(57)【要約】  必要なレジストパターンが除去されたり部分的に欠損したりするのを抑制することができるレジストパターン形成装置を提供する。レジストパターン形成装置７０は、基板が配置される回転可能なステージ７２と、ステージ７２に配置される前記基板に対し現像液を吐出する現像液吐出部７８と、ステージ７２に配置される前記基板に対しガスを噴出するガス噴出部８０と、を備え、前記基板がステージ７２に設置され、現像液吐出部７８から前記基板の周縁部に対して現像液が吐出される際に、ガス噴出部８０からガスが噴出され、前記基板の内側から周縁部に向けてガスが流れることを特徴とする。
2011114883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にレジストパターンを形成するレジストパターン形成装置において、
前記基板が配置される回転可能なステージと、
前記ステージに配置される前記基板に対し現像液を吐出する現像液吐出部と、
前記ステージに配置される前記基板に対しガスを噴出するガス噴出部と、を備え、
前記基板が前記ステージに設置され、前記現像液吐出部から前記基板の周縁部に対して現像液が吐出される際に、前記ガス噴出部からのガスが前記基板の内側から前記基板の周縁部に当たるように、前記ガス噴出部からガスを噴出させることを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載のレジストパターン形成装置において、
前記現像液吐出部の現像液の吐出方向が、前記基板の回転方向に対して順方向であることを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項３】
請求項１に記載のレジストパターン形成装置において、
前記現像液吐出部の現像液の吐出方向が、前記基板の回転方向に対して逆方向であることを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のレジストパターン形成装置において、
前記現像液吐出部が、前記ステージに配置される前記基板の中央部と周縁部との間で移動可能であり、
前記基板の周縁部に位置した際は、前記基板の中央部に位置した場合の現像液の吐出角度よりも狭い角度で、現像液を吐出することを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項５】
請求項４に記載のレジストパターン形成装置において、
前記ガス噴出部が、前記現像液吐出部が移動する前記基板の周縁部側に配置されていることを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一項に記載のレジストパターン形成装置において、
前記現像液吐出部が、
前記ステージに配置される前記基板の中央部に配置され、現像液を第１の吐出角度で吐出する第１吐出部と、
前記ステージに配置される前記基板の周縁部側に配置され、現像液を前記第１の吐出角度よりも小さい角度で吐出する第２吐出部と、を備えることを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項７】
請求項６に記載のレジストパターン形成装置において、
前記ガス噴出部が、前記基板の周縁部側に配置された前記第２吐出部側に配置されていることを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のレジストパターン形成装置において、
前記レジストパターンが、ウエハレンズ用の絞りまたはアライメントマークであることを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項９】
基板にレジストパターンを形成するためのレジストパターン形成方法において、
前記基板を回転させながら前記基板にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
所定形状のマスクパターンを介して前記基板上のレジストを露光する露光工程と、
露光後のレジストに現像液を吐出する現像工程と、
前記基板の周縁部を洗浄するエッジリンス工程と、
前記基板上の現像液を洗い流すための洗浄工程と、
前記基板を乾燥させる乾燥工程と、を備え、
前記エッジリンス工程では、前記基板の内側から周縁部に向けてガスを流しながら、前記基板の周縁部に対し現像液を吐出することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のレジストパターン形成方法において、
前記エッジリンス工程の処理を、前記現像工程と前記洗浄工程との間で行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１１】
請求項９に記載のレジストパターン形成方法において、
前記エッジリンス工程の処理を、前記洗浄工程と前記乾燥工程との間で行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１２】
請求項９に記載のレジストパターン形成方法において、
前記エッジリンス工程の処理を、前記乾燥工程の後に行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１３】
ガラス基板の表面に、複数の開口部を有する絞りと、前記絞りの各開口部に対応して設けられた樹脂製の複数のレンズ部とを、有するウエハレンズの製造方法であって、
前記ガラス基板の表面のほぼ全体に亘ってレジスト層を形成する工程と、
前記絞りを形成するための所定のマスクパターンを介して、前記ガラス基板に形成されたレジスト層を露光する露光工程と、
前記露光工程後のレジスト層を現像液で現像する現像工程と、
前記ガラス基板の表面のうち、前記所定のマスクパターンのレジスト層が形成された領域と前記ガラス基板の端部との間に位置する周縁部を、洗浄するエッジリンス工程と、
前記現像工程後の現像液を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程後の前記ガラス基板を乾燥させる乾燥工程と、
前記乾燥工程後、前記絞りが形成された前記ガラス基板の表面に前記樹脂製の複数のレンズ部を形成する工程と、
を有し、
前記エッジリンス工程では、現像液を前記ガラス基板の表面の周縁部に吐出するとともに、ガスを前記ガラス基板の内側から周縁部に向かって流すことを特徴とするウエハレンズの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のウエハレンズの製造方法において、
前記エッジリンス工程の処理を、前記現像工程と前記洗浄工程との間で行うことを特徴とするウエハレンズの製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載のウエハレンズの製造方法において、
前記エッジリンス工程の処理を、前記洗浄工程と前記乾燥工程との間で行うことを特徴とするウエハレンズの製造方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載のウエハレンズの製造方法において、
前記エッジリンス工程の処理を、前記乾燥工程の後に行うことを特徴とするウエハレンズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法ならびにウエハレンズの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ウエハに対して所望のレジストパターンを均一に形成する技術として、スピンコータなどを用いた回転塗布法が一般的である。当該方法では、スピンコータで塗布したレジストがスピンコータの特性により、ウエハの本来必要な所望のレジストパターンが形成される領域よりも回転中心からみて外側に形成される部分、つまりウエハの周縁部に遠心力の作用によりレジストが特に厚く塗布されてしまい、その後に所定のマスクパターン，現像液を用いてレジストを露光・現像した場合は、ウエハの当該周縁部にレジストの残滓（残りかす）が発生してしまう。ウエハの周縁部に残ったレジストは、ウエハを取り扱う際にウエハから剥がれ落ちる可能性があり発塵の原因となる。【０００３】
そのため、ウエハの周縁部のレジストを除去するために、ウエハの周縁部に対し現像液を集中的に吐出する「エッジリンス」という工程が知られている（例えば特許文献１，２参照）。特許文献１では、エッジリンス用の洗浄液としてオゾン水を使用し、クリーンな洗浄を実現しようとしている。特許文献２では、露光を受けた部位が現像液に可溶性を有するポジ型レジストを使用し、周縁部のレジストに対し特定的に光を露光しながら現像し（または露光後に現像し）、不要なレジストを除去している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０８５５０号公報
【特許文献２】特開２００１−６８３９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、エッジリンスを行う際に、ウエハの周縁部に近いレジストパターンに現像液が過剰に飛散してしまい、必要なレジストパターンまでもが除去されたり、またはレジストパターンに部分的な欠損が生じたりしてしまう。【０００６】
このような問題は、半導体製造にかかる場合のみでなく、近年では、ウエハ状のガラス基板に複数の樹脂製レンズを形成したウエハレンズの製造にかかる場合においても、生じている。【０００７】
すなわち、ウエハレンズの製造では、ガラス基板と樹脂製レンズ部との間に絞りを形成し、この絞りを上記のようにレジストパターンで構成する場合があるが、この場合にも、上記と同様に、ウエハを構成するガラス基板に、レンズ部が形成される予定の部分に所望の絞りとしてのパターン領域を形成するが、当該領域よりも回転中心からみて外側に形成される部分、つまり基板端部との間に位置する周縁部に対して近い位置に形成された絞りのパターンを必要以上に除去したり部分的に欠損させたりすることがある。【０００８】
さらには、このような周縁部の近くには絞りの他、例えば樹脂製レンズ部は当該レンズ部形状に対応した複数の成形面を有する成形型を準備し、形成するガラス基板との間に樹脂を配置し、当該樹脂を成形型とガラス基板との間で押圧し、光や熱エネルギーで硬化させる事により形成されるが、その場合の成形型とガラス基板との位置合わせや、これらの樹脂性レンズ部がガラス基板の両面に形成される際、レンズ部が表側と裏側とで対応レンズ部の光軸ずれがないように両面での成形型の位置合わせのためにアライメントマークが同じようにレジストにより形成されることが多く、この場合、アライメントマークが除去されたり部分的に欠損したりすることがある。【０００９】
したがって、本発明の主な目的は、必要なレジストパターンが除去されたり部分的に欠損したりするのを抑制することができるレジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法ならびにウエハレンズの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、
基板にレジストパターンを形成するレジストパターン形成装置において、
前記基板が配置される回転可能なステージと、
前記ステージに配置される前記基板に対し現像液を吐出する現像液吐出部と、
前記ステージに配置される前記基板に対しガスを噴出するガス噴出部と、を備え、
前記基板が前記ステージに設置され、前記現像液吐出部から前記基板の周縁部に対して現像液が吐出される際に、前記ガス噴出部からのガスが前記基板の内側から前記基板の周縁部に当たるように、前記ガス噴出部からガスを噴出させることを特徴とするレジストパターン形成装置が提供される。【００１１】
本発明の他の態様によれば、
基板にレジストパターンを形成するためのレジストパターン形成方法において、
前記基板を回転させながら前記基板にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
所定形状のマスクパターンを介して前記基板上のレジストを露光する露光工程と、
露光後のレジストに現像液を吐出する現像工程と、
前記基板の周縁部を洗浄するエッジリンス工程と、
前記基板上の現像液を洗い流すための洗浄工程と、
前記基板を乾燥させる乾燥工程と、を備え、
前記エッジリンス工程では、前記基板の内側から周縁部に向けてガスを流しながら、前記基板の周縁部に対し現像液を吐出することを特徴とするレジストパターン形成方法が提供される。【００１２】
本発明の他の態様によれば、
ガラス基板の表面に、複数の開口部を有する絞りと、前記絞りの各開口部に対応して設けられた樹脂製の複数のレンズ部とを、有するウエハレンズの製造方法であって、
前記ガラス基板の表面のほぼ全体に亘ってレジスト層を形成する工程と、
前記絞りを形成するための所定のマスクパターンを介して、前記ガラス基板に形成されたレジスト層を露光する露光工程と、
前記露光工程後のレジスト層を現像液で現像する現像工程と、
前記ガラス基板の表面のうち、前記所定のマスクパターンのレジスト層が形成された領域と前記ガラス基板の端部との間に位置する周縁部を、洗浄するエッジリンス工程と、
前記現像工程後の現像液を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程後の前記ガラス基板を乾燥させる乾燥工程と、
前記乾燥工程後、前記絞りが形成された前記ガラス基板の表面に前記樹脂製の複数のレンズ部を形成する工程と、を有し、
前記エッジリンス工程では、現像液を前記ガラス基板の表面の周縁部に吐出するとともに、ガスを前記ガラス基板の内側から周縁部に向かって流すことを特徴とするウエハレンズの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、エッジリンスの際に、基板の内側から外側に向けてガスが流れるから、現像液が基板の内側に向けて跳ね返ったり飛散したりするのを防止することができ、必要なレジストパターンが除去されたり部分的に欠損したりするのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ウエハレンズの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿う分解断面図である。
【図３】ウエハレンズのガラス基板の表面（絞りパターンなど）を概略的に示す平面図である。
【図４】絞り形成装置の概略構成を示す（ａ）側面図（ｂ）平面図である。
【図５】現像液吐出部の現像液の吐出角度を概略的に説明するための図面である。
【図６】絞り形成方法の工程を概略的に示すフローチャートである。
【図７】図４の絞り形成装置の変形例を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１６】
図１，図２に示すとおり、ウエハレンズ５２はウエハ状のガラス基板１６を有している。ガラス基板１６は基板の一例である。ガラス基板１６の上には、複数の開口部１８ａを有する絞り１８がガラス基板１６の一部である中央部を含む所望の領域に形成されている。ガラス基板１６の上にはさらに、開口部１８ａに対応する位置に樹脂製のレンズ部（凸レンズ部２０ａ，凹レンズ部２４ａ）を一部に有する樹脂部２０が形成されている。樹脂部２０は、ガラス基板１６の中央部から絞り１８が形成された領域に形成されている。
【００１７】
絞り１８は、図３に示すとおり、レンズ部（凸レンズ部２０ａ，凹レンズ部２４ａ）に対応して各々が個片化されて矩形状を呈しており、その中央部には円形の開口部１８ａが形成されている。但し、絞り１８はこのような個片化状のものに限らず、ガラス基板１６の一面に形成され、複数の開口部１８ａが形成されているものであっても良い。
【００１８】
ＩＤ記録部５８は絞り１８の周辺部に形成されている。
【００１９】
ガラス基板１６には、絞り１８が形成されていない２つの領域６４，６６が存在している。各領域６４，６６には十字状のアライメントマーク６４ａ，６６ａが１つずつ形成されている。アライメントマーク６４ａ，６６ａは、例えば他のウエハレンズと積層するような場合など、他の部材との位置合わせの際に使用される。
【００２０】
絞り１８，アライメントマーク６４ａ，６６ａは同一材料により形成されており、具体的には遮光性フォトレジストにより構成されている。遮光性フォトレジストとしてはカーボンブラックを混入したフォトレジストが適用されている。
【００２１】
ＩＤ記録部５８は２次元バーコードにより構成されており、ウエハレンズ５２が他のウエハレンズとの間で識別可能となっている。
【００２２】
図２に示すとおり、絞り１８，ＩＤ記録部５８は樹脂部２０により被覆されている。
【００２３】
樹脂部２０は、ガラス基板１６の絞り１８，ＩＤ記録部５８が形成された面に形成され、凸レンズ部２０ａ，非レンズ部２０ｂを構成している。
【００２４】
ガラス基板１６の下部には絞り２２，樹脂部２４が形成されている。
【００２５】
絞り２２は、ガラス基板１６の上部に形成されたのと同様のパターン（図３参照）でガラス基板１６の下部に形成されている。絞り２２も、絞り１８，ＩＤ記録部５８，アライメントマーク６４ａ，６６ａと同様の遮光性フォトレジストから構成されている。
【００２６】
絞り２２は樹脂部２４により被覆されている。
【００２７】
樹脂部２４は凸レンズ部２０ａと同軸位置に凹レンズ部２４ａを構成している。
【００２８】
１組の凸レンズ部２０ａ，絞り１８，絞り２２，凹レンズ部２４ａにより構成される部分が部品の一単位に相当し、これらがガラス基板１６に多数保持された状態で他のウエハレンズやスペーサ基板と積層される。
【００２９】
このようなウエハレンズ積層体では、図２中上側から下側に向けて順に、凸レンズ部２０ａ，絞り１８の開口部１８ａ，絞り２２の開口部２２ａ，凹レンズ部２４ａ，他のウエハレンズの各レンズ部，スペーサ基板の開口部が光軸３４上に配置され、ダイシングライン６１に沿って一括的に切断され、レンズユニットが形成される。
【００３０】
続いて、レジストパターン形成装置について説明する。
【００３１】
図４に示すとおり、レジストパターン形成装置７０は円形状のステージ７２を有している。ステージ７２はガラス基板１６とほぼ同じサイズを有しており、真空チャック機構によりガラス基板１６を吸着・固定することができる。ステージ７２の下部にはこれを支持する支持体７４と回転軸７６とが連結されている。回転軸７６はモータ（図示略）に接続されている。当該モータの回転力を受けて回転軸７６が回転すると、支持体７４がこれに伴い回転し、ステージ７２が所定方向に回転するようになっている（図４（ｂ）矢印参照）。
【００３２】
ステージ７２の上方には、現像液を吐出する現像液吐出部７８と、ガスを噴出するガス噴出部８０とが設けられている。
【００３３】
現像液吐出部７８はステージ７２の上方において、中央部と周縁部との間で移動可能となっている（図４（ａ）点線部，矢印参照）。なお、周縁部とは、配置されるガラス基板１６において、所望のレジストによる絞りパターン（１８）の最も外側の部分や、アライメントマーク（６４ａ，６６ａ）が形成された部分よりも外側でガラス基板１６端部との間に位置した部位である。図４（ａ）に示すとおり、現像液吐出部７８はステージ７２の中央部に配置されたときはステージ７２と直交する向きに配置され、他方、ステージ７２の周縁部に配置されたときは、ステージ７２の中央部から周縁部に向かう向きに傾いた状態で配置される。図５に示すとおり、現像液吐出部７８の現像液の吐出角度は可変であり、吐出口両端部とも同じく、それぞれの端部を通る吐出方向の平行線Ｌ１に対し角度α（°）で現像液を吐出することも、それよりθ（°）分だけせまい角度の角度β（°）で現像液を吐出することも可能となっている。
【００３４】
図４に示すとおり、ガス噴出部８０はステージ７２の上方でステージ７２の周縁部側に位置した現像液吐出部７８の近傍に配置されている。ステージ７２にガラス基板１６が設置された状態において、ガス噴出部８０は、ガラス基板１６の周縁部に対応する位置側に配置される。ガス噴出部８０からは窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスが噴出される。当該不活性ガスは流体の一例であり、その他のガスが噴出されてもよい。
【００３５】
続いて、レジストパターン形成方法を中心としたウエハレンズ５２の製造方法について説明する。
【００３６】
ここでは、基板の一例としてガラス基板１６を使用し、レジストパターンの一例として絞り１８，ＩＤ記録部５８，アライメントマーク６４ａ，６６ａを形成している。
【００３７】
図６に示すとおり、ウエハレンズ５２は主には（Ｓ１）〜（Ｓ７）の工程を経て製造される。
（Ｓ１）ガラス基板１６に対しレジストを塗布する。
（Ｓ２）所定形状のマスクパターンを介してレジストに対し露光する。
（Ｓ３）露光後のレジストを全体的に現像する。
（Ｓ４）ガラス基板１６の周縁部のレジストを局部的に現像する、すなわちエッジリンスする。
（Ｓ５）現像後のガラス基板１６を洗浄する。
（Ｓ６）洗浄後のガラス基板１６を乾燥させる。
（Ｓ７）乾燥後のガラス基板１６を焼成する。
【００３８】
（Ｓ１）の工程では、公知のスピンコータを用いて、ガラス基板１６を回転させながら、遮光性フォトレジストをガラス基板１６に滴下し、遮光性フォトレジスト（レジスト層）をガラス基板１６のほぼ全面にわたり塗布する。
【００３９】
（Ｓ２）の工程では、絞り１８などの形状に対応した所定形状のマスクをガラス基板１６の表面の上方に配置し、その上方から紫外光などの光をガラス基板１６に向けて露光する。
【００４０】
（Ｓ３）の工程では、露光後のガラス基板１６を絞り形成装置７０のステージ７２に設置するとともに、現像液吐出部７８をステージ７２の上方の中央部に配置する。その後、ステージ７２を回転させてガラス基板１６を回転させ、これと合わせて、現像液吐出部７８から現像液をガラス基板１６に向けて角度αで広く吐出する。現像液はガラス基板１６の回転に伴いその中央部から周縁部に向けて広がり、露光後の遮光性レジストがガラス基板１６の全面にわたり現像される。ここでは、露光を受けた遮光性レジストが除去される。
【００４１】
（Ｓ４）の工程では、現像液吐出部７８をステージ７２の上方の中央部から周縁部に移動させ、ステージ７２の上方の周縁部で、再度、現像液吐出部７８から現像液をガラス基板１６に向けて吐出する。これと合わせて、ガス噴出部８０からガスをガラス基板１６に向けて噴出し、そのガスがガラス基板１６の内側（回転中心）から外側（周縁部）に当たるように、ガスを流す（図４（ｂ）参照）。すなわち、（Ｓ４）の工程では、ガラス基板１６の周縁部に対し、ガスを流しながら特定的に現像液を吐出する。
【００４２】
この場合、現像液吐出部７８の現像液の吐出角度を角度βとして（Ｓ３）の工程における現像液の吐出角度よりも狭くし、ガラス基板１６の周縁部に向かう現像液の吐出範囲を特定する。
【００４３】
なお、ステージ７２の上方の周縁部における現像液吐出部７８の向き（配置）や現像液の吐出方向は、遮光性レジストの残滓などの状況に応じて変更可能である。例えば、ステージ７２の上方の周縁部では、図４（ｂ）に示すとおり、現像液吐出部７８の向きを変更して、ステージ７２の回転方向に沿う方向（順方向）に現像液を吐出するようにしてもよいし、ステージ７２の回転方向に反する方向（逆方向）に現像液を吐出するようにしてもよい。ただ、逆方向に現像液を吐出すると、ステージ７２上のガラス基板１６の回転に反発することになり現像液が跳ね返って飛散する可能性があるため、現像液の吐出方向は好ましくは順方向とするのがよい。
【００４４】
（Ｓ４）の工程では、ガラス基板１６の周縁部における遮光性レジストの現像と同時に、現像液吐出部７８の近傍のガス噴出部８０からガスを噴出するから、現像液がガラス基板１６の外側から内側に向けて回り込んだり、現像液が飛散してガラス基板１６に付着したりすることを抑制することができ、ガラス基板１６の周縁部の遮光性レジストのみを集中的に現像（除去）することが可能である。
【００４５】
なお、ガス噴出部８０によるガス噴出により、ガラス基板１６の周縁部への現像液の吐出位置が所望の位置から大きく外れてしまう場合は、ガス噴出圧を調整することで対応することが可能である。
【００４６】
（Ｓ５）の工程では、超純水などの洗浄液をガラス基板１６に噴出してガラス基板１６上の現像液を洗い流し、現像後のガラス基板１６を洗浄する。
【００４７】
（Ｓ６）の工程では、洗浄後のガラス基板１６に対し熱風をあてたり、洗浄後のガラス基板１６を恒温槽に移送したりして、ガラス基板１６を乾燥させる。その結果、ガラス基板１６に対し、所定パターンを有する絞り１８，ＩＤ記録部５８，アライメントマーク６４ａ，６６ａを形成することができる。絞り２２を形成する場合も、ガラス基板１６の裏面に対し（Ｓ１）〜（Ｓ６）と同様の工程を繰り返せばよい。
【００４８】
なお、（Ｓ４）の工程の処理は、（Ｓ５）の工程の後に実施してもよいし、（Ｓ６）の工程の後に実施してもよい。
【００４９】
（Ｓ７）の工程では、乾燥後のガラス基板１６を焼成し、絞り１８，絞り２２，ＩＤ記録部５８，アライメントマーク６４ａ，６６ａを構成する遮光性レジスト（樹脂）を完全に硬化させる。
【００５０】
その後は、ガラス基板１６のアライメントマーク６４ａ，６６ａを基準として成形型を位置合わせし、ガラス基板１６と成形型との間に樹脂を充填し、当該樹脂を硬化させて離型すれば、樹脂部２０，２４を有するウエハレンズ５２を製造することができる。
【００５１】
以上の本実施形態によれば、（Ｓ４）のエッジリンスの工程では、ガス噴出部８０からガスを噴出し、ガラス基板１６の内側から外側に向けてガスを流すから、現像液がガラス基板１６の内側に向けて跳ね返ったり飛散したりするのを防止することができ、必要なレジストパターン（絞り１８，ＩＤ記録部５８，アライメントマーク６４ａ，６６ａ）が除去されたり部分的に欠損したりするのを抑制することができる。
【００５２】
なお、図７に示すとおり、現像液吐出部（７８）を、２つの現像液吐出部７８ａ，７８ｂで構成してもよい。詳しくは、ステージ７２の上方において、現像液吐出部７８ａをステージ７２の中央部に配置し、現像液吐出部７８ｂをステージ７２の周縁部に配置する。このときガス噴出部８０は現像液吐出部７８ｂの近傍に配置される。ステージ７２にガラス基板１６が設置された状態において、ガス噴出部７８は、ガラス基板１６の中央部に対応する位置より現像液吐出部７８ｂ側に配置される。現像液吐出部７８ａは現像液を角度αで吐出し、現像液吐出部７８ｂは現像液を角度βで吐出するようになっている。当該構成においては、（Ｓ３）の工程では現像液吐出部７８ａから現像液を吐出し、（Ｓ４）の工程では現像液吐出部７８ｂから現像液を吐出すればよい。
【符号の説明】
【００５３】
１６  ガラス基板
１８  絞り
１８ａ  開口部
２０  樹脂部
２０ａ  凸レンズ部
２０ｂ  非レンズ部
２２  絞り
２４  樹脂部
２４ａ  凹レンズ部
５２  ウエハレンズ
５８  ＩＤ記録部
６４，６６  領域
６４ａ，６６ａ  アライメントマーク
７０  レジストパターン形成装置
７２  ステージ
７４  支持体
７６  回転軸
７８  現像液吐出部
７８ａ，７８ｂ  現像液吐出部
８０  ガス噴出部
【図４】
2011114883.tif 000003
【図５】
2011114883.tif 000004
【図１】
2011114883.tif 000005
【図２】
2011114883.tif 000006
【図３】
2011114883.tif 000007
【図６】
2011114883.tif 000008
【図７】
2011114883.tif 000009
【国際調査報告】
2011114883.tif 000010
2011114883.tif 000011
2011114883.tif 000012