(57)【要約】  積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層および内部電極が薄層化されても、信頼性が損なわれないようにする。  誘電体セラミック原料粉末を含む誘電体セラミック層（３）と内部電極（４および５）とを備える、積層セラミックコンデンサ（１）のための積層体（２）の生の状態のものを焼成する際、室温から最高温度までの平均昇温速度を４０℃／秒以上とする温度プロファイルにて熱処理するようにするとともに、誘電体セラミック原料粉末として、ＢａＴｉＯ３系を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種）を含有し、主成分１００モル部に対する、Ｒｅの含有量を０．３〜３モル部とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミック原料粉末を含みかつ積層された複数の誘電体セラミック層と前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成される内部電極とを備える、生の積層体を作製する工程と、
前記生の積層体を焼結させるため、室温から最高温度までの平均昇温速度を４０℃／秒以上とする温度プロファイルにて前記生の積層体を熱処理する、焼成工程と
を備え、
前記誘電体セラミック原料粉末は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種）を含有し、前記主成分１００モル部に対する、前記Ｒｅの含有量が０．３〜３モル部である、
積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記焼成工程は、室温から最高温度までの平均昇温速度を１００℃／秒以上とする温度プロファイルにて実施される、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記主成分１００モル部に対する、前記Ｒｅの含有量が０．３〜１モル部である、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】
積層された複数の誘電体セラミック層、および前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極をもって構成される、積層体と、
前記積層体の外表面上の互いに異なる位置に形成され、かつ前記内部電極の特定のものに電気的に接続される、複数の外部電極と
を備え、
前記誘電体セラミック層は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種）を含有し、前記主成分１００モル部に対する、前記Ｒｅの含有量が０．３〜３モル部である、誘電体セラミックから構成され、
前記誘電体セラミック層を構成する前記誘電体セラミックの粒界における前記Ｒｅの前記主成分１００モル部に対する含有モル部の標準偏差は０．３以下である、
積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミックコンデンサの製造方法および積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、積層セラミックコンデンサの製造方法における焼成条件の改良、およびこの改良された焼成条件に適した積層セラミックコンデンサにおいて用いられるＢａＴｉＯ３系誘電体セラミックの組成における改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサにおいて、その小型化（薄型化）を図るにあたっては、誘電体セラミック層だけでなく、内部電極についても薄層化を図ることが有効である。しかしながら、内部電極の薄層化が進むと、生の積層体を焼結させるための焼成工程の結果、電極切れが生じやすくなる。この電極切れを抑制し得る技術として、たとえば以下のものが提案されている。【０００３】
特開２００８‐２２６９４１号公報（特許文献１）では、焼成工程での昇温速度を５００℃／時〜５０００℃／時とすることにより、電極切れを抑制し、電極厚０．８〜１μｍを実現している。【０００４】
特開２０００‐２１６０４２号公報（特許文献２）では、焼成時の昇温過程における７００℃〜１１００℃で、昇温速度を５００℃／時以上とし、１１００℃以上において、雰囲気の酸素分圧を１０−８ａｔｍ以下とし、降温過程における１１００℃以下の一部において酸素分圧を１０−８ａｔｍ以上とすることにより、クラック等の構造欠陥を抑制し、得られた積層セラミックコンデンサの信頼性を高めるようにしている。【０００５】
大韓民国公開特許公報１０‐２００６‐０１３５２４９（特許文献３）では、最高温度より２０℃低い温度まで１０℃／秒の昇温速度で昇温することにより、電極切れ抑制と昇温時のオーバシュート（昇温時に所望の焼成温度よりさらに高い温度となること）抑制とを両立させている。【０００６】
以上、特許文献１〜３のいずれに記載の先行技術においても、昇温速度を高くするといった手段によって、内部電極の薄層化が可能となる効果が得られるが、その効果には限界があり、たとえばＮｉを導電成分として含む内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおいて、焼成後の電極厚として０．３μｍ以下の実現は非常に困難である。【０００７】
また、卑金属を導電成分として用いた内部電極を備える生の積層体を焼成するための雰囲気は、たとえばＮ２／Ｈ２／Ｈ２Ｏ系であり、Ｎｉ／ＮｉＯ平衡酸素分圧より還元側で制御する必要があり、このことは、設備や材料設計に対する制約となる。【０００８】
また、セラミックがたとえばＬｉ等の揮発成分を含む場合、焼成時において、この揮発成分は飛散しやすい。そして、焼成されるべき生の積層体のサイズ、すなわちチップサイズや焼成炉へのチャージ量により、揮発成分の残留量がばらつきやすいが、この残留量ばらつきを抑制することは困難である。【０００９】
他方、積層セラミックコンデンサに備える誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックとして、一般に、ＢａＴｉＯ３系を主成分とするセラミックが用いられている。そして、ＢａＴｉＯ３系を主成分とするセラミックには、主に信頼性向上のため、好ましくは、希土類元素Ｒｅ（Ｒｅは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種）が副成分として含まれる。【００１０】
しかし、上記Ｒｅは、これが主成分粒子に適度に固溶しないと、信頼性を十分に向上させることができない。なお、ここで、Ｒｅが固溶するとは、必ずしも主成分粒子全体にＲｅが固溶している必要はなく、たとえばコアシェル構造を形成する程度の固溶であってもよい。【００１１】
そこで、Ｒｅを適度に固溶させるために多くの熱エネルギーを加えると、Ｒｅの固溶は進むものの、Ｒｅの偏析も多くなり、薄層の積層セラミックコンデンサにおいては、信頼性をかえって低下させることになる。【００１２】
また、Ｒｅの含有量を大きく増やした場合には、誘電体セラミックの誘電率が低くなるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−２２６９４１号公報
【特許文献２】特開２０００−２１６０４２号公報
【特許文献３】大韓民国公開特許公報１０−２００６−０１３５２４９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る積層セラミックコンデンサの製造方法および積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明は、誘電体セラミック原料粉末を含みかつ積層された複数の誘電体セラミック層と誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成される内部電極とを備える、生の積層体を作製する工程と、生の積層体を焼結させるため、生の積層体を熱処理する、焼成工程とを備える、積層セラミックコンデンサの製造方法にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。【００１６】
すなわち、この発明では、上記焼成工程において、室温から最高温度までの平均昇温速度を４０℃／秒以上とする温度プロファイルが採用される。そして、上記誘電体セラミック原料粉末の組成に関して、このような高速昇温に適したものとするため、以下のような構成が採用される。【００１７】
誘電体セラミック原料粉末は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種）を含有する。そして、主成分１００モル部に対する、Ｒｅの含有量が０．３〜３モル部である。【００１８】
この発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法において、上記焼成工程は、好ましくは、室温から最高温度までの平均昇温速度を１００℃／秒以上とする温度プロファイルにて実施される。【００１９】
また、上記主成分１００モル部に対する、上記Ｒｅの含有量は０．３〜１モル部であることが好ましい。【００２０】
この発明は、また、積層された複数の誘電体セラミック層、および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極をもって構成される、積層体と、積層体の外表面上の互いに異なる位置に形成され、かつ内部電極の特定のものに電気的に接続される、複数の外部電極とを備える、積層セラミックコンデンサにも向けられる。【００２１】
この発明に係る積層セラミックコンデンサにおいて、上記誘電体セラミック層は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種）を含有し、主成分１００モル部に対する、Ｒｅの含有量が０．３〜３モル部である、誘電体セラミックから構成され、誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックの粒界における上記Ｒｅの上記主成分１００モル部に対する含有モル部の標準偏差は０．３以下であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２２】
この発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、誘電体セラミック層において、信頼性向上作用をもつ上記Ｒｅが所定量含まれていて、また、焼成工程において、短時間で焼結が完了するため、誘電体セラミック層において、上記Ｒｅの偏析の発生を極力防ぎ、Ｒｅを主成分粒子内に均一に固溶させることができる。よって、セラミック層において誘電率の低下を招くことなく、積層セラミックコンデンサにおいて、たとえば高温負荷特性といった信頼性の指標となる特性を向上させることができる。【００２３】
また、この発明に係る製造方法によれば、内部電極において、焼成工程での熱処理中の電極切れや玉化等の状態変化が抑制され、内部電極のカバレッジを高く維持しながら、内部電極の薄層化を進めることができ、積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化に寄与する。【００２４】
また、内部電極の薄層化および高カバレッジ化は、内部電極の収縮抑制の結果もたらされたものであるため、内部電極の端部におけるボイドや隙間等の発生も同時に抑制することができる。したがって、熱処理後の積層体のシール性が向上し、積層セラミックコンデンサとしての耐環境信頼性も向上させることができる。【００２５】
また、上記のように内部電極の収縮が抑制されるため、内部電極が積層体の所定の面に引き出される場合、内部電極の引出し端部での引っ込み度合いが非常に小さくなる。また、焼成工程において、短時間で焼結が完了するため、誘電体セラミック層を構成するセラミックの添加成分によるガラス相の表面への移動および析出がほとんど発生しない。したがって、内部電極に電気的に接続される外部電極を形成するにあたって、内部電極の引出し端部を露出させるための工程を省略することができる。【００２６】
また、誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックが、Ｌｉ、Ｂ、Ｐｂ等の揮発成分（焼結助剤）を含有する場合であっても、焼成工程において短時間で焼結が完了するため、それら揮発成分の、焼成工程における熱処理による飛散が抑制される。その結果、これら揮発成分の残留量が、積層体のサイズや焼成炉へのチャージ量が変わることによって変動することを抑制することができる。【００２７】
また、Ｎｉなどの卑金属を導電成分として含む内部電極を備える積層セラミックコンデンサにあっては、従来、熱処理工程において、内部電極酸化抑制とセラミック還元抑制とを両立させるため、雰囲気中の酸素分圧を卑金属の平衡酸素分圧近傍に精密に制御する必要があり、焼成炉の設計を煩雑なものとしていた。これに対し、この発明によれば、焼成工程において昇温速度が高く、熱処理（セラミック焼結収縮）時間を短くすることができるため、卑金属の平衡酸素分圧より酸化側の雰囲気でも、ほとんど酸化させることなく、熱処理を行なうことができる。よって、誘電体セラミックが還元されにくく、また、再酸化処理する必要もなく、高い信頼性をもって積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】この発明の一実施形態による製造方法によって製造される積層セラミックコンデンサを図解的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１を参照して、この発明が適用される積層セラミックコンデンサ１の構造について説明する。
【００３０】
積層セラミックコンデンサ１は、部品本体としての積層体２を備えている。積層体２は、積層された複数の誘電体セラミック層３と誘電体セラミック層３間の特定の界面に沿って形成される複数の内部電極４および５とを備えている。積層体２の一方および他方端面６および７には、それぞれ、複数の内部電極４および５の各端部が露出していて、これら内部電極４の各端部および内部電極５の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極８および９が形成されている。
【００３１】
このような積層セラミックコンデンサ１を製造するにあたっては、まず、内部電極４および５が印刷されたセラミックグリーンシートを積層するといった周知の方法により、積層体２の生の状態のものが作製される。次いで、生の積層体を焼結させるため、焼成工程が実施される。次いで、焼結した積層体２の端面６および７上に、それぞれ、外部電極８および９が形成され、積層セラミックコンデンサ１が完成される。
【００３２】
この発明では、上述した積層体２に備える誘電体セラミック層３となるべきセラミックグリーンシートに含まれる誘電体セラミック原料粉末として、次のような組成を有するものが用いられる。
【００３３】
すなわち、誘電体セラミック原料粉末は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種）を含有する。そして、主成分１００モル部に対する、Ｒｅの含有量が０．３〜３モル部である。
【００３４】
上記組成において、Ｒｅの含有量が、主成分１００モル部に対して、０．３モル部未満と少ない場合には、Ｒｅの主成分粒子への固溶量が足りなくなって、Ｒｅによる信頼性向上の効果が不十分となり、その結果、高温負荷寿命試験での故障率が高くなる。他方、Ｒｅの含有量が３モル部を超えると、誘電体セラミックの誘電率の低下を招く。なお、Ｒｅの含有量が多くなるほど、誘電率がより低下する傾向があるので、Ｒｅの含有量の上限は、好ましくは、１モル部とされる。
【００３５】
また、上述した焼成工程において、この発明では、室温から最高温度までの平均昇温速度を４０℃／秒以上とする温度プロファイルが適用された熱処理工程が実施される。好ましくは、上記温度プロファイルは１００℃／秒以上とされる。
【００３６】
上述の熱処理工程の前に、生の積層体は脱脂処理されることが好ましい。
【００３７】
また、熱処理工程において、前述した最高温度到達後、この温度を保持することなく、直ちに冷却されることが好ましい。
【００３８】
前述のような組成を有する誘電体セラミック原料粉末を用いながら、上記のような高い昇温速度を適用して、積層セラミックコンデンサ１を製造したとき、誘電体セラミック層３を構成する誘電体セラミックの粒界におけるＲｅの主成分１００モル部に対する含有モル部の標準偏差を０．３以下とすることができる。このことは、Ｒｅの偏析がほとんど生じていないことを意味するもので、積層セラミックコンデンサ１の信頼性のばらつきの低減に寄与する。
【００３９】
なお、図示した積層セラミックコンデンサ１は、２個の外部電極８および９を備える２端子型のものであったが、多端子型の積層セラミックコンデンサにも適用することができる。
【００４０】
以下に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００４１】
（Ａ）誘電体セラミック原料粉末の作製
まず、主成分用セラミック粉末としてのＢａＴｉＯ３粉末を準備した。
【００４２】
次に、上記ＢａＴｉＯ３粉末１００モル部に対し、ＭｎＯ粉末を０．６モル部、ＭｇＯ粉末を０．６モル部、およびＳｉＯ２粉末を１．０モル部、それぞれ、秤量し、添加するとともに、表１の「Ｒｅ」における「種類」の欄に示すＲｅを、同じく「添加量」の欄に示す添加量をもって添加し、これら配合物を、ボールミルにより２４時間混合した後、乾燥させ、誘電体セラミック原料粉末を得た。
【００４３】
（Ｂ）積層セラミックコンデンサの作製
上記誘電体セラミック原料粉末に、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノールを加えて、ボールミルにより２４時間湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。
【００４４】
次に、このセラミックスラリーを、ドクターブレード法によりシート状に成形し、矩形のセラミックグリーンシートを得た。
【００４５】
次に、上記セラミックグリーンシート上に、Ｎｉを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。
【００４６】
次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層し、生の積層体を得た。
【００４７】
次に、生の積層体を、Ｎ２雰囲気中にて７００℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、表１に示す「昇温速度」にて、表１の「最高温度」まで昇温する熱処理を実施し、「最高温度」でキープすることなく、直ちに冷却し、焼結した積層体を得た。「最高温度」での「酸素分圧」は表１に示すとおりとした。なお、「酸素分圧」の表示において、「Ｅ−０９」および「Ｅ−０８」は、それぞれ、１０−９および１０−８であることを示す。
【００４８】
次に、焼結した積層体の両端面にＢ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＢａＯガラスフリットを含有するＣｕペーストを塗布し、Ｎ２雰囲気中において８００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成し、試料となる積層セラミックコンデンサを得た。
【００４９】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅０．５ｍｍ、長さ１．０ｍｍおよび厚さ１．０ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは１．０μｍであり、内部電極の厚みは０．３μｍであった。また、有効誘電体セラミック層の数は５０であり、誘電体セラミック層の１層あたりの対向電極面積は０．３ｍｍ２であった。
【００５０】
（Ｃ）特性の評価
得られた積層セラミックコンデンサについて、表１に示すように、誘電率ε、高温負荷寿命試験故障個数、および高温負荷寿命試験ｍ値（ばらつき）を評価した。
【００５１】
静電容量から計算される上記誘電率εは、温度２５℃、１２０Ｈｚ、および０．５Ｖｒｍｓの条件下で測定した。
【００５２】
また、高温負荷寿命試験故障個数については、温度１０５℃にて、１０Ｖの電圧(１０ｋＶ／ｍｍの電界強度)を印加する高温負荷寿命試験を１００個の試料について実施し、１０００時間経過するまでに、絶縁抵抗値が２００ｋΩ以下になった試料を不良と判定し、不良個数を求めた。
【００５３】
また、高温負荷寿命試験ｍ値は、信頼性のばらつきを評価するためのもので、上記高温負荷寿命試験よりも過酷な温度１５０℃および電圧１６Ｖ印加の条件で高温負荷寿命の加速試験を行ない、ワイブルプロットから算出したものである。このｍ値は、大きいほど、信頼性のばらつきが小さいと評価される。なお、試験個数は２０個とした。
【００５４】
（Ｄ）粒内および粒界の組成評価
表１に示すように、粒内Ｒｅ固溶距離および粒界Ｒｅ含有量の標準偏差を評価した。
【００５５】
粒内Ｒｅ固溶距離については、各試料に係る積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラミック層の断面を、結晶粒子が２０個前後入る視野でＴＥＭ観察して求めた。より詳細には、粒界から粒子中心に向かって２ｎｍ間隔で粒子内部のＥＤＸ元素分析を行ない、検出限界以下となった点から粒界までの距離を、Ｒｅの固溶距離とした。この測定を１視野中の５粒子について行ない、さらに、この測定を５視野について行なった。すなわち、合計２５粒子について、上記測定を行なった。その平均値が表１に示されている。
【００５６】
粒界Ｒｅ含有量の標準偏差については、上記合計２５点の粒界におけるＲｅ含有量（主成分１００モル部に対するモル部）の標準偏差を求めたものである。
【００５７】
【表１】
2011021464.tif 000003
【００５８】
表１において、試料番号に＊を付した試料はこの発明の範囲外のものである。
【００５９】
この発明の範囲内の試料１４〜１７および１９〜２８によれば、εが２０００を超える高い値を示し、粒界Ｒｅ含有量の標準偏差が比較的小さく、よって粒界でのＲｅ濃度のばらつきが比較的小さく、高温負荷寿命試験故障個数が０個であり、高温負荷寿命試験ｍ値が比較的大きく、よって信頼性のばらつきが小さかった。
【００６０】
また、この発明の範囲内の試料１４〜１７および１９〜２８の間で比較したとき、Ｒｅの添加量が少ないほど、より高いεが得られることがわかる。
【００６１】
これらに対して、この発明の範囲外の試料１、２、１２および１３については、Ｒｅの添加量が３モル部を超えたため、εが２０００以下と低かった。
【００６２】
また、試料３〜１１については、昇温速度が４０℃／秒未満であったため、粒界Ｒｅ含有量の標準偏差が比較的大きく、高温負荷寿命試験故障個数が増加した。また、高温負荷寿命試験寿命ｍ値が比較的小さかった。
【００６３】
また、試料１８では、Ｒｅの添加量が０．３モル部未満と少なかったため、高温負荷寿命試験故障個数が比較的多かった。
【００６４】
なお、上記実験例では、誘電体セラミック原料粉末において、主成分ＡＢＯ３として、ＢａＴｉＯ３を用いたが、ＡサイトのＢａの一部がＣａおよびＳｒの少なくとも一方に置換された主成分を用いても、あるいは、ＢサイトのＴｉの一部がＺｒおよびＨｆの少なくとも一方に置換された主成分を用いても、同様の結果が得られることを確認している。
【符号の説明】
【００６５】
１  積層セラミックコンデンサ
２  積層体
３  誘電体セラミック層
４，５  内部電極
８，９  外部電極
【図１】
2011021464.tif 000004
【国際調査報告】
2011021464.tif 000005
2011021464.tif 000006