(57)【要約】  本発明は、有機合成の分野に関し、より具体的には、金属単体の形のパラジウム（Ｐｄ０）によって触媒される式（Ｉ）の化合物を脱水素するための方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2019521125.tif 000010
［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同時にまたは独立して、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み、かつＲ４は、水素原子を表すか、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み、Ｒ１およびＲ３は、一緒になって、１〜２個の直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜５アルキル基またはＣ２〜５アルケニル基により任意に置換されているＣ２〜９アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表し、または／かつＲ２およびＲ４は、一緒になって、１〜５個の直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜５アルキル基またはＣ２〜５アルケニル基により任意に置換されているＣ２〜９アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表し、または／かつＲ３およびＲ４は、一緒になって、１〜２個の直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜５アルキル基またはＣ２〜５アルケニル基により任意に置換されているＣ２〜９アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表す］
の化合物を、その立体異性体のいずれか１つまたはその混合物の形で製造するための方法であって、
式（ＩＩ）
【化２】
2019521125.tif 000011
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、式（Ｉ）で規定したのと同じ意味を有する］
の化合物を、その立体異性体のいずれか１つの形で脱水素する工程を含み、
前記脱水素は、金属単体の形のパラジウム（Ｐｄ０）触媒の存在下にて不活性雰囲気下で行われる、方法。
【請求項２】
前記式（Ｉ）の化合物は、式（ＩＩＩ）
【化３】
2019521125.tif 000012
の化合物の、その立体異性体のいずれか１つの形であり、式中、ｎは、０または１であり、Ｒ５基は、別々に、互いに独立して、水素原子を表すか、Ｃ１〜３アルキル基またはアルケニル基を表し、または２個のＲ５基は、一緒になって、１〜５個の直鎖状のＣ１〜３アルキル基により任意に置換されているＣ１〜５アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表し、Ｒ６は、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み、Ｒ７は、水素原子を表すか、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み、Ｒ６およびＲ７は、一緒になって、１〜５個の直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜５アルキル基により任意に置換されているＣ２〜９アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表すことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記式（ＩＩ）の化合物は、式（ＩＶ）
【化４】
2019521125.tif 000013
の化合物の、その立体異性体のいずれか１つの形であり、式中、ｎ、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、請求項２で規定したのと同じ意味を有することを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記式（Ｉ）の化合物は、式（Ｖ）
【化５】
2019521125.tif 000014
の化合物の、その立体異性体のいずれか１つの形であり、式中、ｎは、０または１であり、Ｒ５は、水素原子を表すか、Ｃ１〜３アルキル基またはアルケニル基を表し、Ｒ６は、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み、Ｒ７は、水素原子を表すか、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み、Ｒ６およびＲ７は、一緒になって、１〜５個の直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜５アルキル基により任意に置換されているＣ２〜９アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表すことを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記式（ＩＩ）の化合物は、式（ＶＩ）
【化６】
2019521125.tif 000015
の化合物の、その立体異性体のいずれか１つの形であり、式中、ｎ、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、請求項２で規定したのと同じ意味を有することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
ｎは、０であることを特徴とする、請求項２から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
Ｒ５は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基またはプロペン−２−イル基を表すことを特徴とする、請求項２から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
Ｒ５は、水素原子、メチル基、エチル基またはプロペン−２−イル基を表すことを特徴とする、請求項２から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
Ｒ６は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、１−メトキシ−１−オキソヘプタン−３−イル基または３−メチルブタ−２−エン−１−イル基を表すことを特徴とする、請求項２から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
Ｒ６は、メチル基またはペンチル基、またはさらにより好ましくはペンチル基を表すことを特徴とする、請求項２から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
Ｒ７は、水素原子、メチル基、エチル基またはプロピル基、またはＣ１〜３アルキルアセテート基を表すことを特徴とする、請求項２から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
Ｒ７は、水素原子、メチル基またはＣ１〜３アルキルアセテート基を表すことを特徴とする、請求項２から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記式（ＩＶ）の化合物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテート、３−メチル−２−ペンチルシクロペンタン−１−オン、２−ペンチルシクロペンタン−１−オン、メチル３−（２−オキソシクロペンチル）ヘプタノエート、２，２，６−トリメチルシクロヘキサン−１−オン、６−エチル−２，２−ジメチルシクロヘキサン−１−オン、２−エチル−４，４−ジメチルシクロヘキサン−１−オンまたは２，３，８ａ−トリメチルオクタヒドロナフタレン−１（２Ｈ）−オンであり得ることを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記パラジウム（Ｐｄ０）は、担持材料に担持されることを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
パラジウムは、酸化アルミニウムまたは木炭に担持されることを特徴とする、請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の属する技術分野
本発明は、有機合成の分野に関し、より具体的には、パラジウム（Ｐｄ）によって触媒される、式（Ｉ）の化合物を脱水素する方法に関する。
【０００２】
先行技術
不均一系触媒は、高付加価値の化合物を提供するために化学工業で広く使用されている。この種の触媒に関しては強い関心が持たれているが、ケトンを不均一系触媒により脱水素してα，β−不飽和ケトンを提供することについては、ほとんど報告されていない。このような反応は、米国特許第７４９５１３２号明細書（US7495132）に報告されているように、概して、気相で、すなわち、反応温度が３５０℃を超える非常に過酷な条件下で行われている。このような条件は、熱的に不安定な基材に不適切であるだけでなく、非対称ケトンの選択性も低い。
【０００３】
より穏やかな反応条件がJ. Org. Chem 1971, 752に開示されており、脱水素反応は、均一系ＰｄＩＩまたはＣｕＩＩ触媒を用いて行われる。しかしながら、前記反応条件は、大量の有害な試薬や溶媒が必要になるという難点がある。さらに、前記方法による非対称ケトンの脱水素によって、位置異性体の混合物が生じ、その際、ほとんど置換されていない二重結合の形成が好ましい。
【０００４】
そのため、最も置換されたエノン、特に最も置換された環状エノンを合成するために、非対称ケトン、例えば、２−ペンチルシクロペンタン−１−オン、または非対称でかつ熱的に不安定なケトン、例えば、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテートを脱水素するための位置選択的で、安全で、実用的かつ環境に優しい方法を開発することがなお必要である。このような方法によって、より価値のある化合物への主要な中間体である構成単位、例えば、Ｈｅｄｉｏｎｅ（登録商標）（Ｆｉｒｍｅｎｉｃｈ  ＳＡの商標）、Ｈｅｄｉｏｎｅ（登録商標）ＨＣ、Ｐａｒａｄｉｓｏｎｅ（登録商標）（シスＨｅｄｉｏｎｅ（登録商標）（Ｆｉｒｍｅｎｉｃｈ  ＳＡの商標）の特殊なエナンチオマー）としても知られている様々な品質のシスまたはトランスメチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテートおよびそれらの混合物を迅速に得ることが可能になる。
【０００５】
本発明は、より穏やかな反応条件下で脱水素することにより、最も置換されたα，β−不飽和ケトン、特に高い位置選択性を有し、かつ出発ケトンの分解を伴わない、最も置換されたα，β−不飽和環状ケトンを得ることを可能にする。
【０００６】
発明の詳細な説明
本発明者らは、ここで、式（Ｉ）の化合物が、脱水素型反応による有利な方法で製造され得ることを発見した。予想外に、本発明の方法は、水素受容体の非存在下で行われる。
【０００７】
したがって、本発明の第１の対象は、式（Ｉ）
【化１】
2019521125.tif 000002
［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同時に、または独立して、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み；かつＲ４は、水素原子を表すか、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み；Ｒ１およびＲ３は、一緒になって、１〜２個の直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜５アルキル基またはＣ２〜５アルケニル基により任意に置換されているＣ２〜９アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表し；または／かつＲ２およびＲ４は、一緒になって、１〜５個の直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜５アルキル基またはＣ２〜５アルケニル基により任意に置換されているＣ２〜９アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表し；または／かつＲ３およびＲ４は、一緒になって、１〜２個の直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜５アルキル基またはＣ２〜５アルケニル基により任意に置換されているＣ２〜９アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表す］
の化合物を、その立体異性体のいずれか１つまたはその混合物の形で製造するための方法であって、
式（ＩＩ）
【化２】
2019521125.tif 000003
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、式（Ｉ）で規定したのと同じ意味を有する］
の化合物を、その立体異性体のいずれか１つの形で脱水素する工程を含み、
前記脱水素は、金属単体の形のパラジウム（Ｐｄ０）触媒の存在下にて不活性雰囲気下で行われる、方法である。
【０００８】
「．．．Ｒ１およびＲ３は、一緒になって、Ｃ２〜９直鎖状、分枝鎖状または環状のアルカンジイル基を表し、または／かつＲ２およびＲ４は、一緒になって、Ｃ２〜９の直鎖状、分枝鎖状または環状アルカンジイル基を表し、または／かつＲ３およびＲ４は、一緒になって．．．」という表現または類似の表現は、前記基が（ポリ）環状アルキル基を形成し得ることであると理解される。換言すれば、化合物（Ｉ）は、非環式、単環式または二環式であり得る、例えば、Ｒ１およびＲ３、ならびにＲ３およびＲ４は、一緒になって、式（ＩＩ）の化合物は、デカリンなどの二環式基を含む、すなわち、Ｒ１、Ｒ３およびＲ４は、一緒になって、アルカントリイルを表す。
【０００９】
本発明の上記実施形態のいずれか１つによれば、前記式（ＩＩ）の化合物は、Ｃ６〜Ｃ１８化合物である。
【００１０】
本発明の任意の実施形態によれば、また特定の態様とは無関係に、化合物（Ｉ）および対応する化合物（ＩＩ）は、その立体異性体のいずれか１つまたはその混合物の形であり得る。明確性の理由から、立体異性体という用語は、ジアステレオマー、エナンチオマー、ラセミ体を意味する。
【００１１】
実際に、化合物（Ｉ）または（ＩＩ）は、様々な立体化学を有し得る立体中心を有していてよい（すなわち、２つの立体中心が存在する場合、化合物（Ｉ）または（ＩＩ）は、（Ｒ，Ｒ）配置または（Ｒ，Ｓ）配置を有し得る）。前記立体中心は、それぞれ、相対配置ＲもしくはＳまたはそれらの混合物であり得るか、換言すれば、前記式（ＩＩ）または（Ｉ）の化合物は、純粋なエナンチオマーまたはジアステレオマーの形、または立体異性体の混合物の形であり得る。
【００１２】
上記実施形態のいずれか１つによれば、前記式（Ｉ）の化合物は、式（ＩＩＩ）
【化３】
2019521125.tif 000004
の化合物の、その立体異性体のいずれか１つの形であり、ここで、ｎは、０または１であり；Ｒ５基は、別々に、互いに独立して、水素原子を表すか、Ｃ１〜３アルキル基またはアルケニル基を表し；または２個のＲ５基は、一緒になって、１〜５個の直鎖状のＣ１〜３アルキル基により任意に置換されているＣ１〜５アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表し；Ｒ６は、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み；Ｒ７は、水素原子を表すか、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み；Ｒ６およびＲ７は、一緒になって、１〜５個の直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜５アルキル基により任意に置換されているＣ２〜９アルカンジイルまたはアルケンジイル基を表す。
【００１３】
上記実施形態のいずれか１つによれば、前記式（ＩＩ）の化合物は、式（ＩＶ）
【化４】
2019521125.tif 000005
の化合物の、その立体異性体のいずれか１つの形であり；ここで、ｎ、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、式（ＩＩＩ）で規定したのと同じ意味を有する。
【００１４】
上記実施形態のいずれか１つによれば、前記式（Ｉ）の化合物は、式（Ｖ）
【化５】
2019521125.tif 000006
の化合物の、その立体異性体のいずれか１つの形であり；上記式中、ｎは、０または１であり；Ｒ５は水素原子を表すか、Ｃ１〜３アルキル基またはアルケニル基を表し；Ｒ６は、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み；Ｒ７は、水素原子を表すか、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基もしくはアルケニル基を表すか、または直鎖状のＣ２〜５アルキニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含み；Ｒ６およびＲ７は、一緒になって、１〜５個の直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜５アルキル基により任意に置換されているＣ２〜９アルカンジイル基またはアルケンジイル基を表す。
【００１５】
上記実施形態のいずれか１つによれば、前記式（ＩＩ）の化合物は、式（ＶＩ）
【化６】
2019521125.tif 000007
の化合物の、その立体異性体のいずれか１つの形であり；上記式中、ｎ、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、式（ＩＩＩ）で規定したのと同じ意味を有する。
【００１６】
上記実施形態のいずれか１つによれば、ｎは、０または１、好ましくは０である。
【００１７】
上記実施形態のいずれか１つによれば、Ｒ５は、Ｃ１〜３アルキル基を表し得る。好ましくは、Ｒ５は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピルまたはプロペン−２−イル基、またはさらにより好ましくは、水素原子、メチル基、エチルまたはプロペン−２−イル基であり得る。
【００１８】
上記実施形態のいずれか１つによれば、２つのＲ５基は、一緒になって、Ｃ３〜４アルカンジイルまたはアルケンジイル基を表す。
【００１９】
特定の実施形態によれば、ｎが１である場合、同じ炭素原子によって支持される少なくとも２つのＲ５基は、水素原子とは異なる。
【００２０】
上記実施形態のいずれか１つによれば、Ｒ６は、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１〜６アルキル基またはＣ２〜６アルケニル基を表し、任意で、エーテルおよびエステルの中から選択される１個または２個の官能基を含む。好ましくは、Ｒ６は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、１−メトキシ−１−オキソヘプタン−３−イル基または３−メチルブタ−２−エン−１−イル基を表し得る。好ましくは、Ｒ６は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ペンテニル基、ヘキセニル基または３−メチルブタ−２−エン−１−イル基を表し得る。好ましくは、Ｒ６は、メチル基またはペンチル基、またはさらにより好ましくはペンチル基を表し得る。
【００２１】
上記実施形態のいずれか１つによれば、Ｒ７は、水素原子、メチル基、エチルまたはプロピル基、またはＣ１〜３アルキルアセテート基を表し得る。好ましくは、Ｒ７は、水素原子、メチル基またはＣ１〜３アルキルアセテート基を表し得る。
【００２２】
上記実施形態のいずれか１つによれば、Ｒ６およびＲ７は、一緒になって、１〜５個の直鎖状のＣ１〜３アルキル基により任意に置換されているＣ４〜７アルカンジイル基を表す。好ましくは、Ｒ６およびＲ７は、一緒になって、３〜４個の直鎖状のＣ１〜２アルキル基により置換されているＣ５〜６アルカンジイル基を表す。さらにより好ましくは、Ｒ６およびＲ７は、一緒になって、２，３，４−トリメチルペンタン−２，４−ジイルを表す。
【００２３】
式（ＩＩ）の化合物は、市販されているか、または当該技術分野で公知の方法によって製造することができる。
【００２４】
上記実施形態によれば、式（ＩＶ）の化合物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテート、３−メチル−２−ペンチルシクロペンタン−１−オン、２−ペンチルシクロペンタン−１−オン、メチル３−（２−オキソシクロペンチル）ヘプタノエート、２，２，６−トリメチルシクロヘキサン−１−オン、６−エチル−２，２−ジメチルシクロヘキサン−１−オン、２−エチル−４，４−ジメチルシクロヘキサン−１−オンまたは２，３，８ａ−トリメチルオクタヒドロナフタレン−１（２Ｈ）−オンであり得る。好ましくは、式（ＩＶ）の化合物は、２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテート、３−メチル−２−ペンチルシクロペンタン−１−オン、メチル３−（２−オキソシクロペンチル）ヘプタノエートまたは２−ペンチルシクロペンタン−１−オンの、それらの立体異性体のいずれか１つの形である。さらにより好ましくは、式（ＩＶ）の化合物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテート、３−メチル−２−ペンチルシクロペンタン−１−オンまたは２−ペンチルシクロペンタン−１−オンの、それらの立体異性体のいずれか１つの形である。さらにより好ましくは、式（ＩＶ）の化合物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテートまたは２−ペンチルシクロペンタン−１−オンの、それらの立体異性体のいずれか１つの形である。さらにより好ましくは、式（ＩＶ）の化合物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテートの、それらの立体異性体のいずれか１つの形である。
【００２５】
上記の実施形態によれば、式（ＩＩＩ）の化合物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンタ−１−エン−１−イル）アセテート、３−メチル−２−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オン、２−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オン、メチル３−（５−オキソシクロペンタ−１−エン−１−イル）ヘプタノエート、２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２−エン−１−オン、２−エチル−６，６−ジメチルシクロヘキサ−２−エン−１−オン、２−エチル−４，４−ジメチルシクロヘキサ−２−エン−１−オンまたは２，３，８ａ−トリメチル−４ａ，５，６，７，８，８ａ−ヘキサヒドロナフタレン−１（４Ｈ）−オンであり得る。好ましくは、式（ＩＩＩ）の化合物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンタ−１−エン−１−イル）アセテート、３−メチル−２−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オン、メチル３−（５−オキソシクロペンタ−１−エン−１−イル）ヘプタノエートまたは２−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オンである。さらにより好ましくは、式（ＩＩＩ）の化合物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンタ−１−エン−１−イル）アセテート、３−メチル−２−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オンまたは２−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オンである。さらにより好ましくは、式（ＩＩＩ）の化合物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンタ−１−エン−１−イル）アセテートまたは２−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オンである。さらにより好ましくは、式（ＩＩＩ）の化合物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンタ−１−エン−１−イル）アセテートである。
【００２６】
上記実施形態によれば、本発明の方法では、ｎが１の場合、芳香族化合物が形成され得る。前記生成物は、Chem. Commun. 2012, 8886に報告されているような当該技術分野において周知の方法によって、式（Ｖ）の化合物に転化され得る。
【００２７】
本発明の方法は、金属単体の形の触媒量のパラジウム（Ｐｄ０）の存在下で行われる。
【００２８】
本発明の上記実施形態のいずれか１つによれば、本発明の方法は、触媒を予備活性化することなく、例えば、触媒を水素の存在下で数時間にわたり加熱することなく実施され得る。
【００２９】
本発明の上記実施形態のいずれか１つによれば、前記パラジウム（Ｐｄ０）は、担持材料に担持される。前記担持材料は、酸性、中性または塩基性であり得る。
【００３０】
明確にするために、担持材料とは、かかる金属を堆積させることができ、かつ基材に対して不活性である材料を指す。
【００３１】
本発明の上記実施形態のいずれか１つによれば、担持材料の具体的かつ非限定的な例は、炭素または酸化アルミニウムである。このような担体は、当業者に周知である。好ましくは、パラジウムは、酸化アルミニウムまたは木炭に担持される。
【００３２】
担持されたパラジウム（Ｐｄ０）は、公知の化合物であり、かつ市販されている。当業者は、好ましい種類の金属を、これを担体上に堆積させる方法に関して、担体材料上の金属の割合に関して、形態（粉末、顆粒、ペレット、押出物、ムース等）に関して、担体の表面積に関して、かつ触媒の酸性度または塩基性度に関して選択することができる。
【００３３】
本発明の上記実施形態のいずれか１つによれば、担体に対する金属の量は、使用される担体の質量に対して、０．５％ｗ／ｗ〜２０％ｗ／ｗ、好ましくは０．５％ｗ／ｗ〜１０％ｗ／ｗ、またはさらに好ましくは１％ｗ／ｗ〜６％ｗ／ｗの範囲であり得る。
【００３４】
本発明の上記実施形態のいずれか１つによれば、担体材料は、メソポーラスであり得る；すなわち、大部分の細孔は、２〜５０ｎｍであるか；または微孔質固体であり得る；すなわち、大部分の細孔は、２ｎｍ未満である。好ましくは、平均細孔サイズは、５〜１５ｎｍであり、細孔容積は、０．１５〜０．５０ｍＬ／ｇである。前記担体材料は、５０〜７００ｍ２／ｇ、好ましくは８０〜１２０ｍ２／ｇの比表面積（ＢＥＴ）を有する。
【００３５】
本発明の上記実施形態のいずれか１つによれば、担体上のパラジウム粒子は、１〜１０ｎｍの平均直径を有する。パラジウム分散液は、８〜６０％であり得る。パラジウム粒子は、主に固体担体の細孔の端部にあるか（エッグシェル型分布）、または細孔の縁部および細孔のより深部にあるか（混合型分布）、または細孔内に均一に分布し得る（均一型分布）。
【００３６】
担持されたパラジウム（Ｐｄ０）は、広い濃度範囲で本発明の方法の反応媒体中に添加され得る。非限定的な例として、基材の全量に対して、１０ｐｐｍ〜２０００００ｐｐｍの範囲の金属濃度値が挙げられ得る。好ましくは、金属濃度は、１００ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍ、またはさらに１００ｐｐｍ〜５００ｐｐｍまたは１０００ｐｐｍである。この方法は、より多くの触媒を用いても機能することは言うまでもない。しかしながら、金属の最適濃度は、当業者が知っているように、この方法がバッチ式または連続式で実施される場合、金属の性質、基材の性質、その温度、さらには所望の反応時間に依存する。
【００３７】
脱水素が行われ得る温度は、１２０℃〜２２０℃である。より好ましくは、脱水素が行われ得る温度は、１５０℃〜２００℃、さらにより好ましくは１７０℃〜２００℃である。当然のことながら、当業者は、出発材料および最終製品の融点および沸点ならびに反応または転化の所望時間に応じて好ましい温度を選択することもできる。本発明の方法によって、穏やかな温度条件下での脱水素が可能になり、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテートなどの熱的に不安定な化合物の場合、副生成物の量が減少する。
【００３８】
反応は、溶媒の存在下または非存在下で行われ得る。実用上の理由から溶媒が必要とされる場合または使用される場合、このような反応型の現行の溶媒が本発明の目的に使用され得る。非限定的な例としては、１，３−ジイソプロピルベンゼンまたはクメンもしくはプソイドクメンなどのＣ６〜１２芳香族溶媒、ドデカンなどのＣ９〜１６アルカン、エステルもしくはエーテルのような酸素化溶媒、またはそれらの混合物が挙げられる。溶媒の選択は、基材の性質に依存し、当業者は、反応を最適化するためにそれぞれの場合に最も都合のよい溶媒をうまく選択することができる。好ましくは、反応は、溶媒の非存在下で、すなわち、ニート条件下で行われる。
【００３９】
本発明の方法は、バッチ条件下または連続条件下で実施され得る。連続条件下では、脱水素は、バッチ条件下よりも高い温度で行われ得る。連続条件下では、温度は、１２０℃〜４００℃であり得る。より好ましくは、連続条件下で、脱水素が行われ得る温度は、１５０℃〜３００℃である。
【００４０】
上記実施形態のいずれか１つによれば、本発明の方法は、反応混合物中に酸素をバブリングすることなく行われる。本発明の方法は、不活性雰囲気下で行われる。不活性雰囲気とは、反応に関与するガス；例えば、１０質量％未満の酸素、さらには５質量％未満の酸素、さらには１質量％未満の酸素を含有するガスを含有しない雰囲気を意味する。不活性雰囲気は、不活性ガス、例えば、窒素またはアルゴンの下で反応を実施することによって得ることもできる。また、不活性雰囲気は、わずかな真空下で反応を実施することによって得られてもよい。わずかな真空の非限定的な例は、１００００Ｐａ以下、さらに５０００Ｐａ、さらに３０００Ｐａの圧力で行われる反応であり得る。
【００４１】
本発明の方法は、液相で実施される。「本発明の方法は、液相で実施される」という表現は、当該技術分野における通常の意味を有する；すなわち、反応混合物は、主に液体であり、ガスではない。換言すれば、本発明の方法は、気相で実施されず、かつ反応を実施するために出発材料を蒸発させることはない。
【００４２】
実施例
本発明は、ここで以下の実施例によってさらに詳細に説明されることになるが、略号は、当該技術分野における通常の意味を有し、温度は、摂氏（℃）で示され；ＮＭＲスペクトルデータは、１Ｈおよび１３Ｃについて３６０ＭＨｚまたは４００ＭＨｚの装置を用いてＣＤＣｌ３（別段の記載がない場合）で記録され、化学シフトσは、標準としてのＴＭＳに対してｐｐｍで示され、結合定数Ｊは、Ｈｚで表される。
【００４３】
実施例１
バッチ条件下で式（Ｉ）の化合物を形成するための式（ＩＩ）の化合物の脱水素
不活性雰囲気下にて、マグネチックスターラー、還流冷却器およびディーンスターク装置を備えたフラスコ内で、式（ＩＩ）の化合物（第１表を参照のこと）を、第１表に示す温度で、５％のＰｄ／Ａｌｏｘ（Ｎｏｂｌｙｓｔ  １１４８  Ｅｖｏｎｉｋ、乾燥粉末、第１表）または５％のＰｄ／Ｃ（Ｈｉｎｄｕｓｔａｎ、ＲＤ３４３、粉末、５０％の水分、第１表）の存在下で、第１表に示す期間にわたり激しく撹拌した。得られた懸濁液を３０℃に冷却し、触媒をろ過した。アセトンですすぎ、溶媒を蒸発乾固させた後、粗生成物をＧＣ（ＤＢ−１）で分析すると、最も置換された二重結合を有する式（Ｉ）の化合物への転化を示した。
【００４４】
これらの条件下で、式（ＩＩ）のいくつかの化合物を試験した。この結果を第１表に示す。
【表１】
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ａ）主生成物は、２−エチル−６，６−ジメチルシクロヘキサ−２−エン−１−オンである。エキソ二重結合を有する位置異性体などの他の位置異性体；すなわち、６−エチリデン−２，２−ジメチルシクロヘキサン−１−オンは、認められなかった。
ｂ）わずかな真空（３０００Ｐａ）下で反応を行った。主生成物は、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンタ−１−エン−１−イル）アセテートである。微量の３−メチル−２−ペンチルシクロペンタン−１−オン（０．１％）、３−メチル−２−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オン（０．３％）、メチル２−（２−ペンチルシクロペンチル）アセテート（０．０５％）が認められた。
【００４５】
実施例２
連続条件下で式（Ｉ）の化合物を形成するための式（ＩＩ）の化合物の脱水素
不活性雰囲気下にて、電気炉、イソマテックポンプ、およびコンデンサを備えた１００ｍｌの鋼製管状反応器に、式（ＩＩ）の化合物（第２表を参照のこと）を、常圧下にて１２ｇの触媒（４％のＰｄ／Ｃ）を通して平均速度１２ｇ／時および第２表に示す温度で液相に流した。粗反応混合物を３０℃に冷却した。アセトンですすぎ、溶媒を蒸発乾固させた後、粗混合物をＧＣ（ＤＢ−１）で分析すると、最も置換された二重結合を有する式（Ｉ）の化合物への転化を示した。
【００４６】
これらの条件下で、式（ＩＩ）のいくつかの化合物を試験した。結果を第２表に示す。
【表２】
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ａ）主生成物は、２−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オンであった。エキソ二重結合を有する位置異性体などの他の位置異性体；すなわち、２−ペンチリデンシクロペンタン−１−オン、またはあまり置換されていない環状二重結合を有するもの；すなわち、５−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オンは、認められなかった。
ｂ）主生成物は、３−メチル−２−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オンであった。エキソ二重結合を有する位置異性体などの他の位置異性体；すなわち、３−メチル−２−ペンチリデンシクロペンタン−１−オンまたはあまり置換されていない環状二重結合を有するもの；すなわち、４−メチル−５−ペンチルシクロペンタ−２−エン−１−オンは、認められなかった。
ｃ）主生成物は、２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２−エン−１−オンであった。エキソ二重結合を有する位置異性体などの他の位置異性体；すなわち、２，２−ジメチル−６−メチレンシクロヘキサン−１−オンは、認められなかった。
ｄ）主生成物は、２−エチル−６，６−ジメチルシクロヘキサ−２−エン−１−オンであった。エキソ二重結合を有する位置異性体などの他の位置異性体；すなわち、６−エチリデン−２，２−ジメチルシクロヘキサン−１−オンは、認められなかった。
ｅ）主生成物は、２−エチル−４，４−ジメチルシクロヘキサ−２−エン−１−オンであった。エキソ二重結合を有する位置異性体などの他の位置異性体；すなわち、２−エチリデン−４，４−ジメチルシクロヘキサン−１−オンまたはあまり置換されていない環状二重結合を有するもの；すなわち、６−エチル−４，４−ジメチルシクロヘキサ−２−エン−１−オンは、認められなかった。
ｆ）主生成物は、２，３，８ａ−トリメチル−４ａ，５，６，７，８，８ａ−ヘキサヒドロナフタレン−１（４Ｈ）−オン（ジアステレオ異性体の混合物）であった。エキソ二重結合を有する位置異性体などの他の位置異性体；すなわち、３，８ａ−ジメチル−２−メチレンオクタヒドロナフタレン−１（２Ｈ）−オンは、認められなかった。
【００４７】
実施例３
酸素の存在下での２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテートの脱水素−比較例
出発材料としてメチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンチル）アセテートを用いるが、酸素の存在下で実施例１の実験を繰り返した。同様の処理を行った後、得られた油状物を分析すると、メチル２−（３−オキソ−２−ペンチルシクロペンタ−１−エン−１−イル）アセテートは、０．９％しか形成されていなかった。
【００４８】
従来技術（米国特許第７４９５１３２号明細書（US7495132）およびJ. Org. Chem 1971 752）で報告されているような酸素下での脱水素では、所望の生成物は、わずかな量しか形成されない。
【国際調査報告】
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