【手続補正書】
【提出日】令和3年11月22日(2021.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するためのシステムであって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置されているチャックアセンブリであって、
基板支持体と、
前記基板支持体を傾斜させるための傾斜アセンブリと、
前記基板支持体を回転させるための回転アセンブリと、備える、チャックアセンブリと、
前記チャンバに接続され、前記チャックアセンブリの前記基板支持体の方向に向けられているイオン源であって、プラズマが点火された時にイオンを生成するよう構成されている、イオン源と、
一方の側で前記チャンバと接続され、他方の側で前記イオン源と接続されているグリッドシステム、とを備え前記グリッドシステムは、前記イオン源からイオンを抽出してイオンビームを形成するための孔の配列を備え、前記グリッドシステムは、前記イオンビームが前記チャンバ内へ方向付けられ前記基板支持体に向かうように配置され、前記グリッドシステムの前記孔の配列は、ｙ軸によって垂直に規定され、ｘ軸によって水平に規定されており、前記孔の配列は、前記ｙ軸において垂直に規定されたエネルギ密度勾配を前記イオンビームに持たせるように前記ｙ軸において垂直方向に変化する孔密度によって規定されている、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、複数の部分を備え、各部分は、前記ｙ軸に沿う上側部分が前記ｙ軸に沿う下側部分よりも低い孔密度を有するように、水平に配置されている、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは複数の部分を備え、各部分は、前記ｙ軸に沿う下側部分が前記ｙ軸に沿う上側部分よりも高い孔密度を有するように、異なる孔密度を有し、前記複数の部分の各々は、前記ｘ軸に沿う水平領域として規定されている、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、少なくとも３つの部分を備え、前記少なくとも３つの部分の各々は、前記少なくとも３つの部分の最上部分よりも高い孔密度を有する前記少なくとも３つの部分の最下部分によって規定されている異なる孔密度を有する、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、２つの部分を備え、各部分は異なる孔密度を有し、前記ｙ軸に沿う前記２つの部分の下側部分は、前記２つの部分の上側部分よりも高い孔密度を有する、システム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、前記孔の配列は、さらに、前記イオンビームが、水平方向に変化しないエネルギ密度によって特徴付けられるように、前記ｘ軸において水平方向に変化しない孔密度によって規定されている、システム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであって、前記孔の配列の前記孔密度は、ｙ座標が正方向に大きくなるにつれて減少するエネルギ密度によって前記イオンビームが特徴付けられるように、前記ｙ座標が正方向に大きくなるにつれて減少するように規定されている、システム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、前記グリッドシステムの幅にわたって水平に伸びる複数の部分によって規定され、前記複数の部分は、前記グリッドシステムを垂直方向に分割し、各部分は、各部分内の複数の孔のための孔密度を規定する、システム。
【請求項９】
請求項８に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、第１部分および第２部分によって規定され、前記第１部分は、前記第２部分よりも前記ｙ軸の正の方向にあり、前記第１部分は、複数の第１孔を規定し、前記第２部分は、複数の第２孔を規定し、前記複数の第２孔は、前記複数の第１孔よりも前記グリッドシステムにおいて高い密度を有するように規定されている、システム。
【請求項１０】
請求項８に記載のシステムであって、前記複数の部分は、前記複数の部分の各々に関連付けられているｙ座標が正方向に大きくなるにつれて減少するそれぞれの孔密度を規定する、システム。
【請求項１１】
請求項１に記載のシステムであって、前記基板支持体は、前記基板支持体の第１領域が前記基板支持体の第２領域よりも前記グリッドシステムに近くなるように傾斜され、前記基板支持体の前記第１領域および前記第２領域は、垂直方向に変化する孔密度によって規定されている前記孔の配列によって少なくとも部分的に引き起こされる前記イオンビームの同等のエネルギ密度を経験する、システム。
【請求項１２】
請求項１に記載のシステムであって、前記イオン源は、さらに、前記プラズマが、負のｙ方向におけるより高い電子密度および正のｙ方向におけるより低い電子密度によって特徴付けられるように、磁場勾配を引き起こす区分磁気システムを備える、システム。
【請求項１３】
基板を処理するためのシステムであって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置されているチャックアセンブリであって、
基板支持体と、
前記基板支持体を傾斜させるための傾斜アセンブリと、
前記基板支持体を回転させるための回転アセンブリと、備える、チャックアセンブリと、
前記チャンバに接続され、前記チャックアセンブリの前記基板支持体の方向に向けられているイオン源であって、プラズマが点火された時にイオンを生成するよう構成されている、イオン源と、
一方の側で前記チャンバと接続され、他方の側で前記イオン源と接続されているグリッドシステムとを備え、前記グリッドシステムは、前記イオン源からイオンを抽出してイオンビームを形成するための孔の配列を備え、前記グリッドシステムは、前記イオンビームが前記チャンバ内へ方向付けられ前記基板支持体に向かうように配置され、前記グリッドシステムは、電圧について個別に制御される複数の部分によって規定され、前記イオンビームのエネルギ密度が、前記グリッドシステムの前記複数の部分のそれぞれの電圧によって規定されている、システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、ｙ軸によって垂直に規定され、ｘ軸によって水平に規定されており、前記複数の部分の前記それぞれの電圧は、前記グリッドシステムのために電圧勾配が生成されるように、前記部分の各々に関連付けられているｙ座標が増大するにつれて低くされ、前記グリッドシステムの前記電圧勾配は、さらに、前記ｙ座標が増大するにつれて、前記イオンビームの前記エネルギ密度を減少させる、システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムであって、前記基板支持体は、前記基板支持体の第１領域が前記基板支持体の第２領域よりも前記グリッドシステムに近くなるように傾斜され、前記基板支持体の前記第１領域および前記第２領域は、前記グリッドシステムの電圧勾配によって少なくとも部分的に引き起こされる前記イオンビームの同等のエネルギ密度を経験する、システム。
【請求項１６】
請求項１３に記載のシステムであって、前記複数の部分の各々のための前記それぞれの電圧は、リアルタイムで個別に制御される、システム。
【請求項１７】
請求項１３に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、前記孔の配列の各孔が電圧について個別に規定可能になるように、前記各孔が前記複数の部分の個々の部分に関連付けられているように構成されている、システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のシステムであって、各孔は、それぞれのビームレットに関連付けられており、各それぞれのビームレットは、ビームレットエネルギについて個別に規定可能である、システム。
【請求項１９】
請求項１３に記載のシステムであって、前記グリッドシステムの前記複数の部分の前記それぞれの電圧は、ｙ軸上側により近い部分ではより少ない正電圧、および、ｙ軸下側により近い部分ではより多くの正電圧を設定するように制御されている、システム。
【請求項２０】
請求項１９に記載のシステムであって、前記部分の各々は、前記グリッドシステムにわたって水平に配置されている、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、開示した実施形態の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。本発明の処理、システム、および、装置を実施する多くの他の方法が存在することに注意されたい。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されない。
［適用例１］基板を処理するためのシステムであって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置されているチャックアセンブリであって、
基板支持体と、
前記基板支持体を傾斜させるための傾斜アセンブリと、
前記基板支持体を回転させるための回転アセンブリと、備える、チャックアセンブリと、
前記チャンバに接続され、前記チャックアセンブリの前記基板支持体の方向に向けられているイオン源であって、プラズマが点火された時にイオンを生成するよう構成されている、イオン源と、
一方の側で前記チャンバと接続され、他方の側で前記イオン源と接続されているグリッドシステム、とを備え前記グリッドシステムは、前記イオン源からイオンを抽出してイオンビームを形成するための孔の配列を備え、前記グリッドシステムは、前記イオンビームが前記チャンバ内へ方向付けられ前記基板支持体に向かうように配置され、前記グリッドシステムの前記孔の配列は、ｙ軸によって垂直に規定され、ｘ軸によって水平に規定されており、前記孔の配列は、前記ｙ軸において垂直に規定されたエネルギ密度勾配を前記イオンビームに持たせるように前記ｙ軸において垂直方向に変化する孔サイズによって規定されている、システム。
［適用例２］適用例１に記載のシステムであって、前記孔の配列は、さらに、前記イオンビームが、水平方向に変化しないエネルギ密度によって特徴付けられるように、前記ｘ軸において水平方向に変化しない孔サイズによって規定されている、システム。
［適用例３］適用例１に記載のシステムであって、前記孔の配列の前記孔サイズは、ｙ座標が正方向に大きくなるにつれて減少するエネルギ密度によって前記イオンビームが特徴付けられるように、前記ｙ座標が正方向に大きくなるにつれて減少するように規定されている、システム。
［適用例４］適用例１に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、前記グリッドシステムの幅にわたって水平に伸びる複数の部分によって規定され、前記複数の部分は、前記グリッドシステムを垂直方向に分割し、各部分は、各部分内の複数の孔のための孔サイズを規定する、システム。
［適用例５］適用例４に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、第１部分および第２部分によって規定され、前記第１部分は、前記第２部分よりも前記ｙ軸の正の方向にあり、前記第１部分は、複数の第１孔を規定し、前記第２部分は、複数の第２孔を規定し、前記複数の第２孔は、前記複数の第１孔よりもサイズが大きく規定されている、システム。
［適用例６］適用例４に記載のシステムであって、前記複数の部分は、前記複数の部分の各々に関連付けられているｙ座標が正方向に大きくなるにつれて減少するそれぞれの孔サイズを規定する、システム。
［適用例７］適用例１に記載のシステムであって、前記基板支持体は、前記基板支持体の第１領域が前記基板支持体の第２領域よりも前記グリッドシステムに近くなるように傾斜され、前記基板支持体の前記第１領域および前記第２領域は、垂直方向に変化する孔サイズによって規定されている前記孔の配列によって少なくとも部分的に引き起こされる前記イオンビームの同等のエネルギ密度を経験する、システム。
［適用例８］適用例１に記載のシステムであって、前記イオン源は、さらに、前記プラズマが、負のｙ方向におけるより高い電子密度および正のｙ方向におけるより低い電子密度によって特徴付けられるように、磁場勾配を引き起こす区分磁気システムを備える、システム。
［適用例９］基板を処理するためのシステムであって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置されているチャックアセンブリであって、
基板支持体と、
前記基板支持体を傾斜させるための傾斜アセンブリと、
前記基板支持体を回転させるための回転アセンブリと、備える、チャックアセンブリと、
前記チャンバに接続され、前記チャックアセンブリの前記基板支持体の方向に向けられているイオン源であって、プラズマが点火された時にイオンを生成するよう構成されている、イオン源と、
一方の側で前記チャンバと接続され、他方の側で前記イオン源と接続されているグリッドシステムとを備え、前記グリッドシステムは、前記イオン源からイオンを抽出してイオンビームを形成するための孔の配列を備え、前記グリッドシステムは、前記イオンビームが前記チャンバ内へ方向付けられ前記基板支持体に向かうように配置され、前記グリッドシステムの前記孔の配列は、ｙ軸によって垂直に規定され、ｘ軸によって水平に規定されており、前記孔の配列は、前記ｙ軸において垂直に規定されたエネルギ密度勾配を前記イオンビームに持たせるように前記ｙ軸において垂直方向で変化する孔密度によって規定されている、システム。
［適用例１０］適用例９に記載のシステムであって、前記孔の配列は、さらに、前記イオンビームが、水平方向に変化しないエネルギ密度によって特徴付けられるように、前記ｘ軸において水平方向で変化しない孔密度によって規定されている、システム。
［適用例１１］適用例９に記載のシステムであって、前記孔の配列の前記孔密度は、ｙ座標が正方向に大きくなるにつれて減少するエネルギ密度によって前記イオンビームが特徴付けられるように、前記ｙ座標が正方向に大きくなるにつれて減少するように規定されている、システム。
［適用例１２］適用例９に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、前記グリッドシステムの幅にわたって水平に伸びる複数の部分によって規定され、前記複数の部分は、前記グリッドシステムを垂直方向で分割し、各部分は、各部分内の複数の孔のための孔密度を規定する、システム。
［適用例１３］適用例１２に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、第１部分および第２部分によって規定され、前記第１部分は、前記第２部分よりも前記ｙ軸の正の方向にあり、前記第１部分は、複数の第１孔を規定し、前記第２部分は、複数の第２孔を規定し、前記複数の第２孔は、前記複数の第１孔よりも高い密度を前記グリッドシステムにおいて有するように規定されている、システム。
［適用例１４］適用例１２に記載のシステムであって、前記複数の部分は、前記複数の部分の各々に関連付けられているｙ座標が正方向に大きくなるにつれて減少するそれぞれの孔密度を規定する、システム。
［適用例１５］適用例９に記載のシステムであって、前記基板支持体は、前記基板支持体の第１領域が前記基板支持体の第２領域よりも前記グリッドシステムに近くなるように傾斜され、前記基板支持体の前記第１領域および前記第２領域は、垂直方向に変化する孔密度によって規定されている前記孔の配列によって少なくとも部分的に引き起こされる前記イオンビームの同等のエネルギ密度を経験する、システム。
［適用例１６］適用例９に記載のシステムであって、前記イオン源は、さらに、前記プラズマが、負のｙ方向におけるより高い電子密度および正のｙ方向におけるより低い電子密度によって特徴付けられるように、磁場勾配を引き起こす区分磁気システムを備える、システム。
［適用例１７］基板を処理するためのシステムであって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置されているチャックアセンブリであって、
基板支持体と、
前記基板支持体を傾斜させるための傾斜アセンブリと、
前記基板支持体を回転させるための回転アセンブリと、備える、チャックアセンブリと、
前記チャンバに接続され、前記チャックアセンブリの前記基板支持体の方向に向けられているイオン源であって、プラズマが点火された時にイオンを生成するよう構成されている、イオン源と、
一方の側で前記チャンバと接続され、他方の側で前記イオン源と接続されているグリッドシステムとを備え、前記グリッドシステムは、前記イオン源からイオンを抽出してイオンビームを形成するための孔の配列を備え、前記グリッドシステムは、前記イオンビームが前記チャンバ内へ方向付けられ前記基板支持体に向かうように配置され、前記グリッドシステムは、電圧について個別に制御される複数の部分によって規定され、前記イオンビームのエネルギ密度が、前記グリッドシステムの前記複数の部分のそれぞれの電圧によって規定されている、システム。
［適用例１８］適用例１７に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、ｙ軸によって垂直に規定され、ｘ軸によって水平に規定されており、前記複数の部分の前記それぞれの電圧は、前記グリッドシステムのために電圧勾配が生成されるように、前記部分の各々に関連付けられているｙ座標が増大するにつれて低くされ、前記グリッドシステムの前記電圧勾配は、さらに、前記ｙ座標が増大するにつれて、前記イオンビームの前記エネルギ密度を減少させる、システム。
［適用例１９］適用例１８に記載のシステムであって、前記基板支持体は、前記基板支持体の第１領域が前記基板支持体の第２領域よりも前記グリッドシステムに近くなるように傾斜され、前記基板支持体の前記第１領域および前記第２領域は、前記グリッドシステムの電圧勾配によって少なくとも部分的に引き起こされる前記イオンビームの同等のエネルギ密度を経験する、システム。
［適用例２０］適用例１７に記載のシステムであって、前記複数の部分の各々のための前記それぞれの電圧は、リアルタイムで個別に制御される、システム。
［適用例２１］適用例１７に記載のシステムであって、前記グリッドシステムは、前記孔の配列の各孔が電圧について個別に規定可能になるように、前記各孔が前記複数の部分の個々の部分に関連付けられているように構成されている、システム。
［適用例２２］適用例２１に記載のシステムであって、各孔は、それぞれのビームレットに関連付けられており、各それぞれのビームレットは、ビームレットエネルギについて個別に規定可能である、システム。