(57)【要約】  本明細書で説明される実施形態は、広くは、基板支持アセンブリ内の基板温度モニタリングシステムに関する。一実施形態では、基板支持アセンブリが、支持プレート及び基板温度モニタリングシステムを含む。支持プレートは、基板を支持するように構成された上面を有する。基板温度モニタリングシステムは、基板支持プレート内に配置される。基板温度モニタリングシステムは、基板の下面から基板の温度を測定するように構成されている。基板温度モニタリングシステムは、ウインドウ、本体、及び温度センサを含む。ウインドウは、支持プレートの上面内に一体的に形成される。本体は、下面を通して支持プレート内に埋め込まれる。本体は、内部通路を画定する。温度センサは、ウインドウの下の内部通路内に配置される。温度センサは、基板の温度を測定するように構成されている。【選択図】図１
2019521522.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板支持アセンブリであって、
基板を支持するように構成された上面を有する支持プレート、並びに
前記基板支持プレート内に配置された基板温度モニタリングシステムであって、前記基板の下面から前記基板の温度を測定するように構成された基板温度モニタリングシステムを備え、前記基板温度モニタリングシステムが、
前記支持プレートの上面内に一体的に形成されたウインドウ、
下面を通して前記支持プレート内に埋め込まれた、内部通路を有する本体、及び
前記ウインドウの下の前記内部通路内に配置された温度センサであって、前記基板の温度を測定するように構成された温度センサを備える、基板支持アセンブリ。
【請求項２】
前記内部通路内に配置されたファイバチューブを更に備え、前記ファイバチューブが前記温度センサに接続されている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項３】
前記ファイバチューブが、前記温度センサをPIDコントローラに接続する、請求項２に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項４】
基板支持アセンブリであって、
基板を支持するように構成された上面を有する支持プレート、並びに
前記支持プレート内に配置された基板温度モニタリングシステムであって、前記基板の下面から前記基板の温度を測定するように構成された基板温度モニタリングシステムを備え、前記基板温度モニタリングシステムが、
内部空洞を画定する本体、
前記本体内に配置された開口部ナット、
前記本体内に配置され前記開口部ナットによって支持されたレンズ、
前記レンズから間隔を空けられ前記内部空洞内に配置された光ファイバチューブであって、前記レンズを通して前記基板の前記下面から赤外線を受けるように構成された光ファイバチューブ、及び
前記光ファイバチューブに接続されたコントローラであって、前記受けた赤外線に基づいて前記基板の前記温度を決定するように構成されたコントローラを備える、基板支持アセンブリ。
【請求項５】
前記レンズが、平凸レンズである、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項６】
前記開口部ナットが、前記レンズに位置合わせされた円錐形状開口部を含む、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項７】
前記支持プレートがねじ穴を更に含み、前記レンズが前記ねじ穴と位置合わせされるように、前記基板温度モニタリングシステムが前記ねじ穴の下に配置されている、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項８】
前記開口部ナットが、低放射率の材料から形成されている、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項９】
前記光ファイバチューブが、前記本体内において、画像が前記レンズによって投影される位置に配置されている、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１０】
前記開口部ナットが、前記レンズの焦点距離未満の前記レンズからの距離において位置決めされている、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１１】
前記レンズの下に位置決めされた複数のＯリングを更に備え、前記複数のＯリングが、前記光ファイバチューブを密封し、前記光ファイバチューブが洗浄剤によって冒されることを妨げるように構成されている、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１２】
処理チャンバであって、
チャンバ本体内の処理領域を画定する上壁、側壁、及び底壁を備えたチャンバ本体、及び
前記処理領域内に配置された基板支持アセンブリを備え、前記基板支持アセンブリが、
基板を支持するように構成された上面を有する支持プレートを備え、
基板温度モニタリングシステムが、前記支持プレート内に配置され、前記基板の下面から前記基板の温度を測定するように構成されている、処理チャンバ。
【請求項１３】
前記基板温度モニタリングシステムが、
前記支持プレートの上面内に一体的に形成されたウインドウ、
下面を通して前記支持プレート内に埋め込まれた、内部通路を画定する本体、及び
前記ウインドウの下の前記内部通路内に配置された温度センサであって、前記基板の前記温度を測定するように構成された温度センサを備える、請求項１２に記載の処理チャンバ。
【請求項１４】
前記基板温度モニタリングシステムが、
前記ウインドウと前記温度センサとの間に位置決めされたレンズを更に備える、請求項１３に記載の処理チャンバ。
【請求項１５】
前記基板温度モニタリングシステムが、リフトピンの形態を採り、前記基板温度モニタリングシステムが、
内部通路を画定する、丸められた頂面を有する本体、
前記内部通路内に配置された温度センサであって、前記基板の前記温度を測定するように構成された温度センサ、及び
前記丸められた頂面と一体的に形成されたキャップであって、前記温度センサの周りに位置決めされ、前記温度センサが前記本体と接触することから保護するように構成された、キャップを備える、請求項１２に記載の処理チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で説明される実施形態は、広くは、基板温度モニタリングシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ（FPD）は、一般的に、コンピュータとテレビのモニタ、携帯情報端末（PDA）、及び携帯電話、更には、太陽電池などの、アクティブマトリクス型のディスプレイのために使用される。フラットパネルディスプレイの製造において、基板上に薄膜を堆積させるために、プラズマ化学気相堆積（PECVD）が採用され得る。PECVDは、概して、真空処理チャンバ内のプラズマの中へ前駆体ガスを励起すること、及び励起された前駆体ガスから基板上に膜を堆積させることによって実現される。
【０００３】
堆積中に、真空処理チャンバ内のプラズマは、基板及び基板支持アセンブリを加熱する。プラズマは、基板支持アセンブリの温度に、一時的な温度増加又は急上昇（例えば、約３０〜５０°Ｃの増加、又は１５０°Ｃからの２０％〜３０％温度増加）をもたらし得る。基板支持アセンブリのそのような大きな温度増加は、望ましくない工程のばらつきをもたらす。
【０００４】
したがって、基板支持アセンブリのための改良された温度モニタリングシステムが必要である。
【発明の概要】
【０００５】
本明細書で開示される実施形態は、広くは、基板支持アセンブリ内の基板温度モニタリングシステムに関する。一実施形態では、基板支持アセンブリが本明細書で開示される。基板支持アセンブリは、支持プレート及び基板温度モニタリングシステムを含む。支持プレートは、基板を支持するように構成された上面を有する。基板温度モニタリングシステムは、基板支持プレート内に配置される。基板温度モニタリングシステムは、基板の下面から基板の温度を測定するように構成されている。基板温度モニタリングシステムは、ウインドウ、本体、及び温度センサを含む。ウインドウは、支持プレートの上面内に一体的に形成される。本体は、下面を通して支持プレート内に埋め込まれる。本体は、内部通路を画定する。温度センサは、ウインドウの下の内部通路内に配置される。温度センサは、基板の温度を測定するように構成されている。
【０００６】
別の一実施形態では、基板支持アセンブリが本明細書で開示される。基板支持アセンブリは、支持プレート及び基板温度モニタリングシステムを含む。支持プレートは、基板を支持するように構成された上面を有する。基板温度モニタリングシステムは、支持プレート内に配置される。基板温度モニタリングシステムは、基板の下面から基板の温度を測定するように構成されている。基板温度モニタリングシステムは、本体、開口部ナット、レンズ、光ファイバチューブ、及びコントローラを含む。本体は、内部空洞を画定する。開口部ナットは、本体内に配置される。レンズは、本体内に配置され、開口部ナットによって支持される。光ファイバチューブは、レンズから間隔を空けられ内部空洞内に配置される。光ファイバチューブは、基板の底からレンズを通して赤外線を受光するように構成されている。コントローラは、光ファイバチューブに接続されている。コントローラは、受光した赤外線に基づいて基板の温度を決定するように構成されている。
【０００７】
別の一実施形態では、処理チャンバが本明細書で開示される。処理チャンバは、チャンバ本体及び基板支持アセンブリを含む。チャンバ本体は、チャンバ本体内の処理領域を画定する上壁、側壁、及び底壁を含む。基板支持アセンブリは、処理領域内に配置される。基板支持アセンブリは、支持プレート及び基板温度モニタリングシステムを含む。支持プレートは、基板を支持するように構成された上面を有する。基板温度モニタリングシステムは、支持プレート内に配置され、基板の下面から基板の温度を測定するように構成されている。
【０００８】
本開示の上述の特徴を詳しく理解し得るように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、実施形態の一部は付随する図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態による、内部に配置された基板支持アセンブリを有する処理チャンバの断面図を示す。
【図２】一実施形態による、基板温度モニタリングシステムを明らかにする、図１の支持プレートの断面図を示す。
【図３Ａ】別の一実施形態による、基板温度モニタリングシステムを明らかにする、図１の支持プレートの断面図を示す。
【図３Ｂ】一実施形態による、基板温度モニタリングシステムの光線追跡図３５０を示す。
【図４Ａ】一実施形態による、リフトピンの形態を採る基板温度モニタリングシステムを示す。
【図４Ｂ】一実施形態による、リフトピンの形態を採る基板温度モニタリングシステムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
明瞭さのために、適用可能である場合には、図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。更に、一実施形態の要素を、本明細書に記載された他の実施形態で利用するために有利に適合させてもよい。
【００１１】
図１は、一実施形態による、少なくとも１つの温度モニタリングシステムを含む基板支持アセンブリ１１８を有する処理チャンバ１００の断面図を示している。処理チャンバ１００は、処理空間１１０を画定する側壁１０４及び底部１０６を有するチャンバ本体１０２を含み得る。処理空間１１０は、側壁１０４を通して形成された開口部１０９を通してアクセスされる。
【００１２】
シャワーヘッド１０８が、処理空間１１０内に配置される。シャワーヘッド１０８は、バッキング板１１２に連結され得る。例えば、シャワーヘッド１０８は、バッキング板１１２の端においてサスペンション１１４によってバッキング板１１２に連結され得る。１以上の連結支持体１１６が使用されて、シャワーヘッド１０８をバッキング板１１２に連結して、沈下を妨げることにおいて助けとなり得る。
【００１３】
基板支持アセンブリ１１８も、処理空間１１０内に配置される。基板支持アセンブリ１１８は、支持プレート１２０、及び支持プレート１２０に連結されたステム１２２を含む。支持プレート１２０は、処理中に基板１０１を支持するように構成されている。支持プレート１２０は、温度制御要素１２４を含む。温度制御要素１２４は、基板支持アセンブリ１１８を所望の温度に維持するように構成されている。温度制御要素１２４は、ステム１２２を通って上方へ続き、支持プレート１２０の全体の上側面の下方且つその全体にわたり延在する。
【００１４】
上述されたように、基板支持アセンブリ１１８は、内部に配置された１以上の基板温度モニタリングシステム２００、３００、及び４００を含み得る。基板温度モニタリングシステム２００、３００、及び４００は、処理中に基板１０１の温度を測定するように構成されている。基板温度モニタリングシステム２００〜４００は、比例・積分・微分（PID）コントローラ１９０に連結され得る。PIDコントローラ１９０は、基板の温度を継続的に読み取り、温度制御要素１２４に供給される冷却流体の量を調整するように構成されている。基板温度モニタリングシステム２００〜４００は、図２〜図４Ｂと併せて以下でより詳細に説明される。
【００１５】
支持プレート１２０を上昇下降させるために、リフトシステム１２６がステム１２２に連結され得る。リフトピン１２８が、基板１０１を支持プレート１２０から離間させるように支持プレート１２０を通して移動可能に配置されており、ロボットによる基板１０１の移動を容易にする。基板支持アセンブリ１１８は、RFリターン経路を基板支持アセンブリ１１８の端に設けるために、RFリターンストラップ１３０も含み得る。
【００１６】
ガス源１３２が、バッキング板１１２に連結されていて、バッキング板１１２内のガスアウトレット１３４を通して処理ガスを供給し得る。処理ガスは、ガスアウトレット１３４から、シャワーヘッド１０８内のガス通路１３６を通って流れる。真空ポンプ１１１が、チャンバ１００に連結されていて、処理空間１１０内の圧力を制御し得る。RF電源１３８が、バッキング板１１２及び／又はシャワーヘッド１０８に接続されていて、シャワーヘッド１０８にRF電力を供給し得る。RF電力は、シャワーヘッド１０８と基板支持アセンブリ１１８との間で電場を生成する。それによって、シャワーヘッド１０８と基板支持アセンブリ１１８との間でガスからプラズマが生成され得る。
【００１７】
誘導結合された遠隔プラズマ源などの遠隔プラズマ源１４０も、ガス源１３２とバッキング板１１２との間に連結され得る。基板と基板とを処理する間に、チャンバ構成要素を洗浄するための遠隔プラズマが生成され処理空間１１０の中へ供給されるように、遠隔プラズマ源１４０に洗浄ガスが供給され得る。RF電源１３８からシャワーヘッド１０８へ電力が加えられることによって、洗浄ガスは、処理空間１１０内にある間、更に励起され得る。適切な洗浄ガスは、ＮＦ３、Ｆ２、及びＳＦ６を含むが、それらに限定されるものではない。
【００１８】
図２は、一実施形態による、基板温度モニタリングシステム２００を明らかにする、図１で描かれている切断線Ｂ‐Ｂを通って支持プレート１２０から切り取られた断面図を示している。基板温度モニタリングシステム２００は、内部通路２１２及びウインドウ２０４を有する本体２０２を含む。本体２０２は、支持プレート１２０の下面１９２を通って支持プレート１２０内に埋め込まれている。図２で示されている実施形態では、本体２０２が、支持プレート１２０の中へねじ込まれた六角形の頭部を有するプラグである。１以上のシール２１０が、支持プレート１２０と本体２０２との間に位置決めされ、支持プレート１２０に対して本体２０２を密封し得る。
【００１９】
ウインドウ２０４は、支持プレート１２０の上面１９４の下方又は上面１９４と面一に位置決めされ得る。面一の／後退したウインドウ２０４は、基板１０１が支持プレート１２０上に平坦に横たわることを可能にする。ウインドウ２０４は、透明な材料から形成され得る。例えば、ウインドウ２０４は、サファイア、イットリウム、又は他の適切な材料から形成され得る。
【００２０】
基板温度モニタリングシステム２００は、温度センサ２０６及びファイバチューブ２０８を更に含む。温度センサ２０６及びファイバチューブ２０８は、本体２０２の内部通路２１２内に配置されている。温度センサ２０６は、ウインドウ２０４の下に配置され、それによって、温度センサ２０６が、処理中に基板１０１の温度を測定し得る。ファイバチューブ２０８は、温度センサ２０６をPIDコントローラ１９０に接続する。ファイバチューブ２０８と本体２０２との間にも、複数のシール２１０が位置決めされ得る。
【００２１】
図３Ａは、一実施形態による、基板温度モニタリングシステム３００を明らかにする、支持プレート１２０の断面図である。基板温度モニタリングシステム３００は、内部通路３０４を画定する本体３０２、レンズ３０６、開口部ナット３０８、及び光ファイバチューブ３１０を含む。本体３０２は、支持プレート１２０内に形成されたねじ穴３１２の下で、支持プレート１２０内に配置されている。開口部ナット３０８は、本体３０２内に配置されている。開口部ナット３０８は、レンズ３０６を適所に保持するように構成されている。開口部ナット３０８は、レンズ３０６に位置合わせされた円錐形状開口部３０９を含む。光ファイバチューブ３１０は、レンズ３０６の下で、内部通路３０４内に配置されている。例えば、光ファイバチューブ３１０は、光ファイバチューブ３１０上のSMA905コネクタを使用して、本体３０２の中へねじ込まれている。ファイバチューブ３１０は、レンズ３０６を通って基板１０１の下部から来る、焦点が合わされたIRビームを受光するように構成されている。ファイバチューブ３１０は、基板１０１の下部から放出された受光したIR光線に基づいて基板１０１の温度を決定する、PIDコントローラ１９０に接続されている。
【００２２】
一実施形態では、レンズ３０６が、基板１０１から放出されたIR光線をファイバチューブ３１０へ戻すように焦点を合わせる、平凸レンズである。ファイバチューブ３１０は、受け入れ可能円錐角度（又は開口数）要件を有する。例えば、１０００μｍのファイバは、約３０mRadの出力発散半角を有する。それは、１．７度の半円錐角度、又は３．４度の全円錐角度に対応する。基板からファイバチューブ３１０に入る光線がファイバチューブ３１０をアンダーフィル（少な過ぎる）又はオーバーフィル（多過ぎる）するならば、ファイバチューブ３１０を通る透過は影響を受け、したがって、検出器は、誤った温度表示（すなわち、低い信号対雑音比）を読み取ることとなる。レンズ３０６は、ファイバチューブ３１０に入るIR光線が、ファイバチューブ３１０の受け入れ可能円錐の範囲内にあることを確実にすることによって、IR透過率を高める。更に、支持プレート１２０内に形成されたねじ穴３１２は、円錐形状の端３１４を有する。円錐形状の端３１４は、基板から来るIRビームのクリッピング（切り取り）を妨げるように構成されている。穴３１２が純粋に垂直であるならば、基板１０１から来る光線はクリッピングされることとなり、したがって、信号の損失をもたらし得る。
【００２３】
レンズ３０６は、透明な材料から形成され得る。例えば、一実施形態では、レンズ３０６が、MgF2（フッ化マグネシウム）、CaF2（フッ化カルシウム）、BaF2（フッ化バリウム）、又はYr2O3（結晶性イットリア）から形成され得る。レンズ３０６の材料は、CVDプロセスで使用される強い洗浄剤（例えば、非常に腐食し易いNF3洗浄剤）から防御するための十分な化学的ロバスト性を提供する。ファイバチューブ３１０をNF3に直接的に曝すと、徐々にファイバチューブ３１０がエッチングされて取り去られ、したがって、経時的に信号透過の効果を低減させる。更に、レンズ３０６の材料は、関心の対象の波長（すなわち、５〜１５μｍ）において高められた透過特性を示す。したがって、レンズ３０６は、赤外線放射透過アモルファス材料（AMTIR）から製造された従来のレンズと比較して優れた性能を有する。AMTIRは、化学的安定性が劣り（すなわち、経時的にNF3によってエッチングされることとなり）、更に、そこからレンズ３０６が製造されるところの材料（同じ波長範囲内で約９３％の透過率を有する）に反して、より劣った全体透過率（約７０％）を有する。
【００２４】
開口部ナット３０８内の開口部は、入射光線の開口数を低減させ、ファイバの受け付けコード（acceptance code）内の画像側光線の開口数を維持するように構成されている。Ｏリング３１６は、レンズ３０６の下に位置決めされている。Ｏリング３１６は、ファイバチューブ３１０を密封し、したがって、ファイバチューブ３１０がNF3洗浄剤によって冒されることを妨げる。開口部ナット３０８は、Ｏリング３１６をそれらの溝の中へ押し込むための圧縮力を提供するようにも構成されている。
【００２５】
開口部ナット３０８は、低放射率の研磨された材料から形成される。プロセス中に支持プレート１２０が熱くなったときに、本体３０２及び開口部ナット３０８も熱くなり得るので、低放射率の材料は、基板温度モニタリングシステム３００の能力を高める。熱い物体は、特定の温度でIR放射を放出する傾向がある。これらのIR光線は、光ファイバチューブ３１０によって収集され、誤った温度の測定値をもたらし得る。したがって、低放射率の材料は、開口部ナット３０８がたくさんの熱を放射しないだろうことを保証する。
【００２６】
図３Ｂは、図３Ａの基板温度モニタリングシステム３００の光線追跡図３５０を示している。ポイントＡは、基板１０１の下面である物体の位置を示している。ポイントＢは、開口部ナット３０８内の開口部の位置を示している。開口部ナット３０８内の開口部は、物体の開口数、及びしたがって画像の開口数を制限するために使用される。ポイントＣは、レンズ３０６の位置を示している。ポイントＤは、画像の位置を示している。光ファイバチューブ３１０は、ポイントＤに位置決めされている。レンズ３０６から現れるビームの開口数は、光ファイバチューブ３１０の開口数と一致するべきである。ポイントＥは、ポイントＤに隣接した光ファイバチューブ３１０の位置を示している。ポイントＦは、物体側のレンズ３０６の焦点の位置を示している。ポイントＧは、画像側のレンズ３０６の焦点の位置を示している。ポイントＨ及びＪは、レンズ３０６の主表面を示している。ポイントＢにおける開口部が、ポイントＦにおける物体側の焦点とポイントＨにおける第１の主表面との間に配置される。そうすることによって、開口部は、レンズ３０６の後ろに虚像（virtual image）を生成することとなり、したがって、温度の測定値を改良する。
【００２７】
図４Ａ及び図４Ｂは、一実施形態による、リフトピン１２８の形態を採る基板温度モニタリングシステム４００を示す。図４Ａは、リフトピン１２８の断面図を示している。リフトピン１２８は、内部通路４０４を有する本体４０２を含む。本体４０２は、使用されるときに基板と接触するための丸められた頂面４０６を含み得る。
【００２８】
リフトピン１２８は、温度センサ４０８、ファイバチューブ４１０、及びキャップ４１２を更に含む。温度センサ４０８は、本体４０２の内部通路４０４内に配置され得る。キャップ４１２は、頂面４０６と一体的に形成され得る。キャップ４１２は、温度センサ４０８の周りに位置決めされ、それによって、キャップ４１２が、温度センサ４０８を基板１０１又は本体４０２と接触することから保護する。図４Ａ〜図４Ｂで示されているものなどの一実施形態では、キャップ４１２が、温度センサ４０８の全体の長さＬだけ下へ延在し得る。キャップ４１２は、アルミニウムなど導電性材料から形成され得る。ファイバチューブ４１０は、内部通路４０４内に配置されている。ファイバチューブ４１０は、温度センサ４０８をコントローラ１９０に接続するように構成されている。
【００２９】
動作中、リフトピン１２８は、基板１０１をリフトピン１２８の頂面４０６と接触させることによって、基板１０１を支持プレート１２０の上面１９４から離すように持ち上げるように構成されている。リフトピン１２８の頂面４０６は丸められているので、キャップ４１２は、基板１０１の下面と接触する頂面４０６の一部分である。温度センサ４０８は、リフトピン１２８が基板１０１と接触しているときに、基板１０１の温度を測定するように構成されている。
【００３０】
別の一実施形態では、本体４０２が、本体４０２の一側部内に形成された開口部４１４を含み得る。開口部４１４は、ファイバチューブ４１０が、側部を通ってリフトピン１２８を出て、温度センサ４０８をPIDコントローラ１９０に接続することを可能にする。これは、例えば、基板支持アセンブリ１１８が下降し、リフトピン１２８が、ピン１２８の下端において別の１つの物体、例えば、チャンバ１００の底面１０６と接触することによって変位するときに、ファイバチューブ４１０が損傷を受けないことを保証する。基板支持アセンブリ１１８は、移送位置まで下降する。
【００３１】
基板温度モニタリングシステム４００は、基板１０１の温度を測定し制御する接触方法を提供する。
【００３２】
これまでの記述は、特定の実施形態を対象としているが、その基本的な範囲から逸脱しなければ他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、その範囲は、下記の特許請求の範囲によって定められる。
【図１】
2019521522.tif 000003
【図２】
2019521522.tif 000004
【図３Ａ】
2019521522.tif 000005
【図３Ｂ】
2019521522.tif 000006
【図４Ａ】
2019521522.tif 000007
【図４Ｂ】
2019521522.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月22日(2019.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板支持アセンブリであって、
基板を支持するように構成された上面を有する支持プレート、並びに
前記基板支持プレート内に配置された基板温度モニタリングシステムであって、前記基板の下面から前記基板の温度を測定するように構成された基板温度モニタリングシステムを備え、前記基板温度モニタリングシステムが、
前記支持プレートの上面内に一体的に形成されたウインドウ、
下面を通して前記支持プレート内に埋め込まれた、内部通路を有する本体、及び
前記ウインドウの下の前記内部通路内に配置された温度センサであって、前記基板の温度を測定するように構成された温度センサを備える、基板支持アセンブリ。
【請求項２】
前記内部通路内に配置されたファイバチューブを更に備え、前記ファイバチューブが前記温度センサに接続されている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項３】
前記ファイバチューブが、前記温度センサをPIDコントローラに接続する、請求項２に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項４】
基板支持アセンブリであって、
基板を支持するように構成された上面を有する支持プレート、並びに
前記支持プレート内に配置された基板温度モニタリングシステムであって、前記基板の下面から前記基板の温度を測定するように構成された基板温度モニタリングシステムを備え、前記基板温度モニタリングシステムが、
内部空洞を画定する本体、
前記本体内に配置された開口部ナット、
前記本体内に配置され前記開口部ナットによって支持されたレンズであって、前記開口部ナットが前記開口部ナットの上部分内に形成された円錐形状開口部を含み、前記円錐形状開口部が前記レンズに被さり且つ位置合わせされている、レンズ、
前記レンズから間隔を空けられ前記内部空洞内に配置された光ファイバチューブであって、前記レンズを通して前記基板の前記下面から赤外線を受けるように構成された光ファイバチューブ、及び
前記光ファイバチューブに接続されたコントローラであって、前記受けた赤外線に基づいて前記基板の前記温度を決定するように構成されたコントローラを備える、基板支持アセンブリ。
【請求項５】
前記レンズが、平凸レンズである、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項６】
前記支持プレートが穴を更に含み、前記レンズが前記穴と位置合わせされるように、前記基板温度モニタリングシステムが前記穴の下に配置されている、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項７】
前記開口部ナットが、低放射率の材料から形成されている、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項８】
前記光ファイバチューブが、前記本体内において、画像が前記レンズによって投影される位置に配置されている、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項９】
前記開口部ナットが、前記レンズの焦点距離未満の前記レンズからの距離において位置決めされている、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１０】
前記レンズの下に位置決めされた複数のＯリングを更に備え、前記複数のＯリングが、前記光ファイバチューブを密封し、前記光ファイバチューブが洗浄剤によって冒されることを妨げるように構成されている、請求項４に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１１】
処理チャンバであって、
チャンバ本体内の処理領域を画定する上壁、側壁、及び底壁を備えたチャンバ本体、並びに
前記処理領域内に配置された基板支持アセンブリを備え、前記基板支持アセンブリが、
基板を支持するように構成された上面を有する支持プレート、並びに
前記支持プレート内に配置された基板温度モニタリングシステムであって、前記基板の下面から前記基板の温度を測定するように構成された基板温度モニタリングシステムを備え、前記基板温度モニタリングシステムが、
内部空洞を画定する本体、
前記本体内に配置された開口部ナット、
前記本体内に配置され前記開口部ナットによって支持されたレンズであって、前記開口部ナットが前記開口部ナットの上部分内に形成された円錐形状開口部を含み、前記円錐形状開口部が前記レンズに被さり且つ位置合わせされている、レンズ、
前記レンズから間隔を空けられ前記内部空洞内に配置された光ファイバチューブであって、前記レンズを通して前記基板の前記下面から赤外線を受けるように構成された光ファイバチューブ、及び
前記光ファイバチューブに接続されたコントローラであって、前記受けた赤外線に基づいて前記基板の前記温度を決定するように構成されたコントローラを備える、処理チャンバ。
【請求項１２】
前記レンズが、平凸レンズである、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【請求項１３】
前記支持プレートが穴を更に含み、前記レンズが前記穴と位置合わせされるように、前記基板温度モニタリングシステムが前記穴の下に配置されている、請求項１２に記載の処理チャンバ。
【請求項１４】
前記光ファイバチューブが、約３０mRadの出力発散半角を有する、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【国際調査報告】
2019521522.tif 000009
2019521522.tif 000010