【手続補正書】
【提出日】令和3年11月26日(2021.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１インターフェース領域を有する第１のセラミックピースと第２インターフェース領域を有する第２のセラミックピースとを接合する方法であって、前記第１のセラミックピースの前記第１インターフェース領域と前記第２のセラミックピースの前記第２インターフェース領域との間の接合インターフェース領域にろう付け要素を配置して接合予備組立体を生成する工程であって、前記ろう付け要素がニッケルと、アルミニウム、チタニウム、ケイ素、クロムからなるグループから選択される合金要素とを含み、前記合金要素が固相線温度を有する工程と、前記接合予備組立体をプロセスチャンバに配置する工程と、前記プロセスチャンバから酸素を除去する工程と、前記第１のセラミックピースが前記第２のセラミックピースに密封的に接合するように前記接合予備組立体を前記合金要素の前記固相線温度にまたはこの温度を超える接合温度に加熱する工程と、を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記接合温度が、前記ろう付け要素の液相線温度であるまたはこの温度より高い、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のセラミックピース及び前記第２のセラミックピースが、それぞれ窒化アルミニウムを備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記合金要素は、１．５〜７重量％アルミニウムの範囲のアルミニウム、１〜１０重量％チタニウムの範囲のチタニウム、１〜９重量％ケイ素の範囲のケイ素及び１．０〜１０．０重量％クロムの範囲のクロムからなるグループから選択される、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
半導体処理に使用することのできる多層プレート組立体であって、セラミックを備え外周部を有する第１プレート層と、セラミックを備え外周部を有する第２プレート層と、前記第１プレート層及び前記第２プレート層の外周部の間の前記第１プレート層と前記第２プレート層との間に配置され、前記第１プレート層と前記第２プレート層との間に接合部を形成するように構成された環状ろう付け層と、を有し、前記環状ろう付け層が、ニッケルと、アルミニウム、チタニウム、ケイ素及びクロムからなるグループから選択される合金要素と、を含み、前記ろう付け層が前記第１プレート層と前記第２プレート層との間の内側スペースを提供し、前記ろう付け層が前記接合部の外側の領域から前記内側スペースを密封的にシールする、
ことを特徴とする多層プレート組立体。
【請求項６】
前記第１プレート層及び前記第２プレート層がそれぞれ窒化アルミニウムを備える、
請求項５に記載の多層プレート組立体。
【請求項７】
前記合金要素は、１．５〜７重量％アルミニウムの範囲のアルミニウム、１〜１０重量％チタニウムの範囲のチタニウム、１〜９重量％ケイ素の範囲のケイ素及び１．０〜１０．０重量％クロムの範囲のクロムからなるグループから選択される、
請求項６に記載の多層プレート組立体。
【請求項８】
更に、前記第１プレート層と前記第２プレート層との間に電極を有し、前記電極が前記環状ろう付け層と同じ材料で構成されている、
請求項７に記載の多層プレート組立体。
【請求項９】
前記環状ろう付け層は、前記電極の前記外周部の周りの環状リングである、
請求項８に記載の多層プレート組立体。
【請求項１０】
第１インターフェース領域を有し第１のセラミック材料である第１のセラミック半導体処理装置ピースと、第２インターフェース領域を有し第２のセラミック材料である第２のセラミック半導体処理装置ピースと、から半導体処理装置を製造する方法であって、前記第１のセラミック半導体処理装置ピースの前記第１インターフェース領域上及び前記第２のセラミック半導体処理装置ピースの前記第２インターフェース領域上にチタニウムの層を配置する工程と、前記第１のセラミックピース上の前記チタニウムの層上及び前記第２のセラミックピース上の前記チタニウムの層上にニッケルの層を配置する工程であって、前記ニッケルは固相線温度を有している工程と、前記第２のセラミックピースの前記ニッケルの層に対して前記第１のセラミックピースの前記ニッケルの層をプレスして接合予備組立体を生成する工程と、前記ニッケルの前記固相線温度より低い接合温度まで前記接合予備組立体を加熱する工程と、前記第１のセラミックピースを前記第２のセラミックピースに密封的に接合させるように前記接合予備組立体を冷却する工程と、を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記第１セラミック材料及び前記第２セラミック材料がそれぞれ、窒化アルミニウムを備える、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のセラミック半導体処理装置ピース及び前記第２のセラミック半導体処理装置ピースの各々の前記チタニウムの層は、０．０１〜０．２ミクロン、０．０５〜１．５ミクロン、及び０．１ミクロンからなるグループから選択される厚さを有する、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のセラミック半導体処理装置ピース及び前記第２のセラミック半導体処理装置ピースの各々のニッケルの層は、５〜１０ミクロン、及び７．５ミクロンからなるグループから選択される厚さを有する、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記接合温度が、少なくとも摂氏１１５０度、摂氏１１５０〜１３００度、及び摂氏１２００度からなるグループから選択される温度である、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
第１インターフェース領域を有し第１のセラミック材料である第１のセラミック半導体処理装置ピースと、第２インターフェース領域を有し第２のセラミック材料である第２のセラミック半導体処理装置ピースと、から半導体処理装置を製造する方法であって、前記第１のセラミック半導体処理装置ピースの前記第１インターフェース領域上及び前記第２のセラミック半導体処理装置ピースの前記第２インターフェース領域上にチタニウムの層を配置する工程と、前記第１のセラミックピース上の前記チタニウムの層上及び前記第２のセラミックピースの前記チタニウムの層上にニッケルの層を配置する工程と、前記第１のセラミックピースの前記ニッケルの層の上及び前記第２のセラミックピースの前記ニッケルの層の上にニッケルリンの層を配置する工程であって、前記ニッケルが固相線温度を有している工程と、前記第２のセラミックピースの前記ニッケルリンの層に対して前記第１のセラミックピースの前記ニッケルリンの層をプレスして接合予備組立体を生成する工程と、接合温度まで前記接合予備組立体を加熱する工程と、前記第１のセラミックピースを前記第２のセラミックピースに密封的に接合させるように前記接合予備組立体を冷却する工程と、を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記第１のセラミック材料及び前記第２のセラミック材料は、それぞれ窒化アルミニウムを備える、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１のセラミック半導体処理装置ピース及び前記第２のセラミック半導体処理装置ピースの各々の前記チタニウムの層は、０．１ミクロンの厚さを有する、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のセラミック半導体処理装置ピース及び前記第２のセラミック半導体処理装置ピースの各々の前記ニッケルの層は、１０ミクロンの厚さを有する、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１のセラミック半導体処理装置ピース及び前記第２のセラミック半導体処理装置ピースの各々の前記ニッケルリンの層は、１０００〜２０００ミクロンの範囲の厚さを有する、
請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記接合温度は、摂氏８８０〜９４０度の範囲である、
請求項１５に記載の方法。