(57)【要約】  複数の炭化珪素基板（１０）と支持部（３０）とが加熱される。一の平面（ＰＬ１）に垂直な方向であってかつ支持部（３０）から遠ざかる方向へ複数の炭化珪素基板（１０）から延びる第１の空間（ＳＰ１）において複数の炭化珪素基板（１０）に面する第１の放射面（ＲＰ１）の温度が第１の温度とされる。一の平面（ＰＬ１）に垂直な方向であってかつ複数の炭化珪素基板（１０）から遠ざかる方向へ支持部（３０）から延びる第２の空間（ＳＰ２）において支持部（３０）に面する第２の放射面（ＲＰ２）の温度が第１の温度よりも高い第２の温度とされる。一の平面（ＰＬ１）に沿って複数の炭化珪素基板（１０）間の隙間（ＧＰ）から延びる第３の空間（ＳＰ３）において複数の炭化珪素基板（１０）に面する第３の放射面（ＲＰ３）の温度が第２の温度よりも低い第３の温度とされる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の炭化珪素基板（１１、１２）を有する複数の炭化珪素基板（１０）と支持部（３０）とを準備する工程を備え、前記第１の炭化珪素基板は、前記支持部に面しかつ一の平面（ＰＬ１）上に位置する第１の裏面と、前記第１の裏面に対向する第１の表面と、前記第１の裏面および前記第１の表面をつなぐ第１の側面とを有し、前記第２の炭化珪素基板は、前記支持部に面しかつ前記一の平面上に位置する第２の裏面と、前記第２の裏面に対向する第２の表面と、前記第２の裏面および前記第２の表面をつなぐ第２の側面とを有し、前記第２の側面は、前記第１および第２の表面の間に開口を有する隙間（ＧＰ）が前記第１の側面との間に形成されるように配置され、さらに  前記第１および第２の側面から昇華物を発生させることで、前記開口を塞ぐ接合部が形成されるように、前記支持部と前記第１および第２の炭化珪素基板とを加熱する工程を備え、  前記加熱する工程は、  前記一の平面に垂直な方向であってかつ前記支持部から遠ざかる方向へ前記複数の炭化珪素基板から延びる第１の空間（ＳＰ１）において前記複数の炭化珪素基板に面する第１の放射面（ＲＰ１）の温度を第１の温度とする工程と、  前記一の平面に垂直な方向であってかつ前記複数の炭化珪素基板から遠ざかる方向へ前記支持部から延びる第２の空間（ＳＰ２）において前記支持部に面する第２の放射面（ＲＰ２）の温度を前記第１の温度よりも高い第２の温度とする工程と、  前記一の平面に沿って前記隙間から延びる第３の空間（ＳＰ３）において前記複数の炭化珪素基板に面する第３の放射面（ＲＰ３）の温度を前記第２の温度よりも低い第３の温度とする工程とを含む、半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記第３の温度は前記第１の温度よりも低い、請求の範囲第１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記複数の炭化珪素基板と前記支持部とを準備する工程は、前記支持部と前記第１および第２の炭化珪素基板とを有する複合基板を準備することにより行われ、前記複合基板の前記第１および第２の裏面の各々は前記支持部に接合されている、請求の範囲第１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持部に前記第１および第２の裏面の各々を接合する工程をさらに備え、前記第１および第２の裏面の各々を接合する工程は、前記接合部を形成する工程と同時に行なわれる、請求の範囲第１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持部は炭化珪素からなる、請求の範囲第１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記接合部によって塞がれた前記開口を有する前記隙間内において、前記支持部からの昇華物を前記接合部上に堆積させる工程をさらに備えた、請求の範囲第５項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記支持部からの昇華物を前記接合部上に堆積させる工程は、前記接合部によって塞がれた前記開口を有する前記隙間の全体を前記支持部内へと移動させるように行われる、請求の範囲第６項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記加熱する工程は、前記第３の空間の外側に配置された熱源によって行われる、請求の範囲第１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項９】
前記熱源は、前記第３の空間によって互いに隔てられた空間のうち前記支持部を含む方の中に配置される、請求の範囲第８項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第３の放射面をなす材料の熱伝導率は、前記第２の放射面をなす材料の熱伝導率よりも低い、請求の範囲第１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第３の放射面をなす材料の熱伝導率は、前記第１の放射面をなす材料の熱伝導率よりも低い、請求の範囲第１０項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１２】
前記加熱する工程は、前記第１〜第３の空間のそれぞれの中に配置された第１〜第３の発熱体によって行われる、請求の範囲第１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１〜第３の発熱体は互いに独立して制御される、請求の範囲第１２項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１および第２の表面（Ｆ１、Ｆ２）の各々は、研磨された面である、請求の範囲第１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１および第２の裏面（Ｂ１、Ｂ２）の各々は、スライスによって形成された面である、請求の範囲第１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１６】
前記加熱する工程は、１０-1Ｐａよりも高く１０4Ｐａよりも低い圧力を有する雰囲気中で行われる、請求の範囲第１項に記載の半導体基板（８０）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は半導体基板の製造方法に関し、特に、炭化珪素基板を含む半導体基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  近年、半導体装置の製造に用いられる半導体基板としてＳｉＣ基板の採用が進められつつある。ＳｉＣは、より一般的に用いられているＳｉ（シリコン）に比べて大きなバンドギャップを有する。そのためＳｉＣ基板を用いた半導体装置は、耐圧が高く、オン抵抗が低く、また高温環境下での特性の低下が小さい、といった利点を有する。【０００３】  半導体装置を効率的に製造するためには、ある程度以上の基板の大きさが求められる。米国特許第７３１４５２０号明細書（特許文献１）によれば、７６ｍｍ（３インチ）以上のＳｉＣ基板を製造することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７３１４５２０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  ＳｉＣ基板の大きさは工業的には１００ｍｍ（４インチ）程度にとどまっており、このため大型の基板を用いて半導体装置を効率よく製造することができないという問題がある。特に六方晶系のＳｉＣにおいて、（０００１）面以外の面の特性が利用される場合、上記の問題が特に深刻となる。このことについて、以下に説明する。【０００６】  欠陥の少ないＳｉＣ基板は、通常、積層欠陥の生じにくい（０００１）面成長で得られたＳｉＣインゴットから切り出されることで製造される。このため（０００１）面以外の面方位を有するＳｉＣ基板は、成長面に対して非平行に切り出されることになる。このため基板の大きさを十分確保することが困難であったり、インゴットの多くの部分が有効に利用できなかったりする。このため、ＳｉＣの（０００１）面以外の面を利用した半導体装置は、効率よく製造することが特に困難である。【０００７】  このように困難をともなうＳｉＣ基板の大型化に代わって、支持部と、この上に配置された複数の小さなＳｉＣ基板とを有する半導体基板用いることが考えられる。この半導体基板は、ＳｉＣ基板の枚数を増やすことで、必要に応じて大型化することができる。【０００８】  しかしこの半導体基板においては、隣り合うＳｉＣ基板の間に隙間ができてしまう。この隙間には、この半導体基板を用いた半導体装置の製造工程中に異物が溜まりやすい。この異物は、たとえば、半導体装置の製造工程において用いられる洗浄液若しくは研磨剤、または雰囲気中のダストである。このような異物は製造歩留りの低下の原因となり、その結果、半導体装置の製造効率が低下してしまうという問題がある。【０００９】  本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる半導体基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】  本発明の半導体基板の製造方法は、以下の工程を有する。  第１および第２の炭化珪素基板を有する複数の炭化珪素基板と支持部とが準備される。第１の炭化珪素基板は、支持部に面しかつ一の平面上に位置する第１の裏面と、第１の裏面に対向する第１の表面と、第１の裏面および第１の表面をつなぐ第１の側面とを有する。第２の炭化珪素基板は、支持部に面しかつ一の平面上に位置する第２の裏面と、第２の裏面に対向する第２の表面と、第２の裏面および第２の表面をつなぐ第２の側面とを有する。第２の側面は、第１および第２の表面の間に開口を有する隙間が第１の側面との間に形成されるように配置されている。第１および第２の側面から昇華物を発生させることで、開口を塞ぐ接合部が形成されるように、支持部と第１および第２の炭化珪素基板とが加熱される。加熱する工程は、以下の工程を有する。一の平面に垂直な方向であってかつ支持部から遠ざかる方向へ複数の炭化珪素基板から延びる第１の空間において複数の炭化珪素基板に面する第１の放射面の温度が第１の温度とされる。一の平面に垂直な方向であってかつ複数の炭化珪素基板から遠ざかる方向へ支持部から延びる第２の空間において支持部に面する第２の放射面の温度が第１の温度よりも高い第２の温度とされる。一の平面に沿って隙間から延びる第３の空間において複数の炭化珪素基板に面する第３の放射面の温度が第２の温度よりも低い第３の温度とされる。【００１１】  本製造方法によれば、第３の空間において複数の炭化珪素基板に面する第３の放射面の温度が第２の温度よりも低い第３の温度とされるので、第３の放射面から隙間への熱放射の影響が、第２の温度を有する第２の放射面からの熱放射に比して小さくなる。よって、第１および第２の放射面の間の温度差によってもたらされる、隙間に沿った温度勾配の、第３の放射面からの熱放射による乱れが小さくなる。この結果、上記温度勾配がより確実に形成されるので、隙間の開口を塞ぐ昇華物をより確実に発生させることができる。つまり、本製造方法によって得られた半導体基板の隙間の開口は、より確実に塞がれる。よってこの半導体基板を用いた半導体装置の製造工程においては、隙間に異物が溜まり難いので、異物に起因した歩留りの低下が抑制される。また複数の炭化珪素基板の数を増やすことで半導体基板を容易に大きくすることができる。よって大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる半導体基板が得られる。【００１２】  好ましくは、第３の温度は第１の温度よりも低くされる。これにより第３の放射面から隙間への熱放射の影響が、第１の温度を有する第１の放射面からの熱放射に比して小さくなる。よって上記温度勾配の、第３の放射面からの熱放射による乱れを、より小さくすることができる。【００１３】  好ましくは、複数の炭化珪素基板と支持部とを準備する工程は、支持部と第１および第２の炭化珪素基板とを有する複合基板を準備することにより行われ、複合基板の第１および第２の裏面の各々は支持部に接合されている。【００１４】  好ましくは、上記の製造方法は、支持部に第１および第２の裏面の各々を接合する工程をさらに備える。第１および第２の裏面の各々を接合する工程は、接合部を形成する工程と同時に行なわれる。【００１５】  好ましくは、支持部は炭化珪素からなる。  好ましくは、上記の製造方法は、接合部によって塞がれた開口を有する隙間内において、支持部からの昇華物を接合部上に堆積させる工程をさらに備える。【００１６】  好ましくは、支持部からの昇華物を接合部上に堆積させる工程は、接合部によって塞がれた開口を有する隙間の全体を支持部内へと移動させるように行われる。【００１７】  好ましくは、加熱する工程は、第３の空間の外側に配置された熱源によって行われる。  好ましくは、熱源は、第３の空間によって互いに隔てられた空間のうち支持部を含む方の中に配置される。【００１８】  好ましくは、第３の放射面をなす材料の熱伝導率は、第２の放射面をなす材料の熱伝導率よりも低い。【００１９】  好ましくは、第３の放射面をなす材料の熱伝導率は、第１の放射面をなす材料の熱伝導率よりも低い。【００２０】  好ましくは、加熱する工程は、第１〜第３の空間のそれぞれの中に配置された第１〜第３の発熱体によって行われる。【００２１】  好ましくは、第１〜第３の発熱体は互いに独立して制御される。  好ましくは、上記の半導体基板の製造方法は、第１および第２の表面の各々を研磨する工程をさらに有する。これにより、半導体基板の表面としての第１および第２の表面を平坦な面とすることができるので、半導体基板のこの平坦な面上に高品質の膜を形成することができる。【００２２】  好ましくは、第１および第２の裏面の各々は、スライスによって形成された面である。すなわち第１および第２の裏面の各々は、スライスによって形成され、その後に研磨されていない面である。これにより第１および第２の裏面の各々の上に起伏が設けられる。よってこの起伏の凹部内の空間を、第１および第２の裏面上に支持部を昇華法によって設ける場合において、昇華ガスが広がる空隙として用いることができる。【００２３】  好ましくは、加熱する工程は、１０-1Ｐａよりも高く１０4Ｐａよりも低い圧力を有する雰囲気中で行われる。
【発明の効果】
【００２４】  以上の説明から明らかなように、本発明によれば、大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる半導体基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における半導体基板の製造方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図４】図３の線ＩＶ−ＩＶに沿う概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１における半導体基板の製造方法の第２工程を概略的に示す断面図である。
【図６】図５の一部拡大図である。
【図７】本発明の実施の形態１における半導体基板の製造方法における熱放射の様子を説明するための模式図である。
【図８】本発明の実施の形態１における半導体基板の製造方法の第３工程を概略的に示す部分断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１における半導体基板の製造方法の第４工程を概略的に示す部分断面図である。
【図１０】比較例の半導体基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２における半導体基板の製造方法の第１工程を概略的に示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２における半導体基板の製造方法の第２工程を概略的に示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２における半導体基板の製造方法の第３工程を概略的に示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２の第１の変形例の半導体基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２の第２の変形例の半導体基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態２の第３の変形例の半導体基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態４における半導体基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図１８】図１７の線ＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩに沿う概略断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態５における半導体基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図２０】図１９の線ＸＸ−ＸＸに沿う概略断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態６における半導体基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態７における半導体基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態７の比較例の半導体基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態８における半導体基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態９における半導体基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】  以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。  （実施の形態１）  図１および図２を参照して、本実施の形態の半導体基板８０ａは、支持部３０と、支持部３０によって支持された被支持部１０ａとを有する。被支持部１０ａは、ＳｉＣ基板１１〜１９（炭化珪素基板）を有する。
【００２７】  支持部３０は、ＳｉＣ基板１１〜１９の裏面（図１に示される面と反対の面）を互いにつないでおり、これによりＳｉＣ基板１１〜１９は互いに固定されている。ＳｉＣ基板１１〜１９のそれぞれは同一平面上において露出した表面を有し、たとえばＳｉＣ基板１１および１２のそれぞれは、第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２（図２）を有する。これにより半導体基板８０ａは、ＳｉＣ基板１１〜１９の各々に比して大きな表面を有する。よってＳｉＣ基板１１〜１９の各々を単独で用いる場合に比して、半導体基板８０ａを用いる場合の方が、半導体装置をより効率よく製造することができる。
【００２８】  また支持部３０は、１８００℃以上の温度に耐えることができる材料からなることが好ましく、たとえば、炭化珪素、炭素、または高融点金属からなる。高融点金属としては、たとえば、モリブデン、タンタル、タングステン、ニオビウム、イリジウム、ルテニウム、またはジルコニウムからなる。なお支持部３０の材料として、上記のうち炭化珪素が用いられると、支持部３０の物性をＳｉＣ基板１１〜１９に、より近づけることができる。
【００２９】  また被支持部１０ａにおいて、ＳｉＣ基板１１〜１９の間には隙間ＶＤａが存在し、この隙間ＶＤａの表面側（図２の上側）は接合部ＢＤａによって閉塞されている。接合部ＢＤａは、第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２の間に位置する部分を含み、これにより第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２が滑らかにつながっている。
【００３０】  次に本実施の形態の半導体基板８０ａの製造方法について説明する。なお以下において説明を簡略化するためにＳｉＣ基板１１〜１９のうちＳｉＣ基板１１および１２に関してのみ言及する場合があるが、ＳｉＣ基板１３〜１９もＳｉＣ基板１１および１２と同様に扱われる。
【００３１】  図３および図４を参照して、複合基板８０Ｐが準備される。複合基板８０Ｐは、支持部３０と、ＳｉＣ基板群１０（複数の炭化珪素基板）とを有する。ＳｉＣ基板群１０は、ＳｉＣ基板１１（第１の炭化珪素基板）およびＳｉＣ基板１２（第２の炭化珪素基板）を含む。
【００３２】  ＳｉＣ基板１１は、支持部３０に面しかつ第１の平面ＰＬ１（一の平面）上に位置する第１の裏面Ｂ１と、第１の裏面Ｂ１に対向しかつ第２の平面ＰＬ２上に位置する第１の表面Ｆ１と、第１の裏面Ｂ１および第１の表面Ｆ１をつなぐ第１の側面Ｓ１とを有する。第１の裏面Ｂ１は支持部３０に接合されている。同様に、ＳｉＣ基板１２は、支持部３０に面しかつ第１の平面ＰＬ１上に位置する第２の裏面Ｂ２と、第２の裏面Ｂ２に対向しかつ第２の平面ＰＬ２上に位置する第２の表面Ｆ２と、第２の裏面Ｂ２および第２の表面Ｆ２をつなぐ第２の側面Ｓ２とを有する。第２の裏面Ｂ２は支持部３０に接合されている。第２の側面Ｓ２は、第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２の間に開口ＣＲを有する隙間ＧＰが第１の側面Ｓ１との間に形成されるように配置されている。
【００３３】  図５および図６を参照して、複合基板８０Ｐを加熱するための加熱装置が準備される。加熱装置は、断熱容器４０と、ヒータ（熱源）５０と、第１および第２の加熱体９１ａ、９２と、ヒータ電源１５０とを有する。断熱容器４０は、断熱性の高い材料から形成されている。ヒータ５０は、たとえば電気抵抗ヒータである。第１および第２の加熱体は、ヒータ５０からの放射熱を吸収し、さらにこれによって得た熱を複合基板８０Ｐへ放射する機能を有する。すなわち第１および第２の加熱体９１ａ、９２は、複合基板８０Ｐを加熱する機能を有する。第１および第２の加熱体９１ａ、９２は、たとえば、空隙率の小さいグラファイトから形成されている。
【００３４】  次に、ヒータ５０が配置された断熱容器４０内に、第１の加熱体９１ａと、複合基板８０Ｐと、第２の加熱体９２とが収められる。これらの位置関係について、以下に説明する。
【００３５】  第１に、複合基板８０Ｐは、ＳｉＣ基板群１０が第１の加熱体９１ａの第１の放射面ＲＰ１に面するように、加熱体９１ａ上に配置される。これにより、第１の平面ＰＬ１に垂直な方向であってかつ支持部３０から遠ざかる方向へＳｉＣ基板群１０から延びる第１の空間ＳＰ１（図７）において、ＳｉＣ基板群１０に第１の放射面ＲＰ１が面する。
【００３６】  第２に、第２の加熱体９２の第２の放射面ＲＰ２は、支持部３０に面するように、複合基板８０Ｐ上に配置される。また第１および第２の加熱体９１ａ、９２の各々は、第１の平面ＰＬ１に沿って隙間ＧＰから延びる第３の空間ＳＰ３（図７）の外側に配置される。これにより、第１の平面ＰＬ１に垂直な方向であってかつＳｉＣ基板群１０から遠ざかる方向へ支持部３０から延びる第２の空間ＳＰ２（図７）において、支持部３０に第２の放射面ＲＰ２が面する。
【００３７】  第３に、ヒータ５０は、第１の平面ＰＬ１に沿って隙間ＧＰから延びる第３の空間ＳＰ３（図７）の外側に配置され、より詳しくは、第３の空間によって互いに隔てられた空間のうち支持部３０を含む方（図５における第１の平面ＰＬ１より上方の空間）の中に配置される。これにより、第３の空間ＳＰ３（図７）において、ＳｉＣ基板群１０に断熱容器４０の放射面ＲＰ３が面する。
【００３８】  次にヒータ５０によって支持部３０とＳｉＣ基板１１、１２とが加熱される。この加熱する工程について、以下に説明する。
【００３９】  まず断熱容器４０内の雰囲気が、大気雰囲気を減圧することにより得られた雰囲気とされる。雰囲気の圧力は、好ましくは、１０-1Ｐａよりも高く１０4Ｐａよりも低くされる。
【００４０】  なお上記の雰囲気は不活性ガス雰囲気であってもよい。不活性ガスとしては、たとえば、Ｈｅ、Ａｒなどの希ガス、窒素ガス、または希ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いることができる。この混合ガスが用いられる場合、窒素ガスの割合は、たとえば６０％である。また処理室内の圧力は、好ましくは５０ｋＰａ以下とされ、より好ましくは１０ｋＰａ以下とされる。
【００４１】  次に第１の加熱体９１ａの第１の放射面ＲＰ１と、第２の加熱体ＲＰ２の第２の放射面ＲＰ２と、断熱容器４０の第３の放射面ＲＰ３とのそれぞれの温度が、第１〜第３の温度とされる。第２の温度は第１の温度よりも高くされる。また第３の温度は第２の温度よりも低くされ、好ましくは、第１の温度よりも低くされる。
【００４２】  図８を参照して、第２の温度が第１の温度よりも高くされることで、ＳｉＣ基板群１０の支持部３０に面する側である第２の側ＩＣｂの温度が、ＳｉＣ基板群１０の第１の加熱体９１ａに面する側である第１の側ＩＣｔの温度に比して高くなる。すなわちＳｉＣ基板群１０の厚み方向（図８における縦方向）に温度勾配が生じる。この温度勾配により、隙間ＧＰ内におけるＳｉＣ基板１１および１２の面、すなわち第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２のうち、第２の側ＩＣｂに近い比較的高温の領域から、第１の側ＩＣｔに近い比較的低温の領域へと、図中矢印で示すように、昇華物の発生およびその移動が生じる。
【００４３】  さらに図９を参照して、上記の昇華物によって、側面Ｓ１、Ｓ２をつなぐように開口ＣＲを塞ぐ接合部ＢＤａが形成される。この結果、隙間ＧＰ（図８）は、接合部ＢＤａによって閉塞された隙間ＶＤａ（図９）となる。
【００４４】  なお上記の加熱の温度の検討実験を行ったところ、ヒータ５０の設定温度が１６００℃では接合部ＢＤａが十分に形成されないという問題があり、３０００℃ではＳｉＣ基板１１、１２にダメージが生じるという問題があったが、これらの問題は、１８００℃、２０００℃、および２５００℃の各々では見られなかった。
【００４５】  またヒータ５０の設定温度を２０００℃に固定して、上記の加熱の際の雰囲気圧力についての検討を行った。この結果、１００ｋＰａでは接合部ＢＤａが形成されず、また５０ｋＰａでは接合部ＢＤａが形成されにくいという問題があったが、この問題は、１０ｋＰａ、１００Ｐａ、１Ｐａ、０．１Ｐａ、０．０００１Ｐａでは見られなかった。
【００４６】  次に比較例（図１０）として、第１および第２の平面ＰＬ１、ＰＬ２の間の空間にヒータ５０の一部が位置すると仮定した場合について説明する。この場合、第３の放射面ＲＰ３（図７）の少なくとも一部が、断熱容器４０ではなく、ヒータ５０となる。この結果、第３の放射面ＲＰ３の少なくとも一部の温度が第２の放射面ＲＰ２の温度よりも高くなってしまうので、第３の放射面ＲＰ３から隙間ＧＰへと強い熱放射が行われる。この強い熱放射の影響によって、隙間ＧＰにおける第１および第２の側ＩＣｔ、ＩＣｂ間の温度勾配が乱される。この結果、昇華物の移動（図８および図９の矢印）が乱されるので、接合部ＢＤａが形成されなかったり、形成に時間がかかったりする。つまり比較例においては開口ＣＲが塞がり難くなる。
【００４７】  これに対して本実施の形態によれば、第３の放射面ＲＰ３（図７）の温度（第３の温度）が、第２の放射面ＲＰ２の温度（第２の温度）よりも低いので、第３の放射面ＲＰ３から隙間ＧＰへの熱放射の影響が、第２の放射面ＲＰ２からの熱放射に比して弱くなる。よって、第１および第２の放射面ＲＰ１、ＲＰ２の間の温度差によってもたらされる、隙間ＧＰに沿った温度勾配の、第３の放射面ＲＰ３からの熱放射による乱れが小さくなる。この結果、上記温度勾配がより確実に生じるので、隙間の開口ＣＲを塞ぐ昇華物により形成される接合部ＢＤａをより確実に形成することができる。つまり、本製造方法によって得られた半導体基板８０ａ（図１、図２）の隙間ＶＤａの開口が接合部ＢＤａによってより確実に塞がれる。よって半導体基板８０ａを用いた半導体装置の製造工程においては、隙間ＶＤａに異物が溜まり難いので、異物に起因した歩留りの低下が抑制される。
【００４８】  また半導体基板８０ａ（図２）は、トランジスタなどの半導体装置が形成される基板面として、ＳｉＣ基板のそれぞれが有する第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２の両方を含む。すなわち半導体基板８０ａは、ＳｉＣ基板１１および１２のいずれかが単体で用いられる場合に比して、より大きな基板面を有する。よって半導体基板８０ａにより、半導体装置を効率よく製造することができる。
【００４９】  なお本実施の形態においてはＳｉＣ基板群１０が第１の加熱体９１ａ上に配置されたが、ＳｉＣ基板群１０と第１の加熱体９１ａとの間に、黒鉛シートのような可とう性を有する部材が配置されてもよい。この部材が開口ＣＲ（図８）を塞ぐことで昇華物の移動（図８の矢印）が開口ＣＲでより確実に阻害されることで、開口ＣＲに接合部ＢＤａが形成されやすくなる。
【００５０】  また接合部ＢＤａを形成する前に、第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２上に、レジスト膜のような保護膜が予め形成されてもよい。これにより第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２上における昇華・再固化を避けることができる。よって第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２が荒れることが防止される。
【００５１】  （実施の形態２）  本実施の形態においては、実施の形態１で用いられる複合基板８０Ｐ（図３、図４）の製造方法について、特に支持部３０が炭化珪素からなる場合について詳しく説明する。なお以下において説明を簡略化するためにＳｉＣ基板１１〜１９（図３、図４）のうちＳｉＣ基板１１および１２に関してのみ言及する場合があるが、ＳｉＣ基板１３〜１９もＳｉＣ基板１１および１２と同様に扱われる。
【００５２】  図１１を参照して、単結晶構造を有するＳｉＣ基板１１および１２が準備される。具体的には、たとえば、六方晶系における（０００１）面で成長したＳｉＣインゴットを（０３−３８）面に沿って切断することによって、ＳｉＣ基板１１および１２が準備される。好ましくは、裏面Ｂ１およびＢ２のラフネスがＲａとして１００μｍ以下である。
【００５３】  次に処理室内において第１の加熱体８１上に、裏面Ｂ１およびＢ２の各々が一の方向（図１１における上方向）に露出するようにＳｉＣ基板１１および１２が配置される。すなわちＳｉＣ基板１１および１２が、平面視において並ぶように配置される。
【００５４】  好ましくは、上記の配置は、裏面Ｂ１およびＢ２の各々が同一平面上に位置するか、または第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２の各々が同一平面上に位置するように行なわれる。
【００５５】  また好ましくはＳｉＣ基板１１および１２の間の最短間隔（図１１における横方向の最短間隔）は５ｍｍ以下とされ、より好ましくは１ｍｍ以下とされ、さらに好ましくは１００μｍ以下とされ、さらに好ましくは１０μｍ以下とされる。具体的には、たとえば、同一の矩形形状を有する基板が１ｍｍ以下の間隔を空けてマトリクス状に配置される。
【００５６】  次に裏面Ｂ１およびＢ２を互いにつなぐ支持部３０（図４）が、以下のように形成される。
【００５７】  まず一の方向（図１１における上方向）に露出する裏面Ｂ１およびＢ２の各々と、裏面Ｂ１およびＢ２に対して一の方向（図１１における上方向）に配置された固体原料２０の表面ＳＳとが、間隔Ｄ１を空けて対向させられる。好ましくは、間隔Ｄ１の平均値は１μｍ以上１ｃｍ以下とされる。
【００５８】  固体原料２０はＳｉＣからなり、好ましくは一塊の炭化珪素の固形物であり、具体的には、たとえばＳｉＣウエハである。固体原料２０のＳｉＣの結晶構造は特に限定されない。また好ましくは、固体原料２０の表面ＳＳのラフネスはＲａとして１ｍｍ以下である。
【００５９】  なお間隔Ｄ１（図１１）をより確実に設けるために、間隔Ｄ１に対応する高さを有するスペーサ８３（図１４）が用いられてもよい。この方法は、間隔Ｄ１の平均値が１００μｍ程度以上の場合に特に有効である。
【００６０】  次に第１の加熱体８１によってＳｉＣ基板１１および１２が所定の基板温度まで加熱される。また第２の加熱体８２によって固体原料２０が所定の原料温度まで加熱される。固体原料２０が原料温度まで加熱されることによって、固体原料の表面ＳＳにおいてＳｉＣが昇華することで、昇華物、すなわち気体が発生する。この気体は、一の方向（図１１における上方向）から、裏面Ｂ１およびＢ２の各々の上に供給される。
【００６１】  好ましくは基板温度は原料温度よりも低くされ、より好ましくは両温度の差は１℃以上１００℃以下とされる。また好ましくは、基板温度は１８００°以上２５００℃以下である。
【００６２】  図１２を参照して、上記のように供給された気体は、裏面Ｂ１およびＢ２の各々の上で、固化させられることで再結晶化される。これにより裏面Ｂ１およびＢ２を互いにつなぐ支持部３０ｐが形成される。また固体原料２０（図１１）は、消耗して小さくなることで固体原料２０ｐになる。
【００６３】  主に図１３を参照して、さらに昇華が進むことで、固体原料２０ｐ（図１２）が消失する。これにより裏面Ｂ１およびＢ２を互いにつなぐ、支持部３０が形成される。
【００６４】  好ましくは、支持部３０が形成される際、処理室内の雰囲気は不活性ガスとされる。不活性ガスとしては、たとえば、Ｈｅ、Ａｒなどの希ガス、窒素ガス、または希ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いることができる。この混合ガスが用いられる場合、窒素ガスの割合は、たとえば６０％である。また処理室内の圧力は、好ましくは５０ｋＰａ以下とされ、より好ましくは１０ｋＰａ以下とされる。
【００６５】  また好ましくは、支持部３０は単結晶構造を有する。より好ましくは、裏面Ｂ１の結晶面に対して裏面Ｂ１上の支持部３０の結晶面の傾きは１０°以内であり、また裏面Ｂ２の結晶面に対して裏面Ｂ２上の支持部３０の結晶面の傾きは１０°以内である。これらの角度関係は、裏面Ｂ１およびＢ２の各々に対して支持部３０がエピタキシャル成長することによって容易に実現される。
【００６６】  なおＳｉＣ基板１１、１２の結晶構造は六方晶系であることが好ましく、４Ｈ−ＳｉＣまたは６Ｈ−ＳｉＣであることがより好ましい。また、ＳｉＣ基板１１、１２と支持部３０とは、同一の結晶構造を有するＳｉＣ単結晶からなっていることが好ましい。
【００６７】  また好ましくは、ＳｉＣ基板１１および１２の各々の濃度と、支持部３０の不純物濃度とは互いに異なる。より好ましくは、ＳｉＣ基板１１および１２の各々の不純物濃度よりも、支持部３０の不純物濃度の方が高い。なおＳｉＣ基板１１、１２の不純物濃度は、たとえば５×１０16ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下である。また支持部３０の不純物濃度は、たとえば５×１０16ｃｍ-3以上５×１０21ｃｍ-3以下である。また上記の不純物としては、たとえば窒素またはリンを用いることができる。
【００６８】  また好ましくは、ＳｉＣ基板１１の{０００１}面に対する第１の表面Ｆ１のオフ角は５０°以上６５°以下であり、かつＳｉＣ基板の{０００１}面に対する第２の表面Ｆ２のオフ角は５０°以上６５°以下である。
【００６９】  より好ましくは、第１の表面Ｆ１のオフ方位とＳｉＣ基板１１の＜１−１００＞方向とのなす角は５°以下であり、かつ第２の表面Ｆ２のオフ方位と基板１２の＜１−１００＞方向とのなす角は５°以下である。
【００７０】  さらに好ましくは、ＳｉＣ基板１１の＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する第１の表面Ｆ１のオフ角は−３°以上５°以下であり、ＳｉＣ基板１２の＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する第２の表面Ｆ２のオフ角は−３°以上５°以下である。
【００７１】  なお上記において、「＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する第１の表面Ｆ１のオフ角」とは、＜１−１００＞方向および＜０００１＞方向の張る射影面への第１の表面Ｆ１の法線の正射影と、{０３−３８}面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が＜１−１００＞方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が＜０００１＞方向に対して平行に近づく場合が負である。また「＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する第２の表面Ｆ２のオフ角」についても同様である。
【００７２】  また好ましくは、第１の表面Ｆ１のオフ方位と基板１１の＜１１−２０＞方向とのなす角は５°以下であり、かつ第２の表面Ｆ２のオフ方位と基板１２の＜１１−２０＞方向とのなす角は５°以下である。
【００７３】  本実施の形態によれば、裏面Ｂ１およびＢ２の各々の上に形成される支持部３０がＳｉＣ基板１１および１２と同様にＳｉＣからなるので、ＳｉＣ基板と支持部３０との間で諸物性が近くなる。よってこの諸物性の相違に起因した、複合基板８０Ｐ（図３、図４）または半導体基板８０ａ（図１、図２）の反りや割れを抑制できる。
【００７４】  また昇華法を用いることで、支持部３０を高い品質で、かつ高速で形成することができる。また昇華法が特に近接昇華法であることにより、支持部３０をより均一に形成することができる。
【００７５】  また裏面Ｂ１およびＢ２の各々と固体原料２０の表面との間隔Ｄ１（図１１）の平均値が１ｃｍ以下とされることにより、支持部３０の膜厚分布を小さくすることができる。またこの間隔Ｄ１の平均値が１μｍ以上とされることにより、ＳｉＣが昇華する空間を十分に確保することができる。
【００７６】  また支持部３０を形成する工程において、ＳｉＣ基板１１および１２の温度は固体原料２０（図１１）の温度よりも低くされる。これにより、昇華されたＳｉＣをＳｉＣ基板１１および１２上において効率よく固化させることができる。
【００７７】  また好ましくは、ＳｉＣ基板１１および１２を配置する工程は、ＳｉＣ基板１１および１２の間の最短間隔が１ｍｍ以下となるように行なわれる。これにより支持部３０を、ＳｉＣ基板１１の裏面Ｂ１と、ＳｉＣ基板１２の裏面Ｂ２とをより確実につなぐように形成することができる。
【００７８】  また好ましくは、支持部３０は単結晶構造を有する。これにより、支持部３０の諸物性を、同じく単結晶構造を有するＳｉＣ基板１１および１２の各々の諸物性に近づけることができる。
【００７９】  より好ましくは、裏面Ｂ１の結晶面に対して裏面Ｂ１上の支持部３０の結晶面の傾きは１０°以内である。また裏面Ｂ２の結晶面に対して裏面Ｂ２上の支持部３０の結晶面の傾きは１０°以内である。これにより支持部３０の異方性を、ＳｉＣ基板１１および１２の各々の異方性に近づけることができる。
【００８０】  また好ましくは、ＳｉＣ基板１１および１２の各々の不純物濃度と、支持部３０の不純物濃度とは互いに異なる。これにより不純物濃度の異なる２層構造を有する半導体基板８０ａ（図２）を得ることができる。
【００８１】  また好ましくは、ＳｉＣ基板１１および１２の各々の不純物濃度よりも支持部３０の不純物濃度の方が高い。よってＳｉＣ基板１１および１２の各々の抵抗率に比して、支持部３０の抵抗率を小さくすることができる。これにより、支持部３０の厚さ方向に電流を流す半導体装置、すなわち縦型の半導体装置の製造に好適な半導体基板８０ａを得ることができる。
【００８２】  また好ましくは、ＳｉＣ基板１１の{０００１}面に対する第１の表面Ｆ１のオフ角は５０°以上６５°以下であり、かつＳｉＣ基板１２の{０００１}面に対する第２の表面Ｆ２のオフ角は５０°以上６５°以下である。これにより、第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２が｛０００１｝面である場合に比して、第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２におけるチャネル移動度を高めることができる。
【００８３】  より好ましくは、第１の表面Ｆ１のオフ方位とＳｉＣ基板１１の＜１−１００＞方向とのなす角は５°以下であり、かつ第２の表面Ｆ２のオフ方位とＳｉＣ基板１２の＜１−１００＞方向とのなす角は５°以下である。これにより第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２におけるチャネル移動度をより高めることができる。
【００８４】  さらに好ましくは、ＳｉＣ基板１１の＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する第１の表面Ｆ１のオフ角は−３°以上５°以下であり、ＳｉＣ基板１２の＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する第２の表面Ｆ２のオフ角は−３°以上５°以下である。これにより第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２におけるチャネル移動度をさらに高めることができる。
【００８５】  また好ましくは、第１の表面Ｆ１のオフ方位とＳｉＣ基板１１の＜１１−２０＞方向とのなす角は５°以下であり、かつ第２の表面Ｆ２のオフ方位とＳｉＣ基板１２の＜１１−２０＞方向とのなす角は５°以下である。これにより、第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２が｛０００１｝面である場合に比して、第１および第２の表面Ｆ１、Ｆ２におけるチャネル移動度を高めることができる。
【００８６】  なお上記において固体原料２０としてＳｉＣウエハを例示したが、固体原料２０はこれに限定されるものではなく、たとえばＳｉＣ粉体またはＳｉＣ焼結体であってもよい。
【００８７】  また第１および第２の加熱体８１、８２としては、対象物を加熱することができるものであれば用いることができ、たとえば、グラファイトヒータを用いるような抵抗加熱方式のもの、または誘導加熱方式のものを用いることができる。
【００８８】  また図１１においては、裏面Ｂ１およびＢ２の各々と、固体原料２０の表面ＳＳとの間は、全体に渡って間隔が空けられている。しかし、裏面Ｂ１およびＢ２と、固体原料２０の表面ＳＳとの間が一部接触しつつ、裏面Ｂ１およびＢ２の各々と固体原料２０の表面ＳＳとの間に間隔が空けられてもよい。この場合に相当する２つの変形例について、以下に説明する。
【００８９】  図１５を参照して、この例においては、固体原料２０としてのＳｉＣウエハの反りによって、上記間隔が確保される。より具体的には、本例においては、間隔Ｄ２は、局所的にはゼロになるが、平均値としては必ずゼロを超える。また好ましくは、間隔Ｄ１の平均値と同様に、間隔Ｄ２の平均値は１μｍ以上１ｃｍ以下とされる。
【００９０】  図１６を参照して、この例においては、ＳｉＣ基板１１〜１３の反りによって、上記間隔が確保される。より具体的には、本例においては、間隔Ｄ３は、局所的にはゼロになるが、平均値としては必ずゼロを超える。また好ましくは、間隔Ｄ１の平均値と同様に、間隔Ｄ３の平均値は１μｍ以上１ｃｍ以下とされる。
【００９１】  なお、図１５および図１６の各々の方法の組み合わせによって、すなわち、固体原料２０としてのＳｉＣウエハの反りと、ＳｉＣ基板１１〜１３の反りとの両方によって、上記間隔が確保されてもよい。
【００９２】  上述した、図１５および図１６の各々の方法、または両方法の組み合わせによる方法は、上記間隔の平均値が１００μｍ以下の場合に特に有効である。
【００９３】  また上記間隔の確保のために、ＳｉＣ基板１１〜１３の各々の裏面（たとえば裏面Ｂ１およびＢ２）が、スライスによって形成された面、すなわちスライスによって形成され、その後に研磨されていない面とされてもよい。これにより各裏面上に起伏が設けられる。よってこの起伏の凹部内の空間を上記間隔の確保のために用いることができる。
【００９４】  （実施の形態３）  実施の形態１においては、接合部ＢＤａ（図２）を形成する前に、たとえば実施の形態２の方法によって、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が支持部３０に予め接合される。
【００９５】  これに対して本実施の形態においては、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々の支持部３０への接合が、接合部ＢＤａの形成と同時に行なわれる。すなわち本実施の形態においては、支持部３０と、ＳｉＣ基板群１０とを準備する工程の後に、支持部３０にＳｉＣ基板群１０の第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々を接合する工程をさらに備え、この接合する工程は、接合部ＢＤａ（図２）を形成する工程と同時に行なわれる。
【００９６】  なお本実施の形態は、上記以外は実施の形態１とほぼ同じであるため、詳しい説明を省略する。
【００９７】  本実施の形態によれば、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々を支持部３０に接合する工程が、接合部ＢＤａを形成する工程と同時に行なわれる。よって両工程が個別に行われる場合に比して、半導体基板８０ａ（図１、図２）の製造工程を簡略化することができる。
【００９８】  なお本実施の形態の変形例として、加熱前に準備される支持部として支持部３０（図５）の代わりに固体原料２０（図１１）が準備され、かつ固体原料２０とＳｉＣ基板群１０とが実施の形態２と同様に配置され、かつヒータ５０が実施の形態１と同様に配置されてもよい。またこの際に実施の形態２の各変形例と同様に、図１５の構成、図１６の構成、またはその組み合わせの構成が用いられてもよい。
【００９９】  （実施の形態４）  図１７および図１８を参照して、本実施の形態の半導体基板８０ｂは、接合部ＢＤａによって閉塞された隙間ＶＤａ（図２：実施の形態１〜３）の代わりに、接合部ＢＤｂによって閉塞された隙間ＶＤｂを有する。
【０１００】  次に半導体基板８０ｂの製造方法について説明する。  本実施の形態においては、支持部３０はＳｉＣからなり、かつ図９に示すように接合部ＢＤａが形成された後も、さらに昇華にともなう物質移動が続けられる。この結果、閉塞された隙間ＶＤａ内への支持部３０からの昇華も無視できない程度発生する。すなわち支持部３０からの昇華物が接合部ＢＤａ上に堆積する。これによりＳｉＣ基板１１および１２の間の隙間ＶＤａが支持部３０内に一部侵入するように移動して、接合部ＢＤｂによって閉塞された隙間ＶＤｂ（図１８）となる。
【０１０１】  本実施の形態の半導体基板８０ｂ（図１８）によれば、半導体基板８０ａ（図２）の接合部ＢＤａに比して厚い接合部ＢＤｂを形成することができる。
【０１０２】  （実施の形態５）  図１９および図２０を参照して、本実施の形態の半導体基板８０ｃは、接合部ＢＤｂによって閉塞された隙間ＶＤｂ（図１８：実施の形態４）の代わりに、接合部ＢＤｃによって閉塞された隙間ＶＤｃを有する。半導体基板８０ｃは、実施の形態４と同様の方法によって、隙間ＶＤａ（図２）の全体を、隙間ＶＤｂ（図１８）の位置を経て、支持部３０内へと移動させることによって得られる。
【０１０３】  本実施の形態によれば、実施の形態４の接合部ＢＤｂに比してより厚い接合部ＢＤｃを形成することができる。
【０１０４】  なお隙間ＶＤｃを裏面側（図２０おける下側）に達するまで移動させてもよい。これにより、閉塞された隙間ＶＤｃは裏面側上の凹部となる。またこの凹部は研磨によって除去されてもよい。
【０１０５】  （実施の形態６）  主に図２１を参照して、本実施の形態においては、断熱体９３が、第３の空間（図７）内においてＳｉＣ基板群１０に面するように配置される。すなわち、断熱容器４０の代わりに、断熱体９３が第３の放射面ＲＰ３をなす。断熱体９３の熱伝導率は、第２の加熱体９２、すなわち第２の放射面ＲＰ２をなす材料の熱伝導率よりも低く、好ましくは、第１の加熱体９１ａ（図５）と同様の材料から形成された第１の加熱体９１ｂ、すなわち第１の放射面ＲＰ１をなす材料の熱伝導率よりも低くされる。このような断熱体９３は、たとえばカーボンフェルトから形成される。
【０１０６】  本実施の形態によれば、断熱体９３によって、より確実に第３の放射面ＲＰ３の温度を低くすることができる。
【０１０７】  また断熱体９３の断熱作用が十分に高い場合、ＳｉＣ基板群１０に対して図２１に示すようにヒータ５０が位置しても、すなわち第３の空間ＳＰ３（図７）内にヒータ５０の一部が位置しても、断熱体９３からなる第３の放射面ＲＰ３の温度を第２の放射面ＲＰ２の温度よりも小さくすることができる。よって本実施の形態によれば、ヒータ５０の配置の自由度が実施の形態１に比して高くなる。
【０１０８】  （実施の形態７）  図２２を参照して、本実施の形態の加熱装置は誘導加熱炉であり、ヒータ５０（図５）の代わりに、被加熱体５９（熱源）と、コイル１５９とを有する。被加熱体５９は、たとえばグラファイト坩堝であり、断熱容器４０内に、ほぼ閉塞された空間を形成する。この閉塞された空間の中に、第１の加熱体９１ａ、第２の加熱体９２、ＳｉＣ基板群１０、および支持部３０が配置される。また実施の形態６と同様に、断熱体９３が配置される。
【０１０９】  本実施の形態における加熱工程では、まず、コイル１５９による誘導加熱によって被加熱体５９が発熱する。この発熱によって第１の加熱体９１ａおよび第２の加熱体９２が加熱される。
【０１１０】  本実施の形態によれば、誘導加熱炉が用いられる場合において、実施の形態６と同様の効果が得られる。なお仮に断熱体９３が用いられないとすると、図２３に示すような構成、すなわち第３の放射面ＲＰ３（図７）が被加熱体５９からなる構成となるので、図１０（実施の形態１に対する比較例）の構成の場合と同様、開口ＣＲ（図８）が塞がり難くなる。
【０１１１】  （実施の形態８）  図２４を参照して、本実施の形態においては、実施の形態７と異なり、被加熱体５９が設けられず、第１および第２の加熱体９１ａ、９２が、直接、誘導加熱によって加熱される。
【０１１２】  本実施の形態によれば、実施の形態１と同様に図７に示す構成で熱放射が生じるので、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【０１１３】  （実施の形態９）  図２５を参照して、本実施の形態の加熱装置は、加熱を行うために、第１〜第３のヒータ５１〜５３（第１〜第３の発熱体）と、第１〜第３のヒータ電源１５１〜１５３とを有する。
【０１１４】  第１〜第３のヒータ５１〜５３のそれぞれは、第１〜第３の空間ＳＰ１〜ＳＰ３（図７）の中に配置されている。なお第３のヒータ５３は、その全体が第３の空間ＳＰ３の中に配置される必要はなく、少なくとも一部が配置されればよい。
【０１１５】  第１〜第３のヒータ電源１５１〜１５３のそれぞれは、第１〜第３のヒータ５１〜５３の発熱を互いに独立して制御することができるように接続されている。これにより、本実施の形態において第１〜第３の放射面ＲＰ１〜ＲＰ３（図７）のそれぞれに相当する面、つまり、第１の加熱体９１ａの面、第２の加熱体９２の面、および第３のヒータ５３の面の温度を、互いに独立に制御することができる。よって第３の放射面ＲＰ３に相当する温度を、第２の放射面ＲＰ２に相当する温度よりも低くしつつ、また過度に低くはならないようにすることができる。
【０１１６】  なお上記ほどに精密な温度制御が求められない場合、第１のヒータ５１および第３のヒータ５３のいずれかまたは両方が省略されてもよい。
【０１１７】  （付記１）  本発明の半導体基板は、以下の製造方法で作製されたものである。
【０１１８】  第１および第２の炭化珪素基板を有する複数の炭化珪素基板と支持部とが準備される。第１の炭化珪素基板は、支持部に面しかつ一の平面上に位置する第１の裏面と、第１の裏面に対向する第１の表面と、第１の裏面および第１の表面をつなぐ第１の側面とを有する。第２の炭化珪素基板は、支持部に面しかつ一の平面上に位置する第２の裏面と、第２の裏面に対向する第２の表面と、第２の裏面および第２の表面をつなぐ第２の側面とを有する。第２の側面は、第１および第２の表面の間に開口を有する隙間が第１の側面との間に形成されるように配置されている。第１および第２の側面から昇華物を発生させることで、開口を塞ぐ接合部が形成されるように、支持部と第１および第２の炭化珪素基板とが加熱される。加熱する工程は、以下の工程を有する。一の平面に垂直な方向であってかつ支持部から遠ざかる方向へ複数の炭化珪素基板から延びる第１の空間において複数の炭化珪素基板に面する第１の放射面の温度が第１の温度とされる。一の平面に垂直な方向であってかつ複数の炭化珪素基板から遠ざかる方向へ支持部から延びる第２の空間において支持部に面する第２の放射面の温度が第１の温度よりも高い第２の温度とされる。一の平面に沿って隙間から延びる第３の空間において複数の炭化珪素基板に面する第３の放射面の温度が第２の温度よりも低い第３の温度とされる。
【０１１９】  今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】  本発明の半導体基板の製造方法は、炭化珪素基板を含む半導体基板の製造方法に、特に有利に適用され得る。
【符号の説明】
【０１２１】  １０  ＳｉＣ基板群（複数の炭化珪素基板）、１０ａ  被支持層、１１  ＳｉＣ基板(第１の炭化珪素基板）、１２  ＳｉＣ基板（第２の炭化珪素基板）、１３〜１９  ＳｉＣ基板、２０，２０ｐ  固体原料、３０，３０ｐ  支持部、４０  断熱容器、５９  被加熱体、８０ａ〜８０ｃ  半導体基板、８０Ｐ  複合基板、８１，９１ａ，９１ｂ  第１の加熱体、８２，９２  第２の加熱体、９３  断熱体、１５０  ヒータ電源、１５１〜１５３  第１〜第３のヒータ電源、１５９  コイル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【国際調査報告】
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