(57)【要約】  電子装置（１００）は、電子素子（１５１）と、間隙（１２３）を隔てて配置されている電源プレーン（１２１）及び電源プレーン（１２２）と、電源プレーン（１２２）と電子素子（１５１）とを電気的に接続する接続部材（１５２）と、電源プレーン（１２１）または電源プレーン（１２２）に対向しているグラウンドプレーン（１４１）と、グラウンドプレーン（１４１）と電子素子（１５１）とを電気的に接続する接続部材（１５３）と、繰り返し配列されている複数の導体エレメント（１３１）と、導体エレメント（１３１）で囲われている領域に含まれる間隙（１２３）と重なる位置に形成されたオープンスタブ（１１１）と、を備える。そして、オープンスタブ（１１１）の少なくとも一部分は、当該オープンスタブ（１１１）と非接続である電源プレーン（１２２）と対向している。
2011152054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層に位置し、間隙を隔てて配置されている複数の第１導体と、
複数の前記第１導体の少なくとも一つと電子素子とを接続する第１接続部材と、
第２の層に位置し、複数の前記第１導体に対向している第２導体と、
前記第２導体と前記電子素子とを接続する第２接続部材と、
前記第１接続部材と前記第１導体との接続点、または前記第２接続部材と前記第２導体との接続点と、前記間隙の少なくとも一部と、を平面視で包含する領域を囲うように繰り返し配列された複数の第３導体と、
平面視で前記領域に含まれる前記間隙と重なる位置に形成され、一端が前記第１導体のうち一つと接続し、他端がオープン端である線状の第４導体と、を備え、
前記第４導体の少なくとも一部分は、当該第４導体に非接続である前記第１導体と対向していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記第４導体のうち前記第１導体と対向している部分の長さは、前記電子素子から漏洩する電磁波の波長の１／８以上、かつ３／８以下である配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板であって、
前記長さが、前記波長の１／４であることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一項に記載の配線基板であって、
複数の前記第４導体が繰り返し配列されることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか一項に記載の配線基板であって、
前記第４導体は、前記第１の層とは異なる層に位置しており、接続部材を介して前記第１導体に接続している配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至４いずれか一項に記載の配線基板であって、
前記第４導体は、前記第１の層に位置し、
前記間隙において、一の前記第１導体と接続している前記第４導体と、他の前記第１導体と接続している前記第４導体とが交互に配列されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１乃至４いずれか一項に記載の配線基板であって、
前記第４導体は、前記第１の層に位置し、
前記間隙において、他の前記第１導体には凹部が形成されており、前記第４導体は前記凹部内に入り込んでいる配線基板。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれか一項に記載の配線基板であって、
前記第３導体は、前記第１の層と前記第２の層との間に位置し、前記第１導体と前記第２導体とに対向し、対向している前記第１導体または前記第２導体のいずれか一方に第３接続部材を介して接続していることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１乃至７いずれか一項に記載の配線基板であって、
前記第３導体は、前記第１導体を介して前記第２導体に対向し、対向している前記第２導体に第３接続部材を介して接続し、
前記第１導体または前記第２導体は、前記第３接続部材が通過する開口が設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項１乃至７いずれか一項に記載の配線基板であって、
前記第３導体は、前記第２導体を介して前記第１導体に対向し、対向している前記第１導体に第３接続部材を介して接続し、
前記第３導体は、前記第３接続部材が通過する開口が設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項１乃至７いずれか一項に記載の配線基板であって、
前記第３導体は、前記第１の層に位置し、前記第２導体に対向し、前記第１導体にインダクタを介して接続していることを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
請求項１乃至７いずれか一項に記載の配線基板であって、
前記第３導体は、前記第２の層に位置し、前記第１導体に対向し、前記第２導体にインダクタを介して接続していることを特徴とする配線基板。
【請求項１３】
請求項１乃至１２いずれか一項に記載の配線基板であって、
前記第１導体は、電源プレーンであり、
前記第２導体は、グラウンドプレーンであることを特徴とする配線基板。
【請求項１４】
電子素子と、
第１の層に位置し、間隙を隔てて配置されている複数の第１導体と、
複数の前記第１導体の少なくとも一つと前記電子素子とを接続する第１接続部材と、
第２の層に位置し、複数の前記第１導体に対向している第２導体と、
前記第２導体と前記電子素子とを接続する第２接続部材と、
前記第１接続部材と前記第１導体との接続点、または前記第２接続部材と前記第２導体との接続点と、前記間隙の少なくとも一部と、を平面視で包含する領域を囲うように繰り返し配列された複数の第３導体と、
平面視で前記領域に含まれる前記間隙と重なる位置に形成され、一端が前記第１導体のうち一つと接続し、他端がオープン端である線状の第４導体と、を備え、
前記第４導体の少なくとも一部分は、当該第４導体に非接続である前記第１導体と対向していることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置において、電子素子から発生したノイズが、電源・グランドプレーンからなる平行平板を一種の導波路として伝播することにより、他の電子素子や近接する無線回路等に悪影響を与えることがある。従って、電子装置においては、ノイズ対策を施すことが一般的であり、数多くの技術が開発されてきた。【０００３】
近年、特定の構造を有する導体パターンを周期的に配置すること（以下、メタマテリアルと記載）で電磁波の伝播特性を制御できることが明らかになっている。特に、特定の周波数帯域における電磁波伝播を抑制するように構成されるメタマテリアルを、電磁バンドギャップ構造（以下、ＥＢＧ構造と記載）と呼び、ＥＢＧ構造を用いたノイズ対策に注目が集まっている。【０００４】
この種の技術として、例えば特許文献１（米国特許第６２６２４９５号明細書）に記載の技術がある。特許文献１のＦＩＧ．２には、シート状の導体プレーンの上方に島状の導体エレメントを複数配置し、この島状の導体エレメントそれぞれをビアで導体プレーンに接続した構造、いわゆるマッシュルーム型のＥＢＧ構造が示されている。【０００５】
また、特許文献２（特開２００６−２５３９２９号公報）では、図１２にパッチ層と導体プレーン層との間にスパイラルインダクタ等のインダクタンス要素を配置した中間層を有し、このパッチとインダクタンス要素と導体プレーンとをビアで接続しているＥＢＧ構造が開示されている。このような構造によりＥＢＧ構造を大きくすることなく、インダクタンス成分を増加させてバンドギャップ帯域を低周波帯域に対応させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第６２６２４９５号明細書
【特許文献２】特開２００６−２５３９２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
多層基板を備える電子装置において、導体層に間隙を隔てて複数の導体が形成される場合、導体に電子素子を接続すると、導体を伝播したノイズが間隙から放射され、他の層または多層基板の外部にノイズが漏洩する。従って、導体層に対してＥＢＧ構造を構成しても、十分なノイズ対策を得ることができなかった。【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、複数に分割された導体を備え、当該導体の間隙から放射したノイズの漏洩を防ぐ配線基板及び電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、第１の層に位置し、間隙を隔てて配置されている複数の第１導体と、複数の前記第１導体の少なくとも一つと電子素子とを接続する第１接続部材と、第２の層に位置し、複数の前記第１導体に対向している第２導体と、前記第２導体と前記電子素子とを接続する第２接続部材と、前記第１接続部材と前記第１導体との接続点、または前記第２接続部材と前記第２導体との接続点と、前記間隙の少なくとも一部と、を平面視で包含する領域を囲うように繰り返し配列された複数の第３導体と、前記領域に含まれる前記間隙に形成され、一端が前記第１導体のうち一つと接続し、他端がオープン端である線状の第４導体と、を備え、前記第４導体の少なくとも一部分は、当該第４導体に非接続である前記第１導体と対向していることを特徴とする配線基板が提供される。【００１０】
また、本発明によれば、電子素子と、第１の層に位置し、間隙を隔てて配置されている複数の第１導体と、複数の前記第１導体の少なくとも一つと前記電子素子とを接続する第１接続部材と、第２の層に位置し、複数の前記第１導体に対向している第２導体と、前記第２導体と前記電子素子とを接続する第２接続部材と、前記第１接続部材と前記第１導体との接続点、または前記第２接続部材と前記第２導体との接続点と、前記間隙の少なくとも一部と、を平面視で包含する領域を囲うように繰り返し配列された複数の第３導体と、平面視で前記領域に含まれる前記間隙と重なる位置に形成され、一端が前記第１導体のうち一つと接続し、他端がオープン端である線状の第４導体と、を備え、前記第４導体の少なくとも一部分は、当該第４導体に非接続である前記第１導体と対向していることを特徴とする電子装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、複数に分割された導体を備え、当該導体の間隙から放射したノイズの漏洩を防ぐ配線基板及び電子装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子装置の上面図と断面図である。
【図２】第１の実施形態の電子装置のＡ層を示す図である。
【図３】第１の実施形態の電子装置のＢ層を示す図である。
【図４】第１の実施形態の電子装置のＣ層を示す図である。
【図５】第１の実施形態の電子装置のＤ層を示す図である。
【図６】導体エレメントの変形例の上面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る電子装置の上面図と断面図である。
【図８】第２の実施形態の電子装置のＢ層を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の電子装置の変形例における上面図と断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の電子装置の変形例における上面図と断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態の電子装置の変形例における上面図と断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態の電子装置の変形例における上面図と断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態の電子装置の変形例における上面図と断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態の電子装置の変形例を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１５】
〔第１の実施形態〕
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子装置１００の上面図と断面図である。より詳細には、図１（Ａ）は電子装置１００の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）で示す断面線における電子装置１００の断面図である。電子装置１００は、上面から順番にＡ層１１０、Ｂ層１２０、Ｃ層１３０、Ｄ層１４０を少なくとも備える多層基板である。
なお、電子装置１００は、上述の４つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には誘電体層が位置してもよい。また、電子装置１００は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述の４つの層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。
【００１６】
電子装置１００は、電子素子１５１と、電源プレーン１２１（第１導体）と、電源プレーン１２２（第１導体）と、グラウンドプレーン１４１（第２導体）と、オープンスタブ１１１（第４導体）と、導体エレメント１３１（第３導体）と、を備えている。
【００１７】
電子素子１５１は、電子装置１００の上面に実装されている。電子素子１５１は、接続部材１５２を介して電源プレーン１２２と接続しており、接続部材１５３を介してグラウンドプレーン１４１と接続している。なお、電子素子１５１はＬＳＩ等の素子を想定している。電子装置１００に実装される電子素子１５１の数は単一であっても、複数であってもよい。本実施形態においては、電子素子１５１が電子装置１００の上面に実装されているものとして説明するが、必ずしもこれに限らず、内部実装であってもよい。
【００１８】
電源プレーン１２１と電源プレーン１２２とは、Ｂ層１２０に位置し、間隙１２３を隔てて配置されている。また、電源プレーン１２２は、接続部材１５２（第１接続部材）によって電子素子１５１と接続している。
グラウンドプレーン１４１は、Ｄ層１４０に位置し、電源プレーン１２１と電源プレーン１２２と対向している。また、グラウンドプレーン１４１は、接続部材１５３（第２接続部材）によって電子素子１５１と接続している。
導体エレメント１３１は、電源プレーン１２２と接続部材１５２との接続点と、グラウンドプレーン１４１と接続部材１５３との接続点と、間隙１２３の少なくとも一部と、を平面視で包含する領域を囲うように繰り返し配列されている。なお、本実施形態において、導体エレメント１３１によって囲われている領域は、電源プレーン１２２と接続部材１５２との接続点と、グラウンドプレーン１４１と接続部材１５３との接続点と、を包含するように図示しているが、必ずしもこれに限らず、双方の少なくとも一方が包含されればよい。
オープンスタブ１１１は、Ｂ層１２０の一つ上の層であるＡ層１１０に位置しており、平面視で上記領域に含まれる間隙１２３と重なる位置に形成されている。オープンスタブ１１１は線状の導体であり、一端がビア１１２を介して電源プレーン１２１と接続しており、他端がオープン端になっている。
【００１９】
以下、各図面を用いて各々の構成要素について詳細に述べる。
【００２０】
図２は、第１の実施形態の電子装置１００のＡ層１１０を示す図である。Ａ層１１０には、複数のオープンスタブ１１１が繰り返し配列されている。各オープンスタブ１１１と接続部材１５２と接続部材１５３とは、互いに絶縁されている。
オープンスタブ１１１はＡ層１１０に位置している線状の導体であって、その形状は直線に限らず、例えば渦巻状やミアンダ状等であってもよい。
本実施形態においては、複数のオープンスタブ１１１が繰り返し配列され、各々のオープンスタブ１１１の少なくとも一部分が、電源プレーン１２２と対向しているが、必ずしもこれに限らない。例えば、オープンスタブ１１１は単一である場合もあり得る。また、電源プレーン１２２に接続し、電源プレーン１２１と対向しているオープンスタブ１１１が混在してもよい。
ここで、オープンスタブ１１１が繰り返し配列されるとは、少なくとも三つ以上のオープンスタブ１１１が間隔を隔てて連続的に配列されることを意味している。
【００２１】
図３は、第１の実施形態の電子装置１００のＢ層１２０を示す図である。Ｂ層１２０には、電源プレーン１２１と電源プレーン１２２とが、間隙１２３を隔てて配列されている、シート状の導体である。
間隙１２３には誘電体が充填され、電源プレーン１２１と電源プレーン１２２とは互いに絶縁されている。従って、電源プレーン１２１と電源プレーン１２２の各々に異なる電位を与えることが可能となっている。ただし、必ずしも全て異なる電位を与える必要はなく、互いに等しい電位が与えられてもよい。
電源プレーン１２２は、接続部材１５２と接続する接続点を有しており、電子素子１５１に電源を供給している。また、電源プレーン１２２は接続部材１５３が通過する開口を有し、電源プレーン１２２と接続部材１５３とは互いに絶縁されている。
なお、電源プレーン１２１は、電子素子１５１に図示されない配線を用いて電源供給してもよいし、図示されない他の素子等に電源供給してもよい。
【００２２】
図４は、第１の実施形態の電子装置１００のＣ層１３０を示す図である。Ｃ層１３０には、複数の導体エレメント１３１が、接続部材１５３との接続点と、複数のオープンスタブ１１１と対向している領域の少なくとも一部を囲うように繰り返し配列されている。なお、本実施形態において、導体エレメント１３１は、Ｂ層１２０（第１の層）とＤ層１４０（第２の層）との間のＣ層１３０に位置している。また、導体エレメント１３１の各々は、接続部材１５３と絶縁されている。
導体エレメント１３１は島状の導体であって、その形状は四角形に限らない。本実施形態の電子装置１００に適用可能な導体エレメント１３１の形状は複数種考えられ、これらについては後述する。
導体エレメント１３１は、電源プレーン１２１または電源プレーン１２２に対向しており、さらにグラウンドプレーン１４１に対向している。また、導体エレメント１３１は、対向しているグラウンドプレーン１４１に接続部材１３２（第３接続部材）を介して接続している。
ここで、導体エレメント１３１が繰り返し配列されるとは、少なくとも三つ以上の導体エレメント１３１が間隔を隔てて連続的に配列されることを意味している。
【００２３】
図５は、第１の実施形態の電子装置１００のＤ層１４０を示す図である。Ｄ層１４０には、グラウンドプレーン１４１が延在している。グラウンドプレーン１４１は、接地等によって基準電位が与えられる、シート状の導体である。
グラウンドプレーン１４１は、接続部材１５３との接続点を有している。
【００２４】
本実施形態の電子装置１００において、グラウンドプレーン１４１及び電源プレーン１２１（または１２２）からなる平行平板を、電子素子１５１から伝播するノイズの伝播経路と考えることができる。
上記のように構成することによって、各々の導体エレメント１３１は、対向している電源プレーン１２１（または１２２）と、対向しているグラウンドプレーン１４１とを含むＥＢＧ構造の単位セルを構成する。
ここで、単位セルとはＥＢＧ構造を構成する最小単位のことであって、電子装置１００は、繰り返し配列させた単位セルを備えることによって、電子素子１５１から接続部材１５２（または１５３）を介して伝播するノイズを効果的に抑制することができる。
【００２５】
図６（Ａ）は、導体エレメント１３１の一例の上面図である。図６（Ａ）に示す導体エレメント１３１は四角形の導体であって、このような形状の導体エレメント１３１を含む単位セルは、いわゆるマッシュルーム型のＥＢＧ構造と呼ばれる。
より詳細には、導体エレメント１３１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン１２１（または１２２）との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材１３２がマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。
マッシュルーム型ＥＢＧ構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント１３１を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント１３１を対向プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００２６】
図６（Ｂ）は、導体エレメント１３１の一例の上面図である。図６（Ｂ）に示す導体エレメント１３１は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端はグラウンドプレーン１４１と接続する接続部材１３２に接続され、他端はオープン端となっている。このような形状の導体エレメント１３１を含む単位セルは、導体エレメント１３１を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造である。
より詳細には、導体エレメント１３１が、それぞれ対向する電源プレーン１２１（または１２２）と電気的に結合することで電源プレーン１２１（または１２２）をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。一方、接続部材１３２はインダクタンスを形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。
オープンスタブ型ＥＢＧ構造は、平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント１３１を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。
なお、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント１３１と対向する電源プレーン１２１（または１２２）は近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメント１３１と対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント１３１を対向プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００２７】
図６（Ｃ）は、導体エレメント１３１の一例の上面図である。図６（Ｃ）に示す導体エレメント１３１は四角形の導体であって、開口を有している。その開口の中には、一端が当該開口の淵に接続され、他端はグラウンドプレーン１４１と接続する接続部材１３２に接続される螺旋状のインダクタが形成されている。このような形状の導体エレメント１３１を含む単位セルは、マッシュルーム型ＥＢＧ構造を基本として、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のＥＢＧ構造である。
より詳細には、導体エレメント１３１がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン１２１（または１２２）との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材１３２はマッシュルームの軸部分に相当し、導体エレメント１３１に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。
インダクタンス増加型ＥＢＧ構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１３１を、キャパシタンスを形成するそれぞれの電源プレーン１２１（または１２２）に接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント１３１を対向プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
【００２８】
また、本実施形態の電子装置１００において、複数のオープンスタブ１１１が間隙１２３に形成されている。各々のオープンスタブ１１１が、対向している電源プレーン１２２と電気的に短絡するため、オープンスタブ１１１が形成されている間隙１２３が特定の周波数帯域で閉じているように見える。従って、当該周波数帯域のノイズが、間隙１２３から漏洩することを防ぐことができる。
【００２９】
なお、上記したノイズは、電子素子１５１から漏洩した電磁波である。ただしこれら電磁波の全てがノイズとして機能するわけではなく、その一部である場合が多い。漏洩した電磁波のうちどの波長の電磁波がノイズとして機能するかは、ノイズの影響を受けたくない素子によって変わる。ここで電子素子１５１から漏洩する電磁波の周波数がｆであるとき、オープンスタブ１１１の長さ、正確にはオープンスタブ１１１が電源プレーン１２２と対向している部分の長さｄは、以下の式（１）のように定められる。
ただし、εｅｆｆは複数のオープンスタブ１１１における実効比誘電率を表している。また、ε０は真空の誘電率を表している。そして、μ０は真空の透磁率を表している。さらに、λは当該電磁波の波長を表している。
【００３０】
【数１】
2011152054.tif 000003
【００３１】
すなわち、最も好ましいオープンスタブ１１１の長さｄは、電子素子１５１から漏洩する電磁波のうちノイズとなる波長λの１／４であり、このとき最もオープンスタブ１１１が短絡に見える。
ただし、オープンスタブ１１１の長さｄは、電子素子１５１から生じるノイズの波長λの１／８以上、３／８以下としても実用上は構わない。
なお、電子素子１５１から生じるノイズとは、例えば電子素子１５１で用いられるクロック周波数の高調波成分などである。
ただしノイズの周波数は必ずしもこれに限るものではない。例えばノイズ源となる電子素子１５１に近接してノイズ耐性の弱いＲＦ回路などが実装されている場合は、電子素子１５１から生じるノイズのうち、当該ＲＦ回路の動作周波数と同一周波数のノイズを抑制することが好ましい。
【００３２】
従って、本実施形態の電子装置１００は、上記の導体エレメント１３１を含むＥＢＧ構造と、オープンスタブ１１１を備えるので、単位セルで囲まれている領域内にノイズを閉じ込めることができ、外部へのノイズ伝播を防止することができる。
【００３３】
なお、上記の導体エレメント１３１を含むＥＢＧ構造において、電子素子１５１から生じるノイズ周波数をバンドギャップ帯域に含むことが望ましい。
導体エレメント１３１を含むＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域は、導体エレメント１３１と電源プレーン１２１（または１２２）の間隔、導体エレメント１３１とグラウンドプレーン１４１の間隔、接続部材１３２の太さ、導体エレメント１３１の相互間隔などを調節することにより、所望の値に定めることができる。
【００３４】
また、繰り返し配列される単位セルは、それぞれ周期的であることが望ましい。なぜならば、単位セルが周期的に配置された場合は、ＥＢＧ構造中を伝播する電磁波が周期性に起因するＢｒａｇｇ反射を起こすため、より広帯域なノイズ伝播抑制効果が得られるからである。
ただし、必ずしも単位セルは周期的に配置される必要はなく、オープンスタブ１１１が形成されている領域と、電子素子１５１が実装されている領域とを取り囲むように繰り返し配置されていれば、本発明の効果を得ることができる。
【００３５】
〔第２の実施形態〕
図７は、本発明の第２の実施形態に係る電子装置１００の上面図と断面図である。より詳細には、図７（Ａ）は電子装置１００の上面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）で示す断面線における電子装置１００の断面図である。
本実施形態の電子装置１００は、第１の実施形態の電子装置１００と比較して、複数のオープンスタブ１１１と、それらが位置するＡ層１１０が省かれ、その代わりに櫛歯状の突起部１２４が電源プレーン１２１と電源プレーン１２２との間隙１２３に配列されている点において異なる。言い換えれば、電源プレーン１２２には、間隙１２３に対向する変に複数の凹部が形成されており、これら複数の凹部それぞれ内に、電源プレーン１２１と一体的に形成された突起部１２４が入り込んでいる。
【００３６】
図８は、第２の実施形態の電子装置１００のＢ層１２０を示す図である。
【００３７】
各々の突起部１２４はコプレナー線路と見做すことができる。コプレナー線路とは、伝送線路を構成する２導体、すなわち信号導体とプレーン導体が同一平面に存在するような伝送線路のことである。本実施形態においては、突起部１２４が上記「信号導体」に相当する。各々の突起部１２４は、一端が電源プレーン１２１または電源プレーン１２２の一方のプレーンと接続し、他方のプレーンと対向することでコプレナー線路を形成している。突起部１２４の他端はオープン端となっているため、各々の突起部１２４は、第１の実施形態のオープンスタブ１１１と同等と見做すことができる。
【００３８】
Ｃ層１３０とＤ層１４０については、第１の実施形態と同様である。従って、導体エレメント１３１と、電源プレーン１２１（または１２２）と、グラウンドプレーン１４１との対向領域の構造は第１の実施形態と同様であり、第２の実施形態においてもＥＢＧ構造を構成する。
なお、第２の実施形態の導体エレメント１３１についても、図６に示すいずれの形状を用いてもよい。
【００３９】
従って、第２の実施形態の電子装置１００も、第１の実施形態と同様に単位セルで囲まれている領域内にノイズを閉じ込めることができ、外部へのノイズ伝播を防止することができる。なお本実施形態において、図１４に示すように突起部１２４はスパイラル状に延伸していてもよい。この場合、電源プレーン１２２にもスパイラル状の突起部１２５が形成される。突起部１２５は、突起部１２４と噛み合うように延伸している。
【００４０】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００４１】
上記の実施形態において、既に電子素子１５１を実装済みの電子装置１００について説明した。しかし、本発明は、電子素子が実装される実装予定領域が定められた配線基板にも適用可能である。
【００４２】
上記の実施形態において、間隙１２３と電子素子１５１とは平面視で重ならないように図示して説明したが、重なってもよい。この場合、電源プレーン１２１の一部と電源プレーン１２２の一部が電子素子１５１の直下に位置してもよい。
【００４３】
上記の実施形態において、間隙１２３を隔てて配列される電源プレーンは二つであったが、三つ以上に分割していてもよい。このとき、三つ以上の電源プレーンの各々が本発明の第１導体と見做して電子装置または配線基板を構成してもよい。
【００４４】
上記の実施形態において、電子素子１５１は平面実装（電子装置１００の上面に実装）としているが、内部実装であってもよい。
【００４５】
第１の実施形態において、オープンスタブ１１１は、電源プレーン１２１または電源プレーン１２２より上層に位置するものとして説明したが、電源プレーン１２１または電源プレーン１２２とグラウンドプレーン１４１との間の層に位置してもよい。
【００４６】
図９は、本発明の第２の実施形態の電子装置１００の変形例における上面図と断面図である。この電子装置１００は、導体エレメント１３１が電源プレーン１２１または電源プレーン１２２に接続部材１３２を介して接続している点において、第２の実施形態の電子装置１００と異なる。
残りの構成やその効果については、第２の実施形態と同様であるので、ここでの説明は割愛する。
【００４７】
図１０は、本発明の第２の実施形態の電子装置１００の変形例における上面図と断面図である。この電子装置１００が備える導体エレメント１３１は、電源プレーン１２１または電源プレーン１２２を介してグラウンドプレーン１４１に対向し、グラウンドプレーン１４１に接続部材１３２を介して接続している点において、第２の実施形態の電子装置１００と異なる。また、この電子装置１００が備える電源プレーン１２１または電源プレーン１２２は、当該接続部材が通過する開口が設けられている点において、第２の実施形態の電子装置１００と異なる。
このように構成しても、電源プレーン１２１（または１２２）とグラウンドプレーン１４１とから成る平行平板と、導体エレメント１３１とを含むＥＢＧ構造を構成しうる。従って、この電子装置１００も、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、図１０においては、導体エレメント１３１が位置するＣ層１３０を設けているが、導体エレメント１３１は電子素子１５１と同一面（図１０における上面）に位置してもよい。この場合、Ｃ層１３０を設ける必要がないので、電子装置１００をより薄く製造できるというメリットがある。
【００４８】
図１１は、本発明の第２の実施形態の電子装置１００の変形例における上面図と断面図である。この電子装置１００が備える導体エレメント１３１は、グラウンドプレーン１４１を介して電源プレーン１２１または電源プレーン１２２に対向し、電源プレーン１２１または電源プレーン１２２に接続部材１３２を介して接続している点において、第２の実施形態の電子装置１００と異なる。また、この電子装置１００が備えるグラウンドプレーン１４１は、当該接続部材が通過する開口が設けられている点において、第２の実施形態の電子装置１００と異なる。
このように構成しても、電源プレーン１２１（または１２２）とグラウンドプレーン１４１とから成る平行平板と、導体エレメント１３１とを含むＥＢＧ構造を構成しうる。従って、この電子装置１００も、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、図１１においては、導体エレメント１３１が位置するＣ層１３０を設けているが、導体エレメント１３１は電子素子１５１が実装している面の裏面（図１１における下面）に位置してもよい。この場合、Ｃ層１３０を設ける必要がないので、電子装置１００をより薄く製造できるというメリットがある。
【００４９】
図１２は、本発明の第２の実施形態の電子装置１００の変形例における上面図と断面図である。この電子装置１００が備える導体エレメント１３１は、Ｂ層１２０（第１の層）に位置し、グラウンドプレーン１４１に対向し、電源プレーン１２１または電源プレーン１２２にインダクタを介して接続している点において、第２の実施形態の電子装置１００と異なる。また、図６に示す導体エレメント１３１の形状のうち、この電子装置１００に用いることができる導体エレメント１３１は、図６（Ｃ）に示す形状である。
このように構成しても、電源プレーン１２１（または１２２）とグラウンドプレーン１４１とから成る平行平板と、導体エレメント１３１とを含むＥＢＧ構造を構成しうる。従って、この電子装置１００も、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、Ｃ層１３０を設ける必要がないので、電子装置１００をより薄く製造できるというメリットがある。
【００５０】
図１３は、本発明の第２の実施形態に係る電子装置１００の変形例における上面図と断面図である。この電子装置１００が備える導体エレメント１３１は、Ｄ層１４０（第２の層）に位置し、電源プレーン１２１または電源プレーン１２２に対向し、にグラウンドプレーン１４１インダクタを介して接続している点において、第２の実施形態の電子装置１００と異なる。また、図６に示す導体エレメント１３１の形状のうち、この電子装置１００に用いることができる導体エレメント１３１は、図６（Ｃ）に示す形状である。
このように構成しても、電源プレーン１２１（または１２２）とグラウンドプレーン１４１とから成る平行平板と、導体エレメント１３１とを含むＥＢＧ構造を構成しうる。従って、この電子装置１００も、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、Ｃ層１３０を設ける必要がないので、電子装置１００をより薄く製造できるというメリットがある。
【００５１】
なお、当然ながら、上述した実施の形態及び複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態及び変形例では、各構成要素の機能などを具体的に説明したが、その機能などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。
【００５２】
この出願は、２０１０年６月２日に出願された日本出願特願２０１０−１２７１８９を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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