(57)【要約】  示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が２３０〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体、を含む基材と、該基材の少なくとも一方の面に形成される透明導電膜、着色部およびスイッチング素子からなる群より選ばれる少なくとも1種の部材とを有する複合体。【特許請求の範囲】
【請求項１】
示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が２３０〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体、を含む基材と、該基材の少なくとも一方の面に形成される透明導電膜、着色部およびスイッチング素子からなる群より選ばれる少なくとも１種の部材とを有する複合体。
【請求項２】
前記芳香族ポリエーテル系重合体が、下記式（１）で表される構造単位および下記式（２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉ）を有する、請求項１に記載の複合体。
【化１】
2012005345.tif 000015
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。）
【化２】
2012005345.tif 000016
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。但し、ｍが０の時、Ｒ7はシアノ基ではない。）
【請求項３】
前記芳香族ポリエーテル系重合体が、さらに、下記式（３）で表される構造単位および下記式（４）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉｉ）を有する、請求項１または２に記載の複合体。
【化３】
2012005345.tif 000017
（式（３）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）
【化４】
2012005345.tif 000018
（式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）
【請求項４】
前記芳香族ポリエーテル系重合体において、上記構造単位（ｉ）と上記構造単位（ｉｉ）とのモル比が５０：５０〜１００：０である、請求項３に記載の複合体。
【請求項５】
前記芳香族ポリエーテル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の重量平均分子量が５，０００〜５００，０００である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項６】
前記基材の厚み３０μｍにおけるＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法による全光線透過率が８５％以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項７】
前記基材の厚み３０μｍにおけるＹＩ値（イエローインデックス）が３．０以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項８】
前記基材の厚み３０μｍにおける厚み方向の位相差（Ｒｔｈ）が２００ｎｍ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項９】
前記部材が透明導電膜であり、前記基材または透明導電膜の少なくとも一方の面に偏光板を備えてなる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の複合体を含む表示装置。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の複合体を含むタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合体およびそれを含む表示装置に関する。詳しくは、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板等の複合体ならびに該複合体を含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、タッチパネル等には、基材上に透明導電膜が形成された透明導電性部材が用いられている。また、液晶ディスプレイ等の表示装置には、フルカラー化を実現する目的等で基材上に着色部が形成されたカラーフィルター基板が用いられており、高コントラスト等を実現できることから、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）素子に代表される３端子素子、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）素子に代表される２端子素子等のスイッチング素子が基材上に形成されたスイッチング素子基板が用いられている。【０００３】
このような透明導電性部材、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板の基材としては、耐熱性および光透過性等に優れることから、ガラス製の基材が用いられてきた（特許文献１）。【０００４】
近年のタッチパネルや液晶ディスプレイの軽量化および薄型化等に伴い、透明導電性部材、カラーフィルター基板やスイッチング素子基板の軽量化および薄型化等が求められているが、その基材としてガラス製の基材を用いる場合には、軽量化および薄型化等が困難であった。また、用途に応じて、可撓性が必要な場合もあった。【０００５】
そのため、近年では可撓性および加工性に加えて、耐衝撃性に優れ、軽量であるなどの点から、プラスチックフィルムの使用が求められており、特許文献２および３には、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリカーボネートフィルム等の各種のプラスチックフィルムを基材とした透明導電性部材が開示されており、特許文献４には、ポリイミドからなる基材を用いたスイッチング素子基板が開示されている。【０００６】
また、特許文献５および６には、それぞれ、プラスチック液晶表示素子用基板および透明で可撓性の基板上に透明導電膜を設けた透明導電性フィルムが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−５４７５３号公報
【特許文献２】特開２０１０−２０４７３号公報
【特許文献３】特開２００７−３０８６７５号公報
【特許文献４】特開２００３−１６８８００号公報
【特許文献５】特開平１１−２７１７３６号公報
【特許文献６】特開２０１１−００３４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、汎用の透明プラスチックであるポリエチレンテレフタレートやポリカーボネート、および特許文献５や６に記載の基板は耐熱性が低いため、これらの樹脂を基材として用い、その上に、透明導電膜、着色部またはスイッチング素子等の部材を形成することは困難であった。【０００９】
また、ポリイミドからなる基材は、分子内および分子間での電荷移動錯体の形成により黄褐色に着色しているため、高い光透過性が必要な用途に用いることは困難であった。さらに、ポリイミドをフィルム状の基材に成形する場合には、高温でイミド化することが必要となるため、製造プロセス負荷が高かった。【００１０】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、耐着色性、光透過性、耐熱性および力学的強度に優れた複合体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定のガラス転移温度を有する芳香族ポリエーテル系重合体、を含む基材から得られる複合体が上記課題を解決することができることを見出し、さらに、該重合体を含む基材の位相差が小さいことを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の［１］〜［１１］を提供するものである。【００１２】
［１］  示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が２３０〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体、を含む基材と、該基材の少なくとも一方の面に形成される透明導電膜、着色部およびスイッチング素子からなる群より選ばれる少なくとも１種の部材とを有する複合体。【００１３】
［２］  前記芳香族ポリエーテル系重合体が、下記式（１）で表される構造単位および下記式（２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉ）を有する、［１］に記載の複合体。【００１４】
【化１】
2012005345.tif 000002
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。）【００１５】
【化２】
2012005345.tif 000003
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。但し、ｍが０の時、Ｒ7はシアノ基ではない。）【００１６】
［３］  前記芳香族ポリエーテル系重合体が、さらに、下記式（３）で表される構造単位および下記式（４）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉｉ）を有する、［１］または［２］に記載の複合体。【００１７】
【化３】
2012005345.tif 000004
（式（３）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）【００１８】
【化４】
2012005345.tif 000005
（式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）【００１９】
［４］  前記芳香族ポリエーテル系重合体において、上記構造単位（ｉ）と上記構造単位（ｉｉ）とのモル比が５０：５０〜１００：０である、［３］に記載の複合体。
［５］  前記芳香族ポリエーテル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の重量平均分子量が５，０００〜５００，０００である、［１］〜［４］のいずれかに記載の複合体。【００２０】
［６］  前記基材の厚み３０μｍにおけるＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法による全光線透過率が８５％以上である、［１］〜［５］のいずれかに記載の複合体。
［７］  前記基材の厚み３０μｍにおけるＹＩ値（イエローインデックス）が３．０以下である、［１］〜［６］のいずれかに記載の複合体。
［８］  前記基材の厚み３０μｍにおける厚み方向の位相差（Ｒｔｈ）が２００ｎｍ以下である、［１］〜［７］のいずれかに記載の複合体。【００２１】
［９］  前記部材が透明導電膜であり、前記基材または透明導電膜の少なくとも一方の面に偏光板を備えてなる、［１］〜［８］のいずれかに記載の複合体。【００２２】
［１０］  ［１］〜［９］のいずれかに記載の複合体を含む表示装置。
［１１］  ［１］〜［９］のいずれかに記載の複合体を含むタッチパネル。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の複合体は、光透過性、耐熱性、耐熱着色性および力学的強度に優れ、厚み方向の位相差が小さい。そのため、本発明の複合体は、容易に製造され、表示装置用およびタッチパネル用として好適に使用できる。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
≪複合体≫
本発明の複合体は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が２３０〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体（以下「重合体（Ｉ）」ともいう。）、を含む基材と、該基材の少なくとも一方の面に形成される透明導電膜、着色部およびスイッチング素子からなる群より選ばれる少なくとも１種の部材とを有する。
なお、「芳香族ポリエーテル系重合体」とは、主鎖にエーテル結合を形成する反応により得られる重合体である。
【００２５】
＜基材＞
〔重合体（Ｉ）〕
本発明で用いられる基材は、前記重合体（Ｉ）を含む。
前記重合体（Ｉ）のガラス転移温度は、好ましくは２４０〜３３０℃であり、さらに好ましくは２５０〜３００℃である。
【００２６】
透明導電膜、着色部またはスイッチング素子等の部材を基材上に形成する工程は、通常、２００℃以上の高温で行われる。このため、この高温に耐えるため、具体的には、基材の動的粘弾性測定（バイブロン社製）による弾性率変化がＴｇマイナス２０〜３０℃で起こりうるため、用いられる基材に含まれる重合体には、通常、加熱温度より２０℃以上高いＴｇ（ＤＳＣで測定）を有することが求められる。前記部材が形成される基材は、少なくとも２３０℃以上の耐熱性が求められ、好ましくは２３０〜３５０℃、より好ましくは２４０〜３３０℃、さらに好ましくは２５０〜３００℃の耐熱性が求められる。このため、基材に含まれる重合体のガラス転移温度もこの範囲にあることが好ましい。
【００２７】
前記重合体（Ｉ）は、Ｔｇが前記範囲にあるため、透明導電膜、着色部またはスイッチング素子等の部材が形成される基材の材料として好適に用いることができる。前記重合体（Ｉ）から形成される基材を用いることで、この基材上に部材を形成する際に、高温で処理することができるため、低抵抗および高速処理（スループット向上）可能な複合体を得ることができる。
【００２８】
このような重合体（Ｉ）を含んでなる基材は、光透過性、耐熱性、耐熱着色性および力学的強度にバランスよく優れるため、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板等の複合体（光学部品）に好適に用いられる。また、基材が前記特性を有する重合体（Ｉ）を含むため、該基材の少なくとも一方の面に透明導電膜、着色部およびスイッチング素子からなる群より選ばれる少なくとも１種の部材を形成する際、さらには、所望により着色部等の上に設けられる透明樹脂からなる保護膜や透明導電膜を形成する際の、加熱や熱処理を高温で行うことができるため、これらの形成方法は限定されず、容易に複合体を製造することができる。また、前記重合体（Ｉ）を含む基材は、部材の形成時および長期の使用環境下で着色しにくい。このため、特に、高電気特性および高信頼性を有する透明導電性フィルムの製造、高コントラストおよび高精細度を有するカラーフィルター基板の製造、高解像度、きめ細かな階調表現、高コントラストおよび高精細度を有するスイッチング素子基板の製造が可能となる。
【００２９】
なお、本発明において、「耐熱着色性」とは、高温に曝された時の耐着色性をいい、例えば、大気中、高温（２３０℃）で１時間程度熱処理した際の着色のしにくさをいう。
【００３０】
前記重合体（Ｉ）は、下記式（１）で表される構造単位（以下「構造単位（１）」ともいう。）および下記式（２）で表される構造単位（以下「構造単位（２）」ともいう。）からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉ）を有する重合体（以下「重合体（ＩＩ）」ともいう。）であることが好ましい。重合体が構成単位（ｉ）を有することで、ガラス転移温度が前記範囲にある芳香族ポリエーテル系重合体を得ることができる。このような重合体（ＩＩ）は、透明性と耐熱着色性に優れるため、該重合体を含んでなる基材は、複合体の製造時および長期の使用環境下で、光透過性が高く、耐熱着色性に優れる。重合体（ＩＩ）を含んでなる基材は、これらの優れた性質をバランスよく有するため、透明導電性フィルム、タッチパネル、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板等に好適に用いられる。
【００３１】
【化５】
2012005345.tif 000006
【００３２】
前記式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示す。ａ〜ｄは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。
【００３３】
炭素数１〜１２の１価の有機基としては、炭素数１〜１２の１価の炭化水素基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の１価の有機基等を挙げることができる。
【００３４】
炭素数１〜１２の１価の炭化水素基としては、炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基および炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００３５】
前記炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の炭化水素基としては、炭素数１〜８の直鎖または分岐鎖の炭化水素基が好ましく、炭素数１〜５の直鎖または分岐鎖の炭化水素基がより好ましい。
【００３６】
前記直鎖または分岐鎖の炭化水素基の好適な具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基およびｎ−ヘプチル基が挙げられる。
【００３７】
前記炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜８の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３または４の脂環式炭化水素基がより好ましい。
【００３８】
炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基の好適な具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基およびシクロへキシル基等のシクロアルキル基；シクロブテニル基、シクロペンテニル基およびシクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基が挙げられる。当該脂環式炭化水素基の結合部位は、脂環上のいずれの炭素でもよい。
【００３９】
前記炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基およびナフチル基等が挙げられる。当該芳香族炭化水素基の結合部位は、芳香族環上のいずれの炭素でもよい。
【００４０】
酸素原子を含む炭素数１〜１２の有機基としては、水素原子、炭素原子および酸素原子からなる有機基が挙げられ、中でも、エーテル結合、カルボニル基またはエステル結合と炭化水素基とからなる総炭素数１〜１２の有機基等を好ましく挙げることができる。
【００４１】
エーテル結合を有する総炭素数１〜１２の有機基としては、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基、炭素数２〜１２のアルキニルオキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基および炭素数２〜１２のアルコキシアルキル基などを挙げることができる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、プロペニルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基およびメトキシメチル基等が挙げられる。
【００４２】
また、カルボニル基を有する総炭素数１〜１２の有機基としては、炭素数２〜１２のアシル基等を挙げることができる。具体的には、アセチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基およびベンゾイル基等が挙げられる。
【００４３】
エステル結合を有する総炭素数１〜１２の有機基としては、炭素数２〜１２のアシルオキシ基等が挙げられる。具体的には、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、イソプロピオニルオキシ基およびベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００４４】
窒素原子を含む炭素数１〜１２の有機基としては、水素原子、炭素原子および窒素原子からなる有機基が挙げられ、具体的には、シアノ基、イミダゾール基、トリアゾール基、ベンズイミダゾール基およびベンズトリアゾール基等が挙げられる。
【００４５】
酸素原子および窒素原子を含む炭素数１〜１２の有機基としては、水素原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる有機基が挙げられ、具体的には、オキサゾール基、オキサジアゾール基、ベンズオキサゾール基およびベンズオキサジアゾール基等が挙げられる。
【００４６】
前記式（１）におけるＲ1〜Ｒ4としては、炭素数１〜１２の１価の炭化水素基が好ましく、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
【００４７】
【化６】
2012005345.tif 000007
【００４８】
前記式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは、単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｍは０または１を示す。但し、ｍが０の時、Ｒ7はシアノ基ではない。ｇおよびｈは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、好ましくは０である。
【００４９】
炭素数１〜１２の１価の有機基としては、前記式（１）における炭素数１〜１２の１価の有機基と同様の有機基等を挙げることができる。
【００５０】
前記重合体（ＩＩ）は、上記構造単位（１）と上記構造単位（２）とのモル比（但し、両者（構造単位（１）＋構造単位（２））の合計は１００である。）が、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から構造単位（１）：構造単位（２）＝５０：５０〜１００：０であることが好ましく、構造単位（１）：構造単位（２）＝７０：３０〜１００：０であることがより好ましく、構造単位（１）：構造単位（２）＝８０：２０〜１００：０であることがさらに好ましい。
ここで、力学的特性とは、重合体の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
【００５１】
また、前記重合体（ＩＩ）は、さらに、下記式（３）で表される構造単位および下記式（４）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉｉ）を有してもよい。前記重合体（ＩＩ）がこのような構造単位（ｉｉ）を有すると、該重合体（ＩＩ）を含んでなる基材の力学的特性が向上するため好ましい。
【００５２】
【化７】
2012005345.tif 000008
【００５３】
前記式（３）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｎは０または１を示す。ｅおよびｆは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、好ましくは０である。
炭素数１〜１２の１価の有機基としては、前記式（１）における炭素数１〜１２の１価の有機基と同様の有機基等を挙げることができる。
【００５４】
炭素数１〜１２の２価の有機基としては、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基、炭素数１〜１２の２価のハロゲン化炭化水素基、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の２価の有機基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の２価のハロゲン化有機基等を挙げることができる。
【００５５】
炭素数１〜１２の２価の炭化水素基としては、炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の２価の炭化水素基、炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基および炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００５６】
炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の２価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピリデン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基およびヘプタメチレン基等が挙げられる。
【００５７】
炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基およびシクロへキシレン基等のシクロアルキレン基；シクロブテニレン基、シクロペンテニレン基およびシクロヘキセニレン基等のシクロアルケニレン基などが挙げられる。当該脂環式炭化水素基の結合部位は、脂環上のいずれの炭素でもよい。
【００５８】
炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基およびビフェニレン基等が挙げられる。当該芳香族炭化水素基の結合部位は、芳香族環上のいずれの炭素でもよい。
【００５９】
炭素数１〜１２の２価のハロゲン化炭化水素基としては、炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の２価のハロゲン化炭化水素基、炭素数３〜１２の２価のハロゲン化脂環式炭化水素基および炭素数６〜１２の２価のハロゲン化芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００６０】
炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の２価のハロゲン化炭化水素基としては、ジフロオロメチレン基、ジクロロメチレン基、テトラフルオロエチレン基、テトラクロロエチレン基、ヘキサフルオロトリメチレン基、ヘキサクロロトリメチレン基、ヘキサフルオロイソプロピリデン基およびヘキサクロロイソプロピリデン基等が挙げられる。
【００６１】
炭素数３〜１２の２価のハロゲン化脂環式炭化水素基としては、前記炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。
【００６２】
炭素数６〜１２の２価のハロゲン化芳香族炭化水素基としては、前記炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。
【００６３】
酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の有機基としては、水素原子および炭素原子と、酸素原子および／または窒素原子とからなる有機基が挙げられ、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合またはアミド結合と炭化水素基とを有する総炭素数１〜１２の２価の有機基等が挙げられる。
【００６４】
酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の２価のハロゲン化有機基としては、具体的には、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の２価の有機基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。
【００６５】
前記式（３）におけるＺとしては、単結合、−Ｏ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏまたは炭素数１〜１２の２価の有機基が好ましく、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基または炭素数１〜１２の２価のハロゲン化炭化水素基がより好ましく、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基としては、炭素数１〜１２の直鎖もしくは分岐鎖の２価の炭化水素基または炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基が好ましい。
【００６６】
【化８】
2012005345.tif 000009
【００６７】
前記式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。なお、ｍが０の時、Ｒ7はシアノ基ではない。
【００６８】
前記重合体（ＩＩ）は、前記構造単位（ｉ）と前記構造単位（ｉｉ）とのモル比（但し、両者（（ｉ）＋（ｉｉ））の合計は１００である。）が、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から（ｉ）：（ｉｉ）＝５０：５０〜１００：０であることが好ましく、（ｉ）：（ｉｉ）＝７０：３０〜１００：０であることがより好ましく、（ｉ）：（ｉｉ）＝８０：２０〜１００：０であることがさらに好ましい。
【００６９】
前記重合体（ＩＩ）は、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から前記構造単位（ｉ）および前記構造単位（ｉｉ）を全構造単位中７０モル％以上含むことが好ましく、全構造単位中９５モル％以上含むことがより好ましい。
【００７０】
〔重合体（ＩＩ）の合成方法〕
前記重合体（ＩＩ）は、例えば、下記式（５）で表される化合物（以下「化合物（５）」ともいう。）および下記式（７）で表される化合物（以下「化合物（７）」ともいう。）からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物を含む成分（Ａ）と下記式（６）で表される化合物を含む成分（Ｂ）とを、反応させることにより得ることができる。
【００７１】
【化９】
2012005345.tif 000010
【００７２】
前記式（５）中、Ｘは独立してハロゲン原子を示し、フッ素原子が好ましい。
【００７３】
【化１０】
2012005345.tif 000011
【００７４】
前記式（７）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｘは、独立に前記式（５）中のＸと同義である。但し、ｍが０の時、Ｒ7はシアノ基ではない。
【００７５】
【化１１】
2012005345.tif 000012
【００７６】
前記式（６）中、Ｒaは、独立に水素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、メタンスルホニル基またはトリフルオロメチルスルホニル基を示し、この中でも水素原子が好ましい。なお、式（６）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義である。
【００７７】
上記化合物（５）としては、具体的には、２，６−ジフルオロベンゾニトリル、２，５−ジフルオロベンゾニトリル、２，４−ジフルオロベンゾニトリル、２，６−ジクロロベンゾニトリル、２，５−ジクロロベンゾニトリル、２，４−ジクロロベンゾニトリルおよびこれらの反応性誘導体を挙げることができる。特に、反応性および経済性等の観点から、２，６−ジフルオロベンゾニトリルおよび２，６−ジクロロベンゾニトリルが好適に用いられる。これらの化合物は２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００７８】
上記式（６）で表される化合物（以下「化合物（６）」ともいう。）としては、具体的には、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３，５−ジフェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）フルオレンおよびこれらの反応性誘導体等が挙げられる。上述の化合物の中でも、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンおよび９，９−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンが好適に用いられる。これらの化合物は２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００７９】
上記化合物（７）としては、具体的には、４，４’−ジフルオロベンゾフェノン、４，４’−ジフルオロジフェニルスルホン、２，４’−ジフルオロベンゾフェノン、２，４’−ジフルオロジフェニルスルホン、２，２’−ジフルオロベンゾフェノン、２，２’−ジフルオロジフェニルスルホン、３，３’−ジニトロ−４，４’−ジフルオロベンゾフェノン、３，３’−ジニトロ−４，４’−ジフルオロジフェニルスルホン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロジフェニルスルホン、２，４’−ジクロロベンゾフェノン、２，４’−ジクロロジフェニルスルホン、２，２’−ジクロロベンゾフェノン、２，２’−ジクロロジフェニルスルホン、３，３’−ジニトロ−４，４’−ジクロロベンゾフェノンおよび３，３’−ジニトロ−４，４’−ジクロロジフェニルスルホン等を挙げることができる。これらの中でも、４，４'−ジフルオロベンゾフェノン、４，４'−ジフルオロジフェニルスルホンが好ましい。これらの化合物は２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００８０】
化合物（５）および化合物（７）からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物は、成分（Ａ）１００モル％中に、８０モル％〜１００モル％含まれていることが好ましく、９０モル％〜１００モル％含まれていることがより好ましい。
【００８１】
また、成分（Ｂ）は、必要に応じて下記式（８）で表される化合物を含むことが好ましい。
化合物（６）は、成分（Ｂ）１００モル％中に、５０モル％〜１００モル％含まれていることが好ましく、８０モル％〜１００モル％含まれていることがより好ましく、９０モル％〜１００モル％含まれていることがさらに好ましい。
【００８２】
【化１２】
2012005345.tif 000013
【００８３】
前記式（８）中、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義であり、Ｒaは、独立に前記式（６）中のＲaと同義である。
【００８４】
前記式（８）で表される化合物としては、ヒドロキノン、レゾルシノール、２−フェニルヒドロキノン、４，４’−ビフェノール、３，３’−ビフェノール、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，３’−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３-ヘキサフルオロプロパンおよびこれらの反応性誘導体等が挙げられる。これらの化合物は２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００８５】
上述の化合物の中でも、レゾルシノール、４，４'−ビフェノール、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３-ヘキサフルオロプロパンが好ましく、反応性および力学的特性の観点から、４，４'−ビフェノールが好適に用いられる。これらの化合物は２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００８６】
前記重合体（ＩＩ）は、より具体的には、以下に示す方法（Ｉ'）で合成することができる。
方法（Ｉ'）：成分（Ｂ）を有機溶媒中でアルカリ金属化合物と反応させて、成分（Ｂ）のアルカリ金属塩を得た後に、得られたアルカリ金属塩と、成分（Ａ）とを反応させる。なお、成分（Ｂ）とアルカリ金属化合物との反応を成分（Ａ）の存在下で行うことで、成分（Ｂ）のアルカリ金属塩と成分（Ａ）とを反応させることもできる。
【００８７】
反応に使用するアルカリ金属化合物としては、リチウム、カリウムおよびナトリウム等のアルカリ金属；水素化リチウム、水素化カリウムおよび水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金属；水酸化リチウム、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウム等の水酸化アルカリ金属；炭酸リチウム、炭酸カリウムおよび炭酸ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩；炭酸水素リチウム、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩などを挙げることができる。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００８８】
アルカリ金属化合物は、前記成分（Ｂ）中の全ての−Ｏ−Ｒaに対し、アルカリ金属化合物中の金属原子の量が通常１〜３倍当量、好ましくは１．１〜２倍当量、さらに好ましくは１．２〜１．５倍当量となる量で使用される。
【００８９】
反応に使用する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、γ−ブチルラクトン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、ジアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数１〜４）およびトリアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数１〜４）などを使用することができる。これらの溶媒の中でも、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、スルホラン、ジフェニルスルホンおよびジメチルスルホキシド等の誘電率の高い極性有機溶媒が特に好適に用いられる。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００９０】
さらに、前記反応の際には、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールなどの水と共沸する溶媒をさらに用いることもできる。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００９１】
成分（Ａ）と成分（Ｂ）の使用割合は、成分（Ａ）と成分（Ｂ）との合計を１００モル％とした場合に、成分（Ａ）が好ましくは４５モル％以上５５モル％以下、より好ましくは５０モル％以上５２モル％以下、さらに好ましくは５０モル％を超えて５２モル％以下であり、成分（Ｂ）が好ましくは４５モル％以上５５モル％以下、より好ましくは４８モル％以上５０モル％以下であり、さらに好ましくは４８モル％以上５０モル％未満である。
【００９２】
また、反応温度は、好ましくは６０〜２５０℃、より好ましくは８０〜２００℃の範囲である。反応時間は、好ましくは１５分〜１００時間、より好ましくは１時間〜２４時間の範囲である。
【００９３】
〔重合体（Ｉ）の物性等〕
前記重合体（Ｉ）は、ポリイミド系重合体の合成に必要なイミド化のための高温処理が不要であるため、重合体の製造プロセス負荷が低く、容易に重合体を製造することができる。
【００９４】
前記重合体（Ｉ）は、ＴＯＳＯＨ製ＨＬＣ−８２２０型ＧＰＣ装置（カラム：ＴＳＫｇｅｌα―Ｍ、展開溶剤：テトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」ともいう。）で測定した、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が、好ましくは５，０００〜５００，０００、より好ましくは１５，０００〜４００，０００、さらに好ましくは３０，０００〜３００，０００である。
【００９５】
前記重合体（Ｉ）は、熱重量分析法（ＴＧＡ）で測定した熱分解温度が、好ましくは４５０℃以上、より好ましくは４７５℃以上、さらに好ましくは４９０℃以上である。
【００９６】
〔基材の製造方法〕
前記基材の製造方法としては、特に制限されないが、前記重合体（Ｉ）を含む重合体組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成し、次いで該塗膜から有機溶媒を除去することで支持体上に基材を形成する方法が挙げられる。
このような方法で基材を形成することにより、重合体の分子が一定方向に配向することを防ぐことができるため、より位相差の小さい基材を得ることができる。
【００９７】
前記重合体組成物としては、前記の方法（Ｉ'）で得られた、重合体（ＩＩ）と有機溶媒との混合物をそのまま使用することができる。このような重合体組成物を用いることで、容易に、安価に基材を製造することができる。
【００９８】
また、前記重合体組成物は、前記の方法（Ｉ'）で得られた重合体（ＩＩ）と有機溶媒との混合物から、重合体を固体分として単離（精製）した後、有機溶媒に再溶解させて重合体組成物を調製することもできる。
【００９９】
前記重合体（ＩＩ）を固体分として単離（精製）する方法は、例えば、メタノール等の重合体の貧溶媒に重合体を再沈殿させ、その後ろ過し、次いで減圧乾燥すること等により行うことができる。
【０１００】
前記重合体（ＩＩ）を溶解する有機溶媒としては、例えば、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンおよびγ−ブチロラクトンが好適に用いられ、塗工性、経済性の観点から、好ましくは、塩化メチレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドおよびＮ−メチルピロリドンが好適に使用される。これらの溶媒は、１種単独であるいは２種以上を併用することができる。
【０１０１】
前記重合体を溶解させた重合体組成物中の重合体濃度は、重合体の分子量にもよるが、通常、５〜４０質量％、好ましくは７〜２５質量％である。重合体組成物中の重合体（Ｉ）の濃度が前記範囲にあると、厚膜化可能で、ピンホールが生じにくく、表面平滑性に優れる基材を形成することができる。
【０１０２】
重合体組成物の粘度は、重合体の分子量や濃度にもよるが、通常、２，０００〜１００，０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは３，０００〜５０，０００ｍＰａ・ｓである。重合体組成物の粘度が前記範囲にあると、成膜中の組成物の滞留性に優れ、厚みの調整が容易であるため、基材の成形が容易である。
【０１０３】
また、重合体組成物にはさらに老化防止剤を含有させることができ、老化防止剤を含有することで、得られる基材の耐久性をより向上させることができる。
老化防止剤としては、好ましくはヒンダードフェノール系化合物を挙げることができる。
【０１０４】
本発明で使用することのできるヒンダードフェノール系化合物としては、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロオネート］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−３，５−トリアジン、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，１，３−トリス［２−メチル−４−［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル］ブタン、２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレイト、および、３，９−ビス［２−〔３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカンなどを挙げることができる。
【０１０５】
前記重合体組成物に老化防止剤を配合する場合には、前記老化防止剤の配合量は、重合体（Ｉ）１００重量部に対して好ましくは０．０１〜１０重量部である。
【０１０６】
前記重合体組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する方法としては、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法およびドクターブレードを用いる方法等が挙げられる。
【０１０７】
塗膜の厚さは、特に限定されないが、例えば１〜２５０μｍであり、好ましくは２〜１５０μｍであり、より好ましくは５〜１２５μｍである。
【０１０８】
前記支持体としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムおよびＳＵＳ板などが挙げられる。
【０１０９】
塗膜から前記有機溶媒を除去する方法としては、特に制限されないが、例えば、塗膜を加熱する方法が挙げられる。
前記加熱の条件は、塗膜から有機溶媒を除去できればよく、支持体や重合体に応じて適宜決めればよいが、例えば加熱温度は３０〜３００℃であることが好ましく、４０〜２５０℃であることがより好ましく、５０〜２３０℃であることがさらに好ましい。加熱時間としては、１０分〜５時間であることが好ましい。なお、加熱は二段階以上で行ってもよい。具体的には、３０〜８０℃の温度で１０分〜２時間乾燥後、１００〜２５０℃でさらに１０分〜２時間加熱するなどである。また、必要に応じて、窒素雰囲気下、もしくは減圧下にて乾燥を行ってもよい。
【０１１０】
また、前記基材を製造する際には、塗膜から有機溶媒を除去した後に、溶媒が除去された塗膜を焼成する方法が挙げられる。基材を製造する際に、焼成工程を含むことで、熱収縮率の小さい基材を得ることができる。このため、電気特性および信頼性等に優れる複合体を得ることができる。
【０１１１】
前記焼成の際には、前記支持体上に形成された塗膜を支持体ごと焼成してもよいが、支持体の性質に影響されない点から、前記支持体上に形成された塗膜を支持体から剥離し、その後焼成することが好ましい。なお、塗膜から有機溶媒を除去する方法は、塗膜を焼成することで行うこともできるが、焼成工程の前に、別途、有機溶媒を除去する工程を含んでもよい。なお、支持体から剥離した塗膜を焼成する際には、支持体から塗膜を剥離する前に予め塗膜から有機溶媒を除去する工程を含むことが好ましい。
【０１１２】
前記焼成工程は、特定の温度で行うことが好ましく、焼成温度は好ましくは２１０℃〜３５０℃、より好ましくは２２０℃〜３３０℃、さらに好ましくは２３０℃〜３２０℃である。焼成時間は、好ましくは１０分〜５時間である。
【０１１３】
焼成雰囲気は、特に制限されないが、大気下または不活性ガス雰囲気下等であることが好ましく、不活性ガス雰囲気下であることが特に好ましい。
不活性ガスとしては、着色性の観点から窒素、アルゴン、ヘリウムなどが挙げられ、窒素であることが好ましい。
【０１１４】
得られた基材は、支持体から剥離して用いることができるし、あるいは用いる支持体の種類や複合体の用途にもよるが剥離せずにそのまま用いることもできる。
【０１１５】
前記基材の厚みは、所望の用途に応じて適宜選択されるが、好ましくは１〜２５０μｍ、より好ましくは２〜１５０μｍ、さらに好ましくは、１０〜１２５μｍである。
基材の位相差および表示装置やタッチパネルの軽量化等を考慮すると、基材の膜厚は薄いことが好ましい。
【０１１６】
〔基材の物性等〕
前記基材は、Ｒｉｇａｋｕ社製８２３０型ＤＳＣ測定装置（昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が、２３０〜３５０℃であることが好ましく、２４０〜３３０℃であることがより好ましく、２５０〜３００℃であることがさらに好ましい。
【０１１７】
前記基材が、このようなガラス転移温度を有すると、該基材の少なくとも一方の面に透明導電膜、着色部およびスイッチング素子からなる群より選ばれる少なくとも１種の部材を形成する際、さらには、所望により着色部等の上に設けられる透明樹脂からなる保護膜や透明導電膜を形成する際の加熱や熱処理を高温で行うことができるため、部材の形成方法が限定されず、容易に複合体を製造することができる。
【０１１８】
前記基材は、厚みが３０μｍである場合に、ＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法における全光線透過率が、８５％以上であることが好ましく、８８％以上であることがより好ましい。全光線透過率は、ヘイズメーターＳＣ−３Ｈ（スガ試験機社製）を用いて測定することができる。
【０１１９】
前記基材は、厚みが３０μｍである場合に、波長４００ｎｍにおける光線透過率が、好ましくは７０％以上であり、より好ましくは７５％以上であり、さらに好ましくは８０％以上である。波長４００ｎｍにおける光線透過率は、紫外・可視分光光度計Ｖ−５７０（ＪＡＳＣＯ社製）を用いて測定することができる。
【０１２０】
前記基材の光線透過率がこのような範囲にあることは、基材が特に高い光線透過率を有することを示すため、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板等の複合体に好適に用いることができる。
【０１２１】
前記基材は、厚みが３０μｍである場合に、ＹＩ値（イエローインデックス）が、３．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましく、２．０以下であることがさらに好ましい。ＹＩ値は、スガ試験機社製ＳＭ−Ｔ型色彩測定器を用いて測定することができる。ＹＩ値がこのような範囲にあることで、着色のしにくい基材を得ることができ、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板等の複合体に好適に用いることができる。
【０１２２】
また、前記基材は、厚みが３０μｍである場合に、熱風乾燥機にて大気中２３０℃で１時間の加熱を行った後のＹＩ値が３．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましく、２．０以下であることがさらに好ましい。ＹＩ値がこのような範囲にあることで、高温下でも着色のしにくい基材を得ることができるため、光学特性等に優れる透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板等の複合体を得ることができる。
【０１２３】
前記基材は、波長６３３ｎｍの光に対して、好ましくは１．５５〜１．７５、より好ましくは１．６０〜１．７０の屈折率を有する。屈折率は、プリズムカプラ  モデル２０１０（Ｍｅｔｒｉｃｏｎ社製）を用いて測定することができる。
【０１２４】
前記基材は、引張強度が、５０〜２００ＭＰａであることが好ましく、８０〜１５０ＭＰａであることがより好ましい。引張強度は、引張試験機５５４３（ＩＮＳＴＲＯＮ社製）を用いて測定することができる。
【０１２５】
前記基材は、破断伸びが、５〜１００％であることが好ましく１５〜１００％であることがより好ましい。破断伸びは、引張試験機５５４３（ＩＮＳＴＲＯＮ社製）を用いて測定することができる。
【０１２６】
前記基材は、引張弾性率が、２．５〜４．０ＧＰａであることが好ましく、２．７〜３．７ＧＰａであることがより好ましい。引張弾性率は、引張試験機５５４３（ＩＮＳＴＲＯＮ社製）を用いて測定することができる。
【０１２７】
前記基材は、厚みが３０μｍである場合に、厚み方向の位相差（Ｒｔｈ)が、２００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましく、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。位相差は、大塚電子社製ＲＥＴＳ分光器を用いて測定することができる。
前記基材が、このような低い位相差を有すると、光学等方性に優れる基材となり、該基材を有する複合体をタッチパネルや表示装置に用いる場合、表示面に着色や干渉縞が表れて、表示品位が低下することを好適に防ぐことができる。このため、前記基材を有する本発明の複合体は、タッチパネルや表示装置に好適に用いることができる。
【０１２８】
前記基材は、Ｓｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＳＳＣ−５２００型ＴＭＡ測定装置を用いて測定した線膨張係数が、好ましくは８０ｐｐｍ／Ｋ以下、より好ましくは７５ｐｐｍ／Ｋ以下である。
【０１２９】
前記基材は、湿度膨張係数が、１５ｐｐｍ／％ＲＨ以下であることが好ましく、１２ｐｐｍ／％ＲＨ以下であることがより好ましい。湿度膨張係数は、ＴＭＡ（ＳＩＩナノテクノロジー社製、ＴＭＡ−ＳＳ６１００）湿度制御オプションを用いて測定することができる。基材の膨張係数が前記範囲にあると、基材の寸法安定性（環境信頼性）が高いことを示すため、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板等の複合体やタッチパネルに好適に用いることができる。特に、高環境信頼性が要求される車載用カーナビゲーションなどに好適に用いることができる。
【０１３０】
前記基材は、ＪＩＳ  Ｋ７１３３（熱処理温度２２０℃、６０分）における熱収縮率が−０．１〜０．１％であり、好ましくは−０．０５〜０．０５％であり、さらに好ましくは−０．０３〜０．０３％である。
【０１３１】
なお、「熱収縮率」は、ＪＩＳ  Ｋ７１３３に準じて測定することで求められ、具体的には、熱処理として、所定の温度（２２０℃）に設定された恒温室の中に、あらかじめ正確な長さを測定した基材（１００ｍｍ×１００ｍｍ）を無緊張状態で入れ、６０分保持した後、取り出し、室温に戻してからその寸法の変化を読み取る。そして、熱処理前の長さＬ0と熱処理後の長さＬより、次式により熱収縮率を求める。
熱収縮率＝（Ｌ0−Ｌ）×１００／Ｌ0（％）
【０１３２】
また、前記基材は、熱処理の際の温度を２４０℃に変更した以外は上記と同様に測定した場合の熱収縮率が、好ましくは−０．２〜０．２％であり、より好ましくは−０．１〜０．１％であり、さらに好ましくは−０．０５〜０．０５％であり、特に好ましくは−０．０３〜０．０３％である。
【０１３３】
このような、熱収縮率の値が前記範囲にある基材は、基材上に透明導電膜、着色部およびスイッチング素子等の部材を形成する際に高温に曝された場合においても寸法変化が少ないため、形成された部材に生じる応力および変位量が少ないため好ましい。
【０１３４】
＜複合体＞
本発明の複合体は、前記基材の少なくとも一方の面に、透明導電膜、着色部およびスイッチング素子からなる群より選ばれる少なくとも１種の部材が形成されてなる。
本発明の複合体としては、具体的には、前記基材の少なくとも一方の面に透明導電膜が形成されてなる透明導電性フィルム、前記基材の少なくとも一方の面に着色部が形成されてなるカラーフィルター基板、および前記基材の少なくとも一方の面にスイッチング素子が形成されてなるスイッチング素子基板等の光学部品が挙げられる。
【０１３５】
〔透明導電性フィルム〕
透明導電性フィルムは、前記基材の少なくとも一方の面に透明導電膜が形成されてなる。
前記透明導電膜としては、透明であって、導電性を示す膜であれば特に制限されないが、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などからなる金属酸化物膜や、これらの金属酸化物を主体とする複合膜、金、銀、銅、錫、ニッケル、アルミニウムまたはパラジウムなどからなる金属膜が挙げられる。
【０１３６】
透明導電膜の形成方法としては、特に制限されず、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などの公知の方法を挙げることができるが、膜の均一性や基材への薄膜の密着性の観点から、スパッタリング法での薄膜形成が好ましい。
スパッタリング法等で金属や金属酸化物などからなる膜を形成する際の温度は、１５０〜３５０℃であることが好ましく、１８０〜３００℃であることがより好ましく、２２０〜２６０℃であることがさらに好ましい。
【０１３７】
前記基材は、前記重合体（Ｉ）を含むため、ガラス転移温度が高い。そのため、このような高温加熱が必要な方法であっても、基材上に透明導電膜を形成することができ、高電気特性および高信頼性を有する透明導電性フィルムを製造することができる。
【０１３８】
また、ポリチオフェン系やポリアニリン系の導電性ポリマーを基材上に塗布し、成膜することで透明導電膜を形成しても良い。
【０１３９】
透明導電膜の厚さは、３０Å以上とすることが好ましく、これより薄いと比抵抗（体積抵抗）が、１×１０-3Ω・ｃｍ以下となる良好な導電性を有する連続被膜となり難いことがある。一方、厚くしすぎると透明性の低下などをきたすことがあるために、好適な厚さは、５０〜２０００Å程度である。
これらの透明導電膜は１層でもよいし、多層から成っていてもよい。
【０１４０】
基材上に透明導電膜を形成する際には、基材と透明導電膜との密着性を向上させる点から、予め基材表面をプラズマ処理、コロナ処理、アルカリ処理、コーティング処理等の表面処理しておくことが好ましい。
【０１４１】
前記透明導電性フィルムは、所望により、その少なくとも一方の面に、反射防止膜またはハードコート膜等を有してもよいし、また、アンチニュートンリング処理を行ってもよい。
【０１４２】
前記透明導電性フィルムは、三菱化学（株）製の低抵抗率計「ロレスタ−ＧＰ」を用いて測定した比抵抗値（体積抵抗値）が好ましくは２×１０-3Ω・ｃｍ以下であり、さらに好ましくは５×１０-4Ω・ｃｍ以下である。比抵抗値が前記範囲にあることで、導電性に優れるフィルムとなり、このようなフィルムを含むタッチパネルは、細かい動きにも正確に素早く反応できるため好ましい。
【０１４３】
本発明の複合体は、前記透明導電性フィルムの少なくとも一方の面に、偏光板を備えてなることが好ましく、基材の透明導電膜が積層された面と反対側の面に、偏光板が積層されていることが好ましい。
前記偏光板は、円偏光板であってもよく、直線偏光板であってもよいが、前記複合体をタッチパネルに用いる場合には、その視認性の向上のため、円偏光板を用いることが好ましい。
【０１４４】
前記円偏光板は、１枚の直線偏光板と１枚または２枚以上の位相差板を含んでなることが好ましい。偏光板と透明導電性フィルムとを積層する方法は特に制限されず、本発明の効果およびタッチパネルとしての性質等を損なわない接着剤等を用いて積層することができる。
【０１４５】
〔カラーフィルター基板〕
カラーフィルター基板は、前記基材の少なくとも一方の面に着色部が形成されてなる。
前記着色部は、従来公知の方法によって前記基材上に形成することができる。
【０１４６】
具体的には、まず、基材の表面を洗浄する。
次にスパッタリング法等により基材の片面にクロムや黒色樹脂等のブラックマトリックス材料を成膜する。次いでこのブラックマトリックス材料膜の表面にフォトレジスト材料等をコーティングし、必要により乾燥させた後にフォトマスクを用いて露光、現像してレジストのパターニングを行う。
【０１４７】
その後、エッチングおよびレジストの剥離を行って必要な部分にのみブラックマトリックス材料を残し、熱処理により硬化することでブラックマトリックスを形成することができる。熱処理の際の温度としては、用いる材料により適宜調節すればよいが、１５０〜３００℃であることが好ましく、１８０〜２５０℃であることがより好ましく、２２０℃以上であることがさらに好ましい。
【０１４８】
次いで、赤、緑、青（ＲＧＢ）等の各色着色部を形成する。たとえば赤色の着色部を形成する場合、赤色の色素材料を塗布し、プレベークすることで赤色色素材料膜を得る。次いでこの赤色色素材料膜の表面にフォトレジストをコーティングし、必要により乾燥させた後にフォトマスクを用いて露光、現像してレジストのパターニングを行う。
【０１４９】
その後、エッチングおよびレジストの剥離を行って必要な部分のみの赤色色素材料を残し、熱処理により硬化することで赤色着色部を形成する。熱処理の際の温度としては、用いる材料により適宜調節すればよいが、１５０〜３００℃であることが好ましく、１８０〜２５０℃であることがより好ましく、２２０℃以上であることがさらに好ましい。緑色および青色等の残る各色の着色部も同様の操作を繰り返すことにより形成することができる。
また、ブラックマトリックス上に赤、緑、青（ＲＧＢ）等の各色色素材料を同時に塗布し、同様の方法で、各色着色部を形成することもできる。
【０１５０】
前記基材は高い耐熱性を有するため、ブラックマトリックス材料や各色色素材料を充分に硬化させることが可能である。このため、高コントラストおよび高精細度を有するカラーフィルター基板を製造することができる。
【０１５１】
ブラックマトリックスや各色着色部のパターニング法としては、上記のフォトレジストを用いる方法に加えて、感光性を有するブラックマトリックス材料や各色色素材料を用いて、レジストを用いずに直接フォトマスクによりパターニングする方法も採用できる。また、スクリーン印刷、グラビア印刷およびインクジェット印刷などの印刷法によって直接ブラックマトリックスや各色着色部のパターニングを行うことも可能である。
【０１５２】
なお、ブラックマトリックス材料や各色色素材料としては、クロム等の金属およびカーボンブラック等の黒色材料、または赤、緑もしくは青色を表す色素と、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂等との混合物などが使用される。
フォトレジスト材料としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂等の樹脂と任意の添加剤との混合物などが使用される。これらのブラックマトリックス材料、各色色素材料およびフォトレジスト材料としては、塗布性の点から、前記基材を溶かさない溶媒等を適宜加えた溶液を用いることが好ましい。
【０１５３】
次いで、着色部の表面平坦化、保護の目的で、必要に応じ、着色部表面にオーバーコート層を形成してもよい。オーバーコート層には硬化系樹脂、主にエポキシ系やアクリル系の樹脂が用いられ、その厚みは通常１〜１０μｍである。
【０１５４】
さらに必要に応じ、公知の金属酸化物膜からなる透明導電膜を着色部やオーバーコート層上に形成してもよい。例えば、不純物としてスズ、テルル、カドミウム、モリブテン、タングステン、フッ素、亜鉛、ゲルマニウムまたはこれらの酸化物等を添加した酸化インジウム、酸化カドミウムおよび酸化スズ、不純物としてアルミニウムを添加した酸化亜鉛、ならびに酸化チタン等からなる金属酸化物膜が挙げられる。中でも酸化スズを２〜１５重量％含有した酸化インジウムからなる透明導電膜が、透明性、導電性に優れており、好ましく用いられる。上記透明導電膜の膜厚は目的の表面抵抗に応じて設定されるが、５ｎｍ〜１０μｍが好ましい。これらの透明導電膜はスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法およびプラズマＣＶＤ法等により着色部やオーバーコート層上に積層してもよい。
【０１５５】
透明導電膜の比抵抗を１×１０-3Ω・ｃｍ以下にするためには、基材上に透明導電膜を形成する際の基材温度を２０〜４００℃、好ましくは１８０〜３５０℃にすることが望まれる。
【０１５６】
〔スイッチング素子基板〕
スイッチング素子基板は、前記基材の少なくとも一方の面にスイッチング素子が形成されてなる。
前記スイッチング素子としては、特に制限されないが、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）素子等が挙げられる。これらの中でも、スイッチング性能に優れている点から、ＴＦＴ素子が好ましい。
【０１５７】
ＴＦＴ素子は、特に制限されず、例えば、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極および活性層からなるＴＦＴ素子が挙げられ、従来公知の方法によって製造することができる。
前記ＴＦＴ素子を前記基材上に形成する方法として、例えば、以下の（１）〜（５）を含む方法が挙げられる。
【０１５８】
（１）前記基材上にスパッタリング法等で金属や金属酸化物などの導電性材料からなる膜を形成した後にエッチングするなどして、ゲート電極を設ける。スパッタリング法等で金属や金属酸化物などからなる膜を形成する際の温度は、１５０〜３５０℃であることが好ましく、１８０〜３００℃であることがより好ましく、２２０〜２６０℃であることがさらに好ましい。
【０１５９】
（２）次に、ゲート電極を設けた基材上にプラズマＣＶＤ法等で窒化珪素膜等のゲート絶縁膜を形成する。
【０１６０】
（３）さらに、ゲート絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法などにより有機半導体などからなる活性層を形成する。
【０１６１】
プラズマＣＶＤ法等でゲート絶縁膜や有機半導体などの膜を形成する際の温度は、１５０〜３５０℃であることが好ましく、１８０〜３００℃であることがより好ましく、２２０〜２６０℃であることがさらに好ましい。
【０１６２】
（４）次に活性層の上にスパッタリング法などで金属や金属酸化物などからなる膜を形成した後にエッチングするなどして、ソース電極およびドレイン電極を設ける。
【０１６３】
（５）最後に必要に応じてプラズマＣＶＤ法等でソース電極やドレイン電極上に窒化珪素膜等を形成し、保護膜とすることにより、ＴＦＴ素子を形成することができる。
【０１６４】
以上では、ボトムゲート型のＴＦＴ素子を説明したが、前記ＴＦＴ素子はこの構造に限定されず、トップゲート型であってもよい。
【０１６５】
前記基材は高い耐熱性を有するため、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極および活性層等を上記所望の温度で形成することが可能である。このため、高解像度、きめ細かな階調表現、高コントラストおよび高精細度を有するスイッチング素子基板を製造することができる。
【０１６６】
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極は、導電性材料で形成されれば特に制限されない。導電性材料としては、金属や金属酸化物などを挙げることができる。
金属の例としては、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、およびこれらの合金が挙げられ、金属酸化物の例としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ−Ｇａ−ＺｎＯ4およびＩｎ2Ｏ3が挙げられる。
このほかにも、基材との接着性を考慮して、前記導電性材料として、導電性ポリマーを用いてもよい。
これらの中でも金属酸化物を用いると、透明電極を形成することができるため、好ましい。
【０１６７】
前記活性層は、任意の材料で形成されればよく、誘電率が高く、導電性が低いものが好ましい。このような活性層を形成する材料としては、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、ＣｄＳ、ＧａＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳｅ、ＣａＳｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＳｉＣおよびＳｉなどの無機半導体；ポリチオフェンおよびこの誘導体、ポリパラフェニレンビニレンおよびこの誘導体、ポリパラフェニレンおよびこの誘導体、ポリフルオレンおよびこの誘導体、ポリチオフェンビニレンおよびこの誘導体、ポリチオフェン−複素環芳香族共重合体およびこの誘導体、ペンタセン、テトラセンならびにナフタレン等のオリゴアセンおよびこれらの誘導体、α−６−チオフェンならびにα−５−チオフェン等のオリゴチオフェンおよびこれらの誘導体、フタロシアニンおよびこの誘導体、ピロメリット酸二無水物またはピロメリット酸ジイミドおよびこれらの誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物またはペリレンテトラカルボン酸ジイミドおよびこれらの誘導体などの有機半導体を挙げることができる。
【０１６８】
前記ゲート絶縁膜の形成には、無機物および／または有機物を使用できる。無機物としては、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＨｆＯ2、ＺｒＯ2、ＢＳＴ（チタン酸バリウムストロンチウム）、およびＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などが挙げられ、有機物としては、一般汎用高分子（ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリスチレン樹脂） 、フェノール基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ビニルアルコール系高分子およびこれらのブレンドなどが挙げられる。また、ゲート絶縁膜として、無機−有機積層膜を使用してもよい。
【０１６９】
なお、前記基材におけるＴＦＴ素子が形成される面の反対側の面には、基材を通ってＴＦＴ素子に水分が浸入することを防止するために、バリア層を設けてもよい。
【０１７０】
前記バリア層としては、特に制限されず、無機物層とポリマー層とが複合された層が挙げられる。
無機物層としては、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物および金属酸窒化物等からなる層が挙げられる。金属酸化物としては、シリカ、アルミナ、チタニア、酸化インジウム、酸化スズおよび酸化インジウムスズ等が挙げられる。金属窒化物としては、窒化アルミニウムおよび窒化ケイ素等が挙げられ、金属炭化物としては、炭化ケイ素等が挙げられ、金属酸窒化物としては、酸窒化ケイ素等が挙げられる。このような無機物層は、蒸着法で成膜できる。
【０１７１】
前記ＭＩＭ素子としては、金属間に絶縁層が設けられたダイオードであれば特に制限されず、従来公知の方法によって製造することができる。
前記ＭＩＭ素子を前記基材上に形成する方法としては、例えば、以下（１）〜（３）を含む方法が挙げられる。
【０１７２】
（１）前記基材上にスパッタリング法等で金属や金属酸化物などからなる膜を形成した後にエッチングするなどして、電極を設ける。（２）次に、電極を設けた基材上にプラズマＣＶＤ法等で窒化珪素膜等の絶縁層を形成する。（３）次に絶縁層の上にスパッタリング法などで金属や金属酸化物などの膜を形成した後にエッチングするなどして電極を設ける。
【０１７３】
前記金属の例としては、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、およびこれらの合金が挙げられ、金属酸化物の例としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯおよびＩｎ2Ｏ3が挙げられる。このほかにも、基材との接着性を考慮して、前記導電性材料として、導電性ポリマーを用いてもよい。
これらの中でも金属酸化物を用いると、透明電極を形成することができるため、好ましい。
【０１７４】
≪表示装置≫
本発明の表示装置は、前記本発明の複合体を含むことを特徴とする。このため、表示特性の優れた表示装置を得ることができる。また、表示面に着色や干渉縞が表れにくい表示装置を得ることができる。
【０１７５】
表示装置としては、例えば、タッチパネル、携帯電話、デジタル情報端末、ポケットベル、ナビゲーション、車載用液晶ディスプレイ、液晶モニター、調光パネル、ＯＡ機器用ディスプレイおよびＡＶ機器用ディスプレイ等の各種液晶表示装置が挙げられる。
【０１７６】
≪タッチパネル≫
本発明のタッチパネルは、前記複合体を含んでなり、好ましくは前記透明導電性フィルムを含んでなる。
このタッチパネルとしては、例えば、前記透明導電性フィルムと、該フィルムの透明導電膜と空隙を保って対向する透明導電膜を含むタッチパネルが挙げられる。
タッチパネルが、前記透明導電性フィルムの少なくとも一方の面に、偏光板を有する複合体を含むと、日光や蛍光灯等の外部からの光の反射光量が抑えられた低反射タッチパネルとなるため好ましい。
【０１７７】
タッチパネルは本質的にはこれらの要素で成り立つが、実際にタッチパネルの動作を実現するために、透明導電膜を支持する部材やコート材、空隙を形成するスペーサーなどが用いられる。透明導電膜を支持する部材には制御された光学特性が必要であり、本発明に用いられる前記重合体からなる部材などが好適である。
【実施例】
【０１７８】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。【０１７９】
（１）構造分析
下記実施例および比較例で得られた重合体の構造分析は、ＩＲ（ＡＴＲ法、ＦＴ−ＩＲ，６７００、ＮＩＣＯＬＥＴ社製）およびＮＭＲ（ＡＤＶＡＮＣＥ５００型，ＢＲＵＫＡＲ社製）により行った。【０１８０】
（２）重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｗ）および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）
下記実施例および比較例で得られた重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｗ）および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＴＯＳＯＨ製ＨＬＣ−８２２０型ＧＰＣ装置（カラム：ＴＳＫｇｅｌα―Ｍ、展開溶剤：ＴＨＦ）を用いて測定した。【０１８１】
（３）ガラス転移温度（Ｔｇ）
下記実施例および比較例で得られた重合体または評価用フィルムのガラス転移温度は、Ｒｉｇａｋｕ社製８２３０型ＤＳＣ測定装置を用いて、昇温速度２０℃／ｍｉｎとして測定した。【０１８２】
（３'）熱分解温度
下記実施例および比較例で得られた重合体の熱分解温度を熱重量分析法（ＴＧＡ：窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分、５％重量減少温度）により測定した。【０１８３】
（４）機械的強度
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの室温における引張強度、破断伸び、引張弾性率を、引張試験機５５４３（ＩＮＳＴＲＯＮ社製）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準じて測定した。【０１８４】
（５）環境安定性
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの線膨張係数をＳｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＳＳＣ−５２００型ＴＭＡ測定装置を用いて測定した。室温から２８０℃まで昇温した後、３℃／ｍｉｎで降温した際の２００〜１００℃での勾配から線膨張係数を算出した。【０１８５】
また、下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの湿度膨張係数をＴＭＡ（ＳＩＩナノテクノロジー社製、ＴＭＡ−ＳＳ６１００）湿度制御オプションを用いて下記条件にて測定を実施した。
湿度条件：４０％ＲＨから７０％ＲＨに１０％ＲＨ毎に湿度を変更（引張法：加重５ｇ）  温度：２３℃【０１８６】
（６）光学特性
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムについて、全光線透過率およびＹＩ値をＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法に準じて測定した。具体的には、評価用フィルムの全光線透過率をスガ試験機社製ＳＣ−３Ｈ型ヘイズメーターを用い、ＹＩ値をスガ試験機社製ＳＭ−Ｔ型色彩測定器を用いて測定した（加熱前ＹＩ)。
また、下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムを熱風乾燥機にて大気中２３０℃で１時間の加熱を行った後のＹＩ値をスガ試験機社製ＳＭ−Ｔ型色彩測定器を用いて測定した（加熱後ＹＩ）。【０１８７】
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの波長４００ｎｍにおける光線透過率は、紫外・可視分光光度計Ｖ−５７０（ＪＡＳＣＯ社製）を用いて測定した。【０１８８】
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの位相差（Ｒｔｈ）は、大塚電子社製ＲＥＴＳ分光器を用いて測定した。なお、測定の際の基準波長は５８９ｎｍであり、位相差の評価膜厚は３０μｍに規格化した値で示した。【０１８９】
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの屈折率は、プリズムカプラ  モデル２０１０（Ｍｅｔｒｉｃｏｎ社製）を用いて測定した。なお、屈折率は、波長６３３ｎｍを用いて測定した。【０１９０】
（７）比抵抗値
三菱化学（株）製の低抵抗率計「ロレスタ−ＧＰ」を用い、下記実施例および比較例で得られた透明導電性フィルムの透明導電膜の比抵抗値（Ω・ｃｍ）を測定した。【０１９１】
（８）カラーフィルター基板の評価
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムを１０ｃｍ×１０ｃｍ角に切り出し、両面に直流（ＤＣ）マグネトロンスパッタリング装置を用いてＳｉをターゲット材料として膜厚０．２μｍの酸化ケイ素膜を形成した。さらに、該フィルムの酸化ケイ素膜が形成された面と反対の面にスパッタリング装置を用いて、クロムをターゲット材料としてクロム膜を形成し、続いてポジ型感光性樹脂組成物を用いて露光後、現像することで所定の形状のブラックマトリックスを形成した。【０１９２】
次に、所定形状のブラックマトリックスが形成されたフィルム上に顔料系カラーレジスト（商品名「ＪＣＲＲＥＤ６８９」ＪＳＲ（株）製）をスピンナーにより塗布し、ホットプレート上で９０℃、１５０秒間プレベークして塗膜を形成した。その後、所定のパターンマスクを介して、露光機ＣａｎｏｎＰＬＡ５０１Ｆ（キャノン（株）製）を用いてｇｈｉ線（波長４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍの強度比＝２．７：２．５：４．８）をｉ線換算で２，０００Ｊ／ｍ2の露光量で照射し、次いで、０．０５重量％水酸化カリウム水溶液を用いて現像し、超純水にて６０秒間リンスした後、さらにオーブン中で２３０℃にて３０分間加熱処理して、赤色着色部を形成した。顔料系カラーレジストとして、ＪＣＲＲＥＤ６８９の代わりに、ＪＣＲＧＲＥＥＮ７０６（ＪＳＲ（株）製）および「ＣＲ８２００Ｂ」（ＪＳＲ（株）製）を用いた以外は同様にして、それぞれ、緑および青色着色部を形成してカラーフィルター基板を得た。３色のストライプ状着色部のストライプ幅は１００μｍであり、ストライプ間隔は２０μｍであった。【０１９３】
そして、得られたカラーフィルター基板の画素の色度をカラーアナライザーＭＣＰＤ２０００（大塚電子（株）製）にて測定し、下記の基準により評価した。
上記方法で得られたカラーフィルター基板と、上記方法と同様にガラス基板上に形成したカラーフィルター付きガラス基板との色差（ΔＥ）が赤、緑、青の着色部それぞれの部分でいずれも５未満であった場合を「○」、赤、緑、青のそれぞれの部分でいずれかが５以上であった場合を「×」とした。【０１９４】
（９）スイッチング素子基板の外観
下記実施例および比較例で得られたスイッチング素子基板の外観を目視により観察した。【０１９５】
［実施例１］
３Ｌの４つ口フラスコに（Ａ）成分：２，６−ジフルオロベンゾニトリル（以下「ＤＦＢＮ」ともいう。）３５．１２ｇ（０．２５３ｍｏｌ）、（Ｂ）成分：９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（以下「ＢＰＦＬ」ともいう。）７０．０８ｇ（０．２００ｍｏｌ）、およびレゾルシノール（以下「ＲＥＳ」ともいう。）５．５１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）、炭酸カリウム４１．４６ｇ（０．３００ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（以下「ＤＭＡｃ」ともいう。）４４３ｇおよびトルエン１１１ｇを添加した。続いて、４つ口フラスコに温度計、撹拌機、窒素導入管付き三方コック、Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ管および冷却管を取り付けた。【０１９６】
次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を１４０℃で３時間反応させ、生成する水をＤｅａｎ−Ｓｔａｒｋ管から随時取り除いた。水の生成が認められなくなったところで、徐々に温度を１６０℃まで上昇させ、そのままの温度で６時間反応させた。
室温（２５℃）まで冷却後、生成した塩をろ紙で除去し、ろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別によりろ物（残渣）を単離した。得られたろ物を６０℃で一晩真空乾燥し、白色粉末（重合体）を得た（収量９５．６７ｇ、収率９５％）。【０１９７】
得られた重合体の物性を表１に示す。得られた重合体の構造分析および重量平均分子量の測定を行った。結果は、赤外吸収スペクトルの特性吸収が、３０３５ｃｍ-1（Ｃ−Ｈ伸縮）、２２２９ｃｍ-1（ＣＮ）、１５７４ｃｍ-1、１４９９ｃｍ-1（芳香環骨格吸収）、１２４０ｃｍ-1（−Ｏ−）であり、重量平均分子量は１３０，０００であった。【０１９８】
次いで、得られた重合体をＤＭＡｃに再溶解させ、重合体濃度２０質量％の重合体組成物を得た。該重合体組成物を、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）からなる基板上にドクターブレードを用いて塗布し、７０℃で３０分乾燥させ、ついで１００℃で３０分乾燥してフィルムとした後、ＰＥＴ基板より剥離した。その後、フィルムを金枠に固定し、さらに２３０℃、２時間乾燥して、膜厚３０μｍの評価用フィルム（基材）を得た。
得られた評価用フィルムの物性を表１に示す。【０１９９】
さらに、スパッタリング装置を用いて、得られた評価用フィルムの片面にアルゴン雰囲気下２３０℃、５分間の成膜条件下で透明導電膜を形成した。なお、ターゲット材料としてはＩＴＯを用いた。得られた透明導電性フィルムの比抵抗値は、２×１０-4（Ω・ｃｍ）であった。【０２００】
また、得られた評価用フィルム上に、スパッタリング法で２３０℃の条件下で厚さ３００ｎｍのクロム膜を成膜した後にエッチングして、所定の形状のゲート電極を形成した。次に、フィルムのゲート電極が形成された面上にプラズマＣＶＤ法により２３０℃の条件下で厚さ３００ｎｍの窒化珪素膜を形成し、ゲート絶縁膜とした。その後、フィルムのゲート絶縁膜が形成された面上にプラズマＣＶＤ法により２３０℃の条件下で厚さ１２０ｎｍの高抵抗アモルファスシリコン膜を成膜し、その上に厚さ３０ｎｍの低抵抗アモルファスシリコン膜を成膜した。次に、得られた低抵抗アモルファスシリコン膜にドライエッチングを行うことにより所定の形状のシリコン膜を得た。その後、フィルムのシリコン膜形成された面上にスパッタリング法で２３０℃の条件下で厚さ４０ｎｍのクロム膜を形成した後にエッチングして、ソース電極およびドレイン電極を形成した。次いでドライエッチングにより、ソース電極とドレイン電極の間の低抵抗アモルファスシリコン膜を除去した。次に、フィルムのソース電極およびドレイン電極が形成された面上にプラズマＣＶＤ法で厚さ５００ｎｍの窒化珪素膜を成膜した後にドライエッチングを行うことにより、所定の形状の保護膜（絶縁膜）を形成した。【０２０１】
以上の工程を経て、評価用フィルム上にアモルファスシリコン薄膜トランジスタ素子が形成されたスイッチング素子基板を得た。得られたスイッチング素子基板の基材の外観を目視により観察したところ基材の変形はなく、無色透明であった。【０２０２】
［実施例２］
ＲＥＳの代わりに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン１１．４１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を使用した以外は、実施例１と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルム、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板の物性を表１に示す。【０２０３】
［実施例３］
（Ｂ）成分として、ＢＰＦＬ７０．０８ｇおよびＲＥＳ５．５１ｇの代わりに、ＢＰＦＬ７８．８４ｇ（０．２２５ｍｏｌ）および２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン８．４１ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を使用した以外は実施例１と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルム、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板の物性を表１に示す。【０２０４】
［実施例４］
（Ｂ）成分として、ＢＰＦＬ７０．０８ｇおよびＲＥＳ５．５１ｇの代わりに、９，９−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン１２５．６５ｇ（０．２５０ｍｏｌ）を使用した以外は実施例１と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルム、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板の物性を表１に示す。【０２０５】
［実施例５］
（Ｂ）成分として、ＢＰＦＬ７０．０８ｇおよびＲＥＳ５．５１ｇの代わりに、ＢＰＦＬ８７．６０ｇ（０．２５０ｍｏｌ）を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルム、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板の物性を表１に示す。【０２０６】
［実施例６］
（Ｂ）成分として、ＢＰＦＬ７０．０８ｇおよびＲＥＳ５．５１ｇの代わりに、ＢＰＦＬ７８．８４ｇ（０．２２５ｍｏｌ）および１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン６．７１ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルム、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板の物性を表１に示す。【０２０７】
［実施例７］
（Ａ）成分として、ＤＦＢＮ３５．１２ｇの代わりに、ＤＦＢＮ２８．１０ｇ（０．２０２ｍｏｌ）および４，４−ジフルオロベンゾフェノン１１．０２ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を用いた以外は実施例５と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルム、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板の物性を表１に示す。【０２０８】
［実施例８］
（Ａ）成分の配合量を、ＤＦＢＮ１７．５６ｇ（０．１２６ｍｏｌ）および４，４−ジフルオロベンゾフェノン２７．５５ｇ（０．１２６ｍｏｌ）に変更した以外は実施例７と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルム、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板の物性を表１に示す。【０２０９】
［実施例９］
（Ａ）成分として、４，４−ジフルオロジフェニルスルホン（ＤＦＤＳ）６３．５６ｇ（０．２５０ｍｏｌ）を使用した以外は実施例５と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルム、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板の物性を表１に示す。【０２１０】
［比較例１］
（Ｂ）成分として、ＢＰＦＬ７０．０８ｇおよびＲＥＳ５．５１ｇの代わりに、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン８４．０６ｇ（０．２５０ｍｏｌ）を使用した以外は、実施例１と同様に重合体と評価用フィルムを得た。得られた重合体および評価用フィルムの物性を表１に示す。【０２１１】
さらに、スパッタリング装置を用いて、得られた評価用フィルムの片面にアルゴン雰囲気下１５０℃、５分間の成膜条件下で透明導電膜を形成した。なお、ターゲット材料としてはＩＴＯを用いた。得られた透明導電性フィルムの比抵抗値は、５×１０-3（Ω・ｃｍ）であった。なお、成膜温度を実施例１と同様に２３０℃とした場合には、フィルムが変形し均一な透明導電膜が形成されなかった。【０２１２】
また、カラーフィルター基板の評価は、着色部形成時にフィルムが変形、溶融したため実施することができなかった。【０２１３】
さらに、得られた評価用フィルムを用いて、実施例１と同様にアモルファスシリコン薄膜トランジスタ素子を形成しようとしたが、フィルムが変形し、スイッチング素子基板を製造できなかった。【０２１４】
［比較例２］
帝人（株）製のポリエチレンナフタレートフィルム：ネオテックスを使用し、評価は実施例１と同様の方法で行った（膜厚１２５μｍ）。評価用フィルムの物性を表１に示す。【０２１５】
さらに、スパッタリング装置を用いて、上記評価用フィルムの片面にアルゴン雰囲気下１５０℃、５分間の成膜条件下で透明導電膜を形成した。なお、ターゲット材料としてはＩＴＯを用いた。得られた透明導電性フィルムの比抵抗値は、７×１０-3（Ω・ｃｍ）であった。なお、成膜温度を実施例１と同様に２３０℃とした場合には、フィルムが変形し均一な透明導電膜が形成されなかった。【０２１６】
また、カラーフィルター基板の評価は、着色部形成時にフィルムが変形、溶融したため実施することができなかった。【０２１７】
さらに、得られた評価用フィルムを用いて、実施例１と同様にアモルファスシリコン薄膜トランジスタ素子を形成しようとしたが、フィルムが変形し、スイッチング素子基板を製造できなかった。【０２１８】
［比較例３］
温度計、攪拌機、窒素導入管および冷却管を取り付けた３００ｍＬの４つ口フラスコに、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン９．７０ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）を添加した。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）（６０ｍｌ）を加え均一になるまで攪拌した。得られた溶液に２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物５．３０ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）を室温で加え、そのままの温度で１２時間攪拌を続けて反応させ、ポリアミック酸を含む溶液を得た。【０２１９】
得られたポリアミック酸を含む溶液にＮＭＰ（７５ｍｌ）を加えて希釈した後、ピリジン（７．５ｍｌ）および無水酢酸（６．７ｍｌ）を加え、１１０℃で６時間攪拌してイミド化を行った。その後、室温まで冷却した後、大量のメタノールに投じ、ろ別によりろ物を単離した。得られたろ物を６０℃で一晩真空乾燥し、白色粉末（重合体）を得た（収量１３．５ｇ、収率９５．３％）。【０２２０】
次いで、得られた重合体をＤＭＡｃに再溶解し、２０質量％の重合体溶液を得た。該重合体溶液を、ＰＥＴからなる基板上にドクターブレード（１００μｍギャップ）を用いて塗布し、１００℃で３０分乾燥させ、ついで１５０℃で６０分乾燥してフィルムとした後、ＰＥＴ基板より剥離した。その後、フィルムをさらに３５０℃、３時間乾燥して、膜厚３０μｍの評価用フィルムを得た。この評価用フィルムを用いた以外は実施例１と同様の方法で行った。得られた重合体、評価用フィルム、透明導電性フィルム、カラーフィルター基板およびスイッチング素子基板の物性を表１に示す。【０２２１】
【表１】
2012005345.tif 000014
【０２２２】
上記結果より、上記結果より、本発明に用いられる基材は、光透過性、耐熱性、耐熱着色性および力学的強度にバランスよく優れることが分かる。また、該基材は耐熱性に優れるため、その少なくとも一方の面に透明導電膜、着色部およびスイッチング素子等の部材を形成する際の形成方法、形成条件が限定されず、表面抵抗値の小さい透明導電性フィルム、ガラス基材を用いたカラーフィルター基板と同程度の優れた画素の色度を有するカラーフィルター基板等の複合体を得ることができる。このため、本発明の複合体は、タッチパネルや表示装置に好適に用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が２３０〜３５０℃であり、下記（Ａ）または（Ｂ）を満たす、芳香族ポリエーテル系重合体、
を含む基材と、該基材の少なくとも一方の面に形成される透明導電膜、着色部およびスイッチング素子からなる群より選ばれる少なくとも１種の部材とを有する複合体。
（Ａ）下記式（１）で表される構造単位（１）と下記式（２）で表される構造単位（２）とからなり、構造単位（１）と構造単位（２）とが、モル比で、構造単位（１）：構造単位（２）＝７０：３０〜１００：０（但し、両者（構造単位（１）＋構造単位（２））の合計は１００である。）の割合で含まれる
（Ｂ）下記式（１）で表される構造単位と下記式（３）で表される構造単位とからなる
【化１】
2012005345.tif 000019
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、ａ〜ｄは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。）
【化２】
2012005345.tif 000020
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。但し、ｍが０の時、Ｒ7はシアノ基ではない。）
【化３】
2012005345.tif 000021
（式（３）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、ｎは０を示す。）
【請求項２】
前記芳香族ポリエーテル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の重量平均分子量が５，０００〜５００，０００である、請求項１に記載の複合体。
【請求項３】
前記基材の厚み３０μｍにおけるＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法による全光線透過率が８５％以上である、請求項１〜２のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項４】
前記基材の厚み３０μｍにおけるＹＩ値（イエローインデックス）が３．０以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項５】
前記基材の厚み３０μｍにおける厚み方向の位相差（Ｒｔｈ）が２００ｎｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項６】
前記部材が透明導電膜であり、前記基材または透明導電膜の少なくとも一方の面に偏光板を備えてなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体を含む表示装置。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体を含むタッチパネル。
【国際調査報告】
2012005345.tif 000022
2012005345.tif 000023
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