(57)【要約】  表示素子（１）の非観察側の基板（２０）は、電源バス（ＶＤＤ）からの電流を薄膜トランジスタ（Ｑ２）を介して画素電極（２５）に供給するための金属配線（２３）と、薄膜トランジスタ（Ｑ２）および金属配線（２３）を覆うように形成される層間絶縁膜（２４）とを有している。画素電極（２５）は、層間絶縁膜（２４）上に形成され、コンタクトホール（２４ａ）を介して金属配線（２３）と接続される。基板（２０）は、さらに、コンタクトホール（２４ａ）を覆うように画素電極（２５）上に形成される絶縁膜（２６）を有している。
2011118323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通電極を有する観察側の基板と、画素電極を有する非観察側の基板との間に電解液を封入し、前記各電極間の電位に応じて前記電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子であって、
前記非観察側の基板は、
電源バスからの電流を駆動トランジスタを介して前記画素電極に供給するための金属配線と、
前記駆動トランジスタおよび前記金属配線を覆うように形成される第１の絶縁膜とを有しており、
前記画素電極は、前記第１の絶縁膜上に形成されているとともに、前記第１の絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して前記金属配線と接続されており、
前記非観察側の基板は、さらに、
前記コンタクトホールを覆うように前記画素電極上に形成される第２の絶縁膜を有していることを特徴とする電気化学表示素子。
【請求項２】
前記画素電極は、前記駆動トランジスタを覆うように前記第１の絶縁膜上に形成されており、
前記第２の絶縁膜は、前記駆動トランジスタを覆うように前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示素子。
【請求項３】
前記非観察側の基板は、前記駆動トランジスタによって駆動される画素を選択するための選択トランジスタをさらに有しており、
前記画素電極は、前記選択トランジスタを覆うように前記第１の絶縁膜上に形成されており、
前記第２の絶縁膜は、前記選択トランジスタを覆うように前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気化学表示素子。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜は、前記画素電極の周縁部をさらに覆うように形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電気化学表示素子。
【請求項５】
前記画素電極は、前記電源バスと前記駆動トランジスタのゲート電極とが前記第１の絶縁膜を介して交差することにより形成される段差部を覆うように形成されており、
前記第２の絶縁膜は、前記段差部を覆うように前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気化学表示素子。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、開口部を有し、かつ、１画素内で層構成が同一の領域以外の部分を覆うように形成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の電気化学表示素子。
【請求項７】
前記画素電極を第１の画素電極とすると、
前記第２の絶縁膜は、前記開口部内に前記第１の画素電極と導通する第２の画素電極を形成する際の隔壁を兼ねていることを特徴とする請求項６に記載の電気化学表示素子。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜の前記開口部は、円形であることを特徴とする請求項６または７に記載の電気化学表示素子。
【請求項９】
前記第２の絶縁膜は、前記画素電極と前記共通電極との間を埋めるように形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の電気化学表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に電解液を封入し、電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、視認性に優れ、低消費電力な表示素子が求められている。現在、ＣＲＴやＰＤＰに代表される自発光型の表示素子や、ＬＣＤのように発光体（バックライト）からの光を変調する表示素子が一般に用いられているが、これらの表示素子では、表示画像は明るくて見やすいが、その分、消費電力が大きい。【０００３】
低消費電力という観点からは、表示素子は、一旦表示した画像を無電力状態でも保持し続けるメモリー特性を有することが望ましく、さらには駆動電圧が低いことが望まれる。このような特性を備える表示素子として、近年、エレクトロクロミック表示素子（以下、ＥＣＤとも称する）やエレクトロデポジション表示素子（以下、ＥＤとも称する）といった電気化学表示素子の開発が盛んに行われている。ＥＣＤおよびＥＤは、ともに、電極上での酸化還元反応による反応物質単独での光吸収状態の変化により表示を行うものである。つまり、ＥＣＤでは、酸化還元反応によるエレクトロクロミック材料の光吸収状態の可逆変化（色の変化）により表示を行っている。一方、ＥＤでは、例えば、銀または銀を化学構造中に有する化合物を含む電解質から電極上への銀の析出と、電解質への銀の溶解とを利用して表示を行っている。これらの電気化学表示素子は、ＬＣＤに比べて、偏光板やバックライトなどの追加部材が不要であり、低コスト化、省プロセス化（製造のしやすさ）の点で非常に有利なものとなっている。【０００４】
ところで、ＥＤにおいて、各画素をマトリクス状に配置して表示を行う構成では、電解質（電解液）を挟持する一対の基板のうち、非観察側に配置される基板の各画素に対応して設けられる画素電極に、電源バスからの電流が駆動トランジスタ（例えばＴＦＴ）を介して供給される。この構成においては、例えば、画素電極と駆動トランジスタとを別レイヤーで形成することにより、画素電極による開口率をある程度確保することができる。つまり、例えば、駆動トランジスタおよびこの駆動トランジスタと接続される金属配線を絶縁膜で覆うとともに、その絶縁膜上に画素電極を設け、絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して画素電極と金属配線とを接続することにより、ある程度の開口率を確保することができる。このように、画素電極とその下層の金属配線とをコンタクトホールを介して接続する例としては、例えば特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１１２２５号公報（段落〔００２２〕、図５参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、画素電極と駆動トランジスタおよび金属配線とを絶縁膜を介して別レイヤーとする構成では、絶縁膜に設けられるコンタクトホールが孔であるがゆえに、コンタクトホールの内部と外部とで、画素電極に凹凸が生じる。このように画素電極に凹凸が生じると、繰り返し駆動を行ったときに画素電極の凹凸部分でデポジション材料が異常析出し、表示素子としての性能が劣化するという問題が生ずる。なお、上記の異常析出は、以下の理由によるものと考えられる。【０００７】
つまり、画素電極の凹凸部分では、黒表示時に、観察側でのデポジション材料の析出反応が他の部分（例えば画素電極の平坦な部分）に比べて起こりにくくなり、非観察側である画素電極側に、析出していたデポジション材料が溶解せずに残ってしまう。一方、白表示時には、観察側に析出していたデポジション材料を十分に溶解させて非観察側に析出させるだけの酸化還元反応が行われる。このため、黒／白の駆動を繰り返すごとに、非観察側で析出するデポジション材料が次第に大きくなり、異常析出となる。なお、用いる電解液、駆動条件により、異常析出が起こる駆動回数は異なるが、画素電極の凹凸の大きい部分で異常析出が起こりやすいことに変わりはない。【０００８】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、コンタクトホールによって画素電極に凹凸が生じる場合でも、その凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避して表示素子の性能劣化を回避できる電気化学表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気化学表示素子は、共通電極を有する観察側の基板と、画素電極を有する非観察側の基板との間に電解液を封入し、前記各電極間の電位に応じて前記電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子であって、前記非観察側の基板は、電源バスからの電流を駆動トランジスタを介して前記画素電極に供給するための金属配線と、前記駆動トランジスタおよび前記金属配線を覆うように形成される第１の絶縁膜とを有しており、前記画素電極は、前記第１の絶縁膜上に形成されているとともに、前記第１の絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して前記金属配線と接続されており、前記非観察側の基板は、さらに、前記コンタクトホールを覆うように前記画素電極上に形成される第２の絶縁膜を有していることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、第１の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを覆うように画素電極上に第２の絶縁膜が形成されているので、画素電極のうちでコンタクトホールによる凹凸が生じている部分と観察側の共通電極との間では、第２の絶縁膜の存在によって電解液に電流が流れなくなり、デポジション材料の析出／溶解自体が行われなくなる。したがって、繰り返し駆動における、画素電極の上記凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避することができ、表示素子の性能劣化を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の一形態の表示素子の１画素の概略の構成を模式的に示すとともに、黒表示状態での画素を示す説明図であり、（ｂ）は白表示状態での画素を示す説明図である。
【図２】（ａ）は、上記表示素子の１画素の等価回路を示す説明図であり、（ｂ）は、上記表示素子の非観察側の基板における画素の一構成例を示す平面図である。
【図３】上記画素の詳細な構成を示す断面図である。
【図４】上記画素の他の構成を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、上記画素における画素電極および第２の絶縁膜の形成例を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、上記画素電極および上記第２の絶縁膜のさらなる形成例示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は、上記表示素子の駆動基板上に画素電極を形成するまでの各工程を示す平面図である。
【図８】実施例１の第２の絶縁膜の形成パターンを示す平面図である。
【図９】実施例２の第２の絶縁膜の形成パターンを示す平面図である。
【図１０】（ａ）は、実施例３の第２の絶縁膜の形成パターンを示す平面図であり、（ｂ）は、実施例３の表示素子の画素電極の周縁部を示す平面図である。
【図１１】実施例４および５の第２の絶縁膜の形成パターンを示す平面図である。
【図１２】２つの表面の接触角を示す説明図である。
【図１３】（ａ）は、実施例６の表示素子の非観察側の基板における画素の平面図であって、第２の絶縁膜および第２の画素電極を形成する前の状態での平面図であり、（ｂ）は、第２の絶縁膜および第２の画素電極を形成した後の状態での平面図であり、（ｃ）は、上記表示素子の断面図である。
【図１４】（ａ）は、実施例７の表示素子の平面図であり、（ｂ）は、上記表示素子の模式的な断面図である。
【図１５】各実施例および比較例の表示素子の有効画素エリアを示す説明図である。
【図１６】各実施例および比較例の表示素子の駆動回数ごとのＡｇの異常析出の発生状況を示す説明図である。
【図１７】実施例１でＡｇが異常析出する領域を示す平面図である。
【図１８】実施例２でＡｇが異常析出する領域を示す平面図である。
【図１９】実施例６でＡｇが異常析出する領域を示す平面図である。
【図２０】実施例３でＡｇが異常析出する領域を示す平面図である。
【図２１】実施例４および５でＡｇが異常析出する領域を示す平面図である。
【図２２】非観察側の基板における画素の他の構成例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１３】
〔表示素子の基本構成〕
図１（ａ）（ｂ）は、本実施形態の表示素子１の１画素の概略の構成を模式的に示す説明図である。ただし、図１（ａ）は黒表示状態での画素を示し、図１（ｂ）は白表示状態での画素を示している。表示素子１は、ＥＤと呼ばれる電気化学表示素子で構成されており、観察側の基板１０と非観察側の基板２０との間に電解液３０を封入して構成されている。電解液３０には、デポジション材料としての銀が溶解しており、銀イオン３１が存在している。なお、電解液３０の詳細については後述する。
【００１４】
観察側の基板１０は、例えば透明なガラス基板で構成されるコモン基板１１を有している。そして、コモン基板１１上には、各画素１ａに共通のコモン電極１２（共通電極）が形成されている。一方、非観察側の基板２０は、例えば透明なガラス基板で構成される駆動基板２１を有している。なお、駆動基板２１は非観察側に配置されるため、透明でなくてもよい。この駆動基板２１上には、各画素１ａに対応する画素電極２５が形成されている。各基板１０・２０は、コモン電極１２および画素電極２５が内側となるように（電解液３０を介して対向するように）貼り合わされている。
【００１５】
コモン電極１２は、観察側の電極であるため、透明であることが必要である。このため、コモン電極１２としては、通常、酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＯと言う）などの透明電極が用いられる。ここで、ＩＴＯは、電解液３０によるエッチング耐性を高めるため、結晶性のものが望ましい。アモルファスのＩＴＯを用いる場合は、３００℃以上の温度でアニールして結晶化させる必要があるが、観察側の基板１０側には、熱によるダメージを受ける材料が形成されていないので、アモルファスＩＴＯを用いてコモン電極１２を形成することが可能である。
【００１６】
一方、画素電極２５は、電解液３０中のデポジション材料よりもイオン化傾向の大きい材料で構成されている。例えば、デポジション材料として銀を用いた場合、画素電極２５としては、金属酸化物であるアモルファス状のＩＴＯを用いる場合が多い。これは、非観察側の駆動基板２１上に形成されるトランジスタ（例えばＴＦＴ）やそれを覆う絶縁膜にダメージを与えることなく、上記絶縁膜上に約２００℃程度で低温成膜（通常はスパッタ）することができ、また、同じく上記トランジスタ等にダメージを与えることなくフォトリソグラフィ技術によるパターニングが可能だからである。このように、アモルファスＩＴＯは、画素電極２５の成膜プロセスの観点から有利であり、汎用装置で画素電極２５を容易に形成することができる。
【００１７】
次に、表示素子１の表示原理について説明する。
図１（ａ）において、スイッチＳＷ１が閉じられると、コモン電極１２のコモン電圧Ｖｃｏｍとして、画素電極２５に対して閾値以上の負の電圧Ｖｂが印加され、コモン電極１２から電解液３０に電子が注入されてコモン電流Ｉｃｏｍが流れ、コモン電極１２の画素電極２５に対向する位置に、銀イオン３１が還元されて銀の層３２が析出する。これをコモン電極１２側から見ると、黒く見える。
【００１８】
一方、図１（ｂ）において、同様にスイッチＳＷ１が閉じられ、コモン電極１２のコモン電圧Ｖｃｏｍとして、画素電極２５に対して閾値以上の正の電圧Ｖｗが印加されると、図１（ａ）で析出した銀の層３２が酸化されて銀イオン３１となり、電解液３０の内部に分散される。銀の層３２が銀イオン３１に変化した状態は、コモン電極１２側から見ると透明であるため、電解液３０を白く着色しておく、あるいは画素電極２５の上に拡散層を設ける等により、白く見える。このようにして白と黒の表示を切り替えることができる。
【００１９】
図１（ａ）（ｂ）では、スイッチＳＷ１を用いて表示素子１の画素１ａに電圧を印加しているが、スイッチＳＷ１として１画素当たり２個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いれば、各画素１ａをマトリクス状に配置して、各画素１ａごとに電圧を印加して表示を行う、いわゆるアクティブマトリクス方式の表示素子１を構成することができる。
【００２０】
〔画素の詳細な構成〕
次に、表示素子１の１画素の詳細な構成について説明する。
図２（ａ）は、表示素子１の画素１ａの等価回路を示す説明図であり、図２（ｂ）は、表示素子１の非観察側の基板２０における画素１ａの一構成例を示す平面図である。なお、図２（ｂ）では、便宜上、後述する図３に示すゲート絶縁膜２２、層間絶縁膜２４および画素電極２５の図示を省略している（これらを図示すると層の上下関係が複雑化するため）。
【００２１】
画素１ａには、２個の薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２が形成されている。薄膜トランジスタＱ１は、駆動する画素１ａを選択するための選択トランジスタ（スイッチングトランジスタ）であり、薄膜トランジスタＱ２は、画素１ａを駆動する駆動トランジスタである。
【００２２】
薄膜トランジスタＱ１は、ゲートバスＧｍの信号により駆動され、オンされたときのソースバスＳｎの信号を薄膜トランジスタＱ２のゲート電極に印加する。薄膜トランジスタＱ２は、薄膜トランジスタＱ１によってゲート電位が高電位にされたときに、コモン電位Ｖｃｏｍと電源バスＶＤＤによる駆動電位Ｖｄｄとの差の電位、すなわち図１（ａ）（ｂ）で説明した電圧ＶｂまたはＶｗを、コモン電極１２と画素電極２５との間に印加して、電解液３０に電流を流す。コモン電極１２と画素電極２５との間の電位に応じて、電解液３０中のデポジション材料である銀が酸化還元反応を起こし、これによって、画素１ａを黒化させたり白化させたりすることができる。
【００２３】
このように、ＥＤとしての表示素子１は、電流駆動型の表示素子であるので、各画素１ａには駆動時に瞬間的に比較的大きな電流が流れる。この際の電圧降下を防止するために、電源バスＶＤＤは太くする必要がある。ただ、画素サイズとの兼ね合いから、電源バスＶＤＤはむやみに幅方向に太くすることはできないので、電源バスＶＤＤを厚く形成することで対応するのが一般的である。
【００２４】
次に、画素１ａにおける非観察側の基板２０の構成について、さらに詳しく説明する。図３は、画素１ａの詳細な構成を示す断面図である。なお、図３では、説明の理解をしやすくするために、互いに折れ曲がった複数の切断面を一方向につなげて模式的に示しており、単一の面で切断されたときの断面図ではないことを先に断わっておく。この点は、以下で登場する断面図でも同様である。
【００２５】
駆動基板２１上には、走査バスＧｍと、薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２のゲート電極とが形成されている。薄膜トランジスタＱ１のゲート電極は、走査バスＧｍと接続されている。そして、走査バスＧｍおよび各ゲート電極を覆うように、ゲート絶縁膜２２が駆動基板２１上に形成されている。
【００２６】
ゲート絶縁膜２２上には、薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２の半導体がパターニング形成されているとともに、ソースバスＳｎ、電源バスＶＤＤ、薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２のソース／ドレイン電極および金属配線２３が形成されている。薄膜トランジスタＱ１のソース／ドレイン電極の一方の電極は、ソースバスＳｎと接続されており、他方の電極は、ゲート絶縁膜２２に設けられるコンタクトホール２２ａを介して、薄膜トランジスタＱ２のゲート電極と接続されている。また、薄膜トランジスタＱ２のソース／ドレイン電極の一方の電極は、電源バスＶＤＤと接続されており、他方の電極は、金属配線２３と接続されている。なお、上記他方の電極は、金属配線２３と一体形成されていてもよい。
【００２７】
そして、薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２の半導体、ソースバスＳｎ、電源バスＶＤＤ、薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２のソース／ドレイン電極および金属配線２３を覆うように、層間絶縁膜２４（第１の絶縁膜）が形成されており、この層間絶縁膜２４上に画素電極２５（第１の画素電極）が形成されている。画素電極２５は、層間絶縁膜２４に設けられるコンタクトホール２４ａを介して、金属配線２３と接続されている。したがって、薄膜トランジスタＱ２がオンされたときには、電源バスＶＤＤからの電流が薄膜トランジスタＱ２および金属配線２３を介して画素電極２５に供給されることになる。
【００２８】
画素電極２５上には、コンタクトホール２４ａを覆うように（コンタクトホール２４ａよりも大きいサイズで）、絶縁膜２６（第２の絶縁膜）が形成されている。そして、画素電極２５と絶縁膜２６の非形成領域２５ａで導通するように、多孔質金属酸化物電極２７（第２の画素電極）が形成されている。なお、絶縁膜２６および多孔質金属酸化物電極２７の詳細（材料、形成方法）については後述する。なお、多孔質金属酸化物電極２７の代わりに、画素電極２５と同じ金属材料（アモルファスＩＴＯ）からなる電極を第２の画素電極として形成してもよい。
【００２９】
層間絶縁膜２４に設けられたコンタクトホール２４ａは孔であるため、コンタクトホール２４ａの内部と外部とで画素電極２５に凹凸が生じている。しかし、コンタクトホール２４ａを覆うように少なくとも画素電極２５上に絶縁膜２６が形成されているので、画素電極２５のうちでコンタクトホール２４ａによる凹凸が生じている部分と観察側のコモン電極１２との間では、絶縁膜２６の存在によって電解液３０に電流が流れなくなり、デポジション材料である銀の析出／溶解自体が行われなくなる。したがって、繰り返し駆動における、画素電極２５の上記凹凸部分での銀の異常析出を回避することができ、表示素子１の性能劣化を回避することができる。
【００３０】
また、コンタクトホール２４ａを覆うように絶縁膜２６が形成されているので、本実施形態のように、画素電極２５が電解液３０中のデポジション材料である銀よりもイオン化傾向の大きいアモルファスＩＴＯで構成されている場合でも、コンタクトホール２４ａ内およびコンタクトホール２４ａ上に位置する画素電極２５が電解液３０によって溶解するのを抑えることができる。したがって、コンタクトホール２４ａの画素電極２５の溶解により、電源バスＶＤＤからの電流が画素１ａに供給されなくなって欠陥画素となり、表示不良が生じるのを低減することもできる。
【００３１】
〔画素の他の構成〕
図４は、画素１ａの他の構成を示す断面図である。同図に示すように、絶縁膜２６は、開口部２６ｐを有し、かつ、１つの画素１ａ内で層構成が同一の領域Ｔ以外の部分を覆うように形成されていてもよい。なお、層構成が同一とは、各層の材料、厚さ、層数などが同一であることを指す。例えば、図４では、開口部２６ｐの内側では、ゲート絶縁膜２２、電源バスＶＤＤ、層間絶縁膜２４、画素電極２５の各層が、各層ともに同一厚さでこの順で積層されており、層構成が同一であると言える。
【００３２】
同図に示すように、層構成が同一の領域Ｔでは、画素電極２５に凹凸が生じないので、１画素内で領域Ｔ以外の部分、すなわち、凹凸が生じている部分を覆うように絶縁膜２６を形成することにより、凹凸部分での銀の異常析出を回避することができる。また、開口部２６ｐの存在により、領域Ｔは絶縁膜２６で覆われず、画素電極２５が開口部２６ｐを介してコモン電極１２と対向するため、上記画素電極２５を銀の析出／溶解による表示に寄与させて開口率を確保することができる。
【００３３】
また、上記した多孔質金属酸化物電極２７は、後述する実施例５のように、例えばインクジェット法により多孔質ＩＴＯ材料を画素電極２５上に塗布して形成されるが、絶縁膜２６が開口部２６ｐを有して形成される場合、絶縁膜２６は、開口部２６ｐ内に多孔質金属酸化物電極２７を形成する際の隔壁を兼ねていてもよい。この場合、表示素子１の作製時に、多孔質金属酸化物電極２７の形成専用の隔壁を別途設けなくても済み、また、多孔質金属酸化物電極２７の画素１ａごとのパターニングも不要となるので、製造プロセスを簡略化することができる。
【００３４】
また、図４の構成では、画素電極２５は、駆動トランジスタである薄膜トランジスタＱ２を覆うように層間絶縁膜２４上に形成されており、絶縁膜２６は、同じく薄膜トランジスタＱ２を覆うように画素電極２５上に形成されている。薄膜トランジスタＱ２の形成領域は、ゲート、ソース、ドレインの各電極、半導体およびゲート絶縁膜２２が積層された構造であるため、薄膜トランジスタＱ２の上層の画素電極２５に凹凸が生じやすい。しかし、コンタクトホール２４ａを覆うことに加えて、薄膜トランジスタＱ２によって生じる画素電極２５の凹凸部分を絶縁膜２６で覆うことにより、繰り返し駆動における該凹凸部分での銀の異常析出を回避して、表示素子１の性能劣化をさらに回避することができる。
【００３５】
ところで、図５（ａ）〜図５（ｃ）は、画素電極２５および絶縁膜２６の形成例を示す断面図である。なお、図５（ａ）および図５（ｃ）は、前述した図３および図４の構成にそれぞれ対応している。これらの図に示すように、画素電極２５は、１画素１ａ内で、層間絶縁膜２４の表面の一部に形成され、絶縁膜２６は、画素電極２５および層間絶縁膜２４の両方に形成されていてもよい。そして、絶縁膜２６は、同図（ａ）に示すように、コンタクトホール２４ａの形成部分だけを覆うように形成されていてもよいし、同図（ｂ）に示すように、開口部２６ｐを形成して、凹凸の比較的大きな領域（例えばコンタクトホール２４ａおよび薄膜トランジスタＱ１の形成領域）のみを覆うように形成されていてもよいし、同図（ｃ）に示すように、開口部２６ｐを形成して、層構成が同一の領域Ｔ以外の領域を覆うように形成されていてもよい（さらに薄膜トランジスタＱ２を覆うように形成されてもよい）。
【００３６】
また、図６（ａ）〜図６（ｃ）は、画素電極２５および絶縁膜２６のさらなる形成例を示す断面図である。これらの図に示すように、画素電極２５は、１画素１ａ内で、層間絶縁膜２４の表面のほぼ全体に形成されていてもよい。この場合でも、画素電極２５上に形成される絶縁膜２６は、同図（ａ）に示すように、コンタクトホール２４ａの形成部分だけを覆うように形成されていてもよいし、同図（ｂ）に示すように、開口部２６ｐを形成して、凹凸の比較的大きな領域（例えばコンタクトホール２４ａおよび薄膜トランジスタＱ１の形成領域）を覆うように形成されていてもよいし、同図（ｃ）に示すように、開口部２６ｐを形成して、層構成が同一の領域Ｔ以外の領域を覆うように形成されていてもよい（さらに薄膜トランジスタＱ２を覆うように形成されてもよい）。
【００３７】
つまり、図５（ａ）〜図５（ｃ）のように、１画素に対して画素電極２５を小さく形成する場合でも、図６（ａ）〜図６（ｃ）のように、１画素に対して画素電極２５を大きく形成する場合でも、その上層に形成される絶縁膜２６の形成範囲を調整することで、画素電極２５において実質的に電極として機能する領域（コモン電極１２と対向する領域）を小さくし、その領域での平坦性を高めることができる。
【００３８】
〔電解液〕
次に、上述した電解液３０の詳細について説明する。
電解液３０は、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含んでおり、電解液３０に銀イオンが存在している。ここで、銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物の総称である。このとき、固体状態や液体への可溶化状態や気体状態等の相の状態種、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に問わない。
【００３９】
電解液３０に含まれる銀イオン濃度は、０．２モル／ｋｇ≦［Ａｇ］≦２．０モル／ｋｇが好ましい。銀イオン濃度が０．２モル／ｋｇよりも少ないと、希薄な銀溶液となって駆動速度が遅延し、逆に、２モル／ｋｇよりも大きいと、溶解性が劣化し、低温保存時に析出が起きやすくなる傾向にあり、不利である。
【００４０】
また、電解液３０は、２５℃における粘度が、０．１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ未満であることが好ましく、溶媒に対する高分子バインダーの量が、重量比で１０％未満であることが好ましい。さらに、電解液３０は、有機溶媒、イオン性液体、酸化還元活性物質、支持電解質、錯化剤、白色散乱物、高分子バインダー等を必要に応じて選択して構成されてもよい。
【００４１】
〔第２の絶縁膜〕
次に、第２の絶縁膜としての絶縁膜２６の詳細について説明する。
絶縁膜２６の材料としては、良好な絶縁性を有し、成膜時に、スイッチング素子（薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２）の半導体材料を劣化させないものが適用可能である。例えば、絶縁膜２６として、酸化ケイ素等の無機酸化物や、窒化ケイ素等の無機窒化物、あるいは、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルラン、パリレン等の有機化合物が適用可能である。さらには、有機材料と無機材料の複数層の重ね合わせで絶縁膜２６を構成してもよい。
【００４２】
絶縁膜２６の形成方法としては、例えば、全面塗布後、所定形状にパターニングする方法と、ダイレクトに所定形状でパターニング形成する方法とがある。前者の方法の場合、上記光硬化性樹脂を用いてスピンコート成膜し、パターン露光、現像の各工程を経て、コンタクトホール２４ａの形状よりも少し大きめにパターンを残すのが望ましい。なお、絶縁膜２６の形成パターンが大きすぎると、多孔質金属酸化物電極２７と画素電極２５との接触面積が小さくなって導通時の抵抗が大きくなり、逆に小さすぎると、コンタクトホール２４ａの保護機能および銀の異常析出を防止する機能が失われる。なお、成膜材料の塗布方法は、上記のスピンコートに限定されるわけではなく、スプレーコート、スリットコート、ディッピングコート等でもよい。また、ドライフィルムレジストをラミネートして用いることもできる。一方、後者の方法の場合、インクジェット法、ディスペンサ法、スクリーン印刷、などの塗布方法を適用することが可能である。
【００４３】
〔多孔質金属酸化物電極〕
次に、多孔質金属酸化物電極２７の詳細について説明する。
一般に、多孔質構造の電極を構成する微粒子の主成分としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄ等の金属や、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯ等の金属酸化物、カーボンナノチューブ、グラッシーカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、窒素含有カーボン等の炭素電極等があげられるが、画素電極２５の耐久性の面から、多孔質金属酸化物電極２７としては、特に、ＩＴＯ、ＳｎＯ2およびＺｎＯ等の金属酸化物から選択されることが好ましい。
【００４４】
ここで、「多孔質構造」とは、電極中にナノメートルサイズの孔が無数に存在する、いわゆるナノ多孔質構造の内部を、電解液中に含まれるイオン種が移動可能な構造を有することを言う。そのため、多孔質金属酸化物電極２７を構成する微粒子の平均粒子径は、５ｎｍから３０ｎｍ程度が好ましい。上記微粒子としては、不定形、針状、球形等、任意の形状のものを用いることができる。
【００４５】
このような多孔質構造を有する多孔質金属酸化物電極２７を設けることにより、多孔質金属酸化物電極２７中にデポジション材料である銀が担持され、この部分に電源バスＶＤＤからの電流が画素電極２５を介して供給されるので、電流供給時の酸化還元反応速度（駆動速度）を速めることができる。
【００４６】
多孔質金属酸化物電極２７の形成方法としては、絶縁膜２６の場合と同様に、全面塗布後、所定形状にパターニングする方法と、ダイレクトに所定形状でパターニング形成する方法とがあるが、本実施形態では、特に後者の方法を採用している。後者の方法としては、インクジェット法、ディスペンサ法など、基板２０に非接触で材料を飛翔させる方式が望ましい。この場合、バンクとなる絶縁膜２６をセパレーターとして利用し、絶縁膜２６に撥液処理を施すことで、多孔質状の金属酸化物を各画素ごとに良好にパターニングすることが可能となる。
【００４７】
〔実施例〕
次に、本実施形態の表示素子１の実施例について、図３等を参照しながら、実施例１〜７として説明する。また、実施例１〜７との比較のため、比較例１も併せて示す。
【００４８】
（実施例１）
＜電解液の作製＞
ジメチルスルホキシド（以下、ＤＭＳＯと言う）２．５ｇ中に、ヨウ化ナトリウム９０ｍｇ、ヨウ化銀７５ｍｇを加えて完全に溶解させた後に、平均分子量約１５０００のポリビニルピロリドン１５０ｍｇを加えて、１２０℃に加熱しながら１時間攪拌し、溶液化した。この溶液に、さらに平均分子量が約１０万のポリエチレングリコール（以下、ＰＥＧと言う）と、酸化チタンの粉末とを加えて混合し、ゲル状の白色の電解液３０を作製した。このとき、ＰＥＧは電解液３０の５ｗｔ％とし、酸化チタンの粉末は電解液３０の３０ｗｔ％とした。
【００４９】
＜観察側の基板の作製＞
コモン基板１１としてガラス基板を用いた。そして、コモン基板１１上に、透明導電膜である結晶性ＩＴＯをスパッタ法にて１５０ｎｍの膜厚となるように成膜し、全面に（各画素１ａに共通の）コモン電極１２を形成し、観察側の基板１０を作製した。
【００５０】
＜非観察側の基板の作製＞
［工程１：ベースの形成］
駆動基板２１としてガラス基板を用い、この駆動基板２１上に、２次元マトリクス状に、１画素当たり２個のＴＦＴ（薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２）を有するＴＦＴアレイを形成し、そのＴＦＴアレイを覆うように層間絶縁層２４を形成し、さらに層間絶縁膜２４上に、アモルファスＩＴＯを用いて薄い画素電極２５を各画素１ａに対応して形成した。駆動基板２１上に画素電極２５まで形成したものを、ここでは、基板２０のベースと呼ぶことにする。
【００５１】
なお、ベースの作製まで、すなわち画素電極２５の形成までは、周知の技術により行うことができる。例えば、表示素子１と同じ電流駆動型素子であるＥＣＤや、有機ＥＬ表示素子等で広く公知となっている技術により、画素電極２５までの形成が可能である。
【００５２】
ここで、後述する絶縁膜２６と、その下層の電極パターンや配線パターンとの位置関係を明確にする目的で、画素電極２５までの形成について図面を用いて説明を補足しておく。図７（ａ）〜図７（ｆ）は、駆動基板２１上に画素電極２５を形成するまでの各工程を示す平面図である。
【００５３】
まず、駆動基板２１上に、走査バスＧｍおよび薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２の各ゲート電極Ｇ１・Ｇ２を形成する（図７（ａ）参照）。次に、走査バスＧｍおよび各ゲート電極Ｇ１・Ｇ２を覆うように、駆動基板２１のほぼ全面にゲート絶縁膜２２を形成するとともに、ゲート絶縁膜２２にコンタクトホール２２ａを形成する（図７（ｂ）参照）。なお、図７（ｂ）では、ゲート絶縁膜２２を図示すると、層の上下関係を示す図示が複雑化するため、便宜上、ゲート絶縁膜２２の図示を省略し、コンタクトホール２２ａの外縁のみを破線で示している。
【００５４】
続いて、ゲート絶縁膜２２上の所定の位置に、薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２の半導体Ａ１・Ａ２をパターニング形成し（図７（ｃ）参照）、さらに、ソースバスＳｎ、薄膜トランジスタＱ１のソース／ドレイン電極の一方として機能する電極Ｅ１１および他方として機能する電極Ｅ１２、薄膜トランジスタＱ２のソース／ドレイン電極の一方として機能する電極Ｅ２１および他方として機能する電極Ｅ２２、金属配線２３、電源バスＶＤＤを形成する（図７（ｄ）参照）。このとき、薄膜トランジスタＱ１の電極Ｅ１１をソースバスＳｎと接続して形成し、薄膜トランジスタＱ１の電極Ｅ１２を、ゲート絶縁膜２２のコンタクトホール２２ａを介して薄膜トランジスタＱ２のゲート電極Ｇ２と接続して形成する。また、薄膜トランジスタＱ２の電極Ｅ２１を電源バスＶＤＤと接続して形成し、薄膜トランジスタＱ２の電極Ｅ２２を金属配線２３と接続して形成する。なお、電極Ｅ２２と金属配線２３とを一体的に形成してもよい。
【００５５】
次に、図７（ｄ）で形成した電極パターンおよび配線パターンを覆うように、層間絶縁膜２４を形成するとともに、層間絶縁膜２４にコンタクトホール２４ａを形成する（図７（ｅ）参照）。なお、図７（ｅ）では、層間絶縁膜２４を図示すると、層の上下関係を示す図示が複雑化するため、便宜上、層間絶縁膜２４の図示を省略し、コンタクトホール２４ａの外縁のみを破線で示している。
【００５６】
そして、層間絶縁膜２４上およびコンタクトホール２４ａの内部に画素電極２５を形成する（図７（ｆ）参照）。これにより、画素電極２５は、コンタクトホール２４ａを介して金属配線２３と接続される。また、このとき、画素電極２５は、図７（ｅ）で示した薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２や段差部Ｃを覆うように、１画素全体に形成される。
【００５７】
ここで、上記の段差部Ｃとは、電源バスＶＤＤと薄膜トランジスタＱ２のゲート電極Ｇ２とが層間絶縁膜２４を介して交差することにより段差が形成される部分である。なお、電源バスＶＤＤとゲート電極Ｇ２とが層間絶縁膜２４を介して交差する部分では、補助容量（Ｃｓとも言う）が形成される。
【００５８】
［工程２：第２の絶縁膜の形成］
次に、工程１で形成されたベースの画素電極２５上に、コンタクトホール２４ａのみを覆うように第２の絶縁膜としての絶縁膜２６を形成した。より詳しくは、ベース上に塗布型感光性アクリル樹脂（ＪＳＲ社、型番：ＰＣ４０３）をスピンコート３０００ｒｐｍで成膜した。なお、上記樹脂の厚みは０．５μｍとした。続いて、所定のフォトマスクを用い、照射光量２００ｍＪ/ｃｍ2で露光を行い、その後、現像、焼成を行った。なお、現像は、所定の現像液ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）０．２３８ｗｔ％水溶液で１分間行った。焼成は、２２０℃で１時間行った。図８は、このときの絶縁膜２６（塗布型感光性アクリル樹脂）の形成パターンを示している。なお、図８では、絶縁膜２６と下層との位置関係を明確にするため、画素電極２５をその縁のみ二点鎖線で示している。以下の図面でも同様に図示するものとする。
【００５９】
［工程３：多孔質金属酸化物電極材料の塗布］
次に、画素電極２５および画素電極２５上の絶縁膜２６を覆うように、多孔質ＩＴＯを塗布し、平均膜厚０．５μｍの多孔質ＩＴＯ膜を形成した。塗布には、スプレー塗布装置（株式会社ワイディー・メカトロソリューションズ社製のＳＴＳ６００）を用いた。このときの塗布の条件は、以下の通りである。
・スプレーガンのノズル型番：アトマックスノズルＡＭ２５（株式会社アトマックス社製）
・霧化エア：窒素ガス（Ｎ2）
・霧化エアの流量：８Ｌ／ｍｉｎ
・塗布液（ＩＴＯインク）型番：Ｘ８０６ＣＮ２７Ｓ（住友金属鉱山株式会社製）
・塗布液流量：７ｍＬ／ｍｉｎ
・ノズル吐出速度：３００ｍｍ／秒
・ノズル−駆動基板間距離：６０ｍｍ
【００６０】
［工程４：多孔質金属酸化物電極のパターニング形成］
工程３で形成された多孔質ＩＴＯ膜を、既存のフォトリソグラフィ技術によりパターニングし、多孔質金属酸化物電極２７を形成した。なお、パターニングについての詳細は、以下の通りである。
【００６１】
東京応化工業社製のレジスト材（型番：ＯＦＰＲ８００ＬＢ）を、スピンコート条件１０００ｒｐｍで塗布した後、ホットプレート上で８０℃で５分間乾燥させた。そして、所定サイズのフォトマスクを用い、露光量１２０ｍＪ/ｃｍ2でパターン露光した後、所定の現像液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）２．３８ｗｔ％水溶液）で１２０秒現像を行った。その後、林純薬工業社製のエッチング第二塩鉄液を用い、２００秒間エッチングを行った。レジスト材の剥離は、ＮａＯＨ２ｗｔ％水溶液を用い、剥離後、８０℃オーブンで１時間の乾燥を行った。
【００６２】
＜シール剤の塗布＞
次に、多孔質金属酸化物電極２７が形成された基板２０の周縁部に、電解液３０の注入口を除いて、ディスペンサを用いて、熱硬化型のオレフィン系シール剤を塗布した。そして、シール剤中に２５μｍのビーズスペーサを配置することで、基板１０・２０間のギャップが２５μｍとなるように設定した。
【００６３】
＜基板の貼り合わせ＞
基板１０・２０を上記のシール剤を介して貼り合わせた後、加熱押圧してシール剤を硬化させ、内部が空の空セルを作製した。このとき、基板１０・２０間の距離を一定に保つため、φ２５μｍの球状スペーサをコモン基板１１上に５０個/ｍｍ2程度配置した。続いて、液晶パネルの製造等で用いられる真空注入法を用いて、空セルの内部に電解液３０を注入し、電解液３０の注入口を、紫外線硬化型接着剤にて封止し、実施例１の表示素子１を得た。
【００６４】
（実施例２）
図９は、実施例２の絶縁膜２６の形成パターンを示す平面図である。実施例２では、実施例１の［工程２：第２の絶縁膜の形成］において、コンタクトホール２４ａに加えて、２個の薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２をさらに覆うように、絶縁膜２６を画素電極２５上に形成した以外は、実施例１と同様の手法で表示素子１を作製した。
【００６５】
（実施例３）
図１０（ａ）は、実施例３の絶縁膜２６の形成パターンを示す平面図であり、図１０（ｂ）は、画素電極２５の周縁部２５ｂを示す平面図である。実施例３では、実施例１の［工程２：第２の絶縁膜の形成］において、コンタクトホール２４ａに加えて、２個の薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２および画素電極２５の周縁部２５ｂをさらに覆うように、絶縁膜２６を画素電極２５上に形成した以外は、実施例１と同様の手法で表示素子１を作製した。実施例３では、絶縁膜２６が画素電極２５の周縁部２５ｂを少なくとも覆う形状であるため、結果として、絶縁膜２６が開口部２６ｐを有することになり、開口部２６ｐ以外の領域で画素電極２５を覆うことになる。
【００６６】
（実施例４）
図１１は、実施例４の絶縁膜２６の形成パターンを示す平面図である。実施例４では、実施例１の［工程２：第２の絶縁膜の形成］において、コンタクトホール２４ａに加えて、２個の薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２、画素電極２５の周縁部２５ｂ、および段差部Ｃをさらに覆うように、絶縁膜２６を画素電極２５上に形成した以外は、実施例１と同様の手法で表示素子１を作製した。
【００６７】
なお、実施例４においても実施例３と同様に、絶縁膜２６が画素電極２５の周縁部２５ｂを少なくとも覆う形状であるため、結果として絶縁膜２６が実施例３よりも狭い開口部２６ｐを有することになり、開口部２６ｐ以外の部分で画素電極２５を覆うことになる。
【００６８】
（実施例５）
実施例５では、実施例４において＜非観察側の基板の作製＞の工程の一部を以下のように変更した以外は、実施例４と同様の手法で表示素子１を作製した。なお、実施例５は、絶縁膜２６の形成方法および多孔質金属酸化物電極２７の形成方法が異なる以外は、実施例４と同様である。つまり、絶縁膜２６の形状（形成範囲）については実施例４と同様であり、コンタクトホール２４ａ、２個の薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２、画素電極２５の周縁部２５ｂ、および段差部Ｃを覆うように、絶縁膜２６を画素電極２５上に形成している（図１１参照）。
【００６９】
＜非観察側の基板の作製＞
［工程２：第２の絶縁膜の形成］
工程１で形成されたベースの画素電極２５上に、塗布型感光性アクリル樹脂（ＪＳＲ社、型番：ＰＣ４０３）をスピンコート７００ｒｐｍで成膜した。なお、上記樹脂の厚みは２．０μｍとした。続いて、所定のフォトマスクを用い、照射光量２００ｍＪ/ｃｍ2で露光を行い、その後、現像、焼成を行った。現像は、所定の現像液ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）０．２３８ｗｔ％水溶液で２分間行った。焼成は、２２０℃で１時間行った。
【００７０】
なお、実施例５においては、絶縁膜２６の表面に対する液体材料（次に塗布する多孔質ＩＴＯ）の非親和性の程度（はじきやすさ）が、基板上の絶縁膜２６の非形成領域（画素電極２５上の非形成領域および層間絶縁膜２４の表面を含む）に比べて高くなるように、絶縁膜２６の表面および絶縁膜２６の非形成領域の少なくとも一方に表面処理を施しておくことが好ましい。このような表面処理により、次に多孔質金属酸化物電極２７を形成すべく、薄膜層（多孔質金属酸化物電極２７）の厚みに比べて多量の液体材料を吐出しても、その液体材料が絶縁膜２６を乗り越えて隣りの画素１ａに溢れ出ることがなく、各画素１ａの所定の領域、すなわち、絶縁膜２６の非形成領域にのみ液体材料を充填することができる。つまり、絶縁膜２６をバンクとして機能させることができる。
【００７１】
ここで、上記した表面処理としては、例えば導入ガスにフッ素またはフッ素化合物を含むガスを使用し、フッ素化合物および酸素を含む減圧雰囲気下あるいは大気圧雰囲気下でプラズマ照射をする減圧プラズマ処理や大気圧プラズマ処理が挙げられる。フッ素またはフッ素化合物を含むガスとしては、ＣＦ4、ＳＦ6、ＣＨＦ3等が挙げられる。実施例５では、ＣＦ4プラズマ処理（圧力：５Ｐａ、出力：５Ｗ、ＣＦ4流量：７ｓｃｃｍ、時間：１分間）を行い、絶縁膜２６と液体材料（多孔質ＩＴＯ材料）との接触角を約６０°とした。
【００７２】
なお、上記の接触角とは、図１２に示すように、固体の表面Ｓと液体の表面Ｌとの接点における、表面Ｓと表面Ｌとのなす角度α（°）を指す。接触角αが大きいほど、液体は固体に対して非親和性が高くなり、はじくことになる。上述した表面処理による効果を確実に得るためには、液体材料（多孔質ＩＴＯ材料）の絶縁膜２６の表面に対する接触角を５０°以上とし、絶縁膜２６の非形成領域に対する接触角を２０°以下とすることが好ましい。
【００７３】
［工程３：多孔質金属酸化物電極材料の塗布］
工程２で形成した絶縁膜２６の開口部２６ｐ内に、インクジェット法にて液体材料である多孔質ＩＴＯを滴下する。インクジェット法における吐出量は、多孔質ＩＴＯの塗布後の加熱処理により体積が減少したときに所望の厚みになるような量とする。なお、乾燥後に多孔質ＩＴＯを再度吐出して重ね合わせ処理を行うことにより、所望の厚みになるようにしてもよい。
【００７４】
実施例５においては、吐出される液体材料の液滴の大きさに対して、絶縁膜２６の大きさ（高さ、幅）を規定することにより、薄膜層（多孔質金属酸化物電極２７）の厚さに比べて多量の液体材料を吐出しても、液体材料が絶縁膜２６を乗り越えて溢れ出ることなく、所定の領域に液体材料が充填される。液体材料が溶媒を含む材料の場合は、液体材料を充填した後、加熱処理および／または減圧処理を行い、溶媒成分を除去することにより、液体材料の体積が減少し、絶縁膜２６の非形成領域に薄膜層が形成される。このとき、絶縁膜２６の非形成領域の表面、すなわち基板表面は、前述のように親和性（親液性）を示すように表面処理されているので、薄膜層が好適に密着する。
【００７５】
なお、インクジェット方式としては、ピエゾジェット方式や、熱による気泡発生により吐出する方式のいずれであってもよいが、加熱による流動体の変質がない点で、ピエゾジェット方式が好ましい。実施例５では、コニカミノルタＩＪ株式会社製ピエゾヘッドＫＭ５１２Ｍを有するインクジェット装置を用い、膜厚１．２μｍの多孔質ＩＴＯを形成し、多孔質金属酸化物電極２７とした。
【００７６】
なお、実施例５では、絶縁膜２６がバンクとなり、多孔質金属酸化物電極２７の形成と同時に、多孔質金属酸化物電極２７が絶縁膜２６で区切られるので、実施例１の［工程４：多孔質金属酸化物電極のパターニング形成］は不要となる。
【００７７】
（実施例６）
図１３（ａ）（ｂ）は、実施例６の表示素子１の非観察側の基板２０における画素１ａの平面図であって、図１３（ａ）は、絶縁膜２６および多孔質金属酸化物電極２７を形成する前の状態での平面図を示し、図１３（ｂ）は、絶縁膜２６および多孔質金属酸化物電極２７を形成した後の状態での平面図を示している。なお、図１３（ａ）（ｂ）では、便宜上、ゲート絶縁膜２２および層間絶縁膜２４の図示を省略している。また、図１３（ｃ）は、実施例６の表示素子１の断面図である。
【００７８】
実施例６の表示素子１は、絶縁膜２６の材料および厚さ（高さ）を変更して、絶縁膜２６に基板間の距離（ギャップ）を制御するスペーサの機能を持たせている点以外は、実施例１と同様である。したがって、実施例６では、実施例１における＜非観察側の基板の作製＞の工程の一部を以下のように変更して表示素子１を作製した。
【００７９】
なお、実施例６では、図１３（ａ）に示すように、画素電極２５は、コンタクトホール２４ａおよび補助容量を形成する電源バスＶＤＤを覆うように形成されており、薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２の上方には形成されていないものとする。また、多孔質金属酸化物電極２７は、補助容量を形成する電源バスＶＤＤを覆う画素電極２５上に形成されているものとする。
【００８０】
＜非観察側の基板の作製＞
［工程２：第２の絶縁膜の形成］
工程１で形成されたベースの画素電極２５上に、厚さ２５μｍのエポキシ系のネガ型感光性ドライフィルムレジストを、ラミネータを用いて温度５０℃、圧力０．４ＭＰａ、速度１ｍ/ｍｉｎの条件でラミネートした。次に、平行光露光機にて円柱パターンが形成されたフォトマスクを介して、４００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射し、続いて８０℃のホットプレート上で５分間熱処理を行った。熱処理後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）液を用いて現像処理を行い、紫外線の照射されていないレジスト材料を除去し、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）液にてリンス処理を行った後、液を乾燥させることにより、絶縁膜２６として、高さ２５μｍの柱状構造物を得た。柱状構造物のサイズは、コンタクトホールサイズ（１０μｍ角）よりも大きくし、３０μｍ角の柱状とした。
【００８１】
＜基板の貼り合わせ＞
基板１０・２０をシール剤を介して貼り合わせた後、加熱押圧してシール剤を硬化させ、内部が空の空セルを作製した。このとき、基板１０・２０間の距離を一定に保つための球状スペーサを配置せず、絶縁膜２６によって基板１０・２０間の距離を一定に保つようにした。そして、真空注入法を用いて、空セルの内部に電解液３０を注入し、電解液３０の注入口を、紫外線硬化型接着剤にて封止し、実施例６の表示素子１を得た。
【００８２】
（実施例７）
図１４（ａ）は、実施例７の表示素子１の平面図であり、図１４（ｂ）は、実施例７の表示素子１の模式的な断面図である。なお、図１４（ａ）では、便宜上、ゲート絶縁膜２２、層間絶縁膜２４、画素電極２５、観察側の基板１０のコモン基板１１およびコモン電極１２の図示を省略している。また、図１４（ｂ）においても、便宜上、ゲート絶縁膜２２、層間絶縁膜２４および薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２等の図示を省略して簡略化している。実施例７の表示素子１は、基板１０側に隔壁部１３を設け、基板２０側の絶縁膜２６の開口部２６ｐの形状を円形とした以外は、実施例５と同様である。以下では、実施例５と異なる工程のみ示す。
【００８３】
＜観察側の基板の作製＞
コモン基板１１としてガラス基板を用いた。そして、コモン基板１１上に、透明導電膜である結晶性ＩＴＯをスパッタ法にて１５０ｎｍの膜厚となるように成膜し、フォトリソグラフィ技術により、コモン電極１２を形成した。さらに、コモン電極１２上に、格子状の隔壁部１３を線幅５μｍ、高さ１５μｍで形成し、観察側の基板１０を作製した。
【００８４】
ここで、隔壁部１３を構成する材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の材料を用いることができる。また、隔壁部１３の形成方法としては、例えば、（１）感光性樹脂組成物をスピンコート法、スリットコート法等の方法にて基板上に塗布し、露光・現像工程を経て所望のパターンを得る方法、（２）非感光性樹脂組成物を基板上に形成後、レジストパターンをフォトプロセスもしくは印刷プロセスを用いて形成し、その後サンドブラストエッチング法にて樹脂組成物を除去していく方法、（３）直接スクリーン印刷法にてダイレクトに隔壁部１３のパターンを印刷する方法がある。用いる材料は、隔壁部１３の形成方法に合わせて適宜選択すればよい。
【００８５】
＜非観察側の基板の作製＞
［工程２：第２の絶縁膜の形成］
開口部２６ｐの形状を円形とした以外は、実施例５と同様の条件で絶縁膜２６を形成した。
【００８６】
＜基板の貼り合わせ＞
画素電極２５が絶縁膜２６の円形の開口部２６ｐを介して隔壁部１３以外の位置でコモン電極１２と対向するように、基板１０・２０をシール剤を介して貼り合わせた後、加熱押圧してシール剤を硬化させ、内部が空の空セルを作製した。そして、真空注入法を用いて、空セルの内部に電解液３０を注入し、電解液３０の注入口を、紫外線硬化型接着剤にて封止し、実施例７の表示素子１を得た。
【００８７】
（比較例１）
比較例１は、実施例１で説明した＜非観察側の基板の作製＞の工程の一部、すなわち、［工程２：第２の絶縁膜の形成］を省略して表示素子を作製した以外は、実施例１と同様である。
【００８８】
〔駆動検査〕
次に、実施例１〜７および比較例１の各表示素子を用いて、駆動検査を実施した。検査の手順は、以下の通りである。
【００８９】
なお、実施例１〜７および比較例１では、各表示素子の画素ピッチを０．２ｍｍとし、図１５に示すように、有効画素エリアＲを７０ｍｍ×５０ｍｍとした。したがって、有効画素エリアＲの画素数は、（７０／０．２）×（５０／０．２）＝３５０×２５０＝８７５００個となる。また、ここでは、有効画素エリアＲを８分割して、以下の検査を行った。したがって、１エリアあたりの検査画素数は、８７５００／８≒１００００個である。
【００９０】
まず、各エリアの画素全体に対して、電圧の印加、無印加を繰り返し、白／黒の表示を交互に繰り返し行った。なお、電圧印加による黒表示は、コントラストが１０となるように行った。なお、コントラスト１０とは、白と黒との視感反射率（Ｙ値）比が１０：１であることを示す。このとき、黒表示は、コモン電極１２を基準として画素電極２５に＋１．２Ｖの電圧を１２００ｍｓｅｃ印加することにより行い、白表示は、コモン電極１２を基準として画素電極２５に−１．２Ｖの電圧を２０００ｍｓｅｃ印加することにより行った。連続駆動時は、黒印加パルスと白印加パルスとの間に１０００ｍｓｅｃの待ち時間を挿入した。
【００９１】
次に、駆動回数（黒の表示回数）が１０００回に達したところで、表示素子を分解し、電解液３０を除去した。そして、各エリアごとに非観察側の基板２０において２０×２０＝４００画素を顕微鏡にて観察し、Ａｇの異常析出の有無を調べた。このとき、サイズがφ５μｍ以上のＡｇの析出を異常析出とした。このような処理を、Ａｇの異常析出が確認されるまで、駆動回数が５０００回、１万回、５万回、１０万回に達するごとに行った。
【００９２】
図１６は、実施例１〜７、比較例１の各表示素子の駆動回数ごとのＡｇの異常析出の発生状況を示している。
【００９３】
比較例においては、１０００回の駆動時点において、層間絶縁膜２４のコンタクトホール２４ａでＡｇの異常析出が見られた。これは、画素電極２５に凹凸が生じるコンタクトホール２４ａにおいて、電圧印加時にＡｇを析出させる反応が周囲の平坦な部分に比べて起こりにくいことが原因と考えられる。つまり、観察側を黒表示にするときに、観察側でのＡｇの析出が遅いために、非観察側に析出していたＡｇが完全に溶解せずに残ってしまう。そして、観察側を白表示にするときに、観察側で析出したＡｇを完全に溶解させるだけの十分な反応が起こるために、非観察側では残っていたＡｇに加えてＡｇの析出が起こる。このような過程を繰り返すことによって、非観察側で析出するＡｇは次第に大きくなり、異常析出として観察されるものと考えられる。
【００９４】
これに対して、実施例１〜７では、いずれも、絶縁膜２６が少なくともコンタクトホール２４ａを覆っているため、少なくとも１０００回の駆動時点ではコンタクトホール２４ａでのＡｇの異常析出は確認されなかった。したがって、実施例１〜７の表示素子によれば、繰り返し駆動におけるコンタクトホール２４ａでのＡｇの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化を回避できると言える。
【００９５】
なお、実施例１において、５０００回の駆動時点では、画素電極２５における薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２の上方に位置する領域Ｘ１（図１７参照）において、Ａｇの異常析出が確認された。これは、薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２の凹凸構造により、領域Ｘ１では画素電極２５に凹凸が生じ、この凹凸部分でのＡｇを析出させる反応が周囲の平坦な部分に比べて相対的に起こりにくくなっているためと考えられる。
【００９６】
しかし、実施例２〜７のように、さらに薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２を覆うように絶縁膜２６を画素電極２５上に形成することにより、領域Ｘ１でのＡｇの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避できることがわかる。
【００９７】
また、層間絶縁膜２４は、下層に形成された薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２の凹凸を小さくするような平坦化機能を有しているが、完全に平坦にすることは難しく、多少の凹凸が残り、結果として画素電極２５に凹凸が生じることになる。しかし、実施例２〜７のように絶縁膜２６を設けることにより、層間絶縁膜２４では除去しきれない凹凸によるＡｇの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化を回避できるとも言うことができる。
【００９８】
また、実施例２および６では、１万回の連続駆動後に、画素電極２５の周辺部分の領域Ｘ２、Ｘ３（ともに図１８参照）および領域Ｘ４（図１９参照）において、Ａｇの異常析出が観察された。これは、領域Ｘ２〜Ｘ４では、配線電極（電源バスＶＤＤ、走査バスＧｍ）との段差により画素電極２５に凹凸が生じ、この凹凸部分でのＡｇを析出させる反応が他の平坦な部分に比べて相対的に起こりにくくなっているためと考えられる。
【００９９】
しかし、実施例３〜５および実施例７のように、さらに画素電極２５の周縁部２５ｂを覆うように絶縁膜２６を形成することにより、領域Ｘ２〜Ｘ４でのＡｇの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避できることがわかる。
【０１００】
また、実施例３では、５万回の連続駆動後に、Ｃｓ形成のための電極（ゲート電極Ｇ２）および配線（電源バスＶＤＤ）による画素電極２５の凹凸部分である領域Ｘ５（図２０参照、段差部Ｃに対応）において、Ａｇの異常析出が観察された。しかし、実施例４、５、７に示すように、段差部Ｃを覆うように絶縁膜２６を画素電極２５上に形成することにより、領域Ｘ５でのＡｇの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避できることがわかる。
【０１０１】
さらに、実施例４および５では、１０万回の連続駆動後に、絶縁膜２６の開口部２６ｐの角部Ｘ６（図２１参照）において、Ａｇの異常析出が発生していた。これは、絶縁膜２６の開口部２６ｐにおいては画素電極２５に凹凸はないが、開口部２６ｐの角部Ｘ６では開口部２６ｐの他の部分と比べてＡｇの析出反応がやや起こりにくくなっているためと考えられる。
【０１０２】
この点、絶縁膜２６の開口部２６ｐを円形にした実施例７では、１０万回の連続駆動後にも局所的にＡｇの異常析出が見られる箇所はなった。これは、開口部２６ｐのどの位置においても、Ａｇの析出反応が同じように起こるためと考えられる。したがって、開口部２６ｐを円形にすることにより、角部Ｘ６でのＡｇの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避できることがわかる。なお、開口部２６ｐを四角形状で形成した後、エッチング等により角部Ｘ６にアール（丸み）を持たせることにより、上記と同様の効果が得られるのは勿論のことである。
【０１０３】
なお、今回の連続駆動回数に基づく評価は、あくまでも作製した表示素子を相対的に評価するための指標である。また、上記の連続駆動回数は、電解液３０やその他の構成材料によって変動するものであり、実用可能性を判断するものではない。
【０１０４】
なお、本実施形態では、電源バスＶＤＤと薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２のソース・ドレイン電極層とを同一面に形成した例にして説明したが、図２２に示すように、電源バスＶＤＤを薄膜トランジスタＱ１・Ｑ２のゲート電極層と同一面に形成した場合でも、絶縁膜２６によって画素電極に凹凸が生じる部分を覆うことにより、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０５】
本発明の電気化学表示素子は、以下のように表現することができ、これによって以下の作用効果を奏する。
【０１０６】
本発明の電気化学表示素子は、共通電極を有する観察側の基板と、画素電極を有する非観察側の基板との間に電解液を封入し、前記各電極間の電位に応じて前記電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子であって、前記非観察側の基板は、電源バスからの電流を駆動トランジスタを介して前記画素電極に供給するための金属配線と、前記駆動トランジスタおよび前記金属配線を覆うように形成される第１の絶縁膜とを有しており、前記画素電極は、前記第１の絶縁膜上に形成されているとともに、前記第１の絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して前記金属配線と接続されており、前記非観察側の基板は、さらに、前記コンタクトホールを覆うように前記画素電極上に形成される第２の絶縁膜を有していることを特徴としている。
【０１０７】
上記の構成によれば、非観察側の基板では、電源バスからの電流が駆動トランジスタおよび金属配線を介して画素電極に供給される。したがって、観察側の共通電極と非観察側の画素電極との間の電位に応じた電流が電解液に流れ、負極となる電極側では、還元反応により電解液中のデポジション材料（例えば銀）が析出し、正極となる電極側では、酸化反応により、デポジション材料が溶解する。このようなデポジション材料の析出／溶解により、黒／白の表示およびその切り替えを行うことができる。
【０１０８】
上記の駆動トランジスタおよび金属配線は、第１の絶縁膜で覆われており、画素電極は、第１の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して上記金属配線と接続されている。上記のコンタクトホールは孔であり、その部分で段差（凹凸）が生じるため、コンタクトホールの内部と外部とで画素電極に凹凸が生じる。しかし、そのコンタクトホールを覆うように画素電極上に第２の絶縁膜が形成されているので、画素電極のうちでコンタクトホールによる凹凸が生じている部分と観察側の共通電極との間では、第２の絶縁膜の存在によって電解液に電流が流れなくなり、デポジション材料の析出／溶解自体が行われなくなる。したがって、繰り返し駆動における、画素電極の上記凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避することができ、表示素子の性能劣化を回避することができる。
【０１０９】
本発明の電気化学表示素子において、前記画素電極は、前記駆動トランジスタを覆うように前記第１の絶縁膜上に形成されており、前記第２の絶縁膜は、前記駆動トランジスタを覆うように前記画素電極上に形成されていることが望ましい。
【０１１０】
駆動トランジスタの形成領域は、ゲート、ソース、ドレインの各電極、半導体および絶縁膜（ゲート絶縁膜）が積層された構造であるため、駆動トランジスタを覆うように画素電極が形成されると、画素電極に凹凸が生じる。したがって、同じく駆動トランジスタを覆うように第２の絶縁膜を画素電極上に形成し、画素電極の駆動トランジスタによる凹凸部分を第２の絶縁膜で覆うことにより、繰り返し駆動における該凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避することができる。
【０１１１】
本発明の電気化学表示素子において、前記非観察側の基板は、前記駆動トランジスタによって駆動される画素を選択するための選択トランジスタをさらに有しており、前記画素電極は、前記選択トランジスタを覆うように前記第１の絶縁膜上に形成されており、前記第２の絶縁膜は、前記選択トランジスタを覆うように前記画素電極上に形成されていることが望ましい。
【０１１２】
選択トランジスタの形成領域も駆動トランジスタと同様に、ゲート、ソース、ドレインの各電極、半導体および絶縁膜（ゲート絶縁膜）が積層された構造であるため、選択トランジスタを覆うように画素電極が形成されると、画素電極に凹凸が生じる。したがって、選択トランジスタを覆うように第２の絶縁膜を画素電極上に形成し、画素電極の選択トランジスタによる凹凸部分を第２の絶縁膜で覆うことにより、繰り返し駆動における該凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避することができる。
【０１１３】
本発明の電気化学表示素子において、前記第２の絶縁膜は、前記画素電極の周縁部をさらに覆うように形成されていることが望ましい。
【０１１４】
画素電極の周縁部（周縁を含む領域）は、例えば電源バスと交差することにより、凹凸が生じる。したがって、画素電極の周縁部を第２の絶縁膜で覆うことにより、繰り返し駆動における該周縁部でのデポジション材料の異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避することができる。
【０１１５】
本発明の電気化学表示素子において、前記画素電極は、前記電源バスと前記駆動トランジスタのゲート電極とが前記第１の絶縁膜を介して交差することにより形成される段差部を覆うように形成されており、前記第２の絶縁膜は、前記段差部を覆うように前記画素電極上に形成されていることが望ましい。
【０１１６】
電源バスと駆動トランジスタのゲート電極とが第１の絶縁膜を介して交差していることにより、いわゆる補助容量が形成されるが、この補助容量の段差部を覆うように画素電極が形成されているため、画素電極に凹凸が生じる。しかし、この段差部を覆うように第２の絶縁膜が画素電極上に形成されるので、繰り返し駆動における該段差部でのデポジション材料の異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避することができる。
【０１１７】
本発明の電気化学表示素子において、前記第２の絶縁膜は、開口部を有し、かつ、１画素内で層構成が同一の領域以外の部分を覆うように形成されていることが望ましい。
【０１１８】
層構成（各層の材料、厚さ、層数）が同一の領域では、凹凸が生じないので、１画素内で上記領域以外の部分（凹凸が生じている部分）を覆うように第２の絶縁膜を形成することにより、凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避することができる。また、層構成が同一の領域は、第２の絶縁膜によって覆われず（開口部が存在するため）、この領域に位置する画素電極が開口部を介して共通電極と対向するため、開口部内の画素電極をデポジション材料の析出／溶解による表示に寄与させて開口率を確保することができる。
【０１１９】
本発明の電気化学表示素子において、前記画素電極を第１の画素電極とすると、前記第２の絶縁膜は、前記開口部内に前記第１の画素電極と導通する第２の画素電極を形成する際の隔壁を兼ねていてもよい。
【０１２０】
この場合、第２の画素電極を例えばインクジェット方式で形成する際に、別途、隔壁を設けなくても済み、第２の画素電極を形成する場合でも、製造プロセスが複雑化するのを回避できる。
【０１２１】
本発明の電気化学表示素子において、前記第２の絶縁膜の前記開口部は、円形であることが望ましい。
【０１２２】
第２の絶縁膜の開口部が多角形の場合とは異なり、開口部が円形の場合は、開口部のどの位置においても、デポジション材料の酸化還元反応が同じように起こるので、繰り返し駆動時におけるデポジション材料の異常析出が起こりにくくなり、表示性能の劣化を確実に回避することができる。
【０１２３】
本発明の電気化学表示素子において、前記第２の絶縁膜は、前記画素電極と前記共通電極との間を埋めるように形成されていてもよい。
【０１２４】
この構成では、第２の絶縁膜により、画素電極と共通電極との間の距離が一定となるので、電解液に含まれるデポジション材料の分布状態の表示面内でのばらつきを抑えることができ、表示ムラ（表示濃度や表示速度のムラ）を低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明は、例えば電子書籍をはじめとする各種の表示装置を構成するＥＤのような電気化学表示素子に利用可能である。
【符号の説明】
【０１２６】
１      表示素子（電気化学表示素子）
１ａ    画素
１０      基板
１２      コモン電極（共通電極）
２０      基板
２３      金属配線
２４      層間絶縁膜（第１の絶縁膜）
２４ａ    コンタクトホール
２５      画素電極（第１の画素電極）
２５ｂ    周縁部
２６      絶縁膜（第２の絶縁膜）
２６ｐ    開口部
２７      多孔質金属酸化物電極（第２の画素電極）
３０      電解液
Ｃ      段差部
Ｔ      領域
Ｑ１      薄膜トランジスタ（選択トランジスタ）
Ｑ２      薄膜トランジスタ（駆動トランジスタ）
ＶＤＤ      電源バス
【図１】
2011118323.tif 000003
【図２】
2011118323.tif 000004
【図３】
2011118323.tif 000005
【図４】
2011118323.tif 000006
【図５】
2011118323.tif 000007
【図６】
2011118323.tif 000008
【図７】
2011118323.tif 000009
【図１２】
2011118323.tif 000010
【図１３】
2011118323.tif 000011
【図１５】
2011118323.tif 000012
【図１６】
2011118323.tif 000013
【図２２】
2011118323.tif 000014
【図８】
2011118323.tif 000015
【図９】
2011118323.tif 000016
【図１０】
2011118323.tif 000017
【図１１】
2011118323.tif 000018
【図１４】
2011118323.tif 000019
【図１７】
2011118323.tif 000020
【図１８】
2011118323.tif 000021
【図１９】
2011118323.tif 000022
【図２０】
2011118323.tif 000023
【図２１】
2011118323.tif 000024
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通電極を有する観察側の基板と、画素電極を有する非観察側の基板との間に電解液を封入し、前記各電極間の電位に応じて前記電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子であって、
前記非観察側の基板は、
電源バスからの電流を駆動トランジスタを介して前記画素電極に供給するための金属配線と、
前記駆動トランジスタおよび前記金属配線を覆うように形成される第１の絶縁膜とを有しており、
前記画素電極は、前記第１の絶縁膜上に形成されているとともに、前記第１の絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して前記金属配線と接続されており、
前記非観察側の基板は、さらに、
前記コンタクトホールを覆うように前記画素電極上に形成される第２の絶縁膜を有しており、
前記画素電極は、前記第２の絶縁膜の非形成領域を有していることを特徴とする電気化学表示素子。
【請求項２】
前記画素電極は、前記駆動トランジスタを覆うように前記第１の絶縁膜上に形成されており、
前記第２の絶縁膜は、前記駆動トランジスタを覆うように前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学表示素子。
【請求項３】
前記非観察側の基板は、前記駆動トランジスタによって駆動される画素を選択するための選択トランジスタをさらに有しており、
前記画素電極は、前記選択トランジスタを覆うように前記第１の絶縁膜上に形成されており、
前記第２の絶縁膜は、前記選択トランジスタを覆うように前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気化学表示素子。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜は、前記画素電極の周縁部をさらに覆うように形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電気化学表示素子。
【請求項５】
前記画素電極は、前記電源バスと前記駆動トランジスタのゲート電極とが前記第１の絶縁膜を介して交差することにより形成される段差部を覆うように形成されており、
前記第２の絶縁膜は、前記段差部を覆うように前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気化学表示素子。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、開口部を有し、かつ、１画素内で層構成が同一の領域以外の部分を覆うように形成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の電気化学表示素子。
【請求項７】
前記画素電極を第１の画素電極とすると、
前記第２の絶縁膜は、前記開口部内に前記第１の画素電極と導通する第２の画素電極を形成する際の隔壁を兼ねていることを特徴とする請求項６に記載の電気化学表示素子。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜の前記開口部は、円形であることを特徴とする請求項６または７に記載の電気化学表示素子。
【請求項９】
前記第２の絶縁膜は、前記画素電極と前記共通電極との間を埋めるように形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の電気化学表示素子。
【国際調査報告】
2011118323.tif 000025
2011118323.tif 000026
2011118323.tif 000027
2011118323.tif 000028