(57)【要約】  本発明は電気部品を備えるアセンブリに関する。部品は電気部分、制御回路およびキャパシタを有する。少なくとも２つのリードフレームが設けられ、ハウジングへ埋め込まれる。部分、制御回路およびキャパシタはリードフレームに配置され、制御回路は、キャパシタを充電するように、およびキャパシタから部分にクロック方式で電流を供給するように設計される。部品は２つのコンタクトを有し、部品は支持体に配置される。支持体は導電層を有し、２つのコンタクトは層に導電接続される。１つのリードフレームの少なくとも１つの第１の部分が第２のリードフレームより導電層から大きな距離に配置される。
2019511128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体部品であり、かつ放射を生成するためのものである少なくとも１つの電気部品（７）と、
前記部品（７）のパルス動作のための制御回路（９）と、
電気的に直列に前記部品（７）に接続され、かつ前記部品（７）のパルス通電のために構成されているキャパシタ（８）と、
前記部品（７）、前記キャパシタ（８）および前記制御回路（９）のための実装プラットフォームとして複数の異なるリードフレーム（３、４、５、１０、１１、１２、１３）を有するリードフレームアセンブリ（４０）と、
を備え、
前記リードフレームアセンブリ（４０）が、前記リードフレームアセンブリ（４０）が前記デバイス（１）の実装側（４１）で部分的にのみ位置するように、前記実装側（４１）から薄化されている、表面実装可能電気デバイス（１）。
【請求項２】
前記部品（７）が第１のリードフレーム（３）に実装されており、
前記キャパシタ（８）が第１の接続（２３）によって第２のリードフレーム（４）に設置されており、
前記制御回路（９）および前記キャパシタ（８）が第３のリードフレーム（５）上の第２の接続（２４）に接続されており、
前記制御回路（９）が、リードフレームによって形成される少なくとも１つのコンタクト面（１０、１１、１２、１３）に直接電気的に接続されており、
前記部品（７）が前記第２のリードフレーム（４）および前記制御回路（９）に直接電気的に接続されている、
請求項１に記載のデバイス（１）。
【請求項３】
前記第２のリードフレーム（４）が電源電圧（Ｖ）のための外部電気コンタクト点となり、かつ前記第３のリードフレーム（５）が接地接触（ＧＮＤ）のための外部電気コンタクト点として構成されており、
前記コンタクト面（１０、１１、１２、１３）の少なくとも１つが前記制御回路（９）のための制御電圧（Ｔ）のための露出された電気コンタクト点として構成されており、かつ、
前記部品（７）が前記キャパシタ（８）と前記制御回路（９）との間に電気的に位置し、または前記制御回路（９）が前記部品（７）と前記キャパシタ（８）との間に電気的に位置している、
請求項２に記載のデバイス（１）。
【請求項４】
前記第２および前記第３のリードフレーム（４．５）が、平面視でＬ字形であり、
前記第２のリードフレーム（４）が前記第３のリードフレーム（５）がまたがる矩形内に位置している、
請求項２または３に記載のデバイス（１）。
【請求項５】
前記第３のリードフレーム（５）が最大のリードフレームであり、かつ前記第１および前記第３のリードフレーム（３、５）が、平面視でＴ字形であり、その結果前記２つのＴの中央部が互いに向きあっており、
前記第２のリードフレーム（４）が、平面視で前記Ｔの前記２つの中央部の一方の側で前記第１および前記第３のリードフレーム（３、５）間に配置されている、
請求項２または３に記載のデバイス（１）。
【請求項６】
ハウジング（６）をさらに備え、
前記ハウジング（６）がプラスチックでできており、かつ前記ハウジング（６）が前記リードフレームアセンブリ（４０）と前記実装側（４１）との間に部分的に設けられており、かつ、
前記デバイス（１）がＱＦＮデバイスである、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のデバイス（１）を有し、かつキャリア（２）を有する装置（１００）であって、
前記デバイス（１）が前記キャリア（２）の表側（２２）に設置されており、
前記表側（２２）に、複数のコンタクト点を有するコンタクト層（１４）が存在し、かつ前記リードフレーム（３、４、５）が前記コンタクト点に電気的および機械的に結合されており、
前記リードフレーム（３、４、５）が前記表側（２２）から部分的に離間されている、装置。
【請求項８】
前記制御回路（９）および前記キャパシタ（８）が設置される前記第３のリードフレーム（５）の第１の領域（２５）が、前記コンタクト層（１４）を介して前記第３のリードフレーム（５）の第２の領域（２６）に直接電気的に接続されており、
前記部品（７）の動作中、前記キャパシタ（８）の両接続（２３、２４）が、前記コンタクト層（１４）によって、前記キャパシタ（８）からの放電電流に対するインダクタンスが減少され、かつ前記放電電流の一部が前記コンタクト層（１４）を通って流れるように、前記部品（７）、前記制御回路（９）および前記コンタクト層（１４）を介して互いに電気的に接続されている、
請求項７に記載の装置（１００）。
【請求項９】
前記部品（７）の動作中、前記キャパシタ（８）の前記２つの接続（２３、２４）が、前記放電電流の一部が前記デバイス（１）内を流れるように、前記部品（７）、前記制御回路（９）および前記第３のリードフレーム（５）を介して互いに電気的に接続されている、
請求項８に記載の装置（１００）。
【請求項１０】
前記第１および第２の領域（２５、２６）を接続する前記コンタクト層（１４）が前記表側（２２）に完全かつ直接に延び、
前記第１のリードフレーム（３）が前記実装側（４１）から離間され、かつ全域にわたって薄化されており、かつ、
前記第２のリードフレーム（４）が、平面視で、前記コンタクト層（１４）上方で所々に配置され、かつ点別の薄化により前記コンタクト層（１４）から離間されている、
請求項８または９に記載の装置（１００）。
【請求項１１】
平面視で、前記部品（７）を通る前記デバイス（１）における放電電流が前記コンタクト層（１４）における前記放電電流と一致し、
前記コンタクト層（１４）と前記部品（７）が設けられる前記第１のリードフレーム（３）との間の距離が多くとも１．５ｍｍである、
請求項７〜１０のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項１２】
前記実装側（４１）とは反対側を向く前記リードフレーム（３、４、５）の上側が同じ高さに配置されている、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項１３】
前記キャリア（２）に第２の導電層（２８）が配置されており、
前記第２の層（２８）が前記第１の層（１４）に導電接続されており、かつ、
前記第１および前記第２の層（１４、２８）が互いに並列に配置されている、
請求項７〜１２のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のデバイス（１）を生産するための方法であって、
第１および少なくとも１つのさらなるリードフレーム（３、４、５）が設けられ、
前記第１のリードフレーム（３）の少なくとも一部が前記実装側（４１）から、前記さらなるリードフレーム（４、５）より薄く形成され、
前記リードフレーム（３、４、５）がハウジング（６）のための材料に埋め込まれ、
前記リードフレーム（３、４、５）に前記キャパシタ（８）、前記部品（７）および前記制御回路（９）が実装され、
前記第１のリードフレーム（３）の一部の裏側が、前記少なくとも１つのさらなるリードフレーム（４、５）の少なくとも１つの部品より前記デバイス（１）の前記実装側（４１）から大きな距離にある、方法。
【請求項１５】
前記第１のリードフレーム（３）が、前記第１のリードフレーム（３）の厚さが前記少なくとも１つのさらなるリードフレーム（４、５）の厚さの５０％と９０％を含めた間であるように、ディープエッチによって前記実装側（４１）からより薄く形成される、
請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１に係る電気デバイスを有する装置と、請求項９に係る方法と、に関する。
【背景技術】
【０００２】
先行技術では、キャリアに配置される電気デバイスを有する装置が知られている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、改善された電気的性質を有する電気デバイスを有する装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の目的は、請求項１に係る装置と、請求項９に係る方法と、によって達成される。
【０００５】
本発明のさらなる発展が従属請求項に記載される。
【０００６】
少なくとも１つの実施形態によれば、電気デバイスは電気部品を備える。部品は、好ましくは放射を生成するように設計される半導体部品である。特に、部品は発光ダイオード、略してＬＥＤ、またはレーザダイオード、略記してＬＤである。例えば、部品は、少なくとも３６０ｎｍもしくは４１０ｎｍもしくは７６０ｎｍの、かつ／または多くとも１３００ｎｍもしくは１０５０ｎｍもしくは５７０ｎｍの最大強度の波長を有する放射を放出するように設計される。特に、部品は、可視光または近赤外放射を生成するように設計される。
【０００７】
少なくとも１つの実施形態によれば、デバイスは１つまたは複数の制御回路を備える。少なくとも１つの制御回路は、部品のパルス動作のために構成される。制御回路によって、かつ部品によって全体として達成されることができるパルス持続時間は、好ましくは少なくとも０．５ｎｓもしくは２ｎｓかつ／または多くとも１５ｎｓもしくは１０ｎｓもしくは８ｎｓである。特に、パルス持続時間は少なくとも３ｎｓかつ／または多くとも６ｎｓである。パルス持続時間は、特に時間領域における半値全幅、略してＦＷＨＭを意味すると理解される。
【０００８】
少なくとも１つの実施形態によれば、デバイスは１つまたは複数のキャパシタを備える。少なくとも１つのキャパシタは、関連部品と直列に電気的に接続され、かつ部品のパルス通電のために構成される。キャパシタのキャパシタンスは、例えば、少なくとも１０ｎＦもしくは３０ｎＦかつ／または多くとも１μＦもしくは０．５μＦである。特に、キャパシタンスは１００ｎＦである。放射を生成するために複数の部品が存在する場合、各部品に別々のキャパシタを割り当てることができる。インダクタンスを低減させるために、部品ごとに、並列に電気的に接続される複数のキャパシタが存在することも可能である。
【０００９】
少なくとも１つの実施形態によれば、デバイスはリードフレームアセンブリを備える。リードフレームアセンブリは、互いに異なる複数のリードフレームを備える。リードフレームは、例えば、リードフレームアセンブリの半製品から切断、エッチングおよび／または打抜加工によって生産される。個々のリードフレームは、共通の、特に金属材料によって互いに一体に結合されることはない。リードフレームは特に銅板または銀板から生産されており、例えば、反射率を上げるために、またははんだ付け性を改善するために、コーティングが存在することができる。個々のリードフレームの厚さまたは平均厚さは、好ましくは少なくとも５０μｍもしくは１００μｍもしくは２００μｍかつ／または多くとも１ｍｍもしくは０．５ｍｍである。
【００１０】
少なくとも１つの実施形態によれば、リードフレームアセンブリは部品の実装側から所々で薄化される。これは、実装側から、元々のリードフレームに対する材料除去がなされたこと、および／またはリードフレームアセンブリが実装側で部分的にのみ位置することを意味する。このように、リードフレームアセンブリは、その全表面にわたって電気的および／または機械的に接触されることはない。
【００１１】
少なくとも１つの実施形態によれば、デバイスは表面実装可能であることができる。これは、デバイスが表面実装技術または略してＳＭＴによって固定されることができることを意味する。特に、デバイスはＱＦＮデバイスであり、ここでＱＦＮはＱｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏ  ｌｅａｄ（クワッド・フラット・リードなし）を表す。
【００１２】
少なくとも１つの実施形態において、表面実装可能電気デバイスは、放射を生成するための少なくとも１つの電気部品と、部品のパルス動作のための制御回路と、部品に通電するためのキャパシタとを備える。上述の要素のためのキャリアは、別々の要素である複数の異なるリードフレームを有するリードフレームアセンブリである。リードフレームアセンブリは、リードフレームアセンブリがデバイスの実装側で部分的にのみ位置するように実装側から所々で薄化される。
【００１３】
特に、ハウジングにキャパシタおよび、電界効果トランジスタまたは特定ユーザ向け集積回路、略してＡＳＩＣなどの制御回路を有する半導体レーザを特に動作させるための高電流短パルスのためのＱＦＮハウジングは、好ましくは放電路において低インダクタンス値を有する。これは、電気単層ハウジング構想および／またはプリント回路板で実現するのは困難である。
【００１４】
実装するための１つの可能性は、いわゆるマイクロストリップ線路である。したがって、ＱＦＮ部品などの単層ハウジング構想において、ハウジングが、プリント回路板とともに、少なくとも１つのマイクロストリップ線路を形成するように、回路板への適応が確保されなければならない。これは特に、リードフレームアセンブリの、および導体フレームとも称される個々のリードフレームの標的ディープエッチングによって可能である。このように、全体としての低インダクタンスが達成されることができ、加えて、電気デバイスのユーザおよび／または取扱者によって提供されなければならない多層プリント回路板を不要とすることが可能である。例えば、本明細書に記載されるデバイスの代わりに従来のデバイスを使用することと比較して、ほぼ５０％の層数の減少が達成されることができる。
【００１５】
少なくとも１つの実施形態によれば、部品は第１のリードフレームに設置される。例えば、部品は、カソードが第１のリードフレームに電気的に直接かつ領域的に接続される。
【００１６】
少なくとも１つの実施形態によれば、キャパシタは第１の接続によって第２のリードフレームに設置される。全ての他の部品に関しても、設置は、好ましくは、はんだ付けまたは導電性接着剤接合によって行われる。
【００１７】
少なくとも１つの実施形態によれば、制御回路およびキャパシタは第２の接続によって第３のリードフレームに設置される。第３のリードフレームが第２のリードフレームより大きいことが可能であり、第２のリードフレームもまた第１のリードフレームより大きいことができる。
【００１８】
少なくとも１つの実施形態によれば、制御回路は１つまたは複数のコンタクト面に直接電気的に接続されており、コンタクト面は、好ましくは、それぞれのリードフレームによって形成される。電気的に直接接続されるとは特に、いかなるもしくはいかなる著しい電気抵抗も、またはダイオードもしくはトランジスタもしくはキャパシタもしくはコイルなどのいかなる他の能動電気部品も電流経路に実装されないことを意味する。いかなる著しい電気抵抗もないとは、２Ωまたは０．５Ω未満を意味することができる。
【００１９】
少なくとも１つの実施形態によれば、部品は第２のリードフレームに、および制御回路に直接電気的に接続される。
【００２０】
電気的直接接続は、例えば、はんだ付けまたは導電性接着剤接合によって実現されることができる。電気的直接接続は、１つもしくは複数のボンディングワイヤまたは１つもしくは複数の導体トラックによって実現することもできる。したがって、直接の電気的接続のために複数のボンディングワイヤおよび／または導体トラックがある場合、それらは、高電流で低インダクタンスを達成するために並列に電気的に接続されることができる。
【００２１】
記載したデバイスは、特に高電流パルス、例えば１ｎｓかけて３０Ａ程度の場合に、低インダクタンスが達成されるようにする。プリント回路板または略してＰＣＢなどの、ユーザによって提供されなければならないキャリアは単層または二層基板として設計されることができ、その結果、従来のデバイスと比較して必要とされる層は少なくなる。これは、費用節減の他に出力増加を達成することを可能にし、そして特に高電流で短パルスが適用されることができる。
【００２２】
少なくとも１つの実施形態によれば、第２のリードフレームは、電源電圧のための外部電気コンタクト点として設計される。電源電圧は、例えば、少なくとも１０Ｖもしくは１５Ｖかつ／または多くとも３０Ｖもしくは２０Ｖである。
【００２３】
少なくとも１つの実施形態によれば、第３のリードフレームは、接地またはＧＮＤとも称される接地接触のための外部電気コンタクト点として設計される。代替的に、第２のリードフレームが接地接触の形態であることが可能であり、そして第３のリードフレームが電源電圧のためのコンタクトとなる。
【００２４】
少なくとも１つの実施形態によれば、制御回路に電気的に直接接続されるコンタクト面の１つが、制御電圧のための外部電気コンタクト点として設計される。制御回路は、トリガとも称される制御電圧を介して導電的に切り替えることができる。これは、デバイスが制御電圧を介して制御されることを意味する。特に、部品は、制御電圧が印加されるときにのみ放射を放出する。
【００２５】
少なくとも１つの実施形態によれば、部品の動作中、電流が、キャパシタから第２のリードフレームを介して部品に、およびそこから第１のリードフレームに、およびそこから第３のリードフレームに流れる。リードフレーム間の接続は特に、複数の並列ボンディングワイヤによって各場合で実現される。
【００２６】
少なくとも１つの実施形態によれば、第２および第３のリードフレームは、平面視でＬ字形である。したがって、第２のリードフレームは、好ましくは第３のリードフレームがまたがる矩形内に設けられる。
【００２７】
少なくとも１つの実施形態によれば、デバイスはハウジングを備える。ハウジングは、好ましくは１つまたは複数のプラスチックでできている。リードフレームアセンブリの個々のリードフレームはハウジングによって互いに機械的に結合される。部品はハウジングを介して機械的に安定される。ハウジングの材料が実装側を部分的に形成することが可能である。実装側はリードフレームおよびハウジング材料から成ることができる。
【００２８】
デバイスの少なくとも１つの実施形態によれば、第３のリードフレームは最大のリードフレームである。第２のリードフレームの大きさは第１および第３のリードフレームの大きさの間であることができる。これは、特に、平面視で当てはまる。
【００２９】
少なくとも１つの実施形態によれば、第１および／または第３のリードフレームは、平面視でＴ字形である。この場合、２つのＴの中央部は互いの方を向くことができる。中央部とはこの場合、連続した上部から突出する、中心に設けられた部分である。中央部は、好ましくは上部より短い。
【００３０】
少なくとも１つの実施形態によれば、第２のリードフレームは、平面視で、第１および第３のリードフレーム間に位置する。第２のリードフレームは、好ましくはＴの２つの中央部の一側に位置する。
【００３１】
本発明はさらに、装置に関する。装置は、好ましくは上述の実施形態の１つまたは複数に関連して示される１つまたは複数のデバイスを備える。したがって、デバイスのための特徴が、装置のためにも開示され、その逆も同じである。
【００３２】
少なくとも１つの実施形態において、装置はキャリアを備えており、その表側に少なくとも１つのデバイスが設置される。表側には、デバイスに電気的および機械的に接触するための１つまたは、好ましくは複数のコンタクト点をもつコンタクト層がある。リードフレームの少なくともいくつかがコンタクト点に電気的および機械的に結合されるが、これがデバイスの全てのリードフレームに当てはまる必要はない。リードフレームはキャリアの表側から部分的に離間される。
【００３３】
少なくとも１つの実施形態によれば、制御回路およびキャパシタが第２の接続で設置される第３のリードフレームの第１の領域が、コンタクト層を介して第３のリードフレームの第２の領域に電気的に直接接続される。第３のリードフレームのこれらの２つの領域は、好ましくは互いから空間的に分離され、かつ特にリードフレームの反対側の最も遠い領域に設けられる。２つの領域は専らそれらの電気的機能に関して互いから分離されることができ、その結果、領域間の実際の物理的境界は存在する必要はない。
【００３４】
少なくとも１つの実施形態によれば、部品の動作中、キャパシタの両接続は、部品、制御回路およびコンタクト層を介して互いに電気的に接続される。結果として、キャパシタの放電電流に対するインダクタンスが低減され、そして放電電流の一部がキャリアのコンタクト層を通って流れることが可能である。コンタクト層を通る放電電流は、好ましくは部品を通る電流フローと一致またはほぼ一致して流れる。
【００３５】
言い換えれば、デバイスにおける部品を通る放電電流に対する一種のミラー電流がキャリアのコンタクト層において実現されることができる。結果として、電流により生じる磁界が少なくとも部分的に補償されることができ、その結果、全体としてのインダクタンスが効果的に低減される。このように、より短い切替時間および／またはより大きい放電電流が実現されることができる。
【００３６】
装置の少なくとも１つの実施形態によれば、部品の動作中、キャパシタの両接続は、部品、制御回路および第３のリードフレームを介して互いに電気的に接続される。これは、放電電流の一部がデバイス内にも流れることを意味する。デバイス内の上記放電路は、コンタクト層を介する放電路に並列に電気的に接続される。本明細書およびその他で、「放電電流」は特に、部品とは反対側を向くキャパシタの側に、放電中に電流が供給されることを意味する。
【００３７】
少なくとも１つの実施形態によれば、第１および第２の領域を互いに接続するコンタクト層は、キャリアの表側に完全かつ好ましくは直接に延びる。コンタクト層は、平坦であるように設計されることができる。特に、コンタクト層は、第１のリードフレーム下で全域にわたるが、それから電気的に絶縁されて延在する。この目的で、第１のリードフレームは、好ましくは実装側から離間される。これは、第１のリードフレームの全域薄化によって達成されることができる。代替的に、コンタクト層は、キャリアの裏側内もしくは上に位置することができるか、またはキャリアにおける複数の層によって実現されることができる。
【００３８】
少なくとも１つの実施形態によれば、第２のリードフレームは、平面視で、部分的にコンタクト層にわたって位置する。第２のリードフレームの点別の薄化により、後者は前述の領域でコンタクト層から離間される。第２のリードフレームのこの設計は、平面視で、コンタクト層における放電電流が部品を横切る電流と一致またはほぼ一致することを可能にする。同時に、第２のリードフレームは、キャリアのコンタクト層の別のコンタクト点を介して電気的に接触されることができる。
【００３９】
少なくとも１つの実施形態によれば、コンタクト層と部品が設けられる第１のリードフレームとの間の距離は、多くとも１．５ｍｍまたは１ｍｍまたは０．５ｍｍである。代替的または追加的に、この距離は少なくとも０．１ｍｍまたは０．２ｍｍである。この距離は、一方で、短絡安全性を確保し、他方で、キャリアのコンタクト層における放電電流の、および部品を通る放電電流の補償により低実効インダクタンスが達成されることができる。
【００４０】
本発明はさらに、電気デバイスを備える装置に関し、デバイスは電子部品、制御回路およびキャパシタを有し、少なくとも２つのリードフレームが設けられ、リードフレームはハウジングに埋め込まれ、部品、制御回路およびキャパシタはリードフレームに配置され、制御回路は、キャパシタを充電するように構成され、制御回路は、キャパシタから部品にクロック方式で電流を供給するように構成され、デバイスは２つのコンタクトを有し、デバイスはキャリアに配置され、キャリアは導電層を有し、２つのコンタクトは層に導電接続され、リードフレームの少なくとも第１の部分がリードフレームの第２の部分より導電層から大きな距離を有する。第１のリードフレームの少なくとも一部と導電層との間のより大きな距離によって、より良好な電気的絶縁が達成される。
【００４１】
１つの実施形態において、第１のリードフレームは、第２および／またはさらなるリードフレームより層から大きな距離を有する。結果として、第１のリードフレーム全体のさらなる改善された電気的絶縁が可能にされる。
【００４２】
１つの実施形態において、リードフレームの上側は同じ高さに配置される。結果として、単純な構造が可能にされる。第１のリードフレームの少なくとも一部のより薄い設計により、第１のリードフレームの一部の厚さは、第１のリードフレームの残りの厚さの９０％〜５０％またはそれ以下の範囲にあることができる。
【００４３】
１つの実施形態において、３つのリードフレームが設けられており、部品は第１の接続によって第１のリードフレームに導電接続され、部品は第２の接続によって第２のリードフレームに接続され、キャパシタは第１の接続によって第２のリードフレームに導電接続され、キャパシタは第２の接続によって第３のリードフレームに接続され、制御回路は第１の接続によって第１のリードフレームに接続され、制御回路は第２の接続によって第２のリードフレームに接続され、制御回路は第３の接続によって第３のリードフレームに接続され、かつ２つのコンタクトは第３のリードフレームに接続される。コンパクトな構造がこのように得られる。
【００４４】
１つの実施形態において、部品は第１のリードフレームに配置されており、キャパシタは第２および第３のリードフレームに配置され、かつ制御回路は第３のリードフレームに配置される。
【００４５】
１つの実施形態において、層からさらに離れたリードフレームの部分とキャリアとの間で、キャリアに絶縁層が導入される。結果として、電気的絶縁のさらなる改善が達成される。
【００４６】
１つの実施形態において、キャリアに第２の導電層が配置されており、第２の層は第１の層に導電接続され、かつ第１および第２の層は互いに並列に配置される。結果として、キャリアにおけるリターンフローに対する電気抵抗が低減される。
【００４７】
１つの実施形態において、部品は発光部品として構成される。記載したコンパクトな構造は発光性質については特に有利である。
【００４８】
本発明はさらに、そのようなデバイスおよび／またはそのような装置を生産するための方法に関する。したがって、方法の特徴がデバイスおよび装置のためにも開示され、その逆も同じである。
【００４９】
したがって、装置を生産するための方法が提案され、第１および少なくとも１つのさらなるリードフレームが設けられ、第１のリードフレームの少なくとも一部がさらなるリードフレームより底側から薄く形成され、リードフレームは材料に、特に成形材料に埋め込まれ、リードフレームにキャパシタ、部品および制御回路が実装されてデバイスが得られ、導電層を有するキャリアが設けられ、デバイスはデバイス裏側がキャリアに実装され、さらなるリードフレームは２つのコンタクトを介して層に導電接続される。
【００５０】
第１のリードフレームの少なくとも一部のより薄い形成は特に、第１のリードフレームを裏側からエッチングすることによって遂行される。第１のリードフレームの少なくとも一部のより薄い設計により、第１のリードフレームの一部の厚さは、第１のリードフレームの残りの厚さの９０％〜５０％またはそれ以下の範囲にあることができる。
【００５１】
方法の少なくとも１つの実施形態によれば、第１のリードフレームの少なくとも一部が、ディープエッチングによって裏側からより薄く形成される。同じことが第２のリードフレームに当てはまり、そして小さい表面部分に関して第３のリードフレームにも当てはまることができる。
【００５２】
少なくとも１つの実施形態によれば、第１のリードフレーム全体がさらなるリードフレームより薄く形成される。
【００５３】
本発明の上記の性質、特徴および利点、ならびにそれらが達成される方式は、図面に関連してより詳細に説明される例示的な実施形態の以下の記載に関連してより明確に、かつより正確に理解可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】装置の斜視図である。
【図２】図１の装置の平面図である。
【図３】装置の電気等価回路の概略図である。
【図４】図１の装置の概略横断面の図である。
【図５】キャリアのさらなる実施形態の概略横断面の図である。
【図６Ａ】本明細書に記載されるデバイスのさらなる例示的な実施形態の図である。
【図６Ｂ】本明細書に記載されるデバイスのさらなる例示的な実施形態の図である。
【図６Ｃ】本明細書に記載されるデバイスのさらなる例示的な実施形態の図である。
【図６Ｄ】本明細書に記載されるデバイスのさらなる例示的な実施形態の図である。
【図６Ｅ】本明細書に記載されるデバイスのさらなる例示的な実施形態の図である。
【図６Ｆ】本明細書に記載されるデバイスのさらなる例示的な実施形態の図である。
【図７】装置の電気等価回路のさらなる概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００５５】
図１は、キャリア２のキャリア表側２２に配置される電気デバイス１を有する装置の斜視図を示す。例示した例示的な実施形態において、デバイス１は３つのリードフレーム３、４、５を有する。３つのリードフレーム３、４、５は互いから離間され、そして電気絶縁ハウジング６に埋め込まれ、そしてハウジング６によって互いに機械的に結合される。したがって、デバイス１はＱＦＮデバイスである。表面実装可能デバイス１の実装側４１は、好ましくはリードフレーム３、４、５、１０、１１、１２、１３から、およびハウジング６から成る。
【００５６】
第１のリードフレーム３に配置されるのが電気部品７、特にパルス方式で動作されることができるレーザダイオードである。加えて、キャパシタ８が設けられ、第２および第３のリードフレーム４、５に部分的に配置される。さらには、制御回路９が設けられ、第３のリードフレーム５に配置される。加えて、４つのコンタクト面１０、１１、１２、１３がハウジング６に埋め込まれており、コンタクト面１０、１１、１２、１３は同じくリードフレームの形態で実現される。キャリア２は、リードフレーム３、４、５、１０、１１、１２、１３の少なくとも一部に電気的および機械的に接触するために複数のコンタクト点に分割される導電層１４（図１に図示せず）を有する。リードフレーム３、４、５、１０、１１、１２、１３はリードフレームアセンブリ４０を形成する。
【００５７】
例えば、部品７は、例えばトランジスタなどの電気部品の形態、電気回路の形態かつ／または発光部品の形態であることができる。例示した例示的な実施形態において、部品は、横発光方向１５に光を放射する、発光部品の形態、特にレーザまたはレーザダイオードの形態である。部品７、キャパシタ８および制御回路９は、好ましくは絶縁層１６で覆われる。絶縁層１６は、動作中に生成される放射に対して透明かつ透過的であることができる。
【００５８】
図２は、図１の装置を上から見た概略図を示す。部品７は、第１の接続１７によって第１のリードフレーム３に導電接続される。加えて、部品７は、第２の接続１８によって第２のリードフレーム３に導電接続される。第１の接続１７は、例えば、部品７の裏側のコンタクトから形成されることができる。第２の接続１８は、ボンディングワイヤの形態に設計されることができる。図１および２における例示からの発展では、例えば、より短い切替時間を実現することができるために、好ましくは複数の並列接続ボンディングワイヤ、４つの電気的に並列のボンディングワイヤが存在する。
【００５９】
全ての他の例示的な実施形態と同様に、部品７が単独のリードフレーム３に配置されるのではなく、キャパシタ８の第１の接続２３とともに第２のリードフレーム４に、または代替的に第２の接続２４とともに第３のリードフレーム５に設けられることも可能である。
【００６０】
制御回路９は、その第１の接続１９で、例えばボンディングワイヤによって第１のリードフレーム３に導電接続される。加えて、制御回路９は、その第２の接続２０で、例えばボンディングワイヤによって第２のリードフレーム４に導電接続される。キャパシタ８の、および／または部品７の短絡電流またはプリチャージが第２の接続２０を介して生じることができる。制御回路９がＩＣまたはＡＳＩＣであり、ＦＥＴなどの単なるトランジスタでなければ、加えて、第２のリードフレーム４に印加される電圧の制御も第２の接続２０を介して行われることができる。したがって、特に、誤差信号が制御回路９を介して、例えばコンタクト面１０、１２、１３を介して出力されることが可能である。コンタクト面の１つ１１は、部品７を切り替えるためのトリガ信号Ｔのために設けられ、その他のコンタクト面１０、１２、１３は追加信号のために機能化されることができる。
【００６１】
さらには、制御回路９は、例えばボンディングワイヤの形態の第３の接続２１を介して第３のリードフレーム５に導電接続される。加えて、制御回路９は、さらなる接続２２を介してコンタクト面１０、１１、１２、１３に導電接続される。
【００６２】
キャパシタは、その第１の接続２３で第２のリードフレーム４に導電接続される。加えて、その第２の電気的接続２４で、キャパシタ８は第３のリードフレーム５に導電接続される。キャパシタ８の第１および第２の接続２３、２４は、例えば、ボンディングワイヤの形態に、またはキャパシタ８の裏側のコンタクトの形態に設計されることができる。
【００６３】
加えて、第３のリードフレーム５は、キャリア２の導電層１４に、破線で描かれる２つのコンタクト２５、２６を介して導電接続される。図２において制御回路９の左隣に第１の領域２５が配置される。キャパシタ９の近くに第２の領域２６が配置される。層１４は同じく破線で描かれる。層１４は、平坦な、特に矩形の形状を有することができる。層１４は、キャリア２の表面の大部分にわたって延在することができる。
【００６４】
加えて、層１４は、図示されないリードフレーム４、１０、１１、１２、１３に対するコンタクト点へ構造化される。この場合、第１のリードフレーム３は層１４から離間され、かつ後者と直接接触されない。第２のリードフレーム４は、平面視で、層１４のコンタクト点の１つと部分的にのみ接触し、その結果、第３のリードフレーム５に関して短絡は発生しない。
【００６５】
制御回路９は、キャリア２を介して電流源（例示せず）に接続され、かつ第２および第３の接続２０、２１を介してキャパシタ８を充電するために構成される。加えて、制御回路９は、第１および第３の接続１９、２１によって層１４を介してキャパシタ８に部品７を導電接続するように設計される。したがって、電流が、キャパシタ８の第１の接続２３から、第２のリードフレーム４、部品７、第１のリードフレーム３、制御回路９の第１の接続１９および制御回路９の第３の接続２１を介し、第１のコンタクト２５を介してキャリア２の導電層１４へ流れる。第１のコンタクト２５からさらに続けて、電流は、層１４において第２のコンタクト２６に戻りキャパシタ８の第２の接続２４に流れる。
【００６６】
キャパシタ８、部品７および制御回路９間で、電流は、デバイス１内で、第１の矢印３１によって表される方向にキャリア２上方を流れる。同様に層１４に誘導抵抗に基づいて電流の誘導リターンフロー、すなわち放電路が発生し、第２の矢印３２を用いて示される。したがって、平坦な層１４は、好ましくは低インダクタンスの電流の電気リターンを可能にする。結果として、例えば、３０Ａの短い電流パルスが１ｎｓの持続時間で伝達されることができる。
【００６７】
短い放射パルスを生成することができるそのようなデバイス１は、例えば、飛行時間用途またはＴｏＦ用途とも称される距離測定のために使用されることができる。
【００６８】
選択される設計に応じて、層１４は２つの肢および横接続をもつＵ字形状に形成されることもありえ、ここでコンタクト２５、２６は肢の端領域に配置され、かつ横接続は部品７の領域に配置される。Ｕ字形は第２の矢印３２に従って整列されるが、これは、第２の層１４における誘導電流フローがこの経路を介して生じるからである。
【００６９】
図３は、例えば、レーザダイオードとして設計される部品７の動作中の電流フローの電気等価回路図の概略図を示す。
【００７０】
制御回路９の第２の接続２０に電源電圧Ｖが印加される。さらには、制御回路９は制御電圧Ｔに接続されており、それを介して電界効果トランジスタ、略してＦＥＴなどの、制御回路９におけるスイッチング素子が開閉されることができる。第３のリードフレーム５は、層１４の対応するコンタクト点を介して接地接触ＧＮＤに接続される。
【００７１】
スイッチング素子が開いていれば、スイッチング素子を介して電流が流れず、キャパシタ８が充電されることになる。このように、電流３１、３２のいずれも流れない。
【００７２】
スイッチング素子が閉じられれば、キャパシタは接地接触ＧＮＤに向けて部品７およびスイッチング素子９を介して１つの短い電流パルスで放電され、その結果デバイス１内に第１の放電電流３１が流れる。電気的に部品７に向いているキャパシタ８の側から離れて電荷が流れるので、同時に電荷を補償するために、電気的に部品７から遠いキャパシタ８の側に電荷が流れなければならない。これは第２の放電電流３２によって行われる。第２の放電電流３２は、特に主にキャリア２の層１４において設計依存的に流れ、そして平面図で図２に関連して例示されるように、好ましくは第１の放電電流３１とほぼ一致して、反対方向にのみ流れる。この対向電流フローにより、より低い実効インダクタンスが達成されることができる。
【００７３】
層１４を通る電流フロー３２に加えて、第３のリードフレーム５において直接に電流フロー３３も発生することができる。これは、電流３２、３３が並列であることができることを意味しており、その結果として実効インダクタンスはさらに低減されることができる。加えて、第３のリードフレーム５を介する接続の結果として、デバイス１は、特に試験目的で、および／または生産管理のために、キャリア２なしで動作させることもできる。
【００７４】
図４は、図１の装置の横断面の概略図を示しており、層１４の全てのコンタクト点が、およびまた全てのリードフレーム３、４、５、１０、１１、１２、１３が図示されるわけではない。この実施形態において、導電層１４はキャリア２の表側に直接に配置される。第３のリードフレーム５は、コンタクト２５、２６を介して層１４に導電接続される。第１および第２のリードフレーム３、４は、第３のリードフレーム５より少なくとも所々で小さい厚さを有する。第１および第２のリードフレーム３、４の厚さは、第３のリードフレーム５の厚さの９０％〜５０％またはそれ以下の範囲にあることができる。
【００７５】
加えて、第１および第２のリードフレーム３、４は、キャリア２とは反対側を向く上側が第３のリードフレーム５と同じ高さで配置される。このように、第１および第２のリードフレーム３、４は導電層１４からより大きな距離にある。第１および第２のリードフレーム３、４と導電層１４との間に改善された電気的絶縁がこのように得られる。第１のリードフレーム３の、および／または第２のリードフレーム４の少なくとも一部が層１４からより大きな距離にあるときに、より良好な電気的絶縁も達成される。
【００７６】
例示した例示的な実施形態において、層１４と第１および第２のリードフレーム３、４との間に絶縁層２７が配置される。絶縁層２７は、好ましくはハウジング６の一部を形成し、かつ特にハウジング６の残りの部分と一体に設計され、かつ例えば、ポリマーからまたは、より好ましくなく、フォトレジストから成ることができる。選択される実施形態に応じて、層１４とリードフレーム３との間に空気などの気体または真空領域が少なくとも所々に設けられるように、絶縁層２７は不要とされることができる。絶縁層２７および層１４を用いて、第１および第２のリードフレーム３、４間のさらなる改善された電気的絶縁が達成されることができる。第１および第２のコンタクト２５、２６は、例えば、コンタクト層として形成されることができる。キャリア２は、例えば、導体板および／またはＰＣＢ（プリント回路板）として設計されることができる。
【００７７】
加えて、層１４は、図５に概略的に図示されるように、キャリア２内に配置させることもできる。さらには、層１４は、デバイス１とは反対側を向くキャリア２の裏側に配置させることもできる。加えて、キャリア２内にさらなる層２８が配置されることができ、上記さらなる層は層１４に並列に配置される。キャリア２内または上に、第１および第２のコンタクト２５、２６間の導電性接続を形成するさらなる層２８を設けることによって、電気抵抗はさらに低減され、その結果として、より短い切替時間が実現されることができる。
【００７８】
層１４、２８は、好ましくはキャリア２の側面内または上の導電性ビアコンタクト２９、３０を介して接続され、そしてコンタクト２５、２６に導電接続される。
【００７９】
リードフレーム３、４、５は導電性材料から、特に銅または銅合金から生産される。例えば、はんだ付け性を改善するために、コーティングが存在することができる。例えば、実装側４１からエッチング処理を用いて、第３のリードフレーム５より小さい厚さまで、第１のリードフレーム３は完全にエッチングされ、そして第２のリードフレーム４は部分的にエッチングされる。したがって、第１および第２のリードフレーム３、４は、ＱＦＮリードフレームのディープエッチングを用いて生産されることができる。
【００８０】
記載した装置を用いて、対応した形状の層１４および特に第３のリードフレーム５に対するそのコンタクト点によってキャリア２にマイクロストリップ線路が実現されており、層１４および／またはさらなる層２８は、好ましくは接地面を表す。
【００８１】
第１のリードフレーム３のみ、または第２のリードフレーム４のみがより小さい厚さおよび／またはキャリア２の層１４へのより大きな距離を有すれば、改善された電気的性質は既に達成される。
【００８２】
さらには、第１または第２のリードフレーム３、４の一部が層１４からより大きな距離にあるときに、電気的性質の改善が達成される。リードフレーム３、４とＧＮＤ層１４との間の距離が小さいほど、インダクタンスの低減が良好である。しかしながら、リードフレーム３、４と層１４との間の距離は、短絡を防止するために必要とされる。
【００８３】
第１、第２および第３のリードフレーム３、４、５は、例えば、第１、第２および第３のリードフレームを有するリードフレームグリッドが金属部品、特に銅から製造されるというように生産される。この場合、第１および／もしくは第２のリードフレーム３、４の少なくとも１つの部分または第１および第２のリードフレーム３、４の全体がより薄い厚さで生産されており、第１および第２のリードフレーム３、４の上側は第３のリードフレーム５の上側と同じ高さにある。
【００８４】
リードフレームを生産するために、例えば、エッチング法が使用されることができる。この場合、第１および／または第２のリードフレームは、例えばディープエッチングで、第３のリードフレーム５よりも裏側から薄く形成される。続いて、リードフレーム３、４、５は、例えばハウジング６のためのプラスチック材料でできている成形材料に埋め込まれる。キャパシタ８、部品７および制御回路９がリードフレーム３、４、５に配置され、そして上記したように、リードフレームに導電接続される。続いて、上記装置が複合体から分離される。分離中に、リードフレーム３、４、５、１０、１１、１２、１３間の接続ウェブが分断され、リードフレーム３、４、５、１０、１１、１２、１３の対応する端面がハウジング６の外部に自由に位置することができ、図１および６Ｅも参照されたい。デバイス１がこのように得られる。デバイス１は、既に上記に説明したように、ここでキャリア２に導電接続されることができる。しかしながら、加えて、デバイス１は顧客に単独で供給されても、顧客によってキャリア２が設置されてもよい。
【００８５】
記載した方法を用いて、デバイス１ならびにデバイス１およびキャリア２を有する装置が単純かつ費用効果的な方式で生産されることができる。
【００８６】
第１および第２のリードフレーム３、４の少なくとも１つの部分の、またはリードフレーム３、４の全体の片側の強い薄化により、リードフレーム３、４、５の上側が同じ高さに配置されるデバイス１が得られる。このように、キャパシタ８、制御回路９および部品７はリードフレーム３、４、５に単純かつ正確な方式で実装される。しかしながら、同時に、第１および第２のリードフレーム３、４の少なくとも一部または全体は、それらの裏側が第３のリードフレーム５の下側に関して後退され、その下側はキャリア２に向いている。したがって、キャリア２の実装側４１にデバイス１を実装するときに、キャリア２と第１および第２のリードフレーム３、４の少なくとも一部との間の拡大した距離が得られる。それゆえ、キャリア２の層１４と第１および／または第２のリードフレーム３、４との間の改善された電気的絶縁を有する装置が提供されることができる。加えて、電気的絶縁を改善するために、キャリア２とより薄い第１および／または第２のリードフレームとの間に絶縁層が導入されることができる。
【００８７】
選択される実施形態に応じて、デバイス１は２つのリードフレーム３、４のみを有することもできる。この実施形態において、２つのリードフレームの一方の裏側の少なくとも一部が、他方のリードフレームの裏側に関して後退される。この実施形態において、部品およびキャリアを備える装置も提供されることができ、リードフレームの一方とキャリアの導電層との間の電気的絶縁が改善されている。
【００８８】
図６は、デバイス１のさらなる例示的な実施形態を例示し、図６Ａおよび６Ｂの平面図、図６Ｃおよび６Ｄの側面図ならびに図６Ｅおよび６Ｆの下位図を参照されたい。より良好な識別のために、図６Ｂ、６Ｄおよび６Ｆはハウジング６なしで描かれる。図６の表現は一定の縮尺であり、寸法指定はｍｍで与えられる。
【００８９】
この例示的な実施形態において、第３のリードフレーム５は最大のリードフレームである。加えて、５つのコンタクト面１０、１１、１２、１３が存在しており、これとは対照的に、より多くのまたはより少ないコンタクト面を備えることもできる。第１および第３の両リードフレーム３、５は、平面視でＴ字形であり、Ｔの比較的短い形状の中央部は各々他方のリードフレーム３、５に向いている。第２のリードフレーム４は、特に接地接触ＧＮＤとして設計され、リードフレーム３、５間に設けられる。
【００９０】
したがって、第３のリードフレーム５は、好ましくは電源電圧Ｖのためのコンタクトとして設計される。図１に対するコンタクトＶ、ＧＮＤのそのような入れ換えは、全ての他の例示的な実施形態でも行うことができる。
【００９１】
部品７をもつ第１のリードフレーム３は、好ましくは電気的に接続されるのではなく、例えば、ヒートシンクとしてのみ使用される。第３のリードフレーム５は、平面視で、コンタクト面１０、１１、１２、１３からリードフレーム３、４を空間的に分離する。キャパシタ８は、リードフレーム３、５のＴの中央部のできるだけ近くに設けられる。リードフレーム３、４、５、１０、１１、１２、１３および要素７、８、９は各々ボンディングワイヤによって電気的に接続される。
【００９２】
その他の点では、図１、２、４および５に関する説明が当てはまる。
【００９３】
図７において、電気回路網は図３に類似して略記される。図３とは対照的に、制御回路９のスイッチング素子は部品７とキャパシタ８との間に電気的に配置される。任意選択で、図３と同様に、図７には図示されないが、特に第３のリードフレーム５で、第３の放電電流のための経路をデバイス１に設けることができる。その他の点では、図３に関する説明が当てはまる。
【００９４】
本発明が好ましい例示的な実施形態によってより詳細に例示および記載されたが、本発明は開示した例によって限定されず、本発明の保護の範囲から逸脱することなく、当業者から他の変形が導かれることができる。
【００９５】
本特許出願は独国特許出願公開第１０２０１６２０８４３１．３号明細書の優先権を主張し、その開示内容が参照により本明細書に組み込まれる。
【符号の説明】
【００９６】
１  デバイス
２  キャリア
２２  キャリア表側
４０  リードフレームアセンブリ
３  第１のリードフレーム
４  第２のリードフレーム
５  第３のリードフレーム
６  ハウジング
７  部品
８  キャパシタ
９  制御回路
１０  第１のコンタクト面
１１  第２のコンタクト面
１２  第３のコンタクト面
１３  第４のコンタクト面
１４  層
１５  発光方向
１６  絶縁層
１７  部品の第１の接続
１８  部品の第２の接続
１９  制御回路の第１の接続
２０  制御回路の第２の接続
２１  制御回路の第３の接続
２２  さらなる接続
２３  キャパシタの第１の接続
２４  キャパシタの第２の接続
２５  第１のコンタクト
２６  第２のコンタクト
２７  絶縁層
２８  さらなる層
２９  第１のビア接点
３０  第２のビア接点
３１  第１の矢印／デバイスにおける第１の放電電流
３２  第２の矢印／キャリアにおける第２の放電電流
３３  第３の矢印／デバイスにおける第３の放電電流
４１  実装側
１００  装置
ＧＮＤ  接地接触
Ｔ  制御電圧
Ｖ  電源電圧
【図１】
2019511128.tif 000003
【図２】
2019511128.tif 000004
【図３】
2019511128.tif 000005
【図４】
2019511128.tif 000006
【図５】
2019511128.tif 000007
【図６Ａ】
2019511128.tif 000008
【図６Ｂ】
2019511128.tif 000009
【図６Ｃ】
2019511128.tif 000010
【図６Ｄ】
2019511128.tif 000011
【図６Ｅ】
2019511128.tif 000012
【図６Ｆ】
2019511128.tif 000013
【図７】
2019511128.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月26日(2018.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装可能電気デバイス（１）と、キャリア（２）と、を有する装置（１００）であって、
前記デバイス（１）が、
半導体部品であり、かつ放射を生成するためのものである少なくとも１つの電気部品（７）と、
前記部品（７）のパルス動作のための制御回路（９）と、
電気的に直列に前記部品（７）に接続され、かつ前記部品（７）のパルス通電のために構成されているキャパシタ（８）と、
前記部品（７）、前記キャパシタ（８）および前記制御回路（９）のための実装プラットフォームとして複数の異なるリードフレーム（３、４、５、１０、１１、１２、１３）を有するリードフレームアセンブリ（４０）と、
を備え、
前記リードフレームアセンブリ（４０）が、前記リードフレームアセンブリ（４０）が前記デバイス（１）の実装側（４１）で部分的にのみ位置するように、前記実装側（４１）から薄化されており、
前記デバイス（１）が前記キャリア（２）の表側（２２）に設置されており、
前記表側（２２）に、複数のコンタクト点を有するコンタクト層（１４）が存在し、かつ前記リードフレーム（３、４、５）が前記コンタクト点に電気的および機械的に結合されており、
前記リードフレーム（３、４、５）が前記表側（２２）から部分的に離間されている、
装置（１００）。
【請求項２】
前記部品（７）が第１のリードフレーム（３）に実装されており、
前記キャパシタ（８）が第１の接続（２３）によって第２のリードフレーム（４）に設置されており、
前記制御回路（９）および前記キャパシタ（８）が第３のリードフレーム（５）上の第２の接続（２４）に接続されており、
前記制御回路（９）が、リードフレームによって形成される少なくとも１つのコンタクト面（１０、１１、１２、１３）に直接電気的に接続されており、
前記部品（７）が前記第２のリードフレーム（４）および前記制御回路（９）に直接電気的に接続されている、
請求項１に記載の装置（１００）。
【請求項３】
前記第２のリードフレーム（４）が電源電圧（Ｖ）のための外部電気コンタクト点となり、かつ前記第３のリードフレーム（５）が接地接触（ＧＮＤ）のための外部電気コンタクト点として構成されており、
前記コンタクト面（１０、１１、１２、１３）の少なくとも１つが前記制御回路（９）のための制御電圧（Ｔ）のための露出された電気コンタクト点として構成されており、かつ、
前記部品（７）が前記キャパシタ（８）と前記制御回路（９）との間に電気的に位置し、または前記制御回路（９）が前記部品（７）と前記キャパシタ（８）との間に電気的に位置している、
請求項２に記載の装置（１００）。
【請求項４】
前記第２および前記第３のリードフレーム（４．５）が、平面視でＬ字形であり、
前記第２のリードフレーム（４）が前記第３のリードフレーム（５）がまたがる矩形内に位置している、
請求項２または３に記載の装置（１００）。
【請求項５】
前記第３のリードフレーム（５）が最大のリードフレームであり、かつ前記第１および前記第３のリードフレーム（３、５）が、平面視でＴ字形であり、その結果前記２つのＴの中央部が互いに向きあっており、
前記第２のリードフレーム（４）が、平面視で前記Ｔの前記２つの中央部の一方の側で前記第１および前記第３のリードフレーム（３、５）間に配置されている、
請求項２または３に記載の装置（１００）。
【請求項６】
ハウジング（６）をさらに備え、
前記ハウジング（６）がプラスチックでできており、かつ前記ハウジング（６）が前記リードフレームアセンブリ（４０）と前記実装側（４１）との間に部分的に設けられており、かつ、
前記デバイス（１）がＱＦＮデバイスである、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項７】
前記制御回路（９）および前記キャパシタ（８）が設置される前記第３のリードフレーム（５）の第１の領域（２５）が、前記コンタクト層（１４）を介して前記第３のリードフレーム（５）の第２の領域（２６）に直接電気的に接続されており、
前記部品（７）の動作中、前記キャパシタ（８）の両接続（２３、２４）が、前記コンタクト層（１４）によって、前記キャパシタ（８）からの放電電流に対するインダクタンスが減少され、かつ前記放電電流の一部が前記コンタクト層（１４）を通って流れるように、前記部品（７）、前記制御回路（９）および前記コンタクト層（１４）を介して互いに電気的に接続されている、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項８】
前記部品（７）の動作中、前記キャパシタ（８）の前記２つの接続（２３、２４）が、前記放電電流の一部が前記デバイス（１）内を流れるように、前記部品（７）、前記制御回路（９）および前記第３のリードフレーム（５）を介して互いに電気的に接続されている、
請求項７に記載の装置（１００）。
【請求項９】
前記第１および第２の領域（２５、２６）を接続する前記コンタクト層（１４）が前記表側（２２）に完全かつ直接に延び、
前記第１のリードフレーム（３）が前記実装側（４１）から離間され、かつ全域にわたって薄化されており、かつ、
前記第２のリードフレーム（４）が、平面視で、前記コンタクト層（１４）上方で所々に配置され、かつ点別の薄化により前記コンタクト層（１４）から離間されている、
請求項７または８に記載の装置（１００）。
【請求項１０】
平面視で、前記部品（７）を通る前記デバイス（１）における放電電流が前記コンタクト層（１４）における前記放電電流と一致し、
前記コンタクト層（１４）と前記部品（７）が設けられる前記第１のリードフレーム（３）との間の距離が多くとも１．５ｍｍである、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項１１】
前記実装側（４１）とは反対側を向く前記リードフレーム（３、４、５）の上側が同じ高さに配置されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項１２】
前記キャリア（２）に第２の導電層（２８）が配置されており、
前記第２の層（２８）が前記第１の層（１４）に導電接続されており、かつ、
前記第１および前記第２の層（１４、２８）が互いに並列に配置されている、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の装置（１００）を生産するための方法であって、
第１および少なくとも１つのさらなるリードフレーム（３、４、５）が設けられ、
前記第１のリードフレーム（３）の少なくとも一部が前記実装側（４１）から、前記さらなるリードフレーム（４、５）より薄く形成され、
前記リードフレーム（３、４、５）がハウジング（６）のための材料に埋め込まれ、
前記リードフレーム（３、４、５）に前記キャパシタ（８）、前記部品（７）および前記制御回路（９）が実装され、
前記第１のリードフレーム（３）の一部の裏側が、前記少なくとも１つのさらなるリードフレーム（４、５）の少なくとも１つの部品より前記デバイス（１）の前記実装側（４１）から大きな距離にあり、
前記デバイス（１）が、前記キャリアの表側（２２）に実装される、
方法。
【請求項１４】
前記第１のリードフレーム（３）が、前記第１のリードフレーム（３）の厚さが前記少なくとも１つのさらなるリードフレーム（４、５）の厚さの５０％と９０％を含めた間であるように、ディープエッチによって前記実装側（４１）からより薄く形成される、
請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月31日(2018.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装可能電気デバイス（１）と、キャリア（２）と、を有する装置（１００）であって、
前記デバイス（１）が、
半導体部品であり、かつ放射を生成するためのものである少なくとも１つの電気部品（７）と、
前記部品（７）のパルス動作のための制御回路（９）と、
電気的に直列に前記部品（７）に接続され、かつ前記部品（７）のパルス通電のために構成されているキャパシタ（８）と、
前記部品（７）、前記キャパシタ（８）および前記制御回路（９）のための実装プラットフォームとして複数の異なるリードフレーム（３、４、５、１０、１１、１２、１３）を有するリードフレームアセンブリ（４０）と、
を備え、
前記リードフレームアセンブリ（４０）が、前記リードフレームアセンブリ（４０）が前記デバイス（１）の実装側（４１）で部分的にのみ位置するように、前記実装側（４１）から薄化されており、
前記デバイス（１）が前記キャリア（２）の表側（２２）に設置されており、
前記表側（２２）に、複数のコンタクト点を有するコンタクト層（１４）が存在し、かつ前記リードフレーム（３、４、５）が前記コンタクト点に電気的および機械的に結合されており、
前記リードフレーム（３、４、５）が前記表側（２２）から部分的に離間されている、
装置（１００）。
【請求項２】
表面実装可能な電気デバイス（１）と、前記電気デバイス（１）が配置されるキャリア（２）と、を有する装置（１００）であって、
前記電気デバイス（１）が、
パルス方式で動作される電気部品（７）と、
前記電気部品（７）のパルス動作のための制御回路（９）と、
前記電気部品（７）に電気的に接続され、前記電気部品（７）にパルス通電するためのキャパシタ（８）と、
前記電気部品（７）、前記キャパシタ（８）および前記制御回路（９）が設置される複数の異なるリードフレーム（３、４、５）を有するリードフレームアセンブリ（４０）と、
を備え、
前記リードフレームアセンブリ（４０）が、前記電気デバイス（１）の実装側（４１）から部分的に薄化され、
前記電気デバイス（１）が、前記キャリア（２）の上面（２２）に設置され、
前記キャリア（２）に、複数のコンタクト点を有するコンタクト層（１４）が存在し、かつ、前記複数のリードフレーム（３、４、５）が、部分的に前記複数のコンタクト点に電気的および機械的に結合され、
前記複数のリードフレーム（３、４、５）が、前記キャリア（２）の上面（２２）から部分的に離間されている、
装置（１００）。
【請求項３】
前記部品（７）が第１のリードフレーム（３）に実装されており、
前記キャパシタ（８）が第１の接続（２３）によって第２のリードフレーム（４）に設置されており、
前記制御回路（９）および前記キャパシタ（８）が第３のリードフレーム（５）上の第２の接続（２４）に接続されており、
前記制御回路（９）が、リードフレームによって形成される少なくとも１つのコンタクト面（１０、１１、１２、１３）に直接電気的に接続されており、
前記部品（７）が前記第２のリードフレーム（４）および前記制御回路（９）に直接電気的に接続されている、
請求項１または２に記載の装置（１００）。
【請求項４】
前記第２のリードフレーム（４）が電源電圧（Ｖ）のための外部電気コンタクト点となり、かつ前記第３のリードフレーム（５）が接地接触（ＧＮＤ）のための外部電気コンタクト点として構成されており、
前記コンタクト面（１０、１１、１２、１３）の少なくとも１つが前記制御回路（９）のための制御電圧（Ｔ）のための露出された電気コンタクト点として構成されており、かつ、
前記部品（７）が前記キャパシタ（８）と前記制御回路（９）との間に電気的に位置し、または前記制御回路（９）が前記部品（７）と前記キャパシタ（８）との間に電気的に位置している、
請求項３に記載の装置（１００）。
【請求項５】
前記第２および前記第３のリードフレーム（４、５）が、平面視でＬ字形であり、
前記第２のリードフレーム（４）が前記第３のリードフレーム（５）がまたがる矩形内に位置している、
請求項３または４に記載の装置（１００）。
【請求項６】
前記第３のリードフレーム（５）が最大のリードフレームであり、かつ前記第１および前記第３のリードフレーム（３、５）が、平面視でＴ字形であり、その結果前記２つのＴの中央部が互いに向きあっており、
前記第２のリードフレーム（４）が、平面視で前記Ｔの前記２つの中央部の一方の側で前記第１および前記第３のリードフレーム（３、５）間に配置されている、
請求項３または４に記載の装置（１００）。
【請求項７】
ハウジング（６）をさらに備え、
前記ハウジング（６）がプラスチックでできており、かつ前記ハウジング（６）が前記リードフレームアセンブリ（４０）と前記実装側（４１）との間に部分的に設けられており、かつ、
前記デバイス（１）がＱＦＮデバイスである、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項８】
前記制御回路（９）および前記キャパシタ（８）が設置される前記第３のリードフレーム（５）の第１の領域（２５）が、前記コンタクト層（１４）を介して前記第３のリードフレーム（５）の第２の領域（２６）に直接電気的に接続されており、
前記部品（７）の動作中、前記キャパシタ（８）の両接続（２３、２４）が、前記コンタクト層（１４）によって、前記キャパシタ（８）からの放電電流に対するインダクタンスが減少され、かつ前記放電電流の一部が前記コンタクト層（１４）を通って流れるように、前記部品（７）、前記制御回路（９）および前記コンタクト層（１４）を介して互いに電気的に接続されている、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項９】
前記部品（７）の動作中、前記キャパシタ（８）の前記２つの接続（２３、２４）が、前記放電電流の一部が前記デバイス（１）内を流れるように、前記部品（７）、前記制御回路（９）および前記第３のリードフレーム（５）を介して互いに電気的に接続されている、
請求項８に記載の装置（１００）。
【請求項１０】
前記第１および第２の領域（２５、２６）を接続する前記コンタクト層（１４）が前記表側（２２）に完全かつ直接に延び、
前記第１のリードフレーム（３）が前記実装側（４１）から離間され、かつ全域にわたって薄化されており、かつ、
前記第２のリードフレーム（４）が、平面視で、前記コンタクト層（１４）上方で所々に配置され、かつ点別の薄化により前記コンタクト層（１４）から離間されている、
請求項８または９に記載の装置（１００）。
【請求項１１】
平面視で、前記部品（７）を通る前記デバイス（１）における放電電流が前記コンタクト層（１４）における前記放電電流と一致し、
前記コンタクト層（１４）と前記部品（７）が設けられる前記第１のリードフレーム（３）との間の距離が多くとも１．５ｍｍである、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項１２】
前記実装側（４１）とは反対側を向く前記リードフレーム（３、４、５）の上側が同じ高さに配置されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項１３】
前記キャリア（２）に第２の導電層（２８）が配置されており、
前記第２の層（２８）が前記第１の層（１４）に導電接続されており、かつ、
前記第１および前記第２の層（１４、２８）が互いに並列に配置されている、
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の装置（１００）。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の装置（１００）を生産するための方法であって、
第１および少なくとも１つのさらなるリードフレーム（３、４、５）が設けられ、
前記第１のリードフレーム（３）の少なくとも一部が前記実装側（４１）から、前記さらなるリードフレーム（４、５）より薄く形成され、
前記リードフレーム（３、４、５）がハウジング（６）のための材料に埋め込まれ、
前記リードフレーム（３、４、５）に前記キャパシタ（８）、前記部品（７）および前記制御回路（９）が実装され、
前記第１のリードフレーム（３）の一部の裏側が、前記少なくとも１つのさらなるリードフレーム（４、５）の少なくとも１つの部品より前記デバイス（１）の前記実装側（４１）から大きな距離にあり、
前記デバイス（１）が、前記キャリアの表側（２２）に実装される、
方法。
【請求項１５】
前記第１のリードフレーム（３）が、前記第１のリードフレーム（３）の厚さが前記少なくとも１つのさらなるリードフレーム（４、５）の厚さの５０％と９０％を含めた間であるように、ディープエッチによって前記実装側（４１）からより薄く形成される、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
キャリアと、
前記キャリア上に載置された複数のリードフレームと、前記複数のリードフレーム上に載置された電気的要素と、を含む電気デバイスと、
を有する装置であって、
前記複数のリードフレームは、
前記キャリアとの対向面側において、
一部のリードフレームが、前記キャリア上に形成された一対のコンタクト部に電気的に接続され、
残りのリードフレームが、前記キャリアの上面から離れるよう、スペーサまたはスペースを介して前記キャリア上に載置され、
前記キャリアとの対向面の反対側において、
前記電気的要素を動作させるよう、前記電気的要素と直接電気的に接続されている、
装置。
【国際調査報告】
2019511128.tif 000015
2019511128.tif 000016
2019511128.tif 000017
2019511128.tif 000018