(57)【要約】導電性光学素子は、表面を有する基体と、基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状の凸部または凹部である構造体と、構造体上に形成された透明導電膜とを備える。構造体のアスペクト比は０．２以上１．３以下であり、透明導電膜は構造体に倣った表面を有し、構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１が、８０ｎｍ以下であり、透明導電膜の表面抵抗は、５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲である。
2011027909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する基体と、
上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状の凸部または凹部である構造体と、
上記構造体上に形成された透明導電膜と、
を備え、
上記構造体のアスペクト比が、０．２以上１．３以下であり、
上記透明導電膜は上記構造体に倣った表面を有し、
上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１が、８０ｎｍ以下であり、
上記透明導電膜の表面抵抗が、５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲である導電性光学素子。
【請求項２】
上記透明導電膜は、結晶性を有している請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項３】
上記透明導電膜は、インジウム錫酸化物または酸化インジウム亜鉛を含んでいる請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項４】
上記導電性光学素子が、電極用である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項５】
上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１が、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項６】
上記構造体のアスペクト比が、０．２以上１．０以下である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項７】
上記透明導電膜の比抵抗が、１×１０−３Ω・ｃｍ以下である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項８】
上記透明導電膜の比抵抗が、６×１０−４Ω・ｃｍ以下である請求項７記載の導電性光学素子。
【請求項９】
上記構造体は、頂部に曲面を有する錐体形状である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１０】
上記構造体は、楕円錐または楕円錐台形状である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１１】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
上記トラックが、直線状、または円弧状を有する請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１２】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
上記トラックが、蛇行している請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１３】
上記基材は、上記表面とは反対側の他の表面を有し、
上記基体の他の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状である凸部または凹部である構造体をさらに備える請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１４】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
上記構造体は、上記トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円錐または楕円錐台形状
である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１５】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されている
とともに、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子
パターンを形成する請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１６】
上記基体の表面に対する上記構造体の充填率が、６５％以上である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１７】
上記基体の表面に対する上記構造体の充填率が、７３％以上である請求項１６記載の導電性光学素子。
【請求項１８】
上記配置ピッチＰ１に対する上記径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１９】
上記配置ピッチＰ１に対する上記径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、９０％以上である請求項１８記載の導電性光学素子。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備えるタッチパネル。
【請求項２１】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える情報入力装置。
【請求項２２】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える表示装置。
【請求項２３】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える太陽電池。
【請求項２４】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を作製するための導電性光学素子作製用原盤であって、
表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状の凸部または凹部である転写用構造体を有し、
上記転写用構造体のアスペクト比が、０．２以上１．３以下である、導電性光学素子作製用原盤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性光学素子、タッチパネル、情報入力装置、表示装置、太陽電池、および導電性光学素子作製用原盤に関する。詳しくは、透明導電膜が基体の一主面に形成された導電性光学素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル機器や携帯電話機器などが備える液晶表示素子などの表示装置上には、情報を入力するための抵抗膜式タッチパネルが配置されるようになっている。
抵抗膜式タッチパネルは、２つの透明導電性フィルムがアクリル樹脂などの絶縁材料からなるスペーサを介して対向配置された構造を有する。透明導電性フィルムは、タッチパネルの電極として機能するものであり、高分子フィルムなどの透明性を有する基材と、この基材上に形成された、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの高屈折率の材料（例えば１．９〜２．１程度）からなる透明導電膜とを備える。
抵抗膜式タッチパネル用としての透明導電性フィルムには、例えば３００Ω／□〜５００Ω／□程度の所望の表面抵抗値が求められている。また、透明導電性フィルムには、抵抗膜式タッチパネルが配置される液晶表示素子などの表示装置の表示品質の劣化を避けるため、高い透過率が求められている。
所望の表面抵抗値を実現するためには、透明導電性フィルムを構成する透明導電膜を例えば２０ｎｍ〜３０ｎｍ程度まで厚くする必要がある。しかしながら、高屈折率の材料である透明導電膜を厚くすると、透明導電膜と基材との界面における外光の反射が増加し、透明導電性フィルムの透過率が低下してしまうため、表示装置の品質の劣化が生じる問題がある。
この問題を解決するために、例えば特開２００３−１３６６２５号公報では、基材と透明導電膜との間に反射防止膜を設けたタッチパネル用の透明導電性フィルムが提案されている。この反射防止膜は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を順次積層して形成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記公報に記載の透明導電性フィルムでは、反射防止膜の反射機能に波長依存があるため、透明導電性フィルムの透過率に波長分散が生じてしまい、広範囲の波長で高透過率を実現することが困難である。
したがって、本発明の目的は、導電性光学素子、タッチパネル、情報入力装置、表示装置、太陽電池、および導電性光学素子作製用原盤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上述の課題を解決するために、この発明は、
表面を有する基体と、
基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状の凸部または凹部である構造体と、
構造体上に形成された透明導電膜と、
を備え、
構造体のアスペクト比は０．２以上１．３以下であり、
透明導電膜は構造体に倣った表面を有し、
構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１が、８０ｎｍ以下であり、
透明導電膜の表面抵抗は、５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲である導電性光学素子である。
この発明において、主構造体を四方格子状または準四方格子状に周期的に配置することが好ましい。ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。
例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。
この発明において、構造体を六方格子状または準六方格子状に周期的に配置することが好ましい。ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。
例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子をいう。または、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。
この発明において、楕円には、数学的に定義される完全な楕円のみならず、多少の歪みが付与された楕円も含まれる。円形には、数学的に定義される完全な円（真円）のみならず、多少の歪みが付与された円形も含まれる。
この発明において、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
この発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．２、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．２、より好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
この発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、反射防止特性および透過特性を向上することができる。
この発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、トラックの延在方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックの延在方向の配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。
この発明において、構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、反射防止特性および透過特性を向上することができる。
構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。
本発明に係る導電性光学素子は、抵抗膜式タッチパネルおよび静電容量式タッチパネルなどの情報入力素子、電子ペーパー、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）表示素子、および液晶表示素子などの表示素子、太陽電池、電磁ノイズ除去シート、光源などに適用して好適なものである。本発明に係る導電性基材を太陽電池に適用する場合、具体的には例えば、色素増感太陽電池の光電極または対極に用いられる導電性基材などに適用可能であるが、本発明の導電性基材の適用例はこれに限定されるものではなく、導電性基材などを用いる種々の太陽電池に対して適用可能である。
本発明では、微細ピッチで基体表面に多数配設けられた構造体が、複数列のトラックをなしていると共に、隣接する３列のトラック間において、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしていることが好ましい。このようにすることで、表面における構造体の充填密度を高くすることができ、これにより可視光などの反射防止効率を高め、反射防止特性に優れ、透過率の高い導電性光学素子を得ることができる。
また、光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて光学素子を作製した場合には、光学素子作製用原盤を短時間で効率良く製造することができるとともに基体の大型化にも対応でき、これにより、光学素子の生産性の向上を図ることができる。また、構造体の微細配列を光入射面だけでなく光出射面にも設けた場合には、透過特性をより一層向上させることができる。
【発明の効果】
【０００５】
以上説明したように、本発明によれば、優れた反射防止性を有する導電性光学素子を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１Ｄは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１Ｅは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１Ｆは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
図２は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
図３Ａは、図１Ａに示した導電性光学素子のトラック延在方向の断面図である。図３Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子１のθ方向の断面図である。
図４は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
図５は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
図６は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
図７は、構造体の境界が不明瞭な場合の構造体底面の設定方法について説明するための図である。
図８Ａ〜図８Ｄは、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。
図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。
図１０Ａは、導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す斜視図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示したロールマスタの一部を拡大して表す平面図である。
図１１は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。
図１２Ａ〜図１２Ｃは、本発明の第１の実施形態による導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。
図１３Ａ〜図１３Ｃは、本発明の第１の実施形態による導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。
図１４Ａ〜図１４Ｂは、本発明の第１の実施形態による導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。
図１５Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１５Ｃは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１５Ｄは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１５Ｅは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１５Ｆは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
図１６は、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。
図１７Ａは、導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す斜視図である。図１７Ｂは、図１７Ａに示したロールマスタの一部を拡大して表す平面図である。
図１８Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１８Ｃは、図１８ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１８Ｄは、図１８ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
図１９Ａは、導電性光学素子を作製するためのディスクマスタの構成の一例を示す平面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示したディスクマスタの一部を拡大して表す平面図である。
図２０は、ディスク原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。
図２１Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。
図２２Ａは、本発明の第５の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２２Ｃは、図２２ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２２Ｄは、図２２ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
図２３は、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
図２４Ａは、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図、図２４Ｃは、図２４ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２４Ｄは、図２４ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
図２５は、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である
図２６は、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の屈折率プロファイルの一例を示すグラフである。
図２７は、構造体の形状の一例を示す断面図である。
図２８Ａ〜図２８Ｃは、変化点の定義を説明するための図である。
図２９は、本発明の第７の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。
図３０は、第８の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法に用いる熱転写成形装置の一構成例を示す模式図である。
図３１Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図３１Ｂは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の変形例を示す断面図である。
図３２Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３２Ｂは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。
図３３は、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。
図３４Ａは、本発明の第１２の実施形態に係るタッチパネルの構成の第１の例を示す斜視図である。図３４Ｂは、本発明の第１２の実施形態に係るタッチパネルの構成の第２の例を示す断面図である。
図３５Ａは、比較例１〜５の反射特性を示すグラフである。図３５Ｂは、比較例１〜５の透過特性を示すグラフである。
図３６Ａは、実施例１、２、比較例６、７におけるアスペクト比と表面抵抗との関係を示すグラフである。図３６Ｂは、実施例１、２、比較例６、７における構造体高さと表面抵抗との関係を示すグラフである。
図３７Ａは、実施例１、２、比較例６、７の透過特性を示すグラフである。図３７Ｂは、実施例１、２、比較例６、７の反射特性を示すグラフである。
図３８Ａは、実施例１、比較例９の透過特性を示すグラフである。図３８Ｂは、実施例１、比較例９の反射特性を示すグラフである。
図３９Ａは、比較例６、８の透過特性を示すグラフである。図３９Ｂは、比較例６、８の反射特性を示すグラフである。
図４０Ａは、実施例３、４、比較例１１、１２の透過特性を示すグラフである。図４０Ｂは、実施例３、４、比較例１１、１２の反射特性を示すグラフである。
図４１は、実施例５、比較例１３〜１６の透過特性を示すグラフである。
図４２Ａは、比較例１７、１８の導電性光学シートの透過特性を示すグラフである。図４２Ｂは、比較例１７、１８の導電性光学シートの反射特性を示すグラフである。
図４３Ａは、比較例１９、２０の反射特性を示すグラフである。図４３Ｂは、実施例６、比較例２１の反射特性を示すグラフである。
図４４Ａは、実施例７、比較例２２の反射特性を示すグラフである。図４４Ｂは、実施例８、比較例２３の反射特性を示すグラフである。
図４５Ａは、構造体を六方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図４５Ｂは、構造体を四方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。
図４６は、試験例３のシミュレーション結果を示すグラフである。
図４７は、凸部である構造体上に形成された透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３の求め方を説明するための略線図である。
図４８Ａは、本発明の第１３の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図４８Ｂは、図４８Ａに示した配線領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図４８Ｃは、図４８Ａに示した非配線領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。
図４９Ａは、本発明の第１３の実施形態に係るタッチパネルのより具体的な構成例を示す斜視図である。図４９Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。
図５０Ａは、凸状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図５０Ｂは、図５０Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図５０Ｃは、図５０ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図５０Ｄは、図５０ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
図５１Ａは、図５０Ｂに示した第１の光学層のトラック延在方向の断面図である。図５１Ｂは、図５０Ｂに示した第１の光学層のθ方向の断面図である。
図５２Ａは、図５０Ｂに示した構造体の第１の形状例を表す斜視図である。図５２Ｂは、図５０Ｂに示した構造体の第２の形状例を表す斜視図である。
図５３Ａは、図５０Ｂに示した構造体の第３の形状例を表す斜視図である。図５３Ｂは、図５０Ｂに示した構造体の第４の形状例を表す斜視図である。
図５４Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。図５４Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。
図５５Ａは、凹状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図５５Ｂは、図５５Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図５５Ｃは、図５５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図５５Ｄは、図５５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
図５６は、図５５Ｂに示した導電性素子の一部を拡大して表す斜視図である。
図５７Ａは、第１の光学層を作製するためのロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図５７Ｂは、図５７Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。
図５８は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。
図５９Ａ〜図５９Ｃは、本発明の第１３の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
図６０Ａ〜図６０Ｃは、本発明の第１３の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
図６１Ａ〜図６１Ｂは、本発明の第１３の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
図６２Ａは、第１３の実施形態に係る導電性素子のトラックの第１の変形例を示す平面図である。図６２Ｂは、第１３の実施形態に係る導電性素子のトラックの第２の変形例を示す平面図である。
図６３は、第１３の実施形態に係る導電性素子の透明導電膜および凹凸形状の変形例を示す断面図である。
図６４Ａは、本発明の第１４の実施形態に係る導電性素子の配線領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図６４Ｂは、本発明の第１４の実施形態に係る導電性素子の非配線領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。
図６５Ａは、本発明の第１５の実施形態に係る導電性素子の構成の一例を示す概略平面図である。図６５Ｂは、図６５Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図６５Ｃは、図６５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図６５Ｄは、図６５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
図６６Ａは、第１６の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の一例を示す概略平面図である。図６６Ｂは、図６６Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。
図６７Ａは、本発明の第１７の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図６７Ｂは、図６７Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図６７Ｃは、図６７Ｂに示したＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
図６８は、本発明の第１８の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。
図６９Ａは、本発明の第１９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図６９Ｂは、図６９Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図６９Ｃは、図６９Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。
図７０は、本発明の第２０の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図７０Ｂは、図７０Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図７０Ｃは、図７０Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。
図７１は、実施例１−１〜１−３、比較例１−１に係る導電性素子の反射特性を示すグラフである。
図７２は、実施例２−１〜２−３、比較例２−１に係る導電性素子の反射特性を示すグラフである。
図７３は、実施例３−１、３−２に係る導電性素子、および比較例３−１に係る光学素子の反射特性を示すグラフである。
図７４は、参考例１−１〜１−３に係る導電性素子、および参考例１−４に係る光学素子の反射特性を示すグラフである。
図７５は、実施例４−１、比較例４−１、４−３に係る導電性シート、および比較例４−２に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。
図７６Ａは、実施例５−１〜５−４に係る導電性シート、および比較例５−１に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。図７６Ｂは、実施例６−１〜６−４に係る導電性シート、および比較例６−１に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。
図７７Ａは、実施例７−１〜７−４に係る導電性シート、および比較例７−１に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。図７７Ｂは、実施例８−１〜８−３、比較例８−１に係る導電性シート、および比較例８−２に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。
図７８Ａは、実施例９−１〜９−３、比較例９−１に係る導電性シート、および比較例９−２に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。図７８Ｂは、実施例１０−１、１０−２、比較例１０−１に係る導電性シート、および比較例１０−２に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。
図７９は、実施例１１−１〜１１−３、比較例１１−１に係る導電性シート、および比較例１１−２に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。
図８０Ａは、実施例１２−１〜１２−３、比較例１２−１〜１２−３に係る導電性シートの表面抵抗の特性を示すグラフである。図８０Ｂは、実施例１３−１〜１８−３、比較例１６−１〜１８−１の導電性シートの表面抵抗の特性を示すグラフである。図８０Ｃは、実施例１９−１〜１９−４の導電性シートの表面抵抗の特性を示すグラフである。
図８１Ａは、実施例２０−１、２０−５、２０−７、比較例２０−１の導電性シートの反射特性を示すグラフである。図８１Ｂは、実施例２０−２、実施例２０−４、比較例２０−２の導電性シートの反射特性を示すグラフである。
図８２Ａは、実施例２０−８、比較例２０−１の導電性シートの反射特性を示すグラフである。図８２Ｂは、実施例２０−８、比較例２０−１の導電性シートの透過特性を示すグラフである。
図８３は、実施例２０−７、２０−９、比較例２０−１の導電性シートのＸＲＤスペクトルを示すグラフである。
【符号の説明】
【０００７】
１    光学素子
２    基体
３    構造体
４    突出部
１１    ロールマスタ
１２    基体
１３    構造体
１４    レジスト層
１５    レーザー光
１６    潜像
２１    レーザー
２２    電気光学変調器
２３，３１    ミラー
２４    フォトダイオード
２６    集光レンズ
２７    音響光学変調器
２８    コリメータレンズ
２９    フォーマッタ
３０    ドライバ
３２    移動光学テーブル系
３３    ビームエキスパンダ
３４    対物レンズ
３５    スピンドルモータ
３６    ターンテーブル
３７    制御機構
２０１    光学層
２０２    第１の光学層
２０２ａ    第１の構造体
２０２ｂ    第４の構造体
２０２ｃ    基体
２０３    第２の光学層
２０３ａ    第２の構造体
２０４    第３の光学層
２０４ａ    第３の構造体
２０５    第１の透明導電膜（Ｘ電極）
２０５ａ    金属膜
２０６    第２の透明導電膜（Ｙ電極）
２０６ａ    金属膜
２０７    貼合層
２０８    光学シート
２１０    タッチパネル
２１１    導電性素子
２１２    表示装置
３０１    ロール原盤
３０２    構造体
３０３    レジスト層
３０４    レーザー光
３０５    潜像
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（直線状でかつ六方格子状に構造体を２次元配列した例：図１参照）
２．第２の実施形態（直線状でかつ四方格子状に構造体を２次元配列した例：図１５参照）
３．第３の実施形態（円弧状でかつ六方格子状に構造体を２次元配列した例：図１８参照）
４．第４の実施形態（構造体を蛇行させて配列した例：図２１参照）
５．第５の実施形態（凹形状の構造体を基体表面に形成した例：図２２参照）
６．第６の実施形態（屈折率プロファイルをＳ字形状とした例：図２４参照）
７．第７の実施形態（導電性光学素子の両主面に構造体を形成した例：図２９参照）
８．第８の実施形態（熱転写により構造体を形成した例：図３０）
９．第９の実施形態（抵抗膜式タッチパネルに対する適用例：図３１Ａ、図３１Ｂ参照）
１０．第１０の実施形態（タッチパネルのタッチ面にハードコート層を形成した例：図３２Ａ、図３２Ｂ参照）
１１．第１１の実施形態（インナータッチパネルの例：図３３参照）
１２．第１２の実施形態（静電容量式タッチパネルに対する適用例：図３４Ａ、図３４Ｂ参照）
１３．第１３の実施形態（光学層内に２層の透明導電膜を備えた例：図４８参照）
１４．第１４の実施形態（光学層内に金属膜をさらに備えた例：図６４参照）
１５．第１５の実施形態（構造体を四方格子状に２次元配列した例：図６５参照）
１６．第１６の実施形態（２種以上の構造体を２次元配列した例：図６６参照）
１７．第１７の実施形態（構造体をランダムに配列した例：図６７参照）
１８．第１８の実施形態（光学層内に単層の透明導電膜を備えた例：図６８参照）
１９．第１９の実施形態（抵抗膜方式タッチパネルに対する適用例：図６９参照）
２０．第２０の実施形態（表示装置に対する適用例：図７０参照）
＜１．第１の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１Ｄは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１Ｅは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１Ｆは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図２、図４〜図６は、図１Ａに示した導電性光学素子１の一部を拡大して表す斜視図である。図３Ａは、図１Ａに示した導電性光学素子のトラックの延在方向（Ｘ方向（以下、適宜トラック方向ともいう））の断面図である。図３Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子のθ方向の断面図である。
導電性光学素子１は、対向する両主面を有する基体２と、反射の低減を目的とする光の波長以下の微細ピッチで一主面に配置された、凸部である複数の構造体３と、これらの構造体３上に形成された透明導電膜４とを備える。また、表面抵抗の低減の観点から、構造体３と透明導電膜４との間に金属膜（導電膜）５をさらに設けてもよい。この導電性光学素子１は、基体２を図２の−Ｚ方向に透過する光について、構造体３とその周囲の空気との界面における反射を防止する機能を有している。
以下、導電性光学素子１に備えられる基体２、構造体３、透明導電膜４、および金属膜５について順次説明する。
構造体３のアスペクト比（高さＨ／平均配置ピッチＰ）が、好ましくは０．２以上１．３以下、より好ましくは０．２以上１．０以下の範囲内である。透明導電膜４の平均膜厚は、９ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体３のアスペクト比が０．２未満であり、透明導電膜４の平均膜厚が８０ｎｍを超えると、反射防止特性、および透過特性が低下する傾向にある。一方、構造体３のアスペクト比が１．３を超え、透明導電膜４の平均膜厚が９ｎｍ未満であると、構造体３の斜面が急峻になり、透明導電膜４の平均膜厚が薄くなるため、表面抵抗が上昇する傾向にある。すなわち、アスペクト比、および平均膜厚が上記数値範囲を満たすことで、幅広い範囲の表面抵抗（例えば５０Ω／□以上５００Ω／□以下）を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得ることができる。ここで透明導電膜４の平均膜厚は、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ１である。
また、構造体３のアスペクト比が、好ましくは０．２以上１．３以下、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射防止特性が劣化する傾向があり、１．３を超えると、斜面部傾斜が急峻となり膜厚が薄くなるため環境耐久性などで導電性が劣化する傾向がある。
構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚をＤｍ１、構造体３の傾斜面における透明導電膜４の平均膜厚をＤｍ２、構造体間における透明導電膜４の平均膜厚をＤｍ３としたときに、Ｄｍ１＞Ｄｍ３＞Ｄｍ２の関係を満たすことが好ましい。構造体３の傾斜面の平均膜厚Ｄ２は、９ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３が上記関係を満たし、かつ透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ２が上記数値範囲を満たすことで、幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得ることができる。なお、平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３が上記関係を有しているか否かは、後述するように平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３をそれぞれ求めることにより確認することができる。
透明導電膜４が、構造体３の形状に倣った表面を有し、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄ１が、８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。透明導電膜４が、構造体３の形状に倣った表面を有し、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄ１が、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。８０ｎｍを超えると、反射防止特性が劣化する傾向がある。１０ｎｍ未満であると、所定の抵抗を実現するのが困難となる傾向がある。また、環境耐久性が低下する傾向がある。
幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得る観点からすると、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ１は、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であり、構造体３の傾斜面における透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ２は、９ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であり、構造体間における透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ３は、９ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。
図４７は、凸部である構造体上に形成された透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３の求め方を説明するための略線図である。以下、図４７を参照して、平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３の求め方を説明する。
まず、導電性光学素子１を構造体３の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３の頂部における透明導電膜４の膜厚Ｄ１を測定する。次に、構造体３の傾斜面の位置のうち、構造体３の半分の高さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定する。次に、構造体間の凹部の位置のうち、その凹部の深さが最も深くなる位置の膜厚Ｄ３を測定する。次に、これらの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の測定を導電性光学素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３を求める。
透明導電膜４の表面抵抗は、５０Ω／□以上４０００Ω／□以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲内である。このような範囲の表面抵抗にすることで、種々の方式のタッチパネルの上部電極、または下部電極として透明導電性光学素子１を用いることができるからである。ここで、透明導電膜４の表面抵抗は、４端子測定（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）により求めたものである。
透明導電膜４の比抵抗は、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、より好ましくは６×１０−４Ω・ｃｍ以下である。１×１０−３Ω・ｃｍ以下であると、上記表面抵抗範囲を実現することができるからである。
構造体３の平均配置ピッチＰは、好ましくは１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の範囲内である。平均配置ピッチが１００ｎｍ未満であると、斜面部傾斜が急峻となり膜厚が薄くなるため環境耐久性等で導電性が劣化する傾向がある。一方、平均配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
構造体３の高さ（深さ）Ｈは、好ましくは３０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の範囲内である。構造体３の高さＨが３０ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向がある。構造体３の高さＨが３２０ｎｍを超えると、所定の抵抗を実現するのが困難となる傾向がある。
（基体）
基体２は、例えば、透明性を有する透明基体である。基体２の材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。
ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、Ｐ．Ｉ−５３７、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（ＣＲ−３９）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。
基材２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。
基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基材２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。
基体２の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。基体２の形状は、カメラなどの光学機器などにおいて、所定の反射防止機能が必要とされる部分の形状などに合わせて適宜選択することが好ましい。
（構造体）
基体２の表面には、凸部である構造体３が多数配列されている。この構造体３は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチ、例えば可視光の波長と同程度の配置ピッチで周期的に２次元配置されている。ここで、配置ピッチとは、配置ピッチＰ１および配置ピッチＰ２を意味する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、配置ピッチは、１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の範囲内である。平均配置ピッチが１００ｎｍ未満であると、斜面部傾斜が急峻となり膜厚が薄くなるため環境耐久性等で導電性が劣化する。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
導電性光学素子１の各構造体３は、基体２の表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本発明において、トラックとは、構造体３が列をなして直線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基体２の成形面において、トラックの延在方向（Ｘ方向）に直交する方向）のことをいう。
構造体３は、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体３が配置されている。その結果、図１Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。この第１の実施形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。
構造体３が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図１Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体３の配置ピッチＰ１（ａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体３を配置することで、構造体３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。
構造体３が、成形の容易さの観点から、錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。これらの錐体形状は、頂部に凸状の曲面を有することが好ましい。構造体３が、軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する構造体３に接合されている場合には、構造体３が、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。
構造体３は、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、構造体３は、図２および図４に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。もしくは、図５に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平坦である楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。
反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図４参照）が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状（図２参照）、または、頂部が平坦な錐体形状（図５参照）であることが好ましい。構造体３が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。図２などでは、各構造体３は、それぞれ同一の形状を有しているが、構造体３の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の構造体３が形成されていてもよい。また、構造体３は、基体２と一体的に形成されていてもよい。また、構造体３の形状は頂部と底部とで異なる形状を有していてもよい。
また、図２、図４〜図６に示すように、構造体３の周囲の一部または全部に突出部６を設けることが好ましい。このようにすると、構造体３の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部６は、図２、図４、および図５に示すように、隣り合う構造体３の間に設けられる。また、細長い突出部６が、図６に示すように、構造体３の周囲の全体またはその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部６は、例えば、構造体３の頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部６の形状としては、断面三角形状および断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、構造体３の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体３の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体３の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。
構造体３は図示する凸部形状のものに限らず、基体２の表面に形成した凹部で構成されていてもよい。
なお、構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布（例えばアスペクト比０．２〜１．３程度の範囲）をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体３を設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する導電性光学素子１を実現することができる。
ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する構造体３が基体２の表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する構造体３と、この構造体３とは異なる高さを有する構造体３とが基体２の表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する構造体３は、例えば基体２の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。
構造体３の周縁部に裾部３ａを設けることが好ましい。導電性光学素子の製造工程において構造体３を金型などから容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部３ａとは、構造体３の底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部３ａは、上記剥離特性の観点からすると、構造体３の頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部３ａは、構造体３の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体３の周縁部の全部に設けることが好ましい。また、構造体３が凹部である場合には、裾部は、構造体３である凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。
構造体３の高さ（深さ）は特に限定されず、透過させる光の波長領域に応じて適宜設定され、構造体３の高さ（深さ）Ｈは、好ましくは３０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、構造体３の高さＨが３０ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向がある。構造体３の高さＨが３２０ｎｍを超えると、所定の抵抗を実現するのが困難となる傾向がある。また、構造体３のアスペクト比が、好ましくは０．２以上１．３以下、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射防止特性が劣化する傾向があり、１．３を超えると、斜面部傾斜が急峻となり膜厚が薄くなるため環境耐久性等で導電性が劣化する傾向があり、かつレプリカ複製時に剥離特性が悪化する。
なお、本発明においてアスペクト比は、以下の式（１）により定義される。
アスペクト比＝Ｈ／Ｐ・・・（１）
但し、Ｈ：構造体の高さ、Ｐ：平均配置ピッチ（平均周期）
ここで、平均配置ピッチＰは以下の式（２）により定義される。
平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３  ・・・（２）
但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）
また、構造体３の高さＨは、構造体３の列方向の高さとする。構造体３のトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、構造体３のトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。但し、構造体３が凹部である場合、上記式（１）における構造体の高さＨは、構造体の深さＨとする。
同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体３の下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整などして構造体３に歪みを付与することが好ましい。
ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体３の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（３）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（ｈｅｘ．）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００  ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（ｕｎｉｔ）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（ｈｅｘ．）＝２Ｓ
上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。
構造体３が重なっているときや、構造体３の間に突出部６などの副構造体があるときの充填率は、構造体３の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。
図７は、構造体３の境界が不明瞭な場合の充填率の算出方法について説明するための図である。構造体３の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図７に示すように、構造体３の高さｈの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体３の径を換算し充填率を求めるようにする。構造体３の底面が楕円である場合には、長軸および短軸で同様の処理を行う。
図８は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。図８Ａ〜図８Ｄに示す楕円の楕円率はそれぞれ、１００％、１１０％、１２０％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。
ここで、楕円率ｅは、構造体底面のトラック方向（Ｘ方向）の径をａ、それとは直交する列方向（Ｙ方向）の径をｂとしたときに、（ａ／ｂ）×１００で定義される。なお、構造体３の径ａ、ｂは以下のようにして求めた値である。導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影し、撮影したＳＥＭ写真から無作為に構造体３を１０個抽出する。次に、抽出した構造体３それぞれの底面の径ａ、ｂを測定する。そして、測定値ａ、ｂそれぞれを単純に平均（算術平均）して径ａ、ｂの平均値を求め、これを構造体３の径ａ、ｂとする。
図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。具体的には、構造体３の下部が、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部と接合されていることが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。図９Ａ、図９Ｂでは、隣接関係にある構造体３の全部の下部を接合する例が示されている。このように構造体３を接合することで、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。
図９Ｂに示すように、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、ｂ、ｃの順序で接合部の高さが浅くなる。具体的には、同一トラック内において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第１の接合部ａが形成されるとともに、隣接するトラック間において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第２の接合部２が形成される。第１の接合部ａと第２の接合部ｂとの交点に交点部ｃが形成される。交点部ｃの位置は、例えば、第１の接合部ａ、および第２の接合部ｂの位置よりも低くなっている。楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、接合部ｂ、交点部ｃの順序でそれらの高さが低くなる。
配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体３の重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
（透明導電膜）
透明導電膜４は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ２、ＩｎＯ２、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明導電膜４を構成する材料としては、例えばＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２：インジウム錫酸化物）、ＡＺＯ（Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ：アルミドープ酸化亜鉛）、ＳＺＯ、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＳｎＯ２（酸化錫）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ：酸化インジウム亜鉛）などが挙げられるが、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、ＩＴＯが好ましい。透明導電膜４を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、結晶性を有していることが好ましい。具体的には、透明導電膜４を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。透明導電膜４を構成する材料が結晶性を有しているか否かは、例えば、Ｘ線回折法（Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＸＲＤ）により確認することができる。透明導電膜４は、構造体３の表面形状に倣って形成され、構造体３と透明導電膜４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。透明導電膜４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。
（金属膜）
金属膜（導電膜）５を透明導電膜４の下地層として設けることが好ましい。抵抗率を低減でき、透明導電膜４を薄くすることができる、または透明導電膜４だけでは導電率が十分な値に達しない場合に、導電率を補うことができるからである。金属膜５の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば数ｎｍ程度に選ばれる。金属膜５は導電率が高いため、数ｎｍの膜厚で十分な表面抵抗を得ることができる。また、数ｎｍ程度であれば、金属膜５による吸収や反射などの光学的な影響がほとんどない。金属膜５を構成する材料としては、導電性が高い金属系の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｂ、不純物添加Ｓｉなどが挙げられるが、導電性の高さ、および使用実績などを考慮すると、Ａｇが好ましい。金属膜５だけでも表面抵抗を確保することが可能だが極端に薄い場合、金属膜５が島状の構造となってしまい、導通性を確保することが困難となる。その場合、島状の金属膜５を電気的につなぐためにも、金属膜５の上層の透明導電膜４の形成が重要となってくる。
［ロールマスタの構成］
図１０は、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す。図１０に示すように、ロールマスタ１１は、例えば、原盤１２の表面に凹部である構造体１３が可視光などの光の波長と同程度のピッチで多数配置された構成を有している。原盤１２は、円柱状または円筒状の形状を有する。原盤１２の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォーマッタ信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成する。
［導電性光学素子の製造方法］
次に、図１１〜図１４を参照しながら、以上のように構成される導電性光学素子１の製造方法について説明する。
第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法は、原盤にレジスト層を形成するレジスト形成工程、ロール原盤露光装置を用いてレジスト膜にモスアイパターンの潜像を形成する露光工程、潜像が形成されたレジスト層を現像する現像工程を備える。さらに、プラズマエッチングを用いてロールマスタを製作するエッチング工程、紫外線硬化樹脂により複製基板を製作する複製工程と、複製基板上に透明導電膜を成膜する成膜工程とを備える。
（露光装置の構成）
まず、図１１を参照して、モスアイパターンの露光工程に用いるロール原盤露光装置の構成について説明する。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
レーザー光源２１は、記録媒体としての原盤１２の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１５を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１５は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１５は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。
ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１５の位相変調を行う。
変調光学系２５において、レーザー光１５は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ２）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Ａｃｏｕｓｔ−Ｏｐｔｉｃ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２７に集光される。レーザー光１５は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１５は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。
移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１５は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、原盤１２上のレジスト層へ照射される。原盤１２は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、原盤１２を回転させるとともに、レーザー光１５を原盤１２の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１５を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１５の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
露光装置は、図１Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォーマッタ２９とドライバ３０とを備える。フォーマッタ２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１５の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、図１０Ｂに示すように、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォーマッタ信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォーマッタ信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ３４を介して原盤１２上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。
（レジスト成膜工程）
まず、図１２Ａに示すように、円柱状の原盤１２を準備する。この原盤１２は、例えばガラス原盤である。次に、図１２Ｂに示すように、原盤１２の表面にレジスト層１４を形成する。レジスト層１４の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。
（露光工程）
次に、図１２Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、原盤１２を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１５をレジスト層１４に照射する。このとき、レーザー光１５を原盤１２の高さ方向（円柱状または円筒状の原盤１２の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１５を間欠的に照射することで、レジスト層１４を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光１５の軌跡に応じた潜像１６が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１４の全面にわたって形成される。
潜像１６は、例えば、原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１６は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
（現像工程）
次に、原盤１２を回転させながら、レジスト層１４上に現像液を滴下して、図１３Ａに示すように、レジスト層１４を現像処理する。図示するように、レジスト層１４をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１５で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１４に形成される。
（エッチング工程）
次に、原盤１２の上に形成されたレジスト層１４のパターン（レジストパターン）をマスクとして、原盤１２の表面をロールエッチング処理する。これにより、図１３Ｂに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１３を得ることができる。エッチング方法は、例えばドライエッチングによって行われる。このとき、エッチング処理とアッシング処理を交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体１３のパターンを形成することができる。また、レジスト層１４の３倍以上の深さ（選択比３以上）のガラスマスターを作製できる。ドライエッチングとしては、エッチング装置を用いたプラズマエッチングが好ましい。
以上により、例えば、深さ３０ｎｍ程度から３２０ｎｍ程度の凹形状の六方格子パターンまたは準六方格子パターンを有するロールマスタ１１が得られる。
（複製工程）
次に、例えば、ロールマスタ１１と転写材料を塗布したシートなどの基体２を密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離する。これにより、図１３Ｃに示すように、凸部である複数の構造体が基体２の一主面に形成され、モスアイ紫外線硬化複製シートなどの導電性光学素子１が作製される。
転写材料は、例えば、紫外線硬化材料と、開始剤とからなり、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいる。
紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル  アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル  アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル  アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル  アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン  ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。
多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。
開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。
フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。
機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。
基体２の成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。
（金属膜成膜工程）
次に、図１４Ａに示すように、必要に応じて、構造体３が形成された基体２の凹凸面上に、金属膜を成膜する。金属膜の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。
（導電膜の成膜工程）
次に、図１４Ｂに示すように、構造体３が形成された基体２の凹凸面上に、透明導電膜を成膜する。透明導電膜の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。
第１の実施形態によれば、非常に高透過率で反射光が低く写りこみの少ない導電性光学素子１を提供できる。複数の構造体３を表面に形成することにより反射防止機能を実現しているため、波長依存性が少ない。角度依存性が光学膜タイプの透明導電膜より少ない。多層の光学膜を使用せず、ナノインプリント技術の利用と高スループットな膜構成の採用とによって、優れた量産性、および低コストを実現できる。
＜２．第２の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１５Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１５Ｃは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１５Ｄは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１５Ｅは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１５Ｆは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
第２の実施形態に係る導電性光学素子１は、各構造体３が、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。本発明において、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。
構造体３の高さ（深さ）Ｈは、好ましくは３０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、構造体３の高さＨが３０ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向がある。構造体３の高さＨが３２０ｎｍを超えると、所定の抵抗を実現するのが困難となる傾向がある。また、構造体３のアスペクト比が、好ましくは０．２以上１．３以下、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射防止特性が劣化する傾向があり、１．３を超えると、斜面部傾斜が急峻となり膜厚が薄くなるため環境耐久性等で導電性が劣化する傾向があり、かつレプリカ複製時に剥離特性が悪化する。更に、各構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。
同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１／Ｐ２が１．０＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体３の高さまたは深さは、トラックの延在方向における構造体３の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。
トラックの延在方向に対して斜となる構造体３の配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。
図１６は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。楕円３１、３２、３３の楕円率はそれぞれ、１００％、１６３．３％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が四方格子または準四方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１５０％≦ｅ≦１８０％であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。
基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。
ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１５Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃに含まれる４つの構造体３のいずれかの底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（４）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（ｔｅｔｒａ）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００  ・・・（２）
単位格子面積：Ｓ（ｕｎｉｔ）＝２×（（Ｐ１×Ｔｐ）×（１／２））＝Ｐ１×Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（ｔｅｔｒａ）＝Ｓ
上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。
配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
［ロールマスタの構成］
図１７は、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す。このロールマスタは、その表面において凹状の構造体１３が四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。
ロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、四方格子パターン、または準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォーマッタ信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンをレーザー光の照射により原盤１２上のレジストに形成することが好ましい。
＜３．第３の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１８Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１８Ｃは、図１８ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１８Ｄは、図１８ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
第３の実施形態に係る導電性光学素子１は、トラックＴが円弧状の形状を有し、構造体３が円弧状に配置されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。図１８Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。ここで、準六方格子パターンとは、正六方格子パターンとは異なり、トラックＴの円弧状に沿って歪んだ六方格子パターンを意味する。あるいは、正六方格子パターンとは異なり、トラックＴの円弧状に沿って歪み、かつ、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンを意味する。
上述した以外の導電性光学素子１の構成は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
［ディスクマスタの構成］
図１９Ａ、図１９Ｂは、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのディスクマスタの構成の一例を示す。図１９Ａ、図１９Ｂに示すように、ディスクマスタ４１は、円盤状の原盤４２の表面に凹部である構造体４３が多数配列された構成を有している。この構造体１３は、導電性光学素子１の使用環境下の光の波長帯域以下、例えば可視光の波長と同程度のピッチで周期的に２次元配列されている。構造体４３は、例えば、同心円状またはスパイラル状のトラック上に配置されている。
上述した以外のディスクマスタ４１の構成は、第１の実施形態のロールマスタ１１と同様であるので説明を省略する。
［導電性光学素子の製造方法］
まず、図２０を参照して、上述した構成を有するディスクマスタ４１を作製するための露光装置について説明する。
移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、ミラー３８および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１５は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、ミラー３８および対物レンズ３４を介して、円盤状の原盤４２上のレジスト層へ照射される。原盤４２は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル（図示を省略する。）の上に載置されている。そして、原盤４２を回転させるとともに、レーザー光１５を原盤４２の回転半径方向に移動させながら、原盤４２上のレジスト層へレーザー光を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１５の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
図２０に示した露光装置においては、レジスト層に対して図１８Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンからなる潜像を形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォーマッタ２９とドライバ３０とを備える。フォーマッタ２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１５の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
制御機構３７は、潜像の２次元パターンが空間的にリンクするように、１トラック毎に、ＡＯＭ２７によるレーザー光１５の強度変調と、スピンドルモータ３５の駆動回転速度と、移動光学テーブル３２の移動速度とをそれぞれ同期させる。原盤４２は、角速度一定（ＣＡＶ）で回転制御される。そして、スピンドルモータ３５による原盤４２の適切な回転数と、ＡＯＭ２７によるレーザー強度の適切な周波数変調と、移動光学テーブル３２によるレーザー光１５の適切な送りピッチとでパターニングを行う。これにより、レジスト層に対して六方格子パターン、または準六方格子パターンの潜像が形成される。
更に、極性反転部の制御信号を、空間周波数（潜像のパターン密度であり、Ｐ１：３３０、Ｐ２：３００ｎｍ、または、Ｐ１：３１５ｎｍ、Ｐ２：２７５ｎｍ、または、Ｐ１：３００ｎｍ、Ｐ２：２６５ｎｍ）が一様になるように徐々に変化させる。より具体的には、レジスト層に対するレーザー光１５の照射周期を１トラック毎に変化させながら露光を行い、各トラックＴにおいてＰ１がほぼ３３０ｎｍ（あるいは３１５ｎｍ、３００ｎｍ）となるように制御機構３７においてレーザー光１５の周波数変調を行う。即ち、トラック位置が円盤状の原盤４２の中心から遠ざかるに従い、レーザー光の照射周期が短くなるように変調制御する。これにより、基板全面において空間周波数が一様なナノパターンを形成することが可能となる。
以下、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例について説明する。
まず、上述した構成を有する露光装置を用いて、円盤状の原盤上に形成されたレジスト層を露光する以外は、第１の実施形態と同様にしてディスクマスタ４１を作製する。次に、このディスクマスタ４１と、紫外線硬化樹脂を塗布したアクリルシートなどの基体２とを密着させ、紫外線を照射し紫外線硬化樹脂を硬化させた後、ディスクマスタ４１から基体２を剥離する。これにより、複数の構造体３が表面に配列された円盤状の光学素子が得られる。次に、複数の構造体３が形成された光学素子の凹凸面上に、透明導電膜４を成膜する。これにより、円盤状の導電性光学素子１が得られる。次に、この円盤状の導電性光学素子１から、矩形状などの所定形状の導電性光学素子１を切り出す。これにより、目的とする導電性光学素子１が作製される。
この第３の実施形態によれば、直線状に構造体３を配列した場合と同様に、生産性が高く、優れた反射防止特性を有する導電性光学素子１を得ることができる。
＜４．第４の実施形態＞
図２１Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。
第４の実施形態に係る導電性光学素子１は、構造体３を蛇行するトラック（以下ウォブルトラックと称する。）上に配列している点において、第１の実施形態とは異なっている。基体２上における各トラックのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルトラックの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルトラックの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルトラックのウォブル振幅は、例えば±１０μｍ程度に選択される。
この第４の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
第４の実施形態によれば、構造体３をウォブルトラック上に配列していので、外観上のムラの発生を抑制できる。
＜５．第５の実施形態＞
図２２Ａは、本発明の第５の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２２Ｃは、図２２ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２２Ｄは、図２２ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２３は、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
第５の実施形態に係る導電性光学素子１は、凹部である構造体３が基体表面に多数配列されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。この構造体３の形状は、第１の実施形態における構造体３の凸形状を反転して凹形状としたものである。なお、上述のように構造体３を凹部とした場合、凹部である構造体３の開口部（凹部の入り口部分）を下部、基体２の深さ方向の最下部（凹部の最も深い部分）を頂部と定義する。すなわち、非実体的な空間である構造体３により頂部、および下部を定義する。また、第５の実施形態では、構造体３が凹部であるため、式（１）などにおける構造体３の高さＨは、構造体３の深さＨとなる。
この第５の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
この第５の実施形態では、第１の実施形態における凸形状の構造体３の形状を反転して凹形状としているので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜６．第６の実施形態＞
図２４Ａは、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２４Ｃは、図２４ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２４Ｄは、図２４ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２５は、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
導電性光学素子１は、基体２と、この基体２の表面に形成された複数の構造体３と、これらの構造体３上に形成された透明導電膜４とを備える。この構造体３は、錐体形状の凸部である。隣接する構造体３の下部同士が、その下部同士を重なり合うようにして接合されている。隣接する構造体３のうち、最隣接する構造体３が、トラック方向に配置されていることが好ましい。このような位置に最隣接する構造体３を配置することが、後述する製造方法では容易であるからである。この導電性光学素子１は、構造体３が設けられた基体表面に対して入射する光の反射を防止する機能を有している。以下では、図２４Ａに示すように、基体２の一主面内において直交する２つの軸をＸ軸、Ｙ軸と称し、基体２の一主面に垂直な軸をＺ軸と称する。また、構造体３間に空隙部２ａがある場合には、この空隙部２ａに微細凹凸形状を設けることが好ましい。このような微細凹凸形状を設けることで、導電性光学素子１の反射率をさらに低減することができるからである。
図２６は、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の屈折率プロファイルの一例を示す。図２６に示すように、構造体３の深さ方向（図２４Ａ中、−Ｚ軸方向）に対する実効屈折率が、基体２に向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字形状の曲線を描くように変化している。すなわち、屈折率プロプロファイルが、１つの変曲点Ｎを有している。この変曲点は、構造体３の側面の形状に対応するものである。このように実効屈折率を変化させることで、光にとって境界が明確では無くなるため反射光を低減し、導電性光学素子１の反射防止特性を向上することができる。深さ方向に対する実効屈折率の変化は、単調増加であることが好ましい。ここで、Ｓ字状には、反転Ｓ字状、すなわちＺ字状も含まれる。
また、深さ方向に対する実効屈折率の変化が、構造体３の頂部側および基体側の少なくとも一方において実効屈折率の傾きの平均値よりも急峻であることが好ましく、構造体３の頂部側および基体側の両方において上記平均値よりも急峻であることがより好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。
構造体３の下部は、例えば、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部と接合されている。このように構造体同士の下部を接合することで、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率の変化を滑らかにすることができる。その結果、Ｓ字形状の屈折率プロファイルが可能となる。また、構造体同士の下部を接合することで、構造体の充填率を高めることができる。なお、図２４Ｂでは、隣接する全ての構造体３を接合したときの接合部の位置が、黒丸印「●」にて示されている。具体的には、接合部は、隣接する全ての構造体３の間、同一トラック内にて隣接する構造体３の間（例えばａ１〜ａ２間）、または、隣接するトラック間の構造体３の間（例えばａ１〜ａ７間、ａ２〜ａ７間）に形成される。滑らかな屈折率プロファイルを実現し、優れた反射防止特性を得るためには、隣接する全ての構造体３の間に接合部を形成することが好ましい。後述する製造方法により接合部を容易に形成するためには、同一トラック内にて隣接する構造体３の間に接合部を形成することが好ましい。構造体３が六方格子パターンまたは準六方格子パターンに周期的に配置されている場合には、例えば、構造体３が６回対称となる方位で接合する。
構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。このように構造体３を接合することで、Ｓ字形状の屈折率プロファイルを得ることができるとともに、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。
構造体３の材料としては、例えば、紫外線、もしくは電子線により硬化する電離放射線硬化型樹脂、または熱により硬化する熱硬化型樹脂を主成分とするものが好ましく、紫外線で硬化できる紫外線硬化樹脂を主成分とするものが最も好ましい。
図２７は、構造体の形状の一例を示す拡大断面図である。構造体３の側面が、基体２へ向けて徐々に拡大するとともに、図２６に示したＳ字状曲線の平方根の形状を描くように変化することが好ましい。このような側面形状にすることにより、優れた反射防止特性を得ることができ、かつ、構造体３の転写性を向上することができる。
構造体３の頂部３ｔは、例えば、平面形状、または、先端に行くに従って細くなる凸形状である。構造体３の頂部３ｔを平面形状とする場合、単位格子の面積Ｓに対する、構造体頂部の平面の面積Ｓｔの面積比率（Ｓｔ／Ｓ）は、構造体３の高さが高くなるにつれて小さくなるようにすることが好ましい。このようにすることで、導電性光学素子１の反射防止特性を向上することができる。ここで、単位格子は、例えば、六方格子または準六方格子などである。構造体底面の面積比率（単位格子の面積Ｓに対する、構造体底面の面積Ｓｂの面積比率（Ｓｂ／Ｓ）は、頂部３ｔの面積比率に近いことが好ましい。
頂部３ｔおよび下部３ｂを除く構造体３の側面は、その頂部３ｔから下部３ｂの方向に向かって、第１の変化点Ｐａおよび第２の変化点Ｐｂの組をこの順序で１つ有することが好ましい。これにより、構造体３の深さ方向（図２４Ａ中、−Ｚ軸方向）に対する実効屈折率が、１つの変曲点を有することができる。
ここで、第１の変化点および第２の変化点は以下のように定義される。
図２８Ａ、図２８Ｂに示すように、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂの間の側面が、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かって、滑らかな複数の曲面を不連続的に接合して形成されている場合には、接合点が変化点となる。この変化点と変曲点は一致することになる。接合点では正確には微分不可能であるが、ここでは、このような極限としての変曲点も変曲点と称する。構造体３が上述のような曲面を有する場合、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かう傾きが、第１の変化点Ｐａを境にしてより緩やかになった後、第２の変化点Ｐｂを境にしてより急になることが好ましい。
図２８Ｃに示すように、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂの間の側面が、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かって、滑らかな複数の曲面を連続的に滑らかに接合して形成されている場合には、変化点は以下のように定義される。図２８Ｃに示すように、構造体の側面に存在する２つの変曲点におけるそれぞれの接線が互いに交わる交点に対して、曲線上で最も近い点を変化点と称する。
構造体３は、その頂部３ｔから下部３ｂの間の側面に、１つのステップＳｔを有することが好ましい。このように１つのステップＳｔを有することで、上述の屈折率プロファイルを実現することができる。すなわち、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率を、基体２に向けて徐々に増加させるとともに、Ｓ字形状の曲線を描くように変化させることができる。ステップとしては、例えば傾斜ステップまたは平行ステップが挙げられ、傾斜ステップが好ましい。ステップＳｔを傾斜ステップとすると、ステップＳｔを平行ステップとするよりも、転写性を良好にできるからである。
傾斜ステップとは、基体表面に対して平行ではなく、構造体３の頂部から下部の方向に向かうに従って側面が広がるように傾斜しているステップのことをいう。平行ステップとは、基体表面に対して平行なステップのことをいう。ここで、ステップＳｔは、上述の第１の変化点Ｐａおよび第２の変化点Ｐｂで設定される区画である。なお、ステップＳｔには、頂部３ｔの平面、および構造体間の曲面または平面を含まないものとする。
構造体３が、成形の容易さの観点から、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。なお、構造体３の全体形状は、これらの形状に限定されるものではなく、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率が、基体２に向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字状に変化するような形状であればよい。また、錐体形状には、完全な錐体形状のみならず、上述したように、側面にステップＳｔを有する錐体形状も含まれる。
楕円錐形状を有する構造体３は、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が先端に行くに従って狭くなる細くなる凸形状を有する構造体である。楕円錐台形状を有する構造体３は、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平面である構造体である。構造体３を楕円錐形状または楕円錐台形状とする場合、構造体３の底面の長軸方向がトラックの延在方向（Ｘ軸方向）となるように、構造体３を基体表面に形成することが好ましい。
構造体３の断面積は、上述の屈折率プロファイルに対応するように、構造体３の深さ方向に対して変化する。構造体３の断面積は、構造体３の深さ方向に向かうに従って単調に増加することが好ましい。ここで、構造体３断面積とは、構造体３が配列された基体表面に対して、平行な切断面の面積を意味する。深さの異なる位置での構造体３の断面積割合が、当該位置に対応した上記実効屈折率プロファイルに相当するように、深さ方向に構造体の断面積を変化させることが好ましい。
上述したステップを有する構造体３は、例えば、以下のようにして作製された原盤を用いて、形状転写をすることにより得られる。すなわち、原盤作製のエッチング工程において、エッチング処理およびアッシング処理の処理時間を適宜調整することにより、構造体（凹部）の側面にステップが形成された原盤を作製する。
この第６の実施形態によれば、構造体３が錐体形状を有し、この構造体３の深さ方向に対する実効屈折率が、基体２へ向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字状の曲線を描くように変化する。これにより、構造体３の形状効果により、光にとって境界が明確では無くなるため、反射光を低減できる。よって、優れた反射防止特性を得ることができる。特に、構造体３の高さが大きい場合に、優れた反射防止特性が得られる。また、隣接する構造体３の下部同士を、その下部同士が重なり合うようにして接合しているので、構造体３の充填率を上げることができるとともに、構造体３の成形が容易となる。
構造体３の深さ方向に対する実効屈折率プロファイルをＳ字状に変化させるとともに、（準）六方格子、または、（準）四方格子の配列で構造体を配置させることが好ましい。また、各構造体３は軸対称の構造、または、軸対称の構造をトラック方向に延伸または収縮させた構造とすることが好ましい。さらに、隣接する構造体３を基体付近において接合させることが好ましい。このような構成とすることで、より製造しやすく、高性能な反射防止構造体を作製することができる。
光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて、導電性光学素子１を作製する場合には、電子線露光を用いて導電性光学素子１を作製した場合に比べて、原盤作製プロセスに要する時間（露光時間）を大幅に短縮することができる。したがって、導電性光学素子１の生産性を大幅に向上することができる。
構造体３の頂部の形状を先鋭でなく平面形状とした場合には、導電性光学素子１の耐久性を向上することができる。また、ロールマスタ１１に対する構造体３の剥離性を向上することもできる。構造体３のステップを傾斜ステップとした場合には、平行ステップとした場合に比べて転写性を向上することができる。
＜７．第７の実施形態＞
図２９は、本発明の第７の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。第７の実施形態に係る導電性光学素子１は、図２９に示すように、構造体３が形成された一主面（第１の主面）とは反対側となる他主面（第２の主面）に、構造体３をさらに備える点において、第１の実施形態とは異なっている。
導電性光学素子１の両主面における構造体３の配置パターン、およびアスペクト比などは、同一である必要はなく、所望とする特性に応じて、異なる配置パターン、およびアスペクト比を選択するようにしてもよい。例えば、一主面の配置パターンを準六方格子パターンとし、他主面の配置パターンを準四方格子パターンとするようにしてもよい。
第７の実施形態では、基体２の両主面に複数の構造体３を形成しているので、導電性光学素子１の光入射面および光出射面の双方に対して、光の反射防止機能を付与することができる。これにより、光の透過特性の更なる向上を図ることが可能となる。
＜８．第８の実施形態＞
第８の実施形態は、熱転写により基体表面に複数の構造体を形成する以外のことは第１の実施形態とは異なっている。なお、第８の実施形態において、第１の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
図３０は、熱転写成形装置の一構成例を示す模式図である。図３０に示すように、このラミネート転写成形装置７４０は、加熱ロール７４１と冷却ロール７４２とによって回転するエンボスベルト７４３と、加熱ロール７４１および冷却ロール７４２に対向して配置された２つの押圧ロール７４４によって回転する平坦ベルト７４５とを備えている。そして、表面に複数の凹部７４３Ａ有するエンボスベルト７４３と、立体形状のない平坦ベルト７４５との間隙に、形状付与前の基体２を挿入可能になっている。
次に、上述の構成を有する熱転写成形装置の動作について説明する。
まず、エンボスベルト７４３および平坦ベルト７４５を回転させて、加熱ロール７４１の側から両者の間隙に形状付与前の基体２を挿入する。これにより、加熱ロール７４１の熱により基体２の一主面が一瞬だけ溶融し、基体２の一主面に凹部７４３Ａが形状転写される。その後、冷却ロール４２によって、凹部７４３Ａが形状転写された基体２の表面が冷却され、表面形状が固定される。すなわち、基体２の一主面に複数の構造体１２が形成される。
以上により、複数の構造体３が基体表面に形成された基体２を得ることができる。
＜９．第９の実施形態＞
図３１Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。このタッチパネルは、いわゆる抵抗膜方式タッチパネルである。抵抗膜方式タッチパネルとしては、アナログ抵抗膜方式タッチパネル、およびデジタル抵抗膜方式タッチパネルのいずれであってもよい。図３１Ａに示すように、情報入力装置であるタッチパネル５０は、情報を入力するタッチ面（入力面）を有する第１の導電性基材５１と、この導電性基材５１と対向する第２の導電性基材５２とを備える。タッチパネル５０は、第１の導電性基材５１のタッチ側となる面に、ハードコート層、または防汚性ハードコート層をさらに備えることが好ましい。また、必要に応じて、タッチパネル５０上にフロントパネルをさらに備えるようにしてもよい。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して接着層５３を介して貼り合わされる。
表示装置としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。
第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の少なくとも一方として、第１〜第６の実施形態に係る導電性光学素子１のいずれかが用いられる。第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の両方として、第１〜第６の実施形態に係る導電性光学素子１のいずれかを用いる場合、両導電性基材として互いに同一、または異なる実施形態に係る導電性光学素子１を用いることができる。
第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の互いに対向する２つの面のうち、少なくとも一方に構造体３が形成され、反射防止特性および透過特性の観点からすると、両方に構造体３が形成されていることが好ましい。
第１の導電性基材５１のタッチ側となる面に、単層または多層の反射防止層を形成することが好ましい。反射率を低減し、視認性を向上することができるからである。
（変形例）
図３１Ｂは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの変形例を示す断面図である。図３１Ｂに示すように、第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５２の少なくとも一方として、第７の実施形態に係る導電性光学素子１が用いられる。
第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の互いに対向する２つの面のうち、少なくとも一方に複数の構造体３が形成される。さらに、第１の導電性基材５１のタッチ側となる面、および第２の導電性基材５２の表示装置５４の側となる面の少なくとも一方に複数の構造体３が形成される。反射防止特性および透過特性の観点からすると、両方の面に構造体３が形成されていることが好ましい。
第９の実施形態では、第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の少なくとも一方として、導電性光学素子１を用いているので、すぐれた反射防止特性および透過特性を有するタッチパネル５０を得ることができる。したがって、タッチパネル５０の視認性を向上することができる。特に、屋外でのタッチパネル５０の視認性を向上することができる。
＜１０．第１０の実施形態＞
図３２Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３２Ｂは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。第１０の実施形態に係るタッチパネルは、タッチ面に形成されたハードコート層７をさらに備える点において、第９の実施形態とは異なっている。
タッチパネル５０は、情報を入力するタッチ面（入力面）を有する第１の導電性光学素子５１と、この第１の導電性光学素子５１と対向する第２の導電性光学素子５２とを備える。第１の導電性光学素子５１と、第２の導電性光学素子５２は、それらの周縁部間に配置された貼合層５５を介して互いに貼り合わされている。貼合層５５としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。ハードコート層７の表面には、防汚性が付与されていることが好ましい。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して貼合層５３を介して貼り合わされる。貼合層５３の材料としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。
第１０の実施形態では、第１の導電性光学素子５１のタッチ側となる面に、ハードコート層７を形成しているので、タッチパネル５０のタッチ面の耐擦傷性を向上することができる。
＜１１．第１１の実施形態＞
図３３は、第１１の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。図３３に示すように、第１１の実施形態に係る液晶表示装置７０は、第１、および第２の主面を有する液晶パネル（液晶層）７１と、第１の主面上に形成された第１の偏光子７２と、第２の主面上に形成された第２の偏光子７３と、液晶パネル７１と第１の偏光子７２との間に配置されたタッチパネル５０とを備える。タッチパネル５０は、液晶ディスプレイ一体型タッチパネル（いわゆるインナータッチパネル）である。第１の偏光子７２の表面に多数の構造体３を直接形成するようにしてもよい。第１の偏光子７２が、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルムなどの保護層を表面に備えている場合には、保護層上に多数の構造体３を直接形成することが好ましい。このように偏光子７２に多数の構造体３を形成することで、液晶表示装置７０をさらに薄型化することができる。
（液晶パネル）
液晶パネル７１としては、例えば、ツイステッドネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ：ＴＮ）モード、スーパーツイステッドネマチック（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ：ＳＴＮ）モード、垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ：ＶＡ）モード、水平配列（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：ＩＰＳ）モード、光学補償ベンド配向（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ：ＯＣＢ）モード、強誘電性（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ：ＦＬＣ）モード、高分子分散型液晶（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ：ＰＤＬＣ）モード、相転移型ゲスト・ホスト（Ｐｈａｓｅ  Ｃｈａｎｇｅ  Ｇｕｅｓｔ  Ｈｏｓｔ：ＰＣＧＨ）モードなどの表示モードのものを用いることができる。
（偏光子）
第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３は、その透過軸が互いに直交するようにして液晶パネル７１の第１、および第２の主面上に対して、貼合層７４、７５を介して貼り合わされる。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３は、入射する光のうち直交する偏光成分の一方のみを通過させ、他方を吸収により遮へいするものである。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムに、ヨウ素錯体や二色性染料を一軸方向に配列させたものを用いることができる。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３の両面には、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムなどの保護層を設けることが好ましい。
（タッチパネル）
タッチパネル５０は、第９〜第１２の実施形態のいずれかのものを用いることができる。
第１１の実施形態では、偏光子７２を液晶パネル７１とタッチパネル５０とで共用した構成としているので、光学特性を向上することができる。
＜１２．第１２の実施形態＞
図３４Ａは、本発明の第１２の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３４Ｂは、本発明の第１２の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。この第１２の実施形態に係るタッチパネル５０は、いわゆる静電容量方式タッチパネルであり、その表面および内部の少なくとも一方に多数の構造体３が形成されている。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して接着層５３を介して貼り合わされる。
（第１の構成例）
図３４Ａに示すように、第１の構成例に係るタッチパネル５０は、基体２と、この基体２上に形成された透明導電膜４と、保護層９とを備える。基体２および保護層９の少なくとも一方には、可視光の波長以下の微細ピッチで構造体３が多数配置されている。なお、図３４Ａでは、基体２の表面に構造体３が多数配置された例が示されている。静電容量方式タッチパネルは、表面型静電容量方式タッチパネル、インナー型静電容量方式タッチパネル、および投影型静電容量方式タッチパネルのいずれであってもよい。基体２の周縁部に配線層などの周縁部材を形成する場合には、上述の第１２の実施形態と同様に、基体２の周縁部にも多数の構造体３を形成することが好ましい。配線層などの周縁部材と基体２との密着性を向上することができるからである。
保護層９は、例えばＳｉＯ２などの誘電体を主成分とする誘電体層である。透明導電膜４は、タッチパネル５０の方式により異なる構成を有している。例えば、タッチパネル５０が表面型静電容量方式タッチパネル、またはインナー型静電容量方式タッチパネルである場合には、透明導電膜４は、ほぼ一様な膜厚を有する薄膜である。タッチパネル５０が投影型静電容量方式タッチパネルである場合には、透明導電膜４は、所定ピッチで配置された格子形状などの透明電極パターンであり、対向して配置される。透明導電膜４の材料としては、上述の第１の実施形態と同様のものを用いることができる。上記以外のことは、第９の実施形態と同様であるので説明を省略する。
（第２の構成例）
図３４Ｂに示すように、第２の構成例に係るタッチパネル５０は、タッチパネル５０の内部に代えて、保護層９の表面、すなわち、タッチ面に可視光の波長以下の微細ピッチで構造体３が多数配置されている点において、第１の構成例とは異なっている。なお、表示装置５３に貼り合わされる側の裏面に、多数の構造体３をさらに配置するようにしてもよい。
第１２の実施形態では、静電容量方式のタッチパネル５０の表面および内部の少なくとも一方に多数の構造体３を形成しているので、第８の実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜１３．第１３の実施形態＞
［タッチパネルの構成］
図４８Ａは、本発明の第１３の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図４８Ａに示すように、情報入力装置であるタッチパネル２１０は、表示装置２１２の表示面上に設けられる。タッチパネル２１０が適用される表示装置２１２は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。
タッチパネル２１０は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、導電性素子１１を備える。導電性素子２１１は、光学層２０１と、この光学層内に所定間隔離して形成された第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６とを備える。第１の透明導電膜２０５は、例えば、所定のパターンを有するＸ電極（第１の電極）である。第２の透明導電膜２０６は、例えば、所定のパターンを有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とは、例えば互いに直交する関係にある。光学層２０１の屈折率ｎは、例えば１．２以上１．７以下の範囲内である。
透明導電膜４の表面抵抗は、５０Ω／□以上４０００Ω／□以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲内である。このような範囲の表面抵抗にすることで、静電容量方式のタッチパネルの上部電極、または下部電極として透明導電性光学素子１を用いることができるからである。ここで、透明導電膜４の表面抵抗は、４端子測定（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）により求めたものである。
透明導電膜４の比抵抗は、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。１×１０−３Ω・ｃｍ以下であると、上記表面抵抗範囲を実現することができるからである。
図４８Ｂは、図４８Ａに示した配線領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図４８Ｃは、図４８Ａに示した非配線領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。第１の透明導電膜２０５は、互いに同期する第１の波面Ｓ１と第２の波面Ｓ２とを有する。第１の波面Ｓ１および第２の波面Ｓ２の平均波長λ１は、可視光の波長以下である。第１の波面Ｓ１と第２の波面Ｓ２との振動の平均幅が異なっていることが好ましい。第１の波面Ｓ１の振動の平均幅Ａ１は、第２の波面Ｓ２の振動の平均幅Ｂ１よりも小さいことがより好ましい。振動の幅が最大となる位置を含むようにして、第１の波面Ｓ１または第２の波面Ｓ２を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。
配線領域Ｒ１において第１の波面Ｓ１の平均波長λ１に対する振動の平均幅Ａ１の比率（Ａ１／λ１）が、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向があり。第２の波面Ｓ２の平均波長λ１に対する振動の平均幅Ｂ１の比率（Ｂ１／λ１）が、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第１の透明導電膜２０５の平均膜厚は８０ｎｍ以下である。８０ｎｍを超えると、反射率が増加する傾向がある。
ここで、平均波長λ１、第１の波面Ｓ１の振動の平均幅Ａ１、第２の波面Ｓ２の振動の平均幅Ｂ１、比率（Ａ１／λ）、および比率（Ｂ１／λ）は、以下のようにして求めたものである。まず、第１の透明導電膜２０５の第１の波面Ｓ１または第２の波面Ｓ２の振動の幅が最大となる位置Ｃ１およびＣ２を含むようにして導電性素子２１１を一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の波面Ｓ１または第２の波面Ｓ２の波長λ１、第１の波面Ｓ１の振動の幅Ａ１、および第２の波面Ｓ２の振動の幅Ｂ１を求める。この測定を導電性素子２１１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均波長λ１、第１の波面Ｓ１の振動の平均幅Ａ１、および第２の波面Ｓ２の振動の平均幅Ｂ１を求める。次に、これらの平均波長λ１、振動の平均幅Ａ１、および振動の平均幅Ｂ１を用いて、比率（Ａ１／λ）および比率（Ｂ１／λ）を求める。
平均膜厚は、最大膜厚の平均値を意味し、具体的には以下のようにして求められる。まず、第１の透明導電膜２０５の第１の波面Ｓ１または第２の波面Ｓ２の振動の幅が最大となる位置Ｃ１１およびＣ１２を含むようにして導電性素子２１１を一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、膜厚が最も厚くなる位置（例えば位置Ｃ１）における第１の透明導電膜２０５の膜厚を測定する。この測定を第１の透明導電膜２０５から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求める。
第２の透明導電膜２０６は、互いに同期する第３の波面Ｓ３と第４の波面Ｓ４とを有する。第３の波面Ｓ３および第４の波面Ｓ４の平均波長λ２は、可視光の波長以下である。振動の幅が最大となる位置を含むようにして、第３の波面Ｓ３または第４の波面Ｓ４を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。
配線領域Ｒ１において第３の波面Ｓ３の平均波長λ２に対する振動の平均幅Ａ２の比率（Ａ２／λ２）が、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第４の波面Ｓ４の平均波長λ２に対する振動の平均幅Ｂ２の比率（Ｂ２／λ２）が、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は好ましくは８０ｎｍ以下である。８０ｎｍを超えると、透過率が悪化する傾向がある。
ここで、第３の波面Ｓ３および第４の波面Ｓ４の平均波長λ２は、上述の第１の波面Ｓ１および第２の波面Ｓ２の平均波長λ１と同様にして求めたものである。また、第３の波面Ｓ３の振動の平均幅Ａ２、および第４の波面Ｓ４の振動の平均幅Ａ２は、上述の第１の波面Ｓ１の振動の平均幅Ａ１、および第２の波面の振動の平均幅Ｂ１と同様にして求めたものである。また、第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、第１の透明導電膜２０５の平均膜厚と同様にして求めたものである。
光学層２０１は、第１の凹凸面Ｓ１および第４の凹凸面Ｓ４を有する第１の光学層２０２と、第２の凹凸面Ｓ２を有する第２の光学層２０３と、第３の凹凸面Ｓ３を有する第３の光学層２０４とを備える。第１の凹凸面Ｓ１と第２の凹凸面Ｓ２との間に第１の透明導電膜２０５が形成されている。第３の凹凸面Ｓ３と第４の凹凸面Ｓ４との間に第２の透明導電膜２０６が形成されている。また、光学層１は、凹凸面として第１の凹凸面Ｓ１と第２の凹凸面Ｓ２のみを有し、これらの第１の凹凸面Ｓ１と第２の凹凸面Ｓ２との間に第１の透明導電膜２０５が形成される構成としてもよい。
第１の凹凸面Ｓ１は、可視光の波長以下の平均ピッチで多数の第１の構造体２０２ａを配列することにより形成されている。第２の凹凸面Ｓ２は、可視光の波長以下の平均ピッチで多数の第２の構造体２０３ａを配列することにより形成されている。第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０３ａとは、導電性素子２１１の面内方向において対向する位置に配置されている。第１の構造体２０２ａおよび第２の構造体２０３ａは、例えば、凹状または凸状の形状を有する。例えば、第１の構造体２０２ａおよび第２の構造体２０３ａのうち一方の構造体が凸状に形成されるのに対して、他方の構造体が凸状に形成される。図５８Ｂおよび図５８Ｃでは、第１の構造体２０２ａが凸状に形成されるのに対して、第２の構造体２０３ａが凹状に形成された例が示されている。第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０３ａとは、例えば、導電性素子２１１の面内方向において対応する位置に形成されており、第２の構造体２０３ａである凹部に対して、第１の構造体２０２ａが突出するようになっている。なお、第１の構造体２０２ａおよび第２の構造体２０３ａの形状の組み合わせは上述の例に限定されるものではなく、両構造体を共に凸形状または凹形状とすることも可能である。配線領域Ｒ１において第１の構造体２０２ａのアスペクト比（平均高さまたは平均深さＨ１１／平均配置ピッチＰ１）は、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。配線領域Ｒ１において第２の構造体２０３ａのアスペクト比（平均高さまたは平均深さＨ１２／平均配置ピッチＰ１）は、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。第１の構造体２０２ａの頂部における第１の透明導電膜２０５の平均膜厚は、好ましくは８０ｎｍ以下である。８０ｎｍを超えると、反射率が増加する傾向がある。第１の構造体２０２ａの頂部における第１の透明導電膜２０５の膜厚をＤ１、第１の構造体２０２ａの傾斜面における第１の透明導電膜２０５の膜厚をＤ２、第１の構造体膜間における第１の透明導電膜２０５の膜厚をＤ３としたときに、Ｄ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たすことが好ましい。
ここで、平均配置ピッチＰ１、平均高さまたは平均深さＨ１１、平均高さまたは平均深さＨ１２、アスペクト比（Ｈ１１／Ｐ１）、およびアスペクト比（Ｈ１２／Ｐ１）は、以下のようにして求めたものである。まず、導電性素子２１１を第１の構造体２０２ａの頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の構造体２０２ａまたは第２の構造体２０３ａの配置ピッチＰ２０１、第１の構造体２０２ａの高さまたは深さＨ１１、および第２の構造体２０３ａの高さまたは深さＨ１２を求める。この測定を導電性素子２１１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチＰ１、平均高さまたは平均深さＨ１１、および平均高さまたは平均深さＨ１２を求める。次に、これらの平均配置ピッチＰ１、平均高さまたは平均深さＨ１１、および平均高さまたは平均深さＨ１２を用いて、アスペクト比（Ｈ１１／Ｐ１）およびアスペクト比（Ｈ１２／Ｐ２）を求める。
平均膜厚は、最大膜厚の平均値を意味し、具体的には以下のようにして求められる。まず、導電性素子２１１を第１の構造体２０２ａの頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の構造体２０２ａにおける頂部Ｃ１における第１の透明導電膜２０５の膜厚を測定する。これらの測定を導電性素子２１１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求める。
第３の凹凸面Ｓ３は、可視光の波長以下のピッチで多数の第３の構造体２０４ａを配列することにより形成されている。第４の凹凸面Ｓ４は、可視光の波長以下のピッチで多数の第４の構造体２０２ｂを配列することにより形成されている。第３の構造体２０４ａと第４の構造体２０２ｂとは、導電性素子２１１の面内方向において対向する位置に配置されている。第３の構造体２０４ａおよび第４の構造体２０２ｂは、例えば、凹状または凸状の形状を有する。例えば、第３の構造体２０４ａおよび第４の構造体２０２ｂのうち一方の構造体が凸状に形成されるのに対して、他方の構造体が凸状に形成される。図５８Ｂおよび図５８Ｃでは、第３の構造体２０４ａが凸状に形成されるのに対して、第４の構造体２０２ｂが凹状に形成された例が示されている。第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０３ａとは、例えば、導電性素子２０１の面内方向において対応する位置に形成されており、第２の構造体２０３ａである凹部に対して、第１の構造体２０２ａが突出するようになっている。なお、第１の構造体２０２ａおよび第２の構造体２０３ａの形状の組み合わせは上述の例に限定されるものではなく、両構造体を共に凸形状または凹形状とすることも可能である。配線領域Ｒ１において第３の構造体２０４ａのアスペクト比（平均高さまたは平均深さＨ２１／平均配置ピッチＰ２）は、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。第４の構造体２０２ｂのアスペクト比（平均高さまたは平均深さＨ２２／平均配置ピッチＰ２）は、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。配線領域Ｒ１において第３の構造体２０４ａの頂部における第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、好ましくは８０ｎｍ以下である。８０ｎｍを超えると、反射率が増加する傾向がある。第３の構造体２０４ａの頂部における第２の透明導電膜２０６の膜厚をＤ１、第３の構造体２０４ａの傾斜面における第２の透明導電膜２０６の膜厚をＤ２、第２の構造体間における第２の透明導電膜２０６の膜厚をＤ３としたときに、Ｄ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たすことが好ましい。
ここで、第３の構造体２０４ａまたは第４の構造体２０２ｂの平均配置ピッチＰ２は、上述の第１の構造体２０２ａまたは第３の構造体２０３ａの平均配置ピッチＰ１と同様にして求めたものである。また、第３の構造体２０４ａ平均高さまたは平均深さＨ２１、および第４の構造体２０２ｂの平均高さまたは平均深さＨ２２は、上述の第１の構造体２０２ａの平均高さまたは平均深さＨ１１、および第２の構造体２０３ａの平均高さまたは平均深さＨ１２と同様にして求めたものである。また、第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、第１の透明導電膜２０５の平均膜厚と同様にして求めたものである。
図４９Ａは、本発明の第１３の実施形態に係るタッチパネルのより具体的な構成例を示す斜視図である。このタッチパネル２１０は、ＩＴＯ  Ｇｒｉｄ方式の投射型静電容量方式タッチパネルであり、重ね合わされた第１の基材２０４と第１の基材２０２とを備える。
図４９Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第１の基材２０２は第１の基材２０４とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基材２０４の両主面のうち、第１の基材２０２に対向する一主面には、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ１の間は第２の領域Ｒ２により隔てられている。第１の基材２０２の両主面のうち、第２の基材２３１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ１の間は第２の領域Ｒ２により隔てられている。
第１の基材２０４の第１の領域Ｒ１は、所定形状の単位領域Ｃ１をＸ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ２は、所定形状の単位領域Ｃ２をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。第１の基材２０２の第１の領域Ｒ１は、所定形状の単位領域Ｃ１をＹ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ２は、所定形状の単位領域Ｃ２をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位領域Ｃ１および単位領域Ｃ２の形状としては、例えばダイヤモンド形状（菱形形状）、三角形状、四角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
第１の領域Ｒ１には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成され、透明導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ２には、構造体が形成されず平面状とされ、透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第１の基材２０４の両主面のうち、第１の基材２０２に対向する一主面には、透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２０６が配列されている。また、第１の基材２０２の両主面のうち、第１の基材２０４に対向する一主面には、透明導電層からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）２０５が配列されている。横電極２０６および縦電極２０５は、第２の領域Ｒ２と同様の形状を有する。
第１の基材２０４の横電極２０６と第１の基材２０２の縦電極２０５とは互いに直交する関係にある。第１の基材２０４と第１の基材２０２とを重ね合わせた状態において、第１の基材２０４の第１の領域Ｒ１と、第１の基材２０２の第２の領域Ｒ２とが重ね合わされ、第１の基材２０４の第２の領域Ｒ２と、第１の基材２０２の第１の領域Ｒ１とが重ね合わされる。
（第１の光学層）
（第１の例）
図５０Ａは、凸状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図５０Ｂは、図５０Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図５０Ｃは、図５０ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図５０Ｄは、図５０ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図５１Ａは、図５０Ｂに示した第１の光学層のトラックの延在方向（Ｘ方向（以下、適宜トラック方向ともいう））の断面図である。図５１Ｂは、図５０Ｂに示した第１の光学層のθ方向の断面図である。図５２Ａ〜図５３Ｂは、図５０Ｂに示した構造体の形状例を表す斜視図である。
第１の光学層２０２は、第１の主面および第２の主面を有する基体２０２ｃと、第１の主面に形成された多数の第１の構造体２０２ａと、第２の主面に形成された多数の第２の構造体２０２ｂとを備える。第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂは、例えば凸状の形状を有している。
（基体）
基体２０２ｃは、例えば、透明性を有する透明基体である。基体２０２ｃの材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。
ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、Ｐ．Ｉ−５３７、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（ＣＲ−３９）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。
基体２０２ｃとしてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２０２ｃの表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。
基体２０２ｃがプラスチックフィルムである場合には、基体２０２ｃは、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２０２ｃの厚さは、導電性素子２１１の用途に応じて適宜選択することが好ましく、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。
基体２０２ｃの形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。
（構造体）
基体２０２ｃの第１の主面には、例えば、凸状を有する第１の構造体２０２ａが多数配列され、基体２０２ｃの第２の主面には、例えば、凸状を有する第１の構造体２０２ａが多数配列されている。これらの第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂは、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い平均配置ピッチ、例えば可視光の波長と同程度の平均配置ピッチで周期的に２次元配置されている。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、第１の構造体２ａの平均配置ピッチは、好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下範囲内である。配置ピッチが１８０ｎｍ未満であると、第１の構造体２０２ａの作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０２ｂとは基体２０２ｃの形成面が異なる以外の点では同様であるので、以下では第１の構造体２０２ａについてのみ説明する。
第１の光学層２０２の各第１の構造体２０２ａは、基体２０２ｃの表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本発明において、トラックとは、第１の構造体２０２ａが列をなして直線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基体２０２ｃの成形面において、トラックの延在方向（Ｘ方向）に直交する方向）のことをいう。
第１の構造体２０２ａは、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された第１の構造体２０２ａの中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の第１の構造体２０２ａが配置されている。その結果、図５０Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に第１の構造体２０２ａの中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように第１の構造体２０２ａが配置されている。本実施形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。また、構造体は準六方格子や六方格子パターンに限らず、四方格子やランダムな凹凸面など、その他のパターンであってもかまわない。
第１の構造体２０２ａが準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図５０Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における第１の構造体２０２ａの配置ピッチｐ１（ａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における第１の構造体２０２ａの配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における第１の構造体２０２ａの配置ピッチｐ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように第１の構造体２０２ａを配置することで、第１の構造体２０２ａの充填密度の更なる向上を図れるようになる。
第１の構造体２０２ａが、成形の容易さの観点から、錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。第１の構造体２０２ａが、軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する第１の構造体２０２ａに接合されている場合には、第１の構造体２０２ａが、隣接する第１の構造体２０２ａに接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。
第１の構造体２０２ａは、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、第１の構造体２０２ａは、図５２Ａおよび図５２Ｂに示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。また、図５３Ａに示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平坦である楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。
反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図５２Ｂ参照）が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状（図５２Ａ参照）、または、頂部が平坦な錐体形状（図５２Ａ参照）であることが好ましい。第１の構造体２０２ａが楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。図５２Ａ〜図５３Ｂでは、各第１の構造体２０２ａは、それぞれ同一の形状を有しているが、第１の構造体２０２ａの形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の第１の構造体２０２ａが形成されていてもよい。また、第１の構造体２０２ａは、基体２０２ｃと一体的に形成されていてもよい。
また、図５２Ａ〜図５３Ｂに示すように、第１の構造体２０２ａの周囲の一部または全部に突出部２０２ｄを設けることが好ましい。このようにすると、第１の構造体２０２ａの充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部２０２ｄは、図５２Ａ〜図５３Ｂに示すように、隣り合う第１の構造体２０２ａの間に設けられる。また、細長い突出部２０２ｅが、図５３Ｂに示すように、第１の構造体２０２ａの周囲の全体またはその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部２０２ｅは、例えば、第１の構造体２０２ａの頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部２０２ｅの形状としては、断面三角形状および断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、第１の構造体２０２ａの周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う第１の構造体２０２ａの間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、第１の構造体２０２ａの表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。
トラックの延在方向における第１の構造体２０２ａの高さＨ１は、列方向における第１の構造体２０２ａの高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、第１の構造体２０２ａの高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように第１の構造体２０２ａを配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ２０１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における第１の構造体２０２ａの充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。
なお、第１の構造体２０２ａのアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各第１の構造体２０２ａが一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する第１の構造体２０２ａを設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する導電性素子２１１を実現することができる。
ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する第１の構造体２０２ａが基体２０２ｃの表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する第１の構造体２０２ａと、この第１の構造体２０２ａとは異なる高さを有する第１の構造体２０２ａとが基体２０２ｃの表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する第１の構造体２０２ａは、例えば基体２０２ｃの表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。
第１の構造体２０２ａの周縁部に裾部２０２ｄを設けることが好ましい。導電性素子の製造工程において第１の構造体２０２ｄを金型などから容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部２０２ｄとは、第１の構造体２０２ａの底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部２０２ｃは、上記剥離特性の観点からすると、第１の構造体２０２ａの頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部２０２ｄは、第１の構造体２０２ａの周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、第１の構造体２０２ａの周縁部の全部に設けることが好ましい。また、第１の構造体２０２ａが凹部である場合には、裾部は、第１の構造体２０２ａである凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。
六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成するように第１の構造体２０２ａが配置されている場合には、第１の構造体２０２ａの高さＨは、第１の構造体２０２ａの列方向の高さとする。第１の構造体２０２ａのトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、第１の構造体２０２ａのトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。
同一トラック内における第１の構造体２０２ａの配置ピッチをｐ１、隣接する２つのトラック間における第１の構造体２０２ａの配置ピッチをｐ２としたとき、比率ｐ１／ｐ２が、好ましくは１．００≦ｐ１／ｐ２≦１．２、または１．００＜ｐ１／ｐ２≦１．２、より好ましくは１．００≦ｐ１／ｐ２≦１．１、または１．００＜ｐ１／ｐ２≦１．１の関係を満たしている。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する第１の構造体２０２ａの充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
基体表面における第１の構造体２０２ａの充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する第１の構造体２０２ａの下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整などして第１の構造体２０２ａに歪みを付与することが好ましい。
図５４Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する第１の構造体２０２ａの配置の一例を示す。図５４Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する第１の構造体２０２ａの配置の一例を示す。図５４Ａおよび図５４Ｂに示すように、第１の構造体２０２ａが、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。具体的には、第１の構造体２０２ａの下部が、隣接関係にある第１の構造体２０２ａの一部または全部の下部と接合されていることが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、第１の構造体２０２ａの下部同士を接合することが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、第１の構造体２０２ａの下部同士を接合することが好ましい。図５４Ａ、図５４Ｂでは、隣接関係にある第１の構造体２０２ａの全部の下部を接合する例が示されている。このように第１の構造体２０２ａを接合することで、第１の構造体２０２ａの充填率を向上することができる。第１の構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。
図５４Ｂに示すように、同一トラック内において隣接する第１の構造体２０２ａの下部同士が重ね合わされて第１の接合部ａが形成されるとともに、隣接するトラック間において隣接する第１の構造体２０２ａの下部同士が重ね合わされて第２の接合部ｂが形成される。第１の接合部ａと第２の接合部ｂとの交点に交点部ｃが形成される。交点部ｃの位置は、例えば、第１の接合部ａ、および第２の接合部ｂの位置よりも低くなっている。楕円錐形状または楕円錐台形状を有する第１の構造体２０２ａの下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、接合部ｂ、交点部ｃの順序でそれらの高さが低くなる。
配置ピッチｐ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、第１の構造体２０２ａの充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）が大きくなり、第１の構造体２０２ａの重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチｐ１は、第１の構造体２０２ａのトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、第１の構造体底面のトラック方向の径である。なお、第１の構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、第１の構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
（第２の例）
図５５Ａは、凹状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図５５Ｂは、図５５Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図５５Ｃは、図５５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図５５Ｄは、図５５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図５６は、図５５Ｂに示した導電性素子の一部を拡大して表す斜視図である。
第２の構成例は、第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂが凹状である点において、第１の構成例と異なっている。このように第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂを凹状とした場合、凹状を有する第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂの開口部（凹部の入り口部分）を下部、基体２０２ｃの深さ方向の最下部（凹部の最も深い部分）を頂部と定義する。すなわち、非実体的な空間である第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂにより頂部、および下部を定義する。
（透明導電膜）
第１の透明導電膜２０５、および第２の透明導電膜２０６を構成する材料としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ））、金属酸化物などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。第１の透明導電膜２０５、および第２の透明導電膜２０６を構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。
第１の透明導電膜２０５の平均膜厚は、８０ｎｍ以下であることが好ましい。第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、８０ｎｍ以下であることが好ましい。本明細書において第１の透明導電膜２０５の平均膜厚は、上述したように、第１の構造体２０２ａの頂部における第１の透明導電膜厚２０５の平均膜厚である。また、第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、上述したように、第２の構造体２０３ａの頂部における第２の透明導電膜厚２０６の平均膜厚である。
［ロール原盤の構成］
図５７Ａは、上述の構成を有する第１の光学層を作製するためのロール原盤の構成の一例を示す。図５７Ｂは、図５７Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。ロール原盤３０１は、例えば、そのロール表面に凹部である構造体３０２が可視光などの光の波長以下のピッチで多数配置された構成を有している。ロール原盤３０１は、円柱状または円筒状の形状を有する。ロール原盤３０１の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォーマッタ信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成する。
［露光装置の構成］
図５８は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
レーザー光源２２１は、記録媒体としてのロール原盤３０１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光３０４を発振するものである。レーザー光源２２１から出射されたレーザー光３０４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２２２へ入射する。電気光学素子２２２を透過したレーザー光３０４は、ミラー２２３で反射され、変調光学系２２５に導かれる。
ミラー２２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２２を制御してレーザー光３０４の位相変調を行う。
変調光学系２２５において、レーザー光３０４は、集光レンズ２２６により、ガラス（ＳｉＯ２）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Ａｃｏｕｓｔ−Ｏｐｔｉｃ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２２７に集光される。レーザー光３０４は、音響光学素子２２７により強度変調され発散した後、レンズ２２８によって平行ビーム化される。変調光学系２２５から出射されたレーザー光３０４は、ミラー２３１によって反射され、移動光学テーブル２３２上に水平かつ平行に導かれる。
移動光学テーブル２３２は、ビームエキスパンダ２３３、および対物レンズ２３４を備えている。移動光学テーブル２３２に導かれたレーザー光３０４は、ビームエキスパンダ２３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ２３４を介して、ロール原盤３０１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤３０１は、スピンドルモータ２３５に接続されたターンテーブル２３６の上に載置されている。そして、ロール原盤３０１を回転させるとともに、レーザー光３０４をロール原盤３０１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光３０４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光３０４の移動は、移動光学テーブル２３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
露光装置は、図５７Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構２３７を備えている。制御機構２３７は、フォーマッタ２２９とドライバ２３０とを備える。フォーマッタ２２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光３０４の照射タイミングを制御する。ドライバ２３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２２７を制御する。
このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、音響光学素子２２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォーマッタ信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォーマッタ信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル２３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）２３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ２３４を介してロール原盤３０１上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。
［導電性素子の製造方法］
次に、図５９Ａ〜図６１Ｃを参照しながら、以上のように構成される導電性素子２１１の製造方法について説明する。
（レジスト成膜工程）
まず、図５９Ａに示すように、円柱状のロール原盤３０１を準備する。このロール原盤３０１は、例えばガラス原盤である。次に、図５９Ｂに示すように、ロール原盤３０１の表面にレジスト層３０３を形成する。レジスト層３０３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。
（露光工程）
次に、図５９Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤３０１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）３０４をレジスト層３０３に照射する。このとき、レーザー光３０４をロール原盤３０１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤３０１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光３０４を間欠的に照射することで、レジスト層３０３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光３０４の軌跡に応じた潜像３０５が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層３０３の全面にわたって形成される。
潜像３０５は、例えば、原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像３０５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
（現像工程）
次に、ロール原盤３０１を回転させながら、レジスト層３０３上に現像液を滴下して、図６０Ａに示すように、レジスト層３０３を現像処理する。図示するように、レジスト層３０３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光３０４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）３０５に応じたパターンがレジスト層３０３に形成される。
（エッチング工程）
次に、ロール原盤３０１の上に形成されたレジスト層３０３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤３０１の表面をロールエッチング処理する。これにより、図６０Ｂに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体３０２を得ることができる。エッチング方法は、例えばドライエッチングによって行われる。このとき、エッチング処理とアッシング処理を交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体３０２のパターンを形成することができる。また、例えば、レジスト層３０３の３倍以上の深さ（選択比３以上）のロール原盤３０１を作製でき、構造体３０２の高アスペクト比化を図ることができる。
以上により、例えば、深さ３０ｎｍ程度から３２０ｎｍ程度の凹形状の六方格子パターンまたは準六方格子パターンを有するロール原盤３０１が得られる。
（第１の光学層の形成工程）
次に、例えば、基体２０２ｃの一主面に転写塗料を塗布した後、この転写材料に対してロール原盤３０１を押し当てると共に、転写材料に対して紫外線などを照射し硬化させた後、基体２０２ｃをロール原盤３０１から剥離する。これにより、図６０Ｃに示すように、凸部である第１の構造体２０２ａが基体２０２ｃの一主面に多数形成される。
次に、例えば、基体２０２ｃの他主面（複数の構造体が形成された側とは反対面）に、転写塗料を塗布した後、この転写材料に対してロール原盤３０１を押し当てると共に、転写材料に対して紫外線などを照射し硬化させた後、基体２０２ｃをロール原盤３０１から剥離する。これにより、図６０Ｄに示すように、凸部である第２の構造体２０２ｂが基体２０２ｃの他主面に多数形成される。なお、第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０２ｂの形成順序はこの例に限定されるものではなく、第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０２ｂとを基体２０２ｃの両面に同時に形成するようにしてもよい。
転写材料は、例えば、紫外線硬化材料と、開始剤とからなり、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいる。
紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル  アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピル  アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル  アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル  アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン  ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。
多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。
開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。
フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。
機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２０２ｃの材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。
基体２０２ｃの成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。
（透明導電膜の成膜工程）
次に、図６１Ａに示すように、第１の構造体２０２ａが多数形成された基体２０２ｃの一主面上に、第１の透明導電膜２０５を成膜する。次に、図６１Ｂに示すように、第２の構造体２０２ｂが多数形成された基体２０２ｃの他主面上に、第２の透明導電膜２０６を成膜する。第１の透明導電膜２０５および／または第２の透明導電膜２０６を成膜する際に、基体２０２ｃを加熱しながら成膜を行うようにしてもよい。第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。次に、必要に応じて、第１の透明導電膜２０５および／または第２の透明導電膜２０６に対してアニール処理を施す。これにより、第１の透明導電膜２０５および／または第２の透明導電膜２０６が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。
（透明導電膜のパターニング工程）
次に、例えばフォトエッチングにより、第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６をパターニングすることで、Ｘ電極およびＹ電極パターンなどの所定の電極パターンを形成する。
（第２の光学層の形成工程）
次に、第１の透明導電膜２０５が形成された第１の光学層２の凹凸面に対して、光学シート２０８を、粘着剤などからなる貼合層２０７を介して貼り合わせる。これにより、図６１Ｃに示すように、第１の光学層２０２の第１の透明導電膜上に第２の光学層２０３が形成される。
（第３の光学層の形成工程）
次に、必要に応じて、第２の透明導電膜２０６が形成された第１の光学層２０２の凹凸面を、粘着剤などを介して、表示装置２１２に対して貼り合わせる。これにより、第１の光学層２０２の凹凸面と表示装置２１２との間に、第３の光学層２０４が形成される。
以上により、目的とする導電性素子２１１が得られる。
第１３の実施形態によれば、導電性素子２１１は、第１の凹凸面Ｓ１および第４の凹凸面Ｓ４を有する第１の光学層２０２と、第２の凹凸面Ｓ２を有する第２の光学層２０３と、第３の凹凸面Ｓ３を有する第３の光学層２０４とを備える。第１の凹凸面Ｓ１と第２の凹凸面Ｓ２との間に、所定の電極パターンを有する第１の透明導電膜２０５が形成されている。第３の凹凸面Ｓ３と第４の凹凸面Ｓ４との間に、所定の電極パターンを有する第２の透明導電膜２０６が形成されている。これにより、第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６の配線パターンが有る部分と無い部分との反射率の違いを低減することができる。したがって、配線パターンの視認を抑制できる。また、多層の光学膜を使用せず、ナノインプリント技術の利用と高スループットな膜構成との採用とによって、優れた量産性、および低コストを実現できる。
光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて導電性素子２１１を作製した場合には、導電性素子２１１の生産性の向上を図ることができると共に、導電性素子２１１の大型化にも対応できる。
［変形例］
（第１の変形例）
上述の第１３の実施形態では、トラックが直線状を有する場合について説明したが、トラックの形状はこの例に限定されるものではない。以下では、第１の構造体２０２ａのトラック形状についてのみ説明するが、第２の構造体２０２ｂ、第３の構造体２０４ａ、および第４の構造体２０２ｂについても同様のトラック形状とすることができる。
図６２Ａは、第１３の実施形態に係る導電性素子のトラックの第１の変形例を示す平面図である。この第１の例は、多数の第１の構造体２０２ａを円弧状に配置している点において、第１３の実施形態とは異なっている。隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体２０２ａの中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体２０２ａが配置されている。
図６２Ｂは、第１３の実施形態に係る導電性素子のトラックの第２の変形例を示す平面図である。この第２の変形例は、多数の第１の構造体２０２ａを蛇行するトラック（以下ウォブルトラックと称する。）上に配列している点において、第１３の実施形態とは異なっている。このように第１の構造体２０２ａをウォブルトラック上に配列することで、外観上のムラの発生を抑制できる。基体２０２ｃ上における各トラックのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルトラックの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルトラックの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルトラックのウォブル振幅は、例えば±０．１μｍ程度に選択される。
（第２の変形例）
図６３は、第１３の実施形態に係る導電性素子の透明導電膜および凹凸形状の変形例を示す断面図である。第１の透明導電膜２０５の波面Ｓ１（または波面Ｓ２）と、第２の透明導電膜２０６の波面Ｓ３（または波面Ｓ４）とは、導電性素子２１１の面内方向において同期せず、両者の振動の最大となる位置がずれているようにしてもよい。すなわち、第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０４ａとは、導電性素子２１１の面内方向において、同一位置に形成されてはおらず、ずれた位置に形成されているようにしてもよい。また、第１の透明導電膜２０５の波面Ｓ１の波長λ１と、第２の透明導電膜２０６の波面Ｓ３の波長λ２とは、同一である必要はなく、両膜において異なる値をとるようにしてもよい。また、第１の透明導電膜２０５の波面Ｓ１の振動の幅Ａ１と、第２の透明導電膜２０６の波面Ｓ３の振動の幅Ａ２とは、同一である必要はなく、両膜において異なる値をとるようにしてもよい。さらに、第１の透明導電膜２０５の波面Ｓ２の振動の幅Ｂ１と、第２の透明導電膜２０６の波面Ｓ４の振動の幅Ｂ２とも同様に、同一である必要はなく、両膜において異なる値をとるようにしてもよい。
＜１４．第１４の実施形態＞
図６４Ａは、本発明の第１４の実施形態に係る導電性素子の配線領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図６４Ｂは、本発明の第１４の実施形態に係る導電性素子の非配線領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。第１４の実施形態において、第１３の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。第１の凹凸面Ｓ１と第２の凹凸面Ｓ２との間に、第１の透明導電膜２０５と第１の金属膜２０５ａとからなる積層膜２５０が形成されている。第３の凹凸面Ｓ３と第４の凹凸面Ｓ４との間に、第２の透明導電膜２０６と第２の金属膜２０６ａとからなる積層膜２６０が形成されている。図６４Ａでは、第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａの両方を形成する構成が示されているが、第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａの一方のみを形成する構成としてもよい。
第１の積層膜２５０は、互いに同期する第１の波面Ｓ１と第２の波面Ｓ２とを有する。配線領域Ｒ１において第１の波面Ｓ１の平均波長λ１に対する振動の平均幅Ａ１の比率（Ａ１／λ１）が、０．２以上１．３以下であることが好ましい。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第２の波面Ｓ２の平均波長λ１に対する振動の平均幅Ｂ１の比率（Ｂ１／λ１）が、０．２以上１．３以下であることが好ましい。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第１の透明導電膜２０５の平均膜厚は、８０ｎｍ以下であることが好ましい。８０ｎｍを超えると、透過率が悪化する傾向がある。
第２の積層膜２６０は、互いに同期する第３の波面Ｓ３と第４の波面Ｓ４とを有する。第３の波面Ｓ３の平均波長λ２に対する平均振幅Ａ２の比率（Ａ２／λ２）が、０．２以上１．３以下である。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第４の波面Ｓ４の波長λ２に対する振動の幅Ｂ２の比率（Ｂ２／λ２）が、０．２以上１．３以下であることが好ましい。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、８０ｎｍ以下であることが好ましい。８０ｎｍを超えると、透過率が悪化する傾向がある。
第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａを形成することで、抵抗率を低減でき、第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６を薄くすることができる。また、第１の透明導電膜２０５または第２の透明導電膜２０６だけでは導電率が十分な値に達しない場合に、導電率を補うことができる。
第１の金属膜２０５ａは、例えば、第１の構造体２０２ａと第１の透明導電膜２０５との間の界面、第１の透明導電膜２０５と第２の構造体２０３ａとの間の界面、またはそれらの両方に形成される。また、積層膜は２層構造に限定されるものではなく、第１の透明導電膜２０５と第１の金属膜２０５ａとを組み合わせて３層以上積層する積層構造を採用するようにしてもよい。例えば、２つの第１の透明導電膜２０５を金属膜２０５ａを介して積層する積層構造を採用するようにしてもよい。
第２の金属膜２０６ａは、例えば、第３の構造体２０４ａと第２の透明導電膜２０６との間の界面、第２の透明導電膜２０５と第４の構造体２０２ｂとの間の界面、またはそれらの両方に形成される。また、積層膜は２層構造に限定されるものではなく、第２の透明導電膜２０６と第２の金属膜２０６ａとを組み合わせて３層以上積層する積層構造を採用するようにしてもよい。例えば、２つの第２の透明導電膜２０６を金属膜２０６ａを介して積層する積層構造を採用するようにしてもよい。
第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａの膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば数ｎｍ程度に選ばれる。第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａは導電率が高いため、数ｎｍの膜厚で十分な表面抵抗を得ることができる。また、数ｎｍ程度の膜厚であれば、第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａによる吸収や反射などの光学的な影響はほとんどない。第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａを構成する材料としては、導電性が高い金属系の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｂからなる群より選ばれた少なくとも１種を挙げることができる。これらの材料のうちでも、導電性の高さ、および使用実績などを考慮すると、Ａｇが好ましい。第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａだけでも表面抵抗を確保することが可能だが極端に薄い場合、第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａが島状の構造となり、導通性を確保することが困難となる傾向がある。このような場合、島状の第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａを第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６により電気的につなぐことが好ましい。
＜１５．第１５の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図６５Ａは、本発明の第１５の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図６５Ｂは、図６５Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図６５Ｃは、図６５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図６５Ｄは、図６５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
第１５の実施形態に係る導電性素子２１１は、第１の構造体２０２ａが、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１３の実施形態のものとは異なっている。本実施形態において、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。
第１の構造体２０２ａの高さまたは深さは特に限定されず、例えば、３０ｎｍ〜３２０ｎｍ程度である。トラックに対して（約）４５度方向ピッチのＰ２は、例えば、１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。第１の構造体２０２ａのアスペクト比（高さ／配置ピッチ）は、例えば、０．２〜１．３程度である。更に、第１の構造体２０２ａのアスペクト比は全て同一である場合に限らず、第１の構造体２０２ａが一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。
同一トラック内における第１の構造体２０２ａの配置ピッチｐ１は、隣接する２つのトラック間における第１の構造体２０２ａの配置ピッチｐ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における第１の構造体２０２ａの配置ピッチをｐ１、隣接する２つのトラック間における第１の構造体２０２ａの配置ピッチをｐ２としたとき、ｐ１／ｐ２が１．４＜ｐ１／ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する第１の構造体２０２ａの充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における第１の構造体２０２ａの高さまたは深さは、トラックの延在方向における第１の構造体２０２ａの高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。
トラックの延在方向に対して斜となる第１の構造体２０２ａの配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における第１の構造体２０２ａの高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、第１の構造体２０２ａの高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。四方格子パターン、または準四方格子パターンを形成するように第１の構造体２０２ａが配置されている場合には、第１の構造体２０２ａの高さＨは、第１の構造体２０２ａの延在方向（トラック方向）の高さとする。
基体表面における第１の構造体２０２ａの充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。
配置ピッチｐ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、第１の構造体２０２ａの充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。ここで、配置ピッチｐ１は、第１の構造体２０２ａのトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
＜１６．第１６の実施形態＞
図６６Ａは、第１６の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の一例を示す概略平面図である。図６６Ｂは、図６６Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。第１６の実施形態において、第１３の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
第１６の実施形態に係る導電性素子は、２種以上の大きさ、および／または形状を有する多数の構造体２０２ａが基体表面に形成されている点において、第１３の実施形態とは異なっている。２種以上の大きさ、および／または形状を有する第１の構造体２０２ａは、例えば、同一形状および／または大きさを有する第１の構造体２０２ａがトラック方向などに周期的に繰り返されるように配置される。また、同一形状および／または大きさを有する構造体２０２ａがランダムに基体表面に現れるように配置されるようにしてもよい。また、第１の構造体２０２ａの形状は一律でなくてもよい。このようにすることで、回折光が抑制され、視認性が向上する。
なお、上述した例では、第１の構造体２０２ａを２種以上の大きさ、および／または形状に形成する例について説明したが、第２の構造体２０３ａ、第３の構造体２０４ａ、および第４の構造体２０２ｂを２種以上の大きさ、および／または形状に形成することも可能である。また、第１の構造体２０２ａ、第２の構造体２０３ａ、第３の構造体２０４ａ、および第４の構造体２０２ｂのうちの全てを２種以上の大きさ、および／または形状とする必要はなく、それらのうちの少なくとも１つを所望とする光学特性に応じて２種以上の大きさ、および／または形状とすることが可能である。
＜１７．第１７の実施形態＞
図６７Ａは、本発明の第１７の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図６７Ｂは、図６７Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図６７Ｃは、図６７Ｂに示したＣ−Ｃ線に沿った断面図である。第１７の実施形態において、第１３の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
第１７の実施形態に係る導電性素子は、多数の第１の構造体２０２ａがランダムに配置されている点において、第１３の実施形態とは異なっている。基体表面に配置される第１の構造体２０２ａは、同一の大きさおよび／または形状に限定されるものではなく、２種以上の異なる大きさおよび／または形状を有していてもよい。第１の構造体２０２ａは、２次元的または３次元的にランダムに形成されていることが好ましい。ここで、２次元的にランダムとは、導電性素子２１１または第１の光学層２０２の面内方向にランダムであることをいう。また、３次元的にランダムとは、導電性素子２１１または第１の光学層２０２の面内方向にランダムであると共に、導電性素子２１１または第１の光学層２０２の厚さ方向にもランダムであることをいう。また、第１の構造体２０２ａの形状は一律でなくてもよい。このようにすることで、回折光が抑制され、視認性が向上する。
なお、上述した例では、第１の構造体２０２ａをランダムに形成する例について説明したが、第２の構造体２０３ａ、第３の構造体２０４ａ、および第４の構造体２０２ｂをランダムに形成することも可能である。また、第１の構造体２０２ａ、第２の構造体２０３ａ、第３の構造体２０４ａ、および第４の構造体２０２ｂのうちの全てをランダムとする必要はなく、それらのうちの少なくとも１つを所望とする光学特性に応じてランダムとすることが可能である。
＜１８．第１８の実施形態＞
図６８は、本発明の第１８の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。第１８の実施形態において、第１３の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。この第１８の実施形態に係るタッチパネル（情報入力装置）４００は、いわゆる表面静電容量方式タッチパネルであり、導電性素子４０１を備える。このタッチパネル４００は、例えば表示装置２１２の表示面に対して、粘着剤などからなる貼合層４０６を介して貼り合わされる。導電性素子４０１は、光学層４０２と、この光学層内に形成された透明導電膜４０３とを備える。表示装置２１２は特に限定されるものではなく、例えば透過型、半透過型、反射型のいずれの液晶表示装置であってもよい。
光学層４０２は、第１の凹凸面Ｓ１を有する第１の光学層４０４と、第２の凹凸面Ｓ２を有する第２の光学層４０５とを備える。第１の光学層４０４は、例えば、両主面を有する基体２０２ｃと、基体２０２ｂの一主面に形成された多数の構造体２０２ａとを備える。第２の光学層４０５は、例えばＳｉＯ２などの誘電体を主成分とする誘電体層である。透明導電膜４０３は、例えば、第１の光学層４０４の第１の凹凸面Ｓ１のほぼ全体に形成されている。透明導電膜４０３は、互いに同期する第１の波面Ｓ１と第２の波面Ｓ２とを有する。透明導電膜４０３の材料としては、第１の実施形態の第１の透明導電膜２０５と同様のものを用いることができる。
＜１９．第１９の実施形態＞
図６９Ａは、本発明の第１９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図６９Ｂは、図６９Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図６９Ｃは、図６９Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。第１９の実施形態において、第１８の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。このタッチパネル（情報入力装置）５００は、いわゆるデジタル抵抗膜方式タッチパネルであり、第１の導電性素子５０１と、この第１の導電性素子５０１と対向する第２の導電性素子５０２とを備える。第１の導電性素子５０１と第２の導電性素子５０２とは所定の間隔離して設けられており、両素子間には空気層（媒質層）５０３が形成されている。第１の導電性素子５０１と、第２の導電性素子５０２とは、それらの周縁部間に配置された貼合部５０４を介して互いに貼り合わされている。貼合部５０４としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。タッチパネル５００は、耐擦傷性の向上の観点から、第１の導電性素子５０１のタッチ側となる面に、ハードコート層５０５をさらに備えることが好ましい。このハードコート層５０５の表面には、防汚性が付与されていることが好ましい。タッチパネル５００は、表示特性の向上の観点から、ハードコート５０５上に反射防止層５０７をさらに備えることが好ましい。反射防止層５０７としては、ＡＲ（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）層、ＬＲ（Ｌｏｗ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）層、ＡＧ（Ａｎｔｉ−Ｇｌａｒｅ）層などを挙げることができる。タッチパネル表面に反射防止機能を付与する構成はこれに限定されるものではなく、例えばハードコート層５０５自体に反射防止機能を付与する構成としてもよい。このタッチパネル５００は、例えば表示装置２１２の表示面に対して貼合層５０６を介して貼り合わされる。貼合層５０６の材料としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。
第１の導電性素子５０１は、第２の導電性素子５０２と対向する第１の対向面Ｓ５を有する第１の基体５１１（第１の光学層）と、第１の基体５１１の対向面Ｓ５上に形成された第１の透明導電膜５１２とを備える。第２の導電性素子５０２は、第１の導電性素子５０１と対向する対向面Ｓ６を有する第２の基体（第２の光学層）５２１と、第２の基体５２１の対向面Ｓ６上に形成された第２の透明導電膜５２２とを備える。対向面Ｓ５および対向面Ｓ６の少なくとも一方は、可視光の波長以下のピッチで多数の第１の構造体が形成された凹凸面である。この凹凸面は、第１３の実施形態における第１の凹凸面Ｓ１または第２の凹凸面Ｓ４と同様である。配線パターンの視認を抑制する観点からすると、対向面Ｓ５および対向面Ｓ６の両方を凹凸面とすることが好ましい。第１の透明導電膜５１２は、例えば、ストライプ状などの所定のパターンを有するＸ電極（第１の電極）である。第２の透明導電膜５２２は、例えば、ストライプ状、クロスハッチ状などの所定のパターンを有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とは、例えば互いに直交するように配置されている。
＜２０．第２０の実施形態＞
図７０は、本発明の第２０の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図７０Ｂは、図７０Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図７０Ｃは、図７０Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。第２０の実施形態において、第１９の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。この表示装置６００は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の導電性素子６０１と、第１の導電性素子６０１と対向配置された第２の導電性素子６０２と、これらの両素子間に設けられたマイクロカプセル層（媒質層）６０３とを備える。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対して本発明を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置された導電性素子間に媒質層が設けられた構成であれば本発明は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気などの気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子などの部材が含まれていてもよい。マイクロカプセル電気泳動方式以外に本発明を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパーなどが挙げられる。
マイクロカプセル層６０３は、多数のマイクロカプセル６３１を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子おび白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。
第１の導電性素子６０１は、第２の導電性素子６０２と対向する第１の対向面Ｓ５を有する第１の基体５１１（第１の光学層）と、第１の光学基体５１１の対向面Ｓ５上に形成された第１の透明導電膜６１１とを備える。また、必要に応じて、粘着剤などの貼合層６１２を介して、第１の基体５１１をガラスなどの支持体６１３に貼り合わせるようにしてもよい。
第２の導電性素子６０２は、第１の導電性素子６０１と対向する対向面Ｓ６を有する第２の基体（第２の光学層）５２１と、第２の基体５２１の対向面Ｓ６上に形成された第２の透明導電膜６２１とを備える。
第１の透明導電膜６１１、および第２の透明導電膜６２１は、電子ペーパー６００の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式などが挙げられる。
【実施例】
【０００９】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
本発明の実施例および試験例について以下の順序で説明する。
１．導電性光学シートの光学特性
２．構造体と光学特性および表面抵抗との関係
３．透明導電膜の厚みと光学特性および表面抵抗との関係
４．他方式の低反射導電膜との比較
５．構造体と光学特性との関係
６．透明導電膜の形状と光学特性との関係
７．充填率、および径の比率と反射特性との関係（シミュレーション）
（高さＨ、配置ピッチＰ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ））
以下の実施例において、導電性光学シートの構造体の高さＨ、配置ピッチＰ、およびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は以下のようにして求めた。
まず、光学シートの表面形状を、透明導電膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により撮影した。そして、撮影したＡＦＭ像、およびその断面プロファイルから、構造体の配置ピッチＰ、高さＨを求めた。次に、これらの配置ピッチＰおよび高さＨを用いてアスペクト比（Ｈ／Ｐ）を求めた。
（透明導電膜の平均膜厚）
以下の実施例において、透明導電膜の平均膜厚は以下のようにして求めた。
まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体における頂部における透明導電膜の膜厚Ｄ１を測定した。これらの測定を導電性光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄｍ１を求め、この平均膜厚を透明導電膜の平均膜厚とした。
また、凸部である構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１、凸部である構造体の傾斜面における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ２、凸部である構造体の間における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ３は、以下のようにして求めた。
まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の頂部における透明導電膜の膜厚Ｄ１を測定した。次に、構造体の傾斜面の位置のうち、構造体の半分の高さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定した。次に、構造体間の凹部の位置のうち、その凹部の深さが最も深くなる位置の膜厚Ｄ３を測定した。次に、これらの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の測定を導電性光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３を求めた。
また、凹部である構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１、凹部である構造体の傾斜面における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ２、凹部である構造体の間における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ３は、以下のようにして求めた。
まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、非実体的な空間である構造体の頂部における透明導電膜の膜厚Ｄ１を測定した。次に、構造体の傾斜面の位置のうち、構造体の半分の深さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定した。次に、構造体間の凸部の位置のうち、その凸部の高さが最も高くなる位置の膜厚Ｄ３を測定した。次に、これらの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の測定を導電性光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３を求めた。
＜１．導電性光学シートの光学特性＞
（比較例１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディップによりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図１１に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。
具体的には、六方格子が形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し凹形状の六方格子パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは１００ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは１００ｎｍ程度であった。
次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。
次に、エッチング装置を用い、ＣＨＦ３ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部が得られた。このときのパターンでのエッチング量（深さ）はエッチング時間によって変化させた。最後に、Ｏ２アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子のモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。
次に、上記モスアイガラスロールマスタと紫外線硬化樹脂を塗布したアクリルシートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、複数の構造体が一主面に配列された光学シートが得られた。次に、スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を構造体上に成膜した。
以上により、目的とする導電性光学シートを作製した。
（比較例２）
平均膜厚１６０ｎｍのＩＺＯ膜を構造体上に形成する以外は、比較例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例３）
まず、比較例１と同様にして一主面に複数の構造体が配列された光学シートを作製した。次に、一主面に複数の構造体を形成したのと同様にして、光学シートの他主面に複数の構造体を形成した。これにより、両主面に複数の構造体が配列された光学シートが作製された。次に、スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を一主面の構造体上に成膜することにより、複数の構造体が両主面に配列された導電性光学シートを作製した。
（比較例４）
ＩＺＯ膜の成膜工程を省略する以外は比較例１と同様にして、光学シートを作製した。
（比較例５）
スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を、平滑なアクリルシートの表面上に形成し、導電性光学シートを作製した。
（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表１に示す。
（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）にて測定した。その結果を表１に示す。
（反射率／透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図３５Ａ、図３５Ｂに示す。
【表１】
2011027909.tif 000003
上述の評価結果から以下のことがわかる。
比較例２の表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）にて測定したところ、２７０Ω／□となった。これに対して、モスアイ構造を表面に形成した比較例１では、抵抗率２．０×１０−４Ω・ｃｍの透明導電膜（ＩＺＯ膜）を平板換算で３０ｎｍ成膜すると、約３０ｎｍ程度の平均膜厚となる。このときの表面抵抗は、表面積が増えることを換算しても、４０００Ω／□であるが、抵抗膜式タッチパネルとして使用する際に問題ないレベルである。
図３５Ａ、図３５Ｂに示すように、比較例１は、透明導電膜を成膜していない、モスアイ構造体のみが表面に形成された比較例４と比較しても、遜色ない特性を保持している。また、比較例１は、同程度の表面抵抗をもつ透明導電膜を平滑なシート上に成膜した比較例４の光学特性よりも、優れた光学特性が得られている。
比較例２では、平板換算（平均膜厚）で１６０ｎｍとなる厚さの透明導電膜（ＩＺＯ膜）を成膜しているため、透過率が劣化する傾向がある。これは透明導電膜を過度に厚く成膜したため、モスアイ構造体の形状が崩れてしまい、所望の形状を維持することが困難となってしまったためと考えられる。すなわち、透明導電膜を過度に厚くすると、モスアイ構造体の形状を保持したまま薄膜を成長させることが困難になる。しかし、このように形状が保持されていない場合であっても、透明導電膜のみを平滑なシートに成膜した比較例２よりも光学特性が優れている。
両面にモスアイ構造体を形成した比較例３では、片面にモスアイ構造を形成した比較例１に比べて反射防止機能が向上している。図３５Ｂから、９７％〜９９％の非常に高透過率な特性が実現されていることがわかる。
＜２．構造体と光学特性および表面抵抗との関係＞
（比較例６、７、実施例１）
１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号の周波数と、ロールの回転数と、送りピッチとを調整し、レジスト層をパターニングすることにより、六方格子パターンをレジスト層に記録した。これ以外のことは、比較例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（実施例２）
実施例１と凹凸関係を逆にした以外のことは比較例１と同様にして、凹形状を有する複数の構造体（逆パターンの構造体）が表面に形成された導電性光学シートを作製した。
（比較例８）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は比較例６と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例９）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例１０）
スパッタリング法により、平均膜厚４０ｎｍのＩＺＯ膜を、平滑なアクリルシートの表面上に形成し、導電性光学シートを作製した。
（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例および各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表２に示す。
（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法にて測定した。その結果を表２に示す。また、図３６Ａに、アスペクト比と表面抵抗との関係を示す。図３６Ｂに、構造体の高さと表面抵抗との関係を示す。
（反射率／透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図３７Ａ、図３７Ｂに示す。また、図３８Ａ、図３８Ｂに、実施例１と比較例９の透過特性、および反射特性を示す。図３９Ａ、図３９Ｂに、比較例６と比較例８の透過特性、および反射特性を示す。
【表２】
2011027909.tif 000004
図３６Ａ、図３６Ｂから以下のことがわかる。
構造体のアスペクト比と表面抵抗との間に相関があり、アスペクト比の値にほぼ比例して表面抵抗が増加する傾向がある。これは、構造体の斜面が急峻になるほど、透明導電膜の平均膜厚が薄くなる、または構造体の高さが高い、もしくは深さが深いほど表面積が増えるため、高抵抗となるためと考えられる。
タッチパネルでは、一般的に５００〜３００Ω／□の表面抵抗が求められるので、本発明をタッチパネルに適用する場合には、アスペクト比を適宜調整して、所望の抵抗値が得られるようにすることが好ましい。
図３７Ａ、図３７Ｂ、図３８Ａ、図３８Ｂから以下のことがわかる。
波長４５０ｎｍよりも短波長側では透過率が低下する傾向がるが、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲では優れた透過特性が得られる。また、構造体のアスペクト比が高いほど、短波長側での透過率の低下を抑制できる。
波長４５０ｎｍよりも短波長側では反射率も低下する傾向があるが、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲では優れた反射特性が得られる。また、構造体のアスペクト比が高いほど、短波長側での反射率の増加を抑制できる。
凸形状の構造体が形成された実施例１は、凹形状の構成体が形成された実施例２よりも光学特性が優れている。
図３９Ａ〜図３９Ｂから以下のことがわかる
アスペクト比が１．２である比較例６では、アスペクト比が０．６である実施例１よりも、光学特性の変化が少なく抑えられている。これは、アスペクト比１．２である比較例６の方が、アスペクト比０．６である実施例１よりも表面積が大きく、構造体に対する透明導電膜の平均膜厚が薄くなっているためと考えられる。
＜３．透明導電膜の厚みと光学特性および表面抵抗との関係＞
（実施例３）
ＩＺＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍにする以外は実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（実施例４）
実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例１１）
ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにする以外は実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例１２）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例および各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表３に示す。
（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）にて測定した。その結果を表３に示す。
（反射率／透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４０Ａ、図４０Ｂに示す。
【表３】
2011027909.tif 000005
なお、“（）”内に記された抵抗値は、同一の成膜条件にて平滑なシート上にＩＺＯ膜を成膜し、その成膜したＩＺＯ膜の抵抗値を測定したときの値である。
図４０Ａ、図４０Ｂから以下のことがわかる。
平均膜厚が厚くなるほど、４５０ｎｍより短波長側の反射率、および透過率が低下する傾向がる。
＜２．構造体と光学特性および表面抵抗との関係＞、および＜３．透明導電膜の厚みと光学特性および表面抵抗との関係＞の評価結果を総合すると、以下のことがわかる。
長波長側の光学特性は、構造体上に透明導電膜を成膜する前後でほとんど変化しないのに対して、短波長側の光学特性は変化する傾向がる。
構造体を高アスペクトな形状とすると、光学特性は良好であるが、表面抵抗が大きくなる傾向がる。
透明導電膜の厚さが厚くなると、短波長側の反射率が増加する傾向がある。
表面抵抗と光学特性とがトレードオフの関係にある。
＜４．他方式の低反射導電膜との比較＞
（比較例１３）
比較例７と同様にして導電性光学シートを作製した。
（実施例５）
ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにする以外は実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例１４）
スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を、平滑なアクリルシートの表面上に形成し、導電性光学シートを作製した。
（比較例１５）
ＰＶＤ法にてフィルム上に順次Ｎ＝２．０前後の光学膜を形成しその上に１．５前後の光学膜を形成しさらにその上に導電膜を形成した。
（比較例１６）
ＰＶＤ法にてフィルム上に順次Ｎ＝２．０前後の光学膜とＮ＝１．５前後の光学膜を４層積層しそのうえに導電膜を形成した。
（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例および各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表４に示す。
（反射率／透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４１に示す。
【表４】
2011027909.tif 000006
図４１から以下のことがわかる。
構造体上に透明導電膜を成膜した比較例１３、実施例５は、平滑なシート上に透明導電膜を成膜した比較例１４に比して、４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長帯域において優れた透過特性を有している。
多層膜を積層した比較例１５、１６は、波長５００ｎｍ程度までは優れた透過特性を示す。しかしながら、４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長帯域全体では、構造体上に透明導電膜を成膜した比較例１３、実施例５が、多層膜を積層した比較例１５、１６よりも優れている。
＜５．構造体と光学特性との関係＞
（比較例１７）
１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号の周波数と、ロールの回転数と、送りピッチとを調整し、レジスト層をパターニングすることにより、六方格子パターンをレジスト層に記録した。平均膜厚２０ｎｍのＩＺＯ膜を構造体上に形成した。これ以外のことは、比較例１と同様にして光学シートを作製した。
（比較例１８）
１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号の周波数と、ロールの回転数と、送りピッチとを調整し、レジスト層をパターニングすることにより、六方格子パターンをレジスト層に記録した。これ以外のことは、比較例１と同様にして光学シートを作製した。
（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例および各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表５に示す。
（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）にて測定した。その結果を表５に示す。
（反射率／透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４２Ａ、図４２Ｂに示す。
【表５】
2011027909.tif 000007
図４２Ａ、図４２Ｂから以下のことがわかる。
アスペクト比を低くすることにより、４５０ｎｍより短波長側における光学特性の低下を改善することができる。透過特性がより改善していることから、吸収特性が改善していると推定される。
＜６．透明導電膜の形状と光学特性との関係＞
（比較例１９）
ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにする以外は比較例１８と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例２０）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は比較例１９と同様にして光学シートを作製した。
（実施例６）
ＩＺＯ膜の平均膜厚を２０ｎｍにする以外は実施例５と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例２１）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例６と同様にして光学シートを作製した。
（実施例７）
比較例６と凹凸関係を逆にした。ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにして導電性光学シートを作製した。これ以外のことは比較例６と同様にして、凹形状を有する複数の構造体（逆パターンの構造体）が表面に形成された導電性光学シートを作製した。
（比較例２２）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例７と同様にして光学シートを作製した。
（実施例８）
構造体の断面プロファイルの曲線変化率に変化をもたせた構造体上に平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を形成した光学シートを作製した。
（比較例２３）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例８と同様にして光学シートを作製した。
（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例および各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表６に示す。
（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）にて測定した。その結果を表６に示す。
（透明導電膜の評価）
構造体上に形成した導電膜の断面方向に切断し、断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて構造体とそれに付着した導電膜の像を観察する。
（反射率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４３Ａ〜図４４Ｂに示す。
【表６】
2011027909.tif 000008
透明導電膜の形状評価、および反射率の評価から以下のことがわかる。
比較例１９では、構造体の先端部の平均膜厚Ｄ１、構造体の斜面の平均膜厚Ｄ２、および構造体間のボトム部Ｄ３の平均膜厚は、以下のような関係になっていることがわかった。
Ｄ１（＝３８ｎｍ）＞Ｄ３（＝２１ｎｍ）＞Ｄ２（＝１４ｎｍ〜１７ｎｍ）
ＩＺＯは屈折率が２．０程度であるため、構造体の先端部だけ実行屈折率が上昇する。このため、図４３Ａに示すように、ＩＺＯ膜の成膜により反射率が上昇する。
実施例６では、構造体にほぼ均一に成膜されていることがわかった。このため、図４３Ｂに示すように、成膜前後の反射率変化も少なくなっている。
実施例６では、凹形状の構造体のボトム部と、凹形状の構造体間のトップ部とにＩＺＯ膜の平均膜厚が、他の部分の平均膜厚に比して非常に厚くなっていることがわかった。特に、トップ部において平均膜厚が著しく厚くなっていることがわかった。このような成膜状態であるため、図４４Ａに示すように、反射率変化も複雑な挙動を示し、かつ上昇する傾向がある。
実施例７では、比較例１９と同様に、構造体の先端部の平均膜厚Ｄ１、構造体の斜面の平均膜厚Ｄ２、および構造体間のボトム部Ｄ３の平均膜厚は、以下のような関係になっていることがわかった。
Ｄ１（＝３６ｎｍ）＞Ｄ２（＝２０ｎｍ）＞Ｄ３（＝１８ｎｍ）
しかしながら、５００ｎｍ程度より短波長側において、反射率が急激に増加する傾向がる。これは、構造体の先端部の平面状となっており、先端部の面積が大きくなっているためと考えられる。
以上により、急峻な斜面には透明導電膜は薄く付着し、フラットな面に近いほど透明導電膜が厚く付着する傾向がある。
また、構造体全体に均一に成膜されていると、成膜前後の光学特性変化が小さくなる傾向がある。
また、構造体の形状が自由曲面に近いほど、透明導電膜が構造体全体に均一に付着する傾向がある。
＜７．充填率、および径の比率と反射特性との関係＞
次に、ＲＣＷＡ（Ｒｉｇｏｒｏｕｓ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｗａｖｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）シミュレーションにより、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）と反射防止特性との関係について検討を行った。
（試験例１）
図４５Ａは、構造体を六方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図４５Ａに示すにように、構造体を六方格子状に配列した場合において、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）（但し、Ｐ１：同一トラック内における構造体の配置ピッチ、ｒ：構造体底面の半径）を変化させたときの充填率を以下の式（２）により求めた。
充填率＝（Ｓ（ｈｅｘ．）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００  ・・・（２）
単位格子面積：Ｓ（ｕｎｉｔ）＝２ｒ×（２√３）ｒ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（ｈｅｘ．）＝２×πｒ２
（但し、２ｒ＞Ｐ１のときは作図上から求める。）
例えば、配置ピッチＰ１＝２、構造体底面の半径ｒ＝１とした場合、Ｓ（ｕｎｉｔ）、Ｓ（ｈｅｘ．）、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、充填率は以下に示す値となる。
Ｓ（ｕｎｉｔ）＝６．９２８２
Ｓ（ｈｅｘ．）＝６．２８３１９
（２ｒ／Ｐ１）×１００＝１００．０％
充填率＝（Ｓ（ｈｅｘ．）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００＝９０．７％
表７に、上述の式（２）により求めた充填率と比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）との関係を示す。
【表７】
2011027909.tif 000009
（試験例２）
図４５Ｂは、構造体を四方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図４５Ｂに示すにように、構造体を四方格子状に配列した場合において、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、比率（（２ｒ／Ｐ２）×１００）、（但し、Ｐ１：同一トラック内における構造体の配置ピッチ、Ｐ２：トラックに対して４５度方向の配置ピッチ、ｒ：構造体底面の半径）を変化させたときの充填率を以下の式（３）により求めた。
充填率＝（Ｓ（ｔｅｔｒａ）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００  ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（ｕｎｉｔ）＝２ｒ×２ｒ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（ｔｅｔｒａ）＝πｒ２
（但し、２ｒ＞Ｐ１のときは作図上から求める。）
例えば、配置ピッチＰ２＝２、構造体底面の半径ｒ＝１とした場合、Ｓ（ｕｎｉｔ）、Ｓ（ｔｅｔｒａ）、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、比率（（２ｒ／Ｐ２）×１００）、充填率は以下に示す値となる。
Ｓ（ｕｎｉｔ）＝４
Ｓ（ｔｅｔｒａ）＝３．１４１５９
（２ｒ／Ｐ１）×１００＝７０．７％
（２ｒ／Ｐ２）×１００＝１００．０％
充填率＝（Ｓ（ｔｅｔｒａ）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００＝７８．５％
表８に、上述の式（３）により求めた充填率と、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、比率（（２ｒ／Ｐ２）×１００）との関係を示す。
また、四方格子の配置ピッチＰ１とＰ２との関係はＰ１＝√２×Ｐ２となる。
【表８】
2011027909.tif 000010
（試験例３）
配置ピッチＰ１に対する構造体底面の直径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）を８０％、８５％、９０％、９５％、９９％の大きさにして、以下の条件で反射率をシミュレーションにより求めた。その結果のグラフを図４６に示す。
構造体形状：釣鐘型
偏光：無偏光
屈折率：１．４８
配置ピッチＰ１：３２０ｎｍ
構造体の高さ：４１５ｎｍ
アスペクト比：１．３０
構造体の配列：六方格子
図４６から、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が８５％以上あれば、およそ可視域の波長域（０．４〜０．７μｍ）において、平均反射率ＲがＲ＜０．５％となり、十分な反射防止効果が得られる。このとき底面の充填率は６５％以上である。また、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が９０％以上あれば、可視域の波長域において平均反射率ＲがＲ＜０．３％となり、より高性能な反射防止効果が得られる。このとき底面の充填率は７３％以上であり、上限を１００％として充填率が高いほど性能が良くなる。構造体同士が重なり合う場合は、構造体高さは一番低い位置からの高さを考えることとする。また、四方格子においても、充填率と反射率の傾向は同様であることを確認した。
（平均高さＨ、平均配置ピッチＰ、平均アスペクト比）
以下の実施例において、導電性シートの構造体の平均高さＨ、平均配置ピッチＰ、および平均アスペクト比は以下のようにして求めた。
平均配置ピッチＰ、平均高さＨ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、以下のようにして求めた。まず、導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の配置ピッチＰ、構造体の高さＨを求めた。この測定を導電性シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチＰ、および平均高さＨを求めた。次に、これらの平均配置ピッチＰ、および平均高さＨを用いて、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）を求めた。
（ＩＴＯ膜の平均膜厚）
以下の実施例において、ＩＴＯ膜の膜厚は以下のようにして求めた。
まず、導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体における頂部におけるＩＴＯ膜の膜厚を測定した。これらの測定を導電性シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求めた。
（平均波長λ、振動の平均幅Ａ、平均比率（Ａ／λ））
以下の実施例において、第１の波面および第２の波面の平均波長λ、第１の波面の振動の平均幅Ａ、第２の波面の振動の平均幅Ｂ、平均比率（Ａ／λ）および平均比率（Ｂ／λ）は以下のようにして求めた。まず、ＩＴＯ膜の第１の波面または第２の波面の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性シートを一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の波面または第２の波面の波長λ、第１の波面の振動の幅Ａ、および第２の波面の振動の幅Ｂを求めた。この測定をＩＴＯ膜から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行った。次に、測定された第１の波面および第２の波面の波長λ、第１の波面の振動の幅Ａ、第２の波面の振動の幅Ｂをそれぞれ単純に平均（算術平均）して、第１の波面および第２の波面の平均波長λ、第１の波面の振動の平均幅Ａ、第２の波面の振動の平均幅Ｂを求めた。次に、これらの平均波長λ、振動の平均幅Ａ、および振動の平均幅Ｂを用いて、平均比率（Ａ／λ）、平均比率（Ｂ／λ）を求めた。
本発明の実施例について以下の順序で説明する。
８．シミュレーションによる反射特性の検討
９．サンプル作製による反射特性の検討
１０．サンプル作製による抵抗特性の検討
＜８．シミュレーションによる反射特性の検討＞
（実施例１−１）
ＲＣＷＡ（Ｒｉｇｏｒｏｕｓ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｗａｖｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）シミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７１に示す。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
（出射面側）樹脂層／Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体／ＩＴＯ膜／樹脂層（入射面側）
（樹脂層）
屈折率ｎ：１．５２
（ＩＴＯ膜）
膜厚ｄ：２０ｎｍ、屈折率ｎ：２．０
第１の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第１の波面の波長λ：４００ｎｍ、第１の波面の振動の幅Ａ：２０ｎｍ、第１の波面の波長λに対する振動の幅Ａの比率（Ａ／λ）：０．０５
第２の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第２の波面の波長λ：４００ｎｍ、第２の波面の振動の幅Ｂ：２０ｎｍ、第２の波面の波長λに対する振動の幅Ｂの比率（Ｂ／λ）：０．０５
本実施例において、第１の波面の断面形状は、ＩＴＯ膜の第１の波面の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子を一方向に切断したときの断面形状である。また、第２の波面の断面形状は、ＩＴＯ膜の第２の波面の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子を一方向に切断したときの断面形状である。
（Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体）
構造体形状：放物面状、配置パターン：六方格子パターン、構造体間の配置ピッチＰ：４００ｎｍ、構造体高さＨ：２０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．０５、屈折率ｎ：１．５２
（樹脂層）
屈折率ｎ＝１．５２
（実施例１−２）
以下のシミュレーション条件を変更する以外のことは、実施例１−１と同様にしてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７１に示す。
（Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体）
構造体高さＨ：４０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．１
（ＩＴＯ膜）
第１および第２の波面の振動の幅：４０ｎｍ、比率（Ａ／λ）および比率（Ｂ／λ）：０．１
（実施例１−３）
以下のシミュレーション条件を変更する以外のことは、実施例１−１と同様にしてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７１に示す。
（Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体）
構造体高さＨ：７０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．１７５
（ＩＴＯ膜）
第１および第２の波面の振動の幅：７０ｎｍ、比率（Ａ／λ）および比率（Ｂ／λ）：０．１７５
（比較例１−１）
樹脂層上に構造体を設定せず平坦面とし、この平坦面上にＩＴＯ膜を設けた層構成とする以外は実施例１−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７１に示す。
図７１から以下のことがわかる。
高さ４０ｎｍ（アスペクト０．１）以上の構造体が表面に形成されていれば、構造体が表面に形成されていない場合とほぼ同様のスペクトルを得ることができる。
構造体の高さ（アスペクト０．１）が４０ｎｍ以上であると、可視域（４５０ｎｍ〜６５０ｎｍ）において反射率の変位量ΔＲをΔＲ＜１％とすることができる。すなわち可視域において反射率がほぼフラットとなる。
（実施例２−１）
ＲＣＷＡシミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７２に示す。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
（出射面側）樹脂層／Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体／ＩＴＯ膜／樹脂層（入射面側）
（樹脂層）
屈折率ｎ：１．５２
（ＩＴＯ膜）
膜厚ｄ：１０ｎｍ、屈折率ｎ：２．０
第１の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第１の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第１の波面の振動の幅Ａ：１５０ｎｍ、第１の波面の波長λに対する振動の幅Ａの比率（Ａ／λ）：０．６
第２の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第２の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第２の波面の振動の幅Ｂ：１５０ｎｍ、第２の波面の波長λに対する振動の幅Ｂの比率（Ｂ／λ）：０．６
（Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体）
構造体形状：放物面状、配置パターン：六方格子パターン、配置ピッチＰ：２５０ｎｍ、構造体高さＨ：１５０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６、屈折率ｎ：１．５２
（樹脂層）
屈折率ｎ：１．５２
（実施例２−２）
ＩＴＯ膜の膜厚ｄを３０ｎｍとする以外は実施例２−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７２に示す。
（実施例２−３）
ＩＴＯ膜の膜厚ｄを５０ｎｍとする以外は実施例２−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７２に示す。
（比較例２−１）
樹脂層上に構造体を設定せず平坦面とし、この平坦面上にＩＴＯ膜を設けた層構成とする以外は実施例２−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７２に示す。
図７２から以下のことがわかる。
ＩＴＯ膜の膜厚が１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内において、可視域の範囲で十分な反射防止が得られる。具体的には、可視域（４５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）において反射率を１．５％以下に抑えることができる。
樹脂層の凹凸面間にＩＴＯ膜が挟まれた構成とすることで、樹脂層の平坦面間にＩＴＯ膜が挟まれた層構成とするよりも反射率を大幅に低減することができる。特に、可視域の短波長側における反射率を低減することができる。
（実施例３−１）
ＲＣＷＡシミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７３に示す。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
樹脂層／Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体／ＩＴＯ膜／空気
（樹脂層）
屈折率ｎ＝１．５２
（Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体）
構造体形状：放物面状、配置パターン：六方格子パターン、配置ピッチＰ：２５０ｎｍ、構造体高さＨ：１２０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．４８、屈折率ｎ：１．５２
（ＩＴＯ膜）
膜厚ｄ：２０ｎｍ、屈折率ｎ：２．０
第１の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第１の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第１の波面の振動の幅Ａ：１２０ｎｍ、第１の波面の波長λに対する振動の幅Ａの比率（Ａ／λ）：０．４８
第２の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第２の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第２の波面の振動の幅Ｂ：１２０ｎｍ、第２の波面の波長λに対する振動の幅Ｂの比率（Ｂ／λ）：０．４８
（実施例３−２）
ＩＴＯ膜の膜厚ｄを３０ｎｍとする以外は実施例３−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７３に示す。
（比較例３−１）
ＩＴＯ膜の膜厚ｄを０ｎｍとする以外は実施例３−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７３に示す。
図７３から以下のことがわかる。
樹脂層の表面に構造体を多数形成した場合には、およそ波長４５０〜７００ｎｍの範囲において、ＩＴＯ膜を構造体上に形成したときと、ＩＴＯ膜を構造体上に形成しなかったときとで、反射率に大きな違いがなくなる傾向がある。したがって、ＩＴＯ膜の電極パターンがある部分とＩＴＯ膜の電極パターンがない部分とにおける反射率の違いを抑制することができる。すなわち、デジタル抵抗膜方式タッチパネルなどの配線の視認を抑制できる。
（参考例１−１）
シミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７４に示す。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
基材／ＩＴＯ膜／媒質
（基材）
基材：ガラス基材、成膜面：平坦面、屈折率ｎ＝１．５
（ＩＴＯ膜）
膜厚ｄ＝２０ｎｍ、屈折率ｎ＝２．０
（媒質）
媒質の種類：空気
（参考例１−２）
ＩＴＯ膜の厚みを４０ｎｍとする以外は参考例１−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７４に示す。
（参考例１−３）
ＩＴＯ膜の厚みを６０ｎｍとする以外は参考例１−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７４に示す。
（参考例１−４）
ＩＴＯ膜の厚みを０ｎｍとする以外は参考例１−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７４に示す。
図７４から以下のことがわかる。
基材表面にモスアイ構造を形成せず、基材の平坦面上にＩＴＯ膜を形成した場合には、基材の平坦面上にＩＴＯ膜を形成していない場合に比して反射率が増加する傾向がある。その反射率の増加の度合いはＩＴＯ膜の膜厚が厚いほど大きくなる傾向がある。
＜９．サンプル作製による反射特性の検討＞
（実施例４−１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディッピング法によりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図５８に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。
具体的には、六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し凹形状の六方格子状の露光パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは５０ｎｍ程度であった。
次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。
次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ３ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ２アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。
次に、上記モスアイガラスロールマスタと、紫外線硬化樹脂を塗布したＴＡＣ（トリアセチルセルロース）シートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、複数の構造体が一主面に配列された光学シートが得られた。
次に、スパッタリング法により、構造体頂部平均膜厚３０ｎｍのＩＴＯ膜を、多数の構造体が形成されたＴＡＣシート全面に成膜した。次に、粘着剤を介してＩＴＯ膜上にＴＡＣシートを貼り合わせた。
上述のようにして得られた光学シートの構造体の平均配置ピッチＰは２７０ｎｍ、平均高さＨは１７０ｎｍ、平均アスペクト比は０．６３であった。また、ＩＴＯ膜の波長λは２７０ｎｍ、ＩＴＯ膜の第１の波面の振動の幅Ａは１７０ｎｍ、ＩＴＯ膜の第２の波面の振動の幅Ｂは１７０〜１８０ｎｍ、比率（Ａ／λ）は０．６３、比率（Ｂ／λ）は０．６３〜０．６７であった。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
（比較例４−１）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を２０ｎｍとする以外は実施例４−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例４−２）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は実施例４−１と同様にして光学シートを作製した。
（比較例４−３）
紫外線硬化樹脂を塗布して構造体を形成する工程を省略し、ＴＡＣフィルムの平坦面上にＩＴＯ膜を直接成膜する以外は実施例４−１と同様にして導電性シートを作製した。
（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性シートおよび光学シートの表面抵抗を４端子法にて測定した。その結果を表９に示す。
（分光反射特性の評価）
上述のようにして作製した導電性シートおよび光学シートの分光反射特性を以下のようにして測定した。まず、多数の構造体またはＩＴＯ膜が形成されたＴＡＣシートの裏面にブラックテープを貼り合わせた。次に、ブラックテープが貼り合わされた側とは反対側となる表面から光を入射したときの導電性シートの分光反射特性を、日本分光社製の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて求めた。その結果を図７５に示す。
【表９】
2011027909.tif 000011
図７５から以下のことがわかる。
構造体上にＩＴＯ膜を形成した実施例４−１、比較例４−１では、可視域４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内において、ＴＡＣシートの平坦面上にＩＴＯ膜を形成した比較例４−２に比して反射率を低減することができる。
構造体上にＩＴＯ膜を形成した実施例４−１、比較例４−１では、可視域４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内において、構造体上にＩＴＯ膜を形成していない比較例４−１とほぼ同様の反射率が得られている。この結果から、構造体状にＩＴＯ膜を形成することで、ＩＴＯ膜を所定の配線パターン状に形成した場合には、配線パターンが有る部分と、配線パターンが無い部分との反射率の違いをほとんど無くすことができる。したがって、配線パターンがほとんど視認されなくなる。
（実施例５−１）
まず、露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表１０に示すようにすること以外は、実施例４−１と同様にして、モスアイ構造体が形成されたＴＡＣシートを得た。次に、スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＴＯ膜を、多数の構造体が形成されたＴＡＣシート全面に成膜した。以上により、モスアイ構造体が形成された面が樹脂層により覆われず露出した導電性シートが作製された。
（実施例５−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例５−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例５−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例５−１）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は実施例５−１と同様にして光学シートを作製した。
（実施例６−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表２に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例６−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は実施例６−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例６−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は実施例６−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例６−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は実施例６−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例６−１）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は実施例６−１と同様にして光学シートを作製した。
（実施例７−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表１０に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例７−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は実施例７−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例７−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は実施例７−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例７−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は実施例７−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例７−１）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は実施例７−１と同様にして光学シートを作製した。
（比較例８−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表１０に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例８−１）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は比較例８−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例８−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は比較例８−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例８−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は比較例８−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例８−２）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は比較例８−１と同様にして光学シートを作製した。
（比較例９−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表１０に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例９−１）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は比較例９−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例９−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は比較例９−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例９−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は比較例９−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例９−２）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は比較例９−１と同様にして光学シートを作製した。
（比較例１０−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表１０に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１０−１）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は比較例１０−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１０−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は比較例１０−１と同様にして導電性シートを作製した。
［０１９１］
（実施例１０−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は比較例１０−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例１０−２）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は比較例１０−１と同様にして光学シートを作製した。
（実施例１１−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１０に示す構造体を形成する共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例１１−１）
表１２に示す構造体を形成する以外は実施例１１−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１１−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は実施例１１−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例１１−３）
表１０に示す構造体を形成する以外は実施例１１−２と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例１１−２）
単層のガラスを準備した。
表１０は、上述の実施例および比較例の導電性シート、およびの光学シートの構成を示す。
【表１０】
2011027909.tif 000012
＜１０．サンプル作製による抵抗特性の検討＞
（実施例１２−１〜１２−３、比較例１２−１〜１２−３）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１１に示す構造体を形成すると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例４−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１３−１〜１３−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は実施例１２−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１４−１〜１４−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は実施例１２−２と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１５−１〜１５−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は実施例１２−３と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１６−１〜１６−３、比較例１６−１）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は比較例１２−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１７−１〜１７−３、比較例１７−１）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は比較例１２−３と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１８−１〜１８−３、比較例１８−１）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は比較例１２−２と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１９−１〜１９−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は実施例１２−２と同様にして導電性シートを作製した。
表１１は、実施例１２−１〜１９−４の導電性シートの構成を示す。
【表１１】
2011027909.tif 000013
（実施例２０−１）
まず、露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１２に示すように構造体の設計を変更したこと、基材として厚さ１２７μｍを有するクリアハードコート付きＰＥＴシートを用いたこと以外は、実施例１−１と同様にして、モスアイ構造体が形成されたＰＥＴシートを得た。次に、このシートの、構造体からなる凹凸面上に、平均膜厚３６ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により成膜した。以下にＩＴＯ膜の成膜条件を示す。
スパッタリング種：ＡＣマグネトロンスパッタリング（Ｄｕａｌカソード）
ガス種：ＡｒとＯ２との混合ガス
ガス流量比（体積流量比）：Ａｒ：Ｏ２＝２０：１
成膜時圧力：０．２４Ｐａ
投入電力：４ｋＷ
次に、ＩＴＯ膜を１５０度で１時間アニーリングして、結晶状態とした。
以上により、目的とする導電性シートが得られた。
（実施例２０−２）
次に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を７５ｎｍとしたこと以外は実施例２０−１と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−３）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１２に示すように構造体の設計を変更したこと以外は実施例２０−１と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−４）
次に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を７５ｎｍとしたこと以外は実施例２０−３と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−５）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１２に示すように構造体の設計を変更したこと以外は実施例２０−１と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−６）
次に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を７５ｎｍとした以外は実施例２０−５と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−７）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１２に示すように構造体の設計を変更したこと以外は実施例２０−１と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−８）
厚さ１００μｍのゼオノアフィルム（登録商標）に熱転写して構造体を形成したこと、ＩＴＯ膜の平均膜厚を８０ｎｍとしたこと以外は実施例２０−７と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−９）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１２に示すように構造体の設計を変更したこと、基材として厚さ１００μｍのＰＥＴシートを用いたこと、透明導電膜として平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を形成したこと以外は実施例２０−１と同様にして、導電性シートを得た。
（比較例２０−１）
紫外線硬化樹脂を塗布して構造体を形成する工程を省略し、ＰＥＴシートの平坦面上にＩＴＯ膜を直接成膜する以外は実施例２０−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例２０−２）
紫外線硬化樹脂を塗布して構造体を形成する工程を省略し、ＰＥＴシートの平坦面上にＩＴＯ膜を直接成膜する以外は実施例２０−２と同様にして導電性シートを作製した。
（分光反射／透過特性の評価）
上述のようにして作製した導電性シートの分光反射特性を以下のようにして測定した。まず、多数の構造体またはＩＴＯ膜が形成された導電性シートの裏面にブラックテープを貼り合わせた。次に、ブラックテープが貼り合わされた側とは反対側となる表面から光を入射したときの導電性シートの分光反射特性および分光透過特性を、日本分光社製の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて求めた。その結果を図８１Ａ〜図８２Ｂに示す。
（結晶性評価）
比較例２０−７、２０−９、２０−１の導電性シートの結晶性をＸ線回折法（Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＸＲＤ）により評価した。その結果を図８３に示す。
（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）にて測定した。以下に、この測定に用いた装置およびその条件について示す。
・測定ユニット
メーカー：ＮＡＰＳＯＮ
機種名：ＲＴ−７０
・プローブユニット
メーカー：ＮＡＰＳＯＮ
機種名：ＴＳ−７Ｄ
・４端針プローブ
メーカー：ＪＡＤＥＬ
先端のＲ：１５０μｍ
間隔１ｍｍ
（比抵抗の評価）
上述のようにして得られた導電性シートの透明導電膜の比抵抗を以下のようにして測定した。
同スパッタロットにて平板にも成膜し、その平板の比抵抗を測定することで算出した。算出方法は表面抵抗と膜厚を測定し、下記式で計算した。
Ｒ（表面抵抗）＝ρ（比抵抗）／ｄ（厚み）
なお、平板上の膜厚は、触針式段差計、もしくはＡＦＭで測定し、ダイナミックレートから換算した。段差計としては、テンコール社製のαステップを用いた。
構造体上に透明導電膜を形成した場合の比抵抗は、以下のようにして概算することができる。
まず、断面ＴＥＭ、もしくは断面ＳＥＭ、ＡＦＭにて構造体のプロファイルを確認し、そこから表面積を算出する。また、導電膜の厚みについても断面観察像から平均膜厚を換算する。上記値より表面抵抗を測定することによりオームの法則（抵抗は比抵抗に対して断面積に比例し、膜厚に反比例する）より換算する。
表１２、表１３は、実施例２０−１〜２０−９、比較例２０−１〜２０−２の導電性シートの構成を示す。
【表１２】
2011027909.tif 000014
【表１３】
2011027909.tif 000015
図８１Ａ、図８１Ｂから、構造体からなる凹凸上に透明導電膜を形成した場合には、シートの平面上に透明導電膜を形成した場合に比べて優れた反射防止特性が得られることがわかる。
図８２Ａ、図８２Ｂから、構造体をシートに一体成型した場合にも、シートの平面上に透明導電膜を形成した場合に比べて優れた反射率が得られることがわかる。また、構造体を一体成型した場合には、透過率が高く、リップル（波打ち）が抑制されることがわかる。このようにリップルが抑制されることで、視認性が向上する。また、短波長側の透過特性が良好で、色調がニュートラル（無色透明）になることがわかる。
図８３から、アニール前のサンプルでは、ＸＲＤスペクトルにＩＴＯの結晶性に起因するピークが観察されないのに対して、アニール後のサンプルでは、ＸＲＤスペクトルにＩＴＯの結晶性に起因するピークが観察されることがわかる。
以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、形状、材料および数値などを用いてもよい。
また、上述の実施形態の各構成は、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。具体的には、上述の第１〜第２０の実施形態の構成、形状、材料、数値、および方法などは、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、上述の実施形態において、熱転写により導電性素子を作製するようにしてもよい。具体的には、熱可塑性樹脂を主成分とする基体を加熱し、この加熱により十分に柔らかくなった基体に対して、ロール状原盤やディスク状原盤などの判子（モールド）を押し当てることにより、導電性素子を作製する方法を用いるようにしてもよい。
【図１】
2011027909.tif 000016
【図２】
2011027909.tif 000017
【図３】
2011027909.tif 000018
【図４】
2011027909.tif 000019
【図５】
2011027909.tif 000020
【図６】
2011027909.tif 000021
【図７】
2011027909.tif 000022
【図８】
2011027909.tif 000023
【図９】
2011027909.tif 000024
【図１０】
2011027909.tif 000025
【図１１】
2011027909.tif 000026
【図１２】
2011027909.tif 000027
【図１３】
2011027909.tif 000028
【図１４】
2011027909.tif 000029
【図１５】
2011027909.tif 000030
【図１６】
2011027909.tif 000031
【図１７】
2011027909.tif 000032
【図１８】
2011027909.tif 000033
【図１９】
2011027909.tif 000034
【図２０】
2011027909.tif 000035
【図２１】
2011027909.tif 000036
【図２２】
2011027909.tif 000037
【図２３】
2011027909.tif 000038
【図２４】
2011027909.tif 000039
【図２５】
2011027909.tif 000040
【図２６】
2011027909.tif 000041
【図２７】
2011027909.tif 000042
【図２８】
2011027909.tif 000043
【図２９】
2011027909.tif 000044
【図３０】
2011027909.tif 000045
【図３１】
2011027909.tif 000046
【図３２】
2011027909.tif 000047
【図３３】
2011027909.tif 000048
【図３４】
2011027909.tif 000049
【図３５】
2011027909.tif 000050
【図３６】
2011027909.tif 000051
【図３７】
2011027909.tif 000052
【図３８】
2011027909.tif 000053
【図３９】
2011027909.tif 000054
【図４０】
2011027909.tif 000055
【図４１】
2011027909.tif 000056
【図４２】
2011027909.tif 000057
【図４３】
2011027909.tif 000058
【図４４】
2011027909.tif 000059
【図４５】
2011027909.tif 000060
【図４６】
2011027909.tif 000061
【図４７】
2011027909.tif 000062
【図４８】
2011027909.tif 000063
【図４９】
2011027909.tif 000064
【図５０】
2011027909.tif 000065
【図５１】
2011027909.tif 000066
【図５２】
2011027909.tif 000067
【図５３】
2011027909.tif 000068
【図５４】
2011027909.tif 000069
【図５５】
2011027909.tif 000070
【図５６】
2011027909.tif 000071
【図５７】
2011027909.tif 000072
【図５８】
2011027909.tif 000073
【図５９】
2011027909.tif 000074
【図６０】
2011027909.tif 000075
【図６１】
2011027909.tif 000076
【図６２】
2011027909.tif 000077
【図６３】
2011027909.tif 000078
【図６４】
2011027909.tif 000079
【図６５】
2011027909.tif 000080
【図６６】
2011027909.tif 000081
【図６７】
2011027909.tif 000082
【図６８】
2011027909.tif 000083
【図６９】
2011027909.tif 000084
【図７０】
2011027909.tif 000085
【図７１】
2011027909.tif 000086
【図７２】
2011027909.tif 000087
【図７３】
2011027909.tif 000088
【図７４】
2011027909.tif 000089
【図７５】
2011027909.tif 000090
【図７６】
2011027909.tif 000091
【図７７】
2011027909.tif 000092
【図７８】
2011027909.tif 000093
【図７９】
2011027909.tif 000094
【図８０】
2011027909.tif 000095
【図８１】
2011027909.tif 000096
【図８２】
2011027909.tif 000097
【図８３】
2011027909.tif 000098
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月29日(2010.12.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する基体と、
上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状の凸部または凹部である構造体と、
上記構造体上に形成された透明導電膜と、
を備え、
上記構造体のアスペクト比が、０．２以上１．３以下であり、
上記透明導電膜は上記構造体に倣った表面を有し、
上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１が、８０ｎｍ以下であり、
上記透明導電膜の表面抵抗が、５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲である導電性光学素子。
【請求項２】
上記透明導電膜は、結晶性を有している請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項３】
上記透明導電膜は、インジウム錫酸化物または酸化インジウム亜鉛を含んでいる請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項４】
上記導電性光学素子が、電極用である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項５】
上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１が、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項６】
上記構造体のアスペクト比が、０．２以上１．０以下である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項７】
上記透明導電膜の比抵抗が、１×１０−３Ω・ｃｍ以下である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項８】
上記透明導電膜の比抵抗が、６×１０−４Ω・ｃｍ以下である請求項７記載の導電性光学素子。
【請求項９】
上記構造体は、頂部に曲面を有する錐体形状である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１０】
上記構造体は、楕円錐または楕円錐台形状である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１１】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
上記トラックが、直線状、または円弧状を有する請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１２】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
上記トラックが、蛇行している請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１３】
上記基材は、上記表面とは反対側の他の表面を有し、
上記基体の他の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状である凸部または凹部である構造体をさらに備える請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１４】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
上記構造体は、上記トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円錐または楕円錐台形状
である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１５】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されている
とともに、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子
パターンを形成する請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１６】
上記基体の表面に対する上記構造体の充填率が、６５％以上である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１７】
（削除）
【請求項１８】
上記配置ピッチＰ１に対する上記径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１９】
上記配置ピッチＰ１に対する上記径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、９０％以上である請求項１８記載の導電性光学素子。
【請求項２０】
（削除）
【請求項２１】
（削除）
【請求項２２】
（削除）
【請求項２３】
請求項１〜１６、１８、１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える太陽電池。
【請求項２４】
請求項１〜１６、１８、１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を作製するための導電性光学素子作製用原盤であって、
表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状の凸部または凹部である転写用構造体を有し、
上記転写用構造体のアスペクト比が、０．２以上１．３以下である、導電性光学素子作製用原盤。
【国際調査報告】
2011027909.tif 000099
2011027909.tif 000100
2011027909.tif 000101
2011027909.tif 000102