(57)【要約】  本発明は、半導体組成物に関し、Ａ及び／又はＢの単位を含む半導体ポリマーと半導体非ポリマーの多環式化合物とを含む。2019515090.tif 000074（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、ｘ、ｙ、ｐ、ｑ、ｒ、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は明細書において定義されたいずれかの意味を有する。）
2019515090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体組成物であって、Ａ及び／又はＢの単位を含む半導体ポリマーと、半導体非ポリマーの多環式化合物とを含む半導体組成物。
【化１】
2019515090.tif 000067
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基はそれぞれ、場合によって、、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８のうちのいずれかのアリール基は、場合によって、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、
単位Ａ（存在する場合）において、Ｒ１とＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、且つ、単位Ｂ（存在する場合）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基のうちの少なくとも１つは、１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、
ｙは０、１、２又は３を示し、
ｐは０、１、２又は３を示し、
ｑは０、１又は２を示し、
ｒは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。）
【請求項２】
前記半導体ポリマーは１０００Ｈｚで３．４より大きい比誘電率を有する請求項１に記載の半導体組成物。
【請求項３】
前記半導体ポリマーは、少なくとも２０％、好ましくは、少なくとも３０％のモノマーＡ単位及び／又はＢ単位を含む請求項１又は２に記載の半導体組成物。
【請求項４】
前記半導体ポリマーは、少なくとも２０％、好ましくは、少なくとも３０％のモノマーＡ単位を含む請求項３に記載の半導体組成物。
【請求項５】
前記半導体ポリマーはコポリマーである請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体組成物。
【請求項６】
前記半導体ポリマーは、Ａ及び／又はＢの単位を含み、且つさらにＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位を含むコポリマーである、請求項５に記載の半導体組成物。
【化２】
2019515090.tif 000068
（式中、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０基はそれぞれ、場合によって、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０のうちのいずれかのアリール基は、場合によって、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、
ｘ’は０、１、２又は３を示し、
ｙ’は０、１、２又は３を示し、
ｐ’は０、１、２又は３を示し、
ｑ’は０、１又は２を示し、
ｒ’は０、１、２又は３を示し、
ｓは０、１、２又は３を示し、
ｔは０、１、２又は３を示し、
ｕは０、１、２又は３を示し、
ｖは０、１又は２を示し、
ｗは０、１、２又は３を示し、
ｇは０、１、２又は３を示し、
ｈは０、１、２又は３を示し、
ｉは０、１、２、３又は４を示し、
ｊは０、１、２、３又は４を示し、
Ｒ’３、Ｒ’４、Ｒ’９、Ｒ’１０、Ｒ’１１、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。）
【請求項７】
前記半導体ポリマーは、Ａの単位とＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位を含むコポリマーである、請求項６に記載の半導体組成物。
【請求項８】
前記半導体ポリマーは、Ａの単位とＡ’の単位、Ａの単位とＢ’の単位又はＡの単位とＣの単位を含むコポリマーである、請求項７に記載の半導体組成物。
【請求項９】
前記半導体ポリマーは、Ａの単位とＡ’の単位を含むコポリマーであり、
Ｒ１とＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、前記Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、場合によって、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは、１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３とＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ’１とＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、前記Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、場合によって、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１及び／又はＲ’２のうちのいずれかのアリール基は、場合によって、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、
ｘ’は０、１、２又は３を示し、且つｙ’は０、１、２又は３を示し、
且つ、Ｒ’３とＲ’４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる、請求項８に記載の半導体組成物。
【請求項１０】
Ｒ１とＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０を示し、且つｙは０を示し、
Ｒ’１とＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、前記Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、場合によって、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１及び／又はＲ’２のうちのいずれかのアリール基は、場合によって、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、
ｘ’は０を示し、且つｙ’は０を示す、請求項９に記載の半導体組成物。
【請求項１１】
前記半導体ポリマーは以下のものである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体組成物。
【化３−１】
2019515090.tif 000069
【化３−２】
2019515090.tif 000070
（式中、ｎ’とｎ’はそれぞれ３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、より大きい１２）整数であり、且つｎ’’とｎ’’’ は同じであってもよく、又は異なってもよく、且つｍは３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数である。）
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体組成物を含む半導体層。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体組成物又は請求項１２に記載の半導体層を含む電子デバイス。
【請求項１４】
Ａ及び／又はＢの単位を含む半導体コポリマー。
【化４】
2019515090.tif 000071
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基はそれぞれ、場合によって、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８のうちのいずれかのアリール基は、場合によって、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、
単位Ａ（存在する場合）において、Ｒ１とＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、且つ、単位Ｂ（存在する場合）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、
ｙは０、１、２又は３を示し、
ｐは０、１、２又は３を示し、
ｑは０、１又は２を示し、
ｒは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。）
【請求項１５】
Ａ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位をさらに含む、請求項１４に記載の半導体コポリマー。
【化５】
2019515090.tif 000072
（式中、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０基はそれぞれ、場合によって、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０のうちのいずれかのアリール基は、場合によって、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換され、
ｘ’は０、１、２又は３を示し、
ｙ’は０、１、２又は３を示し、
ｐ’は０、１、２又は３を示し、
ｑ’は０、１又は２を示し、
ｒ’は０、１、２又は３を示し、
ｓは０、１、２又は３を示し、
ｔは０、１、２又は３を示し、
ｕは０、１、２又は３を示し、
ｖは０、１又は２を示し、
ｗは０、１、２又は３を示し、
ｇは０、１、２又は３を示し、
ｈは０、１、２又は３を示し、
ｉは０、１、２、３又は４を示し、
ｊは０、１、２、３又は４を示し、
Ｒ’３、Ｒ’４、Ｒ’９、Ｒ’１０、Ｒ’１１、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。）
【請求項１６】
１０００Ｈｚで３．４より大きい比誘電率を有する、請求項１４又は１５に記載の半導体コポリマー。
【請求項１７】
前記コポリマーは、少なくとも２０％、好ましくは、少なくとも３０％のモノマーＡ単位及び／又はＢ単位を含む、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の半導体コポリマー。
【請求項１８】
前記コポリマーは、少なくとも２０％、好ましくは、少なくとも３０％のモノマーＡ単位を含む、請求項１７に記載の半導体コポリマー。
【請求項１９】
前記コポリマーは、Ａの単位を含み、且つさらにＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位を含む、請求項１３−１７のいずれか一項に記載の半導体コポリマー。
【請求項２０】
前記コポリマーは、Ａの単位とＡ’の単位、Ａの単位とＢ’の単位又はＡの単位とＣの単位を含む、請求項１９に記載の半導体コポリマー。
【請求項２１】
前記コポリマーは以下のものである、請求項１３〜１８のいずれか一項に記載の半導体コポリマー。
【化６】
2019515090.tif 000073
（式中、ｎ’’とｎ’’’はそれぞれ、３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数であり、且つｎ’’とｎ’’’ は同じであってもよく、又は異なってもよい。）
【請求項２２】
請求項１４〜２１のいずれか一項に記載の半導体コポリマーを含む半導体組成物。
【請求項２３】
半導体非ポリマーの多環式化合物をさらに含む、請求項２２に記載の半導体組成物。
【請求項２４】
請求項２２又は２３に記載の半導体組成物を含む、半導体層。
【請求項２５】
請求項２２又は２３に記載の半導体組成物又は請求項２４に記載の半導体層を含む、電子デバイス。
【請求項２６】
請求項１４〜２１のいずれか一項に記載の半導体コポリマーの、半導体組成物における有機接着剤としての用途。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体組成物、及び半導体組成物における接着剤として適用できる半導体コポリマーに関する。本発明はさらに、半導体組成物を含む半導体層、及び半導体組成物と半導体層を含む電子デバイス（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な半導体組成物が、シリコン系半導体の代替品として提案されている。代表例として、このような半導体組成物はポリマー接着剤と半導体材料とを含む。たとえば、ＷＯ２０１２／１６４２８２において、ポリアセン（ｐｏｌｙａｃｅｎｅ）化合物と有機接着剤を含む有機半導体組成物が開示されており、有機接着剤は、１０００Ｈｚで３．４〜８の比誘電率を有するポリマー半導体接着剤である。ＷＯ２０１２／１６０３８３において、可溶性ポリアセン半導体とポリマー半導体接着剤を含む半導体組成物が開示されている。ＷＯ２０１２／１６０３８２において、半導体ポリトリアリールアミンポリマー及びその電子部品（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）における用途が開示されている。
【０００３】
上記ポリマー接着剤は半導体組成物に適用できるが、代替の及び/又は改善された特性を有し得る代替ポリマーバインダーが依然として必要とされている。たとえば、好ましくは、代表的な加工溶媒において改良した溶解性及び／又は改良した成膜性を有する代替ポリマー接着剤を提供する。より好ましくは、製造しやすく、特に量産しやすい、及び／又は高分子量を有するように製造できるポリマー接着剤を提供する。このような代替ポリマー接着剤は、高比誘電率を有し、たとえば、１０００Ｈｚでは３．４より大きい比誘電率を有する。
【０００４】
従って、代替半導体組成物及び代替ポリマーが必要とされており、前記代替ポリマーは半導体組成物への使用に適する性質を有し、たとえば、半導体組成物における接着剤として使用され得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２０１２／１６４２８２号
【特許文献２】国際公開ＷＯ２０１２／１６０３８３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は半導体組成物を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１態様において、本発明は、Ａ及び／又はＢの単位を含む半導体ポリマーと半導体非ポリマーの多環式化合物（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｎｏｎ−ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ  ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）とを含む半導体組成物を提供する。
【化１】
2019515090.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
単位Ａ（存在する場合）において、Ｒ１とＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、且つ、単位Ｂ（存在する場合）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基のうちの少なくとも１つは、１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、
ｙは０、１、２又は３を示し、
ｐは０、１、２又は３を示し、
ｑは０、１又は２を示し、
ｒは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。）
【０００８】
本発明は、半導体コポリマーを提供する。
【０００９】
第２態様において、本発明は、Ａ及び／又はＢの単位を含む半導体コポリマーを提供する。
【化２】
2019515090.tif 000004
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
単位Ａ（存在する場合）において、Ｒ１及びＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、且つ、単位Ｂ（存在する場合）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、
ｙは０、１、２又は３を示し、
ｐは０、１、２又は３を示し、
ｑは０、１又は２を示し、
ｒは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。）
【発明を実施するための形態】
【００１０】
特に明記しない限り、本明細書及び特許請求の範囲で使用される以下の用語は、以下に示す意味を有する。
用語「アルキル基」は、直鎖アルキル基と分岐状アルキル基の両方を含む。上記独立したアルキル基、たとえば「プロピル基」は直鎖形式だけに対して特定するものであり、且つ上記独立した分岐状アルキル基、たとえば「イソプロピル基」は分岐状形式だけに対して特定するものである。たとえば、「Ｃ１−Ｃ１２アルキル基」は、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、プロピル基、イソプロピル基及びｔ−ブチル基を含む。
【００１１】
用語「アルケニル基」は、直鎖アルケニル基と分岐状アルケニル基の両方を含む。上記独立したアルケニル基、たとえば「プロペニル基」は直鎖形式だけに対して特定するものであり、且つ、上記独立した分岐状アルケニル基、たとえば「イソプロペニル基」は分岐状形式だけに対して特定するものである。たとえば、「Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基」は、Ｃ１−Ｃ６アルケニル基、Ｃ１−Ｃ４アルケニル基、プロペニル基、イソプロペニル基及びｔ−ブテニル基を含む。
【００１２】
用語「Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基」とは、炭素数３−８の炭化水素環を意味し、たとえば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基、ビシクロ［２．１．１］ヘキシル基、ビシクロ［１．１．１］ペンチル基及びビシクロ［２．２．１］ヘプチル基が挙げられる。
【００１３】
用語「アルコキシ基」は、直鎖アルコキシ基と分岐状アルコキシ基の両方を含む。上記独立したアルコキシ基、たとえば「プロポキシ基」は直鎖形式だけに対して特定するものであり、且つ、上記独立した分岐状アルコキシ基、たとえば「イソプロポキシ基」は分岐状形式だけに対して特定するものである。たとえば、「Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基」は、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基及びｔ−ブトキシ基を含む。
【００１４】
用語「複素環基」とは、非芳香族飽和又は部分飽和の単環式複素環式環系、又は縮合、架橋又はスピロの二環式複素環式環系を意味する。単環式複素環は、３個−１２個（好ましくは約３個−７個）の環原子を含み、環において窒素、酸素又は硫黄から選ばれる１個−５個（好ましくは１個、２個又は３個）のヘテロ原子を有する。二環式複素環は、約７個−１７個（好ましくは約７個−１２個）の環原子を含み、環において窒素、酸素又は硫黄から選ばれる１個−５個（好ましくは１個、２個又は３個）のヘテロ原子を有する。二環式複素環は縮合環系、スピロ環系又は架橋環系であってもよい。当業者が理解できるように、いずれの複素環基も適切な原子、たとえば炭素原子又は窒素原子によって別の基に連結され得る。
【００１５】
用語「アリール基」とは、炭素数５−１２の単環式芳香族環又は多環式芳香族環を意味する。用語「アリール基」は、一価のものと二価のものの両方を含む。アリール基の実例には、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を含むが、それらに制限されない。特定の実施形態において、アリール基はフェニル基であってもよい。
【００１６】
本明細書に記載の「ホモポリマー」とは、単一タイプの繰り返し単位を含むポリマーである。
【００１７】
本明細書に記載の「コポリマー」とは、２種以上のタイプの繰り返し単位を含むポリマーである。
【００１８】
本明細書に記載の「交互コポリマー」とは、規則的に繰り返す交互繰り返し単位を含むコポリマーである。
【００１９】
本明細書に記載の「周期的コポリマー（ｐｅｒｉｏｄｉｃ  ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）」とは、繰り返し配列として配列された単位を有するコポリマーである。
【００２０】
本明細書に記載の「ランダムコポリマー」とは、コポリマー鎖にランダムに配列された繰り返し単位を含むコポリマーである。
【００２１】
本明細書に記載の「ブロックコポリマー」とは、共有結合により連結された２つ又は２つ以上の二量体、オリゴマー又はホモポリマーのサブ単位を含むコポリマーである。
【００２２】
本明細書に記載の「ジブロックコポリマー」とは、２つの異なるホモポリマーのサブ単位又はブロックを有するブロックコポリマーである。
【００２３】
本明細書に記載の「トリブロックコポリマー」とは、３つの異なるホモポリマーのサブ単位又はブロックを有するブロックコポリマーである。
【００２４】
本明細書に記載の「接着剤」とは、基板において成膜する物質（たとえばポリマー）である。言い換えれば、接着剤は、たとえば組成物において成膜成分として利用可能である成膜ポリマーである。
【００２５】
本明細書に記載の「半導体」とは、電荷キャリアにより導電率が通常導体と絶縁媒体の導電率の間の範囲にあり、且つ単位体積あたりの電荷キャリアの数が外部手段により変化できる材料（たとえばポリマー、組成物又は層）である。
【００２６】
本明細書に記載の材料の「比誘電率」とは、真空の誘電率に対する比率として示される材料誘電率である。
【００２７】
本明細書を通して、用語「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」又は「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」とは、指定される成分を含むが、ほかの成分を排除しないことを意味する。用語「基本的に……から構成されている（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ  ｏｆ）」又は「基本的に……から構成される（ｃｏｎｓｉｓｔｓ  ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ  ｏｆ）」とは、指定される成分を含むが、本発明の技術的効果以外の目的を達成させるために添加される成分以外の成分を排除することを意味する。用語「……から構成されている（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｏｆ）」又は「……から構成される（ｃｏｎｓｉｓｔｓ  ｏｆ）」とは、指定される成分を含むが、ほかの成分を排除することを意味する。
【００２８】
場合によって、文脈によると、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」又は「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」の使用は、「基本的に……から構成される（ｃｏｎｓｉｓｔｓ  ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ  ｏｆ）」又は「基本的に……から構成されている（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ  ｏｆ）」の意味を含むと見なされてもよく、「……から構成される（ｃｏｎｓｉｓｔｓ  ｏｆ）」又は「……から構成されている（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｏｆ）」の意味を含むと見なされてもい。
【００２９】
場合によって、本明細書において説明されたいずれかの特徴は、独立して使用してもよく、組み合わせて使用してもよく、且つ、特に添付した特許請求の範囲に説明された組み合わせに使用できる。場合によって、本明細書において説明された本発明のそれぞれの例示的な実施形態に使用されるいずれかの特徴も本発明の任意のほかの態様又は例示的な実施形態に適用できる。言い換えれば、当業者であれば、本発明を閲覧すると、本発明の各態様又は実施形態の任意の特徴は本発明の異なる態様間で交換したり、組み合わせたりすることができると考えられる。
【００３０】
半導体組成物
【００３１】
第１態様において、本発明は、Ａ及び／又はＢの単位を含む半導体ポリマーと半導体非ポリマーの多環式化合物とを含む半導体組成物を提供する。
【化３】
2019515090.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
単位Ａ（存在する場合）において、Ｒ１及びＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、且つ、単位Ｂ（存在する場合）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、
ｙは０、１、２又は３を示し、
ｐは０、１、２又は３を示し、
ｑは０、１又は２を示し、
ｒは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。）
【００３２】
好ましくは、半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａ及び／又はＢの単位を含んでもよく、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
単位Ａ（存在する場合）において、Ｒ１及びＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、且つ、単位Ｂ（存在する場合）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０又は１（たとえば０）を示し、
ｙは０又は１（たとえば０）を示し、
ｐは０又は１（たとえば０）を示し、
ｑは０又は１（たとえば０）を示し、
ｒは０又は１（たとえば０）を示し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【００３３】
第１態様による半導体組成物は、Ａ及び／又はＢの単位を含有する半導体ポリマーを含む。当業者にとって明らかなように、ＡとＢの単位は、一体に連結されてポリマーを形成可能なモノマー又は繰り返し単位として示される。
【００３４】
単位Ａ（存在する場合）において、Ｒ１及びＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、且つ、単位Ｂ（存在する場合）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換される。１つ又は複数のシアノ基によって置換される以外、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基は、本明細書において定義された別の１つ又は複数の置換基、すなわちシアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から選ばれる置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基である。本明細書に記載のＲ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基上のいずれかの置換基とは、必須の1つ又は複数のシアノ基置換基以外の任意の置換基を意味する。
【００３５】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、任意の適切な数の単位Ａ及び／又は任意の適切な数の単位Ｂを含む。半導体ポリマーはさらに、ほかの構造タイプの単位（条件として、少なくとも単位Ａ及び／又はＢは存在する）を含んでもよい。従って、半導体ポリマーはホモポリマー又はコポリマーであってもよい。
【００３６】
半導体ポリマーは、ホモポリマーである場合、単位Ａだけ又は単位Ｂだけを含んでもよい。半導体ポリマーはホモポリマーである場合、該ホモポリマーは下記式を有してもよい。
【化４】
2019515090.tif 000006
（式中、ｍはホモポリマーにおけるモノマーＡ単位の数であり、且つＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、ｘ及びｙは本明細書において定義されたとりである。好ましくは、ｍは５より大きく、より好ましくは、１０より大きく、且つ、又はより好ましくは、２０より大きい。）
【００３７】
半導体ポリマーがホモポリマーである場合、該ホモポリマーは下記式を有してもよい。
【化５】
2019515090.tif 000007
（式中、ｍ’はホモポリマーにおけるモノマーＢ単位の数であり、且つＲ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、ｐ、ｑ及びｒは本明細書において定義されたとおりである。好ましくは、ｍ’は５より大きく、より好ましくは、１０より大きく、且つ又は、より好ましくは、２０より大きい。）
【００３８】
当業者が理解できるように、ポリマーは、代表的に分子量分布を有する多分散性生成物（ｐｏｌｙｄｉｓｐｅｒｓｅ  ｐｒｏｄｕｃｔ）である。ｍとｍ’の値は、代表的には、ポリマー用の分子量分布から計算した平均値である。単分散性ポリマーは特定の合成又は精製方法で製造できるが、本明細書において定義されたポリマーの応用にとって必須なものではない。
【００３９】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、１種又は複数種のほかの構造タイプの適切な単位以外、単位Ａを含んでもよい。ほかの構造タイプの適切な単位には単位Ｂが含まれる。
【００４０】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、１種又は複数種のほかの構造タイプの適切な単位以外、単位Ｂを含んでもよい。ほかの構造タイプの適切な単位には単位Ａが含まれる。
【００４１】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、単位Ａと適切な別の単位とを含んでもよい。たとえば、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、下記Ａの単位とＢの単位を含んでよい。
【化６】
2019515090.tif 000008
（式中、ｍ’’はコポリマーにおけるモノマーＡ単位の数であり、ｍ’’’はコポリマーにおけるモノマーＢ単位の数であり、且つＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、ｘ、ｙ、ｐ、ｑ及びｒは本明細書において定義されたとおりである。単位Ａと単位Ｂ以外、コポリマーはさらに、他の適切なモノマー単位を含んでもよい。上記したとおり、ｍ’’とｍ’’’の値は、代表的には、ポリマー用の分子量分布から計算した平均値である。好ましくは、ｍ’’とｍ’’’はそれぞれ独立して、５より大きく、より好ましくは、１０より大きく、又はより好ましくは、２０より大きい。）
【００４２】
コポリマーは、連結されて交互コポリマー、周期的コポリマー又はランダムコポリマーを構成するための単一のＡの単位と単一のＢの単位を含むことができる。たとえば、コポリマーは、連結されて交互コポリマーを構成するための単一のＡとＢの単位を含むことができ、すなわち構造−［−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ］−の交互コポリマーは形成される。
【００４３】
コポリマーは、ブロックコポリマーを提供するために、単位Ａのブロックと単位Ｂのブロックを含んでもよい。たとえば、ブロックコポリマーにおいて、単位Ａのブロックと単位Ｂのブロックは二量体、オリゴマー又はポリマー、たとえば、下記に示される二量体、オリゴマー又はポリマーＡ１及びＢ１であってもよい。
【化７】
2019515090.tif 000009
（式中、ｎとｎ’はそれぞれ１より大きい。たとえば、ｎとｎ’は、同じであってもよく、又は異なってもよく、それぞれ１０より大きいようにしてもよい。）。従って、当業者にとって明らかなように、コポリマーは、ＡとＢの単位をＡのブロック（すなわちＡ１）及び／又はＢのブロック（すなわちＢ１）として含み得る。
【００４４】
適切なブロックコポリマーは、ジブロックコポリマーとトリブロックコポリマーを含む。
【００４５】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、選択的（ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｌｙ）に異なるＡ単位を含み得る。
【００４６】
たとえば、本明細書において定義されるような任意の単位Ａは、本明細書において定義される異なる単位Ａと組み合わせてコポリマーを提供できる。
【００４７】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、選択的に異なるＢ単位を含み得る。
【００４８】
たとえば、本明細書において定義されたような任意の単位Ｂは、本明細書において定義される異なる単位Ｂと組み合わせてコポリマーを提供できる。
【００４９】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、基本的にＡとＢ単位から構成されてもよい（又はＡとＢ単位から構成される）。好ましくは、半導体ポリマーは、基本的にＡとＢ単位から構成される（又はＡとＢ単位から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＢ単位から構成される（又は交互するＡとＢ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体ポリマーは、基本的に単位ＡとＢから構成される（又は単位ＡとＢから構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【００５０】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、１０００Ｈｚで３．４より大きい比誘電率を有する。たとえば、半導体ポリマーは、１０００Ｈｚで３．４〜８の比誘電率、たとえば１０００Ｈｚで３．４〜６の比誘電率、特に１０００Ｈｚで３．４〜４．５の比誘電率を有する。たとえば、半導体ポリマーは、１０００Ｈｚで４より大きい比誘電率、たとえば１０００Ｈｚで４〜８の比誘電率、特に１０００Ｈｚで４〜７．５の比誘電率を有する。
【００５１】
半導体ポリマーの所望する比誘電率は、適切な数のモノマーＡ及び／又はＢ単位をポリマーに含めることで取得できると考えられる。Ａ及び／又はＢ単位の最適な数は、提供する特定の置換基により決まる。
【００５２】
半導体ポリマーの比誘電率は、当業者が公知する任意の標準方法で測定できる。好ましくは、比誘電率は、ＷＯ２００４／１０２６９０において開示されている方法又は本明細書に開示されている方法、より好ましくは、本明細書に開示されている方法を用いて決定できる。
【００５３】
好ましくは、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、１０−７ｃｍ２／Ｖｓ、たとえば１０−６ｃｍ２／Ｖｓ、特に１０−５ｃｍ２／Ｖｓより大きい電荷移動度を有する。好ましくは、半導体ポリマー、半導体組成物又は半導体層は、結晶小分子有機半導体材料（ＯＳＣ）のイオン化エネルギー（ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）に近いイオン化エネルギーを有し、最も好ましくは、小分子ＯＳＣのイオン化エネルギーの＋／−０．６ｅＶの範囲内にあり、又はより好ましくは、小分子ＯＳＣのイオン化エネルギーの＋／−０．４ｅＶの範囲内にある。上記半導体ポリマー用の特定の「電荷移動度」は、純粋な状態で測定された電荷移動度に関し、すなわち、任意のほかの導電性材料、半導体材料又は絶縁材料の混合物の固有電荷移動度ではなく、純粋なポリマーの固有電荷移動度を測定するものである。
【００５４】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、少なくとも２０％、好ましくは、少なくとも３０％のモノマーＡ及び／又はＢ単位、たとえば少なくとも５０％のモノマーＡ及び／又はＢ単位を含み得る。
【００５５】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、少なくとも２０％、好ましくは、少なくとも３０％のモノマーＡ単位、たとえば少なくとも５０％のモノマーＡ単位を含み得る。
【００５６】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、少なくとも２０％、好ましくは、少なくとも３０％のモノマーＢ単位、たとえば少なくとも５０％のモノマーＢ単位を含み得る。
【００５７】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、１００％のモノマーＡ単位を含むホモポリマーであってもよい。
【００５８】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、１００％のモノマーＢ単位を含むホモポリマーであってもよい。
【００５９】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、少なくとも２０％、たとえば少なくとも３０％、特に少なくとも５０％のモノマーＡ及び／又はＢ単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、５０％のモノマーＡ単位と５０％のモノマーＢ単位を含むコポリマーであってもよく、該コポリマーは交互コポリマーであってもよい。
【００６０】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、５００ダルトン−１０,０００,０００ダルトンの範囲、特に１５００ダルトン−１,０００,０００ダルトンの範囲、より特に３０００ダルトン−２００,０００ダルトンの範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有してもよい。数平均分子量は、任意の適切な方法、たとえばゲル透過クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定できる。
【００６１】
Ａの単位において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、Ｒ１及び／又はＲ２基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ１及び／又はＲ２基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
単位Ａ（存在する場合）において、Ｒ１及びＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換される。
【００６２】
好ましくは、Ａの単位において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
単位Ａ（存在する場合）において、Ｒ１及びＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換される。
【００６３】
好ましくは、Ａの単位において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換される。
【００６４】
好ましくは、Ａの単位において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は１つ又は複数のシアノ基によって置換される。
【００６５】
好ましくは、Ａの単位において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ６−Ｃ１０アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）から選ばれ、Ｃ６−Ｃ１０アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換される。
【００６６】
好ましくは、Ａの単位において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ６−Ｃ１０アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）から選ばれ、Ｃ６−Ｃ１０アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）基は１つ又は複数のシアノ基によって置換される。
【００６７】
好ましくは（特に半導体ポリマーがコポリマーである場合）、Ａの単位において、基Ｒ１及びＲ２は同じである。たとえば、好ましくは、Ｒ１及びＲ２の両方は同じであり、且つ両方ともに１つ又は複数のシアノ基によって置換されたＣ１−Ｃ１２アルキル基を示す。より好ましくは、Ｒ１及びＲ２の両方は同じであり、且つ両方ともに１つ又は複数のシアノ基によって置換されたＣ６−Ｃ１０アルキル基、たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基を示す。
【００６８】
Ａの単位において、ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示す。好ましくは、ｘは０又は１を示し、且つｙは０又は１を示す。より好ましくは、ｘとｙの両方ともに０を示す。
【００６９】
ｘが０である場合、フェニル環にＲ３置換基が存在せず、このようにフェニル環の未置換位置に水素がある。ｙが０である場合、フェニル環にＲ４置換基が存在せず、このようにフェニル環の未置換位置に水素がある。
【００７０】
たとえば、ｘが１である場合、フェニル環に１個のＲ３置換基が存在し、且つほかの未置換位置に２つの水素が存在する。このような場合、Ｒ３置換基はフェニル環上のいずれかの利用可能な位置に位置してもよい。たとえば、ｙが１である場合、フェニル環に１個のＲ４置換基が存在し、且つほかの未置換位置に２つの水素が存在する。このような場合、Ｒ４置換基は、フェニル環上のいずれかの利用可能な位置に位置してもよい。ｘとｙがそれぞれ２又は３である場合、同じ考慮事項が適用される。
【００７１】
Ａの単位において、ｘ及び／又はｙが１、２又は３を示す場合、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、特にＣ１−Ｃ３アルキル基とＣ１−Ｃ２アルコキシ基から選ばれる。
【００７２】
Ｂの単位において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８のいずれかのリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
単位Ｂ（存在する場合）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換される。
【００７３】
好ましくは、Ｂの単位において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
単位Ｂ（存在する場合）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換される。
【００７４】
好ましくは、Ｂの単位において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換される。
【００７５】
好ましくは、Ｂの単位において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、１つ又は複数のシアノ基によって置換されたＣ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれる。
【００７６】
好ましくは、Ｂの単位において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ６−Ｃ１０アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）から選ばれ、Ｃ６−Ｃ１０アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換される。
【００７７】
好ましくは、Ｂの単位において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、１つ又は複数のシアノ基によって置換されたＣ６−Ｃ１０アルキル基（たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基）から選ばれる。
【００７８】
好ましくは（特に半導体ポリマーがコポリマーである場合）、Ｂの単位において、基Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はすべて同じである。たとえば、好ましくは、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はすべて同じであり、且つ１つ又は複数のシアノ基によって置換されたＣ１−Ｃ１２アルキル基を示す。より好ましくは、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はすべて同じであり、且つ１つ又は複数のシアノ基によって置換されたＣ６−Ｃ１０アルキル基、たとえばＣ６−Ｃ７アルキル基を示す。
【００７９】
Ｂの単位において、ｐは０、１、２又は３を示し、ｑは０、１又は２を示し、且つｒは０、１、２又は３を示す。好ましくは、ｐは０又は１を示し、ｑは０又は１を示し、且つｒは０又は１を示す。より好ましくは、ｐ、ｑ及びｒはすべて０を示す。
【００８０】
ｐが０である場合、フェニル環にＲ９置換基が存在せず、このようにフェニル環の未置換位置に水素がある。ｑが０である場合、フェニル環にＲ１０置換基が存在せず、このようにフェニル環の未置換位置に水素がある。ｒが０である場合、フェニル環にＲ１１置換基が存在せず、このようにフェニル環の未置換位置に水素がある。
【００８１】
たとえば、ｐが１である場合、フェニル環に１個のＲ９置換基が存在し、且つほかの未置換位置に２つの水素が存在する。このような場合、Ｒ９置換基はフェニル環上のいずれかの利用可能な位置に位置してもよい。たとえば、ｑが１である場合、フェニル環に１個のＲ１０置換基が存在し、且つほかの未置換位置に２つの水素が存在する。このような場合、Ｒ１０置換基はフェニル環上のいずれかの利用可能な位置に位置してもよい。たとえば、ｒが１である場合、フェニル環に１個のＲ１１置換基が存在し、且つほかの未置換位置に２つの水素が存在する。このような場合、Ｒ１１置換基はフェニル環上のいずれかの利用可能な位置に位置してもよい。ｐとｒがそれぞれ２又は３であり、且つｑが２である場合、同じ考慮事項が適用される。
【００８２】
Ｂの単位において、ｐ、ｑ及び／又はｒが１、２又は３を示す場合、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、特にＣ１−Ｃ３アルキル基とＣ１−Ｃ２アルコキシ基から選ばれる。
【００８３】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマー、たとえばＡ及び／又はＢの単位を含み、且つさらにＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位（特にＡ’、Ｂ’及び／又はＣの単位）を含むコポリマーであってもよい。
【化８】
2019515090.tif 000010
（式中、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
ｘ’は０、１、２又は３を示し、
ｙ’は０、１、２又は３を示し、
ｐ’は０、１、２又は３を示し、
ｑ’は０、１又は２を示し、
ｒ’は０、１、２又は３を示し、
ｓは０、１、２又は３を示し、
ｔは０、１、２又は３を示し、
ｕは０、１、２又は３を示し、
ｖは０、１又は２を示し、
ｗは０、１、２又は３を示し、
ｇは０、１、２又は３を示し、
ｈは０、１、２又は３を示し、
ｉは０、１、２、３又は４を示し、
ｊは０、１、２、３又は４を示し、
Ｒ’３、Ｒ’４、Ｒ’９、Ｒ’１０、Ｒ’１１、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。）
【００８４】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマー、たとえば、Ａ及び／又はＢの単位を含み、且つさらにＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位（特にＡ’、Ｂ’及び／又はＣの単位）を含むコポリマーであってもよく、
Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
ｘ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｙ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｐ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｑ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｒ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｓは０又は１（たとえば０）を示し、
ｔは０又は１（たとえば０）を示し、
ｕは０又は１（たとえば０）を示し、
ｖは０又は１（たとえば０）を示し、
ｗは０又は１（たとえば０）を示し、
ｇは０又は１（たとえば０）を示し、
ｈは０又は１（たとえば０）を示し、
ｉは０又は１（たとえば０）を示し、
ｊは０又は１（たとえば０）を示し、
Ｒ’３、Ｒ’４、Ｒ’９、Ｒ’１０、Ｒ’１１、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【００８５】
Ａ’の単位において、Ｒ’１及びＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ’１及び／又はＲ’２基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ’１及び／又はＲ’２基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１及び／又はＲ’２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよい。
【００８６】
好ましくは、Ａ’の単位において、Ｒ’１及びＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１及び／又はＲ’２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよい。
【００８７】
好ましくは、Ａ’の単位において、Ｒ’１及びＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基はそれぞれ、式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基である。
【００８８】
好ましくは、Ａ’の単位において、Ｒ’１及びＲ’２はそれぞれ独立して、未置換Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、特に未置換Ｃ１０−Ｃ１２アルキル基から選ばれる。
【００８９】
好ましくは、Ａ’の単位において、基Ｒ’１及びＲ’２は同じである。
【００９０】
Ａ’の単位において、ｘ’は０、１、２又は３を示し、且つｙ’は０、１、２又は３を示す。好ましくは、Ａ’の単位において、ｘ’は０又は１を示し、且つｙ’は０又は１を示す。より好ましくは、Ａ’の単位において、ｘ’とｙ’の両方ともに０を示す。
【００９１】
Ａ’の単位において、基Ｒ’３及びＲ’４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基、好ましくはＣ１−Ｃ３アルキル基とＣ１−Ｃ２アルコキシ基から選ばれる。
【００９２】
Ｂ’の単位において、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及び／又はＲ’８のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよい。
【００９３】
Ｂ’の単位において、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及び／又はＲ’８のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよい。
【００９４】
好ましくは、Ｂ’の単位において、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基はそれぞれ、式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基である。
【００９５】
Ｂ’の単位において、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はそれぞれ独立して、未置換Ｃ１−Ｃ１２（たとえばＣ７−Ｃ９）アルキル基から選ばれる。
【００９６】
好ましくは、Ｂ’の単位において、基Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はすべて同じである。
【００９７】
Ｂ’の単位において、ｐ’は０、１、２又は３を示し、ｑ’は０、１又は２を示し、且つｒ’は０、１、２又は３を示す。好ましくは、Ｂ’の単位において、ｐ’は０又は１を示し、ｑ’は０又は１を示し、且つｒ’は０又は１を示す。より好ましくは、Ｂ’の単位において、ｐ’、ｑ’及びｒ’のいずれも０を示す。
【００９８】
Ｂ’の単位において、基Ｒ’９、Ｒ’１０及びＲ’１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基、好ましくはＣ１−Ｃ３アルキル基とＣ１−Ｃ２アルコキシ基から選ばれる。
【００９９】
Ｃの単位において、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ１３及びＲ１４基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ１３及び／又はＲ１４基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１３及びＲ１４のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよい。
【０１００】
好ましくは、Ｃの単位において、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１３及びＲ１４のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよい。
【０１０１】
好ましくは、Ｃの単位において、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基はそれぞれ、式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基である。
【０１０２】
好ましくは、Ｃの単位において、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して、未置換Ｃ１−Ｃ１２（たとえばＣ７−Ｃ９）アルキル基から選ばれる。より好ましくは、Ｃの単位において、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して、未置換Ｃ６−Ｃ１２アルキル基から選ばれる。
【０１０３】
好ましくは、Ｃの単位において、基Ｒ１３及びＲ１４は同じである。
【０１０４】
Ｃの単位において、ｓは０、１、２又は３を示し、且つｔは０、１、２又は３を示す。好ましくは、Ｃの単位において、ｓは０又は１を示し、且つｔは０又は１を示す。より好ましくは、Ｃの単位において、ｓとｔの両方ともに０を示す。
【０１０５】
Ｃの単位において、基Ｒ１５及びＲ１６（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基、好ましくはＣ１−Ｃ３アルキル基とＣ１−Ｃ２アルコキシ基から選ばれる。
【０１０６】
Ｄの単位において、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０基のいずれかＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよい。
【０１０７】
好ましくは、Ｄの単位において、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよい。
【０１０８】
好ましくは、Ｄの単位において、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基はそれぞれ、式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基である。
【０１０９】
好ましくは、Ｄの単位において、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０はそれぞれ独立して、未置換Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれる。より好ましくは、Ｄの単位において、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０はそれぞれ独立して、未置換Ｃ６−Ｃ１２アルキル基から選ばれる。
【０１１０】
好ましくは、Ｄの単位において、基Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０はすべて同じである。
【０１１１】
Ｄの単位において、ｕは０、１、２又は３を示し、ｖは０、１又は２を示し、且つｗは０、１、２又は３を示す。好ましくは、Ｄの単位において、ｕは０又は１を示し、ｖは０又は１を示し、且つｗは０又は１を示す。より好ましくは、Ｄの単位において、ｕ、ｖ及びｗのいずれも０を示す。
【０１１２】
Ｄの単位において、基Ｒ２１、Ｒ２２及びＲ２３（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基、好ましくはＣ１−Ｃ３アルキル基とＣ１−Ｃ２アルコキシ基から選ばれる。
【０１１３】
Ｅの単位において、ｇは０、１、２又は３を示し、ｈは０、１、２又は３を示し、ｉは０、１、２、３又は４を示し、且つｊは０、１、２、３又は４を示す。好ましくは、Ｅの単位において、ｇは０又は１を示し、ｈは０又は１を示し、ｉは０又は１を示し、且つｊは０又は１を示す。より好ましくは、Ｅの単位において、ｇ、ｈ、ｉ及びｊのいずれも０を示す。
【０１１４】
Ｅの単位において、基Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基、好ましくはＣ１−Ｃ３アルキル基とＣ１−Ｃ２アルコキシ基から選ばれる。
【０１１５】
以上、基Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１について検討したとおり、基Ｒ’３、Ｒ’４、Ｒ’９、Ｒ’１０、Ｒ’１１、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７（必要に応じて）は、存在する場合、いずれかの利用可能な環位置に位置してもよい。
【０１１６】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａの単位を含むホモポリマーであってもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示し、且つ
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０１１７】
好ましくは、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａの単位及びＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位（特にＡ’、Ｂ’又はＣの単位）を含むコポリマーであってもよい。たとえば、半導体ポリマーは、Ａの単位とＡ’の単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、半導体ポリマーは、Ａの単位とＢ’の単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、半導体ポリマーは、Ａの単位とＣの単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、半導体ポリマーは、Ａの単位とＤの単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、半導体ポリマーは、Ａの単位とＥの単位を含むコポリマーであってもよい。
【０１１８】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ｂの単位及びＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位（特にＡ’、Ｂ’又はＣの単位）を含むコポリマーであってもよい。たとえば、半導体ポリマーは、Ｂの単位とＢ’の単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、半導体ポリマーは、Ｂの単位とＡ’の単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、半導体ポリマーは、Ｂの単位とＣの単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、半導体ポリマーは、Ｂの単位とＤの単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、半導体ポリマーは、Ｂの単位とＥの単位を含むコポリマーであってもよい。
【０１１９】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、基本的にＡの単位及びＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ又はＥ（特にＡ’、Ｂ’又はＣ）の単位から構成されてもよい（又はＡの単位及びＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ又はＥ（特にＡ’、Ｂ’又はＣ）の単位から構成される）。好ましくは、半導体ポリマーは、基本的にＡの単位とＡ’、Ｂ’又はＣの単位から構成される（又はＡの単位とＡ’、Ｂ’又はＣの単位から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＡ’、Ｂ’又はＣ単位から構成される（又は交互するＡとＡ’、Ｂ’又はＣ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体ポリマーは、基本的にＡの単位とＡ’、Ｂ’又はＣの単位から構成される（又はＡの単位とＡ’、Ｂ’又はＣの単位から構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０１２０】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、基本的にＡとＡ’の単位から構成されてもよい（又はＡとＡ’の単位から構成される）。好ましくは、半導体ポリマーは、基本的にＡとＡ’の単位から構成される（又はＡとＡ’の単位から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＡ’単位から構成される（又は交互するＡとＡ’単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体ポリマーは、基本的にＡとＡ’の単位から構成される（又はＡとＡ’の単位から構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０１２１】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、基本的にＡとＢ’の単位から構成されてもよい（又はＡとＢ’の単位から構成される）。好ましくは、半導体ポリマーは、基本的にＡとＢ’の単位から構成される（又はＡとＢ’の単位から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＢ’単位から構成される（又は交互するＡとＢ’単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体ポリマーは、基本的にＡとＢ’の単位から構成される（又はＡとＢ’の単位から構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０１２２】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、コポリマーである場合、基本的にＡとＣの単位から構成されてもよい（又はＡとＣの単位から構成される）。好ましくは、半導体ポリマーは、基本的にＡとＣの単位から構成される（又はＡとＣの単位から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＣ単位から構成される（又は交互するＡとＣ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体ポリマーは、基本的にＡとＣの単位から構成される（又はＡとＣの単位から構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０１２３】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、少なくとも２０％、たとえば少なくとも３０％、特に少なくとも５０％のモノマーＡ及び／又はＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ又はＥ（特にＡ’、Ｂ’又はＣ）単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、５０％のモノマーＡ単位と５０％のモノマーＡ’、Ｂ’又はＣ単位を含むコポリマーであってもよく、該コポリマーは交互コポリマーであってもよい。
【０１２４】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、少なくとも２０％、たとえば少なくとも３０％、特に少なくとも５０％のモノマーＡとＡ’単位を含むコポリマーであってもよい。たとえば、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、５０％のモノマーＡ単位と５０％のモノマーＡ’単位を含むコポリマーであってもよく、該コポリマーは交互コポリマーであってもよい。
【０１２５】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、少なくとも２０％、たとえば少なくとも３０％、特に少なくとも５０％のモノマーＡとＢ’単位を含むコポリマーであってもよい。
【０１２６】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、少なくとも２０％、たとえば少なくとも３０％、特に少なくとも５０％のモノマーＡとＣ単位を含むコポリマーであってもよい。
【０１２７】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａの単位とＡ’の単位を含むコポリマーであってもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ’１及びＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１及び／又はＲ’２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
ｘ’は０、１、２又は３を示し、且つｙ’は０、１、２又は３を示し、
且つ、Ｒ’３及びＲ’４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０１２８】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａの単位とＡ’の単位を含むコポリマーであってもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ’１及びＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
ｘ’は０、１、２又は３を示し、且つｙ’は０、１、２又は３を示し、
且つ、Ｒ’３及びＲ’４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０１２９】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａの単位とＡ’の単位を含むコポリマーであってもよく、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０を示し、且つｙは０を示し、
Ｒ’１及びＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１及び／又はＲ’２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、且つ
ｘ’は０を示し、且つｙ’は０を示す。
【０１３０】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａの単位とＢ’の単位を含むコポリマーであってもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はそれぞれ独立して、未置換Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、
ｐ’は０又は１（たとえば１）を示し、
ｑ’は０又は１（たとえば１）を示し、
ｒ’は０又は１（たとえば１）を示し、
Ｒ’９、Ｒ’１０及びＲ’１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０１３１】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａの単位とＢ’の単位を含むコポリマーであってもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はそれぞれ独立して、未置換Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、
ｐ’は０又は１（たとえば１）を示し、
ｑ’は０又は１（たとえば１）を示し、
ｒ’は０又は１（たとえば１）を示し、
Ｒ’９、Ｒ’１０及びＲ’１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０１３２】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａの単位とＢ’の単位を含むコポリマーであってもよく、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０を示し、且つｙは０を示し、
Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はそれぞれ独立して、未置換Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、
ｐ’は０又は１（たとえば１）を示し、
ｑ’は０又は１（たとえば１）を示し、
ｒ’は０又は１（たとえば１）を示し、
Ｒ’９、Ｒ’１０及びＲ’１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０１３３】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａの単位とＣの単位を含むコポリマーであってもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１３及びＲ１４のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
ｓは０、１、２又は３を示し、
ｔは０、１、２又は３を示し、
Ｒ１５及びＲ１６（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０１３４】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、Ａの単位とＣの単位を含むコポリマーであってもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０を示し、且つｙは０を示し、
Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１３及びＲ１４のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、且つ
ｓは０を示し、且つｔは０を示す。
【０１３５】
特に、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、以下のものであってもよい。
【化９】
2019515090.tif 000011
（式中、ｎ’’とｎ’’はそれぞれ３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数であり、且つｎ’’とｎ’’’ は同じであってもよく、又は異なってもよい。）
【０１３６】
特に、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、以下のものであってもよい。
【化１０】
2019515090.tif 000012
（式中、ｎ’’とｎ’’’はそれぞれ３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数であり、且つｎ’’とｎ’’’ は同じであってもよく、又は異なってもよい。）
【０１３７】
特に、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、以下のものであってもよい。
【化１１】
2019515090.tif 000013
（式中、ｎ’’とｎ’’’はそれぞれ３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数であり、且つｎ’’とｎ’’’ は同じであってもよく、又は異なってもよい。）
【０１３８】
特に、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、以下のものであってもよい。
【化１２】
2019515090.tif 000014
（式中、ｍはより大きい３（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数である。）
【０１３９】
特に、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、以下のものであってもよい。
【化１３】
2019515090.tif 000015
（式中、ｎ’’とｎ’’’はそれぞれ３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数であり、且つｎ’’とｎ’’’ は同じであってもよく、又は異なってもよい。）
【０１４０】
好ましくは、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と必要に応じて９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン単位とを含み得る。より好ましくは、半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン単位とを含み得る。たとえば、半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー、たとえば３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマーであり得る。好ましくは、半導体ポリマーは、３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンの交互コポリマーであり得る。
【０１４１】
好ましくは、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン単位と必要に応じて９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン単位とを含み得る。より好ましくは、半導体ポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン単位と９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン単位とを含み得る。たとえば、半導体ポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー、たとえば３０：７０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマーであり得る。好ましくは、半導体ポリマーは、３０：７０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンの交互コポリマーであり得る。
【０１４２】
好ましくは、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と必要に応じて９,１０−ジオクチルフェナントレン単位とを含み得る。より好ましくは、半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と９,１０−ジオクチルフェナントレン単位とを含み得る。たとえば、半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのコポリマー、たとえば３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのコポリマーであり得る。好ましくは、半導体ポリマーは、３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのランダムコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンの交互コポリマーであり得る。
【０１４３】
好ましくは、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン単位と必要に応じて６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−［１,２−ｂ］フルオレン単位とを含み得る。より好ましくは、半導体ポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン単位と６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレン単位とを含み得る。たとえば、半導体ポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのコポリマー、たとえば５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのコポリマーであり得る。好ましくは、半導体ポリマーは、５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのランダムコポリマーであり得る。
【０１４４】
好ましくは、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と必要に応じて９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレン単位とを含み得る。より好ましくは、半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレン単位とを含み得る。たとえば、半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのコポリマー、たとえば５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのコポリマーであり得る。好ましくは、半導体ポリマーは、５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマーであり得る。
【０１４５】
好ましくは、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、９−ヘキシル−９−（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位を含み得る。たとえば、半導体ポリマーは９−ヘキシル−９−（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレンホモポリマーであり得る。
【０１４６】
半導体ポリマーは、当業者が公知する任意の適切な化学方法で製造でき、それにより、所望するポリマー、たとえば所望するホモポリマー又はコポリマーは形成され得る。一般的な方法について、たとえばＡｄａｎｃｅｓ ｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ, ２１２：Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅｓ （Ｓｐｒｉｎｇｅｒ）第２７５−２７８頁−ｇｅｎｅｒａｌ ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ, Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ１９９０, ２８, ２, ３６７−３８３,ＷＯ １９９９／０３２５３７とＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ２００９, ３０, ６５３−６８７に説明しており、且つ以下に検討する。
【０１４７】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーを形成する方法は、Ａの単位の由来及び／又はＢの単位の由来を重合させることを含む。たとえば、半導体ポリマーがホモポリマーである場合、該方法は、Ａの単位の由来又はＢの単位の由来を重合させることを含み得る。半導体ポリマーがコポリマーである場合、該方法は、Ａの単位の由来と別の単位の由来たとえばＢ、Ａ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位の由来とを共重合させることを含み得る。半導体ポリマーがコポリマーである場合、該方法は、Ｂの単位の由来と別の単位の由来たとえばＡ、Ａ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位の由来とを共重合させることを含み得る。半導体ポリマーがコポリマーである場合、該方法は、Ａの単位の由来と別の単位の由来たとえば異なるＡ単位の由来とを共重合させることを含み得る。半導体ポリマーがコポリマーである場合、該方法は、Ｂの単位の由来と別の単位の由来たとえば異なるＢ単位の由来とを共重合させることを含み得る。当然ながら、Ａ、Ｂ、Ａ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位は、Ａ、Ｂ、Ａ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位の独立単位及び／又はブロックであってもよい。
【０１４８】
任意の適切な方法で、半導体ポリマーを製造できる重合反応を停止できる。たとえば、重合反応は、モノマー反応物のうちの１種又は複数種が反応において使用し切れたとき、反応を終了させる方法により停止できる。あるいは、重合反応は、単官能性試薬を添加する方法で停止でき、それにより、鎖末端に官能基を含まないことで、さらなる反応が防止される。当業者が理解できるように、本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーは、任意の適切な端末基でエンドキャップすることができる。端末基の性質は、形成されるポリマーの方法と使用される試薬により決められる。
【０１４９】
ＡとＡ’の単位の由来は、式Ａ’’と式Ａ’’ の化合物（又はモノマー）を含む。
【化１４】
2019515090.tif 000016
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’３、Ｒ’４、ｘ、ｙ、ｘ’及びｙ’は本明細書において定義されたとおりであり、且つＸは適切な脱離基、たとえばハロゲン（たとえば臭素）、ボロン酸又はボレート基である。）
【０１５０】
ＢとＢ’の単位の由来は式Ｂ’’と式Ｂ’’’の化合物（又はモノマー）を含む。
【化１５】
2019515090.tif 000017
（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ’９、Ｒ’１０、Ｒ’１１、ｐ、ｑ、ｒ、ｐ’、ｑ’及びｒ’は本明細書において定義されたとおりであり、且つＸは適切な脱離基、たとえばハロゲン（たとえば臭素）、ボロン酸又はボレート基である。）
【０１５１】
単位Ｃ、Ｄ及びＥの由来は式Ｃ’、Ｄ’及びＥの化合物（又はモノマー）を含む。
【化１６】
2019515090.tif 000018
（式中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７は本明細書において定義されたとおりであり、且つＸは適切な脱離基、たとえばハロゲン（たとえば臭素）、ボロン酸又はボレート基である。）
【０１５２】
式Ａ’’、Ａ’’’、Ｂ’’、Ｂ’’’、Ｃ’、Ｄ’及び／又はＥ’の化合物は、たとえばＡｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ,２１２：Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅｓ（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ）、第２７５−２７８頁に記載の本分野で知られている方法で重合できる。
【０１５３】
たとえば、ニッケル触媒の存在下で重合反応（Ｙａｍａｍｏｔｏ型重合）を行うことができ、それはハロゲンでエンドキャップされたモノマー単位のクロスカップリングに関わる。このような重合では、適切な脱離基は、反応性ハロゲン基、たとえば塩素、臭素又はヨウ素である。該方法は、ホモポリマーとランダムコポリマーの両方の製造に適用できる。コポリマーが必要な場合、反応される式Ａ’’、Ａ’’’、Ｂ’’、Ｂ’’’、Ｃ’、Ｄ’及び／又はＥ’の化合物の化学量論を変えることで、所望するコポリマーを提供することができる。適切なニッケルで触媒したポリマーの合成実例は、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ １９９０, ２８, ２, ３６７−３８３及びＷＯ １９９９／０３２５３７において説明されている。
【０１５４】
重合反応は、Ｓｕｚｕｋｉ重合反応の方式で行え、該反応は、代表的には、脱離基がボロン酸又はボレートである化合物と脱離基がハロゲン基である化合物の間の、パラジウムで触媒されるクロスカップリング反応である。該重合反応に使用される２種の化合物は、同じコア構造（ｃｏｒｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有するが、ボロン酸（又はボレート）でエンドキャップされた化合物／モノマーとハロゲンでエンドキャップされた化合物／モノマーの混合物として存在する場合、ホモポリマーは形成される。２種の化合物／モノマーが異なると、５０：５０のコポリマーは形成される。Ｓｕｚｕｋｉ重合反応方式で製造されるコポリマーにおける繰り返し単位の比率が三元モノマー混合物を用いて制御可能であり、たとえば、２種の化合物／モノマーＢ’’と混合してハロゲン脱離基を有する単一化合物／モノマーＡ’’は使用され、第１Ｂ’’化合物／モノマーはハロゲン脱離基を含み、且つ第２Ｂ’’化合物／モノマーはボロン酸（又はボレート）脱離基を含む。このような組み合わせは、代表的には、＜５０％のＡ単位を含有するコポリマーを形成する。必要に応じて、２種のＡ型単位を使用して、＞５０％のＡ単位を有するポリマーを製造できる。Ｓｕｚｕｋｉ重合についてはＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ ２００９, ３０, ６５３−６８７において説明されている。当該技術分野において周知であるように、モノマー試薬以外、Ｓｕｚｕｋｉ重合反応にはさらに、アルカリたとえばリン酸三カリウム（Ｋ３ＰＯ４）、触媒（代表的には無機又は有機金属パラジウムを含む物質、及び必要に応じて触媒に用いられるリガンド）、１種又は複数種の適切な溶媒が含まれる。Ｓｕｚｕｋｉ重合に使用される適切な触媒の実例はトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）である。
【０１５５】
あるいは、Ｘが水素を示す式Ａ’’とＢ’’の化合物は、塩化第二鉄（ＩＩＩ）触媒を用いてＣ−Ｃカップリング反応方式で重合できる。
【０１５６】
式Ａ’’、Ａ’’’、Ｂ’’、Ｂ’’’、Ｃ’、Ｄ’及びＥ’の化合物は、市販品又は本分野における説明により合成されるものである。
【０１５７】
式Ａ’’とＡ’’の化合物は当技術分野で公知の方法を用いて製造することができる。たとえば、脱離基Ｘがハロゲン基である式Ａ’とＡ’’の化合物は、ハロゲン化フルオレン化合物たとえば２,７−ジブロモフルオレン又は２,７−ジクロロフルオレンのアルキル化により製造できる。２,７−ジブロモフルオレンと２,７−ジクロロフルオレンは市販品として入手できる。適切なアルキルハロゲン化物と適切なアルカリ、たとえばＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＮａＯｔＢｕ又はＫＯｔＢｕを用いてアルキル化を行うことができる。該反応用の適切な溶媒は、双極性非プロトン性溶媒、たとえばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又はＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）及びテトラヒドロフランを含む。適切なアルキル化反応についてはＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ２０１５, １７８, １９５−２００,Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ２０１５, ６, ２８, ５０７０−５０７６及びＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ, ２０１４, １３１, １９, ４０８７８／１−４０８７８／８,ＷＯ ９７／３３３２３とＵＳ ６１６９１６３において検討されている。
【０１５８】
たとえば、２,７−ジブロモ−９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシルフルオレン）は２,７−ジブロモフルオレンを用いて以下のように製造できる。
【化１７】
2019515090.tif 000019
（式中、アルカリはＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＮａＯｔＢｕ又はＫＯｔＢｕである。）
【０１５９】
あるいは、Ｘが水素を示す式Ａ’’とＢ’’の化合物は、当該分野で公知の方法を用いて製造できる。たとえば、基Ｘが水素である式Ａ’’の化合物は、フルオレン（市販品として入手できる）のアルキル化で製造できる。適切な溶媒、たとえばテトラヒドロフランにおいて、適切なアルキルハロゲン化物と適切なアルカリたとえばｎ−ブチルリチウムを用いて、アルキル化を行うことができる。
【０１６０】
脱離基Ｘがジボロン酸又はジボレート誘導体である式Ａ’’とＡ’’の化合物は、本分野で公知する方法（たとえばＳｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａホウ化反応）により、対応したジハロゲン化合物を用いて製造でき、たとえば、以下のとおりである。
【化１８】
2019515090.tif 000020
（式中、Ｌは−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ（ＣＨ３）２−又は−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−ＣＨ２−を示す。）
【０１６１】
当業者が公知するマイケル（Ｍｉｃｈａｅｌ）反応を用いて基−ＣＨ２ＣＨ２ＣＮをフルオレン環に導入しようとする場合、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ２００６, ４９, １５に記載の方法は使用可能である。
【０１６２】
式Ｂ’’とＢ’’の化合物は当該分野で公知の方法を用いて製造できる。たとえば、脱離基Ｘが臭素基である式Ｂ’’とＢ’’の化合物は、インデノ［１,２−ｂ］フルオレンのアルキル化を行った後、２−位と８−位での臭素化により製造することができる。適切な臭化アルキルとアルカリたとえばＫＯｔＢｕを用いてアルキル化反応（たとえばＷＯ  ２００７／０６８３２６参照）を行う。次に、たとえば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｔ Ａ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ２００９, ４７, １９, ５０４４−５０５６に記載のように、触媒ＦｅＣｌ３の存在下で臭素を用いて容易に臭素化反応を行うことができる。ターゲットポリマーの必要に応じて、標準方法により、生じたジブロモ化物をボロン酸又はエステル（上記説明参照）に変換してもよい。
【０１６３】
６位に置換されたアルキル置換基（すなわち少なくとも１つＣＮ基を含む）を有するとともに１２位にアリール置換基を有する式Ｂ’’とＢ’’ の化合物は、ＵＳ  ２０１２／００９７９３８に記載の方法で容易に製造できる。
【０１６４】
以上に検討した化合物Ａ’’、Ａ’’’、Ｂ’’及びＢ’’を製造するために使用されるシアノ置換アルキルハロゲン化物は市販品として入手してもよく、又は当該分野で公知の方法を用いて容易に合成してもよい。たとえば、ジブロモアルカン、たとえば１,６−ジブロモヘキサンは、シアン化ナトリウムとイソプロパノールにおいて反応して６−ブロモカプロニトリルを生成できる（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌａｂｅｌｌｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ａｎｄ Ｒａｄｉｏｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌｓ ２０１２, ５５, １, ３９−４３参照）。
【０１６５】
α,α’−ジアルキルシアノ基により置換されたアルキルハロゲン化物は複数種の方法で合成できる。一種の容易な方法として、イソブチロニトリルとクロロブロモアルカンを反応させて臭素基で置換し、次にハロゲン交換を行うことで、塩化物を反応性がより高い脱離基に転化し、後続のフルオレンアルキル化に用いる（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ２０１１, ７６, １３, ５１９８−５２０６参照）。
【０１６６】
式Ａ’’’とＢ’’’の化合物は、適切な反応物が使用されることを条件として、本明細書における式Ａ’’とＢ’’の化合物の製造において説明される方法で製造できる。
【０１６７】
ハロゲン脱離基を有する又はＸが水素を示す式Ｃ’の化合物は、ＷＯ ２０１５／０１５１８３及びＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２０１４, ７９, １９, ８９６０−８９６７に記載の方法で製造できる。たとえば、これら化合物はイリジウムで触媒される環化方法（ａｎｎｕｌａｔｉｏｎ  ｍｅｔｈｏｄ）で製造できる。
【０１６８】
本発明の第１態様による半導体組成物は、半導体非ポリマーの多環式化合物、たとえば有機半導体材料（ＯＳＣ）（小分子有機半導体とも呼ばれる）である半導体非ポリマーの有機多環式化合物を含む。
【０１６９】
好ましくは、本発明による半導体非ポリマーの多環式化合物は、１０−１ｃｍ２／Ｖｓ以上、より好ましくは、０．５ｃｍ２／Ｖｓ以上、又はより好ましくは、２ｃｍ２／Ｖｓ以上の電荷キャリア移動度を有する。好ましくは、本発明による半導体非ポリマーの多環式化合物は、１００ｃｍ２／Ｖｓより小さい電荷キャリア移動度を有する。半導体非ポリマーの多環式化合物の電荷移動度は、ドロップキャストフィルム（ｄｒｏｐ  ｃａｓｔ  ｆｉｌｍ）又は熱蒸着単結晶膜の電界効果トランジスタを測定することで決定できる。
【０１７０】
任意の適切な半導体非ポリマーの多環式化合物は使用可能である。
【０１７１】
適切な半導体非ポリマーの多環式化合物の実例としてポリアセンが含まれる。適切なポリアセンはＷＯ  ２０１２／１６４２８２において開示されている。たとえば、適切なポリアセンは式（Ｉ）を有してもよい。
【化１９】
2019515090.tif 000021
（式中、Ｒ５４、Ｒ５６、Ｒ３２及びＲ３４はそれぞれ水素であり、Ｒ５５及びＲ３３はそれぞれ−Ｃ≡Ｃ−ＳｉＲ３５Ｒ３６Ｒ３７であり、Ｒ３５、Ｒ３６及びＲ３７はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基及びＣ３−Ｃ６シクロアルキル基から選ばれ、Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５７、Ｒ２９、Ｒ３０及びＲ３１はそれぞれ独立して、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基及びＣ６−Ｃ１２アリールオキシ基から選ばれ、又は、独立して、Ｒ５１とＲ５２及び／又はＲ２９とＲ３０のうちの各対は交差架橋してＣ４−Ｃ１０飽和環又は不飽和環を構成でき、該飽和環又は不飽和環は酸素原子、硫黄原子又は式−Ｎ（Ｒ４９）−（ここでＲ４９は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基又はＣ１−Ｃ１０ペルフルオロアルキル基である）に示される基により挿入され（ｉｎｔｅｒｖｅｎｅ）、且つ
ｋとＩは独立して０又は１であり、好ましくは、ｋとＩの両方ともに１であり、又はｋとＩの両方ともに０である。）
【０１７２】
好ましくは、式（Ｉ）の化合物において、ｋとＩの両方ともに１であり、Ｒ５５及びＲ３３は−Ｃ≡Ｃ−ＳｉＲ３５Ｒ３６Ｒ３７であり、ここでＲ３５、Ｒ３６及びＲ３７はそれぞれ独立して、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基及びＣ３−Ｃ６シクロアルキル基から選ばれ、且つＲ５０、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５７、Ｒ２９、Ｒ３０及びＲ３１はそれぞれ独立して、水素、メチル基、エチル基及びメトキシ基から選ばれる。
【０１７３】
好ましくは、式（Ｉ）の化合物において、ｋとＩの両方ともに０であり、Ｒ５５及びＲ３３は−Ｃ≡Ｃ−ＳｉＲ３５Ｒ３６Ｒ３７であり、ここでＲ３５、Ｒ３６及びＲ３７はそれぞれ独立して、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基及びＣ３−Ｃ６シクロアルキル基から選ばれ、Ｒ５０、Ｒ５３、Ｒ５７及びＲ３１は水素であり、且つ、Ｒ５１とＲ５２、及びＲ２９とＲ３０はともに１個又は２個の窒素原子、１個又は２個の硫黄原子又は１個又は２個の酸素原子を含有する５員複素環を構成し、ここで複素環は置換されてもよく、たとえばＣ１−Ｃ６アルキル基とハロゲンにより置換されてもよい。
【０１７４】
本発明による、特に好適なポリアセン化合物は式（ＩＩ）と式（ＩＩＩ）に示されるようなものである。
【化２０】
2019515090.tif 000022
（式中、Ｒ５０、Ｒ５３、Ｒ５７及びＲ３１はそれぞれ独立して、水素、Ｃ１−Ｃ６アルキル基及びＣ１−Ｃ６アルコキシ基（好ましくは、Ｒ５０、Ｒ５３、Ｒ５７及びＲ３１はそれぞれ独立して、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びブトキシ基から選ばれ、より好ましくは、水素、メチル基、プロピル基及びメトキシ基から選ばれる）から選ばれ、
Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ２９及びＲ３０はそれぞれ独立して、水素、Ｃ１−Ｃ６アルキル基及びＣ１−Ｃ６アルコキシ基から選ばれ、又はＲ５１とＲ５２及び／又はＲ２９とＲ３０のうちの各対は交差架橋されてＣ４−Ｃ１０飽和環又は不飽和環を形成し、該飽和環又は不飽和環は酸素原子、硫黄原子又は式−Ｎ（Ｒ３８）−（ここでＲ３８は水素又はＣ１−Ｃ１０アルキル基である）に示される基によって挿入されることができ、ここでポリアセンの骨格の炭素原子のうちの１つ又は複数はＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅから選ばれるヘテロ原子によって置換されてもよく（好ましくは、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ２９及びＲ３０はそれぞれ独立して、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びブトキシ基から選ばれ、より好ましくは、水素、メチル基、エチル基、プロピル基及びメトキシ基から選ばれる）から選ばれ、且つ、Ｒ３９、Ｒ４０及びＲ４１はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ２−Ｃ６アルケニル基（好ましくは、Ｒ３９、Ｒ４０及びＲ４１はそれぞれ独立して、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、１−プロペニル基及び２−プロペニル基から選ばれ、より好ましくは、エチル基、ｎ−プロピル基及びイソプロピル基から選ばれる）から選ばれ、
【化２１】
2019515090.tif 000023
（式中、Ｒ３９、Ｒ４０及びＲ４１はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ２−Ｃ６アルケニル基（好ましくは、Ｒ３９、Ｒ４０及びＲ４１はそれぞれ独立して、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、１−プロペニル基及び２−プロペニル基から選ばれ、より好ましくは、エチル基、ｎ−プロピル基及びイソプロピル基から選ばれる）から選ばれ、
Ｒ４２及びＲ４３はそれぞれ独立して、水素、ハロゲン、シアノ基、必要に応じてフッ化又はペルフルオロ化したＣ１−Ｃ２０アルキル基、フッ化又はペルフルオロ化したＣ１−Ｃ２０アルコキシ基、フッ化又はペルフルオロ化したＣ６−Ｃ３０アリール基及びＣＯ２Ｒ４４から選ばれ、ここでＲ４４は水素、フッ化又はペルフルオロ化したＣ１−Ｃ２０アルキル基又はフッ化又はペルフルオロ化したＣ６−Ｃ３０アリール基（好ましくは、Ｒ４２及びＲ４３はそれぞれ独立して、フッ化又はペルフルオロ化したＣ１−Ｃ８アルキル基、フッ化又はペルフルオロ化したＣ１−Ｃ８アルコキシ基及びＣ６Ｆ５から選ばれる）であり、且つ
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３及びＹ４はそれぞれ独立して、−ＣＨ＝、＝ＣＨ−、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＮＲ４５（ここでＲ４５は水素又はＣ１−Ｃ１０アルキル基である）から選ばれる。）
【０１７５】
また、別の好ましい実施形態において、本発明におけるポリアセン化合物は、式（ＩＶ）と式（Ｖ）に示されるようなものである。
【化２２】
2019515090.tif 000024
（式中、Ｒ３９、Ｒ４０及びＲ４１はそれぞれ独立して、メチル基、エチル基及びイソプロピル基から選ばれ、
Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５７、Ｒ２９、Ｒ３０及びＲ３１はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基及びＣ６−Ｃ２０アリールオキシ基から選ばれる。好ましくは、Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５７、Ｒ２９、Ｒ３０及びＲ３１はそれぞれ独立して、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びブトキシ基から選ばれる。）
【０１７６】
ポリアセン化合物は、当業者の通常の一般的知識の範囲内の任意の既知の方法によって合成される。好ましい実施形態において、ＵＳ ２００３／０１１６７５５Ａ,ＵＳ ３,５５７,２３３,ＵＳ ６,６９０,０２９,ＷＯ ２００７／０７８９９３,ＷＯ ２００８／１２８６１８及びＯｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒｓ, ２００４, 第６巻く, 第１０期, 第１６０９−１６１２ページに開示されている方法はポリアセン化合物の合成に用いられ得る。
【０１７７】
好ましくは、ポリアセン化合物は、１０−１ｃｍ２／Ｖｓ以上、より好ましくは、０．５ｃｍ２／Ｖｓ以上、又はより好ましくは、２ｃｍ２／Ｖｓ以上の電荷キャリア移動度を有する。好ましくは、ポリアセン化合物は、１００ｃｍ２／Ｖｓより小さい電荷キャリア移動度を有する。ポリアセンの電荷移動度は、ドロップキャストフィルム又は熱蒸着単結晶膜の電界効果トランジスタを測定することで決定できる。
【０１７８】
たとえば、適切なポリアセンは、１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）である。
【０１７９】
本発明の別の態様は、本明細書において定義されたＡ及び／又はＢの単位を含む半導体ポリマーとポリアセンとを含む半導体組成物を提供する。本発明の別の態様は、本明細書において定義されたＡ及び／又はＢの単位を含む半導体ポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供する。
【０１８０】
本発明の別の態様は、本明細書において定義されたＡの単位を含む半導体ポリマーとポリアセンとを含む半導体組成物を提供する。本発明の別の態様は、本明細書において定義されたＡの単位を含む半導体ポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供する。
【０１８１】
本発明の別の態様は、本明細書において定義されたＢの単位を含む半導体ポリマーとポリアセンとを含む半導体組成物を提供する。本発明の別の態様は、本明細書において定義されたＢの単位を含む半導体ポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供する。
【０１８２】
本発明の別の態様は、本明細書において定義されたＡの単位とＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ又はＥ（特にＡ’、Ｂ’又はＣ）の単位を含む半導体ポリマーとポリアセンとを含む半導体組成物を提供する。本発明の別の態様は、本明細書において定義されたＡの単位及びＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ又はＥ（特にＡ’、Ｂ’又はＣ）の単位を含む半導体ポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供する。
【０１８３】
本発明の別の態様は、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と必要に応じて９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン単位を含む半導体ポリマーとポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供する。
【０１８４】
本発明の別の態様は、半導体ポリマーとポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供し、前記半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー（たとえば３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー）である。
【０１８５】
本発明の別の態様は、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン単位と必要に応じて９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン単位を含む半導体ポリマーと、ポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供する。
【０１８６】
本発明の別の態様は、半導体ポリマーとポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供し、前記半導体ポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー（たとえば３０：７０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー）である。
【０１８７】
本発明の別の態様は、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と必要に応じて９,１０−ジオクチルフェナントレン単位を含む半導体ポリマーと、ポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供する。
【０１８８】
本発明の別の態様は、半導体ポリマーとポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供し、前記半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのコポリマー（たとえば３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのコポリマー）である。
【０１８９】
本発明の別の態様は、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン単位と必要に応じて６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレン単位を含む半導体ポリマーと、ポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供する。
【０１９０】
本発明の別の態様は、半導体ポリマーとポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供し、前記半導体ポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのコポリマー（たとえば３０：７０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのコポリマー）である。
【０１９１】
本発明の別の態様は、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と必要に応じて９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレン単位を含む半導体ポリマーと、ポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供する。
【０１９２】
本発明の別の態様は、半導体ポリマーとポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供し、前記半導体ポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのコポリマー（たとえば３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのコポリマー）である。
【０１９３】
本発明の別の態様は、９−ヘキシル−９−（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位を含む半導体ポリマーと、ポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供する。
【０１９４】
本発明の別の態様は、半導体ポリマーとポリアセンたとえば１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセンとを含む半導体組成物を提供し、前記半導体ポリマーは９−ヘキシル−９−（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレンホモポリマーである。
【０１９５】
適切なポリアセンの別の実例は、式（ＶＩ）のビステトラセン（ｂｉｓｔｅｔｒａｃｅｎｅ）化合物である。
【化２３】
2019515090.tif 000025
（式中、Ｌ．Ｚｈａｎｇらが,Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．, ２０１４, １３６, ９２４８−９２５１に説明したとおり、Ｒ４６はそれぞれ−Ｓｉ（ＣＨ（ＣＨ３）２）３又は−Ｓｉ（ＣＨ（ＣＨ３）２）２（（ＣＨ２）７ＣＨ３）を示す。）。別の適切なビステトラセンは、ＷＯ  ２０１５／１６８６３８において説明されている。）
【０１９６】
適切な半導体非ポリマーの多環式化合物の別の実例は式（ＶＩＩ）の化合物である。
【化２４】
2019515090.tif 000026
（式中、Ｒ４７及びＲ４８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基とＣ６−Ｃ１２アリール基を示し、且つｋ’とＩ’はそれぞれ１又は２を示す。）
【０１９７】
式（ＶＩＩ）の好ましい化合物は、２,７−ジオクチル［１］ベンゾチエノ［３,２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（Ｃ８−ＢＴＢＴ）と２,９−ジデシルジナフト［２,３−ｂ：２’,３’−ｆ］チエノ［３,２−ｂ］チオフェン（Ｃ１０−ＤＮＴ）を含む。
【０１９８】
本発明の第１態様による半導体組成物はさらに適切な溶媒を含んでもよい。
【０１９９】
任意の適切な溶媒が使用可能である。適切な溶媒の実例は、有機溶剤、たとえばアルコール、ケトン、芳香族炭化水素、部分飽和芳香族炭化水素及びフッ化溶媒を含むが、それらに制限されない。好ましくは、溶媒は、好ましくは少なくとも１つの６員芳香族環を含有するＣ６−Ｃ１８芳香族炭化水素と、１個又は２個のハロゲン原子により置換され且つ好ましくは少なくとも１つの６員芳香族環を含有するＣ６−Ｃ１８芳香族炭化水素とからなる群から選ばれる。好ましくは、ハロゲン原子は独立して塩素又は臭素から選ばれる。好ましくは、溶媒は、好ましくは少なくとも１つの６員芳香族環を含有するＣ６−Ｃ１８部分飽和芳香族炭化水素からなる群から選ばれる。
【０２００】
好ましくは、本発明に使用されている芳香族炭化水素溶媒は、好ましくは少なくとも１つの６員芳香族環を含有するＣ６−Ｃ１８芳香族炭化水素、好ましくは少なくとも１つの６員芳香族環を含有するＣ６−Ｃ１８部分飽和芳香族炭化水素、及び１個のハロゲン原子により置換され且つ好ましくは少なくとも１つの６員芳香族環を含有するＣ６−Ｃ１８芳香族炭化水素から選ばれる。好ましくは、ハロゲン原子は独立して塩素又は臭素から選ばれ、最も好ましくは、臭素である。
【０２０１】
好ましくは、本発明に使用されている芳香族炭化水素溶媒は、好ましくは、少なくとも１つの６員芳香族環を含有するＣ６−Ｃ１８芳香族炭化水素である。
【０２０２】
好ましくは、本発明に使用されている芳香族炭化水素溶媒は、テトラヒドロナフタレン、メシチレン、ブロモベンゼン、ブロモメシチレン及びアニソールからなる群から選ばれる。
【０２０３】
好ましくは、芳香族炭化水素は、１５０℃以上の沸点を有し、且つより好ましくは、２００℃−２５０℃の沸点を有する。
【０２０４】
本発明の第１態様による半導体組成物は、１種又は複数種の別の溶媒を含んでもよく、前記別の溶媒は、たとえば脂肪族炭化水素、ポリオール、脂肪族ケトン、エステル、アミン、メルカプタン及びその混合物から選ばれる。
【０２０５】
適切なアルコールは、Ｃ１−Ｃ６アルコールから選ばれ、好ましくは、Ｃ２−Ｃ４アルコール、より好ましくは、Ｃ３−Ｃ４第二級アルコールである。適切なアルコールは２−プロパノールである。
【０２０６】
適切な脂肪族ケトンはＣ３−Ｃ８直鎖ケトンから選ばれることができる。
【０２０７】
適切で好適な別の溶媒は、たとえばノルマルヘキサン、ノルマルオクタン、イソプロパノール又はメチルエチルケトン（ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）を含む。
【０２０８】
好ましくは、存在する場合、別の溶媒は、脂肪族炭化水素、たとえばＣ４−Ｃ１０脂肪族炭化水素、好ましくは、直鎖Ｃ６−Ｃ９脂肪族炭化水素である。
【０２０９】
好ましくは、別の溶媒は、１５０℃以下、好ましくは、１００℃以下の沸点を有する。好ましくは、別の溶媒は、脂肪族炭化水素である場合、１２５℃以下、好ましくは、９０℃以下の沸点を有する。
【０２１０】
本発明の第１態様による半導体組成物（堆積前）は、組成物の全重量に対して２０重量％、たとえば１０重量％、好ましくは、５重量％より小さい、本明細書において定義されたＡ及び／又はＢの単位を含む半導体ポリマーを含んでもよい。たとえば、本発明の第１態様による半導体組成物（堆積前）は、組成物の全重量に対して少なくとも０．１重量％の、本明細書において定義されたＡ及び／又はＢの単位を含む半導体ポリマーを含んでもよい。
【０２１１】
本発明の第１態様による半導体組成物（堆積前）は、組成物の全重量に対して１０重量％、たとえば５重量％、好ましくは、２重量％より小さい半導体非ポリマーの多環式化合物を含んでもよい。たとえば、本発明の第１態様による半導体組成物（堆積前）は、組成物の全重量に対して少なくとも０．１重量％の半導体非ポリマーの多環式化合物を含んでもよい。
【０２１２】
本発明の第１態様による半導体組成物（堆積前）は、組成物の全重量に対して５０ｗｔ％より大きい、たとえば８０ｗｔ％と９９ｗｔ％の間、好ましくは、６０ｗｔ％と９５ｗｔ％の間の量で適切な溶媒を含んでもよい。
【０２１３】
本発明の第１態様による半導体組成物はさらに、別の追加成分、たとえば適切な界面活性剤、潤滑剤、導電剤、分散剤、疎水溶液、接着剤（ａｄｈｅｓｉｖｅ  ａｇｅｎｔ）、流動改良剤、消泡剤、脱気剤（ｄｅａｅｒａｔｏｒ）、希釈剤、助剤、染料、顔料、増感剤、安定剤、ナノ粒子及び／又は抑制剤を含んでもよい。
【０２１４】
本発明の第１態様による半導体組成物は、当業者が公知する任意の適切な方法で製造できる。たとえば、組成物は、半導体ポリマーと半導体非ポリマーの多環式化合物及び／又は別の追加成分とを選択される適切な溶媒又は溶媒混合物に溶解又は分散して製造することができる。
【０２１５】
本発明の第１態様による半導体組成物は、半導体層の形成に用いられ得る。従って、本発明の第３態様によれば、本発明の第１態様による半導体組成物を含む半導体層を提供する。
【０２１６】
本発明の第３態様による半導体層は、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）の一部として使用できる。最終的な応用によって、ＯＴＦＴデバイスのほかの層は異なる順番で堆積して、複数種のデバイスの構造を形成できる。これら実例は、トップゲートとボトムゲートデバイス、たとえばトップゲート−ボトム接点（ｔｏｐ  ｇａｔｅ−ｂｏｔｔｏｍ  ｃｏｎｔａｃｔ）、トップゲート−トップ接点、ボトムゲート−ボトム接点及びボトムゲート−トップ接点デバイスを含む。本発明の第３態様による半導体層は、これら構造のうちのいずれかとともに使用できる。
【０２１７】
代表的には、本発明の第１態様による半導体組成物が表面に付与されて半導体層を形成する。半導体組成物は任意の適切な溶液コーティング方法、たとえばスピンコート、インクジェット印刷又はスクリーン印刷（ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方法で付与できる。半導体組成物を付与する方法はそれらの調製に影響を与える。たとえば、インクジェット印刷の場合、低粘度、低固体担持量（ｌｏａｄｉｎｇ）の組成物の使用が期待され、スクリーン印刷の場合、高粘度、高固体担持量の組成物の使用が期待される。半導体組成物を表面に付与した後、溶媒を蒸発除去して半導体層を提供する。代表的には、コーティングプロセスの方式及び／又はホットプレートによる焼き付け、真空乾燥又は（任意の熱い）空気又は不活性ガスの流れによる乾燥で、溶媒を蒸発除去する。
【０２１８】
半導体層は、たとえば１ｎｍ−５００ｎｍ、たとえば５ｎｍ−１００ｎｍ、好ましくは、１０ｎｍ−５０ｎｍの厚みを有してもよい。
【０２１９】
本発明の第１態様による半導体組成物は、任意の適切な表面に付与されて、半導体層を形成する。適切な表面を形成可能な材料は、ポリマー膜、たとえばポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリケトン、ポリエチレンテレフタレートとポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、及び無機基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、たとえばシリカ、アルミナ、シリコンウェハー（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｗａｆｅｒ）及びガラスを含むが、それらに制限されない。表面については、たとえば表面固有の化学官能基と試薬たとえばシランとを反応させるか、又は表面をプラズマにさらさすことで処理して、表面特性を変化させることができる。あるいは、表面を適切な平面化材料でコーティングしてもよい。
【０２２０】
半導体層は、たとえばデバイスにおけるディスプレイを提供できる。
【０２２１】
本発明の第１態様による半導体組成物は半導体デバイスの形成に用いられ得る。従って、本発明の一態様によれば、本発明の第１態様による半導体組成物を含む半導体デバイスを提供する。
【０２２２】
本発明の別の態様によれば、本発明の第１態様による半導体組成物又は本発明の第３態様による半導体層を含む電子デバイスを提供する。
【０２２３】
電子デバイスは、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴＳ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤＳ）、光検出器、有機太陽（ＯＰＶ）電池、センサ、レーザー、貯蔵素子及び論理回路を含むが、それらに制限されない。
【０２２４】
本発明の例示的な電子デバイスは、上記半導体組成物溶液を基板に堆積して製造できる。
【０２２５】
当然ながら、本明細書に記載の「Ａ及び／又はＢの単位を含む半導体ポリマー」は、明細書を通じて検討した半導体ポリマーであり、且つＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位をさらに含んでもよく、さらに、具体的には、ホモポリマー又はコポリマーと呼ばれる場合を除き、本明細書において検討されたホモポリマー又はコポリマーであってもよい。
【０２２６】
半導体コポリマー
【０２２７】
本発明の第２態様は、Ａ及び／又はＢの単位を含む半導体コポリマーを提供する。
【化２５】
2019515090.tif 000027
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及び／又はＲ８のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
単位Ａ（存在する場合）において、Ｒ１及びＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、且つ、単位Ｂ（存在する場合）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、
ｙは０、１、２又は３を示し、
ｐは０、１、２又は３を示し、
ｑは０、１又は２を示し、
ｒは０、１、２又は３を示す。
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。）
【０２２８】
本発明の第２態様による半導体コポリマーはさらに、Ａ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位を含んでもい。
【化２６】
2019515090.tif 000028
（式中、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル基及びアリール基から選ばれ、
Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０基のいずれかがＣ１−Ｃ１２アルキル基又はＣ２−Ｃ１２アルケニル基である場合、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０基はそれぞれ、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１、Ｒ’２、Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７、Ｒ’８、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及び／又はＲ２０のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
ｘ’は０、１、２又は３を示し、
ｙ’は０、１、２又は３を示し、
ｐ’は０、１、２又は３を示し、
ｑ’は０、１又は２を示し、
ｒ’は０、１、２又は３を示し、
ｓは０、１、２又は３を示し、
ｔは０、１、２又は３を示し、
ｕは０、１、２又は３を示し、
ｖは０、１又は２を示し、
ｗは０、１、２又は３を示し、
ｇは０、１、２又は３を示し、
ｈは０、１、２又は３を示し、
ｉは０、１、２、３又は４を示し、
ｊは０、１、２、３又は４を示し、
Ｒ’３、Ｒ’４、Ｒ’９、Ｒ’１０、Ｒ’１１、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。）
【０２２９】
本発明の第２態様による半導体コポリマーの特徴（好適な特徴を含む）は、本明細書においてコポリマー（本発明の第１態様による半導体組成物について検討した）について説明した通りである。本発明の第１態様について説明された半導体コポリマーに関連するすべての適切で好適な基も、本発明の第２態様において定義されたコポリマーに関わる。
【０２３０】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、１０００Ｈｚで３．４より大きい比誘電率を有する。たとえば、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、１０００Ｈｚで３．４〜８の比誘電率、たとえば１０００Ｈｚで３．４〜６の比誘電率、特に１０００Ｈｚで３．４〜４．５の比誘電率をする。従って、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、１０００Ｈｚで４より大きい比誘電率、たとえば１０００Ｈｚで４〜８の比誘電率、特に１０００Ｈｚで４〜７．５の比誘電率をする。
【０２３１】
半導体コポリマーの所望する比誘電率は適切な数のモノマーＡ及び／又はＢ単位をポリマーに含めることで取得できると考えられる。Ａ及び／又はＢ単位の最適な数は、提供する特定の置換基により決まる。
【０２３２】
好ましくは、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、１０−７ｃｍ２／Ｖｓより大きく、たとえば１０−６ｃｍ２／Ｖｓより大きく、特に１０−５ｃｍ２／Ｖｓより大きい電荷移動度を有する。好ましくは、半導体コポリマー、半導体組成物又は半導体層は、結晶小分子有機半導体材料（ＯＳＣ）のイオン化エネルギーに近いイオン化エネルギーを有し、最も好ましくは、小分子ＯＳＣのイオン化エネルギーの＋／−０．６ｅＶの範囲内、又はより好ましくは、小分子ＯＳＣのイオン化エネルギーの＋／−０．４ｅＶの範囲内にある。上記半導体コポリマー用の特定の「電荷移動度」は、純粋な状態で測定した電荷移動度に関し、すなわち、任意のほかの導電性材料、半導体材料又は絶縁材料の混合物の固有電荷移動度ではなく、純粋なポリマーの固有電荷移動度を測定するものである。
【０２３３】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、任意の適切な数の単位Ａ及び／又は任意の適切な数の単位Ｂ、及び任意の適切な数のほかの構造タイプの単位（条件として、少なくとも単位Ａ及び／又はＢは存在する）を含み得る。
【０２３４】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、本明細書において検討した交互コポリマー、ランダムコポリマー又は周期的コポリマーであってもよい。
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位とＢの単位を含んでもよい。
【０２３５】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、異なるＡ単位を含んでもよい。たとえば、本明細書において定義された任意の単位Ａは、本明細書において定義されるた異なる単位Ａと組み合わせてコポリマーを提供できる。
【０２３６】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、異なるＢ単位を含んでもよい。たとえば、本明細書において定義された任意の単位Ｂは、本明細書において定義される異なる単位Ｂと組み合わせてコポリマーを提供できる。
【０２３７】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位を含み、且つさらにＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位（特にＡ’、Ｂ’及び／又はＣの単位）を含んでもよい。本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ｂの単位を含み、且つさらにＡ’、Ｂ’、Ｃ、Ｄ及び／又はＥの単位（特にＡ’、Ｂ’及び／又はＣの単位）を含んでもよい。
【０２３８】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、少なくとも２０％、好ましくは、少なくとも３０％のモノマーＡ及び／又はＢ単位、たとえば少なくとも５０％のモノマーＡ及び／又はＢ単位を含んでもよい。
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、少なくとも２０％、好ましくは、少なくとも３０％のモノマーＡ単位、たとえば少なくとも５０％のモノマーＡ単位を含んでもよい。本発明の第２態様による半導体コポリマーは、少なくとも２０％、好ましくは、少なくとも３０％のモノマーＢ単位、たとえば少なくとも５０％のモノマーＢ単位を含んでもよい。
【０２３９】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位を含み、且つさらにＡ’の単位を含んでもよい。本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位を含み、且つさらにＢ’の単位を含んでもよい。本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位を含み、且つさらにＣの単位を含んでもよい。本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位を含み、且つさらにＤの単位を含んでもよい。本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位を含み、且つさらにＥの単位を含んでもよい。
【０２４０】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ｂの単位を含み、且つさらにＡ’の単位を含んでもよい。本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ｂの単位を含み、且つさらにＢ’の単位を含んでもよい。本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ｂの単位を含み、且つさらにＣの単位を含んでもよい。本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ｂの単位を含み、且つさらにＤの単位を含んでもよい。本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ｂの単位を含み、且つさらにＥの単位を含んでもよい。
【０２４１】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＡとＢの単位から構成されてもよい（又はＡとＢの単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＢから構成される（又は単位ＡとＢから構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＢ単位から構成される（又は交互するＡとＢ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＢから構成される（又は単位ＡとＢから構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２４２】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＡとＡ’の単位から構成されてもよい（又はＡとＡ’の単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＡ’から構成される（又は単位ＡとＡ’から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＡ’単位から構成される（又は交互するＡとＡ’単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＡ’から構成される（又は単位ＡとＡ’から構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２４３】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＡとＢ’の単位から構成されてもよい（又はＡとＢ’の単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＢ’から構成される（又は単位ＡとＢ’から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＢ’単位から構成される（又は交互するＡとＢ’単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＢ’から構成される（又は単位ＡとＢ’から構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２４４】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＡとＣの単位から構成されてもよい（又はＡとＣの単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＣから構成される（又は単位ＡとＣから構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＣ単位から構成される（又は交互するＡとＣ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＣから構成される（又は単位ＡとＣから構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２４５】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＡとＤの単位から構成されてもよい（又はＡとＤの単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＤから構成される（又は単位ＡとＤから構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＤ単位から構成される（又は交互するＡとＤ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＤから構成される（又は単位ＡとＤから構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２４６】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＡとＥの単位から構成されてもよい（又はＡとＥの単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＥから構成される（又は単位ＡとＥから構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＡとＥ単位から構成される（又は交互するＡとＥ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＡとＥから構成される（又は単位ＡとＥから構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２４７】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＢとＡ’の単位から構成されてもよい（又はＢとＡ’の単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＢとＡ’から構成される（又は単位ＢとＡ’から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＢとＡ’単位から構成される（又は交互するＢとＡ’単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＢとＡ’から構成される（又は単位ＢとＡ’から構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２４８】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＢとＢ’の単位から構成されてもよい（又はＢとＢ’の単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＢとＢ’から構成される（又は単位ＢとＢ’から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＢとＢ’単位から構成される（又は交互するＢとＢ’単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＢとＢ’から構成される（又は単位ＢとＢ’から構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２４９】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＢとＣの単位から構成されてもよい（又はＢとＣの単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＢとＣから構成される（又は単位ＢとＣから構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＢとＣ単位から構成される（又は交互するＢとＣ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＢとＣから構成される（又は単位ＢとＣから構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２５０】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＢとＤの単位から構成されてもよい（又はＢとＤの単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＢとＤから構成される（又は単位ＢとＤから構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＢとＤ単位から構成される（又は交互するＢとＤ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＢとＤから構成される（又は単位ＢとＤから構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２５１】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的にＢとＥの単位から構成されてもよい（又はＢとＥの単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＢとＥから構成される（又は単位ＢとＥから構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に交互するＢとＥ単位から構成される（又は交互するＢとＥ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に単位ＢとＥから構成される（又は単位ＢとＥから構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２５２】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的に本明細書において検討した異なるＡ単位から構成されてもよい（又は本明細書において検討した異なるＡ単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に異なるＡ単位から構成される（又は異なるＡ単位から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に異なる交互Ａ単位から構成される（又は異なる交互Ａ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に異なるＡ単位から構成される（又は異なるＡ単位から構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２５３】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、基本的に本明細書において検討した異なるＢ単位から構成されてもよい（又は本明細書において検討した異なるＢ単位から構成される）。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に異なるＢ単位から構成される（又は異なるＢ単位から構成される）交互コポリマーであってもよい。言い換えれば、半導体ポリマーは、基本的に異なる交互Ｂ単位から構成される（又は異なる交互Ｂ単位から構成される）コポリマーであってもよい。好ましくは、半導体コポリマーは、基本的に異なるＢ単位から構成される（又は異なるＢ単位から構成される）ランダムコポリマーであってもよい。
【０２５４】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、５００ダルトン−１０,０００,０００ダルトンの範囲内、特に１５００ダルトン−１,０００,０００ダルトンの範囲内、より特に３０００ダルトン−２００、０００ダルトンの範囲内にある数平均分子量（Ｍｎ）を有し得る。数平均分子量は、任意の適切な方法、たとえばゲル透過クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定できる。
【０２５５】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位とＡ’の単位を含んでもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換置によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ’１及びＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１及び／又はＲ’２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
ｘ’は０、１、２又は３を示し、且つｙ’は０、１、２又は３を示し、
且つ、Ｒ’３及びＲ’４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０２５６】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位とＡ’の単位を含んでもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３（たとえば０）を示し、且つｙは０、１、２又は３（たとえば０）を示し、
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ’１及びＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
ｘ’は０、１、２又は３（たとえば０）を示し、且つｙ’は０、１、２又は３（たとえば０）を示し、
且つ、Ｒ’３及びＲ’４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０２５７】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位とＡ’の単位を含んでもよく、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０を示し、且つｙは０を示し、
Ｒ’１及びＲ’２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ’１及び／又はＲ’２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
ｘ’は０を示し、且つｙ’は０を示す。
【０２５８】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位とＢ’の単位を含んでもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、そのうちＣ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はそれぞれ独立して、未置換Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、
ｐ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｑ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｒ’は０又は１（たとえば０）を示し、
Ｒ’９、Ｒ’１０及びＲ’１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０２５９】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位とＢ’の単位を含んでもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３（たとえば０）を示し、且つｙは０、１、２又は３（たとえば０）を示し、
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はそれぞれ独立して、未置換Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、
ｐ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｑ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｒ’は０又は１（たとえば０）を示し、
Ｒ’９、Ｒ’１０及びＲ’１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０２６０】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位とＢ’の単位を含んでもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０を示し、且つｙは０を示し、
Ｒ’５、Ｒ’６、Ｒ’７及びＲ’８はそれぞれ独立して、未置換Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、
ｐ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｑ’は０又は１（たとえば０）を示し、
ｒ’は０又は１（たとえば０）を示し、
Ｒ’９、Ｒ’１０及びＲ’１１（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０２６１】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位とＣの単位を含んでもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０、１、２又は３を示し、且つｙは０、１、２又は３を示し、
Ｒ３及びＲ４（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１３及び／又はＲ１４のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
ｓは０、１、２又は３を示し、
ｔは０、１、２又は３を示し、
Ｒ１５及びＲ１６（存在する場合）はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基とＣ１−Ｃ４アルコキシ基から選ばれる。
【０２６２】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、Ａの単位とＣの単位を含んでもよく、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ−ＯＲ１２から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚは１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ１２はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１及び／又はＲ２のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、
Ｒ１及び／又はＲ２基のうちの少なくとも１つは１つ又は複数のシアノ基によって置換され、
ｘは０を示し、且つｙは０を示し、
Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基から選ばれ、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基は、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、複素環基、アリール基及び式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｚ’−ＯＲ２８の基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、ｚ’は１、２、３、４、５又は６であり、且つＲ２８はＣ１−Ｃ４アルキル基であり、
且つ、Ｒ１３及びＲ１４のうちのいずれかのアリール基は、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フッ素、塩素、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基から独立して選ばれる１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、且つ
ｓは０を示し、且つｔは０を示す。
【０２６３】
特に、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、以下のものであってもよい。
【化２７】
2019515090.tif 000029
（式中、ｎ’’とｎ’’’はそれぞれ３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数であり、且つｎ’’とｎ’’’同じであってもよく、又は異なってもよい。）
【０２６４】
特に、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、以下のものであってもよい。
【化２８】
2019515090.tif 000030
（式中、ｎ’’とｎ’’’はそれぞれ３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数であり、且つｎ’’とｎ’’は同じであってもよく、又は異なってもよい。）
【０２６５】
特に、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、以下のものであってもよい。
【化２９】
2019515090.tif 000031
（式中、ｎ’’とｎ’’’はそれぞれ３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数であり、且つｎ’’とｎ’’’は同じであってもよく、又は異なってもよい。）
【０２６６】
特に、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、以下のものであってもよい。
【化３０】
2019515090.tif 000032
（式中、ｎ’’とｎ’’’はそれぞれ３より大きい（好ましくは、６より大きく、より好ましくは、１２より大きい）整数であり、且つｎ’’とｎ’’’は同じであってもよく、又は異なってもよい。）
【０２６７】
好ましくは、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン単位を含み得る。たとえば、半導体コポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー、たとえば３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマーであり得る。好ましくは、半導体コポリマーは、３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンの交互コポリマーであり得る。
【０２６８】
好ましくは、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン単位と９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン単位を含み得る。たとえば、半導体コポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー、たとえば３０：７０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのコポリマーであり得る。好ましくは、半導体コポリマーは、３０：７０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンの交互コポリマーであり得る。
【０２６９】
好ましくは、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と９,１０−ジオクチルフェナントレン単位を含み得る。たとえば、半導体コポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのコポリマー、たとえば３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのコポリマーであり得る。好ましくは、半導体コポリマーは、３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのランダムコポリマー又は５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンの交互コポリマーであり得る。
【０２７０】
好ましくは、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン単位と６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレン単位を含み得る。たとえば、半導体コポリマーは、９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのコポリマー、たとえば５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのコポリマーであり得る。好ましくは、半導体コポリマーは、５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのランダムコポリマーであり得る。
【０２７１】
好ましくは、本発明の第２態様による半導体コポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン単位と９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレン単位を含み得る。たとえば、半導体コポリマーは、９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのコポリマー、たとえば５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのコポリマーであり得る。好ましくは、半導体コポリマーは、５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマーであり得る。
【０２７２】
本発明の第２態様による半導体コポリマーは、本明細書において検討したような方法で製造できる。
【０２７３】
本発明者は、驚くべきことに、本発明の第１態様による半導体組成物と本発明の第２態様による半導体コポリマーが使用時に非常に実用的な利点を有することを見出した。本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーと本発明の第２態様による半導体コポリマーは高比誘電率（すなわち１０００Ｈｚで下３．４より大きい比誘電率を有する）を示すとともに、好適な溶解性の性質を有する。好適な溶解性の性質は、様々な溶媒での高溶解性により反映される。また、ポリマーと当該ポリマーを含む組成物は優れた成膜性を有する。ポリマーと当該ポリマーを含む組成物を用いて製造されたＯＴＦＴデバイスは低いオン電圧（ｔｕｒｎ  ｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）（Ｖｔｏ）を有する。最後に、従来技術の材料に比べて、ポリマーは低コストで簡略化された方法により製造される。このような好適な性質により使用時に下記のいくつかの利点を有する。
（ａ）半導体ポリマー（コポリマーを含む）を様々な溶媒で調製でき、新規又は改良したフィルムデバイスの形態を取得できる。
（ｂ）本発明のポリマーと組成物の優良な成膜性により、高再現性（性質と低標準差）で大面積の有機電子製品（ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）の製造が可能になる。
（ｃ）高オン電圧（たとえば＋５Ｖ又は＋１０Ｖより大きい）を有するＯＴＦＴを含む電子デバイスよりも低いＶｔｏ（約０Ｖ）を有するため、本発明のポリマーと組成物を含む電子デバイスでは電力節約（ｐｏｗｅｒ  ｓａｖｉｎｇ）を実現できる。
（ｄ）本発明のポリマーの良好な溶解性により高粘度の有機半導体組成物を形成でき、それにより、コーティング方法、たとえばフレキソ印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、ステンシル印刷及びスクリーン印刷を利用できる。
【０２７４】
本発明の第１態様による半導体組成物に含まれる半導体ポリマーと本発明の第２態様による半導体コポリマーは小分子ＯＳＣと１種又は複数種の適切な溶媒と組み合わせて半導体「インク（ｉｎｋ）」を調製できると考えられる。このようなインクは非常に好適な特性（たとえば高移動度、均一性、空気安定性など）を有するＯＴＦＴデバイスの要素として利用できる。コストと製造プロセスは市販される大面積の電子製品の製造に関連する。
【０２７５】
また、本発明の第１態様と第２態様による半導体組成物及びコポリマーは市販品として入手できる試薬で容易に製造できる。
【０２７６】
本発明の別の態様は、本発明の第２態様による半導体コポリマーを含む半導体組成物を提供する。前記半導体組成物はさらに、半導体非ポリマーの多環式化合物を含んでもよい。
【０２７７】
本発明の別の態様は、本発明の第２態様による半導体コポリマーを含む半導体組成物を含む半導体層を提供する。
【０２７８】
本発明の別の態様は、本発明の第２態様による半導体コポリマーを含む半導体組成物を含む電子デバイスを提供する。
【０２７９】
本発明の別の態様は、本発明の第２態様による半導体コポリマーを含有する半導体組成物を含む半導体層を含む電子デバイスを提供する。
【０２８０】
組成物、層及び電子デバイスの特徴は本明細書において検討したとおりである。
【０２８１】
用途
【０２８２】
本発明の別の態様は、本発明の第２態様による半導体コポリマーの、半導体組成物における有機接着剤としての用途を提供する。
【０２８３】
本明細書と同時又はこれより前に提出され、公衆の閲覧のために公開されている本願に関連するすべての論文及び文書に注意が払われ、そのようなすべての論文及び文書の内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【０２８４】
本明細書（添付の特許請求の範囲及び図面を含む）において開示されているすべての特徴及び/又は開示された方法又はプロセスのすべてのステップは、このような特徴及び/又はステップの少なくともいくつかが互いに矛盾する組み合わせを除いて、任意の組み合わせとして組み合わせることができる。
【０２８５】
特に断りのない限り、本明細書（添付の特許請求の範囲、要約及び図面を含む）に開示された各特徴は、同じ目的、同等の目的又は類似した目的に用いられる特徴によって置き換えられてもよい。
【０２８６】
従って、特に断りのない限り、開示された各特徴は、同等の特徴又は類似した特徴の一般的なシリーズの一例に過ぎない。
【０２８７】
本発明は、前述の実施形態の詳細に限定されない。本発明は、本明細書（添付の特許請求の範囲及び図面を含む）に開示された特徴の任意の新規な１つ又は任意の新規な組み合わせ、又はそのように開示された方法又はプロセスのステップにおける任意の新規な１つ又は任意の新規な組み合わせまでを含む。
【図面の簡単な説明】
【０２８８】
【図１】本発明をよりよく理解でき、且つどのように本発明の例示的な実施形態を実施するかを示すために、実施例方式だけで添付した模式図を参照し、前記模式図において、図１は製剤実施例１（ａ）を暗所で１２時間貯蔵した後の転化グラフ（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｇｒａｐｈ）である。
【０２８９】
以下の非限定的な実施例を参照してさらに検討する。
【０２９０】
実施例
ポリマーの比誘電率εｒの測定方法
【０２９１】
以下に詳述する方法により、コンデンサを製造することで、実施例１−実施例６の各種半導体ポリマーの比誘電率を測定する。
【０２９２】
スパッタリングコーティング、標準ホトエッチング法及び湿式エッチング技術を用いて、５０ｎｍのチタンボトムコンタクトパッド（ｂｏｔｔｏｍ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｐａｄ）を製造する。次にスピンコータを用いて溶液で所定の半導体ポリマーをコーティングして、代表的には２００ｎｍと５００ｎｍの間の膜厚を取得する。コンデンサを製造するにあたり、特に記載のない限り、ポリマーをブロモベンゼンにおける５％ｗ／ｗ溶液としてコーティングする。比誘電率の結果が厚みに応じて変化しないように、できるだけ２種の厚みをテストする。以下、実施例ごとに、材料溶解用の溶媒が示されている。次に、シャドーマスク蒸発で約５０ｎｍのアルミニウムのトップコンタクトパッドを堆積する。１０００Ｈｚの周波数に設定されて較正したＡｇｉｌｅｎｔ  ＰｒｅｃｉｓｉｏｎＬＣＲメータ（ｍｅｔｅｒ）Ｅ４９８０Ａで、コンデンサを測定する。Ｄｅｋｔａｋ表面プロファイラで膜厚を測定する。画像分析ソフトウェアをインストールしたＺｅｉｓｓ立体顕微鏡を用いて、トップコンタクトパッドとボトムコンタクトパッド用の重なり面積、すなわち形成されるコンデンサの面積を測定する。次に、これら値を用いて下記式により比誘電率値を計算する。
【０２９３】
【数１】
2019515090.tif 000033
式中、
εｒ：半導体ポリマーの比誘電率；
Ｃ：コンデンサの測定静電容量；
ｄ：半導体ポリマー膜の厚み；
Ａ：コンデンサの面積；且つ
ε０：自由空間の誘電率（８．８５４ｘ１０−１２Ｆ／ｍの値を有する定数）。
【０２９４】
使用されるコンデンサアレイは６４個のコンデンサを含み、前記６４個のコンデンサはそれぞれ０．１１ｃｍ２と０．０６ｃｍ２の面積（それぞれの寸法は３２個である）を有する。組み合わせたコンデンサ、膜厚及び面積の測定値の標準偏差を含む、各アレイにおける比誘電率値に対する標準偏差を計算する。
【０２９５】
半導体ポリマー及び小分子半導体を有する混合物の電荷移動度の測定方法Ａ
【０２９６】
１０平方センチのガラス基板（０１層目）（Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｅａｇｌｅ  ＸＧ）をＤｅｃｏｎｅｘ  （水中の３％  ｗ／ｗ）において超音波処理で２０分間洗浄し、次に超純水においてリンスし圧縮空気で乾燥させる。次にＵＶ架橋性アクリル酸エステル製剤ＰＣＡＦ０１（ＮｅｕＤｒｉｖｅ  Ｌｔｄから入手できる）を基板にスピンコーティングする。スピンコーティングした後、まず、基板を９５℃のホットプレートに置いて１分間ソフトベークし（ｓｏｆｔｂａｋｅ）、次に窒素ブランケット（ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｂｌａｎｋｅｔ）下でＵＶフラッシュ露光（ｆｌａｓｈ  ｅｘｐｏｓｅ）（１０００ｍＪ）を行い、１１５℃で露光した後に、１０分間ベークする。ＰＣＡＦ層について測定した最終的な厚みは１ミクロンまで測定される。
【０２９７】
ＰＣＡＦ０１サブ層を製造した後、５０ｎｍのＡｕを用いて基板をスパッタリングコーティングし、次にホトエッチング法と湿式エッチング技術（水エッチング剤組成物におけるヨウ化カリウムとヨウ素）の組合せによりソース電極とドレイン電極を製造する。次に、ＵＶフラッシュ露光と回転現像によりソース電極とドレイン電極の接点（ｃｏｎｔａｃｔ）から残留されれたホトエッチングレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）を除去した後、光学顕微鏡下で基板を検出し、基板のいくつかの領域においてチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）の長さ特徴を測定する。
【０２９８】
有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）を製造する前に、Ａｒ／Ｏ２プラズマを使用してＰｌａｓｍａ  Ｅｔｃｈ  Ｉｎｃ．  ＰＥ１００表面処理システムにおいて再び基板を処理する。ガスごとに５０ｓｃｃｍの濃度と２５０ＷのＲＦパワーで６５秒間供給する。
【０２９９】
本発明による半導体組成物をスピンコーティングする前に、２−プロパノールにおける１０ｍＭの４−フルオロチオフェノール又は３−フルオロ−４−メトキシチオフェノール（実施例１（ａ）では３−フルオロ−４−メトキシチオフェノールを使用する）の溶液を電極の表面に１分間かけて付与して、次にスピンコーティングして２−プロパノールにおいてリンスし（２回）、続いて、ホットプレートにおいて乾燥させる。特に記載のない限り、１５００ｒｐｍに設定されたＳｕｓｓ  ＲＣ１２スピナーを用いて、ＯＳＣ製剤をＳＤ電極に１分間かけてスピンコーティングし、次にホットプレートにおいて１００℃で６０秒間ベークする。Ｃｙｔｏｐ  ８０９Ｍ  （Ａｓａｈｉ  Ｇｌａｓｓ）１部：ＦＣ４３溶媒（Ａｃｒｏｓ  Ｏｒｇａｎｉｃｓ）２部の溶液を１５００ｒｐｍで２０秒間かけてスピンコーティングし、サンプルをホットプレートにおいて１００℃で６０秒間ベークする。
【０３００】
次に、熱蒸発により５０ｎｍのＡｕで基板をコーティングし、且つ上記のようにホトエッチング法と湿式エッチングの組み合わせによりゲート電極をパターン化する。
【０３０１】
半導体ポリマー及び小分子半導体を有する混合物の電荷移動度の測定方法Ｂ
【０３０２】
１０平方センチのガラス基板（０１層目）（Ｃｏｒｎｉｎｇ  ＥａｇｌｅＸＧ）をＤｅｃｏｎｅｘ（水中の３％  ｗ／ｗ）において超音波処理で２０分間洗浄し、次に超純水においてリンスし圧縮空気で乾燥させる。次に熱架橋性ポリマー（Ｐ１１）（ＮｅｕＤｒｉｖｅ  Ｌｔｄから入手できる）を基板にスピンコーティングする。スピンコーティングした後、まず、基板を９５℃のホットプレートに置いて２分間ソフトベークし、次に１５０℃で６０分間べーくする。Ｐ１１層の最終的な厚みは１ミクロンまで測定される。
【０３０３】
Ｐ１１サブ層を製造した後、５０ｎｍのＡｕを用いて基板をスパッタリングコーティングし、次にホトエッチング法と湿式エッチング技術（水エッチング剤組成物におけるヨウ化カリウムとヨウ素）の組合せによりソース電極とドレイン電極を製造する。次に、ＵＶフラッシュ露光と回転現像によりソース電極とドレイン電極の接点から残留されたホトエッチングレジストを除去した後、光学顕微鏡下で基板を検出し、基板のいくつかの領域においてチャネルの長さ特徴を測定する。
【０３０４】
有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）を製造する前に、Ａｒ／Ｏ２プラズマを使用してＰｌａｓｍａ  Ｅｔｃｈ  Ｉｎｃ．  ＰＥ１００表面処理システムにおいて再び基板を処理する。ガスごとに５０ｓｃｃｍの濃度と２５０ＷのＲＦパワーで６５秒間供給する。
【０３０５】
本発明による半導体組成物をスピンコーティングする前に、２−プロパノールにおける１０ｍＭの３−フルオロ−４−メトキシチオフェノールの溶液を電極の表面に１分間かけて付与して、次にスピンコーティングして２−プロパノールにおいてリンスし（２回）、続いて、ホットプレートにおいて乾燥させる。特に記載のない限り、１２５０ｒｐｍに設定されたＳｕｓｓ  ＲＣ１２スピナーを用いて、ＯＳＣ製剤をＳＤ電極に１分間かけてスピンコーティングし、次にホットプレートにおいて１００℃で６０秒間ベークする。Ｃｙｔｏｐ  ８０９  Ｍ  （Ａｓａｈｉ  Ｇｌａｓｓ）１部：ＦＣ４３溶媒（Ａｃｒｏｓ  Ｏｒｇａｎｉｃｓ）２部の溶液を１５００ｒｐｍで２０秒間かけてスピンコーティングし、サンプルをホットプレートにおいて１００℃で６０秒間ベークする。
【０３０６】
次に、熱蒸発により５０ｎｍのＡｕで基板をコーティングし、且つ上記のようにホトエッチング法と湿式エッチングの組み合わせによりゲート電極をパターン化する。
【０３０７】
ＯＴＦＴのキャラクタリゼーション
【０３０８】
Ｗｅｎｔｗｏｒｔｈ  Ｐｅｇａｓｕｓ３００Ｓ半自動プローブステーションとＫｅｉｔｈｌｅｙ  Ｓ４２００半導体パラメータアナライザの両方を用いてＯＴＦＴをテストする。このように、基板ごとに有意的な数のＯＴＦＴデバイスを測定することが可能になる。Ｋｅｉｔｈｌｅｙシステムは以下に示される式によりリニア移動度を計算する。
【数２】
2019515090.tif 000034
式中、Ｌはトランジスタの長さ、Ｗはトランジスタの幅、Ｉｄｓはドレイン電極からソース電極への電流、Ｃｉは単位面積あたりの誘電容量（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）である。特に記載のない限り、ＶＤＳ（ドレイン電極ソース電極電圧）は−２Ｖに設定され、ＶＧＳ（ゲート電極電圧）は使用し切れる状態から累積されるようになる（代表的には、＋２０Ｖから−３０Ｖ、１Ｖステップで）。報告された移動度値は、各トランジスタについて蓄積された５つの最高点の平均である。下記に示されるチャネル長さについてのデータを、測定されるデバイスの平均値として示すように報告する。ゲート電極のリークを伴う一部のデバイスのを除去するために、−２ＶのＶＤＳに対して、最高ＶＧＳ値で（ｍａｋｅ）ゲート電極電流とソース電極−ドレイン電極の電流比率を設定する。該比率が１０より低い（すなわちゲート電極電流がソース電極ドレイン電極電流の１０％より大きい）場合、デバイスは結果から除外される。移動度値の標準偏差は平均の百分率として報告され、測定されたデバイスの数も結果に示される。トランジスタのオン電圧（Ｖｔｏ）がゲート電極の電圧点として定義され、該ゲート電極の電圧点ではドレイン電極電流のゲート電極電圧に対する対数の導関数が最大値となる。これは、デバイスがオフ状態からオン状態に切り替わる移行点を表す。たとえば＋５Ｖ又は＋１０Ｖより大きい高オン電圧に比べて、０Ｖに近いオン電圧が好ましく、このような場合、ディスプレイのバックプレーン駆動方式で電力を節約するためである。デバイスをテストするとき、有機半導体層中の光吸収が光によって電荷キャリアを発生させることによってトランジスタのＶｔｏに影響を及ぼすことができるので、１２時間暗保管して、デバイス内で光発生した電荷を放出させた後に、電気テストを繰り返して、デバイスの固有Ｖｔｏを決定する。
【０３０９】
製造実施例１〜６
【０３１０】
ＪＥＯＬ製の器械、具体的には、ＥＣＸ  ３００とＥＣＸ  ４００モデルを用いて、ＮＭＲデータを収集する。
【０３１１】
Ａｇｉｌｅｎｔ  ７７００  ＩＣＰ−ＭＳを用いて、スペクトル分析（マルチチューニング）収集モードでパラジウム（Ｐｄ）についての痕跡量金属分析を行う。ポリマーのＰｄ含有量のｐｐｍ値が報告されており、この値は合成操作後に残ったＰｄ触媒のレベルを示す。
【０３１２】
特に記載のない限り、Ｗａｔｅｒｓ  ＡｃｑｕｉｔｙＴＭ  ＵＰＬＣシステムにより、ＸＢｒｉｄｇｅ  ＢＥＨ  Ｃ１８  ２．５μｍカラム及び１０ｍＭ重炭酸アンモニウム（ＮＨ４ＨＣＯ３）  ｐＨ  １０における４０−９８％のｖ／ｖアセトニトリルの勾配を利用して、ＵＰＬＣデータを１．２分間収集する。
【０３１３】
特に記載のない限り、使用されるすべての溶媒はＨＰＬＣグレードである。
【０３１４】
特に記載のない限り、Ｄａｖｉｓｉl（R）  ６０  Å  ４０  -  ６３μｍ（Ｇｒａｃｅ  Ｄａｖｉｓｏｎ  Ｄｉｓｃｏｖｅｒｙ  Ｓｃｉｅｎｃｅｓ製）を使用してシリカ精製をする。
【０３１５】
本明細書の実施例に使用されている数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｈｅｗｌｅｔｔ  Ｐａｃｋａｒｄ  １１００  ＨＰＬＣシステムを用いてゲル透過クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により決定されるものであり、紫外線検出には２５４ｎｍの波長が使用される。液体クロマトグラフィーデータについてＣＩＲＲＵＳ  ＧＰＣマルチ検出器ソフトウェアで処理し、該ソフトウェアはポリスチレン標準品（Ａｇｉｌｅｎｔ製）に対して較正される。分子量範囲１６２−１１３３００の１３個の較正点が使用される。
【０３１６】
便宜上、本明細書では、ポリマーの実施例は、それらの繰り返し単位の芳香族環上の置換基の位置によって特定される。
【０３１７】
実施例１
【０３１８】
３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマーの合成
【０３１９】
１（ａ）９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン−２,７−ジボロン酸ビス（ピナコール）エステルの合成
【化３１】
2019515090.tif 000035
１,４−ジオキサン（６６６ｍＬ）を、磁力撹拌器、温度計及び還流コンデンサを備えたアルゴンでパージした２Ｌ三つ口丸底フラスコに投入した。溶媒をアルゴンで１０分間脱気して、次に９,９−ジオクチル−２,７−ジブロモフルオレン（２５ｇ、０．０４５６ｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（２３．２ｇ、０．０９１２ｍｏｌ）、酢酸カリウム（１５．７ｇ、０．１６ｍｏｌ）及び［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（ｄｐｐｆ）錯体（１．７ｇ、０．００２３ｍｏｌ）を加えた。反応混合物を１００℃で１８時間加熱して、室温に冷却させて、トルエン（２００ｍＬ）と水（２００ｍＬ）で希釈した。１０分間撹拌した後、該混合物を珪藻土パッドで濾過して、トルエンで洗浄した。濾液層を分離して、水（２×２００ｍＬ）で有機相を洗浄し、次に乾燥（Ｎａ２ＳＯ４）させて濾過した。真空で濾液を濃縮させて暗色固体（３１ｇ）を得て、該暗色固体をアセトン（４０ｍＬ）で５分間還流させ、次に１０℃に冷却させて、ポンプで濾過し、少量の低温（１０℃）アセトンで洗浄した。真空で乾燥（５０℃）させて褐色固体（２４．７ｇ）を得た。部分的に精製された生成物をアセトニトリル（４０ｍＬ）とテトラヒドロフラン（２８ｍＬ）の混合物から再結晶化させ、真空（５０℃）で分離して乾燥させて、浅黄色固体として９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン−２,７−ジボロン酸ビス（ピナコール）エステル（２４．２ｇ、８３％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （４００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ７．８ （ｄ, ２Ｈ）, ７,７３（ｓ, ２Ｈ）, ７．７１（ｄ, ２Ｈ）, １．９９ （ｍ, ４Ｈ）, １．３７ （ｓ, ２４Ｈ）, １．２３- ０．９５ （ｍ, ２０Ｈ）, ０．８１（ｔ, ６Ｈ）, ０．５３（ｍ, ４Ｈ）。
【０３２０】
１（ｂ）２,７−ジブロモ−９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレンの合成
【化３２】
2019515090.tif 000036
磁力撹拌器、温度計及び還流コンデンサを備えたアルゴンでパージした１Ｌ  三つ口丸底フラスコに、２,７−ジブロモフルオレン（７．９７ｇ、０．０２５ｍｏｌ）を無水ＤＭＳＯ（１００ｍＬ）に懸濁させた。室温でナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（５．４４ｇ、０．０５６６ｍｏｌ）をバッチ式で加えて、濃いオレンジ色の懸濁液を形成した。反応混合物を８０℃に加熱して、１５分間かけて１滴ずつ６−ブロモ−２,２−ジメチルヘキソニトリル（１１．５５ｇ、９．６５ｍＬ、０．０５６６ｍｏｌ）を加えた。該反応混合物を８０℃でさらに１０分間加熱して、次に室温に冷却させて、撹拌しながら、氷水（２００ｍＬ）に加えた。生じた混合物を酢酸エチル（２×２００ｍＬ）で抽出し、次に合併した有機物を１ＭＨＣｌ（２００ｍＬ）と食塩水（２００ｍＬ）で洗浄して、乾燥（ＭｇＳＯ４）させて濾過した。真空で濾液を濃縮させて粗生成物を得て、該粗生成物をフラッシュクロマトグラフィー（ヘプタンにおける１０％−２０％ｖ／ｖ酢酸エチルの勾配溶離）で精製した。生成物を含有する画分を真空で濃縮させ、次にメタノール（６０ｍＬ）で残留物を粉砕した。生じた懸濁液をポンプで濾過して、少量の低温（５℃）メタノールで洗浄した。固体生成物を乾燥させて、灰白色固体として２,７−ジブロモ−９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン（１２．０５ｇ、８６％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （４００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ７．５１（ｄ, ２Ｈ）, ７．４７ （ｄ, ２Ｈ）, ７．４３（ｓ, ２Ｈ）, １．９８ （ｍ, ４Ｈ）, １．２４ （ｍ, ２０Ｈ）, ０．５７ （ｍ, ４Ｈ）。
ＵＰＬＣ保持時間１．０７ｍｉｎ（９５．５％）、ｍ／ｚ（ＭＨ＋）５６９．３２。
【０３２１】
３０：７０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマーの合成（実施例１）
【化３３】
2019515090.tif 000037
１,４−ジオキサン（４８ｍＬ）と脱イオン水（ＤＩＷ）（２３ｍＬ）を頂部撹拌器、温度計及びコンデンサを備えたアルゴンでパージした２５０ｍＬ三つ口丸底フラスコに投入した。溶媒をアルゴンで３０分間脱気して、次に９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン−２,７−ジボロン酸ビス（ピナコール）エステル（３ｇ、４．６７ｍｍｏｌ）、２,７−ジブロモ−９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン（１．０２ｇ、１．８７ｍｍｏｌ）、２,７−ジブロモ−９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン（１．６ｇ、２．８０ｍｍｏｌ）及びリン酸三カリウム（Ｋ３ＰＯ４）（４．９９ｇ、２３．３４ｍｍｏｌ）を投入した。次に、さらに２０分間脱気した後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（４．３ｍｇ、０．００４７ｍｍｏｌ）とトリシクロヘキシルホスフィン（３ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を加えて、反応混合物を７０℃で１８時間加熱した。室温に冷却させた後、反応液をデカンテーションし、残留固体をトルエン（９０ｍＬ）に溶解した。トルエン溶液をＤＩＷ（３０ｍＬ）で振とうさせ、且つ二相混合物を珪藻土で濾過して、トルエンで洗浄した。各層を分離して、有機相を乾燥（Ｎａ２ＳＯ４）させて濾過した。真空で濾液を濃縮させて浅緑色固体（３．７４ｇ）を得た。該固体をヘプタンとトルエンの１：１の混合物に溶解して、次にドライフラッシュクロマトグラフィーで精製し、１：１のヘプタン−トルエン、トルエン及び９：１トルエン−テトラヒドロフランで順次溶離した。生成物を含有する画分を真空で濃縮させて、黄色発泡物（２．１８ｇ）を得て、トルエン（２００ｍＬ）に溶解し、活性炭（２５０ｍｇ）で処理した。該混合物を５０℃で１５分間加熱して、次にガラス繊維膜で濾過した。同様な方式で、活性炭を用いて濾液をさらに５回処理し、次に真空で濾液を濃縮させて、褐色ガム（２．０３ｇ）を得た。褐色ガムをテトラヒドロフラン（１２ｍＬ）に溶解し、次にガラスビーカーにおいて激しく撹拌している（５００ｒｐｍ）メタノール（４０ｍＬ）に１滴ずつ加えた。生じた固体をポンプで収集し４：１メタノール−テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）で洗浄した。真空で乾燥させて、灰白色固体として３０：７０９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマー（１．６１ｇ）を得た。ＧＰＣ Ｍｎ ９０２９,ＰＤ １．９８。
【０３２２】
実施例１のポリマーは、１０００Ｈｚで４．１６の比誘電率と２．５２×１０−４ｃｍ２／Ｖｓの電荷移動度（小分子ＯＳＣがない場合、１重量％のテトラヒドロナフタレン溶液として調製し、Ｌ＝１１．６μｍである）を有する。製造に用いられるポリマーにおけるｍとｎを最も近く四捨五入した整数の平均値はそれぞれ７と１６であった。
【０３２３】
ＩＣＰ−ＭＳにより実施例（１）のポリマーの痕跡量金属含有量を分析した結果、Ｐｄ含有量は１６．８ｐｐｍであった。ポリマーの不純物含有量が極めて低レベルであることを示した。
【０３２４】
製剤実施例１（ａ）
【０３２５】
これら実施例において、ポリマーと半導体の比率は重量部基準である。実施例１のポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）を、２：１の比率で、テトラヒドロナフタレンにおいて、１．２重量％の全固体担持量で配合し、上記プロセスにおいて説明した方法ＡによりコーティングしてＯＴＦＴデバイスのＯＳＣ層とした。
【０３２６】
製剤１（ａ）のＯＴＦＴ性能が以下に示される。
【表１】
2019515090.tif 000038
【０３２７】
製剤１（ａ）を半導体層として製造された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、短チャネル長さの場合、優れた電荷キャリア移動度及び高いデバイスとデバイスの均一性（ｄｅｖｉｃｅ  ｔｏ  ｄｅｖｉｃｅ  ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を示した。図１に示されるように、製剤１（ａ）を用いて製造されたデバイスのＶｔｏ値は良好であり、６ミクロンのチャネル長さでは、＋１．５Ｖだけであった。
【０３２８】
製剤実施例１（ｂ）
【０３２９】
これら実施例において、ポリマーと半導体の比率は重量部基準である。実施例１のポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）とを、２：１の比率で、テトラヒドロナフタレンと２−プロパノールの混合溶媒（重量比率９：１）において、１．２重量％の全固体担持量で配合し、上記プロセスにおいて説明した方法ＢによりコーティングしてＯＴＦＴデバイスのＯＳＣ層とした。
【０３３０】
製剤１（ｂ）のＯＴＦＴ性能が以下に示される。
【表２】
2019515090.tif 000039
【０３３１】
製剤１（ｂ）を半導体層として製造された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、短チャネル長さの場合、優れた電荷キャリア移動度及び高いデバイスとデバイスの均一性を示した。
【０３３２】
製剤実施例１（ｃ）
【０３３３】
これら実施例において、ポリマーと半導体の比率は重量部基準である。実施例１のポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）とを、２：１の比率で、テトラヒドロナフタレンにおいて、１．２重量％の全固体担持量で配合し、上記プロセスにおいて説明した方法ＢによりコーティングしてＯＴＦＴデバイスのＯＳＣ層とした。
【０３３４】
製剤１（ｃ）のＯＴＦＴ性能が以下に示される。
【表３】
2019515090.tif 000040
【０３３５】
製剤１（ｃ）を半導体層として製造された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、短チャネル長さの場合、優れた電荷キャリア移動度及び高いデバイスとデバイスの均一性を示した。
【０３３６】
実施例２
【０３３７】
５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンの交互コポリマーの合成
【化３４】
2019515090.tif 000041
１,４−ジオキサン（４５ｍＬ）と脱イオン水（ＤＩＷ）（２３ｍＬ）を、頂部撹拌器、温度計及びコンデンサを備えたアルゴンでパージした２５０ｍＬ三つ口丸底フラスコに投入した。溶媒をアルゴンで３０分間脱気し、次に９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレン−２,７−ジボロン酸ビス（ピナコール）エステル（３ｇ、４．６７ｍｍｏｌ）、２,７−ジブロモ−９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン（２．６６ｇ、４．６７ｍｍｏｌ）及びリン酸三カリウム（Ｋ３ＰＯ４）（４．９９ｇ、２３．３４ｍｍｏｌ）を投入した。次に、さらに２０分間脱気した後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（４．３ｍｇ、０．００４７ｍｍｏｌ）とトリシクロヘキシルホスフィン（３ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を加えて、該反応混合物を７０℃で１８時間加熱した。室温に冷却させた後、上記実施例１と同様な方式で、反応混合物を処理して、浅緑色固体（３．７８ｇ）を得た。該固体をトルエンに溶解し、次にドライフラッシュクロマトグラフィーで精製して、トルエンと９：１トルエン−テトラヒドロフランで順次溶離した。真空で生成物を含有する画分を濃縮させて、緑色／黄色発泡物を得て、トルエン（１３０ｍＬ）に溶解し、活性炭（１６０ｍｇ）で処理した。該混合物を５０℃で１５分間加熱して、次にガラス繊維膜で濾過した。濾液を活性炭で同じ方式によりさらに１回処理して、次に真空で濾液を濃縮させて、緑色固体を得た。褐色ガムをテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解し、次にガラスビーカーにおいて激しく撹拌している（５００ｒｐｍ）メタノール（４０ｍＬ）に１滴ずつ加えた。生じた固体をポンプで収集し４：１メタノール−テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）で洗浄した。真空で乾燥させて、灰白色固体として５０：５０９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ジオクチル−９Ｈ−フルオレンの交互コポリマー（１．４ｇ）を得た。ＧＰＣ Ｍｎ １６４７１,ＰＤ ２．０１。
【０３３８】
実施例２のポリマーは、１０００Ｈｚで５．１６の比誘電率と１．３×１０−４ｃｍ２／Ｖｓの電荷移動度（小分子ＯＳＣがない場合、１重量％のテトラヒドロナフタレン溶液として調製し、Ｌ＝１２．２μｍである）を有する。製造に用いられるポリマーにおけるｍとｎを最も近く四捨五入した整数の平均値はいずれも２１であった。
【０３３９】
製剤実施例２（ａ）
【０３４０】
これら実施例において、ポリマーと半導体の比率は重量部基準である。実施例２のポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）とを、２：１の比率で、テトラヒドロナフタレンと２−プロパノールの混合溶媒（重量比率９：１）において、１．２重量％の全固体担持量で配合し、上記プロセスにおいて説明した方法ＢによりコーティングしてＯＴＦＴデバイスのＯＳＣ層とした。
【０３４１】
製剤２（ａ）のＯＴＦＴ性能が以下に示される。
【表４】
2019515090.tif 000042
【０３４２】
製剤２（ａ）を半導体層として製造された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、短チャネル長さの場合、優れた電荷キャリア移動度及び高いデバイスとデバイスの均一性を示した。
【０３４３】
実施例３
【０３４４】
５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのランダムコポリマーの合成
【０３４５】
３（ａ）  ５−クロロ−２,２−ジメチルバレロニトリルの合成
【化３５】
2019515090.tif 000043
アルゴン雰囲気下で、ジイソプロピルアミン（２３．７ｍＬ、０．１７ｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン（７０ｍＬ）に加えて、−７０℃に冷却させた。ｎ−ブチルリチウム（ヘキサンにおける２．１Ｍ、７７ｍＬ、０．１６ｍｏｌ）に１滴ずつ加えた。−７０℃に冷却させた後、無水ＴＨＦ（３５ｍＬ）におけるイソブチロニトリル（９．５ｍＬ、０．１１ｍｏｌ）の溶液に１滴ずつ加えて、黄色溶液を得て、次に−７０℃で２０ｍｉｎ撹拌した。−７０℃で無水ＴＨＦ（３５ｍＬ）における１−クロロ−３−ブロモプロパン（２５ｇ、０．１６ｍｏｌ）の溶液に１滴ずつ加え、反応ケーキをさらに３０ｍｉｎ撹拌した。反応を飽和含水塩化アンモニウムでクエンチさせ、室温に加熱した。ヘプタンを加えて、層に分けて別のヘプタン（２×）で水相を抽出した。合併した有機物を乾燥（Ｎａ２ＳＯ４）させて濾過した。真空で濾液を濃縮させて、オレンジ色油を得て、該オレンジ色油をドライフラッシュクロマトグラフィーで精製し（ヘプタンにおける０−１０％の酢酸エチル）、無色油として５−クロロ−２,２−ジメチルバレロニトリル（１０ｇ、４３％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ３．５４ （ｔ, ２Ｈ）, １．９２ （ｍ, ２Ｈ）, １．６５ （ｍ, ２Ｈ）, １．３１（ｓ, ６Ｈ）。
【０３４６】
３（ｂ）  ５−ヨード−２,２−ジメチルバレロニトリルの合成
【化３６】
2019515090.tif 000044
５−クロロ−２,２−ジメチルバレロニトリル（実施例３（ａ））（１０ｇ、０．０６９ｍｏｌ）をメチルエチルケトン（１００ｍＬ）に溶解した。ヨウ化ナトリウム（１３．４ｇ、０．０８９ｍｏｌ）を加えて、混合物を還流しながら１８時間加熱した。室温に冷却させた後、固体を濾別してヘプタンで洗浄した。真空で濾液を濃縮させて、次にヘプタンで粉砕した。固体を濾過して、さらにヘプタンで洗浄し、次に真空で合併したヘプタン層を濃縮した。残留物を酢酸エチルに吸収して、１０％ｗ／ｗチオ硫酸ナトリウムで洗浄し、続いて食塩水で洗浄した。有機層を乾燥（Ｎａ２ＳＯ４）させて濾過した。真空で濾液を濃縮させて、黄色油として５−ヨード−２,２−ジメチルバレロニトリル（１４．３ｇ、８７％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ３．２０ （ｔ, ２Ｈ）, ２．０２ （ｍ, ２Ｈ）, １．６３（ｍ, ２Ｈ）, １．３５ （ｓ, ６Ｈ）。
【０３４７】
３（ｃ）  ２,７−ジブロモ−９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレンの合成
【化３７】
2019515090.tif 000045
アルゴン雰囲気下で、２,７−ジブロモフルオレン（Ｓｉｇｍａ  Ａｌｄｒｉｃｈ）（６．４ｇ、０．０２ｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン（７０ｍＬ）に溶解した。ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（４．３ｇ、０．０４４ｍｏｌ）をバッチ式で加えて、濃赤色溶液を得て、該濃赤色溶液を室温で２０分間撹拌した。無水テトラヒドロフラン（２５ｍＬ）における５−ヨード−２,２−ジメチルバレロニトリル（実施例３（ｂ））（１０．５ｇ、０．０４４ｍｏｌ）の溶液に１滴ずつ加え、次に反応混合物を室温で一晩撹拌した。翌日、酢酸エチルと水を加えて、各層を分離した。水相を酢酸エチル（２×）で抽出した。合併した有機物を乾燥（Ｎａ２ＳＯ４）させて濾過した。真空で濾液を濃縮させて、オレンジ色油を得て、該オレンジ色油をドライフラッシュクロマトグラフィー（ヘプタンにおける５％−２０％の酢酸エチル）で精製した。サンプルをドライフラッシュクロマトグラフィー（前記のように溶離）で再び精製し、次にヘプタンから再結晶化させて、黄色固体として２,７−ジブロモ−９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン（６．０６ｇ、５６％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ７．５６ - ７．４５ （ｍ, ６Ｈ）, ２．０１（ｔ, ４Ｈ）, １．２８ （ｍ, ４Ｈ）, １．１１（ｓ, １２Ｈ）, ０．８０ （ｍ, ４Ｈ）。
【０３４８】
３（ｄ）２,２’−（６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレン−２,８−ジイル）ビス（４,４,５,５−テトラメチル−１,３,２−ジオキサボロラン）の合成
【化３８】
2019515090.tif 000046
丸底フラスコに、ジオキサン（２２０ｍＬ）における２,８−ジブロモ−６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレン（８．８４ｇ、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ）、酢酸カリウム（３．５３ｇ、Ａｌｆａ−Ａｅｓａｒ）及びビス（ピナコラト）ジボロン（５．７４ｇ、Ａｌｌｙｃｈｅｍ）を投入した。該混合物を１５分間脱気し、次に［１，１’−ビス（ジフェニルホス  フィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（ＩＩ）（４１９ｍｇ、Ｐｅａｋｄａｌｅ）を加えて、１８時間かけて反応混合物を１００℃に加熱した。混合物を濃縮させて、残留物をＤＣＭ／水（２：１）に吸収し、珪藻土パッドで濾過して、ＤＣＭで洗浄した。有機層を食塩水で洗浄して、乾燥（ＭｇＳＯ４）させてシリカ上に濃縮させた。ヘプタン／酢酸エチル混合物で溶離したドライフラッシュカラムにより精製して黄色固体を得て、ＴＨＦ／ＭｅＣＮから再結晶化させて、黄色固体として２,２’−（６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレン−２,８−ジイル）ビス（４,４,５,５−テトラメチル−１,３,２−ジオキサボロラン）（５．９２ｇ、６０％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （４００ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ７．８３（ｍ, ２Ｈ）, ７．７３（ｍ, ４Ｈ）, ７．６２ （ｓ, ２Ｈ）, １．９１−２．１２ （ｂｒ ｍ, ８Ｈ）, １．３９ （ｓ, ２４Ｈ）, ０．９１−１．２２ （ｂｒ ｍ, ４０Ｈ）, ０．７９ （ｍ, １２Ｈ）, ０．５０−０．７０ （ｂｒ ｍ, ８Ｈ）。
【０３４９】
５０：５０  ９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのランダムコポリマーの合成（実施例３）
【化３９】
2019515090.tif 000047
１,４−ジオキサン（１３４ｍＬ）と水（６６ｍＬ）の混合物をアルゴンで２０分間脱気した。２,７−ジブロモ−９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン（実施例３（ｃ））（５．０８ｇ、９．４ｍｍｏｌ）、２,２’−（６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレン−２,８−ジイル）ビス（４,４,５,５−テトラメチル−１,３,２−ジオキサボロラン）（実施例３（ｄ））（８．９５ｇ、９．４ｍｍｏｌ）及びリン酸三カリウム（９．９４ｇ、４７ｍｍｏｌ）を加え、次にトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（９ｍｇ、０．００９４ｍｍｏｌ）とトリシクロヘキシルホスフィン（６ｍｇ、０．０２２ｍｍｏｌ）を加えた。該反応混合物を７０℃で１８時間加熱した。室温に冷却させた後、固体ケーキを形成した。反応液をデカンテーションして、残留固体をトルエン（３００ｍＬ）に溶解し、次に脱イオン水（１５０ｍＬ）で該溶液を撹拌し、珪藻土パッドで濾過し、トルエンで洗浄した。濾液層を分離して脱イオン水（２００ｍＬ）で有機相を洗浄した。真空で有機相を濃縮させて、濃緑色油を得て、該濃緑色油をドライフラッシュクロマトグラフィー（トルエン）で精製して、深黄色発泡物を得た。該材料をトルエン（２００ｍＬ）に溶解して、活性炭（１ｇ）を加え、次に混合物を５０℃で加熱して熱濾過した。活性炭処理と濾過を合計３回繰り返して、次に真空で濾液を濃縮させて、黄色発泡物（８ｇ）を得た。該材料をテトラヒドロフラン（７５ｍＬ）に溶解し、撹拌しているメタノール（２５０ｍＬ）に１滴ずつ加えた。４５分間撹拌後、液体をデカンテーションして固体を乾燥させ、浅黄粉末として５０：５０９,９−ビス（４−シアノ−４−メチルペンチル）フルオレン：６,６,１２,１２−テトラオクチル−６,１２−ジヒドロインデノ［１,２−ｂ］フルオレンのランダムコポリマー（６．８ｇ）を得た。ＧＰＣ Ｍｎ ５１４３,ＰＤ ２．１２。
【０３５０】
実施例３のポリマーは、１０００Ｈｚで６．０の比誘電率と２．３×１０−４ｃｍ２／Ｖｓの電荷移動度（小分子ＯＳＣがない場合、２重量％のテトラヒドロナフタレン溶液として調製し、Ｌ＝１０．５μｍである）を有する。製造に用いられるポリマーにおけるｍとｎを最も近く四捨五入した整数の平均値はそれぞれ５と５であった。
【０３５１】
製剤実施例３（ａ）
【０３５２】
これら実施例において、ポリマーと半導体の比率は重量部基準である。実施例３のポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）とを、２：１の比率で、テトラヒドロナフタレンと２−プロパノールの混合溶媒（重量比率９：１）において、１．２重量％の全固体担持量で配合し、上記プロセスにおいて説明した方法ＢによりコーティングしてＯＴＦＴデバイスのＯＳＣ層とした。
【０３５３】
製剤３（ａ）のＯＴＦＴ性能が以下に示される。
【表５】
2019515090.tif 000048
【０３５４】
製剤３（ａ）を半導体層として製造された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、短チャネル長さの場合、優れた電荷キャリア移動度及び高いデバイスとデバイスの均一性を示した。
【０３５５】
実施例４
【０３５６】
５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマーの合成
【０３５７】
４（ａ）  ２,７−ジブロモ−９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンの合成
【化４０】
2019515090.tif 000049
アルゴン雰囲気下で、２,７−ジブロモフルオレン（ＳｉｇｍａＡｌｄｒｉｃｈ）（１５．７ｇ、０．０４８ｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン（１５０ｍＬ）に溶解して、５℃に冷却させた。ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１０．５ｇ、０．１０９ｍｏｌ）をバッチ式で加えて、濃赤色を示した。添加終了後、反応混合物を室温で２０分間撹拌した。無水ＴＨＦ（５０ｍＬ）における１−ブロモ−２−（２−メトキシエトキシ）エタン（ＳｉｇｍａＡｌｄｒｉｃｈ）（２０ｇ、０．１０９ｍｏｌ）の溶液を１滴ずつ加えた。溶液が濃紫色になり、且つ３０℃まで放熱したと確認した。該反応混合物を室温で７２時間撹拌して、次に水と酢酸エチルで希釈した。各層を分離して、水相を酢酸エチル（２×）で抽出した。合併した有機層を水と食塩水で洗浄して、次に乾燥（Ｎａ２ＳＯ４）させて濾過した。真空で濾液を濃縮させて、次にドライフラッシュクロマトグラフィー（ヘプタンにおける０−４０％の酢酸エチル）により残留物を精製して、黄色油として２,７−ジブロモ−９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレン（１０ｇ、４０％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ７．５２ - ７．４２ （ｍ, ６Ｈ）, ３．２７ （ｍ, １０Ｈ）, ３．１６ （ｍ, ４Ｈ）, ２．７６ （ｍ, ４Ｈ）, ２．３４ （ｍ, ４Ｈ）。
【０３５８】
４（ｂ）  ９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレン−２,７−ジボロン酸ビス（ピナコール）エステルの合成
【化４１】
2019515090.tif 000050
２,７−ジブロモ−９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレン（実施例４（ａ））（１０ｇ、０．０１９ｍｏｌ）を１,４−ジオキサン（２２０ｍＬ）に溶解し、該溶液を撹拌しながらアルゴンで脱気した。ビス（ピナコラト）ジボロン（１０．６ｇ、０．０４２ｍｏｌ）、酢酸カリウム（６．５ｇ、０．０６６ｍｏｌ）及び［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（ｄｐｐｆ）錯体（０．６９３ｇ、０．０００９ｍｏｌ）を加え、該反応混合物を１００℃で１８時間加熱した。室温に冷却させた後、珪藻土パッドで該反応混合物を濾過し、次に真空で濾液を濃縮させて、粘性の黒色固体を得た。固体をイソプロパノール（１５ｍＬ）で粉砕して懸濁液を得て、次にポンプで固体を収集しイソプロパノール（３×１０ｍＬ）で洗浄した。乾燥させてクリーム色固体を得て、該クリーム色固体をイソプロパノールから再結晶化させて、クリーム色固体として９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレン−２,７−ジボロン酸ビス（ピナコール）エステル（６．７ｇ、５７％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ７．８５ （ｓ, ２Ｈ）, ７．８０ （ｍ, ２Ｈ）, ７．７０ （ｍ, ２Ｈ）, ３．３０ - ３．２６ （ｍ, １０Ｈ）, ３．１５ （ｍ, ４Ｈ）, ２．６７ （ｍ, ４Ｈ）, ２．４４ （ｍ, ４Ｈ）。
【０３５９】
５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマーの合成（実施例４）
【化４２】
2019515090.tif 000051
１,４−ジオキサン（６６ｍＬ）と脱イオン水（３３ｍＬ）の混合物をアルゴンで１時間脱気した。９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレン−２,７−ジボロン酸ビス（ピナコール）エステル（実施例４（ｂ））（４ｇ、０．００６４ｍｏｌ）、２,７−ジブロモ−９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン（実施例１（ｂ））（３．７ｇ、０．００６４ｍｏｌ）及びリン酸三カリウム（１７．５ｇ、０．０８３ｍｏｌ）を加え、アルゴンでさらに脱気すると同時に、生じた混合物を５０℃に加熱した。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１５ｍｇ、０．０１６ｍｍｏｌ）とトリシクロヘキシルホスフィン（１０ｍｇ、０．０４ｍｍｏｌ）を加えて、反応混合物を７０℃で１８時間加熱し、この間に固体ポリマーケーキが形成された。該反応を室温に冷却させて、液体をデカンテーションした。次に固体をトルエン（２００ｍＬ）を用いて室温で１８時間撹拌した。厚いゲル（ｔｈｉｃｋｇｅｌ）を形成した。真空で混合物を濃縮させ、次に残留物にテトラヒドロフラン（５００ｍＬ）を加え、６０℃で撹拌しながら加熱した。テトラヒドロフラン溶液をデカンテーションした。このような加熱抽出過程（３×）を繰り返し、テトラヒドロフラン抽出物を合併し、次に真空で濃縮させて、プラスチック状固体を得た。該固体をテトラヒドロフランに再溶解し、次に珪藻土パッドを通して、テトラヒドロフランにより溶離した。生成物の溶離液を部分的に濃縮させて、次にテトラヒドロフランで約３００ｍＬの全体積になるまで再希釈した。活性炭（１ｇ）を加えた。混合物を５０℃で３０分間加熱し且つ厚いうちに濾過した。活性炭処理と濾過を合計３回繰り返し、次に真空で濾液を濃縮させて、黄色発泡物を得た。該発泡物をテトラヒドロフラン（７５ｍＬ）に再溶解し、次にガラスビーカーにおいて迅速に撹拌しているメタノール（２５０ｍＬ）に１滴ずつ加えた。生じた固体を真空濾過して収集し風乾し（５０℃）、黄色固体として５０：５０９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,９−ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］−９Ｈ−フルオレンのランダムコポリマー（１．２７ｇ）を得た。ＧＰＣ Ｍｎ ４５７８３,ＰＤ ４．５０。
【０３６０】
実施例４のポリマーは、１０００Ｈｚで５．９の比誘電率と６．２×１０−７ｃｍ２／Ｖｓの電荷移動度（小分子ＯＳＣがない場合、１重量％のブロモベンゼン溶液を調製し、Ｌ＝１２．２μｍである）を有する。製造に用いられるポリマーにおけるｍとｎを最も近く四捨五入した整数の平均値はそれぞれ５８と５８であった。
【０３６１】
製剤実施例４（ａ）
【０３６２】
これら実施例において、ポリマーと半導体の比率は重量部基準である。実施例４のポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）とを、２：１の比率で、ブロモベンゼンと２−プロパノールの混合溶媒（重量比率９：１）において、１．２重量％の全固体担持量で配合し、上記プロセスにおいて説明した方法ＢによりコーティングしてＯＴＦＴデバイスのＯＳＣ層とした。
【０３６３】
製剤４（ａ）のＯＴＦＴ性能が以下に示される。
【表６】
2019515090.tif 000052
【０３６４】
製剤４（ａ）を半導体層として製造された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、短チャネル長さの場合、優れた電荷キャリア移動度及び高いデバイスとデバイスの均一性を示した。
【０３６５】
実施例５
【０３６６】
９−ヘキシル−９−（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレンホモポリマーの合成
【０３６７】
５（ａ）６−クロロ−２,２−ジメチルヘキソニトリルの合成
【化４３】
2019515090.tif 000053
アルゴン雰囲気下で、ジイソプロピルアミン（３１．４ｇ、０．３１ｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン（１４０ｍＬ）に加えて、−７０℃に冷却させた。ｎ−ブチルリチウム（ヘキサンにおける２．１Ｍ、１３８ｍＬ、０．２９ｍｏｌ）に１滴ずつ加え、外部冷却によりＴ＜−６０℃に保持した。−７０℃に冷却させた後、無水ＴＨＦ（７０ｍＬ）におけるイソブチロニトリル（１３．５ｇ、０．１９ｍｏｌ）の溶液に１滴ずつ加えて、反応混合物を−７０℃で２０分間撹拌した。−７０℃で無水ＴＨＦ（７０ｍＬ）における１−クロロ−４−ブロモブタン（５０ｇ、０．２９ｍｏｌ）の溶液に１滴ずつ加えて、反応ケーキをさらに２．５時間撹拌した。反応を飽和の含水塩化アンモニウム（１５０ｍＬ）でクエンチさせ、室温に加熱した。ヘプタンを加えて、層に分けて別のヘプタン（２×）で水相を抽出した。合併した有機物を食塩水で洗浄して、乾燥（Ｎａ２ＳＯ４）させて濾過した。真空で濾液を濃縮させて、浅黄色油を得て、該浅黄色油をドライフラッシュクロマトグラフィー（ヘプタンにおける０−１０％の酢酸エチル）により精製し、無色油として６−クロロ−２,２−ジメチルヘキソニトリル（２８ｇ、９２％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ３．５４ （ｔ, ２Ｈ）, １．８０ （ｍ, ２Ｈ）, １．６２ （ｍ, ２Ｈ）, １．５２ （ｍ, ２Ｈ）, １．３２ （ｓ,６Ｈ）。
【０３６８】
５（ｂ）  ６−ヨード−２,２−ジメチルヘキソニトリルの合成
【化４４】
2019515090.tif 000054
６−クロロ−２,２−ジメチルヘキソニトリル（２８ｇ、０．１８ｍｏｌ）をメチルエチルケトン（３００ｍＬ）に溶解した。ヨウ化ナトリウム（３４．２ｇ、０．２３ｍｏｌ）を加えて、混合物を還流させながら１８時間加熱した。室温に冷却させた後、固体を濾別してヘプタンで洗浄した。真空で濾液を濃縮させて、次にヘプタンで粉砕した。固体を濾過してヘプタンで再び洗浄し、次に真空で合併したヘプタン層を濃縮させ、黄色油として６−ヨード−２,２−ジメチルヘキソニトリル（４３．８ｇ、９７％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ３．１６ （ｔ, ２Ｈ）, １．８０ （ｍ, ２Ｈ）, １．６２ - １．４６ （ｍ, ４Ｈ）, １．３１（ｓ, ６Ｈ）。
【０３６９】
５（ｃ）  ９−ヘキシル−９−（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレンの合成
【化４５】
2019515090.tif 000055
アルゴン雰囲気下で、フルオレン（ＳｉｇｍａＡｌｄｒｉｃｈ）（１０ｇ、０．０６ｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン（１５０ｍＬ）に溶解して、−７０℃に冷却させた。ｎ−ブチルリチウム（ヘキサンにおける２．５Ｍ、２４ｍＬ、０．０６ｍｏｌ）に１滴ずつ加えて、オレンジ色懸濁液を得て、次に反応混合物を−１０℃に加熱して１時間撹拌した。該反応混合物を−７０℃に冷却させ、次に１−ブロモヘキサン（９．９３ｇ、０．０６ｍｏｌ）を１滴ずつ加えた。反応混合物を室温に加熱して２時間撹拌し、同時にアルゴン雰囲気を保持し、次に−７０℃に冷却させた。ｎ−ブチルリチウム（ヘキサンにおける２．５Ｍ、２４ｍＬ、０．０６ｍｏｌ）に１滴ずつ加えて、赤色溶液を得た。反応混合物を−１０℃に加熱して１時間撹拌し、次に−７０℃に冷却させて、次に６−ヨード−２,２−ジメチルヘキソニトリル（実施例５（ａ））（１５．１ｇ、０．０６ｍｏｌ）を１滴ずつ加えた。該反応混合物を室温で１８時間撹拌し、次に５℃に冷却させて水（１５０ｍＬ）でクエンチさせた。各層を分離して酢酸エチル（２００ｍＬ）で水相を抽出した。合併した有機物を水（２００ｍＬ）と食塩水（２００ｍＬ）で洗浄し、乾燥（Ｎａ２ＳＯ４）させて濾過した。真空で濾液を濃縮させて、オレンジ色油を得て、該オレンジ色油をドライフラッシュクロマトグラフィー（ヘプタンにおける０−１０％の酢酸エチル）で部分的に精製した。真空で生成物を含有する画分を濃縮させ、狭い勾配（ヘプタンにおける０−５％の酢酸エチル）を有するドライフラッシュクロマトグラフィーにより再び精製した。真空で純粋なカラム画分を濃縮させて、硬化灰白色油として９−ヘキシル−９−（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン（３．４ｇ、１５％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ７．７０ （ｍ, ２Ｈ）, ７．３７ - ７．３０ （ｍ, ６Ｈ）, ２．０４ （ｍ, ４Ｈ）, １．２８ （ｍ, １０Ｈ）, １．１２ - １．０４ （ｍ, ６Ｈ）, ０．７９ （ｔ, ３Ｈ）, ０．６４ （ｍ, ４Ｈ）。
【０３７０】
９−ヘキシル−９−（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレンホモポリマーの合成（実施例５）
【化４６】
2019515090.tif 000056
アルゴン雰囲気下で、無水塩化第二鉄（ＩＩＩ）（５．９ｇ、０．０３６ｍｏｌ）をジクロロメタン（８０ｍＬ）に懸濁させ、撹拌しながら、０℃に冷却させた。９−ヘキシル−９−（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン（実施例５（ｂ））（３．４ｇ、０．００９ｍｏｌ）をジクロロメタン（２０ｍＬ）に溶解して１滴ずつ加えた。黒色懸濁液を形成した。反応混合物を室温で９６時間撹拌し、次に激しく撹拌しているメタノール（２００ｍＬ）に投入した。真空濾過して固体を収集し、次にトルエン（２００ｍＬ）に再溶解した。脱イオン水（１５０ｍＬ）を加えて、次に該混合物を珪藻土パッドで濾過し、トルエンと脱イオン水で洗浄した。各層を分離して、真空で有機相を濃縮させ、黄色固体を得た。該固体をトルエン（８０ｍＬ）に再溶解して活性炭（１ｇ）を加えた。混合物を５０℃で３０分間加熱し熱いうちに濾過した。活性炭処理と濾過を合計３回繰り返し、次に真空で濾液を濃縮させて、黄色固体を得た。発泡物をテトラヒドロフラン（４５ｍＬ）に再溶解して、次にガラスビーカーにおいて迅速に撹拌しているメタノール（１５０ｍＬ）に１滴ずつ加えた。生じた固体を真空濾過により収集して風乾し（５０℃）、黄色固体として９−ヘキシル−９−（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレンホモポリマー（１．７７ｇ）を得た。ＧＰＣ Ｍｎ １２２７６,ＰＤ ２．８６。
【０３７１】
実施例５のポリマーは、１０００Ｈｚで６．２の比誘電率と１．０×１０−５ｃｍ２／Ｖｓの電荷移動度（小分子ＯＳＣがない場合、２重量％のテトラヒドロナフタレン溶液として調製し、Ｌ＝１０．５μｍである）を有する。製造に用いられるポリマーにおけるｍを最も近く四捨五入した整数の平均値は３３であった。
【０３７２】
製剤実施例５（ａ）
【０３７３】
これら実施例において、ポリマーと半導体の比率は重量部基準である。実施例５のポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）とを、２：１の比率で、テトラヒドロナフタレン溶媒と２−プロパノールの混合溶媒（重量比率９：１）において、１．２重量％の全固体担持量で配合し、上記プロセスにおいて説明した方法ＢによりコーティングしてＯＴＦＴデバイスのＯＳＣ層とした。
【０３７４】
製剤５（ａ）のＯＴＦＴ性能が以下に示される。
【表７】
2019515090.tif 000057
【０３７５】
製剤５（ａ）を半導体層として製造された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、短チャネル長さの場合、優れた電荷キャリア移動度及び高いデバイスとデバイスの均一性を示した。
【０３７６】
製剤実施例５（ｂ）
【０３７７】
これら実施例において、ポリマーと半導体の比率は重量部基準である。実施例５のポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）とを、２：１の比率で、テトラヒドロナフタレン溶媒において、１．２重量％の全固体担持量で配合し、上記プロセスにおいて説明した方法ＢによりコーティングしてＯＴＦＴデバイスのＯＳＣ層とした。
【０３７８】
製剤５（ｂ）のＯＴＦＴ性能が以下に示される。
【表８】
2019515090.tif 000058
【０３７９】
製剤５（ｂ）を半導体層として製造された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、短チャネル長さにおいて、優れた電荷キャリア移動度及び高いデバイスとデバイスの均一性を示した。
【０３８０】
実施例６
【０３８１】
５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのランダムコポリマーの合成
【０３８２】
６（ａ）  ４,４’−ジブロモ−２−ビフェニルカルボン酸の合成
【化４７】
2019515090.tif 000059
２,７−ジブロモフルオレンケトン（ＳｉｇｍａＡｌｄｒｉｃｈ）（２８．４ｇ、０．０６９ｍｏｌ）、水酸化カリウム（３９ｇ、０．６９ｍｏｌ）及びトルエン（４７０ｍＬ）を合併し、撹拌しながら、還流下で４時間加熱した。反応ケーキを室温に冷却させて、水（１Ｌ）とトルエン（５００ｍＬ）で希釈し且つ短時間で撹拌した。各層を分離して、水（３００ｍＬ）で有機相を洗浄した。トルエン相を捨てた。２Ｍ塩酸で合併した水層を酸性化して、白色沈殿を形成した。さらに１５分間撹拌した後、真空濾過により固体を収集して、水で洗浄し、次に所定重量になるまで風乾（５０℃）した。それにいよって、白色固体として４,４’−ジブロモ−２−ビフェニルカルボン酸（２３．１ｇ、９４％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （ｄ６ ＤＭＳＯ） ７．８７ （ｄ, １Ｈ）, ７．７５ （ｄｄ, １Ｈ）, ７．５９ （２Ｈ, ｄ）, ７．３２ - ７．２３（ｍ, ３Ｈ）。
【０３８３】
６（ｂ）  ４,４’−ジブロモ−２−ビフェニルアシルクロライドの合成
【化４８】
2019515090.tif 000060
アルゴン雰囲気下で、４,４’−ジブロモ−２−ビフェニルカルボン酸（実施例６（ａ））（２３．２ｇ、０．０６５ｍｏｌ）をジクロロメタン（２３０ｍＬ）に懸濁させた。塩化オキサリル（１１ｍＬ、０．１３ｍｏｌ）を加えて、次にＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミド（１−２滴）を加えた。反応混合物を室温で１８時間（気体を放出した）撹拌し、オレンジ色溶液を形成した。真空で反応混合物を濃縮させて、オレンジ色固体を得て、固体をヘプタンから再結晶化させた。冷却と結晶化前に、生成物を含有する熱いヘプタン溶液をデカンテーションして、少量の不溶残留物を除去した。ヘプタン溶液を冷却させた後、真空濾過により固体生成物を収集して、真空（４０℃）で乾燥させた。それによって、浅褐色固体として４,４’−ジブロモ−２−ビフェニルアシルクロライド（２０．９ｇ、８６％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ８．１３（ｄ, １Ｈ）, ７．７４ （ｄｄ, １Ｈ）, ７．５５ （ｍ, ２Ｈ）, ７．２４ （ｄ, １Ｈ）, ７．１６ （ｍ, ２Ｈ）。
【０３８４】
６（ｃ）  ９−オクタデセンの合成
【化４９】
2019515090.tif 000061
アルゴンにおいて、１−デシン（１５ｇ、０．１０８ｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン（２５０ｍＬ）に溶解して、−７８℃に冷却させた。ｎ−ブチルリチウム（ヘキサンにおける２．５Ｍ、３９．２ｍＬ、０．０９８ｍｏｌ）に１滴ずつ加え、反応温度を＜−６０℃に保持し、次に混合物を−７８℃で３０分間撹拌して、次に室温に加熱した。ｎ−オクチルブロマイド（１５ｍＬ、０．０８７ｍｏｌ）とヨウ化ナトリウム（１．６２ｇ、０．００８７ｍｏｌ）を加えて、反応混合物を還流させながら１８時間に加熱した。０℃に冷却させた後、反応を飽和塩化アンモニウム溶液の添加によりクエンチさせた。該混合物を水（５０ｍＬ）と酢酸エチル（２００ｍＬ）で希釈した。各層を分離して酢酸エチル（２×）で水相を抽出した。合併した有機物を水（２００ｍＬ）、食塩水（２００ｍＬ）で洗浄し、次に乾燥（Ｎａ２ＳＯ４）させて濾過した。真空で濾液を濃縮させて、オレンジ色油として９−オクタデセン（２５．１ｇ、９３％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ２．１８ - ２．１０ （ｍ, ４Ｈ）, １．５５ - １．１５ （ｍ, ２４Ｈ）, ０．８５ （ｍ, ６Ｈ）。
【０３８５】
６（ｄ）  ２,７−ジブロモ−９,１０−ジオクチルフェナントレンの合成
【化５０】
2019515090.tif 000062
注：キシレン（異性体の混合物）は使用前にアルゴンで徹底的に脱気しておく。
４,４’−ジブロモ−２−ビフェニルアシルクロライド（実施例６（ｂ））（６．７ｇ、０．０１８ｍｏｌ）及び９−オクタデセン（実施例６（ｃ））（５．３ｇ、０．０２１ｍｏｌ）をキシレン（４０ｍＬ）に溶解して、「溶液Ａ」を製造した。丸底フラスコにおいて、クロロ（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）二量体（０．１２ｇ、０．０００１８ｍｏｌ）をキシレン（１８０ｍＬ）に溶解した。トリス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）（トルエンにおける１Ｍ、０．３６ｍＬ、０．０００３６ｍｏｌ）を加えた後、「溶液Ａ」を加えた。反応混合物を１３０℃で１８時間加熱し、濃オレンジ色の溶液を得た。室温に冷却させた後、真空で反応混合物を濃縮させ、黒色固体を得た。イソプロパノールで該固体を粉砕して、室温で１時間撹拌した。固体を真空濾過により収集して、イソプロパノールで洗浄し（２×）部分的に乾燥させた。イソプロパノールから部分的に精製した固体を再結晶化させて、灰白色固体として２,７−ジブロモ−９,１０−ジオクチルフェナントレン（５．２ｇ、５２％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ８．４９ （ｄ, ２Ｈ）, ８．１９ （ｍ, ２Ｈ）, ７．６６ （ｍ, ２Ｈ）, ３．０６ （ｍ, ４Ｈ）, １．６９ - １．５１（ｍ, １０Ｈ）, １．４２ - １．３２ （ｍ, １４Ｈ）, ０．９０ （ｍ, ６Ｈ）。
【０３８６】
６（ｅ）９,１０−ジオクチルフェナントレン−２,７−ジボロン酸ビス（ピナコール）エステルの合成
【化５１】
2019515090.tif 000063
２,７−ジブロモ−９,１０−ジオクチルフェナントレン（実施例６（ｄ））（１０．２ｇ、０．０１８ｍｏｌ）を１,４−ジオキサン（２２０ｍＬ）に溶解し、溶液をアルゴンで３０分間脱気した。ビス（ピナコラト）ジボロン（１０．２ｇ、０．０４ｍｏｌ）、酢酸カリウム（６．３ｇ、０．０６４ｍｏｌ）及び［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（ｄｐｐｆ）錯体（０．６６６ｇ、０．０００９ｍｏｌ）を加えて、反応混合物を９０−１００℃で１８時間加熱した。この段階において、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）により分析したところ、少量の出発材料が残されており、該反応混合物を９０−１００℃でさらに３時間加熱した。室温に冷却させた後、珪藻土パッドで反応混合物を濾過して、ジクロロメタンで洗浄し、次に真空で濾液を濃縮させて、暗色固体を得た。イソプロパノールから再結晶化させて、褐色固体として９,１０−ジオクチルフェナントレン−２,７−ジボロン酸ビス（ピナコール）エステル（８．６ｇ、７３％）を得た。
１Ｈ ＮＭＲ （３００ ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３） ８．７０ （ｄ, ２Ｈ）, ８．５９ （ｓ, ２Ｈ）, ７．９６ （ｄ, ２Ｈ）, ３．２２ （ｍ, ４Ｈ）, １．７７ - １．６７ （ｍ, ４Ｈ）, １．６３- １．５３（ｍ, ４Ｈ）, １．４８ - １．２７ （ｍ, ４０Ｈ）, ０．９０ （６Ｈ, ｍ）。
【０３８７】
５０：５０  ９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのランダムコポリマーの合成（実施例６）
【化５２】
2019515090.tif 000064
１,４−ジオキサン（１１０ｍＬ）と脱イオン水（５０ｍＬ）の混合物をアルゴンで脱気した。２,７−ジブロモ−９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン（実施例１（ｂ））（４．３６ｇ、０．００７６ｍｏｌ）、９,１０−ジオクチルフェナントレン−２,７−ジボロン酸ビス（ピナコール）エステル（実施例６（ｅ））（５ｇ、０．００７６ｍｏｌ）及びリン酸三カリウム（８．１ｇ、０．０３８ｍｏｌ）を加えて、生じた溶液をアルゴンで脱気した。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（７ｍｇ、０．００７６ｍｍｏｌ）とトリシクロヘキシルホスフィン（５ｍｇ、０．０１８ｍｍｏｌ）を加えて、反応ケーキを７０℃で１８時間加熱した。緑色固体ケーキの形成が確認された。室温に冷却させた後、液体をデカンテーションして固体ケーキをトルエン（３００ｍＬ）に溶解した。脱イオン水（２００ｍＬ）を加えて、混合物を珪藻土パッドで濾過し、トルエンで洗浄した。各層を分離して脱イオン水（２００ｍＬ）で有機相を洗浄し、次に真空で濃縮させた。粗生成物をトルエンに再溶解して、次にドライフラッシュクロマトグラフィーにより精製し、まずトルエンで溶離して、次に１：１テトラヒドロフラン−トルエンで溶離した。生成物を含む画分を合併して、真空で濃縮させて、濃緑色固体を得た。該固体をトルエン（２５０ｍＬ）に再溶解した。活性炭（１ｇ）を加えて、次に混合物を５０℃で３０分間加熱し、熱いうちに濾過した。活性炭処理と濾過を合計３回繰り返して、次に濾液を真空で濃縮させ、テトラヒドロフラン（７５ｍＬ）に再溶解した。該溶液を撹拌しているメタノール（２５０ｍＬ）に１滴ずつ加えた。４５分間撹拌後、ポンプで固体を濾過して、次に風乾し（５０℃）、緑色固体として５０：５０９,９−ビス（５−シアノ−５−メチルヘキシル）フルオレン：９,１０−ジオクチルフェナントレンのランダムコポリマー（４．５２ｇ）を得た。ＧＰＣ Ｍｎ ９２４１,ＰＤ ２．０７。
【０３８８】
実施例６のポリマーは、１０００Ｈｚで７．３の比誘電率と１．４×１０−５ｃｍ２／Ｖｓの電荷移動度（小分子ＯＳＣがない場合、２重量％のブロモベンゼン溶液として調製し、Ｌ＝１０．５μｍである）を有する。製造に用いられるポリマーにおけるｍとｎを最も近く四捨五入した整数の平均値はそれぞれ１１と１１であった。
【０３８９】
製剤実施例６（ａ）
これら実施例において、ポリマーと半導体の比率は重量部基準である。実施例６のポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６,１３−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）とを、２：１の比率で、ブロモベンゼン溶媒において、１．２重量％の全固体担持量で配合し、上記プロセスにおいて説明した方法ＢによりコーティングしてＯＴＦＴデバイスのＯＳＣ層とした。
【０３９０】
製剤６（ａ）のＯＴＦＴ性能が以下に示される。
【表９】
2019515090.tif 000065
【０３９１】
製剤６（ａ）を半導体層として製造された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、短チャネル長さの場合、優れた電荷キャリア移動度及び高いデバイスとデバイスの均一性を示した。
【０３９２】
製剤実施例６（ｂ）
【０３９３】
これら実施例において、ポリマーと半導体の比率は重量部基準である。実施例６のポリマーと１,４,８,１１−テトラメチル−６、１−ビス（トリエチルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＭＴＥＳ）とを、２：１の比率で、ブロモベンゼン溶媒と２−プロパノールの混合溶媒（重量比率９：１）において、１．２重量％の全固体担持量で配合し、上記プロセスにおいて説明した方法ＢによりコーティングしてＯＴＦＴデバイスのＯＳＣ層とした。
【０３９４】
製剤６（ｂ）のＯＴＦＴ性能が以下に示される。
【表１０】
2019515090.tif 000066
【０３９５】
製剤６（ｂ）を半導体層として製造された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、短チャネル長さの場合、優れた電荷キャリア移動度及び高いデバイスとデバイスの均一性を示した。
【図１】
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【国際調査報告】
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