実施例１】
【０１８２】
下記表１は、Ｃｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ、およびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種を含む合金成分のｗｔ％を変化させたアルミニウム合金材料膜とＩＴＯ膜とを積層させたとき（ＩＴＯ膜上にアルミニウム合金材料膜）の現像液耐性について評価した結果を示す表である。なお、下記表１において、「Ｂ」：腐食発生ありを意味し、「Ａ」：腐食発生なしを意味する。【０１８３】
さらに、下記表２においては、アルミニウム合金材料膜とＩＴＯ膜とを積層させたときのコンタクト抵抗を評価したときのグラフである。なお、下記表２において、「Ａ」とは、コンタクト抵抗が１００Ω以下であること示す。なお、純粋アルミニウムとＩＴＯ膜とのコンタクト抵抗は１００Ωである。【０１８４】
【表１】
2011021439.tif 000003
【０１８５】
【表２】
2011021439.tif 000004
【０１８６】
上記表１に示されるように、Ｃｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ、およびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種を含む合金成分が０．５ｗｔ％以上の場合には、現像液耐性を確保することができることが分かる。さらに、少なくとも、Ｃｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ、およびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種を含む合金成分が０．５ｗｔ％以上４．５ｗｔ％以下のアルミニウム合金材料膜を採用することで、現像液耐性を確保することができることが分かる。【０１８７】
さらに、上記表２に示されるように、Ｃｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ、およびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種を含む合金成分が０．２ｗｔ％以上のアルミニウム合金膜を採用することで、コンタクト抵抗を純粋アルミニウムを採用した場合よりも低く抑えることができることが分かる。【０１８８】
そして、少なくともＣｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ、およびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種を含む合金成分が０．５ｗｔ％以上４．５ｗｔ％以下とされたアルミニウム合金材料膜を採用することで、純粋アルミニウムを採用したときよりも、コンタクト抵抗を低く抑えることができる。【０１８９】
このように、上記表１および表２に示されるように、Ｃｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ、およびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種を含む合金成分が０．５ｗｔ％以上４．５ｗｔ％以下のアルミニウム合金材料膜を採用することで、現像液耐性およびコンタクト抵抗の低減を図ることができることが分かる。
【実施例２】
【０１９０】
下記表３は、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂの成分を示す表である。さらに、下記表４は、表３に示された第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂの下面に、金属膜１３５ａを形成した場合に、金属膜１３５ａ下に位置する半導体層１３４に、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂのＮｉが拡散しているかを判定した結果を示す。具体的には、金属膜１３５ａをチタン（Ｔｉ）で形成した場合と、金属膜１３５ａをモリブデン（Ｍｏ）で形成した場合とにおいて、半導体層１３４に第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂのＮｉが拡散しているか否かを判定した結果を示す表である。【０１９１】
【表３】
2011021439.tif 000005
【０１９２】
【表４】
2011021439.tif 000006
【０１９３】
上記表４において、「Ｂ」は第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ内の「Ｎｉ」が半導体層１３４内に拡散していることが確認することができたことを示す。また、上記表４において、「Ａ」は、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ内の「Ｎｉ」が半導体層１３４内に拡散していることが確認できなかったことを示す。【０１９４】
なお、「Ｎｉ」が半導体層１３４内に拡散しているか否かについては、ToF-SIMS（Time-of-flight  secondary  ion  mass  spectrometry）により解析した。【０１９５】
この結果、金属膜１３５ａをチタンで形成した場合には、「Ｎｉ」の拡散が確認できる一方で、金属膜１３５ａをモリブデンで形成した場合には、「Ｎｉ」の拡散を確認することができなかった。すなわち、モリブデンで金属膜１３５ａを形成することで、「Ｎｉ」の拡散を抑制することができ、薄膜トランジスタの性能を確保することができることが分かる。【０１９６】
さらに、上記表３および表４に示すように、チタン（Ｔｉ）の密度は、４．５４であり、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂの一部を構成する元素Ｎｉ、Ｃｕ、およびＬａの密度よりも小さくなっている。その一方で、モリブデン（Ｍｏ）は、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂを構成するいずれの元素よりも密度が大きい。【０１９７】
このように、発明者等は、鋭意努力の結果、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂを構成する元素よりも密度の高い元素を採用することで、第２アルミニウム合金材料膜１３５ｂ内の元素が、半導体層１３４に拡散されることを抑制することができることを見出した。
【実施例３】
【０１９８】
発明者等は、二次イオン質量分析法（SIMS;  Secondary  Ion  Mass  Spectrometry）を用いて、チタン（Ｔｉ）膜上に、アルミニウム合金材料膜を形成した場合と、Ｍｏ膜上に上記アルミニウム合金材料膜を形成した場合とを比較した。その結果、チタン（Ｔｉ）膜中に、アルミニウム合金材料膜中の含有量比４０％の割合でＮｉが拡散することが発明者らの鋭意努力の結果判明した。その一方で、モリブデン（Ｍｏ）膜上に、上記アルミニウム合金材料膜を形成した例においては、アルミニウム合金材料膜中の含有量比１．０％以下の割合のＮｉがモリブデン膜中に拡散することが分かった。【０１９９】
このように、モリブデンを採用した場合には、上記アルミニウム合金材料膜中のＮｉが殆ど拡散していないことが発明者等の鋭意努力の結果判明した。このように、アルミニウム合金材料膜と、半導体膜との間に、モリブデン（Ｍｏ）から形成された金属膜を配置することで、Ｎｉの拡散を抑制することができることが分かる。【０２００】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。さらに、上記数値などは、例示であり、上記数値および範囲に限られない。
【産業上の利用可能性】
【０２０１】
本発明は、液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に適用することができる。
【符号の説明】
【０２０２】
１０１  液晶表示パネル、１０３  表示領域、１０４  非表示領域、１０５  周辺領域、１０７  画素配列領域、１１１  ゲートライン、１１２  ゲートパッド、１１３  ソース配線、１１４  ソースパッド、１１５  薄膜トランジスタ、１１６  画素電極、１１７  ドレイン配線、１１８  ドレインパッド部、１１９ａ  析出物、１１９ｂ  母材、１２３  透明基板、１２５  コンタクト、１２５ａ  コンタクトホール、１２９ａ  析出物、１２９ｂ  母材、１３０  アクティブマトリックス基板、１３２  ゲート電極、１３３  ゲート絶縁膜、１３４  半導体層、１３５ｂ，１３６ｂ  アルミニウム合金材料膜、１３５  ソース電極、１３６  ドレイン電極、１３６ａ，１３５ａ  金属膜、１３７  パッシベーション膜、１３８  平坦化膜、１４０  層間絶縁膜、１４１  ＩＴＯ膜（透明導電膜）、１５０  ゲート端子部、１５１  ソース端子部、１５２  ゲートドライバ、１５３  ソースドライバ、１５４  プリント基板配線、１５５  表示制御回路、１５６  偏光板、１７０  コンタクトホール、１７５  コンタクトホール、１７６  コンタクトホール、１８３  開口部、１８４  操作用回路、１８５  支持用部材、１８６  バックライトユニット、２００  液晶表示素子、３００  液晶表示装置、５００  テレビジョン受信機。
【図１】
2011021439.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板（１２３）と、
前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子（１１５）と、
前記スイッチング素子に設けられた電極（１３２，１３５）と、
前記スイッチング素子に接続された引出配線（１１１，１１３）と、
前記引出配線に接続されたパッド部（１１２，１１４）と、
を備え、
前記電極と前記引出配線と前記パッド部との少なくとも１つは、アルミニウム合金材料膜を含み、
前記アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、アルミニウムおよび前記列挙された元素と異なる元素を含む他の成分とを含み、
前記合金成分の元素と前記他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされ、
前記スイッチング素子は、半導体層（１３４）をさらに含み、
前記スイッチング素子の前記電極は、前記半導体層上に形成されたソース電極（１３５）およびドレイン電極（１３６）を含み、
前記ドレイン電極および前記ソース電極は、前記アルミニウム合金材料膜（１３５ｂ，１３６ｂ）と、前記アルミニウム合金材料膜および前記半導体層の間に配置された金属膜（１３５ａ，１３６ａ）を含み、
前記金属膜は、前記合金成分の元素および前記他の成分の元素よりも、密度の大きい元素により形成された、液晶表示装置。
【請求項２】
前記アルミニウム合金材料膜は、前記合金成分を０．５ｗｔ％以上含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記アルミニウム合金材料膜に含まれる前記合金成分は、４．５ｗｔ％以下とされた、請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記アルミニウム合金材料膜は、導電性の析出物（１１９ａ，１２９ａ）を含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ドレイン電極に接続された画素電極（１１６）をさらに備え、
前記ドレイン電極は、前記アルミニウム合金材料膜（１３６ｂ）を含み、
前記画素電極は、前記ドレイン電極のアルミニウム合金材料膜に接続され、
前記アルミニウム合金材料膜の表面のうち、少なくとも、前記画素電極と接触する部分には、前記析出物が露出するように形成された、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ドレイン電極および前記ソース電極は、前記アルミニウム合金材料膜と前記金属膜との間に形成され、アルミニウムにより形成された中間膜（１３５ｅ，１３６ｅ）をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記金属膜は、モリブデンにより形成された、請求項１または請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記パッド部は、前記アルミニウム合金材料膜により形成された、請求項１から請求項７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記パッド部上に形成された透明導電膜（１４１，１４２）をさらに備え、
前記パッド部は、前記アルミニウム合金材料膜により形成され、
前記アルミニウム合金材料膜は、導電性の析出物を含み、
前記パッド部の表面のうち、前記透明導電膜と接触する部分には、導電性の析出物が露出するように形成された、請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記パッド部は、第１アルミニウム合金材料膜により形成され、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、第２アルミニウム合金材料膜を含み、
前記第１アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む第１合金成分と、アルミニウムおよび前記列挙された元素と異なる元素を含む第１の他の成分とを含み、前記第１合金成分の元素と前記第１の他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされ、
前記第２アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む第２合金成分と、アルミニウムおよび前記列挙された元素と異なる元素を含む第２の他の成分とを含み、前記第２合金成分の元素と前記第２の他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされ、
前記第１アルミニウム合金材料膜は、導電性の第１析出物（１２９ａ）を含み、
前記第２アルミニウム合金材料膜は、導電性の第２析出物（１１９ａ）を含み、
前記第１析出物の分布密度は、前記第２析出物の分布密度よりも高い、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記引出配線は、前記ソース電極に接続されるソースライン（１１３）と、前記ゲート電極に接続されたゲートラインとを含み、
前記パッド部は、前記ソースラインに接続されたソースパッド（１１４）と、前記ゲートラインに接続されたゲートパッド（１１２）とを含み、
前記ソースパッドと前記ゲートパッドとは、前記第１アルミニウム合金材料膜により形成された、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記スイッチング素子は、前記基板の主表面上に形成されたゲート電極（１３２）を含み、
前記半導体層（１３４）は、前記ゲート電極上に形成され、
前記ソース電極と前記ドレイン電極（１３６）とは、間隔をあけて形成され、
前記引出配線は、前記ゲート電極に接続されたゲートライン（１１１）と、前記ソース電極に接続されたソースライン（１１３）とを含み、
前記パッド部は、前記ゲートラインに接続されたゲートパッドと、前記ソースラインに接続されたソースパッドとを含み、
前記ゲート電極と、前記ゲートラインと、前記ゲートパッドとは、前記アルミニウム合金材料膜により形成された、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板（１２３）と、
前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子（１１５）と、
前記スイッチング素子に設けられた電極（１３２，１３５）と、
前記スイッチング素子に接続された引出配線（１１１，１１３）と、
前記引出配線に接続されたパッド部（１１２，１１４）と、
前記パッド部上に形成された透明導電膜（１４１，１４２）と、
を備え、
前記電極と前記引出配線と前記パッド部との少なくとも１つは、アルミニウム合金材料膜を含み、
前記アルミニウム合金材料膜と前記透明導電膜との電位差は、アルミニウム膜と前記透明導電膜との電位差よりも小さく、
前記スイッチング素子は、半導体層（１３４）をさらに含み、
前記スイッチング素子の前記電極は、前記半導体層上に形成されたソース電極（１３５）およびドレイン電極（１３６）を含み、
前記ドレイン電極および前記ソース電極は、前記アルミニウム合金材料膜（１３５ｂ，１３６ｂ）と、前記アルミニウム合金材料膜および前記半導体層の間に配置された金属膜（１３５ａ，１３６ａ）を含み、
前記金属膜は、前記合金成分の元素および前記他の成分の元素よりも、密度の大きい元素により形成された、液晶表示装置。
【請求項１４】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、
前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に設けられた電極と、
前記スイッチング素子に接続された引出配線と、
前記引出配線に接続されたパッド部と、
を備え、
前記電極と前記引出配線と前記パッド部との少なくとも１つは、アルミニウム合金材料膜を含み、
前記アルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、ホウ素（Ｂ）、ネオジム(Ｎｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、およびジルコニウム（Ｚｒ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む他の成分とを有し、
前記スイッチング素子は、半導体層（１３４）をさらに含み、
前記スイッチング素子の前記電極は、前記半導体層上に形成されたソース電極（１３５）およびドレイン電極（１３６）を含み、
前記ドレイン電極および前記ソース電極は、前記アルミニウム合金材料膜（１３５ｂ，１３６ｂ）と、前記アルミニウム合金材料膜および前記半導体層の間に配置された金属膜（１３５ａ，１３６ａ）を含み、
前記金属膜は、前記合金成分の元素および前記他の成分の元素よりも、密度の大きい元素により形成された、液晶表示装置。
【請求項１５】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に設けられた電極と、前記スイッチング素子に接続された引出配線と、前記引出配線に接続されたパッド部とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
主表面を有する基板を準備する工程と、
母材としてのアルミニウムと、コバルト，ロジウム，ニッケル，パラジウム，炭素，ケイ素，ゲルマニウム、およびスズよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、アルミニウムおよび前記列挙された元素と異なる元素を含む他の成分とを含み、前記合金成分の元素と前記他の成分の元素との合計の元素が３種類以上とされたアルミニウム合金材料膜を形成する工程と、
前記アルミニウム合金材料膜をパターニングして、前記電極と前記引出配線と前記パッド部との少なくとも１つを形成する工程と、
を備え、
前記基板の主表面上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上であって、前記ゲート電極の上方に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に形成され、前記合金成分の元素および前記他の成分の元素よりも、密度の大きい元素により形成された金属膜を形成する工程とをさらに備え、
前記電極を形成する工程は、前記金属膜上に前記アルミニウム合金材料膜を形成する工程と、前記アルミニウム合金材料膜をパターニングして、前記電極としてのソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを含む、液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記アルミニウム合金材料膜は、前記合金成分を０．５ｗｔ％以上含む、請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記アルミニウム合金材料膜に含まれる前記合金成分は、４．５ｗｔ％以下とされた、請求項１５または請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記電極は、前記アルミニウム合金材料膜をウエットエッチングでパターニングすることで形成される、請求項１５から請求項１７のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記アルミニウム合金材料膜を加熱することで、前記アルミニウム合金材料膜内に析出物を形成する工程と、
前記析出物を前記アルミニウム合金材料膜の表面に露出させる工程と、
前記アルミニウム合金材料膜の表面のうち、前記析出物が露出した部分に透明導電膜を形成する工程とをさらに備えた、請求項１５から請求項１８のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記電極を形成する工程は、前記アルミニウム合金材料膜を前記基板の主表面上に形成する工程と、前記アルミニウム合金材料膜をパターニングして、ゲート電極を形成する工程とを含み、
前記電極は、ゲート電極とされた、請求項１５から請求項１９のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程をさらに備え、
前記ゲート絶縁膜を形成する熱によって、前記アルミニウム合金材料膜内に導電性の析出物を形成する、請求項２０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記金属膜は、モリブデンにより形成された、請求項２１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように絶縁膜を形成する工程をさらに備え、
前記絶縁膜を形成する熱によって、前記ソース電極およびドレイン電極内に析出物を形成する、請求項２１または請求項２２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域を含む基板と、前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に設けられた電極と、前記スイッチング素子に接続された引出配線と、前記引出配線に接続されたパッド部とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
主表面を有する基板を準備する工程と、
母材としてのアルミニウムと、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、ホウ素（Ｂ）、ネオジム(Ｎｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、およびジルコニウム（Ｚｒ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む他の成分とを有する、アルミニウム合金材料膜を形成する工程と、
前記アルミニウム合金材料膜をパターニングして、前記電極と前記引出配線と前記パッド部との少なくとも１つを形成する工程と、
を備え、
前記基板の主表面上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上であって、前記ゲート電極の上方に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に形成され、前記合金成分の元素および前記他の成分の元素よりも、密度の大きい元素により形成された金属膜を形成する工程とをさらに備え、
前記電極を形成する工程は、前記金属膜上に前記アルミニウム合金材料膜を形成する工程と、前記アルミニウム合金材料膜をパターニングして、前記電極としてのソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを含む、液晶表示装置の製造方法。
【国際調査報告】
2011021439.tif 000051
2011021439.tif 000052
2011021439.tif 000053
2011021439.tif 000054
2011021439.tif 000055
2011021439.tif 000056
2011021439.tif 000057
2011021439.tif 000058