(57)【要約】  機能素子が実装される実装用基板であって、平面部、および前記平面部から突出して設けられた、前記平面部を複数の領域に区分する堤部を有する絶縁性の基体と、前記機能素子が電気的に接続される導電体層とを有しており、前記導電体層は、前記基体の前記平面部から前記堤部の側面にかけて被着されており、前記堤部で区分された領域内が前記導電体層で満たされていることを特徴とする実装用基板を提供する。【選択図】  図１
2011037185.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能素子が実装される実装用基板であって、
平面部、および前記平面部から突出して設けられた、前記平面部を複数の領域に区分する堤部を有する絶縁性の基体と、
前記機能素子が電気的に接続される導電体層とを有しており、
前記導電体層は、前記基体の前記平面部から前記堤部の側面にかけて被着されており、前記堤部で区分された領域内が前記導電体層で満たされていることを特徴とする実装用基板。
【請求項２】
前記基体は、前記平面部の周縁と連続した斜面を備えており、
前記堤部および前記導電体層が、前記平面部から前記斜面にかけて連続して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の実装用基板。
【請求項３】
前記堤部によって区分された領域の少なくとも１つにおいて、
前記領域内に満たされた前記導電体層の高さが、前記堤部の高さよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の実装用基板。
【請求項４】
前記堤部の側面と前記平面部とのなす角が鈍角であることを特徴とする請求項１に記載の実装用基板。
【請求項５】
前記基体には貫通孔が設けられており、
前記堤部で区分された領域内に、前記貫通孔を有することを特徴とする請求項１に記載の実装用基板。
【請求項６】
前記貫通孔に、前記導電体層と同一材料からなるビア導体が配置されていることを特徴とする請求項５に記載の実装用基板。
【請求項７】
前記基体はセラミックスを主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の実装用基板。
【請求項８】
前記セラミックスはアルミナであることを特徴とする請求項７に記載の実装用基板。
【請求項９】
請求項１に記載の実装用基板と、
前記実装用基板上に配置された機能素子とを備えており、
前記機能素子は発光素子であることを特徴とする発光体。
【請求項１０】
前記発光素子が、前記導電体層にフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項９に記載の発光体。
【請求項１１】
セラミックスの材料粉末の混合物を加圧成形して、平面部および前記平面部から突出した堤部を備える生成形体を得る工程と、
前記生成形体を焼成して焼結体を得る工程と、
前記焼結体の前記平面部の前記堤部で区分された領域内を、導電体材料を主成分とするペーストで満たす工程と、
前記領域内が前記ペーストで満たされた状態で前記ペーストを加熱して、前記堤部で区分された領域内を満たす導電体層を形成する工程と
を有することを特徴とする実装用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装用基板、発光体、および実装用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ(Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ)）などの機能素子は、この機能素子に電力を供給するための電極（導電体層）が設けられた実装用基板に実装されて用いられる。特開２００５−２７７３８０号公報には、発光素子が実装される実装用基板の一例が記載されている。【０００３】
図９は、特開２００５−２７７３８０号公報に記載の発光体１００の概略斜視図である。なお、図９の発光体１００は、実装用基板１０２に発光素子１０４が実装されている。実装用基板１０２は、セラミック材料からなる基体１０６の表面に電極１０８が配置されて構成されている。【０００４】
基体１０６は、発光素子１０４が実装された平面部１１０を囲むように設けられた斜面１１２を備え、平面部１１０から斜面１１２にかけて、表面に電極１０８が配置されている。この斜面１１２は、発光素子１０４からの発光を、平面部１１０に垂直な方向に向けて効率よく反射する。電極１０８は、所定のパターンに電極用ペーストを塗布・焼成することでメタライズ層を形成する、いわゆる印刷配線技術によって形成されている。【０００５】
ところで、例えばＬＥＤなどの発光素子１０４は、発光の際に比較的大きな熱を発生する。例えば金属材料からなる電極１０８は、セラミックス材料からなる絶縁性の基体１０６に比べて熱膨張係数が大きい。このため、発光素子１０４の発熱に起因した熱応力が、基体１０６と電極１０８との界面部分に発生する。従来の実装用基板においては、上記接合界面に発生した熱応力によって、電極１０８が基体１０６から剥離し易いという問題があった。
【発明の概要】
【０００６】
本発明の一実施形態にかかる実装用基板は、平面部、および前記平面部から突出して設けられた、前記平面部を複数の領域に区分する堤部を有する絶縁性の基体と、機能素子が電気的に接続される導電体層とを有している。前記導電体層は、前記基体の前記平面部から前記堤部の側面にかけて被着されており、前記堤部で区分された領域内が前記導電体層で満たされている。
【０００７】
また、本発明の一実施形態にかかる発光体は、上記実装用基板と、前記実装用基板上に配置された機能素子とを備える。前記機能素子は発光素子である。
【０００８】
また、本発明の一実施形態にかかる実装用基板の製造方法は、セラミックスの材料粉末の混合物を加圧成形して、平面部および前記平面部から突出した堤部を備える生成形体を得る工程と、前記生成形体を焼成して焼結体を得る工程とを備える。前記製造方法は、さらに、前記焼結体の前記平面部の前記堤部で区分された領域内を、導電体材料を主成分とするペーストで満たす工程と、前記領域内が前記ペーストで満たされた状態で前記ペーストを加熱して、前記堤部で区分された領域内を満たすように導電体層を形成する工程と
を有する。
【０００９】
前記実装用基板および発光体は、温度変動に起因する電極剥がれが抑制できる。また、前記製造方法では、電極形状を高精度に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）は、本発明の実装用基板の一実施形態について説明する概略斜視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す実装用基板を構成する基体の概略斜視図である。図１（ａ）では、後述の導電体層８および電極体９を着色して示している。
【図２】図２（ａ）は、図１に示す実装用基板の上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）に示すＢ−Ｂ線を含む断面の概略図、図２（ｃ）は図２（ａ）に示すＣ−Ｃ線を含む断面の概略図である。また、図２（ｄ）は、図２（ｂ）に示す破線部で示す部分を拡大して示す図である。なお、図２（ａ）では、後述の導電体層８および電極体９を着色して示している。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、基体が備える堤部の他の実施形態を示す図であり、基体の堤部の近傍を拡大して示す図である。
【図４】図４（ａ）は、図１および図２に示す実装用基板を備えて構成される、本発明の発光体の一実施形態について説明する概略上面図、図４（ｂ）は図４（ａ）に示すＢ−Ｂ線を含む断面の概略図、図４（ｃ）は図４（ａ）に示すＣ−Ｃ線を含む断面の概略図である。
【図５】図５（ａ）は、図４に示す発光体を備えて構成された発光装置の一例について説明する概略斜視図であり、図５（ｂ）は概略断面図である。
【図６】図６（ａ）は、本発明の実装用基板の他の実施形態について説明する概略斜視図であり、図６（ｂ）は実装用基板を構成する基体の概略斜視図である。
【図７】図７（ａ）は、図６に示す実装用基板を備えて構成される、本発明の発光体の他の実施形態について説明する概略上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すＢ−Ｂ線を含む断面の概略図、図７（ｃ）は図７（ａ）に示すＣ−Ｃ線を含む断面の概略図である。
【図８】図８（ａ）は、図７に示す発光体を備えて構成された発光装置について説明する概略斜視図であり、図８（ｂ）は概略断面図を、それぞれ示している。
【図９】従来の実装用基板の一例の、概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実装用基板の第１の実施形態について、図面を参照して説明する。図１および図２は、本発明の実装用基板の第１の実施形態である、実装用基板１０について説明する概略説明図である。
【００１２】
実装用基板１０は、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光素子である後述のＬＥＤ素子２が実装されて用いられ、ＬＥＤ素子２と実装用基板１０とで発光体２０を構成する。
【００１３】
実装用基板１０は、基体６と、基体６の表面に設けられた導電体層８と、電極体９と、を有して構成されている。
【００１４】
基体６は、平面部４と、平面部４の周囲を囲むように設けられた、斜面１６を備えた枠体部１８とを有している。枠体部１８の頂面１９は、平面部４に略平行とされている。
【００１５】
また基体６は、平面部４および斜面１６に、各面から突出して設けられた堤部１１を有している。堤部１１は、平面部４を複数の領域に区分している。本実施形態では、堤部１１が、平面部４から斜面１６にかけて連続して設けられており、平面部４に垂直な平面視において、図１（ｂ）に示すように、堤部１１は環状に連続している。また堤部１１は、頂部に近づくにつれて断面積が小さい略三角形状の断面形状を有しており、堤部１１の側面１４と基体６の平面部４とのなす角αは、鈍角、すなわち９０°＜αとなっている。
【００１６】
実装用基板１０では、連続した堤部１１によって囲まれた領域２１が２つ隣接配置されている。各領域２１内には、導電体層８が設けられている。 隣接する領域２１内の導電体層８は、それぞれ離間して電気的に独立している。
【００１７】
基体６は、例えばセラミックスを主成分として構成されている。ＬＥＤ素子２を実装するための実装用基板１０では、セラミックスは例えばアルミナを主成分とすることが好ましい。アルミナは、一般的なＬＥＤ素子からの発光を比較的良好に反射する。また、数ｍｍから１ｍｍ以下の微細な構造も、成型によって比較的容易に形成することができる。また、メタライズ技術を用いることで、比較的容易に表面に電極を形成することができる。これらの点でアルミナは、基体６を構成する材質として好ましく用いられるが、その他のセラミック材料や樹脂材料なども、用途に応じて用いることができ、基体６の材質は特に限定されない。
【００１８】
導電体層８は、上記領域２１の内部を満たすように設けられており、図２（ｂ）および（ｃ）に示すように、基体６の平面部４から堤部１１の側面１４にかけて被着されている。導電体層８は、例えばメタライズ層上にメッキ層が積層された、公知の多層金属膜構造で構成されている。導電体層８は、例えば、Ｍｏ−Ｍｎメタライズ層上に、Ｎｉメッキ層およびＡｕメッキ層が積層されて構成されている。なお、本実施形態では、堤部１１の高さよりも、導電体層８の高さが低く設定されている。導電体層８の表面は、堤部１１に近づくにつれて高くなっている。なお、導電体層８は、堤部１１の高さに比べて高くてもよい。例えば、表面張力によって堤部１１から盛り上がった形状に、導電体層８が形成されていてもよい。導電体層８は、平面部４から斜面１６にかけて連続して設けられている。
【００１９】
例えば実装用基板１０に実装されたＬＥＤ素子等の機能素子が発熱した場合など、実装用基板１０の温度が上昇し、導電体層８および基体６が発熱に応じて熱膨張する。アルミナ等のセラミックスを主成分とする基体６と、多層金属層からなる導電体層８とでは熱膨張係数が異なり、発光にともなう上記熱膨張の程度が異なる。実装用基板１０では、平面部４のみでなく、基体６の堤部１１の側面１４にかけて導電体層８が被着されており、基体６と導電体層８との被着強度が強い。また、本実施形態では、導電体層８の表面が、堤部１１に近づくにつれて高くなっており、導電体層８の高さが一定である場合よりも、基体６と導電体層８との接着面積が大きくなっており、導電体層８の高さが一定である場合よりも、導電体層８と堤部１１との接合強度が高い。
【００２０】
また、基体６に比べて導電体層８がより大きく膨張した場合も、導電体層８の平面部４に平行な方向に沿った膨張が、堤部１１によって抑制される。このため、実装用基板１０では、平面部４と導電体層８との接合界面に発生する、平面部４に平行な方向に沿った熱応力が抑制され、この熱応力による導電体層８の剥がれの発生が低減されている。
【００２１】
また、堤部１１は略三角形状の断面を有しており、機械強度が比較的強い。このため、実装される機能素子の発熱にともなう熱応力が発生しても、この堤部１１に亀裂や割れ等が比較的生じ難い。
【００２２】
また、本実施形態では、平面部４と側面１４とのなす角αは、９０°＜αとなっている。本実施形態では、上記なす角αが９０°≧αとなっている場合と比べ、導電体層８が、平面部４に垂直な方向へ膨張し易い。このため、本実施形態では、導電体層８が膨張した場合、上記なす角αが９０°≧αとなっている場合と比べ、平面部４に垂直な方向に熱応力が分散され易く、基体６と導電体層８との接合界面に生じる、平面部４に平行な方向に沿った熱応力が抑制される。
【００２３】
また、実装用基板１０では、堤部１１の側面１４によって、導電体層８の位置および形状が規定されている。このため、実装用基板１０では、導電体層８の形状および位置精度が比較的高い。例えば電極幅が１ｍｍ以下と微細な電極であっても、位置および形状が高精度に規定されている。基体６および導電体層８の作製方法については、後に詳述する。
【００２４】
電極体９は、枠体部１８の頂面１９に設けられており、一部が堤部１１を乗り越える形で、斜面１６に設けられた導電体層８と接続している。図２（ｄ）に示すように、環状に連なる堤部１１のうち、頂面１９の近傍部分に位置する堤部１１ａは、頂面１９側の側面１４ａが溝状に凹んでいる。電極体９は、この側面１４ａに沿って堤部１１ａを乗り越える形で、導電体層８と接続している。
【００２５】
なお、堤部１１の断面形状については、特に限定されない。図３（ａ）に示すように、堤部１１の周縁線が、複数の屈曲部を有する多段形状であってもよい。また、図３（ｂ）に示すように、堤部１１の周縁線は、曲率の異なる複数の曲線が連なった形状でもよい。堤部１１の形状は、必要な特性に応じて、種々変更することができる。
【００２６】
図４（ａ）〜（ｃ）に示された発光体２０は、上述したように、実装用基板１０と、実装用基板１０上に配置されたＬＥＤ素子と、を有する。ＬＥＤ素子２は公知の発光ダイオード素子であり、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示すように、実装用基板１０の導電体層８に、例えば半田等のフリップチップ接合層２９を介して接合されている。発光体２では、ＬＥＤ素子２は、図示しない２つの電極（正極と負極）を備えており、各電極が、それぞれ電気的に独立した２箇所の導電体層８のうちの一方の導電体層と、フリップチップ接続されている。発光体２０では、導電体層８を介してＬＥＤ素子２に電流が供給され、供給された電流に応じてＬＥＤ素子２が発光する。   
【００２７】
上述のように、実装用基板１０の導電体層８は、平面部４から斜面１６にかけて連続して設けられている。導電体層８はさらに、堤部１１ａを乗り越えるように形成された電極体９と接続している。発光体２０の電極体９は、例えばボンディングワイヤ等を介して外部電源と接続され、この外部電源を介して供給される電力によって、ＬＥＤ素子２が発光する。発光体２０では、ボンディングワイヤとＬＥＤ素子２とを離間させることができるので、ボンディング処理などの配線工程における、ＬＥＤ素子２の損傷等を抑制することができる。
【００２８】
次に、上述の発光体２０を備えた発光装置の一実施形態を、図５（ａ）〜図５（ｃ）を用いて説明する。発光装置３０は、発光体２０、ヒートシンク３６、一対の配線基板３２、３４、およびワイヤ４４を備えて構成されている。
【００２９】
ヒートシンク３６は、例えば銅（Ｃｕ）など、熱伝導性に優れた金属や合金等を主成分とする。このヒートシンク３６の表面に、例えば接着剤等を介して発光体２０が実装されている。配線基板３２および３４は、例えば樹脂等の絶縁性材料からなり、表面に導電性の配線パターン４２が設けられている。配線パターン４２は、公知のボンディングワイヤであるワイヤ４４によって、各発光体２０の電極体９と接続されている。発光装置３０では、このように、配線パターン４２が、ワイヤ４４および電極体９を介して導電体層８と電気的に接続されている。発光装置３０では、配線パターン４２は、図示しない外部電源と接続されており、複数の配線パターン４２が各々所定の電位の電源に接続されることで、発光体２０の実装用基板１０の導電体層８が所定電位とされ、ＬＥＤ素子２に電流が流れてＬＥＤ素子２が発光する。
【００３０】
ＬＥＤ素子２は、発光にともなって発熱し、ＬＥＤ素子２の配置領域近傍では、導電体層８および基体６が発熱に応じて熱膨張する。発光体２０では、上述のように、実装用基板の平面部４のみでなく、基体６の堤部１１の斜面１６にも、導電体層８が被着されており、基体６と導電体層８との被着強度が強い。また、堤部１１によって導電体層８の幅方向の膨張は抑制されており、熱応力にともなう電極剥がれが抑制される。また、ＬＥＤ素子２の発熱にともなう熱応力が基体６に印加されても、この堤部１１に亀裂や割れ等が比較的生じ難く、発光装置３０は動作信頼性が比較的高い。
【００３１】
かかる発光体２０は、例えば以下のように作製することができる。
【００３２】
まず、基体６を作製する。最初に、アルミナ粉末と、焼結助剤粉末とを混合し、水を添加して湿式粉砕する。粉砕後、有機結合材としてポリビニルアルコールなどを添加、混合することによりスラリーを作製する。スラリーを噴霧乾燥し、顆粒を作製する。金型を用いて顆粒を加圧成形し、生成形体をする。この金型の形状は、焼成後に基体の形状が得られるように設計されている。例えば金型には、焼成後に堤部が形成されるように凹部が設けられている。生成形体を１５００〜１７００℃で焼成して、アルミナを主成分とする基体６を作製する。その後、必要に応じて、バリを除去するために基体表面をバレル研磨し、さらに洗浄、乾燥しても良い。堤部の高さは、例えば０．０２〜０．４ｍｍであり、好ましくは０．０５〜０．２ｍｍである。堤部の幅は、例えば０．０５〜０．６ｍｍであり、好ましくは０．１〜０．４ｍｍである。
【００３３】
次に、基体６に導電体層８を形成する。導電体層８の形成では、まず、作製した基体６の堤部１１で囲まれた領域２１に、Ｍｏ粉末とＭｎ粉末を含有するペーストを塗布する。ペーストの塗布では、公知のポッティング装置を用いて、所定量のペースト液滴を領域２１内に滴下する。ペーストは、セラミックスを主成分とする基体６の表面に濡れ広がるが、この濡れ広がりは堤部１１によって堰きとめられる。基体６が堤部１１を備えることで、ペーストは、この堤部１１に囲まれた領域の範囲内に、高精度に規定されて配置される。この後、ペーストが配置された状態で、全体を還元雰囲気で加熱処理する。加熱により、基体６に被着された第１金属層が形成される。この後、第１金属層の上に、第２金属層であるメッキ層を形成する。メッキは、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキの順に行う。Ｎｉメッキの厚みは、例えば１〜１０μｍとし、Ａｕメッキの厚みは例えば０．１〜３μｍとされる。実装用基板１０は、例えばこのように作製することができる。
【００３４】
この後、電極体９を形成する。平坦な頂面１９に配置される電極体９は、スクリーン印刷法など、公知の印刷配線技術を用いて作製すればよい。上述の堤部１１ａの側面１４ａは、頂面１９から平面部４の中央に近づくにつれて鉛直下側に近づくよう傾斜しており、スクリーン印刷等によって電極ペーストを塗布した場合も、この側面１４ａに沿って堤部１１ａを乗り越えて電極ペーストが導電体層８と接続する。例えば、スクリーン印刷法を用いて、Ｍｏ粉末とＭｎ粉末を含有するペーストを所定形状に塗布して還元雰囲気で加熱処理を行い、所定形状のメタライズ層を形成する。この際、ペーストは堤部１１ａを乗り越えて、導電体層８と接続する。その後、このメタライズ層表面に、ＮｉメッキおよびＡｕメッキを順次積層して電極体９を形成する。
【００３５】
次に、作製した実装用基板１０に、ＬＥＤ素子２を配置する。ＬＥＤ素子２の図示しない電極を、導電体層８と対向するように配置し、ＬＥＤ素子２の電極と導電体層８とをフリップチップ接合によって接合する。なお、ＬＥＤ素子２の実装方法は、半田付け方法、金属ワイヤを介して接続するワイヤボンディング等を用いても構わない。
【００３６】
次に、本発明の第２の実施形態の発光体６０について、図６（ａ）〜（ｃ）および図７（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。なお、図６および図７では、第１の実施形態と同様の構成要素については、第１の実施形態と同じ符号を用いている。また、第１の実施形態と同様の構成については、説明を省略することがある。
【００３７】
第２の実施形態の実装用基板５０は、絶縁性の基体６と、基体６の表面に設けられた導電体層８とを有し、平面部４に平面部４から突出した堤部１１設けられている点で、第１の実施形態と共通しているが、堤部１１による平面部４の区分けが第１の実施形態と相違している。第２の実施形態では、堤部１１によって、平面部４が３つの領域（領域２１Ａ、領域２１Ｂ、および領域２１Ｃ）に区分けされており、各領域には第１の実施形態と同様、導電体層８Ａ〜８Ｃが設けられている。
【００３８】
また、第２の実施形態の実装用基板５０では、第１の実施形態と異なり、基体６に複数の貫通孔５２Ａ〜５２Ｃが設けられている。第２の実施形態では、この貫通孔５２Ａ〜５２Ｃ内に、導電体層８Ａ〜８Ｃにそれぞれ接続した導体部材（ビア導体）５４Ａ〜５４Ｃが配置されている。 導体部材５４Ａ〜５４Ｃは、例えばＣｕ−Ｗ合金を主成分とする金属材料からなり、基体６に比べて熱伝導率が高くなっている。導体部材５４Ａ〜５４Ｃのうち５４Ｃが最も径が大きく、熱の伝導効率は５４Ａ〜５４Ｃのうち５４Ｃが最も大きくなっている。
【００３９】
また、図７に示すように、第２の実施形態の発光体６０も、実装用基板５０に、例えば半田等のフリップチップ接合層６９を介してＬＥＤ素子６２が接合されている。ＬＥＤ素子６２は、一方の主面に正極Ｅ１と負極Ｅ２の２つの電極を備え、正極Ｅ１が接合層６９Ａを介して導電体層８Ａと接合し、負極Ｅ２が接合層６９Ｂを介して導電体層８Ｂと接合している。第２の実施形態では、ＬＥＤ素子６２はさらに、一方の主面に金属層Ｅ３が設けられており、この金属層Ｅ３は、接合層６９Ｃを介して導電体層８Ｃと接合されている。
【００４０】
実装用基板５０では、基体６よりも熱伝導率の高い導体部材５４Ａ〜５４Ｃを備えており、この導体部材５４Ａ〜５４Ｃから高い効率で熱が放出されるので、基体６と各導電体層との界面部分における熱応力が比較的低減されている。また、導体部材５４Ａおよび５４Ｂを介してＬＥＤ素子６２に電力を供給するので、基体６の斜面１６に導電体パターンを形成する必要がなく、斜面１６からの反射光強度の空間的ばらつきが、比較的小さくされている。また、実装用基板５０では、ＬＥＤ素子６２が、正極Ｅ１と負極Ｅ２のみでなく、比較的面積の大きい電極Ｅ３を備えており、この電極Ｅ３が熱の伝導効率が高い導体部材５４Ｃと接続している。このたま、ＬＥＤ素子６２で発生した熱が、電極Ｅ３と導体部材５４Ｃを介して、外部に放出され易くなっている。
【００４１】
次に、上述の発光体６０を複数備えて構成された発光装置７０について、図８（ａ）および図８（ｂ）を用いて説明する。発光装置７０は、ヒートシンク６６、配線基板７２を備えて構成されている。第２の実施形態では、配線基板７２は１つである。配線基板７２は、例えば樹脂やセラミックス等の絶縁性材料からなり、表面に導電性の配線パターン８２が設けられている。配線パターン８２は、半田等からなる接合層８４Ｂおよび８４Ｃを介して、各発光体６０の導体部材５４Ａおよび５４Ｂと、それぞれ接続されている。配線パターン８２は、図示しない外部電源と接続されており、複数の配線パターン８２が各々所定の電位の電源に接続されることで、発光体６０の実装用基板５０の導電体層８Ａおよび導電体層８Ｂがそれぞれ所定電位とされ、ＬＥＤ素子６２に電流が流れてＬＥＤ素子６２が発光する。
【００４２】
ヒートシンク６６は、例えば銅（Ｃｕ）など、熱伝導性に優れた金属や合金等を主成分とする。第２の実施形態では、ヒートシンク６６が、半田等の接合層８４Ｃを介して、ＬＥＤ素子６２と接合した導体部材５４Ｃと接続されている。
【００４３】
ＬＥＤ素子６２は発光にともなって比較的大きな熱を発する。発光装置７０では、発光体６０の導体部材５４Ａ〜５４Ｃから高い効率で熱が放出されるので、基体６と各導電体層との界面部分における熱応力が比較的低減されている。特に、導体部材５４Ａ〜５４Ｃのうち最も径が大きい導体部材５４Ｃが、熱伝導率の高いヒートシンク６６と接合されており、ＬＥＤ素子６２の発光にともなう熱を、導体部材５４Ｃを介してから高い効率で放出することができる。
【００４４】
実装用基板５０は、基体６に設けられた導体部材５４Ｂおよび５４Ｃから電力を供給しており、例えば第１の実施形態のように、基体６の頂面１９に電極等を設け、ワイヤボンディングを施す必要がない。第２の実施形態では、複数の実装用基板５０を、図８に示すように近接して配置した場合でも、各実装用基板５０間の導電体層８Ａ〜８Ｃが電気的に接触する虞が少なく、複数個の実装用基板５０を高密度に配置することができる。また、実装用基板５０を高密度に配置した場合も、導体部材５４Ａ〜５４Ｃから高い効率で熱を放出させることができる。
【００４５】
第２の実施形態に係る発光体６０も、導電体層８の剥離等、ＬＥＤ素子６２の発光にともなう故障が発生し難い。発光体６０も、電気的性能および発光効率が比較的高く、動作信頼性も比較的高い。
【００４６】
第２の実施形態の発光体６０は、基本的に第１の実施形態の発光体２０と同様の工程を経て作製することができる。 基体６の貫通孔５２は、基体６の成型時に、貫通孔５２に対応する凸状部を備える金型を用いて成型することで形成してもよい。また、貫通孔のない成型体を作製した後に、レーザー加工等によって貫通孔５２を形成してもよい。導体部材５４Ａ〜５４Ｃは、公知のメッキ工程によって貫通孔５２Ａ〜５２Ｃ内部に形成してもよい。また、例えば銅（Ｃｕ）粉末とタングステン（Ｗ）粉末とを混合したペーストを、加圧印刷によって貫通孔５２Ａ〜５２Ｃに埋め込んだ後に焼成して、導体部材５４Ａ〜５４Ｃを形成してもよい。発光体６０の作製方法など、特に限定されない。
【００４７】
本発明の発光体は、例えば、家庭用照明や、紫外線照射装置等の工業用照明、液晶ディスプレイのバックライトなどに、好適に用いることができる。また、素子載置体には、ＬＥＤなどの発光素子のみでなく、例えば半導体素子等を実装してもよい。
【００４８】
以上、本発明の第1および第２の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００４９】
２  ＬＥＤ素子
６  基体
８  導電体層
９  電極体
１０、５０  実装用基板
１１、１１ａ  堤部
１４  堤部の側面
１６  枠体部の斜面
１８  枠体部
１９  枠体部の頂面
２０  発光体
２１  領域
３０、７０  発光装置
３２、３４  配線基板
３６  ヒートシンク
４２  配線パターン
４４  ワイヤ
５２Ａ〜５２Ｃ  貫通孔
５４Ａ〜５４Ｃ  導体部材（ビア導体）
６９  フリップチップ接合層 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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