(57)【要約】  有機ＥＬ素子を用いた表示装置で、ユーザーシーンに応じて「正面輝度（光取り出し効率）の優先モード」か「広い視野角特性の優先モード」を選択できるものを提供する。  情報信号を伝達するための複数の情報信号線（５１）と、走査信号を伝達するための複数の走査信号線（５２）と、情報信号線と走査信号線に電気的に接続されると共に、夫々が有機ＥＬ素子を有する複数の画素を備えた表示装置であって、情報信号を保持し、保持された情報信号に応じて電流を出力する駆動部（５９）を有し、少なくとも一部画素は同じ色相で、かつ視野角特性が異なる第１領域（３１１）と第２領域（３１２）とを有しており、第１領域に設けられた有機ＥＬ素子と第２領域に設けられた有機ＥＬ素子の夫々を独立して点灯或いは消灯させる切替え回路（６０）が設けられている。
2011145174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報信号を伝達するための複数の情報信号線と、
走査信号を伝達するための複数の走査信号線と、
前記情報信号線と前記走査信号線に電気的に接続されると共に、夫々が有機ＥＬ素子を有する複数の画素と、を有する表示装置において、
前記情報信号を保持し、前記保持された前記情報信号に応じて前記有機ＥＬ素子へ電流を出力する駆動部が前記画素の夫々に設けられると共に、
前記画素の少なくとも一部の画素には、同じ色相で、かつ視野角特性が異なる第１領域と第２領域が形成されており、
前記一部の画素には、前記第１領域に設けられた有機ＥＬ素子と前記第２領域に設けられた有機ＥＬ素子の夫々を独立して点灯或いは消灯させる切替え回路が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記駆動部は、
電流出力トランジスタと、前記電流出力トランジスタのゲート電極に電気的に接続されるキャパシタと、前記走査信号に応じて前記情報信号を前記キャパシタへ伝達するスイッチング素子を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記切替え回路は、前記駆動部と接続された第１スイッチ素子と第２スイッチ素子とを備え、前記第１スイッチ素子は前記電流出力トランジスタと前記第１領域の有機ＥＬ素子の間に接続され、前記第２スイッチ素子は前記電流出力トランジスタと前記第２領域の有機ＥＬ素子の間に接続されており、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子のＯＮ／ＯＦＦを独立して切替ることにより、前記第１領域の有機ＥＬ素子又は／及び前記第２領域の有機ＥＬ素子を独立して点灯或いは消灯させることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記駆動部における前記電流出力トランジスタは第１電流出力トランジスタと、第２電流出力トランジスタとを有し、
前記切替え回路は、第１スイッチ素子と第２スイッチ素子とを備え、
前記第１スイッチ素子は、前記第１電流出力トランジスタと前記第１領域の有機ＥＬ素子の間に接続され、
前記第２スイッチ素子は前記第２電流出力トランジスタと前記第２領域の有機ＥＬ素子の間に接続されており、
前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子のＯＮ／ＯＦＦを独立して切替ることにより、前記第１領域の有機ＥＬ素子又は／及び第２領域の有機ＥＬ素子を独立して点灯或いは消灯させることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記切替え回路は、第１電源と第２電源とを備えており、
前記第１領域の有機ＥＬ素子及び前記第２領域の有機ＥＬ素子は、夫々基板に対して、下部電極、発光層、上部電極をこの順に有しており、
前記電流出力トランジスタは、前記第１領域の有機ＥＬ素子の下部電極及び前記第２領域の有機ＥＬ素子の下部電極に接続し、
前記第１電源は前記第１領域の有機ＥＬ素子の上部電極に接続され、
前記第２電源は前記第２領域の有機ＥＬ素子の上部電極に接続されており、
前記第１電源と前記第２電源の電位を独立して切替ることにより、
前記第１領域の有機ＥＬ素子又は／及び前記第２領域の有機ＥＬ素子を独立して点灯或いは消灯させることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記駆動部の電流出力トランジスタは第１電流出力トランジスタと第２電流出力トランジスタとを有し、
前記切替え回路は、第１電源と第２電源とを備え、
前記第１領域の有機ＥＬ素子及び前記第２領域の有機ＥＬ素子は、夫々基板に対して下部電極、発光層、及び上部電極をこの順に有しており、
前記第１電流出力トランジスタは、前記第１領域の有機ＥＬ素子の下部電極に接続され、
前記第２電流出力トランジスタは、前記第２領域の有機ＥＬ素子の下部電極に接続され、
前記第１電源は前記第１領域の有機ＥＬ素子の上部電極に接続され、
前記第２電源は前記第２領域の有機ＥＬ素子の上部電極に接続されており、
前記第１電源と前記第２電源の電位を独立して切替ることにより、
前記第１領域の有機ＥＬ素子又は／及び前記第２領域の有機ＥＬ素子を独立して点灯或いは消灯させることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２領域の有機ＥＬ素子には、マイクロレンズが設けられていることを特徴とする請求項１及至請求項６の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１領域の有機ＥＬ素子の光学干渉条件と、前記第２領域の有機ＥＬ素子の光学干渉条件が異なっており、前記第１領域の方が前記第２領域よりも視野角が広い光学干渉条件となっていることを特徴とする請求項１及至請求項６の何れか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｅｎｔ）素子を用いた表示装置に関するものである。特に、ユーザーシーンに応じて、視野角の切替えが可能な表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、有機ＥＬ素子を封止する酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）膜上に樹脂からなるマイクロレンズアレイを配置して、正面への光取りだし効率を向上させる表示装置が開示されている。【０００３】
また、特許文献２には、視野角が異なる画素を同時に発光させる構成や、或いは１つの画素に視野角が異なる２つの領域を持たせ、この２つの領域を同時に発光させることが可能な表示装置が開示されている。これにより、正面輝度を向上させつつ、広い視野角を達成することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−０３９５００号公報
【特許文献２】特開２００６−３０２８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１のようにマイクロレンズアレイを用いることにより正面方向の輝度は向上するが、斜め方向の輝度は減少してしまう。
このような表示装置では、広い視野角特性が求められる場面においては対応できない表示装置となってしまう。
なお、これはマイクロレンズアレイを用いた有機ＥＬ素子に限った課題ではなく、光学干渉の効果を有する有機ＥＬ素子でも同様に生じる課題である。【０００６】
一方、特許文献２では、正面輝度を向上させ、かつ広い視野角を達成できるものの、ユーザーシーンに応じて、正面輝度（光取り出し効率）が優先のモードか、広視野角が優先のモードかを選択する余地がなかった。【０００７】
そこで、本発明の目的は、ユーザーシーンに応じて、正面輝度（光取り出し効率）が優先のモード（すなわち狭い視野角特性を有するモード）と、広い視野角特性を有するモードとを、切替えることが可能な有機ＥＬ素子を備えた表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を解決するために、以下の構成を提供する。
すなわち、情報信号を伝達するための複数の情報信号線と、走査信号を伝達するための複数の走査信号線と、前記情報信号線と前記走査信号線に電気的に接続されると共に、夫々が有機ＥＬ素子を有する複数の画素とを有する表示装置において、前記情報信号を保持し、前記保持された前記情報信号に応じて前記有機ＥＬ素子へ電流を出力する駆動部が前記画素の夫々に設けられると共に、前記画素の少なくとも一部の画素には、同じ色相で、かつ視野角特性が異なる第１領域と第２領域とを有しており、前記一部の画素には、前記第１領域に設けられた有機ＥＬ素子と前記第２領域に設けられた有機ＥＬ素子の夫々を独立して点灯或いは消灯させる切替え回路が設けられていることを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【０００９】
上述した本発明の構成によれば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置で、ユーザーシーンに応じて、正面輝度（光取り出し効率）の向上させたモードか、広い視野角特性を有するモードかを切替可能な表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明にかかる画像表示装置を示す概略全体図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ素子を示す部分断面図である。
【図３】本発明の実施形態の画素配置である。
【図４】本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の視野角―輝度の特性を示す図である。
【図５】実施例１に係る有機ＥＬパネルの概略図である。
【図６】実施例１に係る有機ＥＬ素子を含んだ画素回路である。
【図７】実施例１に係る画素配置である。
【図８】実施例１に係る画素の断面図である。
【図９】実施例１に係る画素の断面図である。
【図１０】実施例２に係る有機ＥＬ素子を含んだ画素回路である。
【図１１】実施例３に係る有機ＥＬパネルの概略図である。
【図１２】実施例３に係る有機ＥＬ素子を含んだ回路構成である。
【図１３】実施例３に係る画素配置である。
【図１４】実施例３に係る画素の断面図である。
【図１５】実施例４に係る有機ＥＬ素子を含んだ回路構成である。
【図１６】実施例５に係る画素の断面図である。
【図１７】実施例５に係る有機ＥＬ素子の視野角―輝度の特性を示すである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態に係る表示装置を参照して説明する。
図１に、ｍ行ｎ列の画素の有機ＥＬパネル１１の概略図を示す。
有機ＥＬパネル１１は、情報信号を伝達するための情報信号線１５と、情報信号線１５に情報信号を印加する情報信号線駆動回路１２を有する。更に、走査信号を伝達するための走査信号線１６と、走査信号線１６に走査信号を印加する走査信号線駆動回路１３を有する。更に、印加された電圧の値に従って画素に流す電流を制御する画素回路１４（ａ行目ｂ列目）、を有する。そして、画素回路１４は、有機ＥＬ素子を含み、有機ＥＬ素子は、アノード電極と、有機化合物層と、カソード電極とを有する構成である。
ここで、１つの画素は、各情報信号線１５と各走査信号線１６の交点に配置され（ａ行目ｂ列目）、ａ行目ｂ列目に対応する情報信号（電圧データＶｄａｔａ）に基づく発光をする。
【００１２】
図２は、本発明の実施形態の１画素における有機ＥＬ素子の部分断面図である。
基板２０上に形成された有機ＥＬ素子から、上方向（基板とは反対方向）に光を取り出すトップエミッション型の表示装置を用いて説明をする。
この表示装置の１画素は、色相が同一であって、視野角特性（視野角特性Ａと視野角特性Ｂ）が異なる２つの領域からなる。
更に夫々の領域における有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は、独立して点灯／消灯の制御をすることが可能である。
【００１３】
そして、１画素内における２つの領域の夫々に設けられた有機ＥＬ素子は、領域を分離する分離層が設けられている。なお、この分離層は、１画素内の２つの領域を分離するのみならず、１画素と１画素とを分離するためにも形成される。（以下、分離層を総称して画素分離層２２と称する。）
【００１４】
そして、有機ＥＬ素子の夫々は、下部電極（アノード電極２１）と上部電極（カソード電極２４）からなる一対の電極と、アノード電極２１とカソード電極２４の間にある有機化合物層２３（以下、有機ＥＬ層と称する）を有する。
【００１５】
具体的には、基板２０の上に、１画素内の２つの領域の夫々にパターニングされたアノード電極２１が形成され、そのアノード電極２１上に有機ＥＬ層２３が形成される。更に、有機ＥＬ層２３上にカソード電極２４が形成されている。アノード電極２１は、例えば、Ａｇ等の高い反射率を持つ導電性の金属材料から形成される。また、アノード電極２１は、そのような金属材料から成る層とホール注入特性に優れたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電性材料から成る層との積層体から構成しても良い。
【００１６】
一方、カソード電極２４は、複数の有機ＥＬ素子に対して共通に形成されており、また、発光層で発光した光を素子外部に取り出し可能な半反射性或いは光透過性の構成を有している。具体的には、素子内部での干渉効果を高めるためにカソード電極２４を半反射性の構成とする場合、カソード電極１４は、ＡｇやＡｇＭｇなどの電子注入性に優れた導電性の金属材料から成る層を２〜５０ｎｍの膜厚で形成することにより構成されている。
【００１７】
なお、半反射性とは、素子内部で発光した光の一部を反射し、一部を透過する性質を意味し、可視光に対して２０〜８０％の反射率を有するものをいう。また、光透過性とは、可視光に対して８０％以上の透過率を有するものをいう。
【００１８】
また、有機ＥＬ層２３は、少なくとも発光層を含む単層又は複数の層からなる。例えば、有機ＥＬ層２３の構成例としては、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層からなる４層構成や、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる３層構成等が挙げられる。有機ＥＬ層２３を構成する材料は、公知の材料を使用することができる。
【００１９】
基板２０には画素回路が形成されている。これらの画素回路は、複数のトランジスタと有機ＥＬ素子から構成されている（不図示）。このトランジスタが形成された基板２０は、トランジスタとアノード電極２１とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成された層間絶縁膜に覆われている（不図示）。更に層間絶縁膜上には、表面凹凸を吸収し、表面を平坦にするための平坦化膜が形成されている（不図示）。平坦化膜の上には、アノード電極２１と有機ＥＬ層２３とカソード電極２４を有する有機ＥＬ素子がある。
【００２０】
また、カソード電極２４の上には、空気中の酸素や水分から有機ＥＬ層２３を保護するために保護層２５が形成されている。保護層２５は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどの無機材料からなる。あるいは、無機材料と有機材料との積層膜からなる。また、無機膜の膜厚は０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、ＣＶＤ法で形成することが好ましい。有機膜は工程中に表面に付着して除去できない異物を覆って保護性能を向上させるために使用するため、１ｕｍ以上が好ましい。
【００２１】
図２の保護層２５は、画素分離層２２の形状に沿って形成させているが、表面が平坦であってもよい。有機材料等の厚みを厚くすることで、表面を平坦にすることが可能である。
【００２２】
また、本実施形態の有機ＥＬパネル１１の画素は、Ｒ・Ｇ・Ｂの３つの異なる色相の画素を有している。異なる色相の画素とは、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色相の有機ＥＬ素子からなる構成であっても良いし、白色有機ＥＬ素子にＲ・Ｇ・Ｂの３色相のカラーフィルターを重ねた構成でもよい。また、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色相に限らず、Ｒ・Ｇ・Ｂ・Ｗの４色相をもった有機ＥＬパネルでもよい。
【００２３】
図３に、本発明の実施形態に係る画素の配置について、有機ＥＬパネル１１を図２の保護層２５側から見た図を示す。
【００２４】
有機ＥＬパネル１１には、Ｒ画素３１、Ｇ画素３２、Ｂ画素３３がある。なお、ＲとはＲｅｄ、ＧとはＧｒｅｅｎ、ＢとはＢｌｕｅの略であり、以下同様である。
さらに、Ｒ画素３１は、色相がＲであり、かつ視野角特性が異なるＲ−１領域３１１とＲ−２領域３１２との２つの領域で形成されている。
同様に、Ｇ画素３２は、色相がＧであり、かつ視野角特性が異なるＧ−１領域３２１とＧ−２領域３２２との２つの領域で形成されている。
同様に、Ｂ画素３３は、色相がＢであり、かつ視野角特性が異なるＢ−１領域３３１とＧ−２領域３３２との２つの領域で形成されている。
【００２５】
以下、Ｒ−１領域３１１、Ｇ−１領域３２１及びＢ−１領域３３１を第１領域と称し、Ｒ−２領域３１２、Ｇ−２領域３２２及びＢ−２領域３３２を第２領域と称する。
【００２６】
次に、図４では、図３のＲ−２領域３１２において、集光効果のあるマイクロレンズを有した有機ＥＬ素子Ｂの視野角−輝度の特性を示す。
【００２７】
図４（ａ）はＲ−１領域３１１の視野角−輝度の特性であり、図４（ｂ）はＲ−２領域３１２の視野角―輝度の特性を示したものである。
【００２８】
ここで、図４（ａ）（ｂ）の縦軸は、Ｒ−１領域３１１の正面輝度を１としたときの相対輝度値を示している。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、Ｒ−１領域３１１は視野角特性の広い光学特性をもった領域であることが分かる。
【００３０】
これに対して、図４（ｂ）に示すように、Ｒ−２領域３１２は、視野角特性は狭いけれども、正面の輝度は高い光学特性、すなわち光取り出し効率が高いことが分かる。
【００３１】
同様にして、Ｇ−２領域３２２及びＢ−２領域３３２のマイクロレンズを有した有機ＥＬ素子Ｂを形成した。すると、Ｇ画素３２の２領域（Ｇ−１領域３２１とＧ−２領域３２２）及び、Ｂ画素３３の２領域（Ｂ−１領域３３１とＢ−２領域３３２）についても同様の視野角―輝度の特性変化が得られた。
【００３２】
なお、第２領域において、マイクロレンズに代えて有機ＥＬ素子に光学干渉の効果を持たせても良い。ここで、光学干渉の効果については以下の（式１）を用いて説明する。
２Ｌ／λ＋δ／２π＝ｍ・・・（式１）
（但し、発光領域とアノード電極の反射面との間の光学的距離をＬ、取り出し光の波長をλ、反射する際に生じる位相シフトをσ、ｍは整数とする。）
上記（式１）を満たす場合には、マイクロレンズを用いた時と同様に、光取り出し効率を高めることができる代わりに、視野角特性は狭くなる。
【００３３】
すなわち、第１領域と第２領域において、第１領域は（式１）を満たさないような条件で有機ＥＬ素子を構成し、第２領域では、（式１）を満たすような条件で有機ＥＬ素子を構成することにより、マイクロレンズを用いた時と同様な効果を得られるのである。
【００３４】
次に、有機ＥＬパネル１１の動作について述べる。Ｒ・Ｇ・Ｂ各画素の第１領域、及び第２領域は、実施例にて詳述するが、独立して点灯／消灯の選択が可能な画素回路で駆動する。
【００３５】
例えば、Ｒ−１領域３１１、Ｇ−１領域３２１、Ｂ−１領域３３１のみを点灯させた場合は、有機ＥＬパネル１１は視野角特性の広い性能が得られる。
【００３６】
また、Ｒ−２領域３１２、Ｇ−２領域３２２、Ｂ−２領域３３２のみを点灯させた場合は、視野角特性は狭いけれども、正面方向への光取り出し効率が高い性能が得られる。
【００３７】
なお、第１領域のみ、若しくは第２領域のみを点灯するだけでなく、第１領域及び第２領域を同時に点灯することも、可能である。
【００３８】
また、上記説明では、Ｒ・Ｇ・Ｂの全てにおいて、第１領域と第２領域を有する構成としたが、これに限られるものではない。Ｒ画素３１のみに第１領域及び第２領域を持たせても良いし、同様にＧ画素３２やＢ画素３３のみに持たせても良い。また、Ｒ画素３１、Ｇ画素３２、Ｂ画素３３のうち選択される２つの種類の画素において第１領域と第２領域を持たせても良い。
【００３９】
以下、実施例を用いて詳細に説明する。
〔実施例１〕
図５にｍ行ｎ列画素の有機ＥＬパネル１１の概略図を示す。
【００４０】
本実施例においては、有機ＥＬパネル１１は、情報信号線５５に電圧を印加する情報信号線駆動回路５１、走査信号線５６を駆動する走査信号線駆動回路５２を有する。更に、印加された電圧の値に従って画素に流す電流を制御する画素回路５３、１画素内にある２つの発光領域を選択するための選択制御線駆動回路５４、１画素内にある２つの発光領域の夫々に接続される２本の選択制御線５７、５８から構成される。
【００４１】
ここで画素回路５３は、Ｒ・Ｇ・Ｂいずれかの色の有機ＥＬ素子を有する。
夫々の画素は、各情報信号線と各走査信号線の交点に配置され（ａ行目ｂ列目）、ａ行目ｂ列目に対応する情報信号に基づく表示をする。
【００４２】
次に、図６を用いて画素回路５３の構成を示す。
Ｐ１が走査信号線であり、Ｐ２が有機ＥＬ素子Ａ（２６）の選択制御線、Ｐ３が有機ＥＬ素子Ｂ（２７）の選択制御線である。情報信号としての電圧データＶｄａｔａは、情報信号線５５から画素回路５３に入力される。そして、有機ＥＬ素子Ａ（２６）のアノード電極は基板上に設けられた第１スイッチ素子であるＴＦＴ（Ｍ３）のドレイン電極に接続されており、カソード電極は接地電位（ＣＧＮＤ）に接続されている。一方、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）のアノード電極は基板上に設けられた第２スイッチ素子であるＴＦＴ（Ｍ４）のドレイン電極に接続されており、カソード電極は接地電位（ＣＧＮＤ）に接続されている。Ｍ３とＭ４により有機ＥＬ素子Ａ（２６）及び有機ＥＬ素子Ｂ（２７）を独立に点灯及び消灯を切替えるための切替え回路６０が構成されている。
【００４３】
例えば、ここで、画素回路５３がＲ画素の場合、有機ＥＬ素子Ａ（２６）は「広い視野角特性」を有し、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は「正面輝度（光取り出し効率）の高い特性」を有するように形成する。Ｇ画素・Ｂ画素についても同様である。
【００４４】
尚、「広い視野角特性」の有機ＥＬ素子Ａ（２６）、「正面輝度（光取り出し効率）の高い特性」の有機ＥＬ素子Ｂ（２７）の構成は以下の通りである。
【００４５】
すなわち、本実施例における有機ＥＬパネル１１は、有機ＥＬ素子の発光面側（有機ＥＬ層に対して基板とは反対側）が平坦な有機ＥＬ素子Ａ（２６）と、有機ＥＬ素子の発光面側にマイクロレンズが形成された有機ＥＬ素子Ｂ（２７）を有するものである。
【００４６】
なお、図７に、本実施に係る画素配置を示す。
Ｒ画素７１、Ｇ画素７２、Ｂ画素７３がある。さらに、Ｒ画素７１は２つの領域で形成されており、Ｒ−１領域７１１、Ｒ−２領域７１２で形成されている。Ｒ−１領域７１１は、発光面側が平坦な有機ＥＬ素子Ａ（２６）である。Ｒ−２領域７１２は、有機ＥＬ素子の発光面側（有機ＥＬ層に対して基板とは反対側）にマイクロレンズが形成された有機ＥＬ素子Ｂ（２７）である。同様にして、Ｇ画素は、Ｇ−１領域７２１は発光面側が平坦な有機ＥＬ素子Ａ（２６）であり、Ｇ−２領域７２２は有機ＥＬ素子の発光面側にマイクロレンズが形成された有機ＥＬ素子Ｂ（２７）である。同様にして、Ｂ画素は、Ｂ−１領域７３１は発光面側が平坦な有機ＥＬ素子Ａ（２６）であり、Ｂ−２領域７３２は有機ＥＬ素子の発光面側にマイクロレンズが形成された有機ＥＬ素子Ｂ（２７）である。
【００４７】
また、図８に、本実施に係る画素の断面図を示す。保護層２５より下の層は、図２と同様の構成である。有機ＥＬ素子Ａ（２６）における、有機ＥＬ層２３の基板２０とは反対側の光取り出し面は平坦面である。
【００４８】
一方、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）における、有機ＥＬ層２３の基板２０とは反対側の光取り出し面には、マイクロレンズ８１が形成されている。マイクロレンズ８１は樹脂材料を加工することにより形成されている。具体的には、マイクロレンズは、型押しなどの方法により形成可能である。それ以外にも、マイクロレンズは、下記ｉ）〜ｖ）のいずれかの方法によっても作製可能である。
ｉ）フォトリソなどによってパターニングされた樹脂層を熱処理し、リフローによって樹脂層をマイクロレンズ形状に変形させる方法。
ｉｉ）均一の厚さに形成された光硬化型樹脂層を、面内方向に分布を持った光で露光し、この樹脂層を現像することによってマイクロレンズを形成する方法。
ｉｉｉ）イオンビームあるいは電子ビーム、レーザー等を用いて、均一の厚さに形成された樹脂材料の表面をマイクロレンズ形状に加工する方法。
ｉｖ）各画素に適量の樹脂を滴下して自己整合的にマイクロレンズを形成する方法。
ｖ）有機ＥＬ素子が形成された基板とは別個に、マイクロレンズが予め形成された樹脂シートを用意し、両者をアライメントした後、貼り合せることによりマイクロレンズを形成する方法。
【００４９】
保護層２５を多層にして、一部の層に有機樹脂を用いる場合、その樹脂をレンズ形状に加工してもよい。この場合、図９のような断面構成になる。上記したように樹脂を用いると表面を平坦にすることが可能になり、図９のようにレンズ無しの領域も平坦にすることが容易である。このような構成により、マイクロレンズ８１がある有機ＥＬ素子Ｂ（２７）では、有機ＥＬ層２３から出射された光は、透明なカソード電極２４を透過する。次いで保護層２５、マイクロレンズ８１を透過して、有機ＥＬ素子の外部へ出射される。マイクロレンズ８１が形成されている構成では、マイクロレンズ８１が無い場合に比べて、出射角度が基板垂直方向に近づく。したがって、マイクロレンズ８１があった場合の方が基板垂直方向への集光効果が向上する。すなわち、表示装置としては、正面方向における光の利用効率を高めることができる。
【００５０】
また、マイクロレンズ８１が形成された構成においては、発光層から斜めに出射された光の出射界面に対する入射角度が垂直に近くなるため、全反射する光量が減少する。その結果、光取り出しの効率も向上する。
【００５１】
一方、マイクロレンズが形成されていない有機ＥＬ素子Ａ（２６）では、有機ＥＬ層２３の発光層から斜めに出射された光は、保護層２５から出射する際に、空気との屈折率の差に基づいてさらに斜めになって出射する。
【００５２】
保護層２５は、図８では、画素分離層２２の形状に沿って形成させているが、この形状に関わらず、表面を平坦にしても良い。この場合、有機材料を使うことで、容易に表面を平坦にすることが可能である。
【００５３】
再び図６に戻り、次は画素回路５３の動作について説明する。
Ｍ１（スイッチング素子）、Ｍ３（第１スイッチ素子）、Ｍ４（第２スイッチ素子）はｎＭＯＳ型を述べている。ｐＭＯＳの場合には、Ｈｉｇｈ、Ｌｏｗレベルを逆にする必要がある。
【００５４】
走査信号Ｐ１はＨｉｇｈレベルの信号が入力される時、Ｍ１に情報信号が伝達される（Ｖｄａｔａが入力される）。一方、Ｐ２及びＰ３にはＬｏｗレベルの信号が入力される。そして、Ｍ１がＯＮ、切替え回路であるＭ３・Ｍ４はＯＦＦとなる。
【００５５】
このとき切替え回路６０であるＭ３とＭ４は導通状態でないため、有機ＥＬ素子Ａ（２６）・有機ＥＬ素子Ｂ（２７）には電流が流れない。ＶｄａｔａによりＭ１の電流駆動能力に応じた電圧が、Ｍ２（電流出力トランジスタ）のゲート電極と電源電位Ｖ１の間に配置されたＣ１（キャパシタ）に保持される。なお、Ｃ１は電源電位Ｖ１に接続されているが、これは、Ｍ２の電源電位側の第１電極に接続されていても良い。そして、Ｍ２のＭ３やＭ４側に電気的に接続される第２電極を介して、Ｍ３やＭ４に電流を出力する。
【００５６】
なお、Ｍ１（スイッチング素子）と、Ｃ１（キャパシタ）と、Ｍ２（電流出力トランジスタ）で構成される部分を駆動部５９と称する。
【００５７】
次に、書き込まれたＶｄａｔａに従って有機ＥＬ素子Ａ（２６）のみに電流を供給する時は、Ｐ１はＬｏｗレベル、Ｐ２はＨｉｇｈレベル、Ｐ３はＬｏｗレベルの信号を入力する。このときトランジスタＭ１がＯＦＦ、Ｍ３がＯＮ、Ｍ４がＯＦＦの状態となる。Ｍ３が導通状態であるため、Ｃ１に生じた電圧により、Ｍ２の電流駆動能力に応じた電流が有機ＥＬ素子Ａ（２６）に供給され、その供給された電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子Ａ（２６）のみが発光する。
【００５８】
また、逆に有機ＥＬ素子Ｂ（２７）のみに電流を供給する時は、Ｐ１はＬｏｗレベル、Ｐ２はＬｏｗレベル、Ｐ３はＨｉｇｈレベルの信号を入力する。このときトランジスタＭ１がＯＦＦ、Ｍ３がＯＦＦ、Ｍ４がＯＮとなる。Ｍ４が導通状態であるため、Ｃ１に生じた電圧により、Ｍ２の電流駆動能力に応じた電流が有機ＥＬ素子Ｂ（２７）のみに供給され、その供給された電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子Ｂ（２７）が発光する。
【００５９】
すなわち、上記動作から、駆動部５９は情報信号を保持し、保持された情報信号に応じて電流を出力するものであることが分かる。
【００６０】
このように、ａ行ｂ列目に相当する情報信号に基づいて制御されるＭ２によって電流が制御され、ａ行ｂ列目の画素における有機ＥＬ素子Ａ（２６）及び有機ＥＬ素子Ｂ（２７）には、同一の情報信号に基づく電流が供給される。
【００６１】
また、Ｐ２とＰ３のＨｉｇｈ／Ｌｏｗを切替えることで、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）を独立して制御することができる。
【００６２】
したがって、有機ＥＬパネル１１を、「広い視野角特性」か「正面輝度（光取り出し効率）優先の特性」のどちらかを選択して制御することが可能となる。
【００６３】
〔実施例２〕
実施例１においては、画素回路５３の中で、Ｍ２（電流出力トランジスタ）を、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）で共有していた。この時、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）で光取り出し効率が大きく異なる場合、トランジスタＭ２の電流供給のダイナミックレンジを広くする必要がある。その場合、有機ＥＬパネルの画像品質の劣化が生じやすいといった問題点がある。
【００６４】
本実施例においては、このような問題を解決するために、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）とで異なるＭ２（第１電流出力トランジスタ）とＭ５（第２電流出力トランジスタ）を用いた場合について述べる。
【００６５】
本実施例における有機ＥＬパネルの概略図は実施例１と同様である。更に、特段に説明がない限り、実施例２における構成と実施例１と構成は同じであるため説明を省略する。
【００６６】
まず、図１０に本実施例の有機ＥＬ素子を含んだ画素回路５３の構成例を示す。
Ｐ１が走査信号線５６であり、Ｐ２が有機ＥＬ素子Ａ（２６）の選択制御線５７、Ｐ３が有機ＥＬ素子Ｂ（２７）の選択制御線５８である。情報信号として電圧データＶｄａｔａは、情報信号線５５から画素回路５３に入力される。有機ＥＬ素子Ａ（２６）のアノード電極２１は第１スイッチ素子であるＴＦＴ（Ｍ３）のドレイン電極に接続されており、カソード電極２４は接地電位（ＣＧＮＤ）に接続されている。有機ＥＬ素子Ｂ（２７）のアノード電極は第２スイッチ素子であるＴＦＴ（Ｍ４）のドレイン電極に接続されており、カソード電極は接地電位ＣＧＮＤに接続されている。Ｍ３（第１スイッチ素子）のソース電極には、Ｍ２（第１電流出力トランジスタ）のドレイン電極が接続している。Ｍ４（第２スイッチ素子）のソース電極には、Ｍ５（第２電流出力トランジスタ）のドレイン電極が接続している。
【００６７】
例えば、ここで画素回路５３がＲ画素の場合、有機ＥＬ素子Ａ（２６）は「広い視野角特性」のＲ素子、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は「正面輝度（光取り出し効率）の高い特性」のＲ素子で形成する。Ｇ画素・Ｂ画素についても同様である。
【００６８】
ここで、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は有機ＥＬ素子Ａ（２６）よりも光取り出し効率が良いので、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）に供給すべき電流量は少なくてすむ。したがって、Ｍ５は、Ｍ２に比べて、電圧に対する電流供給能力が小さくなるべくレイアウトすることが可能となる。
【００６９】
なお、有機ＥＬ素子Ａ（２６）、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）の構造及び配置は、実施例１と同様であるため説明を省略する。
【００７０】
次に、図１０を用いて画素回路５３の動作について説明する。
情報信号が書き込まれる（Ｖｄａｔａが入力される）時、走査信号Ｐ１はＨｉｇｈレベルの信号が、Ｐ２及びＰ３にはＬｏｗレベルの信号が入力され、スイッチング素子であるトランジスタＭ１がＯＮ、Ｍ３及びＭ４はＯＦＦにする。このとき切替え回路であるＭ３及びＭ４は導通状態でないため、有機ＥＬ素子Ａ（２６）及び有機ＥＬ素子Ｂ（２７）には電流が流れない。Ｖｄａｔａによりスイッチング素子であるＭ１の電流駆動能力に応じた電圧が、Ｍ２とＭ５のゲート電極と電源電位Ｖ１の間に配置されたＣ１（キャパシタ）に保持される。
【００７１】
なお、Ｍ１（スイッチング素子）、Ｍ２（第１電流出力トランジスタ）、Ｍ５（第２電流出力トランジスタ）、Ｃ１（キャパシタ）で構成される部分を駆動部６１と称する。
【００７２】
次に、書き込まれたＶｄａｔａに従って有機ＥＬ素子Ａ（２６）に電流を供給する時は、Ｐ１はＬｏｗレベル、Ｐ２はＨｉｇｈレベル、Ｐ３はＬｏｗレベルの信号を入力する。このときトランジスタＭ１がＯＦＦ、Ｍ３がＯＮ、Ｍ４がＯＦＦとなる。Ｍ３が導通状態であるため、Ｃ１に生じた電圧により、Ｍ２の電流駆動能力に応じた電流が有機ＥＬ素子Ａ（２６）に供給され、その供給された電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子Ａ（２６）が発光する。
【００７３】
また、逆に有機ＥＬ素子Ｂ（２７）に電流を供給する時は、Ｐ１はＬｏｗレベル、Ｐ２はＬｏｗレベル、Ｐ３はＨｉｇｈレベルの信号を入力する。このときトランジスタＭ１がＯＦＦ、Ｍ２がＯＦＦ、Ｍ５がＯＮとなる。Ｍ４が導通状態であるため、Ｃ１に生じた電圧により、Ｍ５の電流駆動能力に応じた電流が有機ＥＬ素子Ｂ（２７）に供給され、その供給された電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子Ｂ（２７）が発光する。この時、Ｍ５はＭ２よりも電流駆動能力は小さいので、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）には、有機ＥＬ素子Ａ（２６）に比べて小さな電流が流れる。
【００７４】
すなわち、上記動作から、駆動部６１は情報信号を保持し、保持された情報信号に応じて電流を出力するものであることが分かる。
【００７５】
このように、Ｐ２及びＰ３のＨｉｇｈ／Ｌｏｗを切替えることで、有機ＥＬ素子Ａ（２６）及び有機ＥＬ素子Ｂ（２７）を独立して制御することができる。したがって、有機ＥＬパネル１１を、「広い視野角特性」か「正面輝度（光取り出し効率）優先の特性」のどちらかを選択して制御することが可能となる。
【００７６】
また、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）に電流を供給するトランジスタを別体にするので、夫々の必要電流量に応じたトランジスタを適用できる。
【００７７】
〔実施例３〕
実施例１においては、画素回路５３の中に、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）夫々への電流供給をＯＮ／ＯＦＦの切り替えをするためのトランジスタＭ３、Ｍ４を配置していた。この場合、トランジスタの数が多くなってしまうため、画素レイアウト上の制約が多い。
【００７８】
本実施例においては、スイッチ素子Ｍ３、Ｍ４を無くす代わりに電源配線を変え、画素回路５３のトランジスタ数を削減した場合について述べる。なお、実施例３において、実施例１と同じ構成で、特段の説明がない箇所については、実施例１と同じである。
【００７９】
図１１に、本実施例における有機ＥＬパネルの概略図を示す。
本実施例においては、有機ＥＬパネル１１０は、情報信号線１１５に電圧を印加する情報信号線駆動回路１１１、走査信号線１１６を駆動する走査信号線駆動回路１１２を有する。更に、カソード電極の選択制御線駆動回路１１４、２つのカソード電極の選択制御線１１７、１１８も有する。ここで画素回路１１３は、Ｒ・Ｇ・Ｂいずれかの色の有機ＥＬ素子を有する。
【００８０】
夫々の画素は、各情報信号線と各走査信号線の交点に配置され（ａ行目ｂ列目）、ａ行目ｂ列目に対応する情報信号（電圧データＶｄａｔａ）に基づく表示をする。
【００８１】
図１２に、本実施例の有機ＥＬ素子を含んだ回路構成を示す。
印加された電圧の値に従って画素に流す電流を制御する駆動部５９がある。駆動部５９は、Ｍ１（スイッチング素子）、Ｍ２（電流出力トランジスタ）、Ｃ１（キャパシタ）を備えている。
【００８２】
そして、Ｍ１に接続されたＰ１は、走査信号線である。情報信号として電圧データＶｄａｔａが情報信号線からＭ１に入力される。有機ＥＬ素子Ａ（２６）のアノード電極はＭ２（電流出力トランジスタ）のドレイン電極に接続されており、カソード電極は第１電源である電源−Ａ１３１に接続されている。有機ＥＬ素子Ｂ（２７）のアノード電極はＭ２のドレイン電極に接続されており、カソード電極は第２電源である電源−Ｂ１３２に接続されている。
【００８３】
また、実施例１と同様に、有機ＥＬ素子Ａ（２６）は有機ＥＬ素子の発光面側（有機ＥＬ層に対して基板とは反対側）が平坦であり、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は有機ＥＬ素子の発光面側にマイクロレンズが形成されている。
【００８４】
図１３に、本実施に係る画素配置を示す。
実施例１の図７と同様に、Ｒ画素７１、Ｇ画素７２、Ｂ画素７３がある。Ｒ・Ｇ・Ｂ夫々の有機ＥＬ素子Ａ（２６）・有機ＥＬ素子Ｂ（２７）も、実施例１の図７と同様である。有機ＥＬ素子Ａ（２６）において、カソード電極が電源−Ａ１３１に接続される。また、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）において、カソード電極が電源−Ｂ１３２に接続される。
【００８５】
次に図１４に本実施例に係る画素の断面図を示す。
カソード電極が、分断され、電源−Ａ１３１、電源−Ｂ１３２が設けられている以外は、実施例１の図８に示す画素の断面図と同様である。
【００８６】
次に図１２を用いて、本実施例における動作について説明する。
情報信号が書き込まれる（Ｖｄａｔａが入力される）時、走査信号Ｐ１はＨｉｇｈレベルの信号が入力され、トランジスタＭ１がＯＮとなる。ＶｄａｔａによりＭ１の電流駆動能力に応じた電圧が、Ｍ２のゲート電極と電源電位Ｖ１の間に配置されたＣ１（キャパシタ）に保持される。
【００８７】
次に、書き込まれたＶｄａｔａに従って有機ＥＬ素子Ａ（２６）に電流を供給する時は、電源−Ａ１３１はＧＮＤ電位に設定する。ここで、Ｐ１はＬｏｗレベルの信号を入力する。このときトランジスタＭ１がＯＦＦとなる。Ｃ１に生じた電圧により、Ｍ２の電流駆動能力に応じた電流が有機ＥＬ素子Ａ（２６）に供給され、その供給された電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子Ａ（２６）が発光する。
【００８８】
一方、電源−Ｂ１３２を電位Ｖ１に設定する。この作用により、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）のカソードとアノード間に電位差が生じないため、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）には電流は流れず発光しない。
【００８９】
また、逆に有機ＥＬ素子Ｂ（２７）に電流を供給する時は、電源−Ｂ１３２はＧＮＤ電位に設定する。ここで、Ｐ１はＬｏｗレベルの信号を入力する。このときトランジスタＭ１がＯＦＦとなる。Ｃ１に生じた電圧により、Ｍ２の電流駆動能力に応じた電流が有機ＥＬ素子Ｂ（２７）に供給され、その供給された電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子Ｂ（２７）が発光する。
【００９０】
一方、電源−Ａ１３１を電位Ｖ１に設定する。この作用により、有機ＥＬ素子Ａ（２６）のカソードとアノード間に電位差が生じないため、有機ＥＬ素子Ａ（２６）には電流は流れず発光しない。
【００９１】
このように、電源−Ａ１３１、電源−Ｂ１３２は切替え回路６２として機能する。つまり、この電源−Ａ１３１、電源−Ｂ１３２の電位を切替えることで、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）を独立して制御することができる。したがって、有機ＥＬパネル１１０を、「広い視野角特性」か「正面輝度（光取り出し効率）優先の特性」のどちらかを選択して制御することが可能となる。
また、実施例１と比べてトランジスタ数を削減でき、回路のレイアウトの制約が少なくなるといった、効果がある。
【００９２】
〔実施例４〕
実施例２の図１０、画素回路５３の中に、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）夫々への電流供給をＯＮ・ＯＦＦするための第１電流出力トランジスタＭ２と、第２電流出力トランジスタＭ５を配置していた。また、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）夫々への電流供給量を印加する第１スイッチ素子であるトランジスタＭ３と、第２スイッチ素子であるＭ４を配置していた。この場合、トランジスタの数が多くなってしまうため、画素レイアウト上の制約が多い。
【００９３】
そのため、実施例４においては、実施例３と同様に、スイッチ素子Ｍ３、Ｍ４を無くす代わりに、電源配線を変え、画素回路５３のトランジスタ数を削減した構成について述べる。なお、実施例４において、実施例２と同じ構成で、特段の説明がない箇所については、実施例２と同じである。
【００９４】
本実施例における有機ＥＬパネルの概略図は、実施例３の図１１と同様である。
図１５に、本実施例の有機ＥＬ素子を含んだ回路構成を示す。Ｐ１が走査信号線である。情報信号として電圧データＶｄａｔａは、情報信号線から駆動部６１に入力される。有機ＥＬ素子Ａ（２６）のアノード電極はＭ２のドレイン電極に接続されており、カソード電極は第１電源である電源−Ａ１３１に接続されている。有機ＥＬ素子Ｂ（２７）のアノード電極はＴＦＴ（Ｍ５）のドレイン電極に接続されており、カソード電極は第２電源である電源−Ｂ１３２に接続されている。
【００９５】
また、実施例３と同様に、有機ＥＬ素子Ａ（２６）は有機ＥＬ素子の発光面側（有機ＥＬ層に対して基板とは反対側）が平坦であり、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は有機ＥＬ素子の発光面側にマイクロレンズが形成されている。
【００９６】
ここで、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は有機ＥＬ素子Ａ（２６）よりも光取り出し効率が良いので、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）に供給すべき電流量は少なくてすむ。したがって、トランジスタＭ５は、Ｍ２に比べて、信号電圧に対する電流供給能力が小さくなるようにレイアウトすることも可能である。なお、画素配置、画素の断面構造については、実施例３と同様である。
【００９７】
次に、図１５を用いて動作について説明する。
情報信号が書き込まれる（Ｖｄａｔａが入力される）時、走査信号Ｐ１はＨｉｇｈレベルの信号が入力され、Ｍ１（スイッチング素子）がＯＮとなる。ＶｄａｔａによりＭ１の電流駆動能力に応じた電圧が、Ｍ２（第１電流出力トランジスタ）及びＭ５（第２電流出力トランジスタ）のゲート電極と電源電位Ｖ１の間に配置されたＣ１（キャパシタ）に保持される。なお、Ｍ１（スイッチング素子）、Ｍ２（第１電流出力トランジスタ）、Ｍ５（第２電流出力トランジスタ）、Ｃ１（キャパシタ）で構成される部分を駆動部６１と称する。
【００９８】
次に、書き込まれたＶｄａｔａに従って有機ＥＬ素子Ａ（２６）に電流を供給する時は、電源−Ａ１３１をＧＮＤ電位に設定する。ここで、Ｐ１はＬｏｗレベルの信号を入力する。このときトランジスタＭ１がＯＦＦとなる。Ｃ１に生じた電圧により、Ｍ２の電流駆動能力に応じた電流が有機ＥＬ素子Ａ（２６）に供給され、その供給された電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子Ａ（２６）が発光する。一方、電源−Ｂ１３２は電源電位Ｖ１と同じ電圧レベルである。すると、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）のカソードとアノード間に電位差が生じないため、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）には電流は流れず発光しない。
【００９９】
また、逆に有機ＥＬ素子Ｂ（２７）に電流を供給する時は、電源−Ｂ１３２はＧＮＤ電位に設定する。ここで、Ｐ１にはＬｏｗレベルの信号を入力する。このときトランジスタＭ１がＯＦＦとなる。Ｃ１に生じた電圧により、Ｍ５の電流駆動能力に応じた電流が有機ＥＬ素子Ｂ（２７）に供給され、その供給された電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子Ｂ（２７）が発光する。一方、電源−Ａ１３１には電位Ｖ１を設定する。この作用により、有機ＥＬ素子Ａ（２６）のカソードとアノード間に電位差が生じないため、有機ＥＬ素子Ａ（２６）には電流は流れず発光しない。
【０１００】
このように、ａ行ｂ列目の画素における有機ＥＬ素子Ａ（２６）および有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は、ａ行ｂ列目に相当する情報信号に基づいてＭ２及びＭ５に流れる電流によって、発光の制御が行われる。
【０１０１】
すなわち、上記動作から、駆動部は情報信号を保持し、保持された情報信号に応じて電流を出力するものであることが分かる。
【０１０２】
また、切替え回路６２として機能する電源−Ａ１３１、電源−Ｂ１３２の電位を切替えることで、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）を独立して制御することができる。したがって、有機ＥＬパネル１１０を、「広い視野角特性」か「正面輝度（光取り出し効率）優先の特性」のどちらかを選択して制御することが可能となる。
【０１０３】
また、実施例２と比べてトランジスタ数を削減でき、回路レイアウトの制約が少なくなる、といった効果がある。
【０１０４】
また、実施例２と同様に、有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）に電流を供給するトランジスタを別体にするので、夫々の必要電流量に応じたトランジスタを適用できる。
【０１０５】
〔実施例５〕
実施例１においては、「正面輝度（光取り出し効率）優先の特性」をもった有機ＥＬ素子として、マイクロレンズを備えた素子を例にあげて説明したが、それに限るものではない。
【０１０６】
本実施例では、光学特性が異なる有機ＥＬ素子として、干渉条件が異なる有機ＥＬ素子について述べる。
【０１０７】
本実施例における有機ＥＬパネルの概略図、回路の構成、回路の動作は実施例１と同様である。本実施例においては、実施例１と同様に「広い視野角特性」の有機ＥＬ素子Ａ（２６）と、「正面輝度（光取り出し効率）優先の特性」の有機ＥＬ素子Ｂ（２７）を有する。画素配置は、実施例１と同様である。
【０１０８】
図１６は、本実施例に係る有機ＥＬ表示素子の部分断面図である。アノード電極２１以外は、図２に示す有機ＥＬ素子の部分断面図と同様である。アノード電極について詳細に述べる。基板２０の上に、有機ＥＬ素子毎にパターニングされた反射メタル層１６１を形成する。反射メタル層１６１は、例えば、Ａｇ等の高い反射率を持つ導電性の金属材料から形成される。その反射メタル層１６１の上に厚みの異なるアノード電極１６２、アノード電極１６３を形成する。アノード電極１６２及び１６３は、ホール注入特性に優れたＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電性材料で形成する。アノード電極１６２及び１６３よりも上の各層は、同じ膜厚で形成する。以上のように各層を形成することで、光学干渉条件が異なる有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）が形成できる。
具体例として、Ｒの有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）の各層膜厚を表１に示す。
【０１０９】
【表１】
2011145174.tif 000003
【０１１０】
また、図１７に、この時の視野角―輝度の特性を示す。（ａ）にＲの有機ＥＬ素子Ａ（２６）の視野角−輝度の特性、（ｂ）にＲの有機ＥＬ素子Ｂ（２７）の視野角−輝度の特性を示す。また図１７（ａ）（ｂ）のいずれも、有機ＥＬ素子Ａ（２６）の正面輝度を１とした相対輝度値を示している。図１７（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子Ａ（２６）は視野角特性の広い光学特性をもっている。図１７（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は、視野角特性は狭いけれども、正面の輝度は高く、光取り出し効率の高い光学特性をもっている。
【０１１１】
また、有機ＥＬ素子Ａ（２６）の正面色度（ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ）は（０．６９，０．３１）、有機ＥＬ素子Ｂ（２７）の正面色度（ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ）は（０．６７，０．３３）であった。
【０１１２】
ここでは、Ｒの有機ＥＬ素子について説明したが、Ｇ、Ｂの有機ＥＬ素子についても、アノード電極の膜厚を調整することにより同様の特性を得ることができた。
【０１１３】
本実施例における画素回路の動作は、実施例１と同様である。
したがって、光学干渉条件が異なる有機ＥＬ素子で構成した有機ＥＬパネルを用いることで、「広い視野角特性」か「正面輝度（光取り出し効率）優先の特性」のどちらかを選択して制御することが可能となる。
【０１１４】
〔実施例６〕
本実施例においては、有機ＥＬパネルの概略図、回路の構成、回路の動作は実施例２と同様である。
また、本実施例においては、「広い視野角特性」の有機ＥＬ素子Ａ（２６）と、「正面輝度（光取り出し効率）優先の特性」の有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は、実施例５と同様に、光学干渉条件が異なる有機ＥＬ素子で構成する。
以上のように構成することで、光学干渉条件が異なる有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）を用いても、実施例２と同等の効果を得られる。
【０１１５】
〔実施例７〕
本実施例においては、有機ＥＬパネルの概略図、回路構成、回路の動作は実施例３と同様である。
また、本実施例においては、「広い視野角特性」の有機ＥＬ素子Ａ（２６）と、「正面輝度（光取り出し効率）優先の特性」の有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は、実施例５と同様に、光学干渉条件が異なる有機ＥＬ素子で構成する。
以上のように構成することで、光学干渉条件が異なる有機ＥＬ素子Ａ（２６）と有機ＥＬ素子Ｂ（２７）を用いても、実施例３の同等の効果を得られる。
【０１１６】
〔実施例８〕
本実施例においては、有機ＥＬパネルの概略図、回路の構成、回路の動作は実施例４と同様である。
また、本実施例においては、「広い視野角特性」の有機ＥＬ素子Ａ（２６）と、「正面輝度（光取り出し効率）優先の特性」の有機ＥＬ素子Ｂ（２７）は、実施例５と同様に、光学干渉条件が異なる有機ＥＬ素子で構成する。
以上のように構成することで、光学干渉条件が異なる有機ＥＬ素子Ａ（２６）・有機ＥＬ素子Ｂ（２７）を用いても、実施例４と同等の効果を得られる。
【０１１７】
本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために以下の請求項を添付する。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明は、有機ＥＬ素子を用いた表示装置に用いられる。
【符号の説明】
【０１１９】
５５、１１５  情報信号線
５６、１１６  走査信号線
５９、６１  駆動部
２６  有機ＥＬ素子Ａ
２７  有機ＥＬ素子Ｂ
６０、６２  切替え回路
【図１】
2011145174.tif 000004
【図２】
2011145174.tif 000005
【図３】
2011145174.tif 000006
【図４】
2011145174.tif 000007
【図５】
2011145174.tif 000008
【図６】
2011145174.tif 000009
【図７】
2011145174.tif 000010
【図８】
2011145174.tif 000011
【図９】
2011145174.tif 000012
【図１０】
2011145174.tif 000013
【図１１】
2011145174.tif 000014
【図１２】
2011145174.tif 000015
【図１３】
2011145174.tif 000016
【図１４】
2011145174.tif 000017
【図１５】
2011145174.tif 000018
【図１６】
2011145174.tif 000019
【図１７】
2011145174.tif 000020
【国際調査報告】
2011145174.tif 000021
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