(57)【要約】  光送受信器が、トランジスタアウトラインｃａｎ（ＴＯ−ｃａｎ）の中に収容された送信機及び受信機を備える。受信機は、少なくとも１つの導波路を含む第１のサブマウントと、第１のサブマウント及び少なくとも１つの導波路に連結されたフォトダイオードと、第１のサブマウント及び少なくとも１つの導波路に連結されたトランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）とを有する。少なくとも１つの導波路はフォトダイオードをＴＩＡに連結し、少なくとも１つの導波路はフォトダイオードとＴＩＡとの間の第１のサブマウントに配置される。
2019515492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタアウトラインｃａｎ（ＴＯ−ｃａｎ）と、
前記ＴＯ−ｃａｎの中に収容された受信機と
を備える光送受信器であって、
前記受信機は、
少なくとも１つの第１の導波路を有する第１のサブマウントと、
前記少なくとも１つの第１の導波路に連結されたフォトダイオードと、
前記第１のサブマウントと前記少なくとも１つの第１の導波路とに連結されたトランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）と
を有し、
前記少なくとも１つの第１の導波路は、前記フォトダイオードを前記ＴＩＡに連結し、
前記少なくとも１つの第１の導波路は、前記フォトダイオードと前記ＴＩＡとの間の前記第１のサブマウントに配置される、光送受信器。
【請求項２】
前記フォトダイオード及び前記ＴＩＡは、前記第１のサブマウントにフリップチップ方式で結合される、請求項１に記載の光送受信器。
【請求項３】
前記フォトダイオードの接触点が前記少なくとも１つの第１の導波路の第１の接触点に連結され、前記ＴＩＡの接触点が前記少なくとも１つの第１の導波路の第２の接触点に連結される、請求項１又は２に記載の光送受信器。
【請求項４】
前記ＴＯ−ｃａｎの中に収容された送信機をさらに備え、
前記送信機は、
少なくとも１つの第２の導波路を含む第２のサブマウントと、
ボンディングワイヤと、
前記少なくとも１つの第２の導波路に連結されたレーザダイオードと
を有し、
前記少なくとも１つの第２の導波路は前記ボンディングワイヤを前記レーザダイオードに連結する、請求項１から３のいずれかに記載の光送受信器。
【請求項５】
前記レーザダイオードは前記第２のサブマウントにフリップチップ方式で結合される、請求項４に記載の光送受信器。
【請求項６】
前記ＴＯ−ｃａｎは、ＴＯヘッダーと、前記ＴＯヘッダーに連結されたＴＯキャップとを有し、前記第２のサブマウントは前記ＴＯ−ｃａｎの前記ＴＯヘッダーを貫通する、請求項５に記載の光送受信器。
【請求項７】
前記ＴＯ−ｃａｎは、
ＴＯヘッダーと、
前記ＴＯヘッダーに連結されたＴＯキャップと
を有する、請求項１から６のいずれかに記載の光送受信器。
【請求項８】
前記第１のサブマウントは第２の導波路を有し、前記第２の導波路はボンディングワイヤに連結し、前記ボンディングワイヤは前記光送受信器の入出力ピン（Ｉ／Ｏピン）に連結する、請求項１から７のいずれかに記載の光送受信器。
【請求項９】
接地プレーンが、前記第１のサブマウント上で、前記少なくとも１つの第１の導波路と前記少なくとも１つの第１の導波路を取り囲む分離層との周りに形成される、請求項１から８のいずれかに記載の光送受信器。
【請求項１０】
前記受信機と前記送信機との間に置かれた波長分割多重方式（ＷＤＭ）フィルタと、
前記光送受信器の内側と外側との間で光を透過させるレンズと
をさらに備える、請求項１から９のいずれかに記載の光送受信器。
【請求項１１】
受信機であって、
トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）と、
フォトダイオードと、
少なくとも１つの第１の導波路を含む第１のサブマウントであって、前記少なくとも１つの第１の導波路は前記ＴＩＡと前記フォトダイオードとを連結するように構成される、第１のサブマウントと
を有する、受信機と、
送信機であって、
レーザダイオードと、
入出力ピン（Ｉ／Ｏピン）と、
少なくとも１つの第２の導波路を含む第２のサブマウントであって、前記少なくとも１つの第２の導波路はボンディングワイヤに連結し、前記ボンディングワイヤは前記Ｉ／Ｏピンに連結する、第２のサブマウントと
を有する送信機と
を備える、光送受信器。
【請求項１２】
前記送信機及び前記受信機を収容するトランジスタアウトラインｃａｎ（ＴＯ−ｃａｎ）をさらに備える、請求項１１に記載の光送受信器。
【請求項１３】
ＴＯヘッダーをさらに備え、前記送信機及び前記受信機は前記ＴＯヘッダーに配置される、請求項１１又は１２に記載の光送受信器。
【請求項１４】
前記フォトダイオード及び前記ＴＩＡは、前記第１のサブマウントにフリップチップ方式で結合され、前記フォトダイオードの接触点は前記少なくとも１つの第１の導波路の第１の接触点に結合され、前記ＴＩＡの接触点は前記少なくとも１つの第１の導波路の第２の接触点に結合される、請求項１１から１３のいずれかに記載の光送受信器。
【請求項１５】
前記レーザダイオードは前記第２のサブマウントにフリップチップ方式で結合され、前記レーザダイオードの接触点は前記少なくとも１つの第２の導波路の接触点に結合される、請求項１１から１４のいずれかに記載の光送受信器。
【請求項１６】
接地プレーンが、前記第１のサブマウント上で、前記少なくとも１つの第１の導波路と前記少なくとも１つの第１の導波路を取り囲む分離層との周りに形成される、請求項１１から１５のいずれかに記載の光送受信器。
【請求項１７】
接地プレーンが、前記第２のサブマウント上で、前記少なくとも１つの第２の導波路と前記少なくとも１つの第２の導波路を取り囲む分離層との周りに形成される、請求項１１から１６のいずれかに記載の光送受信器。
【請求項１８】
トランジスタアウトラインｃａｎ（ＴＯ−ｃａｎ）に実装される方法であって、前記方法は、
前記ＴＯ−ｃａｎの外側から第１の光をレンズで受光する段階と、
前記第１の光をフィルタでフィルタリングする段階と、
裏面照射型フォトダイオードによって前記第１の光を電流に変換する段階と、
前記裏面照射型フォトダイオードによって導波路を介して前記電流をトランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）に流す段階と
を備え、
前記導波路は第１のサブマウントに配置され、前記第１のサブマウントは前記裏面照射型フォトダイオードと前記ＴＯ−ｃａｎのＴＯヘッダーとの間に配置される、方法。
【請求項１９】
前記ＴＩＡによって前記電流を電圧に変換する段階と、
ボンディングワイヤを介して前記電圧を入出力ピン（Ｉ／Ｏピン）に伝達する段階と
をさらに備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
第２の光を放射する命令をレーザダイオードによって第２の導波路を介して受信する段階と、
前記レーザダイオードによって前記第２の光を放射する段階と、
前記第２の光を前記フィルタでフィルタリングする段階と、
前記レンズによって前記第２の光を前記ＴＯ−ｃａｎの外側に方向づける段階と
をさらに備える、請求項１８又は１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本出願は、２０１７年４月２６日出願の「トランジスタアウトラインｃａｎ（ＴＯ−ｃａｎ）型光送受信器（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  （ＴＯ）  Ｃａｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ）」と題する米国非仮特許出願第１５／４９７，４２７号の利益を主張し、当該米国非仮特許出願は次に、Ｎｉｎｇ  Ｃｈｅｎｇによる２０１６年４月２８日出願の「トランジスタアウトラインｃａｎ（ＴＯ−ｃａｎ）型光送受信器」と題する米国仮特許出願第６２／３２８，６９６号に基づく優先権及びその利益を主張するものであり、当該米国仮特許出願は、その全体が再現されるかのように参照により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
光送受信器とは、光信号の送信及び受信が両方とも可能なデバイスである。光送受信器は、受動型光ネットワーク（ＰＯＮ）での用途を含む多数の応用例を有する。光送受信器は、光コンポーネント及び電気コンポーネントを両方とも含み得る。これらのコンポーネントは、単一の集積チップに共に統合されてよい。そのような複数の集積チップが、システムインパッケージ（ＳＩＰ）を構成し得る。
【０００３】
様々な通信分野に用いられる光／電気変換モジュール及び電気／光変換モジュールでは、様々なコンポーネントを電気的に相互接続すること、及びモジュール内に入る又はモジュールから外に出て行く放射（例えば、電磁干渉（ＥＭＩ））を防ぐために様々なコンポーネントを遮蔽することが課題である。この効率的な相互接続と遮蔽を提供するには、非常に精密なアセンブリ手順が必要とされる。
【発明の概要】
【０００４】
１つの実施形態において、本開示は、トランジスタアウトラインｃａｎ（ＴＯ−ｃａｎ）と、ＴＯ−ｃａｎの中に収容される受信機とを備える光送受信器を含む。受信機は第１のサブマウントを有し、第１のサブマウントは、少なくとも１つの第１の導波路と、少なくとも１つの第１の導波路に連結されるフォトダイオードと、第１のサブマウント及び少なくとも１つの第１の導波路に連結されるトランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）とを含む。少なくとも１つの第１の導波路はフォトダイオードをＴＩＡに連結し、少なくとも１つの第１の導波路はフォトダイオードとＴＩＡとの間の第１のサブマウントに配置される。いくつかの実施形態において、フォトダイオード及びＴＩＡは、第１のサブマウントにフリップチップ方式で結合される。いくつかの実施形態において、フォトダイオードの接触点が少なくとも１つの第１の導波路の第１の接触点に連結され、ＴＩＡの接触点が少なくとも１つの第１の導波路の第２の接触点に連結される。いくつかの実施形態において、光送受信器はさらに、ＴＯ−ｃａｎに収容された送信機を備え、送信機は第２のサブマウントを有し、第２のサブマウントは、少なくとも１つの第２の導波路と、ボンディングワイヤと、少なくとも１つの第２の導波路に連結されたレーザダイオードとを含み、少なくとも１つの第２の導波路はボンディングワイヤをレーザダイオードに連結する。いくつかの実施形態において、レーザダイオードは第２のサブマウントにフリップチップ方式で結合される。いくつかの実施形態において、ＴＯ−ｃａｎは、ＴＯヘッダーとＴＯヘッダーに連結されるＴＯキャップとを有し、及び／又は、第２のサブマウントはＴＯ−ｃａｎのＴＯヘッダーを貫通する。いくつかの実施形態において、第１のサブマウントは第２の導波路を有し、第２の導波路はボンディングワイヤに連結され、ボンディングワイヤは光送受信器の入出力（Ｉ／Ｏ）ピンに連結される。いくつかの実施形態において、第１のサブマウント上で、少なくとも１つの第１の導波路と少なくとも１つの第１の導波路を取り囲む分離層との周りに接地プレーンが形成される。いくつかの実施形態において、光送受信器はさらに、受信機と送信機との間に置かれる波長分割多重方式（ＷＤＭ）フィルタと、光送受信器の内側と外側との間で光を透過させるレンズとを備える。
【０００５】
１つの実施形態において、本開示は、受信機及び送信機を備える光送受信器を含む。受信機は、ＴＩＡと、フォトダイオードと、少なくとも１つの第１の導波路を有する第１のサブマウントとを含み、少なくとも１つの第１の導波路は、ＴＩＡとフォトダイオードとを連結するように構成される。送信機は、レーザダイオードと、Ｉ／Ｏピンと、少なくとも１つの第２の導波路を有する第２のサブマウントとを含み、少なくとも１つの第２の導波路はボンディングワイヤに連結され、ボンディングワイヤはＩ／Ｏピンに連結される。
いくつかの実施形態において、光送受信器はさらに、送信機及び受信機並びに／又はＴＯヘッダーを収容するＴＯ−ｃａｎを備え、送信機及び受信機はＴＯヘッダーに配置される。いくつかの実施形態において、フォトダイオード及びＴＩＡは、第１のサブマウントにフリップチップ方式で結合され、フォトダイオードの接触点が少なくとも１つの第１の導波路の第１の接触点に結合され、ＴＩＡの接触点が少なくとも１つの第１の導波路の第２の接触点に結合される。いくつかの実施形態において、レーザダイオードは、第２のサブマウントにフリップチップ方式で結合され、レーザダイオードの接触点が少なくとも１つの第２の導波路の接触点に結合される。いくつかの実施形態において、第１のサブマウント上で、少なくとも１つの第１の導波路と少なくとも１つの第１の導波路を取り囲む分離層との周りに接地プレーンが形成される。いくつかの実施形態において、第２のサブマウント上で、少なくとも１つの第２の導波路と少なくとも１つの第２の導波路を取り囲む分離層との周りに接地プレーンが形成される。
【０００６】
１つの実施形態において、本開示はＴＯ−ｃａｎに実装される方法を含み、本方法は、ＴＯ−ｃａｎの外側から第１の光をレンズで受光する段階と、第１の光をフィルタでフィルタリングする段階と、裏面照射型フォトダイオードによって第１の光を電流に変換する段階と、裏面照射型フォトダイオードによって導波路を介して電流をＴＩＡに流す段階とを備え、導波路は第１のサブマウントに配置され、第１のサブマウントは、裏面照射型フォトダイオードとＴＯ−ｃａｎのＴＯヘッダーとの間に配置される。いくつかの実施形態において、本方法はさらにＴＩＡによって電流を電圧に変換する段階と、ボンディングワイヤを介して電圧をＩ／Ｏピンに伝達する段階とを備える。いくつかの実施形態において、本方法はさらに、第２の光を放射する命令をレーザダイオードによって第２の導波路を介して受信する段階と、レーザダイオードによって第２の光を放射する段階と、第２の光をフィルタでフィルタリングする段階と、レンズによって第２の光をＴＯ−ｃａｎの外側に方向づける段階とを含む。
【０００７】
これらの特徴及び他の特徴は、添付図面及び特許請求の範囲と共に、以下の詳細な説明からより明確に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示をより十分に理解するために、次に、添付図面及び詳細な説明と関連した以下の簡潔な説明について言及する。ここで、同様の参照番号は同様の構成要素を表す。
【０００９】
【図１】本開示の一実施形態によるＰＯＮの概略図である。
【００１０】
【図２】本開示の一実施形態による、ＯＮＵ又はＯＬＴに光送受信器として実装される双方向光サブアセンブリ（ＢＯＳＡ）の一部の概略図である。
【００１１】
【図３】図２のＢＯＳＡの受信機の部分を例示する概略図である。
【００１２】
【図４】図３の受信機の部分の上面図である。
【００１３】
【図５】本開示の別の実施形態による、ＯＮＵ又はＯＬＴの光送受信器として実装されるＢＯＳＡの一部の概略図である。
【００１４】
【図６】図５のＢＯＳＡの送信機の部分を例示する概略図である。
【００１５】
【図７】図６の送信機の部分の上面図である。
【００１６】
【図８】本開示のさらに別の実施形態による、ＯＮＵ又はＯＬＴに光送受信器として実装されるＢＯＳＡの一部の概略図である。
【００１７】
【図９】本開示の一実施形態による、光を受光する方法を例示するフローチャートである。
【００１８】
【図１０】本開示の一実施形態によるデバイスの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
最初に、１つ又は複数の実施形態の例示的な実装例が以下に提供されるが、開示されたシステム及び／又は方法は、現在知られているか存在しているかにかかわらず、任意の数の技法を用いて実現されてよいことを理解されたい。本開示は、本明細書に例示され説明される例示的な設計及び実装例を含む以下に例示される例示的な実装例、図面、及び技法に限定されることは一切なく、添付の特許請求の範囲にそれらの全範囲の均等例を加えた範囲内で修正されてよい。
【００２０】
ＰＯＮの光回線終端装置（ＯＬＴ）又は光ネットワークユニット（ＯＮＵ）の送受信器は、通常、ＢＯＳＡを含む。従来のＢＯＳＡは２つのＴＯ−ｃａｎを用いており、一方のＴＯ−ｃａｎが送信機を収容し、別のＴＯ−ｃａｎが受信機を収容する。この種類のＢＯＳＡでは、送信信号及び受信信号は両信号間のクロストークの影響を受けない。これは、送信電気信号及び受信電気信号が２つの別個のＴＯ−ｃａｎに含まれているからである。しかしながら、ＢＯＳＡで２つの別個のＴＯ−ｃａｎを用いると、複雑なパッケージ構造が必要となり、高いコストがかかる。
【００２１】
２つの別個のＴＯ−ｃａｎを用いるというコスト的課題を解決するために、送信機及び受信機を単一のＴＯ−ｃａｎの中に収容する単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡが取り入れられている。単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡは送信機及び受信機を含み、その両方がＴＯヘッダーに配置される。送信機は、監視用フォトダイオード（ＭＰＤ）とレーザダイオードとを含み、その両方が、別のボンディングワイヤを用いてそれぞれのＩ／Ｏピンに接続される。受信機は、フォトダイオードとＴＩＡとを含む。フォトダイオード及びＴＩＡはそれぞれ、別のボンディングワイヤを用いて異なるＩ／Ｏピンに接続される。ボンディングワイヤは通常、Ｉ／Ｏピンの上面にある接触点から、ＭＰＤ、レーザダイオード、フォトダイオード、又はＴＩＡの上面にある接触点まで延伸する。フォトダイオード及びＴＩＡも、別のボンディングワイヤを介して互いに接続される。このボンディングワイヤも、フォトダイオードの上面にある接触点からＴＩＡの上面にある接触点まで延伸する。
【００２２】
受信された光信号の出力が非常に低くなるようなことがあると、フォトダイオードをＴＩＡに接続する受信機内のボンディングワイヤには、例えば１０マイクロアンペア（μＡ）未満の非常に低い電流が流れることになる。これによって、フォトダイオードをＴＩＡの接続するボンディングワイヤは、クロストークや不要な電磁干渉（ＥＭＩ）の妨害の影響を受けやすくなる。レーザダイオードをＩ／Ｏピンに接続する送信機内のボンディングワイヤには、例えば３０〜５０ミリアンペア（ｍＡ）の比較的高い電流が流れる。この高い変調電流は、レーザダイオードによって光信号を生成するのに用いられる。したがって、この高い変調電流を流すボンディングワイヤは、放射ＥＭＩの影響をとても受けやすい。さらに、単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡ内のレーザダイオード、Ｉ／Ｏピン、フォトダイオード、及びＴＩＡの上面から延伸するボンディングワイヤの長さが、ボンディングワイヤがアンテナとして働くことを可能にし、このアンテナはＥＭＩの放射及び受信の影響をより一層受けやすい。フォトダイオードをＴＩＡに接続するボンディングワイヤを通って流れる低い電流信号によって、受信機内のボンディングワイヤは、レーザダイオードをＩ／Ｏピンに接続するボンディングワイヤからのＥＭＩを拾って、高い信号レベルの電流を送信機に流すアンテナとして働くことが可能になる。したがって、単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡ内の様々なコンポーネント部品を接続するのにボンディングワイヤを用いると、送信機と受信機の間でクロストークの影響を受けることになる。
【００２３】
送信機からのクロストークを受信機が抑制するか又は排除する単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡの実施形態が、本明細書に開示される。例えば、単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡは、送信機と、受信機と、ＴＯヘッダーとを備える。一実施形態において、受信機は、ＴＯヘッダーに配置される第１のサブマウントを有する。少なくとも１つの第１の電気導波路が第１のサブマウントに統合され、フォトダイオードをＴＩＡに連結する。一実施形態において、レーザダイオード、フォトダイオード、及び／又はＴＩＡは、第１のサブマウントに形成される導波路を用いて、単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡ内の第１のサブマウントにフリップチップ方式で結合される。一実施形態において、導波路は第１のサブマウントに形成される。フォトダイオードは、第１のサブマウントの第１の導波路の第１の接触点にフリップチップ方式で結合される。フリップチップ結合という用語は、単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡのコンポーネントを上下逆に反転させることを意味する。これにより、通常はコンポーネントの上面にある接触点が、ここでは反転して当該コンポーネントの底面になり、当該コンポーネントの接触点は、サブマウントに配置された導波路の接触点に接触するか、又は実質的にそこに隣接する。同様に、ＴＩＡは第１のサブマウントの第１の導波路の第２の接触点にフリップチップ方式で結合されてよく、第１の導波路はこれらのコンポーネントを電気的に連結する。一実施形態において、フォトダイオードをＴＩＡに連結する第１の導波路を、ボンディングワイヤを介した連結の代わりに用いると、単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡの受信機が影響を受けるＥＭＩが抑制される。
【００２４】
一実施形態において、送信機はＴＯヘッダーに配置される第２のサブマウントを有する。少なくとも第２の導波路が第２のサブマウントに統合され、送信機のレーザダイオードをボンディングワイヤ及びＩ／Ｏピンに連結する。一実施形態において、第２の導波路は、レーザダイオードの接触点に連結するように構成された第３の接触点を含む。レーザダイオードは、第２のサブマウントの第２の導波路の第３の接触点にフリップチップ方式で結合されてよい。ボンディングワイヤは、第２の導波路の第４の接触点をＩ／Ｏピンに接続するのに用いられてよい。このボンディングワイヤは、従来のＢＯＳＡにおいてレーザダイオードをＩ／Ｏピンに接続するのに用いられるボンディングワイヤより短くなり得る。したがって、第２の導波路及びより短いボンディングワイヤを用いると、単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡの送信機によって放射される電磁放射（ＥＭＲ）がさらに抑制される。
【００２５】
図１はＰＯＮ１００の概略図である。ＰＯＮ１００は、ＯＬＴ１１０と、複数のＯＮＵ１２０と、ＯＬＴ１１０をＯＮＵ１２０に連結する光分配ネットワーク（ＯＤＮ）１３０とを備える。ＰＯＮ１００は、開示された実施形態を実装するのに好適である。ＰＯＮ１００は、ＯＬＴ１１０とＯＮＵ１２０との間でデータを分配する能動コンポーネントを必要としなくてよい通信ネットワークである。その代わりに、ＰＯＮ１００は、ＯＬＴ１１０とＯＮＵ１２０との間でデータを分配するＯＤＮ１３０において、受動光コンポーネントを用いてよい。
【００２６】
ＯＬＴ１１０は、ＯＮＵ１２０及び別のネットワークと通信する。具体的には、ＯＬＴ１１０は、他のネットワークとＯＮＵ１２０との間の中間物である。例えば、ＯＬＴ１１０は、他のネットワークから受信したデータをＯＮＵ１２０に転送し、ＯＮＵ１２０から受信したデータを他のネットワークに転送する。ＯＬＴ１１０は、送信機及び受信機を有する。他のネットワークが、ＰＯＮ１００で用いられるプロトコルと異なるネットワークプロトコルを用いる場合、ＯＬＴ１１０は、そのネットワークプロトコルをＰＯＮのプロトコルに変換し、この逆の変換も行う変換器を有する。ＯＬＴ１１０は通常、本社（ＣＯ）などの中心となる場所に設置されるが、他の好適な場所に設置されてもよい。
【００２７】
ＯＤＮ１３０は、光ファイバケーブル、カプラ、スプリッタ、分配器、及び他の好適なコンポーネントを有するデータ分配システムである。これらのコンポーネントは、ＯＬＴ１１０とＯＮＵ１２０との間で信号を分配するのに電源を必要としない受動光コンポーネントを含む。これらのコンポーネントは、電源を必要とする光増幅器などの能動コンポーネントも含んでよい。ＯＤＮ１３０は、図示するような分岐構成でＯＬＴ１１０からＯＮＵ１２０に広がっているが、ＯＤＮ１３０は、任意の他の好適なポイントツーマルチポイント（Ｐ２ＭＰ）構成で構成されてもよい。
【００２８】
ＯＮＵ１２０は、ＯＬＴ１１０及び顧客と通信し、ＯＬＴ１１０と顧客との間の中間物として働く。例えば、ＯＮＵ１２０は、ＯＬＴ１１０から顧客にデータを転送し、また顧客からＯＬＴ１１０にデータを転送する。ＯＮＵ１２０は、電気信号を光信号に変換して、光信号をＯＬＴ１１０に送信する光送信機を有する。ＯＮＵ１２０は、光信号をＯＬＴ１１０から受信して、光信号を電気信号に変換する光受信機を有する。ＯＮＵ１２０はさらに、電気信号を顧客に送信する第２の送信機と、電気信号を顧客から受信する第２の受信機とを有する。ＯＮＵ１２０及び光ネットワーク終端装置（ＯＮＴ）は類似しており、これらの用語は区別なく用いられてよい。ＯＮＵ１２０は通常、顧客構内などの分散された場所に設置されるが、他の好適な場所に設置されてもよい。
【００２９】
単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡを含む光送受信器を用いて、ＯＮＵ１２０及び／又はＯＬＴ１１０の光送受信器を改善するための実施形態が本明細書に開示される。任意の実施形態による受信機は、ＴＯヘッダーとフォトダイオード及びＴＩＡとの間に配置される第１のサブマウントを有する。第１のサブマウントは、少なくとも１つの第１の導波路を含む。フォトダイオードは、１つの導波路又は複数の導波路を介して第１のサブマウントにフリップチップ方式で結合される。同様にＴＩＡは、１つの導波路又は複数の導波路を介して第１のサブマウントにフリップチップ方式で結合されてよい。単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡによってコストが節約され、第１のサブマウントの導波路を用いることで、クロストークが抑制又は排除される。
【００３０】
図２は、本開示の一実施形態による、ＯＮＵ１２０又はＯＬＴ１１０に光送受信器として実装されるＢＯＳＡ２００の一部の概略図である。単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡ２００は、ＴＯキャップ２０３と、レンズ２０６と、送信機２０９と、受信機２１２と、光フィルタ（ｆｉｌｔｅｒ）２１３と、ＴＯヘッダー２１４とを含む。ＢＯＳＡ２００は、単一のＴＯパッケージ又はＴＯ−ｃａｎに収容されてよい。
【００３１】
図示された実施形態の送信機２０９は、監視用フォトダイオード（ＭＰＤ）２１５と、レーザダイオード２１８（ＬＤ）と、中間層２２１と、Ｉ／Ｏピン２２４及び２２７とを含む。理解されるべきことであるが、任意の数のＩ／Ｏピン２２４及び２２７が送信機２０９に含まれてよい。中間層２２１は基板又は支持台、例えば金属ブロックなどであってよい。ＭＰＤ２１５は、ボンディングワイヤ２３０を介してＩ／Ｏピン２２４に連結される。レーザダイオード２１８は、ボンディングワイヤ２３３を介してＩ／Ｏピン２２７に連結される。ＭＰＤ２１５は、レーザダイオード２１８からの光（不図示）を受光して、その光を電気信号に変換し、レーザダイオード２１８が所望の出力などの所望の特性を有する光を放射していることを監視し且つ保証する。レーザダイオード２１８は、分布帰還（ＤＦＢ）型レーザダイオード、又は所望の特性を有する光を放射するのに好適な任意のレーザダイオードである。Ｉ／Ｏピン２２４及び２２７は、ＭＰＤ２１５及びレーザダイオード２１８を制御するための外部のレーザダイオードドライバに連結されてよい。例えば、レーザダイオードドライバは、所望の特性を有する光を放射するようレーザダイオード２１８に命令してよい。レーザダイオードドライバは、例えば、ＢＯＳＡ２００に連結されたプリント回路基板（ＰＣＢ）に設置されてよい。
【００３２】
フィルタ２１３は、いくつかの実施形態において、レンズ２０６と送信機２０９及び受信機２１２との間に置かれる。フィルタ２１３は、送信機２０９及び受信機２１２の両方に通信可能に連結される。フィルタ２１３は、ＷＤＭフィルタ又は他の好適なフィルタである。フィルタ２１３は、送信機２０９によって生成された出射光に作用することができ、出射光をレンズ２０６に方向づけることができる。レーザダイオード２１８から放射された光はフィルタ２１３で反射される。必要に応じてフィルタ２１３は、光信号を結合又は分割するように作動する。フィルタ２１３を通過した又はそこで反射された出射光信号は、次にレンズ２０６を通って進む。
【００３３】
受信機２１２は、フォトダイオード２３６（ＰＤ）と、ＴＩＡ２３９と、第１のサブマウント２４１と、Ｉ／Ｏピン２４２、２４６、２４８、２５１、及び２５４と、ボンディングワイヤ２５７、２６０、２６３、２６６、及び２６９とを含む。フィルタ２１３は、レンズ２０６を介して入射する入射光に作用することができ、入射光をフォトダイオード２３６に方向づけることができる。理解されるべきことであるが、任意の数のＩ／Ｏピン２４２、２４６、２４８、２５１、及び２５４が受信機２１２に含まれてよい。図２に示すように、フォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９は、第１のサブマウント２４１にフリップチップ方式で結合される。例えば、フォトダイオード２３６は上下逆に反転され、これにより、通常はフォトダイオード２３６の上面にあるフォトダイオード２３６の接触点が、ここでは反転してフォトダイオード２３６の底面にある。一実施形態において、フォトダイオード２３６は、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）、ｐｉｎフォトダイオード、又は別の好適なフォトダイオードを含んでよく、またインジウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）又は別の好適な材料を含む。一実施形態において、フォトダイオード２３６は裏面照射型フォトダイオードであってよく、入射光信号は、フォトダイオードの感光性領域で吸収される前にフォトダイオードの基板を通過する。例えば、フォトダイオードの裏面は、フォトダイオードの基板を有し、レンズ２０６と向き合っている。ＴＩＡ２３９も上下逆に反転され、これにより、通常はＴＩＡ２３９の上面にあるＴＩＡ２３９の接触点が、ここでは反転してＴＩＡ２３９の底面にある。ＴＩＡ２３９はシリコン（Ｓｉ）又は別の好適な材料を含む。
【００３４】
フォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９は、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２を介して第１のサブマウント２４１にフリップチップ方式で結合される。一実施形態において、第１のサブマウント２４１は、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２を含み、これにより、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２が第１のサブマウント２４１に形成されるか又はそこに統合される。一実施形態において、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２は、第１のサブマウント２４１に形成される。一実施形態において、第１のサブマウント２４１の表面は接地プレーンを有し、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２が第１のサブマウント２４１に直接配置され、接地プレーンに接触しないように、パターンが接地プレーンにエッチング形成される（又は別の方法で形成される）。このことは、図３及び図４においてさらに後述される。第１のサブマウント２４１はＴＯヘッダー２１４に配置され、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は別の好適な材料などの誘電体材料を含む。
【００３５】
第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２は、これらの導波路が全て第１のサブマウント２４１の実質的に同じ平面に配置されるので、互いに同一平面上にある。一実施形態において、フォトダイオード２３６は上下逆に反転され、これにより、フォトダイオード２３６の接触点が、第１のサブマウント２４１にある導波路２８４の接触点に直接連結される。同様に、ＴＩＡ２３９も上下逆に反転され、これにより、ＴＩＡ２３９の接触点が、第１のサブマウント２４１にある導波路２８４の別の接触点に直接連結される。このように、第１のサブマウント２４１にある導波路２８４を用いると、ボンディングワイヤを用いてフォトダイオード２３６をＴＩＡ２３９に接続する必要性が排除される。一実施形態において、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２は、高周波信号を流すように構成される。
【００３６】
一実施形態において、１つ又は複数のボンディングワイヤ２５７、２６０、２６３、２６６、及び２６９が、第１の導波路２８２、２８６、２８８、２９０、及び２９２をＩ／Ｏピン２４２、２４６、２４８、２５１、及び２５４に連結するのに用いられる。例えば、第１の導波路２８２は第１のサブマウント２４１に配置され、Ｉ／Ｏピン２４２に接続するボンディングワイヤ２５７にフォトダイオード２３６を接続する。Ｉ／Ｏピン２４２は電源（不図示）に接続してよい。電源は、フォトダイオード２３６にバイアス電圧を提供するように供給される外部電源であってよい。例えば、第１の導波路２８６は第１のサブマウント２４１に配置され、Ｉ／Ｏピン２４６に接続するボンディングワイヤ２６０にＴＩＡ２３９を接続する。一実施形態において、第１の導波路２８８が第１のサブマウント２４１に配置され、Ｉ／Ｏピン２４８に接続するボンディングワイヤ２６３にＴＩＡ２３９を接続する。Ｉ／Ｏピン２４６及び２４８は、さらなる信号処理のために外部回路に連結されてよく、いくつかの実施形態において外部回路は、制限増幅器とクロックデータリカバリ（ＣＤＲ）回路とを含んでよい。一実施形態において、第１の導波路２９０は第１のサブマウント２４１に配置され、Ｉ／Ｏピン２５１に接続するボンディングワイヤ２６６にＴＩＡ２３９を接続する。Ｉ／Ｏピン２５１は電源（不図示）に接続してよい。
電源は、ＴＩＡ２３９に電圧源を提供するように供給される外部電源であってよい。一実施形態において、第１の導波路２９２は第１のサブマウント２４１に配置され、Ｉ／Ｏピン２５４に接続するボンディングワイヤ２６９にＴＩＡ２３９を接続する。Ｉ／Ｏピン２５４は、第１のサブマウント２４１に配置される接地又は接地層に接続してよい。一実施形態において、第１の導波路２９２及び／又はボンディングワイヤ２６９は必要とされなくてよく、ＴＩＡ２３９の接触点は、第１のサブマウント２４１に配置された接地層に直接接続してよい。
【００３７】
第１のオペレーションにおいて、上述した外部ＬＤドライバは、所望の特性を有する第１の光２８０を放射するようレーザダイオード２１８に命令する。レーザダイオード２１８は、フィルタ２１３に向かって第１の光２８０を放射する。フィルタ２１３は第１の光をレンズ２０６に、そして外部デバイスに向かって方向づける。外部デバイスは光ファイバであってよい。第２のオペレーションにおいて、ＢＯＳＡ２００は外部デバイスからの第２の光２８１を受光する。レンズ２０６は第２の光２８１をフィルタ２１３に向かって方向づける。フィルタ２１３は第２の光２８１をフォトダイオード２３６の裏面に送る。例えば、裏面照射型フォトダイオード２３６において、第２の光２８１はフォトダイオード２３６の基板表面２７９から入射する。フォトダイオード２３６は第２の光２８１を受光し、さらなる信号処理のために、この第２の光２８１を電気信号又は電流に変換する。フォトダイオード２３６は次に、第１の導波路２８４を介して電流をＴＩＡ２３９に流す。ＴＩＡ２３９は、電流の形になっているフォトダイオード２３６からの電気信号を受け取り、この電流を電圧に変換し、さらなる信号処理のために、この電圧を第１の導波路２８８及び２９０を介して外部デバイスに送る。
【００３８】
図３は、本開示の一実施形態によるＢＯＳＡ２００の受信機２１２の部分３００を例示する概略図である。受信機２１２の部分３００は、第１のサブマウント２４１と、フォトダイオード２３６（ＰＤ）と、ＴＩＡ２３９とを有する。第１のサブマウント２４１は、接地プレーン３７３と、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２とを含む。一実施形態において、接地プレーン３７３は第１のサブマウント２４１と平行なプレーンであり、第１のサブマウント２４１の上部に配置されるか又はそこに連結される。接地プレーン３７３は、金（Ａｕ）などの導電性金属層であってよい。一実施形態において、接地プレーン３７３は第１のサブマウント２４１に形成されるか又は積層される。一実施形態において、接地プレーン３７３は、第１のサブマウント２４１の表面の全てではなくても、その大部分を覆う。
【００３９】
一実施形態において、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２と、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２を取り囲む分離層とのパターンが、接地プレーン３７３からエッチング除去されてよい。例えば、接地プレーン３７３は、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２が配置されることになる場所がエッチング除去される。これによって、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２は、接地プレーン３７３と鉛直方向に接触しないように保護ざれる。なぜならば、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２は第１のサブマウント２４１だけに接触するからである。一実施形態において、接地プレーン３７３は、図４に示す分離層が配置されることになる導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９０を取り囲む場所がエッチング除去される。いくつかの実施形態において、分離層は、導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９０のそれぞれの周りからエッチングされる別の層を有する。一実施形態において、分離層は、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９０のうち１つと接地プレーン３７３との間の間隙である。このように、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９０は、水平方向においても接地プレーン３７３に接触しない。
【００４０】
図３に示すように、導波路２９２は分離層によって取り囲まれていない。この理由は、ＴＩＡ２３９の接触点３５３が導波路２９２の接触点３３７によって接地されるからである。したがって、図３に示す実施形態は、ＴＩＡが第１の導波路２９２に接触することでどのように接地されるかを例示している。第１の導波路２９２は、接地プレーン３７３と直接接触する（又は、接地プレーン３７３の一部である）。一実施形態において、導波路２９２は必要とされず、接触点３５３は接地プレーン３７３と直接接触してＴＩＡ２３９を接地してよい。
【００４１】
一実施形態において、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２は、銅（Ｃｕ）、Ａｕ、又は任意の他の好適な導電性材料などの金属を含んでよい。第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２は、フォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９の接触点に対応する接触点を含む。フォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９の接触点は、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２の残りのその他の接触点と同種のものであってよい。あるいは、フォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９の接触点は、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２との接続を容易にするために、異なる形状又は大きさを有してもよい。
【００４２】
一実施形態において、フォトダイオード２３６は、第１のサブマウント２４１の導波路２８２及び２８４の接触点と向き合う２つの接触点３４０及び３４３を有する。一実施形態において、フォトダイオード２３６は、接触点３４０及び３４３が第１の導波路２８２及び２８４の接触点に直接連結するように、第１のサブマウント２４１にフリップチップ方式で結合される。図３に示すように、第１の導波路２８２は、フォトダイオード２３６の接触点３４０に連結するように構成される接触点３０６を含む。第１の導波路２８４は、フォトダイオード２３６の接触点３４３に連結するように構成される第１の接触点３１２を含む。一実施形態において、第１の導波路２８２は、フォトダイオード２３６にバイアス電圧を供給するように構成される。
【００４３】
一実施形態において、ＴＩＡ２３９は、第１のサブマウント２４１の第１の導波路２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２の接触点に連結するように構成された５つの接触点３４７、３５０、３５３、３５６、及び３５９を有する。一実施形態において、ＴＩＡ２３９は第１のサブマウント２４１にフリップチップ方式で結合され、これにより、接触点３４７、３５０、３５３、３５６、及び３５９は第１の導波路２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２の接触点に直接連結する。第１の導波路２８４は、ＴＩＡ２３９の接触点３４７に連結するように構成された第２の接触点３１５も含む。したがって、第１の導波路２８４は、フォトダイオード２３６をＴＩＡ２３９に接続する。第１の導波路２８４は、フォトダイオード２３６からの電流を受け取り、その電流をＴＩＡ２３９に流すように構成されてもよく、これにより、ＴＩＡ２３９は電流を電圧に変換する。第１の導波路２９０は、ＴＩＡ２３９の接触点３５０に連結するように構成された接触点３１８を含む。一実施形態において、第１の導波路２９０は、ＴＩＡ２３９の電圧源を提供するように構成される。第１の導波路２８６は、ＴＩＡ２３９の接触点３５６に連結するように構成された接触点３２６を含む。一実施形態において、第１の導波路２８６は、ＢＯＳＡ２００のＩ／Ｏピン２４６に接続し、差動電圧出力を外部回路に供給する。第１の導波路２８８は、ＴＩＡ２３９の接触点３５９に連結するように構成された接触点３３１を含む。一実施形態において、第１の導波路２８８はＢＯＳＡ２００のＩ／Ｏピン２４８に接続し、差動電圧出力を外部回路に供給する。差動出力は、数ミリボルト（ｍＶ）を超えることがあるので、クロストークの影響を受けにくくなり得る。第１の導波路２９２は、ＴＩＡ２３９をサブマウントに接地する接触点３５３に連結するように構成された接触点３３７を含む。一実施形態において、第１の導波路２９２は必須ではなく、接触点３５３は、ＴＩＡ２３９を接地プレーン３７３などの第１のサブマウント２４１に直接接地するよう構成される。一実施形態において、第１の導波路２８６、２８８、２９０、及び２９２は、ボンディングワイヤを用いてＩ／Ｏピンにワイヤボンドされてよい。
【００４４】
ＴＩＡ２３９及びフォトダイオード２３６は、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２の接触点をＴＩＡ２３９及びフォトダイオード２３６の接触点と半田付けすることによって、又は別の好適な手段によって、第１のサブマウント２４１に結合されてよい。ＴＩＡ２３９、フォトダイオード２３６、及び第１のサブマウント２４１は、ボンディングを実施するためのボンディングパッドを有してよい。一実施形態において、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２の接触点、並びにフォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９の接触点は、Ｃｕ、Ａｕ、又は別の好適な材料などの金属を含み得る半田バンプを有してよい。フォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９の半田バンプは、フォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９に形成されてよい。
【００４５】
フォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９に接続する第１の導波路２８４を用いると、ボンディングワイヤを用いてフォトダイオード２３６とＴＩＡ２３９とを接続することが不要になる。ＢＯＳＡ２００の受信機２１２はフォトダイオード２３６からＴＩＡ２３９に低い電流を流すのにボンディングワイヤを用いないので、受信機２１２にはＥＭＩを容易に拾うＥＭＩに敏感なアンテナとして働くものは何もない。さらに、第１の導波路２８４は、接地プレーン３７３が第１の導波路２８４に接触しないように、第１のサブマウント２４１に統合される。したがって、第１の導波路２８４は、実質的に取り囲む接地プレーン３７３によってＥＭＩからわずかに遮蔽される。したがって、受信機２１２は送信機２０９からのＥＭＩの影響を受けることが少なく、ＢＯＳＡ２００においてクロストークが効果的に抑制される。
【００４６】
図４は、本開示の一実施形態による、ＢＯＳＡ２００の受信機２１２の部分３００の上面図  ４００である。上面図  ４００は、フォトダイオード２３６（ＰＤ）と、ＴＩＡ２３９と、接地プレーン３７３と、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９２と、分離層４０９Ａ〜４０９Ｊとを示す。図４は、ＴＩＡ２３９及びフォトダイオード２３６が第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９２を介して第１のサブマウント２４１にフリップチップ方式で結合されていることを示す。図４に示すＴＩＡ２３９の表面は、ＴＩＡ２３９の底面又はＴＩＡ２３９の基板を含む面である。したがって、図４は、ＴＩＡ２３９が第１のサブマウント２４１にフリップチップ方式で結合されていることを例示する。同様に、図４に示すフォトダイオード２３６の表面は、フォトダイオード２３６の底面又はフォトダイオード２３６の基板を含む面である。したがって、図４は、フォトダイオード２３６が第１のサブマウント２４１にフリップチップ方式で結合されていることを例示する。
【００４７】
図４は、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９２が分離層４０９Ａ−Ｊによって接地プレーン３７３から水平方向に分離されていることも示す。分離層４０９Ａ〜４０９Ｊは、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９２が、第１のサブマウント２４１によって取り囲まれ、接地プレーン３７３に接触しないように、接地プレーン３７３からエッチング除去される。一実施形態において、分離層４０９Ａ〜４０９Ｊは、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９０のそれぞれと接地プレーン３７３との間の間隙である。一実施形態において、ボンディングワイヤが、第１の導波路２８２、２８６、２８８、及び２９２をＩ／Ｏピン２４２、２４６、２４８、２５１、及び２５４に接続するのに用いられてよい。第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９２は、柔軟性がなく比較的平坦で、第１のサブマウント２４１に統合されており、利用可能な接地を有する。これに対して、ボンディングワイヤは柔軟性があり円筒形で、第１のサブマウント２４１から物理的に独立しており、利用可能な接地を有していない。
【００４８】
第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９２は、ＢＯＳＡの送信機からのＥＭＩの影響を受けないように部分的に遮蔽されている。これは、第１の導波路２８２、２８６、２８８、及び２９２が、第１のサブマウント２４１に連結されているか又はそこに結合されており、また接地プレーン３７３によって少なくとも部分的に取り囲まれているからである。第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９２が、エッチング除去された接地プレーン３７３の分離部分の間の第１のサブマウント２４１に配置されるので、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９２は接地プレーン３７３によって部分的に遮蔽される。第１のサブマウント２４１に統合され、接地層３７３によって遮蔽された第１の導波路２８２、２８６、２８８、及び２９２を有する第１のサブマウント２４１の構造によって、第１の導波路２８２、２８６、２８８、及び２９２は、従来のＢＯＳＡのボンディングワイヤであれば受けることになるＥＭＩと同程度のＥＭＩを受けないように保護される。
【００４９】
図５は、本開示の別の実施形態による、ＯＮＵ１２０又はＯＬＴ１１０の光送受信器として実装されるＢＯＳＡ５００の一部の概略図である。ＢＯＳＡ５００は、図２のＢＯＳＡ２００と同種であり、対応する同種のコンポーネントを有する。しかしながら、ＢＯＳＡ２００と異なって、ＢＯＳＡ５００は、ＭＰＤ２１５及びレーザダイオード２１８のための第２のサブマウント５１２を有する。さらに、レーザダイオード２１８は、少なくとも１つの第２の導波路５３３を介して第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合される。ボンディングワイヤ２３３を用いて、少なくとも１つの第２の導波路５３３をＩ／Ｏピン２２７に接続する一実施形態において、ボンディングワイヤ２３３は、レーザダイオード２１８をＩ／Ｏピン２２７に接続する、現在のＢＯＳＡに用いられる従来のボンディングワイヤの長さより短くなり得る。少なくとも１つの第２の導波路５３３に結合するフリップチップと、より短いボンディングワイヤとによって、必要であれば、レーザダイオード２１８とＩ／Ｏピン２２７との間で伝達される信号によるＥＭＩ及び電磁放射が抑制される。ＢＯＳＡ５００は、ＴＯキャップ２０３と、レンズ２０６と、送信機５０９と、受信機２１２と、フィルタ２１３と、ＴＯヘッダー２１４とを備える。ＢＯＳＡ５００は単一のＴＯパッケージ又はＴＯ−ｃａｎに収容されてよい。
【００５０】
送信機５０９は、ＭＰＤ２１５（図５ではＭＰＤと表示される）と、レーザダイオード２１８（図５ではＬＤと表示される）と、金属ブロック５２１と、第２のサブマウント５１２とＩ／Ｏピン２２４及び２２７とを含む。理解されるべきことであるが、任意の数のＩ／Ｏピン２２４及び２２７が送信機５０９に含まれてよい。レーザダイオード２１８は、少なくとも１つの第２の導波路５３３を介して第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合される。第２のサブマウント５１２は、ＡｌＮ又は別の好適な材料などの誘電体を含む。一実施形態において、第２のサブマウント５１２は、少なくとも１つの第２の導波路５３３を含む。例えば、少なくとも１つの第２の導波路５３３は第２のサブマウント５１２に形成される。一実施形態において、第２のサブマウント５１２の表面は接地プレーンを有する。接地プレーンのパターンは、少なくとも１つの第２の導波路５３３が第２のサブマウント５１２に直接配置され、接地プレーンに接触しないようにエッチングされる。このことは、図６及び図７においてさらに後述される。第２のサブマウント５１２は、ＴＯヘッダー２１４に配置されてよく、又はＴＯヘッダー２１４の金属ブロック５２１に配置されてもよい。一実施形態において、第２のサブマウント５１２は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は別の好適な材料などの誘電体材料を含む。
【００５１】
一実施形態において、レーザダイオード２１８は、レーザダイオード２１８の接触点が第２のサブマウント５１２の少なくとも１つの第２の導波路５３３の接触点に直接連結されるように、上下逆に反転される。一実施形態において、少なくとも１つの第２の導波路５３３がＩ／Ｏピン２２７に直接連結してよい。一実施形態において、ボンディングワイヤ２３３が、少なくとも１つの第２の導波路５３３をＩ／Ｏピン２２７に連結するのに用いられてよい。レーザダイオード２１８は第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合されるので、ボンディングワイヤ２３３の長さは、フリップチップ結合を実装しない従来のＢＯＳＡに用いられるボンディングワイヤよりはるかに短くなり得る。一実施形態において、ＭＰＤ２１５は第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合されなくてよい。したがって、ボンディングワイヤ２３０をＩ／Ｏピン２２４に接続するのに導波路は必要ない。
【００５２】
比較的高い変調電流がレーザダイオード２１８に供給され、これにより、レーザダイオード２１８は光信号を生成し得る。従来のＢＯＳＡにおいて、レーザダイオード２１８をＩ／Ｏピン２２７に接続するボンディングワイヤは非常に高い変調電流を流すので、これにより、ＥＭＩ又はＥＭＲが受信機２１２に発生することになる。しかしながら、レーザダイオード２１８を第２のサブマウント５１２の少なくとも１つの第２の導波路５３３に結合するフリップチップによって、受信機２１２が受けるＥＭＩの影響を抑制することができる。なぜならば、レーザダイオード２１８に供給される高い電流は、はるかに短い距離のボンディングワイヤ２３３を流れるからである。
【００５３】
受信機２１２は、フォトダイオード２３６と、ＴＩＡ２３９と、第１のサブマウント２４１と、Ｉ／Ｏピン２４２、２４６、２４８、２５１、及び２５４と、ボンディングワイヤ２５７、２６０、２６３、２６６、及び２６９とを有する。第１のサブマウント２４１は、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２を含み、これらの導波路は、第１のサブマウント２４１の同じ平面に全てが配置されるので、互いに同一平面上にある。一実施形態において、フォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９は、第１の導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２によって第１のサブマウント２４１にフリップチップ方式で結合される。
【００５４】
図６は、本開示の一実施形態による、ＢＯＳＡ５００の送信機５０９の部分６００を例示する概略図である。送信機５０９の部分６００は、第２のサブマウント５１２と、ＭＰＤ２１５と、レーザダイオード２１８（ＬＤ）とを含む。第２のサブマウント５１２は、接地プレーン５７３及び少なくとも１つの第２の導波路５３３を含む。図５に示す実施形態において、ＭＰＤ２１５は第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合されないが、レーザダイオード２１８は第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合される。
【００５５】
第２のサブマウント５１２は、接地プレーン５７３と、図５に示すＴＯヘッダー２１４又は金属ブロック５２１との間に置かれた誘電体層として働く。一実施形態において、送信機５０９の接地プレーン５７３は受信機２１２の接地プレーン３７３と同様である。一実施形態において、接地プレーン５７３は第２のサブマウント５１２に形成されるか又は積層される。接地プレーン５７３は、Ａｕなどの薄い導電性金属層であってよい。接地プレーン５７３は、第２のサブマウント５１２と実質的に平行なプレーンであってよい。接地プレーン５７３は第２のサブマウント５１２の上部に配置されるか又はそこに連結され、第２のサブマウント５１２の表面の大部分を覆う。ただし、第２のサブマウント５１２の、導波路及び分離層が配置される場所を除く。
【００５６】
一実施形態において、少なくとも１つの第２の導波路５３３及び少なくとも１つの第２の導波路５３３を取り囲む分離層のパターンが、接地プレーン５７３からエッチング除去されてよい。例えば接地プレーン５７３は、少なくとも１つの第２の導波路５３３及び少なくとも１つの第２の導波路５３３を取り囲む分離層が配置されることになる場所がエッチング除去される。このように、少なくとも１つの第２の導波路５３３は、鉛直方向にも水平方向にも接地プレーン５７３と接触しない。少なくとも１つの第２の導波路５３３は、導波路２８２、２８４、２８６、２８８、２９０、及び２９２と同様である。少なくとも１つの第２の導波路５３３は、Ｃｕ、Ａｕ、又は任意の他の好適な導電材料などの金属を含んでよい。少なくとも１つの第２の導波路５３３は、レーザダイオード２１８の接触点６０３に対応する接触点６１２を含む。接触点６１２及び接触点６０３は互いに同種のものであってよく、又は接触点６１２と接触点６０３との間の接続を容易にするために異なる形状又は大きさを有してもよい。
【００５７】
一実施形態において、レーザダイオード２１８はボンディングパッド６０６を含み、そこに接触点６０３が配置される。レーザダイオード２１８の接触点６０３は、少なくとも１つの第２の導波路５３３の接触点６１２と向き合う。一実施形態において、レーザダイオード２１８は第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合され、これにより、レーザダイオード２１８の接触点６０３は少なくとも１つの第２の導波路５３３の接触点６１２に直接連結するか又はそこに実質的に隣接して位置する。一実施形態において、ボンディングワイヤ２３３は少なくとも１つの第２の導波路５３３をＩ／Ｏピン２２７に接続してよい。ボンディングワイヤ２３３及び少なくとも１つの第２の導波路５３３は、例えば３０〜５０ｍＡの非常に高い変調電流をレーザダイオード２１８に供給するのに用いられてよく、これにより、レーザダイオード２１８は高い変調電流を用いて光信号を生成する。
【００５８】
レーザダイオード２１８は、半田付け又は他の好適な手段によって、第２のサブマウント５１２に結合されてよい。例えば、接触点６０３は、接触点６１２と共に半田付けされてよい。一実施形態において、接触点６０３及び６１２は、半田バンプ及び／又はボンディングパッドであってよく、Ｃｕ、Ａｕ、又は他の好適な材料を含んでよい。
【００５９】
高い変調電流を流すボンディングワイヤ２３３は、フリップチップ方式で結合されていないレーザダイオードをＩ／Ｏピンに接続するのに用いられる従来のボンディングワイヤより短くなり得る。この理由は、図６のレーザダイオード２１８は第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合されており、少なくとも１つの第２の導波路５３３が、ボンディングワイヤ２３３と共に、レーザダイオード２１８をＩ／Ｏピン２２７に接続するのに用いられるからである。より短いボンディングワイヤ２３３によって、送信機５０９から放射されるＥＭＩ又はＥＭＲがより少なくなり得る。したがって、受信機２１２は送信機５０９から受けるＥＭＩの影響が少なくなり、クロストークがＢＯＳＡ５００において効果的に抑制される。
【００６０】
図７は、本開示の一実施形態による、ＢＯＳＡ５００の送信機５０９の部分６００の上面図  ７００である。上面図  ７００は、ＭＰＤ２１５と、レーザダイオード２１８（ＬＤ）と、接地プレーン５７３と、少なくとも１つの第２の導波路５３３と、分離層７１２Ａ及び７１２Ｂとを示す。図７は、レーザダイオード２１８が少なくとも１つの第２の導波路５３３を介して第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合されていることを示す。図７に示すレーザダイオード２１８の表面はレーザダイオード２１８の底面、又はレーザダイオード２１８の基板を含む面であり、これにより、レーザダイオード２１８が第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合されていることが例示される。
【００６１】
図７は、少なくとも１つの第２の導波路５３３が分離層７１２Ａ及び７１２Ｂによって、接地プレーン５７３から水平方向に分離されていることも示す。例えば、接地プレーン５７３は、少なくとも１つの第２の導波路５３３並びに分離層７１２Ａ及び７１２Ｂが配置される場所がエッチング除去される。一実施形態において、分離層７１２Ａ及び７１２Ｂは、少なくとも１つの第２の導波路５３３と接地プレーン５７３との間の間隙である。このように、少なくとも１つの第２の導波路５３３は接地プレーン５７３に接触せず、その代わりに、誘電体層である第２のサブマウント５１２だけに接触する。
【００６２】
少なくとも１つの第２の導波路５３３は、エッチング除去された接地プレーン５７３の分離部分の間の第２のサブマウント５１２に配置されるので、少なくとも１つの第２の導波路５３３は、第２のサブマウント５１２及び接地プレーン５７３によって部分的に遮蔽される。少なくとも１つの第２の導波路５３３が第２のサブマウント５１２に統合され且つ接地層５７３によって遮蔽された状態で第２のサブマウント５１２を配置すると、少なくとも１つの第２の導波路５３３は、従来のＢＯＳＡのボンディングワイヤであれば放射することになるＥＭＩと同程度のＥＭＩを放射しないように保護される。
【００６３】
図８は、本開示のさらに別の実施形態による、ＯＮＵ１２０又はＯＬＴ１１０の光送受信器として実装されるＢＯＳＡ８００の一部の概略図である。ＢＯＳＡ８００は図２のＢＯＳＡ２００と同種であり、対応する同種のコンポーネントを有する。しかしながら、ＢＯＳＡ２００と異なって、ＢＯＳＡ８００は、ＴＯヘッダー２１４に統合され且つＴＯヘッダー２１４の右側にある送信機８０９を有する。これにより、ボンディングワイヤもＩ／Ｏピンも必要とせず、レーザダイオード２１８がＰＣＢに接続される。さらに図８は、受信機８１２がＢＯＳＡ８００の左側に配置され、受信機８１２が図２に示す受信機に対して水平方向に９０度（°）回転していることを示す。ＢＯＳＡ８００は、ＴＯキャップ２０３と、レンズ２０６と、送信機８０９と、受信機８１２と、フィルタ２１３と、ＴＯヘッダー２１４とを有する。ＢＯＳＡ８００は、単一のＴＯパッケージ又はＴＯ−ｃａｎに収容されてよい。
【００６４】
図８に示すように、ＴＯヘッダー２１４の一部が除去されるか又は切り取られ、これにより、第２のサブマウント５１２は、ＴＯヘッダー２１４の除去された部分に配置される。したがって、第２のサブマウント５１２は、単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡ８００の中に部分的に位置し、且つ単一のＴＯ−ｃａｎ型ＢＯＳＡ８００の外部のＰＣＢに部分的に位置する。第２のサブマウント５１２は、ガラス層８１５Ａ及び８１５ＢによってＴＯヘッダー２１４から分離される。ガラス層８１５Ａ及び８１５Ｂはガラスを含み、第２のサブマウント５１２の金属がＴＯヘッダー２１４の金属と接触しないように保護している。ガラス層８１５Ａ及び８１５Ｂはまた、ＴＯヘッダー２１４を第２のサブマウント５１２に密閉する。
【００６５】
送信機８０９は、ＭＰＤ２１５と、レーザダイオード２１８（図８にはＬＤと表示される）と、第２のサブマウント５１２とを有する。第２のサブマウント５１２は、ＡｌＮ又は別の誘電体材料を含む誘電体層である。第２のサブマウント５１２の少なくとも１つの第２の導波路８３３と、少なくとも１つの第２の導波路８３３を取り囲む分離層とを配置する場所が、エッチング除去されてよい。少なくとも１つの第２の導波路８３３は、第２のサブマウント５１２の少なくとも１つの第２の導波路５３３よりも長くてよく、これにより、少なくとも１つの第２の導波路８３３は、ボンディングワイヤを用いずに、ＰＣＢのコンポーネントに直接接触する。
【００６６】
ＢＯＳＡ５００と同様に、レーザダイオード２１８は、少なくとも１つの第２の導波路８３３を介して第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合される。レーザダイオード２１８の接触点が、少なくとも１つの第２の導波路８３３の接触点と共に半田付けされてよい。このように、少なくとも１つの第２の導波路８３３を流れる変調電流は、ボンディングワイヤ２３３を通って流れる必要もなく、レーザダイオード２１８に直接流れる。少なくとも１つの第２の導波路８３３は、第２のサブマウント５１２に統合されてよく、これにより、少なくとも１つの第２の導波路８３３は、図６及び図７に示す第２のサブマウント５１２と同様に、第２のサブマウント５１２の接地プレーンによって部分的に遮蔽される。少なくとも１つの第２の導波路８３３は、従来のＢＯＳＡのボンディングワイヤより小ないＥＭＲを放射することになる。なぜならば、ボンディングワイヤを用いずに導波路８３３がＩ／Ｏピンに接続され、少なくとも１つの第２の導波路８３３が第２のサブマウント５１２に統合され、少なくとも１つの第２の導波路８３３が接地プレーンによって遮蔽されるからである。
【００６７】
一実施形態において、ＭＰＤ２１５は第２のサブマウント５１２にフリップチップ方式で結合されない。したがって、ボンディングワイヤ２３０と同種であってよい電線８３０が、ＭＰＤ２１５をＰＣＢに接続するのに依然として用いられ得る。しかしながら、電線８３０は、Ｉ／Ｏピンに接続する必要がある代わりに、ＰＣＢに直接接続する。したがって、図８に示す実施形態において、Ｉ／Ｏピンは送信機８０９に含まれない。これは、送信機がＴＯヘッダー２１４に統合されるからである。
【００６８】
受信機８１２は、送信機８０９がＢＯＳＡ８００の右側に配置されるので、右に９０°回転する。フィルタ２１３は、フィルタ２１３から受光した入射光が水平方向に左に向かって供給されるように配置される。したがって、受信機８１２は、フォトダイオード２３６がフィルタ２１３からの光をフォトダイオード２３６の感光面で受光するように右に９０°回転する。それ以外は、フリップチップ方式で結合されるフォトダイオード２３６（図８にはＰＤと表示される）及びＴＩＡ２３９の接触点に接続するように構成される接触点を有する複数のコプレーナ導波路を第１のサブマウント２４１が含むので、受信機８１２は受信機２１２と同様である。いくつかのボンディングワイヤ２５７、２６０、２６３、２６６、及び２６９が、第１のサブマウント２４１のコプレーナ導波路をＩ／Ｏピン２４６、２４８、２５１、２５４、及び２４２と連結するのに用いられる。フォトダイオード２３６をＴＩＡ２３９に接続するには導波路２８４で十分なため、フォトダイオード２３６とＴＩＡ２３９との間にボンディングワイヤは必要ない。
【００６９】
図８に示す実施形態では、少なくとも１つの第２の導波路８３３が放射する電磁放射は、ボンディングワイヤを用いずに高電流の信号をレーザダイオード２１８に流すのでより少ない。さらに、導波路２８４が第１のサブマウント２４１に統合されるので、導波路２８４は送信機８０９からのＥＭＩをそれほど拾わないかもしれない。したがって、図８に示すＢＯＳＡ８００の実施形態は、従来のＢＯＳＡ構造と比較してクロストークを大幅に抑制する。
【００７０】
図９は、本開示の一実施形態による、光を受光する方法９００を例示するフローチャートである。ＢＯＳＡ２００、５００、及び８００は方法９００を実装し得る。段階９１０で、レンズは、ＴＯ−ｃａｎの外側から第１の光を受光する。例えば、レンズ２０６は第１の光を受光する。段階９２０で、フィルタが第１の光をフィルタリングする。例えば、フィルタ２１３は第１の光をフィルタリングする。段階９３０で、裏面照射型フォトダイオードが第１の光を電流に変換する。例えば、フォトダイオード２３６は第１の光を電流に変換する。最後に段階９４０で、フォトダイオードは電流をＴＩＡに流す。例えば、フォトダイオード２３６は電流をＴＩＡ２３９に流す。一実施形態において、導波路はサブマウントに配置される。例えば、導波路はサブマウントに形成されてよい。一実施形態において、接地プレーンがサブマウントに配置され、導波路を水平方向に実質的に取り囲んでよい。一実施形態において、サブマウントは、裏面照射型フォトダイオードとＴＯ−ｃａｎのＴＯヘッダーとの間に配置される。一実施形態において、方法９００はさらに、電流を電圧に変換する段階を含んでよい。例えば、ＴＩＡ２３９は電流を電圧に変換する。一実施形態において、方法９００はさらに、電圧をＩ／Ｏピンに伝達する段階を含んでよい。例えば、電圧はボンディングワイヤを介してＩ／Ｏピンに伝達される。一実施形態において、方法９００はさらに、導波路を介して、第２の光を放射する命令を受信する段階を含んでよい。例えば、レーザダイオード２１８は第２の光を放射する命令を受信して、第２の光を放射してよい。一実施形態において、方法９００はさらに、第２の光をフィルタリングする段階を含んでよい。例えば、フィルタ２１３は第２の光をフィルタリングする。一実施形態において、方法９００はさらに、第２の光をＴＯ−ｃａｎの外側に方向づける段階を含んでよい。例えば、レンズ２０６は第２の光をＴＯ−ｃａｎの外側に方向づける。
【００７１】
図１０は、本開示の一実施形態によるデバイス１０００の概略図である。デバイス１０００は、上述の開示された実施形態を実装するのに好適であり、ＰＣＢに外部デバイス及び外部制御装置を含む。デバイス１０００は、入口ポート１０１０と、データを送信及び受信するための送受信器（Ｔｘ／Ｒｘ）ユニット１０２０と、データを処理するプロセッサ論理ユニット又は中央処理装置（ＣＰＵ）１０３０と、データを送信するための出口ポート１０５０と、データを格納するためのメモリ１０６０とを含む。一実施形態において、デバイス１０００はＯＮＵ１２０又はＯＬＴ１１０である。そのような一実施形態において、Ｔｘ／Ｒｘ１０２０は、ＯＮＵ１２０又はＯＬＴ１１０に含まれる光送受信器である。Ｔｘ／Ｒｘ１０２０は、ＢＯＳＡ２００、５００、及び８００のうち１つを含んでよい。デバイス１０００は、光信号又は電気信号の出口又は入口のために、入口ポート１０１０、受信機ユニット１０２０、送信機ユニット１０４０、及び出口ポート１０５０に連結された光／電気変換（ＯＥ）コンポーネント及び電気／光変換（ＥＯ）コンポーネントも含んでよい。
【００７２】
プロセッサ１０３０は、ハードウェア、ミドルウェア、ファームウェア、又はソフトウェアの任意の好適な組み合わせによって実装される。プロセッサ１０３０は、１つ又は複数のＣＰＵチップ、コア（例えば、マルチコアプロセッサとして）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、又はデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）として実装されてよい。プロセッサ１０３０は、入口ポート１０１０、受信機ユニット１０２０、送信機ユニット１０４０、出口ポート１０５０、及び／又はメモリ１０６０と通信する。一実施形態において、プロセッサ１０３０は光モジュール１０７０を含む。一実施形態において、光モジュール１０７０は、ＭＰＤ２１５、レーザダイオード２１８、フォトダイオード２３６、又はＴＩＡ２３９を制御するように構成されてよい。一実施形態において、Ｔｘ／Ｒｘ１０２０は、Ｉ／Ｏピン２２４、２２７、２４２、２４６、２４８、２５１、又は２５４との間でデータを受信及び送信してよい。
【００７３】
メモリ１０６０は、１つ又は複数のディスク、テープドライブ、又はソリッドステートドライブを含み、オーバフローデータの記憶装置として用いられ、プログラムが実行のために選択された場合、そのようなプログラムを格納し、またプログラム実行中に読み出される命令及びデータを格納してよい。メモリ１０６０は、揮発性及び／又は不揮発性であってよく、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、三値連想メモリ（ＴＣＡＭ）、及び／又はスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）であってよい。
【００７４】
「約（ａｂｏｕｔ）」という用語の使用は、特に明記しない限り、後に続く数字の±１０％を含む範囲を意味する。いくつかの実施形態が本開示において提供されてきたが、開示されたシステム及び方法は、本開示の精神又は範囲から逸脱することなく、他の多数の特定の形で具現化され得ることが理解されてよい。本実施例は、限定的なものではなく例示的なものとみなされるべきであり、本明細書で提供された詳細に限定する意図はない。例えば、様々な要素又はコンポーネントは、別のシステムにおいて組み合わされても統合されてもよく、あるいは、特定の特徴が省略されても実装されなくてもよい。
【００７５】
さらに、様々な実施形態において別個のもの又は独立したものとして説明され例示された、技法、システム、サブシステム、及び方法は、本開示の範囲から逸脱することなく、他のシステム、コンポーネント、技法、又は方法と組み合わされても統合されてもよい。互いに連結される、互いに直接連結される、又は互いに通信するものとして示され論じられた他の要素が、電気的であれ、機械的であれ、又は別の方法であれ、何らかのインタフェース、デバイス、又は中間コンポーネントを介して間接的に連結されるか又は通信してもよい。変更、置換、及び修正に関する他の実施例が当業者によって確認可能であり、これらの実施例が、本明細書に開示された精神及び範囲から逸脱することなく作られてよい。
【図１】
2019515492.tif 000003
【図２】
2019515492.tif 000004
【図３】
2019515492.tif 000005
【図４】
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【図５】
2019515492.tif 000007
【図６】
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【図７】
2019515492.tif 000009
【図８】
2019515492.tif 000010
【図９】
2019515492.tif 000011
【図１０】
2019515492.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月30日(2018.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタアウトラインｃａｎ（ＴＯ−ｃａｎ）と、
前記ＴＯ−ｃａｎの中に収容された受信機と
を備える光送受信器であって、
前記受信機は、
少なくとも１つの第１の導波路を有する第１のサブマウントと、
前記少なくとも１つの第１の導波路に連結されたフォトダイオードと、
前記第１のサブマウントと前記少なくとも１つの第１の導波路とに連結されたトランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）と
を有し、
前記少なくとも１つの第１の導波路は、前記フォトダイオードを前記ＴＩＡに連結し、
前記少なくとも１つの第１の導波路は、前記フォトダイオードと前記ＴＩＡとの間の前記第１のサブマウントに配置される、光送受信器。
【請求項２】
前記フォトダイオード及び前記ＴＩＡは、前記第１のサブマウントにフリップチップ方式で結合される、請求項１に記載の光送受信器。
【請求項３】
前記フォトダイオードの接触点が前記少なくとも１つの第１の導波路の第１の接触点に連結され、前記ＴＩＡの接触点が前記少なくとも１つの第１の導波路の第２の接触点に連結される、請求項１又は２に記載の光送受信器。
【請求項４】
前記ＴＯ−ｃａｎの中に収容された送信機をさらに備え、
前記送信機は、
少なくとも１つの第２の導波路を含む第２のサブマウントと、
ボンディングワイヤと、
前記少なくとも１つの第２の導波路に連結されたレーザダイオードと
を有し、
前記少なくとも１つの第２の導波路は前記ボンディングワイヤを前記レーザダイオードに連結する、請求項１から３のいずれか一項に記載の光送受信器。
【請求項５】
前記レーザダイオードは前記第２のサブマウントにフリップチップ方式で結合される、請求項４に記載の光送受信器。
【請求項６】
前記ＴＯ−ｃａｎは、ＴＯヘッダーと、前記ＴＯヘッダーに連結されたＴＯキャップとを有し、前記第２のサブマウントは前記ＴＯ−ｃａｎの前記ＴＯヘッダーを貫通する、請求項５に記載の光送受信器。
【請求項７】
前記ＴＯ−ｃａｎは、
ＴＯヘッダーと、
前記ＴＯヘッダーに連結されたＴＯキャップと
を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の光送受信器。
【請求項８】
前記第１のサブマウントは第２の導波路を有し、前記第２の導波路はボンディングワイヤに連結し、前記ボンディングワイヤは前記光送受信器の入出力ピン（Ｉ／Ｏピン）に連結する、請求項１から７のいずれか一項に記載の光送受信器。
【請求項９】
接地プレーンが、前記第１のサブマウント上で、前記少なくとも１つの第１の導波路と前記少なくとも１つの第１の導波路を取り囲む分離層との周りに形成される、請求項１から８のいずれか一項に記載の光送受信器。
【請求項１０】
前記受信機と送信機との間に置かれた波長分割多重方式（ＷＤＭ）フィルタと、
前記光送受信器の内側と外側との間で光を透過させるレンズと
をさらに備える、請求項１から９のいずれか一項に記載の光送受信器。
【請求項１１】
受信機であって、
トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）と、
フォトダイオードと、
少なくとも１つの第１の導波路を含む第１のサブマウントであって、前記少なくとも１つの第１の導波路は前記ＴＩＡと前記フォトダイオードとを連結するように構成される、第１のサブマウントと
を有する、受信機と、
送信機であって、
レーザダイオードと、
入出力ピン（Ｉ／Ｏピン）と、
少なくとも１つの第２の導波路を含む第２のサブマウントであって、前記少なくとも１つの第２の導波路はボンディングワイヤに連結し、前記ボンディングワイヤは前記Ｉ／Ｏピンに連結する、第２のサブマウントと
を有する送信機と
を備える、光送受信器。
【請求項１２】
前記送信機及び前記受信機を収容するトランジスタアウトラインｃａｎ（ＴＯ−ｃａｎ）をさらに備える、請求項１１に記載の光送受信器。
【請求項１３】
ＴＯヘッダーをさらに備え、前記送信機及び前記受信機は前記ＴＯヘッダーに配置される、請求項１１又は１２に記載の光送受信器。
【請求項１４】
前記フォトダイオード及び前記ＴＩＡは、前記第１のサブマウントにフリップチップ方式で結合され、前記フォトダイオードの接触点は前記少なくとも１つの第１の導波路の第１の接触点に結合され、前記ＴＩＡの接触点は前記少なくとも１つの第１の導波路の第２の接触点に結合される、請求項１１から１３のいずれか一項に記載の光送受信器。
【請求項１５】
前記レーザダイオードは前記第２のサブマウントにフリップチップ方式で結合され、前記レーザダイオードの接触点は前記少なくとも１つの第２の導波路の接触点に結合される、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の光送受信器。
【請求項１６】
接地プレーンが、前記第１のサブマウント上で、前記少なくとも１つの第１の導波路と前記少なくとも１つの第１の導波路を取り囲む分離層との周りに形成される、請求項１１から１５のいずれか一項に記載の光送受信器。
【請求項１７】
接地プレーンが、前記第２のサブマウント上で、前記少なくとも１つの第２の導波路と前記少なくとも１つの第２の導波路を取り囲む分離層との周りに形成される、請求項１１から１６のいずれか一項に記載の光送受信器。
【請求項１８】
トランジスタアウトラインｃａｎ（ＴＯ−ｃａｎ）に実装される方法であって、前記方法は、
前記ＴＯ−ｃａｎの外側から第１の光をレンズで受光する段階と、
前記第１の光をフィルタでフィルタリングする段階と、
裏面照射型フォトダイオードによって前記第１の光を電流に変換する段階と、
前記裏面照射型フォトダイオードによって導波路を介して前記電流をトランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）に流す段階と
を備え、
前記導波路は第１のサブマウントに配置され、前記第１のサブマウントは前記裏面照射型フォトダイオードと前記ＴＯ−ｃａｎのＴＯヘッダーとの間に配置される、方法。
【請求項１９】
前記ＴＩＡによって前記電流を電圧に変換する段階と、
ボンディングワイヤを介して前記電圧を入出力ピン（Ｉ／Ｏピン）に伝達する段階と
をさらに備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
第２の光を放射する命令をレーザダイオードによって第２の導波路を介して受信する段階と、
前記レーザダイオードによって前記第２の光を放射する段階と、
前記第２の光を前記フィルタでフィルタリングする段階と、
前記レンズによって前記第２の光を前記ＴＯ−ｃａｎの外側に方向づける段階と
をさらに備える、請求項１８又は１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
受信機２１２は、フォトダイオード２３６（ＰＤ）と、ＴＩＡ２３９と、第１のサブマウント２４１と、Ｉ／Ｏピン２４２、２４６、２４８、２５１、及び２５４と、ボンディングワイヤ２５７、２６０、２６３、２６６、及び２６９とを含む。フィルタ２１３は、レンズ２０６を介して入射する入射光に作用することができ、入射光をフォトダイオード２３６に方向づけることができる。理解されるべきことであるが、任意の数のＩ／Ｏピン２４２、２４６、２４８、２５１、及び２５４が受信機２１２に含まれてよい。図２に示すように、フォトダイオード２３６及びＴＩＡ２３９は、第１のサブマウント２４１にフリップチップ方式で結合される。例えば、フォトダイオード２３６は上下逆に反転され、これにより、通常はフォトダイオード２３６の上面にあるフォトダイオード２３６の接触点が、ここでは反転してフォトダイオード２３６の底面にある。一実施形態において、フォトダイオード２３６は、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）、ｐｉｎフォトダイオード、又は別の好適なフォトダイオードを含んでよく、またインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）又は別の好適な材料を含む。一実施形態において、フォトダイオード２３６は裏面照射型フォトダイオードであってよく、入射光信号は、フォトダイオードの感光性領域で吸収される前にフォトダイオードの基板を通過する。例えば、フォトダイオードの裏面は、フォトダイオードの基板を有し、レンズ２０６と向き合っている。ＴＩＡ２３９も上下逆に反転され、これにより、通常はＴＩＡ２３９の上面にあるＴＩＡ２３９の接触点が、ここでは反転してＴＩＡ２３９の底面にある。ＴＩＡ２３９はシリコン（Ｓｉ）又は別の好適な材料を含む。
【国際調査報告】
2019515492.tif 000013
2019515492.tif 000014
2019515492.tif 000015