(57)【要約】  抽出体（６７）は、リソグラフィ装置の支持装置（ＷＴ）のためのものである。支持装置は、オブジェクト（Ｗ）を支持するように構成される。抽出体は、その表面（６９）に開口（９１）を有して形成される。開口は、第１の通路（９０）を形成する抽出体内で延在する。第１の通路は、抽出体内の抽出チャネル（９２）を表面とオブジェクトとの間の液体と流体連通させるように構成される。抽出チャネル内の第１の圧力は、周囲圧力よりも小さい。第１の通路の少なくとも一部は、液体が開口を介して第１の通路に入ると、液体の表面張力に関連した第１の通路内の第２の圧力が、液体の少なくとも一部が第１の通路内にとどまるように第１の圧力よりも低くなるような大きさ及び寸法にされる。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置の支持装置用の抽出体であって、前記支持装置が、オブジェクトを支持し、前記抽出体が、その表面に開口を有して形成され、前記開口が、第１の通路を形成する前記抽出体内で延在し、前記第１の通路が、前記抽出体内の抽出チャネルを前記表面と前記オブジェクトとの間の液体と流体連通させ、前記抽出チャネル内の第１の圧力が、周囲圧力よりも小さく、
前記第１の通路の少なくとも一部が、前記液体が前記開口を介して前記第１の通路に入ると、前記液体の表面張力に関連した前記第１の通路内の第２の圧力が、前記液体の少なくとも一部が前記第１の通路内にとどまるように前記第１の圧力よりも低くなるような大きさ及び寸法にされることを特徴とする、抽出体。
【請求項２】
前記第１の通路を通って前記抽出チャネル内へと前記液体を除去することができるように、前記第１の圧力が、前記液体の表面張力に関連した、前記液体のメニスカスの第３の圧力よりも低くなるように、前記抽出体が構成される、請求項１に記載の抽出体。
【請求項３】
前記抽出体の一部が、前記オブジェクトの周辺エッジの下に延在し、前記第１の通路が、前記周辺エッジの半径方向内側にあり、及び／又は前記抽出体が、その上側の半径方向内側に、液体のメニスカスを留めるエッジをさらに備える、請求項１又は２に記載の抽出体。
【請求項４】
前記開口及び前記第１の通路が、連続した円周方向溝を形成する、請求項１〜３の何れか一項に記載の抽出体。
【請求項５】
前記抽出体が、前記第１の通路の半径方向外側にあり、且つ前記抽出体の前記表面から流体を抽出する第２の通路をさらに備える、請求項１〜４の何れか一項に記載の抽出体。
【請求項６】
前記抽出チャネルが、前記第１の通路及び前記第２の通路の両方と流体連通している、請求項５に記載の抽出体。
【請求項７】
下側通路の少なくとも一部が、円周リングセクションの下で延在し、且つ上側通路の少なくとも一部が、前記リングセクションの上で延在するように構成された、前記リングセクションをさらに備える、請求項５又は６に記載の抽出体。
【請求項８】
前記円周リングセクションが、その半径方向内側に、面取り部を備え、前記円周リングセクションの半径方向内側面が、前記円周リングセクションの垂直範囲に沿って下向きに、半径方向外側へ、又は半径方向内側へと連続してテーパー状になり、又は前記円周リングセクションの半径方向内側面が、前記円周リングセクションの垂直範囲に沿って下向きに、最初は半径方向内側にテーパー状となった後、半径方向外側にテーパー状となる、請求項７に記載の抽出体。
【請求項９】
前記円周リングセクションが、その半径方向内側に、及び／又はその半径方向外側の底部エッジに、丸味を帯びたエッジを備える、請求項７に記載の抽出体。
【請求項１０】
リソグラフィ装置用の支持装置であって、
ベース面の上に突出した複数のバールを備えるオブジェクトホルダであって、前記複数のバールのそれぞれが、それぞれのバール遠位端を有し、前記バール遠位端が、オブジェクトを支持するように支持面に配置される、オブジェクトホルダと、
請求項１〜９の何れか一項に記載の抽出体であって、前記抽出体が、前記オブジェクトホルダの半径方向外側にあり、且つ前記抽出体が前記オブジェクトホルダから実質的に切り離されるように、前記オブジェクトホルダから間隔を空けて配置される、抽出体と、
を備える、支持装置。
【請求項１１】
前記支持装置に面する前記抽出体の半径方向内側面が、疎液性である、請求項１０に記載の抽出体。
【請求項１２】
前記支持装置が、Ｄ＜４ｈｃｏｓθ／（１＋ｃｏｓθ）及びθ≦４５°であるように配置され、式中、Ｄが、前記第１の通路の直径であり、ｈが、前記第１の通路と前記支持面との間の最小距離であり、及びθが、前記第１の通路の内面の液体に対する接触角である、請求項１０又は１１に記載の抽出体。
【請求項１３】
請求項１０〜１２の何れか一項に記載の支持装置を備える、リソグラフィ装置。
【請求項１４】
オブジェクトを支持するオブジェクトホルダと、前記オブジェクトホルダの半径方向外側にあり、且つ抽出体が前記オブジェクトホルダから実質的に切り離されるように、前記オブジェクトホルダから間隔を空けて配置される、前記抽出体と、を備える支持装置上に前記オブジェクトを支持する方法であって、
前記抽出体の第１の通路を通して液体を前記抽出体内の抽出チャネルへと抽出することであって、前記液体が、前記抽出体の表面の開口を介して前記第１の通路に入り、前記開口が、前記第１の通路を形成する前記抽出体内で延在することを含み、
前記抽出チャネル内の第１の圧力が、周囲圧力よりも小さく、
前記第１の通路の少なくとも一部が、前記液体が前記開口を介して前記第１の通路に入ると、前記液体の表面張力に関連した前記第１の通路内の第２の圧力が、前記液体の少なくとも一部が前記第１の通路内にとどまるように前記第１の圧力よりも低くなるような大きさ及び寸法にされる、方法。
【請求項１５】
リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法であって、
支持装置を用いて基板を支持しながら、前記基板上にパターニングデバイスによってパターン形成したビームを投影することを含み、
前記支持装置が、
オブジェクトを支持するオブジェクトホルダと、
前記オブジェクトホルダの半径方向外側にある抽出体であって、前記抽出体が、前記抽出体内の抽出チャネルへと液体を抽出する第１の通路を備え、前記液体が、前記抽出体の表面の開口を介して前記第１の通路に入り、前記開口が、前記第１の通路を形成する前記抽出体内で延在する、抽出体と、
を備え、
前記抽出チャネル内の第１の圧力が、周囲圧力よりも小さく、
前記第１の通路の少なくとも一部が、前記液体が前記開口を介して前記第１の通路に入ると、前記液体の表面張力に関連した前記第１の通路内の第２の圧力が、前記液体の少なくとも一部が前記第１の通路内にとどまるように前記第１の圧力よりも低くなるような大きさ及び寸法にされる、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本出願は、２０１６年５月１２日に出願され、本明細書にその全体が援用される、欧州特許出願公開第１６１６９４５７．５号の優先権を主張するものである。
【０００２】
[0002]  本発明は、抽出体、支持装置、リソグラフィ装置、オブジェクトを支持する方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを、基板上、通常は基板のターゲット部分上に施すマシンである。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。その場合、パターニングデバイス（パターニングデバイスは、代替的にマスク又はレチクルと呼ばれる）を用いて、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成してもよい。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は幾つかのダイの一部を含む）上に転写することができる。パターンの転写は、一般的に、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上への結像によるものである。一般に、単一の基板が、連続してパターン形成される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置には、いわゆるステッパ（ステッパでは、各ターゲット部分が、パターン全体を１回でターゲット部分上に露光させることによって照射される）と、いわゆるスキャナ（スキャナでは、放射ビームを用いてある方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンする一方で、この方向に対して平行又は逆平行に基板を同期してスキャンすることによって各ターゲット部分が照射される）とが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  投影系の最終要素と基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を持つ液体（例えば水）に、リソグラフィ投影装置の基板を浸漬することが提案されている。ある実施形態では、液体は、超純水である（但し、別の液体を使用することができる）。本発明の一実施形態を、液体に関連して説明する。しかし、別の流体、特に湿潤流体、非圧縮流体、及び／又は空気よりも高い屈折率、望ましくは、水よりも高い屈折率を持つ流体が適切である場合がある。ガスを除く流体が、特に望ましい。これの意義は、露光放射が液体中でより短い波長を持つため、より小さなフィーチャの結像を可能にすることである。（液体の影響は、投影系の有効開口数（ＮＡ）の増加、及び焦点深度の増加とも見なすことができる。）懸濁された固体粒子（例えばクォーツ）を有した水、又はナノ粒子懸濁（例えば、最大１０ｎｍの最大寸法を持つ粒子）を有した液体を含む他の液浸液が提案されている。懸濁粒子は、それらが懸濁される液体と類似の屈折率又は同じ屈折率を有していてもよいし、有していなくてもよい。適切となり得る他の液体には、芳香族化合物などの炭化水素、フッ化炭化水素、及び／又は水溶液が含まれる。
【０００５】
[0005]  基板又は基板及び支持テーブルを液体浴に浸すことは（例えば、米国特許第４，５０９，８５２号を参照）、スキャン露光中に加速される必要がある多量の液体が存在することを意味する。これは、追加の、又はより強力なモータを必要とし、液体中の乱流が、望ましくない影響、及び予測できない影響をもたらし得る。
【０００６】
[0006]  液浸装置では、液浸流体が、流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によって取り扱われる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、従って、流体供給システムであってもよい。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に、液浸流体を閉じ込めることができ、それによって、流体閉じ込めシステムであってもよい。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体にバリアを提供することができ、それによって、流体閉じ込め構造などのバリア部材であってもよい。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、例えば、液浸流体の流れ及び／又は位置の制御に役立つように、ガス流を生成又は使用することができる。ガス流は、液浸流体を閉じ込めるためのシールを形成することができるので、流体ハンドリング構造は、シール部材と呼ばれる場合があり、このようなシール部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上述の記載に関して、流体に関して定義されたフィーチャへのこの段落における言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと理解することができる。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  ある液浸装置では、露光プロセス中に、基板は、支持テーブルに固定される。流体ハンドリング構造が、基板のエッジを越えると、液体（例えば水）が、基板の側面を下に向かい、基板の下の経路の少なくとも一部を流れ得る。基板の下側に達する液体の量を減少させることが望ましい。
【０００８】
[0008]  本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置の支持装置用の抽出体であって、支持装置が、オブジェクトを支持するように構成され、抽出体が、その表面に開口を有して形成され、開口が、第１の通路を形成する抽出体内で延在し、第１の通路が、抽出体内の抽出チャネルを表面とオブジェクトとの間の液体と流体連通させるように構成され、抽出チャネル内の第１の圧力が、周囲圧力よりも小さく、第１の通路の少なくとも一部が、液体が開口を介して第１の通路に入ると、液体の表面張力に関連した第１の通路内の第２の圧力が、液体の少なくとも一部が第１の通路内にとどまるように第１の圧力よりも低くなるような大きさ及び寸法にされることを特徴とする、抽出体が提供される。
【０００９】
[0009]  本発明のある態様によれば、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側にあり、且つ抽出体がオブジェクトホルダから実質的に切り離されるようにオブジェクトホルダから間隔を空けて配置される抽出体と、を含むリソグラフィ装置用の支持装置であって、抽出体が、抽出体内に抽出チャネルと、抽出体の表面に形成された開口であって、開口が、第１の通路を形成する抽出体内で延在し、第１の通路が、抽出チャネルを表面とオブジェクトとの間の液体と流体連通させるように構成され、抽出チャネル内の第１の圧力が、周囲圧力よりも小さい、開口と、表面から流体を抽出するように構成された第２の通路とを備え、抽出チャネルが、第１の通路及び第２の通路の両方と流体連通している、支持装置が提供される。
【００１０】
[00010]  本発明のある態様によれば、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダであって、オブジェクトホルダが、ベース面と、ベース面の上に突出した複数のバールとを備え、複数のバールのそれぞれが、それぞれのバール遠位端を有し、バール遠位端が、オブジェクトを支持するように支持面に配置される、オブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側にあり、且つ抽出体がオブジェクトホルダから実質的に切り離されるようにオブジェクトホルダから間隔を空けて配置される抽出体であって、抽出体が、抽出体内に抽出チャネルと、抽出体の表面に形成された開口であって、開口が、第１の通路を形成する抽出体内で延在し、第１の通路が、抽出チャネルを表面とオブジェクトとの間の液体と連通させるように構成された、開口とを備える、抽出体とを備える、リソグラフィ装置用の支持装置であって、支持装置が、Ｄ＜４ｈｃｏｓθ／（１＋ｃｏｓθ）及びθ≦４５°であるように配置され、式中、Ｄが、第１の通路の直径であり、ｈが、第１の通路と支持面との間の最小距離であり、及びθが、第１の通路の内面の液体に対する接触角である、支持装置が提供される。
【００１１】
[0010]  本発明のある態様によれば、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側にあり、且つ抽出体がオブジェクトホルダから実質的に切り離されるようにオブジェクトホルダから間隔を空けて配置される抽出体と、を備える支持装置上にオブジェクトを支持する方法であって、この方法が、抽出体の第１の通路を通して液体を抽出体内の抽出チャネルへと抽出することであって、液体が、抽出体の表面の開口を介して第１の通路に入り、開口が、第１の通路を形成する抽出体内で延在することを含み、抽出チャネル内の第１の圧力が、周囲圧力よりも小さく、第１の通路の少なくとも一部が、液体が開口を介して第１の通路に入ると、液体の表面張力に関連した第１の通路内の第２の圧力が、液体の少なくとも一部が第１の通路内にとどまるように第１の圧力よりも低くなるような大きさ及び寸法にされる、方法が提供される。
【００１２】
[0011]  本発明のある態様によれば、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側にあり、且つ抽出体がオブジェクトホルダから実質的に切り離されるようにオブジェクトホルダから間隔を空けて配置される抽出体と、を備える支持装置上にオブジェクトを支持する方法であって、この方法が、抽出体の第１の通路を通して液体を抽出体内の抽出チャネルへと抽出することであって、液体が、抽出体の表面の開口を介して第１の通路に入り、開口が、第１の通路を形成する抽出体内で延在することと、抽出体の表面から第２の通路を通して流体を抽出することと、を含み、抽出体内の抽出チャネルが、第１の通路及び第２の通路の両方と流体連通している、方法が提供される。
【００１３】
[0012]  本発明のある態様によれば、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側にあり、且つ抽出体がオブジェクトホルダから実質的に切り離されるようにオブジェクトホルダから間隔を空けて配置される抽出体と、を素なる支持装置上にオブジェクトを支持する方法であって、この方法が、抽出体の第１の通路を通して、流体を抽出体の上面から抽出体内の抽出チャネルへと抽出することを備え、オブジェクトホルダが、ベース面と、ベース面の上に突出した複数のバールとを備え、複数のバールのそれぞれが、それぞれのバール遠位端を有し、バール遠位端が、オブジェクトを支持するように支持面に配置され、抽出体が、抽出体内に抽出チャネルと、抽出チャネルを抽出体の上面の流体と連通させるように構成された第１の通路と、を備え、支持装置が、Ｄ＜４ｈｃｏｓθ／（１＋ｃｏｓθ）及びθ≦４５°であるように配置され、式中、Ｄが、第１の通路の直径であり、ｈが、第１の通路と支持面との間の最小距離であり、及びθが、第１の通路の内面の液体に対する接触角である、方法が提供される。
【００１４】
[0013]  本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法であって、この方法が、支持装置を用いて基板を支持しながら、基板上にパターニングデバイスによってパターン形成したビームを投影することを含み、支持装置が、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側にある抽出体であって、抽出体が、抽出体内の抽出チャネルへと液体を抽出するように構成された第１の通路を備え、液体が、抽出体の表面の開口を介して第１の通路に入り、開口が、第１の通路を形成する抽出体内で延在する、抽出体と、を備え、抽出チャネル内の第１の圧力が、周囲圧力よりも小さく、第１の通路の少なくとも一部が、液体が開口を介して第１の通路に入ると、液体の表面張力に関連した第１の通路内の第２の圧力が、液体の少なくとも一部が第１の通路内にとどまるように第１の圧力よりも低くなるような大きさ及び寸法にされる、方法が提供される。
【００１５】
[0014]  本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法であって、この方法が、支持装置を用いて基板を支持しながら、基板上にパターニングデバイスによってパターン形成したビームを投影することを含み、支持装置が、オブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側にあり、且つ抽出体がオブジェクトホルダから実質的に切り離されるようにオブジェクトホルダから間隔を空けて配置される抽出体と、を備え、抽出体が、抽出体内の抽出チャネルと、抽出体内の抽出チャネルへと液体を抽出するように構成された第１の通路であって、液体が、抽出体の表面の開口を介して第１の通路に入り、開口が、第１の通路を形成する抽出体内で延在する、第１の通路と、抽出体の表面から流体を抽出するように構成された第２の通路と、を備え、抽出体内の抽出チャネルが、第１の通路及び第２の通路の両方と流体連通している、方法が提供される。
【００１６】
[0015]  本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法であって、この方法が、支持装置を用いて基板を支持しながら、基板上にパターニングデバイスによってパターン形成したビームを投影することを含み、支持装置が、ベース面と、ベース面の上に突出した複数のバールであって、複数のバールのそれぞれが、それぞれのバール遠位端を有し、バール遠位端が、基板を支持するように支持面に配置される、バールとを備えるオブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側にあり、且つ抽出体がオブジェクトホルダから実質的に切り離されるようにオブジェクトホルダから間隔を空けて配置される抽出体であって、抽出体が、抽出体内に抽出チャネルと、抽出体の表面に形成された開口であって、開口が、第１の通路を形成する抽出体内で延在し、第１の通路が、抽出チャネルを表面とオブジェクトとの間の液体と連通させるように構成された、開口とを備える、抽出体とを備え、支持装置が、Ｄ＜４ｈｃｏｓθ／（１＋ｃｏｓθ）及びθ≦４５°であるように配置され、式中、Ｄが、第１の通路の直径であり、ｈが、第１の通路と支持面との間の最小距離であり、及びθが、第１の通路の内面の液体に対する接触角である、方法が提供される。
【００１７】
[0016]  対応する参照記号が、対応する部分を指す添付の模式図を参照して、これより、本発明の実施形態を単なる例として説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】[0017]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0018]リソグラフィ投影装置で使用するための液体供給システムを示す。
【図３】[0019]ある実施形態による、別の液体供給システムを示す側面断面図である。
【図４】[0020]本発明の一実施形態による抽出体を断面視で模式的に示す。
【図５】[0020]本発明の一実施形態による抽出体を断面視で模式的に示す。
【図６】[0020]本発明の一実施形態による抽出体を断面視で模式的に示す。
【図７】[0021]図４〜６に示す開口のクローズアップを模式的に示す。
【図８】[0021]図４〜６に示す開口のクローズアップを模式的に示す。
【図９】[0022]本発明の一実施形態による、基板と抽出体との間のメニスカスを模式的に示す。
【図１０】[0023]図９に示すメニスカスのクローズアップを模式的に示す。
【図１１】[0024]公知の支持装置を模式的に示す。
【図１２】[0025]本発明のある実施形態による支持装置を断面視で模式的に示す。
【図１３】[0025]本発明のある実施形態による支持装置を断面視で模式的に示す。
【図１４】[0026]本発明の一実施形態による支持装置を平面視で模式的に示す。
【図１５】[0026]本発明の一実施形態による支持装置を平面視で模式的に示す。
【図１６】[0027]本発明の一実施形態による抽出体の開口を模式的に示す。
【図１７】[0027]本発明の一実施形態による抽出体の開口を模式的に示す。
【図１８】[0027]本発明の一実施形態による抽出体の開口を模式的に示す。
【図１９】[0027]本発明の一実施形態による抽出体の開口を模式的に示す。
【図２０】[0027]本発明の一実施形態による抽出体の開口を模式的に示す。
【図２１】[0028]支持装置の異なる部分の圧力と、水に対する支持装置の材料の接触角との間の関係を模式的に示す。
【図２２】[0029]本発明の一実施形態による支持装置を模式的に示す。
【図２３】[0030]本発明の一実施形態による支持装置の一部のバリエーションを模式的に示す。
【図２４】[0030]本発明の一実施形態による支持装置の一部のバリエーションを模式的に示す。
【図２５】[0030]本発明の一実施形態による支持装置の一部のバリエーションを模式的に示す。
【図２６】[0030]本発明の一実施形態による支持装置の一部のバリエーションを模式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[0031]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、
ａ．放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明系（イルミネータ）ＩＬと、
ｂ．パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、且つ特定のパラメータに従って、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
ｃ．支持テーブル、例えば、１つ又は複数のセンサを支持するためのセンサテーブル、又は基板（例えばレジストコート基板）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って、テーブルの（例えば基板Ｗの）表面を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された支持テーブルＷＴと、
ｄ．パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影系（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳと、
を含む。
【００２０】
[0032]  照明系ＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁、静電又は他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでもよい。
【００２１】
[0033]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの配向、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されるか否かなどの他の条件に依存したやり方で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的、真空、静電又は他のクランプ技術を用いることによって、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでもよく、フレーム又はテーブルは、必要に応じて固定されてもよく、又は移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、例えば投影系ＰＳに対してパターニングデバイスＭＡが所望の位置にあることを確実にすることができる。本明細書における「レチクル」又は「マスク」という用語の使用は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義であると見なすことができる。
【００２２】
[0034]  本明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作成するように断面にパターンを有した放射ビームを付与するために使用することができるあらゆるデバイスを指すと広く解釈されるものとする。放射ビームに付与されるパターンは、例えば、パターンが、位相シフトフィーチャ、又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しない場合があることに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイス内の特定の機能層に対応する。
【００２３】
[0035]  本明細書で使用する「投影系」という用語は、使用されている露光放射にとって、又は液浸液の使用又は真空の使用などの他のファクタにとって適切なように、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁及び静電光学系、又はそれらの任意の組み合わせを含むあらゆるタイプの投影系を対象に含めると広く解釈されるものとする。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用は、より一般的な用語である「投影系」と同義であると見なすことができる。
【００２４】
[0036]  ここに示すように、本装置は、透過型のものである（例えば、透過型マスクを用いる）。代替的に、本装置は、反射型のものであってもよい（例えば、上述したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを用いる、又は反射マスクを用いる）。
【００２５】
[0037]  リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又はステージ又はサポート）、例えば、２つ以上の支持テーブル、又は１つ又は複数の支持テーブルと、１つ又は複数のクリーニングテーブル、センサテーブル、又は測定テーブルとの組み合わせを有するタイプのものであってもよい。例えば、ある実施形態では、リソグラフィ装置は、投影系の露光側に位置する２つ以上のテーブルを含むマルチステージ装置であり、各テーブルは、１つ又は複数のオブジェクトを含み、及び／又は保持する。ある実施形態では、テーブルのうちの１つ又は複数は、放射感応性基板を保持してもよい。ある実施形態では、テーブルのうちの１つ又は複数は、投影系からの放射を測定するためのセンサを保持してもよい。ある実施形態では、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１のテーブル（すなわち、支持テーブル）と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第２のテーブル（以下、一般に、且つ非限定的に、測定テーブル、センサテーブル及び／又はクリーニングテーブルと呼ぶ）とを含む。第２のテーブルは、放射感応性基板以外の１つ又は複数のオブジェクトを含んでもよく、及び／又は保持してもよい。このような１つ又は複数のオブジェクトには、以下から選択された１つ又は複数が含まれてもよい：投影系からの放射を測定するためのセンサ、１つ又は複数のアライメントマーク、及び／又はクリーニングデバイス（例えば、液体閉じ込め構造を洗浄するためのもの）。
【００２６】
[0038]  このような「多ステージ」（又は「マルチステージ」）マシンでは、複数のテーブルが並行して使用されてもよく、又は１つ又は複数の他のテーブルが露光に使用されている間に、準備ステップが、１つ又は複数のテーブルに対して行われてもよい。リソグラフィ装置は、基板テーブル、クリーニングテーブル、センサテーブル及び／又は測定テーブルと類似した方法で、並行して使用することができる２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージ又はサポート）を有していてもよい。
【００２７】
[0039]  図１を参照して、照明系ＩＬは、放射源ＳＯからの放射ビーム又は放射を受ける。放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置は、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、別個のエンティティでもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、及び放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯから照明系ＩＬへと送られる。他のケースでは、放射源ＳＯは、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよい。放射源ＳＯ及び照明系ＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれる場合がある。
【００２８】
[0040]  照明系ＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを含んでもよい。一般に、少なくとも照明系ＩＬの瞳面内の強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、照明系ＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含んでもよい。照明系ＩＬを用いて、放射ビームが、その断面に所望の均一性及び強度分布を持つように調節することができる。放射源ＳＯと同様に、照明系ＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると見なされる場合もあれば、見なされない場合もある。例えば、照明系ＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別のエンティティであってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、照明系ＩＬをその上に取り付けられるように構成されてもよい。任意選択的に、照明系ＩＬは、取り外し可能であり、及び別途提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置メーカー、又は別の供給業者によって）。
【００２９】
[0041]  放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡに入射し（パターニングデバイスＭＡは、支持構造ＭＴ上に保持される）、及びパターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡを横断した後、投影系ＰＳを通過する（投影系ＰＳは、ビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合わせる）。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を用いて、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置決めするように、支持テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例えばマスクライブラリの機械検索後に、又はスキャン中に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１では明確に図示せず）を用いて、放射ビームＢのパスに対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現されてもよい。同様に、支持テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成する、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現されてもよい。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図示されるような基板アライメントマークＭ１、Ｍ２は、専用ターゲット部分を占有するが、これらは、ターゲット部分Ｃ間の空間に位置してもよい（これらは、スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、２つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられる状況では、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイ間に位置してもよい。
【００３０】
[0042]  本明細書において、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して具体的な言及がなされる場合があるが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった、マイクロスケール、あるいはナノスケールフィーチャを有したコンポーネントの製造における他の適用例を有し得ることが理解されるものとする。
【００３１】
[0043]  投影系ＰＳの最終要素と、基板との間に液体を供給するための構成は、３つの一般カテゴリに分類することができる。これらは、バス型構成、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。バス型構成では、基板Ｗ及び任意選択的に支持テーブルＷＴの一部の実質的に全体が、液体浴に沈められる。
【００３２】
[0044]  局所液浸システムは、液体が基板の局所エリアにのみ供給される液体供給システムを使用する。液体で満たされた空間は、平面視で、基板の上面よりも小さく、及び液体で満たされたエリアは、基板Ｗがそのエリアの下で移動する間に、投影系ＰＳに対して実質的に静止したままである。図２及び図３では、このようなシステムで使用することができる異なる供給デバイスが示される。液体を局所エリアに封止するための封止フィーチャが存在する。これを準備するための提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。
【００３３】
[0045]  提案されているある構成では、投影系の最終要素と支持テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造を備えた液体供給システムが設けられる。このような構成を図２に示す。
【００３４】
[0046]  図２は、局所液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを模式的に示す。液体供給システムは、投影系ＰＳの最終要素と支持テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する流体ハンドリング構造ＩＨ（又は液体閉じ込め構造）を備える。（以下の文における基板Ｗの表面に対する言及は、別段の言明のない限り、追加的に、又は代替的に、支持テーブルＷＴの表面も指すことに留意されたい。）流体ハンドリング構造ＩＨは、Ｚ方向における（光軸の方向における）多少の相対的移動が存在し得るものの、ＸＹ面において、投影系ＰＳに対して実質的に静止している。ある実施形態では、シールが、流体ハンドリング構造ＩＨと基板Ｗの表面との間に形成され、このシールは、ガスシール（ガスシールを備えた上記システムは、欧州特許出願公開第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの非接触シールでもよい。
【００３５】
[0047]  流体ハンドリング構造ＩＨは、少なくとも部分的に、投影系ＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を閉じ込める。基板Ｗに対する非接触シールが、基板Ｗの表面と、投影系ＰＳの最終要素との間の空間１１内に液体が閉じ込められるように、投影系ＰＳのイメージフィールドの周囲に形成されてもよい。空間１１は、少なくとも部分的に、投影系ＰＳの最終要素の下及びその周囲に位置する流体ハンドリング構造ＩＨによって形成される。液体は、液体開口１３の１つによって、投影系ＰＳの下及び流体ハンドリング構造ＩＨの内部の空間１１に入れられる。液体は、別の液体開口１３によって除去されてもよい。液体は、少なくとも２つの液体開口１３によって空間１１内に入れられてもよい。どちらの液体開口１３を使用して液体を供給するか、及び任意選択的に、どちらを使用して液体を除去するかは、支持テーブルＷＴの動きの方向に依存してもよい。流体ハンドリング構造ＩＨは、投影系ＰＳの最終要素よりも少し上に延在してもよい。液面は、液体の緩衝が提供されるように、最終要素より上に上がる。ある実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨは、上端において投影系ＰＳ又はその最終要素の形状に厳密に適合した内周面を有し、及び例えば丸味を帯びていてもよい。底部では、内周面は、イメージフィールドの形状（例えば長方形）に厳密に適合するが、そうである必要はない。
【００３６】
[0048]  液体は、使用中に流体ハンドリング構造ＩＨの底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって、空間１１内に閉じ込められてもよい。ガスシール１６は、ガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは、加圧下で、インレット１５を介して、流体ハンドリング構造ＩＨと基板Ｗとの間のギャップに供給される。ガスは、アウトレット１４を介して抽出される。液体を閉じ込める内側への高速ガス流が存在するように、ガスインレット１５に対する過圧、アウトレット１４に対する真空レベル、及びギャップのジオメトリが構成される。流体ハンドリング構造ＩＨと基板Ｗとの間の液体に対するガスの力が、液体を空間１１内に閉じ込める。インレット／アウトレットは、空間１１を取り囲む環状溝でもよい。環状溝は、連続していてもよく、又は不連続であってもよい。ガス流は、液体を空間１１内に閉じ込めるのに効果的である。このようなシステムが、本明細書にその全体が援用される米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。ある実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨは、ガスシール１６を持たない。
【００３７】
[0049]  図３は、ある実施形態による、別の液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを示す側面断面図である。図３に示す、及び以下に説明する構成は、上記の、及び図１に示すリソグラフィ装置に適用されてもよい。液体供給システムは、流体ハンドリング構造ＩＨ（又は液体閉じ込め構造）を備え、流体ハンドリング構造ＩＨは、投影系ＰＳの最終要素と支持テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の文における基板Ｗの表面に対する言及は、別段の言明のない限り、追加的に、又は代替的に、支持テーブルＷＴの表面も指すことに留意されたい。）
【００３８】
[0050]  流体ハンドリング構造ＩＨは、少なくとも部分的に、投影系ＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に液体を閉じ込める。空間１１は、少なくとも部分的に、投影系ＰＳの最終要素の下及びその周囲に位置する流体ハンドリング構造ＩＨによって形成される。ある実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨは、本体部材５３及び多孔質部材３３を含む。多孔質部材３３は、板状であり、且つ複数の穴（すなわち、開口又は細孔）を有する。ある実施形態では、多孔質部材３３は、多数の小さな穴８４がメッシュ状に形成されるメッシュ板である。このようなシステムが、本明細書にその全体が援用される米国特許出願公開第ＵＳ２０１０／００４５９４９Ａ１号に開示されている。
【００３９】
[0051]  本体部材５３は、供給ポート７２（液体を空間１１に供給することができる）と、回収ポート７３（空間１１から液体を回収することができる）とを含む。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、液体を供給ポート７２に供給することができる。液体供給装置７５から送り込まれた液体は、対応する通路７４を通って各供給ポート７２に供給される。供給ポート７２は、光路に面する本体部材５３の所定の位置に、光路に近接して配置される。回収ポート７３は、空間１１から液体を回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して、液体回収装置８０に接続される。液体回収装置８０は、真空システムを含み、及び回収ポート７３を介して液体を吸引することによって、液体を回収することができる。液体回収装置８０は、回収ポート７３を介して通路２９を通って回収された液体を回収する。多孔質部材３３は、回収ポート７３に配置される。
【００４０】
[0052]  ある実施形態では、一方に投影系ＰＳ及び流体ハンドリング構造ＩＨと、他方に基板Ｗとの間に液体を有した空間１１を形成するためには、液体が、供給ポート７２から空間１１に供給され、及び流体ハンドリング構造ＩＨ内の回収チャンバ３１内の圧力が、多孔質部材３３の穴８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液体を回収するように、負圧に調整される。供給ポート７２を使用した液体供給動作と、多孔質部材３３を使用した液体回収動作を行うことにより、一方に投影系ＰＳ及び流体ハンドリング構造ＩＨと、他方に基板Ｗとの間に空間１１が形成される。
【００４１】
[0053]  図４は、本発明の一実施形態による抽出体６７の一部を断面視で模式的に示す。抽出体６７は、リソグラフィ装置の支持装置のためのものである。以下の説明においては、基板Ｗを保持するように構築された支持テーブルＷＴが、支持装置の一例として示される。但し、支持装置は、代替的に、例えばパターニングデバイスＭＡを支持するように構築された支持構造ＭＴとして具体化されてもよい。支持装置（例えば、支持テーブルＷＴ）は、オブジェクト（例えば、基板Ｗ）を支持するように構成される。
【００４２】
[0054]  図４に示すように、抽出体６７は、抽出体６７の表面６９に開口９１を有して形成される。ある実施形態では、開口９１は、抽出体６７の上面に設けられる。図４に示すように、開口９１は、抽出体６７から上方を向いた傾斜面に設けられてもよい。
【００４３】
[0055]  図４に示すように、ある実施形態では、開口９１は、抽出体６７の内部で延在する。開口９１は、第１の通路９０を形成するように構成される。ある実施形態では、抽出体６７は、抽出体６７内に抽出チャネル６５を含む。第１の通路９０は、抽出体６７内の抽出チャネル６５を抽出体６７の表面６９と基板Ｗとの間の液体と流体連通させるように構成される。抽出体６７は、抽出チャネル６５内の過小圧力により、抽出体６７の表面６９から液体を抽出するように構成される。
【００４４】
[0056]  抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１は、周囲圧力ｐ０よりも低い。抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１は、過小圧力である。ある実施形態では、周囲圧力ｐ０は、大気圧である。ある実施形態では、第１の圧力ｐ１は、大気圧よりも低い。例えば、ある実施形態では、周囲圧力ｐ０は、１００ｋＰａ（絶対圧力）であり、第１の圧力ｐ１は、約９８ｋＰａ〜約９９ｋＰａ（絶対圧力）の範囲にある。
【００４５】
[0057]  図４に示すように、開口９１は、狭い。第１の通路９０は、毛細管として機能するように構成される。ある実施形態では、第１の通路９０の少なくとも一部は、液体が開口９１を介して第１の通路９０に入ると、液体の表面張力に関連した第１の通路９０内の第２の圧力ｐ２が、液体の少なくとも一部が第１の通路９０内にとどまるように第１の圧力ｐ１よりも低くなるような大きさ及び寸法に形成される。第１の通路９０は、毛細管として機能する。第１の通路９０などの毛細管内の圧力は、液体の表面張力により低下する。
【００４６】
[0058]  ある実施形態では、第１の通路９０は、リソグラフィ装置の使用中にウェットな状態を保つように構成される。抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１は、第１の通路９０から全ての液体を抽出するのに十分なほど低くはないように制御される。
【００４７】
[0059]  図４に示すように、ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、抽出体６７及びオブジェクトホルダ６１を含む。オブジェクトホルダ６１は、基板Ｗを支持するように構成される。抽出体６７は、オブジェクトホルダ６１の半径方向外側にある。抽出体６７は、平面視で、オブジェクトホルダ６１を取り囲む。抽出体６７は、抽出体６７がオブジェクトホルダ６１から実質的に切り離されるように、オブジェクトホルダ６１から間隔を空けて配置される。図４に示すように、ある実施形態では、中間空間７０が、オブジェクトホルダ６１と抽出体６７との間に存在する。中間空間７０は、半径方向のギャップである。ギャップは、円周方向に延在する。本発明のある実施形態では、中間空間７０における液体（例えば、水）の量を減少させることが期待されている。
【００４８】
[0060]  抽出体６７は、第１の通路９０を通る高流量がない状態で機能するように構成される。具体的には、流量は、第１の通路９０から液体を除去するほど高くない。これにより、抽出体６７に対して高流量が及ぼし得るマイナスの熱的影響が低減される。具体的には、抽出体６７を通る高流量が存在する場合、高流量は、抽出体６７の異なる部分間の温度差を不要に増加させる可能性があり、これは、抽出体６７の望ましくない変形につながる可能性がある。
【００４９】
[0061]  流体ハンドリング構造ＩＨが、基板Ｗのエッジを通り過ぎると、液体は、ギャップ５を通過した後、抽出体６７の表面６９上をオブジェクトホルダ６１に向けて流れることができる。液体は、抽出体６７の表面６９と基板Ｗとの間を通って流れることができる。抽出体６７は、抽出体６７の表面６９と基板Ｗとの間を通過して、開口９１の上に来る液体を抽出するように構成される。この液体は、抽出チャネル６５を通して吸引除去することができる。但し、液体が開口９１の上を流れていないときは、第１の通路９０は、抽出チャネル６５内の過小圧力が、液体を第１の通路９０を通って抽出チャネル６５に向かわせるのに十分ではないため、ウェットな状態を保つ。
【００５０】
[0062]  図７は、第１の通路９０のクローズアップ図を模式的に示す。図７に、液体が第１の通路９０内にある場合を示す。第１の通路９０は、毛細管として機能する。液体に第１の通路９０を通り抜けさせるためには、一定量の力が必要とされる。ガスの外部領域９４は、開口９１に隣接し、且つ抽出体６７の外側にある。ガスの外部領域９４は、抽出体６７の表面６９に隣接する。ガスの内部領域９５は、第１の通路９０の他方の端部に隣接し、且つ抽出体６７の内側にある。ガスの内部領域９５は、抽出チャネル６５と連通している。ガスの外部領域９４とガスの内部領域９５との間に、圧力差が存在する。ガスの外部領域９４における圧力は、ガスの内部領域９５における圧力よりも大きい。但し、ガスの外部領域９４と、ガスの内部領域９５との間の圧力差は、液体に第１の通路９０を通り抜けさせるために必要な力よりも小さい。従って、液体は、第１の通路９０がウェットな状態を保つように、第１の通路９０内にとどまる。
【００５１】
[0063]  図８は、第１の通路９０の別のクローズアップ図を模式的に示す。図８は、液体（例えば、水）が開口９１上を流れる場合を示す。液体が、開口９１上を流れると、液体は、第１の通路９０を通して抽出される。液体は、開口９１上を流れるときに抽出されるが、開口９１は、液体が開口９１上を流れないときには、ウェットな状態を保つ。図１６〜図２０を参照して、これをさらに詳細に説明する。
【００５２】
[0064]  図１６は、抽出体６７を含む支持テーブルＷＴによって支持される基板Ｗを模式的に示す。抽出体６７は、開口９１及び第１の通路９０を含み、第１の通路９０は、抽出チャネル６５と流体連通している。
【００５３】
[0065]  図１７は、流体ハンドリング構造ＩＨが、基板Ｗのエッジを相対的に越えた瞬間を模式的に示す。液体が、基板Ｗと抽出体６７との間に入る。液体は、抽出体６７のエッジに達することができ、開口９１を介して第１の通路９０内に入ることができる。
【００５４】
[0066]  図１８に示すように、次いで、液体は、抽出チャネル６５内に吸い込まれる。図１９に示すように、基板Ｗと抽出体６７との間の液体の全て、又は大部分が、抽出チャネル６５を通して除去される。
【００５５】
[0067]  図２０は、後のある時点を示す。図２０に示すように、液体は、第１の通路９０内に残される。これは、周囲圧力ｐ０と抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１との間の圧力差が、液体に第１の通路９０を通り抜けさせるために必要な力よりも小さいためである。とはいえ、開口９１上を通過するどのような液体も、直ちに第１の通路９０内に吸い込まれる。
【００５６】
[0068]  ある実施形態では、抽出チャネル６５は、過小圧力源に接続される。ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、過小圧力源を制御するように構成されたコントローラ５００（図１に示す）を含む。抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１は、制御することができる。
【００５７】
[0069]  表面張力に関連した、第１の通路９０内の第２の圧力ｐ２は、表面張力により、周囲圧力ｐ０よりも小さい。第１の通路９０に関して、以下の方程式が成り立つ：ｐ２＝ｐ０−４σｃｏｓθ／Ｄ。σは、表面張力である。θは、第１の通路９０の内面の液体（例えば水）に対する接触角である。第１の通路９０の内面は、抽出体６７を作る材料を含んでもよい。接触角θは、静的後退接触角であってもよい。Ｄは、第１の通路９０及び開口９１の直径を表す。従って、第１の通路９０の直径Ｄが狭くなると、表面張力に関連した、第１の通路９０内の第２の圧力ｐ２は、低くなる。表面張力σが大きくなると、第２の圧力ｐ２は、低くなる。接触角θが小さくなると、第２の圧力ｐ２は、低くなる。単なる一例として、θ＝０°及び直径Ｄが５０μｍの完全にウェットな表面の場合、第２の圧力ｐ２は、９４．４ｋＰａ（絶対圧力）であってもよい。液体の表面張力に関連した第２の圧力ｐ２は、抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１よりも低く、第１の圧力ｐ１は、約９８．５ｋＰａ（絶対圧力）であってもよい。
【００５８】
[0070]  図１８では、第３の圧力ｐ３は、抽出体６７と基板Ｗとの間の液体（例えば水）のメニスカスの圧力を表す。メニスカスの第３の圧力ｐ３に関して、以下の方程式が成り立つ：ｐ３＝ｐ０−（ｃｏｓθ＋ｃｏｓα）σ／ｈ。αは、液体に対する基板Ｗの接触角を表す。ｈは、抽出体６７と基板Ｗとの間の垂直距離を表す。単なる一例として、第１の通路９０の内面が、完全にウェットであり（θ＝０°）、基板Ｗが、完全にウェットであり（α＝０°）、且つ抽出体６７と基板Ｗとの間の垂直距離ｈが５０μｍである場合、メニスカスの圧力ｐ３は、約９７．２ｋＰａ（絶対圧力）であってもよい。
【００５９】
[0071]  図１８を参照して、液体が抽出チャネル６５内に入るためには、４σｃｏｓ（θ−π／２）／Ｄで示される最小圧力ｐ４を達成する必要がある。一旦液体が、抽出チャネル６５内に流入し始めると、第１の圧力ｐ１が、メニスカスの第３の圧力ｐ３よりも小さい限り、全ての水を抽出体６７と基板Ｗとの間から除去することができる。しかし、表面張力と関連した第２の圧力ｐ２は、一部の液体が第１の通路９０内に依然として残るように、抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１よりも小さい。
【００６０】
[0072]  ある実施形態では、抽出体６７は、第１の通路９０を通って抽出チャネル６５内へと液体を除去することができるように、第１の圧力ｐ１が、液体の表面張力に関連した、液体のメニスカスの第３の圧力ｐ３よりも低くなるように構成される。
【００６１】
[0073]  液体の除去は、第１の通路９０内の圧力が、液体を抽出チャネル６５内に移動させるために必要な力よりも大きい場合に可能である。ある実施形態では、第１の通路９０は、液体に対する最大で４５°の接触角θを有する内面を持つ。
【００６２】
[0074]  図２１は、第１の通路９０の内面の接触角θと、第１の通路９０内の第２の圧力ｐ２（毛細管圧）との間の関係（図２１において破線で示される）を示すグラフである。図２１に示すように、接触角θが大きくなると、第１の通路９０内の第２の圧力ｐ２は、減少するｐ０。
【００６３】
[0075]  図２１は、接触角θと、液体が抽出チャネル６５内に入るために必要な最小圧力ｐ４との関係も示す。図２１に示すように、接触角θが大きくなると、液体が抽出チャネル６５内に入るために必要な最小圧力ｐ４は、高くなる。
【００６４】
[0076]  図２１に示すように、接触角θが最大で４５°のとき、第１の通路９０内の第２の圧力ｐ２は、液体が抽出チャネル６５内に入るために必要な最小圧力ｐ４よりも大きい。ある実施形態では、抽出体６７は、液体に対する最大で４５°の接触角を持つ材料から作られる。ある実施形態では、第１の通路９０の内面は、液体に対する最大で４５°の接触角を持つように処理される。例えば、ある実施形態では、第１の通路９０の内面は、液体に対する最大で４５°の接触角を持つコーティングでコートされる。ある代替実施形態では、第１の通路９０の内面は、この内面が液体に対する最大で４５°の接触角を持つような構造を含む。
【００６５】
[0077]  ある実施形態では、抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１は、第２の圧力ｐ２よりも高く、且つ液体の表面張力に関連した、液体のメニスカスの第３の圧力ｐ３よりも低くなるように制御される。これは、以下の不等式によって表すことができる：ｐ３＞ｐ１＞ｐ２。
【００６６】
[0078]  第１の通路９０の直径Ｄが５０μｍであり、第１の通路９０の内面の接触角θが０°であり、及び基板Ｗの接触角αが０°である例の場合、第３の圧力ｐ３＝９９．３ｋＰａ（絶対圧力）であり、及び第２の圧力ｐ２＝９４．４ｋＰａ（絶対圧力）である。これは、抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１が、９９．３ｋＰａ（絶対圧力）よりも小さく、且つ９４．４ｋＰａ（絶対圧力）よりも大きくなるように制御されることを意味する。例えば、抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１は、約９８．５ｋＰａ（絶対圧力）となるように制御することができる。第３の圧力ｐ３と第２の圧力ｐ２との間の差が大きくなるにつれて、より大きな値の範囲となるように第１の圧力ｐ１を制御することができる。
【００６７】
[0079]  第１の圧力ｐ１が、第３の圧力ｐ３よりも小さく、且つ第２の圧力ｐ２よりも大きくなることを可能にするためには、第３の圧力ｐ３は、第２の圧力ｐ２よりも大きくなければならない。これは、以下の不等式を規定する：ｐ０−（ｃｏｓθ＋ｃｏｓα）σ／ｈ＞ｐ０−４σｃｏｓθ／Ｄ。この不等式を並べ替えることにより、以下の不等式が規定される：Ｄ＜４ｈｃｏｓθ／（ｃｏｓα＋ｃｏｓθ）。ある実施形態では、第１の通路９０の直径Ｄは、不等式が満たされるように、抽出体６７と基板Ｗとの間の垂直距離ｈに対して、十分に小さい。直径Ｄに対する制限は、部分的に、基板Ｗの接触角αに依存する。接触角αに関して異なる値を持つ異なる基板Ｗが、使用されてもよい。どのような基板Ｗに対しても不等式が満たされるように、抽出体６７を構成することが望ましい。直径Ｄに対する最大の制限は、基板Ｗの材料が、液体に対して０°の接触角αを有する場合にもたらされるだろう。この場合、以下の不等式が規定される：Ｄ＜４ｈｃｏｓθ／（１＋ｃｏｓθ）。
【００６８】
[0080]  図４に示すように、ある実施形態では、オブジェクトホルダ６１は、オブジェクトホルダ６１のベース面の上に突出した複数のバール６２を含む。複数のバール６２のそれぞれは、それぞれのバール遠位端を有する。バール遠位端は、基板Ｗを支持するように、支持面に配置される。基板Ｗの底面は、基板Ｗの底面が平坦であることを条件として、支持面と一致する。
【００６９】
[0081]  ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、以下の不等式が満たされるように配置される：Ｄ＜４ｈｃｏｓθ／（１＋ｃｏｓθ）。これは、例えば、抽出体６７に関して適切な材料を選択し、及び第１の通路９０の直径Ｄに関して適切な値を選択することによって、行うことができる。
【００７０】
[0082]  ある実施形態では、抽出体６７は、複数の開口９１及び複数の第１の通路９０を含む。これらの第１の通路９０は、円周に沿って、狭い間隔で配置された複数の毛細管を形成してもよく、これらは、第１の通路９０がウェットな状態を保つように、抽出チャネル６５の過小圧力に接続される。ある実施形態では、開口９１上に来る全ての液体が、吸引除去される。従って、液体が、開口９１の半径方向内側の領域に到達することを防ぐことができる。但し、第１の通路９０のフローキャパシティが、全ての液体が開口９１の半径方向内側に到達することを防止するのに十分なほど大きくなければ、第１の通路９０及び抽出チャネル６５によって生じる過小圧力が、メニスカスがどこまで到達できるかを制限する。
【００７１】
[0083]  図４に示すように、ある実施形態では、第１の通路９０を抽出チャネル６５に流体連通させるためのチャネル９２が、設けられる。チャネル９２は、第１の通路９０よりも大きい直径を持つ。ある実施形態では、チャネル９２は、各第１の通路９０に対して設けられる。ある代替実施形態では、単一のチャネル９２が、全ての第１の通路９０に対して共通に設けられる。ある実施形態では、開口９１及び第１の通路９０は、連続した円周方向溝（分離した狭い間隔で配置された複数の毛細管ではなく）を形成する。
【００７２】
[0084]  図９は、本発明の一実施形態による、抽出体６７及びオブジェクトホルダ６１を断面視で模式的に示す。図９は、メニスカス９６が基板Ｗ上で開口９１の半径方向内側にどこまで行くことができるかの制限を示す。これは、流体ハンドリング構造ＩＨが、しばらくの間、相対的に基板Ｗのエッジの上に位置するときに当てはまり、許容可能な吸引は、投影系ＰＳの最終要素と支持テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１から抽出することができる液体の量によって制限される。
【００７３】
[0085]  図９に示すように、メニスカス９６は、流体ハンドリング構造ＩＨが、相対的に基板Ｗのエッジを越え、多量の液体が存在するときに、最大半径方向内側位置を有する。オブジェクトホルダ６１と抽出体６７との間の中間空間７０は、実質的にドライなままである。
【００７４】
[0086]  図４に示すように、ある実施形態では、抽出体６７の一部は、基板Ｗの周辺エッジの下に延在する。第１の通路９０は、基板Ｗの周辺エッジの半径方向内側にある。図９に示すように、ある実施形態では、抽出体６７は、その上側の半径方向内側に、液体のメニスカス９６を留めるように構成されたエッジを含む。本発明の一実施形態は、オブジェクトホルダ６１と抽出体６７との間の中間空間７０に到達する液体の量を減少させることが期待される。
【００７５】
[0087]  図１０は、留められたメニスカス９６のクローズアップ図を断面視で模式的に示す。図１０は、基板Ｗと液体との間の接触角αを示す。図１０は、抽出体６７の内側エッジにおける、液体に対する接触角βも示す。ある実施形態では、抽出体６７の内側エッジにおける接触角βは、垂直距離ｈとメニスカス９６の半径方向サイズとの比率が小さいことにより、メニスカス９６がさらに下側に延在することを防止するのに十分な大きさである。メニスカス９６の半径方向サイズは、メニスカス９６の最も半径方向内側の点から、メニスカス９６の最も半径方向外側の点まで測定される。
【００７６】
[0088]  ある実施形態では、図１０に示すように、抽出体６７の上側の半径方向内側のエッジは、尖っている。図４〜図６に示すように、ある実施形態では、抽出体６７の上側の半径方向内側は、面取り部を含む。ある実施形態では、面取り部のエッジは、液体のメニスカス９６を留めるように尖っている。
【００７７】
[0089]  ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、オブジェクトホルダ６１と抽出体６７との間の中間空間７０を通るガス流を抽出体６７の上面６９に向けて供給するための過圧源を含む。小さな過圧が、中間空間７０で提供される（中間空間７０は、半径方向のギャップである）。
【００７８】
[0090]  図４に示すように、ある実施形態では、抽出体６７は、第２の通路６８を含む。第２の通路６８は、第１の通路９０の半径方向外側にある。第２の通路６８は、抽出体６７の表面６９から流体を抽出するように構成される。ある実施形態では、第２の通路６８は、流体ハンドリング構造ＩＨが、相対的に基板Ｗのエッジを越えるときに泡を除去するように構成される。
【００７９】
[0091]  図４に示すように、ある実施形態では、第２の通路６８を通して抽出された流体が、別の抽出チャネル６４を介して抽出される。図４に示すように、ある実施形態では、第１の通路９０に接続された抽出チャネル６５は、第２の通路６８に接続された別の抽出チャネル６４とは分離している。
【００８０】
[0092]  図５は、抽出チャネル６５が、第１の通路９０及び第２の通路６８の両方と流体連通している代替実施形態を示す。これにより、２つの吸引機能用に１つの抽出チャネル６５を使用することが可能になる。抽出チャネル６５内の過小圧力は、両吸引機能の最高性能を目的として制御及び調整することができる。
【００８１】
[0093]  図６は、第１の通路９０と抽出チャネル６５との間の代替接続オプションを有した代替実施形態を示す。図５に示す実施形態では、第１の通路９０は、緩く傾斜しただけのチャネル９２を介して、抽出チャネル６５に接続される。図６に示す実施形態では、チャネル９２は、より激しく傾斜している。
【００８２】
[0094]  図１に示すように、ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、抽出チャネル６５に接続された過小圧力源を制御するように構成されたコントローラ５００を含む。ある実施形態では、コントローラ５００は、液体の表面張力に関連した、第１の通路９０内の第２の圧力ｐ２よりも低くなるように、抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１を間欠的に減少させるように、過小圧力源を制御するように構成される。コントローラ５００は、短期間の間、第１の通路９０を通して泡を抽出するために、一時的高流量でパルス吸引を行うように構成される。
【００８３】
[0095]  ある実施形態では、オブジェクトホルダ６１に面する抽出体６７の半径方向内側面は、疎液性である。
【００８４】
[0096]  ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、過圧源（図面では不図示）に接続可能な供給チャネルを収納するように構成され、この供給チャネルは、オブジェクトホルダ６１と抽出体６７との間の中間空間７０にガス流を供給するように構成される。
【００８５】
[0097]  図４に示すように、ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、カバーリング１１２を含む。カバーリング１１２は、抽出体６７の上面に配置される。通常の使用において流体ハンドリング構造ＩＨによって制御される液体と接触する抽出体６７の最上部にカバーリング１１２を設けることによって、抽出体６７の熱負荷が流体ハンドリング構造ＩＨに与える熱的影響（液体を介する）が、低減される。基板Ｗが、オブジェクトホルダ６１上に支持されるとき、ギャップ５が、カバーリング１１２と基板Ｗとの間に設けられる。カバーリング１１２の最上部は、基板Ｗの最上部と同一平面上にある。
【００８６】
[0098]  図１１は、公知の支持テーブルＷＴを断面視で模式的に示す。抽出チャネル６５は、液体が基板Ｗの裏側に向けて流れないように設計される。別の抽出チャネル６４は、過剰な液体を抽出し、且つ投影系ＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１において泡を防止するように設計される。抽出チャネル６５において、過小圧力（真空）が、かけられる。プレクランプチャネル６６によって、支持テーブルＷＴの中央部分において、わずかに少ない濃い真空がかけられる。真空供給は、抽出チャネル６５と支持テーブルＷＴの中央部分との間の圧力差が同じであり続けるように制御される。
【００８７】
[0099]  シール６３が、液体が基板Ｗの裏側の中央部分に到達することを防止するために設けられる。シール６３は、シール６３の最上部と基板Ｗの底部との間に小さなギャップをもたらす。抽出チャネル６５とプレクランプチャネル６６との間の圧力差は、液体にシール６３と基板Ｗの底部との間のギャップを通り抜けさせるのに必要な力よりも小さい。液体のメニスカスは、シール６３で安定し、シール６３は、図１１に示すように、抽出チャネル６５の半径方向内側にある。
【００８８】
[0100]  図１１に示す配置に関連して、本発明の一実施形態は、液体が基板Ｗの裏側に到達できる範囲をさらに制限することが期待される。その結果、ドライな状態を保つ、基板Ｗの周辺の空間が増える。これは、基板Ｗの外周を支持するための追加のバール６２を設けることができ、それにより、基板Ｗの平坦性を向上させることができることを意味する。これは、オブジェクトホルダ６１上の最も外側の突出が、本発明ではドライな状態を保つため可能である。
【００８９】
[0101]  液体が、プレクランプチャネル６６に到達することが防止される。基板Ｗ及びドライバール６２に対して乾式真空シールを設けることによって、バール６２に関連した垂直力が、減少する。バール６２は、リソグラフィ装置が使用される際に、受ける力がより少ないので、より長持ちする。これにより、液体によって、半径方向内側にバール６２へと運ばれ得る汚染も減少する。
【００９０】
[0102]  上記で説明した通り、ある実施形態では、抽出チャネル６５を通る流量を低くすることができ、これは、抽出体６７における流れの熱的影響を低減させるのに効果的である。本発明の一実施形態は、１つの基板Ｗを支持テーブルＷＴから除去し、別の基板Ｗを所定の位置に置く基板交換プロセスを行う前に、基板Ｗの下に残される液体の量を制限することが期待される。
【００９１】
[0103]  ある実施形態では、基板Ｗと第１の通路９０との間の垂直距離ｈは、最大で２００μｍ、任意選択的に最大で１００μｍ、及び任意選択的に最大で５０μｍである。基板Ｗと抽出体６７との間の垂直距離を限定することは、基板交換プロセスが行われる前に基板Ｗの下に残される液体の量を制限する助けとなる。垂直距離ｈは、基板Ｗの底部の高さから開口９１の中心まで測定される。表面が面取りされている場合でも、垂直距離ｈは、垂直に測定される。
【００９２】
[0104]  図４〜図６に示すように、抽出体６７は、オブジェクトホルダ６１から実質的に切り離されている。吸引ジオメトリは、基板Ｗを固定するオブジェクトホルダ６１から分離される。本発明の一実施形態は、抽出チャネル６５及び別の抽出チャネル６４のサーマルフィンガープリントを減少させることが期待される。但し、抽出体６７が、オブジェクトホルダ６１から切り離されることは必須ではない。ある代替実施形態では、抽出体６７及びオブジェクトホルダ６１は、１つのピースから作られる。
【００９３】
[0105]  図１２は、本発明のある代替実施形態による抽出体６７をオブジェクトホルダ６１と共に断面視で模式的に示す。図１２に示すように、支持テーブルＷＴは、オブジェクトホルダ６１及び抽出体６７を含む。抽出体６７は、抽出体６７がオブジェクトホルダ６１から実質的に切り離されるように、オブジェクトホルダ６１から間隔を空けて配置される。但し、抽出体６７がオブジェクトホルダ６１から切り離されることは必須ではない。ある代替実施形態では、抽出体６７及びオブジェクトホルダ６１は、１つのピースから作られる。
【００９４】
[0106]  抽出体６７は、抽出体６７内に抽出チャネル６５を含む。抽出チャネル６５は、開口９１に接続された抽出チャネル６５、及び第２の通路６８に接続された別の抽出チャネル６４の両方として機能する。開口９１は、抽出体６７内で延在し、且つ第１の通路９０を介して抽出チャネル６５と流体連通している。抽出チャネル６５内の第１の圧力ｐ１は、周囲圧力ｐ０よりも小さい。
【００９５】
[0107]  抽出体６７は、第１の通路９０の半径方向外側に第２の通路６８を含む。第２の通路６８は、抽出体６７の表面から流体を抽出するように構成される。抽出チャネル６５は、第１の通路９０及び第２の通路６８の両方と流体連通している。第１の通路９０及び第２の通路６８は、単一抽出チャネル６５によって一体化されている。
【００９６】
[0108]  図１２に示すように、ある実施形態では、抽出体６７は、円周リングセクション６７１を含む。図１２に示すように、ある実施形態では、円周リングセクション６７１は、その上面に、プラトーを有する。プラトーは、基板Ｗのエッジと抽出体６７との間のギャップ５の下にある。プラトーをギャップ５の下に維持することにより、保護システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内の泡のリスクが、減少する。ある実施形態では、円周リングセクション６７１の上面のプラトーは、基板Ｗから約５０μｍである。
【００９７】
[0109]  本発明のある実施形態は、支持テーブルＷＴの底部の接続の設計を簡単にすることが期待される。具体的には、たった１つの抽出チャネル６５が存在する。
【００９８】
[0110]  図１３は、露光動作中の予想ウェット部分を示す。図１４及び図１５は、それぞれ図１３に示すＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ’線に沿ったオブジェクトホルダ６１及び抽出体６７の構築を平面視で模式的に示す。図１３〜図１５に示すように、ある実施形態では、開口９１は、例えば、溝又はチャネルとして、抽出体６７に沿って円周方向に延在する。同様に、第２の通路６８への開口が、円周方向に延在する。抽出チャネル６５への接続は、一連の別々の穴である。従って、円周リングセクション６７１は、抽出体６７の一体化部分である。
【００９９】
[0111]  図１２及び図１３に示すように、ある実施形態では、オブジェクトホルダ６１は、流体運搬チャネル１６１のネットワークを含む。流体運搬チャネル１６１は、オブジェクトホルダ６１の温度を制御するように構成された熱コンディショニングシステムの一部であってもよい。流体運搬チャネル１６１は、熱コンディショニング液を運搬し、熱コンディショニング液は、例えば水であってもよい。流体運搬チャネル１６１は、オブジェクトホルダ６１の温度をある一定の（例えば所定の）温度に維持する。ある実施形態では、流体運搬チャネル１６１内の熱コンディショニング液の温度を制御するために、１つ又は複数のヒータ／温度センサ（不図示）が、流体運搬チャネル１６１内、又はその付近に配置されてもよい。ある実施形態では、熱コンディショニングシステムは、流体運搬チャネル１６１なしに、ヒータ及びセンサのみを含む。
【０１００】
[0112]  図２２は、本発明のある代替実施形態による支持テーブルＷＴを断面視で模式的に示す。図２２に示すように、ある実施形態では、抽出体６７は、オブジェクトホルダ６１に接続される。オブジェクトホルダ６１は、抽出体６７から切り離されていない。但し、ある代替実施形態では、オブジェクトホルダ６１は、抽出体６７から切り離される（例えば、図４〜図６、図１２及び図１３に示す通り）。チャネル９２が、基板Ｗの下から抽出チャネル６５内に液体を抽出するように構成される。別の抽出チャネル６４は、２つの異なる通路に接続される。別の抽出チャネル６４は、上側通路６８１及び下側通路６８２に接続される。図２２に示すように、ある実施形態では、リングセクション６７１は、上側通路６８１の少なくとも一部が、リングセクション６７１の上で延在し、且つ下側通路６８２の少なくとも一部が、リングセクション６７１の下で延在するように構成される。
【０１０１】
[0113]  図２２の構成では、液体は、リングセクション６７１の最上部の上に留められる可能性が高い。基板Ｗと接触している液体は、チャネル９２及び抽出チャネル６５に向けてそれに作用する毛細管力成分を有する（基板Ｗが親水性であることを条件とする）。上側通路６８１及び下側通路６８２の構成を設けることによって、メニスカスが、チャネル９２及び抽出チャネル６５に向けて進む可能性が低い。ある実施形態では、リングセクション６７１の半径方向内側面６７２は、この効果を高めるように疎液性である。チャネル９２及び抽出チャネル６５は、任意選択的なフィーチャである。ある代替実施形態では、チャネル９２及び抽出チャネル６５は、設けられない。
【０１０２】
[0114]  図２３〜図２６はそれぞれ、リングセクション６７１のジオメトリのバリエーションを示す。図２２では、円周リングセクション６７１は、その半径方向内側に、面取り部を含み、リングセクション６７１の半径方向内側面６７２は、円周リングセクション６７１の垂直範囲に沿って下向きに、半径方向外側へと連続してテーパー状になる。
【０１０３】
[0115]  図２３に示す代替配置では、円周リングセクション６７１は、その半径方向内側に、面取り部を含み、円周リングセクション６７１の半径方向内側面６７２は、円周リングセクション６７１の垂直範囲に沿って下向きに、半径方向内側へと連続してテーパー状になる。この設計により、液体が円周リングセクション６７１から落下し、下側通路６８２とつながらないかもしれない可能性が減少する。
【０１０４】
[0116]  ある実施形態では、下側通路６８２は、円周リングセクション６７１の下にスリットとして形成される。液体が、円周リングセクション６７１から落下し、下側通路６８２とつながらなければ、これは、望ましくない蒸発負荷を誘発することもあり得る液滴を後に残す可能性がある。このリスクのために、図２３に示すように、面取り部を反転させてもよい。尖ったエッジを乗り越えた液体は、円周リングセクション６７１の下の下側通路６８２内に即座に吸い込まれる。
【０１０５】
[0117]  図２４に示すように、ある実施形態では、円周リングセクション６７１は、その半径方向内側に、丸味を帯びたエッジを含む。この設計により、円周リングセクション６７１の最上部の上に溜まることができる液体の体積が減少する（図２３に示す構成と比較して）。これは、流体ハンドリング構造ＩＨから抽出される水が、より少ないことを意味する。基板側の液体のメニスカスが、不要にチャネル９２及び抽出チャネル６５に近づき得る可能性がある。丸味を帯びたエッジを設けることによって、依然として、液体が円周リングセクション６７１から落下し、下側通路６８２に到達しない可能性を生じさせるが、液体のメニスカスが、チャネル９２に非常に接近することを防止することができる。丸味を帯びたエッジは、尖ったエッジよりも製造が簡単である。丸味を帯びたエッジは、尖ったエッジよりも耐久性がある。
【０１０６】
[0118]  図２５は、図２４に示す実施形態のバリエーションを示す。図２５に示す実施形態では、円周リングセクション６７１は、その半径方向内側に、面取り部を含み、円周リングセクション６７１の半径方向内側面６７２は、円周リングセクション６７１の垂直範囲に沿って下向きに、最初は半径方向内側にテーパー状となった後、半径方向外側にテーパー状となる。図２５に示すように、抽出体６７は、下側通路６８２が、円周リングセクション６７１の半径方向内側の面取り部の下半分に沿って延在するように成形することができる。
【０１０７】
[0119]  図２６に示すように、ある実施形態では、円周リングセクション６７１は、その半径方向外側の底部エッジに、面取り部６７３を含む。面取り部６７３は、円周リングセクション６７１の半径方向内側の領域から液体を除去するのに都合が良い。
【０１０８】
[0120]  ある実施形態では、円周リングセクション６７１の最上部は、基板Ｗの底部から約２０μｍ〜約１００μｍの領域にある。例えば、基板Ｗと円周リングセクション６７１の最上部との間の垂直距離は、約５０μｍであってもよい。
【０１０９】
[0121]  ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、下側通路６８２及び上側通路６８１を通る流量を制御するように構成されたコントローラ５００（図１に示す）を含む。ある実施形態では、抽出体６７は、別の抽出チャネル６４への流量のかなりの量（例えば、約５０％）が、下側通路６８２を介するように配置される。これは、液体がチャネル９２及び抽出チャネル６５に到達する可能性を低下させることが期待される。
【０１１０】
[0122]  ある代替実施形態では、抽出体６７は、下側通路６８２を通して低流量が提供されるように配置される。ある実施形態では、別の抽出チャネル６４への総流量の約１０％以下のみが、下側通路６８２を通る。このように、下側通路６８２に入る液体は、除去されるのではなく、そこにとどまり、円周リングセクション６７１の半径方向内側及び半径方向外側の液体をつなげる毛細管として機能する。これは、円周リングセクション６７１の半径方向内側の位置から確実に液体を除去する助けとなる。
【０１１１】
[0123]  上側通路６８１、下側通路６８２、及び円周リングセクション６７１と基板Ｗとの間のギャップにおける圧力低下のバランスを取ることによって、上述の下側通路６８２を通る低流量及び高流量を提供するために、下側通路６８２の必須幾何学的特性を決定することが可能である。単なる一例として、下側通路６８２を通る高流量（総流量の約５０％）を提供するために、下側通路６８２は、約１００μｍの高さ及び約１．６ｍｍの半径方向長さを有していてもよい。下側通路６８２を通る低流量（１０％未満）の場合、下側通路６８２は、約３０μｍの高さ及び約２．１ｍｍ（又はそれ以上）の半径方向長さを有していてもよい。
【０１１２】
[0124]  理解されるように、上記のフィーチャの何れも、その他のフィーチャと共に使用することができ、本出願でカバーされる、明示的に記載された組み合わせだけではない。
【０１１３】
[0125]  理解されるように、上記のフィーチャの何れも、その他のフィーチャと共に使用することができ、本出願でカバーされる、明示的に記載された組み合わせだけではない。例えば、本発明の一実施形態は、図３の実施形態に適用することができる。さらに、便宜上、液浸リソグラフィ装置の文脈において、本発明の実施形態を上記で説明したが、本発明の一実施形態は、いかなる形態のリソグラフィ装置とも一緒に使用することができることが理解されるだろう。
【０１１４】
[0126]  そのような代替適用例の文脈において、本明細書における「ウェーハ」又は「ダイ」という用語の使用を、それぞれ、より一般的な用語である「基板」又は「ターゲット部分」と同義であると見なすことができることを当業者であれば認識するだろう。本明細書で言及される基板は、露光の前又は後に、例えばトラック（一般的に、レジストの層を基板に塗布し、及び露光レジストを現像するツール）、メトロロジツール、及び／又はインスペクションツールにおいて処理されてもよい。適用可能な場合、本明細書の開示は、上記及び他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために、２回以上処理されてもよく、従って、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理された層を既に含む基板を指す場合もある。
【０１１５】
[0127]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、又は約３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を対象に含める。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折光学コンポーネント及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントの何れか１つ又は組み合わせを指す場合がある。
【０１１６】
[0128]  本発明の具体的な実施形態を上記に記載したが、本発明は、記載された以外の方法で実施されてもよいことが理解されるだろう。上記の説明は、限定するものではなく例示的なものであることが意図されたものである。従って、以下に記載される請求項の範囲から逸脱することなく、記載した本発明に修正を行えることが、当業者には明らかとなるだろう。
【図１】
2019520597.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年12月13日(2018.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置の支持装置用の抽出体であって、前記支持装置が、オブジェクトを支持し、前記抽出体が、その表面に開口を有して形成され、前記開口が、第１の通路を形成する前記抽出体内で延在し、前記第１の通路が、前記抽出体内の抽出チャネルを前記表面と前記オブジェクトとの間の液体と流体連通させ、前記抽出チャネル内の第１の圧力が、周囲圧力よりも小さく、
下側通路の少なくとも一部が、円周リングセクションの下で延在し、且つ上側通路の少なくとも一部が、前記リングセクションの上で延在するように構成された、前記リングセクションを備える、抽出体。
【請求項２】
前記円周リングセクションが、その半径方向内側に、面取り部を備え、前記円周リングセクションの半径方向内側面が、前記円周リングセクションの垂直範囲に沿って下向きに、半径方向外側へと連続してテーパー状になる、請求項１に記載の抽出体。
【請求項３】
前記円周リングセクションが、その半径方向内側に、面取り部を備え、前記円周リングセクションの半径方向内側面が、前記円周リングセクションの垂直範囲に沿って下向きに、半径方向内側へと連続してテーパー状になる、請求項１に記載の抽出体。
【請求項４】
前記円周リングセクションが、その半径方向内側に、面取り部を備え、前記円周リングセクションの半径方向内側面が、前記円周リングセクションの垂直範囲に沿って下向きに、最初は半径方向内側にテーパー状となった後、半径方向外側にテーパー状になる、請求項１に記載の抽出体。
【請求項５】
前記円周リングセクションが、その半径方向内側に、丸味を帯びたエッジを備える、請求項１に記載の抽出体。
【請求項６】
前記円周リングセクションが、その半径方向外側の底部エッジに、面取り部を備える、請求項１〜５の何れか一項に記載の抽出体。
【請求項７】
前記第１の通路の少なくとも一部が、前記液体が前記開口を介して前記第１の通路に入ると、前記液体の表面張力に関連した前記第１の通路内の第２の圧力が、前記液体の少なくとも一部が前記第１の通路内にとどまるように前記第１の圧力よりも低くなるような大きさ及び寸法にされる、請求項１〜６の何れか一項に記載の抽出体。
【請求項８】
前記第１の通路を通って前記抽出チャネル内へと前記液体を除去することができるように、前記第１の圧力が、前記液体の表面張力に関連した、前記液体のメニスカスの第３の圧力よりも低くなるように、前記抽出体が構成される、請求項７に記載の抽出体。
【請求項９】
前記抽出体が、前記第１の通路の半径方向外側にあり、且つ前記抽出体の前記表面から流体を抽出する第２の通路をさらに備える、請求項７又は８に記載の抽出体。
【請求項１０】
前記抽出チャネルが、前記第１の通路及び前記第２の通路の両方と流体連通している、請求項９に記載の抽出体。
【請求項１１】
リソグラフィ装置用の支持装置であって、
ベース面の上に突出した複数のバールを備えるオブジェクトホルダであって、前記複数のバールのそれぞれが、それぞれのバール遠位端を有し、前記バール遠位端が、オブジェクトを支持するように支持面に配置される、オブジェクトホルダと、
請求項１〜１０の何れか一項に記載の抽出体であって、前記抽出体が、前記オブジェクトホルダの半径方向外側にあり、且つ前記抽出体が前記オブジェクトホルダから実質的に切り離されるように、前記オブジェクトホルダから間隔を空けて配置される、抽出体と、
を備える、支持装置。
【請求項１２】
前記支持装置に面する前記抽出体の半径方向内側面が、疎液性である、請求項１１に記載の支持装置。
【請求項１３】
前記支持装置が、Ｄ＜４ｈｃｏｓθ／（１＋ｃｏｓθ）及びθ≦４５°であるように配置され、式中、Ｄが、前記第１の通路の直径であり、ｈが、前記第１の通路と前記支持面との間の最小距離であり、及びθが、前記第１の通路の内面の液体に対する接触角である、請求項１１又は１２に記載の支持装置。
【請求項１４】
請求項１１〜１３の何れか一項に記載の支持装置を備える、リソグラフィ装置。
【国際調査報告】
2019520597.tif 000029
2019520597.tif 000030