(57)【要約】  本発明は、相互接続されたソーラセルの作製方法に関する。方法は、ａ）基板上に連続的な層スタックを設けるステップであり、層スタックが、上部電極層と、基板に隣接した下部電極層と、光起電力活性層と、下部電極層に隣接したバリア層とを備え、光起電力層およびバリア層が、上部電極層と下部電極層との間に挟まれる、ステップと、ｂ）バリア層を露出させる第１のトレンチを得るために、第１の波長を有する第１のレーザビームを用いて上部電極層および光起電力層を選択的に除去するステップと、ｃ）基板を露出させる第２のトレンチを得るために、第２の波長を有する第２のレーザビームを用いて、第１のトレンチの内側のバリア層および下部電極層を選択的に除去するステップと、ｄ）第１および第２のトレンチに電気絶縁要素を充填するステップとを有する。第１のレーザビームの第１の波長は、光起電力層のバンドギャップエネルギーに対応する波長よりも長い。【選択図】  図６
2019515500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互接続されたソーラセルを作製する方法であって、
ａ）基板（１２０）上に連続的な層スタック（１００）を設けるステップであって、前記層スタックが、上部電極層（１３０）と、前記基板に隣接した下部電極層（１４０）と、光起電力活性層（１５０）と、前記下部電極層に隣接したバリア層（１６０）とを備え、前記光起電力活性層（１５０）および前記バリア層（１６０）が、前記上部電極層と前記下部電極層との間に挟まれている、ステップと、
ｂ）前記バリア層を露出させる第１のトレンチ（２１０）を得るために、第１の波長を有する第１のレーザビーム（２７０）を用いて、前記上部電極層および前記光起電力活性層を選択的に除去するステップと、
ｃ）前記基板を露出させる第２のトレンチ（３１２）を得るために、第２の波長を有する第２のレーザビーム（２７２）を用いて、前記第１のトレンチの内側の前記バリア層および前記下部電極層を選択的に除去するステップであって、前記第２のトレンチおよび前記第１のトレンチが、第１のソーラセル（３０２）および第２のソーラセル（３０４）を形成するための、連続的な前記層スタックの分離をもたらし、前記第２のトレンチが、前記第２のソーラセルのバリア層（１６０ｂ）のうち前記第１のトレンチの内側の部分（３１４）、および前記第２のソーラセルの下部電極層（１４０ｂ）のうち前記第１のトレンチの内側の部分（３１５）を残して、前記第１のトレンチの内側に存在する、ステップと、
ｄ）前記第１のトレンチおよび前記第２のトレンチに電気絶縁要素（４８０）を充填するステップと
を含み、
前記第１の波長が、前記光起電力活性層のバンドギャップエネルギーに対応する波長よりも長い、
方法。
【請求項２】
ｅ）前記第２のソーラセルの前記下部電極層のうち前記第１のトレンチの内側の前記部分（３１５）を露出させる第３のトレンチ（５１４）を得るために、第３の波長を有する第３のレーザビーム（５７４）を用いて、前記電気絶縁要素（４８０）、および前記第２のソーラセル（３０４）のバリア層（１６０ｂ）のうち前記第１のトレンチ（２１０）の内側の前記部分（３１４）を選択的に除去するステップと、
ｆ）前記第３のトレンチ（５１４）の少なくとも一部を覆って電気的相互接続要素（６９０）を堆積させ、前記第１のソーラセル（３０２）の上部電極層（６３０ａ）を前記第２のソーラセルの前記下部電極層のうち前記第１のトレンチの内側の前記部分（３１５）に接続するステップと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の波長が、１μｍと３μｍとの間の範囲内にある、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のレーザビームが、０．２５ｎｓと１００ｎｓとの間の範囲内のパルス周期を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の波長が、０．３μｍと１．５μｍとの間の範囲内にある、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のレーザビームが、０．２５ｎｓと１００ｎｓとの間の範囲内のパルス周期を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第３の波長が、０．３μｍと１．５μｍとの間の範囲内にある、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第３のレーザビームが、０．２５ｎｓと１００ｎｓとの間の範囲内のパルス周期を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の波長が、前記第３の波長と同一である、請求項２〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２のレーザビーム（２７２）が、前記第３のレーザビーム（５７４）と同一である、請求項２〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記上部電極層（１３０）が、ＺｎＯ２Ａｌ層とＺｎＯ２層とのスタックを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
ＣｄＳ層が前記光起電力活性層（１５０）と前記上部電極層（１３０）との間に置かれており、前記ＺｎＯ２層が前記ＣｄＳ層に隣接しており、前記ＺｎＯ２Ａｌ層が前記ＺｎＯ２層に隣接している、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記光起電力活性層（１５０）がＣＩＧＳ層を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記光起電力活性層（１５０）がペロブスカイトを含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記下部電極層（１４０）がモリブデン層を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記バリア層（１６０）がＭｏＳｅ２層を含む、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＭｏＳｅ２層が、前記下部電極層と前記光起電力活性層との間に界面層を形成している、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記バリア層（１６０）は、前記第１のレーザビーム（２７０）が前記下部電極層（１４０）に到達することを防止するストップ層である、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記電気絶縁要素（４８０）が絶縁インクである、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記電気的相互接続要素（６９０）が、透明導電性酸化物層、またはインクもしくはペーストを含む金属層、または凝固金属である、請求項２〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法により製造された相互接続されたソーラセルであって、
基板（１２０）上の連続的な層スタック（１００）であって、前記層スタックが、上部電極層（１３０）と、前記基板に隣接した下部電極層（１４０）と、光起電力活性層（１５０）と、前記下部電極層に隣接したバリア層（１６０）とを備え、前記光起電力活性層（１５０）および前記バリア層（１６０）が、前記上部電極層と前記下部電極層との間に挟まれている、連続的な層スタック（１００）と、
前記上部電極層および前記光起電力活性層を完全に貫通して前記バリア層を露出させている、前記層スタック内の第１のトレンチ（２１０）と、
前記下部電極層を通り前記基板を露出させている、前記第１のトレンチの内側の第２のトレンチ（３１２）であって、前記第２のトレンチおよび前記第１のトレンチが、第１のソーラセル（３０２）および第２のソーラセル（３０４）を形成するための、連続的な前記層スタックの分離をもたらすように構成されており、前記第２のソーラセルのバリア層（１６０ｂ）のうち前記第１のトレンチの内側の部分（３１４）、および前記第２のソーラセルの下部電極層（１４０ｂ）のうち前記第１のトレンチの内側の部分（３１５）を有する、第２のトレンチ（３１２）と、
前記第１のトレンチおよび前記第２のトレンチに充填されている電気絶縁要素（４８０）と
を備える、相互接続されたソーラセル。
【請求項２２】
前記電気絶縁要素（４８０）、および前記第２のソーラセル（３０４）のバリア層（１６０ｂ）のうち前記第１のトレンチ（２１０）の内側の前記部分（３１４）を通り、前記第２のソーラセルの下部電極層（１４０ｂ）のうち前記第１のトレンチの内側の前記部分（３１５）を露出させている第３のトレンチ（５１４）と、
前記第３のトレンチ（５１４）の少なくとも一部を覆い、前記第１のソーラセル（３０２）の上部電極層（６３０ａ）を、前記第２のソーラセルの前記下部電極層のうち前記第１のトレンチの内側の前記部分（３１５）に接続している電気的相互接続要素（６９０）と
を更に備える、請求項２１に記載の相互接続されたソーラセル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]本発明は、相互接続されたソーラセルの製造方法に関する。また、本発明は、相互接続されたソーラセルに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]米国特許出願公開第２００８０３１４４３９号から、薄膜ソーラセルパネルを製造するプロセスが知られている。絶縁基板上に形成された薄膜層のスタックから、モノリシックに集積された薄膜光起電力セルのアレイを形成するプロセスは、薄膜層のスタック内に少なくとも１つのセル隔離スクライブを形成することを含む。第２の電気接触層隔離スクライブは、各セル隔離スクライブに対して、対応するセル隔離スクライブに隣接して形成される。ビアスクライブが、薄膜層のスタック内において、各セル隔離スクライブと、対応する第２の電気接触層隔離スクライブとの間に形成される。絶縁インクが各セル隔離スクライブ内に配置され、導電性インクが各ビアスクライブ内に配置されてビアが形成される。導電性インクはまた、薄膜層のスタックの上部表面に沿って配置され、少なくとも１つの導電性グリッドを形成する。
【０００３】
[0003]従来のモノリシックに相互接続されたＣＩＧＳモジュールの主な技術的問題は、ＣＩＧＳ材料の横方向の導電率ゆえの、Ｐ１スクライブ内でのシャントの存在である。レーザ技術を使用してバックエンドで相互接続されるＣＩＧＳモジュールの問題は、主にレーザスクライビング時の材料の溶融挙動によって引き起こされるＰ３スクライブ内のシャントの生成である。Ｐ１およびＰ３内でのこれらシャントは、ソーラセルモジュールによって実現され得る効率を制限している。
【０００４】
[0004]代替として、「従来の」Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３バックエンド相互接続を使用することができるが、Ｐ１、Ｐ２およびＰ３スクライブの作製には、より高価なピコ秒レーザが必要である。
【０００５】
[0005]従って、本発明の目的は、相互接続されたソーラセルの効率を高めるための製造方法を提供すること、および、そのような、より効率的な相互接続されたソーラセルを提供することである。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]第１の態様によれば、本発明は、請求項１による方法を提供する。
【０００７】
[0007]好適には、本発明を適用することにより、不感帯幅の狭いシャントフリー相互接続を得ることができる。
【０００８】
[0008]一実施形態では、本方法は更に、ｅ）第２のソーラセルの下部電極層のうち第１のトレンチの内側の部分を露出させる第３のトレンチを得るために、第３の波長を有する第３のレーザビームを用いて、電気絶縁材料、および第２のソーラセルのバリア層のうち第１のトレンチの内側の部分を選択的に除去することと、ｆ）第３のトレンチの少なくとも一部を覆って電気的相互接続要素を堆積させ、第１のソーラセルの上部電極層を、第２のソーラセルの下部電極層のうち第１のトレンチの内側の露出部分に接続することと、を含む。
【０００９】
[0009]一実施形態では、第１の波長は、１μｍと３μｍとの間の範囲内にある。好適には、そのようなレーザを使用するアプローチは、半透明モジュールを作製するために使用可能な（光学）構造をセル内に作り出す可能性を容易にする。また、２μｍ波長と０．５３２μｍ（５３２ｎｍ）波長レーザの組合せを使用して、ラップスルーコンタクト設計のためのシャントフリービアの作製が可能である。５３２ｎｍ波長レーザのスポットサイズは、Ｐ３スクライブの境界上でのいかなる５３２ｎｍ光の吸収をも避けるために、２μｍ波長レーザのスポットサイズよりも小さくなければならない。例えば、第２のレーザビームの２０μｍの緑色スポットは、Ｐ３スクライブ壁に対し約１０μｍの間隙を有するべきである。これより近い距離は、隣接するＣＩＧＳ層内に位相変化を発生させ得る。
【００１０】
[0010]更なる実施形態では、第１のレーザビームは、０．２５ｎｓと１００ｎｓとの間の範囲内のパルス周期を有する。好適には、そのようなナノ秒パルスレーザビームを使用するアプローチは、半透明モジュールを作製するために使用可能な（光学）構造をセル内に作り出す可能性を容易にする。また、２μｍ波長と０．５３２μｍ波長のナノ秒パルスレーザの組合せを使用して、ラップスルーアプローチのためのシャントフリービアの作製が可能である。５３２ｎｍ波長レーザのスポットサイズは、Ｐ３スクライブの境界上でのいかなる５３２ｎｍ光の吸収をも避けるために、２μｍ波長レーザのスポットサイズよりも小さくなければならない。
【００１１】
[0011]別の態様によれば、本発明は、基板上の連続的な層スタックであって、上部電極層と、基板に隣接した下部電極層と、光起電力活性層と、下部電極層に隣接したバリア層とを備え、光起電力活性層およびバリア層が、上部電極層と下部電極層との間に挟まれている、連続的な層スタックと、上部電極層および光起電力層を完全に貫通してバリア層を露出させている、層スタック内の第１のトレンチと、下部電極層を通り基板を露出させている、第１のトレンチの内側の第２のトレンチであって、第２のトレンチおよび第１のトレンチは、第１のソーラセルおよび第２のソーラセルを形成するために、連続的な層スタックの分離をもたらすように構成されており、第２のソーラセルのバリア層のうち第１のトレンチの内側の部分、および第２のソーラセルの下部電極層のうち第１のトレンチの内側の部分を有する、第２のトレンチと、第１のトレンチおよび第２のトレンチに充填されている電気絶縁材料と、を含む、相互接続されたソーラセルを提供する。
【００１２】
[0012]一実施形態では、相互接続されたソーラセルは更に、電気絶縁材料、および第２のソーラセルのバリア層のうち第１のトレンチの内側の部分を通り、第２のソーラセルの下部電極層のうち第１のトレンチの内側の部分を露出させている第３のトレンチと、第３のトレンチの少なくとも一部を覆い、第１のソーラセルの上部電極層を、第２のソーラセルの下部電極層のうち第１のトレンチの内側の部分と接続する、電気的相互接続要素と、を備える。
【００１３】
[0013]更なる実施形態が、添付の特許請求の範囲に開示されている。
【００１４】
[0014]本発明の実施形態が、単なる例として、本質的に概略的であり従って必ずしも縮尺通りに描かれていない添付の図面を参照して、以下に説明される。更に、図面中の同様の参照符号は同様の要素に関する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明による連続的な層スタックの実施形態を概略的に示す。
【図２】本発明による第１のスクライブの実施形態を概略的に示す。
【図３】本発明による第２のスクライブの実施形態を概略的に示す。
【図４】本発明による隔離要素の実施形態を概略的に示す。
【図５】本発明による第３のスクライブの実施形態を概略的に示す。
【図６】本発明による相互接続要素の一実施形態を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[0021]図１は本発明による連続的な層スタック１００の実施形態を概略的に示す。連続的な層スタック１００から、相互接続されたソーラセルのアレイが、理想的には、例えば、年間で最大１ギガワットまたはそれ以上の、高速、大面積で低コスト生産を可能にする、スケーラブルな連続ロールツーロールプロセスによって製造される。
【００１７】
[0022]連続的な層スタック１００は基板１２０上に置かれる。層スタック１００は、上部電極層１３０、基板に隣接する下部電極層１４０を備える。層スタック１００は、光起電力活性層１５０と、下部電極層１４０に隣接するバリア層１６０とを有し、光起電力活性層１５０およびバリア層１６０が、上部電極層１３０と下部電極層１４０との間に挟まれている。
【００１８】
[0023]基板１２０は、剛性の（例えば、ガラス）または可撓性の基板であり得る。基板１２０は、透明または不透明であり得る。上部電極層１３０は、ＺｎＯ２Ａｌ層とＺｎＯ２層とのスタックを含み得る。光起電力活性層１５０と上部電極層１３０との間にＣｄＳ（硫化カドミウム）の接合層が用いられても良く、ＺｎＯ２層はＣｄＳ層に隣接し、ＺｎＯ２Ａｌ層はＺｎＯ２層に隣接している。
【００１９】
[0024]基板１２０は、最初は、薄く柔軟で、場合によっては透明なホイルとしてロール上に供給されても良い。次いで、基板１２０は、連続的な層スタック１００を基板１２０上に堆積させるための高速製造プロセスを経由させても良い。製造プロセスは大気条件で行うことができ、真空を必要としない。
【００２０】
[0025]光起電力活性層１５０は、ＣＩＧＳ（銅インジウムガリウム（ジ）セレニド）層を含む。代替として、光起電力活性層１５０はペロブスカイトを含む。代替として、光起電力活性層１５０は、ＣＩＧＳ層とペロブスカイトとの組合せを含む。
【００２１】
[0026]下部電極層１４０はモリブデン層を含む。バリア層１６０はＭｏＳｅ２層を含む。ＭｏＳｅ２層は、下部電極層１４０と光起電力活性層１５０との間に界面層を形成する。
【００２２】
[0027]図２は、本発明による第１のスクライブＰ３の実施形態を概略的に示す。第１のトレンチ２１０が、上部電極層１３０および光起電力層１５０を選択的に除去し、従ってバリア層１６０を露出させることにより得られる。これは、第１のレーザからの第１の波長を有する第１のレーザビーム２７０を使用することにより行われる。
【００２３】
[0028]本発明によれば、第１の波長は１μｍと３μｍとの間の範囲内にある。約２μｍの波長を使用することができる。第１の波長は、光起電力層１５０のバンドギャップエネルギー波長よりも大きく設定される。すなわち、光起電力層１５０のバンドギャップがＥｂ＝ｈｃ／λであり、ここでｈはプランク定数、λはバンドギャップエネルギー波長と見なすことができる対応する波長である場合、第１のレーザビーム２７０の波長はバンドギャップエネルギー波長λよりも大きくなければならない。第１のレーザビーム２７０は、０．２５ｎｓと１００ｎｓとの間の範囲内のパルス周期を有する。
【００２４】
[0029]ナノ秒のパルスレーザビームであり得る第１のレーザビーム２７０を使用することによって、層スタック１００の保持すべき領域を容易に保護することができる。更に、２μｍのナノ秒のレーザビームを使用するアプローチは、半透明モジュールを作製するために使用可能な（光学）構造をセル内に作り出す可能性を容易にする。また、２μｍ波長と０．５３２μｍ（５３２ｎｍ）波長のナノ秒パルスレーザの組合せを使用して、ラップスルーアプローチのためのシャントフリービアの作製が可能である。５３２ｎｍ波長レーザのスポットサイズは、Ｐ３スクライブの境界上でのいかなる５３２ｎｍ光の吸収をも避けるために、２μｍ波長レーザのスポットサイズよりも小さくなければならない。例えば、第２のレーザビームの２０μｍの緑色スポットは、Ｐ３スクライブ壁に対し約１０μｍの間隙を有するべきである。これより近い距離は、隣接するＣＩＧＳ層内に位相変化を発生させ得る。
【００２５】
[0030]バリア層１６０は、第１のレーザビーム２７０が下部電極層１４０に到達することを防止する停止層である。バリア層１６０は、レーザスクライブＰ３後のＭｏＳｅ２のデブリであり得る。
【００２６】
[0031]図３は、本発明による第２のスクライブＰ１の実施形態を概略的に示す。第２のトレンチ３１２は、第１のトレンチ２１０の内側のバリア層１６０および下部電極層１４０を、基板１２０を露出させるために選択的に除去することによって得られる。これは、第２のレーザからの第２の波長を有する第２のレーザビーム２７２を使用することにより行われる。従って、第２のトレンチ３１２と第１のトレンチ２１０との組合せによって、第１のソーラセル３０２と第２のソーラセル３０４とを形成するための連続的な層スタック１００の分離がもたらされる。第２のトレンチ３１２は第１のトレンチ２１０内に形成され、このＰ１スクライブは、第２のソーラセルのバリア層１６０ｂのうち第１のトレンチの内側の部分３１４、および第２のソーラセル３０４の下部電極層１４０ｂのうち第１のトレンチ２１０の内側の部分３１５を残す。部分３１４と部分３１５とは互いに積層され、第２のトレンチ３１２と境界を接する第１のトレンチ２１０内にある。
【００２７】
[0032]第２の波長は、０．３μｍと１．５μｍとの間の範囲内で選択される。０．５３２μｍまたは１．０６４μｍ（１０６４ｎｍ）の波長を用いることができる。より短い波長（０．５３２μｍ）が、より薄いスクライブを作製するのにより好適である。第２のレーザビーム２７２は、０．２５ｎｓと１００ｎｓとの間の範囲内のパルス周期を有することができる。ナノ秒のパルスレーザビームであり得る第２のレーザビーム２７２を使用することによって、層スタック１００の保持すべき領域を容易に保護することができる。
【００２８】
[0033]図４は、本発明による、第１および第２のトレンチ２１０、３１２内の隔離要素の実施形態を概略的に示す。第１のトレンチ２１０および第２のトレンチ３１２は電気絶縁材料４８０で充填されて隔離要素を形成する。電気絶縁材料４８０は絶縁インクであり得る。現在使用されているインクはＵＶ硬化性であるが、他のメカニズム、例えば熱メカニズム（例えば、レーザまたは赤外線ビームを使用する）を使用することもできる。
【００２９】
[0034]図５は、本発明による第３のスクライブＰ２の実施形態を概略的に示す。第３のトレンチ５１４は、電気絶縁材料４８０、および第２のソーラセル３０４のバリア層１６０ｂのうち第１のトレンチ２１０の内側の部分３１４を選択的に除去することによって得られる。第３のトレンチ５１４は、第２のソーラセル３０４の下部電極層１４０ｂのうち第１のトレンチ２１０の内側の部分３１５を露出させる。これは、第３のレーザからの第３の波長を有する第３のレーザビーム５７４を使用することにより行われる。
【００３０】
[0035]第３の波長は０．３μｍと１．５μｍとの間の範囲内にある。１．０６４μｍの波長を用いることができる。第３のレーザビーム５７４は、０．２５ｎｓと１００ｎｓとの間の範囲内のパルス周期を有することができる。第２の波長は第３の波長と同一であり得る。その上、第２のレーザビーム２７２は第３のレーザビーム５７４と同一である。第２のレーザビーム２７２を生成する第２のレーザは、第３のレーザビーム５７４を生成する第３のレーザと同じまたは類似の仕様を有し得る。実際には、第２のレーザは第３のレーザと同一であり得る。
【００３１】
[0036]図６は本発明による相互接続要素の一実施形態を概略的に示す。第３のトレンチ５１４の少なくとも一部を覆って、電気的相互接続要素６９０が堆積され、第１のソーラセル３０２の上部電極層６３０ａを、第２のソーラセル３０４の下部電極層１４０ｂのうち第１のトレンチ２１０の内側の部分３１５に接続する。電気的相互接続要素６９０は、透明導電性酸化物層、または、プリンタによって、もしくは印刷技術を使用して製造された、金属含有インクもしくはペーストもしくは分散系に基づく金属層であり得る。透明導電性酸化物層は不感帯を減少させる。相互接続されたソーラセルは、相互接続されたソーラセル構成と考えることができる。
【００３２】
[0037]好適には、本発明を適用することによって、相互接続要素６９０に接触する、層スタック１００の保持すべき領域を、ナノ秒パルスレーザビームの使用によって容易に保護することができる。更に、２μｍのナノ秒パルスレーザを使用した幅広のＰ３スクライブの作製と、絶縁インクの適用とを組み合わせることにより、Ｐ１スクライブおよびＰ２スクライブのために他のナノ秒パルスレーザの使用が可能となる。これにより、不感帯幅が縮小されたシャントフリー相互接続が可能になる。２μｍの波長のレーザを使用することにより、Ｐ３スクライブのＭｏ層上にデブリ（ＭｏＳｅ２）が残され、電気絶縁要素４８０およびバリア層１６０を介してレーザに対するインカップリングが清浄なＰ２スクライブを作製することが実際に可能になる。
【００３３】
[0038]図面の前述の説明では、本発明をその特定の実施形態を参照して説明してきた。しかし、添付の特許請求の範囲に要約される本発明の範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更がなされ得ることは明らかであろう。
【００３４】
[0039]加えて、特定の状況または材料を本発明の教示に適合させるために、本発明の本質的な範囲から逸脱せずに、多くの修正を行うことができる。従って、本発明は開示された特定の実施形態に限定されず、本発明は添付の特許請求の範囲内に当てはまる全ての実施形態を含むことが意図される。
【００３５】
[0040]特に、本発明の様々な態様の特定の特徴を組み合わせることができる。本発明の一態様は、本発明の別の態様に関連して説明された特徴を追加することによって、更に好適に強化され得る。
【００３６】
[0041]本発明は、添付の特許請求の範囲およびその技術的等価物によってのみ限定されることを理解されたい。本文書およびその請求項において、「含む」という動詞およびその活用形は、その語に続く項目が含まれ、具体的に記載されない項目が除外されないことを意味するために、非限定的な意味で使用される。加えて、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による要素への言及は、文脈が、要素のうちの１つ、かつ１つのみが存在することを明確に要求しない限り、２つ以上の要素が存在する可能性を排除しない。従って、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は、通常、「少なくとも１つ」を意味する。
【図１】
2019515500.tif 000003
【図２】
2019515500.tif 000004
【図３】
2019515500.tif 000005
【図４】
2019515500.tif 000006
【図５】
2019515500.tif 000007
【図６】
2019515500.tif 000008
【国際調査報告】
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