(57)【要約】  配線板では、コア絶縁層（１０ａ）の少なくとも一側に、導体層（１１ｂ、３１）と層間絶縁層（３０ａ）とが交互に積層されている。コア絶縁層（１０ａ）及び層間絶縁層（３０ａ）は、それぞれ孔（１２ａ、３２ａ）にめっきが充填されてなる接続導体（１２、３２）を有する。コア絶縁層の接続導体（１２）及び層間絶縁層の接続導体（３２）は、積重される。コア絶縁層上及び層間絶縁層上には、それぞれ金属箔（１３ａ、３３ａ）と、金属箔上に形成されためっき（１３ｂ、３３ｂ）と、から構成される接続導体のランド（１３、３３）が形成される。コア絶縁層上のランドを構成する金属箔（１３ａ）は、少なくともコア絶縁層上の層間絶縁層上のランドを構成する金属箔（３３ａ）よりも厚い。
2011122246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア絶縁層の少なくとも一側に、導体層と層間絶縁層とが交互に積層された配線板であって、
前記コア絶縁層及び前記層間絶縁層は、それぞれ孔にめっきが充填されてなる接続導体を有し、
前記コア絶縁層の前記接続導体及び前記層間絶縁層の前記接続導体は、積重され、
前記コア絶縁層上及び前記層間絶縁層上には、それぞれ金属箔と、前記金属箔上に形成されためっきと、から構成される前記接続導体のランドが形成され、
前記コア絶縁層上の前記ランドを構成する前記金属箔は、少なくとも前記コア絶縁層上の前記層間絶縁層上の前記ランドを構成する前記金属箔よりも厚い、
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記コア絶縁層上の前記ランドを構成する前記金属箔の厚さは、５μｍ以上である、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記コア絶縁層の前記孔、及び、前記コア絶縁層上の前記層間絶縁層の前記孔は、前記コア絶縁層の前記一側から他側に向かって縮径され、
前記コア絶縁層上の前記層間絶縁層の前記孔の前記一側の開口部における縮径角度は、前記コア絶縁層の前記孔の前記一側の開口部における縮径角度よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記コア絶縁層上の前記ランドを構成する前記金属箔が前記孔の縁から内側に向かって突出する量は、前記コア絶縁層上の前記層間絶縁層上の前記ランドを構成する前記金属箔が前記孔の縁から内側に向かって突出する量よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項５】
前記層間絶縁層は、芯材を樹脂含浸してなる、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項６】
前記コア絶縁層の両側に、それぞれ３層以上の前記導体層と３層以上の前記層間絶縁層とが交互に積層され、
それらの接続導体が積重されている、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項７】
前記積層された層間絶縁層における一側の外層の前記接続導体の位置と他側の外層の前記接続導体の位置とは、前記コア絶縁層の前記接続導体の位置から略同一の方向にシフトされている、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項８】
前記積層された層間絶縁層における内層の前記接続導体は、前記コア絶縁層の両側において、それぞれ前記コア絶縁層の前記接続導体と前記外層の前記接続導体との間に配置されている、
ことを特徴とする請求項７に記載の配線板。
【請求項９】
コア絶縁層上に金属箔を形成することと、
前記コア絶縁層に孔を形成することと、
前記コア絶縁層の前記孔にめっきを充填することと、
前記コア絶縁層の少なくとも一側に、層間絶縁層を形成することと、
前記層間絶縁層上に、前記コア絶縁層上の前記金属箔よりも薄い金属箔を形成することと、
前記コア絶縁層の前記孔と重なるように、前記層間絶縁層に孔を形成することと、
前記層間絶縁層の前記孔にめっきを充填することと、
を含む、配線板の製造方法。
【請求項１０】
エッチングにより、前記層間絶縁層上の前記金属箔を前記コア絶縁層上の前記金属箔よりも薄くすること、を含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア絶縁層の少なくとも一側に、導体層と層間絶縁層とが交互に積層された配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、スルーホールにめっきが充填されてなるスルーホール導体と、ビアホールにめっきが充填されてなるビア導体と、を有する配線板が開示されている。これらスルーホール導体とビア導体とは、直上（Ｚ方向）に積重されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２１０９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の配線板では、硬い導体（金属）が偏在し、落下衝撃等の外部から瞬時に加わる応力に対して脆くなると考えられる。【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、優れた電気特性を有する配線板を容易に製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係る配線板は、コア絶縁層の少なくとも一側に、導体層と層間絶縁層とが交互に積層された配線板であって、前記コア絶縁層及び前記層間絶縁層は、それぞれ孔にめっきが充填されてなる接続導体を有し、前記コア絶縁層の前記接続導体及び前記層間絶縁層の前記接続導体は、積重され、前記コア絶縁層上及び前記層間絶縁層上には、それぞれ金属箔と、前記金属箔上に形成されためっきと、から構成される前記接続導体のランドが形成され、前記コア絶縁層上の前記ランドを構成する前記金属箔は、少なくとも前記コア絶縁層上の前記層間絶縁層上の前記ランドを構成する前記金属箔よりも厚い。【０００７】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、コア絶縁層上に金属箔を形成することと、前記コア絶縁層に孔を形成することと、前記コア絶縁層の前記孔にめっきを充填することと、前記コア絶縁層の少なくとも一側に、層間絶縁層を形成することと、前記層間絶縁層上に、前記コア絶縁層上の前記金属箔よりも薄い金属箔を形成することと、前記コア絶縁層の前記孔と重なるように、前記層間絶縁層に孔を形成することと、前記層間絶縁層の前記孔にめっきを充填することと、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、優れた電気特性を有する配線板を容易に製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線板の平面図である。
【図３】フィルドスタックの一部を拡大して示す図である。
【図４Ａ】コア絶縁層上のランドを構成する金属箔とビアホールとの寸法の関係を示す図である。
【図４Ｂ】コア絶縁層上の層間絶縁層上のランドを構成する金属箔とビアホールとの寸法の関係を示す図である。
【図５】６層、８層、及び１０層の配線板にかかる応力について、シミュレーションをした結果を示すグラフである。
【図６】６層、８層、及び１０層の配線板にかかる応力について、シミュレーションをした結果を示す図表である。
【図７】８層品、１０層品の各層におけるクラック占有率について、シミュレーションをした結果を示す図表である。
【図８】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図９Ａ】コア基板を準備する第１の工程を説明するための図である。
【図９Ｂ】図９Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図９Ｃ】図９Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図９Ｄ】図９Ｃの工程の後の第４の工程を説明するための図である。
【図１０Ａ】コア基板の両側に絶縁層及び金属箔を形成する工程を説明するための図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａの工程の後、ビアホールを形成する工程を説明するための図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂの工程の後のめっき工程を説明するための図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｃの工程の後のパターニング工程を説明するための図である。
【図１１】図１０Ｄの工程の後、コア基板の両側にビルドアップする工程を説明するための図である。
【図１２】図１１の工程の後、コア基板の両側に絶縁層及び金属箔を形成する工程を説明するための図である。
【図１３Ａ】図１２の工程の後、ビアホール及びスルーホールを形成する工程を説明するための図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａの工程の後のめっき工程を説明するための図である。
【図１４Ａ】フィルドスタックにおけるコア基板のフィルド導体及びその第２面上に積重されるフィルド導体の位置関係の第１の別例を示す図である。
【図１４Ｂ】フィルドスタックにおけるコア基板のフィルド導体及びその第２面上に積重されるフィルド導体の位置関係の第２の別例を示す図である。
【図１４Ｃ】フィルドスタックにおけるコア基板のフィルド導体及びその第２面上に積重されるフィルド導体の位置関係の第３の別例を示す図である。
【図１５Ａ】フィルドスタックにおけるコア基板のフィルド導体及びその第１面上に積重されるフィルド導体の位置関係の第１の別例を示す図である。
【図１５Ｂ】フィルドスタックにおけるコア基板のフィルド導体及びその第１面上に積重されるフィルド導体の位置関係の第２の別例を示す図である。
【図１５Ｃ】フィルドスタックにおけるコア基板のフィルド導体及びその第１面上に積重されるフィルド導体の位置関係の第３の別例を示す図である。
【図１６】一側の外層の接続導体の位置と他側の外層の接続導体の位置とが、コア基板の接続導体の位置から略同一の方向にシフトされ、内層の接続導体が、コア基板の接続導体と外層の接続導体との間にない配線板の例を示す断面図である。
【図１７】一側の外層の接続導体の位置と他側の外層の接続導体の位置とが、コア基板の接続導体の位置から略同一の方向にシフトされ、内層の接続導体が、コア基板の接続導体と外層の接続導体との間にある配線板の例を示す断面図である。
【図１８Ａ】ビアホール及びスルーホールの横断面の形状の第１の別例を示す図である。
【図１８Ｂ】ビアホール及びスルーホールの横断面の形状の第２の別例を示す図である。
【図１８Ｃ】ビアホール及びスルーホールの横断面の形状の第３の別例を示す図である。
【図１９】フィルドスタックを形成するためのビアホールについて、非相似の図形を組み合わせた例を示す図である。
【図２０Ａ】コア絶縁層上のランドを構成する金属箔とビアホールとの寸法関係の別例を示す図である。
【図２０Ｂ】コア絶縁層上の層間絶縁層上のランドを構成する金属箔とビアホールとの寸法関係の別例を示す図である。
【図２１Ａ】ビアホール及びスルーホールの縦断面の形状の別例を示す図である。
【図２１Ｂ】ビアホール及びスルーホールの縦断面の形状の別例を示す図である。
【図２２Ａ】導体層及び接続導体の第１の構造を示す図である。
【図２２Ｂ】導体層及び接続導体の第２の構造を示す図である。
【図２３】コア基板のフィルド導体がスルーホール導体である例を示す図である。
【図２４】図２３の一部を拡大して示す図である。
【図２５】スルーホールに代えて、切欠を用いた例を示す図である。
【図２６】スルーホールと切欠とを併用した例を示す図である。
【図２７】切欠の形成方法の一例を示す図である。
【図２８Ａ】複数のフィルドスタックを有する配線板の一例を示す図である。
【図２８Ｂ】図２８Ａの断面図である。
【図２９】電子部品を内蔵する配線板の一例を示す図である。
【図３０】表面に電子部品が実装された配線板の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向（又はコア基板の厚み方向）に相当する配線板の積層方向を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（配線板の主面に平行な方向）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００１１】
フィルド導体又はその孔に関しては、Ｚ方向に直交する断面（Ｘ−Ｙ平面）を、横断面という。また、Ｚ方向に平行な断面（Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面）を、縦断面という。
【００１２】
フィルド導体に関しては、Ｚ方向に平行で、且つ、横断面の中心（円以外では各横断面の重心）を通る線を軸とする。すなわち、概ねＺ方向が、軸方向に相当する。
【００１３】
本実施形態では、相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面（Ｚ１側の面）、第２面（Ｚ２側の面）という。すなわち、第１面の反対側の主面が第２面であり、第２面の反対側の主面が第１面である。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。
【００１４】
回路等の配線（グランドも含む）として機能し得る導体パターンを含む層のほか、ベタパターンのみからなる層も、導体層という。また、絶縁層を貫通する孔内に形成される導体を、接続導体という。
【００１５】
孔には、ビアホール及びスルーホールが含まれる。ビアホールとは、例えば絶縁層の一側に導体層（主に下層側の導体層）がある状態で穴開けを行うことによって形成され、絶縁層の他側からその導体層に至る孔をいう。ビアホール内に形成される導体（以下、ビア導体という）は、絶縁層の一側に導体層がある状態で形成されるため、ビア導体と絶縁層の少なくとも一側の導体層とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される。一方、スルーホールとは、絶縁層の一側又は両側に導体層がある場合はその導体層も含めて絶縁層を貫通するように形成される孔をいう。スルーホール内に形成される導体（以下、スルーホール導体という）は、通常、めっき等により、絶縁層の両側の導体層と一緒に形成されるため、スルーホール導体と絶縁層の両側の導体層とは、少なくとも一部で連続している。
【００１６】
孔内又は切欠内に形成される導体（ビア導体やスルーホール導体等）のうち、孔又は切欠の壁面（側面及び底面）に形成された導体膜をコンフォーマル導体といい、孔又は切欠に充填された導体をフィルド導体という。導体層には、上記導体パターンのほかに、接続導体のランドなどが含まれることもある。
【００１７】
めっきとは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出した導体層（例えば金属層）をいう。めっきには、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００１８】
孔又は柱体（突起）の「幅」は、特に指定がなければ、円の場合には直径を意味し、円以外の場合には２√（断面積／π）を意味する。孔又は柱体（突起）がテーパしている場合には、作用及び効果に鑑みて、対応箇所の値、平均値、又は最大値等のうち、最も適切な値を比較して、２以上の孔又は突起の「幅」の一致又は不一致（どちらが大きいか等）を判定することが望ましい。ただし、比較すべき値を明記している場合は、この限りでない。
【００１９】
本実施形態の配線板１００は、プリント配線板である。配線板１００は、図１及び図２に示すように、コア基板１０と、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａと、導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１と、フィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２と、を有する。すなわち、コア基板１０の第１面側には、３層の絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａと３層の導体層２１、４１、６１とが交互に積層されている。また、コア基板１０の第２面側には、３層の絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａと３層の導体層３１、５１、７１とが交互に積層されている。ここで、コア基板１０は、コア部に相当する。また、コア部よりも上層の絶縁層２０ａ〜７０ａ等は、ビルドアップ部に相当する。
【００２０】
コア基板１０は、絶縁層１０ａ（コア絶縁層）と、導体層１１ａ、１１ｂと、フィルド導体１２と、を有する。ここで、絶縁層１０ａの厚さは、例えば６０μｍである。導体層１１ａ、１１ｂの厚さについては、後述する。
【００２１】
絶縁層１０ａには、絶縁層１０ａを貫通するビアホール１２ａが形成されている。フィルド導体１２は、ビアホール１２ａにめっきが充填されて構成される。フィルド導体１２は、接続導体に相当する。本実施形態では、フィルド導体１２がビア導体である。ビア導体はスルーホール導体よりも容易に形成できるため、こうした構造は、コスト低減等に有利である。ただしこれに限られず、フィルド導体１２は、スルーホール導体であってもよい（後述の図２３及び図２４参照）。
【００２２】
絶縁層１０ａは、例えばエポキシ樹脂からなる。エポキシ樹脂は、例えば樹脂含浸処理により、ガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）やアラミド繊維（例えばアラミド不織布）等の補強材を含んでいることが好ましい。補強材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。ただしこれに限定されず、絶縁層１０ａの材料は任意である。
【００２３】
導体層１１ａ、１１ｂは、例えば銅箔及び銅のめっきからなる。また、フィルド導体１２は、例えば銅のめっきからなる。フィルド導体１２の形状は、例えば絶縁層１０ａの第２面側から第１面側に向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、フィルド導体１２の横断面（Ｘ−Ｙ平面）の形状は例えば真円である。しかしこれに限定されず、フィルド導体１２の形状は任意である（後述の図１８Ａ〜図２１Ｂ参照）。
【００２４】
本実施形態では、導体層１１ａ、１１ｂが、金属箔と、無電解めっき膜と、電解めっき膜との３層構造を有する（後述の図２２Ａ参照）。しかし、導体層１１ａ、１１ｂの構造は、上記３層構造に限られず、例えば金属箔と、無電解めっき膜又は電解めっき膜との２層構造であってもよい（後述の図２２Ｂ参照）。
【００２５】
コア基板１０の第１面側には絶縁層２０ａが積層され、コア基板１０の第２面側には絶縁層３０ａが積層される。そして、絶縁層２０ａの第１面上には導体層２１が形成され、絶縁層３０ａの第２面上には導体層３１が形成される。また、絶縁層２０ａの第１面側には絶縁層４０ａが積層され、絶縁層３０ａの第２面側には絶縁層５０ａが積層される。そして、絶縁層４０ａの第１面上には導体層４１が形成され、絶縁層５０ａの第２面上には導体層５１が形成される。さらに、絶縁層４０ａの第１面側には絶縁層６０ａが積層され、絶縁層５０ａの第２面側には絶縁層７０ａが積層される。そして、絶縁層６０ａの第１面上には導体層６１が形成され、絶縁層７０ａの第２面上には導体層７１が形成される。
【００２６】
ここで、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａの厚さは、例えば６０μｍである。また、絶縁層６０ａ、７０ａの厚さは、例えば５０μｍである。導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１の厚さについては、後述する。
【００２７】
導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１は、例えば銅箔及び銅のめっきからなる。
【００２８】
本実施形態では、導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１が、金属箔と、無電解めっき膜と、電解めっき膜との３層構造を有する（後述の図２２Ａ参照）。しかし、導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１の構造は、上記３層構造に限られず、例えば金属箔と、無電解めっき膜又は電解めっき膜との２層構造であってもよい（後述の図２２Ｂ参照）。
【００２９】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａは、層間絶縁層に相当する。絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａは、それぞれ芯材を樹脂含浸してなる。芯材としては、例えばガラス繊維又はアラミド繊維等の無機材料を用いることができる。樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いることができる。
【００３０】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａは、それぞれビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａにめっきが充填されてなるフィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２（いずれもビア導体）を有する。フィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の各々は、接続導体に相当する。フィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２は、例えば銅のめっきからなる。フィルド導体２２、４２、６２の形状は、例えば絶縁層１０ａの第１面側から第２面側に向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、フィルド導体２２、４２、６２の横断面（Ｘ−Ｙ平面）の形状は例えば真円である。また、フィルド導体３２、５２、７２の形状は、例えば絶縁層１０ａの第２面側から第１面側に向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、フィルド導体３２、５２、７２の横断面（Ｘ−Ｙ平面）の形状は例えば真円である。しかしこれに限定されず、フィルド導体２２等の形状は任意である（後述の図１８Ａ〜図２１Ｂ参照）。
【００３１】
配線板１００においては、コア部（コア基板１０）のフィルド導体１２、及びビルドアップ部のフィルド導体２２、３２、４２、５２、６２、７２は、例えば同軸（Ｚ軸）上に積重される。ただし、これらフィルド導体１２等が、同軸（Ｚ軸）上に積重されることは必須ではない（後述の図１４Ａ〜図１５Ｃ参照）。
【００３２】
上記積重されるフィルド導体１２等により、Ｚ方向に沿ってフィルドスタックＳが延設される。隣接するフィルド導体同士は密着（接触）し、互いに導通する。フィルドスタックＳは、配線板１００の両面の導体層、すなわち第１面上の導体層６１と第２面上の導体層７１とを相互に電気的に接続する。
【００３３】
フィルドスタックＳは、全層のフィルド導体が積重された構造、いわゆるフルスタック構造になっている。このため、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できるため、層間接続における配線長の短縮を図ることができる。
【００３４】
フィルドスタックＳの配置や数は、任意である。例えばフィルドスタックＳが複数あってもよい（後述の図２８Ａ及び図２８Ｂ参照）。
【００３５】
配線板１００には、全層を貫通するスルーホール１０２ａが形成され、スルーホール１０２ａの壁面には、例えばめっきからなるコンフォーマル導体１０２（スルーホール導体）が形成されている。すなわち、スルーホール１０２ａは、配線板１００をＺ方向（積層方向）に貫通する。
【００３６】
本実施形態では、コンフォーマル導体１０２が、導体層６１と導体層７１とを電気的に接続する。しかし、コンフォーマル導体１０２が配線板１００両面の導体層（導体層６１、７１）を相互に電気的に接続することは必須ではない。例えばコンフォーマル導体１０２は、配線板１００のグランドライン等と電気的に接続されていても、あるいは他の導体の全てと絶縁されて電気的に孤立していてもよい。
【００３７】
本実施形態では、コンフォーマル導体１０２の構造が、例えば無電解めっき膜と、電解めっき膜との２層構造である。しかし、コンフォーマル導体１０２の構造は、これに限られず任意である。例えば無電解めっき膜のみ又は電解めっき膜のみからなるコンフォーマル導体１０２であってもよい。
【００３８】
コンフォーマル導体１０２は、スルーホール１０２ａに導体が充填されるフィルド導体とは異なり、スルーホール１０２ａの壁面のみに導体を有するため、スルーホール１０２ａ内に空洞が形成され、配線板１００の歪みが緩和され易くなる。ただしこれに限定されず、コンフォーマル導体１０２に代えて、フィルド導体を用いてもよい。
【００３９】
スルーホール１０２ａの形状は例えば円柱であり、スルーホール１０２ａの開口形状は例えば長円である。スルーホール１０２ａの開口形状が長円であることで、Ｘ−Ｙ平面における広い領域の強度を効果的に向上させることができると考えられる。
【００４０】
スルーホール１０２ａは、例えば配線板１００の周縁部に配置される。ただし、スルーホール１０２ａの数や、開口形状、配置等は任意である。
【００４１】
図３に、図１の一部、詳しくはコア基板１０のフィルド導体１２及びその第２面上に積重されるフィルド導体３２を拡大して示す。なお、図３には、コア基板１０の絶縁層１０ａ上のランド１３と、絶縁層３０ａ（層間絶縁層）上のランド３３との関係を図示しているが、他の層間絶縁層、すなわち絶縁層２０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ上のランドとランド１３との関係も同様である。
【００４２】
図３に示されるように、本実施形態では、導体層１１ｂにはフィルド導体１２のランド１３が含まれ、導体層３１にはフィルド導体３２のランド３３が含まれる。コア基板１０の導体層１１ａ及び１１ｂの厚さは、例えば１８μｍである。コア基板１０の両面に積層される導体層２１、３１、４１、５１の厚さは、例えば１８μｍである。さらに、最外層の導体層６１及び７１の厚さは、例えば２５μｍである。
【００４３】
ランド１３は絶縁層１０ａ上（第２面側）に形成され、ランド３３は絶縁層３０ａ上に形成される。ランド１３は、金属箔１３ａ（例えば銅箔）と、金属箔１３ａ上に形成された例えば銅のめっき膜１３ｂと、からなる。また、ランド３３は、金属箔３３ａ（例えば銅箔）と、金属箔３３ａ上に形成された例えば銅のめっき膜３３ｂと、からなる。上記各導体層の厚さは、金属箔の厚さと、めっき膜の厚さとの合計に一致する。
【００４４】
本実施形態の配線板１００では、ランド１３（コア絶縁層上のランド）を構成する金属箔１３ａが、絶縁層３０ａ（コア絶縁層上の層間絶縁層）上のランド３３を構成する金属箔３３ａよりも厚い。こうした構造によれば、コア基板１０の金属箔１３ａが厚いことで、コア周辺における熱応力が金属箔１３ａによって緩和されると考えられる（詳しくは後述）。
【００４５】
金属箔１３ａの厚さＴ１は、５μｍ以上であることが好ましく、例えば７．５μｍである。金属箔３３ａの厚さＴ２は、４．５μｍ以下であることが好ましく、例えば４．５μｍである。このような寸法の金属箔１３ａ、３３ａは、薄い銅箔を用いても形成することができるが、厚い銅箔を用いてエッチングで厚さを調整することによっても、形成することができる。例えば出発材料である両面銅張積層板１０００（後述の図９Ａ参照）の金属箔１００１、１００２の厚さを５μｍ以上にすれば、フィルド導体１２を形成する工程（後述の図９Ｂ及び図９Ｃ参照）などにおいて、両面銅張積層板１０００のハンドリング性に優れると考えられる（詳しくは後述の製造工程の説明を参照）。
【００４６】
一方、ランド１３（コア絶縁層上のランド）を構成するめっき膜１３ｂは、絶縁層３０ａ（コア絶縁層上の層間絶縁層）上のランド３３を構成するめっき膜３３ｂよりも薄い。こうした構造によれば、コア基板１０のめっき膜１３ｂが薄いことで、コア基板１０の製造において、必要な導体厚みを得るためのめっき時間が短くなる。その結果、コア基板１０の生産効率を向上させることができると考えられる。
【００４７】
ビアホール１２ａの第２面側（拡径側）の開口部１２ｂにおける径は、例えば７５μｍであり、ビアホール３２ａの第２面側（拡径側）の開口部３２ｂにおける径は、例えば７５μｍである。
【００４８】
絶縁層３０ａ（コア絶縁層上の層間絶縁層）のビアホール３２ａの第２面側（拡径側）の開口部３２ｂにおける第１面側（縮径側）への縮径角度θ２は、絶縁層１０ａのビアホール１２ａの第２面側（拡径側）の開口部１２ｂにおける第１面側（縮径側）への縮径角度θ１よりも大きい。こうした構造によれば、コア基板１０のビアホール１２ａのテーパ度合が、ビルドアップ部のビアホール３２ａのテーパ度合よりも緩やかであることで、応力の集中し易いコア周辺（詳しくは後述）において、ヒートサイクルによる熱応力が緩和されると考えられる。またその結果、コア基板１０のフィルド導体１２と絶縁層３０ａのフィルド導体３２との接続信頼性を高めることができると考えられる。
【００４９】
縮径角度θ１は例えば約１１０°であり、縮径角度θ２は例えば約９５°である。また、縮径角度θ１と縮径角度θ２との差（θ１−θ２）は、例えば約１５°である。
【００５０】
また、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、ランド１３（コア絶縁層上のランド）を構成する金属箔１３ａがビアホール１２ａの縁から内側に向かって突出する量（突出量ｄ１）は、絶縁層３０ａ（コア絶縁層上の層間絶縁層）上のランド３３を構成する金属箔３３ａがビアホール３２ａの縁から内側に向かって突出する量（突出量ｄ２）よりも小さい。こうした構造によれば、コア基板１０での金属箔１３ａの突出量ｄ１が、ビルドアップ部の絶縁層３０ａでの金属箔３３ａの突出量ｄ２よりも小さいことで、応力の集中し易いコア周辺（詳しくは後述）でのコーナークラックを効果的に軽減することができると考えられる。
【００５１】
突出量ｄ１は例えば約８．４μｍであり、突出量ｄ２は例えば約１３μｍである。また、突出量ｄ１と突出量ｄ２との差（ｄ２−ｄ１）は、例えば約４．６μｍである。本実施形態では、突出量ｄ１、ｄ２が、それぞれビアホール１２ａ、３２ａの周方向において略一定である。しかしこれに限られず、突出量ｄ１、ｄ２はビアホール１２ａ、３２ａの周方向において略一定でなくてもよい（後述の図２０Ａ及び図２０Ｂ参照）。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態の配線板１００では、フィルド導体１２（コア絶縁層のビア導体）と、フィルド導体３２（層間絶縁層のビア導体）とが積重される。コア基板１０の絶縁層１０ａ（コア絶縁層）上には、金属箔１３ａと、金属箔１３ａ上に形成されためっき膜１３ｂと、から構成されるランド１３が形成される。また、絶縁層３０ａ（コア絶縁層上の層間絶縁層）上には、金属箔３３ａと、金属箔３３ａ上に形成されためっき膜３３ｂと、から構成されるランド３３が形成される。そして、金属箔１３ａは、金属箔３３ａよりも厚い。
【００５３】
ここで、金属箔（特に銅箔）は、めっき（特に銅めっき）よりも伸び易いと考えられ、また、ヒートサイクルによって重畳的に加わる熱応力は、コア（コア基板１０）に集中する（詳しくは後述）と考えられる。この点、本実施形態の配線板１００では、上記のようにコア基板１０の金属箔１３ａが厚いため、コア周辺における熱応力が金属箔１３ａによって緩和されると考えられる。その結果、配線板１００は、上記熱応力に対して強くなると推察される。
【００５４】
なお、フィルド導体１２がスルーホール導体である場合には、絶縁層１０ａの第２面側のランド１３を構成する金属箔１３ａが、その上層（第２面側）の絶縁層３０ａ上の金属箔３３ａよりも厚いだけでなく、絶縁層１０ａの第１面側のランドを構成する金属箔を、その上層（第１面側）の絶縁層２０ａ上の金属箔よりも厚くしてもよい（後述の図２３及び図２４参照）。
【００５５】
また、配線板１００の全層を貫通するスルーホール１０２ａの壁面に、コンフォーマル導体１０２（スルーホール導体）が形成されている。このコンフォーマル導体１０２により、Ｚ方向の応力に対して強くなると考えられる。
【００５６】
上記構造は、配線板の層数（導体層の数）が多くなるほど有用であり、特にコア基板の両側に、それぞれ３層以上の導体層と３層以上の絶縁層とが交互に積層された８層（導体層の数）以上の配線板に適用することが有効である。以下、図５〜図７を参照して、このことについて説明する。
【００５７】
図５及び図６に、６層、８層、及び１０層の配線板（６層品、８層品、１０層品）にかかる応力（特にヒートサイクルによる熱応力）について、シミュレーションをした結果を示す。６層品、８層品、１０層品は、いずれもフルスタック構造を有するものである。図５中、線Ｌ１は、６層品に係るデータであり、線Ｌ２は、８層品に係るデータであり、線Ｌ３は、１０層品に係るデータである。
【００５８】
図５及び図６に示されるように、６層品、８層品、及び１０層品のいずれにおいても、コアにかかる応力が最も大きく、コアから離れるほど応力は小さくなる。また、６層品、８層品、及び１０層品の各々にかかる応力を比較すると、１０層品における応力が最も大きく、次に８層品における応力が大きく、６層品における応力が最も小さい。このことから、層数が多くなるほど、配線板における応力は大きくなると推察される。
【００５９】
図７に、８層品、１０層品の各層におけるクラック占有率について、シミュレーションをした結果を示す。
【００６０】
図７に示されるように、クラックの大半は、コア（コア基板）に集中すると考えられる。これにより、コアにおける接続信頼性の低下が懸念される。
【００６１】
また、図７に示されるように、１段目（コア基板上の絶縁層）にも、クラックは発生する。したがって、コア基板のビア導体を単に補強しただけでは、今度はその上（１段目）のビア導体にクラックの集中が起きることが懸念される。また上述のように、層数が多くなるほど配線板における応力は大きくなると考えられるため、コア周辺におけるクラックの発生は、配線板の層数が多くなるほど深刻になると考えられる。
【００６２】
この点、本実施形態の配線板１００に係る上記構造によれば、上述のようにコア基板１０の金属箔１３ａが厚いことで、コア周辺における熱応力が金属箔１３ａによって緩和され、コア周辺におけるクラックの発生は抑制されると考えられる。
【００６３】
また、コンフォーマル導体１０２（スルーホール導体）によれば、配線板１００の全層が平均的に補強されるため、コア基板１０を局部的に補強する場合に比べて、新たな応力集中部位を生じさせることは少ないと考えられる。このため、コア基板１０におけるクラックの発生だけでなく、コア基板１０の上層（絶縁層２０ａ〜７０ａ）におけるクラックの発生も抑制されると考えられる。
【００６４】
また、８層以上になるとクラックの発生率が特に高くなるため、上記構造は、８層以上の配線板に適用することが特に有効であると考えられる。なお、本実施形態の配線板１００は、８層（導体層１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１、５１、６１、７１）の配線板である。ただしこれに限定されず、９層以上の配線板（例えば１０層の配線板など）であってもよい。
【００６５】
以上説明したように、本実施形態の配線板１００に係る上記構造によれば、高放熱性、低導通抵抗、及び高密度配線を有するプリント配線板が得られると考えられる。
【００６６】
上記配線板１００は、例えば図８に示すような手順で製造される。
【００６７】
ステップＳ１０では、コア基板１０が、準備される。
【００６８】
図９Ａ〜図９Ｄに、コア基板１０の製造方法を示す。
【００６９】
まず、図９Ａに示すように、両面銅張積層板１０００（出発材料）を準備する。両面銅張積層板１０００は、絶縁層１０ａと、金属箔１００１及び１００２（例えば銅箔）と、を有する。絶縁層１０ａの第１面には金属箔１００１が形成され、絶縁層１０ａの第２面には金属箔１００２が形成される。絶縁層１０ａの材料は、前述したように、例えば補強材入りのエポキシ樹脂である。
【００７０】
金属箔１００２は、後工程のパターニング（図９Ｄ）により、金属箔１３ａ（図３、図４Ａ）となる。本実施形態では、例えばエッチングで厚さを調整することなく、はじめから所定の厚さ（例えば７．５μｍ）の金属箔１００２を貼り付ける。ただしこれに限られず、金属箔１００２の形成方法は任意である。例えば比較的厚い（例えば１２μｍ）金属箔を絶縁層に貼り付けた後、その金属箔をハーフエッチングすることで、所定の厚さ（例えば７．５μｍ）の金属箔１００２を得てもよい。
【００７１】
また、本実施形態では、出発材料である両面銅張積層板１０００の金属箔１００１及び１００２の厚さが５μｍ以上である。こうした寸法にすることで、両面銅張積層板１０００の強度が高まり、そのハンドリング性が向上すると考えられる。ただし、金属箔１００１及び１００２の厚さは、この範囲に限定されず、適宜変更してもよい。
【００７２】
続けて、図９Ｂに示すように、例えばレーザにより、絶縁層１０ａにビアホール１２ａを形成する。ビアホール１２ａは、金属箔１００２及び絶縁層１０ａを貫通するが、金属箔１００１までは貫通しない。これにより、絶縁層１０ａの第２面側から金属箔１００１に至るビアホール１２ａが形成される。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【００７３】
続けて、図９Ｃに示すように、例えば銅のパネルめっき（ビアホール１２ａへのめっき及び全面めっき）により、金属箔１００１の第１面上にめっき１００３を形成し、金属箔１００２の第２面上及びビアホール１２ａ内にめっき１００４を形成する。これにより、ビアホール１２ａには、めっき１００４が充填される。その結果、フィルド導体１２が形成される。めっき１００３、１００４は、例えば、まず無電解めっきを行い、続けて無電解めっき膜を陰極として電解めっきを行うことで、形成される（後述の図２２Ａ参照）。無電解めっきのめっき液としては、例えば還元剤等が添加された硫酸銅溶液などを用いることができる。また、電解めっきのめっき液としては、例えば硫酸銅溶液、ピロリン酸銅溶液、青（シアン）化銅溶液、又はホウフッ化銅溶液などを用いることができる。
【００７４】
続けて、図９Ｄに示すように、例えばリソグラフィ技術により、絶縁層１０ａの両面の導体層をパターニングする。これにより、絶縁層１０ａの第１面上に導体層１１ａが形成され、絶縁層１０ａの第２面上に導体層１１ｂが形成される。その結果、コア基板１０が完成する。
【００７５】
続けて、図８のステップＳ１１では、コア基板１０の両側に、絶縁層及び金属箔を形成する。
【００７６】
具体的には、例えば図１０Ａに示すように、第１面側から、金属箔１００５（例えば銅箔）、絶縁層２０ａ、コア基板１０、絶縁層３０ａ、及び金属箔１００６（例えば銅箔）を順に配置する。これにより、積層体が形成される。この積層体では、コア基板１０が絶縁層２０ａ及び３０ａによって挟まれ、さらにこれらが、金属箔１００５及び金属箔１００６によって挟まれる。この段階では、絶縁層２０ａ及び３０ａは、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。
【００７７】
その後、金属箔１００５及び１００６をハーフエッチングする。
【００７８】
金属箔１００６は、後工程のパターニング（図１０Ｄ）により、金属箔３３ａ（図３、図４Ｂ）となる。本実施形態では、後述のプレス前にハーフエッチングをすることにより、所定の厚さ（例えば４．５μｍ）の金属箔１００６を得る。ラミネート等で、はじめから所定の厚さの金属箔１００６を貼り付けてもよいが、薄い金属箔を絶縁層に貼り付けることは難しい。この点、本実施形態では、比較的厚い（例えば金属箔１００２と同一の厚さの７．５μｍ）金属箔を絶縁層に貼り付けた後、その金属箔を所定の厚さ（例えば４．５μｍ）にハーフエッチングするため、容易に良質の金属箔１００６が得られる。ただしこれに限られず、金属箔１００６の形成方法は任意である。例えばハーフエッチング工程を割愛して、ラミネート等で、はじめから所定の厚さ（例えば４．５μｍ）の金属箔１００６を貼り付けてもよい。また、後述のプレス後に上記ハーフエッチングを行ってもよい。
【００７９】
続けて、上記積層体をＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層２０ａ、３０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【００８０】
続けて、図８のステップＳ１２では、コア基板１０の両側において、絶縁層にビアホールを形成する。
【００８１】
具体的には、例えば図１０Ｂに示すように、例えばレーザにより、絶縁層２０ａにビアホール２２ａを形成し、絶縁層３０ａにビアホール３２ａを形成する。フィルドスタックＳを形成するためのビアホール２２ａ及び３２ａは、フィルドスタックＳを構成するフィルド導体１２と同軸（Ｚ軸）上に形成する。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施すことが好ましい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【００８２】
続けて、図８のステップＳ１３では、めっきをする。
【００８３】
具体的には、図１０Ｃに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔１００５の第１面上及びビアホール２２ａ内にめっき１００７を形成し、金属箔１００６の第２面上及びビアホール３２ａ内にめっき１００８を形成する。めっき１００７、１００８は、例えば図９Ｃの工程と同様、まず無電解めっきを行い、続けて無電解めっき膜を陰極として電解めっきを行うことで、形成される（後述の図２２Ａ参照）。これにより、ビアホール２２ａ、３２ａには、それぞれめっき１００７、１００８が充填される。その結果、フィルド導体２２及び３２が形成される。フィルドスタックＳを構成するフィルド導体２２及び３２は、フィルドスタックＳを構成する他のフィルド導体１２と同軸（Ｚ軸）上に積重される。
【００８４】
続けて、図８のステップＳ１４では、導体層のパターニングをする。
【００８５】
具体的には、図１０Ｄに示すように、例えばリソグラフィ技術により、両面の導体層をパターニングする。これにより、絶縁層２０ａの第１面上に導体層２１が形成され、絶縁層３０ａの第２面上に導体層３１が形成される。
【００８６】
続けて、図８のステップＳ１５では、ステップＳ１１〜Ｓ１４の工程を繰り返すことにより、図１１に示すように、絶縁層４０ａ及び５０ａ、ビアホール４２ａ及び５２ａ、フィルド導体４２及び５２、並びに導体層４１及び５１を形成する。フィルドスタックＳを構成するフィルド導体４２及び５２は、フィルドスタックＳを構成する他のフィルド導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に積重される。
【００８７】
続けて、図８のステップＳ１６では、コア基板１０の両側に、絶縁層及び金属箔を形成する。
【００８８】
具体的には、例えば図１２に示すように、コア基板１０の第１面側に、絶縁層６０ａ及び金属箔１００９（例えば銅箔）を積層し、コア基板１０の第２面側に、絶縁層７０ａ及び金属箔１０１０（例えば銅箔）を積層する。
【００８９】
その後、必要に応じて、金属箔１００９及び１０１０をハーフエッチングする。
【００９０】
続けて、この積層体をＺ方向に加熱プレスする。これにより、プリプレグ（絶縁層６０ａ、７０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【００９１】
続けて、図８のステップＳ１７では、コア基板１０の両側において絶縁層にビアホールを形成するとともに、全層を貫通するスルーホールを形成する。
【００９２】
具体的には、図１３Ａに示すように、例えばレーザにより、絶縁層６０ａを貫通するビアホール６２ａ、絶縁層７０ａを貫通するビアホール７２ａ、及び全層を貫通するスルーホール１０２ａを形成する。フィルドスタックＳを形成するためのビアホール６２ａ及び７２ａは、フィルドスタックＳを構成するフィルド導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に形成する。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施すことが好ましい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【００９３】
レーザの照射においては、例えば遮光マスクを設けた状態で被照射体の全面にレーザ光を照射する。ただしこれに限られず、遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部位のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。また、レーザ光の走査中において、ビアホール６２ａ及び７２ａを形成する部位よりも、スルーホール１０２ａを形成する部位に照射するレーザ光の強度（光量）を強めることで、ビアホール６２ａ及び７２ａ、並びにスルーホール１０２ａを、１回の走査で形成することができる。この際、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。例えば、コア部のビアホール１２ａ（図９Ｂ）は２ショットで形成し、ビルドアップ部のビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａは１ショットで形成する。そして、スルーホール１０２ａの形成では、さらにショット数を増やす。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。スルーホール１０２ａは、コア基板１０の一側のみからレーザ光を照射することによっても、あるいはコア基板１０の両側から同時にレーザ光を照射することによっても、形成することができる。さらに、コア基板１０の一側からレーザ光を照射して有底孔（非貫通孔）を形成した後、他側からレーザ光を照射してその底部を貫通させることにより、スルーホール１０２ａを形成してもよい。
【００９４】
続けて、図８のステップＳ１８では、めっきをする。
【００９５】
具体的には、図１３Ｂに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔１００９の第１面上、ビアホール６２ａ内、金属箔１０１０の第２面上、ビアホール７２ａ内、及びスルーホール１０２ａ内に、めっき１０１１を形成する。めっき１０１１は、例えば図９Ｃの工程と同様、まず無電解めっきを行い、続けて無電解めっき膜を陰極として電解めっきを行うことで、形成される（後述の図２２Ａ参照）。これにより、ビアホール６２ａ、７２ａには、それぞれめっき１０１１が充填され、スルーホール１０２ａの壁面にも、めっき１０１１が形成される。その結果、フィルド導体６２及び７２、並びにコンフォーマル導体１０２が形成される。フィルドスタックＳを構成するフィルド導体６２及び７２は、フィルドスタックＳを構成する他のフィルド導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に積重される。
【００９６】
本実施形態では、スルーホール１０２ａの壁面へのめっき１０１１の形成と、最外層のビアホール（ビアホール６２ａ及び７２ａ）へのめっき１０１１の形成とが、同時に行われる。このため、工程数の削減、ひいてはコスト削減が図られると考えられる。
【００９７】
続けて、図８のステップＳ１９では、例えばリソグラフィ技術により、両面の導体層をパターニングする。これにより、先の図１に示したように、絶縁層６０ａの第１面上に導体層６１が形成され、絶縁層７０ａの第２面上に導体層７１が形成される。その結果、配線板１００が完成する。その後、例えば最外層に外部接続端子を形成することで、その外部接続端子を通じて、配線板１００を他の配線板と接続したり、配線板１００に電子部品を実装したりすることが可能になる（後述の図３０参照）。
【００９８】
なお、導体パターンの形成方法は任意である。例えばめっきレジストを用いてパターン部のみに選択的にめっきする手法、いわゆるパターンめっき法により、各導体層を形成してもよい。
【００９９】
以上、本発明の実施形態に係る配線板及びその製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【０１００】
フィルドスタックＳを構成するフィルド導体１２等が、同軸（Ｚ軸）上に積重されることは必須ではない。例えば図１４Ａ〜図１５Ｃに示すように、フィルド導体１２等は、Ｘ方向又はＹ方向にずれて、積重されてもよい。各図中、範囲Ｒ１１は、ビアホール１２ａの第１面側の開口範囲であり、範囲Ｒ１２は、ビアホール１２ａの第２面側の開口範囲である。
【０１０１】
同じテーパ方向のフィルド導体を積重するとき、例えばフィルド導体１２の第２面側にフィルド導体３２を積重するときは、図１４Ａに示すように、フィルド導体３２の下層側（第１面側）の端面３２ｃの一端（内側端）が範囲Ｒ１１内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１１の外で範囲Ｒ１２内に配置されるようにしてもよい。あるいは、図１４Ｂに示すように、端面３２ｃの一端（内側端）が範囲Ｒ１１内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１２の外に配置されるようにしてもよい。あるいは、図１４Ｃに示すように、端面３２ｃの一端（内側端）が範囲Ｒ１１の外で範囲Ｒ１２内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１２の外に配置されるようにしてもよい。なお、フィルド導体３２の第２面側にフィルド導体５２を積重するとき、フィルド導体５２の第２面側にフィルド導体７２を積重するとき、フィルド導体１２の第１面側にフィルド導体２２を積重するとき、フィルド導体２２の第１面側にフィルド導体４２を積重するとき、又はフィルド導体４２の第１面側にフィルド導体６２を積重するときについても、同様である。
【０１０２】
また、テーパ方向が逆のフィルド導体を積重するとき、例えばフィルド導体１２の第１面側にフィルド導体２２を積重するときは、図１５Ａに示すように、フィルド導体２２の下層側（第２面側）の端面２２ｃの一端（内側端）が範囲Ｒ１１内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１１の外で範囲Ｒ１２内に配置されるようにしてもよい。あるいは、図１５Ｂに示すように、端面２２ｃの一端（内側端）が範囲Ｒ１１内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１２の外に配置されるようにしてもよい。あるいは、図１５Ｃに示すように、端面２２ｃの一端（内側端）が範囲Ｒ１１の外で範囲Ｒ１２内に配置され、他端（外側端）が範囲Ｒ１２の外に配置されるようにしてもよい。
【０１０３】
要は、少なくとも各フィルド導体が積重されていれば足りる。ここで、積重されているとは、フィルド導体の下層側端面の少なくとも一端（内側端）が、その下層に形成された孔の少なくとも一側の開口範囲内にあることをいう。
【０１０４】
図１６に示すように、フィルド導体６２、７２（外層の接続導体）の位置が、フィルド導体１２（コア基板１０の接続導体）の位置から、コア基板１０の両側で略同一の方向にシフトされていることが好ましい。図１６に示す例では、第１面側のフィルド導体６２の位置も、第２面側のフィルド導体７２の位置も、フィルド導体１２の位置からＸ２側にシフトされている。すなわち、フィルド導体６２の位置とフィルド導体７２の位置とは、同一の方向にシフトされている。こうした構造によっても、前述したような、コア周辺におけるクラック発生抑制などの効果が期待できると考えられる。
【０１０５】
さらに、こうした構造においては、図１７に示すように、ビルドアップ部における内層の接続導体が、コア基板１０の両側において、それぞれコア基板１０の接続導体と外層の接続導体との間に配置されていることが好ましい。図１７の例においては、フィルド導体２２、４２（第１面側の内層の接続導体）が、フィルド導体６２のシフト方向（Ｘ方向）において、フィルド導体１２（コア基板１０の接続導体）とフィルド導体６２（第１面側の外層の接続導体）との間（範囲Ｒ２１）に配置されている。さらに、フィルド導体３２、５２（第２面側の内層の接続導体）が、フィルド導体７２のシフト方向（Ｘ方向）において、フィルド導体１２（コア基板１０の接続導体）とフィルド導体７２（第２面側の外層の接続導体）との間（範囲Ｒ２２）に配置されている。このような配置にすれば、フィルド導体４２、５２が範囲Ｒ２１、Ｒ２２の外に配置される場合（図１６参照）に比べて、コア周辺におけるクラック発生抑制などの効果が高まると考えられる。ただし、こうした配置は必須の構成ではない。
【０１０６】
各層におけるビアホール、スルーホール、又はランドの横断面（Ｘ−Ｙ平面）の形状は任意である。
【０１０７】
例えばこれらの面の形状は、真円のほか、例えば図１８Ａに示すように正四角形であってもよく、また、正六角形や正八角形等の他の正多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。ただし、熱応力の集中を防止する上では、角が丸みを帯びていた方が好ましい。
【０１０８】
また、上記横断面の形状は、楕円であってもよく、長方形や三角形等であってもよい。さらに、図１８Ｂ又は図１８Ｃに示すように、十字形又は正多角星形など、中心から放射状に直線を引いた形（複数の羽根を放射状に配置した形）も、上記横断面の形状として有効である。
【０１０９】
フィルドスタックＳを形成するためのビアホール１２ａ等の形状として、上記形状を任意に組み合わせて採用してもよい。例えば図１９に示すように、非相似の図形を組み合わせてもよい。
【０１１０】
また、接続導体の横断面とそのランドの横断面とを、互いに非相似の図形にしてもよい。例えば図２０Ａ、図２０Ｂに示すように、ビアホール１２ａ、３２ａの横断面が正多角星形であり、ランド１３、３３（金属箔１３ａ、３３ａ）の横断面が真円であってもよい。この場合、突出量ｄ１、ｄ２が、それぞれビアホール１２ａ、３２ａの周方向において略一定ではなくなる。そこで、例えば突出量ｄ１の平均値を突出量ｄ２の平均値よりも小さくすれば、前述のように、コア周辺でのコーナークラックを効果的に軽減することができると考えられる。
【０１１１】
各層におけるビアホールやスルーホールの縦断面の形状も任意である。
【０１１２】
例えば図２１Ａに示すように、コア部のビアホール１２ａ及びフィルド導体１２の形状を円柱にしてもよい。
【０１１３】
さらに、図２１Ｂに示すように、ビアホール１２ａ、３２ａ及びフィルド導体１２、３２の形状を鼓形にしてもよい。この形状では、第１面及び第２面における開口部の間に位置する幅狭部Ｎの幅がその両側の開口部の幅よりも小さいため、めっきのフィルド性が向上すると考えられる。またその結果、表面の平坦性が高まると考えられる。また、フィルド導体１２、３２の側面が斜面になるため、両者の接着強度が向上すると考えられる。なお、ビアホール２２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、及びスルーホール１０２ａの形状を鼓形にしてもよい。
【０１１４】
前述のように、コア基板１０のフィルド導体１２と絶縁層３０ａのフィルド導体３２との接続信頼性を高める上では、コア基板１０のビアホール１２ａの縮径角度θ１が、ビルドアップ部のビアホール３２ａの縮径角度θ２よりも小さいことが好ましいが、これは必須の構造ではない。例えばコア部のビアホール１２ａの形状及びビルドアップ部のビアホール２２ａ等の形状を、いずれも円柱にしてもよい。その他、スルーホール１０２ａ等の形状に、上記円柱や鼓形を採用してもよい。
【０１１５】
各層における導体層の構造は、上記３層構造に限られず、例えば金属箔と、無電解めっき膜又は電解めっき膜との２層構造であってもよい。また、各層におけるフィルド導体の構造は、無電解めっき膜と電解めっき膜との２層構造に限られず、例えば無電解めっき膜又は電解めっき膜のみからなる構造であってもよい。
【０１１６】
例えば上記実施形態では、導体層１１ａ等の構造を、図２２Ａに示す導体層２００４のように、絶縁層２００１上に、金属箔２００２（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜２００３ａと、例えば銅の電解めっき２００３ｂとが、この順に積層された３層構造とした。また、フィルド導体２２等の構造を、図２２Ａに示すフィルド導体２００５のように、無電解めっき膜２００３ａと、電解めっき２００３ｂと、の２層構造とした。
【０１１７】
しかしこれに限られず、上記導体層１１ａ等の構造は、例えば図２２Ｂに示す導体層２００４のように、無電解めっき膜２００３ａを割愛した２層構造であってもよい。また、上記フィルド導体２２等の構造は、電解めっき２００３ｂのみからなる構造であってもよい。
【０１１８】
図２２Ａ及び図２２Ｂには、ビア導体を図示したが、コンフォーマル導体１０２（スルーホール導体）についても、同様の構造を採用することができる。なお、無電解めっき膜２００３ａ等を割愛することで、導体層の密着性が低下することが懸念されるため、必要に応じて、密着性を高めるための表面処理を絶縁層２００１（絶縁層１０ａ等）に施すことが好ましい。
【０１１９】
フィルド導体１２は、ビア導体に限られない。例えば図２３及び図２４（図２３の部分拡大図）に示すように、フィルド導体１２は、スルーホール導体であってもよい。この場合、フィルド導体１２と絶縁層１０ａの両側の導体層１１ａ、１１ｂとが、少なくとも一部（例えばめっき部分）で連続する。図２４の例では、フィルド導体１２が、スルーホール１２ｃにめっきが充填されて構成される。このようなフィルド導体１２（スルーホール導体）は、例えば絶縁層１０ａにスルーホール１２ｃを形成した後、浸漬めっきを行うことで、形成することができる。図２４の例では、鼓形状のスルーホール１２ｃを例示しているが、スルーホール１２ｃの形状は任意である。スルーホール１２ｃは、コア基板１０の一側のみからレーザ光を照射することによっても、あるいはコア基板１０の両側から同時にレーザ光を照射することによっても、形成することができる。さらに、コア基板１０の一側からレーザ光を照射して有底孔（非貫通孔）を形成した後、他側からレーザ光を照射してその底部を貫通させることにより、スルーホール１２ｃを形成してもよい。
【０１２０】
図２４の例では、導体層１１ａにはフィルド導体１２のランド１４が含まれ、導体層２１にはフィルド導体２２のランド２３が含まれる。ランド１４は絶縁層１０ａ上（第１面側）に形成され、ランド２３は絶縁層２０ａ上に形成される。ランド１４は、金属箔１４ａ（例えば銅箔）と、金属箔１４ａ上に形成された例えば銅のめっき膜１４ｂと、からなる。ランド２３は、金属箔２３ａ（例えば銅箔）と、金属箔２３ａ上に形成された例えば銅のめっき膜２３ｂと、からなる。上記各導体層の厚さは、金属箔の厚さと、めっき膜の厚さとの合計に一致する。
【０１２１】
ここで、絶縁層１０ａの第１面側のランド１４を構成する金属箔１４ａは、その上層（第１面側）の絶縁層２０ａ上のランド２３を構成する金属箔２３ａよりも厚いことが好ましい。こうした構造によれば、コア基板１０の金属箔１４ａが厚いことで、上記実施形態と同様、コア周辺における熱応力が金属箔１４ａによって緩和されると考えられる。さらに、上記実施形態のように、第２面側の金属箔１３ａ及び３３ａも、同様の関係にすれば、相乗的な効果が期待できる。
【０１２２】
金属箔１４ａの厚さＴ３は、５μｍ以上であることが好ましく、例えば７．５μｍである。金属箔２３ａの厚さＴ４は、４．５μｍ以下であることが好ましく、例えば４．５μｍである。このような寸法の金属箔１４ａ、２３ａは、薄い銅箔を用いても形成することができるが、厚い銅箔を用いてエッチングで厚みを調整することによっても、形成することができる。
【０１２３】
一方、ランド１４（コア絶縁層上のランド）を構成するめっき膜１４ｂは、絶縁層２０ａ（コア絶縁層上の層間絶縁層）上のランド２３を構成するめっき膜２３ｂよりも薄い。こうした構造によれば、コア基板１０のめっき膜１４ｂが薄いことで、コア基板１０の製造において、必要な導体厚みを得るためのめっき時間が短くなる。その結果、コア基板１０の生産効率を向上させることができると考えられる。さらに、上記実施形態のように、第２面側のめっき膜１３ｂ及び３３ｂも、同様の関係にすれば、相乗的な効果が期待できる。
【０１２４】
絶縁層２０ａ（コア絶縁層上の層間絶縁層）のビアホール２２ａの第１面側（拡径側）の開口部２２ｂにおける第２面側（縮径側）への縮径角度θ４は、絶縁層１０ａのスルーホール１２ｃの第１面側の開口部１２ｄにおける第２面側への縮径角度θ３よりも大きい。こうした構造によれば、コア基板１０のスルーホール１２ｃのテーパ度合が、ビルドアップ部のビアホール２２ａのテーパ度合よりも緩やかであることで、上記実施形態と同様、コア周辺において、ヒートサイクルによる熱応力が緩和されると考えられる。またその結果、コア基板１０のフィルド導体１２と絶縁層２０ａのフィルド導体２２との接続信頼性を高めることができると考えられる。さらに、上記実施形態のように、第２面側の縮径角度θ１及びθ２も、同様の関係にすれば、相乗的な効果が期待できる。
【０１２５】
また、ランド１３（コア絶縁層上のランド）を構成する金属箔１３ａがスルーホール１２ｃの縁から内側に向かって突出する量（突出量ｄ３）は、絶縁層２０ａ（コア絶縁層上の層間絶縁層）上のランド２３を構成する金属箔２３ａがビアホール２２ａの縁から内側に向かって突出する量（突出量ｄ４）よりも小さい。こうした構造によれば、コア基板１０での金属箔１４ａの突出量ｄ３が、ビルドアップ部の絶縁層２０ａでの金属箔２３ａの突出量ｄ４よりも小さいことで、コア周辺でのコーナークラックを効果的に軽減することができると考えられる。さらに、上記実施形態のように、第２面側の突出量ｄ１及びｄ２も、同様の関係にすれば、相乗的な効果が期待できる。
【０１２６】
図２４の例について、寸法の一例を示す。ビアホール１２ａの第１面側の開口部１２ｄ及び第２面側の開口部１２ｂにおける径は、例えば７５μｍであり、ビアホール２２ａの第１面側の開口部２２ｂにおける径は、例えば７５μｍであり、ビアホール３２ａの第２面側の開口部３２ｂにおける径は、例えば７５μｍである。縮径角度θ１、θ３は例えば約１１０°であり、縮径角度θ２、θ４は例えば約１２０°である。突出量ｄ１、ｄ３は例えば約６．５μｍであり、突出量ｄ２、ｄ４は例えば約２２μｍである。
【０１２７】
図２５（図２に対応する図）に示すように、スルーホール１０２ａに代えて、配線板１００をＺ方向（積層方向）に貫通する切欠１０２ｂを用いてもよい。切欠１０２ｂは、配線板１００の側面に形成される。切欠１０２ｂの壁面には、コンフォーマル導体１０２（図１参照）が形成される。また、図２６に示すように、スルーホール１０２ａと切欠１０２ｂとを併用してもよい。切欠１０２ｂは、例えば図２７に示すように、スルーホール１０２ａを形成した後、線Ｌ１０で、スルーホール１０２ａを分割（切断）することによって形成することができる。ただしこれに限られず、切欠１０２ｂの形成方法は任意である。
【０１２８】
フィルドスタックＳの数は１つに限られず任意である。例えば図２８Ａ及び図２８Ｂ（図２８Ａの断面図）に示すように、配線板１００は、複数（例えば２つ）のフィルドスタックＳを有していてもよい。
【０１２９】
配線板１００が、電子部品を有し、電子デバイスとなっていてもよい。
【０１３０】
例えば図２９に示すように、配線板１００に電子部品３００１が内蔵されていてもよい。図２９の例では２つの電子部品３００１が内蔵されているが、電子部品の数は任意である。例えば１つの電子部品のみが配線板１００に内蔵されていてもよい。電子部品を内蔵する配線板１００によれば、電子デバイスの高機能化が可能になる。
【０１３１】
また、例えば図３０に示すように、配線板１００の表面に電子部品３００２が実装されていてもよい。図３０の例では配線板１００の両面に電子部品３００２が実装されているが、配線板１００の片面のみに電子部品３００２が実装されてもよい。また、電子部品の数は任意である。例えば１つの電子部品のみが配線板１００に実装されていてもよい。
【０１３２】
その他の点についても、配線板１００の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１３３】
配線板１００の層数は任意である。例えば高機能化等を図るべく、例えば図１に示した構造が完成した後、さらに積層を続けて、より多層の配線板としてもよい。
【０１３４】
各導体層の材料は、上記のものに限定されず、用途等に応じて変更可能である。例えば導体層の材料として、銅以外の金属を用いてもよい。また、各絶縁層の材料も任意である。ただし、絶縁層を構成する樹脂としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、前述のエポキシ樹脂のほか、例えばイミド樹脂（ポリイミド）、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、アラミド樹脂などを用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂（フッ素樹脂）などを用いることができる。これらの材料は、例えば絶縁性、誘電特性、耐熱性、又は機械的特性等の観点から、必要性に応じて選ぶことが望ましい。また、上記樹脂には、添加剤として、硬化剤、安定剤、フィラーなどを含有させることができる。また、各導体層及び各絶縁層は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【０１３５】
上記実施形態の工程は、図８のフローチャートに示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１３６】
上記実施形態や変形例等は、任意に組み合わせることができる。
【０１３７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明に係る配線板は、電子機器の回路基板に適している。また、本発明に係る配線板の製造方法は、電子機器の回路基板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１３９】
１０  コア基板
１０ａ  絶縁層
１１ａ、１１ｂ  導体層
１２  フィルド導体（接続導体）
１２ａ  ビアホール
１２ｂ  開口部
１２ｃ  スルーホール
１２ｄ  開口部
１３  ランド
１３ａ  金属箔
１３ｂ  めっき膜
１４  ランド
１４ａ  金属箔
１４ｂ  めっき膜
２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ  絶縁層
２１、３１、４１、５１、６１、７１  導体層
２２、３２、４２、５２、６２、７２  フィルド導体（接続導体）
２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ  ビアホール
２２ｂ、３２ｂ  開口部
２２ｃ、３２ｃ  端面
２３、３３  ランド
２３ａ、３３ａ  金属箔
２３ｂ、３３ｂ  めっき膜
１００  配線板
１０２  コンフォーマル導体
１０２ａ  スルーホール
１０２ｂ  切欠
１０００  両面銅張積層板
１００１、１００２、１００５、１００６  金属箔
１００３、１００４、１００７、１００８、１０１１  めっき
１００９、１０１０  金属箔
２００１  絶縁層
２００２  金属箔
２００３ａ  無電解めっき膜
２００３ｂ  電解めっき
２００４  導体層
２００５  フィルド導体
３００１、３００２  電子部品
Ｓ  フィルドスタック
【図１】
2011122246.tif 000003
【図２】
2011122246.tif 000004
【図３】
2011122246.tif 000005
【図４Ａ】
2011122246.tif 000006
【図４Ｂ】
2011122246.tif 000007
【図５】
2011122246.tif 000008
【図６】
2011122246.tif 000009
【図７】
2011122246.tif 000010
【図８】
2011122246.tif 000011
【図９Ａ】
2011122246.tif 000012
【図９Ｂ】
2011122246.tif 000013
【図９Ｃ】
2011122246.tif 000014
【図９Ｄ】
2011122246.tif 000015
【図１０Ａ】
2011122246.tif 000016
【図１０Ｂ】
2011122246.tif 000017
【図１０Ｃ】
2011122246.tif 000018
【図１０Ｄ】
2011122246.tif 000019
【図１１】
2011122246.tif 000020
【図１２】
2011122246.tif 000021
【図１３Ａ】
2011122246.tif 000022
【図１３Ｂ】
2011122246.tif 000023
【図１４Ａ】
2011122246.tif 000024
【図１４Ｂ】
2011122246.tif 000025
【図１４Ｃ】
2011122246.tif 000026
【図１５Ａ】
2011122246.tif 000027
【図１５Ｂ】
2011122246.tif 000028
【図１５Ｃ】
2011122246.tif 000029
【図１６】
2011122246.tif 000030
【図１７】
2011122246.tif 000031
【図１８Ａ】
2011122246.tif 000032
【図１８Ｂ】
2011122246.tif 000033
【図１８Ｃ】
2011122246.tif 000034
【図１９】
2011122246.tif 000035
【図２０Ａ】
2011122246.tif 000036
【図２０Ｂ】
2011122246.tif 000037
【図２１Ａ】
2011122246.tif 000038
【図２１Ｂ】
2011122246.tif 000039
【図２２Ａ】
2011122246.tif 000040
【図２２Ｂ】
2011122246.tif 000041
【図２３】
2011122246.tif 000042
【図２４】
2011122246.tif 000043
【図２５】
2011122246.tif 000044
【図２６】
2011122246.tif 000045
【図２７】
2011122246.tif 000046
【図２８Ａ】
2011122246.tif 000047
【図２８Ｂ】
2011122246.tif 000048
【図２９】
2011122246.tif 000049
【図３０】
2011122246.tif 000050
【国際調査報告】
2011122246.tif 000051
2011122246.tif 000052