(57)【要約】導電性を有し、内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間を有する筺体内に電子部品を備えた電子機器において、この隙間を介して、ノイズが筺体の外部に漏洩するのを抑制する手段を提供することを課題とする。当該課題を解決するため、導電性を有し、内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間（４０）を有する筺体（１０）と、筺体（１０）内に格納された電子部品（２０）と、筺体（１０）の内壁面（１１）に接して設けられた構造体（３０）と、を有し、構造体（３０）は、導電体の層と、該導電体の層と筺体（１０）の内壁面（１１）との間に位置する誘電体の層と、を有し、該導電体の層は、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有する電子機器を提供する。
2012008123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有し、内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間を有する筺体と、
前記筺体内に格納された電子部品と、
前記筺体の内壁面に接して設けられた構造体と、を有し、
前記構造体は、
導電体の層と、
前記導電体の層と前記筺体の前記内壁面との間に位置する誘電体の層と、を有し、
前記導電体の層は、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有する電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器において、
前記電子部品の動作周波数をｆ（ＧＨｚ）とし、
前記筺体の第１の前記内壁面に存在する前記隙間から、前記第１の内壁面に接して設けられた前記構造体が有する前記導電体の層までの、前記第１の内壁面に水平な方向の距離をｌ（ｍｍ）とすると、ｌ≦（３００／ｆ）／４、の関係を満たす電子機器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子機器において、
前記構造体は、前記隙間を囲むように設けられている電子機器。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器において、
前記構造体の前記誘電体の層は、
前記筺体の第１の前記内壁面に接する第１の誘電体層を含み、
前記構造体の前記導電体の層は、
前記第１の誘電体層の内部または前記第１の内壁面と接する面と反対側の面上に、前記第１の内壁面に対向して設けられる第１導体を含み、
前記第１導体は、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有している電子機器。
【請求項５】
請求項４に記載の電子機器において、
前記第１導体の前記繰り返し構造は、互いに分離した複数の島状導体であり、
前記第１の誘電体層の内部に設けられ、少なくとも一部の前記島状導体と前記第１の内壁面とを電気的に接続する接続部材、をさらに有する電子機器。
【請求項６】
請求項４に記載の電子機器において、
前記第１導体の前記繰り返し構造は、互いに分離した複数の島状導体であり、
少なくとも一部の前記島状導体には開口が設けられており、
前記開口の中には、一端を介して前記島状導体と電気的に接続している配線が設けられている電子機器。
【請求項７】
請求項６に記載の電子機器において、
前記開口の中には開口内導体が設けられ、
前記配線は、他端を介して前記開口内導体と電気的に接続している電子機器。
【請求項８】
請求項４に記載の電子機器において、
前記第１導体は前記第１の誘電体層の内部に設けられており、かつ、前記第１導体の前記繰り返し構造は互いに分離した複数の島状導体であって、さらに、
前記第１の誘電体層の内部に設けられ、前記第１の内壁面と電気的に接続するとともに、前記島状導体と非接触な状態で前記島状導体を貫通する第１接続部材と、
前記第１導体を介して前記第１の内壁面と反対側に、前記第１導体に対向して設けられ、前記第１接続部材と電気的に接続する第２接続部材と、
を有する電子機器。
【請求項９】
請求項８に記載の電子機器において、
前記第２接続部材と前記島状導体とを電気的に接続する第３接続部材をさらに有する電子機器。
【請求項１０】
請求項４から９のいずれか１項に記載の電子機器において、
前記構造体は、前記第１の誘電体層の少なくとも一部が前記第１の内壁面と接着する接着層を構成しているシートである電子機器。
【請求項１１】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器において、
前記構造体は、
第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の内部または第１の面上に設けられており、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有し、前記導電体の層を構成している第１導体と、
前記第１の誘電体層の前記第１の面と反対側の面上に、前記第１導体に対向して設けられる第２導体と、
前記第２導体の上に設けられ、前記筺体の第１の前記内壁面と接する第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層の内部に設けられ、前記第２導体と前記第１の内壁面とを導通する導通部材と、
を有する電子機器。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子機器において、
前記第１導体の前記繰り返し構造は、互いに分離した複数の島状導体であり、
前記第１の誘電体層の内部に設けられ、少なくとも一部の前記島状導体と前記第２導体とを電気的に接続する接続部材、をさらに有する電子機器。
【請求項１３】
請求項１１に記載の電子機器において、
前記第１導体の前記繰り返し構造は、互いに分離した複数の島状導体であり、
少なくとも一部の前記島状導体には開口が設けられており、
前記開口の中には、一端を介して前記島状導体と電気的に接続している配線が設けられている電子機器。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子機器において、
前記開口の中には開口内導体が設けられ、
前記配線は、他端を介して前記開口内導体と電気的に接続している電子機器。
【請求項１５】
請求項１１から１４のいずれか１項に記載の電子機器において、
前記導通部材は、ビアまたは導電性フィラーである電子機器。
【請求項１６】
請求項１１から１５のいずれか１項に記載の電子機器において、
前記構造体は、前記第２の誘電体層が前記第１の内壁面と接着する接着層を構成しているシートである電子機器。
【請求項１７】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子機器において、
前記筺体の内壁面と、当該内壁面に接する前記構造体と、を構成要素として含む１種類以上のＥＢＧ構造を備えたＥＢＧ構造体が構成されている電子機器。
【請求項１８】
請求項１から３、および、１１から１６のいずれか１項に記載の電子機器において、
前記構造体は、１種類以上のＥＢＧ構造を備えたＥＢＧ構造体を構成している電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性を有する筺体の内部に、電子部品を備えた電子機器がある。そして、このような電子機器の中には、筺体の内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間が筺体に存在するものがある。例えば、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）が該当する。【０００３】
ＰＣは、例えばＭｇ合金を含んで構成された筺体内に、電子回路基板などの電子部品が備えられる。そして、例えばノート型ＰＣの底面には、メモリを増設するためのカバーが設けられ、カバーと筺体本体との間に、筺体の内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間が存在する。なお、上記のように筺体の内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間が存在する電子機器としては、ＰＣの他、プロジェクターなど様々な種類の電子機器が存在する。【０００４】
ここで、上記のような構成を有する電子機器の場合、筺体内に備えられた電子部品の動作に起因して発生したノイズが、筺体の内壁面を介して伝播し、筺体に存在する隙間を介して外部空間に漏洩するという問題が発生し得る。【０００５】
特許文献１には、上記問題を解決する手段として、筺体が有する隙間にシールド部材を設けることで、筺体の内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間を埋めてしまい、この構造により、隙間を介したノイズの漏洩を抑制する手段が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−７７５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載の技術のように、筺体に存在する隙間に直接処理（例：シールド部材で隙間を埋める）を施して、ノイズの漏洩を抑制する手段の場合、以下のような不都合が生じ得る。【０００８】
例えば、上述のようにノート型ＰＣの底面に設けられたメモリを増設するためのカバーと、筺体本体との間に存在する隙間をシールド部材で埋めた場合、このカバーはメモリ増設のため開閉されることがあり得るが、この開閉動作に起因して、シールド部材による隙間の埋め込み状態が変動し、それ以降、十分なノイズ漏洩抑制効果を得られなくなる恐れがある。【０００９】
また、何らかの機能を持たせるために意図的に隙間が設けられているような場合には、この隙間をシールド部材で埋めてしまうと不都合が生じる。【００１０】
そこで、本発明では、筺体に存在する隙間に直接処理を施すことなく、この隙間を介してノイズが筺体の外部に漏洩する不都合を抑制する手段を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、導電性を有し、内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間を有する筺体と、前記筺体内に格納された電子部品と、前記筺体の内壁面に接して設けられた構造体と、を有し、前記構造体は、導電体の層と、前記導電体の層と前記筺体の前記内壁面との間に位置する誘電体の層と、を有し、前記導電体の層は、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有する電子機器が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、電子機器の内部空間から外部空間にノイズが漏洩する不都合を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
上述した目的、および、その他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、および、それに付随する以下の図面によって、さらに明らかになる。
【図１】本実施形態の電子機器の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本実施形態の電子機器の一例を模式的に示す底面図である。
【図３】本実施形態の電子機器の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】本実施形態の電子機器の一例を模式的に示す側面図である。
【図５】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す斜視図である。
【図７】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図８】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図である。
【図９】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の等価回路図である。
【図１０】ＥＢＧ構造により伝播を抑制されるノイズの周波数帯域を算出する式である。
【図１１】本実施形態の構造体を設ける位置を説明するための断面図である。
【図１２】本実施形態の構造体の製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図１３】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図１４】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図１５】本実施形態の構造体の一例を模式的に示す平面図である。
【図１６】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図である。
【図１７】本実施形態の構造体の製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図１８】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図１９】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図２０】本実施形態の構造体の一例を模式的に示す平面図である。
【図２１】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図である。
【図２２】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図２３】本実施形態の構造体の製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図２４】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図２５】本実施形態の島状導体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図２６】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す斜視図である。
【図２７】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図２８】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図である。
【図２９】本実施形態の島状導体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図３０】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す斜視図である。
【図３１】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図である。
【図３２】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図３３】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図３４】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図３５】本実施形態の筺体の内壁面および構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図３６】本実施形態の第３導体の一例を模式的に示す平面図である。
【図３７】本実施形態の第３導体の一例を模式的に示す平面図である。
【図３８】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す斜視図である。
【図３９】本実施形態の電子機器に設けられるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す斜視図である。
【図４０】比較例の断面構造を模式的に示す図である。
【図４１】比較例の構造を示す図である。
【図４２】実施例の構造を示す図である。
【図４３】電磁界シミュレーションの結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１５】
＜実施形態１＞
まず、本実施形態の電子機器の全体構成について説明する。
【００１６】
図１は、本実施形態の電子機器の一例を模式的に示す断面図であり、図２は、図１の電子機器の底面図である。また、図３は、本実施形態の電子機器の他の一例を模式的に示す断面図であり、図４は、図３の電子機器の側面図である。
【００１７】
図１乃至図４に示すように、本実施形態の電子機器は、筺体１０と、電子部品２０と、構造体３０と、を有する。
【００１８】
ここで、図１および図２に示す構成の電子機器としては、例えばノート型ＰＣが該当する。図中、１０´は筺体１０の一部であり、例えばメモリを増設するためのカバーが該当する。ユーザは、必要に応じて、カバー１０´を開いて所定位置にメモリをセットした後、再びカバー１０´を閉める動作を行う場合がある。カバー１０´と、筺体１０の本体との間には、筺体１０の内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間４０が存在している。次に、図３および図４に示す構成を有する電子機器としては、例えばプロジェクターが該当する。図中、１０´は筺体１０の一部であり、例えば筺体１０（本体）と勘合するカバーが該当する。カバー１０´と、筺体１０の本体との間には、筺体１０の内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間４０が存在している。なお、ＰＣおよびプロジェクターはあくまで一例であり、本実施形態の電子機器はその他の種類の電子機器であってもよい。また、図１乃至図４に示す構造はあくまで一例であり、このような構成に限定されない。
【００１９】
以下、本実施形態の電子機器の各構成について説明する。
【００２０】
筺体１０は、少なくとも内壁面の一部領域において導電性を有する。すなわち、筺体１０の内壁面の少なくとも一部領域は、導電性を有する材料を含んで構成される。導電性を有する材料は特段制限されない。また、筺体１０の内壁面内における導電性を有する領域の位置、形状および大きさについても特段制限されない。
【００２１】
筺体１０は、内部空間と外部空間とを繋ぐ隙間４０を有する。隙間４０は、筺体１０の導電性を有する領域に存在する。なお、筺体１０が導電性を有さない領域をも有する場合には、隙間４０は、導電性を有する領域と導電性を有さない領域とに跨って存在してもよい。隙間４０は、電子機器の設計上、何らかの目的を持って意図的に設けられたものであってもよいし、電子機器（特に筺体１０）の設計上、やむを得ず存在してしまうものであってもよい。このような隙間４０の形状および大きさは特段制限されず、あらゆる形状のものが該当する。例えば、平面形状がドット状の隙間であってもよいし、平面形状がライン状（直線、曲線を含む）の隙間であってもよい。また、隙間４０は、図１および図２に示すように、筺体１０の１つの面内に存在してもよいし、または、図３および図４に示すように、筺体１０の複数の面に跨って存在してもよい。なお、図１乃至図４を用いて説明した例では、筺体１０と、筺体１０の一部であるカバー１０´との間に形成される隙間４０を示したが、これはあくまで一例であり、本実施形態の隙間４０はこのような隙間に限定されない。
【００２２】
その他、図１乃至図４に示す筺体１０の形状、大きさ、縦横比等はあくまで一例であり、本実施形態においてはこれらに限定されない。
【００２３】
電子部品２０は、筺体１０内に格納される。電子部品２０の種類は特段制限されず、例えば、電子回路基板などが該当する。
【００２４】
ここで、上記のような構成の筺体１０内に、電子部品２０を格納している場合、電子部品２０に流れる動作信号電流による磁界により、電子部品２０に近接する筺体１０の導電性を有する内壁面に誘起ノイズ電流が流れる場合がある。この誘起ノイズ電流は、筺体１０の導電性を有する内壁面を介して移動することで隙間４０に到達し、その後、隙間４０を介して筺体１０の外部空間に移動して、例えば、電磁波として空気中に放射される恐れがある。
【００２５】
本実施形態の電子機器は、上述のような不都合を回避する機能を有する構造体３０を、筺体１０の導電性を有する内壁面に接して設けられている。構造体３０は、誘電体の層と、少なくとも一部領域に繰り返し構造を有する導電体の層と、を有する。以下、構造体３０について詳述する。
【００２６】
図５は、筺体１０の導電性を有する内壁面１１（以下、単に「内壁面１１」という）に接して設けられた構造体３０の断面構造の一例を模式的に示す。
【００２７】
図５に示すように構造体３０は、第１導体７１と、接続部材７３と、誘電体層７５と、を有する。
【００２８】
誘電体層７５は、内壁面１１に接して設けられる。そして、誘電体層７５は、少なくとも一部が、内壁面１１に接着する接着層７５Ｂを構成している。例えば図５に示すように、誘電体層７５は、誘電体で構成される層７５Ａと、接着層７５Ｂと、で構成される積層構造であってもよい。層７５Ａは、例えばフレキシブル性を有する基板であってもよい。さらに具体的には、層７５Ａは、例えばガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等であってもよい。層７５Ａは、単層であってもよいし、複層であってもよい。次に、接着層７５Ｂは、例えば接着剤で構成することができる。接着剤の原料としては特段制限されず、例えば天然ゴム、アクリル樹脂、シリコーン等、従来技術に準じたあらゆる原料を用いることができる。なお、層７５Ａおよび接着層７５Ｂの厚さは設計事項である。
【００２９】
第１導体７１は、誘電体層７５の表面であって、誘電体層７５の内壁面１１と接する面７７と反対側の面７６上に、内壁面１１に対向して設けられる。なお、第１導体７１は、誘電体層７５の内部に、内壁面１１に対向して設けられてもよい。このような第１導体７１は、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している。繰り返し構造としては、図５に示すように、互いに分離した複数の島状導体７１Ａが繰り返し、例えば周期的に設けられた構造が考えられる。
【００３０】
なお、島状導体７１Ａにおける「繰り返し」には、島状導体７１Ａが部分的に欠落している場合も含まれる。また「周期的」には、一部の島状導体７１Ａそのものの配置がずれている場合も含まれる。すなわち厳密な意味での周期性が崩れた場合においても、島状導体７１Ａが繰り返し配置されている場合には、島状導体７１Ａを構成要素の一部とするＥＢＧ構造（以下で説明する）のメタマテリアルとしての特性を得ることができるため、「周期性」にはある程度の欠陥が許容される。
【００３１】
島状導体７１Ａの原料は特段制限されず、例えば銅等を選択できる。島状導体７１Ａの平面形状についても特段制限されず、三角形、四角形、五角形、それ以上の頂点を有する多角形、円形等、あらゆる形状を選択できる。なお、大きさおよび／または形状が異なる２種類以上の島状導体７１Ａを繰り返し配置することもできる。かかる場合、２種類以上の島状導体７１Ａは、各種それぞれ周期的に配列されるのが望ましい。島状導体７１Ａの大きさ、相互間隔等は、島状導体７１Ａを構成要素の一部とするＥＢＧ構造（以下で説明する）に設定する所望のバンドギャップ帯域に応じて定められる。
【００３２】
接続部材７３は、誘電体層７５の内部に設けられ、一部または全部の島状導体７１Ａと、内壁面１１とを、電気的に接続する。すなわち、接続部材７３は、少なくとも誘電体層７５の面７７（内壁面１１と接する面）側で露出し、内壁面１１と接するとともに、一部または全部の島状導体７１Ａと接する。なお、一部の島状導体７１Ａと内壁面１１とを電気的に接続するよう接続部材７３が設けられる場合、この接続部材７３は、周期的に設けられてもよいし、周期的に設けられなくてもよい。しかし、接続部材７３を周期的に設けた場合、接続部材７３を構成要素の一部とするＥＢＧ構造（以下で説明する）は、Ｂｒａｇｇ反射を起こしてバンドギャップ帯域が広がるため、周期的であるのが望ましい。ここでの「周期的」には、一部の接続部材７３そのものの配置がずれている場合も含まれる。このような接続部材７３は、例えば銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成することができる。
【００３３】
本実施形態の構造体３０は接着層７５Ｂを有するシートであり、筺体１０の内壁面１１にシート状の構造体３０を貼り付けることで、図５に示すような状態が得られる。
【００３４】
ここで、本実施形態では、内壁面１１と構造体３０とにより、ＥＢＧ構造が構成される。図６および図７に、内壁面１１と構造体３０とにより構成されるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す。図６は、ＥＢＧ構造の構成を模式的に示す斜視図であり、図７は、図６のＥＢＧ構造の断面図である。
【００３５】
図６および図７に示すＥＢＧ構造は、シート状導体２と、互いに分離した複数の島状導体１と、複数の接続部材３と、を有する。シート状導体２は内壁面１１に対応し、島状導体１は構造体３０の島状導体７１Ａに対応し、接続部材３は構造体３０の接続部材７３に対応する。
【００３６】
複数の島状導体１は、平面視でシート状導体２と重なる領域であって、シート状導体２から離れた位置に、誘電体層（図示せず）を挟んで配置されている。また、複数の島状導体１は、周期的に配列されている。接続部材３は、複数の島状導体１のそれぞれを、シート状導体２と電気的に接続している。このＥＢＧ構造は、１つの島状導体１と、当該島状導体１に対応して設けられた接続部材３と、シート状導体２の中の当該島状導体１に対向する領域を含む一部領域と、によって単位セルＡが構成されている。そして、この単位セルＡが繰り返し、例えば周期的に配置されることにより、この構造体はメタマテリアル、例えばＥＢＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｂａｎｄ  Ｇａｐ）として機能する。このＥＢＧ構造は、いわゆるマッシュルーム構造を有するＥＢＧ構造である。
【００３７】
ここで、単位セルＡの「繰り返し」には、いずれかの単位セルＡにおいて構成の一部が欠落している場合も含まれる。また単位セルＡが２次元配列を有している場合には、「繰り返し」には単位セルＡが部分的に欠落している場合も含まれる。また「周期性」には、一部の単位セルＡにおいて構成要素（島状導体１、接続部材３）の一部がずれている場合や、一部の単位セルＡそのものの配置がずれている場合も含まれる。すなわち厳密な意味での周期性が崩れた場合においても、単位セルＡが繰り返し配置されている場合には、メタマテリアルとしての特性を得ることができるため、「周期性」にはある程度の欠陥が許容される。なお、これらの欠陥が生じる要因としては、単位セルＡの間に配線やビアを通す場合、既存の配線レイアウトにメタマテリアル構造を追加する場合において既存のビアやパターンによって単位セルＡが配置できない場合、製造誤差、及び既存のビアやパターンを単位セルの一部として用いる場合などが考えられる。上述の前提は、以下のすべての実施形態において同様である。
【００３８】
図８は、図７に示した単位セルＡの等価回路図である。図８に示すように、この単位セルＡは、隣り合う島状導体１間に生じるキャパシタンスＣ、および、接続部材３がつくるインダクタンスＬ、で構成される。
【００３９】
このＥＢＧ構造によれば、シート状導体２の表面におけるノイズ電流の伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体１どうしがキャパシタンスＣを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズ電磁波の伝播を抑制できる。
【００４０】
ここで、上記ＥＢＧ構造は、複数の島状導体１とシート状導体２との間隔、接続部材３の太さ、複数の島状導体１の相互間隔等を調節することで、バンドギャップとなる周波数帯を調節することができる。すなわち、ＥＢＧ構造により伝播を抑制されるノイズの周波数を調節することができる。
【００４１】
例えば、図７に示すＥＢＧ構造の場合、隣り合う２つの島状導体１と、この２つの島状導体１それぞれに接続した２つの接続部材３と、シート状導体２の中の２つの島状導体１に対向する領域を含む一部領域とは、図９に示す等価回路図で示すことができる。このような等価回路図で示されるＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域ｆは、図１０に示す式により算出することができる。この式に従い、ＥＢＧ構造を構成するキャパシタンスＣおよび／またはインダクタンスＬを適当に調節することで、所望のｆ値を設定することができる。さらに具体的には、例えば隣り合う島状導体１間の距離を変更したり、島状導体１の大きさを変更したり、接続部材３の長さを変更したりすることで、キャパシタンスＣおよび／またはインダクタンスＬを適当に調節し、所望のｆ値を設定することができる。なお、以下の実施形態で説明する他の構成のＥＢＧ構造の場合も同様に、それぞれのＥＢＧ構造により定まるバンドギャップ帯域ｆを算出するための式に基づき、キャパシタンスＣおよび／またはインダクタンスＬを適当に調節することで、所望のｆ値を設定することができる。
【００４２】
なお、本実施形態では、内壁面１１と、構造体３０とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。
【００４３】
本実施形態の電子機器は、内壁面１１と構造体３０とにより、上記のようなＥＢＧ構造を構成している。このため、構造体３０が設けられている領域において、内壁面１１におけるノイズ電流の伝播を抑制でき、また、構造体３０付近におけるノイズ電磁波の伝播を抑制できる。さらに、構造体３０を構成する島状導体７１Ａ、接続部材７３および誘電体層７５を適切に設計することで、所望の周波数のノイズ伝播を適切に抑制することができる。
【００４４】
次に、構造体３０を設けることにより得られる上記作用効果を前提にして、構造体３０を設ける好ましい位置について説明する。
【００４５】
上述の通り、構造体３０を設けた位置においては、内壁面１１を介したノイズ電流の伝播を抑制できる。この点を考慮すると、構造体３０は、内壁面１１を伝播しているノイズ電流が隙間４０に到達するのを阻止する位置に設けられるのが望ましい。例えば、図１乃至図４に示すように、構造体３０は、隙間４０を取り囲むように設けられてもよい。なお、構造体３０は、内壁面１１の全面に設けられてもよい。ここでの全面とは、設計上、本実施形態のシート状の構造体３０を貼り付け可能な位置全面に、という意味である。
【００４６】
なお、隙間４０と、構造体３０との間の距離が大きすぎると、この間に存在する内壁面１１に誘起ノイズ電流が流れ、隙間４０に到達してしまう恐れがある。よって、構造体３０は、当該不都合を回避できる位置に設けるのが好ましい。以下、この位置について、図１１を用いて説明する。
【００４７】
内壁面１１を介したノイズ電流の伝播を考えると、隙間４０の端部ａは開放端であり、島状導体７１Ａの端部ｂより図中右側は、ＥＢＧ構造の抑制機能により短絡状態と考えることができる。端部ａが開放端：電圧最大、端部ｂが短絡端：電圧最小となる周波数では、４分の１波長の共振状態となり、隙間４０を介してノイズが外部空間に移動してしまう恐れがある。そこで、筺体１０の内壁面１１に存在する隙間４０から、内壁面１１に接して設けられた構造体３０が有する島状導体７１Ａ（導電体の層）までの、内壁面１１に水平な方向の距離をｌ（ｍｍ）とし、電子部品２０の動作周波数をｆ（ＧＨｚ）とした時、ｌ≦（３００／ｆ）／４の関係を満たすのが好ましい。なお、より好ましくは、ｌ≦（３００／ｆ）／８、の関係を満たすのが好ましい。このようにすれば、上記不都合を抑制できる。
【００４８】
以上説明したような構成を有する本実施形態の電子機器によれば、筺体１０の内壁面１１を流れるノイズ電流が隙間４０に到達することを抑制することができ、結果、電子機器が有する電子部品２０の動作に起因して発生するノイズが、電子機器の外部に漏洩することを抑制することができる。
【００４９】
次に、本実施形態の構造体３０の製造方法の一例について、図１２を用いて説明する。図１２は、本実施形態の構造体３０の製造工程の一例を示す断面図である。
【００５０】
まず、（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層７５Ａ）の第１の面（図中、上側の面）に、銅箔７１を形成する。次に、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体７１Ａ）を形成する。その後、（３）に示すように、ドリルにより、島状導体７１Ａと層７５Ａを貫通する穴を形成する。
【００５１】
次に、（４）に示すように、（３）で形成した穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（接続部材７３）を挿入する。
【００５２】
その後、（５）に示すように、層７５Ａの第２の面（図中、下側の面）に接着層７５Ｂを形成する。この接着層７５Ｂは、接続部材７３が接着層７５Ｂを貫通し、露出するように形成される。このように形成する具体的手段としては特段制限されないが、以下のような手段であってもよい。例えば、（４）で挿入する接続部材７３の長さを、挿入した状態で層７５Ａの第２の面（図中、下側の面）から一端が露出する程度の長さに構成する。そして、接着層７５Ｂをシート状接着剤で構成し、シート状接着剤（接着層７５Ｂ）を層７５Ａの第２の面に形成する際に、シート状接着剤（接着層７５Ｂ）を強く押し込むことで、接続部材７３の一端をシート状接着剤（接着層７５Ｂ）の表面から露出させることで実現してもよい。または、接着層７５Ｂを、流動性を有する接着剤で構成するようにし、層７５Ａの第２の面（図中、下側の面）にこの接着剤を塗布した後、スキージを用いて、接続部材７３の表面に塗布された接着剤を取り除くことで、接続部材７３を接着層７５Ｂの表面から露出させてもよい。次に、必要に応じて、互いに分離した複数の島状導体７１Ａおよび層７５Ａの第１の面（図中、上側の面）を覆う、非導電性の表面層（図示せず）を設ける。
【００５３】
例えば上述のようにして、構造体３０を製造することができる。構造体３０を製造した後は、従来技術に準じて製造した筺体１０の内壁面１１に接するように構造体３０を貼り付けることで、図５に示す状態が得られる。なお、この時、接続部材７３が内壁面１１と接するように貼り付ける。
【００５４】
ここで、図６および図７に示すようなＥＢＧ構造を有するシートを単に内壁面１１に貼り付けただけでは、上述の効果を実現することはできない。以下、図４０を用い、この理由を説明する。
【００５５】
図４０は、図６および図７に示すＥＢＧ構造を有するシート７００を、筺体１００の内壁面１１０に貼り付けた状態を示す断面図である。図４０に示すシート７００は、シート状導体７０２と、互いに分離した複数の島状導体７０１と、複数の接続部材７０３と、を有している。
【００５６】
図４０に示すように、通常、シート７００は、被接着体との接着性を確保するため、絶縁性の接着剤による層７０４を有する。この接着剤による層７０４は、図４０に示すように、ＥＢＧ構造を有するシート７００を内壁面１１０に貼り付けた状態において、シート状導体７０２と内壁面１１０との間に位置し、これらを互いに電気的に分離した状態とする。このように、内壁面１１０とＥＢＧ構造とが電気的に分離された状態においては、内壁面１１０の表面におけるノイズの伝播を抑制することはできない。
【００５７】
本実施形態の電子機器は、上述の課題を解決している。具体的には、本実施形態の電子機器は、図５に示すように、内壁面１１がＥＢＧ構造の一部を構成する。かかる場合、上述のように、内壁面１１とＥＢＧ構造とが電気的に分離した状態となることはない。当該前提は、以下の実施形態において同様である。
【００５８】
＜実施形態２＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器の構成を基本とし、構造体３０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５９】
図１３は、本実施形態の筺体１０の内壁面１１に接する構造体３０の一例を模式的に示した断面図である。図示する構造体３０は、実施形態１の構造体３０（図５参照）の構成を基本とし、接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ）の構成が異なる。他の構成については、実施形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６０】
本実施形態の接続部材７３は、導電性の第１接続部材７３Ａと、導電性の第２接続部材７３Ｂと、導電性の第３接続部材７３Ｃと、で構成される。第１接続部材７３Ａは、一端が誘電体層７５の面７７を貫通し、内壁面１１と接するとともに、他端側を介して第２接続部材７３Ｂと導通する。この第１接続部材７３Ａは、島状導体７１Ａに設けられた穴を島状導体７１Ａと非接触な状態で通過している。第２接続部材７３Ｂは、第１接続部７３Ａと導通し、島状導体７１Ａに対向するように設けられる。この第２接続部材７３Ｂの平面形状は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、スパイラル形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。第２接続部材７３Ｂは、島状導体７１Ａを介して内壁面１１と反対側に位置する。第３接続部材７３Ｃは、一端側を介して第２接続部材７３Ｂと導通し、誘電体層７５の面７７方向に伸びた他端側を介して島状導体７１Ａと導通している。ここで、第２接続部材７３Ｂをスパイラル形状にした場合の一例を、図１４および図１５に示す。図１４は、図１５のイ−イ´の断面図であり、図１５は、図１４を図中上から下に見た平面図である。なお、図１４および図１５においては、構成をより明確にするため、各構成要素に付すハッチングは、他の図（図５等）とは異なるハッチングを使用している。
【００６１】
ここで、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、ＥＢＧ構造が構成されている。しかし、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、実施形態１で説明したＥＢＧ構造と異なる。
【００６２】
本実施形態において構成されるＥＢＧ構造（図１３乃至図１５参照）は、１つの島状導体７１Ａと、当該島状導体７１Ａに対応して設けられた接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ）と、内壁面１１の中の当該島状導体７１Ａに対向する領域を含む一部領域と、によって単位セルＡが構成されている。このＥＢＧ構造は、接続部材７３Ｂを含んで形成されるマイクロストリップ線路がショートスタブとして機能するショートスタブ型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材７３Ａはインダクタンスを形成している。また、接続部材７３Ｂは、対向する島状導体７１Ａと電気的に結合することで島状導体７１Ａをリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端は第３接続部材７３Ｃによってショート端となっており、ショートスタブとして機能するように構成されている。
【００６３】
図１６は、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造（図１３乃至図１５参照）の単位セルＡの等価回路図である。図１６に示すように、この単位セルＡは、インピーダンス部Ｘとアドミタンス部Ｙとで構成される。インピーダンス部Ｘは、隣り合う島状導体７１Ａ間に生じるキャパシタンスＣ、および、島状導体７１ＡがつくるインダクタンスＬ、で構成される。アドミタンス部Ｙは、内壁面１１と島状導体７１ＡとがつくるキャパシタンスＣ、および、第１接続部材７３ＡがつくるインダクタンスＬ、および、第２接続部材７３Ｂ（伝送線路）と第３接続部材７３Ｃとを含んでなるショートスタブ、で構成される。
【００６４】
一般に、ＥＢＧ構造は、インピーダンス部Ｘがキャパシタンス性であり、かつ、アドミタンス部Ｙがインダクタンス性となる周波数領域で電磁バンドギャップを生じることが知られている。図１３乃至図１５に示すようなショートスタブ型ＥＢＧ構造では、ショートスタブのスタブ長を長くすることによって、アドミタンス部Ｙがインダクタンス性となる周波数帯域を低周波化することができる。このため、バンドギャップ帯域を低周波化することが可能である。ショートスタブ型ＥＢＧ構造はバンドギャップ帯域の低周波化にスタブ長が必要であるが必ずしも面積を必要としないため、単位セルの小型化を図ることができる。
【００６５】
このＥＢＧ構造によれば、内壁面１１の表面におけるノイズ電流の伝播を抑制でき、また、構造体３０付近におけるノイズ電磁波の伝播を抑制できる。
【００６６】
すなわち、実施形態１に準じて所定の位置に構造体３０を配置した本実施形態の電子機器によれば、筺体１０の内壁面１１を流れるノイズ電流が隙間４０に到達することを抑制することができ、結果、電子機器が有する電子部品２０の動作に起因して発生するノイズが、電子機器の外部に漏洩することを抑制することができる。
【００６７】
また、本実施形態においてもＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、ノイズの伝播を抑制できる。
【００６８】
さらに、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。
【００６９】
本実施形態の構造体３０により構成されるＥＢＧ構造は、特徴的な接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ）の構成により、図１６に示したように多様なインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを形成することができる。その結果、所望の周波数帯のノイズの伝播を抑制するために要求されるインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを、島状導体７１Ａや接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ）の大きさを必要以上に大きくすることなく得ることが可能となる。すなわち、単位セルＡの大きさを比較的小さくすることが可能となる。かかる場合、単位面積あたりの単位セルＡの数を増やすことが可能となり、より効果的にノイズの伝播を抑制することが可能となる。
【００７０】
次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について、図１７を用いて説明する。図１７は、本実施形態の構造体３０の製造工程の一例を示す断面図である。
【００７１】
まず、（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層７５Ａ（１））の第１の面（図中、上側の面）に銅箔７３Ｂを形成し、第２の面（図中、下側の面）に銅箔７１を形成する。次に、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体７１Ａ）を形成する。また、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７３Ｂの一部を選択的にエッチングすることでパターン（第２接続部材７３Ｂ）を形成する。なお、島状導体７１Ａは、第１接続部材７３Ａを通過させるための穴を設けたパターンに形成される。この穴は、第１接続部材７３Ａの径より大きく設けられる。
【００７２】
その後、ドリルにより、第２接続部材７３Ｂと層７５Ａ（１）と島状導体７１Ａとを貫通する穴を形成し、この穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（第３接続部材７３Ｃ）を挿入することで、（３）に示す状態を得る。
【００７３】
次に、（４）に示すように、層７５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）の上に、さらに誘電体の層７５Ａ（２）を形成する。例えば、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等のフレキシブル性を有する新たな基板（層７５Ａ（２））を用意し、この基板（層７５Ａ（２））の第１の面（図中、上側の面）を、層７５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）に貼り付けることで実現してもよい。このように、本実施形態では、島状導体７１Ａ（第１導体）は、層７５Ａ（１）および７５Ａ（２）で構成される誘電体層の内部に設けられる。
【００７４】
その後、（５）に示すように、ドリルを用いて、第２接続部材７３Ｂと層７５Ａ（１）および７５Ａ（２）と島状導体７１Ａとを貫通する穴を形成する。この穴は、（２）で島状導体７１Ａに設けられた穴よりも径が小さく、かつ、島状導体７１Ａに非接触な状態で、この穴を通過するようにドリルを貫通させることで形成される。その後、（６）に示すように、（５）で形成した穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（第１接続部材７３Ａ）を挿入する。
【００７５】
その後、（７）に示すように、層７５Ａ（２）の第２の面（図中、下側の面）に接着層７５Ｂを形成する。この接着層７５Ｂは、第１接続部材７３Ａが接着層７５Ｂを貫通し、露出するように形成される。このように形成する具体的手段は、実施形態１で説明した手段と同様の手段を用いることができる。次に、必要に応じて、第２接続部材７３Ｂおよび層７５Ａ（１）の第１の面（図中、上側の面）を覆う、非導電性の表面層（図示せず）を設ける。
【００７６】
例えば上述のようにして、構造体３０を製造することができる。構造体３０を製造した後は、従来技術に準じて製造した筺体１０の内壁面１１に接するように構造体３０を貼り付けることで、図１３に示す状態が得られる。なお、この時、第１接続部材７３Ａが内壁面１１と接するように貼り付ける。
【００７７】
＜実施形態３＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器の構成を基本とし、構造体３０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００７８】
図１８は、本実施形態の筺体１０の内壁面１１に接する構造体３０の一例を模式的に示した断面図である。図示する構造体３０は、実施形態１の構造体３０（図５参照）の構成を基本とし、接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の構成が異なる。他の構成については、実施形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００７９】
本実施形態の接続部材７３は、導電性の第１接続部材７３Ａと、導電性の第２接続部材７３Ｂと、で構成される。第１接続部材７３Ａは、一端が誘電体層７５の面７７を貫通し、内壁面１１と接するとともに、他端側を介して第２接続部材７３Ｂと導通する。この第１接続部材７３Ａは、島状導体７１Ａに設けられた穴を島状導体７１Ａと非接触な状態で通過している。第２接続部材７３Ｂは、第１接続部７３Ａと導通し、島状導体７１Ａに対向するように設けられる。この第２接続部材７３Ｂの平面形状は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、スパイラル形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。第２接続部材７３Ｂは、島状導体７１Ａを介して内壁面１１と反対側に位置する。また、第２接続部材７３Ｂの他端は開放端となっている。ここで、第２接続部材７３Ｂをスパイラル形状にした場合の一例を、図１９および図２０に示す。図１９は、図２０のロ−ロ´の断面図であり、図２０は、図１９を図中上から下に見た平面図である。なお、図１９および図２０においては、構成をより明確にするため、各構成要素に付すハッチングは、他の図（図５等）とは異なるハッチングを使用している。
【００８０】
ここで、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、ＥＢＧ構造が構成されている。しかし、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、実施形態１および実施形態２で説明したＥＢＧ構造と異なる。
【００８１】
本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、１つの島状導体７１Ａと、当該島状導体７１Ａに対応して設けられた接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）と、内壁面１１の中の当該島状導体７１Ａに対向する領域を含む一部領域と、によって単位セルＡが構成されている。このＥＢＧ構造は、接続部材７３Ｂを含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材７３Ａはインダクタンスを形成している。また、接続部材７３Ｂは、対向する島状導体７１Ａと電気的に結合することで島状導体７１Ａをリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。
【００８２】
図２１は、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造（図１８乃至図２０参照）の単位セルＡの等価回路図である。図２１に示すように、この単位セルＡは、インピーダンス部Ｘとアドミタンス部Ｙとで構成される。インピーダンス部Ｘは、隣り合う島状導体７１Ａ間に生じるキャパシタンスＣ、および、島状導体７１ＡがつくるインダクタンスＬ、で構成される。アドミタンス部Ｙは、内壁面１１と島状導体７１ＡとがつくるキャパシタンスＣ、および、第１接続部材７３ＡがつくるインダクタンスＬ、および、第２接続部材７３Ｂ（伝送線路）を含んでなるオープンスタブ、で構成される。
【００８３】
一般に、ＥＢＧ構造は、インピーダンス部Ｘがキャパシタンス性でありかつ、アドミタンス部Ｙがインダクタンス性となる周波数領域で電磁バンドギャップを生じることが知られている。図１８乃至図２０に示すようなオープンスタブ型ＥＢＧ構造では、オープンスタブのスタブ長を長くすることによって、アドミタンス部Ｙがインダクタンス性となる周波数帯域を低周波化することができる。このため、バンドギャップ帯域を低周波化することが可能である。オープンスタブ型ＥＢＧ構造はバンドギャップ帯域の低周波化にスタブ長が必要であるが必ずしも面積を必要としないため、単位セルの小型化を図ることができる。
【００８４】
このＥＢＧ構造によれば、内壁面１１の表面におけるノイズ電流の伝播を抑制でき、また、構造体３０付近におけるノイズ電磁波の伝播を抑制できる。
【００８５】
すなわち、実施形態１に準じて所定の位置に構造体３０を配置した本実施形態の電子機器によれば、筺体１０の内壁面１１を流れるノイズ電流が隙間４０に到達することを抑制することができ、結果、電子機器が有する電子部品２０の動作に起因して発生するノイズが、電子機器の外部に漏洩することを抑制することができる。
【００８６】
また、本実施形態においてもＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、ノイズの伝播を抑制できる。
【００８７】
さらに、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。
【００８８】
本実施形態の構造体３０により構成されるＥＢＧ構造は、特徴的な接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の構成により、図２１に示したように多様なインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを形成することができる。その結果、所望の周波数帯のノイズの伝播を抑制するために要求されるインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを、島状導体７１Ａや接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の大きさを必要以上に大きくすることなく得ることが可能となる。すなわち、単位セルＡの大きさを比較的小さくすることが可能となる。かかる場合、単位面積あたりの単位セルＡの数を増やすことが可能となり、より効果的にノイズの伝播を抑制することが可能となる。
【００８９】
本実施形態の電子機器の製造方法は、実施形態２で説明した電子機器の製造方法に準じて実現することができる。よって、ここでの説明は省略する。
【００９０】
＜実施形態４＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器の構成を基本とし、構造体３０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００９１】
図２２は、本実施形態の筺体１０の内壁面１１に接する構造体３０の一例を模式的に示した断面図である。図示する構造体３０は、実施形態１の構造体３０（図５参照）の構成を基本とし、接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の構成が異なる。他の構成については、実施形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００９２】
本実施形態の接続部材７３は、導電性の第１接続部材７３Ａと、導電性の第２接続部材７３Ｂと、で構成される。第１接続部材７３Ａは、一端が誘電体層７５の面７７を貫通し、内壁面１１と接するとともに、他端側を介して第２接続部材７３Ｂと導通する。第１接続部材７３Ａは、島状導体７１Ａとは接触しない。第２接続部材７３Ｂは、第１接続部７３Ａと導通し、島状導体７１Ａに対向するように設けられる。この第２接続部材７３Ｂの平面形状は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、スパイラル形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。第２接続部材７３Ｂは、島状導体７１Ａよりも内壁面１１側に位置する。また、第２接続部材７３Ｂの他端は開放端となっている。
【００９３】
ここで、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、ＥＢＧ構造が構成されている。しかし、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、実施形態１乃至３で説明したＥＢＧ構造と異なる。
【００９４】
本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、１つの島状導体７１Ａと、当該島状導体７１Ａに対応して設けられた接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）と、内壁面１１の中の当該島状導体７１Ａに対向する領域を含む一部領域と、によって単位セルＡが構成されている。このＥＢＧ構造は、接続部材７３Ｂを含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材７３Ａはインダクタンスを形成している。また、接続部材７３Ｂは、対向する島状導体７１Ａと電気的に結合することで島状導体７１Ａをリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。
【００９５】
図２２に示した単位セルＡの等価回路図は、実施形態３において説明した等価回路図（図２１）と同じである。よって、ここでの説明は省略する。
【００９６】
このＥＢＧ構造によれば、内壁面１１の表面におけるノイズ電流の伝播を抑制でき、また、構造体３０付近におけるノイズ電磁波の伝播を抑制できる。
【００９７】
すなわち、実施形態１に準じて所定の位置に構造体３０を配置した本実施形態の電子機器によれば、筺体１０の内壁面１１を流れるノイズ電流が隙間４０に到達することを抑制することができ、結果、電子機器が有する電子部品２０の動作に起因して発生するノイズが、電子機器の外部に漏洩することを抑制することができる。
【００９８】
また、本実施形態においてもＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、ノイズの伝播を抑制できる。
【００９９】
さらに、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。
【０１００】
本実施形態の構造体３０により構成されるＥＢＧ構造は、特徴的な接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の構成により、図２１に示したように多様なインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを形成することができる。その結果、所望の周波数帯のノイズの伝播を抑制するために要求されるインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを、島状導体７１Ａや接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の大きさを必要以上に大きくすることなく得ることが可能となる。すなわち、単位セルＡの大きさを比較的小さくすることが可能となる。かかる場合、単位面積あたりの単位セルＡの数を増やすことが可能となり、より効果的にノイズの伝播を抑制することが可能となる。
【０１０１】
次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について、図２３を用いて説明する。図２３は、本実施形態の構造体３０の製造工程の一例を示す断面図である。
【０１０２】
まず、（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層７５Ａ（１））の第１の面（図中、上側の面）に銅箔７３Ｂを形成する。また、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等のフレキシブル性を有する他の基板（層７５Ａ（２））の第１の面（図中、上側の面）に銅箔７１を形成する。次に、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７３Ｂの一部を選択的にエッチングすることでパターン（第２接続部材７３Ｂ）を形成する。また、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体７１Ａ）を形成する。
【０１０３】
その後、（３）に示すように、ドリルにより、第２接続部材７３Ｂと層７５Ａ（１）を貫通する穴を形成する。次に、（４）に示すように、（３）で形成した穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（第１接続部材７３Ａ）を挿入する。
【０１０４】
その後、（５）に示すように、層７５Ａ（１）の第１の面（図中、上側の面）に、層７５Ａ（２）の第２の面（図中、下側の面）が接するように貼り付ける。次に、（６）に示すように、層７５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）に接着層７５Ｂを形成する。この接着層７５Ｂは、第１接続部材７３Ａが接着層７５Ｂを貫通し、露出するように形成される。このように形成する具体的手段は、実施形態１で説明した手段と同様の手段を用いることができる。次に、必要に応じて、互いに分離した複数の島状導体７１Ａおよび層７５Ａ（２）の第１の面を覆う、非導電性の表面層（図示せず）を設ける。
【０１０５】
例えば上述のようにして、構造体３０を製造することができる。構造体３０を製造した後は、従来技術に準じて製造した筺体１０の内壁面１１に接するように構造体３０を貼り付けることで、図２２に示す状態が得られる。なお、この時、第１接続部材７３Ａが内壁面１１と接するように貼り付ける。
【０１０６】
＜実施形態５＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器の構成を基本とし、構造体３０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１０７】
図２４は、本実施形態の筺体１０の内壁面１１に接する構造体３０の一例を模式的に示した断面図である。本実施形態の構造体３０は、誘電体層７５と、誘電体層７５の一方の面７６（内壁面１１と接する面７７と反対側の面７６）上に形成され、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している第１導体７１と、を備える。
【０１０８】
第１導体７１の繰り返し構造としては、互いに分離した複数の島状導体７１Ａが繰り返し、例えば周期的に設けられた構造が考えられる。そして、複数の島状導体７１Ａの一部または全部には、図２５の拡大斜視図に示すように、開口７１Ｂが設けられる。複数の島状導体７１Ａの一部に開口７１Ｂが設けられる場合、開口７１Ｂは、周期的に設けられるのが望ましい。この開口７１Ｂの中には、一端が島状導体７１Ａと電気的に接続している配線７１Ｃが設けられる。開口７１Ｂの大きさ、配線７１Ｃの長さ、太さなどは、伝播を抑制するノイズの周波数に応じて定められる設計事項である。このような第１導体７１は、筺体１０の内壁面１１に対向して設けられる。なお、第１導体７１は、誘電体層７５の内部に、内壁面１１に対向して設けられてもよい。
【０１０９】
誘電体層７５の一部は内壁面１１に接着する接着層７５Ｂで構成される。
【０１１０】
ここで、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、ＥＢＧ構造が構成されている。しかし、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、実施形態１乃至４で説明したＥＢＧ構造と異なる。
【０１１１】
図２６および図２７に、本実施形態の内壁面１１と、構造体３０とにより構成されるＥＢＧ構造を模式的に示す。図２６は、ＥＢＧ構造の構成を模式的に示す斜視図であり、図２７は、図２６のＥＢＧ構造の側面図である。シート状導体２は内壁面１１に対応し、島状導体１は構造体３０の島状導体７１Ａに対応する。
【０１１２】
図２６および図２７に示すＥＢＧ構造は、シート状導体２と、互いに分離した複数の島状導体１と、島状導体１に設けられた開口１Ｂと、開口１Ｂの中に設けられた配線１Ｃと、により構成される。複数の島状導体１は、平面視でシート状導体２と重なる領域であって、シート状導体２から離れた位置に、誘電体層（図示せず）を挟んで配置されている。また、複数の島状導体１は、周期的に配列されている。複数の島状導体１には開口１Ｂが設けられ、開口１Ｂの中には、一端が島状導体１と電気的に接続している配線１Ｃが設けられている。配線１Ｃはオープンスタブとして機能しており、シート状導体２のうち配線１Ｃに対向する部分及び配線１Ｃが、伝送線路、例えばマイクロストリップ線路を形成している。
【０１１３】
このＥＢＧ構造体は、１つの島状導体１と、この島状導体１の開口１Ｂの中に設けられた配線１Ｃと、シート状導体２の中のこれらに対向する領域を含む一部領域と、によって単位セルＡが構成されている。この単位セルＡが周期的に配置されることにより、この構造体はメタマテリアル、例えばＥＢＧとして機能する。図２６および図２７に示す例では、単位セルＡは平面視において２次元配列を有している。
【０１１４】
複数の単位セルＡは互いに同一の構造を有しており、同一の向きに配置されている。島状導体１および開口１Ｂは正方形で、中心が互いに重なるように配置されている。配線１Ｃは開口１Ｂの一辺の略中央からこの辺に対して略垂直に延伸している。
【０１１５】
図２８は、図２６および図２７に示した単位セルＡの等価回路図である。図２８に示すように、シート状導体２と島状導体１との間にはキャパシタンスＣが形成される。また、隣り合う島状導体１の相互間にもキャパシタンスＣが形成される。そして、開口１Ｂを有する島状導体１にはインダクタンスＬが形成される。
【０１１６】
また、上記したように配線１Ｃはオープンスタブとして機能しており、シート状導体２のうち配線１Ｃに対向する部分と配線１Ｃとが、伝送線路、例えばマイクロストリップ線路を形成している。伝送線路の他端は開放端になっている。
【０１１７】
このＥＢＧ構造によれば、シート状導体２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体１どうしがキャパシタンスＣを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。
【０１１８】
内壁面１１と構造体３０とにより上記のようなＥＢＧ構造を構成している本実施形態の電子機器は、構造体３０が設けられている領域において、内壁面１１におけるノイズ電流の伝播を抑制でき、また、構造体３０付近におけるノイズ電磁波の伝播を抑制できる。
【０１１９】
すなわち、実施形態１に準じて所定の位置に構造体３０を配置した本実施形態の電子機器によれば、筺体１０の内壁面１１を流れるノイズ電流が隙間４０に到達することを抑制することができ、結果、電子機器が有する電子部品２０の動作に起因して発生するノイズが、電子機器の外部に漏洩することを抑制することができる。
【０１２０】
また、本実施形態においてもＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、ノイズの伝播を抑制できる。
【０１２１】
さらに、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。
【０１２２】
本実施形態の電子機器は、実施形態１乃至４の電子機器と違い、接続部材７３を有さないので、接続部材７３と内壁面１１との導通を確保する手段を備える必要がない。その結果、品質安定性が高くなる。
【０１２３】
次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について説明する。
【０１２４】
本実施形態の構造体３０は、図１２の（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層７５Ａ）の第１の面に、銅箔７１を形成後、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体７１Ａ）を形成する。このフォトリソグラフィおよびエッチングにより、島状導体７１Ａは、図２５に示すパターンに形成される。その後、層７５Ａの第２の面に接着層７５Ｂを形成することで、構造体３０を得ることができる。接着層７５Ｂは、実施形態１に準じて形成することができる。
【０１２５】
例えば上述のようにして、構造体３０を製造することができる。構造体３０を製造した後は、従来技術に準じて製造した筺体１０の内壁面１１に接するように構造体３０を貼り付けることで、図２４に示す状態が得られる。
【０１２６】
＜実施形態６＞
本実施形態の電子機器は、実施形態５の電子機器の構成を基本とし、構造体３０の構成が一部異なる。具体的には、島状導体７１Ａの開口７１Ｂの中の構成が異なる。他の構成については、実施形態５の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１２７】
本実施形態の筺体１０の内壁面１１に接する構造体３０の一例を模式的に示す断面図は、実施形態５（図２４参照）と同様である。
【０１２８】
次に、図２９に本実施形態の島状導体７１Ａの拡大斜視図を示す。本実施形態の構造体３０は、複数の島状導体７１Ａの一部または全部に、図２９に示すような開口７１Ｂが設けられ、一部または全部の開口７１Ｂの中には、開口内導体７１Ｄおよび配線７１Ｃが設けられている。配線７１Ｃは、島状導体７１Ａと開口内導体７１Ｄとを電気的に接続する。
【０１２９】
ここで、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、ＥＢＧ構造が構成されている。しかし、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、実施形態１乃至５で説明したＥＢＧ構造と異なる。
【０１３０】
図３０に、本実施形態の内壁面１１と、構造体３０とにより構成されるＥＢＧ構造を模式的に示す。図３０は、ＥＢＧ構造の構成を模式的に示す斜視図である。このＥＢＧ構造の側面図は、実施形態５と同様である（図２７参照）。なお、シート状導体２は内壁面１１に対応し、島状導体１は構造体３０の島状導体７１Ａに対応する。
【０１３１】
図２７および図３０に示すＥＢＧ構造は、シート状導体２と、互いに分離した複数の島状導体１と、島状導体１に設けられた開口１Ｂと、開口１Ｂの中に設けられた配線１Ｃおよび開口内導体１Ｄと、により構成される。複数の島状導体１は、平面視でシート状導体２と重なる領域であって、シート状導体２から離れた位置に、誘電体層（図示せず）を挟んで配置されている。また、複数の島状導体１は、周期的に配列されている。複数の島状導体１には開口１Ｂが設けられ、開口１Ｂの中には、一端が島状導体１と電気的に接続している配線１Ｃが設けられている。さらに、開口１Ｂの中には、配線１Ｃの他端と電気的に接続している開口内導体１Ｄが設けられている。
【０１３２】
このＥＢＧ構造は、１つの島状導体１と、この島状導体１の開口１Ｂの中に設けられた配線１Ｃおよび開口内導体１Ｄと、シート状導体２の中のこれらに対向する領域を含む一部領域と、によって単位セルＡが構成されている。この単位セルＡが周期的に配置されることにより、この構造体はメタマテリアル、例えばＥＢＧとして機能する。図３０に示す例では、単位セルＡは平面視において２次元配列を有している。
【０１３３】
複数の単位セルＡは互いに同一の構造を有しており、同一の向きに配置されている。島状導体１および開口１Ｂおよび開口内導体１Ｄは正方形で、中心が互いに重なるように配置されている。配線１Ｃは開口１Ｂの一辺の略中央からこの辺に対して略垂直に延伸している。そして、配線１Ｃは、開口内導体１Ｄの第１の辺の中央と、開口１Ｂのうち開口内導体１Ｄの第１の辺に対向する辺の中央と、を電気的に接続している。
【０１３４】
図３１は、図３０に示したＥＢＧ構造の単位セルＡの等価回路図である。図３１に示すように、島状導体１とシート状導体２との間には、キャパシタンスＣが形成される。また、隣り合う島状導体１の相互間にもキャパシタンスＣが形成される。さらに、開口内導体１Ｄとシート状導体２との間にもキャパシタンスＣが形成される。そして、開口１Ｂを有する島状導体１にはインダクタンスＬが形成される。また、島状導体１と開口内導体１Ｄとを電気的に接続する配線１Ｃは、インダクタンスＬを有する。
【０１３５】
このＥＢＧ構造によれば、シート状導体２の表面におけるノイズ電流の伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体１どうしがキャパシタンスＣを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズ電磁波の伝播を抑制できる。
【０１３６】
内壁面１１と構造体３０とにより上記のようなＥＢＧ構造を構成している本実施形態の電子機器は、構造体３０が設けられている領域において、内壁面１１におけるノイズ電流の伝播を抑制でき、また、構造体３０付近におけるノイズ電磁波の伝播を抑制できる。
【０１３７】
すなわち、実施形態１に準じて所定の位置に構造体３０を配置した本実施形態の電子機器によれば、筺体１０の内壁面１１を流れるノイズ電流が隙間４０に到達することを抑制することができ、結果、電子機器が有する電子部品２０の動作に起因して発生するノイズが、電子機器の外部に漏洩することを抑制することができる。
【０１３８】
また、本実施形態においてもＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、ノイズの伝播を抑制できる。
【０１３９】
さらに、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。
【０１４０】
本実施形態の電子機器は、実施形態１乃至４の電子機器と違い、接続部材７３を有さないので、接続部材７３と内壁面１１との導通を確保する手段を備える必要がない。その結果、品質安定性が高くなる。
【０１４１】
本実施形態の電子機器の製造方法は、実施形態５で説明した電子機器の製造方法に準じて実現できるので、ここでの説明は省略する。
【０１４２】
＜実施形態７＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１乃至６のいずれか１つの電子機器の構成を基本とし、構造体３０の構成が異なる。他の構成については、実施形態１乃至６のいずれかと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１４３】
実施形態１乃至６では、構造体３０は接着層７５Ｂを有し、シート状に構成され、筺体１０に貼り付けられていた。これに対し、本実施形態では、構造体３０は接着層７５Ｂを有さず、ＣＶＤ法（化学気相成長法）、ＣＭＰ法（化学的機械的研磨法）、フォトリソグラフィ、エッチングなどの従来の層形成技術を利用し、内壁面１１に接して形成される。なお、本実施形態においては、誘電体層７５はフレキシブル性を有さなくてもよく、誘電体層７５を構成する材料はあらゆる誘電性の材料を使用することができる。その他の構成については、実施形態１乃至６で説明した構成と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１４４】
本実施形態の電子機器によれば、実施形態１乃至６で説明した効果に加えて、構造体３０により実現されるノイズ伝播抑制機能の寿命を延ばす効果が得られる。
【０１４５】
すなわち、実施形態１乃至６の場合、シート状の構造体３０の接着層７５Ｂ（接着剤）の性能寿命や予期せぬ要因により、構造体３０が筺体１０の内壁面１１から剥がれ落ちてしまう恐れがある。
【０１４６】
これに対し本実施形態の場合、筺体１０の内壁面１１と構造体３０との密着力が実施形態１乃至６に比べて強いので、上記のような不都合が生じにくい。
【０１４７】
＜実施形態８＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１乃至７のいずれか１つの電子機器の構成を基本とし、構造体３０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１乃至７のいずれかと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１４８】
図３２は、本実施形態の筺体１０の内壁面１１に接する構造体３０の一例を模式的に示す断面図である。本実施形態の構造体３０は、例えば、誘電体層７５と、誘電体層７５の一方の面７６上に第２導体７２に対向して形成され、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している第１導体７１と、誘電体層７５の面７７（面７６と反対側の面）上に形成された第２導体７２と、第２導体７２の上に形成された接着層７９と、誘電体層７５の内部に設けられ、第１導体７１と第２導体７２を電気的に接続する接続部材７３と、を有する。なお、第１導体７１は、誘電体層７５の内部に、第２導体７２に対向して設けられてもよい。
【０１４９】
図３２に示す第１導体７１の構成は、例えば実施形態１で説明した第１導体７１と同様である。また、誘電体層７５の構成は、接着層を有さない点以外は実施形態１で説明した誘電体層７５と同様である。
【０１５０】
第２導体７２は、平面視で複数の島状導体７１Ａに対向するように誘電体層７５の面７７上に延伸したシート状導体である。例えば銅等の材料で構成することができる。
【０１５１】
接着層７９は、第２導体７２の面（誘電体層７５と接する面と反対側の面）上に設けられ、筺体１０の内壁面１１と接する。すなわち、接着層７９は、内壁面１１と、第２導体７２との間に挟まれる。このような接着層７９は、天然ゴム、アクリル樹脂、シリコーン等で構成されてもよい。
【０１５２】
導通部材７９Ａは、第２導体７２と、内壁面１１とを導通するように構成される。例えば、導通部材７９Ａは、接着層７９に混入された複数の導電性フィラーであってもよい。または、導通部材７９Ａは、図３３に示すようなビアであってもよい。ビア７９Ａは、接続部材７３と一体となって設けられてもよい。
【０１５３】
ここで、本実施形態の接続部材７３の構成は図３２および図３３に示すものに限定されず、例えば、図１３、１４、１５、１８、１９、２０および２２に示すような構成にすることができる。これらの図に示す接続部材７３および構造体３０については、上記実施形態で説明したので、ここでの説明は省略する。
【０１５４】
また、本実施形態では、接続部材７３を設けなくてもよい。かかる場合、複数の島状導体７１Ａの一部または全部には、図２５の拡大斜視図に示すような開口７１Ｂおよび配線７１Ｃが設けられる。また、複数の島状導体７１Ａの一部または全部には、図２９の拡大斜視図に示すような開口７１Ｂ、配線７１Ｃおよび開口内導体７１Ｄが設けられてもよい。これらの図に示す島状導体７１Ａおよび第２の構造体７０については、上記実施形態で説明したので、ここでの説明は省略する。
【０１５５】
本実施形態の電子機器の製造方法は、上記実施形態に準じて実現することができる。よって、ここでの説明は省略する。
【０１５６】
本実施形態の電子機器は、構造体３０がＥＢＧ構造を備えており、そして、このＥＢＧ構造と筺体１０の内壁面１１とが電気的に接続する手段を備えている。このような本実施形態の電子機器によれば、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、本実施形態の電子機器は、上記実施形態１において図４０を用いて説明した課題を、導通部材７９Ａを設けることで解決している。
【０１５７】
＜実施形態９＞
本実施形態の電子機器は、実施形態８の電子機器の構成を基本とし、構造体３０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１乃至７のいずれかと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１５８】
図３４は、本実施形態の筺体１０の内壁面１１に接する構造体３０の一例を模式的に示す断面図である。本実施形態の構造体３０は、例えば、誘電体層７５と、誘電体層７５の一方の面７６上に筺体１０の内壁面１１に対向して形成され、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している第１導体７１と、誘電体層７５の面７７（面７６と反対側の面）上に形成された接着層７９と、第１の誘電体層７５の内部に設けられ、第１導体７１と内壁面１１とを電気的に接続する接続部材７３と、を有する。なお、第１導体７１は、誘電体層７５の内部に、内壁面１１に対向して設けられてもよい。
【０１５９】
すなわち、本実施形態の電子機器は、実施形態８の電子機器の構成（図３２参照）において、第２導体７２を無くした構造となっている。
【０１６０】
本実施形態の電子機器の製造方法は、上記実施形態に準じて実現することができる。よって、ここでの説明は省略する。
【０１６１】
本実施形態の電子機器は、筺体１０の内壁面１１と構造体３０とによりＥＢＧ構造が構成されている。このような本実施形態の電子機器によれば、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１６２】
＜実施形態１０＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器の構成を基本とし、構造体３０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１６３】
図３５は、本実施形態の筺体１０の内壁面１１に接する構造体３０の一例を模式的に示す断面図である。本実施形態の構造体３０は、誘電体層７５と、誘電体層７５の一方の面７６上に第３導体８０に対向して形成された第１導体７１と、誘電体層７５の面７７（面７６と反対側の面）上に設けられた第３導体８０と、第３導体８０の上に設けられた第２の誘電体層８１と、を有する。なお、第１導体７１は、誘電体層７５の内部に、第３導体８０に対向して設けられてもよい。また、第１導体７１は、図示するように、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有してもよいし、繰り返し構造を有さないシート状の導体であってもよい。
【０１６４】
図３５に示す第１導体７１の構成は、接続部材７３と接続しない点、一部領域に繰り返し構造を有してもよいし、繰り返し構造を有さないシート状であってもよい点以外は、実施形態１で説明した第１導体７１と同様である。また、誘電体層７５の構成は、接着層を有さない点以外は実施形態１で説明した誘電体層７５と同様である。
【０１６５】
ここで、図３６に、第３導体８０の平面形状の一例を模式的に示す。第３導体８０は開口８０Ｂを有する。なお、第１導体７１が複数の島状導体７１Ａにより構成される繰り返し構造を有している場合、各開口８０Ｂは、繰り返し配列されている複数の島状導体７１Ａそれぞれに対向する位置に設けられる。また、この開口８０Ｂの中には、一端が第３導体８０と電気的に接続している配線８０Ａが設けられる。
【０１６６】
図３７に、第３導体８０の平面形状の他の一例を模式的に示す。第３導体８０は開口８０Ｂを有する。なお、第１導体７１が複数の島状導体７１Ａにより構成される繰り返し構造を有している場合、各開口８０Ｂは、繰り返し配列されている複数の島状導体７１Ａそれぞれに対向する位置に設けられる。また、この開口８０Ｂの中には、配線８０Ａおよび開口内導体８０Ｃが設けられる。なお、配線８０Ａは、第３導体８０と開口内導体８０Ｃとを電気的に接続する。
【０１６７】
第２の誘電体層８１は、第３導体８０の面（誘電体層７５と接する面と反対側の面）上に設けられ、内壁面１１と接する。すなわち、第２の誘電体層８１は、内壁面１１と、第３導体８０との間に挟まれる。このような第２の誘電体層８１は、天然ゴム、アクリル樹脂、シリコーン等で構成された接着層であってもよい。または、筺体１０の内壁面１１の上に例えばＣＶＤ法を用いて形成された誘電体層であってもよい。第２の誘電体層８１の内部には、ビア８２が設けられる。
【０１６８】
ビア８２は、第３導体８０と内壁面１１とを電気的に接続する。なお、第３導体８０の形状は、上述のように、開口８０Ｂを有し、また、開口８０Ｂの中に、配線８０Ａ、または、配線８０Ａおよび開口内導体８０Ｃを有するが、ビア８２は、配線８０Ａおよび開口内導体８０Ｃでなく、第３導体８０と電気的に接続するのが望ましい。このようにすれば、安定した接続が実現できる。
【０１６９】
ここで、本実施形態においては、構造体３０がＥＢＧ構造を備えている。しかし、本実施形態の構造体３０が備えるＥＢＧ構造は、実施形態１乃至９で説明したＥＢＧ構造と異なる。
【０１７０】
図３８および図３９に、上述のような第３導体８０と複数の島状導体７１Ａとで構成されるＥＢＧ構造を模式的に示した斜視図を示す。図３８のＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図は、図２８に示した単位セルの等価回路図において、キャパシタンスＣ、インダクタンスＬの位置を適当な位置に変更したものである。また、図３８のＥＢＧ構造において島状導体１を、繰り返し構造を有さないシート状の導体に代えたＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図は、図３８のＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図において、隣り合う島状導体１間に形成されていたキャパシタンスＣを無くしたものとなる。また、図３９のＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図は、図３１に示した単位セルの等価回路図において、キャパシタンスＣ、インダクタンスＬの位置を適当な位置に変更したものである。また、図３９のＥＢＧ構造において島状導体１を、繰り返し構造を有さないシート状の導体に代えたＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図は、図３９のＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図において、隣り合う島状導体１間に形成されていたキャパシタンスＣを無くしたものとなる。
【０１７１】
本実施形態の電子機器の製造方法は、上記実施形態に準じて実現することができる。よって、ここでの説明は省略する。
【０１７２】
本実施形態の電子機器によれば、構造体３０が設けられている領域において、内壁面１１におけるノイズ電流の伝播を抑制でき、また、構造体３０付近におけるノイズ電磁波の伝播を抑制できる。
【０１７３】
すなわち、実施形態１に準じて所定の位置に構造体３０を配置した本実施形態の電子機器によれば、筺体１０の内壁面１１を流れるノイズ電流が隙間４０に到達することを抑制することができ、結果、電子機器が有する電子部品２０の動作に起因して発生するノイズが、電子機器の外部に漏洩することを抑制することができる。
【０１７４】
また、本実施形態においてもＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、ノイズの伝播を抑制できる。
【０１７５】
さらに、本実施形態においても、内壁面１１と、構造体３０とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。
【実施例】
【０１７６】
以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。【０１７７】
＜サンプル作製＞
＜＜比較例＞＞
図４１（ａ）に、電子部品を内部に設置した電子機器の透過図を示す。図４１（ｂ）に、電子部品を内部に設置した電子機器のＺ−Ｘ面断面図を示す。図４１（ｃ）に、電子部品を内部に設置した電子機器のＹ−Ｚ面断面図を示す。【０１７８】
図４１の電子機器は、７８ｍｍ×６２ｍｍ×１６ｍｍの導電性の筺体に、電子部品を配置した構造である。この筺体には、上面略中央付近に１４ｍｍ×３０ｍｍの開閉可能なカバーが存在し、このカバーと筺体本体との間にわずかな隙間が存在している。図４１を比較例とした。【０１７９】
＜＜実施例＞＞
図４２に示すように、比較例と同じ筺体を用意し、比較例と同様な位置に比較例と同じ電子部品を配置した。そして、筺体の隙間を有する内壁面には、隙間を取り囲むように実施形態１で説明した構造体を配置した。なお、電子部品の動作周波数をｆ（ＧＨｚ）とし、筺体の内壁面に存在する隙間から、内壁面に接して設けられた構造体が有する導電体の層までの、内壁面に水平な方向の距離をｌ（ｍｍ）とすると、ｌ≦λ／４の関係を満たすように構造体を配置した。但し、λ（ｍｍ）＝３００／ｆ（ＧＨｚ）である。【０１８０】
＜電磁界シミュレーション＞
図４１の電子部品として、信号源、信号ライン、信号負荷回路を設け、信号源周波数３ＧＨｚでの、筐体内／筐体外磁界分布を電磁界シミュレーションで求めた。更に、シミュレーション結果から、信号源からのアドミタンス、及び放射利得を求め、３ｍ離れでの電界強度を計算した。【０１８１】
同様に、図４２の電子部品として、信号源、信号ライン、信号負荷回路を設け、信号源周波数３ＧＨｚでの、筐体内／筐体外磁界分布を電磁界シミュレーションで求めた。更に、シミュレーション結果から、信号源からのアドミタンス、及び放射利得を求め、３ｍ離れでの電界強度を計算した。【０１８２】
＜結果＞
図４３に、電磁界シミュレーション結果を示す。図４３（ａ）に、比較例のＹ−Ｚ面断面磁界分布を示す。図４３（ｂ）に、比較例のＺ−Ｘ面断面磁界分布を示す。図４３（ｃ）に、本願実施例のＹ−Ｚ面断面磁界分布を示す。図４３（ｄ）に、本願実施例のＺ−Ｘ面断面磁界分布を示す。濃淡で磁界強度を示し、濃くなると磁界強度が高まることを示している。筐体間隙から、筐体外へ分布する磁界強度が、実施例の方が、比較例と比べて低下していることがわかる。電界強度についても、実施例の方が、比較例と比べて１１．１ｄＢの低減効果が得られている。【０１８３】
この出願は、２０１０年７月１２日に出願された日本特許出願特願２０１０−１５８２０５号を基礎とする優先権を主張し、その開示のすべてをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【国際調査報告】
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