(57)【要約】  発光装置１は、基板２と、基板２上に設けられた一対の電極層３と、一対の電極層３の間に一対の電極層３と間を空けて実装され、一対の電極層３と電気的に接続される発光素子４と、平面透視したときに一対の電極層３の一方から他方にかけて重なるように設けられた一対の反射層５とを備えている。また、発光装置１は、一対の反射層５は、発光素子４と間を空けて、発光素子４を挟むように設けられている。
2011065421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた一対の電極層と、
前記一対の電極層の間に当該一対の電極層と間を空けて実装され、前記一対の電極層と電気的に接続された発光素子と、
平面透視したときに前記一対の電極層の一方から他方にかけて重なるように設けられた一対の反射層と、を備え、
前記一対の反射層は、前記発光素子と間を空けて、前記発光素子を挟むように設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記一対の電極層は、前記発光素子に向かって延在している延在部を有しており、当該延在部にボンディングワイヤを介して前記発光素子が電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置であって、
前記一対の電極層上には、前記延在部の一部を露出する接着層が設けられており、前記接着層は、前記電極層の端部の一部を被覆していることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置であって、
前記接着層は、前記延在部の一部を露出する切欠きを有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の発光装置であって、
前記接着層は、前記電極層と前記反射層との間に介在していることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の発光装置であって、
前記基板上には、前記反射層および前記発光素子を被覆するように波長変換部が設けられていることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を含む発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光素子を含む光源を有している発光装置の開発が進められている。発光素子を有する発光装置は、消費電力または製品寿命に関して注目されている。この発光素子を有する発光装置は、例えば住宅用照明分野などにおいて、複数の色温度の光を選択的に放射する機能を求められている。【０００３】
なお、発光装置として、発光素子から発せられる光を反射させて、外部に取り出すものがある（例えば、特開２００７−２０１１７１号公報）。発光装置は、発光装置から取り出される光の発光効率の向上が求められている。
【発明の開示】
【０００４】
本発明の一実施形態に係る発光装置は、基板と、前記基板上に設けられた一対の電極層と、前記一対の電極層の間に当該一対の電極層と間を空けて実装され、前記一対の電極層と電気的に接続された発光素子と、平面透視したときに前記一対の電極層の一方から他方にかけて重なるように設けられた一対の反射層とを備えている。さらに、発光装置は、前記一対の反射層は、前記発光素子と間を空けて、前記発光素子を挟むように設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】本実施形態に係る発光装置の概観を示す概観斜視図である。
【図２】本実施形態に係る発光装置の平面図である。
【図３】図２に示すＸ−Ｘ’に沿った発光装置の断面図である。
【図４】図２に示すＹ−Ｙ’に沿った発光装置の断面図である。
【図５】本実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する平面図である。
【図６】本実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する平面図である。
【図７】本実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する平面図である。
【図８】本実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する平面図である。
【図９】一変形例に係る発光装置の概観を示す概観斜視図である。
【図１０】一変形例に係る発光装置の概観を示す概観斜視図である。
【図１１】図１０に示す発光装置の断面図であって、図３の断面図に相当する。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる発光装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。
【０００７】
＜発光装置の構成＞
本実施形態に係る発光装置１は、基板２と、基板２上に設けられた一対の電極層３と、電極層３と電気的に接続された発光素子４と、基板２上に設けられた一対の反射層５と、を含んでいる。なお、発光素子４は、例えば、発光ダイオードであって、半導体を用いたｐｎ接合中の電子と正孔が再結合することによって、外部に向かって励起光を放出する。
【０００８】
基板２は、発光素子４が実装される実装領域Ｒ１を有している。基板２は、絶縁性の基板であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等の焼結体あるいは多孔質材料からなる。基板２が多孔質材料からなる場合は、基板２の表面は微細な孔が多数形成される。そして、発光素子４から発せられる励起光が、基板２の表面にて照射されて拡散反射する。そして、発光素子４が発する励起光を拡散反射によって多方向に放射し、発光素子４から発せられる励起光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。
【０００９】
また、基板２は、例えば、アルミナ、ムライトまたはガラスセラミックス等のセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から構成することができる。また、基板２は、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。なお、基板２の熱伝導率は、例えば、１［Ｗ／ｍ・Ｋ］以上２５０［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下に設定されている。
【００１０】
また、基板２は、図３に示すように、基板２の上面および下面を電気的に接続する貫通導体６が形成されている。貫通導体６は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。貫通導体６は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、貫通孔を形成した基板２の上面に所定パターンで印刷することにより得られる。なお、基板２の内外に露出する貫通導体６の表面には、酸化防止のためにニッケルまたは金等の鍍金層が被着されている。
【００１１】
また、貫通導体６の一部は、基板２の上面および下面にまで延在されている。そして、基板２の上面に延在した一部が一対の電極層３として機能する。
【００１２】
電極層３は、基板２の上面に形成される。基板２は、電極層３が形成される端部領域Ｒ２を有している。電極層３は、実装領域Ｒ１を間に挟んで、基板２の端部領域Ｒ２上に形成される。電極層３は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。なお、電極層３の熱伝導率は、例えば、１００［Ｗ／ｍ・Ｋ］以上４００［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下に設定されている。
【００１３】
電極層３は、発光素子３に向かって延在される延在部３ａを有している。そして、実装領域Ｒ１とは間を空けて電極層３が形成される。延在部３ａには、後述するようにボンディングワイヤを介して、実装領域Ｒ１に実装される発光素子４が電気的に接続される。発光素子４は、自発光する際に熱が発生するが、熱伝導率の優れた延在部３ａを実装領域Ｒ１の近傍にまで形成することにより、熱が基板２の一部に集中するのを抑制するとともに熱を拡散させ、基板２にクラックが発生するのを効果的に抑えることができる。
【００１４】
電極層３上には、延在部３ａの一部を露出する接着層７が形成されている。電極層３の端部の一部は、接着層７によって被覆されている。接着層７は、電極層３の上面から電極層３の側面を介して基板２の上面にまで形成される。接着層７は、電極層３の剥離を抑制する機能を備えている。接着層７が電極層３の端部を被覆することにより、電極層３の端部が基板２から剥がれるのを抑制することができる。なお、接着層７は、電極層３と反射層５との接着性を良好にする機能を備えている。接着層７は、例えば、透光性の無機材料から成るガラス、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはシリコーン樹脂等の透光性の有機材料からなる。
【００１５】
また、接着層７は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウムまたは酸化ジルコニアなどの無機粒子が含有されていたり、複数の気泡が形成されていたりしてもよい。接着層７内に無機粒子または気泡が含有されていることによって、発光素子４からの光または波長変換部８の蛍光体から放射される光は、接着層７に含有された無機粒子または気泡によって反射され、発光装置１から放射される光として利用できる。特に、発光素子４からの光は、接着層７に含有された無機粒子または気泡によって反射され、電極層３で吸収され難くなることから、波長変換部８で波長変換される光が多くなり、発光装置１の光出力は顕著に向上する。
【００１６】
接着層７は、延在部３ａの上面の一部を露出する切欠き７ａを有している。切欠き７ａから露出される電極層３の一部である延在部３ａに、発光素子４がボンディングワイヤ（符号なし）を介して電気的に接続される。ボンディングワイヤが接続される延在部３ａ周囲の接着層７に切欠き７ａが設けられ、延在部３ａの一部が露出されることにより、発光素子４または波長変換部８から放射される光の一部が、切欠き７ａで露出された延在部３ａによって基板２の反対方向に反射されることから、ボンディングワイヤが接続される延在部３ａ周囲の接着層７に入射されにくくなる。その結果、接着層７の内部で光が閉じ込められて接着層７内部において拡散反射が起きたり、各部材の反射率による光損失が発生したりするのを抑制することができ、波長変換部８で波長変換される発光素子４からの光を向上させることができる。そして、発光素子４の発する光は、ボンディングワイヤの接続部周囲の切欠き７ａによって露出された延在部３ａにて拡散反射される。
【００１７】
また、ボンディングワイヤの接続部周囲で拡散反射された光は、ボンディングワイヤの周囲のあらゆる方向からボンディングワイヤを照射する。仮に、延在部３ａの上面の一部を露出する切欠き７ａが存在しないのであれば、発光素子４からの光が発光装置１の外部に照射される際に、ボンディングワイヤの光吸収による影が照射面に映り、照射面で明るい場所や暗い場所が形成されて照射ムラが発生する虞がある。しかしながら、延在部３ａの上面の一部を露出する切欠き７ａを設けることで、照射ムラの発生を抑制することができる。即ち、照射面における照射強度のムラ、具体的には、発光素子４からの光または波長変換部８の蛍光体から放射される光が、切欠き７ａによって露出された延在部３ａにて拡散反射されることにより、拡散反射された光によってボンディングワイヤは周囲のあらゆる方向から照射されることとなり、ボンディングワイヤの影を薄くすることができ、照射面をムラなく照射することができる。
【００１８】
特に、発光素子４から放射される光が青色光より波長が短く、ボンディングワイヤが金から成る場合は、金は青色光より波長が短い光に対して反射率が急激に低下するため、ボンディングワイヤでの光損失の影響が大きい。そのため、発光装置１を駆動させる際に発生する照射面における照射強度のムラ、具体的にはボンディングワイヤの影による照射ムラが鮮明に現れる。よって、本発明の発光装置１は、発光素子４から放射される光が青色光を含む光より波長が短く、ボンディングワイヤが金から成る場合は、特に照射面における照射強度のムラを薄くすることができ、照射面をムラなく照射することができる。
【００１９】
接着層７の一部は、電極層３と反射層５との間に介在している。接着層７が電極層３と反射層５との間に介在することによって、両者の接着性を良好に維持することができる。また、接着層７は、平面透視したときに、基板２の端部領域Ｒ２上に設けられ、一対の反射層５同士の対向する側面の直下にまで設けられている。反射層５は、一対の反射層５同士の対向する側面の端部が、外部から応力が加わりやすく剥離しやすいが、接着層７を反射層５の間に介在させることで、反射層５の剥離を抑制することができる。
【００２０】
さらに、接着層７は、平面透視したときに、基板２の端部領域Ｒ２上に設けられ、一対の反射層５同士の対向する側面よりも反射層５の下側まで設けられる。接着層７は、紫外光などの短波長の光によって、接着層７を構成する材料の分子間結合が切断されることがあり、接着層７の接着性または機械的強度が劣化する虞がある。そこで、反射層５にて接着層７を被覆した箇所は、発光素子４からの光または蛍光体９からの光が反射層５の表面にて反射し、接着層７に進行しにくくすることができる。また、接着層７に短波長の光が多く照射し、接着層７の劣化が進行したとしても、接着層７の端部が反射層５にて被覆されていることで、接着層７が基板２から剥離したりするのを抑制することができる。その結果、発光装置１は、長期間に亘って正常に作動することができる。
【００２１】
発光素子４は、例えば樹脂等を介して基板２の実装領域Ｒ１に実装される。発光素子４は、実装基板と、実装基板上に形成される光半導体層とを有している。実装基板は、有機金属気相成長法等の化学気相成長法または分子線エピタキシャル成長法を用いて、光半導体層を成長させることが可能なものである。実装基板に用いられる材料としては、例えば、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等を用いることができる。なお、実装基板の厚みは、例えば１００μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００２２】
光半導体層は、実装基板上に形成される第１半導体層と、第１半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第２半導体層と、から構成されている。
【００２３】
第１半導体層、発光層および第２半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII−Ｖ族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第１半導体層の厚みは、例えば１μｍ以上５μｍ以下であって、発光層の厚みは、例えば２５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であって、第２半導体層の厚みは、例えば５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。また、このように構成された発光素子４では、例えば３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の波長範囲の励起光を発する素子を用いることができる。
【００２４】
反射層５は、発光素子４と間を空けて、発光素子４を挟むように形成されている。反射層５は、発光素子４が発する励起光を反射する機能または波長変換部８に含有された蛍光体から放射される光を反射する機能を備えている。反射層５は、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウムまたは酸化ジルコニウム等から成る金属酸化物粒子を、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはシリコーン樹脂等の透光性の樹脂、あるいは透光性のガラス等に含有したものを用いることができる。なお、反射層５の熱伝導率は、例えば、１［Ｗ／ｍ・Ｋ］以上１２［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下に設定されている。反射層５の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されており、発光素子４の厚みよりも厚く設定されている。反射層５の厚みは、発光素子４の厚みよりも０．１ｍｍ以上０．９ｍｍ以下厚く設定されている。
【００２５】
反射層５は、発光素子４の厚みよりも厚く設定されるとともに、発光素子４の一対の側面に対向するように設けられることで、発光素子４から発せられる励起光を反射して、後述する波長変換部８に向かって進行させることができる。
【００２６】
反射層５の厚みが、発光素子４の厚みよりも厚く形成されているため、発光素子４から斜め上方に向かって進む励起光を効果的に拡散反射することができる。そして、発光素子４から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。
【００２７】
また、反射層５は、平面透視したときに一対の対向する反射層５の側面が、一対の電極層３と発光素子４とを電気的に接続するボンディングワイヤに沿って配置されている。平面透視してボンディングワイヤと重なる位置にある蛍光体９は、発光素子４からの光が照射されにくい。そこで、平面透視して、ボンディングワイヤに沿って一対の対向する反射層５の側面が配置されることによって、発光素子４からの光が、反射層５の側面で拡散反射されてボンディングワイヤを照射することができる。そして、ボンディングワイヤは、反射層５の側面を介してあらゆる方向から発光素子４の光が照射されることにより、発光素子４からの光が発光素子４とボンディングワイヤとを結ぶ直線上に位置する蛍光体９に照射されることとなり、発光素子４からの光によって励起される蛍光体９が増加するとともに発光装置１の光出力が向上する。
【００２８】
平面透視したときに一対の対向する反射層５の側面が、一対の電極層３と発光素子４とを電気的に接続するボンディングワイヤに沿って配置されていない場合は、反射層５の側面で拡散反射された発光素子４の光が、発光素子４を中心として対称に一対のボンディングワイヤに照射されず、発光素子４とボンディングワイヤとを結ぶ直線上に位置する蛍光体９を、発光素子４を中心として対称に照射しにくい。その結果、発光素子４からの光によって励起される蛍光体の量にムラが発生し、発光装置１の照射面において照度分布が一様にならず、色のバラツキが発生する虞がある。
【００２９】
反射層５は、平面透視したときに一対の電極層３の一方から他方にかけて重なるように設けられている。発光素子４が自発光するとともに発する熱の一部は、電極層３を介して反射層５に伝わる。反射層５が、電極層３が形成された基板２の一端と他端にかけて帯状に広く形成されることで、発光素子４が発する熱を基板２の全面に伝わりやすくすることができ、熱が基板２の一部に集中するのを抑制し、基板２にクラックが発生するのを効果的に抑えることができる。
【００３０】
また、反射層５は、一対の電極層３の一方から他方にかけて重なるように設けられることで、一対の電極層３のそれぞれに伝わる温度を、反射層５を介して一対の電極層３で共有することができ、一対の電極層３の温度差を小さくすることができる。その結果、基板２の上面の温度分布差を抑制することができ、基板２上の各層が熱応力に起因して剥離しようとするのを低減することができる。また、基板２にクラックが発生するのも抑制することができる。
【００３１】
波長変換部８は、反射層５および発光素子４を被覆するように基板２上に設けられる。波長変換部８は、発光素子４から発せられる励起光に起因して、励起光よりも長波長の可視光を発する機能を備えている。なお、波長変換部８は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等から成る。そして、波長変換部８の樹脂中に、例えば４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば５９０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の蛍光を発する赤色蛍光体等の蛍光体９が含有されている。なお、蛍光体９は、波長変換部８中に均一に分散している。
【００３２】
また、波長変換部８は、例えばポッティング法を用いて、基板２上面に対して波長変換部８を構成する材料を滴下して、基板２上にドーム形状となるように設計されている。波長変換部８の厚みは、図３または図４に示すように、例えば０．３ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されており、発光素子４の直上が最も厚みが大きくなるように設定されている。波長変換部８をドーム形状に設計することにより、発光素子４からの励起光にて励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部８における輝度ムラを抑制することができる。
【００３３】
また、波長変換部８の一部は、一対の反射層５の間の隙間に充填される。波長変換部８の一部が、一対の反射層５の間の隙間にまで入り込んで固化することで、波長変換部８と基板２との接着力を向上させることができる。
【００３４】
本実施形態によれば、発光素子４が発する励起光が、反射層５にて反射されて、波長変換部５全体に向かって照射されることで、波長変換部５の波長変換効率が向上し、発光装置１の発光効率を向上させることができる。
【００３５】
また、波長変換部５の全体に励起光を照射させることができ、波長変換部５内で蛍光体を励起する量を、平面視して波長変換部５の全面で略均一になるように調整することができる。その結果、波長変換部５から取り出される光の均一性を向上させることができる。
【００３６】
さらに、波長変換部８に含有された蛍光体９によって基板２の方向に反射される光は、反射層５で拡散反射されて再び蛍光体９を照射する。その結果、発光素子４からの光によって励起される蛍光体９が増加するとともに、蛍光体９から放射される光が増加することから、発光装置１の光出力が向上する。
【００３７】
＜変形例＞
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る発光装置のうち、本実施形態に係る発光装置１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００３８】
＜変形例１＞
上記実施形態では、電極層３の延在部３ａの一部のみを露出するように接着層７が形成されていたが、これに限られない。例えば、図９に示すように、基板２の上面の電極層３が形成されていない領域の多くを被覆するように接着層７ｘを形成してもよい。
【００３９】
ここでは、図９に示すように、基板２上に電極層３の延在部３ａの直上に対応する箇所を露出するように一対の貫通孔Ｈを有する接着層７ｘを設ける。また、基板２の実装領域Ｒ１は、接着層７ｘによって被覆されている。そして、発光素子４が、実装領域Ｒ１に被着した接着層７ｘ上に、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウムまたは酸化ジルコニアなどの熱伝導性の優れた無機粒子が含有された接着材を介して接続される。また、貫通孔Ｈからは、電極層３の一部である延在部３ａが露出している。そして、発光素子４が、ボンディングワイヤを介して延在部３ａと電気的に接続されている。
【００４０】
接着層７ｘは、延在部３ａの一部を除いて、基板２および電極層３上に設けられているため、基板２と反射層５との接着性を向上させることができる。さらに、接着層７内には、無機粒子が含有されているため、発光素子４の発する光が、接着層７によって上方に向かって反射されて、発光装置１の光出力を顕著に向上することができる。
【００４１】
＜変形例２＞
上記実施形態では、基板２を直方体形状としたが、これに限られない。例えば、図１０または図１１に示すように、基板２ｘの上面の一部に切欠き２ａを設ける構造であっても構わない。
【００４２】
図１０に示すように、一対の電極層３の間に位置する基板２ｘの上面に、平面方向に切欠いた切欠き２ａを有する基板２ｘを用いてもよい。そして、発光素子４は、基板２ｘの切欠き２ａ内に、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウムまたは酸化ジルコニアなどの熱伝導性の優れた無機粒子が含有された接着材、あるいは銀ペーストを介して接続される。
【００４３】
この例では、電極層３が形成される基板２ｘの上面と、発光素子４が実装される基板２ｘの切欠き２ａの上面との高さ位置が異なる。発光素子４の実装される基板２ｘの切欠き２ａの上面が、電極層３が形成される基板２ｘの上面よりも低く設定されている。
【００４４】
発光素子４は、基板２ｘの切欠き２ａの上面に、例えば金属粒子が含有された、導電性を有する銀ペースト等の接着材を介して接続される。仮に、基板２ｘに切欠き２ａが存在しない場合は、導電性の接着材が漏れ広がって一対の電極層３の延在部３ａに被着することがある。一対の電極層３の延在部３ａが導電性の接着材を介して接続されると、一対の電極層３の延在部３ａが電気的に短絡され、発光装置１を正常に作動することができない虞がある。そこで、発光素子４が実装される箇所に切欠き２ａを設け、一対の電極層３の在部３ａが電気的に短絡されるのを効果的に抑制することができる。
【００４５】
＜発光装置の製造方法＞
ここで、図１または図２に示す発光装置の製造方法を説明する。なお、図５乃至図８は、発光装置の製造方法を説明するための平面図である。
【００４６】
まず、基板２を準備する。基板２が例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、基板２の型枠内に、混合物を充填して乾燥させた後、焼結前の基板２を取り出す。
【００４７】
次に、焼結前の基板２に貫通孔を形成する。また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、貫通孔を有する基板２に対して、例えば印刷法を用いて、一対の電極層３となるパターンを印刷するとともに、貫通孔に貫通導体６を充填する。このとき、電極層３は、基板２の端部領域Ｒ２上に、延在部３ａが形成されるようにパターニングする。そして、図５に示すように、電極層３が形成された焼結前の基板２を焼成する。
【００４８】
次に、図６に示すように、一対の電極層３上に、電極層３の延在部３ａを露出するように、例えばスクリーン印刷法とゾル−ゲル法とを用いて、透光性のガラスから成る接着層７を形成する。接着層７は、延在部３ａを除いた電極層３を被覆するように形成する。なお、ゾル−ゲル法により形成された接着層７内の気泡を除去するため、焼成後の基板２を約１０００℃程度に加熱して気泡を除去してもよい。また、接着層７は、印刷法を用いて、ガラス含有バインダーを所定箇所に塗布し、約１０００℃程度で焼成して形成してもよい。
【００４９】
次に、図７に示すように、平面透視して一対の電極層３の一方から他方にかけて、例えばスクリーン印刷法を用いて、酸化アルミニウム粒子を含有したエポキシ樹脂から成る一対の反射層５を形成する。つまり、反射層５は、一対の接着層７の一方から他方にかけて形成される。このとき、基板２の実装領域Ｒ１は、反射層５が形成されない。
【００５０】
次に、図８に示すように、基板２の一対の反射層５で挟まれる領域に位置する実装領域Ｒ１上に、発光素子４を例えば銀ペーストを介して実装する。そして、発光素子４と電極層３の延在部３ａとを例えば金から成るボンディングワイヤを介して電気的に接続する。
【００５１】
次に、波長変換部８を準備する。波長変換部８は、未硬化の樹脂に蛍光体９を混合したものを用いる。そして、平面視して基板２の発光素子４上に対して、上方から下方に向けて、例えばポッティング法を用いて、波長変換部８を構成する材料を滴下する。さらに、波長変換部８は、波長変換部８を構成する材料がドーム状となるように滴下して、熱を加えて硬化して形成する。このようにして、発光装置１を作製することができる。
【図１】
2011065421.tif 000003
【図２】
2011065421.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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