(57)【要約】  本発明の一形態にかかる配線基板は、貫通孔であるビア孔が形成された無機絶縁層とビア孔内に形成された貫通導体であるビア導体とを備え、無機絶縁層は、互いに接続した第１無機絶縁粒子と、該第１無機絶縁粒子よりも粒径が大きく、第１無機絶縁粒子を介して互いに接続された第２無機絶縁粒子と、を含むとともに、ビア孔Ｖの内壁に、第２無機絶縁粒子の少なくとも一部を含む凸部を有しており、該凸部は、ビア導体に被覆されている。
2012029622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が形成された無機絶縁層と前記貫通孔内に形成された貫通導体とを備え、
前記無機絶縁層は、互いに接続した第１無機絶縁粒子と、該第１無機絶縁粒子よりも粒径が大きく、前記第１無機絶縁粒子を介して互いに接続された第２無機絶縁粒子と、を含むとともに、前記貫通孔の内壁に、前記第２無機絶縁粒子の少なくとも一部を含む凸部を有しており、
該凸部は、前記貫通導体に被覆されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記無機絶縁層上に配された樹脂層をさらに備え、
前記貫通孔は、前記無機絶縁層および前記樹脂層の双方を貫通するとともに、前記無機絶縁層に位置する第１貫通部と、前記樹脂層に位置する第２貫通部と、を有し、
前記第１貫通部の内壁の十点平均粗さは、前記第２貫通部の内壁の十点平均粗さよりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記無機絶縁層上に配された樹脂層をさらに備え、
前記貫通孔は、前記無機絶縁層および前記樹脂層の双方を貫通し、且つ前記無機絶縁層側から前記樹脂層側に向って径が小さくなっているとともに、前記無機絶縁層に形成された第１貫通部と、前記樹脂層に形成された第２貫通部と、を有し、
前記貫通孔の貫通方向に対する前記第１貫通部の内壁の傾斜角は、前記貫通方向に対する前記第２貫通部の内壁の傾斜角よりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、
前記無機絶縁層における前記貫通孔の内壁の十点平均粗さは、前記無機絶縁層における主面の十点平均粗さよりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、
前記無機絶縁層は、前記貫通孔の内壁に、少なくとも一部が前記無機絶縁層に埋設された前記第２無機絶縁粒子が前記無機絶縁層から剥離してなる凹部を有し、
該凹部には、前記貫通導体の一部が充填されていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第２無機絶縁粒子は、球状であることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１無機絶縁粒子は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲であり、
前記第２無機絶縁粒子は、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲であることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１に記載の配線基板において、
前記無機絶縁層は、酸化ケイ素からなり、
前記貫通導体は、銅からなることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１に記載の配線基板と、
該配線基板に実装され、前記貫通導体に電気的に接続された電子部品と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）等に使用される配線基板およびその実装構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。例えば、特開平２−２５３９４１号公報には、セラミック層を備えた配線基板が記載されている。【０００３】
ところで、配線に接続された貫通導体をセラミック層に形成すると、配線基板に熱が印加された際に、セラミック層と貫通導体との熱膨張率の違いに起因して、セラミック層と貫通導体との間に熱応力が印加されるため、セラミック層と貫通導体とが剥離しやすい。その結果、セラミック層と貫通導体とが剥離すると、セラミック層と貫通導体との間に印加されていた熱応力が、貫通導体と配線との接続箇所に集中しやすくなるため、該接続箇所に断線が生じやすくなり、ひいては配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【発明の概要】
【０００４】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【０００５】
本発明の一形態にかかる配線基板は、貫通孔が形成された無機絶縁層と前記貫通孔内に形成された貫通導体とを備える。前記無機絶縁層は、互いに接続した第１無機絶縁粒子と、該第１無機絶縁粒子よりも粒径が大きく、前記第１無機絶縁粒子を介して互いに接続された第２無機絶縁粒子と、を含むとともに、前記貫通孔の内壁に、前記第２無機絶縁粒子の少なくとも一部を含む凸部を有している。該凸部は、前記貫通導体に被覆されている。
【０００６】
本発明の一形態にかかる実装構造体は、上記配線基板と、該配線基板に電気的に接続された電子部品と、を備えている。
【０００７】
本発明の一形態にかかる配線基板によれば、無機絶縁層と貫通導体との接着強度を高めることができるため、無機絶縁層と貫通導体との剥離を低減することができる。それ故、電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（ａ）本発明の第１実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、図１（ｂ）は、図１に示した実装構造体のＲ１部分を拡大して示した断面図である。
【図２】図２（ａ）は、２つの第１無機絶縁粒子が接続した様子を模式的に表したものであり、図２（ｂ）は、第１無機絶縁粒子および第２無機絶縁粒子の接続構造を表した、無機絶縁層を厚み方向に切断した断面図の拡大図である。
【図３】図３は、第１貫通部の内壁における凸部および凹部を模式的に表したものである。
【図４】図４（ａ）、図４（ｂ）および図４（ｃ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図３（ｄ）は、図３（ｃ）のＲ２部分を拡大して示した断面図である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）および図５（ｃ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図６】図６（ａ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＲ３部分を拡大して示した断面図である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図８】図８（ａ）は、実施例の絶縁層を厚み方向に切断した後、樹脂で封止した断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真であり、図８（ｂ）は、実施例の絶縁層を厚み方向に切断した後、樹脂で封止していない断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１０】
図１（ａ）に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と該電子部品２が実装された配線基板３とを含んでいる。
【００１１】
電子部品２は、例えばＩＣまたはＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電材料からなるバンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。
【００１２】
配線基板３は、コア基板５とコア基板５の上下に形成された一対の配線層６とを含んでいる。
【００１３】
コア基板５は、配線基板３の剛性を高めつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、スルーホールＴが形成された基体７と、スルーホールＴ内に形成された筒状のスルーホール導体８と、スルーホール導体８に取り囲まれた領域に形成された柱状の絶縁体９を含んでいる。
【００１４】
基体７は、コア基板５の剛性を高めるものであり、例えば樹脂部と該樹脂部に被覆された基材と樹脂部に被覆された無機絶縁フィラーとを含む。基体７の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。また、基体７の平面方向への熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定され、基体７の厚み方向への熱膨張率は、例えば３０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、基体７は、基材を含まなくても構わないし、無機絶縁フィラーを含まなくても構わない。
【００１５】
ここで、基体７の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７−１９９１に準じた測定方法により測定される。また、基体７の誘電正接は、ＪＩＳＲ１６２７−１９９６に準じた共振器法により測定される。以下、各部材の熱膨張率および誘電正接は、基体７と同様に測定される。
【００１６】
基体７の樹脂部は、基体７の主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂により形成されている。
【００１７】
基体７の基材は、基体７の剛性を高めるものである。基材としては、繊維により構成された織布もしくは不織布または繊維を一方向に配列したものを使用することができ、繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維または金属繊維等を使用することができる。
【００１８】
基体７の無機絶縁フィラーは、基体７の熱膨張率を低減するとともに、基体７の剛性を高めるものであり、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウム等の無機絶縁材料からなる複数の粒子により構成されている。無機絶縁フィラーの粒子は、粒径が例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、無機絶縁フィラーは、基体７の樹脂部と無機絶縁フィラーの体積の合計に対する無機絶縁フィラーの体積の割合が例えば３体積％以上６０体積％以下に設定されている。
【００１９】
スルーホールＴは、基体７を厚み方向に沿って貫通しており、円柱状に形成されている。スルーホールＴの最大径は、例えば１５μｍ以上１８０μｍ以下に設定されている。
【００２０】
スルーホール導体８は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、例えば銅、銀、金もしくはニッケルまたはそれらの合金等の導電材料により形成されている。また、スルーホール導体８の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２１】
絶縁体９は、後述するビア導体１２を支持するものであり、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されている。
【００２２】
一方、コア基板５の上下面には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、ビア孔（貫通孔）Ｖが形成された絶縁層１０と、基体７上または絶縁層１０上に部分的に形成された導電層１１と、ビア孔Ｖに形成され、導電層１１に接続されたビア導体（貫通導体）１２と、を含んでいる。
【００２３】
絶縁層１０は、導電層１１同士の短絡を抑制する絶縁部材として機能するものであり、基体７上または他の絶縁層１０上に形成された樹脂層１３と、該樹脂層１３上に形成された無機絶縁層１４と、を含んでいる。
【００２４】
樹脂層１３は、基体７と無機絶縁層１４との間、または無機絶縁層１４同士の間に介されており、基体７と無機絶縁層１４との接着部材、または無機絶縁層１４同士の接着部材として機能するものである。また、樹脂層１３は、無機絶縁層１４よりもヤング率が低く、弾性変形しやすいため、配線基板３に応力が印加された際に、樹脂層１３によって無機絶縁層１４に印加される応力を緩和することができ、ひいては該応力に起因した無機絶縁層１４のクラックを低減できる。
【００２５】
樹脂層１３は、樹脂部と該樹脂部に被覆された無機絶縁フィラーとを含んでいる。樹脂層１３の厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下に設定されている。また、樹脂層１３の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、樹脂層１３のヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下に設定されている。なお、樹脂層１３は、無機絶縁フィラーを含まなくても構わない。
【００２６】
ここで、樹脂層１３のヤング率は、ＭＴＳ社製ナノインデンターＸＰを用いて、ＩＳＯ１４５７７−１：２００２に準じた方法で測定される。以下、各部材のヤング率は、樹脂層１３と同様に測定される。
【００２７】
樹脂層１３の樹脂部は、樹脂層１３の主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂によって形成されている。
【００２８】
樹脂層１３の無機絶縁フィラーは、基体７に含まれる無機絶縁フィラーと同様の構成および作用を有するものである。
【００２９】
無機絶縁層１４は、樹脂材料と比較して剛性の高い無機絶縁材料により構成されていることから、配線基板３の剛性を高める機能を有する。また、無機絶縁層１４の熱膨張率は、樹脂材料の熱膨張率と比較して低いため、配線基板３の平面方向への熱膨張率を電子部品２の平面方向への熱膨張率に近づけることができ、熱応力に起因した配線基板３の反りを低減できる。
【００３０】
この無機絶縁層１４は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム等の無機絶縁材料により形成することができ、なかでも、低誘電正接および低熱膨張率の観点から、酸化ケイ素を用いることが望ましい。
【００３１】
また、無機絶縁層１４は、アモルファス（非晶質）状態の無機絶縁材料により形成されたものであることが望ましい。その結果、無機絶縁層１４は、結晶状態の無機絶縁材料と比較して、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができる。それ故、配線基板３が加熱された場合、加熱後の冷却の際に無機絶縁層１４の収縮を各方向にてより均一にすることができ、ひいては無機絶縁層１４におけるクラックの発生を低減できる。
【００３２】
このアモルファス状態の無機絶縁材料としては、例えば酸化ケイ素を９０質量％以上含むものを用いることができ、なかでも、酸化ケイ素を１００質量％含むものを用いることが望ましい。酸化ケイ素を１００質量％未満含むものを用いる場合は、酸化ケイ素の他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウムまたは酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料を含むものを用いても構わない。なお、アモルファス状態である無機絶縁材料は、結晶相の領域が例えば１０体積％未満に設定されており、なかでも５体積％未満に設定されていることが望ましい。
【００３３】
ここで、酸化ケイ素の結晶相領域の体積比は、以下のように測定される。まず、１００％結晶化した試料粉末と非晶質粉末とを異なる比率で含む複数の比較試料を作製し、該比較試料をＸ線回折法で測定することにより、該測定値と結晶相領域の体積比との相対的関係を示す検量線を作成する。次に、測定対象である調査試料をＸ線回折法で測定し、該測定値と検量線とを比較して、該測定値から結晶相領域の体積比を算出することにより、調査資料の結晶相領域の体積比が測定される。
【００３４】
無機絶縁層１４は、例えば平板状に形成されており、その厚みが例えば３μｍ以上３０μｍ以下に設定されている。また、無機絶縁層１４のヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定され、および／または樹脂層１３のヤング率の例えば２倍以上２０倍以下に設定される。また、無機絶縁層１４の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定され、および／または樹脂層１３の平面方向および厚み方向への熱膨張率の例えば０．０１倍以上０．０２倍以下に設定されている。
【００３５】
一方、図１（ｂ）に示すように、無機絶縁層１４は、第１無機絶縁粒子１４ａと該第１無機絶縁粒子１４ａよりも粒径が大きい第２無機絶縁粒子１４ｂとを含む。この第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂは、上述した無機絶縁層１４を構成する無機絶縁材料により形成することができる。また、無機絶縁層１４は、第１無機絶縁粒子１４ａを例えば２０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１４ｂを例えば１０体積％以上８０体積％以下含んでいる。
【００３６】
第１無機絶縁粒子１４ａは、粒径が第２無機絶縁粒子１４ｂよりも小さく、図２（ａ）に示すように互いに接続するとともに、第２無機絶縁粒子１４ｂに接続している。その結果、無機絶縁層１４を緻密にし、無機絶縁層１４の剛性を高めることができる。なお、第１無機絶縁粒子１４ａ同士が互いに接続している領域を接続領域１４ａｚとする。図２（ａ）に示した第１接続領域１４ｚ１のように第１無機絶縁粒子１４ａ同士はネック構造を介して接続している。また、図２（ｂ）に示すように、第１無機絶縁粒子１４ａは、第１無機絶縁粒子１４ａ同士の場合と同様に、ネック構造である第２接続領域１４ｚ２を介して第２無機絶縁粒子１４ｂと接続している。なお、このネック構造によって生じる空隙Ｇには、樹脂層１３の一部（充填部１３ａ）が充填されている。
【００３７】
第１無機絶縁粒子１４ａは、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小に設定されていることが望ましい。その結果、無機絶縁層１４を緻密にできる。また、第１無機絶縁粒子１４ａ同士が結晶化開始温度未満にて互いに強固に接続するため、アモルファス状態の無機絶縁層１４において無機絶縁粒子同士の接続強度を高めることができ、クラックの発生を低減することができる。なお、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小に設定されていると、第１無機絶縁粒子１４ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、結晶化開始温度未満といった低温下でも第１無機絶縁粒子１４ａ同士が強固に接続すると推測される。
【００３８】
また、第１無機絶縁粒子１４ａは、球状であることが望ましい。その結果、第１無機絶縁粒子１４ａ間の空隙を低減することにより、無機絶縁層１４の内部構造を緻密にできる。
【００３９】
第２無機絶縁粒子１４ｂは、粒径が第１無機絶縁粒子１４ａよりも大きい。その結果、無機絶縁層１４にクラックが生じた場合、クラックの伸長が第２無機絶縁粒子１４ｂに達した際に、粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂの表面に沿って迂回するようにクラックが伸長することから、クラックの伸長に大きなエネルギーが必要となるため、クラックの伸長を低減することができる。したがって、該クラックが導電層１１に達することを低減することによって、該クラックを起点とした導電層１１の断線を低減することができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。
【００４０】
なお、第２無機絶縁粒子１４ｂは粒径が大きいため、第２無機絶縁粒子１４ｂ同士の接続強度は小さくなりやすいが、第２無機絶縁層１４ｂ同士は、粒径の小さい第１無機絶縁層１４ａを介して互いに接続しているため、第２無機絶縁層１４ｂ同士の剥離に起因したクラックの発生を低減することができる。
【００４１】
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されていることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１４ｂの粒径が０．５μｍ以上に設定されていることにより、無機絶層１１におけるクラックの伸長を効果的に抑制することができる。また、第２無機絶縁粒子１４ｂの粒径が５μｍ以下に設定されていることにより、第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂとの単位質量あたりの接触面積を増加させることができるため、第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂとの接続強度を高めることができる。
【００４２】
ここで、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂは、無機絶縁層１４の研摩面もしくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察することにより確認される。また、無機絶縁層１４における第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの含有量（体積％）は、無機絶縁層１４の研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、無機絶縁層１４における第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの面積比率（面積％）を測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより測定される。また、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの粒径は、無機絶縁層１４の研摩面もしくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより、測定される。
【００４３】
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、第１無機絶縁粒子１４ａを介して、互いに離間していることが望ましく、さらには、第１無機絶縁粒子１４ａに被覆されていることが望ましい。その結果、接続強度が低く且つ剥離しやすい第２無機絶縁粒子１４ｂ同士の接触領域を低減することにより、該接触領域に起因したクラックの発生および伸長を低減することができる。
【００４４】
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、球状であることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１４ｂの表面における応力を分散させることができ、第２無機絶縁粒子１４ｂの表面を起点とした無機絶縁層１４のクラックの発生を低減することができる。
【００４５】
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、第１無機絶縁粒子１４ａよりもヤング率が高いことが望ましい。その結果、クラックの伸長が第２無機絶縁粒子１４ｂに達した際に、該クラックが第２無機絶縁粒子１４ｂの内部へ伸長することを低減し、ひいては無機絶縁層１４におけるクラックの伸長を低減することができる。第１無機絶縁粒子１４ａのヤング率は、例えば７ＧＰａ以上１７ＧＰａ以下に設定されている。また、第２無機絶縁粒子１４ｂのヤング率は、例えば５０ＧＰａ以上７０ＧＰａ以下、および／または、第１無機絶縁粒子のヤング率の例えば３倍以上１０倍以下に設定されている。
【００４６】
また、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂは、同一材料からなることが望ましい。その結果、無機絶縁層１４において、第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂとの材料特性の違いに起因したクラックを低減することができる。
【００４７】
導電層１１は、無機絶縁層１４上に形成され、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するものである。導電層１１は、例えば銅、銀、金もしくはニッケルまたはそれらの合金等の導電材料により形成することができ、なかでも、高導電率の観点から銅を用いることが望ましい。また、導電層１１は、その厚みが３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。また、導電層１１の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、銅の熱膨張率は、１７ｐｐｍ／℃程度である。
【００４８】
ビア孔Ｖは、絶縁層１０を厚み方向に沿って貫通しており、底面が円形状であり無機絶縁層１４側から樹脂層１３側に向って径が小さくなるテーパー状に形成されている。ビア孔Ｖは、無機絶縁層１４に形成された第１貫通部Ｖ１と、樹脂層１３に形成された第２貫通部Ｖ２と、を含んでいる。第１貫通部Ｖ１の最大径は、例えば１５μｍ以上５０μｍ以下に設定され、第１貫通部Ｖ１の最小径は、例えば１３μｍ以上２５μｍ以下に設定されている。第２貫通部Ｖ２の最大径は、例えば１３μｍ以上２５μｍ以下に設定され、第２貫通部Ｖ２の最小径は、例えば１０μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。
【００４９】
ビア導体１２は、厚み方向に互いに離間した導電層１１同士を相互に接続するものである。ビア導体１２は、例えば銅、銀、金もしくはニッケルまたはそれらの合金等の導電材料により形成されており、なかでも、高導電率の観点から銅を用いることが望ましい。また、ビア導体１２の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定され，および／または樹脂層１３の平面方向および厚み方向への熱膨張率の例えば２８％以上６０％以下に設定され、および／または無機絶縁層１４の平面方向および厚み方向への熱膨張率の例えば２３倍以上３０倍以下に設定されている。
【００５０】
上述した本実施形態の配線基板３においては、絶縁層１０が樹脂層１３および無機絶縁層１４を有しており、樹脂層１３の厚み方向への熱膨張率がビア導体１２の厚み方向への熱膨張率よりも大きく、無機絶縁層１４の厚み方向への熱膨張率がビア導体１２の厚み方向への熱膨張率よりも小さい。したがって、絶縁層１０が樹脂層１３のみからなる場合または絶縁層１０が無機絶縁層１４のみからなる場合と比較して、絶縁層１０とビア導体１２との厚み方向への熱膨張率の差を低減することができる。それ故、配線基板３に熱が印加された場合に、絶縁層１０とビア導体１２との間に印加される厚み方向に沿った熱応力を緩和することができるため、絶縁層１０とビア導体１２との剥離を低減することができる。その結果、該剥離に起因したビア導体１２と導電層１１との接続箇所への熱応力の集中を低減することができるため、該接続箇所における断線を低減し、ひいては配線基板３の電気的信頼性を高めることができる。
【００５１】
ところで、無機絶縁層１４は、樹脂層１３と比較して、ヤング率が高く弾性変形しにくいため、無機絶縁層１４とビア導体１２との間に印加される熱応力が弾性変形によって緩和されにくい。
【００５２】
一方、本実施形態の配線基板３においては、無機絶縁層１４は、図１（ｂ）および図３に示すように、ビア孔Ｖの内壁に、すなわち第１貫通部Ｖ１の内壁に、第２無機絶縁粒子１４ｂの少なくとも一部を含む凸部１４ｐを有しており、該凸部１４ｐは、ビア導体１２に被覆されている。その結果、アンカー効果によって、無機絶縁層１４とビア導体１２との接着強度を高め、熱応力に起因した無機絶縁層１４とビア導体１２との剥離を低減することができる。その結果、該剥離を起点とした絶縁層１０とビア導体１２との剥離を低減することができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。なお、凸部１４ｐ１の高さは、例えば０．５μｍ以上３μｍ以下に設定されている。
【００５３】
このように、凸部１４ｐが第１貫通部Ｖ１の内壁に形成されることによって、第１貫通部Ｖ１の内壁の十点平均粗さ（Ｒｚ）は増加する。そして、第１貫通部Ｖ１の内壁の十点平均粗さは、樹脂層１３におけるビア孔Ｖの内壁、すなわち第２貫通部Ｖ２の内壁の十点平均粗さよりも高いことが望ましい。その結果、第１貫通部Ｖ１の内壁の十点平均粗さを高めることによって、熱応力が緩和されにくい無機絶縁層１４とビア導体１２との接着強度を高めつつ、第２貫通部Ｖ２の内壁の十点平均粗さを低減することによって、ビア導体１２の表面を平坦化して高周波信号の伝送特性を高めることができる。なお、第１貫通部Ｖ１の内壁の十点平均粗さは、例えば０．２μｍ以上２μｍ以下に設定され、第２貫通部Ｖ２の内壁の十点平均粗さは、例えば０．１μｍ以上０．５μｍ以下に設定されている。また、第１貫通部Ｖ１の内壁の十点平均粗さは、第２貫通部Ｖ２の内壁の十点平均粗さの例えば２倍以上１０倍以下に設定されている。
【００５４】
第１貫通部Ｖ１の内壁の十点平均粗さは、無機絶縁層１４の主面（導電層１１に隣接した一主面または導電層１１から離間した他主面）の十点平均粗さよりも高いことが望ましい。その結果、第１貫通部Ｖ１の内壁の十点平均粗さを高めることによって、熱応力が緩和されにくい無機絶縁層１４とビア導体１２との接着強度を高めつつ、無機絶縁層１４における主面の十点平均粗さを低減することによって、無機絶縁層１４の厚みのばらつきを低減できる。また、無機絶縁層１４における導電層１１に隣接した一主面の十点平均粗さを低減することによって、無機絶縁層１４の主面の平坦性を高め、無機絶縁層１４上に形成される導電層１１の電気的信頼性を高めるとともに、該導電層１１を微細化することができる。無機絶縁層１４の両主面の十点平均粗さは、例えば０．１μｍ以上０．３μｍ以下に設定され、および／または第１貫通部Ｖ１の十点平均粗さの例えば１０％以上３０％以下に設定されている。
【００５５】
凸部１４ｐに含まれる第２無機絶縁粒子１４ｂは、球状であることが望ましい。その結果、凸部１４ｐの表面を曲面状、さらには球面状とすることができるため、無機絶縁層１４とビア導体１２との間の熱応力を凸部１４ｐの表面にて分散させることができる。それ故、凸部１４ｐの表面を起点としたビア導体１２のクラックを低減することができ、ビア導体１２の断線を低減できる。また、凸部１４ｐの表面を曲面状とすることによって、凸部１４ｐの先端が尖っている場合と比較して、ビア導体１２の表面にて伝送される高周波信号の伝送特性を高めることができる。
【００５６】
無機絶縁層１４は、第１貫通部Ｖ１の内壁に、少なくとも一部が無機絶縁層１４に埋設された第２無機絶縁粒子１４ｂが無機絶縁層１４から剥離してなる凹部Ｄを有し、該凹部Ｄには、ビア導体１２の一部が充填されていることが望ましい。その結果、第１貫通部Ｖ１の内壁に凸部１４ｐおよび凹部Ｄが形成されるため、凸部１４ｐだけが形成されている場合と比較して、第１貫通部Ｖ１の内壁の十点平均粗さを高めるとともに、アンカー効果を高め、無機絶縁層１４とビア導体１２との接着強度を高めることができる。なお、凹部Ｄの深さは、例えば０．５μｍ以上３μｍ以下に設定されている。
【００５７】
無機絶縁層１４から剥離して凹部Ｄを形成する第２無機絶縁粒子１４ｂは、球状であることが望ましい。その結果、凹部Ｄの内面を曲面状、さらには球面状とすることできるため、無機絶縁層１４とビア導体１２との間の熱応力を凸部１４ｐの内面にて分散させることができる。また、凹部Ｄの表面を曲面状とすることによって、凹部Ｄの底部が尖っている場合と比較して、ビア導体１２の表面にて伝送される高周波信号の伝送特性を高めることができる。
【００５８】
ところで、無機絶縁層１４の平面方向への熱膨張率は、ビア導体１２の平面方向への熱膨張率よりも大きい。それ故、配線基板３に加熱された後、冷却する際に、ビア導体１２が無機絶縁層１４よりも平面方向へ大きく収縮するため、ビア導体１２と無機絶縁層１４との間に平面方向に沿った熱応力が印加されやすい。
【００５９】
一方、本実施形態の配線基板３においては、ビア孔Ｖの貫通方向に対する第１貫通部Ｖ１の内壁の第１傾斜角Ａ１は、貫通方向に対する第２貫通部Ｖ２の内壁の第２傾斜角Ａ２よりも大きい。その結果、第１傾斜角Ａ１を大きくすることによって、無機絶縁層１４の平面方向に対して、凸部１４ｐの突出方向を垂直に近づけることができるため、平面方向に沿った熱応力に対して、凸部１４ｐのアンカー効果を高め、無機絶縁層１４とビア導体１２との接着強度を高めることができる。また、第２傾斜角Ａ２を小さくすることによって、第２貫通部Ｖ２の底面積を大きくすることができ、ビア導体１２と導電層１１との接着強度を高めることができる。第１傾斜角Ａ１は、例えば１０°以上４０°以下に設定され、第２傾斜角Ａ２は、例えば１°以上１０°以下に設定されている。また、第１傾斜角Ａ１は、第２傾斜角Ａ２の例えば１．３倍以上３倍以下に設定されている。
【００６０】
ここで、第１傾斜角Ａ１は、貫通方向に平行であって第１貫通部Ｖ１内から第１貫通部Ｖ１の内壁まで伸長した仮想線分Ｌ１と第１貫通部Ｖ１の内壁との間の角度をいう。同様に、第２傾斜角Ａ２は、貫通方向に平行であって第２貫通部Ｖ２内から第２貫通部Ｖ２の内壁まで伸長した仮想線分Ｌ２と第１貫通部Ｖ１の内壁との間の角度をいう。
【００６１】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動もしくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００６２】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図４から図７に基づいて説明する。
【００６３】
（コア基板の作製）
（１）図４（ａ）に示すように、コア基板５を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００６４】
まず、例えば未硬化の樹脂シートを複数積層するとともに最外層に銅箔を積層し、該積層体を加熱加圧して硬化させることにより、基体７を形成する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージまたはＢ−ステージの状態である。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体７を厚み方向に貫通したスルーホールＴを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、スルーホール導体８を形成する。次に、スルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。次に、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、銅箔をパターニングして導電層１１を形成する。
【００６５】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００６６】
（積層シートの作製）
（２）図４（ｂ）に示すように、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂを含む固形分と溶剤とを有する無機絶縁ゾル１４ｘと、支持部材である銅箔１６と、を準備し、銅箔１６の一主面に無機絶縁ゾル１４ｘを塗布する。
【００６７】
無機絶縁ゾル１４ｘは、固形分を１０％体積以上５０体積％以下含み、溶剤を５０％体積以上９０体積％以下含むことが望ましい。その結果、溶剤を無機絶縁ゾル１４ｘの５０体積％以上含むことにより、無機絶縁ゾル１４ｘの粘度を低減し、無機絶縁ゾル１４ｘの固形分によって形成される無機絶縁層１４の平坦性を向上させることができる。また、溶剤を無機絶縁ゾル１４ｘの９０体積％以下含むことにより、無機絶縁ゾル１４ｘの固形物成分量を増加させることにより、無機絶縁層１４の生産性を向上させることができる。
【００６８】
また、無機絶縁ゾル１４ｘの固形分は、第１無機絶縁粒子１４ａを２０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１４ｂを１０体積％以上８０体積％以下含むことが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１４ｂを固形分の１０体積％以上含むことにより、後述する（２）の工程にて無機絶縁層１４におけるクラックの発生を効果的に低減できる。
【００６９】
第１無機絶縁粒子１４ａは、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。この第１無機絶縁粒子１４ａは、第３無機絶縁粒子１４ｃおよび第４無機絶縁粒子１４ｄを含む。第３無機絶縁粒子１４ｃよりも粒径が大きい第４無機絶縁粒子１４ｄは、酸化ケイ素の析出時間を第３無機絶縁粒子１４ｃよりも長くすることによって、形成することができる。
【００７０】
また、無機絶縁ゾル１４ｘの固形分は、第３無機絶縁粒子１４ｃを１０体積％以上９０体積％以下含み、第４無機絶縁粒子１４ｄを１０体積％以上４０体積％以下含むことが望ましい。その結果、第３無機絶縁粒子１４ｃを固形分の１０体積％以上含むことにより、無機絶縁層１４の内部構造を緻密にし、且つ厚みを大きく形成することができる。また、第４無機絶縁粒子１４ｄを固形分の１０体積％以上含むことにより、（２）の工程にて無機絶縁層１４の第２無機絶縁粒子１４ｂ間におけるクラックの発生を効果的に低減できる。
【００７１】
第３無機絶縁粒子１４ｃの粒径は、３ｎｍ以上に設定されていることが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル１４ｘの粘度を低減し、無機絶縁ゾル１４ｘの固形分によって形成される無機絶縁層１４の平坦性を向上させることができる。
【００７２】
一方、第２無機絶縁粒子１４ｂは、例えばケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することにより、作製することができる。それ故、第２無機絶縁粒子１４ｂは、第１無機絶縁粒子１４ａと比較して粒径が大きいことから、高温加熱時における凝集体の形成を低減しやすいため、高温加熱で容易に作製することができ、ひいてはヤング率を容易に高めることができる。
【００７３】
また、第２無機絶縁粒子１４ｂを作製する際の加熱時間は、１秒以上１８０秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱時間を短縮することにより、８００℃以上１５００℃以下に加熱した場合においても、第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。
【００７４】
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、粒径のばらつき（標準偏差）が、無機絶縁フィラーよりも小さいことが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１４ｂを無機絶縁層１４内により均一に分散させることができ、第２無機絶縁粒子１４ｂの凝集を低減することによって、接続強度が低く且つ剥離しやすい第２無機絶縁粒子１４ｂ同士の接触領域を低減することができる。なお、第２無機絶縁粒子１４ｂにおける粒径の標準偏差は、無機絶縁フィラーの２０％以下に設定されていることが望ましい。
【００７５】
溶剤としては、例えばメタノール、イソプロパノール、ｎ-ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートまたはジメチルアセトアミド等の有機溶剤を含むものを使用することができる。なかでも、メタノール、イソプロパノールまたはプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むものを使用することが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル１４ｘを均一に塗布することができ、且つ、（２）の工程にて、溶剤を効率良く蒸発させることができる。
【００７６】
無機絶縁ゾル１４ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷を用いて行うことができる。
【００７７】
銅箔１６の一主面に塗布された無機絶縁ゾル１４ｘは、平板状に形成されており、乾燥後の厚みが例えば３μｍ以上１１０μｍ以下に設定されている。
【００７８】
（３）図４（ｃ）および図４（ｄ）に示すように、無機絶縁ゾル１４ｘを乾燥させて溶剤を蒸発させた後、残存した無機絶縁ゾル１４ｘの固形分を加熱し、第１無機絶縁粒子１４ａ同士を接続させることにより、無機絶縁ゾル１４ｘの固形分を無機絶縁層１４にして、銅箔１６と無機絶縁層１４とを有する積層シート１６を作製する。
【００７９】
一方、本実施形態の配線基板３の製造方法においては、無機絶縁ゾル１４ｘは、粒径の小さい第１無機絶縁粒子１４ａを含む。その結果、無機絶縁ゾル１４ｘの固形分の加熱によって、第１無機絶縁粒子１４ａが他の第１無機絶縁粒子１４ａまたは第２無機絶縁粒子１４ｂと容易且つ強固に接続するため、緻密で剛性の高い無機絶縁層１４を容易に形成することができる。
【００８０】
さらに、無機絶縁ゾル１４ｘは、第１無機絶縁粒子１４ａよりも粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂを含む。その結果、無機絶縁ゾル１４ｘの溶剤を蒸発させる過程において、無機絶縁粒子同士が近接した際における該無機絶縁粒子同士の間隙を低減することができるため、該間隙に含まれる溶剤の蒸発によって生じる無機絶縁ゾル１４ｘの固形分の収縮を低減することができる。したがって、平板状であるため平面方向へ大きく収縮しやすい無機絶縁ゾル１４ｘの固形分において、平面方向に沿った収縮を低減することができるため、該平面方向に沿った収縮に起因する厚み方向に沿ったクラックの発生を低減することができる。また、無機絶縁層１４にクラックが生じた場合、第１無機絶縁粒子１４ａよりも粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂによって該クラックの伸長を低減することができる。
【００８１】
また、本実施形態の配線基板３の製造方法においては、第１無機絶縁粒子１４ａは、粒径が１１０ｎｍ以下に設定されている。その結果、無機絶縁ゾル１４ｘの加熱温度が第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１４ａを他の第１無機絶縁粒子１４ａまたは第２無機絶縁粒子１４ｂと強固に接続させることができる。これは、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径が１１０ｎｍ以下と超微小に設定されているため、第１無機絶縁粒子１４ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、かかる低温でも第１無機絶縁粒子１４ａが他の第１無機絶縁粒子１４ａまたは第２無機絶縁粒子１４ｂと強固に接続すると推測される。なお、第１無機絶縁粒子１４ａとして酸化ケイ素により形成されたものを用いる場合、第１無機絶縁粒子１４ａを他の第１無機絶縁粒子１４ａまたは第２無機絶縁粒子１４ｂと強固に接続させることができる温度は、例えば、かかる粒径を１１０ｎｍ以下に設定した場合は２５０℃程度であり、かかる粒径を１５ｎｍ以下に設定した場合は１５０℃程度である。
【００８２】
また、このように低温で第１無機絶縁粒子１４ａ同士、または第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１４ｂとを加熱することによって、図２（ａ）および（ｂ）に示したように、第１無機絶縁粒子１４ａ同士、または第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１４ｂとを、ネック構造で接続することができる。
【００８３】
無機絶縁ゾル１４ｘの乾燥は、例えば加熱および風乾により行われ、温度が２０℃以上溶剤の沸点(二種類以上の溶剤を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤の沸点)未満に設定され、乾燥時間が２０秒以上３０分以下に設定されていることが望ましい。その結果、溶剤の沸騰を低減することにより、第２無機絶縁粒子１４ｂの充填密度を高めることができる。また、該沸騰によって生じる溶剤の蒸気を低減することによって、該蒸気が無機絶縁ゾル１４ｘの内部から外部に向って急速に放出されることを低減できるため、該放出によって生じる厚み方向に沿った空隙を低減することができる。
【００８４】
無機絶縁ゾル１４ｘの加熱は、温度が溶剤の沸点以上第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化開始温度未満に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱温度が溶剤の沸点以上であることにより、残存した溶剤を効率良く蒸発させることができる。また、該加熱温度が、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化開始温度未満であることにより、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができるため、結晶化した無機絶縁層１４が相転移によって収縮することを低減し、無機絶縁層１４におけるクラックの発生を低減できる。なお、結晶化開始温度は、非晶質の無機絶縁材料が結晶化を開始する温度、すなわち、結晶相領域の体積が増加する温度である。
【００８５】
また、無機絶縁ゾル１４ｘの加熱は、温度が例えば１００度以上６００度未満に設定され、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定されており、例えば大気雰囲気中で行われる。なお、温度を１５０℃以上に上げる場合、銅箔１６の酸化を抑制するため、無機絶縁ゾル１４ｘの加熱は、真空、アルゴン等の不活性雰囲気または窒素雰囲気にて行われることが望ましい。
【００８６】
以上のようにして、積層シート１６を作製することができる。
【００８７】
（配線基板の作製）
（４）図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、コア基板５上に絶縁層１０を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００８８】
まず、図５（ａ）に示すように、未硬化の熱硬化性樹脂を含む樹脂前駆体シート１３ｘを、積層シート１６の無機絶縁層１４ｘ上に載置する。次に、図５（ｂ）に示すように、コア基板５の上下面それぞれに樹脂前駆体シート１３ｘを介して積層シート１６を積層し、該積層体を積層方向に加熱加圧することによって、樹脂前駆体シート１３ｘの熱硬化性樹脂を硬化させて樹脂前駆体シート１３ｘを樹脂層１３にする。この樹脂層１３を形成する際に、第１無機絶縁粒子１４ａ同士の空隙Ｇに樹脂層１３の一部が充填される。
【００８９】
以上のようにして、コア基板５上に絶縁層１０を形成することができる。なお、該積層体の加熱加圧は、例えば（１）の工程と同様に行うことができる。
【００９０】
（５）図５（ｃ）に示すように、例えば硫酸および過酸化水素水の混合液、塩化第二鉄溶液または塩化第二銅溶液等を用いたエッチング法により、無機絶縁層１４から銅箔１６を剥離する。
【００９１】
（６）図６（ａ）、図６（ｂ）および図７（ａ）に示すように、絶縁層１０を厚み方向に貫通するビア導体１２を形成し、絶縁層１０上に導電層１１を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００９２】
まず、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置により、絶縁層１０にレーザー光を照射し、無機絶縁層１４から樹脂層１３に向ってビア孔Ｖを形成するとともに、該ビア孔Ｖ内に導電層１１の少なくとも一部を露出させる。次に、図７（ａ）に示すように、例えば無電解めっき法又電解めっき法等を用いたセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等により、ビア孔Ｖ内にビア導体１２を形成するとともに絶縁層１０の無機絶縁層１４上に導電層１１を形成する。
【００９３】
ここで、本実施形態の配線基板３の製造方法においては、（２）の工程にて、低温加熱によって、第１無機絶縁粒子１４ａ同士、および第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂとを接続させているため、これらの接続は、無機絶縁層１４に照射されたレーザー光のエネルギーによって切断されやい。したがって、これらの接続が切断されて、第１無機絶縁粒子１４ａ及び第２無機絶縁粒子１４ｂが無機絶縁層１４から剥離することによって、第１貫通部Ｖ１が形成される。ここで、レーザー光の照射が停止した時に、第１貫通部Ｖ１の内壁において、一部の第２無機絶縁粒子１４は、第１貫通部Ｖ１側の領域で第１無機絶縁粒子１４ａと剥離して露出し、第１貫通部Ｖ１と反対側の領域で第１無機絶縁粒子１４ａとの接続が維持される。その結果、図５（ｂ）に示すように、第１貫通部Ｖ１の内壁に、第２無機絶縁粒子１１を含む凸部１４ｐが形成される。なお、上記接続が切断されやすい理由は、レーザー光の照射で間隙Ｇに配された樹脂がガス化し、このガスが第１無機絶縁粒子１４ａを吹き飛ばしてネック構造を切断するため、と推測される。
【００９４】
また、レーザー光の一部は、第２無機絶縁粒子１４ｂを透過して照射領域と反対側に到達することによって、照射領域と反対側にて、第２無機絶縁粒子１４ｂと第１無機絶縁粒子１４ａとの接続が切断されることがある。その結果、第２無機絶縁粒子１４ｂが第１貫通部Ｖ１から剥離することによって、凹部Ｄが形成される。なお、第２無機絶縁粒子１４ｂが球状であると、該第２無機絶縁粒子１４ｂがレンズとして機能し、照射領域と反対側にてレーザー光が集光され、第２無機絶縁粒子１４ｂと第１無機絶縁粒子１４ａとの接続が切断されやすくなる。
【００９５】
無機絶縁層１４は、樹脂層１３と比較して、レーザー光のエネルギーを透過しやすいため、レーザー光が平面方向に大きく拡散しやすい。その結果、第１傾斜角Ａ１は、貫通方向に対する第２貫通部Ｖ２の内壁の第２傾斜角Ａ２よりも大きく形成される。
【００９６】
ここで、長波長のレーザー光である炭酸ガスレーザーを用いると、無機絶縁層１４を構成する酸化ケイ素は、短波長のレーザー光と比較して、長波長のレーザー光のエネルギーを吸収しにくく、透過しやすいため、凹部Ｄが形成されやすくなるとともに、第１傾斜角Ａ１が大きくなりやすい。
【００９７】
炭酸ガスレーザー装置を用いる場合、レーザー光の１パルス(ショット)当たりのエネルギーを例えば２０ｍＪ以上１００ｍＪ(ミリジュール)以下に設定し、レーザー光のパルス幅を例えば１０μｓ(マイクロ秒)以上２００μｓ以下に設定し、レーザー光のショット数を例えば１以上５以下に設定する。
【００９８】
また、ＹＡＧレーザー装置を用いる場合、１パルス(ショット)当たりのエネルギーを例えば２０μＪ以上１００μＪ(マイクロジュール)以下に設定し、レーザー光のパルス幅を例えば５ｎｓ(ナノ秒)以上２００ｎｓ以下に設定し、レーザー光のショット数を例えば３
以上２０以下に設定する。
【００９９】
以上のようにして、本実施形態の配線基板３のビア孔Ｖを形成することができる。このようなビア孔Ｖの内壁にビア導体１２を被着させることによって、凸部１４ｐをビア導体１２で被覆するとともに、凹部Ｄ内にビア導体１２の一部を充填させることができる。
【０１００】
（７）図７（ｂ）に示すように、（４）ないし（６）の工程を繰り返すことにより、コア基板５の上下に配線層６を形成する。なお、本工程を繰り返すことにより、配線層６をより多層化することができる。
【０１０１】
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。
【０１０２】
（実装構造体の作製）
（８）バンプ４を介して配線基板３に電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１に示した実装構造体１を作製することができる。
【０１０３】
なお、上述した実施形態においては、コア基板および配線層からなるビルドアップ多層基板を例に本発明を説明したが、本発明は、ビルドアップ多層基板以外の配線基板にも適用可能である。例えば、本発明は、インターポーザー基板、コアレス基板またはコア基板のみからなる単層基板にも適用できる。
【０１０４】
また、上述した本発明の実施形態においては、無機絶縁層および樹脂層からなる絶縁層を用いたが、無機絶縁層のみからなる絶縁層を用いても構わない。
【０１０５】
また、上述した本発明の実施形態においては、配線層にて絶縁層を２層積層していたが、絶縁層は何層積層しても構わない。
【０１０６】
また、上述した本発明の実施形態においては、絶縁層が無機絶縁層および樹脂層を有し、導電層が無機絶縁層上に形成されていたが、絶縁層は、上述した樹脂層（第１樹脂層）の他に、絶縁層と無機絶縁層との間に介された介在層を有していても構わない。介在層は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂材料からなり、例えば、上述した（２）の工程にて、銅箔の代わりに介在層を有する樹脂付き銅箔を用いることにより、形成される。
【０１０７】
また、上述した本発明の実施形態においては、基体および樹脂層が熱硬化性樹脂により形成されていたが、基体および樹脂層の少なくとも一方、もしくは双方が熱可塑性樹脂により形成されていても構わない。この熱可塑性樹脂としては、例えばフッ素樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂またはポリイミド樹脂等を用いることができる。
【０１０８】
また、上述した本発明の実施形態においては、基体は樹脂部と基材と無機絶縁フィラーとを含んでいたが、基体は、樹脂部に被覆された金属板を含んでいても構わない。
【０１０９】
また、上述した本発明の実施形態においては、無機絶縁層に第１無機絶縁粒子および第２無機絶縁粒子を含んでいたが、無機絶縁層には第１無機絶縁粒子および第２無機絶縁粒子が含まれていればよく、第１無機絶縁粒子および第２無機絶縁粒子とは粒径の異なる無機絶縁粒子が無機絶縁層に含まれていても構わない。
【０１１０】
また、上述した本発明の実施形態においては、絶縁層が無機絶縁層を含み、該無機絶縁層が貫通孔の内壁に凸部を有し、該凸部が貫通導体に被覆されていたが、基体が無機絶縁層を有し、該無機絶縁層が貫通孔であるスルーホールの内壁に凸部を有し、該凸部が貫通導体であるスルーホール導体に被覆されていても構わない。この場合、無機絶縁層、貫通孔、貫通導体の構成は、上述した実施形態と同様の構成であっても構わない。
【０１１１】
また、上述した本発明の実施形態においては、ビア孔が無機絶縁層側から樹脂層側に向って径が小さくなるように形成されていたが、ビア孔の径は無機絶縁層側から樹脂層側に渡って同一であっても構わないし、ビア孔の径が無機絶縁層と樹脂層との界面にて最小であっても構わない。
【０１１２】
また、上述した本発明の実施形態においては、（２）の工程にて溶剤を蒸発させた後、無機絶縁ゾルを加熱したが、溶剤の蒸発と無機絶縁ゾルの加熱とを同時に行っても構わない。
【０１１３】
また、上述した本発明の実施形態においては、（４）の工程にて未硬化の樹脂前駆体シートを無機絶縁層上に載置したが、未硬化で液状の樹脂前駆体を無機絶縁層に塗布しても構わない。
【０１１４】
また、上述した本発明の実施形態においては、（５）の工程にて無機絶縁層から銅箔を剥離した後、（６）の工程にて無機絶縁層上に導電層を形成したが、無機絶縁層から銅箔を剥離せずに、銅箔をパターニングして導電層を形成しても構わない。
【０１１５】
また、上述した本発明の実施形態においては、支持部材として銅箔を備えた積層シートを用いたが、積層シートは、支持部材を備えていればよく、例えば支持部材として、銅箔以外の金属箔を用いても構わないし、金属箔以外の導電材料層を用いても構わない。また、支持部材として、熱可塑性樹脂からなる樹脂シート等の絶縁シートを用いても構わない。
【実施例】
【０１１６】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は、下記実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更、実施の態様は、いずれも本発明の範囲内に含まれる。【０１１７】
（評価方法）
無機絶縁層と樹脂層とを備え、貫通孔が形成された絶縁層を作製し、該絶縁層を厚み方向に切断した断面を、電界放出型電子顕微鏡(日本電子製ＪＳＭ−７０００Ｆ)を用いて撮影し、貫通孔の形状を観察した。【０１１８】
（絶縁層の作製条件）
まず、酸化ケイ素から成る第１無機絶縁粒子および第２無機絶縁粒子を準備した。第１無機絶縁粒子は、ケイ酸ナトリウムを水と反応させて酸化ケイ素を析出させ精製することにより作製されたものである。得られた酸化ケイ素は、第２無機絶縁粒子との混合前に溶剤に分散させる。また、第２無機絶縁粒子は、ケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を抑制しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することにより、作製されたものである。これらの無機絶縁粒子は、アモルファス状態を維持しつつ作製されている。【０１１９】
次に、第１無機絶縁粒子および第２無機絶縁粒子を所定量に調合し、プラスチック容器に入れ、プラスチックボールを用いて攪拌し、均一に混合した。【０１２０】
この方法で、無機絶縁ゾルを準備した。無機絶縁ゾルは、固形分として第１無機絶縁粒子および第２無機絶縁粒子を４６体積％含み、溶剤としてイソプロパノールを５４体積％含む。また、上記固形分は、第１無機絶縁粒子として、平均粒径が５ｎｍ以上１０５ｎｍ以下のものを４０体積％含み、第２無機絶縁粒子として、平均粒径が０．９μｍ以上１．１
μｍ以下のものを６０体積％含んでいる。【０１２１】
次に、無機絶縁ゾルを樹脂付き銅箔の介在層上に塗布した。【０１２２】
次に、温度：１５０℃、時間：２時間、雰囲気：大気の条件下で、無機絶縁ゾルを加熱するとともに溶剤を蒸発させて、積層シートを作製した。【０１２３】
次に、未硬化のシアネート系樹脂を含む樹脂前駆体シートに無機絶縁層を介して積層シートを積層し、時間：１時間、圧力：３ＭＰａ、温度：１８０℃の条件下で、該積層体を加熱加圧することにより、無機絶縁層に樹脂層を接着させた。【０１２４】
次に、塩化第二鉄溶液を用いたエッチングにより、銅箔を除去した。【０１２５】
次に、炭酸ガスレーザー装置を用いて、レーザー光の１パルス(ショット)当たりのエネルギー：４０ｍＪ、レーザー光のパルス幅：１００μｓ、レーザー光のショット数：３の条件下で、レーザー光を照射して貫通孔を形成した。【０１２６】
（実施例）
図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、無機絶縁層１４´における第１貫通部Ｖ１´の内壁に、第２無機絶縁粒子１４ｂ´を含む凸部１４ｐ´が形成されていた。また、無機絶縁層１４´における第１貫通部Ｖ１´の内壁に、第２無機絶縁粒子１４ｂ´が剥離してなる凹部Ｄ´が形成されていた。
【符号の説明】
【０１２７】
１        実装構造体
２        電子部品
３        配線基板
４        バンプ
５        コア基板
６        配線層
７        基体
８        スルーホール導体 
９        絶縁体
１０      絶縁層
１１      導電層
１２      貫通導体
１３、１３´        樹脂層
１４、１４´        無機絶縁層
１４ａ、１４ａ´    第１無機絶縁粒子
１４ｂ、１４ｂ´    第２無機絶縁粒子
１４ｐ、１４ｐ´    凸部
１５                積層シート
１６                銅箔
Ｔ                  スルーホール
Ｖ、Ｖ´            ビア孔 
Ｖ１、Ｖ１´        第１貫通部
Ｖ２、Ｖ２´        第２貫通部
Ｄ、Ｄ´            凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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