(57)【要約】下記式（１）で表される含窒素複素環誘導体。2011086935.tif 000091（式中、Ｒ１〜Ｒ１２のいずれか１２−ａ個は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、Ｒ１〜Ｒ１２のいずれかａ個は単結合でありＬ１と結合している。Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のｂ＋１価の炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のｂ＋１価の複素環基である。ＨＡｒは、置換もしくは無置換の含窒素複素環基である。ａ及びｂは、それぞれ１〜４の整数であり、ａ及びｂの少なくとも一方は１である。）他に下記式（２１）、（３１）で表される含窒素複素環誘導体。2011086935.tif 000092
2011086935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される含窒素複素環誘導体。
【化７８】
2011086935.tif 000081
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２のいずれか１２−ａ個は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、Ｒ１〜Ｒ１２のいずれかａ個は単結合でありＬ１と結合している。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のｂ＋１価の炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のｂ＋１価の複素環基である。
ＨＡｒは、置換もしくは無置換の含窒素複素環基である。
ａ及びｂは、それぞれ１〜４の整数であり、ａ及びｂの少なくとも一方は１である。）
【請求項２】
ＨＡｒが、下記式（２）〜（６）で表される含窒素複素環基のいずれかである請求項１に記載の含窒素複素環誘導体。
【化７９】
2011086935.tif 000082
（式中、Ｒ１１１〜Ｒ１３０は、それぞれ水素原子又は置換基であるか、又はＲ１１１〜Ｒ１３０のうち隣接する置換基同士で結合して飽和もしくは不飽和の環を形成する。
但し、Ｒ１１１〜Ｒ１１５のいずれか１つ、Ｒ１１６〜Ｒ１１９のいずれか１つ、Ｒ１２０〜Ｒ１２２のいずれか１つ、Ｒ１２３〜Ｒ１２６のいずれか１つ、及びＲ１２７〜Ｒ１３０のいずれか１つは単結合であり、Ｌ１と結合する。）
【請求項３】
ＨＡｒが、下記式（７）〜（２０）で表される含窒素複素環基のいずれかである請求項１又は２に記載の含窒素複素環誘導体。
【化８０】
2011086935.tif 000083
（式中、複素環骨格に置換するＲのいずれか１つは単結合であり、Ｌ１と結合する。その他のＲは、それぞれ水素原子又は置換基であるか、又は隣接するＲ同士で結合して飽和もしくは不飽和の環を形成する。）
【請求項４】
ａが１であり、ｂが１である請求項１〜３のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体。
【請求項５】
下記式（２１）で表される含窒素複素環誘導体。
【化８１】
2011086935.tif 000084
（式中、Ｒ２０１〜Ｒ２１４のいずれか１４−ａ個は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜８のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、Ｒ２０１〜Ｒ２１４のいずれかａ個は単結合であり、Ｌ１と結合している。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のｂ＋１価の炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のｂ＋１価の複素環基を示す。
ＨＡｒは、置換もしくは無置換の含窒素複素環基である。
ａ及びｂは、それぞれ１〜４の整数であり、ａ及びｂの少なくとも一方は１である。）
【請求項６】
ＨＡｒが、下記式（２）〜（６）で表される含窒素複素環基のいずれかである請求項５に記載の含窒素複素環誘導体。
【化８２】
2011086935.tif 000085
（式中、Ｒ１１１〜Ｒ１３０は、それぞれ水素原子又は置換基であり、Ｒ１１１〜Ｒ１３０は隣接する置換基同士で結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
Ｒ１１１〜Ｒ１１５のいずれか１つ、Ｒ１１６〜Ｒ１１９のいずれか１つ、Ｒ１２０〜Ｒ１２２のいずれか１つ、Ｒ１２３〜Ｒ１２６のいずれか１つ、及びＲ１２７〜Ｒ１３０のいずれか１つは単結合であり、Ｌ１と結合する。）
【請求項７】
ＨＡｒが、下記式（７）〜（２０）で表される含窒素複素環基のいずれかである請求項５又は６に記載の含窒素複素環誘導体。
【化８３】
2011086935.tif 000086
（式中、複素環骨格に置換するＲのいずれか１つは単結合であり、Ｌ１と結合する。その他のＲは、それぞれ水素原子又は置換基であるか、又は隣接するＲ同士で結合して飽和もしくは不飽和の環を形成する。）
【請求項８】
ａが１であり、ｂが１である請求項５〜７のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体。
【請求項９】
下記式（３１）で表される含窒素複素環誘導体。
【化８４】
2011086935.tif 000087
（式中、Ｒ４０１〜Ｒ４１６はそれぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基を示す。Ｒ４０１〜Ｒ４１０の１つ、及びＲ４１１〜Ｒ４１６の１つは単結合であり、Ｌ１と結合している。Ｒ４１１〜Ｒ４１６は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のｃ＋ｄ価の炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のｃ＋ｄ価の複素環基を示す。
ｃ及びｄはそれぞれ１〜３の整数を示す。
但し、Ｌ１、Ｒ４０１〜Ｒ４１６はアントラセン含有基ではない。）
【請求項１０】
ｃが１である請求項９に記載の含窒素複素環誘導体。
【請求項１１】
下記式（３２）で表される請求項９又は１０に記載の含窒素複素環誘導体。
【化８５】
2011086935.tif 000088
（式中において、Ｒ４０２〜Ｒ４１６、Ｌ１、及びｄは請求項９と同様な基を表す。）
【請求項１２】
ｄが１である請求項１１に記載の含窒素複素環誘導体。
【請求項１３】
下記式（３３）又は（３４）で表される請求項１２に記載の含窒素複素環誘導体。
【化８６】
2011086935.tif 000089
（式中、Ｒ４０２〜Ｒ４１４、Ｒ４１６及びＬ１は請求項９と同様な基を表す。）
【請求項１４】
有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１〜１３のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体。
【請求項１５】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が、障壁層材料である請求項１４に記載の含窒素複素環誘導体。
【請求項１６】
陽極、発光層、障壁層、及び陰極をこの順に備え、
前記障壁層が請求項１〜１３のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
発光層と陰極との間に、電子注入層及び／又は電子輸送層を有し、前記電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層が請求項１〜１３のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１８】
前記発光層が、下記式（４１）で表されるアントラセン誘導体を含む請求項１６又は１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化８７】
2011086935.tif 000090
（式中、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
Ｒ３０１〜Ｒ３０８は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
【請求項１９】
前記式（４１）で表されるアントラセン誘導体を含有する発光層が、前記含窒素複素環誘導体を含有する障壁層と接している請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、含窒素複素環誘導体及びそれを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。【０００３】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極とからなる一対の電極と、これら電極の間に有機薄膜層を備える。有機薄膜層は、各機能を有する層の積層体によって構成されており、例えば、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、障壁層、電子輸送層及び電子注入層をこの順に積層した積層体である。【０００４】
有機ＥＬ素子は、その発光原理に従い、蛍光型と燐光型の２種類に分けることができる。蛍光型の有機ＥＬ素子では一重項励起子による発光を用い、燐光型の有機ＥＬ素子では三重項励起子による発光を用いる。燐光型素子においては、一重項励起子に比べて励起子寿命が長い三重項励起子の発光層外への拡散を防止する目的で、発光層の陰極側界面に隣接する層に三重項エネルギーが大きい材料を用いることによって高効率を達成することが知られている。【０００５】
特許文献１には発光層に隣接したフェナントロリン誘導体であるＢＣＰ（バソクプロイン）からなる障壁層を設け、三重項励起子を閉じ込めることにより高効率化を図る技術が開示されている。また、特許文献２においては、特定の芳香族環化合物を正孔障壁層に用いて高効率・長寿命化を図っている。
一方、蛍光型有機ＥＬ素子においても、三重項励起子に起因する発光が近年報告がされている（例えば、非特許文献１及び２、特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００２−５２５８０８号公報
【特許文献２】米国特許第７０１８７２３号明細書
【特許文献３】特開２００４−２１４１８０号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Journal  of  Applied  Physics，102，114504（2007）
【非特許文献２】SID2008  DIGEST，709（2008）
【発明の概要】
【０００８】
本発明の目的は、印加電圧の上昇を防ぎ、ＴＴＦ（Ｔｒｉｐｌｅｔ−Ｔｒｉｐｌｅｔ  Ｆｕｓｉｏｎ）現象を利用して有機ＥＬ素子の高効率な発光を可能とする新規な含窒素複素環誘導体を提供することである。
また、本発明の目的は、ＴＴＦ現象を促進するために最適な障壁材料を提供することである。
【０００９】
本発明によれば、以下の含窒素複素環誘導体等が提供される。
１．下記式（１）で表される含窒素複素環誘導体。
【化１】
2011086935.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２のいずれか１２−ａ個は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、Ｒ１〜Ｒ１２のいずれかａ個は単結合でありＬ１と結合している。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のｂ＋１価の炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のｂ＋１価の複素環基である。
ＨＡｒは、置換もしくは無置換の含窒素複素環基である。
ａ及びｂは、それぞれ１〜４の整数であり、ａ及びｂの少なくとも一方は１である。）
２．ＨＡｒが、下記式（２）〜（６）で表される含窒素複素環基のいずれかである１に記載の含窒素複素環誘導体。
【化２】
2011086935.tif 000004
（式中、Ｒ１１１〜Ｒ１３０は、それぞれ水素原子又は置換基であるか、又はＲ１１１〜Ｒ１３０のうち隣接する置換基同士で結合して飽和もしくは不飽和の環を形成する。
但し、Ｒ１１１〜Ｒ１１５のいずれか１つ、Ｒ１１６〜Ｒ１１９のいずれか１つ、Ｒ１２０〜Ｒ１２２のいずれか１つ、Ｒ１２３〜Ｒ１２６のいずれか１つ、及びＲ１２７〜Ｒ１３０のいずれか１つは単結合であり、Ｌ１と結合する。）
３．ＨＡｒが、下記式（７）〜（２０）で表される含窒素複素環基のいずれかである１又は２に記載の含窒素複素環誘導体。
【化３】
2011086935.tif 000005
（式中、複素環骨格に置換するＲのいずれか１つは単結合であり、Ｌ１と結合する。その他のＲは、それぞれ水素原子又は置換基であるか、又は隣接するＲ同士で結合して飽和もしくは不飽和の環を形成する。）
４．ａが１であり、ｂが１である１〜３のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体。
５．下記式（２１）で表される含窒素複素環誘導体。
【化４】
2011086935.tif 000006
（式中、Ｒ２０１〜Ｒ２１４のいずれか１４−ａ個は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜８のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、Ｒ２０１〜Ｒ２１４のいずれかａ個は単結合であり、Ｌ１と結合している。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のｂ＋１価の炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のｂ＋１価の複素環基を示す。
ＨＡｒは、置換もしくは無置換の含窒素複素環基である。
ａ及びｂは、それぞれ１〜４の整数であり、ａ及びｂの少なくとも一方は１である。）
６．ＨＡｒが、下記式（２）〜（６）で表される含窒素複素環基のいずれかである５に記載の含窒素複素環誘導体。
【化５】
2011086935.tif 000007
（式中、Ｒ１１１〜Ｒ１３０は、それぞれ水素原子又は置換基であるか、又はＲ１１１〜Ｒ１３０のうち隣接する置換基同士で結合して飽和もしくは不飽和の環を形成する。
但し、Ｒ１１１〜Ｒ１１５のいずれか１つ、Ｒ１１６〜Ｒ１１９のいずれか１つ、Ｒ１２０〜Ｒ１２２のいずれか１つ、Ｒ１２３〜Ｒ１２６のいずれか１つ、及びＲ１２７〜Ｒ１３０のいずれか１つは単結合であり、Ｌ１と結合する。）
７．ＨＡｒが、下記式（７）〜（２０）で表される含窒素複素環基のいずれかである５又は６に記載の含窒素複素環誘導体。
【化６】
2011086935.tif 000008
（式中、複素環骨格に置換するＲのいずれか１つは単結合であり、Ｌ１と結合する。その他のＲは、それぞれ水素原子又は置換基であるか、又は隣接するＲ同士で結合して飽和もしくは不飽和の環を形成する。）
８．ａが１であり、ｂが１である５〜７のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体。
９．下記式（３１）で表される含窒素複素環誘導体。
【化７】
2011086935.tif 000009
（式中、Ｒ４０１〜Ｒ４１６はそれぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基を示す。Ｒ４０１〜Ｒ４１０の１つ、及びＲ４１１〜Ｒ４１６の１つは単結合であり、Ｌ１と結合している。Ｒ４１１〜Ｒ４１６は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のｃ＋ｄ価の炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のｃ＋ｄ価の複素環基を示す。
ｃ及びｄはそれぞれ１〜３の整数を示す。
但し、Ｌ１、Ｒ４０１〜Ｒ４１６はアントラセン含有基ではない。）
１０．ｃが１である９に記載の含窒素複素環誘導体。
１１．下記式（３２）で表される９又は１０に記載の含窒素複素環誘導体。
【化８】
2011086935.tif 000010
（式中において、Ｒ４０２〜Ｒ４１６、Ｌ１、及びｄは９と同様な基を表す。）
１２．ｄが１である１１に記載の含窒素複素環誘導体。
１３．下記式（３３）又は（３４）で表される１２に記載の含窒素複素環誘導体。
【化９】
2011086935.tif 000011
（式中、Ｒ４０２〜Ｒ４１４、Ｒ４１６及びＬ１は９と同様な基を表す。）
１４．有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である１〜１３のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体。
１５．前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が、障壁層材料である１４に記載の含窒素複素環誘導体。
１６．陽極、発光層、障壁層、及び陰極をこの順に備え、
前記障壁層が１〜１３のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
１７．発光層と陰極との間に、電子注入層及び／又は電子輸送層を有し、前記電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層が１〜１３のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
１８．前記発光層が、下記式（４１）で表されるアントラセン誘導体を含む１６又は１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１０】
2011086935.tif 000012
（式中、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
Ｒ３０１〜Ｒ３０８は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
１９．前記式（４１）で表されるアントラセン誘導体を含有する発光層が、前記含窒素複素環誘導体を含有する障壁層と接している１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１０】
本発明によれば、印加電圧の上昇を防ぎ、ＴＴＦ（Ｔｒｉｐｌｅｔ−Ｔｒｉｐｌｅｔ  Ｆｕｓｉｏｎ）現象を利用して有機ＥＬ素子の高効率な発光を可能とする新規な含窒素複素環誘導体が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態の一例を示す図である。
【図２Ａ】本発明の各層のエネルギーギャップの関係を示す図である。
【図２Ｂ】本発明の各層のエネルギーギャップの関係に基づく作用を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の含窒素複素環誘導体は、下記式（１）で表される。
【化１１】
2011086935.tif 000013
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２のいずれか１２−ａ個は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、Ｒ１〜Ｒ１２のいずれかａ個は単結合でありＬ１と結合している。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のｂ＋１価の炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のｂ＋１価の複素環基である。
ＨＡｒは、置換もしくは無置換の含窒素複素環基である。
ａ及びｂは、それぞれ１〜４の整数であり、ａ及びｂの少なくとも一方は１である。）
【００１３】
式（１）において、ａが２以上の場合、２以上のＨＡｒはそれぞれ同じでも異なってもよい。同様に、ｂが２以上の場合、ベンゾフェナントレン部位は同一でも異なってもよい。
また、式（１）において、Ｌ１のベンゾフェナントレン部位との結合位置は、好ましくはＲ５又はＲ８である。Ｒ５及びＲ８は反応性の高い結合位置であるため、Ｌ１とＲ５又はＬ１とＲ８が結合することにより、式（１）で表される含窒素複素環誘導体は電子に対してより安定となることができる。
【００１４】
また、本発明の含窒素複素環誘導体は、下記式（２１）で表される。
【化１２】
2011086935.tif 000014
（式中、Ｒ２０１〜Ｒ２１４のいずれか１４−ａ個は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜８のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり、Ｒ２０１〜Ｒ２１４のいずれかａ個は単結合でありＬ１と結合している。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のｂ＋１価の炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のｂ＋１価の複素環基を示す。
ＨＡｒは、置換もしくは無置換の含窒素複素環基である。
ａ及びｂは、それぞれ１〜４の整数であり、ａ及びｂの少なくとも一方は１である。）
【００１５】
式（２１）において、ａが２以上の場合、２以上のＨＡｒはそれぞれ同じでも異なってもよい。同様に、ｂが２以上の場合、ベンゾクリセン部位は同一でも異なってもよい。
また、式（２１）において、Ｌ１のベンゾクリセン部位との結合位置は、好ましくはＲ２０５である。Ｒ２０５は反応性の高い結合位置であるため、Ｌ１とＲ２０５が結合することにより、式（２１）で表される含窒素複素環誘導体は電子に対してより安定となることができる。
【００１６】
式（１）及び式（２１）のＨＡｒの置換もしくは無置換の含窒素複素環基は、好ましくは下記式（２）〜（６）で表される含窒素複素環基のいずれかであり、より好ましくは下記式（７）〜（２０）で表される含窒素複素環基のいずれかである。
【００１７】
【化１３】
2011086935.tif 000015
（式中、Ｒ１１１〜Ｒ１３０は、それぞれ水素原子又は置換基であるか、又はＲ１１１〜Ｒ１３０のうち隣接する置換基同士で結合して飽和もしくは不飽和の環を形成する。
但し、Ｒ１１１〜Ｒ１１５のいずれか１つ、Ｒ１１６〜Ｒ１１９のいずれか１つ、Ｒ１２０〜Ｒ１２２のいずれか１つ、Ｒ１２３〜Ｒ１２６のいずれか１つ、及びＲ１２７〜Ｒ１３０のいずれか１つは単結合であり、Ｌ１と結合する。）
【００１８】
【化１４】
2011086935.tif 000016
（式中、複素環骨格に置換するＲのいずれか１つは単結合であり、Ｌ１と結合する。その他のＲは、それぞれ水素原子又は置換基であるか、又は隣接するＲ同士で結合して飽和もしくは不飽和の環を形成する。）
【００１９】
ＨＡｒの具体例として、以下のような含窒素複素環基が挙げられる。
【化１５】
2011086935.tif 000017
【化１６】
2011086935.tif 000018
【化１７】
2011086935.tif 000019
【化１８】
2011086935.tif 000020
【化１９】
2011086935.tif 000021
【化２０】
2011086935.tif 000022
【００２０】
式（１）及び式（２１）のａ及びｂは、好ましくはａ＝ｂ＝１、ａ＝２且つｂ＝１、又はａ＝１且つｂ＝２であり、より好ましくはａ＝ｂ＝１である。
【００２１】
また、本発明の含窒素複素環誘導体は下記式（３１）で表される。
【化２１】
2011086935.tif 000023
（式中、Ｒ４０１〜Ｒ４１６はそれぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基を示す。Ｒ４０１〜Ｒ４１０の１つ、及びＲ４１１〜Ｒ４１６の１つは単結合であり、Ｌ１と結合している。Ｒ４１１〜Ｒ４１６は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のｃ＋ｄ価の炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のｃ＋ｄ価の複素環基を示す。
ｃ及びｄはそれぞれ１〜３の整数を示す。
但し、Ｌ１、Ｒ４０１〜Ｒ４１６はアントラセン含有基ではない。）
【００２２】
式（３１）において、ｃが２以上の場合、２以上のフルオランテン部位はそれぞれ同じでも異なってもよい。同様に、ｄが２以上の場合、ベンズイミダゾール部位は同一でも異なってもよい。
【００２３】
式（３１）において、ｃは好ましくは１であり、より好ましくは下記式（３２）で表される含窒素複素環誘導体である。
【化２２】
2011086935.tif 000024
（式中において、Ｒ４０２〜Ｒ４１６、Ｌ１、及びｄは式（３１）と同様な基を表す。）
【００２４】
式（３２）において、ｄは好ましくは１であり、より好ましくは下記式（３３）又は（３４）で表される含窒素複素環誘導体である。
【化２３】
2011086935.tif 000025
（式中、Ｒ４０２〜Ｒ４１４、Ｒ４１６及びＬ１は、式（３１）と同様な基を表す。）
【００２５】
以下、本発明の含窒素複素環誘導体の各置換基について説明する。
Ｒ１〜Ｒ１２、Ｒ２０１〜Ｒ２１４及びＲ４０１〜Ｒ４１６の環形成炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クリセニル基、ベンゾフェナントリル基、ベンズアントリル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基等が挙げられる。
但し、Ｒ４０１〜Ｒ４１６はアントラセン環は含まない。
【００２６】
Ｒ１〜Ｒ１２、Ｒ２０１〜Ｒ２１４及びＲ４０１〜Ｒ４１６の環形成原子数５〜３０の複素環基としては、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基等が挙げられる。
【００２７】
Ｒ２０１〜Ｒ２１４及びＲ４０１〜Ｒ４１６の炭素数１〜１０のアルキル基としては、エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
【００２８】
Ｒ２０１〜Ｒ２１４及びＲ４０１〜Ｒ４１６の炭素数３〜８のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。
【００２９】
Ｒ２０１〜Ｒ２１４及びＲ４０１〜Ｒ４１６の炭素数３〜３０のアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基等が挙げられる。
【００３０】
Ｒ２０１〜Ｒ２１４及びＲ４０１〜Ｒ４１６の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基、トリキシリルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。
【００３１】
Ｒ２０１〜Ｒ２１４及びＲ４０１〜Ｒ４１６の炭素数１〜２０のアルコキシ基は、−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、上記アルキル基と同様の例が挙げられる。
【００３２】
Ｒ２０１〜Ｒ２１４及びＲ４０１〜Ｒ４１６の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基は、−ＯＡｒで表される基であり、Ａｒの例としては、上記アリール基と同様である。
【００３３】
Ｒ４０１〜Ｒ４１６のアルキルアミノ基及びアリールアミノ基は、−ＮＹ１Ｙ２と表され、Ｙ１及びＹ２の例としては、水素原子、上記のアルキル又はアリールの例が挙げられる。Ｙ１及びＹ２はそれぞれ異なっていてもよい。
【００３４】
Ｌ１の環形成炭素数６〜３０の炭化水素環基としては、例えば２価のアリーレン基が挙げられ、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ピセニレン基、ピレニレン基、ペンタフェニレン基、フルオレニレン基、クリセニレン基等が挙げられる。
Ｌ１が３価以上の場合、当該Ｌ１は、上記２価のアリーレン基に対応する残基が挙げられる。
但し、式（３１）のＬ１は、アントラセン環を含まない。
【００３５】
Ｌ１の環形成原子数５〜３０の複素環基としては、例えば２価の複素環基である場合、ピリジニレン基、ピラジニレン基、ピリミジニレン基、ピリダジニレン基、トリアジニレン基、インドリレン基、キノリニレン基、アクリジニレン基、ピロリジニレン基、ジオキサニレン基、ピペリジニレン基、モルフォリレン基、ピペラジニレン基、カルバゾリレン基、フラニレン基、チオフェニレン基、オキサゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ベンゾオキサゾリレン基、チアゾリレン基、チアジアゾリレン基、ベンゾチアゾリレン基、トリアゾリレン基、イミダゾリレン基、ベンゾイミダゾリレン基、フラニレン基、ジベンゾフラニレン等が挙げられる。
Ｌ１が３価以上の場合、当該Ｌ１は、上記２価の複素環基に対応する残基が挙げられる。
【００３６】
Ｒの置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基等が挙げられる。
【００３７】
Ｒ１〜Ｒ１２、Ｒ２０１〜Ｒ２１４、Ｒ４０１〜Ｒ４１６、Ｌ１及びＨＡｒの各置換基がさらに置換基を有する場合、当該置換基としては、上述のアルキル基、アルキルシリル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、ジベンゾフラニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
【００３８】
尚、本発明の含窒素複素環誘導体の各置換基について、「無置換」とは、水素原子が置換したことを意味する。また、本発明の含窒素複素環誘導体の水素原子には、軽水素、重水素が含まれる。
【００３９】
式（１）、式（２１）及び式（３１）で表される本発明の含窒素複素環誘導体の具体例を以下に示す。
【化２４】
2011086935.tif 000026
【化２５】
2011086935.tif 000027
【化２６】
2011086935.tif 000028
【化２７】
2011086935.tif 000029
【化２８】
2011086935.tif 000030
【化２９】
2011086935.tif 000031
【化３０】
2011086935.tif 000032
【化３１】
2011086935.tif 000033
【化３２】
2011086935.tif 000034
【化３３】
2011086935.tif 000035
【化３４】
2011086935.tif 000036
【化３５】
2011086935.tif 000037
【化３６】
2011086935.tif 000038
【化３７】
2011086935.tif 000039
【化３８】
2011086935.tif 000040
【化３９】
2011086935.tif 000041
【化４０】
2011086935.tif 000042
【化４１】
2011086935.tif 000043
【化４２】
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【化４３】
2011086935.tif 000045
【化４４】
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【化４５】
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【化４６】
2011086935.tif 000048
【化４７】
2011086935.tif 000049
【００４０】
本発明の含窒素複素環誘導体は、有機ＥＬ素子用材料として用いると好ましく、有機ＥＬ素子の障壁材料として用いるとより好ましい。
本発明の含窒素複素環誘導体の基本骨格であるベンゾフェナントレン、ベンゾクリセン及びフルオランテンは三重項エネルギーが高く、三重項励起子の閉じ込め効果が高いため、例えば有機ＥＬ素子の発光層に接した障壁層の材料として利用することによって、ＴＴＦ現象を促進させることができる。また、本発明の含窒素複素環誘導体の基本骨格であるベンゾフェナントレン、ベンゾクリセン及びフルオランテンは、その平面性の高さによって薄膜中での分子スタッキングが向上し、電子移動度が大きくなるという特徴を持つため、発光層への電子注入を促進し、発光層での再結合効率を高め、ＴＴＦ現象を効率的に起こすことができる。さらに、本発明の含窒素複素環誘導体は、電極等の金属含有層からの電子注入性の高い含窒素複素環を含むため、電子注入層をさらに積層させることなく低駆動電圧の有機ＥＬ素子を実現させることができる。
尚、電子注入層及び／又は電子輸送層にも本発明の含窒素複素環誘導体は好適に使用できる。
【００４１】
以下にＴＴＦ現象について簡単に説明をする。
有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、陽極、陰極から電子と正孔が注入され、注入された電子と正孔は発光層内で再結合し励起子を生成する。そのスピン状態は、一重項励起子が２５％、三重項励起子が７５％である。従来知られている蛍光素子においては、一重項励起子が基底状態に緩和するときに光を発するが、残りの三重項励起子については光を発することなく熱的失活過程を経て基底状態に戻る。しかしながら、Ｓ．Ｍ．Ｂａｃｈｉｌｏらによれば（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｅｍ．Ａ，１０４，７７１１（２０００））、当初生成した７５％の三重項励起子のうち、１／５が一重項励起子に変化する。
ＴＴＦ現象とは三重項励起子の衝突融合により一重項励起子が生成する現象であり、このＴＴＦ現象を利用すれば、当初生成する２５％の一重項励起子だけでなく、三重項励起子の衝突融合により生じる一重項励起子も発光に利用でき、素子の発光効率を高めることができる。
【００４２】
ＴＴＦ現象を効率よく起こすためには、一重項励起子と比べて励起子寿命が格段に長い三重項励起子を発光層内に閉じ込めておく必要がある。
本発明では、燐光素子に一般に用いる障壁層を蛍光素子の発光層にも隣接させ、当該障壁層が本発明の含窒素複素環誘導体を含有することが好ましい。励起子寿命が短い一重項励起子を起因とする蛍光素子においては、プロセスアップの原因となる障壁層を利用しないのが一般的であるが、本発明の含窒素複素環誘導体を含んでなる障壁層を蛍光素子に用いることによってＴＴＦ現象を引き起こし、高効率な有機ＥＬ素子を実現することができる。また、本発明の含窒素複素環誘導体は三重項エネルギーが高いため、従来の燐光素子においても障壁層の機能を発揮し、三重項エネルギーの拡散を防ぐことができる。
尚、本発明において単に障壁層といったときは三重項エネルギーに対する障壁機能を有する層をいうものとし、正孔障壁層や電荷障壁層とはその機能が異なる。
【００４３】
本発明の含窒素複素環誘導体を含有する障壁層は、好ましくはさらに還元性ドーパントを含有する。
上記還元性ドーパントは、好ましくはアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯体からなる群から選択される１種又は２種以上である。
【００４４】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層は、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン等が使用できるが、好ましくはアントラセン誘導体であり、さらに好ましくは下記式（４１）で表されるアントラセン誘導体を含む。
【化４８】
2011086935.tif 000050
（式中、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
Ｒ３０１〜Ｒ３０８は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
尚、上記のアリール基、複素環基、アルキル基、シクロアルキル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基、及びアリールオキシ基の具体例は、上述した式（１）、式（２１）及び式（３１）のＲ１〜Ｒ１２、Ｒ２０１〜Ｒ２１４及びＲ４０１〜Ｒ４１６等の具体例と同様である。
【００４５】
式（４１）で表されるアントラセン誘導体を含有する発光層は、好ましくは本発明の含窒素複素環誘導体を含有する障壁層と接している。発光層と本発明の含窒素複素環誘導体を含む障壁層が接しているとき、ＴＴＦ現象を利用して発光効率を高めることができる。
【００４６】
ＴＴＦ現象を利用するときは、本発明の含窒素複素環誘導体からなる障壁層を構成する化合物の三重項エネルギーが発光層を主として構成するホストの三重項エネルギーより高くなければならない。好ましくは、本発明の含窒素複素環誘導体、発光層に含まれるホストとドーパントが下記式（１）及び（２）を満たす。
ＥＴｂ＞ＥＴｈ・・・（１）
ＥＴｄ＞ＥＴｈ・・・（２）
（ＥＴｈ、ＥＴｂ及びＥＴｄは、それぞれホスト材料、障壁層の含窒素複素環誘導体及びドーパントの三重項エネルギーを示す。）
【００４７】
図１は、本発明の第１の実施形態の一例を示す有機ＥＬ素子の概略構成図である。図２Ａは各層の最低励起一重項エネルギー準位及び最低励起三重項エネルギー準位を模式的に表す。尚、本発明で三重項エネルギーは、最低励起三重項状態におけるエネルギーと基底状態におけるエネルギーの差をいい、一重項エネルギー（エネルギーギャップという場合もある）は、最低励起一重項状態におけるエネルギーと基底状態におけるエネルギーの差をいう。図１に示す有機ＥＬ素子は、陽極１０から順に、正孔輸送帯域５０、発光層２０、電子輸送帯域３０、陰極４０の順に積層されている。陽極１０と発光層２０の間に正孔輸送帯域５０が設けられていることが好ましい。図２Ａに示す実施形態では、電子輸送帯域が障壁層のみの構成を示している。しかし、障壁層のみの実施形態はより注入性の高い電子注入層の挿入を妨げるものではない。電子注入層を形成するときは、従来電子注入層として使用されてきた一般的な化合物を使用することができ、含へテロ環化合物が好ましい。
【００４８】
図２Ａにおいて、陽極から注入された正孔は正孔輸送帯域を通して発光層へ注入され、陰極から注入された電子は電子輸送帯域を通して発光層へ注入される。その後、発光層で正孔と電子が再結合し、一重項励起子と三重項励起子が生成する。再結合はホスト分子上で起こる場合とドーパント分子上で起こる場合の２通りがある。本実施形態では、図２Ａに示されるように、ホスト、ドーパントの三重項エネルギーをそれぞれＥＴｈ、ＥＴｄとするとき、ＥＴｈ＜ＥＴｄの関係を満たすと好ましい。この関係を満たすことにより、さらに図２Ｂに示されるように、ホスト上で再結合し発生した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つドーパントには移動しない。
【００４９】
ドーパント分子上で再結合し発生した三重項励起子は速やかにホスト分子にエネルギー移動する。即ちホストの三重項励起子がドーパントに移動することなくＴＴＦ現象によって効率的にホスト上で三重項励起子同士が衝突することで一重項励起子が生成される。さらに、ドーパントの一重項エネルギーＥＳｄは、ホストの一重項エネルギーＥＳｈより小さいため、ＴＴＦ現象によって生成された一重項励起子は、ホストからドーパントへエネルギー移動しドーパントの蛍光性発光に寄与する。本来、蛍光型素子に用いられるドーパントにおいては、励起三重項状態から基底状態への遷移は禁制であり、このような遷移では三重項励起子は光学的なエネルギー失活をせず、熱的失活を起こしていた。しかし、ホストとドーパントの三重項エネルギーの関係を上記のようにすることにより、三重項励起子が熱的失活を起こす前に互いの衝突により効率的に一重項励起子を生成し発光効率が向上することになる。
【００５０】
電子輸送帯域において、発光層に隣接する部分に障壁層を設ける。障壁層は、発光層で生成する三重項励起子が電子輸送帯域へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって三重項励起子の密度を高め、ＴＴＦ現象を効率よく引き起こす機能を有する。
【００５１】
三重項励起子拡散防止のため、図２Ａ，２Ｂに示すように、障壁層を構成する化合物の三重項エネルギーＥＴｂはＥＴｈより大きく、さらに、ＥＴｄよりも大きいことが好ましい。障壁層は発光層にて生成された三重項励起子が電子輸送帯域へ拡散することを防止するので、発光層内においてホストの三重項励起子が効率的に一重項励起子となり、その一重項励起子がドーパント上へ移動して光学的なエネルギー失活をする。障壁層を形成する材料は、本発明の含窒素複素環誘導体である。
本発明の含窒素複素環誘導体を含む障壁層は、電子注入・輸送機能の役割も果たすことができる。これは、非共有電子対が隣接層からの電子の授受を媒介するためである。次に、障壁材料に注入された電子は、電子輸送構造部位を介してより電子を供与しやすい。即ちＬＵＭＯ準位の低い構造部位へと移動することによって、発光層への電子注入に寄与することとなる。
【００５２】
上記電子輸送帯域と陰極の間には、低仕事関数金属含有層を有してもよい。低仕事関数金属含有層とは、低仕事関数金属や、低仕事関数金属化合物を含有する層である。低仕事関数金属や低仕事金属化合物のみで形成されても、電子輸送層として用いられる材料に、低仕事関数金属、低仕事関数金属化合物、又は低仕事関数金属錯体をドナーとして添加して形成してもよい。低仕事関数金属とは、仕事関数が３．８ｅＶ以下の金属をいう。低仕事関数が３．８ｅＶ以下の金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が挙げられる。アルカリ金属としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ等が挙げられる。アルカリ土類金属としては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等が挙げられる。その他としては、Ｙｂ，Ｅｕ及びＣｅ等が挙げられる。また低仕事関数金属化合物としては、低仕事金属関数の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、ホウ酸塩が好ましい。ハロゲン化物としては、フッ化物、塩化物、臭化物が挙げられるが、フッ化物が好ましい。例えばＬｉＦが好ましいものとして用いられる。また、低仕事関数金属錯体としては、低仕事関数金属の錯体であり、アルカリ金属、アルカリ土類金属又は希土類金属の有機金属錯体が好ましい。
【００５３】
尚、ＴＴＦ現象を利用して効率を高めることは青色蛍光層において顕著であるが、緑色蛍光層、赤色蛍光層においても、三重項エネルギーを発光層内に閉じ込め発光効率を向上させることができる。
燐光発光層においては、三重項エネルギーを発光層内に閉じ込める効果を得ることが可能であり、三重項エネルギーの拡散を防ぎ、燐光発光性ドーパントの発光効率の向上に寄与できる。
【００５４】
本発明の有機ＥＬ素子の基板、陽極、陰極、正孔注入層、正孔輸送層等のその他の部材は、ＰＣＴ／ＪＰ２００９／０５３２４７、ＰＣＴ／ＪＰ２００８／０７３１８０、ＵＳ特願１２／３７６，２３６、ＵＳ特願１１／７６６，２８１、ＵＳ特願１２／２８０，３６４等に記載の公知のものを適宜選択して用いることができる。
【実施例】
【００５５】
合成例１
（Ａ）ベンゾ［ｃ］フェナントレン−５−ボロン酸の合成
下記スキームに従って、ベンゾ［ｃ］フェナントレン−５−ボロン酸を合成した。
【化４９】
2011086935.tif 000051
【００５６】
（Ａ−１）１−ブロモ−４−（２−ホルミルフェニル）ナフタレンの合成
アルゴン雰囲気下、１，４−ジブロモナフタレン２３０ｇ、２−ホルミルフェニルボロン酸１２１ｇ、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１８．５ｇをフラスコに仕込み、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）２．４Ｌ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１．２Ｌを加え、８時間加熱還流攪拌した。室温まで冷却後、水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄して、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的の１−ブロモ−４−（２−ホルミルフェニル）ナフタレン１７０ｇ（収率６７％）を得た。【００５７】
（Ａ−２）１−ブロモ−４−［２−（２−メトキシビニル）フェニル］ナフタレンの合成
アルゴン雰囲気下、１−ブロモ−４−（２−ホルミルフェニル）ナフタレン１７０ｇ、メトキシメチルトリフェニルホスフォニウムクロリド２０７ｇ、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２．０Ｌを仕込み、室温にて攪拌中に、ｔ−ブトキシカリウム７３．６ｇを加えた。室温にて２時間攪拌した後、水１．５Ｌを加えた。反応溶液をジエチルエーテルで抽出し、水層を除去した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的の１−ブロモ−４−［２−（２−メトキシビニル）フェニル］ナフタレン１８０ｇ（収率９９％）を得た。【００５８】
（Ａ−３）５−ブロモベンゾ［ｃ］フェナントレンの合成
１−ブロモ−４−［２−（２−メトキシビニル）フェニル］ナフタレン１８０ｇ、及びジクロロメタン１．０Ｌを仕込み、室温下攪拌中にメタンスルホン酸を２５ｍＬ加えた。室温で８時間攪拌を続けた。反応終了後１０％炭酸カリウム水溶液１Ｌを加えた。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的の５−ブロモベンゾ［ｃ］フェナントレン２４．４ｇ（収率１５％）を得た。【００５９】
（Ａ−４）ベンゾ［ｃ］フェナントレン−５−ボロン酸の合成
アルゴン雰囲気下、５−ブロモベンゾ［ｃ］フェナントレン１０．１ｇをフラスコに仕込み、脱水エーテル４００ｍＬを加えた。反応溶液を−４０℃まで冷却し、１．６Ｍ  ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液２２ｍＬを加え、０℃まで昇温し、１時間攪拌した。反応溶液を−６０℃まで冷却し、ホウ酸トリイソプロピル１４．４ｇの脱水エーテル１０ｍＬ溶液を滴下した。反応溶液を室温まで昇温しながら５時間攪拌を続けた。１０％塩酸水溶液１００ｍＬを加え、１時間攪拌した。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。得られた固体をヘキサンで洗浄し、目的のベンゾ［ｃ］フェナントレン−５−ボロン酸５．３７ｇ（収率６０％）を得た。【００６０】
合成例２
（Ｂ）ベンゾ［ｇ］クリセン−１０−ボロン酸の合成
下記合成スキームに従って、ベンゾ［ｇ］クリセン−１０−ボロン酸を合成した。
【化５０】
2011086935.tif 000052
【００６１】
（Ｂ−１）９−（２−ホルミルフェニル）フェナントレンの合成
アルゴン雰囲気下、９−ブロモフェナントレン２５．７ｇ、２−ホルミルフェニルボロン酸１６．５ｇ、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）２．３１ｇをフラスコに仕込み、ＤＭＥ３４０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１７０ｍＬを加え、８時間加熱還流攪拌した。室温まで冷却後、水層を除去した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的の９−（２−ホルミルフェニル）フェナントレン２５．０ｇ（収率８９％）を得た。【００６２】
（Ｂ−２）９−［２−（２−メトキシビニル）フェニル］フェナントレンの合成
アルゴン雰囲気下、９−（２−ホルミルフェニル）フェナントレン２５．０ｇ、メトキシメチルトリフェニルホスフォニウムクロリド３３．４ｇ、及びＴＨＦ３００ｍＬを仕込み、室温にて攪拌中に、ｔ−ブトキシカリウム１１．９ｇを加えた。室温にて２時間攪拌した後、水２００ｍＬを加えた。反応溶液をジエチルエーテルで抽出し、水層を除去した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的の９−［２−（２−メトキシビニル）フェニル］フェナントレン２４．０ｇ（収率８７％）を得た。【００６３】
（Ｂ−３）ベンゾ［ｇ］クリセンの合成
９−［２−（２−メトキシビニル）フェニル］フェナントレン２４．０ｇ、及びジクロロメタン１００ｍＬを仕込み、室温下攪拌中にメタンスルホン酸をパスツールピペットで６滴加えた。室温で８時間攪拌を続けた。反応終了後１０％炭酸カリウム水溶液１００ｍＬを加えた。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的のベンゾ［ｇ］クリセン５．２１ｇ（収率２５％）を得た。【００６４】
（Ｂ−４）１０−ブロモベンゾ［ｇ］クリセンの合成
ベンゾ［ｇ］クリセン５．２１ｇ、及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５０ｍＬをフラスコに仕込み、Ｎ−ブロモスクシンイミド４．００ｇのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ｍＬ溶液を加えた。８０℃で８時間加熱攪拌した。室温まで冷却後、反応溶液を水２００ｍＬ中に注いだ。析出した固体を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた個体をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、１０−ブロモベンゾ［ｇ］クリセン５．８７ｇ（収率８８％）を得た。【００６５】
（Ｂ−５）ベンゾ［ｇ］クリセン−１０−ボロン酸の合成
アルゴン雰囲気下、１０−ブロモベンゾ［ｇ］クリセン５．８７ｇをフラスコに仕込み、脱水エーテル１００ｍＬを加えた。反応溶液を−４０℃まで冷却し、１．６Ｍ  ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液１１ｍＬを加え、０℃まで昇温し、１時間攪拌した。反応溶液を−６０℃まで冷却し、ホウ酸トリイソプロピル７．７２ｇの脱水エーテル１０ｍＬ溶液を滴下した。反応溶液を室温まで昇温しながら５時間攪拌を続けた。１０％塩酸水溶液５０ｍＬを加え、１時間攪拌した。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。得られた固体をヘキサンで洗浄し、目的のベンゾ［ｇ］クリセン−１０−ボロン酸３．１８ｇ（収率６０％）を得た。【００６６】
合成例３
（Ｃ）１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの合成
下記合成スキームに従って、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを合成した。
【化５１】
2011086935.tif 000053
【００６７】
（Ｃ−１）（４−ブロモフェニル）−（２−ニトロフェニル）アミンの合成
２−ブロモニトロベンゼン１０ｇ（４９．５ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム１３ｇ（１６３ｍｍｏｌ）、及び４−ブロモアニリン１０ｇ（５９ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下１８０℃で８時間加熱攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、酢酸エチルで薄め、ろ過した。ろ液を濃縮後、残査をメタノールで洗浄することで、（４−ブロモフェニル）−（２−ニトロフェニル）アミン３．８ｇをオレンジ色結晶として得た（収率２２％）。【００６８】
（Ｃ−２）Ｎ−［２−（４−ブロモフェニルアミノ）フェニル］ベンズアミドの合成
（４−ブロモフェニル）−（２−ニトロフェニル）アミン３．８ｇ（１３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに溶解させ、アルゴン雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム１１ｇ（６４ｍｍｏｌ）／水３０ｍＬの溶液を滴下した。５時間攪拌した後、酢酸エチル２０ｍＬを加えて、炭酸水素ナトリウム２．２ｇ（２６ｍｍｏｌ）／水２０ｍＬの溶液を加えた。さらにベンゾイルクロリド２．５ｇ（１８ｍｍｏｌ）／酢酸エチル１０ｍＬの溶液を滴下し、室温で１時間攪拌した。酢酸エチルで抽出し、１０％炭酸カリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し、Ｎ−［２−（４−ブロモフェニルアミノ）フェニル］ベンズアミド２．１ｇ（収率４５％）を得た。【００６９】
（Ｃ−３）１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの合成
Ｎ−［２−（４−ブロモフェニルアミノ）フェニル］ベンズアミド２．１ｇ（５．７ｍｍｏｌ）をキシレン３０ｍＬ中に懸濁させ、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物０．６ｇ（２．９ｍｍｏｌ）を加え、３時間加熱還流させながら共沸脱水を行った。放冷後、反応溶液に酢酸エチル、塩化メチレン、水を加え、不溶物をろ別した。母液から有機層を抽出し、水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製し、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール１．０ｇをわずかにピンク色の白色結晶として得た（収率５２％）【００７０】
合成例４
（Ｄ）１−（３−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの合成
下記合成スキームに示されるように、４−ブロモアニリンの代わりに３−ブロモアニリンを用いた他は合成例３と同様に反応を行なって、１−（３−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを合成した。
【化５２】
2011086935.tif 000054
【００７１】
合成例５
（Ｅ）５−ブロモ−１−メチル−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの合成
下記合成スキームに従って、５−ブロモ−１−メチル−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを合成した。
【化５３】
2011086935.tif 000055
【００７２】
（Ｅ−１）４−ブロモ−Ｎ−メチル−２−ニトロアニリンの合成
Ｎ−メチル−２−ニトロアニリン５．０ｇ（３３ｍｍｏｌ）、及びＮ−ブロモスクシンイミド５．９ｇ（３３ｍｍｏｌ）に酢酸６０ｍＬを加え、７時間加熱還流を行った。反応終了後、反応溶液を水５００ｍＬに注ぎ、析出した固体をろ別した。ろ別した固体を酢酸エチルに溶解させ、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、室温で減圧乾燥後、４−ブロモ−Ｎ−メチル−２−ニトロアニリンの橙色固体７．１ｇ（収率９３％）を得た。【００７３】
（Ｅ−２）４’−ブロモ−Ｎ−メチル−２’−ニトロベンズアニリドの合成
４−ブロモ−Ｎ−メチル−２−ニトロアニリン６．８ｇ（２９ｍｍｏｌ）をピリジン２０ｍＬに溶解させ、さらにベンゾイルクロライド５．０ｇ（３５ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で７時間加熱攪拌した。反応終了後、酢酸エチル２００ｍＬを加え、有機層を１０％塩酸水溶液、１０％炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４’−ブロモ−Ｎ−メチル−２’−ニトロベンズアニリドの緑白色固体９．５ｇ（収率９６％）を得た。【００７４】
（Ｅ−３）４’−ブロモ−Ｎ−メチル−２’−アミノベンズアニリドの合成
４’−ブロモ−Ｎ−メチル−２’−ニトロベンズアニリド９．５ｇ（２８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１００ｍＬに溶解させ、アルゴン雰囲気下、室温で攪拌させながらハイドロサルファイトナトリウム２５ｇ（１４２ｍｍｏｌ）／水９０ｍＬの溶液を加えた。さらにメタノール１０ｍＬを加えて３時間攪拌させた。次に酢酸エチル１００ｍＬを加え、炭酸水素ナトリウム１２ｇ（１４２ｍｍｏｌ）／水１２５ｍＬの溶液を加えた。１時間室温で攪拌後、酢酸エチルで抽出した。水層を除去し、有機層を１０％炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去させ、４’−ブロモ−Ｎ−メチル−２’−アミノベンズアニリドの白色固体７．８ｇ（収率９０％）を得た。【００７５】
（Ｅ−４）５−ブロモ−１−メチル−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの合成
４’−ブロモ−Ｎ−メチル−２’−アミノベンズアニリド７．８ｇ（２６ｍｍｏｌ）をキシレン５０ｍＬ中に懸濁させ、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物１．５ｇ（７．７ｍｍｏｌ）を加え、７時間加熱還流させた。反応終了後ろ過した。得られた固体を塩化メチレンに溶解させ、１０％炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。ろ液からも同様の洗浄方法で有機物を回収し、合わせてシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、５−ブロモ−１−メチル−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの白色結晶６．５ｇ（収率８９％）を得た。【００７６】
合成例６
（Ｆ）２−（４−ブロモフェニル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジンの合成
４−ブロモフェナシルブロミド１５ｇ（５４ｍｍｏｌ）、及び２−アミノピリジン５．２ｇ（５５ｍｍｏｌ）をエタノール１００ｍＬに溶解し、炭酸水素ナトリウム７．０ｇを加え、６時間加熱還流した。反応終了後、生成した結晶をろ別し、水、エタノールで洗浄し、２−（４−ブロモ−フェニル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン１２．５ｇ（収率８５％）を得た。
【化５４】
2011086935.tif 000056
【００７７】
合成例７
（Ｇ）２−（３−ブロモフェニル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジンの合成
下記合成スキームに示されるように、４−ブロモフェナシルブロミドの代わりに３−ブロモフェナシルブロミドを用いた他は合成例６と同様に反応を行って、２−（３−ブロモフェニル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジンを合成した。
【化５５】
2011086935.tif 000057
【００７８】
合成例８
（Ｈ）４−（フルオランテン−３−イル）フェニルボロン酸の合成
下記合成スキームに従って、４−（フルオランテン−３−イル）フェニルボロン酸を合成した。
【化５６】
2011086935.tif 000058
【００７９】
（Ｈ−１）３−（４−ブロモフェニル）フルオランテンの合成
アルゴン雰囲気下、フルオランテン−３−ボロン酸９．１ｇ、４−ブロモヨードベンゼン１０．５ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）２．１ｇ、トルエン１８６ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液７４ｍＬをフラスコに仕込み、１００℃にて８時間攪拌を行った。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンで抽出した。水層を除去し有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し残渣をシリカゲルクロマトグラフィで精製し、目的の３−（４−ブロモフェニル）フルオランテン９．２ｇ（収率７０％）を得た。【００８０】
（Ｈ−２）４−（フルオランテン−３−イル）フェニルボロン酸の合成
アルゴン雰囲気下、３−（４−ブロモフェニル）フルオランテン９．２ｇ、テトラヒドロフラン１２９ｍＬをフラスコに仕込み、反応溶液を−７０℃に冷却し、１．６５Ｍ  ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液を１７．２ｍＬ滴下し、−７０℃にて２時間攪拌を行った。反応溶液にホウ酸トリイソプロピル１７．７ｍＬを滴下し、−７０℃にて１時間攪拌した後、反応溶液を室温まで昇温しながら５時間攪拌した。反応液に２Ｍ塩酸を加えて酸性にした後、反応溶液を酢酸エチルで抽出した。水層を除去し有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し残渣をヘキサン−酢酸エチル混合溶液で洗浄し、目的の４−（フルオランテン−３−イル）フェニルボロン酸７．９ｇ（収率９５％）を得た。【００８１】
合成例９
（Ｉ）３−（フルオランテン−３−イル）フェニルボロン酸の合成
下記合成スキームに示されるように、４−ブロモヨードベンゼンの代わりに３−ヨードブロモベンゼンを用いたほかは合成例８と同様に反応を行って、３−（フルオランテン−３−イル）フェニルボロン酸を合成した。
【化５７】
2011086935.tif 000059
【００８２】
合成例１０
（Ｊ）６−（フルオランテン−３−イル）ナフタレン−２−イルボロン酸ピナコールエステルの合成
下記合成スキームに従って、６−（フルオランテン−３−イル）ナフタレン−２−イルボロン酸ピナコールエステルを合成した。
【化５８】
2011086935.tif 000060
【００８３】
（Ｊ−１）６−（フルオランテン−３−イル）−２−ナフトールの合成
アルゴン雰囲気下、フルオランテン−３−ボロン酸２．７ｇ、６−ブロモ−２−ナフトール２．０ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３１ｇ、１，２−ジメトキシエタン２７ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１３．５ｍＬをフラスコに仕込み、４時間加熱還流攪拌を行った。室温まで冷却後、反応溶液に２Ｍ塩酸を加えて酸性にした後、ジクロロメタンで抽出した。水層を除去し有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をジクロロメタン中で分散洗浄し、目的の６−（フルオランテン−３−イル）−２−ナフトール２．７５ｇ（収率８９％）を得た。【００８４】
（Ｊ−２）６−（フルオランテン−３−イル）−２−トリフルオロメタンスルホキシナフタレンの合成
アルゴン雰囲気下、６−（フルオランテン−３−イル）−２−ナフトール２．７５ｇ、ピリジン２ｍＬ、ジクロロメタン８０ｍＬをフラスコに仕込んだ。反応液に氷冷下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物２ｍＬを滴下し、２０分間攪拌した後、室温に昇温しながら３時間攪拌を行った。反応液にトリフルオロメタンスルホン酸０．５ｍＬ滴下し、３０分間攪拌を行った。反応液に慎重に水を滴下して反応をクエンチした後、０．５Ｍ塩酸２００ｍＬを加え、ジクロロメタンで抽出を行った。水層を除去し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をトルエンにて再結晶を行い、目的の６−（フルオランテン−３−イル）−２−トリフルオロメタンスルホキシナフタレン３．１１ｇ（収率８２％）を得た。【００８５】
（Ｊ−３）６−（フルオランテン−３−イル）ナフタレン−２−イルボロン酸ピナコールエステルの合成
アルゴン雰囲気下、６−（フルオランテン−３−イル）−２−トリフルオロメタンスルホキシナフタレン３．１１ｇ、ビスピナコラートジボロン１．８３ｇ、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）ジクロリドジクロロメタン付加物（０．２７ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．１８ｇ）、酢酸カリウム（１．９３ｇ）、ジメチルホルムアミド６５ｍＬをフラスコに仕込み、８０℃にて８時間攪拌を行った。室温まで冷却後、反応液に水を加えた後、混合物をトルエンで抽出した。得られたトルエン溶液をシリカゲルショートカラムに通し、溶出液の溶媒を減圧留去した。残渣をトルエンより再結晶し、目的の６−（フルオランテン−３−イル）ナフタレン−２−イルボロン酸ピナコールエステル１．５３ｇ（収率５２％）を得た。【００８６】
［含窒素複素環誘導体の合成］
実施例１
アルゴン雰囲気下、ベンゾ［ｃ］フェナントレン−５−ボロン酸３．０ｇ、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール３．５ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２３１ｇ、ジメトキシエタン４０ｍＬ、及び２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２０ｍＬをフラスコに仕込み、８時間加熱還流攪拌した。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンで抽出した。水層を除去した後、有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、淡黄色固体３．８ｇを得た。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物１であり、分子量４９６．１９に対し、ｍ／ｅ＝４９６であった。
【化５９】
2011086935.tif 000061
【００８７】
実施例２
１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに１−（３−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを用いた他は実施例１と同様に反応を行なった。
得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物２であり、分子量４９６．１９に対し、ｍ／ｅ＝４９６であった。
【化６０】
2011086935.tif 000062
【００８８】
実施例３
１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに５−ブロモ−１−メチル−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを用いた他は実施例１と同様に反応を行なった。
得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物３であり、分子量４３４．１８に対し、ｍ／ｅ＝４３４であった。
【化６１】
2011086935.tif 000063
【００８９】
実施例４
１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに２−（４−ブロモフェニル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジンを用いた他は実施例１と同様に反応を行なった。
得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物４であり、分子量４２０．１６に対し、ｍ／ｅ＝４２０であった。
【化６２】
2011086935.tif 000064
【００９０】
実施例５
１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに２−（３−ブロモフェニル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジンを用いた他は実施例１と同様に反応を行なった。
得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物５であり、分子量４２０．１６に対し、ｍ／ｅ＝４２０であった。
【化６３】
2011086935.tif 000065
【００９１】
実施例６
ベンゾ［ｃ］フェナントレン−５−ボロン酸の代わりにベンゾ［ｇ］クリセン−１０−ボロン酸を用いた他は実施例１と同様に反応を行なった。
得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物６であり、分子量５４６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
【化６４】
2011086935.tif 000066
【００９２】
実施例７
ベンゾ［ｃ］フェナントレン−５−ボロン酸の代わりにベンゾ［ｇ］クリセン−１０−ボロン酸を用い、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに１−（３−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを用いた他は実施例１と同様に反応を行なった。
得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物７であり、分子量５４６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
【化６５】
2011086935.tif 000067
【００９３】
実施例８
ベンゾ［ｃ］フェナントレン−５−ボロン酸の代わりにベンゾ［ｇ］クリセン−１０−ボロン酸を用い、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに５−ブロモ−１−メチル−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを用いた他は実施例１と同様に反応を行なった。
得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物８であり、分子量４８４．１９に対し、ｍ／ｅ＝４８４であった。
【化６６】
2011086935.tif 000068
【００９４】
実施例９
ベンゾ［ｃ］フェナントレン−５−ボロン酸の代わりにベンゾ［ｇ］クリセン−１０−ボロン酸を用い、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに２−（４−ブロモフェニル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジンを用いた他は実施例１と同様に反応を行なった。
得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物９であり、分子量４７０．１８に対し、ｍ／ｅ＝４７０であった。
【化６７】
2011086935.tif 000069
【００９５】
実施例１０
ベンゾ［ｃ］フェナントレン−５−ボロン酸の代わりにベンゾ［ｇ］クリセン−１０−ボロン酸を用い、１−（３−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに２−（４−ブロモフェニル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジンを用いた他は実施例１と同様に反応を行なった。
得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物１０であり、分子量４７０．１８に対し、ｍ／ｅ＝４７０であった。
【化６８】
2011086935.tif 000070
【００９６】
実施例１１
アルゴン雰囲気下、フルオランテン−３−ボロン酸２．７ｇ、合成例３で合成した１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール３．５ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２３１ｇ、ジメトキシエタン４０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２０ｍＬをフラスコに仕込み、８時間加熱還流攪拌した。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンで抽出した。水層を除去した後、有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、淡黄色固体３．４ｇを得た。このものは、マススペクトル分析の結果、下記化合物１１であり、分子量４７０．１８に対し、ｍ／ｅ＝４７０であった。
【化６９】
2011086935.tif 000071
【００９７】
実施例１２
上記化合物１１の合成において、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに合成例４で合成した１−（３−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを用いた他は、同様の方法で合成した。マススペクトル分析の結果、得られたものは下記化合物１２であり、分子量４７０．１８に対し、ｍ／ｅ＝４７０であった。
【化７０】
2011086935.tif 000072
【００９８】
実施例１３
化合物１１の合成において、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに合成例５で合成した５−ブロモ−１−メチル−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを用いた他は、同様の方法で合成した。マススペクトル分析の結果、得られたものは下記化合物１３であり、分子量４０８．１６に対し、ｍ／ｅ＝４０８であった。
【化７１】
2011086935.tif 000073
【００９９】
実施例１４
上記化合物１１の合成において、フルオランテン−３−ボロン酸の代わりに合成例８で合成した４−（フルオランテン−３−イル）フェニルボロン酸を用いた他は、同様の方法で合成した。マススペクトル分析の結果、得られた物は下記化合物１４であり、分子量５４６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
【化７２】
2011086935.tif 000074
【０１００】
実施例１５
上記化合物１１の合成において、フルオランテン−３−ボロン酸の代わりに合成例９で合成した３−（フルオランテン−３−イル）フェニルボロン酸を用いた他は、同様の方法で合成した。マススペクトル分析の結果、得られた物は下記化合物１５であり、分子量５４６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
【化７３】
2011086935.tif 000075
【０１０１】
実施例１６
上記化合物１１の合成において、フルオランテン−３−ボロン酸の代わりに合成例１０で合成した６−（フルオランテン−３−イル）ナフタレン−２−イルボロン酸ピナコールエステルを用い、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに合成例４で合成した１−（３−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを用いた他は、同様の方法で合成した。マススペクトル分析の結果、得られた物は下記化合物１６であり、分子量５９６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。
【化７４】
2011086935.tif 000076
【０１０２】
実施例１７
上記化合物１１の合成において、フルオランテン−３−ボロン酸の代わりに合成例９で合成した３−（フルオランテン−３−イル）フェニルボロン酸を用い、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに合成例５で合成した５−ブロモ−１−メチル−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールを用いた他は、同様の方法で合成した。マススペクトル分析の結果、得られた物は下記化合物１７であり、分子量４８４．１９に対し、ｍ／ｅ＝４８４であった。
【化７５】
2011086935.tif 000077
【０１０３】
実施例１８
ベンゾ[ｃ]フェナントレン−５−ボロン酸の代わりにベンゾ[ｇ]クリセン−１０−ボロン酸を用い、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾールの代わりに６−ブロモ−２，２’−ビピリジルを用いた他は実施例１と同様に反応を行った。
得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物１８であり、分子量４３２．１６に対し、ｍ／ｅ＝４３２であった。
【化７６】
2011086935.tif 000078
【０１０４】
［有機ＥＬ素子の作製］
実施例１９
有機ＥＬ素子に使用した材料は以下の通りである。
【化７７】
2011086935.tif 000079
【０１０５】
膜厚１３０ｎｍのＩＴＯ（インジウム酸化錫）が成膜された基板上に、以下の材料を順次蒸着し、有機ＥＬ素子を得た。括弧内は膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
陽極：ＩＴＯ（１３０）
正孔注入層：ＨＴ１（５０）
正孔輸送層：ＨＴ２（４５）
発光層：ＢＨ１とＢＤ１（ＢＤ１は５％ドープ）（２５）
障壁層：化合物６（２５）
低仕事関数金属含有層：ＬｉＦ（１）
陰極：Ａｌ（８０）【０１０６】
得られた有機ＥＬ素子について以下の評価を行なった。結果を表１に示す。
（１）初期性能（電圧、色度、電流効率、外部量子効率、主ピーク波長）
電流値が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加し、そのときの電圧値を測定した。またそのときのＥＬ発光スペクトルを分光放射輝度計（ＣＳ−１０００：コミカミノルタ社製）を用いて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、色度、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を算出した。【０１０７】
（２）ＴＴＦ由来の発光比率
パルスジェネレータ（アジレント社製８１１４Ａ）から出力した電圧パルス波形（パルス幅：５００マイクロ秒、周波数：２０Ｈｚ）を素子に印加し、ＥＬ発光を光電子増倍管（浜松ホトニクス社製Ｒ９２８）に入力し、パルス電圧波形とＥＬ発光とを同期させてオシロスコープ（テクトロニクス社製２４４０）に取り込んで過渡ＥＬ波形を得た。これを解析してＴＴＦ由来の発光比率（ＴＴＦ比率）を決定した（特願２００９−１２５８８３参照）。【０１０８】
尚、過渡ＥＬ波形は、電流密度−電流効率曲線において電流効率（Ｌ／Ｊ）が最大となるときの電流密度を求め、それに相当する電圧パルス波形を印加して得た。
尚、ＴＴＦ現象による内部量子効率の向上は６２．５％が理論的限界と考えられ、この場合のＴＴＦ由来の発光比率は６０％になる。【０１０９】
（３）内部量子効率の測定方法
特開２００６−２７８０３５に記載の方法にもとづき発光層内での発光分布と光取出し効率を決定した。その後、分光放射輝度計で測定したＥＬスペクトルを、決定した光取り出し効率で割り、内部ＥＬスペクトルを求め、そのスペクトルから求められる内部発生光子数と電子数の比を内部量子効率とした。【０１１０】
実施例２０〜２７及び比較例１及び２
発光層のホスト材料、ドーパント材料及び障壁層材料として、表１に示す化合物を用いた他は実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明の含窒素複素環誘導体を含んでなる有機ＥＬ素子は、低消費電力化が望まれる大型テレビ向け表示パネルや照明パネル等に用いることができる。【０１１２】
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【国際調査報告】
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