(57)【要約】  インターコネクタ材のヤング率を低減させ、該コネクタ材でシリコン系セルを接続したときセルの反りの発生を防止すること、また、前記コネクタ材で太陽電池のセルを接合したとき、電池の使用時に発生する熱サイクルでコネクタが破損することのないコネクタを提供する。太陽電池用インターコネクタ材であって、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材である。また、その製造方法は無酸素銅又はタフピッチ銅を鋳造し、再熱し、熱間圧延の終了パス温度を５００℃以下として熱間圧延し、次いで８０〜９５％の圧延率の冷間圧延、温度２００〜６００℃で３０分の再結晶熱処理し、スリット加工を施し、太陽電池用インターコネクタ材を製造することを特徴とする。
2012018079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材であって、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項２】
請求項１において、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が４０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１００ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項３】
請求項１において、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が６０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が９０ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項４】
太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材であって、圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が２０〜９５％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項５】
太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材であって、圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が１０〜９５％、（１１１）面の面積率が１０％以下、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項６】
無酸素銅又はタフピッチ銅を鋳造し、再熱し、熱間圧延の終了パス温度を５００℃以下として熱間圧延し、次いで８０〜９５％の圧延率の冷間圧延、温度２００〜６００℃で３０分の再結晶熱処理し、スリット加工を施し、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下の太陽電池用インターコネクタ材を製造することを特徴とする太陽電池用インターコネクタ材の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記熱間圧延後の結晶粒径を１００μｍ以下とし、０．２％耐力が１３０ＭＰａ以下である太陽電池用インターコネクタ材を製造することを特徴とする太陽電池用インターコネクタ材の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、前記冷間圧延における１パスの圧延率が４０％以下である太陽電池用インターコネクタ材の製造方法。
【請求項９】
無酸素銅又はタフピッチ銅の丸線材を連続鋳造し、伸線加工し、７０〜９５％の丸線圧延を行い平角線とし、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１３０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材を製造することを特徴とする太陽電池用インターコネクタ材の製造方法。
【請求項１０】
太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタであって、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材の少なくとも一面に、半田メッキ層が形成されていることを特徴とする太陽電池用インターコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の太陽電池（セル）からなる太陽電池モジュールにおいて、セル間を接続する配線材として適した太陽電池用インターコネクタ材及びその製造方法に関するものである。
また、本発明は複数のセルからなる太陽電池モジュールにおいて、セル間を接続するのに適した太陽電池用インターコネクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽電池を利用した発電方式が環境への負荷が少ない方式として着目され、様々な分野で広く利用され、普及が進んでいる。太陽電池モジュールは、シリコン等の半導体の薄板材からなるセルを複数枚配置し、これらのセルが太陽電池用インターコネクタによって電気的に接続された構成となっている。【０００３】
セル間を電気的に接続するインターコネクタとしては、例えば特許文献１に示すように、無酸素銅やタフピッチ銅からなる銅平角線の外周に半田メッキ層が形成されたものが広く使用されている。この半田メッキ層を介してセルに接続されている。【０００４】
太陽電池用インターコネクタとセルとの半田付け工程においては、太陽電池用インターコネクタとシリコン系半導体で作られるセルは、半田材を融点以上に昇温して融解させた後、常温にまで冷却する。この時、シリコン系半導体で作られたセルの熱膨張係数と純銅やタフピッチ銅で作られた太陽電池用インターコネクタの熱膨張係数が異なるため、冷却時にセルと太陽電池用インターコネクタとの間に熱応力が生じる。この熱膨張係数の差に基づく熱応力によりセルに反りや割れが発生する問題が生じている。
特に、セルのコストを低減させるために、セルを薄くしたい場合に、この問題は顕著に現れる。【０００５】
この問題を解決するために特許文献１では、導体である純銅の結晶粒を粗大化し、軟質化させることで、接合するセルの半田接合時における反りの低減を図っている。しかし、セルの薄肉化の要求が高くなっており、結晶粒径を粗大化し軟質化させることのみでは、インターコネクタ材の熱応力を低減させることは、困難になりつつある。
また、導体を軟質化させた場合に、その後工程である半田めっき工程、スリット工程、巻き取り工程において、インターコネクタ材が軟らかくなりすぎて線が切れたり、形状が変化したり、長手方向における特性のバラつきが大きくなり、製造歩留まりが低下する課題が指摘されている。このように製造過程での歩留まりが低下するとインターコネクタ材のコストが高くなる問題も生じる。【０００６】
更に、インターコネクタ材が低耐力となり、この低耐力のインターコネクタ材を使用してセル間を接続し太陽電池として使用すると、使用中にインターコネクタ材は熱サイクルによる繰り返し応力を受け、破断しやすくなるといった問題が生じる。
上記理由により、インターコネクタ材の強度を下げずにシリコン系セルの熱膨張係数に近似する熱膨張係数を有するインターコネクタ材が求められている。そして、かかるインターコネクタ材を使用してセル間を接続し、太陽電池としての使用中に熱サイクルを繰り返し受けても、破断するおそれがないインターコネクタが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−０５４３５５号公報
【特許文献２】特開２００８−１６８３３９号公報
【特許文献３】特開２００９−０１６５９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
熱応力は、一般的に次の式で表される。
σ＝Ａ×Ｅ×α×ΔＴ
ただし、σは熱応力であり、
Ａは面積であり、
Ｅはヤング率であり、
αは熱膨張係数であり、
ΔＴは温度差である。
上式によれば、ヤング率Ｅを低下させることができれば、熱応力σが比例して減少することが分かる。【０００９】
これまでに導体として純銅を用いた太陽電池用インターコネクタ材料において、ヤング率を制御し、熱応力を低減させる、との発想はなされていない。これは従来、ヤング率を低減させることが困難とされてきたためである。本発明者（等）はヤング率を低減させるために種々の検討を行った結果、集合組織の制御により、ヤング率の値を制御することに成功し、本発明に到達した。
なお、塑性加工された多結晶金属はその内部で結晶学的な変化が起きており、それを集合組織の形成という。集合組織とは、金属が圧延や線引きなどの塑性加工を受けると、個々の結晶粒が加工方向に進んで、特定の結晶面だけが規則的に配列することをいう。
太陽電池用インターコネクタ材において集合組織を制御し、材料強度のばらつきを低減した例としては特許文献２が知られている。この特許文献２では圧延方向に対して直交する面における（２１１）面を制御することで強度のばらつきを低減している。
また、太陽電池用インターコネクタ材において集合組織を制御し、耐力を低減させた例として特許文献３が知られている。特許文献３では、圧延方向に対して直交する面における（１１４）面、（１１２）面を制御することで耐力を低減させている。【００１０】
しかしながら特許文献２、３に開示されている技術は、主方位が圧延方向に対して直交する面における（２１１）面、（１１４）面、（１１２）面であり、ヤング率を低下させる方位ではなく、ヤング率については解析していない。
また、これらの特許文献２、３ではX線回折により集合組織を解析している。しかし、X線回折では特定の面方位のみの情報しか得られないため、さまざまな結晶方位粒で構成されている多結晶銅材料については、Ｘ線回折では厳密に集合組織を制御することはできていない。【００１１】
本発明者（等）は、ＥＢＳＤ（Electron Back Scattered Diffraction Pattern）を用いて、集合組織を詳細に解析し、ヤング率を低減させることができる結晶方位粒を集積させる手法を確立し、本発明を完成させるに至った。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、物理定数であるヤング率に着目し、鋭意検討の結果、インターコネクタ材のヤング率を低減させることで、複数の系セルをインターコネクタ材で半田接続したときの熱応力を減少させ、セルの反りの発生を防止することに成功したものである。
また、本発明はインターコネクタ材で作製したコネクタで太陽電池セルを接合するので、太陽電池の使用時に発生する熱サイクルで破損することのない、インターコネクタを提供することができる。【００１３】
好ましくは、本発明の太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材は、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下の銅平角線である。【００１４】
さらに好ましくは、本発明の太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材は、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が４０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１００ＧＰａ以下の銅平角線である。【００１５】
また好ましくは、本発明の太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材は、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が６０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が９０ＧＰａ以下の銅平角線である。【００１６】
また好ましくは、本発明の太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材は、圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が２０〜９５％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下の銅平角線である。【００１７】
また好ましくは、本発明の太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材は、圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が１０〜９５％、（１１１）面の面積率が１０％以下、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下の銅平角線である。【００１８】
本発明の太陽電池用インターコネクタ材の製造方法は、無酸素銅又はタフピッチ銅を鋳造し、再熱し、熱間圧延の終了パス温度を５００℃以下として熱間圧延し、次いで８０〜９５％の圧延率の冷間圧延、温度２００℃〜６００℃で３０分の再結晶熱処理し、スリット加工を施す製造方法である。該製造方法で、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下の太陽電池用インターコネクタ材を製造する。【００１９】
本発明の太陽電池用インターコネクタ材の製造方法は、無酸素銅又はタフピッチ銅を鋳造し、再熱し、熱間圧延の終了パス温度を５００℃以下として熱間圧延して熱間圧延後の結晶粒径を１００μｍ以下とし、次いで８０〜９５％の圧延率で冷間圧延し、温度２００℃〜６００℃で３０分の再結晶熱処理し、スリット加工を施す製造方法である。該製造方法で、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１３０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である太陽電池用インターコネクタ材を製造する。【００２０】
前記太陽電池用インターコネクタ材の製造方法において、前記冷間圧延における１パスの圧延率は４０％以下とすることが好ましい。【００２１】
本発明の太陽電池用インターコネクタ材の製造方法は、無酸素銅又はタフピッチ銅の丸線材を連続鋳造し、伸線加工し、７０〜９５％の丸線圧延を行い平角線とする製造法である。該製造方法で、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１３０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材を製造する。【００２２】
本発明の太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタは、平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材の少なくとも一面に、半田メッキ層が形成されている太陽電池用インターコネクタである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の太陽電池用インターコネクタ材によれば、通常の純銅系材料と比べてヤング率が低い無酸素銅又はタフピッチ銅で構成されているので、半田接合時の熱応力を低減させることができ、セルの割れや反りを抑制することが可能となる。
本発明は、インターコネクタ材で作成したコネクタで太陽電池セルを接合するので、太陽電池の使用時に発生する熱サイクルでコネクタが破損することがなく、経年使用可能な太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は本発明のインターコネクタ材の第１実施の形態としての平角銅の条（ストリップ）を示す図である。
【図２】図２は本発明の製造方法の第１実施の形態を示す図である。
【図３】図３は本発明のインターコネクタ材の他の実施の形態として丸棒銅を示す図である。
【図４】図４は本発明の製造方法の第２実施の形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明は、銅合金材料の結晶方位とヤング率の関係に着目し、開発されたものである。
本発明者（等）は先ず、純銅の単結晶を用いて、さまざまな結晶方位のヤング率を測定した。その結果、圧延方向に対して直交する面における（１１１）面はヤング率が高く、（１００）面と（１０２）面はヤング率が低いことを確認した。次いで、太陽電池用インターコネクタ材の圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面および（１１１）面の面積率を制御する手法を見出した。
【００２６】
好ましくは、本発明の太陽電池モジュール用インターコネクタ材は、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％の銅導体からなる。
圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％の銅導体に規定するのは、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０％以下ではヤング率が所望の値まで減少せず、９０％を超えると結晶粒径が粗大になり疲労特性が低下するためである。特に圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率はヤング率と疲労特性の両立の点から４０〜９０％とすることが好ましく、さらに６０〜９０％とすることが特に好ましい。
【００２７】
また、好ましくは、本発明の太陽電池モジュール用インターコネクタ材は、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線である。
０．２％耐力が１５０ＭＰａ以上では材料強度が高すぎるため半田接続時に反りが発生する不具合があり、特に半田接続時の反りを減少する、との理由から１３０ＭＰａ以下とすることが好ましい。
ヤング率が１１０ＧＰａ以上では半田接続時の熱応力が高くセルに反りが発生する不具合が生じる。なお、熱応力減少の観点からヤング率は１００ＧＰａ以下、特には９０ＧＰａ以下であることが好ましい。
【００２８】
本発明の太陽電池用インターコネクタ材は、圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が１５〜９５％、である。圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）方位の合計の面積率を１５〜９５％に規定するのはヤング率を小さくするためで、特に上限を９０％以下、下限を２０％以上とすることが疲労特性向上とヤング率低減の両立のために特に好ましい。圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が１５％以下では半田接続時にセルに反りが生じる不具合があり、９５％以上では疲労特性が悪化する不具合があるからである。
【００２９】
また、圧延方向に対して直交する面における（１１１）面の面積率を１０％以下とする。１０％以下とするのはヤング率を低下させるためであり、１０％以上ではヤング率が大きくなり半田接続時にセルに反りが生じる不具合があるためである。
【００３０】
本発明に係る太陽電池用インターコネクタ材の製造方法は、薄板とした銅板を適宜な幅にスリットする方法か、丸線（荒引き線）を丸線或いは平角線に圧延する方法のどちらでも良い。インターコネクタ材の形状は特に限定する必要はないが、半田接続性の観点から平角形状であることが望ましい。ここで、「圧延方向に対して直交する面」とは、インターコネクタ材の長手方向に垂直な面（すなわち横断面）である。
【００３１】
製造方法に関して、まず図１に図解したスリット材から説明する。
本発明に係る太陽電池用インターコネクタ材は、図２に示すように、鋳造工程Ｓ１、再熱処理工程Ｓ２、熱間圧延工程Ｓ３、冷間圧延工程Ｓ４、熱処理工程Ｓ５、スリット工程Ｓ６を経て製造される。熱処理工程Ｓ５と冷間圧延工程Ｓ４は所望の集合組織となるように複数回繰り返されても良い。
図３に図解した丸棒からインターコネクタ材の製造方法は、図４に図解のように、鋳造工程Ｓ１１、再熱処理工程Ｓ１２、熱間押出工程Ｓ１３、冷間圧延工程Ｓ１４、熱処理工程Ｓ１５、を行う。
熱間押出工程Ｓ１３において、丸棒の直径８ｍｍまで、最終押出は５００℃以下で行う。
【００３２】
本発明の太陽電池用インターコネクタ材は、無酸素銅またはタフピッチ銅で製造する。
本発明の導体を無酸素銅又はタフピッチ銅に限定する理由は、インターコネクタ材の抵抗率が高いと太陽電池の発電効率が低下するためである。
インターコネクタ材に無酸素銅やタフピッチ銅と比べて高強度や耐熱性が求められる場合は、適宜若干の添加元素を加えることで改善を図ってもよい。若干の添加元素を加えるか否かはインターコネクタ材の使用環境によって求められる導電率、強度、疲労特性などから総合的に判断して決定する。
【００３３】
無酸素銅またはタフピッチ銅に加える添加元素は、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐ、Ａｇなどがある。添加量はＺｎ：０．０１〜１．０質量％、Ｐｂ：０．０１〜１．０質量％、Ｆｅ：０．０１〜３．０質量％、Ｓｎ：０．１〜３．０質量％、Ｐ：０．００１〜１．０質量％、Ａｇ：０．０１〜１．０質量％の範囲内で一つもしくはそれ以上の元素の組み合わせで添加すればよい。このような元素を添加することで、強度および耐熱性が改善される効果がある。
なお、上記する効果を期待しないで済む場合は添加元素を省略することができる。
【００３４】
太陽電池用インターコネクタ材としての組織が所望の集合組織となるように、各工程の条件を規定する必要がある。
本発明では無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造（図２、Ｓ１）後、７００〜９５０℃に再熱（図２、Ｓ２）し、熱間圧延の終了温度を５００℃以下で熱間圧延する（図２、Ｓ３）。
本発明では、熱間圧延工程の最終パスを５００℃以下で行うことにより、熱間圧延後の結晶粒径を１００μｍ以下とする。結晶粒径を１００μm以下とするのは、再結晶熱処理（Ｓ５）において圧延方向に対して直交する面における（１００）面や（１０２）面の面積率を増加させるためであり、熱間圧延後の結晶粒径が１００μｍを超える場合には、再結晶熱処理において圧延方向に対して直交する面における（１００）面や（１０２）面の面積が減少し、（１１１）面や（１１０）面が増加し、ヤング率が高くなる不具合が発生するためで、好ましくない。
【００３５】
本発明では熱間圧延後、８０〜９５％の圧延率の冷間圧延を施す（図２、Ｓ４）。
冷間圧延工程では、圧延時の１パスの圧延率が重要となる。１パスの圧延率が高すぎるとせん断変形が加わるため、熱処理後に圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面が発達しにくく、（１１１）面や（１１０）面が増加しやすい圧延集合組織となり、本発明の範囲外となる確率が高くなるためである。
１パスの圧延率は４０％以下とし、好ましくは２０％以下とすることが望ましい。
また、熱処理前の銅導体に対して冷間圧延率の合計は８０％以上であることが望ましい。８０％以下では、熱処理後の再結晶集合組織において、圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面が成長せず、（１１１）面や（１１０）面が成長しやすい圧延集合組織となるためである。なお、圧延率を９５％以上とすると圧延方向に対して直交する面における（１００）面が成長しすぎるために疲労特性が悪化することになり好ましくない。なお、せん断変形を減少させるために、圧延時に使用する潤滑油の種類や量を調整し、あるいは圧延速度を調整することも有効である。
【００３６】
また、冷間圧延の途中に中間焼鈍を施しても良い。ただし、中間焼鈍を施す場合は、再結晶熱処理前の冷間圧延（Ｓ４）の加工率の合計を８０％以上とし、１パスの圧延率は４０％以下とする。
冷間圧延後の熱処理（Ｓ５）は、２００〜６００℃で５分〜１８０分が望ましい。熱処理温度が低すぎ、または熱処理時間が短すぎると、再結晶が生じず、加工組織が残存し、圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面が成長しない。熱処理温度が高すぎ、または熱処理時間が長すぎる場合は結晶粒が粗大化し、太陽電池用インターコネクタ材として使用したときに導体にクラックが発生するおそれがある。
【００３７】
次に、図３に図解した丸線（荒引き線）から製造する場合を説明する。
溶融した無酸素銅又はタフピッチ銅をベルト＆ホイール法、双ベルト法、アップキャスト法で、あるいは鋳塊を熱間押出し法等によって直径約８ｍｍの線材（荒引き線）とする。
直径約８ｍｍの無酸素銅またはタフピッチ銅の丸線を所定の直径まで線引き加工し、その後圧延し平角形状の線材とした後、再結晶を伴う熱処理を実施する。また、線引き途中および圧延途中に中間焼鈍を施しても良い。
線引き加工する際の１パスの減面率は４０％以下とする。１パスの減面率が高すぎると、線引き加工の変形が通常の平面ひずみ応力による変形とならず、せん断応力による変形が加わり、線引きの加工集合組織が所望の集合組織とならず、熱処理後の再結晶集合組織が圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面が増加せず、（１１１）面や（１１２）面などが増加するためである。なお、せん断変形を減少させるために、圧延時に使用する潤滑油の種類や量を調整し、あるいは加工速度を調整することも有効である。
【００３８】
丸線を所定の直径まで線引き加工した後、所定の厚さまで圧延し、銅平角線とする。
ここでの圧延条件は前記スリット材の製造条件と同じであるので詳細な説明は省略するが、圧延率を7０〜９５％の範囲内で実施する必要がある。スリット材と丸線圧延材で、適切な圧延率が異なる理由は、圧延前の集合組織がスリット材と丸線圧延材とでは異なるためである。
なお、圧延の途中で中間焼鈍を入れることは、圧延方向に対して直交する面における（１００）面や（１０２）面を増加させることに有効である。ただし、中間焼鈍を施す場合、その熱処理条件は、１００〜５００℃で５〜３０分とすることが望ましい。熱処理温度が低すぎると中間焼鈍の効果が得られず、温度が高すぎると、その後の冷間圧延、熱処理において圧延方向に対して直交する面における（１００）面や（１０２）面の面積が減少する。
【００３９】
圧延後の熱処理は、２００〜６００℃で５分〜１８０分が望ましい。熱処理温度が低すぎる、または熱処理時間が短すぎると、再結晶が生じず、加工組織が残存し、（１００）面および（１０２）面が成長しない。熱処理温度が高すぎる、または熱処理時間が長すぎると、結晶粒が粗大化し、太陽電池用インターコネクタ材として使用したときに導体にクラックが発生する恐れがある。
【００４０】
銅平角線の集合組織の（１００）面の面積率の測定は、ＳＥＭ−ＥＢＳＤ法（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂａｃｋ  Ｓｃａｔｔｅｒｅｄ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  Ｐａｔｔｅｒｎ法）、即ち、ＳＥＭによる電子顕微鏡組織を、ＥＢＳＤを用いて測定することができる。
本発明では、結晶粒を４００個以上含む範囲を、１μｍのステップでスキャンし、方位を解析した。なお、これらの方位分布は板厚方向に変化しているため、板厚方向に何点か任意に結晶粒をとって測定し、その平均をとることによって求めた。
すなわち、ＳＥＭ画面上にあらわれる個々の結晶粒に電子ビームを照射し、その回折電子から個々の結晶方位を同定する。
【００４１】
本明細書における結晶方位の表示方法は、材料の圧延方向に向いている領域の割合を、その面積率で規定したものである。測定領域内の結晶粒の（１００）面、（１０２）面などの面の法線と圧延方向の二つのベクトルのなす角の角度を計算し、この角度が１０°未満の原子面を有するものとについて面積を合計し、これを全測定面積で除して得た値を（１００）面、（１０２）面と圧延方向のなす角の角度が１０°未満である原子面を有する領域の面積率（％）とした。
すなわち、本発明において、平角線の圧延方向に向く原子面の集積に関し、（１００）面、（１０２）面などの法線と圧延と圧延方向のなす角の角度が10°未満である原子面を有する領域とは、平角線の圧延方向に向く、理想方位である平角線の圧延方向を法線とする（１００）面、（１０２）面などの面自体と、（１００）面、（１０２）面などの面の法線と圧延方向のなす角度の角度が１０°未満である原子面のそれぞれとを合わせた領域の合計をいう。
【００４２】
本発明においてＥＢＳＤ測定にあたっては、鮮明な菊地線回折像を得るために、機械研磨の後に、コロイダルシリカの砥粒を使用して、基体表面を鏡面研磨した後に、測定を行った。
【００４３】
平角線にセルとの接続を考慮してその外周に半田層を設ける。半田層は溶融した半田浴の中に平角線を通線することによって施す。半田はＳｎ系半田を用いることができる。第２成分としてＰｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｕ、を０．１質量％以上添加するものが挙げられるが、環境汚染防止のためにＰｂフリーのＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎなどが望ましい。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
本実施例は、銅平角線を無酸素銅とタフピッチ銅の２種類の純銅で作製した。作製は圧延銅板をスリットする製法と丸線を圧延する製法の２種類で実施した。【００４５】
実施例１〜７４
実施例１〜３７は無酸素銅を、実施例３８〜７４はタフピッチ銅を鋳造後、９００℃で３０分の均質化処理（再熱）を施して（図２、Ｓ２）熱間圧延を行った（図２、Ｓ３）。熱間圧延の最終パス温度は表１又は表２に示すように４００℃、５００℃で行った。熱間圧延後、水冷、面削を行い、板厚１０ｍｍの銅板を得た。その後、1パスの圧延率を表１又は表２に示すように１０〜４０％で冷間圧延を行い、合計の冷間圧延率が８０％以上の冷間圧延を行い、板厚０．２ｍｍとした。冷間圧延後、表１又は表２に示すように２００℃、４００℃、６００℃で３０分の再結晶熱処理を行った。その後、幅２ｍｍにスリットし、２０μｍの半田めっきを施し供試材とした。【００４６】
比較例１〜１２
比較例１〜６は無酸素銅を、比較例７〜１２はタフピッチ銅を鋳造後、９００℃で３０分の再熱を施して熱間圧延、面削、冷間圧延、再結晶熱処理を行った。熱間圧延の最終パス温度、冷間圧延の１パスの圧延率を表１又は表２に示す条件とした以外は実施例１〜７４と同様に加工し、２０μｍの半田めっき線を製造し供試材とした。【００４７】
実施例７５〜９８
実施例７５〜８６は無酸素銅からなる丸線（荒引き線）を平角線に加工し、実施例８７〜９８はタフピッチ銅からなる丸線（荒引き線）を平角線に加工した。
直径２．６ｍｍの丸線を直径０．７〜１．３ｍｍまで線引き加工を施した。線引き加工は１パスの加工率を表３、４に示すように１０〜４０％で行った。その後、冷間圧延を行い、板厚０．２ｍｍの平角線とした。冷間圧延後、表３又は表４に示すように２００℃、４００℃、６００℃で３０分の再結晶熱処理を行い、厚さ２０μｍの半田めっきを施し供試材とした。【００４８】
比較例１３〜１８
比較例１３〜１５は無酸素銅を、比較例１６〜１８はタフピッチ銅からなる丸線を平角線に加工した。
直径２．６ｍｍの丸線を直径０．７ｍｍまで線引き加工を施した。線引き加工の１パスの加工率、再結晶熱処理を表３、４に示す条件とした以外は実施例７５〜９８と同じ加工を施し、厚さ２０μｍの半田めっき線を製造し供試材とした。【００４９】
実施例９９〜１０１
実施例９９〜１０１は無酸素銅からなる丸線を平角線に加工した。
直径２．６ｍｍの丸線を直径０．７ｍｍまで線引き加工を施した。線引き加工はＩパスの加工率を表５に示すように１０〜４０％で行った。この線引き加工の途中で表５に示す条件で中間焼鈍を行った。線引き加工後、冷間圧延を行い、板厚０．２ｍｍの平角線とし、厚さ２０μｍの半田めっきを施し供試材とした。【００５０】
参考例１，比較例１９
参考例１、比較例１９は無酸素銅をからなる丸線を平角線に加工した。
直径２．６ｍｍの丸線を直径０．７ｍｍまで線引き加工を施し、１パスの加工率を、中間焼鈍を表５に示す条件とした以外は実施例９９〜１０１と同様に加工し、厚さ２０μｍの半田めっき線を製造し供試材とした。【００５１】
【表１】
2012018079.tif 000003
【００５２】
【表２】
2012018079.tif 000004
【００５３】
【表３】
2012018079.tif 000005
【００５４】
【表４】
2012018079.tif 000006
【００５５】
【表５】
2012018079.tif 000007
【００５６】
評価項目として以下をそれぞれ評価した。
（１）０．２％耐力、
（２）（１００）面、（１０２）面、（１１０）面、（１１１）面の面積率、
（３）ヤング率
（４）太陽電池の反り量【００５７】
（１）０．２％耐力は、各供試材からＪＩＳ  Ｚ２２０１の９号試験片を採取し、ＪＩＳ  Ｚ２２４１に準拠して試験した。
（２）（１００）面、（１０２）面、（１１０）面、（１１１）面の面積率は、ＳＥＭ−ＥＢＳＤ法を用いて測定面積１，０００μｍ×１，０００μｍの領域をスキャンステップ２μｍで測定し、各面のずれ角度１０°以内のものを各面の面積率として求めた。
（３）ヤング率は、共振法により長さ３０ｍｍの試験片を用いて求めた。
（４）太陽電池の反り量は、１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、板厚：０．１８ｍｍのシリコン板に、作製した半田被覆平角線を半田接続した際の反り量を測定した。【００５８】
無酸素銅の平角線をスリットで作製した実施例１〜３７の測定結果を表１に示す。
実施例1〜３７はヤング率が低く、太陽電池の反り量が小さくインターコネクタ材として良好な特性を示している。
一方、比較例１は、熱間圧延の最終温度が低すぎたため熱間圧延中に割れが生じ、製造を中止した。比較例２、３、４は熱間圧延温度が高すぎたため、比較例５は冷間圧延率が低すぎたため、比較例６は再結晶熱処理温度が低すぎたため、（１００）面や（１０２）面の面積率が減少するとともに（１１１）面の面積率が増加し、ヤング率が本発明の範囲外となり、太陽電池セルの反り量が大きくなった。【００５９】
タフピッチ銅の平角線をスリットで作製した実施例３８〜７４の測定結果を表２に示す。
実施例３８〜７４はヤング率が低く、太陽電池の反り量が小さくインターコネクタ材として良好な特性を示している。
一方、比較例７は熱間圧延の途中で割れが発生したため、製造を中止した。比較例８〜１０は熱間圧延の温度が高すぎたため、比較例１１は冷間圧延率が低すぎたため、比較例１２は再結晶熱処理温度が低すぎたため、（１００）面や（１０２）面の面積率が減少するとともに（１１１）面の面積率が増加し、ヤング率が本発明の範囲外となり、太陽電池セルの反り量が大きくなった。【００６０】
無酸素銅の平角線を線材から作製した実施例７５〜８６の測定結果を表３に示す。実施例１３〜１８はヤング率が低く、太陽電池の反り量が小さくインターコネクタ材として良好な特性を示している。
一方、比較例１３は線引き加工率が低すぎるため、比較例１４は再結晶熱処理温度が低すぎるため、比較例１５は線引き加工率の１パスの加工率が高すぎるため、（１００）面や（１０２）面の面積率が減少するとともに（１１１）面の面積率が増加し、ヤング率が本発明の範囲外となり、太陽電池セルの反り量が大きくなった。【００６１】
タフピッチ銅の平角線を線材から作製した実施例８７〜９８の測定結果を表４に示す。実施例８７〜９８はヤング率が低く、太陽電池の反り量が小さくインターコネクタ材として良好な特性を示している。
一方、比較例１６は線引き加工率が低すぎるため、比較例１７は再結晶熱処理温度が低すぎるため、比較例１８は線引き加工率の１パスの加工率が高すぎるため、（１００）面や（１０２）面の面積率が減少するとともに（１１１）面の面積率が増加し、ヤング率が本発明の範囲外となり、太陽電池セルの反り量が大きくなった。【００６２】
最終冷間圧延前に中間焼鈍を施した以外は表３の実施例７６と同様に作製した実施例９９〜１０１の測定結果を表5に示す。実施例９９〜１０１は、実施例７６と比べて、（１００）及び（１０２）面の面積率が上昇し、さらに太陽電池セルの反り量が減少した。
参考例１は、温度が低すぎるため中間焼鈍の効果が見られず反り量は実施例７６と変わらなかった。
比較例１９は中間焼鈍の温度が高すぎたため、中間焼鈍後の結晶粒径が粗大化し、再結晶熱処理後の（１００）面及び（１０２）面の面積率が減少し、ヤング率が本発明例の範囲外となり、太陽電池セルの反り量が大きくなった。【００６３】
以上詳述したように、本発明の太陽電池用インターコネクタ材は、通常の銅材料と比べてヤング率が低い無酸素銅及びタフピッチ銅で構成されている。従って、半田接合時の熱応力を低減させることができ、この太陽電池用インターコネクタ材表面を半田で被覆し、複数のシリコンセルを接続しても、セルの割れや反りを抑制することができる優れた効果を有するものである。
【図１】
2012018079.tif 000008
【図２】
2012018079.tif 000009
【図３】
2012018079.tif 000010
【図４】
2012018079.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無酸素銅またはタフピッチ銅に、最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、再結晶熱処理温度を２００〜６００°Ｃ、５〜１８０分行うことで得られる、太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材であって、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項２】
請求項１において、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が４０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１００ＧＰａ以下となる銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項３】
請求項１において、圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が６０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が９０ＧＰａ以下となる銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項４】
無酸素銅またはタフピッチ銅に、最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、再結晶熱処理温度を２００〜６００°Ｃ、５〜１８０分行うことで得られる、太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材であって、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計面積率が２０〜９５％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項５】
無酸素銅またはタフピッチ銅に、最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、再結晶熱処理温度を２００〜６００°Ｃ、５〜１８０分行うことで得られる、太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材であって、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が１０〜９５％、（１１１）面の面積率が１０％以下、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項６】
無酸素銅又はタフピッチ銅を鋳造し、再熱し、
熱間圧延の終了パス温度を４００〜５００℃として熱間圧延し、
次いで８０〜９５％の圧延率の冷間圧延し、
温度２００〜６００℃で５〜１８０分の再結晶熱処理し、
スリット加工を施し、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である太陽電池用インターコネクタ材の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記熱間圧延後の結晶粒径を１００μｍ以下とし、
０．２％耐力が１３０ＭＰａ以下である、
製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記冷間圧延における１パスの圧延率が４０％以下である、
製造方法。
【請求項９】
太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタであって、
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の平角銅線からなる太陽電池用インターコネクタ材の少なくとも一面に、半田メッキ層が形成されている、
太陽電池用インターコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、無酸素銅またはタフピッチ銅に、最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、再結晶熱処理温度を２００〜６００°Ｃ、５〜１８０分行うことで得られる、太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材であって、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下の銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また本発明によれば、無酸素銅またはタフピッチ銅に、最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、再結晶熱処理温度を２００〜６００°Ｃ、５〜１８０分行うことで得られる、太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材であって、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計面積率が２０〜９５％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下の銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明によれば、無酸素銅またはタフピッチ銅に、最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、再結晶熱処理温度を２００〜６００°Ｃ、５〜１８０分行うことで得られる、太陽電池モジュールにおいてセル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ材であって、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が１０〜９５％、（１１１）面の面積率が１０％以下、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下の銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によれば、
無酸素銅又はタフピッチ銅を鋳造し、再熱し、
熱間圧延の終了パス温度を４００〜５００℃として熱間圧延し、
次いで８０〜９５％の圧延率の冷間圧延し、
温度２００〜６００℃で５〜１８０分の再結晶熱処理し、
スリット加工を施し、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下の太陽電池用インターコネクタ材を製造する方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造後、７００〜９５０°Ｃで再熱し、結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、第１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が７０〜９５％となるように複数回冷間圧延を行い、再結晶熱処理温度２００〜６００°Ｃで５〜１８０分間熱処理を行い、スリット加工を施すことで得られる、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項２】
太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造後、７００〜９５０°Ｃで再熱し、結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、第１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が８０％以上９５％以下となるように複数回冷間圧延を行い、再結晶熱処理温度２００〜６００°Ｃで５〜１８０分間熱処理を行い、スリット加工を施すことで得られる、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が１０〜９０％かつ（１１１）面の面積率が１０％以下、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材。
【請求項３】
太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材の製造方法であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造し、
７００〜９５０°Ｃで再熱し、
結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、
第１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が７０〜９５％となるように複数回冷間圧延を行い、
温度２００〜６００℃で５〜１８０分の再結晶熱処理し、
スリット加工を施し、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
太陽電池用インターコネクタ材の製造方法。
【請求項４】
太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材の製造方法であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造し、
７００〜９５０°Ｃで再熱し、
結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、
、第１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が８０〜９５％となるように複数回冷間圧延を行い、
温度２００〜６００℃で５〜１８０分の再結晶熱処理し、
スリット加工を施し、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面の面積率が１０〜９０％かつ（１１１）面の面積率が１０％以下、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
太陽電池用インターコネクタ材の製造方法。
【請求項５】
太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタであって、
請求項１または２のいずれかに記載の平角銅線からなる太陽電池用インターコネクタ材の少なくとも一面に、半田メッキ層が形成されている、
太陽電池用インターコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造後、７００〜９５０°Ｃで再熱し、結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、第１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が７０〜９５％となるように複数回冷間圧延を行い、再結晶熱処理温度２００〜６００°Ｃで５〜１８０分間熱処理を行い、スリット加工を施すことで得られる、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明によれば、太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造後、７００〜９５０°Ｃで再熱し、結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、第１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が８０％以上９５％以下となるように複数回冷間圧延を行い、再結晶熱処理温度２００〜６００°Ｃで５〜１８０分間熱処理を行い、スリット加工を施すことで得られる、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面と（１０２）面の合計の面積率が２０〜９０％かつ（１１１）面の面積率が１０％以下、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また本発明によれば、太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材の製造方法であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造し、
７００〜９５０°Ｃで再熱し、
結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、
第１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が７０〜９５％となるように複数回冷間圧延を行い、
温度２００〜６００℃で５〜１８０分の再結晶熱処理し、
スリット加工を施し、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
太陽電池用インターコネクタ材の製造方法が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また本発明によれば、太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材の製造方法であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造し、
７００〜９５０°Ｃで再熱し、
結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、
、第１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が８０〜９５％となるように複数回冷間圧延を行い、
温度２００〜６００℃で５〜１８０分の再結晶熱処理し、
スリット加工を施し、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面の面積率が２０〜９０％かつ（１１１）面の面積率が１０％以下、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
太陽電池用インターコネクタ材の製造方法が提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する太陽電池用インターコネクタは、上記平角銅線からなる太陽電池用インターコネクタ材の少なくとも一面に、半田メッキ層が形成されている、太陽電池用インターコネクタである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月15日(2013.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材の製造方法であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造し、
７００〜９５０°Ｃで再熱し、
結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、
１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が７０〜９５％となるように複数回冷間圧延を行い、
温度２００〜６００℃で５〜１８０分の再結晶熱処理し、
スリット加工を施し、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
太陽電池用インターコネクタ材の製造方法。
【請求項２】
太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材の製造方法であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造し、
７００〜９５０°Ｃで再熱し、
結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、
１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が８０〜９５％となるように複数回冷間圧延を行い、
温度２００〜６００℃で５〜１８０分の再結晶熱処理し、
スリット加工を施し、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面の面積率が１０〜９０％かつ（１１１）面の面積率が１０％以下、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
太陽電池用インターコネクタ材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また本発明によれば、太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材の製造方法であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造し、
７００〜９５０°Ｃで再熱し、
結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、
１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が７０〜９５％となるように複数回冷間圧延を行い、
温度２００〜６００℃で５〜１８０分の再結晶熱処理し、
スリット加工を施し、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面の面積率が２０〜９０％、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
太陽電池用インターコネクタ材の製造方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また本発明によれば、太陽電池モジュールにおいて半導体セル間同士を接続する、銅平角線からなる太陽電池用インターコネクタ材の製造方法であって、
無酸素銅またはタフピッチ銅を鋳造し、
７００〜９５０°Ｃで再熱し、
結晶粒径が１００μｍ以下になるように最終パス温度を４００°Ｃ〜５００°Ｃで熱間圧延し、
１パスの圧延率が４０％以下で合計圧延率が８０〜９５％となるように複数回冷間圧延を行い、
温度２００〜６００℃で５〜１８０分の再結晶熱処理し、
スリット加工を施し、
圧延方向に対して直交する面における（１００）面および（１０２）面の面積率が２０〜９０％かつ（１１１）面の面積率が１０％以下、０．２％耐力が１５０ＭＰａ以下、ヤング率が１１０ＧＰａ以下である、
太陽電池用インターコネクタ材の製造方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【国際調査報告】
2012018079.tif 000012
2012018079.tif 000013
2012018079.tif 000014