(57)【要約】  式（Ｉ）の燐光性化合物：2019516695.tif 000031（式中：Ｍは、遷移金属であり；各出現におけるＬは、独立して単座配位子又は多座配位子であり；Ｒ１は、少なくとも１つの第３級炭素原子を含むＣ４−２０アルキルであり；Ｒ２は、直鎖状、分岐状、又は環状のＣ１−２０アルキル基であり；Ｒ３は、直鎖状、分岐状、若しくは環状のＣ１−２０アルキル基又は式−（Ａｒ１）ｐの基であり、式中、各出現におけるＡｒ１は、非置換であるか又は置換されたアリール又はヘテロアリール基であり、ｐは、少なくとも１であり；Ｒ４は、式−（Ａｒ２）ｑの基であり、式中、Ａｒ２は、非置換であるか又は置換されたアリール又はヘテロアリール基であり、ｑは、少なくとも１であり；Ｒ５は、置換基であり；ｗは、０又は正の整数であり；ｘは、少なくとも１であり；ｙは、０又は正の整数である）。上記化合物は、有機発光デバイスの青色発光材料として使用され得る。【選択図】図1
2019516695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の燐光性化合物
【化１】
2019516695.tif 000030
（式中：
Ｍは、遷移金属であり；
各出現におけるＬは、独立して単座配位子又は多座配位子であり；
Ｒ１は、少なくとも１つの第３級炭素原子を含むＣ４−２０アルキルであり；
Ｒ２は、各出現において独立して、直鎖状、分岐状、又は環状のＣ１−２０アルキル基であり；
Ｒ３は、直鎖状、分岐状、若しくは環状のＣ１−２０アルキル基又は式−（Ａｒ１）ｐの基であり、ここで、各出現におけるＡｒ１は、独立して、非置換であるか又は置換されたアリール又はヘテロアリール基であり、ｐは、少なくとも１であり；
Ｒ４は、式−（Ａｒ２）ｑの基であり、ここで、各出現におけるＡｒ２は、独立して、非置換であるか又は置換されたアリール又はヘテロアリール基であり、ｑは、少なくとも１であり；
Ｒ５は、置換基であり；
ｗは、０又は正の整数であり；
ｘは、少なくとも１であり；
ｙは、０又は正の整数である）。
【請求項２】
Ｍが、イリジウム、白金、オスミウム、パラジウム、ロジウム、及びルテニウムから選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
ｙが０である、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
ｘが３である、請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ１の第３級炭素原子が、式（Ｉ）のトリアゾール環に直接結合している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
ｗが０である、請求項５又は６に記載の化合物。
【請求項７】
各出現におけるＡｒ１が、独立して、非置換であるか、又は１つ以上の置換基で置換されたフェニルである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項８】
各出現におけるＡｒ２が、独立して、非置換であるか、又は１つ以上の置換基で置換されたフェニルである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項９】
Ａｒ２が、１つ以上のＣ１−２０アルキル基で置換されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１０】
ｑが１である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１１】
前記化合物が、４００〜４９０ｎｍの範囲のピーク波長を有するフォトルミネッセンススペクトルを有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１２】
ホスト材料及び請求項１〜１１のいずれか一項に記載の化合物を含む組成物。
【請求項１３】
１つ以上の溶媒中に溶解された、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物又は組成物を含む溶液。
【請求項１４】
アノード、カソード、及びアノードとカソードとの間の発光層を含み、前記発光層が、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物又は組成物を含む、有機発光デバイス。
【請求項１５】
前記デバイスが白色光を放射する、請求項１４に記載の有機発光デバイス。
【請求項１６】
前記アノード及びカソードのうちの一方の上に前記発光層を堆積させ、前記発光層の上に前記アノード及びカソードのうちの他方を堆積させる工程を含む、請求項１４又は１５に記載の有機発光デバイスを形成する方法。
【請求項１７】
前記発光層が、請求項１３に記載の溶液を堆積させること、及び前記１つ以上の溶媒を蒸発させることによって形成される、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光化合物、特に燐光性発光化合物；前記発光化合物を含む組成物、溶液、及び発光デバイス；並びに前記発光デバイスの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
活性有機材料を含有する電子デバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光応答デバイス（特に、有機光起電力デバイス及び有機光センサ）、有機トランジスタ、並びにメモリアレイデバイスなどのデバイスにおける使用がますます注目されている。活性有機材料を含有するデバイスは、軽量、低消費電力、及び柔軟性などの利点を提供する。さらに、可溶性有機材料の使用は、例えばインクジェット印刷又はスピンコーティングなどのデバイス製造における溶液処理の使用を可能にする。
【０００３】
ＯＬＥＤは、アノード、カソード、及びアノードとカソードとの間の１つ以上の有機発光層を支持する基板を備えてもよい。
【０００４】
正孔は、アノードを通じてデバイスに注入され、電子は、デバイスの動作中にカソードを通じて注入される。発光材料の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）の正孔及び最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）の電子が結合して、そのエネルギーを光として放出する励起子を形成する。
【０００５】
好適な発光材料としては、小分子、ポリマー、及びデンドリマー材料が挙げられる。好適な発光ポリマーとしては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）などのポリ（アリーレンビニレン）及びポリフルオレンなどのポリアリーレンが挙げられる。
【０００６】
発光層は、半導体ホスト材料及び発光ドーパントを含んでもよく、エネルギーは、ホスト材料から発光ドーパントに移動する。例えば、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６５，３６１０，１９８９には、蛍光発光ドーパントがドープされたホスト材料（すなわち、一重項励起子の減衰によって発光する発光材料）が開示されている。
【０００７】
燐光性ドーパントも知られている（すなわち、三重項励起子の減衰によって発光する発光ドーパント）。
【０００８】
国際公開第２０１１／０５２５１６号、国際公開第２０１４／０８５２９６号、米国特許第２０１３／２２１２７８号、特開第２０１１／２５３９８０号、及び米国特許第２０１５／０３４９２６７号には、フェニルトリアゾール配位子を含有する燐光性材料が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０５２５１６号
【特許文献２】国際公開第２０１４／０８５２９６号
【特許文献３】米国特許第２０１３／２２１２７８号
【特許文献４】特開第２０１１／２５３９８０号
【特許文献５】米国特許第２０１５／０３４９２６７号
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６５，３６１０，１９８９
【発明の概要】
【００１１】
本発明の目的は、ＯＬＥＤにおける使用に好適な青色燐光性発光化合物を提供することである。
【００１２】
本発明のさらなる目的は、ＯＬＥＤにおける使用に好適な溶液処理可能な青色燐光性発光化合物を提供することである。
【００１３】
本発明のさらなる目的は、ＯＬＥＤにおいて使用される場合に長い動作寿命を有する燐光性発光化合物を提供することである。
【００１４】
第１の態様では、本発明は、式（Ｉ）の燐光性化合物を提供する：
【化１】
2019516695.tif 000003
【００１５】
（式中：
Ｍは、遷移金属であり；
各出現におけるＬは、独立して単座配位子又は多座配位子であり；
各出現におけるＲ１は、独立して、少なくとも１つの第３級炭素原子を含むＣ４−２０アルキルであり；
Ｒ２は、各出現において独立して、直鎖状、分岐状、又は環状のＣ１−２０アルキル基であり、
Ｒ３は、直鎖状、分岐状、若しくは環状のＣ１−２０アルキル基又は式−（Ａｒ１）ｐの基であり、ここで、各出現におけるＡｒ１は、独立して、非置換であるか又は置換されたアリール又はヘテロアリール基であり、ｐは、少なくとも１であり；
Ｒ４は、式−（Ａｒ２）ｑの基であり、ここで、各出現におけるＡｒ２は、独立して、非置換であるか又は置換されたアリール又はヘテロアリール基であり、ｑは、少なくとも１であり；
Ｒ５は、置換基であり；
ｗは、０又は正の整数であり；
ｘは、少なくとも１であり；
ｙは、０又は正の整数である。）
第２の態様では、本発明は、第１の態様によるホスト材料及び化合物を含む組成物を提供する。
【００１６】
第３の態様では、本発明は、１つ以上の溶媒に溶解した第１又は第２の態様による化合物又は組成物を含む溶液を提供する。
【００１７】
第４の態様では、本発明は、アノード、カソード、及びアノードとカソードとの間の発光層を含む有機発光デバイスであって、発光層が、第１又は第２の態様による化合物又は組成物を含む、有機発光デバイスを提供する。
【００１８】
第５の態様では、本発明は、第４の態様による有機発光デバイスを形成する方法であって、アノード及びカソードのうちの一方の上に発光層を堆積させ、発光層の上にアノード及びカソードのうちの他方を堆積させる工程を含む、方法を提供する。
【００１９】
以下、図面を参照して本発明をより詳細に説明する：
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態によるＯＬＥＤを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
任意の縮尺で描かれていない図１は、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ１００を概略的に示している。ＯＬＥＤ１００は、基板１０７上に支持され、アノード１０１、カソード１０５、及びアノードとカソードとの間の発光層１０３を含む。アノードとカソードとの間には、正孔輸送層、電子輸送層、正孔阻止層、電子阻止層、正孔注入層、及び電子注入層を含むが、これらに限定されないさらなる層（図示せず）を提供してもよい。
【００２２】
１つ以上のさらなる層を含む例示的なＯＬＥＤ構造は、以下を含む：
アノード／正孔注入層／発光層／カソード
アノード／正孔輸送層／発光層／カソード
アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／カソード
アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／カソード。
【００２３】
発光層１０３は、ホスト材料及び式（Ｉ）の燐光性化合物を含有してもよい。ホスト材料は、アノードから注入された正孔と、カソードから注入された電子とを結合させて、一重項励起子及び三重項励起子を形成し得る。三重項励起子は、少なくとも、式（Ｉ）の燐光性化合物に移動し、崩壊して燐光を生成し得る。
【００２４】
デバイスは、２つ以上の発光層を含有してもよい。１つ又は複数の発光層は、式（Ｉ）の燐光性化合物及び１つ以上のさらなる発光化合物、例えば式（Ｉ）の化合物のものとは異なる放射色を有するさらなる燐光性又は蛍光発光材料を含有してもよい。デバイスは、正孔輸送層を含み、さらなる発光材料は、正孔輸送層及び式（Ｉ）の燐光性化合物を含有する発光層のうちの一方又は両方に提供されていてもよい。式（Ｉ）の化合物及びさらなる発光化合物からの放射は、デバイスが使用されているとき、白色光を生成し得る。式（Ｉ）の化合物を含む発光層は、式（Ｉ）の化合物、１つ以上のホスト材料、及び任意には１つ以上のさらなる発光化合物から本質的になっていてもよい。
【００２５】
好ましくは、ホスト及び式（Ｉ）の化合物からなる組成物から放射される光は、実質的に全て式（Ｉ）の化合物からである。
【００２６】
燐光性化合物
式（Ｉ）の燐光性化合物の金属Ｍは、任意の好適な遷移金属、例えばｄブロック元素の第２又は第３列の遷移金属（それぞれ周期表の第５及び第６周期）であり得る。例示的な金属としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、及び金が挙げられる。好ましくは、Ｍは、イリジウムである。
【００２７】
式（Ｉ）の化合物は、式（ＩＩ）の少なくとも１つの配位子を含有する：
【化２】
2019516695.tif 000004
【００２８】
式（Ｉ）の化合物の全ての配位子は、式（ＩＩ）を有してもよく、その場合、ｙは０である。ｙが０である場合、ｘは、好ましくは、３である。
【００２９】
他の実施形態では、化合物は、少なくとも１つの配位子Ｌ（ｙは、少なくとも１である）を含有してもよく、Ｌは、式（ＩＩ）の配位子以外の配位子である。この場合、ｙは、１又は２であってもよく、ｘは、１又は２であってもよい。例示的な配位子Ｌは、二座配位子であり、Ｏ，Ｏシクロメタル化配位子、任意にはジケトネート、任意にはａｃａｃ；Ｎ，Ｏシクロメタル化配位子、任意にはピコ燐酸塩；及びＮ，Ｎシクロメタル化配位子が挙げられるが、これらに限定されない。
【００３０】
Ｒ１は、Ｃ４−２０アルキル基、任意にはＣ４−１２アルキル基であり、少なくとも１つの第３級炭素原子を含む。
【００３１】
好ましくは、第３級炭素原子は、式（Ｉ）のトリアゾール基に直接結合している。
【００３２】
Ｒ１は、１つの第３級炭素原子のみを含んでいてもよい。Ｒ１は、ｔｅｒｔ−ブチル及びネオペンチルから選択されていてもよい。
【００３３】
Ｒ２は、各出現において独立して、直鎖状、分岐状、又は環状のＣ１−２０アルキル基、任意にはＣ１−１２アルキル基、好ましくはＣ１−４アルキル基、より好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、又はイソプロピルである。
【００３４】
Ｒ３は、直鎖状、分岐状、若しくは環状のＣ１−１２アルキル基又は式−（Ａｒ１）ｐの基であり、ここで、各出現におけるＡｒ１は、独立して、アリール又はヘテロアリール基であり、ｐは、少なくとも１であり、１、２、又は３であってもよい。
【００３５】
Ａｒ１は、各出現において独立して、Ｃ６−２０アリール、任意にはフェニル、並びにＣ３−２０ヘテロアリール、任意には３〜２０個のＣ原子及びＯ、Ｓ、及びＮから選択される１つ以上のヘテロ原子を含有するヘテロアリールから選択されてもよい。
【００３６】
ｐが１より大きい場合、基−（Ａｒ１）ｐは、Ａｒ１基の直鎖又は分岐鎖を形成してもよい。
【００３７】
存在する場合、Ａｒ１の置換基は、分岐状、直鎖状、又は環状のＣ１−２０アルキルからなる群から選択されていてもよく、ここで、アルキル基の１つ以上の隣接しない非末端Ｃ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝Ｏ、及び−ＣＯＯ−で置換されてもよく、Ｃ１−２０アルキルの１つ以上のＨ原子は、Ｆで置換されてもよい。好ましい置換基は、分岐状、直鎖状、又は環状のＣ１−１０アルキルから選択される。
【００３８】
本明細書で使用する場合、「非末端炭素原子」とは、直鎖状アルキル（ｎ−アルキル）基の末端のメチル基の炭素原子以外のアルキル鎖の炭素原子、又は分岐状（第２級若しくは第３級）アルキル基の末端のメチル基の炭素原子を意味する。
【００３９】
式−（Ａｒ１）ｐの例示的な基は、フェニル；ビフェニル；３，５−ジフェニルベンゼン；及び４，６−ジフェニルトリアジンであり、これらの各々は、非置換であるか、又は上記のような１つ以上の置換基で置換されてもよい。
【００４０】
Ｒ３は、好ましくはＣ１−２０アルキル基、任意にはＣ１−１２アルキル基、又は非置換であるか、若しくは１つ以上のＣ１−２０アルキル基で置換されてもよいフェニル基である。
【００４１】
好ましいＣ１−２０アルキル基であるＲ３は、Ｃ３−２０分岐状アルキル基、任意にはＣ３−１２分岐状アルキル基；及び１つ以上の第３級炭素原子を含有するＣ４−２０アルキル基、任意にはＣ４−１２分岐状アルキル基である。
【００４２】
Ｒ４は、式−（Ａｒ２）ｑの基であり、ここで、各出現におけるＡｒ２は、独立して、アリール基又はヘテロアリール基であり、ｑは、少なくとも１であり、１、２、又は３であってもよい。
【００４３】
Ａｒ２は、各出現において独立して、Ｃ６−２０アリール、任意にはフェニル、及びＣ３−２０ヘテロアリール、任意には３〜２０個のＣ原子及びＯ、Ｓ、及びＮから選択される１つ以上のヘテロ原子を含有するヘテロアリールから選択されてもよい。
【００４４】
ｑが１より大きい場合、基−（Ａｒ２）ｑは、Ａｒ１基の直鎖又は分岐鎖を形成し得る。
【００４５】
ｑは、好ましくは１である。
【００４６】
存在する場合、Ａｒ２の置換基は、分岐状、直鎖状、又は環状のＣ１−２０アルキルからなる群から選択されていてもよく、ここで、アルキル基の１つ以上の隣接しない非末端Ｃ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝Ｏ、及び−ＣＯＯ−で置換されてもよく、Ｃ１−２０アルキルの１つ以上のＨ原子は、Ｆで置換されてもよい。好ましい置換基は、分岐状、直鎖状、又は環状のＣ１−１０アルキルから選択される。
【００４７】
式−（Ａｒ２）ｑの例示的な基は、フェニル；ビフェニル；３，５−ジフェニルベンゼン；及び４，６−ジフェニルトリアジンであり、これらの各々は、非置換であるか、又は上記のような１つ以上の置換基で置換されてもよい。
【００４８】
Ｒ４は、好ましくは、非置換であるか又は１つ以上のＣ１−２０アルキル基で置換されてもよいフェニル基である。
【００４９】
好ましくは、Ｒ４は、非置換フェニル又はＣ１−２０アルキル基４−置換基を有するフェニルである。
【００５０】
好ましいＣ１−２０アルキル基であるＲ４は、Ｃ３−２０分岐状アルキル基、任意にはＣ３−１２分岐状アルキル基；及び１つ以上の第３級炭素原子を含有するＣ４−２０アルキル基、任意にはＣ４−１２分岐状アルキル基である。
【００５１】
ｗは、０、１、２、又は３であってもよい。
【００５２】
存在する場合、各出現におけるＲ５は、同じであっても異なっていてもよく、非置換若しくは置換Ｃ６−２０アリール；非置換若しくは置換５−２０員ヘテロアリール；又は分岐状、直鎖状、若しくは環状のＣ１−２０アルキルから選択されてもよく、ここで、アルキル基の１つ以上の隣接しない非末端Ｃ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝Ｏ、及び−ＣＯＯ−で置換されてもよく、Ｃ１−２０アルキルの１つ以上のＨ原子は、Ｆで置換されてもよい。
【００５３】
好ましくは、ｗは、０であり、式（Ｉ）の化合物は、式（Ｉａ）を有する：
【化３】
2019516695.tif 000005
【００５４】
式（Ｉ）の例示的な化合物は、以下を含む：
【化４】
2019516695.tif 000006
【００５５】
式（Ｉ）の化合物は、好ましくは、４００〜５００ｎｍ、任意には４２０〜４９０ｎｍ、任意には４６０〜４８０ｎｍの範囲のピークを有するフォトルミネッセンススペクトルを有する。
【００５６】
式（Ｉ）の化合物のフォトルミネッセンススペクトルは、０．３〜０．４の透過率値を達成するためにＰＭＭＡ膜中の材料の５重量％を石英基板上にキャストすること、及びＨａｍａｍａｔｓｕ製の装置Ｃ９９２０−０２を使用して窒素環境下で測定することによって測定されてもよい。
【００５７】
ホスト材料
ホスト材料は、三重項励起子をホスト材料から式（Ｉ）の燐光性化合物に移動させるために、式（Ｉ）の燐光性化合物よりも０．１ｅＶ未満低い、好ましくは少なくとも同じであるか、又はそれより高い三重項励起状態エネルギー準位Ｔ１を有する。
【００５８】
ホスト材料及び燐光性化合物の三重項励起状態エネルギー準位は、それぞれのその燐光性スペクトルから決定されてもよい。ホスト材料の燐光性スペクトルは、低温燐光性分光法によって測定された燐光性スペクトルのエネルギーオンセットによって決定されてもよい（Ｙ．Ｖ．Ｒｏｍａｏｖｓｋｉｉ  ｅｔ  ａｌ，Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０００，８５（５），ｐ１０２７，Ａ．ｖａｎ  Ｄｉｊｋｅｎ  ｅｔ  ａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００４，１２６，ｐ７７１８）。
【００５９】
ホスト材料は、ポリマー又は非ポリマー化合物であってもよい。
【００６０】
例示的な非ポリマーホスト材料は、式（Ｘ）の化合物で置換されていてもよい：
【化５】
2019516695.tif 000007
【００６１】
（式中、Ｘは、Ｏ又はＳである。）
式（Ｘ）の化合物のベンゼン環の各々は、独立して、非置換であるか又は１つ以上の置換基で置換されてもよい。置換基は、Ｃ１−２０アルキルから選択されてもよく、ここで、アルキルの１つ以上の隣接しない非末端Ｃ原子は、Ｏ、Ｓ、ＣＯＯ、Ｃ＝Ｏ、又はＳｉＲ８で置換されてもよく、基Ｒ８は、同じか又は異なり、上記の通りであり、アルキルの１つ以上のＨ原子は、Ｆで置換されてもよい。
【００６２】
式（Ｉ）の化合物は、ホスト材料と混合されてもよく、又はホスト材料と共有結合してもよい。ホスト材料がポリマーである場合、金属錯体は、ポリマーの主鎖繰り返し単位、繰り返し単位の側基、又は末端基として提供されてもよい。
【００６３】
式（Ｉ）の化合物が側基として提供される場合、金属錯体は、ポリマーの主鎖に直接結合されてもよく、又は主鎖からスペーサー基によって隔てられてもよい。例示的なスペーサー基としては、Ｃ１−２０アルキル基、アリール−Ｃ１−２０アルキル基、及びＣ１−２０アルコキシ基が挙げられる。ポリマー主鎖又はスペーサー基は、フェニルトリアゾール；又は（存在する場合）式（Ｉ）の化合物の別の配位子に結合してもよい。
【００６４】
式（Ｉ）の化合物が共役繰り返し単位を含むポリマーに結合している場合、それは、共役繰り返し単位と式（Ｉ）の化合物との間に共役が存在しないように、又は共役繰り返し単位と式（Ｉ）の化合物との間の共役の程度が制限されるようにポリマーに結合していてもよい。
【００６５】
式（Ｉ）の化合物がホスト材料と混合される場合、ホスト：エミッターの重量比は、５０〜９９．５：５０〜０．５の範囲であり得る。
【００６６】
式（Ｉ）の化合物がポリマーに結合する場合、式（Ｉ）の化合物を含有する繰り返し単位又は末端基は、ポリマーの０．５〜２０モルパーセント、より好ましくは１〜１０モルパーセントを形成してもよい。
【００６７】
例示的なホストポリマーとしては、非共役骨格からペンダントした電荷輸送基を有する非共役骨格を有するポリマー、例えばポリ（９−ビニルカルバゾール）、及びポリマーの骨格中に共役繰り返し単位を含むポリマーが挙げられる。ポリマーの骨格が共役繰り返し単位を含む場合、ポリマー骨格中の繰り返し単位間の共役の程度は、式（Ｉ）の燐光性化合物の三重項エネルギー準位以上のポリマーの三重項エネルギー準位を維持するために制限され得る。
【００６８】
共役ポリマーの例示的な繰り返し単位としては、非置換であるか又は置換された単環式及び多環式ヘテロアリーレン繰り返し単位；例えば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０００  １２（２３）１７３７−１７５０に開示されているような非置換であるか又は置換された単環式及び多環式のアリーレン繰り返し単位が挙げられ、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１９９６，７９，９３４に開示されているような１，２−、１，３−、及び１，４−フェニレン繰り返し単位；欧州特許第０８４２２０８号に開示されているような２，７−フルオレン繰り返し単位；例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ２０００，３３（６），２０１６−２０２０に開示されているようなインデノフルオレン繰り返し単位；並びに、例えば、欧州特許第０７０７０２０号に開示されているようなスピロフルオレン繰り返し単位；が挙げられる。これらの繰り返し単位の各々は、置換されていてもよい。置換基の例としては、Ｃ１−２０アルキル又はアルコキシなどの可溶化基；フッ素、ニトロ、又はシアノなどの電子求引基；及びポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）を上昇させるための置換基が挙げられる。
【００６９】
繰り返し単位の１つの例示的クラスは、式（ＩＶ）の非置換又は置換された繰り返し単位である：
【化６】
2019516695.tif 000008
【００７０】
（式中、Ａは、Ｏ、Ｓ、ＮＲ１１、ＣＲ１１２、又はＳｉＲ１１２であり；各出現におけるＲ１１は、同じ又は異なり、Ｈ又は置換基であり、２つの基Ｒ１１は、連結して環を形成してもよい。）
各Ｒ１１は、好ましくは置換基であり、各Ｒ１１は、独立して、
１つ以上の隣接しない非末端Ｃ原子が、非置換であるか、又は置換Ｃ５−２０アリール若しくはＣ３−２０ヘテロアリール、任意にはフェニル、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏ、若しくは−ＣＯＯ−で置換されてもよいＣ１−２０アルキル；
各Ａｒ６が、独立して、アリール又はヘテロアリール基、任意にはＣ５−２０アリール又はＣ３−２０ヘテロアリール基、任意にはフェニルであり；ｒが、少なくとも１であり；１、２、又は３であってもよく；−（Ａｒ６）ｒが、ｒが少なくとも２である場合、Ａｒ６基の直鎖又は分岐鎖を形成してもよい、式−（Ａｒ６）ｒの基、並びに
架橋性基、例えば二重結合を含む基、ビニル基若しくはアクリレート基、又はベンゾシクロブタン基
からなる群から選択されてもよい。
【００７１】
Ｒ１１が−（Ａｒ６）ｒである場合、該基又は各基Ａｒ６は、非置換であってもよく、又は
アルキル、任意にはＣ１−２０アルキル（ここで、１つ以上の隣接しない非末端Ｃ原子が、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏ、及び−ＣＯＯ−で置換されてもよく、アルキル基の１つ以上のＨ原子が、Ｆで置換されていてもよい）；並びに
フッ素、ニトロ、及びシアノ
からなる群から選択される１つ以上の置換基Ｒ１０で置換されてもよい。
【００７２】
好ましい基Ｒ１０は、Ｃ１−２０アルキルから選択される。
【００７３】
式（ＩＶ）の繰り返し単位の芳香族炭素原子は、非置換であるか又は１つ以上の置換基で置換されてもよい。置換基は、アルキル、例えばＣ１−２０アルキル（ここで、１つ以上の隣接しない非末端Ｃ原子が、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝Ｏ、及び−ＣＯＯ−で置換されてもよい）；非置換であるか又は１つ以上の置換基で置換されてもよいＣ５−２０アリール；非置換であるか又は１つ以上の置換基で置換されてもよいＣ３−２０ヘテロアリール；フッ素；並びにシアノからなる群から選択されてもよい。特に好ましい置換基としては、Ｃ１−２０アルキル及び置換又は非置換のＣ５−２０アリール、例えばフェニルが挙げられる。アリールのための任意の置換基としては、１つ以上のＣ１−２０アルキル基が挙げられる。
【００７４】
存在する場合、置換Ｎは、各出現において独立して、ＮＲ１６であってもよく、ここで、Ｒ１６は、アルキル、任意にはＣ１−２０アルキル、又は置換されていてもよいアリール若しくはヘテロアリール、任意にはフェニルである。アリール又はヘテロアリールＲ１６のための任意の置換基は、Ｒ１０から選択されてもよい。
【００７５】
好ましくは、各Ｒ１１は、Ｃ１−２０アルキル及び置換されていてもよいフェニルからなる群から選択される。フェニルのための任意の置換基としては、１つ以上のＣ１−２０アルキル基が挙げられる。
【００７６】
式（Ｉ）の化合物がポリマーの側鎖として提供される場合、Ａは、ＮＲ１１、ＣＲ１１２、又はＳｉＲ１１２であってもよく、少なくとも１つのＲ１１は、Ｎ、Ｃ、若しくはＳｉに直接結合しているか、又はスペーサー基によってＡから隔てられている式（Ｉ）の化合物を含んでもよい。
【００７７】
式（ＩＶ）の繰り返し単位の共役の程度は、隣接する１つ又は複数の繰り返し単位、例えば、３位及び６位の一方又は両方にＣ１−２０アルキル置換基を支持する２，７−連結フルオレンとのねじれを作るために、（ａ）繰り返し単位の連結位置を選択すること及び／又は（ｂ）繰り返し単位の連結位置に隣接する１つ以上の芳香族炭素原子を置換することによって、制限され得る。
【００７８】
式（ＩＶ）の例示的な繰り返し単位は、以下を含む：
【化７】
2019516695.tif 000009
【００７９】
ホストポリマーは、式（ＩＶ）の１つのみの繰り返し単位、又は式（ＩＶ）の２つ以上の異なる繰り返し単位を含有してもよい。
【００８０】
繰り返し単位の別の例示的なクラスは、式（Ｖ）のフェニレン繰り返し単位などのフェニレン繰り返し単位である：
【化８】
2019516695.tif 000010
【００８１】
（式中、ｐは、０、１、２、３、又は４であり、１又は２であってもよく、Ｒ１２は、各出現において独立して、置換基、上記のような置換基Ｒ１１であってもよく、例えばＣ１−２０アルキル、非置換であるか、又は１つ以上のＣ１−２０アルキル基若しくは架橋性基で置換されるフェニルであってもよい。）
式（Ｖ）の繰り返し単位は、１，４−連結、１，２−連結、又は１，３−連結であってもよい。
【００８２】
式（Ｖ）の繰り返し単位が１，４−連結であり、かつｐが０である場合、式（Ｖ）の繰り返し単位の一方又は両方の隣接する繰り返し単位に対する共役の程度は、比較的高くてもよい。
【００８３】
ｐが少なくとも１であり、かつ／又は繰り返し単位が１，２−連結又は１，３−連結である場合、式（Ｖ）の繰り返し単位の一方又は両方の隣接する繰り返し単位に対する共役の程度は、比較的低くてもよい。１つの好ましい構成では、式（Ｖ）の繰り返し単位は、１，３−連結であり、ｐは、０、１、２、又は３である。別の好ましい構成では、式（Ｖ）の繰り返し単位は、式（Ｖａ）を有する：
【化９】
2019516695.tif 000011
【００８４】
式（ＩＶ）及び（Ｖ）の繰り返し単位などのアリーレン繰り返し単位は、隣接する繰り返し単位の芳香族基又はヘテロ芳香族基と完全に共役してもよい。追加的に又は代替的に、ホストポリマーは、共役破断繰り返し単位に隣接する繰り返し単位間の共役を完全に破断する共役破断繰り返し単位を含有してもよい。例示的な共役破断繰り返し単位は、式（ＶＩ）を有する：
2019516695.tif 000012
【００８５】
（式中、Ａｒ７は、各出現において独立して、非置換であるか又は１つ以上の置換基で置換されてもよい芳香族基又はヘテロ芳香族基を表し、Ｓｐ１は、２つの基Ａｒ７を分離する少なくとも１つのｓｐ３混成炭素原子を含むスペーサー基を表す）。好ましくは、各Ａｒ７は、フェニルであり、Ｓｐ１は、Ｃ１−１０アルキル基である。Ａｒ７の置換基は、式（ＩＶ）に関して上記の基Ｒ１１から選択されてもよく、好ましくはＣ１−２０アルキルから選択される。
【００８６】
ホストポリマーは、正孔輸送単位又は電子輸送単位であり得る電荷輸送単位ＣＴを含み得る。
【００８７】
正孔輸送単位は、低い電子親和力（２ｅＶ以下）及び低いイオン化ポテンシャル（５．８ｅＶ以下、好ましくは５．７ｅＶ以下、より好ましくは５．６ｅＶ以下）を有してもよい。
【００８８】
電子輸送単位は、高い電子親和力（１．８ｅＶ以上、好ましくは２ｅＶ以上、さらに好ましくは２．２ｅＶ以上）及び高いイオン化ポテンシャル（５．８ｅＶ以上）を有してもよい。好適な電子輸送基としては、例えば、Ｓｈｉｒｏｔａ  ａｎｄ  Ｋａｇｅｙａｍａ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７，１０７，９５３−１０１０に開示されている基が挙げられる。
【００８９】
電子親和力及びイオン化ポテンシャルは、サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）によって測定され得る。作用電極電位は、時間に対して線形に傾斜してもよい。
【００９０】
サイクリックボルタンメトリーが設定電位に達すると、作用電極の電位ランプが反転される。この反転は、１回の実験中に複数回発生する可能性がある。作用電極での電流を印加電圧に対してプロットし、サイクリックボルタモグラムトレースを得る。
【００９１】
ＣＶによってＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位を測定する装置は、アセトニトリル中の過塩素酸ｔｅｒｔ−ブチルアンモニウム／又はヘキサフルオロ燐酸ｔｅｒｔブチルアンモニウム溶液を含有するセル、試料が膜としてコーティングされたガラス状炭素作用電極、白金対電極（電子供与体又は電子受容体）、及びＡｇ／ＡｇＣｌリーク無し基準ガラス電極を備えてもよい。計算の目的で、実験終了時にセルにフェロセンを添加する。（Ａｇ／ＡｇＣｌ／フェロセンと試料／フェロセンとの間の電位差の測定）。
【００９２】
方法及び設定：
直径３ｍｍのガラス状炭素作用電極
Ａｇ／ＡｇＣｌ／リーク無し基準電極
Ｐｔワイヤ補助電極
アセトニトリル中０．１Ｍテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート
ＬＵＭＯ＝４．８−フェロセン（ピークからピークまでの最大平均）＋オンセット
試料：トルエン中の５ｍｇ／ｍＬの１滴を３０００ｒｐｍのＬＵＭＯ（還元）測定で回転させた：
２００ｍＶ／ｓ及び−２．５Ｖのスイッチングポテンシャルで測定した厚膜について、良好な可逆的な還元事象が典型的に観察される。還元事象を１０サイクルにわたって測定し、比較しなければならず、通常、３回目のサイクルで測定する。オンセットは、還元事象の最も急な部分とベースラインとの最良適合線の交点で取られる。
【００９３】
例示的な正孔輸送繰り返し単位は、式（ＩＸ）を有する：
【化１０】
2019516695.tif 000013
2019516695.tif 000014
【００９４】
（式中、各出現におけるＡｒ８、Ａｒ９、及びＡｒ１０は、独立して、置換又は非置換のアリール又はヘテロアリールから選択され、ｇは、０、１、又は２、好ましくは０又は１であり、Ｒ１３は、各出現において独立して、Ｈ又は置換基であり、好ましくは置換基であり、ｃ、ｄ、及びｅは、それぞれ独立して、１、２、又は３である。）
ｇが１又は２である場合、各出現において同じであっても異なっていてもよいＲ１３は、好ましくは、アルキル、例えばＣ１−２０アルキル、Ａｒ１１、及び分岐鎖又は直鎖のＡｒ１１基からなる群から選択され、ここで、各出現におけるＡｒ１１は、独立して、置換又は非置換のアリール又はヘテロアリールである。
【００９５】
Ａｒ８、Ａｒ９、並びに存在する場合、同じＮ原子に直接結合するＡｒ１０及びＡｒ１１から選択される任意の２つの芳香族基又はヘテロ芳香族基は、直接結合又は２価の連結原子若しくは基によって連結されてもよい。好ましい２価の連結原子及び基としては、Ｏ、Ｓ；置換Ｎ；及び置換Ｃが挙げられる。
【００９６】
Ａｒ８及びＡｒ１０は、好ましくはＣ６−２０アリール、より好ましくはフェニルであり、非置換であるか又は１つ以上の置換基で置換されてもよい。
【００９７】
ｇ＝０の場合、Ａｒ９は、好ましくはＣ６−２０アリール、より好ましくはフェニルであり、非置換であるか又は１つ以上の置換基で置換されてもよい。
【００９８】
ｇ＝１の場合、Ａｒ９は、好ましくはＣ６−２０アリール、より好ましくはフェニル又は多環式芳香族基、例えば、ナフタレン、ペリレン、アントラセン、又はフルオレンであり、非置換であるか又は１つ以上の置換基で置換されてもよい。
【００９９】
Ｒ１３は、好ましくはＡｒ１１又は分岐鎖若しくは直鎖のＡｒ１１基である。各出現におけるＡｒ１１は、好ましくは、非置換であるか又は１つ以上の置換基で置換されてもよいフェニルである。
【０１００】
例示的な基Ｒ１３は、以下のものを含み、それらの各々は、非置換であるか、又は１つ以上の置換基で置換されてもよく、＊は、Ｎへの結合点を表す：
【化１１】
2019516695.tif 000015
【０１０１】
ｃ、ｄ、及びｅはそれぞれ、好ましくは１である。
【０１０２】
Ａｒ８、Ａｒ９、並びに存在する場合、Ａｒ１０及びＡｒ１１は、それぞれ独立して、非置換であるか、又は１つ以上、任意には１、２、３、又は４つの置換基で置換されている。置換基は、置換又は非置換アルキル、任意にはＣ１−２０アルキルから選択されていてもよく、ここで、１つ以上の隣接しない非末端Ｃ原子は、置換されていてもよいアリール又はヘテロアリール（好ましくはフェニル）、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝Ｏ、又は−ＣＯＯ−で置換されてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｆで置換されてもよい。
【０１０３】
Ａｒ８、Ａｒ９、並びに存在する場合、Ａｒ１０及びＡｒ１１の好ましい置換基は、Ｃ１−４０ヒドロカルビル、好ましくはＣ１−２０アルキルである。
【０１０４】
式（ＩＸ）の好ましい繰り返し単位としては、式（ＩＸ−１）、（ＩＸ−２）、及び（ＩＸ−３）の非置換又は置換単位が挙げられる：
【化１２】
2019516695.tif 000016
【０１０５】
トリアジンは、例示的なクラスの電子輸送単位、例えば、（ヘテロ）アリール基の１つを通じて側基として結合した置換されていてもよいジ−又はトリ−（ヘテロ）アリールトリアジンを形成する。他の例示的な電子輸送単位は、ピリミジン及びピリジン；スルホキシド及びホスフィンオキシド；ベンゾフェノン；及びボランであり、それらの各々は、非置換であるか、又は１つ以上の置換基、例えば１つ以上のＣ１−２０アルキル基で置換されてもよい。
【０１０６】
例示的な電子輸送単位ＣＴは、式（ＶＩＩ）を有する：
【化１３】
2019516695.tif 000017
【０１０７】
（式中、Ａｒ４、Ａｒ５、及びＡｒ６は、各出現において、独立して、置換又は非置換アリール又はヘテロアリールから選択され；各出現におけるｚは、独立して、少なくとも１であり、１、２、又は３であってもよく；Ｙは、Ｎ又はＣＲ７であり、Ｒ７は、Ｈ又は置換基であり、好ましくはＨ又はＣ１−１０アルキルである）。存在する場合、Ａｒ４、Ａｒ５、及びＡｒ６の置換基は、それぞれ独立して、置換又は非置換のアルキル、Ｃ１−２０アルキルから選択されてもよく、１つ以上の隣接しない非末端のＣ原子は、置換されていてもよいアリール若しくはヘテロアリール（好ましくはフェニル）、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝Ｏ、又は−ＣＯＯ−で置換されてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｆで置換されてもよい。好ましくは、式（ＶＩＩ）のＡｒ４、Ａｒ５、及びＡｒ６は、それぞれフェニルであり、各フェニルは、１つ以上のＣ１−２０アルキル基で独立して置換されていてもよい。
【０１０８】
好ましい一実施形態では、３つの基Ｙの全てがＮである。
【０１０９】
３つの基Ｙの全てがＣＲ７である場合、Ａｒ４、Ａｒ５、及びＡｒ６のうちの少なくとも１つは、好ましくは、Ｎを含むヘテロ芳香族基である。
【０１１０】
１つの構成では、Ａｒ４、Ａｒ５、及びＡｒ６は、各出現においてフェニルである。
【０１１１】
式（ＶＩＩ）のＡｒ６は、好ましくはフェニルであり、１つ以上のＣ１−２０アルキル基又は架橋性単位で置換されていてもよい。
【０１１２】
電荷輸送単位ＣＴは、対応するモノマーを重合させることによって形成される別個の繰り返し単位として提供されてもよい。あるいは、１つ以上のＣＴ単位は、より大きな繰り返し単位、例えば式（ＶＩＩＩ）の繰り返し単位の一部を形成してもよい：
【化１４】
2019516695.tif 000018
【０１１３】
（式中、ＣＴは、共役電荷輸送基を表し；各Ａｒ３は、独立して、非置換又は置換アリール又はヘテロアリールを表し；ｑは、少なくとも１であり；各Ｓｐは、独立して、Ａｒ３とＣＴとの間の共役の破壊を形成するスペーサー基を表す。）
Ｓｐは、好ましくは、分岐状、直鎖状、又は環状のＣ１−２０アルキル基である。
【０１１４】
例示的なＣＴ基は、上記の式（ＩＸ）又は（ＶＩＩ）の単位を含む。
【０１１５】
Ａｒ３は、好ましくは非置換又は置換アリール、任意には非置換又は置換フェニル又はフルオレンである。Ａｒ３のための任意の置換基は、上記のＲ８から選択されてもよく、好ましくは１つ以上のＣ１−２０アルキル置換基から選択される。
【０１１６】
ｑは、好ましくは１である。
【０１１７】
白色ＯＬＥＤ
本発明のＯＬＥＤは、式（Ｉ）の青色発光化合物及びデバイスから放射される光が白色であるような放射色を有する１つ以上のさらなる発光材料を含有する白色ＯＬＥＤであってもよい。さらなる発光材料は、蛍光性又は燐光性であり得る赤色及び緑色の発光材料を含む。白色ＯＬＥＤから放射される全ての光は、燐光性であってもよい。
【０１１８】
１つ以上のさらなる発光材料は、式（Ｉ）の化合物と同じ発光層に存在してもよく、又はデバイスの１つ以上のさらなる発光層に提供されてもよい。１つの任意の構成では、ＯＬＥＤは、赤色発光層、並びに緑色及び青色発光層を含んでもよい。赤色層は、緑色及び青色発光層に隣接する正孔輸送層であってもよい。
【０１１９】
白色ＯＬＥＤから放射された光は、２５００〜９０００Ｋの範囲の温度で黒体によって放射されるものと等しいＣＩＥｘ座標及び黒体によって放射される前記光のＣＩＥｙ座標の０．０５又は０．０２５以内のＣＩＥｙ座標を有してもよく、ＣＩＥｘ座標は、２７００〜６００Ｋの範囲の温度で黒体によって放射されるものと等しくてもよい。
【０１２０】
緑色放射材料は、５００ｎｍを超え、最大５８０ｎｍ、任意には４９０ｎｍを超え、最大５４０ｎｍの範囲のピークを有するフォトルミネッセンススペクトルを有してもよい
赤色放射材料は、５８０ｎｍを超え、最大６３０ｎｍ、任意には５８５ｎｍから最大６２５ｎｍのフォトルミネセンススペクトルにピークを有していてもよい。
【０１２１】
ポリマー合成
上記の式（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）、及び（ＩＸ）の繰り返し単位のうちの１つ以上を含むポリマーなどの共役ポリマーの好ましい調製方法は、金属錯体触媒の金属原子がアリール又はヘテロアリール基とモノマーの脱離基との間に挿入される「金属挿入」を含む。例示的な金属挿入方法は、例えば、国際公開第００／５３６５６号に記載されているスズキ重合、及び例えば、Ｔ．Ｙａｍａｍｏｔｏ，「Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ａｎｄ  Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ｓｔａｂｌｅ  ｐｉ−Ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ  Ｐｏｌｙ（ａｒｙｌｅｎｅ）ｓ  Ｐｒｅｐａｒｅｄ  ｂｙ  Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ」，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  １９９３，１７，１１５３−１２０５に記載されているヤマモト重合である。ヤマモト重合の場合、ニッケル錯体触媒が使用され；スズキ重合の場合、パラジウム錯体触媒が使用される。
【０１２２】
例えば、ヤマモト重合による直鎖状ポリマーの合成では、２つの反応性ハロゲン基を有するモノマーが使用される。同様に、スズキ重合の方法によれば、少なくとも１つの反応性基は、ボロン酸又はボロン酸エステルなどのホウ素誘導体基であり、他の反応性基は、ハロゲンである。好ましいハロゲンは、塩素、臭素、及びヨウ素であり、最も好ましくは臭素である。
【０１２３】
したがって、本出願を通して説明される繰り返し単位が、好適な脱離基を支持するモノマーから誘導され得ることが理解されるであろう。同様に、末端基又は側基は、好適な脱離基の反応によってポリマーに結合されてもよい。
【０１２４】
スズキ重合を使用してレジオレギュラー、ブロック及びランダムコポリマーを調製してもよい。特に、ホモポリマー又はランダムコポリマーは、一方の反応性基がハロゲンであり、他方の反応性基がホウ素誘導体基である場合に調製されてもよい。あるいは、ブロック又はレジオレギュラーコポリマーは、第１のモノマーの両方の反応性基がホウ素であり、第２のモノマーの両方の反応性基がハロゲンである場合に調製されてもよい。
【０１２５】
ハロゲン化物の代替物として、金属挿入に関与することができる他の脱離基としては、スルホン酸及びスルホン酸エステル、例えばトシラート、メシラート、及びトリフラートが挙げられる。
【０１２６】
電荷輸送層及び電荷阻止層
アノードと１つ又は複数の発光層との間に正孔輸送層を設けてもよい。同様に、カソードと１つ又は複数の発光層との間に電子輸送層を提供してもよい。
【０１２７】
同様に、アノードと発光層との間に電子阻止層を設け、カソードと発光層との間に正孔阻止層を提供してもよい。輸送層と阻止層とを組み合わせて使用してもよい。そのＨＯＭＯ及びＬＵＭＯ準位に応じて、単一の層は、正孔及び電子のうちの一方の輸送、並びに正孔及び電子のうちの他方の阻止の両方をし得る。
【０１２８】
電荷輸送層又は電荷阻止層は、特に、その電荷輸送層又は電荷阻止層の上にある層が溶液から堆積される場合に架橋され得る。この架橋に使用される架橋性基は、そのような反応性二重結合を含む架橋性基、及びビニル基若しくはアクリレート基、又はベンゾシクロブタン基であってもよい。架橋性基は、電荷輸送又は電荷阻止ポリマーの骨格からペンダントした置換基として提供されてもよい。電荷輸送又は電荷阻止層の形成に続いて、架橋性基は、熱処理又は照射によって架橋され得る。
【０１２９】
存在する場合、アノードと発光層との間に位置する正孔輸送層は、サイクリックボルタンメトリーによって測定して、好ましくは５．５ｅＶ以下、より好ましくは約４．８〜５．５ｅＶのＨＯＭＯ準位を有する。正孔輸送層のＨＯＭＯ準位は、これらの層の間の正孔輸送に対する小さなバリアを提供するために、隣接する層（例えば、発光層）の０．２ｅＶ以内、場合により０．１ｅＶ以内になるように選択されてもよい。
【０１３０】
存在する場合、発光層とカソードとの間に位置する電子輸送層は、好ましくは、矩形波サイクリックボルタンメトリーによって測定して約２．５〜３．５ｅＶのＬＵＭＯ準位を有する。カソードに最も近い発光層とカソードとの間に、０．２〜２ｎｍの範囲の厚さを有する一酸化ケイ素若しくは二酸化ケイ素、又は他の薄い誘電体層の層を提供してもよい。ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリーを使用して測定されてもよい。
【０１３１】
存在する場合、正孔阻止層は、式（ＸＩＩ）の化合物を含むか、又はそれからなり得る：
【化１５】
2019516695.tif 000019
【０１３２】
（式中、各出現におけるＶは、独立して、Ｓ又はＯ、好ましくはＳである）。式（ＸＩＩ）の化合物は、非置換であっても、又は１つ以上の置換基、場合により１つ以上のＣ１−４０ヒドロカルビル基、場合により１つ以上のＣ１−２０アルキル基で置換されてもよい。
【０１３３】
正孔輸送層は、正孔輸送（ヘテロ）アリールアミン、例えば式（ＩＸ）の正孔輸送繰り返し単位を含むホモポリマー又はコポリマーを含有してもよい。例示的なコポリマーは、上記のようなフェニル、フルオレン、又はインデノフルオレン繰り返し単位のような式（ＩＸ）の繰り返し単位及び置換されていてもよい（ヘテロ）アリーレン共繰り返し単位を含み、前記（ヘテロ）アリーレン繰り返し単位の各々は、アルキル基又はアルコキシ基のような１つ以上の置換基で置換されていてもよい。特定の共繰り返し単位としては、上記のような式（ＩＶａ）のフルオレン繰り返し単位及び式（Ｖ）のフェニレン繰り返し単位が挙げられる。式（ＩＸ）の繰り返し単位を含有する正孔輸送コポリマーは、２５〜９５モル％の式（ＩＸ）の繰り返し単位を含有してもよい。
【０１３４】
電子輸送層は、置換されていてもよいアリーレン繰り返し単位の鎖、例えばフルオレン繰り返し単位の鎖を含むポリマーを含有してもよい。
【０１３５】
２つ以上の正孔輸送層又は２つ以上の電子輸送層が提供されてもよい。一実施形態では、２つ以上の正孔輸送層が提供される。
【０１３６】
正孔注入層
導電性有機材料又は導電性無機材料から形成され得る導電性正孔注入層を、アノードと１つ又は複数の発光層との間に提供して、アノードから半導体ポリマーの１つ又は複数の層への正孔注入を助けてもよい。正孔輸送層は、正孔注入層と組み合わせて使用してもよい。
【０１３７】
ドープされた有機正孔注入材料の例としては、置換されていてもよいドープされたポリ（エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＴ）、特に欧州特許第０９０１１７６号及び欧州特許第０９４７１２３号に開示されているようなポリスチレンスルホナート（ＰＳＳ）などの電荷平衡ポリ酸、ポリアクリル酸又はフッ素化スルホン酸、例えばＮａｆｉｏｎ（登録商標）でドープされたＰＥＤＴ；米国特許第５７２３８７３号及び米国特許第５７９８１７０号に開示されているようなポリアニリン；並びに置換されていてもよいポリチオフェン又はポリ（チエノチオフェン）が挙げられる。導電性無機材料の例としては、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｄ：Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ（１９９６），２９（１１），２７５０−２７５３に開示されているようなＶＯｘ、ＭｏＯｘ、及びＲｕＯｘなどの遷移金属酸化物が挙げられる。
【０１３８】
カソード
カソードは、１つ又は複数の発光層への電子の注入を可能にする仕事関数を有する材料から選択される。他の要因は、カソードと発光材料との間の有害な相互作用の可能性などのカソードの選択に影響を与える。カソードは、アルミニウムの層などの単一の材料からなり得る。あるいは、国際公開第９８／１０６２１号に開示されるように、複数の金属、例えば、カルシウム及びアルミニウムなどの低仕事関数材料及び高仕事関数材料の二重層を含んでもよい。カソードは、例えば、国際公開第９８／５７３８１号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００２，８１（４），６３４、及び国際公開第０２／８４７５９号に開示されているような元素バリウムを含有する層を含有してもよい。カソードは、ＯＬＥＤの（１又は複数の）発光層と１つ以上の金属層などのカソードの１つ以上の導電層との間の金属化合物の薄い（例えば１〜５ｎｍ）層を含有してもよい。例示的な金属化合物としては、電子注入を助けるためのアルカリ金属又はアルカリ土類金属の酸化物又はフッ化物、例えば国際公開第００／４８２５８号に開示されているようなフッ化リチウム；Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００１年，７９（５），２００１年に開示されているようなフッ化バリウム；及び酸化バリウムが挙げられる。デバイスへの電子の効率的な注入を提供するために、カソードは、好ましくは３．５ｅＶ未満、より好ましくは３．２ｅＶ未満、最も好ましくは３ｅＶ未満の仕事関数を有する。金属の仕事関数は、例えば、Ｍｉｃｈａｅｌｓｏｎ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４８（１１），４７２９，１９７７に見出すことができる。
【０１３９】
カソードは、不透明又は透明であってもよい。このようなデバイスの透明アノードを通した放射は、放射画素の下に位置する駆動回路によって少なくとも部分的に阻止されるので、透明カソードは、活性マトリクスデバイスにとって特に有利である。透明カソードは、透明であるように十分に薄い電子注入材料の層を含む。典型的には、この層の横方向の導電率は、その薄さの結果として低くなる。この場合、電子注入材料の層は、インジウムスズ酸化物などの透明導電性材料のより厚い層と組み合わせて使用される。
【０１４０】
透明カソードデバイスは、（もちろん、完全に透明デバイスが望まれない限り）透明アノードを有する必要はなく、したがって、底部放射デバイスに使用される透明アノードは、アルミニウムの層などの反射性材料の層と置き換えられてもよく、又はそれで補完されてもよい。透明カソードデバイスの例は、例えば、英国特許第２３４８３１６号に開示されている。
【０１４１】
封入
有機オプトエレクトロニクスデバイスは、水分及び酸素に敏感である傾向がある。したがって、基板１は、好ましくは、デバイスへの水分及び酸素の進入を防止するための良好なバリア特性を有する。基板は、一般にガラスであるが、特にデバイスの柔軟性が望ましい場合には代替的な基板を使用してもよい。例えば、基板は、交互のプラスチック層とバリア層との基板を開示している米国特許第６２６８６９５号のようなプラスチック又は欧州特許０９４９８５０号に開示されているような薄いガラスとプラスチックとの積層体を含んでもよい。
【０１４２】
デバイスは、水分及び酸素の侵入を防止するために、封入剤（図示せず）で封入されてもよい。好適な封入剤としては、ガラスシート、例えば、国際公開第０１／８１６４９号に開示されているような二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、窒化ケイ素、若しくはポリマーと誘電体との交互スタックなどの好適なバリア特性を有する膜、又は国際公開第０１／１９１４２号に開示されているような気密容器が挙げられる。透明カソードデバイスの場合、一酸化ケイ素又は二酸化ケイ素のような透明な封入層は、ミクロンレベルの厚さに堆積され得るが、好ましい一実施形態では、このような層の厚さは、２０〜３００ｎｍの範囲である。基板又は封入剤を通して浸透し得るあらゆる大気中の水分及び／又は酸素を吸収するためのゲッタ材を、基板と封入剤との間に配置してもよい。
【０１４３】
溶液処理
式（Ｉ）の発光金属錯体の溶液処理可能な配合物を形成するのに好適な溶媒及びその組成物は、一般的な有機溶媒、例えばモノ又はポリアルキルベンゼン、例えばトルエン及びキシレン及びモノ又はポリアルコキシベンゼン、並びにそれらの混合物から選択されてもよい。配合物は、１つ以上の溶媒を含んでもよい。
【０１４４】
配合物は、１つ又は複数の溶媒中に溶解した式（Ｉ）の化合物、及び１つ又は複数の溶媒中に溶解又は分散された、好ましくは溶解されている１つ以上のさらなる材料を含んでもよい。
【０１４５】
１つ以上のさらなる材料は、１つ以上のホスト材料及び１つ以上のさらなる発光材料を含むか又はそれらからなり得る。
【０１４６】
式（Ｉ）の化合物を含有する発光層を形成するための例示的な溶液堆積技術としては、印刷及びコーティング技術、例えば、スピンコーティング、浸漬コーティング、ロールトゥロールコーティング又はロールトゥロール印刷、ドクターブレードコーティング、スロットダイコーティング、グラビア印刷、スクリーン印刷、及びインクジェット印刷が挙げられる。
【０１４７】
上記のようなコーティング方法は、発光層のパターニングが不要なデバイス、例えば照明用途又は単純なモノクロセグメント化ディスプレイに特に好適である。
【０１４８】
印刷は、高情報コンテンツディスプレイ、特にフルカラーディスプレイに特に好適である。デバイスは、第１の電極の上にパターン化された層を提供すること、及び１色（モノクロデバイスの場合）又は複数色（多色の場合、特にフルカラーデバイス）の印刷用のウェルを画定することによってインクジェット印刷され得る。パターン化された層は、典型的には、例えば欧州特許第０８８０３０３号に記載されているようにウェルを画定するようにパターン化されたフォトレジストの層である。
【０１４９】
ウェルの代替として、パターン化された層内に画定されたチャネルにインクが印刷され得る。特に、フォトレジストは、ウェルとは異なり、複数の画素にわたって延在し、チャネル端で閉鎖又は開放され得るチャネルを形成するようにパターン化されてもよい。
【０１５０】
同じコーティング及び印刷方法を使用して、（存在する場合）正孔注入層、電荷輸送層、及び電荷阻止層を含むＯＬＥＤの他の層を形成してもよい。
【０１５１】
［実施例］
化合物例３
【化１６】
2019516695.tif 000020
【０１５２】
工程１：
メカニカルオーバーヘッドスターラー、窒素入口、及び排気口を備えた５Ｌの３口丸底フラスコ。ＴＨＦ（２Ｌ）中の２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン（２００ｇ、１．１２９モル）及びトリエチルアミン（４７２ｍＬ、３．３８モル）を氷浴を使用して０℃に冷却した。塩化２，２−ジメチルブチロイル（２２８ｇ、１．６９モル）を０℃でゆっくり添加した。混合物を室温に温め、１６時間撹拌した。反応の完了後、それを濾過し、ＴＨＦ（１Ｌ）で洗浄した。濾液を濃縮して粗生成物（２５５ｇ）を得た。粗残渣（２５５ｇ）を酢酸エチル（５００ｍＬ）で粉砕し、濾過して、ＨＰＬＣ純度９９％の生成物２０５ｇを得た。
【０１５３】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］１．０１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ），１．３１（ｓ，６Ｈ），１．３３（ｓ，９Ｈ），１．７０（ｑ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），２．２３（ｓ，６Ｈ），６．８４（ｂｒ，ｓ，１Ｈ），７．０９（ｂｒ，ｓ，１Ｈ）．
【化１７】
2019516695.tif 000021
【０１５４】
工程２：
メカニカルオーバーヘッドスターラー、還流冷却器、窒素入口、及び排気口を備えた５Ｌの３口丸底フラスコ。工程１の生成物（１１５ｇ、０．４１７モル）、２−フルオロピリジン（４４．５９ｇ、０．４５９モル）、及び無水トリフリック酸（１２９．５ｇ、０．４５９モル）の混合物をクロロベンゼン（１１５０ｍＬ）中に取った。安息香酸ヒドラジド（９８．７ｇ、０．４５９モル）を室温で添加した。反応混合物をＲＴで１時間撹拌し、次いで９０℃に１８時間加熱した。粗ＬＣＭＳ分析は、出発物質の完全な転化を示した。反応混合物をクロロホルムで希釈し、１０％重炭酸ナトリウム溶液（１Ｌ）で洗浄した。有機層を水（１Ｌ×２）で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した（１６８ｇ）。粗生成物（１６８ｇ）を、ヘキサン／酢酸エチル（約５０％）を使用したシリカカラムクロマトグラフィーにより精製して、ＨＰＬＣ純度９６％の生成物１２０ｇを得た。このようにして得られた固体を熱アセトニトリル（１．５Ｌ）に取り、ゆっくりと室温に冷却した。得られた固体を濾過して、ＨＰＬＣ純度９９．５７％の生成物１００ｇを得た。
【０１５５】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．７９（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ），１．１２（ｓ，６Ｈ），１．３１（ｓ，９Ｈ），１．６２（ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），１．９１（ｓ，６Ｈ），７．１６（ｓ，１Ｈ），７．２７−７．３９（ｍ，３Ｈ），７．５６（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ  １Ｈ）．
【化１８】
2019516695.tif 000022
【０１５６】
工程３：
メカニカルオーバーヘッドスターラー、還流冷却器、窒素入口、及び排気口を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。トルエン（５００ｍＬ）中の工程２からの生成物（５０ｇ、０．１１００モル）及びフェニルボロン酸（１４．７５ｇ、０．１２１０モル）の混合物に窒素ガスを１時間パージした。Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１ｇ、０．００１１モル）及びＳ−Ｐｈｏｓ（０．９ｇ、０．００２２モル）を添加した。この混合物に、脱気したテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２６０ｍＬ、０．４４０モル）２５％を６０℃で添加した。混合物を１１０℃で１８時間加熱した。ＴＬＣによって完全に転化した後、混合物をセライト床で濾過し、酢酸エチル（１Ｌ）で洗浄した。合わせた有機相を水（５００ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した。このようにして得られた粗残留物（５０ｇ）を、ヘキサン中酢酸エチル４０％を使用してシリカゲルカラムにより精製して、ＨＰＬＣ純度９８％の生成物３８ｇを得た。これを熱アセトニトリルに取り、室温までゆっくりと冷却し、得られた固体を濾過して、ＨＰＬＣ純度９９．０１％の生成物２８ｇを得た。熱アセトニトリル結晶化を再び繰り返して、ＨＰＬＣ純度９９．８５％の２１ｇを得た。材料をジクロロメタン（２００ｍＬ）中に溶解し、熱時濾過し、濃縮して、ＨＰＬＣ純度９９．８５％の生成物２０．５ｇを得た。
【０１５７】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］０．７９（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ），１．２３（ｓ，６Ｈ），１．３７（ｓ，９Ｈ），１．７３（ｑ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），２．０１（ｓ，６Ｈ），７．２０（ｓ，２Ｈ），７．２１−７．２４（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．４０（ｍ，５Ｈ），７．５３（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），７．７０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）．
【化１９】
2019516695.tif 000023
【０１５８】
工程４：
ヤングタップ、マグネチックスターラーバー、還流冷却器、窒素入口、及び排気口を備えた５０ｍＬの２口丸底フラスコ。工程３の生成物（５ｇ、０．０１１モル）及びＩｒ（ａｃａｃ）３（１．３５ｇ、０．００２８モル）を２口フラスコに入れ、フラスコを排気し、Ｎ２で３回充填した。Ｎ２で１５分間脱気したペンタデカン（２ｍＬ）をフラスコに添加した。フラスコを砂浴に入れ、３００℃で２４時間加熱した後、室温に冷却した。得られた黒色固体をトルエン（２０ｍＬ）に溶解し、１口丸底フラスコに移し、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィー（勾配溶出、ジクロロメタン中の０〜２０％の酢酸エチル）による精製により、４．０３ｇの化合物例３を得た。化合物例３を最少量のジクロロメタンに溶解し、過剰のアセトニトリルで沈殿させて、ＨＰＬＣ純度９９．４８％の３．５４ｇの化合物例３を得た。
【０１５９】
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ８）：δ［ｐｐｍ］０．９３（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，９Ｈ），１．１１（ｓ，９Ｈ），１．２２（ｓ，９Ｈ），１．４２（ｓ，２７Ｈ），１．５５−１．６３（ｍ，３Ｈ），１．６５−１．７１（ｍ，３Ｈ），２．０３（ｓ，９Ｈ），２．１８（ｓ，９Ｈ），６．３１（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，３Ｈ），６．９６（ｂｒ  ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，３Ｈ），７．０１−７．０４（ｍ，３Ｈ），７．０９−７．１２（ｍ，６Ｈ），７．１２−７．１５（ｍ，６Ｈ），７．１７（ｂｒ  ｓ，３Ｈ），７．３８（ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，３Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，３Ｈ）．
化合物例１、２、及び４
化合物例１、２、及び４を上記の経路に類似の方法によって作製した。
【０１６０】
化合物例１（９９．７７％のＨＰＬＣ純度）の分析仕様：
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ８）：δ［ｐｐｍ］０．８５−１．０２（ｍ，９Ｈ），０．８９（ｓ，２７Ｈ），１．０８（ｓ，９Ｈ），１．１２（ｂｒ  ｔ，１Ｈ），１．２２（ｓ，９Ｈ），１．３８（ｓ，５４Ｈ），１．５４−１．６３（ｍ，３Ｈ），１．６５−１．７１（ｍ，３Ｈ），２．１５（ｓ，９Ｈ），２．２１（ｓ，９Ｈ），２．３０（ｓ，２Ｈ），６．４５（ｄ，Ｊ＝１．９Ｈｚ，３Ｈ），７．０８−７．１１（ｍ，３Ｈ），７．１５（ｓ，３Ｈ），７．１６−７．１８（ｍ，３Ｈ），７．３７−７．４０（ｍ，３Ｈ），７．４２（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，６Ｈ），７．５０（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１２Ｈ），７．５９−７．６２（ｍ，１２Ｈ），７．６０−７．６１（ｍ，３Ｈ）．
化合物例２の分析仕様（９９．７１％ＨＰＬＣ純度）：
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ８）：δ［ｐｐｍ］１．００（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，９Ｈ），１．２２（ｓ，９Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ），１．６４−１．７０（ｍ，３Ｈ），１．７５−１．７９（ｍ，３Ｈ），２．１３（ｓ，９Ｈ），２．２７（ｓ，９Ｈ），６．３３（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，３Ｈ），６．９３−６．９７（ｍ，３Ｈ），６．９８−７．０２（ｍ，９Ｈ），７．０９−７．１３（ｍ，６Ｈ），７．２５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，３Ｈ），７．３９−７．４３（ｍ，３Ｈ），７．５０（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，６Ｈ），７．６５（ｓ，６Ｈ），７．７５−７．７８（ｍ，６Ｈ）．
化合物例４（９９．９２％のＨＰＬＣ純度）の分析仕様：
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ８）：δ［ｐｐｍ］０．９２（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，９Ｈ），１．１１（ｓ，９Ｈ），１．２１（ｓ，９Ｈ），１．２６（ｓ，２７Ｈ），１．４２（ｓ，２７Ｈ），１．５６−１．６３（ｍ，３Ｈ），１．６４−１．７１（ｍ，３Ｈ），２．０２（ｓ，９Ｈ），２．１８（ｓ，６Ｈ），６．２４（ｄ，Ｊ＝１．９Ｈｚ，３Ｈ），６．９２（ｄｄ，Ｊ＝７．９，２．０Ｈｚ，３Ｈ），７．０４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ），７．１５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，３Ｈ），７．１９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ），７．３８（ｓ，３Ｈ），７．３９（ｓ，３Ｈ）．
デバイス例１
以下の構造を有する白色有機発光デバイスを調製した：
ＩＴＯ／ＨＩＬ／ＬＥＬ（Ｒ）／ＬＥＬ（Ｇ、Ｂ）／ＨＢＬ／ＥＴＬ／カソード
ＩＴＯは、インジウム−スズ酸化物アノードであり；ＨＩＬは、正孔注入材料を含む正孔注入層であり、ＬＥＬ（Ｒ）は、赤色発光正孔輸送層であり、ＬＥＬ（Ｇ、Ｂ）は、緑色及び青色発光層であり、ＨＢＬは、正孔阻止層であり；ＥＴＬは、電子輸送層である。
【０１６１】
ＩＴＯ（４５ｎｍ）を支持する基板をＵＶ／オゾンを使用して洗浄した。Ｎｉｓｓａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓから入手可能な正孔注入材料の配合物をスピンコートすることにより、正孔注入層を約３５ｎｍの厚さに形成した。架橋性赤色発光性正孔輸送性ポリマーをスピンコートすること、及び１８０℃で加熱して、ポリマーを架橋させることにより、赤色発光層を約２０ｎｍの厚さに形成した。ホスト１（７４重量％）、緑色燐光性エミッター（１重量％）、及び化合物例１（２４重量％）をスピンコートすることによって緑色及び青色の発光層を約７０ｎｍの厚さに形成し、緑色燐光性エミッターは、トリス（フェニルピリジン）イリジウムエミッターであり、各フェニルピリジン配位子は、アルキル化３，５−ジフェニルベンゼンデンドロンで置換されている。正孔阻止化合物１の正孔阻止層を発光層上に１０ｎｍの厚さに蒸着した。電子輸送層は、電子輸送ユニット１を含むポリマーを１０ｎｍの厚さにスピンコートすることにより形成した。約３．５ｎｍ厚のフッ化ナトリウムの第１の層の電子輸送層、約１００ｎｍ厚のアルミニウムの層、及び約１００ｎｍ厚の銀の層の上にカソードを形成した。
【０１６２】
ホスト１は、以下の式を有する：
【化２０】
2019516695.tif 000024
【０１６３】
赤色放射正孔輸送ポリマーを、国際公開第００／５３６５６号に記載されているようなスズキ重合により形成し、式（Ｖａ）の架橋性フェニレン繰り返し単位；式（ＩＸ−１）のアミン繰り返し単位、及び以下の式の３モル％の赤色燐光性基を含むポリマーを得た：
【化２１】
2019516695.tif 000025
【０１６４】
電子輸送ユニット１は、以下の式を有する：
【化２２】
2019516695.tif 000026
【０１６５】
正孔阻止化合物１は、以下の式を有する：
【化２３】
2019516695.tif 000027
【０１６６】
デバイス例２〜４
デバイス例２〜４は、化合物例１を化合物例２〜４でそれぞれ置き換えたことを除いて、デバイス例１について記載したように調製した。
【０１６７】
比較デバイス１〜４
化合物例１〜４の代わりに比較化合物１〜４を使用したことを除いて、デバイス例１〜４について記載したように、比較デバイスを調製した。
【化２４】
2019516695.tif 000028
【０１６８】
定電流（Ｔ７０）時の初期輝度の７０％にデバイスの輝度が低下するのにかかる時間を測定した。結果を表１に示す。
【表１】
2019516695.tif 000029
【０１６９】
ＤＢＰＢ＝３，５−ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゼン
本発明を特定の例示的な実施形態に関して説明してきたが、本明細書に開示された特徴の様々な変更、改変、及び／又は組み合わせは、以下の請求項に記載される本発明の範囲から逸脱することなく当業者には明らかであることが理解されよう。
【図１】
2019516695.tif 000032
【国際調査報告】
2019516695.tif 000033
2019516695.tif 000034