(57)【要約】  有機層をスパッタリング法による電極形成のダメージから保護する方法と、こうして得られる安定性の高い有機ＥＬ装置を提供する。本発明の有機ＥＬ装置は、有機層２１上に電子輸送性の有機物の蒸気と、リチウムの蒸気とを到達させて電子注入層２２が形成され、電子注入層２２上にリチウムを１重量％以上５重量％以下含有するリチウムとアルミニウムとの合金と、リチウムを１重量％以上５重量％以下含有するリチウムと銀との合金と、マグネシウムを５重量％以上２０重量％以下含有するマグネシウムと銀との合金のいずれかから成る上部電極膜２８がスパッタリング法により形成されている。スパッタリング法による上部電極膜２８の形成で電子注入層２２の有機物がダメージを受けても、電子注入層２２はリチウムを含有するため電子注入性が失われない。
2011016347.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された下部電極膜と、
前記下部電極膜上に配置された有機層と、
前記有機層上に配置された上部電極膜とを有し、
前記下部電極膜と前記上部電極膜との間に電圧を印加して、前記有機層に膜厚方向に電流を流し、前記有機層が発光するように構成された有機ＥＬ装置であって、
前記有機層と前記上部電極膜との間には、リチウムと電子輸送性の有機物とを含有する電子注入層が配置され、
前記上部電極膜は、リチウムを１重量％以上５重量％以下含有するリチウムとアルミニウムとの合金と、リチウムを１重量％以上５重量％以下含有するリチウムと銀との合金と、マグネシウムを５重量％以上２０重量％以下含有するマグネシウムと銀との合金のいずれかが、前記電子注入層上にスパッタリング法により形成された有機ＥＬ装置。
【請求項２】
基板上に下部電極膜を形成し、
前記下部電極膜上に有機層を形成し、
前記有機層上に上部電極膜を形成し、
前記下部電極膜と前記上部電極膜との間に電圧を印加して、前記有機層に膜厚方向に電流を流すと、前記有機層が発光するように構成された有機ＥＬ装置の電極形成方法であって、
前記下部電極膜上に前記有機層を形成したのち、
前記有機層上にリチウムの蒸気と電子輸送性の有機物の蒸気とを前記有機層上に到達させて、リチウムと電子輸送性の有機物とを含有する電子注入層を形成し、
前記電子注入層上に、リチウムを１重量％以上５重量％以下含有するリチウムとアルミニウムとの合金と、リチウムを１重量％以上５重量％以下含有するリチウムと銀との合金と、マグネシウムを５重量％以上２０重量％以下含有するマグネシウムと銀との合金のいずれかをスパッタターゲットとしたスパッタリング法により前記上部電極膜を形成する有機ＥＬ装置の電極形成方法。
【請求項３】
透明な絶縁性の基板と、
前記基板上に配置され、一部開口を有するリング状の絶縁性の突条と、
前記基板上で、前記突条のリングの内側に配置された下部電極膜と、
前記基板上で、前記突条のリングの外側に配置された引出電極膜と、
前記下部電極膜上に配置された有機層と、
前記有機層上に配置された上部電極膜と、
を有し、
前記下部電極膜と前記引出電極膜とは前記突条によって互いに絶縁され、
前記上部電極膜は前記突条上を乗り越えて、前記突条のリングの外側に引き出され、前記突条のリングの外側で前記引出電極膜と接触し、
前記下部電極膜と前記引出電極膜との間に電圧を印加すると、前記突条のリングの内側の前記有機層は発光し、発光光は前記基板を透過して外部に放射する有機ＥＬ照明装置であって、
前記有機層と前記上部電極膜との間には、リチウムと電子輸送性の有機物とを含有する電子注入層が配置され、
前記上部電極膜は、リチウムを１重量％以上５重量％以下含有するリチウムとアルミニウムとの合金と、リチウムを１重量％以上５重量％以下含有するリチウムと銀との合金と、マグネシウムを５重量％以上２０重量％以下含有するマグネシウムと銀との合金のいずれかが、前記電子注入層上にスパッタリング法により形成された有機ＥＬ照明装置。
【請求項４】
透明な絶縁性の基板と、
前記基板上に配置され、一部開口を有するリング状の絶縁性の突条と、
前記基板上で、前記突条のリングの内側に配置された下部電極膜と、
前記基板上で、前記突条のリングの外側に配置された引出電極膜と、
前記下部電極膜上に配置された有機層と、
前記有機層上に配置された上部電極膜と、
を有し、
前記下部電極膜と前記引出電極膜とは前記突条によって互いに絶縁され、
前記上部電極膜は前記突条上を乗り越えて、前記突条のリングの外側に引き出され、前記突条のリングの外側で前記引出電極膜と接触し、
前記下部電極膜と前記引出電極膜との間に電圧を印加すると、前記突条のリングの内側の前記有機層は発光し、発光光は前記基板を透過して外部に放射する有機ＥＬ照明装置の製造方法であって、
前記有機層上にリチウムの蒸気と電子輸送性の有機物の蒸気とを前記有機層上に到達させて、リチウムと電子輸送性の有機物とを含有する電子注入層を配置する電子注入層配置工程と、
前記電子注入層上に、リチウムを１重量％以上５重量％以下含有するリチウムとアルミニウムとの合金と、リチウムを１重量％以上５重量％以下含有するリチウムと銀との合金と、マグネシウムを５重量％以上２０重量％以下含有するマグネシウムと銀との合金のいずれかをスパッタターゲットとしたスパッタリング法により前記上部電極膜を配置する上部電極膜配置工程とを有する有機ＥＬ照明装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の電極形成方法並びに有機ＥＬ照明装置及び有機ＥＬ照明装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、発光効率が高く、薄い発光装置を組み立てることができることから、近年では、大面積化するテレビや照明用デバイスへの応用が提案されている。
基板上に形成される有機ＥＬ装置は、光の取り出し側の違いにより二つのタイプに大別される。即ち、基板の反対側から光を取り出すトップエミッション型と、基板側から光を取り出すボトムエミッション型である。【０００３】
図３(ａ)、（ｂ）の符号１００はボトムエミッション型有機ＥＬ装置を使用した有機ＥＬ照明装置であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＢ−Ｂ線切断断面図である。
有機ＥＬ照明装置１００は透明な基板１１１を有しており、基板１１１上には突条１１５が配置されている。突条１１５によって囲まれた領域の内側の基板１１１上には、下部電極膜１１３ａと有機層１２１と電子注入層１２２が形成されている。他方、突条１１５によって囲まれた領域の外側の基板１１１上には、引出電極膜１１３ｂが配置されている。【０００４】
電子注入層１２２の表面上と引出電極膜１１３ｂの表面上には上部電極膜１２８が形成されており、電子注入層１２２は、上部電極膜１２８によって引出電極膜１１３ｂに電気的に接続されている。
下部電極膜１１３ａと上部電極膜１２８とを電源に接続し、下部電極膜１１３ａに正電圧、上部電極膜１２８に負電圧を印加すると、下部電極膜１１３ａと上部電極膜１２８との間に電流が流れ、有機層１２１内で発光光が発生する。基板１１１と下部電極膜１１３ａは透明であり、有機層１２１内で発生した発光光は下部電極膜１１３ａと基板１１１を透過して外部に放射される。【０００５】
電極膜を形成する際には、真空蒸着法では、ピンホールのない膜を均一（±５％以下）に成膜するのが難しく、特に基板が大きくなると、基板全体の膜厚が制御できないという問題があるため、スパッタリング法で成膜するのが望ましい。
特に有機ＥＬ照明装置においては、ディスプレイなどと比べ、大面積の発光領域を均一に発光させる必要がある。このため、電極膜は、膜厚が均一で、有機層（発光層）と均一に密着することが好ましく、スパッタリング法で成膜するのが望ましい。【０００６】
ただし、スパッタリング法におけるスパッタ粒子は真空蒸着法と比較して数十〜数百倍の運動エネルギーを有し、またスパッタリング法はプラズマを用いているため荷電粒子（電子、イオン）の発生や反跳アルゴンの入射による、下地層への各種のダメージが懸念される。
スパッタリング法による下地層へのダメージは、有機ＥＬ装置の層構造を変化させ、発光効率の低下、リーク電流の発生、素子寿命低下などの問題を発生させる。【０００７】
従って、電極膜をスパッタリング法により成膜する前に有機層上に保護膜を形成しておくなどの対策が必要があり、例えば特許文献１では、有機層上に金属酸化物層を保護膜として形成し、その上に電極膜を形成している。
ただし、保護膜の形成工程を新たに追加するとその分のコストがかかり、かつトップエミッション型では発光光が保護膜を通過するために輝度が下がるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２５９５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
有機層をスパッタリング法によるダメージから保護して、有機ＥＬ装置の安定性を高めるための方法として、さらに他の方法が求められていた。
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、有機層をスパッタリング法によるダメージから保護して電極を形成する方法と、こうして得られる安定性の高い有機ＥＬ装置、特に有機ＥＬ照明装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明は、基板上に配置された下部電極膜と、前記下部電極膜上に配置された有機層と、前記有機層上に配置された上部電極膜とを有し、前記下部電極膜と前記上部電極膜との間に電圧を印加して、前記有機層に膜厚方向に電流を流し、前記有機層が発光するように構成された有機ＥＬ装置であって、前記有機層と前記上部電極膜との間には、リチウムと電子輸送性の有機物とを含有する電子注入層が配置され、前記上部電極膜は、リチウムを１〜５重量％含有するリチウムとアルミニウムとの合金と、リチウムを１〜５重量％含有するリチウムと銀との合金と、マグネシウムを５〜２０重量％含有するマグネシウムと銀との合金のいずれかが、前記電子注入層上にスパッタリング法により形成された有機ＥＬ装置である（ａ〜ｂはａ以上ｂ以下を示す）。
本発明は、基板上に下部電極膜を形成し、前記下部電極膜上に有機層を形成し、前記有機層上に上部電極膜を形成し、前記下部電極膜と前記上部電極膜との間に電圧を印加して、前記有機層に膜厚方向に電流を流すと、前記有機層が発光するように構成された有機ＥＬ装置の電極形成方法であって、前記下部電極膜上に前記有機層を形成したのち、前記有機層上にリチウムの蒸気と電子輸送性の有機物の蒸気とを前記有機層上に到達させて、リチウムと電子輸送性の有機物とを含有する電子注入層を形成し、前記電子注入層上に、リチウムを１〜５重量％含有するリチウムとアルミニウムとの合金と、リチウムを１〜５重量％含有するリチウムと銀との合金と、マグネシウムを５〜２０重量％含有するマグネシウムと銀との合金のいずれかをスパッタターゲットとしたスパッタリング法により前記上部電極膜を形成する有機ＥＬ装置の電極形成方法である。
本発明は、透明な絶縁性の基板と、前記基板上に配置され、一部開口を有するリング状の絶縁性の突条と、前記基板上で、前記突条のリングの内側に配置された下部電極膜と、前記基板上で、前記突条のリングの外側に配置された引出電極膜と、前記下部電極膜上に配置された有機層と、前記有機層上に配置された上部電極膜と、を有し、前記下部電極膜と前記引出電極膜とは前記突条によって互いに絶縁され、前記上部電極膜は前記突条上を乗り越えて、前記突条のリングの外側に引き出され、前記突条のリングの外側で前記引出電極膜と接触し、前記下部電極膜は、前記突条の開口を通って前記突条のリングの内側に引き入れた配線と接続され、前記下部電極膜と前記引出電極膜との間に電圧を印加すると、前記突条のリングの内側の前記有機層は発光し、発光光は前記基板を透過して外部に放射する有機ＥＬ照明装置であって、前記有機層と前記上部電極膜との間には、リチウムと電子輸送性の有機物とを含有する電子注入層が配置され、前記上部電極膜は、リチウムを１〜５重量％含有するリチウムとアルミニウムとの合金と、リチウムを１〜５重量％含有するリチウムと銀との合金と、マグネシウムを５〜２０重量％含有するマグネシウムと銀との合金のいずれかが、前記電子注入層上にスパッタリング法により形成された有機ＥＬ照明装置である。
本発明は、透明な絶縁性の基板と、前記基板上に配置され、一部開口を有するリング状の絶縁性の突条と、前記基板上で、前記突条のリングの内側に配置された下部電極膜と、前記基板上で、前記突条のリングの外側に配置された引出電極膜と、前記下部電極膜上に配置された有機層と、前記有機層上に配置された上部電極膜と、を有し、前記下部電極膜と前記引出電極膜とは前記突条によって互いに絶縁され、前記上部電極膜は前記突条上を乗り越えて、前記突条のリングの外側に引き出され、前記突条のリングの外側で前記引出電極膜と接触し、前記下部電極膜は、前記突条の開口を通って前記突条のリングの内側に引き入れた配線と接続され、前記下部電極膜と前記引出電極膜との間に電圧を印加すると、前記突条のリングの内側の前記有機層は発光し、発光光は前記基板を透過して外部に放射する有機ＥＬ照明装置の製造方法であって、前記有機層上にリチウムの蒸気と電子輸送性の有機物の蒸気とを前記有機層上に到達させて、リチウムと電子輸送性の有機物とを含有する電子注入層を配置する電子注入層配置工程と、前記電子注入層上に、リチウムを１〜５重量％含有するリチウムとアルミニウムとの合金と、リチウムを１〜５重量％含有するリチウムと銀との合金と、マグネシウムを５〜２０重量％含有するマグネシウムと銀との合金のいずれかをスパッタターゲットとしたスパッタリング法により前記上部電極膜を配置する上部電極膜配置工程とを有する有機ＥＬ照明装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
電極形成の際に、スパッタリング法によるダメージから有機層を保護して、素子欠陥の発生を防ぐことができるので、安定性の高い有機ＥＬ装置が得られ、大面積有機ＥＬ装置の生産性が向上できる。
スパッタリング法で電極を形成することにより、成膜面に凹凸があっても膜厚を均一にすることが容易であり、また成膜される膜の密着力が強く、均一に密着させることが可能であるため、大面積の発光領域を均一に発光させる有機ＥＬ照明装置を製造できる。【００１２】
さらに、真空中で有機層を形成後、大気に曝すことなくスパッタリング法で電極を形成することができるため、有機層の劣化や汚染を防止することが容易である。また、スパッタリング法では、大面積に成膜しても、金属の蒸着のように基板の温度が上がらないため、有機層の劣化や変質を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の有機ＥＬを使用した有機ＥＬ照明装置を説明するための図  (ａ)：平面図  （ｂ）：Ａ−Ａ線切断断面図  （ｃ）：Ｃ−Ｃ線切断断面図
【図２】（ａ）〜（ｆ）：本発明の有機ＥＬを使用した有機ＥＬ照明装置の製造工程を説明するための図
【図３】従来技術の有機ＥＬを使用した有機ＥＬ照明装置を説明するための図  (ａ)：平面図  （ｂ）：断面図
【図４】本発明で使用する真空蒸着装置の模式図
【図５】本発明で使用するスパッタ装置の模式図
【符号の説明】
【００１４】
１１……基板
１３ａ……下部電極膜
１３ｂ……引出電極膜
１５……突条
１９……開口
２１……有機層
２２……電子注入層
２８……上部電極膜
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜有機ＥＬ照明装置の構造＞
図１（ａ）は本発明の有機ＥＬを使用した有機ＥＬ照明装置１０の平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線切断断面図、同図（ｃ）はそのＣ−Ｃ線切断断面図を示している。
有機ＥＬ照明装置１０は透明な絶縁性の基板１１を有している。基板１１の上方を向いた面上に透明な導電性薄膜１３が配置されている。
ここでは、基板１１としてガラス基板が用いられ、導電性薄膜１３としてＩＴＯが用いられている。
【００１６】
導電性薄膜１３には一部開口１９を有するリング状の溝が形成され、この溝内には絶縁性を有する樹脂性の突条１５が溝の長さ方向に沿って配置されている。突条１５の長さ方向の両端は導電性薄膜１３の縁に位置し、リングの内側と外側で薄膜表面を二分する。導電性薄膜１３が二分された部分のうち、突条１５のリングの内側に配置された方を下部電極膜１３ａとし、突条１５のリングの外側に配置された方を引出電極膜１３ｂとすると、下部電極膜１３ａと引出電極膜１３ｂとは、突条１５によって互いに絶縁されている。
【００１７】
この有機ＥＬ照明装置１０では、下部電極膜１３ａはホール注入性を有する物質で構成されており、例えばＩＴＯ膜が用いられている。下部電極膜１３ａの上方を向いた面上には、それぞれ有機薄膜から成るホール輸送層２１ａと、発光層２１ｂと、電子輸送層２１ｃとがこの順序で積層された有機層２１が配置されている（図２（ｃ）参照）。
【００１８】
下部電極膜１３ａはホール輸送層２１ａと接触しており、下部電極膜１３ａがホール注入層として機能する。下部電極膜１３ａがホール注入性の無い物質で形成されている場合は、下部電極膜１３ａとホール輸送層２１ａとの間の位置にホール注入層を配置すればよい。
有機層２１上には、電子輸送性有機物の蒸気と電子注入性金属の蒸気とを、一緒に到達させて形成された電子注入層２２が配置されている。
ここでは電子輸送性有機物としてＡｌｑ3が用いられ、電子注入性金属としてＬｉ（リチウム）が用いられている。ＬｉはＬｉと電子輸送性有機物との混合物の重量に対して１〜５重量％、特に２重量％含有されているのが望ましい。
【００１９】
電子注入層２２上にはスパッタリング法により形成された上部電極膜２８が配置されている。上部電極膜２８は突条１５上を乗り越えて、突条１５のリングの外側に引き出され、突条１５のリングの外側で引出電極膜１３ｂと接触し、電気的に接続されている。
電子注入層２２には電子注入性金属が含有されているため、電子注入層２２の有機物がスパッタリング法によりダメージを受けても電子注入層２２の電子注入性は失われない。
【００２０】
ここでは上部電極膜２８として、ＬｉとＡｌ（アルミニウム）との合金が用いられている。Ｌｉは合金の重量に対して１〜５重量％含有されているのが望ましい。
上部電極膜２８としては、Ｌｉを合金の重量に対して１〜５重量％含有するＬｉとＡｇ（銀）との合金と、Ｍｇ（マグネシウム）を合金の重量に対して５〜２０重量％含有するＭｇとＡｇとの合金のいずれか一方が用いられてもよい。
【００２１】
下部電極膜１３ａは、突条１５の開口１９を通って突条１５のリングの内側に引き入れた配線１８と接続されている。すなわち、下部電極膜１３ａは、突条１５の開口１９で配線１８と電気的に接続されている。
配線１８と引出電極膜１３ｂとをそれぞれ電源に電気的に接続し、配線１８を介して下部電極膜１３ａに正電圧を印加し、引出電極膜１３ｂに負電圧を印加すると、下部電極膜１３ａと上部電極膜２８の間に電圧が印加される。
【００２２】
この電圧に対し、下部電極膜１３ａと有機層２１と電子注入層２２と上部電極膜２８とは直列接続されて直列回路を形成しており、突条１５のリングの外側の引出電極膜１３ｂから上部電極膜２８を介して突条１５のリングの内側の電子注入層２２に均一に電流が流れ込み、有機層２１に膜厚方向に電流が流れ、突条１５のリングの内側の有機層２１は一斉に発光する。
【００２３】
基板１１と、下部電極膜１３ａと、有機層２１と、電子注入層２２は透明であり、有機層２１が発光し、基板１１側に進行する発光光は、基板１１を透過して外部に放射される。
上部電極膜２８側に向かった発光光は電子注入層２２を透過し、上部電極膜２８で反射し、上部電極膜２８下の各層を透過して外部に放射される。
【００２４】
本発明の電子注入層２２は、電子輸送性有機物の蒸気と電子注入性金属の蒸気とを、有機層２１上に交互に到達させて形成されてもよい（図２（ｅ）参照）。
この場合には、電子注入性金属層２２ａの膜厚は２００Å以上であり、電子輸送性有機物層２２ｂの膜厚は１０Å以上であるのが望ましい。
【００２５】
＜有機ＥＬ照明装置の製造方法＞
以下では上記の有機ＥＬ照明装置１０の形成方法を説明する。
先ず、透明な絶縁性の基板１１上に透明な導電性薄膜１３を成膜する（図２（ａ））。
ここでは、基板１１としてガラス基板を用い、導電性薄膜１３としてＩＴＯを成膜する。
【００２６】
次いで、導電性薄膜１３に一部開口を有するリング状の溝をエッチングし、この溝の内部に絶縁性の樹脂を塗布して、突条１５を形成する（図２（ｂ））。突条１５の長さ方向の両端は、導電性薄膜１３の縁に位置し、リングの内側と外側で薄膜表面を二分する。導電性薄膜１３が二分された部分のうち、突条１５のリングの内側に配置された方の下部電極膜１３ａと、突条１５のリングの外側に配置された方の引出電極膜１３ｂとは、突条１５によって互いに絶縁される。
【００２７】
次いで、この処理対象物の突条１５の外側をマスクした状態で、下部電極膜１３ａ上に、真空蒸着法によって有機薄膜から成るホール輸送層２１ａと、発光層２１ｂと、電子輸送層２１ｃとをこの順序で積層し、有機層２１を形成する（図２（ｃ））。
【００２８】
図４は本発明で使用する真空蒸着装置４０の模式図を示している。真空蒸着装置４０は、主真空槽４４と、主真空槽４４内に配置された第一、第二のるつぼ４２ａ、４２ｂを有している。
主真空槽４４に設けられた主排気口４３は真空ポンプ４５に接続され、主真空槽４４内部を真空排気可能にされている。
【００２９】
有機層２１が形成された処理対象物を、突条１５の外側をマスクした状態で、主真空槽４４内に配置された主基板ホルダ４５に、処理対象物の電子輸送層２１ｃ側が第一、第二のるつぼ４２ａ、４２ｂの方を向くように取り付ける。
第一のるつぼ４２ａに電子輸送性有機物を入れ、第二のるつぼ４２ｂに電子注入性金属を入れる。真空ポンプ４５で主真空槽４４内を真空排気しながら、第一、第二のるつぼ４２ａ、４２ｂを加熱器４６ａ、４６ｂでそれぞれ加熱し、電子輸送性有機物と電子注入性金属とを別々に蒸発させ、有機層２１の表面に一緒に到達させ、共蒸着させる。
【００３０】
ここでは電子輸送性有機物としてＡｌｑ3を用い、電子注入性金属としてＬｉを用いる。
このとき、電子輸送性有機物に電子注入性金属が１〜５重量％、特に２重量％添加されるようにし、電子注入層２２を形成する。
【００３１】
本発明では、第一、第二のるつぼ４２ａ、４２ｂを加熱器４６ａ、４６ｂでそれぞれ加熱し、電子輸送性有機物と電子注入性金属を別々に蒸発させた後、第一、第二のるつぼ４２ａ、４２ｂ上のシャッター４７ａ、４７ｂを交互に開け閉めし、電子注入性金属の蒸気と電子輸送性有機物の蒸気とを有機層２１の表面に交互に到達させ、電子注入性金属層２２ａと、電子輸送性有機物層２２ｂとを有機層２１上に交互に成膜することにより、電子注入層２２を形成してもよい（図２（ｅ））。
【００３２】
図５は本発明で使用するスパッタ装置６０の模式図を示している。スパッタ装置６０は、副真空槽６４と、副真空槽６４内に配置された導電性物質から成るスパッタターゲット６８を有している。
副真空槽６４に設けられたガス供給口６６はスパッタガスが貯蔵されたガスボンベ６９に接続され、副真空槽６４内部にスパッタガスを供給可能にされている。
【００３３】
副真空槽６４に設けられた副排気口６３は真空ポンプ６２に接続され、副真空槽６４内部を真空排気可能にされている。
電子注入層２２が形成された処理対象物から突条１５の外側にされたマスクを除去したのち、副真空槽６４内の副基板ホルダ６５に、処理対象物を電子注入層２２側がスパッタターゲット６８の方を向くように取り付ける。
【００３４】
不図示の真空ポンプで副真空槽６４内を真空排気しながら、ガス供給口６６からスパッタガスを副真空槽６４内に供給し、スパッタターゲット６８に負の高電圧を印加する。副基板ホルダ６５と副真空槽６４は共に接地されている。副基板ホルダ６５とスパッタターゲット６８間の放電により、スパッタガスが電離され、イオン化されたスパッタガスがスパッタターゲット６８に衝突し、スパッタ粒子をはじき飛ばす。スパッタ粒子が処理対象物上に到達することにより、処理対象物の電子注入層２２上に導電性物質から成る上部電極膜２８が形成される。この上部電極膜２８は突条１５上を乗り越えて、突条１５のリングの外側に引き出され、突条１５のリングの外側で引出電極膜１３ｂと接触し、電気的に接続されている（図２（ｆ））。
【００３５】
ここではスパッタガスとしてＡｒガスを用いる。
また、ここではスパッタターゲット６８としてＬｉとＡｌとの合金を用いる。Ｌｉは合金の重量に対して１〜５重量％含有しているのが望ましい。上部電極膜２８としてＬｉとＡｌとの合金膜が形成される。
スパッタターゲット６８として、Ｌｉを合金の重量に対して１〜５重量％含有するＬｉとＡｇとの合金と、Ｍｇを合金の重量に対して５〜２０重量％含有するＭｇとＡｇとの合金のいずれか一方を用いてもよい。これらの場合には、上部電極膜２８として、それぞれＬｉとＡｇとの合金膜とＭｇとＡｇとの合金膜が形成される。
【００３６】
電子注入層２２と上部電極膜２８には電子注入性金属が含有されているため、電子注入層２２の有機物がスパッタリング法により部分的にダメージを受けても電子注入層２２の電子注入性は失われない。部分的なダメージによる発光輝度のムラが発生しにくいので、特に発光領域を均一に発光させる有機ＥＬ照明装置の製造に適している。
【００３７】
またスパッタリング法で上部電極膜２８を形成することにより、電子注入層２２の成膜面に凹凸があっても膜厚を均一にすることが容易である。また、成膜される上部電極膜２８の密着力が強く、電子注入層２２上に均一に密着させることが可能である。
さらに、真空中で有機層２１と電子注入層２２を形成後、大気に曝すことなくスパッタリング法で上部電極膜２８を形成するため、有機層２１と電子注入層２２の有機物の劣化や汚染を防止することが容易である。
また、スパッタリング法では、大面積に成膜しても、金属の蒸着のように基板の温度が上がらないため、有機層２１と電子注入層２２の有機物の劣化や変質を防止できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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