(57)【要約】  本書で開示する実施形態は、概して半導体構造を形成するシステムに関する。処理チャンバは、チャンバ本体と、基板支持装置と、石英エンベロープと、１つ以上の加熱装置と、ガス射出アセンブリと、ポンプ装置を含む。チャンバ本体は、処理空間を画定している。基板支持体装置は、基板処理中に１つ以上の基板を支持するように構成されている。石英エンベロープは、処理チャンバ内に配置されている。石英エンベロープは、基板支持装置を収納するように構成されている。加熱装置は、石英エンベロープの周囲に配置されている。ガス射出アセンブリは、処理チャンバに連結されている。ガス射出アセンブリは、処理チャンバの内部空間にＮＨ３ガスを供給するように構成されている。ポンプ装置は、処理チャンバに連結されている。ポンプ装置は、処理チャンバを少なくとも１０ａｔｍの圧力に維持するように構成されている。【選択図】図１
2019518333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバであって、
内部空間を画定するチャンバ本体と、
処理中に１つ以上の基板を支持するように構成された基板支持装置と、
前記処理チャンバ内に配置され、前記基板支持装置を収納するように構成された石英エンベロープと、
前記石英エンベロープの周囲に配置された１つ以上の加熱装置と、
前記処理チャンバに連結され、前記処理チャンバの前記内部空間に対してＮＨ３ガスを供給するように構成されたガス射出アセンブリと、
前記処理チャンバに連結され、前記処理チャンバを少なくとも１０ａｔｍの圧力に維持するように構成されたポンプ装置と、
を含む処理チャンバ。
【請求項２】
前記ポンプ装置が、前記処理チャンバを約１０ａｔｍと２０ａｔｍの間の圧力に維持するように構成されている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項３】
前記チャンバ本体の温度を制御するように構成された温度制御装置
をさらに備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項４】
前記温度制御装置が前記チャンバ本体内に形成された冷却チャネルであり、前記冷却チャネルは前記チャンバ本体を通って熱伝導流体を流すように構成されている、請求項３に記載の処理チャンバ。
【請求項５】
前記処理チャンバの端部に位置する単一のチャンバドアであって、前記基板支持装置を進入及び退出させるように構成された単一のチャンバドア
をさらに備える、請求項１の処理チャンバ。
【請求項６】
前記ガス射出アセンブリが、前記石英エンベロープの内部空間に対してＮＨ３ガスを供給する、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項７】
前記１つ以上の基板が、上に形成された二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を含む、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項８】
基板を処理するためのシステムであって、
移送チャンバ、及び
前記移送チャンバに連結された複数の処理チャンバであって、前記複数の処理チャンバのうちの少なくとも１つが、
内部空間を画定するチャンバ本体と、
処理中に１つ以上の基板を支持するように構成された基板支持装置と、
前記処理チャンバ内に配置され、前記基板支持装置を収納するように構成された石英エンベロープと、
前記石英エンベロープの周囲に配置された１つ以上の加熱装置と、
前記処理チャンバに連結され、前記処理チャンバの前記内部空間に対してＮＨ３ガスを供給するように構成されたガス射出アセンブリと、
前記処理チャンバに連結され、前記処理チャンバを少なくとも１０ａｔｍの圧力に維持するように構成されたポンプ装置と、
を備える複数の処理チャンバ
を備える、システム。
【請求項９】
前記ポンプ装置が、前記処理チャンバを約１０ａｔｍと２０ａｔｍの間の圧力に維持するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記処理チャンバのうちの少なくとも１つが、
前記チャンバ本体の温度を制御するように構成された温度制御装置をさらに備える、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記温度制御装置が前記チャンバ本体内に形成された冷却チャネルであり、前記冷却チャネルは前記チャンバ本体を通して熱伝導流体を流すように構成されている、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記処理チャンバのうちの少なくとも１つが、
前記処理チャンバの端部に位置する単一のチャンバドアであって、前記基板支持装置を進入及び退出させるように構成された単一のチャンバドア
をさらに備える、請求項８のシステム。
【請求項１３】
前記ガス射出アセンブリが、前記石英エンベロープの内部空間に対してＮＨ３ガスを供給する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
前記１つ以上の基板が、上に形成された二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１５】
半導体構造を形成する方法であって、
基板表面上に酸化物層を形成することと、
前記酸化物層内に少なくとも部分的に延びているビアを、酸化物層内に形成することと、
前記酸化物層をＮＨ３に曝露することと、
前記酸化物層をＮＨ３に曝露している間、チャンバの圧力を少なくとも１０ａｔｍに維持することとを含む、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本書に開示の実施形態は、概して半導体構造を形成するシステム、及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）装置の構造的サイズがサブクォータミクロン規模に縮小するのにつれて、電気抵抗及び電流密度が懸念及び改善の対象となってきた。マルチレベルの配線技術によって、ＩＣ装置全体にわたって導電パスが設けられ、導電パスは、コンタクト、プラグ、ビア、ライン、ワイヤ、及びその他の特徴を含む、高アスペクト比の特徴内に形成される。基板上で配線を形成する典型的な方法は、１つ以上の層を堆積することと、層のうちの少なくとも１つをエッチングして、１つ以上の特徴を形成することと、特徴内にバリア層を堆積することと、１つ以上の層を堆積して、特徴を充填することとを含む。典型的には、特徴（またはビア）は、基板上に配置された酸化物材料内に形成される。
【０００３】
酸化物層を窒化する（即ち窒素を組み入れる）ために、プラズマ窒化が使用されてきた。この技法によって、酸化物の表面上の窒素濃度が上昇する結果となった。より高いアスペクト比への需要が高まるのにつれて、酸化物層を窒化するのはますますより困難になる。これは、従来型の窒化処理に使用される窒素化合物の平均寿命と、より高いアスペクト比における特徴の深さとの組み合わせによるものである。従来型の処理では、酸化物層内に形成された特徴全体を十分に窒化することは不可能である。
【０００４】
したがって、半導体構造を形成するための、改良された処理チャンバ及び方法が必要になっている。
【発明の概要】
【０００５】
本書で開示する実施形態は、概して半導体構造を形成するシステムに関する。処理チャンバは、チャンバ本体と、基板支持装置と、石英エンベロープと、１つ以上の加熱装置と、ガス射出アセンブリと、ポンプ装置を含む。チャンバ本体は、処理空間を画定している。基板支持装置は、基板処理中に１つ以上の基板を支持するように構成されている。石英エンベロープは、処理チャンバ内に配置されている。石英エンベロープは、基板支持装置を収納するように構成されている。加熱装置は、石英エンベロープの周囲に配置されている。ガス射出アセンブリは、処理チャンバに連結されている。ガス射出アセンブリは、処理チャンバの内部空間にＮＨ３ガスを供給するように構成されている。ポンプ装置は、処理チャンバに連結されている。ポンプ装置は、処理チャンバを少なくとも１０ａｔｍの圧力に維持するように構成されている。
【０００６】
別の実施形態では、本書で開示する半導体構造を形成するためのシステムが開示される。このシステムは、移送チャンバ、及び複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバは、移送チャンバに連結されている。複数の処理チャンバのうちの少なくとも１つは、チャンバ本体と、基板支持装置と、石英エンベロープと、１つ以上の加熱装置と、ガス射出アセンブリと、ポンプ装置を備える。チャンバ本体は、処理空間を画定している。基板支持装置は、基板処理中に１つ以上の基板を支持するように構成されている。石英エンベロープは、処理チャンバ内に配置されている。石英エンベロープは、基板支持装置を収納するように構成されている。加熱装置は、石英エンベロープの周囲に配置されている。ガス射出アセンブリは、処理チャンバに連結されている。ガス射出アセンブリは、処理チャンバの内部空間にＮＨ３ガスを供給するように構成されている。ポンプ装置は、処理チャンバに連結されている。ポンプ装置は、処理チャンバを少なくとも１０ａｔｍの圧力に維持するように構成されている。
【０００７】
別の実施形態では、基板上に半導体構造を形成する方法が本書で形成される。基板表面に、酸化物層が形成される。酸化物層上に、ビアが形成される。ビアは、少なくとも部分的に酸化物層内に延びる。酸化物層は、ＮＨ３に曝露される。酸化物層がＮＨ３に曝露されている間、チャンバの圧力は、少なくとも１０ａｔｍの圧力に維持される。
【０００８】
先に記載した本開示の特徴を詳しく理解することができるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られてよい。実施形態の一部は、付随する図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、添付の図面がこの開示の典型的な実施形態のみを例示していて、したがって本開示の範囲を限定するというようには見なすべきでないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の実施形態が実行され得る、半導体基板を処理するための一体型ツール１００の概略図である。
【図２】一実施形態による、プラズマ窒化チャンバの断面図である。
【図３】一実施形態による、半導体装置を形成する方法を示すフロー図である。
【図４】図４Ａ−図４Ｃは、図３の方法の種々の段階における基板の断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
明確にするために、可能な場合には、図面に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。加えて、一実施形態中の諸要素を、本書に記載された他の実施形態で利用するために、有利に適合させてもよい。
【００１１】
図１は、本開示の実施形態が実行され得る、半導体基板を処理するための一体型ツール１００の概略図である。適切な一体型ツールの例は、ＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）及びＥＮＤＵＲＡ（登録商標）一体型ツールであり、どちらもカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手可能である。本書に記載の方法は、他社製のものを含め、必要な処理チャンバが連結されている他のツール内において実施されてよいと考えられている。
【００１２】
一体型処理ツール１００は、真空気密の処理プラットフォーム１０１、ファクトリインターフェース１０４、及びシステムコントローラ１０２を含む。プラットフォーム１０１は、真空基板移送チャンバ１０３に連結された、複数の処理チャンバ１１４Ａ−１１４Ｄ、及びロードロックチャンバ１０６Ａ−１０６Ｂを有する。ファクトリインターフェース１０４は、ロードロックチャンバ１０６Ａ−１０６Ｂによって、移送チャンバ１０３に接続されている。
【００１３】
一実施形態では、ファクトリインターフェース１０４は、少なくとも１つのドッキングステーション１０７と、少なくとも１つのファクトリインターフェースロボット１３８を含む。ドッキングステーション１０７は、１つ以上の前方開口型統一ポッド（ＦＯＵＰ）を受容するように構成されている。図１の実施形態では、４つのＦＯＵＰ１０５Ａ−１０５Ｄが示されている。ファクトリインターフェースロボット１３８は、ファクトリインターフェース１０４内にあって、ＦＯＵＰ１０５Ａ−１０５Ｄとロードロックチャンバ１０６Ａ−１０６Ｂの間で基板を移送するように構成されている。
【００１４】
ロードロックチャンバ１０６Ａ−１０６Ｂは、ファクトリインターフェース１０４に連結されている第１のポートと、移送チャンバ１０３に連結されている第２のポートとを有する。ロードロックチャンバ１０６Ａ−１０６Ｂは、移送チャンバ１０３の真空環境とファクトリインターフェースの実質的な周囲環境（例えば大気環境）との間における基板の通過を容易にするため、チャンバ１０６Ａ−１０６Ｂをポンプダウンしてベントする圧力制御システム（図示せず）に連結されている。
【００１５】
移送チャンバ１０３は、内部に配置された真空ロボット１１３を有する。真空ロボット１１３は、ロードロックチャンバ１０６Ａ−１０６Ｂと処理チャンバ１１４Ａ−１１４Ｄとの間で、基板１２１を移送することが可能である。
【００１６】
一実施形態では、移送チャンバ１０３に連結されている処理チャンバは、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ１１４Ｄ、プラズマ窒化チャンバ１１４Ｃ、急速熱処理（ＲＴＰ）チャンバ１１４Ｂ、または原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ１１４Ａであってよい。移送チャンバ１０３に連結されて示されている特定のチャンバは、移送チャンバ１０３に連結され得るチャンバの例である。代替形態では、ＡＬＤ、ＣＶＤ、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、プラズマ窒化、またはＲＴＰの各チャンバのうちの少なくとも１つを含む別の処理チャンバが、処理要件に応じて、一体型処理ツール１００内に相互交換可能に組み入れられていてよい。
【００１７】
システムコントローラ１０２は、一体型処理ツール１００に連結されている。システムコントローラ１０２は、一体型処理ツール１００の処理チャンバ１１４Ａ−１１４Ｄを直接制御することによってか、または、代わりに一体型処理ツール１００の処理チャンバ１１４Ａ−１１４Ｄに関連付けられたコンピュータ（もしくはコントローラ）を制御することによって、一体型処理ツール１００の動作を制御する。動作中、システムコントローラ１０２によって、一体型処理ツール１００のパフォーマンスを最適化するための、各チャンバ及びシステムからのデータの収集とフィードバックが可能になっている。
【００１８】
システムコントローラ１０２は、概して、中央処理装置（ＣＰＵ）１３０、メモリ１３６、及びサポート回路１３２を含む。ＣＰＵ１３０は、工業環境で使用することができる汎用コンピュータプロセッサの、任意の形態のうちの１つであり得る。サポート回路１３２は、従来的には、ＣＰＵ１３０に接続され、キャッシュ、クロック回路、入出力サブシステム、電源などを含んでいてよい。ソフトウェアルーチンは、ＣＰＵ１３０によって実行されると、ＣＰＵを特定目的コンピュータ（コントローラ）に変容させ、図３に関連して記載されている方法といったプロセスが、一体型処理ツール１００上で実施されるのを可能にする。ソフトウェアルーチンはまた、一体型処理チャンバ１００から離れて位置している第２のコントローラ（図示せず）によって、保存及び／または実行されてもよい。
【００１９】
図２は、一実施形態による、プラズマ窒化チャンバ１１４Ｃの断面図である。プラズマ窒化チャンバ１１４Ｃは、内部空間２０４を画定するチャンバ本体２０２を含む。プラズマ窒化チャンバ１１４Ｃは、石英エンベロープ２０６をさらに含む。石英エンベロープ２０６は、基板支持装置２０８を収納するように構成されている。基板支持装置２０８は、プラズマ窒化チャンバ１１４Ｃ内で、１つ以上の基板２０１を支持するように構成されている。図２に示す実施形態では、基板支持装置２０８は、石英エンベロープ２０６内で、１つ以上の基板２０１を垂直方向に支持するように構成されている。
【００２０】
プラズマ窒化チャンバ１１４Ｃは、複数の加熱要素２１０をさらに含む。複数の加熱要素２１０は、石英エンベロープ２０６の周囲に位置している。複数の加熱要素２１０は、石英エンベロープ２０６を所望の温度まで加熱するように構成されている。例えば、複数の加熱要素２１０は、石英エンベロープ２０６を６００°Ｃと１２００°Ｃの間の温度まで加熱し得る。
【００２１】
プラズマ窒化チャンバ１１４Ｃは、ガス源２１６に連結されたガス射出アセンブリ２１２、ポンプ装置２１４、及び排気アセンブリ２１８をさらに含み得る。ガス射出アセンブリ２１２は、チャンバ１１４Ｃの内部空間２０４にガスを供給するように構成されている。一実施形態では、ガス源２１６は、１つ以上の基板２０１の窒化速度を上昇させるため、内部空間２０４に及び石英エンベロープ２０６の内部に、ＮＨ３ガスを供給するように構成されている。ＮＨ３ガスは、混ぜ物なし（ｎｅａｔ）（即ち、１００％）、濃縮（即ち５０％〜１００％）、または希釈（即ち５０％未満）の形態で、１ｓＬｍから２０ｓＬｍ、例えば１０ｓＬｍの流量で、供給されてよい。ポンプ装置２１４は、窒化チャンバ１１４Ｃに連結されており、内部空間２０４と流体連通している。ポンプ装置２１４は、チャンバ１１４Ｃの内部空間２０４の圧力を制御するように構成されている。例えば、ポンプ装置２１４は、ガス射出アセンブリ２１２が内部空間２０４にＮＨ３ガスを供給している間、１０−２０気圧（ａｔｍ）の間の圧力を維持するように構成されている。排気アセンブリ２１８は、チャンバ１１４Ｃの、ガス射出アセンブリ２１２とは反対側に配置されていてよい。排気アセンブリ２１８は、チャンバ１１４ＣからＮＨ３ガスを除去するように構成されている。
【００２２】
プラズマ窒化チャンバ１１４Ｃは、温度制御装置２２０をさらに含み得る。温度制御装置２２０は、処理中、チャンバ１１４Ｃのチャンバ本体２０２の温度を制御するように構成されている。一実施形態では、温度制御装置は、チャンバ本体２０２に連結された熱遮蔽板の形態であってよい。図１に示す実施形態では、温度制御装置２２０は、チャンバ本体２０２内に形成された冷却チャネル２２２の形態である。冷却チャネル２２２は、チャンバ本体２０２を通して熱伝導流体を流し、処理中のチャンバ本体２０２の温度を制御するように構成されている。
【００２３】
図３は、一実施形態による、半導体装置４００を形成する方法３００を示すフロー図である。図４Ａ−図４Ｇは、図３の方法３００の種々の段階における基板４０１の断面図を示す。図４Ａは、上に何の層も堆積していない状態の基板４０１を示す。方法３００は、ブロック３０２で開始される。ブロック３０２では、基板４０１上に酸化物層４０２が形成される。一実施形態では、酸化物層４０２は、ＳｉＯ２から形成されてよい。酸化物層４０２は、図１の処理チャンバ１１４Ａ−１１４Ｄのうちの１つといった処理チャンバ内で、基板４０１上に形成されてよい。例えば、酸化物層４０２は、アプライドマテリアルズ社から入手可能なＲＡＤＩＡＮＣＥ（登録商標）システム内で形成されてよい。酸化物層４０２は、ＣＶＤ、急速熱ＣＶＤ（ＲＴ−ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、ＡＬＤ、またはこれらの組み合わせを通じて、基板４０１上に堆積されてよい。一実施形態では、酸化物層４０２は、約１．５ナノメートルから約３ナノメートルの厚さを有していてよい。
【００２４】
ブロック３０４では、図４Ｃで示されるように、酸化物層４０２内にビア４０４が形成される。ビア４０４は、酸化物層の頂面４０６から、部分的に酸化物層４０２の内部に延びていてよい。
【００２５】
ブロック３０６では、酸化物層４０２が上に堆積した基板４０１は、プラズマ窒化チャンバ、例えばプラズマ窒化チャンバ１１４Ｃに移送され、窒化処理を受ける。窒化処理中、酸化物層４０２の表面上の酸素が、窒素によって置換される。一実施形態では、酸化物層４０２内の酸素の約４０％が、窒素によって置換される。従来は、窒化処理にＮＨ２及びＮＨが使用されてきた。酸素は窒素に比べて電気陰性度が高いため、こうした処理で酸素を置換するために、典型的には高反応性種が使用される。しかし、Ｎ＊、ＮＨ２、及びＮＨは、酸化物層内の高アスペクト比の特徴の内部を下降して特徴を共形的に窒化するのに十分なほど長く存在するためには、不安定過ぎることが証明されている。共形的な窒化をサポートする濃度でこうした特徴の底部まで貫通するためには、窒化種は、付着や反応、または消失をすることなく、壁との１つ以上の接触事象を切り抜ける必要がある。反応性を低下させた種、即ちより低い付着係数を有する種が、必要とされている。ＮＨ２及びＮＨは、酸化物と反応するときにＮ２及びＨ２へと迅速に緩和し得るので、その結果、ビア４０４内での滞留時間は短いものとなる。例えば、ＮＨ２及びＮＨの平均寿命は約１０ミリ秒であり得る。さらに、反応性を低下させてなおそれでも、酸化物を窒化するために十分なエネルギーを有していることは、難しい。ＮＨ及びＮＨ２をＮＨ３で代用することで、ＮＨ３の分圧によって高温のＮＨ３による共形的な窒化処理が推進され、窒化処理が増進する。処理温度を上昇させ処理時間を延長することよって、ＮＨ３内の窒素原子の数が少しずつ増加するが、一方、処理中のＮＨ３の圧力の上昇、具体的にはその分圧の上昇によって、窒素原子の数がより大きな率で増加するということが分かっている。
【００２６】
ブロック３０６では、図４Ｄに示すとおり、基板はＮＨ３に曝露される。ＮＨ３とＳｉＯ２の反応から、以下がもたらされる。
ＮＨ３＊＋ＳｉＯ２→ＳｉＯＮ＋Ｈ２Ｏ
【００２７】
反応を推進するのに必要な温度は、少なくとも６００°Ｃである。一実施形態では、温度は約１，０００°Ｃである。ＮＨ３は、約１ｓＬｍから２０ｓＬｍ、例えば１０ｓＬｍの流量で、基板に供給される。上記のとおり、ＮＨ３は、混ぜものなしか、濃縮か、または希釈の形態で供給されてよい。ＮＨ３は、ビア４０４の底部４０８に移動するように構成されている。
【００２８】
ブロック３０８では、基板がＮＨ３に曝露されている間、処理チャンバは、少なくとも１０ａｔｍの圧力に維持される。一実施形態では、処理チャンバの圧力は、１０ａｔｍと２０ａｔｍの間の圧力に維持される。
【００２９】
これまでの記述は、特定の実施形態を対象としているが、その基本的な範囲から逸脱することなく他の実施形態及びさらなる実施形態が考案されてよく、その範囲は、下記の特許請求の範囲によって定められる。
【図１】
2019518333.tif 000003
【図２】
2019518333.tif 000004
【図３】
2019518333.tif 000005
【図４】
2019518333.tif 000006
【国際調査報告】
2019518333.tif 000007
2019518333.tif 000008