(57)【要約】  電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置及び実験方法であって、コンデンサ充電器の出力の陽極出力ラインとローディングガンの陽極ラインとを相互に接続させ、陰極出力ラインとローディングガンの陰極ラインとを相互に接続させ、電磁誘導原理により、圧縮応力波及び引張応力波二つとも発生でき、ホプキンソン引張棒及び圧縮棒のローディングに適用可能である。ホプキンソン引張棒及び圧縮棒のローディングシステムが同一の装置上で従来の分離型ホプキンソン棒実験で達成できない歪み率及び歪み範囲を同時に実現可能にし、ホプキンソン棒実験技術の規範化を図り、引張棒及び圧縮棒の実験装置の一体化を実現し、設備の複雑性及び占用空間を低減させる。
2019500573.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源と、コンデンサ充電器と、ローディングガンとを含み、
コンデンサ充電器は、既存の電磁リベッティング設備の電力供給部分を適用し、前記コンデンサ充電器の出力の陽極出力ラインとローディングガンの陽極ラインとを相互に接続させ、陰極出力ラインとローディングガンの陰極ラインとを相互に接続させ、
前記ローディングガンは、ローディングガンのケーシングと、メインコイルと、位置決めチューブと、二次コイルと、絶縁層と、アンプとを含み、
メインコイル及び二次コイルは、前記位置決めチューブに逐次に嵌め込まれ、前記二次コイルの一端面を前記位置決めチューブの位置決め端面に隣接させ、
前記二次コイルの他端面は、メインコイルの一端面に隣接し、且つ密着自在であり、
メインコイル及び二次コイルが嵌め込まれる位置決めチューブをローディングガンのケーシング内の中段に装入し、アンプを前記位置決めチューブの一端に装着し、前記アンプの内端面と二次コイルの端面との間には、絶縁層が嵌め込まれ、
前記メインコイル、二次コイル、アンプ及び位置決めチューブは、いずれもローディングガンのケーシングと同軸上になり、
前記位置決めチューブの一端は、二次コイルとネジを通じて接続され、
ホプキンソン圧縮実験を行う時、圧縮ヘッドの接続段を前記アンプの雌ネジ穴内に装入し、圧縮ヘッドとアンプネジとを接続させ、
圧縮ヘッドの圧縮波出力段の内端面を入射棒と接触させることによって、応力波を入射棒内に伝播させ、
ホプキンソン引張実験を行う時、入射棒の雄ネジ付きの一端を位置決めチューブ及びアンプの貫通穴を逐次に貫通させ、アンプの応力波の出力段の一側でボスとネジ接続を行い、
アンプの応力波の出力段から伝わる圧縮応力波がボスに入る時、前記圧縮応力波は、ボスの自由端面で引張波に反射され、入射棒に入ってホプキンソン引張棒の入射波を形成することを特徴とする電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置。
【請求項２】
前記アンプの中心穴の内表面は、圧縮ヘッドの雄ネジと相互にはまるネジ面であり、
当該アンプの中心穴の内径は、ホプキンソン引張棒の入射棒の外径よりもやや大きく、前記ホプキンソン引張棒の入射棒が当該アンプの中心穴を貫通した後、両者間は隙間ばめされ、
当該アンプの外円周表面は、はしご形状であり、それぞれ当該アンプの両端に位置される等径段及び当該アンプの中間に位置されるテーパード段を含み、
前記アンプの両端における等径段の内、アンプの一端に位置される等径段は、外径が最大で、応力波受信段であり、
アンプの他端に位置される等径段は、外径が最小で、応力波の出力段であり、
両段の等径段を過渡接続させるテーパード段は、アンプの応力波増幅反射段を形成し、
前記アンプの応力波受信段の外径と二次コイルの外径とは同一であり、
前記アンプの応力波受信段の直径：応力波出力段直径＝５：２、前記アンプの大外径段の軸方向長さ：テーパード段の軸方向長さ＝１：１であることを特徴とする請求項１に記載の電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置。
【請求項３】
前記圧縮ヘッドの大直径段は圧縮波出力段であり、小直径段は接続段であり、
前記圧縮波出力段の外円周表面には、対称的に平面が加工されており、
前記圧縮波出力段の波動インピーダンスは、ホプキンソン圧縮棒の波動インピーダンスと同一であり、波動インピーダンスＲは、Ｒ＝ρＣＡのように定義され、
ここで、ρは材料の密度、Ｃは材料の応力波速度、Ａは横断面積であることを特徴とする請求項１に記載の電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置。
【請求項４】
前記ローディングガンのメインコイルは、幅の広い銅条又は銅導線を適用し、横断面が「工」字形であるコア上に巻かせ、銅条の巻回と巻回との間は、絶縁材料により離隔され、
メインコイルの外径は、ローディングガンのケーシングの内径と同一であり、当該メインコイルがローディングガンのケーシング内に装入された後、両者間は締まりばめされ、
メインコイルのコア中心には、貫通穴が空いており、位置決めチューブを自在に貫通するためであり、
前記二次コイルは、銅製円盤であり、当該二次コイルの中心には、位置決めチューブとはまるネジ貫通穴が空いてあることを特徴とする請求項１に記載の電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置。
【請求項５】
前記電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置の実験方法には、ホプキンソン圧縮実験と、ホプキンソン引張実験とが含まれ、
Ｉ．前記ホプキンソン圧縮実験の具体的な過程は、下記の段階１乃至３を含み、即ち、
段階１：器材を配列し、
段階２：歪みゲージを貼り付ける段階であって、歪みゲージリード線を配列する時、まず、各前記歪みゲージリード線を入射棒又は透過棒の軸線に平行するように分布させてから、軸線方向に垂直に直角で折り曲げて引き出すことにより、リード線を直線になる状態でデータ収集器に接続させ、
配列しておいた歪みゲージを、常用の方法を適用して入射棒又は透過棒の２分の１の長さになる所の円周上に貼り付け、
段階３：ローディングを行い、データを処理する段階であって、ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器は、入射棒に接続ばめされ、
コンデンサ充電器を充電した後、コンデンサ充電器にローディングガンのメインコイルを放電させ、二次コイルとメインコイルとの間に電磁斥力が生じ、前記電磁斥力は、アンプ内部で圧縮応力波に表現され、アンプにより増幅された後、入射波を形成し、当該入射波は、圧縮ヘッドを通じてホプキンソン圧縮棒の入射棒内に伝わり、当該入射波が入射棒と試料との接触面に伝わる時、波動インピーダンスがマッチングされないため、当該入射波の一部は反射されて、入射棒において反射波を形成し、もう一部は、試料を通じて透過棒内に透過して、透過波を形成し、
データ収集器は、入射棒上に貼り付けられた歪みゲージにより入射波及び反射波の信号を記録しておき、透過棒上に貼り付けられた歪みゲージにより透過波の信号を記録しておき、
データ収集器により記録された反射波及び透過波の信号を利用して、単一波法により試片の動的圧縮応力歪み曲線を取得し、
ＩＩ．前記ホプキンソン引張実験の具体的な過程は、下記の段階１乃至３を含み、即ち、
段階１：器材を配列し、
段階２：歪みゲージを貼り付ける段階であって、ホプキンソン圧縮実験における方法に従って、前記歪みゲージリード線を配列し、
段階３：ローディングを行い、データを収集する段階であって、
ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器は、入射棒に接続ばめされ、
コンデンサ充電器の充電電圧を２００Ｖに設定して充電し、充電が完了した後、コンデンサ充電器にローディングガンのメインコイルを放電させ、二次コイルとメインコイルとの間に電磁斥力が生じ、前記電磁斥力は、アンプで増幅されて、圧縮応力波に表現され、ボスで引張波に反射されてホプキンソン引張棒の入射波を形成し、当該入射波は、ホプキンソン引張棒の入射棒内に伝わり、当該入射波が入射棒と試料との接触面に伝わる時、波動インピーダンスがマッチングされないため、当該入射波の一部は反射されて、入射棒において反射波を形成し、もう一部は、試料を通じて透過棒内に透過して、透過波を形成し、前記反射波及び透過波の形状及び振幅値は、試料の材料の特性により決定され、
データ収集器は、入射棒上に貼り付けられた歪みゲージにより入射波及び反射波の信号を記録しておき、
透過棒上に貼り付けられた歪みゲージにより透過波の信号を記録しておき、
データ収集器により記録された反射波及び透過波の信号を利用して、単一波法により材料の動的引張応力歪み曲線を取得することを特徴とする請求項１に記載の電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置の実験方法。
【請求項６】
歪みゲージを貼り付ける時、前記入射棒又は透過棒軸線を対称軸として、パラメータが完全に同一な２枚の歪みゲージを入射棒及び透過棒の表面に対称になるように貼り付け、歪みゲージのピン上に歪みゲージリード線を溶接し、前記歪みゲージリード線をデータ収集システムにおけるホイートストンブリッジに接続させることを特徴とする請求項５に記載の電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置の実験方法。
【請求項７】
ホプキンソン圧縮実験において、前記ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器と入射棒とを接続させる時、圧縮ヘッドとアンプとを接続させ、位置決めチューブは、メインコイルの貫通穴を貫通し、ローディングガンの圧縮ヘッドが所在する一端は、入射棒に近く、
圧縮ヘッドの応力波出力段をホプキンソン圧縮棒の入射棒の端面に同軸上十分に密着させることを特徴とする請求項５に記載の電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置の実験方法。
【請求項８】
ホプキンソン引張実験において、前記ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器と入射棒とを接続させる時、位置決めチューブをメインコイルの貫通穴を貫通させ、アンプ及び入射棒はそれぞれメインコイルの両端に位置され、
入射棒の入射端を位置決めチューブの貫通穴及びアンプのネジ穴を貫通させ、アンプのネジ穴及び位置決めチューブの貫通穴とはめ自在であり、入射棒の雄ネジ付きの一端は、アンプを貫通して、ボスとネジを通じて接続されることを特徴とする請求項５に記載の電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置の実験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、材料の動的力学的性能テストの応力波発生装置及び方法に関し、具体的には、電磁力基盤応力波発生装置及び方法に関し、前記装置は、分離型ホプキンソン引張棒及び圧縮棒の応力波入力装置として可能である。
【背景技術】
【０００２】
現在、材料科学分野において、材料の高歪み率下での力学的性能を測定する時、最も広く使用されるのが分離型ホプキンソン圧縮棒技術及び引張棒技術である。この方法の基本原理として、短試料を二つの引張棒又は圧縮棒の間に置き、ある方式により入射棒入力引張応力波又は圧縮応力波について、試料に対するローディングを行う。同時に、引張棒又は圧縮棒上に貼り付けられ且つ棒端部から一定の距離離れた歪みゲージを利用してパルス信号を記録する。引張棒又は圧縮棒が弾性を維持する状態である場合、棒内のパルスは、弾性波速度で歪みなしに伝播される。このように、引張棒又は圧縮棒上に貼り付けられた歪みゲージは、棒端に作用する荷重が時間の経過につれて変化する過程を測定できるようになる。
【０００３】
ホプキンソン圧縮棒において、入射波を発生させる普遍的な方式として、ガスガンにより衝撃棒を高速で発射して、入射棒との同軸上衝撃により入射パルスを発生させる。このような方法は、下記のような短所がある。１．毎回発射する度、衝撃棒のガスガンにおける装着位置が異なり、衝撃速度と気圧の対応関係が確定しにくいため、入射波の振幅値を正確に制御できないので、実験を数回試みないと必要な歪み率を得られない。２．歪み率のスパンの大きすぎな実験において、ガスガン気圧の限界で、衝撃棒の長さを交替して異なる歪み率を得る必要があるが、歪み率が高いほど、使用される衝撃棒が短く、実験中で発生される応力波の幅がより短くなり、これは実験で得られる歪み範囲を限定し、且つ操作がわずらわしい。何よりも、衝撃棒の発射速度に下限があるため、もっと低い歪み率、例えば、１０ｓ-１の歪み率は実際試験で従来のホプキンソン圧縮棒により得られない。異なる実験システムのパラメータも異なり、分離型ホプキンソン圧縮棒実験技術の規範化は、今までずっと国際的難題となっている。
【０００４】
ホプキンソン引張棒において、現在普遍的に適用されているローディング方法として、引張棒の衝撃棒を中空の円形チューブに作って、ガスガンにより衝撃チューブを高速で発射し、当該衝撃チューブが入射棒端まで運動した時、衝撃チューブが入射棒端のボスと衝突し、一列の圧縮波が発生されて入射棒のボス端に伝播され、自由端で引張波に反射され、当該引張波は入射棒を通じて試料に対するローディングを行う。但し、このようなローディング方法には、下記のような短所が存在する。１．衝撃棒は入射棒の一端から他端に発射されるため、入射棒上のボスからガスガンまでの段で、入射棒は支持されていない自由状態であり、これは入射棒が屈曲しやすくする。２．このようなデザインは、衝撃チューブの長さを５００ｍｍほどに限定させるため、発生される入射波の長さは、０.２ｍｓほどになるが、延性材料及び低歪み率実験では、もっと長い入射波を必要とする。３．衝撃チューブの交換が不便である。４．衝撃チューブのチューブ壁の厚さの限界で、非常に高い気圧で衝撃チューブを加速させるべきである。多い学者達が下記の違うデザインアイデアを提案したこともある。１．衝撃チューブの一端に１つのボスを追加して衝撃チューブの発射速度を向上させることであるが、このような方式により発生される波形は、ボスの影響影を受け、もうこれ以上正規的でない。２．中空の入射棒を使用し、衝撃棒が入射棒の奥から貫通するが、このような方式では、波形整形が難しくなる。
【０００５】
衝撃棒の形状が異なるため、ガスガンの位置が異なり、従来のホプキンソン圧縮棒及び引張棒のローディングシステムは、同一の装置上で実現できない。
【０００６】
２０世紀６０年代、米国ボーイング（Ｂｏｅｉｎｇ）社は、普通のリベッティングに存在する問題を解決するために、ＨｕｂｅｒＡＳｃｈｍｉｔｔ等の人達が先頭に立って電磁リベッティング技術を研究し始め，昭和４３年（１９６８年）、強衝撃電磁リベッティング装置の特許を出願したことがある。昭和６１年（１９８６年）、Ｚｉｅｖｅ  Ｐｅｔｅｒは、低圧電磁リベッティング研究製作に成功し、高圧リベッティングのリベッティング質量及び応用普及化方面に存在する問題を解決することによって、電磁リベッティング技術が比較的に早い発展を成し遂げた。電磁リベッティング技術は既にボーイング、エアバス（Ａｉｒｂｕｓ）系列の飛行機製造に適用されている。今日、低圧電磁リベッティング技術は、既に発展及び成熟され、リベッティング力の大きさ及び持続時間に対する比較的に精密な制御が可能である。電磁リベッティングガンの技術原理として、放電コイルと工作物との間にコイル及び応力波アンプをそれぞれ一つ添加する。放電スイッチがオン・オフされる瞬間、メインコイルで急速に変化する衝撃電流により、コイル周囲で強磁界を発生する。メインコイルとカップリングされた二次コイルは、強磁界の作用の下で誘導電流を生成し、なお渦流磁界を発生し、両磁界の相互作用により渦流斥力を発生し、アンプを通じてリベットに伝わって、リベットが成型される。渦流力の周波数が非常に高くて、アンプ及びリベットで応力波の形式で伝播されるので、電磁リベッティングは、応力波リベッティングとも呼ばれる。電磁リベッティングガンの原理を分離型ホプキンソン圧縮棒に適用して従来の分離型ホプキンソン圧縮棒内のガスガン及び衝撃棒を代替する場合、電磁斥力の発生により直接応力波を発生することによって、分離型ホプキンソン圧縮棒実験技術の規範化が可能になる。なお、電磁誘導により発生される応力波パルス幅は、回路を通じてパラメータが調整可能で、パルス幅はミリ秒級に達することができるため、一部の従来のホプキンソン棒で実現できない低歪み率ローディング（例えば、１０２／ｓ以下）を実現できるようになる。出願番号が２０１４２００９８６０５．４及び２０１４１０１６１６１０．Ｘである特許に、電磁リベッティング装置を直接ホプキンソン圧縮棒装置に適用する設備方案及び実験方法を提案するが、この方法により得られる波形には限界があり、出願番号がそれぞれ２０１４１０１７３８４３．１及び２０１４１０１７１９６３．８である両発明創造に、二種類のホプキンソン引張棒及びホプキンソン圧縮棒二つともに使用可能な実験設備及び使用方法を提案するが、この二つの方案に係る構造は比較的に複雑であり、且つ従来の波形整形技術は、引張の場合には適用できない。出願番号が２０１５１００５１０７１である発明創造に、電磁型応力波発生器のメインコイルの構造及び使用方法を提供して、電磁型応力波発生器が発生する振幅値及びパルス幅の変化範囲を改善しようとする。
【発明の概要】
【０００７】
既存の技術に存在する入射波振幅値が制御し難く、操作が煩わしく、歪み範囲が限られて、一部の低歪み率実験を実現できない短所及び引張及び圧縮ローディング装置を統一できない欠陥を克服するために、本発明は、電磁誘導型ホプキンソン引張・圧縮棒ローディング装置及び実験方法を提供する。
【０００８】
本発明は、電源と、コンデンサ充電器と、ローディングガンとを含む。コンデンサ充電器は、既存の電磁リベッティング設備の電力供給部分を適用し、前記コンデンサ充電器の出力の陽極出力ラインとローディングガンの陽極ラインとを相互に接続させ、陰極出力ラインとローディングガンの陰極ラインとを相互に接続させる。前記ローディングガンは、ローディングガンのケーシングと、メインコイルと、位置決めチューブと、二次コイルと、絶縁層と、アンプとを含む。メインコイル及び二次コイルは、前記位置決めチューブに逐次に嵌め込まれ、前記二次コイルの一端面を前記位置決めチューブの位置決め端面に隣接させる。前記二次コイルの他端面は、メインコイルの一端面に隣接し、且つ密着自在である。メインコイル及び二次コイルが嵌め込まれる位置決めチューブをローディングガンのケーシング内の中段に装入し、アンプを前記位置決めチューブの一端に装着し、前記アンプ内端面と二次コイルの端面との間には、絶縁層が嵌め込まれる。前記メインコイル、二次コイル、アンプ及び位置決めチューブは、いずれもローディングガンのケーシングと同軸上になる。前記位置決めチューブの一端は、二次コイルとネジを通じて接続される。ホプキンソン圧縮実験を行う時、圧縮ヘッドの接続段を前記アンプの雌ネジ穴内に装入し、圧縮ヘッドとアンプネジとを接続させる。圧縮ヘッドの圧縮波出力段の内端面を入射棒と接触させることによって、応力波を入射棒内に伝播させる。ホプキンソン引張実験を行う時、入射棒の雄ネジ付きの一端を位置決めチューブ及びアンプの貫通穴を逐次に貫通させ、アンプの応力波の出力段の一側でボスとネジ接続を行う。アンプの応力波の出力段から伝わる圧縮応力波がボスに入る時、前記圧縮応力波は、ボスの自由端面で引張波に反射され、入射棒に入ってホプキンソン引張棒の入射波を形成する。
【０００９】
前記ローディングガンのメインコイルは、幅の広い銅条又は銅導線を適用し、横断面が「工」字形であるコア上に巻かせ、銅条の巻回と巻回との間は、絶縁材料により離隔される。メインコイルの外径は、ローディングガンのケーシングの内径と同一であり、当該メインコイルがローディングガンのケーシング内に装入された後、両者間は締まりばめされる。メインコイルのコア中心には、貫通穴が空いており、位置決めチューブを自在に貫通するためである。
【００１０】
前記二次コイルは、銅製円盤であり、当該二次コイルの中心には、位置決めチューブとはまるネジ貫通穴が空いてある。
【００１１】
前記アンプ中心穴の内表面は、圧縮ヘッドの雄ネジと相互にはまるネジ面である。当該アンプ中心穴の内径は、ホプキンソン引張棒の入射棒の外径よりもやや大きく、前記ホプキンソン引張棒の入射棒が当該中心穴を貫通した後、両者間は隙間ばめされる。当該アンプの外円周表面は、はしご形状であり、それぞれ当該アンプ両端に位置される等径段及び当該アンプ中間に位置されるテーパード段を含む。前記アンプの両端における等径段の内、アンプの一端に位置される等径段は、外径が最大で、応力波受信段であり、アンプの他端に位置される等径段は、外径が最小で、応力波の出力段である。両段の等径段を過渡接続させるテーパード段は、アンプの応力波増幅反射段を形成する。前記アンプの応力波受信段の外径と二次コイルの外径とは同一である。前記アンプ応力波受信段の直径：応力波出力段直径＝５：２、前記アンプの大外径段の軸方向長さ：テーパード段の軸方向長さ＝１：１である。
【００１２】
前記圧縮ヘッドの大直径段は圧縮波出力段であり、小直径段は接続段であり、前記圧縮波出力段の外円周表面には、対称的に平面が加工されており、前記圧縮波出力段の波動インピーダンスは、ホプキンソン圧縮棒の波動インピーダンスと同一であり、波動インピーダンスＲは、Ｒ＝ρＣＡのように定義され、ここで、ρは材料の密度、Ｃは材料の応力波速度、Ａは横断面積である。
【００１３】
本発明が提案する電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒を利用する応力波発生器実験には、ホプキンソン圧縮実験と、ホプキンソン引張実験とが含まれる。
【００１４】
Ｉ．前記ホプキンソン圧縮実験の具体的な過程は、下記の段階１乃至３を含む。
【００１５】
段階１：器材を配列する。
【００１６】
段階２：歪みゲージを貼り付ける。前記歪みゲージリード線を配列する時、まず、前記各歪みゲージリード線を入射棒又は透過棒の軸線に平行するように分布させてから、軸線方向に垂直に直角で折り曲げて引き出すことにより、リード線を直線になる状態でデータ収集器に接続させる。歪みゲージを貼り付ける時、前記入射棒又は透過棒軸線を対称軸として、パラメータが完全に同一な２枚の歪みゲージを入射棒及び透過棒の表面に対称になるように貼り付け、歪みゲージのピン上に歪みゲージリード線を溶接し、前記歪みゲージリード線をデータ収集システムにおけるホイートストンブリッジに接続させる。
【００１７】
配列しておいた歪みゲージを、常用の方法を適用して入射棒又は透過棒の２分の１の長さになる所の円周上に貼り付ける。
【００１８】
段階３：ローディングを行い、データを処理する。ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器は、入射棒に接続ばめされ、圧縮ヘッドとアンプとを接続させ、位置決めチューブは、メインコイルの貫通穴を貫通し、ローディングガンの圧縮ヘッドが所在する一端は、入射棒に近い。圧縮ヘッドの応力波出力段をホプキンソン圧縮棒の入射棒の端面に同軸上十分に密着させる。
【００１９】
コンデンサ充電器を充電した後、コンデンサ充電器にローディングガンのメインコイルを放電させ、二次コイルとメインコイルとの間に電磁斥力が生じ、前記電磁斥力は、アンプ内部で圧縮応力波に表現され、アンプにより増幅された後、入射波を形成し、当該入射波は、圧縮ヘッドを通じてホプキンソン圧縮棒の入射棒内に伝わり、当該入射波が入射棒と試料との接触面に伝わる時、波動インピーダンスがマッチングされないため、当該入射波の一部は反射されて、入射棒において反射波を形成し、もう一部は、試料を通じて透過棒内に透過して、透過波を形成する。
【００２０】
データ収集器は、入射棒上に貼り付けられた歪みゲージにより入射波及び反射波の信号を記録しておき、透過棒上に貼り付けられた歪みゲージにより透過波の信号を記録しておく。データ収集器により記録された反射波及び透過波の信号を利用して、単一波法により試片の動的圧縮応力歪み曲線を取得する。
【００２１】
ＩＩ．前記ホプキンソン引張実験の具体的な過程は、下記の段階１乃至３を含む。
【００２２】
段階１：器材を配列する。
【００２３】
段階２：歪みゲージを貼り付ける。ホプキンソン圧縮実験における方法に従って、前記歪みゲージリード線を配列する。具体的には、前記歪みゲージリード線を配列する時、まず、前記各歪みゲージリード線を入射棒又は透過棒の軸線に平行するように分布させてから、軸線方向に垂直に直角で折り曲げて引き出すことにより、リード線を直線になる状態でデータ収集器に接続させる。歪みゲージを貼り付ける時、前記入射棒又は透過棒軸線を対称軸として、パラメータが完全に同一な２枚の歪みゲージを入射棒及び透過棒の表面に対称になるように貼り付け、歪みゲージのピン上に歪みゲージリード線を溶接し、前記歪みゲージリード線をデータ収集システムにおけるホイートストンブリッジに接続させる。
【００２４】
段階３：ローディングを行い、データを収集する。ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器は、入射棒に接続ばめされ、前記ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器と入射棒とを接続させる時、位置決めチューブをメインコイルの貫通穴を貫通させ、アンプ及び入射棒は、それぞれメインコイルの両端に位置される。入射棒の入射端を位置決めチューブの貫通穴及びアンプのネジ穴を逐次に貫通させ、アンプのネジ穴及び位置決めチューブの貫通穴とはめ自在であり、入射棒の雄ネジ付きの一端は、アンプを貫通して、ボスとネジを通じて接続される。
【００２５】
コンデンサ充電器充電の電圧をＸＶに設定して充電し、前記Ｘは、具体的に必要な電圧値であり、且つコンデンサ充電器の定格電圧以内であり、充電が完了した後、コンデンサ充電器にローディングガンのメインコイルを放電させ、二次コイルとメインコイルとの間に電磁斥力が生じ、前記電磁斥力は、アンプで増幅されて、圧縮応力波に表現され、ボスで引張波に反射されてホプキンソン引張棒の入射波を形成し、当該入射波は、ホプキンソン引張棒の入射棒内に伝わり、当該入射波が入射棒と試料との接触面に伝わる時、波動インピーダンスがマッチングされないため、当該入射波の一部は反射されて、入射棒において反射波を形成し、もう一部は、試料を通じて透過棒内に透過して、透過波を形成する。前記反射波及び透過波の形状及び振幅値は、試料の材料の特性により決定される。
【００２６】
データ収集器は、入射棒上に貼り付けられた歪みゲージにより入射波及び反射波の信号を記録しておき、透過棒上に貼り付けられた歪みゲージにより透過波の信号を記録しておく。データ収集器により記録された反射波及び透過波の信号を利用して、単一波法により材料の動的引張応力歪み曲線を取得する。
【００２７】
本発明において、前記コンデンサ充電器は、既存の電磁リベッティング設備の電力供給部分を適用し、前記コンデンサ充電器の出力の陽極出力ラインとローディングガンの陽極ラインとを相互に接続させ、陰極出力ラインとローディングガンの陰極ラインとを相互に接続させる。ローディングガンは、絶縁層と、ローディングガンのケーシングと、メインコイルと、二次コイルと、アンプと、位置決めチューブとを含む。圧縮試験を行う時、圧縮ヘッドの一端は、アンプのネジ穴とはまり、圧縮ヘッドの他端の端面は、圧縮棒の入射端と密着され、引張試験を行う時、引張棒の入射棒ローディング端は、位置決めチューブの貫通穴及びアンプのネジ穴を貫通し、且つボスとネジを通じて接続され、引張棒寸法は、アンプのネジ穴及び位置決めチューブの貫通穴とはめ自在である。メインコイル、絶縁層、及び二次コイルは、いずれも位置決めチューブに嵌め込まれる。絶縁層は、前記アンプの内表面に密着され、二次コイルは、前記絶縁層内側に位置され、アンプと相互に密着固定され、位置決めチューブとネジを通じて接続される。ローディングガンのケーシングとの同一側の円周表面には、メインコイルの二つの外部接続コネクタの貫通穴がある。装着する時、メインコイルは、ローディングガンのケーシングの中間位置に装着され、メインコイルの陽極配線及び陰極配線は、ローディングガンのケーシング上の外部接続コネクタの貫通穴を貫通する。位置決めチューブは、メインコイルの中間の貫通穴を貫通し、二次コイル及びアンプは、ローディングガンのケーシングの一端に位置される。二次コイル、絶縁層及びアンプの外円周表面は、いずれもローディングガンのケーシングの内表面と隙間ばめされる。
【００２８】
本発明によれば、ホプキンソン圧縮実験を行う時、圧縮ヘッドとアンプとを既存のネジを通じて接続させ、位置決めチューブは、メインコイルの貫通穴を貫通し、ローディングガンの圧縮ヘッドが所在する一端は、入射棒に近い。圧縮ヘッドの応力波出力段をホプキンソン圧縮棒の入射棒の端面に同軸上十分に密着させ、コンデンサ充電器を充電した後、コンデンサ充電器にローディングガンのメインコイルを放電させ、二次コイルとメインコイルとの間に電磁斥力が生じ、前記電磁斥力は、二次コイル内部で圧縮応力波に表現され、アンプにより増幅された後、入射波を形成し、当該入射波は、圧縮ヘッドを通じてホプキンソン圧縮棒の入射棒内に伝わり、当該入射波が入射棒と試料との接触面に伝わる時、波動インピーダンスがマッチングされないため、当該入射波の一部は反射されて、入射棒において反射波を形成し、もう一部は、試料を通じて透過棒内に透過して、透過波を形成する。前記反射波及び透過波の形状及び振幅値は、試料の材料の特性により決定される。データ収集器は、入射棒上に貼り付けられた歪みゲージにより入射波及び反射波の信号を記録しておき、透過棒上に貼り付けられた歪みゲージにより透過波の信号を記録しておく。データ収集器により記録された反射波及び透過波の信号を利用して、単一波法により試片の動的圧縮応力歪み曲線を取得する。
【００２９】
ホプキンソン引張実験を行う時、位置決めチューブをメインコイルの貫通穴を貫通させ、アンプ及び入射棒は、それぞれメインコイルの両端に位置される。引張棒入射棒の入射端を位置決めチューブの貫通穴及びアンプのネジ穴を貫通させ、アンプのネジ穴及び位置決めチューブの貫通穴とはめ自在であり、引張棒の雄ネジ付きの一端をアンプを貫通させ、ボスとネジ接続させる。コンデンサ充電器を充電した後、当該コンデンサ充電器は、ローディングガンのメインコイルを放電し、二次コイルとメインコイルとの間に電磁斥力が生じ、前記電磁斥力は、圧縮応力波に表現され、前記圧縮応力波は、アンプ内で増幅されて、ボス内に伝わり、ボスの自由端面で引張波に反射され、ホプキンソン引張棒の入射波を形成し、当該入射波は、ホプキンソン引張棒の入射棒内に伝わり、当該入射波が入射棒と試料との接触面に伝わる時、波動インピーダンスがマッチングされないため、当該入射波の一部は反射されて、入射棒において反射波を形成し、もう一部は、試料を通じて透過棒内に透過して、透過波を形成する。前記反射波及び透過波の形状及び振幅値は、試料の材料の特性により決定される。データ収集器は、入射棒上に貼り付けられた歪みゲージにより入射波及び反射波の信号を記録しておき、透過棒上に貼り付けられた歪みゲージにより透過波の信号を記録しておく。データ収集器により記録された反射波及び透過波の信号を利用して、単一波法により材料の動的引張応力歪み曲線を取得する。
【００３０】
本発明において、応力波発生装置は、ローディングガンと、電力供給システムとにより構成される。電力供給システムは、ローディングガンのメインコイルに瞬間的な強電流を提供することによって、メインコイルと二次コイルとの間に強電磁斥力を発生させるためである。ローディングガンは、ローディングガンのケーシングと、メインコイルと、二次コイルと、位置決めチューブと、アンプとにより構成され、電磁斥力を発生し、電磁斥力を応力波に転換させて、テーパードアンプを介して増幅させた後、ホプキンソン棒に出力するためである。
【００３１】
本発明によれば、電磁斥力により直接応力波を発生し、ローディングガン内に、ひとつのメインコイルと、一つの二次コイルがあり、メインコイルは、ガンに固定され、ガンの中間段に位置され、メインコイルの中心には、貫通穴があって、圧縮ヘッド又は引張ヘッドの位置決め用の位置決めチューブを装着し、二次コイルは、銅製円盤であり、一つのテーパードアンプを固定連結させ、圧縮波又は引張波を発生するためであり、メインコイルに近い。メインコイルは、アンプと同軸上になり、その同軸度は、位置決めチューブにより確定される。圧縮実験を行う時、圧縮棒システム及びアンプは、メインコイルの同一側に位置され、圧縮ヘッドは、ネジばめによりアンプのネジ穴内に旋行し、アンプ内に旋行していない端面は、圧縮棒の入射端に密着される。引張実験を行う時、引張棒システム及びアンプは、メインコイルの両側に位置され、ホプキンソン引張棒の入射棒のネジ端は、位置決めチューブを通過し、引張ヘッドボスとネジを通じて接続される。実験を行う時、強変化電流をメインコイルに流し、メインコイルは、変化された強磁界を発生し、変化された強磁界は、二次コイル内で誘導電流を発生するが、誘導電流が発生する誘導磁界方向は、メインコイルの磁界方向と逆であり、従って、メインコイルと二次コイルとの間に電磁斥力が生じ、このような電磁斥力は、二次コイルで圧縮応力波に表現され、当該圧縮応力波は、テーパードアンプにより増幅され、圧縮ヘッドとホプキンソン圧縮棒の入射棒端面とを相互に密着させる場合、圧縮ヘッド内の圧縮応力波は、直接ホプキンソン圧縮棒の入射棒内に伝わって、材料に対する圧縮試験を行うことができる。引張棒の入射端がメインコイル及び他側のアンプを貫通し、ボスと入射棒とをネジを通じて接続させる場合、アンプ内部の圧縮波は、ボス内で反射された後、等幅の引張波に変わり、伝播方向が変更されて、ホプキンソン引張棒の入射棒内に伝わって、材料に対する動的引張ローディングを行うことができる。従って、本装置は、材料に対する圧縮実験及び引張実験二つとも行うことができる。
【００３２】
コンデンサにより放電されてメインコイルに電源を提供するが、コンデンサの放電時間が比較的に短く、放電電流が強くて、メインコイルと二次コイルとの間に瞬間的な強斥力を発生させることによって、強い応力パルスを生成できる。コンデンサの充電及び放電制御システムに関しては、現在、電磁リベッティング設備において、当該技術が既に非常に成熟されており、直接適用すれば良い。
【００３３】
ボスは、ホプキンソン引張棒の入射棒とネジを通じて接続され、圧縮ヘッドは、ホプキンソン棒の入射棒端面に密着されて、出力される応力波が安定的に実験システム内に伝わる。本発明に係る実験装置において、ローディングガン内のメインコイルと二次コイルとの間の電磁斥力により直接応力パルスを生成して、入射棒に入力することによって、生成されたパルス信号を実験者の需要によって比較的に正確に制御できる。
【００３４】
本発明において、実際に発生される応力波振幅値は、電磁リベッティング装置の充電電圧により制御可能であり、実際に発生される応力波幅は、電磁リベッティング装置の静電容量により制御可能である。
【００３５】
本発明は、電磁誘導原理により、圧縮応力波及び引張応力波二つとも発生でき、ホプキンソン引張棒及び圧縮棒のローディングに適用可能である。ホプキンソン引張棒及び圧縮棒のローディングシステムが同一の装置上で同時に実現できるようにして、従来提供された単純引張又は圧縮のみ可能な電磁地盤リベッティング装置のホプキンソン棒ローディング装置の問題点を克服する。特許番号が２０１４１０１７３８４３.１及び２０１４１０１７１９６３.８である特許に提案される方案に比べ、本発明が提供する応力波発生器は、構造がもっと簡単であり、引張の場合でも、依然として従来のホプキンソン引張棒の波形整形技術を適用できる。
【００３６】
本発明は、原理的に電磁誘導斥力とコンデンサ放電とを相互に結合させることにより、従来の分離型ホプキンソン棒システム内のガスガン及び弾丸を代替して直接応力パルスを生成する。たとえ従来のホプキンソン棒試料を適用するとしても、材料に対する予想パルス振幅値及びパルス幅の下でのローディングを行うことができる。設備全体のシステムの操作が簡便で、制御性が強い。電磁方式により応力波に対する制御を行うため、コンデンサ充電器内の静電容量が変わらない場合、同一の電圧に対応する出力応力波振幅値も変わらなく、充電電圧が変わらない場合、同一の静電容量に対応する応力波幅も変わらないため、応力波に対する精密な制御が実現でき、実験の再現性が良好である。次に、電磁ローディングにより応力波を発生するので、応力パルスの幅が従来の衝撃方式のように衝撃棒の長さの制限を受けることとは違いため、低歪み率実験において、本発明が到達可能な歪みは、従来のホプキンソン棒よりも大きく、例えば、本発明は、パルス幅が０.５ｍｓである応力波を発生でき、若しこの応力波で試料に対する１００ｓ-１歪み率下での圧縮試験を行う場合、試料が到達可能な最大歪みは０.０５になり、従来のホプキンソン棒にとって、このように低い歪み率に達し難く、たとえこの歪み率に到達可能だとしても、使用される弾丸は、０.８ｍになり、この場合、生成される応力パルス幅は０.３２ｍｓになり、この場合、試料が到達可能な最大歪みは０.０３２であり、電磁ローディングのホプキンソン棒よりも顕著に低い。上記の利点で、本発明に係る装置及び方法は、従来の分離型ホプキンソン棒実験が達成できない歪み率及び歪み範囲を実現し、ホプキンソン棒実験技術の規範化を図り、引張棒及び圧縮棒の実験装置の一体化を実現し、設備の複雑性及び占用空間を低減させる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器の原理図である。
【図２】電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器の構造模式図である。
【図３】ローディングガンの内部構造の模式図であって、その内、ケーシングは、対称平面に沿って切断されたものである。
【図４】アンプの構造模式図であって、その内、図４ａは正面図、図４ｂは図４ａにおけるＡ−Ａ方向ビューである。
【図５】位置決めチューブの構造模式図であって、その内、図５ａは正面図、図５ｂは図５ａの側面図である。
【図６】アンプの組立模式図である。
【図７】圧縮ヘッドの構造寸法の模式図であって、その内、図７ａは正面図、図７ｂは図７ａにおけるＡ−Ａ方向ビュー図である。
【図８】圧縮試験アンプの組立模式図である。
【図９】引張試験アンプの組立模式図である。
【図１０】圧縮試験の模式図である。
【図１１】引張試験の模式図である。
【図１２】歪みゲージリード線の分布方法である。
【図１３】通常の歪みゲージリード線の配列方式により測定される応力信号であって、その内、横座標は時間を示し、その単位はｓであり、縦座標は応力を示し、その単位はＭｐａである。
【図１４】本発明に係る歪みゲージリード線の配列方式を適用して測定した応力信号であり、その内、横座標は時間を示し、その単位はｓであり、縦座標は応力を示し、その単位はＭｐａである。図面中、  １．抵抗  ２．変圧器  ３．整流器  ４．コンデンサ  ５．電子スイッチ  ６．ローディングガン  ７．ケーシング  ８．メインコイル  ９．位置決めチューブ  １０．二次コイル  １１．絶縁層  １２．アンプ  １３．圧縮ヘッド  １４．歪みゲージ  １５．入射棒  １６．試料  １７．透過棒  １８．バッファ  １９．データ収集器  ２０．電源  ２１．コンデンサ充電器  ２２．ボス  ２３．リード線。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
実施例１
本実施例は、電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器であって、電源２０と、コンデンサ充電器２１と、ローディングガン６とを含む。コンデンサ充電器２１は、既存の電磁リベッティング設備の電力供給部分を適用し、前記コンデンサ充電器２１の出力の陽極出力ラインとローディングガン６の陽極ラインとを相互に接続させ、陰極出力ラインとローディングガン６の陰極ラインとを相互に接続させる。電源２０は、２２０Ｖの三相交流電源を適用する。
【００３９】
本実施例において、コンデンサ充電器２１は、特許番号が２００５２００７９１７９である特許に記載された電磁リベッティング設備の電力供給部分を適用し、本実施例において、１０個の定格電圧が１０００ボルト、定格静電容量が２０００マイクロファラドである電解コンデンサを並列接続させてコンデンサを構成し、前記コンデンサ群及び電子スイッチをコンデンサボックスに装着し、電子スイッチによりコンデンサ群の放電を制御する。制御ボックスは、主にＰＬＣ及びその制御システムを含む。制御システムは、主にアナログ制御部分と、デジタル制御部分と、デジタル表示部分とにより構成される。ここで、アナログ制御部分は、ジーメンス（ＳＩＥＭＥＮＳ）社のＴＣＡ７８５チップを適用する。デジタル制御部分は、ジーメンス社のＳ７ー２００シリーズのＣＰＵ２２４及びジーメンス社のアナログ入力出力拡張モジュールであるＥＭ２３５により構成される。充電電圧制御は、主に電圧ループ及び電流ループのＰＩＤ制御方式により実現される。デジタル表示部分は、主にＳ７ー２００シリーズのテキストディスプレイであるＴＤ２００により構成される。
【００４０】
図３が示すように、ローディングガンは、ローディングガンのケーシング７と、メインコイル８と、位置決めチューブ９と、二次コイル１０と、絶縁層１１と、アンプ１２とを含む。前記ローディングガンのケーシング７は、キャリアである。メインコイル８及び二次コイル１０は、逐次に前記位置決めチューブに嵌め込まれ、前記二次コイル１０の一端面を前記位置決めチューブの位置決め端面に隣接させる。前記二次コイル１０の他端面は、メインコイル８の一端面に隣接し、密着自在である。
【００４１】
メインコイル８及び二次コイル１０が嵌め込まれる位置決めチューブをローディングガンのケーシング内の中段に装入し、アンプ１２を前記位置決めチューブの一端に装着し、前記アンプ内端面と二次コイルの端面との間には、絶縁層１１が嵌め込まれる。
【００４２】
前記メインコイル８、二次コイル１０、アンプ１２及び位置決めチューブ９は、いずれもローディングガンのケーシングと同軸上になる。
【００４３】
前記位置決めチューブ９は、当該位置決めチューブの一端に位置される雄ネジを通じて二次コイル１０の雌ネジと相互はまり、前記位置決めチューブと二次コイルとを固定連結させて、引張応力波の伝送のためでもあり、メインコイル８、二次コイル１０及びアンプ１２の位置決めのためでもある。
【００４４】
本実施例において、ローディングガンのケーシング７は、絶縁性能の良好なナイロンで製造される。当該ローディングガンのメインコイル８は、幅が２５ｍｍ、厚さが１ｍｍである銅条を適用して、横断面が「工」字形であるコア上に巻かせ、銅条の巻回と巻回との間は、絶縁材料により離隔される。メインコイル８の外径は、ローディングガンのケーシング７の内径と同一であり、当該メインコイル８がローディングガンのケーシング７内に装入された後、両者間は締まりばめされる。
【００４５】
二次コイル１０は、銅製円盤であり、当該二次コイルの中心に位置決めチューブ９とはまるネジ貫通穴が空いてある。
【００４６】
アンプ１２は、中空の回転体である。前記アンプの中心穴の内表面は、圧縮ヘッド１３の雄ネジと相互はまるネジ面である。当該アンプ中心穴の内径は、ホプキンソン引張棒の入射棒１５の外径よりもやや大きく、前記ホプキンソン引張棒の入射棒１５が当該中心穴を貫通した後、両者間は隙間ばめされる。
【００４７】
当該アンプ１２の外円周表面は、はしご形状であり、それぞれ当該アンプ両端に位置される等径段及び当該アンプ中間に位置されるテーパード段を含む。前記アンプ１２の両端における等径段のうち、アンプの一端に位置される等径段は、外径が最大で、応力波受信段であり、アンプの他端に位置される等径段は、外径が最小で、応力波の出力段である。両段の等径段を過渡接続させるテーパード段は、アンプの応力波増幅反射段を形成する。前記アンプの応力波受信段の外径と二次コイルの外径とは同一である。前記アンプ応力波受信段の直径：応力波出力段直径＝５：２、前記アンプの大外径段の軸方向長さ：テーパード段の軸方向長さ＝１：１である。
【００４８】
ボス２２は、中空の回転体である。当該ボスの内表面は、ホプキンソン引張棒のネジ端とはまるネジ面である。使用の時、前記ボス２２は、入射棒１５上に嵌め込まれ、前記アンプ１２の応力波増幅反射段の一端の端面の所に位置される。ボスの役割としては、アンプから伝わって来た圧縮波を引張波に反射させて引張棒に導入することである。引張試験の時、ホプキンソン引張棒の入射棒１５は、逐次に位置決めチューブ９の貫通穴及びアンプ１２のネジ穴を貫通して、ボス２２とネジ接続され、その寸法は、アンプ１２のネジ穴及び位置決めチューブ９の貫通穴とはめ自在である。本実施例において、ボスの軸方向長さは５ｍｍ、外径は２０ｍｍである。
【００４９】
前記圧縮ヘッド１３は、回転体である。当該圧縮ヘッドの外円周表面は、二段のはしご形状であり、ここで、二段のはしごのうち、大直径段は、圧縮波出力段であり、小直径段は、接続段である。前記圧縮波出力段の外円周表面には、対称的に平面が加工されてある。本実施例において、圧縮波出力段の軸方向長さは５ｍｍ、直径は１６ｍｍであり、外円周表面と対称になる平面は、当該圧縮波出力段の両側の円表面をそれぞれ４分の１の円だけ切って得られたものである。試験の時、圧縮ヘッド１３の接続段を前記アンプ１２の雌ネジ穴内に装入して、圧縮ヘッドをアンプ１にネジ接続させる。圧縮ヘッドの圧縮波出力段の内端面を入射棒と接触させることによって、応力波を入射棒内に伝播させる。本実施例において、圧縮ヘッドの接続段はＭ１５の雄ネジであり、軸方向長さは５ｍｍである。
【００５０】
前記圧縮波出力段の波動インピーダンスは、ホプキンソン圧縮棒の波動インピーダンスと同一であり、波動インピーダンスＲは、Ｒ＝ρＣＡのように定義され、ここで、ρは材料の密度、Ｃは材料の応力波速度、Ａは横断面積である。
【００５１】
圧縮試験を行う時、圧縮ヘッド１３は、ローディングガンのケーシング内の一端に位置され、当該圧縮ヘッドの一端の接続段を通じてアンプ１２の中心の雌ネジ穴と接続される。引張試験を行う時、ホプキンソン引張棒の入射棒１５のネジ端は、位置決めチューブ９及びアンプ１２の貫通穴を逐次に貫通し、アンプ１２の応力波出力段の一側でボス２２とネジ接続される。ナイロンで作られた絶縁層１１は、前記位置決めチューブに嵌め込まれ、前記引張ヘッド２２又は圧縮ヘッド１３の内表面に密着され、前記絶縁層１１により二次コイル１０で発生される誘導渦流がアンプ１２内に伝わることを阻止する。二次コイル１０は、前記位置決めチューブにネジ嵌め込まれ、前記絶縁層の内側に位置される。ローディングガンのケーシング７の同一側の円周表面に二つの貫通穴があり、メインコイル８の二つの外部接続コネクタは、それぞれ二つの貫通穴の中何れか一つを貫通してローディングガンのケーシング７の外表面に固定される。前記メインコイル８の二つの外部接続コネクタの内、陽極コネクタは、コンデンサ充電器２１の陽極出力ラインに接続され、二つの外部接続コネクタの内、陰極コネクタは、コンデンサ充電器２１の陰極出力ラインに接続される。
【００５２】
本実施例における電源２０、入射棒１５、透過棒１７、試料１６、歪みゲージ１４、データ収集器１９及びバッファ１８は、いずれも既存の技術を適用する。
【００５３】
本実施例は、前記電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器の実験方法を更に提供する。前記電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器の実験方法には、ホプキンソン圧縮実験と、ホプキンソン引張実験とが含まれる。
【００５４】
Ｉ．電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器を適用してホプキンソン圧縮実験を行う具体的な過程は、下記の段階１乃至３を含む。
【００５５】
段階１：器材を配列する。
【００５６】
ローディングガン６、入射棒１５及び透過棒１７を常用の方法に従って同軸上逐次に実験台に装着し、前記入射棒１５及び透過棒１７が軸線方向に移動自在するようにする。一つの試料１６を入射棒１５と透過棒１７との間に装着させ、試料１６が入射棒１５及び透過棒１７と同軸上になるようにする。
【００５７】
段階２：歪みゲージを貼り付ける。
【００５８】
歪みゲージの貼り付け方法は、既存の技術を適用し、即ち、入射棒１５又は透過棒１７の２分の１の長さになる所の円周上に前記入射棒又は透過棒の軸線を対称軸として、パラメータが完全に同一な２枚の歪みゲージを入射棒及び透過棒の表面に対称になるように貼り付け、歪みゲージのピンに歪みゲージリード線２３を溶接し、前記歪みゲージのリード線をデータ収集システムにおけるホイートストンブリッジに接続させる。
【００５９】
前記歪みゲージリード線２３の配列には特殊な要求が存在し、然もなければ、データ収集器１９が電磁干渉を受け、正常に実験データを収集できなくなる。歪みゲージリード線２３の入射棒又は透過棒の軸線の平面に垂直する投影が閉回路を形成する場合、ローディングガン６が放電して強磁界を発生する時、変化される磁界線は、歪みゲージリード線２３により形成された回路を貫通して、回路内に変化された磁束を発生することによって、誘導電流を形成し、データ収集器１９に対する干渉を発生して、収集されたデータが使用できなくなる。この問題点を解決する方法として、図８が示すように、まず、前記各歪みゲージリード線２３を入射棒又は透過棒の軸線に平行に分布させてから、軸線方向に垂直になって直角で折り曲げて引き出して、リード線２３を直線状態でデータ収集器１９に接続させることによって、リード線は、磁束変化による誘導電流を生成しなくなる。図９及び図１０が示すように、通常の歪みゲージリード線の配列方式により測定された応力波の信号に対する干渉が非常に大きいのに対して、本発明が提案する歪みゲージリード線の配列方式を適用して測定する場合、応力波信号に対する干渉を完全に消去する。
【００６０】
段階３：ローディングを行い、データを処理する。
【００６１】
図６が示すように、ホプキンソン圧縮実験を行う時、圧縮ヘッド１３とアンプ１２とを既存のネジを通じて接続させ、位置決めチューブ９は、メインコイルの貫通穴を貫通し、ローディングガン６の圧縮ヘッド１３が所在する一端は、入射棒に近い。圧縮ヘッド１３の応力波出力段をホプキンソン圧縮棒の入射棒１５の端面に同軸上十分に密着させる。コンデンサ充電器２１を充電した後、コンデンサ充電器にローディングガン６のメインコイル８を放電させ、二次コイル１０とメインコイル８との間に電磁斥力が生じ、前記電磁斥力は、アンプ１２内部で圧縮応力波に表現され、アンプ１２により増幅された後、入射波を形成し、当該入射波は圧縮ヘッド１３を通じてホプキンソン圧縮棒の入射棒１５内に伝わり、当該入射波が入射棒１５と試料１６との接触面に伝わる時、波動インピーダンスがマッチングされないため、当該入射波の一部は反射されて、入射棒１５内で反射波を形成し、もう一部は試料１６を通じて透過棒１７内に透過して、透過波を形成する。前記反射波及び透過波の形状及び振幅値は、試料１６の材料の特性により決定される。
【００６２】
データ収集器１９は、入射棒１５に貼り付けられた歪みゲージ１４により入射波及び反射波の信号を記録しておき、透過棒１７に貼り付けられた歪みゲージ１４により透過波の信号を記録しておく。データ収集器１９により記録された反射波及び透過波信号を利用して、単一波法により試片の動的圧縮応力歪み曲線を取得する。
【００６３】
ＩＩ．電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器を適用してホプキンソン引張実験を行う具体的な過程は、下記の段階１乃至３を含む。
【００６４】
段階１：器材を配列する。ローディングガン６、入射棒１５及び透過棒１７を常用の方法に従って同軸上逐次に実験台に装着し、前記入射棒１５及び透過棒１７が軸線方向のみに移動自在可能にする。ローディングガン６の圧縮ヘッド１３が所在する一端は、入射棒１５に近い。一つの試料１６を入射棒１５と透過棒１７との間に装着させ、試料１６が入射棒１５及び透過棒１７と同軸上になるようにする。
【００６５】
段階２：歪みゲージを貼り付ける。歪みゲージの貼り付け方法は、既存の技術を適用し、即ち、入射棒１５又は透過棒１７の２分の１の長さになる所の円周上に前記入射棒又は透過棒の軸線を対称軸として、パラメータが完全に同一な２枚の歪みゲージを入射棒又は透過棒の表面に対称になるように貼り付け、歪みゲージのピンに歪みゲージリード線２３を溶接し、前記歪みゲージのリード線をデータ収集システムにおけるホイートストンブリッジに接続させる。
【００６６】
前記歪みゲージリード線２３の配列には特殊な要求が存在し、然もなければ、データ収集器１９が電磁干渉を受け、正常に実験データを収集できなくなる。歪みゲージリード線２３の入射棒又は透過棒の軸線の平面に垂直する投影が閉回路を形成する場合、ローディングガン６が放電して強磁界を発生する時、変化される磁界線は、歪みゲージリード線２３により形成された回路を貫通して、回路内に変化された磁束を発生することによって、誘導電流を形成し、データ収集器１９に対する干渉を発生して、収集されたデータが使用できなくなる。この問題点を解決する方法として、図８が示すように、まず、前記各歪みゲージリード線２３を入射棒又は透過棒の軸線に平行に分布させてから、軸線方向に垂直になって直角で折り曲げて引き出して、リード線２３を直線状態でデータ収集器１９に接続させることによって、リード線は、磁束変化による誘導電流を生成しなくなる。図９及び図１０から分かるように、通常の歪みゲージリード線の配列方式により測定された応力波の信号に対する干渉が非常に大きいのに対して、本発明が提案する歪みゲージリード線の配列方式を適用して測定する場合、応力波信号に対する干渉を完全に消去する。
【００６７】
段階３：ローディングを行い、データを収集する。図７が示すように、位置決めチューブ９をメインコイル８の貫通穴を貫通させ、アンプ１２及び入射棒１５は、それぞれメインコイル８の両端に位置される。入射棒１５の入射端を位置決めチューブ９の貫通穴及びアンプ１２のネジ穴を貫通させ、アンプ１２のネジ穴及び位置決めチューブ９の貫通穴とはめ自在であり、入射棒１５の雄ネジ付きの一端は、アンプを貫通して、ボス２１とネジを通じて接続される。コンデンサ充電器２１の充電電圧を２００Ｖに設定して充電し、充電が完了した後、電子スイッチによりコンデンサ充電器にローディングガンのメインコイル８を放電させ、二次コイル１０とメインコイル８との間に電磁斥力が生じ、前記二次電磁斥力は、アンプ１２内で増幅されて、圧縮応力波に表現され、ボス２２で引張波に反射されてホプキンソン引張棒の入射波を形成し、当該入射波は、ホプキンソン引張棒の入射棒１５内に伝わり、当該入射波が入射棒１５と試料１６との接触面に伝わる時、波動インピーダンスがマッチングされないため、当該入射波の一部は反射されて、入射棒１５内で反射波を形成し、もう一部は試料１６を通じて透過棒１７内に透過して、透過波を形成する。前記反射波及び透過波の形状及び振幅値は、試料の材料の特性により決定される。
【００６８】
データ収集器１９は、入射棒１５に貼り付けられた歪みゲージ１４により入射波及び反射波の信号を記録しておき、透過棒１７に貼り付けられた歪みゲージ１４により透過波の信号を記録しておく。データ収集器１９により記録された反射波及び透過波信号を利用して、単一波法により材料の動的引張応力歪み曲線を取得する。
【００６９】
実施例２
本実施例は、電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器であって、電源２０と、コンデンサ充電器２１と、ローディングガン６とを含む。コンデンサ充電器２１は、既存の電磁リベッティング設備の電力供給部分を適用し、前記コンデンサ充電器２１の出力の陽極出力ラインとローディングガン６の陽極ラインとを相互に接続させ、陰極出力ラインとローディングガン６の陰極ラインとを相互に接続させる。電源２０は、２２０Ｖの三相交流電源を適用する。
【００７０】
本実施例において、コンデンサ充電器２１は、特許番号が２００５２００７９１７９である特許に記載された電磁リベッティング設備の電力供給部分を適用し、本実施例において、１０個の定格電圧が１０００ボルト、定格静電容量が２０００マイクロファラドである電解コンデンサを並列接続させてコンデンサを構成し、前記コンデンサ群及び電子スイッチをコンデンサボックスに装着し、電子スイッチによりコンデンサ群の放電を制御する。制御ボックスは、主にＰＬＣ及びその制御システムを含む。制御システムは、主にアナログ制御部分と、デジタル制御部分と、デジタル表示部分とにより構成される。ここで、アナログ制御部分は、ジーメンス（ＳＩＥＭＥＮＳ）社のＴＣＡ７８５チップを適用する。デジタル制御部分は、ジーメンス社のＳ７ー２００シリーズのＣＰＵ２２４及びジーメンス社のアナログ入力出力拡張モジュールであるＥＭ２３５により構成される。充電電圧制御は、主に電圧ループ及び電流ループのＰＩＤ制御方式により実現される。デジタル表示部分は、主にＳ７ー２００シリーズのテキストディスプレイであるＴＤ２００により構成される。
【００７１】
図３が示すように、ローディングガンは、ローディングガンのケーシング７と、メインコイル８と、位置決めチューブ９と、二次コイル１０と、絶縁層１１と、アンプ１２とを含む。前記ローディングガンのケーシング７は、キャリアである。メインコイル８及び二次コイル１０は、逐次に前記位置決めチューブに嵌め込まれ、前記二次コイル１０の一端面を前記位置決めチューブの位置決め端面に隣接させる。前記二次コイル１０の他端面は、メインコイル８の一端面に隣接し、密着自在である。
【００７２】
メインコイル８及び二次コイル１０が嵌め込まれる位置決めチューブをローディングガンのケーシング内の中段に装入し、アンプ１２を前記位置決めチューブの一端に装着し、前記アンプ内端面と二次コイルの端面との間には、絶縁層１１が嵌め込まれる。
【００７３】
前記メインコイル８、二次コイル１０、アンプ１２及び位置決めチューブ９は、いずれもローディングガンのケーシングと同軸上になる。
【００７４】
前記位置決めチューブ９は、当該位置決めチューブの一端に位置される雄ネジを通じて二次コイル１０の雌ネジと相互はまり、前記位置決めチューブと二次コイルとを固定連結させて、引張応力波の伝送のためでもあり、メインコイル８、二次コイル１０及びアンプ１２の位置決めのためでもある。
【００７５】
本実施例において、ローディングガンのケーシング７は、絶縁性能の良好なナイロンで製造される。当該ローディングガンのメインコイル８は、直径が１０ｍｍである銅導線を適用して、横断面が「工」字形であるコア上に巻かせ、銅導線の巻回と巻回との間は、絶縁材料により離隔される。メインコイル８の外径は、ローディングガンのケーシング７の内径と同一であり、当該メインコイル８がローディングガンのケーシング７内に装入された後、両者間は締まりばめされる。
【００７６】
二次コイル１０は、銅製円盤であり、当該二次コイルの中心に位置決めチューブ９とはまる貫通穴が空いてある。
【００７７】
アンプ１２は、中空の回転体である。前記アンプの中心穴の内表面は、圧縮ヘッド１３の雄ネジと相互はまるネジ面である。当該アンプ中心穴の内径は、ホプキンソン引張棒の入射棒１５の外径よりもやや大きく、前記ホプキンソン引張棒の入射棒１５が当該中心穴を貫通した後、両者間は隙間ばめされる。
【００７８】
当該アンプ１２の外円周表面は、はしご形状であり、それぞれ当該アンプ両端に位置される等径段及び当該アンプ中間に位置されるテーパード段を含む。前記アンプ１２の両端における等径段のうち、アンプの一端に位置される等径段は、外径が最大で、応力波受信段であり、アンプの他端に位置される等径段は、外径が最小で、応力波の出力段である。両段の等径段を過渡接続させるテーパード段は、アンプの応力波増幅反射段を形成する。前記アンプの応力波受信段の外径と二次コイルの外径とは同一である。前記アンプ応力波受信段の直径：応力波出力段直径＝５：２、前記アンプの大外径段の軸方向長さ：テーパード段の軸方向長さ＝１：１である。
【００７９】
ボス２２は、中空の回転体である。当該ボスの内表面は、ホプキンソン引張棒のネジ端とはまるネジ面である。使用の時、前記ボス２２は、入射棒１５上に嵌め込まれ、前記アンプ１２の応力波増幅反射段の一端の端面の所に位置される。ボスの役割としては、アンプから伝わって来た圧縮波を引張波に反射させて引張棒に導入することである。引張試験の時、ホプキンソン引張棒の入射棒１５は、逐次に位置決めチューブ９の貫通穴及びアンプ１２のネジ穴を貫通して、ボス２２とネジ接続され、その寸法は、アンプ１２のネジ穴及び位置決めチューブ９の貫通穴とはめ自在である。本実施例において、ボスの軸方向長さは５ｍｍ、外径は２０ｍｍである。
【００８０】
前記圧縮ヘッド１３は、回転体である。当該圧縮ヘッドの外円周表面は、二段のはしご形状であり、ここで、二段のはしごのうち、大直径段は、圧縮波出力段であり、小直径段は、接続段である。前記圧縮波出力段の外円周表面には、対称的に平面が加工されてある。本実施例において、圧縮波出力段の軸方向長さは５ｍｍ、直径は１６ｍｍであり、外円周表面と対称になる平面は、当該圧縮波出力段の両側の円表面をそれぞれ４分の１の円だけ切って得られたものである。試験の時、圧縮ヘッド１３の接続段を前記アンプ１２の雌ネジ穴内に装入して、圧縮ヘッドをアンプ１にネジ接続させる。圧縮ヘッドの圧縮波出力段の内端面を入射棒と接触させることによって、応力波を入射棒内に伝播させる。本実施例において、圧縮ヘッドの接続段はＭ１５の雄ネジであり、軸方向長さは５ｍｍである。
【００８１】
前記圧縮波出力段の波動インピーダンスは、ホプキンソン圧縮棒の波動インピーダンスと同一であり、波動インピーダンスＲは、Ｒ＝ρＣＡのように定義され、ここで、ρは材料の密度、Ｃは材料の応力波速度、Ａは横断面積である。
【００８２】
圧縮試験を行う時、圧縮ヘッド１３は、ローディングガンのケーシング内の一端に位置され、当該圧縮ヘッドの一端の接続段を通じてアンプ１２の中心の雌ネジ穴と接続される。引張試験を行う時、ホプキンソン引張棒の入射棒１５のネジ端は、位置決めチューブ９及びアンプ１２の貫通穴を逐次に貫通し、アンプ１２の応力波出力段の一側でボス２２とネジを通じて接続される。ナイロンで作られた絶縁層１１は、前記位置決めチューブに嵌め込まれ、前記引張ヘッド２２又は圧縮ヘッド１３の内表面に密着され、前記絶縁層１１により二次コイル１０で発生される誘導渦流がアンプ１２内に伝わることを阻止する。二次コイル１０は、前記位置決めチューブにネジ嵌め込まれ、前記絶縁層の内側に位置される。ローディングガンのケーシング７の同一側の円周表面に二つの貫通穴があり、メインコイル８の二つの外部接続コネクタは、それぞれ二つの貫通穴の中何れか一つを貫通してローディングガンのケーシング７の外表面に固定される。前記メインコイル８の二つの外部接続コネクタの内、陽極コネクタは、コンデンサ充電器２１の陽極出力ラインに接続され、二つの外部接続コネクタの内、陰極コネクタは、コンデンサ充電器２１の陰極出力ラインに接続される。
【００８３】
本実施例における電源２０、入射棒１５、透過棒１７、試料１６、歪みゲージ１４、データ収集器１９及びバッファ１８は、いずれも既存の技術を適用する。
【００８４】
本実施例は、前記電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器の実験方法を更に提供する。前記電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器の実験方法には、ホプキンソン圧縮実験と、ホプキンソン引張実験とが含まれる。
【００８５】
Ｉ．電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器を適用してホプキンソン圧縮実験を行う具体的な過程は、下記の段階１乃至３を含む。
【００８６】
段階１：器材を配列する。
【００８７】
ローディングガン６、入射棒１５及び透過棒１７を常用の方法に従って同軸上逐次に実験台に装着し、前記入射棒１５及び透過棒１７が軸線方向に移動自在するようにする。一つの試料１６を入射棒１５と透過棒１７との間に装着させ、試料１６が入射棒１５及び透過棒１７と同軸上になるようにする。
【００８８】
段階２：歪みゲージを貼り付ける。
【００８９】
歪みゲージの貼り付け方法は、既存の技術を適用し、即ち、入射棒１５又は透過棒１７の２分の１の長さになる所の円周上に前記入射棒又は透過棒の軸線を対称軸として、パラメータが完全に同一な２枚の歪みゲージを入射棒及び透過棒の表面に対称になるように貼り付け、歪みゲージのピンに歪みゲージリード線２３を溶接し、前記歪みゲージのリード線をデータ収集システムにおけるホイートストンブリッジに接続させる。
【００９０】
前記歪みゲージリード線２３の配列には特殊な要求が存在し、然もなければ、データ収集器１９が電磁干渉を受け、正常に実験データを収集できなくなる。歪みゲージリード線２３の入射棒又は透過棒の軸線の平面に垂直する投影が閉回路を形成する場合、ローディングガン６が放電して強磁界を発生する時、変化される磁界線は、歪みゲージリード線２３により形成された回路を貫通して、回路内に変化された磁束を発生することによって、誘導電流を形成し、データ収集器１９に対する干渉を発生して、収集されたデータが使用できなくなる。この問題点を解決する方法として、図８が示すように、まず、前記各歪みゲージリード線２３を入射棒又は透過棒の軸線に平行に分布させてから、軸線方向に垂直になって直角で折り曲げて引き出して、リード線２３を直線状態でデータ収集器１９に接続させることによって、リード線は、磁束変化による誘導電流を生成しなくなる。図９及び図１０が示すように、通常の歪みゲージリード線の配列方式により測定された応力波の信号に対する干渉が非常に大きいのに対して、本発明が提案する歪みゲージリード線の配列方式を適用して測定する場合、応力波信号に対する干渉を完全に消去する。
【００９１】
段階３：ローディングを行い、データを処理する。
【００９２】
図６が示すように、ホプキンソン圧縮実験を行う時、圧縮ヘッド１３とアンプ１２とを既存のネジを通じて接続させ、位置決めチューブ９は、メインコイルの貫通穴を貫通し、ローディングガン６の圧縮ヘッド１３が所在する一端は、入射棒に近い。圧縮ヘッド１３の応力波出力段をホプキンソン圧縮棒の入射棒１５の端面に同軸上十分に密着させる。コンデンサ充電器２１を充電した後、コンデンサ充電器にローディングガン６のメインコイル８を放電させ、二次コイル１０とメインコイル８との間に電磁斥力が生じ、前記電磁斥力は、アンプ１２内部で圧縮応力波に表現され、アンプ１２により増幅された後、入射波を形成し、当該入射波は圧縮ヘッド１３を通じてホプキンソン圧縮棒の入射棒１５内に伝わり、当該入射波が入射棒１５と試料１６との接触面に伝わる時、波動インピーダンスがマッチングされないため、当該入射波の一部は反射されて、入射棒１５内で反射波を形成し、もう一部は試料１６を通じて透過棒１７内に透過して、透過波を形成する。前記反射波及び透過波の形状及び振幅値は、試料１６の材料の特性により決定される。
【００９３】
データ収集器１９は、入射棒１５に貼り付けられた歪みゲージ１４により入射波及び反射波の信号を記録しておき、透過棒１７に貼り付けられた歪みゲージ１４により透過波の信号を記録しておく。データ収集器１９により記録された反射波及び透過波信号を利用して、単一波法により試片の動的圧縮応力歪み曲線を取得する。
【００９４】
ＩＩ．電磁力基盤ホプキンソン引張・圧縮棒応力波発生器を適用してホプキンソン引張実験を行う具体的な過程は、下記の段階１乃至３を含む。
【００９５】
段階１：器材を配列する。ローディングガン６、入射棒１５及び透過棒１７を常用の方法に従って同軸上逐次に実験台に装着し、前記入射棒１５及び透過棒１７が軸線方向のみに移動自在可能にする。ローディングガン６の圧縮ヘッド１３が所在する一端は、入射棒１５に近い。一つの試料１６を入射棒１５と透過棒１７との間に装着させ、試料１６が入射棒１５及び透過棒１７と同軸上になるようにする。
【００９６】
段階２：歪みゲージを貼り付ける。歪みゲージの貼り付け方法は、既存の技術を適用し、即ち、入射棒１５又は透過棒１７の２分の１の長さになる所の円周上に前記入射棒又は透過棒の軸線を対称軸として、パラメータが完全に同一な２枚の歪みゲージを入射棒又は透過棒の表面に対称になるように貼り付け、歪みゲージのピンに歪みゲージリード線２３を溶接し、前記歪みゲージのリード線をデータ収集システムにおけるホイートストンブリッジに接続させる。
【００９７】
前記歪みゲージリード線２３の配列には特殊な要求が存在し、然もなければ、データ収集器１９が電磁干渉を受け、正常に実験データを収集できなくなる。歪みゲージリード線２３の入射棒又は透過棒の軸線の平面に垂直する投影が閉回路を形成する場合、ローディングガン６が放電して強磁界を発生する時、変化される磁界線は、歪みゲージリード線２３により形成された回路を貫通して、回路内に変化された磁束を発生することによって、誘導電流を形成し、データ収集器１９に対する干渉を発生して、収集されたデータが使用できなくなる。この問題点を解決する方法として、図８が示すように、まず、前記各歪みゲージリード線２３を入射棒又は透過棒の軸線に平行に分布させてから、軸線方向に垂直になって直角で折り曲げて引き出して、リード線２３を直線状態でデータ収集器１９に接続させることによって、リード線は、磁束変化による誘導電流を生成しなくなる。図９及び図１０から分かるように、通常の歪みゲージリード線の配列方式により測定された応力波の信号に対する干渉が非常に大きいのに対して、本発明が提案する歪みゲージリード線の配列方式を適用して測定する場合、応力波信号に対する干渉を完全に消去する。
【００９８】
段階３：ローディングを行い、データを収集する。図７が示すように、位置決めチューブ９をメインコイル８の貫通穴を貫通させ、アンプ１２及び入射棒１５は、それぞれメインコイル８の両端に位置される。入射棒１５の入射端を位置決めチューブ９の貫通穴及びアンプ１２のネジ穴を貫通させ、アンプ１２のネジ穴及び位置決めチューブ９の貫通穴とはめ自在であり、入射棒１５の雄ネジ付きの一端は、アンプを貫通して、ボス２１とネジを通じて接続される。コンデンサ充電器２１の充電電圧を２００Ｖに設定して充電し、充電が完了した後、電子スイッチによりコンデンサ充電器にローディングガンのメインコイル８を放電させ、二次コイル１０とメインコイル８との間に電磁斥力が生じ、前記二次電磁斥力は、アンプ１２内で増幅されて、圧縮応力波に表現され、ボス２２で引張波に反射されてホプキンソン引張棒の入射波を形成し、当該入射波は、ホプキンソン引張棒の入射棒１５内に伝わり、当該入射波が入射棒１５と試料１６との接触面に伝わる時、波動インピーダンスがマッチングされないため、当該入射波の一部は反射されて、入射棒１５内で反射波を形成し、もう一部は試料１６を通じて透過棒１７内に透過して、透過波を形成する。前記反射波及び透過波の形状及び振幅値は、試料の材料の特性により決定される。
【００９９】
データ収集器１９は、入射棒１５に貼り付けられた歪みゲージ１４により入射波及び反射波の信号を記録しておき、透過棒１７に貼り付けられた歪みゲージ１４により透過波の信号を記録しておく。データ収集器１９により記録された反射波及び透過波信号を利用して、単一波法により材料の動的引張応力歪み曲線を取得する。
【図１】
2019500573.tif 000003
【図２】
2019500573.tif 000004
【図３】
2019500573.tif 000005
【図４ａ】
2019500573.tif 000006
【図４ｂ】
2019500573.tif 000007
【図５ａ】
2019500573.tif 000008
【図５ｂ】
2019500573.tif 000009
【図６】
2019500573.tif 000010
【図７ａ】
2019500573.tif 000011
【図７ｂ】
2019500573.tif 000012
【図８】
2019500573.tif 000013
【図９】
2019500573.tif 000014
【図１０】
2019500573.tif 000015
【図１１】
2019500573.tif 000016
【図１２】
2019500573.tif 000017
【図１３】
2019500573.tif 000018
【図１４】
2019500573.tif 000019
【国際調査報告】
2019500573.tif 000020
2019500573.tif 000021
2019500573.tif 000022
2019500573.tif 000023
2019500573.tif 000024