(57)【要約】磁性材スパッタリングターゲットの組成になるように調合した原料粉末を、バッキングプレートと共にダイスへ充填し、ホットプレスすることにより、前記磁性材ターゲット粉末の焼結と同時にバッキングプレートに接合したことを特徴とするスパッタリングターゲット?バッキングプレート組立体。バッキングプレートにターゲットの原料粉末を配置し、焼結することにより、高い平均漏洩磁束を得ることができ、より安定してスパッタできるスパッタリングターゲット?バッキングプレート組立体を得ることを課題とする。また焼結と接合を同時に行うことによって、製造プロセスが少なく、製造期間を短縮でき、スパッタ中の温度上昇による剥離問題が生じさせない同組立体を提供する。また、コスト低減化とＰＴＦ（漏洩磁束）を向上させたスパッタリングターゲット?バッキングプレート組立体を可能とすることを課題とする。
2011102359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材スパッタリングターゲットの組成になるように調合した原料粉末を、バッキングプレートと共にダイスへ充填し、ホットプレスすることにより、前記磁性材ターゲット粉末の焼結と同時にバッキングプレートに接合したことを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項２】
前記磁性材ターゲットが、金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料が微細分散した材料であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項３】
前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを２５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項４】
前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項５】
前記磁性材ターゲットが、さらにＲｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素の１種以上を合計で１２ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項４記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項６】
前記磁性材ターゲットが、さらにＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有することを特徴とする請求項４又は５に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項７】
バッキングプレートの透磁率が、ターゲットよりも低い透磁率を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項８】
バッキングプレートの透磁率が、１．０以下の非磁性材からなるバッキングプレートであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項９】
バッキングプレートが、金属相のみであるか又は該金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料を微細分散させた非磁性体であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１０】
バッキングプレートの金属相が、Ｃｏを含有し、且つＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素のうち１種以上を含有することを特徴とする請求項９記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１１】
バッキングプレートの金属相中に分散する前記無機物材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択される少なくとも１種以上の元素からなる酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素であることを特徴とする請求項９又は１０記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１２】
バッキングプレートが、Ｃｒを１９〜４０ｍｏｌ％、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有し、残部がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１３】
バッキングプレートと磁性材ターゲットの線膨張率の差が、室温から１０００°Ｃまでの間で最大０．５以内であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１４】
バッキングプレートがスパッタリングターゲットのスクラップ材又は廃材を原料として作製された請求項１〜１３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１５】
磁性材スパッタリングターゲットの組成になるように調合した原料粉末を、バッキングプレートと共にダイスへ充填した後、ホットプレスし、前記磁性材ターゲット粉末の焼結と同時にバッキングプレートに接合することを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、ＰＴＦ（漏洩磁束）を向上させたスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体に関する。
【背景技術】
【０００２】 近年、膜厚や成分を容易に制御できるスパッタリング法が、電子・電気部品用材料の成膜法の一つとして多く使用されている。 このスパッタリング法は正の電極と負の電極とからなるターゲットとを対向させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。【０００３】 このスパッタリング法を用いる場合、ターゲットの形状や特性の良否が、基板へ成膜される薄膜の性質に大きな影響を与える。また、ターゲットの製造工程の工夫により生産コストに影響を与える。 一般に、スパッタリング装置の種類によって、使用できるスパッタリングターゲットの形状が決められる。ターゲットをバッキングプレートにボンディングせずに、ターゲットそのものを使用するのが平均的な形状である。この場合は、ターゲット自体がバッキングプレートを兼ねているとも言える。【０００４】 しかし、スパッタリングターゲットの価格を低減する場合又は漏洩磁束向上など、必要性がある場合には、安価で非磁性材料を用いたバッキングプレートに、ターゲットをボンディングする手法がとられることが多い。 ボンディング方法として一般的な方法の一つはインジウムなどのロウ材を使用する方法である。しかし、この場合は、スパッタリング中にスパッタリングターゲットの温度上昇し、これによってロウ材の融点以上に温度が上昇し、ボンディング剥がれを起こしてしまうという問題がある。【０００５】 これを解決する手段としてとられる方法としてディフュージョンボンディング（拡散接合）と呼ばれるものがある。これは、ロウ材を一切用いず、スパッタリングターゲット材とバッキングプレートを合わせた後、高温・高圧下に曝すことで固相拡散する方法である。但し、この場合は、スパッタリングターゲットとバッキングプレートのそれぞれを、予め機械加工しておく準備が必要なため、工程が長くなり、コスト高になるという欠点があった。【０００６】  一方、ハードディスクを作製する時には、磁性材料をマグネトロンスパッタする方法が一般的である。しかし、磁性材料のスパッタリングターゲットは、貴金属を含み高価であることが多い。また、透磁率が高いと漏洩磁束が不十分となり、放電が安定しないか又は放電が全く起こらない、などの問題が起こる。【０００７】  したがって、磁性材用途では、ＰＴＦ（漏洩磁束）の向上のために、より高いＰＴＦのターゲットが求められており、エロージョンされない部分、すなわちバッキングプレートに相当する部分を極力漏洩磁束の大きい材質に変更すること、さらにターゲットとバッキングプレートとを各々製造（焼結等の手段で）し、これらをロウ材による接合や固相拡散接合することが試みられた。【０００８】 しかし、上記のように、これらの接合の場合には、ターゲット及びバッキングプレートの両者を、組合せ時に隙間が生じないように、予め適切な形状に切削加工しておく必要があるが、これはスパッタリング中に両者が界面で剥離するという、磁性材料という特殊な材料でも例外ではなく、上記で述べた一般的なターゲット−バッキングプレート組立体と同様の問題が生じた。【０００９】 さらに、従来技術を述べると、バッキングプレートへボンディングする方法は低価格化対策の一つであるが、一般的にバッキングプレート形状は平板であり、エロージョンできる深さが減ってしまうため、研究機関において少量スパッタリングする時には有効であるが、ハードディスクの大量生産には不向きであった。 それは、ロウ材を用いた場合もディフュージョンボンディングした場合でも、粉末とバッキングプレートを同時焼結する場合も同様であった。したがって、バッキングプレートの厚さを単純に薄くするだけでは、本来の目的である低価格化が達成されない。【００１０】 このようなことから、深くエロージョンされる部分と、あまりエロージョンされない部分があることを利用し、エロージョン形状に合わせてバッキングプレート厚を変化させると、ボンディング方法によっては低価格化も高漏洩磁束化も達成することができる。このボンディング方法は、粉末とバッキングプレートを同時焼結するものである。 一方、ロウ材を用いた方法やディフュージョンボンディングする方法を用いると、用意するターゲット母材の形状が小さくできず、また機械加工を施す工程がボンディング前に必要となるため、結局低価格化の障壁となってしまうという問題がある。 上記から、成型された固体同士の接合は、ボンディング材を使用した場合は接合部の強度の問題、拡散接合する場合は製造工程の煩雑さから生産コストの上昇を招くという問題があった。【００１１】  従来公知の技術として、Ｗ−Ｔｉターゲットの粉末とバッキングプレートとを焼結する際の、工程を短くする手段として、スパッタリングターゲット材の組成になるように準備した粉末をバッキングプレートと一緒にカプセルに充填し、ＨＩＰ処理する方法が提案されている（特許文献１参照）。この場合、スパッタリングターゲットの焼結工程とバッキングプレートとの接合工程が同時に行われているが、工程が複雑で、高価なＨＩＰを用いて処理を採用しなければならないというターゲット材料の特殊性がある。【００１２】 また、ターゲット・インサートを支持板に接合する際に、タングステン粉末などの高純度粉末を一旦成型してターゲット・インサートを作製し、これを窪みのある支持板に直接圧縮し、固相拡散させてボンディングがスパッタリング中に剥がれを防止する技術が開示されている（特許文献２参照）。 また、母材金属と分散金属からなる圧粉体の上に母材金属のインゴットを載せ、このインゴットを溶解して圧粉体の空孔に金属を浸透させて接合し、このインゴットの一部をバッキングプレートとする技術が開示されている（特許文献３参照）。【００１３】 セラミックスターゲット板の周囲に金属を接着し、このターゲット板を灰皿型のＣｕ製バッキングプレートに載置しホットプレスして接合する技術が開示されている（特許文献４参照）。この目的は冷却と割れ防止である。また、アルミニウム成分を含むターゲット、ターゲット材料粉末とバッキングプレート材料粉末とをコールドプレス後熱間鍛造プレスする技術が開示されて��る（特許文献５参照）。  しかし、上記の公知技術は、磁性材ターゲットの固有の問題を解決するための具体的手段が開示されていないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】米国特許第５３９７０５０号公報
【特許文献２】特開２００４−５３００４８号公報
【特許文献３】特開２００４−２９３８号公報
【特許文献４】特開平７−１８４３２号公報
【特許文献５】特許第４２２６９００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】 本発明は、バッキングプレートにターゲットの原料粉末を配置し、焼結することにより、高い平均漏洩磁束を得ることができ、より安定してスパッタできるスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を得ることを課題とする。また焼結と接合を同時に行うことによって、製造プロセスが少なく、製造期間を短縮でき、スパッタ中の温度上昇による剥離問題を生じさせない同組立体を提供する。 また、深くエロージョンされる部分が薄く、あまりエロージョンされない部分はむしろ厚いバッキングプレートを用いることを可能とし、それに伴い高価なターゲットをより薄くすることができ、コスト低減化とＰＴＦ（漏洩磁束）を向上させたスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を可能とすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】 上記から、本願発明は、１）磁性材スパッタリングターゲットの組成になるように調合した原料粉末を、バッキングプレートと共にダイスへ充填し、ホットプレスすることにより、前記磁性材ターゲット粉末の焼結と同時にバッキングプレートに接合したことを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体２）前記磁性材ターゲットが、金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料が微細分散した材料であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体３）前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを２５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなることを特徴とする上記１）又は２）記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体４）前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなることを特徴とする上記１）又は２）記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体５）前記磁性材ターゲットが、さらにＲｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素の１種以上を合計で１２ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする上記３）又は４）記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体６）前記磁性材ターゲットが、さらにＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有することを特徴とする上記３）〜５）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体、を提供する。【００１７】 また、本願発明は、７）バッキングプレートの透磁率が、ターゲットよりも低い透磁率を有することを特徴とする上記１）〜６）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体８）バッキングプレートの透磁率が、１．０以下の非磁性材からなるバッキングプレートであることを特徴とする上記１）〜７）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体９）バッキングプレートが、金属相のみであるか又は該金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料を微細分散させた非磁性体であることを特徴とする、上記１）〜８）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体１０）バッキングプレートの金属相が、Ｃｏを含有し、且つＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素のうち１種以上を含有することを特徴とする上記９）記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体１１）バッキングプレートの金属相中に分散する前記無機物材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択される少なくとも１種以上の元素からなる酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素であることを特徴とする上記９）又は１０）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体１２）バッキングプレートが、Ｃｒを１９〜４０ｍｏｌ％、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以���の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有し、残部がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする上記１）〜１１）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体、を提供する。【００１８】 また、本願発明は、１３）バッキングプレートと磁性材ターゲットの線膨張率の差が、室温から１０００°Ｃまでの間で最大０．５以内であることを特徴とする上記１）〜１２）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体１４）バッキングプレートがスパッタリングターゲットのスクラップ材又は廃材を原料として作製された上記１）〜１３）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体１５）磁性材スパッタリングターゲットの組成になるように調合した原料粉末を、バッキングプレートと共にダイスへ充填した後、ホットプレスし、前記磁性材ターゲット粉末の焼結と同時にバッキングプレートに接合することを特徴とする上記１）〜１４）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法、を提供する。
【発明の効果】
【００１９】 本発明は、バッキングプレートにターゲットの原料粉末を配置し、焼結することによって製造されたスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体において、高い平均漏洩磁束を得ることができる。そのため、より安定してスパッタできる、高品質な製品を提供できるという優れた効果を有する。 また、焼結と接合を同時に行うため、製造プロセスが少なく、製造期間を短縮でき、またＩｎなどのロウ材を使用する接合方法とは違い、スパッタ中の温度上昇による剥離問題が起こらないという効果がある。【００２０】 さらに、深くエロージョンされる部分が薄く、あまりエロージョンされない部分はむしろ厚いバッキングプレートを用いることを可能とし、それに伴い高価なターゲットをより薄くすることができ、コスト低減化とＰＴＦ（漏洩磁束）を向上させたスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を提供することが可能であるという効果があり、さらにエロージョンされない部分はＰｔを含まない材質とすることで、一体型のターゲットに比べて原料代が抑えられるという効果がある。【００２１】 以上から、目標組成になるよう調合されたスパッタリングターゲットとなる原料粉末とバッキングプレートを焼結と同時に接合することにより、磁性材スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を安価に、かつ安定して提供できる技術を提供することができるという著しい効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施例１に示すターゲットとバッキングプレート材料からなる接合体の概要を示す説明図である。
【図２】実施例２及び４に示す灰皿型のターゲット−バッキングプレート組立体の概要を示す説明図である。
【図３】本願発明の灰皿型バッキングプレートを使用した場合のエロージョンプロファイルの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】 本願発明のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体は、磁性材スパッタリングターゲットの組成になるように調合した原料粉末を、バッキングプレートと共にダイスへ充填し、ホットプレスすることにより、前記磁性材ターゲット粉末の焼結と同時にバッキングプレートに接合する。バッキングプレートは、焼結体でも溶解したものでも、いずれも使用可能である。 カーボングラファイト製ダイスに、前記バッキングプレートを配置し、このバッキングプレートの上にターゲットの原料粉末を積載した後、真空中、温度１０００〜１２００°Ｃ、圧力２０〜４０ＭＰａ、保持時間６０〜１２０分でホットプレスすることによって、容易に製造することができる。
【００２４】 このように、焼結と接合を同時に行うため、製造プロセスが少なく、製造期間を短縮でき、またＩｎなどのロウ材を使用する接合方法の欠点とは相違し、スパッタ中の温度上昇による剥離問題が起こらないという効果がある。 また、深くエロージョンされる部分が薄く、あまりエロージョンされない部分はむしろ厚いバッキングプレートを用いることができ、逆に高価なターゲットをより薄くすることができ、コスト低減化とＰＴＦ（漏洩磁束）を向上させることができる。
【００２５】 また、本発明のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体は、高い平均漏洩磁束を得ることができるので、より安定してスパッタでき、高品質な製品を提供できるという優れた効果を有する。 一般に、安定したスパッタリングを実施するために、装置によってはＰＴＦが５０％以上であることが必要である場合もあるが、例えばＰＴＦが５０％を下回るターゲットであっても、本願発明によれば、このターゲットの厚さをそのままにして、ＰＴＦを５０％以上にすることができるという大きなメリットがある。本願発明は、上記のようなターゲットを包含するものである。
【００２６】 本願発明のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の磁性材ターゲットは、金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料が微細分散した材料とすることができる。また、本発明の磁性材ターゲットは、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを２５ｍｏｌ％以下、のいずれか一方又は双方を含有し、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体とすることができる。 また、本発明の磁性材ターゲットは、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、のいずれか一方又は双方を含有し、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体とすることができる。
【００２７】 本願発明のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の磁性材ターゲットは、上記ターゲットにおいて、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素の１種以上を合計で１２ｍｏｌ％以下を含有させることができる。 本願発明のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の磁性材ターゲットは、上記ターゲットに、さらにＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有させることができる。これらのターゲットは、磁性材として有用な成分である。本願発明のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の磁性材ターゲットは、高い（例えば、５０％以上の）平均漏洩磁束を得ることができる。
【００２８】 本願発明のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体は、バッキングプレートの透磁率が、ターゲットよりも低い透磁率とすることにより、ターゲットの平均漏洩磁束を増加させ、効率的なスパッタリングが可能となる。より好適なバッキングプレートは、透磁率が１．０以下（ＣＧＳ単位系による。以下、同様とする。）の非磁性材である。このように、ターゲット自体の透磁率が、例えば１０を超えるような、高透磁率の材料を使用しても、バッキングプレートの透磁率が低いために、プラズマが立ち、スパッタリングが可能となる。バッキングプレートの透磁率が十分に低ければ、バッキングプレートが、金属相のみでも使用でき、また金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料を微細分散させた非磁性体とすることができる。
【００２９】 これを実現するために、バッキングプレートの金属相に、Ｃｏを含有させ、且つＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素のうち１種以上を含有させることができる。また、金属相としてＦｅを含有させることも可能である。Ｃｏ及びＦｅは、いずれも強磁性体であるので、バッキングプレートの透磁率を低減させる添加物の調整又はバッキングプレート組織を制御することが必要である。また、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体において、前記バッキングプレートの金属相中に分散する前記無機物材料を、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択される少なくとも１種以上の元素からなる酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素とすることができる。
【００３０】 バッキングプレートを、Ｃｒを１９〜４０ｍｏｌ％、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有させ、残部がＣｏ及び不可避的不純物としたスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を提供することができる。 一般に、ターゲットの原料となる粉末は、微細粉末を使用して焼結体ターゲットの密度の向上を図ることが行われているが、本発明は、単に微細粉末を使用することが目的ではない。したがって、既に知られているレベルの平均粒径の粉末を使用することができる。後述する実施例、比較例の粉末では、代表的な粉末の例を示しているが、これらに本願発明が制限されるものでないことは容易に理解できるであろう。
【００３１】 また、バッキングプレートを製作する場合も同様である。後述するように、バッキングプレート材の原料粉末は、多くはターゲットに類似しているので、ターゲットの余剰材又はスクラップを使用することができる。すなわち、バッキングプレートの材料として、スパッタリングターゲットのスクラップ材又は廃材を原料とし、さらに必要に応じて、漏洩磁束を調整できる材料を添加して、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を作製することができる。しかし、余剰材に限定されるものでないことも又容易に理解できるであろう。材料の選択は、あくまで漏洩磁束を増加させることが狙いである。この目的を達成できる材料であれば、反りなどの発生ない材料を使用し、ターゲットを保持できる適度な強度を有する材料を選択すれば良い。これは本願発明の焼結により容易に得ることができる。
【００３２】 本発明では、バッキングプレートの形状を、灰皿型（別名、ＴＵＢ型（バスタブ形状）とも言う。）にするのが有効である。灰皿型のバッキングプレートの形状と寸法は、ターゲットの形状に合わせて調整する必要があることから、特に制限はない。 また、ターゲット−バッキングプレート組立体自体も、スパッタリング装置の種類に基づいて設計する必要があることから、設計は任意である。
【００３３】 灰皿型のバッキングプレートを使用した場合の、ターゲットのエロージョンプロファイルの模式図を図３に示す。この図３において、点線はバッキングプレートを、一点鎖線はターゲットを、実線はエロージョンプロファイルを示す。なお、図３の寸法を示す数値は、いずれも一例を示すものであり、この数値に限定されるものでないことは、容易に理解されるべきものである。 本願発明のターゲット−バッキングプレート組立体は、このような形状にターゲットエロージョンが進行する。このエロージョンプロファイルは、あくまで本願発明の理解を容易にするためであり、このエロージョンプロファイルを参照することにより、本願発明の理解がより容易になるであろう。
【００３４】 バッキングプレートの製造に際するホットプレスの条件は、バッキングプレートとしての適度な強度を達成できれば任意である。また、ターゲットとバッキングプレートの接合体を得る場合も同様である。通常、カーボングラファイト製ダイスを使用し、このダイスに作製したバッキングプレートを配置し、さらにバッキングプレートの上に上記磁性材ターゲットの混合粉末を積載した後、真空中でホットプレスして接合する。
【００３５】 この場合の温度、圧力、保持時間の選定は任意であり、適度な強度のターゲット−バッキングプレート組立体が得られれば良い。いずれも公知の方法を用いることができる。本願発明は、ホットプレスの条件を発明とするものではないこと及び後述する実施例及び比較例に示すホットプレスの条件は、これらの通常行われる代表例を示しているものであり、これらに制限される必要はないことは容易に理解できるであろう。
【００３６】 さらに、バッキングプレートと磁性材ターゲットの線膨張率の差を、室温から１０００°Ｃまでの間で最大０．５以内であるスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を提供することができる。この線膨張率の差を少なくすることにより、ターゲットの反りを防止することができる。以上のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体は、高い（例えば、５０％以上の）平均漏洩磁束を得ることができるので、より安定してスパッタでき、高品質な製品を提供できるという優れた効果を有する。
【実施例】
【００３７】  次に、実施例について説明する。なお、この実施例は理解を容易にするためのものであり、本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内における、他の実施例及び変形は、本発明に含まれるものである。【００３８】（実施例１） 平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末及び平均粒径３μｍのＣｏＯ粉末を用意し、これらの原料粉末をＣｏ−１７Ｃｒ−１５Ｐｔ−５ＳｉＯ２−８ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように調合し、これらの粉末をミキサーで混合し、磁性材ターゲットの混合粉末とした。【００３９】 一方、バッキングプレートについては、同様に平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末及び平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末（なお、これらの粉末の粒径は特に問題とならないので表示しないが、ターゲットの余剰粉末を使用することができる。以下同様である。）を用意し、これらの粉末をＣｏ−２５Ｃｒ−９ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように調合し、この調合した粉末をホットプレスし、さらに機械加工してバッキングプレートとした。【００４０】 このバッキングプレートの透磁率をＢ−Ｈメータ（アナライザ）で測定した結果、透磁率は１．０であった。ターゲットの透磁率はこれよりもかなり高かった。 なお、バッキングプレートの製造に際しては、粉末の粒度は、それほど厳密なものである必要はなく、ターゲットの余剰材であっても良い。また、製造方法はホットプレスに限定する必要もない。適度な強度を達成できれば、製造方法は任意である。これについては、以下同様である。【００４１】 次に、カーボングラファイト製ダイスに、上記作製したバッキングプレートを配置し、このバッキングプレートの上に上記磁性材ターゲットの混合粉末を充填した後、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスし、焼結と同時に接合して、図１に示すターゲットとバッキングプレートからなる接合体を得た。【００４２】 熱機械分析装置（リガク社製、ＴＭＡ−８３１０Ｅ１）で、上記ターゲットとバッキングプレートの線膨張率を測定した。ターゲットは１０００°Ｃにおいて１．４％、５００°Ｃにおいて０．９％、１００°Ｃにおいて０．４％であった。これに対し、バッキングプレートの線膨張率は１０００°Ｃにおいて１．２％、５００°Ｃにおいて０．７％、１００°Ｃにおいて０．３％であった。したがって、室温から１０００°Ｃまでの間での線膨張率の差は最大０．２であった。このように、ターゲットとバッキングプレートの線膨張率が極めて近似しているため、ターゲットの反り、剥離、割れの虞は全くなかった。【００４３】 このターゲットとバッキングプレートからなる接合体を、φ１６５．１０で、バッキングプレート部分が厚み２．００ｍｍ、ターゲット部分が厚み４．３５ｍｍとなるように機械加工してスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を得た。この組立体の平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は５３．０％であった。このように漏洩磁束（ＰＴＦ）が大きいので、スパッタリングが容易であった。この結果のまとめを、表１に示す。【００４４】 なお、漏洩磁束の測定はＡＳＴＭ  Ｆ２０８６−０１（Standard Test Method for  Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets, Method 2）に則して実施した。ターゲットの中心を固定し、０度、３０度、６０度、９０度、１２０度、１５０度、１８０度、２１０度、２４０度、２７０度、３００度、３３０度と回転させて測定した漏洩磁束を、ＡＳＴＭで定義されているreference fieldの値で割り返し、１００を掛けてパーセントで表した。そしてこれら１２点について平均した結果を、平均漏洩磁束（％）として表１に記載した。【００４５】
【表１】
2011102359.tif 000003
【００４６】（比較例１） 実施例１と同様の平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末及び平均粒径３μｍのＣｏＯ粉末を用意し、これらの粉末をターゲット組成であるＣｏ−１７Ｃｒ−１５Ｐｔ−５ＳｉＯ２−８ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように調合し、調合した粉末をミキサーで混合し、磁性材ターゲットの粉末を製造した。【００４７】 これをカーボングラファイト製ダイスに入れ、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスした。この場合は、バッキングプレートを使用していない。このようにして得たターゲット材を、φ１６５．１×６．３５ｔとなるように加工した。このターゲットの平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は４５．０％であった。 スパッタ装置にもよるが、平均漏洩磁束４５．０％では放電が始まらず、スパッタリングができない状態となった。この結果を、同様に表１に示す。【００４８】（実施例２） 実施例１と同様の平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末及び平均粒径３μｍのＣｏＯ粉末を用意し、これらの粉末をターゲット組成であるＣｏ−１７Ｃｒ−１５Ｐｔ−５ＳｉＯ２−８ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように調合し、これらをミキサーで混合し、磁性材ターゲットの粉末を製造した。【００４９】 一方、バッキングプレートについては、同様にＣｏ粉末、Ｃｒ粉末及びＳｉＯ２粉末を用意し、これらの粉末をＣｏ−２５Ｃｒ−９ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）の組成になるように調合し、この調合した粉末をホットプレスし、さらに機械加工してバッキングプレートとした。 このバッキングプレートの透磁率をＢ−Ｈメータ（アナライザ）で測定した結果、透磁率は１．０であった。ターゲットの透磁率はこれよりもかなり高かった。【００５０】 バッキングプレートの形状を内径１５３．７９ｍｍの灰皿型（別名、ＴＵＢ型（バスタブ形状）とも言う。）にした。次に、カーボングラファイト製ダイスに、前記バッキングプレート材を配置し、このバッキングプレート材の上にターゲットの原料粉末を積載した後、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスし、ターゲットとバッキングプレート材料からなる接合体を得た。【００５１】 これをさらに、機械加工してターゲット−バッキングプレート組立体を得た。これを図２に示す。図２の形状と寸法は、次の通りである。径（１）１６２．０２ｍｍ、径（２）１５３．７９ｍｍ、径（３）1６５．１５ｍｍ、厚み（１）４．３７ｍｍ、厚み（２）６．４５ｍｍ、厚み（３）１．７５ｍｍである。バッキングプレートの最厚部は４．４５ｍｍ、最薄部は２．０８ｍｍとした。このように、バッキングプレートが灰皿型であるため、ターゲットの反り、剥離、割れの虞は全くなかった。 この組立体の平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は５４．０％であった。この平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は、実施例１よりもさらに向上した。このように漏洩磁束（ＰＴＦ）が大きいので、スパッタリングが容易であった。この結果を、同様に表１に示す。【００５２】（実施例３） 平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末及び平均粒径３μｍのＣｏＯ粉末を用意し、Ｃｏ−１５Ｃｒ−１８Ｐｔ−５Ｒｕ−４ＴｉＯ２−８ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように調合し、これらの粉末をミキサーで混合し、磁性材ターゲットの原料粉末を製造した。【００５３】 一方、バッキングプレートについては、同様にＣｏ粉末、Ｃｒ粉末及びＳｉＯ２粉末を用意し、これらの粉末をＣｏ−２５Ｃｒ−１０ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）の組成となるように調合し、このバッキングプレート材料をホットプレスし、さらに機械加工し、バッキングプレート材を作製した。 このバッキングプレートの透磁率をＢ−Ｈメータ（アナライザ）で測定した。透磁率は１．０であった。ターゲットの透磁率はこれよりもかなり高かった。【００５４】 次に、カーボングラファイト製ダイスに、前記バッキングプレート材を配置し、このバッキングプレート材の上にターゲットの原料粉末を積載した後、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスし、図１に示すターゲットとバッキングプレート材料からなる接合体を得た。【００５５】 ターゲットは１０００°Ｃにおいて０．７％、５００°Ｃにおいて０．３％、１００°Ｃにおいて０．２％であった。これに対し、バッキングプレートの線膨張率は１０００°Ｃにおいて１．０％、５００°Ｃにおいて０．５％、１００°Ｃにおいて０．２％であった。したがって、室温から１０００°Ｃまでの間での線膨張率の差は最大０．３であった。このように、ターゲットとバッキングプレートの線膨張率が極めて近似しているため、ターゲットの反り、剥離、割れの虞は全くなかった。【００５６】 このターゲットとバッキングプレートからなる接合体を、φ１６５．０８で、バッキングプレート部分が厚み２．０５ｍｍ、ターゲット部分が厚み４．３８ｍｍとなるように機械加工してスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体（ＢＰはＣｏ−２５Ｃｒ−１０ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）である）を得た。この組立体の平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は５１．０％であった。このように漏洩磁束（ＰＴＦ）が大きいので、スパッタリングが可能であった。この結果を、同様に表１に示す。【００５７】（実施例４） 実施例３と同様の平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末及び平均粒径３μｍのＣｏＯ粉末を用意し、Ｃｏ−１５Ｃｒ−１８Ｐｔ−５Ｒｕ−４ＴｉＯ２−８ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように調合し、これらをミキサーで混合し、磁性材ターゲットの原料粉末を製造した。【００５８】 一方、バッキングプレートについては、同様にＣｏ粉末、Ｃｒ粉末及びＳｉＯ２粉末を用意し、これらの粉末をＣｏ−２５Ｃｒ−１０ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）の組成となるように調合し、このバッキングプレート材料をホットプレスし、さらに機械加工して、バッキングプレート材を作製した。 このバッキングプレートの透磁率をＢ−Ｈメータ（アナライザ）で測定した。透磁率は１．０であった。ターゲットの透磁率はこれよりもかなり高かった。【００５９】 バッキングプレートの形状を、実施例２と同じ内径１５３．７５ｍｍの灰皿型にした。次に、カーボングラファイト製ダイスに、作製した前記バッキングプレートを配置し、このバッキングプレート材の上にターゲット粉末を積載した後、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスし、ターゲットとバッキングプレート材料からなる接合体を得た。【００６０】 これをさらに、機械加工してターゲット−バッキングプレート組立体を得た。これを図２に示す。図２の形状と寸法は、次の通りである。径（１）１６１．９８ｍｍ、径（２）１５３．７５ｍｍ、径（３）1６５．１８ｍｍ、厚み（１）４．３５ｍｍ、厚み（２）６．３８ｍｍ、厚み（３）１．７６ｍｍである。バッキングプレートの最厚部は４．４２ｍｍ、最薄部は２．０３ｍｍとした。このように、バッキングプレートが灰皿型であるため、ターゲットの反り、剥離、割れの虞は全くなかった。 この組立体の平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は５２.２％であった。この平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は、実施例３よりもさらに向上した。このように漏洩磁束（ＰＴＦ）が大きいので、スパッタリングが容易であった。この結果を、同様に表１に示す。【００６１】（比較例２） 実施例３と同様の平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｏＯ粉末を用意し、これらの粉末をＣｏ−１５Ｃｒ−１８Ｐｔ−５Ｒｕ−４ＴｉＯ２−８ＣｏＯ（ｍｏｌ％）の組成となるように調合し、これらをミキサーで混合し、磁性材ターゲットの原料粉末を製造した。【００６２】 これをカーボングラファイト製ダイスに入れ、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスした。この場合は、バッキングプレートを使用していない。このようにして得たターゲット材を、φ１６５．１×６．３５ｔとなるように加工した。このターゲットの平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は４３.４％であった。 スパッタ装置にもよるが、平均漏洩磁束４３.４％では放電が始まらず、スパッタリングができない状態となった。この結果を、同様に表１に示す。 上記比較例１及び比較例２から、単純な製造工程（一体ものを製造する工程）で得た磁性材ターゲットでは、漏洩磁束（ＰＴＦ）が小さいため、スパッタリングができないことが理解できる。【００６３】（実施例５） 平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末及び平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意し、Ｃｏ―１６Ｃｒ―１０Ｐｔ−３ＴｉＯ２−３ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように調合し、これらの粉末をミキサーで混合し、磁性材ターゲットの原料粉末を製造した。【００６４】 一方、バッキングプレートについては、同様にＣｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＴｉＯ２粉末を用意し、これらの粉末をＣｏ−２５Ｃｒ−３ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）の組成となるように調合し、このバッキングプレート材料をホットプレスし、さらに機械加工し、バッキングプレート材を作製した。 このバッキングプレートの透磁率をＢ−Ｈメータ（アナライザ）で測定した。透磁率は１．０であった。ターゲットの透磁率はこれよりもかなり高かった。【００６５】 次に、カーボングラファイト製ダイスに、前記バッキングプレー���材を配置し、このバッキングプレート材の上にターゲットの原料粉末を積載した後、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスし、図１に示すターゲットとバッキングプレート材料からなる接合体を得た。【００６６】 ターゲットは１０００°Ｃにおいて０．８％、５００°Ｃにおいて０．３％、１００°Ｃにおいて０．２％であった。これに対し、バッキングプレートの線膨張率は１０００°Ｃにおいて１．０％、５００°Ｃにおいて０．５％、１００°Ｃにおいて０．２％であった。したがって、室温から１０００°Ｃまでの間での線膨張率の差は最大０．２であった。このように、ターゲットとバッキングプレートの線膨張率が極めて近似しているため、ターゲットの反り、剥離、割れの虞は全くなかった。【００６７】 このターゲットとバッキングプレートからなる接合体を、φ１６５．０８で、バッキングプレート部分が厚み２．０５ｍｍ、ターゲット部分が厚み４．３８ｍｍとなるように機械加工してスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体（ＢＰはＣｏ−２５Ｃｒ−３ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）である）を得た。この組立体の平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は５０．０％であった。このように漏洩磁束（ＰＴＦ）が大きいので、スパッタリングが可能であった。この結果を、同様に表１に示す。【００６８】（実施例６） 実施例５と同様の平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末及び平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意し、Ｃｏ−１６Ｃｒ−１０Ｐｔ−３ＴｉＯ２−３ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように調合し、これらをミキサーで混合し、磁性材ターゲットの原料粉末を製造した。【００６９】 一方、バッキングプレートについては、同様にＣｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＴｉＯ２粉末を用意し、これらの粉末をＣｏ−２５Ｃｒ−３ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）の組成となるように調合し、このバッキングプレート材料をホットプレスし、さらに機械加工して、バッキングプレート材を作製した。 このバッキングプレートの透磁率をＢ−Ｈメータ（アナライザ）で測定した。透磁率は１．０であった。ターゲットの透磁率はこれよりもかなり高かった。【００７０】 バッキングプレートの形状を、実施例２と同じ内径１５３．７５ｍｍの灰皿型にした。次に、カーボングラファイト製ダイスに、作製した前記バッキングプレートを配置し、このバッキングプレート材の上にターゲット粉末を積載した後、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスし、ターゲットとバッキングプレート材料からなる接合体を得た。【００７１】 これをさらに、機械加工してターゲット−バッキングプレート組立体を得た。これを図２に示す。図２の形状と寸法は、次の通りである。径（１）１６１．９８ｍｍ、径（２）１５３．７５ｍｍ、径（３）1６５．１８ｍｍ、厚み（１）４．３５ｍｍ、厚み（２）６．３８ｍｍ、厚み（３）１．７６ｍｍである。バッキングプレートの最厚部は４．４２ｍｍ、最薄部は２．０３ｍｍとした。このように、バッキングプレートが灰皿型であるため、ターゲットの反り、剥離、割れの虞は全くなかった。 この組立体の平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は５０.５％であった。この平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は、実施例５よりもさらに向上した。このように漏洩磁束（ＰＴＦ）が大きいので、スパッタリングが容易であった。この結果を、同様に表１に示す。【００７２】（実施例７） 平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末及び平均粒径１μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意し、Ｃｏ−１６Ｃｒ−３ＴｉＯ２−２ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように調合し、これらの粉末をミキサーで混合し、磁性材ターゲットの原料粉末を製造した。【００７３】 一方、バッキングプレートについては、同様にＣｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末を用意し、これらの粉末をＣｏ−２２Ｃｒ−２Ｔａ２Ｏ５（ｍｏｌ％）の組成となるように調合し、このバッキングプレート材料をホットプレスし、さらに機械加工し、バッキングプレート材を作製した。 このバッキングプレートの透磁率をＢ−Ｈメータ（アナライザ）で測定した。透磁率は１．０であった。ターゲットの透磁率はこれよりもかなり高かった。【００７４】 次に、カーボングラファイト製ダイスに、前記バッキングプレート材を配置し、このバッキングプレート材の上にターゲットの原料粉末を積載した後、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスし、図１に示すターゲットとバッキングプレート材料からなる接合体を得た。【００７５】 ターゲットは１０００°Ｃにおいて０．７％、５００°Ｃにおいて０．３％、１００°Ｃにおいて０．２％であった。これに対し、バッキングプレートの線膨張率は１０００°Ｃにおいて１．２％、５００°Ｃにおいて０．７％、１００°Ｃにおいて０．３％であった。したがって、室温から１０００°Ｃまでの間での線膨張率の差は最大０．５であった。このように、ターゲットとバッキングプレートの線膨張率が極めて近似しているため、ターゲットの反り、剥離、割れの虞は全くなかった。【００７６】 このターゲットとバッキングプレートからなる接合体を、φ１６５．０８で、バッキングプレート部分が厚み２．０５ｍｍ、ターゲット部分が厚み４．３８ｍｍとなるように機械加工してスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体（ＢＰはＣｏ−２２Ｃｒ−２Ｔａ２Ｏ５（ｍｏｌ％）である）を得た。この組立体の平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は５０．８％であった。このように漏洩磁束（ＰＴＦ）が大きいので、スパッタリングが可能であった。この結果を、同様に表１に示す。【００７７】（実施例８） 実施例７と同様の平均粒径１μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末及び平均粒径１μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意し、Ｃｏ−１６Ｃｒ−３ＴｉＯ２−２ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように調合し、これらをミキサーで混合し、磁性材ターゲットの原料粉末を製造した。【００７８】 一方、バッキングプレートについては、同様にＣｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末を用意し、これらの粉末をＣｏ−２２Ｃｒ−２Ｔａ２Ｏ５（ｍｏｌ％）の組成となるように調合し、このバッキングプレート材料をホットプレスし、さらに機械加工し���、バッキングプレート材を作製した。 このバッキングプレートの透磁率をＢ−Ｈメータ（アナライザ）で測定した。透磁率は１．０であった。ターゲットの透磁率はこれよりもかなり高かった。【００７９】 バッキングプレートの形状を、実施例２と同じ内径１５３．７５ｍｍの灰皿型にした。次に、カーボングラファイト製ダイスに、作製した前記バッキングプレートを配置し、このバッキングプレート材の上にターゲット粉末を積載した後、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスし、ターゲットとバッキングプレート材料からなる接合体を得た。【００８０】 これをさらに、機械加工してターゲット−バッキングプレート組立体を得た。これを図２に示す。図２の形状と寸法は、次の通りである。径（１）１６１．９８ｍｍ、径（２）１５３．７５ｍｍ、径（３）1６５．１８ｍｍ、厚み（１）４．３５ｍｍ、厚み（２）６．３８ｍｍ、厚み（３）１．７６ｍｍである。バッキングプレートの最厚部は４．４２ｍｍ、最薄部は２．０３ｍｍとした。このように、バッキングプレートが灰皿型であるため、ターゲットの反り、剥離、割れの虞は全くなかった。 この組立体の平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は５１.４％であった。この平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は、実施例７よりもさらに向上した。このように漏洩磁束（ＰＴＦ）が大きいので、スパッタリングが容易であった。この結果を、同様に表１に示す。【００８１】（実施例９） 平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意し、Ｆｅ−４１Ｐｔ−９ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように調合し、これらの粉末をミキサーで混合し、磁性材ターゲットの原料粉末を製造した。【００８２】 一方、バッキングプレートについては、同様にＣｏ粉末、Ｃｒ粉末及びＳｉＯ２粉末を用意し、これらの粉末をＣｏ−２５Ｃｒ−９ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）の組成となるように調合し、このバッキングプレート材料をホットプレスし、さらに機械加工し、バッキングプレート材を作製した。 このバッキングプレートの透磁率をＢ−Ｈメータ（アナライザ）で測定した。透磁率は１．０であった。ターゲットの透磁率はこれよりもかなり高かった。【００８３】 次に、カーボングラファイト製ダイスに、前記バッキングプレート材を配置し、このバッキングプレート材の上にターゲットの原料粉末を積載した後、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスし、図１に示すターゲットとバッキングプレート材料からなる接合体を得た。【００８４】 ターゲットは１０００°Ｃにおいて０．７％、５００°Ｃにおいて０．３％、１００°Ｃにおいて０．２％であった。これに対し、バッキングプレートの線膨張率は１０００°Ｃにおいて１．０％、５００°Ｃにおいて０．５％、１００°Ｃにおいて０．２％であった。したがって、室温から１０００°Ｃまでの間での線膨張率の差は最大０．３であった。このように、ターゲットとバッキングプレートの線膨張率が極めて近似しているため、ターゲットの反り、剥離、割れの虞は全くなかった。【００８５】 このターゲットとバッキングプレートからなる接合体を、φ１６５．０８で、バッキングプレート部分が厚み２．０５ｍｍ、タ��ゲット部分が厚み４．３８ｍｍとなるように機械加工してスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体（ＢＰはＣｏ−２５Ｃｒ−９ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）である）を得た。この組立体の平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は９２．５％であった。このように漏洩磁束（ＰＴＦ）は低下することなく、スパッタリングが可能であった。この結果を、同様に表１に示す。【００８６】（実施例１０） 実施例９と同様の平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意し、Ｆｅ−４１Ｐｔ−９ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように調合し、これらをミキサーで混合し、磁性材ターゲットの原料粉末を製造した。【００８７】 一方、バッキングプレートについては、同様にＣｏ粉末、Ｃｒ粉末及びＳｉＯ２粉末を用意し、これらの粉末をＣｏ−２５Ｃｒ−９ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）の組成となるように調合し、このバッキングプレート材料をホットプレスし、さらに機械加工して、バッキングプレート材を作製した。 このバッキングプレートの透磁率をＢ−Ｈメータ（アナライザ）で測定した。透磁率は１．０であった。ターゲットの透磁率はこれよりもかなり高かった。【００８８】 バッキングプレートの形状を、実施例２と同じ内径１５３．７５ｍｍの灰皿型にした。次に、カーボングラファイト製ダイスに、作製した前記バッキングプレートを配置し、このバッキングプレート材の上にターゲット粉末を積載した後、真空中、温度１１００°Ｃ、圧力３０ＭＰａ、保持時間９０分でホットプレスし、ターゲットとバッキングプレート材料からなる接合体を得た。【００８９】 これをさらに、機械加工してターゲット−バッキングプレート組立体を得た。これを図２に示す。図２の形状と寸法は、次の通りである。径（１）１６１．９８ｍｍ、径（２）１５３．７５ｍｍ、径（３）1６５．１８ｍｍ、厚み（１）４．３５ｍｍ、厚み（２）６．３８ｍｍ、厚み（３）１．７６ｍｍである。バッキングプレートの最厚部は４．４２ｍｍ、最薄部は２．０３ｍｍとした。このように、バッキングプレートが灰皿型であるため、ターゲットの反り、剥離、割れの虞は全くなかった。 この組立体の平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は９４．０％であった。この平均漏洩磁束（ＰＴＦ）は、実施例９よりもさらに向上した。このように漏洩磁束（ＰＴＦ）は低下することなく、スパッタリングが容易であった。この結果を、同様に表１に示す。
【産業上の利用可能性】
【００９０】 本発明は、バッキングプレートにターゲットの原料粉末を配置し、焼結することによって製造されたスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体において、高い（例えば、５０％以上の）平均漏洩磁束を得ることができる。そのため、より安定してスパッタできる、高品質な製品を提供できるという優れた効果を有する。 さらに、焼結と接合を同時に行うため、製造プロセスが少なく、製造期間を短縮でき、またＩｎなどのロウ材を使用する接合方法とは違い、スパッタ中の温度上昇による剥離問題が起こらないという効果がある。【００９１】 また、深くエロージョンされる部分が薄く、あまりエロージョンされない部分はむしろ厚いバッキングプレートを用いることを可能とし、それに伴い高価なターゲットをより薄くすることができ、コスト低減化とＰＴＦ（漏洩磁束）を向上させたスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を提供することが可能であるという効果があり、さらにエロージョンされない部分はＰｔを含まない材質とすることで、一体型のターゲットに比べて原料代が抑えられるという効果がある。【００９２】 以上から、目標組成になるよう調合されたスパッタリングターゲットとなる原料粉末とバッキングプレートを焼結と同時に接合することにより、磁性材スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を安価に、かつ安定して提供できる技術を提供することができるという効果を有するので、磁性材ターゲットとして極めて有用である。
【図１】
2011102359.tif 000004
【図２】
2011102359.tif 000005
【図３】
2011102359.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材スパッタリングターゲットとバッキングプレートからなり、バッキングプレートの透磁率が、ターゲットよりも低い透磁率を有することを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項２】
前記磁性材ターゲットが、金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料が微細分散した材料であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項３】
前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを２５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項４】
前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項５】
前記磁性材ターゲットが、さらにＲｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素の１種以上を合計で１２ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項４記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項６】
前記磁性材ターゲットが、さらにＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有することを特徴とする請求項４又は５に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項７】
（削除）
【請求項８】
バッキングプレートの透磁率が、１．０以下の非磁性材からなるバッキングプレートであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項９】
バッキングプレートが、金属相のみであるか又は該金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料を微細分散させた非磁性体であることを特徴とする、請求項１〜６、８のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１０】
バッキングプレートの金属相が、Ｃｏを含有し、且つＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素のうち１種以上を含有することを特徴とする請求項９記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１１】
バッキングプレートの金属相中に分散する前記無機物材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択される少なくとも１種以上の元素からなる酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素であることを特徴とする請求項９又は１０記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１２】
バッキングプレートが、Ｃｒを１９〜４０ｍｏｌ％、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有し、残部がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする請求項１〜６、８〜１１のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１３】
バッキングプレートと磁性材ターゲットの線膨張率の差が、室温から１０００°Ｃまでの間で最大０．５以内であることを特徴とする請求項１〜６、８〜１２のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１４】
バッキングプレートがスパッタリングターゲットのスクラップ材又は廃材を原料として作製された請求項１〜６、８〜１３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１５】
磁性材スパッタリングターゲットの組成になるように調合した原料粉末を、バッキングプレートと共にダイスへ充填した後、ホットプレスし、前記磁性材ターゲット粉末の焼結と同時にバッキングプレートに接合することを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項１６】
バッキングプレートの透磁率が、ターゲットよりも低い透磁率を有することを特徴とする請求項１５記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項１７】
前記磁性材ターゲットが、金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料が微細分散した材料であることを特徴とする請求項１５又は１６記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項１８】
前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを２５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項１９】
前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２０】
前記磁性材ターゲットが、さらにＲｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素の１種以上を合計で１２ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項１９記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２１】
前記磁性材ターゲットが、さらにＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有することを特徴とする請求項１９又は２０に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２２】
バッキングプレートの透磁率が、１．０以下の非磁性材からなるバッキングプレートであることを特徴とする請求項１５〜２１のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２３】
バッキングプレートが、金属相のみであるか又は該金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料を微細分散させた非磁性体であることを特徴とする、請求項１５〜２２のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２４】
バッキングプレートの金属相が、Ｃｏを含有し、且つＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素のうち１種以上を含有することを特徴とする請求項２３記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２５】
バッキングプレートの金属相中に分散する前記無機物材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択される少なくとも１種以上の元素からなる酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素であることを特徴とする請求項２３又は２４記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２６】
バッキングプレートが、Ｃｒを１９〜４０ｍｏｌ％、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有し、残部がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする請求項１５〜２５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２７】
バッキングプレートと磁性材ターゲットの線膨張率の差が、室温から１０００°Ｃまでの間で最大０．５以内であることを特徴とする請求項１５〜２６のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２８】
バッキングプレートがスパッタリングターゲットのスクラップ材又は廃材を原料として作製することを特徴とする請求項１５〜２７のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材スパッタリングターゲットとバッキングプレートからなり、バッキングプレートの透磁率が、ターゲットよりも低い透磁率を有することを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項２】
前記磁性材ターゲットが、金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料が微細分散した材料であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項３】
前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを２５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項４】
前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項５】
前記磁性材ターゲットが、さらにＲｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素の１種以上を合計で１２ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項４記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項６】
前記磁性材ターゲットが、さらにＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有することを特徴とする請求項４又は５に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項７】
バッキングプレートの透磁率が、１．０以下の非磁性材からなるバッキングプレートであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項８】
バッキングプレートが、金属相のみであるか又は該金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料を微細分散させた非磁性体であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項９】
バッキングプレートの金属相が、Ｃｏを含有し、且つＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素のうち１種以上を含有することを特徴とする請求項８記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１０】
バッキングプレートの金属相中に分散する前記無機物材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択される少なくとも１種以上の元素からなる酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素であることを特徴とする請求項８又は９記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１１】
バッキングプレートが、Ｃｒを１９〜４０ｍｏｌ％、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有し、残部がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１２】
バッキングプレートと磁性材ターゲットの線膨張率の差が、室温から１０００°Ｃまでの間で最大０．５以内であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１３】
バッキングプレートがスパッタリングターゲットのスクラップ材又は廃材を原料として作製された請求項１〜１２のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
【請求項１４】
磁性材スパッタリングターゲットの組成になるように調合した原料粉末を、バッキングプレートと共にダイスへ充填した後、ホットプレスし、前記磁性材ターゲット粉末の焼結と同時にバッキングプレートに接合することを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項１５】
バッキングプレートの透磁率が、ターゲットよりも低い透磁率を有することを特徴とする請求項１４記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項１６】
前記磁性材ターゲットが、金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料が微細分散した材料であることを特徴とする請求項１４又は１５記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項１７】
前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを２５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項１８】
前記磁性材ターゲットが、Ｃｒを１８ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、の一方又は双方を含有し、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項１４〜１７のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項１９】
前記磁性材ターゲットが、さらにＲｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素の１種以上を合計で１２ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項１８記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２０】
前記磁性材ターゲットが、さらにＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有することを特徴とする請求項１８又は１９に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２１】
バッキングプレートの透磁率が、１．０以下の非磁性材からなるバッキングプレートであることを特徴とする請求項１４〜２０のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２２】
バッキングプレートが、金属相のみであるか又は該金属相中に炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した１成分以上の無機物材料を微細分散させた非磁性体であることを特徴とする、請求項１４〜２１のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２３】
バッキングプレートの金属相が、Ｃｏを含有し、且つＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃから選択される元素のうち１種以上を含有することを特徴とする請求項２２記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２４】
バッキングプレートの金属相中に分散する前記無機物材料が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択される少なくとも１種以上の元素からなる酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素であることを特徴とする請求項２２又は２３記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２５】
バッキングプレートが、Ｃｒを１９〜４０ｍｏｌ％、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂから選択した１種以上の元素の酸化物、窒化物、炭化物若しくは炭窒化物、又は炭素を合計５〜１５ｍｏｌ％含有し、残部がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする請求項１４〜２４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２６】
バッキングプレートと磁性材ターゲットの線膨張率の差が、室温から１０００°Ｃまでの間で最大０．５以内であることを特徴とする請求項１４〜２５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【請求項２７】
バッキングプレートがスパッタリングターゲットのスクラップ材又は廃材を原料として作製することを特徴とする請求項１４〜２６のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
【国際調査報告】
2011102359.tif 000007
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2011102359.tif 000009
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2011102359.tif 000014