(57)【要約】  光照射に曝されても電圧保持率の低下が抑制された液晶配向膜が得られる液晶配向処理剤、及び液晶配向処理剤に含まれる重合体を得るための新規なジアミンを提供する。  下記式［１］のジアミンから得られるポリイミド前駆体、及び該ポリイミド前駆体をイミド化して得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも１つの重合体を含有する液晶配向処理剤。（化１）2012002501.tif 000140（Ｘは下記式［２］で表される有機基であり、Ｙ１、Ｙ２は、独立してベンゼン環又はシクロヘキサン環を表す。ｐ、ｑは、独立して０又は１の整数を表し、Ｓ１、Ｓ２は、独立して単結合又は二価の連結基を表し、ｐ＝０のときＳ１は単結合、ｑ＝０のときＳ２は単結合である。Ｒ１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２２の、アルキル基若しくはフルオロアルキル基、又はステロイド基を表す。）（化２）2012002501.tif 000141（式中、Ｃ１、Ｃ２は、独立して単結合又は二価の有機基を表し、Ａは熱脱離性有機基を表し、Ｂ１は−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−及び−Ｓ−から選ばれる二価の有機基を表す。ｎは０又は１である。Ｘの結合方向は限定されない。）
2012002501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式［１］のジアミンを含有するジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物との反応で得られるポリイミド前駆体、及び該ポリイミド前駆体をイミド化して得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも１つの重合体を含有することを特徴とする液晶配向処理剤。
【化１】
2012002501.tif 000126
（式中、Ｘは下記式［２］で表される有機基であり、Ｙ１、Ｙ２は、独立してベンゼン環又はシクロヘキサン環を表す。ｐ、ｑは、独立して０又は１の整数を表し、Ｓ１、Ｓ２は、独立して単結合又は二価の連結基を表し、ｐ＝０のときＳ１は単結合、ｑ＝０のときＳ２は単結合である。Ｒ１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２２のアルキル基、炭素数１〜２２のフルオロアルキル基又はステロイド基を表す。）
【化２】
2012002501.tif 000127
（式中、Ｃ１、Ｃ２は、独立して単結合、又は二価の有機基を表し、Ａは熱によって脱離し得る有機基を表し、Ｂ１は−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、及び−Ｓ−から選ばれる二価の有機基を表す。ｎは０又は１である。Ｘの結合方向は限定されない。）
【請求項２】
前記ジアミン成分中の式［１］のジアミンの含有量が、５〜９５ｍｏｌ％である請求項１に記載の液晶配向処理剤。
【請求項３】
前記式［２］のＡが、式［３］で表される第三級ブトキシカルボニル基である請求項１又は２に記載の液晶配向処理剤。
【化３】
2012002501.tif 000128
【請求項４】
前記式［２］のＣ１、Ｃ２が下記式［６］で表される二価の有機基である請求項１〜３のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【化４】
2012002501.tif 000129
（式中、Ｓ３、Ｓ４は、独立して二価の連結基であり、Ｒ２、Ｒ３は、独立して単結合又は炭素数１〜２０の二価の炭化水素基である。）
【請求項５】
前記式［６］の［−Ｓ４−Ｒ３−］が、下記式［４］で表され、かつＣ１、Ｃ２のどちらか一方が式［４］の構造を有する請求項１〜４のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【化５】
2012002501.tif 000130
（式中、Ｂ２は単結合、フェニル基、−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ１０−、及び−Ｓ−から選ばれる二価の有機基を表し、Ｒ１０は炭素数１〜６の二価の炭化水素を表す。式［４］のオレフィンの構造はＥ体、Ｚ体のどちらでもよい。破線で示される結合は、式［２］のＣ１が結合しているベンゼン環、又はＣ２が結合しているカルボニル炭素に連結する。）
【請求項６】
前記式［２］において、ｎ＝０である請求項１〜４のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【請求項７】
前記式［２］において、Ｃ１が単結合である請求項１〜５のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【請求項８】
前記式［２］において、Ｂ１が−Ｏ−又はＮＨ−である請求項１〜７のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【請求項９】
前記式［４］において、Ｂ２が−Ｏ−又はＮＨ−である請求項５に記載の液晶配向処理剤。
【請求項１０】
前記式［１］で表されるジアミンが、下記式［１−ａ］〜［１−ｋ］のいずれかの化合物である請求項１〜９のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【化６】
2012002501.tif 000131
【化７】
2012002501.tif 000132
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の液晶配向処理剤を用いた液晶配向膜。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれかに記載の液晶配向処理剤を用いた液晶配向膜であり、光照射により配向処理を行う液晶配向膜。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の液晶配向膜を具備した液晶表示素子。
【請求項１４】
下記式［１］で表される構造を有するジアミン。
【化８】
2012002501.tif 000133
（式中、Ｘは下記式［２］で表される有機基であり、Ｙ１、Ｙ２は、独立してベンゼン環又はシクロヘキサン環を表す。ｐ、ｑは、独立して０又は１の整数を表し、Ｓ１、Ｓ２は、独立して単結合又は二価の連結基を表し、ｐ＝０のときＳ１は単結合、ｑ＝０のときＳ２は単結合である。Ｒ１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２２のアルキル基、炭素数１〜２２のフルオロアルキル基、又はステロイド基を表す。）
【化９】
2012002501.tif 000134
（式中、Ｃ１、Ｃ２は、独立して単結合、又は二価の有機基を表し、Ａは熱によって脱離し得る有機基を表し、Ｂ１は−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、及び−Ｓ−から選ばれる二価の有機基を表し、ｎは０又は１を表し、Ｘの結合方向は限定されない。
【請求項１５】
式［２］において、Ａが式［３］で表される第三級ブトキシカルボニル基である請求項１４に記載のジアミン。
【化１０】
2012002501.tif 000135
【請求項１６】
式［２］において、Ｃ１、Ｃ２が下記式［６］で表される二価の有機基である請求項１４又は１５に記載のジアミン。
【化１１】
2012002501.tif 000136
（式中、Ｓ３、Ｓ４は、独立して二価の連結基であり、Ｒ２、Ｒ３は、独立して単結合又は炭素数１〜２０の二価の炭化水素基である。）
【請求項１７】
前記式［６］の［−Ｓ４−Ｒ３−］が、下記式［４］で表され、かつＣ１、Ｃ２のどちらか一方が式［４］の構造を有する請求項１４〜１６のいずれかに記載のジアミン。
【化１２】
2012002501.tif 000137
（式中、Ｂ２は単結合、フェニル基、−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ１０−、及び−Ｓ−から選ばれる二価の有機基を表し、Ｒ１０は炭素数１〜６の二価の炭化水素を表す。式［４］のオレフィンの構造はＥ体、Ｚ体のどちらでもよい。破線で示される結合は、式［２］のＣ１が結合しているベンゼン環、又はＣ２が結合しているカルボニル炭素に連結される。）
【請求項１８】
下記式［１−ａ］〜［１−ｋ］のいずれかで表されるジアミン。
【化１３】
2012002501.tif 000138
【化１４】
2012002501.tif 000139
【請求項１９】
請求項１４〜１８のいずれかに記載のジアミンを原料として得られる、ポリアミド、ポリアミック酸、又は該ポリアミック酸をイミド化して得られるポリイミド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶配向処理剤、それを用いた液晶配向膜及び液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶配向膜は、表示デバイスとして広く使用されている液晶表示素子の構成部材であり、液晶を一定の方向に配向させる役割を担っている。現在、工業的に使用されている主な液晶配向膜は、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸（ポリアミック酸とも言う。）又はポリイミドの溶液からなる液晶配向処理剤から形成される。具体的には、基板に液晶配向処理剤を塗布して加熱・焼成した後、配向処理を行うことにより得られ、ラビングによる表面処理や、基板面に対し液晶を平行又は傾斜させて配向させる配向処理が挙げられる。【０００３】
近年、パネルに用いる基板の大型化、高精細化、低コスト化等により、基板の面積の拡大、凹凸が大きくなる等の傾向がある。このような基板上に配向膜を形成させる際、印刷時にピンホールなどの印刷不良が生じる、ラビング処理では均等な配向処理が困難になり、液晶の配向不良等が起こる等の問題が起こっている。また、液晶配向処理では、現在は主にラビングによる表面処理が行なわれているが、液晶配向膜の欠損が起こり、それによる表示欠陥が生じたり、埃を発生する等の問題がある。【０００４】
一方で、ラビング法に変わる配向処理の方法として、光反応を利用した液晶配向処理が提案されている。具体的には、基板表面にポリビニルシンナメートなどの光反応を起こす特定部位を持った重合体の膜を形成し、偏光又は非偏光の放射線を照射することにより、液晶配向能を付与する方法（光配向法）が知られている。この方法によれば、静電気や埃を発生することなく、均一な液晶配向を実現でき、配向分割による視野角向上なども可能である（特許文献１、２参照）。【０００５】
ＴＮ（Twisted  Nematic）、ＳＴＮ（Super  Twisted  Nematic）などの液晶セルては、液晶配向膜は、液晶分子を基板面に対して所定の角度（プレチルト角）で傾斜配向させる機能を有する必要がある（特許文献１５参照）。プレチルト角を発現させるために、アルキル側鎖、ステロイド骨格の側鎖、環構造を有する側鎖等を有するポリアミック酸、ポリイミドなどを用いた液晶配向膜が知られている（特許文献３、４、５）。光を用いた液晶配向処理では、プレチルト角は、通常、基板面への入射方向が基板法線傾斜した放射線の照射により付与される（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−２８７４５３号公報
【特許文献２】特開平９−２９７３１３号公報
【特許文献３】特開平０５−０４３６８７号公報
【特許文献４】特開平０４−２８１４２７号公報
【特許文献５】特開平０２−２２３９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来、主な液晶配向膜は、上記のように、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸又はポリイミドの溶液からなる液晶配向処理剤により形成されるが、可溶性ポリイミドを含む溶液を使用する液晶配向膜の調製方法は、比較的低温の焼成であっても、液晶配向膜として良好な特性を得られるメリットがある。しかし、側鎖を有するジアミンを多く含むポリイミドを使用する場合、基板への塗布・成膜性が悪くなるという問題を有する。
このような問題を解決するために、少量で比較的高いプレチルト角が得られる環構造を側鎖に有するジアミン（例えば、特許文献５参照）を少量用いることで側鎖の量を減らし、基板への塗布性を向上させる方法も行なわれている。環構造を側鎖に有するジアミンはＮ−メチルピロリドン（以下、ＮＭＰともいう。）のような極性溶媒への溶解性が悪いものが多く、得られる重合体の品質にバラつきが生じるなどの問題が起こる可能性がある。【０００８】
また、光配向に用いられる材料においても、シンナメート基などを含む側鎖を持った重合体などが用いられることが多く、また垂直配向用においては更に別の側鎖を有するジアミンを導入する必要がある。一般的に側鎖は疎水性のものが多く、基板への濡れ性が高い極性溶媒などとの親和性が低下するため、側鎖部位を多く有する重合体は、基板への塗布・成膜性が悪くなる問題を有する。【０００９】
また、近年の液晶表示素子の高性能化に伴って、大画面で高精細の液晶テレビや、車載用途、例えば、カーナビゲーションシステムやメーターパネルなどの用途に液晶表示素子が用いられている。こうした用途では、高輝度を得るために、発熱量の大きいバックライトを使用する場合があり、バックライトに対する高い安定性が要求されるようになっている。特に、電気特性の１つである電圧保持率が、バックライトの光照射によって低下してしまうと、液晶表示素子の表示不良の１つである焼付き不良（線焼付き）が発生しやすく、信頼性の高い液晶表示素子を得ることができなくなる。したがって、液晶配向膜では、初期特性が良好なことに加え、例えば、光照射に長時間曝された後であっても、電圧保持率が低下しにくいことが求められている。【００１０】
本発明は、上記の状況を鑑み、液晶配向処理剤に含まれる重合体のハンドリング性が良好で、塗布性に優れ、高い信頼性が得られる液晶配向処理剤を提供することを目的とする。また、本発明は、重合体を得る際に用いる溶媒への溶解性が良好で、印刷性に優れる液晶配向処理剤の提供が可能な側鎖を有するジアミンの提供、及び光の照射に曝されても電圧保持率の低下が抑制された液晶配向膜を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意研究を行った結果、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は以下の要旨を有する。
（１）下記式［１］のジアミンを含有するジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物との反応で得られる、ポリイミド前駆体、及び該ポリイミド前駆体をイミド化して得られるポリイミドなる群より選ばれる少なくとも１つの重合体を含有することを特徴とする液晶配向処理剤。
【化１】
2012002501.tif 000003
（式中、Ｘは下記式［２］で表される有機基であり、Ｙ１、Ｙ２は、独立してベンゼン環又はシクロヘキサン環を表す。ｐ、ｑは、独立して０又は１の整数を表し、Ｓ１、Ｓ２は、独立して単結合又は二価の連結基を表し、ｐ＝０のときＳ１は単結合、ｑ＝０のときＳ２は単結合である。Ｒ１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２２のアルキル基、炭素数１〜２２のフルオロアルキル基又はステロイド基を表す。）
【化２】
2012002501.tif 000004
（式中、Ｃ１、Ｃ２は、独立して単結合、又は二価の有機基を表し、Ａは熱によって脱離し得る有機基を表し、Ｂ１は−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、及び−Ｓ−から選ばれる二価の有機基を表し、ｎは０又は１を表し、Ｘの結合方向は限定されない。）【００１２】
（２）前記ジアミン成分中の式［１］のジアミンの含有量が、５〜９５ｍｏｌ％である上記（１）に記載の液晶配向処理剤。
（３）前記式［２］のＡが、式［３］で表される第三級ブトキシカルボニル基である上記（１）又は（２）に記載の液晶配向処理剤。
【化３】
2012002501.tif 000005
（４）前記式［２］のＣ１、Ｃ２が下記式［６］で表される二価の有機基である上記（１）〜（３）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【化４】
2012002501.tif 000006
（式中、Ｓ３、Ｓ４は、独立して二価の連結基であり、Ｒ２、Ｒ３は、独立して単結合又は炭素数１〜２０の二価の炭化水素基である。）
（５）前記式［６］の［−Ｓ４−Ｒ３−］が、下記式［４］で表され、かつＣ１、Ｃ２のどちらか一方が式［４］の構造を有する上記（１）〜（４）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【化５】
2012002501.tif 000007
（式中、Ｂ２は単結合、フェニル基、−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ１０−、及び−Ｓ−から選ばれる二価の有機基を表し、Ｒ１０は炭素数１〜６の二価の炭化水素を表す。式［４］のオレフィンの構造はＥ体、Ｚ体のどちらでもよい。破線で示される結合は、式［２］のＣ１が結合しているベンゼン環、又はＣ２が結合しているカルボニル炭素に連結する。）【００１３】
（６）前記式［２］において、ｎ＝０である上記（１）〜（４）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
（７）前記式［２］において、Ｃ１が単結合である上記（１）〜（５）のいずれに記載の液晶配向処理剤。
（８）前記式［２］において、Ｂ１が−Ｏ−又はＮＨ−である上記（１）〜（７）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
（９）前記式［４］において、Ｂ２が−Ｏ−又はＮＨ−である上記（５）に記載の液晶配向処理剤。【００１４】
（１０）前記式［１］で表されるジアミンが、下記式［１−ａ］〜［１−ｋ］のいずれかの化合物である上記（１）〜（９）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
【化６】
2012002501.tif 000008
【化７】
2012002501.tif 000009
【００１５】
（１１）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の液晶配向処理剤を用いた液晶配向膜。
（１２）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の液晶配向処理剤を用いた液晶配向膜であり、光照射により配向処理を行う液晶配向膜。
（１３）上記（１１）又は（１２）に記載の液晶配向膜を具備した液晶表示素子。【００１６】
（１４）下記式［１］で表される構造を有するジアミン。
【化８】
2012002501.tif 000010
（式中、Ｘは下記式［２］で表される有機基であり、Ｙ１、Ｙ２は、独立してベンゼン環又はシクロヘキサン環を表す。ｐ、ｑは、独立して０又は１の整数を表し、Ｓ１、Ｓ２は、独立して単結合又は二価の連結基を表し、ｐ＝０のときＳ１は単結合、ｑ＝０のときＳ２は単結合である。Ｒ１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２２のアルキル基、炭素数１〜２２のフルオロアルキル基、又はステロイド基を表す。）
【化９】
2012002501.tif 000011
（式中、Ｃ１、Ｃ２は、独立して単結合、又は二価の有機基を表し、Ａは熱によって脱離し得る有機基を表し、Ｂ１は−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、及び−Ｓ−選ばれる二価の有機基を表し、ｎは０又は１を表し、Ｘの結合方向は限定されない。【００１７】
（１５）式［２］において、Ａが式［３］で表される第三級ブトキシカルボニル基である上記（１４）に記載のジアミン。
【化１０】
2012002501.tif 000012
（１６）式［２］において、Ｃ１、Ｃ２が下記式［６］で表される二価の有機基である上記（１４）又は（１５）に記載のジアミン。
【化１１】
2012002501.tif 000013
（式［６］中、Ｓ３、Ｓ４は、独立して二価の連結基であり、Ｒ２、Ｒ３は、独立して単結合又は炭素数１〜２０の二価の炭化水素基である。）【００１８】
（１７）前記式［６］の［−Ｓ４−Ｒ３−］が、下記式［４］で表され、かつＣ１、Ｃ２のどちらか一方が式［４］の構造を有する上記（１４）〜（１６）のいずれかに記載のジアミン。
【化１２】
2012002501.tif 000014
（式中、Ｂ２は単結合、フェニル基、−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ１０−、及び−Ｓ−選ばれる二価の有機基を表し、Ｒ１０は炭素数１〜６の二価の炭化水素を表す。式［４］のオレフィンの構造はＥ体、Ｚ体のどちらでもよい。破線で示される結合は、式［２］のＣ１が結合しているベンゼン環、又はＣ２が結合しているカルボニル炭素に連結される。）【００１９】
（１８）下記式［１−ａ］〜［１−ｋ］のいずれかで表されるジアミン。
【化１３】
2012002501.tif 000015
【化１４】
2012002501.tif 000016
（１９）上記（１４）〜（１８）のいずれかに記載のジアミンを原料として得られる、ポリアミド、ポリアミック酸、又は該ポリアミック酸をイミド化して得られるポリイミド。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の液晶配向処理剤の原料として使用されるジアミンは、ＮＭＰなどの極性溶媒における溶解性が非常に高く、重合時のハンドリングが良好であり、かかるジアミンから得られるポリアミック酸、又は該ポリアミック酸をイミド化して得られるポリイミドを含有する液晶配向処理剤は塗布・成膜性に優れ、さらに、光の照射に曝されても電圧保持率の低下が抑制された液晶配向膜となる。また、上記のジアミンは光配向法にも適する液晶配向処理剤の提供も可能とする。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜本発明のジアミン＞
本発明の液晶配向処理剤の原料として使用されるジアミンは、上記のように、下記の式［１］で表わされるジアミン（以下、本発明のジアミンともいう。）である。
【化１５】
2012002501.tif 000017
【００２２】
本発明のジアミンは、側鎖構造に、第三級ブトキシカルボニル基（以下Ｂｏｃ基ともいう。）などの熱脱離性基で保護されたフェニレンジアミン骨格を有する。通常、アミノ基は反応性に富む有機基であるため、そのままではジアミンの側鎖の一部として存在することは困難であるが、熱脱離性基で保護することによりアミノ基の反応性を低下させることができる。また、熱脱離性基で保護されたアミノ基は、約１５０℃以上で加熱すると熱脱離性基が脱保護されアミノ基に変化させることができる。
【００２３】
また、アミノ基は反応性の高い有機基であり、不飽和結合、カルボン酸、カルボン酸無水物、エポキシ化合物、カルボニル基などの官能部位と反応することが知られている。一方で、下図に示したように、アミド結合、エステル結合などのカルボニルを含む結合基と近接して熱脱離性基で保護したアミノ基を配置させると、ジアミンの分子間よりも分子内で反応が起こりやすくなり、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環などの複素環を形成させることができる。
【００２４】
これにより、本発明のジアミンは、液晶配向処理剤の焼成過程における熱処理よる脱離より生じたアミノ基を分子内で反応させることにより複素環を形成させ、リジッドな側鎖を生成させ、この側鎖構造がプレチルト角の良好な誘発部位として機能することになる。
【化１６】
2012002501.tif 000018
【００２５】
また、熱脱離性基が外れたアミノ基は、そのすべてが環化反応に用いられるわけではなく、一部は分子間反応にも用いられ、膜強度の向上や、重合体中の低分子成分と架橋することにより信頼性の向上に寄与する。かくして、本発明のジアミンを用いたポリアミック酸やポリイミドは、ラビング処理時の膜削れが起こり難く、長期間の高温、バックライト照射などに曝されても、電圧保持率の低下やイオン密度の増加が起こしにくいものとなる。
さらに、本発明のジアミンは、熱脱離性基として、嵩高いＢｏｃ基などを有するため、ジアミンを（縮）重合する際の有機溶媒、特に、ＮＭＰなどの極性溶媒に対する溶解性が非常に高く、重合時のハンドリングが良好である。
また、本発明のジアミンを用いて得られるポリイミド前駆体やポリイミドを用いた液晶配向処理剤は塗布・成膜性に優れ、光の照射に曝されても電圧保持率の低下が抑制された液晶配向膜が得られ、さらに、液晶配向処理剤は、光配向法においても使用することができる。
【００２６】
本発明のジアミンは、下記式［Ａ］で表される側鎖を有している。
【化１７】
2012002501.tif 000019
式［Ａ］中、Ｘは下記式［２］で表される有機基であり、Ｙ１、Ｙ２は、独立してベンゼン環又はシクロヘキサン環を表し、ｐ、ｑは、独立して０又は１の整数を表し、Ｓ１、Ｓ２、は、独立して単結合又は二価の連結基を表し、ｐ＝０のときＳ１は単結合、ｑ＝０のときＳ２は単結合であり、Ｒ１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２２のアルキル基、炭素数１〜２２のフルオロアルキル基、又はステロイド基を表す。式中、ＤＡはフェニレンジアミン骨格を表す。
【００２７】
【化１８】
2012002501.tif 000020
ここで、Ｃ１、Ｃ２は、独立して単結合、又は二価の有機基を表し、Ａは熱によって脱離し得る有機基を表し、Ｂ１は−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、及び−Ｓ−選ばれる二価の有機基を表し、ｎは０又は１を表す。Ｘの結合方向、すなわち、上記〔Ａ〕において、ＸのＣ１は、Ｙ１側に結合していてもよく、また、Ｃ１側に結合していてもよい。
【００２８】
本発明のジアミンでは、ＤＡはフェニレンジアミン骨格を有し、これにより、幅広い側鎖量や側鎖密度のジアミンにすることができる。しかし、ジアミン骨格の分子量が大きい場合などは、ジアミンの分子量が大きくなってしまい、重合体に必要となるモノマー量が多くなり、工業的に使用し難い。また、ジアミン骨格が脂肪族ジアミンの場合には、反応性が高くなりすぎ、重合体の調製時に塩形成による析出やゲル化などの問題が生じる。
フェニレンジアミン骨格の有するアミノ基は、第一級アミノ基が好ましいが、第二級アミノ基であってもよく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの比較的分子量の小さなアルキル基がアミノ基に置換されていてもよい。
【００２９】
本発明のジアミンは、式［１］中の側鎖部位は下記式［５］で表され、この部位は、プレチルト角の発現、その大きさを決定する部分であり、最適化することによりプレチルト角の好ましい大きさを得ることが可能となる。
【化１９】
2012002501.tif 000021
式［５］中、Ｙ１、Ｙ２は、独立してベンゼン環、又はシクロへキサン環である。ベンゼン環、及びシクロへキサン環は、必要に応じて置換基を有していてもよい。また、置換基の結合位置は、ベンゼン環、及びシクロヘキサン環のいずれもが、１，４置換が好ましい。ｐ、ｑは、独立して０又は１の整数を表す。シクロヘキサン環は、トランス構造（いわゆるイス型）が好ましい。
【００３０】
式［５］中、Ｓ１、Ｓ２は、独立して単結合又は二価の連結基であり、ｐ＝０のときＳ１は単結合、ｑ＝０のときＳ２は単結合である。
Ｓ１、Ｓ２の具体例を、（Ｓ−１）〜（Ｓ−１１）に示すが、これらに限定されない。
【化２０】
2012002501.tif 000022
【００３１】
上記式（Ｓ−５）〜（Ｓ−８）、（Ｓ−１０）、及び（Ｓ−１１）において、Ｒ４、Ｒ５は、独立して水素原子又は炭素数１〜２０、好ましくは１〜１５の１価の炭化水素基である。
ここで、１価の炭化水素基は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；ビシクロヘキシル基等のビシクロアルキル基；ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、イソプロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、１−、２−、又は３−ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；フェニル基、キシリル基、トリル基、ビフェニル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルシクロヘキシル基等のアラルキル基などが挙げられる。
【００３２】
なお、これらの１価の炭化水素基の水素原子の一部又は全部は、ハロゲン原子、水酸基、チオール基、アミノ基、リン酸エステル基、エステル基、カルボキシル基、リン酸基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、オルガノオキシ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、オルガノアミノ基、カルバミン酸エステル基、アシル基、アルキル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基などで置換されていてもよい。また、これらは環状構造であってもよい。
Ｒ４、Ｒ５は、芳香環や脂環構造などの嵩高い構造であると、液晶配向性を低下させたり、モノマーの形状が粘体状になり、扱いにくくなる可能性があるため、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、又は水素原子が好ましく、水素原子がより好ましい。特に好ましいＳ１、Ｓ２は、単結合、−Ｏ−、−ＮＨＣＯ−、又は−ＣＯＯ−、である。
【００３３】
式［５］中、Ｒ１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２２を有する、アルキル基若しくはフルオロアルキル基、又はステロイド基を表す。アルキル基、フルオロアルキル基は直鎖状又は分岐状でもよく、ステロイド基のように縮環構造を形成していてもよい。Ｒ１がアルキル基の場合、直鎖状が好ましく、また、適宜の置換基を有していてもよい。合成のし易さや入手性の点では、Ｒ１はアルキル基が好ましい。  Ｒ１のアルキル基の炭素数は特に限定されないが、式［５］中、ｐ、ｑが０のとき、すなわち環構造が無い場合、プレチルト角の発現能は低くなるため、長鎖アルキル基であることが好ましく、好ましいＲ１の炭素数は５〜１８であり、より好ましくは７〜１５である。
また、ベンゼン環やシクロへキサン環を導入した場合、プレチルト角の発現能は向上するため、Ｒ１は炭素数の少ないアルキル基が好ましい。好ましいＲ１の炭素数は、１〜１２であり、より好ましくは３〜１０である。
【００３４】
式［５］で表される構造の好ましい具体例を以下に示す。
【表１】
2012002501.tif 000023
【００３５】
合成のし易さや原料の入手性の点から、式［５］で表される構造は、［５−１］〜［５−３］、［５−８］、［５−１４］〜［５−１９］、［５−２０］、［５−４４］、［５−４５］等が好ましく、特に［５−１］、［５−２］、［５−８］等がより好ましい。
式［１］中のジアミノベンゼン骨格において、ベンゼン環におけるアミノ基の結合位置は限定されない。具体的なアミノ基の位置としては、側鎖の置換位置に対し２，３の位置、２，４の位置、２，５の位置、２，６の位置、３，４の位置、又は３，５の位置が挙げられる。なかでも、ポリアミック酸を合成する際の反応性の点から、２，４の位置、２，５の位置、又は３，５の位置が好ましい。合成の容易性も加味すると、２，４の位置（式１−１）、又は３，５の位置（式１−２）が好ましい。  
【化２１】
2012002501.tif 000024
【００３６】
本発明のジアミンは、上記のように、焼成時にＢｏｃ基などの熱脱離性基の脱保護化を行ない、アミノ基を生じさせ、生成したアミノ基がカルボニル炭素に求核攻撃することにより複素環を形成する、熱環化反応を起こす。このため、本発明のジアミンには下記式［２］に示す構造がジアミンに含まれる。
【化２２】
2012002501.tif 000025
ここで、Ｃ１、Ｃ２は、独立して単結合、又は二価の有機基を表し、Ａは熱によって脱離し得る有機基を表し、Ｂ１は−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、及び−Ｓ−選ばれる二価の有機基を表し、ｎは０又は１を表し、Ｘの結合部の方向は限定されない。
上記式［２］中のＡで表示される熱脱離性基は、本発明の液晶配向処理剤の焼成温度である、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１７０〜３００℃、特に好ましくは１８０〜２５０℃において、熱による脱離が可能な有機基であれば特に限定はされない。
熱脱離性基としては、ベンジルオキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、第三級ブトキシカルボニル基（Ｂｏｃ基）などに代表されるカルバメート系の有機基が挙げられる。熱による脱離の効率が良く、比較的低い温度で脱離し、脱離した際に無害な気体である点から、Ｂｏｃ基が特に好ましい。
【００３７】
一般式［２］の好ましい例として、下記の式［２−１］〜［２−１６］にを示す。
また、式［２］中のＢ１は、−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、及び−Ｓ−から選ばれる二価の有機基を表し、特に限定されないが、入手性、環化反応の収率、配向膜の電気得性などの点では、−Ｏ−又はＮＨ−が特に好ましい。
式［２］中のｎについては、焼成によりＢｏｃ基がはずれてアミノ基が生じたした際、ｎ＝０のときは５員環複素環を形成し、ｎ＝１のときは６員環複素環を形成することができる。しかし、ｎ＝１の場合、アミノ基とカルボニル基の炭素の距離が遠のき、環化反応が起こりにくくなるため、環化反応の効率の点ではｎ＝０が好ましい。
【００３８】
【化２３】
2012002501.tif 000026
【００３９】
【化２４】
2012002501.tif 000027
【００４０】
式［２］中、Ｃ１、Ｃ２は、単結合、又は二価の有機基を表す。二価の有機基であれば特に限定はされず、合成のし易さや原料の入手性などにより種々選択される。Ｃ１、Ｃ２が二価の有機基の場合、以下に示す式［６］で表される構造で表すことができる。
【化２５】
2012002501.tif 000028
式［６］中、Ｓ３、Ｓ４は、独立して単結合又は二価の連結基であり、Ｒ２、Ｒ３は、独立して単結合又は炭素数１〜２０の二価の炭化水素である。
Ｓ３、Ｓ４の具体例は、前記式［Ｓ−１］〜［Ｓ−１１］と同様であるが、これ以外の連結基であってもよい。
【００４１】
式［６］中、Ｒ２、Ｒ３が炭素数１〜２０の２価の炭化水素である場合、具体例を以下に挙げる。
例えば、メチレン基、１，１−エチレン基、１，２−エチレン基、１，１−プロピレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，４−ブチレン基、２，３−ブチレン基、１，６−へキシレン基、１，８−オクチレン基、１，１０−デシレン基等のアルキレン基；１，２−シクロプロピレン基、１，２−シクロブチレン基、１，３−シクロブチレン基、１，２−シクロペンチレン基、１，１−シクロへキシレン基、１，２−シクロへキシレン基、１，４−シクロへキシレン基等のシクロアルキレン基；１，１−エテニレン基、１，２−エテニレン基、１，２−エテニレンメチレン基、１−メチル−１，２−エテニレン基、１，２−エテニレン−１，１−エチレン基、１，２−エテニレン−１，２−エチレン基、１，２−エテニレン−１，２−プロピレン基、１，２−エテニレン−１，３−プロピレン基、１，２−エテニレン−１，４−ブチレン基、１，２−エテニレン−１，２−ブチレン基、１，２−エテニレン−１，２−ヘプチレン基、１，２−エテニレン−１，２−デシレン基等のアルケニレン基；エチニレン基、エチニレンメチレン基、エチニレン−１，１−エチレン基、エチニレン−１，２−エチレン基、エチニレン−１，２−プロピレン基、エチニレン−１，３−プロピレン基、エチニレン−１，４−ブチレン基、エチニレン−１，２−ブチレン基、エチニレン−１，２−ヘプチレン基、エチニレン−１，２−デシレン基等のアルキニレン基；１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，２−ナフチレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，３−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、３−フェニル−１，２−フェニレン基、２，２’−ジフェニレン基、２，２’−ジナフト−１，１’−イル基等のアリーレン基；１，２−フェニレンメチレン基、１，３−フェニレンメチレン基、１，４−フェニレンメチレン基、１，２−フェニレン−１，１−エチレン基、１，２−フェニレン−１，２−エチレン基、１，２−フェニレン−１，２−プロピレン基、１，２−フェニレン−１，３−プロピレン基、１，２−フェニレン−１，４−ブチレン基、１，２−フェニレン−１，２−ブチレン基、１，２−フェニレン−１，２−ヘキシレン基、メチレン―１，２−フェニレンメチレン基、メチレン―１，３−フェニレンメチレン基、メチレン―１，４−フェニレンメチレン基等のアリーレン基とアルキレン基からなる二官能炭化水素基が挙げられる。
【００４２】
なお、上記２価炭化水素基の水素原子の一部又は全部は、ハロゲン原子、水酸基、チオール基、リン酸エステル基、エステル基、カルボキシル基、リン酸基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、オルガノオキシ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、オルガノアミノ基、カルバミン酸エステル基、アシル基、アルキル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基などで置換されていてもよい。また、これらは環状構造であってもよい。
Ｒ２、Ｒ３は、炭素数が少ないほうが、モノマーが固体になりやすく、液晶配向膜として用いた際、プレチルト角の安定性が向上するため、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルケニレン基、又は炭素数１〜６のアルキニレン基が好ましい。
式［６］中、Ｃ１の結合位置としては、Ｂｏｃ基で保護されたアミノ基の置換位置から見て４位、又は５位が好ましいが、４位、５位のどちらにおいても環化後の構造は同じになるため、特に限定されない。
【００４３】
また、式［６］において、［−Ｓ４−Ｒ３−］の構造が下記式［４］で表され、かつＣ１、Ｃ２のどちらか一方が式［４］の構造を有する場合、光配向法で使用することが可能な構造となる。
【化２６】
2012002501.tif 000029
ここで、Ｂ２は単結合、フェニル基、−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ１０−、及び−Ｓ−から選ばれる二価の有機基を表し、Ｒ１０は炭素数１〜６の二価の炭化水素を表す。
【００４４】
式［４］のオレフィン部位は、Ｅ体、Ｚ体のどちらでもよく、オレフィンへの結合を示す破線は、一般式［２］のＣ１が結合しているベンゼン環、又はＣ２が結合しているカルボニル炭素に結合している。
式［４］で表される構造が、光によって種々の反応を起こす部位となる。式中、Ｂ２は単結合、フェニル基、−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ１０−、及び−Ｓ−から選ばれる二価の有機基を表し、合成の容易さや原料の入手性の点では−Ｏ−、又は−ＮＨ−が特に好ましい。Ｒ１０は炭素数１〜６の二価の炭化水素を示す。
式［４］のオレフィン部位は、Ｃ１では、合成のし易さからＥ体が好ましい。この場合、式［２］はシンナメート誘導体と同義となるため、光反応のしやすさから特に好ましい。
一方、Ｃ２におけるオレフィン部位は特に限定はされない。また、Ｃ２が式［４］で表させる構造を含む場合、熱により環化することで光反応活性となる。逆に環化していない場合においては、光反応は起こりにくく、モノマーやそれを用いた液晶配向処理剤や液晶配向膜は、紫外線による劣化などの影響が従来のシンナメート系よりも少なくなることが考えられ、そのような点では、Ｃ２が式［４］の構造であるものがより好ましい。
【００４５】
式［２］の好ましい具体例として、下記式［２−１７］〜［２−３２］を示す。
【化２７】
2012002501.tif 000030
【００４６】
式［２−１７］〜［２−２０］及び［２−２５］〜［２−２８］は、焼成時に下記に示す式［２−３３］〜［２−４０］に変化し、これによりシンナメートと同様の効果を得ることができると考えられる。
【化２８】
2012002501.tif 000031
【００４７】
以下に特に好ましいジアミンの構造を示すが、これらに限定されない。
【化２９】
2012002501.tif 000032
【化３０】
2012002501.tif 000033
【００４８】
式［７−１］〜［７−６］において、Ｂ１は−Ｏ−又はＮＨ−を表し、Ｃ１、Ｃ２は、独立して単結合又は二価の有機基を表し、Ｙ１、Ｙ２は、ベンゼン環又はシクロへキシル環であり、Ｓ１、Ｓ２は、単結合又は二価の連結基であり、ｐ、ｑは０又は１の整数を表し、ｐ＝０のときＳ１は単結合であり、ｑ＝０のときはＳ２は単結合であり、Ｒ１はプロトン、又は炭素数１〜２２のアルキル基を表す。
ジアミンの構造の具体例を以下に示す。
【化３１】
2012002501.tif 000034
【化３２】
2012002501.tif 000035
【化３３】
2012002501.tif 000036
【００４９】
＜本発明のジアミンの合成＞
【化３４】
2012002501.tif 000037
置換基Ｘが、置換されたｏ−フェニレンジアミン、２−アミノフェノール、２−アミノベンゼンチオールなど（基質）に、二炭酸ジｔｅｒｔ−ブチルなどのＢｏｃ基などの熱脱離性基の保護に用いる化合物を溶媒中で作用させることにより目的の構造の前駆体が合成できる。このとき、必要に応じてピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミンなどの塩基を共存させることで収率や反応速度を向上させることができる。一方、これらの塩基を共存させて反応させると、熱脱離性基がアミノ基に対し２ユニット導入されたものや、熱脱離性基が水酸基に導入された生成物になってしまうため、反応させる基質に対して、より適合した条件を採用するのが好ましい。
【００５０】
【化３５】
2012002501.tif 000038
【００５１】
式［２］で表される部位、すなわち環化が起こる部位をジアミノベンゼン側に向けたい場合は、Ｘが未置換、又は側鎖状の置換基であるものを入手し、上記の手法でアミノ基を熱脱離性基で保護し、ジニトロベンゼンを導入しジアミンに変換する方法が挙げられる。以下に具体的な合成例を示す。
【化３６】
2012002501.tif 000039
【００５２】
一方、環化が起こる部位を側鎖側に向けたい場合、上記式のＸは予め保護しておくか、又は後に変換できるような不活性な置換基の状態にしておき、熱脱離性基で保護されたアミノ基に近接するアミノ基や水酸基に側鎖を導入し、その後Ｘを活性な置換基などに変換し、ジニトロベンゼンを導入し、ジアミンに変換する方法が挙げられる。以下に具体的な合成例を示す。
【化３７】
2012002501.tif 000040
カルボン酸とアミンとの縮合反応でアミド結合、カルボン酸とアルコールやフェノールとを縮合反応させることでエステル結合が合成できる。この反応は、カルボン酸、アミン、及びアルコールと反応しない溶媒中にて、塩基の存在下、カルボン酸ハライドと、アミン、アルコール、又はフェノールとを反応させる方法、又は縮合剤存在下、カルボン酸と、アミン、アルコール、又はフェノールとを反応させる方法、で得ることができる。
【００５３】
カルボン酸ハライドは、カルボン酸を適当なハロゲン化剤と反応させることで得ることができる。汎用性の点から、使用されるカルボン酸ハライドは、カルボン酸塩化物、例えば、カルボン酸クロリドが好ましい。カルボン酸クロリドはカルボン酸と塩素化剤とを反応させることで得られる。塩素化剤の例としては、塩化チオニル、塩化ホスホニル、塩化スルフリル、塩化オキサリル、三塩化リン、五塩化二リンなどが挙げられるが、汎用性、除去のし易さなどの点で塩化チオニル、塩化スルフリル、塩化オキサリルなどが好ましく、特に塩化チオニル、又は塩化オキサリルが好ましい。
【００５４】
また、上記の反応に用いる溶媒としてはＮ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、クロロホルム、ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，４−ジオキサンなどが挙げられる。縮合反応の際に用いられる塩基としてはピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、Ｎ−メチルモルホルリンなどの有機塩基や、場合によっては水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カリウム水溶液などの無機塩基水溶液を用いる（ショッテン・バウマン法）方法も挙げられる。
【００５５】
縮合剤存在下にて縮合反応させる場合、トリフェニルホスファイト、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、Ｎ，Ｎ’−カルボニルジイミダゾール、ジメトキシ−１，３，５−トリアジニルメチルモルホリニウム、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウム  テトラフルオロボラート、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスファート、（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサゾリル）ホスホン酸ジフェニル、４−（４，６−ジメトキシー１，３，５−トリアジンー２−イル）４−メトキシモルホリウムクロリド  ｎ−水和物などの縮合剤が使用できる。
【００５６】
また、上記縮合剤を用いる方法において、ルイス酸を添加剤として加えることで反応が効率的に進行する。ルイス酸としては、塩化リチウム、臭化リチウムなどのハロゲン化リチウムが好ましい。ルイス酸の添加量は、Ｃ１のモル数に対して０．１〜１．０倍モルが好ましい。
一般式［２］のＣ１、Ｃ２で表される連結基において、好ましいＣ１、Ｃ２の構造としては、下記式［６］で表す二価の有機基が挙げられる。
【化３８】
2012002501.tif 000041
【００５７】
ここで、Ｓ３、Ｓ４は、独立して単結合又は二価の連結基であり、Ｒ２、Ｒ３は、独立して単結合又は炭素数１〜２０の２価の炭化水素である。具体例としては、式［１−ｃ］、式［１−ｉ］、式［１−ｈ］のジアミンを挙げることができる。
【化３９】
2012002501.tif 000042
【００５８】
式［４−ｃ］のジアミンは、上記した環化部位が側鎖向きとなる手法に準じて合成することができる。
【化４０】
2012002501.tif 000043
【００５９】
式［４−ｉ］及び式［４−ｈ］のジアミンの合成においては、上記した環化部位がジアミン側向きとなる方法に準じて合成できるが、合成法はそれ以外の方法でも可能なため、特に限定されない。
ジアミン中にオレフィン構造を導入する場合、Ｅ（トランス）体とＺ（シス）の構造異性体のどちらでも同様な効果が得られる。Ｅ体を合成する場合はフマル酸を用いることで合成でき、Ｚ体はマレイン酸を用いることで合成できる。Ｅ体の合成法としては、Ｚ体の異性化反応を利用して合成する方法もあり、フマル酸を経由する合成法よりも選択性に優れ、収率良く合成できるため、Ｅ体、Ｚ体に関わらずマレイン酸を用いる方法が好ましい。
【００６０】
式［４−ｉ］、及び式［４−ｈ］のジアミン合成例において、エーテル結合を形成させる工程があるが、エーテル結合はアルキルハライド又はアリールハライドとアルコールとを、それらと反応しない溶媒中で塩基存在下にて反応させるウィリアムソン・エーテル合成法にて得ることができる。他にパラジウム触媒などを用いた方法、銅を触媒に用いる方法などでも得ることができる。反応させる基質により好ましい手段が選択される。反応後の後処理やコスト面を考慮するとウィリアムソン・エーテル合成法が好ましい。用いる塩基は特に限定しないが、水素化ナトリウム、水素化カリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、ナトリウムアルコキシド、カリウムアルコキシドなどの無機塩基、又はトリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミンなどの有機塩基を使用できる。
【００６１】
上記した合成法などを用いることにより、ジニトロベンゼン誘導体［８］を合成し、通常の還元反応にてニトロ基をアミノ基に変換することにより目的とするジアミンを得ることができる。ジニトロ化合物を還元する方法には、特に制限はなく、通常、パラジウム−炭素、酸化白金、ラネーニッケル、白金黒、ロジウム−アルミナ、硫化白金炭素などを触媒として用い、酢酸エチル、トルエン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アルコールなどの溶媒中で、水素ガス、ヒドラジン、塩化水素などによって還元を行う方法がある。必要に応じてオートクレープなどを用いてもよい。一方で、構造に不飽和結合部位を含む場合、パラジウムカーボン、白金カーボンなどを用いると不飽和結合部位が還元されてしまい、飽和結合となってしまう恐れがあるため、好ましい条件としては、還元鉄、錫、塩化錫などの遷移金属を触媒として用いる還元条件が好ましい。
【化４１】
2012002501.tif 000044
【００６２】
＜本発明の重合体＞
本発明における重合体とは、ポリイミド前駆体、該ポリイミド前駆体をイミド化して得られるポリイミド、ポリアミドを指す。ここで、ポリイミド前駆体とは、ポリアミック酸及びポリアミック酸エステルを指す。本発明のジアミンは、テトラカルボン酸、テトラカルボン酸ジハライド、テトラカルボン酸二無水物など、テトラカルボン酸又はその誘導体と反応させることで側鎖に特定の構造を有するポリアミック酸を得ることができる。また、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンとの反応や、テトラカルボン酸ジエステルとジアミンを適当な縮合剤、及び塩基の存在下にて反応させることによりポリアミック酸エステルを得ることができる。更には、上記ポリアミック酸を脱水閉環させる、又はポリアミック酸エステルを高温で加熱し、脱アルコールを促し、閉環させることにより側鎖に特定の構造を有するポリイミドを得ることができる。
【００６３】
＜ポリアミック酸、及びポリアミック酸エステル＞
本発明のポリアミック酸は、式［１］で表されるジアミンを含有するジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物との反応によって得られる。また、本発明のポリアミック酸エステルは、式［１］で表されるジアミンを含有するジアミン成分とテトラカルボン酸ジエステルジクロリドを塩基存在下で反応させる、又はテトラカルボン酸ジエステルとジアミンを適当な縮合剤、及び塩基の存在下にて反応させることによって得られる。本発明のポリイミドは、このポリアミック酸を脱水閉環させる、あるいはポリアミック酸エステルを加熱閉環させることにより得られる。かかるポリアミック酸、ポリアミック酸エステル及びポリイミドのいずれも液晶配向膜を得るための重合体として有用である。
【００６４】
上記テトラカルボン酸二無水物との反応によりポリアミック酸を得るためのジアミン成分（以下、ジアミン成分ともいう）において、式［１］で表されるジアミンの含有割合に制限はない。上記ポリアミック酸又はポリイミドを用いて得られる本発明の液晶配向膜は、上記ジアミン成分における式［１］で表されるジアミンの含有割合が多くなるほど、液晶のプレチルト角が大きくなる。
液晶のプレチルト角を大きくするという目的では、ジアミン成分の１ｍｏｌ％以上が式［１］で表されるジアミンであることが好ましい。式［１］の側鎖構造や液晶の配向モードにより好ましい含有量は異なるため、好ましい含有量は必ずしも設定できないが、ＴＮモード、ＯＣＢモードなどにおいては水平配向規制力も加味する必要があるため、重合に用いられるジアミン成分における式［１］で表されるジアミンの含有割合は、１〜５０ｍｏｌ％が好ましく、特に好ましくは５〜３０ｍｏｌ％が好ましい。
【００６５】
液晶を垂直に配向させるという目的では、ジアミン成分の１００ｍｏｌ％が式［１］で表されるジアミンであってもよい。式［１］のジアミンは重合体の重合粘度を大きく低下させ、液晶配向処理剤の粘度が低くなってしまうことから、フレキソ印刷などにおいて、所要の膜厚を得るための含有量は３０〜７０ｍｏｌ％が好ましい。
上記ジアミン成分において、式（１）で表されるジアミンが１００ｍｏｌ％未満の場合に使用される、式（１）で表されるジアミン以外のジアミン（以下、その他のジアミンともいう。）の具体例は、以下の通りである。
【００６６】
脂環式ジアミン類の例としては、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，３−ジアミノシクロヘキサン、４，４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジシクロヘキシルアミン、イソホロンジアミン等が挙げられる。
芳香族ジアミン類の例としては、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミノトルエン、３，５−ジアミノトルエン、１，４−ジアミノ−２−メトキシベンゼン、２，５−ジアミノ−ｐ−キシレン、１，３−ジアミノ−４−クロロベンゼン、３，５−ジアミノ安息香酸、１，４−ジアミノ−２，５−ジクロロベンゼン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジメチルビベンジル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’―ジメチルジフェニルメタン、２，２’−ジアミノスチルベン、４，４’−ジアミノスチルベン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）安息香酸、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビベンジル、２，２−ビス［（４−アミノフェノキシ）メチル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフロロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、α、α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフロロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフロロプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，４−ジアミノジフェニルアミン、１，８−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノアントラキノン、１，３−ジアミノピレン、１，６−ジアミノピレン、１，８―ジアミノピレン、２，７−ジアミノフルオレン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）テトラメチルジシロキサン、ベンジジン、２，２’−ジメチルベンジジン、１，２−ビス（４−アミノフェニル）エタン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ブタン、１，５−ビス（４−アミノフェニル）ペンタン、１，６−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサン、１，７−ビス（４−アミノフェニル）ヘプタン、１，８−ビス（４−アミノフェニル）オクタン、１，９−ビス（４−アミノフェニル）ノナン、１，１０−ビス（４−アミノフェニル）デカン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ブタン、１，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ペンタン、１，６−ビス（４−アミノフェノキシ）ヘキサン、１，７−ビス（４−アミノフェノキシ）ヘプタン、１，８−ビス（４−アミノフェノキシ��オクタン、１，９−ビス（４−アミノフェノキシ）ノナン、１，１０−ビス（４−アミノフェノキシ）デカン、ジ（４−アミノフェニル）プロパン−１，３−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）ブタン−１，４−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）ペンタン−１，５−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）ヘキサン−１，６−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）ヘプタン−１，７−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）オクタン−１，８−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）ノナン−１，９−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）デカン−１，１０−ジオエート、１，３−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕プロパン、１，４−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕ブタン、１，５−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕ペンタン、１，６−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕ヘキサン、１，７−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕ヘプタン、１，８−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕オクタン、１，９−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕ノナン、１，１０−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕デカンなどが挙げられる。
【００６７】
芳香族−脂肪族ジアミンの例としては、３−アミノベンジルアミン、４−アミノベンジルアミン、３−アミノ−Ｎ−メチルベンジルアミン、４−アミノ−Ｎ−メチルベンジルアミン、３−アミノフェネチルアミン、４−アミノフェネチルアミン、３−アミノ−Ｎ−メチルフェネチルアミン、４−アミノ−Ｎ−メチルフェネチルアミン、３−（３−アミノプロピル）アニリン、４−（３−アミノプロピル）アニリン、３−（３−メチルアミノプロピル）アニリン、４−（３−メチルアミノプロピル）アニリン、３−（４−アミノブチル）アニリン、４−（４−アミノブチル）アニリン、３−（４−メチルアミノブチル）アニリン、４−（４−メチルアミノブチル）アニリン、３−（５−アミノペンチル）アニリン、４−（５−アミノペンチル）アニリン、３−（５−メチルアミノペンチル）アニリン、４−（５−メチルアミノペンチル）アニリン、２−（６−アミノナフチル）メチルアミン、３−（６−アミノナフチル）メチルアミン、２−（６−アミノナフチル）エチルアミン、３−（６−アミノナフチル）エチルアミンなどが挙げられる。
【００６８】
複素環式ジアミン類の例としては、２，６−ジアミノピリジン、２，４−ジアミノピリジン、２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン、２，７−ジアミノジベンゾフラン、３，６−ジアミノカルバゾール、２，４−ジアミノ−６−イソプロピル−１，３，５−トリアジン、２，５−ビス（４−アミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールなどが挙げられる。
脂肪族ジアミン類の例としては、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，３−ジアミノ−２，２−ジメチルプロパン、１，６−ジアミノ−２，５−ジメチルヘキサン、１，７−ジアミノ−２，５−ジメチルヘプタン、１，７−ジアミノ−４，４−ジメチルヘプタン、１，７−ジアミノ−３−メチルヘプタン、１，９−ジアミノ−５−メチルヘプタン、１，１２−ジアミノドデカン、１，１８−ジアミノオクタデカン、１，２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタンなどが挙げられる。
【００６９】
側鎖にアルキル基、フッ素含有アルキル基、芳香環、脂肪族環、複素環、又はそれらからなる大環状置換体を有するジアミン化合物を併用してもよい。具体的には、下記の式［ＤＡ１］〜［ＤＡ２６］で示されるジアミンを例示される。
【化４２】
2012002501.tif 000045
（Ｒ６は、炭素数１〜２２を有する、アルキル基若しくはフッ素含有アルキル基である。）
【００７０】
【化４３】
2012002501.tif 000046
（Ｓ５は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｏ−、−ＣＯ−、又は−ＮＨ−を示し、Ｒ６は炭素数１〜２２を有する、アルキル基若しくはフッ素含有アルキル基を示す。）
【００７１】
【化４４】
2012002501.tif 000047
（Ｓ６は、−Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯＣＨ２−、又は−ＣＨ２ＯＣＯ−を示し、Ｒ７は炭素数１〜２２を有する、アルキル基、アルコキシ基、フッ素含有アルキル基若しくはフッ素含有アルコキシ基である。）
【００７２】
【化４５】
2012002501.tif 000048
（Ｓ７は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＯＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、又は−ＣＨ２−を示し、Ｒ８は炭素数１〜２２を有する、アルキル基、アルコキシ基、フッ素含有アルキル基若しくはフッ素含有アルコキシ基である。）
【００７３】
【化４６】
2012002501.tif 000049
（Ｓ８は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＯＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２−、−Ｏ−、又は−ＮＨ−を示し、Ｒ９はフッ素基、シアノ基、トリフルオロメタン基、ニトロ基、アゾ基、ホルミル基、アセチル基、アセトキシ基、又は水酸基である。）
【００７４】
【化４７】
2012002501.tif 000050
【化４８】
2012002501.tif 000051
（Ｒ１０は炭素数３〜１２のアルキル基であり、１，４−シクロへキシレンのシス−トランス異性は、それぞれトランス体である。）
【００７５】
【化４９】
2012002501.tif 000052
【化５０】
2012002501.tif 000053
【化５１】
2012002501.tif 000054
【００７６】
光により配向処理する場合においては、一般式［１］のジアミンと上記［ＤＡ−１］〜［ＤＡ−２６］のジアミンを併用させることで、さらに安定したプレチルト角を得ることができるため好ましい。併用できるより好ましいジアミンとしては、式［ＤＡ−１０］〜［ＤＡ−２６］が好ましく、より好ましくは［ＤＡ−１０］〜［ＤＡ−１６］のジアミンである。これらのジアミンの好ましい含有量は、特に限定はされないが、ジアミン成分中の５〜５０ｍｏｌ％が好ましく、印刷性の点では５〜３０ｍｏｌ％が好ましい。
また、以下のジアミンを併用させてもよい。
【００７７】
【化５２】
2012002501.tif 000055
（ｍは０〜３の整数であり、式［ＤＡ−３４］中、ｎは１〜５の整数である）。
式[ＤＡ−２７]、式[ＤＡ−２８]等のジアミンを含有させることにより、液晶配向膜とした際の電圧保持特性を向上させることができ、式[ＤＡ−２９]〜［ＤＡ−３４］のジアミンは蓄積電化の低減に効果がある。
【００７８】
さらに、下記の式［ＤＡ−３５］で示されるようなジアミノシロキサンなども、その他のジアミンとして挙げることができる。
【化５３】
2012002501.tif 000056
（ｍは、１〜１０の整数である。）
その他のジアミン化合物は、液晶配向膜とした際の液晶配向性、電圧保持特性、蓄積電荷などの特性に応じて、１種類又は２種類以上を混合して使用することもできる。
【００７９】
本発明のポリアミド酸を得るためにジアミン成分と反応させるテトラカルボン酸二無水物は特に限定されない。その具体例を以下に挙げる。
脂環式構造又は脂肪族構造を有するテトラカルボン酸二無水物としては、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，３−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−テトラメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、３，４−ジカルボキシ−１−シクロヘキシルコハク酸二無水物、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフタレンコハク酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［３，３，０］オクタン−２，４，６，８−テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、シス−３，７−ジブチルシクロオクタ−１，５−ジエン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、トリシクロ［４．２．１．０２，５］ノナン−３，４，７，８−テトラカルボン酸−３，４：７，８−二無水物、ヘキサシクロ［６．６．０．１２，７．０３，６．１９，１４．０１０，１３］ヘキサデカン−４，５，１１，１２−テトラカルボン酸−４，５：１１，１２−二無水物、４−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラン−３−イル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレンー１，２−ジカルボン酸無水物などが挙げられる。
【００８０】
更に、上記脂環式構造又は脂肪族構造を有するテトラカルボン酸二無水物に加えて、芳香族テトラカルボン酸二無水物を使用すると、液晶配向性が向上し、かつ液晶セルの蓄積電荷を低減させることができるので好ましい。
芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。
【００８１】
テトラカルボン酸二無水物は、液晶配向膜にした際の液晶配向性、電圧保持特性、蓄積電荷などの特性に応じて、１種類又は２種類以上併用することができる。
本発明のポリアミド酸エステルを得るためにジアミン成分と反応させるテトラカルボン酸ジアルキルエステルは特に限定されない。その具体例を以下に挙げる。
脂肪族テトラカルボン酸ジエステルの具体例としては、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸ジアルキルエステル、１，２−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸ジアルキルエステル、１，３−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸ジアルキルエステル、１，２，３，４−テトラメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸ジアルキルエステル、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸ジアルキルエステル、２，３，４，５−テトラヒドロフランテトラカルボン酸ジアルキルエステル、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸ジアルキルエステル、３，４−ジカルボキシ−１−シクロヘキシルコハク酸ジアルキルエステル、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフタレンコハク酸ジアルキルエステル、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸ジアルキルエステル、ビシクロ［３，３，０］オクタン−２，４，６，８−テトラカルボン酸ジアルキルエステル、３，３’，４，４’−ジシクロヘキシルテトラカルボン酸ジアルキルエステル、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸ジアルキルエステル、シス−３，７−ジブチルシクロオクタ−１，５−ジエン−１，２，５，６−テトラカルボン酸ジアルキルエステル、トリシクロ［４．２．１．０２，５］ノナン−３，４，７，８−テトラカルボン酸−３，４：７，８−ジアルキルエステル、ヘキサシクロ［６．６．０．１２，７．０３，６．１９，１４．０１０，１３］ヘキサデカン−４，５，１１，１２−テトラカルボン酸−４，５：１１，１２−ジアルキルエステル、４−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラン−３−イル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレンー１，２−ジカルボンジアルキルエステルなどが挙げられる。
【００８２】
芳香族テトラカルボン酸ジアルキルエステルとしては、ピロメリット酸ジアルキルエステル、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸ジアルキルエステル、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸ジアルキルエステル、２，３，３’，４−ビフェニルテトラカルボン酸ジアルキルエステル、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジアルキルエステル、２，３，３’，４−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジアルキルエステル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテルジアルキルエステル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホンジアルキルエステル、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸ジアルキルエステル、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸ジアルキルエステルなどが挙げられる。
【００８３】
＜ポリアミドの合成＞
本発明のポリアミドを得るためにジアミン成分と反応させるジカルボン酸は特に限定されない。ジカルボン酸又はその誘導体の脂肪族ジカルボン酸の具体例としては、マロン酸、蓚酸、ジメチルマロン酸、コハク酸、フマル酸、グルタル酸、アジピン酸、ムコン酸、２−メチルアジピン酸、トリメチルアジピン酸、ピメリン酸、２，２−ジメチルグルタル酸、３，３−ジエチルコハク酸、アゼライイン酸、セバシン酸、スベリン酸等を挙げることができる。
【００８４】
脂環式系のジカルボン酸としては、１，１−シクロプロパンジカルボン酸、１，２−シクロプロパンジカルボン酸、１，１−シクロブタンジカルボン酸、１，２−シクロブタンジカルボン酸、１，３−シクロブタンジカルボン酸、３，４−ジフェニル−１，２−シクロブタンジカルボン酸、２，４−ジフェニル−１，３−シクロブタンジカルボン酸、１−シクロブテン−１，２−ジカルボン酸、１−シクロブテン−３，４−ジカルボン酸、１，１−シクロペンタンジカルボン酸、１，２−シクロペンタンジカルボン酸、１，３−シクロペンタンジカルボン酸、１，１−シクロヘキサンジカルボン酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−（２−ノルボルネン）ジカルボン酸、ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸、ビシクロ[２．２．２]オクタン−１，４−ジカルボン酸、ビシクロ[２．２．２]オクタン−２，３−ジカルボン酸、２，５−ジオキソ−１，４−ビシクロ[２．２．２]オクタンジカルボン酸、１，３−アダマンタンジカルボン酸、４，８−ジオキソ−１，３−アダマンタンジカルボン酸、２，６−スピロ[３．３]ヘプタンジカルボン酸、１，３−アダマンタン二酢酸、カンファ−酸等を挙げることができる。
【００８５】
芳香族ジカルボン酸としては、ｏ−フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、５−メチルイソフタル酸、５−ｔｅｒｔ−ブチルイソフタル酸、５−アミノイソフタル酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、２，５−ジメチルテレフタル酸、テトラメチルテレフタル酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、２，５−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、１，４−アントラセンジカルボン酸、１，４−アントラキノンジカルボン酸、２，５−ビフェニルジカルボン酸、４，４'−ビフェニルジカルボン酸、１，５−ビフェニレンジカルボン酸、４，４"−タ−フェニルジカルボン酸、４，４'−ジフェニルメタンジカルボン酸、４，４'−ジフェニルエタンジカルボン酸、４，４'−ジフェニルプロパンジカルボン酸、４，４'−ジフェニルヘキサフルオロプロパンジカルボン酸、４，４'−ジフェニルエーテルジカルボン酸、４，４'−ビベンジルジカルボン酸、４，４'−スチルベンジカルボン酸、４，４'−トランジカルボン酸、４，４'−カルボニル二安息香酸、４，４'−スルホニル二安息香酸、４，４'−ジチオ二安息香酸、ｐ−フェニレン二酢酸、３，３'−ｐ−フェニレンジプロピオン酸、４−カルボキシ桂皮酸、ｐ−フェニレンジアクリル酸、３，３'−［４，４'−（メチレンジ−ｐ−フェニレン）］ジプロピオン酸、４，４'−［４，４'−（オキシジ−ｐ−フェニレン）］ジプロピオン酸、４，４'−［４，４'−（オキシジ−ｐ−フェニレン）］二酪酸、（イソプロピリデンジ−ｐ−フェニレンジオキシ）二酪酸、ビス（ｐ−カルボキシフェニル）ジメチルシラン等を挙げることができる。
【００８６】
複素環を含むジカルボン酸としては、１，５−（９−オキソフルオレン）ジカルボン酸、３，４−フランジカルボン酸、４，５−チアゾールジカルボン酸、２−フェニル−４，５−チアゾールジカルボン酸、１，２，５−チアジアゾール−３，４−ジカルボン酸、１，２，５−オキサジアゾール−３，４−ジカルボン酸、２，３−ピリジンジカルボン酸、２，４−ピリジンジカルボン酸、２，５−ピリジンジカルボン酸、２，６−ピリジンジカルボン酸、３，４−ピリジンジカルボン酸、３，５−ピリジンジカルボン酸等を挙げることができる。
上記の各種ジカルボン酸は、酸ジハライドあるい酸無水物の構造のものであってもよい。これらのジカルボン酸類は、特に直線的な構造のポリアミドを与えることが可能なジカルボン酸類であることが液晶分子の配向性を保つ上から好ましい。これらの中でも、テレフタル酸、イソテレフタル酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、４，４'−ビフェニルジカルボン酸、４，４'−ジフェニルメタンジカルボン酸、４，４'−ジフェニルエタンジカルボン酸、４，４'−ジフェニルプロパンジカルボン酸、４，４'−ジフェニルヘキサフルオロプロパンジカルボン酸、２，２−ビス（フェニル）プロパンジカルボン酸、４、４鋳タ−フェニルジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，５−ピリジンジカルボン酸又はこれらの酸ジハライド等が好ましく用いられる。これらの化合物には異性体が存在するものもあるが、それらを含む混合物であってもよい。また、２種以上の化合物を併用してもよい。
ジカルボン酸とジアミン成分との反応により、本発明のポリアミドを得るにあたっては、公知の合成手法を用いることができる。一般的にはジカルボン酸とジアミン成分とを有機溶媒中で反応させる方法である。
【００８７】
＜ポリアミック酸の合成＞
テトラカルボン酸二無水物とジアミン成分との反応により、本発明のポリアミック酸を得る方法は、既知の手法を用いることができる。一般的にはテトラカルボン酸二無水物とジアミン成分とを有機溶媒中で反応させる方法である。テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応は、有機溶媒中で比較的容易に進行し、かつ副生成物が発生しない点で有利である。
【００８８】
テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応に用いる有機溶媒としては、生成したポリアミック酸が溶解するものであれば特に限定されない。その具体例を以下に挙げる。
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、イソプロピルアルコール、メトキシメチルペンタノール、ジペンテン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジイソプロピルエーテル、エチルイソブチルエーテル、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロへキセン、プロピルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオキサン、ｎ−へキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−オクタン、ジエチルエーテル、シクロヘキサノン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルエチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、ジグライム、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、３−エトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドなどが挙げられる。これらは単独で使用しても、混合して使用してもよい。さらに、ポリアミド酸を溶解させない溶媒であっても、生成したポリアミド酸が析出しない範囲で、上記溶媒に混合して使用してもよい。
【００８９】
また、有機溶媒中の水分は重合反応を阻害し、さらには生成したポリアミド酸を加水分解させる原因となるので、有機溶媒はなるべく脱水乾燥させたものを用いるのが好ましい。
テトラカルボン酸二無水物とジアミン成分とを有機溶媒中で反応させる際には、ジアミン成分を有機溶媒に分散あるいは溶解させた溶液を攪拌させ、テトラカルボン酸二無水物をそのまま、又は有機溶媒に分散あるいは溶解させて添加する方法、逆にテトラカルボン酸二無水物を有機溶媒に分散あるいは溶解させた溶液にジアミン成分を添加する方法、テトラカルボン酸二無水物とジアミン成分とを交互に添加する方法などが挙げられ、これらのいずれの方法を用いても良い。また、テトラカルボン酸二無水物又はジアミン成分が複数種の化合物からなる場合は、あらかじめ混合した状態で反応させても良く、個別に順次反応させても良く、さらに個別に反応させた低分子量体を混合反応させ高分子量体としても良い。
【００９０】
その際の重合温度は−２０〜１５０℃の任意の温度を選択することができるが、好ましくは−５〜１００℃の範囲である。また、反応は任意の濃度で行うことができるが、濃度が低すぎると高分子量の重合体を得ることが難しくなり、濃度が高すぎると反応液の粘性が高くなり過ぎて均一な攪拌が困難となるので、テトラカルボン酸二無水物とジアミン成分の反応溶液中での合計濃度が、好ましくは１〜５０質量％、より好ましくは５〜３０質量％である。反応初期は高濃度で行い、その後、有機溶媒を追加することができる。
ポリアミド酸の重合反応においては、テトラカルボン酸二無水物の合計モル数と、ジアミン成分の合計モル数の比は、０．８〜１．２であることが好ましく、０．９〜１．１がより好ましい。通常の重縮合反応と同様に、このモル比が１．０に近いほど生成するポリアミド酸の分子量は大きくなる。
【００９１】
＜ポリイミドの合成＞
本発明のポリイミドは、前記のポリアミド酸を脱水閉環させて得られるポリイミドであり、液晶配向膜を得るための重合体として有用である。
本発明のポリイミドにおいて、アミド酸基の脱水閉環率（イミド化率）は、必ずしも１００％である必要はなく、用途や目的に応じて任意に調整することができる。
ポリアミド酸をイミド化させる方法としては、ポリアミド酸の溶液をそのまま加熱する熱イミド化法、及びポリアミド酸の溶液に触媒を添加する触媒イミド化法が挙げられる。
ポリアミド酸を溶液中で熱イミド化させる場合の温度は、１００〜４００℃、好ましくは１２０〜２５０℃であり、イミド化反応により生成する水を系外に除きながら行うのが好ましい。
【００９２】
ポリアミド酸の触媒イミド化は、ポリアミド酸の溶液に、塩基性触媒と酸無水物とを添加し、−２０〜２５０℃、好ましくは０〜１８０℃で攪拌することにより行うことができる。塩基性触媒の量は、アミド酸基の０．５〜３０モル倍、好ましくは２〜２０モル倍であり、酸無水物の量は、アミド酸基の１〜５０モル倍、好ましくは３〜３０モル倍である。塩基性触媒としてはピリジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミンなどを挙げることができ、中でもピリジンは反応を進行させるのに適した塩基性を持つので好ましい。酸無水物としては、無水酢酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などを挙げることができ、中でも無水酢酸を用いると反応終了後の精製が容易となるので好ましい。触媒イミド化によるイミド化率は、触媒量、反応温度、反応時間等を調節することにより制御することができる。
【００９３】
＜ポリアミック酸エステルの合成＞
ポリアミック酸エステルを合成する方法としては、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンとの反応や、テトラカルボン酸ジエステルとジアミンを適当な縮合剤、及び塩基の存在下にて反応させる方法、又は、予めポリアミック酸を重合し、高分子反応を利用してアミック酸中のカルボン酸をエステル化する方法が挙げられる。
具体的には、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンとを塩基と有機溶剤の存在下で−２０〜１５０℃、好ましくは０〜５０℃において、３０分〜２４時間、好ましくは１〜４時間反応させることによって合成することができる。
【００９４】
前記塩基には、ピリジン、トリエチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン等が使用できるが、反応が穏和に進行するためにはピリジンが好ましい。塩基の添加量は、除去が容易な量で、かつ高分子量体が得やすいということから、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドに対して、２〜４倍モルであることが好ましい。
縮合剤存在下にて縮合重合を行なう場合、トリフェニルホスファイト、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、Ｎ，Ｎ’−カルボニルジイミダゾール、ジメトキシ−１，３，５−トリアジニルメチルモルホリニウム、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウム  テトラフルオロボラート、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスファート、（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサゾリル）ホスホン酸ジフェニル、４−（４，６−ジメトキシ−１，３，５−トリアジンー２−イル）４−メトキシモルホリウムクロリド  ｎ−水和物などの縮合剤が使用できる。
【００９５】
また、上記縮合剤を用いる方法において、ルイス酸を添加剤として加えることで反応が効率的に進行する。ルイス酸としては、塩化リチウム、臭化リチウムなどのハロゲン化リチウムが好ましい。ルイス酸の添加量は、ジアミン成分に対して０．１〜１．０倍モル量であることが好ましい。
上記の反応に用いる溶媒は、上記したポリアミック酸を重合する際に用いられる溶媒と同じものが使用でき、モノマー及び重合体の溶解性からＮ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン等が好ましく、これらは１種又は２種以上を混合して用いてもよい。合成時の重合体の濃度は、重合体の析出が起こりにくく、かつ高分子量体が得やすいという点から、１〜３０質量％が好ましく、５〜２０質量％がより好ましい。また、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドの加水分解を防ぐため、ポリアミック酸エステルの合成に用いる溶媒はできるだけ脱水されていることが好ましく、窒素雰囲気中で反応を行ない、外気の混入を防ぐのが好ましい。
【００９６】
＜重合体の回収＞
ポリアミック酸、ポリアミック酸エステル、ポリイミド等の反応溶液から、生成した重合体を回収する場合には、反応溶液を貧溶媒に投入して沈殿させるのが好ましい。沈殿に用いる貧溶媒としてはメタノール、アセトン、ヘキサン、ブチルセルソルブ、ヘプタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エタノール、トルエン、ベンゼン、水などを挙げることができる。貧溶媒に投入して沈殿させた重合体は、濾過して回収した後、常圧あるいは減圧下で、常温あるいは加熱して乾燥することができる。また、沈殿回収した重合体を、有機溶媒に再溶解させ、再沈殿し、回収する操作を、２〜１０回繰り返すと、重合体中の不純物を少なくすることができる。この際の貧溶媒として、例えば、アルコール類、ケトン類、炭化水素などが挙げられ、これらの内から選ばれる３種類以上の貧溶媒を用いると、より一層精製の効率が上がるので好ましい。
本発明の液晶配向処理剤に含有される重合体の分子量は、得られる塗膜の強度、塗膜形成時の作業性、及び塗膜の均一性を考慮した場合、ＧＰＣ（Gel  Permeation  Chromatography）法で測定した重量平均分子量で５，０００〜１，０００，０００とするのが好ましく、より好ましくは、１０，０００〜１５０，０００である。
【００９７】
＜液晶配向処理剤＞
本発明の液晶配向処理剤は、液晶配向膜を形成するための塗布液であり、樹脂被膜を形成するための樹脂成分が有機溶媒に溶解した溶液である。ここで、前記の樹脂成分は、上記した本発明の重合体から選ばれる少なくとも一種の重合体を含む。樹脂成分の液晶配向処理剤中の含有量は、１〜２０質量％が好ましく、より好ましくは３〜１５質量％、特に好ましくは３〜１０質量％である。
樹脂成分は、全てが本発明の重合体であってもよく、それ以外の他の重合体が混合されていてもよい。その際、樹脂成分中における前記他の重合体の含有量は０．５〜１５質量％、好ましくは１〜１０質量％である。
かかる他の重合体は、例えば、テトラカルボン酸ニ無水物成分と反応させるジアミン成分として、特定ジアミン化合物以外のジアミン化合物を使用して得られるポリアミド酸又はポリイミドなどが挙げられる。
【００９８】
本発明の液晶配向処理剤に用いる有機溶媒は、樹脂成分を溶解させる有機溶媒であれば特に限定されない。その具体例を以下に挙げる。
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、２−ピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−ビニルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、３−エトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、１，３−ジメチル−イミダゾリジノン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジグライム、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンなどが挙げられる。これらは単独で使用しても、混合して使用してもよい。
【００９９】
本発明の液晶配向処理剤は、上記以外の成分を含有してもよい。その例としては、液晶配向処理剤を塗布した際の膜厚均一性や表面平滑性を向上させる溶媒多物質など、液晶配向膜と基板との密着性を向上させる化合物などである。
膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる溶媒（貧溶媒）の具体例としては、次のものが挙げられる。
例えば、イソプロピルアルコール、メトキシメチルペンタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジイソプロピルエーテル、エチルイソブチルエーテル、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロへキセン、プロピルエーテル、ジヘキシルエーテル、１−ヘキサノール、ｎ−へキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−オクタン、ジエチルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルエチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、１−ブトキシ−２−プロパノール、１−フェノキシ−２−プロパノール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート、プロピレングリコール−１−モノエチルエーテル−２−アセテート、ジプロピレングリコール、２−（２−エトキシプロポキシ）プロパノール、乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステル、乳酸ｎ−プロピルエステル、乳酸ｎ−ブチルエステル、乳酸イソアミルエステルなどの低表面張力を有する溶媒などが挙げられる。
これらの貧溶媒は１種類でも複数種類を混合して用いてもよい。上記溶媒を用いる場合は、液晶配向処理剤に含まれる溶媒全体の５〜８０質量％であることが好ましく、より好ましくは２０〜６０質量％である。
【０１００】
膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる化合物としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノ二オン系界面活性剤などが挙げられる。
より具体的には、例えば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ社製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−３０（大日本インキ社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム社製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子社製）などが挙げられる。これらの界面活性剤の使用割合は、液晶配向処理剤に含有される樹脂成分の１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２質量部、より好ましくは０．０１〜１質量部である。
【０１０１】
液晶配向膜と基板との密着性を向上させる化合物の具体例としては、次に示す官能性シラン含有化合物、エポキシ基含有化合物などが挙げられる。
例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、２，２−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，３，５，６−テトラグリシジル−２，４−ヘキサンジオール、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラグリシジル−４、４’−ジアミノジフェニルメタンなどが挙げられる。
【０１０２】
更に、基板と膜の密着性向上に加え、バックライトによる電気特性低下などを防ぐ目的で、以下のようなフェノプラスト系の添加剤を含有させることが好ましい。具体的なフェノプラスト系添加剤を以下に示す。
【化５４】
2012002501.tif 000057
【０１０３】
基板との密着性を向上させる化合物を使用する場合、その使用量は、樹脂成分の１００質量部に対して０．１〜３０質量部であることが好ましく、より好ましくは１〜２０質量部である。使用量が０．１質量部未満であると密着性向上の効果は期待できず、３０質量部よりも多くなると液晶の配向性が悪くなる場合がある。
本発明の液晶配向処理剤には、上記の他、本発明の効果が損なわれない範囲であれば、液晶配向膜の誘電率、導電性などの電気特性を変化させる目的で、誘電体、導電物質、さらには、液晶配向膜にした際の膜の硬度や緻密度を高める目的の架橋性化合物等を添加してもよい。
【０１０４】
＜液晶配向膜及び液晶表示素子＞
本発明の液晶配向処理剤は、基板上に塗布し、焼成した後、ラビング処理や光照射などで配向処理をし、又は垂直配向用途などでは配向処理無しで液晶配向膜として用いることができる。この際、用いる基板としては透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板、アクリル基板、ポリカーボネート基板などのプラスチック基板などを用いることができる。また、液晶駆動のためのＩＴＯ電極などが形成された基板を用いることがプロセスの簡素化の点から好ましい。また、反射型の液晶表示素子では片側の基板のみにならばシリコンウエハー等の不透明な物でも使用でき、この場合の電極はアルミニウム等の光を反射する材料も使用できる。
液晶配向処理剤の塗布方法は、特に限定されないが、工業的には、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェットなどの方法で行うが一般的である。その他の塗布方法としては、ディップ、ロールコーター、スリットコーター、スピンナーなどがあり、目的に応じてこれらを用いてもよい。
【０１０５】
液晶配向処理剤を基板上に塗布した後の焼成は、ホットプレートなどの加熱手段により５０〜３００℃、好ましくは８０〜２５０℃で行い、溶媒を蒸発させて、塗膜を形成させることができる。焼成後に形成される塗膜の厚みは、厚すぎると液晶表示素子の消費電力の面で不利となり、薄すぎると液晶表示素子の信頼性が低下する場合があるので、好ましくは５〜３００ｎｍ、より好ましくは１０〜１００ｎｍである。液晶を水平配向や傾斜配向させる場合は、焼成後の塗膜をラビング又は偏光紫外線照射などで処理する。
本発明の液晶表示素子は、上記した手法により本発明の液晶配向処理剤から液晶配向膜付き基板を得た後、公知の方法で液晶セルを作製し、液晶表示素子としたものである。
【０１０６】
液晶セル作製の一例を挙げるならば、液晶配向膜の形成された１対の基板を用意し、片方の基板の液晶配向膜上にスペーサーを散布し、液晶配向膜面が内側になるようにして、もう片方の基板を貼り合わせ、液晶を減圧注入して封止する方法、又は、スペーサーを散布した液晶配向膜面に液晶を滴下した後に基板を貼り合わせて封止を行う方法などが例示できる。このときのスペーサーの厚みは、好ましくは１〜３０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍである。
【実施例】
【０１０７】
以下に実施例及び比較例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明の解釈は、これらの実施例に限定されるものではない。【０１０８】
＜実施例１＞
２−（Ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）−４−オクタナミドフェニル  ３，５−ジアミノベンゾエート（ＨＣ−０１）の合成
【化５５】
2012002501.tif 000058
【０１０９】
第１工程
４−オクタナミド−２−ニトロフェノールの合成
【化５６】
2012002501.tif 000059
５００ｍＬ（ミリリットル）の四口フラスコに、４−アミノ−２−ニトロフェノールを１５．９ｇ（１０３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを３００ｍＬ、及びピリジンを７．９ｇ（１０３ｍｍｏｌ）加えた。系内を冷却して０℃にし、ｎ−オクタノイルクロリドを１６．３ｇ（１０３ｍｍｏｌ）加え、室温で攪拌した。反応終了後、純水を５０ｍＬ加えて攪拌した後、反応終了後、酢酸エチルを加えて有機層を分離し、有機層を水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。得られた固体を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（３：７（体積比、以下同様である。））を用いて再結晶を行い、薄黄色の固体２７．０ｇを得た（収率９４％）。【０１１０】
第２工程
４−オクタナミド−２−アミノフェノールの合成
【化５７】
2012002501.tif 000060
５００ｍＬの四口フラスコに、Ｎ−（３−ニトロ−４−ヒドロキシフェニル）オクタナミドを１５．０ｇ（５３．５ｍｍｏｌ）、エタノールを４０ｍＬ、及び５％パラジウムカーボンを１．０ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、白色固体１３．０ｇを得た（収率９７％）。【０１１１】
第３工程
４−オクタナミド  −２−tert−ブトキシカルボニルアミノフェノールの合成
【化５８】
2012002501.tif 000061
３００ｍＬの四口フラスコに、Ｎ−（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）オクタナミドを１２．５ｇ（４９．９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを２００ｍＬ、二炭酸ジ−tert−ブチルを１１．９ｇ（５４．９ｍｍｏｌ）、及び４−ジメチルアミノピリジンを０．６１ｇ（４．９９ｍｍｏｌ）加えて、室温で攪拌した。反応終了後、酢酸エチルを加え、水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３（体積比、以下の実施例においても同じである。）にて精製し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、白色固体１６．５ｇを得た（収率９４％）。【０１１２】
第４工程
２−（tert−ブトキシカルボニルアミノ）−４−オクタナミドフェニル  ３，５−ジニトロベンゾエートの合成
【化５９】
2012002501.tif 000062
３００ｍＬの四口フラスコに、ＨＣ−０３−１を７．０ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを８０ｍＬ、及びピリジンを１．６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）加えた。系内を冷却して０℃にし、３，５−ジニトロベンゾイルクロリドを５．５ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）加えて、室温で攪拌した。反応終了後、１０質量％炭酸カリウム水溶液を加えて、ｐＨを８〜９にし、酢酸エチルを加えて有機層を分離し、有機層を水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４）にて精製し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、薄黄色固体５．９ｇを得た（収率５４％）。【０１１３】
第５工程
ＨＣ−０１の合成
【化６０】
2012002501.tif 000063
５００ｍＬの四口フラスコに、２−（tert−ブトキシカルボニルアミノ−４−オクタナミドフェニル）３，５−ジニトロベンゾエートを５．９ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１５０ｍＬ、及び５％パラジウム／カーボンを０．６ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、灰色の固体５．２ｇを得た（収率９９％）。得られた個体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−０１であることを確認した。
なお、本発明の実施例における化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ（１Ｈの核磁気共鳴、Ｖａｒｉａｎ社製、機種：ＩＮＯＶＡ４００）により行った。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ９．９２  （ｓ，１Ｈ），８．７３  （ｓ，１Ｈ），７．８９  （ｓ，１Ｈ），７．４０−７．４３  （ｄ，１Ｈ），６．９９−７．０１  （ｄ，１Ｈ），６．５８  （ｓ，２Ｈ），６．０９  （ｓ，１Ｈ），５．０４  （ｓ，４Ｈ），２．２７−２．３１  （ｔ，２Ｈ），１．５６−１．６０  （ｔ，２Ｈ），１．４０  （ｓ，９Ｈ），１．２５−１．２９  （ｍ，８Ｈ），０．８５−０．８８  （ｔ，３Ｈ）【０１１４】
＜実施例２＞
Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジアミノベンズアミドの合成（ＨＣ−０２）の合成
【化６１】
2012002501.tif 000064
【０１１５】
第１工程
３−tert−ブトキシカルボニルアミノ−４−アミノニトロベンゼンの合成
【化６２】
2012002501.tif 000065
３００ｍＬの四口フラスコに、３，４−ジアミノニトロベンゼン２５．０ｇ（１６３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを２５０ｍＬ、及び二炭酸ジ−tert−ブチル３５．６ｇ（１６３ｍｍｏｌ）を加えて、窒素雰囲気４時間還流攪拌した。反応終了後、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、得られた固体をメタノールにて洗浄し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（５：５）を用いて再結晶を行い、黄色固体３３．８ｇを得た（収率８２％）。【０１１６】
第２工程
Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノニトロベンゼンの合成
【化６３】
2012002501.tif 000066
３００ｍＬの四口フラスコに、４−アミル安息香酸を１８．３ｇ（９５．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１５０ｍＬ、及びジメチルホルムアミド２０ｍＬを加え、系内を冷却して０℃にし、塩化チオニルを１４．１ｇ（１１９ｍｍｏｌ）加え、室温に戻して２時間攪拌し、４−アミル安息香酸クロリド溶液を調製した。一方で５００ｍＬの四口フラスコに、３−tert−ブトキシカルボニルアミノ−４−アミノニトロベンゼンを２０．０ｇ（７９．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１００ｍＬ、及びピリジンを７．５ｇ（９５．０ｍｍｏｌ）加え、系内を冷却して０℃にし、先で調製した４−アミル安息香酸クロリド溶液をゆっくり滴下し、室温で攪拌した。反応終了後、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、酢酸エチルを加え、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液、水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をメタノールにて洗浄し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（２：８）を用いて再結晶を行い、黄色固体２４．７ｇを得た（収率７３％）。【０１１７】
第３工程
Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−ｔert−ブトキシカルボニルアミノ  アニリンの合成
【化６４】
2012002501.tif 000067
５００ｍＬの四口フラスコに、Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノニトロベンゼンを２０．０ｇ（４６．８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを２００ｍＬ、及び１０％パラジウムカーボンを２．０ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行い、アセトンにて再溶解し、活性炭を加え室温でしばらく攪拌した後、活性炭を濾過し、アセトンを留去し、真空乾燥することで、薄黄緑色のガラス状固体１７．７ｇを得た（収率９５％）。【０１１８】
第４工程
Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジニトロベンズアミドの合成
【化６５】
2012002501.tif 000068
３００ｍＬの四口フラスコに、Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノアニリンを１０．０ｇ（２５．２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１５０ｍＬ、ジメチルホルムアミドを２０ｍＬ、及びピリジンを２．４ｇ（３０．２ｍｍｏｌ）加えた。系内を冷却して０℃にし、３，５−ジニトロベンゾイルクロリドを５．８ｇ（２５．２ｍｍｏｌ）加えて、室温で攪拌した。反応終了後、ロータリーエバポレーターにて溶媒を除去し、酢酸エチルを加え、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液、水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をメタノールにて洗浄し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（３：７）を用いて再結晶を行い、薄黄色固体１１．８ｇを得た（収率７９％）。【０１１９】
第５工程
ＨＣ−０２の合成
【化６６】
2012002501.tif 000069
３００ｍＬの四口フラスコに、Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジニトロベンズアミドを１０．０ｇ（１６．９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１００ｍＬ、及び１０％パラジウムカーボンを１．０ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（３：７）を用いて再結晶を行い、さらにｎ−ヘキサンで分散洗浄することにより、白色の固体８．６ｇを得た（収率９６％）。目得られた固体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−０２であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ１０．０（ｓ，１Ｈ），９．７１（ｓ，１Ｈ），８．６２（ｓ，１Ｈ），８．０１（ｄ，１Ｈ），７．８９―７．８７（ｄ，２Ｈ），７．５４−７．５２（ｄｄ，１Ｈ），７．４２−７．４０（ｄ，１Ｈ），７．３７−７．３５（ｄ，２Ｈ），６．３０  （ｄ，２Ｈ），６．００−５．９０  （ｔ，１Ｈ），４．９６  （ｓ−ｂｒ，４Ｈ），２．６８−２．６４  （ｍ，２Ｈ），１．６４−１．５７（ｍ，２Ｈ），１．４５（ｓ，９Ｈ），１．３９−１．１７（ｍ，４Ｈ），０．８９−０．８５（ｔ，３Ｈ）【０１２０】
＜実施例３＞
Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ２，４−ジアミノベンズアミドの合成（ＨＣ−０３）
【化６７】
2012002501.tif 000070
【０１２１】
第１工程
Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ２，４−ジニトロベンズアミドの合成
【化６８】
2012002501.tif 000071
３００ｍＬの四口フラスコに、２，４−ジニトロ安息香酸を４．１０ｇ（１９．４ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン１５０ｍＬ、及びジメチルホルムアミド２０ｍＬを加え、系内を冷却して０℃にし、塩化オキサリル２．４６ｇ（１９．４ｍｍｏｌ）をゆっくり加え、室温に戻して２時間攪拌し、２，４−ジニトロ安息香酸クロリド溶液を調製した。一方で５００ｍＬの四口フラスコに、４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノアニリンを７．００ｇ（１７．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１００ｍＬ、及びピリジンを２．０９ｇ（２６．４ｍｍｏｌ）加え、系内を冷却して０℃にし、先で調製した２，４−ジニトロ安息香酸クロリド溶液をゆっくり滴下し、窒素雰囲気下４０℃にて攪拌した。反応終了後、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、酢酸エチルを加え、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液、水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をメタノールにて分散洗浄し、ジクロロエタンとｎ−ヘキサンの混合溶媒（２：８）を用いて再結晶を行い、薄黄色固体６．５６ｇを得た（収率６３％）。【０１２２】
第２工程
Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ２，４−ジアミノベンズアミドの合成
【化６９】
2012002501.tif 000072
３００ｍＬの四口フラスコに、Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ２，４−ジニトロベンズアミドを６．００ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１００ｍＬ、及び１０％パラジウムカーボンを０．６０ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をメタノールと２−プロパノールの混合溶媒で分散洗浄し、その後酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（２：８）を用いて再結晶を行い、薄黄色の固体４．８８ｇを得た（収率９０％）。目得られた個体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−０２であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ１０．４（ｓ，１Ｈ），９．５６（ｓ，１Ｈ），８．６３（ｓ，１Ｈ），８．０１（ｄ，１Ｈ），７．８９―７．８７（ｄ，２Ｈ），７．５４−７．５２（ｄｄ，１Ｈ），７．４２−７．４０（ｄ，１Ｈ），７．３７−７．３５（ｄ，１Ｈ），７．２８（ｄ，１）、６．７２  （ｄ，１Ｈ），６．７５（ｄ，１Ｈ），６．４０（ｓ−ｂｒ，２Ｈ），５．８４  （ｓ，１Ｈ），５．４４（ｓ−ｂｒ，２Ｈ），２．６８−２．６４（ｍ，２Ｈ），１．６４−１．５７（ｍ，２Ｈ），１．４５（ｓ，９Ｈ），１．３９−１．１７（ｍ，４Ｈ），０．８９−０．８５（ｔ，３Ｈ）【０１２３】
＜実施例４＞
Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルオキシ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジアミノベンズアミドの合成（ＨＣ−０４）の合成
【化７０】
2012002501.tif 000073
【０１２４】
第１工程
２−tert−ブトキシカルボニルアミノ−４−ニトロフェノールの合成
【化７１】
2012002501.tif 000074
３００ｍＬの四口フラスコに、２−アミノ−４−ニトロフェノールを１２．３ｇ（７９．８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを２５０ｍＬ、二炭酸ジ−tert−ブチルを１４．２ｇ（８７．９ｍｏｌ）、及び４−ジメチルアミノピリジンを２．００ｇ（７．９８ｍｏｌ）加えて、室温で攪拌した。反応終了後、酢酸エチルを加え、水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、薄黄色固体１５．０ｇを得た（収率７３％）。【０１２５】
第２工程
４−（４−アミルベンゾイルオキシ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノ  ニトロベンゼンの合成
【化７２】
2012002501.tif 000075
２００ｍＬの四口フラスコに、４−アミル安息香酸を６．４ｇ（３２．８ｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン６０ｍＬ加えて、系内を冷却して０℃にし、塩化チオニルを４．３ｇ（３５．３ｍｏｌ）加え、室温に戻して１時間攪拌し、４−アミル安息香酸クロリド溶液を調製した。一方で５００ｍＬ四口フラスコに、２−tert−ブトキシカルボニルアミノ−４−ニトロフェノールを６．３ｇ（２５．２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン６０ｍＬ、及びピリジンを４．０ｇ（５０．４ｍｍｏｌ）加え、系内を冷却して０℃にし、先ほど調製した４−アミル安息香酸クロリド溶液をゆっくり滴下し、室温で攪拌した。反応終了後、１０質量％炭酸カリウム水溶液を加えて、ｐＨを８〜９にした。酢酸エチルを加えて有機層を分離し、有機層を水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（７：３）を用いて再結晶を行い、黄色固体６．９ｇを得た（収率６４％）。【０１２６】
第３工程
４−（４−アミルベンゾイルオキシ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノ  アニリンの合成
【化７３】
2012002501.tif 000076
３００ｍＬの四口フラスコに、４−（４−アミルベンゾイルオキシ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノニトロベンゼン２を８．８ｇ（２０．５ｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１００ｍＬ、及び５％パラジウムカーボンを０．９ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（７：３）を用いて再結晶を行い、白色固体６．８ｇを得た（収率８４％）。【０１２７】
第４工程
Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルオキシ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジニトロベンズアミドの合成
【化７４】
2012002501.tif 000077
３００ｍＬの四口フラスコに、４−（４−アミルベンゾイルオキシ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノアニリンを６．８ｇ（１７．１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１００ｍＬ、及びピリジンを１．５ｇ（１８．８ｍｍｏｌ）加えた。系内を冷却して０℃にし、３，５−ジニトロベンゾイルクロリドを４．６ｇ（２０．０ｍｏｌ）加えて、室温で攪拌した。反応終了後、１０質量％炭酸カリウム水溶液を加えて、ｐＨを８〜９にした。酢酸エチルを加えて有機層を分離し、有機層を水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（３：７）を用いて再結晶を行い、薄黄色固体１１．０ｇ
を得た（収率９９％）。【０１２８】
第５工程
ＨＣ−０４の合成
【化７５】
2012002501.tif 000078
３００ｍＬの四口フラスコに、Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルオキシ）−３−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジニトロベンズアミドを１１．０ｇ（1８．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１００ｍＬ、及び５％パラジウムカーボンを１．０ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、灰色の固体９．７ｇを得た（収率９８％）。目得られた個体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−０４であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ９．９９  （ｓ，１Ｈ），８．８８  （ｓ，１Ｈ），７．９９−８．０１  （ｍ，３Ｈ），７．４８−７．５１  （ｄ，１Ｈ），７．３４−７．３８  （ｄ，２Ｈ），７．１０−７．１１  （ｄ，１Ｈ），６．２６  （ｓ，２Ｈ），５．９６  （ｓ，１Ｈ），４．９３  （ｓ−ｂｒ，４Ｈ），２．６３−２．６７  （ｔ，２Ｈ），１．５５−１．５９  （ｔ，２Ｈ），１．２２−１．３４  （ｍ，１３Ｈ），０．８１−０．８４  （ｔ，３Ｈ），【０１２９】
＜実施例５＞  ２−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジアミノベンゾエート（ＨＣ−０５）の合成
【化７６】
2012002501.tif 000079
【０１３０】
第１工程
６−tert−ブトキシカルボニルアミノ−ｍ−クレゾールの合成
【化７７】
2012002501.tif 000080
３００ｍＬの四口フラスコに、６−アミノ−ｍ−クレゾールを６．２ｇ（５０．３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１５０ｍＬ、及び二炭酸ジ−tert−ブチルを１４．２ｇ（５５．３ｍｍｏｌ）加えて、室温で攪拌した。反応終了後、酢酸エチルを加え、水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行い、白色固体１１．２ｇを得た（収率９９％）。【０１３１】
第２工程
３−メチル−６−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジニトロベンゾエート
【化７８】
2012002501.tif 000081
３００ｍＬの四口フラスコに、６−tert−ブトキシカルボニルアミノ−ｍ−クレゾールを１１．２ｇ（５０．２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを２００ｍＬ、及びピリジンを４．０ｇ（５０．２ｍｍｏｌ）加えた。系内を冷却して０℃にし、３，５−ジニトロベンゾイルクロリドを１１．５ｇ（５０．２ｍｍｏｌ）加えて、室温で攪拌した。反応終了後、反応溶液をメタノールと水の混合溶媒（９：１）に注ぎ、固体を析出させ、固体を濾過した。次いで、固体を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、黄色固体２０．２ｇを得た（収率９７％）。【０１３２】
第３工程
ＨＣ−０５の合成
【化７９】
2012002501.tif 000082
３００ｍＬの四口フラスコに、３−メチル−６−tert−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジニトロベンゾエートを１０．０ｇ（２４．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１００ｍＬ、及び５％パラジウム／カーボンを１．０ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、灰色の固体８．７ｇを得た（収率９９％）。目得られた個体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−０５であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ８．６３  （ｓ，１Ｈ），７．４３−７．４５  （ｄ，２Ｈ），６．９９−７．０２  （ｄ，１Ｈ），６．９３  （ｓ，１Ｈ），６．５７  （ｓ，２Ｈ），６．０８  （ｓ，１Ｈ），５．０４  （ｓ，４Ｈ），２．２７  （ｓ，１Ｈ），１．３７  （ｓ，９Ｈ）【０１３３】
＜実施例６＞
４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ  ３，５−ジアミノベンゾエート（ＨＣ−０６）の合成
【化８０】
2012002501.tif 000083
【０１３４】
第１工程
４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−ニトロフェノールの合成
【化８１】
2012002501.tif 000084
２００ｍＬの四口フラスコに、４−アミル安息香酸を１２．５ｇ（６４．９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１００ｍＬ、及びＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）２０ｍＬを加え、系内を冷却して０℃にし、塩化チオニルを７．８０ｇ（６５．５ｍｏｌ）加え、６０℃で２時間攪拌し、４−アミル安息香酸クロリド溶液を調製した。一方で３００ｍＬの四口フラスコに、４−アミノ−２−ニトロフェノールを１０．０ｇ（６４．９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１５０ｍＬ、及びピリジンを６．３ｇ（６４．９ｍｍｏｌ）加え、系内を冷却して０℃にし、先に調製した４−アミル安息香酸クロリド溶液をゆっくり加え、室温に戻し窒素雰囲気下で１日攪拌させた。反応終了後、エバポレーターで溶媒を留去し、酢酸エチルを加え、純水を５０ｍＬ加えて攪拌した後有機層を分離し、有機層を水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をカラムクロマトグラフィー法（酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（８：２）を用いて精製を行い、再び酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（２：８）で分散洗浄することにより、黄色の固体１５．６ｇを得た（収率７３％）。【０１３５】
第２工程
４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−アミノフェノールの合成
【化８２】
2012002501.tif 000085
２００ｍＬの四口フラスコに、４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−ニトロフェノールを１０．０ｇ（３０．５ｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１００ｍＬ、及び１０％パラジウムカーボンを１．０ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行い、アセトンにて再溶解させ、活性炭を加え攪拌した。その後、濾過により活性炭を取り除き、濾液からロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行うことで薄茶色アメ状固体８．４ｇを得た（収率９３％）。【０１３６】
第３工程
４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノフェノールの合成
【化８３】
2012002501.tif 000086
２００ｍＬの四口フラスコに、４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−アミノフェノールを  ６．０ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１００ｍＬ、二炭酸ジ−ｔｅｒｔ−ブチルを４．４ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）、及びピリジンを０．１６ｇ（２．０１ｍｍｏｌ）加えて、室温で攪拌した。反応終了後、ロータリーエバポレーターにより溶媒を留去し、酢酸エチルを加え、水、及び、飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（３：７）を用いて再結晶を行い、白色固体５．８ｇを得た（収率７２％）。【０１３７】
第４工程
４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノフェニル−３，５−ジニトロベンゾエートの合成
【化８４】
2012002501.tif 000087
２００ｍＬの四口フラスコに、４−アミルベンゾイルアミノ−２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノフェノールを５．００ｇ（１２．５ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを８０ｍＬ、及びピリジンを０．９９ｇ（１２．５ｍｍｏｌ）加えた。系内を冷却して０℃にし、３，５−ジニトロベンゾイルクロリドを２．９ｇ（１２．５ｍｍｏｌ）加えて、室温で攪拌した。反応終了後、酢酸エチルを加え、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液、水、及び、飽和食塩水で順次洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をメタノールと２−プロパノールの混合溶媒（３：７）にて分散洗浄し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（２：８）を用いて再結晶を行い、薄黄色固体５．０９ｇを得た（収率９０％）。【０１３８】
第５工程
ＨＣ−０６の合成
【化８５】
2012002501.tif 000088
１００ｍＬの四口フラスコに、４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ  ３，５−ジニトロベンゾエートを４．５２ｇ（７．５９ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサンを５０ｍＬ、及び１０％パラジウムカーボンを０．４５ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をジクロロエタンとｎ−ヘキサンの混合溶媒（５：５）を用いて再結晶を行い、薄灰色の固体３．６２ｇを得た（収率９０％）。得られた個体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−０７であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ９．８２  （ｓ，１Ｈ），８．７３  （ｓ，１Ｈ），７．９６−７．８５  （ｄｄ，３Ｈ），７．４０−７．４３  （ｄ，１Ｈ），７．３７−７．３５（ｄ，２Ｈ）、６．９９−７．０１  （ｄ，１Ｈ），６．５４  （ｓ，２Ｈ），６．１２  （ｓ，１Ｈ），４．９９  （ｓ−ｂｒ，４Ｈ），２．６８−２．６４  （ｍ，２Ｈ），１．６５−１．５６（ｍ，２Ｈ），１．４６（ｓ，９Ｈ），１．３７−１．１６（ｍ，４Ｈ），０．８８−０．８４（ｔ，３Ｈ）【０１３９】
＜実施例７＞
［４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニル］  ２−（２，４−ジアミノフェニル）アセトアミド（ＨＣ−０７）の合成
【化８６】
2012002501.tif 000089
【０１４０】
第１工程
［４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニル］  （２，４−ジニトロフェニル）アセトアミドの合成
【化８７】
2012002501.tif 000090
１００ｍＬの四口フラスコに、２，４−ジニトロフェニル酢酸を３．０ｇ（１２．３ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン５０ｍＬ、及びジメチルホルムアミド５ｍＬを加え、系内を冷却して０℃にし、塩化オキサリル１．６ｇ（１２．３ｍｍｏｌ）をゆっくり加え、室温に戻して２時間攪拌し、２，４−ジニトロフェニル酢酸クロリド溶液を調製した。一方で２００ｍＬの四口フラスコに、Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ  アニリンを４．５ｇ（１１．２ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン５０ｍＬ、及びピリジンを１．１ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）加え、系内を冷却して０℃にし、先で調製した２，４−ジニトロ安息香酸クロリド溶液をゆっくり滴下し、窒素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、酢酸エチルを加え、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液、水、及び飽和食塩水で順次洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をメタノールにて分散洗浄し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（２：８）を用いて再結晶を行い、薄黄色固体５．２ｇを得た（収率７７％）。【０１４１】
第２工程
ＨＣ−０７の合成
【化８８】
2012002501.tif 000091
１００ｍＬの四口フラスコに、Ｎ−［４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニル］  （２，４−ジニトロフェニル）アセトアミドを４．５ｇ（７．４３ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサンを５０ｍＬ、及び酸化白金を０．４５ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過により酸化白金を除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（５：５）を用いて再結晶を行い、薄茶色の固体３．６ｇを得た（収率８９％）。得られた個体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−０７であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ９．９８（ｓ，１Ｈ），９．６７（ｓ，１Ｈ），８．６８（ｓ，１Ｈ），８．００（ｄ，１Ｈ），７．８５―７．８３（ｄ，２Ｈ），７．５３−７．５０（ｍ，１Ｈ），７．３２−７．２８（ｍ，２Ｈ），７．２２（ｄ，２Ｈ），６．４３−６．４０  （ｄ，１Ｈ），６．００−５．９０  （ｄ，１Ｈ），４．９６  （ｓ−ｂｒ，２Ｈ），３．５２（ｓ−ｂｒ，２Ｈ），３．０８（ｓ，２Ｈ），２．６７−２．６５  （ｍ，２Ｈ），１．６２−１．５５（ｍ，２Ｈ），１．４６（ｓ，９Ｈ），１．３９−１．１７（ｍ，４Ｈ），０．８９−０．８５（ｔ，３Ｈ）【０１４２】
＜実施例８＞
（Ｚ）−３，５−ジニトロベンジル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブト−２−エノエート（ＨＣ−０８）の合成
【化８９】
2012002501.tif 000092
【０１４３】
第１工程
２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）アニリンの合成
【化９０】
2012002501.tif 000093
５００ｍＬの四口フラスコにＯ−フェニレンジアミン５０．０ｇ（４６２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン３００ｍＬ、及び二炭酸ジ−ｔｅｒｔ−ブチル１００．８ｇ（４６２ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で４時間還流させた。反応終了後、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、得られた個体をメタノールで分散洗浄し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（３：７）で再結晶し、薄茶色固体７７．０ｇ（収率８０％）を得た。【０１４４】
第２工程
２−ブテン二酸（２Ｚ）−，３，５−ジニトロベンジルエステルの合成
【化９１】
2012002501.tif 000094
５００ｍＬの四口フラスコに３，５−ジニトロベンジルアルコール２５．０ｇ（１２６ｍｍｏｌ）、クロロホルム３００ｍＬ、及びトリエチルアミン１９．１ｇ（１８９ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下にて系内を０℃に冷却し、無水マレイン酸１４．８ｇ（１５１ｍｍｏｌ）を加え２時間攪拌し、室温に戻し６時間反応させた。反応終了後、再び１０℃まで冷却し、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液を２００ｍＬ加え１時間攪拌した後、水層を分離し、水層をジクロロエタンにて洗浄し、再度１０℃に冷却し、１０質量％塩酸水溶液を加えてｐＨを４〜５とし、白色の固体を析出させた。得られた固体を酢酸エチルにて溶解し、抽出した後、酢酸エチル層を水、及び飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をエタノールにて分散洗浄し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（３：７）で再結晶させることにより、白色の固体３２．１ｇ（収率８６％）を得た。【０１４５】
第３工程
（Ｚ）−３，５−ジニトロベンジル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブト−２−エノエートの合成
【化９２】
2012002501.tif 000095
３００ｍＬの四口フラスコに、２−ブテン二酸（２Ｚ）−，３，５−ジニトロベンジルエステル１０．００ｇ（３３．７ｍｍｏｌ）を測り取り、ＴＨＦを２００ｍＬ、トリエチルアミンを１．７１ｇ（１６．９ｍｍｏｌ）、及び４−（４，６−ジメトキシー１，３，５−トリアジンー２−イル）４−メトキシモルホリウムクロリド  ｎ−水和物（ＤＭＴ−ＭＭ）を１３．９９ｇ（５０．６ｍｍｏｌ）加え、室温で３０分攪拌した後、２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）アニリン７．６７ｇ（３６．８ｍｍｏｌ）を少しづつ加え、窒素雰囲気下、室温で６時間反応させた。
反応終了後、反応溶液をロータリーエバポレーターにて濃縮し、酢酸エチルを２００ｍｌ加え、５０℃で１時間攪拌した後、不溶物を濾過し、水、飽和食塩水の順番に洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をメタノールにて再結晶して、薄黄色の固体１４．５９（収率８９％）を得た。【０１４６】
第４工程
ＨＣ−０８の合成
【化９３】
2012002501.tif 000096
３００ｍＬの四口フラスコに（Ｚ）−３，５−ジニトロベンジル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブト−２−エノエート１０．０ｇ（２０．６ｍｍｏｌ）、還元鉄１１．５ｇ（２００ｍｍｏｌ）、１０質量％塩化アンモニウム水溶液１０７ｇ（塩化アンモニウム２００ｍｍｏｌ）、及びトルエン１５０ｍＬを加え、メカニカルスターラーにて窒素雰囲気下、７０℃で１日攪拌しながら反応させた。反応終了後、酢酸エチルを加えた後、鉄を濾過し、濾液の有機層を水、飽和食塩水にて洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、有機層に活性炭を加え、しばらく攪拌した。その後、濾過により活性炭を除き、ロータリーエバポレーターにて溶媒を留去した。精製はカラムクロマトグラフィー（酢酸エチルとジクロロエタンの混合溶媒（３：７））にて行い、減圧下で乾燥し、薄黄色のガラス状固体８．０ｇ（収率９１％）を得た。
得られた個体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−０８であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．７８（ｓ−ｂｒ，１Ｈ），７．５６−７．５３（ｄ，１Ｈ），７．３８−７．３７（ｄｄ，１Ｈ），７．２０−７．１２（ｍ，２Ｈ），７．０４−６．９２（ｑ，２Ｈ），６．９３（ｓ−ｂｒ，１Ｈ），６．１０（ｄ，２Ｈ），５．９８−５．９７  （ｔ，１Ｈ），５．０１（ｓ，２Ｈ），３．６３（ｓ−ｂｒ，４Ｈ），１．５１（ｓ，９Ｈ）【０１４７】
＜実施例９＞
（Ｅ）−（２，４−ジアミノフェノキシ）エチル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブト−２−エノエート（ＨＣ−０９）及び
２−（２，４−ジアミノフェノキシ）エチル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブタノエート（ＨＣ−１０）の合成
【化９４】
2012002501.tif 000097
【化９５】
2012002501.tif 000098
【０１４８】
第１工程
２−（２，４−ジニトロフェノキシ）エタノールの合成
【化９６】
2012002501.tif 000099
３００ｍＬの四口フラスコに、トリエチルアミン１３．６ｇ（１３４ｍｍｏｌ）、エチレングリコール５０ｍＬ、及びテトラヒドロフラン１５０ｍＬを加え、窒素雰囲気下で１０℃に冷却し、さらに２，４−ジニトロフルオロベンゼン２５．０ｇ（１３４ｍｍｏｌ）を加え、６０℃に加熱し、１６時間反応させた。反応終了後、ロータリーエバポレーターにより溶媒を除去し、酢酸エチルを加え、水、飽和食塩水にて洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターにより溶媒留去を行った。メタノールと２−プロパノールの混合溶媒（３：７）にて再結晶を行い、ｎ−ヘキサンにて分散洗浄することにより、白色固体２６．０ｇ（収率８５％）を得た。【０１４９】
第２工程（１）
２−ブテン二酸（２Ｅ）−，２−（２，４−ジニトロフェノキシ）エタノールエステルの合成（無水マレイン酸から異性化反応を利用した方法）
【化９７】
2012002501.tif 000100
３００ｍＬの四口フラスコに２−（２，４−ジニトロフェノキシ）エタノール１０．０ｇ（４３．８ｍｍｏｌ）を測り取り、クロロホルム２００ｍＬ、及びトリエチルアミン４．４３ｇ（４３．８ｍｍｏｌ）を加え、氷浴中で無水マレイン酸を５．１５ｇ（５２．６ｍｍｏｌ）加え、ゆっくり室温に戻し、６時間攪拌した。反応終了後酢酸エチルを１００ｍＬ加え、１０質量％塩酸水溶液、水、及び飽和食塩水で順次洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を１，４−ジオキサン２００ｍＬに溶解させ、塩酸を１．００ｇ加え、１００℃にて２時間攪拌した。その後、ロータリーエバポレーターにて溶媒を留去し、酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒（７：３）にて再結晶を行い、白色の固体１２．８６ｇ（収率９０％）を得た。【０１５０】
第２工程（２）
２−ブテン二酸（２Ｅ）−，２−（２，４−ジニトロフェノキシ）エタノールエステルの合成
【化９８】
2012002501.tif 000101
３００ｍＬの四口フラスコにフマリルクロリド１０．０（６５．７ｍｍｏｌ）、及びクロロホルム１５０ｍＬを加え、窒素雰囲気下にて系内を０℃に冷却し、さらに２−（２，４−ジニトロフェノキシ）エタノール１０．０ｇ（４３．８ｍｍｏｌ）のジメチルアセトアミド溶液（ＤＭＡｃ５０ｍＬ）、及びトリエチルアミン４．４３ｇ（４３．８ｍｍｏｌ）のクロロホルム溶液をゆっくり加え２時間攪拌し、室温に戻し１日反応させた。反応終了後、水５０ｍＬを加え、再び１０℃まで冷却し、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液を１００ｍＬ加え１時間攪拌し、水層を分離し、水層を酢酸エチルにて洗浄した。その後、１０℃に冷却した後、１０質量％塩酸水溶液を加えてｐＨを４〜５とし、白色の固体を析出させた。得られた固体を酢酸エチルに溶解し、抽出した後、酢酸エチル層を水、及び飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣をエタノールにて分散洗浄し、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（２：８）で再結晶させることにより、白色の固体１２．１ｇ（収率８５％）を得た。【０１５１】
第３工程
（Ｅ）−（２，４−ジニトロフェノキシ）エチル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブト−２−エノエートの合成
【化９９】
2012002501.tif 000102
２００ｍＬの四口フラスコに２−ブテン二酸（２Ｅ）−，２−（２，４−ジニトロフェノキシ）エタノールエステル１０．０ｇ（３０．７ｍｍｏｌ）、クロロホルム１００ｍＬ、及びＤＭＦ３０ｍＬを加え、さらに窒素雰囲気下、０℃にて、ゆっくり塩化オキサリル４．３ｇ（３３．８ｍｍｏｌ）を加えた後、室温に戻し、２時間攪拌した。次いで、２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）アニリン９．６ｇ（４６．１ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応終了後、酢酸エチルを加えて有機層を分離し、有機層を水、１０質量％塩酸水溶液、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液、水、及び飽和食塩水の順番に洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（３：７）にて再結晶し、エタノールにて分散洗浄した後、薄黄色の固体１２．１ｇ（収率７６％）を得た。【０１５２】
第４工程
ＨＣ−０９の合成
【化１００】
2012002501.tif 000103
２００ｍＬの四口フラスコに（Ｅ）−（２，４−ジニトロフェノキシ）エチル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブト−２−エノエート５．０ｇ（９．６８ｍｍｏｌ）、還元鉄５．４ｇ（９６．８ｍｍｏｌ）、１０質量％塩化アンモニウム水溶液５１．８ｇ（塩化アンモニウム９６．８ｍｍｏｌ）、及びトルエン７０ｍＬを加え、メカニカルスターラーにて窒素雰囲気下、７０℃で１日攪拌しながら反応させた。反応終了後、酢酸エチルを加え、鉄を濾過し、濾液の有機層を水、及び飽和食塩水にて洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、有機層に活性炭を加え、しばらく攪拌した。その後、濾過により活性炭を除き、ロータリーエバポレーターにて溶媒を留去した。精製はカラムクロマトグラフィー（酢酸エチルとジクロロエタンの混合溶媒（５：５））にて行い、減圧下で乾燥し、薄黄色のガラス状固体３．５ｇ（収率８０％）を得た。
得られた個体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−０９であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．８０（ｓ−ｂｒ，１Ｈ），７．６１−７．５９（ｄ，１Ｈ），７．４０−７．３８（ｄ，１Ｈ），７．２１−７．１４（ｍ，２Ｈ），６．９９（ｓ−ｂｒ，１Ｈ），６．９４−６．８１（ｑ，２Ｈ），６．６９−６．６７（ｄ，１Ｈ），６．１５−６．１３（ｄ，１Ｈ）、６．０９−６．０７（ｄｄ，１Ｈ），４．５４−４．５２（ｔ，２Ｈ），４．２１−４．１９（ｔ，２Ｈ），３．６６（ｓ−ｂｒ，４Ｈ），１．５２（ｓ，９Ｈ）【０１５３】
第５工程
ＨＣ−１０の合成
【化１０１】
2012002501.tif 000104
３００ｍＬの四口フラスコに、（Ｅ）−（２，４−ジニトロフェノキシ）エチル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブト−２−エノエートを５．０ｇ（９．６８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを５０ｍＬ、及び１０％パラジウムカーボンを０．５０ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、次いで、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（２：８）を用いて再結晶を行い、白色の固体４．００ｇを得た（収率９０％）。
得られた個体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−０９であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．２１（ｓ−ｂｒ，１Ｈ），７．４３−７．４２（ｄ，１Ｈ），７．３７−７．３６（ｄ，１Ｈ），７．１６−７．０８（ｍ，３Ｈ），６．５７−６．５６（ｄ，１Ｈ），６．０５−６．０３（ｄ，１Ｈ）、５．９７−５．９６（ｄｄ，１Ｈ），４．３８−４．３５（ｔ，２Ｈ），４．１４−４．１１（ｔ，２Ｈ），３．２２（ｓ−ｂｒ，４Ｈ），２．７６−２．７４（ｔ，２Ｈ），２．５９−２．５６（ｔ，２Ｈ），１．４６（ｓ，９Ｈ）【０１５４】
＜液晶配向膜の特性評価＞
本明細書で使用した化合物の略号は、以下のとおりである。
＜テトラカルボン酸二無水物＞
ＣＢＤＡ：１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物
ＣＢＤＥ：１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸ジメチルエステル
【化１０２】
2012002501.tif 000105
【０１５５】
＜ジアミン＞
ｐ−ＰＤＡ：ｐ−フェニレンジアミン
３−ＡＢＡ：３−アミノベンジルアミン
２，４−ＤＡＡ：Ｎ，Ｎ−ジアリルアミノ  ２，４−ジアミノベンゼン
Ｃ１４ＤＡＢ：４−テトラデシルオキシ−１，３−ジアミノベンゼン
Ｃ１６ＤＡＢ：４−ヘキサデシルオキシ−１，３−ジアミノベンゼン
ＣＡＢ−２：Ｎ−（４−（トランス−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾイル）アミノ  ２，４−ジアミノベンゼン
ＰＣＨ−７ＡＢ：Ｎ−（４−（トランス−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル）フェノキシ）２，４−ジアミノベンゼン
ｍ−ＴＤＡ：ｍ−トリル  ３，５−ジアミノベンゾエート
ＨＣ−０１：２−（Ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）−４−オクタナミドフェニル  ３，５−ジアミノベンゾエート
ＨＣ−０２：Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジアミノベンズアミド
ＨＣ−０３：Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ２，４−ジアミノベンズアミド
ＨＣ−０４：Ｎ−４−（４−アミルベンゾイルオキシ）−３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジアミノベンズアミド
ＨＣ−０５：２−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノフェニル  ３，５−ジアミノベンゾエート【０１５６】
ＨＣ−０６：４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ  ３，５−ジアミノベンゾエート
ＨＣ−０７：［４−（４−アミルベンゾイルアミノ）−２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニル］  ２−（２，４−ジアミノフェニル）アセトアミド
ＨＣ−０８：（Ｚ）−３，５−ジニトロベンジル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブト−２−エノエート
ＨＣ−０９：（Ｅ）−（２，４−ジアミノフェノキシ）エチル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブト−２−エノエート
ＨＣ−１０：２−（２，４−ジアミノフェノキシ）エチル  ４−（２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニルアミノ）−４−オクソブタノエート
ＨＣ−１１：４−（トランス−４−アミルシクロヘキサンカルボキシアミノ）−３−(ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ)フェニル  ３，５−ジアミノベンズアミド
ＨＣ−１２：４−[４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンズアミド]−３−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニル  ３，５−ジアミノベンズアミド【０１５７】
【化１０３】
2012002501.tif 000106
【０１５８】
【化１０４】
2012002501.tif 000107
【０１５９】
【化１０５】
2012002501.tif 000108
【０１６０】
＜縮合剤＞
ＤＭＴ−ＭＭ：４−（４，６−ジメトキシー１，３，５−トリアジンー２−イル）４−メトキシモルホリウムクロリド  ｎ−水和物
＜有機溶媒＞
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
γ−ＢＬ：γ−ブチロラクトン
ＢＣ：ブチルセロソルブ
ＤＰＭ：ジプロピレングリコールモノメチルエーテル【０１６１】
＜分子量の測定＞
重合反応により得られた重合体の分子量は、該ポリイミドをＧＰＣ（常温ゲル浸透クロマトグラフィー）装置によって測定し、ポリエチレングリコール、及びポリエチレンオキシドの換算値として、数平均分子量と重量平均分子量を算出した。
ＧＰＣ装置：Ｓｈｏｄｅｘ社製  （ＧＰＣ−１０１）
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ社製  （ＫＤ８０３、ＫＤ８０５の直列）
カラム温度：５０℃
溶離液：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（添加剤として、臭化リチウム−水和物（ＬｉＢｒ・Ｈ２Ｏ）が３０ｍｍｏｌ／Ｌ、リン酸・無水結晶（ｏ−リン酸）が３０ｍｍｏｌ／Ｌ、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）が１０ｍＬ／Ｌ）
流速：１．０ｍＬ／分
検量線作成用標準サンプル：東ソー社製  ＴＳＫ  標準ポリエチレンオキサイド（分子量  約９００，０００、１５０，０００、１００，０００、３０，０００）、及び、重合体ラボラトリー社製  ポリエチレングリコール（分子量  約１２，０００、４，０００、１，０００）。【０１６２】
＜イミド化率の測定＞
合成例におけるポリイミドのイミド化率は次のようにして測定した。ポリイミド粉末２０ｍｇをＮＭＲサンプル管（草野科学社製  ＮＭＲサンプリングチューブスタンダード）に入れ、重水素化ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６、０．０５質量％ＴＭＳ混合品）０．５３ｍＬを添加し、超音波をかけて完全に溶解させた。この溶液の５００ＭＨｚのプロトンＮＭＲを、日本電子データム社製のＮＭＲ測定器（ＪＮＷ−ＥＣＡ５００）にて測定した。イミド化率は、イミド化前後で変化しない構造に由来するプロトンを基準プロトンとして決め、このプロトンのピーク積算値と、９．５〜１０．０ｐｐｍ付近に現れるアミド酸のＮＨ基に由来するプロトンピーク積算値とを用い以下の式によって求めた。
イミド化率（％）＝（１−α・ｘ／ｙ）×１００
上記式において、ｘはアミド酸のＮＨ基由来のプロトンピーク積算値、ｙは基準プロトンのピーク積算値、αはポリアミド酸（イミド化率が０％）の場合におけるアミド酸のＮＨ基プロトン１個に対する基準プロトンの個数割合である。【０１６３】
＜液晶セルの作製＞
実施例及び比較例で調製した液晶配向処理剤について、以下のようにして液晶セルを作製した。
液晶配向処理剤を透明電極付きガラス基板にスピンコートし、８０℃のホットプレート上で７０秒間乾燥させた後、２１０℃のホットプレート上で１０分間焼成を行い、膜厚１００ｎｍの塗膜を形成させた。ラビングによる液晶配向処理について、この塗膜面をロール径１２０ｍｍのラビング装置でレーヨン布を用いて、ロール回転数１０００ｒｐｍ、ロール進行速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、押し込み量０．３ｍｍの条件でラビングし、液晶配向膜付き基板を得た。光による液晶配向処理については、この塗膜面に直線偏光ＵＶ光線（ＵＶ波長３１３ｎｍ、５００ｍＪ相当）を、プレートの法線に対して４０°傾け照射することにより行なった。【０１６４】
このように液晶配向処理を行なった液晶配向膜付き基板を２枚用意し、その１枚の液晶配向膜面上に６μｍのスペーサーを散布した後、その上からシール剤を印刷し、もう１枚の基板を液晶配向膜面が向き合い、ラビング方向が直行するようにして張り合わせる（ツイストネマティック液晶セル）、又はＵＶ照射したものに関しては、照射した偏光の方向が平行となるようにして張り合わせ（垂直配向モード）、シール剤を硬化させて空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、ツイストネマティックセルにおいては液晶ＭＬＣ−２００３（メルク社製）を注入し、垂直配向モードにおいては液晶ＭＬＣ−６６０８（メルク社製）を注入し、注入口を封止して、ツイストネマティック液晶セルを得た。
作製した各液晶セルの物性の測定、及び特性の評価の方法を以下に記述した。
なお、実施例１〜９、及び比較例１〜３における各液晶配向処理剤の組成、各液晶配向膜についての物性の測定、及び特性の評価等の結果は、表２〜表４に示した。【０１６５】
＜ラビング耐性評価＞
上記の＜液晶セルの作製＞に記載の方法で液晶配向膜付き基板を作製する際、ラビング条件の押し込み量を０．５ｍｍに変更して行い、ラビング耐性評価用の液晶配向膜を作製し、表面を共焦点レーザー顕微鏡にて観察し、下記の評価を行った。
○：削れカスやラビング傷が観察されない。
△：削れカスやラビング傷が観察される。
×：膜が剥離する又は目視でラビング傷が観察される。【０１６６】
＜プレチルト角の測定＞
上記の＜液晶セルの作製＞に記載の方法で作製したツイストネマティック液晶セル、又はアンチパラレルセルを１０５℃で５分間加熱した後、プレチルト角の測定を行った。プレチルト角はＡｘｏ  Ｍｅｔｒｉｘ社製の「Ａｘｏ  Ｓｃａｎ」にて、ミュラーマトリクス法を用いて測定した。【０１６７】
＜電圧保持率（ＶＨＲ）及びバックライトエージング耐性の測定＞
上記の＜液晶セルの作製＞に記載の方法で作製した液晶セルの初期状態の電圧保持率、及びバックライトエージング（ＬＣＤパネル用バックライトに液晶セルを乗せ、２週間ＡＣ１０Ｖにて駆動させた）後の電圧保持率の測定を行なった。電圧保持率の測定は、９０℃の温度下で４Ｖの電圧を６０μｓ間印加し、１６．６７ｍｓ後の電圧を測定し、電圧がどのくらい保持できているかを電圧保持率として計算した。なお、電圧保持率の測定には、東陽テクニカ社製の電圧保持率測定装置（ＶＨＲ−１）を使用した。【０１６８】
（実施例１０）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４６ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＨＣ−０１を０．７２ｇ（１．５０ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２８．２ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下、２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−１）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−１を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１４，３００、重量平均分子量は４１，２００であった。【０１６９】
（実施例１１）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４６ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＨＣ−０２を０．８０ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２８．６ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−２）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−２を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１２，３００、重量平均分子量は２６，７００であった。【０１７０】
（実施例１２）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４６ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＨＣ−０３を０．８０ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２８．６ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−３）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−３）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−３）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−３を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は９，８００、重量平均分子量は２６，９００であった。【０１７１】
（実施例１３）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４６ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＨＣ−０４を０．８０ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２８．６ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−４）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−４）溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−４）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−４を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１１，３００、重量平均分子量は２５，８００であった。【０１７２】
（実施例１４）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４６ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＨＣ−０５を０．５４ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２７．１ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−５）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−５）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−５）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−５を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１２，６００、重量平均分子量は３０，２００であった。【０１７３】
（実施例１５）
５０ｍＬ四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４６ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＨＣ−０６を０．８０ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２８．６ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−６）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−６）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−６）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−６を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１２，７００、重量平均分子量は２７，７００であった。【０１７４】
（実施例１６）
５０ｍＬ四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４６ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＨＣ−０７を０．８２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２８．７ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−７）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−７）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−７）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−７を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１０，２００、重量平均分子量は２６，５００であった。【０１７５】
（実施例１７）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４６ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＨＣ−１０を０．７１ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２８．１ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−８）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−８）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−８）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−８を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は９，９００、重量平均分子量は２３，５００であった。【０１７６】
（実施例１８）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ＨＣ−０５を２．００ｇ（５．６０ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを１７．４ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを１．０８ｇ（５．４９ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−９）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−９）の溶液１５ｇを５０ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを１５．０ｇ、ＢＣを７．５ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−９）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−９を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は２１，２００、重量平均分子量は５０，９００であった。【０１７７】
（実施例１９）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ＨＣ−０８を２．００ｇ（４．７０ｍｏｌ）、ＰＣＨ−７ＡＢを０．４５ｇ（１．１７ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２０．３ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを１．１３ｇ（５．８１ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１０）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−１０）の溶液２０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを２０．０ｇ、ＢＣを１０．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１０）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−１０を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１３，３００、重量平均分子量は４２８，００であった。【０１７８】
（実施例２０）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ＨＣ−０９を２．００ｇ（４．３８ｍｏｌ）、ＰＣＨ−７ＡＢを０．４５ｇ（１．１０ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを１９．７ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを１．０６ｇ（５．４３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１１）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−１１）の溶液２０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを２０．０ｇ、ＢＣを１０．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１１）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−１１を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１０，７００、重量平均分子量は３５，３００であった。【０１７９】
（実施例２１）
１００ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、３−ＡＢＡを０．３０７ｇ（２．５２ｍｍｏｌ）、２，４−ＤＡＡを０．３８４ｇ（１．８９ｍｍｏｌ）、ＨＣ−０２を１．００ｇ（１．８９ｍｏｌ）、及びＮＭＰを１２．３ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＰＭＤＡを０．４１２ｇ（１．８９ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下で１時間時間反応させた。さらに、ＣＢＤＡを０．９６４ｇ（４．９１ｍｍｏｌ）加え、室温で、窒素雰囲気下で１６時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１２）の濃度が２０質量％の溶液を得た。
ポリアミック酸（ＰＡＡ−１２）の溶液１５．０ｇに、ＮＭＰを２２．５ｇ加えて希釈し、さらに無水酢酸１．９６ｇとピリジン０．８４ｇを加え、５０℃で３時間反応させた。この反応溶液を室温程度まで冷却後、約１０℃に冷やしたメタノール１５０ｍＬ中に攪拌しながらゆっくり注ぎ、固体を析出させた。析出した固体を回収し、さらに、メタノール１００ｍＬで計２回分散洗浄し、１００℃で減圧乾燥して、ポリイミド（ＳＰＩ−１）の黄褐色粉末を得た。このポリイミドの数平均分子量は１１，２００、重量平均分子量は３０，８００であった。また、イミド化率は８９％であった。
ポリイミド（ＳＰＩ−１）２．００ｇに、γ−ＢＬ１８．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌した。攪拌終了時点でポリイミドは完全に溶解していた。さらに、この溶液にγ−ＢＬ８．０ｇ、ＢＣ６．０ｇ、及びＤＰＭ６．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌し、ポリイミド（ＳＰＩ−１）が５質量％、γ−ＢＬが６５質量％、ＢＣが１５質量％、ＤＰＭが１５質量％の液晶配向処理剤−１２を得た。【０１８０】
（実施例２２）
１００ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、３−ＡＢＡを０．３０７ｇ（２．５２ｍｍｏｌ）、２，４−ＤＡＡを０．３８４ｇ（１．８９ｍｍｏｌ）、ＨＣ−０３を１．００ｇ（１．８９ｍｏｌ）、及びＮＭＰを１２．３ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＰＭＤＡを０．４１２ｇ（１．８９ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下で１時間時間反応させた。さらに、ＣＢＤＡを０．９６４ｇ（４．９１ｍｍｏｌ）加え、室温で、窒素雰囲気下で１６時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１３）の濃度が２０質量％の溶液を得た。
ポリアミック酸（ＰＡＡ−１３）溶液１５．０ｇに、ＮＭＰを２２．５ｇ加えて希釈し、さらに無水酢酸１．９６ｇとピリジン０．８４ｇを加え、５０℃で３時間反応させた。この反応溶液を室温程度まで冷却後、約１０℃に冷やしたメタノール１５０ｍＬ中に攪拌しながらゆっくり注ぎ、固体を析出させた。析出した固体を回収し、さらに、メタノール１００ｍＬで計２回分散洗浄し、１００℃で減圧乾燥して、ポリイミド（ＳＰＩ−２）の橙色粉末を得た。このポリイミドの数平均分子量は９，８００、重量平均分子量は２３，５００であった。また、イミド化率は８９％であった。
ポリイミド（ＳＰＩ−２）２．００ｇに、γ−ＢＬ１８．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌した。攪拌終了時点でポリイミドは完全に溶解していた。さらに、この溶液にγ−ＢＬ８．０ｇ、ＢＣ６．０ｇ、及びＤＰＭ６．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌し、ポリイミド（ＳＰＩ−２）が５質量％、γ−ＢＬが６５質量％、ＢＣが１５質量％、ＤＰＭが１５質量％の液晶配向処理剤−１３を得た。【０１８１】
（実施例２３）
１００ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、３−ＡＢＡを０．３０８ｇ（２．５２ｍｍｏｌ）、２，４−ＤＡＡを０．３８４ｇ（１．８９ｍｍｏｌ）、ＨＣ−０４を１．００ｇ（０．８９ｍｏｌ）、及びＮＭＰを１２．３ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＰＭＤＡを０．４１２ｇ（１．８９ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下で１時間時間反応させた。さらに、ＣＢＤＡを０．９６４ｇ（４．９１ｍｍｏｌ）加え、室温で、窒素雰囲気下で１６時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１４）の濃度が２０質量％の溶液を得た。
ポリアミック酸（ＰＡＡ−１４）の溶液１５．０ｇに、ＮＭＰを２２．５ｇ加えて希釈し、さらに無水酢酸１．９６ｇとピリジン０．８４ｇを加え、５０℃で３時間反応させた。この反応溶液を室温程度まで冷却後、約１０℃に冷やしたメタノール１５０ｍＬ中に攪拌しながらゆっくり注ぎ、固体を析出させた。析出した固体を回収し、さらに、メタノール１００ｍＬで計２回分散洗浄し、１００℃で減圧乾燥して、ポリイミド（ＳＰＩ−３）の黄褐色粉末を得た。このポリイミドの数平均分子量は１１，８００、重量平均分子量は２５，１００であった。また、イミド化率は８８％であった。
ポリイミド（ＳＰＩ−３）２．００ｇに、γ−ＢＬ１８．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌した。攪拌終了時点でポリイミドは完全に溶解していた。さらに、この溶液にγ−ＢＬ８．０ｇ、ＢＣ６．０ｇ、及びＤＰＭ６．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌し、ポリイミド（ＳＰＩ−３）が５質量％、γ−ＢＬが６５質量％、ＢＣが１５質量％、ＤＰＭが１５質量％の液晶配向処理剤−１４を得た。【０１８２】
（実施例２４）
１００ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、３−ＡＢＡを０．３０８ｇ（２．５２ｍｍｏｌ）、２，４−ＤＡＡを０．３８４ｇ（１．８９ｍｍｏｌ）、ＨＣ−０６を１．００ｇ（０．８９ｍｏｌ）、及びＮＭＰを１２．３ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＰＭＤＡを０．４１２ｇ（１．８９ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下で１時間時間反応させた。さらに、ＣＢＤＡを０．９６４ｇ（４．９１ｍｍｏｌ）加え、室温で、窒素雰囲気下で１６時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１５）の濃度が２０質量％の溶液を得た。
ポリアミック酸（ＰＡＡ−１５）の溶液１５．０ｇに、ＮＭＰを２２．５ｇ加えて希釈し、さらに無水酢酸１．９６ｇとピリジン０．８４ｇを加え、５０℃で３時間反応させた。この反応溶液を室温程度まで冷却後、約１０℃に冷やしたメタノール１５０ｍＬ中に攪拌しながらゆっくり注ぎ、固体を析出させた。析出した固体を回収し、さらに、メタノール１００ｍＬで計２回分散洗浄し、１００℃で減圧乾燥して、ポリイミド（ＳＰＩ−４）の黄褐色粉末を得た。このポリイミドの数平均分子量は１３，２００、重量平均分子量は２９，４００であった。また、イミド化率は８５％であった。
ポリイミド（ＳＰＩ−４）２．００ｇに、γ−ＢＬ１８．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌した。攪拌終了時点でポリイミドは完全に溶解していた。さらに、この溶液にγ−ＢＬ８．０ｇ、ＢＣ６．０ｇ、及びＤＰＭ６．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌し、ポリイミド（ＳＰＩ−４）が５質量％、γ−ＢＬが６５質量％、ＢＣが１５質量％、ＤＰＭが１５質量％の液晶配向処理剤−１５を得た。【０１８３】
（実施例２５）
１００ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、３−ＡＢＡを０．２９８ｇ（２．４４ｍｍｏｌ）、２，４−ＤＡＡを０．３７２ｇ（１．８３ｍｍｏｌ）、ＨＣ−０４を１．００ｇ（０．８３ｍｏｌ）、及びＮＭＰを１２．０ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＰＭＤＡを０．３９９ｇ（１．８３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下で１時間時間反応させた。さらにＣＢＤＡを０．９３３ｇ（４．７６ｍｍｏｌ）加え、室温で、窒素雰囲気下で１６時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１６）の濃度が２０質量％の溶液を得た。
ポリアミック酸（ＰＡＡ−１６）の溶液１５．０ｇに、ＮＭＰを２２．５ｇ加えて希釈し、さらに無水酢酸１．９４ｇとピリジン０．８３ｇを加え、５０℃で３時間反応させた。この反応溶液を室温程度まで冷却後、約１０℃に冷やしたメタノール１５０ｍＬ中に攪拌しながらゆっくり注ぎ、固体を析出させた。析出した固体を回収し、さらに、メタノール１００ｍＬで計２回分散洗浄し、１００℃で減圧乾燥して、ポリイミド（ＳＰＩ−５）の黄褐色粉末を得た。このポリイミドの数平均分子量は１０，７００、重量平均分子量は２２，８００であった。また、イミド化率は８７％であった。
ポリイミド（ＳＰＩ−５）２．００ｇに、γ−ＢＬ１８．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌した。攪拌終了時点でポリイミドは完全に溶解していた。さらにこの溶液にγ−ＢＬ８．０ｇ、ＢＣ６．０ｇ、及びＤＰＭ６．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌し、ポリイミド（ＳＰＩ−５）が５質量％、γ−ＢＬが６５質量％、ＢＣが１５質量％、ＤＰＭが１５質量％の液晶配向処理剤−１６を得た。【０１８４】
（実施例２６）
１００ｍＬの四口フラスコにＣＢＤＥを２．３７ｇ（９．１２ｍｍｏｌ）、ジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを０．８１３ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）、ＨＣ−０２を１．００ｇ（１．８８ｍｍｏｌ）、ＮＭＰを３０．７ｇ、及びトリエチルアミンを０．４７５ｇ（４．７０ｍｍｏｌ）加え、約１０℃に冷却した。次いでＤＭＴ−ＭＭを７．８０ｇ（２８．２ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸エステル（ＰＡＥ−１）の濃度が１２質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＥ−１）の溶液にＮＭＰを３４．９ｇ加え、約１０℃に冷やしたメタノール５００ｍＬ中に攪拌しながらゆっくり注ぎ、固体を析出させた。析出した固体を回収し、さらに、メタノール３００ｍＬで計２回分散洗浄し、１００℃で減圧乾燥して、ポリアミック酸エステル（ＰＡＥ−１）の白色粉末を得た。このポリアミック酸エステルの数平均分子量は１５，３００、重量平均分子量は３８，８００であった。
ポリアミック酸エステル（ＰＡＥ−１）２．００ｇに、γ―ＢＬを１８．０ｇ加え、室温で２０時間攪拌した。攪拌終了時点でポリイミドは完全に溶解していた。さらに、この溶液にγ―ＢＬ８．０ｇ、ＢＣ６．０ｇ、及びＤＰＭ６．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌し、ポリイミド（ＰＡＥ−１）が５質量％、γ−ＢＬが６５質量％、ＢＣが１５質量％、ＤＰＭが１５質量％の液晶配向処理剤−１７を得た。【０１８５】
（比較例１）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４５ｇ（１３．５ｍｏｌ）、Ｃ１６ＤＡＢを０．５２ｇ（１．５０ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２８．２ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１７）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−１７）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１７）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−１８を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１８，３００、重量平均分子量は４３，２００であった。【０１８６】
（比較例２）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４５ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＣＡＢ−２を０．６４ｇ（１．５０ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２８．２ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１８）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−１８）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１８）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−１９を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は９７，００、重量平均分子量は１９，２００であった。【０１８７】
（比較例３）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｍＴＤＡを２．００ｇ（８．２６ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２０．３加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを１．５９ｇ（８．０９ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１９）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−１９）の溶液１５ｇを５０ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを１５．０ｇ、ＢＣを７．５ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−１９）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−２０を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は２２，０００、重量平均分子量は４９，６００であった。【０１８８】
（比較例４）
１００ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、３−ＡＢＡを０．５０８ｇ（４．１６ｍｍｏｌ）、２，４−ＤＡＡを０．６３４ｇ（３．１２ｍｍｏｌ）、Ｃ１４ＤＡＢを１．００ｇ（３．１２ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを１７．７ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＰＭＤＡを０．６８０ｇ（３．１２ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下で１時間時間反応させた。さらにＣＢＤＡを１．５９ｇ（８．１１ｍｍｏｌ）加え、室温で、窒素雰囲気下で１６時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２０）の濃度が２０質量％の溶液を得た。
ポリアミック酸（ＰＡＡ−２０）の溶液２０．０ｇに、ＮＭＰを３０．０ｇ加えて希釈し、さらに無水酢酸３．０１ｇとピリジン１．２９ｇを加え、５０℃で３時間反応させた。この反応溶液を室温程度まで冷却後、約１０℃に冷やしたメタノール２００ｍＬ中に攪拌しながらゆっくり注ぎ、固体を析出させた。析出した固体を回収し、さらに、メタノール１５０ｍＬで計２回分散洗浄し、１００℃で減圧乾燥して、ポリイミド（ＳＰＩ−６）の黄褐色粉末を得た。このポリイミドの数平均分子量は１０，７００、重量平均分子量は２２，８００であった。また、イミド化率は８８％であった。
ポリイミド（ＳＰＩ−６）２．００ｇに、γ−ＢＬ１８．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌した。攪拌終了時点でポリイミドは完全に溶解していた。さらに、この溶液にγ−ＢＬ８．０ｇ、ＢＣ６．０ｇ、及びＤＰＭ６．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌し、ポリイミド（ＳＰＩ−６）が５質量％、γ−ＢＬが６５質量％、ＢＣが１５質量％、ＤＰＭが１５質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−２１を得た。【０１８９】
（比較例５）
１００ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、３−ＡＢＡを０．３８６ｇ（３．１６ｍｍｏｌ）、２，４−ＤＡＡを０．４８２ｇ（２．３７ｍｍｏｌ）、ＣＡＢ−２を１．００ｇ（２．３７ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを１４．４ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＰＭＤＡを０．５１７ｇ（２．３７ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下で１時間時間反応させた。さらにＣＢＤＡを１．２１ｇ（６．１６ｍｍｏｌ）加え、室温で、窒素雰囲気下で１６時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２１）の濃度が２０質量％の溶液を得た。
ポリアミック酸（ＰＡＡ−２１）の溶液１５．０ｇに、ＮＭＰを２２．５ｇ加えて希釈し、さらに無水酢酸２．１０ｇとピリジン０．９０ｇを加え、５０℃で３時間反応させた。この反応溶液を室温程度まで冷却後、約１０℃に冷やしたメタノール１５０ｍＬ中に攪拌しながらゆっくり注ぎ、固体を析出させた。析出した固体を回収し、さらに、メタノール１００ｍＬで計２回分散洗浄し、１００℃で減圧乾燥して、ポリイミド（ＳＰＩ−７）の黄橙色粉末を得た。このポリイミドの数平均分子量は９，９００、重量平均分子量は２８，８００であった。また、イミド化率は９１％であった。
ポリイミド（ＳＰＩ−７）２．００ｇに、γ−ＢＬ１８．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌した。攪拌終了時点でポリイミドは完全に溶解していた。さらに、この溶液にγ−ＢＬ８．０ｇ、ＢＣ６．０ｇ、及びＤＰＭ６．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌し、ポリイミド（ＳＰＩ−７）が５質量％、γ−ＢＬが６５質量％、ＢＣが１５質量％、ＤＰＭが１５質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−２２を得た。【０１９０】
（比較例６）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｍ−ＰＤＡを１．００ｇ（９．２８ｍｏｌ）、ＰＣＨ−７ＡＢを０．８８３ｇ（２．３２ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２３．３ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．２３ｇ（１１．４ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２２）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−２２）の溶液２０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを２０．０ｇ、ＢＣを１０．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２２）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−２３を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１６，３００、重量平均分子量は４０，２００であった。【０１９１】
（比較例７）
１００ｍＬの四口フラスコにＣＢＤＥを２．９８ｇ（１１．４ｍｍｏｌ）、ジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．０２ｇ（９．４４ｍｍｏｌ）、ＣＡＢ−２を１．００ｇ（２．３６ｍｍｏｌ）、ＮＭＰを３６．６ｇ、及びトリエチルアミンを０．６０ｇ（５．９０ｍｍｏｌ）加え、約１０℃に冷却した。次いでＤＭＴ−ＭＭを９．８０ｇ（３５．４ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸エステル（ＰＡＥ−２）の濃度が１２質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＥ−２）の溶液にＮＭＰを４１．７ｇ加え、約１０℃に冷やしたメタノール５００ｍＬ中に攪拌しながらゆっくり注ぎ、固体を析出させた。析出した固体を回収し、さらに、メタノール３００ｍＬで計２回分散洗浄し、１００℃で減圧乾燥して、ポリアミック酸エステル（ＰＡＥ−２）の薄桃色粉末を得た。このポリアミック酸エステルの数平均分子量は１３，２００、重量平均分子量は３５，７００であった。
ポリアミック酸エステル（ＰＡＥ−２）２．００ｇに、γ―ＢＬを１８．０ｇ加え、室温で２０時間攪拌した。攪拌終了時点でポリイミドは完全に溶解していた。さらに、この溶液にγ―ＢＬ８．０ｇ、ＢＣ６．０ｇ、及びＤＰＭ６．０ｇを加え、５０℃で２０時間攪拌し、ポリイミド（ＰＡＥ−２）が５質量％、γ−ＢＬが６５質量％、ＢＣが１５質量％、ＤＰＭが１５質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−２４を得た。【０１９２】
【表２】
2012002501.tif 000109
【０１９３】
【表３】
2012002501.tif 000110
【０１９４】
【表４】
2012002501.tif 000111
【０１９５】
実施例１０〜１８と比較例１、２とを対比した場合、実施例１０〜１８ては、ラビング耐性が向上し、ＶＨＲが高く、バックライトエージング耐性に優れることがわかる。
実施例１７と比較例３とを対比した場合、比較例３（環化反応の起こらない構造）では、実施例１７に比べて、プレチルト角は小さいく、ラビング耐性、及びＶＨＲのエージング耐性の向上においても優れていることがわかる。
実施例１９、２０及び比較例６を対比した場合、。実施例１９、２０では、プレチルト発現が確認され、液晶配向処理剤が光配向法で有用であることがわかる。
実施例２１〜２５、及び比較例４、５とを対比した場合、比較例４、５では、液晶配向処理剤を基板上に印刷した際、ピンホールや斜方ムラなどが確認されたが、実施例２１〜２５では、印刷性に優れそのような欠陥は確認されず、また、プレチルト発現も確認され、ＶＨＲのバックライトエージング耐性の向上の効果も確認できた。。
実施例２６と比較例７とを対比した場合、実施例２６では、印刷性が良好であり、ラビング耐性、及びＶＨＲのバックライトエージング耐性が向上する結果が得られた。【０１９６】
＜実施例２７＞
４−（トランス−４−アミルシクロヘキサンカルボキシアミノ）−３−(ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ)フェニル  ３，５−ジアミノベンズアミドの合成（ＨＣ−１１）の合成
【化１０６】
2012002501.tif 000112
【０１９７】
第１工程
４−（トランス−４−アミルシクロヘキサンカルボキシアミド）−３−(ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ)  ニトロベンゼンの合成
【化１０７】
2012002501.tif 000113
１００ｍＬの枝つきナスフラスコに、トランス−４−アミルシクロヘキサンカルボン酸５．１６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を測り取り、ＴＨＦ５０ｍＬを加えて溶解させ、氷浴中にて塩化チオニル３．３３ｇ（２８．０ｍｍｏｌ）の５０質量％ＴＨＦ溶液をゆっくり滴下した。その後、室温に戻して、２時間反応させ、４−アミルシクロヘキサンカルボン酸クロリドを生成させた。【０１９８】
一方で２００ｍＬの四口フラスコに３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ−４−アミノニトロベンゼンを５．０７ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）測り取り、ＴＨＦ５０．０ｍＬとトリエチルアミン４．０５ｇ（４０．０ｍｍｏｌ）を加え、氷浴にて１０℃以下にし、窒素雰囲気下にて、先に調製した４−アミルシクロヘキサンカルボン酸クロリドを滴下した。その後、室温に戻し、窒素雰囲気下で２４時間反応させた。
反応終了後、酢酸エチルを加え、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液、酢酸水、純水、及び飽和食塩水で順次洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（６：４）を用いて再結晶を行い、黄白色固体５．３１ｇを得た（収率６１％）。【０１９９】
第２工程
４−（トランス−４−アミルシクロヘキサンカルボキシアミド）−３−(ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ)  アニリンの合成
【化１０８】
2012002501.tif 000114
１００ｍＬの四口フラスコに、４−（トランス−４−アミルシクロヘキシルカルボキシルアミド）−３−(ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ)  ニトロベンゼンを４．２８ｇ（９．８８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを５０ｍＬ、純水を５０ｍＬ、及び塩化スズを９．４８ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）加え、窒素雰囲気下で２４時間還流させた。反応終了後、酢酸エチルを１００ｍＬ加え、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、析出物を濾過により除去した。その後、濾液の有機層を分離し、純水、飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥させた。無水硫酸ナトリウムを濾過により除去し、ロータリーエバポレーターにより溶媒を除去して、黄色の固体３．９５ｇを得た（収率９９％）。【０２００】
第３工程
４−（トランス−４−アミルシクロヘキサンカルボキシルアミド）−３−(ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ)フェニル  ３，５−ジニトロベンズアミドの合成
【化１０９】
2012002501.tif 000115
２００ｍＬの四口フラスコに、４−（トランス−４−アミルシクロヘキサンカルボキシルアミド）−３−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）アニリンを４．７９ｇ（１１．９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを８０ｍＬ、及びピリジンを１．１０ｇ（１３．９ｍｍｏｌ）加え、窒素雰囲気下、氷浴中１０℃以下で、さらに３，５−ジニトロ安息香酸クロリド３．２２ｇ（１４．０ｍｍｏｌ）の１０質量％ＴＨＦ溶液をゆっくり滴下し、室温に戻してから２４時間反応させた。系内を冷却して０℃にし、さらに３，５−ジニトロベンゾイルクロリドを５．８ｇ（１４．０ｍｍｏｌ）加えて、室温で攪拌した。反応終了後、ロータリーエバポレーターにて溶媒を除去し、酢酸エチルを加え、１０質量％炭酸ナトリウム水溶液、水、及び飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、薄黄色固体５．２６ｇを得た（収率７４％）。【０２０１】
第４工程
ＨＣ−１１の合成
【化１１０】
2012002501.tif 000116
３００ｍＬの四口フラスコに、４−（トランス−４−アミルシクロヘキサンカルボキシルアミド）−３−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニル  ３，５−ジニトロベンズアミドを５．００ｇ（８．３７ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを３０ｍＬ、エタノールを３０ｍＬ、及び５％パラジウムカーボンを０．５０ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、その後ｎ−ヘキサンで分散洗浄して、灰色の固体４．２０ｇを得た（収率９３％）。
得られた固体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−１０であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ９．９４（ｓ，１Ｈ），９．２２（ｓ，１Ｈ），８．３４（ｓ，１Ｈ），８．３４−７．９３（ｄ，１Ｈ），７．４８―７．７．４６（ｄｄ，１Ｈ），７．３２−７．３０（ｄ，１Ｈ），７．２８（ｄ，２Ｈ），５．９９−５．９７  （ｔ，１Ｈ），４．９３  （ｓ−ｂｒ，４Ｈ），２．２９  （ｍ，１Ｈ），１．８８−１．８１（ｍ，４Ｈ），１．４７（ｓ，９Ｈ）１．４７−１．４０（ｍ、２Ｈ），１．３１−１．１６（ｍ，９Ｈ），０．９４−０．９１（ｍ、２Ｈ）０．８９−０．８５（ｔ，３Ｈ）【０２０２】
＜実施例２８＞
４−[４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンズアミド]−３−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニル  ３，５−ジアミノベンズアミドの合成（ＨＣ−１２）の合成
【化１１１】
2012002501.tif 000117
【０２０３】
第１工程
４−[（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンズアミド]−３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ  ニトロベンゼンの合成
【化１１２】
2012002501.tif 000118
１００ｍＬの枝つきナスフラスコに、４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）安息香酸５．０７ｇ（２２．０ｍｍｏｌ）を測り取り、ＴＨＦ５０ｍＬ、及びＤＭＦを１ｍＬ加え、氷浴中にて塩化チオニル３．３３ｇ（２８．０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、室温に戻して、２時間反応させ、４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）安息香酸クロリドを生成させた。【０２０４】
一方で２００ｍＬの四口フラスコに３−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ−４−アミノニトロベンゼンを５．０７ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）測り取り、ＴＨＦ５０．０ｍＬとトリエチルアミン２．４３ｇ（２４．０ｍｍｏｌ）を加え、氷浴にて１０℃以下にし、窒素雰囲気下にて、先に調製した４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）安息香酸クロリドを滴下し、室温に戻し、窒素雰囲気下で２４時間反応させた。
反応終了後、酢酸エチルを加え、１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液、酢酸水、純水、及び飽和食塩水で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを除き、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（３：７）を用いて再結晶を行い、黄白色固体６．０３ｇを得た（収率６０％）。【０２０５】
第２工程
４−[（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンズアミド]−３−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）アニリンの合成
【化１１３】
2012002501.tif 000119
２００ｍＬの四口フラスコに、４−[（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンズアミド]−３−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）ニトロベンゼンを６．０３ｇ（１１．８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを５０ｍＬ、及び５％パラジウムカーボンを０．６０ｇ加え、水素雰囲気下で、室温で２４時間攪拌した。反応終了後、パラジウムカーボンを濾過にて除去し、ロータリーエバポレーターにより溶媒を除去し、白色の固体５．９４ｇを得た（収率９９％）。【０２０６】
第３工程
４−[（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンズアミド]−３−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニル  ３，５−ジニトロベンズアミドの合成
【化１１４】
2012002501.tif 000120
２００ｍＬの四口フラスコに、４−[（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾイルアミド]−３−(ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ) アニリンを５．９４ｇ（１２．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを８０ｍＬ、及びピリジンを１．１０ｇ（１３．９ｍｍｏｌ）加え、窒素雰囲気下、氷浴中１０℃以下で、３，５−ジニトロ安息香酸クロリド３．２２ｇ（１４．０ｍｍｏｌ）の１０質量％ＴＨＦ溶液をゆっくり滴下した。その後、室温に戻し、２４時間反応させた。反応終了後、ロータリーエバポレーターにて溶媒を除去し、メタノールで残渣を洗浄した後、酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、薄黄色固体７．８２ｇを得た（収率９４％）。【０２０７】
第４工程
ＨＣ−１１の合成
【化１１５】
2012002501.tif 000121
３００ｍＬの四口フラスコ中、４−[（トランス−４−アミルシクロヘキシル）ベンズアミド）−３−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ）フェニル  ３，５−ジニトロベンズアミド６．００ｇ（８．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン６０ｍＬに溶解させ、５％パラジウムカーボンを０．６０ｇ加え、水素雰囲気下、室温で攪拌した。反応終了後、濾過によりパラジウムカーボンを除去し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去を行った。残渣を酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒（１：９）を用いて再結晶を行い、次いでｎ−ヘキサンで分散洗浄して、灰色の固体５．４５ｇを得た（収率９９％）。
得られた固体の１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。この結果から、目的物のＨＣ−１０であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ１０．００（ｓ，１Ｈ），９．７１（ｓ，１Ｈ），８．５９（ｓ，１Ｈ），８．０２−８．０１（ｄ，１Ｈ），７．８９―７．８７（ｄ，２Ｈ），７．５４−７．５１（ｄｄ，１Ｈ），７．４１−７．３７（ｄｄ，３Ｈ），６．３１−６．３０  （ｄ，２Ｈ），６．００−５．９９（ｔ，１Ｈ）,  ４．９４  （ｓ−ｂｒ，４Ｈ），２．６０−２．５１（ｔ，１Ｈ），１．８５−１．８１（ｍ，４Ｈ），１．５１−１．４５（ｔ，２Ｈ）１．４５（ｓ、９Ｈ），１．３２−１．２（ｍ、１０Ｈ）１．１０−１．００（ｍ，２Ｈ）０．８９−０．８６（ｔ，３Ｈ）【０２０８】
（実施例２９）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４６ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＨＣ−１１を０．８１ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２８．６ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２３）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−２３）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２３）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−２５を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１０，１００、重量平均分子量は２２，５００であった。【０２０９】
（実施例３０）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．４６ｇ（１３．５ｍｏｌ）、ＨＣ−１２を０．９４ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを２９．４ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．７９ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２４）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−２４）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２４）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−２６を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１３，７００、重量平均分子量は２８，２００であった。【０２１０】
（実施例３１）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．０６ｇ（１０．５ｍｏｌ）、ＨＣ−１１を２．４８ｇ（４．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを３６．４ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．８８ｇ（１４．７ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２５）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−２５）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２５）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−２７を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１７，２００、重量平均分子量は３８，９００であった。【０２１１】
（実施例３２）
５０ｍＬの四口フラスコにジアミン成分として、ｐ−ＰＤＡを１．０６ｇ（１０．５ｍｏｌ）、ＨＣ−１２を２．８２ｇ（４．５ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰを３８．３ｇ加え、約１０℃に冷却した。次いでＣＢＤＡを２．８８ｇ（１４．７ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し、窒素雰囲気下２４時間反応させ、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２６）の濃度が１５質量％の溶液を得た。
このポリアミック酸（ＰＡＡ−２６）の溶液３０ｇを１００ｍＬの三角フラスコに移し、ＮＭＰを３０．０ｇ、ＢＣを１５．０ｇ加えて希釈し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−２６）が６質量％、ＮＭＰが７４質量％、ＢＣが２０質量％の溶液とし、液晶配向処理剤−２８を得た。このポリアミック酸の数平均分子量は１９，６００、重量平均分子量は４２，２００であった。【０２１２】
実施例２９〜３２の液晶配向処理剤について上記と同様にして評価を行った。その結果を表５〜表８に示す。
【表５】
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【０２１３】
【表６】
2012002501.tif 000123
【０２１４】
＜側鎖ジアミン溶解性試験＞
モノマーの溶解性を比較する試験として、側鎖ジアミン０．５ｇに対しＮＭＰを２．０ｇ加え、２０℃で１時間攪拌し、２０ｗｔ％の溶液を調製し、溶解可否を調べた。試験の評価基準は以下の通りである
すべて溶解：○
溶け残りがある：×【０２１５】
【表７】
2012002501.tif 000124
【０２１６】
【表８】
2012002501.tif 000125
【産業上の利用可能性】
【０２１７】
本発明の液晶配向処理剤を用いて作製した液晶表示素子は、信頼性が高く、大画面で高精細の液晶テレビを含めて、ＴＮ液晶表示素子、ＳＴＮ液晶表示素子、ＴＦＴ液晶表示素子、ＶＡ液晶表示素子、ＩＰＳ液晶表示素子、ＯＣＢ液晶表示素子などとして有用である。
なお、２０１０年６月３０日に出願された日本特許出願２０１０−１５００５４号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【国際調査報告】
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