(57)【要約】  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合された補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケージを提供する。本発明の半導体パッケージによれば、配線基板の反りを抑制または防止することができ、さらに、半導体パッケージ全体の剛性が増す。また、半導体パッケージの放熱性を優れたものとすることができる。
2012029549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合され、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成された補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面の、前記半導体素子が接合されていない部分に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい第１補強部材と、
前記基板の前記他方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい第２補強部材とを有し、
前記第１補強部材および前記第２補強部材のうちの少なくとも一方は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、前記基板よりも熱膨張係数が小さい請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金の熱膨張係数は、３ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、前記半導体素子との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下である請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｉの含有量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下である請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、残部の含有量が０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記第１補強部材は、前記半導体素子の周囲を囲むように設けられている請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記第１補強部材および前記第２補強部材は、それぞれ、板状をなしている請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
請求項１または２に記載の記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接着層を介して接合され、前記基板よりも熱膨張係数が小さい補強部材とを有し、
前記接着層は、樹脂材料および無機フィラーを含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記接着層の２５℃における弾性率は、０．５ＭＰａ以上１０GＰａ以下である請求項１１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記接着層の熱伝導率は、０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である請求項１１または１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記接着層の平均厚さは、５μｍ以上１５０μｍ以下である請求項１１または１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記補強部材の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である請求項１１または１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記補強部材は、前記半導体素子との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下である請求項１１または１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１７】
前記補強部材は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている請求項１１または１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１８】
請求項１１または１２に記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の補強部材とを有し、
前記補強部材は、第１層と、前記第１層の前記基板と反対側の面上に接合され、前記第１層とは異なる熱膨張係数を有する第２層とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２０】
前記補強部材は、前記基板の前記一方の面に接合されており、
前記第２層の熱膨張係数は、前記第１層の熱膨張係数よりも大きい請求項１９に記載の半導体パッケージ。
【請求項２１】
前記補強部材は、前記半導体素子の周囲を囲むように設けられている請求項２０に記載の半導体パッケージ。
【請求項２２】
前記補強部材は、前記基板の前記他方の面に接合されており、
前記第２層の熱膨張係数は、前記第１層の熱膨張係数よりも小さい請求項１９に記載の半導体パッケージ。
【請求項２３】
前記基板の前記他方の面上には、複数の金属バンプが設けられており、
前記補強部材は、前記金属バンプ同士の間に位置する部分を有する請求項２２に記載の半導体パッケージ。
【請求項２４】
前記第１層の熱膨張係数と前記第２層の熱膨張係数との差の絶対値は、０．５ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である請求項１９ないし２３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項２５】
前記第１層の厚さをｔ１［ｍｍ］とし、前記第２層の厚さをｔ２［ｍｍ］としたとき、
ｔ２／ｔ１が０．０３以上３４以下である請求項１９ないし２３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項２６】
前記第１層の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である請求項１９ないし２３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項２７】
前記第１層は、前記半導体素子との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下である請請求項１９ないし２３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項２８】
請求項１９ないし２３のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２９】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の補強部材とを有し、
前記補強部材は、第１層と、前記第１層の前記基板とは反対側の面に接合され、前記第１層とは異なる特性を有する第２層とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３０】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面の、前記半導体素子が接合されていない部分に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の第１補強部材と、
前記基板の前記他方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の第２補強部材とを有し、
前記第１補強部材および前記第２補強部材は、それぞれ、第１層と、前記第１層の前記基板とは反対側の面に接合され、前記第１層とは異なる特性を有する第２層とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３１】
前記第１層および前記第２層は、互いに異なる材料で構成されている請求項２９または３０に記載の半導体パッケージ。
【請求項３２】
前記第１層および前記第２層は、一方が他方よりも硬質な材料で構成されている請求項２９または３０に記載の半導体パッケージ。
【請求項３３】
前記第１層および前記第２層は、所定のエッチングにおけるエッチングレートが互いに異なる材料で構成されている請求項２９または３０に記載の半導体パッケージ。
【請求項３４】
前記第１層および前記第２層のうちの少なくとも一方の層の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である請求項２９または３０に記載の半導体パッケージ。
【請求項３５】
前記第１層および前記第２層のうちの少なくとも一方の層は、前記半導体素子との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下である請求項２９または３０に記載の半導体パッケージ。
【請求項３６】
前記第１層および前記第２層のうちの少なくとも一方の層は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている請求項２９または３０に記載の半導体パッケージ。
【請求項３７】
前記第１補強部材は、前記半導体素子の周囲を囲むように設けられている請求項３０に記載の半導体パッケージ。
【請求項３８】
請求項２９または３０に記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項３９】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接着層を介して接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい補強部材とを有し、
前記補強部材は、前記接着層に接触する第１層と、前記第１層の前記基板とは反対側の面に接合され、前記第１層と異なる材料で構成された第２層とを備え、前記第１層は、前記接着層との密着性を向上させる機能を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４０】
前記第１層は、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、鉄、鉄合金、銀、銀合金、亜鉛、亜鉛合金、金、金合金からなる群から選択される金属材料で構成されている請求項３９に記載の半導体パッケージ。
【請求項４１】
前記接着層は、樹脂材料および無機フィラーを含んで構成されている請求項４０に記載の半導体パッケージ。
【請求項４２】
前記第１層の前記接着層との接触面は、粗面化処理されている請求項３９ないし４１のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項４３】
前記第１層の厚さをｔ１とし、前記第２層の厚さをｔ２としたときに、
ｔ２／ｔ１は、２以上８００００以下である請求項３９ないし４１のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項４４】
前記第２層の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である請求項３９ないし４１のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項４５】
前記第２層は、前記半導体素子との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下である請求項３９ないし４１のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項４６】
前記第２層は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている請求項３９ないし４１のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項４７】
請求項３９ないし４１のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４８】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい補強部材とを有し、
前記補強部材は、その表面のうちの少なくとも露出した部分が粗面化処理されることにより形成された多数の凹部または凸部を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４９】
前記多数の凹部または凸部は、平面視にて前記補強部材の全面に対して均一に分散して配置されている請求項４８に記載の半導体パッケージ。
【請求項５０】
前記多数の凹部または凸部は、規則的に配置されている請求項４８または４９に記載の半導体パッケージ。
【請求項５１】
前記粗面化処理は、エッチング処理である請求項５０に記載の半導体パッケージ。
【請求項５２】
前記多数の凹部または凸部は、ランダムに配置されている請求項４８または４９に記載の半導体パッケージ。
【請求項５３】
前記粗面化処理は、ブラスト処理である請求項５２に記載の半導体パッケージ。
【請求項５４】
前記凹部または前記凸部の平面視形状が円形をなし、
前記補強部材の前記粗面化処理された表面の表面粗さは、０．１μｍ以上４００μｍ以下である請求項４８または４９に記載の半導体パッケージ。
【請求項５５】
前記粗面化処理は、前記補強部材の表面のうちの前記基板に対向する部分に施されている請求項４８または４９に記載の半導体パッケージ。
【請求項５６】
前記補強部材は、金属材料で構成されている請求項４８または４９に記載の半導体パッケージ。
【請求項５７】
前記補強部材は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている請求項５６に記載の半導体パッケージ。
【請求項５８】
請求項４８または４９に記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５９】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい補強部材とを有し、
前記補強部材は、板状をなし、その厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項６０】
前記複数の貫通孔は、平面視にて規則的に配置されている請求項５９に記載の半導体パッケージ。
【請求項６１】
前記複数の貫通孔は、平面視にて前記補強部材の全面に対して均一に分散して配置されている請求項５９または６０に記載の半導体パッケージ。
【請求項６２】
前記補強部材の平面視での面積をＳ１とし、前記複数の貫通孔の平面視での合計面積をＳ２としたとき、
Ｓ２／（Ｓ１＋Ｓ２）が０．１以上０．９以下である請求項６１に記載の半導体パッケージ。
【請求項６３】
前記各貫通孔の平面視形状は、円形をなす請求項５９または６０に記載の半導体パッケージ。
【請求項６４】
前記基板上に接合された複数の金属バンプを有し、
前記複数の貫通孔は、前記複数の金属バンプを露出するように形成されている請求項５９または６０に記載の半導体パッケージ。
【請求項６５】
前記補強部材は、金属材料で構成されている請求項５９または６０に記載の半導体パッケージ。
【請求項６６】
前記補強部材は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている請求項６５に記載の半導体パッケージ。
【請求項６７】
請求項５９または６０に記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージおよび半導体装置に関する。
本願は、２０１０年８月３０日に日本に出願された特願２０１０−１９２９０３号、２０１０年９月１７日に日本に出願された特願２０１０−２１０１６１号、２０１０年９月１７日に日本に出願された特願２０１０−２１０１６２号、２０１０年９月１７日に日本に出願された特願２０１０−２１０１６３号、２０１０年９月１７日に日本に出願された特願２０１０−２１０１６４号、２０１０年９月１７日に日本に出願された特願２０１０−２１０１６７号、２０１０年９月１７日に日本に出願された特願２０１０−２１０１６８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型化かつ多ピン化が進んできている。【０００３】
半導体パッケージはその小型化に伴って、従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケージでは、小型化に限界がきているため、最近では回路基板上にチップを実装したものとして、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）や、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と言った、エリア実装型の新しいパッケージ方式が提案されている。【０００４】
ＢＧＡやＣＳＰ等の新しいパッケージに用いられるインターポーザは、一般に、繊維基材に樹脂組成物を含浸してなる基板に導体パターンや導体ポストが形成されてなる。【０００５】
このようなインターポーザは、チップとの熱膨張係数差が大きい。また、インターポーザは、通常、チップよりも大面積となるため、チップと接触していない部分の面積が大きい。このようなチップと接触していない部分は、剛性が極めて低く、前述したようなチップとインターポーザの熱膨張差に起因して反りやすく、電気的接続の信頼性を低下させるという問題があった。
また、チップは発熱するため、インターポーザには優れた放熱性が要求されている。さらに、このような半導体パッケージには、優れた放熱性が要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２７０７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、製造時の作業性を優れたものとするとともに、熱による不具合の発生を防止することができる半導体パッケージおよび半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（１０）の本発明により達成される。
（１）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合され、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成された補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケージ。【０００９】
（２）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面の、前記半導体素子が接合されていない部分に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい第１補強部材と、
前記基板の前記他方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい第２補強部材とを有し、
前記第１補強部材および前記第２補強部材のうちの少なくとも一方は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されていることを特徴とする半導体パッケージ。【００１０】
（３）  前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、前記基板よりも熱膨張係数が小さい上記（１）または（２）に記載の半導体パッケージ。【００１１】
（４）  前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金の熱膨張係数は、３ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である上記（３）に記載の半導体パッケージ。【００１２】
（５）  前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、前記半導体素子との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００１３】
（６）  前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｉの含有量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００１４】
（７）  前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、残部の含有量が０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００１５】
（８）  前記第１補強部材は、前記半導体素子の周囲を囲むように設けられている上記（２）ないし（７）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００１６】
（９）  前記第１補強部材および前記第２補強部材は、それぞれ、板状をなしている上記（２）ないし（８）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００１７】
（１０）  上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。【００１８】
また、このような目的は、下記（１１）〜（１８）の本発明により達成される。
（１１）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接着層を介して接合され、前記基板よりも熱膨張係数が小さい補強部材とを有し、
前記接着層は、樹脂材料および無機フィラーを含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とする半導体パッケージ。【００１９】
（１２）  前記接着層の２５℃における弾性率は、０．５ＭＰａ以上１０GＰａ以下である上記（１）に記載の半導体パッケージ。【００２０】
（１３）  前記接着層の熱伝導率は、０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である上記（１１）または（１２）に記載の半導体パッケージ。【００２１】
（１４）  前記接着層の平均厚さは、５μｍ以上１５０μｍ以下である上記（１１）ないし（１３）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００２２】
（１５）  前記補強部材の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である上記（１１）ないし（１４）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００２３】
（１６）  前記補強部材は、前記半導体素子との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下である上記（１１）ないし（１５）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００２４】
（１７）  前記補強部材は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている上記（１１）ないし（１６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００２５】
（１８）  上記（１１）ないし（１７）のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。【００２６】
また、このような目的は、下記（１９）〜（２８）の本発明により達成される。
（１９）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の補強部材とを有し、
前記補強部材は、第１層と、前記第１層の前記基板と反対側の面上に接合され、前記第１層とは異なる熱膨張係数を有する第２層とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。【００２７】
（２０）  前記補強部材は、前記基板の前記一方の面に接合されており、
前記第２層の熱膨張係数は、前記第１層の熱膨張係数よりも大きい上記（１９）に記載の半導体パッケージ。【００２８】
（２１）  前記補強部材は、前記半導体素子の周囲を囲むように設けられている上記（２０）に記載の半導体パッケージ。【００２９】
（２２）  前記補強部材は、前記基板の前記他方の面に接合されており、
前記第２層の熱膨張係数は、前記第１層の熱膨張係数よりも小さい上記（１９）に記載の半導体パッケージ。【００３０】
（２３）  前記基板の前記他方の面上には、複数の金属バンプが設けられており、
前記補強部材は、前記金属バンプ同士の間に位置する部分を有する上記（２２）に記載の半導体パッケージ。【００３１】
（２４）  前記第１層の熱膨張係数と前記第２層の熱膨張係数との差の絶対値は、０．５ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である上記（１９）ないし（２３）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００３２】
（２５）  前記第１層の厚さをｔ１［ｍｍ］とし、前記第２層の厚さをｔ２［ｍｍ］としたとき、
ｔ２／ｔ１が０．０３以上３４以下である上記（１９）ないし（２４）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００３３】
（２６）  前記第１層の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である上記（１９）ないし（２５）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００３４】
（２７）  前記第１層は、前記半導体素子との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下である上記（１９）ないし（２６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００３５】
（２８）  上記（１９）ないし（２７）のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。【００３６】
また、このような目的は、下記（２９）〜（３８）の本発明でも達成される。
（２９）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の補強部材とを有し、
前記補強部材は、第１層と、前記第１層の前記基板とは反対側の面に接合され、前記第１層とは異なる特性を有する第２層とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。【００３７】
（３０）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面の、前記半導体素子が接合されていない部分に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の第１補強部材と、
前記基板の前記他方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の第２補強部材とを有し、
前記第１補強部材および前記第２補強部材は、それぞれ、第１層と、前記第１層の前記基板とは反対側の面に接合され、前記第１層とは異なる特性を有する第２層とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。【００３８】
（３１）  前記第１層および前記第２層は、互いに異なる材料で構成されている上記（２９）または（３０）に記載の半導体パッケージ。【００３９】
（３２）  前記第１層および前記第２層は、一方が他方よりも硬質な材料で構成されている上記（２９）ないし（３１）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００４０】
（３３）  前記第１層および前記第２層は、所定のエッチングにおけるエッチングレートが互いに異なる材料で構成されている上記（２９）ないし（３２）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００４１】
（３４）  前記第１層および前記第２層のうちの少なくとも一方の層の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である上記（２９）ないし（３３）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００４２】
（３５）  前記第１層および前記第２層のうちの少なくとも一方の層は、前記半導体素子との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下である上記（２９）ないし（３４）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００４３】
（３６）  前記第１層および前記第２層のうちの少なくとも一方の層は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている上記（２９）ないし（３５）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００４４】
（３７）  前記第１補強部材は、前記半導体素子の周囲を囲むように設けられている上記（２９）ないし（３６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００４５】
（３８）  上記（２９）ないし（３７）のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。【００４６】
また、このような目的は、下記（３９）〜（４７）の本発明により達成される。
（３９）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接着層を介して接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい補強部材とを有し、
前記補強部材は、前記接着層に接触する第１層と、前記第１層の前記基板とは反対側の面に接合され、前記第１層と異なる材料で構成された第２層とを備え、前記第１層は、前記接着層との密着性を向上させる機能を有することを特徴とする半導体パッケージ。【００４７】
（４０）  前記第１層は、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、鉄、鉄合金、銀、銀合金、亜鉛、亜鉛合金、金、金合金からなる群から選択される金属材料で構成されている上記（３９）に記載の半導体パッケージ。【００４８】
（４１）  前記接着層は、樹脂材料および無機フィラーを含んで構成されている上記（４０）に記載の半導体パッケージ。【００４９】
（４２）  前記第１層の前記接着層との接触面は、粗面化処理されている上記（３９）ないし（４１）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００５０】
（４３）  前記第１層の厚さをｔ１とし、前記第２層の厚さをｔ２としたときに、
ｔ２／ｔ１は、２以上８００００以下である上記（３９）ないし（４２）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００５１】
（４４）  前記第２層の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である上記（３９）ないし（４３）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００５２】
（４５）  前記第２層は、前記半導体素子との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下である上記（３９）ないし（４４）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００５３】
（４６）  前記第２層は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている上記（３９）ないし（４５）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００５４】
（４７）  上記（３９）ないし（４６）のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。【００５５】
また、このような目的は、下記（４８）〜（５８）の本発明により達成される。
（４８）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい補強部材とを有し、
前記補強部材は、その表面のうちの少なくとも露出した部分が粗面化処理されることにより形成された多数の凹部または凸部を有することを特徴とする半導体パッケージ。【００５６】
（４９）  前記複数の凹部または凸部は、平面視にて前記補強部材の全面に対して均一に分散して配置されている上記（４８）に記載の半導体パッケージ。【００５７】
（５０）  前記多数の凹部または凸部は、規則的に配置されている上記（４８）または（４９）に記載の半導体パッケージ。【００５８】
（５１）  前記粗面化処理は、エッチング処理である上記（５０）に記載の半導体パッケージ。【００５９】
（５２）  前記多数の凹部または凸部は、ランダムに配置されている上記（４８）または（４９）に記載の半導体パッケージ。【００６０】
（５３）  前記粗面化処理は、ブラスト処理である上記（５２）に記載の半導体パッケージ。【００６１】
（５４）  前記凹部または前記凸部の平面視形状が円形をなし、
前記補強部材の前記粗面化処理された表面の表面粗さは、０．１μｍ以上４００μｍ以下である上記（４８）ないし（５３）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００６２】
（５５）  前記粗面化処理は、前記補強部材の表面のうちの前記基板に対向する部分に施されている上記（４８）ないし（５４）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００６３】
（５６）  前記補強部材は、金属材料で構成されている上記（４８）ないし（５５）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００６４】
（５７）  前記補強部材は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている上記（５６）に記載の半導体パッケージ。【００６５】
（５８）  上記（４８）ないし（５７）のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。【００６６】
また、このような目的は、下記（５９）〜（６７）の本発明により達成される。
（５９）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい補強部材とを有し、
前記補強部材は、板状をなし、その厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。【００６７】
（６０）  前記複数の貫通孔は、平面視にて規則的に配置されている上記（５９）に記載の半導体パッケージ。【００６８】
（６１）  前記複数の貫通孔は、平面視にて前記補強部材の全面に対して均一に分散して配置されている上記（５９）または（６０）に記載の半導体パッケージ。【００６９】
（６２）  前記補強部材の平面視での面積をＳ１とし、前記複数の貫通孔の平面視での合計面積をＳ２としたとき、
Ｓ２／（Ｓ１＋Ｓ２）が０．１以上０．９以下である上記（６１）に記載の半導体パッケージ。【００７０】
（６３）  前記各貫通孔の平面視形状は、円形をなす上記（５９）ないし（６２）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００７１】
（６４）  前記基板上に接合された複数の金属バンプを有し、
前記複数の貫通孔は、前記複数の金属バンプを露出するように形成されている上記（５９）ないし（６３）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００７２】
（６５）  前記補強部材は、金属材料で構成されている上記（５９）ないし（６４）のいずれかに記載の半導体パッケージ。【００７３】
（６６）  前記補強部材は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている上記（６５）に記載の半導体パッケージ。【００７４】
（６７）  上記（５９）ないし（６６）のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【００７５】
本発明の半導体パッケージによれば、配線基板の反りを抑制または防止することができ、さらに、半導体パッケージ全体の剛性が増す。また、半導体パッケージの放熱性を優れたものとすることができる。
本発明の半導体装置によれば、前述したような半導体パッケージを備えるので、信頼性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】第１実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【図２】図１、図６、図９、及び図１３に示す半導体パッケージを示す上面図である。
【図３】図１、図６、図１１、図１３、及び図２４に示す半導体パッケージを示す下面図である。
【図４Ａ】図１、図１３、及び図１５に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図４Ｂ】図１、図１３、及び図１５に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図４Ｃ】図１、図１３、及び図１５に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図４Ｄ】図１、図１３、及び図１５に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図４Ｅ】図１、図１３、及び図１５に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図４Ｆ】図１、図１３、及び図１５に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図４Ｇ】図１、図１３、及び図１５に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
【図６】第２実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【図７Ａ】図６に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図７Ｂ】図６に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図７Ｃ】図６に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図７Ｄ】図６に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図７Ｅ】図６に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図７Ｆ】図６に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図７Ｇ】図６に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
【図９】第３Ａ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【図１０Ａ】図９に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図１０Ｂ】図９に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図１０Ｃ】図９に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図１０Ｄ】図９に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図１０Ｅ】図９に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図１０Ｆ】図９に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図１０Ｇ】図９に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図１１】第３Ｂ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【図１２】第３Ａ及び３Ｂ実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
【図１３】第４実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【図１４】第４実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
【図１５】第６Ａ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【図１６】図１５に示す半導体パッケージを示す上面図である。
【図１７】図１５に示す半導体パッケージを示す下面図である。
【図１８】本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図１９】第６Ｂ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【図２０】第６Ｃ実施形態に係る半導体パッケージを示す上面図である。
【図２１】図２０に示す半導体パッケージを示す下面図である。
【図２２】第６Ｄ実施形態に係る半導体パッケージを示す上面図である。
【図２３】図２２に示す半導体パッケージを示す下面図である。
【図２４】第７Ａ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【図２５】図２４に示す半導体パッケージを示す上面図である。
【図２６Ａ】図２４に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図２６Ｂ】図２４に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図２６Ｃ】図２４に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図２６Ｄ】図２４に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図２６Ｅ】図２４に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図２６Ｆ】図２４に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図２６Ｇ】図２４に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図２７】本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図２８】第７Ｂ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００７７】
以下、添付図面に基づき、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置の好適な実施形態について説明する。
【００７８】
（１）第１実施形態
（１−１）半導体パッケージ
まず、本発明の半導体パッケージを説明する。
【００７９】
図１は、第１実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図、図２は、図１に示す半導体パッケージを示す上面図、図３は、図１に示す半導体パッケージを示す下面図、図４Ａ〜図４Ｇは、図１に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図１ないし図４（図４Ａ〜図４Ｇ）では、それぞれ、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【００８０】
図１に示すように、半導体パッケージ１は、配線基板２と、この配線基板２上に搭載された半導体素子３と、第１補強部材（補強部材）４と、第２補強部材（補強部材）５とを有する。
【００８１】
このような半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板２の両面が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。特に、第１補強部材４および第２補強部材５の熱膨張係数が配線基板２（具体的には後述する基板２１）よりも小さいため、半導体素子３が配線基板２の全面に亘って設けられているのと同様に、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【００８２】
また、配線基板２自体の剛性を高める必要がなく、配線基板２の厚さを薄くすることができるので、配線基板２の厚さ方向での熱伝導性を高めることができる。そのため、半導体パッケージ１は、半導体素子３からの熱を配線基板２を介して逃すことができ、放熱性に優れる。また、第１補強部材４および第２補強部材５の構成材料を適宜選択することにより、半導体パッケージ１の放熱性を高めることもできる。
【００８３】
このようなことから、半導体素子３および配線基板２の昇温を抑えることができるので、この点でも、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【００８４】
特に、半導体パッケージ１では、後に詳述するように第１補強部材４および第２補強部材５は、それぞれ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されているので、優れた剛性および放熱性を有するとともに、熱膨張係数が小さい（半導体素子３に近い）。そのため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【００８５】
以下、半導体パッケージ１の各部を順次詳細に説明する。
［配線基板］
配線基板２は、半導体素子３を支持する基板であり、例えば、その搭載した半導体素子３と後述するようなマザーボード２００との電気的接続を中継する中継基板（インターポーザ）である。また、配線基板２は、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
【００８６】
配線基板２は、基板２１と、導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４と、導体ポスト２３１、２３２、２３３、２３４と、伝熱ポスト２４とを有している。
【００８７】
なお、第１実施形態では、導体パターン２２１は、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターンを構成し、導体パターン２２４は、基板２１の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンを構成する。
【００８８】
基板２１は、複数（第１実施形態では５層）の絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５で構成されている。より具体的には、基板２１は、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４、絶縁層２１５がこの順で積層されて構成されている。なお、基板２１を構成する絶縁層の数は、これに限定されず、１〜４層であってもよいし、６層以上であってもよい。
【００８９】
各絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５は、絶縁性を有する材料で構成されている。
【００９０】
具体的には、各絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５は、基材（繊維基材）と、その基材に含浸された樹脂組成物とで構成されている。
【００９１】
基材は、各絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５の芯材として用いられるものである。このような基材を有することにより、基板２１の剛性を高めることができる。
【００９２】
基材としては、例えば、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維で構成されたガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等が挙げられる。これらの中でも、かかる基材としては、ガラス繊維基材が好ましい。これにより、基板２１の剛性を高めるとともに、基板２１の薄型化を図ることができる。さらに、基板２１の熱膨張係数も小さくすることができる。
【００９３】
このようなガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えば、Ｅガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス等が挙げられる。これらの中でもＴガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の熱膨張係数を小さくすることができ、それによって基板２１の熱膨張係数を小さくすることができる。
【００９４】
また、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５が基材を含む場合、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５における基材の含有率は、それぞれ、３０〜７０ｗｔ％であることが好ましく、４０〜６０ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、これらの絶縁層のひび割れ等の破損を確実に防ぎつつ、各絶縁層の電気絶縁性および熱膨張係数を十分に低いものとすることができる。なお、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のうちの少なくとも１層は、基材を含まずに樹脂組成物のみで構成されていてもよい。
【００９５】
このような基材に含浸される樹脂組成物は、樹脂材料が含まれている。かかる樹脂材料としては、熱硬化性樹脂が好適に用いられる。
【００９６】
前記熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、シアネート樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられる。
【００９７】
これらの中でも、特に、シアネート樹脂が好ましい。これにより、基板２１の熱膨張係数を十分に小さくすることができる。さらに、基板２１の電気特性（低誘電率、低誘電正接等）を優れたものとすることができる。
【００９８】
また、前記樹脂組成物は、フィラーを含むのが好ましい。すなわち、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５は、それぞれ、フィラーを含むことが好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５の熱膨張係数を低くすることができる。
【００９９】
前記フィラーとしては、各種無機フィラーまたは有機フィラーが挙げられる。
無機フィラー（無機充填材）としては、例えば、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、炭酸カルシウム（軽質、重質）、炭酸マグネシウム、ドロマイト、ドーソナイト等の炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、タルク、マイカ、クレー、ガラス繊維、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト等のケイ酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維等の炭素、その他鉄粉、銅粉、アルミニウム粉、亜鉛華、硫化モリブデン、ボロン繊維、チタン酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛が挙げられる。
【０１００】
また、有機フィラーとしては、合成樹脂粉末が挙げられる。この合成樹脂粉末としては、例えば、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル、アクリル樹脂、アセタール樹脂、ポリエチレン、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリスルホン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等の各種熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂の粉末、またはこれらの樹脂の共重合体の粉末が挙げられる。また、有機フィラーの他の例としては、芳香族または脂肪族ポリアミド繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維、アラミド繊維等が挙げられる。
【０１０１】
前述したようなフィラーの中でも、無機フィラーを用いるのが好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５の熱膨張係数を効果的に低めることができる。また、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５の伝熱性を高めることもできる。
【０１０２】
特に、無機フィラーの中でも、シリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。
【０１０３】
無機フィラーの平均粒子径は、特に限定されないが、０．０５〜２．０μｍが好ましく、特に０．１〜１．０μｍが好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５中で、無機フィラーは、より均一に分散することができ、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５の物理的強度および絶縁性を特に優れたものとすることができる。
【０１０４】
なお、上記無機フィラーの平均粒子径は、例えば、粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定することができる。また、本明細書において、平均粒子径とは、体積基準での平均粒子径を指す。
【０１０５】
絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５における無機充填材の含有量は、それぞれ、特に限定されないが、基材を除く樹脂組成物を１００ｗｔ％としたときに、３０〜８０ｗｔ％が好ましく、特に４５〜７５ｗｔ％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５は、熱膨張係数が十分に低く、吸湿性が特に低いものとなる。
【０１０６】
また、前記樹脂組成物は、前述した熱硬化性樹脂の他、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂含んでいてもよい。
【０１０７】
また、前記樹脂組成物は、必要に応じて、顔料、酸化防止剤等の上記成分以外の添加物を含んでいてもよい。
【０１０８】
また、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５は、互いに同じ材料で構成されていてもよいし、互いに異なる材料で構成されていてもよい。
【０１０９】
上述したような複数の層で構成された基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、３０μｍ以上８００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。
【０１１０】
このような基板２１の絶縁層２１１と絶縁層２１２の間には、導体パターン２２１が介挿されている。また、絶縁層２１２と絶縁層２１３との間には、導体パターン２２２が介挿されている。また、絶縁層２１３と絶縁層２１４との間には、導体パターン２２３が介挿されている。また、絶縁層２１４と絶縁層２１５との間には、導体パターン２２４が介挿されている。
【０１１１】
この導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４は、それぞれ、複数の配線を有する回路として機能するものである。
【０１１２】
導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４の構成材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金等の各種金属および各種合金が挙げられる。中でも、かかる構成材料としては、銅および銅系合金を用いるのが好ましい。銅および銅系合金は、電気伝導率が比較的高いものである。そのため、配線基板２の電気的特性を良好なものとすることができる。また、銅および銅系合金は熱伝導性にも優れるので、配線基板２の放熱性を向上させることもできる。
【０１１３】
また、導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４の平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【０１１４】
また、絶縁層２１１には、その厚さ方向に貫通するビアホールが形成され、そのビアホール内に導体ポスト（ビアポスト）２３１が設けられている。この導体ポスト２３１は、絶縁層２１１をその厚さ方向に貫通しており、上端部が半導体素子３に金属バンプ３１を介して接続されるとともに、下端部が導体パターン２２１に接続されている。これにより、導体パターン２２１と半導体素子３とが導通している。
【０１１５】
同様に、絶縁層２１２には、その厚さ方向に貫通する導体ポスト（ビアポスト）２３２が設けられている。この導体ポスト２３２は、上端部が導体パターン２２１に接続されるとともに、下端部が導体パターン２２２に接続されている。これにより、導体パターン２２１と導体パターン２２２とが導通している。
【０１１６】
また、絶縁層２１３には、その厚さ方向に貫通する導体ポスト（ビアポスト）２３３が設けられている。この導体ポスト２３３は、上端部が導体パターン２２２に接続されるとともに、下端部が導体パターン２２３に接続されている。これにより、導体パターン２２２と導体パターン２２３とが導通している。
【０１１７】
また、絶縁層２１４には、その厚さ方向に貫通する導体ポスト（ビアポスト）２３４が設けられている。この導体ポスト２３４は、上端部が導体パターン２２３に接続されるとともに、下端部が導体パターン２２４に接続されている。これにより、導体パターン２２３と導体パターン２２４とが導通している。
【０１１８】
また、絶縁層２１５には、その厚さ方向に貫通する複数の開口部が設けられ、その各開口部から導体パターン２２４の一部（端子）が露出している。そして、その導体パターン２２４の露出した各部分（端子）上には、金属バンプ７１が接合されている。すなわち、第２導体パターンである導体パターン２２４の基板２１と反対側の面には、複数の金属バンプ７１が接合されている。
【０１１９】
この金属バンプ７１は、半導体パッケージ１を例えば後述するようなマザーボードに対して電気的に接続するためのものである。
【０１２０】
第１実施形態では、金属バンプ７１は、略球状をなしている。なお、金属バンプ７１の形状は、これに限定されない。
【０１２１】
金属バンプ７１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀−銅系等の各種ろう材（半田）を用いることができる。
【０１２２】
また、基板２１には、その厚さ方向に貫通する複数のビアホールが形成され、その各ビアホールに伝熱ポスト２４が設けられている。
【０１２３】
この各伝熱ポスト２４は、基板２１全体をその厚さ方向に貫通しており、上端が基板２１の上面から露出するとともに、下端が基板２１の下面から露出している。そして、伝熱ポスト２４は、上端が第１補強部材４に接触し、下端が第２補強部材５に接触している。これにより、各伝熱ポスト２４は、第１補強部材４と第２補強部材５とを接続している。
【０１２４】
この各伝熱ポスト（熱伝導部）２４は、前述した基板２１（絶縁層）よりも高い伝熱性を有する。これにより、第１補強部材４から伝熱ポスト２４を介して第２補強部材５へ熱を効率的に伝達することができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０１２５】
また、この各伝熱ポスト２４は、基板２１をその厚さ方向に貫通するものであるため、公知の導体ポストと同様に、簡単かつ高精度に形成することができる。
【０１２６】
また、各伝熱ポスト２４は、中空であってもよいし、中実であってもよい。また、各伝熱ポスト２４の横断面形状としては、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形等が挙げられる。また、伝熱ポスト２４の数は、特に限定されず、任意であるが、配線基板２の機械的強度を損ねない程度に、できるだけ多くするのが好ましい。
【０１２７】
各伝熱ポスト２４は、電気信号の伝送に寄与しないものである。これにより、第１補強部材４から伝熱ポスト２４を介して第２補強部材５へ熱をより効率的に伝達することができる。
【０１２８】
第１実施形態では、複数の伝熱ポスト２４は、配線基板２を平面視したときに、配線基板２の外周部に沿って互いに間隔を隔てて並設されている。特に、複数の伝熱ポスト２４は、配線基板２を平面視したときに、配線基板２の外周部に沿って周方向に等間隔で並設されているのが好ましい。これにより、配線基板２の温度分布を均一化することができる。
【０１２９】
また、複数の伝熱ポスト２４は、配線基板２を平面視したときに、前述した導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４に重ならないように設けられている。これにより、伝熱ポスト２４の形成が簡単となるとともに、伝熱ポスト２４と導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４との短絡を防止することができる。
【０１３０】
このような各伝熱ポスト２４の構成材料としては、前述した基板２１（絶縁層）よりも高い伝熱性を有するものであれば、特に限定されないが、金属材料を用いるのが好ましい。
【０１３１】
かかる金属材料としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金等の各種金属および各種合金が挙げられる。中でも、かかる金属材料としては、伝熱性に優れるので、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金を用いるのが好ましい。銅および銅系合金は、熱伝導性に優れるので、配線基板２の放熱性を向上させることもできる。
【０１３２】
また、伝熱ポスト２４の構成材料は、前述した導体ポスト２３１〜２３４の構成材料と異なっていてもよいが、導体ポスト２３１〜２３４の構成材料（特に導体ポスト２３４の構成材料）と同じであるのが好ましい。これにより、伝熱ポスト２４を導体ポスト２３４の形成と同時に一括して形成することができる。そのため、半導体パッケージ１の製造が簡単化され、また、半導体パッケージ１を安価なものとすることができる。
【０１３３】
［半導体素子］
半導体素子３は、例えば、集積回路素子（ＩＣ）であり、より具体的には、例えば、ロジックＩＣ、メモリおよび受発光素子等である。
【０１３４】
この半導体素子３は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）に接合され、第１導体パターンである導体パターン２２１に電気的に接続されている。
【０１３５】
具体的には、半導体素子３は、その下面に、図示しない複数の端子が設けられており、その各端子が金属バンプ３１を介して、前述した配線基板２の導体ポスト２３１に電気的に接続されている。これにより、半導体素子３と配線基板２の導体パターン２２１とが電気的に接続されている。
【０１３６】
金属バンプ３１の構成材料としては、特に限定されないが、前述した金属バンプ７１と同様、例えば、錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀−銅系等の各種ろう材（半田）を用いることができる。
【０１３７】
また、半導体素子３は、接着層３２を介して、配線基板２の上面に接着（接合）されている。
【０１３８】
この接着層３２は、接着性および絶縁性を有する材料で構成され、例えば、アンダーフィル材の硬化物で構成されている。
【０１３９】
アンダーフィル材としては、特に限定されず、公知のアンダーフィル材を用いることができるが、後述する絶縁材８１を形成するための半田接合用レジストと同様のものを用いることもできる。
【０１４０】
［第１補強部材］
第１補強部材（スティフナー）４は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）の、半導体素子３が接合されていない部分に接合されている。
【０１４１】
この第１補強部材４と基板２１とは、接着剤を介して接合することができる。これにより、第１補強部材４の設置が簡単となる。
【０１４２】
かかる接着剤としては、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、各種接着剤を用いることができるが、熱伝導性に優れたものが好ましく、後述する熱伝導性材料６と同様のものを用いることができる。
【０１４３】
この第１補強部材４は、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。これにより、基板２１の熱膨張を抑えることができる。
【０１４４】
また、第１補強部材４は、板状をなしている。これにより、第１補強部材４の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０１４５】
このような第１補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）は、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と同一面上またはそれよりも基板２１側（すなわち下側）に位置しているのが好ましい。これにより、半導体パッケージ１の製造に際し、第１補強部材４の設置後に半導体素子３を設置する場合、半導体素子３の設置が容易となる。
【０１４６】
第１実施形態では、第１補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）とが同一面上に位置している。これにより、半導体パッケージ１を薄型化しつつ、配線基板２の反りを効果的に抑制または防止することができる。また、第１補強部材４の上面上に他の構造体（例えば、基板、半導体素子、ヒートシンク等）を設ける場合、その構造体の設置を安定的に行うことができる。
なお、第１補強部材４および半導体素子３を封止樹脂でモールドしてもよい。
【０１４７】
また、第１補強部材４は、半導体素子３の周囲を囲むように設けられている。第１実施形態では、第１補強部材４は、半導体素子３を囲むように環状（より具体的には四角環状）をなしている。これにより、第１補強部材４による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０１４８】
また、第１補強部材４は、半導体素子３との間の距離（第１補強部材４の内周面４１と半導体素子３の外周面３３との間の距離）が半導体素子３の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、第１補強部材４および半導体素子３の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。また、後述する熱伝導性材料６を介した半導体素子３から第１補強部材への伝熱を効率的かつ均一に生じさせることができる。
【０１４９】
また、第１補強部材４は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、半導体素子３および第１補強部材４が一体的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０１５０】
また、第１補強部材４は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている。
Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、放熱性に優れるだけでなく、熱膨張係数が低く、かつ、一般的な半導体素子３の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。そのため、半導体素子３および第１補強部材４が一体的に配線基板２を補強することができる。
【０１５１】
Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、ＦｅおよびＮｉを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＮｉの他に、残部（Ｍ）として、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【０１５２】
より具体的には、Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、例えば、Ｆｅ−３６Ｎｉ合金（インバー）等のＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−３２Ｎｉ−５Ｃｏ合金（スーパーインバー）、Ｆｅ−２９Ｎｉ−１７Ｃｏ合金（コバール）、Ｆｅ−３６Ｎｉ−１２Ｃｏ合金（エリンバー）等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−２８Ｍｏ−２Ｆｅ合金等のＮｉ−Ｍｏ−Ｆｅ合金等が挙げられる。
【０１５３】
また、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金は、例えば、ＫＶ−２、ＫＶ−４、ＫＶ−６、ＫＶ−１５、ＫＶ−２５等のＫＶシリーズ（ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製）、Ｎｉｖａｒｏｘ等の商品名で市販されている。また、Ｆｅ−Ｎｉ合金は、例えば、ＮＳ−５、Ｄ−１（ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製）等の商品名で市販されている。また、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ合金は、例えば、Ｎｉ−Ｓｐａｎ  Ｃ−９０２(大同スペシャルメタル社製)、ＥＬ−３(ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製)等の商品名で市販されている。
【０１５４】
特に、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金の熱膨張係数（すなわち第１補強部材４の熱膨張係数）は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第１補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０１５５】
また、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値（第１補強部材４と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値）は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第１補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０１５６】
上述したような熱膨張係数の観点から、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｉの含有量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｎｉの含有量が３５ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。この場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｆｅの含有量が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｆｅの含有量が５５ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。
【０１５７】
また、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が８５ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのが好ましく、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が９０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのがより好ましい。すなわち、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのが好ましく、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。
【０１５８】
また、第１補強部材４の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の第１補強部材４および第２補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
【０１５９】
また、熱放散性の観点から、第１補強部材４の表面が粗化されていてもよい。第１補強部材４表面が粗化されていれば、表面積が増大し熱放散の効率が上がる。第１補強部材４表面の粗化方法は、特に限定されず、例えば化学的な薬液処理、機械的なサンドブラスト処理などにより実施することができる。
【０１６０】
第１補強部材４の表面粗度の大きさは、半導体素子３の発熱量、樹脂材料の構成、配線基板２の構成、第１補強部材４の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、算術平均で表される表面粗度が０．１μｍ以上１００μｍ以下程度である。前記算術平均で表される表面粗度は、例えばＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することができる。
【０１６１】
また、樹脂材料との密着性向上の観点から、第１補強部材４表面に銅皮膜が形成されていてもよい。銅については、樹脂材料との密着強度を向上させるための表面処理技術が数多く知られているため、第１補強部材４の形状、大きさ、樹脂材料の種類等に応じてその表面処理を適宜選択し、実施することができる。
【０１６２】
銅皮膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等により実施することができる。
【０１６３】
また、銅皮膜の平均厚さは、第１補強部材４の熱膨張係数に影響を及ぼさず、密着性向上の表面処理が可能な範囲で薄い方が好ましい。
【０１６４】
また、第１実施形態では、図１および図２に示すように、第１補強部材４と半導体素子３との間に、熱伝導性材料６が充填されている。これにより、半導体素子３から熱伝導性材料６を介して第１補強部材４へ効率的に熱を伝達することができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０１６５】
このような熱伝導性材料６としては、特に限定されないが、無機フィラーおよび樹脂材料を含んで構成された樹脂組成物が挙げられる。
【０１６６】
熱伝導性材料６（樹脂組成物）に用いる無機フィラー（無機充填材）としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ガリウム、窒化チタン等の窒化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、炭酸カルシウム（軽質、重質）、炭酸マグネシウム、ドロマイト、ドーソナイト等の炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、タルク、マイカ、クレー、ガラス繊維、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト等のケイ酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維等の炭素、その他鉄粉、銅粉、アルミニウム粉、亜鉛華、硫化モリブデン、ボロン繊維、チタン酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛が挙げられる。なお、無機フィラーとして導電性を有するものを用いた場合、必要に応じて、熱伝導性材料６の接する部位に絶縁処理を施す。
【０１６７】
中でも、前記無機フィラーとしては、絶縁性および熱伝導性に優れるという観点から、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ガリウム、窒化チタン等の窒化物が好ましい。
【０１６８】
また、熱伝導性材料６（樹脂組成物）に用いる樹脂材料としては、各種熱可塑性樹脂、各種熱硬化性樹脂が挙げられる。
【０１６９】
熱伝導性材料６（樹脂組成物）に用いる熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０１７０】
また、熱伝導性材料６（樹脂組成物）に用いる熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル）樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０１７１】
中でも、熱伝導性材料６（樹脂組成物）に用いる樹脂材料としては、熱硬化性樹脂（特に硬化前に液状をなすもの）を用いるのが好ましく、フェノール樹脂、エポキシ樹脂を用いるのがより好ましく、フェノール樹脂を用いるのが特に好ましい。これにより、熱伝導性材料６を第１補強部材４と半導体素子３との間に隙間なく充填できるとともに、熱伝導性材料６の熱膨張係数を効果的に抑えることができる。
【０１７２】
かかるフェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。
【０１７３】
また、この熱伝導性材料６は、前述した接着層３２（アンダーフィル材）と同様のものを用いてもよく、また、熱伝導性材料６および接着層３２を一括して形成することもできる。
【０１７４】
［第２補強部材］
第２補強部材（スティフナー）５は、配線基板２の基板２１の下面（他方の面）に接合されている。
【０１７５】
この第２補強部材５と基板２１とは、接着剤を介して接合することができる。これにより、第２補強部材５の設置が簡単となる。
【０１７６】
かかる接着剤としては、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、各種接着剤を用いることができるが、熱伝導性に優れたものが好ましく、後述する熱伝導性材料６と同様のものを用いることができる。
【０１７７】
この第２補強部材５は、前述した第１補強部材４と同様、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。
【０１７８】
第２補強部材５は、板状をなしている。これにより、第２補強部材５の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０１７９】
また、第２補強部材５は、配線基板２（基板２１）の外周部（導体パターン２２４よりも外側）に沿って設けられた部分（枠部）５２と、金属バンプ７１同士の間に設けられた部分５３とを有している。第２補強部材５の部分５２と配線基板２（基板２１）との接合により、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。また、第２補強部材５の部分５３と配線基板２との接合により、第２補強部材５の剛性が高められる。
【０１８０】
より具体的に説明すると、第２補強部材５は、前述した各金属バンプ７１に非接触で各金属バンプ７１を囲むように形成された複数の開口部５１を有する。これにより、第２補強部材５が配線基板２の下面に占める面積の割合を大きくすることができる。その結果、第２補強部材５による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０１８１】
第１実施形態では、各開口部５１は、平面視にて、円形をなしている。なお、各開口部５１の平面視形状は、これに限定されず、例えば、楕円形、多角形等であってもよい。
【０１８２】
また、各開口部５１は、各金属バンプ７１に対応して（一対一で対応して）設けられている。これにより、第２補強部材５の剛性の均一化を図ることができる。また、第２補強部材５の放熱性も向上させることができる。
【０１８３】
また、第２補強部材５は、各金属バンプ７１との間の距離（平面視における開口部５１の壁面と金属バンプ７１の外周面との間の距離）が金属バンプ７１の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、第２補強部材５および各金属バンプ７１の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。
【０１８４】
第１実施形態では、第２補強部材５の下面に、伝熱バンプ９１が設けられている。
この伝熱バンプ９１は、配線基板２の基板２１よりも高い熱伝導性を有し、例えば、後述する半導体装置１００において、マザーボード２００に接合されるものである。これにより、第２補強部材５の熱を外部（例えばマザーボード２００）に逃がすことができる。
【０１８５】
伝熱バンプ９１の構成材料としては、前述したような伝熱性を有するものであれば、特に限定されず、金属材料、樹脂材料を用いることができるが、特に、前述した金属バンプ７１と同様の構成材料、無機フィラーおよび樹脂材料を含有する伝熱性接着剤等を用いるのが好ましい。
【０１８６】
また、前述した第１補強部材４と同様、第２補強部材５は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、第２補強部材５が効果的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０１８７】
特に、第２補強部材５は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成されている。
Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、前述した第１補強部材４と同様のものを用いることができる。
【０１８８】
また、第２補強部材５を構成するＦｅ−Ｎｉ系合金は、第１補強部材４を構成するＦｅ−Ｎｉ系合金と異なっていてもよいが、第１補強部材４を構成するＦｅ−Ｎｉ系合金と同じであるのが好ましい。これにより、配線基板２の両面の熱膨張差を防止または抑制することができる。
【０１８９】
特に、第２補強部材５の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０１９０】
また、第２補強部材５と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０１９１】
また、第２補強部材５と第１補強部材４との熱膨張係数差の絶対値は、２ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、０ｐｐｍ／℃であるのがさらに好ましい。これにより、第１補強部材４と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、これらの熱膨張差に起因する配線基板２の反りを防止することができる。
【０１９２】
このような観点から、第２補強部材５の構成材料は、第１補強部材４の構成材料と同種または同じであるのが好ましい。
【０１９３】
また、第２補強部材５の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の第１補強部材４および第２補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
【０１９４】
また、熱放散性の観点から、第２補強部材５の表面が粗化されていてもよい。第２補強部材５表面が粗化されていれば、表面積が増大し熱放散の効率が上がる。第２補強部材５表面の粗化方法は、特に限定されず、例えば化学的な薬液処理、機械的なサンドブラスト処理などにより実施することができる。
【０１９５】
第２補強部材５の表面粗度の大きさは、半導体素子３の発熱量、樹脂材料の構成、配線基板２の構成、第２補強部材５の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、算術平均で表される表面粗度が０．１μｍ以上１００μｍ以下程度である。前記算術平均で表される表面粗度は、例えばＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することができる。
【０１９６】
また、樹脂材料との密着性向上の観点から、第２補強部材５表面に銅皮膜が形成されていてもよい。銅については、樹脂材料との密着強度を向上させるための表面処理技術が数多く知られているため、補強部材の形状、大きさ、樹脂材料の種類等に応じてその表面処理を適宜選択し、実施することができる。
【０１９７】
銅皮膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等により実施することができる。
【０１９８】
また、銅皮膜の平均厚さは、第２補強部材５の熱膨張係数に影響を及ぼさず、密着性向上の表面処理が可能な範囲で薄い方が好ましい。
【０１９９】
また、第２補強部材５と各金属バンプ７１との間には、絶縁材８１が設けられている（充填されている）。これにより、第２補強部材５と各金属バンプ７１との接触を防止することができる。そのため、半導体パッケージ１の信頼性を優れたものとしつつ、第２補強部材５の剛性および放熱性を高めることができる。
【０２００】
また、絶縁材８１は、金属バンプ７１の周囲を囲むように形成され、かつ、各半田バンプに接合されている。これにより、絶縁材８１は、金属バンプ７１を補強している。
【０２０１】
このような絶縁材８１は、絶縁性を有し、樹脂材料を含んで構成されている。
このような絶縁材８１は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性を有する半田接合用樹脂により形成されるのが好ましい。
【０２０２】
このような半田接合用樹脂（以下、「硬化性フラックス）とも言う）は、半田接合時にフラックスとして作用し、次いで加熱することにより、硬化して半田接合部の補強材として作用する。また、かかる半田接合用樹脂は、半田接合の際に、半田接合面および半田材料の酸化物などの有害物を除去し、半田接合面を保護するとともに、半田材料の精錬を行って、強度の大きい良好な接合を可能にする。さらに、半田接合用樹脂は、半田接合後に洗浄などにより除去する必要がなく、そのまま加熱することにより、三次元架橋した樹脂となり、半田接合部の補強材として作用する。
【０２０３】
かかる半田接合用樹脂は、例えば、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）および該樹脂の硬化剤（Ｂ）を含んで構成することができる。
【０２０４】
フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）としては、特に制限はないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、多価フェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などを挙げることができる。
【０２０５】
また、硬化性フラックスにおいて、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）の含有量は、硬化性フラックス全体の２０〜８０重量％であることが好ましく、２５〜６０重量％であることがより好ましい。樹脂（Ａ）の含有量が２０重量％未満であると、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接合性が不良となるおそれがある。樹脂（Ａ）の含有量が８０重量％を超えると、十分な物性を有する硬化物が得られず、接合強度と信頼性が低下するおそれがある。
【０２０６】
また、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）のフェノール性ヒドロキシル基は、その還元作用により、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去するので、半田接合のフラックスとして効果的に作用する。
【０２０７】
また、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）の硬化剤（Ｂ）としては、例えば、エポキシ化合物、イソシアネート化合物などを挙げることができる。エポキシ化合物およびイソシアネート化合物としては、例えば、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノール系などのフェノールベースのエポキシ化合物、イソシアネート化合物や、飽和脂肪族、環状脂肪族、不飽和脂肪族などの骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物、イソシアネート化合物などを挙げることができる。
【０２０８】
また、硬化剤（Ｂ）の配合量は、硬化剤のエポキシ基、イソシアネート基などの反応性の官能基が、樹脂（Ａ）のフェノール性ヒドロキシル基の０．５〜１．５当量倍であることが好ましく、０．８〜１．２当量倍であることがより好ましい。硬化剤の反応性の官能基がヒドロキシル基の０．５当量倍未満であると、十分な物性を有する硬化物が得られず、補強効果が小さくなって、接合強度と信頼性が低下するおそれがある。硬化剤の反応性の官能基がヒドロキシル基の１．５当量倍を超えると、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接合性が不良となるおそれがある。
【０２０９】
このような半田接合用樹脂（硬化性フラックス）は、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）と該樹脂の硬化剤（Ｂ）の反応により、良好な物性を有する硬化物が形成されるために、半田接合後に洗浄によりフラックスを除去するが必要なく、硬化物により半田接合部が保護されて、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度と信頼性の高い半田接合が可能となる。
【０２１０】
なお、前述したような半田接合用樹脂は、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）と該樹脂の硬化剤（Ｂ）の他に、硬化性酸化防止剤（Ｃ）、微結晶状態で分散するフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物（Ｄ）および該化合物の硬化剤（Ｅ）、溶剤（Ｆ）、硬化触媒、密着性や耐湿性を向上させるためのシランカップリング剤、ボイドを防止するための消泡剤、あるいは液状または粉末の難燃剤等を含んでいてもよい。
【０２１１】
以上説明したように構成された半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板２の両面が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。特に、第１補強部材４および第２補強部材５の熱膨張係数が配線基板２よりも小さいため、半導体素子３が配線基板２の全面に亘って設けられているのと同様に、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【０２１２】
また、配線基板２の厚さを薄くすることができるので、配線基板２の厚さ方向での熱伝導性を高めることができる。そのため、半導体パッケージ１は、半導体素子３からの熱を配線基板２を介して逃すことができ、放熱性に優れる。また、第１補強部材４および第２補強部材５の構成材料を適宜選択することにより、半導体パッケージ１の放熱性を高めることもできる。
【０２１３】
このようなことから、半導体素子３および配線基板２の昇温を抑えることができるので、この点でも、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【０２１４】
（１−２）半導体パッケージの製造方法
以上説明したような半導体パッケージ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０２１５】
以下、図４Ａ〜図４Ｇに基づき、半導体パッケージ１の製造方法の一例を簡単に説明する。
［１］
まず、図４Ａに示すように、金属層２２１Ａとプリプレグ２１１Ａとの積層体を用意し、その積層体のプリプレグ２１１Ａ側の面に、第１補強部材４を貼り付ける。
【０２１６】
ここで、プリプレグ２１１Ａは、前述した配線基板２の絶縁層２１１を形成するためのものであり、前述した絶縁層２１１の樹脂組成物の未硬化物（半硬化物）が基材に含浸してなるものである。
【０２１７】
また、金属層２２１Ａは、前述した配線基板２の導体パターン２２１を形成するためのものであり、導体パターン２２１の構成材料と同様の材料で構成されている。
【０２１８】
［２］
次に、図４Ｂに示すように、プリプレグ２１１Ａに貫通孔２１１１（ビアホール）を形成する。
【０２１９】
貫通孔２１１１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、レーザーを照射することにより形成することができる。
【０２２０】
ここで、レーザーとしては、例えばＣＯ２レーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等を用いることができる。
【０２２１】
なお、貫通孔２１１１は、例えば、ドリル等の機械加工によって形成することもできる。
【０２２２】
［３］
次に、図４Ｃに示すように、貫通孔２１１１内に導体ポスト２３１を形成する。
【０２２３】
導体ポスト２３１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、導電性ペーストを充填する方法、無電解めっきにより埋め込む方法、電解めっきにより埋め込む方法等を用いることができる。
【０２２４】
［４］
次に、図４Ｄに示すように、金属層２２１Ａをパターンニングすることにより、導体パターン２２１を形成する。
【０２２５】
かかるパターンニングの方法としては、特に限定されないが、エッチングが好適に用いられる。
【０２２６】
以上のようにして、絶縁層２１１、導体パターン２２１および導体ポスト２３１が形成される。
【０２２７】
［５］
次に、上記工程［１］〜［４］と同様にして、絶縁層２１２、２１３、２１４、２１５および導体パターン２２２、２２３、２２４を形成するためのプリプレグおよび金属層からなる積層体をそれぞれ用意し、導体パターン２２２、２２３、２２４および導体ポスト２３２、２３３、２３４、２３５を形成する。また、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のためのプリプレグを積層した後、導体ポスト２３１、２３２、２３３、２３４、２３５と同様の方法を用いて、伝熱ポスト２４を形成する。その後、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のためのプリプレグを硬化（完全硬化）させて、図４Ｅに示すように、配線基板２を得る。
【０２２８】
絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のためのプリプレグを積層する方法としては、例えば、真空プレス、ラミネート等が挙げられる。これらの中でも真空プレスによる接合方法が好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のためのプリプレグの密着強度を向上することができる。
【０２２９】
絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のためのプリプレグを硬化させる方法としては、特に限定されないが、例えば、熱処理が好適に用いられる。
【０２３０】
なお、伝熱ポスト２４の形成は、各導体ポスト２３１、２３２、２３３、２３４、２３５と同時に、各絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のためのプリプレグに伝熱ポストを形成しておき、これらのプリプレグを積層することにより、これらの伝熱ポストを接続して形成してもよい。
【０２３１】
［６］
次に、配線基板２の下面に、絶縁材８１Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）７１Ａを半田リフローにより半田接合する。これにより、金属バンプ７１および絶縁材８１が形成される。
【０２３２】
かかる半田接合は、特に限定されないが、配線基板２の下面に各金属バンプ７１が当接するように配置し、その状態で、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより行うことができる。
【０２３３】
また、絶縁材８１Ａは、前述した絶縁材８１を形成するためのものであり、例えば、加熱により硬化するものである。
【０２３４】
絶縁材８１を形成するに際しては、例えば、図４Ｆに示すように、絶縁材８１Ａを配線基板２の下面に塗布し、前述したような半田接合の後、加熱により絶縁材８１Ａを硬化させることにより、絶縁材８１を得る。
【０２３５】
このようにして得られた絶縁材８１は、前述したように金属バンプ７１の周囲を囲むように形成される。
【０２３６】
このとき、絶縁材８１Ａは、半田接合時にフラックスとして機能し、且つ、金属ボール７１Ａとの界面張力により半田接合部周辺をリング状に補強する形状で硬化する。
【０２３７】
［７］
次に、図４Ｇに示すように、配線基板２の下面に、第２補強部材５を接合する。また、配線基板２の上面に、アンダーフィル材を塗布した後、半導体素子３を金属バンプ３１を介して半田リフローにより接合する。なお、この場合、アンダーフィル材として前述した絶縁材８１と同じようなフラックス活性のある樹脂を用いる。また、半導体素子３を搭載し、フラックスあるいは半田ペースト等を用いてリフローにより半導体素子３を配線基板２に接合させた後、通常のキャピラリーアンダーフィル材を配線基板２と半導体素子３との間に充填・硬化させることもできる。
その後、半導体素子３と第１補強部材４との間に、熱伝導性材料６を充填する。
以上のようにして、半導体パッケージ１が得られる。
【０２３８】
（１−３）半導体装置
次に、半導体装置の製造方法および半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
【０２３９】
図５は、第１実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
図５に示すように、半導体装置１００は、マザーボード（基板）２００と、このマザーボード２００に搭載された半導体パッケージ１とを有している。
【０２４０】
このような半導体装置１００においては、半導体パッケージ１の金属バンプ７１がマザーボード２００の端子（図示せず）に接合されている。これにより、半導体パッケージ１とマザーボード２００とが電気的に接続され、これらの間で電気的信号の伝送が行われる。また、この接合部を介して、半導体パッケージ１の熱をマザーボード２００へ逃すことができる。
【０２４１】
また、半導体パッケージ１の伝熱バンプ９１がマザーボード２００の放熱用の端子（図示せず）に接合されている。この接合部を介して、半導体パッケージ１の熱をマザーボード２００へ効率的に逃すことができる。このような伝熱バンプ９１は、前述した金属バンプ７１と同様の構成材料で構成されている場合、金属バンプ７１の接合と同時に一括してマザーボード２００に対して接合を行うことができる。
【０２４２】
以上説明したような半導体装置１００によれば、前述したような放熱性および信頼性に優れた半導体パッケージ１を備えるので、信頼性に優れる。
【０２４３】
以上、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０２４４】
例えば、第１実施形態では、第１補強部材４が半導体素子３の全周に亘って囲むように設けられていたが、これに限定されず、例えば、半導体素子３の周囲の一部に欠損した部分（切り欠き）が形成されていてもよい。
【０２４５】
また、第１実施形態では、第１補強部材４および第２補強部材５の双方がＦｅ−Ｎｉ系合金で構成されている場合を説明したが、第１補強部材４または第２補強部材５がＦｅ−Ｎｉ系合金以外の材料で構成されていてもよい。
【０２４６】
また、第１補強部材４または第２補強部材５を省略してもよい。この場合、配線基板２のいずれか一方の面に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成された補強部材が接合されていればよい。
【０２４７】
また、第１実施形態では、第１補強部材４と第２補強部材５とを接続する熱伝導部として、基板２１を貫通する伝熱ポスト２４を用いたが、例えば、基板２１の外側に設けた熱伝導部材（金属部材）を用いてもよい。この場合、伝熱性接着剤を用いて熱伝導部材を基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５に接着（接合）してもよいし、基板２１の側面側から基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５を上下から銜えこむような形態としてもよい。また、配線基板２自体の放熱性の程度によっては、伝熱ポスト２４を省略してもよい。
【０２４８】
また、第２補強部材５に形成される開口部は、各金属バンプ７１と一対一で対応していなくてもよい。すなわち、第２補強部材５には、複数の金属バンプ７１に対して１つが対応するように、開口部が形成されていてもよい。
【０２４９】
第１実施形態の半導体パッケージによれば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で構成された補強部材は、優れた剛性および放熱性を有するとともに、熱膨張係数が小さい。
【０２５０】
このような補強部材を配線基板（インターポーザ）の半導体素子側の面に接合することにより、半導体素子と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）が補強部材により補強されるため、半導体パッケージ全体の剛性が増す。
【０２５１】
また、補強部材を配線基板の半導体素子と反対側の面に接合することにより、配線基板の両面の熱膨張差を防止または抑制することができる。
【０２５２】
このようなことから、配線基板と半導体素子との熱膨張係数差に起因する配線基板の反りを抑制または防止することができる。
【０２５３】
また、配線基板自体の剛性を高める必要がなく、配線基板の厚さを薄くすることができるので、配線基板の厚さ方向での熱伝導性を高めることができる。そのため、本発明の半導体パッケージは、半導体素子からの熱を配線基板を介して逃すことができ、放熱性に優れる。これにより、半導体素子および配線基板の昇温を抑えることができるので、この点でも、配線基板と半導体素子との熱膨張係数差に起因する配線基板の反りを抑制または防止することができる。
【０２５４】
また、第１実施形態の半導体装置によれば、前述したような半導体パッケージを備えるので、信頼性に優れる。
【０２５５】
（２）第２実施形態
以下、第２実施形態の半導体パッケージについて、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図中において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
（２−１）半導体パッケージ
まず、本発明の半導体パッケージを説明する。
【０２５６】
図６は、第２実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図、図２は、図６に示す半導体パッケージを示す上面図、図３は、図６に示す半導体パッケージを示す下面図、図７Ａ〜図７Ｇは、図６に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図２〜図３及び図６〜図８では、それぞれ、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０２５７】
図６に示すように、半導体パッケージ１は、配線基板２と、この配線基板２上に搭載された半導体素子３と、第１補強部材（補強部材）４と、第２補強部材（補強部材）５とを有する。
【０２５８】
このような半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）２が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。その結果、配線基板２の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制することができる。
【０２５９】
特に、後に詳述するように、第１補強部材４および第２補強部材５がそれぞれ接着剤（接着層）を介して配線基板２に接合されているが、その接着層の弾性率を比較的低いものとすることができる。そのため、第１補強部材４と配線基板２との間、および、第２補強部材５と配線基板との間の応力をそれぞれ緩和し、第１補強部材４および第２補強部材５が配線基板２から剥がれるのを防止することができる。
【０２６０】
また、かかる接着層の熱伝導性を高めることができ、配線基板２の熱を接着層を介して第１補強部材４および第２補強部材５に効率的に伝達することができる。そのため、半導体パッケージ１の放熱性を優れたものとすることができる。
【０２６１】
以下、半導体パッケージ１の各部を順次詳細に説明する。
［配線基板］
第２実施形態の配線基板は以下の点を除き、第１実施形態の配線基板と同様であるので、説明を省略する。
【０２６２】
第１の実施形態は、「伝熱ポスト２４は、上端が第１補強部材４に接触し、下端が第２補強部材５に接触しており、これにより、各伝熱ポスト２４は、第１補強部材４と第２補強部材５とを接続している。」
これに対し、第２の実施形態の伝熱ポスト２４は、上端が接着層３００に接触し、下端が接着層４００に接触している。これにより、各伝熱ポスト２４は、接着層３００を介して第１補強部材４に熱的に接続されるとともに、接着層４００を介して第２補強部材５に熱的に接続されている。
【０２６３】
［半導体素子］
第１実施形態の半導体素子は、第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【０２６４】
［第１補強部材］
第１補強部材（スティフナー）４は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）の、半導体素子３が接合されていない部分に接合されている。
【０２６５】
この第１補強部材４と基板２１とは、接着層３００を介して接合されている。このように接着剤を用いて第１補強部材４と基板２１とを接合することにより、半導体パッケージ１の製造が容易となる。
【０２６６】
接着層３００は、樹脂材料および無機フィラーを含む接着剤（樹脂組成物）の硬化物で構成されている。すなわち、接着層３００は、樹脂材料および無機フィラーを含んで構成されている。
【０２６７】
接着剤（樹脂組成物）に用いる無機フィラー（無機充填材）としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ガリウム、窒化チタン等の窒化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、炭酸カルシウム（軽質、重質）、炭酸マグネシウム、ドロマイト、ドーソナイト等の炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、タルク、マイカ、クレー、ガラス繊維、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト等のケイ酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維等の炭素、その他鉄粉、銅粉、アルミニウム粉、亜鉛華、硫化モリブデン、ボロン繊維、チタン酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛が挙げられる。
【０２６８】
中でも、前記無機フィラーとしては、絶縁性および熱伝導性に優れるという観点から、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ガリウム、窒化チタン等の窒化物が好ましい。
【０２６９】
また、無機フィラーは、球状をなすものを用いるのが好ましく、その平均粒径は、０．０５μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましく、０．１μｍ以上５μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、接着剤の流動性を優れたものとすることができる。
【０２７０】
また、接着剤（樹脂組成物）に用いる樹脂材料としては、各種熱可塑性樹脂、各種熱硬化性樹脂が挙げられる。
【０２７１】
接着剤（樹脂組成物）に用いる熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０２７２】
また、接着剤（樹脂組成物）に用いる熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル）樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０２７３】
中でも、接着剤（樹脂組成物）に用いる樹脂材料としては、熱硬化性樹脂（特に硬化前に液状をなすもの）を用いるのが好ましく、フェノール樹脂、エポキシ樹脂を用いるのがより好ましく、フェノール樹脂を用いるのが特に好ましい。これにより、接着層３００を第１補強部材４と基板２１との間に隙間なく形成できるとともに、接着層３００の熱膨張係数を効果的に抑えることができる。
【０２７４】
かかるフェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。
【０２７５】
このような接着層３００の２５℃における弾性率は、０．５ＭＰａ以上１０GＰａ以下であるのが好ましく、１MＰａ以上３GＰａ以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４と配線基板２との間の応力を効果的に緩和することができる。
【０２７６】
これに対し、かかる弾性率が前記上限値を超えると、第１補強部材４と配線基板２との熱膨張係数差によっては、第１補強部材４と配線基板２との間の応力を緩和しきれずに、第１補強部材４が配線基板２から剥がれるおそれがある。また、無機フィラーの充填量が多くなりすぎて、接着層３００の接着強度が低下する傾向を示す。一方、かかる弾性率が前記下限値未満であると、無機フィラーの充填量が少なくなりすぎて、接着層３００の熱伝導性が低下する傾向を示す。
【０２７７】
また、接着層３００の熱伝導率は、０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であるのが好ましく、１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であるのがより好ましい。これにより、接着層３００の熱伝導性を優れたものとすることができる。
【０２７８】
これに対し、かかる熱伝導率が前記下限値未満であると、接着層３００の厚さによっては、第１補強部材４と配線基板２との間の熱伝導性が良好でなく、半導体パッケージ１の放熱性が低下する傾向を示す。一方、かかる熱伝導率が前記上限値を超えると、接着層３００中の無機フィラーの充填量が多くなりすぎて、接着層３００の接着強度が低下する傾向を示す。
【０２７９】
このような接着層３００中における樹脂材料の含有量は、用いる樹脂材料や無機フィラーの種類、添加剤の含有量、接着層３００の厚さ、接着面の状態等によっても異なるが、前述したような接着層３００の弾性率や熱伝導性を実現する観点から、例えば、２０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下であるのが好ましく、４０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。
【０２８０】
また、接着層３００中における無機フィラーの含有量は、例えば、１ｖｏｌ％以上８０ｖｏｌ％以下であるのが好ましく、１０ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下であるのがより好ましい。
【０２８１】
また、接着層３００の平均厚さは、接着層３００の熱伝導性と接着性とを両立する観点から、５μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上８０μｍ以下であるのがより好ましい。
【０２８２】
なお、接着層３００（接着剤）には、前述したような樹脂材料および無機フィラーの他に、硬化剤、硬化助剤、触媒、助触媒、カップリング剤等の添加剤が含まれていてもよい。
【０２８３】
このような接着層３００を介して配線基板２に接合された第１補強部材４は、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。これにより、基板２１の熱膨張を抑えることができる。
【０２８４】
また、第１補強部材４は、板状をなしている。これにより、第１補強部材４の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０２８５】
特に、第１補強部材４は、第１層４２と、第１層４２の基板２１と反対側の面上に接合された第２層４３とを備える。言い換えると、第１補強部材４は、基板２１の上面上に第１層４２、第２層４３がこの順で積層されている。
【０２８６】
第１層４２と第２層４３との接合方法としては、特に限定されず、例えば、拡散接合、表面活性化接合、ろう材による接合等が挙げられる。また、第１層４２は、第２層４３上に電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等を施すことにより形成することができる。
【０２８７】
そして、第１層４２は、前述した接着層３００との密着性を向上させる機能を有する。これにより、第１補強部材４が配線基板２から剥がれるのを防止することができる。
【０２８８】
このような第１層４２の構成材料としては、接着層３００との密着性を向上させ得るものであれば、特に限定されないが、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、鉄、鉄合金、銀、銀合金、亜鉛、亜鉛合金、金、金合金からなる群から選択される金属材料を用いるのが好ましく、特に、銅または銅合金を用いるのが好ましい。これにより、第１補強部材４の接着層３００との密着性を向上させることができる。
【０２８９】
また、第１層４２の第２層４３とは反対側の面には、粗面化処理が施されているのが好ましい。すなわち、第１層４２の接着層３００との接触面は、粗面化処理されているのが好ましい。これにより、アンカー効果により第１補強部材４と接着層３００との接着強度を向上させることができる。なお、このような粗面化処理は、第１補強部材４の接着面以外の面に施されていてもよい。この場合、第１補強部材４の表面積増大により放熱性を向上させることができる。
【０２９０】
この粗面化処理の方法としては、特に限定されないが、例えば、化学的な薬液処理、機械的なサンドブラスト処理等が挙げられる。
【０２９１】
また、粗面化処理された表面の粗度の大きさは、特に限定されないが、例えば、算術平均で表される表面粗度が０．１μｍ以上１００μｍ以下程度である。前記算術平均で表される表面粗度は、例えばＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することができる。
【０２９２】
また、第１層４２は、薄膜状をなしている。
また、第１層４２の厚さは、特に限定されないが、０．００１μｍ以上１０μｍ以下であるのが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の接着層３００との密着性を向上させるとともに、第１層４２が第１補強部材４に悪影響を与えるのを防止することができる。
【０２９３】
一方、第２層４３は、第１層４２とは異なる機能を有する。具体的には、第２層４３は、第１層４２よりも熱膨張係数の小さい材料で構成され、第１補強部材４の熱膨張を抑える機能を有する。これにより、配線基板２の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制することができる。
【０２９４】
また、第２層４３は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、半導体素子３および第１補強部材４が一体的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０２９５】
このような第２層４３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。第１補強部材４が金属材料で構成されていると、第１補強部材４の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０２９６】
かかる金属材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅを含む合金を用いるのが好ましい。
【０２９７】
かかるＦｅを含む合金としては、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｐｄ合金等が挙げられ、特に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。
【０２９８】
このような金属材料は、放熱性に優れるだけでなく、熱膨張係数が低く、かつ、一般的な半導体素子３の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。
【０２９９】
Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、ＦｅおよびＮｉを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＮｉの他に、残部（Ｍ）として、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【０３００】
より具体的には、Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、例えば、Ｆｅ−３６Ｎｉ合金（インバー）等のＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−３２Ｎｉ−５Ｃｏ合金（スーパーインバー）、Ｆｅ−２９Ｎｉ−１７Ｃｏ合金（コバール）、Ｆｅ−３６Ｎｉ−１２Ｃｏ合金（エリンバー）等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−２８Ｍｏ−２Ｆｅ合金等のＮｉ−Ｍｏ−Ｆｅ合金等が挙げられる。また、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金は、例えば、ＫＶ−２、ＫＶ−４、ＫＶ−６、ＫＶ−１５、ＫＶ−２５等のＫＶシリーズ（ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製）、Ｎｉｖａｒｏｘ等の商品名で市販されている。また、Ｆｅ−Ｎｉ合金は、例えば、ＮＳ−５、Ｄ−１（ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製）等の商品名で市販されている。また、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ合金は、例えば、Ｎｉ−Ｓｐａｎ  Ｃ−９０２(大同スペシャルメタル社製)、ＥＬ−３(ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製)等の商品名で市販されている。
【０３０１】
また、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金としては、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒを含むものであれは、特に限定されないが、例えば、Ｆｅ−５４Ｃｏ−９．５Ｃｒ（ステンレスインバー）等のＦｅ−Ｃｏ−Ｃｒ合金が挙げられる。なお、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金は、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒの他に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【０３０２】
また、Ｆｅ−Ｃｏ系合金としては、ＦｅおよびＣｏを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＣｏの他に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【０３０３】
また、Ｆｅ−Ｐｔ系合金としては、ＦｅおよびＰｔを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＰｔの他に、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【０３０４】
また、Ｆｅ−Ｐｄ系合金としては、ＦｅおよびＰｄを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＰｄの他に、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【０３０５】
また、第２層４３（第１補強部材４）の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第１補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０３０６】
また、第２層４３（第１補強部材４）と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第１補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０３０７】
上述したような熱膨張係数の観点から、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｉの含有量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｎｉの含有量が３５ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。この場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｆｅの含有量が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｆｅの含有量が５５ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。
【０３０８】
また、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が８５ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのが好ましく、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が９０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのがより好ましい。すなわち、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのが好ましく、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。
【０３０９】
また、第１層４２の厚さをｔ１［ｍｍ］とし、第２層４３の厚さをｔ２［ｍｍ］としたとき、第１層４２による接着層との密着性向上機能と、第２層４３による補強機能とをバランスよく発揮させる観点から、ｔ２／ｔ１は、２以上８００００以下であるのが好ましく、２００以上５０００以下であるのがより好ましい。
【０３１０】
また、第２層４３の厚さｔ２は、特に限定されないが、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
【０３１１】
また、第１補強部材４の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の第１補強部材４および補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上１ｍｍ以下程度である。
【０３１２】
なお、第２の実施形態では、第１補強部材４が２層で構成されているが、第１補強部材４が３層以上で構成されていてもよい。例えば、第２層４３の上面上にも第１層４２と同様の層が設けられていてもよい。
【０３１３】
このような第１補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）は、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と同一面上またはそれよりも基板２１側（すなわち下側）に位置しているのが好ましい。これにより、半導体パッケージ１の製造に際し、第１補強部材４の設置後に半導体素子３を設置する場合、半導体素子３の設置が容易となる。
【０３１４】
第２実施形態では、第１補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）とが同一面上に位置している。これにより、半導体パッケージ１を薄型化しつつ、配線基板２の反りを効果的に抑制または防止することができる。また、第１補強部材４の上面上に他の構造体（例えば、基板、半導体素子、ヒートシンク等）を設ける場合、その構造体の設置を安定的に行うことができる。
なお、第１補強部材４および半導体素子３を封止樹脂でモールドしてもよい。
【０３１５】
また、第１補強部材４は、半導体素子３の周囲を囲むように設けられている。第２実施形態では、第１補強部材４は、半導体素子３を囲むように環状（より具体的には四角環状）をなしている。これにより、第１補強部材４による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０３１６】
また、第１補強部材４は、半導体素子３との間の距離（第１補強部材４の内周面４１と半導体素子３の外周面３３との間の距離）が半導体素子３の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、第１補強部材４および半導体素子３の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。また、後述する熱伝導性材料６を介した半導体素子３から第１補強部材への伝熱を効率的かつ均一に生じさせることができる。
【０３１７】
また、第２実施形態では、図６および図２に示すように、第１補強部材４と半導体素子３との間に、熱伝導性材料６が充填されている。これにより、半導体素子３から熱伝導性材料６を介して第１補強部材４へ効率的に熱を伝達することができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０３１８】
この熱伝導性材料６は、第１実施形態の熱伝導性材料６と同様である。
【０３１９】
［第２補強部材］
第２補強部材（スティフナー）５は、配線基板２の基板２１の下面（他方の面）に接合されている。
【０３２０】
この第２補強部材５と基板２１とは、接着層４００を介して接合されている。このように接着剤を用いて第２補強部材５と基板２１とを接合することにより、半導体パッケージ１の製造が容易となる。
【０３２１】
接着層４００は、接着剤の硬化物で構成され、その接着剤としては、前述した接着層３００に用いる接着剤と同様のものを用いることができる。
【０３２２】
また、接着層４００の２５℃における弾性率は、前述した接着層３００と同様、０．５ＭＰａ以上１０GＰａ以下であるのが好ましく、１MＰａ以上３GＰａ以下であるのがより好ましい。これにより、第２補強部材５と配線基板２との間の応力を効果的に緩和することができる。
【０３２３】
また、接着層４００の熱伝導率は、接着層３００と同様、０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であるのが好ましく、１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であるのがより好ましい。これにより、接着層４００の熱伝導性を優れたものとすることができる。
【０３２４】
また、接着層４００の平均厚さは、接着層４００の熱伝導性と接着性とを両立する観点から、５μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上８０μｍ以下であるのがより好ましい。
【０３２５】
このような接着層４００を介して配線基板２に接合された第２補強部材５は、前述した第１補強部材４と同様、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。
【０３２６】
第２補強部材５は、板状をなしている。これにより、第２補強部材５の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０３２７】
特に、第２補強部材５は、第１層５４と、第１層５４の基板２１と反対側の面上に接合された第２層５５とを備える。言い換えると、第２補強部材５は、基板２１の下面上に第１層５４、第２層５５がこの順で積層されている。
【０３２８】
第１層５４と第２層５５との接合方法としては、特に限定されず、例えば、拡散接合、表面活性化接合、ろう材による接合等が挙げられる。また、第１層５４は、第２層５５上に電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等を施すことにより形成することができる。
【０３２９】
そして、第１層５４は、接着層４００との密着性を向上させる機能を有する。このような第１層５４の構成材料としては、前述した第１補強部材４の第１層４２の構成材料と同様のものを用いることができる。
【０３３０】
また、第１層５４は、薄膜状をなしている。
また、第１層５４の厚さは、特に限定されないが、０．００１μｍ以上１０μｍ以下であるのが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、第２補強部材５の接着層４００との密着性を向上させるとともに、第１層５４が第２補強部材５に悪影響を与えるのを防止することができる。
【０３３１】
一方、第２層５５は、第２補強部材５の熱膨張を抑える機能を有する。このような第２層５５の構成材料としては、前述した第１補強部材４の第２層４３の構成材材料と同様のものを用いることができる。
【０３３２】
また、第１層５４の厚さをｔ３［ｍｍ］とし、第２層５５の厚さをｔ４［ｍｍ］としたとき、第１層５４による接着層との密着性向上機能と、第２層５５による補強機能とをバランスよく発揮させる観点から、ｔ４／ｔ３は、２以上８００００以下であるのが好ましく、２００以上５０００以下であるのがより好ましい。
【０３３３】
また、第２層５５の厚さｔ４は、特に限定されないが、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
【０３３４】
また、前述した第１補強部材４と同様、第２補強部材５（特に第２層５５）は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、第２補強部材５が効果的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０３３５】
また、第２補強部材５（特に第２層５５）の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的の防止することができる。
【０３３６】
また、第２補強部材５（特に第２層５５）と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的の防止することができる。
【０３３７】
また、第２補強部材５と第１補強部材４との熱膨張係数差の絶対値は、２ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、０ｐｐｍ／℃であるのがさらに好ましい。これにより、第１補強部材４と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、これらの熱膨張差に起因する配線基板２の反りを防止することができる。
【０３３８】
また、第２補強部材５の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の第１補強部材４および第２補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上１ｍｍ以下程度である。
【０３３９】
また、第２補強部材５は、配線基板２（基板２１）の外周部（導体パターン２２４よりも外側）に沿って設けられた部分（枠部）５２と、金属バンプ７１同士の間に設けられた部分５３とを有している。第２補強部材５の部分５２と配線基板２（基板２１）との接合により、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。また、第２補強部材５の部分５３と配線基板２との接合により、第２補強部材５の剛性が高められる。
【０３４０】
より具体的に説明すると、第２補強部材５は、前述した各金属バンプ７１に非接触で各金属バンプ７１を囲むように形成された複数の開口部５１を有する。これにより、第２補強部材５が配線基板２の下面に占める面積の割合を大きくすることができる。その結果、第２補強部材５による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０３４１】
第２実施形態では、各開口部５１は、平面視にて、円形をなしている。なお、各開口部５１の平面視形状は、これに限定されず、例えば、楕円形、多角形等であってもよい。
【０３４２】
また、各開口部５１は、各金属バンプ７１に対応して（一対一で対応して）設けられている。これにより、第２補強部材５の剛性の均一化を図ることができる。また、第２補強部材５の放熱性も向上させることができる。
【０３４３】
また、第２補強部材５は、各金属バンプ７１との間の距離（平面視における開口部５１の壁面と金属バンプ７１の外周面との間の距離）が金属バンプ７１の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、第２補強部材５および各金属バンプ７１の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。
【０３４４】
第２実施形態では、第２補強部材５の下面に、伝熱バンプ９１が設けられている。
この伝熱バンプ９１は、配線基板２の基板２１よりも高い熱伝導性を有し、例えば、後述する半導体装置１００において、マザーボード２００に接合されるものである。これにより、第２補強部材５の熱を外部（例えばマザーボード２００）に逃がすことができる。
【０３４５】
伝熱バンプ９１の構成材料としては、前述したような伝熱性を有するものであれば、特に限定されず、金属材料、樹脂材料を用いることができるが、特に、前述した金属バンプ７１と同様の構成材料、無機フィラーおよび樹脂材料を含有する伝熱性接着剤等を用いるのが好ましい。
【０３４６】
また、第２補強部材５と各金属バンプ７１との間には、絶縁材８１が設けられている（充填されている）。これにより、第２補強部材５と各金属バンプ７１との接触を防止することができる。そのため、半導体パッケージ１の信頼性を優れたものとしつつ、第２補強部材５の剛性および放熱性を高めることができる。
【０３４７】
また、絶縁材８１は、金属バンプ７１の周囲を囲むように形成され、かつ、各半田バンプに接合されている。これにより、絶縁材８１は、金属バンプ７１を補強している。
【０３４８】
このような絶縁材８１は、絶縁性を有し、樹脂材料を含んで構成されている。
この絶縁体８１は、第１実施形態の絶縁体と同様である。
【０３４９】
以上説明したように構成された半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）２が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。その結果、配線基板２の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制することができる。
【０３５０】
特に、第１補強部材４と配線基板２とを接合する接着層３００、および、第２補強部材５と配線基板２とを接合する接着層４００の弾性率をそれぞれ比較的低いものとすることができる。そのため、第１補強部材４と配線基板２との間、および、第２補強部材５と配線基板との間の応力をそれぞれ緩和し、第１補強部材４および第２補強部材５が配線基板２から剥がれるのを防止することができる。
【０３５１】
また、接着層３００、４００の熱伝導性を高めることができ、配線基板２の熱を、接着層３００を介して第１補強部材４に、あるいは、接着層４００を介して第２補強部材５に効率的に伝達することができる。そのため、半導体パッケージ１の放熱性を優れたものとすることができる。
【０３５２】
（２−２）半導体パッケージの製造方法
以上説明したような半導体パッケージ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０３５３】
以下、図７Ａ〜図７Ｇに基づき、半導体パッケージ１の製造方法の一例を簡単に説明する。
［１］
まず、図７Ａに示すように、金属層２２１Ａとプリプレグ２１１Ａとの積層体を用意する。
【０３５４】
ここで、プリプレグ２１１Ａは、前述した配線基板２の絶縁層２１１を形成するためのものであり、前述した絶縁層２１１の樹脂組成物の未硬化物（半硬化物）が基材に含浸してなるものである。
【０３５５】
また、金属層２２１Ａは、前述した配線基板２の導体パターン２２１を形成するためのものであり、導体パターン２２１の構成材料と同様の材料で構成されている。
【０３５６】
［２］〜［５］
第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の［２］〜［５］と同様である。なお、第１の実施形態の図４Ｂ〜図４Ｅは、第２実施形態の図７Ｂ〜図７Ｅに対応する。
【０３５７】
［６］
次に、図７Ｆに示すように、配線基板２の上面に、第１補強部材４を貼り付ける。その際、前述したような接着剤を用いて、接着層３００を介して配線基板２と第１補強部材４とを接着する。また、同様にして配線基板２の下面に、第２補強部材５を接合する。その際、前述したような接着剤を用いて、接着層４００を介して配線基板２と第２補強部材５とを接着する。
【０３５８】
また、配線基板２の下面に、絶縁材８１Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）７１Ａを半田リフローにより半田接合する。これにより、金属バンプ７１および絶縁材８１が形成される。
【０３５９】
かかる半田接合は、特に限定されないが、配線基板２の下面に各金属バンプ７１が当接するように配置し、その状態で、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより行うことができる。
【０３６０】
また、絶縁材８１Ａは、前述した絶縁材８１を形成するためのものであり、例えば、加熱により硬化するものである。
【０３６１】
絶縁材８１を形成するに際しては、例えば、図７Ｆに示すように、絶縁材８１Ａを配線基板２の下面の金属ボール７１Ａ搭載部に塗布し、前述したような半田接合の後、加熱により絶縁材８１Ａを硬化させることにより、絶縁材８１を得る。
【０３６２】
このようにして得られた絶縁材８１は、前述したように金属バンプ７１の周囲を囲むように形成される。
【０３６３】
このとき、絶縁材８１Ａは、半田接合時にフラックスとして機能し、且つ、金属ボール７１Ａとの界面張力により半田接合部周辺をリング状に補強する形状で硬化する。
【０３６４】
［７］
次に、図７Ｇに示すように、配線基板２の上面に、アンダーフィル材を塗布した後、半導体素子３を金属バンプ３１を介して半田リフローにより接合する。なお、この場合、アンダーフィル材として前述した絶縁材８１と同じようなフラックス活性のある樹脂を用いる。また、半導体素子３を搭載し、フラックスあるいは半田ペースト等を用いてリフローにより半導体素子３を配線基板２に接合させた後、通常のキャピラリーアンダーフィル材を配線基板２と半導体素子３との間に充填・硬化させることもできる。
【０３６５】
その後、半導体素子３と第１補強部材４との間に、熱伝導性材料６を充填する。
以上のようにして、半導体パッケージ１が得られる。
【０３６６】
（２−３）半導体装置
次に、半導体装置の製造方法および半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
【０３６７】
図８は、第２実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。第２実施形態の半導体装置は、第１実施形態の半導体装置と同様であるので説明を省略する。
【０３６８】
以上、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０３６９】
例えば、第２実施形態では、第１補強部材４が半導体素子３の全周に亘って囲むように設けられていたが、これに限定されず、例えば、半導体素子３の周囲の一部に欠損した部分（切り欠き）が形成されていてもよい。
【０３７０】
また、第２実施形態では、第１補強部材４および第２補強部材５がそれぞれ接着剤との密着性を向上させる層（第１層）を有する場合を説明したが、例えば、第１補強部材４および第２補強部材５の少なくとも一方の補強部材が、接着剤との密着性を向上させる層（第１層）有しておらず、1層で構成されていてもよい。
【０３７１】
また、第１補強部材４または第２補強部材５を省略してもよい。
また、第２実施形態では、第１補強部材４と第２補強部材５とを接続する熱伝導部として、基板２１を貫通する伝熱ポスト２４を用いたが、例えば、基板２１の外側に設けた熱伝導部材（金属部材）を用いてもよい。この場合、伝熱性接着剤を用いて熱伝導部材を基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５に接着（接合）してもよいし、基板２１の側面側から基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５を上下から銜えこむような形態としてもよい。また、配線基板２自体の放熱性の程度によっては、伝熱ポスト２４を省略してもよい。
【０３７２】
また、第２補強部材５に形成される開口部は、各金属バンプ７１と一対一で対応していなくてもよい。すなわち、第２補強部材５には、複数の金属バンプ７１に対して１つが対応するように、開口部が形成されていてもよい。
【０３７３】
第２実施形態の半導体パッケージによれば、半導体素子と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）が補強部材により補強されるため、半導体パッケージ全体の剛性が増す。その結果、配線基板の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制することができる。
【０３７４】
特に、接着層の弾性率を比較的低いものとすることができる。そのため、補強部材と配線基板との間の応力を緩和し、補強部材が配線基板から剥がれるのを防止することができる。
【０３７５】
また、接着層の熱伝導性を高めることができ、配線基板の熱を接着層を介して補強部材に効率的に伝達することができる。そのため、半導体パッケージの放熱性を優れたものとすることができる。
【０３７６】
また、第２実施形態の半導体装置によれば、前述したような半導体パッケージを備えるので、信頼性に優れる。
【０３７７】
（３）第３実施形態
（３―１−Ａ）第３Ａ実施形態
以下、第３Ａ〜第３Ｂ実施形態の半導体パッケージについて、第１〜２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図中において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
（３−１−Ａ−１）半導体パッケージ
まず、本発明の半導体パッケージを説明する。
【０３７８】
図９は、第３Ａ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図、図２は、図９に示す半導体パッケージを示す上面図、図１０Ａ〜図１０Ｇは、図９に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図２〜図３及び図９〜１２では、それぞれ、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０３７９】
図９に示すように、半導体パッケージ１は、配線基板２と、この配線基板２上に搭載された半導体素子３と、補強部材４とを有する。
【０３８０】
この半導体パッケージ１では、後述するように、補強部材４が互いに熱膨張係数の異なる第１層４２および第２層４３を備えている。そのため、第１層４２および第２層４３の熱膨張係数差に起因して配線基板２に作用する力により、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因して配線基板２に作用する力を相殺または緩和させることができる。そのため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【０３８１】
また、配線基板２の半導体素子３とは反対側の面上に、配線基板２の反り防止のための補強部材を別途設ける必要がないので、半導体パッケージ１の構成を簡単化することができる。そのため、半導体パッケージ１の製造が容易となるとともに、半導体パッケージ１を安価なものとすることができる。
【０３８２】
なお、本明細書において、特に断りのない限り、熱膨張係数とは、配線基板２の板面に平行な方向（面方向）での３０℃〜３００℃の熱膨張係数を言う。
【０３８３】
以下、半導体パッケージ１の各部を順次詳細に説明する。
［配線基板］
【０３８４】
第３Ａ実施形態は、下記を除いて第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
第１実施形態では、基板２１には、その厚さ方向に貫通する複数のビアホールが形成され、その各ビアホールに伝熱ポスト２４が設けられているが、第３Ａ実施形態では伝熱ポストが設けられていない。
【０３８５】
第３実施形態の各絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５は、基材を含まずに樹脂組成物のみで構成されていてもよい。
【０３８６】
また、第３Ａ実施形態の各金属バンプ７１の周囲には、絶縁材８１が設けられている。絶縁材８１は、金属バンプ７１の周囲を囲むように形成され、かつ、各金属バンプ７１に接合されている。これにより、絶縁材８１は、金属バンプ７１を補強している。第３Ａ実施形態の絶縁材８１は、第１実施形態の絶縁材８１と同様である。
【０３８７】
［半導体素子］
第３Ａ実施形態の半導体素子は、第１実施形態の半導体素子と同様であるので説明を省略する。
【０３８８】
［補強部材］
補強部材（スティフナー）４は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）の、半導体素子３が接合されていない部分に接合されている。
【０３８９】
この補強部材４と基板２１とは、接着剤を介して接合することができる。これにより、補強部材４の設置が簡単となる。
【０３９０】
かかる接着剤としては、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、各種接着剤を用いることができるが、熱伝導性に優れたものが好ましく、後述する熱伝導性材料６と同様のものを用いることができる。
【０３９１】
この補強部材４は、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。これにより、基板２１の熱膨張を抑えることができる。
【０３９２】
また、補強部材４は、板状をなしている。これにより、補強部材４の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０３９３】
特に、補強部材４は、第１層４２と、第１層４２の基板２１と反対側の面上に接合された第２層４３とを備える。言い換えると、補強部材４は、基板２１の上面上に第１層４２、第２層４３がこの順で積層されている。
【０３９４】
第１層４２と第２層４３との接合方法としては、特に限定されず、例えば、拡散接合、表面活性化接合、ろう材による接合等が挙げられる。
【０３９５】
そして、第１層４２および第２層４３は、互いに異なる熱膨張係数を有する。これにより、補強部材４が温度変化に伴いバイメタルのような作用を発揮し、第１層４２および第２層４３の熱膨張係数差に起因して配線基板２に作用する力（第１の力）により、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因して配線基板２に作用する力（第２の力）を相殺または緩和させることができる。そのため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【０３９６】
このような第１層４２の熱膨張係数と第２層４３の熱膨張係数との差は、基板２１（あるいは配線基板２）の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制するように設定されている。
【０３９７】
より具体的に説明すると、第３Ａ実施形態においては、第２層４３の熱膨張係数が第１層４２の熱膨張係数よりも大きいのが好ましい。
【０３９８】
通常、配線基板２の熱膨張係数は半導体素子３の熱膨張係数よりも大きくなる。そのため、配線基板２が半導体素子３よりも大きく熱膨張しようとし、配線基板２の外周部が半導体素子３側に変位する方向の力（第２の力）が生じる。一方、第２層４３の熱膨張係数を第１層４２の熱膨張係数よりも大きくすると、第２層４３が第１層４２よりも大きく熱膨張しようとし、配線基板２の外周部が半導体素子３とは反対側へ変位する方向の力（第２の方向と反対方向の第１の力）が生じる。したがって、このような２つの力（第１の力および第２の力）を互いに相殺させることができる。その結果、配線基板２の熱膨張に起因する反りを防止または抑制することができる。
【０３９９】
また、第１層４２の熱膨張係数と第２層４３の熱膨張係数との差の絶対値は、配線基板２の熱膨張係数と半導体素子３の熱膨張係数との差や、補強部材４の剛性等に応じて設定されるものであり、特に限定されないが、前述したような配線基板２の反りを効果的に防止する観点から、０．５ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましい。
【０４００】
また、前述したような配線基板２の反りを効果的に防止する観点（第１の力を効率的に生じさせる観点）から、第１層４２の厚さをｔ１［ｍｍ］とし、第２層４３の厚さをｔ２［ｍｍ］としたとき、ｔ２／ｔ１は、０．０３以上３４以下であるのが好ましく、０．３以上１０以下であるのがより好ましい。これに対し、ｔ２／ｔ１が前記範囲外であると、第１層４２または第２層４３の厚さが薄すぎて、第１層４２および第２層４３の熱膨張係数差が大きくても、補強部材４が前述したようなバイメタルのような作用を発揮することが難しい。
【０４０１】
また、第１層４２の厚さｔ１は、特に限定されないが、０．０３ｍｍ以上１ｍｍ以下程度である。また、第２層４３の厚さｔ２は、特に限定されないが、０．０３ｍｍ以上１ｍｍ以下程度である。
【０４０２】
また、補強部材４（特に第１層４２）は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、半導体素子３および補強部材４が一体的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０４０３】
また、補強部材４の構成材料（第１層４２および第２層４３の構成材料）としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。補強部材４が金属材料で構成されていると、補強部材４の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０４０４】
かかる金属材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅを含む合金を用いるのが好ましい。
【０４０５】
特に、第１層４２の熱膨張係数が第２層４３の熱膨張係数よりも小さい場合、第１層４２がＦｅを含む合金で構成されているのが好ましい。
【０４０６】
かかるＦｅを含む合金としては、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｐｄ合金等が挙げられ、特に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。
【０４０７】
このような金属材料は、放熱性に優れるだけでなく、熱膨張係数が低く、かつ、一般的な半導体素子３の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。
【０４０８】
Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、ＦｅおよびＮｉを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＮｉの他に、残部（Ｍ）として、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。より具体的なＦｅ−Ｎｉ系合金は、第２実施形態において挙げられた具体例と同様である。
【０４０９】
特に、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金の熱膨張係数（特に、第１層４２の熱膨張係数）は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０４１０】
また、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値（特に、第１層４２と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値）は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０４１１】
上述したような熱膨張係数の観点から、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｉの含有量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｎｉの含有量が３５ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。この場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｆｅの含有量が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｆｅの含有量が５５ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。
【０４１２】
また、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が８５ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのが好ましく、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が９０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのがより好ましい。すなわち、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのが好ましく、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。
【０４１３】
また、第２層４３の構成材料は、第１層４２の構成材料と異なるのが好ましい。これにより、前述したような第１層４２および第２層４３の熱膨張係数差を容易に設定することができる。
【０４１４】
なお、第２層４３の熱膨張係数が第１層４２の熱膨張係数よりも大きい場合、第２層４３の構成材料としては、前述したようなＦｅを含む合金を用いてもよいし、Ｆｅを含む合金以外の金属を用いてもよい。
【０４１５】
また、補強部材４の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の補強部材４および補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上２以下程度である。
【０４１６】
このような補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）は、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と同一面上またはそれよりも基板２１側（すなわち下側）に位置しているのが好ましい。これにより、半導体パッケージ１の製造に際し、補強部材４の設置後に半導体素子３を設置する場合、半導体素子３の設置が容易となる。
【０４１７】
第３Ａ実施形態では、補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）とが同一面上に位置している。これにより、半導体パッケージ１を薄型化しつつ、配線基板２の反りを効果的に抑制または防止することができる。また、補強部材４の上面上に他の構造体（例えば、基板、半導体素子、ヒートシンク等）を設ける場合、その構造体の設置を安定的に行うことができる。
【０４１８】
なお、補強部材４および半導体素子３を封止樹脂でモールドしてもよい。
また、補強部材４は、半導体素子３の周囲を囲むように設けられている。第３Ａ実施形態では、補強部材４は、半導体素子３を囲むように環状（より具体的には四角環状）をなしている。これにより、補強部材４による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０４１９】
また、補強部材４は、半導体素子３との間の距離（補強部材４の内周面４１と半導体素子３の外周面３３との間の距離）が半導体素子３の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、補強部材４および半導体素子３の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。また、後述する熱伝導性材料６を介した半導体素子３から補強部材４への伝熱を効率的かつ均一に生じさせることができる。
【０４２０】
また、熱放散性の観点から、補強部材４の第２層４３の表面（上面）が粗化されていてもよい。補強部材４の第２層４３の表面が粗化されていれば、表面積が増大し熱放散の効率が上がる。補強部材４の第２層４３の表面粗化方法は、特に限定されず、例えば化学的な薬液処理、機械的なサンドブラスト処理などにより実施することができる。
【０４２１】
補強部材４の第２層４３の表面粗度の大きさは、半導体素子３の発熱量、樹脂材料の構成、基板２１の構成、補強部材４の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、算術平均で表される表面粗度が０．１μｍ以上１００μｍ以下程度である。前記算術平均で表される表面粗度は、例えばＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することができる。
【０４２２】
また、樹脂材料との密着性向上の観点から、補強部材４の第１層４２および第２層４３の表面に銅皮膜が形成されていてもよい。銅については、樹脂材料との密着強度を向上させるための表面処理技術が数多く知られているため、補強部材４の形状、大きさ、樹脂材料の種類等に応じてその表面処理を適宜選択し、実施することができる。
【０４２３】
銅皮膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等により実施することができる。
【０４２４】
また、銅皮膜の平均厚さは、補強部材４の熱膨張係数に影響を及ぼさず、密着性向上の表面処理が可能な範囲で薄い方が好ましい。
【０４２５】
また、第３Ａ実施形態では、図９および図２に示すように、補強部材４と半導体素子３との間に、熱伝導性材料６が充填されている。これにより、半導体素子３から熱伝導性材料６を介して補強部材４へ効率的に熱を伝達することができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０４２６】
第３Ａ実施形態の熱伝導性材料６は、第１実施形態の熱伝導性材料６と同様である。
【０４２７】
以上説明したように構成された半導体パッケージ１によれば、補強部材４の第１層４２および第２層４３の熱膨張係数差に起因して配線基板２に作用する力により、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因して配線基板２に作用する力を相殺または緩和させることができる。そのため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【０４２８】
また、配線基板２の半導体素子３とは反対側の面上に、配線基板２の反り防止のための補強部材を別途設ける必要がないので、半導体パッケージ１の構成を簡単化することができる。そのため、半導体パッケージ１の製造が容易となるとともに、半導体パッケージ１を安価なものとすることができる。
【０４２９】
（３−１−Ａ−２）半導体パッケージの製造方法
以上説明したような半導体パッケージ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０４３０】
以下、図１０Ａ〜図１０Ｇに基づき、半導体パッケージ１の製造方法の一例を簡単に説明する。
［１］〜［４］
第３Ａ実施形態の半導体パッケージの製造方法の［１］〜［４］は第１実施形態の半導体パッケージ製造方法と同様であるため記載を省略する。なお、図１０Ａ〜図１０Ｄは、図４Ａ〜図４Ｄに対応する。
【０４３１】
［５］
次に、上記工程［１］〜［４］と同様にして、絶縁層２１２、２１３、２１４、２１５および導体パターン２２２、２２３、２２４を形成するためのプリプレグおよび金属層からなる積層体をそれぞれ用意し、導体パターン２２２、２２３、２２４および導体ポスト２３２、２３３、２３４、２３５を形成する。その後、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のためのプリプレグを硬化（完全硬化）させて、図１０Ｅに示すように、配線基板２を得る。
【０４３２】
絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のためのプリプレグを積層する方法としては、例えば、真空プレス、ラミネート等が挙げられる。これらの中でも真空プレスによる接合方法が好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のためのプリプレグの密着強度を向上することができる。
【０４３３】
絶縁層２１１、２１２、２１３、２１４、２１５のためのプリプレグを硬化させる方法としては、特に限定されないが、例えば、熱処理が好適に用いられる。
【０４３４】
［６］
第３Ａ実施形態の半導体パッケージの製造方法の［６］は第１実施形態の半導体パッケージ製造方法と同様であるため記載を省略する。なお、図１０Ｆは、図４Ｆに対応する。
【０４３５】
［７］
次に、図１０Ｇに示すように、配線基板２の上面に、アンダーフィル材を塗布した後、半導体素子３を金属バンプ３１を介して半田リフローにより接合する。なお、この場合、アンダーフィル材として前述した絶縁材８１と同じようなフラックス活性のある樹脂を用いる。また、半導体素子３を搭載し、フラックスあるいは半田ペースト等を用いてリフローにより半導体素子３を配線基板２に接合させた後、通常のキャピラリーアンダーフィル材を配線基板２と半導体素子３との間に充填・硬化させることもできる。
【０４３６】
その後、半導体素子３と補強部材４との間に、熱伝導性材料６を充填する。
以上のようにして、半導体パッケージ１が得られる。
【０４３７】
（３−１−Ｂ）第３Ｂ実施形態
次に、本発明の第３Ｂ実施形態を説明する。
【０４３８】
図１１は、第３Ｂ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図、図３は、図１１に示す半導体パッケージを示す下面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図１１では、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０４３９】
以下、第３Ｂ実施形態の半導体パッケージについて、第３Ａ実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図１１において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【０４４０】
第３Ｂ実施形態の半導体パッケージは、配線基板の上面上に設けた補強部材、熱伝導性材料を省略し、それに代えて、配線基板の下面上に補強部材を設けた以外は、第３Ａ実施形態とほぼ同様である。
【０４４１】
図１１に示すように、半導体パッケージ１Ａは、配線基板２の下面（基板２１の下面）に、補強部材（スティフナー）５が接合されている。なお、第３Ｂ実施形態では、配線基板２の上面上には、配線基板２の反り防止のための補強部材は設けられていない。
【０４４２】
この補強部材５と基板２１とは、接着剤を介して接合することができる。これにより、補強部材５の設置が簡単となる。
【０４４３】
かかる接着剤としては、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、各種接着剤を用いることができるが、熱伝導性に優れたものが好ましく、第３Ａ実施形態における熱伝導性材料６と同様のものを用いることができる。
【０４４４】
この補強部材５は、第３Ａ実施形態の補強部材４と同様、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。
【０４４５】
補強部材５は、板状をなしている。これにより、補強部材５の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０４４６】
特に、補強部材５は、第１層５４と、第１層５４の基板２１と反対側の面上に接合された第２層５５とを備える。言い換えると、補強部材５は、基板２１の下面上に第１層５４、第２層５５がこの順で積層されている。
【０４４７】
そして、第１層５４および第２層５５は、互いに異なる熱膨張係数を有する。これにより、補強部材５が温度変化に伴いバイメタルのような作用を発揮し、第１層５４および第２層５５の熱膨張係数差に起因して配線基板２に作用する力（第１の力）により、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因して配線基板２に作用する力（第２の力）を相殺または緩和させることができる。そのため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【０４４８】
このような第１層５４の熱膨張係数と第２層５５の熱膨張係数との差は、基板２１（あるいは配線基板２）の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制するように設定されている。
【０４４９】
より具体的に説明すると、第３Ｂ実施形態においては、第２層５５の熱膨張係数は、第１層５４の熱膨張係数よりも小さいのが好ましい。
【０４５０】
通常、配線基板２の熱膨張係数は半導体素子３の熱膨張係数よりも大きくなる。そのため、配線基板２が半導体素子３よりも大きく熱膨張しようとし、配線基板２の外周部が半導体素子３側に変位する方向の力（第２の力）が生じる。一方、第２層５５の熱膨張係数を第１層５４の熱膨張係数よりも小さくすると（すなわち、第１層５４の熱膨張係数を第２層５５の熱膨張係数よりも大きくすると）、第１層５４が第２層５５よりも大きく熱膨張しようとし、配線基板２の外周部が半導体素子３とは反対側へ変位する方向の力（第２の方向と反対方向の第１の力）が生じる。したがって、このような２つの力（第１の力および第２の力）を互いに相殺させることができる。その結果、配線基板２の熱膨張に起因する反りを防止または抑制することができる。
【０４５１】
また、第１層５４の熱膨張係数と第２層５５の熱膨張係数との差の絶対値は、配線基板２の熱膨張係数と半導体素子３の熱膨張係数との差や、補強部材５の剛性等に応じて設定されるものであり、特に限定されないが、前述したような配線基板２の反りを効果的に防止する観点から、０．５ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましい。
【０４５２】
また、前述したような配線基板２の反りを効果的に防止する観点（第１の力を効率的に生じさせる観点）から、第１層５４の厚さをｔ３［ｍｍ］とし、第２層５５の厚さをｔ４［ｍｍ］としたとき、ｔ４／ｔ３は、０．０３以上３４以下であるのが好ましく、０．３以上１０以下であるのがより好ましい。これに対し、ｔ４／ｔ３が前記範囲外であると、第１層５４または第２層５５の厚さが薄すぎて、第１層５４および第２層５５の熱膨張係数差が大きくても、補強部材５が前述したようなバイメタルのような作用を発揮することが難しい。
【０４５３】
また、第１層５４の厚さｔ３は、特に限定されないが、０．０３ｍｍ以上１ｍｍ以下程度である。また、第２層５５の厚さｔ４は、特に限定されないが、０．０３ｍｍ以上１ｍｍ以下程度である。
【０４５４】
また、補強部材５（特に第２層５５）は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、半導体素子３および補強部材５が一体的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１Ａ全体の熱膨張を抑えることができる。
【０４５５】
このような補強部材５において、第１層５４の構成材料としては、第３Ａ実施形態の補強部材４の第２層４３の構成材料と同様のものを用いることができる。また、第２層５５の構成材料としては、第３Ａ実施形態の補強部材４の第１層４２の構成材料と同様のものを用いることができる。
【０４５６】
具体的には、補強部材５の構成材料（第１層５４および第２層５５の構成材料）としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。補強部材５が金属材料で構成されていると、補強部材５の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１Ａの放熱性を向上させることができる。
【０４５７】
かかる金属材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、第３Ａ実施形態の補強部材４と同様、各種金属材料を用いることができるが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅを含む合金を用いるのが好ましい。
【０４５８】
特に、第２層５５の熱膨張係数が第１層５４の熱膨張係数よりも小さい場合、第２層５５がＦｅを含む合金で構成されているのが好ましい。
【０４５９】
特に、補強部材５の熱膨張係数（特に第２層５５の熱膨張係数）は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０４６０】
また、補強部材５（特に第２層５５）と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０４６１】
また、補強部材５の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の補強部材４および補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上２以下程度である。
【０４６２】
また、熱放散性の観点から、補強部材５の第２層５５の表面（下面）が粗化されていてもよい。補強部材５の第２層の表面が粗化されていれば、表面積が増大し熱放散の効率が上がる。補強部材５の第２層５５の表面粗化方法は、特に限定されず、例えば化学的な薬液処理、機械的なサンドブラスト処理などにより実施することができる。
【０４６３】
補強部材５の第２層５５の表面粗度の大きさは、半導体素子３の発熱量、樹脂材料の構成、基板２１の構成、補強部材５の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、算術平均で表される表面粗度が０．１μｍ以上１００μｍ以下程度である。前記算術平均で表される表面粗度は、例えばＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することができる。
【０４６４】
また、樹脂材料との密着性向上の観点から、補強部材５の第１層５４および第２層５５の表面に銅皮膜が形成されていてもよい。銅については、樹脂材料との密着強度を向上させるための表面処理技術が数多く知られているため、補強部材５の形状、大きさ、樹脂材料の種類等に応じてその表面処理を適宜選択し、実施することができる。
【０４６５】
銅皮膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等により実施することができる。
【０４６６】
また、銅皮膜の平均厚さは、補強部材５の熱膨張係数に影響を及ぼさず、密着性向上の表面処理が可能な範囲で薄い方が好ましい。
【０４６７】
また、補強部材５は、配線基板２（基板２１）の外周部（導体パターン２２４よりも外側）に沿って設けられた部分（枠部）５２と、金属バンプ７１同士の間に設けられた部分５３とを有している。補強部材５の部分５２と配線基板２（基板２１）との接合により、補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。また、補強部材５の部分５３と配線基板２との接合により、補強部材５の剛性が高められる。
【０４６８】
より具体的に説明すると、図３に示すように、補強部材５は、前述した各金属バンプ７１に非接触で各金属バンプ７１を囲むように形成された複数の開口部５１を有する。これにより、補強部材５が配線基板２の下面に占める面積の割合を大きくすることができる。その結果、補強部材５による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０４６９】
第３Ｂ実施形態では、各開口部５１は、平面視にて、円形をなしている。なお、各開口部５１の平面視形状は、これに限定されず、例えば、楕円形、多角形等であってもよい。
【０４７０】
また、各開口部５１は、各金属バンプ７１に対応して（一対一で対応して）設けられている。これにより、補強部材５の剛性の均一化を図ることができる。また、補強部材５の放熱性も向上させることができる。
【０４７１】
また、補強部材５は、各金属バンプ７１との間の距離（平面視における開口部５１の壁面と金属バンプ７１の外周面との間の距離）が金属バンプ７１の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、補強部材５および各金属バンプ７１の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。
【０４７２】
第３Ｂ実施形態では、補強部材５の下面に、伝熱バンプ９１が設けられている。
この伝熱バンプ９１は、配線基板２の基板２１よりも高い熱伝導性を有し、例えば、マザーボードに接合されるものである。これにより、補強部材５の熱を外部（例えばマザーボード）に逃がすことができる。
【０４７３】
伝熱バンプ９１の構成材料としては、前述したような伝熱性を有するものであれば、特に限定されず、金属材料、樹脂材料を用いることができるが、特に、前述した金属バンプ７１と同様の構成材料、無機フィラーおよび樹脂材料を含有する伝熱性接着剤等を用いるのが好ましい。
【０４７４】
また、補強部材５と各金属バンプ７１との間には、絶縁材８１が設けられている（充填されている）。これにより、補強部材５と各金属バンプ７１との接触を防止することができる。そのため、半導体パッケージ１Ａの信頼性を優れたものとしつつ、補強部材５の剛性および放熱性を高めることができる。
【０４７５】
以上説明したような第３Ｂ実施形態の半導体パッケージ１Ａによっても、配線基板２の熱膨張に起因する反りを防止または抑制することができる。
【０４７６】
（３−２）半導体装置
次に、半導体装置の製造方法および半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
【０４７７】
図１２は、第３Ａ実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
図１２に示すように、半導体装置１００は、マザーボード（基板）２００と、このマザーボード２００に搭載された半導体パッケージ１とを有している。
【０４７８】
このような半導体装置１００においては、半導体パッケージ１の金属バンプ７１がマザーボード２００の端子（図示せず）に接合されている。これにより、半導体パッケージ１とマザーボード２００とが電気的に接続され、これらの間で電気的信号の伝送が行われる。また、この接合部を介して、半導体パッケージ１の熱をマザーボード２００へ逃すことができる。
【０４７９】
以上説明したような半導体装置１００によれば、前述したような放熱性および信頼性に優れた半導体パッケージ１を備えるので、信頼性に優れる。
【０４８０】
以上、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０４８１】
例えば、第３Ａ実施形態では、補強部材４が半導体素子３の全周に亘って囲むように設けられていたが、これに限定されず、例えば、半導体素子３の周囲の一部に欠損した部分（切り欠き）が形成されていてもよい。
【０４８２】
また、第３Ａ及び３Ｂ実施形態では、配線基板の一方の面上にのみ補強部材を設けた場合を例に説明したが、配線基板の両面上にそれぞれ補強部材を設けてもよい。その場合、第３Ａ実施形態と第３Ｂ実施形態とを組み合わせたように、各補強部材が熱膨張係数の異なる第１層および第２層を備えていてもよいし、いずれか一方の補強部材のみが熱膨張係数の異なる第１層および第２層を備えていてもよい。
【０４８３】
また、補強部材５に形成される開口部は、各金属バンプ７１と一対一で対応していなくてもよい。すなわち、補強部材５には、複数の金属バンプ７１に対して１つが対応するように、開口部が形成されていてもよい。
【０４８４】
また、補強部材の第１層と第２層との間に中間層が設けられていてもよい。すなわち、補強部材の第１層と第２層とが中間層を介して接合されていてもよい。この場合、中間層の熱膨張係数は第１層の熱膨張係数と第２層の熱膨張係数との間の値であるのが好ましい。
【０４８５】
第３Ａ及び第３Ｂ実施形態の半導体パッケージによれば、補強部材の第１層および第２層の熱膨張係数差に起因して配線基板に作用する力により、配線基板と半導体素子との熱膨張係数差に起因して配線基板に作用する力を相殺または緩和させることができる。そのため、配線基板と半導体素子との熱膨張係数差に起因する配線基板の反りを抑制または防止することができる。
【０４８６】
また、第３Ａ及び第３Ｂ実施形態の半導体装置によれば、前述したような半導体パッケージを備えるので、信頼性に優れる。
【０４８７】
（４）第４実施形態
以下、第４実施形態の半導体パッケージについて、第１〜３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図中において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
（４−１）半導体パッケージ
まず、第４実施形態半導体パッケージを説明する。
【０４８８】
図１３は、第４実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図、図２は、図１３に示す半導体パッケージを示す上面図、図３は、図１３に示す半導体パッケージを示す下面図、図４Ａ〜図４Ｇは、図１３に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図２〜図４（図４Ａ〜図４Ｇ）及び図１３〜図１４では、それぞれ、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０４８９】
図１３に示すように、半導体パッケージ１は、配線基板２と、この配線基板２上に搭載された半導体素子３と、第１補強部材（補強部材）４と、第２補強部材（補強部材）５とを有する。
【０４９０】
このような半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）２が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。そのため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。そのため、このような半導体パッケージ１は、電気的接続の信頼性を優れたものとすることができる。
【０４９１】
また、後に詳述するように第１補強部材４および第２補強部材５はそれぞれ特性（例えば加工性）の異なる２つの層（第１層および第２層）を備えているので、半導体パッケージ１の製造時において、例えば、第１補強部材４および第２補強部材５を打ち抜き加工によりそれぞれ形成した場合、バリの発生を防止することができ、バリを除去する工程が不要になる。
【０４９２】
以下、半導体パッケージ１の各部を順次詳細に説明する。
［配線基板］
第４実施形態における配線基板は、第１実施形態における配線基板と同様であるので説明を省略する。
【０４９３】
［半導体素子］
第４実施形態における半導体素子は、第１実施形態における半導体素子と同様であるので説明を省略する。
【０４９４】
［第１補強部材］
第１補強部材（スティフナー）４は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）の、半導体素子３が接合されていない部分に接合されている。これにより、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）２が第１補強部材４により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。
【０４９５】
この第１補強部材４と基板２１とは、接着剤を介して接合することができる。これにより、第１補強部材４の設置が簡単となる。
【０４９６】
かかる接着剤としては、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、各種接着剤を用いることができるが、熱伝導性に優れたものが好ましく、後述する熱伝導性材料６と同様のものを用いることができる。
【０４９７】
この第１補強部材４は、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。これにより、基板２１の熱膨張を抑えることができる。
【０４９８】
また、第１補強部材４は、板状をなしている。これにより、第１補強部材４の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０４９９】
特に、第１補強部材４は、第１層４２と、第１層４２の基板２１と反対側の面上に接合された第２層４３とを備える。言い換えると、第１補強部材４は、基板２１の上面上に第１層４２、第２層４３がこの順で積層されている。
【０５００】
第１層４２と第２層４３との接合方法としては、特に限定されず、例えば、拡散接合、表面活性化接合、ろう材による接合等が挙げられる。
【０５０１】
そして、第１層４２および第２層４３は、互いに異なる特性（特に、加工性）を有する。これにより、半導体パッケージ１の製造時における作業性を向上させることができる。
【０５０２】
例えば、第１層４２および第２層４３の特性を適宜設定することにより、第１補強部材４を打ち抜き加工により形成する場合にバリの発生を防止するという効果や、第１補強部材４をエッチングにより形成する場合に加工性を向上させるという効果をもたらすことができる。以下、第１補強部材４を打ち抜き加工により形成する場合と、第１補強部材４をエッチングにより形成する場合とをそれぞれ説明する。
【０５０３】
（打ち抜き加工により第１補強部材を形成する場合）
第１補強部材４を打ち抜き加工により形成する場合、第１層４２および第２層４３は、一方が他方よりも硬質な材料で構成されているのが好ましい。すなわち、第１層４２および第２層４３の一方を硬質な第１材料で構成し、他方を第１材料よりも軟質な第２材料で構成するのが好ましい。
【０５０４】
これにより、打ち抜き加工を用いて第１補強部材４を形成する場合、バリの発生を防止することができる。この場合、第１層４２と同様の構成材料で構成された層と、第２層４３と同様の構成材料で構成された層とが積層された板材（例えば積層金属板）を用意し、その板材を軟質な層側が上型（パンチ）側、硬質な層側が下型（ダイ）側となるように打ち抜き加工装置に載置した状態で、打ち抜き加工を行う。これにより、打ち抜き加工を用いて寸法精度に優れた第１補強部材４を簡単に製造することができる。また、バリ除去のための工程が不要となり、第１補強部材４の製造、ひいては、半導体パッケージ１の製造が簡単となる。
【０５０５】
また、第１層４２および第２層４３は、第１層４２が第１材料で構成され、第２層４３が第２材料で構成されているのが好ましい。すなわち、第１層４２が第２層４３よりも硬質であるのが好ましい。この場合、前述したように打ち抜き加工により第１補強部材４を形成すると、第２層４３の第１層４２とは反対側の角部が丸みを帯びたものとなる。そのため、半導体パッケージ１を製造する際に、第１補強部材４の設置後に半導体素子３を設置する場合、半導体素子３の設置が容易となる。また、この場合、第１層４２の第２層４３とは反対側の角部に発生するバリを防止することができるので、バリが第１補強部材４と配線基板２との接合を妨げたり配線基板２を損傷させたりすることはない。
【０５０６】
また、第１材料は、第２材料よりも脆性が高いのが好ましい。すなわち、第１材料は、第２材料よりも延性が低いのが好ましい。これにより、打ち抜き加工により第１補強部材４を形成する際に、バリの発生を確実に防止することができる。
【０５０７】
また、前述したようなバリを防止する観点から、第１材料の引張試験における破断伸びの値は、第２材料の引張試験における破断伸びの値よりも小さく、２０％以上７０％以下であるのが好ましい。
【０５０８】
また、第１補強部材４を打ち抜き加工により形成する場合、前述したようなバリを防止する観点から、第１層４２の厚さをｔ１［ｍｍ］とし、第２層４３の厚さをｔ２［ｍｍ］としたとき、ｔ２／ｔ１は、０．０３以上３４以下であるのが好ましく、０．１以上１０以下であるのがより好ましい。これに対し、ｔ２／ｔ１が前記範囲外であると、第１層４２または第２層４３の厚さが薄すぎて、バリの発生を防止できなかったり、第１補強部材４に必要な特性（補強、熱膨張係数）を確保することができなかったりする場合がある。
【０５０９】
また、第１補強部材４を打ち抜き加工により形成する場合、第１層４２の厚さｔ１は、特に限定されないが、０．０３ｍｍ以上１ｍｍ以下程度である。また、第２層４３の厚さｔ２は、特に限定されないが、０．０３ｍｍ以上１ｍｍ以下程度である。
【０５１０】
なお、第４実施形態では、第１補強部材４が２層で構成されているが、第１補強部材４が３層以上で構成されていてもよい。例えば、第１補強部材４を３層で構成する場合、両外側の層を中間の層よりも硬質なものとすればよい。
【０５１１】
（エッチングにより第１補強部材を形成する場合）
第１補強部材４をエッチングにより形成する場合、第１層４２および第２層４３は、前記エッチングにおけるエッチングレートが互いに異なる材料で構成されているのが好ましい。
【０５１２】
これにより、第１補強部材４をエッチング（特にウエットエッチング）により形成する場合、その加工性を優れたものとすることができる。この場合、第１層４２と同様の構成材料で構成された層と、第２層４３と同様の構成材料で構成された層とが積層された板材（例えば積層金属板）を用意し、その板材をウエットエッチングする。
【０５１３】
その際、エッチングレートが低い方の層側からエッチングを行うことにより、当該層のサイドエッチング量を抑えることができる。そのため、片面側からエッチングを行っても、幅狭な貫通孔を形成することができる。また、例えば、板材の一方の層が他方の層に対してエッチングレートが極端に低い場合、そのエッチングレートが遅い側の一方の層をエッチングの停止層として用いることにより、他方の層のみを貫通させ、第１補強部材４に優れた寸法精度で凹部を形成することもできる。このような凹部は、第１層４２側に形成すると、第１補強部材４と配線基板２とを接着剤により接着する場合、その接着性をアンカー効果により向上させることができる。また、このような凹部は、第２層４３側に形成すると、第１補強部材４の表面積を大きくして、第１補強部材４の放熱性を高めることができる。
【０５１４】
このようなエッチングを用いることにより、前述したような打ち抜き加工を用いずに、第１補強部材４を形成することができる。このようなエッチングにより形成された第１補強部材４は、残留応力を少なくすることができる。そのため、第１補強部材４の歪みを防止することができる。
【０５１５】
また、ウエットエッチングとしては、特に限定されず、公知のウエットエッチングを用いることができ、例えば、第１層４２および第２層４３がそれぞれ金属材料で構成されている場合、硝酸や酸化第二鉄等のエッチング液を用いたものを用いることができる。
【０５１６】
また、第１補強部材４をエッチングにより形成する場合、第１層４２の厚さｔ１および第２層４３の厚さｔ２は、それぞれ、特に限定されないが、０．０３ｍｍ以上１ｍｍ以下程度である。また、この場合、第１層４２の厚さｔ１と第２層４３の厚さｔ２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
【０５１７】
以上のように第１層４２および第２層４３の特性を互いに異ならせることにより、第１補強部材４を製造する際の作業性や加工性を優れたものとすることができる。
【０５１８】
このように第１層４２および第２層４３の特性を互いに異ならせるには、第１層４２および第２層４３は、互いに異なる材料で構成されているのが好ましい。これにより、比較的簡単に、第１層４２および第２層４３の特性を互いに異ならせることができる。
【０５１９】
また、第１層４２および第２層４３のうちの少なくとも１つの層（好ましくは、第１層４２および第２層４３の双方）は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、半導体素子３および第１補強部材４が一体的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０５２０】
また、第１層４２および第２層４３の構成材料としては、それぞれ、特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。第１補強部材４が金属材料で構成されていると、第１補強部材４の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０５２１】
かかる金属材料としては、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅを含む合金を用いるのが好ましい。
【０５２２】
特に、第１層４２および第２層４３のうちの少なくとも一層は、Ｆｅを含む合金で構成されているのが好ましい。
【０５２３】
かかるＦｅを含む合金としては、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｐｄ合金等が挙げられ、特に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。
【０５２４】
このような金属材料は、放熱性に優れるだけでなく、熱膨張係数が低く、かつ、一般的な半導体素子３の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。
【０５２５】
Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、ＦｅおよびＮｉを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＮｉの他に、残部（Ｍ）として、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。より具体的なＦｅ−Ｎｉ系合金は、第２実施形態において挙げられた具体例と同様である。
【０５２６】
特に、第１層４２および第２層４３のうちの少なくとも１つの層（好ましくは、第１層４２および第２層４３の双方）の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第１補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０５２７】
また、第１層４２と半導体素子３との熱膨張係数差、および、第２層４３と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、それぞれ、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第１補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０５２８】
上述したような熱膨張係数の観点から、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｉの含有量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｎｉの含有量が３５ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。この場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｆｅの含有量が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｆｅの含有量が５５ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。
【０５２９】
また、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が８５ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのが好ましく、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が９０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのがより好ましい。すなわち、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのが好ましく、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。
【０５３０】
また、第１補強部材４の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の第１補強部材４および第２補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下程度である。
【０５３１】
このような第１補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）は、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と同一面上またはそれよりも基板２１側（すなわち下側）に位置しているのが好ましい。これにより、半導体パッケージ１の製造に際し、第１補強部材４の設置後に半導体素子３を設置する場合、半導体素子３の設置が容易となる。
【０５３２】
第４実施形態では、第１補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）とが同一面上に位置している。これにより、半導体パッケージ１を薄型化しつつ、配線基板２の反りを効果的に抑制または防止することができる。また、第１補強部材４の上面上に他の構造体（例えば、基板、半導体素子、ヒートシンク等）を設ける場合、その構造体の設置を安定的に行うことができる。
なお、第１補強部材４および半導体素子３を封止樹脂でモールドしてもよい。
【０５３３】
また、第１補強部材４は、半導体素子３の周囲を囲むように設けられている。第４実施形態では、第１補強部材４は、半導体素子３を囲むように環状（より具体的には四角環状）をなしている。これにより、第１補強部材４による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０５３４】
また、第１補強部材４は、半導体素子３との間の距離（第１補強部材４の内周面４１と半導体素子３の外周面３３との間の距離）が半導体素子３の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、第１補強部材４および半導体素子３の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。また、後述する熱伝導性材料６を介した半導体素子３から第１補強部材への伝熱を効率的かつ均一に生じさせることができる。
【０５３５】
また、熱放散性の観点から、第１補強部材４の第２層４２の表面（上面）が粗化されていてもよい。第１補強部材４の第２層４２の表面が粗化されていれば、表面積が増大し熱放散の効率が上がる。第１補強部材４の第２層４２の表面粗化方法は、特に限定されず、例えば化学的な薬液処理、機械的なサンドブラスト処理などにより実施することができる。第１補強部材４の第２層４２の表面粗度の大きさは、半導体素子３の発熱量、樹脂材料の構成、基板２１の構成、第１補強部材４の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、算術平均で表される表面粗度が０．１μｍ以上１００μｍ以下程度である。前記算術平均で表される表面粗度は、例えばＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することができる。
【０５３６】
また、樹脂材料との密着性向上の観点から、第１補強部材４の第１層４１および第２層４２の表面に銅皮膜が形成されていてもよい。銅については、樹脂材料との密着強度を向上させるための表面処理技術が数多く知られているため、第１補強部材４の形状、大きさ、樹脂材料の種類等に応じてその表面処理を適宜選択し、実施することができる。
【０５３７】
銅皮膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等により実施することができる。
【０５３８】
また、銅皮膜の平均厚さは、第１補強部材４の熱膨張係数に影響を及ぼさず、密着性向上の表面処理が可能な範囲で薄い方が好ましい。
【０５３９】
また、第４実施形態では、図１３および図２に示すように、第１補強部材４と半導体素子３との間に、熱伝導性材料６が充填されている。これにより、半導体素子３から熱伝導性材料６を介して第１補強部材４へ効率的に熱を伝達することができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０５４０】
第４実施形態の熱伝導性材料６は、第１実施形態の熱伝導性材料６と同様である。
【０５４１】
［第２補強部材］
第２補強部材（スティフナー）５は、配線基板２の基板２１の下面（他方の面）に接合されている。これにより、配線基板２が第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。
【０５４２】
この第２補強部材５と基板２１とは、接着剤を介して接合することができる。これにより、第２補強部材５の設置が簡単となる。
【０５４３】
かかる接着剤としては、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、各種接着剤を用いることができるが、熱伝導性に優れたものが好ましく、後述する熱伝導性材料６と同様のものを用いることができる。
【０５４４】
この第２補強部材５は、前述した第１補強部材４と同様、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。
【０５４５】
第２補強部材５は、板状をなしている。これにより、第２補強部材５の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０５４６】
特に、第２補強部材５は、第１層５４と、第１層５４の基板２１と反対側の面上に接合された第２層５５とを備える。言い換えると、第２補強部材５は、基板２１の下面上に第１層５４、第２層５５がこの順で積層されている。
【０５４７】
第１層５４と第２層５５との接合方法としては、特に限定されず、例えば、拡散接合、表面活性化接合、ろう材による接合等が挙げられる。
【０５４８】
そして、第１層５４および第２層５５は、前述した第１補強部材４の第１層４２および第２層４３と同様、互いに異なる特性（特に、加工性）を有する。これにより、半導体パッケージ１の製造時における作業性を向上させることができる。
【０５４９】
また、第２補強部材５は、配線基板２（基板２１）の外周部（導体パターン２２４よりも外側）に沿って設けられた部分（枠部）５２と、金属バンプ７１同士の間に設けられた部分５３とを有している。第２補強部材５の部分５２と配線基板２（基板２１）との接合により、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。また、第２補強部材５の部分５３と配線基板２との接合により、第２補強部材５の剛性が高められる。
【０５５０】
より具体的に説明すると、第２補強部材５は、前述した各金属バンプ７１に非接触で各金属バンプ７１を囲むように形成された複数の開口部５１を有する。これにより、第２補強部材５が配線基板２の下面に占める面積の割合を大きくすることができる。その結果、第２補強部材５による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０５５１】
第４実施形態では、各開口部５１は、平面視にて、円形をなしている。なお、各開口部５１の平面視形状は、これに限定されず、例えば、楕円形、多角形等であってもよい。
【０５５２】
また、各開口部５１は、各金属バンプ７１に対応して（一対一で対応して）設けられている。これにより、第２補強部材５の剛性の均一化を図ることができる。また、第２補強部材５の放熱性も向上させることができる。
【０５５３】
また、第２補強部材５は、各金属バンプ７１との間の距離（平面視における開口部５１の壁面と金属バンプ７１の外周面との間の距離）が金属バンプ７１の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、第２補強部材５および各金属バンプ７１の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。
【０５５４】
第４実施形態では、第２補強部材５の下面に、伝熱バンプ９１が設けられている。
この伝熱バンプ９１は、配線基板２の基板２１よりも高い熱伝導性を有し、例えば、後述する半導体装置１００において、マザーボード２００に接合されるものである。これにより、第２補強部材５の熱を外部（例えばマザーボード２００）に逃がすことができる。
【０５５５】
伝熱バンプ９１の構成材料としては、前述したような伝熱性を有するものであれば、特に限定されず、金属材料、樹脂材料を用いることができるが、特に、前述した金属バンプ７１と同様の構成材料、無機フィラーおよび樹脂材料を含有する伝熱性接着剤等を用いるのが好ましい。
【０５５６】
また、前述した第１補強部材４と同様、第１層５４および第２層５５のうちの少なくとも一方の層（好ましくは、第１層５４および第２層５５の双方）は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、第２補強部材５が効果的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０５５７】
このような第２補強部材５において、第１層５４および第２層５５の構成材料としては、第４実施形態の補強部材４の第１層４２および第２層４３の構成材料と同様のものを用いることができる。
【０５５８】
具体的には、第２補強部材５の構成材料（第１層５４および第２層５５の構成材料）としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。第２補強部材５が金属材料で構成されていると、第２補強部材５の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０５５９】
かかる金属材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、前述した第１補強部材４と同様、各種金属材料を用いることができるが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅを含む合金を用いるのが好ましい。
【０５６０】
特に、第１層５４および第２層５５のうちの少なくとも一方の層（好ましくは、第１層５４および第２層５５の双方）の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０５６１】
また、第１層５４と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値、および、第２層５５と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、それぞれ、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０５６２】
また、第１層５４と第１補強部材４との熱膨張係数差の絶対値、および、第２層５５と第１補強部材４との熱膨張係数差の絶対値は、それぞれ、２ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、０ｐｐｍ／℃であるのがさらに好ましい。これにより、第１補強部材４と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、これらの熱膨張差に起因する配線基板２の反りを防止することができる。
【０５６３】
このような観点から、第２補強部材５の構成材料は、第１補強部材４の構成材料と同種または同じであるのが好ましい。
【０５６４】
また、第２補強部材５の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の第１補強部材４および第２補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下程度である。
【０５６５】
また、熱放散性の観点から、第２補強部材５の第２層５５の表面（上面）が粗化されていてもよい。第２補強部材５の第２層５５の表面が粗化されていれば、表面積が増大し熱放散の効率が上がる。第２補強部材５の第２層５５の表面粗化方法は、特に限定されず、例えば化学的な薬液処理、機械的なサンドブラスト処理などにより実施することができる。第２補強部材５の第２層５５の表面粗度の大きさは、半導体素子３の発熱量、樹脂材料の構成、基板２１の構成、第２補強部材５の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、算術平均で表される表面粗度が０．１μｍ以上１００μｍ以下程度である。前記算術平均で表される表面粗度は、例えばＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することができる。
【０５６６】
また、樹脂材料との密着性向上の観点から、第２補強部材５の第１層５４および第２層５５の表面に銅皮膜が形成されていてもよい。銅については、樹脂材料との密着強度を向上させるための表面処理技術が数多く知られているため、第２補強部材５の形状、大きさ、樹脂材料の種類等に応じてその表面処理を適宜選択し、実施することができる。
【０５６７】
銅皮膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等により実施することができる。
【０５６８】
また、銅皮膜の平均厚さは、第２補強部材５の熱膨張係数に影響を及ぼさず、密着性向上の表面処理が可能な範囲で薄い方が好ましい。
【０５６９】
また、第２補強部材５と各金属バンプ７１との間には、絶縁材８１が設けられている（充填されている）。これにより、第２補強部材５と各金属バンプ７１との接触を防止することができる。そのため、半導体パッケージ１の信頼性を優れたものとしつつ、第２補強部材５の剛性および放熱性を高めることができる。
【０５７０】
また、絶縁材８１は、金属バンプ７１の周囲を囲むように形成され、かつ、各半田バンプに接合されている。これにより、絶縁材８１は、金属バンプ７１を補強している。
【０５７１】
このような絶縁材８１は、絶縁性を有し、樹脂材料を含んで構成されている。
第４実施形態の絶縁材８１は、第１実施形態の絶縁材８１と同様である。
【０５７２】
以上説明したように構成された半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）２が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。そのため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。そのため、このような半導体パッケージ１は、電気的接続の信頼性を優れたものとすることができる。
【０５７３】
また、第１補強部材４および第２補強部材５はそれぞれ特性（例えば加工性）の異なる２つの層（第１層および第２層）を備えているので、半導体パッケージ１の製造時において、例えば、第１補強部材４および第２補強部材５を打ち抜き加工によりそれぞれ形成した場合、バリの発生を防止することができ、バリを除去する工程が不要になる。
【０５７４】
（４−２）半導体パッケージの製造方法
以上説明したような半導体パッケージ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０５７５】
以下、図４Ａ〜図４Ｇに基づき、半導体パッケージ１の製造方法の一例を簡単に説明する。
第４実施形態の半導体パッケージの製造方法［１］〜［７］は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法［１］〜［７］と同様であるので省略する。
【０５７６】
（４−３）半導体装置
次に、半導体装置の製造方法および半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
【０５７７】
図１４は、第４実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
第４実施形態の半導体装置は、第１実施形態の半導体装置と同様であるので説明を省略する。
【０５７８】
以上、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０５７９】
例えば、第４実施形態では、第１補強部材４が半導体素子３の全周に亘って囲むように設けられていたが、これに限定されず、例えば、半導体素子３の周囲の一部に欠損した部分（切り欠き）が形成されていてもよい。
【０５８０】
また、第４実施形態では、第１補強部材４および第２補強部材５の双方が特性の異なる２層で構成されている場合を説明したが、第１補強部材４または第２補強部材５が単層で構成されていてもよい。
【０５８１】
また、第１補強部材４または第２補強部材５を省略してもよい。この場合、配線基板２のいずれか一方の面に、特性の異なる２層を有する補強部材が接合されていればよい。
【０５８２】
また、第４実施形態では、第１補強部材４と第２補強部材５とを接続する熱伝導部として、基板２１を貫通する伝熱ポスト２４を用いたが、例えば、基板２１の外側に設けた熱伝導部材（金属部材）を用いてもよい。この場合、伝熱性接着剤を用いて熱伝導部材を基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５に接着（接合）してもよいし、基板２１の側面側から基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５を上下から銜えこむような形態としてもよい。また、配線基板２自体の放熱性の程度によっては、伝熱ポスト２４を省略してもよい。
【０５８３】
また、第２補強部材５に形成される開口部は、各金属バンプ７１と一対一で対応していなくてもよい。すなわち、第２補強部材５には、複数の金属バンプ７１に対して１つが対応するように、開口部が形成されていてもよい。
【０５８４】
第４実施形態の半導体パッケージによれば、半導体素子と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）が補強部材により補強されるため、半導体パッケージ全体の剛性が増す。そのため、配線基板と半導体素子との熱膨張係数差に起因する配線基板の反りを抑制または防止することができる。そのため、このような半導体パッケージは、電気的接続の信頼性を優れたものとすることができる。
【０５８５】
また、補強部材は特性（例えば加工性）の異なる第１層および第２層を備えているので、半導体パッケージの製造時における作業性を向上させることができる。例えば、第１層および第２層の一方を硬質な材料で構成し、他方を軟質な材料で構成することにより、打ち抜き加工を用いて補強部材を形成した場合に、バリの発生を防止することができ、バリを除去する工程が不要になる。
【０５８６】
また、第４実施形態の半導体装置によれば、前述したような半導体パッケージを備えるので、信頼性に優れ、また、安価なものとなる。
【０５８７】
（５）第５実施形態
以下、第５実施形態の半導体パッケージについて、第１〜４実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図中において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
（５−１）半導体パッケージ
まず、本発明の半導体パッケージを説明する。
【０５８８】
図６は、第５実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図、図２は、図６に示す半導体パッケージを示す上面図、図３は、図６に示す半導体パッケージを示す下面図、図７Ａ〜図７Ｇは、図６に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図２〜３及び図６〜８では、それぞれ、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０５８９】
図６に示すように、半導体パッケージ１は、配線基板２と、この配線基板２上に搭載された半導体素子３と、第１補強部材（補強部材）４と、第２補強部材（補強部材）５とを有する。
【０５９０】
このような半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）２が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。
【０５９１】
特に、後に詳述するように、第１補強部材４および第２補強部材５が配線基板２に対してそれぞれ接着剤（接着層）を介して接合され、第１補強部材４および第２補強部材５がそれぞれ接着剤（接着層）との密着性を向上させる層を有するので、第１補強部材４および第２補強部材５が配線基板２から剥がれるのを防止することができる。
【０５９２】
また、第１補強部材４および第２補強部材５がそれぞれ接着剤との密着性を向上させる層とは別途設けられた層を有しているので、その層の構成材料として熱膨張係数の小さいものを選択できる。そのため、第１補強部材４全体および第２補強部材５全体の熱膨張係数をそれぞれ抑えることができ、その結果、配線基板２の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制することができる。
【０５９３】
以下、半導体パッケージ１の各部を順次詳細に説明する。
［配線基板］
第５実施形態の配線基板は、第２実施形態の配線基板と同様であるので説明を省略する。
【０５９４】
［半導体素子］
第５実施形態の半導体素子は、第２実施形態の半導体素子と同様であるので説明を省略する。
【０５９５】
［第１補強部材］
第５実施形態の第１補強部材は、以下の点を除いて第２実施形態と同様であるため説明を省略する。
第２実施形態の接着層３００は、「樹脂材料および無機フィラーを含む接着剤（樹脂組成物）の硬化物で構成されている」が、第５実施形態の接着層３００は、接着剤の硬化物で構成されており、樹脂材料および無機フィラーを含む樹脂組成物を好適に用いることができる。すなわち、接着剤の硬化物のみで構成されていてもよい。
また、第２実施形態の第２層４３の構成材料として、「特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。」としているが、第５実施形態の第２層４３の構成材料は、第１層４２よりも熱膨張係数の小さい材料であれば、特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。
【０５９６】
［第２補強部材］
第５実施形態の第２補強部材は、第２実施形態の第２補強部材と同様であるので、説明を省略する。
【０５９７】
以上説明したように構成された半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）２が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。
【０５９８】
特に、第１補強部材４および第２補強部材５が配線基板２に対してそれぞれ接着剤（接着層）を介して接合され、第１補強部材４および第２補強部材５がそれぞれ接着剤（接着層）との密着性を向上させる層を有するので、第１補強部材４および第２補強部材５が配線基板２から剥がれるのを防止することができる。
【０５９９】
また、第１補強部材４および第２補強部材５がそれぞれ接着剤との密着性を向上させる層とは別途設けられた層を有しているので、その層の構成材料として熱膨張係数の小さいものを選択できる。そのため、第１補強部材４全体および第２補強部材５全体の熱膨張係数をそれぞれ抑えることができ、その結果、配線基板２の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制することができる。
【０６００】
（５−２）半導体パッケージの製造方法
以上説明したような半導体パッケージ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０６０１】
図７Ａ〜図７Ｇは、半導体パッケージ１の製造方法の一例である。
第５実施形態の半導体パッケージの製造方法は第２実施形態の半導体パッケージの製造方法と同様なので、説明を省略する。
【０６０２】
（５−３）半導体装置
次に、半導体装置の製造方法および半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
【０６０３】
図８は、第５実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
第５実施形態の半導体装置は、第１実施形態の半導体装置と同様であるので説明を省略する。
【０６０４】
以上、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０６０５】
例えば、前述した実施形態では、第１補強部材４が半導体素子３の全周に亘って囲むように設けられていたが、これに限定されず、例えば、半導体素子３の周囲の一部に欠損した部分（切り欠き）が形成されていてもよい。
【０６０６】
また、前述した実施形態では、第１補強部材４および第２補強部材５の双方が接着剤との密着性を向上させる層（第１層）を有する場合を説明したが、例えば、第１補強部材４または第２補強部材５が、接着剤との密着性を向上させる層（第１層）有しておらず、1層で構成されていてもよい。
【０６０７】
また、第１補強部材４または第２補強部材５を省略してもよい。
また、前述した実施形態では、第１補強部材４と第２補強部材５とを接続する熱伝導部として、基板２１を貫通する伝熱ポスト２４を用いたが、例えば、基板２１の外側に設けた熱伝導部材（金属部材）を用いてもよい。この場合、伝熱性接着剤を用いて熱伝導部材を基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５に接着（接合）してもよいし、基板２１の側面側から基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５を上下から銜えこむような形態としてもよい。また、配線基板２自体の放熱性の程度によっては、伝熱ポスト２４を省略してもよい。
【０６０８】
また、第２補強部材５に形成される開口部は、各金属バンプ７１と一対一で対応していなくてもよい。すなわち、第２補強部材５には、複数の金属バンプ７１に対して１つが対応するように、開口部が形成されていてもよい。
【０６０９】
第５実施形態の半導体パッケージによれば、半導体素子と接合された部分以外の部分においても、配線基板（インターポーザ）が補強部材により補強されるため、半導体パッケージ全体の剛性が増す。
【０６１０】
特に、補強部材が接着層との密着性を向上させる第１層を有するので、補強部材が配線基板から剥がれるのを防止することができる。また、補強部材が第１層とは別途第２層を有しているので、第２層の構成材料として熱膨張係数の小さいものを選択できる。そのため、補強部材全体の熱膨張係数を抑えることができ、その結果、配線基板の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制することができる。
【０６１１】
また、第５実施形態の半導体装置によれば、前述したような半導体パッケージを備えるので、信頼性に優れる。
【０６１２】
（６）第６実施形態
以下、第６実施形態の半導体パッケージについて、第１〜５実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図中において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
（６−１−Ａ）第６Ａ実施形態
（６−１−Ａ−１）半導体パッケージ
まず、本発明の半導体パッケージを説明する。
【０６１３】
図１５は、本発明の第６Ａ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図、図１６は、図１５に示す半導体パッケージを示す上面図、図１７は、図１５に示す半導体パッケージを示す下面図、図４Ａ〜図４Ｇは、図１５に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図４Ａ〜図４Ｇ、図１５〜図２３では、それぞれ、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０６１４】
図１５に示すように、半導体パッケージ１は、配線基板２と、この配線基板２上に搭載された半導体素子３と、第１補強部材（補強部材）４と、第２補強部材（補強部材）５とを有する。
【０６１５】
このような半導体パッケージ１によれば、配線基板（インターポーザ）２が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板の反りを抑制または防止することができる。
【０６１６】
また、後に詳述するように、第１補強部材４および第２補強部材５の表面のうちの露出した部分にはそれぞれ複数の凹部または凸部が形成されているので、第１補強部材４および第２補強部材５の表面積の増大により放熱性を向上させることができる。そのため、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。このような優れた放熱性も相俟って、配線基板２の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制することができる。
【０６１７】
以下、半導体パッケージ１の各部を順次詳細に説明する。
［配線基板］
第６Ａ実施形態の配線基板は、第１実施形態の配線基板と同様であるので説明を省略する。
第６Ａ実施形態のような基板２１は、第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるので、基板２１自体の剛性を高める必要がなく、基板２１の厚さを薄くすることができるので、基板２１の厚さ方向での熱伝導性を高めることができる。
【０６１８】
［半導体素子］
第６Ａ実施形態の半導体素子は、第１実施形態の半導体素子と同様なので、説明を省略する。
【０６１９】
［第１補強部材］
第１補強部材（スティフナー）４は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）の、半導体素子３が接合されていない部分に接合されている。これにより、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板２が第１補強部材４により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。
【０６２０】
この第１補強部材４と基板２１とは、接着剤を介して接合することができる。これにより、第１補強部材４の設置が簡単となる。
【０６２１】
かかる接着剤としては、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、各種接着剤を用いることができるが、熱伝導性に優れたものが好ましく、後述する熱伝導性材料６と同様のものを用いることができる。
【０６２２】
この第１補強部材４は、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。これにより、基板２１の熱膨張を抑えることができる。
【０６２３】
また、第１補強部材４は、板状をなしている。これにより、第１補強部材４の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０６２４】
そして、第１補強部材４の上面（表面のうちの露出した部分）には、粗面化処理が施されている。
【０６２５】
そのため、第１補強部材４の上面には、複数（多数）の凹部４２Ａが形成されている。言い換えると、第１補強部材４の上面のうち、複数の凹部４２Ａ以外の部分に、凸部４３Ａが形成されている。これにより、第１補強部材４の表面積の増大により放熱性を向上させることができる。
【０６２６】
第６Ａ実施形態では、各凹部４２Ａの平面視形状は、円形をなしている。これにより、複数の凹部４２Ａを効率的に（できるだけ高い配置密度に）配置することができる。なお、各凹部４２Ａの平面視形状は、円形に限定されず任意であり、例えば、三角形、四角形、五角形等の多角形、楕円形、帯状等であってもよい。
【０６２７】
また、各凹部４２Ａは、第１補強部材４の上面側から下面側に向けて、幅が漸減している。第６Ａ実施形態では、各凹部４２Ａは、半球状をなしている。なお、各凹部４２Ａの幅は、第１補強部材４の厚さ方向の一方側から他方側に向けて、一定であってもよい。
【０６２８】
また、図１６に示すように、複数の凹部４２Ａは、平面視にて第１補強部材４の上面（板面）に対して均一に分散して配置されている。これにより、第１補強部材４の放熱性を第１補強部材４の板面の全域に亘って均一にすることができる。また、簡単かつ確実に、第１補強部材４が基板２１を均一に補強することができる。
【０６２９】
また、複数の凹部４２Ａは、平面視にて規則的に配置されている。第６Ａ実施形態では、複数の凹部４２Ａは、千鳥格子状に配置されている。これにより、簡単かつ確実に、複数の凹部４２Ａを平面視にて第１補強部材４の全面に対して均一に分散して配置することができる。なお、複数の凹部４２Ａは、行列状に配置されていてもよい。
【０６３０】
また、複数の凹部４２Ａは、互いの直径が略等しくなっている。
このような複数の凹部４２Ａの形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドリル加工、ルーター加工、打ち抜き加工、レーザー加工、エッチング加工等の方法が挙げられる。
【０６３１】
中でも、複数の凹部４２Ａの形成方法（粗面化処理）は、エッチング加工（エッチング処理）であるのが好ましい。これにより、前述したような規則的な配置で多数の凹部４２Ａを効率的に形成することができる。また、エッチング加工を用いると、任意の平面視形状および配置の複数の凹部を第１補強部材４に形成することができる。
【０６３２】
また、各凹部４２Ａの幅（直径）は、特に限定されないが、０．１μｍ以上２０００μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上５００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、複数の凹部４２Ａの形成を容易なものとするとともに、複数の凹部４２Ａが第１補強部材４の機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。なお、本明細書において、「各凹部の幅」とは、複数の凹部の平均幅を言う。
【０６３３】
また、各凹部４２Ａの平均深さは、特に限定されないが、０．１μｍ以上８００μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上３００μｍ以下であるのがより好ましい。
【０６３４】
また、第１補強部材４の上面の表面粗さは、０．１μｍ以上４００μｍ以下であるのが好ましく、１μｍ以上１００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、複数の凹部４２Ａを比較的簡単に形成することができる。また、多数の凹部４２Ａが第１補強部材４の機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。なお、本明細書において、「表面粗さ」とは、算術平均で表わされる表面粗度を言い、例えば、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することができる。
【０６３５】
このような第１補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）は、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と同一面上またはそれよりも基板２１側（すなわち下側）に位置しているのが好ましい。これにより、半導体パッケージ１の製造に際し、第１補強部材４の設置後に半導体素子３を設置する場合、半導体素子３の設置が容易となる。
【０６３６】
第６Ａ実施形態では、第１補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）とが同一面上に位置している。これにより、半導体パッケージ１を薄型化しつつ、配線基板２の反りを効果的に抑制または防止することができる。また、第１補強部材４の上面上に他の構造体（例えば、基板、半導体素子、ヒートシンク等）を設ける場合、その構造体の設置を安定的に行うことができる。
なお、第１補強部材４および半導体素子３を封止樹脂でモールドしてもよい。
【０６３７】
一方、図１５に示すように、第６Ａ実施形態では、第１補強部材４の下面にも、粗面化処理が施されている。すなわち、第１補強部材４の表面のうちの基板２１に対向する部分に粗面化処理が施されている。
【０６３８】
そのため、第１補強部材４の下面には、複数（多数）の凹部４４が形成されている。言い換えると、第１補強部材４の下面のうち、複数の凹部４４以外の部分に、凸部４５が形成されている。これにより、第１補強部材４と基板２１とを接着剤を介して接合した場合に、その接着剤と第１補強部材４との接着強度をアンカー効果により向上させることができる。
【０６３９】
第６Ａ実施形態では、各凹部４４の平面視形状は、円形をなしている。これにより、複数の凹部４４を効率的に（できるだけ高い配置密度に）配置することができる。なお、各凹部４４の平面視形状は、円形に限定されず任意であり、例えば、三角形、四角形、五角形等の多角形、楕円形、帯状等であってもよい。
【０６４０】
また、各凹部４４は、第１補強部材４の下面側から上面側に向けて、幅が漸減している。第６Ａ実施形態では、各凹部４４は、半球状をなしている。なお、各凹部４４の幅は、第１補強部材４の厚さ方向の一方側から他方側に向けて、一定であってもよい。
【０６４１】
また、図示しないが、複数の凹部４４は、平面視にて第１補強部材４の下面（板面）に対して均一に分散して配置されている。これにより、前述したようなアンカー効果を第１補強部材４の板面の全域に亘って均一に生じさせることができる。また、簡単かつ確実に、第１補強部材４が基板２１を均一に補強することができる。
【０６４２】
また、複数の凹部４４は、平面視にて規則的に配置されていても、平面視にてランダムに配置されていてもよいが、前述した複数の凹部４２Ａと同様の配置であるのが好ましい。これにより、複数の凹部４４の形成を複数の凹部４２Ａと同様の方法を用いて行うことができ、第１補強部材４の製造が簡単になる。
【０６４３】
また、複数の凹部４４は、互いの直径が略等しくなっている。
このような複数の凹部４４の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドリル加工、ルーター加工、打ち抜き加工、レーザー加工、エッチング加工等の方法が挙げられる。なお、複数の凹部４４がランダムに配置されている場合には、ブラスト処理により複数の凹部４４を形成することもできる。
【０６４４】
また、各凹部４４の幅（直径）は、特に限定されないが、０．１μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましく、１μｍ以上１００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、複数の凹部４４の形成を容易なものとするとともに、前述したようなアンカー効果を効果的に生じさせることができる。
【０６４５】
また、各凹部４４の平均深さは、特に限定されないが、０．１μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましく、１μｍ以上１００μｍ以下であるのがより好ましい。
【０６４６】
また、第１補強部材４の下面の表面粗さは、０．１μｍ以上１００μｍ以下であるのが好ましく、０．５μｍ以上５０μｍ以下であるがより好ましい。これにより、複数の凹部４４を比較的簡単に形成することができる。また、多数の凹部４４が第１補強部材４の機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。
【０６４７】
また、第１補強部材４と接着剤（樹脂材料）との密着性を向上させる観点から、例えば、第１補強部材４の下面に銅皮膜を形成してもよい。銅については、樹脂材料との密着強度を向上させるための表面処理技術が数多く知られているため、第１補強部材４の形状、大きさ、樹脂材料の種類等に応じてその表面処理を適宜選択し、実施することができる。その銅皮膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等により実施することができる。また、銅皮膜の平均厚さは、第１補強部材４の熱膨張係数に影響を及ぼさず、密着性向上の表面処理が可能な範囲で薄い方が好ましい。
【０６４８】
また、第１補強部材４は、半導体素子３の周囲を囲むように設けられている。第６Ａ実施形態では、第１補強部材４は、半導体素子３を囲むように環状（より具体的には四角環状）をなしている。これにより、第１補強部材４による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０６４９】
また、第１補強部材４は、半導体素子３との間の距離（第１補強部材４の内周面４１と半導体素子３の外周面３３との間の距離）が半導体素子３の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、第１補強部材４および半導体素子３の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。また、後述する熱伝導性材料６を介した半導体素子３から第１補強部材への伝熱を効率的かつ均一に生じさせることができる。
【０６５０】
また、第１補強部材４は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、半導体素子３および第１補強部材４が一体的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０６５１】
また、第１補強部材４は、放熱性を有するのが好ましい。これにより、半導体素子３および配線基板２の昇温を抑えることができる。その結果、この点でも、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【０６５２】
また、第１補強部材４の構成材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。第１補強部材４が金属材料で構成されていると、第１補強部材４の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０６５３】
かかる金属材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅを含む合金を用いるのが好ましい。
【０６５４】
かかるＦｅを含む合金としては、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｐｄ合金等が挙げられ、特に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。
【０６５５】
このような金属材料は、放熱性に優れるだけでなく、熱膨張係数が低く、かつ、一般的な半導体素子３の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。そのため、半導体素子３および第１補強部材４が一体的に配線基板２を補強することができる。
【０６５６】
Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、ＦｅおよびＮｉを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＮｉの他に、残部（Ｍ）として、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。より具体的なＦｅ−Ｎｉ系合金は、第２実施形態において挙げられた具体例と同様である。
【０６５７】
特に、第１補強部材４の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第１補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的の防止することができる。
【０６５８】
また、第１補強部材４と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第１補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的の防止することができる。
【０６５９】
上述したような熱膨張係数の観点から、第１補強部材４を構成する金属材料がＦｅ−Ｎｉ系合金である場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｉの含有量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｎｉの含有量が３５ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。この場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｆｅの含有量が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｆｅの含有量が５５ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。
【０６６０】
また、第１補強部材４を構成する金属材料がＦｅ−Ｎｉ系合金である場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が８５ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのが好ましく、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が９０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのがより好ましい。すなわち、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのが好ましく、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。
【０６６１】
また、第１補強部材４の平均厚さＴ２は、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の第１補強部材４および第２補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
【０６６２】
また、第６Ａ実施形態では、図１５および図１６に示すように、第１補強部材４と半導体素子３との間に、熱伝導性材料６が充填されている。これにより、半導体素子３から熱伝導性材料６を介して第１補強部材４へ効率的に熱を伝達することができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０６６３】
第６Ａ実施形態の熱伝導性材料６は、第１実施形態の熱伝導性材料６と同様である。
【０６６４】
［第２補強部材］
第２補強部材（スティフナー）５は、配線基板２の基板２１の下面（他方の面）に接合されている。これにより、第２補強部材５により配線基板２が補強される。
【０６６５】
この第２補強部材５と基板２１とは、接着剤を介して接合することができる。これにより、第２補強部材５の設置が簡単となる。
【０６６６】
かかる接着剤としては、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、各種接着剤を用いることができるが、熱伝導性に優れたものが好ましく、後述する熱伝導性材料６と同様のものを用いることができる。
【０６６７】
この第２補強部材５は、前述した第１補強部材４と同様、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。
【０６６８】
第２補強部材５は、板状をなしている。これにより、第２補強部材５の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０６６９】
そして、第２補強部材５の下面（表面のうちの露出した部分）には、粗面化処理が施されている。
【０６７０】
そのため、第２補強部材５の下面には、複数（多数）の凹部５４が形成されている。言い換えると、第２補強部材５の下面のうち、複数の凹部５４以外の部分に、凸部５５が形成されている。これにより、第２補強部材５の表面積の増大により放熱性を向上させることができる。
【０６７１】
第６Ａ実施形態では、各凹部５４の平面視形状は、円形をなしている。これにより、複数の凹部５４を効率的に（できるだけ高い配置密度に）配置することができる。なお、各凹部５４の平面視形状は、円形に限定されず任意であり、例えば、三角形、四角形、五角形等の多角形、楕円形、帯状等であってもよい。
【０６７２】
また、各凹部５４は、第２補強部材５の下面側から上面側に向けて、幅が漸減している。第６Ａ実施形態では、各凹部５４は、半球状をなしている。なお、各凹部５４の幅は、第２補強部材５の厚さ方向の一方側から他方側に向けて、一定であってもよい。
【０６７３】
また、図１７に示すように、複数の凹部５４は、平面視にて第２補強部材５の下面（板面）に対して均一に分散して配置されている。これにより、第２補強部材５の放熱性を第２補強部材５の板面の全域に亘って均一にすることができる。また、簡単かつ確実に、第２補強部材５が基板２１を均一に補強することができる。
【０６７４】
また、複数の凹部５４は、平面視にて規則的に配置されている。第６Ａ実施形態では、複数の凹部５４は、第２補強部材５の下面の外周部に沿って互いに間隔を隔てて並設されるとともに、後述する金属バンプ７１同士の間を埋めるように配置されている。これにより、簡単かつ確実に、複数の凹部５４を平面視にて第２補強部材５の全面に対して均一に分散して配置することができる。
【０６７５】
また、複数の凹部５４は、互いの直径が略等しくなっている。
このような複数の凹部５４の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドリル加工、ルーター加工、打ち抜き加工、レーザー加工、エッチング加工等の方法が挙げられる。
【０６７６】
中でも、複数の凹部５４の形成方法（粗面化処理）は、エッチング加工（エッチング処理）であるのが好ましい。これにより、前述したような規則的な配置で多数の凹部５４を効率的に形成することができる。
【０６７７】
また、各凹部５４の幅（直径）は、特に限定されないが、０．１μｍ以上２０００μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上５００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、複数の凹部５４の形成を容易なものとするとともに、複数の凹部５４が第２補強部材５の機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。
【０６７８】
また、第２補強部材５の下面の表面粗さは、０．１μｍ以上４００μｍ以下であるが好ましく、０．５μｍ以上１００μｍ以下であるがより好ましい。これにより、複数の凹部５４を比較的簡単に形成することができる。また、多数の凹部５４が第２補強部材５の機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。
【０６７９】
一方、図１５に示すように、第６Ａ実施形態では、第２補強部材５の上面にも、粗面化処理が施されている。すなわち、第２補強部材５の表面のうちの基板２１に対向する部分に粗面化処理が施されている。
【０６８０】
そのため、第２補強部材５の上面には、複数（多数）の凹部５６が形成されている。言い換えると、第２補強部材５の上面のうち、複数の凹部５６以外の部分に、凸部５７が形成されている。これにより、第２補強部材５と基板２１とを接着剤を介して接合した場合に、その接着剤と第２補強部材５との接着強度をアンカー効果により向上させることができる。
【０６８１】
第６Ａ実施形態では、各凹部５６の平面視形状は、円形をなしている。これにより、複数の凹部５６を効率的に（できるだけ高い配置密度に）配置することができる。なお、各凹部５６の平面視形状は、円形に限定されず任意であり、例えば、三角形、四角形、五角形等の多角形、楕円形、帯状等であってもよい。
【０６８２】
また、各凹部５６は、第２補強部材５の上面側から下面側に向けて、幅が漸減している。第６Ａ実施形態では、各凹部５６は、半球状をなしている。なお、各凹部５６の幅は、第２補強部材５の厚さ方向の一方側から他方側に向けて、一定であってもよい。
【０６８３】
また、図示しないが、複数の凹部５６は、平面視にて第２補強部材５の上面（板面）に対して均一に分散して配置されている。これにより、前述したようなアンカー効果を第２補強部材５の板面の全域に亘って均一に生じさせることができる。また、簡単かつ確実に、第２補強部材５が基板２１を均一に補強することができる。
【０６８４】
また、複数の凹部５６は、平面視にて規則的に配置されていても、平面視にてランダムに配置されていてもよいが、前述した複数の凹部５４と同様の配置であるのが好ましい。これにより、複数の凹部５６の形成を複数の凹部５４と同様の方法を用いて行うことができ、第２補強部材５の製造が簡単になる。
【０６８５】
また、複数の凹部５６は、互いの直径が略等しくなっている。
このような複数の凹部５６の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドリル加工、ルーター加工、打ち抜き加工、レーザー加工、エッチング加工等の方法が挙げられる。なお、複数の凹部５６がランダムに配置されている場合には、ブラスト処理により複数の凹部５６を形成することもできる。
【０６８６】
また、各凹部５６の幅（直径）は、特に限定されないが、０．１μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましく、０．５μｍ以上１００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、複数の凹部５６の形成を容易なものとするとともに、前述したようなアンカー効果を効果的に生じさせることができる。
【０６８７】
また、第２補強部材５の上面の表面粗さは、０．１μｍ以上１００μｍ以下であるのが好ましく、０．５μｍ以上５０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、複数の凹部５６を比較的簡単に形成することができる。また、多数の凹部５６が第２補強部材５の機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。
【０６８８】
また、第２補強部材５と接着剤（樹脂材料）との密着性を向上させる観点から、例えば、第２補強部材５の上面に銅皮膜を形成してもよい。銅については、樹脂材料との密着強度を向上させるための表面処理技術が数多く知られているため、第２補強部材５の形状、大きさ、樹脂材料の種類等に応じてその表面処理を適宜選択し、実施することができる。その銅皮膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等により実施することができる。また、銅皮膜の平均厚さは、第２補強部材５の熱膨張係数に影響を及ぼさず、密着性向上の表面処理が可能な範囲で薄い方が好ましい。
【０６８９】
また、第２補強部材５は、配線基板２（基板２１）の外周部（導体パターン２２４よりも外側）に沿って設けられた部分（枠部）５２と、金属バンプ７１同士の間に設けられた部分５３とを有している。第２補強部材５の部分５２と配線基板２（基板２１）との接合により、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板２が補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。また、第２補強部材５の部分５３と配線基板２との接合により、第２補強部材５の剛性が高められる。
【０６９０】
より具体的に説明すると、第２補強部材５は、前述した各金属バンプ７１に非接触で各金属バンプ７１を囲むように形成された複数の開口部（貫通孔）５１を有する。これにより、第２補強部材５が配線基板２の下面に占める面積の割合を大きくすることができる。その結果、第２補強部材５による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０６９１】
また、各開口部５１は、各金属バンプ７１に対応して（一対一で対応して）設けられている。これにより、第２補強部材５の剛性の均一化を図ることができる。また、第２補強部材５の放熱性も向上させることができる。
【０６９２】
また、第２補強部材５は、各金属バンプ７１との間の距離（平面視における開口部５１の壁面と金属バンプ７１の外周面との間の距離）が金属バンプ７１の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、第２補強部材５および各金属バンプ７１の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。
【０６９３】
第６Ａ実施形態では、第２補強部材５の下面に、伝熱バンプ９１が設けられている。
この伝熱バンプ９１は、配線基板２の基板２１よりも高い熱伝導性を有し、例えば、後述する半導体装置１００において、マザーボード２００に接合されるものである。これにより、第２補強部材５の熱を外部（例えばマザーボード２００）に逃がすことができる。
【０６９４】
伝熱バンプ９１の構成材料としては、前述したような伝熱性を有するものであれば、特に限定されず、金属材料、樹脂材料を用いることができるが、特に、前述した金属バンプ７１と同様の構成材料、無機フィラーおよび樹脂材料を含有する伝熱性接着剤等を用いるのが好ましい。
【０６９５】
また、前述した第１補強部材４と同様、第２補強部材５は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、第２補強部材５が効果的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０６９６】
また、第２補強部材５の構成材料としては、前述した第１補強部材４の構成材料と同様のものを用いることができ、第１補強部材４と同様、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。
【０６９７】
また、第２補強部材５の構成材料は、第１補強部材４の構成材料と異なっていてもよいが、第１補強部材４の構成材料と同じであるのが好ましい。これにより、配線基板２の両面の熱膨張差を防止または抑制することができる。
【０６９８】
特に、第２補強部材５の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０６９９】
また、第２補強部材５と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０７００】
また、第２補強部材５と第１補強部材４との熱膨張係数差の絶対値は、２ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、０ｐｐｍ／℃であるのがさらに好ましい。これにより、第１補強部材４と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、これらの熱膨張差に起因する配線基板２の反りを防止することができる。
【０７０１】
また、第２補強部材５の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の第１補強部材４および第２補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
【０７０２】
また、第２補強部材５と各金属バンプ７１との間には、絶縁材８１が設けられている（充填されている）。これにより、第２補強部材５と各金属バンプ７１との接触を防止することができる。そのため、半導体パッケージ１の信頼性を優れたものとしつつ、第２補強部材５の剛性および放熱性を高めることができる。
【０７０３】
また、絶縁材８１は、金属バンプ７１の周囲を囲むように形成され、かつ、各半田バンプに接合されている。これにより、絶縁材８１は、金属バンプ７１を補強している。
【０７０４】
このような絶縁材８１は、絶縁性を有し、樹脂材料を含んで構成されている。
第６Ａ実施形態の絶縁体８１は、第１実施形態の絶縁体８１と同様である。
【０７０５】
以上説明したように構成された半導体パッケージ１によれば、配線基板２が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板の反りを抑制または防止することができる。
【０７０６】
また、第１補強部材４および第２補強部材５にはそれぞれ複数の凹部または凸部が形成されているので、第１補強部材４および第２補強部材５の表面積の増大により放熱性を向上させることができる。そのため、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０７０７】
（６−１−Ａ−２）半導体パッケージの製造方法
以上説明したような半導体パッケージ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０７０８】
以下、図４Ａ〜図４Ｇに基づき、半導体パッケージ１の製造方法の一例を簡単に説明する。なお、図４Ａ〜図４Ｇにおいては、説明の便宜上、前述した凹部４２Ａ、４４および凹部５４、５６の図示を省略している。
【０７０９】
第６Ａ実施形態の半導体パッケージの製造方法（［１］〜［７］）は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法（［１］〜［７］）と同様であるので、説明を省略する。
【０７１０】
（６−１−Ａ−３）半導体装置
次に、第６Ａ実施形態の半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
【０７１１】
図１８は、第６Ａ実施形態の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
第６Ａ実施形態の半導体装置は、第１実施形態の半導体装置と同様であるため、説明を省略する。
【０７１２】
（６−１−Ｂ）第６Ｂ実施形態
次に、本発明の第６Ｂ実施形態を説明する。
【０７１３】
図１９は、本発明の第６Ｂ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図１９では、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０７１４】
以下、第６Ｂ実施形態の半導体パッケージについて、前述した第６Ａ実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図１９において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【０７１５】
第６Ｂ実施形態の半導体パッケージは、第１補強部材、伝熱ポストおよび熱伝導性材料を省略した以外は、第６Ａ実施形態とほぼ同様である。
【０７１６】
図１９に示すように、半導体パッケージ１Ａは、配線基板２Ａと、この配線基板２Ａ上に搭載された半導体素子３Ａと、配線基板２Ａの基板２１Ａの下面（他方の面）に接合されている補強部材５Ａとを有する。
【０７１７】
半導体パッケージ１Ａは、伝熱ポスト２４を省略した以外は前述した第６Ａ実施形態の配線基板２と同様に構成された配線基板２Ａを有している。そして、その配線基板２Ａの下面上には、前述した第６Ａ実施形態の第２補強部材５と同様に構成された補強部材５Ａが接合されている。一方、配線基板２Ａの上面上には、配線基板２Ａの補強を目的とする補強部材は接合されていない。
【０７１８】
補強部材５Ａが、半導体素子３Ａの搭載面と他方面上に接合されていることにより、半導体パッケージ１Ａの構造の対称性が増し、その結果、配線基板２Ａと半導体素子３Ａとの熱膨張係数差に起因する配線基板２Ａの反りを抑制または防止することができる。
【０７１９】
また、補強部材５Ａの大きさは、半導体素子３Ａの大きさ・厚さ、配線基板２Ａの構成・厚さ、補強部材５Ａの材料種、厚さ、開口状態等に応じて決められるものであり、配線基板２Ａと同等以下の大きさであれば特に限定されない。
【０７２０】
また、第６Ｂ実施形態では第６Ａ実施形態における伝熱ポスト２４が省略されているが、半導体素子３Ａが発生した熱は、金属バンプ３１、配線基板２Ａの導体パターンおよび導体ポスト、金属バンプ７１、絶縁材８１、補強部材５Ａの順で伝えられ放散されるため、半導体パッケージ１Ａは、高い放熱性を有する。
【０７２１】
以上説明したような第６Ｂ実施形態の半導体パッケージ１Ａによっても、配線基板２Ａの反りを防止することができる。
【０７２２】
（６−１−Ｃ）第６Ｃ実施形態
次に、本発明の第６Ｃ実施形態を説明する。
【０７２３】
図２０は、本発明の第６Ｃ実施形態に係る半導体パッケージを示す上面図、図２１は、図２０に示す半導体パッケージを示す下面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２０中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」と言う。また、図２０および図２１では、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０７２４】
以下、第６Ｃ実施形態の半導体パッケージについて、前述した第６Ａ実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図２０および図２１において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【０７２５】
第６Ｃ実施形態の半導体パッケージは、第１補強部材の上面に形成した凹部の配置、および、第２補強部材の下面に形成した凹部の配置が異なる以外は、第６Ａ実施形態とほぼ同様である。
【０７２６】
図２０に示すように、半導体パッケージ１Ｂは、配線基板２の上面に接合された第１補強部材４Ｂを有する。
【０７２７】
第１補強部材４Ｂの上面には、粗面化処理が施され、ランダムに配置された複数の凹部４２Ｂが形成されている。また、第１補強部材４Ｂの上面のうち、複数の凹部４２Ｂ以外の部分には、凸部４３Ｂが形成されている。これにより、第１補強部材４Ｂの表面積の増大により放熱性を向上させることができる。
【０７２８】
また、複数の凹部４２Ｂは、互いに直径が異なる複数種の凹部から構成されている。なお、図２０では、説明の便宜上、複数の凹部４２Ｂが互いに重ならないように形成され、各凹部４２Ｂの平面視形状が円形をなしているが、複数の凹部４２Ｂが互いに部分的に重なるように形成され、各凹部４２Ｂの平面視形状が異形状をなしていてもよい。
【０７２９】
このような複数の凹部４２Ｂの形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドリル加工、ルーター加工、打ち抜き加工、レーザー加工、エッチング加工、ブラスト処理等の方法が挙げられる。
【０７３０】
中でも、複数の凹部４２Ｂの形成方法（粗面化処理）は、ブラスト処理であるのが好ましい。これにより、前述したようなランダムな配置で多数の凹部４２Ｂを効率的に形成することができる。
【０７３１】
また、第１補強部材４Ｂの上面の表面粗さは、０．１μｍ以上４００μｍ以下であるのが好ましく、０．５μｍ以上１００μｍ以下であるがより好ましい。これにより、複数の凹部４２Ｂを比較的簡単に形成することができる。また、多数の凹部４２Ｂが第１補強部材４Ｂの機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。
【０７３２】
また、図２１に示すように、半導体パッケージ１Ｂは、配線基板２の下面に接合された第２補強部材５Ｂとを有する。
【０７３３】
第２補強部材５Ｂの下面には、粗面化処理が施され、ランダムに配置された複数の凹部５４Ｂが形成されている。また、第２補強部材５Ｂの下面のうち、複数の凹部５４Ｂ以外の部分には、凸部５５Ｂが形成されている。これにより、第２補強部材５Ｂの表面積の増大により放熱性を向上させることができる。
【０７３４】
また、複数の凹部５４Ｂは、前述した複数の凹部４２Ｂと同様、互いに直径が異なる複数種の凹部から構成されている。なお、図２１では、説明の便宜上、複数の凹部５４Ｂが互いに重ならないように形成され、各凹部５４Ｂの平面視形状が円形をなしているが、複数の凹部５４Ｂが互いに部分的に重なるように形成され、各凹部５４Ｂの平面視形状が異形状をなしていてもよい。
【０７３５】
このような複数の凹部５４Ｂの形成方法としては、特に限定されず、前述した複数の凹部４２Ｂと同様の方法を用いることができるが、ブラスト処理を用いるのが好ましい。これにより、前述したようなランダムな配置で多数の凹部５４Ｂを効率的に形成することができる。
【０７３６】
また、第２補強部材５Ｂの下面の表面粗さは、０．１μｍ以上４００μｍ以下であるのが好ましく、０．５μｍ以上１００μｍ以下であるがより好ましい。これにより、複数の凹部５４Ｂを比較的簡単に形成することができる。また、多数の凹部５４Ｂが第２補強部材５Ｂの機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。
【０７３７】
以上説明したような第６Ｃ実施形態に係る半導体パッケージ１Ｂによっても、配線基板２の反りを防止することができる。
【０７３８】
（６−１−Ｄ）第６Ｄ実施形態
次に、本発明の第６Ｄ実施形態を説明する。
【０７３９】
図２２は、本発明の第６Ｄ実施形態に係る半導体パッケージを示す上面図、図２３は、図２２に示す半導体パッケージを示す下面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」と言う。また、図２２および図２３では、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０７４０】
以下、第６Ｄ実施形態の半導体パッケージについて、前述した第６Ａ実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図２２および図２３において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【０７４１】
第６Ｄ実施形態の半導体パッケージは、第１補強部材の上面に形成した凹部の配置、および、第２補強部材の下面に形成した凹部の配置が異なる以外は、第６Ａ実施形態とほぼ同様である。
【０７４２】
図２２に示すように、半導体パッケージ１Ｃは、配線基板２の上面に接合された第１補強部材４Ｃを有する。
【０７４３】
第１補強部材４Ｃの上面には、粗面化処理が施され、帯状をなす複数の凹部４２Ｃが形成されている。また、第１補強部材４Ｃの上面のうち、複数の凹部４２Ｃ以外の部分には、凸部４３Ｃが形成されている。これにより、第１補強部材４Ｃの表面積の増大により放熱性を向上させることができる。
【０７４４】
また、複数の凹部４２Ｃは、平面視にて略放射状に配列されている。より具体的には、複数の凹部４２Ｃは、四角環状をなす第１補強部材４Ｃの各辺に対応して４つの群から構成されており、各群において、複数の凹部４２Ｃが互いに平行に配置されている。
【０７４５】
このような複数の凹部４２Ｃの形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドリル加工、ルーター加工、打ち抜き加工、レーザー加工、エッチング加工等の方法が挙げられる。
【０７４６】
また、各凹部４２Ｃの幅は、特に限定されないが、５μｍ以上３０００μｍ以下であるのが好ましく、２０μｍ以上１０００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、複数の凹部４２Ｃの形成を容易なものとするとともに、複数の凹部４２Ｃが第１補強部材４Ｃの機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。
【０７４７】
また、各群における複数の凹部４２Ｃのピッチは、特に限定されないが、１０μｍ以上６０００μｍ以下であるのが好ましい。
【０７４８】
また、図２３に示すように、半導体パッケージ１Ｃは、配線基板２の下面に接合された第２補強部材５Ｃとを有する。
【０７４９】
第２補強部材５Ｃの下面には、粗面化処理が施され、帯状をなす複数の凹部５４Ｃが形成されている。また、第２補強部材５Ｃの下面のうち、複数の凹部５４Ｃ以外の部分には、凸部５５Ｃが形成されている。これにより、第２補強部材５Ｃの表面積の増大により放熱性を向上させることができる。
【０７５０】
また、複数の凹部５４Ｃは、前述した複数の凹部４２Ｃと同様、四角状の外形をなす第２補強部材５Ｃの各辺に対応して４つの群から構成されており、各群において、複数の凹部５４Ｃが互いに平行に配置されている。
【０７５１】
このような複数の凹部５４Ｃの形成方法としては、特に限定されず、前述した複数の凹部４２Ｃと同様の方法を用いることができる。
【０７５２】
また、各凹部５４Ｃの幅は、特に限定されないが、５μｍ以上３０００μｍ以下であるのが好ましく、２０μｍ以上１０００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、複数の凹部５４Ｃの形成を容易なものとするとともに、複数の凹部５４Ｃが第２補強部材５Ｃの機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。
【０７５３】
また、各群における複数の凹部５４Ｃのピッチは、特に限定されないが、１０μｍ以上６０００μｍ以下であるのが好ましい。
【０７５４】
以上説明したような第６Ｄ実施形態に係る半導体パッケージ１Ｃによっても、配線基板２の反りを防止することができる。
【０７５５】
以上、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０７５６】
例えば、第６Ａ〜第６Ｄ実施形態では、第１補強部材４が半導体素子３の全周に亘って囲むように設けられていたが、これに限定されず、例えば、半導体素子３の周囲の一部に欠損した部分（切り欠き）が形成されていてもよい。
【０７５７】
また、第６Ａ〜第６Ｄ実施形態では、第１補強部材４および第２補強部材５の双方に粗面化処理を施した場合を説明したが、第１補強部材４または第２補強部材５において粗面化処理が施されていなくてもよい。
【０７５８】
また、第６Ａ〜第６Ｄ実施形態では、補強部材の基板と対向する側の面に粗面化処理を施した場合を説明したが、補強部材の基板と対向する側の面の粗面化処理を省略してもよい。
【０７５９】
また、第１補強部材４または第２補強部材５を省略してもよい。
また、第６Ａ〜第６Ｄ実施形態では、第１補強部材４と第２補強部材５とを接続する熱伝導部として、基板２１を貫通する伝熱ポスト２４を用いたが、例えば、基板２１の外側に設けた熱伝導部材（金属部材）を用いてもよい。この場合、伝熱性接着剤を用いて熱伝導部材を基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５に接着（接合）してもよいし、基板２１の側面側から基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５を上下から銜えこむような形態としてもよい。また、配線基板２自体の放熱性の程度によっては、伝熱ポスト２４を省略してもよい。
【０７６０】
また、第２補強部材５に形成される開口部５１は、各金属バンプ７１と一対一で対応していなくてもよい。すなわち、第２補強部材５には、複数の金属バンプ７１に対して１つが対応するように、開口部が形成されていてもよい。
【０７６１】
第６Ａ〜第６Ｄ実施形態の半導体パッケージによれば、配線基板（インターポーザ）が補強部材により補強されるため、配線基板と半導体素子との熱膨張係数差に起因する配線基板の反りを抑制または防止することができる。
【０７６２】
また、補強部材に複数の凹部または凸部が設けられているので、補強部材の表面積の増大により放熱性を向上させることができる。そのため、半導体パッケージの放熱性を向上させることができる。
【０７６３】
また、第６Ａ〜第６Ｄ実施形態の半導体装置によれば、前述したような半導体パッケージを備えるので、信頼性に優れる。
【０７６４】
（７）第７実施形態
以下、第７実施形態の半導体パッケージについて、第１〜６実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図中において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
（７−１−Ａ）第７Ａ実施形態
（７−１−Ａ−１）半導体パッケージ
まず、本発明の半導体パッケージを説明する。
【０７６５】
図２４は、本発明の第７Ａ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図、図２５は、図２４に示す半導体パッケージを示す上面図、図３は、図２４に示す半導体パッケージを示す下面図、図２６Ａ〜図２６Ｇは、図２４に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図３及び図２４〜２８では、それぞれ、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０７６６】
図２４に示すように、半導体パッケージ１は、配線基板２と、この配線基板２上に搭載された半導体素子３と、第１補強部材（補強部材）４と、第２補強部材（補強部材）５とを有する。
【０７６７】
このような半導体パッケージ１によれば、配線基板（インターポーザ）２が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板の反りを抑制または防止することができる。
【０７６８】
また、後に詳述するように、第１補強部材４および第２補強部材５にはそれぞれ複数の貫通孔が形成されているので、第１補強部材４および第２補強部材５の表面積の増大により放熱性を向上させたり、第１補強部材４および第２補強部材５による半導体パッケージ１の質量の増加を抑制したりすることもできる。
【０７６９】
以下、半導体パッケージ１の各部を順次詳細に説明する。
［配線基板］
第７Ａ実施形態の配線基板は第６Ａ実施形態の配線基板と同様であるので、説明を省略する。
【０７７０】
［半導体素子］
第７Ａ実施形態の半導体素子は、第1実施形態の半導体素子と同様であるので、説明を省略する。
【０７７１】
［第１補強部材］
第１補強部材（スティフナー）４は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）の、半導体素子３が接合されていない部分に接合されている。これにより、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板２が第１補強部材４により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。
【０７７２】
この第１補強部材４と基板２１とは、接着剤を介して接合することができる。これにより、第１補強部材４の設置が簡単となる。
【０７７３】
かかる接着剤としては、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、各種接着剤を用いることができるが、熱伝導性に優れたものが好ましく、後述する熱伝導性材料６と同様のものを用いることができる。
【０７７４】
この第１補強部材４は、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。これにより、基板２１の熱膨張を抑えることができる。
【０７７５】
また、第１補強部材４は、板状をなしている。これにより、第１補強部材４の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０７７６】
そして、第１補強部材４には、その厚さ方向に貫通する複数の貫通孔４２Ｄが形成されている。これにより、第１補強部材４の表面積の増大により放熱性を向上させたり、第１補強部材４による半導体パッケージ１の質量の増加を抑制したりすることができる。
【０７７７】
第７Ａ実施形態では、各貫通孔４２Ｄの平面視形状は、円形をなしている。これにより、第１補強部材４に必要な機械的強度を確保しながら、複数の貫通孔４２Ｄを効率的に（できるだけ高い配置密度に）配置することができる。なお、各貫通孔４２Ｄの平面視形状は、円形に限定されず任意であり、例えば、三角形、四角形、五角形等の多角形、楕円形、帯状等であってもよい。
【０７７８】
また、各貫通孔４２Ｄは、第１補強部材４の厚さ方向の全域に亘って、幅が一定となっている。このような複数の貫通孔４２Ｄの形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドリル加工、ルーター加工、打ち抜き加工、レーザー加工、エッチング加工等の方法が挙げられる。なお、各貫通孔４２Ｄの幅は、第１補強部材４の厚さ方向の一方側から他方側に向けて増加または減少する部分を有していてもよい。
【０７７９】
また、各貫通孔４２Ｄの幅（直径）は、特に限定されないが、５μｍ以上２０００μｍ以下であるのが好ましく、２０μｍ以上１０００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、複数の貫通孔４２Ｄの形成を容易なものとするとともに、複数の貫通孔４２Ｄが第１補強部材４の機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。なお、「各貫通孔の幅」とは、複数の貫通孔の平均幅を言う。
【０７８０】
また、複数の貫通孔４２Ｄは、平面視にて第１補強部材４の全面に対して均一に分散して配置されている。これにより、簡単かつ確実に、第１補強部材４が基板２１を均一に補強することができる。
【０７８１】
また、複数の貫通孔４２Ｄは、平面視にて規則的に配置されている。第７Ａ実施形態では、複数の貫通孔４２Ｄは、基板２１の外周部に沿って互いに間隔を隔てて並設されている。これにより、簡単かつ確実に、複数の貫通孔４２Ｄを平面視にて第１補強部材４の全面に対して均一に分散して配置することができる。
【０７８２】
また、第１補強部材４の平面視での面積（貫通孔４２Ｄを除く面積）をＳ１１（Ｓ１）とし、複数の貫通孔４２Ｄの平面視での合計面積をＳ１２（Ｓ２）としたとき、Ｓ１２／（Ｓ１１＋Ｓ１２）が、０．１以上０．９以下であるのが好ましく、０．３以上０．７以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の高剛性化と軽量化との両立を図ることができる。
【０７８３】
このような第１補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）は、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と同一面上またはそれよりも基板２１側（すなわち下側）に位置しているのが好ましい。これにより、半導体パッケージ１の製造に際し、第１補強部材４の設置後に半導体素子３を設置する場合、半導体素子３の設置が容易となる。
【０７８４】
第７Ａ実施形態では、第１補強部材４の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）とが同一面上に位置している。これにより、半導体パッケージ１を薄型化しつつ、配線基板２の反りを効果的に抑制または防止することができる。また、第１補強部材４の上面上に他の構造体（例えば、基板、半導体素子、ヒートシンク等）を設ける場合、その構造体の設置を安定的に行うことができる。
なお、第１補強部材４および半導体素子３を封止樹脂でモールドしてもよい。
【０７８５】
また、第１補強部材４は、半導体素子３の周囲を囲むように設けられている。第７の実施形態では、第１補強部材４は、半導体素子３を囲むように環状（より具体的には四角環状）をなしている。これにより、第１補強部材４による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０７８６】
また、第１補強部材４は、半導体素子３との間の距離（第１補強部材４の内周面４１と半導体素子３の外周面３３との間の距離）が半導体素子３の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、第１補強部材４および半導体素子３の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。また、後述する熱伝導性材料６を介した半導体素子３から第１補強部材への伝熱を効率的かつ均一に生じさせることができる。
【０７８７】
また、第１補強部材４は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、半導体素子３および第１補強部材４が一体的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０７８８】
また、第１補強部材４は、放熱性を有するのが好ましい。これにより、半導体素子３および配線基板２の昇温を抑えることができる。その結果、この点でも、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【０７８９】
また、第１補強部材４の構成材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。第１補強部材４が金属材料で構成されていると、第１補強部材４の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０７９０】
かかる金属材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅを含む合金を用いるのが好ましい。
【０７９１】
かかるＦｅを含む合金としては、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｐｄ合金等が挙げられ、特に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。
【０７９２】
このような金属材料は、放熱性に優れるだけでなく、熱膨張係数が低く、かつ、一般的な半導体素子３の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。そのため、半導体素子３および第１補強部材４が一体的に配線基板２を補強することができる。  
【０７９３】
Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、ＦｅおよびＮｉを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＮｉの他に、残部（Ｍ）として、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
より具体的なＦｅ−Ｎｉ系合金は、第２実施形態において挙げられた具体例と同様である。
【０７９４】
特に、第１補強部材４の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第１補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的の防止することができる。
【０７９５】
また、第１補強部材４と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第１補強部材４との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的の防止することができる。
【０７９６】
上述したような熱膨張係数の観点から、第１補強部材４を構成する金属材料がＦｅ−Ｎｉ系合金である場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｉの含有量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｎｉの含有量が３５ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。この場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｆｅの含有量が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｆｅの含有量が５５ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。
【０７９７】
また、第１補強部材４を構成する金属材料がＦｅ−Ｎｉ系合金である場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が８５ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのが好ましく、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が９０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのがより好ましい。すなわち、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのが好ましく、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１補強部材４の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。
【０７９８】
また、第１補強部材４の平均厚さＴ２は、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の第１補強部材４および第２補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
【０７９９】
また、熱放散性の観点から、第１補強部材４の表面が粗化されていてもよい。第１補強部材４表面が粗化されていれば、表面積が増大し熱放散の効率が上がる。第１補強部材４表面の粗化方法は、特に限定されず、例えば化学的な薬液処理、機械的なサンドブラスト処理などにより実施することができる。
【０８００】
第１補強部材４の表面粗度の大きさは、半導体素子３の発熱量、樹脂材料の構成、配線基板２の構成、第１補強部材４の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、算術平均で表される表面粗度が０．１μｍ以上１００μｍ以下程度である。前記算術平均で表される表面粗度は、例えばＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することができる。
【０８０１】
また、樹脂材料との密着性向上の観点から、第１補強部材４表面に銅皮膜が形成されていてもよい。銅については、樹脂材料との密着強度を向上させるための表面処理技術が数多く知られているため、第１補強部材４の形状、大きさ、樹脂材料の種類等に応じてその表面処理を適宜選択し、実施することができる。
【０８０２】
銅皮膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等により実施することができる。
【０８０３】
また、銅皮膜の平均厚さは、第１補強部材４の熱膨張係数に影響を及ぼさず、密着性向上の表面処理が可能な範囲で薄い方が好ましい。
【０８０４】
また、第７Ａ実施形態では、図２４および図２５に示すように、第１補強部材４と半導体素子３との間に、熱伝導性材料６が充填されている。これにより、半導体素子３から熱伝導性材料６を介して第１補強部材４へ効率的に熱を伝達することができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０８０５】
第７Ａ実施形態の熱伝導性材料６は、第1実施形態の熱伝導性材料６と同様である。
【０８０６】
また、この熱伝導性材料６は、前述した接着層３２（アンダーフィル材）と同様のものを用いてもよく、また、熱伝導性材料６および接着層３２を一括して形成することもできる。
【０８０７】
［第２補強部材］
第２補強部材（スティフナー）５は、配線基板２の基板２１の下面（他方の面）に接合されている。これにより、第２補強部材５により配線基板２が補強される。
【０８０８】
この第２補強部材５と基板２１とは、接着剤を介して接合することができる。これにより、第２補強部材５の設置が簡単となる。
【０８０９】
かかる接着剤としては、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、各種接着剤を用いることができるが、熱伝導性に優れたものが好ましく、後述する熱伝導性材料６と同様のものを用いることができる。
【０８１０】
この第２補強部材５は、前述した第１補強部材４と同様、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。
【０８１１】
第２補強部材５は、板状をなしている。これにより、第２補強部材５の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０８１２】
また、第２補強部材５は、配線基板２（基板２１）の外周部（導体パターン２２４よりも外側）に沿って設けられた部分（枠部）５２と、金属バンプ７１同士の間に設けられた部分５３とを有している。第２補強部材５の部分５２と配線基板２（基板２１）との接合により、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板２が補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。また、第２補強部材５の部分５３と配線基板２との接合により、第２補強部材５の剛性が高められる。
【０８１３】
より具体的に説明すると、第２補強部材５は、前述した各金属バンプ７１に非接触で各金属バンプ７１を囲むように形成された複数の開口部（貫通孔）５１を有する。これにより、第２補強部材５が配線基板２の下面に占める面積の割合を大きくすることができる。その結果、第２補強部材５による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０８１４】
また、各開口部５１は、第２補強部材５をその厚さ方向に貫通している。これにより、第２補強部材５の表面積の増大により放熱性を向上させたり、第２補強部材５による半導体パッケージ１の質量の増加を抑制したりすることができる。
【０８１５】
第７Ａ実施形態では、各開口部５１の平面視形状は、円形をなしている。これにより、第２補強部材５に必要な機械的強度を確保しながら、複数の開口部５１を効率的に（できるだけ高い配置密度に）配置することができる。なお、各開口部５１の平面視形状は、円形に限定されず任意であり、例えば、三角形、四角形、五角形等の多角形、楕円形、帯状等であってもよい。
【０８１６】
また、各開口部５１は、第２補強部材５の厚さ方向の全域に亘って、幅が一定となっている。このような複数の開口部５１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドリル加工、ルーター加工、打ち抜き加工、レーザー加工、エッチング加工等の方法が挙げられる。なお、各開口部５１の幅は、第２補強部材５の厚さ方向の一方側から他方側に向けて増加または減少する部分を有していてもよい。
【０８１７】
また、各開口部５１の幅（直径）は、特に限定されないが、５０μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましく、１００μｍ以上８００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、複数の開口部５１の形成を容易なものとするとともに、複数の開口部５１が第２補強部材５の機械的強度に悪影響を与えるのを防止または抑制することができる。
【０８１８】
また、複数の開口部５１は、平面視にて第２補強部材５の全面に対して均一に分散して配置されている。これにより、簡単かつ確実に、第２補強部材５が基板２１を均一に補強することができる。
【０８１９】
また、複数の開口部５１は、平面視にて規則的に配置されている。第７Ａ実施形態では、複数の開口部５１は、平面視にて、行列状に配置されている。これにより、簡単かつ確実に、複数の開口部５１を平面視にて第２補強部材５の全面に対して均一に分散して配置することができる。
【０８２０】
また、第２補強部材５の平面視での面積（開口部５１を除く面積）をＳ２１（Ｓ１）とし、複数の開口部５１の平面視での合計面積をＳ２２（Ｓ２）としたとき、Ｓ２２／（Ｓ２１＋Ｓ２２）が、０．１以上０．９以下であるのが好ましく、０．３以上０．７以下であるのがより好ましい。これにより、第２補強部材５の高剛性化と軽量化との両立を図ることができる。
【０８２１】
また、各開口部５１は、各金属バンプ７１に対応して（一対一で対応して）設けられている。これにより、第２補強部材５の剛性の均一化を図ることができる。また、第２補強部材５の放熱性も向上させることができる。
【０８２２】
このような複数の開口部５１は、複数の金属バンプ７１を露出するように形成されている。これにより、開口部５１を有効利用することができる。
【０８２３】
また、第２補強部材５は、各金属バンプ７１との間の距離（平面視における開口部５１の壁面と金属バンプ７１の外周面との間の距離）が金属バンプ７１の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、第２補強部材５および各金属バンプ７１の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。
【０８２４】
第７Ａ実施形態では、第２補強部材５の下面に、伝熱バンプ９１が設けられている。
この伝熱バンプ９１は、配線基板２の基板２１よりも高い熱伝導性を有し、例えば、後述する半導体装置１００において、マザーボード２００に接合されるものである。これにより、第２補強部材５の熱を外部（例えばマザーボード２００）に逃がすことができる。
【０８２５】
伝熱バンプ９１の構成材料としては、前述したような伝熱性を有するものであれば、特に限定されず、金属材料、樹脂材料を用いることができるが、特に、前述した金属バンプ７１と同様の構成材料、無機フィラーおよび樹脂材料を含有する伝熱性接着剤等を用いるのが好ましい。
【０８２６】
また、前述した第１補強部材４と同様、第２補強部材５は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、第２補強部材５が効果的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０８２７】
また、第２補強部材５の構成材料としては、前述した第１補強部材４の構成材料と同様のものを用いることができ、第１補強部材４と同様、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。
【０８２８】
また、第２補強部材５の構成材料は、第１補強部材４の構成材料と異なっていてもよいが、第１補強部材４の構成材料と同じであるのが好ましい。これにより、配線基板２の両面の熱膨張差を防止または抑制することができる。
【０８２９】
特に、第２補強部材５の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０８３０】
また、第２補強部材５と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、第２補強部材５が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０８３１】
また、第２補強部材５と第１補強部材４との熱膨張係数差の絶対値は、２ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、０ｐｐｍ／℃であるのがさらに好ましい。これにより、第１補強部材４と第２補強部材５との熱膨張係数差を小さくし、これらの熱膨張差に起因する配線基板２の反りを防止することができる。
【０８３２】
また、第２補強部材５の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数、配線基板２の第１補強部材４および第２補強部材５の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
【０８３３】
また、熱放散性の観点から、第２補強部材５の表面が粗化されていてもよい。第２補強部材５表面が粗化されていれば、表面積が増大し熱放散の効率が上がる。第２補強部材５表面の粗化方法は、特に限定されず、例えば化学的な薬液処理、機械的なサンドブラスト処理などにより実施することができる。
【０８３４】
第２補強部材５の表面粗度の大きさは、半導体素子３の発熱量、樹脂材料の構成、配線基板２の構成、第２補強部材５の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、算術平均で表される表面粗度が０．１μｍ以上１００μｍ以下程度である。前記算術平均で表される表面粗度は、例えばＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することができる。
【０８３５】
また、樹脂材料との密着性向上の観点から、第２補強部材５表面に銅皮膜が形成されていてもよい。銅については、樹脂材料との密着強度を向上させるための表面処理技術が数多く知られているため、補強部材の形状、大きさ、樹脂材料の種類等に応じてその表面処理を適宜選択し、実施することができる。
【０８３６】
銅皮膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、スパッタ処理等により実施することができる。
【０８３７】
また、銅皮膜の平均厚さは、第２補強部材５の熱膨張係数に影響を及ぼさず、密着性向上の表面処理が可能な範囲で薄い方が好ましい。
【０８３８】
また、第２補強部材５と各金属バンプ７１との間には、絶縁材８１が設けられている（充填されている）。これにより、第２補強部材５と各金属バンプ７１との接触を防止することができる。そのため、半導体パッケージ１の信頼性を優れたものとしつつ、第２補強部材５の剛性および放熱性を高めることができる。
【０８３９】
また、絶縁材８１は、金属バンプ７１の周囲を囲むように形成され、かつ、各半田バンプに接合されている。これにより、絶縁材８１は、金属バンプ７１を補強している。
【０８４０】
このような絶縁材８１は、絶縁性を有し、樹脂材料を含んで構成されている。
第７Ａ実施形態の絶縁材８１は、第１実施形態の絶縁材８１と同様である。
【０８４１】
以上説明したように構成された半導体パッケージ１によれば、配線基板２が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板の反りを抑制または防止することができる。
【０８４２】
また、第１補強部材４および第２補強部材５にはそれぞれ複数の貫通孔が形成されているので、第１補強部材４および第２補強部材５の表面積の増大により放熱性を向上させたり、第１補強部材４および第２補強部材５による半導体パッケージ１の質量の増加を抑制したりすることもできる。
【０８４３】
（７−１−Ａ−２）半導体パッケージの製造方法
以上説明したような半導体パッケージ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０８４４】
以下、図２６Ａ〜図２６Ｇに基づき、半導体パッケージ１の製造方法の一例を簡単に説明する。なお、図２６Ａ〜図２６Ｇにおいては、説明の便宜上、前述した貫通孔４２Ｄおよび開口部５１の図示を省略している。
【０８４５】
なお、第７Ａ実施形態の半導体パッケージの製造方法（［１］〜［７］）は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法（［１］〜［７］）と同様であるため、説明を省略する。なお、図４Ａ〜図４Ｇは、それぞれ図２６Ａ〜図２６Ｇに対応する。
【０８４６】
（半導体装置）
次に、本発明の半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
【０８４７】
図２７は、本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
第７Ａ実施形態の半導体装置は、第１実施形態の半導体装置と同様なので、説明を省略する。
【０８４８】
（７−１−Ｂ）第７Ｂ実施形態
次に、本発明の第７Ｂ実施形態を説明する。
【０８４９】
図２８は、本発明の第７Ｂ実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図２８では、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０８５０】
以下、第７Ｂ実施形態の半導体パッケージについて、前述した第７Ａ実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図２８において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【０８５１】
第７Ｂ実施形態の半導体パッケージは、第１補強部材、伝熱ポストおよび熱伝導性材料を省略した以外は、第７Ａ実施形態とほぼ同様である。
【０８５２】
図２８に示すように、半導体パッケージ１Ａは、配線基板２Ａと、この配線基板２Ａ上に搭載された半導体素子３Ａと、配線基板２Ａの基板２１Ａの下面（他方の面）に接合されている補強部材５Ａとを有する。
【０８５３】
半導体パッケージ１Ａは、伝熱ポスト２４を省略した以外は前述した第７Ａ実施形態の配線基板２と同様に構成された配線基板２Ａを有している。そして、その配線基板２Ａの下面上には、前述した第７Ａ実施形態の第２補強部材５と同様に構成された補強部材５Ａが接合されている。一方、配線基板２Ａの上面上には、配線基板２Ａの補強を目的とする補強部材は接合されていない。
【０８５４】
補強部材５Ａが、半導体素子３Ａの搭載面と他方面上に接合されていることにより、半導体パッケージ１Ａの構造の対称性が増し、その結果、配線基板２Ａと半導体素子３Ａとの熱膨張係数差に起因する配線基板２Ａの反りを抑制または防止することができる。
【０８５５】
また、補強部材５Ａの大きさは、半導体素子３Ａの大きさ・厚さ、配線基板２Ａの構成・厚さ、補強部材５Ａの材料種、厚さ、開口状態等に応じて決められるものであり、配線基板２Ａと同等以下の大きさであれば特に限定されない。
【０８５６】
また、第７Ｂ実施形態では第７Ａ実施形態における伝熱ポスト２４が省略されているが、半導体素子３Ａが発生した熱は、金属バンプ３１、配線基板２Ａの導体パターンおよび導体ポスト、金属バンプ７１、絶縁材８１、補強部材５Ａの順で伝えられ放散されるため、半導体パッケージ１Ａは、高い放熱性を有する。
【０８５７】
以上説明したような第７Ｂ実施形態の半導体パッケージ１Ａによっても、配線基板２Ａの反りを防止するとともに、放熱性を高めることができる。また、半導体パッケージ１Ａの軽量化を図ることができる。
【０８５８】
以上、本発明の半導体パッケージおよび半導体装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０８５９】
例えば、第７Ａ〜第７Ｂ実施形態では、第１補強部材４が半導体素子３の全周に亘って囲むように設けられていたが、これに限定されず、例えば、半導体素子３の周囲の一部に欠損した部分（切り欠き）が形成されていてもよい。
【０８６０】
また、第７Ａ〜第７Ｂ実施形態では、第１補強部材４および第２補強部材５の双方に複数の貫通孔を形成した場合を説明したが、第１補強部材４または第２補強部材５において複数の貫通孔が形成されていなくてもよい。
【０８６１】
また、第１補強部材４または第２補強部材５を省略してもよい。
また、第７Ａ〜第７Ｂ実施形態では、第１補強部材４と第２補強部材５とを接続する熱伝導部として、基板２１を貫通する伝熱ポスト２４を用いたが、例えば、基板２１の外側に設けた熱伝導部材（金属部材）を用いてもよい。この場合、伝熱性接着剤を用いて熱伝導部材を基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５に接着（接合）してもよいし、基板２１の側面側から基板２１、第１補強部材４および第２補強部材５を上下から銜えこむような形態としてもよい。また、配線基板２自体の放熱性の程度によっては、伝熱ポスト２４を省略してもよい。
【０８６２】
また、第２補強部材５に形成される貫通孔（開口部５１）は、各金属バンプ７１と一対一で対応していなくてもよい。すなわち、第２補強部材５には、複数の金属バンプ７１に対して１つが対応するように、貫通孔が形成されていてもよい。
【０８６３】
第７Ａ〜第７Ｂ実施形態の半導体パッケージによれば、配線基板（インターポーザ）が補強部材により補強されるため、配線基板と半導体素子との熱膨張係数差に起因する配線基板の反りを抑制または防止することができる。
【０８６４】
また、補強部材に複数の貫通孔が形成されているので、補強部材の表面積の増大により放熱性を向上させたり、補強部材による半導体パッケージの質量の増加を抑制したりすることもできる。
また、第７Ａ〜第７Ｂ実施形態の半導体装置によれば、前述したような半導体パッケージを備えるので、信頼性に優れる。
【産業上の利用可能性】
【０８６５】
本発明によれば、配線基板の反りを抑制又は防止することができ、また、半導体パッケージの剛性及び放熱性に優れたものとすることができる。また、本発明の半導体装置はこのような半導体パッケージを備えるので、信頼性に優れる。
【符号の説明】
【０８６６】
１          半導体パッケージ
１Ａ        半導体パッケージ
１Ｂ        半導体パッケージ
１Ｃ        半導体パッケージ
２          配線基板
２Ａ        配線基板
３          半導体素子
３Ａ        半導体素子
４          第１補強部材
４Ｂ        第１補強部材
４Ｃ        第１補強部材
５          第２補強部材
５Ａ        補強部材
５Ｂ        第２補強部材
５Ｃ        第２補強部材
６          熱伝導性材料
２１        基板
２１Ａ      基板
２４        伝熱ポスト
３１        金属バンプ
３２        接着層
３３        外周面
４１        内周面
４２        第１層
４２Ａ      凹部
４２Ｂ      凹部
４２Ｃ      凹部
４２D      貫通孔
４３        第２層
４３Ａ      凸部
４３Ｂ      凸部
４３Ｃ      凸部
４４        凹部
４５        凸部
５１        開口部（貫通孔）
５２        部分
５３        部分
５４        第１層
５５        第２層
７１        金属バンプ
７１Ａ      金属ボール
８１        絶縁材
８１Ａ      絶縁材
９１        伝熱バンプ
１００      半導体装置
２００      マザーボード
２１１      絶縁層
２１１Ａ    プリプレグ
２１２      絶縁層
２１３      絶縁層
２１４      絶縁層
２１５      絶縁層
２２１      導体パターン
２２１Ａ    金属層
２２２      導体パターン
２２３      導体パターン
２２４      導体パターン
２３１      導体ポスト
２３２      導体ポスト
２３３      導体ポスト
２３４      導体ポスト
２１１１    貫通孔
３００      接着層
４００      接着層
４２        凹部
４２Ｂ      凹部
４２Ｃ      凹部
４３        凸部
４３Ｂ      凸部
４３Ｃ      凸部
４４        凹部
４５        凸部
５４        凹部
５４Ｂ      凹部
５４Ｃ      凹部
５５        凸部
５５Ｂ      凸部
５５Ｃ      凸部
５６        凹部
５７        凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１０Ｇ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６Ａ】
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【図２６Ｂ】
2012029549.tif 000047
【図２６Ｃ】
2012029549.tif 000048
【図２６Ｄ】
2012029549.tif 000049
【図２６Ｅ】
2012029549.tif 000050
【図２６Ｆ】
2012029549.tif 000051
【図２６Ｇ】
2012029549.tif 000052
【図２７】
2012029549.tif 000053
【図２８】
2012029549.tif 000054
【国際調査報告】
2012029549.tif 000055
2012029549.tif 000056
2012029549.tif 000057
2012029549.tif 000058
2012029549.tif 000059
2012029549.tif 000060
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