(57)【要約】  素子搭載用基板１００は、絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０の一方の主表面に設けられた配線層２０と、絶縁樹脂層１０と配線層２０とを覆う保護層４０と、配線層２０と電気的に接続され、配線層２０から絶縁樹脂層１０の側へ突出しているとともに絶縁樹脂層１０を貫通するように設けられた突起電極３０と、配線層２０から絶縁樹脂層１０の側へ突出しているとともにその先端が絶縁樹脂層１０の内部に位置するように設けられた配線層側凸部５２と、保護層４０から絶縁樹脂層１０の側へ突出しているとともにその先端が絶縁樹脂層１０の内部に位置するように設けられた樹脂層側凸部５４と、を備える。
2011052744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁樹脂層と、
前記第１の絶縁樹脂層の一方の主表面に設けられた配線層と、
前記第１の絶縁樹脂層と前記配線層とを覆う第２の絶縁樹脂層と、
前記配線層と電気的に接続され、前記配線層から前記第１の絶縁樹脂層の側へ突出しているとともに前記第１の絶縁樹脂層を貫通するように設けられた突起電極と、
前記配線層から前記第１の絶縁樹脂層の側へ突出しているとともにその先端が前記第１の絶縁樹脂層の内部に位置するように設けられた配線層側凸部と、
前記第２の絶縁樹脂層から前記第１の絶縁樹脂層の側へ突出しているとともにその先端が前記第１の絶縁樹脂層の内部に位置するように設けられた樹脂層側凸部と、
を備えることを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項２】
前記配線層側凸部は、その側面の表面粗さの最大高さＲｍａｘが０．５〜３．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の素子搭載用基板。
【請求項３】
前記配線層側凸部は、その長手方向が、前記配線層の長手方向に対して交差する方向となる柱形状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の素子搭載用基板。
【請求項４】
前記配線層側凸部は、円錐形状、四角錐形状または三角錐形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の素子搭載用基板。
【請求項５】
前記配線層側凸部は、その先端に向かう斜面の傾きが先端に近付くにつれて大きくなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項６】
前記配線層側凸部は、前記配線層の前記第１の絶縁樹脂層と対向する側の面の底部からの高さが５〜２５μｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項７】
前記配線層側凸部は、所定のパターンに配列された複数の突起からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項８】
前記複数の突起は、互いに相似形であることを特徴とする請求項７に記載の素子搭載用基板。
【請求項９】
前記樹脂層側凸部は、円錐形状、四角錐形状または三角錐形状であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項１０】
前記樹脂層側凸部は、その先端に向かう斜面の傾きが先端に近付くにつれて大きくなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項１１】
前記樹脂層側凸部は、前記第２の絶縁樹脂層の前記第１の絶縁樹脂層と対向する側の面の底部からの高さが５〜２５μｍであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項１２】
前記樹脂層側凸部は、所定のパターンに配列された複数の突起からなることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項１３】
前記複数の突起は、互いに相似形であることを特徴とする請求項１２に記載の素子搭載用基板。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかに記載の素子搭載用基板と、
前記素子搭載用基板が備える前記突起電極と接合された素子電極が設けられた半導体素子と、
備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体モジュールを搭載することを特徴とする携帯機器。
【請求項１６】
絶縁樹脂層と配線層とが積層された素子搭載用基板の製造方法であって、
配線層用の金属板の一方の主表面に突起電極用のメインバンプを形成するとともにメインバンプとは異なる複数のサブバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記金属板の一方の主表面と第１の絶縁樹脂層とを、前記複数のサブバンプの先端が前記第１の絶縁樹脂層の内部に位置するように接合する接合工程と、
前記金属板のうち、前記複数のサブバンプの一部が形成されている領域を除去する除去工程と、
前記除去工程によって前記サブバンプが除去された後に凹部が形成された前記第１の絶縁樹脂層を覆うように第２の絶縁樹脂層を積層する積層工程と、
を有することを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１７】
前記バンプ形成工程において、メインバンプを形成するためのマスクの形状と、サブバンプを形成するためのマスクの形状とを異ならせることを特徴とする請求項１６に記載の素子搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子搭載用基板およびその製造方法、半導体モジュール、ならびに携帯機器に関する。特に、フリップチップ実装方法により半導体素子を搭載可能な素子搭載用基板とその製造方法、当該素子搭載用基板を含む半導体モジュール等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴い、電子機器に使用される半導体装置のさらなる小型化が求められている。例えば、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれる半導体パッケージ技術が急速に普及している。ＣＳＰは、チップ上の電極からパッケージ表面に格子状に配置されたはんだバンプにかけて再配線を形成するため、半導体ピッチ上に挟ピッチで配置された素子電極の配置に制約を受けず、チップの大きさに近い半導体パッケージを得ることができる。【０００３】
また、このようなＣＳＰと呼ばれる半導体装置を配線基板上にフェイスダウンボンディング方式と呼ばれる方法により実装する技術が知られている。特許文献１には、このような技術において、シリコン基板と封止膜との熱膨張係数差に起因する応力を小さくするために、封止膜の特性をその厚さ方向で異ならせた半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２２０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述の半導体装置は、封止膜が種類の異なる複数の層で構成されているため、製造工程の複雑化やコストの上昇を招く。また、この構成で改善されるとされているのは、半導体装置と配線基板との接合部分、特にはんだバンプ近傍の接合部分である。そのため、配線と絶縁膜との密着性や、封止膜と絶縁膜との密着性については更なる改善の余地がある。【０００６】
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体素子を搭載可能な基板において、内部の異なる層同士の密着性を向上させる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の素子搭載用基板は、第１の絶縁樹脂層と、第１の絶縁樹脂層の一方の主表面に設けられた配線層と、第１の絶縁樹脂層と配線層とを覆う第２の絶縁樹脂層と、配線層と電気的に接続され、配線層から第１の絶縁樹脂層の側へ突出しているとともに第１の絶縁樹脂層を貫通するように設けられた突起電極と、配線層から第１の絶縁樹脂層の側へ突出しているとともにその先端が第１の絶縁樹脂層の内部に位置するように設けられた配線層側凸部と、第２の絶縁樹脂層から第１の絶縁樹脂層の側へ突出しているとともにその先端が第１の絶縁樹脂層の内部に位置するように設けられた樹脂層側凸部と、を備える。【０００８】
この態様によると、配線層側凸部によって配線層と第１の絶縁樹脂層との密着性を向上させるとともに、樹脂層側凸部によって第１の絶縁樹脂層と第２の絶縁樹脂層との密着性を向上させる。【０００９】
配線層側凸部は、その側面の表面粗さの最大高さＲｍａｘが０．５〜３．０μｍであってもよい。また、配線層側凸部は、その長手方向が、配線層の長手方向に対して交差する方向となる柱形状に形成されていてもよい。また、配線層側凸部は、円錐形状、四角錐形状または三角錐形状であってもよい。ここで、円錐形状とは、数学的に完全な円錐だけではなく、積層方向と垂直な断面が楕円であってもよい。また、凸部の先端に向かって細くなるものであれば、凸部の斜面の傾斜は一定でなくてもよい。例えば、配線層側凸部は、その先端に向かう斜面の傾きが先端に近付くにつれて大きくなってもよい。また、配線層側凸部は、配線層の第１の絶縁樹脂層と対向する側の面の底部からの高さが５〜２５μｍであってもよい。また、配線層側凸部は、所定のパターンに配列された複数の突起からなってもよい。また、複数の突起は、互いに相似形であってもよい。【００１０】
樹脂層側凸部は、円錐形状、四角錐形状または三角錐形状であってもよい。ここで、円錐形状とは、数学的に完全な円錐だけではなく、積層方向と垂直な断面が楕円であってもよい。また、凸部の先端に向かって細くなるものであれば、凸部の斜面の傾斜は一定でなくてもよい。例えば、樹脂層側凸部は、その先端に向かう斜面の傾きが先端に近付くにつれて大きくなってもよい。また、樹脂層側凸部は、第２の絶縁樹脂層の第１の絶縁樹脂層と対向する側の面の底部からの高さが５μｍ〜２５μｍであってもよい。また、樹脂層側凸部は、所定のパターンに配列された複数の突起からなってもよい。また、複数の突起は、互いに相似形であってもよい。【００１１】
本発明の別の態様は、半導体モジュールである。この半導体モジュールは、素子搭載用基板と、素子搭載用基板が備える突起電極と接合された素子電極が設けられた半導体素子と、備える。【００１２】
この態様によると、半導体モジュールにおいて、素子搭載用基板と素子電極との接続信頼性の向上が図られる。【００１３】
本発明のさらに別の態様は、携帯機器である。この携帯機器は、半導体モジュールを搭載する。【００１４】
この態様によると、携帯機器において、素子搭載用基板を介した他の部品との接続信頼性の向上が図られ、ひいては携帯機器の動作信頼性の向上が図られる。【００１５】
本発明のさらに別の態様は、素子搭載用基板の製造方法である。この方法は、絶縁樹脂層と配線層とが積層された素子搭載用基板の製造方法であって、配線層用の金属板の一方の主表面に突起電極用のメインバンプを形成するとともにメインバンプとは異なる複数のサブバンプを形成するバンプ形成工程と、前記金属板の一方の主表面と第１の絶縁樹脂層とを、前記複数のサブバンプの先端が前記第１の絶縁樹脂層の内部に位置するように接合する接合工程と、前記金属板のうち、前記複数のサブバンプの一部が形成されている領域を除去する除去工程と、前記除去工程によって前記サブバンプが除去された後に凹部が形成された前記第１の絶縁樹脂層を覆うように第２の絶縁樹脂層を積層する積層工程と、を有する。【００１６】
この態様によると、余分な工程を追加することなく、配線層と第１の絶縁樹脂層との密着性を向上させるとともに、第１の絶縁樹脂層と第２の絶縁樹脂層との密着性を向上させることができる。【００１７】
バンプ形成工程において、メインバンプを形成するためのマスクの形状と、サブバンプを形成するためのマスクの形状とを異ならせてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、半導体素子を搭載可能な基板において、内部の異なる層同士の密着性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施の形態に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの構成を示す概略断面図である。
【図２】銅板に形成されたサブバンプを上面から見た光学顕微鏡写真を示す図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面に相当するＳＥＭ写真を示す図である。
【図４】銅板に形成されたメインバンプを上面から見た光学顕微鏡写真を示す図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ断面に相当するＳＥＭ写真を示す図である。
【図６】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図７】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図８】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図９】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【図１４】第３の実施の形態に係る銅板の加工工程を示した工程断面図である。
【図１５】サブバンプを利用して配線層側凸部および樹脂層側凸部が設けられた半導体モジュールの断面図である。
【図１６】第４の実施の形態に係る携帯電話の構成を示す図である。
【図１７】図１６に示した携帯電話の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組合せは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
【００２１】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る素子搭載用基板１００および半導体モジュール１の構成を示す概略断面図である。半導体モジュール１は、素子搭載用基板１００に、半導体素子３００がフリップチップ接続された構成を有する。
【００２２】
半導体素子３００は、半導体基板３１０と、素子電極３３０と、素子保護層３４０とを含む。
【００２３】
半導体基板３１０は、例えば、Ｐ型シリコンウエハである。半導体基板３１０の主表面Ｓ１側（図１の上面側）には、周知の技術により集積回路（ＩＣ）または大規模集積回路（ＬＳＩ）（図示せず）が形成されている。
【００２４】
実装面となる主表面Ｓ１には、集積回路に接続された素子電極３３０が設けられている。素子電極３３０は、電極部３３１と、電極部３３１の表面に積層された金属層３３２とを含む。電極部３３１の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの金属が用いられる。金属層３３２は、電極部３３１に接するニッケル（Ｎｉ）からなるＮｉ層３３４と、Ｎｉ層３３４上に積層された金（Ａｕ）からなるＡｕ層３３６を含み、金属層３３２はＮｉ／Ａｕ層となっている。
【００２５】
半導体基板３１０の主表面Ｓ１上には、金属層３３２が露出するように素子保護層３４０が形成されている。素子保護層３４０としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）やポリイミド（ＰＩ）膜などが好適である。
【００２６】
素子搭載用基板１００は、絶縁樹脂層（第１の絶縁樹脂層）１０と、絶縁樹脂層１０の一方の主表面に設けられた配線層（再配線層）２０と、配線層２０と電気的に接続され、配線層２０から絶縁樹脂層１０側に突出している突起電極３０と、を備えている。
【００２７】
絶縁樹脂層１０は、絶縁性の樹脂からなり、配線層２０と半導体素子３００との接着層としての役割を有する。絶縁樹脂層１０としては、ＮＣＦ （Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）と呼ばれるフィルム状の接着樹脂や、加圧により塑性流動を引き起こす絶縁材料が用いられる。
【００２８】
加圧により塑性流動を引き起こす絶縁材料としては、エポキシ系熱硬化型樹脂が挙げられる。絶縁樹脂層１０に用いられるエポキシ系熱硬化型樹脂は、例えば、温度１６０℃、圧力８ＭＰａの条件下で、粘度が１ｋＰａ・ｓの特性を有する材料であればよい。また、このエポキシ系熱硬化型樹脂は、例えば、温度１６０℃の条件下で、５〜１５ＭＰａで加圧した場合に、加圧しない場合と比較して、樹脂の粘度が約１／８に低下する。これに対して、熱硬化前のＢステージのエポキシ樹脂は、ガラス転移温度Ｔｇ以下の条件下では、樹脂を加圧しない場合と同程度に、粘性がなく、加圧しても粘性は生じない。絶縁樹脂層１０の厚さは、例えば、約４５μｍである。
【００２９】
配線層２０は、絶縁樹脂層１０の半導体素子３００と反対側の主表面に設けられており、導電材料、好ましくは圧延金属、さらに好ましくは圧延銅により形成されている。圧延銅は、めっき処理等によって形成された銅からなる金属膜と比較すると、機械的強度の点において強く、再配線のための材料として優れている。なお、配線層２０は電解銅などで形成されてもよい。配線層２０は、電極形成領域２２と、これに連続して延在する配線領域２４とを有している。配線層２０の厚さは、例えば、約２０μｍである。
【００３０】
そして、電極形成領域２２には、半導体素子３００の素子電極３３０の位置に対応し、絶縁樹脂層１０を貫通する突起電極３０が突設されている。本実施の形態においては、配線層２０と突起電極３０とは一体的に形成されており、それにより配線層２０と突起電極３０との接続が確実になっている。また、配線層２０と突起電極３０とが一体的に形成されたことにより、半導体モジュール１の使用環境で発生する熱応力による配線層２０と突起電極３０との界面における亀裂（クラック）の発生などを防止できる。さらに、配線層２０と素子電極３３０との電気的な接続を、突起電極３０と素子電極３３０との圧着と同時にできることから、工程数が増大しないという効果を奏する。配線領域２４の端部領域には、後述するはんだボール５０が配置される、配線を兼ねたランド領域が形成されている。
【００３１】
突起電極３０は、配線層２０と一体的に形成された突起部３１と、突起部３１の頂部面３１ａに積層された金属層３２とからなり、配線層２０から絶縁樹脂層１０の側へ突出しているとともに絶縁樹脂層１０を貫通するように設けられている。金属層３２は、突起部３１に接するニッケル（Ｎｉ）からなるＮｉ層３４と、Ｎｉ層３４上に積層された金（Ａｕ）からなるＡｕ層３６を含み、金属層３２はＮｉ／Ａｕ層となっている。なお、金属層３２の層数は特に限定されず、少なくとも一層あればよい。
【００３２】
本実施の形態では、突起電極３０における突起部３１の頂部面３１ａに金属層３２が積層され、素子電極３３０における電極部３３１に金属層３３２が積層されている。そして、金属層３２と金属層３３２とが金−金接合することにより、突起電極３０と素子電極３３０とが電気的に接続されている。なお、突起電極３０と素子電極３３０とは、直に接続されていてもよい。突起電極３０の先端（頂部面）の径および基面の径は、それぞれ例えば、約４５μｍφおよび約６０μｍφである。また、突起電極３０および突起部３１の高さは、それぞれ例えば、約２５μｍおよび約２０μｍである。また、Ｎｉ層３４およびＡｕ層３６の厚さは、それぞれ例えば、約１μｍ〜約１５μｍおよび約０．０３μｍ〜約１μｍである。
【００３３】
配線層２０の絶縁樹脂層１０と反対側の主表面には、配線層２０の酸化などを防ぐための保護層（第２の絶縁樹脂層）４０が設けられている。保護層４０としては、ソルダーレジスト層などが挙げられる。保護層４０は、絶縁樹脂層１０と、少なくとも配線層２０の一部と、を覆う。また、保護層４０の所定の領域には開口部４２が形成されており、開口部４２によって配線層２０のランド領域が露出している。開口部４２内には外部接続電極としてのはんだボール５０が形成され、はんだボール５０と配線層２０とが電気的に接続されている。はんだボール５０を形成する位置、すなわち開口部４２の形成領域、言い換えれば配線層２０のランド領域は、例えば、再配線（配線層２０）で引き回した先の端部である。保護層４０の厚さは、例えば、約３０μｍである。
【００３４】
なお、上述の説明では、突起電極３０における突起部３１の頂部面３１ａ全面にめっき膜からなる金属層３２を形成した場合について説明したが、特にこれに限定されず、突起部３１の頂部面３１ａと側壁を覆うように金属層３２が形成されていてもよく、また、突起部３１の頂部面３１ａの一部のみに金属層３２が形成されていてもよい。
【００３５】
（各層同士の密着性向上）
上述のように、配線層２０と絶縁樹脂層１０との密着性、あるいは、絶縁樹脂層１０と保護層４０との密着性は、素子搭載用基板やそれを用いた半導体モジュールの信頼性に影響する。そこで、本実施の形態に係る素子搭載用基板１００では、各層が接する領域に、突起電極３０とは異なる凹凸が形成されている。このような凹凸の存在により各層同士の密着性が向上する。
【００３６】
このような凹凸を構成するものとして、素子搭載用基板１００は、配線層２０から絶縁樹脂層１０の側へ突出しているとともにその先端が絶縁樹脂層１０の内部に位置するように設けられた配線層側凸部５２と、保護層４０から絶縁樹脂層１０の側へ突出しているとともにその先端が絶縁樹脂層１０の内部に位置するように設けられた樹脂層側凸部５４と、を備える（図１参照）。このような配線層側凸部５２や樹脂層側凸部５４は、後述するサブバンプを利用して形成される。本実施の形態に係るサブバンプは、電極用のバンプではないが、それに類似した形状の突起が含まれる。また、本実施の形態に係るサブバンプは、配線用の銅板の加工過程において形成される。
【００３７】
図２は、銅板に形成されたサブバンプを上面から見た光学顕微鏡写真を示す図である。図３は、図２のＡ−Ａ断面に相当するＳＥＭ写真を示す図である。なお、サブバンプ５６は、後の工程の処理により配線層側凸部５２を構成したり、樹脂層側凸部５４の形成に寄与したりするものである。また、図２、図３に示すサブバンプ５６の高さは約７．２μｍであった。
【００３８】
図２に示すように、銅板の片側の面には、縦横にパターン配列された複数のサブバンプ５６が形成されている。また、複数のサブバンプ５６は、互いに相似形である。つまり、後述する製造方法において銅板をエッチングする際のマスク（レジストパターン）の大きさや配置を人為的に決定することで、所定のパターンに配列された複数のサブバンプ５６を形成することができる。なお、図２に示す写真でサブバンプ５６が全体的に黒い円となっているのは、上から見て平らな面がないことを示している。つまり、サブバンプ５６の先端が尖っており、おおよそ円錐形状であることを示している。また、図３に示すように、サブバンプ５６は、その先端に向かう斜面の傾きが先端に近付くにつれて大きくなっている。また、サブバンプ５６は、側面の裾部分の曲率が小さくその変化も滑らかになっている。このように、サブバンプ５６がおおよそ円錐形状であることにより、配線層２０と絶縁樹脂層１０とを接合する際に、サブバンプ５６が絶縁樹脂層１０に侵入する際の抵抗が小さくなる。なお、サブバンプ５６の形状は円錐形状に限られるものではない。
【００３９】
図４は、銅板に形成されたメインバンプを上面から見た光学顕微鏡写真を示す図である。図５は、図４のＢ−Ｂ断面に相当するＳＥＭ写真を示す図である。また、図４、図５に示すメインバンプ５８の高さは約１９．２μｍであった。
【００４０】
図４に示すように、銅板の片側の面には、縦横にパターン配列された複数のメインバンプ５８が形成されている。メインバンプ５８は、先端が平らな台形状である点が図２に示すサブバンプ５６と大きく異なる点である。また、複数のメインバンプ５８は、互いに相似形である。なお、メインバンプの高さや形状は、例えば、ウェットエッチングにおける銅板の移動速度を調整することで変えることができる。
【００４１】
このように形成されたサブバンプを配線層側凸部５２として用いることで、従来の単なる粗面化処理では得られない大きな凹凸を、絶縁樹脂層１０と配線層２０との境界に形成することが可能となる。その結果、素子搭載用基板１００の内部の異なる層である絶縁樹脂層１０と配線層２０との密着性が向上し、素子搭載用基板１００の信頼性が向上する。また、詳細は後述する製造方法の説明で触れるが、絶縁樹脂層１０と保護層４０との界面に形成された樹脂層側凸部５４によっても、配線層側凸部５２と同様の形状、作用により絶縁樹脂層１０と保護層４０との密着性が向上し、素子搭載用基板１００の信頼性が向上する。
【００４２】
（素子搭載用基板および半導体モジュールの製造方法）
第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法について図６〜図１２を参照して説明する。図６〜図１２は、第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【００４３】
まず、図６（ａ）に示すように、図１に示したような突起電極３０の突起部３１の高さと配線層２０の厚さとの和より少なくとも大きい厚さを有する金属板としての銅板２００を用意する。銅板２００としては圧延された銅からなる圧延金属が採用される。
【００４４】
次に、図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、銅板２００の一方の主表面に、突起電極３０の形成予定領域に対応したパターンに合わせてレジスト２１０を選択的に形成する。この際、前述のサブバンプ５６の形成予定領域に対応したパターンに合わせてレジスト２１１ａ，２１１ｂも選択的に形成する。なお、レジスト２１１ａは、サブバンプ５６のうち配線層側凸部５２を構成するサブバンプ５６ａ（後述）に対応したもの、レジスト２１１ｂは、サブバンプ５６のうち樹脂層側凸部５４の形成に寄与するサブバンプ５６ｂ（後述）に対応したものである。また、レジスト２１１ａ，２１１ｂは、所望の配線層側凸部５２や樹脂層側凸部５４の形状、大きさに応じて、適宜形状や大きさが設定されている。また、レジスト２１１ａとレジスト２１１ｂとは大きさや形状が異なっていてもよい。
【００４５】
突起電極３０の形成領域の配列は、複数のスクライブライン（後に、半導体基板３１０をスクライブにより分断するためのライン）によって複数の半導体モジュール形成領域に区画された半導体基板３１０の各素子電極３３０（図１参照）の位置に対応している。具体的には、ラミネータ装置を用いて銅板２００に所定膜厚のレジスト膜を貼り付け、突起電極３０およびサブバンプ５６ａ，５６ｂ（以下、適宜「サブバンプ５６」と称する）のパターンを有するフォトマスクを用いて露光した後、現像することによって、銅板２００の上にレジスト２１０，２１１ａ，２１１ｂ（以下、適宜「レジスト２１１」と称する）が選択的に形成される。なお、レジストとの密着性向上のために、レジスト膜のラミネート前に、銅板２００の表面に研磨、洗浄等の前処理を必要に応じて施すことが望ましい。
【００４６】
次に、図６（ｃ）に示すように、レジスト２１０，２１１をマスクとして塩化第二鉄溶液などの薬液を用いたウェットエッチング処理を行うことにより、銅板２００の表面から突出する所定の円錐台パターンの突起部３１および複数のサブバンプ５６を同じ条件で同時に形成する。この際、突起部３１および複数のサブバンプ５６の形状および寸法は前述のメインバンプ５８およびサブバンプ５６の通りである。突起部３１，サブバンプ５６を形成した後、レジスト２１０，２１１を剥離剤を用いて剥離する。ここで、突起部３１は、前述のメインバンプ５８に該当し、その形状等は、前述の通りである。
【００４７】
以上説明した工程により、配線層用の銅板２００の一方の主表面に、突起電極用のメインバンプとしての突起部３１と、複数のサブバンプ５６が同時にかつ一体的に形成される。なお、レジスト２１０に代えて銀（Ａｇ）などの金属マスクを採用してもよい。この場合には銅板２００とのエッチング選択比が十分確保されるため、突起電極３０のパターニングのさらなる微細化を図ることが可能となる。
【００４８】
次に、図７（ａ）に示すように、銅板２００の突起部３１が形成された側の主表面に、耐めっき性を有するレジスト２１２を突起部３１が埋没するように積層する。なお、レジスト２１０を設けた面と反対側（上面側）の全面にはレジスト保護膜（図示せず）を形成して銅板２００を保護しておくことが望ましい。
【００４９】
次に、図７（ｂ）に示すように、リソグラフィ法により突起部３１の頂部面３１ａが露出するように開口２１２ａを形成する。
【００５０】
次に、図７（ｃ）に示すように、レジスト２１２をマスクとして用い、開口２１２ａから露出している頂部面３１ａに、例えば電解めっき法により金属層としてのＮｉ層３４を形成する。次に、レジスト２１２をマスクとして用い、開口２１２ａから露出しているＮｉ層３４の表面に、例えば電解めっき法により金属層としてのＡｕ層３６を形成する。
【００５１】
次に、図８（ａ）に示すように、レジスト２１２を剥離剤を用いて剥離する。以上説明した工程により、銅板２００に突起電極３０およびサブバンプ５６が一体的に形成される。なお、必要に応じて、塩化第二鉄溶液などの薬液を用いたウェットエッチング処理などにより、突起電極３０が設けられた側と反対側の銅板２００の表面をエッチバックして、銅板２００を薄膜化する。この際、銅板２００の突起電極３０が形成された側の主表面にはレジスト保護膜（図示せず）を形成して突起電極３０、サブバンプ５６、および銅板２００を保護しておき、エッチング処理後に当該レジスト保護膜を除去する。これにより、銅板２００の厚さを所定の厚さ（配線層２０の厚さ）に調整することができる。
【００５２】
この後に、好ましくは、突起部３１やサブバンプ５６を含む銅板２００の一方の表面に粗化処理を施すとよい。粗化処理としては、例えば、ＣＺ処理（登録商標）などの薬液処理、プラズマ処理などが挙げられる。ＣＺ処理では、例えばギ酸と塩酸の混合液などからなる薬液に銅板２００を浸漬し、突起電極３０やサブバンプ５６の表面をエッチングすることで突起電極３０やサブバンプ５６の表面を粗化する。
【００５３】
本実施の形態では、銅板２００が圧延銅からなるため、突起電極３０やサブバンプ５６を形成する銅の結晶粒は、その長軸が突起電極３０の頂部面に平行に、短軸が突起電極３０の頂部面に略垂直となるように並んでいる。このため、突起電極３０やサブバンプ５６の表面の粗化処理によって、突起電極３０やサブバンプ５６の側面に銅の結晶粒に応じた凹凸を形成するとともに、突起電極３０の頂部面を略平坦に保つことができる。また、プラズマ処理の場合は、例えば６００Ｗの高周波出力、圧力が１．５Ｐａの条件下で、銅板２００を所定時間酸素４０ｓｃｃｍ、塩素６０ｓｃｃｍからなるプラズマガス雰囲気に曝し、突起電極３０やサブバンプ５６の表面をエッチングすることで突起電極３０やサブバンプ５６の表面を粗化する。なお、プラズマ処理の場合には、突起電極３０の頂部面を被覆して頂部面が粗化されないようにしておく。
【００５４】
このとき、突起電極３０やサブバンプ５６の側面の表面粗さの最大高さＲｍａｘは、０．５〜３．０μｍの範囲となっている。ここで、側面の表面粗さがＲｍａｘで０．５μｍよりも小さい場合には、突起電極３０やサブバンプ５６と絶縁樹脂層１０との間の密着性を向上させることができる所望のアンカー効果が得られにくく、３．０μｍよりも大きい場合には絶縁樹脂層１０が凹部内に入り込めずに、突起電極３０やサブバンプ５６と絶縁樹脂層１０との間に空間ができてしまうおそれがある。そして、その空間の発達により、熱応力が生じた際に、そこから突起電極３０やサブバンプ５６と絶縁樹脂層１０とが剥離しやすくなってしまう。そのため、凹凸は上記範囲内のものであることが好ましい。また所望のアンカー効果が得られる凹凸の程度は、実験によって求めることができる。なお、突起電極３０やサブバンプ５６の側面の表面粗さの最大高さＲｍａｘは、より好ましくは、１．０〜２．０μｍの範囲であるとよい。
【００５５】
次に、図８（ｂ）に示すように、突起電極３０が設けられた側の銅板２００の表面に、絶縁樹脂層１０を積層する。具体的には、銅板２００の一方の主表面と絶縁樹脂層１０とを、複数のサブバンプ５６の先端が絶縁樹脂層１０の内部に位置するように接合する。本実施の形態に係る絶縁樹脂層１０は、接着・絶縁の機能を持つフィルム状のエポキシ系接続材料である。この材料は、未硬化状態では優れた熱流動特性、機械特性、表面粘着性、光学特性を有している。また、この材料は、高い接続信頼性をもたらす硬化後の比較的低い線膨張係数と高い接着力を有している。具体的には、絶縁樹脂層１０は、樹脂未硬化状態において、ラミネート工程（８０℃程度）では良好なバンプ埋め込みを実現する高い流動性を有するとともに、後述するダイシング工程（室温）では切削に耐える機械特性を有する。
【００５６】
このような絶縁樹脂層１０を銅板２００に積層することにより、銅板２００の突起部３１やサブバンプ５６が絶縁樹脂層１０に容易に埋め込まれる（図８（ｃ）参照）。
【００５７】
次に、図９（ａ）に示すように、Ｏ２プラズマエッチングなどを用いて、突起電極３０の頂部面に設けられた金属層３２が露出するように絶縁樹脂層１０を薄膜化する。本実施の形態では、金属層３２の表面としてＡｕ層３６が露出する。
【００５８】
次に、図９（ｂ）に示すように、主表面Ｓ１にスクライブラインにより区画された素子電極３３０および素子保護層３４０を有する半導体モジュール形成領域が形成された半導体基板３１０（６インチ半導体ウエハ）を用意する。なお、図では、半導体基板３１０の一部として１つの半導体モジュールの要部が示されている。具体的には、Ｐ型シリコン基板などの半導体基板３１０内のそれぞれの半導体モジュール形成領域に対して、周知のリソグラフィ技術、エッチング技術、イオン注入技術、成膜技術、および熱処理技術などを組み合わせた半導体製造プロセスを用いて主表面Ｓ１に所定の集積回路とその外周縁部に素子電極３３０の電極部３３１を形成する。そして、これらの電極部３３１を除いた半導体基板３１０の主表面Ｓ１上に、絶縁性の素子保護層３４０を形成し、電極部３３１上にはＮｉ層３３４およびＡｕ層３３６からなる金属層３３２を積層して素子電極３３０とする。
【００５９】
次に、図９（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層１０の積層された銅板２００と半導体基板３１０とを、突起電極３０と素子電極３３０とが対向するように配置し、プレス装置を用いて、銅板２００と半導体基板３１０とを圧着する。これにより、図９（ｃ）に示すように、銅板２００、絶縁樹脂層１０、および半導体基板３１０が一体化され、突起電極３０と素子電極３３０とが圧着して、突起電極３０と素子電極３３０とが電気的に接続される。
【００６０】
次に、図１０（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、銅板２００の絶縁樹脂層１０と反対側の表面に、配線層２０の形成予定領域に対応したパターンのレジスト２１４を選択的に形成する。
【００６１】
次に、図１０（ｂ）に示すように、レジスト２１４をマスクとし、エッチング技術を用いて銅板２００を所定のパターンに加工することにより、配線層２０（再配線）を形成する。本実施の形態では、その際、銅板２００のうち複数のサブバンプ５６のうちサブバンプ５６ｂが形成されている領域Ｘも除去される。サブバンプ５６ｂが除去された絶縁樹脂層１０の表面には、サブバンプ５６ｂの形状に応じて円錐形状の凹部６０が形成される。凹部６０の表面は、粗面化処理されたサブバンプ５６ｂの表面形態が転写されている。このように形成された配線層２０は、突起電極３０が設けられた電極形成領域２２とこれに連続して延在する配線領域２４と、配線領域２４から絶縁樹脂層１０の側へ突出している配線層側凸部５２と、を有する。配線層側凸部５２は、その先端５２ａが絶縁樹脂層１０の内部に位置するように設けられている。
【００６２】
また、配線層側凸部５２は、サブバンプ５６ａがそのまま用いられているため、その側面の表面粗さの最大高さＲｍａｘが０．５〜３．０μｍの範囲である。また、配線層側凸部５２は、所定のパターンに配列された複数の突起とみなすことができ、また、互いに相似形である。また、配線層側凸部５２は、配線層２０の絶縁樹脂層１０と対向する側の面の底部２０ａからの高さｈ１が５〜２５μｍの範囲で設定されている。なお、この数値範囲は、基板の各層の厚みや材質に応じて実験や計算によって適宜算出すればよい。配線層２０を形成した後、レジスト２１４を剥離する。
【００６３】
次に、図１０（ｃ）に示すように、配線層２０および絶縁樹脂層１０の上に保護層（フォトソルダーレジスト層）４０を積層する。その際、保護層４０は、凹部６０を充填するように絶縁樹脂層１０を覆うことで、保護層４０から絶縁樹脂層１０の側へ突出しているとともにその先端が絶縁樹脂層１０の内部に位置する樹脂層側凸部５４が形成される。樹脂層側凸部５４は、サブバンプ５６ｂが除去されてできた凹部６０に保護層４０が充填されて形成されているため、その側面は、サブバンプ５６ｂの側面と同様の粗さを有している。
【００６４】
樹脂層側凸部５４は、サブバンプ５６ｂと同様、つまり配線層側凸部５２と同様の円錐形状である。したがって、その形状は配線層側凸部５２と同様の構成となる。また、複数の樹脂層側凸部５４は互いに相似形である。また、樹脂層側凸部５４は、保護層４０の絶縁樹脂層１０と対向する側の面の底部４０ａからの高さｈ２が５μｍ〜２５μｍであってもよい。また、本実施の形態に係る樹脂層側凸部５４は、所定のパターンに配列されている。
【００６５】
次に、図１１（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法により保護層４０の所定領域（はんだボール搭載領域）に開口部４２を形成する。
【００６６】
次に、図１１（ｂ）に示すように、保護層４０の開口部４２にスクリーン印刷法によりはんだボール５０を搭載する。具体的には、樹脂とはんだ材をペースト状にしたはんだペーストをスクリーンマスクにより所望の箇所に印刷し、はんだ溶融温度に加熱することではんだボール５０を形成し半導体モジュール１が完成する。
【００６７】
上述の各図では、説明の便宜のために半導体モジュールの一部を図示しているが、実際は、図１２（ａ）に示すように、複数の半導体モジュールが配列された半導体基板３１０の状態で製造されている。
【００６８】
そこで、図１２（ｂ）に示すように、複数の半導体モジュール形成領域４を区画するスクライブライン２に沿って半導体基板３１０の裏面（下面側）から半導体基板３１０をダイシングすることにより複数の半導体モジュール１に個別化する。この後、個別化された半導体モジュール１に対して薬液による洗浄処理を行うことで、ダイシング時に発生する残渣などを除去する。以上説明した工程により、半導体モジュール１を製造することができる。また、半導体基板３１０（半導体素子３００）を搭載しなかった場合には、素子搭載用基板１００が得られる。
【００６９】
以上説明した構成による作用効果を総括すると、第１の実施の形態に係る素子搭載用基板１００において、素子搭載用基板１００は、配線層２０から絶縁樹脂層１０の側へ突出しているとともにその先端が絶縁樹脂層１０の内部に位置するように設けられた配線層側凸部５２を有している。そのため、絶縁樹脂層１０と配線層２０との境界は大きな凹凸面となり、密着性が向上する。また、配線層側凸部５２はサブバンプ５６ａの段階でその側面が粗面化処理されているため、配線層側凸部５２と絶縁樹脂層１０との密着性、配線層２０と絶縁樹脂層１０との密着性が更に向上する。
【００７０】
加えて、素子搭載用基板１００は、保護層４０から絶縁樹脂層１０の側へ突出しているとともにその先端が絶縁樹脂層１０の内部に位置するように設けられた樹脂層側凸部５４を有している。そのため、保護層４０と絶縁樹脂層１０との境界は大きな凹凸面となり、密着性が向上する。また、樹脂層側凸部５４は、サブバンプ５６ｂが除去された凹部６０に保護層４０が充填されて形成されているため、粗面化されたサブバンプ５６ｂと同様の表面形態を有している。その結果、樹脂層側凸部５４と絶縁樹脂層１０との密着性、ひいては保護層４０と絶縁樹脂層１０との密着性が更に向上する。
【００７１】
また、本実施の形態に係る素子搭載用基板の製造方法は、図６（ａ）に示す工程において、レジスト２１０，２１１の大きさを適宜設定することで、配線層側凸部５２や樹脂層側凸部５４を形成するためのサブバンプ５６を、突起電極３０用の突起部３１と同時に形成することができる。また、樹脂層側凸部５４は、図１０（ｃ）に示す工程において、保護層４０により絶縁樹脂層１０を覆う段階で同時に形成される。つまり、本実施の形態に係る製造方法では、従来と比較して新たな工程を必要とせずに、配線層側凸部５２や樹脂層側凸部５４を有する素子搭載用基板１００を簡易に製造することができる。
【００７２】
なお、本実施の形態に係る配線層側凸部５２や樹脂層側凸部５４は、図１１（ｂ）に示すように、配線層２０や保護層４０の平坦な面である底部２０ａ，４０ａに対して突き出し、先が尖った形状となっているが、これに限られるものではない。例えば、配線層側凸部や樹脂層側凸部の先端が平坦面であってもよい。
【００７３】
（第２の実施の形態）
上述した第１の実施の形態では、銅板２００と絶縁樹脂層１０とを接着した後に、絶縁樹脂層１０を介して銅板２００と半導体基板３１０とを圧着することにより半導体モジュール１を形成したが、以下のようにして半導体モジュール１を形成してもよい。以下、第２の実施の形態について説明する。なお、半導体モジュール１の基本的な構成、および突起電極３０の製造工程については、第１の実施の形態と基本的には同様である。このため、第１の実施の形態と同一の構成については同一の符号を付してその説明は適宜省略し、第１の実施の形態と異なる構成を中心に説明する。
【００７４】
図１３は、第２の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図である。
【００７５】
図１３に示すように、プレス装置を構成する一対の平板プレート（図示せず）の間に、銅板２００と、絶縁樹脂層１０と、半導体基板３１０（半導体素子３００）とを配置する。銅板２００は、突起電極３０が絶縁樹脂層１０側を向くようにして、絶縁樹脂層１０の一方の主表面側に配置し、半導体基板３１０は、絶縁樹脂層１０の他方の主表面側に配置する。この際に、対応する金属層３２と金属層３３２との位置合わせを行う。平板プレートは、例えば、ＳｉＣで形成される。そして、プレス装置を用いて、銅板２００と半導体基板３１０とを、絶縁樹脂層１０を介して圧着する。プレス加工時の圧力および温度は、それぞれ約５ＭＰａおよび２００℃である。
【００７６】
プレス加工により、絶縁樹脂層１０が塑性流動を起こし、突起電極３０が絶縁樹脂層１０を貫通する。そして、突起電極３０の頂部面３０ａの先端が素子電極３３０の表面（Ａｕ層３３６の表面）に到達して両者が接合され、さらに両者が圧着されて突起電極３０の頂部面３０ａが素子電極３３０に押圧されて変形する。これにより、両者の接合部が中央領域から周辺領域に向けて拡がっていく。その結果、図９（ｃ）に示したように、銅板２００、絶縁樹脂層１０、および半導体基板３１０（半導体素子３００）が一体化され、突起電極３０と素子電極３３０とが電気的に接続される。
【００７７】
絶縁樹脂層１０は、加圧により塑性流動を起こす絶縁材料からなり、また、突起電極３０は、その側面形状が先端に近付くにつれて径が細くなるような形状であるため、突起電極３０は絶縁樹脂層１０をスムーズに貫通する。本実施の形態では、銅板２００を絶縁樹脂層１０に圧着することで、突起電極３０が形成された側の銅板２００の主表面に絶縁樹脂層１０を積層している。
【００７８】
（第３の実施の形態）
上述の各実施の形態では、配線層側凸部５２や樹脂層側凸部５４を形成するためのサブバンプ５６の形状が、円錐または円錐台の場合について説明したが、銅板に以下のようなパターンを形成することにより、配線層側凸部や樹脂層側凸部を設けてもよい。図１４は、第３の実施の形態に係る銅板の加工工程を示した工程断面図である。なお、上述の実施の形態と同様の説明は適宜省略する。
【００７９】
第１の実施の形態と同様に突起電極３０の突起部３１の高さと配線層２０の厚さとの和より少なくとも大きい厚さを有する金属板としての銅板２００を用意する。
【００８０】
次に、図１４（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、銅板２００の一方の主表面に、突起電極３０の形成予定領域に対応したパターンに合わせてレジスト２１０を選択的に形成する。この際、後述する長方形のサブバンプの形成予定領域に対応したパターンに合わせてレジスト２１６ａ，２１６ｂも選択的に形成する。具体的には、ラミネータ装置を用いて銅板２００に所定膜厚のレジスト膜を貼り付け、突起電極３０およびサブバンプ６２のパターンを有するフォトマスクを用いて露光した後、現像することによって、銅板２００の上にレジスト２１０，２１６ａ，２１６ｂが選択的に形成される。なお、レジスト２１６ａは、サブバンプ６２のうち配線層側凸部６４（後述）を構成するサブバンプ６２ａに対応したもの、レジスト２１６ｂは、サブバンプ６２のうち樹脂層側凸部６６（後述）の形成に寄与するサブバンプ６２に対応したものである。また、レジスト２１６ａ，２１６ｂは、所望の配線層側凸部６４や樹脂層側凸部６６の形状、大きさに応じて、適宜形状や大きさが設定されている。また、レジスト２１６ａとレジスト２１６ｂとは大きさや形状が異なっていてもよい。
【００８１】
次に、図１４（ｂ）に示すように、レジスト２１０およびレジスト２１６ａ，２１６ｂ（以下、適宜「レジスト２１６」と称する）をマスクとして塩化第二鉄溶液などの薬液を用いたウェットエッチング処理を行うことにより、銅板２００の表面から突出する所定の円錐台パターンの突起部３１および複数の三角柱形状パターンのサブバンプ６２ａ，６２ｂ（以下、適宜「サブバンプ６２」と称する）を形成する。この際、突起部３１はその先端部に近付くにつれて径（寸法）が細くなるテーパ状の側面部を有するように形成される。突起部３１およびサブバンプ６２を形成した後、レジスト２１０，２１６を剥離剤を用いて剥離する。
【００８２】
図１４（ｃ）は、図１４（ｂ）に示す銅板２００を矢印Ｙ方向から見た場合の下面図である。なお、図１４（ｃ）に示す点線領域は、第１の実施の形態で説明した工程により最終的に配線層２０となる領域である。本実施の形態に係るサブバンプ６２ａは、配線層２０の長手方向と平行な方向の長さａよりも、配線層２０の長手方向に対して垂直な方向の長さｂが大きくなるように形成されている。換言すれば、サブバンプ６２ａは、その長手方向が、配線層２０の長手方向に対して交差する方向となる三角柱形状である。
【００８３】
図１５は、サブバンプ６２を利用して第１の実施の形態と同様に配線層側凸部６４および樹脂層側凸部６６が設けられた半導体モジュール１１の断面図である。図１５に示す半導体モジュール１１において、配線層が熱膨張により伸縮した場合、配線層２０の長手方向Ｚへの変位が相対的に大きくなる傾向がある。このような伸縮に対して、絶縁樹脂層１０と配線層２０との境界に設けられた配線層側凸部６４は、その長手方向が、配線層２０の長手方向Ｚに対して垂直となっているため、配線層２０が絶縁樹脂層１０に対して変位しにくくなる。その結果、加熱や高温時における絶縁樹脂層１０と配線層２０との密着性の改善が図られる。
【００８４】
（第４の実施の形態）
次に、上述の各実施の形態に係る半導体モジュール１を備えた携帯機器について説明する。なお、携帯機器として携帯電話に搭載する例を示すが、例えば、個人用携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルビデオカメラ（ＤＶＣ）、およびデジタルスチルカメラ（ＤＳＣ）といった電子機器であってもよい。
【００８５】
図１６は、第４の実施の形態に係る携帯電話の構成を示す図である。携帯電話１１１１は、第１の筐体１１１２と第２の筐体１１１４が可動部１１２０によって連結される構造になっている。第１の筐体１１１２と第２の筐体１１１４は可動部１１２０を軸として回動可能である。第１の筐体１１１２には文字や画像等の情報を表示する表示部１１１８やスピーカ部１１２４が設けられている。第２の筐体１１１４には操作用ボタンなどの操作部１１２２やマイク部１１２６が設けられている。第１の実施の形態に係る半導体モジュール１はこうした携帯電話１１１１の内部に搭載されている。
【００８６】
図１７は、図１６に示した携帯電話の部分断面図（第１の筐体１１１２の断面図）である。上述の各実施の形態に係る半導体モジュール１は、はんだボール５０を介してプリント基板１１２８に搭載され、こうしたプリント基板１１２８を介して表示部１１１８などと電気的に接続されている。また、半導体モジュール１の裏面側（はんだボール５０とは反対側の面）には金属基板などの放熱基板１１１６が設けられ、例えば、半導体モジュール１から発生する熱を第１の筐体１１１２内部にこもらせることなく、効率的に第１の筐体１１１２の外部に放熱することができるようになっている。
【００８７】
本発明の各実施の形態に係る半導体モジュールによれば、素子搭載用基板１００における配線層や絶縁樹脂層などの各層同士の密着性の向上が図られているため、素子搭載用基板１００を介した半導体素子３００とプリント基板１１２８との接続信頼性を高めることができる。そのため、こうした半導体モジュール１を搭載した本実施の形態に係る携帯機器について、動作信頼性の向上を図ることができる。
【００８８】
本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明は、素子搭載用基板およびその製造方法、半導体モジュール、ならびに携帯機器に利用できる。
【符号の説明】
【００９０】
１  半導体モジュール、  １０  絶縁樹脂層、  １１  半導体モジュール、  ２０  配線層、  ２０ａ  底部、  ２２  電極形成領域、  ２４  配線領域、  ３０  突起電極、  ３１  突起部、  ３２  金属層、  ４０  保護層、  ４０ａ  底部、  ４２  開口部、  ５０  ボール、  ５２  配線層側凸部、  ５２ａ  先端、  ５４  樹脂層側凸部、  ５６，５８  サブバンプ、  ６０  凹部、  ６２  サブバンプ、  ６４  配線層側凸部、
６６  樹脂層側凸部、  １００  素子搭載用基板、  ３００  半導体素子、  ３１０  半導体基板、  ３３０  素子電極、  １１１１  携帯電話。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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