(57)【要約】【課題】本発明は、流体アセンブリにおいて非対称で安定性を提供するダイオードに関するものである。【解決手段】実施例は流体アセンブリに用いられるシステム及び方法に関し、特に素子が基板に堆積されるのを確保するのに用いられるシステム及び方法に関する。
2019521380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の窪みを含む基板と、
キャリア液及び複数のポストエンハンスドダイオードの懸濁液を含み、各ポストエンハンスドダイオードはダイオードの頂表面から延伸するポストを含むことを特徴とする流体アセンブリシステム。
【請求項２】
操作可能な前記基板上に前記懸濁液を移動させる懸濁液移動装置を備え、前記複数のポストエンハンスドダイオードの一部は前記複数の窪みにおける対応する窪みに堆積することを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項３】
前記ポストエンハンスドダイオードのダイオード構造は、
少なくとも一部が第一導電材料により形成された頂表面と、
少なくとも一部が第二導電材料により形成された平面の底表面と、
電荷を第一導電材料に伝導するのに用いられる第一接触点と、
電荷を第二導電材料に伝導するのに用いられる第二接触点と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項４】
前記複数の窪みのそれぞれは、当該窪みから延伸して前記基板を貫通する貫通孔を備え、且つ前記ポストにおける基本的に前記ダイオードの頂表面に平行な表面の幅は前記貫通孔の幅より大きいことを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項５】
前記複数の窪みのそれぞれは、当該窪みから延伸して前記基板を貫通する貫通孔を備え、且つ前記貫通孔は対応する窪みの円形の底部の中心から離れていることを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項６】
前記ダイオード構造は底表面を備え、且つ前記底表面の最大幅は前記複数の窪みのそれぞれの最大幅より小さいことを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項７】
電気接触点が前記複数の窪みのそれぞれの内表面上に形成されることを特徴する請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項８】
前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は非反転配向であり、前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は反転配向であり、且つ一つの対応する窪みに堆積する前記複数のポストエンハンスドダイオード中の一つは非反転配向上において反転配向よりもさらに機械的に安定していることを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項９】
前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は非反転配向であり、前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は反転配向であり、且つ前記基板の表面と接触する前記複数のポストエンハンスドダイオード中の一つの配向は非反転配向上において反転配向よりもさらに機械的に安定していることを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項１０】
前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は非反転配向であり、前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は反転配向であり、且つ前記基板はさらに、少なくとも一つの凹溝を備え、前記凹溝は、前記凹溝を通過する前記複数のポストエンハンスドダイオードの内の１つが、非反転配向上において反転配向よりもさらに機械的に安定するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項１１】
前記凹溝は前記基板中に延伸し、且つ前記凹溝の前辺縁は後辺縁の傾斜度より大きく、且つ懸濁液を基板上で移動させる時、一つの前記ポストエンハンスドダイオードは前記前辺縁を横切る前に前記後辺縁を横切ることを特徴とする請求項１０に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項１２】
前記凹溝が前記基板に入る深さは前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さいことを特徴とする請求項１０に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項１３】
前記凹溝の前記基板の表面部分の幅は、前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さいことを特徴とする請求項１０に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項１４】
少なくとも一部が第一導電材料により形成された平面の頂表面と、
少なくとも一部が第二導電材料により形成された平面の底表面と、
前記頂表面から延伸するポストと、
電荷を第一導電材料に伝導するのに用いられる第一接触点と、
電荷を第二導電材料に伝導するのに用いられる第二接触点と、を備えることを特徴とするポストエンハンスドダイオード。
【請求項１５】
前記頂表面は一つの第一最大幅を有し、前記ポストの基本的に前記頂表面に平行な表面は一つの第二最大幅を有し、且つ前記第一最大幅は前記第二最大幅の少なくとも二倍であることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項１６】
前記ポストは前記頂表面から前記ポストの基本的に前記頂表面に平行な表面までの高さを有し、且つ前記頂表面と前記底表面との間の距離は厚さであり、前記厚さと高さの比率は１：０．６〜１：４の範囲内であることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項１７】
前記頂表面は一つの最大幅を有し、前記頂表面と前記底表面との間の距離は厚さであり、最大幅と厚さのアスペクト比は５：１〜５０：１の範囲内であることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項１８】
前記ポストは第一電気接触点であることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項１９】
前記ポストは絶縁材料から製造されることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２０】
前記頂表面は円形、多角形及び楕円形からなる組み合わせにおいて選択された形状を有することを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２１】
前記頂表面は六角形の形状を有することを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２２】
前記ポストの基本的に前記頂表面に平行な表面は円形、多角形及び楕円形からなる組み合わせにおいて選択された形状を有することを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２３】
前記ポストは第三導電材料から製造されることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２４】
前記第三導電材料は前記第一導電材料と同じであることを特徴とする請求項２３に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２５】
前記第一導電材料はｐドープの半導体材料であり、前記第二導電材料はｎドープの半導体材料であることを特徴とする請求項２４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２６】
前記第一導電材料はｎドープの半導体材料であり、前記第二導電材料はｐドープの半導体材料であることを特徴とする請求項２４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２７】
基板の頂表面から延伸する複数の窪みを備え、前記複数の窪みの各窪みは一つのポストエンハンスドダイオードを受け、前記ポストエンハンスドダイオードはダイオード構造の頂表面から延伸するポストを備え、
前記基板の前記頂表面の少なくとも一つの凹溝に延伸して入り、且つ前記凹溝を通過する前記複数のポストエンハンスドダイオードの配向が、非反転配向上において反転配向よりもさらに機械的に安定するように配置され、非反転配向中の前記ポストは前記基板の前記頂表面から離れる方向へ延伸し、反転配向中の前記ポストは前記基板に向かって延伸していることを特徴とする流体アセンブリに用いられる基板。
【請求項２８】
前記凹溝の前記基板に入る深さは、前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さいことを特徴とする請求項記載２７の流体アセンブリシステム。
【請求項２９】
前記凹溝の前記基板の表面部分の幅は、前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さいことを特徴とする請求項２７に記載の流体アセンブリシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施例は流体アセンブリに用いられるシステム及び方法に関し、特に素子が基板に堆積されるのを確保するのに用いられるシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤディスプレイ、ＬＥＤディスプレイアセンブリ及びアレイＬＥＤ装置は、ディスプレイまたは装置の表面上の規定位置に形成された或いは配置された大量のダイオードを備える。規定位置に形成または配置されるダイオードの数が大量になると、生産量が低下したり、欠陥が多くなったりする。これらのことは、ディスプレイまたは装置の生産過程における生産量を低減させる。ディスプレイまたは装置の生産能力や生産量を向上させる方法は、各画素のダイオードの数を増やし、各画素に少なくとも十分な数の冗長ダイオードが適切に形成されるようにすることである。この種の方法は、ディスプレイまたは装置の生産量を増加させるものである。しかし、現状の生産過程では、各画素に大量の冗長ダイオードを追加し得るようになっておらず、ディスプレイの生産量は依然として期待値を下回るものとなっている。ディスプレイの生産量が１００パーセントに及ばないならば、それが何パーセントであったとしても、利益に対する影響及び製造における生産量に対する影響の両方面において、各画素に大量の冗長ダイオードを追加し得るようにすることのニーズは高い。
【０００３】
したがって、少なくとも上記の理由から、本分野はＬＥＤディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ素子及びＬＥＤ装置の製造に用いられる先進的なシステム及び方法が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
以上の問題点に鑑みて、本発明は、流体アセンブリに用いられるシステム及び方法、特に素子が基板に対して堆積されるのを確保するのに用いられるシステム及び方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
当該発明の内容は、本発明の一つの実施例の概略を提供するものである。“一つの実施例において”、“一つの実施例に基づいて”、“各種実施例において”、“一つのまたは複数の実施例において”、“特定の実施例において”等のフレーズは、一般的に、フレーズの後の特定の特徴、構造または特性が、本発明の少なくとも一つの実施例又は一つ以上の実施例に含まれていることを表す。重要なのは、これらのフレーズは、必ずしも一つの実施例だけを指しているのではないということである。以下では、詳細な説明、特許請求項の範囲及び図面により、本発明の複数のその他の実施例を明確にする。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
明細書における残りの部分に記載されている図面を参照することにより、本発明の各種の実施例に対するさらなる理解を実現できる。図面において、同じ図面の符号は複数の図面で使用され、類似する素子を指す。一つの状況において、小文字からなるサブラベルは図面の符号と関連して複数の類似する素子のうちの一つを表示する。図面の番号を参照するため既存のサブラベルが指定されていない場合、全てのこのような複数の類似する素子を指すことを意味する。
【０００７】
【図１】図１は、本発明の一つのまたは複数の実施例に基づく、基板の表面に対してキャリア液及び複数のポストエンハンスドダイオード（ｐｏｓｔ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｄｉｏｄｅｓ）からなる懸濁液を移動させることができる流体アセンブリシステムを示している。
【図２ａ−２ｅ】図２ａ−２ｅは本発明の実施例に基づく、複数の窪みを有する基板のディスプレイの一部を示しており、各窪みには対応するポストエンハンスドダイオードが充填されている。
【図３ａ−３ｄ】図３ａ−３ｄは本発明の一つの実施例に基づく、一つの窪みを有するディスプレイを示しており、この窪みにポストエンハンスドダイオードを堆積させることができる。
【図４ａ−４ｄ】図４ａ−４ｄは本発明のその他の実施例に基づく、貫通孔を含む窪みを含むディスプレイの一部を示しており、この貫通孔中にポストエンハンスドダイオードを堆積させることができる。
【図５ａ】図５ａは本発明の一つのまたは複数の実施例の同心凹溝窪みを含むディスプレイの一部を示しており、この同心凹溝窪み中にポストエンハンスドダイオードを堆積させることができる。
【図５ｂ】図５ｂは本発明の一つのまたは複数の実施例の同心凹溝窪みを含むディスプレイの一部を示しており、この同心凹溝窪み中にポストエンハンスドダイオードを堆積させることができる。
【図５ｃ】図５ｃは本発明の一つのまたは複数の実施例の同心凹溝窪みを含むディスプレイの一部を示しており、この同心凹溝窪み中にポストエンハンスドダイオードを堆積させることができる。
【図５ｄ】図５ｄは本発明の一つのまたは複数の実施例の同心凹溝窪みを含むディスプレイの一部を示しており、この同心凹溝窪み中にポストエンハンスドダイオードを堆積させることができる。
【図６ａ】図６ａは本発明のその他の実施例の交互の凹溝パターンを上から見た図である。
【図６ｂ】図６ｂは本発明のその他の実施例の交互の凹溝パターンを上から見た図である。
【図７】図７は本発明の一つの実施例のポストエンハンスドダイオードに用いられる方法をのフローチャートである。
【図８】図８は本発明の各種実施例で示されるポストエンハンスドダイオードをベース窪みまで堆積させ、または、配置する方法のフローチャートである。
【図９】図９は本発明の各種実施例で示されるポストエンハンスドダイオードをベース窪みまで堆積させ、または、配置する方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
実施例は流体アセンブリに用いられるシステム及び方法、特に素子が基板に堆積されるのを確保するのに用いられるシステム及び方法に関する。
【０００９】
本発明の各種実施例は、基板及び懸濁液を含む流体アセンブリシステムを提供する。基板は複数の窪みを備え、且つ懸濁液はキャリア液及び複数のポストエンハンスドダイオード（ｐｏｓｔ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｄｉｏｄｅｓ）を備える。各ポストエンハンスドダイオードはダイオード構造の頂表面から延伸するポストを含む。前記実施例の一つの例において、前記システムはさらに操作可能な、基板上において懸濁液を移動する懸濁液移動装置を備え、複数のポストエンハンスドダイオードの一部を前記複数の窪みの対応する窪み中に堆積させる。
【００１０】
前記実施例の各種の例において、ポストエンハンスドダイオードのダイオード構造は、少なくとも一部が第一導電材料により形成された頂表面と、少なくとも一つが第二導電材料により形成された平面の底表面と、電荷を前記第一導電材料に伝導する第一電気接触点と、電荷を前記第二導電材料に伝導する第二電気接触点と、を備える。前記実施例の一つまたは複数の例において、前記複数の窪み中の各々は、対応する窪みの底部から延伸して前記基板の貫通孔を貫通する。一つのこのような状況において、前記ポストにおける基本的にダイオード構造の頂表面に平行な表面の幅は貫通孔の幅より大きい。その他のこのような状況において、貫通孔は対応する窪みの基本的に円形の底部の中心から離れている。
【００１１】
前記実施例の一つの状況において、前記底表面の最大の幅は前記複数の窪みの各々の最大の幅より小さい。前記実施例の各状況において、電気接触点は前記複数の窪みの各々の内表面上に形成される。前記実施例の一つの実施例において、前記ポストの前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオードのそれぞれの配向は非反転配向（ｎｏｎ−ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）であり、前記ポストの前記基板に延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオードのそれぞれの向きは反転配向（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）であり、且つ対応する窪み中に堆積している前記複数のポストエンハンスドダイオード中の一つは非反転配向において、反転配向よりもさらに機械的に安定している。前記実施例の一つまたは複数の例において、前記ポストの前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオードのそれぞれの配向は非反転配向であり、前記ポストの前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオードのそれぞれの配向は反転配向であり、且つ前記基板の表面と接触する前記複数のポストエンハンスドダイオード中の一つの配向は非反転配向において反転配向よりもさらに機械的に安定している。
【００１２】
前記実施例の一つの状況において、前記ポストの前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオードのそれぞれの配向は非反転配向であり、前記ポストの前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオードのそれぞれの配向は反転配向であり、前記基板はさらに少なくとも一つの凹溝を備え、前記凹溝は、前記凹溝を通過する前記複数のポストエンハンスドダイオードの内の１つが、非反転配向上において反転配向よりもさらに機械的に安定するように配置される。一つの例において、前記凹溝は前記基板中に延伸し、且つ前記凹溝の前辺縁は後辺縁の傾斜度より大きく、且つ懸濁液を基板上で移動させる時、一つの前記ポストエンハンスドダイオードは前記前辺縁を横切る前に前記後辺縁を横切る。各種このような例において、前記凹溝が前記基板に入る深さは前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さい。一つまたはそれ以上の例において、前記凹溝の前記基板の表面部分の幅は、前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さい。
【００１３】
本発明のその他の実施例においてポストエンハンスドダイオードを提供する。この種のポストエンハンスドダイオードは、少なくとも一部が第一導電材料により形成された平面の頂表面と、少なくとも一部が第二導電材料により形成された平面の底表面と、前記頂表面から延伸するポストと、電荷を前記第一導電材料まで伝導する第一電気接触点と、前記電荷を前記第一導電材料まで伝導する第二電気接触点と、を備える。
【００１４】
前記実施例の一つの例において、前記頂表面は一つの第一最大幅を有し、前記ポストの基本的に前記頂表面に平行な表面は一つの第二最大幅を有し、且つ前記第一最大幅は前記第二最大幅の少なくとも二倍である。前記実施例の一つの例において、前記ポストの高さは前記頂表面から前記ポストの基本的に前記頂表面に平行な表面まで測定され、且つ前記ダイオードの厚さは、前記頂表面と前記底表面から測定される。一つの例において、前記厚さと高さの比率は１：０．６〜１：４の範囲内である。前記実施例の一つまたは複数の例において、前記頂表面は一つの最大幅を有し、且つ前記ダイオードの厚さは前記頂表面と前記底表面から測定される。一つの例において、最大幅と厚さのアスペクト比は５：１〜５０：１の範囲内である。
【００１５】
前記実施例の一つの例において、前記ポストは前記第一電気接触点である。前記実施例の各種の例において、前記ポストは絶縁材料によって製造される。一つの例において、前記頂表面は円形の形状であり、その他の例において、前記頂表面は楕円の形状である。特定の状況において、前記頂表面は六角形の形状であり、六角形の各面の幅は十分小さく、前記頂表面が所定の窪みに設置されるのを許可する。前記実施例の各種の例において、前記ポストの基本的に前記頂表面に平行な表面は円形の形状を有し、その他の実施例においては楕円の形状を有する。前記実施例の一つまたはそれ以上の例において、前記ポストは第三導電材料により製造され、一つの例において、前記第一導電材料と同じである。一つの例において、前記第一導電材料はｐドープの半導体材料であり、且つ前記第二導電材料はｎドープの半導体材料である。一つの状況において、前記ポストは円形の頂表面を有するか、または複雑な曲率の表面を有してもよく、且つその他の状況において、基本的に平坦な表面を有してもよい。その他の状況において、複数のポストはダイオードの頂表面上に存在してもよい。前記ポストはダイオード表面の中心に位置してもよいし、または偏って位置してもよい。
【００１６】
その他の実施例において、流体アセンブリに用いられる基板を提供する。この種の基板は、前記基板の頂表面から延伸する複数の窪みと、前記複数の窪みの各々の窪みは一つのポストエンハンスドダイオードを受けるのに用いられ、前記基板の前記頂表面に延伸して入る少なくとも一つの凹溝と、を備え、且つ前記凹溝を通過する前記複数のポストエンハンスドダイオードの配向が、非反転配向上において反転配向よりもさらに機械的に安定するように配置される。前記ポストエンハンスドダイオードはダイオード構造の頂表面から延伸するポストを含む。前記ポストエンハンスドダイオードは非反転配向であり、前記ポストは前記基板の頂表面から延伸している。前記ポストエンハンスドダイオードは反転配向であり、前記ポストは前記基板の頂表面から延伸している。前記実施例の一つの例において、前記凹溝が前記基板に入る深さは前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さい。前記実施例の各種の例において、前記凹溝における前記基板の表面部分の幅は前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さい。
【００１７】
図１は、本発明の一つまたは複数の実施例に基づく、基板１４０の表面に対して移動するキャリア液１１５及び複数のポストエンハンスドダイオード１３０からなる懸濁液１１０の流体アセンブリシステム１００を示す。一つの実施例において、基板１４０はガラス基板表面に積層されたポリマー材料から形成される。特定の実施例において、窪み１４２はエッチングされるまたはその他の方法によって積層層中に形成される。本願で使用しているように、用語“窪み”は最も広範囲の意味で使用され、その中で、井戸のように、ポストエンハンスドダイオードの如何なる表面の特徴も堆積できることを意味する。その他の実施例において、基板は窪み１４２により直接ガラス中のガラスによって形成される。窪み１４２は、図に示すように、平坦なまたは垂直な表面を有するか、底部を有すか、、或いは、複雑な曲率を有する側面であってよい。本願で提供される公開内容に基づくと、当業者であれば、基板１４０を形成するのに用いられる様々な材料、製造過程及び／または構造がわかる。例えば、基板１４０は、流体装置の製造過程と互換する如何なる材料または組み合わせた物から形成されてもよい。これは、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、ポリマー、金属またはその他の有機或いは無機材料を含むがこれらに限定されない。例として、ベースガラス板の表面に応用される場合、窪み１４２は、表面特徴層を形成する単一の材料中に設けることができる。パターン化された導体層は、このような表面特徴層中に形成された窪み１４２とベースガラス層との間に存在することも可能である。基板１４０も、多層またはこれらの材料の組み合わせから製造することができる。基板１４０は、平坦であるか、湾曲しているか、剛性であるか、または、フレキシブルな構造であってよい。一つの状況において、基板１４０は、最後に最終的な装置基板になることができるか、または、ポストエンハンスドダイオード１３０を位置決めするためのアセンブリ基板としてのみ使用できる。基板を組み立てる状況において、ポストエンハンスドダイオード１３０の後続のステップにおいて、最終的な装置基板に移動される。
【００１８】
一つの実施例において、キェリア液１１５はイソプロピルアルコールである。本願で提供する公開内容に基づくと、当業者は、キャリア液として使用できる各種液体、気体及び／または液体及び気体の組み合わせがわかる。ここで注意したいのは、本願が提供する各種の分析は、一つの連続する方向の流動に基づくか、またはその他の場合において、比較的簡単な前後運動に基づく。但し、流体はさらに複雑になる可能性があり、流体の速度の方向及び幅は時間の経過に伴って変化する。
【００１９】
図１に示すように、各ポストエンハンスドダイオード１３０は、比較的大きいダイオード構造及びダイオード構造の頂表面から延伸する比較的小さいポストを含む。基板１４０中の窪み１４２は、それぞれ一つの所定の非反転配向のポストエンハンスドダイオード１３０を受ける。本願で使用しているように、語句の“ポストエンハンスドダイオード”はダイオード構造のアノードまたはカソードの表面から延伸するポストを有する如何なる装置も指すことに広く用いられている。ポストの外辺縁の少なくとも一部は、ダイオード構造の辺縁から戻るよう設定される。本願で使用されている語句の“非反転配向”の最も広い意味は、一つのポストエンハンスドダイオード１３０の如何なる配向も示すことに用いられる。ポストは通常基板１４０の頂表面から離れて延伸する（即ち、窪み１４２の底部から離れている）。本願で使用されている語句の“反転配向”における最も広い意味は、一つのポストエンハンスドダイオード１３０の如何なる配向も示すことに用いられる。ポストは通常基板１４０の頂表面から離れて延伸する（即ち、窪み１４２の底部に向いている）。これらの定義を使用して、ポストエンハンスドダイオード１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｆ及び１３０ｇの各箇所は非反転配向であり、ポストエンハンスドダイオード１３０ｃ、１３０ｄ及び１３０ｅの各箇所は反転配向である。ダイオード構造及びポストエンハンスドダイオード１３０のポストについて、以下の図面２ａ−２ｂを併せてさらに詳細に説明する。注意したいのは、一つの状況において、ダイオード構造の各々の一側上の異なる材料により、一側上はアノードを備え、もう一側上のカソードを備えるダイオード構造は非対称と称してもよい。しかしながら、ダイオードに関連する用語“非対称”の使用は、本願において、ダイオード構造から延伸するポストが反転配向と非反転配向との間のポストエンハンスドダイオードのために、その周囲の液体の運動により生成された全ての力の非対称性を指す。一つの状況において、窪み１４２の深さは、基本的に、各ポストエンハンスドダイオード１３０のダイオード構造の高さに等しい。窪み１４２の入り口の開口は各ポストエンハンスドダイオード１３０のダイオード構造の幅より大きく、一つのポストエンハンスドダイオード１３０のみを全ての所定の窪み１４２中に堆積させる。注意したいのは、実施例ではダイオード構造から延伸する一つのポストのポストエンハンスドダイオードを含むことが説明されているが、各種の実施例は、同じダイオード構造から延伸している二つまたは二つ以上のポストを含むポストエンハンスドダイオードを提供している。
【００２０】
堆積装置１５０は、懸濁液１１０を基盤１４０の表面上に堆積する。ダム構造の側面１２０により、懸濁液１１０は、基板１４０の頂部上に保持される。一つの実施例において、堆積装置１５０は、懸濁液１１０の貯蔵槽に入ることができるポンプである。懸濁液移動装置１６０は、基板１４０上に堆積している懸濁液を攪拌し、ポストエンハンスドダイオード１３０を基板１４０の表面に対して移動させる。ポストエンハンスドダイオード１３０が基板１４０の表面に対して移動するため、それらは非反転配向または反転配向により窪み１４２中に堆積する。一つの実施例において、懸濁液移動装置１６０は三次元移動ブラシ（ａ  ｂｒｕｓｈ  ｔｈａｔ  ｍｏｖｅｓ  ｉｎ  ｔｈｒｅｅ  ｄｉｍｅｎ−ｓｉｏｎｓ）である。本願で提供される公開内容に基づくと、当業者は懸濁液移動装置１６０を実行するのに用いることができる機能の各種装置がわかり、ポンプを含むがこれに限定されない。
【００２１】
反転配向で堆積される場合（例えば、ポストエンハンスドダイオード１３０ｄ）、懸濁液移動装置１６０が生成する移動は、反転したポストエンハンスドダイオード１３０を所定の窪み１４２から脱離（ｄｉｓｌｏｃａｔｅ）させる力を生成させる。これに反して、非反転配向で堆積される場合（例えば、ポストエンハンスドダイオード１３０ｇ）、懸濁液移動装置１６０が引き起こした、既に堆積されている非反転配向のポストエンハンスドダイオード１３０上の力は、ポストエンハンスドダイオード１３０を所定の窪み１４２から脱離させることはできない。一つの実施例において、反転したポストエンハンスドダイオード１３０を窪み１４２から脱離させる可能性は、非反転したポストエンハンスドダイオード１３０を窪み１４２から脱離させる可能性よりもはるかに高い。一つの実施例において、反転したポストエンハンスドダイオード１３０と窪み１４２の脱離に必要な力のモーメント（ｍｏｍｅｎｔ ｏｆ ｆｏｒｃｅ）は、０．０１×１０−１４Ｎ−ｍと１．０×１０−１４Ｎ−ｍとの間であり、ポストの幅と高さの比及びダイオード構造は直径次第である（力のモーメントの正の値はポストエンハンスドダイオード１３０のダイオード構造が強制的に回転点の周囲を回転することを表している）。また、非反転配向のポストエンハンスドダイオード１３０と窪み１４２の脱離に必要な力のモーメントは負の値である（力のモーメントの負の値はポストエンハンスドダイオード１３０のダイオード構造が基板１４０の表面上まで下方に押されることを表している）。ポストの同じ幅と高さの比及びダイオード構造の厚さに対して、如何なる変位も起こりそうにない。本願で使用されるているように、ポストエンハンスドダイオードは“おそらく脱離する”と考えられ、その力のモーメントは正の値であり、且つ“脱離は起こりえない”と考えられる場合、その力のモーメントは負の値である。
【００２２】
同様に、反転配向で基板１４０の表面（例えば、ポストエンハンスドダイオード１３０ｅ）を移動して超えた場合、懸濁液移動装置１６０により生成された移動は、反転したポストエンハンスドダイオード１３０を反転する力を生成する。これに反して、非反転配向で基板１４０の表面（例えばポストエンハンスドダイオード１３０ｆ）を移動して超えた場合、懸濁液移動装置１６０が引き起した非反転したポストエンハンスドダイオード１３０上の力はポストエンハンスドダイオード反転させることはできない。一つの実施例において、基板１４０の表面の付近で移動する反転したポストエンハンスドダイオード１３０を反転する可能性は、基板１４０の表面付近で同様に移動する非反転したポストエンハンスドダイオード１３０の可能性より高い。なぜなら、反転したポストエンハンスドダイオード１３０の力のモーメントは非反転したポストエンハンスドダイオード１３０の力のモーメントより大きいからである。
【００２３】
捕獲装置１７０は懸濁液中１１０に延伸し、且つ一部のキャリア液１１５及び未堆積のポストエンハンスドダイオード１３０を含む懸濁液１１０の一部を回収することができる入り口を備え、且つ再利用できるよう回収した材料を戻す。一つの実施例において、捕獲装置１７０はポンプである。ポストエンハンスドダイオード１３０と基板１４０及び窪み１４２の相互作用の更なる詳細は図３〜５で提供される。
【００２４】
図２ａは、基板の一部２３０を上から見た図２００を示す。ポストエンハンスドダイオード２１０は、その中に上手く堆積された複数の窪み２０５を含む。図２ａの各ポストエンハンスドダイオード２１０は、図２ｂを上から見た図２３５、図２ｃの断面図２５０及びＬＥＤとして作動するポストエンハンスドダイオード２１０の回路符号２８０において表されている。ポストエンハンスドダイオード２１０は、一つまたは複数の特徴を備える。ポストエンハンスドダイオード２１０は、キャリア液をポストエンハンスドダイオード２１０の周囲に相対的に流動させて力のネットモーメント（ｎｅｔ  ｍｏｍｅｎｔ  ｆｏｒｃｅ）を生成する。前記力のネットモーメントは、ポストエンハンスドダイオード２１０の第一配向から第二配向に反転する可能性、ポストエンハンスドダイオード２１０の第二配向から第一配向に反転する類似しない（即ち非対称）可能性を増加させる。これらの特徴は、側壁の角度、例えばポストの表面構造、または、ポストエンハンスドダイオード２１０の一般の形状を含むことができる。注意したいのは、非対称を促し、新たに配向したポストエンハンスドダイオード２１０の前記構造及び形状は、ポストエンハンスドダイオード２１０を組み込んだ最終的なディスプレイに存在しても、存在しなくてもよい。
【００２５】
図２ｂ−図２ｃに示すように、ポストエンハンスドダイオード２１０は、導電材料２６０の平面な頂表面２４５（パターン化されていないエリアに表示されている）を含む。本願で使用されているように、用語“平面”は、最も広義の意味において、半導体の製造過程における変化の基準に関連する欠陥または製造過程以外の２次元を表示するのに用いられる。一つの実施例において、導電材料２６０はｐドープの窒化ガリウム（ＧａＮ）である。頂表面２４５から延伸するポスト２５５（ハッチングされたパターンエリアで表示されている）がさらに示されている。ポスト２５５の頂表面２４０も示されている。一つの実施例において、ポスト２５５は導電材料２６０（即ち一つの均質なポスト）により形成される。その他の実施例において、ポスト２５５は導電材料２６０以外の材料（即ち一つの異質のポスト）により形成される。一つの状況において、一つの異質のポストは、少なくとも部分的に、例えばＳｉＯ２の絶縁材料中に形成される。その他の状況において、一つの異質のポストは、例えば導電材料２６０上に堆積し互換する金属の導電材料から形成される。注意したいのは、ポスト２５５は、基本的に、頂表面２４５の中心に位置する。その他の実施例において、ポスト２５５は頂表面２４５の中心点から、中心点からの径方向における如何なる位置まで中心位置からオフセットでき、一部のポスト２５５の、しかし全てではない辺縁は何れもダイオード構造２８５の辺縁と共同で延伸している。一つの状況において、ポストは、円形の頂表面を有するか、または、複雑な曲率を有し、且つその他の状況において、基本的に、平坦な頂表面を有する。その他の状況において、ダイオードの頂表面上にはおそらく複数のポストが存在する。
【００２６】
各種の方法はダイオード２８５上にポスト２５５を形成するのに用いられる。例えば、均質なポストの製造は、導電材料層２６０の厚層の頂表面をエッチングして、断面図２５０が示すポスト２５５と導電材料２６０の層の組み合わせを生成する。または、その後に、同じ材料を使用して、選択的なエピタキシャル成長により、ポスト２５５を形成した後に、導電材料２６０の層を形成する。その他の例として、一つの異質のポストを製造することは、ダイオード構造の頂表面２４５上に堆積されたフィルムからポストをエッチングすることを含んでもよい。または、電気めっき或いはテンプレート成長（ｔｅｍｐｌａｔｅｄ  ｇｒｏｗｔｈ）過程によってダイオード構造２８５の頂表面２４５の頂部上に異なる材料のポストを形成する。後者の方法は、如何なる材料（例えば、誘電体、金属等）をポストに使用することも許可する。一つの状況において、フォトレジストのフォトリソグラフィーは、前記電気めっきまたはテンプレート成長に用いることができる。
【００２７】
頂表面２４５は、電荷を信号源（図示せず）から導電材料２６０の一つまたは複数の電気接触点２８２、２８６に伝導することを含む。一つの実施例において、電気接触点２８２、２８６は、導電材料２６０の層上に堆積されている金属により形成される。その他の実施例において、電気接触点２８２、２８６は、信号源（図示せず）が導電材料２６０と接触できる頂表面２４５の露出エリアである。一つの実施例において、ポスト２５５は、導電材料により形成され、一つのポストとして動作する。一つの特定の実施例において、ポスト２５５は、導電材料２６０により形成され、信号源（図示せず）は導電材料２６０と接触できる頂表面２４０の露出エリアを電気接触点として動作する。
【００２８】
導電材料２６０の層は、多重量子窪み（ＭＱＷ）２６５（ハッチングされたパターンエリアで表示されている）の頂部に設置されており、導電材料２７０の層（パターン化されていないエリアで示されている）の頂部にも設置されている。一つの実施例において、導電材料２７０は、ｎドープの窒化ガリウム（ＧａＮ）である。ＭＱＷ２６５は導電材料２６０及び導電材料２７０と互換する全ての材料により形成される。ＭＱＷ２６５が、導電材料２６０と導電材料２７０との間に挟まれている場合、発光ダイオード（ＬＥＤ）として使用することができる。導電材料２６０の層、ＭＱＷ２６５及び導電材料２７０の層は、共にポストエンハンスドダイオード２１０のダイオード構造を形成する。本願で提供される公開内容に基づくと、当業者は様々な材料及び材料を組み合わせ、所定のポストエンハンスドダイオード２１０のダイオード構造２８５を形成するのに用いることができることがわかる。異なるポストエンハンスドダイオード２１０はどれも異なる波長の光（例えば、赤色、緑色、青色）を出射するため、ポストエンハンスドダイオード２１０に用いられる異なる構造及び／または材料は変化して所望の色の分布を実現できる。
【００２９】
導電材料２７０の層は平坦な底表面２７５を含む。底表面２７５は電荷を信号源（図示せず）から導電材料２７０の一つまたは複数の電気接触点２８４、２８８に伝導することを含む。一つの実施例において、電気接触点２８４は、導電材料２７０の層上に堆積されている金属から形成される。その他の実施例において、電気接触点２８４、２８８は、信号源(図示せず)が導電材料２７０と接触できる底表面２７５の露出エリアである。特定の状況において、電気接触点２８４、２８８は、同じ接触ヘッドの両側にあり、底表面２７５の周辺のまわりに露出した導電材料２７０の同心円として延伸している。
【００３０】
ポスト２５５は幅（Ｗｐ）と高さ（Ｈｐ）を有する。ダイオード構造２８５は幅（Ｗｄ）と高さ（Ｈｄ）を有する。図２ｅに関して、以下にさらに詳細に説明する。一つの状況において、ポスト２５５及びダイオード２８５の側面は完全に垂直ではなく、且つ変化することができる。このような状況において、ポスト２５５及びダイオード構造２８５の前記幅及び高さの特徴は、幅は高さの変化に伴った最大の幅であり、及び高さは幅の変化に伴った最大の高さであると考えられる。一つの実施例において、ダイオード構造２８５の幅と高さの比率（即ち、Ｗｄ：Ｈｄ）は、５：１と５０：１との間である。一つの特定の実施例において、ダイオード構造２８５の幅と高さの比率(即ち、Ｗｄ：Ｈｄ)は、５：１と３０：１との間である。一つの実施例において、ポスト２５５の幅と高さの比率（即ち、Ｗｐ：Ｈｐ）は、２：１と５：１との間である。各種の実施例において、ダイオード構造２８５の高さ（即ちＨｄ）は４μｍと７μｍとの間であり、且つポスト２５５の高さ（即ちＨｐ）は２μｍと７μｍとの間であり、一部はＨｄとＨｐに必要な比率によって決められる。
【００３１】
ポスト２５５のサイズは反転したポストエンハンスドダイオード２１０の安定性に影響してもよい。特に、ポストが極めて小さい場合、ポストエンハンスドダイオード２１０はおそらく非反転方向に反転することはない。流体の過程の数値を模擬的に表示すると、直径が５０μｍ（Ｗｄ）のダイオード構造の厚さ（Ｈｄ）は５μｍである。キャリア液への露出の流速が４．６ｍｍ／ｓの場合、サイズが１０μｍ×５μｍ（Ｗｐ×Ｈｐ）のポストは非反転方向に反転している。３μｍの深さの窪みで捕獲された５０μｍの直径（Ｗｄ）のディスク状のダイオード構造上には異なるポストのサイズのモデルが既に示されている。前記の類似する流速の小ポスト（例えば、４μｍより小さいか、または等しい高さ（Ｈｐ）を有する）への露出は配向に対してほとんど影響しないが、５μｍの高さ（Ｈｐ）のポストは十分に反転したポストエンハンスドダイオード２１０を反転させ、反転したポストエンハンスドダイオード２１０は非反転配向を保持する。実験データが証明しているように、前記サイズのモデリングを表示することは信頼できる。サイズが１２μｍ×３μｍ（Ｗｐ×Ｈｐ）であるポストは流体−調整ディスクの方向に影響することができ、必要な非反転配向のディスク（１５０個のディスク中）の収率は９９．７％を超える。以下の表は、異なるダイオード構造の幅（Ｗｄ）及びポストの高さと幅との比率（Ｈｐ×Ｗｐ）を有する反転したポストエンハンスドダイオード２１０の力のネットモーメントの追加のモデリングデータを示している。
【００３２】
2019521380.tif 000003
【００３３】
図２ｅは、ポストエンハンスドダイオード２１０のもう一つの実施例の断面図２９０を示す。ポスト２５５の側壁２９１、２９２及びダイオード２８５の側壁２９５、２９６は、それぞれ図２ｃの断面図２５０が示す垂直勾配と比較した円錐勾配を表している。上述のように、側壁は円錐（即ち、高さによって変化する）であり、ポストの幅（Ｗｐ）は最大幅であり、ダイオード構造２８５の幅（Ｗｄ）は最大幅であり、断面図２９０に示している。本分野において周知であるが、側壁が表す円錐は、ポストエンハンスドダイオード１３０を構成するのに用いられる製造過程及び材料に基づいて変化する。類似する円錐は窪み２０５の側面上で発生することができる。注意したいのは、ポストをダイオード構造２８５に追加することは、反転配向と非反転配向との間の板状のダイオードにおける周囲の液体運動が生成した力の非対称を招く。したがって、ポストは完全な垂直構造である必要はなく、ポストエンハンスドダイオード２１０が反転配向にある時、力のネットポジティブモーメント（ａ  ｎｅｔ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｍｏｍｅｎｔ  ｏｆ  ｆｏｒｃｅ）を生成するのに十分なものであればよく、且つ、ポストエンハンスドダイオード２１０が非反転配向にある場合、基本的に、比較的低い力のモーメント構造であることにより、ポストエンハンスドダイオード２１０は、非反転配向が好ましい。一つの状況において、窪み２０５の深さは、基本的に、各ポストエンハンスドダイオード２１０のダイオード構造２８５の高さに等しい。窪み２０５の入り口の開口は各ポストエンハンスドダイオード２１０のダイオード構造２８５の幅より大きく、一つのポストエンハンスドダイオード２１０を任意の所定の窪み２０５中に堆積させる。
【００３４】
一旦基板の一部２３０から離れて延伸するポスト２５５を有するポストエンハンスドダイオード２１０は、窪み２０５中に堆積される。窪み２０５中の一つまたは複数の電気接触点は、ポストエンハンスドダイオード２１０の底表面２７５上の一つまたは複数の電気接触点に接続されると共に、一つまたは複数の処理ステップが実行されて、ポストエンハンスドダイオード２１０の頂表面２４５上の一つまたは複数の電気接触点を制御可能な信号に接続される。この種の処理が終わった後、ポストエンハンスドダイオード２１０は単独で制御されることができ、基板の一部２３０及びポストエンハンスドダイオード２１０を含むディスプレイは必要な画像を表示する。その他以外にも、本願で説明したポストエンハンスドダイオード２１０を使用して、直接発光するディスプレイ及びローカルアドレス（ｌｏｃａｌｌｙ−ａｄｄｒｅｓｓｅｄ）のバックライトユニット（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  ｕｎｉｔｓ）を製造することができる。
【００３５】
図３ａ−３ｂは、本発明に基づく一つの実施例であり、窪み３１２を含むディスプレイの一部を上から見た図３００及び断面図３０１を示す。窪み３１２中には、ポストエンハンスドダイオード２１０が堆積されることができる。示すように、ディスプレイはガラス基板の表面まで積層されたポリマー材料３１５からなる基板３９０を含む。注意したいのは、ガラス以外の材料はガラス基板に替わって使用することができる。また、材料３１５と３０５との間にはその他の導電または非導電層が存在してもよい。また、注意したいのは、一つの状況において、ポリマー材料３１５はガラスまたはその他の適当な材料によって代替されることができる。一つの実施例において、ガラス基板３０５の表面上に電気接触層を形成し、並びに電気接触層をエッチングすることにより、将来の窪みに対応する位置に電気接触点を生成して基板３１５を製造する。注意したいのは、電気接触点３５５はリング状に示されているが、貫通孔または窪みの底部に電気接触点を形成するためのその他適当な形状がないため、中実の円形であってもよい。ポリマー材料３１５は、その後ガラス基板３０５及び電気接触点３３５上に積層される。次いで、ポリマー材料３１５をエッチングして側壁３１４により限定された窪み３１２を開けて、電気接触点３３５の一部を露出する。電気接触点３３５は、ポストエンハンスドダイオード２１０の底表面２７５と電気的結合を形成することができる任意の材料により形成することができる。一つの状況において、電気接触点３５５は、金属により形成され、窪み３１２内に設置されているポストエンハンスドダイオード２１０とアニールされた場合、前記金属は電気接触点３５５に接続されている信号とポストエンハンスドダイオード２１０の導電材料２７０との間で一つの導電位置を形成する。一つの実施例において、窪み３１２の深さは、基本的に、ポストエンハンスドダイオード２１０のダイオードの一部（Ｈｄ）の高さに等しいことにより、一つのポストエンハンスドダイオード２１０のみが窪み３１２中に堆積する。
【００３６】
流体アセンブリの期間、液体の流れ（矢印３６０により示す）はポストエンハンスドダイオード２１０上の抗力が基板３９０の表面を穿通するのを引き起こす。ポストエンハンスドダイオード２１０はダイオード構造から延伸するポスト２５５を含むので、抗力は板状のダイオードの配向に対して非対称の影響を与える。特に、抗力は回転点（例えば、ダイオード構造の辺縁が基板３９０の表面に接触する）の力のポジティブモーメントを囲んで固定するのを招き、反転したポストエンハンスドダイオード２１０は非反転配向に反転する。これに反して、液体の流動による、非反転したポストエンハンスドダイオード２１０上の抗力は主にポスト２５５の周囲の動きによるものである。また、ポストエンハンスドダイオード２１０に加えられたダイオード構造上の力は、力のネガティブネットモーメント（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｎｅｔ  ｍｏｍｅｎｔ  ｆｏｒｃｅ）を招く。この力のネガティブネットモーメントはダイオード構造の前辺縁（即ち、矢印３６０の方向に沿って前に進む辺縁）を下方に向け、並びにポストエンハンスドダイオード２１０を非反転配向上に安定させる。
【００３７】
窪み３１２において非反転配向に堆積したポストエンハンスドダイオード２１０（図３ｃの断面図３０２に示されている）と窪み３１２において反転配向に堆積したポストエンハンスドダイオード２１０（図３ｄの断面図３０３に示されている）との間には、抗力に類似する非対称の影響が発生する。図３ｃに示すように、液体の流動により引き起こされたポストエンハンスドダイオード２１０の右下隅の周囲における如何なる力のモーメントも、ポストエンハンスドダイオード２１０に加えられた頂表面２４５上の力により相殺される。この相殺力のネガティブネットモーメントにより、ポストエンハンスドダイオード２１０が、窪み２１０中に堆積されると共に窪み２１０中に保持される傾向にあることを招く。図３ｄに示すように、ポストエンハンスドダイオード２１０が窪み３１２において反転した場合、頂表面２４５は液体の流動から引き上げ力を生成する水中翼として作用し、窪み３１２の側面３１４と接触するポストエンハンスドダイオード２１０の右側付近に力のネットポジティブモーメントが生成される。前記力のネットポジティブモーメントは、ポストエンハンスドダイオード２１０を矢印３７０が示す方向に沿って反転させる傾向にある。この反転により、ポストエンハンスドダイオード２１０は、窪みから離れるように駆動される。また、液体の流れがポストエンハンスドダイオード２１０をもう一つの下流の窪みに向けて移動させた場合、非反転配向に入ることができ、もう一つの下流の窪みに、ポストエンハンスドダイオード２１０を新たに堆積させることができる。
【００３８】
図４ａ−４ｂは、本発明に基づく一つの実施例であり、貫通孔窪み４１２を含むディスプレイの一部を上から見た図４００及び断面図４０１を示す。貫通孔窪み４１２はポストエンハンスドダイオード２１０に堆積することができる。示すように、ディスプレイはガラス基板の表面まで積層されたポリマー材料４１５からなる基板４９０を含む。また、その他の導電または非導電層は材料４１５と４０５との間に存在してもよい。注意したいのは、ガラス以外の材料はガラス基板の代替として使用されることができる。また、注意したいのは、一つの状況において、ポリマー材料４１５は、ガラスまたはその他の適当な材料によって代替できる。一つの実施例において、ガラス基板４０５の表面上に電気接触層を形成し、並びに電気接触層をエッチングすることにより、将来の窪みに対応する位置に電気接触点４３５を生成して基板４１５を製造する。ポリマー材料４１５は、その後ガラス基板４０５及び電気接触点４３５上に積層される。次いで、ポリマー材料４１５のエッチングにより窪み４１２を開けて、電気接触点４３５の一部を露出する。電気接触点４３５は、ポストエンハンスドダイオード２１０の底表面２７５と電気的結合を形成することができる任意の材料により形成することができる。一つの状況において、電気接触点４３５は、金属により形成され、窪み４１２内に設置されているポストエンハンスドダイオード２１０とアニールされた場合、前記金属は電気接触点４３５に接続されている信号とポストエンハンスドダイオード２１０の導電材料２７０との間で一つの導電位置を形成する。一つの実施例において、窪み４１２の深さは、基本的に、ポストエンハンスドダイオード２１０のダイオードの一部（Ｈｄ）の高さに等しいことにより、一つのポストエンハンスドダイオード２１０のみが窪み４１２中に堆積する。
【００３９】
もう一つの製造過程が実行されて、延伸してガラス基板４０５を貫通する貫通孔４２５が形成される。一つの状況において、ポストエンハンスドダイオード２１０が窪み４１２において反転した場合に、ポスト２５５が貫通孔４２５中に挿入されないのを確保するために、貫通孔４２５の幅（Ｗｖ）はポスト２５５の最小の幅より小さい。なぜならば、このような挿入はポストエンハンスドダイオード２１０が窪み４１２の外へ反転する能力を制限するからである。その他の状況において、貫通孔４２５は、基本的に、窪み５１２の中心に位置し、且つポスト２５５はダイオード構造の頂表面４２５においてきわめて中心から離れているか、または、貫通孔４２５は窪み５１２の底部においてきわめて中心から離れている。また、ポスト２５５は、基本的に、ダイオード構造の頂表面４２５の中心に位置して、ポストエンハンスドダイオード２１０を反転した配向により窪み５１２中に堆積させる場合、ポスト２５５は通孔４２５と合わない。
【００４０】
流体アセンブリの期間、液体の流れ（矢印４６０により示す）はポストエンハンスドダイオード２１０上の抗力が基板４９０の表面を穿通するのを引き起こす。ポストエンハンスドダイオード２１０はダイオード構造から延伸するポスト２５５を含むので、抗力は板状のダイオードの配向に対して非対称の影響を与える。特に、抗力は回転点（例えば、ダイオード構造の辺縁が基板４９０の表面に接触する）を囲んだ力のポジティブモーメントを引き起こし、反転したポストエンハンスドダイオード２１０は非反転配向に反転する。これに反して、液体の流動により、非反転したポストエンハンスドダイオード２１０上の抗力は主にポスト２５５の周囲の動きによるものであり、且つ、ポストエンハンスドダイオード２１０に加えられたダイオード構造上の力は、力のネガティブネットモーメント（ｎｅｔ  ｍｏｍｅｎｔ  ｆｏｒｃｅ）を招く。この力のネガティブネットモーメントはダイオード構造の前辺縁（即ち、矢印４６０の方向に沿って前に進む辺縁）を下方に向け、並びにポストエンハンスドダイオード２１０を非反転配向上に安定させる。
【００４１】
窪み４１２において、非反転配向に堆積したポストエンハンスドダイオード２１０（図４ｃの断面図４０２に示されている）と窪み４１２において反転配向に堆積したポストエンハンスドダイオード２１０（図４ｄの断面図４０３に示されている）との間には、抗力に類似する非対称の影響が発生する。図４ｃに示すように、液体の流動により引き起こされたポストエンハンスドダイオード２１０の右下隅の周囲における如何なる力のモーメントも、ポストエンハンスドダイオード２１０に加えられた頂表面２４５上の力により相殺される。この相殺力のネガティブネットモーメントにより、ポストエンハンスドダイオード２１０が窪み２１０中に堆積されると共に窪み２１０中に保持される傾向にあることを招く。図４ｄに示すように、ポストエンハンスドダイオード２１０が窪み４１２において反転した場合、頂表面２４５は液体の流動から引き上げ力を生成する水中翼として作用し、窪み４１２の側面３１４と接触するポストエンハンスドダイオード２１０の右側付近に力のネットポジティブモーメントが生成される。前記力のネットポジティブモーメントは、ポストエンハンスドダイオード２１０を矢印４７０が示す方向に沿って反転させる傾向にある。ポストエンハンスドダイオード２１０は、窪みから離れるように駆動される。また、液体の流れがポストエンハンスドダイオード２１０をもう一つの下流の窪みに向けて移動させた場合、非反転配向に入ることができ、もう一つの下流の窪みに、ポストエンハンスドダイオード２１０を新たに堆積させることができる。
【００４２】
また、吸引力は基板４９０の底側に加えられてもよい。ポストエンハンスドダイオード２１０が非反転配向により窪み４１２中に堆積された場合、例えば断面図４０２で示すように、加えられた吸引力はさらにポストエンハンスドダイオード２１０が窪み４１２中に位置するのを安定させる。注意したいのは、加えられた吸引力はさらに反転配向により窪み４１２に堆積したポストエンハンスドダイオード２１０の安定性を提供するが、非反転のポストエンハンスドダイオード２１０上の吸引力が招いた安定性は、基本的に、反転したポストエンハンスドダイオード２１０の安定性より高い。この種の吸引力は増加されたアセンブリ速度を許可する。また、複数の窪みにおいてポストエンハンスドダイオードに堆積されたまたは設置された後の流体アセンブリが終了した場合、クリーニング過程が実行されて、全ての余分なポストエンハンスドダイオードが除去される。吸引力の向上は、より積極的なクリーン操作を行うことができ、当該より積極的なクリーン操作について、例えば、前記吸引力の向上によって部分的に所定の位置に保持された堆積したポストエンハンスドダイオード２１０に影響しないように、クレーン用流体は堆積工程期間で用いられる速度より極めて速い速度で基板４９０の表面に流れることを含む。
【００４３】
図５ａ−５ｂは、本発明に基づく一つの実施例であり、貫通孔窪み５１２を含むディスプレイの一部を上から見た図５００及び断面図５０１を示す。貫通孔窪み５１２はポストエンハンスドダイオード２１０に堆積することができる。示すように、ディスプレイは、ガラス基板５０５の表面まで積層されたポリマー材料５１５からなる基板５９０を含む。注意したいのは、ガラス以外の材料はガラス基板の代替として使用されることができる。また、その他の導電または非導電層は材料５１５と５０５との間に位置する。また、注意したいのは、一つの状況において、ポリマー材料５１５はガラスまたはその他の適当な材料により代替できる。一つの実施例において、ガラス基板５０５の表面上に電気接触層を形成し、並びに電気接触層をエッチングすることにより、将来の窪みに対応する位置に電気接触点５３５を生成して基板５１５を製造する。ポリマー材料５１５は、その後ガラス基板５０５及び電気接触点５３５上に積層される。次いで、ポリマー材料５１５のエッチングにより窪み５１２を開けて、電気接触点５３５の一部を露出する。電気接触点５３５は、ポストエンハンスドダイオード２１０の底表面２７５と電気的結合を形成することができる任意の材料により形成することができる。一つの状況において、電気接触点５３５は、金属により形成され、窪み５１２内に設置されているポストエンハンスドダイオード２１０とアニールされた場合、前記金属は電気接触点４３５に接続されている信号とポストエンハンスドダイオード２１０の導電材料２７０との間で一つの導電位置を形成する。一つの実施例において、窪み５１２の深さは、基本的に、ポストエンハンスドダイオード２１０のダイオードの一部（Ｈｄ）の高さに等しいことにより、一つのポストエンハンスドダイオード２１０が、窪み５１２中に堆積する。
【００４４】
もう一つの製造過程が実行されて、延伸してガラス基板５０５を貫通する貫通孔５２５が形成される。一つの状況において、ポストエンハンスドダイオード２１０が窪み５１２において反転した場合に、ポスト２５５が貫通孔５２５中に挿入されないのを確保するために、貫通孔５２５の幅（Ｗｖ）はポスト２５５の最小の幅より小さい。なぜならば、このような挿入はポストエンハンスドダイオード２１０が窪み５１２の外へ反転する能力を制限するからである。その他の状況において、貫通孔５２５は、基本的に、窪み５１２の中心に位置する。ポスト２５５は、ダイオード構造の頂表面４２５においてきわめて中心から離れているか、または、貫通孔５２５は窪み５１２の底部においてきわめて中心から離れている。また、ポスト２５５は、基本的に、ダイオード構造の頂表面５２５の中心に位置して、ポストエンハンスドダイオード２１０を反転した配向により窪み５１２中に堆積させる場合、ポスト２５５は貫通孔５２５と合わない。
【００４５】
また、基板５９０はエッチングされて、窪み５１２の周囲において同心円状に凹溝５１０が形成される。示すように、一つの実施例において、凹溝５１０は、一つの、基本的に垂直な側壁及び一つの高さを有する円錐の側壁を有する。円錐の側壁は、非反転配向（図５ｃの断面図５０２に示す）または反転配向（図５ｃの断面図５０３に示す）が矢印５７０が指す方向に沿って基板５９０の表面を貫通するポストエンハンスドダイオード２１０の前辺縁を得ることはできない。辺縁を得る場合、辺縁付近に力のモーメントが生成され、ポストエンハンスドダイオード２１０の反転を招く。これに反して、凹溝５１０上のさらに垂直な側壁は、反転した配向に基板５９０の表面を貫通したポストエンハンスドダイオード２１０の前辺縁（図５ｃの断面図５０３に示す）を得ることはできない。しかし、非反転配向に貫通されたポストエンハンスドダイオード２１０の前辺縁(図５ｃの断面図５０２に示す)を得ることはできない。凹溝５１０が非反転配向に貫通するポストエンハンスドダイオード２１０の前辺縁を得る力を制限するために、凹溝５１０の幅は比較的小さい。一つの実施例において、凹溝の幅はダイオード構造の幅（Ｗｄ）の２５パーセントより小さい。凹溝５１０は、反転するポストエンハンスドダイオード２１０の前辺縁を得るために、十分に大きく設計される。ただし、前辺縁を得ずに非反転したポストエンハンスドダイオード２１０を通過させるには十分に小さい。非反転のポストエンハンスドダイオード２１０の前辺縁を得ることを防止するためのさらなるガイドとして、凹溝５１０は基板５９０の表面と同一平面にあるべきである。
【００４６】
注意したいのは、本発明のその他の実施例に基づくと、凹溝５１０はその他の形状でもよい。例えば、凹溝５１０は、二つの、基本的に垂直な壁を含んでもよく、各壁は反転した配向が基板５９０を貫通する表面のポストエンハンスドダイオード２１０の前辺縁を大体同様に得る。したがって、ポストエンハンスドダイオード２１０が基板５９０の表面を貫通する方向がどうであれ、同様におそらく得る及び反転する。このような状況において、凹溝５１０の幅はポスト２５５の幅より小さくして、ポスト２５５が溝５１０に挿入されて囲まれるのを防止するために、溝５１０の幅をポスト２５５の幅より小さくすることが望ましい場合がある。
【００４７】
流体アセンブリの期間において、流体の流れ（矢印５６０により示す）は、ポストエンハンスドダイオード２１０上の抗力が基板５９０の表面を通過するのを引き起こす。ポストエンハンスドダイオード２１０がダイオード構造から延伸するポスト２５５を含むので、抗力は板状のダイオードの配向に対して非対称の影響を与えない。特に、抗力は回転点（例えば、基板５９０の表面と接触するダイオード構造の辺縁）の力のポジティブモーメントを囲んで固定するのをまねき、反転したポストエンハンスドダイオード２１０は非反転配向に反転する。これに反して、液体の流動による、非反転したポストエンハンスドダイオード２１０上の抗力は、主にポスト２５５の周囲の動きによるものである。ポストエンハンスドダイオード２１０に加えれたダイオード構造上の力は、力のネガティブネットモーメントを招く。この力のネガティブネットモーメントは、ダイオード構造の前辺縁（即ち、矢印５６０の方向に沿って前に進む辺縁）を下方に向け、ポストエンハンスドダイオード２１０を非反転配向上に安定させる。
【００４８】
一つの状況において、基板５９０の表面を貫通する反転するポストエンハンスドダイオード２１０上の抗力は、配向の変化を引き起こすのに不十分である。これは、一部がキャリア液の流動の速度と、反転したポストエンハンスドダイオード２１０の移動速度との間の差異が不十分であることによる。しかしながら、反転したポストエンハンスドダイオード２１０の前辺縁が凹溝５１０で得られる場合、キャリア液の流動の相対速度及び反転したポストエンハンスドダイオード２１０が移動する速度は増加する。相対速度のこの種の増加は、抗力に対応する増加及び反転する可能性を招く。凹溝５１０が非反転したポストエンハンスドダイオード２１０の前辺縁を得ることはありえないため、凹溝の非反転したポストエンハンスドダイオード２１０に対する影響は非実質的である。
【００４９】
前記実施例には窪みを同心円状に囲んだ凹溝が開示されているが、異なる実施例に基づき、凹溝のその他の位置及び幾何学形状を使用してもよい。例えば、図６ａは、複数の窪み６１０を含む基板部分６０５を上から見た図６００を示す。窪み６１０中には、ポストエンハンスドダイオード２１０が堆積されている。また、基板部分６０５の表面には複数の平行した凹溝６２０が形成されており、流体の方向（矢印６０１により示す）を凹溝６２０に略垂直にする。この種の配置において、凹溝６２０は基板の一部６０５を貫通する反転するポストエンハンスドダイオード２１０の配向を乱し、前記図５で説明した内容のようになる。もう一つの例として、図６ｂは、複数の窪み６６０を含む基板部分６５５を上から見た図６５０を示している。ポストエンハンスドダイオード２１０は複数の窪み６６０中に堆積される。また、基板部分６５５の表面には複数の平行した凹溝６７０が形成されており、流体の方向（矢印６５１により示す）を凹溝６７０に略垂直にする。この種の配置において、凹溝６７０は基板の一部６０５を貫通する反転するポストエンハンスドダイオード２１０の配向を乱し、前記図５で説明した内容のようになる。
【００５０】
図７は、本発明の一つの実施例におけるポストエンハンスドダイオードを形成するのに用いられる方法のフローチャート７００を示す。フローチャート７００に従うと、第一ドープ層（枠７０５）が形成される。第一ドーピングタイプを有する半導体材料をドーピングすることによって第一ドープ層を形成する。第一ドーピングタイプは、ｐ型ドープ剤またｎ型ドープ剤である。本分野における周知のドープ材料を形成する如何なる製造過程に使用することができる。一つの実施例において、第一ドープ層はｎドープのＧａＮ層である。
【００５１】
ＭＱＷ層（枠７１０）は第一ドープ層上に形成される。本分野における周知のＭＱＷ層を形成する如何なる製造過程に使用することができる。ＭＱＷ層の頂部上には第二ドープ層（枠７１５）が形成される。第二ドーピングタイプを有する半導体材料をドーピングすることによって第二ドープ層を形成し、第二ドーピングタイプは第一ドープタイプとは反対のドープである。本分野における周知のドープ材料を形成する如何なる製造過程に使用することができる。一つの実施例において、第一ドープ層はｎドープのＧａＮ層であり、第二ドープ層はｐドープのＧａＮ層である。
【００５２】
ポストは第二ドープ層上（枠７２０）に形成される。各種の方法は第二ドープ層から延伸するポストに用いることができる。例えば、製造が均質なポストは第二ドープ層の一部として完成でき、ＭＱＷ層上には半導体材料が形成される。次いで、エッチングバックにより厚いポスト構造及びポストの辺縁からＭＱＷ層まで延伸する辺縁の半導体の薄い層が残る。このような状況の場合、第二ドープ層はポストが形成された後ドーピングされてもよい。もう一つの例として、第２ドープ層と同じ材料を使用して、選択的なエピタキシャル成長によって、第２ドープ層をドーピングした後、ポストは第二ドープ層上に形成される。その他の例として、異質ポストの形成は第二ドープ層上に堆積したフィルムからポストをエッチングすることを含んでもよい。または、第二ドープ層の上面において、電気めっきまたはテンプレート成長（ｔｅｍｐｌｅｔｅｄ  ｇｒｏｗｔｈ  ｐｒｏｃｅｓｓ）過程により、異なる材料を有するポストを形成する。後者の方法において、如何なる材料をポストに使用してもよい（例えば、誘電体、金属等）。一つの状況において、フォトレジストのフォトリソグラフィは前記電気めっきまたはテンプレート生長に関連することに用いられることができる。フローチャート７００には示されていないが、第二ドープ材料、ＭＱＷ層及び第一ドープ材料の組み合わせをドーピングすることにより、単独のポストエンハンスドダイオードを切断して、単独のポストエンハンスドダイオードを生成する。前記図２ｂ−２ｅで説明した内容に類似する。
【００５３】
図８は、本発明の各種の実施例に基づくポストエンハンスドダイオードが基板の窪み中に堆積されるまたは放置されるのに用いられる方法のフローチャート８００を示す。フローチャート８００の後、複数の窪みを含む基板が形成される。各窪みは、一つのポストエンハンスドダイオード（枠８１０）を受けいれる（ａｃｃｅｐｔｉｎｇ）ことができる。基板は前記図３−５中の何れか一つで説明したような形成に類似するように形成してもよい。また、複数のポストエンハンスドダイオードをキャリア液中に添加することにより、懸濁液が形成される（枠８０５）。一つの状況において、キャリア液はイソプロパノールであるが、ポストエンハンスドダイオードに基板の表面を貫通し移動させるもう一つの液体または気体であってもよい。
【００５４】
懸濁液は孔を含む基板の表面上に堆積される（枠８１５）。当該堆積は如何なる適当な方法により完成されるが、ポンプが懸濁液を送るまたは懸濁液を表面上に排出することに制限されない。その後、懸濁液は基板上で攪拌され、懸濁液中の複数のポストエンハンスドダイオードは基板表面に対して移動し、複数の窪みにおいて対応する一つに堆積する（枠８２０）。ダイオード構造の頂表面から延伸し、生成された力の非対称性により、キャリア液に露出される運動の場合、ポストエンハンスドダイオードは非反転配向を表す傾向にある。クリーン過程において、堆積されていないポストエンハンスドダイオード及びキャリア液の懸濁液は基板表面から除去される（枠８２５）。
【００５５】
図９は、フローチャート９００は本発明の各種の実施例に基づくポストエンハンスドダイオードが基板の窪み中に堆積され、または、放置されるのに用いられる方法のフローチャート９００を示す。フローチャート９００に従うと、複数の窪みを含む基板が形成され、各窪みは一つのポストエンハンスドダイオードを受け入れることができる（枠８１０）。基板は前記図３−５中の何れか一つで説明したような形成に類似するように形成してもよい。また、複数のポストエンハンスドダイオードをキャリア液中に添加することにより、懸濁液が形成される（枠８０５）。一つの状況において、キャリア液はイソプロパノールであるが、ポストエンハンスドダイオードに基板の表面を貫通し移動させるもう一つの液体または気体であってもよい。
【００５６】
懸濁液は孔を含む基板の表面上に堆積される（枠９１５）。当該堆積は如何なる適当な方法により完成されるが、ポンプが懸濁液を送るまたは懸濁液を表面上に排出することに制限されない。その後、懸濁液は基板上で攪拌され、懸濁液中の複数のポストエンハンスドダイオードは基板表面に対して移動し、複数の窪みにおいて対応する一つに堆積する（枠９０２）。ダイオード構造の頂表面から延伸し、生成された力の非対称性により、キャリア液に露出される運動の場合、ポストエンハンスドダイオードは非反転配向を表す傾向にある。また、反転したポストエンハンスドダイオードは基板の表面上の凹溝において前辺縁を得る可能性により、それらが基板上を移動する場合、ポストエンハンスドダイオードは基板の表面に露出された際、非反転配向の動向を現す。クリーン過程において、堆積されていないポストエンハンスドダイオード及びキャリア液の懸濁液は基板表面から除去される（枠９２５）。
【００５７】
当業者は本発明の異なる実施例の使用により各種の利点を実現することができる。多くの利点の一部として、マイクロＬＥＤディスプレイを製造するためのかなりのコストがマイクロＬＥＤ自体の材料コストであるため、ディスプレイのコストをさらに低減することが可能である。本発明の一つの実施例は冗長を減少させるものであり、必ず一台の可動できるディスプレイを確保するものではないため、マイクロＬＥＤの総数を減少することができる。よってコストも低減する。本発明の各種の実施例はポストエンハンスドダイオードを要求しておらず及びダイオードが単一方向にのみ堆積した窪み間がｌｏｃｋ−ｎ−ｋｅｙ−ｔｙｐｅ相互作用であることを許可する。したがって、製造公差を低減することができ、最も高い生産量及び／または最も低いコストを生成する。本願で提供される開示内容に基づくと、当業者は本発明の一つまたは複数の実施例により各種その他の利点を実現することができることがわかる。
【００５８】
以上のことから、本発明は流体アセンブリに用いられる新規のシステム、装置、方法及び配置を提供する。上面にて本発明の一つまたは複数の実施例の詳細な説明を提供したが、本発明の要旨を逸脱しない状況において、各種の置き換え、補正及び同等のものは当業者にとって明らかなことである。例えば、ディスプレイに関して一つの実施例を説明したが、注意したいのは、実施例はディスプレイ以外の装置に対する適用性を見つけた。したがって、上記説明は本発明の範囲を限定するものであるとみなしてはならず、本発明の範囲は請求項により限定される。
【図１】
2019521380.tif 000004
【図２ａ】
2019521380.tif 000005
【図２ｂ】
2019521380.tif 000006
【図２ｃ】
2019521380.tif 000007
【図２ｄ】
2019521380.tif 000008
【図２ｅ】
2019521380.tif 000009
【図３ａ】
2019521380.tif 000010
【図３ｂ】
2019521380.tif 000011
【図３ｃ】
2019521380.tif 000012
【図３ｄ】
2019521380.tif 000013
【図４ａ】
2019521380.tif 000014
【図４ｂ】
2019521380.tif 000015
【図４ｃ】
2019521380.tif 000016
【図４ｄ】
2019521380.tif 000017
【図５ａ】
2019521380.tif 000018
【図５ｂ】
2019521380.tif 000019
【図５ｃ】
2019521380.tif 000020
【図５ｄ】
2019521380.tif 000021
【図６ａ】
2019521380.tif 000022
【図６ｂ】
2019521380.tif 000023
【図７】
2019521380.tif 000024
【図８】
2019521380.tif 000025
【図９】
2019521380.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月18日(2018.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の窪みを含む基板と、
キャリア液及び複数のポストエンハンスドダイオードの懸濁液を含み、各ポストエンハンスドダイオードはダイオードの頂表面から延伸するポストを含むことを特徴とする流体アセンブリシステム。
【請求項２】
操作可能な前記基板上に前記懸濁液を移動させる懸濁液移動装置を備え、前記複数のポストエンハンスドダイオードの一部は前記複数の窪みにおける対応する窪みに堆積することを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項３】
前記ポストエンハンスドダイオードのダイオード構造は、
少なくとも一部が第一導電材料により形成された頂表面と、
少なくとも一部が第二導電材料により形成された平面の底表面と、
電荷を第一導電材料に伝導するのに用いられる第一接触点と、
電荷を第二導電材料に伝導するのに用いられる第二接触点と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項４】
前記複数の窪みのそれぞれは、当該窪みから延伸して前記基板を貫通する貫通孔を備え、且つ前記ポストにおける基本的に前記ダイオードの頂表面に平行な表面の幅は前記貫通孔の幅より大きいことを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項５】
前記複数の窪みのそれぞれは、当該窪みから延伸して前記基板を貫通する貫通孔を備え、且つ前記貫通孔は対応する窪みの円形の底部の中心から離れていることを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項６】
前記ダイオード構造は底表面を備え、且つ前記底表面の最大幅は前記複数の窪みのそれぞれの最大幅より小さいことを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項７】
電気接触点が前記複数の窪みのそれぞれの内表面上に形成されることを特徴する請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項８】
前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は非反転配向であり、前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は反転配向であり、且つ一つの対応する窪みに堆積する前記複数のポストエンハンスドダイオード中の一つは非反転配向上において反転配向よりもさらに機械的に安定していることを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項９】
前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は非反転配向であり、前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は反転配向であり、且つ前記基板の表面と接触する前記複数のポストエンハンスドダイオード中の一つの配向は非反転配向上において反転配向よりもさらに機械的に安定していることを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項１０】
前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は非反転配向であり、前記ポストが前記基板から離れて延伸する前記複数のポストエンハンスドダイオード中のそれぞれの配向は反転配向であり、且つ前記基板はさらに、少なくとも一つの凹溝を備え、前記凹溝は、前記凹溝を通過する前記複数のポストエンハンスドダイオードの内の１つが、非反転配向上において反転配向よりもさらに機械的に安定するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項１１】
前記凹溝は前記基板中に延伸し、且つ前記凹溝の前辺縁は後辺縁の傾斜度より大きく、且つ懸濁液を基板上で移動させる時、一つの前記ポストエンハンスドダイオードは前記前辺縁を横切る前に前記後辺縁を横切ることを特徴とする請求項１０に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項１２】
前記凹溝が前記基板に入る深さは前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さいことを特徴とする請求項１０に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項１３】
前記凹溝の前記基板の表面部分の幅は、前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さいことを特徴とする請求項１０に記載の流体アセンブリシステム。
【請求項１４】
少なくとも一部が第一導電材料により形成された平面の頂表面と、
少なくとも一部が第二導電材料により形成された平面の底表面と、
前記頂表面から延伸するポストと、
電荷を第一導電材料に伝導するのに用いられる第一接触点と、
電荷を第二導電材料に伝導するのに用いられる第二接触点と、を備えることを特徴とするポストエンハンスドダイオード。
【請求項１５】
前記頂表面は一つの第一最大幅を有し、前記ポストの基本的に前記頂表面に平行な表面は一つの第二最大幅を有し、且つ前記第一最大幅は前記第二最大幅の少なくとも二倍であることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項１６】
前記ポストは前記頂表面から前記ポストの基本的に前記頂表面に平行な表面までの高さを有し、且つ前記頂表面と前記底表面との間の距離は厚さであり、前記厚さと高さの比率は１：０．６〜１：４の範囲内であることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項１７】
前記頂表面は一つの最大幅を有し、前記頂表面と前記底表面との間の距離は厚さであり、最大幅と厚さのアスペクト比は５：１〜５０：１の範囲内であることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項１８】
前記ポストは第一電気接触点であることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項１９】
前記ポストは絶縁材料から製造されることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２０】
前記頂表面は円形、多角形及び楕円形からなる組み合わせにおいて選択された形状を有することを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２１】
前記頂表面は六角形の形状を有することを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２２】
前記ポストの基本的に前記頂表面に平行な表面は円形、多角形及び楕円形からなる組み合わせにおいて選択された形状を有することを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２３】
前記ポストは第三導電材料から製造されることを特徴とする請求項１４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２４】
前記第三導電材料は前記第一導電材料と同じであることを特徴とする請求項２３に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２５】
前記第一導電材料はｐドープの半導体材料であり、前記第二導電材料はｎドープの半導体材料であることを特徴とする請求項２４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２６】
前記第一導電材料はｎドープの半導体材料であり、前記第二導電材料はｐドープの半導体材料であることを特徴とする請求項２４に記載のポストエンハンスドダイオード。
【請求項２７】
基板の頂表面から延伸する複数の窪みを備え、前記複数の窪みの各窪みは一つのポストエンハンスドダイオードを受け、前記ポストエンハンスドダイオードはダイオード構造の頂表面から延伸するポストを備え、
前記基板の前記頂表面の少なくとも一つの凹溝に延伸して入り、且つ前記凹溝を通過する前記複数のポストエンハンスドダイオードの配向が、非反転配向上において反転配向よりもさらに機械的に安定するように配置され、非反転配向中の前記ポストは前記基板の前記頂表面から離れる方向へ延伸し、反転配向中の前記ポストは前記基板に向かって延伸していることを特徴とする流体アセンブリに用いられる基板。
【請求項２８】
前記凹溝の前記基板に入る深さは、前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さいことを特徴とする請求項記載２７の基板。
【請求項２９】
前記凹溝の前記基板の表面部分の幅は、前記ダイオード構造の前記頂表面の辺縁から前記ポストの辺縁までの距離より小さいことを特徴とする請求項２７に記載の基板。
【請求項３０】
基板の頂表面から延伸する複数の窪みを備え、前記複数の窪みの各窪みは一つのポストエンハンスドダイオードを受けるのに用いられ、前記ポストエンハンスドダイオードはダイオード構造の頂表面から延伸するポストを備え、前記ポストが前記基板から離れて延伸するポストエンハンスドダイオードの配向は非反転配向であり、且つ前記ポストの前記基板に向かって延伸するポストエンハンスドダイオードの配向は反転配向であり、
前記基板の前記頂表面の少なくとも一つの凹溝に延伸して入り、且つ非反転配向きに前記少なくとも一つの凹溝を通過する前記複数のポストエンハンスドダイオードは反転配向により前記少なくとも一つの凹溝を通過する前記ポストエンハンスドダイオードよりもさらに機械的に安定するように配置されていることを特徴とする流体アセンブリに用いられる基板。
【請求項３１】
基板の頂表面下に延伸する少なくとも一つの凹溝を備える基板を提供すること、
キャリア液及び各ポストエンハンスドダイオードがダイオード構造の頂表面から延伸するポストを含む複数のポストエンハンスドダイオードを含む懸濁液を提供すること、並びに、
前記懸濁液を前記基板の前記頂表面中の少なくとも一つの凹溝上方に流動させることにより、前記複数のポストエンハンスドダイオードを前記基板の前記頂表面に対して方向決定し、前記ポストが前記基板から離れて延伸するポストエンハンスドダイオードの配向はさらに非反転配向であり、且つ前記ポストが前記基板に向かって延伸する各ポストエンハンスドダイオードの配向は反転配向ではないことを含むことを特徴とする表示装置の組み立て方法。
【請求項３２】
基板の頂表面に延伸して入り、それぞれは一つのポストエンハンスドダイオードを受けるのに用いられる複数の窪みを備える基板を提供すること、
キャリア液及び各ポストエンハンスドダイオードはダイオード構造の頂表面から延伸するポストを含む複数のポストエンハンスドダイオードを含む懸濁液を提供すること、並びに、
前記懸濁液を前記基板の前記頂表面中の少なくとも一つの凹溝上方に流動させることにより、前記複数のポストエンハンスドダイオードを前記基板の前記頂表面に対して方向決定し、前記ポストが前記基板から離れて延伸するポストエンハンスドダイオードの配向は非反転配向であり、前記複数の窪みにおける対応する一つ中に堆積する前記複数のポストエンハンスドダイオード中の一つの非反転配向は反転配向よりさらに機械的に安定していることを含むことを特徴とする表示装置の組み立て方法。
【国際調査報告】
2019521380.tif 000027
2019521380.tif 000028
2019521380.tif 000029
2019521380.tif 000030
2019521380.tif 000031