(57)【要約】  本発明は、半導体基板内に形成されるＮ個の規則的に離間された画素の行１００と、このＮ個の画素を読み出すための回路とを含み、この回路は、行のＮ個の画素の各々について出力信号を伝達する、リニアセンサにおいて、Ｎ個の画素は、幅よりも高さが大きい矩形Ｒの形状の有効な感光性領域を有する撮像画素であって、幅は、行の方向であり、及び高さは、垂直方向である、撮像画素と、位置合わせ検出画素の少なくとも２つの離間された対ＰＰＬ、ＰＰＲとを含み、各対の検出画素は、画素の行１００において隣接する画素Ｐ１、Ｐ２であり、及び検出画素の有効な感光性領域ＤＴ１、ＤＴ２は、高さ方向に単調に変化するが、所与の対の２つの検出画素について反対方向に変化することを特徴とするリニアセンサを提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に形成されるＮ個の画素の行（１００）と、前記Ｎ個の画素を読み出すための回路とを含み、前記回路は、前記行の前記Ｎ個の画素の各々について出力信号を伝達する、リニアセンサにおいて、前記Ｎ個の画素は、幅よりも高さが大きい矩形の形状の有効な感光性領域を有する撮像画素であって、前記幅は、前記行の方向であり、及び前記高さは、垂直方向である、撮像画素と、位置合わせ検出画素の少なくとも２つの離間された対（ＰＰＬ、ＰＰＧ）とを含み、各対の前記検出画素は、前記画素の行において隣接し、且つ有効な感光性領域を有する画素であり、前記有効な感光性領域の幅は、高さ方向に単調に変化するが、所与の対の前記２つの検出画素について反対方向に変化することを特徴とするリニアセンサ。
【請求項２】
第１の対（ＰＰＬ）は、前記行の最初の２つの画素（Ｐ１、Ｐ２）によって形成され、及び第２の対（ＰＰＧ）は、前記行の最後の２つの画素（ＰＮ−１、ＰＮ）によって形成される、請求項１に記載のリニアセンサ。
【請求項３】
前記画素の行の中央付近に検出画素の第３の対（ＰＰＭ）を含む、請求項２に記載のセンサ。
【請求項４】
前記Ｎ個の画素の全ては、同じ物理的構成と、矩形（Ｒ）の形状の同じ感光性領域とを有し、及び光マスクは、前記位置合わせ検出画素の前記有効な感光性領域を画定することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項５】
前記Ｎ個の画素の全ては、同じ構成と、矩形（Ｒ）の形状の同じ感光性領域とを有し、及び光マスクは、前記撮像画素の前記有効な感光性領域を画定することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項６】
前記位置合わせ検出画素の前記有効な感光性領域の形状（Ｆ）は、注入によって境界付けられることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項７】
前記画像検出画素の前記有効な感光性領域の前記形状は、前記画素の前記高さに沿って向けられた線に関して軸対称性を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項８】
対の前記検出画素の前記有効な感光性領域は、前記撮像画素の前記感光性領域の前記矩形（Ｒ）内にパターン（Ｆ’）を形成し、前記パターン（Ｆ’）は、前記感光性撮像領域の前記矩形（Ｒ）の前記高さ（ｈ）にわたって延び、及び前記パターン（Ｆ’）の１つの辺は、前記矩形の長辺（Ｌ、Ｌ’）に対応することを特徴とする、請求項４又は５に記載のセンサ。
【請求項９】
検出画素（Ｐ２、Ｐ５１２、Ｐ５１３）の前記有効な感光性領域は、前記矩形内において、撮像画素に隣接する側に配置されることを特徴とする、請求項７に記載のセンサ。
【請求項１０】
フーリエ領域光コヒーレンストモグラフィ撮像装置のためのカメラにおいて、請求項１〜９のいずれか一項に記載のリニアセンサを含み、前記リニアセンサは、前記センサの前記撮像画素の行上における、発光ストリップ、即ち前記センサの前記感光性領域の面内に分光計によって形成されたスペクトル画像の位置合わせに関する情報を伝達することを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分光計を含む光コヒーレンストモグラフィ撮像装置で使用されるカメラであって、リニアセンサを含むカメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
光コヒーレンストモグラフィ（ＯＣＴ）撮像は、良好な感度で非常に高い空間解像度を達成することができる非侵襲で非接触の赤外線撮像技術であり、約１０〜１２ミリメートルもの組織深さまで達することができる。従って、この撮像技術は、保存的治療及び診断、特に眼科及び皮膚科において幅広く使用され、組織に対する構造形態上の変化の検出及び検査を促進する。例えば、眼科では、ＯＣＴは、網膜の病態の診断及び監視のために不可欠なツールとなっており、なぜなら、ＯＣＴは、網膜の様々な構成層を前から後まで見ることを可能にするからである。
【０００３】
光コヒーレンストモグラフィ（ＯＣＴ）は、低コヒーレンス干渉法に基づいている。ＯＣＴは、低コヒーレンス赤外線源を使用しており、深さを決定するために、撮像対象の物体の反射構造又は後方散乱構造によって反射又は後方散乱された光波の移動時間を測定することを対象とする。ＯＣＴ技術によって得られる画像のコントラストは、物体内の屈折率の不均一性から生じる。従って、物体の固定された横方向のｘ、ｙ位置（地点）に対して縦方向又は軸方向（深さｚ）に物体の反射率プロファイル（１Ｄ画像）を構築することが可能である。物体の様々な地点（ｘ、ｙ）を走査することにより、様々なプロファイル（インターフェログラム）が得られ、２Ｄ画像又は更には３Ｄ画像を再構築することが可能である。
【０００４】
これらの深さを決定するのに使用される信号は、有利には、周波数領域で直接的に検出され得、即ち周波数スペクトルから導き出され得、スペクトル的に分解されたＯＣＴ又は周波数領域ＯＣＴ（ＦＤ−ＯＣＴ）技術と言われる。周波数領域ＯＣＴ撮像は、時間領域での検出を使用したシステムと比べて取得速度を高められるため、多くの開発を経てきた。周波数領域ＯＣＴ撮像は、より良好な信号対雑音比も有する。
【０００５】
使用される光源のタイプに応じて様々な周波数領域検出技術が存在するが、本発明が特に関係する技術は、低コヒーレンスで広域スペクトルの赤外線源に基づくものであり、ラインスキャンカメラ、即ちリニアセンサを含むカメラを組み込んだ分光計を使用するものである。撮像対象の物体の地点毎に、干渉計の出力部に配置された分光計が干渉縞の画像を生成し、この画像は、ラインスキャンカメラのリニアセンサの平面内に形成される。センサは、このスペクトル画像を取得し、干渉縞の強度の測定値を出力として配信する。
【０００６】
このタイプのＯＣＴ装置の基本的要素を図１に概略的に示す。
【０００７】
従って、この装置は、マイケルソン干渉計１０を含み、この干渉計は、一般的に光ファイバーマイケルソン干渉計である。この干渉計は、低コヒーレンスの広帯域赤外線光源ＳＩＲによって照射される。光源から受け取られた光は、２つの部分に分離される（ビームスプリッタ／光カプラ―１１）。一方は、（固定された）参照ミラーＭの表面を照射するために干渉計の参照アーム１３に送られる。他方は、撮像対象の物体Ｏのある地点を照射するために干渉計のサンプルアーム１２に送られる。２つのアーム１２及び１３によって反射又は後方散乱された光は、出口アーム１４に送られる。これらの２つのアームの光路長の差が光のコヒーレンス長よりも小さい場合、干渉が発生する。
【０００８】
分光計２０は、分散素子２１、例えば光学素子（レンズ）に関連付けられた回折格子を含み、この分散素子２１は、波長の関数として干渉計の出口アームによって受け取られた光のスペクトルを分散させ、カメラ３０の感光性のリニア検出アレイ（リニアセンサ３１）の異なる画素に向かって異なるスペクトル領域を選択的に向ける。カメラは、リニアセンサ３１及び必要な光学素子を組み込んでいる。
【０００９】
リニアセンサ３１は、感光性画素の行、例えば１０２４画素又は２０４８画素と、画像の取り込み及び画素の読み出しを順序付けるための回路とを含む。リニアセンサ３１は、撮像される物体のある地点について画素の行の全長にわたって広がっているスペクトル画像を取り込むことを可能にし、また関心対象の分光計に関して、画素の位置と光源ＳＩＲのスペクトル帯域の波長との間に確立された対応関係が存在する。各画素は、所与のスペクトルの波長について光の強度を測定することを可能にする。従って、これらの画素の出力信号は、波長の関数としての光強度の曲線を物体の各地点について直接的に確立することを可能にする。これらのデータは、これらのデータを処理し物体の断層撮影画像を表示するためにデータ処理回路（コンピュータ）に送信される。
【００１０】
ラインスキャンカメラによって画像が取り込まれるたびに、画素から出力される信号がデジタル処理システム４０（コンピュータ）に送信され、デジタル処理システム４０は、リニアセンサの行内の画素の位置と波長（分光計の較正曲線）との間の対応関係を把握しており、スペクトルのフーリエ変換を含む様々なアルゴリズムを適用することと、観測された地点での１Ｄ深さプロファイルを送達することとを目的とする。物体上で光ビームを走査することにより、様々な取得された１Ｄプロファイルから２次元又は３次元で計算することによって断層撮影画像が構築される。
【００１１】
回折格子によってスペクトル分解された像は、リニアセンサの感光性面に投影され、この面内でセンサの全長にわたってある幅（ストリップの厚さ）を有する発光線（発光ストリップ）を形成する。
【００１２】
ＯＣＴ装置の光源のスペクトル帯域の各波長についてできるだけ最も正確な情報を得ることが望ましいため、画素の高さは、少なくとも発光線の幅、即ち取り込まれる発光情報のサイズに対応しなければならない。更に、投影された発光線が画素の行上で正確に中心合わせされ且つ整列されることが必要である。そうではない場合、発光線の一部は、画素の行の感光性フレームの外側に位置することになり、対応する情報が失われることになる。
【００１３】
図２ａ〜図２ｃは、リニアセンサ３１の感光性行１００に投影された発光線２００（図では灰色で示される）の位置合わせのこの問題を示す。行１００は、Ｐ１〜Ｐｎまでのｎ個の画素を含み、紙面内で水平に延びている。
【００１４】
位置合わせの精度に対する制約を低減するために、ＯＣＴ撮像で使用されるリニアセンサは、一般的に、感光性領域の高さが、取り込まれる発光情報のサイズよりも大きい、例えば少なくとも２倍大きく、最大で１０倍又は２０倍大きい画素を使用する。行の画素の全ての感光性領域は、その内側に画像線を投影しなければならないフレームであると見なされ得る。フレームの高さが高くなるほど、発光線を枠にはめるのが簡単になる。
【００１５】
図２ａ〜図２ｃでは、画素は、幅よりも高さが大きい単一の矩形によって示されており、この矩形は、画素領域の大部分を占めている画素の感光性領域を表す。換言すると、これらの感光性区域間に配置される画素を制御又は接続するためのいかなる素子も無視されている。画素の中心間の間隔は、センサのピッチｐであり、これは、（画素を制御又は接続するためのいかなる素子も無視すると）画素の（感光性領域の）幅に実質的に対応する。
【００１６】
図２ａで灰色の線２００によって表わされる、検出されるスペクトル画像は、この例では、画素の行の全長にわたって延びる直線状のストリップの形態を取る発光線であり、この発光線は、画素の感光性矩形領域の高さｈに比べて小さい幅ｅを（画素の高さ方向に）有する。比率ｈ／ｅは、非限定的に２〜２０に含まれ得る。非限定的な例として与えられる数値的な例では、発光線は、２０ミクロンの幅を有し得、画素のピッチ及び高さは、それぞれ１０ミクロン及び６０ミクロンであり得る。
【００１７】
図２ａは、画素の感光性行１００上で発光線２００が正確に位置合わせされた場合を示し、発光線２００は、高さ方向及び幅方向の両方において画素の行１００の感光性領域のフレームに対して十分に中心合わせされている。各画素は、最大の発光情報を検出することができる。より正確には、
−  線は、高さ方向にセンサの画素の行１００上で中心合わせされており、即ち、画像線の水平対称軸は、画素の行の水平対称軸と実質的に一致する。
−  線は、画素の行の長さに対してセンサの画素の行１００上でやはり中心合わせされている。
【００１８】
この場合、ＯＣＴ装置の光源の関心対象のスペクトル帯域が８４５ｎｍ±５０ｎｍである場合、中央の画素Ｐｃは、検出されるスペクトル帯域の中心波長λｃ、例えば８４０ｎｍに対応する情報の全てを見ることになる。画素の行の一方の端部にある最初の画素Ｐ１は、検出されるスペクトル帯域の最小波長λｍｉｎ、この例では７９０ｎｍ（λｃ−５０ｎｍ）に対応する発光情報の全てを見ることになる。また、画素の行の他方の端部にある最後の画素ＰＮは、検出されるスペクトル帯域の最大波長λｍａｘ、この例では８９０ｎｍ（λｃ＋５０ｎｍ）に対応する発光情報の全てを見ることになる。
【００１９】
図２ｂ及び２ｃは、例として、２つの起こり得る位置合わせ不良の状況を示す。第１の場合（図２ｂ）、画像線は、画素の行に平行であるが、ｘ方向及びｙ方向にオフセットされている。第２の場合（図２ｃ）、画像線は、画素の行の軸に対して角度をなしており（図２ｄ）、またｙ方向にオフセットされている。
【００２０】
実際に、これらの起こり得る位置合わせ不良状況の全て、即ちｘ方向及び／若しくはｙ方向における位置合わせ不良、並びに／又は角度の位置合わせ不良が発生し得る。更に、これらの位置合わせ不良は、情報の幾らかの損失を伴う。とりわけ光放射を検出できるようにする画素の感光性区域のフレームの外側にある発光情報の全てが失われる。また、ある画素によって見られる光情報は、較正に対応する波長ではない波長に対応し得る。
【００２１】
従って、ＯＣＴ撮像では、画素の行上での発光線の位置合わせは、非常に重要な操作であることが明らかであり、なぜなら、診断又は医療的監視の目的のための画像の活用は、取得される断層撮影画像の品質及び精度に依存するからである。
【００２２】
実際に、この操作を実行する、即ち複雑な光学試験装置を使用してＯＣＴ装置の分光計の素子、即ち分散素子及び／又はリニアセンサを組み込んでいるカメラの位置及び向きを互いに対して精密に調節するのは、装置のインテグレータ、即ち装置を製造する企業又は現場で維持保守を行うオペレータである。この操作のために、画素の行の各端部に配置された光学位置合わせマーク（十字）を使用することがある。
【００２３】
この位置合わせ問題は、装置の組み込み中と使用中との両方で発生し、なぜなら、分光計の素子の位置及び向きの調節は、振動を引き起こすことがある移動の問題であるか又は温度変化の問題であるかに関わらず、使用状態に敏感であるからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明の目的は、センサ自体によって伝達される位置合わせ情報に基づいて、リニアセンサの感光性行上での画像線の位置合わせを支援することである。本発明の背後にある発想は、センサによって出力される信号から、センサの画素の行に対する画像線の位置合わせを表す正確な情報を取得することである。その後、この情報に基づいて、分光計又はＯＣＴ装置で採用される従来の調節技術（回折格子及び／又はリニアセンサの位置及び向き）を使用して、位置合わせを補正／実施することが可能になる。本発明は、素子がＯＣＴ装置に組み込まれるとき及び装置の寿命全体を通じて使用することができる。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
より正確には、本発明は、２つの隣接する画素によって見られる波長間の差が非常に小さいため、それらの画素が、同じ出力応答を伝達すると見なされ得るという実際に検証された事実を利用している。８４０ｎｍ±５０ｎｍの光源ＳＩＲ及び２０４８画素の行という上記で与えられた例では、２つの隣接する画素間の波長の差Δλは、０．１ｎｍ（０．１×１０−９ｍ）よりも小さい。
【００２６】
本発明の発想は、２つの隣接する画素の感光性部分を改変して、それらの画素が、画像線が実際に中心合わせされているときに応答して同じ出力信号を伝達するようにし、位置合わせ不良の場合、２つの画素に対して反対に変化する応答を伝達するようにすることである。２つの応答信号間の差の符号により、画素の位置にある画像線が底部に向かって又は上部に向かって中心から外れているかを直接的に判定することが可能になり、差の値により、画像線がこの地点においてどの程度中心から外れているかを判定することがより正確に可能になる。
【００２７】
画素の行の２つの異なる位置にあるそのような検出画素の対が用意されると、これらの画素によって出力される信号により、画素の行に対して画像線がどのように位置決めされているかを正確に判定することが可能になり、また分光計の素子の位置及び向きに対して加えられる補正量を判定することが可能になる。
【００２８】
特徴付けられるように、本発明は、半導体基板内に形成されるＮ個の画素の行と、このＮ個の画素を読み出すための回路とを含み、この回路は、行のＮ個の画素の各々について出力信号を伝達する、リニアセンサにおいて、Ｎ個の画素が、幅よりも高さが大きい矩形の形状の有効な感光性領域を有する撮像画素であって、幅は、行の方向であり、及び高さは、垂直方向である、撮像画素と、位置合わせ検出画素の少なくとも２つの離間された対とを含み、各対の検出画素は、画素の行において隣接し、且つ有効な感光性領域を有する画素であり、この有効な感光性領域の幅は、高さ方向に単調に変化するが、所与の対の２つの検出画素について反対方向に変化することを特徴とするリニアセンサに関する。
【００２９】
画素の「有効な感光性領域」が意味するのは、実際に光子を受け取り、照度を測定する目的でそれらを蓄積することができる電荷に変換できる画素の領域である。具体的には、各画素は、光生成電荷を蓄積することができ、且つ「感光性領域」と呼ばれ得る所与の領域にわたって延在する感光性材料を含む。この感光性領域は、矩形であることが好ましい。この領域が実際に光を受け取ると、受け取った光に比例して電荷を生成し蓄積する。この領域が、光マスクと呼ばれる不透明なマスクによって部分的にマスクされると、マスクされた領域は、電荷を生成できないため、マスクされていない領域のみが「有効な感光性領域」、即ち光放射を検出できる領域を形成する。
【００３０】
一実施形態では、Ｎ個の画素の全ての物理的構成は、同じであり、光マスクは、位置合わせ検出画素から撮像画素を差別化する。この実施形態では、全ての画素は、矩形の感光性領域を有し、光マスクは、位置合わせ検出画素のための非矩形の有効な感光性領域を画定する。光マスクは、撮像画素について、画素の矩形の感光性領域よりも小さい（実際には高さがより低い）矩形の有効な感光性領域も画定し得る。
【００３１】
別の実施形態では、検出画素の感光性領域部分の形状は、注入によって境界付けられる。この実施形態では、位置合わせ検出画素の有効な領域を境界付けるための光マスクが存在せず、これらの画素の「感光性領域」と「有効な感光性領域」とが一致する。
【００３２】
本発明は、フーリエ領域光コヒーレンストモグラフィ撮像装置の分光計内で使用するためのカメラであって、本発明によるリニアセンサを含み、このリニアセンサは、センサの撮像画素の行上における、センサの感光性領域の面内に分光計によって形成されたスペクトル画像の位置合わせに関する情報を伝達する、カメラにも関する。
【００３３】
添付の図面を参照して本発明の他の特徴及び利点を以降の説明で提示する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】既に説明されており、分光計を含むフーリエ領域ＯＣＴ装置の構成を示す。
【図２ａ】ＯＣＴ装置の分光計のカメラのリニアセンサに対する発光画像源の位置合わせの問題を示す。
【図２ｂ】ＯＣＴ装置の分光計のカメラのリニアセンサに対する発光画像源の位置合わせの問題を示す。
【図２ｃ】ＯＣＴ装置の分光計のカメラのリニアセンサに対する発光画像源の位置合わせの問題を示す。
【図３】本発明による検出画素の対に基づく位置合わせ検出の原理を示す。
【図４】検出画素の２つの対を行の各端部に１つずつ含むリニアセンサの感光性行と、検出画素の第１の実施形態とを示す。
【図５】図４の行の検出画素の第２の実施形態を示す。
【図６】行の各端部における検出画素の２つの対に加えて、行の中央付近に配置された検出画素の追加の対を含むリニアセンサの感光性行を検出画素の中央の対の２つの例示的な実施形態で示す。
【図７】行の各端部における検出画素の２つの対に加えて、行の中央付近に配置された検出画素の追加の対を含むリニアセンサの感光性行を検出画素の中央の対の２つの例示的な実施形態で示す。
【図８】検出画素の感光性部分を境界付けるために光マスクを使用する、図５、６又は７に示されるような感光性行の一実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
本発明によるリニアセンサの撮像画素の行は、行のＮ個の画素のうち、隣接画素の少なくとも２つの対を含み、それらの隣接画素の出力信号は、位置合わせ検出のために使用される。検出画素は、画素の有効な感光性領域、即ち光放射を検出可能にする画素の感光性領域の部分が高さ方向に単調に変化するが、所与の対の２つの画素では反対方向に変化する幅を有するようになっている。
【００３６】
従って、各対の２つの画素は、構造により、画素の高さ方向にわたって非対称の応答を有する。この応答の非対称性により、画素の対との画像線レベルの高さを正確に判定することが可能になる。対照的に、撮像画素は、幅が一定である有効な感光性領域を有する。
【００３７】
分光計によってリニアセンサの感光性領域の面に投影された画像線を直線の発光ストリップになぞらえることが一般的に可能である。本発明による検出画素の２つの対は、好ましくは、行の各端部に１対ずつであり、画素の行の２つの「関心地点」における２つの情報を伝達し、画像線ストリップの位置を正確に判定することを可能にする。関心地点は、検出画素の対に対応する。また、検出により、その関心地点において、画像線が中心を通過するか、中心の上方を通過するか、又は中心の下方を通過するかを決定することが可能になる。
【００３８】
特定の分光計では、投影された画像線は、むしろ実質的に画素の行の中央において最大ピーク又は谷の振幅を有する半正弦曲線の形状を有する。この場合、画素の行の中央付近における画素の行の第３の関心地点を画定する少なくとも１つの３番目の検出画素の対を用意することが好ましい。両端部及び中央付近に設けられた検出対によって伝達された情報の組み合わせにより、画像線が画素の行のフレームを離れていないことを検証することが可能になる。即ち、行の画素の中心を通る軸は、画像線の形状の垂直２等分線に対応しなければならない。
【００３９】
実際に、位置合わせ検出を行うために、ＯＣＴ装置の光源によって直接的に放射された光束は、場合により分光計（又は撮像される物体の場所に置かれたミラー）の入力として使用され、その結果、センサの感光性領域の面に分光計によって投影された画像は、光源のスペクトル帯域の全体にわたる非ゼロの発光情報を含む。とりわけ、このようにして、撮像行内に設けられた位置合わせ検出対の検出画素の各々の波長において光量情報が設定され、非ゼロになる。
【００４０】
検出画素は、画素を読み出すための回路（ＣＡＮ、図３）により、行の他の画素の全てと全く同じように読み出され、この回路は、取得された出力信号を画像処理コンピュータ（図１）に送信する。画像処理コンピュータは、各対の検出画素によって伝達された信号を容易に処理し、即ち各対の２つの信号間の差を計算して、画像線の位置及びそれに加えられる必要がある補正量を正確に判断することができる。
【００４１】
図３は、リニアセンサの感光性行１００の第１の画素Ｐ１、Ｐ２、．．．Ｐｊの上面図と、本発明による検出画素の対を形成する２つの第１の画素Ｐ１及びＰ２の１つの可能な構成の拡大図と、画素によって取り込まれる情報の高さに応じたこれら２つの画素の応答曲線とを用いて本発明の原理を示す。
【００４２】
リニアセンサは、従来の構成のものであり、当業者に周知のＣＣＤ又はＣＭＯＳ技術で製造されている。
【００４３】
同一の構造であるこれらの画素は、ワイヤのような外観を有し、即ち、これらの画素は、例えば、１０又は２０もの大きさであり得る比率で幅よりも高さが大きい矩形の形状（製造公差内で）を実質的に有する。ここで言及されている形状とは、センサが製造される半導体基板の表面に見られるような（画素の感光性素子の）形状である。
【００４４】
画素の構造は、感光性素子に加えて、他の接続素子又は制御素子を含むことがあり、従って、画素の感光性素子と行内の次の画素の感光性素子との間に置かれた画素を制御又は接続するための素子が存在し得ることは既に説明された。図３の例では、行の各画素Ｐ１、Ｐ２、．．．Ｐｊについて、対応する導電性素子ｃ１、ｃ２、．．．ｃｊが示されている。これらの導電性素子は、列に配置され、それらの各々は、その導電性素子が接続されている画素の感光性素子内に蓄積された電荷を、列の脚部に配置された読み出し回路ＣＡＮ（アナログ／デジタル変換）のそれぞれのステージに伝達するように作用する。画素の（デジタル）出力信号を伝達するのは、センサを読み出すためのこの回路である。ＯＣＴ撮像装置の分光計に組み込まれるリニアセンサに関連して、中心が画素の行のピッチｐだけ離れている２つの隣接する画素は、同じ発光情報を見る、即ち、それらの画素は、それら２つの画素間の波長の差Δλに対して（一次まで）敏感ではないことは説明された。設計により、２つの隣接画素の高さに対して非対称の応答を保証することにより、それらの２つの画素によって見られる発光情報は、なおその情報のサイズが画素の感光性部分の高さに比べて小さいが、それらの２つの画素の位置において中心にあるか、又は上部に向かって若しくは底部に向かって中心から外れているかを判定することが可能になる。実際に、２つの隣接する画素が全く同じ発光情報を見ない場合、センサが較正される際、２つの画素の応答における小さい差を決定することが可能であり、これは、位置合わせ中に信号が分析される際にこの差を考慮に入れられるようにするためである。
【００４５】
図３に示した例では、画素の行１００の２つの画素Ｐ１及びＰ２は、本発明による位置合わせ検出対を形成している。これらの画素において光情報を検出可能にする部分は、それぞれ画素Ｐ１についてＤＴ１で、画素Ｐ２についてＤＴ２で参照される部分である。画素Ｐ１の部分ＤＴ１は、上部（縦座標Ｈ）よりも底部（縦座標０）において広くなっており、応答曲線Ｓ１は、高さと共に単調に減少する。画素Ｐ２についてその逆が当てはまる。
【００４６】
図３に示す状況
【数１】
2019521337.tif 000003
は、画素Ｐ１及びＰ２との高さが画素の行の上部に向かって中心から外れている画像線の場合を示す。画素Ｐ１は、画素Ｐ２よりも小さく応答し、出力信号Ｓ１は、出力信号Ｓ２に比べて小さくなる。この画像線はまた、傾いており、これは、図では誇張されている。実際、検出窓の高さｈと行の長さ（一般的には１０００画素又は２０００画素超）との比率のため、２つの隣接する画素は、実質的に同じ高さにおける情報を知覚し、その高さは、縦座標ｙ１によって曲線上に示されている。
【００４７】
状況
【数２】
2019521337.tif 000004
は、逆の状況である。画像線は、縦座標ｙ２によって曲線上に示される高さであり、底部に向かって中心から外れている。画素Ｐ１は、画素Ｐ２より大きく応答し、出力信号Ｓ１は、出力信号Ｓ２に比べて大きくなる。
【００４８】
状況
【数３】
2019521337.tif 000005
は、中心合わせされた画像線の状況である。画素Ｐ１及びＰ２は、縦座標ｙ３によって示される画像線高さに対応する同じ応答を返し、この縦座標ｙ３は、（画素の中心を通過する）画素の行の中心軸の高さに対応する。
【００４９】
画素Ｐ１及び画素Ｐ２の２つの出力信号間の差ΔＳ＝Ｓ２−Ｓ１の符号により、画素Ｐ１及びＰ２の中心に対するこの配置での画像線の位置を直接的に決定することが可能になる。
【００５０】
画素の応答曲線が既知である場合、所与の光量（較正曲線）について、信号の差ΔＳ＝Ｓ２−Ｓ１から関心地点における画像の高さを判断することも可能である。
【００５１】
従って、検出画素Ｐ１及びＰ２の出力信号により、センサの画素の行の関心地点における画像線の位置についての情報を取得することが可能になる。
【００５２】
ここで、２つの画素Ｐ１及びＰ２は、同じ発光情報（波長、パワー）に応答して同じ出力信号値（Ｓ１＝Ｓ２）を伝達するものと見なされる。実際には、これら２つの画素の応答は、厳密に等しくないことがある。しかしながら、所与のＯＣＴ装置及び所与の光源ＳＩＲに対して、これらの応答は、確定的であり、即ちＯＣＴ装置の光源の特性に応じて且つ分光計のスペクトル分散の特性に応じて、本発明に従って設計されたセンサを較正することが可能である。換言すると、所与のＯＣＴ装置について、各検出対の出力信号に対して較正曲線を生成することが可能である。
【００５３】
図４及び図５は、本発明による検出画素の２つの対を含む、Ｎ個の画素Ｐ１〜ＰＮの行１００の１つの例示的な実施形態を示し、これらの検出画素の２つの対は、画素の行の２つの異なる関心地点における２つの位置情報を伝達する。好ましくは、図に示すように、２つの対は、それぞれ行の一方の端部にある。対ＰＰＬは、行の最初の２つの隣接画素Ｐ１及びＰ２によって形成され、対ＰＰＲは、行の最後の２つの隣接画素ＰＮ−１及びＰＮによって形成される。これらの図では、軸ＡＡは、画素の行の中心軸であり、行の画素の全ての中心を通る。場合により上記で説明したように、実質的に直線のストリップの形状の画像線が考えられる場合、各対は、画像線の位置に関する情報を返し、従って、これら２つの対は、軸ＡＡに対して画素の行の２つの関心地点における画像線の位置を判定することを可能にし、即ち画像線が画素の行に中心合わせされているかどうか、又は画像線が画素の行の軸上にあるが、上部に向かって若しくは底部に向かってオフセットされているかどうか、又は更に画像線が画素の行の軸に対して傾いているかどうか及びいずれの方向に傾いているかを判定することを可能にする。
【００５４】
これらの２つの図では、行の全ての画素は、それらの半導体構造に関して同一である。とりわけ、これらの全ての画素の感光性素子（一般的にはフォトダイオード）は、半導体基板の表面内に全て同じ形状、即ち幅よりも高さが大きい（高さｈの）矩形Ｒの感光性領域を有する。
【００５５】
その後、感光性領域の面の上方に製造された光マスクレベルは、本発明に従って光放射を検出可能にする検出画素（Ｐ１、Ｐ２、ＰＮ−１及びＰＮ）の有効な感光性領域（ＤＴ１、ＤＴ２、ＤＴＮ−１及びＤＴＮ）を画定する（境界付ける）ことを可能にする。図示するように、検出画素の有効な感光性領域のパターンは、全ての検出画素について同一であることが好ましいが、所与の対の２つの画素について反対方向を向き得る。
【００５６】
図４の例では、検出画素の有効な感光性領域は、（矩形Ｒに含まれる）形状Ｆを有し、この形状Ｆは、全ての検出画素について同一であり、矩形Ｒの短辺Ｉ及びＩ’間で矩形の高さ全体にわたって延び、この矩形のこれらの短辺の垂直２等分線に対して軸対称性を有する（画素の高さに沿って延びる線に対して対称である）。従って、形状Ｆは、２つの辺ａ及びｂによって高さ方向に境界付けられ、辺ａは、辺ｂよりも短く、またこの形状Ｆは、矩形の上縁Ｉ及び下縁Ｉ’の垂直２等分線の両側において、２つの傾斜した側辺ｃ及びｄによって幅方向に境界付けられる。各対において、検出部分の形状Ｆの向きは、２つの検出画素間で反転している。一方について、このパターンの最も短い辺ａは、底部にあり、他方について、この最も短い辺ａは、上部にある。検出画素の感光性領域のマスクされた部分は、図４では斜線を引いて示されている。これらは、画素Ｐ１についてｍ及びｍ’で参照され、画素Ｐ２についてｍ’’及びｍ’’’で参照される２つの部分である。
【００５７】
図示するように、対の２つの画素の２つのマスクされた部分及び有効な感光性部分を含む検出対の完全なパターンは、各対の画素の２つの中心間の中心点に関して回転対称性を有することが好ましい。この中心点は、対ＰＰＬについてＯＬで、ＰＰＲで参照される対についてＯＲで参照される点である。
【００５８】
この例では、対ＰＰＬの画素ＰＮ−１の完全なパターンは、対ＰＰＧの画素Ｐ２の完全なパターンに対応し、画素ＰＮの完全なパターンは、画素Ｐ１の完全なパターンに対応する。画素Ｐ１を画素ＰＮ−１に（形状の点で）対応させ、画素Ｐ２を画素ＰＮに（形状の点で）対応させるように選択することも同様にできる。
【００５９】
形状及び対称性の保存に関するこれらの態様は、本発明による検出画素の設計、製造及び出力信号の使用を容易にする。しかしながら、本発明の原理及び効果を変更することなしに概要が異り得る。必要であるのは、有効な感光性領域、即ち光束を検出可能にする領域の幅がその高さ方向にわたって単調に変化し、同じ対の２つの検出画素について反対方向に変化するようにすることによって得られる、各対における応答非対称性を用いて、検出画素の対の高さ全体にわたって小さいサイズの光束を検出できることである。
【００６０】
図示した例では、撮像画素の矩形の感光性領域の高さ全体ｈが光放射の検出に利用できる。しかしながら、実際には、撮像画素の有効な検出高さは、ＯＣＴ装置の仕様に応じてより低いことがある。この調節は、図８に示すように、矩形Ｒの上部バンド及び底部バンドを対称的に光学的にマスキングすることによって行われる。
【００６１】
同じマスクレベルを使用して、撮像画素の感光性検出窓のサイズを低減するだけでなく、検出画素の有効な感光性領域を境界付けることも有利に可能である。図８の例では、マスク（半導体基板の活性表面レベルの上の不透明な金属（アルミニウム）レベル）に形成された開口部Ｏ１、Ｏ２は、光を検出画素及び撮像画素によって検出できるようにする様々な有効な感光性領域（点で満たされた領域）を境界付ける。マスク内の開口部Ｏ１及びＯ２によって光学的に開かれているこれらの区域は、図中では点で描かれている。この例では、開口部Ｏ１及びＯ２の輪郭は、検出画素の有効な感光性領域ＤＴ１、ＤＴ２が、検出窓の大きい高さ方向の範囲を保持するために矩形Ｒの高さ全体ｈに沿って延在するようになっている。しかしながら、全ての位置合わせ検出画素及び撮像画素の有効な感光性検出高さの均一性を高めることが好ましいことがある。これは、位置合わせ検出画素によって伝達される信号に対して実行される補間計算を容易にすることがあり、これは、これらの信号を、撮像画素によって伝達される信号と共に画像再構成のために使用可能にすることを目的とする。
【００６２】
図４に示す実施形態には１つの欠点がある。即ち、矩形の元の感光性領域の各縁部に光マスクが存在すると、検出画素に隣接する撮像画素での電荷の生成及び蓄積が阻害されることがある。この例では、対象の撮像画素は、画素Ｐ３及びＰＮ−２であり、これらの画素の応答は、劣化していることがある（クロストークの問題）。この現象は、他の撮像画素に存在しないため、全ての撮像画素の応答は、もはや均一でなくなり、これは、取得される画像の品質を場合により低下させる。
【００６３】
この点に関して、２つの検出対の各々を画素の行の一方の端部に配置するという決定は、マスキングに起因するこれらのエッジ効果を単一の撮像画素に制限するという利点を有することに留意されたい。
【００６４】
図５は、別の例示的な実施形態を示し、この実施形態は、位置合わせ検出画素の光マスクによる境界付けに起因して、撮像画素におけるエッジ効果を制限するという利点を有する。
【００６５】
この実施形態では、検出画素の矩形Ｒは、２つの部分、即ち検出を可能にする有効な感光性部分と、検出が防止されるマスク部分とに分割される。少なくとも、一方の側で撮像画素に隣接する検出画素において、撮像画素に隣接する側に有効な検出部分が配置される。
【００６６】
この例では、マスク部分及び感光性検出部分のそれぞれの形状は、全ての検出画素において同一である。変更されているのは、それらの向きである。とりわけ、全ての位置合わせ検出画素の検出部分は、同一の形状Ｆ’を有し、この形状Ｆ’は、矩形Ｒに含まれる。この形状Ｆ’は、矩形Ｒの短辺Ｉ及びＩ’間でこの矩形の高さｈにわたって延びており、この形状Ｆ’の一方の側辺は、この矩形の１つの長辺に対応する。従って、形状Ｆ’は、２つの辺ａ’及びｂ’によって高さ方向に境界付けられ、辺ａ’は、辺ｂ’よりも短く、また形状Ｆ’は、傾斜した側辺ｃ’と、矩形Ｒの１つの長辺に対応する右側側辺ｄ’とによって幅方向に境界付けられる。各対において、検出部分の形状Ｆ’の向きは、２つの検出画素間で反転している。一方について、このパターンの最も短い辺ａ’は、底部にあり、他方について、この最も短い辺ａ’は、上部にある。
【００６７】
図示した実施形態では、検出部分は、所与の対の検出画素について、矩形の同じ側、即ち最も左側の対ＰＰＬの画素について右側に、最も右側の対ＰＰＲの画素について左側に配置されている。更に、２つの対ＰＰＬ及びＰＰＲの画素のマスク部分及び検出部分を含む完全なパターンは、軸ＢＢに関して軸対称性を有する。これは、別の態様であり得る。例えば、画素ＰＮ−１は、本発明による位置合わせ検出原理に影響を及ぼすことなく画素ＰＮの完全なパターンを有することができる（及び画素ＰＮは、画素ＰＮ−１の完全なパターンを有することができる）。
【００６８】
この構成では、各対内において、一方の検出画素（Ｐ２又はＰＮ−１）は、その画素自体のマスク部分に起因してエッジ効果を受け、他方の検出画素（Ｐ１又はＰＮ）について、これらの効果は、その画素自体のマスク部分及びその対の他方の検出画素のマスク部分に起因するものとなる。従って、対の検出画素の挙動を非対称にすることが可能である。とりわけ、画像線が中心に正確に位置合わせされている場合（図３の状況
【数４】
2019521337.tif 000006
）、それらの出力信号間の差ΔＳがゼロにはならない可能性がある。しかしながら、この差は、確定的なままであり、ＯＣＴ装置のコンピュータによって実行されるデジタル処理演算に組み込まれ得ることに留意されたい。
【００６９】
しかしながら、対におけるマスク部分と検出部分との別の配置により、これを回避することが可能である。具体的には、図７を参照して以下で説明するように、所与の対の検出画素のマスク部分を並べて配置することが可能である。この場合、検出画素の有効な感光性領域部分は、矩形Ｒ内で撮像画素に隣接する側に配置され、撮像画素は、検出画素のマスクをもはや見なくなる。
【００７０】
図６及び図７は、ＯＣＴ装置の分光計によって投影される発光線が直線ではなく、例えば実質的に中央に最大振幅を有する半正弦曲線形状である場合に対して提供される本発明の変形形態を示す。
【００７１】
このとき、画素の行は、本発明による検出画素の第３の対を少なくとも１つ含み、これは、画素の行の中央に実質的に配置される。図６及び図７に示すこの例では、Ｎ＝１０２４個の画素を含む画素の行のこの第３の対は、画素Ｐ５１２及びＰ５１３を用いて形成されている。この例では、画像線が２つの端部において中心軸ＡＡに対して同じ側にあり、中央において他方の側にある場合、画像線は、位置合わせされていることになる。
【００７２】
図６では、３つの検出対は、図５と同じ態様で得られ、即ち、各画素の感光性領域は、２つの部分、一方はマスクされ、他方はマスクされない部分（このマスクされない部分は、位置合わせ検出に利用される）に分割され、マスクされた部分は、所与の対の２つの検出画素において同じ側に配置される。この構成は、行の中央にある対ＰＰＭの検出画素に対する光マスキングのためにエッジ効果に対して最適ではない。この例では、対ＰＰＭの画素Ｐ５１３のマスクされた部分は、撮像画素（Ｐ５１４）に隣接する側にある。
【００７３】
図７は、この構成の変形形態を示し、この例では、中央の対の２つの検出画素のマスクされた部分は、並んで配置されている。撮像画素は、もはやエッジ効果を受けない。例えば、図中で対ＰＰＭの画素Ｐ５１２及びＰ５１３の側面にある撮像画素Ｐ５１１及びＰ５１４を考える。検出区域ＤＴ５１１及びＤＴ５１４は、対ＰＰＭの検出区域ＤＴ５１２及びＤＴ５１３を境界付けるマスクによって影響を受けない。更に、検出区域ＤＴ５１２及びＤＴ５１３の各々において、片側のみにエッジ効果が存在する。この配置は、行の検出対の各々において有利に使用される。即ち、撮像画素及び検出画素の両方に対して、起こり得るエッジ効果に関して最適な構成が得られる。
【００７４】
いずれの場合でも、既に示したように、動作時、位置合わせ検出画素の有効な検出領域と撮像画素の有効な検出領域との差を補償するために、且つ光マスキングに起因するエッジ効果を補償するために補間計算が提供される場合、検出画素の出力を撮像画素の出力と共に使用してＯＣＴ画像を再構成することができる。
【００７５】
実際に、検出画素の境界付けられた感光性部分は、場合により、撮像画素の矩形の感光性領域の約半分又は好ましくは半分よりも若干広いものに対応する面積を有する。しかしながら、同様に、この比率は、異なる、即ちより低いか又はより高いことがある。撮像画素では、有効な検出高さは、取り込まれる発光情報のサイズ（画像線の幅ｅ）の２倍又は３倍に等しい値まで低減されることがある。
【００７６】
光マスキングなしで、位置合わせ検出画素において光放射を検出可能にする感光性領域部分を境界付けることが可能である。
【００７７】
前述の実施形態では、行のＮ個の画素は、半導体基板内に全く同じように、とりわけ同じ矩形の感光性領域を有して製造された。次いで、これらＮ個の画素のうちの検出画素は、光マスクによって画定された。
【００７８】
ここで、半導体中において検出画素を直接的に画定すること、即ち、検出画素の感光性領域は、直接的に所望の形状（Ｆ又はＦ’）を与えられることが提案される。この所望の形状は、有効な感光性領域を直接的に画定し、この有効な感光性領域は、画素のピッチを保ちつつも、撮像画素の有効な感光性領域の矩形Ｒの形状と異なる形状のものである。従って、光放射を検出可能にする有効な感光性部分と、検出が発生してはならない１つ又は複数の部分とは、各位置合わせ検出画素において、差別化された注入（反対のドーパント型）によって直接的に製造され、これらの部分の面積の合計は、撮像画素の感光性領域（矩形Ｒ）に等しい。この実施形態は、検出画素の応答の点であまり効果的ではないが、光マスキングの興味深い代替形態である。
【００７９】
より正確には、画素の行が製造される際、画素は、注入によって互いに分離され、分離している注入領域は、各画素の有効な感光性部分（及びまた制御素子の活性領域）を取り囲む。
【００８０】
提案されることは、検出画素の位置において、画素の高さにわたって幅が変化する所望の形状を活性感光性領域が表面において直接的に与えられるように、注入マスクの設計を修正することである。この形状は、図４〜図６に図示した形状の任意のものであり得る。また、この形状は、光放射の検出を防ぐ分離領域によって取り囲まれる。一例では、画素の有効な感光性部分は、ｎ型にドープされたフォトダイオード領域である。また、分離領域は、光生成電荷を蓄積することができないｐ型にドープされた領域である。ｎ型にドープされたフォトダイオード領域は、その表面上において、基板の基準電位でバイアスされた高度にｐ型ドープされた表面層を含むことがある。
【００８１】
図８に示した検出画素Ｐ１及びＰ２を例として取り上げると、これらの画素において光放射の検出が可能である区域を表す点付き区域ＤＴ１及びＤＴ２は、ｎ型にドープされた領域である。更に、これらの画素の「白い」区域ｍ１及びｍ２は、高度にｐ型にドープされた領域である。撮像画素では、これらの画素の全ての感光性区域（矩形Ｒ）は、ｎ型にドープされた領域である。上記で既に説明したように、位置合わせ検出画素が注入によって画定されるか又は光マスキングによって画定されるかに関わりなく、撮像画素の有効な検出高さｈｕ（及びまた任意選択的に位置合わせ検出画素の有効な検出高さ）を光マスキングによって画定することが可能である。
【００８２】
本発明について、感光性行の画素が規則的に離間されるリニアセンサを例として取り上げることによって説明した。中心間距離は、アレイのピッチｐに等しかった。本発明は、この構成に限定されない。具体的には、分光計の所与のスペクトル拡散に対応するために、画素間でピッチが不定である画素の行を使用することができ、これにより所与の波長を検出可能にする（画素の位置と波長との間の対応関係）。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年8月7日(2017.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に形成されるＮ個の画素の行（１００）と、前記Ｎ個の画素を読み出すための回路とを含み、前記回路は、前記行の前記Ｎ個の画素の各々について出力信号を伝達する、リニアセンサにおいて、前記Ｎ個の画素は、光子を受け取り、且つそれを電荷に変換することができる、幅よりも高さが大きい矩形の形状である有効な画素感光性領域を有する撮像画素であって、前記幅は、前記行の方向であり、及び前記高さは、垂直方向である、撮像画素と、位置合わせ検出画素の少なくとも２つの離間された対（ＰＰＬ、ＰＰＧ）とを含み、各対の前記検出画素は、前記画素の行において隣接し、且つ有効な感光性領域を有する画素であり、前記有効な感光性領域の幅は、高さ方向に単調に変化するが、所与の対の前記２つの検出画素について反対方向に変化することを特徴とするリニアセンサ。
【請求項２】
第１の対（ＰＰＬ）は、前記行の最初の２つの画素（Ｐ１、Ｐ２）によって形成され、及び第２の対（ＰＰＧ）は、前記行の最後の２つの画素（ＰＮ−１、ＰＮ）によって形成される、請求項１に記載のリニアセンサ。
【請求項３】
前記画素の行の中央付近に検出画素の第３の対（ＰＰＭ）を含む、請求項２に記載のセンサ。
【請求項４】
前記Ｎ個の画素の全ては、同じ物理的構成と、矩形（Ｒ）の形状の同じ感光性領域とを有し、及び光マスクは、前記位置合わせ検出画素の前記有効な感光性領域を画定することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項５】
前記Ｎ個の画素の全ては、同じ物理的構成と、矩形（Ｒ）の形状の同じ感光性領域とを有し、及び光マスクは、前記撮像画素の前記有効な感光性領域を画定することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項６】
前記位置合わせ検出画素の前記有効な感光性領域の形状（Ｆ）は、注入によって境界付けられることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項７】
前記画像検出画素の前記有効な感光性領域の前記形状は、前記画素の前記高さに沿って向けられた線に関して軸対称性を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項８】
対の前記検出画素の前記有効な感光性領域は、前記撮像画素の前記感光性領域の前記矩形（Ｒ）内にパターン（Ｆ’）を形成し、前記パターン（Ｆ’）は、前記感光性撮像領域の前記矩形（Ｒ）の前記高さ（ｈ）にわたって延び、及び前記パターン（Ｆ’）の１つの辺は、前記矩形の長辺（Ｌ、Ｌ’）に対応することを特徴とする、請求項４又は５に記載のセンサ。
【請求項９】
検出画素（Ｐ２、Ｐ５１２、Ｐ５１３）の前記有効な感光性領域は、前記矩形内において、撮像画素に隣接する側に配置されることを特徴とする、請求項７に記載のセンサ。
【請求項１０】
フーリエ領域光コヒーレンストモグラフィ撮像装置のためのカメラにおいて、請求項１〜９のいずれか一項に記載のリニアセンサを含み、前記リニアセンサは、前記センサの前記撮像画素の行上における、発光ストリップ、即ち前記センサの前記感光性領域の面内に分光計によって形成されたスペクトル画像の位置合わせに関する情報を伝達することを特徴とするカメラ。
【国際調査報告】
2019521337.tif 000017
2019521337.tif 000018
2019521337.tif 000019
2019521337.tif 000020