(57)【要約】  下記式（１）の構造で示されることを特徴とした化合物。【化１】2011074493.tif 000072（式中、Ｘは、置換基を有しても良いアリール環またはヘテロアリール環から誘導される残基または単結合を示す。Ａｒ１およびＡｒ２は、未置換または置換基を有するフェニル基またはヘテロアリール基である。Ａｒ３は置換または未置換のアリールまたはヘテロアリール環が１つまたは６つ以下で共役的に連結した炭素数６０以下の基、またはアントラセン環上の９位または１０位の置換基と同じ基である。ＸおよびＡｒ１からＡｒ３上の置換基、ならびにＲ１からＲ１２は、水素および炭素数１５以下のアルキル基からなる群から独立に選ばれる。ｎは０または１の整数である。）
2011074493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）の構造で示されることを特徴とした化合物。
【化１】
2011074493.tif 000066
（式中、Ｘは、置換基を有しても良いアリール環またはヘテロアリール環から誘導される残基または単結合を示す。Ａｒ１およびＡｒ２は、未置換または置換基を有するフェニル基またはヘテロアリール基である。Ａｒ３は置換または未置換のアリールまたはヘテロアリール環が１つまたは６つ以下で共役的に連結した炭素数６０以下の基、またはアントラセン環上の９位または１０位の置換基と同じ基である。ＸおよびＡｒ１からＡｒ３上の置換基、ならびにＲ１からＲ１２は、水素、重水素、フッ素、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリメチルシリル基、炭素数１５以下のアルキル基、アルコキシ基およびポリオキシアルキレン基、炭素数１５以下の置換または未置換のアリール基およびヘテロアリール基、ならびに炭素数１５以下の架橋性置換基からなる群から独立に選ばれる。
また、Ｒ１からＲ１２は隣接する置換基同士が連結し環を形成しても良い。
ｎは０または１の整数である。）
【請求項２】
下記式（２）の構造で示されることを特徴とした請求項１に記載の化合物。
【化２】
2011074493.tif 000067
（式中、Ｒ１からＲ４４は、水素、重水素、フッ素、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリメチルシリル基、炭素数１５以下のアルキル基、アルコキシ基およびポリオキシアルキレン基、炭素数１５以下の置換または未置換のアリール基およびヘテロアリール基、ならびに炭素数１５以下の架橋性置換基からなる群から独立に選ばれる。ｎ１およびｎ２はそれぞれ独立に０または１の整数である。）
【請求項３】
下記式（３）の構造で示されることを特徴とした請求項２に記載の化合物。
【化３】
2011074493.tif 000068
（式中、Ｒ１からＲ８は、水素、重水素、フッ素、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリメチルシリル基、炭素数１５以下のアルキル基、アルコキシ基およびポリオキシアルキレン基、炭素数１５以下の置換または未置換のアリール基およびヘテロアリール基、ならびに炭素数１５以下の架橋性置換基からなる群から独立に選ばれる。）
【請求項４】
Ｒ１およびＲ３からＲ８は水素原子であり、Ｒ２は炭素数１５以下のアルキル基であることを特徴とする請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
下記式（８）で示されることを特徴とした化合物。
【化４】
2011074493.tif 000069
（式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基である。）
【請求項６】
下記式（９）の構造で示されることを特徴とした請求項５に記載の化合物。
【化５】
2011074493.tif 000070
【請求項７】
室温で液体の媒体中に、請求項１から６のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１種以上を含有することを特徴とするインク組成物。
【請求項８】
発光ドーパントとしての請求項１から４のいずれか１項に記載の化合物と、イオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー差が前記ドーパントよりも大きい少なくとも１種以上のホスト材料とを含むインク組成物。
【請求項９】
前記ホスト材料が請求項５または６に記載の化合物であることを特徴とする請求項８に記載のインク組成物。
【請求項１０】
下記式（１０）で示される化合物と、請求項１から４のいずれか１項に記載の化合物の少なくとも１種以上を含むことを特徴とする固体または液体の組成物。
【化６】
2011074493.tif 000071
（式中、Ｒはアルキル基であり、ｎは置換基の数を表す０から３の整数である。）
【請求項１１】
光エネルギーを吸収し発熱する層が形成された基板またはシート上に、請求項１から６のいずれか１項に記載の化合物を含む転写層が積層された転写用ドナー基材。
【請求項１２】
対向する電極間若しくは陽極と陰極との間の少なくとも１層に発光材料を含有する発光層を備えた発光素子において、前記対向する電極間若しくは陽極と陰極との間に形成された少なくとも１層が請求項１から６のいずれか１項に記載の化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
対向する電極間若しくは陽極と陰極との間の少なくとも１層に発光材料を含有する発光層を備えた発光素子において、前記発光層は、発光ドーパントとして請求項１から４のいずれか１項に記載の化合物と、イオン化ポテンシャルと電子親和力の間のエネルギー差（Ｅｇ）が前記発光ドーパントよりも大きい１種類以上のホスト材料とを少なくとも含有することを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記ホスト材料が請求項５または６に記載の化合物であることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記発光ドーパントが、前記発光層中５〜２０ｗｔ％の割合で含まれることを特徴とする請求項１４に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネセント（以下、有機ＥＬと略す）素子やディスプレイ用等の蛍光材料、発光材料、ホスト材料、正孔および電子のキャリア輸送材料およびキャリア注入材料に用いることができるアントラセン誘導体、ならびにそれらを用いた有機ＥＬ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子とは、対向する電極間の１層中に蛍光および又はりん光性の有機発光材料を含む固体または液体の発光層を有し、電極間に電圧を印加することによって発光する発光素子である。一般的には、固体の有機発光層を有する素子を有機ＥＬ素子と称し、液体の発光層を有する素子の場合は有機電界発光素子、または有機電気化学発光素子と称する。広義には有機発光材料が電気エネルギーにより発光する素子を有機ＥＬ素子とし、液体の発光層の素子を含める場合もある。【０００３】
一般的な固体の発光層を有する有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に少なくとも蛍光またはリン光発光効率の高い低分子または高分子の有機材料からなる発光層を有している。  
発光層は、正孔輸送層と電子輸送層に挟まれ、さらに陽極と陰極で挟まれた構成を取る場合が多い。【０００４】
陽極は、有機発光層への正孔注入のエネルギー障壁を小さくするため、イオン化ポテンシャル（以下Ｉｐと略す）の大きいインジウム錫複合酸化物（以下ＩＴＯと略す）やインジウム亜鉛複合酸化物（以下ＩＺＯと略す）等の透明導電膜が用いられる。さらに、より大きなＩｐを得るため、タングステン、バナジウム、モリブデン、ルテニウム、チタン等の酸化物が陽極表面に設けられるか透明導電膜材料中に混合されて用いられる場合もある。【０００５】
陰極は、電子注入障壁の低い低イオン化ポテンシャルのアルカリ金属やアルカリ土類金属、希土類を含む金属層が用いられるが、水分により腐食し易いため厳重な封止が必要な問題がある。【０００６】
通常の有機ＥＬ素子は、整流性を有し、直流電圧が印加されると陽極から正孔、陰極から電子が、それぞれ正孔輸送層や電子輸送層を通して発光層に輸送され発光層中で再結合することにより発光する。交流駆動の際は順バイアス時に発光する。【０００７】
有機ＥＬ素子の発光効率は、注入される正孔と電子のキャリアバランスを均等化することにより高まる。また、有機層界面および内部にキャリアを蓄積させないことが有機層の劣化抑制や長寿命化に有効である。そこで、各層の膜厚やキャリア輸送能力、層間のエネルギー障壁の調整が行われ、高効率で長寿命な有機ＥＬ素子が作られている。【０００８】
溶液を発光層に用いた有機ＥＬ素子の発光機構は、陰極から電子が注入され生じた発光材料のラジカルアニオンと、陽極に電子が奪われ生じた発光材料のラジカルカチオンが、溶液中の拡散により衝突し発光材料の励起状態が生じ発光する。数１００から数１０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られているが、イオンの拡散による伝導であるのでディスプレイに用いるには応答速度が遅い課題があった。【０００９】
浜田らは、オルトジクロロベンゼンとトルエンの混合有機溶媒中にルブレン等の縮合芳香環蛍光化合物を０．５ｗｔ％程度溶かし、１，２−ジフェノキシエタンを陽イオン伝導アシストドーパントとして加え、８０Ｖで１０００ｃｄ／ｍ２の輝度を得た（特許文献１、非特許文献１）。【００１０】
榎本らは、ルブレンと支持電解質のテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヘキサフルオロフォスフェートをオルトジクロロベンゼンとアセトニトリルの３：１混合溶媒に溶かし、８ミクロン巾、４ミクロンギャップの櫛形電極を用い３０Ｈｚ、±１．９Ｖの交流駆動を行うと、同一電極で陽極と陰極が交互に切り替わり、電極周辺にアニオンとカチオンの両方のラジカルが生成し再結合するため効率良く発光でき、３ｍｓの応答速度で２２０ｃｄ／ｍ２の輝度を得た（非特許文献２）。【００１１】
電解発光型の有機ＥＬ素子は、電極材料に安定な金属を使える利点があるが、溶液中に溶け込む酸素や水分、不純物の影響、支持電解質との副反応もあり、全固体の有機ＥＬ素子に比べて寿命が短い課題があった。しかし、揮発し難いイオン性液体を媒体に用いたり固体電解質化することで劣化を防ぎ、電極を多孔質化して表面積を増やし、高輝度化する等の改良が行われている。発光材料は、低分子蛍光材料、高分子材料のほか効率の高いリン光発光材料を用いることも可能で、長寿命、高輝度、高効率化の検討が続けられている。最近では、Ａｄｄ−ｖｉｓｉｏｎ社が、白色について、初期輝度１００ｃｄ／ｍ２で半減６千時間を超える寿命を報告するようになっている（非特許文献３）。【００１２】
以下、固体の発光層を用いた一般的な有機ＥＬ素子についてさらに詳しく説明する。【００１３】
典型的には、ガラス等の透明基板上の透明陽極上に、正孔注入層、電子ブロック正孔輸送層、発光層、正孔ブロック電子輸送層、電子輸送層、電子注入層、陰極等の層が順に構成され、気密封止されている。【００１４】
発光層の有機材料の分子構造を変えることにより、赤、青、緑の発光を容易に得ることができる。【００１５】
白色発光を得る方法は、青緑色の発光材料へ黄橙色の発光材料をドープし幅広いスペクトルを得る方法、又は青緑色と黄色の２つの発光層を積層する方法、又は赤、緑、青の各色発光層の構成単位をキャリア発生層を介して積層する方法、エキシマ発光材料を使って青緑色のモノマー発光と黄色〜赤色のエキシマ発光のスペクトルを重ね合わせる方法等がある。【００１６】
有機ＥＬ素子をカラーディスプレイ化する方式は、画素毎に赤、青、緑に塗り分ける方法、または白色発光素子上に赤、青、緑、白のカラーフィルターを重ね分光する方法、又は青色または紫外線発光素子上に高分子ＥＬ材料等の膜を形成し、蛍光変換膜として緑や赤の発光を得る方法等がある（非特許文献４）。【００１７】
発光層の成膜法は各種の方法が開発されている。低分子材料は一般的には真空蒸着により成膜されるが、高溶解性で湿式成膜性のある材料については、高分子材料で行われているような塗布、印刷法も適用可能である。  
低分子材料を用いた際の画素塗り分け法は、一般的にはマスク蒸着法が用いられている。【００１８】
しかし、マスク蒸着法は、大面積基板になった場合にはマスクとガラスの熱膨張率差、マスクの枠への貼り付け誤差、基板やマスクの重力によるたわみ等により、マスクと基板のアライメント精度に課題がある。  
そこで、アライメント精度改良のため、レーザー熱転写法、またはレーザー昇華転写法からなるレーザー転写法が試みられている。【００１９】
レーザー熱転写法には、３Ｍとサムスンで行なわれているＬＩＴＩ（Laser Induced Thermal Imaging）法（非特許文献５）がある。レーザー昇華転写法には、イーストマン・コダックで行なわれているＲＩＳＴ（Radiation Induced Sublimation Transfer）法（非特許文献６）とソニーで行なわれているＬＩＰＳ（Laser Induced Pattern wise Sublimation）法（非特許文献７）がある。【００２０】
ＬＩＴＩ法では、低分子および高分子ＥＬ材料からなる転写材料を蒸着や塗布により成膜したドナーフィルムをディスプレイ基板に密着させ、色別に所定の画素に合わせてレーザー照射し熱転写を行なう。３０２ppiの２．６５インチの高精細ディスプレイや１７インチディスプレイも試作されているが、ドナーフィルムを引き剥がす際に、膜強度の高い高分子ＥＬ材料では膜切れが悪くバリが生じ易い問題が生じるため、可溶性で湿式成膜性の良い低分子材料の添加も行われる。【００２１】
ＲＩＳＴ法は、ドナーフィルム上に蒸着法で低分子有機ＥＬ材料を成膜し、真空中でドナーフィルムの成膜面とディスプレイ基板とを微小な距離を置いて対向させた後、ドナーフィルムの背面から所定の色の画素に合わせてレーザーを照射し、ディスプレイ基板に昇華または蒸発させ転写を行なっている。【００２２】
ＬＩＰＳ法では、ドナーフィルムの代わりに位置合わせ精度の高いガラス製転写基板を用いた２７インチの高精細有機ＥＬディスプレイも試作されている。しかし、ドナーフィルムや基板に真空蒸着で成膜するためコストが高く、低コスト化のためには低分子で塗布成膜可能な材料が求められる。【００２３】
溶剤可溶性で湿式成膜可能な低分子材料や高分子材料の場合は、インクジェット法（非特許文献８−１１）、連続ノズル印刷法（非特許文献１２−１３）、凸版印刷法（非特許文献１４）等により高精細な画素の塗りわけが可能である。【００２４】
インクジェット法は、基板が大型化しても低コストな装置で塗り分け可能な方法であり、一般的には高分子ＥＬ材料が使われている。【００２５】
高分子青色発光材料は、イオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー差（以下Ｅｇと略す）が約３ｅＶ以上の大きなＥｇを有するフルオレンやフェノキサジン等の共重合体やポリフェニレン系共重合体等がベースに用いられる。緑や赤色の高分子発光材料は、青色発光材料を基にさらに緑や赤に発光可能なＥｇの小さいモノマーを共重合することにより合成される。高発光効率な低分子系りん光発光材料の添加や側鎖への導入も行なわれている。【００２６】
高分子材料は、素子作製プロセス中の加熱やＥＬの駆動により長波長のエキシマ発光を生成し易く、ＥＬ発光の色純度低下を抑制するための分子設計に特に注意が必要となる。また、高分子材料は昇華精製ができないため高純度化が難しい。モノマー中の水分や不純物の影響で分子量が変化するため、ロットにより品質が安定し難い等の課題があった。【００２７】
低分子青色発光材料として、凸版印刷の伊藤（特許文献２）やコダックのJianmin Shi and Ching W. Tang等（非特許文献１５）は、アントラセンを骨格としたアンバイポーラー性の９，１０−ジ（２−ナフチル）−アントラセンの誘導体を開発した。それらの誘導体はＭＰ３プレーヤー、パーソナルマルチプレーヤー、デジタルカメラ等のディスプレイの青色発光層ホスト材料として用いられた。【００２８】
それらの誘導体の典型的な材料である９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ターシャリーブチルアントラセン（以下ＴＢＤＮＡと略す）は、示差走査熱量測定（以下ＤＳＣと略す）によるとガラス転移温度（以下Ｔｇと略す）は約１２８℃付近である。また２２２℃以上で結晶化が生じ２８５℃から溶融する。そのため高電流密度で高輝度発光させた場合、発熱によりＴｇ以上に素子内部が加熱され有機層が混合したり結晶化が生じ電気短絡が生じる場合もある。そのため、さらなる高Ｔｇ化とアモルファス性の向上が求められた。【００２９】
また、ＴＢＤＮＡはトルエン等からスピンコート法で湿式成膜も可能であるが、分子量が４８６と低いため１３０℃程度の比較的低温での真空乾燥でも膜が徐々に昇華してしまい耐熱性不足の問題があった。【００３０】
また高輝度化のために２,５,８,１１−テトラ−t−ブチルペリレンをドープした場合は、ＥＬ発光ピークが４６０ｎｍから４６５ｎｍに長波長化し、高色純度が要求されるテレビ用途には課題があった。【００３１】
またＥＬディスプレイの駆動方式に関しては、表示容量が低い小型の低精細ディスプレイの場合は、駆動方式をパッシブマトリクス駆動方式とし、構造を透明基板側から光を取り出すボトムエミッション型とすることにより対応できた。しかし、高精細カラーテレビのように表示容量が大きいディスプレイになると、パッシブマトリクス駆動方式では各画素のドットが発光する際には大きな電流が流れる。そのため、Ｔｇが１００℃から１５０℃程度の通常の有機ＥＬ材料では耐熱性が不十分で長時間の駆動ができない問題があった。【００３２】
そこで各画素ドットをできるだけ低い電流密度で駆動するため、ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタ駆動回路やシリコンウエハ上に形成したＣＭＯＳ駆動回路を用いたアクティブマトリクス駆動回路による駆動が行われようになった。【００３３】
さらに、駆動回路上に絶縁膜を形成した上に有機ＥＬ素子を形成し、基板と反対側に透光性対極を形成して光を取り出すトップエミッション方式を採用することで開口率を広げることができ、さらに低電流密度駆動ができる。また、トップエミッション方式は、有機ＥＬ媒体層を挟む透明陽極側の反射膜と半透明陰極との間で生じる微小干渉(マイクロキャビティ)効果を利用することにより、ＥＬ発光スペクトルの特定の波長を強く取り出すことができる。さらに、カラーフィルターを積層することで、より高色純度化することができる（特許文献３）。しかしトップエミッション方式は、製造コストが高い課題がある。【００３４】
高色純度化は、分子設計により発光ホスト材料と発光ドーパント材料の短波長発光化で改善することも可能である。伊藤らは、ＥＬ発光ピークを約４２０ｎｍと４５０ｎｍに有する９，１０−ジ（ビフェニル−２−イル）−２−t−ブチルアントラセン（以下ＴＢＢＰＡと略）等を合成した（特許文献４）。ＴＢＤＮＡを発光層に用いたＥＬ素子のＣＩＥ  １９３１  ｘｙ色度座標は（０．１７２、０．１８３）であったが、ＴＢＢＰＡを用いた素子では（０．１５７、０．１２８）に改善したが、ＴＢＢＰＡのガラス転移温度は約７４℃と低いため、さらなる耐熱性改善の課題が生じた。【００３５】
また、ジアミン系低分子正孔輸送材料の分子設計において、分子に非対称性を導入することにより、高いアモルファス性と有機溶媒に対する高い溶解性を有する材料を得ることができた（非特許文献１６）。同様に、アントラセン系青色発光材料においても非対称構造が導入され、低分子材料を用いた塗布型ＥＬ素子の開発も試みられている。しかし、トルエンに対する溶解度は２ｗｔ％以下の材料が多く、高い材料でも５ｗｔ％程度である（特許文献５−７）。また、蒸着型ＥＬ素子に比べ寿命が短い。【００３６】
そのため、より高色純度、高耐熱性、高溶解性、高湿式成膜性、高耐久性の新たな低分子青色発光材料の開発が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３７】
【特許文献１】特開２００２−３２４４０１号公報
【特許文献２】特許第３５８８９７８号公報
【特許文献３】特開２００７−０８０９０６号公報
【特許文献４】特許３７６９９３４号公報
【特許文献５】特開２００８−１２４１５６号公報
【特許文献６】特開２００８−２７０５５７号公報
【特許文献７】特開２００９−３３１４６号公報
【非特許文献】
【００３８】
【非特許文献１】西村、浜田、柴田、冬木、電子情報通信学会論文誌C、1108（2002）
【非特許文献２】S. Enomoto, Y. Mizuno, N. Saito, Y. Kizaki, I. Amemiya and S. Uchikoga,IDW’06  Preprints、OLEDp-19、1331（2006）
【非特許文献３】Devin MacKenzie, Janie Breeden, Jianping Chen, Phil Hinkle, Eric Jones, Anoop Menon,Yuko Nakazawa, Joon-Ho Shin, Vung Vo, Matt Wilkinson, Yuka Yoshioka, and John Zhang、SID 09 DIGEST、20(2009).
【非特許文献４】Hiroshi Kimura, Koji Kawaguchi, Tetsuya Saito, Masaru Nagai, Tadashi Asakawa, Chong Li and Hiroshi Hashida、SID 08 DIGEST、299(2008).
【非特許文献５】H．YIN,SID 05 DIGEST,33.2,p1344
【非特許文献６】M.Boroson, SID 05 DIGEST,16.5L,p972
【非特許文献７】T.Hirano,SID 07 DIGEST, 53.2,p1592
【非特許文献８】T.FUNAMOTO, Y. Matsueda, O. Yokoyama, A. Tsuda, H. Takeshita, A. Miyashita, SID 02 DIGEST, 27.5L(2002).
【非特許文献９】T. Shimoda, SID 03 DIGEST, 39.1(2003).
【非特許文献１０】David Albertalli, SID 05 DIGEST, 30.3(2005).
【非特許文献１１】Tadashi Gohda, Yuhki Kobayashi, Kiyoshi Okano, Satoshi Inoue, Ken Okamoto,Satoshi Hashimoto, Emi Yamamoto, Haruyuki Morita, Seiichi Mitsui and Mitsuhiro Koden, SID 06 DIGEST, 58.3(2006).
【非特許文献１２】M.Masuichi,M.Kawagoe,Y.Takamura,H.Adachi,Y,Fujimoto, and M.Ueno,SID05, DIGEST,30.1(2005).
【非特許文献１３】W.F.Feehery,SID07 DIGEST, 69.1(2007).
【非特許文献１４】E. Kitazume, K. Takeshita, K. Murata, Y. Qian, Y. Abe, M. Yokoo, K. Oota, T. Taguchi,SID06DIGEST, 41.2(2006).
【非特許文献１５】Jianmin Shia and Ching W. Tang,Appl. Phys. Lett.,80(17)2002.
【非特許文献１６】伊藤祐一，M&BE, 11巻, 32ページ(2000).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３９】
本発明の目的は、高いガラス転移温度を有し、かつ有機溶媒に溶解し各種印刷成膜において高い成膜性を有する有機ＥＬ材料用の化合物を提供することにある。【００４０】
さらには、色純度のよい青色発光材料を始め、有機ＥＬパネルのカラー化に必要な緑や赤の発光材料やホスト材料、及び正孔や電子のキャリア輸送材料として利用できる化合物を提供することを目的とする。【００４１】
さらに、本発明の目的は、有機溶媒に対し高い溶解性を有する本発明の化合物を含有した印刷インク用の組成物を提供することにある。【００４２】
さらに、本発明の目的は、本発明の化合物を含有した印刷インクを塗布することにより製造した転写用ドナー基材を提供することにある。【００４３】
さらに、本発明の目的は、本発明の化合物を用いた発光素子を提供することにある。【００４４】
さらに、本発明の化合物を発光ドーパントとして用いた発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００４５】
本発明の第１の態様によると、下記式（１）
【化１−１】
2011074493.tif 000003
【００４６】
（式中、Ｘは、置換基を有しても良いアリール環またはヘテロアリール環から誘導される残基または単結合を示す。Ａｒ１およびＡｒ２は、未置換または置換基を有するフェニル基またはヘテロアリール基である。Ａｒ３は置換または未置換のアリールまたはヘテロアリール環が１つまたは６つ以下で共役的に連結した炭素数６０以下の基、またはアントラセン環上の９位または１０位の置換基と同じ基である。ＸおよびＡｒ１からＡｒ３上の置換基、ならびにＲ１からＲ１２は、水素、重水素、フッ素、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリメチルシリル基、炭素数１５以下のアルキル基、アルコキシ基およびポリオキシアルキレン基、炭素数１５以下の置換または未置換のアリール基およびヘテロアリール基、ならびに炭素数１５以下の架橋性置換基からなる群から独立に選ばれる。  
また、Ｒ１からＲ１２は隣接する置換基同士が連結し環を形成しても良い。  
ｎは０または１の整数である。）
の構造で示されることを特徴とした化合物が提供される。【００４７】
本発明の第２の態様によると、下記式（８）で示されることを特徴とした化合物が提供される：
【化１−２】
2011074493.tif 000004
【００４８】
（式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基である。）。【００４９】
本発明の第３の態様によると、室温で液体の媒体中に、上記化合物を少なくとも１種以上を含有することを特徴とするインク組成物が提供される。【００５０】
本発明の第４の態様によると、発光ドーパントとしての上記化合物と、イオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー差が前記ドーパントよりも大きい少なくとも１種以上のホスト材料とを含むインク組成物が提供される。【００５１】
本発明の第５の態様によると、下記式（１０）で示される化合物と、請求項１から４のいずれか１項に記載の化合物の少なくとも１種以上を含むことを特徴とする固体または液体の組成物が提供される：
【化１−３】
2011074493.tif 000005
【００５２】
（式中、Ｒはアルキル基であり、ｎは置換基の数を表す０から３の整数である。）。【００５３】
本発明の第６の態様によると、光エネルギーを吸収し発熱する層が形成された基板またはシート上に上記化合物を含む膜が積層された転写用ドナー基材が提供される。【００５４】
本発明の第７の態様によると、対向する電極間若しくは陽極と陰極との間の少なくとも１層に発光材料を含有する発光層を備えた発光素子において、前記対向する電極間若しくは陽極と陰極との間に形成された少なくとも１層が上記化合物を含むことを特徴とする発光素子が提供される。
【発明の効果】
【００５５】
本発明は、有機溶媒に溶解し塗布成膜可能、かつ高Ｔｇで耐熱性の高い蛍光性低分子からなる発光層用発光ドーパント材料、蛍光およびりん光発光材料に対する発光層用ホスト材料、正孔および電子のキャリア輸送層用材料を提供するためになされたものである。【００５６】
本発明の式（１）から（３）に示す化合物は、青色発光の色純度が高い９，１０-ジアリールアントラセンを骨格としている。【００５７】
さらに、本発明の式（１）から（３）に示す化合物では、アントラセン環の９位または１０位の一方または両方にジフェニルトリアジン誘導体の基から導かれる大きな剛直な置換基を有するため、その立体障害により分子間のアントラセン環同士の接近によるアントラセン環の２量体化による劣化を抑制、および濃度消光を抑制、および長波長のエキシマ発光生成による色純度低下を抑制する効果が期待できる。【００５８】
また、本発明の化合物を用いて、高濃度の溶液でも高い発光強度を得ることが可能なため、湿式の電解発光素子用発光材料としても利用可能である。【００５９】
また、本発明の式（１）から（３）に示す化合物は、立体障害によりアントラセン環の９位または１０位の一方または両方の大きな剛直な置換基がアントラセン環の周りを自由に回転できず回転異性体（アトロプ異性体）が存在する場合がある。さらに、Ｒ１からＲ８の置換基の位置により、９位と１０位の置換基が同じであっても光学異性体の混合物を生じる場合がある。そのためそれらが混合した膜はさらに結晶化し難いと考えられる。【００６０】
また、本発明の式（１）から（３）で示す化合物は、アントラセン環の９位または１０位の一方または両方に大きな剛直な置換基を有するため、分子全体が立体的で剛直になり、２００℃以上の高いＴｇを可能とする化合物も容易に合成でき、有機ＥＬ素子の耐熱性向上に効果がある。【００６１】
さらに、式（１）の化合物のＲ９からＲ１２または式（２）のＲ９からＲ１６の位置を置換する隣接する２つの置換基同士、例えばＲ１０とＲ１１の置換基がそれぞれ連結し環を形成することも可能で、縮合環のナフタレン環を形成した場合には、さらに剛直性の高い分子を得ることも可能である。【００６２】
また、本発明の式（１）から（３）の化合物は、アントラセン環上のＲ１からＲ８の隣接する基同士が連結し縮合環を形成していない場合はアントラセン環に起因する青色蛍光が得られる。また、Ｒ１からＲ８の隣接する基同士が連結し縮合環を形成し、例えばベンゾアントラセン環やジベンゾアントラセン環を形成した場合は、発光スペクトルが長波長化し緑色や赤色の発光を得ることもできる。そのため本発明の化合物は、フルカラーディスプレイの発光材料としても有用である。【００６３】
また、アントラセン環上のＲ２、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７等への置換基としてアントラセン環と共役可能なアリール基やヘテロアリール基から誘導される一価の基を結合させた場合にも発光波長を長波長化させる効果があり、発光色を調整することができる。【００６４】
また、本発明の式（１）から（３）の化合物は、アントラセン環の９位または１０位の一方または両方に電子親和力を大きくするトリアジン環を含むため、電子輸送性を有する。窒素を含むオキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環等のヘテロアリール基でさらに置換した本発明の化合物は、電子親和力がより大きくなり、電子輸送材料としても有用になる。【００６５】
また、本発明の式（１）から（３）の化合物上の置換基は、水素以外に、重水素、フッ素、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリメチルシリル基、炭素数１５以下のアルキル基、アルコキシ基およびポリオキシアルキレン基、置換または未置換のアリール基およびヘテロアリール基、ならびに架橋性置換基からなる群から独立に選ぶことができる。【００６６】
化合物中の置換基をフッ素、トリフルオロメチル基、シアノ基から選ばれる強い電子吸引性基で置換し、化合物のエネルギーレベルを調整することができる。その際、分子の中心のアントラセン環に対し対称的、または各芳香環の中心に対して対称になる位置を偶数個の基で置換することによりダイポールモーメントを打ち消し、正孔や電子のキャリア移動度の低下に繋がる分子の分極率増大を起こさせずに化合物のＩｐ、と電子親和力（以下Ｅａと略す）を大きくすることができる。【００６７】
対称に置換する例としては、式（１）から（３）のアントラセン環上のＲ２とＲ６の組またはＲ３とＲ７の組、またはＲ２とＲ３とＲ６とＲ７の４つの位置の組、または式（２）のＲ１１とＲ１５の位置の組等で置換した化合物等があげられる。【００６８】
また、式（１）から（３）のアントラセン環のＲ１からＲ８を重水素で置換しＣ−Ｄ結合とすることもできる。その際、Ｃ−Ｈ結合の場合よりも熱振動が抑制され励起状態の熱失活が抑制され蛍光強度が増大する場合もあるが、逆に重い原子の置換により３重項への系間交差が促進され蛍光強度が低下する場合もある。【００６９】
置換基として１つ以上の架橋性置換基を付加することもできる。架橋性基を付加した本発明の化合物は、光または熱により架橋可能なホスト材料中に発光材料としてドープされ、フォトマスクを通して光照射やレーザー照射されると、ホスト材料と共に架橋し不溶性の膜になる。各色において露光、現像を繰り返すことにより、多色の微細発光配列パターンを得ることができ、フルカラーディスプレイの製造に利用することもできる。【００７０】
本発明の化合物中の置換基を適宜選択することにより芳香族系有機溶剤に対して高い溶解性を与えることができ、トルエン、キシレン、アニソール、テトラリン等の印刷に用いる有機溶媒に対し、塗布または印刷用インク溶液として通常利用されている１〜３ｗｔ％程度の濃度以上に溶解可能な化合物を合成することができる。【００７１】
また、本発明の化合物を高重合度で高粘度な高分子化合物と混合して有機溶媒に溶かしインキ化することにより、印刷法に適した溶液粘度に調整することもできる。【００７２】
そのため、本発明の化合物は、量産性に優れた凸版印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、連続ノズル印刷法等の塗りわけ印刷法や、スリットコート、キャピラリーコート、ロールコート等の塗布法にも適用することが可能であり、大面積の有機ＥＬパネルの製造コスト低減に有効である。【００７３】
さらに、本発明の化合物は、大面積有機ＥＬパネルの製造に有用な転写法に対しても利用できる。例えば、転写や剥離の際の膜の形状を維持し熱転写性を付与するポリスチレン、ポリビニルナフタレン等の高分子バインダー、および低分子正孔輸送材料や電子輸送材料と本発明の化合物からなる発光材料を含むインクを塗布、印刷し成膜したドナー基材を作製し、画素駆動回路が形成されたディスプレイ基板に重ね合わせてヒートバーやレーザービーム等の手段で過熱することにより膜を熱転写し発光層を形成することができる。【００７４】
さらには、本発明の化合物を含む低分子材料のみからなるインクを塗布、印刷したドナー基材を作製し、画素駆動回路が形成された大面積のディスプレイ基板に重ねあわせ逐次移動させながら昇華転写することで大面積なディスプレイ基板に対しても発光層を形成することもできる。【００７５】
本発明の化合物を塗布成膜により昇華転写用ドナー基材に用いる場合には、分子量が６５０〜１３００程度の化合物を用いることが好ましい。分子量が６５０未満の材料は塗膜の真空乾燥中２００℃程度の温度で昇華し始める場合がある。一方、分子量が１３００を超えると昇華温度が５００℃程度になり有機物の分解や変性が起こり易くなる。【００７６】
複数の化合物を混合して昇華転写用ドナー基材とする場合には、昇華転写温度がほぼ同じになるよう分子量が近い化合物同士を選び塗布することが均一な膜組成を得るために望ましい。ホスト材料に対してプラスマイナス１０％以内の差の分子量、好ましくは５％以内の差の分子量のドーパント材料を混合し、塗布することで、組成均一性の高い昇華膜が得られる。【００７７】
また、膜厚方向に傾斜組成を形成する場合は分子量の異なる化合物を混合して用いることもできる。例えば、発光層の低分子ホスト材料や発光ドーパント材料よりも１０％以上分子量の小さい低分子正孔輸送材料を混合すれば、電子ブロック正孔輸送層側の発光層中の低分子正孔輸送材料濃度を濃くすることができ、陰極側の発光層中の正孔輸送材料の濃度を低くでき、膜の抵抗を下げ発光効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の断面図。
【図２Ａ】本発明の実施例に係る化合物１の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図２Ｂ】図２ＡのＮＭＲチャートの拡大図。
【図３】本発明の実施例に係る化合物１〜３の蛍光スペクトル。
【図４Ａ】本発明の実施例に係る化合物２の異性体成分１の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図４Ｂ】図４ＡのＮＭＲチャートの拡大図。
【図５Ａ】本発明の実施例に係る化合物２の異性体成分２の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図５Ｂ】図５ＡのＮＭＲチャートの拡大図。
【図６Ａ】本発明の実施例に係る化合物３の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図６Ｂ】図６ＡのＮＭＲチャートの拡大図。
【図７Ａ】本発明の実施例に係る化合物３１の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図７Ｂ】図７ＡのＮＭＲチャートの拡大図。
【図８】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子で用いられる発光層のドーパント濃度を決めるための蛍光スペクトルチャート。
【図９Ａ】本発明の実施例に係る化合物３２の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図９Ｂ】図９ＡのＮＭＲチャートの拡大図。
【図１０】本発明の実施例に係る化合物３２の蛍光スペクトルチャートおよび化合物３２に化合物２をドープした場合の蛍光スペクトルチャート。
【図１１】本発明の一実施形態に係るドナー基材の断面図。
【図１２】本発明の実施例に係る化合物を含む膜について測定した蛍光スペクトルチャート。
【図１３】本発明の一実施形態に係るドナー基材を用いた転写方法の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００７９】
以下、本発明をさらに詳しく説明する。
【００８０】
本発明によれば、式（１）
【化２】
2011074493.tif 000006
【００８１】
（式中、Ｘは、置換基を有しても良いアリール環またはヘテロアリール環から誘導される残基または単結合を示す。Ａｒ１およびＡｒ２は、未置換または置換基を有するフェニル基またはヘテロアリール基である。Ａｒ３は置換または未置換のアリールまたはヘテロアリール環が１つまたは６つ以下で共役的に連結した炭素数６０以下の基、またはアントラセン環上の９位または１０位の置換基と同じ基である。ＸおよびＡｒ１からＡｒ３上の置換基、ならびにＲ１からＲ１２は、水素、重水素、フッ素、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリメチルシリル基、炭素数１５以下のアルキル基、アルコキシ基およびポリオキシアルキレン基、炭素数１５以下の置換または未置換のアリール基およびヘテロアリール基、ならびに炭素数１５以下の架橋性置換基からなる群から独立に選ばれる。  
また、Ｒ１からＲ１２は隣接する置換基同士が連結し環を形成しても良い。  
ｎは０または１の整数である。）
の構造で示されることを特徴とした以下の化合物が提供される。
【００８２】
ここで、Ｘで表される置換基を有してもよいアリール環またはヘテロアリール環から誘導される残基とは、例えば、置換基を有してもよいベンゼン環、ピリジン環等から誘導される２価の残基を意味する。
【００８３】
Ａｒ１およびＡｒ２は、フェニル基、またはピリジル基、カルバゾリル基等のヘテロアリール基を骨格とし、該骨格に任意に置換基を有する構造をとる。
【００８４】
炭素数１５以下のアルキル基の例としては、メチル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、オクチル基等が挙げられる。炭素数１５以下のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、イソプロピルオキシ基、メトキシエチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基等が挙げられる。炭素数１５以下のポリオキシアルキレン基の例としては極性溶媒への溶解性に優れた２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ基等が挙げられ電解発光型の有機ＥＬ素子に用いる場合に適する。炭素数１５以下の置換または未置換のアリール基の例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ビフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。炭素数１５以下の置換または未置換のヘテロアリール基の例としては、ピリジル基、ビピリジル基、ピリミジニル基、２−t−ブチルピリミジン−５−イル基、フェナンスリル基、２，４−ジアリール−１，３，５−トリアジン−６-イル基、カルバゾ−ル−９−イル基、６−メチルベンゾチアゾ−ル−２−イル基、Ｎ−フェニルベンゾイミダゾ−ル−２−イル基等の例が挙げられる。炭素数１５以下の架橋性基の例としては基の末端にビニル基、トリフルオロビニル基、アクリル基、メタクリル基、ペンテニル基等のアルケニル基、マレイミド基、エポキシ環やオキセタン環を有する基、アルコキシシランやアルコキシチタンを有する基、チオール基や水酸基やアミノ基を有する基等が挙げられるが、特にこれらの例に限定されるわけではない。
【００８５】
また、Ｒ１からＲ１２は、隣接する置換基同士が連結しシクロヘキサン環やベンゼン環、フェナントレン環等の脂肪族環や芳香族環を形成しても良い。
【００８６】
合成反応式（１）に本発明の式（１）で表す化合物の合成ルートの例を示す。まず、９、１０−ジブロモアントラセン誘導体を出発原料とした合成ルートを示す。
【００８７】
ここで、合成反応式中の置換基Ａは、ヨウ素、臭素、塩素、またはトリフレートから選ばれる。置換基Ｂは、鈴木宮浦カップリングの際のホウ素を有する基を表し、ボロン酸、ボロン酸とビス（ピナコラート）ジボロン等とのボロン酸エステル、またはカリウムトリフルオロボロン等の三フッ化ホウ素塩等から選ばれる。
【化３】
2011074493.tif 000007
【００８８】
合成反応式（１）中、Ｘ、Ａｒ１からＡｒ３、Ｒ１からＲ１２、およびｎは、上記式（１）で定義した通りである。
【００８９】
合成反応式（１）は、アントラセンの９位と１０位の置換基を別の基として非対称に合成する場合の合成ルートの例で、昇華や蒸着を容易にするため低分子量化した材料を得る目的等の場合には片方の基に分子量の小さい置換基を選択できるため有効である。しかし、合成工程数が増えコスト増になる問題がある。そのため９位と１０位が同じ置換基であっても置換基の選択により湿式プロセスに十分な溶解性と高いガラス転移温度を有するアモルファス材料が得られるため、必ずしも９位と１０位の置換基が異なる非対称な化合物を合成する必要は無い。
【００９０】
上記式（１）で表される化合物の例として、下記式（２）
【化４】
2011074493.tif 000008
【００９１】
（式中、Ｒ１からＲ４４は、水素、重水素、フッ素、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリメチルシリル基、炭素数１５以下のアルキル基、アルコキシ基およびポリオキシアルキレン基、炭素数１５以下の置換または未置換のアリール基およびヘテロアリール基、ならびに炭素数１５以下の架橋性置換基からなる群から独立に選ばれる。ｎ１およびｎ２はそれぞれ独立に０または１の整数である。）
で表される化合物が挙げられる。
【００９２】
上記式（２）で表される化合物の例として、下記式（３）
【化５】
2011074493.tif 000009
【００９３】
（式中、Ｒ１からＲ８は、水素、重水素、フッ素、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリメチルシリル基、炭素数１５以下のアルキル基、アルコキシ基およびポリオキシアルキレン基、炭素数１５以下の置換または未置換のアリール基およびヘテロアリール基、ならびに炭素数１５以下の架橋性置換基からなる群から独立に選ばれる。）
で表される化合物が挙げられる。
【００９４】
以下の合成反応式（２）から（４）には、アントラセンの９位と１０位の置換基を同じにした本発明の式（３）で表す化合物の合成方法の例を示す。
【００９５】
合成反応式（２）は、９，１０−ジブロモアントラセン誘導体を出発物質とした鈴木−宮浦カップリングによる合成法の例であり、合成反応式（３）、（４）は、アントラキノン誘導体を出発物質とした合成法の例である。
【００９６】
反応合成式中、Ｒ１からＲ８は、上記式（３）の化合物で定義した通りである。
【００９７】
ここで、合成反応式中の置換基Ａは、ヨウ素、臭素、塩素、トリフレート等から選ばれ、置換基Ｂは、鈴木−宮浦カップリングの際のホウ素を有する基を表し、ボロン酸、またはボロン酸とビス（ピナコラート）ジボロン等とのボロン酸エステルまたはカリウムトリフルオロボロン等の三フッ化ホウ素塩等から選ばれるが、合成反応式（２）においてはＡをホウ素を有する基とし、Ｂをハロゲンのままとした逆の組み合わせのカップリングも可能である。
【００９８】
置換基ＡおよびＢを有するトリアリールトリアジン誘導体の合成ルートの１例を合成反応式（５）に示すが、同様の反応で、ピリジン環等のヘテロアリール環を有する原料を使用した類似化合物や置換基が異なる類似化合物を合成することもできる。
【化６】
2011074493.tif 000010
【化７】
2011074493.tif 000011
【化８】
2011074493.tif 000012
【化９】
2011074493.tif 000013
【００９９】
以下の化合物１から化合物３０および式（４）から式（７）に、本発明の化合物の具体的な例を示す。
【化１０】
2011074493.tif 000014
【化１１】
2011074493.tif 000015
【化１２】
2011074493.tif 000016
【化１３】
2011074493.tif 000017
【化１４】
2011074493.tif 000018
【化１５】
2011074493.tif 000019
【化１６】
2011074493.tif 000020
【化１７】
2011074493.tif 000021
【化１８】
2011074493.tif 000022
【化１９】
2011074493.tif 000023
【化２０】
2011074493.tif 000024
【化２１】
2011074493.tif 000025
【化２２】
2011074493.tif 000026
【化２３】
2011074493.tif 000027
【化２４】
2011074493.tif 000028
【化２５】
2011074493.tif 000029
【化２６】
2011074493.tif 000030
【化２７】
2011074493.tif 000031
【化２８】
2011074493.tif 000032
【化２９】
2011074493.tif 000033
【化３０】
2011074493.tif 000034
【化３１】
2011074493.tif 000035
【化３２】
2011074493.tif 000036
【化３３】
2011074493.tif 000037
【化３４】
2011074493.tif 000038
【化３５】
2011074493.tif 000039
【化３６】
2011074493.tif 000040
【化３７】
2011074493.tif 000041
【化３８】
2011074493.tif 000042
【化３９】
2011074493.tif 000043
【化４０】
2011074493.tif 000044
【化４１】
2011074493.tif 000045
【化４２】
2011074493.tif 000046
【化４３】
2011074493.tif 000047
【０１００】
本発明の１つの実施形態によると、室温で液体の媒体中に、上記本発明の化合物を少なくとも１種以上含有することを特徴とするインク組成物が提供される。本発明の化合物を溶解する溶媒としては、ベンゼン、ジクロロベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール、テトラリン等の沸点が８０℃から２５０℃以下の芳香族系有機溶媒やジクロロエタン等のハロゲン系溶媒が単独または混合して用いられる。
【０１０１】
さらに塗布印刷プロセスに合ったインク粘度に調整するため高重合度の高分子化合物を添加しても良い。
【０１０２】
高重合度の高分子化合物の例としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルナフタレン、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、エチレン−ノルボルネン共重合体やエチレン−テトラシクロドデセン共重合体等の環状オレフィン共重合体、ポリ（テトラヒドロフラン）、高分子有機ＥＬ素子のインターレイヤー材料や発光材料として用いられる分子量が１０万から２００万の高分子が挙げられる。
【０１０３】
本発明の化合物を発光ドーパントとして用いる場合は固形分の割合で０．５〜５０ｗｔ％未満の量で用いられる。０．５ｗｔ％未満の低濃度の場合には、発光が弱かったりホスト材料からのエネルギー移動が十分に行われず、発光ドーパントとして十分に機能しない場合がある。一方、５０ｗｔ％を超えると、濃度消光により蛍光強度が低下する場合がある。そのため、より好ましくは５〜１０ｗｔ％程度の濃度で用いられる。
【０１０４】
逆に本発明の化合物に異なる分子構造の発光材料が０．５ｗｔ％以上ドープされホスト材料として用いられる場合には、固形分中の濃度は５０〜９９．５ｗｔ％程度の割合で用いられる。本発明のインク組成物には、他に、キャリア輸送性材料等が含まれてもよい。
【０１０５】
溶媒に対する固形分の割合は成膜方法と材料の溶解性により０．１〜３０ｗｔ％程度の範囲で選択し使用することができる。
【０１０６】
本発明の化合物が発光ドーパントとして前記インク組成物に含まれる場合、ホスト材料の励起状態から発光ドーパントへの効率的なエネルギー移動を起こし発光ドーパント材料からの強い発光を得るために、ホスト材料のＥｇはドーパント材料以上であることが好ましい。
【０１０７】
本発明の化合物を発光ドーパントとして用いる場合に好ましい低分子ホスト材料の例としては、２，２’−ビス（４−（２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１,３,５−トリアジン−６−イル）フェニル）−９，９’−スピロビフルオレン（以下ＢＴｒＳＢＦと略す）等が挙げられるが、高分子材料を用いたり、本発明の化合物をホスト材料とし、よりＥｇの小さい本発明の化合物や他の化合物を発光ドーパントとすることもできる。
【０１０８】
本発明の他の実施形態によると、光エネルギーを吸収し発熱する層が形成された基板またはシート上に、上記本発明の化合物を含む転写層が積層されたレーザー熱転写やレーザー昇華転写等の転写用ドナー基材が提供される。
【０１０９】
前記基板またはシートとしては、ガラス、フィルム等が使用される。転写用ドナー基材における本発明の化合物を含む膜は、本発明の化合物を含むインク組成物を塗布または蒸着することにより形成することができる。
【０１１０】
熱転写用ドナー基材を作製する場合には、表面処理により剥離性が調整されたシート基材が主に用いられ、かつ転写される際の膜の形状を保持し、加熱時にディスプレイ基板との接着性を高めるために、ポリスチレンやキャリア輸送性を有する高分子材料等が転写層に添加される。
【０１１１】
ディスプレイ基板に密着させたドナーシート基材側からレーザーや発光ダイオードの光ビームがドナーシート上に形成された光吸収層のパターンに照射されると、光エネルギーが熱に変換され、光吸収層に積層された光反射層を通して転写層に熱が伝わり、転写層が軟化しディスプレイ基板に接着する。その後ドナーシートを剥離することにより、光照射パターンに対応した転写層のパターンを形成できる。
【０１１２】
本発明の化合物、および本発明の化合物を含む層と基板との間の発熱層の組成は加熱用光源の波長に合わせて光吸収し発熱する材料を適宜選択することが可能であり、カーボン系材料、クロム系酸化物、モリブデン系酸化物等の金属酸化物を用いることができる。
【０１１３】
本発明の他の実施形態によると、対向する電極間若しくは陽極と陰極との間の少なくとも１層に発光材料を含有する固体または液体の発光層を備え、前記対向する電極間若しくは陽極と陰極との間に形成された少なくとも１層が本発明の化合物を含む発光素子が提供される。
【０１１４】
このような発光素子の例として、固体の発光層を有する有機ＥＬ発光素子を作製する場合について、図１を参照しながら次に説明する。  
有機ＥＬ素子の基本的な構成例として、基板１上の陽極２上に、正孔注入輸送層３、電子ブロック正孔輸送層４、発光層５、正孔ブロック電子輸送層６、電子注入輸送層７、陰極８の順に構成されている場合について説明する。
【０１１５】
ここで正孔注入輸送層３は、陽極２に接した正孔注入層(図示せず)と正孔輸送層（図示せず）の２層で構成される場合や正孔注入輸送層３と電子ブロック正孔輸送層４が兼用され1層で構成される場合もある。また、正孔ブロック電子輸送層６と電子注入輸送層７が兼用されるか、どちらか1層で構成される場合もある。
【０１１６】
注入された正孔と電子のキャリア数のバランスが正孔優勢の場合には電子ブロック正孔輸送層４を使用せず、逆に電子優勢の場合には正孔ブロック電子輸送層６を使用しない構成も可能である。できるだけキャリアバランスが等しくなるような構成とし、かつ局所的な界面に正孔や電子のキャリアが蓄積しない構成とすることが、ＥＬ発光の色度変化の抑制、発光効率や輝度寿命を高める上で好ましい。
【０１１７】
有機ＥＬ素子は、水分や酸素により劣化し易いため、無機膜からなる水蒸気や酸素のバリア性の高いパッシベーション層９を素子上に形成し、さらに不活性ガス中で必要に応じて乾燥剤シート１０を貼り付けた封止板１１を酸素や水蒸気のバリア性の高い接着材１２にて接着し密封する。
【０１１８】
有機ＥＬ素子を発光させる場合は、陽極２を電源１４のプラス極に、陰極端子部１３をマイナス極にそれぞれ配線１５にて接続し直流電圧を印加すると発光する。交流電圧を印加した場合には陽極２にプラス電圧、陰極端子部１３にマイナス電圧が印加されている間発光する。
【０１１９】
以下、基板上に陽極から形成する場合についてさらに詳しく説明する。  
基板１は、絶縁性でガスバリア性に優れ透明なガラス板が通常用いられるが、プラスチックフィルムや、ステンレス等の金属箔に絶縁コートしたフレキシブル基板が用いられる場合もある。また、微細な駆動回路を形成したシリコン基板や放熱性に優れたサファイア基板が用いられる場合もある。  
不透明な基板を用いた場合は、基板上の電極の対向電極を光透過性にすることにより光を取り出すことができる。
【０１２０】
陽極２は、ＩＴＯ（インジウム錫複合酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）等の透明導電膜、金や白金からなる導電性の高い半透明金属薄膜、高導電性のポリチオフェン系またはポリアニリン系導電性高分子膜等が用いられている。
【０１２１】
陽極に使われるＩＴＯ等の一般的な透明導電膜のＩｐは５ｅＶ程度前後であり、Ｅｇの大きな青色発光材料のＩｐは６ｅＶ前後の材料が多いため、透明導電膜から発光層へ直接正孔を注入する際には１ｅＶ程度のＥｇがある。そのため、該Ｅｇを小さくし、陽極から発光層への正孔注入効率を高めるためおよび陽極表面の平滑化のために、陽極の表面処理や正孔注入輸送層の積層が行われる。
【０１２２】
陽極の表面処理は、アルゴンガスや酸素ガスによるプラズマ処理、紫外線照射オゾン処理、フッ素系シランカップリング剤等での表面処理等により電極表面のＩｐを増大させることもできる。
【０１２３】
正孔注入輸送層３は、陽極上に０．５〜１００ｎｍ程度の厚さで１層以上積層され用いられる。正孔注入材料としては、ＩｐまたはＥａが５〜６ｅＶ程度の有機または無機の半導体材料等が単独、または複合して用いられる。
【０１２４】
正孔注入輸送層以降の層を湿式成膜法で作製する場合には、正孔注入輸送層以降の成膜時の有機溶媒により正孔注入輸送層が溶かされない必要がある。そのため、トルエンやキシレン等の溶媒に溶かされない水性のポリ（３,４-エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との複合体（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳと略）の膜やポリアニリン系の導電性高分子材料の水性分散液からの塗布膜が陽極表面の平滑化を兼ねて広く用いられている。
【０１２５】
その他、トルエン系の有機溶媒に難溶な銅フタロシアニン等の有機顔料系の蒸着膜や、Ｅａが５．４ｅＶ程度のヘキサデカフルオロ銅フタロシアニン等のＥａの値が陽極と発光層のＩｐの値の間にある材料の蒸着膜等を利用可能である。
【０１２６】
また、Ｉｐの大きな酸化チタン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化ニッケル等のｎ型無機半導体の真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング等の真空成膜法による膜やゾルゲル法等による膜も利用できる。
【０１２７】
正孔注入輸送層以降の層を蒸着で積層する場合には、有機溶剤可溶性の膜を塗布成膜することにより正孔注入輸送層とすることができる。
【０１２８】
例えば、４,４',４''−トリス［２-ナフチル（フェニルアミノ）］トリフェニル-アミン等の正孔輸送能力と成膜性の高いスターバースト型等の芳香族３級アミン化合物の蒸着膜や塗布膜を用いることができる。さらにそれらの芳香族３級アミン化合物中に、２,３,５,６−テトラフルオロ−７,７,８,８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱと略、Ｅａ５．２４ｅＶ）や２−（６−ジシアノメチレン−１,３,４,５,７,８−ヘキサフルオロ−６Ｈ−ナフタレン−イリデン）マロノニトリル等のアクセプター、あるいは臭化テトラフェニルアンチモンやＦｅＣｌ３等のルイス酸をドープし、より低抵抗化した膜を用いることができる。
【０１２９】
正孔注入輸送層以降の層を蒸着で積層する場合には、本発明の化合物を正孔注入輸送層に使用した場合にも層が溶媒により溶かされないため、本発明の化合物を利用可能である。例えば本発明の化合物中、蒸着可能な分子量が１３００以下の材料と酸化チタン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン等のＩｐが５．８ｅＶ程度の導電性酸化物材料とを共蒸着することにより、正孔注入輸送層とすることができる。
【０１３０】
また正孔注入輸送層以降の層を湿式成膜法で成膜する場合においても、本発明の化合物を溶かし難い溶剤を用いる場合や、環上にアルキル基等の置換基を全く有しない化合物３０で示すような比較的難溶性の本発明の化合物を用いて導電性酸化物材料と共蒸着する場合には、本発明の化合物を正孔注入輸送層に用いることが可能な場合もある。
【０１３１】
電子ブロック正孔輸送層４は、正孔注入輸送層３と発光層５との間に５〜３０ｎｍ程度の厚さで設け、陽極２から発光層５への正孔輸送を促進するとともに、発光層５に注入された電子が陽極へ漏れ出すのを防ぐ機能を有する。電子ブロック正孔輸送層４は、正孔輸送能力の高い芳香族３級アミンを含む低分子の蒸着膜や溶剤不溶化できる架橋型高分子正孔輸送材料からなる膜が好ましく用いられる。
【０１３２】
電子ブロック正孔輸送層のＩｐは、正孔注入輸送層のＩｐの値と発光層のＩｐの値の間にあり、かつ電子ブロック正孔輸送層と発光層との界面に正孔が蓄積しないよう正孔注入輸送層と発光層間のＩｐ差は約０．３ｅＶ未満が好ましい。また、電子ブロック正孔輸送層のＥａは、発光層のＥａの値より０．３ｅＶ以上小さい材料を用いることが電子を発光層内に閉じ込めるために好ましい。しかし、電子ブロック正孔輸送層のＥａが発光層と同じであっても、正孔移動度が電子移動度よりも速い材料を用いる場合には電子ブロック正孔輸送層として利用可能になる。また、電子トラップとなるドーパントを添加し、電子移動度を正孔移動度よりも遅くした材料を用いることもできる。
【０１３３】
また、発光層にりん光材料を用いる場合には、発光層に接する電子ブロック正孔輸送層による消光を防ぐため、りん光材料の最低励起３重項レベルよりも大きな最低励起３重項レベルを有する大きなＥｇを有する材料が用いられる。
【０１３４】
電子ブロック正孔輸送層以降に積層される発光層以降の層が蒸着で積層される場合には、溶剤可溶性の材料を電子ブロック正孔輸送層として使用できる。その際、正孔注入輸送層に用いた本発明の化合物から導電性酸化物を除いた本発明の化合物を塗布または蒸着で成膜し用いることもできる。
【０１３５】
発光層５は、蛍光またはりん光発光性の発光材料を含む膜が５〜１００ｎｍ程度の厚さで正孔輸送層上に形成される。発光層５は、単独材料で形成されるか、ホスト材料に発光ドーパント材料がドープされ形成される。ドープされ形成された場合には発光ドーパント材料の濃度消光やエキシマ発光が抑制され発光強度が高まる効果があるため、より好ましい。
【０１３６】
発光層には本発明の化合物を用いることができる他、公知の赤、青、緑、白等の種々のＥＬ発光色を有する材料を単独で、またはホスト材料中にドープされ用いることができる。例えばアントラセン誘導体、ベンゾアントラセン誘導体、ジベンゾアントラセン誘導体、スチリル誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレンオリゴマー、ポリフルオレン系共重合体、ポリフェノキサジン共重合体等の低分子および高分子の蛍光発光材料や、イリジウムやプラチナ、オスミウム、レニウム等の重原子を含むりん光発光錯体等を用いることができる。
【０１３７】
本発明の化合物例中、化合物１から化合物７、化合物１４から化合物１６、化合物２０から化合物２７、化合物３０で示すアントラセン誘導体化合物および式（４）から式（７）で示すアントラセン誘導体化合物は、青色発光材料として好ましく、青、緑、赤色の発光層ホスト材料として用いることもできる。  
また、化合物８、化合物２８で示すベンゾアントラセン誘導体化合物は、緑色発光材料として好ましく、緑、赤色の発光層ホスト材料としても用いることができる。
【０１３８】
また、本発明の化合物９から化合物１２、化合物２９で示すジベンゾアントラセン誘導体化合物は、橙色から赤色発光材料として好ましく、赤色から赤外の発光層ホスト材料としても用いることができる。
【０１３９】
発光層のホスト材料のＥｇは、発光ドーパント材料のＥｇより大きく、ホスト材料の発光スペクトルと発光ドーパントの吸収スペクトルの重なりが大きいことが好ましい。
【０１４０】
また、ホスト材料は、発光ドーパント材料のＩｐと同等以上のＩｐを有し、かつ同等以下のＥａを有するホスト材料を用いることで、発光ドーパント分子での正孔と電子のトラップ確率を高めることができる。青色発光層用のホスト材料は、４００〜４５０ｎｍ程度の色純度の良い青色ＥＬ発光を吸収しない材料が好ましく、Ｅｇが３eＶ程度以上必要になる。  
青色用ホスト材料の具体例としては、化合物３１で示す２，２’−ビス（４−（２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１,３,５−トリアジン−６−イル）フェニル）−９，９’−スピロビフルオレン（以下ＢＴｒＳＢＦと略す）等を用いることができる。
【化４４】
2011074493.tif 000048
【０１４１】
また、電子ブロック正孔輸送層や、後で述べる正孔ブロック電子輸送層に用いる材料を発光層ホスト材料としても用いることができる。  
また、電子輸送性と正孔輸送性のバランス調整のため、正孔輸送材料と電子輸送材料が発光層に混合されても良い。
【０１４２】
次に発光層５の上に、必要に応じて正孔ブロック電子輸送層６および電子注入輸送層７の一方または両方が発光層に接した陰極側に５〜５０ｎｍ程度の厚さで設けられる。
【０１４３】
正孔ブロック電子輸送層６は発光層５の正孔輸送能力が電子輸送能力より高く、発光領域が陰極付近に寄っている場合に、陰極への正孔の漏れと励起子の陰極への拡散を防ぎ、発光効率を高めることができる。
【０１４４】
正孔ブロック電子輸送層の材料は、発光材料よりも０．３ｅＶ以上大きいＩｐと０．１ｅＶ程度小さいＥａを有し、発光層からのＥＬ発光を吸収しないＥｇの大きな材料が好ましい。青色発光素子の場合は、３ｅＶ以上のＥｇを有する材料が好ましい。
【０１４５】
正孔ブロック電子輸送層６上、または発光層５上に電子注入輸送層７を積層することもできる。  
電子注入輸送層７は、陰極８から正孔ブロック電子輸送層６または発光層５への電子注入のエネルギー障壁や電気抵抗を低下させるために、０.５〜５０ｎｍ程度の厚さで設ける。電子注入輸送層をドーピングによりさらに低抵抗化し有機ＥＬ素子を低駆動電圧化することもできる。例えば低イオン化エネルギーのＣｓ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ等のアルカリ金属やアルカリ土類金属または希土類金属、またはそれらを含む化合物を共蒸着等の方法で電子注入輸送層中にドープまたは混合しホスト化合物へ電子を与えアニオン化することによりキャリア密度を増し低抵抗化することができる。
【０１４６】
正孔ブロック電子輸送層６や電子注入輸送層７の材料の具体例としては、バソクプロインやバソフェナントロリン等の１,１０-フェナントロリン誘導体、１,３,５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩと略）等のベンズイミダゾール誘導体、ビス（１０−ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、８−ヒドロキシキノリンＡｌ錯体、ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレートアルミニウム等の金属錯体、４,４'−ビスカルバゾールビフェニル、トリス[３−(３−ピリジル)−メシチル]ボラン等の電子輸送能力の高い含窒素ヘテロアリール基を有する化合物を用いることができる。
【０１４７】
その他、芳香族シラン化合物、フェニル−ジ（１−ピレニル）フォスフィンオキサイド、ビフェニル−４，４’−ジイルビス（ジフェニルホスフィンオキシド）、２,２'−ビス[ジ（ｐ−トリル）ホスフィノイル]−１,１’−ビナフタレン等の芳香族ホスフィン化合物等も用いることができる。
【０１４８】
本発明の化合物を正孔ブロック電子輸送層や電子注入輸送層に用いる場合には、化合物１４、１７、１８、１９、２３の化合物や、式（５）から式（７）で示す化合物等の含窒素ヘテロアリール基を置換基として有する化合物、または化合物１６のようなフッ素置換によりＩｐとＥａを大きくした化合物等を、発光層のエネルギーレベルに合わせて選択し、真空蒸着や塗布により成膜して用いることができる。
【０１４９】
陰極８は、通常低抵抗で、光反射率が高いＡｌやＡｇ等の金属の蒸着膜が使われる。光透過性陰極を形成する場合は、１０ｎｍ程度以下の金属陰極上に透明電極材料等が積層され用いられる。
【０１５０】
効率的な電子注入のために、３ｅＶ以下の低仕事関数を有するＬｉ、Ｂａ、Ｃｓ等のアルカリ金属、アルカリ土類金属やＹｂ等の希土類、またはそれらの化合物からなる層を陰極と有機層界面に数ｎｍ以下の厚さで形成するとよい。そのため、水分があると局部電池を形成し、腐食し易く、非発光スポットが生じ易い問題があるため、厳重な封止が行なわれている。
【０１５１】
また、陰極中または陰極界面の有機層にイオン性液体や塩を添加し、陰極界面に電気２重層を形成させ、電子注入障壁を低減する場合もある。
【０１５２】
ＥＬ発光素子の各有機層の成膜法に関する量産技術は、薄膜の膜厚制御性、均一性に優れた低分子有機材料を用いた真空蒸着法が通常用いられている。しかし、ステップカバレッジが良く平滑化効果の高い高分子や塗布型低分子等からなる塗布層を１層設けることにより、素子の電気的短絡を生じ難くする効果があるため、塗布法と真空蒸着法を複合したプロセスを採用することが大面積発光のディスプレイや照明等の用途には有利である。
【０１５３】
次に、有機溶媒に対して高溶解性の本発明の化合物を含有した液体の発光層を有する電界発光型の有機ＥＬ素子を作製する場合について説明する。  
本発明の化合物をオルトジクロロベンゼンやトルエン等の有機溶媒に５〜１０ｗｔ％の濃度で溶かし、０．１ｗｔ％程度のＬｉＣＦ３ ＳＯ３ 等の支持電解質を加えるか、陽イオン伝導アシストドーパントとして１，２−ジフェノキシエタンを加えて発光層溶液とする。  
少なくとも一方が透光可能な基板を用い、対向する電極板間に発光層溶液を挟み数ミクロン以下のギャップの素子を作製するか、または櫛型電極を形成した基板と対向するカバーガラスにより発光層溶液を挟み有機ＥＬ素子を作製する。
【０１５４】
これらの有機ＥＬ素子は、直流または交流の連続またはパルス状の電流を発光層に印加することにより電解発光させることができる。
【実施例】
【０１５５】
以下に、本発明の実施例について説明する。【０１５６】
［実施例１］
９，１０−ビス｛４−[２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル]ビフェニル−２’−イル｝アントラセン（化合物１）の合成
（中間体合成例１）
２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−（４−ブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン（中間体Ａ）の合成
【化４５】
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【０１５７】
アルゴン雰囲気下、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾ二トリル５．０ｇ（０．０２３ｍｏｌ）、および４−ブロモ安息香酸７．６ｇ（０．０４８ｍｏｌ）を塩化メチレン３００ｍＬに溶解し、この溶液を０℃に冷却した。ここに５塩化アンチモン６．８ｇ（０．０２３ｍｏｌ）を滴下し、徐々に室温に戻してから１時間攪拌した後、１３時間還流攪拌し反応させた。【０１５８】
反応後、溶媒を留去し、黄色固体残留物が得られた。この固体残留物を粉砕し、０℃に冷却した２８％アンモニア水に加えた後、室温に戻して２時間攪拌した。析出した白色固体をろ取し、水洗およびメタノール洗浄した。乾燥後、ヘキサン−塩化メチレン（１：１）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−（４−ブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン６．９８ｇを得た。収率６１．２％。【０１５９】
１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ,  ｄ−ＣＤＣｌ３）：δ１．４１（ｓ、１８Ｈ）、７．６０（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、４Ｈ）、７．７０（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、２Ｈ）、８．６４（Ｊ＝８．７Ｈｚ、２Ｈ）、８．６６（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、４Ｈ）。【０１６０】
（中間体合成例２）
２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）−フェニル］−１，３，５−トリアジン（中間体Ｂ）の合成
【化４６】
2011074493.tif 000050
【０１６１】
アルゴン雰囲気下、２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−（４−ブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン（中間体Ａ）３．０ｇ（５．９９ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコレート）ジボラン１．８３ｇ（７．２１ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム１．７７ｇ（１８．０４ｍｍｏｌ）、およびＤＭＦ６８ｍＬからなる混合物を、室温で脱酸素した後、ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）０．４８ｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を加え、８０〜９０℃で６４時間攪拌し反応させた。【０１６２】
反応後、反応混合物からＤＭＦを留去し、残留物を塩化メチレンで抽出、水洗を行った後、溶媒を留去した。得られた残留物をヘキサン−塩化メチレン（１：２）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）−フェニル］−１，３，５−トリアジン２．９７ｇを得た。収率９０．８％。【０１６３】
１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ,  ｄ−ＣＤＣｌ３）：δ１．４０（ｓ、１２Ｈ）、１．４１（ｓ、１８Ｈ）、７．６０（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、４Ｈ）、８．００（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、８．６９（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、４Ｈ）、８．７４（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）。【０１６４】
（中間体合成例３）
２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−（２’−ブロモビフェニル−４−イル）−１，３，５−トリアジン（中間体Ｃ）の合成
【化４７】
2011074493.tif 000051
【０１６５】
アルゴン雰囲気下、２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）−フェニル］−１，３，５−トリアジン（中間体Ｂ）２．０ｇ（３．６６ｍｍｏｌ）、o−ヨードブロモベンゼン３．０ｇ（２．８９ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム１．１３ｇ（１０．６５ｍｍｏｌ）、水５ｍＬ、ＤＭＦ５０ｍＬからなる混合物を室温で脱酸素した後、ここに、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）０．４１ｇ（０．３６ｍｍｏｌ）を加え、８５℃で４８時間攪拌した。反応終了後、反応混合物を水に注加し、塩化メチレンで抽出、水洗を行い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し、ヘキサン／塩化メチレン（８：１）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−（２’−ブロモビフェニル−４−イル）−１，３，５−トリアジン２．０６ｇを得た。収率９７．６％。【０１６６】
１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ｄ−ＣＤＣｌ３）δ１．４１（ｓ、１８Ｈ）、７．３４（ｂｒ、１Ｈ）、７．４２（ｄ、Ｊ＝４．１Ｈｚ、２Ｈ）、７．５７〜７．６６（ｍ、６Ｈ）、７．７２（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ）、８．７１（ｄｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、１．８Ｈｚ、４Ｈ）、８．８５（ｄｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、１．８Ｈｚ、２Ｈ）。【０１６７】
（中間体合成例４）
９，１０−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）−アントラセン（中間体Ｄ）の合成
【化４８】
2011074493.tif 000052
【０１６８】
アルゴン雰囲気下、９，１０−ジブロモアントラセン６．０ｇ（１７．８６ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２００ｍＬに溶解し、−７０℃に冷却した後、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液２３．４ｍＬ（３７．５ｍｍｏｌ）を滴下した。さらに、同温度で１時間攪拌した後、２−イソプロポキシ−４，４’，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキシボラロン９．１ｍＬ（４４．６５ｍｍｏｌ）を滴下し、徐々に室温に戻しながら一晩攪拌し反応させた。【０１６９】
反応後、反応混合物を水に注加し、塩化メチレンで抽出した後、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。さらに溶媒を留去し、残留分をヘキサン−塩化メチレン（１：１）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、９，１０−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）−アントラセン１．８５ｇを得た。収率２４．１％。【０１７０】
１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ, ｄ−ＣＤＣｌ３）δ１．５８（ｓ、２４Ｈ）、７．４５（ｄｄ、Ｊ＝６．６Ｈｚ、３．２Ｈｚ、４Ｈ）、８．３３（ｄｄ、Ｊ＝６．６Ｈｚ、３．２Ｈｚ、４Ｈ）。【０１７１】
（合成例１）
９，１０−ビス｛４−[２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル]ビフェニル−２’−イル｝アントラセン（化合物１）の合成
【化４９】
2011074493.tif 000053
【０１７２】
アルゴン雰囲気下、２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−［２’−ブロモビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジン（中間体Ｃ）１．８ｇ（３．１２ｍｍｏｌ）、９，１０−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）−アントラセン（中間体Ｄ）０．６２ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム１．０ｇ（９．４３ｍｍｏｌ）、水４．０ｍＬ、ＤＭＦ４０．０ｍＬからなる混合物を室温で脱酸素した後、ここに、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）０．４４ｇ（０．３８ｍｍｏｌ）を加え、８５℃で２４時間攪拌し反応させた。【０１７３】
反応後、反応混合物を水に注加し、塩化メチレンで抽出、水洗を行い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し、ヘキサン：塩化メチレン（３：１）を溶離液としたシリカゲル薄層クロマトグラフィー（以下ＴＬＣと略す）にてＲｆ値が大きい方の主成分（Ｒｆ＝０．３６）をヘキサン／塩化メチレン（６：１）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで、温アセトン洗浄を行い、９，１０−ビス｛４−｛２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル｝ビフェニル−２’−イル｝アントラセン０．３３ｇを得た。【０１７４】
収率１９．８％。ＨＰＬＣ純度９９．６％。【０１７５】
ＨＰＬＣ分析条件（ｃｏｌｕｍｎ：Ｍｙｇｔｈｙｓｉｌ  ＲＰ−１８  ＧＰ  １５０−４．５（５μｍ）（逆相系）、ｅｌｕｅｎｔ：  ＴＨＦ／ＣＨ３ＣＮ  ＝  ２０／８０、１．０ｍｌ／ｍｉｎ、ＵＶ：２５４ｎｍ）。【０１７６】
ＥＳＩ−Ｍｓ質量分析にて１１６９．８６のメインピークを得て、目的物の計算値（Ｃ８４Ｈ７６Ｎ６：１１６９．５４）と一致した。【０１７７】
本発明の化合物１で示す化合物の異性体成分（Ｒｆ＝０．３６）の１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ, ｄ−ＣＤＣｌ３）を図２Ａに示す。また、図２Ｂは図２Ａの拡大図である。【０１７８】
δ１．１７（ｓ、３６Ｈ）、７．１７（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、８Ｈ）、７．２０（ｄｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、３．２Ｈｚ、４Ｈ）、７．２９（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、４Ｈ）、７．４７（ｄｄ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、１．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．５８（ｄｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、１．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．６５〜７．７２（ｍ、６Ｈ）、７．８５（ｄｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、０．９Ｈｚ、２Ｈ）、８．３３（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、８Ｈ）、８．６３（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、４Ｈ）。【０１７９】
化合物１の特性を以下に示す。  
＜熱分析＞
化合物１のガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶化温度（Ｔｃ）、融点（Ｔｍ）を、セイコー電子工業製ＥＸＳＴＡＲ６０００シリーズＤＳＣ６２００により２０℃／minで昇温し測定した。１回目の昇温では、室温から３００℃までは吸熱および発熱を示さず、３００℃〜３３０℃付近のＴｇに続いて３３３℃〜３６０℃付近にＴｃ、または９位、１０位の２つの置換基の回転により生じるＳｙｎ型からＡｎｔｉ型への転移によると思われる発熱ピーク（ピーク温度３５１℃）を示した。Ｔｍは４９３℃〜５１３℃（ピーク５０４℃）であった。【０１８０】
＜溶解度＞
化合物１は室温でトルエン１ｍｌに１．３ｍｇの濃度で溶解し、発光ドーパントとして青色発光層用インクに用い塗布成膜することができた。【０１８１】
＜化合物１のエネルギーレベル＞
１．３ｍｇの化合物１を１ｍｌのトルエンに溶解した溶液をＩＴＯ透明導電ガラス上にスピンコートし、理研計器製表面分析装置ＡＣ−１でイオン化ポテンシャルを測定した結果、５．９ｅＶであった。吸収端エネルギーを差し引き電子親和力は２．９ｅＶであった。【０１８２】
＜蛍光スペクトル＞
図３に、島津ＲＦ−５３００ＰＣ蛍光分光光度計で測定したＩＴＯ膜付き透明導電ガラス上の化合物１から化合物３のスピンコート膜の蛍光スペクトルを示す。化合物１は、励起波長３３０ｎｍで蛍光ピーク波長４４８ｎｍの青色であった。【０１８３】
〔実施例２〕
２−メチル−９，１０−ビス｛４−[２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル]ビフェニル−２’−イル｝−アントラセン（化合物２）の合成
（中間体合成例５）
９,１０−ビス（２−メトキシフェニル）−２−メチル−９,１０−ジヒドロアントラセン−９,１０−ジオール（中間体Ｅ）の合成
【化５０】
2011074493.tif 000054
【０１８４】
アルゴン雰囲気下、２−ブロモアニソール２５．０ｇ（０．１３４ｍｏｌ）をエーテル２００ｍＬに溶解し、０℃に冷却した後、１．６Ｍ  ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液９１．９ｍＬ（０．１４７ｍｏｌ）を滴下した。０℃で２時間熟成し、ここに２−メチルアントラキノン１４．８５ｇ（０．０６７ｍｏｌ）とエーテル５００ｍＬからなる懸濁液とＴＨＦ１２０ｍＬを順次加え室温で一晩攪拌し反応させた。【０１８５】
反応後、反応混合物を水に注加し、塩化メチレンで抽出した。有機層を分取し、飽和塩化アンモニウム水溶液で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、得られた茶褐色固体をヘキサン、ついでエーテルで洗浄した後、減圧下で乾燥し、９，１０−ビス（２−メトキシフェニル）−２−メチル−９，１０−ジヒドロアントラセン−９，１０−ジオール２０．９ｇを得た。収率７１．３％。  
ＤＩ−Ｍａｓｓ分析で４０５（Ｍ＋−３４〜Ｍｓ測定中に脱ＯＨ）を得、Ｃ２９Ｈ２６Ｏ４ に対する計算値４３８．５１と一致。【０１８６】
（中間体合成例６）
９,１０−ビス（２−メトキシフェニル）−２−メチルアントラセン（中間体Ｆ）の合成
【化５１】
2011074493.tif 000055
【０１８７】
９，１０−ビス（２−メトキシフェニル）−２−メチル−９，１０−ジヒドロアントラセン−９，１０−ジオール（中間体Ｅ）１５．０ｇ（０．０３４ｍｏｌ）、酢酸４００ｍＬ、ヨウ化カリウム１４．２ｇ（０．０８６ｍｏl）、およびホスフィン酸ナトリウム−水和物 ＮａＰＨ２Ｏ２４．５５ｇ（０．０４３ｍｏｌ）からなる混合物を９時間還流攪拌し、原料を消失させた。【０１８８】
反応終了後、反応混合物を水に注加し、析出した黄色沈殿物を塩化メチレンで抽出した。有機層を分取し、炭酸ナトリウム水溶液、ついで水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、得られた残留物をヘキサン−塩化メチレン（３/１〜１/１）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、９,１０−ビス（２−メトキシフェニル）−２−メチルアントラセンのオルトメトキシフェニル基の回転角による２つのアトロプ異性体（syn型とanti型）を得たが、単離した化合物を次工程でエーテル分解することにより容易に置換基が回転し再びアトロプ異性体の混合物となるため、まとめて次の反応に用いた。【０１８９】
異性体−１（ヘキサン：塩化メチレン＝１：１で展開しＴＬＣでＲｆ０．５１のスポット）
収量５．３９ｇ（収率３８．９％）
ＤＩ−Ｍａｓｓ 分析で４０５（Ｍ＋）のメインピークを得、計算値：Ｃ２９Ｈ２４Ｏ２  に対する計算値４０４．５０と一致。  
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，  ｄ−ＣＤＣｌ３）：δ２．３８（ｓ、３Ｈ）、３．６５（ｓ、３Ｈ）、３．６６（ｓ、３Ｈ）、７．１２〜７．２１（ｍ、４Ｈ）、７．２５〜７．２９（ｍ、３Ｈ→溶媒ＣＨＣｌ３と重なる）、７．３３〜７．３６（ｍ、３Ｈ）、７．５２〜７．６１（ｍ、５Ｈ）。【０１９０】
異性体−２（ＴＬＣでＲｆ＝０．３１のスポット）
収量４．４６ｇ（収率３２．２％）
ＤＩ−Ｍａｓｓ測定で ４０５（Ｍ＋）のメインピークを得、Ｃ２９Ｈ２４Ｏ２  に対する計算値４０４．５０と一致。  
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，  ｄ−ＣＤＣｌ３）：δ２．３８（ｓ、３Ｈ）、３．６５（ｓ、３Ｈ）、３．６６（ｓ、３Ｈ）、７．１２〜７．２０（ｍ、４Ｈ）、７．２５〜７．３０（ｍ、５Ｈ→溶媒ＣＨＣｌ３と重なる）、７．３６（ｂｒ、１Ｈ）、７．５１〜７．６１（ｍ、５Ｈ）。【０１９１】
（中間体合成例７）
９,１０−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２−メチルアントラセン（中間体Ｇ）の合成
【化５２】
2011074493.tif 000056
【０１９２】
アルゴン雰囲気下、９，１０−ビス（２−メトキシフェニル）−２−メチルアントラセン２．２１ｇ（５．４６ｍｍｏｌ）の塩化メチレン４０ｍＬ溶液を氷冷した後、ここに三臭化ホウ素 ＢＢｒ３ １．２０ｍＬ（１２．４９ｍｍｏl）の塩化メチレン６．０ｍＬ溶液を滴下し、徐々に室温に戻しながら一晩攪拌し反応させた。【０１９３】
ＴＬＣで原料の消失を確認した後、反応混合物を氷水に注加し、炭酸ナトリウムで中和した。塩化メチレンで抽出した後、有機層を分取し、水洗、ついで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、９,１０−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２−メチルアントラセンの粗生成物２．０ｇ(５．３１ｍｍｏｌ)を得た。収率９７％。【０１９４】
ＤＩ−Ｍａｓｓ分析で３７７（Ｍ＋）を得、Ｃ２７Ｈ２０Ｏ２  に対する計算値３７６．４５と一致した。  
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，  ｄ−ＣＤＣｌ３）：δ２．４３（ｓ、３Ｈ）、４．６３（ｂｒ、２Ｈ）、７．１７〜７．２２（ｍ、４Ｈ）、７．２９（ｄ、Ｊ＝１．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．３０〜７．３３（ｍ、２Ｈ）、７．３９〜７．４２（ｍ、２Ｈ）、７．４７（ｂｒ、１Ｈ）、７．４７〜７．５４（ｍ、２Ｈ）、７．６６（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、１Ｈ）、７．６９〜７．７４（ｍ、２Ｈ）。【０１９５】
（中間体合成例８）
２,２−（２−メチルアントラセン−９,１０−ジイル）ビス（２,１−フェニレン）ビス（トリフルオロメタンスルフォネート）(中間体Ｈ)の合成
【化５３】
2011074493.tif 000057
【０１９６】
９，１０−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２−メチルアントラセン（中間体Ｆ）２．０ｇ（５．３1ｍｍｏｌ）、ピリジン５０ｍＬ、および塩化メチレン２５０ｍＬからなる溶液を氷冷し、ここにトリフルオロメタンスルホン酸無水物２．６ｍＬ（１５．９６ｍｍｏｌ）を加え、徐々に室温に戻しながら、一晩攪拌し反応させた。【０１９７】
ＴＬＣで原料の消失を確認した後、反応混合物を塩化アンモニウム水溶液に注加した。塩化メチレンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し、得られた残留物をヘキサン−塩化メチレン（２／１）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２，２−（２−メチルアントラセン−９，１０−ジイル）ビス（２，１−フェニレン）ビス（トリフルオロメタンスルフォネート）２．７５ｇを得た。収率８０．６％。【０１９８】
ＤＩ−Ｍａｓｓ分析で６４０（Ｍ＋）を得、Ｃ２９Ｈ１８Ｆ６Ｏ６Ｓ２  に対する計算値６４０．５７と一致。  
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，  ｄ−ＣＤＣｌ３）：δ２．４２（ｓ、３Ｈ）、７．２２〜７．２６（ｍ、１Ｈ）、７．２９（ｂｒ、１Ｈ）、７．３４〜７．４０（ｍ、２Ｈ）、７．４６〜７．７２（ｍ、１１Ｈ）。【０１９９】
（合成例２）
２−メチル−９，１０−ビス｛４−[２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル]ビフェニル−２’−イル｝−アントラセン（化合物２）の合成
【化５４】
2011074493.tif 000058
【０２００】
アルゴン雰囲気下、２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フェニル］−１，３，５−トリアジン１．０ｇ（１．５６ｍｍｏｌ）、２，２−（２−メチルアントラセン−９，１０−ジイル）ビス（２，１−フェニレン）ビス（トリフルオロメタンスルフォネート）１．９６ｇ（３．５９ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液３．５ｍＬ（７．１８ｍｍｏｌ）、およびＤＭＦ６０ｍＬからなる混合物を、室温で脱酸素した後、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．３６ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）を加え、８５〜９０℃で４８時間攪拌し反応させた。【０２０１】
反応後、反応混合物を水に注加しエーテルで抽出した。有機層を分取し、水洗を行った後、溶媒を留去し、得られた残留物をアセトンとメタノールからなる混合溶媒で洗浄し、ついでヘキサン−塩化メチレン（８／１〜１／１）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製した結果、２−メチル−９，１０−ビス｛４−［２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル］ビフェニル−２’−イル｝−アントラセンの９，１０位の置換基の回転角による２つアトロプ異性体と思われる立体異性体（ＨＰＬＣ分析で保持時間１８．２分と２５．７分）を得た。【０２０２】
異性体成分１（ＨＰＬＣ分析で保持時間１８．２分、ヘキサン：エーテル＝１００：１で展開したＴＬＣでＲｆ＝０．１１）
ＨＰＬＣ純度  １００．０％。収量０．２３ｇ（収率１２．４％）
ＨＰＬＣ条件（ｃｏｌｕｍｎ：Ｍｉｇｈｔｙｓｉｌ  ＲＰ−１８  ＧＰ  １５０−４．６（粒子径５μｍ）、 ＵＶ：２５４ｎｍ、 ｅｌｕｅｎｔ：ＣＨ３ＣＮ／ＴＨＦ（８０／２０））
質量分析ＥＳＩ−Ｍａｓｓにより１２０６．９７（Ｍ＋＋Ｎａ）、１２２２．９１（Ｍ＋＋Ｋ）のピークを得、目的物の計算値：Ｃ８５Ｈ７８Ｎ６ １１８３．５７と一致した。【０２０３】
本発明の化合物２で示す化合物の異性体成分１の１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ, ｄ−ＣＤＣｌ３）を図４Ａに示す（ＣＨＣｌ３：７．２６ｐｐｍ、水：１．５５ｐｐｍ）。また、図４Ｂは図４Ａの拡大図である。  
δ１．１７（ｓ、３６Ｈ）、２．１７（ｓ、１Ｈ）、２．３０（ｓ、２Ｈ）、７．０２（ｔ、  １Ｈ）、  ７．１６（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、８Ｈ）、７．２−７．８（ｍ、９Ｈ）、７．８３（ｄ、Ｊ＝７．４Ｈｚ、２Ｈ）、８．３２（ｄｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、Ｊ＝１．８Ｈｚ、８Ｈ）、８．６３（ｄｄ、Ｊ＝８．２４Ｈｚ、Ｊ＝２．８Ｈｚ、３Ｈ）。【０２０４】
異性体成分２（ＨＰＬＣ分析で保持時間２５．７分、ヘキサン：エーテル＝１００：１で展開したＴＬＣでは低溶解性のため原点吸着と思われる）
ＨＰＬＣ純度９２％。収量約０．２ｇ（粗精製物）。【０２０５】
ＨＰＬＣ条件（ｃｏｌｕｍｎ：Ｍｉｇｈｔｙｓｉｌ  １８−ＧＰ  １５０−４．６（粒子径５μｍ）、 ＵＶ：２５４ｎｍ、 ｅｌｕｅｎｔ：ＣＨ３ＣＮ／ＴＨＦ（８０／２０））
質量分析ＥＳＩ−Ｍａｓｓにより１２０６．８４（Ｍ＋＋Ｎａ），１２２２．７９（Ｍ＋＋Ｋ）のピークを得、計算値：Ｃ８５Ｈ７８Ｎ６ １１８３．５７と一致。【０２０６】
本発明の化合物２で示す化合物の異性体成分２の１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ, ｄ−ＣＤＣｌ３）を図５Ａに示す。また、図５Ｂは図５Ａの拡大図である。  
δ１．３８（ｓ、３６Ｈ）、２．１７（ｓ、２Ｈ）、２．３７（ｓ、１Ｈ）、６．９９−７．７（ｍ、  ２８Ｈ）、８．３０（ｄ、Ｊ＝１４．２Ｈｚ、Ｊ＝５．９６Ｈｚ、３Ｈ）、８．５９（ｄｄ、Ｊ＝１９．７２Ｈｚ、Ｊ＝８．７２Ｈｚ、８Ｈ）。【０２０７】
化合物２の特性を以下に示す。  
＜熱分析＞
化合物２の異性体成分１のガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶化温度（Ｔｃ）、融点（Ｔｍ）を、セイコー電子工業製ＥＸＳＴＡＲ６０００シリーズＤＳＣ６２００により２０℃／minで昇温し測定した。【０２０８】
１回目の昇温では３１８℃〜３７１℃にＴｃまたは９位、１０位の２つの置換基の回転により生じるＳｙｎ型からＡｎｔｉ型への転移によると思われる発熱（ピーク温度３６６℃）を示した。Ｔｍは４７７℃〜４８８℃（ピーク４８３℃）であった。【０２０９】
Ｔｍ到達後、急冷し２回目の昇温では２１４〜２２７℃にＴｇを示した以外５００℃まで他に発熱や吸熱ピークはなく熱的に非常に安定であった。【０２１０】
＜溶解度＞
化合物２の異性体成分１は室温でトルエン１ｍｌに３４ｍｇの濃度で溶解し、キャリア輸送層、各色の発光層ホスト、青色発光ドーパントとして有機ＥＬの各層を形成するインクに用い塗布成膜することができた。【０２１１】
＜化合物２のエネルギーレベル＞
１０ｍｇの化合物２の異性体成分１を１ｍｌのトルエンに溶解した溶液をＩＴＯ透明導電ガラス上にスピンコートし、理研計器製表面分析装置ＡＣ−１でイオン化ポテンシャルを測定した結果、５．９ｅＶであった。吸収端エネルギーを差し引き電子親和力は２．９ｅＶであった。【０２１２】
＜蛍光スペクトル＞
図３に島津ＲＦ−５３００ＰＣ蛍光分光光度計で測定したＩＴＯ透明導電ガラス上の化合物２のスピンコート膜の蛍光スペクトルを示す。励起波長３４０ｎｍ、蛍光ピーク波長４５４ｎｍの青色であった。【０２１３】
〔実施例３〕
２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス｛４−[２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル]ビフェニル−２’−イル｝−アントラセン（化合物３）の合成
（中間体合成例９）
２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス｛４−[２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル]ビフェニル−２’−イル｝−９，９，１０，１０−テトラヒドロアントラセン−９，１０−ジオール（中間体Ｉ）の合成
【化５５】
2011074493.tif 000059
【０２１４】
アルゴン雰囲気下、２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−（２’−ブロモビフェニル−４−イル）−１，３，５−トリアジン１．５ｇ（２．６ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２５ｍｌに溶解し、−７０℃以下に冷却した後、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液１．９４ｍｌ（３．１ｍｍｏｌ）を滴下した。さらに同温度で１時間攪拌した後、２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラキノン０．３２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）を加え、徐々に室温に戻して一晩攪拌し反応させた。【０２１５】
反応後、反応混合物を飽和塩化アンモ二ウム水溶液に注加し、エーテルで抽出した。さらに、有機相を分取し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス｛４−[２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル]ビフェニル−２’−イル｝−９，９，１０，１０−テトラヒドロアントラセン−９，１０−ジオールの粗生成物１．５３ｇ（ＴＬＣで多スポット）を得て、次工程にそのまま用いた。【０２１６】
（合成例３）
２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス｛４−[２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル]ビフェニル−２’−イル｝−アントラセン（化合物３）の合成
【化５６】
2011074493.tif 000060
【０２１７】
２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス｛４−[２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル]ビフェニル−２’−イル｝−９，９，１０，１０−テトラヒドロアントラセン−９，１０−ジオール（中間体Ｉ）の粗生成物を酢酸５０ｍＬに溶解し、ヨウ化カリウム０．５ｇ（３．０ｍｍｏｌ）およびＮａＨ２ＰＯ２０．１６ｇ（１．５１ｍｍｏｌ）を加え、４時間還流攪拌し反応した。【０２１８】
反応後、反応混合物を水に注加し、塩化メチレンで抽出した。有機相を分取し、水洗、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し、得られた残留分からヘキサン／塩化メチレン（２／１）を溶離液としたシリカゲルＴＬＣにてＲｆ値０．３４の主成分（下側の成分の異性体）を得た。その主成分を、ヘキサン：塩化メチレン（４／１）からなる混合溶媒を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス｛４−[２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル]ビフェニル−２’−イル｝−アントラセン０．２３ｇ（１５．５％：２−ｔ−ブチルアントラキノンからの収率）をＨＰＬＣ純度９７．１％で得た。【０２１９】
ＥＳＩ−Ｍｓ質量分析にて１２２５．８０のメインピークを得て目的物の計算値（Ｃ８８Ｈ８４Ｎ６：１２２５．６５）と一致した。  
本発明の化合物３で示す化合物（Ｒｆ値０．３４）の１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ, ｄ−ＣＤＣｌ３）を図６Ａに示す。また、図６Ｂは図６Ａの拡大図である。【０２２０】
δ１．１７（ｓ、９Ｈ）、１．３７（ｓ、３６Ｈ）、７．１９（ｄ、Ｊ＝８．３Ｈｚ、２Ｈ）、７．２４（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、２Ｈ）、７．２６〜７．００（ｍ、１Ｈ）、７．３２（ｄｄ、Ｊ＝９．１Ｈｚ、１．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．３８（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．４２〜７．４６（ｍ、２Ｈ）、７．４６〜７．５２（ｍ、１Ｈ）、７．５４（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、１１Ｈ）、７．５９〜７．７１（ｍ、６Ｈ）、８．２８（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、２Ｈ）、８．３１（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、２Ｈ）、８．５７（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、８Ｈ）。【０２２１】
化合物３の特性を以下に示す。  
＜熱分析＞
化合物３のガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶化温度（Ｔｃ）、融点（Ｔｍ）を、セイコー電子工業製ＥＸＳＴＡＲ６０００シリーズＤＳＣ６２００により測定した。２０℃／minで昇温し３３７℃から０℃まで急冷し再度、２０℃／minで昇温したところ、２０５℃から２１９℃にＴｇを示した以外、４００℃以上まで他に吸熱、発熱等のピークは無く熱的に安定であった。【０２２２】
＜溶解度＞
化合物３は室温でトルエン１ｍｌに１５０ｍｇの濃度で溶解し、キャリア輸送層、各色の発光層ホスト、青色発光ドーパントとして有機ＥＬの各層を形成するインクに用い塗布成膜することができた。【０２２３】
＜化合物３のエネルギーレベル＞
１０ｍｇの化合物１を１ｍｌのトルエンに溶解した溶液をＩＴＯ透明導電ガラス上にスピンコートし、理研計器製表面分析装置ＡＣ−１でイオン化ポテンシャルを測定した結果、５．９ｅＶであった。吸収端エネルギーを差し引き電子親和力は３．０ｅＶであった。【０２２４】
＜蛍光スペクトル＞
図３に、島津ＲＦ−５３００ＰＣ蛍光分光光度計で測定したＩＴＯ透明導電ガラス上の化合物３のスピンコート膜の蛍光スペクトルを示す。励起波長３３０ｎｍ、蛍光ピーク波長４５３ｎｍの青色であった。【０２２５】
〔実施例４〕
２，２’−ビス（４−（２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１,３,５−トリアジン−６−イル）フェニル）−９，９’−スピロビフルオレン（ＢＴｒＳＢＦ；化合物３１）の合成
（中間体合成例１０）
２，２’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレン（中間体Ｊ）の合成
【化５７】
2011074493.tif 000061
【０２２６】
アルゴン雰囲気下、２，２’−ジブロモ−９，９’−スピロビフルオレン２．０ｇ（４．２２ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコレート）ジボラン２．３６ｇ（９．２８ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム２．４８ｇ（２５．３１ｍｍｏｌ）、およびＤＭＦ６８ｍＬからなる混合物に、ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）０．４５ｇ（０．５５ｍｍｏｌ）を加え、８０〜９０℃で４８時間攪拌した。【０２２７】
反応終了後、反応混合物からＤＭＦを留去し、残留物を塩化メチレンで抽出した後、水洗を行い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、得られた残留物をヘキサン−塩化メチレン（１：２）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２，２’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレン（中間体Ｊ）２．０７ｇ（３．６４ｍｍｏｌ）を収率８６．３％で得た。【０２２８】
１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ,  ｄ−ＣＤＣｌ３）：δ１．２５（ｓ、２４Ｈ）、６．６６（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．０９（ｔｄ、Ｊ＝７．４Ｈｚ、１．１Ｈｚ、２Ｈ）、７．１７（ｓ、２Ｈ）、７．３５（ｔｄ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、０．９Ｈｚ、２Ｈ）、７．８３〜７．８７（ｍ、６Ｈ）。【０２２９】
（化合物３１の合成例）
２，２’−ビス（４−（２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１,３,５−トリアジン−６−イル）フェニル）−９，９’−スピロビフルオレン（化合物３１）の合成
アルゴン雰囲気下、２，２’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレン（中間体Ｊ）１．０ｇ（１．７６ｍｍｏｌ）、２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−（４−ブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン１．７６ｇ（中間体Ａ）（３．５２ｍｍｏｌ）、２Ｍ  Ｎａ２ＣＯ３  ３．５ｍＬ、およびＤＭＦ５０ｍＬからなる混合物を室温で脱酸素した後、ここに、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム；０価）０．４１ｇ（０．３５ｍｍｏｌ）を加え、８５℃で４８時間攪拌した。【０２３０】
反応終了後、反応混合物を水に注加し、塩化メチレンで抽出した後、水洗を行い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、得られた残留物をアセトン−メタノール混合溶媒で洗浄し、ついで、ヘキサン−塩化メチレン（６：１）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２，２’−ビス（４−（２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−６−イル）フェニル）−９，９’−スピロビフルオレン（化合物３１）０．６６ｇ（０．５７１ｍｍｏｌ）を収率３２．５％、ＨＰＬＣ純度１００．０％で得た。【０２３１】
ＨＰＬＣ分析条件：関東化学製ＨＰＬＣカラム  マイティシルＲＰ−１８ＧＰ（粒径５ミクロン  直径４．６ｍｍ  長さ１５０ｍｍ）を用い、アセトニトリル／テトラヒドロフラン（８０／２０）の溶離液を１．５ｍｌ／ｍｉｎの流速で流し、２５４ｎｍのＵＶで検出すると、保持時間２３．６４分の単一ピークが得られた（純度１００．０％）。【０２３２】
ＥＳＩ−Ｍｓ質量分析にて１１５５．７２のメインピーク（Ｍ＋）を得て、これは目的物の分子量の計算値（Ｃ８３Ｈ７４Ｎ６ ：１１５５．５２）と一致した。【０２３３】
本発明の化合物３１で示す化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ、ｄ−ＣＤ２Ｃｌ２）を図７Ａに示す。また、図７Ｂは図７Ａの拡大図である。【０２３４】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，  ｄ−ＣＤＣｌ３）：δ１．３９（ｓ、３６Ｈ）、６．８０（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．１７（ｄ、Ｊ＝１．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．１９（ｔ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、２Ｈ）、７．４５（ｔ、Ｊ＝７．１Ｈｚ、２Ｈ）、７．６０（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、８Ｈ）、７．６９（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、４Ｈ）、７．８３（ｄｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１．６Ｈｚ、２Ｈ）、７．９８（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、８．０５（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、８．６６（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、８Ｈ）、８．７２（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、４Ｈ）。【０２３５】
化合物３１の特性を以下に示す。  
＜熱分析＞
化合物３１のガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶化温度（Ｔｃ）、融点（Ｔｍ）を、セイコー電子工業製ＥＸＳＴＡＲ６０００シリーズＤＳＣ６２００により測定した。２０℃／ｍｉｎで昇温し、３５０℃から０℃まで急冷した後、再度２０℃／ｍｉｎで昇温したところ、２３８℃から２５７℃にＴｇを示した。それ以外に３５０℃までの間に吸熱、発熱等のピークは無く、熱的に安定なガラス状物質であった。【０２３６】
＜溶解度、成膜性＞
化合物３１は極めてアモルファス性が高く、室温でトルエン１ｍｌに０．４ｇの高濃度で溶解した。その他、キシレン、アニソール、４−メチルアニソール、テトラリン等の各種芳香族溶媒、シクロヘプタノールやシクロオクタノール等の高粘度のシクロアルコール溶媒にも易溶である。また、各種印刷方式の粘度に合わせた各種混合溶媒にも溶解させることができる。【０２３７】
化合物３１は、スピンコート法、ダイコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、連続ノズル印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法等の各種塗布印刷法式に適した粘度の溶剤に所望の濃度で溶解し、アモルファスな膜を成膜することができる。そのため、有機ＥＬ素子等における正孔ブロック層や電子輸送層等のキャリア輸送層、赤、青、緑等の発光層用ホスト材料として用いることができる。【０２３８】
＜化合物３１のエネルギーレベル＞
１０ｍｇの化合物３１を１ｍｌのトルエンに溶解した溶液を、ＩＴＯ透明導電ガラス上にスピンコートし、理研計器製表面分析装置ＡＣ−１でイオン化ポテンシャルを測定した結果、６．２ｅＶであった。吸収端エネルギーを差し引き、電子親和力は３．０ｅＶであった。【０２３９】
＜蛍光スペクトル＞
ＩＴＯ透明導電ガラス上における、化合物３１のスピンコート膜の蛍光スペクトルを測定した。その結果は、図８の０ｗｔ％のグラフに対応する。測定は、島津ＲＦ−５３００ＰＣ蛍光分光光度計にて行い、蛍光ピーク波長４２２ｎｍの青色発光が得られた。【０２４０】
〔実施例５〕
化合物３１で示すイオン化ポテンシャル６．２ｅＶ、電子親和力３．０ｅＶ、Ｅｇが３．２ｅＶのキャリア輸送性ホスト材料ＢＴｒＳＢＦと、５〜２０ｗｔ％の濃度の化合物２を発光ドーパントとしてトルエンに溶かした組成のインクを作製した。ＩＴＯ透明導電ガラス上に前記インクのスピンコート膜を作製し、島津ＲＦ５３００ＰＣ蛍光分光光度計により蛍光スペクトル強度を励起波長３４０ｎｍで測定した。【０２４１】
図８に、化合物２の異性体成分１を化合物３１にドープした場合（化合物２の含量を０、５、１０、２０、１００ｗｔ％とし、このときの化合物３１の含量はそれぞれ１００、９５、９０、８０、０ｗｔ％とした）の蛍光スペクトル（励起波長３４０ｎｍ）を示す。【０２４２】
図８から、本発明の化合物２（Ｅｇは約２．９ｅＶ）を、Ｅｇがより大きな（３．２ｅＶ）ホスト材料ＢＴｒＳＢＦ中に５〜２０ｗｔ％程度ドープすることにより、ホストからドーパントに効率よくエネルギー移動でき、かつ濃度消光が抑制されドーパントからの強い青色発光を示す発光膜が得られることがわかった。【０２４３】
さらにこの発光膜に、島津ＲＦ５３００ＰＣ蛍光光度計の励起光のスリット幅を１．５ｎｍとし、３４０ｎｍの波長の光を１０００秒間大気中で当て続けると、化合物２の異性体成分１の単独膜は４５０ｎｍでの蛍光強度が初期の５７％に減少、ＢＴｒＳＢＦの単独膜は初期の６４％に減少したのに対し、ＢＴｒＳＢＦ中に化合物２を５ｗｔ％ドープした膜は初期の７４％を保持し、膜の蛍光強度の光劣化の抑制に効果があった。【０２４４】
〔実施例６〕
化合物３１類似化合物（化合物３２）の合成
中間体合成例１において、４−tert-ブチルベンゾニトリルの代わりに４−メチルベンゾニトリルを用い、同様に中間体Ｋを合成した。その中間体Ｋを、化合物３１の合成例における中間体Ａの代わりに用い、同様に化合物３２（ＨＰＬＣ純度１００．０％）を合成した。
【化５８】
2011074493.tif 000062
【０２４５】
ＨＰＬＣ分析条件：関東化学製ＨＰＬＣカラム  マイティシルＲＰ−１８ＧＰ（粒径５ミクロン  直径４．６ｍｍ  長さ１５０ｍｍ）を用い、アセトニトリル／テトラヒドロフラン（８０／２０）の溶離液を１．０ｍｌ／ｍｉｎの流速で流し、２５４ｎｍのＵＶで検出すると、保持時間１６．３４分の単一ピークが得られた（純度１００．０％）。【０２４６】
本発明の化合物３２で示す化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ、ｄ−ＣＤ２Ｃｌ２）を図９Ａに示す。また、図９Ｂは図９Ａの拡大図である。【０２４７】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，  ｄ−ＣＤＣｌ３）：δ２．４７（ｓ、１２Ｈ）、６．８３（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．１３（ｄ、Ｊ＝１．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．１７（ｔ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、２Ｈ）、７．３４（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、８Ｈ）、７．４３（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．６５（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、４Ｈ）、７．７６（ｄｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１．６Ｈｚ、２Ｈ）、７．９３（ｄ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、２Ｈ）、７．９９（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、８．６１（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、８Ｈ）、８．７０（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、４Ｈ）。【０２４８】
化合物３２の特性を以下に示す。  
＜熱分析＞
化合物３２のガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶化温度（Ｔｃ）、融点（Ｔｍ）を、セイコー電子工業製ＥＸＳＴＡＲ６０００シリーズＤＳＣ６２００により測定した。２０℃／ｍｉｎで昇温し、３７５℃から０℃まで急冷した後、再度２０℃／ｍｉｎで昇温したところ、２０５℃から２２１℃にＴｇ、３２０℃に結晶化ピーク（Ｔｃ）、３６９℃から３９７℃にＴｍ（ピーク３８７℃）を示した。【０２４９】
＜溶解度＞
化合物３２は、室温でトルエン１ｍｌに６ｍｇの濃度で溶解可能であった。さらにホットプレート上で加熱しながら徐々に加えて溶かすと、室温に戻した際に３４ｍｇ溶解していた。化合物３２は、電子輸送性キャリア輸送材料として使用することができ、トルエン、キシレン、アニソール、テトラリン等の有機溶媒に溶かして有機ＥＬの各層を形成するインクに添加し、塗布成膜することができる。【０２５０】
＜化合物３２のエネルギーレベル＞
１０ｍｇの化合物３２を１ｍｌのトルエンに溶解した溶液をＩＴＯ透明導電ガラス上にスピンコートし、理研計器製表面分析装置ＡＣ−１でイオン化ポテンシャルを測定した結果、６．２ｅＶであった。吸収端エネルギーを差し引き、電子親和力は３．０ｅＶであった。【０２５１】
＜蛍光スペクトル＞
図１０に、化合物３２の蛍光スペクトルチャート（実線）および化合物３２に化合物２をドープした場合の蛍光スペクトルチャート（破線）を示す。まず、ＩＴＯ透明導電ガラス上に化合物３２の溶液を厚さ４１ｎｍでスピンコートしたものについて、３４０ｎｍで励起させた場合の蛍光スペクトルを得た（図１０の実線）。測定は、島津ＲＦ−５３００ＰＣ蛍光分光光度計にて行った。蛍光ピーク波長４２４ｎｍの青色発光が得られた。【０２５２】
さらに、化合物３２に化合物２を５ｗｔ％ドープして上記と同様に膜を形成した場合の蛍光スペクトルを、上記と同様に測定した。その結果を図１０の破線で示す。蛍光ピーク波長は４５３ｎｍであり、化合物２をドープしない場合よりも増強した純青色発光が得られた。【０２５３】
＜真空蒸着温度＞
２０ｍｇの化合物３２を日本バックスメタル製ＭｏボートＢｕ−６に入れて真空蒸着装置にセットし、１Ｅ−５Ｔｏｒｒ以下の圧力下、熱電対で温度を測定しながら昇温を行うと、ボート温度４８０℃において、３０ｃｍ離して上方に設置した石英基板上での成膜速度が０．１ｎｍ／ｓとなった。【０２５４】
〔実施例７〕
本発明の一実施形態に係るドナー基材の作製方法について、図１１を参照しながら説明する。  
バイコールガラス又はガラスセラミックスからなる透明低熱膨張率基板１６をエッチングし、ディスプレイ基板上の画素を形成する青、赤、緑等のストライプラインの間隔に対応した高さ２μｍ程度のスペーサー隔壁１９を作る。次にリフトオフレジストを塗布後、厚さ１００〜２００ｎｍ のＣｒＯｘまたはＭｏＯｘ（ｘは任意の数）からなる光吸収性の膜をスパッタリング法により隔壁間に成膜し、レジストを除去して光吸収層１７を形成する。次にアルミニウムを５０〜１００ｎｍの厚さで蒸着し、光反射層１８とする。【０２５５】
次に、分子量１１５５．５の化合物３１からなるホスト材料に対し、ドーパント材料として実施例１で得た分子量１１６９．５の化合物１を５ｗｔ％ の割合で混合しトルエンに溶かした青色発光層用インクを作り、連続ノズル印刷法で光吸収層上に成膜する。２００℃で真空乾燥して、厚さ６０ｎｍの青色発光層用の転写層２０を有する青色発光層用レーザー転写用ドナー基材を得る。【０２５６】
〔実施例８〕
実施例３で得た分子量１２２５．６の化合物３からなるホスト材料にドーパント材料として分子量１２１９．６の化合物８を１０ｗｔ％ の割合で混合しトルエンに溶かした緑色発光層用インクを作り、実施例７と同様に厚さ６０ｎｍの緑色発光層用の転写層２０を有するレーザー転写用ドナー基材を得る。【０２５７】
〔実施例９〕
実施例３で得た分子量１２２５．６の化合物３からなるホスト材料にドーパント材料として分子量１２６９．７の化合物１１を１０ｗｔ％ の割合で混合しトルエンに溶かした赤色発光インクを作り、実施例７と同様に赤色発光層用の転写層２０を有するレーザー転写用ドナー基材を得る。【０２５８】
〔実施例１０〕
１,３,５−トリス（４−（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−カルバゾリル）フェニル）ベンゼン（化合物３３）の合成
アルゴン雰囲気下、１,３,５−トリス（４−ブロモフェニル）ベンゼン０．９９ｇ（１．８ｍｍｏｌ）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００６年，１２８巻,５５９２−５５９３ページにより合成した３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルカルバゾール２．５１ｇ（９．０ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）０．３４ｇ（１．８ｍｍｏｌ）、およびリン酸カリウム１．９１ｇ（９．０ｍｍｏｌ）に脱水１，４−ジオキサン１１０ｍｌを加え、数分攪拌した後、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン０．４１ｇ（３．６ｍｍｏｌ）を加え、１１０℃で３０時間、加熱攪拌して反応させた。【０２５９】
反応後、反応混合物から溶剤を留去し、得られた残留物を塩化メチレンで抽出した後、水洗を行い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、得られた残留物をヘキサン−塩化メチレン（４：１）を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、純度９９％のトリス（４−（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルカルバゾリル）フェニル）ベンゼン１．１３ｇ（０．９９ｍｍｏｌ）を収率５５％で得た。【０２６０】
化合物３３の質量分析により、１１３８のメインピークを得て、これは目的物の分子量の計算値（Ｃ８４Ｈ８７Ｎ３：１１３８．６１）に一致した。【０２６１】
ＮＭＲのシグナルを以下に示す。  
１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ＣＤＣｌ３）：δ１．４９（ｓ、５４Ｈ）、７．４６（ｄ、Ｊ＝８．７０Ｈｚ、６Ｈ）、７．５０−７．５２（ｍ、６Ｈ）、７．７３（ｄ、Ｊ＝８．７０Ｈｚ、６Ｈ）、７．８０（ｄ、Ｊ＝８．２４Ｈｚ、６Ｈ）、８．０４（ｓ、３Ｈ）、８．１７（ｓ、６Ｈ）。【０２６２】
化合物３３の特性を以下に示す。  
＜熱分析＞
ＤＳＣ測定による化合物３３のＴｇは２４０℃、Ｔｃは３２３℃、Ｔｍは４０３℃であった。【０２６３】
＜エネルギーレベル＞
理研計器製表面分析装置ＡＣ−１で求めたイオン化ポテンシャルは６．２ｅＶであり、イオン化ポテンシャルから光学的エネルギーギャップを差し引いて求めた電子親和力は２．８ｅＶであった。【０２６４】
＜溶解度＞
トルエン、キシレン、テトラリン等の一般の有機溶媒や混合溶媒に１０ｗｔ％以上溶け、易溶であった。【０２６５】
＜膜の蛍光＞
化合物３１のみ、化合物３３のみ、そして化合物３１：化合物３３：化合物３（重量比１０：２：１）の混合物のそれぞれの固形分量が２ｗｔ％となるようなキシレン溶液を石英板上にスピンコート（５００ｒｐｍで５秒回転後１２００ｒｐｍで６０秒回転）してほぼ同じ厚さの膜を作成し、蛍光スペクトルを測定した。その結果を図１２に示す。  
化合物３３は、３８０ｎｍにピークを有する青色蛍光を示した。化合物３を７．７ｗｔ％ドープした化合物３１：化合物３３：化合物３（１０：２：１）の混合膜では化合物３の蛍光スペクトルの形状と一致し、化合物３３または化合物３１のみの場合よりも強度の強い青色蛍光発光が得られた。【０２６６】
〔実施例１１〕
本発明の一実施形態に係るＥＬ素子の作製方法について説明する。【０２６７】
厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、スパッタリング法により厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、ストライプ状のＩＴＯ膜パターンを常法によりウエットエッチングを行い形成する。この基板をアルカリ洗剤により超音波洗浄後、さらに純水で洗浄し、乾燥させ、酸素またはアルゴンガスによるプラズマ洗浄を行ない、ＥＬ素子またはディスプレイ用の基板とする。【０２６８】
続いて、発光領域となるＩＴＯ膜上に、三酸化モリブデンをイオンプレーティングし、厚さ３ｎｍの正孔注入輸送層を成膜する。【０２６９】
次に、この正孔注入輸送層上に、ポリマー１の０．５ｗｔ％トルエン溶液をスピンコートした後、端子部等の不要部の膜をふき取り、２００℃で６０分間真空加熱架橋処理しトルエンに不溶な約３０ｎｍの膜厚の電子ブロック正孔輸送層を得る。
【化５９】
2011074493.tif 000063
【０２７０】
次に、発光層ホスト材料としての化合物３１で示すＢＴｒＳＢＦ中に、青色発光ドーパント材料として固形分比５ｗｔ％の実施例２で得た化合物２の異性体成分１と、正孔輸送材料として固形分比５ｗｔ％の化合物３３で示す化合物を混合し、トルエンに１.５ｗｔ％溶解した本発明の青色蛍光インク組成物を、スピンコート法によりポリマー１の架橋膜上に塗布し、端子上等の不要部を拭き取り９０分間減圧加熱乾燥させて厚さ約６０ｎｍの発光層とする。
【化６０】
2011074493.tif 000064
【０２７１】
次に発光層上に、化合物３１とリチウムを蒸着速度比１００対４で１０ｎｍの厚さで共蒸着し電子注入輸送層とする。  
最後にＬｉＦを０．５ｎｍの厚さで真空蒸着し、さらにＡｌを１５０ｎｍの厚さで蒸着して陰極を形成する。【０２７２】
以上のようにして作製した有機ＥＬ素子に１０Ｖの直流電圧を印加し発光させると色純度の良い青色発光が得られる。【０２７３】
〔実施例１２〕
正孔注入輸送層を形成するまでは実施例１１と同様に行なう。次にポリマー１の膜を２０ｎｍの厚さでスリットコート法で形成し、発光部に対応する必要部分が開口したフォトマスクを通して不活性雰囲気中で３６５ｎｍの紫外光を４Ｗの低圧水銀ランプにフィルターを通して６０秒照射し、架橋不溶化した。その後トルエンでリンスし、端子部等の不要部の膜を除去し乾燥し電子ブロック正孔輸送層を形成する。【０２７４】
次に、増粘剤と正孔輸送性高分子ホスト材料を兼ねて重量平均分子量１１０万のポリ（９−ビニルカルバゾール）を固形分比３３ｗｔ％、電子輸送性のホスト材料として化合物３１を固形分中の比率５２ｗｔ％、青色発光ドーパント材料として実施例２で得た化合物２の異性体成分１を固形分中の比率５ｗｔ％、正孔輸送材料として化合物３３で示す化合物を固形分中の比率１０ｗｔ％の割合で混合し、インク中の総固形分比６ｗｔ％、粘度が１０〜１５ｍＰａ・Ｓ程度のアニソール溶液のインクを調製する。【０２７５】
本インクをスリットコートによりアニロックスロールに塗布した後、画素パターンに対応した凸部を形成した凸版方式の印刷版の凸部上に転写し、電子ブロック正孔輸送層を形成したガラス基板上にロール印刷を行ない、膜を乾燥し厚さ約６０ｎｍの発光層とする。【０２７６】
次に発光層上に、化合物３１とリチウムを蒸着速度比１００対４で５〜１０ｎｍの厚さで共蒸着し、電子注入輸送層とする。  
最後にＡｌを１５０ｎｍの厚さで蒸着して陰極を形成する。【０２７７】
以上のようにして作製した有機ＥＬ素子に１０Ｖの直流電圧を印加し発光させると色純度の良い青色発光が得られる。【０２７８】
〔実施例１３〕
ポリマー１の架橋不溶化した電子ブロック正孔輸送層を形成するまでは実施例１１と同様に行う。  
次に、増粘剤として重量平均分子量１２０万のポリ（２−ビニルナフタレン）を固形分比３３ｗｔ％、電子輸送性のホスト材料として化合物３１を固形分中の比率５２ｗｔ％、青色発光ドーパント材料として実施例３で得たＲｆ値０．３４の化合物３の異性体成分を固形分中の比率５ｗｔ％、正孔輸送材料として化合物３３で示す化合物を固形分中の比率１０ｗｔ％の割合で混合し、インク中の総固形分比約１２ｗｔ％、粘度が４０〜８０ｍＰａ・Ｓのアニソール溶液のインクを調製する。【０２７９】
本インクはロールコートによりアニロックスロールに塗布され、ロールに円筒状に巻かれ凸版方式の印刷版の凸部上に転写され、さらに電子ブロック正孔輸送層を形成したガラス基板上に転写、乾燥させられ発光層となる。【０２８０】
次に発光層上に、化合物３１とリチウムを蒸着速度比１００対４で５〜１０ｎｍの厚さで共蒸着し、電子注入輸送層とする。  
最後にＡｌを１５０ｎｍの厚さで蒸着して陰極を形成する。【０２８１】
以上のようにして作製した有機ＥＬ素子に１０Ｖ程度の直流電圧を印加し発光させると色純度の良い青色発光が得られる。【０２８２】
〔実施例１４〕
本発明の一実施形態に係るドナー基材を用いたレーザー昇華転写法による発光層の成膜法について図１３を参照しながら説明する。【０２８３】
ＩＴＯ膜からなる陽極２を、カラー表示に対応して青、緑、赤の３色の発光領域別にストライプ状に形成した以外は、電子ブロック正孔輸送層４を形成するまでは実施例１１と同様に行ないディスプレイ基板２１を作製する。  
次に、実施例７で作製した青色発光層転写用ドナー基材を真空中でＥＬディスプレイ基板に重ね合わせ、発光領域に対応する部分のドナー基材裏面にレーザービーム２２をスキャン照射し加熱すると、ドナー基材上に形成した転写層２０の化合物が昇華し、ディスプレイ基板２１上に発光層５が形成される。ドナー基材より大きいディスプレイ基板２１への転写の場合はドナー基材の位置を変えながらディスプレイ基板に重ね合わせ転写を繰り返す。【０２８４】
次に実施例８および実施例９で作製したそれぞれ緑色および赤色発光層転写用のドナー基材を順次用いて、同様に各色の発光領域に対応する部分にレーザー昇華転写を行い緑色と赤色の発光層のラインを形成する。【０２８５】
次に、発光層上に化合物１９とＬｉオキシン錯体を蒸着速度比１０：１で２０ｎｍの厚さで共蒸着し電子注入輸送層とする。  
最後にＩＴＯのストライプラインと直交する方向にストライプ形状の穴を有する蒸着マスクを通してＬｉＦを０．５ｎｍの厚さで真空蒸着し、さらにＡｌを１５０ｎｍの厚さで蒸着して陰極を形成する。  
以上のようにして作製した有機ＥＬ素子の各ＩＴＯラインと陰極のライン間に１０Ｖ程度の直流電圧を印加すると陽極ＩＴＯラインと陰極ラインの交点に形成された青、緑、赤の各発光層の色でＥＬ発光する。【０２８６】
〔実施例１５〕
ポリマー１のトルエンに不溶な電子ブロック正孔輸送層を形成するまでは実施例１１と同様に行う。  
次に、ポリマー２のキシレン溶液中に架橋型の化合物２１を固形分比１０ｗｔ％混合したインクを作製し、有機ＥＬ素子基板の電子ブロック正孔輸送層上に６０ｎｍの厚さでスピンコートを行なう。発光部分に対応する領域に、フォトマスクを通して４Ｗの低圧水銀ランプからフィルターを通して３６５ｎｍの紫外線を６０秒間露光し、トルエンでリンスし、不要な膜と未反応の化合物２１を除去、乾燥しトルエンに不溶な発光層とする。
【化６１】
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【０２８７】
次に、化合物１９のトルエン溶液を１０ｎｍの厚さでスピンコート法で塗布し、電極上等の不要な有機膜を拭き取った後、２００℃で３０分間真空加熱乾燥を行い、電子注入輸送層とする。  
最後にＬｉＦを０．５ｎｍの厚さで真空蒸着し、さらにＡｌを１５０ｎｍの厚さで蒸着して陰極を形成する。  
以上のようにして作製した有機ＥＬ素子に１０Ｖ程度の直流電圧を印加すると、青色のＥＬ発光が得られる。【０２８８】
〔実施例１６〕
本発明の一実施形態に係る液体発光層を有するＥＬ素子の作製方法について説明する。【０２８９】
ＩＴＯ膜からなる透明電極を形成した厚さ０．７ｍｍの２枚の無アルカリガラス板を１０．５ミクロンのポリエステルフィルムからなるスペーサーを挟みセルの３方を接着した。残りの１方からセル内中に５ｗｔ％の化合物３と０．１ｍｏｌ／ＬのＬｉＣＦ３ＳＯ３を溶かしたオルトジクロロベンゼンを流し込み両電極間に直流電圧または交流電圧をかけると青色のＥＬ発光が得られる。
【符号の説明】
【０２９０】
１…基板、２…陽極、３…正孔注入輸送層、４…電子ブロック正孔輸送層、５…発光層、６…正孔ブロック電子輸送層、７…電子注入輸送層、８…陰極、９…パッシベーション層、１０…乾燥剤シート、１１…封止板、１２…接着材、１３…陰極端子部、１４…電源、１５…配線、１６…透明シートまたは基板、１７…光吸収層、１８…光反射層、１９…スペーサー隔壁、２０…転写層、２１…ディスプレイ基板、２２…レーザービーム。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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