(57)【要約】  ベース層２０と、ベース層２０上に形成され、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉのうちのいずれか一つを含む第１の層３０と、第１の層３０上に形成され、Ｃ、Ｂの何れか一つを含み膜厚が１００μｍ〜３００μｍである第２の層４０と、第２の層４０の上部に形成されたレジスト層５０とを備えたことを特徴とする電子線描画用基板。
2011024315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層と、
前記ベース層上に形成され、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉのうちのいずれか一つを含む第１の層と、
前記第１の層上に形成され、Ｃ、Ｂの何れか一つを含み膜厚が１００μｍ〜３００μｍである第２の層と、
前記第２の層の上部に形成されたレジスト層と、
を備えたことを特徴とする電子線描画用基板。
【請求項２】
前記第１の層が、Ｍｏ、Ａｇ、Ｂｉの何れか一つであることを特徴とする請求項１記載の電子線描画用基板。
【請求項３】
前記第２の層が、有機ポリマーを含むことを特徴とする請求項１に記載の電子線描画用基板。
【請求項４】
前記第１の層の膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子線描画用基板。
【請求項５】
前記第２の層と前記レジスト層との間であって、
前記第２の層上に形成され、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉのうちのいずれか一つを含む第３の層と、
前記第３の層上に形成され、Ｃ、Ｂ、有機ポリマーの何れか一つを含み膜厚が１００μｍ〜３００μｍである第４の層と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子線描画用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線描画用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体プロセスにおけるマスク製造工程では、従来から電子線描画による細線形成が行われている。また、最近では光記録媒体や磁気記録媒体の大容量化策として電子線描画技術の導入が検討されている。上記記録媒体では大量複製する際のオリジナルとなる原盤作製工程で電子線描画技術が用いられる。レジストと呼ばれる電子線感応材料を塗布した原盤に電子線を照射することで微細なパターンを作製する。【０００３】
微細なパターンを作製する際に、電子線の加速電圧を上げることで微細なパターンを形成することが可能となるが、レジストに対する透過能力が向上するため、透過後の電子が基板内で散乱されレジストに反射、再照射する。この現象は後方散乱と呼ばれ、近接した微細パターンを形成する上で妨げとなる。【０００４】
特開２００４−１０３７３３号公報には、基板上に２層の軽元素層を被覆させたリソグラフィ用基板用材料が開示されている。【０００５】
しかしながら、特開２００４−１０３７３３号公報に開示された発明では、軽元素から構成されるために電子線の照射によって生じる後方散乱を充分に抑えることができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】日本国特許出願公開第２００４−１０３７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は電子線の照射によって生じる後方散乱を効率よく抑えることのできる電子線描画用基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子線描画用基板は、ベース層と、前記ベース層上に形成され、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉのうちのいずれか一つを含む第１の層と、前記第１の層上に形成され、Ｃ、Ｂの何れか一つを含み膜厚が１００μｍ〜３００μｍである第２の層と、前記第２の層の上部に形成されたレジスト層と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ベース層からレジスト層への電子線の後方散乱を抑制することができ近接した微細なパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子線描画用基板１０の概略断面図である。
【図２】電子線描画用基板１０の第２の層４０を構成する材料における電子の平均自由行程を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る電子線描画用基板１５を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る電子線描画用基板の図である。
【図５】実施例１で作製した電子線描画用基板１０を乾燥後にＡＦＭで観察した結果を示す。
【図６】実施例２で作製した電子線描画用基板１０を乾燥後にＡＦＭで観察した結果を示す。
【図７】実施例３で作製した電子線描画用基板１０を乾燥後にＡＦＭで観察した結果を示す。
【図８】比較例１で作製した電子線描画用基板１０を乾燥後にＡＦＭで観察した結果を示す。
【図９】比較例２で作製した電子線描画用基板１０を乾燥後にＡＦＭで観察した結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。また、以下説明する図面において、符号が一致するものは、同様のものを示しており、重複した説明は省略する。
【００１２】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る電子線描画用基板１０について説明する。
図１は、本実施形態に係る電子線描画用基板１０を示す図である。
本実施形態の電子線描画用基板１０は、ベース層２０と、ベース層２０上に形成された第１の層３０と、第１の層３０上に形成された第２の層４０と、第２の層４０上に形成されたレジスト層５０とを有する。
【００１３】
ベース層２０には、例えば、Ｓｉ基板等の汎用されている基板が好ましく用いられる。
第１の層３０には、膜内に界面を形成しやすい材料が好ましく用いられる。第１の層３０の膜厚は、好ましくは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００１４】
第２の層４０は、第１の層３０を構成する材料の電子の平均自由行程の長さよりも厚い材料が好ましい。
なお、第２の層４０の膜厚は、第１の層３０を設けることによって、第２の層４０を構成する材料の電子の平均自由行程の長さよりも薄くすることができる。このことについては、後述する。
【００１５】
平均自由行程とは、電子の散乱が妨害されることなく進むことのできる距離の平均値を示す。平均自由行程λは以下の式より求めることができる。
【００１６】
【数１】
2011024315.tif 000003
【００１７】
この式において、Ｖは入射電子の加速電圧、Ａは平均原子量、Ｚは平均原子番号、ρは密度をそれぞれ表す。
【００１８】
例えば元素Ａ及び元素Ｂから構成される化合物ＡｘＢ１−ｘ（ｘは０から１）の場合、化合物ＡｘＢ１−ｘの平均原子量Ｚａｖは、
【００１９】
【数２】
2011024315.tif 000004
【００２０】
と表すことができる。この式において、ＺＡは元素Ａの原子量、ＺＢは元素Ｂの原子量である。
【００２１】
同様に平均原子番号Ａａｖは、
【００２２】
【数３】
2011024315.tif 000005
【００２３】
と表すことができる。この式において、ＡＡは元素Ａの原子番号、ＡＢは元素Ｂの原子番号である。３元素以上で構成される場合も同様に各元素の原子量にそれぞれの含有率を乗じて和をとることができる。
【００２４】
第２の層４０の材料としては、例えばカーボン（Ｃ）、ボロン（Ｂ）等の無機材料、Ｃ、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｓｉ等を含む各種有機ポリマーが好ましく用いられる。これらの材料を用いた場合、第２の層４０の膜厚は、１００μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。
【００２５】
図２は、第２の層４０を構成する材料における電子の平均自由行程の計算結果を示す。なお、図２に示すＳ１８１８は、感光型レジスト材料であり、有機ポリマーの一例として載せている。Ｓ１８１８はＣ、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｓで構成されることから、Ｓ１８１８の電子の平均自由行程は、これらの原子の平均原子量と平均原子番号から計算した。また、図２では、加速電圧Ｖを５０ｋＶとして計算した。
【００２６】
図２に示すように、カーボンの平均自由行程は１７２．０８μｍであるので、第２の層４０の膜厚を１７２μｍ以上にすれば、理論上、電子線は第２の層４０内で収束すると考えられる。しかしながら、ある程度第２の層４０内で電子線を収束させることができるが、一般的に膜内には積層又は歪みによる欠陥が生じているために、この欠陥により電子線が散乱され、第１の層３０にまで電子線が到達してしまう。よって、適切に第２の層４０内で電子線を収束させることが難しい。
【００２７】
また、第２の層４０の膜厚が１７２μｍ以下の場合、電子線は上記したように第２の層４０内で散乱される。加えて、第２の層４０の膜厚は第２の層４０を構成する材料の平均自由行程よりも薄いので、電子線は第１の層３０まで到達する。
つまり、第１の層３０で電子線を収束させる必要がある。
【００２８】
第１の層３０の材料としては、第１の層３０内に粒界を形成して界面を形成することのできる、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉのうちのいずれか一つであることが好ましい。これらの材料は、部分酸化されることにより粒界を形成しやすい。特に、Ｍｏ、Ａｇ、Ｂｉは、ＭｏＯ３、Ａｇ２Ｏ、Ｂｉ２Ｏ３に酸化されることによって粒界が酸化物で覆われた粒界酸化物が形成されやすいので、膜内に粒界を容易に形成することができる。
【００２９】
このように、粒界が形成されると、第１の層３０内に入射した電子線は、粒界によって散乱されるために、第１の層３０内で電子線を収束させることができる。なお、第１の層３０の膜厚は１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００３０】
次に、電子線描画用基板１０の動作原理について説明する。
電子線描写用基板１０に電子線が入射すると、電子線はレジスト層５０内を散乱しながら透過するが、レジスト層５０はＣ、Ｏ、Ｈ、Ｎ等の軽元素から構成されるため、電子線は大きく散乱されることなく第２の層４０へと達する。
レジスト層５０を透過した電子線は、第２の層４０、第１の層３０の順に透過しベース層２０へと達する。
【００３１】
第１の層３０内に到達した電子線は、第１の層３０内に形成された粒界によって散乱されるため、第１の層３０内で収束し、レジスト層５０に反射、再照射される割合は著しく減少する。つまり、第２の層４０で、ある程度電子線を収束させ、第１の層３０内に形成された粒界によって電子線を散乱させて収束させることにより、電子線の後方散乱を顕著に防止することができる。
【００３２】
本実施形態に係る電子線描画用基板１０によれば、ベース層２０面からレジスト層５０への電子線の後方散乱を抑制することができ、近接した微細なパターンを形成することができる。
【００３３】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る電子線描画用基板１５について説明する。
図３は、本実施形態に係る電子線描画用基板１５を示す図である。
【００３４】
電子線描画用基板１５は、ベース層２０と、ベース層２０上に形成された第１の層３０と、第１の層３０上に形成された第２の層４０と、第２の層４０上に形成された第３の層６０と、第３の層６０上に形成された第４の層７０と、第４の層７０上に形成されたレジスト層５０とを有する。図４に示すように、第２の層４０と第３の層６０との間にＳＯＧ（スピンオングラス）等の第２の層４０の表面の荒れを抑制する緩衝層８０を挿入してもよい。
【００３５】
第３の層６０の材料としては、第３の層６０内に粒界を形成するこのできる、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉのうちのいずれか一つであることが好ましい。これらの材料は、部分酸化されることにより粒界を形成しやすい。特に、Ｍｏ、Ａｇ、Ｂｉは、ＭｏＯ３、Ａｇ２Ｏ、Ｂｉ２Ｏ３に酸化されることによって粒界が酸化物で覆われた粒界酸化物が形成されやすいので、膜内に粒界を容易に形成することができる。第３の層６０の膜厚は、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００３６】
第４の層７０の材料としては、例えばカーボン（Ｃ）やボロン（Ｂ）などの無機材料、Ｃ、Ｏ、Ｈ、Ｎなどを含む各種有機ポリマーであることが好ましい。第４の層７０の膜厚を構成する材料の電子の平均自由行程の長さよりも厚い膜厚の材料が好ましい。第１の実施形態で説明したように、第４の層７０の膜厚は第３の層６０を設けることによって、第４の層７０を構成する材料の電子の平均自由行程の長さよりも薄くすることができる。なお、第４の層７０の膜厚は、１００μｍ以上３００μｍ以下である。
【００３７】
次に、電子線描画用基板１５の動作原理について説明する。
電子線描画用基板１５に電子線を入射すると、電子線はレジスト層５０内を散乱しながら透過するが、レジスト層５０はＣ、Ｏ、Ｈ、Ｎ等の軽元素から構成されるため、それほど電子線は大きく散乱されることなく第４の層７０へと達する。
【００３８】
そして、レジスト層５０を透過した電子線は、第４の層７０、第３の層６０、第２の層４０、第１の層３０の順に透過しベース層１０へと達する。このとき、第３の層６０内に到達した電子線は、第３の層６０内に形成された粒界によって散乱されるため、上記したように、第４の層７０を透過した電子線は第３の層６０内で収束し、レジスト層５０に反射、再照射される割合は著しく減少する。さらにわずかに第３の層６０をも透過した電子は第２の層４０に侵入する。第２の層４０に入射した電子線は、第１の層３０内に到達する。
【００３９】
第１の層３０内に到達した電子線は、第１の層３０内に形成された粒界によって散乱されるため、第１の層３０内で収束し、レジスト層５０に反射、再照射される割合は著しく減少する。
本実施形態に係る電子線描画用基板１５によれば、レジスト層５０への後方散乱を抑制し、近接した微細なパターンを形成することができる。
【００４０】
（実施例１）
直径６インチ、厚さ０．７２５ｍｍのＳｉ基板を真空成膜装置内に設置して７×１０−４Ｐａの真空度に保持した後、Ａｒガス圧０．７Ｐａの下で、ＤＣマグネトロンスパッタ法にてＭｏ（第１の層３０）を約１００ｎｍ成膜した。引き続き、ＣＶＤ装置を用いてＣ（第２の層４０）を約１００μｍ成膜した。Ｍｏ及びＣを成膜したＳｉ基板をスピンコーターに設置して電子線感応型レジストＺＥＰ５２０を７０ｎｍ塗布し、電子線描画用基板１０を作製した。
【００４１】
作製した電子線描画用基板１０を電子線描画装置内に設置して、線速０．７ｍ／ｓで回転させながら、半径１０ｍｍの位置から外側に向かって一定の送りピッチで半径方向に送りながら電子線描画を実施した。トラックピッチは７０ｎｍから４００ｎｍの範囲で変化させた。ここで電子線が照射された部位はスパイラル状の軌跡を作り、照射部の幅と未照射部の幅を合わせた１周期をトラックピッチと定義する。例えば電子線照射幅が５０ｎｍ、未照射幅が５０ｎｍの場合トラックピッチは１００ｎｍとなる。電子線の加速電圧を５０ｋＶ、ビーム引き出し電圧を５．０ｋＶ、ビーム電流を３０μＡ、ビーム径を３０ｎｍに設定した。
【００４２】
電子線を描画した後の電子線描画用基板１０を、スピンコーターに設置して、現像液ＺＥＤ−Ｎ５０をスピンコート法により塗布し、６０秒放置した後、リンス液ＺＭＤ−Ｂを塗布して１０秒保持して振り切り乾燥させた。
乾燥後の電子線描画用基板１０を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察した。観察によると、電子線を照射した露光部は現像によって溶解脱落して、一定間隔のラインアンドスペースの凹凸が形成され、典型的なポジ型を示した。
【００４３】
図５は、乾燥後の電子線描画用基板１０をＡＦＭで観察した結果を示す。図５はトラックピッチ（ｎｍ）とトラックピッチ毎の溝幅（ｎｍ）を示している。
図５に示すように、トラックピッチが１４０ｎｍ以上では溝幅に殆ど変化が無い（約５７ｎｍで一定）ことから、後方散乱が抑制されていることがわかる。
これは、第１の層３０を構成する材料のＭｏが粒界酸化物を形成することによって、電子線がこの粒界で散乱されて、第１の層３０内で収束されたためであると考えられる。
【００４４】
（実施例２）
直径６インチ、厚さ０．７２５ｍｍのＳｉ基板を真空成膜装置内に設置して７×１０−４Ｐａの真空度に保持した後、Ａｒガス圧０．７Ｐａの下で、ＤＣマグネトロンスパッタ法にてＡｇ（第１の層３０）を約１００ｎｍ成膜した。引き続き、第１の層３０を成膜したＳｉ基板をスピンコーターに設置し、ポリマーＳ１８１８（第２の層４０）を約１００μｍの膜厚で塗布した。実施例１と同様にレジストを塗布し、電子線描画用基板１０を作製した。
【００４５】
以下、実施例１と同様の条件で、電子線描画を実施し、ＡＦＭで観察した。
観察によると、電子線を照射した露光部は現像によって溶解脱落して、一定間隔のラインアンドスペースの凹凸が形成され、典型的なポジ型を示した。
【００４６】
図６は、乾燥後の電子線描画用基板１０をＡＦＭで観察した結果を示す。図６はトラックピッチ（ｎｍ）とトラックピッチ毎の溝幅（ｎｍ）を示している。
図６から、トラックピッチ６０ｎｍまで溝が形成でき、さらにトラックピッチ１００ｎｍ以上で殆ど溝幅に変化が無く（約５７ｎｍで一定）、後方散乱が抑制されていることがわかる。
これは、第１の層３０を構成するＡｇが粒界酸化物を形成したことによって、電子線がこの粒界で散乱されて、第１の層３０内で収束されたためであると考えられる。
【００４７】
（実施例３）
実施例１と同様の条件で、Ｓｉ基板上にＡｇ（第１の層３０）を１００ｎｍ、Ｃ（第２の層４０）１００μｍ成膜し、ＳＯＧ等の緩衝層８０を介して、さらにＢｉ（第３の層５０）を１００ｎｍ、Ｃ層（第４の層６０）を１００μｍ成膜して、レジストを塗布して、第１の実施形態で説明した図３と同様の構造を有する電子線描画用基板１５を作製した。
【００４８】
以下、作製した電子線描画用基板１５を電子線描画装置内に設置して、線速１．０ｍ／ｓで回転させた以外は、実施例１と同様の条件で、電子線描画を実施し、ＡＦＭで観察した。観察の結果、電子線を照射した露光部は現像によって溶解脱落して、一定間隔のラインアンドスペースの凹凸が形成され、典型的なポジ型を示した。
【００４９】
図７は、乾燥後の電子線描画用基板１５をＡＦＭで観察した結果を示す。図７は、トラックピッチ（ｎｍ）とトラックピッチ毎の溝幅（ｎｍ）を示している。
図７からトラックピッチ５０ｎｍで溝が形成でき、さらにトラックピッチ６０ｎｍ以上で、殆どピッチに変化が無く（約３２ｎｍで一定）、後方散乱が抑制されていることがわかる。
これは、第１の層３０を構成するＡｇ及び第３の層５０構成するＢｉが粒界酸化物を形成したことによって、電子線がこれらの粒界で散乱されて、第１の層３０内及び第３の層５０内で収束されたためであると考えられる。
【００５０】
（比較例１）
直径６インチ、厚さ０．７２５ｍｍのＳｉ基板をスピンコーターに設置して電子線感応型レジストＺＥＰ５２０を７０ｎｍ塗布し、比較用基板を作製した。以下、実施例１と同様の条件で、電子線描画を実施し、ＡＦＭで観察した。
【００５１】
図８は、乾燥後の比較用基板をＡＦＭで観察した結果を示す。図８はトラックピッチ（ｎｍ）とトラックピッチ毎の溝幅（ｎｍ）を示している。
図８から、トラックピッチ１２０ｎｍ以下で測定不可となり溝が形成できていないことがわかる。
【００５２】
（比較例２）
直径６インチ、厚さ０．７２５ｍｍのＳｉ基板をスピンコーターに設置して電子線感応型レジストＺＥＰ５２０を７０ｎｍ塗布し、比較用基板を作製した。以下、比較用基板を電子線描画装置内に設置して、線速１．０ｍ／ｓで回転させた以外は実施例１と同様の条件で、電子線描画を実施し、ＡＦＭで観察した。
【００５３】
図９は、乾燥後の比較用基板をＡＦＭで観察した結果を示す。図９はトラックピッチ（ｎｍ）とトラックピッチ毎の溝幅（ｎｍ）を示している。
図９から、トラックピッチ１２０ｎｍ以下で測定不可となり溝が形成できていないことがわかる。
【符号の説明】
【００５４】
１０，１５…電子線描画用基板、２０…ベース層、３０…第１の層、４０…第２の層、５０…レジスト層、６０…第３の層、７０…第４の層、８０…緩衝層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層と、
前記ベース層上に形成され、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉのうちのいずれか一つを含み、粒界が形成された第１の層と、
前記第１の層上に形成され、Ｃ、Ｂの何れか一つを含み膜厚が１００μｍ〜３００μｍである第２の層と、
前記第２の層の上部に形成されたレジスト層と、
を備えたことを特徴とする電子線描画用基板。
【請求項２】
前記第１の層が、Ｍｏ、Ａｇ、Ｂｉの何れか一つであることを特徴とする請求項１記載の電子線描画用基板。
【請求項３】
前記第２の層が、有機ポリマーを含むことを特徴とする請求項１に記載の電子線描画用基板。
【請求項４】
前記第１の層の膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子線描画用基板。
【請求項５】
前記第２の層と前記レジスト層との間であって、
前記第２の層上に形成され、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉのうちのいずれか一つを含む第３の層と、
前記第３の層上に形成され、Ｃ、Ｂ、有機ポリマーの何れか一つを含み膜厚が１００μｍ〜３００μｍである第４の層と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子線描画用基板。
【国際調査報告】
2011024315.tif 000015
2011024315.tif 000016
2011024315.tif 000017
2011024315.tif 000018