(57)【要約】  可視波長域における光透過率が高いと共に、高い電磁波遮蔽能を有し、かつ膜応力の小さな電磁波遮蔽膜を提供する。  電磁波遮蔽膜３は、相対的に屈折率が高い複数の高屈折率膜３Ｈと、相対的に屈折率が低い複数の低屈折率膜３Ｌとが交互に積層されてなる。複数の高屈折率膜３Ｈには、複数のＩＴＯ膜が含まれている。電磁波遮蔽膜３は、金属膜を有さない。電磁波遮蔽膜３全体の厚みをｔ０とし、複数のＩＴＯ膜の厚みの合計をｔ１としたときに、ｔ１／ｔ０が０．３以上である。
2011122152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対的に屈折率が高い複数の高屈折率膜と、相対的に屈折率が低い複数の低屈折率膜とが交互に積層されてなり、前記複数の高屈折率膜には、複数のＩＴＯ膜が含まれており、かつ、金属膜を有さない電磁波遮蔽膜であって、
前記電磁波遮蔽膜全体の厚みをｔ０とし、前記複数のＩＴＯ膜の厚みの合計をｔ１としたときに、ｔ１／ｔ０が０．３以上である、電磁波遮蔽膜。
【請求項２】
ｔ１／ｔ０が０．４以上である、請求項１に記載の電磁波遮蔽膜。
【請求項３】
可視波長域における平均光反射率が１．５％以下となるように構成されている、請求項１または２に記載の電磁波遮蔽膜。
【請求項４】
ｔ０が、４００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲内にある、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽膜。
【請求項５】
ｔ１が、１２０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内にある、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽膜。
【請求項６】
前記高屈折率膜と前記低屈折率膜との膜数の合計が、４〜２５の範囲内にある、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽膜。
【請求項７】
透明基板と、
前記透明基板の上に形成された、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽膜とを備える、電磁波遮蔽部材。
【請求項８】
前記透明基板の厚みが、０．２ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲内にある、請求項７に記載の電磁波遮蔽部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波遮蔽膜及び電磁波遮蔽部材に関する。特には、本発明は、ＩＴＯ膜を備える電磁波遮蔽膜及びそれを備える電磁波遮蔽部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイを通して機器内部または外部に漏洩する電磁波の電子機器や人体に対する影響が問題視されている。これに鑑み、例えば、下記の特許文献１や特許文献２には、電磁波遮蔽能を有する電磁波遮蔽膜が開示されている。【０００３】
具体的には、特許文献１には、Ｎｂ２Ｏ５層、ＩＴＯ層、Ａｇ層、ＩＴＯ層がこの順番で複数回繰り返して積層されてなる電磁波遮蔽膜が開示されている。【０００４】
一方、特許文献２には、メガネレンズ用の電磁波遮蔽膜として、光学膜厚４６〜６０ｎｍのＳｉＯ２膜と、光学膜厚６５〜７９ｎｍのＩＴＯ膜と、光学膜厚１８〜２２ｎｍのＳｉＯ２膜と、光学膜厚２００〜２５４ｎｍのＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５のうち少なくとも１つを含む材料からなる膜と、光学膜厚１０３〜１２６ｎｍのＳｉＯ２膜とがこの順番で積層されてなる電磁波遮蔽膜が開示されている。また、特許文献２には、電磁波遮蔽膜が反射防止機能も兼ね備えている旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１２１０８５号公報
【特許文献２】特開平１１−１４９０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の電磁波遮蔽膜に用いられているＡｇ層は、非常に高い電磁波遮蔽能を有する。このため、特許文献１に記載のように、Ａｇ層を用いることにより、高い電磁波遮蔽能を有する電磁波遮蔽膜を実現し得る。しかしながら、Ａｇ層は、可視波長域における光透過率が低い。従って、Ａｇ層などの金属層を備える電磁波遮蔽膜では、可視波長域における光透過率を十分に高めることが困難である。【０００７】
それに対して、特許文献２に記載の電磁波遮蔽膜のように、電磁波遮蔽能を備える膜として、ＩＴＯ膜のみを用いた場合は、金属膜を用いた場合よりも、可視波長域における光透過率を高くし得る。しかしながら、ＩＴＯ膜の電磁波遮蔽能は、Ａｇ膜の電磁波遮蔽能よりも低い。ＩＴＯ膜を用いて高い電磁波遮蔽能を実現するためには、厚いＩＴＯ膜を形成する必要がある。【０００８】
但し、ＩＴＯ膜も、可視波長域において吸収を持っているため、ＩＴＯ膜を厚くした場合は、可視波長域における光透過率が低くなる傾向にある。具体的には、可視波長域の短波長側部分の光透過率が低くなる。このため、特許文献２では、ＩＴＯ膜の光学膜厚は、６５〜７９ｎｍ（物理膜厚で、約３４ｎｍ〜４１ｎｍ）と、非常に小さくされている。従って、特許文献２に記載の電磁波遮蔽膜では、十分に高い電磁波遮蔽能を得ることは困難である。【０００９】
また、高い電磁波遮蔽能を実現するために、電磁波遮蔽膜の厚みを厚くした場合、電磁波遮蔽膜の膜応力が大きくなる傾向にある。このため、電磁波遮蔽膜が形成された基板からなる電磁波遮蔽部材に反りが発生したり、電磁波遮蔽膜の剥がれが発生したりする虞がある。【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、可視波長域における光透過率が高いと共に、高い電磁波遮蔽能を有し、かつ膜応力の小さな電磁波遮蔽膜を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る電磁波遮蔽膜は、相対的に屈折率が高い複数の高屈折率膜と、相対的に屈折率が低い複数の低屈折率膜とが交互に積層されてなる。複数の高屈折率膜には、複数のＩＴＯ膜が含まれている。発明に係る電磁波遮蔽膜は、金属膜を有さない。本発明では、電磁波遮蔽膜全体の厚みをｔ０とし、複数のＩＴＯ膜の厚みの合計をｔ１としたときに、ｔ１／ｔ０が０．３以上である。このため、電磁波遮蔽膜に占めるＩＴＯ膜の割合が高く、電磁波遮蔽膜の厚みを大きくすることなく、高い電磁波遮蔽能を実現することができる。また、ＩＴＯ膜の膜応力は低いため、電磁波遮蔽膜に占めるＩＴＯ膜の割合を高くすることにより、電磁波遮蔽膜全体の膜応力を小さくすることができる。従って、本発明によれば、高い電磁波遮蔽能を有しつつ、かつ、膜応力が小さな電磁波遮蔽膜を実現することができる。【００１２】
また、上述のように、本発明では、高屈折率膜と低屈折率膜との積層膜により電磁波遮蔽膜が構成されているため、光反射を抑制し得る。従って、本発明によれば、可視波長域における光透過率が高い電磁波遮蔽膜を実現することができる。【００１３】
以上より、本発明によれば、高い電磁波遮蔽能を有し、可視波長域における光透過率が高く、かつ膜応力が小さな電磁波遮蔽膜を実現することができる。【００１４】
なお、本発明において、可視波長域とは、４００ｎｍ〜６５０ｎｍの波長域のことをいう。【００１５】
本発明では、ｔ１／ｔ０が０．４以上であることが好ましい。この場合、電磁波遮蔽膜に占めるＩＴＯ膜の割合がより高くなる。このため、この構成によれば、より高い電磁波遮蔽能を有し、可視波長域における光透過率がより高く、かつ膜応力がより小さな電磁波遮蔽膜を実現することができる。【００１６】
本発明において、電磁波遮蔽膜は、可視波長域における平均光反射率が１．５％以下となるように構成されていることが好ましい。【００１７】
本発明において、ｔ０は、４００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。ｔ０が大きすぎると、電磁波遮蔽膜の膜応力が大きくなりすぎる場合がある。一方、ｔ０が小さすぎると、可視波長域における光反射率が高くなりすぎる場合がある。【００１８】
本発明において、ｔ１は、１２０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。ｔ１が大きすぎると、可視波長域における光透過率が低くなりすぎる場合がある。一方、ｔ１が小さすぎると、十分に高い電磁波遮蔽能が得られなくなる場合がある。【００１９】
本発明において、高屈折率膜と低屈折率膜との膜数の合計は、４〜２５の範囲内にあることが好ましい。高屈折率膜及び低屈折率膜の膜数の合計が少なすぎると、可視波長域の全域にわたって光透過率を高めることが困難となる場合がある。一方、高屈折率膜及び低屈折率膜の膜数の合計が多すぎると、電磁波遮蔽膜の膜応力が大きくなりすぎる場合があり、また、電磁波遮蔽膜の形成に要する時間が長くなりすぎる場合がある。【００２０】
本発明に係る電磁波遮蔽部材は、透明基板と、透明基板の上に形成された、上記本発明に係る電磁波遮蔽膜とを備えている。このため、本発明に係る電磁波遮蔽部材は、高い電磁波遮蔽能を有し、可視波長域における高い光透過率を有し、かつ、本発明に係る電磁波遮蔽部材では、反りが小さく、電磁波遮蔽膜が剥がれにくい。【００２１】
本発明において、「透明基板」とは、可視波長域における内部透過率の平均値が８０％以上である基板をいう。ここで、透明基板の「内部透過率」とは、透明基板へ入射角０°で入射しようとする光のうち、透明基板の表面において反射せずに、透明基板に入射した光の強度（Ｉ０）に対する、透明基板から出射した光の強度（Ｉ１）の比（Ｉ１／Ｉ０）である。【００２２】
透明基板の厚みが、０．２ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲内にある場合は、電磁波遮蔽膜の膜応力により電磁波遮蔽部材に反りが発生しやすくなるため、電磁波遮蔽膜の膜応力を小さくできる本発明がより好適に適用される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、可視波長域における光透過率が高いと共に、高い電磁波遮蔽能を有し、かつ膜応力の小さな電磁波遮蔽膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明を実施した一実施形態に係る電磁波遮蔽部材の略図的断面図である。
【図２】図２は、実施例１〜３に係る電磁波遮蔽膜の光透過率及び光反射率を表すグラフである。
【図３】図３は、実施例１及び比較例１における電磁波遮蔽膜の電磁波遮蔽能を表すグラフである。
【図４】図４は、実施例２及び比較例２における電磁波遮蔽膜の電磁波遮蔽能を表すグラフである。
【図５】図５は、実施例３及び比較例３における電磁波遮蔽膜の電磁波遮蔽能を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を実施した好ましい形態について、図１に示す電磁波遮蔽部材１を例に挙げて説明する。但し、電磁波遮蔽部材１は、単なる例示である。本発明に係る電磁波遮蔽部材は、電磁波遮蔽部材１に何ら限定されない。
【００２６】
図１に示すように、電磁波遮蔽部材１は、透明基板２を備えている。透明基板２の材質は、可視波長域における光を透過させるものである限りにおいて特に限定されない。透明基板２は、例えば、ガラス、樹脂、セラミックスなどにより形成することができる。透明基板２の厚みは、特に限定されないが、０．２ｍｍ〜２．０ｍｍ程度であることが好ましい。
【００２７】
透明基板２の上には、電磁波遮蔽膜３が形成されている。この電磁波遮蔽膜３は、電磁波遮蔽能と、可視波長域の光反射抑制機能とを兼ね備えている。
【００２８】
電磁波遮蔽膜３は、複数の高屈折率膜３Ｈと、複数の低屈折率膜３Ｌとが交互に積層された積層膜により構成されている。電磁波遮蔽膜３は、例えば、Ａｇ膜などの金属膜を有していない。
【００２９】
高屈折率膜３Ｈは、低屈折率膜３Ｌと比較して相対的に屈折率が高い膜である。低屈折率膜３Ｌは、高屈折率膜３Ｈと比較して相対的に屈折率が低い膜である。高屈折率膜３Ｈの可視波長域における屈折率は、特に限定されないが、例えば、１．８以上とすることができる。低屈折率膜３Ｌの可視波長域における屈折率は、特に限定されないが、例えば、１．６以下とすることができる。
【００３０】
低屈折率膜３Ｌは、例えば、シリコン、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒなどのアルカリ土類金属の酸化物や窒化物、フッ化物などからなる。
【００３１】
高屈折率膜３Ｈは、複数のＩＴＯ（インジウムスズ酸化物：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜を含む。複数の高屈折率膜３Ｈのうちの全ての高屈折率膜３ＨがＩＴＯ膜により構成されていてもよいし、複数の高屈折率膜３Ｈのうちの二つ以上がＩＴＯ膜により構成されており、他の高屈折率膜３ＨがＩＴＯ膜以外の高屈折率膜により構成されていてもよい。ＩＴＯ膜以外の高屈折率膜の具体例としては、Ｎｂ２Ｏ５膜、ＴｉＯ２膜、ＺｒＯ２膜、Ｔａ２Ｏ５膜、Ｌａ２Ｏ３膜、Ｙ２Ｏ３膜などが挙げられる。
【００３２】
電磁波遮蔽能は、ＩＴＯ膜の厚み及び数量によって実質的に決定されるため、複数の高屈折率膜３ＨのどれだけをＩＴＯ膜により構成するかは、所望する電磁波遮蔽能に基づいて決定することができる。また、所望する、可視波長域における光反射抑制機能や、光透過率、光屈折率の波長依存性等に応じて、ＩＴＯ膜以外の高屈折率膜３Ｈの構成を決定することができる。
【００３３】
高屈折率膜３Ｈ及び低屈折率膜３Ｌの厚み及び膜数は、所望する電磁波遮蔽能及び可視波長域における光反射抑制機能などに応じて適宜決定することができる。高屈折率膜３Ｈ及び低屈折率膜３Ｌの厚みは、それぞれ、例えば、５ｎｍ〜２００ｎｍ程度とすることができる。高屈折率膜３Ｈ及び低屈折率膜３Ｌの膜数の合計は、例えば、４〜２５程度とすることが好ましい。高屈折率膜３Ｈ及び低屈折率膜３Ｌの膜数の合計が少なすぎると、可視波長域の全域にわたって光透過率を高めることが困難となる場合がある。一方、高屈折率膜３Ｈ及び低屈折率膜３Ｌの膜数の合計が多すぎると、電磁波遮蔽膜３の膜応力が大きくなりすぎる場合があり、また、電磁波遮蔽膜３の形成に要する時間が長くなりすぎる場合がある。
【００３４】
本実施形態では、電磁波遮蔽膜３全体の厚みをｔ０とし、複数のＩＴＯ膜の厚みの合計をｔ１としたときに、ｔ１／ｔ０が０．３以上である。このため、電磁波遮蔽膜３に占めるＩＴＯ膜の割合が高い。従って、電磁波遮蔽膜３の厚みを大きくすることなく、高い電磁波遮蔽能を実現することができる。
【００３５】
また、ＩＴＯ膜の膜応力は、例えば、ＴｉＯ２膜やＮｂ２Ｏ５膜などの他の高屈折率膜の膜応力よりも小さい。このため、電磁波遮蔽膜３に占めるＩＴＯ膜の割合を高くすることにより、電磁波遮蔽膜３全体の膜応力を小さくすることができる。よって、透明基板２からの電磁波遮蔽膜３の剥がれや、電磁波遮蔽部材１の反りを抑制することができる。特に、透明基板２の厚みが、０．２ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲内にある場合は、電磁波遮蔽膜３の膜応力により電磁波遮蔽部材１に反りが発生しやすくなる。従って、電磁波遮蔽膜３の膜応力を小さくできる本実施形態の技術は、透明基板２の厚みが、０．２ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲内にあるときに、特に好適に適用される。
【００３６】
さらに、本実施形態では、電磁波遮蔽膜３の厚みを薄くすることができるため、電磁波遮蔽膜３における光吸収率を低減することができる。また、電磁波遮蔽膜３は、高屈折率膜３Ｈと低屈折率膜３Ｌとの積層膜により構成されている。このため、電磁波遮蔽膜３への入射光の光反射を抑制することができる。従って、可視波長域における光透過率を高めることができる。
【００３７】
以上のように、ｔ１／ｔ０を０．３以上とすることにより、高い電磁波遮蔽能を有し、可視波長域における光透過率が高く、かつ膜応力が小さな電磁波遮蔽膜３を実現することができる。
【００３８】
より高い電磁波遮蔽能、光透過率、より小さな膜応力を実現する観点からは、ｔ１／ｔ０がさらに大きいことが好ましい。具体的には、ｔ１／ｔ０は、０．４以上であることが好ましい。但し、ｔ１／ｔ０が大きすぎると、電磁波遮蔽膜３を、可視波長域の全域における光反射率を低減できる構成のものとすることが困難となる。従って、ｔ１／ｔ０は、０．５以下であることが好ましく、０．４５以下であることがより好ましい。
【００３９】
電磁波遮蔽膜３は、可視波長域における平均光反射率が１．５％以下となるように構成されていることが好ましい。
【００４０】
ｔ０は、４００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。ｔ０が大きすぎると、電磁波遮蔽膜３の膜応力が大きくなりすぎる場合がある。一方、ｔ０が小さすぎると、可視波長域における光反射率が高くなりすぎる場合がある。
【００４１】
ｔ１は、１２０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。ｔ１が大きすぎると、可視波長域における光透過率が低くなりすぎる場合がある。一方、ｔ１が小さすぎると、十分に高い電磁波遮蔽能が得られなくなる場合がある。
【００４２】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００４３】
（実施例１）
厚み０．４ｍｍ、２００ｍｍ四方の大きさのガラス基板（日本電気硝子社製ＯＡ−１０）からなる透明基板の上に、スパッタリング法により、下記の表１に示す膜構成の電磁波遮蔽膜を形成することにより電磁波遮蔽部材を作製した。
【００４４】
作製した電磁波遮蔽部材の可視波長域における光透過率と光反射率を、分光光度計（日立製作所製  Ｕ−４０００）により測定した。結果を、図２に示す。
【００４５】
また、作製した電磁波遮蔽部材の最大反り量を測定した結果、１．３ｍｍであった。
【００４６】
（実施例２）
下記の表２に示す膜構成の電磁波遮蔽膜を形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして電磁波遮蔽部材を作製し、光透過率及び光反射率を測定した。結果を、図２に示す。また、実施例１と同様にして本実施例において作製した電磁波遮蔽部材の最大反り量を測定した結果、１．５ｍｍであった。
【００４７】
（実施例３）
下記の表３に示す膜構成の電磁波遮蔽膜を形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして電磁波遮蔽部材を作製し、光透過率及び光反射率を測定した。結果を、図２に示す。実施例１と同様にして本実施例において作製した電磁波遮蔽部材の最大反り量を測定した結果、１．７ｍｍであった。
【００４８】
（比較例１）
下記の表１に示す膜構成の電磁波遮蔽膜を形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして電磁波遮蔽部材を作製した。実施例１と同様にして本比較例において作製した電磁波遮蔽部材の最大反り量を測定した結果、１．８ｍｍであった。
【００４９】
（比較例２）
下記の表２に示す膜構成の電磁波遮蔽膜を形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして電磁波遮蔽部材を作製した。実施例１と同様にして本比較例において作製した電磁波遮蔽部材の最大反り量を測定した結果、２．０ｍｍであった。
【００５０】
（比較例３）
下記の表３に示す膜構成の電磁波遮蔽膜を形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして電磁波遮蔽部材を作製した。実施例１と同様にして本比較例において作製した電磁波遮蔽部材の最大反り量を測定した結果、２．３ｍｍであった。
【００５１】
【表１】
2011122152.tif 000003
【００５２】
【表２】
2011122152.tif 000004
【００５３】
【表３】
2011122152.tif 000005
【００５４】
なお、上記表１〜３に示す屈折率は、波長５５０ｎｍにおける屈折率である。
【００５５】
図２に示す結果から、本発明に従い、複数のＩＴＯ膜を含む複数の高屈折率膜と、複数の低屈折率膜とを交互に積層した積層膜により電磁波遮蔽膜を構成することにより、可視波長域における光反射を抑制でき、可視波長域における高い光透過率を得ることができることが分かる。
【００５６】
また、表１〜３に示すように、ｔ１／ｔ０が０．３未満である比較例１〜３では、いずれも最大反り量が大きかった。それに対して、ｔ１／ｔ０が０．３以上である実施例１〜３では、いずれも最大反り量が小さかった。これらの結果から、電磁波遮蔽膜におけるＩＴＯ膜の占める割合を高め、複数のｔ１／ｔ０を０．３以上とすることにより、電磁波遮蔽部材の反りを低減できることが分かる。この結果から、電磁波遮蔽膜におけるＩＴＯ膜の占める割合を高め、ｔ１／ｔ０を０．３以上とすることにより、電磁波遮蔽膜の膜応力を低減できることが分かる。また、ｔ１／ｔ０を０．４以上とすることにより、電磁波遮蔽膜の膜応力をより効果的に低減できることが分かる。
【００５７】
（電磁波遮蔽能の評価）
上記実施例１〜３及び比較例１〜３のそれぞれにおいて作製した電磁波遮蔽部材の電磁波遮蔽膜による電磁波遮蔽能を下記の要領で評価した。すなわち、電磁波を放射する放射部と受信部との間に、実施例１〜３，比較例１〜３の電磁波遮蔽部材を配置する。そして、放射部から放射した電磁波と、受信部において受信した電磁波とから、電磁波減衰量を測定した。同様に、放射部と受信部との間に、電磁波遮蔽部材に用いたガラス板（電磁波遮蔽膜が形成されていないもの）を配置した場合の電磁波減衰量を測定した。そして、電磁波遮蔽部材毎に測定された電磁波減衰量からガラス板単体での電磁波減衰量を減算し、実施例１〜３及び比較例１〜３のそれぞれの電磁波遮蔽部材の電磁波遮蔽膜による電磁波減衰量を得た。この電磁波減衰量によって電磁波遮蔽能を評価し、電磁波減衰量が大きいほど電磁波遮蔽能が高いことを示す。結果を、図３〜図５及び下記の表４〜６に示す。なお、電磁波減衰量の測定範囲は、１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚとした。下記の表４〜表６には、５００ＭＨｚにおける電磁波遮蔽膜による電磁波減衰量を示している。
【００５８】
【表４】
2011122152.tif 000006
【００５９】
【表５】
2011122152.tif 000007
【００６０】
【表６】
2011122152.tif 000008
【００６１】
図３〜図５及び表４〜表６に示す結果から、ｔ１／ｔ０を０．３以上とすることにより、高い電磁波遮蔽能が得られることが分かる。以上の結果から、ｔ１／ｔ０を０．３以上とすることにより、高い電磁波遮蔽能を有し、かつ、電磁波遮蔽膜の膜応力が小さな電磁波遮蔽部材を得ることができることが分かる。
【符号の説明】
【００６２】
１…電磁波遮蔽部材
２…透明基板
３…電磁波遮蔽膜
３Ｈ…高屈折率膜
３Ｌ…低屈折率膜
【図１】
2011122152.tif 000009
【図２】
2011122152.tif 000010
【図３】
2011122152.tif 000011
【図４】
2011122152.tif 000012
【図５】
2011122152.tif 000013
【国際調査報告】
2011122152.tif 000014
2011122152.tif 000015
2011122152.tif 000016
2011122152.tif 000017
2011122152.tif 000018
2011122152.tif 000019
2011122152.tif 000020