(57)【要約】リソグラフィ装置は、パターニングデバイス及び関連するペリクルを支持するように構築された支持構造であって、パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、支持構造と、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、を備える。支持構造は筐体内に配置され、筐体内に圧力センサが配置されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイス及び関連するペリクルを支持するように構築された支持構造であって、前記パターニングデバイスは、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、支持構造と、
前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
を備えたリソグラフィ装置であって、
前記支持構造は筐体内に配置され、前記筐体内に圧力センサが配置されている、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記圧力センサは、前記筐体の開口の両側に提供され、
前記開口は、前記ペリクルと前記投影システムとの間にある、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記リソグラフィ装置のスキャン方向において前記開口の各側に複数の圧力センサが提供されている、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
一連の圧力センサが提供されている、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記一連の圧力センサは、前記スキャン方向に延出する１次元アレイとして配列されている、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記マスク及びペリクルのスキャン移動中に前記投影システムと前記ペリクルとの間の前記環境内の圧力のばらつきによって生じる前記ペリクルの変形に起因した収差を補償するため、前記スキャン露光中に前記投影システムの前記レンズに調整を適用するように構成されたコントローラを更に備える、請求項１から５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記コントローラは、前記マスク及びペリクルの前記スキャン移動中の前記投影システムと前記ペリクルとの間の前記環境内のガスの圧力のばらつきをモデル化する圧力モデルを使用し、
前記圧力モデルは、前記マスク及びペリクルのスキャン移動中に前記圧力センサから取得された圧力測定を用いて前記リソグラフィ装置について較正される、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
支持構造によって支持された２次元アレイの圧力センサを備え、更にペリクルフレーム及びペリクルを備える検知システムアセンブリであって、
前記２次元アレイの圧力センサは、前記支持構造と前記ペリクルとの間に配置され、前記ペリクルの移動によって生じる圧力変化を測定するように構成され、
前記支持構造は、従来のマスクではなく、
前記検知システムアセンブリは、従来のマスク、ペリクルフレーム、及びペリクルを備えるマスクアセンブリの外側寸法と一致する外側寸法を有する、検知システムアセンブリ。
【請求項９】
前記検知システムアセンブリの寸法は、約１５０ｍｍ×約１５０ｍｍである、請求項８に記載の検知システムアセンブリ。
【請求項１０】
前記検知システムアセンブリは、約６ｍｍの厚さを有する、請求項８又は請求項９に記載の検知システムアセンブリ。
【請求項１１】
前記検知システムアセンブリは、更に電子機器を備え、
前記電子機器は、メモリ、プロセッサ、及び送信器のうち少なくとも１つを含む、請求項８から１０のいずれか一項に記載の検知システムアセンブリ。
【請求項１２】
リソグラフィ装置においてペリクル偏向を測定する方法であって、
請求項１に記載のリソグラフィ装置にマスク及びペリクルを備えるマスクアセンブリをロードすることと、
前記マスクアセンブリのスキャン移動を実行し、前記圧力センサを用いて圧力測定を取得することと、
前記スキャン移動中に発生する前記マスクアセンブリペリクルの偏向を計算することと、
を含む、方法。
【請求項１３】
リソグラフィ装置においてペリクル偏向を測定する方法であって、
前記リソグラフィ装置に請求項８に記載の検知システムアセンブリをロードすることと、
前記検知システムアセンブリのスキャン移動を実行し、前記検知システムアセンブリを用いて圧力測定を取得することと、
前記スキャン移動中に発生する前記検知システムアセンブリペリクルの偏向を計算することと、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記検知システムアセンブリペリクルの偏向は、音響ホログラフィを用いて計算される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
圧力測定は、前記検知システムアセンブリ内のメモリに記憶される、請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記検知システムアセンブリが前記リソグラフィ装置内に配置されている間に前記検知システムアセンブリから圧力測定が送信される、請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１７】
リソグラフィ装置を用いて基板のターゲット部分のスキャン露光を実行する方法であって、
前記リソグラフィ装置にマスク及びペリクルを備えるマスクアセンブリをロードすることと、
前記マスク及び前記関連するペリクルのスキャン移動中、及び前記基板のスキャン移動中に、放射ビームに前記マスク及び前記ペリクルを通過させることと、
前記リソグラフィ装置の投影システムを用いて前記放射ビームを前記基板の前記ターゲット部分に投影することと、
前記ペリクルの変形に起因した収差を補償するため前記スキャン露光中に前記投影システムの前記レンズに調整を適用することであって、前記ペリクルの前記変形は請求項１２から１６のいずれか一項に記載の方法を用いて前もって測定されていることと、
を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１２から１７のいずれか一項に記載の方法をコンピュータに実行させるように構成されたコンピュータ読み取り可能命令を含む、コンピュータプログラム。
【請求項１９】
プロセッサ読み取り可能命令を記憶しているメモリと、
前記メモリに記憶された命令を読み取って実行するように構成されたプロセッサと、
を備えるコンピュータであって、
前記プロセッサ読み取り可能命令は、請求項１２から１７のいずれか一項に記載の方法を実行するよう前記コンピュータを制御するように構成された命令を含む、コンピュータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[0001]  本出願は、２０１６年７月２１日に出願された欧州特許出願第１６１８０５４８．６号の優先権を主張し、参照により全体が本願に含まれる。
【０００２】
[0002]  本発明はリソグラフィ方法に関し、更に、リソグラフィ装置にも関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンを、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に結像することができる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナと、を含む。
【０００４】
[0004]  従来、ＤＵＶリソグラフィでは、マスクにペリクルを取り付ける。ペリクルは、マスクのパターンから数ｍｍ（例えば５ｍｍ）離間した透過型フィルムである。ペリクルで受け止めた汚染粒子は、マスクのパターンに対して遠視野にあるので、リソグラフィ装置によって基板上に投影される像の品質に大きな影響を与えない。もしもペリクルが存在しなかったら、汚染粒子はマスクのパターン上に載ってパターンの一部を覆い隠すことにより、パターンが正確に基板上に投影されるのを妨げる。従ってペリクルは、リソグラフィ装置による基板上へのパターンの投影に汚染粒子が悪影響を及ぼすのを防ぐ際に重要な役割を果たす。
【０００５】
[0005]  ペリクルは有用かつ貴重な機能を果たすが、リソグラフィ装置によって基板上に投影される像に対してペリクル自体が効果を持つという望ましくない副次的影響を生じる。これは、ペリクルが有限の厚さを有し、空気よりも大きい屈折率を有するので、ペリクルに垂直に入射しない放射をいくらか偏向させるからである。
【０００６】
[0006]  例えば、本明細書又はその他で特定される従来技術の問題のうち１つ以上を防止又は軽減する方法を提供することが望ましい。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  本発明の第１の態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、パターニングデバイス及び関連するペリクルを支持するように構築された支持構造であって、パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、支持構造と、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、を備える。支持構造は筐体内に配置され、筐体内に圧力センサが配置されている。
【０００８】
[0008]  圧力センサによって、スキャン移動中の投影システムとペリクルとの間の環境内の圧力のばらつきを測定することができ、これによってその移動中のペリクルの変形を決定することが可能となる。従って、圧力のばらつきを、ペリクルの変形を正確に決定するモデルに対する入力として使用することができ、次いでこれを用いてペリクル変形を補償する調整を決定できる。
【０００９】
[0009]  圧力センサは筐体の開口の両側に提供することができ、開口はペリクルと投影システムとの間にある。
【００１０】
[0010]  リソグラフィ装置のスキャン方向において開口の各側に複数の圧力センサを提供することができる。
【００１１】
[0011]  一連の圧力センサを提供することができる。
【００１２】
[0012]  一連の圧力センサは、スキャン方向に延出する１次元アレイとして配列することができる。
【００１３】
[0013]  リソグラフィ装置は、マスク及びペリクルのスキャン移動中に投影システムとペリクルとの間の環境内の圧力のばらつきによって生じるペリクルの変形に起因した収差を補償するため、スキャン露光中に投影システムのレンズに調整を適用するように構成されたコントローラを更に備えることができる。
【００１４】
[0014]  コントローラは、マスク及びペリクルのスキャン移動中の投影システムとペリクルとの間の環境内のガスの圧力のばらつきをモデル化する圧力モデルを使用することができる。圧力モデルは、マスク及びペリクルのスキャン移動中に圧力センサから取得された圧力測定を用いてリソグラフィ装置のために較正することができる。
【００１５】
[0015]  本発明の第２の態様によれば、検知システムアセンブリが提供される。この検知システムアセンブリは、支持構造によって支持された２次元アレイの圧力センサを備え、更にペリクルフレーム及びペリクルを備える。２次元アレイの圧力センサは、支持構造とペリクルとの間に配置され、ペリクルの移動によって生じる圧力変化を測定するように構成され、支持構造は従来のマスクではなく、検知システムアセンブリは、従来のマスク、ペリクルフレーム、及びペリクルを備えるマスクアセンブリの外側寸法と一致する外側寸法を有する。
【００１６】
[0016]  検知システムアセンブリは、リソグラフィ装置内にロードすることができ、従来のマスクアセンブリと同様にスキャン移動を実行できるので、有利である。これらのスキャン移動の実行中、検知アセンブリは、スキャン移動中に発生するペリクルの偏向を計算するために使用できる圧力測定を記録することができる。
【００１７】
[0017]  検知システムアセンブリの寸法は約１５０ｍｍ×約１５０ｍｍであり得る。検知システムアセンブリの寸法は１５２ｍｍ×１５２ｍｍであり得る。
【００１８】
[0018]  検知システムアセンブリは約６ｍｍの厚さを有し得る。
【００１９】
[0019]  検知システムアセンブリは更に電子機器を備えることができ、電子機器はメモリ、プロセッサ、及び送信器のうち少なくとも１つを含む。
【００２０】
[0020]  本発明の第３の態様によれば、リソグラフィ装置においてペリクル偏向を測定する方法が提供される。この方法は、本発明の第１の態様のリソグラフィ装置にマスク及びペリクルを備えるマスクアセンブリをロードすることと、マスクアセンブリのスキャン移動を実行し、圧力センサを用いて圧力測定を取得することと、スキャン移動中に発生するマスクアセンブリペリクルの偏向を計算することと、を含む。
【００２１】
[0021]  本発明の第４の態様によれば、リソグラフィ装置においてペリクル偏向を測定する方法が提供される。この方法は、リソグラフィ装置に本発明の第２の態様による検知システムアセンブリをロードすることと、検知システムアセンブリのスキャン移動を実行し、検知システムアセンブリを用いて圧力測定を取得することと、スキャン移動中に発生する検知システムアセンブリペリクルの偏向を計算することと、を含む。
【００２２】
[0022]  検知システムアセンブリペリクルの偏向は音響ホログラフィを用いて計算することができる。
【００２３】
[0023]  圧力測定は前記検知システムアセンブリ内のメモリに記憶することができる。
【００２４】
[0024]  検知システムアセンブリがリソグラフィ装置内に配置されている間に検知システムアセンブリから圧力測定を送信することができる。
【００２５】
[0025]  本発明の第５の態様によれば、リソグラフィ装置を用いて基板のターゲット部分のスキャン露光を実行する方法が提供される。この方法は、リソグラフィ装置にマスク及びペリクルを備えるマスクアセンブリをロードすることと、マスク及び関連するペリクルのスキャン移動中、及び基板のスキャン移動中に、放射ビームにマスク及びペリクルを通過させることと、リソグラフィ装置の投影システムを用いて放射ビームを基板のターゲット部分に投影することと、ペリクルの変形に起因した収差を補償するためスキャン露光中に投影システムのレンズに調整を適用することと、を含む。ペリクルの変形は、本発明の第３の態様又は第４の態様による方法を用いて前もって測定しておくことができる。
【００２６】
[0026]  本発明の第６の態様によれば、本発明の第３、第４、又は第５の態様による方法をコンピュータに実行させるように構成されたコンピュータ読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムが提供される。
【００２７】
[0027]  本発明の第７の態様によれば、プロセッサ読み取り可能命令を記憶しているメモリと、メモリに記憶された命令を読み取って実行するように構成されたプロセッサと、を備えるコンピュータが提供される。プロセッサ読み取り可能命令は、本発明の第３、第４、又は第５の態様による方法を実行するようコンピュータを制御するように構成された命令を含む。
【００２８】
[0028]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を用いて基板のターゲット部分のスキャン露光を実行する方法が提供される。この方法は、リソグラフィ装置にマスク及びペリクルを提供することと、マスク及び関連するペリクルのスキャン移動中、及び基板のスキャン移動中に、放射ビームにマスク及びペリクルを通過させることと、リソグラフィ装置の投影システムを用いて放射ビームを基板のターゲット部分に投影することと、スキャン露光中に投影システムのレンズに調整を適用することと、を含む。調整は、マスク及びペリクルのスキャン移動によって生じた投影システムとペリクルとの間の環境内の圧力のばらつきを考慮する。調整は、圧力のばらつきによって生じるペリクルの変形に起因した収差を補償する。
【００２９】
[0029]  方法は、マスク及びペリクルのスキャン移動中の投影システムとペリクルとの間の環境内のガスの圧力をモデル化する圧力モデルを用いることができる。
【００３０】
[0030]  圧力モデルは、マスク及びペリクルのスキャン移動中に圧力センサから取得された圧力測定を用いてリソグラフィ装置のために較正することができる。これによって、マスク及びペリクルが配置されている環境のジオメトリを考慮に入れるように圧力モデルを較正することができる（リソグラフィ装置の構成における公差に起因して、ジオメトリ間には多少のばらつきが存在し得る）。
【００３１】
[0031]  圧力センサは、マスク及びペリクルを収容している筐体の開口の両側に提供することができる。
【００３２】
[0032]  スキャン方向において開口の各側に複数の圧力センサを提供することができる。
【００３３】
[0033]  ターゲット部分のスキャン露光の前に、マスク及びペリクルのスキャン移動中に取得された圧力測定を用いて、圧力モデルを較正することができる。これは、同一の長さ及び同一の速度のスキャン移動ではペリクルの変形が一貫しているという事実を利用している。
【００３４】
[0034]  圧力モデルは、リソグラフィ装置による製造基板の露光前に、リソグラフィ装置のセットアップ中に較正することができる。
【００３５】
[0035]  圧力モデルは、先行する基板のスキャン露光中に取得された圧力測定を用いて較正することができる。
【００３６】
[0036]  圧力モデルは、先行するターゲット部分のスキャン露光中に取得された圧力測定を用いて較正することができる。
【００３７】
[0037]  方法は更に、ペリクル変形モデルを用いて、圧力のばらつきによって生じたペリクルの変形を決定することを含み得る。
【００３８】
[0038]  ペリクル変形モデルはペリクルの特性を用いて較正することができる。
【００３９】
[0039]  ペリクルの特性はペリクルの張力とすることができる。
【００４０】
[0040]  方法は更に、基板に投影される放射ビームに対するペリクル変形の効果をモデル化する放射ビーム収差モデルを用いることと、レンズモデルを用いてレンズに適用される調整を決定することと、を含み得る。
【００４１】
[0041]  放射ビーム収差モデルは、スキャン露光中に使用される放射ビームの照明モードを入力として受信することができる。
【００４２】
[0042]  補償される収差は、リソグラフィ装置によって投影される像の像面における歪みを含み得る。
【００４３】
[0043]  本発明の１つの態様の特徴を本発明の異なる態様の特徴と組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
[0044]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】放射ビームに対するペリクルの効果を概略的に示す。
【図３】図１のリソグラフィ装置の一部を更に詳しく概略的に示す。
【図４】ペリクルのスキャン移動中にペリクルの下方を流れるガスによって生じるペリクル変形を概略的に示す。
【図５】リソグラフィ装置を用いて投影された像の、ペリクル変形によって生じたｘ、ｙ歪みを示す。
【図６】本発明の一実施形態に従った方法のフローチャートである。
【図７】本発明の一実施形態に従った検知システム及びリソグラフィ装置の一部を概略的に示す。
【図８】本発明の一実施形態に従った方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
[0045]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００４７】
[0046]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００４８】
[0047]  支持構造はマスク（レチクルとも呼ばれる）を保持する。支持構造は、マスクの方向、リソグラフィ装置の設計、及び他の条件に応じた方法でマスクを保持する。支持構造は、機械式クランプ、真空、又は他のクランプ技術、例えば真空条件下での静電クランプを使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて移動可能でよい。支持構造は、マスクが例えば投影システムに対して確実に所望の位置にくるようにすることができる。
【００４９】
[0048]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、適宜、例えば露光放射の使用、あるいは浸漬液の使用又は真空の使用などの他の要因に対する、屈折光学システム、反射光学システム、及び反射屈折システムを含む、様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００５０】
[0049]  また、照明システムは、放射ビームを誘導し、整形し、又は制御する屈折、反射、及び反射屈折光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントを含んでよく、そのようなコンポーネントも以下においては集合的に又は単独で「レンズ」とも呼ばれることがある。
【００５１】
[0050]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上の支持構造）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００５２】
[0051]  リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、基板が比較的高い屈折率を有する液体、例えば水などに液浸されるタイプであってもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。
【００５３】
[0052]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
放射ビームＰＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
マスクＭＡを支持するように構築され、アイテムＰＬに対してマスクを正確に位置決めするように構成された位置決めデバイスに接続された支持構造ＭＴと、
基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めするように構成された位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
マスクＭＡによって放射ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に結像するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＬと、を備える。
【００５４】
[0053]  本明細書で示すように、本装置は、（例えば透過マスクを使用する）透過タイプである。あるいは、装置は、（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する）反射タイプでもよい。
【００５５】
[0054]  ペリクルＰはフレームに取り付けられ、フレームはマスクＭＡに取り付けられている。ペリクルＰは、マスク上のパターンから離間した透過型フィルムである。ペリクルＰは、汚染粒子がマスクのパターンに入射するのを防ぎ、そのような汚染粒子をマスクパターンから遠ざける。ペリクルＰは、マスクパターンから数ｍｍ、例えば約５ｍｍ離間させることができる。マスクＭＡ、フレームＦ、及びペリクルＰは全て、筐体２０によって画定された環境内に配置されている。筐体２０の床に圧力センサ３０が配置されている。圧力センサ３０は、マスクＭＡ、フレームＦ、及びペリクルＰのスキャン移動中の筐体内のガス（例えば空気）の圧力を監視するように構成されている。
【００５６】
[0055]  イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置とは別々の構成要素であってもよい。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けを借りて放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプであるとき、放射源は装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ぶことができる。
【００５７】
[0056]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整する調整手段ＡＭを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。また、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームＰＢを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００５８】
[0057]  放射ビームＰＢは、支持構造ＭＴ上に保持されたマスクＭＡに入射する。マスクＭＡを横断したビームＰＢはペリクルＰを通過し、次いで投影システムＰＳに入る。投影システムは、ビームＰＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＰＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、支持構造ＭＴを用いて、スキャン露光中などにビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００５９】
[0058]  リソグラフィ装置を用いてスキャン露光を実行することができる。スキャン露光では、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、ビームＰＢに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの縮小及び像反転特性によって求められる。
【００６０】
[0059]  リソグラフィ装置は更にコントローラＣＴを備えている。コントローラＣＴは、スキャン露光中にリソグラフィ装置に適用される調整を出力するように構成されている。調整は、投影システムＰＳのレンズの調整を含むことができる。コントローラは、本発明の一実施形態に従った方法（例えば後述される方法）を実行するように構成されたプロセッサを含み得る。コントローラはコンピュータを含み得る。
【００６１】
[0060]  場合によっては、ペリクルＰが、これを通過するパターン付き放射ビームＰＢに効果を有することがわかっている。しかしながら、ペリクルの効果についての検討は、ペリクルが放射ビームＰＢを横断する平面状シートの形態を有するものとしてこれを扱う場合に限定されている。ペリクルはスキャン露光中に動的に偏向することがわかっている。この動的な偏向は、リソグラフィ装置によって基板Ｗ上に投影される像に収差を発生させる。本発明の実施形態はこの問題に対処し、収差を低減させることができる。
【００６２】
[0061]  図２は、ペリクルＰ（又はペリクルの一部）がリソグラフィ装置の光軸に対してある角度にある場合にペリクルによって生じる放射ビームのオフセットを概略的に示す。オフセットの説明に役立てるため、図２にデカルト座標が含まれている。他の図でも用いられるデカルト座標は、リソグラフィ装置をスキャンするための慣例に従っている。ｙ方向はスキャン方向（すなわちスキャン露光中の移動方向）であり、ｘ方向は非スキャン方向のマスク面内であり、ｚ方向はリソグラフィ装置の光軸である。
【００６３】
[0062]  ペリクルＰの屈折率ｎｐは、ペリクルの両側のガス（例えば空気）の屈折率ｎ１、ｎ２よりも大きい。ペリクルは厚さｄを有する。ペリクルＰによって生じるオフセットは、スネルの法則に従い、部分的にペリクルの厚さ及びペリクルの屈折率によって決定される。更に、ペリクルはＸＹ面に対してある角度にあるので、ＸＹオフセットは更に、ＸＹ面に対するペリクルの角度によって決定される。システムの主光線Ｒｐは一点鎖線で示され、主光線Ｒｐに対して角度θａの光線Ｒも示されている。破線Ｒ１は、もしもペリクルが存在しなかったら光線Ｒがどのように伝搬するかを示している。実線Ｒ２は、ペリクルＰが存在する場合にラインがどのように伝搬するかを示している。図からわかるように、ペリクルが存在しない場合に観察される光線Ｒ１に比べ、光線Ｒ２のｙ方向には著しいシフトΔｙｐが存在する。また、図２からわかるように、光線Ｒの変位は部分的に、ＸＹ面に対するペリクルＰの角度に依存する。主光線Ｒｐのシフト量は光線Ｒよりも小さい。ペリクルＰに対して垂直な光線（図示せず）はシフトしない。
【００６４】
[0063]  図３は、図１のリソグラフィ装置の一部を更に詳しく概略的に示す。図１と同様に、ペリクルＰはペリクルフレームＦに固定され、ペリクルフレームＦはマスクＭＡに取り付けられている。マスクＭＡは支持構造ＭＴに取り付けられている。ペリクルＰ、ペリクルフレームＦ、及びマスクＭＡを、マスクアセンブリＭＳと呼ぶことができる。マスクアセンブリ及び支持構造ＭＴは、筐体２０によって画定された環境１８内に配置されている。筐体によって画定された環境１８をマスクアセンブリ環境１８と呼ぶことができる。
【００６５】
[0064]  筐体２０は、マスクＭＡに対向する上端部で開口して放射ビームＰＢ（図１を参照のこと）を受け入れると共に、ペリクルＰに対向する下端部で開口してパターン付き放射ビームをリソグラフィ装置の投影システムＰＳ（図１を参照のこと）へ進ませることができる。下部開口２２を露光スリット２２と呼ぶことができる。投影システムＰＳ（図１を参照のこと）の最も上のレンズ２４が図３に概略的に示されている。
【００６６】
[0065]  マスクアセンブリ環境１８内には、例えば空気のようなガスが存在する。投影システムからマスクアセンブリ環境１８内へ汚染粒子が進入するのを阻止するには、投影システムＰＳ内の圧力よりも高い圧力でガスを提供すればよい。
【００６７】
[0066]  ペリクルＰ、マスクＭＡ、及びフレームＦによって、体積２６が取り囲まれている。体積２６内にはガスが閉じ込められている。この体積は、マスクアセンブリ環境１８との間でガス（例えば空気）が流れる漏れ経路（図示せず）によってマスクアセンブリ環境１８につながっている。漏れ経路は、体積２６とマスクアセンブリ環境１８との間のガスの移動量を限定するように制限されている。スキャン露光中の体積２６内のガス量が固定していると見なせるように、流量は充分に小さい。
【００６８】
[0067]  スキャン露光中、支持構造ＭＴ及びマスクアセンブリＭＳは、筐体２０の一方側から他方側へｙ方向に（図３の矢印で示すように）迅速に移動する。スキャン露光は、例えば約１００ミリ秒以内に実行することができる。
【００６９】
[0068]  図３で概略的に示されているように、マスクアセンブリＭＳが左から右へスキャン移動する間、マスクアセンブリＭＳ及び支持構造ＭＴの右側のガスを含む体積が縮小するので、そのガスの圧力は増大する。同時に、マスクアセンブリＭＳ及び支持構造ＭＴの左側のガスを含む体積が拡大するので、そのガスの圧力は低減する。この結果、マスクアセンブリ環境１８内でガス圧力が均一になるまで、ガスはマスクアセンブリＭＳ及び支持構造ＭＴの周りを流れる。このガス流は、ペリクルＰの動的な変形（すなわち、ペリクルのスキャン移動中に変化する変形）を生じる。動的な変形はペリクルＰの曲げから構成され、これは、リソグラフィ装置ＬＡによって基板Ｗ上に投影される像に収差を発生させる。図２に関連付けて上述したように、ペリクルＰがマスクＭＡに対してある角度にある場合、これは投影像にオフセットを生じる。ペリクルが曲がり、このためマスクに対してある範囲の角度を持つので、ペリクルは単純なオフセットを生じるのではなく、投影像に収差を発生させる。更に、ペリクルによって発生する収差はスキャン露光中に変動する。これは、マスクアセンブリＭＳのスキャン移動中にパターン付き放射ビームＲＢがペリクルＰに沿ってスキャンされるので、ペリクルの異なる部分が異なるように曲がるからである。
【００７０】
[0069]  図４は、マスクアセンブリのスキャン移動中に発生し得るペリクル変形の一例を概略的に示す。図４で概略的に示すように、ペリクルＰのスキャン移動はこの例ではＹ方向である。ペリクルの表面近傍のガス（例えば空気）の流れは、矢印Ｇで概略的に示されている。
【００７１】
[0070]  上記で言及したように、ペリクルＰとマスクＭＡとの間の体積２６内のガス量は、スキャン露光中は事実上固定されている。更に、体積Ｇ内のガスは圧縮又は膨張に抵抗する傾向がある。この結果、ペリクルＰによって取り囲まれた総体積は実質的に一定であり、ペリクルＰのある部分の外向きの膨張はペリクルの別の部分の対応する内向きの移動と一致する傾向がある。図４にはペリクルＰのこの形態の変形の一例が示されている。図の左側端部の近くのペリクルＰの部分は外向きに膨らみ、図の右側端部の近くのペリクルの部分は対応する量だけ内向きに膨らんでいる。このため、ペリクルＰによって取り囲まれた体積は実質的に一定のままである。ペリクルのこの形態の変形は、ウォーターベッドの表面の動きと同様である、すなわち、ある体積の実質的に非圧縮性の流体を収容する可撓性膜の動きと同様であると考えられる。
【００７２】
[0071]  スキャン露光中にペリクルによって投影像に発生した収差は比較的複雑である、すなわち、それらは数次のゼルニケ多項式を含む。しかしながら、収差は比較的一貫している。すなわち、特定のペリクルを用いた所与のマスクアセンブリを用いて所与のリソグラフィ装置でスキャン露光を実行した場合、そのペリクルによって生じる収差は、以前の露光中に生じた収差と概ね同一である。これが当てはまるのは、スキャン露光の速度及び方向が同一である場合、並びに、マスクアセンブリ環境内のガスの背景圧力（すなわちマスクアセンブリＭＳが移動していない場合のガス圧力）が同一である場合である。速度が同一であるが方向が反対であるスキャン露光では、ペリクルによって生じる収差は反転する。
【００７３】
[0072]  筐体２０（図３を参照のこと）の床３３に配置された圧力センサ３０は、マスクアセンブリＭＳ（及び支持構造ＭＴ）のスキャン移動中に筐体２０内部の圧力を測定するように構成されている。圧力センサ３０は、例えば磁石に取り付けられた可動ダイアフラム（例えばマイクロフォンの形態）を含み得る。圧力センサは、例えばＭＥＭＳマイクロフォンとすればよい。
【００７４】
[0073]  圧力センサ３０は、筐体２０の床３０に沿ってＹ方向に延出する単一の列で提供することができる。Ｘ方向のペリクルＰの曲げは概して単純な挙動を示すので、圧力センサの２次元アレイは必要ない。すなわち、ペリクルＰは２次多項式の形状として上向きに曲がるか、又は２次多項式の形状として下向きに曲がる（ペリクルは、ペリクルをＸ方向に２等分する軸に対してＸ方向に対称であり得る）。このＸ方向の対称性（及び露光スリットに沿った圧力の２次多項式形状）が生じ、マスクアセンブリＭＳ及び支持構造ＭＴは、Ｘ方向に沿って実質的に等しい圧力を与えるように設計されている（それらはＸ方向の対称性を有するように設計されている）。この結果、（例えば図４に示されているように）Ｘ方向でなくＹ方向で複雑な曲線が優先的に発生する。従って、Ｙ方向に延出する単一の列の圧力センサ３０は、ペリクルＰ全体にわたる圧力の決定を可能とする圧力プロファイルを充分に特徴付けることができる。しかしながら、実施形態では、追加の圧力センサを用いてＸ方向に沿った圧力を測定することも可能である。
【００７５】
[0074]  所望の場合、第２の列の圧力センサを提供することができる。第２の列の圧力センサ３０は追加の圧力測定を与える。これらの追加の測定を用いて組み合わせ測定を与え、測定精度及び／又は一貫性の改善を図ることができる。第２の列のセンサが提供される場合、第１の列のセンサのうち１つが故障したら、第２の列の対応するセンサからの測定を使用できる。３列以上のセンサを使用してもよい。
【００７６】
[0075]  ８つのセンサ３０の列が図示されているが、これは単なる例である。一般に、複数の圧力センサを使用することができる。筐体２０の床３３の開口２２の両側に少なくとも１つの圧力センサを提供できる。スキャン方向（Ｙ方向）において開口２２の各側に複数の圧力センサを提供できる。開口２２の各側に３つ以上の圧力センサを提供できる。ペリクルＰの歪みの形状を特徴付けるために充分な圧力センサを提供することができる（圧力プロファイルは様々な異なる形状を有し、ペリクル変形の異なる形状を生じる可能性がある）。
【００７７】
[0076]  リソグラフィ装置で投影された像においてペリクルの変形によって生じるＸＹ歪みは、スキャン露光中にペリクルで発生する圧力のばらつきと高い相関を有する。投影像においてペリクルにより生じる収差を「ペリクルのフィンガプリント（fingerprint）」と呼ぶことができ、スキャン露光中のペリクルにおける圧力のばらつきを「圧力プロファイル」と呼ぶことができる。図５に、ペリクルによって生じる収差の典型的なフィンガプリントの一例が示されている。図５の矢印は、像内のポイントの意図した位置からの逸脱を示す。これらの逸脱をＸＹ歪みと呼ぶことができる。ペリクルフィンガプリントは圧力プロファイルと高い相関を有するので、圧力プロファイルの測定を用いて、ペリクルフィンガプリントを補償するスキャン露光中のリソグラフィ装置の調整を決定することができる。この文脈において、「補償する」という用語は、ペリクルフィンガプリントの効果を低減することを意味するものとして解釈され、ペリクルフィンガプリントの効果を完全に除去することは要求しない。補償は、例えばスキャン露光中に投影システムＰＳ（図１を参照のこと）のレンズを調整することによって実行できる。
【００７８】
[0077]  適用される投影システムＰＳの調整は、フィードフォワード補正とすることができる。すなわち、スキャン露光中に適用される補正は、そのスキャン露光を行う前に決定することができる。これが可能であるのは、上述のように、いくつかの条件が一定であるならばスキャン露光中のペリクルＰの歪みが一貫しているからである。これらの条件は、スキャン露光の長さ及び速度、並びに筐体２０内のマスクアセンブリ及びその他のコンポーネントの物理的特性である。
【００７９】
[0078]  スキャン移動中にガス流によって生じるペリクルＰの歪みは、ペリクルＰと筐体２０の床３３との間の分離によって影響を受ける。これは部分的にリソグラフィ装置の特性によって決定され、部分的にマスクアセンブリＭＳの特性によって決定される。例えば、ペリクルＰが取り付けられるフレームＦは、３ｍｍの高さ、５ｍｍの高さ、又は他の高さを有する可能性があり、この高さはペリクルＰと筐体２０の床３３との間のギャップの大きさに影響する。また、ペリクルＰの歪みは、マスクアセンブリ環境１８の形状及びその環境内のコンポーネントの形状によって影響を受ける。更に、ペリクルＰの歪みは、ペリクルのスキャン移動の速度によって影響を受ける（歪みは速度によって大きさが変わるだけでなく、形態も変わる）。更に、歪みは、スキャン移動の長さによっても影響を受ける。
【００８０】
[0079]  異なるペリクルは異なる張力で保持される可能性があり、これはペリクルの歪みに影響を及ぼす。ペリクルの張力は、ペリクルの歪みの形態を変化させることなく歪みの大きさを変える効果を与え得る。「張力」パラメータは、（以下で更に説明するように）ペリクルの厚さを組み込むことができる。
【００８１】
[0080]  上述のパラメータを考慮に入れたモデルを用いて、基板のスキャン露光中のペリクルＰの変形を正確に予測することができる。そのようなモデルの生成及びそのようなモデルの使用法の一例について、図６のフローチャートに関連付けて以下で説明する。
【００８２】
[0081]  図６のフローチャートは、リソグラフィ装置によって実行されるスキャン露光中にペリクルＰの歪みにより生じる収差を補償するために使用できる、本発明の一実施形態に従った方法を示す。補正は、例えば基板の製造露光中、例えば集積回路を形成するダイを用いた一連のウェーハの露光中に、適用することができる。概説すると、方法は、モデルを用いてスキャン露光中のペリクルの下方の圧力プロファイルを決定することと、次いで別のモデルを用いて圧力プロファイルによって生じるペリクルの変形を決定することと、を含む。方法は更に、放射ビーム収差モデルを用いて放射ビームＰＢがどのようにペリクルによって歪むかを決定することと、露光のスキャン特性を考慮するローリングガウシアンスリット露光モデル（rolling Gaussian slit exposure-model）を用いることでペリクルのフィンガプリントを決定することと、を含む。方法は更に、レンズモデルを用いて、ペリクルフィンガプリントを補償するために適用される投影システムＰＳの調整を決定することを含む。ペリクルの歪みはスキャン露光において一貫しているので、様々なモデルによって行われる計算はスキャン露光に先立って実行し、投影システムＰＳに適用される調整はメモリに記憶しておくことができる。後に、スキャン露光中にメモリから調整を検索して投影システムＰＳに適用する。スキャンの異なる長さ及び速度に対して、並びにペリクルの異なるタイプ（例えば異なる厚さ及び張力のペリクル）に対して、異なる調整を計算することができる。
【００８３】
[0082]  更に上述したように、スキャン露光の方向が逆になった場合、ペリクルの歪みは反転する。従って、スキャン露光の各方向で１つずつ、計２つのセットの調整をメモリに記憶することができる。ウェーハのエッジでスキャン露光が実行される場合は、ウェーハのエッジから離れた位置で実行されるスキャン露光よりも短い及び／又は遅い可能性がある。このため、これらの露光が実行される場合、ペリクル変形は異なるものとなる。従って、ウェーハのエッジで露光が行われる場合に使用するため、投影システムＰＳの追加セットの調整をメモリに記憶することができる。
【００８４】
[0083]  次に図６の例示的な方法について更に詳しく説明する。スキャン露光中のペリクルの下方の圧力プロファイルを決定するため使用されるモデルは、マスクアセンブリ環境１８内のガス（例えば空気）の移動をモデル化する計算流体力学（ＣＦＤ：computational fluid dynamics）モデルとすることができる。ＣＦＤモデルはナビエ−ストークス方程式（Navier-Stokes equation）を用い得る。筐体２０によって画定されるマスクアセンブリ環境１８の形状及び大きさは既知であり、筐体の上部及び下部の開口の形状及び大きさも同様である。同様に、マスクアセンブリ環境１８内の各コンポーネントの形状及び大きさも既知である。これらのパラメータを使用することで、ＣＦＤ圧力モデルを用いて、マスクアセンブリＭＳ及び支持構造ＭＴのスキャン移動中にマスクアセンブリ環境１８内でガスがどのように流れるかを決定できる。これは、ある範囲のスキャン速度及びスキャン長さについて決定することができる。スリット２２を介してペリクルへ流れる多少のガス流が存在する可能性がある。このような流れが存在する場合、ペリクルの多少の歪みを発生させるので、これもＣＦＤ圧力モデルに含まれる。
【００８５】
[0084]  更に上述したように、ペリクルＰの下方の圧力プロファイルは、ペリクルＰと筐体２０の床３３との間のギャップの大きさに応じて変動する。このギャップは、異なるリソグラフィ装置間で変動する（ギャップにはある程度の公差が存在するので、ギャップの大きさは同じタイプのリソグラフィ装置でも異なる可能性がある）。従って、製造環境における所与のリソグラフィ装置について、マスクアセンブリＭＳ及び支持構造ＭＴのスキャン移動を実行し、圧力センサ３０を用いて圧力値を測定することによって、ＣＦＤ圧力モデルを較正する。較正は、基板を露光することなく実行し、基板テーブルＭＴを移動させることなく実行することができる。較正は、製造露光中に使用されるものを含めて、多種多様な異なるスキャン速度及びスキャン長さについて実行できる。較正スキャンは、異なる高さのペリクルフレームに取り付けたペリクルを用いて実行できる。ペリクルフレームは典型的に３ｍｍ又は５ｍｍの高さを有するので、これら２つの高さのフレームに取り付けたペリクルを用いて較正スキャンを実行すれば充分である可能性がある。製造露光が常に１つの高さのフレームに取り付けたペリクルを用いて実行される場合は、その高さのフレームに取り付けたペリクルを用いて較正スキャンを実行すればよい。
【００８６】
[0085]  放射ビームＰＢによるペリクルＰの加熱が著しい効果を有すると予想される場合（例えば熱膨張によるペリクルの張力の低減）、放射ビームがペリクルに入射している間に較正を実行することができる。あるいは、放射ビームによる加熱がペリクルＰの張力に与える効果を計算し、モデルに追加することができる（ペリクルの熱膨張係数を用いる）。ペリクルＰの温度は時間の関数として既知のように上昇すると予想することができ、例えばマスクＭＡの温度と同じレートで上昇し得る。マスクの加熱は別個の既存のモデルの対象であり、そのモデルからペリクルＰの温度を導出することができる。
【００８７】
[0086]  較正スキャン中に圧力センサ３０から取得されたデータを用いて、ＣＦＤ圧力モデルを較正する。圧力センサ３０は、異なる速度及び長さのスキャンにおいて、圧力センサの位置における圧力の絶対測定値を与える。ＣＦＤ圧力モデルは、圧力センサの位置における出力が圧力センサ３０によって与えられる測定と一致するように調整される（例えばスケーリングされる）。ＣＦＤ圧力モデルの較正はこのように、ＣＦＤモデルを、圧力センサ３０によって測定された現実の値（reality）に一致させる。
【００８８】
[0087]  較正は、マスクアセンブリ環境１８内のコンポーネントのレイアウト及びペリクルのスキャン移動の特性に対する、マスクアセンブリ環境１８内の少なくともペリクルに面した圧力プロファイルの依存性に対処する。これは、ペリクルの張力のようなペリクルＰ自体の特性には対処しない。そのような特性はペリクル変形モデルによって別個に対処される。図６において水平線で概略的に示されているこの分離は、マスクアセンブリ環境１８内のコンポーネントのレイアウトの効果及びペリクルＰの特性の効果を分離するので有利である。これは、ペリクルＰが異なる特性（例えば異なる張力）を有する異なるペリクルＰで置き換えられた場合であっても、圧力プロファイルモデルからの出力を使用できることを意味する。
【００８９】
[0088]  一度、圧力センサ３０からの測定を用いてＣＦＤ圧力モデルが較正されると、ペリクルＰによって保護されたマスクＭＡを用いるそのリソグラフィ装置で製造スキャン露光中にペリクルＰの下方で発生する圧力プロファイルが決定される。ＣＦＤ圧力モデルによって出力される圧力プロファイルは、ペリクル変形モデルに対する入力として提供される。ペリクル変形モデルは、例えば以下の形態を有し得る。
【数１】
2019521386.tif 000003
この文書における「張力」という用語は、（ペリクルの面内の）距離当たりの力を意味することを意図している。張力はＮ／ｍの単位で表すことができる。これは、Ｎ／ｍ２の単位で表される断面積（すなわちペリクルを切断した場合に見られる面積）当たりの力とは異なる。張力は、断面積当たりの力にペリクルの厚さを乗算することによって計算できる。従って、この文書における張力はペリクルの厚さを考慮に入れている。
【００９０】
[0089]  上記の式において、項Ｐouter_variation over(x,y)は、投影システムとペリクルとの間の環境内の圧力を示し、（ｘ，ｙ）の平均圧力を減算した後の圧力を示す。言い換えると、この項はペリクルの外側の圧力のばらつきに関連する。ペリクルの内向き及び外向きの全体的な移動はペリクルの内側（すなわちペリクルとマスクとの間）の空気の圧力による抵抗を受けるので、ペリクルの外側の平均圧力は大きい効果を持たない。
【００９１】
[0090]  ペリクル変形モデルは、（例えば試験環境において）前もって生成することができる。試験パターンを備えると共に所与のタイプのペリクルＰ（例えば所与の張力を有する）で保護されたマスクＭＡを用いて試験基板を露光することによって、ペリクル変形モデルを生成できる。基板上に露光されたパターンを、例えばリソグラフィ装置の一部を形成するメトロロジーツールを用いて又はアライメントシステムを用いて測定することができる。これらの測定からペリクルＰの歪みを決定する。圧力センサ３０を（ＣＦＤモデルによって決定された圧力プロファイルと組み合わせて）用いて、これらの露光中のペリクルＰの環境内における圧力プロファイルを決定して、圧力プロファイルをペリクル変形にリンクするデータを生成することができる。また、ペリクル変形モデルは、露光中に使用されるペリクルの張力を入力として受信できる。主成分分析又はその他のモデリング技法を用いて、少なくともペリクルに対向するマスクアセンブリ環境内の圧力プロファイル（及びペリクルの張力）をペリクルの変形にリンクさせるペリクル変形モデルを生成できる。モデルの生成中に適用される制約は、ペリクルのエッジが固定されていること、及びペリクルの歪みがＸ方向において対称であることを含み得る。Ｘ方向の歪みの対称性は、リソグラフィ装置におけるＸ方向の対称性から生じる。モデルによって異なるペリクルタイプを考慮できるように、異なるペリクルタイプで実行することができる。異なるペリクルタイプ（例えば異なる張力を有するペリクル）の結果、ペリクルのスキャン移動中に発生するペリクル歪みの大きさの変化のみが生じ得る。
【００９２】
[0091]  製造露光に使用されるリソグラフィ装置は、既にペリクル変形モデルが与えられている可能性がある。製造露光に使用されるペリクルタイプがモデルに入力される。また、ペリクルの下方の圧力プロファイルもモデルに入力される。モデルは、Ｚ方向におけるペリクルの偏向及びペリクルの角度偏向を出力として与える。
【００９３】
[0092]  ペリクルタイプに関連付けられているパラメータは、ペリクルの張力、厚さ、及び屈折率を含み得る。これらのパラメータの効果を測定する較正は、例えば非製造環境で前もって実行することができる。較正は、測定パターンを備えたマスクを用いる基板の露光を、異なるペリクルタイプ（例えば異なる張力及び／又は厚さ及び／又は屈折率を有するペリクル）と組み合わせて実行することを含み得る。この較正の結果は、その結果を得るために使用されるリソグラフィ装置とは独立している。従って、較正を一度実行したら、較正結果を多種多様な異なるリソグラフィ装置に使用することができる。較正は、投影システムのレンズを調整し、これらの調整が基板上のレジストに露光される像を改善する程度を監視する補正ループを動作させることを含み得る。
【００９４】
[0093]  放射ビーム収差モデルは、入力としてペリクルの偏向を受信し、更に入力として製造露光中に使用される照明モデルを受信する。放射ビーム収差モデルは、例えば（図２に関連付けて上述した）スネルの法則を実施するモデルである光線偏向モデルとすればよい。あるいは、放射ビーム収差モデルは、ペリクルの変形によって発生する放射ビームのゼルニケ収差をモデル化する、より高度なモデルとすることができる（このタイプのモデルはペリクルをレンズ要素として扱う）。
【００９５】
[0094]  放射ビーム収差モデルからの出力はローリングガウシアンスリット露光モデルに入力される。このモデルは、（例えば畳み込みとして）スキャン露光中の放射ビームに対するペリクル及びマスクの移動を扱い、出力として、ペリクル変形によって生じたペリクルフィンガプリントを与える。ペリクルフィンガプリントの一例は図５に示されている。ペリクルフィンガプリントは、像内のポイントがペリクル歪みの効果によってどのように変位するかを示す。
【００９６】
[0095]  最後に、ペリクルフィンガプリントを補償するため、レンズモデルを用いて、投影システムＰＳのレンズに適用される補正を決定する。このようなレンズモデルは当技術分野では周知であるので、ここではレンズモデルについて説明しない。補正は例えば、Ｙ方向の４次多項式補正を適用することができる。
【００９７】
[0096]  レンズに適用される補正は、製造露光が行われる前に決定される。その後、製造露光中に補正を適用して、この露光中にペリクルフィンガプリントを補償する。
【００９８】
[0097]  図７に本発明の代替的な実施形態が示されている。図７は、図３に示した要素と一致するいくつかの要素を含む。これが当てはまる場合、対応する参照番号が使用されている。
【００９９】
[0098]  この代替的な実施形態において、支持構造ＭＴは、マスクアセンブリを保持するのではなく検知システムアセンブリ４１を保持している。検知システムアセンブリ４１は、圧力センサ４２（代替的にマイクロフォン又は音響センサと呼ぶことができる）の二次元アレイを含む検知システム４０を含む。圧力センサ４２はＭＥＭＳデバイスとすることができる。圧力センサ４２は、例えば基板又はフレームである支持構造４４上に設けられている。センサ支持構造と呼ぶことができる支持構造４４は、例えばプロセッサ、メモリ、及び／又は送信器のような電子機器４６も保持する。この実施形態におけるセンサ支持構造４４は、従来のマスクＭＡ（図３を参照のこと）の寸法と一致する外側寸法を有する支持フレーム４８によって保持されている。支持構造４４は実質的に平坦な上面４７を有する。支持フレーム４８も実質的に平坦な上面４９を有する。支持構造４４の上面及び支持フレーム４８の上面は、それら双方が実質的に連続した平坦な上面を与えるように位置合わせすることができる。
【０１００】
[0099]  支持フレーム４８にペリクルフレームＦが取り付けられ、ペリクルフレームＦにペリクルＰが固定されている。ペリクルＰ及びフレームＦは、リソグラフィ装置を用いた製造露光を実行する場合、マスクに取り付けられ得るペリクルＰ及びフレームＦと一致する。検知システム４０、フレームＦ、及びペリクルが組み合わされて検知システムアセンブリ４１を構成する。支持フレーム４８は従来のマスクＭＡの高さと一致する高さを有する。上述のように、検知システム４０は支持フレーム４８の平坦な上面４９と位置合わせされた平坦な上面４７を有する。従って検知システム４１の外側寸法は、従来のマスクＭＡ、フレームＦ、及びペリクルＰ（従来のマスクアセンブリ）の外側寸法と一致する。
【０１０１】
[00100]  図示されている実施形態は支持フレーム４８によって保持されたセンサ支持構造４４を含むが、他の実施形態は他の形態を有し得る。例えば、支持フレーム４８を省略することができる。これが当てはまる場合、センサ支持構造４４を（マスク）支持構造ＭＴによって直接保持することができる。
【０１０２】
[00101]  検知システム４０は、例えば約６ｍｍのような、従来のマスクの厚さと一致する厚さを有し得る。
【０１０３】
[00102]  一般に、検知システム４０は、マスクの上面（例えば約１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、例えば１５２ｍｍ×１５２ｍｍ）と同じ大きさの外面（典型的に上面）を有し得る。フレームＦ及びペリクルＰと組み合わせて検知システムアセンブリ４１を形成した場合、検知システムアセンブリ４１は、従来のマスクアセンブリの体積と一致する体積を占有し得る。従って、マスクアセンブリ環境１８（検知システムアセンブリを含む）は、製造露光中のマスクアセンブリ環境（従来のマスクアセンブリを含む）と同一であり得る。このため、検知システムアセンブリ４１及び支持構造ＭＴの周りのガス流は、製造露光中にマスクアセンブリ及び支持構造ＭＴの周りで生じるガス流と同一である。従って、検知システム４０を用いて記録されるペリクルＰの偏向は、製造露光中に発生するペリクルの偏向と一致する。
【０１０４】
[00103]  圧力センサ４２は２次元アレイとして提供される。これらは、センサ支持構造４４の底面（センサ支持構造の内面）全体に分散させることができる。圧力センサ４２は矩形の格子状に配列することができる。隣接したセンサ間にセンチメートルのオーダー（例えば約２センチメートル）の分離を提供できる。言い換えると、圧力センサ４２は、Ｘ方向及びＹ方向にセンチメートルのオーダー（例えば２センチメートル）のピッチで矩形配列に提供することができる。
【０１０５】
[00104]  電子機器４６は、圧力センサ４２における圧力を示す出力信号をそれらのセンサから受信するように構成されている。電子機器４６は、受信した圧力信号を、検知システムアセンブリ４１のスキャン移動中のペリクルＰの偏向を記述するデータに変換するように構成されたプロセッサを含み得る。また、電子機器はメモリ及び／又は送信器も含み得る。
【０１０６】
[00105]  使用の際、支持構造ＭＴ及び検知システムアセンブリ４１は、ｙ方向に（及び−ｙ方向に）スキャン移動で移動する。これらのスキャン移動は、製造露光中の支持構造ＭＴ及びマスクアセンブリＭＳのスキャン移動と一致し得る。圧力センサ４２は圧力測定を受信し、これらの圧力測定は電子機器４６によってスキャン移動中のペリクルＰの偏向を記述するデータに変換される。この情報は、後で製造露光中に用いるために記憶される。同じタイプのペリクルＰを備えたマスクＭＡ（例えば同じ厚さ及び同じ張力を有するマスク）を用いて製造露光が行われる場合、スキャン移動中のペリクル偏向を示す記憶データが検索され、このデータを用いて、製造露光中にリソグラフィ装置に適用される補正を決定する。適用される補正は、ペリクルの偏向によって生じるはずである、製造露光中に基板に投影される像の歪みを低減する。
【０１０７】
[00106]  ペリクルの寸法は、例えば約１１０ｍｍ×１５０ｍｍである。スキャン露光中のペリクルの偏向は、比較的低い空間周波数（２ｃｍよりも著しく低い）を有し得る。このため、圧力センサ４２間の２ｃｍ（又はセンチメートルのオーダー）の分離によって、ペリクル偏向の正確な決定を可能とする充分に高い空間周波数で圧力測定を与えることができる。
【０１０８】
[00107]  圧力センサ４２は、スキャン移動中のペリクルの移動周波数よりも高いサンプリング周波数を有し得る。ペリクルの移動周波数は、例えば２５〜４０Ｈｚの範囲内であり得る。圧力センサ４２は、例えば最大で約１００Ｈｚ（例えば最大で約２００Ｈｚ）の周波数で出力測定を与えることができる。圧力センサ４２は、１０Ｈｚの低さの周波数を検出することができる。
【０１０９】
[00108]  一実施形態において、圧力センサは、Akustica, Inc.（米国フィラデルフィア州）から入手可能なＡＫＵ２４２デジタルシリコンＭＥＭＳマイクロフォンとすることができる。例えば、Vespa Technologies, Inc.（米国マサチューセッツ州）から入手可能なＶＭ１０１マイクロフォン等、他のＭＥＭＳマイクロフォン（圧力センサ）も使用できる。
【０１１０】
[00109]  音響センサ４２はペリクルＰの静的な偏向を監視することはできないが、これは実際上、測定されるペリクル偏向の精度に顕著な効果を及ぼさない。ペリクルの大きい偏向は全て動的である（すなわち、それらは支持構造ＭＴのスキャン移動中に変化する）からである。
【０１１１】
[00110]  ミリメートルのオーダーのペリクル偏向が発生する。検知システム４０は、ミクロンのオーダーの精度でペリクル偏向を決定することができる。これは、ペリクルのミリメートルのオーダーの偏向を正確に特徴付けるには充分である。
【０１１２】
[00111]  一般に、圧力センサ４２の空間ピッチ及び圧力センサからの出力の周波数は、ペリクルＰの偏向を効果的にサンプリングして決定することを可能とする充分な高さに選択すればよい。
【０１１３】
[00112]  電子機器４６は、測定が実行された後、その後に使用するためデータを記憶するメモリを含み得る。検知システムアセンブリ４１は従来のマスクアセンブリＭＳと同一の寸法を有するので、従来のマスクアセンブリをリソグラフィ装置内にロードすると共にリソグラフィ装置から除去することと同じようにリソグラフィ装置内にロードすると共にリソグラフィ装置から除去することができる。検知システム４０を用いて実行される測定が完了したら、（従来のように）検知システムをリソグラフィ装置から取り外すことができる。次いで、メモリに記憶されたデータを、プロセッサによる後の処理のため外部メモリに転送することができる。代替的な構成において、電子機器４６は、検知システム４０から受信器にデータを無線伝送するように構成された送信器を含み得る。送信器は、例えばＩＥＥＥ８０２．１１規格（Wi-Fi）を使用することができる。データを伝送することから得られる利点は、圧力測定が完了する前にデータの解析を開始できることである。
【０１１４】
[00113]  圧力センサ４２がセンサ支持構造４４によって支持された２次元アレイで提供されているので、検知システム４０は、放射ビームをパターニングするための従来のマスクＭＡとして使用できない可能性がある（検知システムは従来のマスクを含まないので、パターン付与が行われない可能性がある）。放射ビームが検知システム４０に入射していない場合、検知システムアセンブリ４１のスキャン移動中に圧力測定を実行することができる。
【０１１５】
[00114]  検知システムアセンブリ４１は、従来のマスクを変更することによって構築できる。この変更は、検知システム４０の外周と一致する外周の開口をマスク内に形成することによってマスクフレーム４８を形成することを含み得る。次いでその開口に検知システム４０を挿入し、所定位置に固定することができる。検知システム４０は、例えば接着剤を用いてマスクフレーム４８に固定すればよい。
【０１１６】
[00115]  この実施形態の利点は、スキャン移動中に圧力センサ４２がペリクルエリア全体を監視することである。圧力センサ４２はペリクルと共に移動するので、スキャン移動中にペリクル全体を監視することが保証される。更に別の利点は、閉じ込められた体積２６内で測定が実行されるので、圧力センサ４２上に空気の顕著な流れが観察されないことである。閉じ込められた体積２６内の空気は概ね検知システム４０の移動と共に移動するので、圧力センサ４２の基準フレームにおいて静止しているように見える。これは、圧力センサ４２によって測定される圧力差が、センサ上の空気の流れでなくペリクル偏向によって生じることを意味する。検知システムアセンブリ４１が方向転換のために減速し、次いで反対方向に加速した場合、多少の空気流が存在し得る。しかしながら、そのような空気流は短時間のものであり、ほとんどのペリクル偏向は検知システムアセンブリ４１の一定速度の移動中に発生する。更に、基板の露光は一般にマスクアセンブリの一定速度の移動中に行われる。従って、一定速度の移動中に発生するペリクルの偏向が最も重要である（基板に投影される像の品質に影響を及ぼすのはこれらの偏向である）。
【０１１７】
[00116]  検知システム４０を用いて測定が取得されている場合に実行されるスキャン移動は、製造露光中に行われるスキャン移動と一致し得る。例えば、ウェーハ上の異なる位置の露光を行う場合には異なるスキャン移動を実行することができ、これらを測定スキャン中に反復することができる。１つの例では、基板のエッジを露光している場合はより短いスキャンを行うことができ、これらのスキャンは検知システム４０を用いて測定を取得している場合にも実行できる。このように、所与の製造露光について、ペリクルＰの偏向は製造露光が行われる前に決定される。前もって測定されたペリクルの偏向は製造露光中に観察される偏向と一致するので、ペリクルＰの偏向を補正するリソグラフィ装置の補正を前もって計算することができる。マスクアセンブリ環境１８が不変であるならば、所与のペリクルタイプ（すなわち所与のペリクル厚さ及び張力）のペリクル挙動は極めて一貫している。上記で言及したように、本発明の実施形態では、マスクアセンブリ環境を変更することなく所与のペリクルタイプについて所与のリソグラフィ装置におけるペリクル偏向を測定できる。同じペリクルタイプを用いたそのリソグラフィ装置におけるその後の製造露光中、ペリクルの偏向は前もって測定した偏向に極めて一致する。
【０１１８】
[00117]  例えば近視野音響ホログラフィのような音響ホログラフィを用いて、ペリクルＰ全面にわたる位置で圧力フィールドを決定することができる。言い換えると、ペリクルの圧力のばらつきをペリクルの２次元マップとして決定できる。マップは、隣接した圧力センサ４２間の分離（例えば約２センチメートル）に一致する偏向値間の分離を有し得る。ペリクルの偏向は（上記で言及したように）比較的低い空間周波数で発生するので、この偏向値間の分離はペリクルの偏向を特徴付けるには充分であり得る。
【０１１９】
[00118]  圧力波が生成された場合、圧力波は伝搬関数Ｇに従って伝搬する。
【数２】
2019521386.tif 000004
ここで、ｚＳは圧力波源の１次元の位置であり、ｚｈは圧力センサの１次元の位置である。本発明の実施形態において、圧力センサ４２で受信される音響波は既知である。逆伝搬関数（inverse propagator）を用いて、音響波を逆伝搬し、圧力波を発生させたペリクルの偏向を決定することができる。逆解法（inverse solution）は、レイリーの伝搬カーネルによる測定面（圧力センサ４２が位置する面）のデコンボリューションとすることができる。
【０１２０】
[00119]  ペリクルの動的な偏向は、約２００Ｈｚよりも大幅に低い周波数上限を有し得る。ペリクルの偏向が計算されている場合、圧力センサ４２から出力された信号の低域フィルタリングを用いて約２００Ｈｚよりも高い周波数の信号を除外することができる。これにより、ペリクル偏向の計算精度を低減させる、音響センサによって検知されるノイズが回避されるので、好都合である。
【０１２１】
[00120]  上記で言及したように、ペリクルＰは、ペリクル偏向を生じる場合にいくつかの既知の特徴を有する。ペリクル９のエッジはフレームＦに固定されているので移動しない。ペリクル偏向はｘ方向に対称であり得る（ｙ方向がスキャン移動の方向である場合）。これらの限定は、圧力センサ４２によって受信される圧力測定を用いてペリクルの偏向を計算する場合に考慮に入れることができる。
【０１２２】
[00121]  図８は、リソグラフィ装置によって実行されるスキャン露光中にペリクルＰの歪みにより生じる収差を補償するために使用できる、本発明の一実施形態に従った方法を示すフローチャートである。補正は、例えば基板の製造露光中、例えば集積回路を形成するダイを用いた一連のウェーハの露光中に、適用することができる。図８の方法では、最初に検知システムアセンブリ４１をリソグラフィ装置にロードする。次いで、検知システムアセンブリ４１のスキャン移動を実行する。このスキャン移動のスキャン速度及びスキャン長さは製造露光中に使用されるものと一致している。圧力センサ４２から圧力測定を受信する。圧力測定を用いて、スキャン移動中に発生するペリクルＰの偏向を計算する。偏向は、ｚ方向偏向及び角度偏向として表すことができる。
【０１２３】
[00122]  図８に記載された方法の残り部分は図６に記載された方法と一致している。概説すると、方法の残り部分は、放射ビーム収差モデルを用いて放射ビームＰＢがどのようにペリクルによって歪むかを決定することと、露光のスキャン特性を考慮するローリングガウシアンスリット露光モデルを用いることでペリクルのフィンガプリントを決定することと、を含む。方法は更に、レンズモデルを用いて、ペリクルフィンガプリントを補償するために適用される投影システムＰＳの調整を決定することを含む。ペリクルの歪みはスキャン露光において一貫しているので、様々なモデルによって行われる計算はスキャン露光に先立って実行し、投影システムＰＳに適用される調整はメモリに記憶しておくことができる。後に、スキャン露光中にメモリから調整を検索して投影システムＰＳに適用する。スキャンの異なる長さ及び速度に対して、並びにペリクルの異なるタイプ（例えば異なる厚さ及び張力のペリクル）に対して、異なる調整を計算することができる。
【０１２４】
[00123]  上記で説明したように、本発明の実施形態によって使用される様々なモデルは、製造環境の外部で生成及び／又は較正することができる。従って、それらの生成及び／又は較正はリソグラフィ装置の製造スループットに影響を及ぼさない。ＣＦＤ圧力モデルの較正は、製造露光に使用されるリソグラフィ装置において実行され、従って製造スループットに対して効果を持つ。しかしながら、較正が実行されるのは極めてまれである可能性がある。例えば較正は、多種多様な異なる予想露光スキャン長さ及び速度について、リソグラフィ装置の初期セットアップ中に１度実行され得る。このため、リソグラフィ装置のスループットに対する効果は最小限である。較正は、実行するために例えば１０分から１５分を要し得る。
【０１２５】
[00124]  所望の場合、マスクアセンブリ環境１８において生じ得るコンポーネント位置の変化等を考慮に入れるため、例えば毎月又は数か月ごとのように定期的に較正を実行することができる（しかしながら、実際にはそのような変化はほとんど又は全く生じない可能性がある）。リソグラフィ装置の保守はマスクアセンブリ環境内のコンポーネント位置に（例えば所定の公差内で）影響を及ぼすので、較正は保守後に実行することができる。
【０１２６】
[00125]  ペリクル変形モデルを生成する代替的な手法では、基板を露光して露光の特性を測定するのではなく、ペリクルＰによって生じた収差を測定するためにセンサ（図示せず）を使用することができる。センサは例えばシヤリング干渉計とすることができ、格子がパターニングされたマスクと併用することができる。シヤリング干渉計は、投影システムの像面に（例えば基板テーブルＷＴ上に）回折格子を含み、更に、回折格子の下方で瞳面に位置する撮像センサを含み得る。これは、シヤリング方向の瞳面内の座標に対して放射の位相の微分に関連付けられた干渉パターンを与える。撮像検出器は、例えば電荷結合素子（ＣＣＤ）のような検知要素アレイを含み得る。格子は、（例えば照明システムＩＬから与えられる）拡散放射を用いて照明される。一実施形態では、マスクアセンブリＭＳ及びセンサの双方にスキャン移動が実行される。センサを用いて、スキャン移動中にペリクルによって生じた放射ビームの位相の変化を測定する。測定された位相変化を用いて、スキャン移動中に生じるペリクルモデルの変形を計算することができる。圧力センサ３０を用いて、スキャン移動中の圧力を測定する。これにより、ペリクルＰによって誘発された収差を、圧力センサ３０で測定された圧力値にリンクさせることができる。
【０１２７】
[00126]  上述した本発明の実施形態において、ペリクルフィンガプリントを補償するために使用されるレンズ調整は前もって決定され、その後で基板の露光中に適用される。この手法は有利であるが、その理由は、圧力センサから受信したリアルタイムの圧力測定に基づいてリアルタイムでレンズ調整を計算することは難しい場合があるからである。これは、調整を計算するために大量の計算パワーが必要となるからであり、ペリクルフィンガプリントの補正を時間内に行うよう充分に迅速に調整を計算することが難しい場合があるからである。それにもかかわらず、これは、例えば計算を実行するために高性能コンピュータが使用される場合、及び、圧力センサ３０がコンピュータに対して充分に迅速に測定を提供できる場合は、可能であり使用することができる。
【０１２８】
[00127]  一実施形態において、ペリクルフィンガプリントを補償するため使用されるレンズ調整は定期的に再計算することができる。この再計算は、例えば製造露光中に圧力センサ３０によって取得された測定を考慮に入れるようにＣＦＤ圧力モデルを較正することを含み得る。較正済みのＣＦＤ圧力モデルからの出力はペリクル変形モデルに与えられ、レンズ調整の計算まで進む。ＣＦＤ圧力モデルの較正は定期的に実行することができる。較正は、例えば１枚の基板の露光後、多くの基板の露光後、又は複数ロットの基板の露光後に実行できる。
【０１２９】
[00128]  一実施形態において、ペリクルフィンガプリントを補償するため使用されるレンズ調整は、基板の露光中に再計算することができる。例えば基板のスキャン露光中に圧力センサから受信した測定を用いてＣＦＤモデルを較正することができ、そこからの出力を用いて、同一基板の以降のスキャン露光（例えば次に露光されるターゲットエリア、又はそのエリアの次に露光されるターゲットエリア）の際に実行されるリソグラフィ装置の調整を決定することができる。
【０１３０】
[00129]  一実施形態において、ＣＦＤ圧力モデルはペリクルＰの移動履歴を考慮に入れることができる。例えば、ペリクルは新しい基板の露光が開始する前は静止状態であり得る。その基板の露光が開始すると、マスクアセンブリＭＳの振動が発生し、この振動は約２回又は３回のスキャン露光後に安定する。この振動の効果及び最初の数回のスキャン露光中の変化の様子を、ＣＦＤ圧力モデルによって考慮することができる。
【０１３１】
[00130]  スキャン露光中にリソグラフィ装置によって適用される調整は、リソグラフィ装置に記憶することができる。あるいは、調整を遠隔で記憶し、必要な場合にリソグラフィ装置に伝達することも可能である。
【０１３２】
[00131]  ペリクルフィンガプリントを補償する調整は、リソグラフィ装置における他の収差源を補償する調整（例えば、露光中に投影システムのレンズの加熱によって生じる収差を補償する調整）と組み合わせることができる。
【０１３３】
[00132]  本発明の記載される実施形態は特定の形態のモデルを参照するが、適切な形態のモデルを用いることができる。
【０１３４】
[00133]  ペリクルフィンガプリントを補償する調整をレンズ調整に関して説明したが、リソグラフィ装置は他の調整を用いることができる。例えば、リソグラフィ装置によってスキャン露光中の基板の位置を調整することも可能である（例えば、ｚ方向のいくらかの移動を用いて焦点変化を補償することができる）。
【０１３５】
[00134]  圧力センサ３０は、製造環境に既に設置されているリソグラフィ装置に追加導入することができる。
【０１３６】
[00135]  本文書において、ペリクルの下方のガスの圧力という場合、ペリクルが特定の向きを有することが必要であると解釈するべきではない。「ペリクルの下方」という用語は、リソグラフィ装置の投影システムに面したペリクルの側を意味すると解釈するべきである。これは、ペリクルの「外側」と言うこともできる。
【０１３７】
[00136]  ペリクル変形モデルは、スキャン露光中のペリクルのｚ方向移動を出力として与える。この出力を用いて、ペリクルの有効性がｚ方向偏向によってどの程度低減するか決定することができる。ペリクル上にちり粒子（dust particle）が存在する場合、マスクの方へのｚ方向偏向によってちり粒子はリソグラフィ装置の焦点面に近付く。これがどの程度発生するかを、ペリクル変形モデルを用いて決定できる。次いで、ちり粒子のｚ方向偏向の効果を決定することができる。
【０１３８】
[00137]  本発明の態様は、適切なハードウェア及び／又はソフトウェアの使用を含む任意の好都合な方法で実施することができる。例えば、コントローラＣＴの一部を形成し得るプログラマブルデバイスを、本発明の実施形態を実施するようにプログラミングすることができる。従って本発明は、本発明の態様を実施するための適切なコンピュータプログラムも提供する。そのようなコンピュータプログラムは、タンジブルな担持媒体（例えばハードディスク、CD ROM等）及び通信信号等のタンジブルでない担持媒体を含む適切な担持媒体上に担持することができる。
【０１３９】
[00138]  本発明の特定の実施形態を上述したが、本発明は説明した以外の方法でも実施できることを理解されよう。説明は本発明を限定することを意図するものではない。
【図１】
2019521386.tif 000005
【図２】
2019521386.tif 000006
【図３】
2019521386.tif 000007
【図４】
2019521386.tif 000008
【図５】
2019521386.tif 000009
【図６】
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【図７】
2019521386.tif 000011
【図８】
2019521386.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月21日(2019.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイス及び関連するペリクルを支持するように構築された支持構造であって、前記パターニングデバイスは、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、支持構造と、
前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
を備えたリソグラフィ装置であって、
前記支持構造は筐体内に配置され、前記筐体内に圧力センサが配置されており、
前記圧力センサは、前記筐体の開口の両側に提供され、
前記開口は、前記ペリクルと前記投影システムとの間にある、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記リソグラフィ装置のスキャン方向において前記開口の各側に複数の圧力センサが提供されている、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
一連の圧力センサが提供されている、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記一連の圧力センサは、前記スキャン方向に延出する１次元アレイとして配列されている、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記マスク及びペリクルのスキャン移動中に前記投影システムと前記ペリクルとの間の前記環境内の圧力のばらつきによって生じる前記ペリクルの変形に起因した収差を補償するため、前記スキャン露光中に前記投影システムの前記レンズに調整を適用するように構成されたコントローラを更に備える、請求項１から４のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記コントローラは、前記マスク及びペリクルの前記スキャン移動中の前記投影システムと前記ペリクルとの間の前記環境内のガスの圧力のばらつきをモデル化する圧力モデルを使用し、
前記圧力モデルは、前記マスク及びペリクルのスキャン移動中に前記圧力センサから取得された圧力測定を用いて前記リソグラフィ装置について較正される、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
支持構造によって支持された２次元アレイの圧力センサを備え、更にペリクルフレーム及びペリクルを備える検知システムアセンブリであって、
前記２次元アレイの圧力センサは、前記支持構造と前記ペリクルとの間に配置され、前記ペリクルの移動によって生じる圧力変化を測定するように構成され、
前記支持構造は、従来のマスクではなく、
前記検知システムアセンブリは、従来のマスク、ペリクルフレーム、及びペリクルを備えるマスクアセンブリの外側寸法と一致する外側寸法を有する、検知システムアセンブリ。
【請求項８】
前記検知システムアセンブリの寸法は、約１５０ｍｍ×約１５０ｍｍである、請求項７に記載の検知システムアセンブリ。
【請求項９】
前記検知システムアセンブリは、約６ｍｍの厚さを有する、請求項７又は８に記載の検知システムアセンブリ。
【請求項１０】
前記検知システムアセンブリは、更に電子機器を備え、
前記電子機器は、メモリ、プロセッサ、及び送信器のうち少なくとも１つを含む、請求項７から９のいずれか一項に記載の検知システムアセンブリ。
【請求項１１】
リソグラフィ装置においてペリクル偏向を測定する方法であって、
請求項１に記載のリソグラフィ装置にマスク及びペリクルを備えるマスクアセンブリをロードすることと、
前記マスクアセンブリのスキャン移動を実行し、前記圧力センサを用いて圧力測定を取得することと、
前記スキャン移動中に発生する前記マスクアセンブリペリクルの偏向を計算することと、
を含む、方法。
【請求項１２】
リソグラフィ装置においてペリクル偏向を測定する方法であって、
前記リソグラフィ装置に請求項７に記載の検知システムアセンブリをロードすることと、
前記検知システムアセンブリのスキャン移動を実行し、前記検知システムアセンブリを用いて圧力測定を取得することと、
前記スキャン移動中に発生する前記検知システムアセンブリペリクルの偏向を計算することと、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記検知システムアセンブリペリクルの偏向は、音響ホログラフィを用いて計算される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
圧力測定は、前記検知システムアセンブリ内のメモリに記憶される、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記検知システムアセンブリが前記リソグラフィ装置内に配置されている間に前記検知システムアセンブリから圧力測定が送信される、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１６】
リソグラフィ装置を用いて基板のターゲット部分のスキャン露光を実行する方法であって、
前記リソグラフィ装置にマスク及びペリクルを備えるマスクアセンブリをロードすることと、
前記マスク及び前記関連するペリクルのスキャン移動中、及び前記基板のスキャン移動中に、放射ビームに前記マスク及び前記ペリクルを通過させることと、
前記リソグラフィ装置の投影システムを用いて前記放射ビームを前記基板の前記ターゲット部分に投影することと、
前記ペリクルの変形に起因した収差を補償するため前記スキャン露光中に前記投影システムの前記レンズに調整を適用することであって、前記ペリクルの前記変形は請求項１１から１５のいずれか一項に記載の方法を用いて前もって測定されていることと、
を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１１から１６のいずれか一項に記載の方法をコンピュータに実行させるように構成されたコンピュータ読み取り可能命令を含む、コンピュータプログラム。
【請求項１８】
プロセッサ読み取り可能命令を記憶しているメモリと、
前記メモリに記憶された命令を読み取って実行するように構成されたプロセッサと、
を備えるコンピュータであって、
前記プロセッサ読み取り可能命令は、請求項１１から１６のいずれか一項に記載の方法を実行するよう前記コンピュータを制御するように構成された命令を含む、コンピュータ。
【国際調査報告】
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2019521386.tif 000014
2019521386.tif 000015