(57)【要約】［課題］  厚みを薄くした基板内蔵用電子部品および部品内蔵型基板を提供し、電子機器の小型・軽量化により貢献する。［解決手段］  一対の磁性体層（１０１、１０２）の間に、絶縁体（１０３〜１０５）で保護された平面型コイル（１１０、１１１）を挟装して構成した基板内蔵用電子部品（１００）において、前記一対の磁性体層（１０１、１０２）のいずれか一方または双方の所定位置に形成された孔（１０６〜１０９）または開口もしくは欠損部を備え、前記所定位置は前記平面型コイル（１１０、１１１）の端子電極（１１２〜１１５）に対向した位置である。
2011145490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の磁性体層と、
前記一対の磁性体層の間に配設された平面型コイルと、
前記一対の磁性体層間であり、かつ前記平面型コイルの両面を挟むように配設された複数の絶縁体層と、
前記平面型コイルは少なくとも一方の端末に端子電極が設けられており、
前記磁性体層には、前記一方の端子電極の位置に相当する部位に孔、開口もしくは欠損部が設けられている
ことを特徴とする基板内蔵用電子部品。
【請求項２】
前記磁性体層は矩形状平面を有しているとともに、前記平面型コイルの前記一方の端子電極は、前記磁性体層のコーナ部に相当する位置になるように形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の基板内蔵用電子部品。
【請求項３】
前記端子電極は、前記平面型コイルの両端に形成されているとともに、前記平面型コイルの両端間の１箇所ないし複数箇所の任意の位置にも形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の基板内蔵用電子部品。
【請求項４】
前記磁性体層の前記孔、開口もしくは欠損部は、前記平面型コイルの端子電極の大きさに略相当するか、またはそれより小さな開口面積を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の基板内蔵用電子部品。
【請求項５】
前記孔、開口もしくは欠損部を介して前記端子電極を引き出せるように、前記絶縁体層の相当する位置に孔もしくは開口を設けたことを特徴とする請求項１に記載の基板内蔵用電子部品。
【請求項６】
前記平面型コイルは第1の平面型コイルと第２の平面型コイルとで構成され、前記第1の平面型コイルと前記第２の平面型コイルとが直列接続されており、前記第1の平面型コイルの一方の端子電極と前記第２の平面型コイルの一方の端子電極とは、前記絶縁体層が矩形状であるとともに、前記絶縁体層の一辺側の異なるコーナ部に相当する位置に配設されている
ことを特徴とする請求項１に記載の基板内蔵用電子部品。
【請求項７】
前記端子電極のうち一方の端子電極は前記絶縁体層のコーナ部に相当する位置であり、他方の端子電極は、前記絶縁体層の中央部側に相当する位置に配設されている
ことを特徴とする請求項６に記載の基板内蔵用電子部品。
【請求項８】
前記第1の平面型コイルと前記第２の平面型コイルとの直列接続は、前記第1の平面型コイルと前記第２の平面型コイルの中央部側に相当する位置に配設されている端子電極同士を、これらの間の絶縁体層に設けた表裏貫通電極を介して行われている
ことを特徴とする請求項７に記載の基板内蔵用電子部品。
【請求項９】
前記第1の平面型コイルの一方の端子電極と前記第２の平面型コイルの一方の端子電極とは、前記絶縁体層の一辺側における異なる平面の左右に分かれた位置に相当するコーナ部に配設されている
ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の基板内蔵用電子部品。
【請求項１０】
前記第1の平面型コイルの一方の端子電極と前記第２の平面型コイルの一方の端子電極とは、前記絶縁体層の一辺側に相当する異なるコーナ部に平面型コイルに接続されない端子電極がそれぞれ設けられており、前記第1の平面型コイルの一方の端子電極と前記第２の平面型コイル側に設けられた前記接続されない端子電極とは、前記絶縁体層に設けた表裏貫通電極を介して接続されており、前記第２の平面型コイルの一方の端子電極と前記第１の平面型コイル側に設けられた前記接続されない端子電極とは、前記絶縁体層に設けた表裏貫通電極を介して接続されている
ことを特徴とする請求項６に記載の基板内蔵用電子部品。
【請求項１１】
請求項１に記載の基板内蔵用電子部品を埋設するとともに、前記基板内蔵用電子部品の前記孔、開口もしくは欠損部を通じて、前記絶縁体層に孔または開口を形成した後、導電性材料を形成し、前記導電性材料を介して、前記基板内蔵用電子部品の端子電極を基板側に設けられた電極に導通させたことを特徴とする部品内蔵型基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板内蔵用電子部品および部品内蔵型基板に関し、特に基板内蔵用のインダクタ素子およびそのインダクタ素子を内蔵した部品内蔵型基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な電子機器の小型・軽量化が著しい。これは、電子部品の微小化やその実装技術の進歩によるものであり、とりわけ、プリント配線板等の電子基板の内部に所要の電子部品を埋め込んだ、いわゆる「部品内蔵型基板」の技術進歩によるところが大きい。特に、基板の厚み内に電子部品を完全に埋設したものは、基板表裏面を平坦化することにより、電子機器の小型・軽量化に大きく寄与する。【０００３】
部品内蔵型基板に埋設される電子部品のことを「基板内蔵用電子部品」ということもある。基板内蔵用電子部品の代表はＩＣチップ等の半導体集積回路や抵抗素子および容量素子である。しかし、今日においては、これらの基板内蔵用電子部品、すなわち、半導体集積回路、抵抗素子および容量素子を完全に埋設した極薄の部品内蔵型基板が実用化されている。【０００４】
さて、上記の例示（基板内蔵用電子部品の例）には「インダクタ素子」またはコイル素子ともいうが含まれていない。これは、半導体集積回路や抵抗素子または容量素子に比べて厚みがあるからであり、基板に埋め込んだ場合、基板を薄くできず、あるいは、薄型基板に埋め込んだ場合、インダクタ素子の一部が基板の表面または裏面に突出するからである。【０００５】
図２０は、従来のインダクタ素子の構造図である。この図に示されているように、インダクタ素子１は、コイルパターン２、３を内部に形成した積層主体部４と、その積層主体部４の両側端に形成された端子電極５、６と、を有しており、端子電極５、６とコイルパターン２、３との間を電気的に接続して構成されている。【０００６】
このような部品形状は、プリント基板の表面に半田付けのみによって実装することができるように製造された電子部品、いわゆる表面実装部品の典型である。すなわち、プリント基板は、電子部品用の配線を施した基板のことであり、そのプリント基板に電子部品を実装する場合、古くからの方法では、基板に穴を開けてピンを通し、通したピンを半田付けすることで装着していた。しかし、表面実装部品の登場により、プリント基板の表面に電子部品を直接半田付けすることによって簡単に実装できるようになった。プリント基板に穴を開ける必要がないため、半田付け用のリード線部分が不要となるうえ、ピン間隔もいっそう狭くすることが可能となり、小型化・高密度化を実現できるようになった。【０００７】
基板内蔵用電子部品として用いられる抵抗素子や容量素子も、このインダクタ素子と同様の外観構造、すなわち、表面実装部品の形を有しているが、インダクタ素子に比べて厚みが薄いため、基板に埋め込んだ場合も基板の厚みを増す等の不都合を招かない。しかしながら、インダクタ素子の厚みは、抵抗素子などに比べて厚いので、従来の表面実装部品の形のままでは、基板を薄くできないことから、何らかの対策が求められる。（図２０（ｃ）の符号Ｈ参照）【０００８】
かかる背景において、下記の特許文献１には、基板内にコイルを作り込む技術が記載されており、また、下記の特許文献２には、低背化に寄与する平面型インダクタの技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４１１２９１４号公報
【特許文献２】特許第３５４０７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、プリント配線板の内部にコイルを作り込む技術であって、要するに、完成品の電子部品、すなわち、インダクタ素子を基板に埋め込む技術ではない。このことから、仮にコイルを低背化して基板の薄型化に貢献し得たとしても、コイルの出来不出来が、そのまま基板の歩留まりになり、コスト面で好ましくない。
また、特許文献２に記載の技術は、電極構造についての開示が一切なく、従来同様の電極構造（図２０参照）と解するのが自然であるから、前記の不都合、すなわち、厚みが厚く基板を薄くできないという課題を解消できない。【００１１】
そこで、本発明は、厚みを薄くした基板内蔵用電子部品および部品内蔵型基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１の観点の発明は、一対の磁性体層と、前記一対の磁性体層の間に配設された平面型コイルと、前記一対の磁性体層間であり、かつ前記平面型コイルの両面を挟むように配設された複数の絶縁体層と、前記平面型コイルは少なくとも一方の端末に端子電極が設けられており、さらに前記磁性体層には、前記一方の端子電極の位置に相当する部位に孔、開口もしくは欠損部が設けられている基板内蔵用電子部品である。
第２の観点の発明は、前記磁性体層は矩形状平面を有しているとともに、前記平面型コイルの前記一方の端子電極は、前記磁性体層のコーナ部に相当する位置になるように形成されている第１の観点に記載の基板内蔵用電子部品である。
第３の観点の発明は、前記端子電極は、前記平面型コイルの両端に形成されているとともに、前記平面型コイルの両端間の１箇所ないし複数箇所の任意の位置にも形成されている第１の観点に記載の基板内蔵用電子部品である。
第４の観点の発明は、前記磁性体層の前記孔、開口もしくは欠損部は、前記平面型コイルの端子電極の大きさに略相当するか、またはそれより小さな開口面積を有する第１の観点に記載の基板内蔵用電子部品である。
第５の観点の発明は、前記孔、開口もしくは欠損部を介して前記端子電極を引き出せるように、前記絶縁体層の相当する位置に孔もしくは開口を設けた第１の観点に記載の基板内蔵用電子部品である。
第６の観点の発明は、前記平面型コイルは第1の平面型コイルと第２の平面型コイルとで構成され、前記第1の平面型コイルと前記第２の平面型コイルとが直列接続されており、前記第1の平面型コイルの一方の端子電極と前記第２の平面型コイルの一方の端子電極とは、前記絶縁体層が矩形状であるとともに、前記絶縁体層の一辺側の異なるコーナ部に相当する位置に配設されている第１の観点に記載の基板内蔵用電子部品である。
第７の観点の発明は、前記端子電極のうち一方の端子電極は前記絶縁体層のコーナ部に相当する位置であり、他方の端子電極は、前記絶縁体層の中心部側に相当する位置に配設されている第６の観点に記載の基板内蔵用電子部品である。
第８の観点の発明は、前記第1の平面型コイルと前記第２の平面型コイルとの直列接続は、前記第1の平面型コイルと前記第２の平面型コイルの中心部側に相当する位置に配設されている端子電極同士を、これらの間の絶縁体層に設けた表裏貫通電極を介して行われている第７の観点に記載の基板内蔵用電子部品である。
第９の観点の発明は、前記第1の平面型コイルの一方の端子電極と前記第２の平面型コイルの一方の端子電極とは、前記絶縁体層の一辺側における異なる平面の左右に分かれた位置に相当するコーナ部に配設されている第６の観点または第７の観点に記載の基板内蔵用電子部品である。
第１０の観点の発明は、前記第1の平面型コイルの一方の端子電極と前記第２の平面型コイルの一方の端子電極とは、前記絶縁体層の一辺側に相当する異なるコーナ部に平面型コイルに接続されない端子電極がそれぞれ設けられており、前記第1の平面型コイルの一方の端子電極と前記第２の平面型コイル側に設けられた前記接続されない端子電極とは、絶縁体層に設けた表裏貫通電極を介して接続されており、前記第２の平面型コイルの一方の端子電極と前記第１の平面型コイル側に設けられた前記接続されない端子電極とは、絶縁体層に設けた表裏貫通電極を介して接続されている第６の観点に記載の基板内蔵用電子部品である。
第１１の観点の発明は、第１の観点に記載の基板内蔵用電子部品を埋設するとともに、前記基板内蔵用電子部品の前記孔、開口もしくは欠損部を通じて、前記絶縁体層に孔または開口を形成した後、導電性材料を形成し、前記導電性材料を介して、前記基板内蔵用電子部品の端子電極を基板側に設けられた電極に導通させた部品内蔵型基板である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、厚みを薄くした基板内蔵用電子部品および部品内蔵型基板を提供することができ、電子機器の小型・軽量化により貢献する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係る基板内蔵用電子部品の外観図である。
【図２】基板内蔵用電子部品１００の構造を層ごとに分解して示す斜視図である。
【図３】基板内蔵用電子部品１００の特定の層の平面図である。
【図４】基板内蔵用電子部品１００の特定部分の断面図である。
【図５】実施形態の基板内蔵用電子部品１００の大きさと厚みを示す図である。
【図６】第１変形例に係る基板内蔵用電子部品２００の特定の層の平面図である。
【図７】第２変形例に係る基板内蔵用電子部品３００の特定の層の平面図である。
【図８】第３変形例に係る基板内蔵用電子部品４００の特定の層の平面図である。
【図９】基板内蔵用電子部品の他の構造例を示す斜視図である。
【図１０】部品内蔵型基板の製造工程の概要断面図（第１例／その１）である。
【図１１】部品内蔵型基板の製造工程の概要断面図（第１例／その２）である。
【図１２】部品内蔵型基板の製造工程の概要断面図（第１例／その３）である。
【図１３】部品内蔵型基板の製造工程の概要断面図（第２例／その１）である。
【図１４】部品内蔵型基板の製造工程の概要断面図（第２例／その２）である。
【図１５】部品内蔵型基板の製造工程の概要断面図（第２例／その３）である。
【図１６】部品内蔵型基板の製造工程の概要断面図（第３例／その１）である。
【図１７】部品内蔵型基板の製造工程の概要断面図（第３例／その２）である。
【図１８】部品内蔵型基板の製造工程の概要断面図（第３例／その３）である。
【図１９】「上下面」の双方から電極を引き出すようにした部品内蔵型基板６００の概要断面図である。
【図２０】従来のインダクタ素子の構造を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
＜基板内蔵用電子部品＞
図１は、実施形態に係る基板内蔵用電子部品の外観斜視図である。この基板内蔵用電子部品１００は、所定の間隔を隔てて対向する一対の磁性体層１０１、１０２の間に３層の絶縁樹脂層、すなわち中間絶縁樹脂層１０３、上部絶縁樹脂層１０４、下部絶縁樹脂層１０５を挟み込み、且つ、上部と下部の絶縁樹脂層１０４、１０５にそれぞれ後述する平面型コイルを形成したインダクタ素子である。その構成は、上面側の磁性体層１０１の“所定位置”に電極取り出し用の円形状の孔１０６、１０７を設けるとともに、下面側の磁性体層１０２の“所定位置”にも同様の電極取り出し用の円形状の孔１０８、１０９を設けたものである。このような“所定位置”については後述する。
【００１６】
磁性体層１０１、１０２は、たとえば、Ｆｅ系またはＣｏ系の厚さｔが１８μｍの金属軟磁性箔であり、中間絶縁樹脂層１０３、上部絶縁樹脂層１０４および下部絶縁樹脂層１０５は、たとえば、いずれもエポキシ樹脂ベースの絶縁材料である。または、磁性体層１０１、１０２に、たとえば、厚みが１μｍを下回るようなナノグラニュラー膜やフェライトメッキなどを使用してもよい。また、中間絶縁樹脂層１０３、上部絶縁樹脂層１０４および下部絶縁樹脂層１０５には、部品内蔵基板で使用する絶縁材料と同じもの、たとえば、クロスやフィラーが入っている絶縁材料を使用できる。だけれども、部品内蔵基板用の絶縁材料とは異なり、フィラーとして磁性体粉末、たとえば金属磁性体やフェライト等の磁性体を絶縁樹脂中に混錬したものを使用することができる。この場合、すなわち磁性体粉末を絶縁樹脂中に混錬した絶縁樹脂を使用したものでは、インダクタ素子の特性をより高めることができ、ひいてはインダクタ素子をより小さく薄くできるから好ましい。
【００１７】
図２は、基板内蔵用電子部品１００の構造を示す斜視図であり、理解を助けるために、各層を分離した状態を示した分解斜視図である。この図において、中間絶縁樹脂層１０３の上面側に形成された第一の平面型コイル１１０と、中間絶縁樹脂層１０３の下面側に形成された第二の平面型コイル１１１は、各々３つずつの電極、すなわち端子電極１１２〜１１４と端子電極１１５〜１１７と、を有している。
そして、これらの端子電極のうち、端子電極１１４と端子電極１１７とは、それぞれの平面型コイルの中心部側に位置している。端子電極１１２は、図において中間絶縁樹脂層１０３の一辺側の左側に位置し、端子電極１１３は右側に位置している。端子電極１１６は、中間絶縁樹脂層１０３の一辺側の右側に位置し、端子電極１１５は左側に位置している。端子電極１１３と端子電極１１５とは、それぞれ平面型コイルとの接続はない。端子電極１１２と端子電極１１５とは、中間絶縁樹脂層１０３を隔てて上下で対向している。また、端子電極１１３と端子電極１１６とは、中間絶縁樹脂層１０３を隔てて上下で対向している。端子電極１１４と端子電極１１７とは、中間絶縁樹脂層１０３を隔てて上下で対向している。
【００１８】
これらの端子電極１１２〜１１７は、対向する端子電極同士を中間絶縁樹脂層１０３に形成された３つの表裏貫通電極１１８〜１２０を介して電気的に接続されている。具体的には、端子電極１１２と端子電極１１５が表裏貫通電極１１８を介して接続されており、また、端子電極１１３と端子電極１１６が表裏貫通電極１１９を介して接続されており、さらに、端子電極１１４と端子電極１１７が表裏貫通電極１２０を介して接続されている。
それぞれの端子電極１１２〜１１７は、比較的大きく図示しているが、平面型コイル１１０、１１１の巻き数を多くするために、端子電極としての役割を果たす大きさであればよく、できる限り小さい面積であることが好ましい。端子電極１１３と端子電極１１５とは、上下で対向する引き出し用端子電極の中継端子電極として使われる。
【００１９】
第一の平面型コイル１１０は、所定の巻き数で周回する平面状のコイルパターンの両端に二つの端子電極１１２、１１４を接続したものであり、同様に、第二の平面型コイル１１１も、所定の巻き数で周回する平面状のコイルパターンの両端に二つの端子電極１１６、１１７を接続したものである。
【００２０】
上記のとおり、端子電極１１２と端子電極１１５との間、端子電極１１３と端子電極１１６との間、および、電極１１４と電極１１７との間が接続されているのであるから、これら一対のコイル、すなわち第一の平面型コイル１１０と第二の平面型コイル１１１は、一方の引き出し電極を「端子電極１１２または端子電極１１５」とするとともに、他方の引き出し電極を「端子電極１１３または端子電極１１６」とした、両面引き出し型のインダクタ（コイル）を構成する。
【００２１】
ここで、一対の平面型コイル１１０、１１１（端子電極１１２〜１１７を含む）は、前記のとおり、中間絶縁樹脂層１０３の上面側と下面側に各々形成されているとともに、且つ、それら一対の平面型コイル１１０、１１１（端子電極１１２〜１１７を含む）と磁性体層１０１、１０２との間に上部絶縁樹脂層１０４と下部絶縁樹脂層１０５が介装されている。そして、中間絶縁樹脂層１０３と上部絶縁樹脂層１０４および下部絶縁樹脂層１０は、いずれも“絶縁体”であるから、一対の平面型コイル１１０、１１１（端子電極１１２〜１１７を含む）は、絶縁体で保護されており、雰囲気中（空気中）に露出していない。このため、各絶縁樹脂層１０３〜１０５は、端子電極１１２〜１１７の酸化防止に役立つという利点もある。
【００２２】
この図から理解されるように、上面側の磁性体層１０１に形成された孔１０６、１０７、および下面側の磁性体層１０２に形成された孔１０８、１０９は、第一の平面型コイル１１０の両端引き出し用の端子電極１１２、１１３と、第二の平面型コイル１１１の両端引き出し用の端子電極１１５、１１６と、に各々対向している。具体的には、孔１０６、１０８と端子電極１１２、１１５と、が対向し、且つ、孔１０７、１０９と端子電極１１３、１１６とが対向している。このような、対向関係にある位置のことを本明細書では“所定位置”という。
【００２３】
図３は、基板内蔵用電子部品１００の平面図であり、（ａ）は磁性体層１０１を上から俯瞰した図、（ｂ）は磁性体層１０１を取り除き、その下の上部絶縁樹脂層１０４を露出させて上から俯瞰した図である。（ｃ）は磁性体層１０１と上部および中間絶縁樹脂層１０３、１０４を取り除き、その下の下部絶縁樹脂層１０５を露出させて上から俯瞰した図、である。（ｄ）は磁性体層１０１と上部、中間および下部絶縁樹脂層１０３〜１０５を取り除き、その下の磁性体層１０２を露出させて上から俯瞰した図である。
【００２４】
これらの図からも理解されるように、実施形態の基板内蔵用電子部品１００は、二つの平面型コイル１１０、１１１の両端に矩形状の電極１１２、１１３、１１５、１１６を形成するとともに、磁性体層１０１、１０２に孔１０６、１０７、１０８、１０９を形成し、それらの電極１１２、１１３、１１５、１１６と孔１０６、１０７、１０８、１０９とを所定位置で対向させたものである。
平面型コイル１１０、１１１は、たとえば、Ｃｕメッキにより、Ｌ／Ｓが９０／３０μｍ、厚さｔが２５μｍ、ターン数が７であり、大きさが「２５２０サイズ」で形成されたものである。
【００２５】
図４は、基板内蔵用電子部品１００の断面図であり、（ａ）は図３のＡ−Ａ断面、（ｂ）は図３のＢ−Ｂ断面、（ｃ）は図３のＣ−Ｃ断面、（ｄ）は図３のＤ−Ｄ断面、（ｅ）は図３のＥ−Ｅ断面をそれぞれ示している。
これらの図に示されているように、実施形態の基板内蔵用電子部品１００は、平面型コイル１１０、１１１の電極１１２、１１３、１１５、１１６に対向して電極取り出し用の孔１０６、１０７、１０８、１０９を形成している。
【００２６】
ここで、実施形態の基板内蔵用電子部品１００と従来のものとを対比する。従来例を便宜的に図２０のインダクタ素子１とすると、この従来例のインダクタ素子１の端子電極５、６に相当する部分は、実施形態の基板内蔵用電子部品１００には存在しない。これは、電極取り出し用の孔１０６、１０７、１０８、１０９を磁性体層１０１、１０２に形成したからであり、従来のような端子電極５、６を必要としないからである。
【００２７】
そして、冒頭で説明したとおり、従来例の欠点（厚みがある）は、この端子電極５、６の厚みに起因するから、かかる端子電極５、６を必要としない実施形態の基板内蔵用電子部品１００は、当然ながら端子電極５、６の厚みの分だけ厚みを薄くすることができ、とりわけ、部品内蔵型基板に埋め込んだ場合に基板の薄型化を図ることができるという格別の効果を得ることができる。
【００２８】
図５は、実施形態の基板内蔵用電子部品１００の大きさと厚みを示す図である。基板内蔵用電子部品１００の大きさは米粒大の微細な大きさ、例えば約２．５ｍｍ×２．０ｍｍである。（ａ）では具体的な大きさを示すために日本の１円硬貨と比較し、また、（ｂ）では同様に具体的な厚みを示すために日本の１円硬貨の厚み（約１．５ｍｍ）と比較した。基板内蔵用電子部品１００の厚みは約１５０μｍである。これらの比較例からも理解されるように、実施形態の基板内蔵用電子部品１００は大きさも厚みもきわめて微細なものであるから、とりわけ、部品内蔵型基板に埋め込んだ場合、基板の薄型化に大きく貢献することができる。
【００２９】
加えて、平面型コイル１１０、１１１の端子電極１１２、１１３、１１５、１１６に対向する位置（所定位置）に形成された孔１０６、１０７、１０８、１０９を極力小さな開口とした。このことによって、端子電極１１２、１１３、１１５、１１６の大きさも必要最小限のものとすることができ、これにより、平面型コイル１１０、１１１に占める端子電極１１２、１１３、１１５、１１６の面積割合を減らして高いインダクタンスを得ることができる。
【００３０】
また、あらかじめ十分な電気的性能が得られた平面型コイル１１０、１１１を内部に形成したインダクタ素子、すなわち基板内蔵用電子部品１００を“部品”として作り、その部品を基板に埋め込むので、不良品のインダクタ素子が基板に埋め込まれるおそれがなく、インダクタ素子の出来不出来が基板の歩留まりに影響しない。
【００３１】
なお、以上の例では、図３に示すように、二つの平面型コイル１１０、１１１の両端に矩形状の電極１１２、１１３、１１５、１１６を形成する。これともに、それらの電極１１２、１１３、１１５、１１６に対向する位置（所定位置）に、孔１０６、１０７、１０８、１０９を形成しているが、これに限定されない。たとえば、以下のように変形させてもよい。
【００３２】
図６は、第１変形例に係る基板内蔵用電子部品２００の平面図である。（ａ）は磁性体層２０１（図３の磁性体層１０１に相当）を上から俯瞰した図である。（ｂ）は磁性体層２０１を取り除き、その下の上部絶縁樹脂層２０４（図３の上部絶縁樹脂層１０４に相当）を露出させて上から俯瞰した図である。（ｃ）は磁性体層２０１と上部絶縁体層２０４および中間絶縁樹脂層（図３の中間絶縁樹脂層１０３に相当）を取り除き、その下の下部絶縁樹脂層２０５（図３の下部絶縁樹脂層１０５に相当）を露出させて上から俯瞰した図である。（ｄ）は磁性体層２０１と上部、中間絶縁樹脂層および下部絶縁樹脂層２０５を取り除き、その下の磁性体層２０２（図３の磁性体層１０２に相当）を露出させて上から俯瞰した図である。
【００３３】
これらの図に示されているように、第１変形例に係る基板内蔵用電子部品２００は、上部と下部の絶縁樹脂層２０４、２０５に、ループ状の平面型コイル２０６、２０７を形成し、それら二つの平面型コイル２０６、２０７の両端に三角形状の電極２０８、２０９、２１０を形成する。これとともに、それらの端子電極２０８、２０９、２１０に対向する位置（所定位置）に、磁性体層２０１の孔２１１、２１２を形成している。
このようにしても、従来例の端子電極５、６を不要にでき、部品内蔵型基板に埋め込んだ場合に基板の薄型化を図ることができる。
また、三角形状の端子電極２０８、２０９、２１０を上部と下部の絶縁樹脂層２０４、２０５のコーナに配置しているので、面積の無駄を生じない。
【００３４】
図７は、第２変形例に係る基板内蔵用電子部品３００の平面図である。（ａ）は磁性体層３０１（図３の磁性体層１０１に相当）を上から俯瞰した図である。（ｂ）は磁性体層３０１を取り除き、その下の上部絶縁樹脂層３０４（図３の上部絶縁樹脂層１０４に相当）を露出させて上から俯瞰した図である。（ｃ）は磁性体層３０１と上部絶縁体層３０４および中間絶縁樹脂層（図３の中間絶縁樹脂層１０３に相当）を取り除き、その下の下部絶縁樹脂層３０５（図３の下部絶縁樹脂層１０５に相当）を露出させて上から俯瞰した図である。（ｄ）は磁性体層３０１と上部、中間絶縁樹脂層および下部絶縁樹脂層３０５を取り除き、その下の磁性体層３０２（図３の磁性体層１０２に相当）を露出させて上から俯瞰した図である。
【００３５】
これらの図に示されているように、第２変形例に係る基板内蔵用電子部品３００は、上部と下部の絶縁樹脂層３０４、３０５に、ループ状の平面型コイル３０６、３０７を形成し、それら二つの平面型コイル３０６、３０７の両端に矩形状の電極３０８、３０９を形成する。これとともに、それら二つの平面型コイル３０６、３０７の途中の要所要所にも矩形状の電極３１０、３１１、３１２を形成し、さらに、それらの電極３０８、３０９、３１０、３１１、３１２に対向する位置（所定位置）に、磁性体層３０１の孔３１３、３１４、３１５、３１６、３１７を形成している。
このようにしても、従来例の端子電極５、６を不要にでき、部品内蔵型基板に埋め込んだ場合に基板の薄型化を図ることができる。
また、平面型コイル３０６、３０７の途中の要所要所にも端子電極３１０、３１１、３１２を形成している。従って、必要に応じ、これらの端子電極３１０、３１１、３１２を選択的に利用することにより、インダクタンスの微調整を行うことが可能になる。
【００３６】
図８は、第３変形例に係る基板内蔵用電子部品４００の平面図である。（ａ）は磁性体層４０１（図３の磁性体層１０１に相当）を上から俯瞰した図である。（ｂ）は磁性体層４０１を取り除き、その下の上部絶縁樹脂層４０４（図３の上部絶縁樹脂層１０４に相当）を露出させて上から俯瞰した図である。（ｃ）は磁性体層４０１と上部絶縁体層４０４および中間絶縁樹脂層（図３の中間絶縁樹脂層１０３に相当）を取り除き、その下の下部絶縁樹脂層４０５（図３の下部絶縁樹脂層１０５に相当）を露出させて上から俯瞰した図である。（ｄ）は磁性体層４０１と上部、中間絶縁樹脂層および下部絶縁樹脂層４０５を取り除き、その下の磁性体層４０２（図３の磁性体層１０２に相当）を露出させて上から俯瞰した図である。
【００３７】
これらの図に示されているように、第３変形例に係る基板内蔵用電子部品４００は、上部と下部の絶縁樹脂層４０４、４０５に、ループ状の平面型コイル４０６、４０７を形成し、それら二つの平面型コイル４０６、４０７の両端に矩形状の電極４０８、４０９を形成する。これとともに、それらの端子電極４０８、４０９に対向する位置（所定位置）に、磁性体層３０１の矩形窓４１０を形成している。
このようにしても、従来例の端子電極５、６を不要にでき、部品内蔵型基板に埋め込んだ場合に基板の薄型化を図ることができる。
また、端子電極４０８、４０９の大部分を矩形窓４１０の大きさに合わせてから露出させているので、端子電極４０８、４０９との接続面積を大きくすることができ、接続抵抗を低減できる。
【００３８】
なお、以上の例では、磁性体層１０１、１０２、２０１、３０１に円形状の孔１０６〜１０９、２１１、２１２、３１３、３１４、３１５、３１６、３１７を開けたり（図１、図６、図７の例）、磁性体層３０１に矩形窓４１０を開けたり（図８の例）している。しかしながら、これに限定されない。たとえば、以下のようにしてもよい。
【００３９】
図９は、基板内蔵用電子部品の他の構造例を示す図である。なお、図１と共通する構成要素には同一の符号を付してある。この図の（ａ）に示すように、基板内蔵用電子部品１００ａは、所定の間隔を隔てて対向する一対の磁性体層１０１ａ、１０２ａの間に３層の絶縁樹脂層、すなわち、中間絶縁樹脂層１０３、上部絶縁樹脂層１０４、下部絶縁樹脂層１０５）を挟み込む。その上で、上部と下部の絶縁樹脂層１０４、１０５にそれぞれ平面型コイル（図３の符号１１０、１１１参照）を形成したインダクタ素子であり、その構成は、上面側の磁性体層１０１ａと下面側の磁性体層１０２ａの一部を切り落とし、その切り落とし部分を欠損部１２１、１２２としている。ここで、一般的に“切り落とし”とは対象物の一部を切除することを意味するが、ここではそのような狭い解釈を採用しない。切除だけでなく、あらかじめ欠損部１２１、１２２を含まない形で磁性体層１０１ａ、１０２ａを形成する態様も含む。
このようにしても、磁性体層１０１ａ、１０２ａに形成した欠損部１２１、１２２から平面型コイルの電極１１２、１１３を露出させることができる。また、この場合においても、欠損部１２１、１２２の位置（所定位置）は、平面型コイルの電極１１２、１１３に対向した位置になる。
【００４０】
また、この例では、帯状の欠損部１２１、１２２としているが、これに限らず、たとえば、この図の（ｂ）に示されている基板内蔵用電子部品１００ｂのように、磁性体層１０１ｂ、１０２ｂの角部を切り欠いた矩形状の欠損部１２３〜１２６としてもよい。同様に、磁性体層１０１ｂ、１０２ｂに形成した欠損部１２３〜１２６から平面コイルの電極１１２、１１３を露出させることができる。欠損部１２３〜１２６は、矩形以外の形であってもかまわない。たとえば、円形状や楕円状またはＵ字状など任意の形状であってもよい。作りやすい形を適宜に選択すればよい。この場合においても、欠損部１２３〜１２６の位置（所定位置）は、平面型コイルの電極１１２、１１３に対向した位置になる。
【００４１】
また、この図の（ａ）、（ｂ）において、欠損部１２１、１２２、１２３〜１２６の上部絶縁樹脂層１０４と下部絶縁樹脂層１０５を取り除かずにそのまま残しておくことが望ましい。上部絶縁樹脂層１０４と下部絶縁樹脂層１０５で電極１１２、１１３を保護して空気に触れないようにできるからであり、たとえば、基板内蔵用電子部品１００ａ、１００ｂを長期保管する際の劣化を防止できるからである。ちなみに、このような考え方（電極１１２、１１３の保護）は、先に説明した図１の構造、すなわち上面側の磁性体層１０１と下面側の磁性体層１０２に電極取り出し用の円形状の孔１０６、１０７を開けたものにも適用できることはもちろんである。
【００４２】
＜部品内蔵型基板／第１例＞
次に、以上説明した基板内蔵用電子部品１００、１００ａ、１００ｂ、２００、３００、４００のいずれかを内蔵した部品内蔵型基板について説明する。
図１０〜図１２は、部品内蔵型基板の製造工程図である。
〔第１工程〕‥‥‥図１０（ａ）
まず、ベース部材（以下、コア基板１０という）を用意する。このコア基板１０は、部品内蔵型基板の骨格となるものである。たとえば、銅などの金属や樹脂またはセラミックス等を使用することができるが、銅などの金属を用いた場合、電気的なシールド効果を得ることができるから好ましい。コア基板１０の厚みは、後述する基板内蔵用電子部品、すなわち半導体集積回路やインダクタ素子および抵抗素子並びに容量素子等の中で最も厚みのある部品を十分に埋め込むことができる程度のものとする。
【００４３】
コア基材１０に金属を使用する場合、銅、金、銀等の貴金属または鉄や鉄合金、Ｎｉ系合金等が使いやすい。また、樹脂の場合、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂、シアネート樹脂、熱硬化性ポリオレフィン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂、もしくは液晶ポリマーやポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド等の熱可塑性樹脂などを使用することができる。さらに、これら樹脂をガラス不織布や樹脂不織布に含浸させたもの、または、フィラーを分散させたものを用いてもよい。フィラーとしては、たとえば、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化チタン、タルク等の金属酸化物を使用することができ、また、それ以外にも水酸化アルミ、水酸化マグネシウム等を使用することができる。さらに、フィラーの形状としては球状、破砕、板状、ウィスカー状、繊維状などであってもよい。また、セラミックスの場合、アルミナ等のＬＴＣＣ材料、ＢＴ等のコンデンサ材料等を用いることができる。
【００４４】
〔第２工程〕‥‥‥図１０（ｂ）
次に、コア基板１０の所要部分に貫通孔１１〜１４を開ける。これらの貫通孔１１〜１４は、後述する基板内蔵用電子部品を埋め込みしたり、あるいは、基板の表裏面を電気的に接続するための接続経路として用いられる。ここでは、図面に向かって左端から三つの貫通孔１１〜１３を部品埋め込み用、右端の一つの貫通孔１４を接続経路とするが、これは図示の便宜に過ぎない。
【００４５】
〔第３工程〕‥‥‥図１０（ｃ）
次に、コア基板１０の片面（図では下面）に樹脂シート１５を貼り付ける。この樹脂シート１５は、樹脂封止後に「剥離」することができるものであれば好ましいが、必ずしも剥離は必要ではない。素材については絶縁性が優れていれば、特に限定されない。たとえば、樹脂シート１５に樹脂等の柔らかい素材を用いた場合、銅箔等の補強シートを貼り合わせたもの、すなわち、樹脂と銅箔の積層シートを用いてもよい。次に、貫通孔１１〜１４のうち部品埋設用の貫通孔１１、１２、１３の底部、つまり、樹脂シート１５の図面に対して上面に液状またはフィルム状等の粘着性を有する部品固定用樹脂１６を適量塗布する。部品固定用樹脂１６の代わりに接着剤を用いてもよい。
【００４６】
〔第４工程〕‥‥‥図１０（ｄ）
次に、所要の基板内蔵用電子部品、ここでは、インダクタ素子１７、抵抗素子１８および半導体集積回路１９を、各々対応する貫通孔１１、１２、１３に差し入れ、孔内部の樹脂シート１５の上に軽く押し付けることにより、樹脂シート１５の上に塗布された部品固定用樹脂１６の粘着力を利用して仮固定する。
図示の基板内蔵用電子部品のうち「インダクタ素子１７」は、本実施形態特有のもの、すなわち、厚みを薄くするための構造を有するものであり、先に説明した基板内蔵用電子部品１００、１００ａ、１００ｂ、２００、３００、４００のいずれかに相当するものである。なお、他の基板内蔵用電子部品のうち抵抗素子１８を、たとえば、容量素子と読み替えてもかまわない。
【００４７】
〔第５工程〕‥‥‥図１０（ｅ）
次に、基板内蔵用電子部品、例えば、インダクタ素子１７、抵抗素子１８および半導体集積回路１９などを封止する。この封止は、貫通孔１１〜１４の内部容積、すなわち、基板内蔵用電子部品の体積を除いた容積を十分充填できる量の厚みを有するシート状の封止樹脂２０を基板上面から所定の力で押しつけ、基板内蔵用電子部品の周囲の隙間を完全に塞ぐように流動させたあと、所要の熱、たとえば、１６０〜２００℃程度の熱を加えて当該封止樹脂２０を硬化させることによって行う。なお、この封止樹脂２０にも、銅箔等の補強シートを貼り合わせたもの、すなわち樹脂と銅箔の積層シートを用いてもよい。封止樹脂２０に必要な機能は低線膨張と絶縁性である。つまり、空間を隙間なく充填するのに十分な流動性を持ち、且つ、絶縁基板としての十分な特性（絶縁性等）を持っていればよい。したがって、封止樹脂は、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でも使用可能であるが、１５０〜４００℃程度の熱で軟化させて封止できる絶縁性樹脂であれば良い。更には、この工程における樹脂で基板内蔵用電子部品のまわりを完全に隙間なく埋める際に、インダクタ素子１７に設けられている孔１０６〜１０９、欠損部１２１〜１２２あるいは１２３〜１２４にも樹脂が入り込むようにすることが好ましい。
【００４８】
〔第６工程〕‥‥‥図１０（ｆ）
次に、樹脂シート１５を剥離する。この剥離は、たとえば、熱、光、溶解等によって行うことができる。
なお、樹脂シート１５は必ずしも剥離する必要はない。第１例における樹脂シート１５の役割は部品埋設用の貫通孔１１、１２、１３の底、つまり、部品固定用樹脂１６の塗布面および電子部品の載置面を作ることにあるからである。そして、電子部品の載置後に“底”をあえて取り除く必要がないからである。樹脂シート１５を剥離しない場合、後述の樹脂２１、２２が不要になる。つまり、樹脂シート１５は“底”の役割を果たすが、この樹脂シート１５を剥離すると“底”がなくなってしまう。このため、その代わりの要素として、後述の第７工程における樹脂２１、２２が必要になる。したがって、選択肢としては、第一に、樹脂シート１５を剥離しない、すなわち、後述の樹脂２１、２２が不要になること、第二に、樹脂シート１５を剥離すること、すなわち、後述の樹脂２１、２２が必要となること、の二つになる。この第１例では第二の選択肢である、樹脂シート１５を剥離する、を採用するが、これは説明の便宜である。実情に応じて、いずれを採用してもかまわない。
【００４９】
〔第７工程〕‥‥‥図１０（ｇ）
次に、基板の表裏面に樹脂２１、２２を貼り付けて、たとえば加熱による硬化をさせ、ビルドアップ層を形成する。なお、これらの樹脂２１、２２も、銅箔等の補強シート２３、２４を貼り合わせたもの、すなわち樹脂と銅箔の積層シートを用いてもよい。または、銅箔の代わりにＰＥＴフィルム等の樹脂フィルムを貼り合わせたものであってもよいが、これらの補強シート（銅箔やＰＥＴ等）２３、２４は必須ではない。
【００５０】
〔第８工程〕‥‥‥図１１（ａ）
次に、ビルドアップ層の補強シート２３、２４を取り除いた後、要所要所にビア２５〜３３やスルーホール３４を形成する。ここで、ビア２５、２６はインダクタ素子１７の端子電極３５、３６の位置に合せて形成し、ビア２７、２８は抵抗素子１８の端子電極３７、３８の位置に合せて形成し、ビア２９〜３３は半導体集積回路１９の端子電極３９〜４３の位置に合せて形成する。
これらのビア２５〜３３とスルーホール３４の形成はレーザを用いて行うことができるが、たとえば、ビルドアップ層の樹脂２１、２２に光硬化型の樹脂を使用した場合はフォトリソで形成することもできる。さらに、スルーホール３４についてはドリルやルーター等による機械的手法で形成することも可能である。
なお、ビア２５〜３３の大きさは、基板内蔵用電子部品１００のそれぞれの端子電極との導通が十分取れるようにあけられる。ただし、インダクタ素子１７のビアは、端子電極１１２〜１１６の短い方の幅より僅かに小さな径のビアが好ましい。例えば、インダクタ素子１７の端子電極１１２〜１１６の短い方の幅と同じか、それより少し小さな径のビアが好ましい。そして、磁性体層１０１，１０２の孔１０６〜１０９の縁に接触しないことが好ましい。このことは、ビア内に形成される導体は、インダクタ素子１７への導電路を形成し、導体が磁性体層１０１，１０２に接触すると、インダクタ素子１７のインダクタンス値が下がってしまうためである。この点は、後述の他の例の場合でも同様である。
【００５１】
〔第９工程〕‥‥‥図１１（ｂ）
次に、ビルドアップ層の樹脂２１、２２をレジスト４４、４５で覆い、レジスト４４、４５を露光・現像して所定形状にパターニングする。
【００５２】
〔第１０工程〕‥‥‥図１１（ｃ）
次に、ビア２５〜３３を導電材料４６〜５４で埋めるとともに、スルーホール３４の内壁にも導電材料５５を形成した後、ビルドアップ層の表面に配線５６、５７を形成し、レジスト４４、４５を除去する。なお、導電材料４６〜５４はメッキであってもよく、あるいは、導電性樹脂等を使用してもよい。
【００５３】
〔第１１工程〕‥‥‥図１１（ｄ）
次に、２層目のビルドアップ層を形成する。この２層目のビルドアップ層も前記の第７工程と同様の手法で形成することができる。すなわち、１層目のビルドアップ層の上に樹脂５８、５９を貼り付け、硬化させて形成する。なお、これらの樹脂５８、５９にも、銅箔等の補強シート６０、６１を貼り合わせたもの、例えば樹脂と銅箔の積層シートを用いてもよい。または、銅箔の代わりにＰＥＴフィルム等の樹脂フィルムを貼り合わせたものであってもよい。
【００５４】
〔第１２工程〕‥‥‥図１２（ａ）
次に、２層目のビルドアップ層の補強シート６０、６１を取り除き、樹脂５８、５９の所定位置にビア６２〜７０を形成する。これらのビア６２〜７０もレーザを用いて行うことができる。
【００５５】
〔第１３工程〕‥‥‥図１２（ｂ）
次に、２層目のビルドアップ層の樹脂５８、５９をレジスト７１、７２で覆い、レジスト７１、７２を露光・現像して所定形状にパターニングする。
【００５６】
〔第１４工程〕‥‥‥図１２（ｃ）
次に、２層目のビルドアップ層のビア６２〜７０を導電材料７３〜８１で埋めた後、２層目のビルドアップ層の表面に配線８２、８３を形成し、レジスト７１、７２を除去する。なお、導電材料７３〜８１はメッキであってもよく、あるいは、導電性樹脂等を使用してもよい。
【００５７】
〔第１５工程〕‥‥‥図１２（ｄ）
最後に、基板の表裏面をソルダレジスト（グリーンレジストともいう）８４、８５で覆って保護膜とし、部品内蔵型基板８６を完成する。
【００５８】
なお、以上の工程では、２層のビルドアップ層としているが、１層であってもよく、あるいは、３層以上の多層であってもよい。
【００５９】
このように、この第１例の部品内蔵型基板８６においては、インダクタ素子１７や抵抗素子１８および半導体集積回路１９の「下面」から直接、導電材料４６〜５４、７７〜８１を介して基板表面に電極を引き出すことができる。また、インダクタ素子１７の厚みは、冒頭の従来例（図２０を参照）に比べて薄いので、部品内蔵型基板８６の厚みを薄くすることができる。
【００６０】
＜部品内蔵型基板／第２例＞
図１３〜図１５は、部品内蔵型基板の第２例の製造工程図である。
〔第１工程〕‥‥‥図１３（ａ）
まず、ベース部材（以下、コア基板５００という）を用意する。このコア基板５００は、部品内蔵型基板の骨格となるものであって、たとえば、銅などの金属や樹脂またはセラミックス等を使用することができる。特に、銅などの金属を用いた場合は電気的なシールド効果を得ることができるから好ましい。コア基板５００の厚みは、後述する基板内蔵用電子部品、例えば、半導体集積回路やインダクタ素子および抵抗素子並びに容量素子等の中で最も厚みがある部品を十分に埋め込むことができる程度のものとする。
【００６１】
コア基材５００に金属を使用する場合、第1の実施例のコア基材１０と同様の材料を用いることができるので、その説明を省略する。
【００６２】
〔第２工程〕‥‥‥図１３（ｂ）
次に、コア基板５００の所要部分に貫通孔５０１〜５０４を開ける。これらの貫通孔５０１〜５０４には、後述する基板内蔵用電子部品を埋め込みをしたり、あるいは、基板の表裏面を電気的に接続するための接続経路として用いられる。ここでは、図面に向かって左端から三つの貫通孔５０１〜５０３を部品埋め込み用、右端の一つの貫通孔５０４を接続経路とするが、これは図示の便宜に過ぎない。
【００６３】
〔第３工程〕‥‥‥図１３（ｃ）
次に、コア基板５００の片面（図では下面）に樹脂シート５０５を貼り付ける。貼り付けは、熱を加えながら行ってもよい。樹脂シート５０５は、熱硬化性の絶縁樹脂層５０６と銅箔やＰＥＴ等の補強層５０７と、を貼り合わせたものである。だが、これに限定されない。絶縁樹脂層５０６のみの樹脂シート５０５であってもよい。
【００６４】
〔第４工程〕‥‥‥図１３（ｄ）
次に、所要の基板内蔵用電子部品、ここでは、インダクタ素子５０８、抵抗素子５０９および半導体集積回路５１０を、各々対応する貫通孔５０１、５０２、５０３に差し入れ、孔内部の樹脂シート５０５上に所定の力で押し付けることにより、樹脂シート５０５の粘着力を利用して仮固定する。このとき、熱を加えながら仮固定してもよい。
図示の基板内蔵用電子部品のうち「インダクタ素子５０８」は、本実施形態特有のもの（厚みを薄くするための構造を有するもの）であり、先に説明した基板内蔵用電子部品１００、１００ａ、１００ｂ、２００、３００、４００のいずれかに相当するものである。なお、他の基板内蔵用電子部品のうち抵抗素子５０９を、たとえば、容量素子と読み替えてもかまわない。
【００６５】
〔第５工程〕‥‥‥図１３（ｅ）
次に、インダクタ素子５０８、抵抗素子５０９および半導体集積回路５１０などの基板内蔵用電子部品を封止する。この封止は、貫通孔５０１〜５０４の深さを十分上回る厚みを有するシート状の封止樹脂層５１１を基板上面から所定の力で押しつけ、基板内蔵用電子部品の周囲の隙間を樹脂で完全に塞ぐように流動させたあと、所要の熱、例えば、１６０〜２００℃程度の熱を加えて当該封止樹脂層５１１を硬化させることによって行う。この工程における樹脂で完全に隙間を埋めることは、第１例の場合と全く同様であるので、その説明を省略する。
なお、この封止樹脂層５１１にも、銅箔等の補強シート５１２を貼り合わせたものを用いてもよい。封止樹脂層５１１に必要な機能は低線膨張と絶縁性である。つまり、空間を隙間なく充填するのに十分な流動性を持ち、且つ、絶縁基板としての十分な特性（絶縁性等）を持っていればよい。
【００６６】
〔第６工程〕‥‥‥図１３（ｆ）
次に、補強層５０７と補強シート５１２を取り除き、封止樹脂層５１１の要所要所にビア５１３〜５２１やスルーホール５２２を形成する。ここで、ビア５１３、５１４はインダクタ素子５０８の電極５２３、５２４の位置に合せて形成し、ビア５１５、５１６は抵抗素子５０９の電極５２５、５２６の位置に合せて形成し、ビア５１７〜５２１は半導体集積回路５１０の電極５２７〜５３１の位置に合せて形成する。ビアの大きさは、第１例の場合と同様なのでその説明を省略する。
これらのビア５１３〜５２１とスルーホール５２２の形成はレーザを用いて行うことができるが、たとえば、封止樹脂層５１１に光硬化型の樹脂を使用した場合はフォトリソで形成することもできる。さらに、スルーホール５２２はドリルやルーター等による機械的手法で形成することも可能である。
【００６７】
〔第７工程〕‥‥‥図１３（ｇ）
次に、絶縁樹脂層５０６と封止樹脂層５１１をレジスト５３２、５３３で覆い、レジスト５３２、５３３を露光・現像して所定形状にパターニングする。
【００６８】
〔第８工程〕‥‥‥図１４（ａ）
次に、ビア５１３〜５２１を導電材料５３４〜５４２で埋めるとともに、スルーホール５２２の内壁にも導電材料５４３を形成した後、絶縁樹脂層５０６と封止樹脂層５１１の表面に配線５４４、５４５を形成し、レジスト５３２、５３３を除去する。なお、導電材料５３４〜５４３はメッキであってもよく、あるいは、導電性樹脂等を使用してもよい。
【００６９】
〔第９工程〕‥‥‥図１４（ｂ）
次に、基板の両面にビルドアップ層を形成する。このビルドアップ層は、絶縁樹脂層５０６と封止樹脂層５１１の上に樹脂５４６、５４７を貼り付け、硬化させて形成する。なお、これらの樹脂５４６、５４７にも、銅箔等の補強シート５４８、５４９を貼り合わせたもの（樹脂と銅箔の積層シート）を用いてもよい。または、銅箔の代わりにＰＥＴフィルム等の樹脂フィルムを貼り合わせたものであってもよい。
【００７０】
〔第１０工程〕‥‥‥図１４（ｃ）
次に、ビルドアップ層の補強シート５４８、５４９を取り除き、樹脂５４６、５４７の所定位置にビア５５０〜５５８を形成する。これらのビア５５０〜５５８もレーザを用いて行うことができる。
【００７１】
〔第１１工程〕‥‥‥図１５（ａ）
次に、ビルドアップ層の樹脂５４６、５４７をレジスト５５９、５６０で覆い、レジスト５５９、５６０を露光・現像して所定形状にパターニングする。
【００７２】
〔第１２工程〕‥‥‥図１５（ｂ）
次に、ビルドアップ層のビア５５０〜５５８を導電材料５６１〜５６９で埋めた後、ビルドアップ層の表面に配線５７０、５７１を形成し、レジスト５５９、５６０を除去する。なお、導電材料５６１〜５６９はメッキであってもよく、あるいは、導電性樹脂等を使用してもよい。
【００７３】
〔第１３工程〕‥‥‥図１５（ｃ）
最後に、基板の表裏面をソルダレジスト（グリーンレジストともいう）５７２、５７３で覆って保護膜とし、部品内蔵型基板５７４を完成する。
【００７４】
なお、以上の工程では、１層のビルドアップ層としているが、２層以上の多層であってもよい。
【００７５】
このように、この第２例の部品内蔵型基板５７４においても、インダクタ素子５０８や抵抗素子５０９および半導体集積回路５１０の「上面」から直接、導電材料５３４〜５４２、５６１〜５６３を介して基板表面に電極を引き出すことができる。また、インダクタ素子５０８の厚みは、冒頭の従来例（図２０参照）に比べて低いので、部品内蔵型基板５７４の厚みを薄くすることができる。
【００７６】
＜部品内蔵型基板／第３例＞
図１６〜図１８は、部品内蔵型基板の第３例の製造工程図である。この第３例は、前記の第１例（図１０〜図１２参照）の変形例であり、第１例と共通する構成要素には同一の符号を付してある。第１例との相違は、部品固定用樹脂１６を使用しない点にある。
【００７７】
〔第１工程〕‥‥‥図１６（ａ）
まず、ベース部材（以下、コア基板１０という）を用意する。このコア基板１０は、部品内蔵型基板の骨格となるものであって、たとえば、銅などの金属や樹脂またはセラミックス等を使用することができる。しかし、銅などの金属を用いた場合は電気的なシールド効果を得ることができるから好ましい。コア基板１０の厚みは、後述する基板内蔵用電子部品、すなわち、半導体集積回路やインダクタ素子および抵抗素子並びに容量素子等の中で最も背丈の高い部品を十分に埋め込むことができる程度のものとする。
【００７８】
〔第２工程〕‥‥‥図１６（ｂ）
次に、コア基板１０の所要部分に貫通孔１１〜１４を開ける。これらの貫通孔１１〜１４は、後述する基板内蔵用電子部品を埋め込みしたり、あるいは、基板の表裏面を電気的に接続するための接続経路として用いられる。ここでは、図面に向かって左端から三つの貫通孔１１〜１３を部品埋め込み用、右端の一つの貫通孔１４を接続経路とするが、これは図示の便宜に過ぎない。
【００７９】
〔第３工程〕‥‥‥図１６（ｃ）
次に、コア基板１０の片面（図では下面）に仮固定用の樹脂シート１５ａを貼り付ける。この樹脂シート１５ａは、樹脂封止後に「剥離」することができるものであって、且つ、後述する基板内蔵用電子部品を「仮固定」することができるものであればよく、素材については特に限定しないが、たとえば、樹脂シート１５ａに樹脂等の柔らかい素材を用いた場合は、銅箔等の補強シートを貼り合わせたもの、すなわち、樹脂と銅箔の積層シートを用いてもよい。
【００８０】
前記の第１例では、この段階で、貫通孔１１、１２、１３の底部に部品固定用樹脂１６を塗布していたが、第３例ではそのような部品固定用樹脂１６を使用しない。基板内蔵用電子部品の「仮固定」は、樹脂シート１５ａの粘着力を利用して行う点で第１例と相違する。第１例では部品固定用樹脂１６を用いるため、樹脂シート１５ａの選択肢が増える（粘着性が不要）という利点がある一方、第３例のでは部品固定用樹脂１６の塗布作業が不要になるので、製造コストを低減できるというメリットがある。
第１例と第３例のいずれを採用するかは、粘着力のある樹脂シート１５ａの入手容易性に依存する。すなわち、粘着力のある樹脂シート１５ａを低コストで容易に入手できるのであれば、第３例を採用することが望ましい。部品固定用樹脂１６の塗布作業をなくして製造コストを低減できるからである。
【００８１】
〔第４工程〕‥‥‥図１６（ｄ）
次に、所要の基板内蔵用電子部品、ここでは、インダクタ素子１７、抵抗素子１８および半導体集積回路１９を、各々対応する貫通孔１１、１２、１３に差し入れ、孔内部の樹脂シート１５ａの上に軽く押し付けることにより、樹脂シート１５ａの粘着力を利用して仮固定する。
図示の基板内蔵用電子部品のうち「インダクタ素子１７」は、本実施形態特有のもの（厚みを薄くするための構造を有するもの）であり、先に説明した基板内蔵用電子部品１００、１００ａ、１００ｂ、２００、３００、４００のいずれかに相当するものである。なお、他の基板内蔵用電子部品のうち抵抗素子１８を、たとえば、容量素子と読み替えてもかまわない。
【００８２】
〔第５工程〕‥‥‥図１６（ｅ）
次に、インダクタ素子１７、抵抗素子１８および半導体集積回路１９など基板内蔵用電子部品を封止する。この封止は、貫通孔１１〜１４の内部容積のうち、基板内蔵用電子部品の体積を除いた容積を十分充填できる量の厚みを有するシート状の封止樹脂２０を基板上面から所定の力で押しつけ、基板内蔵用電子部品の周囲の隙間を完全に塞ぐように流動させたあと、所要の熱、たとえば、１６０〜２００℃程度の熱を加えて当該封止樹脂２０を硬化させることによって行う。なお、この封止樹脂２０にも、銅箔等の補強シートを貼り合わせたもの、例えば、樹脂と銅箔の積層シートを用いてもよい。封止樹脂２０に必要な機能は低線膨張と絶縁性である。つまり、空間を隙間なく充填するのに十分な流動性を持ち、且つ、絶縁基板としての十分な絶縁性等の特性を持っていればよい。
更には、この工程における樹脂で、基板内蔵用電子部品のまわりを完全に隙間なく埋めることは、第１例および第２例と同様であるので、その説明を省略する。
【００８３】
〔第６工程〕‥‥‥図１６（ｆ）
次に、樹脂シート１５ａを剥離する。この剥離は、たとえば、熱、光、溶解等によって行うことができる。
【００８４】
〔第７工程〕‥‥‥図１６（ｇ）
次に、基板の表裏面に樹脂２１、２２を貼り付けて硬化、たとえば加熱による硬化させ、ビルドアップ層を形成する。なお、これらの樹脂２１、２２も、銅箔等の補強シート２３、２４を貼り合わせたもの、例えば、樹脂と銅箔の積層シートを用いてもよい。または、銅箔の代わりにＰＥＴフィルム等の樹脂フィルムを貼り合わせたものであってもよいが、これらの補強シートである銅箔やＰＥＴ等２３、２４は必須ではない。
【００８５】
〔第８工程〕‥‥‥図１７（ａ）
次に、ビルドアップ層の補強シート２３、２４を取り除いた後、要所要所にビア２５〜３３やスルーホール３４を形成する。ここで、ビア２５、２６はインダクタ素子１７の電極３５、３６の位置に合せて形成し、ビア２７、２８は抵抗素子１８の電極３７、３８の位置に合せて形成し、ビア２９〜３３は半導体集積回路１９の電極３９〜４３の位置に合せて形成する。
これらのビア２５〜３３とスルーホール３４の形成はレーザを用いて行うことができるが、たとえば、ビルドアップ層の樹脂２１、２２に光硬化型の樹脂を使用した場合はフォトリソで形成することもでき、さらに、スルーホール３４についてはドリルやルーター等による機械的手法で形成することも可能である。
なお、ビアの大きさは、第１例の場合と同様なので、その説明を省略する。  
【００８６】
〔第９工程〕‥‥‥図１７（ｂ）
次に、ビルドアップ層の樹脂２１、２２をレジスト４４、４５で覆い、レジスト４４、４５を露光・現像して所定形状にパターニングする。
【００８７】
〔第１０工程〕‥‥‥図１７（ｃ）
次に、ビア２５〜３３を導電材料４６〜５４で埋めるとともに、スルーホール３４の内壁にも導電材料５５を形成した後、ビルドアップ層の表面に配線５６、５７を形成し、レジスト４４、４５を除去する。なお、導電材料４６〜５４はメッキであってもよく、あるいは、導電性樹脂等を使用してもよい。
【００８８】
〔第１１工程〕‥‥‥図１７（ｄ）
次に、２層目のビルドアップ層を形成する。この２層目のビルドアップ層も前記の第７工程と同様の手法で形成することができる。すなわち、１層目のビルドアップ層の上に樹脂５８、５９を貼り付け、硬化させて形成する。なお、これらの樹脂５８、５９にも、銅箔等の補強シート６０、６１を貼り合わせたもの、すなわち、樹脂と銅箔の積層シートを用いてもよい。または、銅箔の代わりにＰＥＴフィルム等の樹脂フィルムを貼り合わせたものであってもよい。
【００８９】
〔第１２工程〕‥‥‥図１８（ａ）
次に、２層目のビルドアップ層の補強シート６０、６１を取り除き、樹脂５８、５９の所定位置にビア６２〜７０を形成する。これらのビア６２〜７０もレーザを用いて行うことができる
【００９０】
〔第１３工程〕‥‥‥図１８（ｂ）
次に、２層目のビルドアップ層の樹脂５８、５９をレジスト７１、７２で覆い、レジスト７１、７２を露光・現像して所定形状にパターニングする。
【００９１】
〔第１４工程〕‥‥‥図１８（ｃ）
次に、２層目のビルドアップ層のビア６２〜７０を導電材料７３〜８１で埋めた後、２層目のビルドアップ層の表面に配線８２、８３を形成し、レジスト７１、７２を除去する。なお、導電材料７３〜８１はメッキであってもよく、あるいは、導電性樹脂等を使用してもよい。
【００９２】
〔第１５工程〕‥‥‥図１８（ｄ）
最後に、基板の表裏面をソルダレジスト（グリーンレジストともいう）８４、８５で覆って保護膜とし、部品内蔵型基板８６ａを完成する。
【００９３】
なお、以上の工程では、２層のビルドアップ層としているが、１層であってもよく、あるいは、３層以上の多層であってもよい。
【００９４】
この第３例では、部品固定用樹脂１６の塗布作業をなくして製造コストを低減できるというメリットがある。
【００９５】
なお、以上の部品内蔵型基板８６（第１例）および部品内蔵型基板５７４（第２例）並びに部品内蔵型基板８６ａ（第３例）にあっては、インダクタ素子等の電子部品の「下面」または「上面」から電極を引き出しているが、これに限定されない。「上・下面」の双方から電極を引き出すようにしてもよい。
【００９６】
図１９は、「上下面」の双方から電極を引き出すようにした部品内蔵型基板６００の構造図である。この図において、部品内蔵型基板６００は、コア基板６０１と、コア基板６０１に開けられた貫通孔６０２〜６０５と、左側三つの貫通孔６０２〜６０４に入れられたインダクタ素子１００、抵抗素子６０７および半導体集積回路６０８などの電子部品と、それらの電子部品を封止する絶縁樹脂層６０９と、その絶縁樹脂層６０９の両面に貼り付けられた第１絶縁樹脂層６１０および第２絶縁樹脂層６１１と、配線層６１２を間にして第１絶縁樹脂層６１０に積層された第３絶縁樹脂層６１３と、配線層６１４を間にして第２絶縁樹脂層６１１に積層された第４絶縁樹脂層６１５と、第３絶縁樹脂層６１３の表面に形成された配線層６１６および保護用のグリーンレジスト６１７と、第４絶縁樹脂層６１５の表面に形成された配線層６１８および保護用のグリーンレジスト６１９と、を備えるとともに、電子部品の位置に合せて開けられたビアの内部に充填された導電材料６２０〜６２８とを備えて構成されている。
【００９７】
前記の第１例の部品内蔵型基板８６や第２例の部品内蔵型基板５７４または第３例の部品内蔵型基板８６ａ、との相違は、基板に内蔵された電子部品の一つを、図１のインダクタ素子１００、すなわち電極の取り出しを上面と下面の双方から行うことができる構造のものとした点にある。すなわち、このインダクタ素子１００は、図１に示すように、一対の磁性体層１０１、１０２の間に３層の絶縁樹脂層である中間絶縁樹脂層１０３、上部絶縁樹脂層１０４、下部絶縁樹脂層１０５を挟み込み、且つ、上部と下部の絶縁樹脂層１０４、１０５に、それぞれ平面型コイルを形成したインダクタ素子であり、その構成は、上面側の磁性体層１０１に電極取り出し用の円形状の孔１０６、１０７を開けるとともに、下面側の磁性体層１０２にも同様の電極取り出し用の円形状の孔１０８、１０９を開けた点にある。従って、図１９のように、上面側の孔の一つ（図では孔１０７）と下面側の孔の一つ（図では孔１０８）とを使用して電極を引き出すことにより、電極の取り出しを基板の上面と下面の双方から行うことができる。
【符号の説明】
【００９８】
４６〜５５  導電材料
７３〜８１  導電材料
８６  部品内蔵型基板
８６ａ  部品内蔵型基板
１００  基板内蔵用電子部品
１００ａ  基板内蔵用電子部品
１００ｂ  基板内蔵用電子部品
１０１、１０２  磁性体層
１０１ａ、１０２ａ  磁性体層
１０１ｂ、１０２ｂ  磁性体層
１０３  中間絶縁樹脂層（絶縁体）
１０４  上部絶縁樹脂層（絶縁体）
１０５  下部絶縁樹脂層（絶縁体）
１０６〜１０９  孔
１１０、１１１  平面型コイル
１１２、１１３  端子電極
１１５、１１６  端子電極
１２１、１２２  欠損部
１２３〜１２６  欠損部
２００  基板内蔵用電子部品
２０１、２０２  磁性体層
２０６、２０７  平面型コイル
２０８〜２１２  端子電極
３００  基板内蔵用電子部品
３０１、３０２  磁性体層
３０６、３０７  平面型コイル
３０８〜３１２  端子電極
３１３〜３１７  孔
４００  基板内蔵用電子部品
４０１、４０２  磁性体層
４０６、４０７  平面型コイル
４０８、４０９  端子電極
４１０  孔
５３４〜５４３  導電材料
５６１〜５６９  導電材料
５７４  部品内蔵型基板
６２０〜６２８  導電材料
【図１】
2011145490.tif 000003
【図２】
2011145490.tif 000004
【図３】
2011145490.tif 000005
【図４】
2011145490.tif 000006
【図５】
2011145490.tif 000007
【図６】
2011145490.tif 000008
【図７】
2011145490.tif 000009
【図８】
2011145490.tif 000010
【図９】
2011145490.tif 000011
【図１０】
2011145490.tif 000012
【図１１】
2011145490.tif 000013
【図１２】
2011145490.tif 000014
【図１３】
2011145490.tif 000015
【図１４】
2011145490.tif 000016
【図１５】
2011145490.tif 000017
【図１６】
2011145490.tif 000018
【図１７】
2011145490.tif 000019
【図１８】
2011145490.tif 000020
【図１９】
2011145490.tif 000021
【図２０】
2011145490.tif 000022
【国際調査報告】
2011145490.tif 000023
2011145490.tif 000024