(57)【要約】  本発明は、マグネトロンスパッタリング、イオン処理、熱蒸着、電子ビーム蒸着を含むスパッタリングにおけるイオン化の強化を目的とする、プラズマデバイスにおける電子放出および輸送の生成および制御に関する。問題のデバイスは、電子放出エレメントの周りに強い電界が生成されるカソードエレメント上で、スパッタリングと強化電子放出とを組み合わせる。さらに、この電界領域は、ほぼゼロ強度および／または磁気ミラー特性の磁気閉込め空間内にある。電子放出領域は、永久モードまたはパルスで生成されるモードの何れかである可能性もある、誘導磁場抽出磁場経路も含む。また、本発明は、反応プロセスおよびコーティング堆積イオン衝撃管理にも関する。また、本発明は、フィードバック制御システムにおける本デバイスの使用法、これらのデバイスを用いる製造プロセスおよび方法にも関し、かつ本発明によって処理される材料およびコンポーネントも本発明の一部である。
2019512052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コータであって、
蒸気供給源と、
前記蒸気供給源に隣接するが前記蒸気供給源から離間して位置決めされた熱イオンエミッタと、
前記熱イオンエミッタに対して前記蒸気供給源とは反対側に位置決めされたアノードと、
使用時に、前記アノードに対して前記熱イオンエミッタを負にバイアスするように構成されたバイアス手段と、
使用時に磁場を生成するように構成された磁気手段と
を備え、
前記磁場は、
前記熱イオンエミッタの周りの磁場強度が低い領域と、
前記蒸気供給源と前記アノードとの間に延在する磁場領域と
を含み、それにより、使用時に、前記熱イオンエミッタにより放出される電子は、前記蒸気供給源と相互作用して前記蒸気供給源から蒸気を放出させ、かつ前記蒸気供給源から前記蒸気を少なくとも部分的にイオン化させ、これにより少なくとも部分的にイオン化された蒸気束が形成され、
前記電子は、前記アノードに引き付けられ、これにより、前記アノードに向かって電子束が形成され、前記電子束は、前記蒸気供給源と前記アノードとの間に延在する磁場領域内に少なくとも部分的に閉じ込められ、
前記結果的に生じる少なくとも部分的に閉じ込められた電子束は、前記少なくとも部分的にイオン化された蒸気束と相互作用して、後者を前記アノードに向かう方向へ、好ましくは前記蒸気供給源と前記アノードとの間に延在する前記磁場領域に対応する経路に沿って誘導するようになっている、コータ。
【請求項２】
前記磁場は、磁場トラップを含む、請求項１に記載のコータ。
【請求項３】
前記磁場は、磁場強度が比較的高い領域によって境界をつけられる、非常に低い、ゼロに近い、またはゼロである磁場強度を有する磁気閉込め領域を含む、請求項１または２に記載のコータ。
【請求項４】
磁場強度が比較的高い前記領域は、前記磁気閉込め領域の周りにプラズマトラップを形成し、これにより、前記電子束、延ては前記少なくとも部分的にイオン化された蒸気束がこれに進入することが抑止または防止される、請求項２に従属する請求項３に記載のコータ。
【請求項５】
前記磁場は、電子磁気ミラーを含むか、または形成する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項６】
前記電子磁気ミラーは、使用時に比較的高密度の磁場領域からの前記電子束の電子を比較的低密度の磁場領域に向かって偏向するように構成される少なくとも１つの磁石を備える、請求項５に記載のコータ。
【請求項７】
前記電子磁気ミラーは、前記電子束の電子の方向を、実質的に前記蒸気供給源への向きから実質的に前記アノードへの向きに反転するように構成される、請求項６に記載のコータ。
【請求項８】
前記熱イオンエミッタの周りの磁場強度が低い前記領域は、非常に低い、ゼロに近い、またはゼロである磁場強度を有する磁気閉込め領域を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項９】
前記熱イオンエミッタの周りの磁場強度が低い前記領域は、磁場強度が低い、ゼロに近い、またはゼロである領域を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１０】
前記蒸気供給源と前記アノードとの間に延在する磁場領域は、磁場強度が低い、ゼロに近い、またはゼロの領域である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１１】
前記蒸気供給源と前記アノードとの間に延在する前記磁場領域は、前記熱イオンエミッタの周りの磁場強度が低い前記領域の前記磁場強度より磁場強度が比較的高い領域である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１２】
前記熱イオンエミッタは、前記アノードに対してカソード的である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１３】
前記バイアス手段は、使用時に前記熱イオンエミッタを前記アノードに対して負にバイアスし、これにより、前記熱イオンエミッタと前記アノードとの間に電界を生成するように構成される、請求項１２に記載のコータ。
【請求項１４】
前記熱イオンエミッタは、加熱されると電子を放出するデバイスを備える、請求項１〜１３に記載のコータ。
【請求項１５】
前記熱イオンエミッタは、フィラメントを備える、請求項１４に記載のコータ。
【請求項１６】
前記フィラメントは、前記フィラメントに電流を通すことにより加熱される、請求項１５に記載のコータ。
【請求項１７】
フィラメントは、耐熱材料で製造される、請求項１５または１６に記載のコータ。
【請求項１８】
前記耐熱材料には、タングステン、硼化物、ＺｒＢ２、ＴｉＢ２、ＦｅＣｒＡｌ合金、モリブデン、ケイ化物、ＭｏＳｉ２、炭化物およびＳｉＣから成るグループのうちの何れか１つまたは２以上が含まれる、請求項１７に記載のコータ。
【請求項１９】
前記蒸気供給源は、基板上へ被覆されるべき材料から製造されるターゲットを含む、請求項１〜１８の何いずれか１項に記載のコータ。
【請求項２０】
前記蒸気供給源は、基板上へ被覆されるべき材料を含むるつぼを備える、請求項１〜１９のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項２１】
前記蒸気供給源から蒸気を放出させる、前記熱イオンエミッタにより放出される電子と前記蒸気供給源との間の相互作用には、熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、ガス注入および蒸気注入から成るグループのうちの何れか１つまたは２以上が含まれる、請求項１〜２０のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項２２】
前記蒸気束は、分子の蒸気、原子の蒸気および化合物の蒸気から成るグループのうちの何れか１つまたは２以上である材料の蒸気を含む、請求項１〜２１のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項２３】
前記バイアス手段は、前記アノードおよび前記熱イオンエミッタへ作動的に接続される電源を備える、請求項１〜２２のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項２４】
前記電源は、ＤＣ電源、高電圧ＤＣ電源およびＡＣ電源から成るグループのうちの何れか１つまたは２以上を備える、請求項２３に記載のコータ。
【請求項２５】
前記熱イオンエミッタに対して前記蒸気供給源の反対側に位置決めされた電極をさらに備える、請求項１〜２４のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項２６】
前記電極は、前記熱イオンエミッタに対してカソード的である、請求項２５に記載のコータ。
【請求項２７】
前記電極は、前記熱イオンエミッタに対してアノード的である、請求項２５に記載のコータ。
【請求項２８】
蒸発されるべき材料の供給源から蒸発される材料の束によって被覆されるべき基板を保持するための手段をさらに備える、請求項１〜２７のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項２９】
前記保持するための手段には、固定式基板ホルダ、可動基板ホルダ、直動式基板ホルダ、回転移動式基板ホルダ、カルーセルおよび多軸カルーセルから成るグループのうちの何れか１つまたは２以上が含まれる、請求項２８に記載のコータ。
【請求項３０】
二次材料の束を前記基板に向かって放出する、蒸発されるべき前記二次材料の二次源をさらに備える、請求項２８または２８に記載のコータ。
【請求項３１】
蒸発器を取り囲むハウジングをさらに備える、請求項１〜３０のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項３２】
前記ハウジング内の雰囲気を制御するための雰囲気制御手段をさらに備える、請求項３１に記載のコータ。
【請求項３３】
前記雰囲気制御手段は、前記ハウジングを少なくとも部分的に排気するための真空ポンプを備える、請求項３２に記載のコータ。
【請求項３４】
前記雰囲気制御手段は、前記ハウジングにプロセスガスを少なくとも部分的に充填するためのガス送出システムを備える、請求項３２または３３に記載のコータ。
【請求項３５】
前記プロセスガスは、非不活性ガスを含む、請求項３４に記載のコータ。
【請求項３６】
前記プロセスガスは、Ｏ２またはＮ２を含む、請求項３５に記載のコータ。
【請求項３７】
前記磁気手段は、１つまたは複数の永久磁石を含む、請求項１〜３６のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項３８】
前記磁気手段は、１つまたは複数の電磁石を含む、請求項１〜３７のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項３９】
前記磁気手段は、使用時に磁場の形状を変更する１つまたは複数の強磁性元素を含む、請求項１〜３８のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項４０】
請求項１〜３９のいずれか１項に記載のコータを複数備えるシステムであって、複数の前記コータは、それらの個々の蒸気供給源とそれらの個々のアノードとの間に延在するそれらの個々の磁場領域が収束するように配置される、システム。
【請求項４１】
複数の前記コータのうちの１つまたは２以上によって共有される共通アノードを備える、請求項４０に記載のシステム。
【請求項４２】
使用時に前記複数のコータの前記個々の磁場の形状を変更するように構成された補助磁気手段をさらに備える、請求項４０または４１に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン化増強デバイスであり得るコータに関する。具体的には、本発明は、スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、イオン処理の変形、熱蒸着、昇華堆積、電子ビーム蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）およびプラズマアシスト化学蒸着（ＰＡＣＶＤ）におけるイオン化の強化を目的とする、プラズマデバイスにおける電子放出および輸送の生成および制御に関するが、これに限定されるものではない。
【０００２】
本発明は、所定の実施形態において、ホットエレメントの周りに強い電界が生成されるホット・カソード・エレメント上で、スパッタリングと強化電子放出とを組み合わせる。さらに、この電界領域は、ほぼゼロ強度および／または磁気ミラー特性の磁気閉込め空間内にある。ホット・カソード・エレメントの電子放出領域は、一定／連続的／永久的であるか、パルスで生成される（パルスモード）かの何れかである可能性もある、誘導磁場抽出磁場経路を含む可能性もある。
【０００３】
また、本発明は、反応プロセスおよびコーティング堆積イオン衝撃管理に関連し得る。また、本発明は、フィードバック制御システムにおける本デバイスの使用法、これらのデバイスを用いる製造プロセスおよび方法にも関連する場合があり、かつ本発明によって処理される材料およびコンポーネントも本発明の一部である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
導体から真空内への電子放出は、導体上の高温および高い負電圧によって刺激されることが知られている。高い電子電流は、るつぼ内の材料から電子ビーム蒸着を生成するように管理される可能性もある。これらの高温導電体のファミリは、熱フィラメントをベースとしていて、導線の断面が小さいことにより、高温要件が比較的低い電流で容易に達成される。熱フィラメントは、化学蒸着（熱フィラメントＣＶＤ）、および熱フィラメントイオン化強化電子ビーム蒸着等の蒸着材料のイオン化の強化において広範に使用されてきている。熱フィラメントＣＶＤの場合、熱フィラメント自体は、如何なる電子放出をも目的としてバイアスされることはなく、どちらかと言えば、化学反応およびコーティング堆積を助ける熱分子分解装置として作用する。電子ビーム蒸着に関しては、追加バイアスされた熱フィラメントによる支援は、プロセスへの電子注入を提供することになる。放電の性質上、この放出は、どの特定の方向にも閉じ込められず、または導かれない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
しかしながら、磁気、電気およびプラズマ衝突による本発明は、閉込め、イオン化および電子およびイオン誘導の提供と同時に、熱フィラメント等のホットエレメントの電子放出を強化し得る。本発明は、他の真空蒸着技術と組み合わせて使用される可能性もある。さらに、閉込めの度合い、および他の材料との相互作用は、本発明に従って変更される可能性もある。
【０００６】
また、本発明は、プレーナ型、円筒型、回転式および他の任意タイプのスパッタリングカソード技術のための電子発生、閉込めおよび誘導のエレメントの使用法にも関する。
【０００７】
また、本発明は、反応プロセスおよび非反応プロセスにおける電子発生、閉込めおよび誘導のエレメントの使用法にも関する。反応プロセスは、Ｏ２またはＮ２等の、但しこれらに限定されない非不活性ガスの存在を関与させるプロセスである。
【０００８】
本発明の様々な態様は、添付の独立請求項に記載されている。本発明の様々な好ましい、適切な、または任意選択の特徴は、添付の従属請求項に記載されている。
【０００９】
本発明の一態様によれば、電子注入イオン化増強デバイスが提供される。電子放出は、イオン衝撃下で二次電子放出を提供することができるカソードエレメント（本明細書では、熱イオンエミッタとも称する）から供給されることが可能である。カソードエレメントは、典型的には耐熱性（高融点）であって、蒸気圧が極めて低くかつスパッタリング収率が低い真空状態において高温で動作することができ、同時に、イオン衝撃状態の間に著しい二次電子放出を有する。材料は、タングステン、ＺｒＢ２、ＴｉＢ２等の硼化物、である可能性もあるが、この限りではない。本発明の所定の態様によれば、カソードエレメントは、ゼロまたはほぼゼロの強度を有する磁場閉込め領域に置かれる。このほぼゼロの閉込めは、適切には、カソードエレメントの低いスパッタリング劣化を可能にする。さらに、電磁ミラーリングおよび磁場誘導を有する磁場保持容量は、電子が略閉じ込められかつイオン化衝突が生じる電子リッチな領域を作り出す可能性もある。閉込めに加えて、電子脱出経路、または優先電子脱出経路も、本発明の一部である可能性もある。電子脱出経路は、イオン脱出を提供してもよい。電子をコーティングエレメントと接触するように誘導することにより、好ましくは、種のイオン化またはプラズマ活性化が生じる。
【００１０】
本発明の別の態様によれば、コータが提供されていて、本コータは、蒸気供給源と、蒸気供給源に隣接して、但し蒸気供給源から離間して位置決めされる熱イオンエミッタと、蒸気供給源とは反対側の熱イオンエミッタに位置決めされるアノードと、使用時に、アノードに対して熱イオンエミッタを負にバイアスするように構成されたバイアス手段と、使用時に磁場を生成するように構成された磁気手段と、を備え、前記磁場は、熱イオンエミッタの周りの磁場強度が低い領域と、蒸気供給源とアノードとの間に延在する磁場領域とを含み、よって、使用時に、熱イオンエミッタにより放出される電子は、蒸気供給源と相互作用して蒸気供給源から蒸気を放出させ、かつ蒸気供給源から蒸気を少なくとも部分的にイオン化させ、これにより少なくとも部分的にイオン化された蒸気束が形成され、かつ前記電子は、アノードに引き付けられ、これにより、アノードに向かって電子束が形成され、前記電子束は、蒸気供給源とアノードとの間に延在する磁場領域内に少なくとも部分的に閉じ込められ、かつ結果的に生じる少なくとも部分的に閉じ込められた電子束は、少なくとも部分的にイオン化された蒸気束と相互作用して、後者をアノードに向かう方向へ、かつ好ましくは蒸気供給源とアノードとの間に延在する磁場領域に対応する経路に沿って誘導する。
【００１１】
ある点において、本発明の結果は、好ましくは、改良された、かつ／または代替的なコータであって、イオン化された材料の束の指向性を、これを蒸気供給源とアノードとの間に延在する磁場領域を介して導くことにより高める。
【００１２】
蒸気供給源とアノードとの間に延在する磁場領域は、好ましくは、蒸気供給源とアノードとの間に延在する磁場強度が低い、ゼロに近い、またはゼロである領域であり、この場合、本発明の結果は、最も好ましくは、イオン化された材料の束の指向性を、これを蒸気供給源とアノードとの間に延在する磁場強度の低い領域を介して導くことにより高める、改良された、かつ／または代替的なコータである。
【００１３】
適切には、蒸気束は、分子蒸気、原子蒸気、化合物蒸気、他であり得る、但しこれらに限定されない材料の蒸気を含み、前記材料は、蒸気供給源から気化／蒸発される。蒸気供給源は、基板を被覆することが望まれる材料から製造されるターゲットであることが可能である。蒸気供給源は、所定の実施形態では、基板上へ被覆されるべき材料を含むるつぼの形をとってもよい。材料蒸気は、適切には、熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、ガスまたは蒸気注入等の適切な手段によって供給される。
【００１４】
熱イオンエミッタは、アノードに対してカソード的であり、かつバイアス手段は、好ましくは、使用時に熱イオンエミッタ（カソード）をアノードに対して負にバイアスし、これにより、熱イオンエミッタ（カソード）とアノードとの間に電界を生成するように構成される。
【００１５】
好ましくは、磁場は磁場トラップを含む。好ましくは、磁場、および／または供給されるべき材料の供給源とアノードとの間に延在する磁場領域は、電子ミラーを含む、または形成する。本開示のコンテキストにおいて、「磁気ミラー」は、磁場を用いて、少なくとも部分的にイオン化された蒸気束および／または電子束（合わせて、または個々でプラズマであってもよい）を捕捉できる、一種の磁気閉込めデバイスである。磁場は、適切には、磁場（すなわち、その磁力線）が荷電粒子を高密度磁場領域から低密度磁場領域へ反射するように構成される。磁気ミラーの動作は、熟練者たる読者にはよく理解されるであろうが、動作の原理は、ある磁場領域内で移動する荷電粒子が、それを磁力線に沿った螺旋経路で運動させるローレンツ力を受ける、という類のものである。荷電粒子が磁場勾配を介して動くにつれて、磁場の半径方向成分と粒子の方位角運動との組み合わせにより、磁場勾配に逆らって磁場強度が低い方向に向かう力が生じる。荷電粒子を反射し、よってこれを減速させ、かつ所定の事例では、方向を逆転させるのは、この力である。
【００１６】
したがって、本発明は、熱イオンエミッタが、イオン化しかつイオンを基板領域へと誘導するために必要な電場を自己生成することができるような磁気閉込め領域において蒸気供給源とカソードとの間に位置決めされる限り、既存のコータおよび／または電子ビーム蒸着器とは異なる。
【００１７】
従来の考え方によれば、実際にコータ内部に置かれた熱イオンエミッタは、既知のコータ内での動作条件に起因してかなりの融蝕／浸蝕／摩耗を受け易くなることから、本発明は、禁忌である。また、電子放出は、より低いイオン化度による捕捉に欠ける。しかしながら、本発明において、熱イオンエミッタは、低磁場強度の領域内に位置決めされることから、磁場によるスパッタ浸蝕から効果的に保護され、これにより、熱イオンエミッタの強いイオン衝突が低減され、延ては、熱イオンエミッタの過度の摩耗または早期故障が低減され、またはなくされる。
【００１８】
熱イオン放出は、電子が、通常は真空条件下で熱カソードから放出されるプロセスである。この現象は、熱電子放出または「エジソン効果」としても知られる。本開示のコンテキストにおいて、「熱イオンエミッタ」という用語は、加熱されると電子を放出するあらゆるデバイスであるとして解釈されるべきである。適切には、熱イオンエミッタは、例えば電流を流すことによって加熱されることが可能なフィラメントを含む。適切には、熱イオンエミッタは、好ましくはタングステン、ＦｅＣｒＡｌ合金、モリブデン、ケイ化物（例えば、ＭｏＳｉ２）、炭化物（例えば、ＳｉＣ）または硼化物（例えば、ＺｒＢ２またはＴｉＢ２）等の耐熱材料で製造されるフィラメントを含む。
【００１９】
本開示のコンテキストにおいて、熱イオンエミッタの周りの磁場強度が低い領域は、適切には、磁場強度が非常に低い、ゼロに近い、またはゼロである磁気閉込め領域を含む。同様に、蒸気供給源とアノードとの間に延在する磁場強度が低い領域は、適切には、磁場強度が低い、ゼロに近い、またはゼロである領域より強い磁場強度を有する電子ミラー磁気閉込めの領域を含む。
【００２０】
本発明の好ましい実施形態において、１つまたは複数の磁気閉込め領域は、これらの磁気閉込め領域の周りに１つまたは複数の「プラズマトラップ」を形成し得る磁場強度が比較的高い１つまたは複数の領域によって境界をつけられる。適切には、この構成は、閉込め領域に隣接する「バリア」を生成し、これにより、電子束、およびその際に電子の運動により材料蒸気の供給から誘発される電界を辿るイオン化された材料蒸気が、閉込め領域へ入ることが抑止または防止される。
【００２１】
バイアス手段は、アノードおよび熱イオンエミッタへ作動的に接続される電源を備えてもよい。電源は、低電圧ＤＣ電源、高電圧ＤＣ電源、ＡＣ電源、他等の、あらゆるタイプのものが使用されてもよい。印加される電圧または結果的に生じる電流／電界の大きさ、周波数、位相、パルス持続時間、他等の様々な電源パラメータは、場合により、手動または自動の何れかで変更されることが可能である。
【００２２】
また、熱イオンエミッタとは反対側の蒸気供給源に位置決めされることが可能な追加の電極も設けられてもよい。追加の電極が設けられる場合、これは、適切には、プラズマ放電および／または電子放出および／またはイオン化粒子および／または中性粒子を持続するように設計／構成される。これらの粒子の少なくとも一部は、好ましくは、約５ｅＶを超えるエネルギーを有してもよい。追加の電極は、静的である可能性も、動的である可能性もあり、かつ異なる幾何学的形状である可能性もあり、例えば、平坦なターゲットまたは管状／円筒形である可能性もある。
【００２３】
蒸発器を用いて基板を被覆するためには、適切には、基板を保持するための手段が設けられる。これは、固定式基板ホルダ、可動基板ホルダ、直動式基板ホルダ、回転移動式基板ホルダ、カルーセル、多軸カルーセル等のあらゆる適切な形状をとってもよい。
【００２４】
コーティングプロセスを改良、変更または強化するために、蒸発器は、二次蒸気供給源（蒸発されるべき二次材料のソース）をさらに備えてもよく、これは、二次材料の束を基板へと放出するように配置されることが可能である。
【００２５】
蒸発器は、好ましくは、真空または部分真空内、および／または１つまたは複数の反応性または非反応性ガスが存在する、等の制御された雰囲気内で作動される。したがって、蒸発器を囲むハウジングが設けられてもよく、これもまた、所定の実施形態において、ハウジング内の雰囲気を制御するための雰囲気制御手段を含んでもよい。雰囲気制御手段は、ハウジングをプロセスガスで少なくとも部分的に充填するために、ハウジングおよび／またはガス送出システムを少なくとも部分的に排気するための真空ポンプを備える可能性もある。適切には、プロセスガスは、Ｏ２またはＮ２等の非不活性ガスである。
【００２６】
磁気手段は、適切なあらゆるタイプであってもよいが、所定の実施形態において、磁気手段は、１つまたは複数の永久磁石を備える。代替的または追加的に、磁気手段は、１つまたは複数の電磁石を備えてもよい。代替的または追加的に、磁気手段は、使用時に磁場の形状を変更する１つまたは複数の強磁性元素を含んでもよい。
【００２７】
以後の説明から理解されるように、本発明は、本明細書に記載の複数の蒸発器を備えるシステムに組み込まれる可能性もある。適切には、複数の蒸発器は、蒸発されるべき材料のその個々の供給源とその個々のアノードとの間に延在するその個々の磁場強度が低い領域が空間における交点で収束しかつ／または重なり合いかつ／または出合うように配置される。所定の実施形態では、複数の蒸発器のうちの１つまたはそれ以上により共有される共通アノードが設けられる。さらに、使用時に複数の蒸発器の個々の磁場の形状を変更するように構成された補助磁気手段が設けられてもよい。
【００２８】
本発明の実施形態のうちの１つにおいて、電子注入、閉込め、イオン化、衝突および誘導を担うエレメントは、注入、閉込め、イオン化、衝突およびプラズマ誘導の性質を、プラズマ特性およびコーティングエレメントとのプラズマ相互作用における異なる制御度を変更可能であるような方法で変える可能性もある。
【００２９】
また、本発明の別の部分において、本発明は、このタイプの電子注入およびイオン化増強デバイスを用いるフィードバック制御システムにも関する。
【００３０】
また、本発明の別の部分において、本発明は、１つまたは複数のこれらの電子放出および閉込めデバイスの使用法にも関する。
【００３１】
本発明は、平坦および／または円筒形の回転式カソードに関する可能性もある。
【００３２】
本発明の他の実施形態において、電子注入エレメントは、コーティングエレメントの閉込め内に、または閉込めの外側に統合される可能性もある
【００３３】
また、本発明は、これらの閉込め電子放出イオンデバイスを用いる方法によって製造される材料、コンポーネントおよびデバイスにも関する。
【００３４】
以下の図面を参照して、本発明を、単なる例としてさらに説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】電子ビーム蒸着に基づく既知の真空蒸着システムを示す略図である。
【図２】本発明の実施形態を示す略図である。
【図３】本発明の実施形態を示す略図である。
【図４】本発明の実施形態を示す略図である。
【図５】本発明の実施形態を示す略図である。
【図６】本発明の実施形態を示す略図である。
【図７】本発明の実施形態を示す略図である。
【図８】本発明の実施形態を示す略図である。
【図９】本発明の実施形態を示す略図である。
【図１０】本発明の実施形態を示す略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
図面の簡単な説明
図面を参照すると、図１は、先行技術に記載されているような電子ビーム蒸着に基づく真空蒸着システムの略図を示す。本例において、デバイス１は、電子ビーム放出を生み出すことができるホットエレメント２を含み、これは、磁場３（図中では、等しい磁場強度の点を結ぶ磁力線の集合により示す）を介し、経路４を通って誘導される。経路４は、電子ビームを、衝撃下で加熱する材料５ａを含むるつぼ６ａに向かって誘導する。加熱ゾーン７は、材料を昇華／蒸発させる。蒸発した材料８ａは、移動方向を辿り、その一部は、カソードのホットエレメント９が適切な電源１１によりアノード１０に対する差動電圧で負にバイアスされる空間を越える。カソードのホットエレメント９ａの電子放出は、磁場３からの距離が十分に存在すれば、略等方性である。蒸発した元素および／またはガス粒子と電子との間の衝突は、真空中に、種のある程度のイオン化を生じさせる。
【００３７】
以下で明らかにする他の図は、本発明によるコータの様々な異なる実施形態／バージョン／変形例に関する。
【００３８】
図２は、本発明によるコータを示す略図である。電子放出およびプラズマを制御することができるデバイス１３が開示されている。このようなデバイスにおいて、熱イオンエミッタであるカソードエレメント９は、部分的に排気された雰囲気内に、かつ磁場閉込め領域１６ａ内に置かれる。熱イオンエミッタ９は、適切な電源１１を介してアノードエレメント１０に対して負にバイアスされる。熱イオンエミッタ９により放出された電子は、磁場（図中では、等しい磁場強度の点を結ぶ磁力線の集合により示す）２１および１５および負にバイアスされたエレメント１７によって略捕捉される。
【００３９】
さらに、磁場トラップ２１は、磁気手段１４によって変えられる可能性もある。さらに、エレメント１７に対するバイアシングは、プラズマ放電および／または電子放出および／またはイオン化粒子および／または中性粒子を、これらの粒子のうちの少なくとも一部が５ｅＶ超のエネルギーを有する状態で持続するために使用される可能性もある。
【００４０】
熱イオンエミッタ９の周りの電子閉込めは、電子が、磁力線１５により生成される誘導経路１６ｂを介してアノード１０に向かって導かれる類のものである。真空中に存在する電子とガスおよび／または他の元素および／または分子粒子８ｂとの衝突は、通常、ある程度のイオン化をもたらす。イオン化された粒子は、電子の流れによりアノードへ向かって誘導され、主たるイオン化束１２ａを生成する。他のイオン化された粒子は、主としてこのプロセス中に発生するエネルギーおよび運動量保存および衝突に基づいて、矢印１２ｂ−１２ｃが示す方向等の異なる分配タイプを辿る可能性もある。
【００４１】
当然ながら、変形例も可能であって、例えば、エレメント１７は、静的である可能性も動的である可能性もあり、かつ異なる幾何学的形状である可能性もあるが、例えばこれは、図２におけるもののような平坦なターゲットである可能性もあれば、図９および１０のもののような本質的に回転可能な円筒形である可能性もある。
【００４２】
図３は、本発明の別の実施形態を示す略図である。図３の実施形態を図２のそれと比較すると、このデバイスは、１３内に磁気エレメント１４の異なる設定点で含まれる磁気手段により誘導される異なる磁場を示している。
【００４３】
デバイス１３は、電子放出およびプラズマ投射を制御することができる。
【００４４】
このようなデバイスにおいて、熱イオンエミッタ９は、部分的に排気された雰囲気内に、かつ閉込めが全くない、またはほとんどない磁場領域内に置かれる。熱イオンエミッタ９により放出される電子は、磁力線１５により生成されるチャネリング経路１６ｂにより、アノードエレメント１０に向かって誘導される。
【００４５】
熱イオンエミッタ９は、適切な電源１１を介してアノードエレメント１０に対して負にバイアスされる。負にバイアスされたエレメント１７は、電子放出を増強するために使用される可能性もある。さらに、磁場トラップ２１は、磁気手段１４によって変えられる可能性もある。
【００４６】
さらに、エレメント１７に対するバイアシングは、プラズマ放電および／または電子放出および／またはイオン化粒子および／または中性粒子を、これらの粒子のうちの少なくとも一部が５ｅＶ超のエネルギーを有する状態で持続することができる可能性もある。
【００４７】
図３の実施形態では、電子が、負にバイアスされたエレメント１７から磁力線１５を介して跳ね返され、かつ領域１６ｂを介してアノード１０へと導かれることから、熱イオンエミッタ９の周りに大きな電子の閉込めは存在しない。
【００４８】
真空内に存在する電子とガスおよび／または他の元素および／または分子粒子８ｂとの衝突は、ある程度のイオン化を生じさせ、かつイオン化された粒子は、電子の流れによりアノードへと誘導される。
【００４９】
閉込めがないことにより、結果として生じる方向１２ａのイオン化束の度合いは、図２のそれより小さい。他のイオン化された粒子は、主としてこのプロセス中に発生するエネルギーおよび運動量保存および衝突に基づいて、方向１２ｂ−１２ｃ等の異なる分配タイプを辿る可能性もある。
【００５０】
図４は、本発明の別の実施形態を示す略図であり、この場合、部分的に排気された雰囲気内に蒸発束８ｃを生成するエレメント５ｃを含む別のコーティングエレメント６ｃの存在下に、同じく図２および図３に記述しているようなデバイスが存在する。
【００５１】
この実施形態において、コーティング、イオン化および制御デバイス１３は、電子放出およびプラズマを制御することができる。このようなデバイスにおいて、熱イオンエミッタ９は、磁場閉込め領域１６ａ内に置かれる。熱イオンエミッタ９は、適切な電源１１を介してアノードエレメント１０に対して負にバイアスされる。
【００５２】
熱イオンエミッタ９により放出された電子は、磁力線２１および１５および負にバイアスされたエレメント１７によって略捕捉される。さらに、磁場トラップ２１は、磁気手段１４によって変えられる可能性もある。
【００５３】
さらに、エレメント１７に対するバイアシングは、プラズマ放電および／または電子放出および／またはイオン化粒子および／または中性粒子を、これらの粒子のうちの少なくとも一部が５ｅＶ超のエネルギーを有する状態で持続することができる可能性もある。熱イオンエミッタ９の周りの電子閉込めは、電子が、磁力線１５により生成される誘導経路１６ｂを介してアノード１０に向かって導かれる類のものである。
【００５４】
エレメント１７は、かなりの量の気相スパッタリング束８ｄが生成されるような方法でバイアスされる。真空内に存在する電子とガスおよび／または他の元素および／または分子粒子８ｄとの衝突は、ある程度のイオン化を生じさせ、かつイオン化された粒子は、電子の流れによりアノードへと誘導され、主たるイオン化束１２ａが生成される。他のイオン化された粒子は、このプロセス中に発生するエネルギーおよび運動量保存および衝突に基づいて、異なる分配タイプを辿る可能性もある。この実施形態において、流束１２ａおよび８ｃは、粒子を堆積ゾーンへ運ぶことができ、基板キャリア１８および／またはスピンドル１９は、この堆積ゾーンにおいて、回転に伴ってコーティングされる可能性もある。
【００５５】
図５は、本発明の別の実施形態を示す略図であって、この場合、２つのコータ（これまでに述べたもの等）１３ａおよび１３ｂは、基板エレメント１８および１９の回転に伴ってこれらを覆う広い領域に渡り増強された電子閉込めを生成することができるような磁気相互作用を有する。
【００５６】
コータ１３ａおよび１３ｂは、本実施形態において、電子放出およびプラズマを制御することができる。
【００５７】
このようなデバイスにおいて、個々の熱イオンエミッタ９ａおよび９ｂは、個々の磁場閉込め領域１６ａｂおよび１６ａｂ内に置かれる。熱イオンエミッタ９ａおよび９ｂは、各々、電源１１ａおよび１１ｂにより、略中心に置かれるバイアスされたアノードエレメント１０に対してバイアスされる。
【００５８】
熱イオンエミッタ９ａおよび９ｂにより放出された電子は、磁力線２１ａ−ｂおよび１５ａ−ｂおよび負にバイアスされたエレメント１７ａ−ｂによって略捕捉される。適切には、エレメント１７ａ−ｂに対するバイアシングは、プラズマ放電および／または電子放出および／またはイオン化粒子および／または中性粒子を、これらの粒子のうちの少なくとも一部が５ｅＶ超のエネルギーを有する状態で持続することができる可能性もある。
【００５９】
熱イオンエミッタ９ａ−ｂの周りの電子閉込めは、電子が、磁力線１５ａ−ｂにより生成される誘導経路１６ｂを介してアノード１０に向かって導かれる類のものである。先に説明した実施形態と同様に、イオン化された粒子は、電子の流れによりアノードへと誘導され、主たるイオン化束１２ａａおよび１２ａｂが生成される。基板キャリアエレメント１８および／またはスピンドルエレメント１９は、回転に伴ってコーティングされる可能性もある。
【００６０】
図６は、本発明の別の実施形態を示す略図であり、この場合、図５を参照して先に述べたような２つのコータ１３ａおよび１３ｂが、他のコーティングエレメント２２ａａ、２２ａｂ、２２ｂａおよび２２ｂｂと組み合わされる。
【００６１】
この実施形態において、磁気相互作用は、磁気リンク１５ｘが、基板エレメント１８および１９上に磁気閉込め領域を生成する異なる磁気エレメント間に確立される類のものである。
【００６２】
コータ１３ａおよび１３ｂは、本実施形態において、電子放出およびプラズマを制御することができる。このようなデバイスにおいて、個々の熱イオンエミッタ９ａおよび９ｂは、個々の磁場閉込め領域１６ａｂおよび１６ａｂ内に置かれる。熱イオンエミッタ９ａおよび９ｂは、各々、電源１１ａおよび１１ｂにより、略中心に置かれるバイアスされたアノードエレメント１０に対してバイアスされる。カソードエレメント／熱イオンエミッタ９ａおよび９ｂにより放出された電子は、磁力線と、磁力線およびチャネル１５ａ、１５ｂ、１６ｂａおよび１６ｂｂを介して基板エレメント１８および１９へ向かうチャネルとによって略捕捉される。
【００６３】
先に説明した実施形態と同様に、イオン化された粒子は、電子の流れによりアノードへと誘導され、基板へ向かって主たるイオン化束が生成される。さらに、この図６の場合のようにスパッタリング条件トラップの生成を担う個々のトラップされたプラズマ磁力線２３を有するマグネトロンスパッタリング源等のコーティングユニットは、基板キャリアエレメント１８および／またはスピンドルエレメント１９の回転に伴ってこれらのエレメントへコーティングをもたらす。
【００６４】
図７は、本発明の別の実施形態を示す略図であり、図６で説明した実施形態に類似しているが、この場合、イオン化エレメントの一方が、イオン化デバイス１３ａへ磁気的にリンクする追加的なコーティングエレメント２０ｂｃで置き換えられている。
【００６５】
図５に関連して先に述べた実施形態の場合のように、コーティングエレメント２２ａａ、２２ａｂ、２２ｂａおよび２２ｂｂは、磁気リンクが、基板エレメント１８および１９の回転に伴ってこれらのエレメントを覆う電子閉込め線１５ｘをもたらすように配置される。
【００６６】
コータ１３ａは、本実施形態において、電子放出およびプラズマを制御することができる。このようなデバイスにおいて、熱イオンエミッタ９ａは、磁場閉込めおよび誘導領域１６ｂａ内に置かれる。アノードエレメント１０ｂａ、１０ｂｂは、熱イオンエミッタ９ａを介して注入される電子が、アノードエレメント１０ｂａおよび１０ｂｂに向かって移動する際に基板ゾーンにおける進路に沿ってイオン化をもたらすような方法で、堆積システム内へ中心を外して置かれる（実質的に中心でない）。
【００６７】
さらに、この実施形態のマグネトロンスパッタリング源等のコーティングユニットは、スパッタリング条件トラップの生成を担う個々のトラップされたプラズマ磁力線２３を提示する。これは、スパッタリングの間、この図６の場合のように、基板キャリアエレメント１８および／またはスピンドルエレメント１９の回転に伴ってこれらのエレメントへコーティングをもたらす。
【００６８】
図８は、本発明の別の実施形態を示す略図であり、図６で説明した実施形態に類似しているが、この場合は、異なるプラズマ源が、磁力線１５ｙが基板エレメント１８および１９上の広範な領域に渡って電子注入のための閉鎖された閉込めを形成するような方法でリンクされる。
【００６９】
コータ１３ａおよび１３ｂは、先に述べた実施形態と同様に、各々閉込め領域への電子注入を担う熱イオンエミッタ９ａおよび９ｂを含む。アノードエレメント１０に対する適切なバイアシングにより、コーティングデバイス２２ａａおよび２２ａｂは、マグネトロンスパッタリング・プラズマトラップ状態に適する閉込めゾーン２３を有する。スパッタリングは、コーティングデバイス２２ａａおよび２２ａｂに関連するターゲット材料から堆積を生成する。
【００７０】
図９は、イオン化増強を伴う回転可能な円筒形カソードに関連する、本発明の別の実施形態を示す略図である。
【００７１】
コータ２４ａおよび２４ｂは、場の強度が略ゼロである領域１６ｘが生成されるような磁場を有する。このような領域において、熱イオンエミッタ９は、電源１１ａおよび１１ｂによりアノードエレメント１０ａおよび１０ｂに対して負にバイアスされて置かれる。デバイス２４ａおよび２４ｂ内での磁気アレイの適切な角度づけにより、主たる磁気トラップ２５は、スパッタリングコーティング束にイオン化領域１６ｘを略通過させることができてイオン化束１２ｘａおよび１２ｘｂが生成されるようなものになる。
【００７２】
通常は一方向または往復モードで動く基板１８ａ、１９ａは、イオン化種および非イオン化種の双方からコーティングを受ける。磁場トラップ２５は、電子注入閉込め、ならびにカソードエレメント２４ａおよび２４ｂに対するスパッタリング条件の充足も支援する。
【００７３】
回転式カソードの数は、例えば２４ａただ１つである可能性もあれば、任意の複数のこのようなカソードが存在する可能性もある。同様に、１つまたは複数のアノードエレメントおよびカソード電子注入エレメントが存在する可能性もある。
【００７４】
最後に、図１０は、イオン化増強を伴う回転可能な円筒形カソードに関連する、本発明の別の実施形態を示す略図である。
【００７５】
コータ２４ａおよび２４ｂは、場の強度が略ゼロである領域１６ｘが生成されるような磁場を有する。このような領域１６ｘにおいて、熱イオンエミッタ９は、電源１１によりアノードエレメント１０に対して負にバイアスされて置かれる。
【００７６】
デバイス２４ａおよび２４ｂ内での磁気アレイの適切な角度づけにより、主たる磁気トラップ２５は、電子注入がマグネトロントラップへ流れ込み、かつイオン化束１２ｘｘが基板１８ａ、１９ｂから離れて誘導されるようなものになる。
【００７７】
この特定の構成は、基板に対する高エネルギー種の衝撃を低減し得る。このデバイス構成は、特に、ＩＴＯおよびＡＺＯのそれらの透明導電性酸化物堆積に有用である。この場合もやはり、回転式カソードの数は、例えば２４ａただ１つである可能性もあれば、任意の複数のこのようなカソードが存在する可能性もある。同様に、１つまたは複数のアノードエレメントおよびカソード電子注入エレメントが存在する可能性もある。
【００７８】
本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって決定され、よって、単なる例示である前述の実施形態の詳細に限定されるものではない。具体的には、明示的であれ、黙示的であれ、大きさ、材料、プロセス条件、他は、何れも、本開示の範囲を逸脱することなく様々である可能性もある。
【図１】
2019512052.tif 000003
【図２】
2019512052.tif 000004
【図３】
2019512052.tif 000005
【図４】
2019512052.tif 000006
【図５】
2019512052.tif 000007
【図６】
2019512052.tif 000008
【図７】
2019512052.tif 000009
【図８】
2019512052.tif 000010
【図９】
2019512052.tif 000011
【図１０】
2019512052.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月25日(2018.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コータであって、
蒸気供給源と、
前記蒸気供給源に隣接するが前記蒸気供給源から離間して位置決めされた熱イオンエミッタと、
前記熱イオンエミッタに対して前記蒸気供給源とは反対側に位置決めされたアノードと、
使用時に、前記アノードに対して前記熱イオンエミッタを負にバイアスするように構成されたバイアス手段と、
使用時に磁場を生成するように構成された磁気手段と
を備え、
前記磁場は、
前記熱イオンエミッタの周りの磁場強度が低い領域と、
前記蒸気供給源と前記アノードとの間に延在する磁場領域と
を含み、それにより、使用時に、前記熱イオンエミッタにより放出される電子は、前記蒸気供給源と相互作用して前記蒸気供給源から蒸気を放出させ、かつ前記蒸気供給源から前記蒸気を少なくとも部分的にイオン化させ、これにより少なくとも部分的にイオン化された蒸気束が形成され、
前記電子は、前記アノードに引き付けられ、これにより、前記アノードに向かって電子束が形成され、前記電子束は、前記蒸気供給源と前記アノードとの間に延在する磁場領域内に少なくとも部分的に閉じ込められ、
前記結果的に生じる少なくとも部分的に閉じ込められた電子束は、前記少なくとも部分的にイオン化された蒸気束と相互作用して、後者を前記アノードに向かう方向へ、好ましくは前記蒸気供給源と前記アノードとの間に延在する前記磁場領域に対応する経路に沿って誘導するようになっている、コータ。
【請求項２】
前記磁場は、磁場トラップを含み、
前記磁場は、磁場強度が比較的高い領域によって境界をつけられる、非常に低い、ゼロに近い、またはゼロである磁場強度を有する磁気閉込め領域を含み、
磁場強度が比較的高い前記領域は、前記磁気閉込め領域の周りにプラズマトラップを形成し、これにより、前記電子束、延ては前記少なくとも部分的にイオン化された蒸気束がこれに進入することが抑止または防止される、請求項１に記載のコータ。
【請求項３】
前記磁場は、電子磁気ミラーを含むか、または形成し、
前記電子磁気ミラーは、使用時に、比較的高密度の磁場領域からの前記電子束の電子を比較的低密度の磁場領域に向かって偏向するように構成される少なくとも１つの磁石を備え、
前記電子磁気ミラーは、前記電子束の電子の方向を、実質的に前記蒸気供給源への向きから実質的に前記アノードへの向きに反転するように構成される、請求項１または２に記載のコータ。
【請求項４】
前記熱イオンエミッタの周りの磁場強度が低い前記領域は、
非常に低い、ゼロに近い、またはゼロである磁場強度を有する磁気閉込め領域、
磁場強度が低い、ゼロに近い、またはゼロである領域
のうちの１つまたは両方を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項５】
前記蒸気供給源と前記アノードとの間に延在する磁場領域は、
磁場強度が低い、ゼロに近い、またはゼロの領域、
前記熱イオンエミッタの周りの磁場強度が低い前記領域の前記磁場強度より磁場強度が比較的高い領域
のうちの１つまたは両方を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項６】
前記熱イオンエミッタは、前記アノードに対してカソード的であり、
前記バイアス手段は、使用時に前記熱イオンエミッタを前記アノードに対して負にバイアスし、これにより、前記熱イオンエミッタと前記アノードとの間に電界を生成するように構成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項７】
前記熱イオンエミッタは、フィラメントを備え、該フィラメントは、タングステン、硼化物、ＺｒＢ２、ＴｉＢ２、ＦｅＣｒＡｌ合金、モリブデン、ケイ化物、ＭｏＳｉ２、炭化物およびＳｉＣから成るグループのうちの１つ又は複数からなり、
前記フィラメントは、電流を通して加熱されることにより電子を放出するようになっている、請求項１〜６のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項８】
前記蒸気供給源は、
基板上へ被覆されるべき材料から製造されるターゲット、
基板上へ被覆されるべき材料を含むるつぼ
のうちの１つまたは両方を備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項９】
前記蒸気供給源から蒸気を放出させる、前記熱イオンエミッタにより放出される電子と前記蒸気供給源との間の相互作用には、熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、ガス注入および蒸気注入から成るグループのうちの何れか１つまたは２以上が含まれる、請求項１〜８のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１０】
前記蒸気束は、分子の蒸気、原子の蒸気および化合物の蒸気から成るグループのうちの何れか１つまたは２以上である材料の蒸気を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１１】
前記バイアス手段は、前記アノードおよび前記熱イオンエミッタへ作動的に接続されるＤＣ電源、高電圧ＤＣ電源およびＡＣ電源から成るグループのうちの何れか１つまたは２以上を備える、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１２】
前記熱イオンエミッタに対して前記蒸気供給源の反対側に位置決めされた電極をさらに備え、該電極は、前記熱イオンエミッタに対してカソード的またはアノード的である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１３】
蒸発されるべき材料の供給源から蒸発される材料の束によって被覆されるべき基板を保持するための手段をさらに備え、
前記保持するための手段には、固定式基板ホルダ、可動基板ホルダ、直動式基板ホルダ、回転移動式基板ホルダ、カルーセルおよび多軸カルーセルから成るグループのうちの何れか１つまたは２以上が含まれる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１４】
二次材料の束を前記基板に向かって放出する、蒸発されるべき前記二次材料の二次源をさらに備える、請求項１３に記載のコータ。
【請求項１５】
蒸発器を取り囲むハウジング、
前記ハウジングを少なくとも部分的に排気するための真空ポンプ、
前記ハウジングにプロセスガスを少なくとも部分的に充填するためのガス送出システム
をさらに備え、
前記プロセスガスは、非不活性ガス、Ｏ２またはＮ２を含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１６】
前記磁気手段は、
１つまたは複数の永久磁石、
１つまたは複数の電磁石、
使用時に磁場の形状を変更する１つまたは複数の強磁性元素
のうちに１つまたは両方を含む、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のコータ。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載のコータを複数備えるシステムであって、複数の前記コータは、それらの個々の蒸気供給源とそれらの個々のアノードとの間に延在するそれらの個々の磁場領域が収束するように配置される、システム。
【請求項１８】
前記複数のコータのうちの１つまたは２以上によって共有される共通アノードを備える、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
使用時に複数の前記コータの前記個々の磁場の形状を変更するように構成された補助磁気手段をさらに備える、請求項１７または１８に記載のシステム。
【国際調査報告】
2019512052.tif 000013
2019512052.tif 000014
2019512052.tif 000015