(57)【要約】  ＥＵＶ光を発生するのと同時にターゲット材料デブリ堆積を除去するシステム及びＥＵＶ光を発生するのと同時にターゲット材料デブリ堆積を除去する方法は、ターゲット材料デブリ堆積に直近のＥＵＶ容器においてインシチュで水素ラジカルを発生することと、ターゲット材料デブリ堆積を揮発させることと、ＥＵＶ容器内の酸素含有種を必要とすることなくＥＵＶ容器から揮発させたターゲット材料デブリ堆積をパージすることと、を含む。【選択図】  図２
2019504356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある量のパージガスをＥＵＶ容器内に投入できるパージガス源に結合されたＥＵＶ容器パージガスインレットを含むＥＵＶ容器と、
前記ＥＵＶ容器内に配置されたＥＵＶコレクタであって、反射面を含むＥＵＶコレクタと、
ある量のターゲット材料を前記ＥＵＶ容器内に投入できるターゲット材料源であって、前記量のターゲット材料の第１の部分が第１のターゲット材料デブリ堆積として前記ＥＵＶコレクタの前記反射面の少なくとも一部分上に配置される、ターゲット材料源と、
前記ＥＵＶ容器内に配置される第１の水素ラジカル源であって、
前記ＥＵＶコレクタの前記反射面の直近に配置された第１の水素ラジカル源アウトレットと、
水素源に結合された第１の水素源インレットと、
第１の信号源に結合された第１の水素源電極と、
第２の信号源に結合された第２の水素源電極と、
を含み、第１の量の水素ラジカルを生成し、前記第１の水素ラジカル源アウトレットから前記第１の量の水素ラジカルを投入することができ、前記第１の量の水素ラジカルが前記第１のターゲット材料デブリ堆積と化合して、前記第１のターゲット材料デブリ堆積の少なくとも一部分を含有する第１の量の揮発性化合物を形成することができる、第１の水素ラジカル源と、
前記ＥＵＶ容器から前記第１の量の前記揮発性化合物を出すことができる、ＥＵＶ容器パージアウトレットと、
を含む、ＥＵＶ光源。
【請求項２】
前記第１の水素ラジカル源が水素プラズマチャンバを含む、請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項３】
前記水素プラズマチャンバが容量結合水素プラズマチャンバである、請求項２に記載のＥＵＶ光源。
【請求項４】
前記容量結合水素プラズマチャンバが第３の信号源に結合された第３の水素源電極を含む、請求項３に記載のＥＵＶ光源。
【請求項５】
前記第３の水素源電極が前記ＥＵＶコレクタの導電層の少なくとも一部分を含む、請求項４に記載のＥＵＶ光源。
【請求項６】
前記水素プラズマチャンバが誘導結合水素プラズマチャンバである、請求項２に記載のＥＵＶ光源。
【請求項７】
前記第１の水素ラジカル源アウトレットが前記ＥＵＶコレクタの外周部の周りに配置される、請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項８】
前記第１の水素ラジカル源アウトレットが前記ＥＵＶコレクタの中央アパーチャ付近に配置される、請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項９】
前記第１の量の水素ラジカルを生成することが、酸素含有種が前記ＥＵＶ容器に入るのを防止することも含む、請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項１０】
前記第１の水素源電極が前記ＥＵＶコレクタに含まれる、請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項１１】
前記第１の水素ラジカル源が実質的に環状形状を有し、前記第１の水素ラジカル源アウトレットが前記ＥＵＶコレクタの外周部の直近に配置される、請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項１２】
前記ＥＵＶ容器に含まれる複数のＥＵＶ容器内面であって、複数のバッフルを含む複数のＥＵＶ容器内面と、
第２のターゲット材料デブリ堆積として前記複数のＥＵＶ容器内面の少なくとも一部分上に配置されている前記量のターゲット材料の第２の部分と、
前記ＥＵＶ容器内に配置された第２の水素ラジカル源であって、
前記複数のバッフルの少なくとも１つの直近に配置された第２の水素ラジカル源アウトレットと、
前記水素源に結合された第２の水素源インレットと、
第３の信号源に結合された第３の水素源電極と、
第４の信号源に結合された第４の水素源電極と、
を含み、第２の量の水素ラジカルを生成し、前記第２の水素ラジカル源アウトレットから前記第２の量の水素ラジカルを投入することができ、前記第２の量の水素ラジカルが前記第２のターゲット材料デブリ堆積と化合して、前記第２のターゲット材料デブリ堆積の少なくとも一部分を含有する第２の量の前記揮発性化合物を形成することができる、第２の水素ラジカル源と、
前記ＥＵＶ容器から前記第２の量の前記揮発性化合物を出すことができる、前記ＥＵＶ容器パージアウトレットと、
を更に含む、請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項１３】
ＥＵＶ容器であって、
ある量のパージガスを前記ＥＵＶ容器内に投入できるパージガス源に結合されたＥＵＶ容器パージガスインレットと、
複数のＥＵＶ容器内面と、
を含む、ＥＵＶ容器と、
前記ＥＵＶ容器内に配置されたＥＵＶコレクタであって、反射面を含むＥＵＶコレクタと、
ある量のターゲット材料を前記ＥＵＶ容器内に投入できるターゲット材料源であって、前記量のターゲット材料の第１の部分が第１のターゲット材料デブリ堆積として前記ＥＵＶコレクタの前記反射面の少なくとも一部分上に配置され、前記量のターゲット材料の第２の部分が第２のターゲット材料デブリ堆積として前記複数の内面の少なくとも一部分上に配置される、ターゲット材料源と、
前記ＥＵＶ容器内に配置される第１の水素プラズマチャンバであって、
前記ＥＵＶコレクタの前記反射面の外周部の直近に配置された第１の水素ラジカル源アウトレットと、
水素源に結合された第１の水素源インレットと、
第１の信号源に結合された少なくとも１つの第１の水素源電極と、
を含み、第１の量の水素ラジカルを生成し、前記第１の水素ラジカル源アウトレットから前記第１の量の水素ラジカルを投入することができ、前記第１の量の水素ラジカルが前記第１のターゲット材料デブリ堆積と化合して、前記第１のターゲット材料デブリ堆積の少なくとも一部分を含有する第１の量の揮発性化合物を形成することができる、第１の水素プラズマチャンバと、
前記ＥＵＶ容器内に配置される第２の水素プラズマチャンバであって、
前記複数のＥＵＶ容器内面の少なくとも１つの直近に配置された第２の水素ラジカル源アウトレットと、
前記水素源に結合された第２の水素源インレットと、
第２の信号源に結合された少なくとも１つの第２の水素源電極と、
を含み、第２の量の水素ラジカルを生成し、前記第２の水素ラジカル源アウトレットから前記第２の量の水素ラジカルを投入することができ、前記第２の量の水素ラジカルが前記第２のターゲット材料デブリ堆積と化合して、前記第２のターゲット材料デブリ堆積の少なくとも一部分を含有する第２の量の前記揮発性化合物を形成することができる、第２の水素プラズマチャンバと、
前記ＥＵＶ容器から前記第１の量の前記揮発性ガス及び前記第２の量の前記揮発性化合物を出すことができる、ＥＵＶ容器パージアウトレットと、
を含む、ＥＵＶ光源。
【請求項１４】
同時にＥＵＶ光源内でＥＵＶ光を発生しながら、前記ＥＵＶ光源内のターゲット材料デブリ堆積をクリーニングする方法であって、
前記ＥＵＶ光源のＥＵＶ容器内にある量の水素ラジカルを発生することと、
前記ＥＵＶ容器の内側の表面上の前記ターゲット材料堆積の直近に前記発生された量の水素ラジカルを出力することと、
前記ターゲット材料堆積の第１の部分の少なくとも一部分を含有する第１の量の揮発性化合物を形成することと、
ある量のパージガスを前記ＥＵＶ容器内に投入することと、
前記第１の量の揮発性化合物を前記ＥＵＶ容器からパージすることであって、前記第１の量の揮発性化合物がＥＵＶ容器パージアウトレットを通ってパージされることと、
を含む、方法。
【請求項１５】
第１の水素ラジカル源が水素プラズマチャンバを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記水素プラズマチャンバが容量結合水素プラズマチャンバである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記水素プラズマチャンバが誘導結合水素プラズマチャンバである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
第１の水素ラジカル源アウトレットがＥＵＶコレクタの外周部の周りに配置される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の水素ラジカル源アウトレットが前記ＥＵＶコレクタの中央アパーチャ付近に配置される、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記ＥＵＶコレクタの中央アパーチャ付近に配置された中央アパーチャ水素ラジカル源アウトレットを有する中央アパーチャ水素ラジカル源を更に含み、前記第１の水素ラジカル源アウトレットが前記ＥＵＶコレクタの外周部の直近に配置される、請求項１に記載のＥＵＶ光源。
【請求項２１】
前記第１の水素ラジカル源又は前記中央アパーチャ水素ラジカル源のうちの少なくとも１つが誘導結合水素プラズマチャンバである、請求項２０に記載のＥＵＶ光源。
【請求項２２】
前記第１の水素ラジカル源及び前記中央アパーチャ水素ラジカル源が誘導結合水素プラズマチャンバである、請求項２０に記載のＥＵＶ光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[1]  本出願は、「SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR TARGET MATERIAL DEBRIS CLEANING OF EUV VESSEL AND EUV COLLECTOR」という名称で２０１６年１月２１日に出願された米国実用新案出願第１５／００３，３８５号の利益を主張し、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
[2]  極端紫外線（ＥＵＶ）光は、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）などの適用例で使用される。
【０００３】
[3]  極端紫外線（ＥＵＶ）光は、ターゲット材料がハイパワーレーザ源によって照射されるＥＵＶ源を使用して発生することができる。レーザ源によるターゲット材料の照射は、ＥＵＶ光を放出するプラズマの発生に至る。
【０００４】
[4]  ＥＵＶ容器内に位置しているＥＵＶコレクタは、プラズマによって放出されたＥＵＶ光を収集して合焦させる。収集されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ容器から、極端紫外線リソグラフィシステム（ＥＵＶＬ）などのＥＵＶ消費システム内に誘導される。
【０００５】
[5]  ターゲット材料のかなりの部分は、ターゲット材料がハイパワーレーザ源によって照射されたときにターゲット材料デブリとしてＥＵＶ容器の周りに分散される。ターゲット材料デブリは、ＥＵＶコレクタ及びＥＵＶ容器内の様々な内面に堆積する。ＥＵＶコレクタ上のターゲット材料デブリ堆積はＥＵＶコレクタの収集性能を低減する。ＥＵＶ容器の内面上のターゲット材料デブリ堆積は最終的に内面から剥がれ落ち、ＥＵＶコレクタ上に静止して、ＥＵＶコレクタの収集性能を更に減少させる可能性がある。
【０００６】
[6]  このような状況において諸実施形態が生じる。
【発明の概要】
【０００７】
[7]  概して、本発明は、ターゲット材料デブリ堆積に直近のＥＵＶ容器内でインシチュで水素ラジカルＨ＊を発生するためのシステム及び方法を提供することにより、これらの必要性を満たすものである。本発明は、プロセス、装置、システム、コンピュータ可読媒体、又はデバイスとしてを含む多数のやり方で実現できることを認識されたい。インシチュクリーニングは、ＥＵＶ光を発生するのと同時にＥＵＶコレクタ及びＥＵＶ容器をクリーニングする能力を提供する。インシチュクリーニングは、ＥＵＶコレクタ及びＥＵＶ容器をクリーニングするためにＥＵＶ発生動作を中断する必要がないことを可能にするものである。本発明のいくつかの実施形態について以下に説明する。
【０００８】
[8]  一実施形態は、ＥＵＶ光を発生するのと同時にターゲット材料デブリ堆積を除去するためのシステムを提供し、ターゲット材料デブリ堆積に直近のＥＵＶ容器内でインシチュで水素ラジカルを発生することと、ターゲット材料デブリ堆積を揮発させることと、ＥＵＶ容器内の酸素含有種の必要性なしにＥＵＶ容器から揮発させたターゲット材料デブリ堆積をパージすることを含む。
【０００９】
[9]  他の実施形態は、ある量のパージガスをＥＵＶ容器内に投入できるパージガス源に結合されたＥＵＶ容器パージガスインレットを含むＥＵＶ容器を含むＥＵＶ光源を提供する。ＥＵＶコレクタはＥＵＶ容器内に配置される。ＥＵＶコレクタは反射面を含む。ターゲット材料源はある量のターゲット材料をＥＵＶ容器内に投入することができる。その量のターゲット材料の第１の部分は、第１のターゲット材料デブリ堆積としてＥＵＶコレクタの反射面の少なくとも一部分上に配置される。第１の水素ラジカル源はＥＵＶ容器内に配置される。第１の水素ラジカル源は、ＥＵＶコレクタの反射面の直近に配置された第１の水素ラジカル源アウトレットを含む。また、第１の水素ラジカル源は、水素源に結合された第１の水素源インレットと、第１の信号源に結合された第１の水素源電極と、第２の信号源に結合された第２の水素源電極も含む。第１の水素ラジカル源は、第１の量の水素ラジカルを生成し、第１の水素ラジカル源アウトレットから第１の量の水素ラジカルを投入することができる。第１の量の水素ラジカルは、第１のターゲット材料デブリ堆積と化合して、第１のターゲット材料デブリ堆積の少なくとも一部分を含有する第１の量の揮発性化合物を形成することができる。ＥＵＶ容器パージアウトレットは、ＥＵＶ容器に含まれ、ＥＵＶ容器から第１の量の揮発性化合物を出すことができる。
【００１０】
[10]  水素ラジカル源は、容量又は誘導結合水素プラズマチャンバなどの水素プラズマチャンバを含むことができる。水素ラジカルを発生するために使用される電極の１つは、ＥＵＶコレクタの導電層の一部分にすることができる。水素ラジカル源アウトレットは、ＥＵＶコレクタの外周部の周りに配置するか又はＥＵＶコレクタの中央アパーチャ付近に配置することができる。水素ラジカル源は、ＥＵＶ容器内の１つ以上のバッフル付近に配置することができる。
【００１１】
[11]  水素ラジカルは、ターゲット材料デブリ堆積の直近に生成され、従って水素ガスを形成するために水素ラジカルが再結合する前の時間を延長するための酸素含有種を必要とせず、従って酸素含有種がＥＵＶ容器に入るのを防止することができる。
【００１２】
[12]  他の実施形態は、同時にＥＵＶ光源内でＥＵＶ光を発生しながら、ＥＵＶ光源内のターゲット材料デブリ堆積をクリーニングする方法を提供する。この方法は、ＥＵＶ光源のＥＵＶ容器内である量の水素ラジカルを発生することと、ＥＵＶ容器の内側の表面上のターゲット材料堆積の直近で発生された量の水素ラジカルを出力することを含む。ターゲット材料堆積の第１の部分の少なくとも一部分を含有する第１の量の揮発性化合物が形成される。十分な量のパージガスがＥＵＶ容器内に投入され、第１の量の揮発性化合物がＥＵＶ容器パージアウトレットを通ってＥＵＶ容器からパージされる。
【００１３】
[13]  本発明のその他の態様及び利点は、例として本発明の原理を示す添付図面と関連して取られた以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【００１４】
[14]  本発明は、添付図面と関連して以下の詳細な説明によって容易に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】[15]  開示されている主題の諸実施形態によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源の簡易概略図である。
【図１Ｂ】[16]  開示されている主題の諸実施形態によるＥＵＶ容器内の中央容器バッフルアセンブリを示している。
【図１Ｃ】[17]  開示されている主題の諸実施形態によるターゲット材料デブリ堆積を含むＥＵＶコレクタの概略図である。
【図１Ｄ】[18]  開示されている主題の諸実施形態によるバッフルアセンブリの一部分の概略図である。
【図２】[19]  開示されている主題の諸実施形態による１つ以上のインシチュ水素ラジカル源を含むＥＵＶ光源の簡易概略図である。
【図３Ａ】[20]  開示されている主題の諸実施形態によるコレクタの一部分及びインシチュ水素ラジカル源の詳細断面図である。
【図３Ｂ】[21]  開示されている主題の諸実施形態によるコレクタ及びインシチュ水素ラジカル源の断面図の簡易概略図である。
【図４】[22]  開示されている主題の諸実施形態によるコレクタ及び代替インシチュ水素ラジカル源の断面図の簡易概略図である。
【図５】[23]  開示されている主題の諸実施形態により、コレクタの外周部を実質的に取り囲むインシチュ水素ラジカル源を有するコレクタの簡易図である。
【図６】[24]  開示されている主題の諸実施形態により、コレクタの外周部の周りに実質的に均等に分散され配置されている複数のインシチュ水素ラジカル源を有するコレクタの簡易図である。
【図７】[25]  開示されている主題の諸実施形態によるコレクタ及び複数のインシチュ水素ラジカル源の断面図の簡易概略図である。
【図８】[26]  開示されている主題の諸実施形態による誘導水素ラジカルジェネレータの簡易概略側面図である。
【図９】[27]  開示されている主題の諸実施形態による誘導水素ラジカルジェネレータの簡易概略上面図である。
【図１０】[28]  開示されている主題の諸実施形態による誘導水素ラジカルジェネレータの簡易概略側面図である。
【図１１】[29]  開示されている主題の諸実施形態による容量水素ラジカルジェネレータの簡易概略側面図である。
【図１２】[30]  開示されている主題の諸実施形態による容量水素ラジカルジェネレータの簡易概略側面図である。
【図１３】[31]  開示されている主題の諸実施形態により、バッフル内又はその付近に配置された容量水素ラジカル源を含むＥＵＶ容器の簡易概略側面図である。
【図１４】[32]  開示されている主題の諸実施形態により、ＥＵＶ容器内でインシチュで水素ラジカルを発生する際に実行される方法動作を示すフローチャート図である。
【図１５】[33]  開示されている主題の諸実施形態により、同時にＥＵＶ容器内のターゲット材料デブリ堆積を除去しながらＥＵＶ光を生成する際に実行される方法動作を示すフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[34]  次に、インシチュ水素ラジカルジェネレータを使用してＥＵＶ容器からターゲット材料デブリを除去するためのいくつかの模範的な実施形態について説明する。本明細書に明記されている具体的な詳細の一部又は全部がなくても本発明を実践できることは当業者にとって明らかになるであろう。
【００１７】
[35]  ＥＵＶ放出プラズマを発生するためにいくつかの異なるタイプのターゲット材料を使用することができる。一実施例ではスズ及び／又はスズ化合物を使用する。スズ含有ターゲット材料のいくつかの例としては、純スズ、ＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４のうちの１つ以上を含むスズ化合物、スズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金のうちの１つ以上を含むスズ合金、及びこれらの組み合わせを含む。
【００１８】
[36]  残念なことに、スズ含有デブリは、ＥＵＶ容器の内側面の多く、最も具体的にはＥＵＶコレクタを汚染する可能性がある。これまでにスズ含有デブリを除去するためにいくつかの手法が試されている。１つの手法は、ＥＵＶ容器内に水素を注入して、堆積したスズを、その後ＥＵＶ容器からパージできるＳｎＨ４などの揮発性スズ化合物に転化させることである。残念なことに、単に水素を注入すると、堆積したスズから揮発性スズ化合物への転化が比較的遅くなる。
【００１９】
[37]  １つの実施例では、Ｈ＋及び／又はＨ−イオンを含む水素ラジカルは、ＥＵＶ容器の外部に位置するマイクロ波水素ラジカルジェネレータを使用して発生することができる。残念なことに、水素ラジカルがＥＵＶ容器の内側に到達する時間までに、水素ラジカルのほとんどが化合してＨ２水素ガスを形成していた。
【００２０】
[38]  より多数の水素ラジカルの送り出しを保証するための１つの手法では、酸素、より具体的には水蒸気を水素ラジカルとともに注入することができる。その結果、ＥＵＶ容器内に到達する水素ラジカルの数は、堆積したスズとの所望の化合を実行して揮発性スズ化合物を形成するのに十分なものになる。しかしながら、酸素及び／又は水蒸気はＥＵＶ発生プロセスの問題を引き起こすので、ＥＵＶ容器内に酸素又は水蒸気を注入するには、ＥＵＶ容器内で実行されるＥＵＶ発生プロセスが酸素又は水蒸気の存在中に終了しなければならないことが要求される。
【００２１】
[39]  本明細書に開示されている一実施例は、ＥＵＶ容器内でインシチュで配置された水素ラジカル源においてＨ＋及び／又はＨ−イオンを含む水素ラジカルを発生することにより堆積したスズから揮発性スズ化合物への転化を増加することである。水素ラジカル源は高い濃度で水素ラジカルを生成することになる。水素ラジカル源のアウトレットがＥＵＶコレクタに直接、水素ラジカルを送り出すように、水素ラジカル源はＥＵＶコレクタに極めて接近して配置することができる。水素ラジカル源のアウトレットは、ＥＵＶコレクタの外周部の周りの１つ以上の位置に及び／又はＥＵＶコレクタの中心付近に配置することができる。
【００２２】
[40]  水素ラジカル源は単一の水素ラジカル源又は複数の水素ラジカル源にすることができる。一実施例では、水素ラジカル源は、ＥＵＶコレクタの外周部付近に配置された環状形状のプラズマ容器の形になっている。他の実施例では、水素ラジカル源は、ＥＵＶコレクタの外周部及び／又はＥＵＶコレクタの中心付近に配置された複数の水素ラジカル源の形になっている。
【００２３】
[41]  また、１つ以上の追加の水素ラジカル源もＥＵＶ容器内に含めることができる。例として、羽根の近くに水素ラジカルを提供して、羽根に堆積したスズを揮発性スズ化合物に転化させるために、ＥＵＶ容器のアウトレット部分の羽根付近に追加の水素ラジカル源を含めることができる。
【００２４】
[42]  ＥＵＶ容器内で水素ラジカルを発生することは、ＥＵＶ容器を使用してＥＵＶを発生するのと同時に堆積したスズを揮発性スズ化合物に転化させるために十分な数の水素ラジカルが使用可能になることを保証する。その結果、堆積したスズがＥＵＶの発生を妨げる前にかなり長い期間の間、ＥＵＶ光源を操作することができる。十分な数の水素ラジカルを発生できる限り、過剰なスズ堆積の結果としてＥＵＶ容器の分解とクリーニングの必要性を軽減するために、堆積したスズを実質的に除去し、実質的にゼロレベルに維持することができる。
【００２５】
[43]  図１Ａは、開示されている主題の諸実施形態によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０の簡易概略図である。ＬＰＰ光源２０は、光パルスの列を発生し、光パルスをＥＵＶ容器２６内に送り出すための光パルス発生システム２２を含む。それぞれの光パルス２３は、光パルス発生システム２２からビーム伝送システム２５の内側のビームパス２１に沿って移動する。光パルス２３はＥＵＶ容器２６内に合焦して、照射領域２８で選択されたターゲット小滴を照明及び／又は照射する。
【００２６】
[44]  図１に示されている光パルス発生システム２２で使用するための適切なレーザとしては、パルスレーザデバイス、例えば約１０ｋＷ以上の比較的高い電力と例えば約１０ｋＨｚ以上の高いパルス繰り返し率で動作して、ＤＣ又はＲＦ励起により約９．３μｍ又は約１０．６μｍの放射を生成するパルスガス放電ＣＯ２レーザデバイスを含むことができる。１つの特定の実施例では、光パルス発生システム２２内のレーザは、複数の増幅ステージを備えたＭＯＰＡ構成を有し、例えば１００ｋＨｚの動作が可能で、低いエネルギーと高い繰り返し率を備えたＱスイッチ主発振器（ＭＯ）によって開始されるシードパルスを有する軸流ＲＦポンピングＣＯ２レーザにすることができる。次に、ＭＯからのレーザパルスは、照射領域２８に到達する前に増幅し、整形し、合焦させることができる。
【００２７】
[45]  連続ポンピングＣＯ２増幅器は光パルス発生システム２２に使用することができる。例えば、１つの発振器と複数の増幅器とを有する（例えば、Ｏ−ＰＡ１−ＰＡ２・・・構成）適切なＣＯ２レーザデバイスは、「LPP EUV LIGHT SOURCE DRIVE LASER SYSTEM」という名称で２００５年６月２９日に出願され、２００８年１０月２１日に発行され、本願所有者が所有する米国特許第７，４３９，５３０号に開示されており、同特許の内容全体は参照により本明細書に組み込まれる。
【００２８】
[46]  代替的に、光パルス発生システム２２内のレーザは、レーザウエスト内のターゲット材料の表面が光共振器の１つのミラーとして作用する、いわゆる「セルフターゲティング」レーザシステムとして構成することができる。いくつかの「セルフターゲティング」配置では、主発振器は必要ではない可能性がある。セルフターゲティングレーザシステムは、「DRIVE LASER DELIVERY SYSTEMS FOR EUV LIGHT SOURCE」という名称で２００５年１０月２６日に出願され、２００９年２月１７日に発行され、本願所有者が所有する米国特許第７，４９１，９５４号に開示され請求されており、同特許の内容全体は参照により本明細書に組み込まれる。
【００２９】
[47]  適用例次第で、例えば、高い電力と高いパルス繰り返し率で動作するエキシマ又は分子フッ素レーザなど、その他のタイプのレーザも光パルス発生システム２２での使用に適している可能性がある。その他の例としては、例えば、ファイバ、ロッド、又はディスク形の活性媒質を有する固体レーザ、その内容全体が参照により本明細書に組み込まれ、本願所有者が所有する米国特許第６，６２５，１９１号、第６，５４９，５５１号、及び第６，５６７，４５０号に示されているＭＯＰＡ構成のエキシマレーザシステム、１つ以上のチャンバ、例えば１つの発振器チャンバと１つ以上の増幅チャンバ（並列又は直列の複数の増幅チャンバを有する）とを有するエキシマレーザ、主発振器／電力発振器（ＭＯＰＯ）配置、主発振器／電力リング増幅器（ＭＯＰＲＡ）配置、電力発振器／電力増幅器（ＰＯＰＡ）配置、或いは１つ以上のエキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振器チャンバにシードする固体レーザを含み、適切である可能性がある。その他の光源設計も可能である。
【００３０】
[48]  もう一度、図１Ａを参照すると、ＥＵＶ光源２０は、ターゲット材料の複数部分（例えば小滴）をＥＵＶ容器２６の内部に照射領域２８まで送り出すためのターゲット材料デリバリシステム２４も含むことができ、その照射領域２８では、小滴１０２Ａ、１０２Ｂは１つ以上の光パルス２３、例えば１つ以上の前パルスと、その後の１つ以上の照射パルスと相互作用して、最終的にプラズマ及び対応するＥＵＶ光３４の放出を生成することになる。未使用又は未照射の小滴１０２Ｃはターゲット材料キャッチ２００で収集される。ターゲット材料は、スズ、リチウム、キセノンなど、又はこれらの組み合わせを含む材料を含むことができるが、必ずしもこれに限定されない。例えば、スズ、リチウム、キセノンなどのＥＵＶ放出元素は、液体小滴及び／又は液体小滴１０２Ａ、１０２Ｂ内に含有される固体粒子の形であるか、或いは本明細書の他の箇所に記載されている他の形である可能性がある。
【００３１】
[49]  例として、スズ元素は、純スズとして、ＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４などのスズ化合物として、スズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金などのスズ合金として、或いはこれらの組み合わせとして使用することができる。使用される材料次第で、ターゲット材料は、室温又は室温付近（例えば、スズ合金、ＳｎＢｒ４）、高温（例えば、純スズ）、或いは室温より低い温度（例えば、ＳｎＨ４）を含む様々な温度で照射領域２８に提示することができ、場合によっては、ＳｎＢｒ４など、比較的揮発性である場合もある。ＬＰＰ  ＥＵＶ光源におけるこれらの材料の使用に関する詳細は、「ALTERNATIVE FUELS FOR EUV LIGHT SOURCE」という名称で２００６年４月１７日に出願され、２００８年１２月１６日に発行され、本願所有者が所有する米国特許第７，４６５，９４６号に提供されており、同特許の内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【００３２】
[50]  更に図１Ａを参照すると、ＥＵＶ光源２０はＥＵＶコレクタ３０を含む。ＥＵＶコレクタ３０は、長球面（即ち、その長軸の周りを回転させた楕円）の形の反射面を有する近法線入射ＥＵＶコレクタである。実際の形状及びジオメトリは、当然のことながら、チャンバのサイズ及び焦点の位置次第で変化する可能性がある。ＥＵＶコレクタ３０は１つ以上の実施形態では段階的多層コーティングを含むことができる。段階的多層コーティングは、モリブデンとシリコンの交互の層と、場合によっては、１つ以上の高温拡散バリア層、平滑化層、キャッピング層、及び／又はエッチングストップ層を含むことができる。
【００３３】
[51]  ＥＵＶコレクタ３０はアパーチャ３２も含む。アパーチャ３２は、光パルス発生システム２２によって発生された光パルス２３が照射領域２８まで通過できるようにするものである。ＥＵＶコレクタ３０は、照射領域２８内又はその付近の第一焦点３１と中間焦点４０とを有する長球面ミラーにすることができる。ＥＵＶ光３４は、中間焦点４０又はその付近でＥＵＶ光源２０から出力され、ＥＵＶ光３４を使用する下流デバイス４２に入力される。例として、ＥＵＶ光３４を受け取る下流デバイス４２は、集積回路リソグラフィツール（例えばスキャナ）にすることができる。
【００３４】
[52]  ＥＵＶ光を使用するデバイスへのその後の送り出しのためにＥＵＶ光３４を収集して中間焦点４０に誘導するために、長球面ミラー、例えばＥＵＶコレクタ３０の代わりにその他の光学部品を使用できることは認識すべきことである。例として、ＥＵＶコレクタ３０はその長軸の周りを回転させたパラボラにすることができる。代替的に、ＥＵＶコレクタ３０は、リング形の断面を有するビームを中間焦点４０の位置まで送り出すように構成することもできる（例えば、「EUV OPTICS」という名称で２００６年８月１６日に出願され、２０１０年１１月３０日に発行され、本願所有者が所有する米国特許第７，８４３，６３２号、同特許の内容は参照により本明細書に組み込まれる）。
【００３５】
[53]  ＥＵＶ光源２０はＥＵＶコントローラ６０も含むことができる。ＥＵＶコントローラ６０は、光パルス発生システム２２内の１つ以上のランプ及び／又はレーザデバイスを起動して、それによりチャンバ２６への送り出しのための光パルス２３を発生するための点火制御システム６５を含むことができる。
【００３６】
[54]  ＥＵＶ光源２０は、１つ以上のターゲット材料イメージャ７０を含むターゲット材料位置検出システムも含むことができる。ターゲット材料イメージャ７０は、照射領域２８に対する１つ以上のターゲット材料小滴１０２Ａ、１０２Ｂの位置及び／又はタイミングを示す出力を提供する、ＣＣＤ又はその他の結像技術及び／又はバックライトストロボ照明及び／又はライトカーテンを使用して画像を捕捉することができる。イメージャ７０は、ターゲット材料位置検出フィードバックシステム６２に結合され、これにターゲット材料位置及びタイミングデータを出力する。ターゲット材料位置検出フィードバックシステム６２はターゲット材料の位置及び軌道を計算することができ、それからターゲット材料位置エラーを計算することができる。ターゲット材料位置エラーは、ターゲット材料のそれぞれの部分について又は平均ベースで（例えば、小滴ごとに又は平均小滴データについて）計算することができる。次にターゲット材料位置エラーはＥＵＶコントローラ６０への入力として提供することができる。ＥＵＶコントローラ６０は位置、方向、及び／又はタイミング訂正信号を光パルス発生システム２２に提供して、チャンバ２６内の照射領域２８に送り出される光パルス２３の軌道及び／又は集光力或いは焦点を変更するようにソースタイミング回路を制御するか及び／又はビーム位置整形システムを制御することができる。
【００３７】
[55]  ＥＵＶ光源２０は、光源２０によって発生されたＥＵＶ光の様々な特性を測定するための１つ以上のＥＵＶメトロロジ機器も含むことができる。これらの特性としては、例えば、強度（例えば、全強度又は特定のスペクトルバンド内の強度）、スペクトルバンド幅、偏光、ビーム位置、ポインティングなどを含むことができる。ＥＵＶ光源２０の場合、この機器（複数も可）は、例えばピックオフミラーを使用してＥＵＶ出力の一部分をサンプリングするか又は「未収集」ＥＵＶ光をサンプリングすることにより、下流ツール、例えばフォトリソグラフィスキャナがオンラインである間に動作するように構成される場合もあれば、及び／又は例えばＥＵＶ光源２０のＥＵＶ出力全体を測定することにより、下流ツール、例えばフォトリソグラフィスキャナがオフラインである間に動作する場合もある。
【００３８】
[56]  ＥＵＶ光源２０は、例えば、ターゲット材料ディスペンサ９２からのターゲット材料のリリースポイントを変更するか及び／又はターゲット材料形成タイミングを変更して、所望の照射領域２８に到達するターゲット材料小滴１０２Ａ、１０２Ｂの位置エラーを補正するか及び／又はターゲット材料小滴１０２Ａ、１０２Ｂの発生を光パルス発生システム２２と同期させるために、ＥＵＶコントローラ６０からの信号（実施例によっては、上記のターゲット材料位置エラー又はそこから導出した何らかの数量を含む可能性がある）に応答して動作可能なターゲット材料制御システム９０も含むことができる。
【００３９】
[57]  ＥＵＶ光源２０の追加の詳細及び代替例については、「System, Method and Apparatus for Laser Produced Plasma Extreme Ultraviolet Chamber with Hot Walls and Cold Collector Mirror」という名称で２０１０年３月１６日に出願され、２０１３年１１月５日に発行され、本願所有者が所有する米国特許第８，５７５，５７５号にも記載されており、同特許は参照により全体が本明細書に組み込まれる。米国特許第８，５７５，５７５号は、実施例によっては固体形態のスズ堆積の方が容易に揮発性スズ化合物に転化されるので、ＥＵＶコレクタの表面上に形成されたスズ堆積の融点より低い温度までＥＵＶコレクタ３０及び羽根などのその他の内面が冷却される実施例を提供している。
【００４０】
[58]  ＥＵＶ光源２０の追加の詳細及び代替例については、「System, Method and Apparatus for Aligning and Synchronizing Target Material for Optimum Extreme Ultraviolet Light Output」という名称で２０１０年３月１６日に出願され、２０１４年２月１８に発行され、本願所有者が所有する米国特許第８，６５３，４９１号にも記載されており、同特許は参照により全体が本明細書に組み込まれる。米国特許第８，６５３，４９１号は、ＥＵＶ放出プラズマの量を改善するためにターゲット材料をより正確にターゲティングするための実施例を提供している。
【００４１】
[59]  図１Ｂは、開示されている主題の諸実施形態によるＥＵＶ容器２６内の中央容器バッフルアセンブリ１５０を示している。バッフルアセンブリ１５０はＥＵＶ容器２６の中央容器領域１５５’内に位置する。ＥＵＶ容器２６の二次領域１５５は、中央容器領域１５５’と後部容器領域１５５”という２つの部分に分割される。中央容器領域１５５’は照射領域２８から始まり、ＥＵＶ容器２６のアウトレット４０Ａに向かって延びる。後部容器領域１５５”は中央容器領域１５５’とＥＵＶ容器２６のアウトレット４０Ａとの間に延びる。中央容器領域１５５’及び後部容器領域１５５”は特定の長さを持っておらず、従って、中央容器領域１５５’は実施例によっては実質的にＥＵＶ容器２６の二次領域１５５のすべてを含むことができる。
【００４２】
[60]  バッフルアセンブリ１５０は、ターゲット材料が照射領域２８で照射されたときに作成された微粒子１５３の一部分を受け取り、減速し、捕捉する、一連の通路及び構造を含む。バッフルアセンブリ１５０は、照射領域２８及びＥＵＶコレクタ３０から中間焦点４０の位置又はＥＵＶ容器２６の二次領域１５５の任意の部分まで延びる、一連の羽根又はその他の構造及び多孔質材料から形成することができる。バッフルアセンブリ１５０は照射領域２８及びＥＵＶコレクタ３０から中間焦点４０まで延びることができるが、バッフルアセンブリは、ＥＵＶ光３４がＥＵＶコレクタ３０から３次元の円錐形の透過領域１５２を通って中間焦点４０まで通過するのを防止するか又はその他の方法で妨げるものではない。
【００４３】
[61]  バッフルアセンブリ１５０内の通路は透過領域１５２のエッジ１５４Ａ、１５４Ｂから始まり、バッフルアセンブリ１５０内の通路はＥＵＶ容器２６の内面１５６まで延びる。バッフルアセンブリ１５０は、透過領域１５２を取り囲むがその中に突出しない一連の同心バッフルを含むことができる。バッフルアセンブリ１５０は、実質的に透過領域１５２のエッジ１５４Ａ、１５４ＢからＥＵＶ容器２６の内面１５６まで延びる。
【００４４】
[62]  水平構成で示されているが、実施例によっては、ＥＵＶ容器２６は、バッフルアセンブリ１５０及びＥＵＶ容器のアウトレット４０Ａが実質的にコレクタ３０のすぐ上に向けられるようにほぼ垂直の向きに構成されることに留意されたい。その結果、バッフルアセンブリ１５０上に形成されるターゲット材料堆積は、取り除かれた状態になり、意図せずにコレクタ３０上に収集される可能性がある。
【００４５】
[63]  図１Ｃは、開示されている主題の諸実施形態によるターゲット材料デブリ堆積１６１Ａ〜Ｄ及び１６２を含むＥＵＶコレクタ３０の概略図である。ターゲット材料デブリ堆積１６１Ａ〜Ｄ及び１６２は多くの形で存在する可能性がある。例として、肉眼で識別可能な比較的小さい粒子１６１Ａはコレクタ３０の表面上に堆積する可能性がある。より大きい堆積１６１Ｂ、１６１Ｄは、凝固又はその他の方法で蓄積及び／又は集合して、より大きい堆積及び／又はターゲット材料デブリ堆積になる複数の小さい粒子を含むことができ、そのターゲット材料デブリ堆積は最初にバッフルアセンブリ１５０上に形成され、バッフルアセンブリから解放され、その後、コレクタ３０上に堆積したものである。更に大きいターゲット材料デブリ堆積１６１Ｃも様々な理由でコレクタ３０上に形成される可能性がある。上記のターゲット材料デブリ堆積１６１Ａ〜Ｄに加えて、非常に微細な層のターゲット材料デブリ堆積１６２は実質的にコレクタ３０の表面全体及びＥＵＶ容器２６の内側のその他の表面をコーティングする可能性がある。非常に微細な層のターゲット材料デブリ堆積１６２は、コレクタ３０の表面上の実質的に均一なダストコーティングに似ている可能性のある、実質的な顕微鏡的ターゲット材料デブリで構成される可能性がある。
【００４６】
[64]  図１Ｄは、開示されている主題の諸実施形態によるバッフルアセンブリ１５０の一部分の概略図である。バッフルアセンブリ１５０は多くの別個の羽根１５１Ａ、１５１Ｂを含む。羽根１５１Ａ、１５１Ｂは、図示の通り可変距離だけ互いに分離される。更に、羽根は、羽根１５１Ａと羽根１５１Ｂとの違いによって図示の通り可変角度で形成される。ターゲット材料デブリ堆積１７１Ａ〜１７１Ｃは多くの別個の羽根１５１Ａ、１５１Ｂ上の様々な位置に形成される可能性がある。例として、ターゲット材料堆積１７１ＡはＥＵＶ容器２６の中間焦点４０の領域付近に形成される可能性がある。同様に、ターゲット材料デブリ堆積１７１Ｂ及び１７１Ｃは、ＥＵＶ容器２６の内面１５６にいくらか近い羽根１５１Ａ、１５１Ｂの外部エッジに沿って形成される可能性がある。上記のように、ターゲット材料デブリ堆積１７１Ａ〜１７１Ｃは、最初にバッフルアセンブリ１５０上に形成され、次に様々な理由でバッフルアセンブリから取り除かれた状態になり、コレクタ３０の表面上に収集される可能性がある。
【００４７】
[65]  様々なターゲット材料デブリ堆積１６１Ａ〜１６１Ｄ、１７１Ａ〜１７１Ｃは最終的に様々な点でＥＵＶ容器２６の性能を妨げるので、ある時点で除去しなければならない。ターゲット材料デブリ堆積を除去するための手法の１つは、ＥＵＶの発生を中断し、ＥＵＶ容器２６を分解して、コレクタ３０、バッフルアセンブリ１５０、及びその他の内面１５６など、ＥＵＶ容器の個々の部分のそれぞれをクリーニングすることである。しかしながら、ＥＵＶ容器２６内のＥＵＶの発生を中断すると、ＥＵＶ容器で発生されたＥＵＶを消費しているＥＵＶリソグラフィプロセスの中断になり、事実上生産を停止することになる。より効果的なＥＵＶ容器クリーニングプロセスが必要である。様々な形態のインシチュ水素ラジカル発生は、ＥＵＶ容器におけるＥＵＶ光の発生を中断せずに、様々なターゲット材料デブリ堆積１６１Ａ〜１６１Ｄ、１７１Ａ〜１７１ＣをＥＵＶ容器２６から除去するための更に効果的で時宜を得たクリーニングプロセスを提供する。
【００４８】
[66]  図２は、開示されている主題の諸実施形態による１つ以上のインシチュ水素ラジカル源２０１、２０１’、２０１”を含むＥＵＶ光源２００の簡易概略図である。ＥＵＶ光源２００は、ＥＵＶ容器２６内の１つ以上の位置に配置可能な１つ以上のインシチュ水素ラジカル源２０１、２０１’、２０１”を含む。インシチュ水素ラジカル源２０１はコレクタ３０の外周部付近に配置される。中央インシチュ水素ラジカル源２０１’はコレクタ３０の中心アパーチャ３２付近に配置される。バッフルインシチュ水素ラジカル源２０１”はＥＵＶ容器２６のバッフルアセンブリ付近に配置される。ＥＵＶ容器２６はインシチュ水素ラジカル源２０１、２０１’、２０１”のうちの１つ程度を含むことができ、ＥＵＶ容器内に物理的に配置可能な数だけ含むこともできることに留意されたい。インシチュ水素ラジカル源２０１、２０１’、２０１”は、以下により詳細に記載されるように、異なるタイプ及び構成のインシチュ水素ラジカル源のうちの１つ以上にすることができる。
【００４９】
[67]  水素ガス源２９０はインシチュ水素ラジカル源２０１、２０１’、２０１”のそれぞれに結合される。任意選択でキャリアガス源２９１をインシチュ水素ラジカル源２０１、２０１’、２０１”のそれぞれに結合することができる。以下により詳細に記載されるように、１つ以上の信号源２１２をインシチュ水素ラジカル源２０１、２０１’、２０１”のそれぞれに結合することができる。インシチュ水素ラジカル源２０１、２０１’、２０１”はＥＵＶ容器２６内の実質的に対称的位置又は非対称的位置に配置することができる。
【００５０】
[68]  図３Ａは、開示されている主題の諸実施形態によるコレクタ３０の一部分及びインシチュ水素ラジカル源２０１の詳細断面図である。図３Ｂは、開示されている主題の諸実施形態によるコレクタ３０及びインシチュ水素ラジカル源２０１の断面図の簡易概略図である。コレクタ３０はコレクタ表面３０Ａとコレクタリム３０Ｂとを有する。コレクタ３０は中央アパーチャ３２も含む。水素ラジカル源２０１はコレクタ３０に隣接して配置される。図示されている実施形態では、水素ラジカル源２０１はコレクタ３０のリム３０Ｂに直接隣接して配置される。
【００５１】
[69]  水素ラジカル源２０１は、ラジカルジェネレータ２０２と、リムチャネル２０４を越えて通じるアウトレットチャネル２０３と、アウトレット２０５とを含む。ラジカルジェネレータ２０２は信号源２１２に結合される。水素ラジカル源２０１は、図示されていない水素源に結合される。水素源は、水素ガス或いは水素含有ガス又は水素含有ガスの混合物などのその他の水素含有原料物質の発生源にすることができる。水素源は、水素含有ガスをアルゴン、ヘリウム、窒素、及びその他の実質的に不活性のゲットキャリアガスなどの不活性キャリアガス２０８と混合するための混合装置も含むことができる。他の実施例では、不活性キャリアガス２０８を水素ラジカル源２０１に直接注入することができる。
【００５２】
[70]  Ｈ＋及び／又はＨ−イオンを含む水素ラジカルＨ＊は、水素ラジカル源２０１に水素を注入し、ラジカルジェネレータ２０２を励起することによって作成される。次に水素ラジカルは、アウトレットチャネル２０３を通りリムチャネル２０４を通って流れ、コレクタ３０の表面３０Ａに直近のアウトレット２０５から流れ出る。不活性キャリアガスを使用して、水素ラジカル源２０１からコレクタ３０の表面３０Ａに水素ラジカルを移送することができる。次に水素ラジカルは、コレクタ３０の表面３０Ａ上に配置されたターゲット材料デブリ堆積１７１Ａ、１６２と反応して、揮発性スズ化合物を作成することができる。次に、揮発性スズ化合物は、パージガス源２９５（図２に示されている）を使用してパージアウトレット２９６（図２に示されている）を通ってＥＵＶ容器２６からパージすることができる。
【００５３】
[71]  図３Ｂを参照すると、水素ラジカル源２０１は、第１の電位に結合された壁２０１Ａと第２の電位に結合されたラジカルジェネレータ２０２とを有する容量結合水素プラズマチャンバにすることができる。図示の通り、壁２０１Ａは接地され、ラジカルジェネレータ２０２は信号源２１０に結合される。しかしながら、壁２０１Ａは信号源２１２に結合することができ、ラジカルジェネレータ２０２は接地するか又は第２の信号源に結合することができることを理解されたい。一実施例では、信号源２１２は、数十ｋＨｚ〜約１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号源にすることができる。信号源２１２は、水素ラジカル源２０１内に存在する水素を励起して、水素を水素ラジカルＨ＊に分離する水素プラズマ２０２Ａを発生することができる。
【００５４】
[72]  図４は、開示されている主題の諸実施形態によるコレクタ３０及び代替インシチュ水素ラジカル源２２１の断面図の簡易概略図である。代替インシチュ水素ラジカル源２２１はインシチュ水素ラジカル源２０１にいくらか似ているが、代替インシチュ水素ラジカル源２２１の壁２０１Ａ及びラジカルジェネレータ２１１を、そこで発生されたプラズマ２０２Ａから隔離するためのセラミック絶縁体２２０を含む。
【００５５】
[73]  図５は、開示されている主題の諸実施形態により、コレクタの外周部を実質的に取り囲むインシチュ水素ラジカル源２３１を有するコレクタ３０の簡易図である。インシチュ水素ラジカル源２３１は、コレクタ３０の外周部の周りに配置された環状チャンバである。インシチュ水素ラジカル源２３１は、上記のようにインシチュ水素ラジカル源２０１又は２２１と実質的に同様の断面を有する。インシチュ水素ラジカル源２３１は、水素ラジカルＨ＊がコレクタの外周部の周りで実質的に均等に生成され出力されるように、コレクタ３０の外周部の周りにアウトレット２０５Ａを有する。
【００５６】
[74]  図６は、開示されている主題の諸実施形態により、コレクタの外周部の周りに実質的に均等に分散され配置されている複数のインシチュ水素ラジカル源２０１を有するコレクタ３０の簡易図である。インシチュ水素ラジカル源２０１のそれぞれは、水素ラジカル源のそれぞれによって発生された水素ラジカルＨ＊がコレクタ３０の外周部の周りで出力されるようにアウトレット２０５を含む。インシチュ水素ラジカル源２０１のそれぞれは、本明細書に記載されているインシチュ水素ラジカル源の任意の１つ以上にすることができる。一実施例では、コレクタ３０の外周の周りに分散される水素ラジカル源２０１のそれぞれは同じタイプの水素ラジカル源である。他の実施例では、コレクタ３０の外周部の周りに分散される水素ラジカル源は１つ以上のタイプの水素ラジカル源を含む。
【００５７】
[75]  図７は、開示されている主題の諸実施形態によるコレクタ３０及び複数のインシチュ水素ラジカル源２０１の断面図の簡易概略図である。複数のインシチュ水素ラジカル源２０１のうちの１つ以上はコレクタ３０の外周部の周り及びエッジ３０Ｂに沿って配置される。コレクタ３０の外周部の周りに配置されるインシチュ水素ラジカル源２０１に加えて、そこで発生された水素ラジカルＨ＊がコレクタの中心アパーチャを通って出力されるように中心アパーチャ３２の直近に１つ以上の中央インシチュ水素ラジカル源２７１が配置される。中央インシチュ水素ラジカル源２７１で発生された水素ラジカルＨ＊はコレクタ３０上及び中心アパーチャ３２付近に堆積したターゲット材料デブリの直近に水素ラジカルを提供する。中央インシチュ水素ラジカル源２７１は上記の水素ラジカル源２０１に似ているものとして示されているが、中央インシチュ水素ラジカル源２７１のそれぞれは本明細書に記載されている任意の種類の水素ラジカル源にすることができることに留意されたい。
【００５８】
[76]  中央インシチュ水素ラジカル源２７１のそれぞれはそれぞれの信号源２１２Ａ及び２１２Ｂを有し、インシチュ水素ラジカル源２０１はそれぞれの信号源２１２を有する。それぞれの信号源２１２、２１２Ａ、２１２Ｂは、インシチュ水素ラジカル源２０１、２７１のそれぞれが、そこにターゲット材料デブリが堆積しているそれぞれの局所表面エリアについて必要に応じてある量の水素ラジカルを生成するように個別に制御できるように、同じか又は異なる周波数、電力、デューティサイクル、又は振幅を有する同じか又は異なる信号源にすることができる。例として、アパーチャ３２に直近のコレクタ３０の表面エリアに大量のターゲット材料デブリが堆積しており、コレクタの外周部付近のエリアに比較的少量のターゲット材料デブリが堆積している場合、アパーチャ付近で必要な水素ラジカルＨ＊の量は、インシチュ水素ラジカル源２０１、２７１のそれぞれのアウトレットにとって局所的なそれぞれの量のターゲット材料デブリを除去するために外周部付近で必要な水素ラジカルＨ＊の量より大きくなるであろう。
【００５９】
[77]  図８は、開示されている主題の諸実施形態による誘導水素ラジカルジェネレータ８００の簡易概略側面図である。図９は、開示されている主題の諸実施形態による誘導水素ラジカルジェネレータ８００の簡易概略上面図である。誘導水素ラジカルジェネレータ８００はコレクタ３０の外周部の周りに配置された複数の水素ノズル８０２を含む。水素ノズルとコレクタ３０のリム３０Ｂとの間には誘導コイル８０４が配置される。
【００６０】
[78]  誘導コイル８０４は信号源２１２Ｃに結合された第１の端部を有する。誘導コイル８０４は地面に結合された第２の端部を有する。誘導コイル８０４はコレクタ３０の外周部の周りに１つの実質的なループのみを作成して示されているが、これは誘導コイルの説明を簡略化するために示されており、誘導コイルはコレクタの外周部の周りに１つ以上のループを含むことができることに留意されたい。
【００６１】
[79]  信号源２１２Ｃは適切な周波数、振幅、及びデューティサイクルの誘導信号を出力する。誘導信号が誘導コイル８０４を通過すると、図９に示されているように磁界がコイルの中心に誘導される。コイルの中心に水素を注入するための水素ノズル８０２により、水素プラズマ８１０を作成することができる。水素プラズマはコレクタ３０の表面３０Ａの直近に水素ラジカルＨ＊を発生し、そこで水素ラジカルＨ＊は存在する可能性のあるターゲット材料堆積と相互作用することができる。
【００６２】
[80]  図１０は、開示されている主題の諸実施形態による誘導水素ラジカルジェネレータ１０００の簡易概略側面図である。誘導水素ラジカルジェネレータ１０００は、誘導コイル１００４がＥＵＶ容器２６の側壁１００８の外側に配置されているという点で、図８及び図９に記載されている誘導水素ラジカルジェネレータ８００とは異なる。側壁１００８は、それを通って誘導コイルがコレクタ３０の表面３０Ａの上に磁界を誘導できるセラミックウィンドウ１００７を含む。上記のように、水素ノズル８０２は誘導コイル１００４によって発生された磁界内に水素を注入して、必要な水素ラジカルＨ＊を生成する水素プラズマ８１０を作成する。
【００６３】
[81]  図１１は、開示されている主題の諸実施形態による容量水素ラジカルジェネレータ１１００の簡易概略側面図である。容量水素ラジカルジェネレータ１１００は、第１の電極としてコレクタ３０の導電層１１２０を使用し、第２の電極としてＥＵＶ容器２６の壁１００８を使用する。コレクタ３０は複数の層１１２０、１１２２、１１２４、１１２６を含む。これらの層の１つは導電層１１２０である。導電層１１２０は、銅、アルミニウム、鋼、ステンレス鋼、並びに銅、アルミニウム、鋼、ステンレス鋼を含有する化合物及び合金を含む、任意の適切な導電材料から形成することができる。導電層１１２０は、コレクタ３０の温度を管理するための加熱及び冷却デバイス及びサブシステムも含むことができる。一実施例では、導電層１１２０は、抵抗ヒータ及び／又は気体又は液体冷却剤などの冷却液を渡すための冷却水路を含む。導電層１１２０は、コレクタ３０のための物理的構造サポート及び取り付けポイントも提供することができる。
【００６４】
[82]  シリコン、ガラス、又はクォーツ層１１２２は導電層１１２０によって支持される。反射層１１２４はシリコン、ガラス、クォーツ層１１２２上に支持される。反射層１１２４はコレクタ３０の反射機能を実行する。任意選択の保護層１１２６は反射層１１２４の上に形成することができる。種々の層１１２０、１１２２、１１２４、及び１１２６の厚さは図１１の詳細図には正確に示されていないことを理解されたい。
【００６５】
[83]  動作時に、信号源２１２Ｃから導電層１１２０に信号を加えると、水素ノズル１１０６から注入された水素ガスにその信号を容量結合して水素プラズマ１１１０を生成し、その水素プラズマ１１１０がコレクタ３０の表面３０Ａ付近に水素ラジカルＨ＊を発生する。
【００６６】
[84]  図１２は、開示されている主題の諸実施形態による容量水素ラジカルジェネレータ１２００の簡易概略側面図である。水素ラジカル源２２１は、第１の電位に結合された壁２０１Ａと第２の電位に結合されたラジカルジェネレータ２１１とを有する容量結合水素プラズマチャンバにすることができる。図示の通り、壁２０１Ａは接地され、ラジカルジェネレータ２０２は信号源２１２に結合される。しかしながら、壁２０１Ａは信号源２１２に結合することができ、ラジカルジェネレータ２１１は接地するか又は第２の信号源（図示せず）に結合することができることを理解されたい。一実施例では、信号源２１２は、数十ｋＨｚ〜約１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有するＲＦ信号源にすることができる。信号源２１２は、水素ラジカル源２２１内に存在する水素を励起して、水素を水素ラジカルＨ＊に分離する水素プラズマ２０２Ａを発生することができる。
【００６７】
[85]  また、容量水素ラジカルジェネレータ１２００は、第２の信号源１２１２に結合される第３の電極としてコレクタ３０の導電層１１２０を使用する。第２の信号源１２１２は、ＤＣ（０Ｈｚ）から数十ＭＨｚ程度までの範囲の信号を生成することができる。一実施例では、第２の信号源１２１２は０Ｈｚ〜約１３ＭＨｚの信号を出力する。第２の信号源１２１２は、コレクタ３０の表面３０Ａに向かって水素ラジカルＨ＊を引き寄せ、それにより表面３０Ａ及びその上のターゲット材料デブリ堆積付近の水素ラジカルＨ＊の濃度を増加するために使用することができる。表面３０Ａ付近の水素ラジカルＨ＊の濃度を増加すると、ターゲット材料デブリ堆積内のスズからＳｎＨ４などの揮発性スズ化合物への転化が増加する。
【００６８】
[86]  図１３は、開示されている主題の諸実施形態により、バッフル１５０内又はその付近に配置された容量水素ラジカル源２０１”を含むＥＵＶ容器２６の簡易概略側面図である。水素ラジカル源２０１”は第１の電極１３０２と第２の電極１３０４とを含む。実施例によっては、第１の電極１３０２は接地される。実施例によっては、第２の電極１３０４は信号源１３１２に結合される。代替的に、第１の電極１３０２は信号源１３１２に結合することができ、第２の電極１３０４は地面に結合することができる。代替的に、電極１３０２、１３０４のうちの１つを地面に結合する代わりに、その電極を図示されていない第２の信号源に結合することもできる。第２の電極１３０４は、任意選択の絶縁層１３０６によってＥＵＶ容器２６の側壁１００８から絶縁することができる。
【００６９】
[87]  水素ラジカル源２０１”内に水素を注入し、適切な信号を電極１３０２、１３０４に加えると、バッフル１５０の直近に水素ラジカルＨ＊を発生する。次に、水素ラジカルＨ＊はバッフル１５０上のターゲット材料デブリ堆積と反応して、ＥＵＶ容器２６から排気又はパージできる揮発性副産物を生成することができる。
【００７０】
[88]  図１４は、開示されている主題の諸実施形態により、ＥＵＶ容器２６内でインシチュで水素ラジカルを発生する際に実行される方法動作１４００を示すフローチャート図である。本明細書に示されている動作は例としてのものであり、いくつかの動作は下位動作を有する可能性があり、その他の事例では本明細書に記載されている特定の動作が例示されている動作に含まれない可能性があることを理解されたい。これを念頭に置いて、次に方法及び動作１４００について説明する。
【００７１】
[89]  動作１４０５では、ターゲット材料デブリ堆積に直近のＥＵＶ容器内でインシチュで水素ラジカルが発生される。水素ラジカルＨ＊は上記の様々な水素ラジカル源によって発生される。いくつかの異なる水素ラジカル源が上述されており、２つ以上の水素ラジカル源をＥＵＶ容器２６内に含めることができるが、これらの水素ラジカル源は、活動化された１つ以上の水素ラジカル源に直近の特定のターゲット材料デブリ堆積を除去するために選択的に活動化することができる。それぞれの水素ラジカル源は、可変量の水素ラジカルＨ＊を生成するように独立して異なる動作パラメータで操作できることに留意されたい。
【００７２】
[90]  動作１４１０では、水素ラジカルＨ＊はターゲット材料デブリ堆積と化合して、ターゲット材料デブリ堆積を揮発性化合物に転化する。動作１４１５では、揮発性化合物がＥＵＶ容器２６から除去される。揮発性化合物は、揮発性化合物をパージするか又は排気することによりＥＵＶ容器２６から除去することができる。動作１４０５〜１４１５は、ＥＵＶ容器２６がＥＵＶを生成している間も実行できることに留意されたい。
【００７３】
[91]  一実施例では、インシチュクリーニングプロセスは、約９０ｓｌｍの流量でアパーチャ３２付近に水素ラジカルを発生して注入することと、約１．３Ｔｏｒｒの圧力を維持しながら、約９０ｓｌｍの流量でＥＵＶコレクタ３０の外周部付近に水素ラジカルを発生して注入することを含み、信号源２１２、２１２Ａ、２１２Ｂ、２１２Ｃ、１２１２は、所望のクリーニング速度次第で約１ｋＷ〜数ｋＷの電力でおよそ数ｋＨｚ〜数百ＭＨｚの間のＲＦの信号を提供する。これらは単に流量、ＲＦ周波数、及びＲＦ電力の例であり、より小さいか又は大きい流量、ＲＦ周波数、及びＲＦ電力、並びにこれらの組み合わせも使用できることを理解されたい。また、水素ラジカルの発生及び注入は、それぞれの水素ラジカル源のそれぞれのアウトレットに直近の追加のターゲット材料デブリに対処するために必要に応じてＥＵＶコレクタ３０及びアパーチャ３２の外周部の局所部分の１つ以上において異なる流量、ＲＦ周波数、及びＲＦ電力にすることができることも理解されたい。
【００７４】
[92]  図１５は、開示されている主題の諸実施形態により、同時にＥＵＶ容器２６内のターゲット材料デブリ堆積を除去しながらＥＵＶ光を生成する際に実行される方法動作１５００を示すフローチャート図である。本明細書に示されている動作は例としてのものであり、いくつかの動作は下位動作を有する可能性があり、その他の事例では本明細書に記載されている特定の動作が例示されている動作に含まれない可能性があることを理解されたい。これを念頭に置いて、次に方法及び動作１５００について説明する。
【００７５】
[93]  動作１５０５では、ソースレーザはＥＵＶ容器２６内のターゲット材料の一部分に誘導される。
【００７６】
[94]  動作１５１０では、ソースレーザがＥＵＶ容器２６内のターゲット材料と相互作用すると、プラズマが発生される。ソースレーザがＥＵＶ容器内のターゲット材料と相互作用すると、ターゲット材料の第１の部分はプラズマに転化され、ターゲット材料の第２の部分はターゲット材料デブリとして処分される。
【００７７】
[95]  動作１５１５では、プラズマから放出されたＥＵＶ光がコレクタ３０に収集される。動作１５２０では、ターゲット材料の第２の部分がＥＵＶ容器２６の様々な内面上に定着する。
【００７８】
[96]  動作１５２５では、追加のＥＵＶ光を発生する必要がある場合、この方法動作は上記のように動作１５０５に続く。追加のＥＵＶ光を発生する必要がない場合、この方法動作は終了することができる。
【００７９】
[97]  動作１５０５と同時に、動作１５０７ではＥＵＶ容器２６内でインシチュで水素ラジカルＨ＊が発生される。水素ラジカルはＥＵＶ容器２６内に配置された１つ以上の水素ラジカル源で発生される。
【００８０】
[98]  動作１５１２では、水素ラジカルＨ＊がターゲット材料デブリ堆積と相互作用して揮発性化合物を形成する。典型的に上述したように、ターゲット材料はスズを含有し、水素ラジカルＨ＊の相互作用によって作成された揮発性化合物はＳｎＨ４になる。動作１５１２ではターゲット材料デブリ堆積の少なくとも一部分を含有する任意の適切な揮発性化合物を作成できることを理解されたい。
【００８１】
[99]  動作１５１７では、動作１５１２で作成された揮発性化合物がＥＵＶ容器２６から除去される。揮発性化合物は、パージするか又はＥＵＶ容器２６を排気するか、これらの組み合わせにより除去することができる。
【００８２】
[100]  動作１５２２では、追加のターゲット材料デブリ堆積を除去する必要がある場合、方法動作は上記の動作１５０７に続く。追加のターゲット材料デブリ堆積をＥＵＶ容器２６から除去する必要がない場合、この方法動作は終了することができる。動作１５０７〜１５２２におけるターゲット材料デブリ堆積除去はＥＵＶ容器２６において動作１５０５〜１５２５のＥＵＶの発生と同時に実行できることに留意されたい。その他の実施例では、動作１５０７〜１５２２におけるターゲット材料デブリ堆積除去は動作１５０５〜１５２５のＥＵＶの発生と重複して又は代替的に実行することができる。
【００８３】
[101]  一実施例では、インシチュクリーニングプロセスは、約１．３Ｔｏｒｒの圧力を維持しながら、約９０ｓｌｍの流量でＥＵＶ容器の周りの様々な位置に水素ラジカルを発生して注入することを含み、信号源１３１２は、所望のクリーニング速度次第で約１ｋＷ〜数ｋＷの電力でおよそ数ｋＨｚ〜数百ＭＨｚの間のＲＦの信号を提供する。これらは単に流量、ＲＦ周波数、及びＲＦ電力の例であり、より小さいか又は大きい流量、ＲＦ周波数、及びＲＦ電力、並びにこれらの組み合わせも使用できることを理解されたい。また、水素ラジカルの発生及び注入は、ＥＵＶ容器の内側の周りに配置されたそれぞれの水素ラジカル源のそれぞれのアウトレットに直近の追加のターゲット材料デブリに対処するために必要に応じてＥＵＶ容器の局所部分の１つ以上において異なる流量、ＲＦ周波数、及びＲＦ電力にすることができることも理解されたい。
【００８４】
[102]  上記の諸実施形態を念頭に置いて、本発明は、コンピュータシステムに記憶されたデータを伴う、様々なコンピュータで実行される動作を使用できることを理解されたい。これらの動作は物理量の物理的操作を必要とするものである。必ずではないが、通常、これらの数量は、記憶、転送、結合、比較、及びその他の操作が可能な電気又は磁気信号の形を取る。更に、実行される操作はしばしば、生成、識別、決定、又は比較などの用語で呼ばれる。
【００８５】
[103]  本明細書に記載され、本発明の一部を形成する動作はいずれも有用な機械操作である。本発明は、これらの動作を実行するためのデバイス又は装置にも関するものである。この装置は、専用コンピュータなど、必要な目的のために特別に構築することができる。専用コンピュータとして定義される場合、このコンピュータは、依然として特定目的のために動作可能でありながら、特定目的の一部ではないその他の処理、プログラム実行、又はルーチンを実行することもできる。代替的に、これらの動作は、コンピュータメモリ、キャッシュに記憶されるか又はネットワークにより入手された１つ以上のコンピュータプログラムによって選択的に活動化又は構成される汎用コンピュータによって処理することができる。データがネットワークにより入手される場合、そのデータは、例えばコンピューティングリソースのクラウドなど、ネットワーク上のその他のコンピュータによって処理することができる。
【００８６】
[104]  本発明の諸実施形態は、ある状態から他の状態にデータを変換する機械として定義することもできる。変換されたデータは、記憶装置に保存し、その後、プロセッサによって操作することができる。従って、プロセッサはそのデータをあるものから他のものに変換する。更に、上記の方法は、ネットワークにより接続可能な１つ以上の機械又はプロセッサによって処理することができる。それぞれの機械はデータをある状態又はものから他の状態又はものに変換することができ、データを処理し、データを記憶装置に保存し、ネットワークによりデータを伝送し、結果を表示し、或いはその結果を他の機械に伝達することもできる。
【００８７】
[105]  本発明は、コンピュータ可読媒体上のコンピュータ可読コードとして実施することもできる。コンピュータ可読媒体はデータを記憶できる任意のデータ記憶装置であり、そのデータはその後、コンピュータシステムによって読み取ることができる。コンピュータ可読媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワーク接続記憶装置（ＮＡＳ）、読み取り専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、フラッシュ、磁気テープ、並びにその他の光学及び非光学データ記憶装置を含む。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ可読コードが分散方式で記憶され実行されるように、ネットワーク結合のコンピュータシステムにより分散することもできる。
【００８８】
[106]  上記の図の動作によって表される命令は例示されている順序で実行する必要はなく、動作によって表される処理のすべてが本発明を実践するために必要であるわけではない場合もあることが更に認識されるであろう。更に、上記の図のいずれかに記載されているプロセスは、ＲＡＭ、ＲＯＭ、又はハードディスクドライブのうちの任意の１つ又は組み合わせに記憶されたソフトウェアで実現することもできる。
【００８９】
[107]  上記の発明は理解を明瞭にするためにある程度詳細に記載されているが、付加された請求項の範囲内で特定の変更及び修正が実践可能であることは明らかになるであろう。従って、本発明の実施形態は制限的ではなく例示的なものと見なすべきであり、本発明は本明細書に示されている詳細に限定されるものではなく、付加された請求項の範囲及び同等物の範囲内で変更可能である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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