(57)【要約】  本発明によれば、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）式（１）および式（２）の構造を有する炭化水素化合物、および（Ｅ）エステル基を有する炭化水素化合物を含む、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および該半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体素子を含む半導体装置が提供される。2011118157.tif 0000242011118157.tif 000025
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機充填材、
（Ｄ）式（１）および式（２）の構造を有する炭化水素化合物、および
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（Ｅ）エステル基を有する炭化水素化合物を含む、半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
前記（Ｄ）成分がアルケンである、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
前記（Ｄ）成分が炭素数１０以上のアルケンである、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｄ）成分が炭素数１０以上の１−アルケンである、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ｄ）成分が炭素数２８以上の１−アルケンである、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
前記（Ｅ）成分が、１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を脂肪族アルコールで半エステル化した化合物およびモンタン酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも１つの炭化水素化合物である、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
前記（Ｅ）成分が、炭素数５〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を、炭素数１０〜２５の長鎖脂肪族アルコールで半エステル化した化合物である、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
前記（Ｅ）成分が、炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を、炭素数１５〜２０の長鎖脂肪族アルコールで半エステル化した化合物である、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
前記（Ｄ）成分と前記（Ｅ）成分の配合比率が、質量比で１：４〜１：２０である、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１０】
前記（Ａ）成分が、式（３）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、式（４）で示されるフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、および式（５）で示されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１つのエポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
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（式（３）において、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、あるいは炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基であり、全てが同一でも異なっていてもよく、ｎは０〜３の整数である。）
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（式（４）において、Ｒは、水素原子、あるいは炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基であり、全てが同一でも異なっていてもよく、ｎは０〜２０の整数である。）
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（式（５）において、Ｒ５〜Ｒ１３は、水素原子、あるいは炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基であり、全てが同一でも異なっていてもよく、ｎは０〜３の整数である。）
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体素子を含む、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、およびこれを用いた半導体装置に関する。より具体的には、銅製リードフレームを使用する場合において、酸化が進行した銅に対する接着性および成形金型との離型性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、およびその半導体封止用エポキシ樹脂組成物を使用した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（以下、「半導体パッケージ」、「パッケージ」とも称す）の組立工程において、半導体素子（以下、「半導体チップ」、「チップ」とも称す）のアルミニウム電極とリードフレームのインナーリードとの間の接続は、現在、金線を熱圧着することによる電気的接続が主流である。また近年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向に伴い、電子部品の高集積化、多ピン化が進んできている。そのため、以前より複雑なワイヤーボンディング工程が要求されようになっており、銅製リードフレームを使用する場合、２００〜２５０℃の高温状態に長時間曝されることで、銅表面の酸化がより進行するようになってきている。【０００３】
このような状況下、従来の未酸化の銅表面に対する接着性が優れている半導体封止材であっても、表面状態の異なる酸化が進行した銅に対しては接着性が劣る場合が多く、樹脂封止成形後の型抜き時や半田リフロー時に、封止樹脂硬化物とリードフレームとの界面で剥離が起きる場合がある。【０００４】
剥離を抑制するためにリードフレーム等のインサート品と封止樹脂硬化物との接着性を向上させることは、封止樹脂硬化物の成形金型に対する離型性を向上させることと相反するものであるため、リードフレーム等のインサート品との接着性を向上させると成形金型からの離型性が劣ることとなり、成形性が低下する場合があった。【０００５】
電子部品の高集積化による、銅製リードフレームの酸化が問題になる以前は、接着性と離型性を両立するために、酸化ポリエチレンワックスと、１−アルケンとマレイン酸の共重合体の半エステル化物と、を離型剤として併用添加する手法が提案されている。（例えば、特許文献１、２参照。）この手法によれば、未酸化の銅に対する接着性と離型性には優れるものの、酸化ポリエチレンワックスを併用しているため、酸化された銅フレームに対する封止樹脂の接着力が低下する問題点があった。さらに、１−アルケンとマレイン酸の共重合体の半エステル化物と非酸化のポリエチレンワックス併用した場合、接着力は良好であるが、連続成形中にカル張り付きなどのトラブルが起きる等、離型性に問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３９７５３８６号公報
【特許文献２】特許第４０１０１７６号公報
【発明の概要】
【０００７】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に、特定の添加剤を使用することにより、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性が良好で、かつ離型性、連続成形性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、およびこれにより封止した素子を備えた半導体装置を提供するものである。
【０００８】
本発明によると、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）式（１）および式（２）の構造を有する炭化水素化合物、および
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（Ｅ）エステル基を有する炭化水素化合物を含む、半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。
【０００９】
本発明の一実施形態によると、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記（Ｄ）成分はアルケンである。
【００１０】
本発明の一実施形態によると、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記（Ｄ）成分は炭素数１０以上のアルケンである。
【００１１】
本発明の一実施形態によると、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記（Ｄ）成分が炭素数１０以上の１−アルケンである。
【００１２】
本発明の一実施形態によると、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記（Ｄ）成分は炭素数２８以上の１−アルケンである。
【００１３】
本発明の一実施形態によると、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記（Ｅ）成分は、１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を脂肪族アルコールで半エステル化した化合物およびモンタン酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも１つの炭化水素化合物である。
【００１４】
本発明の一実施形態によると、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記（Ｅ）成分は、炭素数５〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を、炭素数１０〜２５の長鎖脂肪族アルコールで半エステル化した化合物である。
【００１５】
本発明の一実施形態によると、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記（Ｅ）成分は、炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を、炭素数１５〜２０の長鎖脂肪族アルコールで半エステル化した化合物である。
【００１６】
本発明の一実施形態によると、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記（Ｄ）成分と上記（Ｅ）成分の配合比率は、質量比で１：４〜１：２０である。
【００１７】
本発明の一実施形態によると、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記（Ａ）成分は、式（３）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、式（４）で示されるフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、および式（５）で示されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１つのエポキシ樹脂を含む。
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（式（３）において、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、あるいは炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基であり、全てが同一でも異なっていてもよく、ｎは０〜３の整数である。）
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（式（４）において、Ｒは、水素原子、あるいは炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基であり、全てが同一でも異なっていてもよく、ｎは０〜２０の整数である。）
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（式（５）において、Ｒ５〜Ｒ１３は、水素原子、あるいは炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基であり、全てが同一でも異なっていてもよく、ｎは０〜３の整数である。）
【００１８】
また、本発明によれば、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体素子を含む半導体装置が提供される。
【００１９】
本発明によれば、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性、および成形時の離型性、連続成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。また、この半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いてＩＣ、ＬＳＩ等の電子部品を封止すれば信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。
【図２】本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物の離型時荷重を評価するための評価用金型で成形後の中型の状態を示す平面概略図である。
【図３】図２の中型の成形品付近のＡ部の断面構造を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）式（１）および式（２）の構造を有する炭化水素化合物、（Ｅ）エステル基を有する炭化水素化合物を含む。これにより、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性、および成形時の離型性、連続成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。本発明の半導体装置は、上述の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されていることを特徴とする。これにより、信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。以下、本発明について詳細に説明する。
【００２２】
先ず、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物について説明する。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において用いられるエポキシ樹脂（Ａ）は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているものを使用できる。これらの例としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類および／またはα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合または共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＡ／Ｄ等のジグリシジルエーテル、アルキル置換または非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂、フェノール類および／またはナフトール類とジメトキシパラキシレンまたはビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化物、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノ−ル類の共縮合樹脂のエポキシ化物であるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、およびこれらのエポキシ樹脂をシリコーン、アクリロニトリル、ブタジエン、イソプレン系ゴム、ポリアミド系樹脂等により変性したエポキシ樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】
中でも、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性の観点から、式（３）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、式（４）で示されるフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、および式（５）で示されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。
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（式（３）において、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、あるいは炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基であり、全てが同一でも異なっていてもよく、ｎは０〜３の整数である。）
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（式（４）において、Ｒは、水素原子、あるいは炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基であり、全てが同一でも異なっていてもよく、ｎは０〜２０の整数である。）
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（式（５）において、Ｒ５〜Ｒ１３は、水素原子、あるいは炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基であり、全てが同一でも異なっていてもよく、ｎは０〜３の整数である。）
【００２４】
式（３）中のＲ1〜Ｒ4は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１０のアリール基、および、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数６〜１０のアラルキル基からなる群から選ばれるが、中でも水素原子またはメチル基が好ましい。式（３）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂としては、４，４'−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニルまたは４，４'−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３'，５，５'−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピクロルヒドリンと４，４'−ビフェノールまたは４，４'−（３，３'，５，５'−テトラメチル）ビフェノールとを反応させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられ、中でも、４，４'−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３'，５，５'−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂がより好ましく、例えば、ＹＸ−４０００Ｋ、ＹＸ−４０００Ｈ（ジャパンエポキシレジン株式会社製商品名）等が市販品として入手可能である。このビフェニル型エポキシ樹脂を使用する場合、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性が向上する。その配合量は、その性能を発揮するために、用いられるエポキシ樹脂全量に対して２０質量％以上とすることが好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましい。
【００２５】
式（４）中のＲは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１０のアリール基、および、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数６〜１０のアラルキル基からなる群から選ばれ、中でも水素原子またはメチル基が好ましい。式（４）で示されるフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂としては、ｎ＝０成分を主成分とするエポキシ樹脂がより好ましく、例えば、ＮＣ２０００（日本化薬株式会社製商品名）等が市販品として入手可能である。このフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂を使用する場合、架橋点間距離が広がるため、硬化物の弾性率を低減できる。その配合量は、その性能を発揮するために、用いられるエポキシ樹脂全量に対して１０質量％以上とすることが好ましく、２０質量％以上がより好ましい。
【００２６】
式（５）中のＲ５〜Ｒ１３は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１０のアリール基、および、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数６〜１０のアラルキル基からなる群から選ばれ、中でも水素原子またはメチル基が好ましい。式（５）で示されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂としては、ｎ＝０成分を主成分とするエポキシ樹脂がより好ましく、例えば、ＮＣ‐３０００Ｌ（日本化薬株式会社製商品名）等が市販品として入手可能である。このビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂を使用する場合、架橋点間距離が広がるため、硬化物の弾性率を低減できる。その配合量は、その性能を発揮するために、用いられるエポキシ樹脂全量に対して１０質量％以上とすることが好ましく、２０質量％以上がより好ましい。
【００２７】
式（３）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、式（４）で示されるフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、および式（５）で示されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いても２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合には、それらの配合量は、用いられるエポキシ樹脂全量に対して合計で５０質量％以上とすることが好ましく、７０質量％以上とすることがより好ましい。
【００２８】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いられる（Ａ）成分のエポキシ樹脂全体の配合割合としては、特に限定されないが、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に、１質量％以上、１５質量％以下であることが好ましく、２質量％以上、１０質量％以下であることがより好ましい。（Ａ）成分のエポキシ樹脂全体の配合割合が上記下限値以上であると、流動性の低下等を引き起こすおそれが少ない。（Ａ）成分のエポキシ樹脂全体の配合割合が上記上限値以下であると、耐半田性の低下等を引き起こすおそれが少ない。
【００２９】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において用いられる硬化剤（Ｂ）は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているものを使用できる。その例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類および／またはα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合または共縮合させて得られる樹脂、フェノール類および／またはナフトール類とジメトキシパラキシレンまたはビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３０】
中でも、流動性、低吸湿性の観点から、式（６）で示されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂が好ましい。
2011118157.tif 000011
（ここで、Ｒ１４〜Ｒ２２は水素原子、あるいは炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基であり、全てが同一でも異なっていてもよく、ｎは０〜１０の整数である。）
【００３１】
式（６）中のＲ１４〜Ｒ２２は全てが同一でも異なっていてもよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１０のアリール基、および、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数６〜１０のアラルキル基などの炭素数１〜１０の置換または非置換の炭化水素基からなる群から選ばれるが、中でも水素原子およびメチル基が好ましい。式（６）で示されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂としては、例えば、Ｒ１４〜Ｒ２２が全て水素原子である化合物等が挙げられ、中でも溶融粘度の観点から、ｎ＝０成分を５０質量％以上含む縮合体の混合物が好ましい。このような化合物としては、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ（明和化成株式会社製商品名）が市販品として入手可能である。このビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂を使用する場合、その配合量は、その性能を発揮するために、用いられる硬化剤全量に対して５０質量％以上とすることが好ましく、７０質量％以上がより好ましい。
【００３２】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いられる硬化剤（Ｂ）の配合割合は、特に限定されないが、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に、０．５質量％以上、１２質量％以下であることが好ましく、１質量％以上、９質量％以下であることがより好ましい。硬化剤（Ｂ）の配合割合が上記下限値以上であると、流動性の低下等を引き起こすおそれが少ない。硬化剤（Ｂ）の配合割合が上記上限値以下であると、耐半田性の低下等を引き起こすおそれが少ない。
【００３３】
（Ａ）成分のエポキシ樹脂と（Ｂ）成分の硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂（Ａ）中のエポキシ基数／硬化剤（Ｂ）中の水酸基数の比は、特に制限はないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜２の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．５の範囲に設定されるがより好ましい。また、成形性、耐リフロー性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得るためには０．８〜１．２の範囲に設定されることがさらに好ましい。
【００３４】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において用いられる無機充填材（Ｃ）は、吸湿性低減、線膨張係数低減、熱伝導性向上および強度向上のために半導体封止用エポキシ樹脂組成物に配合される。この例としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、またはこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。さらに、難燃効果のある無機充填材としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛等が挙げられる。これらの無機充填材は単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。上記の無機充填材の中で、線膨張係数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましく、充填材形状は成形時の流動性および金型摩耗性の点から球形が好ましい。
【００３５】
無機充填材（Ｃ）の配合量は、成形性、吸湿性、線膨張係数の低減および強度向上の観点から、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に対して８０質量％以上、９６質量％以下の範囲が好ましく、８２質量％以上、９２質量％以下の範囲がより好ましく、８６質量％以上、９０質量％以下の範囲がさらに好ましい。下限値未満では信頼性が低下する傾向があり、上限値を超えると成形性が低下する傾向がある。
【００３６】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において用いられる（Ｄ）成分の式（１）および式（２）の構造を有する炭化水素化合物は、離型性向上のために半導体封止用エポキシ樹脂組成物に配合される。このような炭化水素化合物としては、例えば、１−ヘキセン、２−ヘキセン、１，３−ヘキサジエン、１−オクテン、２−オクテン、３−オクテン、１，３−オクタジエン、１−デセン、２−デセン、３−デセン、４−デセン、１，３−デカジエン、１−オクタコセン、１−トリアコンテン、１−ヘントリアコンテン、１−ドトリアコンテン 、１−トリトリアコンテン、１−テトラトリアコンテン、１−ペンタトリアコンテン、１−ヘキサトリアコンテン、１−テトラコンテン、１−ヘンテトラコンテン、１−ドテトラコンテン、１−トリテトラコンテン、１−テトラテトラコンテン、１−ペンタコンテン、１−ヘンペンタコンテン、１−ドペンタコンテン、１−トリペンタコンテン、１−ペンタペンタコンテン、１−ヘキサコンテン等の直鎖型不飽和炭化水素化合物、３−メチル−１−トリアコンテン、３，４−ジメチル−トリアコンテン、３−メチル−１−テトラコンテン、３，４−ジメチル−テトラコンテン等の分岐型不飽和炭化水素などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
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【００３７】
上記不飽和炭化水素の中で、保存性、化学的安定性の観点から、アルケンが好ましく、成形品中にボイドが出来にくい観点から炭素数１０以上のアルケンがより好ましく、離型性の観点から炭素数１０以上の１−アルケンがさらに好ましく、炭素数２８以上の１−アルケンがなおさらに好ましく、炭素数２８〜６０の１−アルケンが特に好ましい。１−アルケンの炭素数が上限値を超えると酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性が不充分となるおそれがある。
【００３８】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いられる（Ｄ）成分の配合割合は、特に限定されないが、（Ａ）成分のエポキシ樹脂１００質量部に対して、０．０１質量部以上、０．１質量部以下が好ましく、０．０２質量部以上、０．０４質量部以下がより好ましい。配合割合が上記下限値以上であると、離型性を向上する効果が得られる。配合割合が上記上限値以下であると、接着性の低下等を引き起こすおそれが少ない。
【００３９】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において用いられるエステル基を有する炭化水素化合物（Ｅ）は、特に制限はないが、例えば、１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を脂肪族アルコールで半エステル化した化合物、モンタン酸エステルなどが挙げられる。これらのエステル基を有する炭化水素化合物は単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。エステル基を有する炭化水素化合物（Ｅ）は、エポキシ樹脂（Ａ）や硬化剤（Ｂ）中に（Ｄ）成分を分散させる効果が高く、（Ｄ）成分と併用することにより、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着力や離型性の向上に有効である。
【００４０】
１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を長鎖脂肪族アルコールで半エステル化した化合物の合成に用いられる１−アルケンモノマーとしては、特に制限はないが、例えば、１−オクタコセン、１−トリアコンテン、１−ヘントリアコンテン、１−ドトリアコンテン 、１−トリトリアコンテン、１−テトラトリアコンテン、１−ペンタトリアコンテン、１−ヘキサトリアコンテン、１−テトラコンテン、１−ヘンテトラコンテン、１−ドテトラコンテン、１−トリテトラコンテン、１−テトラテトラコンテン、１−ペンタコンテン、１−ヘンペンタコンテン、１−ドペンタコンテン、１−トリペンタコンテン、１−ペンタペンタコンテン、１−ヘキサコンテン等の直鎖型１−アルケン、３−メチル−１−トリアコンテン、３，４−ジメチル−トリアコンテン、３−メチル−１−テトラコンテン、３，４−ジメチル−テトラコンテン等の分岐型１−アルケンなどが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を長鎖脂肪族アルコールで半エステル化した化合物の合成に用いられる１−アルケンモノマーの炭素数は、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性の観点で５〜６０が好ましく、連続成形性（離型性）の観点から炭素数２８〜６０がさらに好ましい。
【００４１】
１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を長鎖脂肪族アルコールで半エステル化した化合物の合成に用いられる長鎖脂肪族アルコールとしては、特に制限はないが、例えば、デシルアルコール、ウンデシルアルコール、ラウリルアルコール、トリデシルアルコール、ミリスチルアルコール、ペンタデシルアルコール、セチルアルコール、ヘプタデシルアルコール、ステアリルアルコール、ノナデシルアルコール、エイコシルアルコール等の直鎖型または分岐型の脂肪族飽和アルコール、ヘキセノール、２−ヘキセン−１−オール、１−ヘキセン−３−オール、ペンテノール、２−メチル−１ペンテーノール等の直鎖型または分岐型の脂肪族不飽和アルコールなどが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのなかでも、離型荷重の観点から炭素数１０〜２５の直鎖型アルコールが好ましく、連続成形性の観点から炭素数１５〜２０の直鎖型脂肪族飽和アルコールがより好ましい。１−アルケンと無水マレイン酸の共重合体を長鎖脂肪族アルコールで半エステル化した化合物の合成に用いられる長鎖脂肪族アルコールの炭素数が下限値未満では、連続成形性（離型性）が劣り、上限値を超えると酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性が低下する。
【００４２】
本発明の（Ｅ）成分の合成に用いられる１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物は、特に制限はないが、例えば、式（７）で示される化合物、式（８）で示される化合物等が挙げられ、市販品としては、１−オクタコセン、１−トリアコンテン、１−テトラコンテン、１−ペンタコンテン、１−ヘキサコンテン等を原料として用いたダイヤカルナ（登録商標）３０（三菱化学株式会社製商品名）が入手可能である。
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【００４３】
式（７）および（８）中のＲは、炭素数３〜５８の脂肪族炭化水素基を示し、ｎは１以上の整数である。ｍは、１−アルケンと無水マレイン酸の共重合比を示し、特に制限はないが、１−アルケンをＸモル、無水マレイン酸をＹモルとした場合、Ｘ／Ｙ、すなわち、ｍは１／２〜１０／１が好ましく、ほぼ等モル程度の１／１前後がより好ましい。
【００４４】
１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物の製造方法としては、特に制限はなく、原材料を反応させる等の一般的な共重合方法を用いることができる。反応には、１−アルケンと無水マレイン酸が溶解可能な有機溶剤等を用いてもよい。有機溶剤としては特に制限はないが、トルエンが好ましく、芳香族系溶剤、エーテル系溶剤、ハロゲン系溶剤等も使用できる。反応温度は、使用する有機溶剤の種類によっても異なるが、反応性、生産性の観点から、５０〜２００℃とすることが好ましく、１００〜１５０℃とすることがより好ましい。反応時間は、共重合物が得られれば特に制限はないが、生産性の観点から１〜３０時間とするのが好ましく、より好ましくは２〜１５時間、さらに好ましくは４〜１０時間である。反応終了後、必要に応じて、加熱減圧下等で未反応成分、溶剤等を除去することができる。その条件は、温度を１００〜２２０℃、より好ましくは１２０〜１８０℃、圧力を１３．３×１０3Ｐａ以下、より好ましくは８×１０3Ｐａ以下、時間を０．５〜１０時間とすることが好ましい。また、反応には、必要に応じてアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）や過酸化ベンゾイル（ＢＰＯ）等のラジカル重合系開始剤を加えてもよい。
【００４５】
１−アルケンと無水マレイン酸の共重合物を長鎖脂肪族アルコールでエステル化する方法としては、特に制限はなく、共重合物にアルコールを付加反応させる等の一般的手法を挙げることができる。１−アルケンと無水マレイン酸の共重合物とアルコールとの反応モル比は、特に制限はなく、任意に設定可能であるが、この反応モル比を調整することによって、親水性の程度をコントロールすることが可能であるので、目的の封止用エポキシ樹脂組成物に合わせて適宜設定することが好ましい。反応には、１−アルケンと無水マレイン酸が溶解可能な有機溶剤等を用いてもよい。有機溶剤としては特に制限はないが、トルエンが好ましく、芳香族系溶剤、エーテル系溶剤、ハロゲン系溶剤等も使用できる。反応温度は、使用する有機溶剤の種類によっても異なるが、反応性、生産性の観点から、５０〜２００℃とすることが好ましく、１００〜１５０℃がより好ましい。反応時間は、共重合物が得られれば特に制限はないが、生産性の観点から１〜３０時間とするのが好ましく、より好ましくは２〜１５時間、さらに好ましくは４〜１０時間である。反応終了後、必要に応じて、加熱減圧下等で未反応成分、溶剤等を除去することができる。その条件は、温度を１００〜２２０℃、より好ましくは１２０〜１８０℃、圧力を１３．３×１０3Ｐａ以下、より好ましくは８×１０3Ｐａ以下、時間を０．５〜１０時間とすることが好ましい。また、反応には、必要に応じてとりエチルアミン、Ｎ、Ｎジメチルアミノピリジン等のアミン系触媒、硫酸、パラトルエンスルホン酸等の酸触媒等の反応触媒を加えてもよい。
【００４６】
１−アルケンと無水マレイン酸の共重合物を長鎖脂肪族アルコールでエステル化した化合物としては、例えば、下記の式（ａ）または（ｂ）で示されるジエステル、および、式（ｃ）〜（ｆ）で示されるモノエステルから選ばれる１種以上を、繰り返し単位として含む化合物等が挙げられる。このような化合物は、式（ｇ）または（ｈ）で示されるノンエステルをさらに含んでいてもよい。このような化合物としては、その主鎖骨格が、（１）（ａ）〜（ｆ）のいずれか１種を含む、（２）（ａ）〜（ｆ）のいずれか２種以上をランダムに含むか、規則的に含むか、またはブロック状に含む、（３）（ａ）〜（ｆ）のいずれか１種または２種以上と、（ｇ）および／または（ｈ）をランダムに含むか、規則的に含むか、またはブロック状に含む。このような化合物は、１種単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、（４）（ｇ）および（ｈ）をランダムに含むか、規則的に含むか、またはブロック状に含む化合物、および／または、（５）（ｇ）または（ｈ）のいずれか一方から構成される化合物を含んでいてもよい。１−アルケンと無水マレイン酸の共重合物を長鎖脂肪族アルコールでエステル化した化合物のエステル化率は、離型性および接着性の観点から、２０モル％以上とすることが好ましく、１−アルケンと無水マレイン酸の共重合物を長鎖脂肪族アルコールでエステル化した化合物としては式（ｃ）〜（ｆ）で示されるモノエステルのいずれか１種または２種以上を合わせて２０モル％以上含む化合物が好ましく、３０モル％以上含む化合物がより好ましい。
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【００４７】
式（ａ）〜（ｈ）中のＲ1は炭素数３〜５８の脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ2は炭素数１０〜２５の炭化水素基を示す。ｍは、１−アルケン（Ｘ）と無水マレイン酸（Ｙ）の共重合モル比Ｘ／Ｙを示し、１／２〜１０／１が好ましく、１／１前後がより好ましい。
【００４８】
１−アルケンと無水マレイン酸の共重合物を長鎖脂肪族アルコールでエステル化した化合物の数平均分子量は、繰り返し単位が１以上であれば特に制限はなく、どの分子量領域でも、（Ｄ）成分との併用により、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性と離型性との両立が実現できるが、好ましくは数平均分子量が２０００〜１００００である。
【００４９】
１−アルケンと無水マレイン酸の共重合物を長鎖脂肪族アルコールでエステル化した化合物の配合量は、特に制限はないが、（Ａ）成分のエポキシ樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上、１０質量部以下が好ましく、１質量部以上、５質量部以下がより好ましい。配合量が上記下限値未満では離型性が低下する傾向があり、上記上限値を超えると、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性が不十分となる傾向がある。
【００５０】
モンタン酸エステルとしては、例えば、モンタン酸エステルワックス、モンタン酸エステルワックスの部分ケン化物等が挙げられる。モンタン酸エステルは、工業的には、モンタン酸と、エチレングリコール、ブチレングリコール等のジオール化合物、あるいは、グリセリン等のトリオール化合物等とを脱水縮合反応させたモンタン酸エステル化物、さらにこれとカルシウム等でケン化したものとの混合物等が市販されている。これらの中では、酸化銅に対する接着性の観点で、エチレングリコールジモンタン酸エステル、グリセリントリモンタン酸エステルが好ましい。このような化合物としては、リコワックス（登録商標）Ｅ、リコルブ（登録商標）ＷＥ４（ともに、クラリアントジャパン株式会社製商品名）が市販品として入手可能である。
【００５１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物中の（Ｄ）成分と（Ｅ）成分の合計の配合量は、特に制限はないが、（Ａ）成分のエポキシ樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上、１０質量部以下が好ましく、１質量部以上、５質量部以下がより好ましい。配合量が下限値未満では離型性が低下する傾向があり、上限値を超えると、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性が不十分となる傾向がある。
【００５２】
（Ｄ）成分と（Ｅ）成分の配合比率は１：４〜１：２０が好ましい。上記範囲より（Ｄ）成分配合量が多いと、（Ｄ）成分がエポキシ樹脂組成物中に分散しきらず、パッケージ表面の汚れがひどくなり、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性も低下する傾向にある。上記範囲より（Ｄ）成分配合量が少ないと、連続成形性が悪くなる傾向にある。
【００５３】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、更に硬化促進剤を含有しても良い。硬化促進剤は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているもので特に制限はないが、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザ−ビシクロ（４，３，０）ノネン、５、６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のシクロアミジン化合物および、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン化合物およびこれらの誘導体、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物およびこれらの誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン、およびこれらの有機ホスフィンに１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物等の有機リン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩およびこれらの誘導体などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも成形性の観点から、有機リン化合物が好ましく、有機ホスフィンおよび有機ホスフィンとキノン化合物との付加物がより好ましく、トリフェニルホスフィン、および、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン等の第三ホスフィンとｐ−ベンゾキノン、１，４−ナフトキノン等のキノン化合物との付加物がさらに好ましい。
【００５４】
硬化促進剤の配合量は、硬化促進効果が達成される量であれば特に制限されるものではないが、エポキシ樹脂（Ａ）１００質量部に対して０．１質量部以上、１０質量部以下が好ましく、１質量部以上、５質量部以下がより好ましい。配合量が下限値未満では短時間での硬化性に劣る傾向があり、配合量が上限値を超えると硬化速度が速すぎて未充填等により良好な成形品を得ることが困難になる傾向がある。
【００５５】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、耐半田ストレス性と、流動性の良好なエポキシ樹脂組成物を得る目的で、シロキサン付加重合体を添加することができる。シロキサン付加重合体しては特に制限はなく、従来公知のものを用いることができるが、例えば、ジメチルシロキサンのメチル置換基の一部を、アルキル基、エポキシ基、カルボキシル基、およびアミノ基等の置換基で置換した変性シリコーンオイルなどが挙げられる。
【００５６】
シロキサン付加重合体変性物は１種または２種以上混合して、エポキシ樹脂組成物全体に対し０．１質量％以上、２質量％以下の割合で使用することができる。配合量が上限値を超える場合には、表面汚染が発生しやすく、レジンブリードが長くなるおそれがあり、配合量が下限値未満の場合には、十分な低弾性率、離型剤の分散性を得ることができなくなるという問題点があり得る。
【００５７】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、ＩＣ等の半導体素子の耐湿性、高温放置特性を向上させる観点から、陰イオン交換体を添加することもできる。陰イオン交換体としては特に制限はなく、従来公知のものを用いることができるが、例えば、ハイドロタルサイトや、アンチモン、ビスマス、ジルコニウム、チタン、スズ、マグネシウム、アルミニウムから選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられ、これらを単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、下記一般式（９）で示されるハイドロタルサイトおよびビスマスの含水酸化物が好ましい。
Ｍｇ１−ＸＡｌＸ（ＯＨ）２（ＣＯ３）Ｘ／２・ｍＨ２Ｏ      （９）
（一般式（９）において、０＜Ｘ≦０.５、ｍは正の整数。）
【００５８】
陰イオン交換体の配合量は、ハロゲンイオン等のイオン性不純物を捕捉できる十分な量であれば特に制限はないが、エポキシ樹脂（Ａ）１００質量部に対して０．１質量部以上、３０質量部以下が好ましく、１質量部以上、１０質量部以下がより好ましく、２質量部以上、５質量部以下がさらに好ましい。配合量が下限値未満ではイオン性不純物の捕捉が不十分になる傾向があり、上限値を超えた場合それ以下に比べて効果に大差がないため経済的に不利である。
【００５９】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、樹脂成分と無機充填材との接着性を高めるために、必要に応じて、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を添加することができる。これらを例示すると、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６０】
カップリング剤の配合量は、無機充填材（Ｃ）１００質量部に対して０．０５質量部以上、５質量部以下であることが好ましく、０．１質量部以上、２．５質量部以下であることがより好ましい。下限値未満では耐湿性が低下する傾向があり、上限値を超えるとパッケージの成形性が低下する傾向がある。
【００６１】
さらに、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、その他の添加剤として、臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモン等のハロゲン原子、アンチモン原子、窒素原子またはリン原子を含む公知の有機または無機の化合物、金属水酸化物などの難燃剤、カーボンブラック、有機染料、有機顔料、酸化チタン、鉛丹、ベンガラ等の着色剤、イミダゾール、トリアゾール、テトラゾール、トリアジン等およびこれらの誘導体、アントラニル酸、没食子酸、マロン酸、リンゴ酸、マレイン酸、アミノフェノール、キノリン等およびこれらの誘導体、脂肪族酸アミド化合物、ジチオカルバミン酸塩、チアジアゾール誘導体等の接着促進剤などを必要に応じて配合することができる。
【００６２】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いても調製できるが、一般的な手法として、所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロール、ニーダ、押出機等によって溶融混練した後、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。成形条件に合うような寸法および質量でタブレット化すると使いやすい。
【００６３】
また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、各種有機溶剤に溶かして液状半導体封止用エポキシ樹脂組成物として使用することもでき、この液状半導体封止用エポキシ樹脂組成物を板またはフィルム上に薄く塗布し、樹脂の硬化反応が余り進まないような条件で有機溶剤を飛散させることによって得られるシートあるいはフィルム状の半導体封止用エポキシ樹脂組成物として使用することもできる。
【００６４】
次に、本発明の半導体装置について説明する。本発明の半導体装置は、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物により半導体素子を封止することにより得られる。このような半導体装置としては、銅リードフレームの支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭載し、必要な部分を本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止した、半導体装置などが挙げられる。また、このような半導体装置としては、例えば、銅リードフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の端子部とリード部をワイヤーボンディングやバンプで接続した後、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形などにより封止してなる、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｌｅａｄｅｄ  Ｃｈｉｐ  Ｃａｒｒｉｅｒ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌａｉｎｅ  Ｊ−ｌｅａｄ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ  Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ  Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の一般的な樹脂封止型ＩＣが挙げられる。また、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｓｔａｃｋｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の半導体チップが多段に積層された半導体パッケージも挙げられる。
【００６５】
図１は、本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。図１において、ダイパッド３上に、ダイボンド材硬化体２を介して半導体素子１が２段に積層されて固定されている。半導体素子１の電極パッドとリードフレーム５との間は金線４によって接続されている。半導体素子１は、封止用樹脂組成物の硬化体６によって封止されている。
【００６６】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止する方法としては、低圧トランスファー成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよい。半導体封止用エポキシ樹脂組成物が常温で液状またはペースト状の場合は、ディスペンス方式、注型方式、印刷方式等が挙げられる。
【００６７】
また、素子を直接樹脂封止する一般的な封止方法ばかりではなく、素子に直接半導体封止用エポキシ樹脂組成物が接触しない形態である中空パッケージの方式もあり、中空パッケージ用の半導体封止用エポキシ樹脂組成物としても好適に使用できる。
【実施例】
【００６８】
以下、本発明について実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は何らこれらに限定されない。【００６９】
合成例１：炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数１８のアルコールでエステル化した化合物（Ｅ）の合成
１−オクタコセン、１−トリアコンテン、１−テトラコンテン、１−ペンタコンテン、１−ヘキサコンテン等の混合物と無水マレイン酸との共重合物（三菱化学株式会社製商品名ダイヤカルナ（登録商標）３０）、３００ｇおよびステアリルアルコール、１４０ｇをトルエン、５００ｍｌに溶解して１１０℃で８時間反応させた後、１６０℃まで段階的に昇温しながらトルエンを除去し、減圧下１６０℃で６時間反応を行うことにより未反応成分を除去し、目的のモノエステル化率１００モル％の化合物１、４８９ｇを得た。分子量は、テトラヒドロフランを溶離液として、ポリスチレン換算のゲル浸透クロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量（Ｍｎ）＝４１００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝３．５２であり、未反応のステアリルアルコール残留量は化合物１全体の１％以下であった。【００７０】
合成例２：炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数１０のアルコールでエステル化した化合物（Ｅ）の合成
ステアリルアルコールの代わりに１−デカノール（東京化成製）８２ｇを用いたことを除いては合成例１に記載の方法によって、モノエステル化率１００モル％の化合物２、３７８ｇを得た。分子量は、テトラヒドロフランを溶離液として、ポリスチレン換算のゲル浸透クロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量（Ｍｎ）＝３７００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝３．７１であり、未反応の１−デカノール残留量は化合物２全体の１％以下であった。【００７１】
合成例３：炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数２２のアルコールでエステル化した化合物（Ｅ）の合成
ステアリルアルコールの代わりにベヘニルアルコール（花王株式会社製商品名カルコール２２０−８０）１７０ｇを用いたことを除いては合成例１に記載の方法によって、モノエステル化率１００モル％の化合物３、４５８ｇを得た。分子量は、テトラヒドロフランを溶離液として、ポリスチレン換算のゲル浸透クロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量（Ｍｎ）＝４４００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝３．５５であり、未反応のベヘニルアルコール残留量は化合物３全体の１％以下であった。【００７２】
合成例４：炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数８のアルコールでエステル化した化合物（Ｅ）の合成
ステアリルアルコールの代わりに１−オクタノール（東京化成製）６８ｇを用いたことを除いては合成例１に記載の方法によって、モノエステル化率１００モル％の化合物４、３４０ｇを得た。分子量は、テトラヒドロフランを溶離液として、ポリスチレン換算のゲル浸透クロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量（Ｍｎ）＝３７００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝３．８０であり、未反応の１−オクタノール残留量は化合物４全体の１％以下であった。【００７３】
合成例５：炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数２８のアルコールでエステル化した化合物（Ｅ）の合成
ステアリルアルコールの代わりにオクタコサノール（株式会社素材機能研究所製商品名ポリコサノール（米糠由来））、２１４ｇを添加したことを除いては合成例１に記載の方法によって、モノエステル化率１００モル％の化合物５、５０６ｇを得た。分子量は、テトラヒドロフランを溶離液として、ポリスチレン換算のゲル浸透クロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量（Ｍｎ）＝４８００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝３．９１であり、未反応のオクタコサノール残留量は化合物５全体の１％以下であった。【００７４】
合成例６：炭素数２０〜２４の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数１８のアルコールでエステル化した化合物の合成
１−エイコセン、１−ドコセン、１−テトラコセンの混合物（出光興産株式会社製商品名リニアレン２０２４）、１８０ｇと無水マレイン酸、５８ｇをトルエン、５００ｍｌに溶解し、１１０℃で加熱しながら２０分毎にＢＰＯ、０．１６ｇを３回に分けて添加した。ＢＰＯを添加終了後、反応溶液をさらに７時間１１０℃で加熱した。この共重合物のトルエン溶液にステアリルアルコール１６２ｇを添加して１１０℃で８時間反応させた後、１６０℃まで段階的に昇温しながらトルエンを除去し、減圧下１６０℃で６時間反応を行うことにより未反応成分を除去し、目的のモノエステル化率１００モル％の化合物６、３８０ｇを得た。分子量は、テトラヒドロフランを溶離液として、ポリスチレン換算のゲル浸透クロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量（Ｍｎ）＝９８００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝２．６３であり、未反応のステアリルアルコール残留量は化合物６全体の１％以下であった。【００７５】
実施例１〜１４および比較例１〜８で用いた成分について、以下に示す。
エポキシ樹脂（Ａ）：
エポキシ樹脂１：エポキシ当量１８５、融点１０８℃のビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシ株式会社製商品名エピコートＹＸ‐４０００Ｋ）
エポキシ樹脂２：エポキシ当量２３７、軟化点５２℃のフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬製商品名ＮＣ２０００）
エポキシ樹脂３：エポキシ当量２７３、軟化点５２℃のビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬製商品名ＮＣ−３０００Ｌ）
エポキシ樹脂４：エポキシ当量２２０、軟化点５２℃のオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製商品名ＥＯＣＮ−１０４Ｓ）【００７６】
硬化剤（Ｂ）：
フェノール樹脂１：水酸基当量１９９、軟化点６４℃のビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂（明和化成株式会社製商品名ＭＥＨ−７８５１ＳＳ）【００７７】
無機充填材（Ｃ）：
無機充填材１：平均粒径１０．８μｍ、比表面積５．１ｍ２／ｇの球状溶融シリカ【００７８】
式（１）および式（２）の構造を有する炭化水素化合物（Ｄ）：
１−アルケン（Ｃ２８〜６０）：Ｃｈｅｖｒｏｎ  Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ製商品名Ａｌｐｈａ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｃ３０＋
１−アルケン（Ｃ２０〜２４）：出光興産製商品名リニアレン２０２４
１−アルケン（Ｃ１０）：東京化成製商品名１−デセン【００７９】
エステル基を有する炭化水素化合物（Ｅ）：
合成例１で得られた化合物１
合成例２で得られた化合物２
合成例３で得られた化合物３
合成例４で得られた化合物４
合成例５で得られた化合物５
合成例６で得られた化合物６
モンタン酸系ワックス：クラリアント社製商品名リコワックスＥ【００８０】
その他の離型剤：
酸化ポリエチレンワックス：クラリアント社製商品名ＰＥＤ１９１【００８１】
その他の添加剤：
硬化促進剤１：トリフェニルホスフィンとｐ−ベンゾキノンとの付加物
カップリング剤１：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（チッソ製商品名Ｓ５１０＝ＧＰＳ‐Ｍ）
着色剤１：カーボンブラック（三菱化学株式会社製商品名カーボン＃５）【００８２】
上記成分をそれぞれ表１および表２に示す質量部で配合し、混練温度１００℃、混練時間３０分の条件で二軸混練して冷却後粉砕し、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を作製した。【００８３】
作製した実施例および比較例の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を、次の各試験により評価した。評価結果を表１および表２に示す。【００８４】
（１）酸化銅との接着強度：
酸化銅基材とタブレット化したエポキシ樹脂組成物を１７５℃、６．９ＭＰａ、２分の条件で一体成形して、酸化銅基材（直径３．６ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）上に円錐台状の成形品（上径３ｍｍ×下径３．６ｍｍ×厚さ３ｍｍ、酸化銅基材と樹脂硬化物の接触面積１０ｍｍ２）を得た後、得られた各成形品の基材を固定し、エポキシ樹脂組成物の硬化部位を横方向から押し、そのトルク（Ｎ）を測定した。本評価は、半導体における耐半田リフロー性とある程度の相関を有するものであり、判定結果として、１４Ｎ以上を◎、１２Ｎ以上１４Ｎ未満を○、１２Ｎ未満を×とした。【００８５】
（２）離型荷重：
離型時荷重評価用金型は、トランスファー成形型として上型、中型、下型からなる。図２に成形後の中型の平面概略図を示した。成形後に中型に付着する成形品の形状は、直径１４．０ｍｍ、高さ１．５ｍｍ厚である。図２において、１１は中型を示し、１２はカルを示し、１３はランナーを示す。１４は成形品を示し、１５はエアベントを示す。１６は、取っ手を示す。また図２の中型の成形品のＡ部の断面構造を図３に示す。１７はプッシュプルゲージ挿入用の穴を示す。【００８６】
上記離型時荷重評価用金型を用いて金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰa、硬化時間１分で評価用材料をトランスファー成形し、成形後に中型１１に付着した円形の成形品１４に、中型の上部の穴１７からプッシュブルゲージを当て（図３参照）、成形品を突き出した際にかかる荷重を測定した。続けて評価用材料を２０ショット成形した後半の１０ショットの成形品について測定を行い、その平均値を離型荷重として示した。評価は、量産成形での安定生産性とある程度の相関を有するものであり、判定結果として、１２Ｎ以下を◎、１２Ｎ超、１５Ｎ以下を○、１５Ｎ超を×とした。【００８７】
（３）連続成形性（型汚れ、パッケージ汚れおよびエアベントブロック）：
低圧トランスファー自動成形機（第一精工（株）製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間７０秒で、８０ピンクワッドフラットパッケージ（８０ｐＱＦＰ；Ｃｕ製リードフレーム、パッケージ外寸：１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ厚、パッドサイズ：６．５ｍｍ×６．５ｍｍ、チップサイズ６．０ｍｍ×６．０ｍｍ×０．３５ｍｍ厚）を、連続で４００ショットまで封止成形した。【００８８】
型汚れについては、４００ショット成形後の金型を観察し、ゲート口からの汚れの広がり具合の程度から、次の５段階に評価した。好ましい順は、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・の順であるが、Ｃランク以上であれば実用可能範囲である。
Ａ：汚れなし
Ｂ：汚れの広がりがキャビティ表面の２０面積％以下
Ｃ：汚れの広がりがキャビティ表面の２０面積％超〜４０面積％以下
Ｄ：汚れの広がりがキャビティ表面の４０面積％超〜６０面積％以下
Ｅ：汚れの広がりがキャビティ表面の６０面積％超【００８９】
パッケージ汚れについては、４００ショット目のパッケージを観察し、ゲート口からの汚れの広がり具合の程度から、次の５段階に評価した。好ましい順は、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・の順であるが、Ｃランク以上であれば実用可能範囲である。
Ａ：汚れなし
Ｂ：汚れの広がりがパッケージ表面の２０面積％以下
Ｃ：汚れの広がりがパッケージ表面の２０面積％超〜４０面積％以下
Ｄ：汚れの広がりがパッケージ表面の４０面積％超〜６０面積％以下
Ｅ：汚れの広がりがパッケージ表面の６０面積％超【００９０】
実施例１〜１４については、エアベントブロックの評価も行った。エアベントブロックの評価は、５０ショット毎に金型を目視により観察することで、エアベントブロック（エアベント（幅０．５ｍｍ、厚さ５０μｍ）部に樹脂硬化物が固着してエアベントを塞いだ状態）の有無を確認し、次の４段階で評価した。好ましい順は、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・の順であるが、Ｃランク以上であれば実用可能範囲である。評価結果を下記に示した。
Ａ：４００ショットまで問題なし
Ｂ：３００ショットまでにエアベントブロック発生
Ｃ：２００ショットまでにエアベントブロック発生
Ｄ：１００ショットまでにエアベントブロック発生
評価結果がＡランクだったもの：実施例１、２、１０
評価結果がＢランクだったもの：実施例３、６、７、８、９、１２
評価結果がＣランクだったもの：実施例４、５、１１、１３、１４
評価結果がＤランクだったもの：なし【００９１】
（４）耐半田性試験
低圧トランスファー成形機（第一精工（株）製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、酸化状態を再現するため、半導体素子（シリコンチップ）が搭載されたリードフレーム等を１８０℃の金型上にセット後、２分間予熱し、金型温度１８０℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間１２０秒間の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入して半導体素子（シリコンチップ）が搭載されたリードフレーム等を封止成形し、８０ｐＱＦＰ（Ｃｕ製リードフレーム、サイズは１４×２０ｍｍ×厚さ２．００ｍｍ、半導体素子は７×７ｍｍ×厚さ０．３５ｍｍ、半導体素子とリードフレームのインナーリード部とは２５μｍ径の金線でボンディングされている。）なる半導体装置を作製した。ポストキュアとして１７５℃で４時間加熱処理した半導体装置６個を、６０℃、相対湿度６０％で１２０時間加湿処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、ＪＥＤＥＣ・Ｌｅｖｅｌ３条件に従う）を行った。これらの半導体装置内部の剥離およびクラックの有無を超音波探傷装置（日立建機ファインテック製、ｍｉ−ｓｃｏｐｅ１０）で観察し、剥離またはクラックのいずれか一方でも発生したものを不良とした。ｎ＝６中の不良半導体装置の個数を表示した。不良個数が１以下であれば実用可能範囲である。
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【００９２】
実施例１〜１４は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）式（１）および式（２）の構造を有する炭化水素化合物および（Ｅ）エステル基を有する炭化水素化合物を含むものであり、（Ａ）成分の配合量、（Ｄ）成分の種類と配合量、（Ｅ）成分の種類と配合量を変えたものを含むものであるが、いずれも、酸化銅との接着強度が高く、酸化が進行したリードフレームを用いた、加湿処理後のＩＲリフロー処理による耐半田性に優れる結果が得られた。また、実施例１〜１４は、いずれも、離型荷重が低く、かつ、半導体素子等を封止成形した際の連続成形性（型汚れ、パッケージ汚れおよびエアベントブロック）にも優れる結果が得られた。【００９３】
なかでも、（Ａ）成分として一般式（３）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂１、一般式（４）で示されるフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂２、および一般式（５）で示されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂３の少なくとも１種以上を５０質量％以上用い、（Ｄ）成分として炭素数が２８〜６０の１−アルケンを用い、（Ｅ）成分として炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数１８のアルコールでエステル化した化合物１または炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数１０のアルコールでエステル化した化合物２を用いた実施例１〜３、６、７、９が、酸化銅に対する接着強度、耐半田性と、離型性（離型荷重）、連続成形性（型汚れ、パッケージ汚れおよびエアベントブロック）とのバランスに優れる結果が得られた。【００９４】
（Ｄ）成分として炭素数が２０〜２４または１０の１−アルケンを用いた実施例４、５は、酸化銅に対する接着強度、耐半田性と、連続成形性の型汚れ、パッケージ汚れとは良好であったが、離型荷重が若干高めになる傾向があり、連続成形性のエアベントブロックがやや劣る結果となった。【００９５】
（Ａ）成分としてオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂４を５４．４質量％用いた実施例８は、離型性（離型荷重）、連続成形性（型汚れ、パッケージ汚れおよびエアベントブロック）は良好であったが、酸化銅に対する接着強度が若干低めになる傾向があり、耐半田性がやや劣る結果となった。【００９６】
（Ｅ）成分として炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数２２のアルコールでエステル化した化合物３を用いた実施例１０は、離型性（離型荷重）、連続成形性（型汚れ、パッケージ汚れおよびエアベントブロック）は良好であったが、酸化銅に対する接着強度が若干低めになる傾向があり、耐半田性がやや劣る結果となった。【００９７】
（Ｅ）成分として炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数８のアルコールでエステル化した化合物４を用いた実施例１１は、酸化銅に対する接着強度、耐半田性と、連続成形性の型汚れ、パッケージ汚れとは良好であったが、離型荷重が若干高めになる傾向があり、連続成形性のエアベントブロックがやや劣る結果となった。【００９８】
（Ｅ）成分として炭素数２８〜６０の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数２８のアルコールでエステル化した化合物５を用いた実施例１２は、離型性（離型荷重）、連続成形性のエアベントブロックは良好であったが、酸化銅に対する接着強度が若干低めになる傾向があり、耐半田性がやや劣る結果となった。また、連続成形性の型汚れ、パッケージ汚れもやや劣る結果となった。【００９９】
（Ｅ）成分として炭素数２０〜２４の１−アルケンと無水マレイン酸との共重合物を炭素数１８のアルコールでエステル化した化合物６を用いた実施例１３は、酸化銅に対する接着強度、耐半田性は良好であったが、離型荷重が若干高めであり、連続成形性のエアベントブロックがやや劣る結果となった。また、連続成形性の型汚れ、パッケージ汚れもやや劣る結果となった。【０１００】
（Ｅ）成分としてモンタン酸エステルワックスを用いた実施例１４は、酸化銅に対する接着強度、耐半田性と、連続成形性の型汚れ、パッケージ汚れとは良好であったが、離型荷重が若干高めになる傾向があり、連続成形性のエアベントブロックがやや劣る結果となった。【０１０１】
一方、（Ｅ）成分を含まない比較例１〜３は、酸化銅に対する接着強度が著しく低く、酸化が進行したリードフレームを用いた、加湿処理後のＩＲリフロー処理による耐半田性が著しく劣る結果となった。また、連続成形性の型汚れ、パッケージ汚れも著しく劣る結果となった。【０１０２】
（Ｄ）成分の代わりに酸化ポリエチレンワックスを用いた比較例４は、酸化銅に対する接着強度低く、耐半田性が劣る結果となった。また、連続成形性の型汚れ、パッケージ汚れも劣る結果となった。【０１０３】
（Ｄ）成分を用いず、（Ｅ）成分として化合物２、４〜６を用いた比較例５〜８は、（Ｄ）成分として炭素数が２８〜６０の１−アルケンを用いた点のみで相違する実施例９、１１〜１３と比較して、離型荷重が著しく高い結果となった。また、比較例５〜８は、実施例９、１１〜１３と比較して、連続成形性の型汚れ、パッケージ汚れも劣る結果となった。【０１０４】
本発明によれば、実施例で示したように酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性、離型性、連続成形性等に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができるため、この半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いてＩＣ、ＬＳＩ等の電子部品、とりわけ、半導体チップが多段に積層されたＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｓｔａｃｋｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）等のように、銅製リードフレームの酸化が進行し易い半導体パッケージに好適に用いることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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2011118157.tif 000030
2011118157.tif 000031
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