(57)【要約】  本明細書に記載の実施形態は、基板を熱処理する装置および方法に関する。一実施形態では、処理システムは、複数のロードロックチャンバに結合されたファクトリインターフェースを含む。複数のロードロックチャンバは、ロボットを収容する移送チャンバに結合される。熱処理チャンバが、移送チャンバに結合され、ロボットが、ロードロックチャンバと熱処理チャンバとの間で基板を移送するように構成される。熱処理チャンバ内に配置されたマルチ基板支持体が、効率的な基板熱処理を容易にするために回転する。ポートプレナム内に配置されたガスカーテン装置が、処理チャンバと移送チャンバとの間の環境分離を提供する一方、熱処理チャンバと移送チャンバとの間の効率的な基板移送を可能にする。【選択図】図２Ａ
2019506744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理チャンバであって、
回転可能な基板支持体であって、その上で複数の基板を支持するように寸法決めされた回転可能な基板支持体と、
前記回転可能な基板支持体の上方または下方に配置された熱源と、
を備える熱処理チャンバと、
前記熱処理チャンバに結合された移送チャンバであって、基板移送装置が前記移送チャンバ内に配置されている、移送チャンバと、
前記熱処理チャンバから前記移送チャンバ内に延びるポートプレナムを画定するプレナム壁であって、パージ装置が前記ポートプレナム内で前記プレナム壁に結合されている、プレナム壁と、
前記移送チャンバに結合された第１のロードロックチャンバと、
前記移送チャンバに結合された第２のロードロックチャンバであって、前記第１のロードロックチャンバおよび前記第２のロードロックチャンバが、前記熱処理チャンバとは反対側で前記移送チャンバに結合されている、第２のロードロックチャンバと、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記回転可能な基板支持体が、５つの３００ｍｍ基板を収容できるように寸法決めされている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記回転可能な基板支持体が、炭化ケイ素でコーティングされたグラファイトから形成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記熱源が、抵抗ヒータである、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記抵抗ヒータが、リング形状である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記熱源が、グラファイトヒータである、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記パージ装置が、前記ポートプレナムの内周の周りに延びている、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記パージ装置が、内部に容積部を画定する本体を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
複数の開口部が、前記パージ装置の前記本体に形成され、前記容積部を前記ポートプレナムと流体結合させている、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記容積部が、パージガス源に流体結合されている、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１のロードロックチャンバおよび前記第２のロードロックチャンバが、各々、５枚から２５枚までの基板を収容できるように寸法決めされている、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
熱処理チャンバであって、
処理容積部を画定する本体と、
前記処理容積部内に配置されたガス分配装置と、
前記ガス分配装置に対向して前記処理容積部内に配置された回転可能な基板支持体であって、その上で複数の基板を支持するように寸法決めされた回転可能な基板支持体と、
前記回転可能な基板支持体の上方または下方で前記処理容積部内に配置された熱源と、
を備える熱処理チャンバと、
前記熱処理チャンバに結合された移送チャンバであって、基板移送装置が前記移送チャンバ内に配置されている、移送チャンバと、
前記熱処理チャンバから前記移送チャンバ内に延びるポートプレナムを画定するプレナム壁であって、パージ装置が前記ポートプレナム内で前記プレナム壁に結合されている、プレナム壁と、
前記熱処理チャンバとは反対側で前記移送チャンバに結合された複数のロードロックチャンバと、
を備える基板処理装置。
【請求項１３】
前記熱処理チャンバに結合され、前記ガス分配装置を介して前記処理容積部と流体連通しているプロセスガス源をさらに備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ポートプレナムと流体連通しているパージガス源をさらに備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
熱処理チャンバであって、
回転可能な基板支持体であって、その上で複数の基板を支持するように寸法決めされた回転可能な基板支持体と、
前記回転可能な基板支持体の上方または下方に配置された熱源と、
を備える熱処理チャンバと、
前記熱処理チャンバに結合された移送チャンバであって、基板移送装置が前記移送チャンバ内に配置されている、移送チャンバと、
前記熱処理チャンバから前記移送チャンバ内に延びるポートプレナムを画定するプレナム壁であって、パージ装置が前記ポートプレナム内で前記プレナム壁に結合されている、プレナム壁と、
前記移送チャンバに結合された第１のロードロックチャンバと、
前記移送チャンバに結合された第２のロードロックチャンバであって、前記第１のロードロックチャンバおよび前記第２のロードロックチャンバが、前記熱処理チャンバとは反対側で前記移送チャンバに結合されている、第２のロードロックチャンバと、
ファクトリインターフェースであって、前記第１のロードロックチャンバおよび前記第２のロードロックチャンバが、前記移送チャンバとは反対側で前記ファクトリインターフェースに結合されている、ファクトリインターフェースと、
を備える基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］本開示の実施形態は、概して、基板の熱処理に関する。より具体的には、本明細書に記載の実施形態は、ソークアニーリングのための装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
［０００２］加熱装置が、基板を処理するために半導体産業でしばしば使用される。一般に、加熱装置には２つの主要な構成がある。第１の構成は、複数の基板（すなわち、２５〜２００枚の基板）が管状炉にローディングされ、ゆっくりと所望の温度に加熱されるバッチシステムである。バッチシステムは、炉壁が加熱要素および加熱されている基板とほぼ同じ温度にあるという点で、温度平衡装置と考えることができる。バッチシステムは、炉壁が高温であるので、典型的には「ホットウォール（ｈｏｔ  ｗａｌｌ）」システムと呼ばれる。バッチシステムの主な利点は、多数の基板を同時に処理することができ、基板当りのコストを削減できることである。しかし、バッチシステムにはいくつかの欠点があり、その１つは、基板温度を上昇または低下させる速度である。バッチ式炉の大きな熱質量は、迅速な温度変化を妨げ、約１５分〜数時間またはそれ以上の比較的長い処理時間をもたらす。
【０００３】
［０００３］第２の構成は、エネルギー源として放射エネルギーを使用して単一の基板が小さな処理容積部内で加熱される急速熱処理（ＲＴＰ）である。例えば、ＲＴＰシステムは、典型的には、基板を保持するための基板支持体と、基板を加熱するために光エネルギーを放射する光源とを含む。熱処理の間、基板は、所望の温度レジームに従って制御された条件下で加熱される。
【０００４】
［０００４］ＲＴＰシステムは、通常、非平衡状態で動作する。チャンバの壁は、典型的には、加熱された基板に対して冷却され、「コールドウォール（ｃｏｌｄ  ｗａｌｌ）」システムと呼ばれ得る。ＲＴＰシステムの利点は、基板温度を迅速に変化させる能力であり、１秒〜数分の短い加熱サイクルを可能にする。しかしながら、ＲＴＰシステムの１つの欠点は、システムが一度に１枚の基板を処理するように装備されているため、１基板あたりの処理コストである。
【０００５】
［０００５］従って、当該分野において、改善された基板アニール装置が必要とされている。
【発明の概要】
【０００６】
［０００６］一実施形態において、基板処理装置が提供される。本装置は、複数の基板をその上で支持するように寸法決めされた回転可能な基板支持体と、回転可能な基板支持体の上方または下方に配置された熱源とを含む熱処理チャンバを含む。移送チャンバが、熱処理チャンバに結合され、基板移送装置が、移送チャンバ内に配置される。プレナム壁が、ポートプレナムを画定し、熱処理チャンバから移送チャンバ内に延び、パージ装置が、ポートプレナム内でプレナム壁に結合される。第１のロードロックチャンバが、移送チャンバに結合され、第２のロードロックチャンバが、移送チャンバに結合される。第１のロードロックチャンバおよび第２のロードロックチャンバは、熱処理チャンバとは反対側で移送チャンバに結合される。
【０００７】
［０００７］別の実施形態において、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、処理容積部を画定する本体と、処理容積部内に配置されたガス分配装置とを有する熱処理チャンバを含む。回転可能な基板支持体が、ガス分配装置に対向して処理容積部内に配置され、回転可能な基板支持体は、その上で複数の基板を支持するように寸法決めされる。熱源が、回転可能な基板支持体の上方または下方の処理容積部内に配置される。移送チャンバが、熱処理チャンバに結合され、基板移送装置が、移送チャンバ内に配置される。プレナム壁が、熱処理チャンバから移送チャンバ内に延びるポートプレナムを画定し、パージ装置が、ポートプレナム内でプレナム壁に結合される。複数のロードロックチャンバが、熱処理チャンバとは反対側で移送チャンバに結合される。
【０００８】
［０００８］さらに別の実施形態において、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、複数の基板をその上で支持するように寸法決めされた回転可能な基板支持体と、回転可能な基板支持体の上方または下方に配置された熱源とを有する熱処理チャンバを含む。移送チャンバが、熱処理チャンバに結合され、基板移送装置が、処理チャンバ内に配置される。ポートプレナムを画定するプレナム壁が、熱処理チャンバから移送チャンバ内に延び、パージ装置が、ポートプレナム内でプレナム壁に結合される。第１のロードロックチャンバが、移送チャンバに結合され、第２のロードロックチャンバが、移送チャンバに結合される。第１のロードロックチャンバおよび第２のロードロックチャンバは、熱処理チャンバとは反対側で移送チャンバに結合され、第１のロードロックチャンバおよび第２のロードロックチャンバは、移送チャンバとは反対側でファクトリインターフェースに結合される。
【０００９】
［０００９］本開示の上記の特徴が詳細に理解できるように、実施形態を参照することにより、上記で簡潔に要約された本開示のより詳細な説明を得ることができ、実施形態のいくつかが、添付の図面に示される。しかしながら、添付の図面は、例示的な実施形態のみを示しており、したがって、その範囲を限定するものではなく、他の同様に有効な実施形態を認めることができることに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本明細書に記載の実施形態による処理システムの概略平面図を示す。
【図２Ａ】本明細書に記載の実施形態による図１の処理システムの一部分の概略断面図を示す。
【図２Ｂ】本明細書に記載の実施形態によるポートプレナムの概略的な断面詳細図を示す。
【図３】本明細書に記載の実施形態による熱処理チャンバの概略断面図を示す。
【図４】本明細書に記載の実施形態による熱処理チャンバの概略断面図を示す。
【図５】本明細書に記載の実施形態による基板支持体の概略平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［００１６］理解を容易にするため、図面に共通の同一の要素を示すのに、可能な限り、同一の参照番号を使用している。一つの実施形態の要素および特徴は、さらなる説明なしに他の実施形態に有益に組み込むことができることが、予期されている。
【００１２】
［００１７］本明細書に記載の実施形態は、基板を熱処理する装置および方法に関する。一実施形態では、処理システムは、複数のロードロックチャンバに結合されたファクトリインターフェースを含む。複数のロードロックチャンバは、ロボットを収容する移送チャンバに結合される。熱処理チャンバが、移送チャンバに結合され、ロボットが、ロードロックチャンバと熱処理チャンバとの間で基板を移送するように構成される。熱処理チャンバ内に配置されたマルチ基板支持体が、効率的な基板熱処理を容易にするために回転する。ポートプレナム内に配置されたパージ装置が、処理チャンバと移送チャンバとの間の環境分離を提供する一方、熱処理チャンバと移送チャンバとの間の効率的な基板移送を可能にする。
【００１３】
［００１８］図１は、本明細書に記載の実施形態による処理システム１００の概略平面図を示す。処理システム１００は、移送チャンバ１０４に結合された熱処理チャンバ１０２を含む。第１のロードロックチャンバ１０６および第２のロードロックチャンバ１０８などの複数のロードロックチャンバが、熱処理チャンバ１０２とは反対側で移送チャンバに結合される。ロードロックチャンバ１０６，１０８は、任意の所与の時間において約５〜約２５枚の基板を収容できるように寸法決めすることができる。ロードロックチャンバ１０６，１０８の各々が、ファクトリインターフェース１１０に結合されている。
【００１４】
［００１９］処理済および未処理の基板を収容するように一般的に構成された１つ以上のカセット１１２が、ファクトリインターフェース１１０に取り外し可能に結合されてもよい。処理システム１００は、ファブフロアスペースの効率的な使用を改善するために、処理システム１００の全体的な設置面積を低減するように設計されてもよい。複数のロードロックチャンバを利用することによって、処理済の基板が別のロードロックチャンバ内に維持されている間に、未処理基板が１つのロードロックチャンバ内で継続的に利用可能であり得、その逆も同様なので、効率を高めることができる。
【００１５】
［００２０］熱処理チャンバ１０２は、前処理または後処理工程、ドーパント取り込みなどの様々な用途のために、基板を熱処理またはアニールするように構成される。熱処理チャンバ１０２は、処理済の基板と未処理の基板との効率的な基板交換を可能にしながら、複数の基板（すなわち、３つ以上、５つ以上など）を一度に熱処理するように、寸法決めされ構成される。ロボットを収容する移送チャンバ１０４は、ロードロックチャンバ１０６，１０８と熱処理チャンバ１０２との間で処理済の基板および未処理の基板を移送するために利用されてもよい。一実施形態において、熱処理チャンバ１０２、移送チャンバ１０４、およびロードロックチャンバ１０６，１０８は、処理システム１００内の効率的な基板移送を可能にするために、大気圧または減圧（すなわち、真空環境）などの実質的に類似の圧力に維持されてもよい。
【００１６】
［００２１］図２Ａは、本明細書に記載された実施形態による図１の処理システム１００の一部分の概略断面図を示す。処理システム１００は、ポート２１５を介して移送チャンバ１０４に結合された熱処理チャンバ１０２を含む。ポート２１５は、基板移送装置２２５（すなわちロボット）による基板２２０の通過を容易にするように、寸法決めされる。基板移送装置２２５は、処理システム１００内の効率的な基板移送を容易にするように互いに連携して動作する１つ以上の移送アーム（すなわち、ブレード）を含む。一実施形態では、基板移送装置は、５つのアームを有する。例えば、基板移送装置２２５は、第１のアームおよび第２のアームを含むことができる。一実施形態では、第２のアームが、基板をロードロックチャンバ１０６，１０８から取り出すまたはロードロックチャンバ１０６，１０８に移送する間に、第１のアームが、処理容積部２０８から基板を移送または除去するように動作する。処理容積部２０８とロードロックチャンバ１０６，１０８との間の基板移送を容易にするために、追加のアームを第１および第２のアームと同期させることもできる。
【００１７】
［００２２］熱処理チャンバ１０２が、処理容積部２０８を画定する。ガス分配装置２０４（すなわち、シャワーヘッド）が、処理容積部２０８内に配置され、熱処理チャンバ１０２の壁に結合することができる。１つ以上のガス分配ポート２０７が、ガス分配装置２０４に形成され、ガス分配装置２０４を通ってガスが通過することを可能にする。ガス分配装置２０４はまた、プロセスガス源２０５に流体結合されてもよい。プロセスガス源２０５は、ガス分配装置２０４のガス分配ポート２０７を通って処理容積部２０８に１つ以上のプロセスガスを供給するように構成される。基板２２０を熱処理するのに適したガスは、処理容積部２０８内に維持された条件下で実質的に基板２２０上に堆積することもないし、基板２２０をエッチングすることもないガスを含む。ガスの例には、不活性ガス（すなわち、希ガス）または熱処理条件下で実質的に非反応性の他のガス（すなわち、Ｎ２，Ｈ２など）が含まれる。真空ポンプ２４０が、処理容積部２０８と流体連通することもでき、所望の熱処理条件に応じて、その中に様々な真空度を生成するように構成することができる。
【００１８】
［００２３］基板支持体２０６もまた、処理容積部２０８内に配置される。基板支持体２０６は、例えば炭化ケイ素などのセラミック材料またはグラファイト材料などの熱処理用に適した材料から製造することができる。一実施形態では、基板支持体２０６は、グラファイトから形成され、炭化ケイ素材料でコーティングされる。基板支持体材料は、約２００℃〜約１１００℃の温度を有する環境で有効に動作するように選択されてもよい。一般に、基板支持体２０６は、ガス分配装置２０４に対向して配置される。基板支持体２０６は、熱処理中に基板２２０を支持するための複数のウェル、リング、または他の基板支持装置を含むことができる。
【００１９】
［００２４］リフトピン２３０およびリフトモータ２２８が、基板支持体２０６に結合されて、基板支持体２０６の上および基板支持体２０６から離れて基板２２０を配置するのを容易にすることもできる。一般に、リフトピン２３０は、基板２２０をロードおよびアンロードするために基板移送装置２２５とインターフェースするときに、上昇位置に作動される。リフトピン２３０は、熱処理中、基板支持体２０６によって基板２２０が支持されている下降位置に配置される。
【００２０】
［００２５］一実施形態では、モータ２０３が、基板支持体２０６に結合される。モータ２０３は、基板支持体２０６の回転運動を可能にするように構成される。例えば、基板支持体２０６は、カルーセルのように回転することができる。動作中、モータ２０３は、基板支持体２０６を第１の位置に回転させて第１の基板を受け取り、基板支持体２０６を第２の位置に回転させて第２の基板を受け取り、等々により、基板２２０は、基板支持体２０６の回転中に連続的に熱処理される。
【００２１】
［００２６］基板２２０の熱処理は、基板２２０が基板移送装置２２５によって除去されるまで、継続する。基板支持体２０６から基板２２０を効率的かつ正確にロードおよびアンロードすることを可能にするために、モータ２０３は、基板移送装置２２５と同期させることができることが、意図される。例えば、モータ２０３は、基板移送装置２２５による基板支持体２０６への基板２２０の移送または基板支持体２０６からの基板２２０の除去を可能にするために、ある期間回転を一時停止するように構成されてもよい。一実施形態において、基板支持体２０６上に配置された基板２２０は、同じ位置で処理容積部２０８からロードおよびアンロードされるように、３６０度回転する。
【００２２】
［００２７］熱処理チャンバ１０２と移送チャンバ１０４との間に配置されるポート２１５は、ポート２１５と整列する通路２３５を含む。ガス源２１８が、通路２３５と流体連通し、通路２３５が、ポートプレナム２４０を画定する。ポートプレナム２４０は、ポート２１５に隣接して熱処理チャンバ１０２から延びるプレナム壁２４２によってさらに画定されてもよい。
【００２３】
［００２８］図２Ｂは、本明細書に記載の実施形態によるポートプレナム２４０の詳細な図式的断面図を示す。パージ装置２４４が、ポートプレナム２４０の内周の周りに延びるように、プレナム壁２４２に結合される。パージ装置２４４は、パージガス容積部２２４を画定する本体２２６を含む。パージガス容積部２２４は、ガス源２１８と流体連通し、ガス源２１８からのガスが、パージ装置２４４の本体２２６に形成された複数の開口部２２２を通ってポートプレナム２４０に供給される。
【００２４】
［００２９］熱処理チャンバ１０２の動作中ならびに移送チャンバ１０４へのおよび移送チャンバ１０４からの基板移送中、パージガスが、ポートプレナム２４０に流入して、処理容積部２０８からのプロセスガスが移送チャンバ１０４に入るのを防止または最小化する「ガスカーテン」を生成する。ガス源２１８は、アルゴン、ヘリウム、窒素、または水素などの任意の適切なパージガスを供給することができる。一実施形態において、プロセスガス源２０５およびガス源２１８は、それぞれ処理容積部２０８およびポートプレナム２４０に同じガスを供給する。別の実施形態において、プロセスガス源２０５およびガス源２１８は、それぞれ処理容積部２０８およびポートプレナム２４０に異なるガスを供給してもよい。
【００２５】
［００３０］パージ装置２４４を利用することにより、スリットバルブドアの利用が回避され、より効率的な基板移送が達成され得る。例えば、移送工程のためのスリットバルブドアの開閉に関連する時間が除かれる。基板は、基板移送装置２２５の構成に依存して、１２秒毎もの素早さまたはそれより素早く移送され得ることが、予期される。したがって、基板支持体２０６が、５つの基板位置を含む場合、基板は、熱処理チャンバ１０２から除去される前に、約６０秒間熱処理され得る。より長い熱処理時間が望まれる場合、基板移送の遅延を利用して、熱処理チャンバ１０２内の基板の滞留時間を増加させることができると考えられる。一般に、基板は、基板移送装置の交換時間に基板支持体２０６上の基板位置の数を掛けた時間に等しい時間またはそれより長い時間、熱処理され得ることが、予期される。
【００２６】
［００３１］図３は、本明細書に記載の実施形態による熱処理チャンバ１０２の概略断面図を示す。図示された実施形態において、ヒータ３０２が、基板支持体２０６の下の処理容積部２０８内に配置される。言い換えれば、ヒータ３０２は、熱処理中に基板によって占有される基板支持体２０６上の位置と実質的に同一平面上にあるポート２１５より下に配置することができる。ヒータ３０２は、抵抗ヒータ、グラファイトヒータ、または他のタイプの電気ヒータであってもよい。ヒータ３０２は、リング状（図示のように）であってもよいし、または熱処理されている基板に実質的に一様な加熱プロファイルを提供するように構成された他の適切な形状であってもよい。ヒータ３０２は、処理容積部２０８内の温度を約２００℃〜約１１００℃に維持するように構成されてもよい。基板支持体２０６の熱質量が、基板支持体２０６上に配置された基板の実質的に一定の加熱を可能にするように、基板を支持する基板支持体２０６の厚さが、選択されてもよい。例えば、基板支持体２０６のこの熱質量は、基板支持体２０６の直径にわたる実質的に一定の温度の維持を容易にすることができる。
【００２７】
［００３２］ランプなどの代替的な加熱源が、基板支持体２０６および処理容積部２０８を加熱するために利用されてもよい。ヒータ３０２と同様に、代替的な加熱源は、基板支持体２０６の下に配置されてもよい。ランプを利用する実施形態において、光透過性材料が、ランプと基板支持体２０６との間に配置されてもよい。例えば、石英窓が、ランプと基板支持体２０６との間に配置されてもよい。
【００２８】
［００３３］図４は、本明細書に記載の実施形態による熱処理チャンバ１０２の概略断面図を示す。図示された実施形態において、ヒータ４０２が、基板支持体２０６の上方の処理容積部２０８内に配置される。言い換えれば、ヒータ４０２は、熱処理中に基板によって占有される基板支持体２０６上の位置と実質的に同一平面上にあるポート２１５より上に配置することができる。ヒータ３０２と同様に、ヒータ４０２は、抵抗ヒータ、グラファイトヒータ、または他のタイプの電気ヒータであってもよい。ヒータ４０２は、リング状（図示のように）であってもよいし、または熱処理されている基板に実質的に一様な加熱プロファイルを提供するように構成された他の適切な形状であってもよい。ヒータ４０２は、処理容積部２０８内の温度を約２００℃〜約１１００℃に維持するように構成されてもよい。基板支持体２０６の熱質量が、基板支持体２０６上に配置された基板の実質的に一定の加熱を可能にするように、基板を支持する基板支持体２０６の厚さが、選択されてもよい。
【００２９】
［００３４］ランプなどの代替的な加熱源が、基板支持体２０６および処理容積部２０８を加熱するために利用されてもよい。ヒータ４０２と同様に、代替的な加熱源は、基板支持体２０６の上方に配置されてもよい。ランプを利用する実施形態において、光透過性材料が、ランプと基板支持体２０６との間に配置されてもよい。例えば、石英窓が、ランプと基板支持体２０６との間に配置されてもよい。
【００３０】
［００３５］図５は、本明細書に記載の実施形態による基板支持体２０６の概略平面図を示す。前述のように、基板支持体２０６は、熱処理中に複数の基板２２０を支持するように構成される。図示された実施形態は、５つの基板用に構成された基板支持体２０６を示しているが、より多くのまたはより少ない数の基板が、基板支持体２０６によって支持されてもよいということが、意図される。一実施形態において、基板支持体２０６は、複数の直径３００ｍｍの基板を支持するように構成されている。２００ｍｍまたは４５０ｍｍなどの他の基板直径が、３００ｍｍ基板以外の基板サイズを収容できるように寸法決めされた基板支持体によって支持されてもよい。
【００３１】
［００３６］要約すると、複数の基板を処理するための回転可能な基板支持体を利用する熱バッチ処理チャンバが、提供される。移送チャンバ内の基板移送装置と組み合わせた複数のロードロックチャンバは、単一基板処理チャンバに一般に関連する利点を維持しながら、大量の基板を経済的に処理することができる高スループット熱処理を可能にする。例えば、熱処理チャンバの温度が、より迅速に変更および／または維持されながら、高スループットの利点も、本明細書に記載の実施形態を利用して実現され得る。
【００３２】
［００３７］上記は、本開示の実施形態に向けられているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考え出すこともでき、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図１】
2019506744.tif 000003
【図２Ａ】
2019506744.tif 000004
【図２Ｂ】
2019506744.tif 000005
【図３】
2019506744.tif 000006
【図４】
2019506744.tif 000007
【図５】
2019506744.tif 000008
【国際調査報告】
2019506744.tif 000009
2019506744.tif 000010