(57)【要約】  基板の壊れやすさを低減する方法及び構造を提供し、１つの実施形態において、材料膜のメタモルフィックエピタキシーのための基板が提供され、基板は、基板の堆積面上の材料膜のための成長窓を画定するパッシベーション層を備え、成長窓は、基板のエッジから横方向に距離をあけて配置される。
2019504505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料膜のメタモルフィックエピタキシーのための基板であって、前記基板は、前記基板の堆積面上の前記材料膜のための成長窓を画定するパッシベーション層を備え、前記成長窓は、前記基板のエッジから横方向に距離をあけて配置される、
基板。
【請求項２】
前記パッシベーション層は、前記材料膜の前記メタモルフィックエピタキシー中の前記基板の前記エッジからのすべり線の核形成の防止のために構成される、
請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記基板の前記堆積面上に前記材料膜のための成長窓のアレイを備え、前記成長窓は、前記基板のエッジから、かつ互いから横方向に距離をあけて配置される、
請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
前記パッシベーション層は、前記材料膜の前記メタモルフィックエピタキシー中の応力に適応すべく、前記成長窓間に間隔を設けることのために構成される、
請求項３に記載の基板。
【請求項５】
前記パッシベーション層は、前記基板の前記エッジと、前記堆積面と反対側の前記基板の裏面との周りに形成される、
請求項１から４のいずれか一項に記載の基板。
【請求項６】
前記基板は、Ｓｉを有する、
請求項１から５のいずれか一項に記載の基板。
【請求項７】
前記パッシベーション層は、誘電体材料を有する、
請求項１から６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項８】
前記誘電体材料は、酸化物又は窒化物又は酸窒化物を有する、
請求項７に記載の基板。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の前記基板と、
材料膜と
備えるウェハ。
【請求項１０】
前記材料膜及び前記基板は、格子不整合及び／又はＣＴＥ不整合を示す、
請求項９に記載のウェハ。
【請求項１１】
前記材料膜は、ＩＩＩ族−窒化物材料を有する、
請求項９又は１０に記載のウェハ。
【請求項１２】
材料膜のメタモルフィックエピタキシーのための基板を製造する方法であって、
基板を提供する段階と、
前記基板上にパッシベーション層を提供する段階とを備え、
前記パッシベーション層は、前記基板の堆積面上の前記材料膜のための成長窓を画定し、前記成長窓は、前記基板のエッジから横方向に距離をあけて配置される、
方法。
【請求項１３】
前記材料膜の前記メタモルフィックエピタキシー中の、前記基板の前記エッジからのすべり線の核形成の防止のために前記パッシベーション層を構成する段階を備える、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板の前記堆積面上に前記材料膜のための成長窓のアレイを提供する段階を備え、前記成長窓は、前記基板の前記エッジから、かつ互いから横方向に距離をあけて配置される、
請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記材料膜の前記メタモルフィックエピタキシー中の応力に適応すべく、前記成長窓の間に間隔を設けることのために前記パッシベーション層を構成する段階を備える、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記パッシベーション層を提供する段階は、前記基板の前記エッジと、前記堆積面の反対側の前記基板の裏面との周りに前記パッシベーション層を形成する段階を有する、
請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板は、Ｓｉを備える、
請求項１２から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記パッシベーション層は、誘電体材料を有する、
請求項１２から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記誘電体材料は、酸化物又は窒化物又は酸窒化物を有する、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
ウェハを製造する方法であって、
請求項１２から１９のいずれか一項に記載の方法を実行する段階と、
前記材料膜を提供する段階と
を備える方法。
【請求項２１】
前記材料膜及び前記基板は、格子不整合及び／又はＣＴＥ不整合を示す、
請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記材料膜は、ＩＩＩ族−窒化物材料を有する、
請求項２０又は２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して基板の壊れやすさを低減するための方法及び構造に関し、特にパッシベーションカプセル化層又は膜を用いて、基板の壊れやすさを低減するための方法及び構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
５０、１００、１５０，２００ｍｍ、又はさらに大きいＳｉ基板上のＩＩＩ−Ｎ材料（すなわち、ＧａＮ、ＡｌＮ及びＩｎＮならびにそれらの合金）の成長に関して、熱膨張係数（ＣＴＥ）の不整合に起因する引張りひずみが、ひずみ設計されたバッファにより改善されたが、ウェハはまだ、さらなるプロセス処理中に壊れやすいことがしばしば見いだされている。壊れやすさ（ｆｒａｇｉｌｉｔｙ）は、例えば、ＧａＮ−ｏｎ−Ｓｉウェハが、熱処理（例えば、アニール、高温膜堆積／エッチングなど）及び機械的処理（例えば、化学機械研磨、ウェハ接着など）を伴うステップ中にかなり高い頻度で大きな破片に割れることに現れる。
【０００３】
１つの例として、直径２００ｍｍで７２５μｍ厚のＧａＮ−ｏｎ−Ｓｉウェハの壊れやすさは、低温（ＬＴ）−ＡｌＮ堆積前の基板アニールステップ中のＳｉ基板のすべり線の形成により通常悪化する。これは、２００ｍｍのＳｉ基板全体にわたる鉛直方向及び半径方向の温度のばらつきの存在に起因する。Ｓｉ結晶のすべりは、局部応力がＬＴ−ＡｌＮ成長前のアニール温度（１０５０°Ｃ）で降伏強度を超えた場合に起こる。具体的には、成形されたサセプタを用いた直径２００ｍｍで７２５μｍ厚のＳｉ（１１１）ウェハ上のＧａＮの成長において、Ｓｉ基板は、成形されたサセプタ上の複数の（３個以上（＞２））突出部により浮いた状態（ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ）になっている。その結果、ＧａＮの有機金属化学気相成長法の成長において、Ｓｉ基板にかかる２つの主要な応力源が存在する。それらは、突出部とウェハとの間の接触応力と、鉛直方向及び半径方向の温度の不均一性に起因する熱応力とである。
【０００４】
すべり線は、ウェハのエッジから生じ、ウェハの中央の方に伝播する。ウェハのエッジ上のすべり線の起点は、成形されたサセプタ上の突出部の位置と一致することが見出された。成形されたサセプタ上の突出部とＳｉウェハとの間の熱伝導性は、余分の半径方向及び鉛直方向の熱応力を引き起こす。突出部によりウェハ上へ及ぼされる追加の接触応力もまた存在する。成長中の２００ｍｍのＳｉウェハ全体にわたって、半径方向の温度差をヒータゾーンの設定の最適化によって最小化することは、すべり形成及びウェハの壊れやすさを低減する１つの主要な方法である。しかしながら、これだけでは、成長後のすべりがなく、非脆弱なウェハの高歩留まりを得るには不十分であることが分かっている。本発明の実施形態は、上記の課題のうち少なくとも１つに取り組もうとする。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の第１の態様によれば、材料膜のメタモルフィック（ｍｅｔａｍｏｒｐｈｉｃ）エピタキシーのための基板が提供され、基板は、基板の堆積面上の材料膜のための成長窓を画定するパッシベーション層を備え、成長窓は、基板のエッジから横方向に距離をあけて配置される。
【０００６】
本発明の第２の態様によれば、第１の態様の基板と、材料膜とを備えるウェハが提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様によれば、材料膜のメタモルフィックエピタキシーのための基板を製造する方法が提供され、方法は、基板を提供する段階と、基板上にパッシベーション層を提供する段階とを備え、パッシベーション層は、基板の堆積面上の材料膜のための成長窓を画定し、成長窓は、基板のエッジから横方向に距離をあけて配置される。
【０００８】
本発明の第４の態様によれば、ウェハを製造する方法が提供され、方法は、第３の態様の方法を実行する段階と、材料膜を提供する段階とを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の実施形態は、例としてだけ以下の明細書、及び図面と併用して、当業者にはより良く理解され、容易に明らかになるであろう。
【図１（ａ）】例示的な実施形態によるカプセル化Ｓｉ基板上のＩＩＩ族−窒化物ヘテロエピタキシーの概略プロセスフローの実例を示す。
【図１（ｂ）】成形されたサセプタにおいて図１（ａ）から生ずる基板を説明する概略図を示す。
【図２】（ａ）は、例示的な実施形態によるＧａＮ−ｏｎカプセル化Ｓｉ基板ウェハの構造の概略断面図と、ウェハのエッジ領域のノマルスキー顕微鏡画像とを示す。（ｂ）は、従来のＧａＮ−ｏｎ−Ｓｉ基板ウェハの構造の概略断面図と、ウェハのエッジ領域のノマルスキー顕微鏡画像とを示す。
【図３】例示的な実施形態による酸化物ストライプにより画定される成長窓のアレイでパターニングされたウェハの略図を示す。差し込み図は、ウェハの単一の成長窓のズームイン光学像である。
【図４】例示的な実施形態による材料膜のメタモルフィックエピタキシーのための基板を製造する方法を説明するフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本明細書において説明される実施形態は、非ネイティブ基板（例えば、Ｓｉ基板上のＧａＮ、ＡｌＮ及びＩｎＮ材料、ならびにそれらの合金）上の材料のヘテロエピタキシャルプロセスと関連したウェハの壊れやすさの問題点を解決しようとするものである。
【００１１】
具体的には、すべり線の形成をさらに最小限にする新たなアプローチが例示的な実施形態において提供され、それによって、Ｓｉウェハのウェハエッジ及び底部は、ＧａＮ成長前にパッシベーション化される。ウェハのエッジは、転位の存在に起因して強度は低減されているが、最も高い応力に直面することがよくある。１つの例示的な実施形態において、下記の図１を参照してより詳細に説明されるように、設計されるＳｉ（１１１）基板が、標準の２００ｍｍのＳｉ（１１１）ウェハ上の１４０ｎｍの熱酸化物の成長により作成され、それによりウェハを包み込む。酸化物は、ウェハの表面側に成長窓を形成すべくパターニングされ、ドライエッチングされる。
【００１２】
説明される実施形態は有利には、エピタキシャル成長などの高温処理中に基板（例えば、Ｓｉ）中の欠陥の形成を防止する手段を提供する。例示的な実施形態は、Ｓｉ上のＩＩＩ族−窒化物の成長などの、高温での薄膜のメタモルフィック成長に特に関係し、そこで、エピタキシャル膜及び基板内に著しい応力を作り出す、大きな格子不整合及び／又は熱膨張係数（ＣＴＥ）の不整合が存在し、大きなウェハボウ（ｂｏｗ）又はクラッキングをもたらす。基板中の欠陥の形成を阻止することにより、ウェハの壊れやすさは、好ましくは、大きく低減され得、そのことは、成長及びその後の処理ステップの両方においてはるかに改善された歩留りにつながる。これは、より大きなウェハサイズに対する成長及び処理を扱う場合に特に重要である。
【００１３】
図１（ａ）は、例示的な実施形態によるカプセル化Ｓｉ基板１００上のＩＩＩ族−窒化物ヘテロエピタキシーの概略プロセスフローの実例を示す。ステップ１において、従来のＳｉ基板又はウェハ１０２が、当技術分野において理解されるように提供される。ステップ２において、熱酸化物１０４の成長が、パッシベーション層として実行される。１つの実施形態において、Ｓｉ基板１００上の熱酸化物１０４は、ドライ又はウェット酸化条件において９００℃から１３００℃の間で好ましくは形成され得る。当業者により理解されるように、厚さは、酸化時間により制御され得る。Ｓｉ基板上にＳｉＯ２を形成し得る他の技術、例えば、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリングなどが、異なる実施形態において使用され得ることに留意されたい。ステップ３において、この例示的な実施形態では、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が実行され、熱酸化物１０４がＳｉウェハ１０２のエッジ及び裏面に残っている状態で、Ｓｉウェハ１０２のエッジから横方向に距離をあけて配置される成長窓１０６を露出させる。１つの実施形態において、それぞれ２００ｍｍの外径と１９０ｍｍの内径とを有するリングが、ＲＩＥ中にマスク（図示せず）として使用され得る。リングは、熱酸化物Ｓｉ基板１００の外周上に配置される。次に、露出される熱酸化物領域は、１つの実施形態においてエッチャントガスとしてＣＨＦ３を用いるＲＩＥツールにおいて除去される。ＧａＮの成長前に、Ｓｉホモエピタキシャル成長がステップ４において実行され、その場で（ｉｎ  ｓｉｔｕ）（１つの例示的な実施形態において、他の場所で行う（ｅｘ  ｓｉｔｕ）方法も異なる実施形態では可能であることに留意されたい）熱酸化物の形成及びその除去（成長窓１０６において）により引き起こされる表面損傷を除去する。ステップ５において、当技術分野において理解されるように、ＡｌＮ及びひずみ補償バッファを用いたＧａＮ−ｏｎ−Ｓｉ成長が、ＧａＮデバイス１０７を形成すべく実行される。例示的な実施形態において、薄いポリＧａＮ１０８堆積物が、成長窓１０６外の熱酸化物１０４上で発生することに留意されたい。ステップ６において、熱酸化物１０４上のポリＧａＮ１０８堆積物のＩＣＰ除去が実行される。１つの実施形態において、ハードマスク（図示しないが、例えば、ＳｉＯ２又はＳｉＮで作られる）が、ウェハ全体上に堆積され、成長窓１０６を開けるべく使用されるマスクとして逆のマスク極性を有するリソグラフィステップが適用される。次に、マスクのないポリＧａＮがマスクされたＧａＮデバイス１０７上で選択的にエッチングされる。熱酸化物１０４は例えば、ＨＦ中にウェハ全体を浸すことにより除去され得る。しかしながら、熱酸化物層が今後のプロセスにおいて望ましい場合、それは、異なる実施形態において保持され得る。
【００１４】
例示的な実施形態において、Ｓｉウェハ１００のエッジ全体がパッシベーション化されるので、Ｓｉウェハ１００のエッジからのすべり線の核形成は、有利に防止される。さらに、成形されたサセプタ１５２及びＳｉウェハ１００上の突出部１５０間の熱伝導は、図１（ｂ）に示されるように、二酸化ケイ素の低い熱伝導性に起因して好ましくは低減される。その結果、図２の（ａ）及び図２の（ｂ）の比較から明らかなように、すべり線は、ＧａＮ成長窓には見つからない。図２の（ａ）は、例示的な実施形態によるＧａＮ−ｏｎカプセル化Ｓｉ基板ウェハ２００の構造の概略断面図と、ウェハ２００のエッジ領域のノマルスキー顕微鏡画像２０１とを示す。これに対して、図２の（ｂ）は、従来のＧａＮ−ｏｎ−Ｓｉ基板ウェハ２０２の構造の概略断面図と、ウェハ２０２のエッジ領域のノマルスキー顕微鏡画像２０３とを示す。図に示されるように、すべり線、例えば２０４がはっきりと見えるノマルスキー顕微鏡画像２０３と比べると、ノマルスキー顕微鏡画像２０１にはすべり線が見えない。
【００１５】
その上、例示的な実施形態において、サセプタ上の突出部は、熱酸化物２０６でマスクされた領域（ウェハ２００の下側、及びそのエッジ付近）と接触する。これは有利には、ウェハ２００のエッジの接触応力を最小限にする。
【００１６】
本発明は、ＣＴＥ不整合及び格子不整合の両方に起因する応力の蓄積をさらに管理すべく、異なる実施形態に拡張され得る。これは、図１（ａ）、図１（ｂ）及び図２を参照して上記に説明される実施形態と同様に単一の大きな窓の代わりに、異なる実施形態におけるパッシベーション層として熱酸化物の成長後に複数の成長窓を形成することにより達成され得る。単一の大きな成長窓又は複数の成長窓が異なる実施形態において形成されるかどうかにかかわらず、単一のパターニングステップが好ましくは必要とされることに、留意されたい。図３は、成長窓、例えばパターニングされた３０２、３０３のアレイを有するウェハ３００の略図を示し、成長窓、例えば３０２、３０３は、ウェハ３００のエッジから、かつ互いから横方向に距離をあけて配置されている。隣接する成長窓、例えば３０２と３０３との間の酸化物ストライプ、例えば３０４は、ＧａＮがＧａＮ成長中にそれらの領域に堆積されるのを防止し、ＧａＮ材料の個別のメサ／アイランド、例えば３０６の形成をもたらし、メサ／アイランドはここで有利には、エピ層膜応力に適応すべく、それらの間に間隔を有する。酸化物ストライプ、例えば３０４上へ堆積されるポリＧａＮは通常、切り離されたＧａＮアイランドから成ることに、留意されたい。従って、個別のメサ／アイランド、例えば３０６間の空間に蓄積されたひずみを抑えるべく、ポリＧａＮには多くのボイドが存在する。成長窓、例えば３０２と３０３との間の間隔は、応力緩和及び有用なチップ設計領域を最適化するために変更され得、成長窓、例えば３０２、３０３は、所与のチップ又はデバイス設計のために必要とされるときに任意のサイズ又は形状にパターニングされ得る一方、ウェハのエッジでの酸化物３０８は、変わらないままである。差し込み図の３０１は、単一の成長窓３１２及び熱酸化物カプセル化３１４のズームイン光学像である。
【００１７】
本発明の実施形態は、Ｓｉ上のＩＩＩ族−窒化物のヘテロエピタキシャル成長に適用されるように上記に説明されたが、本発明は、ウェハの壊れやすさを低減すべく、異なる実施形態に従って、格子不整合及び／又はＣＴＥ不整合に起因して応力がウェハに蓄積される任意の材料系のメタモルフィックエピタキシーに適用され得ることに、留意されたい。ＩＩＩ族−窒化物系は、応力及びボウの問題点を悪化させる、大型のウェハサイズ上の大きな不整合及び通常の成長に起因するウェハの壊れやすさの点で最も大きい課題のうち１つを提起する。上述のように、他の材料系はまた、そのような系に低減された不整合が存在する場合、それほど大きな壊れやすさの問題に通常直面しない可能性があるとしても、本発明の異なる実施形態におけるウェハの壊れやすさの低減によって恩恵を受け得る。
【００１８】
上記の実施形態は、パッシベーション層としてのＳｉ酸化物の使用を説明するが、他の誘電体材料を含む他の材料が、異なる実施形態においてパッシベーション層として使用され得ることに、留意されたい。当業者により理解されるように、半導体産業のパッシベーション層は一般的に誘電体であり、例えば、窒化物及び酸化物の両方が一般的に使用され、頻繁に交換可能に使用される。例えば、ＳｉＮが異なる実施形態において使用され得る一方、別の可能性は、Ｓｉ酸窒化物である。パッシベーション層としてのＳｉＮは、例えば、Ｎ２雰囲気において９００°Ｃから１４００°Ｃの間の温度でＳｉ基板をアニールすることにより形成され得る。他のＳｉＮ堆積技術、例えば、ＰＥＣＶＤ、低圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）は、異なる実施形態において使用され得る。例示的な実施形態におけるＳｉＮの除去は、上記の実施形態に対して説明された酸化物の除去と同様である。例えば、ＰＥＣＶＤ誘電体は理論上コンフォーマルであり、従って、例示的な実施形態において、ウェハのエッジをパッシベーション化することに、留意されたい。熱（酸化物）成長と比較して、ウェハの表面上と、エッジとで、誘電体の厚さにより大きな相違が存在し得るが、これは、例示的な実施形態によるパッシベーションの必要条件には問題でない可能性がある。裏面ならびに表面の両方上に誘電体（すなわち、ウェハのエッジでの誘電体リング）を形成すべく、２つの異なる堆積ステップが、例示的な実施形態において、例えばＰＥＣＶＤを用いて実行され得る。ＰＥＣＶＤ堆積は、当業者により理解されるように本質的に片面であることに、留意されたい。
【００１９】
１つの実施形態において、材料膜のメタモルフィックエピタキシーのための基板が提供され、基板は、基板の堆積面上の材料膜のための成長窓を画定するパッシベーション層を備え、成長窓は、基板のエッジから横方向に距離をあけて配置される。
【００２０】
パッシベーション層は、材料膜のメタモルフィックエピタキシー中に基板のエッジからのすべり線の核形成の防止のために構成され得る。
【００２１】
基板は、基板の堆積面上の材料膜のための成長窓のアレイを備え得、成長窓は、基板のエッジから、かつ互いから横方向に距離をあけて配置される。パッシベーション層は、材料膜のメタモルフィックエピタキシー中の応力に適応すべく、成長窓間に間隔を設けることのために構成され得る。
【００２２】
パッシベーション層は、基板のエッジと、堆積面の反対側の基板の裏面との周りに形成され得る。基板は、Ｓｉを備え得る。
【００２３】
パッシベーション層は、誘電体材料を備え得る。誘電体材料は、酸化物又は窒化物を備え得る。
【００２４】
１つの実施形態において、上記の実施形態の基板と材料膜とを備えるウェハが、提供される。材料膜及び基板は、格子不整合及び／又はＣＴＥ不整合を示し得る。材料膜は、ＩＩＩ族−窒化物材料を備え得る。
【００２５】
図４は、例示的な実施形態による材料膜のメタモルフィックエピタキシーのための基板を製造する方法を説明するフローチャート４００を示す。ステップ４０２において、基板が提供される。ステップ４０４において、パッシベーション層が基板上に提供され、パッシベーション層は、基板の堆積面上の材料膜のための成長窓を画定し、成長窓は、基板のエッジから横方向に距離をあけて配置される。
【００２６】
方法は、材料膜のメタモルフィックエピタキシー中に基板のエッジからのすべり線の核形成の防止のためにパッシベーション層を構成する段階を備え得る。
【００２７】
方法は、基板の堆積面上の材料膜のための成長窓のアレイを提供する段階を備え得、成長窓は、基板のエッジから、かつ互いから横方向に距離をあけて配置される。方法は、材料膜のメタモルフィックエピタキシー中の応力に適応すべく、成長窓の間に間隔を設けることのためにパッシベーション層を構成する段階を備え得る。
【００２８】
パッシベーション層を提供する段階は、基板のエッジと、堆積面の反対側の基板の裏面との周りにパッシベーション層を形成する段階を備え得る。基板は、Ｓｉを備え得る。
【００２９】
パッシベーション層は、誘電体材料を備え得る。誘電体材料は、酸化物又は窒化物を備え得る。
【００３０】
１つの実施形態において、ウェハを製造する方法が提供され、方法は、上記の実施形態による方法を実行する段階と、材料膜を提供する段階とを備える。材料膜及び基板は、格子不整合及び／又はＣＴＥ不整合を示し得る。材料膜は、ＩＩＩ族−窒化物材料を備え得る。
【００３１】
要約すると、本発明の実施形態は、大型のウェハサイズが特に問題となる、高い格子不整合及び／又はＣＴＥ不整合を有して成長するエピタキシャル膜と関連するウェハ損傷及び壊れやすさの問題を解決し得る。
【００３２】
高温処理ステップに起因する損傷／塑性変形に対する基板／ウェハの耐性を向上させることにより、有利には、製造歩留まりの向上につながり、そのことは、特に、使用される大型のウェハサイズに起因するＳｉ産業／ウェハに関係する。本発明の実施形態は、限定されないが、５０、１００、１５０、２００ｍｍ又はそれより大きい直径、あるいは２"（インチ）、３"、４"、６"、８"又はそれより大きい直径を有するウェハを使用し得る。
【００３３】
多数の変形及び／又は変更が、広く説明される本発明の主旨又は範囲から逸脱することなく、具体的な実施形態に示されるように本発明に対してなされ得ることが、当業者により理解されるであろう。それゆえ、本実施形態は、例示的であり、限定されずにあらゆる点で考慮されるべきである。また、本発明は、特徴又は特徴の組み合わせが特許請求の範囲又は本実施形態において明らかに特定されていないとしても、特徴の任意の組み合わせ、特に特許請求の範囲の特徴の任意の組み合わせを含む。
【図１（ａ）】
2019504505.tif 000003
【図１（ｂ）】
2019504505.tif 000004
【図２】
2019504505.tif 000005
【図３】
2019504505.tif 000006
【図４】
2019504505.tif 000007
【国際調査報告】
2019504505.tif 000008
2019504505.tif 000009
2019504505.tif 000010