(57)【要約】  シリコンとガラスの研磨レートの差に起因する研磨面の段差を抑制するガラス埋込シリコン基板の製造方法を提供する。  対向する第１及び第２の主面を有するシリコン基板の第１の主面に、頂上部に第１の金属膜を有する凸部を形成する第１の工程と、対向する第３及び第４の主面を有するガラス基板の第３の主面をシリコン基板の第１の主面に重ね合わせる第２の工程と、ガラス基板に熱を加えて軟化させて、ガラス基板の一部をシリコン基板の凸部の周囲に埋め込む第３の工程と、ガラス基板を冷却する第４の工程と、ガラス基板の第４の主面に第１の金属膜が露出するまで、ガラス基板の第４の主面を均一に削り取る第５の工程とを有するガラス埋込シリコン基板の製造方法であって、第５の工程において、少なくとも、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施する。
2011118788.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１の主面及び第２の主面を有するシリコン基板の第１の主面に、頂上部に第１の金属膜を有する凸部を形成する第１の工程と、
対向する第３の主面及び第４の主面を有するガラス基板の第３の主面をシリコン基板の第１の主面に重ね合わせる第２の工程と、
前記ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記シリコン基板の凸部の周囲に埋め込む第３の工程と、
前記ガラス基板を冷却する第４の工程と、
前記ガラス基板の第４の主面に前記第１の金属膜が露出するまで、前記ガラス基板の第４の主面を均一に削り取る第５の工程と、を有し、
前記第５の工程において、少なくとも、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施する
ことを特徴とするガラス埋込シリコン基板の製造方法。
【請求項２】
前記ガラス基板の第４の主面に露出した前記第１の金属膜を除去する第６の工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のガラス埋込シリコン基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程と前記第２工程の間に、
前記凸部の周囲に第２の金属膜を形成する工程を有し、
前記第４工程の後に、
前記シリコン基板の第２の主面に前記第２の金属膜が露出するまで研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施することにより、前記シリコン基板の第２の主面を均一に削り取る工程と、
前記シリコン基板の第２の主面に露出した前記第２の金属膜を除去する工程と、を更に有することを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス埋込シリコン基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程は、
平坦な前記第１の主面を有するシリコン基板を用意する第１段階と、
前記シリコン基板の第１の主面の前記凸部を形成する領域に、前記第１の金属膜を選択的に形成する第２段階と、
前記第１の金属膜よりも前記シリコン基板のエッチング速度が速い異方性のエッチング方法を用いて、前記平坦な第１の主面を選択的に除去する第３段階と
を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラス埋込シリコン基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン基板の内部にガラスが配置されたガラス埋込シリコン基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、微細な構造を有するガラス基板を製造する目的で、例えば、特許文献１に記載された技術が知られている。【０００３】
特許文献１に記載されたガラス材料からなるフラット基板の製造方法では、先ず、平坦なシリコン基板の表面に窪みを形成し、平坦なガラス基板にシリコン基板の窪みが形成された面を重ね合わせる。そして、ガラス基板を加熱することによりガラス基板の一部をこの窪みの中に埋め込む。その後、ガラス基板を再固化させ、フラット基板の表裏面を研磨し、シリコンを除去する。
【特許文献１】特表２００４−５２３１２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フラット基板の表裏面を研磨する工程では、化学機械研磨（ＣＭＰ)が行われる場合が多い。ＣＭＰは、研磨剤（砥粒）自体が有する表面化学作用または研磨液に含まれる化学成分の作用によって、研磨剤と研磨対象物（フラット基板）の相対運動による機械的研磨（表面除去）効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る技術の一例である。【０００５】
ところが、この研磨剤或いは研磨液による化学的作用によって、研磨対象物の材質に応じて研磨レートに差が生じてしまう場合がある。【０００６】
同一平面に表出したシリコンとガラスを同時に研磨すると、シリコンとガラスの研磨レートの差によって研磨面に段差が生じてしまい、平滑な研磨面を得ることが難しくなる。研磨レートの差によって研磨面に段差が生じることをディッシングという。【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みて成されたものであり、その目的は、シリコンとガラスの研磨レートの差に起因する研磨面の段差を抑制するガラス埋込シリコン基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の特徴は、対向する第１の主面及び第２の主面を有するシリコン基板の第１の主面に、頂上部に第１の金属膜を有する凸部を形成する第１の工程と、対向する第３の主面及び第４の主面を有するガラス基板の第３の主面をシリコン基板の第１の主面に重ね合わせる第２の工程と、ガラス基板に熱を加えて軟化させて、ガラス基板の一部をシリコン基板の凸部の周囲に埋め込む第３の工程と、ガラス基板を冷却する第４の工程と、ガラス基板の第４の主面に第１の金属膜が露出するまで、ガラス基板の第４の主面を均一に削り取る第５の工程とを有するガラス埋込シリコン基板の製造方法であって、第５の工程において、少なくとも、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施することである。【０００９】
本発明の特徴において、ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、ガラス基板の第４の主面に露出した第１の金属膜を除去する第６の工程を更に備えていてもよい。【００１０】
また、ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、
前記第１工程と前記第２工程の間に、
前記凸部の周囲に第２の金属膜を形成する工程を有し、
前記第４工程の後に、
前記シリコン基板の第２の主面に前記第２の金属膜が露出するまで研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施することにより、前記シリコン基板の第２の主面を均一に削り取る工程と、
前記シリコン基板の第２の主面に露出した前記第２の金属膜を除去する工程と、を更に有していてもよい。【００１１】
また、第１の工程は、平坦な第１の主面を有するシリコン基板を用意する第１段階と、シリコン基板の第１の主面の凸部を形成する領域に、第１の金属膜を選択的に形成する第２段階と、第１の金属膜よりもシリコン基板のエッチング速度が速い異方性のエッチング方法を用いて、平坦な第１の主面を選択的に除去する第３段階とを有していてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のガラス埋込シリコン基板の製造方法によれば、金属膜が機械的研磨時のストッパ層として機能するため、シリコンとガラスの研磨レートの差に起因する研磨面の段差を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置のうちパッケージ蓋の構成を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置のうちパッケージ蓋を除く構成を示す斜視図である。
【図２】図１の加速度センサチップＡの概略構成を示す分解斜視図である。
【図３】図２の加速度センサチップＡの概略構成を示す断面図である。
【図４】図４（ｇ）は、図２及び図３に示した第１の固定基板２の形成に用いられるガラス基板２０の一例としてのガラス埋込シリコン基板の構成を示す断面図であり、図４（ａ）〜図４（ｆ）は、図４（ｇ）に示したガラス埋込シリコン基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】図５（ｅ）は、本発明の第２の実施の形態に係わるガラス埋込シリコン基板の構成を示す断面図であり、図５（ａ）〜図５（ｄ）は、図５（ｅ）に示したガラス埋込シリコン基板の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００１４】
５１    シリコン基板
５２    凸部
５４    ガラス基板
５５    第１の金属膜
５６    第２の金属膜
ＳＦ１    第１の主面
ＳＦ２    第２の主面
ＳＦ３    第３の主面
ＳＦ４    第４の主面
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付している。【００１６】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照して、本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置の概略構成を説明する。半導体装置は、ＭＥＭＳデバイスの一例としての加速度センサチップＡと、加速度センサチップＡから出力された信号を処理する信号処理回路が形成された制御ＩＣチップＢと、加速度センサチップＡ及び制御ＩＣチップＢが収納された表面実装型のパッケージ１０１とを備える。【００１７】
パッケージ１０１は、図１（ｂ）における上面に位置する一面が開放された箱形の形状を有するプラスチックパッケージ本体１０２と、パッケージ１０１の開放された一面を閉塞するパッケージ蓋（リッド）１０３とを備える。プラスチックパッケージ本体１０２は、加速度センサチップＡ及び制御ＩＣチップＢに電気的に接続される複数のリード１１２を備える。各リード１１２は、プラスチックパッケージ本体１０２の外側面から導出されたアウタリード１１２ｂと、プラスチックパッケージ本体１０２の内側面から導出されたインナリード１１２ａとを備える。各インナリード１１２ａは、ボンディングワイヤＷを通じて、制御ＩＣチップＢが備える各パッドに電気的に接続されている。【００１８】
加速度センサチップＡは、加速度センサチップＡの外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所に配置された接着部１０４により、プラスチックパッケージ本体１０２の底部に位置する搭載面１０２ａに固着されている。接着部１０４は、プラスチックパッケージ本体１０２に連続して一体に突設されている円錐台状の突起部と、この突起部を被覆する接着剤とからなる。接着剤は、例えば、弾性率が１ＭＰａ以下のシリコーン樹脂などのシリコーン系樹脂からなる。【００１９】
ここで、加速度センサチップＡは、金属電極２９からなる複数のパッドを備える。総てのパッドは、プラスチックパッケージ本体１０２の開放された一面に対向する加速度センサチップＡの主面において、この主面の１辺に沿って配置されている。この１辺の両端の２箇所と、当該１辺に平行な辺の１箇所（例えば、中央部）との３箇所とに頂点を有する仮想三角形の各頂点に接着部１０４が位置している。これにより、各パッドにボンディングワイヤＷを安定してボンディングすることができる。なお、接着部１０４の位置に関し、上記１辺に平行な辺の１箇所については、中央部に限らず、例えば、両端の一方でもよいが、中央部の方が半導体素子Ａをより安定して支持することができるとともに、各パッドにボンディングワイヤＷを安定してボンディングすることができる。【００２０】
制御ＩＣチップＢは、単結晶シリコン等から成る半導体基板上に形成された複数の半導体素子、これらを接続する配線、及び半導体素子や配線を外部環境から保護するパッシベーション膜からなる半導体チップである。そして、制御ＩＣチップＢの裏面全体がシリコーン系樹脂によりプラスチックパッケージ本体１０２の底面に固着されている。制御ＩＣチップＢ上に形成される信号処理回路は、加速度センサチップＡの機能に応じて適宜設計すればよく、加速度センサチップＡと協働するものであればよい。例えば、制御ＩＣチップＢをＡＳＩＣ（Application  Specific  ＩＣ）として形成することができる。【００２１】
図１の半導体装置を製造するには、先ず、加速度センサチップＡ及び制御ＩＣチップＢをプラスチックパッケージ本体１０２に固着するダイボンディング工程を行う。そして、加速度センサチップＡと制御ＩＣチップＢとの間、制御ＩＣチップＢとインナリード１１２ａとの間を、それぞれボンディングワイヤＷを介して電気的に接続するワイヤボンディング工程を行う。その後、樹脂被覆部１１６を形成する樹脂被覆部形成工程を行い、続いて、パッケージ蓋（リッド）１０３の外周を、プラスチックパッケージ本体１０２に接合するシーリング工程を行う。これにより、プラスチックパッケージ本体１０２の内部は気密状態で封止される。なお、パッケージ蓋１０３の適宜部位には、レーザマーキング技術により、製品名称や製造日時などを示す表記１１３が形成されている。【００２２】
なお、制御ＩＣチップＢが１枚のシリコン基板を用いて形成されているのに対して、加速度センサチップＡは、積層された複数の基板を用いて形成されている。よって、加速度センサチップＡの厚みが制御ＩＣチップＢの厚みに比べて厚くなっているので、プラスチックパッケージ本体１０２の底部において加速度センサチップＡを搭載する搭載面１０２ａを制御ＩＣチップＢの搭載部位よりも凹ませてある。したがって、プラスチックパッケージ本体１０２の底面について、加速度センサチップＡを搭載する部位の厚みは他の部位に比べて薄くなっている。【００２３】
更に、本発明の第１の実施の形態では、プラスチックパッケージ本体１０２の外形を直方体としてあるが、これは一例であり、加速度センサチップＡや制御ＩＣチップＢの外形、リード１１２の本数やピッチなどに応じて適宜設定すればよい。【００２４】
プラスチックパッケージ本体１０２の材料としては、熱可塑性樹脂の一種であって、酸素および水蒸気の透過率が極めて低い液晶性ポリエステル（ＬＣＰ）を採用する。しかし、ＬＣＰに限らず、例えば、ポリフェニレンサルファイト（ＰＰＳ）、ポリビスアミドトリアゾール（ＰＢＴ）などを採用してもよい。【００２５】
また、各リード１１２の材料、つまり、各リード１１２の基礎となるリードフレームの材料としては、銅合金の中でもばね性の高いりん青銅を採用する。ここでは、リードフレームとして、材質がりん青銅で板厚が０．２ｍｍのリードフレームを用い、厚みが２μｍ〜４μｍのＮｉ膜と、厚みが０．２μｍ〜０．３μｍのＡｕ膜との積層膜からなるめっき膜を電解めっき法により形成してある。これにより、ワイヤボンディングの接合信頼性と半田付け信頼性とを両立させることができる。また、熱可塑性樹脂成形品のプラスパッケージ本体１０２は、リード１１２が同時一体に成形されている。しかし、熱可塑性樹脂であるＬＣＰにより形成されるプラスチックパッケージ本体１０２とリード１１２のＡｕ膜とは密着性が低い。したがって、上述のリードフレームのうちプラスチックパッケージ本体１０２に埋設される部位にパンチ穴を設けることで各リード１１２が抜け落ちるのを防止する。【００２６】
また、図１の半導体装置は、インナリード１１２ａの露出部位およびその周囲を覆う樹脂被覆部１１６が設けられている。樹脂被覆部１１６は、例えば、アミン系エポキシ樹脂などのエポキシ系樹脂などの非透湿性の樹脂からなる。ワイヤボンディング工程の後に、ディスペンサを用いてこの非透湿性の樹脂を塗布し、これを硬化させることで、気密性を向上させている。なお、この非透湿性の樹脂に代えてセラミックスを用いてもよく、セラミックスを用いる場合には、プラズマ溶射などの技術を用いて局所的に吹き付ければよい。【００２７】
また、ボンディングワイヤＷとしては、Ａｌワイヤに比べて耐腐食性の高いＡｕワイヤを用いる。また、直径が２５μｍのＡｕワイヤを採用するが、これに限らず、例えば、直径が２０μｍ〜５０μｍのＡｕワイヤから適宜選択すればよい。【００２８】
図２を参照して、図１の加速度センサチップＡの概略構成を説明する。加速度センサチップＡは、静電容量型の加速度センサチップであって、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）
基板１０を用いて形成されたセンサ本体１と、ガラス基板２０を用いて形成された第１の固定基板２と、ガラス基板３０を用いて形成された第２の固定基板３とを備えている。第１の固定基板２は、センサ本体１の一表面側（図２における上面側）に固着され、第２の固定基板３は、センサ本体１の他表面側（図２における下面側）に固着される。第１及び第２の固定基板２、３はセンサ本体１と同じ外形寸法に形成されている。【００２９】
なお、図２は、センサ本体１、第１の固定基板２及び第２の固定基板３のそれぞれの構成を示すべく、センサ本体１、第１の固定基板２及び第２の固定基板３が分離した状態を示している。また、センサ本体１は、ＳＯＩ基板１０に限らず、例えば、絶縁層を備えない通常のシリコン基板を用いて形成してもよい。また、第１及び第２の固定基板２、３は、それぞれ、シリコン基板及びガラス基板のどちらで形成してもかまわない。【００３０】
センサ本体１は、２つの平面視矩形状の開口窓１２が上記一表面に沿って並設するフレーム部１１と、フレーム部１１の各開口窓１２の内側に配置された２つの平面視矩形状の重り部１３と、フレーム部１１と重り部１３との間を連結する各一対の支持ばね部１４とを備える。【００３１】
２つの平面視矩形状の重り部１３は、第１及び第２の固定基板２、３からそれぞれ離間して配置されている。第１の固定基板２に対向する各重り部１３の主面上に可動電極１５Ａ、１５Ｂがそれぞれ配置されている。重り部１３の周囲を囲むフレーム部１１の外周全体が第１及び第２の固定基板２、３に接合されている。これにより、フレーム部１１と第１及び第２の固定基板２、３は、重り部１３及び後述する固定子１６を収納するチップサイズパッケージを構成している。【００３２】
一対の支持ばね部１４は、フレーム部１１の各開口窓１２の内側で重り部１３の重心を通る直線に沿って重り部１３を挟む形で配置されている。各支持ばね部１４は、ねじれ変形が可能なトーションばね（トーションバー）であって、フレーム部１１及び重り部１３に比べて薄肉に形成されており、重り部１３は、フレーム部１１に対して一対の支持ばね部１４の回りで変位可能となっている。【００３３】
センサ本体１のフレーム部１１には、各開口窓１２それぞれに連通する平面視矩形状の窓孔１７が２つの開口窓１２と同じ方向に並設されている。各窓孔１７の内側には、それぞれ２つの固定子１６が一対の支持ばね部１４の並設方向に沿って配置されている。【００３４】
各固定子１６と窓孔１７の内周面との間、各固定子１６と重り部１３の外周面との間、及び隣り合う固定子１６同士の間には、それぞれ隙間が形成され、互いに分離独立して電気的に絶縁されている。各固定子１６は、第１及び第２の固定基板２、３にそれぞれ接合されている。また、センサ本体１の一表面側において、各固定子１６には、例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜などの金属薄膜からなる円形状の電極パッド１８が形成されている。また同様に、フレーム部１１において隣り合う窓孔１７の間の部位にも、例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜などの金属薄膜からなる円形状の電極パッド１８が形成されている。【００３５】
各固定子１６に形成された各電極パッド１８は、後述の各固定電極２５に電気的にそれぞれ接続され、フレーム部１１に形成された電極パッド１８は、可動電極１５Ａ及び可動電極１５Ｂに電気的に接続されている。以上説明した複数の電極パッド１８は、加速度センサチップＡの矩形状の外周形状の１辺に沿って配置されている。【００３６】
第１の固定基板２は、第１の固定基板２の第１の主面とこれに対向する第２の主面（センサ本体１に重なり合う面）との間を貫通している複数の配線２８と、第２の主面上に形成された複数の固定電極２５とを備える。【００３７】
固定電極２５Ａａ及び固定電極２５Ａｂは、対を成して可動電極１５Ａに対向して配置されている。同様に、固定電極２５Ｂａ及び固定電極２５Ｂｂは、対を成して可動電極１５Ｂに対向して配置されている。各固定電極２５は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜などの金属薄膜からなる。【００３８】
各配線２８は、第１の固定基板２の第２の主面において、センサ本体１の電極パッド１８にそれぞれ電気的に接続されている。第１の固定基板２の第２の主面のうち配線２８の他端が位置する領域には金属電極２９が形成されている。これにより、電極パッド１８を介して、各固定電極２５の電位及び可動電極１５の電位をそれぞれ加速度センサチップＡの外部へ取り出すことができる。【００３９】
第２の固定基板３の一表面（センサ本体１に重なり合う面）であって、重り部１３と対応する位置に、例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜などの金属薄膜からなる付着防止膜３５が配置されている。付着防止膜３５は、変位する重り部１３の付着を防止する。【００４０】
図３を参照して、図２の加速度センサチップＡの断面構成を説明する。図３は、一対の支持ばね部１４を通る直線に垂直な切断面における加速度センサチップＡの構成を示す。センサ本体１はＳＯＩ基板１０を用いて形成されている。ＳＯＩ基板１０は、単結晶シリコンからなる支持基板１０ａと、支持基板１０ａの上に配置されたシリコン酸化膜からなる絶縁層１０ｂと、絶縁層１０ｂの上に配置されたｎ形のシリコン層（活性層）１０ｃとを有する。【００４１】
センサ本体１のうち、フレーム１１及び固定子１６は、第１の固定基板２及び第２の固定基板３に接合されている。これに対して、重り部１３は、第１及び第２の固定基板２、３からそれぞれ離間して配置され、一対の支持ばね部１４によりフレーム１１に支持されている。【００４２】
重り部１３の過度の変位を規制する複数の微小な突起部１３ｃが、重り部１３における第１及び第２の固定基板２、３のそれぞれとの対向面から突設されている。重り部１３には、矩形状に開口された凹部１３ａ、１３ｂが形成されている。凹部１３ａ、１３ｂは互いに大きさが異なるため、一対の支持ばね部１４を通る直線を境にして、重り部１３の左右の質量が異なっている。【００４３】
第１の固定基板２の配線２８の一端は、電極パッド１８に電気的に接続されている。電極パッド１８は、固定子１６、連絡用導体部１６ｄ、金属配線２６を通じて、固定電極２５に接続されている。配線２８の他端には金属電極２９が電気的に接続され、金属電極２９は、第１の固定基板２の第１の主面に表出している。そして、ボンディングワイヤＷは、金属電極２９にボンディングされている。金属電極２９をボンディングパッドとして用いる。【００４４】
上述の加速度センサチップＡは、センサ本体１に設けられた可動電極１５と第１の固定基板２に設けられた固定電極２５との対を４対有し、可動電極１５と固定電極２５との対ごとに可変容量コンデンサが構成されている。加速度センサチップＡ、すなわち重り部１３に加速度が加わると、支持ばね部１４がねじれて、重り部１３が変位する。これにより、対をなす固定電極２５と可動電極１５との対向面積及び間隔が変化し、可変容量コンデンサの静電容量が変化する。よって、加速度センサチップＡは、この静電容量の変化から加速度を検出することができる。【００４５】
このように、ＭＥＭＳデバイスの一例としての加速度センサチップＡは、入力された電気信号に基づいて、センシング対象（加速度）に応じた電気信号を出力するセンサ本体１と、センサ本体１を支持する第１の固定基板２及び第２の固定基板３とを備える。第１の固定基板２に埋め込まれた配線２８は、センサ本体１に入力される電気信号及びセンサ本体１から出力される電気信号を伝達する。【００４６】
次に、図４（ｇ）を参照して、図２及び図３に示した第１の固定基板２の形成に用いられるガラス基板２０の一例としてのガラス埋込シリコン基板の構成を説明する。ガラス埋込シリコン基板は、対向する表裏面を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の表裏面を貫通する配線部材（５２、５５）とを備える。配線部材（５２、５５）は、ガラス基板５４の内部に配置されたシリコン部材５２と、シリコン部材５２の一端に接触し、且つガラス基板５４の表面と同一平面上に表出した第１の金属膜５５とを備える。シリコン部材５２の他端は、ガラス基板５４の裏面側に表出している。ガラス基板５４は、例えば、ナトリウムなどのアルカリ金属を含むガラス材料で構成すればよい。また、シリコン部材５２は、ｎ型又はｐ型の不純物が高濃度に添加された単結晶シリコンで構成すればよい。【００４７】
このように、ガラス埋込シリコン基板は、ガラス基板５４にシリコン部材５２が埋め込まれたものである。そして、シリコン部材５２の一端には第１の金属膜５５が接続され、第１の金属膜５５はガラス基板５４の表面に表出している。シリコン部材５２の他端は、ガラス基板５４の裏面側に表出している。よって、図４（ｇ）のシリコン部材５２を図２及び図３に示した配線２８に当てはめ、図４（ｇ）のガラス基板５４を図２及び図３に示したガラス基板２０に当てはめる。そして、図４（ｇ）の第１の金属膜５５を図２及び図３に示した金属電極２９に当てはめる。これにより、図２及び図３に示した第１の固定基板２の形成に用いられるガラス基板２０に、図４（ｇ）に示したガラス埋込シリコン基板を適用することができる。この場合、図４（ｇ）の配線部材（５２、５５）は、図２及び図３に示したセンサ本体１に入力される電気信号及びセンサ本体１から出力される電気信号を伝達する。【００４８】
図４（ａ）〜図４（ｆ）を参照して、図４（ｇ）に示したガラス埋込シリコン基板の製造方法を説明する。【００４９】
（イ）先ず、図４（ｂ）に示すように、対向する第１の主面（図４における上面）ＳＦ１及び第２の主面（図４における下面）ＳＦ２を有する単結晶シリコンから成るシリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１に、単結晶シリコンからなる凸部５２を形成する（第１の工程）。凸部５２は、その頂上部に第１の金属膜５５を有する。なお、シリコン基板５１の全体には、ｐ型或いはｎ型の不純物が添加され、シリコン基板５１の電気抵抗は十分に小さい。ここでは、シリコン基板５１の全体に不純物を添加する場合を説明するが、シリコン基板５１全体に添加されていなくても構わない。少なくとも、図４（ｇ）のシリコン部材５２として残す部分の深さまで不純物が添加されていればよい。【００５０】
（ロ）詳細には、図４（ａ）に示すように、先ず、対向する平坦な第１の主面及び平坦な第２の主面を有するシリコン基板５１を用意する（第１段階）。シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１の凸部５２を形成する領域に、第１の金属膜５５を選択的に形成する（第２段階）。具体的には、フォトリソグラフィ方法、及びメッキ処理、スパッタリング、或いは化学的気相成長法（ＣＶＤ）等の成膜方法により、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１上に、第１の金属膜５５を形成する。【００５１】
（ハ）図４（ｂ）に示すように、第１の金属膜５５よりもシリコン基板５１のエッチング速度が速い異方性のエッチング方法を用いて、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１を選択的に除去する（第３段階）。具体的には、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液をエッチャントとするウェットエッチングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などのドライエッチングによりシリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１の所定領域を除去する。この時、第１の金属膜５５はエッチングマスクとして機能する。すなわち、第１の金属膜５５が形成されていない、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１の所定領域を、選択的に除去する。以上の段階を経て、シリコン基板５１の主面に凸部５２を形成する。【００５２】
（ニ）図４（ｃ）に示すように、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１のうち、凸部５２の周囲に第２の金属膜５６を形成する（第７の工程）。具体的には、メッキ処理、スパッタリング、或いは化学的気相成長法（ＣＶＤ）等の成膜方法により、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１上に、金、銅やアルミニウムからなる金属膜を堆積する。なお、金属膜は、マスクを介さずに、第１の主面ＳＦ１全体に堆積させてもよい。これにより、金属膜は、凸部５２の頂上部及び凸部５２の底面に堆積される。この場合、凸部５２の周囲に堆積される金属膜を第２の金属膜５６とし、凸部５２の頂上部に堆積される金属膜を第１の金属膜５５の一部とすればよい。すなわち、第１の金属膜５５を、エッチングマスクとして成膜された部分と、第２の金属膜５６と同時に成膜された部分とから成る。【００５３】
（ホ）図４（ｄ）に示すように、対向する第３の主面（図４における下面）ＳＦ３及び第４の主面（図４における上面）ＳＦ４を有するガラス基板５４の第３の主面ＳＦ３をシリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１に重ね合わせる（第２の工程）。なお、重ね合わせたシリコン基板５１とガラス基板５４を、陽極接合、表面活性化結合、樹脂接着などの方法により接合してもよい。【００５４】
（へ）その後、図４（ｅ）に示すように、ガラス基板５４に熱を加えて軟化させて、ガラス基板５４の一部をシリコン基板５１の凸部５２の周囲に埋め込む（第３の工程）。具体的には、平坦な板状の加熱・加圧治具でガラス基板５４とシリコン基板５１を挟み、ガラス基板５４をその屈伏点よりも高く且つシリコンの融点よりも低い温度まで加熱して軟化させる。そして、加熱・加圧治具を用いて、ガラス基板５４とシリコン基板５１をプレスする。プレス処理及びガラスの自重によって、軟化したガラス基板５４の一部は、シリコン基板５１の凸部５２の周囲に埋め込まれる。なお、ガラス基板５４とシリコン基板５１の配置を入れ替えた場合、ガラスの自重の代りに、シリコン基板５１の自重となる。【００５５】
（ト）その後、ガラス基板５４を冷却する（第４の工程）。そして、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４を均一に除去する（第５の工程）。第５の工程は、図４（ｆ）に示すように、少なくともガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に第１の金属膜５５が露出するまで、実施する。この第５の工程において、少なくとも、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施する。【００５６】
具体的には、先ず、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に対して、ダイヤモンド砥石を用いた研削を実施する。この研削は、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に第１の金属膜５５が露出する前に終了する。その後、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に対して、化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施する。ＣＭＰは、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に第１の金属膜５５が露出するまで、実施する。これにより、凸部５２の頂上面（第１の金属膜５５）が露出したガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４を、鏡面に仕上げることができる。なお、「ＣＭＰ」は、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨の一例である。【００５７】
（チ）シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を均一に除去する（第８の工程）。第８の工程は、図４（ｆ）に示すように、少なくともシリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に第２の金属膜５６が露出するまで、実施する。この第８の工程において、少なくとも、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施する。【００５８】
具体的には、先ず、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に対して、ダイヤモンド砥石を用いた研削を実施する。この研削は、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に第２の金属膜５６が露出する前に終了する。その後、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に対して、化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施する。ＣＭＰは、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に第２の金属膜５６が露出するまで、実施する。これにより、凸部５２の周囲に形成された第２の金属膜５６が露出したシリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を、鏡面に仕上げることができる。【００５９】
（リ）その後、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に露出した第２の金属膜５６を、ウェットエッチング方法により除去する（第９の工程）。具体的には、第２の金属膜５６を溶解し、且つシリコン基板５１及びガラス基板５４へ損傷を与えないエッチャントを用いたウェットエッチングを、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に対して実施すればよい。以上の工程を経て、図４（ｇ）に示したガラス埋込シリコン基板を製造することができる。
尚、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２における段差は、第２の金属膜５６の膜厚を調整することにより制御することができる。【００６０】
なお、第１の金属膜５５及び第２の金属膜５６としては、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）又はこれらの合金を用いればよい。これらの金属は、シリコン基板５１ガラス基板５４よりも、ＣＭＰにおける研磨レートが小さい。【００６１】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態によれば、以下の作用効果が得られる。【００６２】
図４（ｆ）に示した第５の工程では、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に第１の金属膜５５が露出するまで、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４を均一に削り取る。また、第５の工程において、少なくとも、機械的研磨の一例としてのＣＭＰを実施する。よって、第１の金属膜５５は、第５の工程における機械的研磨時のストッパ層として機能する。すなわち、ガラス基板５４を研磨し、研磨面に凸部５２の頂上部が表出した時点で研磨を停止する研磨処理において、研磨面に表出するシリコンからなる凸部５２の上に第１の金属膜５５を配置する。これにより、研磨面上に存在するシリコン（凸部５２）とガラス（ガラス基板５４）を同時に研磨することなく、研磨処理を停止することができる。よって、シリコンとガラスの研磨レートの差に起因する研磨停止面の段差を抑制することができる。【００６３】
同様に、図４（ｆ）に示した第８の工程では、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に第２の金属膜５６が露出するまで、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を均一に削り取る。また、第８の工程において、少なくとも、機械的研磨の一例としてのＣＭＰを実施する。よって、第２の金属膜５６は、第８の工程における機械的研磨時のストッパ層として機能する。すなわち、シリコン基板５１を研磨し、研磨面に凸部５２の周囲に埋め込まれたガラス基板５４の一部が表出した時点で研磨を停止する研磨処理において、研磨面に表出するガラス基板５４の上に第２の金属膜５６を配置する。これにより、研磨面上に存在するシリコン基板５１とガラス基板５４を同時に研磨することなく、研磨処理を停止することができる。よって、シリコンとガラスの研磨レートの差に起因する研磨停止面の段差を抑制することができる。【００６４】
また、ＭＥＭＳデバイスの一例としての加速度センサチップＡの第１の固定基板２として、図４に示したガラス埋込シリコン基板を適用した場合、図１〜図３に示したように、ワイヤボンディングＷを加速度センサチップＡに接続する際のパッドとして、第１の金属膜５５を用いることができる。よって、パッドを形成する工程を減らすことができる。【００６５】
また、第１の工程は、平坦な第１の主面ＳＦ１を有するシリコン基板５１を用意する第１段階と、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１の凸部５２を形成する領域に、第１の金属膜５５を選択的に形成する第２段階と、第１の金属膜５５よりもシリコン基板５１のエッチング速度が速い異方性のエッチング方法を用いて、平坦な第１の主面ＳＦ１を選択的に除去する第３段階とを有する。これにより、シリコン基板５１を選択的にエッチングする第３段階において、第１の金属膜５５をエッチングマスクとして利用することができる。よって、別途エッチングマスクを形成する工程が省略され、製造工程を簡略化することができる。【００６６】
（第２の実施の形態）
図２及び図３に示した第１の固定基板２の形成に用いられるガラス基板２０の他の例として、図５（ｅ）に示したガラス埋込シリコン基板を適用してもよい。【００６７】
図５（ｅ）を参照して、第２の実施の形態に係わるガラス埋込シリコン基板の構成を説明する。ガラス埋込シリコン基板は、対向する表裏面を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の表裏面を貫通する配線部材５２とを備える。配線部材５２は、ガラス基板５４の内部に配置されたシリコン部材５２を備える。図５（ｅ）のガラス埋込シリコン基板は、図４（ｇ）のガラス埋込シリコン基板と比べて、ガラス基板５４の表面に
第２の金属膜５６が除去されることにより形成された段差がない点が異なっている。【００６８】
図５（ａ）〜図５（ｄ）を参照して、図５（ｅ）に示したガラス埋込シリコン基板の製造方法を説明する。【００６９】
（イ）先ず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、単結晶シリコンから成るシリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１に、単結晶シリコンからなる凸部５２を形成する（第１の工程）。凸部５２は、その頂上部に第１の金属膜５５を有する。この第１の工程は、第１の実施の形態と同じ工程であり、説明を省略する。【００７０】
（ロ）図５（ｃ）に示すように、対向する第３の主面（図５における下面）ＳＦ３及び第４の主面（図５における上面）ＳＦ４を有するガラス基板５４の第３の主面ＳＦ３をシリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１に重ね合わせる（第２の工程）。この第２の工程も、第１の実施の形態と同じ工程であり、説明を省略する。【００７１】
なお、第２の実施の形態では、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１のうち、凸部５２の周囲に第２の金属膜５６を形成する工程（第７の工程）を実施しない。【００７２】
（ハ）その後、図５（ｄ）に示すように、ガラス基板５４に熱を加えて軟化させて、ガラス基板５４の一部をシリコン基板５１の凸部５２の周囲に埋め込む（第３の工程）。その後、ガラス基板５４を冷却する（第４の工程）。そして、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４を均一に除去する（第５の工程）。これらの第３〜第５の工程も、第１の実施の形態と同じ工程であり、説明を省略する。【００７３】
（ニ）シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を均一に除去する。この工程は、図４（ｆ）に示した第８の工程とは異なり、少なくともシリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２にガラス基板５４の一部が露出するまで、実施する。【００７４】
具体的には、先ず、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に対して、ダイヤモンド砥石を用いた研削を実施する。この研削は、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２にガラス基板５４の一部が露出するまで実施する。その後、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に対して、化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施する。これにより、ガラス基板５４の一部が露出したシリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を、鏡面に仕上げることができる。
以上の工程を経て、図５（ｅ）に示したガラス埋込シリコン基板を製造することができる。【００７５】
第１の金属膜５５が不要である場合は、これを以下のようにして除去することにより、シリコン基板５１の内部にガラスだけが配置されたガラス埋込シリコン基板を製造することができる。【００７６】
（ホ）ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に露出した第１の金属膜５５を、ウェットエッチング方法により除去する（第６の工程）。具体的には、第１の金属膜５５を溶解し、且つシリコン基板５１及びガラス基板５４へ損傷を与えないエッチャントを用いたウェットエッチングを、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に対して実施すればよい。以上の工程を経て、シリコン基板５１の内部にガラスだけが配置されたガラス埋込シリコン基板を製造することができる。
この際、第５の工程を終了した時点での第１の金属膜５５の膜厚を十分に薄くすることにより、第１の金属膜５５を除去しても、シリコン基板５１の凸部５２とガラス基板５４の段差を小さくすることができる。もちろん、第６の工程を実施せずに、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に露出した第１の金属膜５５を残しておいても構わない。【００７７】
以上説明したように、第２の実施の形態では、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１のうち、凸部５２の周囲に第２の金属膜５６を形成する工程（第７の工程）を実施しない。このため、ストッパ層を用いることなく、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２の研磨処理を従来の方法で実施することができる。【００７８】
以上の２つの実施形態で示した凸部５２接続された第１の金属膜５５は、例えば、図３等に示した固定電極２５などとして利用することができる。【００７９】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は、２つの実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。【００８０】
上記した本発明の実施の形態では、第１の金属膜５５を凸部５２形成時のエッチングマスクとして用いた場合を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図４（ａ）において、シリコン酸化膜を第１の金属膜５５の代りに同じパターンで形成し、これをエッチングマスクとして用いてシリコン基板５１をエッチングして凸部５２を形成する。そして、シリコン酸化膜を除去後に、図４（ｂ）において、金属膜を堆積して、第１の金属膜５５及び第２の金属膜５６を同時に形成すればよい。【００８１】
また、シリコン基板５１の主面に凸部５２を形成する第１段階では、単結晶シリコンから成るシリコン基板５１の一部を加工して、単結晶シリコンから成る凸部５２を形成していた。しかし、これに限定されることない。例えば、単結晶シリコンから成るシリコン基板５１の主面に、多結晶シリコンから成るシリコン膜を堆積し、シリコン膜の一部を除去して多結晶シリコンから成る凸部５２を形成してもよい。この場合、多結晶シリコンから成るシリコン膜を堆積した後に、金属膜を堆積し、シリコン膜と金属膜の一部を選択的に除去して、多結晶シリコンから成る凸部５２の頂上部に第１の金属膜５５を形成すればよい。【００８２】
更に、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４を均一に除去する工程（第５の工程）と、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を均一に除去する工程（第８の工程）は、どちらを先に実施しても構わない。また、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に露出した第１の金属膜５５を除去する工程（第６の工程）や、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に露出した第２の金属膜５６を除去する工程（第９の工程）は、第５の工程や第８の工程の後であれば、いつ実施しても構わない。【００８３】
本発明の実施の形態では、ＭＥＭＳデバイスの一例として静電容量型の加速度センサチップＡについて説明したが、本発明は、静電容量型の加速度センサチップＡ以外のＭＥＭＳデバイス、例えば、ピエゾ抵抗型の加速度センサチップ、ジャイロセンサ、マイクロアクチュエータ、マイクロリレー、赤外線センサ等や、ＩＣチップなどにも適用することができる。即ち、センサ本体１によるセンシング対象は、加速度に限らず、圧力、角度、角速度等であってもよい。【００８４】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図１】
2011118788.tif 000003
【図２】
2011118788.tif 000004
【図３】
2011118788.tif 000005
【図４】
2011118788.tif 000006
【図５】
2011118788.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月31日(2012.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン基板の内部にガラスが配置されたガラス埋込シリコン基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、微細な構造を有するガラス基板を製造する目的で、例えば、特許文献１に記載された技術が知られている。
【０００３】
特許文献１に記載されたガラス材料からなるフラット基板の製造方法では、先ず、平坦なシリコン基板の表面に窪みを形成し、平坦なガラス基板にシリコン基板の窪みが形成された面を重ね合わせる。そして、ガラス基板を加熱することによりガラス基板の一部をこの窪みの中に埋め込む。その後、ガラス基板を再固化させ、フラット基板の表裏面を研磨し、シリコンを除去する。
【特許文献１】特表２００４−５２３１２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フラット基板の表裏面を研磨する工程では、化学機械研磨（ＣＭＰ)が行われる場合が多い。ＣＭＰは、研磨剤（砥粒）自体が有する表面化学作用または研磨液に含まれる化学成分の作用によって、研磨剤と研磨対象物（フラット基板）の相対運動による機械的研磨（表面除去）効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る技術の一例である。
【０００５】
ところが、この研磨剤或いは研磨液による化学的作用によって、研磨対象物の材質に応じて研磨レートに差が生じてしまう場合がある。
【０００６】
同一平面に表出したシリコンとガラスを同時に研磨すると、シリコンとガラスの研磨レートの差によって研磨面に段差が生じてしまい、平滑な研磨面を得ることが難しくなる。研磨レートの差によって研磨面に段差が生じることをディッシングという。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みて成されたものであり、その目的は、シリコンとガラスの研磨レートの差に起因する研磨面の段差を抑制するガラス埋込シリコン基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の特徴は、対向する第１の主面及び第２の主面を有するシリコン基板の第１の主面に、頂上部に第１の金属膜を有する凸部を形成する第１の工程と、対向する第３の主面及び第４の主面を有するガラス基板の第３の主面をシリコン基板の第１の主面に重ね合わせる第２の工程と、ガラス基板に熱を加えて軟化させて、ガラス基板の一部をシリコン基板の凸部の周囲に埋め込む第３の工程と、ガラス基板を冷却する第４の工程と、ガラス基板の第４の主面に第１の金属膜が露出するまで、ガラス基板の第４の主面を均一に削り取る第５の工程とを有するガラス埋込シリコン基板の製造方法であって、第５の工程において、少なくとも、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施することである。
【０００９】
本発明の特徴において、ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、ガラス基板の第４の主面に露出した第１の金属膜を除去する第６の工程を更に備えていてもよい。
【００１０】
また、ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、
前記第１工程と前記第２工程の間に、
前記凸部の周囲に第２の金属膜を形成する工程を有し、
前記第４工程の後に、
前記シリコン基板の第２の主面に前記第２の金属膜が露出するまで研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施することにより、前記シリコン基板の第２の主面を均一に削り取る工程と、
前記シリコン基板の第２の主面に露出した前記第２の金属膜を除去する工程と、を更に有していてもよい。
【００１１】
また、第１の工程は、平坦な第１の主面を有するシリコン基板を用意する第１段階と、シリコン基板の第１の主面の凸部を形成する領域に、第１の金属膜を選択的に形成する第２段階と、第１の金属膜よりもシリコン基板のエッチング速度が速い異方性のエッチング方法を用いて、平坦な第１の主面を選択的に除去する第３段階とを有していてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のガラス埋込シリコン基板の製造方法によれば、金属膜が機械的研磨時のストッパ層として機能するため、シリコンとガラスの研磨レートの差に起因する研磨面の段差を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置のうちパッケージ蓋の構成を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置のうちパッケージ蓋を除く構成を示す斜視図である。
【図２】図１の加速度センサチップＡの概略構成を示す分解斜視図である。
【図３】図２の加速度センサチップＡの概略構成を示す断面図である。
【図４】図４（ｇ）は、図２及び図３に示した第１の固定基板２の形成に用いられるガラス基板２０の一例としてのガラス埋込シリコン基板の構成を示す断面図であり、図４（ａ）〜図４（ｆ）は、図４（ｇ）に示したガラス埋込シリコン基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】図５（ｅ）は、本発明の第２の実施の形態に係わるガラス埋込シリコン基板の構成を示す断面図であり、図５（ａ）〜図５（ｄ）は、図５（ｅ）に示したガラス埋込シリコン基板の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００１４】
５１    シリコン基板
５２    凸部
５４    ガラス基板
５５    第１の金属膜
５６    第２の金属膜
ＳＦ１    第１の主面
ＳＦ２    第２の主面
ＳＦ３    第３の主面
ＳＦ４    第４の主面
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付している。
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照して、本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置の概略構成を説明する。半導体装置は、ＭＥＭＳデバイスの一例としての加速度センサチップＡと、加速度センサチップＡから出力された信号を処理する信号処理回路が形成された制御ＩＣチップＢと、加速度センサチップＡ及び制御ＩＣチップＢが収納された表面実装型のパッケージ１０１とを備える。
【００１７】
パッケージ１０１は、図１（ｂ）における上面に位置する一面が開放された箱形の形状を有するプラスチックパッケージ本体１０２と、パッケージ１０１の開放された一面を閉塞するパッケージ蓋（リッド）１０３とを備える。プラスチックパッケージ本体１０２は、加速度センサチップＡ及び制御ＩＣチップＢに電気的に接続される複数のリード１１２を備える。各リード１１２は、プラスチックパッケージ本体１０２の外側面から導出されたアウタリード１１２ｂと、プラスチックパッケージ本体１０２の内側面から導出されたインナリード１１２ａとを備える。各インナリード１１２ａは、ボンディングワイヤＷを通じて、制御ＩＣチップＢが備える各パッドに電気的に接続されている。
【００１８】
加速度センサチップＡは、加速度センサチップＡの外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所に配置された接着部１０４により、プラスチックパッケージ本体１０２の底部に位置する搭載面１０２ａに固着されている。接着部１０４は、プラスチックパッケージ本体１０２に連続して一体に突設されている円錐台状の突起部と、この突起部を被覆する接着剤とからなる。接着剤は、例えば、弾性率が１ＭＰａ以下のシリコーン樹脂などのシリコーン系樹脂からなる。
【００１９】
ここで、加速度センサチップＡは、金属電極２９からなる複数のパッドを備える。総てのパッドは、プラスチックパッケージ本体１０２の開放された一面に対向する加速度センサチップＡの主面において、この主面の１辺に沿って配置されている。この１辺の両端の２箇所と、当該１辺に平行な辺の１箇所（例えば、中央部）との３箇所とに頂点を有する仮想三角形の各頂点に接着部１０４が位置している。これにより、各パッドにボンディングワイヤＷを安定してボンディングすることができる。なお、接着部１０４の位置に関し、上記１辺に平行な辺の１箇所については、中央部に限らず、例えば、両端の一方でもよいが、中央部の方が半導体素子Ａをより安定して支持することができるとともに、各パッドにボンディングワイヤＷを安定してボンディングすることができる。
【００２０】
制御ＩＣチップＢは、単結晶シリコン等から成る半導体基板上に形成された複数の半導体素子、これらを接続する配線、及び半導体素子や配線を外部環境から保護するパッシベーション膜からなる半導体チップである。そして、制御ＩＣチップＢの裏面全体がシリコーン系樹脂によりプラスチックパッケージ本体１０２の底面に固着されている。制御ＩＣチップＢ上に形成される信号処理回路は、加速度センサチップＡの機能に応じて適宜設計すればよく、加速度センサチップＡと協働するものであればよい。例えば、制御ＩＣチップＢをＡＳＩＣ（Application  Specific  ＩＣ）として形成することができる。
【００２１】
図１の半導体装置を製造するには、先ず、加速度センサチップＡ及び制御ＩＣチップＢをプラスチックパッケージ本体１０２に固着するダイボンディング工程を行う。そして、加速度センサチップＡと制御ＩＣチップＢとの間、制御ＩＣチップＢとインナリード１１２ａとの間を、それぞれボンディングワイヤＷを介して電気的に接続するワイヤボンディング工程を行う。その後、樹脂被覆部１１６を形成する樹脂被覆部形成工程を行い、続いて、パッケージ蓋（リッド）１０３の外周を、プラスチックパッケージ本体１０２に接合するシーリング工程を行う。これにより、プラスチックパッケージ本体１０２の内部は気密状態で封止される。なお、パッケージ蓋１０３の適宜部位には、レーザマーキング技術により、製品名称や製造日時などを示す表記１１３が形成されている。
【００２２】
なお、制御ＩＣチップＢが１枚のシリコン基板を用いて形成されているのに対して、加速度センサチップＡは、積層された複数の基板を用いて形成されている。よって、加速度センサチップＡの厚みが制御ＩＣチップＢの厚みに比べて厚くなっているので、プラスチックパッケージ本体１０２の底部において加速度センサチップＡを搭載する搭載面１０２ａを制御ＩＣチップＢの搭載部位よりも凹ませてある。したがって、プラスチックパッケージ本体１０２の底面について、加速度センサチップＡを搭載する部位の厚みは他の部位に比べて薄くなっている。
【００２３】
更に、本発明の第１の実施の形態では、プラスチックパッケージ本体１０２の外形を直方体としてあるが、これは一例であり、加速度センサチップＡや制御ＩＣチップＢの外形、リード１１２の本数やピッチなどに応じて適宜設定すればよい。
【００２４】
プラスチックパッケージ本体１０２の材料としては、熱可塑性樹脂の一種であって、酸素および水蒸気の透過率が極めて低い液晶性ポリエステル（ＬＣＰ）を採用する。しかし、ＬＣＰに限らず、例えば、ポリフェニレンサルファイト（ＰＰＳ）、ポリビスアミドトリアゾール（ＰＢＴ）などを採用してもよい。
【００２５】
また、各リード１１２の材料、つまり、各リード１１２の基礎となるリードフレームの材料としては、銅合金の中でもばね性の高いりん青銅を採用する。ここでは、リードフレームとして、材質がりん青銅で板厚が０．２ｍｍのリードフレームを用い、厚みが２μｍ〜４μｍのＮｉ膜と、厚みが０．２μｍ〜０．３μｍのＡｕ膜との積層膜からなるめっき膜を電解めっき法により形成してある。これにより、ワイヤボンディングの接合信頼性と半田付け信頼性とを両立させることができる。また、熱可塑性樹脂成形品のプラスチックパッケージ本体１０２は、リード１１２が同時一体に成形されている。しかし、熱可塑性樹脂であるＬＣＰにより形成されるプラスチックパッケージ本体１０２とリード１１２のＡｕ膜とは密着性が低い。したがって、上述のリードフレームのうちプラスチックパッケージ本体１０２に埋設される部位にパンチ穴を設けることで各リード１１２が抜け落ちるのを防止する。
【００２６】
また、図１の半導体装置は、インナリード１１２ａの露出部位およびその周囲を覆う樹脂被覆部１１６が設けられている。樹脂被覆部１１６は、例えば、アミン系エポキシ樹脂などのエポキシ系樹脂などの非透湿性の樹脂からなる。ワイヤボンディング工程の後に、ディスペンサを用いてこの非透湿性の樹脂を塗布し、これを硬化させることで、気密性を向上させている。なお、この非透湿性の樹脂に代えてセラミックスを用いてもよく、セラミックスを用いる場合には、プラズマ溶射などの技術を用いて局所的に吹き付ければよい。
【００２７】
また、ボンディングワイヤＷとしては、Ａｌワイヤに比べて耐腐食性の高いＡｕワイヤを用いる。また、直径が２５μｍのＡｕワイヤを採用するが、これに限らず、例えば、直径が２０μｍ〜５０μｍのＡｕワイヤから適宜選択すればよい。
【００２８】
図２を参照して、図１の加速度センサチップＡの概略構成を説明する。加速度センサチップＡは、静電容量型の加速度センサチップであって、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）
基板１０を用いて形成されたセンサ本体１と、ガラス基板２０を用いて形成された第１の固定基板２と、ガラス基板３０を用いて形成された第２の固定基板３とを備えている。第１の固定基板２は、センサ本体１の一表面側（図２における上面側）に固着され、第２の固定基板３は、センサ本体１の他表面側（図２における下面側）に固着される。第１及び第２の固定基板２、３はセンサ本体１と同じ外形寸法に形成されている。
【００２９】
なお、図２は、センサ本体１、第１の固定基板２及び第２の固定基板３のそれぞれの構成を示すべく、センサ本体１、第１の固定基板２及び第２の固定基板３が分離した状態を示している。また、センサ本体１は、ＳＯＩ基板１０に限らず、例えば、絶縁層を備えない通常のシリコン基板を用いて形成してもよい。また、第１及び第２の固定基板２、３は、それぞれ、シリコン基板及びガラス基板のどちらで形成してもかまわない。
【００３０】
センサ本体１は、２つの平面視矩形状の開口窓１２が上記一表面に沿って並設するフレーム部１１と、フレーム部１１の各開口窓１２の内側に配置された２つの平面視矩形状の重り部１３と、フレーム部１１と重り部１３との間を連結する各一対の支持ばね部１４とを備える。
【００３１】
２つの平面視矩形状の重り部１３は、第１及び第２の固定基板２、３からそれぞれ離間して配置されている。第１の固定基板２に対向する各重り部１３の主面上に可動電極１５Ａ、１５Ｂがそれぞれ配置されている。重り部１３の周囲を囲むフレーム部１１の外周全体が第１及び第２の固定基板２、３に接合されている。これにより、フレーム部１１と第１及び第２の固定基板２、３は、重り部１３及び後述する固定子１６を収納するチップサイズパッケージを構成している。
【００３２】
一対の支持ばね部１４は、フレーム部１１の各開口窓１２の内側で重り部１３の重心を通る直線に沿って重り部１３を挟む形で配置されている。各支持ばね部１４は、ねじれ変形が可能なトーションばね（トーションバー）であって、フレーム部１１及び重り部１３に比べて薄肉に形成されており、重り部１３は、フレーム部１１に対して一対の支持ばね部１４の回りで変位可能となっている。
【００３３】
センサ本体１のフレーム部１１には、各開口窓１２それぞれに連通する平面視矩形状の窓孔１７が２つの開口窓１２と同じ方向に並設されている。各窓孔１７の内側には、それぞれ２つの固定子１６が一対の支持ばね部１４の並設方向に沿って配置されている。
【００３４】
各固定子１６と窓孔１７の内周面との間、各固定子１６と重り部１３の外周面との間、及び隣り合う固定子１６同士の間には、それぞれ隙間が形成され、互いに分離独立して電気的に絶縁されている。各固定子１６は、第１及び第２の固定基板２、３にそれぞれ接合されている。また、センサ本体１の一表面側において、各固定子１６には、例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜などの金属薄膜からなる円形状の電極パッド１８が形成されている。また同様に、フレーム部１１において隣り合う窓孔１７の間の部位にも、例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜などの金属薄膜からなる円形状の電極パッド１８が形成されている。
【００３５】
各固定子１６に形成された各電極パッド１８は、後述の各固定電極２５に電気的にそれぞれ接続され、フレーム部１１に形成された電極パッド１８は、可動電極１５Ａ及び可動電極１５Ｂに電気的に接続されている。以上説明した複数の電極パッド１８は、加速度センサチップＡの矩形状の外周形状の１辺に沿って配置されている。
【００３６】
第１の固定基板２は、第１の固定基板２の第１の主面とこれに対向する第２の主面（センサ本体１に重なり合う面）との間を貫通している複数の配線２８と、第２の主面上に形成された複数の固定電極２５とを備える。
【００３７】
固定電極２５Ａａ及び固定電極２５Ａｂは、対を成して可動電極１５Ａに対向して配置されている。同様に、固定電極２５Ｂａ及び固定電極２５Ｂｂは、対を成して可動電極１５Ｂに対向して配置されている。各固定電極２５は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜などの金属薄膜からなる。
【００３８】
各配線２８は、第１の固定基板２の第２の主面において、センサ本体１の電極パッド１８にそれぞれ電気的に接続されている。第１の固定基板２の第２の主面のうち配線２８の他端が位置する領域には金属電極２９が形成されている。これにより、電極パッド１８を介して、各固定電極２５の電位及び可動電極１５の電位をそれぞれ加速度センサチップＡの外部へ取り出すことができる。
【００３９】
第２の固定基板３の一表面（センサ本体１に重なり合う面）であって、重り部１３と対応する位置に、例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜などの金属薄膜からなる付着防止膜３５が配置されている。付着防止膜３５は、変位する重り部１３の付着を防止する。
【００４０】
図３を参照して、図２の加速度センサチップＡの断面構成を説明する。図３は、一対の支持ばね部１４を通る直線に垂直な切断面における加速度センサチップＡの構成を示す。センサ本体１はＳＯＩ基板１０を用いて形成されている。ＳＯＩ基板１０は、単結晶シリコンからなる支持基板１０ａと、支持基板１０ａの上に配置されたシリコン酸化膜からなる絶縁層１０ｂと、絶縁層１０ｂの上に配置されたｎ形のシリコン層（活性層）１０ｃとを有する。
【００４１】
センサ本体１のうち、フレーム１１及び固定子１６は、第１の固定基板２及び第２の固定基板３に接合されている。これに対して、重り部１３は、第１及び第２の固定基板２、３からそれぞれ離間して配置され、一対の支持ばね部１４によりフレーム１１に支持されている。
【００４２】
重り部１３の過度の変位を規制する複数の微小な突起部１３ｃが、重り部１３における第１及び第２の固定基板２、３のそれぞれとの対向面から突設されている。重り部１３には、矩形状に開口された凹部１３ａ、１３ｂが形成されている。凹部１３ａ、１３ｂは互いに大きさが異なるため、一対の支持ばね部１４を通る直線を境にして、重り部１３の左右の質量が異なっている。
【００４３】
第１の固定基板２の配線２８の一端は、電極パッド１８に電気的に接続されている。電極パッド１８は、固定子１６、連絡用導体部１６ｄ、金属配線２６を通じて、固定電極２５に接続されている。配線２８の他端には金属電極２９が電気的に接続され、金属電極２９は、第１の固定基板２の第１の主面に表出している。そして、ボンディングワイヤＷは、金属電極２９にボンディングされている。金属電極２９をボンディングパッドとして用いる。
【００４４】
上述の加速度センサチップＡは、センサ本体１に設けられた可動電極１５と第１の固定基板２に設けられた固定電極２５との対を４対有し、可動電極１５と固定電極２５との対ごとに可変容量コンデンサが構成されている。加速度センサチップＡ、すなわち重り部１３に加速度が加わると、支持ばね部１４がねじれて、重り部１３が変位する。これにより、対をなす固定電極２５と可動電極１５との対向面積及び間隔が変化し、可変容量コンデンサの静電容量が変化する。よって、加速度センサチップＡは、この静電容量の変化から加速度を検出することができる。
【００４５】
このように、ＭＥＭＳデバイスの一例としての加速度センサチップＡは、入力された電気信号に基づいて、センシング対象（加速度）に応じた電気信号を出力するセンサ本体１と、センサ本体１を支持する第１の固定基板２及び第２の固定基板３とを備える。第１の固定基板２に埋め込まれた配線２８は、センサ本体１に入力される電気信号及びセンサ本体１から出力される電気信号を伝達する。
【００４６】
次に、図４（ｇ）を参照して、図２及び図３に示した第１の固定基板２の形成に用いられるガラス基板２０の一例としてのガラス埋込シリコン基板の構成を説明する。ガラス埋込シリコン基板は、対向する表裏面を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の表裏面を貫通する配線部材（５２、５５）とを備える。配線部材（５２、５５）は、ガラス基板５４の内部に配置されたシリコン部材５２と、シリコン部材５２の一端に接触し、且つガラス基板５４の表面と同一平面上に表出した第１の金属膜５５とを備える。シリコン部材５２の他端は、ガラス基板５４の裏面側に表出している。ガラス基板５４は、例えば、ナトリウムなどのアルカリ金属を含むガラス材料で構成すればよい。また、シリコン部材５２は、ｎ型又はｐ型の不純物が高濃度に添加された単結晶シリコンで構成すればよい。
【００４７】
このように、ガラス埋込シリコン基板は、ガラス基板５４にシリコン部材５２が埋め込まれたものである。そして、シリコン部材５２の一端には第１の金属膜５５が接続され、第１の金属膜５５はガラス基板５４の表面に表出している。シリコン部材５２の他端は、ガラス基板５４の裏面側に表出している。よって、図４（ｇ）のシリコン部材５２を図２及び図３に示した配線２８に当てはめ、図４（ｇ）のガラス基板５４を図２及び図３に示したガラス基板２０に当てはめる。そして、図４（ｇ）の第１の金属膜５５を図２及び図３に示した金属電極２９に当てはめる。これにより、図２及び図３に示した第１の固定基板２の形成に用いられるガラス基板２０に、図４（ｇ）に示したガラス埋込シリコン基板を適用することができる。この場合、図４（ｇ）の配線部材（５２、５５）は、図２及び図３に示したセンサ本体１に入力される電気信号及びセンサ本体１から出力される電気信号を伝達する。
【００４８】
図４（ａ）〜図４（ｆ）を参照して、図４（ｇ）に示したガラス埋込シリコン基板の製造方法を説明する。
【００４９】
（イ）先ず、図４（ｂ）に示すように、対向する第１の主面（図４における上面）ＳＦ１及び第２の主面（図４における下面）ＳＦ２を有する単結晶シリコンから成るシリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１に、単結晶シリコンからなる凸部５２を形成する（第１の工程）。凸部５２は、その頂上部に第１の金属膜５５を有する。なお、シリコン基板５１の全体には、ｐ型或いはｎ型の不純物が添加され、シリコン基板５１の電気抵抗は十分に小さい。ここでは、シリコン基板５１の全体に不純物を添加する場合を説明するが、シリコン基板５１全体に添加されていなくても構わない。少なくとも、図４（ｇ）のシリコン部材５２として残す部分の深さまで不純物が添加されていればよい。
【００５０】
（ロ）詳細には、図４（ａ）に示すように、先ず、対向する平坦な第１の主面及び平坦な第２の主面を有するシリコン基板５１を用意する（第１段階）。シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１の凸部５２を形成する領域に、第１の金属膜５５を選択的に形成する（第２段階）。具体的には、フォトリソグラフィ方法、及びメッキ処理、スパッタリング、或いは化学的気相成長法（ＣＶＤ）等の成膜方法により、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１上に、第１の金属膜５５を形成する。
【００５１】
（ハ）図４（ｂ）に示すように、第１の金属膜５５よりもシリコン基板５１のエッチング速度が速い異方性のエッチング方法を用いて、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１を選択的に除去する（第３段階）。具体的には、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液をエッチャントとするウェットエッチングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などのドライエッチングによりシリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１の所定領域を除去する。この時、第１の金属膜５５はエッチングマスクとして機能する。すなわち、第１の金属膜５５が形成されていない、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１の所定領域を、選択的に除去する。以上の段階を経て、シリコン基板５１の主面に凸部５２を形成する。
【００５２】
（ニ）図４（ｃ）に示すように、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１のうち、凸部５２の周囲に第２の金属膜５６を形成する（第７の工程）。具体的には、メッキ処理、スパッタリング、或いは化学的気相成長法（ＣＶＤ）等の成膜方法により、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１上に、金、銅やアルミニウムからなる金属膜を堆積する。なお、金属膜は、マスクを介さずに、第１の主面ＳＦ１全体に堆積させてもよい。これにより、金属膜は、凸部５２の頂上部及び凸部５２の底面に堆積される。この場合、凸部５２の周囲に堆積される金属膜を第２の金属膜５６とし、凸部５２の頂上部に堆積される金属膜を第１の金属膜５５の一部とすればよい。すなわち、第１の金属膜５５を、エッチングマスクとして成膜された部分と、第２の金属膜５６と同時に成膜された部分とから成る。
【００５３】
（ホ）図４（ｄ）に示すように、対向する第３の主面（図４における下面）ＳＦ３及び第４の主面（図４における上面）ＳＦ４を有するガラス基板５４の第３の主面ＳＦ３をシリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１に重ね合わせる（第２の工程）。なお、重ね合わせたシリコン基板５１とガラス基板５４を、陽極接合、表面活性化結合、樹脂接着などの方法により接合してもよい。
【００５４】
（へ）その後、図４（ｅ）に示すように、ガラス基板５４に熱を加えて軟化させて、ガラス基板５４の一部をシリコン基板５１の凸部５２の周囲に埋め込む（第３の工程）。具体的には、平坦な板状の加熱・加圧治具でガラス基板５４とシリコン基板５１を挟み、ガラス基板５４をその屈伏点よりも高く且つシリコンの融点よりも低い温度まで加熱して軟化させる。そして、加熱・加圧治具を用いて、ガラス基板５４とシリコン基板５１をプレスする。プレス処理及びガラスの自重によって、軟化したガラス基板５４の一部は、シリコン基板５１の凸部５２の周囲に埋め込まれる。なお、ガラス基板５４とシリコン基板５１の配置を入れ替えた場合、ガラスの自重の代りに、シリコン基板５１の自重となる。
【００５５】
（ト）その後、ガラス基板５４を冷却する（第４の工程）。そして、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４を均一に除去する（第５の工程）。第５の工程は、図４（ｆ）に示すように、少なくともガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に第１の金属膜５５が露出するまで、実施する。この第５の工程において、少なくとも、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施する。
【００５６】
具体的には、先ず、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に対して、ダイヤモンド砥石を用いた研削を実施する。この研削は、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に第１の金属膜５５が露出する前に終了する。その後、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に対して、化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施する。ＣＭＰは、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に第１の金属膜５５が露出するまで、実施する。これにより、凸部５２の頂上面（第１の金属膜５５）が露出したガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４を、鏡面に仕上げることができる。なお、「ＣＭＰ」は、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨の一例である。
【００５７】
（チ）シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を均一に除去する（第８の工程）。第８の工程は、図４（ｆ）に示すように、少なくともシリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に第２の金属膜５６が露出するまで、実施する。この第８の工程において、少なくとも、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨を実施する。
【００５８】
具体的には、先ず、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に対して、ダイヤモンド砥石を用いた研削を実施する。この研削は、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に第２の金属膜５６が露出する前に終了する。その後、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に対して、化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施する。ＣＭＰは、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に第２の金属膜５６が露出するまで、実施する。これにより、凸部５２の周囲に形成された第２の金属膜５６が露出したシリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を、鏡面に仕上げることができる。
【００５９】
（リ）その後、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に露出した第２の金属膜５６を、ウェットエッチング方法により除去する（第９の工程）。具体的には、第２の金属膜５６を溶解し、且つシリコン基板５１及びガラス基板５４へ損傷を与えないエッチャントを用いたウェットエッチングを、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に対して実施すればよい。以上の工程を経て、図４（ｇ）に示したガラス埋込シリコン基板を製造することができる。
尚、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２における段差は、第２の金属膜５６の膜厚を調整することにより制御することができる。
【００６０】
なお、第１の金属膜５５及び第２の金属膜５６としては、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）又はこれらの合金を用いればよい。これらの金属は、シリコン基板５１ガラス基板５４よりも、ＣＭＰにおける研磨レートが小さい。
【００６１】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態によれば、以下の作用効果が得られる。
【００６２】
図４（ｆ）に示した第５の工程では、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に第１の金属膜５５が露出するまで、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４を均一に削り取る。また、第５の工程において、少なくとも、機械的研磨の一例としてのＣＭＰを実施する。よって、第１の金属膜５５は、第５の工程における機械的研磨時のストッパ層として機能する。すなわち、ガラス基板５４を研磨し、研磨面に凸部５２の頂上部が表出した時点で研磨を停止する研磨処理において、研磨面に表出するシリコンからなる凸部５２の上に第１の金属膜５５を配置する。これにより、研磨面上に存在するシリコン（凸部５２）とガラス（ガラス基板５４）を同時に研磨することなく、研磨処理を停止することができる。よって、シリコンとガラスの研磨レートの差に起因する研磨停止面の段差を抑制することができる。
【００６３】
同様に、図４（ｆ）に示した第８の工程では、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に第２の金属膜５６が露出するまで、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を均一に削り取る。また、第８の工程において、少なくとも、機械的研磨の一例としてのＣＭＰを実施する。よって、第２の金属膜５６は、第８の工程における機械的研磨時のストッパ層として機能する。すなわち、シリコン基板５１を研磨し、研磨面に凸部５２の周囲に埋め込まれたガラス基板５４の一部が表出した時点で研磨を停止する研磨処理において、研磨面に表出するガラス基板５４の上に第２の金属膜５６を配置する。これにより、研磨面上に存在するシリコン基板５１とガラス基板５４を同時に研磨することなく、研磨処理を停止することができる。よって、シリコンとガラスの研磨レートの差に起因する研磨停止面の段差を抑制することができる。
【００６４】
また、ＭＥＭＳデバイスの一例としての加速度センサチップＡの第１の固定基板２として、図４に示したガラス埋込シリコン基板を適用した場合、図１〜図３に示したように、ワイヤボンディングＷを加速度センサチップＡに接続する際のパッドとして、第１の金属膜５５を用いることができる。よって、パッドを形成する工程を減らすことができる。
【００６５】
また、第１の工程は、平坦な第１の主面ＳＦ１を有するシリコン基板５１を用意する第１段階と、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１の凸部５２を形成する領域に、第１の金属膜５５を選択的に形成する第２段階と、第１の金属膜５５よりもシリコン基板５１のエッチング速度が速い異方性のエッチング方法を用いて、平坦な第１の主面ＳＦ１を選択的に除去する第３段階とを有する。これにより、シリコン基板５１を選択的にエッチングする第３段階において、第１の金属膜５５をエッチングマスクとして利用することができる。よって、別途エッチングマスクを形成する工程が省略され、製造工程を簡略化することができる。
【００６６】
（第２の実施の形態）
図２及び図３に示した第１の固定基板２の形成に用いられるガラス基板２０の他の例として、図５（ｅ）に示したガラス埋込シリコン基板を適用してもよい。
【００６７】
図５（ｅ）を参照して、第２の実施の形態に係わるガラス埋込シリコン基板の構成を説明する。ガラス埋込シリコン基板は、対向する表裏面を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の表裏面を貫通する配線部材５２とを備える。配線部材５２は、ガラス基板５４の内部に配置されたシリコン部材５２を備える。図５（ｅ）のガラス埋込シリコン基板は、図４（ｇ）のガラス埋込シリコン基板と比べて、ガラス基板５４の表面に
第２の金属膜５６が除去されることにより形成された段差がない点が異なっている。
【００６８】
図５（ａ）〜図５（ｄ）を参照して、図５（ｅ）に示したガラス埋込シリコン基板の製造方法を説明する。
【００６９】
（イ）先ず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、単結晶シリコンから成るシリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１に、単結晶シリコンからなる凸部５２を形成する（第１の工程）。凸部５２は、その頂上部に第１の金属膜５５を有する。この第１の工程は、第１の実施の形態と同じ工程であり、説明を省略する。
【００７０】
（ロ）図５（ｃ）に示すように、対向する第３の主面（図５における下面）ＳＦ３及び第４の主面（図５における上面）ＳＦ４を有するガラス基板５４の第３の主面ＳＦ３をシリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１に重ね合わせる（第２の工程）。この第２の工程も、第１の実施の形態と同じ工程であり、説明を省略する。
【００７１】
なお、第２の実施の形態では、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１のうち、凸部５２の周囲に第２の金属膜５６を形成する工程（第７の工程）を実施しない。
【００７２】
（ハ）その後、図５（ｄ）に示すように、ガラス基板５４に熱を加えて軟化させて、ガラス基板５４の一部をシリコン基板５１の凸部５２の周囲に埋め込む（第３の工程）。その後、ガラス基板５４を冷却する（第４の工程）。そして、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４を均一に除去する（第５の工程）。これらの第３〜第５の工程も、第１の実施の形態と同じ工程であり、説明を省略する。
【００７３】
（ニ）シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を均一に除去する。この工程は、図４（ｆ）に示した第８の工程とは異なり、少なくともシリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２にガラス基板５４の一部が露出するまで、実施する。
【００７４】
具体的には、先ず、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に対して、ダイヤモンド砥石を用いた研削を実施する。この研削は、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２にガラス基板５４の一部が露出するまで実施する。その後、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に対して、化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施する。これにより、ガラス基板５４の一部が露出したシリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を、鏡面に仕上げることができる。
以上の工程を経て、図５（ｅ）に示したガラス埋込シリコン基板を製造することができる。
【００７５】
第１の金属膜５５が不要である場合は、これを以下のようにして除去することにより、シリコン基板５１の内部にガラスだけが配置されたガラス埋込シリコン基板を製造することができる。
【００７６】
（ホ）ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に露出した第１の金属膜５５を、ウェットエッチング方法により除去する（第６の工程）。具体的には、第１の金属膜５５を溶解し、且つシリコン基板５１及びガラス基板５４へ損傷を与えないエッチャントを用いたウェットエッチングを、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に対して実施すればよい。以上の工程を経て、シリコン基板５１の内部にガラスだけが配置されたガラス埋込シリコン基板を製造することができる。
この際、第５の工程を終了した時点での第１の金属膜５５の膜厚を十分に薄くすることにより、第１の金属膜５５を除去しても、シリコン基板５１の凸部５２とガラス基板５４の段差を小さくすることができる。もちろん、第６の工程を実施せずに、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に露出した第１の金属膜５５を残しておいても構わない。
【００７７】
以上説明したように、第２の実施の形態では、シリコン基板５１の第１の主面ＳＦ１のうち、凸部５２の周囲に第２の金属膜５６を形成する工程（第７の工程）を実施しない。このため、ストッパ層を用いることなく、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２の研磨処理を従来の方法で実施することができる。
【００７８】
以上の２つの実施形態で示した凸部５２接続された第１の金属膜５５は、例えば、図３等に示した固定電極２５などとして利用することができる。
【００７９】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は、２つの実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００８０】
上記した本発明の実施の形態では、第１の金属膜５５を凸部５２形成時のエッチングマスクとして用いた場合を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図４（ａ）において、シリコン酸化膜を第１の金属膜５５の代りに同じパターンで形成し、これをエッチングマスクとして用いてシリコン基板５１をエッチングして凸部５２を形成する。そして、シリコン酸化膜を除去後に、図４（ｂ）において、金属膜を堆積して、第１の金属膜５５及び第２の金属膜５６を同時に形成すればよい。
【００８１】
また、シリコン基板５１の主面に凸部５２を形成する第１段階では、単結晶シリコンから成るシリコン基板５１の一部を加工して、単結晶シリコンから成る凸部５２を形成していた。しかし、これに限定されることない。例えば、単結晶シリコンから成るシリコン基板５１の主面に、多結晶シリコンから成るシリコン膜を堆積し、シリコン膜の一部を除去して多結晶シリコンから成る凸部５２を形成してもよい。この場合、多結晶シリコンから成るシリコン膜を堆積した後に、金属膜を堆積し、シリコン膜と金属膜の一部を選択的に除去して、多結晶シリコンから成る凸部５２の頂上部に第１の金属膜５５を形成すればよい。
【００８２】
更に、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４を均一に除去する工程（第５の工程）と、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２を均一に除去する工程（第８の工程）は、どちらを先に実施しても構わない。また、ガラス基板５４の第４の主面ＳＦ４に露出した第１の金属膜５５を除去する工程（第６の工程）や、シリコン基板５１の第２の主面ＳＦ２に露出した第２の金属膜５６を除去する工程（第９の工程）は、第５の工程や第８の工程の後であれば、いつ実施しても構わない。
【００８３】
本発明の実施の形態では、ＭＥＭＳデバイスの一例として静電容量型の加速度センサチップＡについて説明したが、本発明は、静電容量型の加速度センサチップＡ以外のＭＥＭＳデバイス、例えば、ピエゾ抵抗型の加速度センサチップ、ジャイロセンサ、マイクロアクチュエータ、マイクロリレー、赤外線センサ等や、ＩＣチップなどにも適用することができる。即ち、センサ本体１によるセンシング対象は、加速度に限らず、圧力、角度、角速度等であってもよい。
【００８４】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【国際調査報告】
2011118788.tif 000008
2011118788.tif 000009