(57)【要約】電子装置の製造方法は、基材（基板）（１１）上に電子部品（１０）を配置する工程と、基材（１１）の電子部品（１０）が配置された面上に立設され、熱分解性の樹脂を含んで構成される立設部（１３）を設ける工程と、前記電子部品（１０）を埋め込み、前記立設部（１３）の周囲を覆うとともに、表面から前記立設部（１３）の一部が露出するように、封止材（１４）を設ける工程と、前記立設部（１３）を加熱して、前記立設部（１３）を分解し、除去することにより、前記封止材（１４）を貫通する孔（１４１）を形成する工程と、前記孔（１４１）内に導電体（１５）を設ける工程とを含む。
2011064971.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に電子部品を配置する工程と、
前記基材の前記電子部品が配置された面上に熱分解性の樹脂を含む立設部を立設する工程と、
前記電子部品を埋め込み、前記立設部の周囲を覆うとともに、表面から前記立設部の一部が露出するように、封止材を設ける工程と、
前記立設部を加熱して、前記立設部を分解し、除去することにより、前記封止材を貫通する孔を形成する工程と、
前記孔内に導電体を設ける工程と、
を含む電子装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品は、半導体チップであり、
前記基材は、半導体チップ搭載用の基板である電子装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子装置の製造方法において、
前記基材の前記電子部品が設置される前記面上には、回路が形成され、
前記基材の前記電子部品が配置された面上に立設する立設部を設ける前記工程では
前記立設部は、前記基材の回路上に形成される電子装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記立設部は、ポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂からなる群より選ばれる熱分解性の樹脂を合計で５０ｗｔ％以上含む電子装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記立設部は、ポリカーボネート系樹脂を主成分とする電子装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記基材の前記電子部品が配置された面上に立設部を設ける前記工程では、
ディスペンサにより、前記立設部を構成する樹脂を前記基材上に配置して、前記立設部を設ける電子装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
封止材を設ける前記工程では、前記封止材が前記基材全面を覆うように設けられる電子装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の電子装置の製造方法において、
前記熱分解性の樹脂は、５０％重量減少温度が４００℃以下である電子装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の電子装置の製造方法において、
前記熱分解性の樹脂は、５％重量減少温度が５０℃以上である電子装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の電子装置の製造方法において、
前記熱分解性の樹脂は、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、１℃以上３００℃以下である電子装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の電子装置の製造方法により製造された電子装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の電子装置の製造方法で製造された電子装置と他の電子装置とが積層された電子装置パッケージの製造方法であって、
請求項１乃至１０に記載の電子装置の製造方法で製造された前記電子装置の前記導電体と、前記他の電子装置に形成された電極とが接触するように、前記電子装置上に前記他の電子装置を搭載し、前記電子装置および前記他の電子装置とで構成される積層体を得る工程と、
前記積層体を加熱することにより、前記導電体と前記他の電子装置の前記電極とを接合する工程と、
を含む電子装置パッケージの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子装置パッケージの製造方法で製造された電子装置パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造方法、電子装置、電子装置パッケージの製造方法、電子装置パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできている。
高密度の実装を実現するための半導体装置として、基板に第一半導体素子を搭載し、さらに、第一半導体素子の上方に第二半導体素子が搭載された基板を配置するパッケージオンパッケージ（ＰＯＰ）構造の半導体パッケージが提案されている。
このようなＰＯＰ構造の半導体パッケージに使用される第一半導体素子を備える半導体装置として、図８に示すような構造が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。【０００３】
図８の半導体装置は、基板９００と、この基板９００上に設置された第一半導体素子９０１とを備え、第一半導体素子９０１は、成形材料９０２により覆われている。成形材料９０２には、孔が形成され、孔中には導電材料９０３が充填されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００９−５２０３６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通常、成形材料９０２の孔は、レーザ光を成形材料９０２に照射することで形成される。しかしながら、レーザ光を照射する場合には、レーザ光の強度や、照射時間を正確に調整することが難しく、基板９００表面がレーザ光により削れてしまい信頼性の高い半導体パッケージ得ることが困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、基材上に電子部品を配置する工程と、前記基材の前記電子部品が配置された面上に、熱分解性の樹脂を含んで構成される立設部を立設する工程と、前記電子部品を埋め込み、前記立設部の周囲を覆うとともに、表面から前記立設部の一部が露出するように、封止材を設ける工程と、前記立設部を加熱して、前記立設部を分解し、除去することにより、前記封止材を貫通する孔を形成する工程と、前記孔内に導電体を設ける工程と、を含む電子装置の製造方法が提供される。【０００７】
この発明では、電子部品が設けられた基板上に立設部を設け、立設部の周囲を覆うとともに、表面から立設部の一部が露出するように、封止材を設けている。その後、立設部を加熱し、熱分解することで、封止材に孔を形成している。
そのため、レーザ光により基板表面を削ってしまうことがなく、信頼性の高い電子装置を得ることができる。【０００８】
さらには、本発明によれば、上述した製造方法により製造した電子装置も提供できる。
また、本発明によれば、上述した製造方法により製造した電子装置と他の電子装置とが積層された電子装置パッケージの製造方法であって、上述した製造方法により製造した前記電子装置の前記導電体と、前記他の電子装置に形成された電極とが接触するように、前記電子装置上に前記他の電子装置を搭載し、前記電子装置および前記他の電子装置とで構成される積層体を得る工程と、前記積層体を加熱することにより、前記導電体と前記他の電子装置の前記電極とを接合する工程と、を含む電子装置パッケージの製造方法も提供できる。さらには、この電子装置パッケージの製造方法により製造された電子装置パッケージも提供できる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、信頼性の高い電子装置を得ることができる電子装置の製造方法、電子装置、さらには、電子装置パッケージの製造方法、電子装置パッケージが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態にかかる電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２】電子装置に使用される立設部の配置を示す平面図である。
【図３】電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図４】電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図５】電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図６】電子装置パッケージの製造工程を示す工程断面図である。
【図７】本発明の変形例を示す断面図である。
【図８】従来の電子装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図１から図６に基づいて説明する。
はじめに、本実施形態の概要について説明する。
本実施形態の電子装置の製造方法は、基材（基板）１１上に電子部品１０を配置する工程と、前記基材１１の前記電子部品１０が配置された面上に立設され、熱分解性の樹脂を含んで構成される立設部１３を設ける工程と、前記電子部品１０を埋め込み、前記立設部１３の周囲を覆うとともに、表面から前記立設部１３の一部が露出するように、封止材１４を設ける工程と、前記立設部１３を加熱して、立設部１３を分解し、除去することにより、前記封止材１４を貫通する孔１４１を形成する工程と、前記孔１４１内に導電体１５を設ける工程と、を含む。
ここで、本実施形態では、電子装置は半導体装置１であり、電子部品は、半導体チップ１０である。
【００１２】
次に、本実施形態の電子装置の製造方法について詳細に説明する。
はじめに、図１（Ａ）に示すように、基板１１上に半導体チップ１０を実装する。
基板１１は、半導体チップ搭載用の基板であり、いわゆる両面回路基板あるいは多層回路基板である。この基板１１は、コア層のみからなるものでもよく、コア層の表裏面にビルドアップ層が積層されたものであってもよく、また、ビルドアップ層のみからなるものであってもよい。
ビルドアップ層は、絶縁層と、導体回路層とが交互に積層されたものであり、コア層は、絶縁層と導体回路層からなるものである。
基板１１の表裏面には、図示しないが導体回路層（回路）が形成されている。
半導体チップ１０は、基板１１の導体回路層と電気的に接続されており、本実施形態では、半導体チップ１０裏面の半田バンプ１２を介して、基板１１の導体回路層と半導体チップ１０とが電気的に接続されている。
半田バンプ１２は、鉛フリー半田であってもよく、また、鉛を含む高融点半田であってもよい。
【００１３】
次に、図１（Ｂ）に示すように、基板１１上に、立設部１３を設ける。立設部１３は、基板面側からみて、半導体チップ１０を囲むように設けられ、たとえば、図２（Ａ）に示すように、基板１１の四つ角にそれぞれ設けられる場合、また、図２（Ｂ）に示すように、半導体チップ１０をとり囲むように設けられる場合が挙げられる。
立設部１３は、柱状に形成され、たとえば、円柱形状、四角柱形状である。
立設部１３の基板１１表面からの高さは、半導体チップ１０の基板表面からの高さよりも高く、たとえば、１０〜１０００μｍである。各立設部１３は、基板１１の導体回路層上に直接形成され、導体回路層の一部を覆っている。
【００１４】
立設部１３は、熱分解性の樹脂を含んで構成される。立設部１３は、熱分解性の樹脂を主成分（立設部１３が溶剤を含む場合には、溶剤を除いた全量に対して熱分解性の樹脂が５０ｗｔ％以上）とすることが好ましく、立設部１３を構成する熱分解性の樹脂成分としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂等が挙げられる。熱分解性の観点から立設部１３は、これらの樹脂から成る群のなかから選ばれる樹脂を合計で５０ｗｔ％以上（立設部１３が溶剤を含む場合には、溶剤を除いた全量に対して熱分解性の樹脂が５０ｗｔ％以上）含むことが好ましい。
これらの樹脂成分の中でも、後述する立設部１３の熱分解時間を効果的に短縮するためには、立設部１３は、ポリカーボネート系樹脂を主成分とすることが好ましい。
なお、立設部１３を構成する樹脂組成物は１種類の樹脂のみから構成されていてもよく、また、２種以上の樹脂を含んでいてもよい。本明細書においては、立設部１３を構成する材料が１種類の樹脂からなる場合も樹脂組成物と称する。
【００１５】
前記ポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリプロピレンカーボネート樹脂、ポリエチレンカーボネート樹脂、１，２−ポリブチレンカーボネート樹脂、１，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、１，４−ポリブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、α，β−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、α，γ−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ポリヘキセンカーボネート樹脂、ポリシクロプロペンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキセンカーボネート樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂、ポリ（メチルシクロヘキセンカーボネート）樹脂、ポリ（ビニルシクロヘキセンカーボネート）樹脂、ポリジヒドロナフタレンカーボネート樹脂、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート樹脂、ポリスチレンカーボネート樹脂、ポリ（３−フェニルプロピレンカーボネート）樹脂、ポリ（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）樹脂、ポリ（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）樹脂、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート樹脂、ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ポリノルボルナンカーボネート樹脂並びにこれらの組合せを挙げることができる。
また、ポリノルボルネンカーボネート樹脂としては、例えばｅｘｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｅｎｄｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂が挙げられる。
【００１６】
前記ポリカーボネート系樹脂としては、さらに、例えば、ポリプロピレンカーボネート／ポリシクロヘキセンカーボネート共重合体、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］樹脂、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］樹脂、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］樹脂、及びポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］樹脂、等が挙げられる。
また、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体としては、例えば１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ｅｘｏ−ポリノルボルネンカーボネート共重合体、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ｅｎｄｏ−ポリノルボルネンカーボネート共重合体が挙げられる。
【００１７】
前記ポリカーボネート系樹脂としては、少なくとも２つの環状体を有するポリカーボネート樹脂を用いることもできる。
環状体の数は、２つ以上であればよいが、２〜５であるのが好ましく、２または３であるのがより好ましく、２であるのがさらに好ましい。カーボネート構成単位としてこのような数の環状体が含まれることにより、基板１１との密着性が優れたものとなる。
【００１８】
複数の環状体は、それぞれの頂点同士が互いに連結している連結多環系構造をなしていてもよいが、それぞれが有する一辺同士が互いに連結している縮合多環系構造をなしているのが好ましい。これにより、封止材１４で封止する工程での耐熱性と、立設部１３の熱分解時間を短縮することを両立することができる。
また、複数の環状体は、それぞれ、５員環または６員環であるのが好ましい。これにより、カーボネート構成単位の平面性が保たれることから、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。
このような複数の環状体は、脂環式化合物であるのが好ましい。各環状体が脂環式化合物である場合には、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。
【００１９】
これらのことを考慮すると、ポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（１）で表わされるものが特に好ましい構造である。
【００２０】
【化１】
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【００２１】
なお、上記化学式（１）で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、デカリンジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得ることができる。
【００２２】
また、上記化学式（１）で表わされるカーボネート構成単位において、デカリンジオールが有する水酸基に連結する炭素原子に由来するものは、それぞれ、デカリン（すなわち、縮合多環系構造を形成する２つの環状体）を構成する炭素原子に結合し、かつ、これら水酸基に連結する炭素原子の間に３つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、ポリカーボネート系樹脂の分解性を制御でき、その結果、封止材１４で封止する工程での耐熱性と、立設部１３の熱分解時間を短縮することを両立することができる。さらに、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。
【００２３】
このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（１Ａ）、（１Ｂ）で表わされるものが挙げられる。
【００２４】
【化２】
2011064971.tif 000004
【００２５】
さらに、複数の環状体は、脂環式化合物である他、複素脂環式化合物であってもよい。各環状体が複素脂環式化合物である場合であっても、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。
【００２６】
この場合、ポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（２）で表わされるものが特に好ましい構造である。
【００２７】
【化３】
2011064971.tif 000005
【００２８】
なお、上記化学式（２）で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、下記化学式（２ａ）で表わされるエーテルジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得ることができる。
【００２９】
【化４】
2011064971.tif 000006
【００３０】
また、上記化学式（２）で表わされるカーボネート構成単位において、上記化学式（２ａ）で表わされる環状エーテルジオールが有する水酸基由来の炭素原子は、それぞれ、上記環状エーテル（すなわち、縮合多環系構造を形成する２つの環状体）を構成する炭素原子に結合し、かつ、これら炭素原子の間に３つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、封止材１４で封止する工程での耐熱性と、立設部１３の熱分解時間を短縮することを両立することができる。さらに、後述する溶媒に対する溶解性をより安定させることができる。
【００３１】
このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（２Ａ）で表わされる１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−ソルビトール（イソソルビド）型のものや、下記化学式（２Ｂ）で表わされる１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−マンニトール（イソマンニド）型ものが挙げられる。
【００３２】
【化５】
2011064971.tif 000007
【００３３】
前記ポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、５，０００〜８００，０００であることがさらに好ましい。
前記重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、基板１１に対する濡れ性が向上すること、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、各種溶剤に対する溶解性、さらには、立設部１３の熱分解性を向上するという効果を得ることができる。
【００３４】
前記ポリカーボネート系樹脂の重合方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、ホスゲン法（溶剤法）または、エステル交換法（溶融法）等の公知の重合方法を用いることができる。
【００３５】
前記樹脂成分は、立設部１３を構成する全量（溶剤を含む場合には、溶剤を除いた全量）の１０ｗｔ％〜１００ｗｔ％の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、５０ｗｔ％以上、特には、８０ｗｔ％〜１００ｗｔ％の割合で配合することが好ましい。１０ｗｔ％以上、特に８０ｗｔ％以上とすることで、立設部１３を熱分解した後の残渣を低減できるという効果がある。また、立設部１３の樹脂成分を多くすることで短時間で立設部１３を熱分解できるという効果がある。
【００３６】
通常、封止材１４の封止温度は１２５℃前後、また、封止材１４を後硬化（ポストキュア）させる温度は１７５℃前後であるため、樹脂成分としては１２５℃前後では熱分解し難く、１７５℃前後で熱分解する樹脂成分が好ましい。これにより、封止材１４を封止する工程では、立設部１３の剥離や変形を抑制することができ、また、封止材１４を後硬化する際に封止材の硬化と立設部１３の加熱分解除去を同時に行うことができるため、電子装置の製造工程を簡略化することができる。
【００３７】
前記樹脂成分として、特に好ましいのは、封止材１４で封止する温度で熱分解し難く、また、封止材１４で封止する温度以上での熱分解性に優れる点から、ポリプロピレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体である。
【００３８】
また、前記熱分解性の樹脂組成物がポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂を含む場合、光酸発生剤を含むことが好ましい。これにより、立設部１３（熱分解性の樹脂組成物）を露光することで、立設部１３の熱分解温度を低下させることができる。封止材１４で半導体チップ１０および立設部１３を埋め込んだ後、立設部１３を露光することにより熱分解する温度を低下させることができると、電子装置の熱損傷を防止することができ、さらに、封止材１４を後硬化させるのと同時に立設部１３を除去することができる場合があるので、より好ましい。
【００３９】
樹脂成分としてポリカーボネート系樹脂であるポリプロピレンカーボネート樹脂を使用した場合の熱分解温度が低下するメカニズムについて説明する。下記式（３）で示すように、先ず、前記光酸発生剤由来のＨ＋が、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体［Ａ］及び［Ｂ］を生じる。次に、中間体［Ａ］は、アセトン及びＣＯ２として断片化する熱切断が起こるため、熱分解温度が低下する。また、中間体［Ｂ］は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはＣＯ２及びプロピレンオキシドとして断片化する熱閉環構造を形成するため、熱分解温度が低下する。
【００４０】
【化６】
2011064971.tif 000008
【００４１】
光酸発生剤は、化学線を照射することにより酸を発生する化合物であれば、特に限定されるものではなく、例えば、求核ハロゲン化物、錯金属ハライド陰イオン等が挙げられる。より具体的には、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス−（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート（ＴＴＢＰＳ−ＨＦＰ）、トリフェニルスルホニウムトリフレート（ＴＰＳ−Ｔｆ）、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート（ＤＴＢＰＩ−Ｔｆ）、トリアジン（ＴＡＺ−１０１）、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳ−１０３）、トリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＴＰＳ−Ｎ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチル）フェニルヨードニウム、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＤＴＢＰＩ−Ｎ１）、トリフェニルスルホニウム、トリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＴＰＳ−Ｃ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＤＴＢＰＩ−Ｃ１）等が挙げられる。
【００４２】
前記光酸発生剤の含有量は、前記樹脂成分１００重量部に対して０．１〜１５重量部であることが好ましく、０．５〜１０重量部であることが特に好ましい。これにより、熱分解性の樹脂組成物を露光することにより効果的に熱分解温度を低下させることができ、さらに、熱分解後の残渣を低減することができる。
【００４３】
前記立設部１３を構成する樹脂組成物は、光酸発生剤とともに、特定のタイプまたは波長の光に対する光酸発生剤の反応性を発現あるいは増大させる機能を有する成分である増感剤を含んでいても良い。
【００４４】
前記増感剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンツピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン−９−オン、２‐イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン、およびこれらの混合物等が挙げられる。このような増感剤の含有量は、前述した光酸発生剤１００重量部に対して、１００重量部以下であるのが好ましく、５０重量部以下であるのがより好ましい。
【００４５】
また、立設部１３を構成する樹脂組成物は、上記成分の他、例えば、酸捕捉剤を含んでいてもよい。前記酸捕捉剤は、光の照射により発生した酸が、光を照射していない部位に拡散するのを防止する機能を有する成分である。すなわち、光を照射していない部位の現像液に対する溶解性の向上や熱分解温度の低下を防止する機能を有する成分である。このような酸捕捉剤を含むことにより、現像および熱分解によるパターンニング精度をより高いものとすることができる。
【００４６】
前記酸捕捉剤としては、例えば、トリ（ｎ−プロピル）アミン、トリエチルアミン、下記一般式（４）で表される化合物、および、下記一般式（５）で表される化合物等に代表されるアミン（二級アミン、三級アミン）、およびこれらの混合物等が挙げられる。
【００４７】
【化７】
2011064971.tif 000009
【００４８】
一般式（４）中、Ｒ１は、Ｈ、または、アルキル基である。
【００４９】
【化８】
2011064971.tif 000010
【００５０】
一般式（５）中、Ｒ２〜Ｒ６は、Ｈ、または、任意の２つがメチル基で残りがＨである。
【００５１】
これらの中でも、上記一般式（４）で表される化合物、上記一般式（５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を用いるのが好ましく、上記一般式（４）で表される化合物を用いるのがより好ましい。これにより、樹脂組成物の光に対する感度を高いものとしつつ、光を照射していない部位の現像液に対する溶解性の向上や熱分解温度の低下をより効果的に防止することができる。
【００５２】
前記酸捕捉剤の含有量は、前述した光酸発生剤１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部であるのが好ましく、０．０２〜８重量部であるのがより好ましい。これにより、光を照射していない部位の現像液に対する溶解性の向上や熱分解温度の低下をさらに効果的に防止することができる。
【００５３】
また、立設部１３を構成する樹脂組成物は、酸化防止剤を含んでいてもよい。前記酸化防止剤は、望ましくない酸の発生や、樹脂組成物の自然酸化を防止する機能を有している。
【００５４】
前記酸化防止剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ  Ｆｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ  ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０７６又はＣｉｂａ  ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）１６８が好適に用いられる。
【００５５】
また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１２９、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １３３０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０、Ｃｉｂａ  Ｃｙａｎｏｘ（登録商標）１７９０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１１４、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１２５等を用いることもできる。
【００５６】
前記酸化防止剤の含有量は、前記樹脂成分１００重量部に対して、０．１〜１０重量部であるのが好ましく、０．５〜５重量部であるのがより好ましい。
【００５７】
また立設部１３を構成する樹脂組成物は、必要によりアクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤等の添加剤等を含んでも良い。
【００５８】
前記シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、単独でも２種以上混合して用いてもよい。
立設部１３を構成する樹脂組成物がシランカップリング剤を含むことにより、パターニング時の密着性向上という効果がある。
【００５９】
ここで、立設部１３を構成する熱分解性の樹脂組成物に含まれる熱分解性の樹脂成分の５０％重量減少温度が４００℃以下、特に、３５０℃以下であることが好ましい。５０％重量減少温度を４００℃以下とすることで、立設部１３を熱分解する際に、半導体チップ１０や封止用樹脂組成物への熱の影響を少なくすることができる。
すなわち、５０％重量減少温度を４００℃以下であれば、加熱時間を調整することで、４００℃を超える加熱を行わずに、立設部１３を熱分解することができる。従って、立設部１３を熱分解する際に、半導体チップ１０や封止材１４への熱の影響を少なくすることができる。
【００６０】
また、立設部１３を構成する熱分解性の樹脂組成物に含まれる熱分解性の樹脂成分の９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、１℃以上３００℃以下であることが好ましい。なかでも、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が５℃以上、２００℃以下であることが好ましい。１℃以上とすることで急激な熱分解反応により大量のアウトガスが発生し、設備が汚染されてしまうのを防止するという効果があり、また、３００℃以下とすることで熱分解に要する時間を短縮できるため、半導体チップ１０や封止材１４へのダメージを抑制することが可能であること、半導体チップ１０に熱分解性の樹脂組成物が残留し難いという効果を両立することができる。
【００６１】
さらに、立設部１３を構成する熱分解性の樹脂組成物に含まれる熱分解性樹脂成分は、５％重量減少温度が５０℃以上、特に１００℃以上である樹脂組成物であることが好ましい。
このようにすることで、半導体装置１の製造プロセス中に立設部１３が不要に、熱分解してしまうことを抑制できる。
【００６２】
ここで、５０％重量減少温度、９５％重量減少温度、５％重量減少温度とは、それぞれＴＧ／ＤＴＡ（熱重量／示差熱分析）で測定した時の５０％、９５％、５％の重量が失われる温度を意味する。ＴＧ／ＤＴＡ測定は、熱分解性の樹脂成分を約１０ｍｇ精秤し、ＴＧ／ＤＴＡ装置（セイコーインスツルメンツ社製）により測定（雰囲気：窒素、昇温速度：５℃／分）することができる。
なお、熱分解性の樹脂成分の５０％重量減少温度を４００℃以下とするためには、たとえば、脂環族や芳香族の骨格を有さない直鎖または分岐状の熱分解性樹脂成分を選択すればよい。
また、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差を１℃以上、３００℃以下とするためには、たとえば、熱分解性の樹脂組成物の樹脂成分の分子量分布を調整すればよい。
さらに、５％重量減少温度を５０℃以上とするためには、たとえば、熱分解性樹脂成分の分子量を調整すればよい。
【００６３】
以上のような樹脂組成物を使用して、立設部１３を設ける方法としては、スピンコート法、スクリーン印刷法、ディスペンス法を用いた塗布方法等がある。
立設部１３をスピンコート法で設ける場合、樹脂組成物を、溶剤を含むものとして、ワニス状とする。そして、スピンコート法により、前記ワニスを基板１１上に塗布する。この場合には、ワニスは、たとえば、基板１１の半導体チップ１０を埋め込むように基板１１上の全面に塗布されるため、立設部１３以外の熱分解性の樹脂組成物を除去する必要がある。熱分解性の樹脂組成物を除去する方法としては、特に限定されるものではないが、ドライエッチングにより除去する方法、現像により除去する方法、加熱により除去する方法等が挙げられる。
【００６４】
前記ドライエッチングにより除去する方法としては、特に限定されるものではないが、立設部１３を形成する部分にレジスト層を形成し、立設部１３を形成する部分以外をドライエッチングし、さらに、レジストを除去することにより立設部１３を形成することができる。ドライエッチングの方法としては、プラズマ、リアクティブイオンエッチング等が挙げられるが、異方性に優れ立設部１３の形状が安定する、リアクティブイオンエッチングが好ましい。
【００６５】
前記現像により除去する方法および加熱により除去する方法を適用する場合、樹脂組成物は光酸発生剤を含有することが好ましい。
【００６６】
現像により除去する方法の場合、化学線で熱分解性の樹脂組成物を露光すると、露光部は現像液に対する溶解性が向上し、未露光部（立設部１３）は現像液に対する溶解性が低下する。この現像液に対する溶解性の差を利用することにより、立設部１３を形成することができる。
【００６７】
前記化学線としては、特に限定されるものではないが、ｉ線、ｇ線等が挙げられる。
また、前記現像液としては、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、ＰＧＭＥＡ等の溶剤、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液等のアルカリ現像液を挙げることができるが、環境に対する負荷の少ない水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液が好ましい。
【００６８】
前記加熱により除去する方法の場合、化学線で熱分解性の樹脂組成物を露光すると、露光部は熱分解温度が低下し、未露光部（立設部１３）は熱分解温度が変化しない。この熱分解温度の差を利用することにより、立設部１３を形成することができる。ここで、化学線としては、現像により除去する方法の場合と同様にｉ線、ｇ線等が挙げられる。
また、立設部１３を設ける方法としては、たとえば、スクリーン印刷法も挙げられる。立設部１３となる樹脂組成物をスクリーン印刷板を介して、基板１１上に塗布する。その後、樹脂組成物を乾燥させて、立設部１３とする。
この時、樹脂組成物は溶剤を含有しない方が好ましく、溶剤を含有しないことにより、乾燥工程を省略することができる。
さらに、立設部１３は、ディスペンサを用いて形成してもよい。立設部１３となる樹脂組成物を溶剤を含むものとし、樹脂組成物をワニス状とする。このワニスを、ディスペンサを用い、立設部１３を形成する部分に配置し、乾燥させて、立設部１３とする。
【００６９】
その後、図３（Ａ）に示すように、半導体チップ１０を封止材１４で封止する。このとき、封止材１４は、半導体チップ１０を完全に埋め込むとともに、立設部１３の周囲を埋め込む。また、封止材１４の基板１１と反対側の面からは、立設部１３の上面が露出するようにする。
なお、本実施形態では、溶融粘度の低い封止材用樹脂組成物を使用し、半導体チップ１０と、基板１１との間に設けられたバンプ１２間の隙間にも封止材用樹脂組成物を充填する。
【００７０】
封止材１４を構成する封止材用樹脂組成物としては、例えば、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物の硬化物を主材料として構成されるものが好ましく用いられる。かかる構成材料で構成される封止材１４は、優れた密着性で半導体チップ１０を封止できるとともに、熱膨張係数を比較的容易に調整することができる。
【００７１】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の３官能型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７２】
これらの中でも、エポキシ樹脂としては、特に、下記一般式（６）で表されるものが好ましく用いられる。下記一般式（６）で表されるエポキシ樹脂は２官能であるため、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は架橋密度が低く抑えられ、熱膨張係数が低く、半田リフロー工程時、すなわち電子装置の加熱時における応力緩和に適しているため、かかる工程時における反りの大きさが小さくなる。また、下記一般式（６）で表されるエポキシ樹脂は、結晶性で低分子量の樹脂であるため溶融粘度が低く、このものを含有するエポキシ樹脂組成物は流動性に優れる。
【００７３】
【化９】
2011064971.tif 000011
【００７４】
［式（６）中、Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｒ８ＣＲ８−の中から選択される基である。Ｒ７は、炭素数１〜６のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、ａは０〜４の整数である。Ｒ８は、水素または炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。］
【００７５】
これらの中でも、前記一般式（６）で表されるエポキシ樹脂は、４，４'−ジグリシドキシビフェニル、または３，３'，５，５'−テトラメチル−４，４'−ジグリシドキシビフェニルおよびこれらの溶融混合物がより好ましく用いられる。これらの化合物は、作業性、実用性のバランスに優れるとともに、封止材１４の熱膨張係数を低く設定することができる。
【００７６】
また、硬化剤としては、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２〜２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、４，４'−ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類；アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７７】
また、これらの中でも、封止材１４の構成材料に用いる硬化剤としては、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく用いられる。かかる硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。かかる化合物を選択することにより、封止材１４の熱膨張係数を低く設定できる。これらの化合物は、耐湿性、信頼性等の観点からも優れた化合物である。
【００７８】
さらに、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する硬化剤としては、特に、下記一般式（７）で表されるフェノール樹脂を用いるのが好ましい。下記一般式（７）で表されるフェノール樹脂は、その基本骨格がノボラック型フェノール樹脂とトリフェノールメタン型フェノール樹脂の構造をあわせもつ。ノボラック型フェノール樹脂を基本骨格として有することにより、構造面で、樹脂骨格の架橋点間距離が短く、良好な硬化性、成形性を発揮するという効果を有している。また、トリフェノールメタン型フェノール樹脂を基本骨格として有することにより、一分子中に３個以上の水酸基を有することになるため、架橋密度が高く、これを用いた樹脂組成物の硬化物を、高Ｔｇで線膨張係数が小さく、また高い強度を有するものとし得るという効果を有している。そのため、下記一般式（７）で表されるフェノール樹脂を使用した樹脂組成物は、良好な硬化性で優れた成形性を持ち、また、成形・硬化後および熱処理後の熱膨張、熱収縮が比較的小さくなるため、半導体装置１において反り量を小さくすることができる。
【００７９】
【化１０】
2011064971.tif 000012
【００８０】
［式（７）中、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１は、炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｂは０〜３の整数、ｃは０〜４の整数、ｄは０〜３の整数である。ｍ、ｎはモル比を表し、０<ｍ<１、０<ｎ<１で、ｍ＋ｎ＝１である。］
【００８１】
また、上記一般式（７）中のｍとｎとのモル比（ｍ／ｎ）は、１／５〜５／１であるのが好ましく、１／２〜２／１であるのがより好ましい。これにより、ノボラック型フェノール樹脂およびノボラック型フェノール樹脂の双方が含まれることにより得られる効果を相乗的に発揮させることができる。
【００８２】
なお、前記一般式（７）で表されるフェノール樹脂の具体例としては、例えば、下記式（８）に示すものが挙げられる。
【００８３】
【化１１】
2011064971.tif 000013
【００８４】
［ただし、式（８）中、ｍ、ｎはモル比を表し、０<ｍ<１、０<ｎ<１で、ｍ＋ｎ＝１である。］
【００８５】
また、封止材１４に含まれる無機充填材としては、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ等のシリカ；アルミナ；チタンホワイト；水酸化アルミニウム；タルク；クレー；マイカ；ガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。これにより、封止材１４の熱膨張係数を低く設定することができる。
【００８６】
なお、粒子形状は限りなく真球状であることが好ましい。さらに、粒子の大きさの異なるものを混合することにより無機充填量を多くすることができるが、その粒径としては、半田バンプ１２の周辺への充填性を考慮すると０．０１μｍ以上、１５０μｍ以下であることが好ましい。
【００８７】
さらに、封止材１４を構成する前記樹脂組成物には、エポキシ樹脂、硬化剤および無機充填材の他に、シランカップリング剤、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物、硬化促進剤が含まれていても良い。
【００８８】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。このようなシランカップリング剤が樹脂組成物に含まれることにより、エポキシ樹脂と無機充填剤との間で反応が生じるため、エポキシ樹脂と無機充填剤との界面強度を向上させることができる。
【００８９】
エポキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランおよびβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。アミノシランとしては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−６−（アミノヘキシル）３−アミノプロピルトリメトキシシランおよびＮ−（３−（トリメトキシシリルプロピル）−１，３−ベンゼンジメタナン等が挙げられる。また、ウレイドシランとしては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられ、メルカプトシランとしては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランが挙げられる。
【００９０】
なお、シランカップリング剤は、後述する芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（以下、かかる化合物を「水酸基結合化合物」と言うこともある）との相乗効果により、樹脂組成物の粘度を下げ、流動性を向上させる効果を有するため、樹脂組成物中に水酸基結合化合物が含まれる場合には、水酸基結合化合物を添加することにより得られる効果を十分に発揮させるためにはシランカップリング剤も含まれる構成とするのが好ましい。これにより、比較的粘度が高い樹脂を多く配合した場合や、無機充填剤を多量に配合した場合においても、封止材１４を構成する樹脂組成物として充分な流動性を発揮させることが出来る。
【００９１】
また、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（水酸基結合化合物）としては、特に限定されないが、例えば、下記一般式（９）で表される化合物、下記一般式（１０）で表される化合物等が挙げられる。なお、水酸基結合化合物中には、水酸基以外の置換基を有していてもよい。
【００９２】
【化１２】
2011064971.tif 000014
【００９３】
［式（９）中、Ｒ１２、Ｒ１６は、いずれか一方が水酸基であり、一方が水酸基の場合、他方は水素、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基である。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５は、水素、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。］
【００９４】
【化１３】
2011064971.tif 000015
【００９５】
［式（１０）中、Ｒ１７、Ｒ２３は、いずれか一方が水酸基であり、一方が水酸基の場合、他方は水素、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基である。Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２は水素、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。］
【００９６】
なお、一般式（９）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記式（１１）で表されるカテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルおよびこれらの誘導体が挙げられる。また、一般式（１０）で表される化合物の具体例としては、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、下記式（１２）で表される２，３−ジヒドロキシナフタレンおよびこれらの誘導体が挙げられる。これらの化合物は１種類を単独で用いても良いし、２種以上を組み合わせて用いるようにしても良い。これらのうち、流動性と硬化性の制御のしやすさ、低揮発性の点から主骨格がナフタレン環である化合物（すなわち、１、２−ジヒドロキシナフタレン、２、３−ジヒドロキシナフタレンおよびその誘導体）がより好ましく選択される。
【００９７】
【化１４】
2011064971.tif 000016
【００９８】
【化１５】
2011064971.tif 000017
【００９９】
さらに、硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケンおよびその誘導体；トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物；２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート；ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
また、前記封止材用樹脂組成物は、上記の構成材料の他に、さらに必要に応じて、カーボンブラック等の着色剤；カルナバワックス等の天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸またはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等の離型剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤；ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤；水酸化アルミニウム等の難燃剤；酸化防止剤等の各種添加剤を含有していてもよい。
その後、封止材用樹脂組成物をトランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形、硬化させ、封止材１４とする。成形方法としては、特に限定されないが、立設部１３の位置ずれ、剥離を防止する観点から、コンプレッションモールドが好ましい。
ここで、基板面側からみて、封止材１４は、基板１１と同じ大きさ形状であり、封止材１４は、基板１１を完全に覆っている。封止材１４の側面と、基板１１の側面とはつらいちである。これにより、反りの発生しにくい半導体装置１とすることができる。
【０１０１】
次に、基板１１、立設部１３、半導体チップ１０、封止材１４を含んで構成される構造体（図３（Ａ）に示される構造体）を加熱し、立設部１３の熱分解を行う。これにより、図３（Ｂ）に示すように、立設部１３が除去され、孔１４１が形成されることとなる。
前記構造体の加熱温度は、立設部１３の熱分解温度によるが、たとえば、１００℃〜３００℃であることが好ましく、さらに、１２０〜２５０℃であることが好ましく、１５０〜２００℃であることが特に好ましい。
前記構造体は、オーブン、ホットプレート上で加熱される。
なお、立設部１３が除去されることで形成される孔１４１の底部には、基板１１の導体回路層が露出することとなる。また、仮に、孔１４１の底部に立設部１３の残渣が残った場合は、立設部１３を加熱除去した後に、ウェット洗浄やドライ洗浄で残渣を除去することができる。ウェット洗浄方法としては、アセトン、メチルエチルケトン、γ―ブチロラクトン、ポリエチレングリコールメチルエーテルアセテート等の溶剤で洗浄することができる。また、ドライ洗浄方法としては、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等の方法により残渣を除去することができる。
【０１０２】
その後、図４（Ａ）に示すように、孔１４１内に導電体１５を設ける。導電体１５としては、たとえば、半田ボール等の金属粒子があげられる。導電体１５と基板１１の導体回路層とをあらかじめ、導電体１５の融点以上で加熱しておき、導電体１５を孔１４１内に配置して導電体１５と導体回路層とを接合することが好ましい。
また、図４（Ｂ）に示すように、孔１４１内に導電体１５を充填してもよい。導電体１５としては、たとえば、半田ペースト、銅ペースト等の導電ペーストがあげられる。
さらに、図５（Ａ）に示すように、孔１４１の表面に膜状の導電体１５を形成し、導電体１５の内側に絶縁性樹脂組成物１７を充填してもよい。孔１４１内に膜状の導電体１５を形成した場合には、図５（Ｂ）に示すように、上段の半導体装置３の半田ボール３３を孔１４１内に入れ、導電体１５と半田ボール３３とが接触するようにすればよい。
また、孔１４１の表面に膜状の導電体を形成し、さらに、導電体の内側を半田ペースト、銅ペースト等の導電ペースト（導電体）で充填する方法もあげられる。
導電体１５は、導体回路層に直接接触することとなる。
膜状の導電体１５を形成する場合には、導電体１５は、下地層、中間層、表面層を有するものとするとができ、たとえば、下地層として、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ層を孔１４１内面にスパッタリングで形成し、その後、メッキにより、中間層としてのＣｕ層を形成し、さらに、表面層として、Ｎｉ／Ａｕメッキをする方法が挙げられる。
以上の工程により、半導体装置１が得られることとなる。
その後、図６（Ａ）に示すように、半導体装置１上に他の半導体装置３を搭載する。他の半導体装置３は基板３１と、基板３１上に搭載された半導体チップ３２とを備える。半導体装置３の基板３１の裏面には、金属電極として半田ボール３３が設けられており、半田ボール３３と、導電体１５とが接触するように、半導体装置１上に他の半導体装置３を搭載する。その後、半導体装置１および半導体装置３で構成される積層体を加熱し、半田ボール３３と、導電体１５とを接合する。これにより、半導体パッケージが得られる。
次に、図６（Ｂ）に示すように、半導体装置１の基板１１の裏面に半田バンプ１６を形成する。そして、この半田バンプ１６を介して、半導体パッケージが実装基板に実装される。
【０１０３】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態では、基板１１上に熱分解性の立設部１３を設け、立設部１３の周囲を覆うとともに、表面から立設部１３の一部が露出するように、封止材１４を設けている。
その後、立設部１３を加熱し、熱分解することで、封止材１４に孔１４１を形成している。
そのため、レーザ光により基板１１表面を削ってしまうことがなく、信頼性の高い半導体装置１を得ることができる。
【０１０４】
また、本実施形態では、立設部１３は、熱分解性の樹脂組成物で構成され、熱分解温度、すなわち、５０％重量減少温度が４００℃以下であるため、熱分解させやすい。これにより、孔１４１内に立設部１３の残渣が存在してしまうことを抑制することができる。そのため、信頼性の高い半導体装置１を得ることができる。
特に立設部１３の熱分解性の樹脂組成物を構成する熱分解性の樹脂として、ポリカーボネート系樹脂を使用することで、比較的低温で熱分解できる。
【０１０５】
さらに、立設部１３をディスペンス法により形成することで、立設部１３の高さ寸法を確保でき、立設部１３の基板１１表面からの高さ寸法を半導体チップ１０の厚みよりも大きいものとすることができる。これにより、封止材１４を貫通する孔１４１を確実に形成することができる。
【０１０６】
さらに、本実施形態では、封止材１４を基板１１と半導体チップ１０との間に配置されたバンプ１２間に注入している。これにより、バンプ１２間にアンダーフィルを充填する必要がなく、半導体装置１の製造工程を簡略化することができる。
【０１０７】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、半導体チップ１０は、半田バンプ１２を介して基板１１に接続されていたが、これに限らず、ワイヤにより、半導体チップ１０と基板１１とを接続してもよい。
さらに、前記実施形態では、封止材用樹脂組成物を半導体チップ１０と、基板１１との間に設けられたバンプ１２間の隙間に充填していたが、これに限られるものではない。図７に示すように、半導体チップ１０と、基板１１との間に設けられたバンプ１２間の隙間にアンダーフィル２１を充填してもよい。その後、第一実施形態と同様の方法で半導体パッケージを製造すればよい。
【実施例】
【０１０８】
次に、本発明の実施例について説明する。
[実験例１]
前述した実施形態と同様の方法で、立設部を形成するとともに、封止材を貫通する孔を形成した。具体的には以下の通りである。
<１，４−ポリブチレンカーボネート樹脂の合成>
攪拌機、原料仕込み口、及び窒素ガス導入口を備えた三口フラスコに１，４−ブタンジオール（１６８ｇ、１．８６４ｍｏｌ）と炭酸ジエチル（２６４．２ｇ、２．２３６ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で９０〜１００℃で加熱し、混合物を溶解した。次いで、２０％ナトリウムエトキシドエタノール溶液（８０ｍｌ、０．１８６ｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下、９０〜１００℃で１時間攪拌した。その後、反応容器内を３０ｋＰａ程度減圧し、９０〜１００℃で１時間、１２０℃で１時間攪拌した。その後、更に、０．１ｋＰａの真空下、１５０℃で１時間、１８０℃で２時間攪拌した。【０１０９】
上記で得られた反応物をテトラヒドロフラン（２Ｌ）に溶解させ、ろ過を行い、触媒残渣を除去した。その後、その濾液を蒸留水／メタノール＝１／９の溶液（２０Ｌ）に投入、沈殿物を回収し、さらに、蒸留水／メタノール＝１／９の溶液（１０Ｌ）で充分に洗浄し、１２５ｇの１，４−ポリブチレンカーボネート（収率４８％）を得た。
合成した１，４−ポリブチレンカーボネートをＧＰＣにより重量平均分子量を測定したところ、３５，０００であった。
このようにして得られた１，４−ポリブチレンカーボネートの５０％重量減少温度は３１１℃であった。また、１，４−ポリブチレンカーボネートの９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差は、３４℃であった。さらに、１，４−ポリブチレンカーボネートの５％重量減少温度は２７７℃であった。
５０％重量減少温度、９５％重量減少温度、５％重量減少温度とは、それぞれＴＧ／ＤＴＡ（熱重量／示差熱分析）で測定した時の５０％、９５％、５％の重量が失われる温度を意味する。ＴＧ／ＤＴＡ測定は、１，４−ポリブチレンカーボネートを約１０ｍｇ精秤し、ＴＧ／ＤＴＡ装置（セイコーインスツルメンツ社製）により測定（雰囲気：窒素、昇温速度：５℃／分）した。【０１１０】
<熱分解性の樹脂組成物の作製>
得られた１，４−ポリブチレンカーボネート１００ｇ、光酸発生剤としてＲｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４（ＦＡＢＡ）（ローディアジャパン（株）社製  Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４）５ｇ、増感剤として１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン（英Ｌａｍｂｓｏｎ社製  ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＣＰＴＸ（商品名））１．５ｇをアニソール（溶剤）１５９．８ｇに溶解し、樹脂濃度４０％の熱分解性の樹脂組成物を作製した。
<立設部の作製>
得られた樹脂濃度４０％の熱分解性の樹脂組成物を、ディスペンサ（Ａｓｙｍｔｅｋ社製、型番：ＤＶ−０１）により、表面の四隅に金パッドを有するＦＲ−４基板（３５ｍｍ角、）上にディスペンスした。さらに、１００℃、３０分間の条件で乾燥することにより、アニソールを揮散させ６００μｍ角、厚さ３００μｍの立設部を形成した。【０１１１】
<封止材の作製>
次に、ＦＲ−４基板全面を立設部の一部が露出するように、封止材用樹脂組成物を圧縮成形（成形温度：１２５℃、成形圧力：５．９ＭＰａ）し、立設部の周囲が厚さ３００μｍの封止材で覆われた評価用サンプルを得た。
封止材としては、ＥＭＥ−７３５１（住友ベークライト社製）の材料を使用した。
なお、立設部の上面は、封止材から露出している。【０１１２】
<封止材の硬化、立設部の除去（孔の形成）>
次に、評価用サンプルをオーブンに投入し、１７５℃、８時間の条件で封止材を熱硬化させるとともに熱分解性の樹脂組成物を熱分解させた。
得られたサンプルの孔を実体顕微鏡で観察したところ、基板表面に形成されている金パッドの表面および孔の壁面に熱分解性の樹脂組成物の残渣は確認されなかった。
このようにして立設部が除去された孔内に導電体を設けることで、半導体装置を得ることができる。【０１１３】
[実験例２]  
<熱分解性の樹脂組成物の作製>
実施例１で得られた１，４−ポリブチレンカーボネートをアニソール（溶剤）１５０ｇに溶解し、樹脂濃度４０％の熱分解性の樹脂組成物を作製した。
<立設部の作製、封止材の作製、封止材の硬化>
実施例１と同様に立設部の作製、封止材の作製、封止材の硬化を行った。
<立設部の除去（孔の形成）>
さらに、評価用サンプルに３２０℃、３０分の熱履歴を加え、立設部を構成している熱分解性の樹脂組成物を熱分解させた。
得られたサンプルの孔を実体顕微鏡で観察したところ、基板表面に形成されている金パッドの表面および孔の壁面に熱分解性の樹脂組成物の残渣は確認されなかった。
このようにして立設部が除去された孔内に導電体を設けることで、半導体装置を得ることができる。【０１１４】
なお、上記実施例では、立設部を構成する熱分解性の樹脂成分として、１，４−ポリブチレンカーボネートを使用したが、ポリプロピレンカーボネート等を使用した場合であっても、同様に、２５０℃、１時間で熱分解可能であり、実施例１と同様、半導体装置を得ることができることがわかっている。【０１１５】
この出願は、２００９年１１月２７日に出願された日本特許出願特願２００９−２７０１１０を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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