(57)【要約】  本発明は、リフトオフ法によりｎ型半導体上に電極を良好に形成できる方法を提供することを目的とする。本発明のｎ型半導体層上の電極の形成方法は、化学増幅型ネガ型レジストを用いたリソグラフィー法によりｎ型半導体層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターン間に金属膜を形成する工程と、前記レジストパターンを剥離し、前記ｎ型半導体層上に形成された前記金属膜からなる電極を得る工程とを含むことを特徴とする。
2011102064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学増幅型ネガ型レジストを用いたリソグラフィー法によりｎ型半導体層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターン間に金属膜を形成する工程と、
前記レジストパターンを剥離し、前記ｎ型半導体層上に形成された前記金属膜からなる電極を得る工程と
を含むことを特徴とするｎ型半導体層上の電極の形成方法。
【請求項２】
前記ｎ型半導体層が、半導体発光素子におけるｎ型半導体層であることを特徴とする請求項１に記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法。
【請求項３】
前記化学増幅型ネガ型レジストが、前記リソグラフィー法に用いる露光光の波長を光吸収する化合物を含有することを特徴とする請求項１または２に記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法。
【請求項４】
前記化学増幅型ネガ型レジストが、酸の作用により架橋反応を起こす架橋剤として、メチロール基又はアルコキシメチロール基を有する化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法。
【請求項５】
前記メチロール基またはアルコキシメチロール基を有する化合物がメラミン化合物であることを特徴とする請求項４に記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法。
【請求項６】
前記ｎ型半導体層がｎ型窒化物半導体からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法により得られたことを特徴とするｎ型半導体層上の電極。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法に用いられる化学増幅型ネガ型レジスト。
【請求項９】
アルカリ可溶性重合体（Ａ）、感放射線性酸発生剤（Ｂ）および酸の作用により架橋反応を起こす架橋剤（Ｃ）を含有することを特徴とする請求項８に記載の化学増幅型ネガ型レジスト。
【請求項１０】
前記ｎ型半導体層上の電極の形成方法におけるリソグラフィー法に用いる露光光の波長を光吸収する化合物（Ｄ）をさらに含有することを特徴とする請求項９に記載の化学増幅型ネガ型レジスト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｎ型半導体層上の電極の形成方法に関する。より詳しくは、半導体発光素子のｎ型半導体層上の電極の形成方法、該形成方法により得られる電極、および該形成方法に用いられる化学増幅型ネガ型レジストに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザー、ＬＥＤおよび有機ＥＬ等の半導体発光素子の製造方法において、電気的接続を行うために、上部電極や下部電極が形成される。特に上部電極と下部電極が同じ向きとなるトレンチ型の半導体発光素子では、ｎ型半導体層上に下部電極を形成する必要がある。この電極の形成方法としては、リフトオフ法といわれる、レジストを用いたリソグラフィー法による電極の形成方法が知られている（特許文献１〜３）。【０００３】
しかしながら、従来のレジストを用いたリソグラフィー法による電極の形成方法では、電極形成後のレジストの剥離等を考慮してポジ型レジストが用いられてきたが、ポジ型レジストを用いた場合、露光により発生する酸の拡散がｎ型半導体層の表面に近い側で阻害される傾向にあった。特に窒化物半導体を用いた場合、この傾向が顕著に表れる。そのため、ポジ型レジストから得られるレジストパターンは、図１に示すような、すそ引き形状（フッティング形状）となり、レジスト剥離後の電極はエッジ部分にバリを有するものになってしまうため、電極形成には好ましくないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１７０６５５号公報
【特許文献２】特開２００４−０４７６６２号公報
【特許文献３】特開平０８−３４０１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上述した従来技術の課題を解決しようとするものであり、リフトオフ法によりｎ型半導体層上に電極を良好に形成できる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、図２に示すような逆テーパー形状のレジストパターンを形成できるレジストを用いることにより、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）等で電極を形成する際に良好な形状の電極を形成できるとともに、電極形成後に良好にレジストを剥離することができることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００７】
本発明としては、例えば以下の態様が挙げられる。【０００８】
［１］  化学増幅型ネガ型レジストを用いたリソグラフィー法によりｎ型半導体層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターン間に金属膜を形成する工程と、前記レジストパターンを剥離し、前記ｎ型半導体層上に形成された前記金属膜からなる電極を得る工程とを含むことを特徴とするｎ型半導体層上の電極の形成方法。【０００９】
［２］  前記ｎ型半導体層が、半導体発光素子におけるｎ型半導体層であることを特徴とする［１］に記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法。【００１０】
［３］  前記化学増幅型ネガ型レジストが、前記リソグラフィー法に用いる露光光の波長を光吸収する化合物を含有することを特徴とする［１］または［２］に記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法。【００１１】
［４］  前記化学増幅型ネガ型レジストが、酸の作用により架橋反応を起こす架橋剤として、メチロール基又はアルコキシメチロール基を有する化合物を含有することを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法。【００１２】
［５］  前記メチロール基またはアルコキシメチロール基を有する化合物がメラミン化合物であることを特徴とする［４］に記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法。【００１３】
［６］  前記ｎ型半導体層がｎ型窒化物半導体からなることを特徴とする［１］〜［５］のいずれかに記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法。【００１４】
［７］  ［１］〜［６］のいずれかに記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法により得られたことを特徴とするｎ型半導体層上の電極。【００１５】
［８］  ［１］〜［６］のいずれかに記載のｎ型半導体層上の電極の形成方法に用いられる化学増幅型ネガ型レジスト。【００１６】
［９］  アルカリ可溶性重合体（Ａ）、感放射線性酸発生剤（Ｂ）および酸の作用により架橋反応を起こす架橋剤（Ｃ）を含有することを特徴とする［８］に記載の化学増幅型ネガ型レジスト。【００１７】
［１０］  前記ｎ型半導体層上の電極の形成方法におけるリソグラフィー法に用いる露光光の波長を光吸収する化合物（Ｄ）をさらに含有することを特徴とする［９］に記載の化学増幅型ネガ型レジスト。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ｎ型半導体層上に良好な逆テーパー形状のレジストを形成できるため、良好な形状の電極を形成できるとともに、電極形成後に良好にレジストを剥離することができる。特に、本発明は、フッティング形状となる傾向が強い窒化物半導体層上においても、良好な逆テーパー形状のレジストを形成できるという格別な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】ポジ型レジストを用いた場合のパターン形状（フッティング形状）を示す模式図である。
【図２】ネガ型レジストを用いた場合のパターン形状（逆テーパー形状）を示す模式図である。
【図３】本発明の電極形成方法の概略図である。
【図４】電流阻止型の半導体発光素子の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明に係るｎ型半導体層上の電極の形成方法について詳細に説明する。
【００２１】
本発明に係るｎ型半導体層上の電極の形成方法は、化学増幅型ネガ型レジスト（以下、単に「ネガ型レジスト」または「レジスト」ともいう。）を用いたリソグラフィー法によりｎ型半導体層上にレジストパターンを形成する工程（以下「工程（１）」ともいう。）と、前記レジストパターン間に金属膜を形成する工程（以下「工程（２）」ともいう。）と、前記レジストパターンを剥離し、前記ｎ型半導体層上に形成された前記金属膜からなる電極を得る工程（以下「工程（３）」ともいう。）とを含むことを特徴とする。なお、リソグラフィー法とは、感放射線性組成物から得られる塗膜に、必要に応じてマスクを介して、放射線（波長の限定はない）を選択的に照射し、その後現像することによりパターンを形成する方法の総称である。
【００２２】
［ｎ型半導体層］
上記ｎ型半導体層は、ｎ型半導体からなること以外は特に限定されないが、ｎ型窒化物半導体からなることが好ましく、該窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＰＮ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＧａＰＮ、ＩｎＧａＡｓＮ、ＡｌＧａＰＮ、ＡｌＧａＡｓＮ、ＡｌＩｎＧａＰＮ、ＡｌＩｎＧａＡｓＮ、ＡｌＧａＰＡｓＮ、ＩｎＧａＰＡｓＮ、ＡｌＩｎＧａＰＡｓＮなどが挙げられる。本発明によれば、ポジ型レジストを用いた場合にフッティング形状となる傾向が強い窒化物半導体層上にも良好な逆テーパー形状のレジストパターンを形成することができ、その結果、良好な形状の電極を形成することができる。また、上記ｎ型半導体層が半導体発光素子におけるｎ型半導体層であることが、本発明の好ましい態様である。
【００２３】
［半導体発光素子］
半導体発光素子の電極の構成や形状としては、例えば、上部電極と下部電極が対向するような通常型、および、上部電極と下部電極が同じ向きにあるトレンチ型などが挙げられる。また、半導体発光素子の半導体層の構成や形状としては、例えば、ダブルへテロ接合型および量子井戸接合型などが挙げられる。
【００２４】
半導体発光素子の構成や形状の具体例としては、例えば、特開２００９−１７０６５５号公報、特開２００７−１７３５３０号公報、特開２００７−１５７７７８号公報、特開２００５−２９４８７０号公報、特開２００４−２９６９７９号公報、特開２００４−０４７６６２号公報、特開２００３−２４３７０３号公報、特開２００３−８６８４１号公報、特開２００２−３２９８８５号公報、特開２００２−０６４２２１号公報、特開２００１−２７４４５６号公報、特開２００１−１９６６２９号公報、特開２００１−１７７１４７号公報、特開２００１−０６８７８６号公報、特開２０００−２６１０２９号公報、特開２０００−１２４５０２号公報、特開平１０−２９４５３１号公報、特開平０９−３１２４４２号公報および特開平０９−２３７９１６号公報に記載の構成や形状が挙げられる。
【００２５】
半導体発光素子の代表例として、図４に電流阻止型の半導体発光素子の断面図を示す。図４の半導体発光素子は、サファイヤ基板１００上に、バッファ層１０１、半導体層１１０、電流拡散層１２０、上部電極１３１の順に設けられている。そして、前記上部電極１３１に接せず上部電極の下方に位置し、かつ前記電流拡散層１２０により覆われるように、電流阻止層１４０が設けられている。半導体層１１０はダブルヘテロ接合型であり、バッファ層１０１上に、ｎ型クラッド層１１１、活性層１１２、ｐ型クラッド層１１３の順に設けられている。下部電極１３２は、前記ｎ型クラッド層の一部分上に設けられ上部電極１３１と同じ向きに設けられている。
【００２６】
バッファ層１０１、半導体層１１０、電流拡散層１２０および電流阻止層１４０は、公知の方法、例えば、気相エピタキシャル成長法、液相エピタキシャル成長法、ハイドライド気相成長法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法）、有機金属分子線エピタキシャル法（ＭＯＭＢＥ法）およびスパッタ法などにより膜を形成後、必要に応じて、レジストをマスクとしたエッチングや研削により形成することができる。
【００２７】
［工程（１）］
本発明の工程（１）では、ネガ型レジストを用いたリソグラフィー法によりｎ型半導体層上にレジストパターンを形成する。
【００２８】
より具体的には、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ｎ型半導体層１１の直上に、ネガ型レジスト組成物をｎ型半導体層１１と接するように塗布して乾燥することによりレジスト膜（塗膜）１２を形成し、該レジスト膜１２に、必要に応じて所望のパターンを有するマスクを介して、放射線を照射（露光）した後、現像することによりレジストパターン１３を形成する。
【００２９】
レジスト組成物の塗布方法としては、例えば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、スピンコート法などが挙げられる。なお、塗膜の厚さは、塗布手段やレジスト組成物の固形分濃度および粘度等を調整することにより、適宜制御することができる。例えば、スピンコート法の場合、回転数を変えることで塗膜の厚さを制御することができる。
【００３０】
露光に用いられる放射線としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、ｇ線ステッパー、ｈ線ステッパー、ｉ線ステッパー、ＫｒＦステッパー、ＡｒＦステッパー、ＥＢ露光装置等から照射される、紫外線、電子線およびレーザ光線などが挙げられる。また、露光量は、使用する光源および塗膜の膜厚などによって適宜設定することができ、例えば、高圧水銀灯から照射される紫外線の場合、塗膜の膜厚０．０５〜５０μｍでは、１００〜２０，０００Ｊ／ｍ2程度とすることができる。
【００３１】
通常、露光後の塗膜に対して加熱処理（以下、この加熱処理を「ＰＥＢ」ともいう。）を行う。ＰＥＢを行うことにより、露光によって発生した酸をより効率よく作用させることができる。ＰＥＢ条件は、塗膜形成に用いられたレジスト組成物の成分および固形分濃度、ならびに塗膜の膜厚等によって異なるが、通常、５０〜１８０℃、好ましくは６０〜１５０℃で、１〜６０分程度である。
【００３２】
その後、未露光部を、アルカリ性現像液等により現像して、溶解、除去することにより、所望のパターンを形成することができる。現像方法としては、例えば、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法およびパドル現像法などが挙げられる。現像条件は、通常、２０〜４０℃で０．５〜１０分程度である。
【００３３】
アルカリ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等のアルカリ性化合物を、１〜１０質量％濃度となるように水に溶解させたアルカリ性水溶液が挙げられる。また、アルカリ性水溶液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性の有機溶剤および界面活性剤などを適量配合することもできる。なお、アルカリ性現像液で現像した後は、通常、水で洗浄し、乾燥させる。
【００３４】
現像後、加熱処理を行ってレジストパターンをさらに硬化させてもよい。このような硬化条件は特に限定されないが、通常、５０〜６００℃の温度で、より好ましくは、１分〜１０時間程度である。この現像後の加熱処理は、得られたレジストパターンの硬化を十分に進行させたり、その変形を防止するために、二段階以上の工程で実施してもよい。例えば、第一段階で１００〜２５０℃の温度で５分〜２時間程度加熱し、第二段階で２５０〜５００℃の温度で１０分〜１０時間程度加熱することにより、レジストパターンを硬化させてもよい。
【００３５】
［ネガ型レジスト］
上記ネガ型レジストとしては、特に限定されないが、例えば、アルカリ可溶性重合体と、ラジカル重合性の不飽和結合基を有する化合物と、感放射線性ラジカル発生剤とを含有する組成物；アルカリ可溶性重合体と、酸の作用により架橋反応を起こす化合物と、感放射線性酸発生剤とを含有する組成物；アルカリ可溶性であり、かつラジカル重合性の不飽和結合基を有する重合体と、感放射線性ラジカル発生剤とを含有する組成物；アルカリ可溶性であり、かつ酸の作用により架橋反応起こす基を有する重合体と、感放射線性酸発生剤とを含有する組成物などが挙げられる。これらの中では、アルカリ可溶性重合体（Ａ）、感放射線性酸発生剤（Ｂ）（以下「酸発生剤（Ｂ）」ともいう。）および酸の作用により架橋反応を起こす架橋剤（Ｃ）を含有する組成物が好ましい。また、上記ネガ型レジストは、上記リソグラフィー法に用いる露光光の波長を光吸収する化合物（Ｄ）（以下「光吸収化合物（Ｄ）」ともいう。）をさらに含有することが、より好ましい。さらに、上記ネガ型レジストは、本発明の効果を損なわない範囲で、他の成分を含有してもよい。以下、本発明で用いられるネガ型レジストとして好ましい態様を説明するが、本発明は下記態様に限定されるものではない。
【００３６】
＜アルカリ可溶性重合体（Ａ）＞
上記アルカリ可溶性重合体とは、該重合体からなる塗膜の、２．３８質量％のテトラアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（アルカリ性の液）に対する溶解度が、１００Å／秒以上となる（共）重合体のことである。
【００３７】
このようなアルカリ可溶性重合体（Ａ）としては、例えば、ノボラック樹脂の他、ポリヒドロキシスチレンおよびその共重合体、フェノール−キシリレングリコール縮合樹脂、クレゾール−キシリレングリコール縮合樹脂、フェノール−ジシクロペンタジエン縮合樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体などが挙げられる。これらの中では、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレンおよびその共重合体、ならびにポリベンゾオキサゾール前駆体が好ましい。これらの樹脂は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
上記ノボラック樹脂は、触媒の存在下でフェノール類とアルデヒド類とを縮合させて得られる。上記フェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−ナフトールなどが挙げられる。また、上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒドなどが挙げられる。
【００３９】
このようなノボラック樹脂としては、具体的には、フェノール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂などが挙げられる。
【００４０】
上記ポリヒドロキシスチレンおよびその共重合体としては、具体的には、下記一般式（１）で示される構造単位（１）および下記一般式（２）で示される構造単位（２）からなる共重合体（Ａ１）が好適に用いられる。前記共重合体（Ａ１）は、構造単位（１）を形成し得るモノマーと、構造単位（２）を形成し得るモノマーとの共重合体である。
【００４１】
【化１】
2011102064.tif 000003
【００４２】
式（１）中、Ｒaは炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基またはアリル基を表す。Ｒbは水素原子またはメチル基を表す。ｎは０〜３の整数、ｍは１〜３の整数である。
【００４３】
【化２】
2011102064.tif 000004
【００４４】
式（２）中、Ｒcは炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基またはアリル基を表す。Ｒdは水素原子またはメチル基を表す。ｎは０〜３の整数である。
【００４５】
上記構造単位（１）を形成し得るモノマーとしては、例えば、ｐ-ヒドロキシスチレン、ｍ-ヒドロキシスチレン、ｏ-ヒドロキシスチレン、ｐ-イソプロペニルフェノール、ｍ-イソプロペニルフェノール、ｏ-イソプロペニルフェノールなどが挙げられる。これらの中では、ｐ-ヒドロキシスチレンおよびｐ-イソプロペニルフェノールが好ましい。
【００４６】
上記構造単位（１）は、例えば、ｔ-ブチル基、アセチル基などで水酸基が保護されたモノマーを重合して得てもよい。得られた重合体または共重合体は、公知の方法、たとえば、酸触媒下で脱保護することにより、ヒドロキシスチレン系構造単位に変換される。
【００４７】
上記構造単位（２）を形成し得るモノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレンなどが挙げられる。これらの中では、スチレンおよびp-メトキシスチレンが好ましく、スチレンがより好ましい。
【００４８】
これらのモノマーは、それぞれ１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
上記共重合体（Ａ１）は、構造単位（１）を形成し得るモノマーと、構造単位（２）を形成し得るモノマーとの共重合体であり、本質的に構造単位（１）および構造単位（２）のみからなることが好ましいが、その他のモノマーが共重合されていてもよい。
【００５０】
上記その他のモノマーとしては、例えば、不飽和カルボン酸またはそれらの酸無水物類、上記不飽和カルボン酸のエステル類、不飽和ニトリル類、不飽和アミド類、不飽和イミド類、脂環式骨格を有する化合物、不飽和アルコール類、N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、N−ビニルイミダゾール、N−ビニルカルバゾールなどが挙げられる。
【００５１】
上記共重合体（Ａ１）において、構造単位（１）と構造単位（２）との合計１００質量部に対して、その他のモノマーから形成される構造単位の量は１００質量部以下であり、好ましくは５０質量部以下であり、より好ましくは２５質量部以下である。
【００５２】
上記共重合体（Ａ１）中、構造単位（１）の含有量は１０〜９９モル％であり、好ましくは２０〜９７モル％、より好ましくは３０〜９５モル％であり、構造単位（２）の含有量は９０〜１モル％であり、好ましくは８０〜３モル％、より好ましくは７０〜５モル％である（ただし、共重合体（Ａ１）を構成する構造単位の全量を１００モル％とする。）。構造単位（１）および構造単位（２）の含有量が上記範囲外であると、パターニング特性が低下することがあり、硬化膜の熱衝撃性などの物性が低下することがある。
【００５３】
上記共重合体（Ａ１）において、構造単位（１）と構造単位（２）と上記その他のモノマーから形成される構造単位との配列は特に限定されず、共重合体（Ａ１）はランダム共重合体、ブロック共重合体のいずれであっても構わない。
【００５４】
上記共重合体（Ａ１）を得るには、構造単位（１）を形成し得る化合物またはその水酸基を保護した化合物と、構造単位（２）を形成し得るモノマーと、必要に応じて上記その他のモノマーとを、開始剤の存在下、溶剤中で重合させればよい。重合方法は特に限定されず、所望の分子量の化合物を得るために、ラジカル重合やアニオン重合などにより行えばよい。
【００５５】
上記重合体（Ａ）の分子量は特に限定されないが、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定したポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が、たとえば２００，０００以下、好ましくは２，０００〜１００，０００である。Ｍｗが前記下限未満であると、硬化膜の耐熱性や伸びなどの物性が低下することがあり、前記上限を超えると、他成分との相溶性が低下したり、パターニング特性が低下することがある。
【００５６】
＜感放射線性酸発生剤（Ｂ）＞
上記酸発生剤（Ｂ）は、上記露光により酸を発生する成分である。酸発生剤（Ｂ）により発生した酸の触媒作用により、架橋剤（Ｃ）が架橋反応を起こし、ネガ型のパターンを形成することができる。
【００５７】
上記酸発生剤（Ｂ）としては、放射線などの照射により酸を発生する化合物であれば特に限定されないが、例えば、オニウム塩化合物（チオフェニウム塩化合物を含む）、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物などを挙げることができる。これらの中でも、ネガ型レジストの解像度や感度の点から、オニウム塩化合物およびハロゲン含有化合物が好ましく、チオフェニウム塩化合物およびトリアジン構造を有するハロゲン含有化合物がより好ましい。
【００５８】
上記オニウム塩化合物としては、例えば、４，７−ジ−ｎ−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム塩化合物、１−（６−ｎ−ブトキシナフタレン−２−イル）テトラヒドロチオフェニウム塩化合物、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム塩化合物などのチオフェニウム塩化合物；ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム塩化合物、ジフェニルヨードニウム塩化合物などのヨードニウム塩化合物；トリフェニルスルホニウム塩化合物、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物、４−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物などのスルホニウム塩化合物；ホスホニウム塩化合物；ジアゾニウム塩化合物；ピリジニウム塩化合物などが挙げられる。
【００５９】
上記ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物などが挙げられる。具体的には、１，１０−ジブロモ−ｎ−デカン、１，１−ビス（４−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタン、ならびに、フェニル−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、４−メトキシフェニル−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、スチリル−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、ナフチル−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４−トリクロロメチル（ピペロニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−トリクロロメチル−（４−メトキシスチリル）−１，３，５−トリアジン、２−（１，３−ベンゾジオキソール−５−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンおよび２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エチニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン等のトリアジン構造を有する化合物などが挙げられる。
【００６０】
上記酸発生剤（Ｂ）は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記酸発生剤（Ｂ）の配合量は、ネガ型レジストの感度、解像度、パターン形状などを確保する観点から、上記重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．１〜３０質量部であり、より好ましくは０．１〜２０質量部であり、さらに好ましくは０．１〜１５質量部である。配合量が前記範囲内にあると、感度および解像性に優れ、組成物が十分に硬化して硬化膜の耐熱性が向上するとともに、放射線に対して良好な透明性を有し、パターン形状の劣化が起こりにくくなる。
【００６１】
＜架橋剤（Ｃ）＞
上記架橋剤（Ｃ）は、放射線の作用により上記酸発生剤（Ｂ）より発生する酸の存在下で、架橋構造を形成し得る化合物である。このような架橋剤（Ｃ）としては、前記作用を示す化合物であれば特に限定されないが、金属膜形成時におけるレジストパターンへの負荷に対抗できるパターンを形成できることから、メチロール基またはアルコキシメチロール基を有する化合物が好ましい。
【００６２】
上記メチロール基またはアルコキシメチロール基を有する化合物としては、たとえば、メチロール基またはアルコキシメチロール基を有する、メラミン系化合物、尿素系化合物、ベンゾグアナミン系化合物およびグリコールウリル系化合物などが挙げられる。これらの中では、メチロール基またはアルコキシメチロール基を有する、メラミン化合物、ベンゾグアナミン系化合物およびグリコールウリル系化合物が好ましく、特に、金属膜形成時にかかる熱履歴に対抗できる耐熱性に優れたパターンを形成できることから、メチロール基またはアルコキシメチロール基を有するメラミン化合物が好ましい。
【００６３】
上記メチロール基またはアルコキシメチロール基を有するメラミン化合物としては、例えば、メトキシメチル化メラミン、エトキシメチル化メラミン、ｎ−プロポキシメチル化メラミン、ｎ−ブトキシメチル化メラミン等が挙げられ、さらに具体的には、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサブトキシメチルメラミンなどが挙げられる。
【００６４】
上記メチロール基またはアルコキシメチロール基を有するベンゾグアナミン系化合物としては、例えば、テトラメチロールベンゾグアナミン、アルキル化メチロールベンゾグアナミン（アルキル化の数は１〜４個である。またアルキルとは炭素数１〜６のアルキル基のことである。）などが挙げられる。
【００６５】
上記メチロール基またはアルコキシメチロール基を有するグリコールウリル系化合物としては、例えば、メトキシメチル化グリコールウリル、エトキシメチル化グリコールウリル、ｎ−プロポキシメチル化グリコールウリル、ｎ−ブトキシメチル化グリコールウリル等が挙げられ、さらに具体的には、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリルなどが挙げられる。
【００６６】
上記架橋剤（Ｃ）は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記架橋剤（Ｃ）の配合量は、上記重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは３〜６０質量部、より好ましくは３〜４０質量部、さらに好ましくは５〜３０質量部である。この場合、架橋剤の配合量が少なすぎると、架橋反応を十分進行させることが困難となり、レジストとして、残膜率が低下したり、パターンの膨潤や蛇行等を来たしやすくなり、また架橋剤の配合量が多すぎると、レジストとしての解像度が低下する傾向がある。
【００６７】
＜光吸収化合物（Ｄ）＞
上記光吸収化合物（Ｄ）は、上記リソグラフィー法に用いる露光光の波長を光吸収する化合物であり、上記ネガ型レジストが該光吸収化合物（Ｄ）を含有することにより、光がｎ型半導体基板まで透過できなくなるため、より大きな逆テーパー形状のレジストパターンを形成することができる。
【００６８】
上記光吸収化合物（Ｄ）としては、例えば、クルクミン、３−メチル−５−ヒドロキシ−１−（フェニル）−４−（トリルアゾ）−ピラゾールなどが挙げられる。
【００６９】
上記光吸収化合物（Ｄ）は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記光吸収化合物（Ｄ）の配合量は、上記重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２０質量部、より好ましくは０．０５〜１０質量部、さらに好ましくは０．１〜５質量部である。配合量が前記範囲内にあると、レジストパターンの逆テーパー形状が良好に形成でき、かつ、感度を落とさずにレジストパターンを形成することができる。
【００７０】
＜他の成分＞
上記他の成分としては、例えば、溶剤、界面活性剤、溶解性補助剤、架橋ポリマー粒子、密着助剤、レベリング剤、消泡剤、架橋促進剤、酸拡散制御剤、増感剤、増感助剤などが挙げられる。
【００７１】
上記溶剤は、レジスト組成物の取り扱い性を向上させたり、粘度や保存安定性を調節するために添加される。このような溶剤としては、特に限定されないが、例えば、
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；
プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類；
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、ブチルカルビトール等のカルビトール類；
乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸イソプロピル等の乳酸エステル類；
酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；
３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類；
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；
２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；
γ−ブチロラクトン等のラクトン類
などの有機溶媒が挙げられる。
【００７２】
上記溶剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。また、溶剤の配合量は、組成物を均一な状態にすることができれば特に制限されないが、上記重合体１００質量部に対して、好ましくは１０〜５００質量部、より好ましくは１００〜３００質量部、さらに好ましくは１５０〜２５０質量部である。
【００７３】
上記界面活性剤は、塗膜平坦化、基板外周平坦化、ストリエーションなどを改善するために添加される。このような界面活性剤としては、シリコン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、アクリル系界面活性剤などが挙げられる。より具体的には、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ社製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３（大日本インキ化学工業社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム社製）、サーフロンＳ−３８１、Ｓ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子社製）、フタージェント２５０、２５１、２２２Ｆ、ＦＴＸ−２１８（ネオス社製）等のフッ素系界面活性剤などが挙げられる。
【００７４】
上記界面活性剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記界面活性剤は、上記重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜１質量部、より好ましくは０．０１〜０．５質量部である。
【００７５】
上記溶解性補助剤としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、トリス（４-ヒドロキシフェニル）メタン、１,１−ビス（4-ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，３−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，４−ビス［１−(４−ヒドロキシフェニル)−１−メチルエチル］ベンゼン、４，６−ビス［１−(４−ヒドロキシフェニル)−１−メチルエチル］−１，３−ジヒドロキシベンゼン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−｛１−(４−ヒドロキシフェニル)−１−メチルエチル｝フェニル］エタン、１，１，２，２−テトラ（４−ヒドロキシフェニル）エタン、４，４’−〔１−｛４−［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］フェニル｝エチリデン〕ビスフェノール、４，４’−〔１−｛４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル｝エチリデン〕ビスフェノールなどが挙げられる。
【００７６】
上記溶解性補助剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記溶解性補助剤の配合量は、上記重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１〜５０質量部、より好ましくは２〜３０質量部、さらに好ましくは３〜２０質量部である。
【００７７】
上記酸拡散制御剤としては、特開２００８−１９２７７４号公報に記載の酸拡散制御剤、例えば、
ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノ（シクロ）アルキルアミン類；
ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジ（シクロ）アルキルアミン類；
トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；
尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレア等のウレア化合物；
イミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチル−１Ｈ−イミダゾール等のイミダゾール類；
ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、４−ヒドロキシキノリン、８−オキシキノリン、アクリジン、２，２’：６’，２’’−ターピリジン等のピリジン類；
ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン等のピペラジン類；
Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルバミン酸−１，１−ジメチルエチルエステル、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−アダマンチルアミン、（Ｓ）−（−）−１−（ｔ−ブトキシカルボニル）−２−ピロリジンメタノール、（Ｒ）−（＋）−１−（ｔ−ブトキシカルボニル）−２−ピロリジンメタノール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルピロリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４−ヒドロキシピペリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−アミロキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、Ｎ−ｔ−アミロキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−アミロキシカルボニル−２−アダマンチルアミン、（Ｓ）−（−）−１−（ｔ−アミロキシカルボニル）−２−ピロリジンメタノール、（Ｒ）−（＋）−１−（ｔ−アミロキシカルボニル）−２−ピロリジンメタノール、Ｎ−ｔ−アミロキシカルボニルピロリジン、Ｎ−ｔ−アミロキシカルボニル−４−ヒドロキシピペリジン、Ｎ−ｔ−アミロキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール等のカルバミン酸エステル構造を有するアミン；
ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モルホリン、４−メチルモルホリン、１−（４−モルホリニル）エタノール、４−アセチルモルホリン、３−（Ｎ−モルホリノ）−１，２−プロパンジオール、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、１，３−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリジノン、２−キノキサリノール、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン等のその他アミン類などが挙げられる。
【００７８】
これら酸拡散制御剤の中でも、良好な逆テーパー形状が得やすいことから、カルバミン酸エステル構造を有するアミンが好ましい。
【００７９】
上記酸拡散制御剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記酸拡散制御剤の配合量は、上記重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．００１〜１０質量部、より好ましくは０．００５〜５質量部、さらに好ましくは０．０１〜１質量部である。
【００８０】
［工程（２）］
本発明の工程（２）では、図３（ｃ）に示すように、上記工程（１）で形成されたレジストパターン１３間に金属膜１４を形成する。このようにしてレジストパターン間に形成された金属膜が電極となる。金属膜の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。電極を構成する金属材料は特に限定されないが、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、アルミニウムや、これらの２種以上の合金が挙げられる。
【００８１】
［工程（３）］
本発明の工程（３）では、図３（ｄ）に示すように、上記工程（２）における金属膜１４の形成後、レジストパターン１３を剥離することにより、前記ｎ型半導体層１上に形成された前記金属膜からなる電極１４を得る。レジストパターンの剥離方法としては、特に限定されないが、例えば、２０〜８０℃程度の剥離液に基板を１〜３０分間程度浸漬する方法などが挙げられる。前記剥離液としては、例えば、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、メタノールアミン、エタノールアミン、プロパノールアミン、ブタノールアミンおよびそれらの混合溶剤などが挙げられる。本発明では、逆テーパー形状のレジストパターンを形成しているため、電極の形状を損なうことなく、レジストパターンを良好に剥離することができる。
【００８２】
上述した本発明のｎ型半導体層上の電極の形成方法により、ｎ型半導体基板上に良好な形状の電極を形成することができる。
【実施例】
【００８３】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。【００８４】
［実施例１〜１９、比較例１〜２］
〔１〕レジスト組成物の調製
下記表１に示す量で各成分を配合して溶解することにより、レジスト組成物を調製した。なお、表１における成分量の単位は質量部である。【００８５】
【表１】
2011102064.tif 000005
【００８６】
上記表１中の各成分は以下のとおりである。なお、下記における重量平均分子量は、ＧＰＣにより下記条件で測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
装置：東ソー（株）製「ＨＬＣ−８１２０Ｃ」
カラム：東ソー（株）製「ＴＳＫ−ｇｅｌ  ＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＸＬ−Ｍ」
溶離液：テトラヒドロフラン、流量０．５ｍＬ／ｍｉｎ、負荷量５．０％、１００μＬ
カラム温度：４０℃。【００８７】
＜Ａ成分；樹脂成分＞
Ａ１成分：ｐ−ヒドロキシスチレンからなる単位８０モル％およびスチレンからなる単位２０モル％を含む共重合体（重量平均分子量：１０，０００）。
Ａ２成分：ｍ−クレゾール：３,５−キシレノール＝７０：３０（モル比）の混合フェノール類をホルマリンと重縮合して得られたノボラック樹脂（重量平均分子量：８，０００）。
Ａ３成分：ｍ−クレゾール：ｐ−クレゾール＝５０：５０（モル比）の混合フェノール類をホルマリンと重縮合して得られたノボラック樹脂（重量平均分子量：７，０００）。
Ａ４成分：ｐ−ヒドロキシスチレンからなる単位８０モル％、スチレンからなる単位１０モル％およびヒドロキシブチルアクリレートからなる単位１０モル％を含む共重合体（重量平均分子量：１０，０００）。
ＲＡ１成分：１−エチルシクロヘキシルメタクリレート構成単位５０質量％および２−エトキシエチルアクリレート構成単位５０質量％を含む共重合体（重量平均分子量：３５０，０００）。【００８８】
＜Ｂ成分；酸発生剤＞
Ｂ１成分：２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス−（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン。
Ｂ２成分：２，４−トリクロロメチル（ピペロニル）−１，３，５−トリアジン。
Ｂ３成分：２，４−トリクロロメチル−（４−メトキシスチリル）−１，３，５−トリアジン。
Ｂ４成分：１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフタレニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート。
Ｂ５成分：下記式で表される化合物。【００８９】
【化３】
2011102064.tif 000006
【００９０】
Ｂ６成分：４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）の縮合物。【００９１】
＜Ｃ成分；架橋剤＞
Ｃ１成分：ヘキサメトキシメチルメラミン。
Ｃ２成分：テトラメトキシメチルグリコールウリル。
Ｃ３成分：テトラメチロールベンゾグアナミン。【００９２】
＜Ｄ成分；光吸収化合物＞
Ｄ１成分：クルクミン。
Ｄ２成分：３−メチル−５−ヒドロキシ−１−（フェニル）−４−（トリルアゾ）−ピラゾール。【００９３】
＜Ｅ成分；界面活性剤＞
Ｅ１成分：フッ素系界面活性剤（商品名「フタージェント２５１」、ネオス社製）。【００９４】
＜Ｆ成分；溶解性補助剤＞
Ｆ１成分：４，４’−〔１−｛４［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル｝エチリデン〕ビスフェノール。【００９５】
＜Ｇ成分；溶剤＞
Ｇ１成分：３−メトキシプロピオン酸メチル。
Ｇ２成分：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート。【００９６】
＜H成分；酸拡散抑制剤＞
Ｈ１成分：Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルバミン酸−１，１−ジメチルエチルエステル。
Ｈ２成分：Ｎ−ｔ一ブトキシカルボニルピロリジン。
Ｈ３成分：Ｎ−ｔ一ブトキシカルボニルー２一フェニルベンズイミダゾール。【００９７】
〔２〕評価
〔２−１〕パターン形状
ｎ型ＧａＮ基板上もしくはＩＴＯ基板上に、〔１〕で調製した各レジスト組成物をスピンコートし、その後、ホットプレートを用いて９５℃で９０秒間加熱し、厚さ５μｍの塗膜を作製した。次いで、アライナー（Ｋａｒｌ  Ｓｕｓｓ社製、型式「ＭＡ−２００ｅ」）を使用し、高圧水銀灯から照射される紫外線（波長３６５ｎｍ）を、ホールパターンマスクを介して塗膜に露光した。その後、露光処理した基板を、ホットプレートを用いて９５℃で２分間加熱（ＰＥＢ）した後、２．３８質量％濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液中に、２３℃で６０秒間浸漬処理することにより現像した。得られたパターンを電子顕微鏡にて観察し、下記基準にて評価した。評価結果を表２に示す。【００９８】
＜評価基準＞
良好：得られたパターンが、フッティングがない、良好な逆テーパー形状である。
不良：得られたパターンが、フッティング及び順テーパー形状の少なくとも１つ以上の形状である。【００９９】
なお、各基板の表面状態は以下のとおりである。
ｎ型ＧａＮ基板：高さ１．２μｍ〜０．４μｍの突起を有する表面状態。ｎ型ＧａＮ基板の場合の塗膜の膜厚は、高さ１．２μｍの突起からの厚さを示す。
ＩＴＯ基板：表面にスズドープ酸化インジウム膜を有する略平坦な表面状態である。【０１００】
〔２−２〕耐熱性
前記〔２−１〕で得られたパターンを、ホットプレートを用いて１００℃１０分間加熱し、加熱後のパターンを電子顕微鏡にて観察し、下記基準にて評価した。評価結果を表２に示す。【０１０１】
＜評価基準＞
良好：加熱前後でパターン形状はほとんど変化なし。
不良：加熱前後でパターン形状が変化し、パターンが埋まるなど、良好な逆テーパーパターンとならない。【０１０２】
【表２】
2011102064.tif 000007
【０１０３】
〔３〕ｎ型半導体層上の電極の形成
実施例１で作製した、レジストパターンが形成された基板上に、スパッタ装置（サンユー電子社製「クイックオートコーターＳＣ−７０４ＡＴ」）を用いて、金からなる金属膜を形成した。次いで、Ｎ−メチルピロリドンを用いて２３℃でレジストパターンを剥離することにより、基板上に良好な形状の電極を形成することができた。
【符号の説明】
【０１０４】
１  ｎ型半導体層
２  ポジ型レジストパターン
３  ネガ型レジストパターン
１１  ｎ型半導体層
１２  レジスト膜
１３  レジストパターン
１４  金属膜（電極）
１００  サファイヤ基板
１０１  バッファ層
１１０  半導体層
１１１  ｎ型クラッド層
１１２  活性層
１１３  ｐ型クラッド層
１２０  電流拡散層
１３１  上部電極
１３２  下部電極
１４０  電流阻止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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