(57)【要約】  信号分配回路（３）には、駆動ＴＦＴ素子（７）と同じチャネル幅を有するように形成された冗長ＴＦＴ素子（８）と第１の冗長配線（９ａ・９ｂ）と第２の冗長配線（１０）と第３の冗長配線（１１）とが備えられている。したがって、信号分配回路（３）に備えられた駆動ＴＦＴ（７）にリーク部（欠陥部）が生じた場合であっても、リーク部（欠陥部）の修復に時間が掛からず、生産性の向上が図れるとともに、修復後にも、異なるチャネル幅となるＴＦＴを有さない信号分配回路（３）を備えた液晶表示装置を実現できる。
2011096125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配された各画素と上記各画素毎に設けられた画素ＴＦＴ素子とが設けられている表示領域と、
上記画素ＴＦＴ素子とモノリシックに形成された複数の駆動ＴＦＴ素子を備えている駆動回路が設けられている上記表示領域の周辺領域とを有する表示装置であって、
上記駆動ＴＦＴ素子は、半導体層とゲート電極とソース電極とドレイン電極とを備えており、
上記半導体層の一方の面には上記ゲート電極が、上記半導体層の一方の面と対向する他方の面には上記ソース電極および上記ドレイン電極が、それぞれ設けられ、
上記ソース電極または上記ドレイン電極の何れか一方の電極は、他方の電極の一部を取り囲むように形成されており、
上記一方の電極が、上記他方の電極の一部を取り囲むように形成されている領域においては、上記一方の電極と上記他方の電極とは一定間隔離されており、
上記駆動回路には、上記駆動ＴＦＴ素子と同じチャネル幅を有するように形成された冗長ＴＦＴ素子と第１の冗長配線と第２の冗長配線と第３の冗長配線とが備えられており、
上記第１の冗長配線は、上記第１の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子のゲート電極に異なる第１の信号を入力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを電気的に接続することにより、上記冗長ＴＦＴ素子のゲート電極に、上記第１の冗長配線と電気的に接続された配線における上記第１の信号が入力されるように形成されており、
上記第２の冗長配線は、上記第２の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子の上記ソース電極に異なる第２の信号を入力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを電気的に接続することにより、上記冗長ＴＦＴ素子のソース電極に、上記第２の冗長配線と電気的に接続された配線における上記第２の信号が入力されるように形成されており、
上記第３の冗長配線は、上記冗長ＴＦＴ素子のドレイン電極に電気的に接続されており、上記第３の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子の上記ドレイン電極から上記異なる第２の信号を出力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを電気的に接続することにより、上記冗長ＴＦＴ素子のドレイン電極から出力される上記第２の信号が、上記第３の冗長配線と電気的に接続された配線から出力されるように形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上記駆動回路には、さらに、第４の冗長配線が備えられており、
上記第４の冗長配線は、上記第４の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子のゲート電極に異なる第１の信号を入力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを、所定の間隔を有する複数の箇所で電気的に接続することにより、上記第４の冗長配線と電気的に接続された配線における上記第１の信号が、上記第４の冗長配線を介して上記配線に入力されるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記駆動回路は、上記表示領域に表示する画像信号を出力するデータ信号線駆動回路の各出力端子を複数の経路に分枝させた配線と、上記分枝させた各配線に設けられた上記駆動ＴＦＴ素子と、上記データ信号線駆動回路の各出力端子に電気的に接続された上記各駆動ＴＦＴ素子を水平期間の時分割で導通できるように駆動させるため、上記各駆動ＴＦＴ素子のゲート電極に制御信号を入力するための制御信号線とを備えた信号分配回路であることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
上記データ信号線駆動回路の各出力端子は、第１の配線、第２の配線および第３の配線に分枝されており、
上記第１の配線、上記第２の配線および上記第３の配線のそれぞれには、上記駆動ＴＦＴ素子が設けられており、
上記各駆動ＴＦＴ素子のゲート電極には、上記制御信号を入力するための第１の制御信号線、第２の制御信号線および第３の制御信号線が設けられており、
上記信号分配回路には、上記各制御信号線に対応した３組の上記冗長ＴＦＴ素子と上記第１の冗長配線と上記第２の冗長配線と上記第３の冗長配線とが備えられていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
上記駆動ＴＦＴ素子は、上記データ信号線駆動回路と上記冗長ＴＦＴ素子との間に挟まれるように形成され、
上記駆動ＴＦＴ素子の長手方向は、上記データ信号線駆動回路の各出力端子が配列される方向に対して直交するように配置され、
上記冗長ＴＦＴ素子の長手方向は、上記データ信号線駆動回路の各出力端子が配列される方向と平行に配置されていることを特徴とする請求項３または４に記載の表示装置。
【請求項６】
上記駆動ＴＦＴ素子は、上記データ信号線駆動回路と上記表示領域との間に挟まれるように形成され、
上記駆動ＴＦＴ素子および上記冗長ＴＦＴ素子の長手方向は、上記データ信号線駆動回路の各出力端子が配列される方向に対して直交するように配置され、
上記冗長ＴＦＴ素子は、上記駆動ＴＦＴ素子の間に挟まれるように形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の表示装置。
【請求項７】
上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、非晶質シリコンで形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、酸化物で形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、微結晶シリコンで形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、多結晶シリコンで形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、連続粒界結晶シリコンで形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、微結晶シリコンと非晶質シリコンとが積層されて形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルにモノリシックに形成され、従来のＴＦＴに比べ、ＴＦＴにおけるチャネル幅が大きいＴＦＴを用いた駆動回路を備えた表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、表示装置、特には、液晶表示装置の分野においては、信頼性の向上、額縁領域の狭小化および製造コストの削減などを実現するため、ｐ−Ｓｉ（Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ：多結晶シリコン）やＣＧ‐Ｓｉ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｇｒａｉｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ：連続粒界結晶シリコン）や微結晶Ｓｉ（μｃ‐Ｓｉ：マイクロクリスタルシリコン）のように、比較的に高い移動度を有する半導体膜を用いて、液晶表示装置の表示領域に形成される画素ＴＦＴと、上記表示領域の周辺領域に形成される走査信号線駆動回路およびデータ信号線駆動回路に備えられる駆動ＴＦＴとをモノリシックに形成していた。【０００３】
また、近年では、製造コストを削減する他の方法として、上記ｐ−Ｓｉ、上記ＣＧシリコンおよび上記微結晶シリコンからなる半導体膜より移動度は低いが、結晶化プロセスを省くことができ、より安価に形成することができるａ‐Ｓｉ（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ：非晶質シリコン）半導体膜を用いて、上記画素ＴＦＴと上記走査線駆動回路に備えられる駆動ＴＦＴとをモノリシックに形成する、いわゆる、ａ‐Ｓｉ半導体膜を用いた走査線駆動回路のＧＤＭ化（ゲートドライバモノリシック化）が提案されている。【０００４】
一方、液晶表示装置の高精細化に伴い、データ信号線の本数が増加しているため、図１８に示すように、データ信号線駆動回路は、複数のデータ信号線駆動回路１１６ａ・１１６ｂ・１１６ｃで構成されることが多い。【０００５】
図１８は、複数のデータ信号線駆動回路１１６ａ・１１６ｂ・１１６ｃを備えた従来の液晶表示装置１４１の構成を示す。【０００６】
液晶表示装置１４１は、表示パネル１１２、フレキシブルプリント基板１１３およびコントロール基板１１４を備えている。【０００７】
液晶表示装置１４１に備えられた表示パネル１１２には、ガラス基板上に形成されたａ‐Ｓｉを用いて、表示領域１１２ａの各画素毎に形成された画素ＴＦＴ１２１と走査信号線駆動回路１１５に備えられた駆動ＴＦＴとが作り込まれている。【０００８】
表示領域１１２ａは、複数の画素ＰＩＸがマトリクス状に配置された領域であり、画素ＰＩＸには、画素ＴＦＴ１２１と液晶容量ＣＬと補助容量Ｃｓとが備えられている。【０００９】
画素ＴＦＴ１２１のゲート電極は走査線ＧＬに接続されており、画素ＴＦＴ１２１のソース電極はデータ信号線ＳＬに接続されている。また、液晶容量ＣＬおよび補助容量Ｃｓは、画素ＴＦＴ１２１のドレイン電極に接続されている。【００１０】
複数の走査線は走査線ＧＬ１・ＧＬ２・ＧＬ３・・・ＧＬｎからなり、それぞれ走査信号線駆動回路１１５の出力に接続されており、一方、複数のデータ信号線はデータ信号線ＳＬ１・ＳＬ２・ＳＬ３・・・ＳＬｍからなり、それぞれ複数のデータ信号線駆動回路１１６ａ・１１６ｂ・１１６ｃの出力に接続されている。【００１１】
さらには、図示されてないが、各画素ＰＩＸ毎に備えられている補助容量Ｃｓの一方の電極に補助容量電圧を与える補助容量配線が形成されている。【００１２】
図示されているように、走査信号線駆動回路１１５は、表示パネル１１２の表示領域１１２ａにおいて、走査線ＧＬ１・ＧＬ２・ＧＬ３・・・ＧＬｎの延びる方向の一方側に隣接する領域に設けられており、各走査線ＧＬ１・ＧＬ２・ＧＬ３・・・ＧＬｎに順次走査パルス（ゲートパルス）を供給するようになっている。【００１３】
走査信号線駆動回路１１５は、表示パネル１１２に、ｐ−Ｓｉ膜やＣＧ‐Ｓｉ膜や微結晶Ｓｉ膜やａ‐Ｓｉ膜を用いて、表示領域１１２ａとモノリシックに作り込むことができる。【００１４】
一方、フレキシブルプリント基板１１３は、複数のデータ信号線駆動回路１１６ａ・１１６ｂ・１１６ｃを備えている。データ信号線駆動回路１１６ａ・１１６ｂ・１１６ｃは、データ信号線ＳＬ１・ＳＬ２・ＳＬ３・・・ＳＬｍのそれぞれにデータ信号を供給する。【００１５】
また、コントロール基板１１４は、フレキシブルプリント基板１１３に接続されており、走査信号線駆動回路１１５およびデータ信号線駆動回路１１６ａ・１１６ｂ・１１６ｃに必要な信号や電源を供給する。すなわち、コントロール基板１１４から出力され、走査信号線駆動回路１１５へ供給される信号および電源は、フレキシブルプリント基板１１３を介して表示パネル１１２の走査信号線駆動回路１１５へ供給される。【００１６】
図１８の液晶表示装置１４１に示すように、データ信号線駆動回路が複数のデータ信号線駆動回路１１６ａ・１１６ｂ・１１６ｃで構成される場合においては、製造単価のアップや実装面積の増加を招いてしまうという問題がある。【００１７】
そこで、データ信号線駆動回路の出力数を減らしてＲＧＢの各データ信号線を時分割で駆動させるＳＳＤ（Ｓｏｕｒｃｅ  Ｓｈａｒｅｄ  Ｄｒｉｖｉｎｇ）方式の駆動を行う液晶表示装置が提案されている。【００１８】
図１９は、ＳＳＤ方式の液晶表示装置１５１の一例を示す。【００１９】
なお、図１９に示すマトリクス状に配置された複数の画素ＰＩＸの構造は、図１８と同様であるため、その説明は省略する。【００２０】
図示されているように、液晶表示装置１５１は、表示パネル１１２およびフレキシブルプリント基板１１３を備えており、表示パネル１１２には、画素ＰＩＸ、走査信号線駆動回路（ゲートドライバ）１５３およびＳＳＤ回路１５５が設けられており、フレキシブルプリント基板１１３には、チップ状のデータ信号線駆動回路（ソースドライバ）１５２が実装されている。【００２１】
Ｒ（赤色）の画素ＰＩＸが接続されたデータ信号線ＲＳＬと、Ｇ（緑色）の画素ＰＩＸが接続されたデータ信号線ＧＳＬと、Ｂ（青色）の画素ＰＩＸが接続されたデータ信号線ＢＳＬとが組になって、各組が隣接配置されている。【００２２】
図１９ではｎ−１番目の組のデータ信号線ＳＬｎ−１（ＲＳＬｎ−１、ＧＳＬｎ−１、ＢＳＬｎ−１）、ｎ番目の組のデータ信号線ＳＬｎ（ＲＳＬｎ、ＧＳＬｎ、ＢＳＬｎ）、ｎ＋１番目の組のデータ信号線ＳＬｎ＋１（ＲＳＬｎ＋１、ＧＳＬｎ＋１、ＢＳＬｎ＋１）が示されている。【００２３】
ＳＳＤ回路１５５は、各データ信号線ＲＳＬのデータ信号供給側の一端に接続されたトランジスタ（ＴＦＴ）ＡＳＷＲ（図１９中のＡＳＷＲｎ−１、ＡＳＷＲｎ、ＡＳＷＲｎ＋１）と、各データ信号線ＧＳＬのデータ信号供給側の一端に接続されたトランジスタＡＳＷＧ（図１９中のＡＳＷＧｎ−１、ＡＳＷＧｎ、ＡＳＷＧｎ＋１）と、各データ信号線ＢＳＬのデータ信号供給側の一端に接続されたトランジスタＡＳＷＢ（図１９中のＡＳＷＢｎ−１、ＡＳＷＢｎ、ＡＳＷＢｎ＋１）とを備えている。【００２４】
そして、図示されているように、例えば、一端が同じ組のデータ信号線ＲＳＬｎ・ＧＳＬｎ・ＢＳＬｎに接続されたトランジスタＡＳＷＲｎ・ＡＳＷＧｎ・ＡＳＷＢｎは、それぞれ他端側で互いに接続されて、データ信号線駆動回路１５２の出力ＤＡＴＡ（図１９のＤＡＴＡｎ）に接続されている。【００２５】
このようにＳＳＤ回路１５５を備えた構成においては、データ信号線駆動回路１５２における出力ＤＡＴＡ線の本数を、図１８に示す液晶表示装置１４１に備えられた複数のチップからなるデータ信号線駆動回路１１６ａ・１１６ｂ・１１６ｃにおける出力ＤＡＴＡ線の合計本数の３分の１とすることができ、データ信号線駆動回路の個数を３分の１とすることができるので、製造単価のアップや実装面積の増加を抑制することができる。【００２６】
以下、図１９に基づいて、ＳＳＤ回路１５５の構成についてさらに詳しく説明する。【００２７】
トランジスタＡＳＷＲ・ＡＳＷＧ・ＡＳＷＢは、ゲート電極に入力されるＯＮ信号Ｒｏｎ・Ｇｏｎ・Ｂｏｎによって、１水平期間のほぼ３分の１ずつ時分割で順次ＯＮ状態となる。ＯＮ信号ＲｏｎがＨｉｇｈであるときにはトランジスタＡＳＷＲがＯＮ状態となり、そのときにデータ信号線駆動回路１５２から出力されるＲの出力ＤＡＴＡがデータ信号線ＲＳＬに供給される。また、ＯＮ信号ＧｏｎがＨｉｇｈであるときには、トランジスタＡＳＷＧがＯＮ状態となり、そのときにデータ信号線駆動回路１５２から出力されるＧの出力ＤＡＴＡがデータ信号線ＧＳＬに供給される。さらに、ＯＮ信号ＢｏｎがＨｉｇｈであるときには、トランジスタＡＳＷＢがＯＮ状態となり、そのときにデータ信号線駆動回路１５２から出力されるＢの出力ＤＡＴＡがデータ信号線ＢＳＬに供給される。【００２８】
すなわち、図示されているように、各トランジスタＡＳＷＲ・ＡＳＷＧ・ＡＳＷＢのソース電極およびドレイン電極中の一方は、各データ信号線ＲＳＬ・ＧＳＬ・ＢＳＬに接続されており、他方はデータ信号線駆動回路１５２の出力ＤＡＴＡに接続されている。【００２９】
なお、走査信号線駆動回路１５３とＳＳＤ回路１５５とは、表示パネル１１２に、ｐ−Ｓｉ膜やＣＧ‐Ｓｉ膜や微結晶Ｓｉ膜や酸化物半導体膜やａ‐Ｓｉ膜を用いて、表示パネル１１２の表示領域における画素ＴＦＴ１２１とモノリシックに作り込むことができる。【００３０】
以上のように、ｐ−Ｓｉ膜やＣＧ‐Ｓｉ膜や微結晶Ｓｉ膜や酸化物半導体膜やａ‐Ｓｉ膜を用いて、液晶表示装置の表示領域に形成される画素ＴＦＴとモノリシックに作り込むことができる走査線駆動回路やデータ信号線駆動回路やＳＳＤ回路における駆動ＴＦＴが、回路の駆動に要求される所定の移動度を満たさない場合、特に、ａ‐Ｓｉ膜を用いて駆動ＴＦＴが形成されている場合には、上記駆動ＴＦＴとして、従来のＴＦＴに比べ、チャネル幅が大きいＴＦＴを用いる必要がある。【００３１】
図２０は、チャネル幅が大きいＴＦＴの一例を示す図である。【００３２】
図２０の（ａ）は、連続したＵ字（櫛歯）形状の電極を備えたチャネル幅の大きいＴＦＴの一部領域を示す図である。【００３３】
図２０の（ａ）は、上記ＴＦＴにおいて繰り返される一部領域２００を示し、一部領域２００は、ゲート電極ライン２１０とソース電極ライン２３０とドレイン電極ライン２４０とからなり、ドレイン電極ライン２４０におけるＩ字形状部分をソース電極ライン２３０におけるＵ字形状部分が取り囲み、両者の間にチャネルが形成されている。【００３４】
また、図示されてないが、上記ＴＦＴは、並列に接続された図２０の（ａ）に示す一部領域２００を多数備えた構成となっている。【００３５】
また、図２０の（ａ）に図示されているように、上記ＴＦＴの一部領域２００におけるチャネル幅は、２×ＤＬ１＋ＤＬ２を含む距離Ｗで表すことができ、チャネル長は、ソース電極ライン２３０のチャネル領域との境界線と、ドレイン電極ライン２４０のチャネル領域との境界線との間の距離Ｌで表すことができる。【００３６】
以上のように上記ＴＦＴは、並列に接続された図２０の（ａ）に示す一部領域２００を多数備えた構成であるため、チャネル幅が非常に大きいＴＦＴを実現することができる。【００３７】
しかしながら、図２０の（ａ）に示す構造を有するＴＦＴでは、ソース電極ライン２３０とドレイン電極ライン２４０との間にいずれか１箇所でもリークが発生すると、ＴＦＴ全体の特性に異常が生じてしまうという問題がある。【００３８】
したがって、ソース電極ライン２３０のＵ字形状部分とドレイン電極ライン２４０のＩ字形状部分とが工程不良などによりショートしてしまった場合には、ドレイン電極ライン２４０におけるＩ字形状部分の上部をレーザー溶断により分離し、ＴＦＴ全体を正常に使用することができるようにしている。【００３９】
しかし、図２０の（ａ）に示す構造を有するＴＦＴは、ドレイン電極ライン２４０の本体からゲート電極ライン２１０の上方の領域までの距離が小さいために、ドレイン電極ライン２４０のＩ字形状部分をレーザー溶断しようとすると、レーザー・スポットの範囲が、ゲート電極ライン２１０の上方の領域に設けられた半導体層とｎ＋層との積層体にまで及んでしまう。【００４０】
上記積層体が、レーザー照射により損傷すると、上記積層体はＴＦＴ全体に繋がっているため、損傷熱を隣接領域へとさらに伝達してしまい、その結果、レーザー照射により損傷された積層体の隣接する部分を含めた広範囲が損傷してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００４１】
【特許文献１】国際公開特許公報「ＷＯ２００９/１０４３０２号公報（２００９年８月２７日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００４２】
そこで、特許文献１に記載の図２０の（ｂ）に示す構造を有するＴＦＴを用いることが考えられている。【００４３】
ＴＦＴ３００は、ゲート電極３０２、第１ソース・ドレイン電極３０３および第２ソース・ドレイン電極３０４を備えている。第１ソース・ドレイン電極３０３および第２ソース・ドレイン電極３０４は、それぞれ、一方がソース電極として用いられるときは他方がドレイン電極として用いられるものである。【００４４】
ゲート電極３０２はコの字状に形成されており、ガラス基板上に、第１ソース・ドレイン電極３０３および第２ソース・ドレイン電極３０４よりも下層側に形成されている。【００４５】
ゲート電極３０２の上層には、ゲート絶縁膜を隔てて半導体層とｎ＋層との積層体が設けられており、半導体層が設けられている領域をハッチングで示す第１の領域Ｒとすると、上記積層体の領域は、第１の領域Ｒ内にあり、第１ソース・ドレイン電極３０３は、第１の領域Ｒ内のｎ＋層上に設けられている。なお、第１の領域Ｒにおいて、第１ソース・ドレイン電極３０３以外の領域３０５は、上方にｎ＋層が設けられていない半導体層の領域である。【００４６】
一方、第２ソース・ドレイン電極３０４は、１本の電極ライン３０４ａと、複数の枝電極３０４ｂとを備えている。【００４７】
電極ライン３０４ａは、ゲート電極３０２のコの字状領域の中央の間隙領域に設けられたライン状電極であり、枝電極３０４ｂ…は、電極ライン３０４ａから両側の第１ソース・ドレイン電極３０３に向って分岐して延びる電極群である。各枝電極３０４ｂは、第１の領域Ｒ内のｎ＋層上まで延びており、第１ソース・ドレイン電極３０３は、各枝電極３０４ｂを所定の距離だけ離して囲むように配置されている。【００４８】
したがって、第１ソース・ドレイン電極３０３は、第１の領域Ｒ内にある枝電極３０４ｂ…との間に、上記積層体においてｎ＋層が存在しないように形成された半導体層のパターンをパネル面内方向に挟んでおり、この半導体層のパターンがＴＦＴ３００のチャネル形成領域３０５ａとなっている。【００４９】
第２ソース・ドレイン電極３０４の枝電極３０４ｂが、図中ハッチングを施した第１の領域Ｒと交差開始する箇所Ｄでは、第１の領域Ｒの外縁は、ゲート電極３０２のコの字の内側にある境界ラインｅよりも電極ライン３０４ａ側となるラインｆの位置にあり、半導体層とｎ＋層との積層体が、境界ラインｅからラインｆまでせり出している領域３０６が設けられている。【００５０】
また、隣接する領域３０６同士の間には、第１の領域Ｒの外縁は、境界ラインｅよりも電極ライン３０４ａから離れた箇所にあるラインｇまで後退している。【００５１】
そして、上記箇所Ｄから電極ライン３０４ａまでの距離ｄ１は、５μｍ以上となるように設定されている。【００５２】
このような構成においては、距離ｄ１が５μｍ以上で設定されていることにより、第１ソース・ドレイン電極３０３と第２ソース・ドレイン電極３０４の枝電極３０４ｂとが互いにリークした場合、図２０の（ｂ）に図示するように、例えば箇所Ｓでショートした場合に、枝電極３０４ｂ上の点Ｑにおいて、レーザー・スポットを容易に箇所Ｄおよび電極ライン３０４ａから離れるように当てることができる。【００５３】
したがって、上記構成によれば、ソース電極とドレイン電極間とのリークを容易に修復することのできるチャネル幅の大きいＴＦＴを実現することができると記載されている。【００５４】
しかしながら、上記ＴＦＴの構成においては、図２０の（ｂ）に示すように、チャネル幅が大きいため、リーク部（欠陥部）を探し出し、レーザー・スポットで切断する過程に時間が掛かってしまうため、生産性の向上を図れないという問題がある。【００５５】
また、上記ＴＦＴの構成においては、リーク部（欠陥部）のみをレーザー・スポットで切断するようになっているため、レーザー・スポットで切断した箇所を有するＴＦＴとレーザー・スポットで切断した箇所を有さないＴＦＴとでは、チャネル幅が異なってしまうため、これらのＴＦＴを用いた駆動回路を備えた表示装置においては、表示品位の低下が生じてしまうという問題がある。【００５６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、駆動回路に備えられたＴＦＴにリーク部（欠陥部）が生じた場合であっても、リーク部（欠陥部）の修復に時間が掛からず、生産性の向上が図れるとともに、修復後にも、異なるチャネル幅となるＴＦＴを有さない駆動回路を備えた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００５７】
本発明の表示装置は、上記の課題を解決するために、マトリクス状に配された各画素と上記各画素毎に設けられた画素ＴＦＴ素子とが設けられている表示領域と、上記画素ＴＦＴ素子とモノリシックに形成された複数の駆動ＴＦＴ素子を備えている駆動回路が設けられている上記表示領域の周辺領域とを有する表示装置であって、上記駆動ＴＦＴ素子は、半導体層とゲート電極とソース電極とドレイン電極とを備えており、上記半導体層の一方の面には上記ゲート電極が、上記半導体層の一方の面と対向する他方の面には上記ソース電極および上記ドレイン電極が、それぞれ設けられ、上記ソース電極または上記ドレイン電極の何れか一方の電極は、他方の電極の一部を取り囲むように形成されており、上記一方の電極が、上記他方の電極の一部を取り囲むように形成されている領域においては、上記一方の電極と上記他方の電極とは一定間隔離されており、上記駆動回路には、上記駆動ＴＦＴ素子と同じチャネル幅を有するように形成された冗長ＴＦＴ素子と第１の冗長配線と第２の冗長配線と第３の冗長配線とが備えられており、上記第１の冗長配線は、上記第１の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子のゲート電極に異なる第１の信号を入力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを電気的に接続することにより、上記冗長ＴＦＴ素子のゲート電極に、上記第１の冗長配線と電気的に接続された配線における上記第１の信号が入力されるように形成されており、上記第２の冗長配線は、上記第２の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子の上記ソース電極に異なる第２の信号を入力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを電気的に接続することにより、上記冗長ＴＦＴ素子のソース電極に、上記第２の冗長配線と電気的に接続された配線における上記第２の信号が入力されるように形成されており、上記第３の冗長配線は、上記冗長ＴＦＴ素子のドレイン電極に電気的に接続されており、上記第３の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子の上記ドレイン電極から上記異なる第２の信号を出力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを電気的に接続することにより、上記冗長ＴＦＴ素子のドレイン電極から出力される上記第２の信号が、上記第３の冗長配線と電気的に接続された配線から出力されるように形成されていることを特徴としている。【００５８】
上記構成によれば、上記駆動ＴＦＴ素子および上記冗長ＴＦＴ素子における上記ソース電極または上記ドレイン電極の何れか一方の電極は、他方の電極の一部を取り囲むように形成されており、上記一方の電極が、上記他方の電極の一部を取り囲むように形成されている領域においては、上記一方の電極と上記他方の電極とは一定間隔離されている、いわゆる、Ｕ字形状の電極または櫛歯形状の電極を備えたチャネル幅の大きい駆動ＴＦＴ素子を用いている。【００５９】
従来においては、上記一方の電極と上記他方の電極との間にリーク部（欠陥部）が生じた場合、上記チャネル幅の大きい駆動ＴＦＴ素子内をレーザー・スポットなどで切断して修復していたが、上記構成によれば、上記駆動ＴＦＴ素子とは、別途に設けられた冗長ＴＦＴ素子と第１の冗長配線と第２の冗長配線と第３の冗長配線とを用いて修復を行う構成となっている。【００６０】
したがって、上記構成によれば、従来のように上記駆動ＴＦＴ素子のチャネル幅が大きいため、リーク部（欠陥部）を探し出し、レーザー・スポットで切断する過程に時間が掛かってしまい、生産性が落ちるという問題は生じない。【００６１】
また、従来においては、上記チャネル幅の大きい駆動ＴＦＴ素子内におけるリーク部（欠陥部）のみをレーザー・スポットで切断するようになっていたため、レーザー・スポットで切断した箇所を有する駆動ＴＦＴ素子とレーザー・スポットで切断した箇所を有さない駆動ＴＦＴ素子とでは、チャネル幅が異なってしまうため、これらの駆動ＴＦＴ素子を用いた駆動回路を備えた表示装置においては、表示品位の低下が生じてしまうという問題があった。【００６２】
一方、上記構成によれば、リーク部（欠陥部）が生じた駆動ＴＦＴ素子を用いることなく、上記駆動ＴＦＴ素子と同じチャネル幅を有するように形成された上記冗長ＴＦＴ素子と第１の冗長配線と第２の冗長配線と第３の冗長配線とを用いて修復を行う構成となっているため、上記表示品位の低下を抑制することができる表示装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００６３】
本発明の表示装置は、以上のように、上記駆動ＴＦＴ素子は、半導体層とゲート電極とソース電極とドレイン電極とを備えており、上記半導体層の一方の面には上記ゲート電極が、上記半導体層の一方の面と対向する他方の面には上記ソース電極および上記ドレイン電極が、それぞれ設けられ、上記ソース電極または上記ドレイン電極の何れか一方の電極は、他方の電極の一部を取り囲むように形成されており、上記一方の電極が、上記他方の電極の一部を取り囲むように形成されている領域においては、上記一方の電極と上記他方の電極とは一定間隔離されており、上記駆動回路には、上記駆動ＴＦＴ素子と同じチャネル幅を有するように形成された冗長ＴＦＴ素子と第１の冗長配線と第２の冗長配線と第３の冗長配線とが備えられており、上記第１の冗長配線は、上記第１の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子のゲート電極に異なる第１の信号を入力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを電気的に接続することにより、上記冗長ＴＦＴ素子のゲート電極に、上記第１の冗長配線と電気的に接続された配線における上記第１の信号が入力されるように形成されており、上記第２の冗長配線は、上記第２の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子の上記ソース電極に異なる第２の信号を入力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを電気的に接続することにより、上記冗長ＴＦＴ素子のソース電極に、上記第２の冗長配線と電気的に接続された配線における上記第２の信号が入力されるように形成されており、上記第３の冗長配線は、上記冗長ＴＦＴ素子のドレイン電極に電気的に接続されており、上記第３の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子の上記ドレイン電極から上記異なる第２の信号を出力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを電気的に接続することにより、上記冗長ＴＦＴ素子のドレイン電極から出力される上記第２の信号が、上記第３の冗長配線と電気的に接続された配線から出力されるように形成されている構成である。【００６４】
それゆえ、駆動回路に備えられた駆動ＴＦＴにリーク部（欠陥部）が生じた場合であっても、リーク部（欠陥部）の修復に時間が掛からず、生産性の向上が図れるとともに、修復後にも、異なるチャネル幅となるＴＦＴを有さない駆動回路を備えた表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた信号分配回路の一部を概略的に示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態の液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた信号分配回路において、ある駆動ＴＦＴ素子にリーク（欠陥）が生じた場合の一例を示す図である。
【図４】図３に示す信号分配回路を冗長ＴＦＴ素子と第１の冗長配線と第２の冗長配線と第３の冗長配線とを用いて修復する場合を説明するための図である。
【図５】図４に示すように修復した場合における、データ信号線駆動回路の出力端子から出力された出力ＤＡＴＡの流れを示す図である。
【図６】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた信号分配回路において、ある制御信号線ＳＥＬ  Ｇに断線が生じた場合の一例を示す図である。
【図７】図６に示す信号分配回路における断線を第４の冗長配線を用いて修復する場合を説明するための図である。
【図８】図７に示すように修復した場合における、制御信号線ＳＥＬ  Ｇを介して供給される制御信号の流れを示す図である。
【図９】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられた信号分配回路のレイアウトを示す図である。
【図１０】本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えることができる他の信号分配回路のレイアウトを示す図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態の液晶表示装置に備えられた信号分配回路の一部を概略的に示す図である。
【図１２】本発明の他の実施の形態の液晶表示装置に備えられた信号分配回路において、ある駆動ＴＦＴ素子にリーク（欠陥）が生じた場合の一例を示す図である。
【図１３】図１２に示す信号分配回路を冗長ＴＦＴ素子と第１の冗長配線と第２の冗長配線と第３の冗長配線とを用いて修復する場合を説明するための図である。
【図１４】図１３に示すように修復した場合における、データ信号線駆動回路の出力端子から出力された出力ＤＡＴＡの流れを示す図である。
【図１５】本発明の他の実施の形態の液晶表示装置に備えられた信号分配回路において、ある制御信号線ＳＥＬ  Ｇに断線が生じた場合の一例を示す図である。
【図１６】図１５に示す信号分配回路における断線を第４の冗長配線を用いて修復する場合を説明するための図である。
【図１７】図１６に示すように修復した場合における、制御信号線ＳＥＬ  Ｇ介して供給される制御信号の流れを示す図である。
【図１８】複数のデータ信号線駆動回路を備えた従来の液晶表示装置の構成を示す。
【図１９】ＳＳＤ方式の液晶表示装置の一例を示す。
【図２０】チャネル幅が大きいＴＦＴの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００６６】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などはあくまで一実施形態に過ぎず、これらによってこの発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
【００６７】
〔実施の形態１〕
以下、図１〜図１０に基づいて、本発明のチャネル幅の大きい駆動ＴＦＴ素子を用いた駆動回路を備えた表示装置として、チャネル幅の大きい駆動ＴＦＴ素子を用いた信号分配回路（ＳＳＤ回路）を備えた液晶表示装置を例に挙げて説明をするが、上記駆動回路としては、上記信号分配回路に限定されることなく、チャネル幅の大きい駆動ＴＦＴ素子を用いた構成であれば、例えば、走査信号線駆動回路やデータ信号線駆動回路などであってもよい。
【００６８】
また、本実施の形態においては、液晶表示装置を表示装置の一例として挙げているが、これに限定されることはなく、ＥＬ表示装置などであってもよい。
【００６９】
図２は、本実施の形態の液晶表示装置１の概略構成を示す図である。
【００７０】
図２に図示されているように、液晶表示装置１は、表示領域Ｒ１と信号分配回路３と走査信号線駆動回路４とを備えた液晶表示パネル２と、フレキシブルプリント基板５上に実装されたデータ信号線駆動回路６とを備えている。
【００７１】
図示されてないが、表示領域Ｒ１には、マトリクス状に配された各画素と、上記各画素毎に設けられた画素ＴＦＴ素子と、上記各画素ＴＦＴ素子のゲート電極に接続された走査信号線と、上記各画素ＴＦＴ素子のソース電極に接続されたデータ信号線とが設けられている。
【００７２】
一方、表示領域Ｒ１の周辺領域には、信号分配回路３と走査信号線駆動回路４とが上記画素ＴＦＴ素子とモノリシックに形成されている。
【００７３】
本実施の形態においては、液晶表示装置１の製造単価の向上を抑制するため、信号分配回路３と走査信号線駆動回路４とに備えられた駆動ＴＦＴ素子および上記画素ＴＦＴ素子における半導体層を、非晶質シリコンで形成しているが、これに限定されることはなく、上記半導体層として、例えば、酸化物層、微結晶シリコン層、微結晶シリコンと非晶質シリコンとが積層された層、多結晶シリコン層、連続粒界結晶シリコン層などを用いることもできる。
【００７４】
さらには、非晶質ゲルマニウム、多結晶ゲルマニウム、非晶質シリコン・ゲルマニウム、多結晶シリコン・ゲルマニウム、非晶質シリコン・カーバイド、多結晶シリコン・カーバイドなども用いることができる。
【００７５】
なお、上記酸化物層は、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎから選択される少なくとも一つの元素を含む非晶質酸化物から形成することができるが、これに限定されることはない。
【００７６】
さらに、本実施の形態においては、上記半導体層として、移動度が比較的低い非晶質シリコンを用いているため、データ信号線駆動回路６をフレキシブルプリント基板５上に別途の工程で設けているが、移動度が比較的高い半導体層を用いる場合には、データ信号線駆動回路６も上記画素ＴＦＴ素子とモノリシックに形成することができる。
【００７７】
なお、液晶表示装置１に備えられた信号分配回路３は、冗長ＴＦＴ素子と第１の冗長配線と第２の冗長配線と第３の冗長配線と第４の冗長配線とが備えられている点以外は、図１９に示す従来の液晶表示装置１５１に備えられたＳＳＤ回路１５５と同様である。
【００７８】
図１は、本実施の形態の液晶表示装置１に備えられた信号分配回路３の一部を概略的に示す図である。
【００７９】
図示されているように、Ｒ（赤色）の画素ＰＩＸが接続されたデータ信号線ＳＲｎと、Ｇ（緑色）の画素ＰＩＸが接続されたデータ信号線ＳＧｎと、Ｂ（青色）の画素ＰＩＸが接続されたデータ信号線ＳＢｎとが組になって、各組が隣接配置されている。
【００８０】
図１ではｎ番目の組のデータ信号線ＳＲｎ・ＳＧｎ・ＳＢｎとｎ＋１番目の組のデータ信号線ＳＲｎ＋１・ＳＧｎ＋１・ＳＢｎ＋１とが示されている。
【００８１】
信号分配回路３においては、各データ信号線ＳＲｎ・ＳＧｎ・ＳＢｎ・・・のデータ信号供給側の一端には、駆動ＴＦＴ素子７がそれぞれ設けられている。
【００８２】
駆動ＴＦＴ素子７の半導体層は、非晶質シリコンで形成されており、移動度が低いので、図２０に示すようにチャネル幅が大きいＴＦＴとするため、駆動ＴＦＴ素子７におけるソース電極またはドレイン電極の何れか一方の電極は、他方の電極の一部を取り囲むように形成されており、上記一方の電極が、上記他方の電極の一部を取り囲むように形成されている領域においては、上記一方の電極と上記他方の電極とは一定間隔離されている、いわゆる、Ｕ字形状の電極または櫛歯形状の電極を備えている。
【００８３】
そして、図示されているように、同じ組のデータ信号線ＳＲｎ・ＳＧｎ・ＳＢｎは、駆動ＴＦＴ素子７の一方端側で互いに接続されて、データ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎに接続されており、一方、他の同じ組のデータ信号ＳＲｎ＋１・ＳＧｎ＋１・ＳＢｎ＋１は、データ信号線駆動回路６の他の出力端子ＳＩＮｎ＋１に接続されている。
【００８４】
また、駆動ＴＦＴ素子７のゲート電極に入力される制御信号（第１の信号）は、第１の制御信号線ＳＥＬ  Ｒ、第２の制御信号線ＳＥＬ  Ｇおよび第３の制御信号線ＳＥＬ  Ｂを介して入力されるようになっており、同じ組のデータ信号線ＳＲｎ・ＳＧｎ・ＳＢｎに接続されている駆動ＴＦＴ素子７は、１水平期間のほぼ３分の１ずつ時分割で順次ＯＮ状態となる。
【００８５】
第１の制御信号線ＳＥＬ  Ｒに入力される制御信号がＨｉｇｈであるときには、データ信号線ＳＲｎ・ＳＲｎ＋１・・・に接続された駆動ＴＦＴ素子７がＯＮ状態となり、そのときにデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１・・・から出力されるＲの出力ＤＡＴＡ（第２の信号・画像信号）がデータ信号線ＳＲｎ・ＳＲｎ＋１・・・に供給される。
【００８６】
第２の制御信号線ＳＥＬ  Ｇに入力される制御信号がＨｉｇｈであるときには、データ信号線ＳＧｎ・ＳＧｎ＋１・・・に接続された駆動ＴＦＴ素子７がＯＮ状態となり、そのときにデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１・・・から出力されるＧの出力ＤＡＴＡがデータ信号線ＳＧｎ・ＳＧｎ＋１・・・に供給される。
【００８７】
また、第３の制御信号線ＳＥＬ  Ｂに入力される制御信号がＨｉｇｈであるときには、データ信号線ＳＢｎ・ＳＢｎ＋１・・・に接続された駆動ＴＦＴ素子７がＯＮ状態となり、そのときにデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１・・・から出力されるＢの出力ＤＡＴＡがデータ信号線ＳＢｎ・ＳＢｎ＋１・・・に供給される。
【００８８】
すなわち、図示されているように、駆動ＴＦＴ素子７のドレイン電極は、各データ信号線ＳＲｎ・ＳＧｎ・ＳＢｎ・・・に接続されており、駆動ＴＦＴ素子７のソース電極はデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１・・・に接続されている。
【００８９】
図示されているように、信号分配回路３には、駆動ＴＦＴ素子７と同じチャネル幅を有するように形成された冗長ＴＦＴ素子８と第１の冗長配線９ａ・９ｂと第２の冗長配線１０と第３の冗長配線１１と第４の冗長配線１２ａ・１２ｂが備えられている。
【００９０】
図３は、本実施の形態の液晶表示装置１に備えられた信号分配回路３において、ある駆動ＴＦＴ素子７にリーク（欠陥）が生じた場合の一例を示す図である。
【００９１】
図３においては、データ信号線ＳＧｎに接続されている駆動ＴＦＴ素子７にリーク（欠陥）が生じた場合の一例を示している。
【００９２】
図４は、図３に示す信号分配回路３を冗長ＴＦＴ素子８と第１の冗長配線９ａ・９ｂと第２の冗長配線１０と第３の冗長配線１１とを用いて修復する場合を説明するための図である。
【００９３】
図４において○箇所は、レーザーを用いて電気的に接続する箇所を示し、Ｘ箇所は、レーザーを用いて電気的に切断する箇所を示し、Ｖ箇所は、周辺の負荷（抵抗・容量）に合わせて適宜レーザーを用いて電気的に切断する箇所を示す。
【００９４】
図示されているように、データ信号線ＳＧｎに接続されている駆動ＴＦＴ素子７にリーク（欠陥）が生じた場合には、データ信号線ＳＧｎと接続されている駆動ＴＦＴ素子７の両端を電気的に切断し、駆動ＴＦＴ素子７をデータ信号線ＳＧｎから電気的に分離させる。
【００９５】
そして、各駆動ＴＦＴ素子７のゲート電極と電気的に接続された制御信号線ＳＥＬ  Ｒ・ＳＥＬ  Ｇ・ＳＥＬ  Ｂと交差するように第１の冗長配線９ａが形成され、制御信号線ＳＥＬ  Ｒ・ＳＥＬ  Ｇ・ＳＥＬ  Ｂと平行に第１の冗長配線９ｂが形成されている。
【００９６】
それから、第１の冗長配線９ａと第２の制御信号線ＳＥＬ  Ｇとが交差する箇所と、第１の冗長配線９ａ・９ｂ同士が交差する箇所とを電気的に接続し、第２の制御信号線ＳＥＬ  Ｇを介して供給される制御信号を冗長ＴＦＴ素子８のゲート電極に供給することができる。
【００９７】
また、図示されているように、第２の冗長配線１０は、データ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１・・・のいずれか１つに接続されている。
【００９８】
本実施の形態においては、冗長ＴＦＴ素子８をデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１に対して１つ（すなわち、データ信号線駆動回路６の出力端子２つに対して、冗長ＴＦＴ素子８を１つ）設けているため、第２の冗長配線１０をデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１に予め接続させているが、これに限定されることはなく、冗長ＴＦＴ素子８をデータ信号線駆動回路６の出力端子の数分設けでもよく、第２の冗長配線１０を後述する実施の形態２のように設けることもできる。
【００９９】
そして、第３の冗長配線１１は、各データ信号線ＳＲｎ・ＳＧｎ・ＳＢｎ・・・と交差するように形成されており、冗長ＴＦＴ素子８のドレイン電極およびデータ信号線ＳＧｎに接続されている。
【０１００】
図５は、図４に示すように修復した場合における、データ信号線駆動回路６の出力端子から出力された出力ＤＡＴＡの流れを示す図である。
【０１０１】
図示されているように、上記構成によれば、リーク（欠陥）が生じた駆動ＴＦＴ素子７の代わりに冗長ＴＦＴ素子８を介して、データ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎから出力された出力ＤＡＴＡをデータ信号線ＳＧｎに供給することができる。
【０１０２】
上記構成によれば、従来のように、駆動ＴＦＴ素子７内のリーク部（欠陥部）をレーザーを用いて電気的に切断する必要がなく、信号分配回路３に備えられた冗長ＴＦＴ素子８と第１の冗長配線９ａ・９ｂと第２の冗長配線１０と第３の冗長配線１１とを用いて修復を行うことができる。
【０１０３】
したがって、従来のように駆動ＴＦＴ素子７のチャネル幅が大きいため、リーク部（欠陥部）を探し出し、レーザーで切断する過程に時間が掛かってしまい、生産性が落ちるという問題は生じない。
【０１０４】
また、従来の構成においては、チャネル幅の大きい駆動ＴＦＴ素子７内におけるリーク部（欠陥部）のみをレーザーで切断する必要があるため、レーザーで切断した箇所を有する駆動ＴＦＴ素子７とレーザーで切断した箇所を有さない他の駆動ＴＦＴ素子７とでは、チャネル幅が異なってしまうため、これらの駆動ＴＦＴ素子７を用いた信号分配回路３を備えた液晶表示装置においては、表示品位の低下が生じてしまうという問題があった。
【０１０５】
一方、上記構成によれば、リーク部（欠陥部）が生じた駆動ＴＦＴ素子７を用いることなく、駆動ＴＦＴ素子７と同じチャネル幅を有するように形成された冗長ＴＦＴ素子８と第１の冗長配線９ａ・９ｂと第２の冗長配線１０と第３の冗長配線１１とを用いて修復を行う構成となっているため、上記表示品位の低下を抑制することができる液晶表示装置１を実現することができる。
【０１０６】
なお、本実施の形態の液晶表示装置１においては、ＲＧＢという３分割数で時分割駆動を行う構成を例示的に挙げたが、これに限定されることなく、２分割や４分割以上などの任意の分割数で時分割駆動を行うことができるのは勿論である。分割数が増せば、それだけデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１・・・の数やデータ信号線駆動回路６の個数をより大きく減少させることができる。
【０１０７】
以下、図６〜図８に基づいて、駆動ＴＦＴ素子７のゲート電極にそれぞれ異なる制御信号を入力するための制御信号線ＳＥＬ  Ｒ・ＳＥＬ  Ｇ・ＳＥＬ  Ｂに、断線が生じた場合、第４の冗長配線１２ａ・１２ｂを用いて修復を行う構成について説明する。
【０１０８】
図６は、本実施の形態の液晶表示装置１に備えられた信号分配回路３において、ある制御信号線ＳＥＬ  Ｇに断線が生じた場合の一例を示す図である。
【０１０９】
図示されているように、制御信号線ＳＥＬ  Ｇにおける制御信号線ＳＥＬ  Ｇと接続されている駆動ＴＦＴ素子７・７間で断線が生じている。
【０１１０】
図７は、図６に示す信号分配回路３における断線を第４の冗長配線１２ａ・１２ｂを用いて修復する場合を説明するための図である。
【０１１１】
本実施の形態においては、信号分配回路３の形成面積を縮小するため、第１の冗長配線９ａを第４の冗長配線１２ａとして共用しているが、これに限定されることはなく、第１の冗長配線９ａに該当する配線を第４の冗長配線１２ａとして別途に設けることもできる。
【０１１２】
図７において○箇所は、レーザーを用いて電気的に接続する箇所を示し、Ｖ箇所は、周辺の負荷（抵抗・容量）に合わせて適宜レーザーを用いて電気的に切断する箇所を示す。
【０１１３】
図示されているように、第４の冗長配線１２ｂは、２つの第１の冗長配線９ａ・９ａと交差するように形成されており、制御信号線ＳＥＬ  Ｇと２つの第１の冗長配線９ａ・９ａとが交差する箇所と、第４の冗長配線１２ｂと２つの第１の冗長配線９ａ・９ａとが交差する箇所を電気的に接続することによって、図６に示す信号分配回路３における断線を修復することができる。
【０１１４】
図８は、図７に示すように修復した場合における、制御信号線ＳＥＬ  Ｇを介して供給される制御信号の流れを示す図である。
【０１１５】
図示されているように、上記構成によれば、制御信号線ＳＥＬ  Ｇにおいて断線が生じた領域の代わりに第４の冗長配線１２ａ・１２ｂを介して、制御信号が制御信号線ＳＥＬ  Ｇに接続された次の駆動ＴＦＴ素子７に供給されるようになっている。
【０１１６】
図９は、本実施の形態の液晶表示装置１に備えられた信号分配回路３のレイアウトの一例を示す図である。
【０１１７】
図示されているように、信号分配回路３に備えられた駆動ＴＦＴ素子７および冗長ＴＦＴ素子８は、櫛歯形状の電極を備えた構成となっている。
【０１１８】
なお、駆動ＴＦＴ素子７と冗長ＴＦＴ素子８とは、その電極形状は異なるがチャネル幅は同じになるように設計されている。
【０１１９】
図示されているように、駆動ＴＦＴ素子７は、データ信号線駆動回路６と上記冗長ＴＦＴ素子８との間に挟まれるように形成され、駆動ＴＦＴ素子７の長手方向は、データ信号線駆動回路６の各出力端子が配列される方向に対して直交するように配置され、冗長ＴＦＴ素子８の長手方向は、データ信号線駆動回路６の各出力端子が配列される方向と平行に配置されている。
【０１２０】
上記構成によれば、信号分配回路３の形成面積を小さくすることができるので、上記液晶表示装置１における非表示領域となる額縁領域の狭小化を実現することができる。
【０１２１】
図１０は、後述する実施の形態２の液晶表示装置１に備えられた信号分配回路３ａのレイアウトの一例を示す図である。
【０１２２】
図示されているように、信号分配回路３ａに備えられた駆動ＴＦＴ素子７と冗長ＴＦＴ素子８とは、何れも櫛歯形状の電極を備えた構成であり、冗長ＴＦＴ素子８は、上記図９とは異なり、駆動ＴＦＴ素子７が形成されている領域内に形成されている。
【０１２３】
なお、図１０においても上記図９と同様に駆動ＴＦＴ素子７と冗長ＴＦＴ素子８とは、そのチャネル幅は同じになるように設計されている。
【０１２４】
上記構成によれば、信号分配回路３ａを備えた構成であっても、データ信号線駆動回路６の各出力端子が配列される方向に対して直交する方向の幅、すなわち、データ信号線駆動回路６の一端と表示領域の一端との間の距離を縮めることができるので、上記液晶表示装置１における非表示領域となる額縁領域の狭小化を実現することができる。
【０１２５】
以下、例えば、図１におけるデータ信号線ＳＧｎ＋１に接続されている駆動ＴＦＴ素子７にリーク（欠陥）が生じた場合の修復方法の一例について説明する。
【０１２６】
図示は省略するが、図１におけるデータ信号線ＳＧｎ＋１に接続されている駆動ＴＦＴ素子７にリーク（欠陥）が生じた場合には、データ信号線ＳＧｎ＋１と接続されている駆動ＴＦＴ素子７の両端を電気的に切断し、駆動ＴＦＴ素子７をデータ信号線ＳＧｎ＋１から電気的に分離させる。
【０１２７】
そして、第１の冗長配線９ａと第２の制御信号線ＳＥＬ  Ｇとが交差する箇所と、第１の冗長配線９ａ・９ｂ同士が交差する箇所とを電気的に接続し、第２の制御信号線ＳＥＬ  Ｇを介して供給される制御信号を冗長ＴＦＴ素子８のゲート電極に供給することができる。
【０１２８】
それから、データ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ＋１に接続されている第２の冗長配線１０と第４の冗長配線１２ｂとが交差する箇所と、第４の冗長配線１２ｂとデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎに接続されている第２の冗長配線１０とが交差する箇所とを接続させる。
【０１２９】
そして、データ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎと接続されている第２の冗長配線１０を電気的に切断し、冗長ＴＦＴ素子８のソース電極にデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎから出力された出力ＤＡＴＡが供給されないようにする。
【０１３０】
最後に、第３の冗長配線１１は、冗長ＴＦＴ素子８のドレイン電極およびデータ信号線ＳＧｎ＋１に接続させる。
【０１３１】
以上のようにすることにより、従来のように、駆動ＴＦＴ素子７内のリーク部（欠陥部）をレーザーを用いて電気的に切断する必要がなく、信号分配回路３に備えられた冗長ＴＦＴ素子８と第１の冗長配線９ａ・９ｂと第２の冗長配線１０と第３の冗長配線１１と第４の冗長配線１２ｂとを用いて修復を行うことができる。
【０１３２】
〔実施の形態２〕
次に、図１１〜図１７に基づいて、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施の形態は、第２の冗長配線１０ａ・１０ｂの配置位置および形状とが実施の形態１とは異なっており、冗長ＴＦＴ素子８の数をデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１・・・の数よりさらに少なく設けることができるという点以外については実施の形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１３３】
図１１は、本実施の形態の液晶表示装置１に備えられた信号分配回路３ａの一部を概略的に示す図である。
【０１３４】
図示されているように、第２の冗長配線１０ａは、冗長ＴＦＴ素子８のソース電極に接続されており、一方、第２の冗長配線１０ｂは、第２の冗長配線１０ａおよびデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１・・・と交差するように、データ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１・・・近傍に形成されている。
【０１３５】
図１２は、本実施の形態の液晶表示装置１に備えられた信号分配回路３ａにおいて、ある駆動ＴＦＴ素子７にリーク（欠陥）が生じた場合の一例を示す図である。
【０１３６】
図１２においては、データ信号線ＳＲｎ＋１に接続されている駆動ＴＦＴ素子７にリーク（欠陥）が生じた場合の一例を示している。
【０１３７】
図１３は、図１２に示す信号分配回路３ａを冗長ＴＦＴ素子８と第１の冗長配線９ａ・９ｂと第２の冗長配線１０ａ・１０ｂと第３の冗長配線１１とを用いて修復する場合を説明するための図である。
【０１３８】
図１３において○箇所は、レーザーを用いて電気的に接続する箇所を示し、Ｘ箇所は、レーザーを用いて電気的に切断する箇所を示し、Ｖ箇所は、周辺の負荷（抵抗・容量）に合わせて適宜レーザーを用いて電気的に切断する箇所を示す。
【０１３９】
図示されているように、データ信号線ＳＲｎ＋１に接続されている駆動ＴＦＴ素子７にリーク（欠陥）が生じた場合には、データ信号線ＳＲｎ＋１と接続されている駆動ＴＦＴ素子７の両端を電気的に切断し、駆動ＴＦＴ素子７をデータ信号線ＳＲｎ＋１から電気的に分離させる。
【０１４０】
そして、第２の冗長配線１０ｂが、データ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ＋１および第２の冗長配線１０ａと交差する箇所を電気的に接続し、冗長ＴＦＴ素子８のソース電極にデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ＋１から出力される出力ＤＡＴＡを供給することができる。
【０１４１】
それから、第１の冗長配線９ａが、制御信号線ＳＥＬ  Ｒおよび第１の冗長配線９ｂと交差する箇所を電気的に接続し、冗長ＴＦＴ素子８のゲート電極に制御信号線ＳＥＬ  Ｒを介して供給される制御信号を供給することができる。
【０１４２】
そして、第３の冗長配線１１がデータ信号線ＳＲｎ＋１と交差する箇所を電気的に接続し、冗長ＴＦＴ素子８のドレイン電極から出力される出力ＤＡＴＡをデータ信号線ＳＲｎ＋１に出力させることができる。
【０１４３】
図１４は、図１３に示すように修復した場合における、データ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ＋１から出力された出力ＤＡＴＡの流れを示す図である。
【０１４４】
図示されているように、上記構成によれば、リーク（欠陥）が生じた駆動ＴＦＴ素子７の代わりに冗長ＴＦＴ素子８を介して、データ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ＋１から出力された出力ＤＡＴＡをデータ信号線ＳＲｎ＋１に供給することができる。
【０１４５】
上記構成によれば、冗長ＴＦＴ素子８の数をデータ信号線駆動回路６の出力端子ＳＩＮｎ・ＳＩＮｎ＋１・・・の数より少なく設けることができ、上記液晶表示装置１における非表示領域となる額縁領域の狭小化を実現することができる。
【０１４６】
以下、図１５〜図１７に基づいて、駆動ＴＦＴ素子７のゲート電極にそれぞれ異なる制御信号を入力するための制御信号線ＳＥＬ  Ｒ・ＳＥＬ  Ｇ・ＳＥＬ  Ｂに、断線が生じた場合、第４の冗長配線１２ａ・１２ｂを用いて修復を行う構成について説明する。
【０１４７】
なお、本実施の形態においては、信号分配回路３ａの形成面積を縮小するため、第２の冗長配線１０ｂを第４の冗長配線１２ｂと共用しているが、これに限定されることはなく、第２の冗長配線１０ｂに該当する配線を第４の冗長配線１２ｂとして別途に設けることもできる。
【０１４８】
図１５は、本実施の形態の液晶表示装置１に備えられた信号分配回路３ａにおいて、ある制御信号線ＳＥＬ  Ｇに断線が生じた場合の一例を示す図である。
【０１４９】
図示されているように、制御信号線ＳＥＬ  Ｇにおける制御信号線ＳＥＬ  Ｇと接続されている駆動ＴＦＴ素子７・７間で断線が生じている。
【０１５０】
図１６は、図１５に示す信号分配回路３ａにおける断線を第４の冗長配線１２ａ・１２ｂを用いて修復する場合を説明するための図である。
【０１５１】
図１６において○箇所は、レーザーを用いて電気的に接続する箇所を示し、Ｖ箇所は、周辺の負荷（抵抗・容量）に合わせて適宜レーザーを用いて電気的に切断する箇所を示す。
【０１５２】
図示されているように、第４の冗長配線１２ａは、制御信号線ＳＥＬ  Ｒ・ＳＥＬ  Ｇ・ＳＥＬ  Ｂおよび第４の冗長配線１２ｂと交差するように形成されており、第４の冗長配線１２ｂは、複数の第４の冗長配線１２ａと交差するように形成されている。
【０１５３】
第４の冗長配線１２ａが、制御信号線ＳＥＬ  Ｇおよび第４の冗長配線１２ｂと交差する箇所を電気的に接続することによって、データ信号線ＳＧｎ＋１に接続されている駆動ＴＦＴ素子７のゲート電極に、第４の冗長配線１２ａ・１２ｂを介して制御信号線ＳＥＬ  Ｇに供給される制御信号を供給することができる。
【０１５４】
図１７は、図１６に示すように修復した場合における、制御信号線ＳＥＬ  Ｇ介して供給される制御信号の流れを示す図である。
【０１５５】
図示されているように、上記構成によれば、制御信号線ＳＥＬ  Ｇにおいて断線が生じた領域の代わりに第４の冗長配線１２ａ・１２ｂを介して、制御信号が制御信号線ＳＥＬ  Ｇに接続された次の駆動ＴＦＴ素子７に供給されるようになっている。
【０１５６】
また、図示は省略するが、信号分配回路３ａには、制御信号線ＳＥＬ  Ｒ、制御信号線ＳＥＬ  Ｇおよび制御信号線ＳＥＬ  Ｂのそれぞれに対応した３組（３つ）の冗長ＴＦＴ素子８が備えられ、各冗長ＴＦＴ素子８のゲート電極に対応する制御信号を供給するための第１の冗長配線と、各冗長ＴＦＴ素子８のソース電極に対応するデータ信号線駆動回路６の出力端子から出力される出力ＤＡＴＡを供給する第２の冗長配線と、各冗長ＴＦＴ素子８のドレイン電極から出力される出力ＤＡＴＡを対応するデータ信号線に出力させる第３の冗長配線とを備えた構成とすることもできる。
【０１５７】
上記構成によれば、生産時における修復時間の短縮化を実現することができる。
【０１５８】
本発明の表示装置において、上記駆動回路には、さらに、第４の冗長配線が備えられており、上記第４の冗長配線は、上記第４の冗長配線と上記複数の駆動ＴＦＴ素子のゲート電極に異なる第１の信号を入力するために設けられた複数の配線中の何れか１本とを、所定の間隔を有する複数の箇所で電気的に接続することにより、上記第４の冗長配線と電気的に接続された配線における上記第１の信号が、上記第４の冗長配線を介して上記配線に入力されるように形成されていることが好ましい。
【０１５９】
上記構成によれば、上記複数の駆動ＴＦＴ素子のゲート電極に異なる第１の信号を入力するために設けられた複数の配線において、欠陥部が生じた場合、上記第４の冗長配線を用いて修復を行う構成となっている。
【０１６０】
本発明の表示装置において、上記駆動回路は、上記表示領域に表示する画像信号を出力するデータ信号線駆動回路の各出力端子を複数の経路に分枝させた配線と、上記分枝させた各配線に設けられた上記駆動ＴＦＴ素子と、上記データ信号線駆動回路の各出力端子に電気的に接続された上記各駆動ＴＦＴ素子を水平期間の時分割で導通できるように駆動させるため、上記各駆動ＴＦＴ素子のゲート電極に制御信号を入力するための制御信号線とを備えた信号分配回路であることが好ましい。
【０１６１】
上記構成によれば、チャネル幅の大きい駆動ＴＦＴ素子が備えられた信号分配回路（ＳＳＤ回路）において、上記駆動ＴＦＴ素子や上記複数の駆動ＴＦＴ素子のゲート電極に異なる第１の信号を入力するために設けられた複数の配線において、欠陥部が生じた場合でも、リーク部（欠陥部）の修復に時間が掛からず、生産性の向上が図れるとともに、修復後にも、異なるチャネル幅となるＴＦＴを有さない信号分配回路を備えた表示装置を実現することができる。
【０１６２】
本発明の表示装置において、上記データ信号線駆動回路の各出力端子は、第１の配線、第２の配線および第３の配線に分枝されており、上記第１の配線、上記第２の配線および上記第３の配線のそれぞれには、上記駆動ＴＦＴ素子が設けられており、上記各駆動ＴＦＴ素子のゲート電極には、上記制御信号を入力するための第１の制御信号線、第２の制御信号線および第３の制御信号線が設けられており、上記信号分配回路には、上記各制御信号線に対応した３組の上記冗長ＴＦＴ素子と上記第１の冗長配線と上記第２の冗長配線と上記第３の冗長配線とが備えられていることが好ましい。
【０１６３】
上記構成によれば、上記各制御信号線毎に、上記冗長ＴＦＴ素子と上記第１の冗長配線と上記第２の冗長配線と上記第３の冗長配線とを備えた構成となっており、例えば、第１の制御信号線に電気的に接続された駆動ＴＦＴ素子や第１の制御信号線に欠陥部が生じた場合には、上記第１の制御信号線に対応した上記冗長ＴＦＴ素子と上記第１の冗長配線と上記第２の冗長配線と上記第３の冗長配線とを用いて修復を行うことができるようになっている。
【０１６４】
したがって、生産時における修復時間の短縮化を実現することができる。
【０１６５】
本発明の表示装置において、上記駆動ＴＦＴ素子は、上記データ信号線駆動回路と上記冗長ＴＦＴ素子との間に挟まれるように形成され、上記駆動ＴＦＴ素子の長手方向は、上記データ信号線駆動回路の各出力端子が配列される方向に対して直交するように配置され、上記冗長ＴＦＴ素子の長手方向は、上記データ信号線駆動回路の各出力端子が配列される方向と平行に配置されていることが好ましい。
【０１６６】
本発明の表示装置において、上記駆動ＴＦＴ素子は、上記データ信号線駆動回路と上記表示領域との間に挟まれるように形成され、上記駆動ＴＦＴ素子および上記冗長ＴＦＴ素子の長手方向は、上記データ信号線駆動回路の各出力端子が配列される方向に対して直交するように配置され、上記冗長ＴＦＴ素子は、上記駆動ＴＦＴ素子の間に挟まれるように形成されていることが好ましい。
【０１６７】
上記構成によれば、信号分配回路（ＳＳＤ回路）の形成面積を小さくすることができるので、上記表示装置における非表示領域となる額縁領域の狭小化を実現することができる。
【０１６８】
本発明の表示装置において、上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、非晶質シリコンで形成されていることが好ましい。
【０１６９】
上記構成によれば、上記表示装置の製造単価の向上を抑制することができる。
【０１７０】
本発明の表示装置において、上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、酸化物で形成されていることが好ましい。
【０１７１】
上記半導体層は、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎから選択される少なくとも一つの元素を含む非晶質酸化物から形成することができるが、これに限定されることはない。
【０１７２】
本発明の表示装置において、記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、微結晶シリコンで形成されていることが好ましい。
【０１７３】
本発明の表示装置において、上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、微結晶シリコンと非晶質シリコンとが積層されて形成されていることが好ましい。
【０１７４】
上記構成によれば、上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、微結晶シリコンまたは、微結晶シリコンと非晶質シリコンとが積層されて形成されているため、比較的安価に上記表示装置を製作することができる。
【０１７５】
本発明の表示装置において、上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、多結晶シリコンで形成されていることが好ましい。
【０１７６】
本発明の表示装置において、上記画素ＴＦＴ素子および上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、連続粒界結晶シリコンで形成されていることが好ましい。
【０１７７】
上記構成によれば、上記駆動ＴＦＴ素子における半導体層は、多結晶シリコンまたは、連続粒界結晶シリコンで形成されているため、走査線駆動回路および信号分配回路（ＳＳＤ回路）以外にデータ信号線駆動回路も上記画素ＴＦＴ素子とモノリシックに形成することができるので、信頼性が高く、非表示領域となる額縁領域を狭小化させた表示装置を実現することができる。
【０１７８】
本発明は上記した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１７９】
本発明は、半導体装置や、表示装置に適用することができる。
【符号の説明】
【０１８０】
１                                  液晶表示装置（表示装置）
３、３ａ                            信号分配回路（駆動回路）
４                                  走査線駆動回路（駆動回路）
６                                データ信号線駆動回路（駆動回路）
７                                  駆動ＴＦＴ素子
８                                  冗長ＴＦＴ素子
９ａ、９ｂ                          第１の冗長配線
１０ａ、１０ｂ                      第２の冗長配線
１１                                第３の冗長配線
１２ａ、１２ｂ                      第４の冗長配線
ＳＥＬ  Ｒ、ＳＥＬ  Ｇ、ＳＥＬ  Ｂ  制御信号線
Ｒ１                                表示領域
【図１】
2011096125.tif 000003
【図２】
2011096125.tif 000004
【図３】
2011096125.tif 000005
【図４】
2011096125.tif 000006
【図５】
2011096125.tif 000007
【図６】
2011096125.tif 000008
【図７】
2011096125.tif 000009
【図８】
2011096125.tif 000010
【図９】
2011096125.tif 000011
【図１０】
2011096125.tif 000012
【図１１】
2011096125.tif 000013
【図１２】
2011096125.tif 000014
【図１３】
2011096125.tif 000015
【図１４】
2011096125.tif 000016
【図１５】
2011096125.tif 000017
【図１６】
2011096125.tif 000018
【図１７】
2011096125.tif 000019
【図１８】
2011096125.tif 000020
【図１９】
2011096125.tif 000021
【図２０】
2011096125.tif 000022
【国際調査報告】
2011096125.tif 000023
2011096125.tif 000024
2011096125.tif 000025
2011096125.tif 000026