(57)【要約】  オプトエレクトロニクス部品は、第１の光路に沿ってオプトエレクトロニクス部品の中を進む有効光を放出する第１のオプトエレクトロニクス半導体チップと、第１の光路上に配置され、第２の光路の一部を形成している光学要素と、第２の光路に沿ってオプトエレクトロニクス部品の中を進む試験光を放出する第２のオプトエレクトロニクス半導体チップと、第２の光路を通過してきた試験光を検出する光検出器と、を備えている。【選択図】図１
2019512170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス部品（１０，２０）であって、
第１の光路に沿ってオプトエレクトロニクス部品の中を進む有効光（１０５）を放出する第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１１０）と、
前記第１の光路上（１１０）に配置され、第２の光路（２１０）の一部を形成している光学要素（３００）と、
前記第２の光路に沿って前記オプトエレクトロニクス部品の中を進む試験光（２０５）を放出する第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２００）と、
前記第２の光路（２１０）を通過してきた前記試験光（２０５）を検出する光検出器（４００）と、を備えている、
オプトエレクトロニクス部品（１０，２０）。
【請求項２】
前記光学要素（３００）が回折光学素子である、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０）。
【請求項３】
前記第２の光路（２１０）上の前記試験光（２０５）が、前記光学要素（３００）の中を導かれる、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項４】
前記光学要素（３００）内の前記第２の光路（２１０）が、前記第１の光路（１１０）に垂直に延びている、
請求項３に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項５】
前記第２の光路（２１０）上の前記試験光（２０５）が、前記光学要素（３００）によって方向転換される、
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０）。
【請求項６】
前記第２の光路（２１０）上の前記試験光（２０５）が、前記光学要素（３００）の外部で反射される、
請求項５に記載のオプトエレクトロニクス部品（２０）。
【請求項７】
前記第２の光路（２１０）上の前記試験光（２０５）が、前記光学要素（３００）の内部で反射される、
請求項５または請求項６に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項８】
前記第２の光路（２１０）上の前記試験光（２０５）が、前記光学要素（３００）において複数回反射される、
請求項５から請求項７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項９】
前記オプトエレクトロニクス部品（１０）がミラー要素（１２０）を備えており、
前記第１の光路（１１０）上の前記有効光（１０５）が前記ミラー要素（１２０）において方向転換される、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０）。
【請求項１０】
前記第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）がレーザチップである、
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０）。
【請求項１１】
前記第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２００）が発光ダイオードチップである、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０）。
【請求項１２】
前記光検出器（４００）がフォトダイオードである、
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０）。
【請求項１３】
オプトエレクトロニクス部品（１０，２０）を動作させる方法であって、以下のステップ、すなわち、
−  第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２００）によって放出された試験光（２０５）の定められた量が、第２の光路（２１０）に沿って光検出器（４００）に達するかを試験するステップであって、前記第２の光路（２１０）の一部を光学要素（３００）が形成している、ステップと、
−  前記試験に成功した場合、途中に前記光学要素（３００）が配置されている第１の光路（１１０）に沿って、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）によって有効光（１０５）を放出するステップと、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記試験するステップが、
前記第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２００）が試験光（２０５）を放出していない間における、前記光検出器（４００）によって供給される信号の第１の測定と、前記第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２００）が試験光（２０５）を放出している間における、前記光検出器（４００）によって供給される信号の第２の測定と、
を含む、
請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクス部品と、オプトエレクトロニクス部品の動作方法とに関する。
【０００２】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１６１０４９４６．８号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照により本明細書に組み込まれている。
【背景技術】
【０００３】
オプトエレクトロニクス部品が公知であるが、その設計および使用においては、人への危険性（特に、目に対するダメージの危険性）を排除しなければならない。これは例えば、レーザクラス１の半導体レーザの場合があてはまる。目の安全性を高めるための公知の方策は、回折光学素子を使用することである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の１つの目的は、オプトエレクトロニクス部品を提供することである。本発明のさらなる目的は、オプトエレクトロニクス部品を動作させる方法を開示することである。これらの目的は、独立請求項の特徴を有するオプトエレクトロニクス部品および方法によって達成される。さまざまな修正形態は、従属請求項に開示されている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
オプトエレクトロニクス部品は、第１の光路に沿ってオプトエレクトロニクス部品の中を進む有効光（useful light）を放出する第１のオプトエレクトロニクス半導体チップと、第１の光路上に配置され、第２の光路の一部を形成している光学要素と、第２の光路に沿ってオプトエレクトロニクス部品の中を進む試験光を放出する第２のオプトエレクトロニクス半導体チップと、第２の光路を通過してきた試験光を検出する光検出器と、を備えている。
【０００６】
本オプトエレクトロニクス部品では、光学要素の損傷または欠損を自動的に認識することが可能になり、これは有利である。これにより、光学要素が損傷しているかまたは存在しない場合に、本オプトエレクトロニクス部品の第１のオプトエレクトロニクス半導体チップを自動的に停止する、または起動を阻止することが可能になる。このようにすることで、本オプトエレクトロニクス部品を使用する場合、光学要素の損傷または欠損に起因する、目の安全性に対する危険性については、わずかなリスクが存在するのみである。光学要素の損傷または欠損の自動的な認識は、光学要素に配置される電気接点なしに行われ、これにより本オプトエレクトロニクス部品には、光学要素に通じる導体トラックが必要ない。光学要素の損傷または欠損を試験光によって光学的に認識することにより、光学要素の小さい損傷さえも検出することが可能であり、さらに有利である。
【０００７】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、光学要素は、回折光学素子である。この場合に光学要素は、目の安全性に対する危険性が存在しないように有効光の強度を十分に低減することができ、これは有利である。
【０００８】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第２の光路上の試験光が光学要素の中を導かれる。光学要素が存在しないかまたは損傷している場合、第２の光路上を導かれる光がこの場合には途切れるかまたは制限され、この状況を自動的に確認することができる。
【０００９】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、光学要素内の第２の光路は、第１の光路に垂直に延びている。これにより、第２の光路を光学要素の中をより大きい長さに導くことが可能になり、これによって光学要素のさまざまな位置において損傷を認識することができ、これは有利である。
【００１０】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第２の光路上の試験光は、光学要素によって方向転換される。したがって光学要素が存在しないと、試験光によってカバーされる経路が特に明確に変化し、この変化は検出するのが容易であり、これは有利である。
【００１１】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第２の光路上の試験光は、光学要素において外側に反射される。これにより、本オプトエレクトロニクス部品の単純な設計が可能になり、これは有利である。
【００１２】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第２の光路上の試験光は、光学要素において内側に反射される。これにより、試験光を光学要素の中を追加的に導くことが可能になり、これによって光学要素の損傷または欠損を特に高い信頼性で認識できるようにすることができ、これは有利である。
【００１３】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第２の光路上の試験光は、光学要素において複数回反射される。このようにすることでも、光学要素の損傷または欠損を特に高い信頼性で認識することが可能になり、これは有利である。
【００１４】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、オプトエレクトロニクス部品は、ミラー要素を備えている。この場合、第１の光路上の有効光がミラー要素において方向転換される。ミラー要素によって、本オプトエレクトロニクス部品をコンパクトかつ単純に設計することが可能になり、オプトエレクトロニクス部品の中に第１のオプトエレクトロニクス半導体チップを単純かつ省スペース的に配置して電気的に接触することができ、これは有利である。
【００１５】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップは、レーザチップである。この場合、レーザチップは、例えば端面発光型レーザチップまたは垂直発光型レーザチップとすることができる。本オプトエレクトロニクス部品においては、レーザチップとして設計されている第１のオプトエレクトロニクス半導体チップが高出力で動作する場合に、目の安全性も確保され、これは有利である。
【００１６】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップは、発光ダイオードチップである。したがって、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップが高い費用効果で得られ、これは有利である。さらなる利点として、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップによって放出される試験光からは、目の安全性に対する危険性が生じない。
【００１７】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、光検出器はフォトダイオードである。したがって光検出器によって、第２の光路を通過してきた試験光を簡単かつ高い信頼性で検出することが可能になり、これは有利である。
【００１８】
オプトエレクトロニクス部品を動作させる方法は、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップによって放出された試験光の定められた量が、第２の光路に沿って光検出器に達するかを試験するステップであって、第２の光路の一部を光学要素が形成している、ステップと、試験に成功した場合、途中に光学要素が配置されている第１の光路に沿って、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップによって有効光を放出するステップと、を含む。
【００１９】
この方法においては、試験に成功しなかった場合、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップによって有効光が放出されず、これは有利である。したがって、オプトエレクトロニクス部品の光学要素が損傷していない、または欠損していない場合にのみ有効光が放出されることが確保される。このようにすることで、本オプトエレクトロニクス部品の使用者に対する危険性（特に、目の危険性）を排除することができ、これは有利である。
【００２０】
本方法の一実施形態においては、試験するステップは、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップが試験光を放出していない間における、光検出器によって供給される信号の第１の測定と、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップが試験光を放出している間における、光検出器によって供給される信号の第２の測定と、を含む。これにより、第１の測定において光検出器によって供給された信号と、第２の測定において光検出器によって供給された信号との差異を利用して、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップによって放出された試験光の定められた量が第２の光路に沿って光検出器に達するかを判定することが可能になる。この場合、光検出器によって供給される信号の（例えば周囲光に起因する）バックグラウンド（ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ）を差し引くことが、減算によって可能になる。したがって本方法は、特に高い精度および信頼性を有し、これは有利である。
【００２１】
本発明の上述した特性、特徴、および利点と、これらを達成する方法は、以下に図面を参照しながらさらに詳しく説明する例示的な実施形態に関連して、明確かつ明らかに理解されるであろう。図面の概略図は次のとおりである。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１の動作状態における第１のオプトエレクトロニクス部品を示している。
【図２】第２の動作状態における第１のオプトエレクトロニクス部品を示している。
【図３】第１の動作状態における第２のオプトエレクトロニクス部品を示している。
【図４】第２の動作状態における第２のオプトエレクトロニクス部品を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１は、第１の実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品１０の概略的な側面断面図を示している。オプトエレクトロニクス部品１０は、レーザ部品であり、レーザ光を放出する目的で設けられている。オプトエレクトロニクス部品１０は、例えば深度を認識する装置において、例えば構造化された光パターンを生成するために使用することができる。オプトエレクトロニクス部品１０は、例えば、実行時間法（ＴＯＦ：time-of-flight）による距離測定、または別の目的のために設けることもできる。
【００２４】
オプトエレクトロニクス部品１０は、ハウジング５００を備えている。ハウジング５００は、第１の室５１０と、第２の室５２０と、第３の室５３０とに分割されている。しかしながらハウジング５００のこの分割は、一例にすぎない。ハウジング５００を個々の室５１０，５２０，５３０に分割することは必須ではない。ハウジング５００は、追加のさらなる室を備えることもできる。
【００２５】
ハウジング５００の第１の室５１０には、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００が配置されている。第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００は、図示した例においては、端面発光型レーザチップとして設計されている。第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００は、有効光１０５を放出する目的に設計されており、有効光１０５はオプトエレクトロニクス部品１０によって外部に放出される。有効光１０５は、例えば、可視光、または赤外スペクトル領域あるいは紫外スペクトル領域の波長を有する光とすることができる。
【００２６】
第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００によって放出される有効光１０５は、ハウジング５００の第１の室５１０に配置されているミラー要素１２０によって９０゜方向転換され、オプトエレクトロニクス部品１０のハウジング５００のカバーガラス５４０を通じてオプトエレクトロニクス部品１０から出射する。この場合、有効光１０５は、第１の光路１１０に沿ってオプトエレクトロニクス部品１０の中を進む。有効光１０５は、ハウジング５００のカバーガラス５４０を、カバーガラス５４０の平面に実質的に垂直に通過する。
【００２７】
オプトエレクトロニクス部品１０のハウジング５００の第１の室５１０に、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００を、図示した以外の向きに配置することも可能であり、したがって有効光１０５が第１の光路１１０に沿ってミラー要素１２０において直角以外の角度だけ方向転換される。また、有効光１０５が第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００によってカバーガラス５４０の方向に直接放出されるように、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００を配置することも可能である。この場合、ミラー要素１２０を省くことができる。また、複数のミラー要素１２０を設けて、有効光１０５を第１の光路１１０に沿って複数回方向転換させることも可能である。
【００２８】
第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００によって放出される有効光１０５は、オプトエレクトロニクス部品１０の使用者の目の安全性を確保するために測定を必要とする強度を有することができる。この目的のため、オプトエレクトロニクス部品１０には、有効光１０５の第１の光路１１０上に光学要素３００が配置されている。光学要素３００は、第１の光路１１０上の有効光１０５が光学要素３００を通過するように、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００と、オプトエレクトロニクス部品１０のハウジング５００のカバーガラス５４０との間に配置されている。光学要素３００は、有効光１０５の光線の整形、拡幅、または減衰をもたらし、これによって目の安全性が確保される。
【００２９】
光学要素３００は、例えば、回折光学素子として、または光拡散体として設計することができる。回折光学素子として設計されている光学要素３００は、例えば、構造化された光パターンを生成するために使用することができる。
【００３０】
光学要素３００は、図示した例においては、小さく平たいプレートとして設計されている。有効光１０５の第１の光路１１０は、光学要素３００の平面に垂直に、光学要素３００を貫いている。
【００３１】
光学要素３００が損傷している、または外れている場合、オプトエレクトロニクス部品１０の第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００によって放出された有効光１０５が、前もって光学要素３００を通過することなく、オプトエレクトロニクス部品１０から出射することがある。この場合、オプトエレクトロニクス部品１０における目の安全性がもはや確保されない可能性がある。したがって光学要素３００が損傷しているかまたは存在しない場合、オプトエレクトロニクス部品１０において、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００が動作しないようにしなければならない。この目的のため、光学要素３００の損傷または欠損を自動的に認識する必要がある。
【００３２】
オプトエレクトロニクス部品１０は第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００を備えており、この半導体チップ２００はハウジング５００の第２の室５２０に配置されている。第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００は、試験光２０５を放出する目的に設計されている。試験光２０５は、例えば、可視光、または赤外スペクトル領域あるいは紫外スペクトル領域の波長を有する光とすることができる。試験光２０５の強度および波長は、試験光２０５がオプトエレクトロニクス部品１０の使用者に対して危険とならないように設定することができる。
【００３３】
第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００は、例えば、発光ダイオードチップとすることができる。しかしながら、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００を、レーザチップ、または別の発光オプトエレクトロニクス半導体チップとすることもできる。
【００３４】
試験光２０５は、第２の光路２１０に沿ってオプトエレクトロニクス部品１０の中を進む。この場合、第２の光路２１０の一部を光学要素３００が形成する。試験光２０５は、第２の光路２１０上で光検出器４００に達し、光検出器４００は、オプトエレクトロニクス部品１０のハウジング５００の第３の室５３０に配置されており、光検出器４００に入射する試験光２０５を検出する目的に設計されている。光検出器４００は、例えばフォトダイオードとして設計することができる。
【００３５】
第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００によって放出された試験光２０５は、最初に、第２の光路２１０上の第１の方向転換要素２２０に達する。第１の方向転換要素２２０は、試験光２０５のさらなる第２の光路２１０が光学要素３００の中を延びるように試験光２０５を方向転換させる。この場合、試験光２０５は、小さいプレート状の光学要素３００の平面に平行に、光学要素３００の中を導かれる。したがって試験光２０５の第２の光路２１０は、有効光１０５の第１の光路１１０に垂直に光学要素３００内に延びる。
【００３６】
試験光２０５は、光学要素３００の中を通過した後、第２の方向転換要素２３０に入射し、第２の方向転換要素２３０は、試験光２０５を光検出器４００の方向に方向転換させる。これにより、試験光２０５のさらなる第２の光路２１０が、光学要素３００から光検出器４００まで延びる。
【００３７】
第１の方向転換要素２２０および第２の方向転換要素２３０は、それぞれ例えばミラー要素として、またはプリズムとして設計することができ、これらはそれぞれ第２の光路２１０上の試験光２０５を例えば９０゜方向転換させる。しかしながら、第１の方向転換要素２２０および第２の方向転換要素２３０を、光学要素３００自体の一部によって、例えば光学要素３００の傾斜した側面（この側面において試験光２０５の方向転換が起こる）によって、形成することもできる。この場合、試験光２０５は、光学要素３００において内部的に２回反射される。
【００３８】
試験光２０５が第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００と第１の方向転換要素２２０の間の第２の光路２１０上でハウジング５００の第２の室５２０の中を通過する領域は、空気または別の気体で満たすことができる。しかしながら、光学要素３００への試験光２０５の取り込みの効率を高めるために、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００と第１の方向転換要素２２０との間の領域を、例えばエポキシまたはシリコーンで満たす、またはプラスチック導波路として設計することもできる。このことは、光学要素３００からの試験光２０５の取り出しの効率を高めるため、試験光２０５が第３の室５３０の中で第２の方向転換要素２３０と光検出器４００との間の第２の光路２１０上を通る空間についても、相応に適用される。
【００３９】
第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００と光検出器４００の間の試験光２０５の第２の光路２１０上で試験光２０５を方向転換させる必要がないように、オプトエレクトロニクス部品１０のハウジング５００の中に第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００および光検出器４００を配置することも可能である。この場合、第１の方向転換要素２２０および第２の方向転換要素２３０を省くことができる。この場合、試験光２０５は、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００から直線的に光学要素３００に進み、光学要素３００から直線的に光検出器４００に進む。
【００４０】
図２は、光学要素３００が損傷している状態におけるオプトエレクトロニクス部品１０の概略的な側面断面図を示している。オプトエレクトロニクス部品１０のこの状態において、オプトエレクトロニクス部品１０の第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００を動作させると、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００によって放出される有効光１０５の少なくとも一部が、前もって光学要素３００を通過することなく、オプトエレクトロニクス部品１０のハウジング５００からカバーガラス５４０を通じて出射することがある。この場合、オプトエレクトロニクス部品１０によって放出される有効光１０５は、オプトエレクトロニクス部品１０の使用者を危険にさらす可能性がある。したがって、図２に概略的に示したオプトエレクトロニクス部品１０の状態（光学要素３００が損傷している）においては、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００を動作させることはできない。
【００４１】
図２に示したオプトエレクトロニクス部品１０の状態においては、オプトエレクトロニクス部品１０の第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００によって放出される試験光２０５は、第２の光路２１０上で第１の方向転換要素２２０によって光学要素に取り込まれる。しかしながら、試験光２０５の第２の光路２１０は、光学要素３００の損傷部において途切れている。したがって図２に示したオプトエレクトロニクス部品１０の状態においては、試験光２０５は第２の方向転換要素２３０および光検出器４００に達しない、または減少した量において達するのみである。
【００４２】
したがって図２に示したオプトエレクトロニクス部品１０の動作状態においては、光検出器４００が試験光２０５を検出しない、または図１に示したオプトエレクトロニクス部品１０の状態との関連において少なくとも減少した量の試験光２０５を検出する。このようにすることで、光学要素３００が存在しない、または損傷していることを確認することができる。これによって、オプトエレクトロニクス部品１０の作動電子装置（概略的な図１および図２には示していない）がオプトエレクトロニクス部品１０の第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００をオフにする、または最初からオンにしないことが可能になる。
【００４３】
オプトエレクトロニクス部品１０を動作させる方法は、オプトエレクトロニクス部品１０を起動する前に、したがって特に第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００を起動する前に、光学要素３００が存在しないかまたは損傷しているかを試験するステップを提供することができる。この目的のため、最初に、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００を動作させ、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００によって放出された試験光２０５の定められた最小限の量が第２の光路２１０（その一部を光学要素３００が形成している）に沿って光検出器４００に達するかを試験する。これが満たされている場合、次のステップにおいて第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００をはじめて動作させ、したがって第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００が、第１の光路１１０（この光路上に光学要素３００が配置されている）に沿って有効光１０５を放出する。
【００４４】
光学要素３００の損傷または欠損を特に高い信頼性で認識することは、次のようにして可能であり、すなわち最初に、第１の測定において、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００が試験光２０５を放出しておらず、したがって試験光２０５が光検出器４００に達することができない間に、光検出器４００によって供給される信号を記録し、次いで、第２の測定において、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００が試験光２０５を放出しており、したがって損傷していない光学要素３００が存在していればこの試験光が光検出器４００に達するはずである間に、光検出器４００によって供給される信号を記録する。これら２つの測定は、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００をパルス式に動作させている間に交互に繰り返し行うことができる。光検出器４００によって供給される信号のうち光検出器４００に入射する周囲光に起因する割合を、第１の測定中に記録される信号と第２の測定中に記録される信号を比較することによって差し引くことができる。
【００４５】
図３は、第２の実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品２０の概略的な側面断面図を示している。この第２の実施形態のオプトエレクトロニクス部品２０は、図１および図２に基づいて説明した第１の実施形態のオプトエレクトロニクス部品１０との実質的な対応部分を有する。図３において、対応する構成要素には、図１および図２と同じ参照記号を付してある。以下では、第１の実施形態のオプトエレクトロニクス部品１０と、第２の実施形態のオプトエレクトロニクス部品２０の違いのみを説明する。それ以外については、オプトエレクトロニクス部品１０の上の説明が、オプトエレクトロニクス部品２０にも相応に適用される。
【００４６】
オプトエレクトロニクス部品２０においては、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００が垂直発光型レーザチップとして設計されている。第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００は、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００によって放出される有効光１０５の第１の光路１１０が光学要素３００まで直接延びるように、ハウジング５００の第１の室５１０に配置されている。有効光１０５は、光学要素３００の平面に垂直な方向に光学要素３００を通過する。さらに、第１の光路１１０上の有効光１０５はカバーガラス５４０に達し、有効光１０５は同様に垂直な方向に通過する。オプトエレクトロニクス部品２０にはミラー要素が設けられていない。
【００４７】
第２の実施形態のオプトエレクトロニクス部品２０では、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００によって放出される試験光２０５の第２の光路２１０は、試験光２０５が９０゜および０゜から逸脱した角度で光学要素３００に入射するように、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００から光学要素３００の方向に斜めに延びる。試験光２０５は、第２の光路２１０上を例えば４５゜の角度で光学要素３００に入射させることができる。試験光２０５が第２の光路２１０上で光学要素３００に入射する角度は、光学要素３００に入射する試験光２０５が光学要素３００において外側に反射されるように設定される。光学要素３００において反射された試験光２０５は、さらなる第２の光路２１０上で光検出器４００に達し、光検出器４００において検出される。
【００４８】
図４は、光学要素３００が存在しない状態における、第２の実施形態のオプトエレクトロニクス部品２０の概略的な側面断面図を示している。図４に示したオプトエレクトロニクス部品２０の状態においては、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００によって放出された有効光１０５は、前もって光学要素３００を通過することなくハウジング５００のカバーガラス５４０を通じて出射することがある。この状態は、オプトエレクトロニクス部品２０の使用者に対する危険性となりうる。したがって図４に示した状態においては、オプトエレクトロニクス部品２０の第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１００は有効光１０５を放出することができない。
【００４９】
第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００によって放出される試験光２０５は、図４に示したオプトエレクトロニクス部品２０の状態においては、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２００によって、以前に存在していた光学要素３００の方向に第２の光路２１０上に放出される。図４に示したオプトエレクトロニクス部品２０の状態においては光学要素３００が存在しないため、光学要素３００において試験光２０５の反射が起こらない。したがって図４に示したオプトエレクトロニクス部品２０の状態においては、第２の光路２１０が途切れており、オプトエレクトロニクス部品２０の光検出器４００に試験光２０５が達しない、または減少した量の試験光２０５のみが達する。このようにすることで、オプトエレクトロニクス部品２０の作動電子装置が、光学要素３００が存在しないことを認識することが可能になる。
【００５０】
第２の実施形態のオプトエレクトロニクス部品２０は、第１の実施形態のオプトエレクトロニクス部品１０に基づいて説明した方法に従って動作させる（特に動作状態にする）ことができる。
【００５１】
ここまで本発明について、好ましい例示的な実施形態に基づいて詳しく図解および説明してきた。しかしながら本発明は、開示した例に制限されない。むしろ当業者には、本発明の保護範囲から逸脱することなく、これらの例から別の変形形態を導くことができるであろう。
【符号の説明】
【００５２】
１０  オプトエレクトロニクス部品
２０  オプトエレクトロニクス部品
１００  第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ
１０５  有効光
１１０  第１の光路
１２０  ミラー要素
２００  第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ
２０５  試験光
２１０  第２の光路
２２０  第１の方向転換要素
２３０  第２の方向転換要素
３００  光学要素
４００  光検出器
５００  ハウジング
５１０  第１の室
５２０  第２の室
５３０  第３の室
５４０  カバーガラス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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