【手続補正書】
【提出日】令和3年12月2日(2021.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーバーレイ計測システムであって、
コントローラを備え、前記コントローラが、１つ以上のプロセッサに、
サンプル上のオーバーレイターゲットの第１の層のデバイスフィーチャのパターンと基準フィーチャのパターンとの間の、第１の層のパターン配置距離を測定することと、
少なくとも前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャのパターンとを含む第２の層を製作することに続き、前記第２の層の前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャのパターンとの間の、第２の層のパターン配置距離を測定することと、
前記第１の層および前記第２の層の前記基準フィーチャのパターンの相対位置に基づき基準オーバーレイを測定することと、前記第１の層の前記基準フィーチャのパターンの寸法は、前記第２の層を介して、撮像システムによって解像可能であり、
前記第１の層のパターン配置距離と前記第２の層のパターン配置距離との差で前記基準オーバーレイを調節することによって、前記デバイスのフィーチャのパターンに対する、デバイスに関連するオーバーレイを判定することと、
を行わせるプログラム命令を実行するように構成される１つ以上のプロセッサを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項２】
請求項１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記１つ以上のプロセッサが、
前記デバイスに関連するオーバーレイに基づきオーバーレイ修正可能箇所をリソグラフィシステムに提供して、少なくとも１回の後の露光の露光条件を修正するプログラム命令を実行するようにさらに構成される、オーバーレイ計測システム。
【請求項３】
請求項１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記デバイスのフィーチャのパターンが、デバイスのフィーチャの第１のパターンであり、前記オーバーレイターゲットが、前記第１の層および前記第２の層に製作されたデバイスのフィーチャの１つ以上のさらなるパターンを含み、前記１つ以上のプロセッサが、
前記第２の層の製作に先立ち、前記第１の層における、前記デバイスフィーチャの１つ以上のさらなるパターンと前記基準フィーチャのパターンとの間の、１つ以上のさらなる第１の層のパターン配置距離を測定することと、
前記第２の層を製作することに続き、前記第２の層における、前記デバイスフィーチャの１つ以上のさらなるパターンと前記基準フィーチャのパターンとの間の、１つ以上の第２の層のパターン配置距離を測定することと、
前記デバイスのフィーチャの１つ以上のさらなるパターンに対する、デバイスに関連するオーバーレイを、前記１つ以上のさらなる第１の層のパターン配置距離とそれぞれの前記１つ以上のさらなる第２の層のパターン配置距離との差で前記基準オーバーレイを調節することによって、判定することと、
を行うプログラム命令を実行するようにさらに構成された、オーバーレイ計測システム。
【請求項４】
請求項３に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記デバイスのフィーチャの第１のパターンおよび前記デバイスのフィーチャの１つ以上のさらなるセットが、前記オーバーレイターゲット上に間隔を開けて分離される、オーバーレイ計測システム。
【請求項５】
請求項３に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記第１の層と前記第２の層の前記デバイスフィーチャのパターンが重なり合う、オーバーレイ計測システム。
【請求項６】
請求項５に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記第１の層および前記第２の層の前記基準フィーチャが重なり合う、オーバーレイ計測システム。
【請求項７】
請求項３に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記第１の層および前記第２の層の前記デバイスフィーチャのパターンが、前記オーバーレイターゲット上で間隔を開けて分離される、オーバーレイ計測システム。
【請求項８】
請求項７に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記第１の層および前記第２の層の前記基準フィーチャが重なり合う、オーバーレイ計測システム。
【請求項９】
請求項１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記基準フィーチャのパターンが、基準フィーチャの第１のパターンであり、前記オーバーレイターゲットが、前記第１の層および前記第２の層に製作された、基準フィーチャの１つ以上のさらなるパターンを含み、
前記１つ以上のプロセッサが、
前記第２の層の製作に先立ち、前記第１の層の前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャの１つ以上のさらなるパターンとの間の、１つ以上のさらなる第１の層のパターン配置距離を測定することと、
前記第２の層を製作することに続き、１つ以上のさらなる基準オーバーレイを、前記第１の層および前記第２の層の前記基準フィーチャの１つ以上のさらなるパターンの相対位置に基づき、測定することと、前記第１の層の前記基準フィーチャの１つ以上のさらなるパターンの寸法が、前記第２の層を介して、前記撮像システムによって解像可能であり、
前記第２の層を製作することに続き、前記第２の層の前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャの１つ以上のさらなるパターンとの間の、１つ以上の第２の層のパターン配置距離を測定することと、
１つ以上のさらなるデバイスに関連するオーバーレイを、前記１つ以上のさらなる第１の層のパターン配置距離とそれぞれの前記１つ以上のさらなる第２の層のパターン配置距離との差で前記１つ以上のさらなる基準オーバーレイを調節することにより判定することと、
を行うプログラム命令を実行するようにさらに構成される、オーバーレイ計測システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記基準フィーチャの第１のパターンおよび前記基準フィーチャの１つ以上のさらなるセットが、前記オーバーレイターゲット上で間隔を開けて分離される、オーバーレイ計測システム。
【請求項１１】
請求項１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記基準フィーチャのパターンが、前記第１の層および前記第２の層の走査方向に沿って一定間隔で配置されたフィーチャの２つ以上のセットを含み、前記基準フィーチャのパターンの相対位置に基づき前記基準オーバーレイを測定することが、
前記フィーチャの２つ以上のセットの１つ以上の走査画像を生成することと、
前記１つ以上の走査画像における前記フィーチャの２つ以上のセットに基づき、前記基準オーバーレイを測定することと、を含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記第１の層の前記基準フィーチャのパターンの少なくともいくつかのフィーチャが、前記第２の層を介して撮像されるとき、前記撮像システムの解像度より小さいピッチで区分される、オーバーレイ計測システム。
【請求項１３】
請求項１１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記１つ以上の走査画像が、異なる撮像角度、異なるビームエネルギー、または異なる波長のうちの少なくとも１つを用いて生成される、１つ以上の走査画像を含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項１４】
請求項１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記撮像システムが、粒子系撮像システムを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記粒子系撮像システムが、電子ビーム撮像システムを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項１６】
請求項１４に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記粒子系撮像システムが、イオンビーム撮像システムを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項１７】
請求項１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記撮像システムが、光学撮像システムを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項１８】
請求項１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記撮像システムが、２つ以上の撮像システムを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項１９】
オーバーレイ計測システムであって、
撮像システムと、
前記撮像システムと通信可能に連結されたコントローラと、を備え、
前記コントローラが、１つ以上のプロセッサに、
第１の層の製作後に、サンプル上のオーバーレイターゲットの第１の層のデバイスフィーチャのパターンと基準フィーチャのパターンとの間の、第１の層のパターン配置距離を測定することと、
少なくとも前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャのパターンとを含む第２の層を製作することに続き、前記第２の層の前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャのパターンとの間の、第２の層のパターン配置距離を測定することと、
前記第１の層および前記第２の層の前記基準フィーチャのパターンの相対位置に基づき基準オーバーレイを測定することと、前記第１の層の前記基準フィーチャのパターンの寸法は、前記第２の層を介して、前記撮像システムによって解像可能であり、
前記第１の層のパターン配置距離と前記第２の層のパターン配置距離との差で前記基準オーバーレイを調節することによって、前記デバイスのフィーチャのパターンに対する、デバイスに関連するオーバーレイを判定することと、
を行わせるプログラム命令を実行するように構成される１つ以上のプロセッサを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項２０】
請求項１９に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記１つ以上のプロセッサが、
前記デバイスに関連するオーバーレイに基づくオーバーレイ修正可能箇所をリソグラフィシステムに提供して、少なくとも１回の後の露光の露光条件を修正するプログラム命令を実行するようにさらに構成される、オーバーレイ計測システム。
【請求項２１】
請求項１９に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記デバイスのフィーチャのパターンが、デバイスのフィーチャの第１のパターンであり、前記オーバーレイターゲットが、前記第１の層および前記第２の層に製作されたデバイスのフィーチャの１つ以上のさらなるパターンを含み、前記１つ以上のプロセッサが、
前記第２の層の製作に先立ち、前記第１の層における、前記デバイスフィーチャの１つ以上のさらなるパターンと前記基準フィーチャのパターンとの間の、１つ以上のさらなる第１の層のパターン配置距離を測定することと、
前記第２の層を製作することに続き、前記第２の層における、前記デバイスフィーチャの１つ以上のさらなるパターンと前記基準フィーチャのパターンとの間の、１つ以上の第２の層のパターン配置距離を測定することと、
前記デバイスのフィーチャの１つ以上のさらなるパターンに対する、デバイスに関連するオーバーレイを、前記１つ以上のさらなる第１の層のパターン配置距離とそれぞれの前記１つ以上のさらなる第２の層のパターン配置距離との差で前記基準オーバーレイを調節することによって、判定することと、
を行うプログラム命令を実行するようにさらに構成された、オーバーレイ計測システム。
【請求項２２】
請求項２１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記デバイスのフィーチャの第１のパターンおよび前記デバイスのフィーチャの１つ以上のさらなるセットが、前記オーバーレイターゲット上に間隔を開けて分離される、オーバーレイ計測システム。
【請求項２３】
請求項２１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記第１の層と前記第２の層の前記デバイスフィーチャのパターンが重なり合う、オーバーレイ計測システム。
【請求項２４】
請求項２３に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記第１の層および前記第２の層の前記基準フィーチャが重なり合う、オーバーレイ計測システム。
【請求項２５】
請求項２１に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記第１の層および前記第２の層の前記デバイスフィーチャのパターンが、前記オーバーレイターゲット上で間隔を開けて分離される、オーバーレイ計測システム。
【請求項２６】
請求項２５に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記第１の層および前記第２の層の前記基準フィーチャが重なり合う、オーバーレイ計測システム。
【請求項２７】
請求項１９に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記基準フィーチャのパターンが、基準フィーチャの第１のパターンであり、前記オーバーレイターゲットが、前記第１の層および前記第２の層に製作された、基準フィーチャの１つ以上のさらなるパターンを含み、
前記１つ以上のプロセッサが、
前記第２の層の製作に先立ち、前記第１の層の前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャの１つ以上のさらなるパターンとの間の、１つ以上のさらなる第１の層のパターン配置距離を測定することと、
前記第２の層を製作することに続き、１つ以上のさらなる基準オーバーレイを、前記第１の層および前記第２の層の前記基準フィーチャの１つ以上のさらなるパターンの相対位置に基づき、測定することと、前記第１の層の前記基準フィーチャの１つ以上のさらなるパターンの寸法が、前記第２の層を介して、前記撮像システムによって解像可能であり、
前記第２の層を製作することに続き、前記第２の層の前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャの１つ以上のさらなるパターンとの間の、１つ以上の第２の層のパターン配置距離を測定することと、
１つ以上のさらなるデバイスに関連するオーバーレイを、前記１つ以上のさらなる第１の層のパターン配置距離とそれぞれの前記１つ以上のさらなる第２の層のパターン配置距離との差で前記１つ以上のさらなる基準オーバーレイを調節することにより判定することと、
を行うプログラム命令を実行するようにさらに構成される、オーバーレイ計測システム。
【請求項２８】
請求項２７に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記基準フィーチャの第１のパターンおよび前記基準フィーチャの１つ以上のさらなるセットが、前記オーバーレイターゲット上で間隔を開けて分離される、オーバーレイ計測システム。
【請求項２９】
請求項１９に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記基準フィーチャのパターンが、前記第１の層および前記第２の層の走査方向に沿って一定間隔で配置されたフィーチャの２つ以上のセットを含み、前記基準フィーチャのパターンの相対位置に基づき前記基準オーバーレイを測定することが、
前記フィーチャの２つ以上のセットの１つ以上の走査画像を生成することと、
前記１つ以上の走査画像における前記フィーチャの２つ以上のセットに基づき、前記基準オーバーレイを判定することと、を含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項３０】
請求項２９に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記第１の層の前記基準フィーチャのパターンの少なくともいくつかのフィーチャが、前記第２の層を介して撮像されるとき、前記撮像システムの解像度より小さいピッチで区分される、オーバーレイ計測システム。
【請求項３１】
請求項３０に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記１つ以上の走査画像が、異なる撮像角度、異なるビームエネルギー、または異なる波長のうちの少なくとも１つを用いて生成される、１つ以上の走査画像を含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項３２】
請求項１９に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記撮像システムが、粒子系撮像システムを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項３３】
請求項３２に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記粒子系撮像システムが、電子ビーム撮像システムを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項３４】
請求項３２に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記粒子系撮像システムが、イオンビーム撮像システムを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項３５】
請求項１９に記載のオーバーレイ計測システムであって、
前記撮像システムは、光学撮像システムを含む、オーバーレイ計測システム。
【請求項３６】
オーバーレイ計測方法であって、
少なくともデバイスフィーチャのパターンと基準フィーチャのパターンとを含むサンプル上に、オーバーレイターゲットの第１の層を製作することと、
前記第１の層を製作することに続き、撮像システムを用いて、前記第１の層の前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャのパターンとの間の、第１の層のパターン配置距離を測定することと、
少なくとも前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャのパターンとを含む前記サンプル上に、前記オーバーレイターゲットの第２の層を製作することと、
前記第２の層を製作することに続き、撮像システムを用いて、前記第２の層の前記デバイスフィーチャのパターンと前記基準フィーチャのパターンとの間の、第２の層のパターン配置距離を測定することと、
オーバーレイ計測ツールを用いて、前記第１の層および前記第２の層の前記基準フィーチャのパターンの相対位置に基づいて基準オーバーレイを測定することと、前記第１の層の前記基準フィーチャのパターンの寸法がオーバーレイ計測ツールによって、前記第２の層を介して解像可能であり、
前記デバイスのフィーチャのパターンに対する、デバイスに関連するオーバーレイを、前記第１の層のパターン配置距離と前記第２の層のパターン配置距離との差で前記基準オーバーレイを調節することにより、判定することと、
前記デバイスに関連するオーバーレイに基づきオーバーレイ修正可能箇所をリソグラフィシステムに提供して、少なくとも１回の後の露光の露光条件を修正することと、を含む、オーバーレイ計測方法。