(57)【要約】下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体。式中、Ａｒ１〜Ａｒ３のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ２を示す。但し、Ｘ１〜Ｘ３のうち２つが窒素原子であり、Ｘ１及びＸ３が同時に窒素原子になることはない。2012001969.tif 000054
2012001969.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
【化４６】
2012001969.tif 000050
［Ａｒ１〜Ａｒ３のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。
【化４７】
2012001969.tif 000051
（Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ２を示す。但し、Ｘ１〜Ｘ３のうち２つが窒素原子であり、Ｘ１及びＸ３が同時に窒素原子になることはない。
Ｒ１は、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ｒ２は、水素原子、又はＲ１で表わされる基である。
ａは１〜２の整数である。ｎは０〜３の整数である。
Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。
Ｌ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ａｒ１〜Ａｒ３のうち式（２）でない基は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
Ｌ１、Ｌ２、及びＡｒ１〜Ａｒ３のうち式（２）でない基が置換される場合の置換基は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜１４のアリール基、環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ａｒ１〜Ａｒ３のうち２つ以上が式（２）である場合、複数の式（２）は同じでも異なってもよい。
ａが２のとき複数のＲ１は同じでも異なってもよい。
ｎが２以上のとき複数のＬ２は同じでも異なってもよい。）］
【請求項２】
前記Ｌ１が、置換もしくは無置換のフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基のいずれかである請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項３】
前記Ａｒ１〜Ａｒ３のうち式（２）でない基が、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又は９，９−ジメチルフルオレニル基のいずれかである請求項１又は２に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項４】
下記式（６）〜（９）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体。
【化４８】
2012001969.tif 000052
［Ａｒ４〜Ａｒ７のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。
Ａｒ８〜Ａｒ１２のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。
Ａｒ１３〜Ａｒ１８のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。
Ａｒ１９〜Ａｒ２４のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。
【化４９】
2012001969.tif 000053
（Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ２を示す。但し、Ｘ１〜Ｘ３のうち２つが窒素原子であり、Ｘ１及びＸ３が同時に窒素原子になることはない。
Ｒ１は、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ｒ２は、水素原子、又はＲ１で表わされる基である。
ａは１〜２の整数である。ｎは０〜３の整数である。
Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。
Ｌ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ｌ１、Ｌ２の置換基は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ａｒ４〜Ａｒ２４のうち式（２）でない基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
Ｌ１１〜Ｌ１９は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。
Ａｒ４〜Ａｒ２４のうち式（２）でない基及びＬ１１〜Ｌ１９が置換される場合の置換基はそれぞれ独立に、それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜１４のアリール基、環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ａｒ４〜Ａｒ７、Ａｒ８〜Ａｒ１２、Ａｒ１３〜Ａｒ１８、Ａｒ１９〜Ａｒ２４のそれぞれのうち２つ以上が式（２）である場合、複数の式（２）は同じでも異なってもよい。
ａが２のとき複数のＲ１は同じでも異なってもよい。
ｎが２以上のとき複数のＬ２は同じでも異なってもよい。）］
【請求項５】
前記Ｌ１１〜Ｌ１９がそれぞれ独立に置換もしくは無置換のフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基のいずれかである請求項４に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項６】
前記Ａｒ４〜Ａｒ２４のうち式（２）でない基が、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又は９，９−ジメチルフルオレニル基のいずれかである請求項４又は５に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項７】
有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項８】
有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料である請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項９】
有機エレクトロルミネッセンス素子用燐光ホスト材料である請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１０】
陰極と陽極間に発光層を含む１以上の層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記有機薄膜層のうち少なくとも１つの層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層であり、前記芳香族アミン誘導体が前記正孔輸送層及び／又は正孔注入層の少なくとも１層に含有されている請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
前記芳香族アミン誘導体が主成分として正孔輸送層及び／又は正孔注入層の少なくとも１層に含有されている請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層のうち陽極に接する層が、アクセプター材料を含有する請求項１１又は１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
前記芳香族アミン誘導体及び金属錯体が前記発光層に含有され、前記発光層は燐光を発光する請求項１０〜１３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
前記金属錯体がイリジウム錯体である請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。【０００３】
初期の有機ＥＬ素子は、駆動電圧、発光効率及び耐久性が不十分であり、これら問題に対して様々な技術的改良がなされてきた。
有機ＥＬ素子の発光効率の向上及び長寿命化はディスプレイの消費電力の低下、耐久性の向上につながる重要な課題であり、さらなる改良が求められている。【０００４】
これら問題を解決すべく、特許文献１は、正孔輸送材料及び発光材料として用いることができるトリアリールアミン誘導体を開示している。このトリアリールアミン誘導体は電子を閉じ込める作用を有する。特許文献２は、ジアリールアミン又は含窒素複素環基がビフェニレン連結基によって結合した特定構造の化合物を開示している。【０００５】
特許文献３は、少なくとも２つの窒素原子を特定位置に含む複素環（ピリミジン、トリアジン等）の基を導入した化合物により、素子性能の向上を図っている。また、特許文献４は電子写真感光体として、ピリミジン骨格を有する化合物を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２２２５９０号公報
【特許文献２】特開２００５−０８５６５８号公報
【特許文献３】特開２００９−２４６０９７号公報
【特許文献４】特開平０２−０５２３６０号公報
【発明の概要】
【０００７】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子を高発光効率且つ長寿命とするために有用な芳香族アミン誘導体を提供することである。
【０００８】
本発明によれば、以下の芳香族アミン誘導体等が提供される。
１．下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
【化１】
2012001969.tif 000003
［Ａｒ１〜Ａｒ３のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。
【化２】
2012001969.tif 000004
（Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ２を示す。但し、Ｘ１〜Ｘ３のうち２つが窒素原子であり、Ｘ１及びＸ３が同時に窒素原子になることはない。
Ｒ１は、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ｒ２は、水素原子、又はＲ１で表わされる基である。
ａは１〜２の整数である。ｎは０〜３の整数である。
Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。
Ｌ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ａｒ１〜Ａｒ３のうち式（２）でない基は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
Ｌ１、Ｌ２、及びＡｒ１〜Ａｒ３のうち式（２）でない基が置換される場合の置換基は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜１４のアリール基、環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ａｒ１〜Ａｒ３のうち２つ以上が式（２）である場合、複数の式（２）は同じでも異なってもよい。
ａが２のとき複数のＲ１は同じでも異なってもよい。
ｎが２以上のとき複数のＬ２は同じでも異なってもよい。）］
２．前記Ｌ１が、置換もしくは無置換のフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基のいずれかである１に記載の芳香族アミン誘導体。
３．前記Ａｒ１〜Ａｒ３のうち式（２）でない基が、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又は９，９−ジメチルフルオレニル基のいずれかである１又は２に記載の芳香族アミン誘導体。
４．下記式（６）〜（９）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体。
【化３】
2012001969.tif 000005
［Ａｒ４〜Ａｒ７のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。
Ａｒ８〜Ａｒ１２のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。
Ａｒ１３〜Ａｒ１８のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。
Ａｒ１９〜Ａｒ２４のうち少なくとも１つは下記式（２）で表される。
【化４】
2012001969.tif 000006
（Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ２を示す。但し、Ｘ１〜Ｘ３のうち２つが窒素原子であり、Ｘ１及びＸ３が同時に窒素原子になることはない。
Ｒ１は、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ｒ２は、水素原子、又はＲ１で表わされる基である。
ａは１〜２の整数である。ｎは０〜３の整数である。
Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。
Ｌ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ｌ１、Ｌ２の置換基は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ａｒ４〜Ａｒ２４のうち式（２）でない基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
Ｌ１１〜Ｌ１９は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。
Ａｒ４〜Ａｒ２４のうち式（２）でない基及びＬ１１〜Ｌ１９が置換される場合の置換基はそれぞれ独立に、それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜１４のアリール基、環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ａｒ４〜Ａｒ７、Ａｒ８〜Ａｒ１２、Ａｒ１３〜Ａｒ１８、Ａｒ１９〜Ａｒ２４のそれぞれのうち２つ以上が式（２）である場合、複数の式（２）は同じでも異なってもよい。
ａが２のとき複数のＲ１は同じでも異なってもよい。
ｎが２以上のとき複数のＬ２は同じでも異なってもよい。）］
５．前記Ｌ１１〜Ｌ１９がそれぞれ独立に置換もしくは無置換のフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基のいずれかである４に記載の芳香族アミン誘導体。
６．前記Ａｒ４〜Ａｒ２４のうち式（２）でない基が、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又は９，９−ジメチルフルオレニル基のいずれかである４又は５に記載の芳香族アミン誘導体。
７．有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
８．有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料である１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
９．有機エレクトロルミネッセンス素子用燐光ホスト材料である１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
１０．陰極と陽極間に発光層を含む１以上の層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも１層が、１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．前記有機薄膜層のうち少なくとも１つの層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層であり、前記芳香族アミン誘導体が前記正孔輸送層及び／又は正孔注入層の少なくとも１層に含有されている１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１２．前記芳香族アミン誘導体が主成分として正孔輸送層及び／又は正孔注入層の少なくとも１層に含有されている１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１３．前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層のうち陽極に接する層が、アクセプター材料を含有する１１又は１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１４．前記芳香族アミン誘導体及び金属錯体が前記発光層に含有され、前記発光層は燐光を発光する１０〜１３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１５．前記金属錯体がイリジウム錯体である１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【０００９】
本発明によれば、有機ＥＬ素子を高発光効率且つ長寿命とするために有用な芳香族アミン誘導体が提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の芳香族アミン誘導体は下記式（１）で表わされる。
【化５】
2012001969.tif 000007
Ａｒ１〜Ａｒ３のうち少なくとも１つ（好ましくは１つ）は下記式（２）で表される。
【化６】
2012001969.tif 000008
Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ２を示す。但し、Ｘ１〜Ｘ３のうち２つが窒素原子である。ここで、Ｘ１及びＸ３が同時に窒素原子になることはない。
Ｒ１は、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ｒ２は、水素原子、又はＲ１で表わされる基である。
（Ｒ１）ａ−と−Ｌ１−（Ｌ２）ｎ−は、それぞれ６員環においてＸ１〜Ｘ３以外の炭素に結合する。
【００１１】
ａは１〜２の整数である。式（２）の６員環がピリミジン骨格の場合、ａは好ましくは２であり、ピリダジン骨格の場合、ａは好ましくは１である。
ｎは０〜３の整数である。ｎは好ましくは０〜１であり、より好ましくは０である。
Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。
Ｌ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ａｒ１〜Ａｒ３のうち式（２）でない基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。好ましくはそれぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又は９，９−ジメチルフルオレニル基のいずれかである。
【００１２】
Ｌ１、Ｌ２、及びＡｒ１〜Ａｒ３のうち式（２）でない基が置換される場合の置換基は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜１４のアリール基、環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ａｒ１〜Ａｒ３のうち２つ以上が式（２）である場合、複数の式（２）は同じでも異なってもよい。
ａが２のとき複数のＲ１は同じでも異なってもよい。
ｎが２以上のとき複数のＬ２は同じでも異なってもよい。
【００１３】
Ｌ１は好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、より好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリーレン基、特に好ましくは置換もしくは無置換のフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基のいずれかである。
Ｌ１の具体例としては以下が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００１４】
【化７】
2012001969.tif 000009
【００１５】
Ｌ２は好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、より好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２０のヘテロアリーレン基であり、特に好ましくは置換もしくは無置換のフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基のいずれかである。Ｌ２の具体例としては上記Ｌ１と同様の具体例が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００１６】
本発明の芳香族アミン誘導体（１）のうち、式（２）のＸ１〜Ｘ３を含む６員環が電子輸送部位、トリアリールアミン部分が正孔輸送部位として機能する。このような構造を有することで、芳香族アミン誘導体（１）は正孔と電子の両方を輸送することができる。
式（２）の６員環中に窒素原子が２つ存在するので、電子求引効果が高く、電子を引き込みすぎることなく、また電子求引効果が弱すぎることがないため好ましい。
【００１７】
式（２）の６員環として以下の化合物（左からピリダジン、ピリミジン）を挙げることができる。
【化８】
2012001969.tif 000010
【００１８】
一般的に、化合物を有機ＥＬ材料として用いる場合、電荷耐性が要求される。そのためには、本発明の化合物においてＸ１〜Ｘ３を含む６員環が置換基を有することが好ましい。
【００１９】
例えば、式（２）の６員環が上記に例示するピリダジンの場合３，６位の少なくとも１つ；ピリミジンの場合、２，４，６位の少なくとも１つに置換基を有すると好ましい。
従って、Ｒ１及びＲ２は、好ましくは電気化学的に安定な置換基であり、例えば環形成炭素数６〜５０のアリール基、環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、フッ素原子又はシアノ基である。
これらの好ましい置換基は、アミン化合物の電気化学的な安定性を高め、電荷耐性が強くなり、寿命が長くなる傾向がある。
【００２０】
また、Ｘ１〜Ｘ３を含む６員環は、式（１）の化合物のＬＵＭＯ準位、及びＬＵＭＯにおける電子分布領域を決定すると考えられる。本発明の材料は、従来のＮＰＤ等、電子輸送部位を有さない化合物と比較すると、ＬＵＭＯ準位が深く、かつ化合物のＨＯＭＯとＬＵＭＯそれぞれにおける電子分布領域を明確に分け、即ちエネルギーギャップ（Ｅｇ）が大きくなる。
ＨＯＭＯとＬＵＭＯそれぞれにおける電子分布領域が明確に分かれていると、化合物が還元された場合に、優先的にＬＵＭＯに電子が入るため化合物の安定性が向上する。電子分布領域が明確に分かれていると、ＨＯＭＯに電子が入ることなく安定であると考えられる。
【００２１】
一般的に、正孔輸送部位（正孔耐性大）となるためには、正孔が発生する酸化条件下において耐性が大きいことが求められる。
アミンにアルキルやヘテロアリールが直結すると、電子密度が高くなり、酸化に対して耐性が出ないと考えられる。耐性を大きくするためには、アミンには電子密度が中性的なアリール基を直結させる必要があると考えられる。従って、上記芳香族アミン誘導体のトリアリールアミン部分は正孔輸送部位となり得ると考えられる。
尚、アミンに直結するアリール基に、アルキルやヘテロアリールが置換する場合は、電子密度が高くなることがないため耐性を有すると考えられる。
【００２２】
上述したように、本発明の芳香族アミン誘導体は電荷耐性があるため、正孔輸送層又は正孔注入層に用いたときこれらの層の劣化を防ぐことができ、素子の寿命が向上すると考えられる。またワイドギャップとなるため、三重項励起子を発光層に閉じ込め三重項励起子同士の衝突により一重項励起子を生成し発光させること（ＴＴＦ効果）により効率が向上すると考えられる。
【００２３】
また、本発明の芳香族アミン誘導体は、正孔と電子の両方を輸送できるので、白色有機ＥＬ素子の電荷障壁層として用いることができる。電荷輸送性が高いため、低電圧駆動が可能となり、ワイドギャップとなるため、キャリアバランスを調整することが可能であり、発光効率が高く、長寿命となる。
【００２４】
さらに、本発明の芳香族アミン誘導体は燐光ホスト等に用いることができる。キャリアバランスに優れるため、再結合確率が増し、効率が上昇する。また、発光領域が正孔輸送層側に偏らないため、正孔輸送層の劣化を防ぐことができ寿命が向上する。
【００２５】
本発明の芳香族アミン誘導体が燐光発光有機ＥＬ素子の発光層に用いられる場合、芳香族アミン誘導体は好ましくは下記式で表わされる。
【化９】
2012001969.tif 000011
式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｌ１、Ｌ２、ｎ、Ｘ１〜Ｘ３、Ｒ１は上記式（１），（２）と同じである。
【００２６】
より好ましくは下記式で表わされる。
【化１０】
2012001969.tif 000012
式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｌ１、Ｌ２、ｎ、Ｒ１は上記式（１），（２）と同じである。
【００２７】
さらに、本発明の芳香族アミン誘導体は下記式（６）〜（９）のいずれかで表すことができる。
【化１１】
2012001969.tif 000013
【００２８】
Ａｒ４〜Ａｒ７のうち少なくとも１つ、Ａｒ８〜Ａｒ１２のうち少なくとも１つ、Ａｒ１３〜Ａｒ１８のうち少なくとも１つ、及びＡｒ１９〜Ａｒ２４のうち少なくとも１つは上記式（２）で表される。好ましくは１つ又は２つである。
Ａｒ４〜Ａｒ２４のうち式（２）でない基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。好ましくはそれぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又は９，９−ジメチルフルオレニル基のいずれかである。
【００２９】
Ｌ１１〜Ｌ１９は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。好ましくはそれぞれ独立に置換もしくは無置換のフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基のいずれかである。式（１）のＬ１と同様の基を例示できる。２つの窒素原子の間にヘテロ環（ヘテロアリーレン基）を有さないので正孔移動度が低下することなく、駆動電圧が高くなりすぎないため、好ましい。
【００３０】
Ａｒ４〜Ａｒ２４のうち式（２）でない基及びＬ１１〜Ｌ１９が置換される場合の置換基（前記「置換もしくは無置換」の置換基を意味する。）は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数６〜１４のアリール基、環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
【００３１】
本明細書において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とは環（飽和環、不飽和環、及び芳香環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。
「無置換」とは、水素原子が置換したことを意味し、本発明の水素原子には、軽水素、重水素、三重水素が含まれる。
【００３２】
上記式（１）、（２）、（６）〜（９）におけるＲ１、Ｒ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１１〜Ｌ１９、Ａｒ１〜Ａｒ２４で示される各基及びこれらの置換基について、以下に詳細に述べる。
【００３３】
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
上記炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がさらに好ましい。中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が好ましい。
【００３４】
シクロアルキル基として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。環形成炭素数は、３〜１０が好ましく、３〜８がさらに好ましい。
【００３５】
置換のシリル基としては、炭素数３〜３０のアルキルシリル基（例えば炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基）、環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基（例えば環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基）、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）等が挙げられ、例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
【００３６】
アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、ベンゾ［g］クリセニル基、トリフェニレニル基、１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、９−フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられる。
アリーレン基としては、上記のアリール基に対応する２価の基が挙げられる。
【００３７】
上記アリール基は、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１２であり、上述したアリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、１−ナフチル基が特に好ましい。
【００３８】
ヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられる。
【００３９】
上記ヘテロアリール基の環形成原子数は、５〜２０が好ましく、５〜１４がさらに好ましい。
好ましくは、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基である。
【００４０】
ハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
【００４１】
上記の式（６）〜（９）の芳香族アミン誘導体も、式（１）の芳香族アミン誘導体と同様に、電子輸送部位と正孔輸送部位を有し、また好ましくは電荷耐性を有し、同様の効果を奏する。
【００４２】
本発明の芳香族アミン誘導体（１），（６）〜（９）の例を以下に示す。
【化１２】
2012001969.tif 000014
【化１３】
2012001969.tif 000015
【化１４】
2012001969.tif 000016
【化１５】
2012001969.tif 000017
【化１６】
2012001969.tif 000018
【化１７】
2012001969.tif 000019
【化１８】
2012001969.tif 000020
【化１９】
2012001969.tif 000021
【化２０】
2012001969.tif 000022
【化２１】
2012001969.tif 000023
【化２２】
2012001969.tif 000024
【化２３】
2012001969.tif 000025
【化２４】
2012001969.tif 000026
【化２５】
2012001969.tif 000027
【化２６】
2012001969.tif 000028
【００４３】
上記の本発明の芳香族アミン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、例えば、正孔輸送材料、燐光ホスト材料や白色素子の電荷障壁層として使用できる。
【００４４】
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に、少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されていて、この有機薄膜層の少なくとも１層が上記の芳香族アミン誘導体を含有する。
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極、発光層及び陰極がこの順に積層していれば特に限定されず、その他の１以上の有機層又は無機層をさらに有してもよい。
【００４５】
本発明の有機ＥＬ素子は、好ましくは、上記有機薄膜層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層を含み、上記の芳香族アミン誘導体が正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層に含有される。正孔輸送層及び／又は正孔注入層は、芳香族アミン誘導体から実質的になる（芳香族アミン誘導体を主成分として含有する）ように構成してもよいし、芳香族アミン誘導体のみから構成してもよい。
【００４６】
また、本発明の有機ＥＬ素子において、上記芳香族アミン誘導体を発光層に含有させて、燐光発光素子としてよい。
このとき、発光層は上記芳香族アミン誘導体に加えて、後述する燐光性ドーパント（金属錯体）を含有すると好ましく、イリジウム錯体を含有するとより好ましい。
【００４７】
有機ＥＬ素子の素子構成として、例えば下記の第１〜３の実施形態が挙げられる。これら実施形態において、発光層は、複数の発光層の積層体であってもよい。また、陽極と発光層の間には正孔輸送帯域を設けることが好ましい。
【００４８】
＜第１の実施形態＞
本実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層を少なくとも１つ有する素子構成を有する。具体的な構成例を以下に示す。
（１）陽極／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
【００４９】
＜第２の実施形態＞
本実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層（発光層を含むユニット）を少なくとも２つ有するタンデム素子構成を有する。
２つの発光層の間に電荷発生層（ＣＧＬとも呼ぶ）を介在させ、ユニット毎に電子輸送帯域を設けることができる。
【００５０】
タンデム素子構成の具体的な構成の例を以下に示す。
（４）陽極／正孔注入・輸送層／蛍光発光層／電荷発生層／蛍光発光層／電子注入・輸送層／陰極
（５）陽極／正孔注入・輸送層／蛍光発光層／電子注入・輸送層／電荷発生層／蛍光発光層／陰極
（６）陽極／正孔注入・輸送層／蛍光発光層／電子注入・輸送層／電荷発生層／蛍光発光層／障壁層／陰極
（７）陽極／正孔注入・輸送層／燐光発光層／電荷発生層／蛍光発光層／電子注入・輸送層／陰極
（８）陽極／正孔注入・輸送層／蛍光発光層／電子注入・輸送層／電荷発生層／燐光発光層／陰極
【００５１】
＜第３の実施形態＞
本実施形態の有機ＥＬ素子は、複数の発光層を備え、複数の発光層のいずれか２つの発光層の間に電荷障壁層を有する。
【００５２】
第３の実施形態にかかる好適な有機ＥＬ素子の構成として、特許第４１３４２８０号公報、米国公開特許公報ＵＳ２００７／０２７３２７０Ａ１、国際公開公報ＷＯ２００８／０２３６２３Ａ１に記載されているような、陽極、第１発光層、電荷障壁層、第２発光層及び陰極がこの順に積層された構成において、第２発光層と陰極の間に三重項励起子の拡散を防止するための障壁層を有する電子輸送帯域を有する構成が挙げられる。ここで電荷障壁層とは隣接する発光層との間でＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位のエネルギー障壁を設けることにより、発光層へのキャリア注入を調整し、発光層の注入される電子と正孔のキャリアバランスを調整する目的を有する層である。
【００５３】
このような構成の具体的な例を以下に示す。
（９）陽極／正孔注入・輸送層／第１発光層／電荷障壁層／第２発光層／電子注入・輸送層／陰極
（１０）陽極／正孔注入・輸送層／第１発光層／電荷障壁層／第２発光層／第３発光層／電子注入・輸送層／陰極
また、本明細書中で「正孔注入・輸送層」は「正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくともいずれか一方」を意味し、「電子注入・輸送層」は「電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくともいずれか一方」を意味する。
【００５４】
正孔注入層及び／又は正孔輸送層のうち陽極に接する層が、アクセプター材料を含有することが好ましい。
このような構成によれば、後述の特許に記載された効果により低電圧駆動及び高効率発光が実現する。
アクセプター材料としては、特許公報第３６１４４０５号、３５７１９７７号又は米国特許４，７８０，５３６に記載されているヘキサアザトリフェニレン誘導体等の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物、酸化モリブデン等の電子受容性無機酸化物、ＴＣＮＱ誘導体等の電子受容性有機化合物等も好適に使用することができる。
【００５５】
アクセプター材料としては、下記一般式（１０）又は（１１）で表されるものが好ましく用いられる。
【化２７】
2012001969.tif 000029
【００５６】
上記一般式（１０）中、Ｒ７〜Ｒ１２は、それぞれ独立にシアノ基、−ＣＯＮＨ２、カルボキシル基、もしくは−ＣＯＯＲ１３（Ｒ１３は、炭素数１〜２０のアルキル基である。）を表すか、又は、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０、もしくはＲ１１及びＲ１２が、互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を表す。
上記アルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のものが挙げられ、好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８のものであり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００５７】
【化２８】
2012001969.tif 000030
上記式（１１）中、Ａｒは、環形成炭素数６〜２４の縮合環、又は環形成原子数６〜２４の複素環である。ａｒ１及びａｒ２は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、下記式（ｉ）もしくは（ｉｉ）である。
【００５８】
【化２９】
2012001969.tif 000031
｛式中、Ｘ１１及びＸ１２は互いに同一でも異なっていてもよく、下記式（ａ）〜（ｇ）で表わされる二価の基のいずれかである。
【００５９】
【化３０】
2012001969.tif 000032
【００６０】
式中、Ｒ６１〜Ｒ６４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０の複素環基であり、Ｒ６２とＲ６３は互いに結合して環を形成してもよい。
【００６１】
一般式（１１）中のＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の炭素数６〜５０のアリールオキシ基、又はシアノ基である。Ｒ５１〜Ｒ５４のうち互いに隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。Ｙ１〜Ｙ４は互いに同一でも異なっていてもよく、−Ｎ＝、−ＣＨ＝、又はＣ（Ｒ５５）＝であり、Ｒ５５は、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の炭素数６〜５０のアリールオキシ基、又はシアノ基である。
【００６２】
また本発明の有機ＥＬ素子は好ましくは、有機薄膜層の少なくとも一層、好ましくは発光層に、下記式（５−１）で表されるアントラセン誘導体又は下記式（５−２）で表されるピレン誘導体の少なくとも１種を含有する。好ましくは、発光層が、下記式（５−１）で表されるアントラセン誘導体又は下記式（５−２）で表されるピレン誘導体をホストとして含有する。
【００６３】
（アントラセン誘導体）
式（５−１）で表されるアントラセン誘導体は、下記化合物である。
【化３１】
2012001969.tif 000033
式（５−１）中、Ａｒ１０１及びＡｒ１０２は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基、置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基、又は単環基と縮合環基との組合せから構成される基であり、Ｒ１０１〜Ｒ１０８は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基、置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基、単環基と縮合環基との組合せから構成される基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基から選ばれる基である。
【００６４】
式（５−１）における、単環基とは、縮合構造を有さない環構造のみで構成される基である。
環形成原子数５〜５０の単環基（好ましくは環形成原子数５〜３０、より好ましくは環形成原子数５〜２０）として具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基等の芳香族基と、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、フリル基、チエニル基等の複素環基が好ましい。
中でも、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基が好ましい。
【００６５】
式（５−１）における、縮合環基とは、２環以上の環構造が縮環した基である。
前記環形成原子数８〜５０の縮合環基（好ましくは環形成原子数８〜３０、より好ましくは環形成原子数８〜２０）として具体的には、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、クリセニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾクリセニル基、インデニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基等の縮合芳香族環基や、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、キノリル基、フェナントロリニル基等の縮合複素環基が好ましい。
中でも、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾアントリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基が好ましい。
【００６６】
式（５−１）における、アルキル基、シリル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子の具体例は、上述の式（１）、（２）、（６）〜（９）におけるＲ１、Ｒ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１１〜Ｌ１９、Ａｒ１〜Ａｒ２４で示される各基及びこれらの置換基の具体例と同様である。
【００６７】
アルコキシ基は、−ＯＹと表され、Ｙの例として上記のアルキルの例が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基である。
【００６８】
アリールオキシ基は、−ＯＺと表され、Ｚの例として上記のアリール基又は、後述する単環基及び縮合環基の例が挙げられる。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。
【００６９】
アラルキル基は、−Ｙ−Ｚと表され、Ｙの例として上記のアルキルの例に対応するアルキレンの例が挙げられ、Ｚの例として上記のアリールの例が挙げられる。アラルキル基は、炭素数７〜５０のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜４９（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、特に好ましくは６〜１２）、アルキル部分は炭素数１〜４４（好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜２０、さらに好ましくは１〜１０、特に好ましくは１〜６））であることが好ましく、例えばベンジル基、フェニルエチル基、２−フェニルプロパン−２−イル基である。
【００７０】
以下に、式（５−１）における好ましい具体例のみを挙げる。
Ａｒ１０１、Ａｒ１０２、Ｒ１０１〜Ｒ１０８の「置換若しくは無置換」の好ましい置換基として、単環基、縮合環基、アルキル基、シクロアルキル基、シリル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子（特にフッ素）が好ましく、特に好ましくは、単環基、縮合環基であり、好ましい具体例は上述の式（５−１）及び式（１），（２），（６）〜（９）について記載した通りである。
【００７１】
式（５−１）で表されるアントラセン誘導体は、下記アントラセン誘導体（Ａ）、（Ｂ）、及び（Ｃ）のいずれかであることが好ましく、適用する有機ＥＬ素子の構成や求める特性により選択される。
【００７２】
（アントラセン誘導体（Ａ））
当該アントラセン誘導体は、式（５−１）におけるＡｒ１０１及びＡｒ１０２が、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基である。当該アントラセン誘導体としては、Ａｒ１０１及びＡｒ１０２が同一の置換若しくは無置換の縮合環基である場合、及び異なる置換若しくは無置換の縮合環基である場合に分けることができる。
【００７３】
式（５−１）におけるＡｒ１０１及びＡｒ１０２が異なる（置換位置の違いを含む）置換若しくは無置換の縮合環基であるアントラセン誘導体が特に好ましく、縮合環の好ましい具体例は上述した通りである。中でもナフチル基、フェナントリル基、ベンズアントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基が好ましい。
【００７４】
（アントラセン誘導体（Ｂ））
当該アントラセン誘導体は、式（５−１）におけるＡｒ１０１及びＡｒ１０２の一方が置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基であり、他方が置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基である。
好ましい形態として、Ａｒ１０２がナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基であり、Ａｒ１０１が単環基又は縮合環基が置換されたフェニル基である。
好ましい単環基、縮合環基の具体的な基は上述した通りである。
別の好ましい形態として、Ａｒ１０２が縮合環基であり、Ａｒ１０１が無置換のフェニル基である。この場合、縮合環基として、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基が特に好ましい。
【００７５】
（アントラセン誘導体（Ｃ））
当該アントラセン誘導体は、式（５−１）におけるＡｒ１０１及びＡｒ１０２が、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基である。
好ましい形態として、Ａｒ１０１、Ａｒ１０２ともに置換若しくは無置換のフェニル基である。
さらに好ましい形態として、Ａｒ１０１が無置換のフェニル基であり、Ａｒ１０２が単環基、縮合環基を置換基として有するフェニル基である場合と、Ａｒ１０１、Ａｒ１０２がそれぞれ独立に単環基、縮合環基を置換基として有するフェニル基である場合がある。
前記置換基としての好ましい単環基、縮合環基の具体例は上述した通りである。さらに好ましくは、置換基としての単環基としてフェニル基、ビフェニル基、縮合環基として、ナフチル基、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基である。
【００７６】
下記式（５−２）で表されるピレン誘導体は以下の化合物である。
【化３２】
2012001969.tif 000034
式（５−２）中、Ａｒ１１１及びＡｒ２２２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である。
Ｌ２１及びＬ２２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の２価のアリール基又は複素環基を示す。
ｍは０〜１の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜１の整数、ｔは０〜３の整数である。
また、Ｌ２１又はＡｒ１１１はピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ２２又はＡｒ２２２はピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
【００７７】
一般式（５−２）におけるＬ２１及びＬ２２は、好ましくは置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチレン基、置換もしくは無置換のターフェニレン基及び置換もしくは無置換のフルオレニレン基及びこれら置換基の組合せからなる２価のアリール基である。
また、この置換基としては、上記の「置換もしくは無置換の・・・」における置換基と同様である。Ｌ２１及びＬ２２の置換基は、好ましくは、炭素数１〜２０のアルキル基である。
【００７８】
一般式（５−２）におけるｍは、好ましくは０〜１の整数である。一般式（５−２）におけるｎは、好ましくは１〜２の整数である。一般式（５−２）におけるｓは、好ましくは０〜１の整数である。一般式（５−２）におけるｔは、好ましくは０〜２の整数である。
Ａｒ１１１及びＡｒ２２２のアリール基は、上記の各基と同様である。
好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、より好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１６のアリール基、アリール基の好ましい具体例としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ビフェニル基、アントリル基、ピレニル基である。
【００７９】
発光層は、発光材料の他に、発光性ドーパント（燐光性ドーパント及び／又は蛍光性ドーパント）を含有してもよい。
【００８０】
蛍光性ドーパントは一重項励起子から発光することのできる化合物である。蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて選ばれる化合物であることが好ましく、スチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物がより好ましく、縮合多環アミン誘導体がさらに好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。
【００８１】
縮合多環アミン誘導体としては、下記式（１２）で表されるものが好ましい。
【化３３】
2012001969.tif 000035
式（１２）中、Ｙは環形成炭素数１０〜５０の置換もしくは無置換の縮合アリール基を示す。
Ａｒ２０１、Ａｒ２０２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基を示す。
【００８２】
縮合アリール基とは、上記アリール基の中で２環以上の環構造が縮環した基である。
縮合アリール基としては、環形成炭素数１０〜５０（好ましくは環形成炭素数１０〜３０、より好ましくは環形成炭素数１０〜２０）の縮合アリール基であり、上記アリール基の具体例中、好ましくは、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ナフタセニル基等が挙げられる。
【００８３】
Ｙの具体例としては、上記の縮合アリール基が挙げられ、好ましくは置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のクリセニル基である。
【００８４】
Ａｒ２０１、Ａｒ２０２の好ましい例としては、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基等である。Ａｒ２０１、Ａｒ２０２の置換基の好ましい例としては、アルキル基、シアノ基、置換もしくは無置換のシリル基である。
ｎは１〜４の整数である。ｎは１〜２の整数であることが好ましい。
【００８５】
スチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記式（１７）及び（１８）で表されるものが好ましい。
【００８６】
【化３４】
2012001969.tif 000036
【００８７】
式（１７）中、Ａｒ３０１はｋ価の基であり、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、スチリルアリール基、ジスチリルアリール基に対応するｋ価の基であり、Ａｒ３０２及びＡｒ３０３はそれぞれ環形成炭素数が６〜２０のアリール基であり、Ａｒ３０１、Ａｒ３０２及びＡｒ３０３は置換されていてもよい。
ｋは１〜４の整数であり、そのなかでもｋは１〜２の整数であるのが好ましい。Ａｒ３０１〜Ａｒ３０３のいずれか一つはスチリル基を含有する基である。さらに好ましくはＡｒ３０２又はＡｒ３０３の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。
ここで、環形成炭素数が６〜２０のアリール基としては、具体的には上述したアリール基が挙げられ、好ましくはフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。
【００８８】
式（１８）中、Ａｒ３０４〜Ａｒ３０６は、ｖ価の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基である。ｖは１〜４の整数であり、そのなかでもｖは１〜２の整数であるのが好ましい。
ここで、式（１８）中の環形成炭素数が６〜４０のアリール基としては、具体的には上述したアリール基が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基又はピレニル基で示されるアリール基が好ましい。
【００８９】
尚、前記アリール基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、環形成炭素数６〜４０のアリール基、環形成炭素数６〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、環形成炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００９０】
燐光性ドーパントは、常温において最低励起三重項状態から光学的エネルギー失活をすることのできる化合物である。
前記燐光性ドーパントは、金属錯体を含有し、前記金属錯体は、Ｉｒ，Ｐｔ，Ｏｓ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｅ及びＲｕから選択される金属原子と、配位子と、を有することが好ましい。特に、前記配位子は、オルトメタル結合を有することが好ましい。
燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、Ｉｒ，Ｏｓ及びＰｔから選ばれる金属原子を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体及び白金錯体がより好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が最も好ましい。
好ましい金属錯体の具体例を、以下に示す。
【００９１】
【化３５】
2012001969.tif 000037
【化３６】
2012001969.tif 000038
【化３７】
2012001969.tif 000039
【化３８】
2012001969.tif 000040
【００９２】
電子注入・輸送材料としては、電子を輸送する能力を有し、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。
【００９３】
本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素複素環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００９４】
前記含窒素複素環誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、ベンズイミダゾール、イミダゾピリジン等が好ましく、中でもベンズイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体が好ましい。
好ましい形態として、これらの電子注入材料にさらにドーパントを含有し、陰極からの電子の受け取りを容易にするため、より好ましくは第２有機層の陰極界面近傍にアルカリ金属で代表されるドーパントをドープする。
ドーパントとしては、ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体が挙げられ、これら還元性ドーパントは１種単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００９５】
上記の他、有機ＥＬ素子の基板、陽極、陰極等の部材は、ＷＯ２００９／１０７５９６Ａ１、ＷＯ２００９／０８１８５７Ａ１、ＵＳ２００９／０２４３４７３Ａ１、ＵＳ２００８／００１４４６４Ａ１、ＵＳ２００９／００２１１６０Ａ１等に記載の公知のものを適宜選択して用いることができる。
【実施例】
【００９６】
合成例１〜１４において製造した中間体の構造は以下の通りである。
【化３９】
2012001969.tif 000041
【００９７】
合成例１（中間体１の合成）
４−ブロモベンズアルデヒド（２５ｇ，１３５ｍｍｏｌ）、アセトフェノン（１６．２ｇ，１３５ｍｍｏｌ）をエタノール（２００ｍＬ）に加え、さらに３Ｍ水酸化カリウム水溶液（６０ｍＬ）を加えて室温で７時間攪拌した。析出した固体をろ過、メタノールで洗浄し、白色固体（２８．３ｇ、収率７３％）を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により、中間体１と同定した。【００９８】
合成例２（中間体２の合成）
中間体１（２０ｇ，６９．７ｍｍｏｌ）、ベンズアミジン塩酸塩（１０．８ｇ，６９．７ｍｍｏｌ）をエタノール（３００ｍＬ）に加え、さらに水酸化ナトリウム（５．６ｇ，１４０ｍｍｏｌ）を加えて８時間加熱還流した。析出した固体をろ過し、ヘキサンで洗浄し、白色固体（１０．３ｇ、収率３８％）を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２と同定した。【００９９】
合成例３（中間体３の合成）
合成例１において、アセトフェノンの代わりに１−アセチルナフタレンを２３．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３４．１ｇ（収率７５％）の白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３と同定した。【０１００】
合成例４（中間体４の合成）
合成例２において、中間体１の代わりに中間体３を２３．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１０．７ｇ（収率３５％）の白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体４と同定した。【０１０１】
合成例５（中間体５の合成）
合成例１において、アセトフェノンの代わりに２−アセチル−９，９−ジメチルフルオレンを３１．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３９．２ｇ（収率７２％）の白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体５と同定した。【０１０２】
合成例６（中間体６の合成）
合成例２において、中間体１の代わりに中間体５を２８．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１４．４ｇ（収率４１％）の白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体６と同定した。【０１０３】
合成例７（中間体７の合成）
アルゴン気流下、３００ｍＬの三つ口フラスコにＮ−フェニル−１−ナフチルアミンを１１．１ｇ、４−ヨードブロモベンゼンを１５．６ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）１．９ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン２．０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム８．６ｇ及び脱水トルエン１００ｍＬを入れ、１１０℃にて８時間反応した。反応終了後、トルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製した。トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１６．８ｇの白色粉末を得た。【０１０４】
アルゴン気流下、３００ｍＬの三つ口フラスコに上記白色粉末１６．８ｇ、脱水キシレン１００ｍＬを加え、−３０℃に冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）を３０ｍＬ入れ１時間反応した。−７０℃に冷却した後、ホウ酸トリイソプロピルを２８ｍＬ入れた。ゆっくり昇温し、室温で１時間撹拌した。１０％塩酸溶液３２ｍＬを加え撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。ヘキサンで洗浄することにより白色粉末を７．５ｇ得た。【０１０５】
合成例８（中間体８の合成）
合成例７において、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンの代わりにジフェニルアミンを８．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．６ｇの白色粉末を得た。【０１０６】
合成例９（中間体９の合成）
合成例７において、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンの代わりにＮ，Ｎ−ビスビフェニルアミンを１６．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１０．０ｇの白色粉末を得た。【０１０７】
合成例１０（中間体１０の合成）
アルゴン雰囲気下、１−アセトアミド１８.５ｇ、中間体２を３８.７ｇ、炭酸カリウム５４．４ｇ、銅粉１．３ｇ、及びデカリン２００ｍＬを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。反応後冷却し、トルエン２００ｍＬを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４５０ｍＬに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３００ｍＬを加え、結晶を析出させた。これを濾取し、１７.５ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１０と同定した。【０１０８】
合成例１１（中間体１１の合成）
３００ｍＬの三つ口フラスコに、中間体１０を１７.５ｇ、エチレングリコール５００ｍＬ、水５ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液２１gを添加後、１２０℃で８時間反応した。反応終了後、水１Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン３００ｍＬに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１４.５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１１と同定した。【０１０９】
合成例１２（中間体１２の合成）
アルゴン気流下、１０００ｍＬの三つ口フラスコに４−ブロモビフェニルを４７ｇ、ヨウ素を２３ｇ、過ヨウ素酸２水和物を９．４ｇ、水を４２ｍＬ、酢酸を３６０ｍＬ、硫酸を１１ｍＬ入れ６５℃で３０分撹拌後、９０℃で６時間反応した。反応物を氷水に注入し、ろ過した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより６７ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１２と同定した。【０１１０】
合成例１３（中間体１３の合成）
アルゴン気流下、ジフェニルアミンを５．１ｇ、中間体１２を１０．８ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム３ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（II）０．５ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ｍＬを入れ、１３０℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、３．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１３と同定した。【０１１１】
合成例１４（中間体１４の合成）
アルゴン気流下、３００ｍＬの三つ口フラスコにジフェニルアミンを２５．８ｇ、４−ヨードブロモベンゼンを４６．８ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）５．７ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン６．０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム２５．８ｇ及び脱水トルエン３００ｍＬを入れ、１１０℃にて８時間反応した。反応終了後、トルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製した。トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、４３．８ｇの白色粉末を得た。
アルゴン雰囲気下、上記白色固体を３２．４ｇ、１−アセトアミド１８.５ｇ、炭酸カリウム５４.４ｇ、銅粉１．３ｇ及びデカリン２００ｍＬを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。反応後冷却し、トルエン２００ｍＬを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４５０ｍＬに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３００ｍＬを加え、析出晶を１７.５ｇ濾取した。
これに４，４’−ジヨードビフェニル１２ｇ、炭酸カリウム１６.３ｇ、銅粉０．４ｇ及びデカリン６０ｍＬを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。
反応後冷却し、トルエン６０ｍＬを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム１４０ｍＬに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン１００ｍＬを加え、析出晶を３８.２ｇ濾取した。
これをエチレングリコール１５０ｍＬ、水１.５ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液４.４gを添加後、１２０℃で８時間反応した。反応後、水１Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン１００ｍＬに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１４と同定した。【０１１２】
実施例１〜１０において製造した本発明の芳香族アミン誘導体の構造は以下の通りである。
【化４０】
2012001969.tif 000042
【０１１３】
実施例１（芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の製造）
アルゴン雰囲気下、中間体８（２．９ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、中間体２（３．９ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（０．２１ｇ，０．２ｍｍｏｌ）、トルエン（３０ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１５ｍＬ）を加えて８０℃で７時間攪拌した。反応液に水を加えて固体を析出させ、固体をメタノールで洗浄した。得られた固体を濾過、熱トルエンで洗浄し、乾燥したところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、前記淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ１）と同定した。【０１１４】
実施例２（芳香族アミン誘導体（Ｈ２）の製造）
実施例１において、中間体８の代わりに中間体７を３．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、前記淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ２）と同定した。【０１１５】
実施例３（芳香族アミン誘導体（Ｈ３）の製造）
実施例１において、中間体８の代わりに中間体９を４．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、前記淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ３）と同定した。【０１１６】
実施例４（芳香族アミン誘導体（Ｈ４）の製造）
アルゴン雰囲気下、ジ−４−ビフェニリルアミンを３．２ｇ、中間体２を３．９ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１．３ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム４６ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２１ｍｇ及び脱水トルエン５０ｍLを入れ、８０℃にて２時間反応させた。
冷却後、水５００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、４．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、該淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ４）と同定した。【０１１７】
実施例５（芳香族アミン誘導体（Ｈ５）の製造）
実施例１において、中間体２の代わりに中間体４を４．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、前記淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ５）と同定した。【０１１８】
実施例６（芳香族アミン誘導体（Ｈ６）の製造）
実施例１において、中間体２の代わりに中間体６を５．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、前記淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ６）と同定した。【０１１９】
実施例７（芳香族アミン誘導体（Ｈ７）の製造）
実施例１において、中間体２の代わりに中間体６を５．０ｇ用い、中間体８の代わりに中間体７を３．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、前記淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ７）と同定した。【０１２０】
実施例８（芳香族アミン誘導体（Ｈ８）の製造）
実施例４において、中間体２を７．７ｇ用い、ジ−４−ビフェニリルアミンの代わりにＮ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを３．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、前記淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ８）と同定した。【０１２１】
実施例９（芳香族アミン誘導体（Ｈ９）の製造）
実施例４において、中間体２の代わりに中間体１３を８．０ｇ用い、ジ−４−ビフェニリルアミンの代わりに中間体１１を３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、前記淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ９）と同定した。【０１２２】
実施例１０（芳香族アミン誘導体（Ｈ１０）の製造）
実施例４において、中間体２を７．７ｇ用い、ジ−４−ビフェニリルアミンの代わりに中間体１４を６．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、前記淡黄色粉末を芳香族アミン誘導体（Ｈ８）と同定した。【０１２３】
実施例１−１（有機ＥＬ素子の製造）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記電子受容性化合物（Ｃ−１）を蒸着し、膜厚１０ｎｍのＣ−１膜を成膜した。このＣ−１膜上に、正孔輸送材料として前記実施例１で得た芳香族アミン誘導体（Ｈ１）を蒸着し、膜厚７０ｎｍの正孔輸送層を成膜した。さらに下記化合物（ＥＭ１）を蒸着し、膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリルアミン誘導体（Ｄ１）を、ＥＭ１とＤ１の重量比（ＥＭ１：Ｄ１）が４０：２になるように蒸着した。【０１２４】
この膜上に、下記有機金属錯体（Ａｌｑ）を膜厚１０ｎｍとなるよう成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１２５】
【化４１】
2012001969.tif 000043
【０１２６】
実施例１−２（有機ＥＬ素子の製造）
実施例１−１において、スチリルアミン誘導体（Ｄ１）の代わりに下記アリールアミン誘導体（Ｄ２）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１２７】
【化４２】
2012001969.tif 000044
【０１２８】
実施例１−３（有機ＥＬ素子の製造）
実施例１−１において、電子輸送材料として有機金属錯体（Ａｌｑ）の代わりに下記ベンゾイミダゾール誘導体（ＥＴ１）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１２９】
【化４３】
2012001969.tif 000045
【０１３０】
比較例１−１〜１−３
実施例１−１において、正孔輸送材料として芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の代わりに表１に示す様に下記比較化合物１〜３のいずれかを用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率、駆動電圧及び発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１３１】
【化４４】
2012001969.tif 000046
【０１３２】
【表１】
2012001969.tif 000047
【０１３３】
表１より、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、公知の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子に比べ、低駆動電圧で高発光効率を得ることができ、さらに素子寿命が延びていることがわかる。【０１３４】
実施例２−１（有機ＥＬ素子の製造）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記電子受容性化合物（Ｃ−１）を蒸着し、膜厚５ｎｍのＣ−１膜を成膜した。このＣ−１膜上に、第１正孔輸送材料として下記芳香族アミン誘導体（Ｘ１）を蒸着し、膜厚５０ｎｍの第１正孔輸送層を成膜した。第１正孔輸送層の成膜に続けて、第２正孔輸送材料として下記芳香族アミン誘導体（Ｘ２）を蒸着し、膜厚６０ｎｍの第２正孔輸送層を成膜した。【０１３５】
さらに、この第２正孔輸送層上に、前記実施例１で得た芳香族アミン誘導体（Ｈ１）を蒸着し、膜厚４５ｎｍの発光層を成膜した。同時に燐光発光材料として下記化合物（Ｄ３）を共蒸着した。化合物Ｄ３の濃度は８．０質量％であった。この共蒸着膜は発光層として機能する。
そして、この発光層成膜に続けて下記化合物（ＥＴ２）を膜厚３０ｎｍで成膜した。このＥＴ１膜は電子輸送層として機能する。【０１３６】
次に、ＬｉＦを電子注入性電極（陰極）として成膜速度０．１オングストレーム／ｍｉｎで膜厚を１ｎｍとした。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着させ、金属陰極を膜厚８０ｎｍで形成し有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率を測定した結果を表２に示す。さらに初期輝度５０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２に示す。【０１３７】
【化４５】
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【０１３８】
実施例２−２〜２−４（有機ＥＬ素子の製造）
実施例２−１において、発光層材料として芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の代わりに、芳香族アミン誘導体（Ｈ２〜Ｈ４）を用いた以外は、実施例２−１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子の初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率を測定した結果を表２に示す。さらに初期輝度５０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２に示す。【０１３９】
比較例２−１、２−２（有機ＥＬ素子の製造）
実施例２−１において、発光層材料として芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の代わりに、上記比較化合物１及び比較化合物２を用いた以外は、実施例２−１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子の初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光効率を測定した結果を表２に示す。さらに初期輝度５０００ｃｄ／ｍ２、室温及びＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２に示す。【０１４０】
【表２】
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【０１４１】
表２より、本発明の芳香族アミン誘導体を発光層に用いた有機ＥＬ素子は、比較化合物に比べ、高い発光効率が得られ、長寿命化することがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。【０１４３】
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。
【国際調査報告】
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