(57)【要約】【課題】  熱界面材料構造体、および、その形成方法を提供すること。【解決手段】  熱界面材料構造体は、第１の熱界面材料層及び第２の熱界面材料層を含む。第２の熱界面材料層は、第１の熱界面材料層に重なり合う。形成プロセスは、伝熱コンポーネントの表面にギャップフィラー材料を選択的に適用して、第１の熱界面材料層を形成することを含む。該プロセスはまた、第１の熱界面材料層に固体熱パッドを適用して、熱界面材料構造体の第２の熱界面材料層を形成することを含む。熱界面材料構造体は、第１の熱界面材料層と第２の熱界面材料層との重なりに関連付けられた１つ又は複数の重なり領域を含む。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの異なる熱界面材料を含む熱界面材料（ＴＩＭ）構造体であって、
第１の熱界面材料層と、
前記第１の熱界面材料層に重なり合った第２の熱界面材料層と、
を含む、ＴＩＭ構造体。
【請求項２】
前記第１の熱界面材料層は、熱グリース材料を含む、請求項１に記載のＴＩＭ構造体。
【請求項３】
前記第１の熱界面材料層は、熱ゲル材料を含む、請求項１に記載のＴＩＭ構造体。
【請求項４】
前記第２の熱界面材料層は、固体熱パッドを含む、請求項１に記載のＴＩＭ構造体。
【請求項５】
前記固体熱パッドは、グラファイトパッドを含む、請求項４に記載のＴＩＭ構造体。
【請求項６】
電子コンポーネントと、
伝熱コンポーネントと、
前記電子コンポーネントと前記伝熱コンポーネントとの間に配置された熱界面材料構造体と、
を含む装置であって、前記熱界面材料構造体は、２つの異なる熱界面材料：
第１の熱界面材料層と、
前記第１の熱界面材料層に重なり合った第２の熱界面材料層と、
を含む、装置。
【請求項７】
前記電子コンポーネントは、ベアダイモジュールを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記電子コンポーネントは、可変平坦プロファイルを有し、
前記第２の熱界面材料層は、前記可変平坦プロファイルに基づいて識別される１つ又は複数の重なり領域において、前記第１の熱界面材料層に重なり合う、
請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の熱界面材料層は、前記電子コンポーネントと前記伝熱要素との間のギャップを充填するのに十分な厚さを有する熱グリース材料を含み、前記ギャップは、前記可変平坦プロファイルに関連付けられる、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記電子コンポーネントは、空冷式コンピューティングシステムに関連付けられ、前記伝熱コンポーネントは、ヒートシンクを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
前記電子コンポーネントは、液冷式コンピューティングシステムに関連付けられ、前記伝熱コンポーネントは、ヒートスプレッダを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項１２】
伝熱コンポーネントの表面にギャップフィラー材料を選択的に適用して、第１の熱界面材料層を形成することと、
前記第１の熱界面材料層に固体熱パッドを適用して、熱界面材料構造体の第２の熱界面材料層を形成することと、
含むプロセスであって、
前記熱界面材料構造体は、前記第１の熱界面材料層と前記第２の熱界面材料層との重なりに関連付けられた１つ又は複数の重なり領域を有する、
プロセス。
【請求項１３】
前記伝熱コンポーネントを前記熱界面材料構造体と共に、電子コンポーネント組立体に適用することをさらに含む、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記ギャップフィラー材料は、熱グリース材料を含む、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１５】
ステンシル設計を利用して、前記熱グリース材料を前記伝熱コンポーネントの表面に選択的に適用することをさらに含む、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記ステンシル設計は、前記伝熱コンポーネントに篏合される電子コンポーネントに関連付けられた可変平坦プロファイルに基づいて決定される、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１７】
前記第１の熱界面材料層は、前記電子コンポーネントと前記伝熱コンポーネントとの間のギャップを充填するのに十分な厚さを有し、前記ギャップは、前記可変平坦プロファイルに関連付けられる、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１８】
前記ギャップは、前記固体熱パッドにおける不規則性又は変形に関連付けられる、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記固体熱パッドは、グラファイトパッドを含む、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項２０】
前記伝熱コンポーネントは、ヒートシンク又はヒートスプレッダを含む、請求項１２に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、熱界面材料である。
【背景技術】
【０００２】
熱界面材料は、他の多くの材料の中でもとりわけ、熱グリース、熱パッド、及び熱ゲルを含む。熱グリースは、安価であり、薄いボンドライン上で良好なギャップ充填能力及び高い熱伝導性を提供する。しかしながら、稼働中の短期から長期のグリースポンピングは、高歪み領域において界面ボイド発生及び熱劣化をもたらす。熱パッドは、優れた熱伝導性を提供し、使用が極めて簡単であり、ステンシル又は塗工（ｄｉｓｐｅｎｓｅ）プロセスを必要としない。しかしながら、熱パッドは、ある荷重条件範囲にわたる限定された圧縮性及びギャップ充填能力を有する。熱ゲルは、薄いボンドライン上で良好なギャップ充填能力及び高い熱伝導性を提供する。さらに、熱グリースに固有のポンピング現象が排除される。しかしながら、熱ゲルに関連付けられる短所は、稼働中の材料の潜在的な接着性損失及び高歪み領域における熱劣化を最小化するために、表面のプラズマクリーニング、適正な硬化方式、並びに適正な材料の貯蔵及び取扱いを必要とすることを含む。かかるツール及びプロセスの制御は、高価である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、熱界面材料構造体、それを含む装置、および、その形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一実施形態によれば、熱界面材料（ＴＩＭ）構造体が開示される。ＴＩＭ構造体は、第１の熱界面材料層と、第２の熱界面材料層とを含む。第２の熱界面材料層は、第１の熱界面材料層に重なり合う。
【０００５】
別の実施形態によれば、装置は、電子コンポーネントと、伝熱コンポーネントと、電子コンポーネントと伝熱コンポーネントとの間に配置された熱界面材料構造体とを含む。熱界面材料構造体は、第１の熱界面材料層と、第１の熱界面材料層に重なり合った第２の熱界面材料層とを含む。
【０００６】
別の実施形態によれば、プロセスは、伝熱コンポーネントの表面にギャップフィラー材料を選択的に適用して、第１の熱界面材料層を形成することを含む。該プロセスはまた、第１の熱界面材料層に固体熱パッドを適用して、熱界面材料構造体の第２の熱界面材料層を形成することを含む。熱界面材料構造体は、第１の熱界面材料層と第２の熱界面材料層との重なりに関連付けられた１つ又は複数の重なり領域を含む。
【０００７】
本発明の上記及び他の目的、特徴及び利点は、添付の図面において例証されているような以下の本発明の例示的な実施形態のより具体的な説明から明らかになり、図中、同様の符号は、一般に本発明の例示的な実施形態の同様の部分を表す。
【０００８】
本発明の実施形態をここで、添付の図面を参照して例示のみの目的で説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】１つの実施形態による、重なり領域を有する少なくとも２つの熱界面材料層を含む、熱界面材料構造体の例を示す略図である。
【図２】本開示のＴＩＭ構造体のＴＩＭ熱的性能と他のＴＩＭ構造との例示的な比較を示す略図である。
【図３】１つの実施形態による、熱特定の電子コンポーネントの位置に基づいて界面構造体にける異なる熱界面材料の位置を識別するために用いられるステンシル設計の例を示す略図である。
【図４】１つの実施形態による、ヒートシンクベースに適用された、重なり領域を有する少なくとも２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体の一例の側面図である。
【図５】１つの実施形態による、ヒートシンクをベアダイモジュールに適用した後の、図４の熱界面材料構造体の例の側面図である。
【図６】熱界面材料構造体を電子コンポーネントに適用する前の、重なり領域を有する２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体の第１の例の平面図である。
【図７】熱界面材料構造体を電子コンポーネントに適用する前の、重なり領域を有する２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体の第２の例の平面図である。
【図８】熱界面材料構造体を電子コンポーネントに適用する前の、重なり領域を有する２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体の第３の例の平面図である。
【図９】熱界面材料構造体を電子コンポーネントに適用する前の、重なり領域を有する２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体の第４の例の平面図である。
【図１０】重なり領域を有する少なくとも２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体を形成すること、及び該熱界面材料構造体を電子デバイスに適用することのプロセスの特定の実施形態を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示は、２つ（又はそれより多くの）追従性材料を利用し、これら材料間に１つ又は複数の重なり領域を有する、熱界面材料（ＴＩＭ）構造体を説明する。幾つかの事例において、本開示のＴＩＭ構造体は、直接ダイ／ヒートシンク／スプレッダハードウェア電子パッケージングにおける物理的ギャップのように、電子デバイス表面と熱放散要素との間に高度に可変の大きな物理的ギャップが存在し得る、パッケージング用途において使用することができる。
【００１１】
本開示の重なり領域を有するＴＩＭ構造体に関連付けられる幾つかの利点が存在し得る。例えば、本開示のＴＩＭ構造体は、高パワーデバイス下での薄いボンドラインからのグリースポンピング又はゲル層間剥離の可能性を軽減又は排除することができる。別の例として、本開示のＴＩＭ構造体は、高価で複雑な処理を排除することができる（プラズマも、硬化も必要ない）。さらに、本開示のＴＩＭ構造体は、容易な再加工を可能にすることができ、水冷式システム（特にギャップフィラーパッドが用いられている場合）に関して現場交換を可能にすることができ、厳しいダイ表面清浄度要件を排除することができ、プロセスの簡素化による著しい費用削減をもたらすことができる。さらに、本開示のＴＩＭ構造体のギャップフィラー材料又は熱パッドは、デバイスの損傷を防ぐ制動を提供することもできる。幾つかの事例において、本開示のＴＩＭ構造体は、共通のヒートスプレッダ又はヒートシンク表面上に存在する第３のＴＩＭソリューションと共に使用することができる。
【００１２】
例証的な非限定的例として、本開示の熱界面材料構造体は、直接ヒートシンク取付ソリューションを利用する複雑な大型の蓋無し２．５Ｄ又は３Ｄシリコン・オン・シリコン（ＳＯＳ）有機ラミネートパッケージを有する、高パワー（例えば３００Ｗ）グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）カード組立体の冷却のために利用することができる。例証のために、ＳＯＳパッケージは、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）モジュール（例えば５５ｍｍ）とすることができ、これはＣ４で取り付けられた大型（例えば４０ｍｍ×２９ｍｍ）シリコン・インタポーザを有し、それはまた、複数のスタックメモリシリコンチップデバイス（ＨＢＭ）と、歪み緩和及びその後の処理のためにブリックにカプセル化された大型（例えば２５＋ｍｍ×２５＋ｍｍ）高パワーＧＰＵシリコンシップデバイスとをＣ４相互接続する。モジュールキャリアと存在するＳＯＳ構造との間の熱膨張率（ＣＴＥ）の不適合に起因して、このモジュールパッケージは、構築された後、無視できない「弓状曲がり（ｂｏｗ）」を発生させることがある。それゆえ、モジュールパッケージ全体は、その後のカード取付のために十分に平坦なデバイスを提供するために、ポットされた（ｐｏｔｔｅｄ）ＳＯＳ構造の裏面研削を受ける。しかしながら、ＢＧＡキャリアを「納入先商標による製品の受託製造者」（ｏｒｉｇｉｎａｌ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒ  ：ＯＥＭ）構造の一部としての基板にはんだ付けした後、モジュール蓋のような実質的な補剛要素が存在しない状態で、同様のシリコンと有機キャリアとの間のＣＴＥ不適合に起因して発生する無視できない弓状曲がりが、モジュール／カード組立体に戻ってくることがある。
【００１３】
このパッケージングにおける大きな非平坦（ｏｕｔ−ｏｆ−ｆｌａｔ）状態（例えば１５０−２５０ミクロンのオーダ）は、存在し得るものであり、シリコンデバイス表面及び対応する熱放散デバイス（これらもまた、ある程度、非平坦度が低い表面状態を有することがある）に有効に接触することができる、安定かつ高性能の信頼性の高い熱界面構造を作り出すこと対する重大な課題を生じさせ得る。かかる大きな非平坦状態は、満足できる熱抽出及び効率的な冷却を保証するには熱伝導性界面材料で充填しなければならない、大きなエアギャップを作り出すことがある。しかしながら、反った凸面デバイスの突出構造部が、それよりかなり平坦なヒートスプレッダ又はヒートシンクの表面上の高い点と篏合するところに、極めて狭い熱界面ギャップを発生させ得る界面領域もまた存在し得る。
【００１４】
上述のように、幾つかの熱界面材料の選択肢が利用可能であり、各々がある特定の限界を有する。熱グリースは、低費用のＴＩＭソリューションとして、表面を被覆して大きな可変のギャップを充填することができるが、これら材料は、パワーサイクリング／エージングに関連したハードウェアの形状変化の結果生じる材料のずれに結合した材料内で発生する高歪みに起因して、小さいギャップ領域からポンピングで押し出される（ｐｕｍｐ  ａｗａｙ）傾向がある。結果として、この部分の寿命にわたって、これらのポンピング効果に起因した界面でのＴＩＭ材料の損失に由来して、著しい熱劣化が生じ得る。上述の例示的なＧＰＵ用途の事例では、高パワーＧＰＵデバイスは、構造内の高いスポットであり、グリースが使用されている場合には非常に薄いグリースボンドラインの領域を形成するので、したがってグリースポンピングを最も受けやすい。著しい熱的性能損失は、これらの材料内で、より厚い界面ボンドラインにおいても観察され、それは、グリース配合物内に存在する混和された高熱伝導性粒子が、材料がより厚い界面ギャップ内に存在するときには密接に接触しないからである。
【００１５】
多くの軟質熱ギャップフィラー材料は、パッド又は塗工可能形態のいずれかでも存在するが、これらの材料は、典型的には、ＧＰＵデバイスの冷却には適さない熱的性能が低い構造である。
【００１６】
グラファイト又はグラファイト／シリコーン複合体又は軟質のパターン付きインジウム金属パッドのような高性能ＴＩＭパッドも存在するが、限定された追従性（コンプライアンス）を有し、大きいギャップ（例えば１５０−２５０ミクロンまで）を充填することができない。これらのパッドの幾つかは、有効になるためには極めて高い荷重を必要とするので、デバイスの損傷を防ぐために２．５Ｄ／３Ｄ  ＳＯＳ又はベアダイ１Ｄシリコンパッケージに課された荷重制限には、適さない。しかしながら、これらの材料は、その利用可能なボンドライン／ギャップ充填性能の範囲全域にわたって、より一貫した熱的性能を有する。
【００１７】
高性能の塗工可能なシリコーン又は他の有機エラストマー材料ゲルも、大きい範囲のギャップを充填した後、塗工後硬化して、熱グリースに関連したポンピングの懸念を回避することができ、広範な高性能電子モジュールパッケージにおいて用いられる。しかしながら、これらの材料は、輸送及び振動において脆弱であり、熱サイクリングに伴って界面引裂きを受けやすく、引裂きの回避及び良好な熱界面安定性／信頼性のために適正な接着性能が提供されることを保証するには、より大きな加工オーバーヘッドを必要とする
それゆえ、これらの材料の実装は、適時の硬化サイクル及び硬化オーブンが必要とされるとともに、ゲル接着を保証するために完全に清浄なデバイス及びヒートスプレッダの表面を有することが必要とされるので、非常に費用が高くなり得る。このことは、通常、プラズマプロセスの導入及び関連の工具設備を要し、それは個々の製造サイトにおいて実装するのに著しい費用を追加し得る。ゲル材料はまた、使用前は凍結状態を保たなければならず、凍結／解凍サイクルに曝されると劣化するので、特別な取扱い及び取扱い使用法規格を必要とする。これらの材料はまた、より厚いボンドラインでは熱的性能が低下する。
【００１８】
塗工可能形態又はパッド形態の相変化材料もまた、グリースで見られるポンピング現象を限定する良好なギャップ充填の選択肢となり得るが、これらの材料の多くは、時間が経つと反応して相変化成分が失われる傾向があり、様々な理由で故障し得る。相変化成分はまた、幾つかの材料セットと共に界面から漏れることもある。
【００１９】
Ｇａ基合金のような液体金属熱界面材料は、高性能の、高度に可変のＴＩＭギャップ充填のためのソリューションを提供することができるが、費用が高く、また、材料の漏れ、及びコンポーネントの壊損を伴う有害な冶金学的反応を含む、多数のリスクが付随する。それゆえ、熱界面材料としての液体金属の使用の選択肢は、典型的には避けられており、かかる材料は、一般に実行可能な又は実際的なＴＩＭソリューションとはみなされていない。
【００２０】
前述の熱界面材料の選択肢は、典型的には、あるコンポーネント又は複数のコンポーネントと、１つヒートシンク又は複数のヒートシンクとの間の冷却路を提供する、独立した熱界面ソリューションとして用いられている。これらのタイプの構造の多くの例が、事実上すべての利用可能なＴＩＭ材料セットについて存在する。さらに、かかる材料はまた、共通の組立体上で互いに組み合わせて用いられているが、それらは特定のコンポーネント又は複数の特定のコンポーネントを冷却するために互いに独立して用いられている。例えば、カード組立体にはんだ付けされたＢＧＡパッケージ内のプロセッサ又は論理制御特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）デバイスは、熱グリースをコンポーネントとヒートシンク表面との間の熱界面材料として用いることができ、その一方で、同じ基板に組付けられたメモリモジュールのような他のコンポーネントは、これらのコンポーネントとヒートシンク表面との間でギャップフィラーＴＩＭパッドを用いることができる。しかしながら、各事例において、これらの材料は、互いに重なり合った組合せでは用いられていない。対照的に、本開示の熱界面材料構造体は、技術性能の最適化及び全体としての信頼性増強のために有益な性質を兼ね備える、積層された及び／又は重なり合ったＴＩＭ材料を含む。
【００２１】
本開示は、２つ（又はそれより多く）の異なる熱界面材料を含む、部分的にスタックされ、部分的に重ね合わされた、熱界面材料パッケージング構造を説明する。この構造は、塗工された又はステンシル・スクリーン印刷された熱グリース、相変化、又はゲル材料を含み、これは、パッケージング構造内の大きなギャップ領域に優先的に適用され、上を覆って添付された高性能固体パッド材料（例えば圧縮可能なグラファイトパッド、インジウムパッド、又はグラファイト／エラストマー複合パッド）に結合され、それは小さいボンドライン形成が所望される領域に適用される。この界面構造は、次いで共通のデバイス表面とヒートスプレッダ表面との間に「サンドイッチ」され、上述の短所の幾つかに対処することによって性能及び信頼性を改善する。例えば、本開示のＴＩＭ構造体は、単独適用グリースのソリューションに関連した薄いボンドラインのグリースポンピング問題に関連した課題、単独適用ゲルのソリューションに関連した薄いボンドラインのゲルの接着性の課題、及び固体ＴＩＭパッドのソリューションの限定されたギャップ充填能力に対処する。さらに、本開示のＴＩＭ構造体は、実質的な弓状曲がり（例えば１５０ミクロンを超える）を有するデバイス領域の全体にわたって改善された熱的性能を提供し、このことは、上記の、固体パッド熱界面材料のアレイ又は単独に塗工若しくはステンシル適用された熱界面材料を含む、個別に適用される熱的ソリューションの使用より優れている。
【００２２】
図１を参照すると、略図１００は、１つの実施形態による、１つ又は複数の重なり領域を有する少なくとも２つの熱界面材料層を含むＴＩＭ構造体の例を示す。図１に描かれた特定の実施形態においては、少なくとも一部のＴＩＭ材料が重なり合った４つの領域が示されている。しかしながら、代替的な数及び／又は配置の（少なくとも部分的な）重なりの領域をもたらす、代替的な数及び／又は配置の材料を利用することができることが認識されるであろう。
【００２３】
図１は、ヒートシンクベース１０２と、ヒートシンクベース１０２上に配置されたヒートシンクペデスタル１０４（例えばＣｕペデスタル）と、ギャップフィラー材料１０６（例えば、熱グリース／ゲル）と、熱パッド１０８とを含む、ベアダイ／ヒートシンクＴＩＭ構成を示す。熱パッド１０８は、１つ又は複数の位置でヒートシンクペデスタル１０４に適用されたギャップフィラー１０６の上を部分的に覆い、結果として１つ又は複数の重なり領域１１０をもたらす。図１の例証的な例において、ギャップフィラー１０６は、ヒートシンクペデスタル１０４上の４つの位置に適用され、熱パッド１０８は、４つの位置でギャップフィラー１０６に重なり合う。他の事例において、ギャップフィラー１０６は、別の数の位置に塗工されてもよく、その結果、別の数の重なり領域がもたらされる。さらに、図１の例に描かれた部分的な重なりの程度は、例証のみを目的としたものであり、変更し得る。加えて、１つの位置における重なり度が別の位置における重なり度と異なっていてもよい。
【００２４】
幾つかの事例において、図３に関して示され、本明細書でさらに説明されるように、ステンシルを用いて、ギャップフィラー１０６を適用すべきヒートシンクペデスタル１０４上の領域を識別することができる。ステンシル設計は、具体的な電子コンポーネント構成に基づいて変更することができる。例証として、（図３の例に示すような）４つのＨＢＭメモリ位置を有するベアダイＳＯＳモジュールパッケージ／ＧＰＵカード組立体の場合、図１の例においてギャップフィラー１０６が適用された４つの位置は、４つのＨＢＭメモリ位置に関連付けることができる。代替的なグリース／ゲル塗工位置識別方法を用いることができること、及び種々の方法を利用して、識別された位置にグリース／ゲルを適用することができることが認識されるであろう。
【００２５】
特定の実施形態において、ギャップフィラー１０６は、熱グリース（例えばＳｈｉｎ  Ｅｔｓｕ  Ｘ２３−７８６８−２Ｄ）であり、これは対応するＨＢＭメモリ位置においてヒートシンクペデスタル１０４（又は水冷式システムの場合、ヒートスプレッダ）上にステンシル印刷される。グリースのステンシル印刷の後、適正な寸法に切断された固体熱パッド１０８（例えば、Ｇｒａｆｔｅｃｈ  ＨＴＣ３２００グラファイトのようなグラファイトパッド）を、対応するＧＰＵデバイス位置においてヒートシンク上に配置することができ、これは、熱パッド１０８をステンシル印刷されたギャップフィラー１０６材料上に部分的に重ね合わせて、熱パッド１０８を所定位置に（図１において符号１１０で表した重なり領域で）仮留めする（ｔａｃｋ）ことによって、所定位置に保持することができる
この例において、パッド材料は、デバイス位置の中心に置いたとき、熱パッド１０８が、ステンシル印刷されたギャップフィラー材料１０６のおよそ５０パーセントに直接接触することになるようなサイズに切断される。別の事例において、重なり度を調整することができる（例えば、対応する篏合面における弓状曲がりの程度に基づいて）。
【００２６】
図４及び図５に関して示され、本明細書においてさらに説明されるように、重なり合ったＴＩＭ材料をヒートシンクベース１０２に適用した後、このヒートシンク組立体は、次いで電子カード組立体に添付され、組立体取付け具内でばね荷重の下に置かれ、圧力を印加してＴＩＭボンドラインを形成する。この組立体は、その後、圧力下で保持され、その間、次いでばね荷重肩付きねじ（例えば図３の例で示す組立体の場合、４本のねじ）をカード／ヒートシンク組立体上で作動させて、組立体荷重工具を取り去った後に界面上で一定の印加圧力を維持する。
【００２７】
したがって、図１は、少なくとも部分的に重なり合った２つの熱界面材料を利用したＴＩＭ構造体の例を示す。ギャップが小さいところに固体ＴＩＭを用いることによって、歪みが高いところでのグリースのポンピング又はゲルの接着性損失を回避することができ、その一方で、グリース又は他の塗工可能な材料を用いた大きいギャップの充填は、より厚いボンドラインの存在に起因してｚ方向の歪みがより少ない外側デバイス位置のところで用いられる。それゆえ、グリースポンピング又は他の性能損失を低減することができる。外側領域で性能損失が現実化した場合には、より低パワーデバイスの上に、より大きい可変性のマージンが存在する。外側デバイス位置で高度に圧縮性の塗工可能材料を使用することによって、全体としての性能の改善及び信頼性のために固体パッドの完全な圧縮性も実現される。
【００２８】
両材料とも低費用であり全体として非常に加工が容易なので、本開示の熱界面ソリューションは、費用対効果も高い。デバイスボンドラインの周囲を囲むグリース又は同様の追従性又はエラストマー性材料の存在は、制動能力を（例えば輸送／振動条件下で）提供することもできる。さらに、ステンシル印刷／塗工グリース／ゲル／ＰＣＭ材料とパッドとの間の重なりを用いることで、費用を追加するとともに重要なハードウェア面積を消費する位置合わせピンが無くても、パッドを所定位置に保持する仮留めポイントが提供される。グラファイトパッドは、典型的には非常に軽量かつ脆弱であり、無理に移動させると損傷を受けることがある。それゆえ、かかる安全な仮留め及び位置合わせの方法は有益である。
【００２９】
加えて、ギャップ充填材料の使用に関連した厚いボンドラインは、典型的には熱伝導性能に乏しいが、重なり構造、及び良好な側方熱放散性を有する高性能の熱パッドとの接触は、厚いギャップフィラーボンドライン位置における熱除去のための付加的な導管も提供する。パッド材料内の強化された側方熱流と組み合わされたかかる重なり合った材料スタックの全体として改善されたギャップ充填性能は、結果として、強化された熱界面性能の改善をもたらし、熱グリース又は熱パッドを単独で使用する単独ＴＩＭソリューションより性能が優れている。
【００３０】
この性能改善は、一般的に図２に示され、これは、熱界面材料ソリューションに関しておよそ２００ミクロンのギャップ充填能力を要求するハードウェハ平坦状態を有する、およそ２００Ｗで駆動するＧＰＵデバイスとヒートスプレッダとの組立体について測定したものである。図２に示すように、本開示の構造化されたグリースとパッドとの構造の総熱抵抗（Ｃ／Ｗ）は、「グリースのみ」構造並びに「パッドのみ」構造の両方に比べて低くなっている。図２の特定の例において、「グリースのみ」構造の総熱抵抗は０．２６Ｃ／Ｗより大きく、「パッドのみ」構造の総熱抵抗は０．２６５Ｃ／Ｗより大きいが、一方、本開示の「構造化されたグリース及びパッド」構造の総熱抵抗は０．２５５Ｃ／Ｗより小さい。図２のデータに関して、このチャートは、総熱抵抗／性能についてのものである。それゆえ、測定は、ヒートシンクが添付された後、換気装置が存在しかつ特定の速度に設定されたシステムに組み込まれたＧＰＵに対するものである。全体的に、このチャートは、同じシステム位置内に組み込み、同じシステム動作条件及びシステム外部環境条件のセットの下で実行した後の、同じヒートシンク及び同じＴＩＭ１  ＧＡＰ充填要件で３つの異なるＴＩＭ１構成を用いて構築及び試験した同じ部分を比較したものである。
【００３１】
加えて、２つの熱界面材料の部分的に重なり合った構造はまた、組み合わされた熱界面材料のセットを通してデバイス及び熱放散表面に至る冗長な伝熱路を提供する。デバイスと熱放散表面との間で固体パッド材料、ステンシル印刷若しくは塗工された材料のいずれかを通して直接接触する、又は両材料を通してそれぞれの接触面に接触する、冗長な熱界面材料の接合部は、熱界面構成の信頼性強化を提供することができる。これらの信頼性強化は、経時的により一貫した熱的性能とともに、熱界面の改善された機械的堅牢性にも及び得る。例えば、固体ＴＩＭパッドと接触した熱グリース又はゲル材料の使用は、ハードウェア組立体の輸送又は搬送中に起こり得る機械的衝撃及び振動事象を制動することによって、固体パッドへの損傷を防止することができる。
【００３２】
本明細書においてさらに説明されているように、本開示のＴＩＭ構造は、独立したギャップ充填要件を有し得るＦＥＴ又はインダクタのような他のデバイスの冷却のためのスプレッダに適用される、第３のＴＩＭギャップ充填ソリューションと共に使用することができる。例えば、水冷式システム用のヒートスプレッダの場合、パッド／グリースの組合せは、スプレッダ上の対応するＧＰＵ／ＨＢＭデバイス位置において用いることができ、一方で、塗工可能な厚いギャップフィラーＴＩＭ材料（例えば、Ｔ−Ｐｕｔｔｙ  ５０６又はＣｈｒｏｍｅｒｉｃｓ  Ｔ６３６）は、対応するＦＥＴ及びインダクタ位置において用いることができる。
【００３３】
さらに、本開示の重なり合ったＴＩＭ構造の属性は、複数のＴＩＭ材料の組合せに拡張することができる。例として、ステンシル印刷又は塗工グリース又はゲルと結合された固体金属又は複合パッド、又は、互いに適合性の機械的ギャップ充填材料及び熱的性能属性を有する部分的に重なり合ったスタックされたパッド材料の組合せが挙げられる。加えて、ギャップフィラー材料はまた、基板外のモジュールの角部で用いることもでき、取扱い又は製品輸送中に生じ得る衝撃及び振動事象中に付加的な制動を提供して、ＴＩＭ界面の完全性を保証する。さらに、ギャップ充填材料（例えば、熱グリース材料）は、かかる衝撃／振動事象に関連してパッド材料内において発生するギャップの接触完全性を改善することもできる。
【００３４】
図３を参照すると、略図２００は、１つの実施形態によるベアダイＳＯＳモジュールパッケージ／ＧＰＵカード組立体の一例を示す。図３は、幾つかの事例において、ギャップフィラー材料をヒートシンク／ヒートスプレッダに適用すべき位置を、下にある１つ又は複数の電子コンポーネントに基づいて決定することができることを示す。
【００３５】
図３の例において、ベアダイＳＯＳモジュールパッケージ／ＧＰＵカード組立体は、ＧＰＵに隣接して複数のＨＢＭメモリデバイス位置を含む。特定の実施形態において、組立体は、多重チップＳＯＳ  ２．５Ｄ又は３Ｄ  ＳＯＳ有機ＧＰＵ／メモリモジュールパッケージ・オンボード組立体に対応する。モジュールは、ＳＭＹ  ＦＥＴ及びインダクタのアレイを有する基板組立体にはんだ付けされたＢＧＡである有機モジュールチップキャリアに取り付けられた、大型のシリコン・インタポーザに添付された、４つの低パワー（例えば、各々約８Ｗ）ＨＢＭスタックシリコンメモリデバイスで囲まれた、高パワー（例えば２５０Ｗから≧２７０Ｗまで）ＧＰＵデバイスを含むことができる。かかるカードは、空冷式又は水冷式システムのいずれかで用いることができ、その場合、カードの最終組立体は、ばねねじ及び随意的なノンインフルエンス・ファスナ（ｎｏｎ−ｉｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇ  ｆａｓｔｅｎｅｒ：ＮＩＦ）によってベアダイ組立体に添付されたヒートシンク又はヒートスプレッダを含む。
【００３６】
図３において、ＳＯＳベアダイのＧＰＵ位置は、符号２０２によって識別され、４つのＨＢＭメモリデバイスは、ＧＰＵ位置２０２に隣接して配置される。第１のＨＢＭメモリデバイスは符号２０４によって識別され、第２のＨＢＭメモリデバイスは符号２０６によって識別され、第３のＨＢＭメモリデバイスは符号２０８によって識別され、第４のＨＢＭメモリデバイスは符号２１０によって識別される。特定の実施形態において、組立体は、符号２１２によって識別される複数のインダクタ並びに符号２１４によって識別される複数の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）をさらに含む。
【００３７】
図３は、ギャップフィラー材料をヒートシンク／ヒートスプレッダ篏合表面に適用するためのステンシル設計２２０を、下にある組立体の特定の電子コンポーネントの関連位置に基づくものとすることができることを示す。図３において、ステンシル設計２２０は、下にある組立体のコンポーネントの関連位置を示すために、ベアダイＳＯＳモジュールパッケージ／ＧＰＵカード組立体の上方に描かれている。図３の例において、ステンシル設計２２０は、第１のギャップフィラー適用位置２２２、第２のギャップフィラー適用位置２２４、第３のギャップフィラー適用位置２２６、及び第４のギャップフィラー適用位置２２８を含む。第１のギャップフィラー適用位置２２２は第１のＨＢＭメモリデバイス位置２０４に対応し、第２のギャップフィラー適用位置２２４は第２のＨＢＭメモリデバイス位置２０６に対応し、第３のギャップフィラー適用位置２２６は第３のＨＢＭメモリデバイス位置２０８に対応し、第４のギャップフィラー適用位置２２８は第４のＨＢＭメモリデバイス位置２１０に対応する。
【００３８】
特定の実施形態において、図３のステンシル設計２２０は、ギャップフィラー材料をヒートシンク／ヒートスプレッダの表面に適用する位置を識別するために利用することができる。例証のために、図１を参照すると、図３のステンシル設計２２０は、ギャップフィラー１０６を適用すべきヒートシンクペデスタル１０４の表面上の位置を識別するために利用することができる。詳細には、ステンシル設計２２０の４つのギャップフィラー適用位置２２２−２２８は、図１に描かれた、ギャップフィラー１０６がヒートシンクペデスタル１０４上に適用される４つの領域に対応することができる。ステンシル設計２２０を用いてギャップフィラー１０６を適用した後、熱パッド１０８を適用することができ、これを、ギャップフィラー１０６によって４つの重なり領域１１０において保持することができる。図４及び図５に関して示され、本明細書においてさらに説明されるように、ギャップフィラー１０６及び熱パッド１０８の適用後、ヒートシンク組立体を電子コンポーネント組立体（例えば図３に示す組立体）に接合することができ、その結果、熱パッド１０８及びギャップフィラー１０６が圧縮されて、下にあるコンポーネントの「弓状曲がり」から生じるギャップを充填する。
【００３９】
図３の例には示されていないが、ステンシル設計を利用して、１つ又は複数の熱界面材料を配置すべき電子コンポーネントの種々の位置を識別することができる。例証のため、空冷式ヒートシンク又は水冷式ヒートスプレッダは、下にある電子的組立体の特定のコンポーネントと「篏合する」ように設計された種々の表面を有し得る。例えば、幾つかの事例において、ギャップフィラー材料は、インダクタ２１２に関連した位置及び／又はＦＥＴ２１４に関連した位置に置くことが望ましい場合がある。別の例として、図８及び図９に関して示され、本明細書においてさらに説明されるように、ギャップフィラー材料（例えば、軟質ギャップフィルパッド）は、モジュールの角部に置くことが望ましい場合がある（例えば輸送及び振動における付加的な制動のため）。
【００４０】
したがって、図３は、特定の電子コンポーネントの位置に基づいて熱界面構造体における異なる熱界面材料の位置を識別するために用いられるステンシル設計の一例を示す。
【００４１】
図４及び図５は、１つの実施形態による、熱分散表面（例えばヒートシンクベース）上にＴＩＭ構造体を形成することと、その後のベアダイモジュールへの組付けとを含む、プロセス３００の一例を示す。図４は、ヒートシンクベースに適用された、重なり領域を有する少なくとも２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体の一例の側面図である。特定の実施形態において、図４に示す組立体は、図１に示すＴＩＭ構造体の側面図に対応する。図５は、ヒートシンクをベアダイモジュールに適用した後の、図４の熱界面材料構造体の例の側面図である。
【００４２】
図５は、例示的なＳＯＳデバイス表面（図５においてベアダイモジュール３０２）として示される）に関連した「弓状曲がり」の一例を示す。詳細には、コンポーネントＨＢＭ／ＧＰＵデバイス領域にわたる平坦度変動を伴う、凸面デバイスプロファイルが存在し得る。幾つかの事例において、平坦度変動は、２５０ミクロン又はそれ以上であり得、凸面の非平坦状態の頂点がＧＰＵチップの中央に存在する。図４及び図５の例には示していないが、ヒートシンクペデスタルもまた、適正な熱界面ギャップ充填を考慮して、非平坦表面プロファイルを有することができる。ヒートシンク表面は、典型的には２５−５０ミクロンの平坦度となるように作製することができるが、ヒートスプレッダによっては、１００ミクロンまでの範囲であり得る平坦度を有するものもある。それゆえ、高性能で高信頼性の熱界面材料構造は、モジュール及びヒートシンクハードウェアの形状及び相互平坦度プロファイルによって作り出される、潜在的に３００ミクロンを超える可能性がある累積界面ギャップを充填しなければならないことがある。
【００４３】
高性能で費用対効果の高い、信頼性の高い熱界面を複雑なベアダイ構造（例えば図３に示す組立体）において創出するために、高性能の圧縮性固体グラファイトパッド（又は同等の複合材料、相変化材料、若しくは金属パッド）を用いてＧＰＵ上の熱除去を促進することができる。しかしながら、高性能の高熱伝導性パッドのギャップ充填能力は、典型的には約２５ミクロン（又はそれを下回る）から約１２０−１５０ミクロンの範囲に限定されるので、充填すべきより大きなギャップを有する、より低パワーのメモリ領域の上に、グリースのような塗工可能又はステンシル印刷可能なＴＩＭ材料を適用することができる。２つの材料間に接続された熱界面路を設けるために、パッドの一部（又はパッドの全部）は、組み立てたときに、塗工されたＴＩＭと接触することができる。本明細書においてさらに説明されるように、図１は、かかる部分的に重ね合わされた／スタックされたＴＩＭ材料界面構成の例を示す。
【００４４】
図６〜図９は、熱界面材料構造体の種々の例を示す。図６〜図９の例示的なＴＩＭ構成は、例証のみを目的としたものであり、多数の代替的なＴＩＭ構成が可能であり、具体的な伝熱用途に合わせて変更し得ることが認識されるであろう。さらに、図６〜図９は、例示的なＴＩＭ構造体の２次元平面図を重なり領域と共に描いているが、特定の領域の特定の材料の３次元配置を変更することができることが認識されるであろう。
【００４５】
図６は、熱界面材料構造体を電子コンポーネントに適用する前の、重なり領域を有する２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体の第１の例の平面図４００である。図６の例において、第１のＴＩＭ構成４０２（「ＴＩＭ構成（１）」として識別される）は、固体パッドと、メモリサイトにおいてグリース／ゲルとを含む（図１の例で示したＴＩＭ構造体と同様）。
【００４６】
図７は、熱界面材料構造体を電子コンポーネントに適用する前の、重なり領域を有する２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体の第２の例の平面図５００である。図７の例において、第２のＴＩＭ構成５０２（「ＴＩＭ構成（２）」として識別される）は、固体パッドと、メモリサイトにおいて軟質ギャップフィルパッドとを含む。
【００４７】
図８は、熱界面材料構造体を電子コンポーネントに適用する前の、重なり領域を有する２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体の第３の例の平面図６００である。図８の例において、第３のＴＩＭ構成６０２（「ＴＩＭ構成（３）」として識別される）は、固体パッドと、メモリサイトにおいてグリース／ゲルとを含むと共に、輸送及び振動における付加的な制動のために、モジュールの角部においてギャップフィル塗工又は軟質ギャップフィルパッドを含む。
【００４８】
図９は、熱界面材料構造体を電子コンポーネントに適用する前の、重なり領域を有する２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体の第４の例の平面図７００である。図９の例において、第４のＴＩＭ構成７０２（「ＴＩＭ構成（４）」として識別される）は、固体パッドと、メモリサイトにおいて軟質ギャップフィルパッドとを含むと共に、輸送及び振動における付加的な制動のために、モジュールの角部においてギャップフィル塗工又は軟質ギャップフィルパッドを含む。
【００４９】
図１０を参照すると、フロー図は、１つの実施形態による、重なり領域を有する少なくとも２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体を形成すること、及び該熱界面材料構造体を電子デバイスに適用することのプロセス８００の一例を示す。図１０に示す特定の実施形態において、プロセス８００は、２つの熱界面材料層の適用を含む。他の実施形態において、２つより多くの熱界面材料層を利用することができる。
【００５０】
プロセス８００は、８０２において、ギャップフィラー材料を伝熱コンポーネント（heat transfer component）の表面に選択的に適用して、第１の熱界面層を形成することを含む。例えば、図１を参照すると、ギャップフィラー１０６材料をヒートシンクペデスタル１０４に適用することができる。図１の例証的な例において、ギャップフィラー１０６材料は、４つの位置に適用される。図３に関して示され、本明細書においてさらに説明されるように、ギャップフィラー１０６材料を適用すべき位置は、対応する篏合表面の位置に基づいて決定することができる。図３に示す特定の実施形態において、ステンシル設計２２０は、下にあるＨＢＭメモリデバイス位置２０４−２１０に対応する４つのギャップフィラー適用位置２２２−２２８を識別する。さらに本明細書で説明されるように、ギャップフィラー材料が適用される伝熱コンポーネントは、ヒートシンク（例えば空冷式システムの場合）又はヒートスプレッダ（例えば水冷式システムの場合）とすることができる。
【００５１】
プロセス８００は、８０４において、熱パッドを第１の熱界面層に適用して、第１のＴＩＭ層と第２のＴＩＭ層との少なくとも部分的な重なりに関連付けられた重なり領域を有する、ＴＩＭ構造体の第２の熱界面層を形成することを含む。例えば、図１を参照すると、熱パッド１０８をギャップフィラー１０６材料に適用することができ、結果として４つの重なり領域１１０を有するＴＩＭ構造体が得られる。図１の例証的な例において、熱パッド１０８は、ギャップフィラー１０６材料に部分的（例えば、ギャップフィラー１０６の表面積の約５０パーセント）に重なり合う。これは例証のみを目的とするものであること、及び、重なり度は変更することができ、場合によっては、関連付けられる接合される非平坦係合表面に基づいて決定することができることが認識されるであろう。図３に関して示され、本明細書においてさらに説明されるように、熱パッド１０８を適用する位置は、下にある電子組立体の別のコンポーネントの位置（例えばＧＰＵの位置）に関連付けることができる。
【００５２】
プロセス８００は、８０６において、伝熱コンポーネントをＴＩＭ構造体と共に、電子コンポーネント組立体に適用することを含む。例えば、図４及び図５を参照すると、ＴＩＭ構造体を（例えば、空冷式ヒートシンクの例ではヒートシンクベース１０２に）適用した後、ＴＩＭ構造体をベアダイモジュール３０２に適用することができる。圧力の印加は、結果として、熱パッド１０８の圧縮及びギャップフィラー１０６材料の広がりを生じさせることができ、ベアダイモジュール３０２の「弓状曲がり」に関連付けられるベアダイモジュール３０２の側部におけるより大きなギャップが充填される。
【００５３】
したがって、図１０は、重なり領域を有する少なくとも２つの熱界面材料層を含む熱界面材料構造体を形成すること、及び該熱界面材料構造体を電子デバイスに適用することのプロセスの一例を示す。重なり領域は、「固化」領域を表しているわけではなく、ギャップフィラー材料（例えば熱グリース材料）は、熱パッド材料によって残されている可能性があるギャップの中へ流れ込むことができる。ギャップフィラー材料は、モジュールの反り及び衝撃事象に応じて流入／流出することができる。
【００５４】
上記説明から、本発明の種々の実施形態において、その範囲から逸脱することなく修正及び変更を行うことができることが理解されるであろう。この明細書における説明は、例証のみを目的としたものであり、限定的な意味で解釈すべきものではない。本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲の文言によってのみ限定される。
【図１】
2019520702.tif 000003
【図２】
2019520702.tif 000004
【図３】
2019520702.tif 000005
【図４】
2019520702.tif 000006
【図５】
2019520702.tif 000007
【図６】
2019520702.tif 000008
【図７】
2019520702.tif 000009
【図８】
2019520702.tif 000010
【図９】
2019520702.tif 000011
【図１０】
2019520702.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月27日(2019.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの異なる熱界面材料を含む熱界面材料（ＴＩＭ）構造体であって、
第１の熱界面材料層と、
前記第１の熱界面材料層に重なり合った第２の熱界面材料層と、
を含む、ＴＩＭ構造体。
【請求項２】
前記第１の熱界面材料層は、熱グリース材料を含む、請求項１に記載のＴＩＭ構造体。
【請求項３】
前記第１の熱界面材料層は、熱ゲル材料を含む、請求項１に記載のＴＩＭ構造体。
【請求項４】
前記第２の熱界面材料層は、固体熱パッドを含む、請求項１に記載のＴＩＭ構造体。
【請求項５】
前記固体熱パッドは、グラファイトパッドを含む、請求項４に記載のＴＩＭ構造体。
【請求項６】
電子コンポーネントと、
伝熱コンポーネントと、
前記電子コンポーネントと前記伝熱コンポーネントとの間に配置された熱界面材料構造体と、
を含む装置であって、前記熱界面材料構造体は、２つの異なる熱界面材料：
第１の熱界面材料層と、
前記第１の熱界面材料層に重なり合った第２の熱界面材料層と、
を含む、装置。
【請求項７】
前記電子コンポーネントは、ベアダイモジュールを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記電子コンポーネントは、可変平坦プロファイルを有し、
前記第２の熱界面材料層は、前記可変平坦プロファイルに基づいて識別される１つ又は複数の重なり領域において、前記第１の熱界面材料層に重なり合う、
請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の熱界面材料層は、前記電子コンポーネントと前記伝熱コンポーネントとの間のギャップを充填するのに十分な厚さを有する熱グリース材料を含み、前記ギャップは、前記可変平坦プロファイルに関連付けられる、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記電子コンポーネントは、空冷式コンピューティングシステムに関連付けられ、前記伝熱コンポーネントは、ヒートシンクを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
前記電子コンポーネントは、液冷式コンピューティングシステムに関連付けられ、前記伝熱コンポーネントは、ヒートスプレッダを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項１２】
伝熱コンポーネントの表面にギャップフィラー材料を選択的に適用して、第１の熱界面材料層を形成することと、
前記第１の熱界面材料層に固体熱パッドを適用して、熱界面材料構造体の第２の熱界面材料層を形成することと、
含むプロセスであって、
前記熱界面材料構造体は、前記第１の熱界面材料層と前記第２の熱界面材料層との重なりに関連付けられた１つ又は複数の重なり領域を有する、
プロセス。
【請求項１３】
前記伝熱コンポーネントを前記熱界面材料構造体と共に、電子コンポーネント組立体に適用することをさらに含む、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記ギャップフィラー材料は、熱グリース材料を含む、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１５】
ステンシル設計を利用して、前記熱グリース材料を前記伝熱コンポーネントの表面に選択的に適用することをさらに含む、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記ステンシル設計は、前記伝熱コンポーネントに篏合される電子コンポーネントに関連付けられた可変平坦プロファイルに基づいて決定される、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１７】
前記第１の熱界面材料層は、前記電子コンポーネントと前記伝熱コンポーネントとの間のギャップを充填するのに十分な厚さを有し、前記ギャップは、前記可変平坦プロファイルに関連付けられる、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１８】
前記ギャップは、前記固体熱パッドにおける不規則性又は変形に関連付けられる、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記固体熱パッドは、グラファイトパッドを含む、請求項１２に記載のプロセス。
【国際調査報告】
2019520702.tif 000013
2019520702.tif 000014