(57)【要約】  測定補正を適用する方法が、第１の係数及び測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、第１の係数より大きい第２の係数及び測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、及び第２の係数より大きい第３の係数及び測定値に基づいて第３の補正値を計算することを含む。方法はまた、第１の補正値と第３の補正値の差が第１の閾値より大きい場合に、第３の補正値を測定値に適用すること、第１の補正値と第２の補正値の差が第２の閾値より大きい場合に、第２の補正値を測定値に適用すること、及び第１の補正値と第２の補正値の差が第２の閾値以下である場合に、第１の補正値を測定値に適用することを含む。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を生成するように構成された放射源と、
前記光を基板に向けるように構成されたリフレクタと、
前記基板上のパターンから回折された、又は前記基板から反射された光を受光し、前記回折された又は反射された光の干渉から出力光を生成するように構成された干渉計と、
前記干渉計から前記出力光を受光し、前記受光した出力光に基づいて測定値を得るように構成された検出器と、
前記測定値に対する補正を決定するように構成されたコントローラと、
を備えるメトロロジシステムであって、
前記補正を決定することが、
第１の係数及び前記測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、
前記第１の係数より大きい第２の係数及び前記測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、
前記第２の係数より大きい第３の係数及び前記測定値に基づいて第３の補正値を計算すること、
前記第１の補正値と前記第３の補正値の差が第１の閾値より大きい場合に、前記第３の補正値を前記測定値に適用すること、
前記第１の補正値と前記第２の補正値の差が第２の閾値より大きい場合に、前記第２の補正値を前記測定値に適用すること、及び
前記第１の補正値と前記第２の補正値の差が前記第２の閾値以下である場合に、前記第１の補正値を前記測定値に適用すること
を含むメトロロジシステム。
【請求項２】
前記第１の係数が第１の遅延定数に基づいて決定され、前記第２の係数が前記第１の遅延定数より小さい第２の遅延定数に基づいて決定され、前記第３の係数が前記第２の遅延定数より小さい第３の遅延定数に基づいて決定される、請求項１に記載のメトロロジシステム。
【請求項３】
前記第２の補正値が、以前に求めた測定値から前記測定値のドリフトに関連付けられる、請求項１又は２に記載のメトロロジシステム。
【請求項４】
前記第３の補正値が、以前に求めた測定値から前記測定値のジャンプに関連付けられる、請求項１又は２に記載のメトロロジシステム。
【請求項５】
前記第１の閾値が前記第２の閾値より大きい、請求項１又は２に記載のメトロロジシステム。
【請求項６】
前記コントローラが、前記第１の補正値と前記第２の補正値の差が第２の閾値より大きい場合、及び前記第１の補正値と前記第３の補正値の差が前記第１の閾値以下である場合に、前記第２の補正値を適用するように構成される、請求項１又は２に記載のメトロロジシステム。
【請求項７】
光を生成するように構成された放射源と、
前記光を基板に向けるように構成されたリフレクタと、
前記基板上のパターンから回折された、又は前記基板から反射された光を受光し、前記回折された又は反射された光の干渉から出力光を生成するように構成された干渉計と、
前記干渉計から前記出力光を受光し、前記受光した出力光に基づいて測定値を得るように構成された検出器と、
前記測定値に対する補正を決定するように構成されたコントローラと、
を備えるメトロロジシステムであって、
前記補正を決定することが、
第１の係数及び前記測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、
前記第１の係数より大きい第２の係数及び前記測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、
前記第２の係数より大きい第３の係数及び前記測定値に基づいて第３の補正値を計算すること、
第４の係数及び前記測定値に基づいて第１の測定値の平均を計算すること、
前記第３の係数及び前記測定値に基づいて第２の測定値の平均を計算すること、
前記第１の補正値と前記第２の測定値の平均の差が第１の閾値より大きい場合に、前記第３の補正値を前記測定値に適用すること、
前記第１の補正値と前記第１の測定値の平均の差が第２の閾値より大きい場合に、前記第２の補正値を前記測定値に適用すること、及び
前記第１の補正値と前記第１の測定値の平均の差が前記第２の閾値以下である場合に、前記第１の補正値を前記測定値に適用すること
を含むメトロロジシステム。
【請求項８】
前記第１の係数が第１の遅延定数に基づいて決定され、前記第２の係数が前記第１の遅延定数より小さい第２の遅延定数に基づいて決定され、前記第３の係数が前記第２の遅延定数より小さい第３の遅延定数に基づいて決定され、前記第４の係数が前記第１の遅延定数より小さく、かつ前記第３の遅延定数より大きい第４の遅延定数に基づいて決定される、請求項７に記載のメトロロジシステム。
【請求項９】
前記第２の補正値が、以前に求めた測定値から前記測定値のドリフトに関連付けられる、請求項７又は８に記載のメトロロジシステム。
【請求項１０】
前記第３の補正値が、以前に求めた測定値から前記測定値のジャンプに関連付けられる、請求項７又は８に記載のメトロロジシステム。
【請求項１１】
前記第１の閾値が前記第２の閾値より大きい、請求項７又は８に記載のメトロロジシステム。
【請求項１２】
前記コントローラが、前記第１の補正値と前記第１の測定値の平均の差が第２の閾値より大きい場合、及び前記第１の補正値と前記第２の測定値の平均の差が前記第１の閾値以下である場合に、前記第２の補正値を適用するように構成される、請求項７又は８に記載のメトロロジシステム。
【請求項１３】
パターニングデバイスのパターンを照明するように構成された照明システムと、
前記パターンの像を基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
メトロロジシステムと、
を備えたリソグラフィ装置であって、
前記メトロロジシステムが、
光を生成するように構成された放射源と、
前記光を基板に向けるように構成されたリフレクタと、
前記基板上のパターンから回折された、又は前記基板から反射された光を受光し、前記回折された又は反射された光の干渉から出力光を生成するように構成された干渉計と、
前記干渉計から前記出力光を受光し、前記受光した出力光に基づいて測定値を得るように構成された検出器と、
前記測定値に対する補正を決定するように構成されたコントローラと、を備え、
前記補正を決定することが、
第１の係数及び前記測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、
前記第１の係数より大きい第２の係数及び前記測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、
前記第２の係数より大きい第３の係数及び前記測定値に基づいて第３の補正値を計算すること、
第４の係数及び前記測定値に基づいて第１の測定値の平均を計算すること、
前記第３の係数及び前記測定値に基づいて第２の測定値の平均を計算すること、
前記第１の補正値と前記第２の測定値の平均の差が第１の閾値より大きい場合に、前記第３の補正値を前記測定値に適用すること、
前記第１の補正値と前記第１の測定値の平均の差が第２の閾値より大きい場合に、前記第２の補正値を前記測定値に適用すること、及び
前記第１の補正値と前記第１の測定値の平均の差が前記第２の閾値以下である場合に、前記第１の補正値を前記測定値に適用すること
を含むリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記第１の係数が第１の遅延定数に基づいて決定され、前記第２の係数が前記第１の遅延定数より小さい第２の遅延定数に基づいて決定され、前記第３の係数が前記第２の遅延定数より小さい第３の遅延定数に基づいて決定され、前記第４の係数が前記第１の遅延定数より小さく、かつ前記第３の遅延定数より大きい第４の遅延定数に基づいて決定される、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記第２の補正値が、以前に求めた測定値から前記測定値のドリフトに関連付けられる、請求項１３又は１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記第３の補正値が、以前に求めた測定値から前記測定値のジャンプに関連付けられる、請求項１３又は１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記第１の閾値が前記第２の閾値より大きい、請求項１３又は１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記コントローラが、前記第１の補正値と前記第１の測定値の平均の差が第２の閾値より大きい場合、及び前記第１の補正値と前記第２の測定値の平均の差が前記第１の閾値以下である場合に、前記第２の補正値を適用するように構成される、請求項１３又は１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
パターニングデバイスのパターンを照明するように構成された照明システムと、
前記パターンの像を基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
メトロロジシステムと、
を備えたリソグラフィ装置であって、
前記メトロロジシステムが、
光を生成するように構成された放射源と、
前記光を基板に向けるように構成されたリフレクタと、
前記基板上のパターンから回折された、又は前記基板から反射された光を受光し、前記回折された又は反射された光の干渉から出力光を生成するように構成された干渉計と、
前記干渉計から前記出力光を受光し、前記受光した出力光に基づいて測定値を得るように構成された検出器と、
前記測定値に対する補正を決定するように構成されたコントローラと、を備え、
前記補正を決定することが、
第１の係数及び前記測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、
前記第１の係数より大きい第２の係数及び前記測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、
前記第２の係数より大きい第３の係数及び前記測定値に基づいて第３の補正値を計算すること、
前記第１の補正値と前記第３の補正値の差が第１の閾値より大きい場合に、前記第３の補正値を前記測定値に適用すること、
前記第１の補正値と前記第２の補正値の差が第２の閾値より大きい場合に、前記第２の補正値を前記測定値に適用すること、及び
前記第１の補正値と前記第２の補正値の差が前記第２の閾値以下である場合に、前記第１の補正値を前記測定値に適用すること
を含むリソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記第１の係数が第１の遅延定数に基づいて決定され、前記第２の係数が前記第１の遅延定数より小さい第２の遅延定数に基づいて決定され、前記第３の係数が前記第２の遅延定数より小さい第３の遅延定数に基づいて決定される、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２１】
前記コントローラが、前記第１の補正値と前記第２の補正値の差が第２の閾値より大きい場合、及び前記第１の補正値と前記第３の補正値の差が前記第１の閾値以下である場合に、前記第２の補正値を適用するように構成される、請求項１９又は２０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２２】
雑音を解消するためにメトロロジシステムによって求めた測定値に補正を適用する方法であって、前記方法が、
第１の係数及び前記測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、
前記第１の係数より大きい第２の係数及び前記測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、
前記第２の係数より大きい第３の係数及び前記測定値に基づいて第３の補正値を計算すること、
第４の係数及び前記測定値に基づいて第１の測定値の平均を計算すること、
前記第３の係数及び前記測定値に基づいて第２の測定値の平均を計算すること、
前記第１の補正値と前記第２の測定値の平均の差が第１の閾値より大きい場合に、前記第３の補正値を前記測定値に適用すること、
前記第１の補正値と前記第１の測定値の平均の差が第２の閾値より大きい場合に、前記第２の補正値を前記測定値に適用すること、及び
前記第１の補正値と前記第１の測定値の平均の差が前記第２の閾値以下である場合に、前記第１の補正値を前記測定値に適用すること
を含む方法。
【請求項２３】
前記第１の係数が第１の遅延定数に基づいて決定され、前記第２の係数が前記第１の遅延定数より小さい第２の遅延定数に基づいて決定され、前記第３の係数が前記第２の遅延定数より小さい第３の遅延定数に基づいて決定され、前記第４の係数が前記第１の遅延定数より小さく、かつ前記第３の遅延定数より大きい第４の遅延定数に基づいて決定される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の補正値が、以前に求めた測定値から前記測定値のドリフトに関連付けられる、請求項２２又は２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第３の補正値が、以前に求めた測定値から前記測定値のジャンプに関連付けられる、請求項２２又は２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の閾値が前記第２の閾値より大きい、請求項２２又は２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記第２の補正値を適用することがさらに、前記第１の補正値と前記第２の測定値の平均の差が前記第１の閾値以下である場合に、前記第２の補正値を適用することを含む、請求項２２又は２３に記載の方法。
【請求項２８】
雑音を解消するためにメトロロジシステムによって求めた測定値に補正を適用する方法であって、前記方法が、
第１の係数及び前記測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、
前記第１の係数より大きい第２の係数及び前記測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、
前記第２の係数より大きい第３の係数及び前記測定値に基づいて第３の補正値を計算すること、
前記第１の補正値と前記第３の補正値の差が第１の閾値より大きい場合に、前記第３の補正値を前記測定値に適用すること、
前記第１の補正値と前記第２の補正値の差が第２の閾値より大きい場合に、前記第２の補正値を前記測定値に適用すること、及び
前記第１の補正値と前記第２の補正値の差が前記第２の閾値以下である場合に、前記第１の補正値を前記測定値に適用すること
を含む方法。
【請求項２９】
前記第１の係数が第１の遅延定数に基づいて決定され、前記第２の係数が前記第１の遅延定数より小さい第２の遅延定数に基づいて決定され、前記第３の係数が前記第２の遅延定数より小さい第３の遅延定数に基づいて決定される、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２の補正値を適用することがさらに、前記第１の補正値と前記第３の補正値の差が前記第１の閾値以下である場合に、前記第２の補正値を適用することを含む、請求項２８又は２９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本出願は、２０１６年６月３０日に出願された（１）米国仮特許出願第６２／３５６，９５９号及び２０１７年６月２０日に出願された（２）米国仮特許出願第６２／５２２，５０２号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本開示は、例えばリソグラフィ装置で使用可能なメトロロジシステムに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンを、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に結像することができる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。別のリソグラフィシステムは、干渉リソグラフィシステムである。干渉リソグラフィシステムでは、パターニングデバイスは存在せず、光ビームが２つのビームに分けられ、反射システムを用いて２つのビームが基板のターゲット部分で干渉する。干渉は、基板のターゲット部分にラインを形成させる。
【０００４】
[0004]  リソグラフィ工程の間に、異なる処理ステップは異なる層を基板上に連続して形成することを要求する場合がある。したがって、基板に形成された前のパターンに対して高い精度で基板を位置決めする必要がある場合がある。一般的に、アライメントマークが位置合わせされるべき基板上に設置され、第２のオブジェクトを基準にして配置される。リソグラフィ装置は、アライメントマークの位置（例えばＸ及びＹ位置）を検出して、マスクからの正確な露光を確保するようにアライメントマークを用いて基板を位置合わせするために、メトロロジシステムを用いることができる。メトロロジシステムは、Ｚ方向のウェーハ面の高さを決定するために用いることもできる。
【０００５】
[0005]  メトロロジシステムの特性に起因するアライメントエラー（波長及びオーダー特異的なものなど）は、オーダー間シフト（ＳＢＯ：shift-between-orders）補正によって補正することができる。補正値は、アライメントセンサ及び／又は照明光学部品の不安定性に起因して変化する可能性がある。この較正値のドリフトは、インラインＳＢＯ（ｉＳＢＯ）のプロセスにより測定及び補正される。測定雑音を低減させるために、フィルタがよく用いられる。しかし、このフィルタは位相遅れを発生させ、補正に追跡誤差をもたらす可能性がある。スループットが低いシステムや急速に変化する不安定性に悩まされるシステムの場合、追跡誤差が大きくなり、オーバーレイ精度を損なう可能性がある。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  したがって、メトロロジシステムのｉＳＢＯにおける測定雑音の低減を向上させる必要性がある。
【０００７】
[0007]  ある実施形態によると、メトロロジシステムが、光を生成する放射源と、リフレクタと、干渉計と、検出器と、コントローラとを備える。リフレクタは光を基板に向ける。干渉計は、基板上のパターンから回折された、又は基板から反射された光に干渉し、干渉から出力光を生成する。検出器は、干渉計から出力光を受光し、受光した出力光に基づいて測定値を得る。コントローラは測定値に対する補正を決定する。決定することは、第１の係数及び測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、第１の係数より大きい第２の係数及び測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、及び第２の係数より大きい第３の係数及び測定値に基づいて第３の補正値を計算することを含む。第３の補正値は、第１の補正値と第３の補正値の差が第１の閾値より大きい場合に測定値に適用される。第２の補正値は、第１の補正値と第２の補正値の差が第２の閾値より大きい場合に測定値に適用される。第１の補正値は、第１の補正値と第２の補正値の差が第２の閾値以下である場合に測定値に適用される。
【０００８】
[0008]  別の実施形態において、リソグラフィ装置が、パターニングデバイスのパターンを照明するように設計された照明システムと、パターンの像を基板のターゲット部分に投影する投影システムと、メトロロジシステムとを備える。メトロロジシステムは、光を生成する放射源と、リフレクタと、干渉計と、検出器と、コントローラとを備える。リフレクタは光を基板に向ける。干渉計は、基板上のパターンから回折された、又は基板から反射された光に干渉し、干渉から出力光を生成する。検出器は、干渉計から出力光を受光し、受光した出力光に基づいて測定値を得る。コントローラは測定値に対する補正を決定する。決定することは、第１の係数及び測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、第１の係数より大きい第２の係数及び測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、及び第２の係数より大きい第３の係数及び測定値に基づいて第３の補正値を計算することを含む。第３の補正値は、第１の補正値と第３の補正値の差が第１の閾値より大きい場合に測定値に適用される。第２の補正値は、第１の補正値と第２の補正値の差が第２の閾値より大きい場合に測定値に適用される。第１の補正値は、第１の補正値と第２の補正値の差が第２の閾値以下である場合に測定値に適用される。
【０００９】
[0009]  さらに別の実施形態において、雑音を解消するためにメトロロジシステムによって求めた測定値に補正を適用する方法が、第１の係数及び測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、第１の係数より大きい第２の係数及び測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、及び第２の係数より大きい第３の係数及び測定値に基づいて第３の補正値を計算することを含む。方法はまた、第１の補正値と第３の補正値の差が第１の閾値より大きい場合に、第３の補正値を測定値に適用すること、第１の補正値と第２の補正値の差が第２の閾値より大きい場合に、第２の補正値を測定値に適用すること、及び第１の補正値と第２の補正値の差が第２の閾値以下である場合に、第１の補正値を測定値に適用することを含む。
【００１０】
[0010]  別の実施形態において、メトロロジシステムが、光を生成する放射源と、リフレクタと、干渉計と、検出器と、コントローラとを備える。リフレクタは光を基板に向ける。干渉計は、基板上のパターンから回折された、又は基板から反射された光に干渉し、干渉から出力光を生成する。検出器は、干渉計から出力光を受光し、受光した出力光に基づいて測定値を得る。コントローラは測定値に対する補正を決定する。決定することは、第１の係数及び測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、第１の係数より大きい第２の係数及び測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、第２の係数より大きい第３の係数及び測定値に基づいて第３の補正値を計算すること、第４の係数及び測定値に基づいて第１の測定値の平均を計算すること、及び第３の係数及び測定値に基づいて第２の測定値の平均を計算することを含む。第３の補正値は、第１の補正値と第２の測定値の平均の差が第１の閾値より大きい場合に測定値に適用される。第２の補正値は、第１の補正値と第１の測定値の平均の差が第２の閾値より大きい場合に測定値に適用される。第１の補正値は、第１の補正値と第１の測定値の平均の差が第２の閾値以下である場合に測定値に適用される。
【００１１】
[0011]  別の実施形態において、リソグラフィ装置が、パターニングデバイスのパターンを照明するように設計された照明システムと、パターンの像を基板のターゲット部分に投影する投影システムと、メトロロジシステムとを備える。メトロロジシステムは、光を生成する放射源と、リフレクタと、干渉計と、検出器と、コントローラとを備える。リフレクタは光を基板に向ける。干渉計は、基板上のパターンから回折された、又は基板から反射された光に干渉し、干渉から出力光を生成する。検出器は、干渉計から出力光を受光し、受光した出力光に基づいて測定値を得る。コントローラは測定値に対する補正を決定する。決定することは、第１の係数及び測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、第１の係数より大きい第２の係数及び測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、第２の係数より大きい第３の係数及び測定値に基づいて第３の補正値を計算すること、第４の係数及び測定値に基づいて第１の測定値の平均を計算すること、及び第３の係数及び測定値に基づいて第２の測定値の平均を計算することを含む。第３の補正値は、第１の補正値と第２の測定値の平均の差が第１の閾値より大きい場合に測定値に適用される。第２の補正値は、第１の補正値と第１の測定値の平均の差が第２の閾値より大きい場合に測定値に適用される。第１の補正値は、第１の補正値と第１の測定値の平均の差が第２の閾値以下である場合に測定値に適用される。
【００１２】
[0012]  さらに別の実施形態において、雑音を解消するためにメトロロジシステムによって求めた測定値に補正を適用する方法が、第１の係数及び測定値に基づいて第１の補正値を計算すること、第１の係数より大きい第２の係数及び測定値に基づいて第２の補正値を計算すること、第２の係数より大きい第３の係数及び測定値に基づいて第３の補正値を計算すること、第４の係数及び測定値に基づいて第１の測定値の平均を計算すること、及び第３の係数及び測定値に基づいて第２の測定値の平均を計算することを含む。方法はまた、第１の補正値と第２の測定値の平均の差が第１の閾値より大きい場合に、第３の補正値を測定値に適用すること、第１の補正値と第１の測定値の平均の差が第２の閾値より大きい場合に、第２の補正値を測定値に適用すること、及び第１の補正値と第１の測定値の平均の差が第２の閾値以下である場合に、第１の補正値を測定値に適用することを含む。
【００１３】
[0013]  本発明の別の特徴及び利点並びに本発明の様々な実施形態の構造及び作用は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思いつくであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
[0014]  本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は本発明を図示し、説明とともに、さらに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるようにする働きをする。
【００１５】
【図１Ａ】[0015]  ある実施形態に係る反射型リソグラフィ装置の概略図である。
【図１Ｂ】[0016]  ある実施形態に係る透過型リソグラフィ装置の概略図である。
【図２】[0017]  ある実施形態に係る反射型リソグラフィ装置のより詳細な概略図である。
【図３】[0018]  ある実施形態に係るリソグラフィセルの概略図である。
【図４】[0019]  ある実施形態に係るメトロロジシステムの概略図である。
【図５】[0020]  ある実施形態に係る適応フィルタのための方法のフローチャートである。
【図６】[0021]  ある実施形態に係るメトロロジシステムを較正する方法のフローチャートである。
【図７】[0022]  ある実施形態に係る適応フィルタのための別の方法のフローチャートである。
【図８】[0023]  ある実施形態に係るメトロロジシステムを較正する別の方法のフローチャートである。
【図９Ａ】[0024]  一部の実施形態に係る、従来のフィルタ設計と比べて改善された適応フィルタの応答を示すシミュレーションである。
【図９Ｂ】[0024]  一部の実施形態に係る、従来のフィルタ設計と比べて改善された適応フィルタの応答を示すシミュレーションである。
【図１０Ａ】[0025]  一部の実施形態に係る、従来のフィルタ設計と比べて改善された適応フィルタの応答を示すシミュレーションである。
【図１０Ｂ】[0025]  一部の実施形態に係る、従来のフィルタ設計と比べて改善された適応フィルタの応答を示すシミュレーションである。
【図１１Ａ】[0026]  一部の実施形態に係る、従来のフィルタ設計と比べて改善された適応フィルタの応答を示すシミュレーションである。
【図１１Ｂ】[0026]  一部の実施形態に係る、従来のフィルタ設計と比べて改善された適応フィルタの応答を示すシミュレーションである。
【図１２】様々な実施形態を実施するのに有用な例示的なコンピュータシステムである。
【００１６】
[0027]  本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことでさらに明白になろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。ある要素が最初に出現する図面は、対応する参照番号の左端の１つ又は複数の数字によって示される。他に示されない限り、本開示を通じて提供される図面は縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0028]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される１つ又は複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される１つ又は複数の実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
【００１８】
[0029]  記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。
【００１９】
[0030]  このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。
【００２０】
[0031]  例示的な反射型及び透過型リソグラフィシステム
[0032]  図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、本発明の実施形態を実施することができるリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’はそれぞれ、以下のものを含む。放射ビームＢ（例えば、深紫外又は極端紫外放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続される支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴとを含む。リソグラフィ装置１００，１００’はまた、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された投影システムＰＳを有する。リソグラフィ装置１００において、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射性である。リソグラフィ装置１００’において、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過性である。
【００２１】
[0033]  照明システムＩＬは、放射ビームＢを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２２】
[0034]  支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００及び１００’の少なくとも１つの設計、及び、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かといった他の条件に応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械式、真空式、静電式、又は他のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。センサを用いることで、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを保証することができる。
【００２３】
[0035]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２４】
[0036]  パターニングデバイスＭＡは（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）透過性でもよく（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）反射性でもよい。パターニングデバイスＭＡの例は、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィ分野では周知であり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、各小型ミラーを個別に傾斜させて入射する放射ビームを様々な方向に反射させることができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビームＢにパターンを付与する。
【００２５】
[0037]  「投影システム」ＰＳという用語は、例えば使用する露光放射、又は基板Ｗ上での液浸液の使用や真空の使用といった他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む、任意のタイプの投影システムを包含することができる。その他のガスは放射又は電子を吸収し過ぎる可能性があるので、ＥＵＶ又は電子ビーム放射には真空環境が使用されることがある。したがって、真空壁及び真空ポンプの助けにより、ビーム経路全体に真空環境が提供され得る。
【００２６】
[0038]  リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴを並行して使用するか、１つ以上の他の基板テーブルＷＴを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。場合によっては、追加のテーブルは基板テーブルＷＴでなくてもよい。
【００２７】
[0039]  図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を形成すると見なされず、放射ビームＢは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ内）の助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置１００、１００’の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２８】
[0040]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（図１Ｂ内）を備えていてもよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネント（図１Ｂ内）を備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームＢを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２９】
[0041]  図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターンが付与される。リソグラフィ装置１００において、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる（例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように）。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００３０】
[0042]  図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役な瞳ＰＰＵを有する。放射の部分は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から発し、マスクパターンでの回折によって影響されることなくマスクパターンを横断し、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布の像を生成する。
【００３１】
[0043]  第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる（例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように）。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１Ｂには図示せず）を使用して、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる（例えば、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中）。
【００３２】
[0044]  一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３３】
[0045]  マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは真空チャンバ内に配されることがあり、この場合、真空内ロボットＩＶＲを用いて、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバ内外に移動させることができる。代替的には、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバ外にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様の真空外ロボットを様々な搬送動作に用いることができる。真空内ロボットと真空外ロボットはともに、任意のペイロード（例えばマスク）を移送ステーションの固定キネマティックマウントに円滑に移送するために較正する必要がある。
【００３４】
[0046]  リソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用することができる。
【００３５】
[0047]  １．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
【００３６】
[0048]  ２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
【００３７】
[0049]  ３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して概ね静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス状放射源ＳＯを使用し、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【００３８】
[0050]  上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３９】
[0051]  別の実施形態において、リソグラフィ装置１００は、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームを生成するように構成されたＥＵＶ源を含む。一般に、ＥＵＶ源は放射システムにおいて構成され、対応する照明システムはＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成される。
【００４０】
[0052]  図２は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示している。ソースコレクタ装置ＳＯは、このソースコレクタ装置ＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置されている。放電生成プラズマ源によって、ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０を形成することができる。ＥＵＶ放射を生成するには、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気のようなガス又は蒸気によって、極めて高温のプラズマ２１０を生成して、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出させればよい。極めて高温のプラズマ２１０は、例えば放電によって少なくとも部分的に電離したプラズマを生じることにより生成される。効率的な放射発生のため、例えば分圧が１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎの蒸気又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気が必要となり得る。ある実施形態では、励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマを供給してＥＵＶ放射を生成する。
【００４１】
[0053]  高温プラズマ２１０が発した放射は、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ、放射源チャンバ２１１の開口内又は開口の後ろに位置決めされた任意選択のガスバリア又は汚染トラップ２３０（場合によっては汚染バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して送出される。汚染トラップ２３０はチャネル構造を含むことができる。汚染トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含んでもよい。本明細書でさらに示す汚染トラップ又は汚染バリア２３０は、少なくとも、当技術分野において既知のチャネル構造を含む。
【００４２】
[0054]  コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタの場合もある放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを横断した放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射して、仮想光源点ＩＦに集束させることができる。仮想光源点ＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口２１９に又はその近傍に位置するように構成されている。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（ＩＲ）放射を抑制するために用いられる。
【００４３】
[0055]  この後、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１の所望の角度分布を与えると共にパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２２及びファセット瞳ミラーデバイス２２４を含むことができる。支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２２１が反射されると、パターン付きビーム２２６が形成され、このパターン付きビーム２２６は、投影システムＰＳにより、反射要素２２８、２３０を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。
【００４４】
[0056]  一般に、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在し得る。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意に存在し得る。さらに、図示するよりも多くのミラーが存在する場合があり、例えば投影システムＰＳには、図２に示すものに比べて１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。
【００４５】
[0057]  図２に示すようなコレクタ光学部品ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４及び２５５を有する入れ子状のコレクタとして示されている。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称配置され、このタイプのコレクタ光学部品ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて好適に用いられる。
【００４６】
[0058]  例示的なリソグラフィセル
[0059]  図３は、リソセル又はクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセル３００を示している。リソグラフィ装置１００又は１００’はリソグラフィセル３００の一部を形成し得る。また、リソグラフィセル３００は、基板に露光前プロセス及び露光後プロセスを実行する装置も含み得る。従来、これらには、レジスト層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光したレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ及びベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラ、すなわちロボットＲＯは、入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を取り出し、それらを様々なプロセス装置間で移動させた後、リソグラフィ装置のローディングベイＬＢに引き渡す。これらのデバイスは、まとめてトラックと呼ばれることも多く、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳによって制御され、ＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、これら様々な装置はスループット及び処理効率を最大化するように動作させることができる。
【００４７】
[0060]  例示的なメトロロジシステム
[0061]  図４は、ある実施形態に係る、リソグラフィ装置１００又は１００’の一部として実装可能なメトロロジシステム４００の断面図を概略的に示している。この実施形態のある実施例では、メトロロジシステム４００は、パターニングデバイス（例えばパターニングデバイスＭＡ）に対して基板（例えば基板Ｗ）を位置合わせするように構成されてよい。メトロロジシステム４００はさらに、基板上のアライメントマークの位置を検出し、アライメントマークの検出位置を用いてリソグラフィ装置１００又は１００’のパターニングデバイス又は他の構成要素に対して基板を位置合わせするように構成されてよい。そのような基板のアライメントにより、確実に基板上に１つ以上のパターンの露光を正確に行うことができる。
【００４８】
[0062]  ある実施形態によると、この実施形態の実施例に係るメトロロジシステム４００は、照明システム４１２と、リフレクタ４１４と、干渉計４２６と、検出器４２８と、コントローラ４３０とを備え得る。照明システム４１２は、１つ以上の通過帯域を有する電磁狭帯域放射ビーム４１３を提供するように構成されてよい。ある実施例では、１つ以上の通過帯域は、約５００ｎｍから約９００ｎｍの間の波長スペクトルの範囲内であってよい。別の実施例では、１つ以上の通過帯域は、約５００ｎｍから約９００ｎｍの間の波長スペクトルの範囲内の離散的な狭通過帯域であってよい。照明システム４１２はさらに、長期間にわたって（例えば照明システム４１２の寿命にわたって）実質的に一定の中心波長（ＣＷＬ）値を有する１つ以上の通過帯域を提供するように構成されてもよい。このような照明システム４１２の構成は、上述した現行のメトロロジシステムにおける所望のＣＷＬ値からの実際のＣＷＬ値のずれを防ぐのに役立つ可能性がある。そして、結果として、一定のＣＷＬ値の使用は、現行のメトロロジシステムと比較して、メトロロジシステム（例えばメトロロジシステム４００）の長期間の安定性及び精度を向上させることができる。
【００４９】
[0063]  ある実施形態によると、リフレクタ４１４は、放射ビーム４１３を受光し、放射ビーム４１３をビーム４１５として基板４２０に向けるように構成されてよい。リフレクタ４１４は、ミラー又はダイクロマティックミラーであってよい。一実施例では、ステージ４２２は、方向４２４に沿って移動可能である。放射ビーム４１５は、基板４２０上に位置するアライメントマーク又はターゲット４１８を照明するように構成されてよい。別の実施例では、放射ビーム４１５は、基板４２０の表面から反射するように構成されてよい。アライメントマーク又はターゲット４１８は、この実施形態のある実施例では、放射感応性フィルムでコーティングされてよい。別の実施例では、アライメントマーク又はターゲット４１８は、１８０度の対称性を有してよい。すなわち、アライメントマーク又はターゲット４１８をアライメントマーク又はターゲット４１８の面と垂直な対称軸まわりに１８０度回転させた場合に、回転させたアライメントマーク又はターゲット４１８は、回転されていないアライメントマーク又はターゲット４１８と実質的に同じである場合がある。
【００５０】
[0064]  図４に示すように、干渉計４２６は、放射ビーム４１７を受光するように構成されてよい。放射ビーム４１９は、アライメントマーク又はターゲット４１８から回折、又は基板４２０の表面から反射されてよく、放射ビーム４１７として干渉計４２６で受光される。干渉計４２６は、任意の適切な一連の光学素子、例えば、受光した放射ビーム４１７に基づいてアライメントマーク又はターゲット４１８の２つの像を形成するように構成され得るプリズムの組み合わせを備える。良質の像が形成される必要はないが、アライメントマーク４１８のフィーチャは解像されなければならないことを理解すべきである。干渉計４２６はさらに、２つの像の一方を２つの像の他方に対して１８０度回転させ、２つの像を干渉法によって再結合するように構成されてよい。
【００５１】
[0065]  ある実施形態では、検出器４２８は、再結合像を受けるとともに、メトロロジシステム４００のアライメント軸４２１がアライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心（図示せず）を通過するときの再結合像の結果である干渉を検出するように構成されてよい。例示的な実施形態によると、このような干渉は、アライメントマーク又はターゲット４１８が１８０度の対称性をもち、再結合像が建設的又は破壊的に干渉することに起因し得る。検出された干渉に基づいて、検出器４２８はさらに、アライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心の位置を決定し、したがって基板４２０の位置を検出するように構成されてもよい。ある実施例によると、アライメント軸４２１は、基板４２０に垂直で像回転干渉計４２６の中心を通る光ビームに位置合わせされてよい。別の実施例では、検出器４２８は、再結合像を受け、基板４２０の表面で反射した光の干渉を検出するように構成される。
【００５２】
[0066]  さらなる実施形態において、コントローラ４３０は、決定された対称中心の情報を含む信号４２９を受信するように構成されてよい。コントローラ４３０はさらに、ステージ４２２の位置を決定し、ステージ４２２の位置をアライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心の位置と相互に関連付けるように構成されてよい。したがって、アライメントマーク又はターゲット４１８の位置、ひいては基板４２０の位置は、ステージ４２２を基準として正確に知ることができる。代替的に、コントローラ４３０は、アライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心をメトロロジシステム４００又は任意の他の基準要素を基準として知ることができるように、メトロロジシステム４００又は任意の他の基準要素の位置を決定するように構成されてもよい。
【００５３】
[0067]  ある実施形態において、コントローラ４３０は、検出器４２８から受信した測定値に補正を適用してメトロロジシステム４００の雑音を解消するように構成される。雑音は不規則である場合や、経時的な測定値のドリフトを示す場合や、以前の測定値に対する測定値の急上昇を示す場合がある。メトロロジシステム４００の較正が成功するかどうかは、複数のサンプルについての測定値を正確に追跡できるかどうかにかかっている。
【００５４】
[0068]  リフレクタ４１４は、放射ビーム４１３を放射ビーム４１５としてアライメントマーク又はターゲット４１８に向けるように示されているが、本開示はそれに限定されるものではないことに留意すべきである。当業者に明らかなように、他の光学配置を用いて、基板４２０上のアライメントマーク又はターゲット４１８を照明して、アライメントマーク又はターゲット４１８の像を検出するのと同様の結果を得ることができる。リフレクタ４１４は、基板４２０の表面に垂直な方向又は斜めに照明を向けてよい。
【００５５】
[0069]  ｉＳＢＯフィルタ
[0070]  上記のように、多数のサンプルにわたる雑音を解消するために、メトロロジシステム４００から得られた測定値に補正を適用することができる。指数移動平均フィルタを使用して、測定値を「安定化させ」、不規則雑音をあまり綿密に追跡しないことができる。このようなフィルタは、ｉＳＢＯ（インラインオーダー間シフト）フィルタとして知られている。ｉＳＢＯフィルタの例示的な式を以下に示す。
【数１】
2019521378.tif 000003
【００５６】
[0071]  ＳＢＯｎが現在の生測定値を表す場合、ｉＳＢＯｎは現在の生測定値に対して使用する補正値を表し、ｉＳＢＯｎ−１は前回の補正測定値を表し、αはフィルタ係数を表す。ｉＳＢＯフィルタは、生測定値に第１の加重値を乗じたものを、第２の加重値を乗じた前回補正された測定値に加えることによって補正測定値を求める。このフィルタは、次の補正測定値を計算するために、前回計算された補正測定値を記憶するだけでよい簡易な計算を表す。フィルタ係数αは、補正測定値が生測定値にどれだけ近いかを決定する。例えば、α＝１の場合は、補正測定値は生測定値と同じであり、α＝０の場合は、補正測定値は前回の値と変わらない（生測定値は原則的に破棄される）。フィルタ係数αは０から１の数であり、下記の式から求められる。
【数２】
2019521378.tif 000004
【００５７】
[0072]  式中、Ｎは遅延定数を表す。Ｎの値はフィルタの「長さ」を決定する。Ｎが大きければαは小さくなり、雑音に起因するサンプル間の測定値の変化がゆっくりと追跡される。しかし、Ｎが小さければαは大きくなり、雑音に起因するサンプル間の測定値の変化が素早く追跡される。Ｎが大きすぎる場合、システムは、測定データのドリフト又はジャンプに起因して素早く変化する測定値を追跡できない可能性がある。しかしＮが小さすぎる場合は、システムは不規則雑音を綿密に追跡しすぎる可能性があり、測定の精度が損なわれる。
【００５８】
[0073]  ｉＳＢＯフィルタは１つの値Ｎを使用するため、固定長を有すると考えられる。したがって、フィルタは、変化する雑音状態（例えば様々な測定ドリフトの程度、測定ジャンプの程度など）に適応することができない。
【００５９】
[0074]  適応ｉＳＢＯフィルタ
[0075]  ある実施形態によると、メトロロジシステム４００などのメトロロジシステムを較正する際に、変化する雑音状態をより正確に追跡できる適応ｉＳＢＯフィルタが提供される。適応ｉＳＢＯフィルタは、従来のｉＳＢＯフィルタと同じ指数移動平均を用いるが、雑音状態に基づいてフィルタ長を適合させることができる。
【００６０】
[0076]  適応ｉＳＢＯフィルタは、各生測定値について少なくとも３つの異なる潜在的な測定補正値を計算する。潜在的な測定補正値は、それぞれ異なるフィルタ長を使用して計算される。３つの異なる測定補正値の一例を以下に示す。
【数３】
2019521378.tif 000005
【００６１】
[0077]  上記式（３）から（５）から分かるように、各式はフィルタ係数α１、α２、及びα３を除き同じである。ある実施形態によると、各フィルタ係数は、式（２）に示したものと同じ式を用いて決定されるが、遅延定数Ｎの値が異なる。例えば、α１がＮ＝６０を用いて決定され、α２がＮ＝１０を用いて決定され、α３がＮ＝２を用いて決定される可能性がある。異なる遅延定数の値は、２〜３例を挙げると、推定雑音振幅、推定雑音周波数、及び直面すると推定される雑音の種類を含む様々な要因に基づいて選ぶことができる。ある実施形態によると、遅延定数の値は、α１＜α２＜α３となるように選ばれる。ある実施形態では、経験的モデリングを実行して、異なる遅延定数の値を求めることができる。
【００６２】
[0078]  適応ｉＳＢＯフィルタのこの実施例では、iSBO_noiseが不規則雑音（例えばガウス雑音）と関連付けられ、iSBO_linが測定ドリフトと関連付けられ、iSBO_jmpが測定値の急上昇と関連付けられた３つの測定補正値が計算される。所与の生測定値にどの補正値を適用するかを決定することには、異なる補正値を１つ以上の閾値と比較することが含まれる。
【００６３】
[0079]  図５は、ある実施形態に係る、この実施例においてどの測定補正値を適用するかを決定する例示的な方法５００を示している。方法５００は、コントローラ４３０などの１つ以上の処理デバイスにより実行可能である。
【００６４】
[0080]  方法５００はブロック５０２から始まり、iSBO_noiseとiSBO_jmpの差の絶対値が第１の閾値Ｔｊｍｐと比較される。第１の閾値Ｔｊｍｐは、メトロロジシステムの特定のアプリケーションに関連する様々な要因に基づいてあらかじめ定められていてよい。この実施例では、Ｔｊｍｐの値は０．５である。測定ジャンプと関連付けられた測定補正値（iSBO_jmp）が、雑音と関連付けられた測定補正値より閾値Ｔｊｍｐだけ大きいと判断される場合は、測定ジャンプが発生しており、方法５００はブロック５０４に進み、iSBO_jmpが補正測定値として選ばれる。
【００６５】
[0081]  測定ジャンプと関連付けられた測定補正値（iSBO_jmp）と、雑音と関連付けられた測定補正値（iSBO_noise）との差の絶対値が閾値Ｔｊｍｐ以下である場合は、測定ジャンプは発生しておらず、方法５００はブロック５０６に進み、測定ドリフトが発生しているかどうかが判断される。
【００６６】
[0082]  ブロック５０６において、iSBO_noiseとiSBO_linの差の絶対値が第２の閾値Ｔｌｉｎと比較される。第２の閾値Ｔｌｉｎは、メトロロジシステムの特定のアプリケーションに関連する様々な要因に基づいてあらかじめ定められていてよい。この実施例では、Ｔｌｉｎの値は０．０７である。測定ドリフトと関連付けられた測定補正値（iSBO_lin）が、雑音と関連付けられた測定補正値（iSBO_noise）より閾値Ｔｌｉｎだけ大きいと判断される場合は、測定ドリフトが発生しており、方法５００はブロック５０８に進み、iSBO_linが補正測定値として選ばれる。
【００６７】
[0083]  測定ドリフトと関連付けられた測定補正値（iSBO_lin）と、雑音と関連付けられた測定補正値（iSBO_noise）との差の絶対値が閾値Ｔｌｉｎ以下である場合は、測定ドリフトは発生しておらず、方法５００はブロック５１０に進む。ブロック５１０において、測定においてドリフトもジャンプも発生していないと判断されたため、iSBO_noiseが補正測定値として選ばれる。
【００６８】
[0084]  上記の実施例では、各生測定値に対して３つの補正測定値が求められ、３つのうちの１つが使用される補正測定値として選ばれた。しかしながら、本発明の範囲は補正測定値の３つの選択肢にのみ限定されず、任意の数の補正測定値を求めることができる。補正測定値の各々は、異なるフィルタ係数αを用いて求めることができる。計算された測定補正値同士の比較は、方法５００に示すものと異なる順番で行うことができる。
【００６９】
[0085]  図６は、ある実施形態に係る、メトロロジシステムを較正する例示的な方法６００を示している。方法６００は、コントローラ４３０などの１つ以上の処理デバイスにより実行可能である。
【００７０】
[0086]  方法６００はブロック６０２から始まり、メトロロジシステムから与えられた１つの生測定値に対して１つより多い補正値が求められる。１つより多い任意の数の補正値が計算されてよい。補正値の各々は、異なるフィルタ係数αを有する指数移動平均フィルタを使用して求めることができる。
【００７１】
[0087]  ブロック６０４において、補正値の対の差が１つ以上の閾値と比較される。ある実施形態では、比較は、まず最も小さいフィルタ係数αを用いて求めた補正値と、最も大きいフィルタ係数αを用いて求めた補正値を第１の閾値に対して比較することにより行われる。この差が第１の閾値より大きくない場合は、最も小さいフィルタ係数αを用いて求めた補正値と、２番目に大きいフィルタ係数αを用いて求めた補正値の別の比較を第２の閾値に対して行う。ある実施形態によると、このような比較はどちらか一方の閾値を超えるまで続くか、又は全ての比較が行われる。
【００７２】
[0088]  ブロック６０６において、求めた補正値のうちの１つが、ブロック６０４において行われた比較に基づいて生測定値に適用される。ある実施形態によると、選ばれた補正値は、最も小さいフィルタ係数αを用いて求めた補正値と比較したときに、これと関連する閾値を超えた値である。比較においていずれの閾値も超えない場合は、最も小さいフィルタ係数αを用いて求めた補正値を生測定値に適用する。
【００７３】
[0089]  図５を参照して説明した適応ｉＳＢＯフィルタでは、現在の測定値を以前の測定値と比較して、どの測定補正値を適用するか（例えば測定ドリフト、測定ジャンプ、又は局所的な測定雑音を追跡するかどうか）を決定する。しかしながら、別のアプローチは、現在の測定値を以前の測定値の移動平均と比較して、どの測定補正値を適用するかを決定する。
【００７４】
[0090]  別の実施形態によると、適応ｉＳＢＯフィルタは、各生測定値について上記式（３）から（５）と同じ３つの潜在的な測定補正値を計算し、さらに測定ドリフトと測定ジャンプの双方について移動平均を計算する。下記の式（６）及び（７）は、測定ドリフト移動平均（iSBO_lin_refn）と測定ジャンプ移動平均（iSBO_jmp_refn）の双方の計算を提供する。
【数４】
2019521378.tif 000006
【００７５】
[0091]  測定ドリフト移動平均を求めるために新しいドリフト係数α４が用いられ、他の係数を決定するために、遅延定数Ｎの値が異なる同じ式（２）を使用して決定される。例えば、α４の値を決定するために用いられる遅延定数Ｎは７であってよい。ある実施形態によると、遅延定数の値は、２〜３例を挙げると、推定雑音振幅、推定雑音周波数、及び直面すると推定される雑音の種類を含む様々な要因に基づいて選ぶことができる。ある実施形態では、経験的モデリングを実行して、遅延定数の値を求めることができる。
【００７６】
[0092]  測定ドリフト移動平均（iSBO_lin_refn）と測定ジャンプ移動平均（iSBO_jmp_refn）はともに、測定ドリフトと測定ジャンプの以前の計算に基づいた移動平均であるため、それぞれ新しい測定値で更新することができる。ある実施形態によると、測定ドリフト移動平均（iSBO_lin_refn）及び測定ジャンプ移動平均（iSBO_jmp_refn）は、以前の全ての測定値の平均が常に保持されるようにメモリに記憶することができる。
【００７７】
[0093]  図７は、ある実施形態に係る、測定ドリフト及び測定ジャンプの移動平均を用いた場合にどの測定補正値を適用するかを決定する例示的な方法７００を示している。方法７００は、コントローラ４３０などの１つ以上の処理デバイスにより実行可能である。方法７００は、測定ジャンプ又は測定ドリフトが発生しているかどうかを判断するときに、測定値が以前の平均測定値と比較されることを除き、方法５００と同様である。
【００７８】
[0094]  方法７００はブロック７０２から始まり、iSBO_noiseと、以前の全ての測定ジャンプ計算結果の移動平均（iSBO_jmp_refn）との差の絶対値が第１の閾値Ｔｊｍｐと比較される。第１の閾値Ｔｊｍｐは、メトロロジシステムの特定のアプリケーションに関連する様々な要因に基づいてあらかじめ定められていてよい。この実施例では、Ｔｊｍｐの値は０．４５０である。測定ジャンプ計算結果の移動平均と関連付けられた測定補正値（iSBO_jmp_refn）が、雑音と関連付けられた測定補正値より閾値Ｔｊｍｐだけ大きいと判断される場合は、測定ジャンプが発生しており、方法７００はブロック７０４に進み、iSBO_jmpnが補正測定値として選ばれる。
【００７９】
[0095]  測定ジャンプ計算結果の移動平均と関連付けられた測定補正値（iSBO_jmp_refn）と、雑音と関連付けられた測定補正値（iSBO_noise）との差の絶対値が閾値Ｔｊｍｐ以下である場合は、測定ジャンプは発生しておらず、方法７００はブロック７０６に進み、測定ドリフトが発生しているかどうかが判断される。
【００８０】
[0096]  ブロック７０６において、iSBO_noiseと、以前の全ての測定ドリフト計算結果の移動平均（iSBO_lin_refn）との差の絶対値が第２の閾値Ｔｌｉｎと比較される。第２の閾値Ｔｌｉｎは、メトロロジシステムの特定のアプリケーションに関連する様々な要因に基づいてあらかじめ定められていてよい。この実施例では、Ｔｌｉｎの値は０．０４６である。測定ドリフト計算結果の移動平均と関連付けられた測定補正値（iSBO_lin_refn）が、雑音と関連付けられた測定補正値（iSBO_noisen）より閾値Ｔｌｉｎだけ大きいと判断される場合は、測定ドリフトが発生しており、方法７００はブロック７０８に進み、iSBO_linnが補正測定値として選ばれる。
【００８１】
[0097]  測定ドリフト計算結果の移動平均と関連付けられた測定補正値（iSBO_lin_refn）と、雑音と関連付けられた測定補正値（iSBO_noisen）との差の絶対値が閾値Ｔｌｉｎ以下である場合は、測定ドリフトは発生しておらず、方法７００はブロック７１０に進む。ブロック７１０において、測定においてドリフトもジャンプも発生していないと判断されたため、iSBO_noisenが補正測定値として選ばれる。
【００８２】
[0098]  方法５００と同様に、本発明の範囲は補正測定値の３つの選択肢にのみ限定されず、任意の数の補正測定値を求めることができる。補正測定値の各々は、異なるフィルタ係数αを用いて求めることができる。計算された測定補正値同士の比較は、方法７００に示すものと異なる順番で行うことができる。
【００８３】
[0099]  図８は、ある実施形態に係る、メトロロジシステムを較正する例示的な方法８００を示している。方法８００は、コントローラ４３０などの１つ以上の処理デバイスにより実行可能である。
【００８４】
[00100]  方法８００はブロック８０２から始まり、メトロロジシステムから与えられた１つの生測定値に対して１つより多い補正値が求められる。１つより多い任意の数の補正値が計算されてよい。
【００８５】
[00101]  ブロック８０４において、ある実施形態によると、測定ドリフト及び測定ジャンプの移動平均が求められる。測定ドリフト及び測定ジャンプの各々の移動平均は、メモリに記憶され、各新しい測定値により常に更新されてよい。
【００８６】
[00102]  ブロック８０６において、測定ドリフト及び測定ジャンプの移動平均と局所的測定雑音の差が１つ以上の閾値と比較される。ある実施形態では、比較は、まず最も小さいフィルタ係数α（例えば局所的測定雑音）を用いて求めた補正値と、測定ドリフト計算結果の移動平均を第１の閾値に対して比較することにより行われる。この差が第１の閾値より大きくない場合は、最も小さいフィルタ係数α（例えば局所的測定雑音）を用いて求めた補正値と、測定ジャンプ計算結果の移動平均との別の比較を第２の閾値に対して行う。ある実施形態によると、このような比較はどちらか一方の閾値を超えるまで続くか、又は全ての比較が行われる。
【００８７】
[00103]  ブロック８０８において、求めた補正値のうちの１つが、ブロック８０６において行われた比較に基づいて生測定値に適用される。ある実施形態によると、選ばれた補正値は、その移動平均が最も小さいフィルタ係数αを用いて求めた補正値と比較されたときに、これと関連付けられた閾値を超えた値である。比較においていずれの閾値も超えない場合は、最も小さいフィルタ係数αを用いて求めた補正値（例えばiSBO_noisen）を生測定値に適用する。
【００８８】
[00104]  ｉＳＢＯフィルタ対適応ｉＳＢＯフィルタの応答の例示的なシミュレーション
[00105]  図９Ａから図９Ｂ、図１０Ａから図１０Ｂ、及び図１１Ａから図１１Ｂは、従来のｉＳＢＯフィルタ及び適応ｉＳＢＯフィルタの、異なる種類の雑音を示す測定を追跡する能力の例示的なシミュレーションを示す。各図のｘ軸は、サンプルの数又は各サンプルを次々に取った後の時間を表す。各図のｙ軸はナノメートルを表すが、任意の距離の単位を使用してよい。
【００８９】
[00106]  図９Ａは、１００個のサンプルについて約４ｎｍのドリフトを示す１００個のサンプルの例示的な生測定値のセット（実線）を示している。この図から分かるように、適応フィルタ（ａｉＳＢＯ）は測定値のドリフトを追跡するのに対し、従来のフィルタ（ｉＳＢＯ）は、ドリフトに起因して変化する測定値を追跡する能力に遅れが生じる。これは、フィルタ出力と生測定値の差を比較してプロットした図９Ｂからも分かる（値０はフィルタ出力と生測定値の完全一致である）。適応フィルタはより近接して測定値を追跡するが、従来のフィルタは約１ｎｍ離れたままである。
【００９０】
[00107]  図１０Ａは、サンプル番号５０付近で約２ｎｍの測定ジャンプを示す１００個のサンプルについての別の例示的な生測定値のセット（実線）を示している。この図から分かるように、適応フィルタ（ａｉＳＢＯ）は測定値のジャンプを追跡するのに対し、従来のフィルタ（ｉＳＢＯ）は、ジャンプに起因して変化する測定値を追跡する能力に遅れが生じる。これは、フィルタ出力と生測定値の差を比較してプロットした図１０Ｂからも分かる。適応フィルタはより近接して測定値を追跡するが、従来のフィルタは、ジャンプが生じた後遅れて生測定値に追い付く。
【００９１】
[00108]  図１１Ａは、１００個のサンプルについて生じたドリフトとジャンプをともにを示す１００個のサンプルについての別の例示的な生測定値のセット（実線）を示している。この図から分かるように、適応フィルタ（ａｉＳＢＯ）はドリフト及びジャンプを経験した測定値を追跡するのに対し、従来のフィルタ（ｉＳＢＯ）は、変化する測定値を追跡する能力に遅れが生じる。これは、フィルタ出力と生測定値の差を比較してプロットした図１１Ｂからも分かる。適応フィルタはより近接して測定値を追跡するが、従来のフィルタは、遅れて生測定値に追い付く。
【００９２】
[00109]  例示的なハードウェア環境
[00110]  適応ｉＳＢＯフィルタの本明細書に記載された種々の実施形態を、例えば、図１２に示すコンピュータシステム１２００などの１つ以上の公知のコンピュータシステムを使用して実施することができる。コンピュータシステム１２００は、International Business Machines、Apple、Sun、HP、Dell、ソニー、東芝などから入手可能なコンピュータなどの、本明細書に記載された機能を果たすことが可能な任意の公知のコンピュータであってよい。一実施例では、コンピュータシステム１２００は、コントローラ４３０を表す。別の実施例では、コントローラ４３０は、コンピュータシステム１２００のプロセッサ１２０４により表される。
【００９３】
[00111]  コンピュータシステム１２００は、プロセッサ１２０４などの１つ以上のプロセッサ（中央処理装置、すなわちＣＰＵとも呼ばれる）を備える。プロセッサ１２０４は、通信インフラストラクチャすなわちバス１２０６に接続される。
【００９４】
[00112]  １つ以上のプロセッサ１２０４は、それぞれグラフィック処理装置（ＧＰＵ）であってよい。ある実施形態において、ＧＰＵは、電子デバイス上で数学的に集約されたアプリケーションを迅速に処理するように設計された専用の電子回路であるプロセッサである。ＧＰＵは、コンピュータグラフィックスアプリケーション、画像、及び映像に共通した数学的に集約されたデータなどの、大きなデータブロックを並列処理するために効率的な並列性の高い構造を有し得る。
【００９５】
[00113]  コンピュータシステム１２００は、ユーザ入出力インターフェイス１２０２を介して通信インフラストラクチャ１２０６と通信するモニタ、キーボード、ポインティングデバイスなどのユーザ入出力デバイス１２０３も備える。
【００９６】
[00114]  コンピュータシステム１２００は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）などのメインメモリ又は主メモリ１２０８も備える。メインメモリ１２０８は、１つ以上のキャッシュレベルを含み得る。メインメモリ１２０８は、制御ロジック（すなわち、コンピュータソフトウェア）及び／又はデータを格納している。ある実施形態では、少なくともメインメモリ１２０８は、本明細書に記載されるように実行されてよい、及び／又は機能してよい。
【００９７】
[00115]  コンピュータシステム１２００は、１つ以上の二次ストレージデバイスすなわち二次メモリ１２１０も備えてよい。二次メモリ１２１０は、例えば、ハードディスクドライブ１２１２及び／又はリムーバブルストレージデバイス又はドライブ１２１４を含んでよい。リムーバブルストレージドライブ１２１４は、フロッピーディスクドライブ、磁気テープドライブ、コンパクトディスクドライブ、光学記憶デバイス、テープバックアップデバイス、及び／又は任意の他のストレージデバイス／ドライブであってよい。
【００９８】
[00116]  リムーバブルストレージドライブ１２１４は、リムーバブルストレージユニット１２１８と情報をやり取りすることができる。リムーバブルストレージユニット１２１８は、コンピュータソフトウェア（制御ロジック）及び／又はデータを格納した、コンピュータによって使用可能な又は可読のストレージデバイスを備える。リムーバブルストレージユニット１２１８は、フロッピーディスク、磁気テープ、コンパクトディスク、ＤＶＤ、光学記憶ディスク、及び／又は任意の他のコンピュータデータストレージデバイスであってよい。リムーバブルストレージドライブ１２１４は、よく知られた方法でリムーバブルストレージユニット１２１８に対して読出し及び／又は書込みを行う。
【００９９】
[00117]  例示的な実施形態によると、二次メモリ１２１０は、コンピュータプログラム及び／又は他の命令及び／又はデータをコンピュータシステム１２００からアクセス可能にするための他の方法、手段又は他のアプローチを含み得る。このような方法、手段又は他のアプローチには、例えば、リムーバブルストレージユニット１２２２及びインターフェイス１２２０が含まれ得る。リムーバブルストレージユニット１２２２及びインターフェイス１２２０の例として、（ビデオゲームデバイスで見られるような）プログラムカートリッジ及びカートリッジインターフェイス、（ＥＰＲＯＭ又はＰＲＯＭのような）リムーバブルメモリチップ及び関連したソケット、メモリスティック及びＵＳＢポート、メモリカード及び関連したメモリカードスロット、並びに／又は任意の他のリムーバブルストレージユニット及び関連したインターフェイスが含まれ得る。
【０１００】
[00118]  コンピュータシステム１２００は、通信インターフェイス又はネットワークインターフェイス１２２４をさらに備えてもよい。通信インターフェイス１２２４は、コンピュータシステム１２００が、（参照番号１２２８によって個別に及び包括的に参照される）遠隔デバイス、遠隔ネットワーク、遠隔エンティティなどの任意の組み合わせと通信し、かつ情報のやり取りを行うことを可能にする。例えば、通信インターフェイス１２２４は、コンピュータシステム１２００が、有線及び／又は無線であってよく、かつＬＡＮ、ＷＡＮ、インターネットなどの任意の組み合わせを含み得る通信経路１２２６を介して、遠隔デバイス１２２８と通信できるようにする。制御ロジック及び／又はデータは、通信経路１２２６を介してコンピュータシステム１２００に対する伝送が可能である。
【０１０１】
[00119]  ある実施形態において、制御ロジック（ソフトウェア）を格納した、有形のコンピュータにより使用可能な又は可読の媒体を備えた有形の装置又は有形の製造品は、本明細書において、コンピュータプログラム製品又はプログラムストレージデバイスとも呼ばれる。これには、コンピュータシステム１２００、メインメモリ１２０８、二次メモリ１２１０、リムーバブルストレージユニット１２１８及び１２２２、並びにこれらの任意の組み合わせを具現化した有形の製造品が含まれるが、これらに限定されない。そのような制御ロジックは、（コンピュータシステム１２００などの）１つ以上のデータ処理デバイスによって実行されると、このデータ処理デバイスに本明細書に記載したような動作を実行させる。
【０１０２】
[00120]  本開示に含まれる教示に基づき、当業者には、図１２に示したもの以外のデータ処理デバイス、コンピュータシステム及び／又はコンピュータアーキテクチャを使用して、本発明をなし、かつ使用する方法が明らかになるであろう。特に、実施形態は、本明細書に記載したもの以外のソフトウェア、ハードウェア、及び／又はオペレーティングシステムの実施態様を用いて動作してもよい。
【０１０３】
[00121]  結論
[00122]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１０４】
[00123]  光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを適用することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
【０１０５】
[00124]  本明細書における表現又は専門用語は、説明のためのものであり、限定を目的としたものではなく、本明細書の専門用語又は表現は、本明細書における教示を考慮して当業者によって解釈されるべきであることを理解すべきである。
【０１０６】
[00125]  本明細書中に記載される実施形態において、用語「レンズ」及び「レンズ素子」は、文脈が許す場合、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、及び静電型光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つ又はそれらの組み合わせを指すことができる。
【０１０７】
[00126]  さらに、本明細書で使用する「放射」、「ビーム」及び「光」という用語は、紫外（ＵＶ）放射線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）放射線（例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長、例えば、１３．５ｎｍの波長を有する）、又は５ｎｍ未満で動作する硬Ｘ線、さらに、イオンビーム又は、電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆるタイプの電磁放射線を含む。一般に、約４００〜約７００ｎｍの間の波長を有する放射線は可視放射線と考えられる。約７８０〜約３０００ｎｍ（またはそれ以上）の間の波長を有する放射線はＩＲ放射線とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射線を指す。リソグラフィにおいては、用語「ＵＶ」は、普通、水銀放電灯によって生成可能な波長、すなわち、４３６ｎｍのＧ線、４０５ｎｍのＨ線、及び／又は３６５ｎｍのＩ線にも適用される。真空ＵＶ、又はＶＵＶ（すなわち、ガスによって吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射線を指す。深ＵＶ（ＤＵＶ）は、一般に、１２６ｎｍ〜４２８ｎｍの範囲内の波長を有する放射線を指し、ある実施形態では、エキシマレーザ装置はリソグラフィ装置内で使用されるＤＵＶを生成することができる。例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射線は、少なくともその一部が５〜２０ｎｍの範囲内の一定の波長帯域を有する放射線に関連することを認識されたい。
【０１０８】
[00127]  本明細書で用いる「基板」なる用語は、後続の材料層がその上に付加される材料を説明する。実施形態において、基板自体がパターン付与されてもよいし、その上部に付加される材料がパターン付与されてもよいし、基板自体がパターニングされることなく残ってもよい。
【０１０９】
[00128]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。
【０１１０】
[00129]  特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。
【０１１１】
[00130]  以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成要素及びその関係を用いて本発明について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的境界を画定することができる。
【０１１２】
[00131]  特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。
【０１１３】
[00132]  本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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