(57)【要約】  Ｒｕ保護層からの酸化による反射率の低下が抑制されたＥＵＶＬ用多層膜ミラーおよびその製造方法の提供。  基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラーであって、前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、前記反射層と、前記保護層と、の間に、窒素を０．５〜２５ａｔ％含有し、Ｓｉを７５〜９９．５ａｔ％含有する中間層が形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用ＥＵＶＬ用多層膜ミラー。
2011071126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラーであって、
前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、
前記反射層と、前記保護層と、の間に、窒素を０．５〜２５ａｔ％含有し、Ｓｉを７５〜９９．５ａｔ％含有する中間層が形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラー。
【請求項２】
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜からなる反射層の最上層がＳｉ膜であり、前記中間層が当該Ｓｉ膜に接して形成されている、請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラー。
【請求項３】
前記中間層の膜厚が０．２〜２．５ｎｍである、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラー。
【請求項４】
前記保護層表面の表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラー。
【請求項５】
前記保護層の膜厚が１〜１０ｎｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラー。
【請求項６】
基板の成膜面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜を形成した後、前記多層反射膜上に該多層反射膜の保護層を形成することにより、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用多層膜ミラーを製造する、ＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法であって、
前記多層反射膜が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を、大気中へ暴露することなく、窒素含有雰囲気に暴露した後に前記保護層を形成することを特徴するＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法。
【請求項７】
前記窒素含有雰囲気の窒素分圧（Ｔｏｒｒ）と暴露時間（ｓ）の積が１×１０-6 Ｔｏｒｒ・ｓ以上であり、該窒素含有雰囲気の温度が０〜１７０℃である、請求項６に記載のＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法。
【請求項８】
前記窒素含有雰囲気の窒素分圧（Ｔｏｒｒ）と暴露時間（ｓ）の積が１×１０-6 Ｔｏｒｒ・ｓ以上であり、該窒素含有雰囲気の温度が０〜１６０℃である、請求項６に記載のＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法。
【請求項９】
前記窒素含有雰囲気の窒素分圧（Ｔｏｒｒ）と暴露時間（ｓ）の積が１×１０-6 Ｔｏｒｒ・ｓ以上であり、該窒素含有雰囲気の温度が０〜１５０℃である、請求項６に記載のＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法。
【請求項１０】
前記Ｓｉ層表面を窒素含有雰囲気に暴露する際、前記窒素含有雰囲気をプラズマ状態に保持するか、または、該Ｓｉ層表面を熱処理するか、または該Ｓｉ層表面に紫外線を照射する、請求項６〜９のいずれか１項に記載のＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラーを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用多層膜ミラー（以下、本明細書において、「ＥＵＶＬ用多層膜ミラー」という。）およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、シリコン基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍよりも短い露光波長を用いた次世代の以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用することができない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。【０００４】
ＥＵＶ光リソグラフィに用いられるミラーは、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成された構造を有している。反射層としては、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折率層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。したがって、ＥＵＶ光リソグラフィに用いられるミラーとしては、このような基板上に多層反射膜が形成された多層膜ミラーが通常用いられる（特許文献１参照）。
このような多層膜ミラーでは、多層反射膜を化学的、物理的な侵蝕から保護する目的で保護層（保護キャッピング層）が該多層反射膜上に形成されている。
特許文献１に記載の多層膜ミラーの場合、ルテニウム（Ｒｕ）およびロジウム（Ｒｈ）並びにそれらの化合物や合金の中から選択される材料からなる保護キャッピング層を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４０６８２８５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーの多層反射膜には、低屈折率層としてモリブデン（Ｍｏ）層、高屈折率層としてケイ素（Ｓｉ）層を用いたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常使用される。
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーの保護層の材料には、保護層表面にＥＵＶ光を照射した際にも高反射率が得られることからＲｕが好ましく用いられる。
しかしながら、保護層の材料としてＲｕを用いた場合、該多層膜ミラー製造時に実施される工程（例えば、洗浄工程、加熱工程等）において、あるいはＥＵＶ光リソグラフィでのＥＵＶ露光時において、Ｒｕ保護層、さらには多層反射膜の最上層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、Ｓｉ層）が酸化されることによって、保護層表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ光線反射率が低下する可能性があるという問題がある。
特に、ＥＵＶ露光時のＥＵＶ光線反射率の低下は、経時的に進行するので、露光条件を途中で変更する必要が生じたり、ＥＵＶＬ用多層膜ミラーの交換の必要が生じたり、ＥＵＶＬ用多層膜ミラーの寿命の短縮につながるので問題である。
以下、本明細書において、ＥＵＶＬ用多層膜ミラー製造時に実施される工程（例えば、洗浄工程、加熱工程等）において、あるいはＥＵＶ光リソグラフィでのＥＵＶ露光時において、Ｒｕ保護層、さらには多層反射膜の最上層が酸化されることによって、保護層表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ光線反射率が低下することを、単に「Ｒｕ保護層からの酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下」と言う場合がある。【０００７】
上述した点を鑑みて、本発明は、Ｒｕ保護層からの酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されたＥＵＶＬ用多層膜ミラーおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜と、Ｒｕ保護層と、の間に窒素およびＳｉを所定量含有する中間層を形成することで、Ｒｕ保護層からの酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下を抑制することができることを見出した。【０００９】
本発明は、上記した本発明者らの知見に基づいてなされたものであり、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラーであって、
前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、
前記反射層と、前記保護層と、の間に、窒素を０．５〜２５ａｔ％含有し、Ｓｉを７５〜９９．５ａｔ％含有する中間層が形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラー（ＥＵＶＬ用多層膜ミラー）を提供する。
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜からなる反射層の最上層がＳｉ膜であり、前記中間層が当該Ｓｉ膜に接して形成されていることが好ましい。【００１０】
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーにおいて、前記中間層の膜厚が０．２〜２．５ｎｍであることが好ましい。【００１１】
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーにおいて、前記保護層表面の表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下であることが好ましい。【００１２】
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーにおいて、前記保護層の膜厚が１〜１０ｎｍであることが好ましい。【００１３】
また、本発明は、上記した本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造することを特徴とする半導体集積回路の製造方法を提供する。【００１４】
また、本発明は、基板の成膜面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜を形成した後、前記多層反射膜上に該多層反射膜の保護層を形成することにより、ＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラー（ＥＵＶＬ用多層膜ミラー）を製造する、ＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法であって、
前記多層反射膜が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を、大気中へ暴露することなく、窒素含有雰囲気に暴露してＳｉ層表面に窒素を含有させた後に前記保護層を形成することを特徴するＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法を提供する。【００１５】
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法において、前記窒素含有雰囲気の窒素分圧（Ｔｏｒｒ）と暴露時間（ｓ）の積が１×１０−６ Ｔｏｒｒ・ｓ（＝１．３３×１０−４Ｐａ・ｓ）＝１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ））以上であり、該窒素含有雰囲気の温度が０〜１７０℃であることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法において、前記窒素含有雰囲気の窒素分圧（Ｔｏｒｒ）と暴露時間（ｓ）の積が１×１０-6 Ｔｏｒｒ・ｓ以上であり、該窒素含有雰囲気の温度が０〜１６０℃であることがより好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法において、前記窒素含有雰囲気の窒素分圧（Ｔｏｒｒ）と暴露時間（ｓ）の積が１×１０-6 Ｔｏｒｒ・ｓ以上であり、該窒素含有雰囲気の温度が０〜１５０℃であることがより好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造方法において、前記Ｓｉ層表面を窒素含有雰囲気に暴露する際、前記窒素含有雰囲気をプラズマ状態に保持したり、Ｓｉ層表面を熱処理したり、Ｓｉ層表面を紫外線照射することがＳｉ層表面への窒素含有を促進する上で好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーでは、Ｒｕ保護層からの酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されている。また、本発明の製造方法によれば、Ｒｕ保護層からの酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されたＥＵＶＬ用多層膜ミラーを製造することができる。また、本発明のＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラーは、ＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されているので、半導体集積回路の製造に有効に利用することができ、特に微細なパターンを有する半導体集積回路を生産効率高く、製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーの実施形態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すＥＵＶＬ用多層膜ミラー１は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する反射層１２と、該反射層１２を保護するための保護層１４が、この順に形成されている。但し、本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーでは、反射層１２と、保護層１４と、の間に、窒素およびＳｉを後述する所定の量含有する中間層１３が形成されている。
以下、ＥＵＶＬ用多層膜ミラー１の個々の構成要素について説明する。
【００１９】
基板１１は、ＥＵＶＬ用多層膜ミラー用の基板としての特性を満たす。
そのため、基板１１は、低熱膨張係数を有することが重要である。具体的には、基板１１の熱膨張係数は、０±１．０×１０−７／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．３×１０−７／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０−７／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０−７／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０−７／℃である。また、基板は、を有し、平滑性、およびＥＵＶＬ用多層膜ミラーの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。また、基板１１上に応力補正膜のような膜を形成してもよい。
基板１１は、表面粗さｒｍｓが、０．１５ｎｍ以下の平滑な表面を有していることがＥＵＶＬ用多層膜ミラーにおいて高反射率が得られるために好ましい。
基板１１の大きさや厚みなどはミラーの設計値等により適宜決定されるものである。
基板１１の多層反射膜１２が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。
【００２０】
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーの反射層１２に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層１２表面に入射角度６度で照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。また、反射層１２の上に中間層１３および保護層１４を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
【００２１】
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーの反射層としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できることから、高屈折率層と低屈折率層とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーでは、低屈折率層としてのＭｏ層と、高屈折率層としてのＳｉ層とを交互に複数回積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を用いることが好ましい。
このＭｏ／Ｓｉ多層反射膜において、積層されたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層はＳｉ膜となるようにするのが好ましい。
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合に、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層１２とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
【００２２】
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０−２Ｐａ〜２．７×１０−２Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ層を成膜し、次に、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０−２Ｐａ〜２．７×１０−２Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ層を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ層およびＳｉ層を４０〜５０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
【００２３】
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、反射層１２と、保護層１４と、の間に、窒素を０．５〜２５ａｔ％含有し、Ｓｉを７５〜９９．５ａｔ％含有する中間層１３を形成することによって、Ｒｕ保護層からの酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下を抑制する。反射層１２と、保護層１４と、の間に、上記組成の中間層１３を形成することによって、Ｒｕ保護層からの酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制される理由は以下によると考えられる。
上記組成の中間層１３は、反射層１２の最上層のＳｉ膜中にＲｕ保護層の酸化によって酸素が多量に含まれることによる反射率の低下が生じないように、中間層１３に予め窒素を含有させることによって、成膜後の反射率が高く、かつ酸化を抑制する効果を有すると考えられる。これにより、ＥＵＶＬ用多層膜ミラー製造時に実施される工程（例えば、洗浄、欠陥検査、加熱工程、欠陥修正等の各工程）において、あるいはＥＵＶ光リソグラフィでのＥＵＶ露光時において、Ｒｕ保護層が酸化されるような状況が生じた場合でも、酸化を抑制する効果を有する中間層１３が存在することによって、該中間層１３の下にあるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が酸化されること、より具体的には、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層が酸化されることが抑制されると考えられ、その結果、Ｒｕ保護層からの酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されると考えられる。
なお、反射層１２（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）と、保護層１４（Ｒｕ保護層）と、の間に中間層１３を形成することによって、保護層１４の形成時にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層中のＳｉがＲｕ保護層中に拡散することも抑制することができる。
【００２４】
中間層１３における窒素の含有率が０．５ａｔ％未満の場合、上述した更なる酸化を抑制する効果が不十分となる可能性があり、Ｒｕ保護層からの酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下を抑制する効果が不十分となる可能性がある。
詳しくは後述するが、本発明において、上記組成の中間層１３は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成した後、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を窒素含有雰囲気に暴露することによって形成することができる。しかし、中間層１３における窒素の含有率が２５ａｔ％超の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層の成膜時、または、中間層１３上に形成される保護層１４の成膜時のいずれか、あるいはそれらの両方の成膜時に窒素が添加されていたものと考えられるが、窒素を添加した成膜は成膜中の欠点が増加し問題が生じる可能性がある。つまり、保護層をＲｕとした場合に、中間層を上記のような組成にすることで、より効果が発揮される。
中間層１３は、ＥＵＶ光線反射率の低下の観点から、窒素を０．５〜１５ａｔ％含有し、Ｓｉを８５〜９９．５ａｔ％含有することが好ましく、窒素を０．５〜１０ａｔ％含有し、Ｓｉを８０〜９９．５ａｔ％含有することがより好ましく、窒素を１〜９ａｔ％含有し、Ｓｉを９１〜９９ａｔ％含有することがさらに好ましく、窒素を３〜９ａｔ％含有し、Ｓｉを９１〜９７ａｔ％含有することがさらにより好ましく、窒素を５〜８ａｔ％含有し、Ｓｉを９２〜９５ａｔ％含有することが特に好ましい。
【００２５】
中間層１３中のＳｉが侵食されるおそれがあるため、中間層１３はフッ素を含まないことが好ましい。また、中間層１３中に炭素や水素が含まれていると、該中間層１３中の酸素と反応して、該中間層１３中の酸素が放出され該中間層１３の構造が劣化するおそれがあるため、該中間層１３は炭素や水素を含まないことが好ましい。これらの理由から、中間層１３におけるフッ素、炭素および水素の含有率はそれぞれ３ａｔ％以下であることが好ましく、１ａｔ％以下であることがより好ましく、０．０５ａｔ％以下であることが特に好ましい。また、同様に、Ｎｉ、Ｙ、Ｔｉ、Ｌａ、ＣｒまたはＲｈといった元素の中間層１３における含有率は、これらの元素の合計の含有割合で３ａｔ％以下であることが好ましく、１ａｔ％以下であることがより好ましく、０．０５ａｔ％以下であることが特に好ましい。
また、中間層１３における酸素の含有率も、３ａｔ％以下であることが好ましく、１ａｔ％以下であることがより好ましい。
【００２６】
本発明において、中間層１３の膜厚は０．２〜２.５ｎｍであることが、Ｒｕ保護層からの酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下を抑制する効果という点から好ましく、０．４〜２ｎｍであることがより好ましく、０．５〜１．５ｎｍであることがさらに好ましい。また、多層反射膜の最上層のＳｉ層の膜厚は、窒素含有雰囲気に暴露して中間層１３を形成するため、２〜４．８ｎｍであることが好ましく、２．５〜４．５ｎｍであることがさらに好ましく、３．０〜４ｎｍであることが特に好ましい。
【００２７】
本発明において、上記組成の中間層１３は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を、大気中へ暴露することなく、窒素含有雰囲気に暴露することで該Ｓｉ層表面を軽微に窒化させることにより、すなわち、Ｓｉ層表面に窒素を含有させることによって形成することができる。なお、本明細書における窒素含有雰囲気とは、窒素ガス雰囲気または、窒素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス雰囲気を意味する。該混合ガス雰囲気の場合、雰囲気中の窒素ガス濃度が２０ｖｏｌ％以上であることが好ましく、５０ｖｏｌ％以上であることがより好ましく、８０ｖｏｌ％以上であることがさらに好ましい。
ここで、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を、大気中へ暴露することなく、窒素含有雰囲気に暴露するのは、窒素雰囲気に暴露する前に、該Ｓｉ層表面を大気中に暴露すると、該Ｓｉ層表面が酸化されてしまい、その後、窒素雰囲気に暴露しても該Ｓｉ層表面の窒化により、該Ｓｉ層表面に窒素を含有させることができず、窒素およびＳｉを含有する中間層１３が形成することができない可能性があるためである。
【００２８】
本発明において、Ｓｉ層表面を暴露する窒素含有雰囲気は、窒素分圧（Ｔｏｒｒ）と暴露時間（ｓ）の積が１×１０−６Ｔｏｒｒ・ｓ（＝１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ））以上であることが好ましい。窒素分圧をＰａ表記で表わす場合には、窒素含有雰囲気の窒素分圧（Ｐａ）と暴露時間（ｓ）の積が１．３３×１０−４Ｐａ・ｓ以上であることが好ましいことになる。
窒素分圧と暴露時間の積は、窒素含有雰囲気中の窒素がＳｉ層表面に衝突する頻度を示す指標であり、以下、本明細書において、「窒素の暴露量」と言う場合もある。この値が１×１０−６Ｔｏｒｒ・ｓ以上（１．３３×１０−４Ｐａ・ｓ以上）であることが、Ｓｉ層表面の窒化により上記組成の中間層１３を形成するうえで好ましく、１×１０−３Ｔｏｒｒ・ｓ以上（１．３３×１０−１Ｐａ・ｓ以上）であることがより好ましく、１×１０−２Ｔｏｒｒ・ｓ以上（１．３３Ｐａ・ｓ以上）であることがさらに好ましく、１×１０−１Ｔｏｒｒ・ｓ以上（１３．３Ｐａ・ｓ以上）であることがさらに好ましい。また、窒素分圧と暴露時間の積は、１０００Ｔｏｒｒ・ｓ以下であるのが好ましい。
なお、Ｓｉ層表面を暴露する窒素含有雰囲気における窒素分圧は、１×１０−４Ｔｏｒｒ〜８２０Ｔｏｒｒ（１．３３×１０−２Ｐａ〜１０９．３２ｋＰａ）であることが好ましい。
ここで、窒素含有雰囲気が窒素ガス雰囲気の場合、上記の窒素分圧は該窒素ガス雰囲気の雰囲気圧力を指す。
【００２９】
Ｓｉ層表面の酸化を防止するためには、Ｓｉ層表面を暴露する窒素含有雰囲気における酸素濃度がきわめて低いことが好ましい。具体的には、窒素含有雰囲気における窒素分圧が上記範囲の場合、すなわち、窒素含有雰囲気における窒素分圧が１×１０−４Ｔｏｒｒ〜８２０Ｔｏｒｒ（１．３３×１０−２Ｐａ〜１０９．３２ｋＰａ）の場合、雰囲気中の酸素分圧が１×１０−６Ｔｏｒｒ（１．３３×１０−４Ｐａ）以下であることが好ましい。
また、Ｓｉ層表面の酸化を防止するためには、Ｓｉ層表面を暴露する窒素含有雰囲気におけるＯ３、Ｈ２ＯおよびＯＨ基を含む化合物からなる気体成分の濃度もきわめて低いことが好ましい。具体的には、窒素含有雰囲気における窒素分圧が上記範囲の場合、すなわち、窒素含有雰囲気における窒素分圧が１×１０−４Ｔｏｒｒ〜８２０Ｔｏｒｒ（１．３３×１０−２Ｐａ〜１０９．３２ｋＰａ）の場合、雰囲気中のＯ３、Ｈ２ＯおよびＯＨ基を含む化合物からなる気体成分の分圧が、それぞれ１×１０−６Ｔｏｒｒ（１．３３×１０−４Ｐａ）以下であることが好ましい。
また、Ｓｉ層を侵食するおそれがあるので、窒素含有雰囲気におけるＦ２の濃度もきわめて低いことが好ましい。具体的には、窒素含有雰囲気における窒素分圧が上記範囲の場合、すなわち、窒素含有雰囲気における窒素分圧が１×１０−４Ｔｏｒｒ〜８２０Ｔｏｒｒ（１．３３×１０−２Ｐａ〜１０９．３２ｋＰａ）の場合、雰囲気中のＦ２の分圧が１×１０−６Ｔｏｒｒ（１．３３×１０−４Ｐａ）以下であることが好ましい。
【００３０】
本発明において、Ｓｉ層表面を暴露する窒素含有雰囲気の温度が０〜１７０℃であることが好ましい。窒素含有雰囲気の温度が０℃未満だと、真空中の残留水分の吸着による影響の問題が生じるおそれがある。窒素含有雰囲気の温度が１７０℃超だと、Ｓｉ層の窒化が過度に進行して、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜のＥＵＶ光線反射率の低下が生じるおそれがある。
窒素含有雰囲気の温度は１０〜１６０℃であることがより好ましく、２０〜１５０℃、２０〜１４０℃、２０〜１２０℃であることがさらに好ましい。
なお、後述するように、Ｓｉ層表面を窒素含有雰囲気に暴露する際に、該Ｓｉ層表面を上記の温度範囲で熱処理してもよい。
本発明においては、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を暴露する窒素含有雰囲気に暴露して中間膜１３を形成することにより、保護層１４（Ｒｕ保護層）の成膜後のＥＵＶ光線反射率の低下がなく、酸化耐久性を向上することができるので好ましい。
【００３１】
後述する実施例１，２では、Ｓｉ層表面を窒素含有雰囲気に暴露する時間をそれぞれ６００ｓｅｃ，６０００ｓｅｃとしているが、Ｓｉ層表面を窒素含有雰囲気に暴露する時間はこれに限定されず、上述した窒素含有雰囲気に関する条件を満たす範囲で適宜選択することができる。
【００３２】
さらに、実施例３，４に示す手順のようにＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成した後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を、大気中へ暴露することなく、窒素含有雰囲気に暴露する際に、該窒素含有雰囲気で熱処理することによって中間層１３を形成してもよい。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を窒素雰囲気に暴露する際に、該Ｓｉ層表面を熱処理することによって、該Ｓｉ層表面の窒化、すなわち、該Ｓｉ層表面への窒素の含有が促進される。
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成した後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を、大気中へ暴露することなく、窒素含有雰囲気で熱処理するには、Ｓｉ層の形成後、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が形成された基板を、Ｓｉ層を形成した成膜チャンバ内、または、該成膜チャンバに隣接するチャンバ内に保持した状態で、チャンバ中のガスを窒素ガス（または窒素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）に置換し、その置換したガス中でＳｉ層を熱処理すればよい。
Ｓｉ層表面を窒素含有雰囲気中で熱処理する際の熱処理温度は、１２０〜１６０℃であることが好ましく、特に１３０〜１５０℃であることが好ましい。
【００３３】
実施例１〜４に示す手順のように、減圧雰囲気下でＳｉ層表面を窒素ガス、または、窒素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガスに暴露する手順は、多層反射膜の成膜と、保護層の成膜と、を同一のチャンバを用いて実施する場合に、Ｓｉ層表面を窒素ガス（または窒素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）に暴露する手順の実施後、保護層の成膜を実施する前にチャンバ内の窒素ガス（または窒素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）を排気することが重要である点を考慮すると好ましい手順である。また、この手順は、Ｓｉ層表面への窒素ガス（または窒素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）の暴露量を制御することによって、中間層１３の窒素含有量を制御できるという点でも好ましい手順である。
【００３４】
なお、実施例３，４に示す手順のようにＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成した後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を、大気中へ暴露することなく、窒素含有雰囲気に暴露する際に、該窒素含有雰囲気で熱処理することによって、該Ｓｉ層表面の窒化、すなわち、該Ｓｉ層表面への窒素の含有を促進することができることを上述したが、減圧雰囲気下でＳｉ層表面を窒素ガス、または、窒素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガスに暴露する場合、該減圧雰囲気をプラズマ状態に保持することも、Ｓｉ層表面の窒化、すなわち、Ｓｉ層表面の窒素含有、を促進するうえで好ましい。
但し、この場合でも、プラズマ状態でイオン化した窒素ガス（または窒素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）に電圧を印加してＳｉ層表面にイオン照射すると、イオン化した窒素が加速された状態でＳｉ層表面に衝突するため、Ｓｉ層の窒化が過度に進行してＭｏ／Ｓｉ多層反射膜のＥＵＶ光線反射率の低下が生じるおそれがあるため、プラズマ状態でイオン化した窒素ガス（または窒素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）に電圧を印加しないこと、つまり、イオン照射をしないことが中間層１３の窒素量を適量に制御できる点で特に好ましい。
また、減圧雰囲気下でＳｉ層表面を窒素ガス、または、窒素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガスに暴露する場合、該減圧雰囲気中でＳｉ層表面に紫外線を照射することもＳｉ層表面の窒化、すなわち、Ｓｉ層表面の窒素含有、を促進するうえで好ましい。
本発明において、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成した後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を、大気中へ暴露することなく、窒素含有雰囲気に暴露する際に、該窒素含有雰囲気で熱処理するか、または該窒素含有雰囲気をプラズマ状態に保持するか、または該窒素含有圧雰囲気中でＳｉ層表面に紫外線を照射する場合、該窒素含有圧雰囲気は減圧雰囲気であるのが好ましい。該減圧雰囲気の圧力は、０．０１〜０．５ｍＴｏｒｒが好ましく、０．１〜０．５ｍＴｏｒｒがより好ましい。また、窒素含有雰囲気をプラズマ状態に保持するか、または窒素含有圧雰囲気中でＳｉ層表面に紫外線を照射する場合、該減圧雰囲気の温度は、０〜１７０℃であることがより好ましい。
【００３５】
保護層１４は、化学的、物理的侵蝕から反射層１２を保護する目的で設けられる。ＥＵＶＬ用多層膜ミラーでは、ＥＵＶＬ用多層膜ミラーの製造後に実施されるオゾン水等を用いた洗浄工程による反射層１２へのダメージや、真空に保持された露光機内で生産性を上げるために実施される長時間のＥＵＶ光線の照射による反射層１２へのダメージ、ＥＵＶＬ用多層膜ミラー表面の炭素汚染の除去を目的で実施されるクリーニングによる反射層１２へのダメージ等を防止するために、反射層１２上に保護層が形成される。
したがって保護層１４は、反射層１２へのダメージの防止という観点から材料が選択される。
また、保護層１４は、保護層１４を形成した後であっても反射層１２でのＥＵＶ光線反射率を損なうことがないように、保護層１４自体もＥＵＶ光線反射率が高いことが好ましい。
本発明では、上記の条件を満足するため、保護層１４として、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層などが形成される。かかるＲｕ化合物としては、ＲｕＢ、ＲｕＮｂおよびＲｕＺｒからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。保護層１４がＲｕ化合物層である場合、Ｒｕの含有率は５０ａｔ％以上が好ましく、８０ａｔ％以上がより好ましく、特に９０ａｔ％以上であることが好ましい。但し、保護層１４がＲｕＮｂ層の場合、保護層１４中のＮｂの含有率が５〜４０ａｔ％であることが好ましい。５〜３０ａｔ％であることがより好ましい。
【００３６】
本発明において、保護層１４表面の表面粗さｒｍｓは、０．５ｎｍ以下であることが好ましい。なお、表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下とは、二乗平均平方根の表面粗さが０．５ｎｍ以下であることを意味する。保護層１４表面の表面粗さが大きいと、ＥＵＶ光線反射率が低下する。
保護層１４表面の表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下であれば、ＥＵＶ光線反射率を高めることができるので好ましい。保護層１４表面の表面粗さｒｍｓは、０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３７】
保護層１４の厚さは、１〜１０ｎｍであることが、ＥＵＶ光線反射率を高めることができるので好ましい。保護層１４の厚さは、１〜５ｎｍであることがより好ましく、２〜４ｎｍであることがさらに好ましい。
【００３８】
保護層１４は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜することができる。
イオンビームスパッタリング法を用いて、保護層１４としてＲｕ層を形成する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）雰囲気中で放電させればよい。
具体的には、以下の条件でイオンビームスパッタリングを実施すればよい。
・スパッタガス：Ａｒ（ガス圧１．３×１０−２Ｐａ〜２．７×１０−２Ｐａ）
・イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ
・成膜速度：０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃ
【００３９】
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、後述する実施例に記載する手順にしたがって、保護層１４表面をオゾン水洗浄した場合に、洗浄前後でのＥＵＶ光線反射率の低下が０．９％以下であることが好ましく、０．５％以下であることがより好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、後述する実施例に記載する手順にしたがって加熱処理をした場合に、加熱処理の前後でのＥＵＶ光線反射率の低下が７％以下であることが好ましく、６％以下であることがより好ましい。
なお、オゾン水洗浄の前後でのＥＵＶ光線反射率の低下に比べて、加熱処理の前後でのＥＵＶ光線反射率の低下の値が大きいのは、本発明による効果を確認するために、後述する実施例では、ＥＵＶＬ用多層膜ミラー製造時に実施される加熱工程よりも、過酷な条件で加熱処理を実施したためである。
【００４０】
本発明に係るＥＵＶＬ用多層膜ミラーを用いた半導体集積回路の製造方法について説明する。本発明は、ＥＵＶ光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウェハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡として、上述したＥＵＶＬ用多層膜ミラーを用いた反射型の露光装置に反射型のフォトマスクを設置する。そして、ＥＵＶ光を光源から反射鏡を介してフォトマスクに照射し、ＥＵＶ光をフォトマスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
（実施例１）
本実施例では、図１に示すＥＵＶＬ用多層膜ミラー１を作製した。
成膜用の基板１１として、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を使用した。このガラス基板の熱膨張率は０．２×１０−７／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０７ｍ２／ｓ２である。このガラス基板を研磨により、表面粗さｒｍｓが０．１５ｎｍ以下の平滑な表面に形成した。【００４２】
該基板１１の表面上にイオンビームスパッタ法を用いてＭｏ層およびＳｉ層を交互に成膜することを５０周期繰り返すことにより、合計膜厚３４０ｎｍ（（２．３ｎｍ＋４．５ｎｍ）×５０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層１２）を形成した。なお、多層反射膜１２の最上層はＳｉ層である。【００４３】
Ｍｏ層およびＳｉ層の成膜条件は以下の通りである。
（Ｍｏ層の成膜条件）
・ターゲット：Ｍｏターゲット
・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
・電圧：７００Ｖ
・成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
・膜厚：２．３ｎｍ
（Ｓｉ層の成膜条件）
・ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
・電圧：７００Ｖ
・成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
・膜厚：４．５ｎｍ【００４４】
次に、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層表面を、下記条件にしたがって窒素含有雰囲気に暴露した。
（暴露条件）
・キャリアガス：Ａｒガス、流量１７ｓｃｃｍ
・暴露ガス：窒素ガス、流量５０ｓｃｃｍ
（ＲＦ放電中に窒素ガスおよびキャリアガスを供給）
・窒素ガス分圧： ０．２ｍＴｏｒｒ（２．６×１０−２Ｐａ）
・雰囲気圧力：０．３ｍＴｏｒｒ（３．５Ｔｏｒｒ×１０−２Ｐａ）
・雰囲気温度：２０℃
・暴露時間：６００ｓｅｃ
・暴露量：１．２×１０５Ｌ（１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）＝１×１０−６ Ｔｏｒｒ・ｓ＝１．３３×１０−４Ｐａ・ｓ）
・ＲＦ放電の周波数：１．８ＭＨｚ
・ＲＦパワー：５００Ｗ              【００４５】
次に、保護層１４であるＲｕ層を、イオンビームスパッタ法を用いて形成した。
保護層１４の形成条件は以下の通りである。
・ターゲット：Ｒｕターゲット
・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
・電圧：７００Ｖ
・成膜速度：０．０５２ｎｍ／ｓｅｃ
・膜厚：２．５ｎｍ【００４６】
上記の手順で得られたＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認した。中間層１３の組成は、窒素６ａｔ％、Ｓｉ９４ａｔ％であった。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍであった。
（２）表面粗さ
保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは、０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計６００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．５％であった。
（４）加熱処理耐性
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対して、２１０℃で１０分間の加熱処理（大気中）をした。この処理前後での、ＥＵＶ反射率の低下は４．１％であった。【００４７】
（実施例２）
実施例２は、窒素含有雰囲気への暴露条件を以下の条件とした以外は、実施例１と同様の手順で実施した。
（暴露条件）
・キャリアガス：Ａｒガス、流量１７ｓｃｃｍ
・暴露ガス：窒素ガス、流量５０ｓｃｃｍ
（ＲＦ放電中に窒素ガスおよびキャリアガスを供給）
・窒素ガス分圧： ０．２ｍＴｏｒｒ（２．６×１０−２Ｐａ）
・雰囲気圧力：０．３ｍＴｏｒｒ（３．５Ｔｏｒｒ×１０−２Ｐａ）
・雰囲気温度：２０℃
・暴露時間：６０００ｓｅｃ
・暴露量：１．２×１０６Ｌ（１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）＝１×１０−６ Ｔｏｒｒ・ｓ＝１．３３×１０−４Ｐａ・ｓ）
・ＲＦ放電の周波数：１．８ＭＨｚ
・ＲＦパワー：５００Ｗ【００４８】
上記の手順で得られたＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認した。中間層１３の組成は、窒素８ａｔ％、Ｓｉ９２ａｔ％であった。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍであった。
（２）表面粗さ
保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計６００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．３％であった。
（４）加熱処理耐性
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対して、２１０℃で１０分間の加熱処理（大気中）をする。この処理前後での、ＥＵＶ反射率の低下は３．７％である。【００４９】
（実施例３）
実施例３は、Ｓｉ層表面の窒素含有雰囲気（窒素とアルゴンの混合ガス雰囲気）への暴露の代わりに下記の暴露条件（ＲＦ放電なしで）で熱処理を実施した以外は、実施例１と同様の手順を実施した。
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、大気中へ暴露することなしに、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層表面を、下記条件にしたがって窒素含有雰囲気中（窒素とアルゴンの混合ガス雰囲気中）で熱処理する。
（暴露条件）
・雰囲気ガス：Ａｒガス（キャリアガス）、流量１７ｓｃｃｍ。窒素ガス、流量５０ｓｃｃｍ
・窒素ガス分圧：０．２ｍＴｏｒｒ（２．６×１０−２Ｐａ）
・雰囲気圧力：０．３ｍＴｏｒｒ（３．５×１０−２Ｐａ）
・熱処理温度：１４０℃
・熱処理時間：６００ｓｅｃ
・窒素分圧×熱処理時間（窒素含有雰囲気への暴露時間）：１．２×１０５Ｌ（１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）＝１×１０−６ Ｔｏｒｒ・ｓ＝１．３３×１０−４Ｐａ・ｓ）  【００５０】
上記の手順で得られるＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施する。
（１）膜組成
保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認する。中間層１３の組成は、窒素６ａｔ％、Ｓｉ９４ａｔ％である。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍである。
（２）表面粗さ
保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認する。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍである。
（３）洗浄耐性
保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計６００秒処理する。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定する。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．５％である。
（４）加熱処理耐性
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対して、２１０℃で１０分間の加熱処理（大気中）をする。この処理前後での、ＥＵＶ反射率の低下は４．３％である。【００５１】
（実施例４）
実施例４は、窒素含有雰囲気中（窒素とアルゴンの混合ガス雰囲気中）での熱処理条件を以下の条件とする以外は、実施例３と同様の手順を実施する。
（熱処理条件）
・雰囲気ガス：Ａｒガス（キャリアガス）、流量１７ｓｃｃｍ。窒素ガス、流量５０ｓｃｃｍ
・窒素ガス分圧： ０．２ｍＴｏｒｒ（２．６×１０−２Ｐａ）
・雰囲気圧力：０．３ｍＴｏｒｒ（３．５×１０−２Ｐａ）
・熱処理温度：１４０℃
・熱処理時間：６０００ｓｅｃ
・窒素分圧×熱処理時間（窒素含有雰囲気への暴露時間）：１．２×１０６Ｌ（１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）＝１×１０−６ Ｔｏｒｒ・ｓ＝１．３３×１０−４Ｐａ・ｓ）  【００５２】
上記の手順で得られるＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施する。
（１）膜組成
保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認する。中間層１３の組成は、窒素８ａｔ％、Ｓｉ９２ａｔ％である。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍである。
（２）表面粗さ
保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認する。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍである。
（３）洗浄耐性
保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計６００秒処理する。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定する。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．３％である。
（４）加熱処理耐性
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対して、２１０℃で１０分間の加熱処理（大気中）をする。この処理前後での、ＥＵＶ反射率の低下は３．７％である。【００５３】
（比較例１）
比較例１は、反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２の形成後、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層を窒素含有雰囲気に暴露することなしに保護層１４を形成した以外は実施例１と同様の手順で実施した。【００５４】
上記の手順で得られたＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層と保護層１４との間に中間層１３の形成は確認されず、Ｓｉ層と保護層１４との積層体における窒素含有率は０％であった。
（２）表面粗さ
保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計６００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は２．１％であった。
この結果から、比較例１のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、実施例１〜４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて洗浄耐性に劣ることが確認された。
（４）加熱処理耐性
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対して、２１０℃で１０分間の加熱処理（大気中）をした。この処理前後での、ＥＵＶ反射率の低下は７．８％であった。
この結果から、比較例１のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、実施例１〜４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて加熱処理耐性に劣ることが確認された。【００５５】
（比較例２）
比較例２は、Ｓｉ層表面を窒素含有雰囲気の代わりに下記暴露条件でＡｒガス雰囲気に暴露した以外は、実施例１と同様の手順で実施した。
（暴露条件）
・暴露ガス：Ａｒガス、流量１７ｓｃｃｍ（ＲＦ放電中にＡｒガスを供給）
・雰囲気圧力：０．１ｍＴｏｒｒ（１．３×１０−２Ｐａ）
・雰囲気温度：２０℃
・暴露時間：６００ｓｅｃ
・ＲＦ放電の周波数：１．８ＭＨｚ
・ＲＦパワー：５００Ｗ【００５６】
上記の手順で得られたＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層と保護層１４との間に中間層１３の形成は確認されず、Ｓｉ層と保護層１４との積層体における窒素含有率は０％であった。
（２）表面粗さ
保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計６００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は２．９％であった。
この結果から、比較例２のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、実施例１〜４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて洗浄耐性に劣ることが確認された。
（４）加熱処理耐性
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対して、２１０℃で１０分間の加熱処理（大気中）をする。この処理前後での、ＥＵＶ反射率の低下は７．８％である。
この結果から、比較例２のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、実施例１〜４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて加熱処理耐性に劣ることが確認される。【００５７】
（比較例３）
比較例３は、Ｓｉ層表面を熱処理もＲＦ放電もせずに、下記の暴露条件で暴露を実施した以外は、実施例１と同様の手順を実施する。
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、大気中へ暴露することなしに、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層表面を、下記条件にしたがって窒素含有雰囲気中（窒素とアルゴンの混合ガス雰囲気中）で暴露する。
（暴露条件）
・雰囲気ガス：Ａｒガス（キャリアガス）、流量１７ｓｃｃｍ。窒素ガス、流量５０ｓｃｃｍ
・窒素ガス分圧：０．２ｍＴｏｒｒ（２．６×１０−２Ｐａ）
・雰囲気圧力：０．３ｍＴｏｒｒ（３．５×１０−２Ｐａ）
・熱処理温度：２０℃
・熱処理時間：６００ｓｅｃ【００５８】
上記の手順で得られるＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施する。
（１）膜組成
保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層と保護層１４との間に中間層１３の形成は確認されず、Ｓｉ層と保護層１４との積層体における窒素含有率は０．２％である。
（２）表面粗さ
保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認する。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍである。
（３）洗浄耐性
保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計６００秒処理する。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定する。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は１．９％である。この結果から、比較例３のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、実施例１〜４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて洗浄耐性に劣ることが確認される。
（４）加熱処理耐性
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対して、２１０℃で１０分間の加熱処理（大気中）を行う。この処理前後での、ＥＵＶ反射率の低下は７．４％である。
この結果から、比較例３のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、実施例１〜４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて加熱処理耐性に劣ることが確認される。【００５９】
（比較例４）
比較例４は、窒素含有雰囲気中でのＳｉ層表面の熱処理の代わりに、下記条件にしたがってＡｒガス雰囲気中で熱処理する以外は、実施例３と同様の手順で実施した。
（熱処理条件）
・雰囲気ガス：Ａｒガス、流量１７ｓｃｃｍ
・雰囲気圧力：０．１ｍＴｏｒｒ（１．３×１０−２Ｐａ）
・熱処理温度：１４０℃
・熱処理時間：６００ｓｅｃ【００６０】
上記の手順で得られたＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施する。
（１）膜組成
保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層と保護層１４との間に中間層１３の形成は確認されず、Ｓｉ層と保護層１４との積層体における窒素含有率は０％である。
（２）表面粗さ
保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認する。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍである。
（３）洗浄耐性
保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計６００秒処理する。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定する。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は２．９％である。この結果から、比較例４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、実施例１〜４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて洗浄耐性に劣ることが確認される。
（４）加熱処理耐性
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対して、２１０℃で１０分間の加熱処理（大気中）をする。この処理前後での、ＥＵＶ反射率の低下は７．８％である。
この結果から、比較例４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、実施例１〜４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて加熱処理耐性に劣ることが確認される。【００６１】
（比較例５）
比較例５は、Ｓｉ層表面を窒素含有雰囲気中（窒素とアルゴンの混合ガス雰囲気中）で熱処理する前に、大気中に暴露する以外は、実施例３と同様の手順を実施する。
（大気暴露条件）
・暴露ガス：大気（Ｎ２：約７８体積％、Ｏ２：約２１体積％）
・雰囲気圧力：７６０Ｔｏｒｒ（１．０×１０５Ｐａ）
・雰囲気温度：２０℃
・暴露時間：６００ｓｅｃ
（熱処理条件）
・雰囲気ガス：Ａｒガス（キャリアガス）、流量１７ｓｃｃｍ。窒素ガス、流量５０ｓｃｃｍ
・窒素ガス分圧： ０．２ｍＴｏｒｒ（２．６×１０−２Ｐａ）
・雰囲気圧力：０．３ｍＴｏｒｒ（３．５×１０−２Ｐａ）
・熱処理温度：１４０℃
・熱処理時間：６００ｓｅｃ
・窒素分圧×熱処理時間（窒素含有雰囲気への暴露時間）：１．２×１０６Ｌ（１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）＝１×１０−６ Ｔｏｒｒ・ｓ＝１．３３×１０−４Ｐａ・ｓ）  【００６２】
上記の手順で得られたＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施する。
（１）膜組成
保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認する。中間層１３の組成は、酸素４ａｔ％、窒素１ａｔ％、Ｓｉ９５ａｔ％である。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍである。
（２）表面粗さ
保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認する。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍである。
（３）洗浄耐性
保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計６００秒処理する。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定する。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．８％である。この結果から、比較例５のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、比較例１に比べれば洗浄耐性が改善しているが、実施例１〜４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて洗浄耐性に劣ることが確認される。
（４）加熱処理耐性
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対して、２１０℃で１０分間の加熱処理（大気中）をする。この処理前後での、ＥＵＶ反射率の低下は８．１％である。
この結果から、比較例５のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、実施例１〜４のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて加熱処理耐性に劣ることが確認される。【００６３】
（実施例５）
実施例５は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層を窒素含有雰囲気（窒素とアルゴンの混合ガス雰囲気）に暴露する際に、以下の条件にしたがって、ＲＦ放電を実施せず、Ｓｉ層表面に紫外線を照射する以外は、実施例１と同様の手順で実施した。
（暴露条件）
・キャリアガス：Ａｒガス、流量１７ｓｃｃｍ
・暴露ガス：窒素ガス、流量５０ｓｃｃｍ
・窒素ガス分圧：０．２ｍＴｏｒｒ（２．６×１０−２Ｐａ）
・雰囲気圧力：０．３ｍＴｏｒｒ（３．５×１０−２Ｐａ）
・雰囲気温度：２０℃
・暴露時間：６００ｓｅｃ
・暴露量：１．２×１０６Ｌ（１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）＝１×１０−６ Ｔｏｒｒ・ｓ＝１．３３×１０−４Ｐａ・ｓ）
・紫外線照射光源：アルゴンエキシマランプ
・紫外線波長：１２６ｎｍ
・ランプ窓（フッ化マグネシウム）〜基板間距離：５ｃｍ【００６４】
上記の手順で得られたＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認した。中間層１３の組成は、窒素８ａｔ％、Ｓｉ９２ａｔ％であった。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍであった。
（２）表面粗さ
保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計６００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．３％であった。
（４）加熱処理耐性
ＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対して、２１０℃で１０分間の加熱処理（大気中）をする。この処理前後での、ＥＵＶ反射率の低下は３．７％である。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明のＥＵＶリソグラフィ用多層膜ミラーは、ＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されているので、半導体集積回路の製造に有効に利用することができ、特に微細なパターンを有する半導体集積回路を生産効率高く、製造することができる。
なお、２００９年１２月９日に出願された日本特許出願２００９−２７９３７１号、２００９年１２月２５日に出願された日本特許出願２００９−２９４３１０号、２０１０年２月３日に出願された日本特許出願２０１０−２１９４４号、２０１０年３月２４日に出願された日本特許出願２０１０−０６７４２１号、２０１０年６月１４日に出願された日本特許出願２０１０−１３４８２２号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【００６６】
１：ＥＵＶＬ用多層膜ミラー
１１：基板
１２：反射層
１３：中間層
１４：保護層
【図１】
2011071126.tif 000003
【国際調査報告】
2011071126.tif 000004
2011071126.tif 000005
2011071126.tif 000006
2011071126.tif 000007