(57)【要約】  低いＧＡ値を得ることできる情報記録媒体用ガラス基板を提供することを目的とし、表面の算術平均うねりＷａが０．６ｎｍ未満であり、且つ、径方向であって、測定波長が８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．０１ｎｍ未満である。
2011033948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の算術平均うねりＷａが０．６ｎｍ未満であり、
且つ、径方向であって、測定波長が８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．０１ｎｍ未満であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
【請求項２】
前記算術平均うねりＷａが０．５５ｎｍ未満であり、且つ、前記微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．００７ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の表面に磁性膜を有することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項４】
研磨機の定盤の加重が６００ｋｇ／ｍ２以下であり、且つ、回転数が１０ｒｐｍ以下である研磨工程を有し、
前記研磨工程後の表面の算術平均うねりＷａが０．６ｎｍ未満であり、
且つ、径方向であって、測定波長が８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．０１ｎｍ未満であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記算術平均うねりＷａが０．５５ｎｍ未満であり、且つ、前記微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．００７ｎｍ未満であることを特徴とする請求項４に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体用ガラス基板、情報記録媒体及び情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報記録媒体である磁気ディスク等の磁気記録媒体用基板としてはアルミニウム基板が広く用いられてきたが、磁気ディスクの小型、高密度記録化に伴い、アルミニウム基板に比べ強度及び記録面の平坦性に優れたガラス基板に置き換わりつつある。【０００３】
近年、記録密度向上のために磁気ヘッド浮上量（グライド・ハイト）の低減が求められており、この要求に答えるには、磁気記録媒体の表面、すなわち磁気記録媒体用ガラス基板の表面を極めて均一な面として仕上げる必要がある。【０００４】
特許文献１においては、微小うねりが、周期０．１ｍｍ〜５ｍｍ、振幅０．１ｎｍ〜１ｎｍである磁気ディスクが開示されている。【０００５】
特許文献２においては、測定波長５．０ｍｍで測定した場合の表面上のうねりの振幅Ｗａが０．１ｎｍ〜０．５ｎｍの範囲であって、測定波長３０μｍ〜２００μｍで測定した場合の前記うねり上に形成された微小うねりの平均振幅Ｗｂが０．３ｎｍ以下であり、微小うねりの平均振幅Ｗｂをうねりの振幅Ｗａで除した値Ｗｂ／Ｗａが０．６以上である磁気ディスク用基板が開示されている。【０００６】
磁気ヘッド浮上量の評価は、グライドアバランチの値（ＧＡ値）で示される場合がある（例えば、特許文献３）。磁気記録媒体は、ＧＡ値がより小さくなると、高記録密度に適したものとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２０７７３３号公報
【特許文献２】特開２００７−１６４９１６号公報
【特許文献３】特開２００３−１７３５１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載されている磁気ディスク又は磁気ディスク基板の形状を規定している条件を満たしている場合であっても、所望する低いＧＡ値を得られない。【０００９】
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、低いＧＡ値を得ることできる情報記録媒体用ガラス基板、その情報記録媒体用ガラス基板を用いた情報記録媒体、及び、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題は、以下の構成により解決される。【００１１】
１．表面の算術平均うねりＷａが０．６ｎｍ未満であり、
且つ、径方向であって、測定波長が８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．０１ｎｍ未満であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。【００１２】
２．前記算術平均うねりＷａが０．５５ｎｍ未満であり、且つ、前記微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．００７ｎｍ未満であることを特徴とする前記１に記載の情報記録媒体用ガラス基板。【００１３】
３．前記１又は２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の表面に磁性膜を有することを特徴とする情報記録媒体。【００１４】
４．研磨機の定盤の加重が６００ｋｇ／ｍ２以下であり、且つ、回転数が１０ｒｐｍ以下である研磨工程を有し、
前記研磨工程後の表面の算術平均うねりＷａが０．６ｎｍ未満であり、
且つ、径方向であって、測定波長が８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．０１ｎｍ未満であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。【００１５】
５．前記算術平均うねりＷａが０．５５ｎｍ未満であり、且つ、前記微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．００７ｎｍ未満であることを特徴とする前記４に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、低いＧＡ値を得ることができる情報記録媒体用ガラス基板、その情報記録媒体用ガラス基板を用いた情報記録媒体、及び、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】情報記録媒体用ガラス基板の全体を示す図である。
【図２】情報記録媒体用ガラス基板の表主表面の上に磁性膜を備えている磁気記録媒体の例を示す図である。
【図３】ガラス基板の断面の拡大図であり、（ａ）はガラス基板表面のうねり及び微小うねりを示す図であり、（ｂ）はうねりの一部を拡大して略一周期の微小うねりを示す図である。
【図４】磁気ディスクの表面形状とヘッドの動く軌跡を模式的に示す図であり、（ａ）は微小うねりの測定波長Ｌ１が１２０μｍを超える場合を示し、（ｂ）は微小うねりの測定波長Ｌ２が８０μｍ未満の場合を示す。
【図５】情報記録媒体用ガラス基板の製造工程を説明する製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明を実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限らない。
【００１９】
図１は、本発明に係わる情報記録媒体である磁気ディスクの基板である情報記録媒体用ガラス基板１（以降、ガラス基板１とも称する。）の全体構成を示している。図１に示す様に、ガラス基板１は、中心に孔５が形成されたドーナツ状の円板形状をしている。１０ｔは外周端面、２０ｔは内周端面、７ａは表主表面、７ｂは裏主表面を示している。また、図２は、図１で示したガラス基板１の表主表面７ａの上に磁性膜２を備えている磁気記録媒体（磁気ディスクＤとも言う。）の一例を示す図である。磁性膜２は裏主表面７ｂの上にも設けることができる。
【００２０】
ガラス基板の断面の拡大図を図３（ａ）、（ｂ）に示す。図３（ａ）の実線がガラス基板の表面形状を示す測定断面曲線１１である。また、破線はガラス基板の表面のうねりを表すうねり曲線１２である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の一部を拡大した図であり、うねり曲線１２の上に発生している粗さ曲線である微小うねり曲線１３を表し、Ｌは、測定波長を示す。
【００２１】
ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）においては、ヘッドが磁気ディスク上を行き交う際に磁気により情報を読み書きしている。磁気ディスクが高記録密度に対応できるためには、ヘッドが低浮上量状態で記録再生することができることが必要である。磁気ディスクの検査において、ヘッドの浮上高さを評価する方法として、グライドアバランチ値（ＧＡ値）の測定がある。
【００２２】
本実施の形態のＧＡ値は、検査用磁気ディスクにおいて、ヘッドの浮上量を次第に低下させてゆき、ヘッドの浮上が不安定な状態になった時点での浮上量としている。ＧＡ値がより小さいほど、磁気ディスクに対するヘッドの浮上量はより小さいものとすることができ、高記録密度に対応可能である。
【００２３】
今までＧＡ値は、磁気ディスク全体の微小うねりが影響していると考えられていたが、発明者らは、ＧＡ値を如何にして小さくすることができるかを鋭意検討した結果、磁気ディスクの径方向の微小うねりがＧＡ値に大きく影響することを見出した。発明者らは、ヘッドの動きにより近い径方向からみた微小うねりがよりＧＡ値に影響があるのではないかと推測し、磁気ディスクの径方向の微小うねりに着目したことから本発明に至った。
【００２４】
更に、微小うねりの測定波長Ｌを８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲に限定すると、ＧＡ値と微小うねりとの関係が顕著であることが分かった。詳しくは、測定波長Ｌが８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲における、径方向の微小うねりの高さを二乗平均平方根で求めた値Ｒｑ（以下、二乗平均平方根高さＲｑという）を０．０１ｎｍ未満、好ましくは０．００７ｎｍ未満にすることにより、実用上十分な低いＧＡ値を得ることができることが分かった。
【００２５】
測定波長Ｌが１２０μｍを超える微小うねりはヘッドが追従でき、８０μｍ未満の微小うねりは個々の微小うねりでなく、これらがならされた状態の仮想面にヘッドが追従するものと考えられる。図４（ａ）、（ｂ）において、８は磁気ディスクの表面形状、Ｈはヘッドの動く軌跡を模式的に示している。図４（ａ）の微小うねりの測定波長Ｌ１が１２０μｍを超える値であり、図４（ｂ）の微小うねりの測定波長Ｌ２が８０μｍ未満の値である。
【００２６】
微小うねりの測定波長Ｌが８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲は、ヘッドが個々の微小うねりに追従することができる下限値に近い範囲と考えられる。
【００２７】
測定波長範囲を広げるとＲｑは二乗平均平方根で表現されるため平均化されてしまうこと、また、測定範囲をディスク全面のうねりを対象とするとＲｑは平均化されてしまうことから、低ＧＡを実現できる基板とそうでない基板との差が顕著に現れないと考えられる。
【００２８】
尚、上記では微小うねりについて説明したが、微小うねりが重畳しているうねりが小さいことも、低いＧＡ値を得る上で必要であり、算術平均うねりＷａは、０．６ｎｍ未満、好ましくは０．５５ｎｍ未満であることが必要である。
【００２９】
図３（ａ）のうねり曲線１２のうねりは、多機能ディスク用干渉計（オプティフラット：Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｉｎｃ．製）を用いて、ガラス基板表面の全面において測定する。測定原理は、ガラス基板の表面に白色光を照射し、位相の異なる参照光と測定光の干渉の強度変化を測定することで、表面の微妙な形状変化を測定する方法である。得られた測定データを測定波長０．１ｍｍから５ｍｍとしてうねりを測定し、算術平均うねりＷａをＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に則り求める。
【００３０】
図３（ｂ）の径方向のうねり曲線１２の上に発生している微小うねり曲線１３の微小うねりは、光学表面アナライザＯＳＡ（ＣＡＮＤＥＬＡ社製、ＲＭＳ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）によって測定する。測定波長Ｌは８０μｍ以上１２０μｍ以下とする帯域で行い、二乗平均平方根高さＲｑをＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に則り求める。
【００３１】
光学表面アナライザＯＳＡを用いた微小うねりの径方向の測定は、ガラス基板を円周方向に角度２．８８°で１２５分割し、分割したそれぞれの内径から外径までの径方向に０．８９μｍステップごとに行い、二乗平均平方根高さＲｑを計算する。本発明に係るガラス基板は、１２５分割したすべての径方向において、二乗平均平方根高さＲｑが０．０１ｎｍ未満である。
（情報記録媒体用ガラス基板の製造工程）
情報記録媒体用ガラス基板の製造工程に関して図５の製造工程図を用いて説明する。
【００３２】
ガラス基板の大きさに限定はない。例えば、外径が２．５インチ、１．８インチ、１インチ、０．８インチなど種々の大きさのガラス基板がある。また、ガラス基板の厚みにも限定はなく、２ｍｍ、１ｍｍ、０．６４ｍｍなど種々の厚みのガラス基板がある。
【００３３】
まず、ガラス素材を溶融し（ガラス溶融工程）、溶融ガラスを下型に流し込み、上型によってプレス成形して円板状のガラス基板前駆体を得る（プレス成形工程）。尚、円板状のガラス基板前駆体は、プレス成形によらず、例えばダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスを研削砥石で切り出して作製してもよい。
【００３４】
ガラス基板の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、Ｎａ２Ｏ、ＣａＯを主成分としたソーダライムガラス；ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｒ２Ｏ（Ｒ＝Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ）を主成分としたアルミノシリケートガラス；ボロシリケートガラス；Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２系ガラス；Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス；Ｒ’Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス（Ｒ’＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などを使用することができる。中でも、アルミノシリケートガラスやボロシリケートガラスは、耐衝撃性や耐振動性に優れるため特に好ましい。
【００３５】
プレス成形したガラス基板前駆体は、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリル等で中心部に孔を開ける（コアリング加工工程）。
【００３６】
次に、ガラス基板の両表面を研磨加工し、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを予備調整する（第１ラッピング工程）。
【００３７】
次に、ガラス基板の外周端面及び内周端面を、例えば鼓状のダイヤモンド等の研削砥石により研削することで内・外径加工する（内・外径加工工程）。
【００３８】
次に、ガラス基板の内周端面を、研磨液を使用したブラシ研磨により面取り部の角部を曲面とし、また微細なキズ等を除去する（内周端面加工工程）。
【００３９】
次に、ガラス基板の両表面を再び研磨加工して、ガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを微調整する（第２ラッピング工程）。
【００４０】
そして、ガラス基板の外周端面を、研磨液を使用したブラシ研磨により面取り部の角部を曲面とし、また微細なキズ等を除去する（外周端面加工工程）。
【００４１】
コアリング加工以降の第１ラッピング工程から外周端面加工工程までの順序は、図５に示したものに限定されず、状況に応じて適宜変更することができる。例えば、ラッピング工程を一つにして最初に行い、その後、内・外径加工工程、内周、外周端面加工工程を行っても良い。また、第１ラッピング工程、内・外径加工工程の後、第２ラッピング工程、内周、外周端面加工工程を行っても良い。
【００４２】
第１及び第２ラッピング工程にてガラス基板を研磨する研磨機について説明する。研磨機は、両面研磨機と呼ばれる公知の研磨機を使用できる。両面研磨機は、互いに平行に上下に配置された円盤状の上定盤と下定盤とを備えており、互いに逆方向に回転する。この上下の定盤の対向するそれぞれの面にガラス基板の主表面を研磨するための複数のダイヤモンドペレットが貼り付けてある。また、ダイヤモンドペレットは、ダイヤモンド砥粒を埋め込んだ樹脂シートでも代用できる。上下の定盤の間には、下定盤の外周に円環状に設けてあるインターナルギアと下定盤の回転軸の周囲に設けてある太陽ギアとに結合して回転する複数のキャリアがある。このキャリアには、複数の穴が設けてあり、この穴にガラス基板をはめ込んで配置する。上下の定盤、インターナルギア及び太陽ギアは別駆動で動作することができる。
【００４３】
研磨機の研磨動作は、上下の定盤が互いに逆方向に回転し、ダイヤモンドペレットを介して定盤に挟まれているキャリアは、複数のガラス基板を保持した状態で、自転しながら定盤の回転中心に対して下定盤と同じ方向に公転する。このような動作している研磨機において、研削液を上定盤とガラス基板及び下定盤とガラス基板との間に供給することでガラス基板の研磨を行うことができる。
【００４４】
この両面研磨機を使用する際、ガラス基板に加わる定盤の加重及び定盤の回転数を所望の研磨状態に応じて適宜調整する。第１及び第２ラッピング工程における加重は、６００ｋｇ／ｍ２から１２００ｋｇ／ｍ２とするのが好ましい。また、定盤の回転数は、１０ｒｐｍから３０ｒｐｍ程度とし、上の定盤の回転数を下の定盤の回転数より３０％から４０％程度遅くするのが好ましい。定盤による加重を大きくし、定盤の回転数を速くすると研磨量は多くなるが、加重を大きくしすぎると面粗さが良好とならず、また、回転数が速すぎると平坦度が良好とならない。また加重が小さく定盤の回転数が遅いと研磨量が少なく製造効率が低くなる。
【００４５】
第２ラッピング工程を終えた時点で、大きなうねり、欠け、ひび等の欠陥は除去され、ガラス基板の主表面の面粗さは、Ｒｚ（最大高さ）が２μｍから４μｍ、Ｒａ（算術平均粗さ）が０．１μｍから０．４μｍ程度とするのが好ましい。このような面状態にしておくことで、第１ポリッシング工程で研磨を効率よく行うことができる。
【００４６】
尚、第１ラッピング工程では、第２ラッピング工程を効率よく行うことができるように大まかに大きなうねり、欠け、ひびを効率よく除去する。このため、第２ラッピングで使用する粗さ＃１３００メッシュから＃２２００メッシュより粗い＃８００メッシュから＃１２００メッシュ程度のダイヤモンドペレットを使用するのが好ましい。第１ラッピング工程が完了した時点での面粗さは、Ｒｚが４μｍから８μｍで、Ｒａが０．３μｍから０．８μｍ程度とするのが好ましい。
【００４７】
ガラス基板の内周、外周の端面は、内周及び外周端面加工工程でブラシ研磨によるポリッシング加工を行う。ブラシは、φ０．２からφ０．３ｍｍ程度のナイロン、ポリプロピレン等を使用するのが好ましい。また、研磨液は、粒径が数μｍ程度の酸化セリウムが好ましい。ブラシ研磨の結果、内周、外周の端面の面粗さは、Ｒｚが０．２μｍから０．４μｍで、Ｒａが０．０２μｍから０．０４μｍ程度とするのが好ましい。内・外径加工工程及び内周及び外周端面加工工程を経たガラス基板の端面の形状は、主表面と端面とが成す角部が取り除かれ、外周端面から０．２ｍｍから０．５ｍｍ程度の位置から主表面よりダレた状態となる。
【００４８】
ここで、Ｒａ（算術平均粗さ）、Ｒｚ（最大高さ）は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定されている。これらは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等により測定することができる。これら規定及び測定方法は、以降で記述されるＲａ、Ｒｚについても同じく適用する。
【００４９】
上記の例では、ガラス基板を研磨する際にダイヤモンドペレットと研削液を用いているが、上下の定盤の研磨面にパッドを貼り付け、研磨液を供給して研磨する方法とすることもできる。研磨剤としては、例えば、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、コロイダルシリカ、ダイヤモンドなどが挙げられる。これらを水で分散化してスラリー状として使用する。パッドは硬質パッドと軟質パッドとに分けられるが、必要に応じて適宜選択して用いることができる。硬質パッドとしては、硬質ベロア、ウレタン発泡、ピッチ含有スウェード等を素材とするパッドが挙げられ、軟質パッドとしては、スウェードやベロア等を素材とするパッドが挙げられる。
【００５０】
パッドと研磨剤を使用する研磨方法は、研磨剤の粒度やパッドの種類を変えて、粗研磨から精密研磨まで対応することができる。よって、第１ラッピング工程と第２ラッピング工程で、効率よく大きなうねり、欠け、ひび等を除去し上記の面粗さを得ることができる様に研磨剤、研磨剤の粒度、パッドを適宜組み合わせて対応することができる。
【００５１】
また、第１及び第２ラッピング工程の後、ガラス基板の表面に残った研磨剤やガラス粉を除去するための洗浄工程を行うことが好ましい。
【００５２】
尚、第１ラッピング工程及び第２ラッピング工程で使用する研磨機は、同一構成ではあるがそれぞれの工程専用に用意された別の研磨機を用いて研磨加工を行うのが好ましい。これは、専用のダイヤモンドペレットを貼り付けているため交換が大掛かりな作業となり、また、研磨条件を再設定する等の煩雑な作業が必要となり、製造効率が低下するためである。
【００５３】
外周端面研磨工程の次に、アニール工程を行う。アニール工程はガラス基板を電気加熱炉に入れ、２００℃以上４００℃以下の温度で１０〜１２０分の間、保持する。昇温速度、及び降温速度は特に規定しないが、１０〜３０分程度で所定の温度に上げ、１０分〜６０分程度の時間をかけて除冷するのが良い。このアニール工程により、これまでの加工工程でガラス基板内部に生じた応力歪みを開放することができる。また、アニール工程は、空気中の他に、シリコーンオイル等のアニールする温度で変質しにくい油中や、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの不活性ガス中や、窒素ガス中などで行うのが好ましい。このような雰囲気中でアニールすると、ガラス基板表面にイオン化した物質が侵入しないので、ガラス基板表面の平坦度を維持することができる。
【００５４】
次のポリッシング工程は、１工程でも良いが、２工程の方が好ましく、本実施の形態では２工程としている。アニール工程の後にポリッシング工程を行うことにより、ガラス内部に応力歪みが開放され、研磨工程中のクラックの発生が無く、不良品の発生率が少なくなる。
【００５５】
まず、第１ポリッシング工程では、第２ポリッシング工程で最終的に必要とされる面粗さを効率よく得ることができるように、面粗さを向上させると共に第２ポリッシング工程で本発明に係るガラス基板の表面形状を効率よく得ることができるよう研磨を行う。
【００５６】
研磨の方法は、ラッピング工程で使用したダイヤモンドペレットと研削液に代えて、スウェードパッドと研磨液を使用する以外は第１及び２ラッピング工程で使用した研磨機と同一の構成の研磨機を使用する。
【００５７】
パッドは硬度Ａで７０から９０程度の硬質パッドで例えば発泡ウレタンを使用するのが好ましい。パッドの硬度が研磨による発熱により柔らかくなると研磨面の形状変化が大きくなるため硬質パッドを用いるのが好ましい。研磨剤は、粒径が０．２μｍから１．５μｍの酸化セリウム等を水に分散させてスラリー状にして用いるのが好ましい。水と研磨剤との混合比率は、概ね１：９から３：７程度が好ましい。
【００５８】
定盤によるガラス基板への加重は、任意に調整できるが、生産性の面から９００ｋｇ／ｍ２から１１００ｋｇ／ｍ２とするのが好ましい。定盤によるガラス基板への加重は、外周端部の形状に大きく影響する。加重を大きくしてゆくと、外周端部の内側が下がり外側に向かって上がる傾向を示す。また、加重を小さくしてゆくと、外周端部は平面に近くなると共に面ダレが大きくなる傾向を示す。こうした傾向を観察しながら加重を決めることができる。
【００５９】
また、面粗さを向上させるために、定盤の回転数は任意に調整できるが、生産性の面から２５ｒｐｍから５０ｒｐｍとし、上の定盤の回転数を下の定盤の回転数より３０％から４０％遅くするのが好ましい。
【００６０】
上記の研磨条件により研磨量を３０μｍから４０μｍとするのが好ましい。３０μｍ未満では、キズや欠陥を十分に除去ができない。また４０μｍを超える場合は、必要以上に研磨を行うことになり製造効率が低下する。
【００６１】
第２ポリッシング工程は、第１ポリッシング工程後のガラス基板の表面を更に精密に研磨する工程である。第２ポリッシング工程で使用するパッドは、第１ポリッシング工程で使用するパッドより柔らかい硬度６５から８０（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）程度の軟質パッドで、例えば発泡ウレタンやスウェードを使用するのが好ましい。研磨剤としては、第１ポリッシング工程と同様の酸化セリウムやコロイダルシリカ等を用いることができるが、ガラス基板の表面をより滑らかにするため、粒径がより細かくバラツキが少ない研磨剤を用いるのが好ましい。粒径の平均粒子径が１０ｎｍから５０ｎｍ、好ましくは２０ｎｍ程度の粒径の揃った研磨剤を水に分散させてスラリー状にし、これを研磨液として用いる。
【００６２】
研磨液は、水と研磨剤との混合比率を１：９から３：７程度とするのが好ましく、更に、硫酸や過酸化水素を加え、ｐＨが７より低い酸性とし、より好ましくはｐＨ２以下とする。研磨液を酸性にすることにより、研磨剤の凝集を抑制することができ、研磨剤本来の粒径による研磨を行うことができ、より精密な研磨を行うことができる。
【００６３】
ポリッシング工程では、ラッピング工程と同様にガラス基板に加重して加工する。ガラス基板に加重することにより基板が持っているうねりは強制的に緩和され平坦にされた状態でポリッシング加工される。ポリッシング加工により、ガラス基板はうねりがより少ない状態になるが、ガラス基板から加重を除去すると強制的に抑えられていたうねりが戻り、加重除去前よりうねりが大きくなる。
【００６４】
第２ポリッシング工程では、従来の加重より少ない加重である６００ｋｇ／ｍ２以下とし、下限値は特に規定しないが、生産性の観点から５５０ｋｇ／ｍ２から６００ｋｇ／ｍ２の範囲が好ましい。加重を５５０ｋｇ／ｍ２未満で次第に少なくしてゆくと、ガラス基板を研磨する上で加重が不十分となり、研磨を行うことに次第に多くの時間を必要となって、ついには実用的でなくなってしまう。
【００６５】
第２ポリッシング工程で加重を６００ｋｇ／ｍ２以下とすることにより、加重によるうねりの強制的な緩和が低減され、この時点でガラス基板が持っているうねりにより近い状態でポリッシング加工される。このため、ポリッシング加工の後、加重除去後のうねりの戻り量が小さくなり、ガラス基板が有するうねり及び微小うねりを小さくすることができる。
【００６６】
また、定盤の回転数は、１０ｒｐｍ以下とする。回転数が１０ｒｐｍを超えて多くすると、回転する定盤に振動が発生し、この結果としてガラス基板にうねりが発生してしまう。定盤の回転数は、１０ｒｐｍ以下とすることにより、定盤に生じる振動が抑えられ、ガラス基板に生じるうねり及び微小うねりを少なくすることができる。下限値は特に規定しないが、回転数を次第に少なくしてゆくと、研磨を行うことに次第に多くの時間を必要となって、ついには実用的でなくなってしまう。
【００６７】
ガラス基板への加重及び定盤の回転数を上記の通りに設定することにより、算術平均うねりＷａを０．６ｎｍ未満、径方向の測定波長Ｌが８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑを０．０１ｎｍ未満とすることができる。
【００６８】
研磨量は２μｍから５μｍとするのが好ましい。研磨量をこの範囲とすると、表面に発生した微小な荒れやうねり、これまでの工程で生じた微小な傷痕といった微小な欠陥を効率良く除去することができる。尚、ポリッシング工程を１つの工程とする場合、本実施の形態の第１ポリッシング工程を省けばよい。
【００６９】
第２ポリッシング工程の終了後、ガラス基板の洗浄及び検査を行い、情報記録媒体用ガラス基板が完成する。
（磁性体成膜）
これまで説明したガラス基板に磁性膜を設けた磁気記録媒体である磁気ディスクＤの斜視図を図２に示す。この磁気ディスクＤは、円形の情報記録媒体用ガラス基板１の表面に磁性膜２を直接形成されている。磁性膜２の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。スピンコート法での膜厚は約０．３μｍ〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４μｍ〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５μｍ〜０．１μｍ程度であり、薄膜化及び高密度化の観点からはスパッタリング法及び無電解めっき法による膜形成が好ましい。
【００７０】
磁性膜に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。磁性膜は、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割しノイズの低減を図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。上記の磁性材料の他、フェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ２、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散された構造のグラニュラーなどであってもよい。また、磁性膜は、内面型及び垂直型のいずれの記録形式であってもよい。
【００７１】
また、磁気ヘッドの滑りをよくするために磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００７２】
更に必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性膜の場合には、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
【００７３】
磁性膜の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、更に焼成して二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を形成してもよい。
【００７４】
本発明に係る情報記録媒体用ガラス基板は、磁気記録媒体（磁気ディスク）に限定されるものではなく、光磁気ディスクや光ディスクなどにも用いることができる。
【実施例】
【００７５】
実施例１〜４及び比較例１〜４のガラス基板及び磁気ディスクを以下のように作製した。
（ガラス基板の作製）
ガラス材料としてアルミノシリケートガラス（Ｔｇ：５００℃）を用い、溶融ガラスをプレス成形してブランク材を作製した。内外周加工工程、ラッピング工程を経て、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍのガラス基板とした。ガラス基板の厚みは０．６４ｍｍとした。
（アニール工程）
アニール工程として、空気雰囲気で電気加熱炉を用い、アニール温度３５０℃、アニール時間１０分でそれぞれガラス基板を１００枚ずつ作製した。常温からの昇温時間は、３０分とし、常温への降温時間は１時間とした。
（ポリッシング工程）
第１ポリッシング工程として、ニッタ・ハース社製のウレタンパッドを用い、研磨剤としては、酸化セリウムを用いた。【００７６】
第２ポリッシング工程として、ＦＩＬＷＥＬ社製のスウェードパッドを用い、研磨剤としては、酸化セリウム及びコロイダルシリカを用いた。【００７７】
第２ポリッシング工程のポリッシング条件として、パッドの硬度８０（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）、研磨剤の粒径２０ｎｍ〜３０ｎｍ程度、研磨液は過酸化水素を加え約ｐＨ２とし、上下定盤の回転数（ｒｐｍ）、加重（ｋｇ／ｍ２）の条件については表１に示す。
（洗浄工程）
洗浄工程として、ロールスクラブ機、カップスクラブ機でのブラシ洗浄を行い、その後超音波洗浄機で洗浄を行った。
（うねりの高さ、微小うねりの測定）
Ｏｐｔｉ  Ｆｌａｔ（Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  社製、測定波長０．１〜５ｍｍ）を用いて、作製したガラス基板表面のうねりを測定し、その算術平均うねりＷａを求めた。【００７８】
測定波長Ｌが８０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲における微小うねりの高さは、光学表面アナライザＯＳＡ（ＣＡＮＤＥＬＡ社製、ＲＭＳ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）を用いて測定し、その二乗平均平方根高さＲｑを求めた。結果を表１に示す。
（磁気ディスクの作製）
得られたガラス基板の表面に、磁性粒子ＣｏＰｔをスパッタリングして、０．０５μｍの磁性膜を形成し、磁気ディスクを作製した。
（ＧＡ値測定）
磁気ディスクを検査用ディスクとしてＧＡ値測定用の専用装置に取り付け一定のスピードで回転させ、ヘッドをディスク上に浮上させる。この状態で、ヘッドからの信号を観測しながら検査用ディスク上でヘッドが浮上している空間内を減圧してゆき、ヘッドからの信号が不安定になる時点での空気圧を求め、この空気圧からＧＡ値を求めた。【００７９】
ＧＡ値は、実用上、３ｎｍ未満である必要があり、表１での判定として、以下の基準に従って記号（◎、○、×）で示した。
◎：２ｎｍ未満
○：２ｎｍ以上３ｎｍ未満
×：３ｎｍ以上【００８０】
【表１】
2011033948.tif 000003
【００８１】
表１より、算術平均うねりＷａが０．６ｎｍ未満で、径方向の微小うねりの二乗平均平方根高さＲｑが０．０１ｎｍ未満である磁気ディスクは、何れもＧＡ値が３ｎｍ未満であり、良好な結果が得られた。
【符号の説明】
【００８２】
１  情報記録媒体用ガラス基板（ガラス基板）
２  磁性膜
５  孔
７ａ  表主表面
７ｂ  裏主表面
１０ｔ  外周端面
１１  測定断面曲線
１２  うねり曲線
１３  微小うねり曲線
２０ｔ  内周端面
Ｄ  磁気ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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