(57)【要約】  本発明の半導体基板用研磨液は、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子と、水溶性高分子と、水と、を含み、水溶性高分子の含有量が、半導体基板用研磨液の全質量基準で０質量％を超え１．００質量％以下であり、ｐＨが５．０以上９．０以下である。本発明の半導体ウエハの製造方法は、上記半導体基板用研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨して半導体ウエハを得る研磨工程を備える。【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子と、水溶性高分子と、水と、を含み、
前記水溶性高分子の含有量が、半導体基板用研磨液の全質量基準で０質量％を超え１．００質量％以下であり、
ｐＨが５．０以上９．０以下である、半導体基板用研磨液。
【請求項２】
ｐＨが６．０以上８．０以下である、請求項１に記載の半導体基板用研磨液。
【請求項３】
前記変性シリカ粒子の含有量が、半導体基板用研磨液の全質量基準で０．０１質量％以上１．５０質量％以下である、請求項１又は２に記載の半導体基板用研磨液。
【請求項４】
前記水溶性高分子の含有量が、半導体基板用研磨液の全質量基準で０．００１質量％以上１．００質量％以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体基板用研磨液。
【請求項５】
前記水溶性高分子がノニオン性高分子である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体基板用研磨液。
【請求項６】
前記水溶性高分子が、ビニルピロリドンを含む重合性単量体から得られる重合体である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体基板用研磨液。
【請求項７】
前記水溶性高分子がポリビニルピロリドンである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体基板用研磨液。
【請求項８】
１，２，４−トリアゾールを更に含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体基板用研磨液。
【請求項９】
前記１，２，４−トリアゾールの含有量が、半導体基板用研磨液の全質量基準で０．０５質量％以上０．７０質量％以下である、請求項８に記載の半導体基板用研磨液。
【請求項１０】
研磨対象が半導体基板の表面であり、当該表面がシリコンを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体基板用研磨液。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体基板用研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨して半導体ウエハを得る研磨工程を備える、半導体ウエハの製造方法。
【請求項１２】
前記研磨工程の前に、半導体材料からなる板状部材をラッピング又はグラインディングして粗ウエハを得る工程と、前記粗ウエハを研磨して前記半導体基板を得る工程と、を更に備える、請求項１１に記載の半導体ウエハの製造方法。
【請求項１３】
前記研磨工程の前に、半導体材料からなる板状部材をウエットエッチングして粗ウエハを得る工程と、前記粗ウエハを研磨して前記半導体基板を得る工程と、を更に備える、請求項１１に記載の半導体ウエハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板用研磨液、及び半導体ウエハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板に代表される半導体基板の研磨工程には、一般的に、スライシングで発生する表面の凹凸の解消及び基板の厚みの均一化のためのラッピング工程と、目的とする表面精度に仕上げるためのポリッシング工程（研磨工程）がある。ポリッシング工程は、さらに、粗研磨と称される１次ポリッシング工程と、精密研磨と称されるファイナルポリッシング工程に区分けされる。【０００３】
粗研磨や精密研磨は、場合によって、研磨パッド（研磨布）の硬さや研磨荷重が異なる複数のポリッシング工程に更に分けられる。ポリッシング工程を複数のレベルに分けることで、加工時間の短縮化、効率化及び高品質化を達成しており、それぞれのポリッシング工程で目的が異なる。【０００４】
粗研磨の段階では、ラッピング工程等で発生した比較的大きめな凹凸の解消や、ダメージを受けた半導体基板の表層部分の除去を目的としている。一方、精密研磨の段階では、半導体基板の欠陥の低減と表面の高度な平滑化が大きな目的である。【０００５】
精密研磨に用いられる半導体基板用研磨液には、半導体基板に対する高い研磨速度よりも、結晶欠陥を発生させないこと、基板上に残存する異物（研磨粒子、研磨パッドの摩耗により発生するカス等）を残りづらくすること、基板上に存在する凹凸を解消して平滑な鏡面を形成すること（平滑度）等が強く求められる。【０００６】
前記結晶欠陥の代表例としては、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）が挙げられる。ＣＯＰは結晶成長時に導入される結晶欠陥のひとつであり、研磨時やその後の洗浄時にＣＯＰを核として基板表面にピットが形成される。【０００７】
また、半導体基板表面の平滑度は、ＨＡＺＥ（ヘイズ）で判断される場合が多い。ＨＡＺＥとは粗さの指標であり、粗さが小さいことは平滑性が高いこととを意味する。ＨＡＺＥは通常、ウエハ表面欠陥検査装置等を用いて測定される。【０００８】
ところで、従来、半導体基板を形成する代表的な物質であるシリコン（Ｓｉ）を研磨するための研磨液として、種々の研磨液が提案されている。例えば、下記特許文献１には、コロイドシリカ及びシリカゲルが、半導体デバイスの製造に最も頻繁に使用される半導体結晶表面の研磨液として有用であることが記載されている。そして、下記特許文献１には、使用されたゾルのコロイドシリカ及びシリカゲルの一次粒子の粒径が４〜２００ｎｍであると記載されている。【０００９】
下記特許文献２には、一次粒子の粒径が４〜２００ｎｍ（好ましくは４〜１００ｎｍ）のコロイド形態のシリカ又はシリカゲルのいずれかを水溶性アミンと組合せたものを研磨液として使用することで、半導体基板（特にシリコン半導体基板）の表面を効果的に研磨できることが開示されている。シリカゾル又はゲル中に存在するシリカに関するアミンの量は、０．５〜５．０質量％、好ましくは１．０〜５．０質量％、最も好ましくは２．０〜４．０質量％とされている。【００１０】
下記特許文献３には、０．１〜５．０質量％（最も好ましくは２．０〜４．０質量％）の水溶性第四アンモニウム塩又は第四アンモニウム塩基を添加した水性シリカ組成物を使用することで、シリコンウエハの研磨速度を改良できることが記載されている。【００１１】
下記特許文献４には、シリコン又はゲルマニウム半導体材料を高度の表面仕上がり状態に研磨する方法が開示されている。下記特許文献４に記載の技術では、変性処理されたコロイド状シリカゲルを有し、シリカ濃度が約２〜約５０質量％であり、ｐＨが１１〜１２．５である研磨液を使用する。そして、変性処理されたコロイド状シリカゲルは、比表面積が約２５〜６００ｍ２／ｇであるシリカ粒子の表面を、化学的に結合したアルミニウム原子で、未被覆粒子表面上の珪素原子１００個当たりアルミニウム原子約１〜約５０個の表面被覆となるように被覆せしめたものである。一般的に、ｐＨが１１以上の領域では、研磨粒子であるシリカが解重合してアルカリ珪酸塩となりｐＨを低下させるのに対して、下記特許文献４には、解重合を生じることなしに、ｐＨが１１以上の領域において、迅速に研磨できることが記載されている。【００１２】
下記特許文献５には、ピペラジン、又は、窒素に低級アルキル置換基がついたピペラジンと、水性コロイドシリカゾル又はゲルとを含み、かつ、ピペラジンがゾルのＳｉＯ２含有量に対して０．１〜５質量％含まれる研磨液が開示されている。また、下記特許文献５には、シリコンウエハ及びこれと同様の材料の研磨方法が開示されている。下記特許文献５によれば、研磨液にピペラジンを含有させた場合、アミノエチルエタノールアミンを使用する場合と比べて、少量のコロイドシリカで同等の研磨速度が得られるとされている。また、下記特許文献５には、強塩基性のピペラジンの系統は、ｐＨの調整に必要とされる苛性アルカリの添加量を少量にできる、と記載されている。【００１３】
下記特許文献６には、研磨材と、アゾール類及びその誘導体の少なくともいずれか一種と、水とを含有することを特徴とする研磨用組成物が開示されている。そして、下記特許文献６には、アゾール類及びその誘導体が研磨用組成物に添加されることによって研磨用組成物の研磨能力が向上する、と記載されている。この理由として、複素五員環の窒素原子の非共有電子対が研磨対象物に直接作用することが指摘されており、具体的にはイミダゾールを適用した実施例が開示されている。【００１４】
また、下記特許文献７には、シリコン半導体ウエハの鏡面研磨において、ＨＡＺＥレベルを低下させることなく、ウエハ表面に付着するパーティクルを低減させることができる、シリコン半導体ウエハ用の研磨用組成物が開示されている。研磨用組成物は、二酸化ケイ素、水、水溶性高分子化合物、塩基性化合物、アルコール性水酸基を１〜１０個有する化合物、及び、アルコール性水酸基を１〜１０個有する含窒素塩基性化合物を含有していることを特徴としている。【００１５】
また、下記特許文献８には、ＨＡＺＥレベルをさらに改善することができる研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法が開示されている。研磨用組成物は、ヒドロキシエチルセルロース、０．００５重量％を超えるとともに０．５重量％未満のポリエチレンオキサイド、アルカリ化合物、水及び二酸化ケイ素を含有する。そして、研磨用組成物は、シリコンウエハ表面に複数段階に分けて研磨を施すときに、シリコンウエハ表面のＨＡＺＥレベルを改善する目的で行われる研磨工程に用いられるように構成されている。リンス用組成物は、ヒドロキシエチルセルロース、０．００５重量％を超えるとともに０．５重量％未満のポリエチレンオキサイド、アルカリ化合物、及び、水を含有し、前記研磨工程後のシリコンウエハ表面に施されるリンスに用いられるように構成されている。【００１６】
また、下記特許文献９には、シリコンウエハに対する研磨速度を向上させるとともにＣＯＰ及びＨＡＺＥレベルを改善することができる研磨用組成物が開示されている。研磨用組成物は、ブロック型ポリエーテル、二酸化ケイ素、塩基性化合物、ヒドロキシエチルセルロース及びポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも一種、並びに、水の各成分を含有していることを特徴としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】米国特許第３１７０２７３号明細書
【特許文献２】米国特許第４１６９３３７号明細書
【特許文献３】米国特許第４４６２１８８号明細書
【特許文献４】特公昭５７−０５８７７５号公報
【特許文献５】特開昭６２−０３０３３３号公報
【特許文献６】特開２００６−０８０３０２号公報
【特許文献７】特開平１１−１１６９４２号公報
【特許文献８】特開２００４−１２８０８９号公報
【特許文献９】特開２００５−０８５８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
上述のように、半導体基板のポリッシング工程で使用される研磨液は、研磨粒子とアルカリ剤を基本の含有成分としており、さらに、研磨速度を高めたり、研磨粒子残りを低減したり、結晶欠陥を低減したりするために、塩や水溶性高分子等が添加される。そして、いずれの研磨液も強アルカリ性領域（ｐＨが強アルカリ性の領域、特に、ｐＨが９．０を超える領域）にて使用される。これはアルカリ剤のケミカルな作用で研磨が行われるためである。【００１９】
一方で、上記のような研磨液は、強アルカリ性領域であることからアルカリ剤のエッチング作用によりＣＯＰが拡大したり、増加したりする問題点がある。【００２０】
本発明の目的は、半導体基板の研磨において、基板表面の欠陥や異物を低減できるとともに基板表面の平滑性を向上させることが可能な半導体基板用研磨液、及び当該半導体基板用研磨液を用いた半導体ウエハの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明者らは、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子と、所定量の水溶性高分子と、水とを含む研磨液を、ｐＨが５．０以上９．０以下の領域で使用することで、強アルカリ性領域においてアルカリ剤のエッチングに起因して発生する基板表面の欠陥を低減できるとともに、基板表面における異物の低減及び平滑性の向上を達成することが可能であり、優れた研磨表面が形成可能であることを見いだし、本発明に至った。【００２２】
すなわち、本発明の半導体基板用研磨液は、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子と、水溶性高分子と、水と、を含み、水溶性高分子の含有量が、半導体基板用研磨液の全質量基準で０質量％を超え１．００質量％以下であり、ｐＨが５．０以上９．０以下である。このような半導体基板用研磨液によれば、半導体基板の研磨において、基板表面の欠陥や異物を低減できるとともに基板表面の平滑性を向上させることが可能であり、優れた研磨表面を形成できる。なお、平滑性はＨＡＺＥにより評価することができる。【００２３】
本発明の半導体基板用研磨液のｐＨは、６．０以上８．０以下であることが好ましい。【００２４】
変性シリカ粒子の含有量は、半導体基板用研磨液の全質量基準で０．０１質量％以上１．５０質量％以下であることが好ましい。この場合、基板表面の欠陥や異物を更に低減できるとともに基板表面の平滑性を更に向上させることができる。【００２５】
水溶性高分子の含有量は、半導体基板用研磨液の全質量基準で０．００１質量％以上１．００質量％以下であることが好ましい。この場合、基板表面の欠陥や異物を更に低減できるとともに基板表面の平滑性を更に向上させることができる。【００２６】
水溶性高分子は、ノニオン性高分子であることが好ましい。この場合、基板表面の異物を更に低減できる。また、水溶性高分子は、ビニルピロリドンを含む重合性単量体から得られる重合体であることが好ましく、ポリビニルピロリドンであることがより好ましい。この場合、基板表面の異物を更に低減できる。【００２７】
本発明の半導体基板用研磨液は、１，２，４−トリアゾールを更に含んでいてもよい。この場合、基板表面の平滑性を更に向上させることができる。【００２８】
１，２，４−トリアゾールの含有量は、半導体基板用研磨液の全質量基準で０．０５質量％以上０．７０質量％以下であることが好ましい。この場合、基板表面の欠陥や異物を更に低減できるとともに基板表面の平滑性を更に向上させることができる。【００２９】
本発明の半導体基板用研磨液は、当該研磨液の研磨対象が半導体基板の表面であり、当該表面がシリコンを含む場合に好適に使用できる。【００３０】
本発明の半導体ウエハの製造方法は、上記半導体基板用研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨する研磨工程を備える。このような製造方法によれば、半導体基板の研磨において、基板表面の欠陥や異物を低減できるとともに基板表面の平滑性を向上させることが可能であり、優れた研磨表面を形成できる。【００３１】
本発明の半導体ウエハの製造方法は、研磨工程の前に、半導体材料からなる板状部材をラッピング又はグラインディングして粗ウエハを得る工程と、粗ウエハを研磨して半導体基板を得る工程と、を更に備えていてもよい。あるいは、本発明の半導体ウエハの製造方法は、研磨工程の前に、半導体材料からなる板状部材をウエットエッチングして粗ウエハを得る工程と、粗ウエハを研磨して半導体基板を得る工程と、を更に備えていてもよい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、半導体基板の研磨において、基板表面の欠陥や異物を低減できるとともに基板表面の平滑性を向上させることが可能であり、優れた研磨表面を形成可能な半導体基板用研磨液及び当該半導体基板用研磨液を用いた半導体ウエハの製造方法を提供できる。このような本発明は、半導体基板の表面加工に好適である。また、本発明では、半導体基板の仕上げ研磨（ファイナルポリッシング）において、基板表面の欠陥や異物を低減できるとともに基板表面の平滑性を向上させることが可能であり、優れた研磨表面を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体ウエハの製造方法を示した模式断面図である。
【図２】実施例７における基板面内での欠陥分布の測定結果を示した図である。
【図３】実施例７における基板面内でのＨＡＺＥ値の分布の測定結果を示した図である。
【図４】比較例１における基板面内での欠陥分布の測定結果を示した図である。
【図５】比較例１における基板面内でのＨＡＺＥ値の分布の測定結果を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の一実施形態に係る半導体基板用研磨液及び当該研磨液を用いた半導体ウエハの製造方法ついて詳細に説明する。なお、本明細書において研磨液中の各成分の量について言及する場合、各成分に該当する物質が研磨液中に複数存在する場合には、特に断らない限り、研磨液中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
【００３５】
＜半導体基板用研磨液＞
本実施形態の半導体基板用研磨液は、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子（研磨粒子）と、水溶性高分子と、水とを含み、水溶性高分子の含有量が、半導体基板用研磨液の全質量基準で０質量％を超え１．００質量％以下であり、上記研磨液のｐＨが５．０以上９．０以下である。
【００３６】
本実施形態では、研磨液のｐＨが５．０以上９．０以下であることから、強アルカリ性領域における、アルカリ剤によるエッチングを起因とした欠陥が発生するのを抑制できる。また、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子と、水溶性高分子とを併用した上で、水溶性高分子の含有量が所定範囲であることにより、基板表面の平滑性を向上させると共に異物の増加を抑制することが可能であり、優れた研磨表面が形成できる。
【００３７】
（ｐＨ）
本実施形態では、アルカリ剤によるエッチングに起因する欠陥を低減するために、半導体基板用研磨液のｐＨは９．０以下である。欠陥を更に低減できる点では、半導体基板用研磨液のｐＨは８．０以下が好ましい。一方、異物（特に研磨粒子）の付着に関しては、ｐＨが低くなるほど半導体基板の電位が小さくなることから、静電反発による異物の付着を低減する効果を得ることが困難となる。半導体基板用研磨液のｐＨは、異物の付着を低減する効果を充分に得る点では、５．０以上であり、５．５以上が好ましく、６．０以上がより好ましい。
【００３８】
半導体基板用研磨液のｐＨは、例えば、酸性化合物及び／又は塩基性化合物の含有量で調整できる。なお、半導体基板用研磨液のｐＨは、ｐＨメータ（例えば、横河電機株式会社製、Ｍｏｄｅｌ  ｐＨ８１）で測定することができる。
【００３９】
上記酸性化合物としては、例えばりんご酸等の有機酸、グリシン等のアミノ酸、硝酸、硫酸等の無機酸などが挙げられる。上記塩基性化合物としては、低臭気である点で、アンモニア、水酸化アンモニウム及び水酸化テトラメチルアンモニウムから選ばれる少なくとも１種の含窒素塩基性化合物、又は、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムから選ばれる少なくとも１種の無機塩基性化合物が好ましい。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００４０】
（研磨粒子）
本実施形態の半導体基板用研磨液の研磨粒子は、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子（以下、場合により単に「変性シリカ粒子」という。）であり、表面がアルミネートにより改質されている変性コロイダルシリカ粒子が好ましい。本実施形態において、変性シリカ粒子は、主研磨材として作用する。一方、未改質のシリカ粒子でも研磨は可能であるが、これを単独で使用しても、欠陥を充分に低減することや平滑性を充分に向上させることはできない。
【００４１】
アルミネートによるシリカ粒子表面の改質は、例えば、アルミン酸カリウム［（ＡｌＯ（ＯＨ）２Ｋ］等のアルミニウム化合物を用いて行うことができる。シリカ粒子表面の改質では、例えば、シリカ粒子の分散液の中にアルミン酸カリウムを添加し、６０℃以上で還流することで、シリカ粒子表面のシラノール基を、よりイオン化しやすい−Ｓｉ−Ｏ−Ａｌ（ＯＨ）２基にする。
【００４２】
変性シリカ粒子は、必要に応じて他の研磨粒子と併用してもよい。変性シリカ粒子と併用できる他の研磨粒子としては、具体的には例えば、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア又は有機ポリマ等を含む研磨砥粒を挙げることができる。変性シリカ粒子と、未改質のシリカ粒子とを併用してもよい。
【００４３】
変性シリカ粒子の一次粒子径は、実用的な研磨速度を得ることができる点で、５ｎｍ以上が好ましく、７ｎｍ以上がより好ましく、９ｎｍ以上が更に好ましい。また、変性シリカ粒子の一次粒子径は、傷等の研磨欠陥の発生を更に抑制しやすい点で、２００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましく、５０ｎｍ以下が更に好ましく、４０ｎｍ以下が特に好ましい。変性シリカ粒子の一次粒子径を上記の範囲内とした場合、研磨の進行により平滑性が更に向上するとともに、粒子起因の欠陥の増加を更に抑制することもできる。
【００４４】
本実施形態において、「変性シリカ粒子の一次粒子径」とは、ＢＥＴ比表面積Ｖから算出できる平均直径をいい、ガス吸着法による吸着比表面積（以下、「ＢＥＴ比表面積」という。）から算出することができる。ここで、粒子の一次粒子径Ｄ（単位：ｍ）、粒子の密度ρ（単位：ｋｇ／ｍ３）、及び、ＢＥＴ比表面積Ｖ（単位：ｍ２／ｇ）は下記式（１）の関係を有する。
Ｄ＝６／（ρ×Ｖ）                  ・・・（１）
コロイダルシリカ粒子の密度ρをρ＝２２００（ｋｇ／ｍ３）とした場合、式（１）は下記式（２）として表される。
Ｄ＝２．７２７×１０−６／Ｖ  （ｍ）＝２７２７／Ｖ  （ｎｍ）・・・（２）
【００４５】
式（２）にＢＥＴ比表面積Ｖ（ｍ２／ｇ）を代入することにより、粒子の一次粒子径Ｄを求めることができる。ＢＥＴ比表面積は、具体的には以下のように測定される。まず砥粒を真空凍結乾燥機で乾燥し、この残分を乳鉢（磁性、１００ｍｌ）で細かく砕いて測定用試料を得る。そして、ユアサアイオニクス株式会社製のＢＥＴ比表面積測定装置（製品名オートソーブ６）を用いて、測定用試料のＢＥＴ比表面積Ｖを測定する。
【００４６】
変性シリカ粒子の含有量は、半導体基板用研磨液の全質量基準で０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１０質量％以上が更に好ましい。変性シリカ粒子の含有量が０．０１質量％以上であると、研磨速度が低下することを抑制しやすくなる共に、平滑性を改善する効果が低下することを抑制しやすくなる。変性シリカ粒子の含有量は、半導体基板用研磨液の全質量基準で１．５０質量％以下が好ましく、１．００質量％以下がより好ましく、０．５０質量％以下が更に好ましい。変性シリカ粒子の含有量が１．５０質量％以下であると、含有量に見合う欠陥や平滑性の改善効果が充分に得られやすくなると共に、分散性の低下といった不具合が発生することを抑制しやすくなる。
【００４７】
（水溶性高分子）
本実施形態の半導体基板用研磨液における水溶性高分子は、例えば、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロ−ス、寒天、キサンタンガム、キトサン、メチルグリコールキトサン、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カ−ドラン及びプルラン等の多糖類；ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ−スチレンカルボン酸）、ポリビニル硫酸、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸、ポリアミド酸及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩；ポリエチレンイミン及びその塩；ビニルアルコ−ル、ビニルピロリドン、アクロレイン又はアクリルアミド等を含む重合性単量体を重合させて得られる重合体；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール及びエチレングリコール−プロピレングリコールブロック共重合体等が挙げられる。ポリカルボン酸の塩、及び、ポリエチレンイミンの塩としては、アンモニウム塩等が挙げられる。
【００４８】
ビニルアルコ−ル、ビニルピロリドン、アクロレイン又はアクリルアミド等を含む重合性単量体を重合させて得られる重合体としては、例えば、ポリビニルアルコ−ル、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレイン、ポリアクリルアミド等の高分子（単独重合体）、並びに、ビニルアルコ−ル、ビニルピロリドン、アクリルアミド、アクロレイン等の重合性単量体と他の重合性単量体との共重合体が好ましい。上記他の重合性単量体としては、例えば酢酸ビニル、アクリル酸メチル、アクリル酸などが挙げられ、共重合体の単量体として使用できる。
【００４９】
上記水溶性高分子の中でも、ノニオン性高分子が好ましく、ノニオン性高分子としては、例えば、カルボキシメチルセルロ−ス、寒天、キサンタンガム、キトサン、メチルグリコールキトサン、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カ−ドラン及びプルラン等の多糖類；ポリエチレンイミン；ビニルアルコ−ル、ビニルピロリドン、アクロレイン又はアクリルアミド等を含む重合性単量体を重合させて得られる重合体；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール及びエチレングリコール−プロピレングリコールブロック共重合体等が挙げられる。ノニオン性高分子としては、ビニルピロリドンを含む重合性単量体を重合させて得られる重合体が好ましく、ポリビニルピロリドン（ビニルピロリドンのホモポリマ）がより好ましい。
【００５０】
なお、上記水溶性高分子は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。また、上記の水溶性高分子のうち複数種を混合して使用する場合、その混合物の水溶性高分子の少なくとも一種は、ビニルピロリドンを含む重合性単量体を重合させて得られる重合体であってもよい。
【００５１】
水溶性高分子には、研磨粒子や研磨パッド屑などの異物が基板表面（ウエハ表面）に固着するのを防止する働きや、付着してしまった研磨粒子や研磨パッド屑などの異物を洗浄時に取れやすくする働きがあると考えられる。これらの働きは、水溶性高分子が半導体基板の表面に付着することで得られると考えられる。すなわち、基板上に水溶性高分子が付着することで、水溶性高分子の上に付着した異物は洗浄時に水溶性高分子とともに基板から除去される。また、半導体基板表面に直接付着してしまった異物は、水溶性高分子で被覆されることで乾燥固着が防止され、同様に洗浄によって水溶性高分子とともに半導体基板から除去されると考えられる。一方、変性シリカ粒子及び水を含むものの水溶性高分子を含まない研磨液では、上記の働きが充分ではないものと推測され、基板表面の異物を充分に低減することができないと共に、実用的な平滑性を得ることはできない。
【００５２】
本実施形態の半導体基板用研磨液のｐＨが５．０以上９．０以下の環境において、半導体基板の表面電位は負の値となる傾向がある。また、自然酸化膜等が生じていない半導体基板の表面は強い疎水性を示す。このような半導体基板と水溶性高分子の相互作用としては、主に静電作用および疎水相互作用が働くと考えられる。相互作用が強すぎる場合、水溶性高分子が研磨を阻害するとともに、洗浄による水溶性高分子の除去が困難となる。一方で、相互作用が弱すぎる場合は、水溶性高分子が半導体基板表面を充分に被覆することができず、洗浄効果を得ることが困難となる。本実施形態において、半導体基板と水溶性高分子の相互作用は、上記の効果を得るために疎水性相互作用が好ましく、アニオン性官能基によるイオン相互作用が好ましい。これらの相互作用は単独又は複数でもかまわない。
【００５３】
水溶性高分子の含有量は、半導体基板用研磨液の全質量基準で１．００質量％以下であり、０．５０質量％以下が好ましく、０．３０質量％以下がより好ましく、０．１０質量％以下が更に好ましく、０．０５質量％以下が特に好ましい。水溶性高分子の含有量が１．００質量％以下であると、高粘度化して流動性が低下することや研磨粒子が凝集することといった不具合が発生することを抑制できると共に、基板表面に付着した異物を充分に除去することができる。水溶性高分子の含有量は、半導体基板用研磨液の全質量基準で０質量％を超えており、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましい。水溶性高分子の含有量が０質量％を超えると、異物が基板表面に固着するのを防止する効果を充分に得ることができると共に、凹凸を低減する効果が低下して平滑性が向上しづらくなることを抑制できる。
【００５４】
（１，２，４−トリアゾール）
本実施形態の半導体基板用研磨液は、１，２，４−トリアゾールを含有することができる。１，２，４−トリアゾールを研磨液が含有することにより、平滑性を更に向上させることができる。変性シリカ粒子及び水溶性高分子と併用する添加物として１，２，４−トリアゾールやイミダゾールが挙げられるが、１，２，４−トリアゾールを用いることで顕著に平滑性を向上させることができる。
【００５５】
１，２，４−トリアゾールの含有量は、半導体基板用研磨液の全質量基準で０．０５質量％以上が好ましく、０．１０質量％以上がより好ましい。また、１，２，４−トリアゾールの含有量は、研磨粒子の凝集等の不具合を防止しやすい点において、半導体基板用研磨液の全質量基準で０．７０質量％以下が好ましく、０．５０質量％以下がより好ましい。なお、研磨粒子の凝集は、１，２，４−トリアゾールの含有量だけに起因するとは一概には言えず、研磨粒子の粒子径や含有量、及び、水溶性高分子の種類や含有量にも起因する。
【００５６】
（その他の成分）
本実施形態の半導体基板用研磨液は、水を含む。また、本実施形態では、上述した成分の他に、水以外の溶媒、防食剤、酸化剤などの一般に研磨液に添加される成分を、上述した研磨液の作用効果を損なわない範囲で半導体基板用研磨液に添加することができる。
【００５７】
（保存形態）
本実施形態の半導体基板用研磨液は、その成分濃度を予め高くした濃縮形態として保存できる。研磨液の使用時には、濃縮形態にある研磨液を、水等で本来の成分濃度まで希釈して使用すればよい。さらに、半導体基板用研磨液の成分を幾つかに分けた分液形態として保存し、それらを使用時に混合して使用することもできる。
【００５８】
＜半導体ウエハの製造方法＞
本実施形態の半導体ウエハの製造方法（半導体基板の研磨方法）は、本実施形態の半導体基板用研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨して半導体ウエハを得る研磨工程を備える。本実施形態の半導体基板用研磨液は、基板構成にシリコンを含む半導体基板を研磨対象とする場合に特に優れた研磨特性を示し、例えば、研磨対象が半導体基板の表面であり、当該表面がシリコンを含む場合に優れた研磨特性を示す。基板構成にシリコンを含む基板としては、例えば、シリコン基板や炭化シリコン基板が挙げられる。研磨対象の半導体基板として、例えば、ヒ化ガリウム基板や、窒化ガリウム基板を用いてもよい。
【００５９】
本実施形態の半導体基板用研磨液は、半導体材料の単結晶から半導体ウエハを得る半導体ウエハの製造方法における仕上げ研磨に適用することができる。半導体ウエハ（例えばシリコンウエハ）は、一般的に、粗研磨（荒削り）工程と、仕上げ研磨（最終研磨）工程とにより得られる。粗研磨工程では、半導体基板表面の凹凸及びダメージを徐々に解消する。仕上げ研磨工程では、半導体材料（例えばシリコン）に対する研磨速度はあまり必要とはされず、欠陥を新たに生じさせることなく、粗研磨時に付着した研磨粒子を除去したり、微小な凹凸を解消したりして、半導体基板表面を鏡面化することを目的とする。本実施形態の半導体基板用研磨液は、半導体材料（例えばシリコン）に対する研磨速度を向上させることよりも、半導体基板表面の欠陥を発生しづらくすること、半導体基板表面に残存する異物（研磨粒子、研磨パッドの摩耗による発生するカス等）を残りづらくすること、半導体基板表面を平滑にすることに重点を置いた研磨液であり、半導体ウエハの製造工程における仕上げ研磨用途に特に適している。
【００６０】
すなわち、本実施形態の第１態様に係る半導体ウエハの製造方法は、
（１）半導体材料（例えばシリコン）からなるウエハ（板状部材）の表面（例えば主面）をラッピング又はグラインディング（研削）して粗ウエハを得る準備工程と、
（２）粗ウエハの表面（例えば主面）を研磨して半導体基板（例えばシリコン基板）を得る粗研磨工程と、
（３）本実施形態の半導体基板用研磨液を用いて、粗研磨工程後の半導体基板の表面（例えば主面）を更に研磨して半導体ウエハ（例えばシリコンウエハ）を得る仕上げ研磨工程と、を備える。
【００６１】
準備工程における半導体材料からなるウエハは、例えば、半導体材料の単結晶（例えばシリコン単結晶）をスライスして得ることができる。準備工程では、粗ウエハの表面をエッチングしてもよい。
【００６２】
また、本実施形態の半導体基板用研磨液は、再生ウエハを半導体ウエハとして得る半導体ウエハの製造方法における仕上げ研磨にも適用することができる。以下、再生ウエハの製造方法について説明する。
【００６３】
一般に、シリコンウエハから半導体デバイスを製造する各要素工程において、プロセステストのため、多数のウエハがテストウエハとして使用される。このようなテストウエハとしては、平坦なシリコン基板上に絶縁膜や金属膜等の各種膜を製膜したものが挙げられる。これらのテストウエハを製造する目的は、シリコン基板上に各種の膜を製膜するための最適条件を調べる場合、シリコン基板上にレジスト膜を塗布・露光する際の最適条件を調べる場合、定期的に前記各最適条件についてモニタリングする場合、シリコン基板上に製膜された各種の膜に対する研磨液の研磨特性を評価する場合等、多岐にわたっている。
【００６４】
これらのテストウエハは、再度テストウエハとして利用するために、再生処理が行われる。再生処理としては、一般的に、前記各種膜等の付着物をウエットエッチング等により除去し、粗研磨工程及び仕上げ研磨工程を経て、再度平坦なウエハを得る。また、前記テストウエハは、再生工程にまわされるまでに大きなキズがついてしまう場合や、評価の際に凹凸が形成されてしまう場合がある。これらの場合には、キズや凹凸を研削加工により除去し、これを粗研磨工程及び仕上げ研磨することによって、再度平坦なウエハが得られるのが一般的である。
【００６５】
本実施形態の半導体基板用研磨液は、このような再生ウエハを仕上げ研磨するのに好適に使用できる。本実施形態の第２態様に係る半導体ウエハの製造方法は、再利用するための半導体ウエハの製造方法であって、
（１）付着物（例えば、各種膜）が表面（例えば主面）に付着した、半導体材料（例えばシリコン）からなるウエハ（板状部材）の表面をウエットエッチングして粗ウエハを得る準備工程と、
（２）粗ウエハの表面（例えば主面）を研磨して半導体基板（例えばシリコン基板）を得る粗研磨工程と、
（３）本実施形態の半導体基板用研磨液を用いて、粗研磨工程後の半導体基板の表面（例えば主面）を更に研磨して半導体ウエハ（例えばシリコンウエハ）を得る仕上げ研磨工程と、を備える。
【００６６】
なお、再利用しようとするウエハの表面に凹凸やキズがある場合は、粗研磨工程の前に機械的な研削工程として、ウエハの表面をラッピング又はグラインディングする工程を更に備えていることが好ましい。
【００６７】
また、本実施形態の半導体基板用研磨液は、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）を有する半導体ウエハの製造方法において、最終段階に半導体基板の裏面に対して仕上げ研磨を施す場合にも適用することができる。ＴＳＶと呼ばれる構造は、半導体ウエハの表面に形成されたデバイスと半導体ウエハの裏面とを接続する電極が、半導体ウエハ内部を貫通するように形成されている構造である。
【００６８】
本実施形態の第３態様に係る半導体ウエハの製造方法は、ＴＳＶを有する半導体ウエハの製造方法であって、
（１）表面（一方の主面）のみに開口した中空部が形成された基板本体と、中空部内に配置された、貫通電極となるべきビア（導電部材）と、を有するウエハを準備する準備工程と、
（２）裏面側（他方の主面側）から基板本体をグラインディングするバックグラインド工程と、
（３）本実施形態の半導体基板用研磨液を用いて、裏面側から基板本体を研磨してビアを裏面に露出させて貫通電極構造を形成する研磨工程（仕上げ研磨工程）と、を備える。
【００６９】
準備工程では、例えば、表面１ａのみに開口した中空部３ａが形成された基板本体１と、表面１ａ上に配置された素子２と、中空部３ａの形状に追従するように中空部３ａ内に形成された絶縁層（例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜）５と、中空部３ａ内に配置された、貫通電極となるべきビア７と、を有する半導体基板１００を準備する（図１（ａ）参照）。
【００７０】
バックグラインド工程では、絶縁層５が露出する寸前までグラインダーによって基板本体１を裏面１ｂ側から研削して基板本体１を薄層化し、半導体基板２００を得る（図１（ｂ）参照）。
【００７１】
研磨工程では、本実施形態の半導体基板用研磨液を用いて基板本体１を裏面１ｂ側から研磨する。これにより、裏面１ｂ側の基板本体１の表層部及び絶縁層５が除去されて、基板本体１に貫通孔３ｂが形成されると共にビア７が裏面１ｂに露出してＴＳＶ７ａが形成される（図１（ｃ））参照）。これにより、表面１ａから裏面１ｂにかけて基板本体１を厚さ方向に貫通するＴＳＶ７ａを有する半導体ウエハ３００が得られる。
【００７２】
以上の本実施形態によれば、半導体基板用研磨液の、半導体基板の仕上げ研磨用途のための使用が提供される。また、本実施形態によれば、半導体基板用研磨液の、半導体ウエハの製造における半導体基板の仕上げ研磨用途のための使用が提供される。本実施形態に係る上記第１態様によれば、半導体基板用研磨液の、半導体材料の単結晶から半導体ウエハを製造するための使用が提供される。本実施形態に係る上記第２態様によれば、半導体基板用研磨液の、再生ウエハの製造のための使用が提供される。本実施形態に係る上記第３態様によれば、半導体基板用研磨液の、ＴＳＶの形成のための使用、及び、ＴＳＶを有する半導体ウエハの製造のための使用が提供される。
【００７３】
本実施形態の製造方法における仕上げ研磨工程では、研磨定盤の研磨パッド上に半導体基板用研磨液を供給しながら、半導体基板の表面を研磨パッドに押圧した状態で、研磨定盤と半導体基板を相対的に動かして半導体基板の表面を研磨することが好ましい。このような研磨方法を用いた場合に、本実施形態の半導体基板用研磨液の研磨特性が顕著となる。
【００７４】
また、本実施形態の製造方法における仕上げ研磨工程では、半導体材料（例えばシリコン）に対する研磨速度よりも、半導体基板（例えばシリコン基板）上の欠陥を低減すると共に表面の微小な凹凸を解消して高度な鏡面を得るために、研磨パッドは、ある程度やわらかいものが好ましい。例えば、アスカーゴム硬度計Ｃ型で測定した硬度（ＡＳＫＥＲ  Ｃ）の値が６０より小さい研磨パッドが好ましい。なお、「ＡＳＫＥＲ  Ｃ」は、ゴムのような軟質なものの硬度を測定する時によく使用されるものであり、日本ゴム協会標準規格(ＳＲＩＳ)によって規定されている。
【実施例】
【００７５】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。【００７６】
［半導体基板用研磨液の調製（実施例１〜９）］
表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子、水溶性高分子、場合により１，２，４−トリアゾールを、以下の手順に従って、表１に示す含有量で配合して、実施例１〜９の各半導体基板用研磨液を調製した。各研磨液の調製には、水溶性高分子として、Ｋ値が異なるポリビニルピロリドン（ＰＶＰ＿Ｋ１５、ＰＶＰ＿Ｋ３０）を用いた。Ｋ値とは、分子量と相関する粘性特性値であり、毛細管粘度計により測定される２５℃での相対粘度値である。【００７７】
各研磨液の調製では、まず研磨液全体の５０質量％に相当する純水に、表１に示す含有量のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、又は、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）及び１，２，４−トリアゾールを溶解させた。ｐＨが所望の範囲ではない場合には、酸性化合物又は塩基性化合物の添加によりｐＨを調整した。次いで、一次粒子径が１７ｎｍであり、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子を０．３質量％分散させた後、純水で計９５質量％になるように調整した。そして、所望のｐＨとなるまで塩基性化合物を添加し、残部を純水で計１００質量％になるように調整した。なお、アルカリ側へｐＨを調整する場合にはアンモニア水を用い、酸性側へｐＨを調整する場合には硫酸を用いた。【００７８】
［半導体基板用研磨液の調製（比較例１〜７）］
表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子、水溶性高分子、場合により１，２，４−トリアゾールを、以下の手順に従って、表２に示す含有量で配合して、比較例１〜７の各半導体基板用研磨液を調製した。各研磨液の調製には、水溶性高分子として、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ＿Ｋ１５）を用いた。【００７９】
各研磨液の調製では、まず研磨液全体の５０質量％に相当する純水に、表２に示す含有量のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、又は、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）及び１，２，４−トリアゾールを溶解させた。ｐＨが所望の範囲ではない場合には、酸性化合物又は塩基性化合物の添加によりｐＨを調整した。次いで、一次粒子径が１７ｎｍであり、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子、又はコロイダルシリカ粒子を表２に示す含有量分散させた後、純水で計９５質量％になるように調整した。そして、所望のｐＨとなるまで酸性化合物又は塩基性化合物を添加し、残部を純水で計１００質量％になるように調整した。なお、アルカリ側へｐＨを調整する場合にはアンモニア水を用い、酸性側へｐＨを調整する場合には硫酸を用いた。【００８０】
［半導体基板用研磨液のｐＨ測定］
実施例１〜９及び比較例１〜７の半導体基板用研磨液のｐＨをｐＨメータ（横河電機株式会社製、Ｍｏｄｅｌ  ｐＨ８１）を用いて測定した。【００８１】
［粗研磨半導体基板の調整］
直径３００ｍｍのシリコンウエハを下記条件で研磨し、表面を荒らした（粗研磨状態の）シリコンウエハを調整した。
（粗研磨条件）
研磨ウエハ：３００ｍｍシリコンウエハ
研磨機：Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ（アプライドマテリアルズ社製）
研磨定盤回転数：１２３ｒｐｍ
ホルダー回転数：１１７ｒｐｍ
研磨圧力：１３．７ｋＰａ
研磨液供給量：２５０ｍｌ／分
研磨パッド：ＳＵＢＡ６００（ニッタ・ハース製）
研磨液：シリカ砥粒（一次粒子径１７ｎｍ）０．５質量％及び水酸化テトラメチルアンモニウムを含有する研磨液、ｐＨ１０．５
研磨時間：９０秒【００８２】
［半導体基板の研磨］
研磨定盤の研磨パッド上に、配合直後の実施例１の半導体基板用研磨液を供給しながら、半導体基板（シリコンウエハ）の表面を研磨パッドに押圧した状態で、半導体基板に対して研磨定盤を相対的に回転させることにより、半導体基板の表面を研磨した。また、実施例１と同様の方法で、配合直後の実施例２〜９及び比較例１〜７の各研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨した。研磨条件の詳細は以下の通りである。
（研磨条件）
研磨ウエハ：前記で作製した粗研磨後の３００ｍｍシリコンウエハ
研磨機：Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ（アプライドマテリアルズ社製）
研磨定盤回転数：１２３ｒｐｍ
ホルダー回転数：１１７ｒｐｍ
研磨圧力：９．７ｋＰａ
研磨液供給量：２５０ｍｌ／分
研磨パッド：Ｓｕｐｒｅｍｅ  ＲＮ−Ｈ  Ｐａｄ  ３０．５”Ｄ  ＰＪ；ＣＸ０１  （ニッタ・ハース製
研磨時間：５分【００８３】
［洗浄］
前記研磨後のウエハを、下記条件で洗浄した。
洗浄機：ＭＥＳＡ（アプライドマテリアルズ社製）
洗浄液：水酸化アンモニウム０．０６体積％＋過酸化水素０．１２体積％
ブラシ洗浄時間：６０秒【００８４】
前記洗浄後のウエハについて、下記の装置を用いて、欠陥数と、ＨＡＺＥ値として表示される値とを測定した。なお、「欠陥数」は、基板表面の結晶欠陥、及び、付着した異物の総数の指標であり、数が少ないほど欠陥の総数（結晶欠陥及び付着した異物の総数）が少ないことを意味する。また、「ＨＡＺＥ値」は、基板表面の平滑性の指標であり、値が小さいほど平滑性が高いことを意味する。
欠陥検査装置：ＬＳ６７００（日立電子エンジニアリング製）
工程条件ファイル（測定レシピ）：ＶＥＭ１０Ｌ
欠陥測定範囲：０．１μｍ−３．０μｍ
投光条件：垂直【００８５】
実施例１〜９の研磨液の含有成分、ｐＨ及び評価結果を表１に示す。比較例１〜７の研磨液の含有成分、ｐＨ及び評価結果を表２に示す。なお、表１，２中、「ＡＣＳ」は、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカを示し、「ＣＳ」は、表面が改質されていないコロイダルシリカを示す。【００８６】
また、実施例７における基板面内での欠陥分布の測定結果を図２に示し、基板面内でのＨＡＺＥ値の分布の測定結果を図３に示す。さらに、比較例１における基板面内での欠陥分布の測定結果を図４に示し、基板面内でのＨＡＺＥ値の分布の測定結果を図５に示す。【００８７】
【表１】
2011158718.tif 000002
【００８８】
【表２】
2011158718.tif 000003
【００８９】
実施例１〜９では、欠陥数が少なく、ＨＡＺＥが小さくなることが分かる。また、実施例７、８では、１，２，４−トリアゾールの添加により、ＨＡＺＥを更に小さくできることが分かる。【００９０】
一方、比較例１、２は、表面が改質されていないコロイダルシリカ粒子を使用したものである。比較例１、２では、欠陥数が多く、またＨＡＺＥも大きいことが分かる。比較例３及び比較例５から、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子を単独で使用した場合、又は、ＰＶＰを単独で使用した場合では、欠陥数を低減し、ＨＡＺＥを小さくする効果が得られないことが分かる。比較例４では、ＰＶＰを２．００質量％添加しており、欠陥数及びＨＡＺＥが測定限界以上となっており、水溶性高分子の含有量が多すぎる場合は、欠陥数を低減し、ＨＡＺＥを小さくする効果が得られないことが分かる。【００９１】
比較例６は、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子と、ＰＶＰとを含有しているが、研磨液のｐＨが１０．０である。比較例６では、研磨液のｐＨがアルカリ領域であることから研磨粒子とシリコンウエハとの静電的な反発が強くなることが予想され、研磨粒子や異物が減少したものと推定されるのに対して、欠陥数は９１５０個であり実施例と比較して増加している。比較例６について、研磨液のｐＨがアルカリ領域となったことで異物数は減少したが、アルカリによるエッチングで発生した結晶欠陥が増加し、欠陥全体としては増加したものと考えられる。【００９２】
比較例７は、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子と、ＰＶＰとを含有しているが、研磨液のｐＨが４．５である。比較例７について、研磨液のｐＨが酸性領域であることからエッチングで発生する結晶欠陥が減少すると考えられるが、研磨粒子や異物が静電的に付着しやすくなり、結果として欠陥が増加したと考えられる。
【符号の説明】
【００９３】
１…基板本体、１ａ…表面、１ｂ…裏面、２…素子、３ａ…中空部、３ｂ…貫通孔、５…絶縁層、７…ビア、７ａ…ＴＳＶ、１００，２００…半導体基板、３００…半導体ウエハ。
【図１】
2011158718.tif 000004
【図２】
2011158718.tif 000005
【図３】
2011158718.tif 000006
【図４】
2011158718.tif 000007
【図５】
2011158718.tif 000008
【国際調査報告】
2011158718.tif 000009
2011158718.tif 000010