(57)【要約】  本発明の光伝送基板は、厚み方向に上下に貫通した貫通孔を有する基板と、少なくとも一部が前記貫通孔の内部に位置しており、前記貫通孔の内部に前記厚み方向に貫通する光導波孔を有し、且つ上面が前記基板の上面よりも表面粗さの小さいクラッド部材と、前記光導波孔の内部に位置しているコア部材と、前記クラッド部材の上面に位置している導電体と、該導電体に電気的に接続された、前記コア部材の上面と対向する受光面または発光面を持つ光素子とを備える。
2012029880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向に上下に貫通した貫通孔を有する基板と、
少なくとも一部が前記貫通孔の内部に位置しており、前記貫通孔の内部に前記厚み方向に貫通する光導波孔を有し、且つ上面が前記基板の上面よりも表面粗さの小さいクラッド部材と、
前記光導波孔の内部に位置しているコア部材と、
前記クラッド部材の上面に位置している導電体と、
該導電体に電気的に接続された、前記コア部材の上面と対向する受光面または発光面を持つ光素子と
を備える光伝送基板。
【請求項２】
前記クラッド部材は、前記貫通孔の内部から連続して前記基板の上面の一部を覆う第１延在部をさらに有する請求項１に記載の光伝送基板。
【請求項３】
前記導電体は、上面視したときに、一部が前記貫通孔と重なっている請求項１または２に記載の光伝送基板。
【請求項４】
前記基板は、前記上面に位置している配線をさらに有し、
前記クラッド部材は、前記貫通孔の内部から連続して前記配線の一部を覆う第２延在部をさらに有しており、
該第２延在部は前記基板の厚み方向に上下に貫通するクラッド貫通孔を有し、
前記導電体は、前記クラッド貫通孔を通って前記配線に接続されている貫通導体をさらに有する請求項１〜３のいずれかに記載の光伝送基板。
【請求項５】
前記クラッド部材の上面は、前記コア部材の上面と同一面をなす請求項１〜４のいずれかに記載の光伝送基板。
【請求項６】
前記クラッド部材は、前記光導波孔を複数備え、複数の該光導波孔の内部にそれぞれ対応して複数の前記コア部材が位置しており、複数の該コア部材にそれぞれ対応して複数の前記導電体が設けられているとともに、複数の該導電体にそれぞれ電気的に接続された複数の光素子を有する請求項１〜５のいずれかに記載の光伝送基板。
【請求項７】
厚み方向に上下に貫通した貫通孔を有する基板と、
少なくとも一部が前記貫通孔の内部に位置しており、前記貫通孔の内部に前記厚み方向に貫通する光導波孔を有するクラッド部材と、
前記光導波孔の内部に位置している第１コア部材と、
前記クラッド部材の上面に位置し、且つ上面が前記基板の上面よりも表面粗さの小さい中間層と、
該中間層の上面に位置している導電体と、
該導電体に電気的に接続された、前記第１コア部材の上面と対向する受光面または発光面を持つ光素子と
を備える光伝送基板。
【請求項８】
前記中間層は、前記クラッド部材の上面から連続して前記基板の上面の一部を覆う第３延在部をさらに有する請求項７に記載の光伝送基板。
【請求項９】
前記中間層は、透光性の材料からなるとともに、前記クラッド部材の上面から連続して前記第１コア部材の上面を覆う第４延在部をさらに有する請求項７または８に記載の光伝送基板。
【請求項１０】
前記中間層は、前記クラッド部材と同一の材料からなる請求項７〜９のいずれかに記載の光伝送基板。
【請求項１１】
前記中間層は、前記基板の厚み方向に上下に貫通するとともに前記光導波孔に連続した第２光導波孔を有する請求項７〜１０のいずれかに記載の光伝送基板。
【請求項１２】
前記中間層は、前記第２光導波孔の内部に位置している第２コア部材をさらに有する請求項１１に記載の光伝送基板。
【請求項１３】
前記第２コア部材は、前記第１コア部材と同一の材料からなる請求項１２に記載の光伝送基板。
【請求項１４】
前記クラッド部材は、前記光導波孔を複数備え、複数の該光導波孔の内部にそれぞれ対応して複数の前記第１コア部材が位置しており、複数の該第１コア部材にそれぞれ対応して複数の前記導電体が設けられているとともに、複数の該導電体にそれぞれ接続された複数の光素子を有する請求項７〜１３のいずれかに記載の光伝送基板。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の光伝送基板と、
前記導電体に電気的に接続された回路素子と
を備える光伝送モジュール。
【請求項１６】
厚み方向に上下に貫通した貫通孔、および上面に位置している配線を有する基板を準備する工程と、
感光性材料を、前記貫通孔の内部に充填するとともに前記配線上に塗布する工程と、
第１遮光部および第２遮光部を有する遮光板を、前記第２遮光部が前記配線と重なるように配置する工程と、
前記感光性材料のうち前記第１遮光部および前記第２遮光部と重なる領域以外の領域に対応する露光部を露光することによって、前記感光性材料を前記第１遮光部および前記第２遮光部と重なる領域に対応する未露光部を有するクラッド部材に変化させる工程と、
前記感光性材料の前記未露光部を前記厚み方向に上下に貫通するように除去することによって、前記第１遮光部に対応する光導波孔および前記第２遮光部に対応するクラッド貫通孔を形成する工程と、
前記光導波孔の内部に、前記クラッド部材の屈折率よりも屈折率が大きい透光性材料からなるコア部材を充填する工程と、
前記クラッド貫通孔の内部にかけて導電材料を充填して貫通導体を形成する工程と
を備える光伝送基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光伝送基板および光伝送モジュールならびに光伝送基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理能力の向上を図るべく、集積回路素子などの電気素子の間の電気通信を光伝送に変更することが検討されている。例えば、特開2004−294857号公報には、光導波路を持つ光導波路基板上に導電体を形成し、当該導電体に光素子を実装した光伝送基板が開示されている。【０００３】
現在、光伝送基板の分野では、当該伝送基板を実装する配線基板などに合わせて設計することが必須となっている。そのため、光伝送基板として設計の自由度を高くすることが求められている。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の目的は、設計の自由度が高い光伝送基板および光伝送モジュールならびに光伝送基板の製造方法を提供することにある。
【０００５】
本発明の第１の実施形態に係る光伝送基板は、厚み方向に上下に貫通した貫通孔を有する基板と、少なくとも一部が前記貫通孔の内部に位置しており、前記貫通孔の内部に前記厚み方向に貫通する光導波孔を有し、且つ上面が前記基板の上面よりも表面粗さの小さいクラッド部材と、前記光導波孔の内部に位置しているコア部材と、前記クラッド部材の上面に位置している導電体と、該導電体に電気的に接続された、前記コア部材の上面と対向する受光面または発光面を持つ光素子とを備える。
【０００６】
本発明の第２の実施形態に係る光伝送基板は、厚み方向に上下に貫通した貫通孔を有する基板と、少なくとも一部が前記貫通孔の内部に位置しており、前記貫通孔の内部に前記厚み方向に貫通する光導波孔を有するクラッド部材と、前記光導波孔の内部に位置している第１コア部材と、前記クラッド部材の上面に位置し、且つ上面が前記基板の上面よりも表面粗さの小さい中間層と、該中間層の上面に位置している導電体と、該導電体に電気的に接続された、前記第１コア部材の上面と対向する受光面または発光面を持つ光素子とを備える。
【０００７】
本発明の実施形態に係る光伝送モジュールは、上述の光伝送基板と、前記導電体に電気的に接続された回路素子とを備える。
【０００８】
本発明の実施形態に係る光伝送基板の製造方法は、厚み方向に上下に貫通した貫通孔、および上面に位置している配線を有する基板を準備する工程と、感光性材料を、前記貫通孔の内部に充填するとともに前記配線上に塗布する工程と、第１遮光部および第２遮光部を有する遮光板を、前記第２遮光部が前記配線と重なるように配置する工程と、前記感光性材料のうち前記第１遮光部および前記第２遮光部と重なる領域以外の領域に対応する露光部を露光することによって、前記感光性材料を前記第１遮光部および前記第２遮光部と重なる領域に対応する未露光部を有するクラッド部材に変化させる工程と、前記感光性材料の前記未露光部を前記厚み方向に上下に貫通するように除去することによって、前記第１遮光部に対応する光導波孔および前記第２遮光部に対応するクラッド貫通孔を形成する工程と、前記光導波孔の内部に、前記クラッド部材の屈折率よりも屈折率が大きい透光性材料からなるコア部材を充填する工程と、前記クラッド貫通孔の内部にかけて導電材料を充填して貫通導体を形成する工程とを備える。
【０００９】
本発明によれば、設計の自由度が高い光伝送基板および光伝送モジュールならびに光伝送基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る実施形態の光伝送モジュールの概略構成を部分的に示す斜視図である。
【図２】図１に示す光伝送モジュールの概略構成を示す平面図である。
【図３】図１に示す光伝送モジュールを構成する光伝送基板の第１の実施形態の概略構成を示す平面図である。
【図４】図２に示す光伝送基板のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。
【図５】図２に示す光伝送基板の変形例を示す断面図であり、（ａ）は図３の平面図に相当し、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面に相当する。
【図６】図４に示す光伝送基板の第１の実施形態の変形例を示す断面図であり、図２のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面に相当し、一部を拡大した拡大断面図である。
【図７】図３に示す光伝送基板の変形例を示す平面図である。
【図８】図７に示す光伝送基板の一部を示す拡大断面図であり、図７のＣ−Ｃ’線で切断したときの断面に相当する。
【図９】図７に示す光伝送基板の一部を示す拡大断面図である。
【図１０】図３に示す光伝送基板の変形例を示す平面図である。
【図１１】図７に示す光伝送基板の一部を示す拡大断面図であり、図３のＡ−Ａ’線で切断した断面に相当する。
【図１２】図７に示す光伝送基板の一部を示す拡大断面図であり、図３のＡ−Ａ’線で切断した断面に相当する。
【図１３】本発明に係る第１の実施形態の光伝送基板の製造工程を示す断面図であり、図３のＡ−Ａ’線で切断した断面に相当する。
【図１４】図13の製造工程の続きを示す断面図である。
【図１５】図14の製造工程の続きを示す断面図である。
【図１６】図２に示す光伝送モジュールの変形例を示す図であり、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ’線で切断した断面に相当する。
【図１７】本発明の第２の実施形態に係る光伝送基板を示す断面図であり、図３のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【図１８】図17に示す光伝送基板の変形例を示す拡大断面図であり、図３のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【図１９】図17に示す光伝送基板の変形例を示す拡大断面図であり、図３のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【図２０】図17に示す光伝送基板の変形例を示す拡大断面図であり、図３のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【図２１】図17に示す光伝送基板の変形例を示す拡大断面図であり、図３のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【図２２】図17に示す光伝送基板の変形例を示す拡大断面図であり、図３のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜光伝送基板の第１の実施形態＞
以下、本発明に係る第１の実施形態の光伝送基板、および本発明に係る実施形態の光伝送モジュールとして、光伝送モジュール10および光伝送基板20を例示し、図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
図１および図２に示した光伝送モジュール10は、光伝送基板20および回路素子12を備えている。図３および図４に示した光伝送基板20は、光素子11および回路素子12を取り外した平面図であり、基板30、クラッド部材40、コア部材50、導電体60を備えている。
【００１３】
基板30は、クラッド部材40、コア部材50を支持する機能を担っている。基板30の厚みは、例えば0.1ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲が挙げられる。この基板30は、例えば、ガラス基材からなるエポキシ樹脂基板、ガラス基材からなる銅張基板、ポリイミド樹脂基板およびセラミック基板などを使用することができる。基板30は、単層の基板、または複数の基板を積層した積層体によって構成されている。本実施形態では、複層のセラミック基板を採用している。本実施形態の基板30は、複数の副基板31が積層されて構成されている。
【００１４】
基板30は、図４に示すように、厚み方向に上下に貫通している貫通孔30ａを有している。貫通孔30ａは、副基板31に設けられている副貫通孔31ａが連なって構成されている。副貫通孔31ａは、副基板31の各々に設けられており、副基板31を厚み方向に貫通している。この厚み方向を図４ではＤ１、Ｄ２方向として示している。
【００１５】
貫通孔30ａの内部には、少なくともクラッド部材40の一部が位置している。すなわち、クラッド部材40は、貫通孔30の内部全体を埋めるように位置していてもよいし、貫通孔30の内部全体を埋めないように位置していてもよい。また、クラッド部材40は、貫通孔30の内部のみに位置していなくてもよく、例えば、貫通孔30ａの内部および当該内部から基板30の表面の一部に延在するように位置していてもよい。本実施形態では、クラッド部材40が、貫通孔30ａの内部に位置している場合について説明する。
【００１６】
クラッド部材40は、当該クラッド部材40の内部に設けられるコア部材50を支持する機能を有している。クラッド部材40は、厚み方向に貫通している複数の貫通孔を有している。この貫通孔を光導波孔40ａとしている。光導波孔40ａは、厚み方向と直交する１つの方向に沿って並んでいる。この１つの方向を本実施形態では第１方向としている。この第１方向を図２〜図４ではＤ３，Ｄ４方向として示している。また、この第１方向は、基板30の面方向に延びている。光導波孔40ａの内部には、コア部材50が設けられている。コア部材50の第１方向における間隔としては、例えば62.5μｍ以上250μｍ以下の範囲が挙げられる。
【００１７】
クラッド部材40は、上面40Ａの表面粗さが、基板30の上面30Ａの表面粗さよりも小さくなっている。表面粗さは、例えば十点平均高さＲｚなどを用いることができる。ここで、十点平均高さＲｚは、例えばＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１などを用いることができる。クラッド部材40の上面40Ａおよび基板30の上面30Ａにおいて、表面粗さの測定結果が場所によって大きく異なる場合には、表面粗さとして最大高さＲｙを用いてもよい。最大高さＲｙは、例えばＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１を用いることができる。
【００１８】
クラッド部材40の表面粗さ（十点平均高さＲｚ）は、基板30の表面粗さ（十点平均高さＲｚ）よりも小さく設定されていればよい。そのため、クラッド部材40の表面粗さ（十点平均高さＲｚ）は、例えば0.5μｍ以下となるように設定することができる。クラッド部材40が、基板30の表面と比較して、表面粗さが小さくなっているのは、クラッド部材40が例えばエポキシ樹脂などの樹脂材料によって構成されている点が挙げられる。後述する通り、樹脂材料がベークされることによって、樹脂材料は表面粗さが小さい状態で硬化されると考えられるからである。
【００１９】
コア部材50は、光伝送基板20の光導波路20ａとしての機能を有している。コア部材50の屈折率は、クラッド部材40の屈折率に比べて大きくなっている。このように、クラッド部材40の屈折率に比べてコア部材50の屈折率を大きくすることで、コア部材50が光導波路20ａとして機能することができるようになる。つまり、クラッド部材40は光導波路20ａのいわゆるクラッドとして機能し、コア部材50は光導波路20ａのコアとして機能している。コア部材50の屈折率としては、クラッド部材40の屈折率に対しての比屈折率差として、例えば0.8％以上４％以下の範囲となるように設定することができる。
【００２０】
光導波体20ａは、クラッド部材40の上面40Ａが、コア部材50の端面と同一面をなしていてもよい。このようにクラッド部材40の上面40Ａが配置されていることにより、精度よく光電変換素子11を実装することができる。
【００２１】
導電体60は、クラッド部材40の上面40Ａに位置している。導電体60には、光電変換素子11が電気的に接続される。導電体60は、少なくとも一部がクラッド部材40の上面40Ａに位置していればよい。具体的には、導電体60は、全体がクラッド部材40の上面40Ａに位置していてもよいし、クラッド部材40の上面40Ａから基板30の上面30Ａに渡って連続して位置していてもよい。導電体60は、導電材料を用いればよく、例えば金属材料または透明導電材料を積層したもの、半田などの導電ペースト、または導電性接着材などを用いることができる。
【００２２】
導電体60は、配線61によって基板30上に引き出されている。配線61は、導電体60と同じ材料で構成されていてもよいし、導電体60と異なる材料で構成されていてもよい。配線60は、副基板31を貫通して形成されている貫通導体、および２つの副基板31の間に形成される中間配線層が含まれていてもよい。この貫通導体としては、中央が中空となった形状でも、また中央が導電ペーストなどによって埋められた構成でもかまわない。この貫通導体は、めっき法、金属膜の蒸着法および導電性樹脂の注入法などの方法を用いて形成できる。本実施形態においては、導電体60全体がクラッド部材40の上面40Ａに設けられ、配線61がクラッド部材40の上面40Ａから基板30の上面30Ａにかけて連続して設けられている。
【００２３】
光電変換素子11は、導電体40に電気的に接続されるように、実装されている。また、光電変換素子11は、受光面または発光面（以下、受発光面11Ａという）が、コア部材50の上面50Ａと対向するように位置している。光電変換素子11の受発光面11Ａは、例えば、平面視してコア部材50の上面50Ａと重なるように配置されていればよい。
【００２４】
光電変換素子11は、入力された電気信号に応じて光を発する機能、または入射された光に応じて電気信号に変換する機能を有している。光電変換素子11は、光導波路20ａに光学的に結合している。本実施形態の光電変換素子11は、導電体60および配線61を介して入力された電気信号に応じて光導波路20ａに光信号を伝送する機能、または光導波路20ａを介して入力された光信号に応じて配線60に電気信号を伝送する機能を担っている。
【００２５】
光電変換素子11としては、種々の発光素子が適用できる。光電変換素子11としては、例えば垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などを用いることができる。また、光電変換素子11としては、例えばフォトダイオード（ＰＤ：Photo Diode）など種々の受光素子が適用できる。この受光素子としてＰＤを採用する場合は、応答速度の速い素子が好ましく、例えばＰＩＮ−ＰＤなどが挙げられる。
【００２６】
光電変換素子11は、１つの素子に１つの受発光面11Ａを有していてもよいし、１つの素子に複数の受発光面11Ａを有していてもよい。本実施形態の光電変換素子11は、１つの素子に１つの受発光面11Ａを有している。１つの受発光面11Ａは、１つのコア部材50（光導波路20ａ）に対応して配置されている。
【００２７】
本実施形態の光伝送基板20は、導電体60がクラッド部材40の上面40Ａに位置している。そのため、コア部材50に対してクラッド部材50の位置および導電体60の位置などを調整することによって、コア部材50に対する光電変換素子11の位置を調整することができ、光伝送基板の設計の自由度を高くすることができる。
【００２８】
さらに、導電体60が、基板30の上面30Ａよりも表面粗さの小さいクラッド部材40の上面40Ａに位置している構成を有していてもよい。この構成を有していることによって、光伝送基板20は、導電体60が基板30の上面30Ａに位置している場合と比較して、導電体60の電気抵抗値を小さくすることができる。また、表面粗さの小さいクラッド部材40の上面40Ａに導電体60が位置していることから、導電体60を通る電気信号の高周波特性を向上させることができる。これにより、光電変換素子11が、例えば発光素子であった場合、発光素子から発光される光の光強度の変動を抑制することができる。また、光電変換素子11が、例えば受光素子であった場合、受光した光の電気信号の変動を抑制することができる。
【００２９】
このようにクラッド部材40の上面40Ａが、基板30の主面30Ａよりも表面粗さが低くなっている理由としては、クラッド部材40が例えばエポキシ樹脂などの樹脂材料によって構成されている点が挙げられる。これは、樹脂材料がベークされることによって、樹脂材料は表面粗さが小さい状態で硬化されると考えられるからである。
【００３０】
一方、基板上に導電体を形成した光伝送基板では、光素子を実装する導電体を基板上に設けていた。そのため、基板の上面の表面粗さが大きいことから、導電体を流れる電流の電流密度が基板との界面で変動しやすくなり、電気特性および高周波特性を向上させることが難しかった。また、基板の上面の表面粗さが大きいことから、配線を細くすることが難しく、小型化を行なうにつれて電気抵抗がさらに高くなるおそれがあった。
【００３１】
（光伝送基板の変形例１）
クラッド部材40は、図５に示すように、貫通孔30ａの内部から連続して基板30の上面30Ａの一部を覆う第１延在部40’ａをさらに有していてもよい。第１延在部40’ａは、平面視して、基板30の貫通孔30ａと重ならない領域のクラッド部材40を指す。本実施形態では、クラッド部材40が、貫通孔30ａの内部から連続して上面30Ａの一部を覆うように設けられている場合について示しているが、貫通孔30ａの内部から連続しておらず上面30Ａの一部に（島状に）設けられていてもよい。
【００３２】
導電体60は、平面視して、貫通孔30ａと重なる領域の上面40Ａから第１延在部40’ａの上面40ａＡにかけて連続して設けられていてもよいし、第１延在部40’ａの上面40ａＡにのみに設けられていてもよい。このようにクラッド部材40が第１延在部40’ａを有することによって、平面視して、貫通孔30ａと重ならない領域にも導電体60を配置することができる。その結果、貫通孔30ａと重ならない領域に位置する導電体60の電気特性を向上させることができる。
【００３３】
（光伝送基板の変形例２）
導電体60は、図６に示すように、上面視したときに、一部が貫通孔30ａと重なっていてもよい。このように導電体60が、貫通孔30ａと重なるように位置している場合には、光電変換素子11を効率よく導電体60に実装することができる。具体的には、光電変換素子11において、受発光面11Ａと実装位置との距離が近接した素子を用いた場合には、格別の実装容易性を有している。これについて、図６を参照しつつ説明する。図６は、光導波体20ａ、基板30、および光電変換素子11などの一部を拡大した断面図である。
【００３４】
ここで、光電変換素子を基板上に実装していた従来の光伝送基板だと、光電変換素子の受発光面と実装位置との距離によってコア部材の位置を調整する必要があり、光導波体の設計の自由度が低かった。すなわち、コア部材の位置が、光電変換素子の受発光面と実装位置との距離によって制限されていた。
【００３５】
これに対して、本実施形態の光伝送基板20では、クラッド部材40上に形成する導電体60をコア部材に近づけることができるため、光電変換素子11における受発光面11Ａと実装位置との距離Ｓｐが近接している場合でも、コア部材50の位置を調整する必要性を低くすることができる。そのため、光電変換素子11で用いる発光素子および受光素子の選択性、または光伝送基板の設計の自由度を高めることができる。その結果、光伝送基板20を汎用性の高いものとすることができる。
【００３６】
（光伝送基板の変形例３）
基板20は、図７〜９に示すように、上面20Ａに位置している配線61を有し、クラッド部材40は、貫通孔30ａの内部から連続して配線61の一部を覆う第２延在部40ｂをさらに有していてもよい。さらに、当該第２延在部40ｂは、基板30の厚み方向に上下に貫通するクラッド貫通孔40ｃを有し、導電体60は、クラッド貫通孔40ｃを通って配線61に接続されている貫通導体60ａをさらに有している。
【００３７】
第２延在部40ｂは、基板20の上面20上に位置する配線61の一部と重なるように配置されたクラッド部材40の一部（第１延在部40’ａ）である。第２延在部40ｂは、貫通孔30ａの内部から連続して配線61の一部を覆うように位置していてもよいし、貫通孔30ａの内部から連続していなくてもよい。第２延在部40ｂは、配線61の上面からの厚みが、例えば0.1μｍ以上50μｍ以下となるように設定することができる。
【００３８】
クラッド貫通孔40ｃは、平面視して、配線61と一部が重なるように位置していればよい。、クラッド貫通孔40ｃは、その径が、例えば0.5μｍ以上100μｍ以下となるように設定することができる。クラッド貫通孔40ｃは、第２延在部40ｂから配線61が露出するように配置されている。クラッド貫通孔40ｃは、例えば円柱形状、四角柱などの多角柱形状、円錐形状、または多角錐形状などを用いることができる。クラッド貫通孔40ｃとして、底面が配線61側に位置している円錐形状または多角錐形状を用いた場合、当該クラッド貫通孔40ｃに貫通導体60ａを設けると貫通導体60ａを抜けにくくすることができる。
【００３９】
導電体60は、クラッド貫通孔40ｃを通って配線61に接続されている。具体的に、図９を参照して説明する。導電体60は、クラッド部材40の上面40Ａの一部に設けられているとともに、クラッド貫通孔40ｃを通って配線61と電気的に接続されている。ここで、クラッド部材40の上面40Ａに設けられた「導電体」とは、クラッド部材40上に位置する導電体部60ａである。貫通導体60ｂは、導電体部60ａと配線61とを電気的に接続するものであり、クラッド貫通孔40ｃの内部に位置している。貫通導体60ｂは、クラッド貫通孔40ｃを埋めるように位置していてもよいし、一部空間があるように位置していてもよい。
【００４０】
導電体部60ａおよび貫通導体60ｂは、同じ導電材料で構成されていてもよいし、異なる導電材料で構成されていてもよい。導電体部60ａおよび貫通導体60ｂを同じ導電材料で構成する場合には、例えばクラッド貫通孔40ｃの内部に導電材料をあふれるように充填して一部がクラッド部材40の上面40Ａに形成されるようにすればよい。
【００４１】
本実施形態では、導電体部60ａが第２延在部40’ｂの上面に位置している。そのため、導電体全体を配線に設ける場合と比較して、配線61よりも第２延在部40’ｂの上面の表面粗さが小さいことから、導電体部60ａの電気特性を向上させることができる。
【００４２】
（光伝送基板の変形例４）
クラッド部材40は、光導波孔40ａを複数備え、複数の光導波孔40ａの内部にそれぞれ対応して複数のコア部材50が位置しており、複数のコア部材50にそれぞれ対応して複数の導電体60が設けられていてもよい。さらに、複数の導電体60は、それぞれ電気的に接続された複数の光電変換素子11を有する。
【００４３】
図10に示すように、基板30の貫通孔30ａ内に、複数のコア部材50を備えた、複数の光導波体20ａを有している。そのため、コア部材50の配列方向（Ｄ５，Ｄ６方向）に、それぞれのコア部材50と光結合する光電変換素子11が複数個配置される。このように光導波体20ａ内にコア部材50を複数有する構成であっても、クラッド部材40の上面40Ａが基板30の主面30Ａよりも表面粗さが小さくなっている。そのため、光電変換素子11を配列方向に複数個配置する場合でも、配列方向に複数の光電変換素子11を基板30に実装することができ、それぞれの光電変換素子11において高い実装精度を維持することができる。
【００４４】
フォトリソグラフィ技術を採用して光導波孔20ａを形成する場合には、例えば、次の利点がある。第１の利点としては、複数の光導波孔20ａの間での相対的な位置ずれを極めて小さくすることができる点が挙げられる。複数の光導波孔20ａを一度の露光によって同時に形成することができるからである。光導波孔20ａの位置ずれを小さくすると、光伝送基板20よりも外に配置された他の光導波路に光学的に接続する際に、当該他の光導波路に対して光導波孔20ａの内部を伝わる光を良好に伝送することができる。
【００４５】
フォトリソグラフィ技術を採用する場合のずれは、光導波孔20ａに相当するフォトマスクにおけるマスク部分の位置ずれに依存することになる。このフォトマスクの製造誤差は、一般的に１μｍ未満とすることができるので、光導波孔20ａの位置ずれをコア部材50の径よりも小さくすることが容易に可能である。
【００４６】
第２の利点としては、光導波孔40ａの内壁を滑らかにすることができる点が挙げられる。これは、直進性の高い光を利用して光導波孔20ａを形成するからである。光導波孔20ａの内壁面を滑らかにすることによって、光導波孔20ａの内部を伝わる光の損失を小さくすることができる。当業者の間では、内部を伝わる光の波長に対して、光導波孔40ａの内壁面の粗さが十分に小さいことが好ましいとされている。
【００４７】
（光伝送基板の変形例５）
光伝送基板20は、図11に示すように、コア部材50を挟んで導電体60と反対側のクラッド部材40の上面40Ａに第２導電体60ａを設けてもよい。図11は、光導波体20ａ、基板30、および光電変換素子11の一部を拡大した断面図である。第２導電体60ａは、どこの端子にも接続されず、電気的に孤立したものでもよい。第２導電体60ａには、接続体62によって、光電変換素子11が実装される。なお、この場合、導電体60および第２導電体60ａとしては、例えば導電層などを用いればよい。
【００４８】
このように、Ｄ３，Ｄ４方向にコア部材50を挟んで、光電変換素子11が固定されることから、光電変換素子11の実装精度を向上させることができる。その結果、光電変換素子11とコア部材50とを効率よく光結合させることができる。
【００４９】
第２導電体60ａの厚みは、導電体60と同じ厚みに設定してもよい。これにより、光電変換素子11を、受発光面11Ａおよびクラッド部材40の表面同士が向かい合うようにした状態で実装しやすくすることができる。すなわち、受発光面11Ａとコア部材50の上面50Ａとが略水平となった状態で、光電変換素子11を実装することができる。
【００５０】
また、第２導電体60ａは、光電変換素子11を駆動させるための電気信号を流す配線に接続していてもよいし、グラウンド端子であってもよい。これにより、光電変換素子11に接続される導電体の数を維持しつつ、光電変換素子11の実装精度を向上させることができる。
【００５１】
（光伝送基板の変形例６）
光伝送基板20は、図12に示すように、光導波体20ａの端面の一部（コア部材50を含むクラッド部材40の一部領域）と、光電変換素子11の受発光面11Ａとの距離を調整してもよい。図12は、光導波路20ａの端面の一部が、光電変換素子11の受発光面11Ａ側に近づくよう、突出して設けられている場合を示す。このように光電変換素子11は、受発光面11Ａとコア部材50の上面とが近づくことにより、例えば光電変換素子11からコア部材50へ光結合した際に、光電変換素子11から出射した光がコア部材50から漏れることを抑制することができる。
【００５２】
また、図12に示すように、光導波体20ａの上面から突出した光導波体20ａの一部の側面と、導電体60とが離隔して配置することにより、光導波体20ａの側面と導電体60との間に溝を有するようにしてもよい。この場合、例えば半田などの融解しやすい金属部材を接続体62に用いて光電変換素子11を実装する場合に、当該金属部材がコア部材50に付着することを、光導波体20ａと導電体60との間に形成される溝によって抑制することができる。
【００５３】
（第１の実施形態に係る光伝送基板の製造方法）
以下、本発明に係る第１の光伝送基板の製造方法の一例として光伝送基板20の製造方法を例示し、図面を参照しつつ説明する。
【００５４】
まず、厚み方向（Ｄ１，Ｄ２方向）に上下に貫通した貫通孔30ａを有する基板30を準備する。本実施形態の基板30は、次の工程を経て製造される。まず、図13（ａ）に示したように、焼成することで副基板31となる複数のグリーンシート31Ｘを準備する。次に、図13（ｂ）に示したように、このグリーンシート31Ｘに副貫通孔31ａとなるシート孔31Ｘａを開ける。シート孔31Ｘａの形成と併せて、配線60の貫通導体に用いられる貫通孔が必要に応じて形成される。これらの孔開けは、種々の方法で形成でき、例えば、ピンおよび金型でシートを打ち抜いたり、レーザ光で削ったりして形成できる。次に、グリーンシート31Ｘに配線60となる金属ペーストを配置する。
【００５５】
この金属ペーストは、例えばスクリーン印刷技術を利用したり、インクジェット印刷技術を採用したりして形成することができる。配線60となる金属ペーストとしては、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）などの金属を含有させたものを用いることができる。次に、図13（ｃ）に示したように、シート孔31Ｘａが連なるようにグリーンシート31Ｘを積層する。次に、積層したグリーンシート31Ｘを焼成して、図13（ｄ）に示したように、貫通孔30ａを有する基板30を形成する。グリーンシート31Ｘの焼成と併せて金属ペーストを焼成し、上面30Ａに配線60を形成する。
【００５６】
次に、図14（ａ）に示したように、基板30の貫通孔30ａの内部に、硬化させることによってクラッド部材40となる感光性材料40Ｘを充填する。さらに、感光性材料40Ｘを基板30の貫通孔30ａの内部に充填する際に、配線61を被覆するように塗布する。この感光性材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂などを基材としたものが挙げられる。本実施形態では、露光することで現像液に対しての溶解性が低下するネガ型のフォトレジストを採用する。
【００５７】
その後、感光性材料40Ｘを加熱（プリベーク）した後に、当該プリベークされた感光性材料40Ｘを露光する。この露光の際には、光導波孔40ａとなる領域に光が照射されないように遮光する複数の遮光部を持つフォトマスクなどの遮光板45を用いる。このようなフォトマスクを採用いることによって、プリベークされた感光性材料40Ｘの前述した遮光部と重なる領域以外を露光する。
【００５８】
その後、感光性材料40Ｘを加熱（プリベーク）した後に、図14（ｂ）に示すように、当該プリベークされた感光性材料40Ｘを露光する。この露光の際には、光導波孔20ａとなる領域に光Ｌｈが照射されないように遮光する複数の遮光部を持つフォトマスクなどの透光板45を用いる。
【００５９】
遮光板45は、具体的に、貫通孔30ａの一部と重なる第１遮光部45ａおよび第１の遮光部45ａから離れて位置した第２遮光部45ｂを有している。第１遮光部45ａおよび第２遮光部45ｂは、光導波孔40ａおよびクラッド貫通孔40ｃにそれぞれ対応して配置すればよい。第１遮光部45ａおよび第２遮光部45ｂは、厚みおよび材料を適宜選択することができ、光Ｌｈが透過しにくくなればよく、例えば、透過率が0.5％以上20％以下となるように設定すればよい。
【００６０】
このような遮光板45を通して光をプリベークされた感光性材料40Ｘに当てることによって、充填された感光性材料40Ｘの第１遮光部45ａおよび第２遮光部45ｂが重なる領域以外を露光する。これによって、感光性材料40Ｘを第１遮光部45ａおよび第２遮光部45ｂに対応する未露光部を有するクラッド部材に変化させることができる。
【００６１】
この露光の際の光源としては、例えば、各種ランプ、レーザおよび電子線などの種々のものが採用できる。光源は、感光性材料40Ｘの材料の特性によって選択すればよい。遮光板45を通る光Ｌｈとして平行光（基板30の厚み方向に平行な光）を用いることによって、遮光部によって回折されにくくすることができ、光導波孔40ａおよびクラッド貫通孔40ｃとなる未露光部を精度よく形成することができる。
【００６２】
次に、露光された感光性材料40Ｘを加熱（ポストベーク）する。次に、ポストベークされた感光性材料40Ｘを現像液で現像して、露光された感光性材料40Ｘをクラッド部材40に変化させた後、図15（ａ）に示したように、光導波孔40ａおよびクラッド貫通孔40ｃを有するクラッド部材40を形成する。その後、クラッド部材40に変化した部分以外の感光性材料40Ｘ（未露光部の感光性材料40Ｘ）を除去して、厚み方向に貫通した光導波孔40ａ、および配線60の上面を露出させるクラッド貫通孔40ｃを有するクラッド部材40に形成することができる。なお、光導波孔40ａは第１遮光部45ａ、およびクラッド貫通孔40ｃは第２遮光部45ｂにそれぞれ対応した位置に形成される。
【００６３】
このように感光性材料40Ｘを硬化させることによってクラッド部材40を形成することから、クラッド部材40の上面40Ａが基板30よりもよい平坦性となる。なお、クラッド部材40の上面40Ａを化学機械研磨法などの研磨を行なうことによって、上面40Ａの平坦性をさらに向上させてもよい。
【００６４】
次に、クラッド部材40の光導波孔40ａにコア部材50となる透光性材料を充填する。その後、この充填した透光性材料を、例えば特定の波長を有する光照射またはベークなどの手段を用いて硬化させることによって、図15（ｂ）に示したように、コア部材50を形成する。
【００６５】
さらに、クラッド貫通孔40ｃの内部に導電材料を充填する。これによって、クラッド貫通孔40ｃの内部に貫通導体60ｂを形成する。貫通導体60ｂを充填する方法としては、例えばスクリーン印刷技術またはインクジェット印刷技術などを用いることができる。このように、クラッド貫通孔40ｃの内部に導電材料を充填することによって導電体60を設けることから、導電体60を確実に配線61と電気的に接続することができる。
【００６６】
その後、光電変換素子11が、導電体60上に、導電体60または接続体62を介して実装される。接続体62は光電変換素子11に予め形成されていてもよく、接続体62を導電体60に当接するように光電変換素子11が導電体60上に実装される。接続体62の横幅は、例えば３μｍ以上60μｍ以下となるように設定することができる。なお、導電体60上には、接続体62と密着性の良いフラックス等を予め形成していてもよい。
【００６７】
光電変換素子11は、例えば、基板30の主面30Ａに形成された位置合わせマーカーなどを用いたパッシブアライメントによって位置合わせしつつ、実装される。この位置合わせマーカーとして、例えば導電体60を用いてもよい。導電体60は、コア部材50の位置に合わせて形成することができるため、コア部材50に対する位置精度を高いものとすることができる。接続体62は、光電変換素子11と導電体60とが電気的に接続されるとともに、両者を固定するためのものであり、例えば半田を含む材料などを用いることができる。このような工程を経て、光伝送基板20を製造することができる。
【００６８】
＜光伝送モジュール＞
本発明に係る実施形態の光伝送モジュール10は、図１および図２に示すように、光伝送基板20が、導電体60に電気的に接続された回路素子12を有している。光伝送基板20と回路素子12とは、導電体60および配線61を介して電気的に接続されている。
【００６９】
回路素子12は、配線61を介して光電変換素子11と電気的に接続されている。この回路素子12は、光電変換素子11の担う機能によって、担う機能が異なっている。光電変換素子11が光を発する場合に、回路素子12は、光電変換素子11に変調された電気信号（変調電圧）を入力して、光電変換素子11の発光強度を制御している。また、光電変換素子11が光を受ける場合には、回路素子12は、光電変換素子11で受光する光信号強度に応じて出力される電流信号を電圧信号に変換して出力している。
【００７０】
回路素子12は、信号の波形を制御したり、ノイズ成分を除去したりする機能を併せ持っていてもよい。なお、光電変換素子11で発する電気信号の出力が小さい場合であれば、信号を増幅する機能を担っていてもよい。この信号増幅機能は、光電変換素子11自体が有していてもよい。また、この回路素子12は、論理演算および数値計算を行なう機能を有していてもよい。
【００７１】
（光伝送モジュールの変形例）
図16（ａ）に示すように、回路素子12が、基板30と光導波体20ａとを跨ぐように配置されていてもよい。具体的には、導電体60および配線61がクラッド部材40の上面40Ａに設けられており、回路素子12の一部を実装する実装電極63が基板30の主面30Ａ上に設けられている。
【００７２】
この場合、図16（ｂ）に示すように、導電体60および配線61がクラッド部材40の上面40Ａに配置されるように、基板30の貫通孔30ａが大きく形成される。このようにして、回路素子12が基板30と光導波体20ａのクラッド部材40とを跨ぐように配置されていることによって、導電体60および配線61が熱膨張・熱収縮などを繰り返した場合であっても、導電体60および配線61がクラッド部材40上にのみ形成されている（基板30の主面30Ａ上には形成されていない）ことから、導電体60および配線61と、基板30との間で熱応力が発生することを抑制することができる。
【００７３】
＜光伝送基板および光伝送モジュールの第２の実施形態＞
以下、本発明に係る光伝送モジュールの第２の実施形態として光伝送モジュール10’を例示し、図面を参照しつつ説明する。
【００７４】
図17に示した光伝送モジュール10’は、光伝送基板20、光素子としての光電変換素子11および回路素子12を備えている。光電変換素子11および回路素子12は、先に詳述したものと同様の構成であるので説明を省略する。
【００７５】
図17に示した光伝送基板20’は、クラッド部材40の上面40Ａに位置し、且つ上面40Ａが基板30の上面30Ａよりも表面粗さの小さい中間層を有している点、および導電体60が中間層70の上面70に位置している点が大きく異なっている。また、本実施形態に係る光伝送基板20’は、第１の実施形態に係る光伝送基板20’と比較して、クラッド部材40の上面40Ａの表面粗さが基板30の上面30Ａよりも小さくなっていなくてもよい。光伝送基板20’の他の構成は、光伝送基板20と同様であるので説明を省略する。
【００７６】
中間層70は、図17に示すように、クラッド部材40の上面40Ａから基板30の主面30Ａにわたって設けられていてもよい。中間層70は、基板30の主面30Ａからの厚みが、例えば１μｍ以上100μｍ以下となるように設定されている。中間層70は、クラッド部材40の上面40Ａにのみ位置していてもよいし、クラッド部材40の上面40Ａから連続して基板30の上面30Ａの一部を覆う第３延在部40’ｃをさらに有するように位置していてもよい。ここで、第３延在部70’ａは、基板30の貫通孔30ａと重ならない領域の中間層70を指す。本実施形態では、第３延在部70’ａを有している場合について説明する。
【００７７】
中間層70は、その上面70Ａが、基板30の主面30Ａよりも表面粗さが小さくなっている。中間層70の十点平均高さＲｚは、基板30の主面30Ａの十点平均高さＲｚよりも低く設定すればよく、例えば0.5μｍ以下となるように設定することができる。このように中間層70が、基板30の主面30Ａよりも表面粗さが低くなっている理由としては、中間層70が例えばエポキシ樹脂などの樹脂材料によって構成されている点が挙げられる。これは、樹脂材料がベークされることによって、樹脂材料は表面粗さが小さい状態で硬化されると考えられるからである。
【００７８】
中間層70は、例えばエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを用いることができる。中間層70としてエポキシ樹脂を用いることにより、クラッド部材40がエポキシ樹脂系の材料で形成される場合、クラッド部材40との間で発生する熱応力を抑制することができる。一方、中間層70としてポリイミド樹脂を用いることにより、ポリイミド樹脂の金属材料に対する親和性が高いことから、中間層70上に導電体60を良好に形成することができ、配線導体60の剥がれを抑制することができるため、光伝送基板20’の信頼性を高めることができる。
【００７９】
本実施形態の光伝送基板20’は、導電体60がクラッド部材40の上面40Ａに位置している。そのため、コア部材50に対してクラッド部材50の位置および導電体60の位置などを調整することによって、コア部材50に対する光電変換素子11の位置を調整することができ、光伝送基板の設計の自由度を高くすることができる。
【００８０】
さらに、導電体60が中間層70の上面70Ａに位置している構成を有していてもよい。この構成を有していることによって、中間層70の上面70Ａの表面粗さが基板30の上面30Ａの表面粗さよりも小さくなっていることから、中間層70の上面70Ａに位置する導電体60の電気特性および高周波特性を向上させることができる。
【００８１】
一方、基板上に導電体を形成した光伝送基板では、光素子を実装する導電体を基板上に設けていた。そのため、基板の上面の表面粗さが大きいことから、導電体を流れる電流の電流密度が基板との界面で変動しやすくなり、電気特性および高周波特性を向上させることが難しかった。また、基板の上面の表面粗さが大きいことから、配線を細くすることが難しく、小型化を行なうにつれて電気抵抗がさらに高くなるおそれがあった。
【００８２】
本実施形態において、光伝送基板20’は、クラッド部材40に光導波孔40ａを複数備え、複数の光導波孔40ａの内部にそれぞれ対応して複数の第１コア部材50が位置しており、複数の第１コア部材50にそれぞれ対応して複数の導電体60が設けられているとともに、複数の導電体60にそれぞれ接続された複数の光電変換素子11を有していてもよい。
【００８３】
（第２の実施形態に係る光伝送基板の変形例１）
中間層70は、図18に示すように、透光性の材料からなるとともに、クラッド部材40の上面40Ａから連続して第１コア部材50の上面50Ａを覆う第４延在部70’ｂをさらに有していてもよい。ここで第４延在部70’は、第１コア部材50と重なる領域の中間層70を指す。
【００８４】
このように中間層70を透光性材料で構成することによって、第１コア部材50の上面50Ａを覆ったとしても光電変換素子11と第１コア部材50とを光接続させることができるため、中間層70を容易に形成することができる。また、配線61全体を中間層70に容易に設けることができる。配線61全体が中間層70上に位置する場合には、配線61の高周波特性を向上させることができる。
【００８５】
中間層70は、例えば、基板30の上面30Ａ、クラッド部材40の上面40Ａおよび第１コア部材50の上面50Ａを被覆するように、中間層70の材料を塗布すればよい。このように容易に中間層70を設けることができるため、設計自由度を高めることができる。
【００８６】
（第２の実施形態に係る光伝送基板の変形例２）
中間層70は、図19に示すように、クラッド部材40と同一の材料で構成されていてもよい。図19では、中間層70は光導波孔40ａと連続した第２光導波孔70ａを有しており、当該第２光導波孔70ａの内部には第２コア部材50’が充填されている。第２コア部材50’は、コア部材50と同じ材料で構成されていていてもよいし、コア部材50’と異なる材料で構成されていてもよい。
【００８７】
第２コア部材50’がコア部材50と同じ材料で構成されている場合には、光導波孔40ａにコア部材50を充填する工程の際に第２コア部材50’を第２光導波孔70ａに充填することができるため、生産性を向上させることができる。また、第２コア部材50’がコア部材50と異なる材料で構成されている場合には、光電変換素子11とコア部材50に入射する光を調整することができるため、設計自由度を高めることができる。本実施形態では、コア部材50および第２コア部材50’が同じ材料で構成されている場合を示している。
【００８８】
このように中間層70がクラッド部材40と同じ材料によって構成されていることによって、中間層70を容易に形成することができる。すなわち、中間層70は、光導波体20ａを形成する際に一体的に製造されるため、中間層70を形成する場合でも、工程数の増加を抑制して光伝送基板20’を作製することができる。
【００８９】
（第２の実施形態に係る光伝送基板の変形例３）
中間層70は、図20に示すように、基板30の厚み方向に上下に貫通するとともに、光導波孔40ａに連続した第２光導波孔70ａを有していてもよい。中間層30は、光導波体40ａの上面40Ａ全体に形成されているとともに、厚み方向に貫通する、光導波孔40ａに連続した第２光導波孔70ａを有していてもよい。ここで「連続した」とは、光導波孔40ａと第２光導波孔70ａとが一部でも連続して貫通していればよいものである。
【００９０】
本実施形態では、第２光導波孔70ａは、内側面が、光導波孔40ａの内側面と連続するように設けられている。このように第２光導波孔70ａの内側面を設定することにより、クラッド部材40に光導波孔40ａを形成する際に、中間層70に第２光導波孔70ａも一括して形成することができ、第２光導波孔70ａを形成する場合でも工程数が増えることを抑制することができる。なお、中間層70を、光導波体20ａを形成した後に設けてもよい。その場合には、光導波路20ａの直径と第２光導波路20ｂの直径とを容易に異なるものとすることができる。
【００９１】
このような第２光導波路70ａの内部には、図21に示すように、第２コア部材50’が配置されていてもよい。第２コア部材50’は、屈折率が、中間層70の屈折率に対しての比屈折率差が例えば0.8％以上４％以下の範囲内に設定することができる。このように第２コア部材50’が第２光導波路20ｂ内に配置されていることにより、第２コア部材50’と中間層70との界面で光を反射されやすくすることができ、コア部材50または受発光面11Ａに光が入射されやすくすることができる。
【００９２】
また、第２コア部材50’は、コア部材50と同じ材料で形成されていてもよい。このような材料によって第２コア部材50’が構成されていることによって、第２コア部材50’とコア部材50との界面で反射されにくくすることができる。これにより、光電変換素子11が例えば発光素子である場合、発光した光が受発光面11Ａに戻りにくくすることができる。
【００９３】
（第２の実施形態に係る光伝送基板の変形例４）
光伝送基板20’は、図22に示すように、中間層70がコア部材50と同じ材料によって構成されていてもよい。このような中間層70は、基板30の貫通孔30ａ内に、光導波孔40ａを形成したクラッド部材40を形成した後、コア部材50を光導波孔40ａ内に充填しつつ、クラッド部材40上および基板30の主面30Ａ上に中間層70となる薄膜を形成する。そして、当該薄膜を硬化させることにより、コア部材50および中間層70を形成する。
【００９４】
その為、クラッド部材40を硬化させた後、コア部材50および中間層70となる薄膜を形成し硬化させることとなる。そのため、中間層70となる薄膜がクラッド部材40で支持されながら硬化するため、中間層70が変形するのを抑制することができる。
【００９５】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【００９６】
上述の光伝送基板20の製造方法では、ネガ型のフォトレジストを採用しているが、露光することで現像液に対しての溶解性が増加するポジ型のフォトレジストを採用してもよい。ポジ型を採用する場合には、露光する領域も併せて変更する。
【００９７】
上述の光伝送基板20の製造方法では、基板30としてセラミック基板を採用した製造方法を記載しているが、有機基板を採用して光伝送基板を製造してもよい。有機基板を採用して光伝送基板を製造する場合は、副基板の積層後に、基体を打ち抜き加工して、基板に貫通孔を形成してもよい。このようにして副基板を一括で打ち抜く場合は、副貫通孔の位置ずれを低減することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【国際調査報告】
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