(57)【要約】【課題】基板表面に直接処理液を供給して基板を処理する際に、処理液や、その蒸気が外部に飛散しないことはもちろん、ハウジングの天井面などに処理液や蒸気などが付着しない枚葉式の基板処理装置を提供することである。【解決手段】  ハウジング１と、ハウジング１内で処理面の付着物を除去処理する基板３を、その処理面３ａをハウジングの底部１ｂに向けて保持する保持手段４と、保持手段４で保持された基板３の処理面３ａに対して処理液を供給する供給手段と、ハウジング１内に気体を取り込むための取り込み口１ａと、上記取り込み口１ａから取り込んだ気体とともにハウジング１内の処理液の蒸気をハウジングから排出するための排出口１ｃとを備えた。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、このハウジング内で処理面の付着物を除去処理する基板を、その処理面をハウジングの底部に向けて保持する保持手段と、保持手段で保持された基板の処理面に対して処理液を供給する供給手段と、上記ハウジング内に気体を取り込むための取り込み口と、上記取り込み口から取り込んだ気体とともにハウジング内の処理液の蒸気をハウジングから排出するための排出口とを備えた基板処理装置。
【請求項２】
上記ハウジングには、ハウジング内の処理液の蒸気を排出口に導くガイド部材を設けた請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記ガイド部材は、その一部を上記保持部材に保持された基板の周囲に対向する構成にし、それら対向部間にすき間を維持する構成にした請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記保持部材に保持させる基板を、ハウジングに出し入れするための出入口を設け、この出入口を構成する構造体の一部を、保持部材に保持された上記基板の周囲に対向する構成にし、それら対向部間にすき間を維持する構成にするとともに、このすき間を上記取り込み口にした請求項１〜３のいずれか１に記載した基板処理装置。
【請求項５】
上記基板を挟んで、上記供給手段とは反対側に加熱手段を設け、上記処理面と反対側の基板の裏面を加熱する構成にした請求項１〜４のいずれか１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記加熱手段は赤外線を利用するとともに、赤外線を利用した上記加熱手段と上記基板とが対向する間のハウジング面に赤外線導入口を設けた請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
保持手段は回転機能を備え、保持手段で保持した基板を回転させる請求項１〜６のいずれか１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
上記処理面に対して処理液を供給する供給手段と、この供給手段と同一方向から洗浄用の洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えた請求項１〜７のいずれか１に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体用などの基板表面に形成された薄膜などの付着物を除去処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程においては、基板上に電子回路を形成するために、さまざまな薄膜を設けるが、例えば、薄膜であるレジストなどは不要になった時点でそれを除去しなければならない。
このような薄膜を除去する装置としては、薄膜形成物質に作用する処理液を充填した槽内に複数枚の基板を浸して処理するバッチ式の装置や、一枚ずつ基板表面に処理液を供給して処理する枚葉式の装置などが従来から知られている。【０００３】
上記バッチ式の装置では、上記のように処理液を充填した槽内に基板を浸しながらレジストなどの異物を除去するので、基板から除去された異物が、処理液内に残ってしまう。そこで、上記槽の上部から処理液を溢れさせ、溢れた処理液を循環させるとともに、その循環過程でフィルタリングして槽へ戻すシステムがある。しかしながら、槽の上部から溢れさせた処理液を循環させるので、処理液の全量が循環するとは限らない。そのため循環過程でフィルタリングしたとしても、処理液内の異物を完全になくすことができず、処理液内の上記レジストや異物が、残ってしまうことがあった。
また、基板から除去した異物が処理液よりも比重が大きい場合には、処理液が循環したとしても、異物がそのまま槽内に滞留してしまうこともあった。
そのため、上記のようにフィルタリングをしたとしても、バッチ式の処理では、槽内の異物が再付着するという問題があった。【０００４】
また、バッチ処理の場合には、複数の槽を備えるとともに、それら槽のそれぞれに別の処理液を充填し、基板を各槽に順番に浸けていくようにする。このように複数の槽を備えなければならないとともに、各槽間で基板を搬送する搬送装置も必要とするので、設備が大掛かりになってしまうという欠点があった。【０００５】
上記のようなバッチ式の装置の欠点を解消するために、近年では枚葉式の処理装置が注目されている。この枚葉式の処理装置では、槽に基板を浸けたりせず、一枚一枚の基板に処理液を供給するとともに、使用した処理液をその都度排出するようにしている。したがって、枚葉式の処理装置では、処理後に異物が再付着したりしない。また、基板を搬送したりせずに、供給する処理液を替えるだけで、種類の異なる薄膜を除去することができる。【０００６】
このような装置として、例えば特許文献１に示すものが従来から知られている。
この装置は、処理面を上に向けて水平に支持した基板を回転させながら、その表面の中央上方から処理液を供給するものである。基板中央に供給された処理液は、外周に向かって流れる過程で薄膜を剥離するとともに、その剥離された薄膜は処理液とともに排出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−０５１１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記従来の枚葉式の処理装置では、基板の処理面を上に向けて上方から処理液を供給するので、その供給側には供給手段を備えなければならない。そのために、処理液の供給手段が邪魔になって基板の上方を覆うことが難しいので、上記特許文献１に記載された装置では、基板の上方を開放したままにしていた。このように基板の上方を開放したままにしておくと、供給した処理液や蒸気が、当該ハウジングの外に飛散してしまう。【０００９】
しかし、処理液は除去すべき薄膜の種類に応じて様々であるが、強い酸性やアルカリ性のものがほとんどである。そのために処理液がハウジング外に飛散すると、ハウジング外のいろいろな機器や配線に付着してそれらにダメージを与えてしまうという問題があった。【００１０】
そこで処理液をハウジング外に飛散させないために、従来は、上方に向けた基板の処理面側を基板上の供給手段も含めてハウジングで覆うことも考えられる。
しかし、この場合には、基板の処理面と、ハウジングの天井面とが対向しているので、処理面に供給された処理液が処理面上ではねかえり、このはねかえった処理液がハウジングの天井面に付着してしまう。
また、上記処理液が蒸発し、そのときの蒸気がハウジングの天井面に付着してしまう。【００１１】
このように、上記天井面に付着した処理液や蒸気をそのままにしておくと、それが落下して処理済みの基板や、新たにセッティングした基板を汚してしまうので、これら付着した処理液は完全に排除しなければならない。しかし、それらを天井面から排除するために、例えば、純水で洗浄し、それらを完全に乾燥させるという工程を踏まなければならない。このように洗浄、乾燥という工程を踏まなければならないので、その分、洗浄したり乾燥したりする時間がかかってしまうという問題があった。【００１２】
この発明の目的は、基板表面に直接処理液を供給して基板を処理する際に、処理液や、その蒸気が外部に飛散しないことはもちろん、ハウジングの天井面などに処理液や蒸気などが付着しない枚葉式の基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
第１の発明は、ハウジングと、このハウジング内で処理面の付着物を除去処理する基板を、その処理面をハウジングの底部に向けて保持する保持手段と、保持手段で保持された基板の処理面に対して処理液を供給する供給手段と、上記ハウジング内に気体を取り込むための取り込み口と、上記取り込み口から取り込んだ気体とともにハウジング内の処理液の蒸気をハウジングから排出するための排出口とを備えたことを特徴とする。
なお、基板の処理面を底部に向けるとは、上記処理面がハウジングの底部の方向に向いていればよいのであって、上記処理面は水平でなくてもよい。【００１４】
第２の発明は、上記ハウジングに、ハウジング内の処理液の蒸気を排出口に導くガイド部材を設けたことを特徴とする。
第３の発明は、上記ガイド部材が、その一部を上記保持部材に保持された基板の周囲に対向する構成にし、それら対向部間にすき間を維持する構成にしたことを特徴とする。【００１５】
第４の発明は、上記保持部材に保持させる基板を、ハウジングに出し入れするための出入口を設け、この出入口を構成する構造体の一部を、保持部材に保持された上記基板の周囲に対向する構成にし、それら対向部間にすき間を維持する構成にするとともに、このすき間を上記取り込み口にしたことを特徴とする。【００１６】
第５の発明は、上記基板を挟んで、上記供給手段とは反対側に加熱手段を設け、上記処理面と反対側の基板の裏面を加熱する構成にしたことを特徴とする。
第６の発明は、上記加熱手段は赤外線を利用するとともに、赤外線を利用した上記加熱手段と上記基板とが対向する間のハウジング面に赤外線導入口を設けた請求項５に記載の基板処理装置。
なお、上記赤外線導入口は、開放されたままでもよいし、赤外線を透過する部材で塞いでもよい。【００１７】
第７の発明は、保持手段は回転機能を備え、保持手段で保持した基板を回転させる構成にしたことを特徴とする。
第８の発明は、上記処理面に対して処理液を供給する供給手段と、この供給手段と同一方向から洗浄用の洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
第１〜第８の発明によれば、処理面をハウジングの底部に向けて保持された基板の処理面に対して処理液を供給するので、基板の上方に処理液が飛び散ることはない。
さらに、処理面を底部に向けて保持された基板は、供給された処理液に対して遮蔽機能を発揮するので、処理液は基板の上方へ直接飛び散ることはない。
また、取り込み口から取り込んだ気体とともに処理液の蒸気を排出口へ排出させるようにしているので、ハウジングの上方へ蒸気が上がったり、処理液が飛び散ったりせず、たとえ、ハウジングの天井を開口していても、処理液や蒸気がハウジングの外に漏れたりしない。【００１９】
また、上記基板が処理液に対して遮蔽機能を発揮し、処理液の蒸気は確実に排出口から排出されるので、たとえ、基板の上方が上記天井面で塞がれていたとしても、それら天井面に処理液や蒸気が付着することがない。
このようにハウジングの天井面に処理液や蒸気が付着しないので、天井面を洗浄する必要がなくなり、その分、処理効率を上げることができる。【００２０】
第２の発明では、ガイド部材によってハウジング内の処理液の蒸気を、排出口へスムーズに導くことができる。これにより、処理液の蒸気が基板の上方へ上がることをより良く防止できる。
第３の発明によれば、基板の周囲に対向するガイド部材と基板との間から気体を取り込んでその流れによって処理面近傍に発生した処理液の蒸気を排出口へより確実に導くことができる。【００２１】
第４の発明によれば、気体の取り込み口を構成する開口が基板を出し入れするための出入口となるので、基板のセッティング作業が容易である。しかも、この基板を出し入れする出入口はほとんど基板でふさがれ、基板との隙間が気体の取り込み口となるので、取り込み口が基板を出し入れするだけの大きさを備えていたとしても、この開口から処理液が飛散したりしない。
上記のように基板が出入口の開口を塞ぐカバーとしても機能しているので、特別にカバーを備える必要がない。従って、カバーを必要とする場合に比べて部品点数も少なくなり、ハウジングの構造を単純にできる。また、カバーを備えたときにはその洗浄や乾燥が必要になるが、この発明では洗浄や乾燥も不要になる。【００２２】
第５の発明によれば、基板をはさんで、処理液の供給手段と反対側に加熱手段を設けて、基板の裏面を加熱するようにしたので、加熱手段が処理液によって汚されたりせず、その加熱能力が落ちることもない。
このように加熱手段の加熱能力が落ちたりしないので、基板を効率よく加熱できる。基板が効率よく加熱されれば、処理面に供給された処理液の化学反応が促進され、基板の処理面の付着物を効率よく除去できる。
また、上記のように基板を効率よく加熱できるので、余分なエネルギーを消費することがなく、省エネルギーを実現できる。【００２３】
第６の発明では、加熱手段には赤外線を利用しているので、加熱手段と基板とを非接触に保ちながら効率的な加熱ができる。非接触の加熱手段としては、この他にマイクロ波照射も考えられるが、マイクロ波照射では設備コストが高くなってしまうので、赤外線を利用した加熱手段の方がコスト的に有利である。
特に、赤外線導入口を開放すれば、加熱手段と基板の裏面との間に障害物がないので、基板をより効率的に加熱できる。【００２４】
第７の発明によれば、基板を回転させることができるので、処理液を処理面に供給したときに、その処理液を全面に均一に導くことができる。このように処理液を処理面全体に均一に導くことができるので、均一な除去処理ができる。
また、基板の回転によって処理液を全面に均一に導くことができるので、供給手段に処理面に対する散布機能を持たせなくてもよく、供給手段の構成を単純化できる。【００２５】
また、付着物を除去処理した後、基板を保持したまま、保持手段の回転数を上げれば、処理面の処理液を外周方向へ飛ばして、基板を簡単に乾燥させることもできる。
さらに、加熱手段で基板を加熱する場合にも、基板を回転させれば、基板全面を均一に加熱することが容易にできる。【００２６】
第８の発明によれば、処理液によって処理した基板を、保持手段によって保持したまま、洗浄液で洗浄することができる。特に、洗浄液を処理液の供給と同じ方向から供給して基板を洗浄するので、この洗浄液は処理液と同じ方向に飛び散る。このように、洗浄液が処理液と同じ方向に飛び散るので、処理液が付着したハウジングの内壁を、基板と同時に洗浄することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】この発明の第１実施形態を示す概略構成図である。
【図２】この発明の第２実施形態を示す概略構成図である。
【図３】この発明の第３実施形態を示す概略構成図である。
【図４】この発明の第４実施形態を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
図１は、この発明の第１実施形態である基板処理装置の構成を示す図である。
この基板処理装置は、半導体基板から薄膜であるレジストを除去するための枚葉式の処理装置である。
そして、この第１実施形態では、レジストを除去するための処理液としてＳＰＭ（硫酸過水）を利用することを想定しているが、ＳＰＭとは硫酸と過酸化水素水との混合液を言い、これら硫酸と過酸化水素水とが反応してレジストを溶解するカロ酸が生成されるが、このＳＰＭを加熱することによって、カロ酸の生成がさらに促されるものである。
【００２９】
この処理装置のハウジング１は、上面に円形の開口１ａを備えている。この開口１ａは、この処理装置で処理する基板３をハウジング１に出し入れするために必要な最小限の大きさを備えている。言い換えれば、開口１ａの直径を、基板３の直径より僅かに大きくしている。
【００３０】
また、上記ハウジング１内には、回転テーブル２を備えているが、この回転テーブル２は、一方の面に基板３を保持する複数の挟持部材４を備えている。この複数の挟持部材４は、回転テーブル２上の円に沿って間隔を保って設けられ、円形の基板３を、その外周から挟み、回転テーブル２に対して所定の距離を保ってほぼ平行に保持するものである。
【００３１】
そして、上記挟持部材４に基板３を挟持させるときには、レジストが形成されている処理面３ａを回転テーブル２に対向させておく。
つまり、上記複数の挟持部材４と上記回転テーブル２とによって、この発明の保持手段を構成するが、上記のようにしてこの保持手段は、基板３の処理面３ａをハウジングの底部である底面１ｂに向けるとともに、基板３を上記開口１ａの近傍に保持する。これにより、開口１ａの周囲と基板３の外周との対向部間に小さなすき間ができる。
【００３２】
また、上記挟持部材４とは反対側となる回転テーブル２の図面下側の面には、回転テーブル２の回転軸となる筒部材５を設けているが、この筒部材５はハウジング１の底面１ｂに設けた軸受で回転自在に支持されている。このようにした筒部材５は、プーリー６とベルト７を介して電動モーターＭに連係されている。従って、電動モーターＭを駆動することによって、筒部材５とともに上記回転テーブル２を回転させることができる。但し、この発明においては回転テーブル２が回転すれば、回転させる機構は限定されるものではない。
【００３３】
上記のように回転軸となる筒部材５内には、レジスト剥離用の処理液であるＳＰＭを供給するための処理液パイプ８と、洗浄液としての純水を供給するための送水パイプ９とを通している。これらの処理液パイプ８及び送水パイプ９の先端開口は、上記回転テーブル２の中央部に形成した貫通穴２ａを通って、上記挟持部材４に挟持された基板３の処理面３ａに対向する構成にしている。
【００３４】
なお、上記処理液パイプ８及び送水パイプ９のそれぞれは、図示していない支持手段で独自に支持され、筒部材５及び回転テーブル２が回転しても、これら処理液パイプ８及び送水パイプ９のそれぞれは回転しないようにしている。
また、上記のように支持された処理液パイプ８及び送水パイプ９の先端開口は、挟持部材４で挟持された基板３の処理面中心部分に対向するようにしている。従って、処理液パイプ８及び送水パイプ９の先端開口から放出された液体は処理面３ａの中心部分に供給されることになる。
【００３５】
さらに、この第１実施形態では処理液パイプ８，送水パイプ９の先端にノズルヘッドを設けずに、液体をこれらパイプから直接放出するようにしているが、上記処理液パイプ８及び送水パイプ９の先端に様々なノズルヘッドを取り付けることもできる。このように、ノズルヘッドを取り付けたときには、そこから放出される液体を霧状にしたり、ライン状にしたり、様々な水形にして供給することもできる。
【００３６】
また、上記処理液パイプ８には、処理液であるＳＰＭを供給するポンプ等を構成要素とした送液手段１０を接続し、この送液手段１０と処理液パイプ８とによってこの発明の処理液の供給手段を構成している。なお、ＳＰＭを供給するための上記送液手段１０には、ポンプの下流側に、硫酸と過酸化水素水とを混合する混合手段を備えている。
さらに、送水パイプ９には、純水を供給するポンプ等を構成要素とした送水手段１１を接続し、この送水パイプ９と上記送水手段１１とによってこの発明の、処理液の供給手段と同一方向から洗浄液を供給する洗浄液供給手段を構成している。
【００３７】
一方、上記ハウジング１の底面１ｂには排出口１ｃを形成し、この排出口１ｃは吸引手段１２に接続している。この吸引手段１２によってハウジング１内を吸引することによって、上記開口１ａと基板３の外周とのすき間からエアを吸い込んで気流を形成し、この気流によってハウジング１内の処理液や蒸気を排出口１ｃからハウジング１外へ排出するようにしている。
つまり、この第１実施形態では上記開口１ａが、基板３を出し入れするための出入口であるとともに、この発明の気体の取り込み口を構成している。そして、この第１実施形態では、上記開口１ａの周囲であるハウジング１の内周縁が、この発明の出入口を構成する構造体の一部であり、上記基板３の周囲に対向するものである。
なお、この第１実施形態では、上記排出口１ｃからは、ハウジング１内に飛散したＳＰＭも蒸気とともに排出される。
【００３８】
さらに、上記開口１ａの上方にはこの発明の加熱手段である赤外線ランプ１３を設け、この赤外線ランプ１３で基板３の裏面を加熱するようにしている。つまり、この第１実施形態では、上記開口１ａがこの発明の赤外線導入口も兼ねている。このように、赤外線導入口が開放しているため、赤外線ランプ１３と基板３の裏面との間に障害物がないので、基板３をより効率的に加熱することができる。
【００３９】
なお、この赤外線ランプ１３は支持機構１５によって、開口１ａに対応する範囲内から退避可能に支持されている。そのため、上記開口１ａから基板３を出し入れする際には、赤外線ランプ１３が邪魔にならないようにできる。但し、赤外線ランプ１３を上記開口１ａから十分に離して設置すれば、基板３の出し入れの際にも、赤外線ランプ１３を開口１ａに対応する範囲から退避可能にしなくてもよい。
また、図中符号１４は、赤外線ランプ１３の側面に設けた遮蔽板で、赤外線ランプ１３から放射される赤外線が側面から漏れないようにするためのものである。このように、遮蔽板１４を設けることによって、基板３以外で加熱する必要がない部材を加熱してしまうことを防止できる。
【００４０】
さらにまた、上記開口１ａの上方には、純水を供給する送水パイプ１６を設け、この送水パイプ１６から供給される純水によって、基板３の裏面を洗浄するようにしている。なお、この送水パイプ１６は、開口１ａに対応する範囲内から退避可能にし、基板３のセッティングに対して邪魔にならないようにしている。
【００４１】
以下に、処理液としてＳＰＭを用いて、処理面３ａのレジストを除去する工程を説明する。
まず、赤外線ランプ１３及び送水パイプ１６をハウジング１の開口１ａ上から退避させ、処理面３ａを回転テーブル２に対向させた状態で、上記開口１ａから基板３を回転テーブル２上にセッティングする。基板３をセッティングしたら、モーターＭを駆動して回転テーブル２をゆっくり回転させる。また、上記吸引手段１２を作動させて、ハウジング１内を吸引し、上記開口１ａからエアを吸い込んで上記排出口１ｃへの気流を形成しておく。
なお、ここでは、回転テーブル３を回転させてから吸引手段１２を作動しているが、その順序はどちらが先でもかまわない。
【００４２】
上記のように回転テーブル２をゆっくり回転させたら、送液手段１０を制御して処理液パイプ８からＳＰＭを供給する。
また、処理液パイプ８の先端を、挟持部材４で挟持された基板３の中心部分に対向させているので、処理液パイプ８から放出されたＳＰＭは、処理面３ａの中心部分に供給される。このように処理面３ａの中心部分に供給されたＳＰＭは、基板３の回転によって円周方向に広がりながら外周に向かって流れる。
【００４３】
次に、上記赤外線ランプ１３を開口１ａ上に移動させ、電源を入れて基板３を約１３０℃〜３００℃になるまで加熱する。
なお、この第１実施形態では、加熱手段である上記赤外線ランプ１３を基板３の裏面側に配置しているので、処理面３ａ側に配置された処理液の供給手段とは関係なく赤外線ランプ１３を基板３に近づけることができるとともに、供給されるＳＰＭの影響を受けずに、基板３の効率的な加熱ができる。
【００４４】
上記のように基板３を赤外線ランプ１３で約１３０℃〜３００℃に加熱すると、処理面３ａに接触したＳＰＭは基板３の熱で加熱され、処理面３ａでの化学反応が促進され、レジストを速やかに除去処理できる。
また、この装置では、上記したようにハウジング１の開口１ａを基板３の直径より僅かに大きくしているだけなので、開口１ａの近傍にセッティングされた基板３は、その外周と開口１ａとの対向部間に、非常に小さな環状のすき間を形成するだけで、開口１ａをほとんど塞ぐカバーとして機能する。
【００４５】
このように、基板３が開口１ａを塞ぐカバーとして機能した状態で、ハウジングの底部に向けた処理面３ａに対して処理液であるＳＰＭが供給されるため、処理面３ａに向けて供給されたＳＰＭが開口１ａからハウジング１外へ飛散することはない。
また、高温に加熱された基板３の処理面に接触したＳＰＭからは蒸気が発生するが、この蒸気は、上記開口１ａから取り込まれたエアの流れによって排出口１ｃへ導かれ、排出されるので、蒸気も漏れることがない。
【００４６】
このようにＳＰＭやその蒸気がハウジング外に漏れないので、ハウジング１の外にある配線やその他の機器にダメージを与えることはない。
基板３がハウジング１から外部へＳＰＭや蒸気が出ることを防止するカバーとして機能しているので、基板３をハウジングの天井面で覆ったり、カバーを別に設けたりする必要がない。
このように基板３をハウジングの天井面で覆ったり、カバーを別に設けたりする必要がないので、洗浄、乾燥が簡単になる。例えば、基板３を天井面で覆ったりカバーで覆ったりすると、それら天井面やカバーを洗浄したり乾燥したりしなければならないが、この実施形態ではそれらの洗浄や乾燥は不要になる。
【００４７】
また、この第１実施形態の処理装置では、開口１ａから蒸気が出ないので、赤外線ランプ１３が蒸気などで汚されることがない。従って、赤外線のエネルギーを無駄なく基板３の加熱に利用できる。
さらに、この第１実施形態の処理装置では、基板３を赤外線ランプ１３で加熱しているので、効率的なレジスト除去処理ができる。例えば、基板上でのＳＰＭとレジストとの反応性を高めるために、ＳＰＭを予め高温にして供給することが従来から行われているが、この場合には、ＳＰＭが温度の低い基板に接触して温度が下がってしまい、ＳＰＭとレジストとの反応が十分に行なわれないこともあった。もし、ＳＰＭの熱が基板に吸収されて、その温度が下がらないようにするためには、高温のＳＰＭを大量に供給しなければならない。しかし、この第１実施形態のように基板３を加熱すれば、ＳＰＭの温度低下を防止できるのでＳＰＭを大量供給する必要がなく、その分、ＳＰＭを節約することができる。
【００４８】
また、上記第１実施形態の処理装置では、回転テーブル２を回転させて基板３を回転させる機能を備えているため、基板３を回転させて処理面３ａの中心部分にＳＰＭを供給すると、供給されたＳＰＭを処理面３ａ上で外周に向かって均一に導くことができる。特に、この第１実施形態では、基板３の処理面３ａをハウジング１の底部に向けて保持しているので、処理面３ａに供給したＳＰＭは落下しやすくなるが、上記のように基板３を回転させられるので、その遠心力でＳＰＭの落下を防止しつつ、基板３の外周に向かって均一に導くことができる。従って、レジストの均一な除去処理ができる。
【００４９】
また、基板３の回転によってＳＰＭを外周に向かって均一に導くことができるので、供給手段に散布機能を持たせなくてもよく、供給手段の構成を単純化できる。
言い換えれば、供給手段が処理面全体に対して、均一に処理液を供給できる機構を備えれば、処理工程において基板３を回転させる機能は必須ではない。また、処理液の散布機能を備えながら、基板３を回転させてもよい。
さらに、回転テーブル２とともに基板３を回転させることによって、上記赤外線ランプ１３による赤外線の照射範囲が基板３の全面でなくても、基板３を均一に加熱できるというメリットもある。例えば、上記赤外線の照射範囲が、基板３の直径や半径に沿った線状であっても、基板３が回転することによって基板３の裏面全体に赤外線を照射できることになるからである。
【００５０】
また、この第１実施形態の処理装置では、純水の供給手段を設けているので、ＳＰＭによってレジストの除去処理をした後に、処理面３ａを水洗することもできる。そこで、次に水洗工程を説明する。
この水洗工程では、赤外線ランプ１３の電源を切って、赤外線ランプ１３を開口１ａに対応した範囲から退避させ、ＳＰＭの供給を止める。
【００５１】
次に、送水パイプ１６の放水口をハウジング１の開口１ａ上に位置させ、回転テーブル２を回転させた状態で、図示しない送水手段によって送水パイプ１６から純水を基板３上に供給し、基板３の裏面を洗浄する。
また、処理面３ａ側でも、送水手段１１によって送水パイプ９からの純水を供給し、基板３の処理面３ａも水洗する。
このとき、回転テーブル２を回転させているので、基板３の両面に供給した純水が外周に向かって広がりながら、基板３の両面を洗い流すことができる。
ハウジング１内では、回転する基板３に沿って外周方向へ導かれた純水が、ハウジング１の内壁に衝突してその内壁を洗浄することになる。
特に、この第１実施形態では、洗浄液を、処理液の供給と同じ方向から供給して基板を洗浄するので、洗浄液の広がりや飛び散り方が処理液と同じようになって、処理液が付着したハウジング１内壁を、基板と同時に洗浄することもできる。
【００５２】
基板３の両面を純水で洗浄したら送水を停止し、モーターＭの回転数を上げる。そして、回転テーブル２を、１０００（ｒｐｍ）〜３０００（ｒｐｍ）程度で回転させ、遠心力で水分を完全に飛ばして基板３の両面を乾燥させる。このように、遠心力を利用して水分を飛ばすことができるので、水洗後の基板３に水跡を付けずに短時間で乾燥させることができる。
なお、回転テーブル２と基板３の処理面３ａとの対向間隔を狭くした状態で、回転テーブル２の回転数を上げると、上記対向間隔内が負圧になる傾向がある。負圧になったときにそれを放置しておくと、ハウジング内の異物が上記対向間隔内に吸い込まれて、それが処理面３ａに付着してしまう恐れがある。
これを防止するために、この実施形態では回転数を上げたとき、上記対向間隔内に窒素ガスを供給して負圧が発生しないようにしている。
【００５３】
また、上記第１実施形態では、基板３をハウジングに挿入する開口１ａをこの発明の気体の取り込み口及び赤外線導入口と兼ねているが、これらの開口はそれぞれ、個別に設けてもよい。但し、上記３つの開口を兼ねる構成にすれば、ハウジング１の構造を単純化できるメリットがある。
上記第１実施形態では、赤外線ランプ１３及び送水パイプ１６を上記開口１ａに対応する範囲内から退避可能にしているが、基板３をハウジング内に出し入れする際などの行程でじゃまにならなければ、赤外線ランプ１３や送水パイプ１６を開口１ａの近傍で固定式にしてもよい。
【００５４】
図２は、この発明の第２実施形態である基板処理装置の構成を示す図である。
この基板処理装置も、半導体基板からレジストを除去するための枚葉式の処理装置である。なお、上記第１実施形態と同様の構成要素は、図１と同じ符号を用いて説明するが、第１実施形態と同一の構成は、次のとおりである。
【００５５】
この第２実施形態においても、ハウジング１７内に回転テーブル２を設け、この回転テーブル２には挟持手段４を設けている。そして、この挟持手段４には、基板３の処理面３ａをハウジング１７の底面１７ｄに向けて保持させる。
また、処理液の供給手段は処理液パイプ８と送液手段１０とからなり、洗浄液供給手段は送水パイプ９および送水手段１１からなる。
そして、これらの構成は、上記第１実施形態と同一である。
【００５６】
上記のように第１実施形態と同一の構成を持つ第２実施形態においては、ハウジング１７の構成が第１実施形態とは大きく異なる。すなわち、ハウジング１７は本体１７ａに開閉可能なふた部１７ｂを設け、このふた部１７ｂを開けて基板３を出し入れする構成にしている。
そして、上記回転テーブル２上に基板３をセッティングして上記ふた部１７ｂを閉じたときには、ハウジング１７の天井面であるふた部１７ｂの内側が基板３の裏面と対向する。
従って、基板３の処理面３ａに処理液を供給したとき、処理液に対して基板３が遮蔽機能を発揮するので、処理液が天井面に付着しない。
【００５７】
また、上記ふた部１７ｂの中央には、エアを取り込むための取り込み口１７ｃを形成するとともに、本体１７ａの底面１７ｄには、エアを排出するための排出口１７ｅを形成し、この排出口１７ｅを吸引手段１２に接続している。
従って、上記吸引手段１２によってハウジング１７内を吸引すると、上記取り込み口１７ｃから排出口１７ｅに向かう気流が形成される。
なお、この第２実施形態では、ハウジング１７の上方に、第１実施形態のような加熱手段としての赤外線ランプ１３を設けていない。そのため、ＳＰＭの供給過程でそれを予め加熱する図示していない加熱手段を別に備えている。
【００５８】
さらに、上記ふた部１７ｂには、基板３に純水を供給する送水パイプ１６を固定し、この送水パイプ１６には図示しない送水手段を接続している。従って、ふた部１７ｂを閉じた状態で、この送水パイプ１６から純水を供給すれば、回転テーブル２上に保持された基板３の裏面を洗浄できることになる。
【００５９】
次に、この第２実施形態の装置によって、基板３の処理面３ａからレジストを除去する工程を説明する。
まず、ハウジング１７のふた部１７ｂを開いて、処理面３ａを回転テーブル２に対向させた状態で、基板３を回転テーブル２上にセッティングする。
基板３をセッティングしたら、ふた部１７ｂを閉じ、モーターＭを駆動して回転テーブル２をゆっくり回転させる。このとき上記吸引手段１２を駆動して、ハウジング１７内を吸引し、上記開口１７ｃから上記排出口１７ｅへ向かう気流を形成しておく。
【００６０】
上記のように回転テーブル２をゆっくり回転させたら、送液手段１０を制御して処理液パイプ８から予め加熱したＳＰＭを供給する。
また、上記第１実施形態と同様に、処理液パイプ８の先端は、挟持部材４で挟持された基板３の中心部分に対向させている。そのため、処理液パイプ８から放出されたＳＰＭは、処理面３ａの中心部分に供給される。このように処理面３ａの中心部分に供給されたＳＰＭは、基板３の回転によって円周方向に広がりながら外周に向かって流れ、その過程でレジストを除去する。
【００６１】
上記の工程でＳＰＭによる処理が終了したら、送液手段１０を停止して、送水手段１１及び図示しない送水手段を制御して、送水パイプ９及び１６から純水を供給し、基板３の両面を同時に水洗する。
このとき、回転テーブル２を回転させているので、基板３の両面に供給した純水が外周に向かって広がりながら、基板３の両面を洗い流すことができる。
【００６２】
また、ハウジング１７内では、送水パイプ９から供給された純水が基板３の回転によって外周方向へ導かれ、この純水がハウジング１７の内壁に衝突するので、基板３の洗浄とともにハウジング１７の内壁も洗浄できる。
その後、送水を停止し、上記第１実施形態と同様に、モーターＭの回転数を上げて、遠心力で水分を完全に飛ばせば、基板３に水跡を付けずに短時間で乾燥させることができる。
なお、回転テーブル２と基板３の処理面３ａとの対向間隔を狭くした状態で、回転テーブル２の回転数を上げると、上記対向間隔内が負圧になる傾向がある。負圧になったときにそれを放置しておくと、ハウジング内の異物が上記対向間隔内に吸い込まれて、それが処理面３ａに付着してしまう恐れがある。
これを防止するために、この実施形態では回転数を上げたとき、上記対向間隔内に窒素ガスを供給して負圧が発生しないようにしている。
【００６３】
この第２実施形態の装置も、基板３の裏面がハウジング１７の天井面に対向し、処理面３ａを底部１７ｄに向けているので、処理面３ａに対して供給されるＳＰＭがハウジング１７の天井面に直接付着することがない。
また、ふた部１７ｂに形成した取り込み口１７ｃから取り込まれるエアの流れによって、ＳＰＭの蒸気がハウジング１７の底面１７ｄに形成した排出口１７ｅへ導かれるので、ハウジング１７内の天井面に蒸気が付着することもない。
従って、ハウジング１７のふた部１７ｂを開けて、天井面に付着したＳＰＭを洗い落とす工程が必要なく、基板３の処理が効率的にできる。
また、基板３を水洗する際に、ハウジング１７内に付着しているＳＰＭも同時に洗浄できる。
【００６４】
なお、この第２実施形態では、基板３を加熱するための加熱手段を設けていないが、ハウジング１７の上方に加熱手段として赤外線ランプなどを設けてもよい。その場合には、ふた部１７ｂであって基板３に対応するエリアに、赤外線を透過するための赤外線導入口を形成する必要がある。赤外線導入口は開放してもよいし、赤外線を透過するガラスなどで覆ってもよい。
いずれにしても、上記処理液パイプ８から処理面３ａに対して供給されるＳＰＭは、基板３で遮られるとともに、蒸気は底面の排出口１７ｅから排出されるので、ふた部１７ｂに形成した赤外線導入口からＳＰＭや蒸気が飛び出したり、蒸気で曇ってしまったりすることがない。つまり、赤外線導入口を介して、基板３の裏面を確実に加熱することができる。
【００６５】
さらに、第２実施形態ではふた部１７ｂを開閉して基板３を出し入れする構成にしたが、ハウジング１７の天井面を完全に塞いで、基板３はハウジング１７の側面から出し入れするようにしてもよい。この場合においても、気体の取り込み口と排出口との関係は、第２実施形態と同じである。すなわち、基板３の処理面３ａより上方に設けた気体の取り込み口１７ｃから、処理面３ａの下方に設けた排出口１７ｅへ気流を作って処理液の蒸気を排出するようにする。
上記ようにハウジングの天井面を完全に塞いだとしても、その天井面には処理液や蒸気が付着しないので、その天井面を洗浄する必要はない。従って、天井面を完全に塞いだとしても何ら問題はない。
【００６６】
なお、上記第１、第２実施形態では、この発明のエアの取り込み口１ａ、１７ｃをハウジング１，１７の天井面に形成し、排出口１ｃ，１７ｅをハウジング１，１７の底面１ｂ，１７ｄに形成しているが、これらの位置は、上記実施形態の位置に限らない。
上記取り込み口１ａ、１７ｃを、基板３の処理面３ａと同一レベルもしくはそれよりも上方に設け、排出口１ｃ，１７ｅを上記取り込み口１ａ、１７ｃよりも下方に設けた位置関係を維持すれば、上記実施形態のように、上記処理面３ａの外周から上昇しようとする蒸気を上からの気流によって確実に下方へ押さえ込むことができ、蒸気がハウジング１，１７の外に漏れないようにできる。
また、上記の取り込み口が上記処理面と同一レベルにあるとは、上記取り込み口１ａ、１７ｃの開口の範囲内に処理面のレベルが含まれることをいう。
【００６７】
但し、ハウジング内でエアの流れを形成できれば、取り込み口と排出口との位置は、上記第１、第２実施形態のものに限らないだけでなく、取り込み口と排出口との上下関係も限定されない。
図３には、エアの取り込み口１７ｆを排出口１７ｇよりも下方に設けた第３実施形態の基板処理装置の構成を示している。
この第３実施形態の基板処理装置も、半導体基板からレジストを除去するための枚葉式の処理装置であり、気体の取り込み口及び排出口の位置が、上記第２実施形態と異なるが、その他の構成は第２実施形態と同じである。そこで、上記第２実施形態と同様の構成要素には図２と同じ符号を用い、各要素の詳細な説明は省略する。
【００６８】
この第３実施形態の基板処理装置は、第２実施形態と同様に、本体１７ａと開閉可能なふた部１７ｂとからなるハウジング１７を備え、ふた部１７ｂを開けて基板３を出し入れする構成にしている。
但し、この第３実施形態では、ふた部１７ｂには開口を形成せず、本体１７ａの側面に気体の取り込み口１７ｆ及び排出口１７ｇを設けている。そして、上記取り込み口１７ｆを、基板の処理面３ａよりも下方に設けるとともに、この取り込み口１７ｆよりも排出口１７ｇを上方に設けている。また、この排出口１７ｇを吸引手段１２に接続し、この上記吸引手段１２によってハウジング１７内を吸引してハウジング１７内に排出口１７ｇに向かう気流が形成されるようにしている。
【００６９】
このようにした第３実施形態の基板処理装置も、上記第２実施形態と同様にして基板３の処理面３ａからレジストを除去することができる。
すなわち、ハウジング１７内で、処理面３ａを回転テーブル２に対向させた状態で、基板３を回転テーブル２上にセッティングし、底面１７ｄ側から処理面３ａに処理液を供給してレジストを除去する。
上記のようにレジストを除去する際には、上記吸引手段１２を駆動して、ハウジング１７内を吸引しておくようにする。
従って、この第３実施形態においても、処理液であるＳＰＭの蒸気は排出口１７ｇから排出され、ハウジング１７から外部へ漏れ出ることはない。
【００７０】
なお、この第３実施形態では、エアの取り込み口１７ｆが基板３の処理面３ａよりも下方であって、しかも、排出口１７ｇよりも下方に設けられている。そのため、取り込み口１７ｆから取り込まれたエアが直接排出口１７ｇへ向かうような気流が形成されたのでは、蒸気を効率的に排出することは難しい。しかし、実際には、吸引手段１２が取り込み口１７ｆから直接エアを吸引することにはならず、ハウジング１７内全体の気体を吸引することになる。特に、上記回転テーブル２が回転したり、処理液を供給したりすることによってハウジング１７内の気流は乱れるため、取り込み口１７ｆから排出口１７ｇに向かう気流のみを形成することはほとんど不可能である。そのため、この第３実施形態の基盤処理装置でも、ハウジング１７内の処理液の蒸気を排出口１７ｇから排出することができる。
但し、取り込み口を処理面の近傍に設け、排出口をそれよりも下方に設ければ、処理液の蒸気を強引に排出口へ導く気流を、より形成しやすくなる。
【００７１】
また、上記回転テーブル２上に基板３をセッティングして上記ふた部１７ｂを閉じたときには、ハウジング１７の天井面であるふた部１７ｂの内側が基板３の裏面と対向する。
従って、基板３の処理面３ａに処理液を供給したとき、処理液に対して基板３が遮蔽機能を発揮するので、処理液が天井面に付着しない。そのため、処理液がハウジング１７の上方にから飛び出ることがないことはもちろん、ハウジング１７のふた部１７ｂを開けて、天井面に付着したＳＰＭを洗い落とす工程も必要なく、基板３の処理が効率的にできる。
【００７２】
図４に示す第４実施形態は、ハウジング１内に処理液の蒸気とともに気体を排出するための３個の排出口１ｄ，１ｅ，１ｆを設け、これら各排出口１ｄ，１ｅ，１ｆへ導くガイド部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃを備えている。
また、この第４実施形態では、基板３を保持する回転テーブル２の上下位置を変更可能にしている。具体的には、図示しない駆動手段によって、回転テーブル２に固定した筒部材５、処理液パイプ８及び送水パイプ９を、それに付随する部材との連結を維持したまま上下に移動させるようにしている。
その他の構成は、図１に示す第１実施形態と同じであり、第１実施形態と同様の構成要素には、図１と同じ符号を用い、各要素の詳細な説明は省略する。
【００７３】
上記ガイド部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、中央を開口したコーン状の部材であって、筒部材５の軸方向にそれぞれ所定の間隔を保ってハウジング１の内壁に設けられている。
そして、これら各ガイド部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃの基端側であって、上段のガイド部材１８ａと中段のガイド部材１８ｂとの間に、排出口１ｄを、上記中段のガイド部材１８ｂと下段のガイド部材１８ｃとの間に排出口１ｅを、下段のガイド部材１８ｃの下方に排出口１ｆを設けている。
また、各排出口には吸引手段１２ａ，１２ｂ，１２ｃを接続し、ハウジング１内の処理液の蒸気を含んだ気体を排出可能にしている。
【００７４】
つまり、上記ガイド部材１８ａ及び１８ｂが処理液の蒸気を排出口１ｄへ導くガイド部材であり、ガイド部材１８ｂ及び１８ｃが蒸気を排出口１ｅへ導くガイド部材であり、ガイド部材１８ｃが蒸気を排出口１ｆへ導くガイド部材である。
例えば、基板３の周囲を上段のガイド部材１８ａの一部である先端に対向するように調整し、吸引手段１２ａを作動させてから処理を開始すれば、処理面３ａに供給された処理液の蒸気は上記ガイド部材１８ａ及び１８ｂによって排出口１ｄへ導かれる。
【００７５】
また、基板３の周囲を中段のガイド部材１８ｂの先端に対向させ、吸引手段１２ｂを作動させれば、処理液の蒸気は排出口１ｅに導かれ、基板３の周囲を下段のガイド部材１８ｃの先端に対向させて吸引手段１２ｃを作動させれば、処理液の蒸気は排出口１ｆへ導かれることになる。
このように、基板３の位置によって蒸気が導かれる排出口を変えることができる。従って、処理液の種類によって基板３の位置を変更し、排出口を使い分けるようにすれば、吸引手段１２ａ，１２ｂ，１２ｃ側で、処理液を種類別に分離回収することができ、廃棄処理やリサイクルがスムーズにできるというメリットもある。
【００７６】
なお、上記基板３の周囲をガイド部材の先端に対向させるとは、基板３の高さを調整して、基板３の周囲をガイド部材の先端に近づけるということで、基板３の高さ位置とガイド部材の先端位置とが厳密に一致する必要はないし、基板３とガイド部材のどちらかが多少上下していてもかまわない。但し、基板３の処理面３ａが、気体を導くガイド部材の先端よりも下方に位置している方が、処理液の蒸気などを確実に排出することができる。さらに、基板３の裏面を、ガイド部材の先端と同等の高さ位置あるいはガイド部材の先端よりも下方に位置させれば、裏面側から洗浄液等を供給した場合に、その洗浄液等を排気口から排出することもできる。
【００７７】
この第４実施形態の基板処理装置も、上記第１実施形態と同様にして基板３の処理面３ａからレジストを除去することができる。
すなわち、ハウジング１内で、処理面３ａを回転テーブル２に対向させた状態で、基板３を回転テーブル２上にセッティングし、底面１ｂ側から処理面３ａに処理液を供給してレジストを除去する。
但し、この第４実施形態では、基板３の周囲をいずれかのガイド部材の先端に対向させてから処理を開始する。また、ガイド部材に対応する吸引手段を作動させるようにする。
【００７８】
例えば、図４に示すように、上段のガイド部材１８ａの先端位置に基板３の周囲を対向させた場合には、吸引手段１２ａのみを作動させる。そして、基板３の処理を開始すると、ハウジング１の天井に形成した開口１ａから吸い込まれたエアが、ガイド部材１８ａによって排出口１ｄへ導かれ、処理液を排出するための気流が形成される。
従って、この第４実施形態においては、処理液であるＳＰＭの蒸気は排出口１ｄから排出され、ハウジング１から外部へ漏れ出ることはない。
【００７９】
また、ＳＰＭ以外の処理液を使用する場合には、基板３の周囲を他のガイド部材、例えばガイド部材１８ｂの先端に対向させてから、吸引手段１２ｂを作動させるようにすることができる。このようにすれば、処理液の蒸気は、上記開口１ａから取り込まれたエアとともに、ガイド部材１８ｂによって排出口１ｅに導かれる。この場合も、処理液の蒸気は排出口１ｅから排出され、ハウジング１から外部へ漏れ出ることはない。
【００８０】
なお、この第４実施形態では、３個のガイド部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃと、排出口１ｄ，１ｅ，１ｆを設けているが、ガイド部材および排出口の数はいくつでも良い。処理液を種類ごとに分離して排出したい場合には、処理液の種類に応じた排出口と、各排出口へ気体を導くガイド部材が必要である。
また、処理液の種類を分離する必要がない場合であても、ガイド部材を設ければ、取り込み口から取り込んだエアを排出口へ導き、処理液の蒸気を効率的に排出する気流を形成できる。
なお、上記第４実施形態では、各ガイド部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃの先端が、この発明の「上記保持部材に保持された基板の周囲に対向するガイド部材の一部」であるが、上記一部は、基板の周囲に対向する部分であり、ガイド部材の形状によっては必ずしも先端ではない。
【００８１】
上記第１〜第４実施形態では、取り込み口からエアを取り込むようにしているが、ハウジング内に取り込む気体は、処理液や基板に影響を与えないものならば、その種類は限定されない。
また、取り込み口から、ハウジング内へ気体を取り込む手段も、排気口に接続した吸引手段のほか、取り込み口から圧力を掛けて気体をハウジング内へ押し込むようにしてもよい。
【００８２】
さらに、上記第４実施形態のように複数の排出口を設けない場合であっても、上記取り込み口から取り込まれた気体が、ハウジング内の処理液の蒸気とともに排出口から効率的に排出させるため、ハウジング内にガイド部材を形成するようにしてもよい。
また、上記第１〜第４実施形態では、ハウジング１，１７内で、基板３を水平に保持するようにしているが、処理面３ａがハウジングの底部側に向いていれば基板３は水平でなくてもよい。
【００８３】
なお、上記では処理面３ａに形成されたレジストを除去処理する装置を例に説明したが、この発明の基板処理装置は、レジスト以外の薄膜や、その他の付着物を除去処理する装置としても有用である。但し、除去処理する物質に応じた処理液を選択する必要がある。例えば、窒化膜の除去処理のために燐酸を用いたり、ＨＰＭ（塩酸過水）や、ＡＰＭ（アンモニア過水）を用いたりして、処理面３ａ上の種々の薄膜やパーティクルなどの付着物を上記レジストの除去処理と同様に処理することができる。
そして、複数の処理液を供給するために、処理液ごとの処理液パイプを上記筒部材５内に設ければ、複数の処理を同一装置で行なうことができる。
いずれにしても、処理液の蒸気が付着したハウジングの天井面やカバー部材を、改めて洗浄する洗浄工程を不要にできる。
【００８４】
さらに、上記実施形態では、基板を加熱する手段として赤外線ランプを用いているが、処理液が付着することがないように非接触で基板を加熱できるものならば、加熱手段は赤外線ランプに限らない。例えば、加熱手段としてはマイクロ波照射も考えられる。但し、マイクロ波照射では設備コストが高くなってしまうので、赤外線を利用した加熱手段の方がコスト的に有利である。また、赤外線を利用する場合であっても、ランプに限らず、赤外線ヒータを用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
この発明は、半導体基板のほか、液晶ガラス基板、プラズマディスプレイ基板などの薄膜の除去処理に利用できる。
【符号の説明】
【００８６】
１      ハウジング
１ａ    開口
１ｂ    底面
１ｃ    排出口
１ｄ    排出口
１ｅ    排出口
１ｆ    排出口
２      回転テーブル
３      基板
３ａ    処理面
４      挟持部材
８      処理液パイプ
９      送水パイプ
１０    送液手段
１１    送水手段
１２    吸引手段
１２ａ  吸引手段
１２ｂ  吸引手段
１２ｃ  吸引手段
１３    赤外線ランプ
１７    ハウジング
１７ｃ  取り込み口
１７ｄ  底面
１７ｅ  排出口
１８ａ  ガイド部材
１８ｂ  ガイド部材
１８ｃ  ガイド部材
【図１】
2011074521.tif 000003
【図２】
2011074521.tif 000004
【図３】
2011074521.tif 000005
【図４】
2011074521.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月14日(2011.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングの上面に基板を出し入れするため、基板の直径よりもわずかに大きくした出入口を開口させ、
ハウジング内に基板の処理面をハウジングの底部に向けて保持する保持手段と、上記保持手段で保持された上記基板の下方には上記保持手段で保持された基板の処理面に向かって処理液を供給する供給手段と、上記保持手段で保持された基板よりも下方に設け、上記出入口から取り込んだ気体とともに処理液の蒸気を排出する排出口と、ハウジング内の気体を排出口から吸引する吸引手段とを設けるとともに、上記基板を挟んで上記供給手段とは反対側に上記基板を加熱するための加熱手段を設け、上記出入り口の内周と上記保持手段で保持された基板の外周とを対向させ、これら対向部間に隙間を維持してこの隙間を上記出入口から取り込んだ気体を導く流路とする一方、上記基板は、処理液の蒸気が上記出入口を介して基板の上方に流出する流れに対して、その流れを抑制するカバーとして機能する構成にし、上記出入口から取り込まれた気体を、上記隙間からなる流路を通過させ、この気体とともに処理液の蒸気を排出口から排出させる基板処理装置。
【請求項２】
ハウジングの上面に基板を出し入れするための出入口を開口させ、
ハウジング内に基板の処理面をハウジングの底部に向けて保持する保持手段と、上記保持手段で保持された上記基板の下方には上記保持手段で保持された基板の処理面に向かって処理液を供給する供給手段と、上記保持手段で保持された基板よりも下方に設け、上記出入口から取り込んだ気体とともに処理液の蒸気を排出する排出口と、ハウジング内の気体を排出口から吸引する吸引手段と、気体を上記排出口に導くガイド部材とを設けるとともに、上記基板を挟んで上記供給手段とは反対側に上記基板を加熱するための加熱手段を設け、上記ガイド部材の一部を上記保持手段で保持された基板の外周と対向させ、これら対向部間に隙間を維持して、この隙間を、出入口から取り込んだ気体を導く流路とする一方、上記基板は、処理液の蒸気が上記流路を介して基板の上方に流出する流れに対して、そのながれを抑制するカバーとして機能する構成にし、
上記出入口から取り込まれた気体を、上記隙間からなる流路を通過させ、この気体とともに処理液の蒸気を排出口から排出させる基板処理装置。
【請求項３】
上記処理面に対して処理液を供給する供給手段と、この供給手段と同一方向から洗浄用の洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えた請求項１または２に記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
［０００９］
しかし、処理液は除去すべき薄膜の種類に応じて様々であるが、強い酸性やアルカリ性のものがほとんである。そのために処理液がハウジング外に飛散すると、ハウジング外のいろいろな機器や配線に付着してそれらにダメージを与えてしまうという問題があった。
［００１０］
そこで処理液をハウジング外に飛散させないために、従来は、上方に向けた基板の処理面側を基板上の供給手段も含めてハウジングで覆うことも考えられる。
しかし、この場合には、基板の処理面と、ハウジングの天井面とが対向しているので、処理面に供給された処理液が処理面上ではねかえり、このはねかえった処理液がハウジングの天井面に付着してしまう。
また、上記処理液が蒸発し、そのときの蒸気がハウジングの天井面に付着してしまう。
［００１１］
このように、上記天井面に付着した処理液や蒸気をそのままにしておくと、それが落下して処理済みの基板や、新たにセッティングした基板を汚してしまうので、これら付着した処理液は完全に排除しなければならない。しかし、それらを天井面から排除するために、例えば、純水で洗浄し、それらを完全に乾燥させるという工程を踏まなければならない。このように洗浄、乾燥という工程を踏まなければならないので、その分、洗浄したり乾燥したりする時間がかかってしまうという問題があった。
［００１２］
この発明の目的は、基板表面に直接処理液を供給して基板を処理する際に、処理液や、その蒸気が外部に飛散しないことはもちろん、ハウジングの天井面なに処理液や蒸気なが付着しない枚葉式の基板処理装置を提供することである。
課題を解決するための手段
［００１３］
第１の発明は、ハウジングの上面に基板を出し入れするため、基板の直径よりもわずかに大きくした出入口を開口させ、ハウジング内に基板の処理面をハウジングの底部に向けて保持する保持手段と、上記保持手段で保持された上記基板の下方には上記保持手段で保持された基板の処理面に向かって処理液を供給する供給手段と、上記保持手段で保持された基板よりも下方に設け、上記出入口から取り込んだ気体とともに処理液の蒸気を排出する排出口と、ハウジング内の気体を排出口から吸引する吸引手段とを設けるとともに、上記基板を挟んで上記供給手段とは反対側に上記基板を加熱するための加熱手段を設け、上記出入り口の内周と上記保持手段で保持された基板の外周とを対向させ、これら対向部間に隙間を維持してこの隙間を上記出入口から取り込んだ気体を導く流路とする一方、上記基板は、処理液の蒸気が上記出入口を介して基板の上方に流出する流れに対して、その流れを抑制するカバーとして機能する構成にし、上記出入口から取り込まれた気体を、上記隙間からなる流路を通過させ、この気体とともに処理液の蒸気を排出口から排出させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
なお、基板の処理面を底部に向けるとは、上記処理面がハウジングの底部の方向に向いていればよいのであって、上記処理面は水平でなくてもよい。
［００１４］
第２の発明は、ハウジングの上面に基板を出し入れするための出入口を開口させ、ハウジング内に基板の処理面をハウジングの底部に向けて保持する保持手段と、上記保持手段で保持された上記基板の下方には上記保持手段で保持された基板の処理面に向かって処理液を供給する供給手段と、上記保持手段で保持された基板よりも下方に設け、上記出入口から取り込んだ気体とともに処理液の蒸気を排出する排出口と、ハウジング内の気体を排出口から吸引する吸引手段と、気体を上記排出口に導くガイド部材とを設けるとともに、上記基板を挟んで上記供給手段とは反対側に上記基板を加熱するための加熱手段を設け、上記ガイド部材の一部を上記保持手段で保持された基板の外周と対向させ、これら対向部間に隙間を維持して、この隙間を、出入口から取り込んだ気体を導く流路とする一方、上記基板は、処理液の蒸気が上記流路を介して基板の上方に流出する流れに対して、そのながれを抑制するカバーとして機能する構成にし、上記出入口から取り込まれた気体を、上記隙間からなる流路を通過させ、この気体とともに処理液の蒸気を排出口から排出させることを特徴とする。
［００１５］
［００１６］
［００１７］
第３の発明は、上記処理面に対して処理液を供給する供給手段と、この供給手段と同一方向から洗浄用の洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えたことを特徴とする。
発明の効果
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
［００１８］
第１〜３の発明によれば、処理面をハウジングの底部に向けて保持された基板の処理面に対して処理液を供給するので、基板の上方に処理液が飛び散ることはない。
さらに、処理面を底部に向けて保持された基板は、供給された処理液に対して遮蔽機能を発揮するので、ハウジングの天井を開口していても処理液は基板の上方へ直接飛び散ることはない。
また、取り込み口から取り込んだ気体とともに処理液の蒸気を排出口へ排出させるようにしているので、ハウジングの上方へ蒸気が上がったり、処理液が飛び散ったりせず、処理液や蒸気がハウジングの外に漏れたりしない。
［００１９］
これらの発明では、ハウジングの上面に基板の出入口を開口させているため、ハウジングの天井面に処理液や蒸気が付着しないので、天井面を洗浄する必要がなくなり、その分、処理効率を上げることができる。
また、気体の取り込み口を構成する開口が基板を出し入れするための出入口となるので、基板のセッティング作業が容易である。しかも、この基板を出し入れする出入口はほとん基板でふさがれ、基板との隙間が気体の取り込み口となるので、取り込み口が基板を出し入れするだけの大きさを備えていたとしても、この開口から処理液が飛散したりしない。
上記のように基板が出入口の開口を塞ぐカバーとしても機能しているので、特別にカバーを備える必要がない。従って、カバーを必要とする場合に比べて部品点数も少なくなり、ハウジングの構造を単純にできる。また、カバーを備えたときにはその洗浄や乾燥が必要になるが、この発明では洗浄や乾燥も不要になる。
また、基板をはさんで、処理液の供給手段と反対側に加熱手段を設けて、基板の裏面を加熱するようにしたので、加熱手段が処理液によって汚されたりせず、その加熱能力が落ちることもない。
このように加熱手段の加熱能力が落ちたりしないので、基板を効率よく加熱できる。基板が効率よく加熱されれば、処理面に供給された処理液の化学反応が促進され、基板の処理面の付着物を効率よく除去できる。上記のように基板を効率よく加熱できるので、余分なエネルギーを消費することがなく、省エネルギーを実現できる。
また、基板を回転させることができるので、処理液を処理面に供給したときに、その処理液を全面に均一に導くことができる。このように処理液を処理面全体に均一に導くことができるので、均一な除去処理ができる。
また、基板の回転によって処理液を全面に均一に導くことができるので、供給手段に処理面に対する散布機能を持たせなくてもよく、供給手段の構成を単純化できる。
また、付着物を除去処理した後、基板を保持したまま、保持手段の回転数を上げれば、処理面の処理液を外周方向へ飛ばして、基板を簡単に乾燥させることもできる。
さらに、加熱手段で基板を加熱する場合にも、基板を回転させれば、基板全面を均一に加熱することが容易にできる。
［００２０］
第２の発明では、上記の効果を有するほか、ガイド部材によってハウジング内の処理液の蒸気を、排出口へスムーズに導くことができる。これにより、処理液の蒸気が基板の上方へ上がることをより良く防止できる。
また、基板の周囲に対向するガイド部材と基板との間から気体を取り込んで、その流れによって処理面近傍に発生した処理液の蒸気を排出口へより確実に導くことができる。
［００２１］
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
［００２２］
［００２３］
［００２４］
［００２５］
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
［００２６］
第３の発明によれば、処理液によって処理した基板を、保持手段によって保持したまま、洗浄液で洗浄することができる。特に、洗浄液を処理液の供給と同じ方向から供給して基板を洗浄するので、この洗浄液は処理液と同じ方向に飛び散る。このように、洗浄液が処理液と同じ方向に飛び散るので、処理液が付着したハウジングの内壁を、基板と同時に洗浄することもできる。
図面の簡単な説明
［００２７］
［図１］この発明の第１実施形態を示す概略構成図である。
［図２］第１参考例を示す概略構成図である。
［図３］第２参考例を示す概略構成図である。
［図４］この発明の第２実施形態を示す概略構成図である。
発明を実施するための形態
［００２８］
図１は、この発明の第１実施形態である基板処理装置の構成を示す図である。
この基板処理装置は、半導体基板から薄膜であるレジストを除去するための枚葉式の処理装置である。
そして、この第１実施形態では、レジストを除去するための処理液としてＳＰＭ（硫酸過水）を利用することを想定しているが、ＳＰＭとは硫酸と過酸化水素水との混合液を言い、これら硫酸と過酸化水素水とが反応してレジストを溶解するカロ酸が生成されるが、このＳＰＭを加熱することによって、カロ酸の生成がさらに促されるものである。
［００２９］
この処理装置のハウジング１は、上面に円形の開口１ａを備えている。この開口１ａは、この処理装置で処理する基板３をハウジング１に出し入れするために必要な最小限の大きさを備えている。言い換えれば、開口１ａの直径を、基板３の直径より僅かに大きくしている。
［００３０］
また、上記ハウジング１内には、回転テーブル２を備えているが、この回
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
１ａに対応する範囲内から退避可能にしているが、基板３をハウジング内に出し入れする際などの行程でじゃまにならなければ、赤外線ランプ１３や送水パイプ１６を開口１ａの近傍で固定式にしてもよい。
［００５４］
図２は、第１参考例の構成を示す図である。
この基板処理装置も、半導体基板からレジストを除去するための枚葉式の処理装置である。なお、上記第１実施形態と同様の構成要素は、図１と同じ符号を用いて説明するが、第１実施形態と同一の構成は、次のとおりである。
［００５５］
この第１参考例においても、ハウジング１７内に回転テーブル２を設け、この回転テーブル２には挟持手段４を設けている。そして、この挟持手段４には、基板３の処理面３ａをハウジング１７の底面１７ｄに向けて保持させる。
また、処理液の供給手段は処理液パイプ８と送液手段１０とからなり、洗浄液供給手段は送水パイプ９および送水手段１１からなる。
そして、これらの構成は、上記第１実施形態と同一である。
［００５６］
上記のように第１実施形態と同一の構成を持つ第１参考例においては、ハウジング１７の構成が第１実施形態とは大きく異なる。すなわち、ハウジング１７は本体１７ａに開閉可能なふた部１７ｂを設け、このふた部１７ｂを開けて基板３を出し入れする構成にしている。
そして、上記回転テーブル２上に基板３をセッティングして上記ふた部１７ｂを閉じたときには、ハウジング１７の天井面であるふた部１７ｂの内側が基板３の裏面と対向する。
従って、基板３の処理面３ａに処理液を供給したとき、処理液に対して基板３が遮蔽機能を発揮するので、処理液が天井面に付着しない。
［００５７］
また、上記ふた部１７ｂの中央には、エアを取り込むための取り込み口１７ｃを形成するとともに、本体１７ａの底面１７ｄには、エアを排出するための排出口１７ｅを形成し、この排出口１７ｅを吸引手段１２に接続してい
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
る。
従って、上記吸引手段１２によってハウジング１７内を吸引すると、上記取り込み口１７ｃから排出口１７ｅに向かう気流が形成される。
なお、この第１参考例では、ハウジング１７の上方に、第１実施形態のような加熱手段としての赤外線ランプ１３を設けていない。そのため、ＳＰＭの供給過程でそれを予め加熱する図示していない加熱手段を別に備えている。
［００５８］
さらに、上記ふた部１７ｂには、基板３に純水を供給する送水パイプ１６を固定し、この送水パイプ１６には図示しない送水手段を接続している。従って、ふた部１７ｂを閉じた状態で、この送水パイプ１６から純水を供給すれば、回転テーブル２上に保持された基板３の裏面を洗浄できることになる。
［００５９］
次に、この第１参考例の装置によって、基板３の処理面３ａからレジストを除去する工程を説明する。
まず、ハウジング１７のふた部１７ｂを開いて、処理面３ａを回転テーブル２に対向させた状態で、基板３を回転テーブル２上にセッティングする。
基板３をセッティングしたら、ふた部１７ｂを閉じ、モーターＭを駆動して回転テーブル２をゆっくり回転させる。このとき上記吸引手段１２を駆動して、ハウジング１７内を吸引し、上記開口１７ｃから上記排出口１７ｅへ向かう気流を形成しておく。
［００６０］
上記のように回転テーブル２をゆっくり回転させたら、送液手段１０を制御して処理液パイプ８から予め加熱したＳＰＭを供給する。
また、上記第１実施形態と同様に、処理液パイプ８の先端は、挟持部材４で挟持された基板３の中心部分に対向させている。そのため、処理液パイプ８から放出されたＳＰＭは、処理面３ａの中心部分に供給される。このように処理面３ａの中心部分に供給されたＳＰＭは、基板３の回転によって円周方向に広がりながら外周に向かって流れ、その過程でレジストを除去する。
［００６１］
上記の工程でＳＰＭによる処理が終了したら、送液手段１０を停止して、
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
送水手段１１及び図示しない送水手段を制御して、送水パイプ９及び１６から純水を供給し、基板３の両面を同時に水洗する。
このとき、回転テーブル２を回転させているので、基板３の両面に供給した純水が外周に向かって広がりながら、基板３の両面を洗い流すことができる。
［００６２］
また、ハウジング１７内では、送水パイプ９から供給された純水が基板３の回転によって外周方向へ導かれ、この純水がハウジング１７の内壁に衝突するので、基板３の洗浄とともにハウジング１７の内壁も洗浄できる。
その後、送水を停止し、上記第１実施形態と同様に、モーターＭの回転数を上げて、遠心力で水分を完全に飛ばせば、基板３に水跡を付けずに短時間で乾燥させることができる。
なお、回転テーブル２と基板３の処理面３ａとの対向間隔を狭くした状態で、回転テーブル２の回転数を上げると、上記対向間隔内が負圧になる傾向がある。負圧になったときにそれを放置しておくと、ハウジング内の異物が上記対向間隔内に吸い込まれて、それが処理面３ａに付着してしまう恐れがある。
これを防止するために、この参考例では回転数を上げたとき、上記対向間隔内に窒素ガスを供給して負圧が発生しないようにしている。
［００６３］
この第１参考例の装置も、基板３の裏面がハウジング１７の天井面に対向し、処理面３ａを底部１７ｄに向けているので、処理面３ａに対して供給されるＳＰＭがハウジング１７の天井面に直接付着することがない。
また、ふた部１７ｂに形成した取り込み口１７ｃから取り込まれるエアの流れによって、ＳＰＭの蒸気がハウジング１７の底面１７ｄに形成した排出口１７ｅへ導かれるので、ハウジング１７内の天井面に蒸気が付着することもない。
従って、ハウジング１７のふた部１７ｂを開けて、天井面に付着したＳＰＭを洗い落とす工程が必要なく、基板３の処理が効率的にできる。
また、基板３を水洗する際に、ハウジング１７内に付着しているＳＰＭも
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
同時に洗浄できる。
［００６４］
なお、この第１参考例では、基板３を加熱するための加熱手段を設けていないが、ハウジング１７の上方に加熱手段として赤外線ランプなどを設けてもよい。その場合には、ふた部１７ｂであって基板３に対応するエリアに、赤外線を透過するための赤外線導入口を形成する必要がある。赤外線導入口は開放してもよいし、赤外線を透過するガラスなどで覆ってもよい。
いずれにしても、上記処理液パイプ８から処理面３ａに対して供給されるＳＰＭは、基板３で遮られるとともに、蒸気は底面の排出口１７ｅから排出されるので、ふた部１７ｂに形成した赤外線導入口からＳＰＭや蒸気が飛び出したり、蒸気で曇ってしまったりすることがない。つまり、赤外線導入口を介して、基板３の裏面を確実に加熱することができる。
［００６５］
さらに、第１参考例ではふた部１７ｂを開閉して基板３を出し入れする構成にしたが、ハウジング１７の天井面を完全に塞いで、基板３はハウジング１７の側面から出し入れするようにしてもよい。この場合においても、気体の取り込み口と排出口との関係は、第２実施形態と同じである。すなわち、基板３の処理面３ａより上方に設けた気体の取り込み口１７ｃから、処理面３ａの下方に設けた排出口１７ｅへ気流を作って処理液の蒸気を排出するようにする。
上記ようにハウジングの天井面を完全に塞いだとしても、その天井面には処理液や蒸気が付着しないので、その天井面を洗浄する必要はない。従って、天井面を完全に塞いだとしても何ら問題はない。
［００６６］
なお、上記第１実施形態及び第１参考例では、エアの取り込み口１ａ、１７ｃをハウジング１，１７の天井面に形成し、排出口１ｃ，１７ｅをハウジング１，１７の底面１ｂ，１７ｄに形成しているが、これらの位置は、上記実施形態の位置に限らない。
上記取り込み口１ａ、１７ｃを、基板３の処理面３ａと同一レベルもしくはそれよりも上方に設け、排出口１ｃ，１７ｅを上記取り込み口１ａ、１７ｃよりも下方に設けた位置関係を維持すれば、上記実施形態のように、上記
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
処理面３ａの外周から上昇しようとする蒸気を上からの気流によって確実に下方へ押さえ込むことができ、蒸気がハウジング１，１７の外に漏れないようにできる。
また、上記の取り込み口が上記処理面と同一レベルにあるとは、上記取り込み口１ａ、１７ｃの開口の範囲内に処理面のレベルが含まれることをいう。
［００６７］
但し、ハウジング内でエアの流れを形成できれば、取り込み口と排出口との位置は、上記第１実施形態または第１参考例のものに限らないだけでなく、取り込み口と排出口との上下関係も限定されない。
図３には、エアの取り込み口１７ｆを排出口１７ｇよりも下方に設けた第２参考例の基板処理装置の構成を示している。
この第２参考例の基板処理装置も、半導体基板からレジストを除去するための枚葉式の処理装置であり、気体の取り込み口及び排出口の位置が、上記第１参考例と異なるが、その他の構成は第１参考例と同じである。そこで、上記第１参考例と同様の構成要素には図２と同じ符号を用い、各要素の詳細な説明は省略する。
［００６８］
この第２参考例の基板処理装置は、第１参考例と同様に、本体１７ａと開閉可能なふた部１７ｂとからなるハウジング１７を備え、ふた部１７ｂを開けて基板３を出し入れする構成にしている。
但し、この第２参考例では、ふた部１７ｂには開口を形成せず、本体１７ａの側面に気体の取り込み口１７ｆ及び排出口１７ｇを設けている。そして、上記取り込み口１７ｆを、基板の処理面３ａよりも下方に設けるとともに、この取り込み口１７ｆよりも排出口１７ｇを上方に設けている。また、この排出口１７ｇを吸引手段１２に接続し、この上記吸引手段１２によってハウジング１７内を吸引してハウジング１７内に排出口１７ｇに向かう気流が形成されるようにしている。
［００６９］
このようにした第２参考例の基板処理装置も、上記第１参考例と同様にして基板３の処理面３ａからレジストを除去することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
すなわち、ハウジング１７内で、処理面３ａを回転テーブル２に対向させた状態で、基板３を回転テーブル２上にセッティングし、底面１７ｄ側から処理面３ａに処理液を供給してレジストを除去する。
上記のようにレジストを除去する際には、上記吸引手段１２を駆動して、ハウジング１７内を吸引しておくようにする。
従って、この第２参考例においても、処理液であるＳＰＭの蒸気は排出口１７ｇから排出され、ハウジング１７から外部へ漏れ出ることはない。
［００７０］
なお、この第２参考例では、エアの取り込み口１７ｆが基板３の処理面３ａよりも下方であって、しかも、排出口１７ｇよりも下方に設けられている。そのため、取り込み口１７ｆから取り込まれたエアが直接排出口１７ｇへ向かうような気流が形成されたのでは、蒸気を効率的に排出することは難しい。しかし、実際には、吸引手段１２が取り込み口１７ｆから直接エアを吸引することにはならず、ハウジング１７内全体の気体を吸引することになる。特に、上記回転テーブル２が回転したり、処理液を供給したりすることによってハウジング１７内の気流は乱れるため、取り込み口１７ｆから排出口１７ｇに向かう気流のみを形成することはほとんど不可能である。そのため、この第２参考例の基盤処理装置でも、ハウジング１７内の処理液の蒸気を排出口１７ｇから排出することができる。
但し、取り込み口を処理面の近傍に設け、排出口をそれよりも下方に設ければ、処理液の蒸気を強引に排出口へ導く気流を、より形成しやすくなる。
［００７１］
また、上記回転テーブル２上に基板３をセッティングして上記ふた部１７ｂを閉じたときには、ハウジング１７の天井面であるふた部１７ｂの内側が基板３の裏面と対向する。
従って、基板３の処理面３ａに処理液を供給したとき、処理液に対して基板３が遮蔽機能を発揮するので、処理液が天井面に付着しない。そのため、処理液がハウジング１７の上方にから飛び出ることがないことはもちろん、ハウジング１７のふた部１７ｂを開けて、天井面に付着したＳＰＭを洗い落とす工程も必要なく、基板３の処理が効率的にできる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
［００７２］
図４に示す第２実施形態は、ハウジング１内に処理液の蒸気とともに気体を排出するための３個の排出口１ｄ，１ｅ，１ｆを設け、これら各排出口１ｄ，１ｅ，１ｆへ導くガイド部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃを備えている。
また、この第２実施形態では、基板３を保持する回転テーブル２の上下位置を変更可能にしている。具体的には、図示しない駆動手段によって、回転テーブル２に固定した筒部材５、処理液パイプ８及び送水パイプ９を、それに付随する部材との連結を維持したまま上下に移動させるようにしている。
その他の構成は、図１に示す第１実施形態と同じであり、第１実施形態と同様の構成要素には、図１と同じ符号を用い、各要素の詳細な説明は省略する。
［００７３］
上記ガイド部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、中央を開口したコーン状の部材であって、筒部材５の軸方向にそれぞれ所定の間隔を保ってハウジング１の内壁に設けられている。
そして、これら各ガイド部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃの基端側であって、上段のガイド部材１８ａと中段のガイド部材１８ｂとの間に、排出口１ｄを、上記中段のガイド部材１８ｂと下段のガイド部材１８ｃとの間に排出口１ｅを、下段のガイド部材１８ｃの下方に排出口１ｆを設けている。
また、各排出口には吸引手段１２ａ，１２ｂ，１２ｃを接続し、ハウジング１内の処理液の蒸気を含んだ気体を排出可能にしている。
［００７４］
つまり、上記ガイド部材１８ａ及び１８ｂが処理液の蒸気を排出口１ｄへ導くガイド部材であり、ガイド部材１８ｂ及び１８ｃが蒸気を排出口１ｅへ導くガイド部材であり、ガイド部材１８ｃが蒸気を排出口１ｆへ導くガイド部材である。
例えば、基板３の周囲を上段のガイド部材１８ａの一部である先端に対向するように調整し、吸引手段１２ａを作動させてから処理を開始すれば、処理面３ａに供給された処理液の蒸気は上記ガイド部材１８ａ及び１８ｂによって排出口１ｄへ導かれる。
［００７５］
また、基板３の周囲を中段のガイド部材１８ｂの先端に対向させ、吸引手
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
段１２ｂを作動させれば、処理液の蒸気は排出口１ｅに導かれ、基板３の周囲を下段のガイド部材１８ｃの先端に対向させて吸引手段１２ｃを作動させれば、処理液の蒸気は排出口１ｆへ導かれることになる。
このように、基板３の位置によって蒸気が導かれる排出口を変えることができる。従って、処理液の種類によって基板３の位置を変更し、排出口を使い分けるようにすれば、吸引手段１２ａ，１２ｂ，１２ｃ側で、処理液を種類別に分離回収することができ、廃棄処理やリサイクルがスムーズにできるというメリットもある。
［００７６］
なお、上記基板３の周囲をガイド部材の先端に対向させるとは、基板３の高さを調整して、基板３の周囲をガイド部材の先端に近づけるということで、基板３の高さ位置とガイド部材の先端位置とが厳密に一致する必要はないし、基板３とガイド部材のどちらかが多少上下していてもかまわない。但し、基板３の処理面３ａが、気体を導くガイド部材の先端よりも下方に位置している方が、処理液の蒸気などを確実に排出することができる。さらに、基板３の裏面を、ガイド部材の先端と同等の高さ位置あるいはガイド部材の先端よりも下方に位置させれば、裏面側から洗浄液等を供給した場合に、その洗浄液等を排気口から排出することもできる。
［００７７］
この第２実施形態の基板処理装置も、上記第１実施形態と同様にして基板３の処理面３ａからレジストを除去することができる。
すなわち、ハウジング１内で、処理面３ａを回転テーブル２に対向させた状態で、基板３を回転テーブル２上にセッティングし、底面１ｂ側から処理面３ａに処理液を供給してレジストを除去する。
但し、この第２実施形態では、基板３の周囲をいずれかのガイド部材の先端に対向させてから処理を開始する。また、ガイド部材に対応する吸引手段を作動させるようにする。
［００７８］
例えば、図４に示すように、上段のガイド部材１８ａの先端位置に基板３の周囲を対向させた場合には、吸引手段１２ａのみを作動させる。そして、基板３の処理を開始すると、ハウジング１の天井に形成した開口１ａから吸
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
い込まれたエアが、ガイド部材１８ａによって排出口１ｄへ導かれ、処理液を排出するための気流が形成される。
従って、この第２実施形態においては、処理液であるＳＰＭの蒸気は排出口１ｄから排出され、ハウジング１から外部へ漏れ出ることはない。
［００７９］
また、ＳＰＭ以外の処理液を使用する場合には、基板３の周囲を他のガイド部材、例えばガイド部材１８ｂの先端に対向させてから、吸引手段１２ｂを作動させるようにすることができる。このようにすれば、処理液の蒸気は、上記開口１ａから取り込まれたエアとともに、ガイド部材１８ｂによって排出口１ｅに導かれる。この場合も、処理液の蒸気は排出口１ｅから排出され、ハウジング１から外部へ漏れ出ることはない。
［００８０］
なお、この第２実施形態では、３個のガイド部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃと、排出口１ｄ，１ｅ，１ｆを設けているが、ガイド部材および排出口の数はいくつでも良い。処理液を種類ごとに分離して排出したい場合には、処理液の種類に応じた排出口と、各排出口へ気体を導くガイド部材が必要である。
また、処理液の種類を分離する必要がない場合であても、ガイド部材を設ければ、取り込み口から取り込んだエアを排出口へ導き、処理液の蒸気を効率的に排出する気流を形成できる。
なお、上記第２実施形態では、各ガイド部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃの先端が、この発明の「上記保持部材に保持された基板の周囲に対向するガイド部材の一部」であるが、上記一部は、基板の周囲に対向する部分であり、ガイド部材の形状によっては必ずしも先端ではない。
［００８１］
上記第１，第２実施形態及び第１，第２参考例では、取り込み口からエアを取り込むようにしているが、ハウジング内に取り込む気体は、処理液や基板に影響を与えないものならば、その種類は限定されない。
また、取り込み口から、ハウジング内へ気体を取り込む手段も、排気口に接続した吸引手段のほか、取り込み口から圧力を掛けて気体をハウジング内へ押し込むようにしてもよい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
［００８２］
さらに、上記第２実施形態のように複数の排出口を設けない場合であっても、上記取り込み口から取り込まれた気体が、ハウジング内の処理液の蒸気とともに排出口から効率的に排出させるため、ハウジング内にガイド部材を形成するようにしてもよい。
また、上記第１，第２実施形態では、ハウジング１，１７内で、基板３を水平に保持するようにしているが、処理面３ａがハウジングの底部側に向いていれば基板３は水平でなくてもよい。
［００８３］
なお、上記では処理面３ａに形成されたレジストを除去処理する装置を例に説明したが、この発明の基板処理装置は、レジスト以外の薄膜や、その他の付着物を除去処理する装置としても有用である。但し、除去処理する物質に応じた処理液を選択する必要がある。例えば、窒化膜の除去処理のために燐酸を用いたり、ＨＰＭ（塩酸過水）や、ＡＰＭ（アンモニア過水）を用いたりして、処理面３ａ上の種々の薄膜やパーティクルなどの付着物を上記レジストの除去処理と同様に処理することができる。
そして、複数の処理液を供給するために、処理液ごとの処理液パイプを上記筒部材５内に設ければ、複数の処理を同一装置で行なうことができる。
いずれにしても、処理液の蒸気が付着したハウジングの天井面やカバー部材を、改めて洗浄する洗浄工程を不要にできる。
［００８４］
さらに、上記実施形態では、基板を加熱する手段として赤外線ランプを用いているが、処理液が付着することがないように非接触で基板を加熱できるものならば、加熱手段は赤外線ランプに限らない。例えば、加熱手段としてはマイクロ波照射も考えられる。但し、マイクロ波照射では設備コストが高くなってしまうので、赤外線を利用した加熱手段の方がコスト的に有利である。また、赤外線を利用する場合であっても、ランプに限らず、赤外線ヒータを用いることもできる。
産業上の利用可能性
［００８５］
この発明は、半導体基板のほか、液晶ガラス基板、プラズマディスプレイ基板などの薄膜の除去処理に利用できる。
【国際調査報告】
2011074521.tif 000007
2011074521.tif 000008
2011074521.tif 000009