(57)【要約】  炭化珪素基板の製造方法は、炭化珪素からなるベース基板（１０）と単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板（２０）とを準備する工程と、ベース基板（１０）とＳｉＣ基板（２０）とを互いの主面（１０Ａ，２０Ｂ）同士が接触するように積み重ねることにより、積層基板を作製する工程と、積層基板を加熱することにより、ベース基板（１０）とＳｉＣ基板（２０）とを接合して接合基板（３）を作製する工程と、ベース基板（１０）とＳｉＣ基板（２０）との間に温度差が形成されるように接合基板（３）を加熱することにより、接合基板（３）を作製する工程においてベース基板（１０）とＳｉＣ基板（２０）との接合界面（１５）に形成されたボイド（３０）を外部に排出する工程とを備えている。
2011092893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素からなるベース基板（１０）と単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板（２０）とを準備する工程と、
前記ベース基板（１０）と前記ＳｉＣ基板（２０）とを互いの主面同士が接触するように積み重ねることにより、積層基板（２）を作製する工程と、
前記積層基板（２）を加熱することにより、前記ベース基板（１０）と前記ＳｉＣ基板（２０）とを接合して接合基板（３）を作製する工程と、
前記ベース基板（１０）と前記ＳｉＣ基板（２０）との間に温度差が形成されるように前記接合基板（３）を加熱することにより、前記接合基板（３）を作製する工程において前記ベース基板（１０）と前記ＳｉＣ基板（２０）との界面（１５）に形成されたボイド（３０）を外部に排出する工程とを備えた、炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項２】
前記ベース基板（１０）および前記ＳｉＣ基板（２０）のうち、前記ボイド（３０）を外部に排出する工程において他方の基板（２０）に比べて高温に加熱された一方の基板（１０）の、前記他方の基板（２０）とは反対側の主面（１０Ｂ）を平坦化する工程をさらに備えた、請求の範囲第１項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項３】
前記ボイド（３０）を外部に排出する工程では、前記ベース基板（１０）の温度が前記ＳｉＣ基板（２０）の温度よりも高くなるように前記接合基板（３）が加熱される、請求の範囲第１項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項４】
前記ボイド（３０）を外部に排出する工程では、前記ベース基板（１０）の、前記ＳｉＣ基板（２０）とは反対側の主面（１０Ｂ）は１５００℃以上３０００℃以下の温度域に加熱される、請求の範囲第３項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項５】
前記ベース基板（１０）と前記ＳｉＣ基板（２０）とを準備する工程では、複数の前記ＳｉＣ基板（２０）が準備され、
前記積層基板（２）を作製する工程では、複数の前記ＳｉＣ基板（２０）が平面的に見て並べて配置された状態で、前記ベース基板（１０）と前記ＳｉＣ基板（２０）とが互いの主面同士が接触するように積み重ねられる、請求の範囲第１項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項６】
前記積層基板（２）を作製する工程では、前記ＳｉＣ基板（２０）の前記ベース基板（１０）とは反対側の主面（２０Ａ）の、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下となるように前記積層基板（２）が作製される、請求の範囲第１項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項７】
前記積層基板（２）を作製する工程では、前記ＳｉＣ基板（２０）の前記ベース基板（１０）とは反対側の主面（２０Ａ）のオフ方位と＜１−１００＞方向とのなす角が５°以下となるように前記積層基板（２）が作製される、請求の範囲第６項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項８】
前記積層基板（２）を作製する工程では、前記ＳｉＣ基板（２０）の前記ベース基板（１０）とは反対側の主面（２０Ａ）の、＜１−１００＞方向における｛０３−３８｝面に対するオフ角が−３°以上５°以下となるように前記積層基板（２）が作製される、請求の範囲第７項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項９】
前記積層基板（２）を作製する工程では、前記ＳｉＣ基板（２０）の前記ベース基板（１０）とは反対側の主面（２０Ａ）のオフ方位と＜１１−２０＞方向とのなす角が５°以下となるように前記積層基板（２）が作製される、請求の範囲第６項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項１０】
前記ＳｉＣ基板（２０）の、前記ベース基板（１０）とは反対側の主面（２０Ａ）に対応する前記ＳｉＣ基板（２０）の主面（２０Ａ）を研磨する工程をさらに備えた、請求の範囲第１項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項１１】
前記接合基板（３）を作製する工程は、前記接合基板（３）を作製する工程よりも前に、前記接合基板（３）を作製する工程において互いに対向すべき前記ベース基板（１０）および前記ＳｉＣ基板（２０）の主面を研磨することなく実施される、請求の範囲第１項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【請求項１２】
前記接合基板（３）を作製する工程では、１０−１Ｐａよりも高く１０４Ｐａよりも低い圧力下において前記積層基板（２）が加熱される、請求の範囲第１項に記載の炭化珪素基板（１）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は炭化珪素基板の製造方法に関し、より特定的には、炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を可能とする炭化珪素基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高耐圧化、低損失化、高温環境下での使用などを可能とするため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素（ＳｉＣ）の採用が進められつつある。炭化珪素は、従来から半導体装置を構成する材料として広く使用されている珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体である。そのため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素を採用することにより、半導体装置の高耐圧化、オン抵抗の低減などを達成することができる。また、炭化珪素を材料として採用した半導体装置は、珪素を材料として採用した半導体装置に比べて、高温環境下で使用された場合の特性の低下が小さいという利点も有している。【０００３】
このような状況の下、半導体装置の製造に用いられる炭化珪素結晶および炭化珪素基板の製造方法については、種々の検討がなされ、様々なアイデアが提案されている（たとえば、Ｍ．Ｎａｋａｂａｙａｓｈｉ，  ｅｔ  ａｌ．、“Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｃｒａｃｋ‐ｆｒｅｅ  １００ｍｍ−ｄｉａｍｅｔｅｒ  ４Ｈ‐ＳｉＣ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  ｗｉｔｈ  Ｌｏｗ  Ｍｉｃｒｏｐｉｐｅ  Ｄｅｎｓｉｔｉｅｓ、Ｍａｔｅｒ．  Ｓｃｉ．  Ｆｏｒｕｍ，ｖｏｌｓ．６００‐６０３、２００９年、ｐ．３−６（非特許文献１）参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｍ．Ｎａｋａｂａｙａｓｈｉ，  ｅｔ  ａｌ．、“Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｃｒａｃｋ‐ｆｒｅｅ  １００ｍｍ−ｄｉａｍｅｔｅｒ  ４Ｈ‐ＳｉＣ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  ｗｉｔｈ  Ｌｏｗ  Ｍｉｃｒｏｐｉｐｅ  Ｄｅｎｓｉｔｉｅｓ、Ｍａｔｅｒ．  Ｓｃｉ．  Ｆｏｒｕｍ，ｖｏｌｓ．６００‐６０３、２００９年、ｐ．３−６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、炭化珪素は常圧で液相を持たない。また、結晶成長温度が２０００℃以上と非常に高く、成長条件の制御や、その安定化が困難である。そのため、炭化珪素単結晶は、高品質を維持しつつ大口径化することが困難であり、大口径の高品質な炭化珪素基板を得ることは容易ではない。そして、大口径の炭化珪素基板の作製が困難であることに起因して、炭化珪素基板の製造コストが上昇するだけでなく、当該炭化珪素基板を用いて半導体装置を製造するに際しては、１バッチあたりの生産個数が少なくなり、半導体装置の製造コストが高くなるという問題があった。また、製造コストの高い炭化珪素単結晶を基板として有効に利用することにより、半導体装置の製造コストを低減できるものと考えられる。【０００６】
そこで、本発明の目的は、炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を可能とする炭化珪素基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に従った炭化珪素基板の製造方法は、炭化珪素からなるベース基板と単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板とを準備する工程と、ベース基板とＳｉＣ基板とを互いの主面同士が接触するように積み重ねることにより、積層基板を作製する工程と、積層基板を加熱することにより、ベース基板とＳｉＣ基板とを接合して接合基板を作製する工程と、ベース基板とＳｉＣ基板との間に温度差が形成されるように接合基板を加熱することにより、接合基板を作製する工程においてベース基板とＳｉＣ基板との界面に形成されたボイドを外部に排出する工程とを備えている。【０００８】
上述のように、高品質な炭化珪素単結晶は、大口径化が困難である。一方、炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造プロセスにおいて効率よく製造を行なうためには、所定の形状および大きさに統一された基板が必要である。そのため、高品質な炭化珪素単結晶（たとえば欠陥密度が小さい炭化珪素単結晶）が得られた場合でも、切断等によって所定の形状等に加工できない領域は、有効に利用されない可能性がある。【０００９】
これに対し、本発明の炭化珪素基板の製造方法では、炭化珪素からなるベース基板の主面上に接触するように単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板が接合される。そのため、たとえば欠陥密度が大きく、低品質な炭化珪素結晶からなるベース基板を上記所定の形状および大きさに加工し、当該ベース基板上に高品質であるものの所望の形状等が実現されていない炭化珪素単結晶をＳｉＣ基板として配置することができる。このようにして得られた炭化珪素基板は、所定の形状および大きさに統一されているため半導体装置の製造を効率化できる。また、このようにして得られた炭化珪素基板は、高品質なＳｉＣ基板を使用して半導体装置を製造することが可能であるため、炭化珪素単結晶を有効に利用することができる。【００１０】
以上のように、本発明の炭化珪素基板の製造方法によれば、炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を可能とする炭化珪素基板の製造方法を提供することができる。【００１１】
さらに、ＳｉＣ基板とベース基板とを接合して接合基板を作製すると、ＳｉＣ基板やベース基板の反りなどに起因して、ベース基板とＳｉＣ基板との界面にボイドが形成されるおそれがある。このようなボイドが存在する接合基板をそのまま炭化珪素基板として半導体装置の製造に使用した場合、ボイドが抵抗成分としてはたらき、基板の抵抗率を上昇させる。そのため、製造される半導体装置のオン抵抗が上昇するという問題が発生し得る。また、このようなボイドが存在する接合基板をそのまま炭化珪素基板として使用すると、当該ボイドの存在により基板の強度が低下し、取り扱い時において割れなどが発生しやすくなるという問題もある。これに対し、本発明の炭化珪素基板の製造方法は、ＳｉＣ基板とベース基板とを接合して接合基板を形成した後、さらにベース基板とＳｉＣ基板との間に温度差が形成されるように接合基板を加熱することにより、接合基板を作製する工程においてベース基板とＳｉＣ基板との界面に形成されたボイドを外部に排出する工程を備えている。これにより、炭化珪素基板内のボイドが減少し、ボイドの存在に伴う上記問題の発生が抑制される。【００１２】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、ベース基板およびＳｉＣ基板のうち、ボイドを外部に排出する工程において他方の基板に比べて高温に加熱された一方の基板の、他方の基板とは反対側の主面を平坦化する工程をさらに備えていてもよい。【００１３】
接合基板に存在するボイドは、ボイドを外部に排出する工程においてベース基板およびＳｉＣ基板のうち高温に加熱される側に移動して外部に排出される。そのため、高温に加熱される側の主面は、ボイドの排出によって平坦性が低下する。これに対し、上記主面を平坦化する工程を備えることにより、平坦性が劣化した上記主面の平坦性を所望のレベルまで向上させることができる。ここで、上記平坦化は、たとえば上記主面を研磨により実施することができる。【００１４】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、ボイドを外部に排出する工程では、ベース基板の温度がＳｉＣ基板の温度よりも高くなるように接合基板が加熱されてもよい。【００１５】
これにより、ボイドがベース基板側から排出されるため、半導体装置の製造に用いられた場合にエピタキシャル成長層の形成や不純物の導入などによって活性領域が形成される側であるＳｉＣ基板側の主面の平坦性が、ボイドの排出によって低下することが抑制される。【００１６】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、上記ボイドを外部に排出する工程では、ベース基板の、ＳｉＣ基板とは反対側の主面は１５００℃以上３０００℃以下の温度域に加熱されてもよい。【００１７】
加熱温度を１５００℃以上とすることによりボイドの移動速度が大きくなり、ボイドの排出を効率よく達成することができる。一方、加熱温度を３０００℃以下とすることにより、ＳｉＣ基板におけるエッチングなどの損傷の発生を抑制することができる。【００１８】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、ベース基板とＳｉＣ基板とを準備する工程では、複数のＳｉＣ基板が準備され、積層基板を作製する工程では、複数のＳｉＣ基板が平面的に見て並べて配置された状態で、ベース基板とＳｉＣ基板とが互いの主面同士が接触するように積み重ねられてもよい。【００１９】
上述のように、高品質な炭化珪素単結晶は、大口径化が困難である。これに対し、高品質な炭化珪素単結晶から採取した複数のＳｉＣ基板が平面的に見て並べて配置された状態で、ベース基板とＳｉＣ基板とが互いの主面同士が接触するように積み重ねられて接合されることにより、高品質なＳｉＣ層を有する大口径な基板として取り扱うことが可能な炭化珪素基板を得ることができる。そして、この炭化珪素基板を用いることにより、半導体装置の製造プロセスを効率化することができる。なお、半導体装置の製造プロセスを効率化するためには、上記複数のＳｉＣ基板のうち互いに隣り合うＳｉＣ基板は、互いに接触して配置されていることが好ましい。より具体的には、たとえば上記複数のＳｉＣ基板は、平面的に見てマトリックス状に敷き詰められていることが好ましい。【００２０】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、積層基板を作製する工程では、ＳｉＣ基板のベース基板とは反対側の主面の、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下となるように積層基板が作製されてもよい。【００２１】
六方晶の単結晶炭化珪素は、＜０００１＞方向に成長させることにより、高品質な単結晶を効率よく作製することができる。そして、＜０００１＞方向に成長させた炭化珪素単結晶からは、｛０００１｝面を主面とする炭化珪素基板を効率よく採取することができる。一方、面方位｛０００１｝に対するオフ角が５０°以上６５°以下である主面を有する炭化珪素基板を用いることにより、高性能な半導体装置を製造できる場合がある。【００２２】
具体的には、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；酸化膜電界効果トランジスタ）の作製に用いられる炭化珪素基板は、面方位｛０００１｝に対するオフ角が８°程度である主面を有していることが一般的である。そして、当該主面上にエピタキシャル成長層が形成されるとともに、当該エピタキシャル成長層上に酸化膜、電極などが形成され、ＭＯＳＦＥＴが得られる。このＭＯＳＦＥＴにおいては、エピタキシャル成長層と酸化膜との界面を含む領域にチャネル領域が形成される。しかし、このような構造を有するＭＯＳＦＥＴにおいては、基板の主面の｛０００１｝面に対するオフ角が８°程度であることに起因して、チャネル領域が形成されるエピタキシャル成長層と酸化膜との界面付近において多くの界面準位が形成され、キャリアの走行の妨げとなって、チャネル移動度が低下する。【００２３】
これに対し、上記積層基板を作製する工程において、ＳｉＣ基板のベース基板とは反対側の主面の、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下となるように積層基板を作製することにより、製造される炭化珪素基板の主面の｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下となるため、上記界面準位の形成が低減され、オン抵抗が低減されたＭＯＳＦＥＴを作製することができる。【００２４】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、積層基板を作製する工程では、ＳｉＣ基板のベース基板とは反対側の主面のオフ方位と＜１−１００＞方向とのなす角が５°以下となるように積層基板が作製されてもよい。【００２５】
＜１−１００＞方向は、炭化珪素基板における代表的なオフ方位である。そして、基板の製造工程におけるスライス加工のばらつき等に起因したオフ方位のばらつきを５°以下とすることにより、炭化珪素基板上へのエピタキシャル成長層の形成などを容易にすることができる。【００２６】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、積層基板を作製する工程では、ＳｉＣ基板のベース基板とは反対側の主面の、＜１−１００＞方向における｛０３−３８｝面に対するオフ角が−３°以上５°以下となるように積層基板が作製されてもよい。【００２７】
これにより、炭化珪素基板を用いてＭＯＳＦＥＴを作製した場合におけるチャネル移動度を、より一層向上させることができる。ここで、面方位{０３−３８}に対するオフ角を−３°以上＋５°以下としたのは、チャネル移動度と当該オフ角との関係を調査した結果、この範囲内で特に高いチャネル移動度が得られたことに基づいている。【００２８】
また、「＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対するオフ角」とは、＜１−１００＞方向および＜０００１＞方向の張る平面への上記主面の法線の正射影と、{０３−３８}面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が＜１−１００＞方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が＜０００１＞方向に対して平行に近づく場合が負である。【００２９】
なお、上記主面の面方位は、実質的に{０３−３８}であることがより好ましく、上記主面の面方位は{０３−３８}であることがさらに好ましい。ここで、主面の面方位が実質的に{０３−３８}であるとは、基板の加工精度などを考慮して実質的に面方位が{０３−３８}とみなせるオフ角の範囲に基板の主面の面方位が含まれていることを意味し、この場合のオフ角の範囲はたとえば{０３−３８}に対してオフ角が±２°の範囲である。これにより、上述したチャネル移動度をより一層向上させることができる。【００３０】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、積層基板を作製する工程では、ＳｉＣ基板のベース基板とは反対側の主面のオフ方位と＜１１−２０＞方向とのなす角が５°以下となるように積層基板が作製されてもよい。【００３１】
＜１１−２０＞方向は、上記＜１−１００＞方向と同様に、炭化珪素基板における代表的なオフ方位である。そして、基板の製造工程におけるスライス加工のばらつき等に起因したオフ方位のばらつきを±５°とすることにより、ＳｉＣ基板上へのエピタキシャル成長層の形成などを容易にすることができる。【００３２】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、ＳｉＣ基板の、ベース基板とは反対側の主面に対応するＳｉＣ基板の主面を研磨する工程をさらに備えていてもよい。【００３３】
これにより、ＳｉＣ基板の、ベース基板とは反対側の主面上に高品質なエピタキシャル成長層を形成することが可能となる。その結果、高品質な当該エピタキシャル成長層をたとえば活性層として含む半導体装置を製造することができる。すなわち、このような工程を採用することにより、上記ＳｉＣ基板上に形成されたエピタキシャル成長層を含む高品質な半導体装置を製造することが可能な炭化珪素基板を得ることができる。ここで、当該ＳｉＣ基板の主面の研磨は、ベース基板とＳｉＣ基板との接合後に実施されてもよいし、ベース基板とは反対側の主面となるべきＳｉＣ基板の主面を予め研磨することにより、ベース基板とＳｉＣ基板との接合前に実施されてもよい。【００３４】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、接合基板を作製する工程は、接合基板を作製する工程よりも前に、接合基板を作製する工程において互いに対向すべきベース基板およびＳｉＣ基板の主面を研磨することなく実施されてもよい。【００３５】
これにより、炭化珪素基板の製造コストを低減することができる。ここで、接合基板を作製する工程において互いに対向すべきベース基板およびＳｉＣ基板の主面は、上述のように研磨されなくてもよい。しかし、基板作製時におけるスライスなどにより形成された表面付近のダメージ層を除去する観点から、たとえばエッチングによって当該ダメージ層が除去される工程が実施された後に上記接合基板を作製する工程が実施されることが好ましい。【００３６】
上記炭化珪素基板の製造方法においては、接合基板を作製する工程では、１０−１Ｐａよりも高く１０４Ｐａよりも低い圧力下において積層基板が加熱されてもよい。これにより、簡素な装置により上記接合を実施することが可能になるとともに比較的短時間で接合を実施するための雰囲気を得ることが可能となり、炭化珪素基板の製造コストを低減することができる。
【発明の効果】
【００３７】
以上の説明から明らかなように、本発明の炭化珪素基板の製造方法によれば、炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を可能とする炭化珪素基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施の形態１における炭化珪素基板の製造方法の概略を示すフローチャートである。
【図２】実施の形態１における炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図３】実施の形態１における炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図４】図３のボイド周辺を拡大して示す概略部分断面図である。
【図５】実施の形態１における炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図６】実施の形態１における炭化珪素基板の構造を示す概略断面図である。
【図７】実施の形態１における炭化珪素基板の構造を示す概略断面図である。
【図８】実施の形態２における炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図９】実施の形態２における炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１０】実施の形態２における炭化珪素基板の構造を示す概略断面図である。
【図１１】実施の形態２における炭化珪素基板の構造を示す概略断面図である。
【図１２】縦型ＭＯＳＦＥＴの構造を示す概略断面図である。
【図１３】縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法の概略を示すフローチャートである。
【図１４】縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１５】縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１６】縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１７】縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００４０】
（実施の形態１）
まず、図１〜図７を参照して、本発明の一実施の形態である実施の形態１について説明する。図１を参照して、本実施の形態における炭化珪素基板の製造方法においては、まず、工程（Ｓ１０）として基板準備工程が実施される。この工程（Ｓ１０）では、図２を参照して、たとえば単結晶炭化珪素からなるベース基板１０および単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板２０が準備される。
【００４１】
このとき、ＳｉＣ基板２０の主面２０Ａは、この製造方法により得られる炭化珪素基板の主面となることから（後述の図６、図７参照）、所望の主面の面方位に合わせてＳｉＣ基板２０の主面２０Ａの面方位を選択する。ここでは、たとえば主面が｛０３−３８｝面であるＳｉＣ基板２０が準備される。また、ベース基板１０としては、たとえば不純物密度が２×１０１９ｃｍ−３よりも大きい基板が採用されてもよい。そして、ＳｉＣ基板２０としては、たとえば不純物密度が５×１０１８ｃｍ−３よりも大きく２×１０１９ｃｍ−３よりも小さい基板を採用することができる。なお、ベース基板１０としては単結晶からなるものに限られず、多結晶、アモルファスあるいは焼結体からなるものが準備されてもよい。
【００４２】
次に、工程（Ｓ２０）として、積層工程が実施される。この工程（Ｓ２０）では、図２を参照して、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０とが、互いの主面１０Ａ，２０Ｂが接触するように積み重ねられ、積層基板２が作製される。
【００４３】
次に、工程（Ｓ３０）として、接合工程が実施される。この工程（Ｓ３０）では、上記積層基板２が加熱されることにより、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０とが接合される。これにより、図３を参照して、接合基板３が得られる。この工程（Ｓ３０）では、１０−１Ｐａよりも高く１０４Ｐａよりも低い圧力下において上記積層基板２が加熱されてもよい。これにより、簡素な装置により接合を実施することが可能になるとともに比較的短時間で接合を実施するための雰囲気を得ることが可能となり、炭化珪素基板１の製造コストを低減することができる。また、工程（Ｓ３０）における加熱時の雰囲気は、不活性ガス雰囲気であってもよい。そして、当該雰囲気に不活性ガス雰囲気を採用する場合、当該雰囲気は、アルゴン、ヘリウムおよび窒素からなる群から選択される少なくとも１つを含む不活性ガス雰囲気であることが好ましい。一方、この工程（Ｓ３０）では、大気雰囲気を減圧することにより得られた雰囲気中において上記積層基板２が加熱されてもよい。これにより、炭化珪素基板１の製造コストを低減することができる。
【００４４】
ここで、工程（Ｓ１０）において準備されるベース基板１０およびＳｉＣ基板２０として、反りなどの変形のない完全な平面形状を有する基板を準備することは困難である。そのため、工程（Ｓ２０）において作製される積層基板２においては、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０とが全面にわたって完全に密着した状態ではなく、接触している領域と接触していない領域とが存在する場合が多い。その結果、工程（Ｓ３０）においては、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０との接合界面１５付近にボイド３０が形成される。
【００４５】
次に、工程（Ｓ４０）としてボイド排出工程が実施される。この工程（Ｓ４０）では、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０との間に温度差が形成されるように接合基板３が加熱される。具体的には、たとえばベース基板１０の温度がＳｉＣ基板２０の温度よりも高くなるように、上記接合基板３が加熱される。
【００４６】
このとき、図４を参照して、ボイド３０の内部においては、温度の高い側であるベース基板１０の内壁３０Ａに沿った領域を構成する炭化珪素が昇華し、矢印αに沿って移動した後、温度が低い側であるＳｉＣ基板２０側の内壁３０Ｂに到達して固化する。これにより、図５に示すように、ボイド３０がベース基板１０側に移動する。そして、この状態を維持することにより、図６に示すようにボイド３０がベース基板１０のＳｉＣ基板２０とは反対側の主面１０Ｂに到達し、外部に排出される。ボイド３０の排出に要する時間は、基板の厚み、ボイドの移動速度など種々の条件に依存するが、たとえばベース基板１０の厚みが５００μｍの場合、１時間以上４８時間以下程度である。以上の手順により、図６に示す本実施の形態における炭化珪素基板１が完成する。このとき、ベース基板１０およびＳｉＣ基板２０のいずれの方が高温になるように加熱してもよいが、本実施の形態においては、ボイド３０がＳｉＣ基板２０の品質に与える影響を抑制する観点から、ボイド３０をベース基板１０側に移動させる目的で、ベース基板１０側の温度がＳｉＣ基板２０側の温度よりも高くなるように接合基板３が加熱される。また、この接合基板３の加熱は、たとえばグラファイトからなる、またはグラファイトからなり表面がタンタルカーバイドでコーティングされた坩堝内、あるいはサセプタ上において実施することができる。このとき、雰囲気の圧力が低いほど、ボイド３０の移動速度が大きくなる。そのため、生産効率向上の観点からは、雰囲気の圧力を小さくすることが望ましく、具体的には大気圧未満とすることが望ましい。また、加熱時の雰囲気は、希ガス（アルゴンなど）や窒素などを採用することができる。
【００４７】
ここで、上記プロセスによれば、炭化珪素基板１は、ベース基板１０の形状等の選択により所望の形状および大きさとすることができるため、半導体装置の製造の効率化に寄与することができる。また、このようなプロセスで製造される炭化珪素基板１では、従来所望の形状等に加工できないため利用されていなかった高品質な炭化珪素単結晶からなるＳｉＣ基板２０を利用して半導体装置を製造することが可能であるため、炭化珪素単結晶を有効に利用することができる。その結果、本実施の形態における炭化珪素基板１の製造方法によれば、炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を可能とする炭化珪素基板１を製造することができる。
【００４８】
さらに、上記プロセスによれば、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０との接合界面１５付近に形成されたボイド３０が工程（Ｓ４０）において外部に排出される。そのため、炭化珪素基板１内のボイド３０が減少し、ボイド３０の存在に伴う基板の抵抗率の上昇、基板の強度低下などが抑制される。
【００４９】
さらに、本実施の形態においては、工程（Ｓ５０）として平坦化工程が実施される。この工程（Ｓ５０）では、上記工程（Ｓ４０）においてＳｉＣ基板２０に比べて高温に加熱されたベース基板１０の、ＳｉＣ基板２０とは反対側の主面１０Ｂが、たとえば研磨により平坦化される。より具体的には、図６を参照して、ベース基板１０においてボイド３０の排出によって生じた凹凸が残存している主面１０Ｂを含む表層領域１０Ｃが研磨により除去される。この工程（Ｓ５０）は必須の工程ではないが、これを実施することにより、図７を参照して、ベース基板１０においてボイド３０が排出される側の主面１０Ｂの平坦性が確保された炭化珪素基板１が得られる。
【００５０】
ここで、上記工程（Ｓ４０）では、ベース基板１０の、ＳｉＣ基板２０とは反対側の主面１０Ｂは１５００℃以上３０００℃以下の温度域に加熱されることが好ましい。加熱温度を１５００℃以上とすることによりボイド３０の移動速度が高くなり、ボイド３０の排出を効率よく達成することができる。一方、加熱温度を３０００℃以下とすることにより、ＳｉＣ基板２０におけるエッチングなどの損傷の発生を抑制することができる。
【００５１】
また、ＳｉＣ基板２０の主面２０Ａは、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下となっていてもよい。これにより、製造される炭化珪素基板１を用いてＭＯＳＦＥＴを作製すると、チャネル領域における界面準位の形成が低減され、オン抵抗が低減されたＭＯＳＦＥＴを得ることができる。一方、製造の容易性を考慮して、ＳｉＣ基板２０の主面２０Ａは、｛０００１｝面であってもよい。
【００５２】
また、ＳｉＣ基板２０の主面２０Ａのオフ方位と＜１−１００＞方向とのなす角は５°以下となっていてもよい。＜１−１００＞方向は、炭化珪素基板における代表的なオフ方位である。そして、基板の製造工程におけるスライス加工のばらつき等に起因したオフ方位のばらつきを５°以下とすることにより、炭化珪素基板１上（主面２０Ａ上）へのエピタキシャル成長層の形成などを容易にすることができる。
【００５３】
さらに、ＳｉＣ基板２０の主面２０Ａの、＜１−１００＞方向における｛０３−３８｝面に対するオフ角は−３°以上５°以下とすることが好ましい。これにより、製造される炭化珪素基板１を用いてＭＯＳＦＥＴを作製した場合におけるチャネル移動度を、より一層向上させることができる。
【００５４】
一方、ＳｉＣ基板２０の主面２０Ａのオフ方位と＜１１−２０＞方向とのなす角は５°以下となっていてもよい。
【００５５】
＜１１−２０＞も、炭化珪素基板における代表的なオフ方位である。そして、基板の製造工程におけるスライス加工のばらつき等に起因したオフ方位のばらつきを±５°とすることにより、本実施の形態の炭化珪素基板の製造方法により製造される炭化珪素基板１上（主面２０Ａ上）へのエピタキシャル成長層の形成などを容易にすることができる。
【００５６】
また、本実施の形態における炭化珪素基板１の製造方法においては、積層基板におけるＳｉＣ基板２０の、ベース基板１０とは反対側の主面２０Ａに対応するＳｉＣ基板２０の主面を研磨する工程をさらに備えていてもよい。これにより、主面２０Ａ上に高品質なエピタキシャル成長層を形成することが可能となる。その結果、高品質な当該エピタキシャル成長層をたとえば活性層として含む半導体装置を製造することが可能となる。すなわち、このような工程を採用することにより、ＳｉＣ基板２０上に形成されたエピタキシャル層を含む高品質な半導体装置を製造することが可能な炭化珪素基板１を得ることができる。ここで、当該研磨を行なう工程は、工程（Ｓ１０）の後であればベース基板１０とＳｉＣ基板２０との接合の前に実施してもよいし、接合後に実施してもよい。
【００５７】
さらに、本実施の形態における炭化珪素基板１の製造方法においては、互いに対向すべきベース基板１０およびＳｉＣ基板２０の主面を研磨することなく工程（Ｓ３０）が実施されてもよい。これにより、炭化珪素基板１の製造コストを低減することができる。また、ベース基板１０およびＳｉＣ基板２０の作製時におけるスライスなどにより形成された表面付近のダメージ層を除去する観点から、たとえばエッチングによって当該ダメージ層が除去される工程が実施された上で、工程（Ｓ３０）が実施されてもよい。
【００５８】
（実施の形態２）
次に、本発明の他の実施の形態である実施の形態２について説明する。実施の形態２における炭化珪素基板の製造方法は、基本的には実施の形態１の場合と同様に実施される。しかし、実施の形態２における炭化珪素基板の製造方法は、ＳｉＣ基板の配置において実施の形態１の場合とは異なっている。
【００５９】
実施の形態２における炭化珪素基板の製造方法では、図１を参照して、実施の形態１の場合と同様に、まず工程（Ｓ１０）として基板準備工程が実施される。この工程（Ｓ１０）では、ベース基板１０およびＳｉＣ基板２０が準備される。このとき、本実施の形態においては、ＳｉＣ基板２０が複数準備される。
【００６０】
次に、工程（Ｓ２０）として積層工程が実施される。この工程（Ｓ２０）では、図８を参照して、工程（Ｓ１０）において準備された複数のＳｉＣ基板２０が平面的に見て並べて配置された状態で、ベース基板１０の主面１０Ａに接触して配置される。すなわち、ＳｉＣ基板２０は、ベース基板１０の主面１０Ａに沿って複数並べて配置されている。このとき、複数のＳｉＣ基板２０は、ベース基板１０上において隣接するＳｉＣ基板２０同士が互いに接触するように、マトリックス状に配置されてもよい。一方、ＳｉＣ基板２０同士は互いに間隔をおいて配置されてもよい。このとき、当該間隔は、１００μｍ以下とすることが好ましく、１０μｍ以下とすることがより好ましい。
【００６１】
そして、実施の形態１の場合と同様に、工程（Ｓ３０）として接合工程が実施され、接合基板３が得られる（図９参照）。このとき、実施の形態１の場合と同様に、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０との接合界面１５付近にボイド３０が形成される。また、本実施の形態においては、ＳｉＣ基板２０同士の接合界面２５付近にもボイド３１が形成される。
【００６２】
次に、実施の形態１の場合と同様に、工程（Ｓ４０）としてボイド排出工程が実施される。これにより、図１０に示すように、接合界面１５付近に形成されたボイド３０がベース基板１０のＳｉＣ基板２０とは反対側の主面１０Ｂに到達し、外部に排出される。また、ＳｉＣ基板２０同士の接合界面２５付近に形成されたボイド３１も、同様に主面１０Ｂに到達し、外部に排出される。以上の手順により、図１０に示す本実施の形態の炭化珪素基板１が完成する。この炭化珪素基板１によれば、複数のＳｉＣ基板２０が用いられることにより大口径化が容易となっているため、炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストが一層低減される。
【００６３】
また、図１０および図１１を参照して、実施の形態１の場合と同様にさらに工程（Ｓ５０）が実施され、ベース基板１０においてボイド３０，３１の排出によって生じた凹凸が残存している主面１０Ｂを含む表層領域１０Ｃが研磨により除去される。これにより、図１１を参照して、ベース基板１０においてボイド３０，３１が排出される側の主面１０Ｂの平坦性が確保された炭化珪素基板１が得られる。
【００６４】
（実施の形態３）
次に、上記本発明の炭化珪素基板の製造方法により製造された本発明の炭化珪素基板を用いて作製される半導体装置の一例を実施の形態３として説明する。図１２を参照して、本発明による半導体装置１０１は、縦型ＤｉＭＯＳＦＥＴ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  ＭＯＳＦＥＴ）であって、基板１０２、バッファ層１２１、耐圧保持層１２２、ｐ領域１２３、ｎ＋領域１２４、ｐ＋領域１２５、酸化膜１２６、ソース電極１１１および上部ソース電極１２７、ゲート電極１１０および基板１０２の裏面側に形成されたドレイン電極１１２を備える。具体的には、導電型がｎ型の炭化珪素からなる基板１０２の表面上に、炭化珪素からなるバッファ層１２１が形成されている。基板１０２としては、上記実施の形態１および２において説明した炭化珪素基板１を含む本発明の炭化珪素基板の製造方法により製造された炭化珪素基板が採用される。そして、上記実施の形態１または２の炭化珪素基板１が採用される場合、バッファ層１２１は、炭化珪素基板１のＳｉＣ基板２０上に形成される。バッファ層１２１は導電型がｎ型であり、その厚みはたとえば０．５μｍである。また、バッファ層１２１におけるｎ型の導電性不純物の密度はたとえば５×１０１７ｃｍ−３とすることができる。このバッファ層１２１上には耐圧保持層１２２が形成されている。この耐圧保持層１２２は、導電型がｎ型の炭化珪素からなり、たとえばその厚みは１０μｍである。また、耐圧保持層１２２におけるｎ型の導電性不純物の密度としては、たとえば５×１０１５ｃｍ−３という値を用いることができる。
【００６５】
この耐圧保持層１２２の表面には、導電型がｐ型であるｐ領域１２３が互いに間隔を隔てて形成されている。ｐ領域１２３の内部においては、ｐ領域１２３の表面層にｎ＋領域１２４が形成されている。また、このｎ＋領域１２４に隣接する位置には、ｐ＋領域１２５が形成されている。一方のｐ領域１２３におけるｎ＋領域１２４上から、ｐ領域１２３、２つのｐ領域１２３の間において露出する耐圧保持層１２２、他方のｐ領域１２３および当該他方のｐ領域１２３におけるｎ＋領域１２４上にまで延在するように、酸化膜１２６が形成されている。酸化膜１２６上にはゲート電極１１０が形成されている。また、ｎ＋領域１２４およびｐ＋領域１２５上にはソース電極１１１が形成されている。このソース電極１１１上には上部ソース電極１２７が形成されている。そして、基板１０２において、バッファ層１２１が形成された側の表面とは反対側の面である裏面にドレイン電極１１２が形成されている。
【００６６】
本実施の形態における半導体装置１０１においては、基板１０２として上記実施の形態１および２において説明した炭化珪素基板１などの本発明の炭化珪素基板が採用される。ここで、上述のように、本発明の炭化珪素基板は、炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストを低減可能であるとともに、抵抗率を低減し、かつ強度を向上させることが可能な炭化珪素基板の製造方法により製造されている。そのため、半導体装置１０１は、製造コストが低減されるとともに、オン抵抗が低減された半導体装置となっている。
【００６７】
次に、図１３〜図１７を参照して、図１２に示した半導体装置１０１の製造方法を説明する。図１３を参照して、まず、基板準備工程（Ｓ１１０）を実施する。ここでは、たとえば｛０３−３８｝面が主面となった炭化珪素からなる基板１０２（図１４参照）を準備する。この基板１０２としては、上記実施の形態１または２において説明した製造方法により製造された炭化珪素基板１を含む上記本発明の炭化珪素基板１が準備される。
【００６８】
また、この基板１０２（図１４参照）としては、たとえば導電型がｎ型であり、基板抵抗が０．０２Ωｃｍといった基板を用いてもよい。
【００６９】
次に、図１３に示すように、エピタキシャル層形成工程（Ｓ１２０）を実施する。具体的には、基板１０２の表面上にバッファ層１２１を形成する。このバッファ層１２１は、基板１０２として採用される炭化珪素基板１のＳｉＣ基板２０の主面２０Ａ上（図６、図７、図１０、図１１参照）に形成される。バッファ層１２１としては、導電型がｎ型の炭化珪素からなり、たとえばその厚みが０．５μｍのエピタキシャル層を形成する。バッファ層１２１における導電型不純物の密度は、たとえば５×１０１７ｃｍ−３といった値を用いることができる。そして、このバッファ層１２１上に、図１４に示すように耐圧保持層１２２を形成する。この耐圧保持層１２２としては、導電型がｎ型の炭化珪素からなる層をエピタキシャル成長法によって形成する。この耐圧保持層１２２の厚みとしては、たとえば１０μｍといった値を用いることができる。また、この耐圧保持層１２２におけるｎ型の導電性不純物の密度としては、たとえば５×１０１５ｃｍ−３といった値を用いることができる。
【００７０】
次に、図１３に示すように注入工程（Ｓ１３０）を実施する。具体的には、フォトリソグラフィおよびエッチングを用いて形成した酸化膜をマスクとして用いて、導電型がｐ型の不純物を耐圧保持層１２２に注入することにより、図１５に示すようにｐ領域１２３を形成する。また、用いた酸化膜を除去した後、再度新たなパターンを有する酸化膜を、フォトリソグラフィおよびエッチングを用いて形成する。そして、当該酸化膜をマスクとして、ｎ型の導電性不純物を所定の領域に注入することにより、ｎ＋領域１２４を形成する。また、同様の手法により、導電型がｐ型の導電性不純物を注入することにより、ｐ＋領域１２５を形成する。その結果、図１５に示すような構造を得る。
【００７１】
このような注入工程の後、活性化アニール処理を行なう。この活性化アニール処理としては、たとえばアルゴンガスを雰囲気ガスとして用いて、加熱温度１７００℃、加熱時間３０分といった条件を用いることができる。
【００７２】
次に、図１３に示すようにゲート絶縁膜形成工程（Ｓ１４０）を実施する。具体的には、図１６に示すように、耐圧保持層１２２、ｐ領域１２３、ｎ＋領域１２４、ｐ＋領域１２５上を覆うように酸化膜１２６を形成する。この酸化膜１２６を形成するための条件としては、たとえばドライ酸化（熱酸化）を行なってもよい。このドライ酸化の条件としては、加熱温度を１２００℃、加熱時間を３０分といった条件を用いることができる。
【００７３】
その後、図１３に示すように窒素アニール工程（Ｓ１５０）を実施する。具体的には、雰囲気ガスを一酸化窒素（ＮＯ）として、アニール処理を行なう。アニール処理の温度条件としては、たとえば加熱温度を１１００℃、加熱時間を１２０分とする。この結果、酸化膜１２６と下層の耐圧保持層１２２、ｐ領域１２３、ｎ＋領域１２４、ｐ＋領域１２５との間の界面近傍に窒素原子が導入される。また、この一酸化窒素を雰囲気ガスとして用いたアニール工程の後、さらに不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスを用いたアニールを行なってもよい。具体的には、アルゴンガスを雰囲気ガスとして用いて、加熱温度を１１００℃、加熱時間を６０分といった条件を用いてもよい。
【００７４】
次に、図１３に示すように電極形成工程（Ｓ１６０）を実施する。具体的には、酸化膜１２６上にフォトリソグラフィ法を用いてパターンを有するレジスト膜を形成する。当該レジスト膜をマスクとして用いて、ｎ＋領域１２４およびｐ＋領域１２５上に位置する酸化膜の部分をエッチングにより除去する。この後、レジスト膜上および当該酸化膜１２６において形成された開口部内部においてｎ＋領域１２４およびｐ＋領域１２５と接触するように、金属などの導電体膜を形成する。その後、レジスト膜を除去することにより、当該レジスト膜上に位置していた導電体膜を除去（リフトオフ）する。ここで、導電体としては、たとえばニッケル（Ｎｉ）を用いることができる。この結果、図１７に示すように、ソース電極１１１およびドレイン電極１１２を得ることができる。なお、ここでアロイ化のための熱処理を行なうことが好ましい。具体的には、たとえば雰囲気ガスとして不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスを用い、加熱温度を９５０℃、加熱時間を２分といった熱処理（アロイ化処理）を行なう。
【００７５】
その後、ソース電極１１１上に上部ソース電極１２７（図１２参照）を形成する。また、基板１０２の裏面上にドレイン電極１１２（図１２参照）を形成する。また、酸化膜１２６上にゲート電極１１０（図１２参照）を形成する。このようにして、図１２に示す半導体装置１０１を得ることができる。つまり、半導体装置１０１は、炭化珪素基板１のＳｉＣ基板２０上にエピタキシャル層および電極を形成することにより作製される。
【００７６】
なお、上記実施の形態３においては、本発明の炭化珪素基板の製造方法により製造された炭化珪素基板を用いて作製可能な半導体装置の一例として、縦型ＭＯＳＦＥＴに関して説明したが、作製可能な半導体装置はこれに限られない。たとえばＪＦＥＴ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；接合型電界効果トランジスタ）、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、ショットキーバリアダイオードなど、種々の半導体装置が本発明の炭化珪素基板を用いて作製可能である。また、上記実施の形態３においては、｛０３−３８｝面を主面とする炭化珪素基板上に活性層として機能するエピタキシャル層を形成して半導体装置が作製される場合について説明したが、上記主面として採用可能な結晶面はこれに限られず、（０００１）面を含めて用途に応じた任意の結晶面を上記主面として採用することができる。
【００７７】
上述のように、本発明の炭化珪素基板の製造方法によれば、炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を可能とする炭化珪素基板を製造することができる。すなわち、本発明に従った炭化珪素基板は、上記本発明の炭化珪素基板の製造方法により製造されている。また、上記実施の形態３において説明したように、本発明の炭化珪素基板を用いて半導体装置を作製することができる。すなわち、本発明の半導体装置は、上記本発明の炭化珪素基板の製造方法により製造された炭化珪素基板上に活性層としてのエピタキシャル成長層が形成されている。別の観点から説明すると、本発明の半導体装置は、上記本発明の炭化珪素基板上に活性層としてのエピタキシャル成長層が形成されている。より具体的には、本発明の半導体装置は、上記本発明の炭化珪素基板と、当該炭化珪素基板上に形成されたエピタキシャル成長層と、当該エピタキシャル成長層上に形成された電極とを備えている。
【００７８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明の炭化珪素基板の製造方法は、半導体装置の製造に使用することにより半導体装置の製造効率を向上させることが求められる炭化珪素基板の製造方法に、特に有利に適用され得る。
【符号の説明】
【００８０】
１  炭化珪素基板、２  積層基板、３  接合基板、１０  ベース基板、１０Ａ，１０Ｂ  主面、１０Ｃ  表層領域、１５  接合界面、２０  ＳｉＣ基板、２０Ａ，２０Ｂ  主面、２５  接合界面、３０，３１  ボイド、３０Ａ，３０Ｂ  内壁、１０１  半導体装置、１０２  基板、１１０  ゲート電極、１１１  ソース電極、１１２  ドレイン電極、１２１  バッファ層、１２２  耐圧保持層、１２３  ｐ領域、１２４  ｎ＋領域、１２５  ｐ＋領域、１２６  酸化膜、１２７  上部ソース電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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