(57)【要約】  パーティクルによって不良にはならない有機ＥＬ装置を提供する。また、電子注入効率が高い電子注入層を有する有機ＥＬ装置を提供する。  下部電極層２３上に短絡防止層２４を形成した後、その表面に有機ＥＬ層２５と上部電極層２７とを形成する。下部電極層２３は短絡防止層２４で覆われているから、短絡防止層２４上にパーティクル３０が付着した状態で有機ＥＬ層２５が形成された場合、パーティクル３０の陰の部分３１には短絡防止層２４が露出し、有機ＥＬ層２５上に形成する上部電極層２７は下部電極層２３とは接触しない。短絡防止層２４は高抵抗で導電性を有しており、得られた有機ＥＬ装置１０には短絡電流が流れずに正常に発光する。有機ＥＬ層２５の上端に電子輸送層に接触して、ＭｏＷ等の電子注入層を設けておくと、発光効率が向上する。
2011093146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極層と、
前記下部電極層上に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極層とを有し、
前記下部電極層と前記上部電極層との間に電圧を印加して前記有機ＥＬ層に電流を流すと前記有機ＥＬ層が発光する有機ＥＬ装置であって、
前記下部電極層と前記有機ＥＬ層との間には、
ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、又はＭｏＯ3-aのいずれか一種又は二種の酸化物(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成り、前記有機ＥＬ層よりも高抵抗で導電性を有する短絡防止層が配置された有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記下部電極層はインジウム・スズ酸化物膜を有し、
前記短絡防止層は前記インジウム・スズ酸化物膜に接触して配置された請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記有機ＥＬ層は、前記上部電極層側の表面に位置する電子輸送層を有し、
前記上部電極層は、前記電子輸送層と接触した前記電子注入層と、前記電子注入層上に位置するカソード電極層とを有し、
前記電子注入層は、ＭｏＷ膜、Ｍｏ膜、Ｗ膜、ＭｏＬｉ膜のいずれか一種の膜又は二種以上の膜が積層された金属膜から成る請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記電子輸送層は電子輸送性の有機物薄膜にＬｉが分散された請求項３記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
基板上に下部電極層を形成し、
前記下部電極層上に蒸着法で形成した有機ＥＬ層を配置し、
前記有機ＥＬ層上に、その少なくとも一部をスパッタ法で形成して上部電極層を配置し、
前記下部電極層と前記上部電極層との間に電圧を印加して前記有機ＥＬ層に電流を流すと前記有機ＥＬ層が発光する有機ＥＬ装置を製造する有機ＥＬ装置製造方法であって、
前記下部電極層を形成した後前記有機ＥＬ層を形成する前に、前記下部電極層上に、ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、又はＭｏＯ3-aのいずれか一種又は二種の酸化物(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成り、前記有機ＥＬ層よりも高抵抗で導電性を有する短絡防止層を形成する有機ＥＬ装置製造方法。
【請求項６】
前記下部電極層の上端層にはインジウム・スズ酸化物膜を配置し、前記短絡防止層は前記インジウム・スズ酸化物膜に接触して配置する請求項５記載の有機ＥＬ装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ装置の技術に関し、特に、パーティクルに対する耐性が高く、また正孔注入性と電子注入性が高い有機ＥＬ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は自発光型の装置であり、視野角が広い、発光効率が高い、薄くできる、応答速度が速い、コントラストが高い、等の特徴を有しており、近年ではＴＶの画面に用いる他、照明やバックライト等種々の用途が提案されている。【０００３】
図５には、従来技術の有機ＥＬ装置１１０の内部構造が示されている。
この有機ＥＬ装置１１０はガラス基板１２１を有しており、ガラス基板１２１上には、アノード電極層１２３と、有機ＥＬ層１２５と、カソード電極層１２７とがこの順序で形成されている。【０００４】
アノード電極層１２３とカソード電極層１２７は電源１３８に接続されており、アノード電極層１２３とカソード電極層１２７との間に電圧を印加すると有機ＥＬ層１２５が発光し、その光がカソード電極層１２７を透過してカソード電極層１２７の上方に放出されるか(トップエミッション型)、又は、アノード電極層１２３とガラス基板１２１とを透過してガラス基板１２１の下方に向けて放出される(ボトムエミッション型)ようになっている。【０００５】
このような有機ＥＬ装置１１０を作成する場合、先ず、ガラス基板１２１を用意し(図４(ａ))、その表面にスパッタリング法等によってアノード電極層１２３を形成する(同図(ｂ))。
次いで、そのガラス基板１２１を有機蒸着装置中に搬入し、アノード電極層１２３上に有機ＥＬ層１２５を形成する。
このとき、移動中や有機蒸着装置内で発生したパーティクルがアノード電極層１２３上に付着すると、その状態で有機ＥＬ層１２５の成膜が開始されてしまう。【０００６】
同図(ｃ)は、アノード電極層１２３上にパーティクル１３０が付着した状態で蒸着法によって有機ＥＬ層１２５が形成された状態を示している。
蒸着法では、蒸気の直進性は高いため、パーティクル１３０の陰の部分１３１には有機ＥＬ層１２５の原料物質の蒸気は到達せず、有機ＥＬ層１２５は形成されないから、陰の部分１３１のアノード電極層１２３上には有機ＥＬ層１２５は形成されず、アノード電極層１２３が露出した状態になる。【０００７】
形成する有機ＥＬ層１２５は膜厚が１μｍよりも薄いため、径が１μｍ以上のパーティクル１３０が付着すると、パーティクル１３０の上端は有機ＥＬ層１２５上に突き出されており、次いで、パーティクル１３０による陰の部分１３１が存する状態で、同図(ｄ)に示すように、カソード電極層１２７が形成される。【０００８】
一般に、カソード電極層１２７の材料には蒸着法によって形成することが困難な物質が採用されており、スパッタリング法によってカソード電極層１２７を形成すると、カソード電極層１２７は有機ＥＬ層１２５上に形成される他、スパッタリング粒子の回り込みにより、陰の部分１３１上にも形成される。【０００９】
従って、カソード電極層１２７は、陰の部分１３１で露出するアノード電極層１２３上にも形成されることになるから、陰の部分１３１に於いて、アノード電極層１２３とカソード電極層１２７とが接触し、カソード電極層１２７とアノード電極層１２３との間に短絡電流が流れるから、アノード電極層１２３とカソード電極層１２７の間に電圧を印加しても有機ＥＬ層１２５に電流が流れず、発光しなくなってしまう。【００１０】
また、カソード電極層１２７をスパッタ法で形成する場合、有機ＥＬ層１２５がダメージを受け、電子注入性の低下により、発光特性が悪化するという問題がある。
有機ＥＬ装置中に金属酸化物薄膜や金属薄膜を形成する先行技術には下記のようなものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】２００５−２５９５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その課題は、パーティクルが付着しても不良品にならない有機ＥＬ装置、及びその製造方法を提供することにある。
また、電子注入性が高い有機ＥＬ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明は、下部電極層と、前記下部電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極層とを有し、前記下部電極層と前記上部電極層との間に電圧を印加して前記有機ＥＬ層に電流を流すと前記有機ＥＬ層が発光する有機ＥＬ装置であって、前記下部電極層と前記有機ＥＬ層との間には、ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、又はＭｏＯ3-aのいずれか一種又は二種の酸化物(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成り、前記有機ＥＬ層よりも高抵抗で導電性を有する短絡防止層が配置された有機ＥＬ装置である。
また、本発明は、前記下部電極層はインジウム・スズ酸化物膜を有し、前記短絡防止層は前記インジウム・スズ酸化物膜に接触して配置された有機ＥＬ装置である。
また、本発明は、前記有機ＥＬ層は、前記上部電極層側の表面に位置する電子輸送層を有し、前記上部電極層は、前記電子輸送層と接触した前記電子注入層と、前記電子注入層上に位置するカソード電極層とを有し、前記電子注入層は、ＭｏＷ膜、Ｍｏ膜、Ｗ膜、ＭｏＬｉ膜のいずれか一種の膜又は二種以上の膜が積層された金属膜から成る有機ＥＬ装置である。
また、本発明は、前記電子輸送層は電子輸送性の有機物薄膜にＬｉが分散された有機ＥＬ装置である。
また、本発明は、基板上に下部電極層を形成し、前記下部電極層上に蒸着法で形成した有機ＥＬ層を配置し、前記有機ＥＬ層上に、その少なくとも一部をスパッタ法で形成して上部電極層を配置し、前記下部電極層と前記上部電極層との間に電圧を印加して前記有機ＥＬ層に電流を流すと前記有機ＥＬ層が発光する有機ＥＬ装置を製造する有機ＥＬ装置製造方法であって、前記下部電極層を形成した後前記有機ＥＬ層を形成する前に、前記下部電極層上に、ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、又はＭｏＯ3-aのいずれか一種又は二種の酸化物(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成り、前記有機ＥＬ層よりも高抵抗で導電性を有する短絡防止層を形成する有機ＥＬ装置製造方法である。
また、本発明は、前記下部電極層の上端層にはインジウム・スズ酸化物膜を配置し、前記短絡防止層は前記インジウム・スズ酸化物膜に接触して配置する有機ＥＬ装置製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
パーティクルが付着しても、その陰の部分でアノード電極層とカソード電極層が短絡することがない。
Ｌｉを用いずに電子注入層が形成されるので発光光率、安全性、生産効率が高い。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】(ａ)〜(ｇ)：本発明の有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための図
【図２】本発明の有機ＥＬ装置の上部電極層の構造と有機ＥＬ層の構造を説明するための図
【図３】本発明の有機ＥＬ装置の構造を説明するための図  (ａ)：ボトムエミッション型  (ｂ)：トップエミッション型
【図４】(ａ)〜(ｄ)：従来技術の有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための図
【図５】従来技術の有機ＥＬ装置の構造を説明するための図
【図６】短絡防止層を有さない有機ＥＬ装置の電流密度−電圧特性
【図７】短絡防止層を有する有機ＥＬ装置の電流密度−電圧特性
【図８】ＭｏＷ層とＭｏＷＯ3-a層を積層させた有機ＥＬ装置の電流密度−電圧特性
【図９】短絡防止層を有さない有機ＥＬ装置のうちの一つの輝度−電圧特性
【図１０】短絡防止層を有さない有機ＥＬ装置のうちの一つの発光効率−電流密度特性
【図１１】短絡防止層を有する有機ＥＬ装置のうちの一つの輝度−電圧特性
【図１２】短絡防止層を有する有機ＥＬ装置のうちの一つの発光効率−電流密度特性
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図３(ａ)には、本発明の有機ＥＬ装置１０の内部構造が示されている。
この有機ＥＬ装置１０は、ガラス基板２１を有しており、ガラス基板２１上には、絶縁層２２と、下部電極層(アノード電極層)２３と、短絡防止層２４と、有機ＥＬ層２５と、上部電極層２７とがこの順序で形成されている。
【００１７】
下部電極層２３と上部電極層２７の間に電源３８を接続し、電源３８によって下部電極層２３と上部電極層２７との間に電圧を印加すると(下部電極層２３が正電圧側、上部電極層２７が負電圧側)、有機ＥＬ層２５に電流が流れ、有機ＥＬ層２５が発光する。
【００１８】
この有機ＥＬ装置１０は、ここではボトムエミッション型の発光装置であり、有機ＥＬ層２５の発光光のうち、下部電極層２３方向に放射された光は下部電極層２３を透過して外部に放射され、上部電極層２７方向に放射された光は上部電極層２７で反射し、下部電極層２３方向に戻って下部電極層２３を透過して外部に放射される。
【００１９】
この有機ＥＬ装置１０を作成する場合、先ず、ガラス基板２１を用意し(図１(ａ))、その表面にスパッタリング法等によって、ＳｉＯ2等の絶縁物薄膜から成る絶縁層２２を形成し(同図(ｂ))、絶縁層２２の表面にＩＴＯ(インジウム・錫酸化物)等の透明な導電性薄膜から成る下部電極層２３を形成する(同図(ｃ))。
【００２０】
次いで、形成した下部電極層２３が露出したガラス基板２１を、ＭｏＷターゲット(Ｍｏ５０重量％−Ｗ５０重量％)が配置されたスパッタリング装置内に搬入し、ガラス基板２１周囲の真空雰囲気中にスパッタリングガス５０％と酸素ガス５０％を導入しながら、４．８〜５．０Ｐａの圧力雰囲気中でＭｏＷターゲットをスパッタリングして下部電極層２３の表面に、膜厚５００ÅのＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成る短絡防止層２４を形成する。
【００２１】
この短絡防止層２４は片面が下部電極層２３と接触し、後述するように他の片面が有機ＥＬ層２５と接触しており、ＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)は正孔注入性が高い材料であるから、下部電極層２３に正電圧が印加されたときに、有機ＥＬ層２５に多量の正孔を注入するようになっている。
短絡防止層２４を形成した後、ガラス基板２１をスパッタリング装置から有機蒸着装置に移動させ、有機ＥＬ層２５の形成を開始する。
【００２２】
このとき、移動中や有機蒸着装置内で発生したパーティクル３０が短絡防止層２４の表面に付着し、その状態で(同図(ｅ))有機ＥＬ層２５が形成されると、パーティクル３０の陰の部分３１には有機ＥＬ層２５は形成されず、短絡防止層２４の表面が露出する(同図(ｆ))
有機ＥＬ層２５を形成した後、有機蒸着装置からスパッタリング装置内にガラス基板２１を移動させる。
【００２３】
そのスパッタリング装置内には、ＭｏＷターゲットとＡｌターゲットが配置されており、ガラス基板２１周囲の真空雰囲気中にスパッタリングガスを導入し、ＭｏＷターゲットをスパッタリングし、有機ＥＬ層２５の表面にＭｏＷ薄膜から成る金属製の電子注入層を形成し、次いで、Ａｌターゲットをスパッタリングし、電子注入層上にカソード電極層を形成することで、電子注入層とカソード電極層とから成る上部電極層２７を有機ＥＬ層２５上に形成する。
【００２４】
図２の符号４４はＭｏＷ薄膜から成る電子注入層であり、符号４５は、Ａｌ薄膜から成るカソード電極層である。電子注入層４４の膜厚は１０Å程度である。
電子注入層４４は蒸着法によっても形成することができるが、電子注入層４４をスパッタ法によって形成する場合、電子注入層と接触する後述の電子輸送層の有機薄膜中にＬｉを含有させるとよい。Ａｌ薄膜は、成膜速度から、スパッタリング法によって形成される。
【００２５】
このように、上部電極層２７は、少なくとも一層がスパッタリング法によって形成されるため、有機ＥＬ層２５の表面に形成される他、回り込みによって、パーティクル３０の陰の部分３１上にも形成され、陰の部分３１に露出した層と接触してしまう。
本発明では、パーティクル３０は短絡防止層２４上に付着しており、その陰の部分３１には、有機ＥＬ層２５の下層に形成された短絡防止層２４が露出している。従って、上部電極層２７は短絡防止層２４と接触し、下部電極層２３とは直接接触しない。
【００２６】
上部電極層２７は、短絡防止層２４を介して下部電極層２３に接触する部分と、短絡防止層２４と有機ＥＬ層２５の二層を介して下部電極層２３に接触する部分とが形成されており、短絡防止層２４の膜厚方向の抵抗値が有機ＥＬ層２５の膜厚方向の抵抗値よりも大きく、有機ＥＬ層２５の膜厚方向の抵抗値が無視できる場合は、上部電極層２７と下部電極層２３の間の抵抗値は、面内で均一になり、有機ＥＬ層２５は発光できる。
【００２７】
他方、下部電極層２３上に低抵抗の高導電性薄膜が形成されている場合は、下部電極層２３と上部電極層２７とは高導電性薄膜を介して接続されて短絡してしまい、短絡電流が流れてしまうため、電流が有機ＥＬ層２５に流れなくなってしまう。
逆に下部電極層２３上に絶縁性薄膜が形成されている場合は、パーティクル３０の有無に拘わらず、下部電極層２３と有機ＥＬ層２５との間は絶縁され、有機ＥＬ層２５に電流が流れないから有機ＥＬ層２５は発光しなくなってしまう。
【００２８】
本発明では、導電性を有していても膜厚方向の抵抗値が大きい短絡防止層２４が下部電極層２３上に形成されており、短絡防止層２４は、下部電極層２３とカソード電極層４５との間の電流経路中で有機ＥＬ層２５の抵抗値よりも大きな抵抗値を有するので、有機ＥＬ層２５にも電流が流れ、有機ＥＬ層２５は発光する。
【００２９】
図６、７は、有機ＥＬ装置に印加する電圧と流れる電流の電流密度の関係を示すグラフである。
図６の符号Ｐ1で示す曲線は、アノード電極層(ＩＴＯ膜)／有機ＥＬ層(ＮＰＢ膜)／カソード電極層(Ａｇ膜)の構造の電流密度−電圧特性を示しており、その構造の有機ＥＬ素子の輝度−電圧特性は図９に示し、発光効率−電流密度の特性は図１０に示した。
【００３０】
図７の符号Ｑ1で示す曲線は、上記曲線Ｐ1に対応する構造のアノード電極層と有機ＥＬ層の間に、ＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成る短絡防止層を形成した構造(アノード電極層(ＩＴＯ膜)／短絡防止層(ＭｏＷＯ3-a)／有機ＥＬ層(ＮＰＢ膜)／カソード電極層(Ａｇ膜))の、電流密度−電圧特性を示しており、その構造の有機ＥＬ素子の輝度−電圧特性は図１１に示し、発光効率−電流密度の特性は、図１２に示した。
【００３１】
また、図６の符号Ｐ2で示す曲線は、アノード電極層(ＩＴＯ膜)／有機ＥＬ層(ＮＰＢ膜＋Ａｌｑ3膜)／電子注入層(ＬｉＦ膜)／カソード電極層(Ａｌ膜)の構造の電流密度−電圧特性を示しており、図７の符号Ｑ2で示す曲線は、その構造のアノード電極層と有機ＥＬ層の間に、ＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成る短絡防止層を形成した場合の、電流密度−電圧特性を示している。
【００３２】
曲線Ｐ1と曲線Ｑ1の比較と、曲線Ｐ2と曲線Ｑ2の比較から、ＭｏＷＯ3-aの抵抗値によって、曲線Ｐ1、Ｐ2はＸ軸の高電圧側の曲線Ｑ1、Ｑ2にシフトしていることが認められるが、図９〜図１２から、輝度−電圧特性や発光効率−電流密度特性はＭｏＷＯ3-aを設けても、設けない場合と大差なく、実用上差し支えないことが分かる。
【００３３】
なお、図８は、アノード電極層(ＩＴＯ膜)／電子注入層(ＭｏＷ膜)／正孔注入層(ＭｏＷＯ3-a)／有機ＥＬ層(ＮＰＢ膜）／カソード電極層(Ａｇ膜)を形成した場合であり、ダイオード構造が得られず、有機ＥＬ層(ここでは正孔輸送層)には、アノード電極層に正電圧が印加された場合には正孔注入層から正孔が注入され、負電圧が印加された場合には電子注入層から電子が注入されており、正孔注入性の高さと電子注入性の高さが示されている。
【００３４】
上記短絡防止層２４を構成する材料は、ＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)であったが、ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、ＭｏＯ3-a(それぞれａは０より大きく３よりも小さい数)のいずれか一種又は二種の金属酸化物(ａは０より大きく３よりも小さい数)から成る薄膜であればよい。これらは酸素欠損した金属酸化物であり、導電性を有するが抵抗値は回路中で少なくとも有機ＥＬ層２５よりも大きい。
【００３５】
これらの金属酸化物は、金属ターゲット(金属ターゲットには、合金ターゲットが含まれる)が、真空槽中にＡｒとＯ2が同じ体積導入されて４．８〜５Ｐａの圧力にされた真空雰囲気中でスパッタリングされ、短絡防止層が形成されている。
また、ＭｏＷＯ3-a、ＺｎＯ3-a、ＭｏＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)はホール注入性が高いので、下部電極層２３と有機ＥＬ層２５の間に配置すると、有機ＥＬ層２５にホールを多く注入させることができる。
【００３６】
上記短絡防止層２４の膜厚方向の抵抗値は、少なくとも有機ＥＬ層２５の膜厚方向の抵抗値よりも大きいことが必要であるが、実際には、１０10Ω／□〜１０17Ω／□の高抵抗値であればよいことが分かっている。
また、上記実施例では、電子注入層４４として、ＭｏＷ膜から成る金属層を形成したが、Ｍｏ膜、Ｗ膜、Ｌｉ含有Ｍｏ膜、ＳｎＯ2-b(ｂは０より大きく２よりも小さい数)膜を電子注入層４４として形成してもよい。
【００３７】
上記実施例では、図２に示すように、正孔注入層である短絡防止層２４の表面に、正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層４３の各有機薄膜がこの順序で積層されて、有機ＥＬ層２５が構成されている。
電子輸送層４３は電子注入層４４と接触しており、蒸着法によって有機化合物蒸気を発生させ、電子輸送層４３を構成する有機薄膜を形成する際に、有機化合物蒸気と一緒にＬｉ蒸気を発生させ、有機化合物蒸気とＬｉ蒸気を発光層４２上に到達させて、Ｌｉを含有する有機薄膜から成る電子輸送層４３を形成し、その上に電子注入層４４を形成することができる。この場合、電子注入層４４の電子輸送層４３への電子注入効率が高くなる。
【００３８】
また、ＭｏＷから成る電子注入層４４に替え、ＬｉＦから成る電子注入層４４を設けてもよい。しかし、Ｌｉを用いず、安全性や生産性が高い点ではＭｏＷ膜が優れている。
ＭｏＷ膜の他には、Ｗ膜、Ｍｏ膜、Ｌｉを含有するＭｏ膜(ＭｏＬｉ膜)を電子注入層４４に用いることもできる。これらはスパッタ法でも蒸着法によっても形成することができる。ＭｏＷ膜やＭｏＬｉ膜は、構成成分の蒸気を同一真空槽内で別々に発生させて蒸着することができる。
ＭｏＷ膜やＭｏＬｉ膜の電子注入層４４を蒸着法によって形成した場合は、電子注入層４４の表面にカソード電極層４５をスパッタ法で形成する際に、電子注入層４４が有機ＥＬ層２５を保護する保護膜にもなる。
上記実施例ではボトムエミッション型の有機ＥＬ発光装置又は有機ＥＬ表示装置であったが、有機ＥＬ層２５の発光光がカソード電極層を透過して外部に放射されるトップエミッション型の発光装置であってもよい。
【００３９】
トップエミッション型の場合、基板は不透明な金属板でよく、図３(ｂ)に示すように、その基板２１と下部電極層２３との間(ここでは絶縁層２２と下部電極層２３の間)に、Ａｇ等の金属膜から成る反射層３２を設け、上部電極層２７中のカソード電極層４５を、インジウム・亜鉛酸化物膜(ＩＺＯ)、ＳｎＯ2-b（ｂは０より大きく２よりも小さい数)膜、ＭｏＷＯ3-a(ａは０より大きく３よりも小さい数)膜のいずれか一種の膜又は二種以上の積層膜から成る透明導電層で構成させることができる。
なお、上記有機ＥＬ装置１０は、文字、画像を表示する有機ＥＬ表示装置や、有機ＥＬ層の発光により照明光を放射する有機ＥＬ照明、液晶のバックライト等、有機ＥＬ装置を広く含む。
【符号の説明】
【００４０】
１０……有機ＥＬ装置
２３……下部電極層(アノード電極層)
２４……短絡防止層
２５……有機ＥＬ層
２７……上部電極層
４４……電子注入層
４５……カソード電極層
【図１】
2011093146.tif 000003
【図２】
2011093146.tif 000004
【図３】
2011093146.tif 000005
【図４】
2011093146.tif 000006
【図５】
2011093146.tif 000007
【図６】
2011093146.tif 000008
【図７】
2011093146.tif 000009
【図８】
2011093146.tif 000010
【図９】
2011093146.tif 000011
【図１０】
2011093146.tif 000012
【図１１】
2011093146.tif 000013
【図１２】
2011093146.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このような有機ＥＬ装置１１０を作製する場合、先ず、ガラス基板１２１を用意し(図４(ａ))、その表面にスパッタリング法等によってアノード電極層１２３を形成する(同図(ｂ))。
次いで、そのガラス基板１２１を有機蒸着装置中に搬入し、アノード電極層１２３上に有機ＥＬ層１２５を形成する。
このとき、移動中や有機蒸着装置内で発生したパーティクルがアノード電極層１２３上に付着すると、その状態で有機ＥＬ層１２５の成膜が開始されてしまう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
従って、カソード電極層１２７は、陰の部分１３１で露出するアノード電極層１２３上にも形成されることになるから、陰の部分１３１に於いて、アノード電極層１２３とカソード電極層１２７とが接触し、カソード電極層１２７とアノード電極層１２３との間に短絡電流が流れるから、アノード電極層１２３とカソード電極層１２７との間に電圧を印加しても有機ＥＬ層１２５に電流が流れず、発光しなくなってしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この有機ＥＬ装置１０を作製する場合、先ず、ガラス基板２１を用意し(図１(ａ))、その表面にスパッタリング法等によって、ＳｉＯ2等の絶縁物薄膜から成る絶縁層２２を形成し(同図(ｂ))、絶縁層２２の表面にＩＴＯ(インジウム・錫酸化物)等の透明な導電性薄膜から成る下部電極層２３を形成する(同図(ｃ))。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図２の符号４４はＭｏＷ薄膜から成る電子注入層であり、符号４５は、Ａｌ薄膜から成るカソード電極層である。電子注入層４４の膜厚は１０Å程度である。
電子注入層４４は蒸着法によっても形成することができるが、電子注入層４４をスパッタ法によって形成する場合、電子注入層４４と接触する後述の電子輸送層の有機薄膜中にＬｉを含有させるとよい。Ａｌ薄膜は、成膜速度から、スパッタリング法によって形成される。
【国際調査報告】
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