(57)【要約】  本発明は、一般式（１）2012018086.tif 000019（式中、Ｒ１はイソプロピル基、又は炭素原子数４〜６の分岐状のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ１及びＲ２が共にイソプロピル基の場合、Ｒ１及びＲ２が共にイソブチル基の場合、及び、Ｒ１がイソプロピル基でありＲ２がメチル基の場合を除く。）で示されるマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物、及び当該マグネシウム化合物を用いるマグネシウム含有薄膜の製造方法に関する。
2012018086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2012018086.tif 000011
（式中、Ｒ１はイソプロピル基、又は炭素原子数４〜６の分岐状のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ１及びＲ２が共にイソプロピル基の場合、Ｒ１及びＲ２が共にイソブチル基の場合、及び、Ｒ１がイソプロピル基でありＲ２がメチル基の場合を除く。）
で示されるマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物。
【請求項２】
一般式（２）
【化２】
2012018086.tif 000012
（式中、Ｒ３及びＲ４は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ互いに独立に、炭素原子数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。）
で示されるジアルキルマグネシウム化合物と、一般式（３）
【化３】
2012018086.tif 000013
（式中、Ｒ１はイソプロピル基、又は炭素原子数４〜６の分岐状のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ１及びＲ２が共にイソプロピル基の場合、Ｒ１及びＲ２が共にイソブチル基の場合、及び、Ｒ１がイソプロピル基でありＲ２がメチル基の場合を除く。）
で示されるジアルキルアミンとを反応させる工程を含むことを特徴とする、一般式（１）
【化４】
2012018086.tif 000014
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同義である。）
で示される請求項１記載のマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物の製造方法。
【請求項３】
一般式（３）
【化５】
2012018086.tif 000015
（式中、Ｒ１はイソプロピル基、又は炭素原子数４〜６の分岐状のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ１及びＲ２が共にイソプロピル基の場合、Ｒ１及びＲ２が共にイソブチル基の場合、及び、Ｒ１がイソプロピル基でありＲ２がメチル基の場合を除く。）
で示されるジアルキルアミンと、アルキルリチウムとを反応させて、一般式（４）
【化６】
2012018086.tif 000016
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同義である。）
で示されるリチウムジアルキルアミド化合物を合成する工程と、
前記一般式（４）で示されるリチウムジアルキルアミド化合物と、一般式（５）
【化７】
2012018086.tif 000017
（式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）
で示されるジハロゲノマグネシウムとを反応させる工程を含むことを特徴とする、一般式（１）
【化８】
2012018086.tif 000018
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同義である。）
で示される請求項１記載のマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物をマグネシウム供給源として用いた化学気相蒸着法によるマグネシウム含有薄膜の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載のマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を含むマグネシウム含有薄膜形成用原料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規なマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物、及び当該マグネシウム化合物を用いて、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；以下、ＣＶＤ法と称する）により、マグネシウム含有薄膜を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マグネシウム含有薄膜製造用のマグネシウム化合物としては、例えば、アルキルマグネシウム、マグネシウムアルコキシド、マグネシウムジケトナート等の様々な種類のマグネシウム化合物が検討されている（例えば、特許文献１〜２参照）。その中でも、ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムやその類縁化合物が主に使用されている。【０００３】
一方、チタン含有薄膜、ジルコニウム含有薄膜、ハフニウム含有薄膜、アルミニウム含有薄膜等の他の金属含有薄膜を形成するための原料としては、ジアルキルアミド配位子を有する化合物が提案されている（特許文献３参照）。【０００４】
また、マグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物も知られており、例えば、重合用触媒、医薬や農薬等の製造原料として用いられている（例えば、非特許文献１及び特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１７０９９３号公報
【特許文献２】特開２００５−２９８８７４号公報
【特許文献３】特開２００７−１５３８６９号公報
【特許文献４】欧州特許出願第１０３１５８１号明細書
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．４３，Ｎｏ．８，ｐｐ．１５６４−１５６６（１９７８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のマグネシウム化合物は、蒸気圧、熱安定性、反応性等の物性がマグネシウム含有薄膜の製造において必ずしも最適ではなく、最も採用されているビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムでさえ、マグネシウム含有薄膜を製造するための十分なマグネシウム化合物とは言い難かった。そのため、蒸気圧、熱安定性、反応性等のいずれの物性も満足させるマグネシウム化合物が求められていた。【０００８】
本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、簡便な方法によってマグネシウム含有薄膜を製造することができる、工業的に好適なマグネシウム化合物、より具体的にはＣＶＤ法によるマグネシウム含有薄膜の製造に適したマグネシウム化合物を提供するものである。本発明の課題は、又、当該マグネシウム化合物を用いるマグネシウム含有薄膜の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は以下の事項に関する。【００１０】
１．  一般式（１）【００１１】
【化１】
2012018086.tif 000003
（式中、Ｒ１はイソプロピル基、又は炭素原子数４〜６の分岐状のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ１及びＲ２が共にイソプロピル基の場合、Ｒ１及びＲ２が共にイソブチル基の場合、及び、Ｒ１がイソプロピル基でありＲ２がメチル基の場合を除く。）
で示されるマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物。【００１２】
２．  一般式（２）【００１３】
【化２】
2012018086.tif 000004
（式中、Ｒ３及びＲ４は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ互いに独立に、炭素原子数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。）
で示されるジアルキルマグネシウム化合物と、一般式（３）【００１４】
【化３】
2012018086.tif 000005
（式中、Ｒ１はイソプロピル基、又は炭素原子数４〜６の分岐状のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ１及びＲ２が共にイソプロピル基の場合、Ｒ１及びＲ２が共にイソブチル基の場合、及び、Ｒ１がイソプロピル基でありＲ２がメチル基の場合を除く。）
で示されるジアルキルアミンとを反応させる工程を含むことを特徴とする、上記一般式（１）で示されるマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物の製造方法。【００１５】
３．  一般式（３）【００１６】
【化４】
2012018086.tif 000006
（式中、Ｒ１はイソプロピル基、又は炭素原子数４〜６の分岐状のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ１及びＲ２が共にイソプロピル基の場合、Ｒ１及びＲ２が共にイソブチル基の場合、及び、Ｒ１がイソプロピル基でありＲ２がメチル基の場合を除く。）
で示されるジアルキルアミンと、アルキルリチウムとを反応させて、一般式（４）【００１７】
【化５】
2012018086.tif 000007
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同義である。）
で示されるリチウムジアルキルアミド化合物を合成する工程と、
前記一般式（４）で示されるリチウムジアルキルアミド化合物と、一般式（５）【００１８】
【化６】
2012018086.tif 000008
（式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）
で示されるジハロゲノマグネシウムとを反応させる工程を含むことを特徴とする、上記一般式（１）で示されるマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物の製造方法。【００１９】
４．  上記一般式（１）で示されるマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物をマグネシウム供給源として用いた化学気相蒸着法によるマグネシウム含有薄膜の製造方法。【００２０】
５．  上記一般式（１）で示されるマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を含むマグネシウム含有薄膜形成用原料。
【発明の効果】
【００２１】
本発明により、特にＣＶＤ法による成膜に適した新規なマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を提供することができる。当該マグネシウム化合物を用いて、ＣＶＤ法により、良好な成膜特性で、マグネシウム含有薄膜を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施例において使用した、マグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を用いてマグネシウム含有薄膜を製造するための蒸着装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明のマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物は、前記の一般式（１）で示される。
【００２４】
その一般式（１）において、Ｒ１はイソプロピル基、又はｔ−ブチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基等の炭素原子数４〜６の分岐状のアルキル基を示し、Ｒ２はメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基等の炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ１及びＲ２が共にイソプロピル基の場合、Ｒ１及びＲ２が共にイソブチル基の場合、及び、Ｒ１がイソプロピル基でありＲ２がメチル基の場合を除く。
【００２５】
２つのＲ１は異なっていてもよく、２つのＲ２も異なっていてもよいが、２つのＲ１が同一であり、２つのＲ２も同一である化合物は比較的容易に合成できるので、好ましい。
【００２６】
本発明の好ましい態様としては、Ｒ１が炭素原子数４〜５の分岐状のアルキル基であり、Ｒ２が炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。Ｒ１としては、ｔ−ブチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基が特に好ましい。Ｒ２としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基が特に好ましい。又、Ｒ１がｔ−ブチル基、ｔ−ペンチル基、更に好ましくはｔ−ブチル基であり、Ｒ２が炭素原子数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基、更に好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基であることが好ましい。
【００２７】
本発明のマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物としては、例えば、以下の式（６）〜（２０）によって示される化合物が挙げられる。
【００２８】
【化７】
2012018086.tif 000009
【００２９】
本発明のマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物の合成は、以下の（Ａ）又は（Ｂ）で示す方法（以下、本発明の反応と称することもある。）によって行うことができる。
【００３０】
【化８】
2012018086.tif 000010
【００３１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同義であり、Ｒ３及びＲ４は炭素原子数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。なお、Ｒ３及びＲ４は同一又は異なっていても良い。又、Ｘはハロゲン原子を示す。）
【００３２】
［方法（Ａ）］
方法（Ａ）は、ジアルキルマグネシウム化合物とジアルキルアミンとを反応させて、マグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を合成する方法である。
【００３３】
本発明の反応（Ａ）において使用するジアルキルマグネシウム化合物は、前記の一般式（２）で示される。その一般式（２）において、Ｒ３及びＲ４はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−デシル基等の炭素原子数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。なお、Ｒ３及びＲ４は同一又は異なっていても良い。
【００３４】
本発明の反応（Ａ）において使用するジアルキルマグネシウム化合物としては、市販品を使用することができ、又、公知の方法により金属マグネシウムから製造することができる。本発明の反応（Ａ）においては、好適にはジ（ｎ−ブチル）マグネシウム又はｎ−ブチルエチルマグネシウム等が用いられる。
【００３５】
本発明の反応（Ａ）において使用するジアルキルアミンは、前記の一般式（３）で示される。その一般式（３）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、式（１）中のＲ１及びＲ２に対応し、前記と同義である。
【００３６】
したがって、本発明の反応（Ａ）において使用するジアルキルアミンとしては、ｔ−ブチルメチルアミン、ｔ−ブチルエチルアミン、ｔ−ブチルイソプロピルアミン、ジ−ｔ−ブチルアミン、ｔ−ブチル−ｔ−ペンチルアミン、ジ−ｔ−ペンチルアミン等が好ましい。
【００３７】
前記ジアルキルアミンの使用量は、ジアルキルマグネシウム１モルに対して、好ましくは１．５〜３．０モル、更に好ましくは１．８〜２．２モルである。
【００３８】
本発明の反応（Ａ）は、有機溶媒中で行うことが望ましい。使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類；ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
【００３９】
前記有機溶媒の使用量は、ジアルキルマグネシウム１ｇに対して、好ましくは１〜１００ｇ、更に好ましくは１〜１０ｇである。
【００４０】
本発明の反応（Ａ）は、例えば、ジアルキルマグネシウム化合物、ジアルキルアミン及び有機溶媒を混合し、攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは−２０〜１２０℃、更に好ましくは０〜１００℃であり、反応圧力は特に制限されない。
【００４１】
［方法（Ｂ）］
方法（Ｂ）は、ジアルキルアミンとアルキルリチウムとから合成したリチウムジアルキルアミドと、ジハロゲノマグネシウムとを反応させて、マグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を合成する方法である。
【００４２】
本発明の反応（Ｂ）において使用するジアルキルアミンは、前記の一般式（３）で示される。その一般式（３）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、式（１）中のＲ１及びＲ２に対応し、前記と同義である。
【００４３】
本発明の反応（Ｂ）において使用するアルキルリチウムは特に限定されないが、例えば、メチルリチウム、エチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等が挙げられるが、好ましくはｎ−ブチルリチウムが使用される。
【００４４】
前記アルキルリチウムの使用量は、ジアルキルアミン１モルに対して、好ましくは０．８〜１．２モル、更に好ましくは０．９〜１．１モルである。
【００４５】
本発明の反応（Ｂ）では、ジアルキルアミンとアルキルリチウムとからリチウムジアルキルアミドを合成し、このリチウムジアルキルアミドとジハロゲノマグネシウムとを反応させる。
【００４６】
本発明の反応（Ｂ）において使用するジハロゲノマグネシウムは、前記の一般式（５）で示される。その一般式（５）において、Ｘはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を示すが、好ましくは塩素原子である。
【００４７】
前記ジハロゲノマグネシウムの使用量は、ジアルキルアミン１モルに対して、好ましくは０．３〜０．６モル、更に好ましくは０．４５〜０．５５モルである。リチウムジアルキルアミドを単離した場合、リチウムジアルキルアミドの使用量は、ジハロゲノマグネシウム１モルに対して、好ましくは１．５〜３．０モル、更に好ましくは１．８〜２．２モルである。
【００４８】
本発明の反応（Ｂ）は、有機溶媒中で行うことが望ましい。使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類；ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
【００４９】
前記有機溶媒の使用量は、ジアルキルアミン１ｇに対して、好ましくは１〜１００ｇ、更に好ましくは１〜１０ｇである。リチウムジアルキルアミドを単離した場合、リチウムジアルキルアミドとジハロゲノマグネシウムとを反応させる際の有機溶媒の使用量は、ジハロゲノマグネシウム１ｇに対して、好ましくは１〜１００ｇ、更に好ましくは１〜１０ｇである。
【００５０】
本発明の反応（Ｂ）は、例えば、ジアルキルアミン、アルキルリチウム及び有機溶媒を混合し、攪拌しながら反応させてリチウムジアルキルアミド化合物を合成し、次いでジハロゲノマグネシウムを加えて、更に攪拌しながら反応させる、又は合成したリチウムジアルキルアミドを単離し、次いで得られたリチウムジアルキルアミド、ジハロゲノマグネシウム及び有機溶媒を混合し、攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは−２０〜１００℃、更に好ましくは０〜５０℃であり、反応圧力は特に制限されない。なお、リチウムジアルキルアミド化合物は、ジハロゲノマグネシウムとの反応前に、一旦単離しても、単離せず、反応液をそのまま使用しても良く、又、適宜有機溶媒を変更、除去および／または追加しても良い。
【００５１】
本発明の反応（Ａ）又は（Ｂ）により目的物であるマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物が得られる。合成したマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物は、反応終了後、抽出、濾過、濃縮、蒸留、昇華、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の公知の方法によって単離・精製される。
【００５２】
なお、本発明の目的物であるマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物、及びその製造に使用するジアルキルマグネシウムは、大気中の水分や酸素に対して不安定な場合が多いため、無水条件下や不活性ガス条件下にて、反応操作や反応液の後処理等を行うことが望ましい。
【００５３】
本発明のマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を用いて、例えばＣＶＤ法により、良好な成膜特性で、マグネシウム含有薄膜を成膜することができる。
【００５４】
成膜対象物上へのマグネシウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法や原子層堆積法（ＡＬＤ法）で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、マグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物蒸気を酸素源（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス；水；メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類）又は還元性ガス（例えば、水素ガス又はアンモニアガス、もしくはこれらの混合ガス）と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでマグネシウム含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でマグネシウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。
【００５５】
ＣＶＤ法においては、薄膜形成のためにマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を気化させる必要があるが、本発明で使用するマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を気化させる方法としては、例えば、マグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、マグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を適当な溶媒（例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類；グライム、ジグライム、トリグライム、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられる。）に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法（溶液法）も使用出来る。
【００５６】
本発明のマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を用いてマグネシウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、マグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。
【００５７】
なお、マグネシウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガス）又は還元性ガス（例えば、水素ガス又はアンモニアガス、もしくはこれらの混合ガス）の含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。
【実施例】
【００５８】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。【００５９】
実施例１（方法（Ａ）；マグネシウムビス（ｔ−ブチルメチルアミド）（化合物（６））の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、金属マグネシウム５．５ｇ（０．２３ｍｏｌ）及びジエチルエーテル２０ｍｌを加えた後、ブロモブタン３.０ｇ（２１ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下した。次いで、ジエチルエーテル１８０ｍｌ及びブロモブタン２５ｇ（０．１８ｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、攪拌しながら４０℃で２時間反応させ、更にジオキサン５５ｇ（０．６２ｍoｌ）を加えて攪拌しながら４０℃で２時間反応させた。反応終了後、アルゴン雰囲気にて反応液を濾過し、濾液を減圧下で濃縮した。濃縮物を加熱しながら真空乾燥させて、ジブチルマグネシウム２２ｇを得た（単離収率；８０％）。【００６０】
次いで、攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍｌのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、先に得られたジブチルマグネシウム７．０ｇ（５０ｍｍｏｌ）及びヘプタン７０ｍｌを加え、液温を２５℃付近に維持しながらｔ−ブチルメチルアミン１０ｇ（０．１１ｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、攪拌しながら２５℃で３時間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮した後に、減圧下で昇華（１４０℃、２０Ｐａ）させて、白色固体として、マグネシウムビス（ｔ−ブチルメチルアミド）６．４ｇを得た（単離収率；６６％）。【００６１】
なお、マグネシウムビス（ｔ−ブチルメチルアミド）は以下の物性値で示される新規な化合物であった。【００６２】
１Ｈ−ＮＭＲ（テトラヒドロフラン−ｄ８，δ（ｐｐｍ））；２．５８（３Ｈ，ｓ）、１．０３（９Ｈ，ｓ）
融点；１４０〜１４１℃。【００６３】
実施例２（方法（Ａ）；マグネシウムビス（ｔ−ブチルエチルアミド）（化合物（７））の合成）
実施例１において、ジアルキルアミンをｔ−ブチルエチルアミン１１ｇ（０．１１ｍｏｌ）に変えたこと以外は、実施例１と同様に反応を行った。その結果、白色固体として、マグネシウムビス（ｔ−ブチルエチルアミド）５．８ｇを得た（単離収率；５２％）。【００６４】
なお、マグネシウムビス（ｔ−ブチルエチルアミド）は以下の物性値で示される新規な化合物であった。【００６５】
１Ｈ−ＮＭＲ（テトラヒドロフラン−ｄ８，δ（ｐｐｍ））；２．９０（２Ｈ，ｑ，６．８Ｈｚ）、１．０７（９Ｈ，ｓ）、０．９７（３Ｈ，ｔ，６．８Ｈｚ）
融点；７５〜７８℃【００６６】
実施例３（方法（Ｂ）；マグネシウムビス（ｔ−ブチルイソプロピルアミド）（化合物（８））の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、ｔ−ブチルイソプロピルアミン１．８ｇ（１６ｍｍｏｌ）及びヘプタン３０ｍｌを加えた。次いで、液温を２５℃付近に維持しながら１．６ｍｏｌ／ｌのｎ−ブチルリチウム・へキサン溶液１０ｍｌ（１６ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、攪拌しながら２５℃で２時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、リチウム−ｔ−ブチルイソプロピルアミド１．７ｇを得た（単離収率；８８％）。【００６７】
次いで、攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積５０ｍｌのフラスコに塩化マグネシウム０．４０ｇ（４．２ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１０ｍｌを加えた。次いで、液温を２５℃付近に維持しながら、リチウム−ｔ−ブチルイソプロピルアミド１．０ｇ（８．３ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液１０ｍｌをゆるやかに滴下し、攪拌しながら２５℃で８時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物にヘキサン２０ｍｌを加えて攪拌した後に濾過した。濾液を減圧下で濃縮し、濃縮物を減圧下で蒸留（１２０℃、５．７Ｐａ）し、淡黄色液体として、マグネシウムビス（ｔ−ブチルイソプロピルアミド）０．５３ｇを得た（単離収率；５０％）。【００６８】
なお、マグネシウムビス（ｔ−ブチルイソプロピルアミド）は以下の物性値で示される新規な化合物であった。【００６９】
１Ｈ−ＮＭＲ（テトラヒドロフラン−ｄ８，δ（ｐｐｍ））；２．９９（１Ｈ，ｓｅｐｔ，６．６Ｈｚ）、１．１４（９Ｈ，ｓ）、０．９９（６Ｈ，ｄ，６．６Ｈｚ）【００７０】
実施例４（方法（Ｂ）；マグネシウムビス（ｔ−ブチル−ｔ−ペンチルアミド）（化合物（１０））の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、ｔ−ブチル−ｔ−ペンチルアミン１．１ｇ（８．０ｍｍｏｌ）及びヘプタン１５ｍｌを加え、液温を２５℃付近に維持しながら１．６ｍｏｌ／ｌのｎ−ブチルリチウム・へキサン溶液５．０ｍｌ（８．０ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、攪拌しながら２５℃で２時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮して、リチウム−ｔ−ブチル−ｔ−ペンチルアミド１．１ｇを得た（単離収率；９０％）。【００７１】
次いで、攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積５０ｍｌのフラスコに塩化マグネシウム０．１６ｇ（１．７ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１０ｍｌを加え、液温を２５℃付近に維持しながらリチウム−ｔ−ブチル−ｔ−ペンチルアミド０．５１ｇ（３．４ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液１０ｍｌをゆるやかに滴下し、攪拌しながら２５℃で８時間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮した後に、ヘキサン２０ｍｌを加えて攪拌した後に濾過した。濾液を減圧下で濃縮し、淡黄色固体として、マグネシウムビス（ｔ−ブチル−ｔ−ペンチルアミド）０．３１ｇを得た（単離収率；６０％）。【００７２】
なお、マグネシウムビス（ｔ−ブチル−ｔ−ペンチルアミド）は以下の物性値で示される新規な化合物であった。【００７３】
１Ｈ−ＮＭＲ（テトラヒドロフラン−ｄ８，δ（ｐｐｍ））；１．４４（４Ｈ，ｑ，７．３Ｈｚ）、１．２０（１８Ｈ，ｓ）、１．１２（１２Ｈ，ｓ）、０．８５（６Ｈ，ｔ，７．３Ｈｚ）
融点；１７０℃以上【００７４】
実施例５（蒸着実験；マグネシウム含有薄膜の製造）
実施例１で得られたマグネシウムビス（ｔ−ブチルメチルアミド）（化合物（６））を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着実験には、図１に示す装置を使用した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。【００７５】
（蒸着条件）
マグネシウム原料；マグネシウムビス（ｔ−ブチルメチルアミド）（化合物（６））
気化温度；１００℃
Ｈｅキャリアー流量；１００ｓｃｃｍ
酸素流量；１０ｓｃｃｍ
基板材料；ＳｉＯ２／Ｓｉ
基板温度；３００℃
反応系内圧力；１．３３ｋＰａ
蒸着時間；３０分【００７６】
（膜特性（ＸＰＳ-ｄｅｐｔｈ測定））
膜厚；５０ｎｍ以上
ＸＰＳ分析；マグネシウム酸化膜
炭素含有率；検出されず
窒素含有率；検出されず【００７７】
図１に示す装置は以下のような構造となっている。恒温槽８によって一定の温度に保たれたマグネシウム原料容器（気化器）７にあるマグネシウム化合物は加熱されて気化し、マスフローコントローラー４を経て導入されたヘリウムガスに同伴して原料容器７を出る。原料容器７を出たガスは、マスフローコントローラー５を経て導入されたヘリウムガスと共に反応器９に導入される。一方、反応器９には、反応ガスである酸素ガスもマスフローコントローラー６を経て導入される。反応系内圧力は、圧力計１２によってモニターされ、真空ポンプ１４手前のバルブの開閉により、所定圧力にコントロールされる。反応器９の中央部はヒーター１１で加熱可能な構造となっている。反応器９に導入されたマグネシウム化合物は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１１で所定の温度に加熱された基板１０の表面上で酸化熱分解し、基板１０上にマグネシウム含有薄膜が形成される。反応器９を出たガスは、トラップ１３、真空ポンプ１４を経て、大気中に排気される。【００７８】
比較例１（蒸着実験；マグネシウム含有薄膜の製造）
ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムを用いて、実施例５と同様にＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。なお、各種条件を調整して原料の供給量を実施例５と揃えて蒸着実験を行った。【００７９】
（蒸着条件）
マグネシウム原料；ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム
気化温度；３０℃
Ｈｅキャリアー流量；１０ｓｃｃｍ
希釈Ｈｅ流量；９０ｓｃｃｍ
酸素流量；１０ｓｃｃｍ
基板材料；ＳｉＯ２／Ｓｉ
基板温度；３００℃
反応系内圧力；１０Ｔｏｒｒ（約１．３３ｋＰａ）
蒸着時間；３０分【００８０】
（膜特性（ＸＰＳ-ｄｅｐｔｈ測定））
膜厚；５０ｎｍ以上
ＸＰＳ分析；マグネシウム酸化膜
炭素含有率；３０％（炭素原子換算）
窒素含有率；検出されず（そもそも原料に窒素原子が存在しない）【００８１】
以上の結果から、本発明のマグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物を用いることにより、炭素原子や窒素原子等の不純物を含まない高品質のマグネシウム含有薄膜（マグネシウム酸化膜）を製造することができることが判明した。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明により、簡便な方法によってマグネシウム含有薄膜を製造することができる、工業的に好適で新規なマグネシウム化合物、より具体的にはＣＶＤ法によるマグネシウム含有薄膜の製造に適したマグネシウム化合物を提供することが出来る。又、当該マグネシウム化合物を用いて、ＣＶＤ法により、成膜対象物上にマグネシウム含有薄膜を製造する方法も提供することが出来る。マグネシウムビス（ジアルキルアミド）化合物は、例えば、マグネシウム含有薄膜製造材料、重合用触媒、医薬や農薬等の製造原料として有用な化合物である。
【符号の説明】
【００８３】
１．キャリアガス（Ｈｅ）
２．希釈ガス（Ｈｅ）
３．反応ガス（Ｏ２）
４．マスフローコントローラー
５．マスフローコントローラー
６．マスフローコントローラー
７．マグネシウム原料容器（気化器）
８．恒温槽
９．反応器
１０．基板
１１．反応器ヒーター
１２．圧力計
１３．トラップ
１４．真空ポンプ
【図１】
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【国際調査報告】
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