(57)【要約】  フライングキャパシタを有する電荷ポンプにおける基板雑音を低減させる方法及びシステムが提供される。フライングキャパシタの入力ノードは、第１のスルーレートで予備充電される。フライングキャパシタの入力ノードは、第１のスルーレートよりも高速な第２のスルーレートで充電される。フライングキャパシタの入力ノードは、第３のスルーレートで予備放電される。フライングキャパシタの入力ノードは、第１のスルーレートよりも高速な第４のスルーレートで放電される。
2019515635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷ポンプであって、
駆動ノードと出力部との間に連結されたフライングキャパシタと、
第１の供給と前記駆動ノードとの間に連結され、前記フライングキャパシタを充電するように動作する第１の駆動スイッチと、
第２の供給と前記駆動ノードとの間に結合され、前記フライングキャパシタを放電するように動作する第２の駆動スイッチと、
第１の供給と前記駆動ノードとの間に結合され、前記駆動ノードを予備充電するように動作する第３の駆動スイッチと、
第２の供給と前記駆動ノードとの間に結合され、前記駆動ノードを予備充電するように動作する第４の駆動スイッチと、
を備える、電荷ポンプ。
【請求項２】
前記第３のスイッチが、前記第１のスイッチがオンになる前にオンにされるように構成される、請求項１に記載の電荷ポンプ。
【請求項３】
前記第３のスイッチが、前記第１のスイッチがオンである間、オンのまま保持されるように構成される、請求項２に記載の電荷ポンプ。
【請求項４】
前記第４のスイッチが、前記第２のスイッチがオンになる前にオンにされるように構成される、請求項１に記載の電荷ポンプ。
【請求項５】
前記第４のスイッチが、前記第２のスイッチがオンである間、オンのまま保持されるように構成される、請求項４に記載の電荷ポンプ。
【請求項６】
前記第１の供給と前記駆動ノードとの間に連結された第１の電流源と、
前記第２の供給と前記第４のスイッチとの間に連結された第２の電流源と、
をさらに備える、請求項１に記載の電荷ポンプ。
【請求項７】
前記第３のスイッチのスルーレートが、前記第１のスイッチのスルーレートよりも低速である、請求項１に記載の電荷ポンプ。
【請求項８】
前記第４のスイッチのスルーレートが、前記第２のスイッチのスルーレートよりも遅い、請求項１に記載の電荷ポンプ。
【請求項９】
前記第３のスイッチを通過する電流Ｉ１と、前記第２のスイッチを通過する電流Ｉ２とが、
前記駆動ノードにおける寄生容量Ｃｐと、
前記第１の供給ＶＳ＋と、
前記第２の供給ＶＳ−と、
前記第１及び第２の駆動スイッチの周期の逆関数と、
に基づき、ここで、
【数１】
2019515635.tif 000006
である、請求項1に記載の電荷ポンプ。
【請求項１０】
フライングキャパシタを有する電荷ポンプにおける基板雑音を低減する方法であって、
前記フライングキャパシタの入力ノードを、第１のスルーレートで予備充電することと、
前記フライングキャパシタの前記入力ノードを、前記第１のスルーレートよりも高速な第２のスルーレートで充電することと、
前記フライングキャパシタの前記入力ノードを、を第３のスルーレートで予備放電することと、
前記フライングキャパシタの前記入力ノードを、前記第１のスルーレートよりも高速な第４のスルーレートで放電することと、
を含む、方法。
【請求項１１】
前記フライングキャパシタの前記入力ノードを前記予備充電することが、第１の既定の電圧レベルまでであり、
前記フライングキャパシタの前記入力ノードを前記充電することが、前記第１の既定の電圧レベルを上回る第２の既定の電圧レベルまでであり、
前記フライングキャパシタの前記入力ノードを前記予備放電することが、第３の既定の電圧レベルまでであり、
前記フライングキャパシタの前記入力ノードを前記放電することが、前記第３の既定の電圧レベルを下回る第４の既定の電圧レベルまでである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１及び第３のスルーレートが、略類似し、
前記第２及び第４のスルーレートが、略類似する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記フライングキャパシタの前記入力ノードを前記充電することが、第１のスイッチをオンにし、それによって、前記フライングキャパシタの第１の電圧供給と前記入力ノードとの間の経路を作り出すことを含み、
前記フライングキャパシタの前記入力ノードを前記放電することが、第２のスイッチをオンにし、それによって、前記フライングキャパシタの第２の電圧供給と前記入力ノードとの間の経路を作り出すことを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記フライングキャパシタの前記入力ノードの前記充電前に、第３のスイッチをオンにし、それにより前記フライングキャパシタの前記入力ノードとの間の経路を作成し、
前記フライングキャパシタの前記入力ノードの前記放電前に、第４のスイッチをオンにし、それによって、前記フライングキャパシタの第２の電流源と前記入力ノードとの間の経路を作成することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
各充電サイクルにわたって、前記第１のスイッチをオンにする前に前記第３のスイッチをオンにすることをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のスイッチがオンである間、前記第３のスイッチをオンに維持することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
各放電サイクルにわたって、前記第２のスイッチをオンにする前に、前記第４のスイッチをオンにすることをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のスイッチがオンである間、前記第４のスイッチをオンに維持することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第３のスイッチのスルーレートが、前記第１のスイッチのスルーレートよりも低速である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記第４のスイッチのスルーレートが、前記第２のスイッチのスルーレートよりも低速である、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して電荷ポンプに関し、より具体的には、低減した基板雑音を備える電荷ポンプに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、性能を改善し、さらなる特徴を追加し、コストを低減し、半導体集積回路（ＩＣ）におけるより少ない面積を占有するための絶え間ない努力がなされてきた。結果として、回路の速度は革新的に向上してきており、ＩＣはより高密度にパッケージングされてきており、共通の基板を共有するより多くの回路ブロックが導入されている。
【０００３】
これらの進歩したデジタル、混合信号、またはアナログＩＣによる１つの挑戦は、システムの様々なパーツ間の雑音結合を最小限にして、劣化した性能または機能不全を回避することである。寄生によって生じる結合は、ＩＣの低信頼の性能に至る可能性がある。例えば、混合信号回路では、雑音源である高感度アナログ回路及び高周波デジタル回路の両方が、同じＩＣ上に存在し、これらの２つのタイプの回路の間に、導電性基板を介して望ましくない信号結合をもたらす場合がある。これらの回路がより高密度にパッケージングされるほど、より多くの基板雑音の問題が顕著になる。
【０００４】
例示的な高周波及び高電力回路は、電荷ポンプであり、これは、キャパシタをエネルギ蓄積要素として使用して、基準入力からより低いかまたはより高い電圧レベルを提供するＤＣ−ＤＣコンバータである。電荷ポンプは、共通のノード、例えば基板を介して混合信号雑音結合を導入することができる。電荷ポンプの高周波スイッチング操作は、基礎をなす基板電圧における変動を引き起こし、これは、共通基盤を通して拡大し、基板電位の変動を引き起こし、好感度アナログセクションを含むＩＣの各種構成要素に影響を及ぼす。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
特許請求の範囲に記載の手段に基づいて課題が解決される。
【０００６】
図面は、例証的な実施形態のものである。それらは、すべての実施形態を例証するものではない。他の実施形態を、付加的または代替的に使用してもよい。スペースを節約するために、またはより効率的な説明のために、明らかであるかまたは不必要であり得る詳細が省略される場合がある。いくつかの実施形態は、追加の構成要素またはステップによって、及び／または例証された構成要素またはステップのすべてなしに実施され得る。異なる図面に同じ数字が示されている場合、同じまたは同様の構成要素またはステップを指す。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】図１Ａは、典型的な電荷ポンプステージを例証する。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａの電荷ポンプステージの動作に関連するいくつかの波形を例証する。
【図２】図２は、例証的な一実施形態と一致する、電荷ポンプステージ２００を例証する。
【図３】図３は、例証的な一実施形態と一致する、図２の電荷ポンプステージの動作に関連するいくつかの波形関連を例証する。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［概要］
以下の詳細な説明において、関連する教示の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が実施例によって述べられている。しかしながら、本教示は、そのような詳細なしで実践され得ることが明らかであろう。他の事例において、本教示の態様を不必要に不明瞭にすることを避けるために、周知の方法、手順、構成要素、及び／または回路は、比較的高いレベルで、詳細なしに説明されている。いくつかの実施形態は、追加の構成要素またはステップによって、及び／または記述された構成要素またはステップのすべてなしに実施され得る。
【０００９】
本明細書に開示された方法及び回路は、一般に、低雑音電荷ポンプを提供する方法及び回路に関する。より具体的には、本開示は、低減された基板雑音を有する能動的電荷ポンプを説明する．電荷ポンプは、キャパシタ両端の電圧を制御するためのスイッチング装置を使用する。この点において、複数のステージを使用して、ステージごとの参照電圧を徐々に増大させ得る。各ステージで使用されるキャパシタは、「フライングキャパシタ」と称される場合があり、これは、第１の供給（例えば、Ｖｉｎ）と第２の供給（例えば、接地）との間で繰り返される。フライングキャパシタは、一般に、接地（例えば、外部装置として使用される場合）に対する、または基板（例えば、チップ上に組み込まれた場合）に対する寄生容量を有する。この寄生容量は、雑音を、同じ接地及び／または基板を共有する他の回路構成要素に結合するための導管として機能する。
【００１０】
ここで、図１Ａを参照すると、ポンプステージ１００は、各種の典型的な電荷ポンプにおいて見出され得るとして例証されている。電荷ポンプステージ１００は、フライングキャパシタ１１６を含み、これは、第１のノード（Ｖｄｒｉｖｅ）１１４を有する。ノード１０２における第１の電圧供給（ＶＳ＋）とＶｄｒｉｖｅ１１４との間に結合された第１のスイッチΘ１（１１２）と、ノード１３０における第２の電圧供給（ＶＳ−）とＶｄｒｉｖｅ１１４との間に結合された第２のスイッチΘ２（１２０）とがある。Ｖｄｒｉｖｅ１１４と基板端子との間に、寄生容量Ｃｐ１２２がある。基板端子は、一般に、接地または外部供給に接続される。寄生容量Ｃｐ１２２は、ノード１１４におけるＶｄｒｉｖｅにおける総寄生容量を表し、これは、フライングキャパシタ１１６、第１のスイッチ１１２、第２のスイッチ１２０の寄生容量、ノード１１４における配線寄生等に加えて、ノード１１８における任意の寄生を含み得る。１つの推定では、寄生容量１２２は、実際のフライングキャパシタ１１６の１／１０〜１／５であり得、これはナノファラド範囲内であり得る。
【００１１】
ここで図１Ｂを参照すると、図１Ａの電荷ポンプステージ１００の動作に関連するいくつかの波形が例証される。波形１４２によって例証されるように、Ｖｄｒｉｖｅノード１１４は、ノード１０２における第１の電圧供給（ＶＳ＋）と、ノード１３０における第２の電圧供給（ＶＳ−）との間で繰り返される。そのため、スイッチΘ１  １１２がオンにされると、波形１４４によって図示されるように、ノード１０２におけるＶＳ＋とＶｄｒｉｖｅ１１４との間に経路が作り出され、フライングキャパシタ１１６を充電する。フライングキャパシタ１１６は、スイッチΘ２  １２０を介して放電される。このように、スイッチΘ２  １２０がオンにされると、波形１４６によって図示されるように、ノード１３０における第２の電圧供給ＶＳ−とＶｄｒｉｖｅ１１４との間に経路が作り出される。フライングキャパシタ１１６上の電圧遷移は、普通は非常に高速であり、立ち上がり時間が１ナノ秒以下である。したがって、スイッチΘ１  １１２及びΘ２  １２０によって駆動される過渡電流もまた非常に迅速である。結果として生じるｄｉ／ｄｔは、ワイヤインダクタンスを接続する基板接続線インダクタンスを通して、大きな電圧遷移を作り出す。結果として生じる雑音電流は、波形１４８に例証され、以下の式１によって提供される。
【００１２】
【数１】
2019515635.tif 000003
【００１３】
したがって、雑音電流ＩＮｏｉｓｅは、寄生容量Ｃｐ１２２と、Ｖｄｒｉｖｅノード１１４における電圧ｄｖの変化との関数である。フライングキャパシタ１１６の急峻な電圧エッジに起因する電流スパイク１４８は、一般に、抑制が困難である。
【００１４】
出願人は、本明細書に述べられた構成及びタイミングシーケンスを使用することによって、充電／放電動作中の基板への／基板からの電流のラッシュが能動的に制御され、それによって、電荷ポンプステージの基板の雑音フロアを低減させることができることを特定した。そのため、フライングキャパシタの入力ノードは、第１のスルーレートで予備充填される。フライングキャパシタの入力ノードは、第１のスルーレートよりも高速であるが、Ｖｄｒｉｖｅにおいて小さい電圧変化を有する第２のスルーレートで充電される。フライングキャパシタの入力ノードは、第３のスルーレートで予備放電される。フライングキャパシタの入力ノードは、第１のスルーレートよりも高速であるが、大きさが小さい第４のスルーレートで充電される。本明細書に述べられた方法及びアーキテクチャによって、フライングキャパシタを有する電荷ポンプにおける基板雑音が低減される。
【００１５】
［実施実装例］
図２は、例証的な一実施形態と一致する、電荷ポンプステージ２００を例証する。電荷ポンプステージ２００は、フライングキャパシタ２１６を含み、これは、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４と出力２１８との間に結合される。様々な実施形態において、出力ノード２１８は、所望の出力ポンプステージを達成するための１つ以上の電荷ポンプステージに結合され得る。
【００１６】
本明細書において駆動スイッチと称される場合がある、ノード２０２における第１の電圧供給（ＶＳ＋）とＶｄｒｉｖｅノード２１４との間に結合された第１のスイッチ（２１２）と、本明細書において放電スイッチと称される場合がある、ノード２３０における第２の電圧供給（ＶＳ−）とＶｄｒｉｖｅ２１４との間に結合された第２のスイッチ（１２０）とがある。第１のスイッチΘ１（２１２）は、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４をすばやく充電するように構成されるのに対し、第２のスイッチΘ２（２２０）は、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４をすばやく放電するように構成される。
【００１７】
一実施形態では、ノード２０２において第１の電圧供給（ＶＳ＋）に結合された第１の電流源２０４と、第２の電圧供給（ＶＳ−）に結合された第２の電流源２１０とがある。第３のスイッチΘ３（２０６）は、第１の電流源Ｉ１（２０４）とＶｄｒｉｖｅノード２１４との間に結合される。第４のスイッチ４（２０８）は、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４と第２の電流源Ｉ２（２１０）との間に結合される。
【００１８】
第３のスイッチΘ３（２０６）は、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４を、第１のスイッチΘ１によって生じるものよりも実質的により低速なスルーレートで予備充電するように構成される。例えば、Θ３の周期は、クロック期間の１／４であることができる。クロック周波数が１ＭＨｚである場合、Θ３の周期は２５０ｎｓｅｃであり、１ｎｓｅｃ未満の未制御のエッジよりもはるかに低速である。第４のスイッチΘ４（２０８）は、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４を、第２のスイッチΘ２（２２０）によって生じるものよりも実質的により低速なスルーレートで予備放電するように構成される。一実施形態では、第３のスイッチΘ３（２０６）のスルーレートと第４のスイッチΘ４（２０８）のスルーレートとは、実質的に類似している。以下の式２は、一実施形態について、第１の電流源２０４及び第２の電流源２１０のためのガイドラインを提供する。
【００１９】
【数２】
2019515635.tif 000004
【００２０】
式中、
Ｉ１は、第１の電流源２０４を通る電流であり、
Ｉ２は、第２の電流源２１０を通る電流であり、
Ｃｐは、寄生容量２２２であり、
ＦＯＳＣは、スイッチΘ１（２１２）及びΘ２（２２０）の周期の逆関数である。
【００２１】
上記の式２における関係によって、電荷ポンプステージ２００は、それぞれ充電スイッチΘ１（２１２）及び充電スイッチΘ２（２２０）のスルーレートよりも実質的に低速であるスルーレートを有する予備充電及び予備放電を提供する。
【００２２】
一実施形態において、別個の電流源Ｉ１２０４及び／またはＩ２２０８は必要ではない。例えば、スイッチΘ３（２０４）は、上記の方程式２と整合する、第１の電圧供給ＶＳ＋とＶｄｒｉｖｅノード２１４との間の低減された電流を提供するように構成され得る。同様に、スイッチΘ４（２０８）は、上記の方程式２と整合する、第１の電圧供給ＶＳ−とＶｄｒｉｖｅノード２１４との間の低減された電流を提供するように構成され得る。例えば、電界効果トランジスタをスイッチとして使用した場合、トランジスタの幅／長さは、トランジスタを通る所望の電流を達成するように調整され得る。当業者は、所望の電流を達成するために、異なるタイプのスイッチのサイズ決めに関して知識があると考えられる。したがって、スイッチのサイズ決めは、簡潔にするために本明細書では述べられない。
【００２３】
先に述べられたように、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４と基板端子との間に、寄生容量Ｃｐ２２２がある。寄生容量Ｃｐ２２２は、単なる例として例証されており、かつ接地に限定されず、様々なシナリオにおいては、寄生容量Ｃｐ２２２は、基板、第１の供給（ＶＳ＋）、第２の供給（Ｖ−）等の任意の他のノード、または電荷ポンプステージ２００の任意の他のノードであってもよい。
【００２４】
寄生容量Ｃｐ２２２は、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４における全寄生容量を表し、これは、フライングキャパシタ２１６、第１のスイッチ２１２、第２のスイッチ２２０の寄生容量、ノード２１４における配線寄生、ノード２１８における配線寄生等を含み得る。
【００２５】
ここで図３を参照すると、例示的な実施形態と一致する図２の電荷ポンプステージ２００の動作に関連するいくつかの波形関連を図示する。波形３１０によって例証されるように、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４は、ノード２０２における第１の電圧供給（ＶＳ＋）と、ノード２３０における第２の電圧供給（ＶＳ−）との間で繰り返される。有意には、電荷ポンプステージ２００は、接地または基板への電流スパイクを防止するように構成される。そのため、スイッチΘ１（２１２）による各ハード充電は、スイッチΘ３（２０６）を介した予備充電に先行される。同様に、スイッチΘ２（２２０）による各ハード充電は、スイッチΘ４（２０８）を介した予備放電に先行される。言い換えると、各充電サイクルは、予備充電及びハード充電を含み、各放電サイクルは、予電放電及びハード放電を含む。
【００２６】
例えば、波形３４０によって示されるように、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４は、スイッチΘ３（２０６）をオンにすることによって、第１のスルーレートで既定の電圧レベルまで予備充填される。したがって、第１の電流源２０４とＶｄｒｉｖｅノード２１４との間に経路が作り出され、それによって、寄生容量Ｃｐ２２２を有するＶｄｒｉｖｅノード２１４を、既定の電圧まで予備充電し、これは、レベル３６２によって示されるように、スイッチΘ３（２０６）の効果的な抵抗降下に起因して、ＶＳ＋であるか、またはそれをわずかに下回り得、これはひいては、フライングキャパシタ２１６充電電流に起因する。
【００２７】
様々な実施形態において、充電サイクル中、スイッチΘ１（２１２）がオンにされる前に、スイッチΘ３（２０６）がオンにされる。スイッチΘ１は、スイッチΘ３がオンになる間にオンに維持され得（波形３４０の点線と、その波形３２０との関係を参照されたい）、波形３１０にはほとんど変化がない。このように、Ｔ０においては、スイッチΘ３（２０６）は、Ｔ１〜Ｔ３までオンにされる。Ｔ２において、スイッチΘ１がオンにされ、Ｔ３までオンに維持される。このように、予備充電は、ハード充電と重複する時間窓を有し得る。
【００２８】
同様に、放電サイクル中、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４は、波形３５０によって示されるように、スイッチΘ４（２０８）をオンにすることによって、第２のスルーレートで、第２の既定の電圧（ＶＳ−であるか、またはそれを下回る）の第２のスルーレートまで予備放電される。したがって、第２の電流源２１０とＶｄｒｉｖｅノード２１４との間に経路が作り出され、それによって、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４を、第２の既定の電圧まで予備放電し、これは、レベル３６４によって示されるように、ＶＳ−であるか、またはそれをわずかに下回り得る。したがって、Ｔ３において、スイッチΘ４（２０８）がオンされる。様々な実施形態において、スイッチΘ４（２０８）は、Ｔ４〜Ｔ６までオンにされる。言い換えると、スイッチΘ４（２０８）は、第２のスイッチΘ２（２２０）がオンにされる前にオンにされるか、または次の予備充電サイクルがＴ６になるまでオフにされる（波形３５０の点線を参照されたい）。
【００２９】
予備充電中のスルーレートは、以下の式３によって提供される。
【００３０】
【数３】
2019515635.tif 000005
【００３１】
式中、
ｄｖは、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４における電圧の変化であり、
ｄｔは、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４における時間対電圧の変化であり、
Ｉ１は、第１の電流源２０４を通る電流であり、
Ｃｐは、寄生容量２２２である。
【００３２】
一実施形態では、第１の電流源２０４によって提供される予備充電電流は、比較的小さく（例えば、μＡまたは数十μＡ程度）、それによって、低速なスルーレートを提供する。対照的に、第１のスイッチΘ１（２１２）を通して提供される電流は、最大で１０００倍大きく、大幅に制御され得ず、予備充電のものよりも著しく高速であり得る第２のスルーレートを提供し得る。したがって、予備充電を使用することによって、注入された基板電流は、より小さくなるのみならず（ハード充電中の比較的小さいバンプ３６６を参照されたい）、波形３６０によって示されるように、経時的に拡散される。予備放電動作は上記と同様であり、したがって、簡潔にするためにここでは繰り返さない。本明細書で述べられた予備充填及び予備放電によって、基板雑音フロアが低減される。
【００３３】
一実施形態においては、低速なスルーレートに起因して、フライングキャパシタ２１６には、予備充電動作中に、第３のスイッチΘ３（２０６）を介して、あまり大量の電荷が伝送されないことに留意されたい。このように、スイッチΘ１（２１２）は、電荷動作中に、スイッチを介して、フライングキャパシタ２１６への電荷移送を行う。この点において、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４は、Ｖ＋レベルにほぼ到達しているため（波形３１０におけるレベル３６２を参照されたい）、Ｖｄｒｉｖｅノード２１４は、スイッチΘ１がＴ２においてオンになると、ＶＳ＋レベルに急上昇する。スイッチΘ４及びΘ２は、放電サイクル中に類似の波形を提供する。
【００３４】
［結論］
述べられてきた構成要素、ステップ、特徴、目的、利益、及び利点は、単なる例証である。それらのいずれも、またそれらに関する議論も、多少なりとも保護の範囲を限定することは意図されない。また、多数の他の実施形態が意図される。これらは、より少なく、付加的な、及び／または異なる構成要素、ステップ、特徴、目的、利益、ならびに／もしくは利点を有する実施形態を含む。また、これらには、構成要素及び／またはステップが異なるように配置及び／または順序付けされる実施形態も含まれる。
【００３５】
例えば、様々な実施形態では、スイッチは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ、例えばＰＦＥＴ、ＮＦＥＴ、及び／またはＪＦＥＴ）、双極装置（例えば、ＮＰＮ及び／またはＰＮＰ）、それらの任意の組み合わせ、または特定の実装に基づく任意の他の好適な能動もしくは受動装置の形式であってもよい。当業者は、異なる技術に基づくスイッチの構造及び一般的な動作及び実施に精通していると考えられる。
【００３６】
別段ことわらない限り、本明細書で述べられたすべての測定値、値、評定、位置、大きさ、サイズ、及び他の仕様は、概算であり、正確ではない。それらは、それらが関連する機能、及びそれらが属する従来技術において慣用であるもノード整合する合理的な範囲を有することが意図されている。
【００３７】
直上に記述されていない限り、言明または例証されていないものは、請求項に列記されているか否かにかかわらず、公共に対する任意の構成要素、ステップ、特徴、目的、利益、利点、もしくは等価物に向けさせることはいとされていないか、またはそのように解釈されるべきではない。
【００３８】
本明細書で使用される用語及び表現は、特定の意味が本明細書で述べられている場合を除き、それらの対応する調査研究領域に対し、かかる用語及び表現が一致するような通常の意味を有することが理解されるであろう。「第１の（ｆｉｒｓｔ）」及び「第２の（ｓｅｃｏｎｄ）」等の関係語は、あらゆる実際の関係またはそれらの間の順序を必ずしも必要とするかまたは暗示することなく、１つの存在または行動を、別のもの区別するためにのみ使用され得る。用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、及びその任意の他の変形は、本明細書または請求項における要素のリストに関連して使用されるとき、リストが排他的ではなく、他の要素が含まれ得ることを示すことが意図される。同様に、「１つ（ａ）」または「１つ（ａｎ）」が前に付いている要素は、さらなる制約なしに、同種の追加要素の存在を排除しない。
【００３９】
本開示の要約は、読み手が本技術開示の本質をすばやくに究めることを可能にするように提供される。本要約書は、請求項の範囲または意味を解釈または限定するためには使用されないとの理解により提出される。加えて、前述の詳細な説明では、本開示を簡素化することを目的として、様々な特徴が様々な実施形態においてともにグループ化されていることを理解することができる。本開示の方法は、クレームされた実施形態が、各請求項で明確に列記されたものよりも多くの特徴を必要とする意図を反映するもノードして解釈されるものではない。むしろ、以下に続く請求項が反映される場合、発明の主題は、単一の開示された実施形態のすべての特徴にあるとは言えない。このように、以下に続く請求項は、本明細書においては、詳細な説明に組み入れられ、各請求項は、それ自体が別個にクレームされた主題として主張される。
【符号の説明】
【００４０】
１００  電荷ポンプステージ
１０２  ノード
１１２  第１のスイッチ
１１４  ノード
１１６  フライングキャパシタ
１１８  ノード
１２０  第２のスイッチ
１２２  寄生容量
１３０  ノード
２００  電荷ポンプステージ
２０２  ノード
２０４  第１の電流源
２０８  第４のスイッチ
２１０  第２の電流源
２１２  第１のスイッチ
２１４  ノード
２１６  フライングキャパシタ
２１８  ノード
２２０  第２のスイッチ
２２２  寄生容量
２３０  ノード
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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