(57)【要約】  発光層に含まれる発光材料及び電荷輸送材料と、正孔輸送層の電子親和力及びイオン化ポテンシャルが、特定の関係式を満たし、正孔輸送層が特定の部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
2011071169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、正孔輸送層、発光層及び陰極をこの順に含む有機電界発光素子において、
該正孔輸送層と該発光層は隣接して設けられ、
該発光層は、発光材料と電荷輸送材料を含有する層であり、
該正孔輸送層は、以下の一般式（５）に示す部分構造を有する正孔輸送性化合物を含有し、
下記式（１）〜（４）を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子。
ＥＡＨＴＬ＜ＥＡＤｏｐａｎｔ≦ＥＡＨｏｓｔ              （１）
０≦（ＥＡＨｏｓｔ−ＥＡＤｏｐａｎｔ）≦０．７ｅＶ    （２）
ＩＰＤｏｐａｎｔ＜ＩＰＨＴＬ≦ＩＰＨｏｓｔ              （３）
０≦（ＩＰＨｏｓｔ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）≦０．７ｅＶ    （４）
［上記式中、ＥＡＨＴＬは、前記正孔輸送性化合物の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＥＡＤｏｐａｎｔは、発光材料の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＥＡＨｏｓｔは、電荷輸送材料の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＩＰＨＴＬは、前記正孔輸送性化合物のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表し、
ＩＰＤｏｐａｎｔは、発光材料のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表し、
ＩＰＨｏｓｔは、電荷輸送材料のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表す。］
【化１】
2011071169.tif 000053
（式中、ｍは０〜３の整数を表し、ｐ及びｑは、０又は１の整数を表し、
Ａｒ１１及びＡｒ１２は、各々独立して、直接結合又は置換基を有していてもよい芳香族基を表す。但し、Ａｒ１１及びＡｒ１２のいずれもが直接結合であることはない。
Ａｒ１３〜Ａｒ１５は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、ｍが２又は３の場合における２つ又は３つのＡｒ１４及びＡｒ１５は、各々同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、酸素原子、置換基を有していてもよい硫黄原子、又は置換基を有していてもよい燐原子を表す。
Ｚは、２価の連結基を表す。
なお、Ａｒ１１〜Ａｒ１３、Ａｒ１５、Ｘ及びＺが有する置換基の炭素数は各々６０以下であり、Ａｒ１４が有する置換基の炭素数は６以下である。）
【請求項２】
前記一般式（５）において、ｍが１〜３の整数を表すことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記陽極と、前記正孔輸送層との間に、更に正孔注入層を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記発光材料が蛍光発光材料および燐光発光材料の少なくとも一方であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、正孔輸送層と発光層とを有する有機電界発光素子に関する。さらに、本発明は、上記有機電界発光素子を含む有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイや照明などの発光装置を製造するための技術として、有機電界発光（有機ＥＬ）素子の開発が盛んに行われている。有機電界発光素子は、一般的に、簡単な素子構成で様々な色に発光させることができる為、表示素子および照明装置として注目されている。【０００３】
有機電界発光素子は、電極間にある有機層に、電極から正負の電荷（キャリア）を注入し、有機層でこのキャリアを再結合させることにより発光させる。有機電界発光素子の実用化には、発光効率の向上や駆動寿命の長寿命化が必要と言われている。【０００４】
そこで、発光効率や駆動寿命の問題を解決するために、例えば、特許文献１〜４では、発光層中に含まれる電荷輸送材料と、発光層の陽極側に隣接する正孔輸送層を構成する材料のイオン化ポテンシャルの関係、または発光層中に含まれる電荷輸送性材料と発光材料のイオン化ポテンシャルの関係を規定することについて記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本国特開２００７−３１１７５９号公報
【特許文献２】米国特許第２００９／０２００９２５号明細書
【特許文献３】日本国特開２００６−３５２０８８号公報
【特許文献４】日本国特開２００６−１２８６３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記特許文献１〜４では、必ずしも駆動寿命の長い素子が得られていなかった。【０００７】
そこで、本発明は、発光層と、該発光層の陽極側に隣接する正孔輸送層を有する有機電界発光素子において、発光効率が高く、駆動寿命の長い有機電界発光素子を提供する事を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、以上の状況を鑑みて、発光層に含まれる電荷輸送材料と発光材料及び発光層に隣接する正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物について、その電子親和力とイオン化ポテンシャルの関係に注目して鋭意検討を行った。【０００９】
その結果、発光材料が発光層の陰極側の層から受け取った電子を、更に正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物に受け渡すのを防ぐこと、及び、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物がその陽極側の層から受け取った正孔を、更に発光層中の発光材料に受け渡すのを防ぐことにより、発光効率が高く、駆動寿命が長い有機電界発光素子が得られることを見出した。【００１０】
そして、更なる鋭意検討を行った結果、発光層に含まれる発光材料と電荷輸送材料、及び正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物について、その電子親和力及びイオン化ポテンシャルを特定の関係とし、更に、正孔輸送層に特定構造の正孔輸送性化合物を含有させることにより、上記課題を解決することを見出して、本発明に到達した。【００１１】
即ち、本発明の要旨は、以下である。
１．陽極、正孔輸送層、発光層、及び陰極をこの順に含む有機電界発光素子において、
該正孔輸送層と該発光層は隣接して設けられ、
該発光層は、発光材料と電荷輸送材料を含有する層であり、
該正孔輸送層は、以下の一般式（５）に示す部分構造を有する正孔輸送性化合物を含有し、
下記式（１）〜（４）を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子。
ＥＡＨＴＬ＜ＥＡＤｏｐａｎｔ≦ＥＡＨｏｓｔ              （１）
０≦（ＥＡＨｏｓｔ−ＥＡＤｏｐａｎｔ）≦０．７ｅＶ    （２）
ＩＰＤｏｐａｎｔ＜ＩＰＨＴＬ≦ＩＰＨｏｓｔ              （３）
０≦（ＩＰＨｏｓｔ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）≦０．７ｅＶ    （４）
［上記式中、ＥＡＨＴＬは、前記正孔輸送性化合物の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＥＡＤｏｐａｎｔは、発光材料の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＥＡＨｏｓｔは、電荷輸送材料の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＩＰＨＴＬは、前記正孔輸送性化合物のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表し、
ＩＰＤｏｐａｎｔは、発光材料のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表し、
ＩＰＨｏｓｔは、電荷輸送材料のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表す。］【００１２】
【化１】
2011071169.tif 000003
【００１３】
（式中、ｍは０〜３の整数を表し、ｐ及びｑは、０又は１の整数を表し、
Ａｒ１１及びＡｒ１２は、各々独立して、直接結合又は置換基を有していてもよい芳香族基を表す。但し、Ａｒ１１及びＡｒ１２のいずれもが直接結合であることはない。
Ａｒ１３〜Ａｒ１５は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、ｍが２又は３の場合における２つ又は３つのＡｒ１４及びＡｒ１５は、各々同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、酸素原子、置換基を有していてもよい硫黄原子、又は置換基を有していてもよい燐原子を表す。
Ｚは、２価の連結基を表す。
なお、Ａｒ１１〜Ａｒ１３、Ａｒ１５、Ｘ及びＺが有する置換基の炭素数は各々６０以下であり、Ａｒ１４が有する置換基の炭素数は６以下である。）【００１４】
２．前記一般式（５）において、前記ｍが１〜３の整数を表すことを特徴とする、前項１に記載の有機電界発光素子。
３．前記陽極と、前記正孔輸送層との間に、更に正孔注入層を有する含むことを特徴とする、前項１又は２に記載の有機電界発光素子。
４．前記発光材料が蛍光発光材料および燐光発光材料の少なくとも一方であることを特徴とする、前項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
５．前項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
６．前項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の有機電界発光素子は、発光効率が高く、また駆動寿命が長い。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の有機電界発光素子の断面構造の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。但し、以下の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。 
【００１８】
＜基本構成＞
本発明の有機電界発光素子は、陽極、正孔輸送層、発光層及び陰極をこの順に含む。本発明の有機電界発光素子において、該正孔輸送層と該発光層は隣接している。ここで、該発光層は、発光材料と電荷輸送材料を含有する。また、本発明の有機電界発光素子は、下記式（１）〜（４）を満たす。
【００１９】
ＥＡＨＴＬ＜ＥＡＤｏｐａｎｔ≦ＥＡＨｏｓｔ              （１）
０≦（ＥＡＨｏｓｔ−ＥＡＤｏｐａｎｔ）≦０．７ｅＶ    （２）
ＩＰＤｏｐａｎｔ＜ＩＰＨＴＬ≦ＩＰＨｏｓｔ              （３）
０≦（ＩＰＨｏｓｔ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）≦０．７ｅＶ    （４）
【００２０】
上記式中、ＥＡＨＴＬは、前記正孔輸送性化合物の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＥＡＤｏｐａｎｔは、発光材料の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＥＡＨｏｓｔは、電荷輸送材料の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＩＰＨＴＬは、前記正孔輸送性化合物のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表し、
ＩＰＤｏｐａｎｔは、発光材料のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表し、
ＩＰＨｏｓｔは、電荷輸送材料のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表す。
【００２１】
［正孔輸送層］
本発明における正孔輸送層は、陽極と発光層との間にある層であり、陽極側から発光層側に正孔を輸送する機能を奏する層である。
【００２２】
陽極と発光層との間に、陽極側から発光層側に正孔を輸送する機能を奏する有機層が２層以上ある場合は、最も発光層側の１層を正孔輸送層とし、それ以外の層を正孔注入層とする。
【００２３】
（正孔輸送性化合物）
本発明における正孔輸送層は、下記式（５）で表される部分構造を含む正孔輸送性化合物を含有する。
【００２４】
【化２】
2011071169.tif 000004
【００２５】
（式中、ｍは０〜３の整数を表し、ｐ及びｑは、０又は１の整数を表す。
Ａｒ１１及びＡｒ１２は、各々独立して、直接結合又は置換基を有していてもよい芳香族基を表す。但し、Ａｒ１１及びＡｒ１２のいずれもが直接結合であることはない。
Ａｒ１３〜Ａｒ１５は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、ｍが２又は３の場合における２つ又は３つのＡｒ１５は、同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、酸素原子、置換基を有していてもよい硫黄原子、又は置換基を有していてもよい燐原子を表す。
Ｚは、２価の連結基を表す。
なお、Ａｒ１１〜Ａｒ１３、Ａｒ１５、Ｘ及びＺが有する置換基の炭素数は各々６０以下であり、Ａｒ１４が有する置換基の炭素数は６以下である。）
【００２６】
本発明における正孔輸送層が式（５）で表される部分構造を含む有機化合物を含有すると、発光材料が発光層の陰極側の層から受け取った電子を更に正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物に受け渡すのを防ぎ、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物がその陽極側の層から受け取った正孔を更に発光層中の発光材料に受け渡すのを防ぐことにより、発光効率が高く、駆動寿命が長い有機電界発光素子を得やすい。また、前記式（１）〜（４）の関係式を満たしやすい。
【００２７】
［Ａｒ１１〜Ａｒ１５］
式（５）中、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、各々独立して、直接結合又は置換基を有していてもよい芳香族基を表す。但し、Ａｒ１１及びＡｒ１２のいずれもが直接結合であることはない。また、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、両方が置換基を有していてもよい芳香族基であることが好ましい。Ａｒ１３〜Ａｒ１５は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
【００２８】
置換基を有していてもよい芳香族基は、芳香族性を有している環由来の基であれば、芳香族炭化水素環由来の基でも、芳香族複素環由来の基でもよい。また、置換基を有していてもよい芳香族基は、芳香族性を有している単環由来の基でも、芳香族性を有している縮合環由来の基でも、芳香族性を有している環が複数連結した環由来の基でもよい。
【００２９】
中でも、芳香族性を有する環の数が１（単環）以上であることが好ましく、２（２縮合環  又は２つの単環連結環）以上であることが更に好ましい。また、一方、５（５縮合環、２縮合環と３縮合環の連結環、５つの単環の連結環など）以下であることが好ましく、４（４縮合環、２つの２縮合環の連結環、４つの単環の連結環など）以下であることが更に好ましく、３（３縮合環、単環と２縮合環の連結環、３つの単の連結環）以下であることが更に好ましい。
【００３０】
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環およびフルオレン環などの６員環の単環又は２〜５縮合環由来の基、並びにビフェニレン基、ターフェニレン基およびクワターフェニレン基などの単環又は縮合環を２〜５個連結した基などが挙げられる。なお、分岐を含む芳香族基については、分岐部分（側鎖部分）の芳香族基は置換基とする。
【００３１】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環およびアズレン環などの５又は６員環の単環、並びにこれらの２〜４縮合環由来の基などが挙げられる。なお、分岐を含む芳香族複素環基については、分岐部分（側鎖部分）の芳香族複素環基は置換基とする。
【００３２】
これらのうち、有機溶剤に対する溶解性及び耐熱性の点から、Ａｒ１１〜Ａｒ１５は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、トリフェニル環、フェニルナフタレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環及びフルオレン環などの、単環又は２〜４縮合環由来の基が好ましい。
【００３３】
また、Ａｒ１１〜Ａｒ１５は、特に、酸化還元耐性及び正孔輸送性の点から、芳香族炭化水素環基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環、ビフェニル環、トリフェニル環及びフェニルナフタレン環が最も好ましい。
【００３４】
Ａｒ１１〜Ａｒ１３及びＡｒ１５における芳香族基が有していてもよい置換基は、炭素数は各々６０以下であれば特に制限はない。また、Ａｒ１４における芳香族基が有していてもよい置換基としては、炭素数が６以下であれば、特に制限はない。Ａｒ１１〜Ａｒ１５は、各々、直接又は連結基を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよい。Ａｒ１１〜Ａｒ１５における芳香族基が有していてもよい置換基としては、例えば、下記［置換基群Ｄ］から選ばれる任意の置換基が挙げられる。
【００３５】
［置換基群Ｄ］ 
［置換基群Ｄ］としては、メチル基およびエチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；エチニル基等のアルキニル基；メトキシ基およびエトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ナフトキシ基およびピリジルオキシ基等のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基およびエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；ジメチルアミノ基およびジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基およびＮ−カルバゾリル基等のジアリールアミノ基；フェニルメチルアミノ基等のアリールアルキルアミノ基；アセチル基およびベンゾイル基等の好ましくは炭素数２〜２４、より好ましくは炭素数２〜１２のアシル基；フッ素原子および塩素原子等のハロゲン原子；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチルチオ基およびエチルチオ基等のアルキルチオ基；フェニルチオ基、ナフチルチオ基およびピリジルチオ基等のアリールチオ基；トリメチルシリル基およびトリフェニルシリル基等のシリル基；トリメチルシロキシ基およびトリフェニルシロキシ基等のシロキシ基；シアノ基；フェニル基およびナフチル基等の芳香族炭化水素環基並びにチエニル基およびピリジル基等の芳香族複素環基等が挙げられる。
【００３６】
なお、前記芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基が分岐している場合の分岐部分にある芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基をいう。
【００３７】
［置換基群Ｄ］の炭素数は、酸化劣化が起こり難い点では少ない方が好ましい。［置換基群Ｄ］の炭素数は、具体的には、２以上が好ましく、４以上が更に好ましく、５以上が特に好ましく、また、一方、３６以下が好ましく、２４以下が更に好ましく、１２以下が特に好ましく、６以下が最も好ましい。
【００３８】
［置換基群Ｄ］としては、好ましい置換基は、具体的には、炭素数１〜２４のアルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基；炭素数２〜２４のアルケニル基、アルキニル基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基及びアシル基；炭素数４〜３６のアリールオキシ基及びアリールチオ基；炭素数１０〜３６のジアリールアミノ基；炭素数６〜３６のアリールアルキルアミノ基及び芳香族炭化水素基；炭素数１〜１２のハロアルキル基；炭素数２〜３６のシリル基及びシロキシ基並びに炭素数３〜３６の芳香族複素環基などが挙げられる。
【００３９】
また、更に好ましい置換基は、具体的には、炭素数１〜１２のアルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基；炭素数２〜１２のアルケニル基、アルキニル基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基及びアシル基；炭素数５〜２４のアリールオキシ基；１２〜２４のジアリールアミノ基；炭素数７〜２４のアリールアルキルアミノ基；炭素数１〜６のハロアルキル基；炭素数５〜２４のアリールチオ基；炭素数３〜２４のシリル基；炭素数３〜２４のシロキシ基；炭素数６〜２４の芳香族炭化水素基並びに炭素数４〜２４の芳香族複素環基等が挙げられる。
【００４０】
これらのうち、有機溶剤に対する溶解性の点から、Ａｒ１１〜Ａｒ１５における芳香族基が有していてもよい置換基としては、アルキル基及びアルコキシ基が特に好ましい。
【００４１】
Ａｒ１１〜Ａｒ１５における芳香族基に結合している置換基は、１つでも２つ以上でもよい。複数の置換基が結合している場合、１種類のみでも２種類以上の置換基が任意の位置に結合していてもよい。また、これらの置換基は、更に置換基を有していてもよい。
【００４２】
Ａｒ１１〜Ａｒ１５における芳香族基が有してもよい置換基の分子量は、小さい方が好ましい。具体的には、Ａｒ１１〜Ａｒ１５における芳香族基が有してもよい置換基の分子量は、さらに置換した基がある場合はこれも含めて、５００以下であることが好ましく、２５０以下であることがさらに好ましい。
【００４３】
［ｍ］
前記式（５）において、ｍは、０〜３の整数を表す。ｍは、１〜３の整数であることが特に好ましい。しかしながら、一方で、原料の合成が容易である点では、ｍは小さい方が好ましく、具体的には、２以下であることが好ましい。
【００４４】
なお、ｍが２以上である場合、前記式（５）で表される部分構造を含む有機化合物は、２個以上のＡｒ１４及びＡｒ１５を有することが好ましい。その場合、複数のＡｒ１４同士及びＡｒ１５同士は、各々、同じでもよいし、異なっていてもよい。また、Ａｒ１４同士及びＡｒ１５同士は、各々直接又は連結基を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよい。
【００４５】
［Ｘ］
前記式（５）において、Ｘは、酸素原子、置換基を有していてもよい硫黄原子、又は置換基を有していてもよい燐原子を表す。
【００４６】
Ｘにおける硫黄原子または燐原子が有していてもよい置換基としては、特に制限はないが、例えば、前記［置換基群Ｄ］が好ましい。また、Ｘが有する置換基の数及び分子量についても、前記のＡｒ１１〜Ａｒ１３及びＡｒ１５における芳香族基が有してもよい置換基と同様のものが好ましい。
【００４７】
［ｐ］
前記式（５）において、ｐは、０又は１の整数を表す。
【００４８】
ｐが０である場合は、ｐが１である場合に比べ、前記式（５）で表される部分構造における共役系が短くなり、エネルギーギャップが広くなる。そこで、エネルギーギャップを広くしたい場合は、ｐは０であることが好ましい。また、一方、エネルギーギャップを狭くしたい場合は、ｐは１であることが好ましい。
【００４９】
［Ｚ］
前記式（５）において、Ｚは２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、酸素原子、−ＣＯ−、置換基を有していてもよい硫黄原子および置換基を有している燐原子等が挙げられる。置換基を有していてもよい硫黄原子としては、例えば、―ＳＯ―及び―ＳＯ２―等が挙げられる。置換基を有している燐原子としては、例えば、―Ｐ（＝Ｏ）Ａｒａ１１―等が挙げられる。
【００５０】
ここで、硫黄原子及び燐原子が有する置換基としては、特に制限はないが、例えば、前記［置換基群Ｄ］が好ましい。また、置換基の数及び分子量についても、前記のＡｒ１１〜Ａｒ１３及びＡｒ１５における芳香族基が有してもよい置換基と同様のものが好ましい。
【００５１】
尚、Ａｒａ１１は、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Ａｒａ１１としては、前記Ａｒ１１〜Ａｒ１３及びＡｒ１５と同様のものが好ましい。
【００５２】
また、Ｚにおける２価の連結基は、下記式（ＸＩ）で表される基も好ましい。
【００５３】
【化３】
2011071169.tif 000005
【００５４】
（Ａは、珪素原子、炭素数１〜２０のアルキレン基、アルケニレン基、アルキルアセチレン基又は置換基を有していてもよい炭素数４〜４０の芳香族複素環基を表す。
Ｒ２１及びＲ２２は、各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよい酸素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよい硫黄原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環を表す。
ｒは、１〜３の整数を表す。）
【００５５】
Ｚとしては、これらのうち、酸化還元に対する耐久性が向上する点で、下記連結基群から選ばれる２価の基であることが好ましい。
【００５６】
＜連結基群＞
【００５７】
【化４】
2011071169.tif 000006
【００５８】
（上記各式中、Ａｒａ６〜Ａｒａ２０は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表わす。
Ｒａ１及びＲａ２は、各々独立して、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環を表わす。） 
【００５９】
［ｑ］
前記式（５）において、ｑは、０又は１の整数を表す。ここで、Ｚは電荷輸送性に対する寄与が小さいので、ｑは０であることが好ましい。
【００６０】
ｑが０である場合は、ｑが１である場合に比べ、前記式（５）で表される部分構造における共役系が短くなり、エネルギーギャップが広くなる。そこで、エネルギーギャップを広くしたい場合は、ｑは０であることが好ましい。また、一方、エネルギーギャップを狭くしたい場合は、ｑは１であることが好ましい。
【００６１】
［不溶化基］
本発明に係る正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物は、その上に別の層を湿式成膜法で積層しやすいことから、不溶化基由来の基を含むことが好ましい。
【００６２】
本発明における不溶化基とは、熱及び／又は活性エネルギー線等の照射により、これを含む化合物の有機溶剤および水などの溶剤に対する溶解性が低くなる効果を有する基である。また、本発明における不溶化基由来の基とは、この不溶化基が熱及び／又は活性エネルギー線等の照射により変化した後の基をいう。
【００６３】
本発明に係る正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物は、特に、上記式（５）で表される部分構造と不溶化基由来の基を両方含んでいることが好ましい。本発明に係る正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物が有する不溶化基由来の基は、１つのみでも、２つ以上が任意の種類と比率で有していてもよい。
【００６４】
本発明においては、不溶化基は、解離性基又は架橋性基であることが好ましく、架橋性基であることが特に好ましい。
【００６５】
上記式（５）で表される部分構造を含む正孔輸送性化合物が不溶化基由来の基も有する場合、不溶化基由来の基の位置は、上記式（５）の何れの位置にあってもよい。即ち、不溶化基由来の基は、上記式（５）におけるＡｒ１１〜Ａｒ１３、Ａｒ１５、Ｘ又はＺの何れに含まれていてもよい。また、不溶化基由来の基が上記式（５）で表される部分構造以外の部分構造として含まれていてもよい。
【００６６】
不溶化基由来の基が上記式（５）で表される部分構造以外の部分構造として含まれている場合は、不溶化基由来の基は、直接結合又は２価の基を介して、上記式（５）で表される部分構造と結合していることが好ましい。この２価の基としては、−Ｏ−基、−Ｃ（＝Ｏ）−基又は置換基を有していてもよい−ＣＨ２−基が好ましい。これらの２価の連結基は、１つ有していても、２つ以上を任意の組合せで有していてもよい。これらの２価の連結基を複数個有している場合は、酸化還元耐性及び電荷輸送性に優れる点から３個以下であることが好ましい。また、２価の連結基を介さずに直接結合しているのが最も好ましい。
【００６７】
本発明に係る正孔輸送性化合物層は、不溶化基由来の基を有する上記式（５）で表される部分構造及び不溶化基由来の基を有さない上記式（５）で表される部分構造の両方を有していることが好ましい。
【００６８】
（解離性基）
本発明に係る正孔輸送層は、不溶化基由来の基として、解離性基由来の基を有する正孔輸送性化合物を含有することが不溶化後（解離反応後）の正孔輸送層の電荷輸送能に優れる点で好ましい。
【００６９】
ここで、解離性基とは、熱及び／又は活性エネルギー線等の照射により、これを含む化合物が解離反応を起こし、その溶剤に対する溶解性が低くなる効果を有する基である。また、本発明における解離性基由来の基とは、該解離性基が熱及び／又は活性エネルギー線等の照射により変化した後の基をいう。
【００７０】
本発明に係る解離性基を有する正孔輸送性化合物（解離反応前の正孔輸送性化合物）のトルエンに対する溶解度は、２５℃、１気圧で０．１重量％以上であることが好ましく、０．５重量％以上であることが更に好ましく、１重量％以上であることが特に好ましい。 
【００７１】
解離性基は、解離反応後の上記式（５）で表される部分構造を含む正孔輸送性化合物に極性基を形成せずに解離する基が好ましく、逆ディールスアルダー反応により熱解離する基が更に好ましい。また、１００℃以上で熱解離する基が特に好ましく、３００℃以下で熱解離する基が最も好ましい。
【００７２】
以下に解離性基の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７３】
解離性基が２価の基である場合の具体例としては、以下の＜２価の解離性基群Ｅ＞の通りのものが挙げられる。
【００７４】
＜２価の解離性基群Ｅ＞
【００７５】
【化５】
2011071169.tif 000007
【００７６】
また、解離性基が１価の基である場合の具体例としては、以下の＜１価の解離性基群Ｇ＞の通りのものが挙げられる。
【００７７】
＜１価の解離性基群Ｇ１＞
【００７８】
【化６】
2011071169.tif 000008
【００７９】
（架橋性基）
本発明に係る正孔輸送層は、不溶化基由来の基として、架橋性基由来の基を有する正孔輸送性化合物を含有することが不溶化後（架橋反応後）の正孔輸送層の電荷輸送能に優れる点で好ましい。
【００８０】
ここで、架橋性基とは、熱及び／又は活性エネルギー線等の照射により、他分子の同一又は異なる基と反応して、新規な化学結合を形成する基のことをいう。また、本発明における架橋性基由来の基とは、この架橋性基が熱及び／又は活性エネルギー線等の照射により変化した後の基をいう。
【００８１】
以下に架橋性基の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。架橋性基としては、不溶化しやすい点から、例えば、架橋性基群Ｇ２に示す基などが挙げられる。
【００８２】
［架橋性基群Ｇ２］
【００８３】
【化７】
2011071169.tif 000009
【００８４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Ａｒ３１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。） 
【００８５】
これらのうち、エポキシ基、オキセタン基などの環状エーテル基及びビニルエーテル基などのカチオン重合により不溶化反応する基が、反応性が高く不溶化が容易な点で好ましい。中でも、カチオン重合の速度を制御しやすい点では、オキセタン基が特に好ましい。また、カチオン重合の際に素子の劣化を引き起こす危険性のあるヒドロキシル基が生成しにくい点では、ビニルエーテル基が特に好ましい。
【００８６】
そして、正孔輸送層の電気化学的安定性が高い点では、シンナモイル基などのアリールビニルカルボニル基及びベンゾシクロブテン環由来の基などの環化付加反応性を有する基が特に好ましく、不溶化後の構造の安定性が高い点で、ベンゾシクロブテン環由来の基が最も好ましい。
【００８７】
架橋性基としては、具体的には、下記式（ＸＩＩ）で表されるベンゾシクロブテン環由来の基が好ましい。
【００８８】
【化８】
2011071169.tif 000010
【００８９】
［式（ＸＩＩ）のベンゾシクロブテン環は、置換基を有していてもよい。また、置換基同士が、互いに結合して環を形成してもよい。］
【００９０】
本発明における式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物の分子量は、合成及び精製が容易で不純物の高分子量化が起こり難い点では、小さい分子量であることが好ましい。また、一方、本発明における式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物の分子量は、ガラス転移温度、融点及び気化温度が高く、耐熱性及び成膜性に優れる点では、大きい分子量であることが好ましい。
【００９１】
具体的には、本発明における式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物の分子量は、通常３００以上であることが好ましく、５００以上であることがより好ましく、１０００以上であることが更に好ましい。
【００９２】
また、一方、本発明における式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物の重量平均分子量は、通常３，０００，０００以下であることが好ましく、１，０００，０００以下であることがより好ましく、５００，０００以下であることが更に好ましく、２００，０００以下であることが特に好ましい。
【００９３】
本発明における式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物の数平均分子量は、通常２，５００，０００以下であることが好ましく、７５０，０００以下であることがより好ましく、４００，０００以下であることが更に好ましい。
【００９４】
本発明に係る式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物は、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。なお、本発明において、高分子化合物とは、化学構造式中に２価の繰り返し単位を複数含むものをいう。また、本発明において、低分子化合物とは、高分子化合物以外の化合物をいう。
【００９５】
＜低分子化合物＞  
本発明における式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物が低分子化合物である場合、該化合物の分子量は、通常２００００以下であることが好ましく、１００００以下であることがより好ましく、５０００以下であることが更に好ましい。
【００９６】
［式（ＸＩＩＩ）］
本発明における式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物が低分子化合物である場合、低電圧の印加により電子を放出してラジカルカチオンを形成しやすいことから、該化合物は、式（ＸＩＩＩ）で表される部分構造を有することが好ましい。
【００９７】
【化９】
2011071169.tif 000011
【００９８】
［式（ＸＩＩＩ）中、Ａｒａ１及びＡｒａ２は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。但し、Ａｒａ２が末端にある場合には、連結部位の一方が水素で置換される。］
【００９９】
上記式（ＸＩＩＩ）中、Ａｒａ１及びＡｒａ２は、各々独立に、置換基を有してもよい芳香族基を表す。Ａｒａ１及びＡｒａ２は、同一であっても異なっていてもよい。Ａｒａ２が末端にある場合には、連結部位の一方が水素で置換される。
【０１００】
Ａｒａ１及びＡｒａ２における置換基を有していてもよい芳香族基の好ましい範囲等は、前記［Ａｒ１１〜Ａｒ１５］の項に記載のものと同様である。
【０１０１】
なお、上記式（５）で表される部分構造を含む正孔輸送性化合物が式（ＸＩＩＩ）で表される部分構造も有する場合、該化合物中における式（ＸＩＩＩ）で表される部分構造は、上記式（５）の何れの位置にあってもよい。
【０１０２】
具体的には、Ａｒａ１がＡｒ１３に相当する場合については、例えば、Ａｒａ２がＡｒ１１に相当する場合、ｐ＝０でＡｒａ２がＡｒ１４に相当する場合、ｐ＝ｍ＝０でＡｒａ２がＡｒ１２に相当する場合、Ａｒ１１が直接結合でＡｒａ２が上記式（５）で表される部分構造のＡｒ１１側末端に直結している芳香族基である場合、及びＡｒ１２が直接結合でｐ＝ｍ＝ｑ＝０でＡｒａ２が上記式（５）で表される部分構造のＺ側末端に直結している芳香族基である場合などが挙げられる。
【０１０３】
また、Ａｒａ１がＡｒ１５に相当する場合については、例えば、Ａｒａ２がＡｒ１４に相当する場合、Ａｒａ２がＡｒ１２に相当する場合、及びｑ＝０でＡｒａ２が上記式（５）で表される部分構造のＺ側末端に直結している芳香族基である場合などが挙げられる。この他、例えば、上記式（５）で表される部分構造を含む正孔輸送性化合物が、上記式（５）の部分構造とは別に、式（ＸＩＩＩ）で表される部分構造を有する場合も挙げられる。
【０１０４】
［式（ＸＩＶ）］
本発明における式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物が低分子化合物である場合、電圧の印加により形成されるラジカルカチオンが共鳴安定化して、酸化還元に対する耐久性や正孔輸送性が向上しやすいことから、該化合物は、下記式（ＸＩＶ）で表される部分構造を有することが好ましい。
【０１０５】
【化１０】
2011071169.tif 000012
【０１０６】
（式中、Ａｒ１１１〜Ａｒ１１３は、各々独立に置換基を有していてもよい芳香族基を表す。また、ｎ１〜ｎ３は、各々独立に、０〜５の整数を表す。但し、Ａｒ１１１〜Ａｒ１１３が末端にある場合には、連結部位の一方が水素で置換される。）
【０１０７】
（Ａｒ１１１〜Ａｒ１１３）
上記式（ＸＩＶ）中、Ａｒ１１１〜Ａｒ１１３は、各々独立に置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Ａｒ１１１〜Ａｒ１１３は、同一であっても異なっていてもよい。Ａｒ１１１〜Ａｒ１１３の何れかが末端にある場合には、連結部位の一方が水素で置換される。Ａｒ１１１〜Ａｒ１１３における置換基を有していてもよい芳香族基の好ましい範囲等は、前記［Ａｒ１１〜Ａｒ１５］の項に記載のものと同様である。
【０１０８】
（ｎ１〜ｎ３）
ｎ１〜ｎ３は、各々独立に、０〜５の整数を表す。ｎ１〜ｎ３は、１以上であることが好ましい。また、一方、ｎ１〜ｎ３は、３以下であることが好ましい。当該範囲内であると、立体障害が生じにくく、電気的安定性が高い点で好ましい。
【０１０９】
なお、上記式（５）で表される部分構造を含む正孔輸送性化合物が式（ＸＩＶ）で表される部分構造も有する場合、該化合物中における式（ＸＩＶ）で表される部分構造は、上記式（５）の何れの位置にあってもよい。
【０１１０】
具体的には、例えば、式（５）におけるｐ＝ｍ＝ｑ＝０である場合において、Ａｒ１１１〜Ａｒ１１３が各々Ａｒ１１〜Ａｒ１３に相当する場合、ｐ＝ｑ＝０である場合において、Ａｒ１１１〜Ａｒ１１３が各々Ａｒ１２とＡｒ１５とＡｒ１４に相当する場合、および上記式（５）の部分構造とは別に式（ＸＩＶ）で表される部分構造がある場合などが挙げられる。
【０１１１】
＜高分子化合物＞  
本発明において、高分子化合物とは、化学構造式中に２価の繰り返し単位を複数含むものをいう。すなわち、本発明における正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物は、前記式（５）で表される部分構造を含む高分子化合物であることが好ましく、前記式（５）で表される部分構造を繰り返し単位として含む高分子化合物であることが更に好ましい。
【０１１２】
高分子化合物の分子量分布は、単一（２価の繰り返し単位の個数が一定である化合物）であっても、幅があっても（２価の繰り返し単位の個数に幅のある化合物であっても）よい。
【０１１３】
本発明における式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物が高分子化合物である場合、該化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１，０００以上であることが好ましく、２，５００以上であることがより好ましく、５，０００以上であることが更に好ましく、２０，０００以上であることが特に好ましい。
【０１１４】
また、前記化合物の数平均分子量（Ｍｗ）は、通常５００以上であることが好ましく、１，５００以上であることがより好ましく、３，０００以上であることが更に好ましい。 
【０１１５】
そして、本発明に係る高分子化合物における分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、３．５以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましく、２．０以下であることが更に好ましい。尚、分散度は値が小さい程よいため、下限値は理想的には１である。前記高分子化合物の分散度が、上記範囲内であると、精製が容易で、有機溶剤に対する溶解性や電荷輸送能が良好とすることが可能である。
【０１１６】
通常、高分子化合物の重量平均分子量は、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）により決定される。ＳＥＣ測定では、高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなる。ＳＥＣ測定では、重量平均分子量が既知のポリスチレン（標準試料）の溶出時間から算出された校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を重量平均分子量に換算する。
【０１１７】
（架橋性基の割合）
本発明に係る正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物が上述の架橋性基由来の基を有する場合、該化合物中の１つのポリマー鎖中に含まれる架橋性基由来の基の数は、平均１以上であることが好ましく、平均２以上であることがより好ましい。また、一方、平均２００以下であることが好ましく、平均１００以下であることがより好ましい。
【０１１８】
また、本発明における高分子化合物が有する架橋性基由来の基の数を、分子量１０００あたりの数で表した場合、通常３．０以下であることが好ましく、２．０以下であることが好ましく、１．０以下であることがさらに好ましい。
【０１１９】
また、一方、本発明における高分子化合物が有する架橋性基由来の基の数を、分子量１０００あたりの数で表した場合、通常０．０１以上であることが好ましく、０．０５以上であることがより好ましい。
【０１２０】
上記範囲内であると、架橋反応後における未反応架橋性基の数が少なく、また、一方、架橋反応後の正孔輸送層の溶剤溶解性が小さく、湿式成膜法での多層積層構造の形成が容易である点で好ましい。  
【０１２１】
高分子化合物の分子量１０００あたりの架橋性基由来の基の数は、高分子化合物からその末端基を除いて、合成時の仕込みモノマーのモル比と、構造式から算出する。例えば、後述の実施例１で用いる正孔輸送層に含まれる以下の化学式の高分子化合物における分子量１０００あたりの架橋性基由来の基の数は、以下のように算出される。
【０１２２】
【化１１】
2011071169.tif 000013
【０１２３】
上記化学式の高分子化合物について、末端基を除いた繰り返し単位の分子量は、平均６２０．５６３８であり、また、架橋性基の数は、１繰り返し単位当たり平均０．１６２６個である。これを単純に比例計算すると、分子量１０００あたりの架橋性基由来の基の数は、０．２６２個と算出される。
【０１２４】
（解離性基の割合）
本発明に係る正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物が上述の解離性基由来の基を有する場合、正孔輸送層に含まれる１つのポリマー鎖中の解離性基由来の基は、多いことが好ましい。具体的には、平均５以上であることが好ましく、平均１０以上であることが更に好ましく、平均５０以上であることが特に好ましい。
【０１２５】
また、本発明における高分子化合物が有する解離性基由来の基の数を、分子量１０００あたりの数で表した場合、通常１０以下であることが好ましく、５以下であることがより好ましい。また、一方、本発明における高分子化合物が有する解離性基由来の基の数を、分子量１０００あたりの数で表した場合、通常０．０１以上であることが好ましく、０.１以上であることがより好ましく、０．２以上であることが更に好ましい。
【０１２６】
上記範囲内であると、解離反応前後で、適度な溶解度差が得られるため好ましい。  
【０１２７】
高分子化合物の分子量１０００あたりの解離性基由来の基の数は、前述の架橋性基の割合の算出方法と同様にして求められる。
【０１２８】
（具体例）
以下、本発明における式（５）で表される部分構造を有する正孔輸送性化合物及びその原料の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２９】
【化１２】
2011071169.tif 000014
【０１３０】
【化１３】
2011071169.tif 000015
【０１３１】
【化１４】
2011071169.tif 000016
【０１３２】
【化１５】
2011071169.tif 000017
【０１３３】
【化１６】
2011071169.tif 000018
【０１３４】
【化１７】
2011071169.tif 000019
【０１３５】
【化１８】
2011071169.tif 000020
【０１３６】
（その他の正孔輸送性化合物）
本発明における正孔輸送層には、上記式（５）で表される部分構造を含む正孔輸送性化合物以外の正孔輸送性化合物が含まれていてもよい。
【０１３７】
（その他の成分）
本発明における正孔輸送層は、前記正孔輸送性化合物以外のその他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、例えば、電子受容性化合物等が挙げられる。
【０１３８】
［成膜方法］
本発明における正孔輸送層の成膜方法は、本発明の効果を損なわない限り特に制限はない。本発明における正孔輸送層の成膜方法は、湿式成膜法でも、真空蒸着法でもよい。
【０１３９】
（湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合）
湿式成膜法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法及びフレキソ印刷法等の湿式法で正孔輸送層の原料組成物溶液（正孔輸送層形成用組成物）を塗布した後、この塗布膜を乾燥して膜形成を行う方法などが挙げられる。
【０１４０】
これらの成膜方法の中でも、本発明に係る正孔輸送層形成用組成物の液性との相性がいいことから、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法及びノズルプリンティング法が好ましい。
【０１４１】
湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合、通常、正孔輸送層を構成する材料（前記正孔輸送性化合物等）と溶剤を含む組成物（正孔輸送層形成用組成物）を湿式塗布した後、この塗布膜を乾燥して膜形成を行う。
【０１４２】
本発明における正孔輸送層形成用組成物に含有される溶剤としては、特に制限されるものではないが、本発明の正孔輸送性化合物等の溶解性が高い溶剤が好ましい。具体的には、トルエン、キシレン、メチシレン、テトラリン、ｎ−オクチルベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イソプロピルビフェニル、３−メチルビフェニル及び４−メチルビフェニル等の芳香族炭化水素系溶媒；１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼンおよびｏ−ジクロロベンゼン等の含ハロゲン有機溶剤；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル、１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソールおよび２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等のエーテル系有機溶剤；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチルおよび乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル並びに酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピルおよび安息香酸ｎ−ブチル等のエステル系有機溶剤等の有機溶剤が挙げられる。これらのうち、有機電界発光素子に溶媒が残留しても特性に影響し難い点では、芳香族炭化水素系溶媒が好ましい。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組合せ及び比率で併用してもよい。 
【０１４３】
正孔輸送層形成用組成物に含有される有機溶剤の含有量は、通常１０重量％以上であることが好ましく、５０重量％以上であることがより好ましく、８０重量％以上であることが更に好ましい。  
【０１４４】
（真空蒸着法で正孔輸送層を形成する場合）
真空蒸着法で正孔輸送層を形成する場合は、例えば、正孔輸送層の構成原料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置された坩堝に入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々を別の坩堝に入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、坩堝を加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々の坩堝を加熱して）、蒸発量を制御しながら蒸発させる（２種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御しながら蒸発させる）ことにより、坩堝と向き合って置かれた基板の陽極上に正孔輸送層を形成させることができる。なお、２種以上の材料を用いる場合に、それらの混合物を坩堝に入れ、加熱、蒸発させて正孔輸送層を形成することもできる。 
【０１４５】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上であることが好ましく、通常９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０−４Ｐａ）以下であることが好ましい。
【０１４６】
蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上であることが好ましく、通常１５．０Å／秒以下であることが好ましい。
【０１４７】
蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、１０℃以上であることが好ましく、５０℃以下であることが好ましい。
【０１４８】
［発光層］
発光層は、正孔輸送層と陰極との間にある層であり、陽極と陰極の間に電界を与えたときに、陽極から注入される正孔と、陰極から注入された電子が再結合することにより励起されて、発光が生じる層である。本発明における発光層は、発光材料と電荷輸送材料とを含有する。
【０１４９】
（発光材料）
発光材料は、通常、有機電界発光素子の発光材料として使用されているものを用いることができ、特に限定されない。
【０１５０】
発光材料は、蛍光発光材料であっても、燐光発光材料であってもよい。蛍光発光材料は、励起一重項状態のエネルギーギャップが同一発光波長の燐光発光材料よりも小さく、励起子寿命がナノ秒オーダーと非常に短いため、発光材料に対する負荷が小さく、これを用いた素子の駆動寿命が長くなりやすい。一方、燐光発光材料は、原理上、有機電界発光素子の発光効率が燐光発光材料に比べ、非常に高い。したがって、特に駆動寿命を重視する場合は蛍光発光材料を使用することが好ましい。
【０１５１】
また、一方、特に発光効率を重視する場合は、燐光発光材料を使用することが好ましい。また、例えば、青色の蛍光発光材料と、緑色及び赤色の燐光発光材料を用いるなど蛍光発光材料と燐光発光材料を組み合わせて用いてもよい。
【０１５２】
発光材料は、分子の対称性や剛性が低い材料やアルキル基などの親油性置換基が導入されている材料を用いることが、有機溶剤への溶解性が高い点で好ましい。
【０１５３】
以下、蛍光発光材料の代表例について説明するが、蛍光発光材料は、以下の代表例に限定されるものではない。
【０１５４】
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光色素）としては、例えば、ナフタレン、クリセン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびアリールアミン並びにそれらの誘導体等が挙げられる。中でも、アントラセン、クリセン、ピレンおよびアリールアミン並びにそれらの誘導体等が好ましい。
【０１５５】
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光色素）としては、例えば、キナクリドン、クマリンおよびＡｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体並びにそれらの誘導体等が挙げられる。
【０１５６】
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光色素）としては、例えば、ルブレンおよびペリミドン並びにそれらの誘導体等が挙げられる。
【０１５７】
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光色素）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチレン）−４Ｈ−ピラン）系化合物、ベンゾピラン、ローダミン、ベンゾチオキサンテンおよびアザベンゾチオキサンテン等のキサンテン並びにそれらの誘導体等が挙げられる。
【０１５８】
上記の蛍光発光材料としてのアリールアミン誘導体としては、より具体的には、下記式（ＩＩ）で表される化合物が、素子の発光効率及び駆動寿命等の点から特に好ましい。
【０１５９】
【化１９】
2011071169.tif 000021
【０１６０】
（式中、Ａｒ４１は、核炭素数１０〜４０の置換もしくは無置換の縮合芳香族基を示し、Ａｒ４２およびＡｒ４３は、それぞれ独立に炭素数６〜４０の置換もしくは無置換の１価の芳香族基を表す。ｐは１〜４の整数を表す。）
【０１６１】
Ａｒ４１として具体的には、例えば、ナフタレン、フェナントレン、フルオランテン、アントラセン、ピレン、ペリレン、コロネン、クリセン、ピセン、ジフェニルアントラセン、フルオレン、トリフェニレン、ルビセン、ベンゾアントラセン、フェニルアントラセン、ビスアントラセン、ジアントラセニルベンゼン及びジベンゾアントラセンの残基等が挙げられる。
【０１６２】
以下に、蛍光発光材料としてのアリールアミン誘導体の好ましい具体例を示す。以下において、「Ｍｅ」はメチル基を表し、「Ｅｔ」はエチル基を表す。
【０１６３】
【化２０】
2011071169.tif 000022
【０１６４】
【化２１】
2011071169.tif 000023
【０１６５】
【化２２】
2011071169.tif 000024
【０１６６】
【化２３】
2011071169.tif 000025
【０１６７】
次に、燐光発光材料の代表例について説明するが、蛍光発光材料は、以下の代表例に限定されるものではない。燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を中心金属として含むウェルナー型錯体及び有機金属錯体等が挙げられる。
【０１６８】
周期表第７〜１１族から選ばれる金属としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金等が好ましく、イリジウム及び白金が更に好ましい。
【０１６９】
錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子および（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基、ピリジン、ピラゾール並びにフェナントロリンなどが連結した配位子等が好ましく、フェニルピリジン配位子及びフェニルピラゾール配位子等が更に好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
【０１７０】
燐光発光材料としては、具体的には、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリンおよびオクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。
【０１７１】
特に、燐光発光材料の燐光性有機金属錯体としては、好ましくは下記式（III）または式（IV）で表される化合物が挙げられる。
【０１７２】
ＭＬ（ｑ−ｊ）Ｌ′ｊ        （ＩＩＩ）
【０１７３】
［式（ＩＩＩ）中、Ｍは金属を表し、ｑは上記金属の価数を表す。また、ＬおよびＬ′は二座配位子を表す。ｊは０、１または２の数を表す。］
【０１７４】
【化２４】
2011071169.tif 000026
【０１７５】
［式（ＩＶ）中、Ｍ７は金属を表し、Ｔは炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ９２〜Ｒ９５は、それぞれ独立に置換基を表す。但し、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ９４およびＲ９５は無い。］
【０１７６】
以下、まず、式（ＩＩＩ）で表される化合物について説明する。
【０１７７】
式（ＩＩＩ）中、Ｍは任意の金属を表す。Ｍの好ましい具体例としては、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として前述した金属等が挙げられる。
【０１７８】
また、式（ＩＩＩ’）中、二座配位子Ｌは、以下の部分構造を有する配位子が好ましい。
【０１７９】
【化２５】
2011071169.tif 000027
【０１８０】
上記Ｌの部分構造において、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。
【０１８１】
前記芳香族炭化水素環基としては、例えば、５または６員環の単環または２〜５縮合環等が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環およびフルオレン環由来の１価の基などが挙げられる。
【０１８２】
前記芳香族複素環基としては、例えば、５または６員環の単環または２〜４縮合環等が挙げられる。具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環およびアズレン環由来の１価の基などが挙げられる。
【０１８３】
また、上記Ｌの部分構造において、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。
【０１８４】
該含窒素芳香族複素環基としては、例えば、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基等が挙げられる。具体例としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、フロピロール環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環およびキナゾリノン環由来の１価の基などが挙げられる。
【０１８５】
環Ａ１または環Ａ２がそれぞれ有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基、アシル基、ハロアルキル基、シアノ基および芳香族炭化水素環基等が挙げられる。
【０１８６】
また、式（ＩＩＩ）中、二座配位子Ｌ′は、以下の部分構造を有する配位子が好ましい。但し、以下の式において、「Ｐｈ」はフェニル基を表す。
【０１８７】
【化２６】
2011071169.tif 000028
【０１８８】
中でも、Ｌ′としては、錯体の安定性の観点から、以下に挙げる配位子が好ましい。
【０１８９】
【化２７】
2011071169.tif 000029
【０１９０】
式（ＩＩＩ’）で表される化合物としては、更に好ましくは、下記式（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）および（ＩＩＩｃ）で表される化合物等が挙げられる。
【０１９１】
【化２８】
2011071169.tif 000030
【０１９２】
［式（ＩＩＩａ）中、Ｍ４は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。］
【０１９３】
【化２９】
2011071169.tif 000031
【０１９４】
［式（ＩＩＩｂ）中、Ｍ５は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。］
【０１９５】
【化３０】
2011071169.tif 000032
【０１９６】
［式（ＩＩＩｃ）中、Ｍ６は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、ｊは、０、１または２を表し、環Ａ１および環Ａ１′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、環Ａ２および環Ａ２′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。］
【０１９７】
上記式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）において、環Ａ１および環Ａ１′の好ましい例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基およびカルバゾリル基等が挙げられる。
【０１９８】
上記式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）において、環Ａ２および環Ａ２′の好ましい例としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基およびフェナントリジル基等が挙げられる。
【０１９９】
上記式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）で表される化合物が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基、アシル基、ハロアルキル基およびシアノ基等が挙げられる。
【０２００】
なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合する、または、環Ａ１′が有する置換基と環Ａ２′が有する置換基とが結合することにより、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環としては、例えば、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
【０２０１】
中でも、環Ａ１、環Ａ１′、環Ａ２および環Ａ２′の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素環基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基およびカルバゾリル基等が好ましい。
【０２０２】
また、式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）におけるＭ４〜Ｍ６の好ましい例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金および金等が挙げられる。
【０２０３】
上記式（ＩＩＩ）および（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、燐光性の有機金属錯体は、下記の化合物に限定されるものではない。
【０２０４】
【化３１】
2011071169.tif 000033
【０２０５】
【化３２】
2011071169.tif 000034
【０２０６】
上記式（ＩＩＩ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌおよび／またはＬ′として２−アリールピリジン系配位子を有する化合物が好ましい。即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。また、国際公開第２００５／０１９３７３号に記載の化合物も、発光材料として使用することが可能である。
【０２０７】
次に、式（ＩＶ）で表される化合物について説明する。
【０２０８】
式（ＩＶ）中、Ｍ７は金属を表す。具体例としては、周期表第７〜１１族から選ばれる金属として前述した金属等が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金および金等が挙げられ、特に好ましくは、白金およびパラジウム等の２価の金属等が挙げられる。
【０２０９】
また、式（ＩＶ）において、Ｒ９２およびＲ９３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。
【０２１０】
更に、Ｔが炭素原子の場合、Ｒ９４およびＲ９５は、それぞれ独立に、Ｒ９２およびＲ９３と同様の例示物で表される置換基を表す。また、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ９４およびＲ９５は無い。
【０２１１】
また、Ｒ９２〜Ｒ９５は、更に置換基を有していてもよい。Ｒ９２〜Ｒ９５が更に置換基を有する場合、その種類に特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
【０２１２】
更に、Ｒ９２〜Ｒ９５のうち任意の２つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。
【０２１３】
式（ＩＶ）で表される有機金属錯体の具体例（Ｔ−１、Ｔ−１０〜Ｔ−１５）を以下に示すが、式（ＩＶ）で表される有機金属錯体は、下記の例示物に限定されるものではない。なお、以下の化学式において、「Ｍｅ」はメチル基を表し、「Ｅｔ」はエチル基を表す。
【０２１４】
【化３３】
2011071169.tif 000035
【０２１５】
また、特に、前記式（１）〜（４）を満たしやすい点では、以下の発光材料が好ましい。具体的には、例えば、ナフタレン、クリセン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびアリールアミン並びにそれらの誘導体等が挙げられる。
【０２１６】
中でも、アントラセン、クリセン、ピレンおよびアリールアミン並びにそれらの誘導体等、キナクリドン、クマリンおよびＡｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体並びにそれらの誘導体等、ルブレンおよびペリミドン並びにそれらの誘導体等、ＤＣＭ（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチレン）−４Ｈ−ピラン）系化合物、ベンゾピラン、ローダミン、ベンゾチオキサンテンおよびアザベンゾチオキサンテン等のキサンテン並びにそれらの誘導体等が好ましい。
【０２１７】
また、周期表第７〜１１族から選ばれる金属である、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金および金等の金属、（ヘテロ）アリールピリジン配位子および（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基、並びにピリジン、ピラゾールおよびフェナントロリンなどが連結した配位子を有する錯体が好ましい。
【０２１８】
発光材料の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００００以下であることが好ましく、５０００以下であることがより好ましく、４０００以下であることが更に好ましく、３０００以下であることが特に好ましい。また、一方、通常１００以上であることが好ましく、２００以上であることがより好ましく、３００以上であることが更に好ましく、４００以上であることが特に好ましい。
【０２１９】
発光材料の分子量が前記下限以上であると、耐熱性に優れ、ガス発生などが起こり難く、発光層の膜質が安定でマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を起こす危険性が低い点で好ましい。また、一方、発光材料の分子量が前記上限以下であると、発光材料の精製が容易で、有機溶剤に対する溶解性に優れる点で好ましい。
【０２２０】
（電荷輸送材料）
電荷輸送材料は、通常、有機電界発光素子の電荷輸送材料として使用されているものを用いることができ、特に限定されない。
【０２２１】
有機電界発光素子において、発光材料は、電荷輸送性能を有する材料から電荷またはエネルギーを受け取って発光することが好ましい。従って、本発明に係る電荷輸送材料としては、発光材料に電荷またはエネルギーを受け渡し、発光させることができる材料が好ましい。電荷輸送材料としては、例えば、正孔輸送能を有する化合物および電子輸送能を有する化合物等が挙げられる。
【０２２２】
電荷輸送材料としては、置換基を有していてもよい芳香族化合物が好ましい。芳香環化合物は、芳香族性を有していれば、芳香族炭化水素でも芳香族複素環でもよい。電荷輸送材料としては、２個から１０個の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素または芳香族複素環が縮合した構造または、３個から１０個の縮合していない置換基を有していてもよい芳香族炭化水素または芳香族複素環の連結構造を有することが好ましい。
【０２２３】
以下、電荷輸送材料の例について説明するが、本発明における電荷輸送材料は、これらに限定されない。電荷輸送材料としては、例えば、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン系化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物、トリフェニレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピレン系化合物、アントラセン系化合物、フェナントロリン系化合物、キノリン系化合物、ピリジン系化合物、ピリミジン系化合物、トリアジン系化合物、オキサジアゾール系化合物およびイミダゾール系化合物等が挙げられる。
【０２２４】
より具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン系化合物（日本国特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，１９９７年，Ｖｏｌ．７２−７４，ｐｐ．９８５）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，１９９６年，ｐｐ．２１７５）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｓ，１９９７年，Ｖｏｌ．９１  ，ｐｐ．２０９）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）、２，５−ビス［６’−（２’，２”−ビピリジル）］−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）および４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。
【０２２５】
本発明における電荷輸送材料の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００００以下であることが好ましく、５０００以下であることがより好ましく、４０００以下であることが更に好ましく、３０００以下であることが特に好ましい。また、一方、通常１００以上であることが好ましく、２００以上であることがより好ましく、３００以上であることが更に好ましく、４００以上の範囲であることが特に好ましい。
【０２２６】
電荷輸送材料の分子量が前記下限以上であると、発光材料の場合と同様に、ガラス転移温度、融点および分解温度等が低く、発光層材料およびこれを用いて得られる発光層の耐熱性が高く、再結晶化および分子のマイグレーションなどに起因する発光層の膜質の低下、材料の熱分解に伴う不純物濃度の上昇及び素子性能の低下等が起こり難い点で好ましい。
【０２２７】
一方、電荷輸送材料の分子量が前記上限以下であると、他の発光層を形成する原料および有機溶剤等の種類によらず溶解度が高く、精製が容易で不純物濃度を低減しやすく、有機電界発光素子の発光効率や耐久性の低下が起こり難い点で好ましい。また、均一に塗布成膜しやすく、これを用いて作製した素子に、黒点や短絡が発生し難い点でも好ましい。
【０２２８】
［成膜方法］
本発明における発光層の形成方法は、本発明の効果を損なわない限り特に制限はない。本発明における発光層の形成方法は、湿式成膜法であっても、真空蒸着法であってもよい。本発明に係る発光層を湿式成膜法により形成する場合は、上記の発光材料及び電荷輸送材料を有機溶剤に溶解させた溶液を塗布した後、乾燥させることにより膜形成を行う方法などが挙げられる。
【０２２９】
成膜に用いる有機溶剤としては、発光層の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。また、発光層形成に用いる有機溶剤の好適な例及び塗布方法については、前記［成膜方法］（湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合）の項で記載の有機溶剤及び塗布方法と同様である。
【０２３０】
発光層を形成するための組成物中における有機溶剤の含有量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０１重量％以上であることが好ましく、通常７０重量％以下であることが好ましい。なお、発光層用有機溶剤として、２種以上の有機溶剤を併用する場合には、これらの有機溶剤の合計量がこの範囲を満たすようにすることが好ましい。
【０２３１】
（その他の成分）
本発明における発光層に含まれる発光材料及び電荷輸送材料は、各々１種類のみでも、２種類以上を任意の組合せ及び比率で含んでいてもよい。また、本発明における発光層は、本発明の優れた効果を大幅に損なわなければ、発光材料と電荷輸送材料以外のその他の成分を含んでいてもよい。
【０２３２】
また、発光層を形成するための組成物中における発光材料や電荷輸送材料等の固形分の合計濃度は、通常０．０１重量％以上であることが好ましく、通常７０重量％以下であることが好ましい。上限以下であることにより、膜厚ムラが生じ難く、また、下限以上であることにより、膜欠陥が生じ難い。
【０２３３】
また、発光層を真空蒸着法で形成する場合も、前記［成膜方法］（真空蒸着法で正孔輸送層を形成する方法）の項で記載の方法と同様に作製可能である。
【０２３４】
発光層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。発光層の膜厚は、膜欠陥が生じ難い点では厚い方が好ましく、通常３ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であることがより好ましい。また、一方、発光層の膜厚は、駆動電圧を低くしやすい点では薄い方が好ましく、通常２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。 
【０２３５】
［式（１）〜式（４）について］
本発明の有機電界発光素子は、下記式（１）〜（４）を満たす。
【０２３６】
ＥＡＨＴＬ＜ＥＡＤｏｐａｎｔ≦ＥＡＨｏｓｔ              （１）
０≦（ＥＡＨｏｓｔ−ＥＡＤｏｐａｎｔ）≦０．７ｅＶ    （２）
ＩＰＤｏｐａｎｔ＜ＩＰＨＴＬ≦ＩＰＨｏｓｔ              （３）
０≦（ＩＰＨｏｓｔ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）≦０．７ｅＶ    （４）
【０２３７】
（上記式中、ＥＡＨＴＬは、前記式（５）に示した部分構造を正孔輸送性化合物の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＥＡＤｏｐａｎｔは、発光材料の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＥＡＨｏｓｔは、電荷輸送材料の電子親和力（ｅＶ）を表し、
ＩＰＨＴＬは、前記式（５）に示した部分構造を正孔輸送性化合物のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表し、
ＩＰＤｏｐａｎｔは、発光材料のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表し、
ＩＰＨｏｓｔは、電荷輸送材料のイオン化ポテンシャル（ｅＶ）を表す。）
【０２３８】
本発明の有機電界発光素子が式（１）を満たすと、電荷輸送材料と正孔輸送性化合物との界面の障壁により、電荷輸送材料から正孔輸送性化合物に電子が注入されにくく、且つ、発光材料の電子親和力が電荷輸送材料の電子親和力より小さいため、電荷輸送材料から発光材料に電子が移動し難いため、発光層内に注入された電子が、発光材料を経由して正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物に移動し難くなることが期待される。すなわち、電子によって正孔輸送層（正孔輸送性化合物）が還元劣化され難いため好ましい。
【０２３９】
式（１）におけるＥＡＨＴＬとＥＡＤｏｐａｎｔとの差は、僅かでもあれば、特に制限はない。
【０２４０】
（ＥＡＤｏｐａｎｔ−ＥＡＨＴＬ）は、発光材料から正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物に電子が移動し難く、発光層内に電子が留まりやすくなり、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物の電子による還元劣化が起こり難く、素子の駆動寿命が長くなりやすい点では大きい方が好ましい。
【０２４１】
そこで、（ＥＡＤｏｐａｎｔ−ＥＡＨＴＬ）は、具体的には、０．０５ｅＶ以上であることが好ましく、０．０９ｅＶ以上であることが更に好ましい。しかしながら、一方で、（ＥＡＤｏｐａｎｔ−ＥＡＨＴＬ）は、ＩＰＤｏｐａｎｔ＜ＩＰＨＴＬとなりやすい点では、小さい方が好ましい。そこで、（ＥＡＤｏｐａｎｔ−ＥＡＨＴＬ）は、具体的には、０．７ｅＶ以下であることが好ましく、０．６ｅＶ以下であることが更に好ましく、０．５ｅＶ以下であることが特に好ましい。
【０２４２】
本発明の有機電界発光素子が式（２）を満たすと、発光層中に含有される電荷輸送材料中の電子が発光材料に移動し難くなることが期待される。すなわち、電子によって、発光材料が還元劣化され難いため好ましい。
【０２４３】
式（２）におけるＥＡＨｏｓｔとＥＡＤｏｐａｎｔの相対関係は、ＥＡＨｏｓｔとＥＡＤｏｐａｎｔが同一、又はＥＡＨｏｓｔがＥＡＤｏｐａｎｔより大きい。また、式（２）における（ＥＡＨｏｓｔ−ＥＡＤｏｐａｎｔ）は、電荷輸送材料から発光材料に電子が移動し難い点では、大きい方が好ましい。
【０２４４】
ここで、発光材料に電子が移動し難いと、発光材料に電子が蓄積し難く、発光材料の電子による還元劣化が起こり難く、素子の駆動寿命が長くなりやすい。そこで、（ＥＡＨｏｓｔ−ＥＡＤｏｐａｎｔ）は、具体的には、０ｅＶ以上であり、０．１ｅＶ以上であることが好ましく、０．１５ｅＶ以上であることがより好ましい。
【０２４５】
しかしながら、一方で、（ＥＡＨｏｓｔ−ＥＡＤｏｐａｎｔ）は、（ＩＰＨｏｓｔ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）が小さく、発光材料が正孔の堆積による酸化劣化を受け難く、素子の駆動寿命が長くなりやすい点では、小さい方が好ましい。そこで、（ＥＡＨｏｓｔ−ＥＡＤｏｐａｎｔ）は、具体的には、０．７ｅＶ以下であり、０．５ｅＶ以下であることが好ましく、０．３ｅＶ以下であることが更に好ましい。
【０２４６】
本発明の有機電界発光素子が式（３）を満たすと、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物に注入された正孔が、発光材料を経由せずに電荷輸送材料に移動しやすくなることが期待される。すなわち、発光材料に正孔が堆積し難く、素子の発光効率が高くなりやすい上に、発光材料の酸化劣化も起こり難いため好ましい。
【０２４７】
式（３）におけるＩＰＤｏｐａｎｔとＩＰＨＴＬとの差は、僅かでもあれば、特に制限はない。また、ＩＰＨＴＬとＩＰＨｏｓｔの相対関係は、ＩＰＨＴＬとＩＰＨｏｓｔが同一、又はＩＰＨｏｓｔがＩＰＨＴＬより大きい。  
【０２４８】
ここで、イオン化ポテンシャルが式（３）の関係にあると、正孔が、発光材料を経由せずに正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物から電荷輸送材料に移動しやすい。この結果、発光材料の酸化劣化が起こり難く、素子の駆動寿命が長くなりやすい。また、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物に正孔が蓄積し難く、素子の発光効率が高くなりやすい。
【０２４９】
（ＩＰＨＴＬ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、大きい方が好ましい。そこで、（ＩＰＨＴＬ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、具体的には、０．０１ｅＶ以上であることが好ましく、０．０２ｅＶ以上であることが更に好ましい。しかしながら、一方で、（ＩＰＨＴＬ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、０．７ｅＶ以下であることが好ましく、０．６ｅＶ以下であることがより好ましく、０．５ｅＶ以下であることが更に好ましい。
【０２５０】
前記式（４）とすることで、電荷輸送材料から発光材料へ受け渡された正孔が発光材料に蓄積しにくくなる。つまり、発光材料の正孔による酸化分解の劣化を防止でき、また発光層内での再結合確率が高くなるため好ましい。
【０２５１】
本発明の有機電界発光素子が式（４）を満たすと、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物に注入された正孔が発光材料に移動し難くなることが期待される。すなわち、発光材料に正孔が堆積し難く、酸化劣化が起こり難いため好ましい。
【０２５２】
式（４）におけるＩＰＨｏｓｔとＩＰＤｏｐａｎｔの相対関係は、ＩＰＨｏｓｔとＩＰＤｏｐａｎｔが同一、又はＩＰＨｏｓｔがＩＰＤｏｐａｎｔより大きい。また、式（４）における（ＩＰＨｏｓｔ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、発光層中において、電荷輸送材料から発光材料に正孔が移動しやすいことから小さい方が好ましい。
【０２５３】
ここで、正孔が、発光材料を経由せずに正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物から電荷輸送材料に移動しやすいと、発光材料の酸化劣化が起こり難く、素子の駆動寿命が長くなりやすい。また、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物に正孔が蓄積し難く、素子の発光効率が高くなりやすい。そこで、（ＩＰＨｏｓｔ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、具体的には、０．７ｅＶ以下であり、０．６ｅＶ以下であることが好ましく、０．５ｅＶ以下であることが更に好ましい。
【０２５４】
しかしながら、一方で、（ＩＰＨｏｓｔ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、（ＥＡＨｏｓｔ−ＥＡＤｏｐａｎｔ）が大きくなりやすい点では、大きい方が好ましい。（ＩＰＨｏｓｔ−ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、具体的には、０ｅＶ以上であり、０．１ｅＶ以上であることが好ましく、０．２ｅＶ以上であることが更に好ましい。
【０２５５】
（正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物の電子親和力とイオン化ポテンシャル）
本発明における正孔輸送層に含有される前記式（５）に示した部分構造を有する正孔輸送性化合物の電子親和力（ＥＡＨＴＬ）は、後述の［電子親和力（ＥＡ）の測定方法］の項に記載の測定方法で測定した値とする。
【０２５６】
該電子親和力（ＥＡＨＴＬ）は、正孔輸送層に含有される前記式（５）に示した部分構造を有する正孔輸送性化合物のイオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）が大きくなり、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物から発光層に正孔が移動しやすい点では大きい方が好ましいが、また、一方、式（１）の関係になりやすい点では小さい方が好ましい。
【０２５７】
そこで、該正孔輸送性化合物の電子親和力（ＥＡＨＴＬ）は、通常２．０ｅＶ以上であることが好ましく、２．２ｅＶ以上であることがより好ましく、２．３ｅＶ以上であることが更に好ましい。また、一方、通常３．０ｅＶ以下であることが好ましく、好ましくは２．９ｅＶ以下であることがより好ましく、２．８ｅＶ以下であることが更に好ましい。
【０２５８】
なお、正孔輸送層に複数種の前記式（５）に示した部分構造を有する正孔輸送性化合物が含まれている場合における該電子親和力（ＥＡＨＴＬ）は、最も電子親和力（ＥＡＨＴＬ）が小さい電子親和力（ＥＡＨＴＬ）が前記式（１）及び（２）を満たすことが好ましい。
【０２５９】
本発明における正孔輸送層に含有される前記式（５）に示した部分構造を有する正孔輸送性化合物のイオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）は、後述の［イオン化ポテンシャル（ＩＰ）の測定方法］の項に記載の測定方法で測定した値とする。
【０２６０】
前記イオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）は、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物から発光層に正孔が移動しやすい点では大きい方が好ましいが、また、一方、式（４）の関係を満たす発光材料の選択しやすさの点では小さい方が好ましい。
【０２６１】
そこで、該イオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）は、通常４．８ｅＶ以上であることが好ましく、５．０ｅＶ以上であることがより好ましく、５．２ｅＶ以上であることが更に好ましい。また、一方、通常６．４ｅＶ以下であることが好ましく、６．０ｅＶ以下であることがより好ましく、５．８ｅＶ以下であることが更に好ましい。
【０２６２】
なお、正孔輸送層に複数種の前記式（５）に示した部分構造を有する正孔輸送性化合物が含まれている場合における該イオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）は、最もイオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）が大きいイオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）が前記式（３）及び（４）を満たすことが好ましい。
【０２６３】
（発光材料の電子親和力及びイオン化ポテンシャル）
本発明における発光材料の電子親和力（ＥＡＤｏｐａｎｔ）は、後述の［電子親和力（ＥＡ）の測定方法］の項に記載の測定方法で測定した値とする。
【０２６４】
発光材料の電子親和力（ＥＡＤｏｐａｎｔ）は、発光材料から正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物に電子が移動し難く、発光層内に電子が留まりやすくなり、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物の電子による還元劣化が起こり難く、素子の駆動寿命が長くなりやすい点では大きい方が好ましい。そこで、発光材料の電子親和力（ＥＡＤｏｐａｎｔ）は、具体的には、２．０ｅＶ以上であることが好ましく、２．２ｅＶ以上であることが更に好ましく、２．３ｅＶ以上であることが特に好ましい。
【０２６５】
しかしながら、一方で、発光材料の電子親和力（ＥＡＤｏｐａｎｔ）は、電荷輸送材料と式（１）の関係を満たし、電子の電荷輸送材料から発光材料への移動が起こり難く、発光材料が還元劣化され難い点では小さい方が好ましい。そこで、発光材料の電子親和力（ＥＡＤｏｐａｎｔ）は、具体的には、３．１ｅＶ以下であることが好ましく、３．０ｅＶ以下であることが更に好ましく、２．９ｅＶ以下であることが特に好ましい。
【０２６６】
なお、発光層中に複数種の発光材料が含まれている場合における該電子親和力（ＥＡＨＴＬ）は、最も電子親和力（ＥＡＨＴＬ）が小さい電子親和力（ＥＡＨＴＬ）が前記式（１）及び（２）を満たすことが好ましい。
【０２６７】
本発明における発光材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、後述の［イオン化ポテンシャル（ＩＰ）の測定方法］の項に記載の測定方法で測定した値とする。
【０２６８】
発光材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、式（３）の関係を満たしやすい点では、小さい方が好ましい。そこで、発光材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、具体的には、６．０ｅＶ以下であることが好ましく、５．９ｅＶ以下であることが更に好ましく、５．８ｅＶ以下であることが特に好ましい。
【０２６９】
しかしながら、一方で、発光材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、正孔輸送層に含有される正孔輸送性化合物と発光材料の電子親和力が式（１）の関係を満たしやすく、式（４）の関係を満たす電荷輸送材料の選択しやすさの点では大きい方が好ましい。そこで、発光材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰＤｏｐａｎｔ）は、具体的には、５．０ｅＶ以上であることが好ましく、５．１ｅＶ以上であることが更に好ましく、５．２ｅＶ以上であることが特に好ましい。
【０２７０】
なお、発光層中に複数種の発光材料が含まれている場合における該イオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）は、最もイオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）が大きいイオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）が前記式（３）及び（４）を満たすことが好ましい。
【０２７１】
（電荷輸送材料の電子親和力及びイオン化ポテンシャル）
本発明における電荷輸送材料の電子親和力（ＥＡＨｏｓｔ）は、後述の［電子親和力（ＥＡ）の測定方法］の項に記載の測定方法で測定した値とする。
【０２７２】
電荷輸送材料の電子親和力（ＥＡＨｏｓｔ）は、式（１）の関係を満たしやすい点では、大きい方が好ましい。そこで、電荷輸送材料の電子親和力（ＥＡＨｏｓｔ）は、具体的には、２．３ｅＶ以上であることが好ましく、２．４ｅＶ以上であることが更に好ましく、２．５ｅＶ以上であることが特に好ましい。
【０２７３】
しかしながら、一方で、電荷輸送材料の電子親和力（ＥＡＨｏｓｔ）は、式（２）の関係を満たす発光材料の選択しやすさの点では小さい方が好ましい。そこで、電荷輸送材料の電子親和力（ＥＡＨｏｓｔ）は、具体的には、３．１ｅＶ以下であることが好ましく、３．０ｅＶ以下であることが更に好ましく、２．９ｅＶ以下であることが特に好ましい。
【０２７４】
なお、発光層中に複数種の電荷輸送材料が含まれている場合における該電子親和力（ＥＡＨＴＬ）は、発光層中に５重量％以上含まれている電荷輸送材料のうち、最も電子親和力（ＥＡＨＴＬ）が大きい電子親和力（ＥＡＨＴＬ）が前記式（１）及び（２）を満たすことが好ましい。
【０２７５】
本発明における電荷輸送材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰＨｏｓｔ）は、後述の［イオン化ポテンシャル（ＩＰ）の測定方法］の項に記載の測定方法で測定した値とする。
【０２７６】
電荷輸送材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰＨｏｓｔ）は、式（３）の関係を満たしやすい点では、大きい方が好ましい。そこで、電荷輸送材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰＨｏｓｔ）は、具体的には、５．０ｅＶ以上であることが好ましく、５．２ｅＶ以上であることが更に好ましく、５．４ｅＶ以上であることが特に好ましい。
【０２７７】
しかしながら、一方で、電荷輸送材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰＨｏｓｔ）は、式（４）の関係を満たす発光材料の選択しやすさの点では小さい方が好ましい。そこで、電荷輸送材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰＨｏｓｔ）は、具体的には、６．５ｅＶ以下であることが好ましく、６．３ｅＶ以下であることが更に好ましく、６．１ｅＶ以下であることが特に好ましい。
【０２７８】
なお、発光層中に複数種の電荷輸送材料が含まれている場合における該該イオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）は、発光層中に５重量％以上含まれている電荷輸送材料のうち、最もイオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）が小さいイオン化ポテンシャル（ＩＰＨＴＬ）が前記式（３）及び（４）を満たすことが好ましい。
【０２７９】
そして、前記の好ましい正孔輸送性化合物、発光材料及び電荷輸送材料が、これらの電子親和力とイオン化ポテンシャルについての好ましい範囲を満たしやすい。そこで、これらの好ましい材料の電子親和力とイオン化ポテンシャルを以下の方法により予め測定しておくことにより、本発明に係る式（１）〜（４）の関係を満たす材料を選択することができる。なお、材料の選択は、先ず発光材料を決め、次いで、電荷輸送材料、正孔輸送性化合物の順に決めることが好ましい。
【０２８０】
［イオン化ポテンシャル（ＩＰ）の測定方法］
イオン化ポテンシャルは、測定対象が遷移金属錯体以外の物質の場合は、市販のイオン化ポテンシャルの測定装置により、測定対象が遷移金属錯体の場合は、電気化学的測定により各々測定することができる。市販のイオン化ポテンシャルの測定装置としては、例えば、ＡＣ−１、ＡＣ−２、ＡＣ−３（理研計器社製）、ＰＣＲ−１０１及びＰＣＲ−２０１（オプテル社製）などが挙げられる。なお、測定機器は、イオン化ポテンシャルが測定可能であれば上記以外の機器を用いてもよい。これらのうち、後述の実施例では、ＰＣＲ−１０１により測定を行った。
【０２８１】
イオン化ポテンシャルの測定は、通常、湿式成膜法および真空蒸着法などにより、測定対象物質の膜を成膜し、該膜のイオン化ポテンシャルを測定することにより行う。湿式成膜法によりイオン化ポテンシャルを測定する場合は、具体的には、例えば、スピンコート法等の測定対象材料を有機溶剤に溶かし、これを基板上に成膜したものについて行う。
【０２８２】
有機溶剤は、測定対象材料を均一に溶解することができ、透明な有機溶剤であれば、どのような有機溶剤でもよい。有機溶剤としては、例えば、キシレンおよびトルエンなどが挙げられる。
【０２８３】
また、基板としては、例えば、ガラス、ＩＴＯ基板、金属板およびシリコン基板などを用いる。
【０２８４】
［電子親和力（ＥＡ）の測定方法］
電子親和力は、測定対象が遷移金属錯体以外の物質の場合は、市販の吸収スペクトルが測定可能な装置により、測定対象材料の単層膜の吸収スペクトルを測定することにより、測定対象が遷移金属錯体の場合は、電気化学的測定により各々測定することができる。市販のイオン化ポテンシャルの測定装置としては、例えば、Ｆ４５００（日立製作所製）などが挙げられる。なお、測定機器は、吸収スペクトルが測定可能であれば上記以外の機器を用いてもよい。これらのうち、後述の実施例では、Ｆ４５００により測定を行った。
【０２８５】
吸収スペクトルの測定方法は、具体的には、透明基板上に、上述のイオン化ポテンシャルの測定方法と同様に測定対象材料を成膜したものを用いて行うことができる。すなわち、測定した吸収スペクトルからバンドギャップを算出し、このバンドギャップと上記のイオン化ポテンシャルの値から電子親和力を算出することができる。
【０２８６】
また、イオン化ポテンシャルや電子親和力を電気化学的測定によって測定する場合は、通常、以下のように測定する。支持電解質として、過塩素酸テトラブチルアンモニウムやヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウム等を０．１モル／リットル含有させた有機溶媒に、測定対象の材料を０．１〜２ｍＭ溶解させ、作用電極としてグラッシーカーボン電極、対電極として白金電極、参照電極として銀線を用いて、電解酸化（又は還元）し、それらの電位をフェロセン等の基準物質の酸化還元電位と比較することにより、該材料の酸化（還元）電位が算出される。
【０２８７】
前記有機溶媒としては、アセトニトリル、塩化メチレンおよびテトラヒドロフランなどの測定対象の材料が可溶で且つ有機溶媒自身が電解酸化（還元）され難く、電位窓を広くとることができるものが用いられる。
【０２８８】
前記手順により算出された酸化電位が該材料のイオン化ポテンシャル、還元電位が電子親和力にそれぞれ対応する。なお、支持電解質、溶媒および電極については、これらに限定されるわけではなく、同様な測定が可能なものであればよい。  
【０２８９】
＜有機電界発光素子の構成＞ 
以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成の一例について、図１を参照して説明する。本発明の有機電界発光素子の層構成及びその作製方法等は、これに限定されない。
【０２９０】
図１は本発明にかかる有機電界発光素子の断面構造の例を示す模式図である。図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。 
【０２９１】
上記図１において、正孔輸送層と発光層に含まれる発光材料及び電荷輸送材料が、前記式（１）〜（４）を満たす。
【０２９２】
（基板）
基板は、有機電界発光素子の支持体となるものである。基板の材質としては、石英およびガラスの板、金属板および金属箔、並びにプラスチックフィルムおよびシート等が挙げられる。基板は、ガラス板並びにポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネートおよびポリスルホン等の合成樹脂等の透明な板が好ましい。
【０２９３】
合成樹脂基板を使用する場合には、基板のガスバリア性に留意することが好ましい。すなわち、ガスバリア性の低い樹脂を用いる場合は、外気による素子劣化が起こり難いことから、基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けることが好ましい。 
【０２９４】
（陽極）
陽極は、発光層側の層への正孔注入の役割を果たす電極である。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウムおよび白金等の金属；インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物；ヨウ化銅等のハロゲン化金属；カーボンブラック、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロールおよびポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。 
【０２９５】
陽極の形成は、通常、スパッタリング法および真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラックおよび導電性の金属酸化物微粒子並びに導電性高分子微粉末等を用いて陽極を形成する場合には、これらの材料を適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。
【０２９６】
さらに、陽極が導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成する、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成する等により得ることもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。 
【０２９７】
陽極は、通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。 
【０２９８】
陽極の厚みは、必要とする透明性等に応じて任意の厚さにすればよい。特に、透明性が必要とされる場合は、陽極の可視光の透過率は、通常６０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
【０２９９】
この場合、陽極の厚みは、通常１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましい。また、一方、陽極の厚みは、通常５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがより好ましい。
【０３００】
なお、陽極が不透明でも構わない場合は、陽極の厚みは、任意であり、例えば、陽極が基板と同じ厚みでもよい。また、陽極の上に、更に異なる導電材料が積層されていてもよい。 
【０３０１】
陽極は、使用前に予め表面処理を施しておくことにより、その表面に付着した不純物等を除去すると共に、陽極のイオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させておくのが好ましい。このような陽極の表面処理としては、例えば、「紫外線照射＋オゾン処理」、「酸素プラズマ処理」および「アルゴンプラズマ処理」等が挙げられる。
【０３０２】
（正孔注入層）
正孔注入層は、陽極から発光層へ正孔を輸送する層である。本発明において、正孔注入層は必須の層ではない。正孔注入層を設ける場合は、正孔注入層は、通常、陽極と正孔輸送層との間に形成される。
【０３０３】
本発明に係る正孔注入層の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法が好ましい。
【０３０４】
正孔注入層の膜厚は、通常５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがより好ましい。また、一方、正孔注入層の膜厚は、通常１０００ｎｍ以下であることが好ましく、好ましくは５００ｎｍ以下であることがより好ましい。 
【０３０５】
湿式成膜による正孔注入層の形成は、通常、正孔輸送層の湿式成膜と同様に行うことができる。すなわち、正孔注入層の原料を有機溶剤（正孔注入層用有機溶剤）に溶解させることにより成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製する。該正孔注入層形成用組成物を、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。
【０３０６】
（正孔輸送性化合物） 
正孔注入層形成用組成物は、通常、正孔注入層の構成材料として、正孔輸送性化合物及び有機溶剤を含有する。 
【０３０７】
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される正孔輸送性を有する化合物であればよい。正孔輸送性化合物は、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。 
【０３０８】
正孔輸送性化合物のイオン化ポテンシャルは、陽極から正孔注入層への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶであることが好ましい。
【０３０９】
正孔輸送性化合物としては、例えば、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体及びカーボン等が挙げられる。
【０３１０】
尚、本発明における誘導体は、以下のものを言う。例えば、芳香族アミン誘導体を例として説明すると、芳香族アミン誘導体は、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含む。芳香族アミン誘導体は、重合体であっても、単量体であってもよい。
【０３１１】
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせと比率は任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用することが好ましい。 
【０３１２】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、芳香族三級アミン化合物が特に好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 
【０３１３】
芳香族三級アミン化合物の種類は、特に制限されない。芳香族三級アミン化合物は、表面平滑化効果による均一発光が起こりやすい化合物が好ましい。この観点から、芳香族三級アミン化合物は、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）が好ましい。
【０３１４】
芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例としては、例えば、下記式（Ｉ）および下記各式で表される繰り返し単位を有する高分子化合物等が挙げられる。
【０３１５】
【化３４】
2011071169.tif 000036
【０３１６】
［式（Ｉ）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｚｂは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。］
【０３１７】
【化３５】
2011071169.tif 000037
【０３１８】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ５及びＲ６は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。）
【０３１９】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環およびピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環およびナフタレン環由来の基がより好ましい。
【０３２０】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量は、通常４００以下であることが好ましく、２５０以下であることがより好ましい。置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基などが好ましい。 
【０３２１】
Ｒ１及びＲ２が任意の置換基である場合、該置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基などが挙げられる。 
【０３２２】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号に記載のもの等が挙げられる。 
【０３２３】
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）も好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものも好適に用いられる。
【０３２４】
正孔輸送性化合物は、前記［正孔輸送層］の項に記載の架橋性基を含む化合物であってもよい。この場合でも、前記［正孔輸送層］の項に記載の方法と同様の方法で成膜することができる。
【０３２５】
尚、正孔注入層は、前記電子受容性化合物を含んでいてもよい。電子受容性化合物を用いる場合は、前記［正孔輸送層］の項で記載したもの等が挙げられる。
【０３２６】
正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送性化合物の濃度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送性化合物の濃度は、正孔注入層に欠陥が生じ難い点では、高い方が好ましい。
【０３２７】
具体的には、通常０．０１重量％以上であることが好ましく、０．１重量％以上であることがより好ましく、０．５重量％以上であることが更に好ましい。また、一方、正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送性化合物の濃度は、正孔注入層の膜厚ムラが生じ難い点では、低い方が好ましく、具体的には、通常７０重量％以下であることが好ましく、６０重量％以下であることがより好ましく、５０重量％以下であることが更に好ましい。 
【０３２８】
（正孔輸送層）
本発明に係る正孔輸送層については、前記［正孔輸送層］の項で説明した通りである。
【０３２９】
（発光層）
本発明に係る発光層については、前記［正孔輸送層］の項で説明した通りである。
【０３３０】
（正孔阻止層）
本発明の有機電界発光素子には、正孔阻止層を設けてもよい。正孔阻止層は、通常発光層と陰極との間に設けられる。また、本発明の有機電界発光素子に後述の電子輸送層や電子注入層を設ける場合は、正孔阻止層は、通常、発光層と電子輸送層又は電子注入層との間に設けられる。 
【０３３１】
正孔阻止層は、陽極から移動してくる正孔が陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送する役割とを有する。 
【０３３２】
正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高いこと、正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと及び励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。このような物性を満たしやすいことから正孔阻止層は、以下の材料が好ましい。しかしながら、本発明に係る正孔阻止材料は、これらに限定されない。
【０３３３】
すなわち、正孔阻止層としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウムおよびビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（日本国特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（日本国特開平７−４１７５９号公報）並びにバソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（日本国特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。 
【０３３４】
正孔阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０３３５】
正孔阻止層の形成方法に制限はない。正孔阻止層は、湿式成膜法および蒸着法等の方法で形成できる。 
【０３３６】
正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り特に制限は無い。正孔阻止層の膜厚は、通常０．３ｎｍ以上であることが好ましく、０．５ｎｍ以上であることがより好ましい。また、一方、通常１００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。 
【０３３７】
（電子輸送層）
本発明の有機電界発光素子には、電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層を設ける場合は、通常発光層と陰極との間に設けられる。また、本発明の有機電界発光素子に後述の電子注入層を設ける場合は、電子輸送層は、通常、発光層と電子注入層との間に設けられる。
【０３３８】
電子輸送層は、通常、素子の発光効率を向上させることを目的として設けられる。従って、電子輸送層は、通常、陽極と陰極との間に電界を与えたときに、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成される。 
【０３３９】
電子輸送層に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極側からの電子注入効率と電子移動度が高く、注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（日本国特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（日本国特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（日本国特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛およびｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０３４０】
電子輸送層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０３４１】
電子輸送層の形成方法に制限はない。電子輸送層は、湿式成膜法および蒸着法等の方法で形成することができる。 
【０３４２】
電子輸送層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り特に制限は無い。電子輸送層の膜厚は、通常１ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であることがより好ましい。また、一方、通常３００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。 
【０３４３】
（電子注入層）
本発明の有機電界発光素子には、電子注入層を設けてもよい。電子注入層を設ける場合は、電子注入層は、通常発光層と陰極との間に設けられる。また、本発明の有機電界発光素子に前述の電子輸送層を設ける場合は、電子注入層は、通常、電子輸送層と陰極との間に設けられる。
【０３４４】
電子注入層は、通常、陰極側から注入された電子を効率良く発光層側に注入することを目的として設けられる。従って、電子注入層は、仕事関数の低い金属が好ましい。電子注入層としては、例えば、ナトリウムおよびセシウム等のアルカリ金属、並びにバリウムおよびカルシウムなどのアルカリ土類金属等が挙げられる。電子注入層がこれらの仕事関数が低い金属である場合の膜厚は、０．１ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以下が好ましい。
【０３４５】
また、電子注入層としては、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物および８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウムおよびルビジウム等のアルカリ金属をドープさせた膜（日本国特開平１０−２７０１７１号公報、日本国特開２００２−１００４７８号公報、日本国特開２００２−１００４８２号公報などに記載）が、電子注入輸送性と膜質に優れた膜とさせやすいため好ましい。
【０３４６】
この場合の電子注入層の膜厚は、通常、５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがより好ましい。また、一方、通常２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。 
【０３４７】
電子注入層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０３４８】
電子注入層の形成方法に制限はない。電子注入層は、湿式成膜法および蒸着法等の方法で形成することができる。 
【０３４９】
（陰極）
陰極は、発光層側の層に電子を注入する役割を果たす電極である。 陰極は、前記の陽極に使用される材料と同様の材料を用いることが可能である。陰極は、発光層側の層に効率良く電子注入を行ないやすいことから、仕事関数の低い金属であることが好ましい。
【０３５０】
前記金属としては、具体的には、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウムおよび銀等の金属並びにそれらの合金等が挙げられる。
【０３５１】
合金の具体例としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金およびアルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金等が挙げられる。 
【０３５２】
なお、陰極の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０３５３】
陰極は、陽極と同様に形成することができる。また、陰極の膜厚は、通常、陽極と同様の厚みが好ましい。 
【０３５４】
素子の安定性を増すためには、陰極の基板とは逆側の上に、仕事関数が高く、大気に対して安定な金属層を積層し、陰極を保護することが好ましい。この陰極の上に積層される金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金および白金等が挙げられる。なお、これらの金属は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０３５５】
（その他の層）
本発明に係る有機電界発光素子は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述の素子構成とは別の素子構成であってもよい。別の素子構成としては、例えば、陽極と陰極との間に上記説明にある層以外の任意の層を有する場合、上述の何れかの層が複数層ある場合及び上述の任意の層が省略されている場合などが挙げられる。
【０３５６】
また、本発明に係る有機電界発光素子は、以上説明した層構成に対し、基板以外の構成要素が逆の順に積層された層構成とすることも可能である。例えば、図１の層構成に対しては、基板上に、陰極、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層および陽極の順に設けてもよい。
【０３５７】
更には、本発明に係る有機電界発光素子として、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することも可能である。 
【０３５８】
また、本発明に係る有機電界発光素子は、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率や駆動電圧の観点からより好ましい。 
【０３５９】
更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよい。また、本発明に係る有機電界発光素子は、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成にしてもよい。
【０３６０】
また、本発明に係る有機電界発光素子は、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成にしてもよい。また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０３６１】
＜有機ＥＬ表示装置＞
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いた表示装置である。つまり、本発明の有機ＥＬ表示装置は、本発明の有機電界発光素子を含む有機ＥＬ表示装置である。本発明の有機ＥＬ表示装置の型式や構造については、特に制限はない。本発明の有機ＥＬ表示装置は、本発明の有機電界発光素子を用いて、常法に従って組み立てることができる。
【０３６２】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法により形成することができる。
【０３６３】
＜有機ＥＬ照明＞
本発明の有機ＥＬ照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いた照明である。つまり、本発明の有機ＥＬ照明は、本発明の有機電界発光素子を含む有機ＥＬ照明である。本発明の有機ＥＬ照明の型式や構造については、特に制限はない。本発明の有機ＥＬ照明は、本発明の有機電界発光素子を用いて、常法に従って組み立てることができる。
【実施例】
【０３６４】
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。【０３６５】
（実施例１）
以下の製造法により、塗布型の有機電界発光素子を作製した。ガラス基板の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１５０ｎｍスパッタ成膜（シート抵抗１５Ω）した。これに対し、フォトリソグラフィにより２ｍｍ幅のストライプをパターニングして、陽極を形成した。このパターニングを施したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、およびイソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順に洗浄した後、窒素ブローで乾燥させ、紫外線オゾン洗浄を行った。【０３６６】
この洗浄後のＩＴＯ基板に対し、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物ＰＢ−１及びアクセプタＰＩ−１を以下の条件でスピンコートした。【０３６７】
【化３６】
2011071169.tif 000038
【０３６８】
スピンコート条件
有機溶剤                安息香酸エチル
塗布液濃度              ２重量％
ＰＢ−１：ＰＩ−１      １０：４
スピナ回転数            １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間          ３０秒
乾燥条件                ２３０℃で３時間【０３６９】
以上の操作により、膜厚３０ｎｍの均一な正孔注入層の薄膜が形成された。【０３７０】
このようにして得られた正孔注入層の薄膜の上に、正孔輸送性化合物として、以下に示す化合物ＨＴ−１を以下の条件でスピンコートした。【０３７１】
【化３７】
2011071169.tif 000039
【０３７２】
スピンコート条件
有機溶剤                トルエン
塗布液濃度              ０．４重量％
スピナ回転数            １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間          ３０秒
乾燥条件                ２３０℃で６０分【０３７３】
以上の操作により、膜厚２０ｎｍの均一な正孔輸送層の薄膜が形成された。【０３７４】
このようにして得られた正孔輸送層の上に、下記に示す電荷輸送材料ＢＨ−１、及び発光材料ＢＤ−１を、下記の条件でスピンコートした。【０３７５】
【化３８】
2011071169.tif 000040
【０３７６】
スピンコート条件
有機溶剤                トルエン
塗布液濃度              ０．８重量％
化合物                  ＢＨ−１：ＢＤ−１＝１０：１
スピナ回転数            １２００ｒｐｍ
スピナ回転時間          ３０秒
乾燥条件                １３０℃で６０分【０３７７】
以上の操作により、膜厚４０ｎｍの均一な発光層の薄膜が形成された。【０３７８】
このようにして得られた発光層の上に、真空蒸着法により、下記に示す化合物ＨＢ−１を膜厚１０ｎｍ積層することにより、正孔阻止層を形成した。【０３７９】
次いで、この上に、真空蒸着法により、下記に示す化合物ＥＴ−１を膜厚３０ｎｍとなるように積層することにより、電子輸送層を形成した。【０３８０】
【化３９】
2011071169.tif 000041
【０３８１】
このようにして得られた電子輸送層の上に、真空蒸着法により、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚０．５ｎｍ積層した。【０３８２】
次いで、この上に、アルミニウムを膜厚８０ｎｍとなるように、それぞれ陽極であるＩＴＯストライプと直交する形状の２ｍｍ幅のストライプ状に積層することにより、陰極を形成した。【０３８３】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍの大きさの発光面を有する有機電界発光素子が得られた。【０３８４】
上述の実施例１で用いた発光材料、電荷輸送材料及び正孔輸送性化合物の電子親和力を上述の方法で求めた値は、各々表１の通りであった。また、上述の実施例１で用いた発光材料、電荷輸送材料及び正孔輸送性化合物のイオン化ポテンシャルを後述の方法で求めた値は、各々表２の通りであった。そして、上述の実施例１で作製した素子の特性は、表３の通りであった。【０３８５】
（比較例１）
正孔輸送性化合物をＨＴ−１から以下のＨＴ−２に変更した以外は、実施例１と同様にして、有機電界発光素子を作製した。【０３８６】
【化４０】
2011071169.tif 000042
【０３８７】
この比較例１で用いた発光材料、電荷輸送材料及び正孔輸送性化合物の電子親和力とイオン化ポテンシャルを上述の方法で求めた値は、各々表１及び２の通りであった。また比較例１で作製した素子の特性は、表３の通りであった。【０３８８】
（比較例２）
正孔輸送性化合物をＨＴ−１から以下のＨＴ−３に変更した以外は、実施例１と同様にして、有機電界発光素子を作製した。【０３８９】
【化４１】
2011071169.tif 000043
【０３９０】
この比較例２で用いた発光材料、電荷輸送材料及び正孔輸送性化合物の電子親和力とイオン化ポテンシャルを上述の方法で求めた値は、各々表１及び２の通りであった。また比較例２で作製した素子の特性は、表３の通りであった。【０３９１】
【表１】
2011071169.tif 000044
【０３９２】
【表２】
2011071169.tif 000045
【０３９３】
【表３】
2011071169.tif 000046
【０３９４】
表３に示すが如く、本発明の有機電界発光素子は、駆動電圧が低く、電流効率が高く、更に駆動寿命が長かった。【０３９５】
（実施例２）
以下の製造法で塗布型の有機電界発光素子を作製した。【０３９６】
実施例１と同様に洗浄後のＩＴＯ基板を作製した。この洗浄後のＩＴＯ基板に対し、乾燥時間を３時間から１５分に変えた以外は実施例１と同様にして、膜厚３０ｎｍの均一な正孔注入層を形成した。【０３９７】
このようにして得られた正孔注入層上に、下記に示す化合物ＨＴ−４を真空蒸着法により、膜厚２０ｎｍ積層することにより、正孔輸送層を形成した。【０３９８】
【化４２】
2011071169.tif 000047
【０３９９】
このようにして得られた正孔輸送層の上に、下記に示す電荷輸送材料ＢＨ−２、及び発光材料ＢＤ−１を真空蒸着法により積層することにより、発光層を形成した。該発光層の膜厚は、４０ｎｍで、重量組成はＢＨ−２：ＢＤ−１＝９５：５であった。【０４００】
【化４３】
2011071169.tif 000048
【０４０１】
このようにして得られた発光層の上に、真空蒸着法により、下記に示す化合物ＥＴ−１を膜厚３０ｎｍ積層することにより、電子輸送層を形成した。【０４０２】
このようにして得られた電子輸送層の上に、実施例１と同様にして、フッ化リチウム層及び陰極を形成した。【０４０３】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍの大きさの発光面を有する有機電界発光素子が得られた。【０４０４】
この実施例２で用いた発光材料、電荷輸送材料及び正孔輸送性化合物の電子親和力とイオン化ポテンシャルを上述の方法で求めた値は、各々表４及び５の通りであった。また実施例２で作製した素子の特性は、表６の通りであった。【０４０５】
（比較例３）
正孔輸送性化合物をＨＴ−４から以下のＨＴ−５に変更した以外は、実施例２と同様にして、有機電界発光素子を作製した。【０４０６】
【化４４】
2011071169.tif 000049
【０４０７】
この比較例３で用いた発光材料、電荷輸送材料及び正孔輸送性化合物の電子親和力とイオン化ポテンシャルを上述の方法で求めた値は、各々表４及び５の通りであった。また実施例２で作製した素子の特性は、表６の通りであった。【０４０８】
【表４】
2011071169.tif 000050
【０４０９】
【表５】
2011071169.tif 000051
【０４１０】
【表６】
2011071169.tif 000052
【０４１１】
表中の以下の語句の意味は、以下の通りである。
・最高輝度：２５０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの正面輝度。
・駆動電圧：正面輝度２５００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧。
・電流効率：１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの電流効率。
・ＣＩＥ色度座標：正面輝度１０〜１０００ｃｄ／ｃｍ２時のＣＩＥ色度座標。
・Ｔ５０：室温条件下、初期正面輝度２５０ｃｄ／ｍ２で定電流駆動したとき、正面輝度が初期輝度の５０％まで低下するまでに要した時間。【０４１２】
表６に示すが如く、本発明の有機電界発光素子は、電流効率が高く、また駆動寿命が長かった。【０４１３】
本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更および変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお本出願は、２００９年１２月１１日付で出願された日本特許出願（特願２００９−２８１９７８）に基づいており、その全体が引用により援用される。
【産業上の利用可能性】
【０４１４】
本発明は、有機電界発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ（例えば、ＯＡコンピュータ用および壁掛けテレビ等）、面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、並びに液晶ディスプレイおよび計器類等のバックライト光源）、表示板および標識灯等の分野において、好適に使用することができる。
【符号の説明】
【０４１５】
１  基板 
２  陽極 
３  正孔注入層 
４  正孔輸送層 
５  発光層 
６  正孔阻止層 
７  電子輸送層 
８  電子注入層 
９  陰極 
【図１】
2011071169.tif 000054
【国際調査報告】
2011071169.tif 000055
2011071169.tif 000056
2011071169.tif 000057
2011071169.tif 000058