(57)【要約】スパッタ時に磁石ユニットとターゲットとを相対移動させても、ターゲットに局所的な侵食領域が生じることがなく、ターゲットの利用効率が良いマグネトロンスパッタ電極を提供する。  本発明のマグネトロンスパッタ電極Ｃは、スパッタ室１で処理すべき基板Ｓに対向配置されるターゲット４１と、ターゲットの基板と対向する側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の磁束Ｍ１、Ｍ２を形成する磁石ユニット５と、磁石ユニットを所定の起点からターゲットに対して相対移動させて前記起点に戻すことを繰り返す移動手段６とを備える。そして、起点に戻るまでの１サイクルにて、磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる位置ＣＰでの磁場強度を局所的に低下させる磁気シャント７をバッキングプレート４２の所定位置に設ける。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタ室で処理すべき基板に対向配置されるターゲットと、
ターゲットの基板と対向する側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の磁束を形成する磁石ユニットと、
磁石ユニットを所定の起点からターゲットに対して相対移動させて前記起点に戻すことを繰り返す移動手段と、を備え、
前記起点に戻るまでの１サイクルにて、磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる位置での磁場強度を局所的に低下させる磁気シャントを磁石ユニット以外に設けたことを特徴とするマグネトロンスパッタ電極。
【請求項２】
前記磁気シャントが、ターゲットに接合されたバッキングプレートの下面に貼付されることを特徴とする請求項１記載のマグネトロンスパッタ電極。
【請求項３】
前記ターゲットが平面視矩形のものであり、前記磁石ユニットが、線状に配置した中央磁石とこの中央磁石の周囲を囲うように設けたターゲット側の極性が異なる周辺磁石とから構成され、前記移動手段が、磁石ユニットをターゲットの幅方向及び長手方向の少なくとも一方で同一平面上を往復動させるものであることを特徴とする請求項１または請求項２記載のマグネトロンスパッタ電極。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３記載のいずれか１項に記載のマグネトロンスパッタ電極と、真空状態の保持が可能な真空チャンバと、この真空チャンバ内に所定のガスを導入するガス導入手段と、ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源とを備えたことを特徴とするスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マグネトロン方式のスパッタリング（以下、「スパッタ」という）装置では、マグネトロンスパッタ電極を有し、このマグネトロンスパッタ電極が、処理すべき基板に対向配置されるターゲットと、このターゲットの基板と対向する側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲット上方にトンネル状の磁束を形成する磁石ユニットとを有するマグネトロンカソードユニットを備える。【０００３】
そして、ターゲットに負の直流電圧または交流電圧を印加してターゲットをスパッタする際、上記磁束にてターゲット前方で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉してターゲット上方での電子密度を高め、これらの電子と真空チャンバ内に導入される希ガスのガス分子との衝突確率を高めることでプラズマ密度を高めている。このスパッタ装置によれば、例えば処理基板の著しい温度上昇を伴うことなく成膜速度を向上できる等の利点があり、近年では、大面積のフラットパネルディスプレイの製造工程にて透明電導膜の形成等に広く利用されている。【０００４】
ここで、ターゲットとして平面視略矩形のものを用いる場合、磁石ユニットとしては、ターゲットに平行に配置される平面視略矩形の支持板（ヨーク）上面中央に、その長手方向に沿って線状に中央磁石を配置すると共に、この中央磁石の周囲を囲うように支持板上面の周縁全体に亘ってターゲット側の極性が異なる周辺磁石を配置して構成したものが例えば特許文献１で知られている。【０００５】
上記磁石ユニットでは、ターゲットの上面（スパッタされる面）の周縁領域での磁束密度が局所的に高まる。即ち、中央磁石の延長線上に沿った磁場プロファイルをみると、中央磁石の長手方向両端から内側に寄った位置で磁場の垂直成分が１つのピークをもつようになる。このため、スパッタ面の周縁領域でのスパッタレートが高まり、基板全面に亘って略均一な薄膜が得られるが、その領域でターゲットが集中的に侵食される（つまり、ターゲットが優先的にスパッタされる領域となる）。この場合、ターゲットの利用効率が低くなるという問題が生じる。【０００６】
そこで、この種のスパッタ装置では、トンネル状の磁束の位置を変えてターゲットを均一に侵食させることが従来から行われている（例えば特許文献２参照）。即ち、支持板の外形寸法をターゲットより一回り小さく形成し、スパッタ中、磁石ユニットをターゲットの幅方向（ターゲットの長手方向に直行する方向）に沿う２点間で同一平面上を所定速度で往復動させる。このとき、幅方向に加えてターゲットの長手方向にも磁石ユニットを往復動させることも考えられている。【０００７】
然しながら、スパッタ中に磁石ユニットを上記のように往復動すると、ターゲットに局所的な侵食領域が生じることが判明した。これは、磁石ユニットが、一往復する間で、磁束密度の高い部分の滞在時間が比較的長くなる箇所（所謂クロスポイント）が生じるためと考えられる。このようにターゲットに局所的な侵食領域が生じると、結局、ターゲット寿命が著しく短くなり、ターゲットの利用効率を向上させることができないという不具合が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平７−３４２４４号公報
【特許文献２】特開２００５−２９０５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記点に鑑み、スパッタ時に磁石ユニットとターゲットとを相対移動させても、ターゲットに局所的な侵食領域が生じることがなく、ターゲットの利用効率が良いマグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置を提供することをその課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明のマグネトロンスパッタ電極は、スパッタ室内で処理すべき基板に対向配置されるターゲットと、ターゲットの基板と対向する側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の磁束を形成する磁石ユニットと、磁石ユニットを所定の起点からターゲットに対して相対移動させて前記起点に戻すことを繰り返す移動手段と、を備え、前記起点に戻るまでの１サイクルにて、磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる位置での磁場強度を局所的に低下させる磁気シャントを磁石ユニット以外に設けたことを特徴とする。【００１１】
本発明によれば、磁気シャントにより磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる位置での磁場強度を局所的に低下させたため、ターゲットに局所的な侵食領域の発生することが抑制され、ターゲット寿命を長くできる。結果として、スパッタ時に磁石ユニットとターゲットとを相対移動させることで、ターゲットの侵食領域を拡げることができることと相俟って、ターゲットの利用効率を向上させることができる。【００１２】
ここで、磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる位置は、同一の磁石ユニットを用いたとしても、スパッタ装置にて行うプロセス条件（真空チャンバ内の圧力、例えば真空チャンバ内に導入するガスの流量）等により変り得る。このため、上記位置での磁場強度を低下させる場合に、例えば、磁石ユニットの構成を変更して磁束密度を局所的に変更することも考えられるが、これでは、その作業が著しく面倒となる。それに対して、本願発明では、磁気シャントを磁石ユニット以外に設ける構成を採用したため、磁石ユニット自体の構成をかえる必要がなく、有利である。【００１３】
本発明においては、前記磁気シャントが、ターゲットに接合されたバッキングプレートの下面に貼付されるようにすれば、スパッタ装置に本発明のマグネトロンスパッタ電極を設置した後でも簡単な作業で磁場強度を局所的に低下させる構成を実現できてよい。このような場合、ターゲットと磁石ユニットとを相対移動させながらスパッタを行い、ターゲット面内における局所的な侵食領域を特定した上で、その位置に磁気シャントを取り付けるようにすればよい。【００１４】
なお、本発明においては、例えば、前記ターゲットが平面視矩形のものであり、前記磁石ユニットが、線状に配置した中央磁石とこの中央磁石の周囲を囲うように設けたターゲット側の極性が異なる周辺磁石とから構成され、前記移動手段が、磁石ユニットをターゲットの幅方向及び長手方向の少なくとも一方で同一平面上を往復動させるものである。【００１５】
また、上記課題を解決するために、本発明のスパッタ装置は、請求項１乃至請求項３記載のいずれか１項に記載のマグネトロンスパッタ電極と、真空状態の保持が可能な真空チャンバと、この真空チャンバ内に所定のガスを導入するガス導入手段と、ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源とを備えたことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明のスパッタ装置を模式的に説明する図。
【図２】磁石ユニットを説明する平面図。
【図３】（ａ）は、磁石ユニットをターゲットに対して相対移動させたときの磁束の変化を模式的に説明する図。（ｂ）は、ターゲットの侵食を模式的に説明する、３（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図。（ｃ）は、ターゲットの侵食を模式的に説明する、図３（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、処理すべき基板Ｓとして、フラットパネルディスプレイの製作に用いられるガラス基板を用い、その表面に、Ａｌ等の所定の薄膜を形成する場合を例に本発明のマグネトロンスパッタ電極Ｃを有するスパッタ装置ＳＭを説明する。
【００１８】
図１に示すように、スパッタ装置ＳＭは、例えばインライン式のものであり、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプなどの真空排気手段（図示せず）を介して所定の真空度に保持できるスパッタ室１を備える。スパッタ室１の上部空間には基板搬送手段２が設けられている。基板搬送手段２は、公知の構造を有し、例えば、基板Ｓが装着されるキャリア２１を有し、駆動手段を間欠駆動させて、後述するターゲットと対向した位置に基板Ｓを順次搬送できるようになっている。
【００１９】
スパッタ室１にはガス導入手段３が設けられている。ガス導入手段３は、マスフローコントローラ３１を介設したガス管３２を通じてガス源３３に連通し、アルゴン等の希ガスからなるスパッタガスや反応性スパッタリングの際に用いる反応ガスがスパッタ室１内に一定の流量で導入できる。反応ガスとしては、処理基板Ｓ上に成膜しようする薄膜の組成に応じて選択され、酸素、窒素、炭素、水素を含むガス、オゾン、水若しくは過酸化水素またはこれらの混合ガスなどが用いられる。スパッタ室１の下側には、マグネトロンスパッタ電極Ｃが配置されている。
【００２０】
マグネトロンスパッタ電極Ｃは、スパッタ室１を臨むように設けた略直方体（平面視矩形）のターゲット４１と磁石ユニット５とを備える。以下においては、ターゲット４１から基板Ｓに向かう方向を「上」とし、基板Ｓからターゲット４１に向かう方向を「下」として説明する。また、ターゲットの幅方向をＸ方向として、この幅方向に直交するターゲット４１の長手方向をＹ方向として説明する。
【００２１】
ターゲット４１は、Ａｌ合金、ＭｏやＩＴＯなど処理基板Ｓ上に成膜しようする薄膜の組成に応じて公知の方法でそれぞれ作製されている。ターゲット４１の上面たるスパッタ面４１１の面積は、処理基板Ｓの外形寸法より大きく設定されている。また、ターゲット４１の下面には、スパッタリング中、ターゲット４１を冷却するバッキングプレート４２がインジウムやスズなどのボンディング材を介して接合されている。そして、バッキングプレート４２にターゲット４１を接合した状態で、絶縁板４３を介してフレーム４４に装着される。
【００２２】
スパッタ室１内にターゲット４１を配置した後、ターゲット４１のスパッタ面４１１の周囲には、グランド接地されたアノードとしての役割を果たすシールド４５が装着される。また、ターゲットには、公知の構造を有するスパッタ電源Ｅからの出力端が接続され、負の直流電圧または高周波電圧を印加されるようになっている。
【００２３】
図２に示すように、磁石ユニット５は、ターゲット４１のスパッタ面４１１に平行に設けられ、磁石の吸着力を増幅する磁性材料製の平板から構成される支持板（ヨーク）５１を備える。支持板５１上には、支持板５１の長手方向にのびる中心線上に位置させて配置した中央磁石５２と、この中央磁石５２の周囲を囲うように、支持板５１の上面外周に沿って環状に配置した周辺磁石５３とがターゲット側の極性をかえて設けられている。中央磁石５２の同磁化に換算したときの体積をその周囲を囲う周辺磁石５３の同磁化に換算したときの体積の和（周辺磁石：中心磁石：周辺磁石＝１：２：１（図１参照））程度になるように設計している。これにより、ターゲット４１の上方で釣り合ったトンネル状の磁束Ｍ１、Ｍ２が形成される（図１参照）。中央磁石５２及び周辺磁石５３は、ネオジム磁石等の公知のものであり、これらの中央磁石５２及び周辺磁石５３は一体ものでも、または、所定体積の磁石片を複数列設して構成してもよい。
【００２４】
そして、基板搬送手段２により基板Ｓをターゲット４１と対向した位置に搬送し、ガス導入手段３を介して所定のスパッタガスや反応ガスを導入した後、スパッタ電源Ｅを介して負の直流電圧または高周波電圧をターゲット４１に印加する。これにより、基板Ｓ及びターゲット４１に垂直な電界が形成され、ターゲット４１の上方にプラズマが発生してターゲット４１がスパッタされることで基板Ｓ表面に所定の薄膜が形成される。このとき、磁束Ｍ１、Ｍ２にてターゲット上方で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉してターゲット前方での電子密度を高め、これらの電子と真空チャンバ１内に導入されるスパッタガスのガス分子との衝突確率を高めることでターゲット４１上方でのプラズマ密度が高まる。
【００２５】
ところで、上記磁石ユニット５では、特に図示して説明しないが、中央磁石５２の長手方向に沿った磁場プロファイルをみると、中央磁石５２の長手方向両端から内側に寄った位置で磁場の垂直成分が１つのピークをもつようになる。この状態にてスパッタにより薄膜を形成すると、基板Ｓ全面に亘って略均一な薄膜が形成できる。一方、スパッタ面４１１の周縁領域でのスパッタレートが局所的に高まることでその領域でターゲット４１が集中的に侵食される。
【００２６】
このため、支持板５１の外形寸法をターゲットより一回り小さく形成すると共に、支持板５１に移動手段６を付設し、スパッタ中、磁石ユニット５をＸ方向及びＹ方向で同一平面上を所定速度かつ一定のストローク（Ｘ方向：Ｄ１）で往復動させている。この場合、Ｘ方向及びＹ方向への移動は別々に行ってもよく、また、Ｘ方向及びＹ方向への移動を同期させてもよい（この場合、磁石ユニット５が、図１中、実線で示す位置から、所定の楕円状の円弧を描くように移動して、図１中、一点鎖線で示す位置に到達し、円弧を描くように移動して位置Ａに戻る）。この移動手段６により、磁石ユニット５が所定の起点からターゲット４１に対して相対移動されて前記起点に戻されることが繰り返される。
【００２７】
移動手段６は、ベース板６１の平坦な上面でターゲット４１の長手方向全長に亘って水平にのびかつターゲット４１の幅より広い間隔で設けた左右一対のレール部材６２Ｒ、６２Ｌと、レール部材６２Ｒ、６２Ｌに摺動自在に係合し、図示省略の駆動モータを備えたスライダ６３と、両スライダ６３、６３で支持されるように設けられ、駆動モータＭを有する送りねじ６４とを備える。そして、送りねじ６４に、支持板５１の下面中央に垂設されたナット部材６５が螺合している。
【００２８】
ところで、スパッタ中、磁石ユニット５を移動手段６により移動させた場合、図３に示すように、磁石ユニット５により形成された磁束Ｍ１、Ｍ２のうち磁束密度の高い部分の滞在時間が、他の箇所と比較して長くなる箇所（所謂クロスポイントＣＰ：図３（ａ）参照）が生じる。この場合、ターゲット４１の長手方向略中央部では、その幅方向で略均等に侵食されるが（図３（ｂ）参照）、滞在時間が長くなる箇所では、ターゲット４１の侵食量が局所的に多くなり、これでは、ターゲット４１の寿命が短くなる（図３（ｃ）参照）。
【００２９】
そこで、ターゲット４１と磁石ユニット５とを相対移動させながらスパッタを行い、ターゲット４１面内における局所的な侵食領域を特定した上で、その位置に対応させてバッキングプレート４２の下面に所定面積の磁気シャント７を貼付するようにした（図２参照）。磁気シャント７は、最大透磁率が高くかつ剛性を有する材料であればよく、例えば、ＳＵＳ４３０などの磁性を有するステンレス、磁場の減衰効果を高められる純鉄、ニッケルなどの金属、パーマロイ、スーパーマロイなどの透磁率の高いアロイを用いることができる。また、磁気シャントの厚さは、その材質やクロスポイントでのターゲット４１の侵食量を考慮して１．０〜５．０ｍｍの範囲で適宜設定される。
【００３０】
上記構成のマグネトロンスパッタ電極Ｃによれば、磁気シャント７により磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる位置での磁場強度を局所的に低下させたため、ターゲット４１に局所的な侵食領域の発生が抑制され、ターゲット寿命を長くできる。結果として、スパッタ時に磁石ユニット５とターゲット４１とを相対移動させることで、ターゲット４１の侵食領域を拡げることができることと相俟って、ターゲット４１の利用効率を向上させることができる。
【００３１】
また、磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる位置は、同一の磁石ユニット５を用いたとしても、プロセス条件（真空チャンバ内の圧力、例えば真空チャンバ内に導入するガスの流量）等により変り得るものであるが、磁気シャント７を磁石ユニット５以外に設ける構成を採用したため、磁石ユニット５自体の構成をかえる必要がなく、有利である。また、マグネトロンスパッタ電極Ｃをスパッタ室１内に設置した後でも簡単な作業で磁場強度を局所的に低下させる構成を実現できる。
【００３２】
以上の効果を確認するため、以下の実験を行った。ターゲット４１としてＡｌを用い、公知の方法で２１８ｍｍ×３４００ｍｍ×厚さ１６ｍｍの平面視略長方形に成形し、バッキングプレート４２に接合した。また、磁石組立体の支持板５１として、１００ｍｍ×３３９０ｍｍの外形寸法を有するものを用い、各支持板５１上に、ターゲット４１の長手方向に沿った棒状の中央磁石５２と、支持板５１の外周に沿って周辺磁石５３とを設けた。このとき、ターゲット４１の長手方向の両端から約５１ｍｍの位置で磁場の垂直成分が１つのピークＰ（約２１０Ｇ）がある。
【００３３】
そして、基板Ｓとして、約３１００ｍｍ×２９００ｍｍの外形寸法を有するガラス基板を用い、また、スパッタリング条件として、真空排気されているスパッタ室１内の圧力が０．３Ｐａに保持されるように、マスフローコントローラ３１を制御してスパッタガスであるアルゴンをスパッタ室１内に導入した。ターゲット４１とガラス基板との間の距離は２１０ｍｍ、ターゲット４１への投入電力（直流電圧）は７６ｋＷとし、６３００ｋＷｈに達するまでスパッタした。磁石ユニット５をＸ方向に１５ｍｍ／ｓｅｃの速度でかつ７０ｍｍのストロークで往復動させた。
【００３４】
上記条件で基板表面にＡｌ膜を形成すると、ターゲットの幅方向中央でかつターゲットの長手方向端部から１２０ｍｍの位置でのターゲット４１の侵食量をみると、その周辺と比較して、約１７０％深く侵食されていることが確認された。そこで、バッキングプレート４２の下面中央で、１２０×５０ｍｍで厚さ２ｍｍのＳＵＳ４３０製の磁気シャント７をターゲットの長手方向端部から８０ｍｍの位置に貼付した。そして、上記と同一条件でスパッタを行ったところ、局所的なターゲットの侵食が防止され、ターゲットをその略全面に亘って略均等に侵食できることが確認された。
【００３５】
次に、ターゲット４１としてＡｌを用い、公知の方法で１８０ｍｍ×９５０ｍｍ×厚さ１６ｍｍの平面視略長方形に成形し、バッキングプレート４２に接合した。また、磁石組立体の支持板５１として、１００ｍｍ×８８０ｍｍの外形寸法を有するものを用い、各支持板５１上に、ターゲット４１の長手方向に沿った棒状の中央磁石５２と、支持板５１の外周に沿って周辺磁石５３とを設けた。このとき、ターゲット４１の長手方向の両端から約６１ｍｍの位置で磁場の垂直成分が１つのピークＰ（約１３６Ｇ）がある。
【００３６】
スパッタリング条件として、真空排気されているスパッタ室１内の圧力が０．５Ｐａに保持されるように、マスフローコントローラ３１を制御してスパッタガスであるアルゴンをスパッタ室１内に導入すると共に、ターゲット４１への投入電力（直流電圧）は１３．６ｋＷとし、２６００ｋＷｈに達するまでスパッタした。磁石ユニット５の移送速度を１５ｍｍ／ｓｅｃ、Ｘ方向のストロークを６０ｍｍ、Ｙ方向のストロークを５０ｍｍに夫々設定し、磁石ユニット５が所定の起点からターゲット４１に対して相対移動されて前記起点に戻るようにＸ方向及びＹ方向に移動させた。
【００３７】
上記条件で基板表面にＡｌ膜を形成すると、ターゲット４１の幅方向中央でかつターゲットの長手方向端部から１００ｍｍの位置でのターゲット４１の侵食量をみると、その周辺と比較して、約１７０％深く侵食されていることが確認された。そこで、バッキングプレート４２の下面中央で、１２０×５０ｍｍで厚さ２ｍｍのＳＵＳ４３０製の磁気シャント７をターゲットの長手方向端部から５５ｍｍの位置に貼付した。そして、上記と同一条件でスパッタを行ったところ、ターゲット４１の幅方向中央でかつターゲットの長手方向端部から１００ｍｍの位置でのターゲット４１の侵食量をみると、その周辺と比較して、約１１０％であり、Ｘ方向及びＹ方向に移動させた場合でも、局所的なターゲットの侵食が防止され、ターゲットをその略全面に亘って略均等に侵食できることが確認された。
【００３８】
以上、本発明の実施形態のマグネトロンスパッタ電極Ｃを備えたスパッタ装置ＳＭについて説明したが、本発明は、上記の形態のものに限定されるものではない。上記実施形態では、ターゲットを平面視矩形とし、磁石ユニット５をＸ方向及びＹ方向に同期して駆動するものを例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば円形のターゲットを用い、ターゲットから偏心した位置を回転中心として磁石ユニットを回転駆動しながらスパッタする場合のように、所定の起点からターゲットに対して相対移動させて前記起点に戻すことを繰り返すべく磁石ユニット５を移動したときに磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる位置が生じるものであれば、本発明を適用してターゲットの利用効率を向上できる。
【００３９】
また、上記実施形態では、１枚のターゲットの下方に１個の磁石ユニット５を設けたものを例に説明したが、これに限定されるものでなく、１枚のターゲットの下方に複数個の磁石ユニット５を設けた場合や複数枚のターゲットの下方に１個の磁石ユニット５を設けた場合等であっても本発明を適用できる。
【００４０】
さらに、上記実施形態では、磁石ユニット５をターゲットに対して相対移動させながらスパッタを行い、クロスポイントを特定し、バッキングプレート４２に磁気シャント７を貼付したものを例に説明したが、これに限定されるものではい。磁気シャント７は、磁石ユニット５以外に設けられていればよく、図示省略の支持部材でターゲット４１と磁石ユニット５との間に介設されるようにしてもよい。他方、クロスポイントは、磁石ユニット５を移動させたときの磁束変化のシュミレーションから特定することもでき、このような場合に、バッキングプレート４２の下面に予め磁気シャント７取付用の凹部を形成しておき、ねじ止めするようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４１】
ＳＭ…スパッタリング装置、Ｃ…マグネトロンスパッタ電極、１…スパッタ室、４１…ターゲット、４２…バッキングプレート、５…磁石ユニット、５２…中央磁石、５３…周辺磁石、６…移動手段、７…磁気シャント、３…ガス導入手段、Ｅ…スパッタ電源、Ｓ…基板、Ｍ１、Ｍ２…磁束
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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2011024411.tif 000007
2011024411.tif 000008
2011024411.tif 000009