(57)【要約】  ＥＵＶリソグラフィのためのメンブレンアセンブリ（８０）であって、メンブレンアセンブリは、平面メンブレン（４０）と、メンブレンを保持するように構成された境界（８１）と、境界に接続され、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイス（ＭＡ）に取り付けるように構成された、フレームアセンブリ（５０）とを備え、フレームアセンブリは、使用中、フレームアセンブリが境界とパターニングデバイスとの間にあるように、メンブレンの平面に対して垂直な方向に境界に接続される。【選択図】  図３
2019504342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶリソグラフィのためのメンブレンアセンブリであって、
平面メンブレンと、
前記メンブレンを保持するように構成された境界と、
前記境界に接続され、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスに取り外し可能に取り付けるように構成された、フレームアセンブリであって、弾性部材を備えるフレームアセンブリと、
を備え、
前記フレームアセンブリは、使用中、前記フレームアセンブリが前記境界と前記パターニングデバイスとの間にあるように、前記メンブレンの前記平面に対して垂直な方向に前記境界に接続される、
メンブレンアセンブリ。
【請求項２】
マウントフィーチャが前記境界と前記パターニングデバイスとの間に提供される、請求項１に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項３】
前記フレームアセンブリは、前記パターニングデバイスから突出する突出体を受け取るように構成された少なくとも１つのホールを備え、前記メンブレンの前記平面に対して垂直な方向に見た場合、前記ホールは前記境界と少なくとも部分的にオーバーラップする、請求項１及び２のいずれかに記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項４】
前記フレームアセンブリは、前記フレームアセンブリを前記突出体にロックするように構成されたロッキング機構を備える、請求項３に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項５】
前記ロッキング機構は各ホールのための弾性部材を備え、各弾性部材は、前記ホール内へと延在し、前記ホール内に受け取られた前記突出体が前記弾性部材を押圧する場合に変形可能であるように構成される、請求項４に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項６】
前記ロッキング機構は各ホールのためのロッキング部材を備え、前記ロッキング部材は、前記圧縮された弾性部材が前記ロッキング部材に向けて前記ホール内に受け取られた前記突出体に力を及ぼすように、前記ロッキング部材が前記ホール内へと延在するロッキング位置に移動可能なように構成される、請求項５に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項７】
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
前記パターニングデバイスから突出する少なくとも１つの突出体と、
請求項１から６のいずれかに記載のメンブレンアセンブリであって、前記フレームアセンブリは前記少なくとも１つの突出体を介して前記パターニングデバイスに接続される、メンブレンアセンブリと、
を備え、
前記少なくとも１つの突出体は前記境界と前記パターニングデバイスとの間にある、
パターニングデバイスアセンブリ。
【請求項８】
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
平面メンブレン、及び前記メンブレンを保持するように構成された境界を備える、メンブレンアセンブリと、
前記パターニングデバイス及び前記境界のうちの１つから突出する少なくとも１つの突出体であって、前記境界と前記パターニングデバイスとの間にある、少なくとも１つの突出体と、
前記パターニングデバイス及び前記境界のうちの他方に接続されたフレームアセンブリであって、前記境界と前記パターニングデバイスとの間の前記少なくとも１つの突出体に取り付けられるように構成される、フレームアセンブリと、
を備える、パターニングデバイスアセンブリ。
【請求項９】
ＥＵＶリソグラフィのためのメンブレンアセンブリであって、
平面メンブレンと、
前記メンブレンを保持するように、及びＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスに取り付けるように構成された、フレームアセンブリと、
を備え、
前記フレームアセンブリは、前記メンブレンが前記パターニングデバイスから所定の距離で保持されるように前記フレームアセンブリが前記パターニングデバイスに対してロックされる、ロック状態と、前記メンブレンが前記パターニングデバイスから前記所定の距離より短い距離にある、アンロック状態と、を有する、
メンブレンアセンブリ。
【請求項１０】
前記フレームアセンブリは、
前記メンブレンを保持するように構成されたメンブレンホルダと、
クランプ部材と、
前記メンブレンホルダを前記クランプ部材に接続する弾性部材と、
を備え、
前記メンブレンホルダは、前記弾性部材の圧縮を介して、前記メンブレンの前記平面に対して垂直な方向に前記クランプ部材に対して移動可能である、
請求項９に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項１１】
前記クランプ部材は、前記パターニングデバイスから突出する突出体の係合表面と接触するように構成された当接表面を備え、前記係合表面は前記パターニングデバイスから見て外方に向いている、請求項１０に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項１２】
前記メンブレンホルダは、前記フレームアセンブリが前記ロック状態にある場合、前記パターニングデバイスから突出する突出体のロッキング表面に接触するように構成されたエンドストップ表面を備え、前記ロッキング表面は前記パターニングデバイスの方を向いている、請求項１０又は１１に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項１３】
前記弾性部材は、前記フレームアセンブリを前記ロック状態にバイアスするように構成される、請求項１０から１２のいずれかに記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項１４】
前記フレームアセンブリは、前記弾性部材が圧縮された場合、前記メンブレンホルダが前記パターニングデバイスの方向に移動するように構成される、請求項１０から１３のいずれかに記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項１５】
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
ＥＵＶリソグラフィのための平面パターニングデバイスと、
メンブレンアセンブリと、
を備え、前記メンブレンアセンブリは、
平面メンブレンと、
前記メンブレンを保持するように、及び前記パターニングデバイスに取り付けるように構成された、フレームアセンブリと、を備え、前記フレームアセンブリ及び前記パターニングデバイスの対向する表面の間にギャップが形成され、
前記フレームアセンブリは、汚染微粒子が前記ギャップに入るのを抑制するように構成された伸長バッフルを備え、前記伸長バッフルは、前記パターニングデバイスの前記平面範囲を超えたロケーションで前記パターニングデバイスの前記対向面を超えて延在する、
パターニングデバイスアセンブリ。
【請求項１６】
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
請求項１から６及び９から１４のいずれかに記載のメンブレンアセンブリと、
を備え、
前記フレームアセンブリと、前記フレームアセンブリが取り付けられる前記パターニングデバイスとの、対向する表面の間にギャップが形成され、
前記フレームアセンブリは、汚染微粒子が前記ギャップに入るのを抑制するように構成された伸長バッフルを備え、前記伸長バッフルは、前記パターニングデバイスの前記平面範囲を超えたロケーションで前記パターニングデバイスの前記対向面を超えて延在する、
パターニングデバイスアセンブリ。
【請求項１７】
前記フレームアセンブリと、前記フレームアセンブリが取り付けられる前記パターニングデバイスとの、対向する表面の間にギャップが形成され、
前記フレームアセンブリは、汚染微粒子が前記ギャップに入るのを抑制するように構成された伸長バッフルを備え、前記伸長バッフルは、前記パターニングデバイスの前記平面範囲を超えたロケーションで前記パターニングデバイスの前記対向面を超えて延在する、
請求項８又は９に記載のパターニングデバイスアセンブリ。
【請求項１８】
前記フレームアセンブリは、
汚染微粒子が前記ギャップに入るのを抑制するように構成された少なくとも１つの更なるバッフルを備え、各々の更なるバッフルは前記パターニングデバイスの方向に延在する、
請求項１５から１７のいずれかに記載のパターニングデバイスアセンブリ。
【請求項１９】
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイス上にマウントされたメンブレンアセンブリを一時的に収容するためのローディング装置であって、前記ローディング装置の内部表面に突出体を備え、前記突出体は、前記ローディング装置が前記メンブレンアセンブリを収容する場合、前記メンブレンアセンブリのメンブレンホルダを前記パターニングデバイスの方向に押圧するように構成される、ローディング装置。
【請求項２０】
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
前記パターニングデバイス上にマウントされた、請求項９から１４のいずれかに記載のメンブレンアセンブリと、
前記メンブレンアセンブリを一時的に収容するためのローディング装置と、
を備え、
前記ローディング装置は、前記ローディング装置の内部表面に突出体を備え、前記突出体は、前記ローディング装置が前記メンブレンアセンブリを収容する場合、前記メンブレンアセンブリの前記メンブレンホルダを前記パターニングデバイスの方向に押圧するように構成される、
パターニングデバイスアセンブリ。
【請求項２１】
前記メンブレンアセンブリは、前記メンブレンの周辺に位置決めされ、前記メンブレンと前記パターニングデバイスとの間の容積の開口を制御するように構成された、シーリングフレームを備える、請求項２０に記載のパターニングデバイスアセンブリ。
【請求項２２】
前記シーリングフレームは複数のシール開口を備え、前記メンブレンホルダが前記パターニングデバイスの方向に押圧された場合、ガスフローが前記シール開口及び前記フレーム開口を通過できるようにするために、前記フレームアセンブリ内のフレーム開口は前記シール開口と一致する、請求項２１に記載のパターニングデバイスアセンブリ。
【請求項２３】
前記メンブレンアセンブリが前記ローディング装置によって収容されない場合、前記メンブレンホルダが前記パターニングデバイスに向かって押圧されないように、前記シール開口は、前記シール開口が前記フレーム開口と一致しないように配置される、請求項２２に記載のパターニングデバイスアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本願は、２０１５年１２月１４日出願の欧州特許第ＥＰ１５１９９８４５．７号、及び２０１６年３月１日出願の欧州特許第ＥＰ１６１５７９６７．７号、及び２０１６年４月６日出願の欧州特許第１６１６３９６２．０号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、ＥＵＶリソグラフィのためのメンブレンアセンブリ及びパターニングデバイスアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。
【０００５】
[0005]    パターン印刷の限界の理論的な推定値は式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。
【数１】
2019504342.tif 000003
但し、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷される特徴のフィーチャサイズ（又は、限界寸法）である。式（１）から、特徴の印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成できることが分かる。すなわち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又はｋ１の値の減少によるものである。    
【０００６】
[0006]  露光波長を短くするため、したがって、最小印刷可能サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。更には、１０ｎｍ未満の波長、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射が使用され得ることも提案されている。そのような放射は、極端紫外線放射又は軟ｘ線放射と呼ばれる。考えられる放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置は、パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）を含む。放射はパターニングデバイスを介して提供されるか、又はパターニングデバイスから反射され、基板上にイメージを形成する。パターニングデバイスを浮遊微粒子及び他の形の汚染物質から保護するために、メンブレンアセンブリが提供され得る。パターニングデバイスを保護するためのメンブレンアセンブリは、ペリクルと呼ぶことができる。パターニングデバイスの表面上の汚染物質は、基板上に製造欠陥を生じさせる可能性がある。メンブレンアセンブリは、境界と、境界を横切って伸びるメンブレンとを含み得る。
【０００８】
[0008]  使用中、メンブレンは、例えばマウントフィーチャによってパターニングデバイスに対して固定する必要がある。マウントフィーチャが占有する空間量を減少させることが望ましい。メンブレンアセンブリが、パターニングデバイスにマウントするための位置に移送される間、より少ない空間を占有することも望ましい。汚染微粒子がメンブレンとパターニングデバイスとの間の領域に到達する可能性を低減させることも望ましい。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  本発明の態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのためのメンブレンアセンブリが提供され、メンブレンアセンブリは、平面メンブレンと、メンブレンを保持するように構成された境界と、境界に接続され、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスに取り外し可能に取り付けるように構成された、フレームアセンブリであって、弾性部材を備えるフレームアセンブリとを備え、フレームアセンブリは、使用中、フレームアセンブリが境界とパターニングデバイスとの間にあるように、メンブレンの平面に対して垂直な方向に境界に接続される。
【００１０】
[0010]  本発明の態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリが提供され、パターニングデバイスアセンブリは、平面パターニングデバイスと、パターニングデバイスから突出する少なくとも１つの突出体と、いずれかの先行請求項のメンブレンアセンブリであって、フレームアセンブリは少なくとも１つの突出体を介してパターニングデバイスに接続される、メンブレンアセンブリとを備え、少なくとも１つの突出体は境界とパターニングデバイスとの間にある。
【００１１】
[0011]  本発明の態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのためのメンブレンアセンブリが提供され、メンブレンアセンブリは、平面メンブレンと、メンブレンを保持するように、及びＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスに取り付けるように構成された、フレームアセンブリとを備え、フレームアセンブリは、メンブレンがパターニングデバイスから所定の距離で保持されるようにフレームアセンブリがパターニングデバイスに対してロックされる、ロック状態と、メンブレンがパターニングデバイスから所定の距離より短い距離にある、アンロック状態と、を有する。
【００１２】
[0012]  本発明の態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリが提供され、パターニングデバイスアセンブリは、ＥＵＶリソグラフィのための平面パターニングデバイスと、メンブレンアセンブリとを備え、メンブレンアセンブリは、平面メンブレンと、メンブレンを保持するように、及びパターニングデバイスに取り付けるように構成されたフレームアセンブリとを備え、フレームアセンブリ及びパターニングデバイスの対向する表面の間にギャップが形成され、フレームアセンブリは、汚染微粒子がギャップに入るのを抑制するように構成された伸長バッフルを備え、伸長バッフルは、パターニングデバイスの平面範囲を超えたロケーションでパターニングデバイスの対向面を超えて延在する。
【００１３】
[0013]  本発明の態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリが提供され、パターニングデバイスアセンブリは、平面パターニングデバイス、平面メンブレンとメンブレンを保持するように構成された境界とを備えるメンブレンアセンブリ、パターニングデバイス及び境界のうちの１つから突出する少なくとも１つの突出体であって、境界とパターニングデバイスとの間にある少なくとも１つの突出体、及び、パターニングデバイス及び境界のうちの他方に接続されたフレームアセンブリであって、境界とパターニングデバイスとの間の少なくとも１つの突出体に取り付けるように構成されたフレームアセンブリ、を備える。
【００１４】
[0014]  本発明の態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイス上にマウントされるメンブレンアセンブリを一時的に収容するためのローディング装置が提供され、ローディング装置はローディング装置の内面に突出体を備え、突出体は、ローディング装置がメンブレンアセンブリを収容する場合に、メンブレンアセンブリのメンブレンホルダをパターニングデバイスに向けて押し付けるように構成される。
【００１５】
[0015]本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】[0016]本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0017]リソグラフィ装置を示すより詳細な図である。
【図３】[0018]本発明の一実施形態に従った、メンブレンアセンブリの一部を概略的に示す断面図である。
【図４】[0019]本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリのロック機構の使用段階を、概略的に示す平面図である。
【図５】[0019]本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリのロック機構の使用段階を、概略的に示す平面図である。
【図６】[0019]本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリのロック機構の使用段階を、概略的に示す平面図である。
【図７】[0020]本発明の異なる実施形態に従ったメンブレンを、概略的に示す断面図である。
【図８】[0020]本発明の異なる実施形態に従ったメンブレンを、概略的に示す断面図である。
【図９】[0020]本発明の異なる実施形態に従ったメンブレンを、概略的に示す断面図である。
【図１０】[0020]本発明の異なる実施形態に従ったメンブレンを、概略的に示す断面図である。
【図１１】[0021]パターニングデバイス上にマウントされる本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリをマウントするプロセスの様々な段階を、概略的に示す断面図である。
【図１２】[0021]パターニングデバイス上にマウントされる本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリをマウントするプロセスの様々な段階を、概略的に示す断面図である。
【図１３】[0021]パターニングデバイス上にマウントされる本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリをマウントするプロセスの様々な段階を、概略的に示す断面図である。
【図１４】[0021]パターニングデバイス上にマウントされる本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリをマウントするプロセスの様々な段階を、概略的に示す断面図である。
【図１５】[0022]ローディング装置内の本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリを、概略的に示す断面図である。
【図１６】[0023]ローディング装置から取り外される本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリを、概略的に示す断面図である。
【図１７】[0023]ローディング装置から取り外される本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリを、概略的に示す断面図である。
【図１８】[0024]本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリとパターニングデバイスとの間のギャップを、概略的に示す断面図である。
【図１９】[0025]本発明の一実施形態に従ったメンブレンアセンブリを、概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0026]  図１は、本発明の一実施形態によるソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。この装置１００は、
−放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ。
−パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
−基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
−パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳと、を含む。
【００１８】
[0027]  照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１９】
[0028]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。
【００２０】
[0029]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２１】
[0030]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。
【００２２】
[0031]  照明システムＩＬのような投影システムＰＳは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。
【００２３】
[0032]  本明細書で示すように、リソグラフィ装置１００は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。
【００２４】
[0033]  リソグラフィ装置１００は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上の支持構造ＭＴ）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴ（及び／又は追加の支持構造ＭＴ）を並行して使用するか、１つ以上の他の基板テーブルＷＴ（及び／又は他の支持構造ＭＴ）を露光に使用している間に１つ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は支持構造ＭＴ）で予備工程を実行することができる。
【００２５】
[0034]  図１を参照すると、照明システムＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法には、材料を、例えば、キセノン、リチウム又はスズなど少なくとも１つの元素を有し、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有するプラズマ状態へと変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。そのような方法のうちの１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる方法では、所望の線発光元素を有する材料の小滴、流れ又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することにより所望のプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図１には示されていない）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射はソースコレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使って集光される。例えば、ＣＯ２レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザとソースコレクタモジュールとは別個の構成要素とすることができる。
【００２６】
[0035]  そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置１００の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、レーザからソースコレクタモジュールＳＯへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合においては、放射源は、ソースコレクタモジュールＳＯの一体部分であってもよい。
【００２７】
[0036]  照明システムＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。一般に、照明システムの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明システムＩＬは、ファセットされたフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。照明システムＩＬは、放射ビームを調節して、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２８】
[0037]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計装置、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使用して、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００２９】
[0038]  コントローラ５００がリソグラフィ装置１００の動作全体を制御し、特に、下記で更に説明する動作プロセスを実行する。コントローラ５００は、中央処理ユニット、揮発性及び不揮発性記憶手段、キーボード及びスクリーンなどの１つ以上の入力及び出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続、並びに、リソグラフィ装置１００の様々な部分への１つ以上のインターフェースを備える、好適にプログラムされた汎用コンピュータとして具体化可能である。制御コンピュータとリソグラフィ装置１００との間の１対１の関係は必須ではないことを理解されよう。本発明の一実施形態において、１台のコンピュータが複数のリソグラフィ装置１００を制御することが可能である。本発明の一実施形態において、複数のネットワーク化されたコンピュータを使用して１台のリソグラフィ装置１００を制御することができる。コントローラ５００は、リソグラフィ装置１００がその一部を形成するリソセル又はクラスタにおいて、１つ以上の関連付けられた処理デバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成することも可能である。コントローラ５００は、リソセル又はクラスタの監視制御システム、及び／又は製造工場の制御システム全体の、下位となるように構成することも可能である。
【００３０】
[0039]  図２は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含む、リソグラフィ装置１００をより詳細に示す。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が、プラズマ源によって形成され得る。ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気、例えば、放射放出プラズマ２１０が電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内で放射を放出するように作成される、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気によって、生成され得る。一実施形態において、ＥＵＶ放射を生成するために、励起スズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
【００３１】
[0040]  放射放出プラズマ２１０によって放出される放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へと渡される。
【００３２】
[0041]  コレクタチャンバ２１２は放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯを横断する放射は、仮想光源点ＩＦに集束可能である。仮想光源点ＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタモジュールＳＯは、仮想光源点ＩＦが閉鎖構造２２０内の開口２２１又はその近くに位置するように配置される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０のイメージである。
【００３３】
[0042]  その後、放射は照明システムＩＬを横断し、照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡでのパターン付与されていないビーム２１の望ましい角度分布、並びに、パターニングデバイスＭＡでの放射強度の望ましい均一性を提供するように配置された、ファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含み得る。支持構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡでのパターン付与されていないビーム２１の反射の際に、パターン付与されたビーム２６が形成され、パターン付与されたビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。
【００３４】
[0043]  一般に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳ内には、図示されたより多くの要素が存在し得る。更に、図示されたより多くのミラーが存在し得、例えば、投影システムＰＳ内には、図２に示されたよりも１〜６個の追加の反射要素が存在し得る。
【００３５】
[0044]  代替として、ソースコレクタモジュールＳＯはＬＰＰ放射システムの一部であり得る。
【００３６】
[0045]  図１に示されるように、一実施形態において、リソグラフィ装置１００は照明システムＩＬ及び投影システムＰＳを備える。照明システムＩＬは放射ビームＢを放出するように構成される。投影システムＰＳは、介在空間によって基板テーブルＷＴから分離される。投影システムＰＳは、放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗ上に投影するように構成される。パターンは、放射ビームＢのＥＵＶ放射のためのものである。
【００３７】
[0046]  投影システムＰＳと基板テーブルＷＴとの間に介在する空間は、少なくとも部分的に真空にすることができる。介在空間は、固体表面によって投影システムＰＳのロケーションで区切られ得、使用される放射は固体表面から基板テーブルＷＴに向けて誘導される。
【００３８】
[0047]  一実施形態において、リソグラフィ装置１００は動的ガスロックを備える。動的ガスロックは、メンブレンアセンブリ８０を備える。一実施形態において、動的ガスロックは、介在空間内に位置するメンブレンアセンブリ８０によってカバーされた中空部分を備える。中空部分は、放射の経路周辺に位置する。一実施形態において、リソグラフィ装置１００は、ガスフローを用いて中空部分の内側をフラッシュするように構成されたガスブロワを備える。放射は、メンブレンアセンブリを介して進んだ後、基板Ｗ上に衝突する。
【００３９】
[0048]  一実施形態において、リソグラフィ装置１００はメンブレンアセンブリ８０を備える。上記で説明したように、一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は動的ガスロックのためのものである。この場合、メンブレンアセンブリ８０は、ＤＵＶ放射をフィルタリングするためのフィルタとして機能する。追加又は代替として、一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスＭＡのためのペリクルである。本発明のメンブレンアセンブリ８０は、動的ガスロックのため又はペリクルのため、あるいはスペクトル純度フィルタなどの別の目的のために使用可能である。一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は、メンブレンスタックとも呼ばれるメンブレン４０を備える。一実施形態において、メンブレンは、入射ＥＵＶ放射のうちの少なくとも８０％を伝送するように構成される。
【００４０】
[0049]  一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は、浮遊微粒子及び他の形の汚染物質からパターニングデバイスＭＡを保護するために、パターニングデバイスＭＡを密封するように構成される。パターニングデバイスＭＡの表面上の汚染物質は、基板Ｗに対して製造欠陥を生じさせる可能性がある。例えば、一実施形態において、ペリクルは、リソグラフィ装置１００内のパターニングデバイスＭＡのステッピングフィールド内に微粒子が入り込む可能性を減少させるように構成される。
【００４１】
[0050]  パターニングデバイスＭＡが保護されないままである場合、汚染物質によってパターニングデバイスＭＡをクリーニングするか廃棄することが必要になる可能性がある。パターニングデバイスＭＡのクリーニングは貴重な製造時間を中断させ、パターニングデバイスＭＡの廃棄は費用がかかる。パターニングデバイスＭＡの交換も、貴重な製造時間を中断させる。
【００４２】
[0051]  図３は、本発明の一実施形態に従った、メンブレンアセンブリ８０の一部を概略的に示す断面図である。メンブレンアセンブリ８０は、ＥＵＶリソグラフィのためのものである。メンブレンアセンブリ８０はメンブレン４０を備える。メンブレン４０はＥＵＶ放射に対して放射性である。もちろんメンブレン４０は、ＥＵＶ放射について１００％の放射率を有するとは限らない。しかしながらメンブレンは、例えばＥＵＶ放射について、少なくとも５０％の放射率、好ましくは少なくとも８５％、更に好ましくは少なくとも９５％の放射率を有し得る。図３に示すように、一実施形態において、メンブレン４０はほぼ平面である。一実施形態において、メンブレン４０の面は、パターニングデバイスＭＡの面に対してほぼ平行である。
【００４３】
[0052]  メンブレンアセンブリ８０は、例えば四角形、円形、又は三角形などの形状を有する。メンブレンアセンブリ８０の形状は、特に限定されていない。メンブレンアセンブリ８０のサイズは、特に限定されていない。例えば一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は、約１００ｍｍから約５００ｍｍまでの範囲内の、例えば約２００ｍｍの直径を有する。
【００４４】
[0053]  図３に示されるように、一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は境界８１を備える。境界８１はメンブレン４０を保持するように構成される。境界８１は、メンブレン４０に機械的安定性を与える。境界８１は、メンブレン４０がその平面形状から変形する可能性を減少させるように構成される。一実施形態において、メンブレン４０にはその製造の間にプレテンションが印加される。境界８１は、メンブレン４０がリソグラフィ装置１００を使用する間に起伏形状を有さないように、メンブレン４０内の張力を維持するように構成される。実施形態において、境界８１はメンブレン４０の周囲に沿って延在する。メンブレン４０の外周は、境界８１の頂部に位置決めされる（図３の表示に従う）。境界８１は、少なくとも部分的に、メンブレンアセンブリ８０の製造プロセスから残された、メンブレン４０の一部によって形成され得る。したがって境界８１は、メンブレン４０とは別の構成要素ではない場合がある（すなわち、メンブレンの一体部分である）。
【００４５】
[0054]  境界８１の厚みは特に限定されていない。例えば、一実施形態において、境界８１は少なくとも３００μｍ、任意選択で少なくとも４００μｍの厚みを有する。一実施形態において、境界８１は多くとも１，０００μｍ、任意選択で多くとも８００μｍの厚みを有する。一実施形態において、境界８１は少なくとも１ｍｍ、任意選択で少なくとも２ｍｍ、任意選択で少なくとも４ｍｍの幅を有する。一実施形態において、境界８１は多くとも１０ｍｍ、任意選択で多くとも５ｍｍ、任意選択で多くとも４ｍｍの幅を有する。
【００４６】
[0055]  図３に示されるように、一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０はフレームアセンブリ５０を備える。フレームアセンブリ５０は境界８１に接続される。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は境界８１と接するフレーム表面を備える。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、初めに境界８１とは別の構成要素として製造され、その後境界８１に接続される。例えば、メンブレン４０と境界８１との組み合わせを共に製造する一方で、フレームアセンブリ５０は別に製造することができる。その後の製造ステップにおいて、フレームアセンブリ５０を境界８１に取り付けるか又は固定することができる。
【００４７】
[0056]  一実施形態において、フレームアセンブリ５０は少なくとも２ｍｍ、任意選択で少なくとも５ｍｍ、任意選択で少なくとも８ｍｍの幅を有する。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は多くとも２０ｍｍ、任意選択で多くとも１０ｍｍ、任意選択で多くとも８ｍｍの幅を有する。
【００４８】
[0057]  一実施形態において、フレームアセンブリ５０はフレーム５１を備える。フレーム５１は、境界８１に接続されたフレームアセンブリ５０の一部である。一実施形態において、フレーム５１は境界８１と同じ材料で作られる。例えば一実施形態において、境界８１及びフレーム５１はシリコンを含む材料で作られる。一実施形態において、境界８１はシリコンで作られる。一実施形態において、フレーム５１はシリコンで作られる。一実施形態において、境界８１の熱膨張はフレーム５１の熱膨張とほぼ一致する。一実施形態において、フレーム５１は、接着剤によって境界８１に取り付けられる。一実施形態において、接着剤の熱膨張は、フレーム５１及び／又は境界８１の熱膨張とほぼ一致する。
【００４９】
[0058]  図３に示されるように、フレームアセンブリ５０はパターニングデバイスＭＡに取り付けるように構成される。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、パターニングデバイスＭＡに接触するように構成されたフレーム表面を備える。フレームアセンブリ５０は、パターニングデバイスＭＡに対してメンブレン４０の位置を保持するためのものである。パターニングデバイスＭＡを参照しながら実施形態を説明しているが、本発明は、パターニングデバイスＭＡ以外の異なる構成要素に接続するメンブレンアセンブリ８０にも等しく適用可能である。
【００５０】
[0059]  一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、メンブレン４０の平面に対して垂直な方向で境界８１に接続される。これは図３に示されている。図３において、メンブレン４０の平面は左から右へ、並びに紙面の中及び外へと延在する。メンブレン４０の平面に対して垂直な方向は、図３における縦（すなわち、上下）方向に相当する。フレームアセンブリ５０は、境界８１の下に直接接続される。フレームアセンブリ５０がメンブレン４０の平面に対して垂直な方向で境界８１に接続されているということは、図３に示されるように、境界８１及びフレームアセンブリ５０の両方を介して延在する縦線が引けるように、境界８１及びフレームアセンブリ５０が縦方向（すなわち、パターニングデバイスＭＡ及びメンブレン４０の表面に対して垂直な方向）に位置合わせされているものと理解すべきである。一実施形態において、境界８１とフレームアセンブリ５０との間のインターフェースは、メンブレン４０の平面に対してほぼ平行な平面内にある。
【００５１】
[0060]  一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は、パターニングデバイスＭＡから取り外し可能なように構成される。これによって、パターニングデバイスＭＡの中間検査が実施可能となる。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、パターニングデバイスＭＡへの取り付け及び取り外しが繰り返し行われるように構成される。
【００５２】
[0061]  使用中、フレームアセンブリ５０は境界８１とパターニングデバイスＭＡとの間にある。ここで「間」という用語は、フレームアセンブリ５０が境界８１の下に延在し、パターニングデバイスの表面の頂部に位置決めされることを意味する。この配置は、フレームアセンブリが境界から半径方向外向きに位置決めされる配置とは異なる。本発明の一実施形態は、パターニングデバイスＭＡに対して適所にメンブレン４０を保持するために必要な、メンブレン４０の周囲の空間の減少を達成することが予測される。
【００５３】
[0062]  比較例によれば、メンブレンアセンブリは、例えばＷＯ２０１６／０７９０５１Ａ２に記載のように、境界から半径方向外向きにフレームアセンブリを有する。フレームアセンブリは、パターニングデバイスにフレームアセンブリを取り付ける／パターニングデバイスからフレームアセンブリを取り外すように、半径方向にアクセスすることが必要である。境界、フレームアセンブリ、及びフレームアセンブリにアクセスするための空間を収容するために、約１６ｍｍの空間が必要であり得る。
【００５４】
[0063]  これに対して、一実施形態において、フレームアセンブリ５０は境界８１の下に位置決めされ、それによって、境界８１及びフレームアセンブリ５０を収容するために必要な半径方向の空間が減少する。例えば、一実施形態において、境界８１、フレームアセンブリ５０、及びフレームアセンブリ５０にアクセスするための空間を収容するために必要な半径方向の空間は、約１２ｍｍである。
【００５５】
[0064]  本発明の一実施形態は、マウントフィーチャのためのパターニングデバイスＭＡの領域内の必要な空間の減少を達成することが予測される。マウントフィーチャは、メンブレンアセンブリ８０をパターニングデバイスＭＡ上にマウントするために使用されるフィーチャである。一実施形態において、マウントフィーチャが境界８１とパターニングデバイスＭＡとの間に提供され、したがって、境界から半径方向外向きに延在していない。値実施形態において、少なくとも１つのマウントフィーチャがパターニングデバイスと接触し、パターニングデバイスの表面に実質的に垂直である。これは図３に示され、下記で更に詳細に説明する。
【００５６】
[0065]  一実施形態において、フレームアセンブリ５０は少なくとも１つのホール５２を備える。一実施形態において、ホール５２はキャビティ又はチャンバ、あるいはフレームアセンブリ５０のフレーム５１内の開口である。ホール５２は、突出体（例えば、スタッド６０）を受け取るように構成される。スタッド６０は、パターニングデバイスＭＡと直接接触し、パターニングデバイスＭＡから突出している。代替実施形態において、フレームアセンブリ５０はパターニングデバイスＭＡに永続的に取り付けられ、スタッド６０は、メンブレンアセンブリ８０の境界８１と直接接触し、メンブレンアセンブリ８０の境界から突出している。
【００５７】
[0066]  図３は、パターニングデバイスＭＡに固定されたスタッド６０を示している。一実施形態において、スタッド６０は、接着剤を使用してパターニングデバイスＭＡ上に接着される。代替として、スタッド６０はパターニングデバイスＭＡと一体に形成され得る。更なる代替として、スタッド６０は、初めにパターニングデバイスＭＡとは別の構成要素として製造され得、その後、例えばネジなどの接着剤以外の手段を使用して、パターニングデバイスＭＡに固定され得る。
【００５８】
[0067]  スタッド６０及びホール５２はマウントフィーチャである。一実施形態において、スタッド６０及びホール５２は、境界８１とパターニングデバイスＭＡとの間に提供される。これは、マウントフィーチャが境界８１から半径方向外向きに位置決めされる以前の既知の配置とは異なる。
【００５９】
[0068]  図３に示されるように、一実施形態において、メンブレン４０の平面に対して垂直な方向に見た場合、ホール５２は少なくとも部分的に境界８１とオーバーラップする。これは図３に示され、縦方向に見た場合、ホール５２は境界８１と部分的にオーバーラップする。図３を見ると、境界８１及びホール５２の両方を介して延在する縦線を引くことができる。
【００６０】
[0069]  一実施形態において、フレームアセンブリ５０はロッキング機構５５を備える。一実施形態において、ロッキング機構５５は、フレーム５１内にキャビティ又はチャンバを形成する、ホール５５内に位置する。フレーム５５内に形成されるキャビティは、部分的にオープンであり得るか、又はロッキング機構５５を完全に囲むことができる。ロッキング機構５５は、フレームアセンブリ５０をスタッド６０にロックするように構成される。一実施形態において、ロッキング機構５５は弾性部材５３を備える。一実施形態において、ロッキング機構５５は各ホール５２について弾性部材５３を備える。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、複数のホール５２、例えば、２、３、４、又はそれ以上のホール５２を備える。弾性部材５３が各ホール５２に対応して提供される。一実施形態において、弾性部材５３はフレーム５１に結合される。一実施形態において、弾性部材５３はホール５２内部に位置し、１つのセクションがフレーム５１に結合され、弾性部材の別のセクションは、フレームアセンブリをパターニングデバイスＭＡにロックするため及びパターニングデバイスＭＡからアンロックするために使用可能である。一実施形態において、弾性部材５３及びロッキング機構５５によって突出体上に及ぼされる力の方向は、メンブレン４０及びパターニングデバイスＭＡと平行である。一実施形態において、弾性部材は、ホール５２内部に配置され、図３に示されるように、メンブレン４０と平行な方向に突出体の側面を押し付けるように、フレーム５１に取り付けられる。
【００６１】
[0070]  図３に示されるように、一実施形態において、弾性部材５３はバネを含む。例えばバネは、コイルバネ又は板バネであり得る。代替実施形態において、弾性部材５３は、ゴムなどの弾性材料を含む。代替実施形態において、弾性部材５３は屈曲を備える。屈曲は、例えば放電加工プロセスを使用して加工することができる。
【００６２】
[0071]  図４から図６は、ロッキング機構５５の使用段階を概略的に示す。図４から図６は平面図に示されている。図４は、スタッド６０がホール５２内に受け取られるようにフレームアセンブリ５０がスタッド６０を覆って位置決めされる、初期状態を示す。弾性部材５３は圧縮されていない。図４に示されるように、弾性部材５３はホール５２内へと延在する。したがって、スタッド６０がホール５２内に受け取られる場合、スタッド６０は弾性部材５３と接触可能である。ホール５２内に受け取られたスタッド６０が、メンブレン４０の平面内の方向で弾性部材５３を押圧した場合、弾性部材５３は変形可能（例えば、圧縮可能）であるように構成される。例えば図４において、スタッド６０は、図内の右方向へと、弾性部材５３を押圧することができる。
【００６３】
[0072]  図３から図６に示されるように、一実施形態において、ロッキング機構５５は各ホール５２についてロッキング部材５４を備える。ロッキング部材５４は、ロッキング部材５４がホール５２内へと延在するロッキング位置に移動可能なように構成される。ロッキング位置では、圧縮された弾性部材５３が、ホール５２内に受け取られたスタッド６０に対してロッキング部材５４に向かう力を及ぼす。これは、図４から図６のシーケンスで示されている。
【００６４】
[0073]  図４から図５への移行において示されるように、スタッド６０及びフレームアセンブリ５０は、スタッド６０が弾性部材５３を押圧するように互いに関連して移動される。スタッド６０は、図５に示されるように弾性部材５３を圧縮する。
【００６５】
[0074]  図５から図６への移行において示されるように、ロッキング部材５４は、ロッキング部材５４がホール５２内へと延在するロッキング位置に移動される。例えば、図４から図６に示されるように、一実施形態において、フレームアセンブリ５０は少なくとも１つのロッキングアパーチャ５６を備える。ロッキング部材５４は、ロッキングアパーチャ５６を貫通する。
【００６６】
[0075]  図６は、ロッキング位置にあるロッキング部材５４を示す。弾性部材５３は、ロッキング部材５４の方向にスタッド６０に対して力を及ぼす。図５に示された状況では、スタッド６０が弾性部材５３を圧縮するように、フレームアセンブリ５０及び／又はスタッド６０に対して外力が及ぼされる必要がある。ロッキング部材５４がロッキング位置に来ると（例えば、図６に示されるように）、もはや外力を印加する必要はない。これは、ロッキング部材５４が、スタッド６０及びフレームアセンブリ５０を互いに適所に保持するためである。
【００６７】
[0076]  上記で説明しているように、スタッド６０は、境界８１の半径方向外向きではなく、境界８１の下に位置決めされる。これにより、パターニングデバイスＭＡとメンブレン４０との間の距離を増加させる必要が生じ得る。パターニングデバイスＭＡの表面とメンブレン４０との間の距離は、実質的に、フレームアセンブリ５０と境界８１とを組み合わせた高さに相当する。一実施形態において、フレームアセンブリ５０と境界８１とを組み合わせた高さは、少なくとも１ｍｍ、少なくとも２ｍｍ、及び任意選択で少なくとも５ｍｍである。一実施形態において、フレームアセンブリ５０と境界８１とを組み合わせた高さは、多くとも２０ｍｍ、任意選択で多くとも１０ｍｍ、及び任意選択で多くとも５ｍｍである。
【００６８】
[0077]  一実施形態において、突出体（スタッド６０）及びロッキング機構５５はホール（キャビティ）５２内部に位置する。一実施形態において、突出体と、ロッキング部材５４及び弾性部材５３を備えるロッキング機構５５とは、ホール５２内部に位置する。一実施形態において、フレーム５１内に形成されるキャビティの表面は、境界８１と直接接触する表面を有する。一実施形態において、フレーム５１をパターニングデバイスＭＡに取り付けるためのマウントフィーチャを包含するホール５２を画定するフレームアセンブリ５０は、境界８１と直接接触し、マウントフィーチャを備えるフレームアセンブリが境界８１とパターニングデバイスＭＡとの間に配置されるように、境界８１の下にある。一実施形態において、ホール５２は、弾性部材よりも剛性のフレームによって形成される。したがって、弾性部材５３は、内部にホール５２が形成されるフレーム５１よりも変形可能であるため、これは、ロッキング位置にある場合、圧縮下で変形する弾性部材５３である（したがって、フレーム５１ではない）。したがって、キャビティは、弾性部材５３及びロッキング機構５４が突出体６０と接触する場合、弾性的に変形することはない（すなわち、その剛性形状を維持する）。
【００６９】
[0078]  一実施形態において、弾性部材５３は、ステンレス鋼などの材料で作られるバネを含む。一実施形態において、弾性部材５３は、弾性部材５３とは異なる材料で作られる接触パッド５７に接続される。例えば、接触パッド５７は、スタッド６０及び／又はロッキング部材５４と同じ材料で作ることができる。一実施形態において、接触パッド５７はチタンを含む。一実施形態において、ロッキング部材５４はチタンを含む。一実施形態において、スタッド６０はチタンを含む。チタンは延性接触を提供することが知られている。しかしながら代替実施形態において、他の材料を接触パッド５７、スタッド６０、及びロッキング部材５４に使用することが可能である。
【００７０】
[0079]  図４から図６に示されるように、一実施形態において、平面図内のホール５２の断面積はスタッド６０の断面積よりも大きい。ホール５２はスタッド６０に比べて大きいサイズである。一実施形態において、エンドストップ（図示せず）に対して弾性部材５３が提供される。弾性部材５３は、平面図で見た場合（図４に示されるように）ホール５２内に突出している。したがって、弾性部材５３は、平面図内のホール５２の断面積を効果的に減少させる。ホール５２の残余断面寸法は、スタッド６０の寸法よりも大きい。したがって、フレームアセンブリ５０がスタッド６０を覆って縦に移動する場合、スタッド６０はホール５２内に受け取られる。弾性部材５３が内向きに偏向するように、フレームアセンブリ５０は弾性部材５３に対して横向きに押し付けられる。ロッキング部材５４は、フレームアセンブリ５０が曲げ戻るのを防ぐように配置される。一実施形態において、ロッキング部材５４はピンである。ロッキング部材５４は横又は上から挿入することができる。ロッキング部材５４が挿入された後、フレームアセンブリ５０はパターニングデバイスＭＡにロックされる。
【００７１】
[0080]  一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、フレームアセンブリ５０の周囲に均等に分布した４つのホール５２を備える。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、メンブレン４０の周囲をたどる、境界８１と同様の形状を有する。図３は、ホール５２の半径方向内向きの弾性部材５３を示す。しかしながら、必ずしもその限りではない。弾性部材５３はホール５２の半径方向外向きであるか、又は、ホール５２に対して半径方向内向きでも外向きでもなくてよい。ホール５２は、弾性部材５３とロッキング部材５４との間に位置決めされる。
【００７２】
[0081]  一実施形態において、或る弾性部材５３は、メンブレンアセンブリ８０の片側でホール５２の半径方向内向きであるが、別の弾性部材５３は、メンブレンアセンブリ８０の反対側で別のホール５２の半径方向外向きである。これによって、パターニングデバイスＭＡの両側のスタッド６０が、パターニングデバイスＭＡに対するメンブレンアセンブリ８０の１つの動きで、両方の弾性部材５２を圧縮することができる。一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は、対応するホール５２内に受け取られたすべてのスタッド６０が、パターニングデバイスＭＡに対するメンブレンアセンブリ８０の１つの動きで対応する弾性部材５２を圧縮するように構成される。
【００７３】
[0082]  図４から図６に示されるように、一実施形態において、ロッキング部材５４は疎部分として提供される。代替実施形態において、ロッキング部材は、ロッキング部材５４がロッキング位置内にスライドできるという条件で、フレームアセンブリ５０の残りの部分と一体であるように形成され得る。
【００７４】
[0083]  一実施形態において、スタッド６０は少なくとも１ｍｍ、任意選択で少なくとも２ｍｍ、及び任意選択で少なくとも３ｍｍの直径（平面図内）を有する。一実施形態において、スタッド６０は多くとも１０ｍｍ、任意選択で多くとも５ｍｍ、及び任意選択で多くとも３ｍｍの直径を有する。
【００７５】
[0084]  上記で説明したように、一実施形態において、弾性部材５３は圧縮されていない場合ホール５２内へと延在する。一実施形態において、弾性部材５３は少なくとも０．１ｍｍ、任意選択で少なくとも０．２ｍｍ、及び任意選択で少なくとも０．５ｍｍの距離だけ、ホール５２内へと延在する。一実施形態において、弾性部材５３は、多くとも２ｍｍ、任意選択で多くとも１ｍｍ、及び任意選択で多くとも０．５ｍｍの距離だけ、ホール５２内へと延在する。
【００７６】
[0085]  前述のように、ホール５２はスタッド６０の直径よりも大きな直径を有する。一実施形態において、ホールの直径は、少なくとも０．２ｍｍ、任意選択で少なくとも０．５ｍｍ、及び任意選択で少なくとも１ｍｍだけ、スタッド６０の直径よりも大きい。一実施形態において、ホール５２の直径は、多くとも５ｍｍ、任意選択で多くとも２ｍｍ、及び任意選択で多くとも１ｍｍだけ、スタッド６０の直径よりも大きい。一実施形態において、ロッキング部材５４は少なくとも１ｍｍ、任意選択で少なくとも２ｍｍ、及び任意選択で少なくとも４ｍｍの長さを有する。
【００７７】
[0086]  一実施形態において、ロッキング部材５４は多くとも１０ｍｍ、任意選択で多くとも５ｍｍ、及び任意選択で多くとも４ｍｍの長さを有する。一実施形態において、ロッキング部材５４は少なくとも０．２ｍｍ、任意選択で少なくとも０．５ｍｍ、及び任意選択で少なくとも１ｍｍの幅を有する。一実施形態において、ロッキング部材５４は多くとも５ｍｍ、任意選択で多くとも２ｍｍ、及び任意選択で多くとも１ｍｍの幅を有する。
【００７８】
[0087]  本発明の一実施形態は、部材アセンブリ８０をパターニングデバイスＭＡに取り付けるため／パターニングデバイスＭＡから取り外すために必要な、ツーリングステップの減少を達成することが予測される。
【００７９】
[0088]  図１１は、本発明の代替実施形態に従ったメンブレンアセンブリ８０を概略的に示す断面図である。メンブレンアセンブリ８０は、ＥＵＶリソグラフィのためのものである。
【００８０】
[0089]  メンブレンアセンブリ８０は平面メンブレン４０を備える。メンブレン４０の一部のみが図１１に示されている。メンブレンアセンブリ８０はフレームアセンブリ５０を備える。図１１は、メンブレン４０の一方の側のフレームアセンブリ５０の断面図を示す。フレームアセンブリ５０は、メンブレン４０を保持するように構成される。フレームアセンブリ５０は、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスＭＡに取り付けるように構成される。図１１に示されるように、一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、境界８１を介してメンブレン４０を保持するように構成される。メンブレン４０及び境界８１の構造は、本明細書で説明する他の実施形態のいずれかと同じであり得る。
【００８１】
[0090]  図１１から図１４は、フレームアセンブリ５０をパターニングデバイスＭＡに取り付けるプロセスの様々な段階を概略的に示す。図１３は、パターニングデバイスＭＡに取り付けられたフレームアセンブリ５０を概略的に示す。図１３に示されるように、一実施形態において、フレームアセンブリ５０はロック状態を有する。ロック状態において、フレームアセンブリ５０は、メンブレン４０がパターニングデバイスＭＡから所定の距離Ｄ１に保持されるように、パターニングデバイスＭＡにロックされる。所定の距離は図１３に示されている。所定の距離Ｄ１は、メンブレン４０の平面及びパターニングデバイスＭＡの平面に対して垂直方向に測定される。フレームアセンブリ５０は、弾性部材５３によってロック状態にバイアスされる。
【００８２】
[0091]  図１４に示されるように、一実施形態において、フレームアセンブリ５０はアンロック状態を有する。アンロック状態において、メンブレンアセンブリ５０はパターニングデバイスＭＡにロックされていない。アンロック状態において、メンブレン４０はパターニングデバイスＭＡから所定の距離Ｄ１よりも短い距離にある。例えば、図１４に示されるように、アンロック状態において、メンブレン４０はパターニングデバイスＭＡからアンロック状態距離Ｄ２にある。アンロック状態距離Ｄ２は所定の距離Ｄ１よりも短い。図１３と図１４との比較から示されるように、アンロック状態では弾性部材５３が圧縮され、フレームアセンブリ５０のメンブレンホルダ５８はパターニングデバイスＭＡにより近づけられる。
【００８３】
[0092]  メンブレン４０は、パターニングデバイスＭＡの前面におけるいずれの欠陥をも軽減するために使用される。メンブレン４０は、汚染微粒子がパターニングデバイスＭＡに到達する可能性を減少させる。一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は、ローディング装置７０（図１５から図１７に示される）におけるリソグラフィ装置１００内にロードされる。図１５から図１７に示されるように、一実施形態において、ローディング装置７０はメンブレン４０を収容するためのカットアウト部分を備える。ローディング装置７０は可能な限り薄いことが望ましい。ローディング装置７０の厚みは、図１５から図１７において上下方向に示される。
【００８４】
[0093]実際には、メンブレン４０は自重でたわむ可能性がある。メンブレン４０に対するいかなる損傷をも回避するために、メンブレン４０がローディング装置７０の内側に接触するのを避けることが望ましい。メンブレン４０は、より高い割合のＥＵＶ放射を伝送できるように薄いことが望ましい。しかしながら、メンブレン４０は薄いほどより多くたわむ傾向がある。したがって、メンブレン４０の薄さとローディング装置７０の薄さとの間には兼ね合いが存在する。
【００８５】
[0094]  リソグラフィ装置１００の使用中、メンブレン４０とパターニングデバイスＭＡとの間に大きなスタンドオフがあることが望ましい。スタンドオフとは、リソグラフィ装置１００の使用中の、パターニングデバイスＭＡとメンブレン４０との間の距離である。したがって、メンブレン４０とパターニングデバイスＭＡとの間のスタンドオフを単に減少させることによって、メンブレン４０がたわむための空間を増加させることは望ましくない。
【００８６】
[0095]  これに変わって、図１１から図１４に示される実施形態は、メンブレン４０がローディング装置７０内で移送されている間に、メンブレン４０をパターニングデバイスＭＡに向けて一時的に押圧できるようにする。例えば、図１５及び図１６は、パターニングデバイスＭＡに向けて上方に押圧される一時的状態におけるメンブレン４０を示す。これによって、メンブレン４０は、ローディング装置７０の内側に接触することなく、よりたわむことが可能になる。一方で、図１７は、ローディング装置７０から外れたメンブレンアセンブリ８０を示す。メンブレン４０は、もはやパターニングデバイスＭＡに向かって上方へ押圧されていないため、メンブレン４０はパターニングデバイスＭＡから所定の距離Ｄ１を有することになる。こうした配置により、パターニングデバイスに対して垂直方向での、メンブレン４０とパターニングデバイスＭＡとの間の距離の変動が可能になる。メンブレン４０との間の距離を増加させることによって、メンブレンに対するクリアランスが追加され、通気時間及びポンプダウン時間をより短くすることができる。
【００８７】
[0096]  したがって、本発明の一実施形態は、ローディング装置７０の厚みを増加させることなく、メンブレン４０が設計レベルをより自由にできる（たわみのレベルをより大きくできる）ことが予測される。
【００８８】
[0097]  図１１に示されるように、一実施形態において、フレームアセンブリ５０は弾性部材５３を備える。一実施形態において、弾性部材５３は予圧バネを含む。弾性部材５３は、例えばねじりバネ又は板バネであり得る。図１１に示されるように、一実施形態において、フレームアセンブリ５０はメンブレンホルダ５８を備える。メンブレンホルダ５８は、メンブレン４０を保持するように構成される。メンブレンホルダ５８は、フレームアセンブリ５０のほとんどを占める。メンブレンホルダ５８は、メンブレン４０に対して固定位置を有する。メンブレンホルダ５８が移動する場合、メンブレンホルダ５８と共にメンブレン４０も移動する。
【００８９】
[0098]  図１１に示されるように、一実施形態において、メンブレンホルダ５８はエンドストップ表面３３を備える。エンドストップ表面３３は、パターニングデバイスＭＡから突出するスタッド５２のロッキング表面３４に接触するように構成される。フレームアセンブリ５０がロック状態にある場合、メンブレンホルダ５８のエンドストップ表面３３はスタッド５２のロッキング表面３４に当接する。
【００９０】
[0099]  一実施形態において、エンドストップ表面３３はスタッド５２のロッキング表面３４の頂部上にある。これは、固定されたエンドストップがスタッドの下に位置決めされる、以前の既知の機構とは異なる。本発明によれば、メンブレンホルダ５８は弾性部材５３に対して上方に押圧されることが可能である。
【００９１】
[00100]  図１１に示されるように、一実施形態において、フレームアセンブリ５０はクランプ部材５９を備える。クランプ部材５９は、メンブレンホルダ５８に対して移動可能である。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は弾性部材５３を備える。弾性部材５３は、メンブレンホルダ５８をクランプ部材５９に接続する。メンブレンホルダ５８は、弾性部材５３の圧縮によって、クランプ部材５９に対して移動可能である。メンブレンホルダ５８は、メンブレン４０の平面に対して垂直な方向に、クランプ部材５９に対して移動可能である。
【００９２】
[00101]  図１１は、フレームアセンブリ５０が初期状態にある時点を示す。初期状態では、弾性部材５３は実質的に圧縮されていない状態にある。メンブレンホルダ５８のエンドストップ表面３３とクランプ部材５９の当接表面３１との間に十分な空間がないため、フレームアセンブリ５０はスタッド５２の上に固定できない。当接表面３１は、スタッド５２の係合表面３２に接触するように構成される。スタッド５２の係合表面３２は、パターニングデバイスＭＡから見て外方に向いている。
【００９３】
[00102]  図１２は、予備状態にあるフレームアセンブリ５０を概略的に示す。予備状態において、メンブレンホルダ５８のエンドストップ表面３３とクランプ部材５９の当接表面３１との間の距離が増加するように、弾性部材５３は圧縮される。この動作を実行するために、特殊なツールが使用可能である。特に、クランプ部材５９を保持するためのツールが使用可能である。クランプ部材５９が適所に保持された状態で、メンブレンホルダ５８をパターニングデバイスＭＡの方向に押圧する力を印加するためのツールが使用される。したがって、弾性部材５３が圧縮され、メンブレンホルダ５８はパターニングデバイスＭＡの方向に力が与えられる。その後、スタッド５２（又は、スタッド５２の一部）がメンブレンホルダ５８のエンドストップ表面３３とクランプ部材５９の当接表面３１との間に入るように、フレームアセンブリ５０及びパターニングデバイスＭＡは相互に動かされる。
【００９４】
[00103]  図１３は、ロック状態にあるフレームアセンブリ５０を示す。図１２に示される予備状態から図１３に示されるロック状態への移行において、メンブレンホルダ５８にかかる力は解放される。結果として、弾性部材５３は拡張する。クランプ部材５９の当接表面３１は、スタッド５２の係合表面３２と接触する。メンブレンホルダ５８のエンドストップ表面３３は、スタッド５２のロッキング表面３４と接触する。スタッド５２のロッキング表面３４は、パターニングデバイスＭＡの方を向いている。
【００９５】
[00104]  図１４は、アンロック状態にあるフレームアセンブリ５０を概略的に示す。アンロック状態において、クランプ部材５９の当接表面３１はスタッド５２の係合表面３２と接触したままである。メンブレンホルダ５８のエンドストップ表面３３がスタッド５２のロッキング表面３４から離れるように、メンブレンホルダ５８はパターニングデバイスＭＡに向けて力が与えられる。したがって、フレームアセンブリ５２は、もはやパターニングデバイスＭＡにロックされていない。メンブレン４０は、図１３に示されるロック状態の場合に比べて、よりパターニングデバイスＭＡに近い。弾性部材５３が圧縮された場合、メンブレンホルダ５８はパターニングデバイスＭＡの方向に移動する。
【００９６】
[00105]  図１５は、パターニングデバイスＭＡに取り付けられ、ローディング装置７０内に格納された、メンブレンアセンブリ８０を概略的に示す。ローディング装置７０は、代替として、ロードロック又は内部ポッドと呼ぶことができる。図１５に示されるように、一実施形態において、ローディング装置７０は少なくとも１つの突出体７１を備える。突出体７１は、フレームアセンブリ５０のメンブレンホルダ５８を押し上げるためのものである。突出体７１は、ローディング装置７０の内部表面（又は、ベースプレート）から突出する。
【００９７】
[00106]  図１５からわかるように、突出体７１によって弾性部材５３を押圧することによって、メンブレンホルダ５８はパターニングデバイスＭＡに向かって押圧され得る。これによって、ローディング装置７０の内部表面に向かって、メンブレン４０に対するクリアランスが追加される。
【００９８】
[00107]  一実施形態において、メンブレン４０とローディング装置７０の内部表面との間の距離は、突出体７１によって弾性部材５３を圧縮することによって、約０．５ｍｍから約１．５ｍｍに増加する。一実施形態において、パターニングデバイスＭＡに向かうメンブレン４０のクリアランスは、約２．５ｍｍから約１．５ｍｍへと一時的に減少する。その後、メンブレンアセンブリ８０がローディング装置７０から解放された場合、パターニングデバイスＭＡに向かうメンブレン４０のクリアランスは約２．５ｍｍまで再度増加する。
【００９９】
[00108]  本発明の一実施形態は、ローディング装置７０とメンブレン４０との間の静電放電のリスクを減少させることが予測される。これは、メンブレン４０とローディング装置７０の内部表面との間のクリアランスが増加するためである。
【０１００】
[00109]  図１６に示されるように、一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０はシーリングフレーム７２を備える。シーリングフレーム７２は、メンブレン４０とパターニングデバイスＭＡとの間の容積の開口を制御するために提供される。一実施形態において、シーリングフレーム７２はメンブレン４０の周辺に位置決めされる。一実施形態において、シーリングフレーム７２は複数のシール開口７３を備える。メンブレンホルダ５８がパターニングデバイスＭＡに向けて上方に押圧される場合、高速均圧化を可能にするために、図１６に示されるように、フレームアセンブリ５０内のフレーム開口７４はシール開口７３と一致することになる。フレーム開口７４がシール開口７３と一致するため、ガス（例えば、空気）が通過できる。
【０１０１】
[00110]  図１７は、ローディング装置７０の外側にあるメンブレンアセンブリ８０を概略的に示す。シール開口７３はフレーム開口７４と一致しないため、ガス及び微粒子の経路は遮断される。したがって、シーリングフレーム７２は、メンブレン４０とパターニングデバイスＭＡとの間の空間を封止する。
【０１０２】
[00111]  図１８は、メンブレンアセンブリ８０とパターニングデバイスＭＡとの間のギャップＧを概略的に示す。スタッド５２が提供されない位置では、汚染微粒子は潜在的にギャップＧを通過し、パターニングデバイスＭＡとメンブレン４０との間の空間又は領域内に入ることができる。ギャップＧは、例えば約３００μｍの厚みを有し得る。
【０１０３】
[00112]  メンブレンアセンブリ８０は、ギャップＧのサイズよりも小さい微粒子がメンブレン４０とパターニングデバイスＭＡとの間の空間に到達できることに対して脆弱である。例えば、空間の外側で発生し、約２００μｍより小さいサイズを有する汚染微粒子は、パターニングデバイスＭＡとフレームアセンブリ５０との間が直線的であるか又はある程度のバウンスがあるかのいずれにおいても、ギャップＧを通過することができる。
【０１０４】
[00113]  図１９は、メンブレンアセンブリ８０の変形を概略的に示す断面図である。図１９に示される変形は、本明細書で説明するメンブレンアセンブリ８０のいずれの実施形態にも適用可能である。
【０１０５】
[00114]  図１９に示されるメンブレンアセンブリ８０の変形は、微粒子が、メンブレン４０とパターニングデバイスＭＡとの間の領域内にその領域の外側から入る可能性を減少させるためのものである。加えて、図１９に示されるメンブレンアセンブリ８０の変形は、ギャップＧ内で発生する微粒子が、メンブレン４０とパターニングデバイスＭＡとの間の領域から出る可能性を減少させるためのものでもある。図１９に示されるように、一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は、メンブレン４０を保持するように、及びパターニングデバイスＭＡに取り付けるように構成された、フレームアセンブリ５０を備える。フレームアセンブリ５０とパターニングデバイスＭＡとの対向する表面間に、ギャップＧが形成される。
【０１０６】
[00115]  一実施形態において、フレームアセンブリ５０は伸長バッフル７５を備える。伸長バッフル７５は、汚染微粒子がギャップＧに入るのを抑制するように構成される。図１９に示されるように、伸長バッフル７５は、パターニングデバイスＭＡの対向表面を超えて延在する。一実施形態において、伸長バッフル７５は、パターニングデバイスＭＡの平面範囲を超えたロケーションで、パターニングデバイスＭＡの対向表面を超えて延在する。
【０１０７】
[00116]  メンブレンアセンブリ８０は、微粒子が、パターニングデバイスＭＡとメンブレン４０との間の空間に到達する可能性を減少させる。図１９に示されるように、一実施形態において、フレームアセンブリ５０は少なくとも１つの更なるバッフル７６を備える。各々の更なるバッフル７６は、汚染微粒子がギャップＧに入るのを抑制するように構成される。各々の更なるバッフル７６は、パターニングデバイスＭＡに向かって延在する。
【０１０８】
[00117]  一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、３つ又は４つの溝（すなわち、伸長バッフル７５と各々の更なるバッフル７６との間の空間）を備える。一実施形態において、溝は等しい幅を有さない。言い換えれば、伸長バッフル７５及び更なるバッフル７６は、等間隔に配置されなくてよい。メンブレン４０とパターニングデバイスＭＡとの間の領域内で解放され（例えば、メンブレン４０のパターニングデバイスＭＡに向き合う側面から解放され）、フレームアセンブリ５０方向に進む微粒子が、反射してパターニングデバイスＭＡに戻る可能性は少ない。微粒子は溝内に貯留することができる。
【０１０９】
[00118]  一実施形態において、伸長バッフル７５は約１ｍｍを超えるか又は等しい高さを有する。一実施形態において、伸長バッフル７５（及び更なるバッフル７６）とパターニングデバイスＭＡとの間の距離は、リソグラフィ装置１００の動作の間に均圧化を促進するように選択される。一実施形態において、伸長バッフル７５と最も近い更なるバッフル７６との間の距離は約３００μｍである。一実施形態において、伸長バッフル７５に最も近い更なるバッフル７６と次の更なるバッフル７６との間の距離は、伸長バッフル７５と最も近い更なるバッフル７６との間の距離よりも約１．２から１．５倍長い。一実施形態において、図１９に示される３つのうちの真ん中の更なるバッフル７６と伸長バッフル７５から最も遠い更なるバッフル７６との間の距離は、図１９に示される３つの更なるバッフル７６のうちの中央とその右との２つの更なるバッフル７６の間の距離の、約１．２から１．５倍である。一実施形態において、各々の更なるバッフル７６は約６００μｍの高さを有する。一実施形態において、バッフル間の溝の幅は、伸長バッフル７５からの方向に約２０から５０パーセントずつ増加する。
【０１１０】
[00119]  一実施形態において、伸長バッフル７５及び更なるバッフル７６は、パターニングデバイスＭＡの中心とスタッド５２との間に位置決めされる。したがって、バッフル構造は、例えばチタン合金の微粒子がスタッド５２によって解放されるのを抑制することができる。したがって、一実施形態において、伸長バッフル７５は、パターニングデバイスＭＡの平面範囲を超えないロケーションで、パターニングデバイスＭＡの対向表面を超えて延在する。
【０１１１】
[00120]  一実施形態において、伸長バッフル７５及び／又は更なるバッフル７６は、高いハマカー定数を有する材料で作られる。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、高いハマカー定数を有する材料で作られる。本発明の一実施形態は、微粒子が、幅広いサイズ、材料、進行速さ、及び入射角でパターニングデバイスＭＡに到達する可能性を減少させることが予測される。
【０１１２】
[00121]  図７は、本発明の一実施形態に従ったメンブレン４０を概略的に示す断面図である。図７に示されるように、メンブレン４０はスタックを備える。スタックは複数の層を備える。
【０１１３】
[00122]  一実施形態において、スタックは少なくとも１つのシリコン層４１を備える。シリコン層４１は或る形のシリコンを含む。一実施形態において、スタックは少なくとも１つのシリコン化合物層４３を含む。シリコン化合物層４３は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄からなるグループから選択された別の元素との化合物で作られる。しかしながら、他の元素も使用可能である。特に、一実施形態において、シリコンと組み合わせてシリコン化合物層４３を形成する元素は、シリコン層４１をドープするためのドーパント材料として使用可能な任意の元素である。この実施形態は、単に便宜上、シリコンと組み合わされる元素としてホウ素を用いて説明する。この実施形態は、元素をホウ素に限定しない。
【０１１４】
[00123]  実施形態において、シリコン化合物層４３はシリコンホウ化物を含む。シリコンホウ化物は化学式ＳｉＢｘを有し、ここでｘは３、４、６、１４、１５、４０などであり得る。シリコンホウ化物は金属特性を有する。特に、シリコン化合物層４３は、メンブレン４０のＥＵＶ放射について放射率を増加させる金属の特性を有する。シリコン層４１のみで作られるメンブレンは、低い、恐らくおよそ３％の放射率を有することになる。金属又は金属特性を有する化合物がメンブレン４０に追加されると、放射率は劇的に増加する。
【０１１５】
[00124]  金属は、ＥＵＶ吸収に起因してメンブレンの実際の厚みを制限することが知られている。シリコンメンブレン層４３を提供することによって、本発明の一実施形態は、リソグラフィ装置１００内で使用するのに十分な放射率を有するメンブレン４０の可能な厚みの増加を達成することが予測される。
【０１１６】
[00125]  図７に示されるように、一実施形態において、シリコン化合物層４３は、シリコン層４１と、シリコン化合物層４３を形成するためにシリコンと組み合わされる元素を含む非金属層４２との間の、中間層として形成される。例えば、一実施形態において、非金属層４２はホウ素を含む。一実施形態において、ホウ素は炭化ホウ素の形で提供される。しかしながら、代替の形のホウ素も使用可能である。
【０１１７】
[00126]  一実施形態において、シリコン層４１は初めに非金属層４２に近接して提供される。非金属層４２内のホウ素は、シリコン層４１内のシリコンを局所的にドープする。ホウ素は、シリコン化合物層４３を形成するためにシリコンホウ化物が生成される範囲まで、シリコンをドープする。ホウ素は、ドープされたシリコン内のシリコン原子よりも多くのホウ素原子が存在するようにシリコンをドープする、すなわちシリコンホウ化物を形成する。
【０１１８】
[00127]  一実施形態において、シリコン層４１及び非金属層４２は多層として提供される。局所的に、ホウ素ケイ化物は、（積層効果によって、及びシリコン内のホウ素の放射線硬化によって）メンブレン４０を強化することができるため、メンブレン４０はより高い温度に耐えることができる。
【０１１９】
[00128]  図７に示されるように、一実施形態において、スタックは、複数のシリコン層４１、複数の非金属層４２、及び、シリコン層４１と非金属層４２との各ペア間のシリコン化合物層４３を備える。
【０１２０】
[00129]  図７に示されるように、一実施形態において、スタックは、非金属層４２、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、非金属層４２、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、非金属層４２、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、及び非金属層４２の順に、層を備える。これは多層スタックである。一実施形態において、スタックは、非金属層４２を備え、続いて、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、及び非金属層４２を備える４層のセットの反復サイクルを備えることができる。
【０１２１】
[00130]  一実施形態において、各非金属層４２は少なくとも０．５ｎｍ、任意選択で少なくとも１ｎｍ、及び任意選択で少なくとも２ｎｍの厚みを有する。一実施形態において、各非金属層４２は多くとも１０ｎｍ、任意選択で多くとも５ｎｍ、及び任意選択で多くとも２ｎｍの厚みを有する。
【０１２２】
[00131]  一実施形態において、各シリコン化合物層４３は少なくとも０．５ｎｍ、任意選択で少なくとも１ｎｍ、及び任意選択で少なくとも２ｎｍの厚みを有する。一実施形態において、各シリコン化合物層４３は多くとも１０ｎｍ、任意選択で多くとも５ｎｍ、及び任意選択で多くとも２ｎｍの厚みを有する。
【０１２３】
[00132]  一実施形態において、各シリコン層４１は少なくとも２ｎｍ、任意選択で少なくとも５ｎｍ、及び任意選択で少なくとも８ｎｍの厚みを有する。一実施形態において、各シリコン層４１は多くとも２０ｎｍ、任意選択で多くとも１０ｎｍ、及び任意選択で多くとも８ｎｍの厚みを有する。
【０１２４】
[00133]  ８ｎｍ厚みのシリコン層４１、２ｎｍ厚みの非金属層４２、及び２ｎｍ厚みのシリコン化合物層４３を伴う、図７に示される実施形態は、約９０％のＥＵＶ放射の放射率を達成することが予測される。
【０１２５】
[00134]  図８は、スタックが、非金属層４２、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、及び非金属層４２の順に、層を備える、代替実施形態を示す。
【０１２６】
[00135]  図８に示されるように、一実施形態において、メンブレン４０はシリコン層４１を１つだけ備える。こうした実施形態において、シリコン層４１は少なくとも１０ｎｍ、任意選択で少なくとも２０ｎｍ、及び任意選択で少なくとも３８ｎｍの厚みを有する。一実施形態において、単一のシリコン層４１は多くとも１００ｎｍ、任意選択で多くとも５０ｎｍ、及び任意選択で多くとも３８ｎｍの厚みを有する。図８に示され、３８ｎｍ厚みのシリコン層４１、４ｎｍ厚みの非金属層４２、及び２ｎｍ厚みのシリコン化合物層４３を有する実施形態は、約９０％のＥＵＶ放射の放射率を達成することが予測される。
【０１２７】
[00136]  一実施形態において、スタックにおけるシリコン化合物層４３の総組み合わせ厚みは、多くとも約２０ｎｍである。金属と金属特性を有する化合物との組み合わせは、組み合わせた厚みが厚過ぎないことを条件として、メンブレン４０の放射率を向上させる。厚過ぎる金属又は金属特性を有する化合物の層の場合、放射率は低下する可能性がある。
【０１２８】
[00137]  図９は、メンブレン４０の代替実施形態を概略的に示す。図９に示されるように、一実施形態において、スタックは少なくとも１つのシリコン層４１、少なくとも１つのキャッピング層４６、及び少なくとも１つの耐マイグレーション層４７を備える。一実施形態において、キャッピング層４６はルテニウムを含む。キャッピング層４６はメンブレン４０の外部表面に提供される。耐マイグレーション層４７は、モリブデン及びチタンのうちの少なくとも１つを含む。耐マイグレーション層４７は、各キャッピング層４６に近接する。
【０１２９】
[00138]  ルテニウムを含むキャッピング層４６は、メンブレン４０の放射率を向上させる。キャッピング層４６は、メンブレン４０の酸化の可能性を減少させる。キャッピング層４６は、水素ガスからメンブレン４０を保護するように構成される。
【０１３０】
[00139]  リソグラフィ装置１００を使用する間に、メンブレン４０は放射の吸収に起因して過熱する可能性がある。キャッピング層４６が過熱した場合、キャッピング層４６の材料（例えば、ルテニウム）はマイグレートする可能性がある。マイグレーションは、キャッピング層４６におけるイオンの緩徐な動きによって発生する材料の移行である。材料がマイグレートし始めると、材料はキャッピング層４６内に島を形成し得る。材料がマイグレートし始めると、酸化の減少、水素ガスからの保護、及び放射率の向上における、キャッピング層４６の有効性は低下する。したがって、リソグラフィ装置１００を使用する間に、メンブレン４０は酸化し始め、放射率は低下する可能性がある。
【０１３１】
[00140]  耐マイグレーション層４７を提供することによって、キャッピング層４６のマイグレーションは減少する。モリブデン及びチタンは、相対的に高い溶融温度及びＵＶ放射に対する良好な放射率を有する金属である。チタン及びモリブデンは、加熱された場合、ルテニウムほどマイグレートしない。チタン及びモリブデンは、ルテニウムとの良好な金属間接触を有する。キャッピング層４６に近接して耐マイグレーション層４７を提供することによって、キャッピング層４６のマイグレーションは減少する。結果として、リソグラフィ装置１００を使用する間にキャッピング層４６が加熱された場合であっても、キャッピング層４６の良好な特性はより高温で保持される。
【０１３２】
[00141]  図９に示されるように、一実施形態において、スタックは、メンブレン４０の外部表面にルテニウムを含むキャッピング層４６、モリブデン及びチタンのうちの少なくとも１つを含む耐マイグレーション層４７、シリコン層４１、モリブデン及びチタンのうちの少なくとも１つを含む耐マイグレーション層４７、及び、メンブレン４０の他の外部表面にルテニウムを含むキャッピング層４６の順に、層を備える。一実施形態において、ルテニウムを含むキャッピング層４６は、メンブレン４０の両方の外部表面に提供される。
【０１３３】
[00142]  図１０は、耐マイグレーション層４７の使用と、シリコン化合物層４３の使用アイデアとが組み合わされた、メンブレンの代替実施形態を示す。
【０１３４】
[00143]  図１０に示されるように、一実施形態において、スタックは、メンブレン４０の外部表面にルテニウムを含むキャッピング層４６、モリブデン及びチタンのうちの少なくとも１つを含む耐マイグレーション層４７、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、及び非金属層４２の順に、層を備える。
【０１３５】
[00144]  メンブレンアセンブリ８０を製造する間、炭化ホウ素層は、エッチングプロセスからシリコン層４１を化学的に保護することができる。一実施形態において、メンブレン４０は周期的構造を備える。一実施形態において、周期は６．６ｎｍ又は６．７ｎｍに等しく設定されない。周期が６．７ｎｍ又はそれに近い場合、メンブレンはＥＵＶ放射のミラーとして働き得る。
【０１３６】
[00145]  シリコンは、ダイヤモンドの立方結晶構造で結晶する。一実施形態において、境界８１はシリコンの立方結晶を含む。一実施形態において、境界８１は＜１００＞結晶学的方向を有する。
【０１３７】
[00146]  一実施形態において、シリコン層４１は多結晶又はナノ結晶のシリコンから形成される。多結晶又はナノ結晶のシリコンは脆性を有する。したがって、多結晶又はナノ結晶のシリコンから形成されるシリコン層４１を備えるメンブレン４０は、メンブレンアセンブリ８０が破壊された場合、多くの微粒子に砕け散る可能性がある。本発明の一実施形態は、メンブレンアセンブリ８０の機械的特性における向上を達成することが予測される。
【０１３８】
[00147]  多結晶シリコン及びナノ結晶シリコンは、各々、ＥＵＶ放射の高透過率を有する。多結晶シリコン及びナノ結晶シリコンは、各々、良好な機械的強度を有する。
【０１３９】
[00148]  しかしながら、シリコン層４１のメンブレンにとって、多結晶シリコン又はナノ結晶シリコンから形成されることは不可欠ではない。例えば代替実施形態において、シリコン層４１は、多重格子メンブレン又は窒化シリコンから形成される。
【０１４０】
[00149]  更なる代替実施形態において、シリコン層４１は単結晶シリコンから形成される。こうした実施形態において、単結晶シリコンメンブレンは、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）技法によって形成可能である。この製品のための出発材料は、いわゆるＳＯＩ基板である。ＳＯＩ基板は、埋設された絶縁ＳｉＯ２層の頂部に薄い単結晶シリコン層を伴う、シリコンキャリア基板を備える基板である。一実施形態において、単結晶シリコン層の厚みは、約５ｎｍから約５μｍの間で変化し得る。一実施形態において、シリコン層４１は、ＳＯＩ基板が製造法で使用される前にＳＯＩ基板上に存在する。
【０１４１】
[00150]  一実施形態において、シリコン層４１は、非晶質、単結晶、多結晶、又はナノ結晶のシリコンなどの、同素体形のうちの１つのシリコンを含む。ナノ結晶シリコンとは、ある種の非晶質シリコンコンテンツを含む多結晶シリコンマトリクスを意味する。一実施形態において、多結晶又はナノ結晶のシリコンは、シリコン層４１内に非結晶シリコンを結晶化することによって形成される。例えば、一実施形態において、シリコン層４１が非晶質シリコン層としてスタックに追加される。非晶質シリコン層は、ある温度を超えた場合、多結晶又はナノ結晶のシリコン層内に結晶化する。例えば、非晶質シリコン層としてのシリコン層４１は、多結晶又はナノ結晶のシリコン層としてのシリコン層４１に変換する。
【０１４２】
[00151]  一実施形態において、非晶質シリコン層はその成長の間にインシチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）ドープされる。一実施形態において、非晶質シリコン層はその成長の後にドープされる。ｐ形又はｎ形ドーパントを追加することによって、ＥＵＶ源のパワーに起因して熱機械的挙動に対して好影響を有するシリコン伝導性が増加する。
【０１４３】
[00152]  一実施形態において、メンブレン４０は、ＥＵＶ放射についてのその透過率が十分に高い、例えば５０％よりも大きいように十分薄い。一実施形態において、メンブレン４０の厚みは多くとも約２００ｎｍ、及び任意選択で多くとも約１５０ｎｍである。１５０ｎｍのＳｉメンブレンは、入射ＥＵＶ放射の約７７％を透過させることになる。一実施形態において、メンブレン４０の厚みは多くとも約１００ｎｍである。１００ｎｍのＳｉメンブレンは、入射ＥＵＶ放射の約８４％を透過させることになる。６０ｎｍのＳｉメンブレンは、入射ＥＵＶ放射の約９０％を透過させることになる。
【０１４４】
[00153]  一実施形態において、メンブレン４０は、メンブレンアセンブリ８０がリソグラフィ装置１００のパターニングデバイスＭＡに固定された場合、及びリソグラフィ装置１００を使用する間、機械的に十分安定するように十分厚い。一実施形態において、メンブレン４０の厚みは少なくとも約１０ｎｍ、任意選択で少なくとも約２０ｎｍ、及び任意選択で少なくとも約３５ｎｍである。一実施形態において、メンブレン４０の厚みは約５５ｎｍである。
【０１４５】
[00154]  一実施形態において、メンブレンアセンブリ８０は、ペリクルとして、又は動的ガスロックの一部として適用される。代替として、メンブレンアセンブリ８０は、識別などのフィルタ処理エリア内で、又はビームスプリッタに適用可能である。
【０１４６】
[00155]  本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１４７】
[00156]  以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明したものとは別の方法で実施することができることが理解されよう。例えば、様々なフォトレジスト層を、同じ機能を実行する非フォトレジスト層と置き換えることができる。
【０１４８】
[00157]  上記の説明は、例示的なものであり、限定するものではない。したがって、以下に示す特許請求の範囲及び句の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に対して変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【図１】
2019504342.tif 000004
【図２】
2019504342.tif 000005
【図３】
2019504342.tif 000006
【図４】
2019504342.tif 000007
【図５】
2019504342.tif 000008
【図６】
2019504342.tif 000009
【図７】
2019504342.tif 000010
【図８】
2019504342.tif 000011
【図９】
2019504342.tif 000012
【図１０】
2019504342.tif 000013
【図１１】
2019504342.tif 000014
【図１２】
2019504342.tif 000015
【図１３】
2019504342.tif 000016
【図１４】
2019504342.tif 000017
【図１５】
2019504342.tif 000018
【図１６】
2019504342.tif 000019
【図１７】
2019504342.tif 000020
【図１８】
2019504342.tif 000021
【図１９】
2019504342.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月7日(2018.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶリソグラフィのためのメンブレンアセンブリであって、
平面メンブレンと、
前記メンブレンを保持するように構成された境界と、
前記境界に接続され、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスに取り外し可能に取り付けるように構成された、フレームアセンブリであって、弾性部材を備えるフレームアセンブリと、
を備え、
前記フレームアセンブリは、使用中、前記フレームアセンブリが前記境界と前記パターニングデバイスとの間にあるように、前記メンブレンの前記平面に対して垂直な方向に前記境界に接続される、
メンブレンアセンブリ。
【請求項２】
マウントフィーチャが前記境界と前記パターニングデバイスとの間に提供される、請求項１に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項３】
前記フレームアセンブリは、前記パターニングデバイスから突出する突出体を受け取るように構成された少なくとも１つのホールを備え、前記メンブレンの前記平面に対して垂直な方向に見た場合、前記ホールは前記境界と少なくとも部分的にオーバーラップする、請求項１及び２のいずれかに記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項４】
前記フレームアセンブリは、前記フレームアセンブリを前記突出体にロックするように構成されたロッキング機構を備える、請求項３に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項５】
前記ロッキング機構は各ホールのための弾性部材を備え、各弾性部材は、前記ホール内へと延在し、前記ホール内に受け取られた前記突出体が前記弾性部材を押圧する場合に変形可能であるように構成される、請求項４に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項６】
前記ロッキング機構は各ホールのためのロッキング部材を備え、前記ロッキング部材は、前記圧縮された弾性部材が前記ロッキング部材に向けて前記ホール内に受け取られた前記突出体に力を及ぼすように、前記ロッキング部材が前記ホール内へと延在するロッキング位置に移動可能なように構成される、請求項５に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項７】
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
前記パターニングデバイスから突出する少なくとも１つの突出体と、
請求項１から６のいずれかに記載のメンブレンアセンブリであって、前記フレームアセンブリは前記少なくとも１つの突出体を介して前記パターニングデバイスに接続される、メンブレンアセンブリと、
を備え、
前記少なくとも１つの突出体は前記境界と前記パターニングデバイスとの間にある、
パターニングデバイスアセンブリ。
【請求項８】
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
平面メンブレン、及び前記メンブレンを保持するように構成された境界を備える、メンブレンアセンブリと、
前記パターニングデバイス及び前記境界のうちの１つから突出する少なくとも１つの突出体であって、前記境界と前記パターニングデバイスとの間にある、少なくとも１つの突出体と、
前記パターニングデバイス及び前記境界のうちの他方に接続されたフレームアセンブリであって、前記境界と前記パターニングデバイスとの間の前記少なくとも１つの突出体に取り付けられるように構成される、フレームアセンブリと、
を備える、パターニングデバイスアセンブリ。
【請求項９】
ＥＵＶリソグラフィのためのメンブレンアセンブリであって、
平面メンブレンと、
前記メンブレンを保持するように、及びＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスに取り付けるように構成された、フレームアセンブリと、
を備え、
前記フレームアセンブリは、前記メンブレンが前記パターニングデバイスから所定の距離で保持されるように前記フレームアセンブリが前記パターニングデバイスに対してロックされる、ロック状態と、前記メンブレンが前記パターニングデバイスから前記所定の距離より短い距離にある、アンロック状態と、を有する、
メンブレンアセンブリ。
【請求項１０】
前記フレームアセンブリは、
前記メンブレンを保持するように構成されたメンブレンホルダと、
クランプ部材と、
前記メンブレンホルダを前記クランプ部材に接続する弾性部材と、
を備え、
前記メンブレンホルダは、前記弾性部材の圧縮を介して、前記メンブレンの前記平面に対して垂直な方向に前記クランプ部材に対して移動可能である、
請求項９に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項１１】
前記クランプ部材は、前記パターニングデバイスから突出する突出体の係合表面と接触するように構成された当接表面を備え、前記係合表面は前記パターニングデバイスから見て外方に向いている、請求項１０に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項１２】
前記メンブレンホルダは、前記フレームアセンブリが前記ロック状態にある場合、前記パターニングデバイスから突出する突出体のロッキング表面に接触するように構成されたエンドストップ表面を備え、前記ロッキング表面は前記パターニングデバイスの方を向いている、請求項１０又は１１に記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項１３】
前記弾性部材は、前記フレームアセンブリを前記ロック状態にバイアスするように構成される、請求項１０から１２のいずれかに記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項１４】
前記フレームアセンブリは、前記弾性部材が圧縮された場合、前記メンブレンホルダが前記パターニングデバイスの方向に移動するように構成される、請求項１０から１３のいずれかに記載のメンブレンアセンブリ。
【請求項１５】
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
前記パターニングデバイス上にマウントされた、請求項９から１４のいずれかに記載のメンブレンアセンブリと、
前記メンブレンアセンブリを一時的に収容するためのローディング装置と、
を備え、
前記ローディング装置は、前記ローディング装置の内部表面に突出体を備え、前記突出体は、前記ローディング装置が前記メンブレンアセンブリを収容する場合、前記メンブレンアセンブリの前記メンブレンホルダを前記パターニングデバイスの方向に押圧するように構成される、
パターニングデバイスアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
[00157]  上記の説明は、例示的なものであり、限定するものではない。したがって、以下に示す特許請求の範囲及び句の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に対して変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
[条項１]
ＥＵＶリソグラフィのためのメンブレンアセンブリであって、
平面メンブレンと、
前記メンブレンを保持するように構成された境界と、
前記境界に接続され、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスに取り外し可能に取り付けるように構成された、フレームアセンブリであって、弾性部材を備えるフレームアセンブリと、
を備え、
前記フレームアセンブリは、使用中、前記フレームアセンブリが前記境界と前記パターニングデバイスとの間にあるように、前記メンブレンの前記平面に対して垂直な方向に前記境界に接続される、
メンブレンアセンブリ。
[条項２]
マウントフィーチャが前記境界と前記パターニングデバイスとの間に提供される、条項１に記載のメンブレンアセンブリ。
[条項３]
前記フレームアセンブリは、前記パターニングデバイスから突出する突出体を受け取るように構成された少なくとも１つのホールを備え、前記メンブレンの前記平面に対して垂直な方向に見た場合、前記ホールは前記境界と少なくとも部分的にオーバーラップする、条項１及び２のいずれかに記載のメンブレンアセンブリ。
[条項４]
前記フレームアセンブリは、前記フレームアセンブリを前記突出体にロックするように構成されたロッキング機構を備える、条項３に記載のメンブレンアセンブリ。
[条項５]
前記ロッキング機構は各ホールのための弾性部材を備え、各弾性部材は、前記ホール内へと延在し、前記ホール内に受け取られた前記突出体が前記弾性部材を押圧する場合に変形可能であるように構成される、条項４に記載のメンブレンアセンブリ。
[条項６]
前記ロッキング機構は各ホールのためのロッキング部材を備え、前記ロッキング部材は、前記圧縮された弾性部材が前記ロッキング部材に向けて前記ホール内に受け取られた前記突出体に力を及ぼすように、前記ロッキング部材が前記ホール内へと延在するロッキング位置に移動可能なように構成される、条項５に記載のメンブレンアセンブリ。
[条項７]
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
前記パターニングデバイスから突出する少なくとも１つの突出体と、
条項１から６のいずれかに記載のメンブレンアセンブリであって、前記フレームアセンブリは前記少なくとも１つの突出体を介して前記パターニングデバイスに接続される、メンブレンアセンブリと、
を備え、
前記少なくとも１つの突出体は前記境界と前記パターニングデバイスとの間にある、
パターニングデバイスアセンブリ。
[条項８]
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
平面メンブレン、及び前記メンブレンを保持するように構成された境界を備える、メンブレンアセンブリと、
前記パターニングデバイス及び前記境界のうちの１つから突出する少なくとも１つの突出体であって、前記境界と前記パターニングデバイスとの間にある、少なくとも１つの突出体と、
前記パターニングデバイス及び前記境界のうちの他方に接続されたフレームアセンブリであって、前記境界と前記パターニングデバイスとの間の前記少なくとも１つの突出体に取り付けられるように構成される、フレームアセンブリと、
を備える、パターニングデバイスアセンブリ。
[条項９]
ＥＵＶリソグラフィのためのメンブレンアセンブリであって、
平面メンブレンと、
前記メンブレンを保持するように、及びＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスに取り付けるように構成された、フレームアセンブリと、
を備え、
前記フレームアセンブリは、前記メンブレンが前記パターニングデバイスから所定の距離で保持されるように前記フレームアセンブリが前記パターニングデバイスに対してロックされる、ロック状態と、前記メンブレンが前記パターニングデバイスから前記所定の距離より短い距離にある、アンロック状態と、を有する、
メンブレンアセンブリ。
[条項１０]
前記フレームアセンブリは、
前記メンブレンを保持するように構成されたメンブレンホルダと、
クランプ部材と、
前記メンブレンホルダを前記クランプ部材に接続する弾性部材と、
を備え、
前記メンブレンホルダは、前記弾性部材の圧縮を介して、前記メンブレンの前記平面に対して垂直な方向に前記クランプ部材に対して移動可能である、
条項９に記載のメンブレンアセンブリ。
[条項１１]
前記クランプ部材は、前記パターニングデバイスから突出する突出体の係合表面と接触するように構成された当接表面を備え、前記係合表面は前記パターニングデバイスから見て外方に向いている、条項１０に記載のメンブレンアセンブリ。
[条項１２]
前記メンブレンホルダは、前記フレームアセンブリが前記ロック状態にある場合、前記パターニングデバイスから突出する突出体のロッキング表面に接触するように構成されたエンドストップ表面を備え、前記ロッキング表面は前記パターニングデバイスの方を向いている、条項１０又は１１に記載のメンブレンアセンブリ。
[条項１３]
前記弾性部材は、前記フレームアセンブリを前記ロック状態にバイアスするように構成される、条項１０から１２のいずれかに記載のメンブレンアセンブリ。
[条項１４]
前記フレームアセンブリは、前記弾性部材が圧縮された場合、前記メンブレンホルダが前記パターニングデバイスの方向に移動するように構成される、条項１０から１３のいずれかに記載のメンブレンアセンブリ。
[条項１５]
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
ＥＵＶリソグラフィのための平面パターニングデバイスと、
メンブレンアセンブリと、
を備え、前記メンブレンアセンブリは、
平面メンブレンと、
前記メンブレンを保持するように、及び前記パターニングデバイスに取り付けるように構成された、フレームアセンブリと、を備え、前記フレームアセンブリ及び前記パターニングデバイスの対向する表面の間にギャップが形成され、
前記フレームアセンブリは、汚染微粒子が前記ギャップに入るのを抑制するように構成された伸長バッフルを備え、前記伸長バッフルは、前記パターニングデバイスの前記平面範囲を超えたロケーションで前記パターニングデバイスの前記対向面を超えて延在する、
パターニングデバイスアセンブリ。
[条項１６]
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
条項１から６及び９から１４のいずれかに記載のメンブレンアセンブリと、
を備え、
前記フレームアセンブリと、前記フレームアセンブリが取り付けられる前記パターニングデバイスとの、対向する表面の間にギャップが形成され、
前記フレームアセンブリは、汚染微粒子が前記ギャップに入るのを抑制するように構成された伸長バッフルを備え、前記伸長バッフルは、前記パターニングデバイスの前記平面範囲を超えたロケーションで前記パターニングデバイスの前記対向面を超えて延在する、
パターニングデバイスアセンブリ。
[条項１７]
前記フレームアセンブリと、前記フレームアセンブリが取り付けられる前記パターニングデバイスとの、対向する表面の間にギャップが形成され、
前記フレームアセンブリは、汚染微粒子が前記ギャップに入るのを抑制するように構成された伸長バッフルを備え、前記伸長バッフルは、前記パターニングデバイスの前記平面範囲を超えたロケーションで前記パターニングデバイスの前記対向面を超えて延在する、
条項８又は９に記載のパターニングデバイスアセンブリ。
[条項１８]
前記フレームアセンブリは、
汚染微粒子が前記ギャップに入るのを抑制するように構成された少なくとも１つの更なるバッフルを備え、各々の更なるバッフルは前記パターニングデバイスの方向に延在する、
条項１５から１７のいずれかに記載のパターニングデバイスアセンブリ。
[条項１９]
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイス上にマウントされたメンブレンアセンブリを一時的に収容するためのローディング装置であって、前記ローディング装置の内部表面に突出体を備え、前記突出体は、前記ローディング装置が前記メンブレンアセンブリを収容する場合、前記メンブレンアセンブリのメンブレンホルダを前記パターニングデバイスの方向に押圧するように構成される、ローディング装置。
[条項２０]
ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリであって、
平面パターニングデバイスと、
前記パターニングデバイス上にマウントされた、条項９から１４のいずれかに記載のメンブレンアセンブリと、
前記メンブレンアセンブリを一時的に収容するためのローディング装置と、
を備え、
前記ローディング装置は、前記ローディング装置の内部表面に突出体を備え、前記突出体は、前記ローディング装置が前記メンブレンアセンブリを収容する場合、前記メンブレンアセンブリの前記メンブレンホルダを前記パターニングデバイスの方向に押圧するように構成される、
パターニングデバイスアセンブリ。
[条項２１]
前記メンブレンアセンブリは、前記メンブレンの周辺に位置決めされ、前記メンブレンと前記パターニングデバイスとの間の容積の開口を制御するように構成された、シーリングフレームを備える、条項２０に記載のパターニングデバイスアセンブリ。
[条項２２]
前記シーリングフレームは複数のシール開口を備え、前記メンブレンホルダが前記パターニングデバイスの方向に押圧された場合、ガスフローが前記シール開口及び前記フレーム開口を通過できるようにするために、前記フレームアセンブリ内のフレーム開口は前記シール開口と一致する、条項２１に記載のパターニングデバイスアセンブリ。
[条項２３]
前記メンブレンアセンブリが前記ローディング装置によって収容されない場合、前記メンブレンホルダが前記パターニングデバイスに向かって押圧されないように、前記シール開口は、前記シール開口が前記フレーム開口と一致しないように配置される、条項２２に記載のパターニングデバイスアセンブリ。
【国際調査報告】
2019504342.tif 000023
2019504342.tif 000024
2019504342.tif 000025
2019504342.tif 000026
2019504342.tif 000027
2019504342.tif 000028