(57)【要約】  光電変換により画素に蓄積された電荷を短期間かつ低消費電力で効率良く吐き出すリフレッシュ動作を行うことができる放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法を提供する。リフレッシュ動作における制御信号を多パルス状にし、同一の信号線上に位置する隣接したスイッチング素子が同一のタイミングでＯＮしないようにタイミングを調整する。
2011148609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、２次元状に配置された光電変換素子及びスイッチング素子を含む複数の画素と、前記スイッチング素子をスイッチするためのゲート線と、前記光電変換素子からの画素信号を読み出す信号線とを有し、前記ゲート線はゲート制御回路と接続され、前記信号線は信号検出回路と接続された放射線平面検出器を用い、前記スイッチング素子をＯＮして前記画素に蓄積された電荷を読み出し画像処理を行った後に、再度、前記スイッチング素子をＯＮして前記画素に残存した電荷を吐き出すリフレッシュ動作を行う放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法において、
リフレッシュ動作における制御信号を多パルス状にし、同一の信号線上に位置する隣接したスイッチング素子が同一のタイミングでＯＮしないようにタイミングを調整したことを特徴とする放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【請求項２】
前記ゲート制御回路は、複数の前記ゲート線と接続されたゲート制御素子を複数有しており、前記リフレッシュ動作は、前記ゲート制御素子単位毎に行い、かつ各前記ゲート制御素子の同位置に対応するゲート線においては同一の制御信号を同時に駆動することを特徴とする請求項１記載の放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【請求項３】
前記リフレッシュ動作におけるパルス幅は、画像処理を行う際に前記画素に蓄積された電荷を読み出す際のパルス幅よりも短いことを特徴とする請求項１記載の放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【請求項４】
前記ゲート線をｎ本とし、前記パルス数をｐとした場合に、ｍ（ｍ＜ｎ）番目のゲート線に付加したパルス数ｐの制御ＯＮ信号Ｇ（ｍ，ｐ）とｍ＋１（ｍ＋１≦ｎ）番目のゲート線に付加したパルス数ｐの制御ＯＮ信号Ｇ（ｍ＋１，ｐ）とが同じタイミング時間内でＯＮしないように位相調整してリフレッシュ動作を行うことを特徴とする請求項１記載の放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【請求項５】
前記ゲート線を２ｎ本とし、前記パルス数をｐとした場合に、隣接する前記ゲート線を１単位として同一の制御信号で制御を行い、２ｍ（２ｍ＜２ｎ）番目のゲート線のゲート線に付加したパルス数ｐの制御ＯＮ信号Ｇ（２ｍ，ｐ）と２（ｍ＋１）［２（ｍ＋１）≦２ｎ］番目のゲート線に付加したパルス数ｐの制御ＯＮ信号Ｇ（２（ｍ＋１），ｐ）が同じタイミング時間内でＯＮしないように位相調整してリフレッシュ動作を行うことを特徴とする請求項１記載の放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【請求項６】
前記ゲート制御回路は一つのゲート線に出力する前記制御信号が一定間隔をおいて複数回連続する複数パルスであることを特徴とする請求項１記載の放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線平面検出器において例えば光電変換により画素に蓄積された電荷を吐き出すための、いわゆるリフレッシュ動作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面検出器（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｉｍａｇｅｒ：以下、「ＦＰＩ」と記す）を用いたＸ線撮像装置が実用化されている。このＦＰＩを用いたＸ線撮像装置は、フィルムを用いたＸ線撮像装置よりも優れた感度や画質を有することや、動画像も撮影できるという優れた利点を有している。【０００３】
ＦＰＩは、図８に示すように、光電変換素子１１及びスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１２を含む画素８０を有しており、ＴＦＴ１２がＴＦＴをスイッチするためのゲート線１３及び信号を読み出すための信号線１４と接続され、光電変換素子１１がバイアス線１５と接続されている。【０００４】
このような画素８０が２次元状にガラス基板上に複数配置されてＴＦＴアレイ基板を構成している。【０００５】
ＦＰＩでは、Ｘ線源から人体にＸ線が照射されると、人体を透過したＸ線を蛍光体で可視光に変換し、ＴＦＴアレイ基板の光電変換素子１１で電荷を蓄積し、ＴＦＴ１２をＯＮ（オン、閉回路状態）にして蓄積した電荷を光電変換素子１１から読み出し、信号線１４を介して電荷信号として出力する。【０００６】
電荷信号は電気信号に変換され、電気信号は複数の信号増幅回路で増幅された後、アナログ／デジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器）でデジタル信号へ変換される。デジタル信号へ変換された画像データは、画像処理回路によって動画像に処理され、モニターへ表示される。Ｘ線動画像撮影装置は、画像処理装置やプログラム／制御ボードなどが配設された制御パソコンによって制御される。映像信号は上記過程を一フレームとして繰り返し動作を行う（例えば、特許文献１参照）。【０００７】
ＴＦＴの駆動のタイミングチャートを図１０に示す。ＴＦＴの駆動のタイミングとしては、画像信号の１フレーム内にＸ線を受けて電荷を蓄積する期間ａ、電荷を読み出す期間ｂ、電荷をリフレッシュさせる期間ｃの３つのタイミングからなっている。【０００８】
このように、電荷を蓄積する期間で蓄積された電荷はＴＦＴ１２をＯＮにして光電変換素子１１から読み出すが、ＴＦＴ１２は理想的なスイッチ素子ではないために電荷の読み残しが発生する。ＴＦＴ１２は有限な抵抗値ＲＯＮ（数Ｍオーム）を有しているために、光電変換素子１１の容量ＣＰＤとの間で決まる時定数によって読み出させる電荷の量に制限を受ける。【０００９】
従って、十分な電荷を読み取るためには、ＴＦＴ１２をＯＮする時間すなわち電荷読み出し期間を長くしなくてはならない。この期間でＴＦＴ１２のＯＮ時間を長くしてしまうとＸ線を信号として蓄積できる時間（電荷蓄積期間）が短くなってしまい、十分な出力が得られなくなってしまう。これに対して、ＴＦＴ１２のＯＮ時間が短いと、十分な電荷を読み取ることが出来ずに次のフレームまで電荷が残ってしまう。【００１０】
このため、ＴＦＴ１２をＯＮして電荷を読み出した後にもう一度、ＴＦＴ１２をスイッチさせて電荷を吐き出すことが行われる。これをリフレッシュと呼ぶ。【００１１】
このリフレッシュにおいても、十分な電荷を吐き出すためにはＴＦＴ１２のＯＮ時間を十分に取ることが必要となる。【００１２】
図９に、従来のリフレッシュ動作方法の例を示す。【００１３】
ゲート線がＧ１〜Ｇｎのｎ本ある場合、従来のリフレッシュ動作方法では、まず、Ｇ１に２Ｔｏｎの間隔でＯＮの制御信号を１パルス入れる。【００１４】
次に、Ｇ１の制御信号がＯＦＦ（オフ、開回路状態）するタイミングにＧ２の制御信号がＯＮするようにタイミング制御をして同様に２Ｔｏｎの間隔のＯＮの制御信号を１パルス入れる。【００１５】
さらに、同様にして順次、Ｇ３，Ｇ４．．．Ｇｎと制御信号を１パルス入れることによりリフレッシュ動作を行う。【００１６】
しかしながら、このような従来のリフレッシュ動作方法では、ＴＦＴのＯＮ時間を２倍、４倍に伸ばせば、リフレッシュに掛かるトータルの時間も単純に２倍、４倍の時間が掛ってしまう。【００１７】
すなわち、従来のリフレッシュタイミングの場合、リフレッシュのＯＮ時間を２ＴＯＮ、ゲート線に接続されているＴＦＴの個数をｎとすれば、リフレッシュにかかる時間は、２Ｔｏｎ×ｎ時間掛かる。このため、ＯＮ時間を長くするとゲート線に接続されているＴＦＴの個数に比例して時間が長くなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開平５−２４２８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
短いリフレッシュ時間でも十分電荷を吐き出すことが好ましい。このための手段として、光電変換素子１１に掛かる電圧の極性を変えたりするなどの方法が施されている。【００２０】
しかしながら、この方法では光電変換素子１１に印加する電圧の極性をフレーム単位で変化させなくてはならず、動作の安定性に欠けるなどの課題がある。【００２１】
一方、電荷を読み出す時間を確保するため、ＴＦＴ１２のゲートのＯＮ時間を単純に延ばして、任意のゲートが開いている状態で隣接するゲートを開いてしまうと、消費電流が増大するとともに、すでにＯＮしている画素へＴＦＴ１２のＯＮ時の電荷が誘導し、大きくオフセットするため、不自然な映像になってしまう。【００２２】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、光電変換により画素に蓄積された電荷を短期間かつ低消費電力で効率良く吐き出すリフレッシュ動作を行うことができる放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上述の目的を達成するため、本発明に係る放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法は、基板上に、２次元状に配置された光電変換素子及びスイッチング素子を含む複数の画素と、前記スイッチング素子をスイッチするためのゲート線と、前記光電変換素子からの画素信号を読み出す信号線とを有し、前記ゲート線はゲート制御回路と接続され、前記信号線は信号検出回路と接続された放射線平面検出器を用い、前記スイッチング素子をＯＮして前記画素に蓄積された電荷を読み出し画像処理を行った後に、再度、前記スイッチング素子をＯＮして前記画素に残存した電荷を吐き出すリフレッシュ動作を行う放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法において、リフレッシュ動作における制御信号を多パルス状にし、同一の信号線上に位置する隣接したスイッチング素子が同一のタイミングでＯＮしないようにタイミングを調整したことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係るリフレッシュ動作方法に用いるＸ線平面検出器の一例を示す回路図。
【図２】図１に示すＸ線平面検出器の斜視図。
【図３】図１に示すＸ線平面検出器の信号検出回路の構成図。
【図４】本発明に係るリフレッシュ動作方法の第一の実施の形態を示すタイミングチャート。
【図５】本発明に係るリフレッシュ動作方法に用いるＸ線平面検出器の他の例を示す概略図。
【図６】本発明に係るリフレッシュ動作方法の第二の実施の形態を示すタイミングチャート。
【図７】本発明に係るリフレッシュ動作方法の第三の実施の形態を示すタイミングチャート。
【図８】画素内部の等価回路図。
【図９】従来のリフレッシュ動作方法を示すタイミングチャート。
【図１０】１フレームごとのＴＦＴの駆動タイミングチャート。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、本発明に係るリフレッシュ動作方法に用いる放射線平面検出器の一例を示す回路図である。
【００２６】
図１（ａ），（ｂ）において、Ｘ線平面検出器１０は、９つの画素１がガラス基板２上に３×３のマトリックス状に配置され、ＴＦＴアレイ基板７を構成している。
【００２７】
画素１は、光電変換素子１１及びスイッチング素子としてのＴＦＴ１２を有しており、さらにＴＦＴ１２がＴＦＴをスイッチするためのゲート線１３及び信号を読み出すための信号線１４と接続され、光電変換素子１１がバイアス線１５と接続されている。
【００２８】
ＴＦＴアレイ基板７の周囲には、ＴＦＴのゲートを制御するためのゲート駆動回路３と、各画素からの電荷信号を電気信号に変換する信号検出回路４と、画像処理回路５と、電源６とが設けられている。
【００２９】
また、図２に示すように、Ｘ線平面検出器１０は、ＴＦＴアレイ基板７の上部に、Ｘ線を光に変換するＸ線光変換膜２１が装着されている。Ｘ線光変換膜２１によりＸ線２２は光に変換され、さらに光電変換素子１１により光は電荷に変換される。図１に示すゲート駆動回路３によってＴＦＴ１２がスイッチされ、蓄積された電荷は信号線１４を通って信号検出回路４で電気信号として検出される。
【００３０】
図３に、信号検出回路４の構成例を示す。
【００３１】
信号検出回路４では、各画素からの電荷信号を積分アンプ４１で電圧に変換し、アナログ電圧アンプで電圧増幅する。その後、電圧アンプ４２を経て、サンプルホールド回路４３でサンプルホールドされる。この間の処理は、各信号線１４に対して並列処理される。並列処理された信号をマルチプレクサ回路４４で一つに選択し、Ａ／Ｄ変換器４５を通してデジタル値に変換する。図示しない後段回路では、画像並び替え、画像処理などが施されて画像信号として出力される。
【００３２】
ＴＦＴの駆動のタイミングとしては、図１０に示すように、電荷を蓄積する期間ａ、電荷を読み出す期間ｂ、電荷をリフレッシュさせる期間ｃの３つのタイミングを設ける。
【００３３】
電荷蓄積期間ａではＸ線平面検出器１０の全ＴＦＴスイッチング素子をＯＦＦの状態にして光電変換素子１１に電荷を蓄積する。蓄積後、電荷読み出し期間ｂでＴＦＴ１２を順次スイッチさせて画素信号を読み出す。電荷読み出し期間の後にＴＦＴ１２をスイッチさせるが、画像信号として後段の画像処理をしない画素信号を読み捨てるタイミング（リフレッシュ期間ｃ）を設ける。
【００３４】
以下、本実施の形態のリフレッシュ動作方法について説明する。
【００３５】
この実施の形態のリフレッシュ動作方法の特徴は、リフレッシュ期間での制御信号であるゲート走査信号を多パルス状に時間配分したことにある。本実施の形態では一つのゲート線に出力する前記制御信号が一定間隔をおいて複数回連続する複数パルスにしている。
【００３６】
すなわち、図４に示すように、リフレッシュに掛かるゲート走査信号を多パルス状にして隣接する同一信号線１４上に位置するＴＦＴ１２が同一タイミングでＯＮしないようにタイミングを調整させる。
【００３７】
具体的には、本実施の形態では２パルスとして、ＯＮ時間を２倍にする例を示す。
【００３８】
ゲート線がＧ１〜Ｇｎのｎ本ある場合、先ず、Ｇ１において、Ｔｏｎの間隔でＯＮの制御信号を１パルス入れる。その後、Ｔｏｆｆの間隔でＯＦＦの信号を入れた後、再度Ｔｏｎの間隔でＯＮの制御信号を１パルス入れる。
【００３９】
次に、Ｇ１がＯＦＦしているタイミングにＧ２がＯＮするようにタイミング制御をしてＧ２もＧ１と同様に２パルスいれる。その後、順次、Ｇ３，Ｇ４．．．Ｇｎと同様の動作を行う。
【００４０】
ここで、ｍ（ｍ＜ｎ）番目のゲート線上のＴＦＴ１２をリフレッシュさせるタイミングとｍ＋１番目のゲート線上に位置するＴＦＴ１２をリフレッシュさせるタイミングが一致しないように動作させる。
【００４１】
本実施形態において、Ｔｏｎを２パルス印加する場合のリフレッシュのトータル時間は、（ｎ＋１）×Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆとなる。Ｔｏｎを１パルスだけ印加する場合のリフレッシュのトータル時間がｎＴｏｎであるため、リフレッシュ時間が２倍になってもリフレッシュのトータル時間はＴｏｎ＋Ｔｏｆｆ時間しか延びない。ただし、ｎはゲート線数である。
【００４２】
更に、ＴＦＴ１２のＯＮ／ＯＦＦのＤｕｔｙを５０％とし、ＴＦＴ１２のＯＮ時間をＴｏｎ、ＯＦＦ時間をＴｏｆｆとし、パルス数をｐとしてリフレッシュ時間をｐ倍にする場合を考えると、リフレッシュに必要な時間は、
ｎＴｏｎ＋（ｐ−１）（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）・・・・・（１）式
となる。
【００４３】
従って、全ゲートをリフレッシュするトータル時間は、リフレッシュ時間をｐ倍にしても（ｐ−１）（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）時間しか延びず、しかもゲート線に接続されているＴＦＴ個数に拠らない。また、隣接画素への誘導電荷もなく、画像も安定しており、極めて有益な効果が得られる。
【００４４】
一方、従来のリフレッシュ動作方法の場合、ｐ倍リフレッシュ時間を長くすると、ｐ×Ｔｏｎ×ｎとなる。
【００４５】
具体的な数字で比較すると、ＯＮ時間を１０μｓｅｃとしてゲートを順次スキャンさせると、（１００×１００）ピクセルの場合、全スキャン時間は、１０×１００＝１０００μｓｅｃ掛かることになる。２０μｓｅｃにすれば、２０×１００＝２０００μｓｅｃ掛かる。
【００４６】
ところが、本実施の形態のリフレッシュ動作方法によれば、Ｔｏｆｆを１０μｓｅｃとすると、（１）式より、１００×１０＋（２−１）×（１０＋１０）＝１０２０μｓｅｃとなり、リフレッシュ時のＴＦＴのＯＮ時間を２倍にしても、全体としては２０μｓｅｃしか延びずにリフレッシュすることができる。
【００４７】
以上説明したように、ｎ番目のゲート線に付加したパルス数ｐの制御ＯＮ信号Ｇ（ｎ，ｐ）とｎ＋１番目のゲート線に付加したパルス数ｐの制御ＯＮ信号Ｇ（ｎ＋１，ｐ）とが同じタイミング時間内でＯＮしないように位相調整すれば、隣接画素への誘導電荷の影響を受けることなく、効率良く光電変換素子に蓄積した電荷をリフレッシュさせることができる。
【００４８】
すなわち、蓄積された電荷を短期間かつ低消費電力で効率良く吐き出すリフレッシュ動作を行うことができる。
［第２の実施の形態］
図５は、本発明に係る、画像信号を読み捨てるリフレッシュ期間におけるリフレッシュ動作方法に用いる放射線平面検出器の他の例を示す概略図である。
【００４９】
このＸ線平面検出器２０では、ゲート制御回路３が複数のゲート制御素子Ｘ１〜Ｘｓを有しており、各ゲート制御素子Ｘにおいてはそれぞれｇ個のゲート線と接続されている。
【００５０】
図５に示すＸ線平面検出器２０を用いてリフレッシュ動作を行う場合のゲートの駆動方法を図６に示す。
【００５１】
このリフレッシュ動作は、各ゲート制御素子単位において、図６に示すように、第１の実施の形態と同様にしてゲートを駆動しているが、ゲート制御素子単位Ｘ１〜Ｘｓを同時に駆動している。すなわち、図５に示すゲート制御素子Ｘ１のゲートＧ１１、ゲート制御素子Ｘ２のゲートＧ２１、ゲート制御素子Ｘ３のゲートＧ３１、・・・ゲート制御素子ＸｓのゲートＧｓ１を図６に示すＧｓ１の制御信号で同時に駆動し、ゲート制御素子Ｘ１のゲートＧ１２、ゲート制御素子Ｘ２のゲートＧ２２、ゲート制御素子Ｘ３のゲートＧ３２、・・・ゲート制御素子ＸｓのゲートＧｓ２を図６に示すＧｓ２の制御信号で同時に駆動する。以下、ゲート制御素子Ｘ１のゲートＧ１ｇ、ゲート制御素子Ｘ２のゲートＧ２ｇ、ゲート制御素子Ｘ３のゲートＧ３ｇ、・・・ゲート制御素子ＸｓのゲートＧｓｇまで同様の動作を行う。
【００５２】
このリフレッシュ動作では、ゲート単位でリフレッシュを行っているので、隣接画素への誘導電荷の影響もなく、電荷を消去することができる。また、ゲート制御素子単位でリフレッシュを実施するのでリフレッシュ時間も短いメリットがある。
【００５３】
更に、リフレッシュ期間のパルス幅を画素信号を読み出す電荷読み出し期間のパルス幅よりも短くして多パルス状にしてリフレッシュさせれば、より短い時間で光電変換素子に蓄積されている残電荷を消去し、平衡状態にすることができる。本実施の形態によれば、光電変換により画素に蓄積された電荷を短期間かつ低消費電力で効率良く吐き出すリフレッシュ動作を行うことができる。
［第３の実施の形態］
図７に、本発明に係るリフレッシュ動作方法の他の実施の形態を示す。
【００５４】
このリフレッシュ動作では、画素加算モードでのリフレッシュの駆動を行うものである。
【００５５】
画素加算モードとは、隣接するゲート線を同時にＯＮさせて、一つの信号線１４に電荷を加算して読み出すモードである。
【００５６】
本実施の形態では、２パルスでリフレッシュする一例を示している。
【００５７】
画素加算モードの場合のリフレッシュタイミングにおいては、奇数番目と偶数番目もしくは、偶数番目と奇数番目の隣り合うゲート線を１単位として同一の制御信号でタイミング制御を行い、２ｎ番目のゲート線における複数の制御ＯＮ信号Ｇ（２ｎ，ｐ）と２（ｎ＋１）番目のゲート線における複数の制御ＯＮ信号Ｇ（２（ｎ＋１），ｐ）が同じタイミング時間内でゲートがＯＮしないように位相調整する。
【００５８】
本実施の形態によれば、画素加算モードでも隣接画素への誘導電荷の影響を受けることなく、効率よく光電変換素子に蓄積した電荷をリフレッシュさせることができる。しかも、リフレッシュ・トータル時間は、（ｎ＋１）×Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆで済むという利点がある。したがって光電変換により画素に蓄積された電荷を短期間かつ低消費電力で効率良く吐き出すリフレッシュ動作を行うことができる。
【符号の説明】
【００５９】
１：画素
２：ガラス基板
３：ゲート駆動回路
４：信号検出回路
５：画像処置回路
６：電源
７：ＴＦＴアレイ基板
１０：Ｘ線平面検出器
１１：光電変換素子
１２：ＴＦＴ
１３：ゲート線
１４：信号線
１５：バイアス線
２０：Ｘ線平面検出器
２１：Ｘ線光変換膜
２２：Ｘ線
４１：積分アンプ
４２：電圧アンプ
４３：サンプルホールド回路
４４：マルチプレクサ回路
４５：Ａ／Ｄ変換器
【図１】
2011148609.tif 000003
【図２】
2011148609.tif 000004
【図３】
2011148609.tif 000005
【図４】
2011148609.tif 000006
【図５】
2011148609.tif 000007
【図６】
2011148609.tif 000008
【図７】
2011148609.tif 000009
【図８】
2011148609.tif 000010
【図９】
2011148609.tif 000011
【図１０】
2011148609.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、２次元状に配置された光電変換素子及びスイッチング素子を含む複数の画素と、前記スイッチング素子をスイッチするためのゲート線と、前記光電変換素子からの画素信号を読み出す信号線とを有し、前記ゲート線はゲート制御回路と接続され、前記信号線は信号検出回路と接続された放射線平面検出器を用い、前記スイッチング素子をＯＮして前記画素に蓄積された電荷を読み出し画像処理を行った後に、再度、前記スイッチング素子をＯＮして前記画素に残存した電荷を吐き出すリフレッシュ動作を行う放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法において、
前記ゲート制御回路は一つのゲート線に出力する制御信号が一定間隔をおいて複数回連続する複数パルスであって、
かつ、同一の信号線上に位置する隣接したスイッチング素子が同一のタイミングでＯＮしないようにタイミングを調整したことを特徴とする放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【請求項２】
前記ゲート制御回路は、複数の前記ゲート線と接続されたゲート制御素子を複数有しており、前記リフレッシュ動作は、前記ゲート制御素子単位毎に行い、かつ各前記ゲート制御素子の同位置に対応するゲート線においては同一の制御信号を同時に駆動することを特徴とする請求項１記載の放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【請求項３】
前記リフレッシュ動作におけるパルス幅は、画像処理を行う際に前記画素に蓄積された電荷を読み出す際のパルス幅よりも短いことを特徴とする請求項１記載の放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【請求項４】
前記ゲート線をｎ本とし、前記パルス数をｐとした場合に、ｍ（ｍ＜ｎ）番目のゲート線に付加したパルス数ｐの制御ＯＮ信号Ｇ（ｍ，ｐ）とｍ＋１（ｍ＋１≦ｎ）番目のゲート線に付加したパルス数ｐの制御ＯＮ信号Ｇ（ｍ＋１，ｐ）とが同じタイミング時間内でＯＮしないように位相調整してリフレッシュ動作を行うことを特徴とする請求項１記載の放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【請求項５】
前記ゲート線を２ｎ本とし、前記パルス数をｐとした場合に、隣接する前記ゲート線を１単位として同一の制御信号で制御を行い、２ｍ（２ｍ＜２ｎ）番目のゲート線のゲート線に付加したパルス数ｐの制御ＯＮ信号Ｇ（２ｍ，ｐ）と２（ｍ＋１）［２（ｍ＋１）≦２ｎ］番目のゲート線に付加したパルス数ｐの制御ＯＮ信号Ｇ（２（ｍ＋１），ｐ）が同じタイミング時間内でＯＮしないように位相調整してリフレッシュ動作を行うことを特徴とする請求項１記載の放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法。
【請求項６】
（削除）
【国際調査報告】
2011148609.tif 000013
2011148609.tif 000014