(57)【要約】  薄膜層の分析に関連する装置は、それらの間に空洞（１０４）を有する２つの層構造（１００、１０２）と、空洞（１０４）まで２つの層構造のうちの１つ（１０２）を通る開口（１１０）とを備え、空洞（１０４）は、空洞（１０４）の内側に薄膜層（９００）を形成するために使用される材料を、開口（１１０）を通って受け取るように構成される。２つの層構造（１００、１０２）のうちの少なくとも１つは、薄膜層（９００）に関連する分析のための少なくとも１つの位置インジケータ（１０８）を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜層の分析に関連する装置であって、
２つの層構造（１００、１０２）であって、それらの間に空洞（１０４）を有する２つの層構造（１００、１０２）と、
前記空洞（１０４）まで前記２つの層構造のうちの１つ（１０２）を通る少なくとも１つの開口（１１０）であって、前記空洞（１０４）は、前記空洞（１０４）の内側に薄膜層（９００）を形成するために使用される材料を、前記少なくとも１つの開口（１１０）を通って受け取るように構成されている、少なくとも１つの開口（１１０）と
を備え、
前記２つの層構造（１００、１０２）のうちの少なくとも１つは、前記薄膜層（９００）に関連する分析のための少なくとも１つの位置インジケータ（１０８）を備えることを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの位置インジケータ（１０８）は、前記開口（１１０）に対する前記少なくとも１つの位置インジケータ（１０８）の位置に関連する情報を担持するように構成されている特性を有することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの位置インジケータ（１０８）の断面寸法は、前記位置に関する前記情報を担持するように構成されていることを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの位置インジケータ（１０８）は、少なくとも２つのサブ・インジケータ（６００、６０２、６０４）を備え、それらの間の距離又はその距離が、前記位置に関する前記情報を担持するように構成されていることを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記特性は、前記少なくとも１つの位置インジケータ（１０８）の材料に関連し、前記特性は、前記位置の検出において使用される放射との固有の相互作用を生じさせるように構成され、前記固有の相互作用は、前記位置を示すように構成されていることを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記薄膜層（９００）は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｉｒ（イリジウム）、ＴａＮ、アルコン、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、及びＴｉＯ２のうちの少なくとも１つであることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記薄膜層（９００）は、原子層堆積（ＡＬＤ）技術、化学気相蒸着（ＣＶＤ）技術、及び物理気相蒸着（ＰＶＤ）技術のうちの少なくとも１つによって、前記開口（１１０）を通って前記空洞（１０４）に堆積されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記２つの層構造（１００、１０２）の間の前記空洞（１０４）は、支持されないように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記空洞（１０４）は、前記２つの層構造（１００、１０２）の間に少なくとも１つの支柱（１０６）を有するように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
薄膜層の分析に関連する装置を製造する方法であって、
２つの層構造（１００、１０２）の間に空洞（１０４）を形成するステップ（１１００）と、
前記薄膜層（９００）に関連する分析のために、前記２つの層構造（１００、１０２）のうちの少なくとも１つに少なくとも１つの位置インジケータ（１０８）を形成するステップ（１１０２）と、
前記空洞（１０４）まで前記２つの層構造のうちの１つ（１０２）を通る少なくとも１つの開口（１１０）を形成するステップ（１１０４）であって、前記空洞（１０４）は、前記空洞（１０４）の内側に薄膜層（９００）を形成するために使用される材料を、前記少なくとも１つの開口（１１０）を通って受け取るように構成されている、ステップ（１１０４）と
を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜層の分析に関連する装置及びその装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
共形性の薄膜は、半導体デバイスからエネルギー用途、触媒作用、及び医薬品に及ぶ、重要な技術的用途において使用される。「共形性（Ｃｏｎｆｏｒｍａｌｉｔｙ）」とは、同じ厚さ、組成、及び特性を有する３次元物体の全ての表面を覆う薄膜の能力を意味する。
【０００３】
共形性の迅速且つ再現性のある分析のために、共形性試験構造は、信頼できる内部長さ目盛較正を有するべきである。例えば、原子層堆積及び／又は化学気相蒸着（ＡＬＤ／ＣＶＤ）に関連する機器製造業者、先駆企業、半導体デバイス製造業者、及び／又は他の企業は、共形性を分析するための正確な手段を有することを望んでいる。加えて、大学及び／又は研究機関は、共形性分析を実行するために適切な機器を多くの場合に必要とする。しかし、シリコン技術で作られた横方向高アスペクト比（ＬＨＡＲ）試験構造が最近、分析のために使用されるが、薄膜の共形性を分析するための正確で標準的な方法はない。それ故に、試験構造を改善する必要がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、測定における改善を提供することを目的とする。本発明の態様によれば、請求項１において特定されるような薄膜層の分析に関連する装置が提供される。
【０００５】
本発明の別の態様によれば、請求項１０において、薄膜層の分析に関連する装置を製造する方法が提供される。
【０００６】
本発明は利点を有する。少なくとも１つの位置インジケータは、薄膜層の分析をより高速に、より正確に、より容易にすることを可能にする。
【０００７】
本発明の例示的な実施形態は、添付の図面を参照して、単なる例として以下に説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】薄膜層の分析に関連する装置の例を示す。
【図２】薄膜層の分析に関連する装置の例を示す。
【図３】薄膜層の分析に関連する装置の例を示す。
【図４】薄膜層の分析に関連する装置の例を示す。
【図５】薄膜層の分析に関連する装置の例を示す。
【図６Ａ】１０００μｍ〜５０００μｍの範囲における位置インジケータの例を示す。
【図６Ｂ】１００μｍ〜１０００μｍの範囲における位置インジケータの例を示す。
【図６Ｃ】０μｍ〜１５０μｍの範囲における位置インジケータの例を示す。
【図６Ｄ】０μｍ〜１０００μｍの範囲の距離における、ラインの例示的な数及び互いに対するそれらの位置を示す。
【図６Ｅ】１１００μｍ〜４９００μｍの範囲の距離における、ラインの例示的な数及び互いに対するそれらの位置を示す。
【図６Ｆ】少なくとも２つのサブ・インジケータを備える位置インジケータの例を示す。
【図７】装置の例の上面図を示す。
【図８Ａ】装置の例の別の上面図を示す。
【図８Ｂ】２つ以上の開口を有する装置の例を示す。
【図９】空洞の内側に薄膜層を有する装置の例を示す。
【図１０】装置の製造方法のフローチャートの例を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下の実施形態は単なる例である。本明細書では幾つかの箇所で「一（ａｎ）」実施形態を参照することがあるが、これは、このような各参照が同じ実施形態のためにある、又は特徴が単一の実施形態にのみ適用されることを必ずしも意味しない。異なる実施形態の単一の特徴がまた組み合わされて他の実施形態を提供してもよい。更に、用語「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」及び「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」は、説明された実施形態を言及されたそれらの特徴のみからなるように限定するものでないとして理解されるべきであって、このような実施形態は具体的に言及されていない特徴／構造をも含んでもよい。
【００１０】
図面は様々な実施形態を示す一方で、それらは幾つかの構造及び／又は機能的実体のみを示す簡略図であることに留意されるべきである。図面に示される接続は、論理的接続又は物理接続を参照してもよい。説明された装置はまた、図面及び本明細書において説明されたもの以外の他の機能及び構造を備えてもよいことは、当業者にとって明らかである。幾つかの機能又は構造の詳細が実際の発明とは関係ないことが理解されるべきである。従って、それらは、本明細書ではより詳細に議論される必要はない。
【００１１】
図１〜図５は、薄膜層の分析に関連する装置の例を示す。図１において、横方向高アスペクト比ＬＨＡＲ構造のチップを含んでもよい装置は、例えばシリコンからなってもよい基板１００を備える。基板１００はまた、ＳｉＯ２（二酸化ケイ素、シリカ、石英）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、又はガリウム砒素（ＧａＡｓ）、等からなってよい。装置はまた、例えばポリシリコンからなってもよい膜１０２を備える。膜１０２は、基板１００と同じ１つの材料又は複数の材料からなってもよい。膜１０２の厚さは、例えば数十ナノメートルから数万ナノメートルに及んでもよい。しかし、膜１０２の厚さはこの範囲に限定されない。この結果、装置は２つの層構造を備え、その１つは基板１００であって、その別の１つは膜１０２である。
【００１２】
空洞１０４が、２つの層構造１００、１０２の間に水平方向に広がる。装置はまた、薄膜１０２を通って空洞１０４への開口１１０を有する。空洞１０４は、空洞１０４の内側に薄膜層９００（図９を参照）を形成するために使用される材料を、開口１１０を通って受け取るように構成される。空洞１０４の高さは、例えば数十ナノメートルからニ千ナノメートルの範囲であってもよい。しかし、空洞１０４の高さは、この範囲に限定されない。
【００１３】
図１〜図３に示される一実施形態においては、空洞１０４は、２つの層構造１００、１０２の間に少なくとも１つの支柱１０６を有する。１つの支柱１０６又は複数の支柱１０６は、空洞１０４を支持し、空洞１０４の崩壊を防止し得る。少なくとも１つの支柱１０６は、例えば熱成長酸化物又はシリコンからなってもよい。
【００１４】
図４及び図５に示される一実施形態においては、空洞１０４は支持されていなくてもよい。すなわち、２つの層構造１００、１０２の間に支柱１０６は存在しない。この結果、この実施形態においては、空洞１０４は、基板１００と膜１０２との間に延伸する固体構造がない。
【００１５】
図１においては、膜１０２は、薄膜層９００の分析に利用されてもよい位置インジケータ１０８を備える。位置インジケータ１０８は、膜１０２の外側表面上にあってもよい。外側表面は、膜１０２の内側表面に対向し、内側表面は、空洞１０４の表面の一部である。一実施形態においては、位置インジケータ１０８は、膜１０２からの物質的特性によって異なってもよい。
【００１６】
図２においては、基板１００は、基板１００の表面上にあってもよい位置インジケータ１０８を備え、基板１００は空洞１０４の表面の一部である。一実施形態においては、位置インジケータ１０８は、図１における膜１０２上の位置インジケータ１０８について説明されたような同様の方法で、基板１００からの物質的特性によって異なってもよい。
【００１７】
図３は、膜１０２の表面上に添加された物質的な一部である位置インジケータ１０８の例を示す。物質的な一部は、膜１０２と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。少なくとも１つの位置インジケータ１０８は、製造プロセスの間に装置に加えることが容易である。
【００１８】
図４は、空洞１０４において支柱１０６を有さない装置の例を示す。図４はまた、基板１００の表面上に添加された物質的な一部である位置インジケータ１０８の例を示す。物質的な一部は、基板１００と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００１９】
図５はまた、空洞１０４において支柱１０６を有さない装置の例を示す。図５は、膜１０２の内側に添加された物質的な一部である位置インジケータ１０８の例を更に示す。すなわち、少なくとも１つの位置インジケータ１０８は、膜１０２の表面上又は膜１０２内にあってもよい。この例においては、位置インジケータ１０８の物質的な一部は、膜１０２とは異なる材料である。同様に、少なくとも１つの位置インジケータ１０８は、基板１００上又は基板１００内にあってもよい。
【００２０】
上記で説明されたように、２つの層構造１００、１０２の少なくとも１つが薄膜層９００の分析に使用される位置インジケータ１０８を備えることが、表されることができる。例えば、開口１１０から測定された空洞１０４において薄膜層９００がどこまで延伸するかの決定は、位置インジケータ１０８から得られた情報に基づいてもよい。加えて、アスペクト比（ＡＲ）は、空洞１０４の高さと、薄膜層９００が空洞１０４においてどこまで延伸するかの決定に基づいて決定されてもよい。少なくとも１つの位置インジケータ１０８自体は、薄膜層９００の分析を制限しない。
【００２１】
一実施形態においては、少なくとも１つの位置インジケータ１０８は、開口１１０に対して少なくとも１つの位置インジケータ１０８の位置に関連する情報を担持するように構成された特性を有してもよい。特性は、少なくとも１つの位置インジケータ１０８の材料の寸法又はタイプを参照してもよい。特性は、少なくとも１つの位置インジケータ１０８の材料の厚さ、密度、結晶性、又は組成を参照してもよい。組成は、少なくとも１つの位置インジケータ１０８の化学元素又は化合物を参照してもよい。少なくとも１つの位置インジケータ１０８は、少なくとも１つの化学元素又は化合物の少なくとも１つの純粋又は少なくともほぼ純粋な物質を含んでもよい。組成は、化学元素又は化合物の混合を参照してもよい。少なくとも１つの位置インジケータ１０８の位置に関連する情報を担持するために、１つの位置インジケータ１０８の特性は、少なくとも１つの他の位置インジケータ１０８の特性と異なってもよい。一実施形態においては、層構造１００、１０２の表面上又は層構造１００、１０２内に存在する位置インジケータ１０８は、層構造１００、１０２からの物質的特性によって異なってもよい。
【００２２】
特性は、例えば開口１１０からの距離に関連する情報を担持してもよい。距離は、例えば開口１１０の周囲と位置インジケータ１０８との間の最短の長さを参照してもよい。距離は、例えば開口１１０の中心又は長手方向軸線と位置インジケータ１０８との間の最短間隔であってもよい。
【００２３】
一実施形態においては、少なくとも１つの位置インジケータ１０８の断面寸法が、位置に関する情報を担持するように構成される。断面寸法は、例えば幅であってもよい。一実施形態においては、断面寸法は、基板１００に対して平行であってもよい。すなわち、この結果、断面寸法の法線は、基板１００の法線に平行であってもよい。これは、薄膜層９００の分析が基板の法線の方向から、すなわち上面図を使用して実行される場合に便利である。一実施形態においては、断面寸法は、基板１００の法線に対して垂直であってもよい。一実施形態においては、断面寸法は、基板１００に対して垂直であってもよい。これは、薄膜層９００の分析が基板の法線に垂直の方向から、すなわち側面図を使用して実行される場合に便利である。
【００２４】
図６Ａ〜図６Ｆに示される実施例においては、少なくとも１つの位置インジケータ１１０は、少なくとも２つのサブ・インジケータ６００、６０２、６０４を備え、それらの間の距離が、その位置に関する情報を担持してもよい。開口１１０からの距離がまた、位置に関する情報を担持してもよい。同様に、位置インジケータの幅が、位置に関する情報を担持してもよい。
【００２５】
図６Ａ〜図６Ｃの各々においては、装置に対する２つの図がある。上側の図においては、装置は上面から見られ、下側の図においては、装置は側面から見られる。
【００２６】
図６Ａは、１０００μｍ〜５０００μｍの範囲における位置インジケータの例を示し、位置は、３つのライン６００、６０２、６０４を使用して符号化される。ライン６００は、２つの他のライン６０２、６０４より太い。ライン６００の幅は、例えば約２μｍであってもよい。細い線６０２、６０４の幅は、例えば約０．５μｍであってもよい。細いライン６０２、６０４の間の距離は、例えば約１μｍであってもよい。一対の細いライン６０２、６０４と太いライン６００との間の距離は、位置の関数で変化する。一対の細いライン６０２、６０４と太いライン６００との間の最短距離は、例えば約２μｍであってもよい。そして、一対の細いライン６０２、６０４と太いライン６００との間の距離は、開口１１０からの距離が増加するにつれて増加する。
【００２７】
図６Ｂは、１００μｍ〜９００μｍの範囲における位置インジケータの例を示し、位置は、１０００μｍより短い距離において、２つのライン６００、６０２を使用して符号化される。ライン６００は、他のライン６０２より太い。この例においても、ライン６００の幅は約２μｍであってもよい。これに対応して、細いライン６０２の幅は、例えば約０．５μｍであってもよい。細いライン６０２と太いライン６００との間の距離は、位置の関数で変化する。細いライン６０２と太いライン６００との間の最短距離は、例えば約２μｍであってもよい。そして、細いライン６０２と太いライン６００との間の距離は、開口１１０からの距離が増加するにつれて増加する。
【００２８】
図６Ｃは、１０マイクロメートル〜５０マイクロメートルの間の位置インジケータの例を示し、位置は、１つのライン６００及び２つのライン６００、６０２を使用して符号化される。ライン６００は、他のライン６０２より太い。この例においても、ライン６００の幅は約２μｍであってもよい。これに対応して、細いライン６０２の幅は、例えば約０．５μｍであってもよい。１０マイクロメートルの倍数である開口１１０からの各距離には、細いライン６０２が付される。この規則に対する例外は、５０μｍの倍数である各距離である。５０μｍの倍数のこれらの距離は、太いライン６００が付される。これらの距離は細いライン６０２と太いライン６００との組合せが付されるので、１００μｍの倍数の距離に対しては、これらの規則の何れも保持されない。１０マイクロメートル、５０マイクロメートル、及び１００マイクロメートルの倍数の距離が付される場合、これらの３つの規則の全てが適用されてもよい。
【００２９】
図６Ｄは、０μｍ〜１０００μｍの範囲の距離における、ラインの例示的な数及び互いに対するそれらの位置を示す。
【００３０】
図６Ｅは、１１００μｍ〜４９００μｍの範囲の距離における、ラインの例示的な数及び互いに対するそれらの位置を示す。図６Ｅ及び図６Ｆにおいては、左端の線は太いライン６００であって、他のラインは細いライン６０２、６０４である。
【００３１】
図６Ｆは、位置インジケータと開口１１０との間の距離のための０ｍｍ〜５ｍｍのルーラを有する。所定の距離の倍数には、例えば単一の要素位置インジケータ１０８が付されてもよい。所定の距離は１０μｍであってもよい。この例は、図６Ｆの右上隅に示される。共形性の正確且つ再現性のある測定のために、構造は、このようにして信頼できる内部長さ目盛較正を有する。これはまた、この応用における他の例について当てはまる。
【００３２】
ミリメートル単位の距離の整数値の全ての位置インジケータ１０８は、２つのサブ・インジケータ６００、６０２を有してもよい。一般的に、所望の長さ単位の距離の整数値の全ての位置インジケータ１０８は、２つのサブ・インジケータ６００、６０２を有してもよい。サブ・インジケータ６００、６０２の間の間隔は、例えば開口１１０からの実際の距離より千倍小さくてもよい。この結果、３ミリメートルの距離は、開口１１０からの距離が３ｍｍである位置で、サブ・インジケータ６００、６０２の間の３μｍの距離によって、示されてもよい。一般的に、サブ・インジケータ６００、６０２の間の間隔は、開口１１０からの実際の距離より所定倍小さくてもよい。この例は、図６Ｆの左上隅に示される。
【００３３】
１００μｍと２００μｍの距離の位置インジケータ１０８は、所定の距離（１０μｍ）の倍数の単一の要素位置インジケータ１０８に直接隣接する２つのサブ・インジケータ６０４、６０６を有してもよい。２つのサブ・インジケータ６０４、６０６の間の距離は、開口１１０に対する距離を示す。サブ・インジケータ６０４、６０６間の間隔は、例えば開口１１０からの実際の距離より千倍小さくてもよい。図６Ｆにおいては、２つのサブ・インジケータ６０４、６０６の間の距離は２μｍであって、開口１１０に対する距離２ｍｍを参照する。この例は、図６Ｆの右下隅に示される。
【００３４】
３００μｍ、４００μｍ、５００μｍ、６００μｍ、７００μｍ、８００μｍ、及び９００μｍの距離の位置インジケータ１０８は、所定の距離（１０μｍ）の倍数の単一の要素位置インジケータ１０８を含む必要はなく、この結果、２つのサブ・インジケータ６０４、６０６のみを有してもよい。サブ・インジケータの間の距離は、上記で説明されたような同様の方法で開口１１０に対する距離を示してもよい。
【００３５】
距離１０００μｍにおいて、単一の要素位置インジケータ１０８が存在してもよい。
【００３６】
１０００μｍより大きい距離のために、３つのサブ・インジケータ６０８、６１０、６１２が使用されてもよい。右側の２つのサブ・インジケータ６０８、６１０の間の距離は、距離の整数値を示してもよく、第３のサブ・インジケータ６１２と２つのサブ・インジケータ６０８、６１０のうちの１つとの間の距離は、距離の小数値を示してもよい。２つのサブ・インジケータ６０８、６１０の間の距離は２μｍであるので、図６Ｆの例における距離の整数は２ｍｍである。第３のサブ・インジケータ６１２と第２のサブ・インジケータ６１０との間の距離は８μｍであるので、小数値は０．８ｍｍである。この結果、図６Ｆの左下隅の例では、開口に対する距離は２．８ｍｍである。
【００３７】
一実施形態においては、位置インジケータ１０８は、開口１１０に対する距離を直接示す数値記号の形状を含む。
【００３８】
一実施形態においては、位置インジケータ１０８は、開口１１０に対する距離を直接示すためのアルファベットの形状を含む。アルファベットは、人間の言語であってもよい。
【００３９】
一実施形態においては、位置インジケータ１０８は、開口１１０に対する距離を直接示す書込み記号の形状を含む。書込み記号は、分析システムのための機械言語又は人間の言語若しくは記号であってもよい。
【００４０】
一実施形態においては、特性は、少なくとも１つの位置インジケータ１０８の材料に関連し、特性は、位置の検出において使用される放射との固有の相互作用を引き起こすように構成され、固有の相互作用はその表示としての位置と関連する。この例においては、単一の要素又は複数のサブ・インジケータ６００〜６１２からなる位置インジケータ１０８の各々は、任意の他の位置インジケータ１０８の解釈とは異なる決定論的解釈を有する。
【００４１】
物質的な特性の相違は、位置インジケータ１０８の検出において使用される放射の屈折率及び／又は散乱効率であってもよい。一実施形態においては、位置インジケータ１０８の検出において使用される放射は、例えば光学放射及び／又は電子放射であってもよい。一実施形態においては、光学放射は可視光であってもよい。一実施形態においては、光学放射は赤外線であってもよい。一実施形態においては、位置インジケータ１０８を生成するために、膜１０２に材料が加えられず、又は膜１０２から材料が除去されない。一実施形態においては、物質的な特性は密度であってもよく、例えば、密度がまた、検出において使用される放射と位置インジケータ１０８との間の相互作用を変化させてもよい。
【００４２】
図７は、装置の例の上面図を示す。一実施形態においては、開口１１０は、細長い又は矩形であってもよい。
【００４３】
図７に示される一実施形態においては、開口１１０から同じ距離にある位置インジケータ１０８は、開口１１０の周りに連続的なライン７００、７０２を形成する。異なるライン７００、７０２は異なる特性を有する。開口１１０の縁部は、直線状であってもよいし、円形であってもよい。開口１１０は、図７に破線で示される例の装置の片側７０６又は両側に続いてもよい。この結果、開口１１０は、片側又は両側で開いていてもよい。より一般的には、装置は、１つの開口１１０又は２つ以上の開口１１０を備えてもよい。
【００４４】
図８Ａは、装置の例の上面図を示す。図８に示される一実施形態においては、開口１１０から同じ距離にある位置インジケータ１０８は、開口１１０の周りに不連続的なライン８００、８０２を形成する。すなわち、位置インジケータ１０８は、不連続的なライン８００、８０２の形状を形成する。不連続性は、同じライン８００、８０２における位置インジケータ１０８の間の物理的な間隔によって引き起こされてもよい。
【００４５】
一実施形態においては、位置インジケータ１０８によって形成される各ライン７００、７０２、８００、８０２の接線は、細長い開口１１０の長手方向軸線７０４に対して既知の角度である。
【００４６】
一実施形態においては、位置インジケータ１０８によって形成される各ライン７００、７０２、８００、８０２の接線は、細長い開口１１０の長手方向軸線７０４に平行である。
【００４７】
一実施形態においては、位置インジケータ１０８の各々の長手方向軸線は、細長い開口１１０の長手方向軸線７０４に対して既知の角度にある。既知の角度は、平行であってもよい。
【００４８】
一実施形態においては、断面が円形である開口１１０の中心からの半径方向は、開口１１０の周りの位置インジケータ１０８の各ラインの接線と垂直に交差する。この例においては、断面の法線は、基板１００の法線と平行である。
【００４９】
一実施形態においては、断面が円形である開口１１０の中心からの半径方向は、位置インジケータ１０８の各々と垂直に交差する。
【００５０】
図８Ｂに示される一実施形態においては、装置において２つ以上の開口１１０が存在する。図８Ｂにおいては、開口１１０は並んでいるが、それらはまた次々と存在してもよい。位置インジケータ１０８は、両方の開口１１０に関連してもよい。
【００５１】
図９は、空洞１０４の内側に薄膜９００を有する装置の例を示す。薄膜９００の材料はまた、装置の他の部分を覆ってもよい。薄膜９００の材料は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｉｒ（イリジウム）、ＴａＮ（窒化タンタル）、アルコン（Ａｌｕｃｏｎｅ）、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、等を含んでもよいが、これらの材料に限定されない。薄膜９００は、例えば原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、物理気相蒸着（ＰＶＤ）技術を使用して堆積されてもよいが、これらに限定されない。薄膜９００は、開口１１０を通って基板１００上に堆積される。薄膜の材料はまた、空洞１０４の他の表面を覆ってもよい。分析のために、膜１０２は容易に剥がれてもよく、電子顕微鏡のための断面の代わりに可視の顕微鏡のためのより良好な平面図／上面図を可能にする。しかし、膜１０２が剥がれない可能性もある。従来技術のＬＨＡＲ試験構造の顕微鏡走査においては、方向及び／又は位置が失われ得るために、分析は外れ得る。しかしここで、少なくとも１つの位置インジケータ１０８の目盛を使用することによって、空洞１０４において薄膜層９００の広がりの正確な推定値を有することが可能になる。少なくとも１つの位置インジケータ１０８はまた、分析をより高速にする。
【００５２】
この結果、分析は、例えば光学顕微鏡又は電子顕微鏡を使用して実行されてもよい。電子顕微鏡は、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）であってもよい。分析は、膜１０２を剥がすことなく実行されてもよい。少なくとも１つの距離インジケータ１０８を有する少なくとも１つのＬＨＡＲチップ／ウェハを備える装置は、半導体及び他の市場向けの薄膜共形性分析のための適切な解決策である。
【００５３】
全体として、少なくとも１つの位置インジケータの存在は、薄膜層の分析をより高速に、より正確に、より容易に可能にする。
【００５４】
図１０は、薄膜層の分析に関連する装置を製造する方法のフローチャートを示す。ステップ１１００においては、空洞１０４が、２つの層構造１００、１０２の間に形成される。ステップ１１０２においては、少なくとも１つの位置インジケータ１０８が、薄膜層９００に関連する分析のために、２つの層構造１００、１０２の少なくとも１つの上又はその中に形成される。ステップ１１０４においては、開口１１０が、層構造の１つ１０２を通って空洞１０４まで形成され、空洞１０４は、空洞１０４の内側に薄膜層９００を形成するために使用される材料を、開口１１０を通って受け取るように構成される。一実施形態においては、ステップ１１００〜１１０４は、ステップ１１００から開始してステップ１１０４に終了する順序に実行される。一実施形態においては、第１のステップはステップ１１０２であってもよく、その後にステップ１１００に行ってもよく、そしてステップ１１０４は最終ステップのままである。
【００５５】
技術が進歩するにつれて、本発明の概念が様々な方法で実施されることができることは、当業者には明らかであろう。本発明及びその実施形態は、上記で説明された例示的な実施形態に限定されず、特許請求の範囲内で変更されてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年12月27日(2018.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜層の分析に関連する装置であって、
２つの層構造であって、それらの間に空洞を有する２つの層構造と、
前記空洞まで前記２つの層構造のうちの１つを通る少なくとも１つの開口であって、前記空洞は、前記空洞の内側に薄膜層を形成するために使用される材料を、前記少なくとも１つの開口を通って受け取るように構成されている、少なくとも１つの開口と
を備え、
前記２つの層構造のうちの少なくとも１つは、前記薄膜層に関連する分析のための少なくとも１つの位置インジケータを備える、装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの位置インジケータは、前記開口に対する前記少なくとも１つの位置インジケータの位置に関連する情報を担持するように構成されている特性を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの位置インジケータの断面寸法は、前記位置に関する前記情報を担持するように構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの位置インジケータは、少なくとも２つのサブ・インジケータを備え、それらの間の距離又はその距離が、前記位置に関する前記情報を担持するように構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記特性は、前記少なくとも１つの位置インジケータの材料に関連し、前記特性は、前記位置の検出において使用される放射との固有の相互作用を生じさせるように構成され、前記固有の相互作用は、前記位置を示すように構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記薄膜層は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｉｒ、ＴａＮ、アルコン、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、及びＴｉＯ２のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記薄膜層は、原子層堆積技術、化学気相蒸着技術、及び物理気相蒸着技術のうちの少なくとも１つによって、前記開口を通って前記空洞に堆積されている、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記２つの層構造の間の前記空洞は、支持されないように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記空洞は、前記２つの層構造の間に少なくとも１つの支柱を有するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
薄膜層の分析に関連する装置を製造する方法であって、
２つの層構造の間に空洞を形成するステップと、
前記薄膜層に関連する分析のために、前記２つの層構造のうちの少なくとも１つに少なくとも１つの位置インジケータを形成するステップと、
前記空洞まで前記２つの層構造のうちの１つを通る少なくとも１つの開口を形成するステップであって、前記空洞は、前記空洞の内側に薄膜層を形成するために使用される材料を、前記少なくとも１つの開口を通って受け取るように構成されている、ステップと
を含む方法。
【国際調査報告】
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