(57)【要約】  本明細書に開示された実施形態は、処理チャンバからの廃水を取り込んで、フォアラインまたはプラズマ源に水蒸気試薬を注入することによって、この廃水をフォアラインに配置されたプラズマ源内部の水蒸気試薬と反応させるプラズマ軽減プロセスを含む。廃水中に存在する材料ならびに水蒸気試薬は、プラズマ源によって励起され、材料を、典型的な水スクラビング軽減技術によって容易にこすり落とされるＨＦなどのガス核種に変換する。固体粒子の生成を低減させる、または回避するために、酸素含有ガスが、水蒸気注入に関連してフォアラインまたはプラズマ源に周期的に注入される。軽減プロセスは、最小限の固体粒子の生成を伴う良好な破壊除去効率（ＤＲＥ）を有する。【選択図】図２
2019514223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバからの廃水を軽減システムに流入させるステップであって、前記廃水がハロゲンを含み、前記軽減システムがフォアラインおよびプラズマ源を備える、ステップと、
前記軽減システムに軽減試薬を注入するステップと、
前記プラズマ源を用いてプラズマを形成するステップであって、前記廃水および前記軽減試薬が励起されて、軽減された材料を形成する、ステップと、
前記軽減試薬の前記注入に関連して前記軽減システムに酸素含有ガスを周期的に注入するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記軽減システムに前記酸素含有ガスを注入する間、前記軽減システムに前記軽減試薬を注入することを停止するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記軽減試薬が水蒸気を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸素含有ガスが酸素ガスまたはオゾンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記軽減試薬が第１の期間に前記軽減システムに注入され、前記酸素含有ガスが第２の期間に前記軽減システムに注入される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の期間が前記第１の期間と前記第２の期間の合計の約１０〜９０パーセントであり、前記第２の期間が前記第１の期間と前記第２の期間の前記合計の約１０〜９０パーセントである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記酸素含有ガスは前記軽減システムに注入される前に軽減試薬供給システムに注入される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
処理チャンバからの廃水をフォアラインに流入させるステップであって、前記廃水がハロゲンを含む、ステップと、
前記フォアラインに軽減試薬を注入するステップと、
前記フォアライン内に接続されたプラズマ源を用いてプラズマを形成するステップであって、前記廃水および前記軽減試薬が励起されて、軽減された材料を形成する、ステップと、
前記軽減試薬の前記注入に関連して前記フォアラインに酸素含有ガスを周期的に注入するステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
前記フォアラインに前記酸素含有ガスを注入する間、前記フォアラインに前記軽減試薬を注入することを停止するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記軽減試薬が水蒸気を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸素含有ガスが酸素ガスまたはオゾンを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記軽減試薬が第１の期間に前記フォアラインに注入され、前記酸素含有ガスが第２の期間に前記フォアラインに注入される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の期間と前記第２の期間が重ならない、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
処理チャンバからの廃水をプラズマ源に流入させるステップであって、前記廃水がハロゲンを含む、ステップと、
前記プラズマ源に軽減試薬を注入するステップと、
前記プラズマ源を用いてプラズマを形成するステップであって、前記廃水および前記軽減試薬が励起されて、軽減された材料を形成する、ステップと、
前記軽減試薬の前記注入に関連して前記プラズマ源に酸素含有ガスを周期的に注入するステップと、
を含む、方法。
【請求項１５】
前記プラズマ源に前記酸素含有ガスを注入する間、前記プラズマ源に前記軽減試薬を注入することを停止するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、一般に、半導体処理装置のための軽減に関する。より詳細には、本開示の実施形態は、半導体製造プロセスの廃水中に存在するパーフルオロカーボン（ＰＦＣ）ガスを軽減するための技法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセス中に生成される廃水は、規制上の要件ならびに環境上および安全性の懸念のために、処分される前に軽減または処理されなければならない多くの化合物を含む。これらの化合物の中には、ＰＦＣおよびハロゲン含有化合物があり、これらは、例えば、エッチングまたは洗浄プロセスにおいて使用される。
【０００３】
ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3およびＳＦ6などのＰＦＣは、半導体およびフラットパネルディスプレイの製造業界において、例えば、誘電体層エッチングおよびチャンバ洗浄において一般的に使用されている。製造または洗浄プロセスの後に、典型的には、プロセスツールから圧送された廃ガス流中に残留ＰＦＣ含有物が存在する。ＰＦＣは、廃水流から除去することが困難であり、環境への放出は、ＰＦＣが比較的高い温室効果作用を有することが知られているため望ましくない。遠隔プラズマ源（ＲＰＳ）またはインラインプラズマ源（ＩＰＳ）がＰＦＣおよび他の地球温暖化ガスの軽減に用いられてきた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＰＦＣを軽減するための現在の軽減技術の設計は、試薬として、水蒸気のみ、または水素が添加された水蒸気を利用する。水蒸気は、ＰＦＣガスに対する優れた破壊能力を提供するが、一部の用途では、プラズマ源、排気ライン、およびプラズマ源の下流のポンプに固体粒子が生成される。したがって、改善された軽減プロセスが必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態において、方法は、処理チャンバからの廃水を軽減システムに流入させるステップを含み、廃水がハロゲンを含み、軽減システムがフォアラインおよびプラズマ源を含む。本方法は、軽減システムに軽減試薬を注入するステップと、プラズマ源を用いてプラズマを形成するステップと、をさらに含む。廃水および軽減試薬は、励起されて、軽減された材料を形成する。本方法は、軽減試薬の注入に関連して軽減システムに酸素含有ガスを周期的に注入するステップをさらに含む。
【０００６】
別の実施形態では、方法は、処理チャンバからの廃水をフォアラインに流入させるステップを含み、廃水がハロゲンを含む。本方法は、フォアラインに軽減試薬を注入するステップと、プラズマ源を用いてプラズマを形成するステップと、をさらに含む。廃水および軽減試薬は、励起されて、軽減された材料を形成する。本方法は、軽減試薬の注入に関連して軽減システムに酸素含有ガスを周期的に注入するステップをさらに含む。
【０００７】
別の実施形態では、方法は、処理チャンバからの廃水をプラズマ源に流入させるステップを含み、廃水がハロゲンを含む。本方法は、プラズマ源に軽減試薬を注入するステップと、プラズマ源を用いてプラズマを形成するステップと、をさらに含む。廃水および軽減試薬は、励起されて、軽減された材料を形成する。本方法は、軽減試薬の注入に関連して軽減システムに酸素含有ガスを周期的に注入するステップをさらに含む。
【０００８】
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、一部が添付図面に示される実施形態を参照することによって上で簡単に要約された本開示のより詳細な記載を行うことができる。しかしながら、本開示は他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるため、添付図面は本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがってその範囲を限定していると考えられるべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】本明細書に記載された一実施形態による処理システムの概略図である。
【図１Ｂ】本明細書に記載された別の実施形態による処理システムの概略図である。
【図１Ｃ】本明細書に記載された別の実施形態による処理システムの概略図である。
【図１Ｄ】本明細書に記載された別の実施形態による処理システムの概略図である。
【図１Ｅ】本明細書に記載された別の実施形態による処理システムの概略図である。
【図１Ｆ】本明細書に記載された別の実施形態による処理システムの概略図である。
【図２】本明細書に記載された一実施形態による、処理チャンバからの廃水を軽減する一方法を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
理解を容易にするために、各図に共通の同一の要素を指定するために、可能な場合は常に同一の参照数字が使用された。さらに、一実施形態の要素は、本明細書に記載された他の実施形態において利用するために有利に適合させることができる。
【００１１】
本明細書に開示された実施形態は、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、または他の真空処理チャンバなどの処理チャンバから廃水を取り込んで、フォアラインまたはプラズマ源に水蒸気試薬を注入することによって、この廃水をフォアラインに配置されたプラズマ源内部の水蒸気試薬と反応させるプラズマ軽減プロセスを含む。廃水中に存在する材料ならびに水蒸気試薬は、プラズマ源によって励起され、材料を、典型的な水スクラビング軽減技術によって容易にこすり落とされるＨＦなどのガス核種に変換する。水蒸気注入が一時的に停止されている間に、酸素含有ガスがフォアラインまたはプラズマ源に周期的に注入される。酸素の使用は、水蒸気によって提供される水素ラジカル廃水を除去することによって、より高濃度のフッ素ラジカルの存在を可能にし、固体粒子の生成を低減させる、または回避することができる。軽減プロセスは、最小限の固体粒子の生成を伴う良好な破壊除去効率（ＤＲＥ）を有する。
【００１２】
図１Ａは、本明細書に記載された一実施形態による処理システム１０１の概略図である。図１Ａに示すように、処理システム１０１は、処理チャンバ１００および軽減システム１０２を含む。処理チャンバ１００は、堆積プロセス、洗浄プロセス、エッチングプロセス、プラズマ処理プロセス、前清浄プロセス、イオン注入プロセス、または他の集積回路製造プロセスなどの、少なくとも１つの集積回路製造プロセスを行うように全体的に構成されている。処理チャンバ１００で行われるプロセスは、プラズマ支援されていてもよい。例えば、処理チャンバ１００で行われるプロセスは、シリコン系材料をエッチングするためのプラズマエッチングプロセスであってもよい。一実施形態において、処理チャンバ１００は、シリコン系材料を堆積させるためのプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバである。
【００１３】
処理チャンバ１００は、軽減システム１０２のフォアライン１０６に結合されたチャンバ排気口１０４を有する。スロットルバルブ（図示せず）が処理チャンバ１００内部の圧力を制御するためにチャンバ排気口１０４に近接して配置されることがある。第１の注入ポート１０８および第２の注入ポート１０７がフォアライン１０６に形成されてもよい。軽減システム１０２は、フォアライン１０６の第２の端部１４０に結合された真空ポンプ１１２をさらに含む。プラズマ源１１０は、注入ポート１０８と真空ポンプ１１２との間の位置でフォアライン１０６に結合されている。プラズマ源１１０は、ＲＰＳ、ＩＰＳ、または任意の適切なプラズマ源であってもよい。排気ライン１１４がポンプ１１２に結合され、設備排気装置（図示せず）に接続されてもよい。
【００１４】
フォアライン１０６に形成された第１の注入ポート１０８は、軽減試薬をフォアライン１０６に導入するために利用される。第１の注入ポート１０８は、導管１５０を介して軽減試薬供給システム１１８に接続されてもよい。軽減試薬供給システム１１８は軽減試薬を含み、軽減試薬の流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１６が、軽減試薬供給システム１１８と第１の注入ポート１０８との間の導管１５０に配置されてもよい。例えば、軽減試薬供給システム１１８と第１の注入ポート１０８との間のバルブ１１６は、アイソレーションバルブおよびニードルバルブを含むことができる。バルブ１１６は、コントローラ１２２に接続されてもよく、コントローラ１２２は、システムコントローラ１２０に接続されてもよい。一実施形態において、軽減試薬供給システム１１８は、低圧ボイラーであり、液体水などの液体軽減薬剤が低圧ボイラー内に配置されている。あるいは、軽減試薬供給システム１１８は、液体水を水蒸気に変えることができるフラッシュ蒸発器であってもよい。水蒸気などの蒸気の形態の軽減試薬は、第１の注入ポート１０８を介してフォアライン１０６に注入される。軽減試薬供給システム１１８内部の水位を維持するために、レベルセンサ（図示せず）が、充填バルブ（図示せず）を選択的に開くコントローラ１２２に信号を提供するための軽減試薬供給システム１１８内に置かれてもよい。
【００１５】
フォアライン１０６に流入する軽減試薬の流量は、処理チャンバ１００内で形成されるＰＦＣまたはハロゲン含有化合物の量に依存することができる。軽減試薬の流量は、１つまたは複数のバルブ１１６の操作によって制御されてもよい。１つまたは複数のバルブ１１６は、軽減試薬の流れを制御するための任意の適切なバルブであってもよい。一実施形態において、１つまたは複数のバルブ１１６は、軽減試薬の流れの制御を微調整するためのニードルバルブを含む。処理チャンバ１００内で形成されるＰＦＣまたはハロゲン含有化合物の量に関する情報は、コントローラ１２２に信号を送って１つまたは複数のバルブ１１６を制御するシステムコントローラ１２０によって取得されてもよい。
【００１６】
水蒸気などの軽減試薬は、フォアラインに注入され、次いで、プラズマ源１１０に流入する。プラズマは、プラズマ源１１０内部の軽減試薬から生成され、それによって軽減試薬を励起し、一部の実施形態では、廃水も励起する。一部の実施形態では、軽減試薬および／または廃水中に同伴される材料の少なくとも一部は、少なくとも部分的に解離される。軽減試薬の同定、軽減試薬の流量、フォアラインガス注入パラメータ、およびプラズマ生成条件は、廃水中に同伴される材料の組成に基づいて決定され、コントローラ１２２によって制御されてもよい。シリコン系材料のエッチングなどの一部の用途では、処理チャンバ１００を出る廃水はシリコンを含むことがあり、酸化ケイ素などの固体粒子が、プラズマ源１１０、ならびにプラズマ源１１０の下流の排気ライン１１４およびポンプ１１２に形成されることがある。
【００１７】
固体粒子の生成を低減させる、または回避するために、酸素含有ガスが第２の注入ポート１０７を介して軽減試薬の注入に関連してフォアライン１０６に周期的に注入される。言い換えれば、軽減試薬の注入が一時的に停止されている間に、酸素含有ガスが第２の注入ポート１０７を介してフォアライン１０６に周期的に注入される。酸素含有ガス供給システム１２１は、導管１５２を介して第２の注入ポート１０７に接続されている。酸素含有ガス供給システム１２１は、酸素ガスなどの酸素含有ガスを生成するための任意の適切なシステムであってもよい。酸素含有ガスの流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１９が、酸素含有ガス供給システム１２１と第２の注入ポート１０７との間の導管１５２に配置されてもよい。例えば、酸素含有ガス供給システム１２１と第２の注入ポート１０７との間のバルブ１１９は、アイソレーションバルブおよびニードルバルブを含むことができる。バルブ１１９は、コントローラ１０９に接続されてもよく、コントローラ１０９は、システムコントローラ１２０に接続されてもよい。
【００１８】
図１Ｂは、本明細書に記載された一実施形態による処理システム１０１の概略図である。図１Ｂに示すように、軽減試薬供給システム１１８および酸素含有ガス供給システム１２１はそれぞれ、導管１５４、１５６を介してプラズマ源１１０に接続されている。プラズマ源１１０は、第１の注入ポート１２４を含むことができ、軽減試薬供給システム１１８は、プラズマ源１１０に軽減試薬を注入するための導管１５４を介して第１の注入ポート１２４に接続されている。プラズマ源１１０は、第２の注入ポート１２６を含むことができ、酸素含有ガス供給システム１２１は、プラズマ源１１０に酸素含有ガスを注入するための導管１５６を介して第２の注入ポート１２６に接続されている。軽減試薬の流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１６が、軽減試薬供給システム１１８と第１の注入ポート１２４との間の導管１５４に配置されてもよい。酸素含有ガスの流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１９が、酸素含有ガス供給システム１２１と第２の注入ポート１２６との間の導管１５６に配置されてもよい。処理チャンバ１００、および軽減システム１０２の残りの部分は、図１Ａに示す処理システムと同じであってもよい。
【００１９】
図１Ｃは、本明細書に記載された一実施形態による処理システム１０１の概略図である。図１Ｃに示すように、軽減試薬供給システム１１８および酸素含有ガス供給システム１２１は、フォアライン１０６の注入ポート１０８に接続されている。第１の導管１３２が注入ポート１０８に接続されてもよい。第２の導管１２８が第１の導管１３２および１つまたは複数のバルブ１１９に接続されてもよい。第３の導管１３０が第１の導管１３２および１つまたは複数のバルブ１１６に接続されてもよい。軽減試薬の流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１６が軽減試薬供給システム１１８と注入ポート１０８との間に配置されてもよい。酸素含有ガスの流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１９が酸素含有ガス供給システム１２１と注入ポート１０８との間に配置されてもよい。動作中に、バルブ１１６は、注入ポート１０８を介してフォアライン１０６に軽減試薬を注入するために開いており、またはバルブ１１９は、注入ポート１０８を介してフォアライン１０６に酸素含有ガスを注入するために開いている。処理チャンバ１００、および軽減システム１０２の残りの部分は、図１Ａに示す処理システムと同じであってもよい。
【００２０】
図１Ｄは、本明細書に記載された一実施形態による処理システム１０１の概略図である。図１Ｄに示すように、軽減試薬供給システム１１８および酸素含有ガス供給システム１２１は、プラズマ源１１０の注入ポート１２４に接続されている。導管１３６が注入ポート１２４に接続されてもよい。導管１２８が導管１３６および１つまたは複数のバルブ１１９に接続されてもよい。導管１３０が導管１３６および１つまたは複数のバルブ１１６に接続されてもよい。軽減試薬の流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１６が軽減試薬供給システム１１８と注入ポート１２４との間に配置されてもよい。酸素含有ガスの流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１９が酸素含有ガス供給システム１２１と注入ポート１２４との間に配置されてもよい。動作中に、バルブ１１６は、注入ポート１２４を介してプラズマ源１１０に軽減試薬を注入するために開いており、またはバルブ１１９は、注入ポート１２４を介してプラズマ源１１０に酸素含有ガスを注入するために開いている。処理チャンバ１００および軽減システム１０２の残りの部分は、図１Ａに示す処理システムと同じであってもよい。
【００２１】
図１Ｅは、本明細書に記載された別の実施形態による処理システム１０１の概略図である。図１Ｅに示すように、酸素含有ガス供給システム１２１は、フォアライン１０６に接続されておらず、代わりに、酸素含有ガス供給システム１２１は、導管１５８を介して軽減試薬供給システム１１８に接続されている。軽減試薬供給システム１１８は、導管１５０を介して注入ポート１０８に接続され、軽減試薬または酸素含有ガスの流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１６が軽減試薬供給システム１１８と注入ポート１０８との間の導管１５０に配置されてもよい。導管１５８が軽減試薬供給システム１１８のリッド１６２に位置する注入ポート１６０に接続されている。酸素含有ガスの軽減供給システム１１８への流入を制御するために、１つまたは複数のバルブ１１９が酸素含有ガス供給システム１２１と軽減試薬供給システム１１８との間の導管１５８に配置されてもよい。動作中に、バルブ１１６は、注入ポート１０８を介してフォアライン１０６に軽減試薬または酸素含有ガスを注入するために開いている。バルブ１１９は、軽減試薬供給システム１１８の蒸気ヘッドスペース１６４に酸素含有ガスを注入するために開いている。酸素含有ガスは、軽減試薬供給システム１１８の蒸気ヘッドスペース１６０に加えられ、これによって軽減試薬供給システム１１８内部の圧力を増加させる。増加した圧力は、軽減試薬供給システム１１８における軽減試薬の沸騰を抑制する。したがって、酸素含有ガスは、導管１５０を介してフォアライン１０６に流入し、いかなる軽減試薬もフォアライン１０６に流入しない。バルブ１１６は、軽減試薬または酸素含有ガスのいずれかをフォアライン１０６に流入させることができるように常に開いている。バルブ１１９は、酸素含有ガスを軽減試薬供給システム１１８およびフォアライン１０６に流入させることができるように開いている。処理チャンバ１００および軽減システム１０２の残りの部分は、図１Ａに示す処理システムと同じであってもよい。
【００２２】
図１Ｆは、本明細書に記載された別の実施形態による処理システム１０１の概略図である。図１Ｆに示すように、酸素含有ガス供給システム１２１は、フォアライン１０６に接続されておらず、代わりに、酸素含有ガス供給システム１２１は、導管１５８を介して軽減試薬供給システム１１８に接続されている。軽減試薬供給システム１１８は、導管１５４を介して注入ポート１２４に接続され、軽減試薬または酸素含有ガスの流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１６が軽減試薬供給システム１１８と注入ポート１２４との間の導管１５４に配置されてもよい。導管１５８は、軽減試薬供給システム１１８のリッド１６２に位置する注入ポート１６０に接続されている。軽減供給システム１１８への酸素含有ガスの流れを制御するために、１つまたは複数のバルブ１１９が酸素含有ガス供給システム１２１と軽減試薬供給システム１１８との間の導管１５８に配置されてもよい。動作中に、バルブ１１６は、注入ポート１２４を介してプラズマ源１１０に軽減試薬または酸素含有ガスを注入するために開いている。バルブ１１９は、軽減試薬供給システム１１８の蒸気ヘッドスペース１６４に酸素含有ガスを注入するために開いている。酸素含有ガスは、軽減試薬供給システム１１８の蒸気ヘッドスペース１６０に加えられ、これによって軽減試薬供給システム１１８内部の圧力を増加させる。増加した圧力は、軽減試薬供給システム１１８における軽減試薬の沸騰を抑制する。したがって、酸素含有ガスは、導管１５０を介してプラズマ源１１０に流入し、いかなる軽減試薬もプラズマ源１１０に流入しない。バルブ１１６は、軽減試薬または酸素含有ガスのいずれかをプラズマ源１１０に流入させることができるように常に開いている。バルブ１１９は、酸素含有ガスを軽減試薬供給システム１１８およびプラズマ源１１０に流入させることができるように開いている。処理チャンバ１００および軽減システム１０２の残りの部分は、図１Ａに示す処理システムと同じであってもよい。
【００２３】
図２は、処理チャンバを出る廃水からＰＦＣまたはハロゲン含有化合物を軽減する方法２００の一実施形態を示す流れ図である。方法２００は、処理チャンバ１００などの処理チャンバからの廃水をプラズマ源１１０などのプラズマ源に流入させることによって、ブロック２０２で始まり、廃水がＰＦＣまたはハロゲン含有化合物（ＳｉＦ4など）を含む。ブロック２０４では、本方法は、注入ポート１０８または１２４などの注入ポートを介して、フォアライン１０６などのフォアラインまたはプラズマ源１１０などのプラズマ源のいずれかに軽減試薬を注入することによって続く。軽減試薬は、水蒸気であってもよく、軽減試薬供給システム１１８などの軽減試薬供給システムにおいて生成されてもよい。ブロック２０６では、本方法は、プラズマ源を用いてプラズマを形成することによって続き、廃水と軽減試薬とを反応させ励起して、廃水中のＰＦＣまたはハロゲン含有化合物を軽減された材料に変換する。一部の実施形態では、軽減試薬および／または廃水中に同伴される材料の少なくとも一部は、少なくとも部分的に解離される。廃水中のターゲット材料は、プラズマ源で形成された軽減試薬を含むプラズマが存在する状態で軽減された材料に変換される。次いで、廃水中の材料は、プラズマ源を出て、ポンプ１１２などのポンプに流入してもよく、および／またはさらに処理されてもよい。
【００２４】
ブロック２０４および２０６に記載された方法は、基板が処理チャンバ内で処理されているか、または処理チャンバが洗浄されているときに行われてもよい。例えば、ブロック２０４および２０６に記載された方法は、エッチングプロセスが処理チャンバ内の基板上で行われている間に行われてもよい。処理チャンバがアイドル状態にある場合、例えば、処理チャンバ内に配置された基板上でプロセスを実行していない場合、または処理チャンバの内外へ基板を移送している間、ブロック２０４および２０６に記載された方法は、停止されてもよい。したがって、ブロック２０８では、フォアラインまたはプラズマ源への軽減試薬の注入が停止される。
【００２５】
固体粒子は、軽減試薬と廃水とを反応させ励起する結果としてプラズマ源で形成されることがある。次に、ブロック２１０では、酸素含有ガスは、注入ポート、例えば、注入ポート１０７、１０８、１２４、もしくは１２６の１つまたは複数を介してフォアラインあるいはプラズマ源に注入される。酸素ガスまたはオゾンなどの酸素含有ガスは、酸素含有ガス供給システム１２１などの酸素含有ガス供給システムにおいて生成されてもよい。次に、ブロック２１２では、プラズマがプラズマ源で形成され、酸素含有ガスがプラズマ源で励起される。励起された酸素含有ガスは、プラズマ源およびプラズマ源の下流の装置での固体粒子の生成を低減させる、または回避する。
【００２６】
ブロック２１０および２１２に記載された方法は、処理チャンバがアイドル状態にある間、または処理チャンバ内部で基板を処理している間に行われてもよい。一例において、酸素含有ガスは、フォアラインまたはプラズマ源に注入された軽減試薬の停止後にフォアラインまたはプラズマ源に注入される。軽減試薬は、フォアラインまたはプラズマ源に注入されて、ＰＦＣまたはハロゲン含有化合物を軽減された材料に変換する。酸素含有ガスは、フォアラインまたはプラズマ源に注入されて、軽減試薬とＰＦＣもしくはハロゲン含有化合物とを反応させ励起することによって形成される固体粒子の生成を低減させる、または回避する。一例において、軽減試薬および酸素含有ガスは、フォアラインまたはプラズマ源に同時には注入されない。軽減試薬および酸素含有ガスは、異なる作業をより効率的に行うために、異なる時間にフォアラインまたはプラズマ源に注入される。
【００２７】
一例において、軽減試薬は、第１の期間にフォアラインまたはプラズマ源に注入され、酸素含有ガスは、第２の期間にフォアラインまたはプラズマ源に注入される。第１の期間は、第１の期間と第２の期間の合計の１０〜９０パーセントであってもよく、第２の期間は、第１の期間と第２の期間の合計の１０〜９０パーセントであってもよい。第１の期間と第２の期間は、重ならない。一例において、酸素含有ガスは、第１の期間に注入されず、一方、軽減試薬は、第２の期間に注入されない。あるいは、酸素含有ガスおよび軽減試薬の両方は、一方または両方の期間の間の遷移中に注入されてもよい。さらに別の実施形態では、軽減試薬は、両方の期間に注入されてもよいが、酸素含有ガスは、第２の期間にのみ注入される。一部の実施形態では、第２の期間は、処理チャンバ内部で基板を処理している間に発生することがあるが、他の実施形態では、第２の期間は、処理チャンバのアイドル時間中に発生する。一実施形態において、第１の期間は、第１の期間と第２の期間の合計の７５パーセントであり、第２の期間は、第１の期間と第２の期間の合計の２５パーセントである。第１の期間および第２の期間における時間量は、システムコントローラ１２０によって制御されてもよい。
【００２８】
前述の事項は、開示されたデバイス、方法およびシステムの実施形態を対象としているが、開示されたデバイス、方法およびシステムの他のならびにさらなる実施形態がその基本的な範囲から逸脱せずに考案されてもよく、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図１Ａ】
2019514223.tif 000003
【図１Ｂ】
2019514223.tif 000004
【図１Ｃ】
2019514223.tif 000005
【図１Ｄ】
2019514223.tif 000006
【図１Ｅ】
2019514223.tif 000007
【図１Ｆ】
2019514223.tif 000008
【図２】
2019514223.tif 000009
【国際調査報告】
2019514223.tif 000010
2019514223.tif 000011