(57)【要約】  超音波デバイスの超音波トランスデューサの電気的バイアス印加が説明される。超音波トランスデューサは、容量型微細加工超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）であってよい。超音波トランスデューサは、異なるバイアス電圧を受ける異なるグループと一緒にグループ化されてよい。種々のグループの超音波トランスデューサのバイアス電圧が、グループ間の差を考慮に入れるべく選択されてよい。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に集積され、第１グループの超音波トランスデューサ及び第２グループの超音波トランスデューサを含む、複数の超音波トランスデューサと、
前記第１グループの超音波トランスデューサに対応する第１バイアス電極及び前記第２グループの超音波トランスデューサに対応する第２バイアス電極を含む、複数の個々に電気的に制御可能なバイアス電極と、
を備える超音波デバイス。
【請求項２】
前記第１グループの超音波トランスデューサが、複数の容量型微細加工超音波トランスデューサである、請求項１に記載の超音波デバイス。
【請求項３】
前記第１バイアス電極が、前記複数の容量型微細加工超音波トランスデューサの共通のメンブレンである、請求項２に記載の超音波デバイス。
【請求項４】
前記基板が半導体ダイであり、前記複数の容量型微細加工超音波トランスデューサが前記半導体ダイとモノリシックに一体化される、請求項２に記載の超音波デバイス。
【請求項５】
前記基板が、およそ２０ｍｍからおよそ４０ｍｍまでの間の幅及びおよそ２ｍｍからおよそ１０ｍｍまでの間の高さのデバイス表面を有し、前記複数の個々に電気的に制御可能なバイアス電極が、前記複数の超音波トランスデューサのそれぞれのグループに対応する４個から１０個までの間のバイアス電極を含む、請求項２に記載の超音波デバイス。
【請求項６】
前記複数の個々に電気的に制御可能なバイアス電極に対応する複数のバイアスラインをさらに備え、前記第１バイアス電極及び第１電源に結合される第１バイアスラインと、前記第２バイアス電極及び第２電源に結合される第２バイアスラインとを含む、請求項２に記載の超音波デバイス。
【請求項７】
前記基板に集積され、前記第１グループの超音波トランスデューサの電気的応答を検出するように構成された検出回路をさらに備える、請求項１に記載の超音波デバイス。
【請求項８】
前記基板に集積され、前記第１グループ及び前記第２グループの超音波トランスデューサに結合された、集積回路をさらに備える、請求項１に記載の超音波デバイス。
【請求項９】
基板と前記基板に集積された複数の超音波トランスデューサとを有する超音波デバイスを動作させる方法であって、
複数の超音波トランスデューサのうちの第１グループの超音波トランスデューサに対応する第１バイアス電極に第１バイアス電圧で電気的バイアスを印加することと、
前記第１バイアス電極にバイアスを印加するのと同時に、前記複数の超音波トランスデューサのうちの第２グループの超音波トランスデューサに対応する第２バイアス電極に前記第１バイアス電圧とは異なる第２バイアス電圧で電気的バイアスを印加することと、
を含む方法。
【請求項１０】
前記第１グループの超音波トランスデューサが複数の容量型微細加工超音波トランスデューサであり、前記第１バイアス電極への電気的バイアス印加が、前記複数の容量型微細加工超音波トランスデューサの共通のメンブレンへの電気的バイアス印加に関係する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１バイアス電極への電気的バイアス印加に応答して、前記第１グループの超音波トランスデューサの電気的応答を検出することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１バイアス電圧が前記第２バイアス電圧よりも最大でおよそ３０％高い、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１バイアス電極への電気的バイアス印加が、前記基板に集積された集積回路を用いて行われる、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
［0001］  本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、「ＢＩＡＳＩＮＧ  ＯＦ  ＣＡＰＡＣＩＴＩＶＥ  ＭＩＣＲＯＭＡＣＨＩＮＥＤ  ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣ  ＴＲＡＮＳＤＵＣＥＲＳ（ＣＭＵＴＳ）ＡＮＤ  ＲＥＬＡＴＥＤ  ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤＳ」という名称の、代理人整理番号Ｂ１３４８．７００２１ＵＳ００の下で２０１５年１２月２日に出願された米国特許出願整理番号１４／９５７，０９８号の米国特許法第１２０条の下での利益を主張する継続出願である。
【背景技術】
【０００２】
［0002］  本明細書で説明される技術は、微細加工超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）並びに関連する装置及び方法に関する。
【０００３】
［0003］  容量型微細加工超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）は、微細加工キャビティの上にメンブレンを含む公知のデバイスである。メンブレンは、音響信号を電気信号に又はこの逆に変換するのに用いられ得る。したがって、ＣＭＵＴは、超音波トランスデューサとして動作することができる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
［0004］  本出願の一態様によれば、基板と、基板に集積され、第１グループの超音波トランスデューサ及び第２グループの超音波トランスデューサを含む、複数の超音波トランスデューサと、第１グループの超音波トランスデューサに対応する第１バイアス電極及び第２グループの超音波トランスデューサに対応する第２バイアス電極を含む、複数の個々に電気的に制御可能なバイアス電極と、を備える超音波デバイスが提供される。
【０００５】
［0005］  本出願の一態様によれば、基板と基板に集積された複数の超音波トランスデューサとを有する超音波デバイスを動作させる方法が提供される。方法は、複数の超音波トランスデューサのうちの第１グループの超音波トランスデューサに対応する第１バイアス電極に第１バイアス電圧で電気的バイアスを印加することと、第１バイアス電極にバイアスを印加するのと同時に、複数の超音波トランスデューサのうちの第２グループの超音波トランスデューサに対応する第２バイアス電極に第１バイアス電圧とは異なる第２バイアス電圧で電気的バイアスを印加することとを含む。
【０００６】
［0006］  本出願の種々の態様及び実施形態が、以下の図面を参照しながら説明される。図面は必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解されたい。複数の図面に出現するアイテムは、それらが出現するすべての図面において同じ参照番号で示される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】［0007］限定ではない実施形態に係る複数のＣＭＵＴバイアス領域を含む超音波デバイスの上視図である。
【図２】［0008］限定ではない実施形態に係るＣＭＵＴの断面図である。
【図３】［0009］限定ではない実施形態に係る共通のメンブレンを共有する図２に示されたタイプの複数のＣＭＵＴの断面図である。
【図４】［0010］限定ではない実施形態に係る図１に示されたタイプの複数の超音波デバイスを含むウェーハの上視図である。
【図５】［0011］限定ではない実施形態に係る複数の電圧源及び検出回路を伴う図１に示されたタイプの超音波デバイスの上視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［0012］  本出願の一態様によれば、超音波デバイスの超音波トランスデューサのグループにバイアスを印加するためのセグメント化されたバイアススキームが実施される。超音波デバイスは、超音波プローブであってよく、超音波信号を生成及び／又は検出するように構成された複数の超音波トランスデューサを含んでよい。超音波トランスデューサはＣＭＵＴであってよい。ＣＭＵＴの適正な動作は、例えばそれらのメンブレンにバイアスを印加することによりＣＭＵＴに電気的バイアスを印加することに関係し得る。共通の電極を介してすべてのＣＭＵＴに単一のバイアス信号を提供するのではなく、２つ以上の別個のバイアスセグメントが生成されてよい。したがって、異なるグループのＣＭＵＴは、動作の改善を可能にする異なるバイアス信号を受信してよい。
【０００９】
［0013］  前述の態様及び実施形態並びにさらなる態様及び実施形態が以下でさらに説明される。これらの態様及び／又は実施形態は、本出願がこれに関して限定されないので、個々に、すべて一緒に、又は２つ以上の任意の組み合わせで用いられてよい。
【００１０】
［0014］  図１は、複数のバイアス領域が含まれる本出願の第１の態様に係る超音波デバイスの上視図である。デバイス１００は、高さＨ及び幅Ｗと８つのバイアス領域１０４ａ〜１０４ｈを有する、デバイス表面１０２を含む。デバイス表面１０２は、半導体基板又は相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）基板などの基板の表面を表す場合があり、したがって、いくつかの実施形態では半導体デバイス表面と呼ばれる場合がある。デバイス１００のデバイス表面１０２に複数のＣＭＵＴが形成されてよい。例示を簡潔にするために、複数のＣＭＵＴ１０６が、それらは図１の上視図からは見えない場合があるので、バイアス領域１０４ｂ及び１０４ｃに関して簡単に破線ボックスとして示される。いくつかの実施形態では、図１で見られる上面は、後述する図２のメンブレン２０４などのＣＭＵＴ１０６のメンブレンを表す場合がある。しかしながら、本出願の態様は、これに関して限定されず、他の構成に等しくあてはまる。例示されるバイアス領域１０４ａ〜１０４ｈのそれぞれは、いくつかの実施形態では、１つ以上のＣＭＵＴ１０６を含む場合があることを理解されたい。バイアス領域１０４ａ〜１０４ｈは、独立して電気的バイアス印加され得るＣＭＵＴの別個のグループを表す。
【００１１】
［0015］  図２は、本出願の態様に従って実装され得るＣＭＵＴの限定ではない例の断面図である。例示されるＣＭＵＴは、図１のＣＭＵＴ１０６を表す場合がある。ＣＭＵＴ１０６は、基板２０２と、スタンドオフ２０３に起因する幅（又は直径）Ｄの間隙２０６だけ分離されたメンブレン２０４を含む。間隙２０６は、真空キャビティであってよいが、代替が可能である。直径Ｄは、数ミクロン、数十ミクロン、数百ミクロン、又は任意の他の適切な直径であってよい。集積回路２０８は、随意的に、基板２０２の中に含まれてよい。例えば、基板２０２は、シリコン基板などの半導体基板であってよく、集積回路２０８は、シリコン回路であってよい。集積回路２０８は、図５に関してさらに詳細に説明されるように、ＣＭＵＴ１０６の動作を制御する及び／又はＣＭＵＴ１０６の応答を検出するように構成されてよい。
【００１２】
［0016］  ＣＭＵＴ１０６は、随意的に、分離層、酸化物（例えば、シリコンオキサイド）、又は他の層などの付加的な層を含んでよい。本明細書で説明される種々の態様はどの特定のタイプのＣＭＵＴとの使用にも限定されないので、これらは簡潔にするために例示されない。
【００１３】
［0017］  シリコン又は他の適切な材料で作製され得るメンブレン２０４は、これに交流（ＡＣ）電圧などの電圧を印加することにより又は超音波信号の受信に応答して振動するように作製されてよい。メンブレンに直流（ＤＣ）バイアス信号を印加することが望ましい場合がある。このようなバイアス信号は、所謂「ばね軟化（ｓｐｒｉｎｇ  ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ）」を引き起こすことができ、又はより一般には、メンブレンの振動する能力を調整するのに用いられ得る。したがって、適切なバイアス信号の印加は、送信モード動作と受信モード動作との両方に関するＣＭＵＴの感度を変化させることができる。図２に示すように、バイアス電圧Ｖは電圧源２１０により印加されてよい。電圧源２１０は、２つ以上のＣＭＵＴ１０６によって共有されてよく、いくつかの実施形態ではデバイス１００に集積されてよい。図３は一例を示す。
【００１４】
［0018］  図３では、３つのＣＭＵＴ１０６が電圧源２１０を共有する。それらは、共通の基板２０２及びメンブレン２０４も共有する。したがって、すべての３つの例示されるＣＭＵＴに共通の電圧でバイアスを印加するのに単一の電圧源２１０が用いられてよい。３つよりも多いＣＭＵＴが、共通のメンブレンを共有してよく、同様に共通の電圧源によってバイアスを印加されてよいことを理解されたい。実際には、図１を再び参照すると、バイアス領域１０４ａ〜１０４ｈのそれぞれは、共通のメンブレンを有するＣＭＵＴのグループを表す場合がある。所与のバイアス領域に関するＣＭＵＴは、同じバイアス信号によってバイアスを印加されてよいが、異なるバイアス領域に関して異なるバイアス信号が用いられてよい。例として、バイアス領域１０４ｂのＣＭＵＴ１０６は、共通のメンブレンを共有してよく、例えば電圧源２１０などの電圧源からの同じバイアス信号によってバイアスを印加されてよい。同様に、バイアス領域１０４ｃのＣＭＵＴ１０６は、共通のメンブレンを共有してよく、同じバイアス信号によってバイアスを印加されてよい。しかしながら、バイアス領域１０４ｂ及び１０４ｃは、独立してバイアスを印加されてもよい。
【００１５】
［0019］  図２及び図３は、ＣＭＵＴメンブレンへのバイアス電圧の直接の印加を例示するが、いくつかの実施形態では、電極は、メンブレン上に配置されてよいことを理解されたい。例えば、電極は、バイアス領域１０４ａ〜１０４ｈが、ＣＭＵＴの対応するグループにバイアスを印加するように構成された８つの異なる電極に対応し得るように、メンブレン２０４上に設けられてよい。このような状況では、別個の電極が、デバイス１００にわたる単一のブランケット電極を形成し、次いで、ブランケット電極をバイアス領域１０４ａ〜１０４ｈに対応する８つのセグメントにエッチングすることにより製作されてよい。さらに、他の構成及び製造技術が可能である。
【００１６】
［0020］  寸法Ｈ及びＷがより大きければ、超音波デバイスのＣＭＵＴの異なるグループに独立してバイアスを印加する能力はより有益となり得る。ＣＭＵＴを作製するのに用いられる製造プロセスは、結果的に、超音波デバイスのＣＭＵＴ間の変動を生じる場合がある。例えば、ウェーハ上の多くのＣＭＵＴの製造は、通常は、蒸着、リソグラフィ、及びエッチングなどのプロセスの使用に関係することになり、これはウェーハにわたって均一に適用されない場合がある。図４を参照すると、ウェーハ４００は、図１に示されたタイプの複数の超音波デバイス１００を含む場合がある。各デバイス１００は、いくつかの実施形態では、別個のダイであり得る。蒸着及びエッチングなどのウェーハ４００に適用される典型的な微細製造ステップは、ウェーハ４００の中央にあるデバイス１００に、ウェーハ４００の周辺の方のデバイス１００とは異なるように適用される場合がある。寸法Ｈ及びＷが十分に大きい場合、製作ステップは、デバイス１００内で不均一に適用される場合がある。限定ではない例として、Ｗは、２０ｍｍから４０ｍｍまでの間である場合があり、いくつかの実施形態では、１０ｍｍよりも大きい、２０ｍｍよりも大きい、１０ｍｍから５０ｍｍまでの間、又はこのような範囲内の任意の値又は値の範囲であり得る。Ｈは、２ｍｍから１０ｍｍまでの間、３ｍｍから５ｍｍまでの間、２ｍｍよりも大きい、又はこのような範囲内の任意の他の値又は値の範囲であり得る。これらの寸法は、数十、数百、数千、又はそれ以上のＣＭＵＴにわたる場合がある。標準的な微細製造プロセスは、このような寸法にわたって変化する場合がある。したがって、ＣＭＵＴは、不均一に製造される場合があり、異なる固有の動作特徴を呈する場合がある。したがって、独立してバイアスを印加されるＣＭＵＴの個別の領域を提供する本出願のいくつかの態様は有利であり得る。
【００１７】
［0021］  図１を再び参照すると、バイアス領域１０４ｂ及び１０４ｃのそれぞれに関連しておよそ２０個のＣＭＵＴが図示されるが、実際には、図示されるよりもはるかに多くを含む任意の適切な数が存在し得る。例えば、デバイス１００は、幅Ｗ及び高さＨにわたるアレイ又は他の構成に分布する数千、数十万、又は数百万のＣＭＵＴを含む場合がある。
【００１８】
［0022］  いくつかの実施形態では、異なるバイアス領域１０４ａ〜１０４ｈに印加されるバイアス電圧の差は、３％から３０％までの間、５％から２０％までの間、又はこのような範囲内の任意の値又は値の範囲であってよい。例えば、バイアス領域１０４ａにおよそ６０ボルトのバイアス電圧が印加されてよく、バイアス領域１０４ｄにおよそ８０ボルトのバイアス電圧が印加されてよい。しかしながら、これらは限定ではない例である。いくつかの実施形態では、バイアス領域１０４ａ〜１０４ｈのうちの２つ以上が同じバイアス値を受けてよい。いくつかの実施形態では、すべてのバイアス領域１０４ａ〜１０４ｈが異なるバイアス値を受けてよい。所与のバイアス領域に印加されるバイアス値は、デバイスの意図された用途及び該バイアス領域内のＣＭＵＴの決定された挙動に依存し得る。
【００１９】
［0023］  したがって、本出願の一態様は、超音波デバイスのバイアス領域に印加するバイアス値を決定するための回路及び方法を提供する。図５を参照すると、デバイス５００は、図１のデバイス１００と類似しているが、複数の電圧源及び複数の検出回路をさらに含む。電圧源５０２ａは、バイアスライン５０４ａを介してバイアス信号を提供するべくバイアス領域１０４ａに結合される。バイアス信号が印加されてよく、該バイアス領域のＣＭＵＴからの応答が検出回路５０６ａにより検出されてよい。応答は、電気的応答であり得る。検出した応答に応じて、所望のＣＭＵＴ動作を達成するべくバイアス信号が変化されるべきかが判断されてよい。同様に、バイアス領域１０４ｂに関して、バイアス信号が電圧源５０２ｂによりバイアスライン５０４ｂを介して印加され、応答が検出回路５０６ｂにより検出されてよい。印加されるバイアス信号の値は、所望のＣＭＵＴ動作を達成するべく必要に応じて調節されてよい。
【００２０】
［0024］  図５は、バイアス領域１０４ａ及び１０４ｂのみに関する電圧源及び検出回路を例示するが、電圧源及び検出回路は、各バイアス領域に関して設けられ得ることを理解されたい。検出回路は、いくつかの実施形態では集積回路２０８として実装されてよい。また、図５との代替的な構成が可能である。例えば、電圧源によって提供される電圧をバイアス領域のそれぞれに特異的な値に調節するための適切な回路（例えば、分圧器、増幅器など）と共に、すべてのバイアス領域に関する単一の電圧源が設けられてよい。より一般には、デバイス５００は、すべての例示された構成要素が同じ基板上にモノリシックに一体化されている単一基板デバイスであってよい。マルチチップ構成を含む代替的な構成が可能である。
【００２１】
［0025］  ＣＭＵＴ挙動を検出する及び印加されるバイアス信号を調節する説明した動作は、いくつかの実施形態では限られた回数で行われてよい。例えば、適切なバイアス電圧の決定は、一実施形態によれば、製造後に一回決定されてよい。この意味では、適切なバイアス電圧の決定は、製造の際の校正ステップと考えてよい。いくつかの実施形態では、決定は、例えば超音波デバイス５００の設定された回数の使用後のデバイスのエージングを考慮に入れるために定期的に行われてよい。いくつかの実施形態では、決定は、超音波デバイス５００の動作中に動的に行われてよい。
【００２２】
［0026］  図１及び図５は８つのバイアス領域を例示するが、他の数のバイアス領域が設けられてよいことを理解されたい。例えば、いくつかの実施形態では、２つよりも多いバイアス領域が設けられてよい。いくつかの実施形態では、２から１２までの間、該範囲内の任意の数、又はそれ以上のバイアス領域が設けられてよい。より多くのバイアス領域が設けられれば、特定のグループのＣＭＵＴに適切に適合されたバイアス信号を提供する能力がより高まる。しかしながら、より多い数のバイアスラインが必要とされる可能性があり、これはスペースをとり、配線の複雑さを増加させることがある。したがって、妥協がなされる場合がある。
【００２３】
［0027］  また、図１及び図５は、実質的に長方形のバイアス領域を例示するが、本出願はこれに関して限定されない。バイアス領域は、任意の適切な形状及び任意の適切な相対位置をとり得る。
【００２４】
［0028］  本出願の一態様は、超音波デバイスのＣＭＵＴにバイアスを印加するための方法を提供することが上記から分かるであろう。方法は、第１グループの超音波トランスデューサに対応する第１バイアス電極に第１バイアス電圧で電気的バイアスを印加することと、第１バイアス電極にバイアスを印加するのと同時に、第２グループの超音波トランスデューサに対応する第２バイアス電極に第１バイアス電圧とは異なる第２バイアス電圧で電気的バイアスを印加することを含んでよい。第１バイアス電極への電気的バイアス印加は、複数のＣＭＵＴの共通のメンブレンへの電気的バイアス印加に関係してよい。
【００２５】
［0029］  随意的に、第１バイアス電極への電気的バイアス印加に応答して、第１グループの超音波トランスデューサの電気的応答が検出されてよく、バイアス信号が変化されてよい。第１バイアス電圧は、第２バイアス電圧よりも最大でおよそ３０％高くてよく、又は本明細書で前に列挙したパーセンテージのいずれかだけ第２バイアス電圧とは異なっていてよい。
【００２６】
［0030］  本出願の技術のいくつかの態様及び実施形態がこのように説明されており、種々の変更、修正、及び改善を当該技術分野の当業者はすぐに思いつくであろうということを理解されたい。このような変更、修正、及び改善は、本出願で説明される技術の精神及び範囲内となることが意図される。したがって、上記の実施形態は単なる例として提示されることと、付属の請求項及びその均等物の範囲内で、具体的に説明された実施形態以外の他の発明的な実施形態が実施され得ることが理解されるべきである。加えて、本明細書で説明される２つ以上の特徴、システム、物品、材料、キット、及び／又は方法の任意の組み合わせが、このような特徴、システム、物品、材料、キット、及び／又は方法が相互に矛盾しなければ、本開示の範囲内に含まれる。
【００２７】
［0031］  限定ではない例として、種々の実施形態がＣＭＵＴを含むものとして説明されている。代替的な実施形態では、ＣＭＵＴの代わりに又は加えて、圧電微細加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）が用いられてよい。
【００２８】
［0032］  また、説明されるいくつかの態様は、１つ又は複数の方法として具体化されてよい。方法の一部として行われる行為は、任意の適切な方法で順序付けられてよい。したがって、例示的な実施形態では順次的な行為として示されるにもかかわらず、行為が例示されたのとは異なる順序で行われる、いくつかの行為を同時に行うことを含む場合がある実施形態が構築されてよい。
【００２９】
［0033］  本明細書で定義され用いられる場合のすべての定義は、辞書での定義、参照により組み込まれる文書での定義、及び／又は定義された用語の通常の意味と照らし合わせるように理解されたい。
【００３０】
［0034］  本明細書及び請求項で用いられる場合の不定冠詞（「ａ」及び「ａｎ」）は、逆に明示されない限り、「少なくとも１つ」を意味すると理解されたい。
【００３１】
［0035］  本明細書及び請求項で用いられる場合の「及び／又は」という文言は、そのように結合される要素、すなわち、或る場合に接続的に存在し、他の場合に離接的に存在する要素の「いずれか又は両方」を意味すると理解されたい。
【００３２】
［0036］  本明細書及び請求項で用いられる場合の「少なくとも１つ」という文言は、１つ以上の要素のリストに関連して、要素のリストにある要素のうちの任意の１つ以上から選択されるが要素のリスト内に具体的に列挙される各及びすべての要素のうちの少なくとも１つを必ずしも含まない且つ要素のリストにおける要素の任意の組み合わせを除外しない少なくとも１つの要素を意味すると理解されたい。この定義はまた、具体的に特定されたこれらの要素に関係する又は関係しないにかかわらず、「少なくとも１つ」という文言が指す要素のリスト内で具体的に特定された要素以外の要素が随意的に存在し得ることを許容する。
【００３３】
［0037］  請求項並びに上記の本明細書での、「備える」、「含む」、「もつ」、「有する」、「含有する」、「関係する」、「保持する」、「で構成される」などのすべての移行句は、オープンエンドとなる、すなわち、「〜を含むがこれらに限定されない」を意味するように理解されるべきである。「〜からなる」及び「本質的に〜からなる」という移行句だけが、それぞれクローズド又はセミクローズドの移行句となるものとする。
【図１】
2019504534.tif 000003
【図２】
2019504534.tif 000004
【図３】
2019504534.tif 000005
【図４】
2019504534.tif 000006
【図５】
2019504534.tif 000007
【国際調査報告】
2019504534.tif 000008
2019504534.tif 000009
2019504534.tif 000010