(57)【要約】  ホットメルト加工技術によるガラス物品の製造方法が本明細書に開示される。該方法は、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの使用を包含する。砒素が存在しないにもかかわらず、カルコゲナイドガラスは、低い特性温度を有し、かつ、結晶化に対して安定である。低い特性温度によって、ガラスは従来の機器を使用してホットメルト加工できるようになる。本明細書に開示されるガラスは、ＩＲ透過性光学デバイスを含むがそれに限定されない、光学デバイスの製作に適している。
2019521069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスをホットメルト加工してガラス物品を製造する工程を含む、ガラス物品の製造方法。
【請求項２】
前記ホットメルト加工が、射出成形、押出成形、トランスファー成形、プロファイル抽出、又はホットエンボス加工を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ホットメルト加工が、５００℃未満の温度での射出成形を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスが、５００℃以下の温度で１０，０００ポアズ以下の粘度を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスが、１，０００秒−１〜１０，０００秒−１の範囲の剪断速度で、結晶化に対して耐性であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスが、４０原子％〜８５原子％の量のセレン（Ｓｅ）と、リン（Ｐ）、ガリウム（Ｇａ）、アンチモン（Ｓｂ）、スズ（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、硫黄（Ｓ）、又はそれらのいずれかの組合せからなる群より選択される少なくとも１つの元素とを含み；
Ｐが０原子％〜２５原子％であり；Ｇａが０原子％〜８原子％であり；Ｓｂが０原子％〜１５原子％であり；Ｓｎが０原子％〜８原子％であり；Ｇｅが０原子％〜２０原子％であり；Ｓが０原子％〜４０原子％であり、ここで、Ｐ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、及びＧｅの合計が１５原子％〜３０原子％であり、かつ、Ｓ／（Ｓｅ＋Ｓ）の原子比が０〜０．５である
ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ガラスがリンを含まないことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記ガラス物品が、３μｍ〜６μｍの範囲の各波長において３０％〜７０％の範囲の透過性（２ｍｍの厚さで反射損失は補正せず、％透過率で表示）を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ガラス物品が、６μｍ〜９μｍの範囲の各波長において３０％〜７０％の範囲の透過性（２ｍｍの厚さで反射損失は補正せず、％透過率で表示）を有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ガラス物品が、９μｍ〜１１μｍの範囲の各波長において３０％〜７０％の範囲の透過性（２ｍｍの厚さで反射損失は補正せず、％透過率で表示）を有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法によって製造されたガラス物品。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、その内容が依拠され、その全体がここに参照することによって本願に援用される、２０１６年７月１８日出願の米国仮特許出願第６２／３６３，５７０号の米国法典第３５編特許法１１９条に基づく優先権の利益を主張する。
【技術分野】
【０００２】
本開示は、ホットメルト加工のためのヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの使用に関する。
【背景技術】
【０００３】
さまざまなプラスチック物品の製造に用いられる効率的、安価、かつ低温のプロセスは、多くの技術応用において、有機ポリマー材料がガラスに取って代わることを可能にした。コストはさておき、ガラス物品は、それらの優れた物理的特性から、好ましい場合が多い。ガラスレンズ又は他の部品を射出成形などの安価なプロセスで製造することができたならば、このようなレンズ及び他の部品は、それらのプラスチック製の対応品と競合するであろう。
【０００４】
光学素子は、センサ、画像プロジェクタ、ディスプレイ（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ、及びエレクトロルミネセンスディスプレイ）、並びに、電気通信用のオプトエレクトロニクスデバイスを含めた多くの多様な技術にさまざまな用途を有する。電気通信産業自体が発展するにつれて、微細構造を組み込んだ精密光学素子を開発する必要性が高まっている。電気通信デバイスでは、光学素子は、例えば、ファイバ及びレーザカプラに、光スイッチ、又はＷＤＭ用回折格子として、及び密充填マイクロレンズアレイ（ＭＬＡ）又は波長管理モジュール用ネットワーク又はコリメータ用途に使用することができる。精密光学素子は、高度に研磨された表面、又は厳密な表面形状、又は品質を必要とする。表面は、互いに適切な幾何学的関係での製作を必要とし、要素が伝送用途に用いられる場合には、それらは、制御された均一かつ等方性の屈折率の材料から調製される。
【０００５】
多くの方法及び材料を、複雑で精密な光学素子の製造に使用することができる。しかしながら、光学構成要素を製造するための従来の機械加工プロセスの大多数は、非常に小さい特徴の製造には適していない。５００μｍ以下の表面特徴又は寸法を有する構成要素は、典型的には、適用性が限られた幾つかの方法によってのみ製造することができる。ポリマーを使用する微細構造化された表面の作製は、集積回路の製造用に半導体産業が開発したプロセスに由来する。例えば、フォトリソグラフィ及びイオンエッチング技術を使用して、サブミリメートルの表面特徴を有する構造を作製することができる。しかしながら、これらの方法は、大規模の製造には適していない。微細構造のエッチングに必要な処理時間は、微細構造の全深さに比例的に依存する。さらには、そのような方法は高価であるだけでなく、限られた範囲の特徴タイプしか製造することができない。エッチングプロセスは、それらが粗い表面を作り出す可能性があることから、特に厄介である。結果として、滑らかな凹状又は凸状の輪郭若しくは真のプリズム状の輪郭は、前述の２つの技術のいずれを用いても容易に達成することはできない。
【０００６】
プラスチック又はガラス材料の成形又はホットエンボス加工は、他方では、ミクロンからサブミクロンサイズの特徴を形成することができる。プラスチックは鋳型に適合し、複雑な設計又は微細構造を忠実に再現することができる。残念ながら、多くの電気通信用途については、プラスチック材料は、それらが多くの欠点を抱えていることから、理想的ではない。例えば、プラスチック材料は、限られた機械的特性を有し；多くの場合、時間の経過とともに環境の劣化に耐えるのに十分なほど堅牢ではなく；それらは大きな熱膨張係数を示し（それは体積及び屈折率の変化をもたらすことがある）；また、プラスチック光学デバイスは、湿気や高温への長時間の曝露に耐えることができないことが多いことがわかっている（それによって、そのすべてが、プラスチック光学デバイスが有用でありうる温度範囲を制限している）。
【０００７】
プラスチック材料はまた、赤外（ＩＲ）での完全な透過性を有しない。結果として、プラスチック材料を使用して、プラスチックが吸収するＩＲ範囲内のレンズ又は他の光学デバイスを形成することはできない。さらには、プラスチックは、プラスチック構成要素の表面特徴を劣化させ、その屈折率を変化させる（これらはどちらも光学的には受け入れられない）原因となる材料の内部加熱により、高出力の光を透過させることができない。加えて、光学用途のためのプラスチック材料は、限られた範囲の分散及び屈折率でのみ利用可能であることから、プラスチックは、限られた透過範囲しか提供することができない。結果として、プラスチック材料の有用性は、限られた電気通信帯域幅内でさえも、内部応力を蓄積する傾向、すなわち、使用中に透過光に歪みを生じる条件によって制限される。多くのプラスチックはまた、容易に引っ掻きを生じ、かつ、黄変又は曇り及び複屈折を生じる傾向にあり；また、耐摩耗性及び反射防止コーティングを施しても、プラスチック材料のこれらの欠点は、まだ完全には解決されていない。最後に、多くの化学剤及び環境剤がプラスチックを劣化させ、それが効果的な洗浄を困難にしている。
【０００８】
プラスチックと比較して、ガラスは、それらを光学材料としての使用に対してより好適にする特性を有する。ガラスは、通常、プラスチックの材料的な欠点に悩まされず、有害な環境条件や動作条件に耐えることができる。したがって、ガラスは、より好ましい材料であり、ガラス光学構成要素は、プラスチックから製造されたものとは異なる種類のデバイスを提示する。しかしながら、ガラスを使用する成形プロセスの要件は、プラスチックの要件よりも厳しいものである。
【０００９】
ガラスの精密光学素子は、慣習的に、２つの複雑な多段階プロセスのうちの一方によって製造される。第１の方法では、ガラスバッチは、高温で溶融され、溶融物は、制御された均質な屈折率を有するガラス体又は塊へと形成される。その後、ガラス体は、抑制技術を使用して修正されて、所望の最終物品に近似する形状を得ることができる。しかしながら、この製造段階での表面品質及び本体仕上げは、画像形成光学系には不十分である。結果として、粗い物品は、適切な屈折率を生じるようにファインアニーリングされ、表面の特徴は、従来の研削及び研磨方法によって改善される。第２の方法では、ガラス溶融物は、バルク体に形成され、これが直ちにファインアニーリングされ、切断され、所望の形状の物品へと研削される。これらの方法はいずれも、限界がある。研削及び研磨は、例えば、平ら、球、及び放物線などの比較的単純な形状の製造に限られている。他の形状及び一般的な非球面は、研削が困難であり、研磨が複雑である。他方では、ガラスのホットプレスのための従来の技術は、鮮明な画像形成又は伝送用途に必要とされる厳密な表面特徴及び品質をもたらさない。表面の冷シワ（chill wrinkles）及び表面特徴の存在は、許容できない欠陥である。
【００１０】
ガラス成形もまた、伝統的に多くの他の問題を提示している。一般に、ガラスを成形するためには、ガラスを、鋳型によって画成されるような必要な輪郭へと適合させるか又は流すようにするために、典型的には約７００℃又は８００℃を超える高温を使用しなければならない。しかしながら、このような比較的高い温度では、ガラスは化学的に非常に反応性になる。この反応性によって、成形ガラスには不活性接触面を有する高耐熱性鋳型：例えば、炭化ケイ素、窒化ケイ素、又は他のセラミック材料、鉄アルミナイドなどの金属間材料、及びタングステンなどの硬質材料の鋳型が必要とされる。しかしながら、多くの事例では、このような材料は、満足できる光学品質の表面仕上げを作り上げるのに十分な表面平滑性を達成することができない。精密光学素子は、精密な微細構造及び品質の高度に研磨された表面を必要とする。金型は、高温で変形及び再結晶することがあり、そのいずれも成形物品の表面及び光学品質に悪影響を及ぼしうる。これは、金型の修理及び維持のための追加費用、並びに、製品の欠陥率の増加を意味する。第２に、また高温でのガラスの反応性に起因して、成形は、しばしば不活性雰囲気中で行われなければならず、これはプロセスを複雑にし、費用を増加させる。第３に、空気又は気泡が成形品に閉じ込められる可能性があることは、高温成形のもう１つの欠点である。ガラス物品内に閉じ込められた気泡は、物品の光学特性を低下させる。気泡は画像を歪め、一般に光の透過を妨げる。第４に、高温であっても、ホットガラス成形は、回折格子に必要とされるような複雑で高周波のサブミリ波の微細構造を作り出すことができない。
【００１１】
成形ガラス物品は、過去において説明されている。しかしながら、以前のプロセスでは、成形は、１０８〜１０１２ポアズの範囲の超高粘度で加圧（又は圧縮成形）することによって行われる。例えば、非球面レンズは、これらのプロセスを使用して、ガラス塊を鋳型におよそ１０９ポアズで加圧することによって成形することができる。成形は、ガラスの結晶化を防ぐために、これらの超高粘度で行われる。
【００１２】
高分子産業で実施されている射出成形法は、典型的には、４００℃の最高温度で行われる。したがって、ガラスを射出成形するためには、４００℃以下の１０，０００ポアズ温度を有すること、並びに、その１０，０００ポアズ温度において１，０００〜１０，０００秒−１の高い剪断速度に供された場合に、結晶化に対して耐性であることが必要とされる。
【００１３】
カルコゲナイドガラスの使用は、非常に細かい表面特徴を有するガラス要素の成形のために研究されてきた。しかしながら、これらのガラスは、典型的には、ヒ素を含む。ガラスへのヒ素の包含により、カルコゲナイドガラスの結晶化が抑制されるが、これは、カルコゲナイドガラスのホットメルト加工の必要な特徴である。
【００１４】
しかしながら、ヒ素の使用は、幾つかの欠点を有する。ガラスの製造中、製造業者は、ヒトの発がん性物質として認識されている（及び、肺がん、皮膚がん、胃がん、腎臓及び膀胱がん、並びに白血病及びリンパ腫に関係している）、ヒ素に晒される。ヒ素はまた、細胞におけるアデノシン三リン酸（ＡＴＰ）の産生を妨げ、また、過酸化水素の産生を増加させることもでき、それにより、活性酸素種の生成や酸化ストレスを引き起こす可能性がある。ヒ素中毒は、最終的には複数の臓器の機能不全により、死亡する可能性がある。さらには、使用条件に応じて、ヒ素は、ガラスから浸出する可能性があり、既知のカルコゲナイドガラスから製造された光学デバイスの使用者に曝露の危険性をもたらしうる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ホットメルト加工技術及び機器に使用することができる、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラス組成物が必要とされている。理想的には、組成物は、結晶化に対して安定であり、ＩＲ及び近ＩＲ放射に対して透過性であり、かつ、微細構造又は超微細構造を有するデバイスを含む光学デバイスの製作に適しているであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
ホットメルト加工技術によるガラス物品の製造方法が本明細書に開示される。ホットメルト加工技術は、射出成形、押出成形、トランスファー成形、プロファイル抽出、及びホットエンボス加工を含む。本方法は、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの使用を包含する。砒素が存在しないにもかかわらず、カルコゲナイドガラスは、低い特性温度を有し、かつ、結晶化に対して安定である。低い特性温度により、ガラスは、従来の機器を使用してホットメルト加工できるようになる。本明細書に開示されるガラスは、ＩＲ透過性光学デバイスを含むがそれに限定されない、光学デバイスの製作に適している。
【００１７】
本明細書に記載される材料、方法、及びデバイスの利点は、一部には、以下の説明に記載されており、あるいは、下記の態様の実施によって習得することができよう。後述する利点は、添付の特許請求の範囲において特に指摘される要素及び／又は組み合わせによって、実現及び達成されるであろう。前述の概要及び以下の詳細な説明はいずれも、単なる例示及び説明のためであり、限定ではないことが理解されるべきである。
【００１８】
本明細書に取り込まれてその一部を構成する添付の図面は、以下に説明される幾つかの態様を示している。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】３００℃におけるヒ素含有カルコゲナイドガラス（◆）及び本明細書に記載される３５０℃におけるヒ素を含まないカルコゲナイドガラス（●）の粘度の剪断依存性を示すグラフ
【図２】約９μｍまでの透過性を示す、２つのリンを含みヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの透過率のグラフ（約４．５５μｍにおける吸収は、Ｈ不純物の存在によるＳｅ−Ｈ伸長である）
【図３】１〜約１６μｍの透過性を示す（約１２．５μｍにおける吸収は、陰イオン不純物によるものである）、射出成形によって製造された、ヒ素及びリンを含まないカルコゲナイドガラスレンズの透過率のグラフ
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の材料、物品、及び／又は方法について開示及び説明する前に、以下に記載される態様は、特定の化合物、合成方法、又はその用途に限定されず、そのようなものとして、当然ながら変化しうることが理解されるべきである。本明細書で用いられる専門用語は、特定の態様のみを説明することを目的とし、限定することは意図されていないこともまた理解されるべきである。
【００２１】
本明細書及びそれに続く特許請求の範囲では、以下の意味を有するように定義される、多くの用語について言及される：
本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる場合、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈上明らかに別段の指示がない限り、複数の指示対象を含むことに留意しなければならない。よって、例えば、「ある元素（an element）」への言及は、２つ以上の元素の混合物などを含む。
【００２２】
「任意選択的な」又は「任意選択的に」とは、その後に記載される事象又は状況が起こっても起こらなくてもよいこと、及び、その説明は、その事象又は状況が起こる事例と起こらない事例を含むことを意味する。例えば、本明細書に記載される光学素子は、任意選択的に、超微細構造を含んでよく、ここで、超微細構造は存在してもしなくてもよい。
【００２３】
本明細書で用いられる場合、用語「約」は、所与の値が望ましい結果に影響を与えることなく、端点の「少し上」又は「少し下」であってもよいことを条件とすることにより、数値範囲の端点に柔軟性をもたらすために用いられる。
【００２４】
本明細書全体を通して、文脈上別段の指示がない限り、語句「〜を含む」又は「〜を含んでいる」等のバリエーション（comprise，comprises又はcomprising）は、記載される整数又は工程、若しくは整数又は工程の群を包含することを意味するが、任意の他の整数又は工程、若しくは整数又は工程の群を除外しないことが理解されよう。
【００２５】
本明細書で用いられる場合、用語「カルコゲナイドガラス」とは、第ＶＩＡ族元素（例えば、硫黄、セレン、テルル、又はそれらのいずれかの組合せ）のうちの少なくとも１つ、及び１つ以上の金属を含む、非酸化物ガラスを意味する。カルコゲナイドガラスは、一般に、５００〜２０，０００ｎｍの範囲の赤外線スペクトルの電磁放射（光）を透過させる。
【００２６】
本明細書で用いられる場合、用語「ヒ素を含まないカルコゲナイドガラス」とは、遊離の元素ヒ素又はＡｓ２Ｓｅ３などのヒ素カルコゲナイドを添加せずに製造されるカルコゲナイドガラスを意味する。カルコゲナイドガラスの製造に用いられる１つ以上の元素は、不純物としてヒ素を含む可能性がある；しかしながら、この不純物は、遊離の元素ヒ素の添加とは区別される。一態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、０．００２５原子％以下のヒ素を有する。別の態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、０．０００１原子％〜０．００２５原子％のヒ素を有する。さらなる態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、０．０００１原子％、０．０００５原子％、０．００１０原子％、０．００１５原子％、０．００２０原子％、又は０．００２５原子％のヒ素を有し、ここで、任意の値が範囲の下限点又は上限点を提供することができる（例えば、０．０００１原子％〜０．００１０原子％、０．０００５原子％〜０．００１５原子％、０．００１０原子％〜０．００２５原子％等）。
【００２７】
本明細書で用いられる場合、用語「ホットメルト加工」とは、対象とするガラス物品を製造するためにヒ素を含まないカルコゲナイドガラスに熱及び圧力を印加することを包含する任意のプロセスである。ホットメルト加工技術の例としては、射出成形、押出成形、トランスファー成形、プロファイル抽出、又はホットエンボス加工が挙げられる。
【００２８】
本明細書で用いられる場合、「１０，０００ポアズ温度」とは、ガラスが１０，０００ポアズの粘度を有する温度であり、したがって、それが作用することができる温度のおおよその見積もりである。ガラスの粘度が１０，０００ポアズであるガラス組成物の特定温度は、ガラスの材料によって変動することがあり、当技術分野で知られている技術を使用して決定することができる。一態様では、本明細書に開示されるガラスは、それらを従来の機器を使用して射出成形可能にする、４００℃以下の１０，０００ポアズ温度を有する。
【００２９】
「剪断速度」とは、漸進的な剪断変形が材料に印加される速度を指す。本明細書で用いられる場合、高い剪断速度とは、１０００〜１０，０００秒−１を指す。一態様では、高い剪断速度に供された場合に結晶化に対して耐性である組成物が本明細書に開示される。
【００３０】
「結晶化」とは、材料の構成成分が非常に規則的な微細構造で配置されている、結晶又は固相の形成を指す。一態様では、結晶化は、本明細書に開示される材料及び方法には望ましくない。別の態様では、処理中の結晶化に対して耐性な材料が本明細書に開示される。
【００３１】
本明細書で用いられる場合、材料の「ガラス転移温度」（Ｔｇ）は、ガラス転移が非晶質材料に生じる温度を特徴付ける。Ｔｇ未満の温度では、材料は、硬質かつ脆弱な状態で存在し、Ｔｇを上回る温度では、材料は、溶融状態で存在する。Ｔｇは、結晶状態画素の材料に存在する場合には、材料の結晶状態の溶融温度より常に低い。
【００３２】
材料の「屈折率」は、光がその材料をどのように伝搬するかを表す数値である。これは、等式ｎ＝ｃ／ｖで定義され、式中、ｃは真空中の光速であり、ｖは材料を伝播するときの光速である。一態様では、広い温度範囲にわたって比較的安定している、又は「等方性」の材料の屈折率が本明細書に開示される。
【００３３】
「赤外線」（ＩＲ）放射は、８００ｎｍ〜１ｍｍの波長を有する。「ＩＲ透過性」を持つ材料は、その範囲（又はその範囲の一部）の波長を持つ光子を通過可能にする。
【００３４】
組成物又は物品中の特定の元素の原子百分率に対する本明細書及び特許請求の範囲における言及は、原子百分率が表されている物品の組成物中の元素又は成分と他の元素又は成分との間のモル関係を表している。よって、２原子％の成分Ｘ及び５原子％の成分Ｙを含む化合物では、Ｘ及びＹは２：５のモル比で存在し、追加の成分が化合物中に含まれているかどうかにかかわらず、このような比で存在する。
【００３５】
本明細書で用いられる場合、複数の品目、構造要素、構成要素、及び／又は材料は、便宜上、共通のリストに提示される場合がある。しかしながら、これらのリストは、リストの各成員が別々の特有の成員として個別に識別されると解釈されるべきである。よって、そのようなリストの個々の成員は、そうでないことが示されずに、共通の群におけるその提示のみに基づいて同じリストのいずれかの他の成員の事実上の等価物と解釈されるべきではない。
【００３６】
濃度、量、及び他の数値データは、本明細書では範囲の形式で表現又は提示することができる。そのような範囲形式は、単に便宜上及び簡潔さのために使用されており、したがって、その範囲内の限界として明示的に列挙された数値だけでなく、すべての個々の数値又は部分範囲もまた、あたかも各数値及び部分範囲が明示的に記載されているかのように含むように、柔軟に解釈されるべきであることが理解されるべきである。例示として、「約１〜約５」の数値範囲は、明示的に列挙された約１〜約５の値だけでなく、示された範囲内の個々の値及び部分範囲も含むと解釈されるべきである。よって、この数値範囲に含まれるのは、２、３、及び４のような個々の値、１〜３、２〜４、３〜５等のような部分範囲、並びに個々に１、２、３、４、及び５である。同じ原理は、最小値又は最大値として１つの数値のみを列挙する範囲にも適用される。さらには、このような解釈は、範囲の広さ又は記載される特性に関係なく適用されるべきである。
【００３７】
本開示の組成物及び方法に使用することができる、それらと組み合わせて使用することができる、それらの調製に使用することができる、又はその生成物である、材料及び成分が開示される。これら及び他の材料が本明細書に開示されており、これらの材料の組合せ、部分集合、相互作用、群などが開示されている場合、これらの化合物のそれぞれのさまざまな個別及び集団の組合せ及び順列への具体的な言及は明示的に開示されていない場合があるが、各々は具体的に企図され、本明細書に記載されていることが理解される。例えば、ガラス組成物が開示及び論じられており、かつ、多くの異なる光学素子が述べられている場合、そうでないことが特に示されない限り、可能なガラス組成物と光学素子との各及びすべての組合せが具体的に企図されている。例えば、ガラス組成物Ａ、Ｂ、及びＣのクラス、並びに光学素子Ｄ、Ｅ、及びＦのクラスが開示されており、Ａ＋Ｄの例となる組合せが開示されている場合、たとえ各々が個別に列挙されていなくても、各々は個別にかつ集合的に企図されている。よって、この例では、Ａ＋Ｅ、Ａ＋Ｆ、Ｂ＋Ｄ、Ｂ＋Ｅ、Ｂ＋Ｆ、Ｃ＋Ｄ、Ｃ＋Ｅ、及びＣ＋Ｆの組合せの各々が具体的に企図されており、Ａ、Ｂ、及びＣ；Ｄ、Ｅ、及びＦ；及び、Ａ＋Ｄの例となる組合せの開示から考慮されるべきである。同様に、これらの任意の部分集合又は組合せもまた具体的に企図され、開示されている。よって、例えば、Ａ＋Ｅ、Ｂ＋Ｆ、及びＣ＋Ｅの下位群が具体的に企図されており、Ａ、Ｂ、及びＣ；Ｄ、Ｅ、及びＦ；及び、Ａ＋Ｄの例となる組合せの開示から考慮されるべきである。この概念は、本開示の組成物の製造方法における工程及び使用を含むがそれらに限定されない、本開示のすべての態様に適用される。よって、本開示の方法の任意の特定の実施形態又は実施形態の組合せを用いて実施することができるさまざまな追加の工程が存在する場合、このような組み合わせの各々が具体的に企図されており、開示されているとみなされるべきである。
【００３８】
ホットメルト加工技術によるガラス物品の製造方法が本明細書に開示される。ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの使用をホットメルト加工技術に使用することができることが見出された。本明細書に示されるように、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、ヒ素を含むカルコゲナイドガラスと比較して、同様の特性（例えば、ずり減粘、非結晶化）を有する。さらなる詳細は、下記実施例に提供されている。
【００３９】
一態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、５００℃以下の温度で１０，０００ポアズ以下の粘度を有する。幾つかの態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、４５０℃以下の温度、又は４００℃以下の温度、又は３７５℃以下の温度、又は３５０℃以下の温度、又は３２５℃以下の温度、又は２５０℃〜５００℃の範囲の温度、又は２７５℃〜４７５℃の範囲の温度、又は３００℃〜４５０℃の範囲の温度、又は３２５℃〜４２５℃の範囲の温度で、１０，０００ポアズ以下の粘度を有する。さらに別の態様では、カルコゲナイドガラスは、１，０００秒−１〜１０，０００秒−１の範囲の剪断速度において、結晶化に対して耐性である。
【００４０】
幾つかの態様では、本方法は、５００℃以下の温度、又は４５０℃以下の温度、又は４００℃以下の温度、又は３７５℃以下の温度、又は３５０℃以下の温度、又は３２５℃以下の温度、又は２５０℃〜５００℃の範囲の温度、又は２７５℃〜４７５℃の範囲の温度、又は３００℃〜４５０℃の範囲の温度、又は３２５℃〜４２５℃の範囲の温度における、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスのホットメルト加工を含む。
【００４１】
一態様では、本明細書に開示されるヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、当技術分野で知られている手順に従って、選択された出発材料を混合することによって製造することができる。さらなる態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、純粋な元素を、石英アンプル中、およそ６００℃〜１０００℃の範囲の溶融温度で溶融することによって製造することができる。さらにはこの態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、クエンチされ、結果的に得られるガラス材料は、細かく砕かれ、粉砕され、押出機又は射出成形機での使用に適した選択されたサイズ範囲へと篩分けされる。一態様では、結果的に得られる材料は粉末又は粒状である。なおさらなる態様では、微粒子及び大きすぎる粒子は、その後の調製に再生利用することができる。一態様では、典型的な粒径は、０．１〜１０ｍｍのおおよその範囲であってよく、あるいは、０．１〜４ｍｍ、又は０．５〜４ｍｍ、又は１〜２ｍｍであってもよい。
【００４２】
別の態様では、結果的に得られる粒子は、押出機に充填されうる。一態様では、押出機が全加熱負荷を担うのを防ぐために、粒子は、押出機の運転温度より５０〜１００℃低い範囲の温度に予熱されうる。さらなる態様では、材料が押出機を通過するときに、摩擦加熱及びヒーターバンドによってバレル内に伝導される熱により、ガラスを固体から粘稠液体へと変化させることができ、該ガラスは、ダイ中で形作られ、機器を取り除くことによって回収することができる。代替的な態様では、押出機は、ガラスを直接、射出成形機に供給することができる。
【００４３】
一態様では、本明細書に開示されるヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、例えば、従来、プラスチック品の低コスト製造に使用されているものなど、連続スクリュー押出成形プロセス並びにスクリュー射出成形プロセスで使用することができる。
【００４４】
別の態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの粒子は、ガラスが５００℃未満の温度で１０，０００ポアズ未満の粘度を有する流体となるのに十分な温度で、選択されたプラスチック処理機器に充填することができる。
【００４５】
一態様では、本明細書に開示されるヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、「ラム」プロセス又は「スクリュー」プロセスによって射出成形することができる。ラムプロセスでは、プランジャの各ストロークが、溶融していない材料を加熱されたシリンダに押し込み、それにより、シリンダの前面にある溶融材料がノズルを通って鋳型内へと押し出される。スクリュープロセスでは、未溶融の粒状材料は、オーガ型要素の回転によって、加熱されたシリンダを通して前方に運ばれる。材料は、シリンダから伝わる摩擦と熱の作用によって、粘性のある溶融物へと変換される。溶融材料は、スクリューの手前において、別のプランジャ／ラム又はスクリュー自体によって鋳型に注入される。一態様では、スクリュー型の射出成形機は、スクリュープロセスの優れた混合とプロセスの一貫性のため、プランジャ型の機械よりも好ましい。
【００４６】
一態様では、射出成形プロセスは、典型的には、５００℃の最高温度、又は、さらに好ましくは４００℃の最高温度で行われる。本明細書では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、４００℃以下の１０，０００ポアズ温度を有し、１０，０００ポアズ温度における高い剪断速度（例えば、１，０００〜１０，０００秒−１の範囲など）で処理した場合に、結晶化に対して耐性である。
【００４７】
一態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、セレンと、リン、ガリウム、アンチモン、スズ、ゲルマニウム、硫黄、又はそれらのいずれかの組合せから選択される少なくとも１つの元素とを含む。
【００４８】
一態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、セレンを、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの４０原子％〜８５原子％の量で含む、又は４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７１、７２、７３、７４、７５、７６、７７、７８、７９、８０、８１、８２、８３、８４、又は８５原子％の量で存在し、任意の値を範囲の下限点又は上限点とすることができる（例えば、４５〜６５、７２〜８２、７４〜８４等）。
【００４９】
別の態様では、ガリウムの量は、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの０〜８原子％であるか、あるいは、１、２、３、４、５、６、７、又は８原子％であり、任意の値を範囲の下限点又は上限点とすることができる（例えば、１〜５、２〜６等）。代替的な態様では、ガラスは、ガリウムを含まない。
【００５０】
一態様では、アンチモンの量は、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの０〜１５原子％であるか、あるいは、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４又は１５原子％であり、任意の値を範囲の下限点又は上限点とすることができる（例えば、２〜１０、４〜８等）。代替的な態様では、ガラスは、アンチモンを含まない。
【００５１】
別の態様では、スズの量は、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの０〜８原子％であるか、あるいは、１、２、３、４、５、６、７、又は８原子％であり、任意の値を範囲の下限点又は上限点とすることができる（例えば、１〜５、２〜６等）。代替的な態様では、ガラスはスズを含まない。
【００５２】
さらに別の態様では、ゲルマニウムの量は、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの０〜２０原子％であるか、あるいは、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、又は２０原子％であり、任意の値を範囲の下限点又は上限点とすることができる（例えば、１０〜２０、１２〜１８等）。代替的な態様では、ガラスはゲルマニウムを含まない。
【００５３】
別の態様では、硫黄の量は、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの０〜４０原子％であるか、あるいは、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、２５、３０、３５、又は４０原子％であり、任意の値を範囲の下限点又は上限点とすることができる（例えば、１〜５、２〜６、１０〜３５等）。別の態様では、存在する硫黄の量は、Ｓ／（Ｓｅ＋Ｓ）の比で表すことができ、Ｓ及びＳｅの量は原子％である。一態様では、Ｓ／（Ｓｅ＋Ｓ）の比は、０〜０．５である。別の態様では、Ｓ／（Ｓｅ＋Ｓ）の比は、０、０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、又は０．５であり、任意の値を範囲の下限点又は上限点とすることができる（例えば、０．１〜０．３、０．２〜０．４等）。
【００５４】
別の態様では、リンの量は、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの０〜２５原子％であるか、あるいは、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、又は２５原子％であり、任意の値を範囲の下限点又は上限点とすることができる（例えば、１０〜２５、１５〜２０等）。代替的な態様では、ガラスはリンを含まない。
【００５５】
さらに別の態様では、リン、ガリウム、アンチモン、スズ、及びゲルマニウムの原子％の合計は、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの１５〜３０原子％であるか、あるいは、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、又は３０原子％であり、任意の値を範囲の下限点又は上限点とすることができる（例えば、１５〜３０、２０〜２５等）。
【００５６】
別の態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、７０原子％〜８５原子％の量のセレンと、リン（Ｐ）、ガリウム（Ｇａ）、アンチモン（Ｓｂ）、スズ（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、又はそれらのいずれかの組合せの群に由来する少なくとも１つの元素とを含み、ここで、Ｐは０原子％〜２５原子％であり；Ｇａは０原子％〜８原子％であり；Ｓｂは０原子％〜１０原子％であり；Ｓｎは０原子％〜８原子％であり；及びＧｅは０原子％〜２０原子％であり、Ｐ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、及びＧｅの合計は、１５原子％〜３０原子％である。
【００５７】
赤外線及び近赤外線放射に対して透過性である、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスが本明細書に開示される。一態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、９μｍまでの波長に対し、赤外線における透過性を有する。他の態様では、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスがリンを含まない場合、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、１４μｍまでの波長に対し、赤外線における透過性を有する。リンは、カルコゲナイドガラスの他の典型的な構成成分のほとんどと比較して、軽い元素である。よって、リン含有ガラスのＩＲ透過性は、リンを含まないガラスのものほど広くはない。
【００５８】
本明細書に記載のヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、例えば光学素子及びデバイスなど、多くの異なるガラス物品の製造に使用することができる。ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスから製造される光学素子及びデバイスは、プラスチックと比較した場合に、優れた物理的特性を有する。これらの特性は、プラスチック要素よりも硬いこと、したがって引っ掻き傷が起こりにくいこと；それらの屈折率について、より低い温度依存性を有すること；並びに、湿気及びガスに対して不透過性であることを含むが、それらに限定されない。
【００５９】
一態様では、光学素子は、レンズ、マイクロレンズ、マイクロレンズのアレイ、プリズム、カプラ、センサ、回折格子、表面レリーフディフューザー、フレネルレンズ、光ファイバ、又は複数の光学素子を取り込んだ光学デバイスでありうる。代替的な態様では、光学素子は、検知、送信、多重化、逆多重化、増幅、又は他の操作及び／又は選択された波長の光の送信に使用することができる、ファイバ、又は他の要素でありうる。さらなる態様では、光学素子は、微細構造及び／又は超微細構造を含む。なおさらなる態様では、これらの微細構造は、例えば格子上に存在する罫線など、サブミクロンの範囲でありうる。
【実施例】
【００６０】
以下の実施例は、本明細書に記載され、特許請求される化合物、組成物、及び方法がいかにしてなされ、評価されるかの完全な開示及び説明を当業者に提供するように記載されており、純粋に例示であることが意図されており、本発明者らが本発明と見なすものの範囲を限定することは意図されていない。数（例えば、量、温度等）に関して正確性を確実にするために努力がなされているが、ある程度の誤差及び偏差は考慮されるべきである。特に明記しない限り、部は重量部であり、温度は℃であるか、又は周囲温度であり、圧力は、大気圧であるか、又はそれに近い。反応条件の多くのバリエーション及び組合せ（例えば、成分濃度、所望の溶媒、溶媒混合物、温度、圧力、及び他の反応範囲及び条件）を、記載された方法から得られる製品純度及び収率を最適化するために使用することができる。このようなプロセス条件を最適化するためには、合理的かつ日常的な実験のみが必要とされよう。
【００６１】
実施例１：ガラス組成物の製造方法
例証としてであって、限定として解釈されるべきではないが、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラス試料７（下記表１）を、本明細書に開示されるプロセスの代表である次の方式で調製した。以下のプロセスに用いられる機器は、すべて市販されている。
【００６２】
原子パーセントで、１５％のＧｅ、５％のＳｂ、及び８０％のＳｅの混合物を、５００グラムのガラスブールを調製するのに十分な量で混合し、減圧（１０−４ｍｍＨｇ以下に）した石英アンプル内に入れ、封止した。アンプルを、３０〜３６時間の範囲の時間、およそ８００℃の温度に加熱し、６００℃までゆっくりと冷却し、次に、ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスがアンプリル壁から層間剥離するまで室温水の４０００ｍＬのビーカー内にアンプルを浸漬することによって急冷（クエンチ）した。この時点で、アンプルをおおよそ１４４℃の温度でアニール炉内に置き、この温度で１時間、保持した。その後、炉の電源を切り、炉を室温まで自然冷却させた。その後、アンプルを炉から取り出し、アンプルからヒ素を含まないカルコゲナイドガラスを取り出した。
【００６３】
ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスの２つのブールを、上記の通りに調製し、マイナス１４メッシュプラス５０メッシュのサイズ範囲で粒子へと粉砕した（０．３〜１．４ｍｍの粒径）。粒子を合わせ、１０００グラムの全質量を以下の射出成形トライアルに使用した。合わせた粒子を解析し、ガラスが、Ｇｅ１５Ｓｂ５Ｓｅ８０の期待された組成を有していることがわかった。
【００６４】
追加のヒ素を含まないカルコゲナイドガラスを、上記の手順を使用して調製した。これらは、実施例３でさらに論じられる組成物の選択された特性とともに、下記表１及び２に提示されている
【００６５】
【表１】
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【００６６】
【表２】
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【００６７】
実施例２：特性の特徴付け
剪断依存性をキャピラリーレオメトリーで測定した。図１は、３００℃におけるヒ素含有ガラス（１．６４原子％のＧｅ；２８．３６原子％のＡｓ；７０原子％のＳｅ）及び３５０℃におけるヒ素を含まないカルコゲナイドガラス（表１の試料７）の粘度の剪断依存性を示している。ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスは、押出可能及び射出成形可能なポリマー材料のずり減粘挙動特性を示している。加えて、高い剪断速度での粘度の増加によって証明されたであろう、ヒ素を含まないガラスの剪断誘起性の結晶化の証拠は存在しなかった（図１）。
【００６８】
赤外及び近赤外領域における２つのヒ素を含まないカルコゲナイドガラス（試料２（下方のデータトレース）及び試料３（上方のデータトレース））の透過率（２ｍｍの厚さを有する試料で、反射損失を補正せず、％透過率で表示）もまた評価し、図２に表示した。Ｈ不純物は、Ｓｅ−Ｈ伸長による約４．５５μｍの波長における吸収を生じたが、ガラスは、約９μｍまで透明であり、それらは、ＩＲ及び近ＩＲの波長範囲のさまざまな光学用途に適したものであった。
【００６９】
射出成形を用いて試料７からレンズを構築し、パーセント透過率を測定した。図３は、１〜１６μｍの２つの代表的なレンズの透過性（約０．６ｍｍの厚さを有する試料について％透過率で表示）を示している。（１２．５μｍの吸収は、陰イオン不純物によるものである）。
【００７０】
本発明のヒ素を含まないガラスの実施形態は、３μｍ〜６μｍの範囲の各波長において、少なくとも３０％、又は少なくとも４０％、又は少なくとも５０％、又は少なくとも６０％、又は３０％〜７０％の範囲、又は３５％〜６５％の範囲、又は４０％〜６０％の範囲の透過性（２ｍｍの厚さを有する試料で、反射損失を補正せず、％透過率で表示）を有する。
【００７１】
本発明のヒ素を含まないガラスの実施形態は、６μｍ〜９μｍの範囲の各波長において、少なくとも３０％、又は少なくとも４０％、又は少なくとも５０％、又は少なくとも６０％、又は３０％〜７０％の範囲、又は３５％〜６５％の範囲、又は４０％〜６０％の範囲の透過性（２ｍｍの厚さを有する試料で、反射損失を補正せず、％透過率で表示）を有する。
【００７２】
本発明のヒ素を含まないガラスの実施形態は、９μｍ〜１１μｍの範囲の各波長において、少なくとも３０％、又は少なくとも４０％、又は少なくとも５０％、又は少なくとも６０％、又は３０％〜７０％の範囲、又は３５％〜６５％の範囲、又は４０％〜６０％の範囲の透過性（２ｍｍの厚さを有する試料で、反射損失を補正せず、％透過率で表示）を有する。
【００７３】
本発明のヒ素を含まないガラスの実施形態は、１５μｍの波長で、少なくとも３０％、又は少なくとも４０％、又は少なくとも５０％、又は少なくとも６０％、又は３０％〜７０％の範囲、又は３５％〜６５％の範囲、又は４０％〜６０％の範囲の透過性（２ｍｍの厚さを有する試料で、反射損失を補正せず、％透過率で表示）を有する。
【００７４】
実施例３：ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスからの光学デバイスの作製
シングルキャビティ、レンズ（直径１２．９ｍｍ×厚さ１ｍｍ）の鋳型を、Ｓｏｄｉｃｋ  Ｐｌｕｓｔｅｃｈ  ＬＰ２０ＥＨ３  Ｖライン（登録商標）二段プランジャ射出システムでのヒ素を含まないカルコゲナイドガラス（表１の試料７）の−１４／＋５０メッシュ粒子の射出成形に使用した。この機械は、直径１４ｍｍのスクリューを使用した２２トンの最大型締力を有するマイクロ成形機であり、材料の可塑化及び射出には、標準的な設計と比較した場合に一貫したショット体積及び溶融密度を可能にする、二段階のＶライン法を使用する。従来の往復スクリューシステムとは異なり、Ｖライン可塑化スクリューは、材料の移送中は静止したまま保たれ、それによって、軸方向摩耗を最小限に抑え、かつ、一貫した熱プロファイルを確実にする。ひとたび、正確な量の材料が射出チャンバに移されると、射出プランジャは溶融圧力によって後退し、設定位置へと戻される。この設計により、従来の往復スクリューシステムにおける材料劣化及びショット体積の不一致の主な原因である、チェックバルブの必要性が排除される。
【００７５】
粉砕したガラスをホッパー／フィーダー内に置き、フラッド供給した。材料処理温度は、表３に列挙されており、射出成形機のさまざまなＺｘ位置が以下に定義されており、温度は局所的に制御される。
【００７６】
【表３】
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【００７７】
材料を、単一キャビティのレンズ鋳型に射出した。７０７５系アルミニウムから鋳型用筐体を作製した。研磨された鋼のタブをＡハーフの鋳型プレートに挿入し、Ｂハーフの鋳型プレートには、鋼研磨突出ピンが使用されている。実施例７のガラスを用いてこのプロセスで製造した２つの代表的なレンズの赤外線透過率を測定し、１〜１６μｍの波長範囲の透過性を図３に示した。
【００７８】
この刊行物全体を通して、さまざまな刊行物が参照されている。本明細書の方法、組成物、及び化合物をさらに十分に説明するために、これらの刊行物の開示全体が、参照することによって本出願に組み込まれる。
【００７９】
本明細書に記載される材料、方法、及び物品には、さまざまな修正及び変形がなされうる。本明細書に記載される材料、方法、及び物品の他の態様は、明細書及び本明細書に開示される材料、方法、及び物品の実施を考慮すれば、明らかであろう。明細書及び実施例は、典型例と見なされることが意図されている。
【００８０】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【００８１】
実施形態１
ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスをホットメルト加工してガラス物品を製造する工程を含む、ガラス物品の製造方法。
【００８２】
実施形態２
前記ホットメルト加工が、射出成形、押出成形、トランスファー成形、プロファイル抽出、又はホットエンボス加工を含むことを特徴とする、実施形態１に記載の方法。
【００８３】
実施形態３
前記ホットメルト加工する工程が、５００℃未満の温度での射出成形を含むことを特徴とする、実施形態１又は２に記載の方法。
【００８４】
実施形態４
前記ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスが、５００℃以下の温度で１０，０００ポアズ以下の粘度を有することを特徴とする、実施形態１〜３のいずれかに記載の方法。
【００８５】
実施形態５
前記ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスが、１，０００秒−１〜１０，０００秒−１の範囲の剪断速度で、結晶化に対して耐性であることを特徴とする、実施形態１〜４のいずれかに記載の方法。
【００８６】
実施形態６
前記ヒ素を含まないカルコゲナイドガラスが、４０原子％〜８５原子％の量のセレン（Ｓｅ）と、リン（Ｐ）、ガリウム（Ｇａ）、アンチモン（Ｓｂ）、スズ（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、硫黄（Ｓ）、又はそれらのいずれかの組合せからなる群より選択される少なくとも１つの元素とを含み；
Ｐが０原子％〜２５原子％であり；Ｇａが０原子％〜８原子％であり；Ｓｂが０原子％〜１５原子％であり；Ｓｎが０原子％〜８原子％であり；Ｇｅが０原子％〜２０原子％であり；及び、Ｓが０原子％〜４０原子％であり、ここで、Ｐ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、及びＧｅの合計が１５原子％〜３０原子％であり、かつ、Ｓ／（Ｓｅ＋Ｓ）の原子比が０〜０．５である
ことを特徴とする、実施形態１〜５のいずれかに記載の方法。
【００８７】
実施形態７
前記ガラスがリンを含まないことを特徴とする、実施形態１〜５のいずれかに記載の方法。
【００８８】
実施形態８
前記ガラス物品が、３μｍ〜６μｍの範囲の各波長において少なくとも５０％の透過性（２ｍｍの厚さで反射損失は補正せず、％透過率で表示）を有することを特徴とする、実施形態１〜７のいずれかに記載の方法。
【００８９】
実施形態９
前記ガラス物品が、３μｍ〜６μｍの範囲の各波長において３０％〜７０％の範囲の透過性（２ｍｍの厚さで反射損失は補正せず、％透過率で表示）を有することを特徴とする、実施形態１〜７のいずれかに記載の方法。
【００９０】
実施形態１０
前記ガラス物品が、６μｍ〜９μｍの範囲の各波長において少なくとも５０％の透過性（２ｍｍの厚さで反射損失は補正せず、％透過率で表示）を有することを特徴とする、実施形態１〜９のいずれかに記載の方法。
【００９１】
実施形態１１
前記ガラス物品が、６μｍ〜９μｍの範囲の各波長において３０％〜７０％の範囲の透過性（２ｍｍの厚さで反射損失は補正せず、％透過率で表示）を有することを特徴とする、実施形態１〜９のいずれかに記載の方法。
【００９２】
実施形態１２
前記ガラス物品が、９μｍ〜１１μｍの範囲の各波長において少なくとも５０％の透過性（２ｍｍの厚さで反射損失は補正せず、％透過率で表示）を有することを特徴とする、実施形態１〜１１のいずれかに記載の方法。
【００９３】
実施形態１３
前記ガラス物品が、９μｍ〜１１μｍの範囲の各波長において３０％〜７０％の範囲の透過性（２ｍｍの厚さで反射損失は補正せず、％透過率で表示）を有することを特徴とする、実施形態１〜１１のいずれかに記載の方法。
【００９４】
実施形態１４
前記ガラス物品が、光学素子を含むことを特徴とする、実施形態１〜１３のいずれかに記載の方法。
【００９５】
実施形態１５
前記光学素子が、レンズ、マイクロレンズ、マイクロレンズのアレイ、回折格子、表面レリーフディフューザー、フレネルレンズ又は光ファイバであることを特徴とする、実施形態１４に記載の方法。
【００９６】
実施形態１６
前記光学素子が、微細構造又は超微細構造を含むことを特徴とする、実施形態１４又は１５に記載の方法。
【００９７】
実施形態１７
実施形態１〜１６のいずれかに記載の方法によって製造されたガラス物品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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