(57)【要約】  本発明は、入射角許容度を高くすることができる波長板を実現するもので、本発明の波長板は、高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層され、各層は面内の一方向に周期が波長以下の周期的な凹凸構造を有する波長板において、高屈折率層と低屈折率層との厚さ方向の周期として、使用波長がフォトニックバンド構造の第１バンドに属するように定められた第１の周期と、使用波長がフォトニックバンド構造の第２バンドの中心波長より長波長側に属するように定められた第２の周期と、を有する。
2011125350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層され、各層は面内の一方向に周期が波長以下の周期的な凹凸構造を有する波長板において、
高屈折率層と低屈折率層との厚さ方向の周期として、使用波長がフォトニックバンド構造の第１バンドに属するように定められた第１の周期と、
使用波長がフォトニックバンド構造の第２バンドの中心波長より長波長側に属するように定められた第２の周期と、を有する波長板。
【請求項２】
請求項１記載の波長板を備えた発光素子であって、
光を発生する発光層と、
前記発光層に対して出射面の側に設けられた偏光子および前記波長板と、
前記発光層に対して出射面と反対の側に設けられた反射層と、
を有する発光素子。
【請求項３】
請求項２に記載の発光素子を用いた画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直線偏光を出射する発光素子および該発光素子を用いた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子として発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた画像表示装置が提案されている。この種の画像表示装置は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の光を出射する複数のＬＥＤと、複数のＬＥＤからの光が入射する照明光学系と、照明光学系からの光が入射する液晶表示板を有するライトバルブと、ライトバルブからの各色の光を合成する色合成プリズムと、色合成プリズムからの光を投写面上に投写するための投写光学系と、を備えて構成されている。【０００３】
上記の構成の画像表示装置においては、投写画像の輝度を高めるために、発光素子から投写光学系までの光路において光損失が可能な限り生じないようにすることが求められている。【０００４】
上記の構成要素のうち、液晶表示板および色合成プリズムは偏光依存性を有するものであるため、光学系の高効率化のためには、発光素子は直線偏光を出射するものであることが望ましい。【０００５】
直線偏光を出射する発光素子としては、偏光子、波長板、反射層を備えたものが挙げられる。【０００６】
偏光子、波長板、反射層を備えた発光素子としては、偏光子で反射された光を、波長板を介して反射層で反射させ、再度波長板を介することにより偏光方向を変えて偏光子に入射させるものや、直交する偏光を通過させる第１および第２の偏光子に光を入射させ、いずれか一方の偏光子を通過した光を波長板により位相差を与えて偏光方向を変換することにより、第１および第２の偏光子を通過した光を偏光方向の揃った直線偏光として出射するものがある。【０００７】
上記のように構成される発光素子では、偏光方向を変える波長板が重要となる。一般的に波長板は、波長板として作用するための入射角の許容範囲が狭いため、波長板の入射角の許容範囲を広くすることは発光素子の性能を向上させるための重大な要因の一つとなっている。【０００８】
特許文献１（特開２００１−５１１２２号公報）には、面内に光学軸を持つ大きな複屈折性を有し、小さな光路長で大きな開口面積も可能な、工業的に低価格で作製できる複屈折素子を提供することを目的とし、３次元の直交座標ｘ、ｙ、ｚにおいて、屈折率の異なる２種類以上の透明体よりなるｚ軸方向の多層構造体であって、各透明体ごとに積層の単位となる層の形状がｘ軸方向に周期凹凸構造を有し、ｙ軸方向には一様であるか、またはｘ軸方向より大きい長さの周期的または非周期的な凹凸構造を有し、その形状をｚ方向の第一ブラッグ条件より短い周期ごとに繰り返しつつｚ軸方向に層状に積層された周期構造体が開示されている。また、この周期構造体に対して、ｘｙ面に垂直あるいは斜めに光を入射させ、ｘ方向に電界成分をもつ偏波とｙ方向に電界成分をもつ偏波の間に位相差を与えることにより、周期構造体を位相板として用いることが開示されている。【０００９】
特許文献２（国際公開２００４／１１３９７４）には、偏光分離素子の動作帯域の拡大、入射角許容度を高くすることを目的とし、特許文献１に開示される構成に対して、さらに、ｚ方向の積層周期を徐々に変化させる構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−５１１２２号公報
【特許文献２】国際公開２００４／１１３９７４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献２に記載の発明は、ｚ方向の積層周期を徐々に変化させるものであるが、使用波長に対する積層周期は、偏光分離素子として用いるため、凹凸構造の長手方向に平行な偏光（ＴＥ偏光）に対してはバンドギャップに位置し、凹凸構造の長手方向に垂直な偏光（ＴＭ偏光）に対してはバンド内に位置するように定められる。このため、波長板として用いることはできない。【００１２】
本発明は、入射角許容度を高くすることができる波長板、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子を実現し、光利用効率の高い画像表示装置を実現する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の波長板は、高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層され、各層は面内の一方向に周期が波長以下の周期的な凹凸構造を有する波長板において、
高屈折率層と低屈折率層との厚さ方向の周期として、使用波長がフォトニックバンド構造の第１バンドに属するように定められた第１の周期と、
使用波長がフォトニックバンド構造の第２バンドの中心波長より長波長側に属するように定められた第２の周期と、を有する。【００１４】
本発明の発光素子は、上記の波長板を備えた発光素子であって、
光を発生する発光層と、
前記発光層に対して出射面の側に設けられた偏光子および前記波長板と、
前記発光層に対して出射面と反対の側に設けられた反射層と、
を有する。【００１５】
本発明の画像表示装置は、上記構成の発光素子を用いている。
【発明の効果】
【００１６】
上記のように構成される波長板では、入射角許容度を高くできる。このため、これを用いた発光素子は、広い角度範囲で直線偏光を出射可能なものになり、これを用いた画像表示装置は、光利用効率が高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による波長板の一実施形態の構成を示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、設計例１−１の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図であり、図２（ｂ）は設計例１−２の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図である。
【図３】設計例１−１の入射角依存性を示す図であり、図３（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図３（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。
【図４】設計例１−２の入射角依存性を示す図であり、図４（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図４（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。
【図５】設計例１−３の入射角依存性を示す図であり、図５（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図５（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。
【図６】本発明による波長板の他の実施形態の構成を示す斜視図である。
【図７】図７（ａ）は、設計例２−１の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図であり、図７（ｂ）は設計例２−２の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図である。
【図８】設計例２−１の入射角依存性を示す図であり、図８（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図８（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。
【図９】設計例２−２の入射角依存性を示す図であり、図９（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図９（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。
【図１０】設計例２−３の入射角依存性を示す図であり、図１０（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図１０（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。
【図１１】波長板の凹凸構造と偏光方向の関係を示す図である。
【図１２】垂直入射時のフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図である。
【図１３】入射角を変化させた場合のフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、図１３（ａ）はＰ偏光についての関係を示し、図１３（ｂ）はＳ偏光についての関係を示している。
【図１４】入射角を変化させた場合の設計例１−１、２−１についてのフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、図１４（ａ）はＸ−Ｚ面内についての関係を示し、図１４（ｂ）はＹ−Ｚ面内についての関係を示している。
【図１５】入射角を変化させた場合の設計例１−２、２−２についてのフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、図１５（ａ）はＸ−Ｚ面内についての関係を示し、図１５（ｂ）はＹ−Ｚ面内についての関係を示している。
【図１６】図１６（ａ）は、設計例１−４の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図であり、図１６（ｂ）は設計例１−５の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図である。
【図１７】設計例１−４の入射角依存性を示す図であり、図１７（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図１７（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。
【図１８】設計例１−５の入射角依存性を示す図であり、図１８（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図１８（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。
【図１９】本発明による発光素子の一実施形態の構成を示す斜視図である。
【図２０】本発明による発光素子の他の実施形態の構成を示す斜視図である。
【図２１】本発明による発光素子を用いた画像表示装置の一実施形態の構成を示すブロック図である。
【図２２】本発明による発光素子を用いた画像表示装置の他の実施形態の構成を示すブロック図である。
【図２３】本発明による発光素子を用いた画像表示装置の他の実施形態の構成を示すブロック図である。
【図２４】図２１に示した画像表示装置の駆動系の構成を示す図である。
【図２５】図２２に示した画像表示装置の駆動系の構成を示す図である。
【図２６】図２３に示した画像表示装置の駆動系の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本発明による波長板の一実施形態の構成を示す斜視図である。
【００１９】
本実施形態の波長板１００は、基板１０１上に、高屈折率層１０２と低屈折率層１０３を交互に積層したものである。
【００２０】
基板１０１には、Ｙ方向については一様とされ、Ｙ方向と直交するＸ方向については１５０ｎｍ周期の凹凸が形成されている。このような凹凸が形成された基板１０１上に、Ｎｂ2Ｏ5である高屈折率層１０２とＳｉＯ2である低屈折率層１０３が積層されるがこれらの各層は、図示するように基板１０１の凸部中心を高さの頂点とする周期的に折れ曲がった形状を形成している。
【００２１】
以下に、比較例としての設計例１−１、１−２、実施例としての設計例１−３における高屈折率層１０２と低屈折率層１０３の積層数と厚みを表にして示す。これらは１／２波長板の設計例である。
【００２２】
【表１】
2011125350.tif 000003
図２（ａ）は、設計例１−１の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図であり、図２（ｂ）は設計例１−２の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図である。いずれにおいても、縦軸は規格化角周波数（ωＬ／２πｃ）、横軸は規格化波数（ｋＬ／２π）である。
【００２３】
各図において、破線は入射波長である４６０ｎｍを示し、実線はＴＥ偏光の特性を示し、点線はＴＭ偏光の特性を示している。
【００２４】
波長４６０ｎｍは、図２（ａ）に示される設計例１−１では第１バンドに属し、図２（ｂ）に示される設計例１−２では第２バンドの中心波長より長波長側に属している。
【００２５】
図３は、設計例１−１の入射角依存性を示す図であり、図３（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図３（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。
【００２６】
入射角度の増加に伴い、Ｘ−Ｚ面内では図３（ａ）に示すように位相差が増加するのに対し、Ｙ−Ｚ面内では図３（ｂ）に示すように位相差が減少する。
【００２７】
図４は、設計例１−２の入射角依存性を示す図であり、図４（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図４（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。
【００２８】
入射角度の増加に伴い、Ｘ−Ｚ面内では図４（ａ）に示すように位相差が減少するのに対し、Ｙ−Ｚ面内では図４（ｂ）に示すように位相差が増加する。
【００２９】
図５は、設計例１−３の入射角依存性を示す図であり、図５（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図５（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。
【００３０】
入射角度の増加に伴う位相差の変化は、図３に示す特性と図４に示す特性が打ち消し合い、Ｘ−Ｚ面内、Ｙ−Ｚ面内のいずれにおいても図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように抑制されている。
【００３１】
図６は、本発明による波長板の他の実施形態の構成を示す斜視図である。
【００３２】
本実施形態の波長板６００は、基板６０１上に、Ｎｂ2Ｏ5である高屈折率層６０２とＳｉＯ2である低屈折率層６０３を交互に積層したものを一定間隔で周期的に設け、これらの間にＳｉＯ2である低屈折率層６０４を形成したものである。
【００３３】
以下に、比較例としての設計例２−１、２−２、実施例としての設計例２−３における高屈折率層６０２と低屈折率層６０３の積層数と厚みを表にして示す。これらは１／２波長板の設計例である。
【００３４】
【表２】
2011125350.tif 000004
図７（ａ）は、設計例２−１の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図であり、図７（ｂ）は設計例２−２の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図である。いずれにおいても、縦軸は規格化角周波数（ωＬ／２πｃ）、横軸は規格化波数（ｋＬ／２π）である。
【００３５】
各図において、破線は入射波長である４６０ｎｍを示し、実線はＴＥ偏光の特性を示し、点線はＴＭ偏光の特性を示している。
【００３６】
波長４６０ｎｍは、図７（ａ）に示される設計例２−１では第１バンドに属し、図７（ｂ）に示される設計例２−２では第２バンドの中心波長より長波長側に属している。
【００３７】
図８は、設計例２−１の入射角依存性を示す図であり、図８（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図８（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。
【００３８】
入射角度の増加に伴い、Ｘ−Ｚ面内では図８（ａ）に示すように位相差が増加するのに対し、Ｙ−Ｚ面内では図８（ｂ）に示すように位相差が減少する。
【００３９】
図９は、設計例２−２の入射角依存性を示す図であり、図９（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図９（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。
【００４０】
入射角度の増加に伴い、Ｘ−Ｚ面内では図９（ａ）に示すように位相差が減少するのに対し、Ｙ−Ｚ面内では図９（ｂ）に示すように位相差が増加する。
【００４１】
図１０は、設計例２−３の入射角依存性を示す図であり、図１０（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図１０（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。
【００４２】
入射角度の増加に伴う位相差の変化は、図８に示す特性と図９に示す特性が打ち消し合い、Ｘ−Ｚ面内、Ｙ−Ｚ面内のいずれにおいても図１０（ａ）、図１０（ｂ）に示すように抑制されている。
【００４３】
上記のような特性を実現するフォトニックバンド構造について図１１ないし図１５を参照して説明する。
【００４４】
図１１に示すような凹凸構造を有する波長板の場合、凹凸構造の長手方向に平行な偏光がＴＥ偏光であり、凹凸構造の長手方向に垂直な偏光がＴＭ偏光である。入射面がＸ−Ｚ平面の場合、ＴＥ偏光がＳ偏光となり、ＴＭ偏光がＰ偏光となる。また、入射面がＹ−Ｚ平面の場合、ＴＥ偏光がＰ偏光となり、ＴＭ偏光がＳ偏光となる。
【００４５】
図１２は、垂直入射時のフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、実線はＴＥ偏光についての関係を示し、破線はＴＭ偏光についての関係を示している。
【００４６】
図示されるように、第１バンドと第２バンドのいずれにおいても、ＴＥ偏光よりもＴＭ偏光が高周波数側（短波長側）となる。使用波長４６０ｎｍにおけるＴＭ偏光とＴＥ偏光の規格化波数の差が位相差となる。
【００４７】
図１３は、入射角を変化させた場合のフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、図１３（ａ）はＰ偏光についての関係を示し、図１３（ｂ）はＳ偏光についての関係を示している。各図において、実線は斜め入射時の特性を示し、点線は垂直入射時の特性を示している。
【００４８】
入射角が増加すると、第１バンドと第２バンドはいずれも高周波数側（短波長側）へシフトする。このとき、バンドギャップの幅はＰ偏光よりもＳ偏光のほうが大きくなる。従って、入射角の増加に伴うシフト量は、第１バンドではＳ偏光よりもＰ偏光のほうが大きく、第２バンドの中心波長より長波長側ではＰ偏光よりもＳ偏光のほうが大きい。
【００４９】
図１４は、入射角を変化させた場合の設計例１−１、２−１についてのフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、図１４（ａ）はＸ−Ｚ面内についての関係を示し、図１４（ｂ）はＹ−Ｚ面内についての関係を示している。各図において、実線はＴＥ偏光の垂直入射時の特性を示し、点線はＴＭ偏光の垂直入射時の特性を示している。また、破線はＴＥ偏光の斜め入射時の特性を示し、一点鎖線はＴＭ偏光の斜め入射時の特性を示している。
【００５０】
Ｘ−Ｚ面内では、入射角の増加に伴う第１バンドのシフト量は、図１４（ａ）に示されるように、ＴＥ（Ｓ）偏光よりもＴＭ（Ｐ）偏光のほうが大きい。これは、入射角の増加に応じてＴＥ（Ｓ）偏光とＴＭ（Ｐ）偏光のバンドが遠ざかり、位相差が大きくなることを意味する。これにより図３（ａ）、図８（ａ）の結果を説明できる。
【００５１】
Ｙ−Ｚ面内では、入射角の増加に伴う第１バンドのシフト量は、図１４（ｂ）に示されるように、ＴＭ（Ｓ）偏光よりもＴＥ（Ｐ）偏光のほうが大きい。これは、入射角の増加に応じてＴＥ（Ｐ）偏光とＴＭ（Ｓ）偏光のバンドが近づき、位相差が小さくなることを意味する。これにより図３（ｂ）、図８（ｂ）の結果を説明できる。
【００５２】
図１５は、入射角を変化させた場合の設計例１−２、２−２についてのフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、図１５（ａ）はＸ−Ｚ面内についての関係を示し、図１５（ｂ）はＹ−Ｚ面内についての関係を示している。各図において、実線はＴＥ偏光の垂直入射時の特性を示し、点線はＴＭ偏光の垂直入射時の特性を示している。また、破線はＴＥ偏光の斜め入射時の特性を示し、一点鎖線はＴＭ偏光の斜め入射時の特性を示している。
【００５３】
Ｘ−Ｚ面内では、入射角の増加に伴う第２バンドの中心波長より長波長側のシフト量は、図１５（ａ）に示されるように、ＴＭ（Ｐ）偏光よりもＴＥ（Ｓ）偏光のほうが大きい。これは、入射角の増加に応じてＴＥ（Ｓ）偏光とＴＭ（Ｐ）偏光のバンドが近づき、位相差が小さくなることを意味する。これにより図４（ａ）、図９（ａ）の結果を説明できる。
【００５４】
Ｙ−Ｚ面内では、入射角の増加に伴う第２バンドの中心波長より長波長側のシフト量は、図１５（ｂ）に示されるように、ＴＥ（Ｐ）偏光よりもＴＭ（Ｓ）偏光のほうが大きい。これは、入射角の増加に応じてＴＥ（Ｐ）偏光とＴＭ（Ｓ）偏光のバンドが遠ざかり、位相差が大きくなることを意味する。これにより図４（ｂ）、図９（ｂ）の結果を説明できる。
【００５５】
上記のようなフォトニックバンド構造と使用波長の関係の比較例としての波長板１００の設計例１−４、１−５の高屈折率層１０２と低屈折率層１０３の積層数と厚みを表にして示す。これらは１／２波長板の設計例である。
【００５６】
【表３】
2011125350.tif 000005
図１６（ａ）は、設計例１−４の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図であり、図１６（ｂ）は設計例１−５の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図である。いずれにおいても、縦軸は規格化角周波数（ωＬ／２πｃ）、横軸は規格化波数（ｋＬ／２π）である。
【００５７】
各図において、破線は入射波長である４６０ｎｍを示し、実線はＴＥ偏光の特性を示し、点線はＴＭ偏光の特性を示している。
【００５８】
波長４６０ｎｍは、図１６（ａ）に示される設計例１−４では第２バンドの中心に属し、図１６（ｂ）に示される設計例１−５では第２バンドの中心波長よりも短波長側に属している。
【００５９】
図１７は、設計例１−４の入射角依存性を示す図であり、図１７（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図１７（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。
【００６０】
Ｘ−Ｚ面内では図１７（ａ）に示されるように、入射角の増加によらず位相差はほぼ一定となっている。
【００６１】
Ｙ−Ｚ面内では図１７（ｂ）に示されるように、入射角の増加に伴い位相差も増加している。
【００６２】
図１８は、設計例１−５の入射角依存性を示す図であり、図１８（ａ）は、Ｘ−Ｚ面内の入射角依存性を示し、図１８（ｂ）は、Ｙ−Ｚ面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。
【００６３】
Ｘ−Ｚ面内では図１８（ａ）に示されるように、入射角の増加に伴い位相差も増加している。
【００６４】
Ｙ−Ｚ面内では図１８（ｂ）に示されるように、入射角の増加によらず位相差はほぼ一定となっている。
【００６５】
上述した設計例１−４または１−５の周期と他の周期の組み合わせでは、入射角依存性をＸ−Ｚ面内、Ｙ−Ｚ面内の両方において平坦なものとすることはできない。
【００６６】
本発明では、使用波長が第１バンドに属するように定められた第１の周期と使用波長が第２バンドの中心波長より長波長側に属するように定められた第２の周期とを組み合わせることにより入射角依存性をＸ−Ｚ面内、Ｙ−Ｚ面内の両方において平坦なものとしている。
【００６７】
図１９は本発明による発光素子の一実施形態の構成を示す斜視図である。なお、本実施形態の発光素子１９００においては、実際の各層の厚さが非常に薄く、また各層の厚さの違いが大きいため、各層の比率が正確な図を描くことが困難である。このため、図では各層が実際の比率通りに描かれておらず、各層が模式的に示されている。
【００６８】
サブマウント１９０１上に反射層１９０２が形成されている。反射層１９０２上にはＰ型半導体層１９０３が形成されている。Ｐ型半導体層１９０３上には発光層１９０４が形成されている。発光層１９０４上にはＮ型半導体層１９０５が形成されている。Ｎ型半導体層１９０５上には１／４波長板層１９０６が形成され、１／４波長板層１９０６上には偏光子層１９０７が形成されている。
【００６９】
サブマウント１９０１の材料としては、例えばＳｉが用いられる。反射層１９０２の材料としては、例えばＡｇが用いられる。Ｐ型半導体層１９０３の材料としては、例えばＭｇがドープされたＧａＮが用いられる。
【００７０】
発光層１９０４としては、例えばＧａＮを材料とする層とＩｎＧａＮを材料とする層とが交互に積層された多重量子井戸の構成が用いられる。Ｎ型半導体層１９０５の材料としては、例えばＳｉがドープされたＧａＮが用いられる。
【００７１】
発光素子１９００の作製方法について説明する。まず、基板上に、Ｎ型半導体層１９０５、発光層１９０４、Ｐ型半導体層１９０３、反射層１９０２を順に形成する。次に、サブマウント１９０１上に反射層１９０２を貼り合わせ、基板を除去する。
【００７２】
次に、設計例１−３、または、設計例２−３に示される材料、厚みにより形成された１／４波長板層１９０６を別プロセスにより作製し、Ｎ型半導体層１９０５上に貼り合わせる。積層数は設計例１−３または設計例２−３の半分とする。次に、偏光子層１９０７を別プロセスにより作製し、１／４波長板層１９０６上に貼り合わせる。偏光子層１９０７としては、例えば特許文献２に開示されている偏光分離素子が用いられる。
【００７３】
本実施形態の概略動作について説明する。Ｐ型半導体層１９０３とＮ型半導体層１９０５の間に電圧を加え、これらの間に電流を流すことにより、発光層１９０４において光が発生する。発光層１９０４において発生した光には、様々な方向へ向かう成分が含まれる。
【００７４】
発光層１９０４において発生し、Ｎ型半導体層１９０５の側へ向かう光は、１／４波長板層１９０６を透過して偏光子層１９０７に入射する。
【００７５】
発光層１９０４において発生し、Ｐ型半導体層１９０３の側へ向かう光は、Ｐ型半導体層１９０３を透過し、反射層１９０２で反射され、Ｐ型半導体層１９０３、発光層１９０４、Ｎ型半導体層１９０５を透過し、１／４波長板層１９０６を透過して偏光子層１９０７に入射する。
【００７６】
上記のように構成される本実施形態の発光素子では、偏光子層１９０７により偏光方向が揃えられた直線偏光が出射される。偏光子層１９０７で反射された光は反射層１９０２で反射され、１／４波長板層１９０６により偏光方向が変換されて偏光子層１９０７に再入射する。１／４波長板層１９０６は設計例１−３、または、設計例２−３に示される材料、厚み（積層数は設計例１−３または設計例２−３の半分）により形成された、入射角許容度が高いものであるため、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子となっている。
【００７７】
図２０は、本発明による発光素子の他の実施形態の構成を示す断面図である。なお、本実施形態の発光素子２０００においては、実際の各層の厚さが非常に薄く、また各層の厚さの違いが大きいため、各層の比率が正確な図を描くことが困難である。このため、図では各層が実際の比率通りに描かれておらず、各層が模式的に示されている。
【００７８】
サブマウント２００１上に反射層２００２が形成されている。反射層２００２上にはＰ型半導体層２００３が形成されている。Ｐ型半導体層２００３上には発光層２００４が形成されている。発光層２００４上にはＮ型半導体層２００５が形成されている。Ｎ型半導体層２００５上には偏光子層２００６が形成されている。偏光子層２００６上には１／２波長板層２００７が形成されている。
【００７９】
サブマウント２００１の材料としては、例えばＳｉが用いられる。反射層２００２の材料としては、例えばＡｇが用いられる。Ｐ型半導体層２００３の材料としては、例えばＭｇがドープされたＧａＮが用いられる。
【００８０】
発光層２００４としては、例えばＧａＮを材料とする層とＩｎＧａＮを材料とする層とが交互に積層された多重量子井戸の構成が用いられる。Ｎ型半導体層２００５の材料としては、例えばＳｉがドープされたＧａＮが用いられる。
【００８１】
発光素子２０００の作製方法について説明する。まず、基板上に、Ｎ型半導体層２００５、発光層２００４、Ｐ型半導体層２００３、反射層２００２を順に形成する。次に、サブマウント２００１上に反射層２００２を貼り合わせ、基板を除去する。
【００８２】
次に、偏光子層２００６を別プロセスにより作製し、Ｎ型半導体層２００５上に貼り合わせる。偏光子層２００６としては、例えば特許文献２に開示されている偏光分離素子が用いられる。次に、設計例１−３、または、設計例２−３に示される材料、積層数、厚みによる１／２波長板層２００７を別プロセスにより作製し、偏光子層２００６上に貼り合わせる。
【００８３】
本実施形態の概略動作について説明する。Ｐ型半導体層２００３とＮ型半導体層２００５との間に電圧を加え、これらの間に電流を流すことにより、発光層２００４において光が発生する。発光層２００４において発生した光には、様々な方向へ向かう成分が含まれる。
【００８４】
発光層２００４において発生し、Ｎ型半導体層２００５の側へ向かう光は、Ｎ型半導体層２００５を透過し、偏光子層２００６へ入射する。発光層２００４において発生し、Ｐ型半導体層２００３の側へ向かう光は、Ｐ型半導体層２００３を透過し、反射層２００２で反射され、Ｐ型半導体層２００３、発光層２００４、Ｎ型半導体層２００５を透過し、偏光子層２００６へ入射する。
【００８５】
偏光子層２００６は第１の領域２００６1および第２の領域２００６2を備えている。第１の領域２００６1は、入射光のうち、第１の方向の偏光成分を透過させ、それ以外の偏光成分を反射する。第２の領域２００６2は、入射光のうち、第１の方向と直交する第２の方向の偏光成分を透過させ、それ以外の偏光成分を反射する。すなわち、偏光子層２００６へ入射した光のうち、第１の領域２００６1へ入射した第１の方向の偏光成分、第２の領域２００６2へ入射した第２の方向の偏光成分は偏光子層２００６を透過し、第１の領域２００６1へ入射した第２の方向の偏光成分、第２の領域２００６2へ入射した第１の方向の偏光成分は偏光子層２００６で反射される。
【００８６】
偏光子層２００６で反射された光は、Ｎ型半導体層２００５、発光層２００４、Ｐ型半導体層２００３を透過し、反射層２００２で反射され、Ｐ型半導体層２００３、発光層２００４、Ｎ型半導体層２００５を透過し、再び偏光子層２００６へ入射する。このときの入射位置は前回と異なっており、再び偏光子層２００６へ入射した光のうち、第１の領域２００６1へ入射した第１の方向の偏光成分、第２の領域２００６2へ入射した第２の方向の偏光成分は偏光子層２００６を透過し、第１の領域２００６1へ入射した第２の方向の偏光成分、第２の領域２００６2へ入射した第１の方向の偏光成分は再び偏光子層２００６で反射される。この動作を繰り返すことにより、発光層２００４において発生した光は最終的に全て偏光子層２００６を透過する。
【００８７】
１／２波長板層２００７は第１の領域ないし第４の領域２００７1〜２００７4を備えている。１／２波長板層２００７の第１の領域２００７1および第３の領域２００７3は偏光子層２００６の第１の領域２００６1に対応するように設けられており、１／２波長板層２００７の第２の領域２００７2および第４の領域２００７4は偏光子層２００６の第２の領域２００６2に対応するように設けられている。第１の領域２００７1、第３の領域２００７3は、入射光に対して偏光回転角を与えずに出射させる。第２の領域２００７2、第４の領域２００７4は、入射光に対してそれぞれ９０度、２７０度の偏光回転角を与えて出射させる。このため、１／２波長板層２００７の第１の領域ないし第４の領域２００７1〜２００７4を透過した光は偏光方向が同一となる。
【００８８】
上記のように構成される本実施形態の発光素子では、１／２波長板層２００７より偏光方向が揃えられた直線偏光が出射される。１／２波長板層２００７は設計例１−３、または、設計例２−３に示される材料、積層数、厚みにより形成された、入射角許容度が高いものであるため、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子となっている。
【００８９】
図２１は、本発明による発光素子を用いた画像表示装置の一実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態の画像表示装置は、複数の画素から成る液晶表示素子１３０３Ｒ、１３０３Ｇ、１３０３Ｂを用いて画像を形成するものであり、各画素は配向方向を個別に制御可能な液晶分子を有している。
【００９０】
図２１に示される画像表示装置は、赤色光を発生する光源ユニット１３０１Ｒ、緑色光を発生する光源ユニット１３０１Ｇ、青色光を発生する光源ユニット１３０１Ｂ、を備えている。これらの光源ユニットは、それぞれ本発明による発光素子４個とロッドインテグレータとを用いて構成されている。
【００９１】
光源ユニット１３０１Ｒにおいて発生した赤色光は集光レンズ１３０２Ｒを介して赤色用画像を表示する液晶表示素子１３０３Ｒを照射し、これにより液晶表示素子１３０３Ｒにおいて生成された赤色画像光が色合成プリズム１３０４へ入射する。
【００９２】
光源ユニット１３０１Ｇにおいて発生した緑色光は集光レンズ１３０２Ｇを介して緑色用画像を表示する液晶表示素子１３０３Ｇを照射し、これにより液晶表示素子１３０３Ｇにおいて生成された緑色画像光が色合成プリズム１３０４へ入射する。
【００９３】
光源ユニット１３０１Ｂにおいて発生した青色光は集光レンズ１３０２Ｂを介して青色用画像を表示する液晶表示素子１３０３Ｂを照射し、これにより液晶表示素子１３０３Ｂにおいて生成された青色画像光が色合成プリズム１３０４へ入射する。
【００９４】
色合成プリズム１３０４へ入射した赤色画像光、緑色画像光、青色画像光は色合成プリズム１３０４において合成され、合成された画像光は投写レンズ１３０５を介してスクリーンへ投写される。
【００９５】
本実施形態の画像表示装置は、出射光の偏光状態が揃っていない光源ユニットを用いた、同様の構成の画像表示装置に比べ、液晶表示素子１３０３Ｒ、１３０３Ｇ、１３０３Ｂにおいて５０％の光損失が生じないため、輝度を２倍に高めることができる。また、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子を有する光源ユニットを用いているため、投写レンズ１３０５のＦナンバーを小さくした場合や液晶表示素子１３０３Ｒ、１３０３Ｇ、１３０３Ｂの面積を大きくした場合でも光利用効率が高く、さらに輝度を高いものとすることができる。
【００９６】
図２２は、本発明による発光素子を用いた画像表示装置の他の実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態の画像表示装置は、複数の画素から成るマイクロミラー１４０４を用いて画像を形成するものであり、各画素は角度を個別に制御可能なマイクロミラーを有している。
【００９７】
図２２に示される画像表示装置は、赤色光を発生する光源ユニット１４０１Ｒ、緑色光を発生する光源ユニット１４０１Ｇ、青色光を発生する光源ユニット１４０１Ｂ、を備えている。これらの光源ユニットは、本発明による発光素子４個とロッドインテグレータとを用いて構成されている。
【００９８】
光源ユニット１４０１Ｒにおいて発生した赤色光は集光レンズ１４０２Ｒを介して色合成プリズム１４０３へ入射する。光源ユニット１４０１Ｇにおいて発生した緑色光は集光レンズ１４０２Ｇを介して色合成プリズム１４０３へ入射する。光源ユニット１４０１Ｂにおいて発生した青色光は集光レンズ１４０２Ｂを介して色合成プリズム１４０３へ入射する。
【００９９】
光源ユニット１４０１Ｒ、光源ユニット１４０１Ｇ、光源ユニット１４０１Ｂは、各色の点灯状態が順番に切り替えられるように制御可能であり、色合成プリズム１４０３から赤色光、緑色光、青色光がマイクロミラー１４０４へ順番に照射される。
【０１００】
マイクロミラー１４０４は照射された光の色に応じた画像を順番に表示する。これにより、マイクロミラー１４０４において生成された赤色画像光、緑色画像光、青色画像光が投写レンズ１４０５を介してスクリーンへ順番に投写される。
【０１０１】
色合成プリズム１４０３は、赤色光のＳ偏光成分を全て反射し、緑色光のＰ偏光成分を全て透過させ、青色光のＳ偏光成分を全て反射するが、赤色光のＰ偏光成分は一部しか反射せず、緑色光のＳ偏光成分は一部しか透過させず、青色光のＰ偏光成分は一部しか反射しない。
【０１０２】
このため、光源ユニットからの出射光の偏光状態が揃っていない場合、赤色光、緑色光、青色光のいずれも、色合成プリズム１４０３において一方の偏光成分に対しては光損失が生じないが、他方の偏光成分に対しては光損失が生じる。
【０１０３】
これに対し、光源ユニットからの出射光が直線偏光である場合、赤色光はＳ偏光、緑色光はＰ偏光、青色光はＳ偏光として色合成プリズム１４０３へ入射させれば、赤色光、緑色光、青色光のいずれも、色合成プリズム１４０３において光損失が生じない。
【０１０４】
すなわち、本実施形態の画像表示装置は、出射光の偏光状態が揃っていない光源ユニットを用いた同様の構成の画像表示装置に比べ、色合成プリズム１４０３において光損失が生じないため、輝度を高めることができる。また、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子を有する光源ユニットを用いているため、投写レンズ１４０５のＦナンバーを小さくした場合やマイクロミラー１４０４の面積を大きくした場合でも光利用効率が高く、さらに輝度を高いものとすることができる。
【０１０５】
図２３は、本発明による発光素子を用いた画像表示装置の他の実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態の画像表示装置は、複数の画素から成るマイクロミラー１５０５を用いて画像を形成するものであり、各画素は角度を個別に制御可能なマイクロミラーを有している。
【０１０６】
図２３に示される画像表示装置は、赤色光を発生する光源ユニット１５０１ＲＰ、１５０１ＲＳ、緑色光を発生する光源ユニット１５０１ＧＰ、１５０１ＧＳ、青色光を発生する光源ユニット１５０１ＢＰ、１５０１ＢＳを備えている。これらの光源ユニットは、図１９または図２０を用いて説明した本発明による発光素子を１つ以上用いて構成されている。
【０１０７】
光源ユニット１５０１ＲＰ、１５０１ＲＳにおいて発生した赤色光はそれぞれＰ偏光、Ｓ偏光として偏光ビームスプリッタ１５０２Ｒへ入射する。偏光ビームスプリッタ１５０２ＲはＰ偏光を透過させ、Ｓ偏光を反射する。従って、光源ユニット１５０１ＲＰ、１５０１ＲＳにおいて発生した赤色光は偏光ビームスプリッタ１５０２Ｒにおいて合成され、合成された赤色光は集光レンズ１５０３Ｒを介して色合成プリズム１５０４へ入射する。
【０１０８】
光源ユニット１５０１ＧＰ、１５０１ＧＳにおいて発生した緑色光はそれぞれＰ偏光、Ｓ偏光として偏光ビームスプリッタ１５０２Ｇへ入射する。偏光ビームスプリッタ１５０２ＧはＰ偏光を透過させ、Ｓ偏光を反射する。従って、光源ユニット１５０１ＧＰ、１５０１ＧＳにおいて発生した緑色光は偏光ビームスプリッタ１５０２Ｇにおいて合成され、合成された緑色光は集光レンズ１５０３Ｇを介して色合成プリズム１５０４へ入射する。
【０１０９】
光源ユニット１５０１ＢＰ、１５０１ＢＳにおいて発生した青色光はそれぞれＰ偏光、Ｓ偏光として偏光ビームスプリッタ１５０２Ｂへ入射する。偏光ビームスプリッタ１５０２ＢはＰ偏光を透過させ、Ｓ偏光を反射する。従って、光源ユニット１５０１ＢＰ、１５０１ＢＳにおいて発生した青色光は偏光ビームスプリッタ１５０２Ｂにおいて合成され、合成された青色光は集光レンズ１５０３Ｂを介して色合成プリズム１５０４へ入射する。
【０１１０】
光源ユニット１５０１ＲＰ、１５０１ＲＳ、光源ユニット１５０１ＧＰ、１５０１ＧＳ、光源ユニット１５０１ＢＰ、１５０１ＢＳは、各色の点灯状態が順番に切り替えられるように制御可能であり、色合成プリズム１５０４から赤色光、緑色光、青色光がマイクロミラー１５０５へ順番に照射される。
【０１１１】
マイクロミラー１５０５は照射された光の色に応じた画像を順番に表示する。これにより、マイクロミラー１５０５において生成された赤色画像光、緑色画像光、青色画像光が投写レンズ１５０６を介してスクリーンへ順番に投写される。
【０１１２】
光源ユニットからの出射光の偏光状態が揃っていない場合、偏光ビームスプリッタにおいて５０％の光損失が生じるため、図２２に示す構成の画像表示装置に比べ、光源ユニットの数が２倍であるにも関わらず輝度を高めることができない。
【０１１３】
これに対し、光源ユニットからの出射光が直線偏光である場合、偏光ビームスプリッタにおいて５０％の光損失が生じないため、図２２に示す構成の画像表示装置に比べ、光源ユニットの数が２倍であることにより輝度を２倍に高めることができる。また、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子を有する光源ユニットを用いているため、投写レンズ１５０６のＦナンバーを小さくした場合やマイクロミラー１５０５の面積を大きくした場合でも光利用効率が高く、さらに輝度を高いものとすることができる。
【０１１４】
図２４は、図２１に示した画像表示装置の駆動系の構成を示す図である。
【０１１５】
駆動回路１６０２Ｒ、１６０２Ｇ、１６０２Ｂは、それぞれ光源ユニット１３０１Ｒ、１３０１Ｇ、１３０１Ｂを駆動する。これにより、光源ユニット１３０１Ｒ、１３０１Ｇ、１３０１Ｂは、画像表示動作時には常に点灯した状態となる。なお、光源ユニット１３０１Ｒ、１３０１Ｇ、１３０１Ｂは、１つの駆動回路により駆動されるものとしても良い。
【０１１６】
画像信号処理回路１６０１は、外部のＰＣ（パーソナルコンピュータ）や画像再生装置等から与えられる入力画像信号に応じて赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を表示するための信号を生成し、それぞれの信号を駆動回路１６０３Ｒ、１６０３Ｇ、１６０３Ｂへ供給する。
【０１１７】
駆動回路１６０３Ｒ、１６０３Ｇ、１６０３Ｂは、画像信号処理回路１６０１から供給された信号により、それぞれ液晶表示素子１３０３Ｒ、１３０３Ｇ、１３０３Ｂを駆動する。これにより、液晶表示素子１３０３Ｒ、１３０３Ｇ、１３０３Ｂはそれぞれ赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を表示する。
【０１１８】
図２５は、図２２に示した画像表示装置の駆動系の構成を示す図である。
【０１１９】
画像信号処理回路１７０１は、外部のＰＣや画像再生装置等から与えられる入力画像信号に応じて赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を表示するための信号を生成し、これらの信号を順番に駆動回路１７０３へ供給する。
【０１２０】
また、画像信号処理回路１７０１は、赤色用画像を表示するための信号を駆動回路１７０３へ供給するのと同時に、赤色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路１７０２Ｒへ供給し、緑色用画像を表示するための信号を駆動回路１７０３へ供給するのと同時に、緑色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路１７０２Ｇへ供給し、青色用画像を表示するための信号を駆動回路１７０３へ供給するのと同時に、青色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路１７０２Ｂへ供給する。
【０１２１】
駆動回路１７０３は、画像信号処理回路１７０１から供給された信号により、マイクロミラー１４０４を駆動する。これにより、マイクロミラー１４０４は赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を順番に表示する。
【０１２２】
駆動回路１７０２Ｒ、１７０２Ｇ、１７０２Ｂは、画像信号処理回路１７０１から供給された信号により、それぞれ光源ユニット１４０１Ｒ、１４０１Ｇ、１４０１Ｂを駆動する。これにより、マイクロミラー１４０４が赤色用画像を表示している時には光源ユニット１４０１Ｒが点灯し、マイクロミラー１４０４が緑色用画像を表示している時には光源ユニット１４０１Ｇが点灯し、マイクロミラー１４０４が青色用画像を表示している時には光源ユニット１４０１Ｂが点灯する。
【０１２３】
図２６は、図２３に示した画像表示装置の駆動系の構成を示す図である。
【０１２４】
画像信号処理回路１８０１は、外部のＰＣや画像再生装置等から与えられる入力画像信号に応じて赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を表示するための信号を生成し、これらの信号を順番に駆動回路１８０３へ供給する。
【０１２５】
また、画像信号処理回路１８０１は、赤色用画像を表示するための信号を駆動回路１８０３へ供給するのと同時に、赤色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路１８０２ＲＰ、１８０２ＲＳへ供給し、緑色用画像を表示するための信号を駆動回路１８０３へ供給するのと同時に、緑色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路１８０２ＧＰ、１８０２ＧＳへ供給し、青色用画像を表示するための信号を駆動回路１８０３へ供給するのと同時に、青色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路１８０２ＢＰ、１８０２ＢＳへ供給する。
【０１２６】
駆動回路１８０３は、画像信号処理回路１８０１から供給された信号により、マイクロミラー１５０５を駆動する。これにより、マイクロミラー１５０５は赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を順番に表示する。
【０１２７】
駆動回路１８０２ＲＰ、１８０２ＲＳ、１８０２ＧＰ、１８０２ＧＳ、１８０２ＢＰ、１８０２ＢＳは、画像信号処理回路１８０１から供給された信号により、それぞれ光源ユニット１５０１ＲＰ、１５０１ＲＳ、１５０１ＧＰ、１５０１ＧＳ、１５０１ＢＰ、１５０１ＢＳを駆動する。これにより、マイクロミラー１５０５が赤色用画像を表示している時には光源ユニット１５０１ＲＰ、１５０１ＲＳが点灯し、マイクロミラー１５０５が緑色用画像を表示している時には光源ユニット１５０１ＧＰ、１５０１ＧＳが点灯し、マイクロミラー１５０５が青色用画像を表示している時には光源ユニット１５０１ＢＰ、１５０１ＢＳが点灯する。
【０１２８】
この出願は２０１０年４月６日に出願された日本出願特願２０１０−０８７８０５号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【符号の説明】
【０１２９】
１００    波長板
１０１    基板
１０２    高屈折率層
１０３    低屈折率層
【図１】
2011125350.tif 000006
【図２】
2011125350.tif 000007
【図３】
2011125350.tif 000008
【図４】
2011125350.tif 000009
【図５】
2011125350.tif 000010
【図６】
2011125350.tif 000011
【図７】
2011125350.tif 000012
【図８】
2011125350.tif 000013
【図９】
2011125350.tif 000014
【図１０】
2011125350.tif 000015
【図１１】
2011125350.tif 000016
【図１２】
2011125350.tif 000017
【図１３】
2011125350.tif 000018
【図１４】
2011125350.tif 000019
【図１５】
2011125350.tif 000020
【図１６】
2011125350.tif 000021
【図１７】
2011125350.tif 000022
【図１８】
2011125350.tif 000023
【図１９】
2011125350.tif 000024
【図２０】
2011125350.tif 000025
【図２１】
2011125350.tif 000026
【図２２】
2011125350.tif 000027
【図２３】
2011125350.tif 000028
【図２４】
2011125350.tif 000029
【図２５】
2011125350.tif 000030
【図２６】
2011125350.tif 000031
【国際調査報告】
2011125350.tif 000032
2011125350.tif 000033
2011125350.tif 000034
2011125350.tif 000035