(57)【要約】  本発明は、データ配線システム用のガスアレスタ（４０，５０）に関し、ガスアレスタは、アレスタ電極（４６，５５）と、データ配線に接続するための複数の個別電極（４１，５１）と、を備え、個別電極（４１，５１）とアレスタ電極（４６，５５）との間には共通のガス放電領域（４５，５３）が形成されている。本発明はさらにガスアレスタ（４０，５０）の使用に関する。
2019525440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ配線システム用のガスアレスタであって、
-  アレスタ電極と、
-  データ配線に接続するための複数の個別電極と、を備え、
前記複数の個別電極と前記アレスタ電極との間には共通のガス放電領域が形成されている、
ガスアレスタ。
【請求項２】
セラミック体をさらに有し、
前記個別電極は少なくとも部分的に前記セラミック体内に導入されており、
前記セラミック体は、前記個別電極の電気的分離のために形成されている、
請求項１記載のガスアレスタ。
【請求項３】
前記アレスタ電極は、前記セラミック体と気密に接続されており、
前記セラミック体は、前記アレスタ電極と前記個別電極との電気的分離のために、少なくとも部分的に、前記アレスタ電極と前記個別電極との間に配置されている、
請求項２記載のガスアレスタ。
【請求項４】
前記セラミック体は金属化部を有し、
前記個別電極は前記電極化部上で前記セラミック体と気密に接続されている、
請求項２又は３記載のガスアレスタ。
【請求項５】
前記ガスアレスタは、少なくとも４つの個別電極を有する、
請求項１乃至４いずれか１項記載のガスアレスタ。
【請求項６】
前記セラミック体は、複数のチャンバを有し、
前記チャンバは、前記個別電極を少なくとも部分的に収容するために形成されており、
前記チャンバの数は前記個別電極の数に相応する、
請求項２乃至５いずれか１項記載のガスアレスタ。
【請求項７】
前記チャンバは、前記セラミック体を完全に貫通する、
請求項６記載のガスアレスタ。
【請求項８】
前記チャンバはガスで充填されている、
請求項６又は７記載のガスアレスタ。
【請求項９】
前記チャンバはそれぞれ分離ウェブを介して相互に分離されており、
それぞれの前記分離ウェブはスリットを有し、
それぞれの前記スリットは、複数の前記チャンバ間でガス交換が実現されるように形成され、配置されている、
請求項８記載のガスアレスタ。
【請求項１０】
前記セラミック体及び／又は前記個別電極は矩形に形成されている、
請求項１乃至９いずれか１項記載のガスアレスタ。
【請求項１１】
前記セラミック体及び／又は前記個別電極はシリンダー形状に形成されている、
請求項１乃至９いずれか１項記載のガスアレスタ。
【請求項１２】
当該ガスアレスタは、２本以上の配線を有するデータ配線システムにおいて、複数の心線及び複数の心線対間の電圧差を防ぐように形成されている、
請求項１乃至１１いずれか１項記載のガスアレスタ。
【請求項１３】
当該ガスアレスタは、２本以上の配線を有するデータ配線システムのうちの複数の心線間又は心線対間の電圧差を防ぐように形成されている、
請求項１乃至１２いずれか１項記載のガスアレスタ。
【請求項１４】
前記ガスアレスタは、イーサネットポートの過電圧保護のために使用される、
請求項１３記載のガスアレスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガスアレスタ、特にデータ配線システム用のガスアレスタに関する。本発明は、さらに、ガスアレスタの使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
過電圧及び過電流に対する遠距離通信用途（Telekommunikations-anwendungen）におけるデータ配線（Datenleitungen）の保護は、保護部品の製造業者にとって大きな課題である。一方では、保護部品は早期に電圧を制限し、高い雷電流を負うことができなければならない。他方では、伝送される信号に影響を与えないために、保護部品の容量は可能な限り小さくなければならない。
【０００３】
そのために、殆どの用途において、所謂リレー保護が統合されている。これは、１つの欠点を他の利点によって保障するために、複数の異なる保護部品が相互にデカップリングされて、相前後して接続されている（entkoppelt hintereinander geschaltet）ことを意味する。その結果もたらされる過電圧及び過電流保護のためのモジュール（Baugruppe）は、複雑であり、体積が大きくなる。
【０００４】
さらに、従来の過電圧保護部品は通常２つの接続部しかなく、最大１つの心線をアースに対して保護することができる。２つ以上の心線を有するデータ配線は、必然的に大きいスペース（心線毎に１つの保護部品）を必要とする。
【０００５】
これまでのところ、この問題は、２本よりはるかに多い配線を有するデータ配線システムにおいて、満足に解決できていない。外部からコンタクト可能な３つ以上の電極を有するアレスタはある。しかし、これは、隣り合う配線の心線間（zwischen benachbarten Leitungsader）の電圧差だけしか制限することしかできない。モジュールを破壊し得る大きな電圧差が、心線対間で発生しうる。
【発明の概要】
【０００６】
本発明はこの用途（高い雷電流、入力保護）の一次保護（Primaerschutz）に集中している。
【０００７】
解決すべき課題は、改良されたガスアレスタ、例えば、特に容易に、省スペース及び／又は費用対効果的であり、及び／又は、２つ以上の配線を有するデータ配線システムを特に効果的に過電圧から保護するガスアレスタを提供することにある。さらなる課題は、改良されたガスアレスタの使用を提供することにある。
【０００８】
これらの課題は、独立請求項による装置及び使用によって解決される。
【０００９】
一態様によればガスアレスタが提供される。ガスアレスタは、過電圧及び過電流からデータ配線システムを保護するために構成されている。特に、ガスアレスタは、少なくとも２つのデータ配線、有利には著しく多くのデータ配線、例えば４，６又は８本のデータ配線を有する電子コンポーネントの保護のために構成されている。好ましくは、ガスアレスタは表面実装可能に構成されている（SMD - surface mountable device）。換言すれば、ガスアレスタは、配線基板の表面上に完全に自動化して実装されることができる。
【００１０】
ガスアレスタはアレスタ電極を有する。アレスタ電極は好ましくは、外部からコンタクト可能な共通の電極である。アレスタ電極は好ましくはアース電位にある。
【００１１】
ガスアレスタは、複数のさらなる個別電極をさらに有する。個別電極は全て相互に独立してコンタクトされることができる。個別電極は、角形状（eckig）、例えば矩形、又は、丸い形状、例えばシリンダー形状を有することができる。両形状の混合も考えられる。
【００１２】
個別電極は、データ配線に接続するために構成され、配置されている。例えば、ガスアレスタは、４つ、５つ、６つ、７つ又は８つの個別電極を有する。もちろん、より少ない数の個別電極、例えば２つ又は３つの個別電極も考えられ、又は、より大きい数の個別電極、例えば１０の個別電極も考えられる。換言すれば、個別電極の数はスケーラブル（skalierbar）である。
【００１３】
多数の個別電極によって、データ配線の多数の心線又は心線対はアースに対して保護されることができる。対をなす各導体に、それぞれ１つの個別電極が設けられている。アレスタ電極は接地されている。これにより、２本以上の配線を有するデータ配線システムは過電圧から効果的に保護されることができる。
【００１４】
ガスアレスタはさらに共通のガス放電領域を有する。特に、個別電極とアレスタ電極との間に、共通のガス放電領域が構成されている。換言すると、個別電極とアレスタ電極との間にそれぞれ形成される、分離された、多数のガス放電領域が回避される。むしろ、ガス放電のための１つの共通の領域がある。
【００１５】
このようにして、１つの経路が点火（個別電極とアレスタ電極との間のアーク放電（Bogenentladung））する際に、それぞれ隣接する経路の点火をもたらし、最終的に完全な点火をもたらす、高速な電荷キャリアが放出されることが確実にされる。そのために、モジュールを破壊に導き得る、複数の心線又は複数の心線対間の電圧差を効果的に回避することができる。従って、特にデータ配線システムの保護のために効果的なガスアレスタが提供される。さらにガスアレスタも非常にコンパクトである。そのために、配線基板／プレート上でスペースを節約することができる。このようにして、非常に費用対効果的な配線基板が構成されることができる。
【００１６】
一実施形態によれば、ガスアレスタはセラミック体を有する。セラミック体は、角形状、例えば矩形状、又は、丸い形状、例えばシリンダー形状に形成されることができる。セラミック体は例えばＡｌ２Ｏ３を有する。個別電極は少なくとも部分的にセラミック体内に埋め込まれている。例えば、個別電極はシリンダー形状又は正方形状の部分領域を有する。この部分領域は、好ましくはセラミック体によって少なくとも部分的に取り囲まれている。セラミック体は、個別電極の電気的分離のために構成されている。そのために、個別電極間に導電接続が形成されることができないことが確実にされる。従って、特に信頼性のあるガスアレスタが提供される。
【００１７】
一実施形態によれば、アレスタ電極はセラミック体と気密に接続されている。例えばアレスタ電極及びセラミック体は、例えば硬はんだを用いて、相互にはんだ付けされている。セラミック体は、少なくとも部分的にアレスタ電極と個別電極との間に配置される。これは、アレスタ電極と個別電極との電気的分離に役立つ。特に、それによって、個別電極とアレスタ電極との間の直接の電気コンタクトが防止されることができる。むしろ、個別の電極とアレスタ電極との間の導電接続は、過電圧の場合のアーク放電の範囲内においてのみ生じる。
【００１８】
一実施形態によれば、セラミック体は金属化部を有する。好ましくは、セラミック体の、個別電極に対向する外表面上、例えばセラミック体の一端面上に、金属化部が少なくとも部分的に配置されている。好ましくは、セラミック体の、アレスタ電極に対向する外表面上、例えば、セラミック体のさらなる端面上に、金属化部が少なくとも部分的に配置されている。個別電極は金属化部を介してセラミック体と気密に接続されている。好ましくは、個別電極は、セラミック体、特に金属化部と、例えば硬はんだを用いて、はんだ付けされている。アレスタ電極に対しても同様のことがいえる。
【００１９】
好ましくは、金属化部は、個別電極間の導電接続を防止するように構成されている。特に、金属化部は、セラミック体の、個別電極に対向する端面の部分領域内にのみ形成されることができる。
【００２０】
一実施形態によれば、セラミック体は多数のチャンバを有する。好ましくはチャンバの数は個別電極の数に相応する。例えば、セラミック体は４つ又は８つのチャンバを有する。チャンバは、貫通孔として形成されている。換言すると、チャンバは、例えば水平方向において完全に、セラミック体を貫通する。チャンバは、個別電極の、少なくとも部分的な収容部として形成されている。このようにして個別電極は効果的に空間的に相互に分離される。個別電極間の導電接続の形成は効果的に防止される。
【００２１】
一実施形態によれば、チャンバはガス、例えば希ガスで充填される。例えば、チャンバは、ガスアレスタの共通のガス放電領域全体の一部である。複数のチャンバはそれぞれ1つの分離ウェブによって相互に分離されている。分離ウェブはセラミック体の一部である。特に分離ウェブはセラミック材料を有する。
【００２２】
それぞれの分離ウェブはスリット又は切込みを有する。スリットは例えば分離ウェブをフライス切削すること（Ausfraesen）によって形成されることができる。スリットは丸い形状又は角形状を有することができる。それぞれのスリットは水平方向において分離ウェブの広がり全体にわたって延在する。それぞれのスリットは、チャンバ間のガス交換を可能にするように形成され、配置されている。このことにより、簡易な効果的な方法で、個別電極とアレスタ電極との間の共通のガス放電領域全体が利用可能になる。
【００２３】
さらなる態様によれば、ガスアレスタの使用が提供される。特に上述のガスアレスタの使用が提供される。ガスアレスタとの関係で述べられた全ての特徴は、ガスアレスタの使用においても適用され、その逆も当てはまる。ガスアレスタの使用が記載されており、ここで、ガスアレスタは、２本以上（＞＞２）の配線を有するデータ配線システムの複数の心線又は複数の心線対間の電圧差を減少させるために使用される。多数の個別電極と共通のガス放電領域とによって、心線／心線対間の電圧差が効果的に回避されることができる。この場合、ガスアレスタの構成、特に形状及び大きさが、イーサネット（登録商標）ポートの保護のための使用に特に適している。
【００２４】
本発明は、実施形態及び関連する図面を参照して以下により詳細に説明される。
【００２５】
以下に記載される図面は、縮尺通りではないとみなされるべきである。むしろ、より良い表現のために、個々の寸法は拡大、縮小、または歪められることができる。
【００２６】
相互に同一又は同じ機能を果たす要素は、同じ参照符号によって示される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１ａ】従来技術による過電圧保護のためのアレスタを示す図である。
【図１ｂ】従来技術による過電圧保護のためのアレスタを示す図である。
【図２】遠距離通信用途におけるデータ配線保護のための従来技術による回路図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
図１ａ及び図１ｂは、過電圧保護のための従来のアレスタ１を示す。ガス充填アレスタには対照的な２つの種類がある：２電極アレスタ（図１ａ）と、３電極アレスタ（図１ｂ）である。
【００２９】
図１ａに示された２電極アレスタ１は、第１電極及び第２電極と、絶縁のためのセラミック体８とを有する。アレスタ１は、過電圧の際に電極２間の放電を可能にするための放電領域７を有する。過電圧の際は、放電領域７において、電極２同士の間の放電、特にアーク放電（Lichtbogenentladung）が生じる。放電領域７はガス、特に希ガス、で充填されている。
【００３０】
放電領域７はセラミック体８の内側面に（例えばグラファイトからなる）点火補助６が設けられており、アレスタ１が必要な場合に（beim Ansprechen des Ableiters 1）放電の確立を支援する。放電領域７には、さらに活性化材料５、例えばケイ酸塩又はアルカリ金属が配置されている。活性化材料５によってアークの形成が支援される。
【００３１】
図１ｂに示されるガス充填された３電極アレスタ１は、図１ａのアレスタ１とは対照的に、第１電極３と、第２電極３と、中央電極４とを有し、これらはともに放電領域７を制限する。
【００３２】
遠距離通信用途におけるデータ配線の過電圧及び過電流に対する保護のために、しばしば、所謂リレー保護（Staffelschutz）が統合される（図２参照）。これは、複数の異なる保護素子／部品（アレスタ、ダイオード）が、１つの欠点を他の利点によって補償するために、デカップリングされて、相前後して接続されていることを意味する。図２には上部に、種々の電子部品の所で測定された電圧プロファイルが示され、図２下部には、リレー保護コンセプトのための電子部品を有する回路図１０が示される。
【００３３】
リレー保護コンセプトにおいて、電子機器１１を電圧サージ（Spannungsstoss）１２から保護するために、アレスタ１３、バリスタ１５、サプレッサダイオード（Unterdrueckerdiode）１６が使用される。個別の部品１３，１５，１６のデカップリングのために、個別の部品１３，１５，１６の間にそれぞれ１つのデカップラ、例えばコイル又は抵抗が、接続されており、従って遅いアレスタ１３が早いバリスタ１５又はさらに早いダイオード１６より前に点火することができる。
【００３４】
データ配線領域では、通常、一次保護としてのガスアレスタと、二次保護としてのサプレッサダイオードとの組み合わせが使用される。図３は、イーサネットポート２１（１００Ｍｂｉｔ、２つの心線対２８を有する）に対する保護回路のための回路図２０を示す。図示されているのは、イーサネットポート２１とＬＡＮチップ２２との間の、心線／導体２９を介した接続である。
【００３５】
二次保護２５（例えばダイオードのアレイ）は、トランス２６を介して一次保護２４からデカップリングされる。一次保護２４は、ここで、トランス２６のセンタータップに接続されているので、配線とアース２７との間のデータ配線の過電圧はアレスタ２３を介して短絡されることができる。残余のピーク（Etwaige Restspitzen）は、絞られてトランス２６を通過するが、次に二次保護２５によって吸収される。
【００３６】
この回路の欠点は、アレスタ２３のうちの１つが点火すると、雷電流（Blitzstrom）の全体がトランスリアクトル（Tranformatordrossel）の一部を介してアースまで流れることである。その際、伝達される電圧は二次保護２５の負荷容量を超えることができる。
【００３７】
この問題を解決するために、一次保護は、図４による回路図３０が示すように、別の位置に統合されることもできる。心線／導体３９を介したイーサネットポート３１とＬＡＮチップ３２との間の接続が図示されている。
【００３８】
過電圧の場合、雷電流はもはやトランスコイル３６を介して流れなくなる。従って二次保護３５は過負荷から保護されることができる。この回路は、個別の心線対３８の導体３９間の過電圧を個別のガスアレスタ３３（一次保護３４）を介して制限することができるということを、追加の利点として有する。
【００３９】
第１回路２０との共通の欠点は、アレスタ３３のうちの１つが点火すると、心線３８間の高すぎる電位差が生じ得ることにある。通常このような負荷の場合、個別の心線／導体３９が外部で抵抗と対称になっている（symmetriert）。アースへの４つの経路の内の１つ（導体３９、ここではイーサネットポート３１で符号１，２，３又は６によって図示されている）がまず点火する。同一のアレスタ３３に接続されている導体３９は、この３電極アレスタ３３内の共通のガス空間に基づいて点火し、電圧差はμｓの範囲で０V付近に制限される。
【００４０】
従来の過電圧保護素子は通常２つの接続部を有する（３電極アレスタの場合、最大３つの接続部）。そのため、これは最大２つの心線をアースに対して保護することができる。その際、１つの電極は接地されており、１つのさらなる電極はそれぞれ、導体対／心線対の各導体／各心線に設けられている。２つ以上の心線を有するデータ配線の場合、モジュールを破壊へと導き得る大きい電圧差が心線間又は心線対間に生じる。
【００４１】
図５及び図６は、モジュールを破壊へと導き得る、心線間又は心線対間の電圧差を効果的に回避する、２本以上の配線を有するデータ配線システムのためのガスアレスタを示す。
【００４２】
図５は、特に、５つの電極４１，４６を有する過電圧を逃がす（Ableiten）ためのデバイス４０（ガスアレスタ４０）を示す。ガスアレスタ４０は、４つの導体又は心線を有するデータ伝送システム、例えば１００Mbitイーサネット、のために構成されている。もちろん、ガスアレスタ４０は５つより少ない電極、例えば４つの電極、又は、５つよりも多い電極、例えば７つ、８つ以上の電極を有することもできる。
【００４３】
ガスアレスタ４０は４つの個別電極４１を有する（図５の左側参照）。より少ない又はより多い電極を有するガスアレスタ４０の場合、個別電極４１の数は相応に適合される。従って、ガスアレスタ４０は、３つの個別電極４１、又は、４つ以上の個別電極４１、例えば５つ、６つ以上の個別電極４１を有することができる。個別電極４１は例えば冷間押し出し成型（kaltfliessgepresst）される。個別電極４１はＣｕ又はＦｅＮｉ４２を含む。
【００４４】
個別電極４１はピン形状又はシリンダー形状に形成されることができる。特に、本実施形態において、それぞれの個別電極４１はピン形状の第１セクション４１ａを有する。それぞれの個別電極４１の第２セクション４１ｂは矩形又は正方形上のプレートとして形成されている。第２セクション４１ｂは、それぞれの個別電極４１の後壁（eine Rueckwand）とみなすことができる。両セクション４１ａ，４１ｂは有利には一体的に形成されている。
【００４５】
ガスアレスタ４０はさらに、１つのアレスタ電極又は外部電極４６を有する。アレスタ電極４６は長細い形状を有する。アレスタ電極４６は例えば矩形状に形成されている。アレスタ電極４６は例えば銅（Ｃｕ）又は鉄‐ニッケル（ＦｅＮｉ４２）を有する。
【００４６】
アレスタ電極４６はコンタクト要素４６ａ（図５の本実施形態では４つのピン）を有する。コンタクト要素４６ａの数は好ましくは個別電極４１の数に相応する。コンタクト要素４６ａはアレスタ電極４６の１つの表面（アレスタ電極４６の第１又は内側正面）から突出している。完成したガスアレスタ４０においてコンタクト要素４６ａは個別電極４１に対向して配置される。
【００４７】
コンタクト要素４６ａは例えばピン形状又はシリンダー形状に形成されることができる。コンタクト要素４６ａの別の形状ももちろん考えられる。それぞれのコンタクト要素４６ａの成形（Formgebung）は、好ましくはそれぞれの個別電極４１の第１セクション４１ａの成形に相応する。特に、本実施形態においてアレスタ電極４６は個別電極のような成形を有するが、共通の後壁又は接続壁（アレスタ電極４６の第２又は外側正面）を有する。
【００４８】
ガスアレスタ４０はさらにセラミック体４２を有する。セラミック体４２は例えばAl２O３セラミックを含む。セラミック体４２は個別電極４１の少なくとも部分的な収容部として機能する。セラミック体４２はさらに、アレスタ電極４６、特にコンタクト要素４６ａの少なくとも部分的な収容部として機能する。
【００４９】
この目的のためにセラミック体４２はチャンバ４３を有する。チャンバ４３の数は、個別電極４１の数に相当する。チャンバ４３の数は、コンタクト要素４６ａの数に相当する。この場合、ガスアレスタ４０は従って４つのチャンバ４３を有する。それぞれのチャンバ４３はセラミック体４２を完全に貫通する。特に、それぞれのチャンバ４３は、セラミック体４２を通る水平方向ｈにおける貫通孔を構成する。それぞれのチャンバ４３は、セラミック体４２の厚さ全体、又は、水平方向の広がりにわたって延在する。それぞれのチャンバ４３はガス、特に希ガスで充填されている。
【００５０】
完成したガスアレスタ４０において、それぞれの個別電極４１の第１セクション４１ａは、それぞれのチャンバ４３の一側から少なくとも部分的にチャンバ４３内へ導入される。それぞれのコンタクト要素４６は、それぞれのチャンバ４３の、第１側に対向する第２側から、少なくとも部分的にチャンバ４３内へ導入される。それぞれのコンタクト要素４６ａ及びそれぞれの個別電極４１は、このようにして、それぞれのチャンバ４３内において対向して配置される。
【００５１】
個別チャンバ４３は、それぞれ分離ウェブ４４によって相互に隔てられている。分離ウェブはセラミック体４２の一部である。特に分離ウェブ４４はセラミック材料を有する。各分離ウェブ４４は１つのスリット４４を有する。スリット４５は本実施形態において半円形に形成され、例えばフライス加工（eingefraest）されている。しかしながら、他の形態、例えば角形状のスリット４５も考えられる。
【００５２】
スリット４５はそれぞれの分離ウェブ４４の水平方向の広がり（幅）にわたって完全に延在する。スリット４５を介してチャンバ４３は相互に連通している。個別のチャンバ４３間におけるガス交換は分離ウェブ４４内のスリット４５によってさらに可能となる。このようにして、共通のガス空間又はガス放電領域が形成される。ガスアレスタ４０の複数の経路のうちの１つが点火する場合（個別電極４１とアレスタ電極４６との間のアーク放電）に、この経路を介して、早い電荷キャリアが隣接するチャンバ４３内に放出される。これによってガスアレスタ４０の完全な放電が生じる。個別の心線又は心線対間の大きい電圧差はこのようにして防止されることができる。
【００５３】
セラミック体４２はさらに、複数の個別電極４１の絶縁として機能する。特に、セラミック体４２を介して、複数の個別電極４１間の伝導的接続の確立が阻止される。
【００５４】
セラミック体４２は、金属化部を有する（図示せず）。金属化部は、セラミック体４２の１つの表面上、少なくとも表面の部分上に配置される。特に、金属化部は、好ましくは、セラミック体４２の第１外面４２ａ（図５において隠れている左側面）及び第２外面４２ｂ（対向する図５における右側面）にわたって延在する。外面４２ａ，４２ｂは、この場合、セラミック体４２の両端面（Die Stirnflaechen）を表す。外面４２ａ，４２ｂ又は端面は、電極４１，４６に対向している。第１外面又は端面４２ａは、個別電極４１に対向している。第２外面又は端面４２ｂは、アレスタ電極に、特にアレスタ電極４６の内側端面に対向している。
【００５５】
セラミック体４２の端面４２ａ，４２ｂは、金属化されている。端面４２ａ，４２ｂはさらにニッケルメッキ（vernickelt）されている。第１端面４２ａ上で、金属化部は、個別電極４１間に導電性接続が生じないように施されている。例えば、金属化部は第１端面４２ａ上で部分領域内にだけ配置されている。例えば、金属化部は、それぞれのチャンバ４３の開口部に隣接する領域内にだけある。チャンバ４３間の中間領域（分離ウェブ）は、少なくとも部分的に金属化部を有さない（frei von Metallisierung sein）ことができる。
【００５６】
それぞれの個別電極４１の第２セクション４１ｂの部分領域（第２セクション４１ｂの内側端面）は、第１端面４２ａ、特にその金属化部に当接する。個別電極４１、特にそれぞれの個別電極４１の第２セクション４１ｂの部分領域は、第１端面４２ａ上で、セラミック体４２と、例えばＡｇ７２Ｃｕ２８等の硬はんだを用いて、はんだ付けされている。
特に個別電極４１とセラミック体４２との間の気密接続が形成される。
【００５７】
さらに、アレスタ電極４６はセラミック体４２と、特に第２端面４２ｂと、例えば硬はんだを用いて、はんだ付けされている。例えば、アレスタ電極４６を付設する（Anfuegen）際及び金属化部との気密はんだ付けの際に、ガスアレスタ４０は密閉される。
【００５８】
ガス放電領域において、セラミック体４２の内側（それぞれのチャンバ４３の内部領域）には、（例えばグラファイトからなる）点火補助４７が設けられており、点火補助は、ガスアレスタ４０が必要な場合に放電の確立を支援する。
【００５９】
ガス放電領域において、さらに活性化材料４８、例えばケイ酸塩又はアルカリ金属が配置されている。活性化材料４８によって、アークの形成が支援される。活性化材料４８はそれぞれ個別電極４１に形成されることができる。活性化材料４８は、ぞれぞれの個別電極４１の端部領域において形成されることができる。この端部領域は完成したガスアレスタ４０のそれぞれのチャンバ４３内に配置されている。端部領域は、チャンバ４３内において、それぞれのコンタクト要素４６ａの端部領域に対向して配置されている。
【００６０】
図５に対して、図６には、過電圧を逃がすための、８つの個別電極又は心線電極５１を有するデバイス５０（ガスアレスタ５０）の実施形態が示されている。ガスアレスタ５０は、このようにして、８つの導体又は心線を有するデータ伝送システム用、例えばギガバイトイーサネット用に形成されている。もちろんガスアレスタ５０は８つより少ない個別電極５１、例えば６つの個別電極５１、又は８つより多い個別電極５１、例えば１０個以上の個別電極を有することもできる。
【００６１】
図６によるガスアレスタ５０は、図５に示されるガスアレスタ４０のように、共通のアレスタ電極５５を有する。アレスタ電極５５は上面図において「Ｈ」形状を有する。個別電極５１は、それぞれ両側から「Ｈ」の水平ウェブ向けて導かれる。
【００６２】
電極５１，５５間には共通のガス放電領域５３が形成される。セラミック又はセラミック体５２は個別電極５１の電気的分離として機能する。「Ｈ」の２つの垂直ウェブはガス放電領域５３を閉鎖し、それらの端部領域でセラミック体５２に気密に接続されている。
【００６３】
セラミック５２は例えばＡｌ２Ｏ３を含む。セラミック５２及び電極５１，５５は、本実施形態において、角形状として実施されている。もちろん、セラミック５２及び電極５１，５５のための他の形状、例えば、丸い形状等も考えられる。セラミック５２はチャンバ又は貫通孔５６を有する。チャンバ５６はセラミック５２を完全に貫通する。チャンバ５６は個別電極５１の少なくとも部分的な収容部として構成されている。チャンバ５６は個別電極５１を介して気密に封止される。好ましくは、個別電極５１はチャンバ５６の内壁とはんだ付けされる。このようにしてガス放電領域５３が形成される。
【００６４】
ガス放電領域５３において、セラミック５２の内側には（例えばグラファイト製の）点火補助５７が設けられており、点火補助はアレスタ５０の必要の際に放電の構成を支援する。個別電極５１とアレスタ電極５５との間には、活性化材料５４、例えばケイ酸塩又はアルカリ金属が配置されている。例えば活性化材料５４は、それぞれの個別電極５１の、アレスタ電極５５の表面に対向する表面上に配置されている。
【００６５】
共通のガス放電領域５３を有する複数の個別電極５１の上述の配置によって、ガスアレスタ５０の完全な点火が、１つの経路の点火の際に又は点火によって達成されることができる。個別の心線又は心線対間の電圧差はこのようにして低減され又は回避されることができる。図６によるガスアレスタ５０は、さらに良好に積層されてはんだ付け接続（verschlussgeloetet）されることができる。
【００６６】
図５及び図６に図示された両ガスアレスタ４０，５０はさらに完全に自動化された表面実装（ＳＭＤ）可能に構成されている。このような構成により、配線基板上のかなりの量のスペースが節約される。このようにして、非常に安価な配線基板を製造することができる。
【００６７】
本発明は、実施形態に基づく説明によって限定されない。むしろ本発明は、特徴又は組み合わせ自身が請求項又は実施形態に明示的に示されていなかったとしても、あらゆる新規な特徴及び特徴の各組合せ、特に複数の請求項内にある特徴からの各組合せを含む。
【符号の説明】
【００６８】
１  アレスタ
２  電極
３  外部電極
４  中央電極
５  活性化材料
６  点火補助
７  放電領域
８  セラミック体
１０  回路図
１１  電子機器
１２  電圧サージ
１３  アレスタ
１４  デカップラ
１５  バリスタ
１６  サプレッサダイオード
２０  回路図
２１  イーサネットポート
２２  ＬＡＮチップ
２３  アレスタ
２４  一次保護
２５  二次保護
２６  トランス
２７  アース
２８  導体対／心線対
２９  導体／心線
３０  回路図
３１  イーサネットポート
３２  ＬＡＮチップ
３３  アレスタ
３４  一次保護
３５  二次保護
３６  トランス
３７  アース
３８  導体対／心線対
３９  導体／心線
４０  デバイス
４１  個別電極
４１ａ  第１セクション
４１ｂ  第２セクション
４２  セラミック体
４２ａ  第１外面／第１端面
４２ｂ  第２外面／第２端面
４３  チャンバ
４４  分離ウェブ
４５  スリット／ガス放電領域
４６  アレスタ電極
４６ａ  コンタクト電極
４７  点火補助
４８  活性化材料
ｈ  水平方向
５０  デバイス
５１  個別電極
５２  セラミック／セラミック体
５３  ガス放電領域
５４  活性化材料
５５  アレスタ電極
５６  チャンバ
５７  点火補助
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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