(57)【要約】  複数の噴射部が電子部品の洗浄対象部位を挟む複数の噴射領域に向かって洗浄液をそれぞれ噴射する。複数の噴射領域はそれぞれ線状に延出する。噴射部は、噴射領域の延出方向から見た噴射方向が、噴射領域を含む面に対して垂直となる、噴射パターンを有する。噴射部は、噴射領域が相互に並行となるように配置される。噴射部から噴射された洗浄液を噴射領域に衝突させることで洗浄対象部位へ向かう洗浄液流を生じさせる。
2011055502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の洗浄対象部位を洗浄する電子部品の洗浄装置であって、
前記洗浄対象部位を挟む複数の噴射領域に向かって洗浄液をそれぞれ噴射する複数の噴射部を備え、
前記複数の噴射領域はそれぞれ線状であり、
前記複数の噴射部は、前記噴射領域が線状に延びる方向から見た噴射方向が、前記噴射領域を含む面に対して垂直となる、噴射パターンをそれぞれ有し、
前記複数の噴射部は、前記複数の噴射領域が相互に並行となるように配置され、前記複数の噴射部から噴射された前記洗浄液を前記複数の噴射領域に衝突させることで前記洗浄対象部位へ向かう洗浄液流を生じさせる、
ことを特徴とする電子部品の洗浄装置。
【請求項２】
前記洗浄対象部位は、前記噴射領域に向かって開放された前記電子部品の隙間を含む、
請求項１に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項３】
前記電子部品は、基板またはウェハと、前記基板または前記ウェハに実装された電子回路チップとを備えており、
前記隙間は、前記基板または前記ウェハと前記電子回路チップとの間に形成される、
請求項２に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項４】
前記洗浄対象部位を挟む一方側の前記噴射領域から他方側の前記噴射領域に向かって前記電子部品を移動させる搬送部を、さらに備える、
請求項１に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項５】
前記洗浄対象部位を挟む一方側の前記噴射領域と他方側の前記噴射領域との間の離間間隔は、前記一方側の噴射領域と前記他方側の噴射領域との対向方向に沿った前記洗浄対象部位の大きさより大きい、
請求項４に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項６】
前記電子部品は、基板またはウェハと、前記基板または前記ウェハに実装された電子回路チップとを備えており、
前記洗浄対象部位を挟む一方側の前記噴射領域と他方側の前記噴射領域との間の離間間隔（Ｄ）と、前記一方側の噴射領域と前記他方側の噴射領域との対向方向に沿った前記電子回路チップの幅寸法（Ｌ）とは、
Ｌ＜Ｄ≦（Ｌ＋２５ｍｍ）
の式を満たす、
請求項４に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項７】
前記搬送部による前記電子部品の搬送速度を、１００〜１５００ｍｍ／分に設定する、
請求項４に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項８】
前記噴射部が噴射する前記洗浄液の流速は、０．０３〜０．２ｍ／秒であり、前記噴射部による噴射圧力が０．０５ＭＰａ〜０．８ＭＰａである、
請求項１に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項９】
前記噴射部は、扇型均等ノズルを有する、
請求項１に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項１０】
前記扇型均等ノズルの洗浄液噴射角度が、４０°以下である、
請求項９に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項１１】
前記噴射部は、スリットノズルを有する、
請求項１に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項１２】
前記噴射部は、前記搬送部の搬送によって前記電子部品が前記噴射領域を通過する期間では、前記洗浄液の噴射を一時停止する、
請求項４に記載の電子部品の洗浄装置。
【請求項１３】
電子部品の洗浄対象部位を洗浄する電子部品の洗浄方法であって、
複数の噴射領域に向かって洗浄液をそれぞれ噴射する複数の噴射部を備え、前記複数の各噴射領域がそれぞれ線状であり、前記複数の噴射部は、前記噴射領域が線状に延びる方向から見た噴射方向が前記噴射領域を含む面に対して垂直となる噴射パターンをそれぞれ有し、前記複数の噴射部は、前記複数の噴射領域が相互に並行となるように配置された電子部品洗浄装置を用意したうえで、
前記洗浄対象部位が前記複数の噴射領域の間に位置するように前記電子部品を配置し、
前記複数の噴射部から噴射された前記洗浄液を前記複数の噴射領域に衝突させることで前記洗浄対象部位へ向かう洗浄液流を生じさせ、当該洗浄液流により前記洗浄対象部位を洗浄する、
ことを特徴とする電子部品の洗浄方法。
【請求項１４】
前記洗浄対象部位を挟む一方側の前記噴射領域から他方側の前記噴射領域に向かって前記電子部品を移動させながら、前記洗浄液流により前記洗浄対象部位を洗浄する、
請求項１３に記載の電子部品の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路チップ、トランジスタ、コンデンサ、ダイオードなどの各種半導体デバイスが実装された基板など、隙間を有する電子部品の洗浄装置および洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板（ウェハを含む）に電子回路チップ（半導体デバイス等）を実装してなる電子部品は、基板と各種電子回路チップとのハンダ付け箇所からなる隙間や微細な構造部が存在する。以下、このような隙間や微細な構造部を総称して隙間という。例えば、フリップチップ・ボールグリッドアレイ（以下、ＦＣ−ＢＧＡという）タイプの半導体実装基板では、半導体デバイスからなる電子回路チップの裏面全体に多数のハンダバンプを配しており、これらハンダバンプを基板に融着させることによって構成されているが、電子回路チップと基板との間の隙間は、約０．０５ｍｍしかない。そのため、ハンダ融着後、隙間には、ハンダバンプを基板に融着する際に使用されるフラックスや、はんだ残渣、金属不純物などの微細な不用物が残存しやすい。これら不用物は、電子部品の性能不良（例えば、回路ショート）や製品歩留まりの低下等の原因となる。そこで、電子部品を封止剤で被覆して最終製品とする前に、これら不用物の洗浄除去が行われる。しかしながら、一般に、洗浄液を、電子部品の洗浄対象部位（隙間等）に浸入させることや洗浄対象部位から不用物を溶出させることは容易ではなく、そのために電子部品の洗浄はその表面の洗浄より困難になっている。【０００３】
電子部品における洗浄対象部位の洗浄としては、超音波を発生させた洗浄液内に電子部品を浸漬し、超音波振動により不用物を電子部品から剥離させて除去する超音波洗浄方法がある。しかしながら、超音波洗浄方法には、超音波が伝わりにくい部位の洗浄には効果が期待できないなどの制約がある。さらには、超音波振動によって電子部品に傷付、破損が生じることもあり、電子部品の洗浄に幅広く適用できない。【０００４】
そこで、従来から洗浄ノズルから洗浄液を電子部品の角部に向けて噴射して部品内部に流し込むことで、電子部品の洗浄を行うノズル洗浄方法が考案されている。この方法では、洗浄液を電子回路チップ（半導体デバイス）の角部から部品内部に流し込むことで電子回路チップの端縁に沿って高速流れを形成させ、これによって高速流れに接する狭隙間端縁側を負圧にして洗浄対象部位（隙間等）への洗浄液の浸透を促進させている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３００２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の洗浄方法では、洗浄工程内外の自動化が難しく洗浄の効率的な実施が困難であった。【０００７】
本発明は、高い洗浄効果を有する電子部品の洗浄装置や洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子部品の洗浄装置は、
電子部品の洗浄対象部位を洗浄する電子部品の洗浄装置であって、
前記洗浄対象部位を挟む複数の噴射領域に向かって洗浄液をそれぞれ噴射する複数の噴射部を備え、
前記複数の噴射領域はそれぞれ線状であり、
前記複数の噴射部は、前記噴射領域が線状に延びる方向から見た噴射方向が、前記噴射領域を含む面に対して垂直となる、噴射パターンをそれぞれ有し、
前記複数の噴射部は、前記複数の噴射領域が相互に並行となるように配置され、前記複数の噴射部から噴射された前記洗浄液を前記複数の噴射領域に衝突させることで前記洗浄対象部位へ向かう洗浄液流を生じさせる。【０００９】
ここで、複数の噴射領域が相互に並行とは、互いに平行な状態を含むが、平行な状態だけではなく、両者が角度差５°以内の微少角度で交差する状態も含む。また噴射領域を含む面に対して垂直となるとは、前記面に対して垂直となる方向を含むが、垂直方向だけでなく、前記面に対して８５〜９５°の角度範囲となる方向も含む。また、線状とは、直線状が最も好ましいが、緩い曲率の曲線状や波線状も含む。【００１０】
各噴射部から噴射された洗浄液は噴射領域に衝突して分岐する。これにより相互に逆向きの洗浄液流が、噴射領域を含む面に沿って形成され、さらに向い合う噴射領域の間のほぼ中間位置に、互いに逆向きとなった一対の洗浄液流が相対する流域（以下、液流相対域という）が形成される。そこで隣接する噴射領域の間のほぼ中間位置に、電子部品の洗浄対象部位（例えば、電子部品内に形成される隙間）が位置するように、噴射部を配置すると、液流相対域にある相互に逆向きの洗浄液流が洗浄対象部位に流れ込んでここを洗浄する。【００１１】
以上の洗浄効果を有効に発揮させるためには、本発明は、次の態様において実施されるのが好ましい。【００１２】
前記洗浄対象部位は、前記噴射領域に向かって開放された前記電子部品の隙間を含むのが好ましい。【００１３】
本発明によって好適に洗浄可能な電子部品は、基板またはウェハと、前記基板または前記ウェハに実装された電子回路チップとを備えており、前記隙間は、前記基板または前記ウェハと前記電子回路チップとの間に形成されている電子部品である。【００１４】
また、前記洗浄対象部位を挟む一方側の前記噴射領域から他方側の前記噴射領域に向かって前記電子部品を移動させる搬送部をさらに備えるのが好ましい。そうすれば、搬送部により電子部品が移動すると、電子部品は、洗浄液流どうしが相対する液流相対域（向い合う噴射領域のほぼ中間位置に形成される）を順次通過することになる。これにより、洗浄対象部位は相互に逆向きの２方向の洗浄液流によって順次洗浄される。【００１５】
また、前記洗浄対象部位を挟む一方側の前記噴射領域と他方側の前記噴射領域との間の離間間隔は、前記一方側の噴射領域と前記他方側の噴射領域との対向方向に沿った前記洗浄対象部位の大きさより大きいのが好ましい。具体的には、前記電子部品は、基板またはウェハと、前記基板または前記ウェハに実装された電子回路チップとを備えており、前記洗浄対象部位を挟む一方側の前記噴射領域と他方側の前記噴射領域との間の離間間隔（Ｄ）と、前記一方側の噴射領域と前記他方側の噴射領域との対向方向に沿った前記電子回路チップの幅寸法（Ｌ）とは、Ｌ＜Ｄ≦（Ｌ＋２５ｍｍ）の式を満たす、のが好ましい。これにより、相互に逆向きの洗浄液流をより確実に洗浄対象部位に流し込むことが可能となる。【００１６】
搬送部を備える構成では、電子部品の搬送速度は、１００〜１５００ｍｍ／分とすることが好ましい。そうすれば、電子部品の移動と洗浄液流との干渉による洗浄効果への影響を低減することができるとともに、生産性の十分な確保と洗浄装置のサイズのコンパクト化を図ることができる。【００１７】
また、洗浄液流の流速が０．０３ｍ／秒〜０．２ｍ／秒であり、噴射圧力が０．０５ＭＰａ〜０．８ＭＰａであることが好ましい。そうすれば、安定した洗浄性能の確保と電子部品の破損防止を図ることができる。【００１８】
また、噴射部は扇型ノズルとすることが好ましい。そうすれば、被洗浄対象物（電子部品）に合わせて洗浄液の流量を容易に調節することが可能になる。【００１９】
また、前記扇型ノズルの洗浄液噴射角度が、４０°以下であることが好ましい。そうすれば、洗浄液が噴射領域外に漏出することを抑制できて洗浄性が向上する。【００２０】
また、前記噴射部は、スリットノズルを有するのが好ましい。スリットノズルは、噴射量が均一な長い直線状の噴射パターンを容易に得ることができるため、装置設計上の制約が少なくなる。【００２１】
本発明では、噴射部は、噴射領域の位置にかかわらず流量が均一となる均等ノズルを採用するのが好ましい。そうすれば、洗浄ムラなく安定した洗浄性を確保することができる。【００２２】
本発明では、前記噴射部は、前記搬送部の搬送によって前記電子部品が前記噴射領域を通過する期間では、前記洗浄液の噴射を一時停止するのが好ましい。そうすれば、洗浄液の噴射によって電子部品が損傷することを抑制することができる。【００２３】
本発明の電子部品の洗浄方法は、
電子部品の洗浄対象部位を洗浄する電子部品の洗浄方法であって、
複数の噴射領域に向かって洗浄液をそれぞれ噴射する複数の噴射部を備え、前記複数の各噴射領域がそれぞれ線状であり、前記複数の噴射部は、前記噴射領域が線状に延びる方向から見た噴射方向が前記噴射領域を含む面に対して垂直となる噴射パターンをそれぞれ有し、前記複数の噴射部は、前記複数の噴射領域が相互に並行となるように配置された電子部品洗浄装置を用意したうえで、
前記洗浄対象部位が前記複数の噴射領域の間に位置するように前記電子部品を配置し、
前記複数の噴射部から噴射された前記洗浄液を前記複数の噴射領域に衝突させることで前記洗浄対象部位へ向かう洗浄液流を生じさせ、当該洗浄液流により前記洗浄対象部位を洗浄する。【００２４】
本発明の電子部品の洗浄方法では、
前記洗浄対象部位を挟む一方側の前記噴射領域から他方側の前記噴射領域に向かって前記電子部品を移動させながら、前記洗浄液流により前記洗浄対象部位を洗浄するのが好ましい。【００２５】
本発明は、例えば、隙間幅が５０μｍ程度の狭い隙間を有する電子部品の洗浄はもちろん、今後の微細化に伴い求められる隙間幅２０μｍ程度のさらに狭い隙間を有する電子部品の洗浄に特に適している。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の電子部品の隙間の洗浄装置および洗浄方法は、高い洗浄効果を得ることができる。【００２７】
また、搬送部を備えることにより、簡単な構成で、電子部品の洗浄を連続的に行うことができようになる。その結果、洗浄工程内の自動化が可能であるうえ、前後の工程との自動化が可能なインライン方式の洗浄システムを構築することが可能となる。その結果、電子部品の洗浄を一層効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明の実施形態１の電子部品の隙間の洗浄装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態１の電子部品の隙間の洗浄装置の概略構成を示す正面図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態１の電子部品の隙間の洗浄装置の概略構成を示す上面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、フリップチップ・ボールグリッドアレイ（ＦＣ−ＢＧＡ）実装基板の概略構成図（投影図）である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、フリップチップ・ボールグリッドアレイ（ＦＣ−ＢＧＡ）実装基板の概略構成図（正面図）である。
【図５】図５は、本発明の実施形態２の電子部品の隙間の洗浄装置の概略構成を示す側面図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態２の電子部品の隙間の洗浄装置（図５）における洗浄工程部分の概略構成を示す正面図である。
【図７】図７は、本発明の実施形態２の電子部品の隙間の洗浄装置（図５）における洗浄工程部分の概略構成を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の実施形態では、電子部品として、フリップチップ・ボールグリッドアレイ実装基板（以下、ＦＣ−ＢＧＡ（１）という）を洗浄する場合を例にしているが、他の電子部品においても同様に実施できるのはいうまでもない。
【００３０】
（本発明の洗浄装置の実施形態１）
図１は、本発明の洗浄装置の実施形態１の概略構成を示す側面図である。図２は、同装置の概略構成を示す正面図である。図３は、同装置の概略構成を示す上面図である。
【００３１】
図１に示すように、洗浄装置はＦＣ−ＢＧＡ（１）等の電子部品を載置するための載置部（１０）と、噴射部（３０ａ）,（３０ｂ）とを備える。
【００３２】
噴射部（３０ａ）は、載置部（１０）の上面に線状の噴射領域（Ｅ１）を設定している。噴射部（３０ａ）は、設定した噴射領域（Ｅ１）に向けて噴射パターン（Ｐ１）で洗浄液を噴射させる。噴射パターン（Ｐ１）は、噴射領域（Ｅ１）が線状に延びる方向（図１における紙面の垂直方向、図２における紙面の左右方向）から見た噴射方向が、噴射領域（Ｅ１）を含む面に対して垂直となる面上に設けられる。ここで、噴射領域（Ｅ１）を含む面とは、例えば載置部（１０）の上面となる。また、線状とは、直線状が最も好ましいが、緩い曲率の曲線状や波線状も含む。
【００３３】
噴射部（３０ｂ）は、載置部（１０）の上面に線状の噴射領域（Ｅ２）を設定している。噴射部（３０ｂ）は、設定した噴射領域（Ｅ２）に向けて噴射パターン（Ｐ２）で洗浄液を噴射させる。噴射パターン（Ｐ２）は、噴射領域（Ｅ２）が線状に延びる方向（図１における紙面の垂直方向、図２における紙面の左右方向）から見た噴射方向が、噴射領域（Ｅ２）を含む面に対して垂直となる面上に設けられる。ここで、噴射領域（Ｅ２）を含む面とは、具体的に載置部（１０）の上面となる。このことは噴射領域（Ｅ１）を含む面と同様である。さらに、噴射部（３０ａ）,（３０ｂ）は、線状となった噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）が相互に並行となるように対向配置されている。なお、噴射領域（Ｅ１）を含む面は、載置部（１０）の上面以外にも設定可能であり、その例については後述する。
【００３４】
ここで、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）が互いに並行とは、互いに平行な状態を含むが、平行な状態だけではなく、両者が角度差５°以内の微少角度で交差する状態も含む。また噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）を含む面に対して垂直となるとは、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）を含む面に対して垂直となる方向をもちろん含むが、垂直な方向だけでなく、８５〜９５°の角度範囲の方向も含む。
【００３５】
載置部（１０）の上面には、板状の保持具（２０）が着脱可能に装着されている。この保治具（２０）の上面（２０ａ）に、電子部品の一例であるＦＣ−ＢＧＡ（１）が保持固定される。
【００３６】
ＦＣ−ＢＧＡ（１）は、図４Ａ,図４Ｂに示すように、基板（１ａ）と電子回路チップ（１ｃ）とを有しており、ハンダバンプ（１ｂ）を介して電子回路チップ（１ｃ）が基板（１ａ）に実装されている。ハンダバンプ（１ｂ）が設けられた基板（１ａ）と電子回路チップ（１ｃ）との間には、隙間（Ｎ）が存在している。ＦＣ−ＢＧＡ（１）では、隙間（Ｎ）が洗浄対象部位となる。電子回路チップ（１ｃ）は、好適には半導体デバイスから構成されている。ここで基板（１ａ）はウェハであってもよい。
【００３７】
噴射部（３０ａ），（３０ｂ）は、図２に示すとおり、洗浄液を一軸方向に沿って噴射角度（θ）で扇型に噴射する扇型均等ノズルから構成されており、噴射パターン（Ｐ１），（Ｐ２）は、噴射方向から見た投影面がそれぞれ一方向に延びている。
【００３８】
噴射部（３０ａ），（３０ｂ）は、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）内の各部位における噴射流量の均一性を確保するために、その噴射角度（θ）は、１５〜４０°範囲内に設定されている。また噴射部（３０ａ），（３０ｂ）は、次のように配置されている。すなわち、１５〜１５０ｍｍの範囲で載置部（１０）に対する各噴射部（３０ａ），（３０ｂ）のノズル高さを適宜に調整することでＦＣ−ＢＧＡ（１）の部品幅全体が噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）に含まれるように、噴射部（３０ａ），（３０ｂ）は配置されている。
【００３９】
ＦＣ−ＢＧＡ（１）は、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）の間の載置部（１０）の上面に配置される。なお、噴射部（３０ａ），（３０ｂ）の噴射流量が同一である場合、ＦＣ−ＢＧＡ（１）は、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）それぞれから等間隔に離間した中間位置に配置される。さらに、ＦＣ−ＢＧＡ（１）が載置部（１０）に載置された状態では、隙間（Ｎ）は、ＦＣ−ＢＧＡ（１）の載置面である保持具（２０）の上面（２０ａ）と平行な方向に沿って延びた状態となっており、隙間（Ｎ）は、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）が対向する方向に沿って開放された状態となっている。以下、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）が対向する方向を噴射領域対向方向（Ｈ）という。
【００４０】
なお、噴射部（３０ａ）,（３０ｂ）は、この例では、扇型均等ノズルを使用しているが、噴射方向から見た投影面が一方向に延びる略直線状の噴射パターンを有するノズルであれば特に限定されず、例えば、スリット型ノズルを使用してもよい。
【００４１】
噴射部（３０ａ）,（３０ｂ）によって噴射口（３１ａ）,（３１ｂ）から噴射パターン（Ｐ１）,（Ｐ２）で噴射された洗浄液は、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）に衝突して分岐する。この分岐により分岐洗浄液流（Ｆ１），（Ｆ２）が生じる。分岐洗浄液流（Ｆ１）は噴射領域（Ｅ１）に衝突して分岐した分岐洗浄液流であり、分岐洗浄液流（Ｆ２）は噴射領域（Ｅ２）に衝突して分岐した分岐洗浄液流である。
【００４２】
噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）は、載置部（１０）、保持具（２０）もしくは基板（１ａ）の上面に設定可能である。本実施形態では、電子回路チップ（１ｃ）に比して、基板（１ａ）の大きさが大幅に大きく、洗浄液が衝突する保治具（２０）の上面（２０ａ）は、基板（１ａ）によって覆われている。そのため、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）は基板（１ａ）の上面となり、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）を含む面も基板（１ａ）の上面となる。
【００４３】
分岐洗浄液流（Ｆ１）は、基板（１ａ）に沿って互いに逆向きとなった一対の洗浄液流（Ｆ１1）,（Ｆ１2）からなる。同様に、分岐洗浄液流（Ｆ２）は、基板（１ａ）に沿って互いに逆向きとなった一対の洗浄液流（Ｆ２1）,（Ｆ２2）からなる。これら洗浄液流（Ｆ１1）,（Ｆ１2）,（Ｆ２1）,（Ｆ２2）は、保持具（２０）や基板（１ａ）の表面に沿って高速に流れる。
【００４４】
洗浄液流（Ｆ１1）は、噴射領域（Ｅ１）で洗浄液流（Ｆ１2）から分岐したのち基板（１ａ）に沿って噴射領域（Ｅ２）側に向かう。洗浄液流（Ｆ２2）は、噴射領域（Ｅ２）で洗浄液流（Ｆ２1）から分岐したのち基板（１ａ）に沿って噴射領域（Ｅ１）側に向かう。洗浄液流（Ｆ１1）と洗浄液流（Ｆ２2）とは、噴射領域（Ｅ１）と噴射領域（Ｅ２）との中間位置（噴射パターン（Ｐ１），（Ｐ２）の間の中間位置）で相対して液流相対域を生じさせる。液流相対域とは、互いに逆向きとなった一対の洗浄液流が相対する流域のことである。
【００４５】
ＦＣ−ＢＧＡ（１）は、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）の中央位置に、洗浄対象部位である隙間（Ｎ）が位置するように保治具（２０）によって保持される。これにより、液流相対域となる基板（１ａ）の上面部位において、隙間（Ｎ）が、噴射領域対向方向（Ｈ）に沿って開放された状態となる。このような配置を行うことで、相互逆向きの２方向の洗浄液流（Ｆ１1），（Ｆ２2）が、効率的に隙間（Ｎ）に流し込まれる。その結果、隙間（Ｎ）に残存するフラックスなどの不用物が効果的に除去される。
【００４６】
このとき、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）が一方向に沿って延びる直線状となっており、洗浄液流（Ｆ１1）,（Ｆ２2）は、幅広の液流となっている。そのため、基板（１ａ）上に生ずる洗浄液流（Ｆ１1）,（Ｆ２2）の幅内に隙間（Ｎ）が収まるような位置にＦＣ−ＢＧＡ（１）を載置するだけで、高圧噴流による洗浄装置のような厳密な位置決めを要することなく隙間（Ｎ）の内部を効率よく洗浄することが可能となる。
【００４７】
以下、ＦＣ−ＢＧＡ（１）の洗浄対象部位と離間間隔（Ｄ）とについて説明する。図３に示すように、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）の離間間隔（Ｄ）は、噴射領域対向方向（Ｈ）に沿ったＦＣ−ＢＧＡ（１）の洗浄対象部位（隙間（Ｎ））を含む電子回路チップ（１ｃ）の大きさより大きく設定されている。本実施の形態では、ＦＣ−ＢＧＡ（１）は、電子部品チップ１ｃより幅広の基板（１ａ）に電子部品チップ（１ｃ）を実装した形状を有しており、ＦＣ−ＢＧＡ（１）において洗浄が必要となる領域（すなわち、洗浄対象部位）は、前述したように、電子部品チップ（１ｃ）の下方に形成された隙間（Ｎ）となる。そのため、ＦＣ−ＢＧＡ（１）において噴射領域対向方向（Ｈ）に沿った洗浄対象部位の大きさは、ＦＣ−ＢＧＡ（１）の最大幅（基板１ａの幅）ではなく、電子部品チップ（１ｃ）の幅（Ｌ）となる。したがって、本実施の形態では、隣接する離間間隔（Ｄ）は、ＦＣ−ＢＧＡ（１）を載置部（１０）に載置にした状態において噴射領域対向方向（Ｈ）に沿った電子回路チップ（１ｃ）の幅（Ｌ）より大きくなっている（Ｄ＞Ｌ）。これにより、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）で分岐して基板上面（１ａ）に沿ってＦＣ−ＢＧＡ（１）に向かう洗浄液流（Ｆ１1），（Ｆ２2）は、隙間（Ｎ）に効率よく入り込んで不用物を洗浄する。
【００４８】
さらには、本実施の形態では、離間間隔（Ｄ）と噴射領域対向方向（Ｈ）に沿った幅寸法（Ｌ）とが次の（１）式を満たす。
Ｌ＜Ｄ≦（Ｌ＋２５ｍｍ）  …（１）
これにより、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）から分岐して基板上面（１ａ）に沿ってＦＣ−ＢＧＡ（１）に向かう洗浄液流（Ｆ１1），（Ｆ２2）は、一般的な電子部品チップ（１ｃ）の前記幅方向（Ｌ）に加え、２５ｍｍ以内という長過ぎない適切な間隔を空けて隙間（Ｎ）内に入り込むことになり、不用物の洗浄効率がさらに向上する。
【００４９】
なお、隙間（Ｎ）に方向性がある電子部品（例えば１方向に沿った貫通孔からなる隙間（Ｎ）を有するチップ部品が表面実装された電子部品）の洗浄を行う場合には、貫通孔の開口部（隙間(Ｎ)の開口）が洗浄液流の流れ方向（噴射領域対向方向（Ｈ））に向くように電子部品を位置決めすることが好ましい。なお、上記チップ部品としては、例えば、トランジスタ、コンデンサ等が例示される。
【００５０】
洗浄液流（Ｆ１1），（Ｆ２2）の流速は、特に限定されず、洗浄対象物である電子部品により適宜、決定すればよいが、ＦＣ−ＢＧＡ（１）などの半導体デバイス実装基板からなる電子部品を洗浄する場合は、隙間（Ｎ）への洗浄液の浸透性と電子回路チップ（１ｃ）の破損防止の観点から通常、０．０３〜０．２ｍ／秒程度の流速を設定するのが好ましい。また、噴射部（３０ａ），（３０ｂ）から噴射される洗浄液のノズル噴射圧力は、通常、０．０５〜０．８ＭＰａの低圧で十分である。このように、本発明の洗浄装置では、従来の洗浄方法で採用されるような、例えば、１．０〜５．０ＭＰａ程度の高圧洗浄液を使用することなく、隙間（Ｎ）の洗浄を行うことができるので、洗浄中のＦＣ−ＢＧＡ（１）を破損させることがない。
【００５１】
なお、本実施態様では、電子回路チップ（１ｃ）は、洗浄液が噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）に衝突することで形成される洗浄液流（Ｆ１1）,（Ｆ２2）によって洗浄される。そのため、噴射部（３０ａ）,（３０ｂ）が噴射する洗浄液を電子回路チップ（１ｃ）が直接受けることはない。したがって、噴射部（３０ａ）,（３０ｂ）の噴射圧力を高めに設定したとしても、電子回路チップ（１ｃ）が破損する心配はない。
【００５２】
（本発明の洗浄装置の実施形態２）
図５は、本発明の洗浄装置の実施形態２の概略構成を示す側面図である。図６は、同装置の概略構成を示す正面図である。図７は、同装置の概略構成を示す上面図である。なお、各符号は、実施形態１と同様である。
【００５３】
本発明の洗浄装置の実施形態２は、図５に示すように、電子部品を連続搬送する搬送部を備えた洗浄装置の一例である。この洗浄装置は、前工程処理部（例えば、リフロー処理部）と後工程処理部（例えば、プラズマ処理部やアンダーフィル処理部）とに連結可能な装置構成を備えている。洗浄装置は、洗浄工程処理部（Ｗ１）と、リンス工程処理部（Ｗ２）と、乾燥工程処理部（Ｗ３）とを備えており、洗浄工程処理部（Ｗ１）とリンス行程処理部（Ｗ２）とには、それぞれ実施形態１で説明した洗浄装置が組み込まれている。
【００５４】
なお、載置部と搬送部とを、洗浄工程処理部（Ｗ１）とリンス行程処理部（Ｗ２）と乾燥工程処理部（Ｗ３）とで兼用してもよく、本実施形態では、リンス行程処理部（Ｗ２）と乾燥工程処理部（Ｗ３）とにおいて、載置部と搬送部とが兼用されている。以下、洗浄工程処理部（Ｗ１）に設けられた載置部と搬送部とを、載置部（５０Ａ）、搬送部（５１Ａ）といい、リンス行程処理部（Ｗ２）と乾燥工程処理部（Ｗ３）とに兼用で設けられた載置部と搬送部とを、載置部（５０Ｂ）、搬送部（５１Ｂ）という。
【００５５】
搬送部（５１Ａ）は、ベルトコンベア（５２Ａ）と、ベルトコンベア（５２Ａ）を駆動する駆動部（５３Ａ）とを備えている。同様に、搬送部（５１Ｂ）は、ベルトコンベア（５２Ｂ）と、ベルトコンベア（５２Ｂ）を駆動する駆動部（５３Ｂ）とを備えている。実施形態２では、載置部（５０Ａ）,（５０Ｂ）は、ベルトコンベア（５２Ａ）,（５２Ｂ）のベルトから構成されている。また、ベルトコンベア（５２Ａ）,（５２Ｂ）の上面（５２Ａａ）,（５２Ｂａ）には、図６に示すようにＦＣ−ＢＧＡ（１）の保治具（５５）が着脱可能に設けられている。なお、ここでいうベルトコンベア（５２Ａ）,（５２Ｂ）の上面（５２Ａａ）,（５２Ｂａ）とは、物品搬送可能状態となったベルトコンベア（５２Ａ）,（５２Ｂ）の上面、すなわち、ベルト搬送時に上向き状態となったベルト上面領域のことをいう。
【００５６】
洗浄工程処理部（Ｗ１）とリンス行程処理部（Ｗ２）とにそれぞれ設けられた洗浄装置構成は、ベルトコンベア（５２Ａ）,（５２Ｂ）に向けて洗浄液を複数の噴射パターン（Ｐ１）〜（Ｐ８）で、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）に向けて噴射させる噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）を備えている。洗浄工程処理部（Ｗ１）には噴射部（３０ａ）〜（３０ｄ）が設けられ、リンス行程処理部（Ｗ２）には、噴射部（３０ｅ）〜（３０ｈ）が設けられている。なお、以下の説明では、リンス行程処理部（Ｗ２）で用いる洗浄液をリンス液と称する。
【００５７】
図５〜図７に示すように、ベルトコンベア（５２Ａ）,（５２Ｂ）により搬送される複数のＦＣ・ＢＧＡ（１）には、移動しながら洗浄液による洗浄とその後の純水洗浄および乾燥が順次実施される。その際、洗浄工程処理部（Ｗ１）やリンス行程処理部（Ｗ２）では、洗浄液タンク（Ｔ１）または純水タンク（Ｔ２）に貯留している洗浄液またはリンス水（純水）が、それぞれポンプ（Ｐｏｍｐ１）,（Ｐｏｍｐ２）の作動により、ろ過フィルタ（ＦＬ１）,（ＦＬ２）を通して噴射部（３０ａ）〜（３０ｄ）,（３０ｅ）〜（３０ｈ）に送られ、洗浄処理またはリンス処理に供される。使用された洗浄液またはリンス水は、装置下部に設けられたバッファタンク（Ｒ１）,（Ｒ２）を通して、それぞれのタンク（Ｔ１）,（Ｔ２）に回収され再利用される。
【００５８】
噴射部（３０ａ）〜（３０ｄ）は、搬送部（５１Ａ）の搬送方向（Ｇ１）の軸線に沿って順次配置されている。同様に、噴射部（３０ｅ）〜（３０ｈ）は、搬送部（５１Ｂ）の搬送方向（Ｇ２）の軸線に沿って順次配置されている。
【００５９】
噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）は、実施形態１と同様、洗浄液を一軸方向に沿って噴射角度θで扇型に噴射する扇型均等ノズルから構成されており、噴射パターン（Ｐ１）〜（Ｐ８）を有する。噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）は、次の条件を満たすように配置されている。すなわち、ノズル（３０ａ）〜（３０ｄ）に設けられた噴射口（３１ａ）〜（３１ｄ）がベルト上面（５２Ａａ）を向き、ノズル（３０ｅ）〜（３０ｈ）に設けられた噴射口（３１ｅ）〜（３１ｈ）がベルト上面（５２Ｂａ）を向き、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ４）が互いに並行になり、噴射領域（Ｅ５）〜（Ｅ８）が互い並行になり、噴射パターン（Ｐ１）〜（Ｐ４）が、ベルト上面（５２Ａａ）に対して垂直となり、噴射パターン（Ｐ５）〜（Ｐ８）がベルト上面（５２Ｂａ）に対して垂直となり、噴射パターン（Ｐ１）〜（Ｐ４）における噴射領域対向方向（Ｈ）が搬送方向（Ｇ１）と同一方向となり、噴射パターン（Ｐ５）〜（Ｐ８）における噴射領域対向方向（Ｈ）が搬送方向（Ｇ２）と同一方向となり、１５〜１５０ｍｍの範囲でベルト上面（５２Ａａ）,（５２Ｂａ）に対するノズル高さを適宜に調整することでＦＣ−ＢＧＡ（１）の部品幅全体が噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）に含まれるように、洗浄ノズル（３０ａ）〜（３０ｈ）が配置されている。なお、ここでいう並行状態や垂直状態は、実施形態１で説明した概念と同様であり、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）が線状に延びる方向から見た噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）の噴射方向が噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）を含む面は、ベルト上面（５２Ａａ）,（５２Ｂａ）となる。また、線状とは、直線状が最も好ましいが、緩い曲率の曲線状や波線状も含む。
【００６０】
以上の構成を備えることにより、搬送方向（Ｇ１）,（Ｇ２）に沿ってベルトコンベア（５１Ａ）,（５１Ｂ）で搬送されるＦＣ−ＢＧＡ（１）は、噴射領域対向方向（Ｈ）（実施形態２では、搬送方向（Ｇ１），（Ｇ２）と同一）に沿って噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）それぞれを巡って移動する。ＦＣ−ＢＧＡ（１）の移動中、各隙間（Ｎ）は、ベルトコンベア上面（５２Ａａ）,（５２Ｂａ）と平行な状態となって、噴射領域対向方向（Ｈ）に沿って開放された状態となる。
【００６１】
なお、実施形態２では、噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）として扇型均等ノズルを使用しているが、噴射方向から見た投影面が一方向に延びる略直線状の噴射パターンを有するノズルであれば特に限定されず、例えば、スリット型ノズルを使用してもよい。
【００６２】
噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）の噴射口（３１ａ）〜（３１ｈ）から、噴射パターン（Ｐ１）〜（Ｐ８）に沿って噴射された洗浄液またはリンス液流が、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）に衝突して分岐することで分岐洗浄液流を生じさせる。以下、分岐洗浄液流を噴射パターン毎に区分けして、分岐洗浄液流（Ｆ１）〜（Ｆ４）と、分岐洗浄液流（Ｆ５）〜（Ｆ８）と称する。分岐洗浄液流（Ｆ１）〜（Ｆ４）は、それぞれ噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ４）に対応し、分岐洗浄液流（Ｆ５）〜（Ｆ８）は、それぞれ噴射領域（Ｅ５）〜（Ｅ８）に対応する。分岐洗浄液流（Ｆ１）〜（Ｆ８）それぞれは、ベルト上面（５２Ａａ），（５２Ｂａ）に沿って互いに逆向きとなった一対の洗浄液流[（Ｆ１1）,（Ｆ１2）]〜[（Ｆ８1）,（Ｆ８2）]から構成されている。洗浄液流[（Ｆ１1）,（Ｆ１2）]〜[（Ｆ８1）,（Ｆ８2）]は、ベルト上面（５２Ａａ），（５２Ｂａ）や基板（１ａ）表面に沿って高速に流れる。
【００６３】
以下、分岐洗浄液流（Ｆ１）〜（Ｆ８）について説明する。分岐洗浄液流（Ｆ１）〜（Ｆ８）は、基本的に同様の特徴を備えている。そのため、分岐洗浄液流（Ｆ１）〜（Ｆ８）を分岐洗浄液流（Ｆｎ−１）,（Ｆｎ）,（Ｆｎ＋１）で総称し、洗浄液流[（Ｆ１1）,（Ｆ１2）]〜[（Ｆ８1）,（Ｆ８2）]を、洗浄液流[（Ｆｎ−１1）,（Ｆｎ−１2）],[（Ｆｎ1）,（Ｆｎ2）],[（Ｆｎ＋１1）,（Ｆｎ＋１2）]で総称し、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）を噴射領域（Ｅｎ−１）,（Ｅｎ）,（Ｅｎ＋１）で総称して説明する。ここでｎは自然数である。
【００６４】
分岐洗浄液流（Ｆｎ）は、基板（１ａ）に沿って互いに逆向きとなった一対の洗浄液流[（Ｆｎ1）,（Ｆｎ2）]からなり、分岐洗浄液流（Ｆｎ＋１）は、基板（１ａ）に沿って互いに逆向きとなった一対の洗浄液流[（Ｆｎ＋１1）,（Ｆｎ＋１2）]からなり、分岐洗浄液流（Ｆｎ−１）は、基板（１ａ）に沿って互いに逆向きとなった一対の洗浄液流[（Ｆｎ−１1）,（Ｆｎ−１2）]からなる。
【００６５】
洗浄液流（Ｆｎ1）は、噴射領域（Ｅｎ）で洗浄液流（Ｆｎ2）から分岐したのち基板（１ａ）に沿って噴射領域（Ｅｎ＋１）側に向かう。洗浄液流（Ｆｎ2）は、噴射領域（Ｅｎ）で洗浄液流（Ｆｎ1）から分岐したのち基板（１ａ）に沿って噴射領域（Ｅｎ−１）側に向かう。洗浄液流（Ｆｎ＋１2）は、噴射領域（Ｅｎ＋１）で洗浄液流（Ｆｎ＋１1）から分岐したのち基板（１ａ）に沿って噴射領域（Ｅｎ）側に向かう。洗浄液流（Ｆｎ−１1）は、噴射領域（Ｅｎ−１）で洗浄液流（Ｆｎ−１2）から分岐したのち基板（１ａ）に沿って噴射領域（Ｅｎ）側に向かう。洗浄液流（Ｆｎ1）と洗浄液流（Ｆｎ＋１2）とは、載置部（１０）上の噴射領域（Ｐｎ）,（Ｅｎ＋１）の間の中間位置で相対して液流相対域を生じさせる。洗浄液流（Ｆｎ2）と洗浄液流（Ｆｎ−１1）とは、載置部（１０）上の噴射領域（Ｅｎ）,（Ｅｎ−１）の間の中間位置で相対して液流相対域を生じさせる。
【００６６】
隣接する噴射領域の間のほぼ中央位置に、各ＦＣ―ＢＧＡ（１）の隙間（Ｎ）が順次位置するようにベルトコンベア（５２Ａ）,（５２Ｂ）が配置された状態で、搬送部（５１Ａ）,（５１Ｂ）がベルトコンベア（５２Ａ）,（５２Ｂ）を無限移送してベルト上面（５２Ａａ）,（５２Ｂａ）上の複数のＦＣ−ＢＧＡ（１）を順次搬送する。すると、噴射領域対向方向（Ｈ）に沿って隙間（Ｎ）が開放された状態の各ＦＣ−ＢＧＡ（１）が、各噴射領域（Ｅｎ）の両側にある液流相対域に順次連続して到達しながら移動する。このとき、搬送部（５１Ａ）,（５１Ｂ）は、搬送速度を、１００〜１５００ｍｍ／分とする。そうすれば、電子部品の移動と洗浄液流との干渉による洗浄効果への影響を低減することができるとともに、生産性の十分な確保と洗浄装置のサイズのコンパクト化を図ることができる。このようなＦＣ−ＢＧＡ（１）の搬送を行うことで、相互逆向きの２方向の洗浄液流[（Ｆｎ−１1）,（Ｆｎ2）],[（Ｆｎ1）,（Ｆｎ＋１2）]が、効率よく複数のＦＣ−ＢＧＡ（１）の隙間（Ｎ）に順次流し込まれる。その結果、隙間（Ｎ）に残存するフラックスなどの不用物が効果的に除去される。
【００６７】
このとき、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）が線状となっているため、分岐洗浄液流（Ｆ１）〜（Ｆ８）は、幅広の液流となる。そのため、ベルト上面（５２Ａａ）,（５２Ｂａ）に沿って流れる分岐洗浄液流（Ｆ１）〜（Ｆ８）の幅内に各ＦＣ−ＢＧＡ（１）の電子部品チップ（１ｃ）が収まるようにベルトコンベア（５２Ａ）,（５２Ｂ）を設置すれば、隙間（Ｎ）の内部は、効率よく洗浄される。
【００６８】
以上説明したように、本実施形態では、図５に示すように、前工程から洗浄工程処理部（Ｗ１）やリンス行程処理部（Ｗ２）に持ち込まれたＦＣ・ＢＧＡ（１）は、移動するコンベアベルト（５２Ａ）,（５２Ｂ）上に載置され、複数の液流相対域を順次通過する。これにより、隙間（Ｎ）に対して２方向の洗浄液流による洗浄が複数回繰り返される結果、隙間（Ｎ）内のフラックスなどの不用物が効果的に除去される。
【００６９】
なお、ベルト幅方向に列配置した複数のＦＣ−ＢＧＡ（１）を列単位で大量に洗浄処理するために、コンベアベルト（５２Ａ）,（５２Ｂ）のベルト幅を、噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）それぞれの噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）の領域幅より大きくてしている場合には、次のように構成される。
【００７０】
すなわち、図６に示すように、ベルト上の各位置の上方に、複数の噴射部を設ける。図６、図７では、各位置に３つの噴射部（３０ｎ１）〜（３０ｎ３）が配置されている。噴射部（３０ｎ１）〜（３０ｎ３）それぞれが有する噴射領域（Ｅｎ１）〜（Ｅｎ３）は搬送方向（Ｇ１）,（Ｇ２）と直交する方向に沿って列配置される。このとき、列配置された噴射領域（Ｅｎ１）〜（Ｅｎ３）によってコンベアベルト（５２Ａ）,（５２Ｂ）の全幅（具体的にはベルト幅に沿って列配置される電子部品列の幅）が覆われるように、各位置の噴射部群の数を設定すればよい。
【００７１】
以上のことで、ほぼベルト幅に相当する幅広の分岐洗浄液流を発生させることが可能となって、液流相対域が幅広なものとなる。これにより、大量のＦＣ・ＢＧＡ（１）を一度に洗浄処理することができる。また、コンベアベルト（５２Ａ）,（５２Ｂ）上の任意の位置にＦＣ・ＢＧＡ（１）を載置したとしても、コンベアベルト（５２Ａ）,（５２Ｂ）が移動するにしたがって、確実に３回、相互逆向きの２方向の洗浄液流をＦＣ・ＢＧＡ（１）の隙間（Ｎ）に流し込むことができるようになる。これにより、ＦＣ−ＢＧＡ（１）を載置するにあたり、厳密な位置決めを行う必要がなくなる。
【００７２】
このように、本発明の洗浄装置による隙間の洗浄は、電子部品の正確な位置決めが必要でないために、公知の自動搬送装置と容易に組合せることが可能となる。その結果、洗浄工程の自動化、および前後工程との連携（インライン方式化）が容易になり、隙間を効率的に、かつ高い清浄レベルで洗浄することができる。
【００７３】
本実施態様では、コンベアベルト（５２Ａ）,（５２Ｂ）に載置されたＦＣ−ＢＧＡ（１）は、直接、噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）の噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）を通過することになるが、実施形態１で説明したとおり、洗浄液のノズル噴射圧力は、通常、０．０５〜０．８ＭＰａ程度の低圧で十分であるため、通常、ＦＣ−ＢＧＡ（１）を破損させることはない。ただし、より高い洗浄性を目的に、ノズル噴射圧力をより高くする場合や、ＦＣ−ＢＧＡ（１）が通常より破損しやすいＦＣ−ＢＧＡ（１）を洗浄する場合では、各ＦＣ−ＢＧＡ（１）の電子回路チップ（１ｃ）が、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）を通過する期間では、噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）は洗浄液やリンス液の噴射を停止し、それ以外の期間のみ洗浄液やリンス液の噴射を行えばよい。また、噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）は、間欠噴射のタイミングとコンベアベルト（５２Ａ）,（５２Ｂ）の移動・停止のタイミングとを、一定のタクトタイムで連動させてもよい。いずれの方法を実施しても、噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）は、搬送部（５１Ａ）,（５１Ｂ）による搬送中にＦＣ−ＢＧＡ（１）が噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）に位置する期間では、洗浄液の噴射を一時停止することになり、これによって、ＦＣ−ＢＧＡ（１）の破損を防止しながら、隙間（Ｎ）の洗浄を効率的に行うことができる。
【００７４】
なお、洗浄工程処理部（Ｗ１）による処理が終了したＦＣ−ＢＧＡ（１）は、図示しない搬送装置によって、リンス行程処理部（Ｗ２）に移送される。さらに、リンス行程処理部（Ｗ２）による処理が終了したＦＣ−ＢＧＡ（１）は、搬送部（５１Ｂ）によって連続的に乾燥工程処理部（Ｗ３）に移送される。乾燥工程処理部（Ｗ３）では、乾燥した加熱エアをＦＣ−ＢＧＡ（１）に吹き付けるエアノズル（４０）を備えており、乾燥工程処理部（Ｗ３）によるＦＣ−ＢＧＡ（１）の乾燥処理が終了すると、一連の電子部品洗浄処理が終了する。洗浄を終えたＦＣ−ＢＧＡ（１）は、最後にコンベアベルト（５２Ｂ）から、図示しない搬送装置によって次工程に移送される。
【実施例】
【００７５】
１．隙間洗浄性試験
（隙間洗浄性評価用サンプルの作製）
市販の水溶性フラックス（製品名「ＡＬＰＨＡ  ＷＳ−９１９０」、クックソンエレクトロニクス株式会社製）をＣｕテストピース（０．３×４０×４０ｍｍ）上に０．１ｇ塗布し、２７０℃のホットプレート上で大気雰囲気下にて３０秒間加熱することで水溶性フラックス残渣を調製した。さらに６０×６０個のハンダバンプ（バンプ径；１２０μｍ、バンプ高さ；３０μｍ、ピッチ；１８０μｍ）を正方状に配置したソルダーレジスト試験基板（１．０×４０×４０ｍｍのガラスエポキシ基材からなりその表面にソルダーレジストを被覆した基板）を用意し、この試験基板のバンプに上記水溶性フラックス残渣を塗布した。さらに、フラックス残渣を塗布した試験基板に、透明のガラスチップ（０．５×１６×１６ｍｍ 松浪硝子工業製）を接合した。接合は、ガラスチップがバンプ頂点部と接するように行った。さらにこのガラスチップ付き試験基板を、リフロー炉を用いてピーク温度２６０℃で２０秒間加熱した。以上の処理を経たガラスチップ付き試験基板を隙間洗浄性の評価用サンプルとした。【００７６】
（試験方法）
実施形態２（図５〜７）のインライン型ベルトコンベア搬送方式のシャワー洗浄装置を使用し、搬送速度３００ｍｍ／分で上記評価用サンプルの隙間洗浄性の試験を実施した。なお、試験の評価用サンプルに使用したフラックス残渣は、水溶性であるため、洗浄工程処理部（Ｗ１）の洗浄液として液温４０°の脱イオン水を使用し、リンス工程処理部（Ｗ２）を稼働することなく、評価用サンプルを洗浄処理したうえで、その評価用サンプルを乾燥工程（Ｗ３）に搬入して、エアノズルにより評価用サンプルに乾燥エアを吹き付けてその隙間に入り込んだ水滴を除去した。そのうえで、隙間のフラックス残渣の残存状態を透明のガラスチップ上面から目視により観察した。さらに、洗浄前後のフラックス残渣付着面積からフラックス残渣除去率を次の（２）式により算出したうえで、後述する評価基準で評価した。
Ｃ＝１００−（Ｇ１÷Ｇ２）×１００  …（２）
（２）式において、Ｃはフラックス残渣除去率（％）であり、Ｇ１は洗浄後のフラックス残渣付着面積であり、Ｇ２は洗浄前のフラックス残渣付着面積である。【００７７】
なお、図５と同様、洗浄ノズル（３０ａ）〜（３０ｄ）は搬送方向軸線に沿って４か所配列されており、さらには、列の各位置の洗浄ノズルは、ノズル群（３個の洗浄ノズル）から構成されている。【００７８】
（実施例１）
噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）として、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）が直線状の扇型均等ノズル（霧のいけうち製）を使用し、噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）の噴射口から載置領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）までの高さを６０ｍｍとし、噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）の噴射圧力を０．３ＭＰａとし、噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）の噴射角度４０°とし、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）が互いに並行となり、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）が線状に延びる方向から見た噴射方向が噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）を含む面に対して垂直となるように、各噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）を配置した。さらには、噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）の離間間隔（Ｄ）（噴射部の噴射口中心点を結ぶ距離）を２８ｍｍとした。発生した各洗浄液流（Ｆ１1）〜（Ｆ２2）の平均流速は０．０３ｍ／秒であった。【００７９】
なお、洗浄液流（Ｆ１1）〜（Ｆ２2）の平均流速は次のようにして算出した。すなわち、各洗浄液流（Ｆ１1）〜（Ｆ２2）が噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）を含む面を流れる単位時間あたりの流量を測定したうえで、さらにその測定値を、洗浄液流（Ｆ１1）〜（Ｆ２2）の幅方向断面積（ｍｍ2）で除することで、洗浄液流（Ｆ１1）〜（Ｆ２2）の平均流速を算出した。なお、洗浄液流（Ｆ１1）〜（Ｆ２2）の幅方向断面積は、算定式（洗浄液流の高さ寸法×洗浄ノズルの噴射パターンの長さ寸法）に基づいて算定した。さらには、洗浄液流（Ｆ１1）〜（Ｆ２2）の高さ寸法は、算定式（ノズル噴射口の孔幅÷２）に基づいて算定した。【００８０】
（実施例２〜５、実施例７〜９）
実施例１における噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）の離間間隔（Ｄ）,噴射圧力,噴射角度を、表１記載のものに変更した以外は、実施例１と同様である。【００８１】
（実施例６）
噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）をスリットノズル（スプレーイングシステムスジャパン製ウォーターカーテンノズル）に変更したこと以外は、実施例１と同様である。【００８２】
（比較例１）
噴射部（３０ａ）〜（３０ｈ）をフルコーン型スプレーノズル（小流量タイプ：スプレーイングシステムスジャパン製）に変更したこと以外は、実施例１と同様である。【００８３】
（比較例２）
最前列の噴射部（３０ａ）の噴射領域（Ｅ１）を噴射領域対向方向（Ｈ）に対して４５°傾いた方向に沿って配置し、第２列目の噴射部（３０ｂ）の噴射領域（Ｅ２）が噴射領域（３０ａ）の噴射領域（Ｅ１）に近接するように（互いに非平行となるように）、噴射領域（Ｅ２）を噴射領域対向方向（Ｈ）に対して４５°傾いた方向に沿って配置した。以下、第３列目および第４列目の噴射部（３０ｃ）,（３０ｄ）についても同様に調整した。これにより隣接する噴射領域（Ｅ１）〜（Ｅ８）同士はすべて大きく非平行となっている。それ以外は、実施例１と同様である。【００８４】
（比較例３）
実施形態１（図１〜３）の洗浄装置を使用し、噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）が線状に延びる方向から見た噴射部（３０ａ）,（３０ｂ）の噴射方向が噴射領域（Ｅ１）,（Ｅ２）を含む面（載置面）に対して同じ方向に４５°に傾斜させた。それ以外は、実施例１と同様である。【００８５】
これらの装置に評価用サンプルをセットし、インライン方式の洗浄装置を使用した各実施例で評価用サンプルが洗浄工程を通過するのに要する期間（１分）、洗浄処理を行い、さらに実施例１と同様の乾燥処理を行った。【００８６】
（洗浄性の評価基準）
洗浄後の評価用サンプルのガラスチップの上面から目視評価を行い、フラックス残渣の附着面積における洗浄前／洗浄後の比率を算出し、その結果を以下の評価基準で評価した。
◎：フラックス残渣除去率が１００％である。
○：フラックス残渣除去率が９５％以上１００％未満である。
△：フラックス残渣除去率が６０％以上９５％未満である。
×：フラックス残渣除去率が６０％未満である。【００８７】
（隙間洗浄試験結果）
実施例１〜９と比較例１〜３とで評価用サンプルを洗浄した結果（フラックス残渣除去率）を表１に示す。表１から明らかなように、本発明の各実施例１〜９は、比較例１〜３に比してフラックス残渣除去率が向上している。なお、比較例２、３における評価結果は、△となっているが、具体的には、比較例２ではフラックス残渣除去率＝７０％であり、比較例３では、フラックス残渣除去率＝６５％であった。
【００８８】
【表１】
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【００８９】
２．洗浄によるダメージ試験
（洗浄によるダメージ試験評価用サンプルの作成）
評価用サンプルの作成に使用したソルダーレジスト試験基板のバンプ頂点部にシリコンウエハ（０．1×１０×１０ｍｍ）を接合させ、ダメージ評価用のサンプルを作成した。【００９０】
（試験方法）
実施形態２（図５〜７）のインライン型ベルトコンベア搬送方式のシャワー洗浄装置を使用し、搬送速度３００ｍｍ／分で、ダメージ評価用サンプルの洗浄処理を行った。【００９１】
（実施例１０）
前述した隙間洗浄性試験の実施例１および実施例８と同様の条件とした。【００９２】
（比較例４）
前述した隙間洗浄性試験の比較例３と同様のシャワー洗浄装置（実施形態１（図１〜３）参照）を使用したうえで、噴射部（３０ａ）の噴射角度だけを４５°に変更した。このように変更した噴射部（３０ａ）のみを使用し、セットした評価用サンプルの隙間に向けて、噴射圧力１．０ＭＰａの高圧洗浄液を直接噴射してダメージ評価用サンプルの洗浄処理を行った。洗浄処理時間は、各実施例のダメージ評価用サンプルの同一時間（１分間）とした。【００９３】
（試験結果）
実施例１０では、ダメージ用評価サンプルに破損が認められなかったが、比較例４では、評価用サンプルのウェハ上にヒビ割れが発生した。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明にかかるは、電子回路チップ、トランジスタ、コンデンサ、ダイオードなどの各種半導体デバイスが実装された基板など、隙間を有する電子部品の洗浄装置および洗浄方法として特に有用である。
【符号の説明】
【００９５】
１：ＦＣ−ＢＧＡ
１ａ：基板
１ｂ：ハンダバンプ
１ｃ：電子回路チップ
１０：載置部
２０：保持具
２０ａ：保治具の上面
３０ａ〜３０ｈ：噴射部
３１ａ，３１ｂ：噴射口
５０Ａ,５０Ｂ：載置部
５１Ａ,５１Ｂ：搬送部
５２Ａ,５２Ｂ：ベルトコンベア
５２Ａａ,５２Ｂａ：ベルト上面
５３Ａ,５３Ｂ：駆動部
５５：保持具
５５ａ：保治具上面
Ｎ：隙間
θ：噴射角度
Ｄ：噴射領域の離間間隔
Ｅ１〜Ｅ８：噴射領域
Ｆ１〜Ｆ８：分岐洗浄液流
Ｆ１1,Ｆ１2〜Ｆ８1,Ｆ８2：洗浄液流
Ｇ：搬送方向
Ｈ：噴射領域対向方向
Ｌ：電子回路チップの幅寸法
Ｐ１〜Ｐ８：噴射パターン
Ｔ１，Ｔ２：タンク
Ｐｏｍｐ１，Ｐｏｍｐ２：液送ポンプ
ＦＬ１，ＦＬ２：ろ過フィルタ
Ｒ１，Ｒ２：バッファタンク
Ｗ１：洗浄工程処理部
Ｗ２：リンス工程処理部
Ｗ３：乾燥工程処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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