【手続補正書】
【提出日】令和3年2月16日(2021.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のピクセルを含む半導体チップ（２０）を備える光電子部品であって、前記ピクセルはそれぞれが放射線出射面から電磁一次放射線を放出し、
前記放射線出射面の少なくとも一部に変換層（１０）が適用されており、
前記変換層（１０）は、前記放射線出射面の上に直接配置されており、
前記変換層（１０）は、３次元シロキサンベースのネットワークを有する架橋マトリックスと、前記架橋マトリックスに埋め込まれた少なくとも１種の蛍光体とを含み、
前記変換層は、３０μｍ以下の厚さを有する、
光電子部品。
【請求項２】
前記ピクセルが、１２５μｍ以下のピクセル間周期で配置されたものである、請求項１に記載の光電子部品。
【請求項３】
前記架橋マトリックスの有機含有量が、前記変換層に対して４０重量％未満である、請求項１または２に記載の光電子部品。
【請求項４】
前記架橋マトリックスの有機含有量が、前記変換層に対して２０重量％以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光電子部品。
【請求項５】
前記架橋マトリックスが、下記一般式から選ばれる１種の構造を有する前駆体を含む前駆体材料によって構成されるものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光電子部品。
【化１】
2021533576.tif 000001
式中、
Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、アルケニル、置換アルキル、置換アルコキシ、置換アリール、置換アリールオキシ、置換アルケニル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択され、
Ｒ１１、Ｒ１２、及びＲ１３は、互いに独立して、Ｈ、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、アルケニル、置換アルキル、置換アルコキシ、置換アリール、置換アリールオキシ、置換アルケニル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択され、
Ｒ３及びＲ４は、互いに独立して、アルコキシ、ビニル、ヒドロキシル、カルボン酸、エステル、Ｈ、アルキル、アリール、置換アルコキシ、置換カルボン酸、置換エステル、置換ビニル、置換アルキル、置換アリール、及びそれらの組み合わせからなる群から選択され、
Ｒ１及びＲ２及びＲ１１、Ｒ１２及びＲ１３のアルコキシ含有量は、一般式で表される化合物に対して１０重量％から５０重量％の範囲内である。
【請求項６】
前記３次元シロキサンベースのネットワークは下記一般式で表される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光電子部品。
【化２】
2021533576.tif 000002
式中、
各Ｒは、互いに独立して、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、またはそれらの任意の組み合わせについて列挙された基からなる群から選択され、ダングリングボンドは、互いに独立して、前記ネットワークの継続又は前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３について列挙された基の１つへの継続を表す。
【請求項７】
前記前駆体材料が、触媒、ナノ粒子、有機金属化合物、有機分子、有機ポリマー、無機ポリマー、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の添加剤をさらに含む、請求項５に記載の光電子部品。
【請求項８】
前記前駆体材料がヒュームドシリカをさらに含み、前記ヒュームドシリカの含有量が５重量％から４０重量％の範囲内である、請求項５または７に記載の光電子部品。
【請求項９】
前記前駆体材料が、Ｄ単位型の結合をさらに含み、前記Ｄ単位型の結合の含有量は、全シロキサン単位に対して０モル％から３０モル％の間である、請求項５または７または８のいずれか一項に記載の光電子部品。
【請求項１０】
前記前駆体材料の分子量が、３０００ｇ／ｍｏｌ未満である、請求項５または請求項７〜９のいずれか一項に記載の光電子部品。
【請求項１１】
前記少なくとも１種の蛍光体が下記化合物群から選択され、前記蛍光体は、任意選択で、１種または複数種のハロゲン化物を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光電子部品。
（ＲＥ１−ｘＣｅＸ）３（Ａｌ１−ＹＡ’Ｙ）５Ｏ１２であり、０＜ｘ≦０．１及び０≦ｙ≦１、
（ＲＥ１−ｘＣｅＸ）３（Ａｌ５−２ｙＭｇＹＳｉｙ）Ｏ１２であり、０＜ｘ≦０．１及び０≦ｙ≦２、
（ＲＥ１−ｘＣｅｘ）３Ａｌ５−ｙＳｉｙＯ１２−ｙＮｙであり、０＜ｘ≦０．１及び０≦ｙ≦０．５、
（ＲＥ１−ｘＣｅｘ）２ＣａＭｇ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ３＋であり、０＜ｘ≦０．１、
（ＡＥ１−ｘＥｕＸ）２Ｓｉ５Ｎ８であり、０＜ｘ≦０．１、
（ＡＥ１−ｘＥｕＸ）ＡｌＳｉＮ３であり、０＜ｘ≦０．１、
（ＡＥ１−ｘＥｕｘ）２Ａｌ２Ｓｉ２Ｎ６であり、０＜ｘ≦０．１、
（Ｓｒ１−ｘＥｕｘ）ＬｉＡｌ３Ｎ４であり、０＜ｘ≦０．１、
（ＡＥ１−ｘＥｕｘ）３Ｇａ３Ｎ５であり、０＜ｘ≦０．１、
（ＡＥ１−ｘＥｕｘ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２であり、０＜ｘ≦０．１、
（ＡＥｘＥｕｙ）Ｓｉ１２−２ｘ−３ｙＡｌ２ｘ＋３ｙＯｙＮ１６−ｙであり、０．２≦ｘ≦２．２及び０＜ｙ≦０．１、
（ＡＥ１−ｘＥｕｘ）２ＳｉＯ４であり、０＜ｘ≦０．１、
（ＡＥ１−ｘＥｕｘ）３Ｓｉ２Ｏ５であり、０＜ｘ≦０．１、
Ｋ２（Ｓｉ１−ｘ−ｙＴｉｙＭｎｘ）Ｆ６であり、０＜ｘ≦０．２及び０＜ｙ≦１−ｘ、
（ＡＥ１−ｘＥｕｘ）５（ＰＯ４）３Ｃｌであり、０＜ｘ≦０．２、
０＜ｘ≦０．２で、（ＡＥ１−ｘＥｕｘ）Ａｌ１０Ｏ１７であり、０＜ｘ≦０．２、
（Ｙ１−ｘ−ｙＧｄｘＣｅｙ）３Ａｌ５Ｏ１２であり、０≦ｘ≦０．２及び０＜ｙ≦０．０５、及びこれらの組み合わせ、
（式中、ＲＥはＹ、Ｌｕ、Ｔｂ、及びＧｄの１つ以上であり、ＡＥはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの１つ以上であり、Ａ’はＳｃ、及びＧａの１つ以上である）。
【請求項１２】
前記変換層（１０）が、前記半導体チップとは反対側を向いた上面と、前記半導体チップに面した下面とを含み、前記上面及び／または前記下面が構造化されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光電子部品。
【請求項１３】
前記構造化された表面が、ランダムな粗さ、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ、マイクロオプティック、フォトニック結晶、プラズモニックアレイ、メタレンズ、非周期的ナノ構造化アレイ、誘電体フィルム、誘電体フィルムのスタック、またはグレーデッドインデックス反射防止コーティングを含む、請求項１２に記載の光電子部品。
【請求項１４】
ＬＥＤまたはレーザーダイオードである、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光電子部品。
【請求項１５】
光電子部品を製造する方法であって、
複数のピクセルを備え、前記ピクセルのそれぞれが放射線出射面から電磁一次放射線を放出する半導体チップ（２０）を準備するステップと、
少なくとも１種の蛍光体と前駆体材料とを含む出発混合物を調製するステップであって、前記前駆体材料は、下記一般式：
【化３】
2021533576.tif 000003
（式中、
Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、アルケニル、置換アルキル、置換アルコキシ、置換アリール、置換アリールオキシ、置換アルケニル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択され、
Ｒ１１、Ｒ１２、及びＲ１３は、互いに独立して、Ｈ、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、アルケニル、置換アルキル、置換アルコキシ、置換アリール、置換アリールオキシ、置換アルケニル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択され、
Ｒ３及びＲ４は、互いに独立して、アルコキシ、ビニル、ヒドロキシル、カルボン酸、エステル、Ｈ、アルキル、アリール、置換アルコキシ、置換カルボン酸、置換エステル、置換ビニル、置換アルキル、置換アリール、及びそれらの組み合わせからなる群から選択され、
ｎは、前記前駆体の粘度が１〜１５０ｍＰａｓの範囲になるように選択され、
Ｒ１及びＲ２及びＲ１１、Ｒ１２及びＲ１３のアルコキシ含有量は、一般式で表される化合物に対して１０重量％から５０重量％の範囲内である）
から選ばれる１種の構造を有する前駆体を含む、ステップと、
前記ピクセルの前記放射線出射面の少なくとも一部または一時的な基板の上に、直接、前記出発混合物を適用するステップと、
前記出発混合物を硬化させて、前記放射線出射面の少なくとも一部に適用された変換層（１０）を得るためのステップであって、架橋された前記出発混合物は、マトリックスに分散された前記蛍光体を含み、前記変換層（１０）は、厚さが３０μｍ以下となるように適用されるステップと、
を含む、方法。
【請求項１６】
前記出発混合物に少なくとも１種の添加剤が添加され、前記添加剤が、触媒、ナノ粒子、有機金属化合物、有機分子、有機ポリマー、無機ポリマー、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記放射線出射面の少なくとも一部または一時的な基板への前記出発混合物の適用を、スクリーン印刷、ステンシル印刷、スプレーコーティング、及びインク噴射からなる群から選択される方法により実施する、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記硬化を室温または高温で実施する、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記出発混合物を、一時的な基板に適用し、前記一時的な基板上で硬化させ、前記半導体チップ（２０）の前記ピクセルの少なくとも１つの前記放射線出射面に接着させ、前記接着の後に、前記一時的な基板から除去する、請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記出発混合物の前記放射線出射面の少なくとも一部への適用を、少なくとも１回繰り返す、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の方法。