(57)【要約】  本実施例は、スキャンされたウェーハ形状の厚さを演算してプロファイルを決定し、プロファイル別に演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算して研磨中の各ウェーハの研磨時間に反映するメカニズムを提供する。  これによって、本実施例は、ウェーハ表面における優れた平坦化を成し、複数の制御器を同時に制御することにより設備費用を減らす。
2019507027.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各ウェーハの研磨時間を制御する少なくとも１つの制御器から提供されたウェーハ形状をスキャンする形状スキャン部；
前記スキャンされたウェーハ形状の厚さを演算してウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイルを決定するプロファイル決定部；
前記決定されたプロファイル別のＰＶ値を演算し、前記演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算する終点時間演算部；および
前記演算された研磨終点時間を前記少なくとも１つの制御器に伝送して研磨中の前記各ウェーハの研磨時間を変更する研磨時間変更部
を含む、ポリッシング測定装置。
【請求項２】
前記ウェーハ形状は、
前記研磨時間により生成された結果である、請求項１に記載のポリッシング測定装置。
【請求項３】
前記プロファイル演算部は、
前記各ウェハーの同一線上に位置した位置別の厚さを演算する、請求項１に記載のポリッシング測定装置。
【請求項４】
前記厚さは、
前記位置別の前記各ウェハーの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含む、請求項３に記載のポリッシング測定装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つのプロファイルは、
前記演算されたウェハー形状の厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含む、請求項４に記載のポリッシング測定装置。
【請求項６】
前記デルタ補正値は、前記予測ＰＶ値−前記ＰＶ値であり、
前記研磨終点時間は、前記ＰＶ値による制御時間±前記デルタ補正値である、請求項１に記載のポリッシング測定装置。
【請求項７】
前記予測ＰＶ値は、
前記少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間または研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値である、請求項６に記載のポリッシング測定装置。
【請求項８】
前記研磨時間変更部は、前記終点時間演算部によって演算された研磨終点時間（Ｔ）を、内部通信または外部通信を通じて連結された少なくとも１つの制御器に伝送する、請求項１に記載のポリッシング測定装置。
【請求項９】
前記研磨終点時間（Ｔ）を受信した前記少なくとも１つの制御器は、取得した研磨終点時間により一次的に研磨中の各ウェハーの研磨時間を変更する、請求項８に記載のポリッシング測定装置。
【請求項１０】
スキャンされたウェーハ形状の厚さを演算してウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイルを決定し、前記決定されたプロファイル別に演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算するポリッシング測定装置；
前記各ウェーハの研磨時間を以下のポリッシング装置に印加して研磨中の前記ウェーハ形状を取得し、前記研磨時間を前記演算された研磨終点時間に変更する少なくとも１つの制御器；および
前記研磨時間により前記各ウェーハの表面を一次研磨し、前記変更された研磨終点時間により前記各ウェーハの表面を二次研磨するポリッシング装置
を含む、ポリッシング制御システム。
【請求項１１】
前記ポリッシング測定装置は、
前記各ウェーハの同一線上に位置した位置別の厚さを演算する、請求項１０に記載のポリッシング制御システム。
【請求項１２】
前記厚さは、
前記位置別の前記各ウェーハの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含む、請求項１１に記載のポリッシング制御システム。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのプロファイルは、
前記演算されたウェーハ形状の厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含む、請求項１２に記載のポリッシング制御システム。
【請求項１４】
前記デルタ補正値は、前記予測ＰＶ値−前記ＰＶ値であり、
前記研磨終点時間は、前記ＰＶ値による制御時間±前記デルタ補正値である、請求項１０に記載のポリッシング制御システム。
【請求項１５】
前記予測ＰＶ値は、
前記少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間または研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値である、請求項１４に記載のポリッシング制御システム。
【請求項１６】
ポリッシング測定装置を通じて複数の制御器の各ウェーハに対する研磨終点時間を制御するための方法であって、
少なくとも１つの制御器から提供されたウェーハ形状をスキャンするステップ；
前記スキャンされたウェーハ形状に基づいて前記各ウェーハの同一線上に位置した位置別の厚さを演算するステップ；
前記演算された位置別の厚さに基づいてウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイルを決定するステップ；
前記決定されたプロファイル別のＰＶ値を演算し、前記演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算するステップ；および
前記演算された研磨終点時間を前記少なくとも１つの制御器に伝送して研磨中の前記各ウェーハの研磨時間を変更させるステップ
を含む、研磨時間の制御方法。
【請求項１７】
前記厚さは、
前記位置別の前記各ウェーハの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の研磨時間の制御方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのプロファイルは、
前記演算されたウェーハ形状の厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含む、請求項１７に記載の研磨時間の制御方法。
【請求項１９】
前記デルタ補正値は、前記予測ＰＶ値−前記ＰＶ値であり、
前記研磨終点時間は、前記ＰＶ値による制御時間±前記デルタ補正値である、請求項１６に記載の研磨時間の制御方法。
【請求項２０】
前記予測ＰＶ値は、
前記少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間または研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値である、請求項１９に記載の研磨時間の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施例は、ポリッシング測定装置およびその研磨時間の制御方法、ならびにそれを含んだポリッシング制御システムに関するものであって、より詳細にはウェーハ表面の研磨精度（平坦化）を高めるためのポリッシング測定装置およびその研磨時間の制御方法、ならびにそれを含んだポリッシング制御システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造時に基板となるウェーハ（ｗａｆｅｒ）は、原料として用いられるインゴットを成長させる工程（Ｉｎｇｏｔ  ｇｒｏｗｉｎｇ）、インゴットをウェーハ形状に切断するスライシング（ｓｌｉｃｉｎｇ）工程、ウェーハの厚さを均一化して平坦化するラッピング（ｌａｐｐｉｎｇ）工程、発生したダメージを除去および緩和するエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）工程、ウェーハ表面を鏡面化するポリッシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程、およびウェーハを洗浄して表面に付着した異物を除去するクリーニング（ｃｌｅａｎｉｎｇ）工程を経て製造される。
【０００３】
上記の工程進行中にウェーハの表面（ｓｕｒｆａｃｅ）と表面以下の領域（ｓｕｂｓｕｒｆａｃｅ）には欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）が発生する可能性がある。欠陥の種類としては、粒子汚染（ｐａｒｔｉｃｌｅ）、スクラッチ（ｓｃｒａｔｃｈ）、クリスタルディフェクト（ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｅｆｅｃｔｓ）、および表面粗さ（ｓｕｂｓｕｒｆａｃｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）などがある。
【０００４】
最近、前述したウェーハの表面欠陥に対する規制が急激に強化されており、特に、ウェーハの大口径化が進行され、大口径ウェーハの加工特性上、高い水準の無欠点ウェーハを実現することが要求されている。
【０００５】
しかし、従来のポリッシング装置は、研磨時間を精密に適用できず依然としてウェーハの表面欠陥が発生した。
【０００６】
例えば、日本国公開特許第２００８−２２７３９３号に開示されたウェーハ表面の厚さ測定装置は、ポリッシング装置の上定盤から離れた支持フレームに配置し、上定盤の回転による振動などの影響を受けずにウェーハ表面の厚さを測定し、前記測定されたウェーハ表面の厚さによって研磨時間をポリッシング装置に印加してウェーハ表面を研磨した。
【０００７】
しかし、従来は前述した厚さ測定装置を制御する制御器ごとに１つのポリッシング装置を制御しており、制御器などの設置費用が増加し、ウェーハ測定数の制限およびスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）の加工環境による影響で厚さ測定精度が落ちる問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本実施例は、ウェーハの表面形状によって補正値を演算して研磨終点時間に反映するためのポリッシング測定装置およびその研磨時間の制御方法、ならびにそれを含んだポリッシング制御システムを提供することにその目的がある。
【０００９】
また、本実施例は、研磨終点時間を各ポリッシング装置別の制御器にそれぞれ印加するためのポリッシング測定装置およびその研磨時間の制御方法、ならびにそれを含んだポリッシング制御システムを提供することに他の目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一実施例によると、各ウェーハの研磨時間を制御する少なくとも１つの制御器から提供されたウェーハ形状をスキャンする形状スキャン部；前記スキャンされたウェーハ形状の厚さを演算してウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイルを決定するプロファイル決定部；前記決定されたプロファイル別のＰＶ値を演算し、前記演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算する終点時間演算部；および前記演算された研磨終点時間を前記少なくとも１つの制御器に伝送して研磨中の前記各ウェーハの研磨時間を変更する研磨時間変更部を含むポリッシング測定装置を提供する。
【００１１】
前記ウェーハ形状は、前記研磨時間により生成された結果であり得る。
【００１２】
前記プロファイル演算部は、前記各ウェーハの同一線上に位置した位置別の厚さを演算することができる。
【００１３】
前記厚さは、前記位置別の前記各ウェーハの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含むことができる。
【００１４】
前記少なくとも１つのプロファイルは、前記演算されたウェーハ形状の厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含むことができる。
【００１５】
前記デルタ補正値は、前記予測ＰＶ値−前記ＰＶ値であり、前記研磨終点時間は前記ＰＶ値による制御時間±前記デルタ補正値であり得る。
【００１６】
前記予測ＰＶ値は、前記少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間、または研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値であり得る。
【００１７】
一実施例によると、スキャンされたウェーハ形状の厚さを演算してウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイルを決定し、前記決定されたプロファイルごとに演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算するポリッシング測定装置；前記各ウェーハの研磨時間を以下のポリッシング装置に印加して研磨中の前記ウェーハ形状を取得し、前記研磨時間を前記演算された研磨終点時間に変更する少なくとも１つの制御器；および前記研磨時間により前記各ウェーハの表面を一次研磨し、前記変更された研磨終点時間により前記各ウェーハの表面を二次研磨するポリッシング装置を含むポリッシング制御システムを提供する。
【００１８】
前記ポリッシング測定装置は、前記各ウェーハの同一線上に位置した位置別の厚さを演算することができる。
【００１９】
前記厚さは、前記位置別の前記各ウェーハの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含むことができる。
【００２０】
前記少なくとも１つのプロファイルは、前記演算されたウェーハ形状の厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含むことができる。
【００２１】
前記デルタ補正値は、前記予測ＰＶ値−前記ＰＶ値であり、前記研磨終点時間は前記ＰＶ値による制御時間±前記デルタ補正値であり得る。
【００２２】
前記予測ＰＶ値は、前記少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間、または研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値であり得る。
【００２３】
一実施例によると、ポリッシング測定装置を通じて複数の制御器の各ウェーハに対する研磨終点時間を制御するための方法であって、少なくとも１つの制御器から提供されたウェーハ形状をスキャンするステップ；前記スキャンされたウェーハ形状に基づいて前記各ウェーハの同一線上に位置した位置別の厚さを演算するステップ；前記演算された位置別の厚さに基づいてウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイルを決定するステップ；前記決定されたプロファイル別のＰＶ値を演算し、前記演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算するステップ；および前記演算された研磨終点時間を前記少なくとも１つの制御器に伝送して研磨中の前記各ウェーハの研磨時間を変更させるステップを含む研磨時間の制御方法を提供する。
【００２４】
前記厚さは、前記位置別の前記各ウェーハの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含むことができる。
【００２５】
前記少なくとも１つのプロファイルは、前記演算されたウェーハ形状の厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含むことができる。
【００２６】
前記デルタ補正値は、前記予測ＰＶ値−前記ＰＶ値であり、前記研磨終点時間は前記ＰＶ値による制御時間±前記デルタ補正値であり得る。
【００２７】
前記予測ＰＶ値は、前記少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間、または研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値であり得る。
【発明の効果】
【００２８】
上述したように、本実施例は、ウェーハタイプのプロファイル別の補正値を演算して研磨時間を変更適用することによって、ウェーハ表面に欠陥がないウェーハ表面における優れた平坦化を成す効果がある。
【００２９】
また、本実施例は、一台のポリッシング測定装置を通じて複数の制御器を制御することによって、設備費用を顕著に減らす効果がある。
【００３０】
上述した効果に制限されず、言及していないまた他の効果は、下記の記載から本実施例が属する技術分野における通常の知識を有する者にとって明確に理解され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】一実施例によるポリッシング測定装置の連結関係を示したブロック構成図である。
【図２】一実施例によるポリッシング測定装置の一例を例示的に示したブロック構成図である。
【図３】図２のポリッシング測定装置に開示された形状スキャン部の動作の一例を示した構成図である。
【図４】図２のポリッシング測定装置のプロファイル決定部によって取得したプロファイルの一例を示した構成図である。
【図５】一実施例によるポリッシング制御システムの一例を例示的に示したブロック構成図である。
【図６】一実施例によるポリッシング測定装置の一例を例示的に示したブロック構成図である。
【図７】一実施例による研磨時間の制御方法の一例を例示的に示したフローチャートである。
【図８】一実施例によるウェーハ形状とギャップとの相関関係を図式化して示した図である。
【図９】ウェーハ形状のプロファイル形状とギャップとの相関関係を図式化して示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下の実施例で開示される方法と制御器について図面を参照してより詳細に説明する。以下の実施例で開示されている用語は、単に特定の一例を説明するために用いられるものであるが、これにより制限されるものではない。
【００３３】
また、以下の実施例で開示される「含む」、「有する」または「成される」等の用語は、特に反対になる記載がない限り、該当構成要素が内在する可能性があることを意味するものであり、他の構成要素を除くものでなく他の構成要素をさらに含むものと理解されるべきである。
【００３４】
また、以下の実施例で開示される実施例の説明および特許請求の範囲に用いられる単数表現である「前記」は、上下の文脈上、明白に異なるように意味しない限り、複数の表現も含むものと理解され、「または／および」は列挙される関連項目のうち１つ以上の項目に対する任意の、およびすべての可能な組み合わせを含むものと理解されるべきである。
【００３５】
また、以下の実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの「上／うえ（ｏｎ）」に、または「下／した（ｕｎｄｅｒ）」に形成されるものと記載される場合において、「上／うえ（ｏｎ）」と「下／した（ｕｎｄｅｒ）」は「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」または「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されるものをすべて含む。また、各層の上／うえ、または下／したに対する基準は、図面を基準として説明する。
【００３６】
以下、前述した観点に基づいて開示されるポリッシング測定装置、その研磨時間の制御方法、ならびにそれを含んだポリッシング制御システムについてより具体的に説明する。
＜ポリッシング測定装置の連結実施例＞
【００３７】
図１は、一実施例によるポリッシング測定装置の連結関係を示したブロック構成図である。
【００３８】
図１を参照すると、一実施例によるポリッシング測定装置１００は、内部通信または外部通信を通じて少なくとも１つの制御器２００を制御する。
【００３９】
例えば、ポリッシング測定装置１００は、演算された演算アルゴリズムと関連した制御命令を各制御器２００に伝達して各制御器２００を同時に制御することができる。
【００４０】
上述した少なくとも１つの制御器２００は、内部通信または外部通信を通じて連結されたそれぞれのポリッシング装置３００で取得した演算アルゴリズムと関連した制御命令を実質的に印加し、それぞれのポリッシング装置３００でウェーハ表面（前面表面または／および後面表面）を研磨することになる。
【００４１】
このような少なくとも１つの制御器２００は、それぞれのポリッシング装置３００と区別されて連結されるが、それぞれのポリッシング装置３００の内部に配置されることもできる。
【００４２】
以下、前述した演算アルゴリズムを導出するためのポリッシング測定装置１００についてより具体的に説明する。
＜ポリッシング測定装置の実施例＞
【００４３】
図２は、一実施例によるポリッシング測定装置の一例を例示的に示したブロック構成図である。
【００４４】
そして、図３は、図２のポリッシング測定装置に開示された形状スキャン部の動作の一例を示した構成図であり、図４は、図２のポリッシング測定装置のプロファイル決定部によって取得したプロファイルの一例を示した構成図である。図３および図４は、図２を説明するとき補助的に引用することにする。
【００４５】
図２を参照すると、一実施例によるポリッシング測定装置１００は、形状スキャン部１１０、プロファイル決定部１２０、終点時間演算部１３０、および研磨時間変更部１４０を含む。
【００４６】
一実施例において、形状スキャン部１１０は、各ウェーハの研磨時間を制御する少なくとも１つの制御器からウェーハ形状（ウェーハ形状情報）を受信し、受信されたウェーハ形状をスキャンすることができる。
【００４７】
望ましくは、形状スキャン部１１０は、ウェーハの前面表面または／および背面表面に対してスキャンを実施することができる。例えば、図３のように、形状スキャン部１１０は、ウェーハの前面の中心に対応する位置からウェーハ前面の中心を通って先端に向かって通っていくと、ウェーハの前面全体がスキャンできるようになる。前記形状スキャン部１１０は、ポリッシング装置３００に備えられることもできる。
【００４８】
一実施例において、プロファイル決定部１２０は、形状スキャン部１１０によりスキャンされたウェーハ形状に対して各位置ごとに厚さを演算することができる。例えば、形状スキャン部１１０がウェーハの同一線上に位置した各位置地点ごとに厚さを演算することができる。
【００４９】
同一線上に位置した位置別のウェーハ表面は、でこぼこしているように任意の形状を有しているので厚さ演算が可能である。
【００５０】
ここで、上述した厚さは、ウェーハ表面の位置別のウェーハの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含むことができる。
【００５１】
例えば、任意の形状がでこぼこしている場合、最も高い高さが最大厚さとしてプロファイル決定部１２０により認識されて演算され、最も低い高さが最小厚さとしてプロファイル決定部１２０により認識されて演算され、その間の平均高さが平均厚さとしてプロファイル決定部１２０により認識されて演算され得る。
【００５２】
このように、残りの厚さ要素の１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さもウェーハ表面の中央を基点として、１／４、２／４および３／４等分したとき、各高さに対する厚さをプロファイル決定部１２０で演算することができる。
【００５３】
さらに、一実施例によるプロファイル決定部１２０は、演算された少なくとも１つの厚さ（厚さ情報である）に基づいてウェーハタイプと関連した少なくとも１つのプロファイル（プロファイル情報である）を決定することができる。
【００５４】
つまり、プロファイル決定部１２０は、同一線上のウェーハ表面の位置別に少なくとも１つの厚さ要素が分かるようになると、その形状を容易に予測することができるようになり、これに基づいてウェーハ表面の位置別にウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイル形状が十分に分かるようになる。
【００５５】
上述した少なくとも１つのプロファイルは、ウェーハ形状の演算された少なくとも１つの厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含むことができる。
【００５６】
このような少なくとも１つのプロファイル形状は、図４のように示すことができる。図４に示されたＣｏｎｖｅｘ型は、ウェーハ表面の平坦化のために他の類型に比べて研磨時間が多く必要であり、その次にＷ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型の順に研磨時間が短くなり得る。しかし、前述した４つの類型のプロファイル形状に限定されるものではない。
【００５７】
一実施例において、終点時間演算部１３０は、プロファイル決定部１２０により決定された４種類のウェーハ形状と関連したプロファイル別のＰＶ値（Ｐｅａｋ−ｔｏ−Ｖａｌｌｅｙ  Ｖａｌｕｅ）を演算することができる。
【００５８】
ＰＶ値が演算されると、図４のように実際の各プロファイル別の研磨可能な時間が分かる。しかし、一次的な研磨時間が計算されて実際のウェーハ表面の研磨に適用されても、誤差が発生して容易にウェーハ表面の平坦化が成されないことがある。
【００５９】
これを防止するために、終点時間演算部１３０は、予測ＰＶ値を予め設定してウェーハ表面の平坦化に活用することができる。上述した予測ＰＶ値は、少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間または／および研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値であり得る。
【００６０】
これによって、一実施例による終点時間演算部１３０は、演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いて誤差を減らすことができるデルタ補正値を演算し、これを活用して各プロファイル別のウェーハ表面の研磨に適用される研磨終点時間を演算することができる。
【００６１】
例えば、デルタ補正値（Ｄ）は、下記の式（１）の演算を通じて取得され、研磨終点時間（Ｔ）は、既に取得したデルタ補正値（Ｄ）と各ＰＶ値により演算された制御時間（ｔ）とを活用して研磨終点時間（Ｔ）を演算することができる。
【００６２】
すなわち、終点時間演算部１３０は、下記の式（２）を通じて研磨終点時間（Ｔ）を演算することができる。上述したＰＶ値が低いほどウェーハ表面の平坦化（ＧＢＩＲ（ｇｌｏｂａｌ  ｆｌａｔｎｅｓｓ  ｖａｌｕｅｓ））が良好になるので、制御時間（ｔ）はＰＶ値に応じて決定され得る。
【００６３】
デルタ補正値（Ｄ）＝予測ＰＶ値−ＰＶ値…式（１）
【００６４】
研磨終点時間（Ｔ）は、ＰＶ値による制御時間（ｔ）±デルタ補正値（Ｄ）…式（２）
【００６５】
最後に、一実施例において、研磨時間変更部１４０は、終点時間演算部１３０により演算された研磨終点時間（Ｔ）を、内部通信または外部通信を通じて連結された少なくとも１つの制御器２００に伝送することができる。
【００６６】
このように演算された研磨終点時間（Ｔ）が各制御器２００に伝送されるため、各制御器２００で取得する研磨終点時間（Ｔ）は異なり得る。したがって、一実施例によるポリッシング測定装置１００は、各制御器２００ごとに演算されたアルゴリズムを該当する制御器２００に伝送することによって、少なくとも１つの制御器２００を同時に制御することができる。
【００６７】
しかし、従来の装置においては、前述した演算アルゴリズムを適用していないだけでなく、各制御器２００を同時に制御するメカニズムを提供することができなかった。
【００６８】
研磨終点時間（Ｔ）を受信した少なくとも１つの制御器２００は、取得した研磨終点時間により一次的に研磨中の各ウェーハの研磨時間を変更させることができる。
【００６９】
すなわち、少なくとも１つの制御器２００は、一次的な研磨時間を二次的な研磨時間の研磨終点時間に変更して各ポリッシング装置３００に印加させることができる。これによって、各ポリッシング装置３００は、変更された二次的な研磨終点時間によりウェーハ表面を研磨することになる。
【００７０】
以上のように、本実施例においては、ウェーハタイプのプロファイル別の補正値を演算して研磨時間を変更適用することによって、ウェーハ表面に欠陥がないウェーハ表面における優れた平坦化を成し、複数の制御器を同時に制御することによって、設備費用を顕著に減らす長所を有する。
＜ポリッシング制御システムの実施例＞
【００７１】
図５は、一実施例によるポリッシング制御システムの一例を例示的に示したブロック構成図である。
【００７２】
図５を参照すると、一実施例によるポリッシング制御システム４００は、ポリッシング測定装置４１０、制御器４２０、およびポリッシング装置４３０を含む。
【００７３】
一実施例において、ポリッシング測定装置４１０は、それぞれ内部通信または外部通信を通じて複数の制御器４２０に連結され、ウェーハの表面を平坦化するための各アルゴリズムを遂行して各制御器４２０に印加する。
【００７４】
前記内部通信または外部通信は、通常に広く知られている連結であるのでその説明は省略する。
【００７５】
一実施例において、制御器４２０は、ポリッシング装置４３０ごとに１つずつ配置され、ポリッシング装置４３０を実質的に制御し、ポリッシング測定装置４１０の制御命令（演算アルゴリズムによる制御命令）により各ポリッシング装置４３０を制御することができる。
【００７６】
さらに、制御器４２０は、ポリッシング測定装置４１０から提供された研磨時間を各ポリッシング装置４３０に印加すると、各ポリッシング装置４３０は、研磨時間により一次的に各ウェーハの表面（前記表面はウェーハの前面と後面を含む）を研磨することができる。
【００７７】
さらに、制御器４２０は、一次的な研磨時間により研磨された各ウェーハの形状（形状情報）を各ポリッシング装置４３０から取得して内部通信または外部通信を通じて１つのポリッシング測定装置４１０に伝送することができる。
【００７８】
上述した各構成間の連結手段である内部通信または外部通信は、通常に広く知られている連結であるのでその説明は省略する。
【００７９】
これによって、一実施例によるポリッシング測定装置４１０は、複数の制御器４２０から受信した各ウェーハの形状に基づいて、前述した演算アルゴリズムを生成することができ、生成された演算アルゴリズムに含まれた研磨終点時間を各制御器４２０に伝送することができる。
【００８０】
各制御器４２０は、取得した研磨終点時間を各ポリッシング装置４３０に印加して研磨中の研磨時間を変更させることができ、各ポリッシング装置４３０は、変更された研磨終点時間に基づいてウェーハ表面に対して二次的な研磨を実施することができる。
【００８１】
一方、１つの制御器４２０は、内部または外部の通信を通じて各ポリッシング装置３００に連結され得るが、各ポリッシング装置３００のある構成として、その内部に配置されることもできる。
【００８２】
以下、前述した演算アルゴリズムを生成するためのポリッシング測定装置４１０についてより具体的に説明する。
＜ポリッシング測定装置の具体的な実施例＞
【００８３】
図６は、一実施例によるポリッシング測定装置の一例を例示的に示したブロック構成図である。前述した図３および図４は、以下の図６を説明するとき補助的に引用する。
【００８４】
図６を参照すると、一実施例によるポリッシング測定装置４１０は、各ウェーハの研磨時間を制御する少なくとも１つの制御器からウェーハ形状（ウェーハ形状情報）を受信し、受信されたウェーハ形状をスキャンすることができる。
【００８５】
望ましくは、ポリッシング測定装置４１０は、ウェーハの前面表面または／および背面表面に対してスキャンを実施することができる。例えば、図３のように、ポリッシング測定装置４１０は、ウェーハの前面の中心に対応する位置からウェーハ前面の中心を通って先端に向かって通っていくと、ウェーハの前面全体がスキャンできるようになる。
【００８６】
さらに、ポリッシング測定装置４１０は、既にスキャンされたウェーハ形状に対して各位置ごとに厚さを演算することができる。形状スキャン部１１０がウェーハの同一線上に位置した各位置地点ごとに厚さが演算され得る。
【００８７】
同一線上に位置した位置別のウェーハ表面は、でこぼこしているように任意の形状を有しているので厚さ演算が可能である。
【００８８】
ここで、上述した厚さは、ウェーハ表面の位置別のウェーハの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含むことができる。
【００８９】
例えば、任意の形状がでこぼこしている場合、前記任意の形状で最も高い高さは最大厚として用いられ、最も低い高さは最小厚さとして用いられ、その間の平均高さは平均厚さとして用いられ得る。
【００９０】
同様に、任意の形状の中央を基点として、１／４、２／４および３／４等分したとき、各高さは１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さとして用いられ得る。
【００９１】
さらには、ポリッシング測定装置４１０は、演算された少なくとも１つの厚さ（厚さ情報である）に基づいてウェーハタイプと関連した少なくとも１つのプロファイル（プロファイル情報である）を決定することができる。
【００９２】
より具体的に、ポリッシング測定装置４１０は、同一線上のウェーハ表面の位置別に少なくとも１つの厚さ要素が分かるようになると、その形状を容易に予測することができるようになり、これに基づいてウェーハ表面の位置別のウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイル形状が十分に分かるようになる。
【００９３】
上述した少なくとも１つのプロファイルは、図３のようにウェーハ形状の演算された少なくとも１つの厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含むことができる。
【００９４】
このような少なくとも１つのプロファイル形状は、図４のように示すことができる。図４に示されたＣｏｎｖｅｘ型は、ウェーハ表面の平坦化のために他の類型に比べて研磨時間が多く必要であり、その次にＷ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型の順に研磨時間が短くなり得る。しかし、前述した４つの類型のプロファイル形状に限定されるものではない。
【００９５】
一実施例において、ポリッシング測定装置４１０は、既に決定された４種類のウェーハ形状と関連したプロファイル別のＰＶ値（Ｐｅａｋ−ｔｏ−Ｖａｌｌｅｙ  Ｖａｌｕｅ）を演算することができる。
【００９６】
ＰＶ値が演算されると、図４のように実際の各プロファイル別の研磨可能な時間が分かる。しかし、一次的な研磨時間が計算されて実際のウェーハ表面の研磨に適用されても、誤差が発生して容易にウェーハ表面の平坦化が成されないことがある。
【００９７】
これを防止するために、ポリッシング測定装置４１０は、予測ＰＶ値を予め設定してウェーハ表面の平坦化に活用することができる。上述した予測ＰＶ値は、少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間または／および研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値であり得る。
【００９８】
これによって、ポリッシング測定装置４１０は、既に演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いて誤差を減らすことができるデルタ補正値を演算し、これを活用して各プロファイル別のウェーハ表面の研磨に適用される研磨終点時間を演算することができる。
【００９９】
例えば、デルタ補正値（Ｄ）は、下記の式（３）の演算を通じて取得され、研磨終点時間（Ｔ）は、既に取得したデルタ補正値（Ｄ）と各ＰＶ値により演算された制御時間（ｔ）とを活用して研磨終点時間（Ｔ）を演算することができる。
【０１００】
すなわち、ポリッシング測定装置４１０は、下記の式（４）を通じて研磨終点時間（Ｔ）を演算することができる。上述したＰＶ値が低いほどウェーハ表面の平坦化（ＧＢＩＲ（ｇｌｏｂａｌ  ｆｌａｔｎｅｓｓ  ｖａｌｕｅｓ））が良好になるので、制御時間（ｔ）はＰＶ値に応じて決定され得る。
【０１０１】
デルタ補正値（Ｄ）＝予測ＰＶ値−ＰＶ値…式（３）
【０１０２】
研磨終点時間（Ｔ）＝ＰＶ値による制御時間（ｔ）±デルタ補正値（Ｄ）…式（４）
【０１０３】
一実施例において、ポリッシング測定装置４１０は、既に演算された研磨終点時間（Ｔ）を、内部通信または外部通信を通じて連結された少なくとも１つの制御器４２０に伝送することができる。
【０１０４】
このように、演算された研磨終点時間（Ｔ）が各制御器４２０に伝送されるため、各制御器４２０で取得する研磨終点時間（Ｔ）は異なり得る。したがって、一実施例によるポリッシング測定装置４１０は、各制御器４２０ごとに演算されたアルゴリズムを該当する制御器４２０に伝送することによって、少なくとも１つの制御器４２０を同時に制御することができる。
【０１０５】
しかし、従来の装置においては、前述した演算アルゴリズムを適用していないだけでなく、各制御器２００を同時に制御するメカニズムを提供することができなかった。
【０１０６】
研磨終点時間（Ｔ）を受信した少なくとも１つの制御器４２０は、既に取得した研磨終点時間により一次的に研磨中の各ウェーハの研磨時間を変更させることができる。
【０１０７】
すなわち、少なくとも１つの制御器４２０は、一次的な研磨時間を二次的な研磨時間の研磨終点時間に変更して各ポリッシング装置４３０に印加させることができる。これによって、各ポリッシング装置４３０は、変更された二次的な研磨終点時間によりウェーハ表面に対する研磨を実施することになる。
【０１０８】
以上のように、本実施例においては、ウェーハタイプのプロファイル別の補正値を演算して研磨時間を変更適用することによって、ウェーハ表面に欠陥がないウェーハ表面における優れた平坦化を成し、複数の制御器を同時に制御することによって、設備費用を顕著に減らす長所を有する。
＜研磨時間の制御方法の実施例＞
【０１０９】
図７は、一実施例による研磨時間の制御方法の一例を例示的に示したフローチャートである。
【０１１０】
一実施例による研磨時間の制御方法５００は、ポリッシング測定装置を通じて複数の制御器の各ウェーハに対する一次研磨時間と二次研磨時間を制御する。
【０１１１】
ここで、一次研磨時間は、各ウェーハ表面（例：前面と後面の表面を含む）に対して一次的に研磨する時間を示し、上述した二次研磨時間は一次研磨時間を補正した時間であって、一度研磨された各ウェーハ表面に対して再び研磨する時間を示すことができる。
【０１１２】
上述したポリッシング測定装置は、図１ないし図６で説明されたためそれについての説明は省略するが、本実施例にも適用される。ただし、本実施例においては、図１ないし図６のポリッシング測定装置の全体構成または一部構成のみで実施され得る。
【０１１３】
前述したポリッシング測定装置によって実現される研磨時間の制御方法５００は以下の通りである。
【０１１４】
図７を参照すると、一実施例による研磨時間の制御方法５００は、ポリッシング測定装置を通じてウェーハ表面の平坦化を実施するためにステップ５１０ないしステップ５５０を含む。
【０１１５】
先に、例示的なステップ５１０において、ポリッシング測定装置は、少なくとも１つの制御器から提供されたウェーハ形状（ウェーハの形状情報である）をスキャンすることができる。前記ウェーハ形状は、一次加工されたウェーハの形状情報であり得る。
【０１１６】
例示的なステップ５２０において、ポリッシング測定装置は、既にスキャンされたウェーハ形状に基づいて各ウェーハの同一線上に位置した位置別の厚さを演算することができる。
【０１１７】
演算に用いられた厚さは、同一線上に位置したウェーハの位置別の各ウェーハの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含むことができる。このような例は、図３で十分に議論され、本実施例にも適用され得る。
【０１１８】
例示的なステップ５３０において、ポリッシング測定装置は、既に演算されたウェーハ表面の位置別の厚さに基づいてウェーハタイプと関連した少なくとも１つのプロファイルを決定することができる。
【０１１９】
例えば、上述した少なくとも１つのプロファイルは、前記演算されたウェーハ形状の厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含むことができる。このような例は、図４で十分に議論され、本実施例にも適用され得る。
【０１２０】
例示的なステップ５４０において、ポリッシング測定装置は、既に決定されたプロファイル別のＰＶ値を演算し、前記演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算することができる。
【０１２１】
上述したデルタ補正値は、予測ＰＶ値−ＰＶ値を指し、研磨終点時間は、既に演算されたＰＶ値による制御時間±デルタ補正値を指すことができ、予測ＰＶ値は、少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間または研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値であり得る。
【０１２２】
最後に、例示的なステップ５５０において、ポリッシング測定装置は、既に演算された研磨終点時間を少なくとも１つの制御器に伝送して研磨中の各ウェーハの研磨時間を変更させることができる。
【０１２３】
例えば、少なくとも１つの制御器は、一次的な研磨時間を二次的な研磨時間の研磨終点時間に変更して各ポリッシング装置に印加させることができる。これによって、各ポリッシング装置は、変更された二次的な研磨終点時間によりウェーハ表面に対する研磨を実施することになる。
【０１２４】
以上のように、本実施例においては、ウェーハタイプのプロファイル別の補正値を演算して研磨時間を変更適用することによって、ウェーハ表面に欠陥がないウェーハ表面における優れた平坦化を成し、複数の制御器を同時に制御することによって、設備費用を顕著に減らす長所を有する。
【０１２５】
一方、前述した予測ＰＶ値、デルタ補正値または／および研磨終点時間などは、例えば、４つのウェーハタイプのプロファイル形状によって、設定される値や演算結果が変わることがある。以下、これについてさらに説明する。
＜ウェーハ厚さとプロファイル間のギャップの相関関係に対する実施例＞
【０１２６】
図８は、一実施例によるウェーハ形状とギャップとの相関関係を図式化して示した図であり、図９は、ウェーハ形状のプロファイル形状とギャップとの相関関係を図式化して示したグラフである。
【０１２７】
図１ないし図７で説明されたポリッシング測定装置は、ウェーハ表面の平坦化のために、例えば、４つのタイプのウェーハのプロファイル形状（ウェーハ表面の形状）により研磨時間を増やすか減らすように予測ＰＶ値を設定し、研磨終点時間を演算することができる。
【０１２８】
例えば、図８に示されたウェーハ形状の点線は、研磨時間が短いときのウェーハ形状であって、点線のウェーハ形状の高さとＣａｒｒｉｅｒ間のギャップ（Ｇａｐ）が大きいほどウェーハのエッチ形状もＲｏｌｌ−ｏｆｆが激しいため、Ｃｏｎｖｅｘ型のプロファイル形状を有することができる。
【０１２９】
Ｃｏｎｖｅｘ型のプロファイル形状である場合、研磨時間が増えると実線のウェーハ形状になり、その分実線のウェーハ形状の高さとＣａｒｒｉｅｒ間のギャップ（Ｇａｐ）が小さくなり、ウェーハのエッチ形状もＲｏｌｌ−ｏｆｆが減少する形状となる。このようなギャップの相関関係をプロファイルタイプに適用すると、図９のように示すことができる。
【０１３０】
図９に示されたＣｏｎｖｅｘ型のプロファイルタイプは、ギャップの差が最も大きく、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型のプロファイル形状の順にギャップの差が小さくなることがわかる。
【０１３１】
したがって、図１ないし図７で説明したポリッシング測定装置は、ウェーハのプロファイル形状がＣｏｎｖｅｘ型であると、研磨終点時間を増やしてＣｏｎｃａｖｅ形態になるようにし、ウェーハ表面の中央（Ｃｅｎｔｅｒ）の研磨量が増えて平坦化に近づく方向に予測ＰＶ値などを設定し、残りのＷ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型のプロファイル形状も図８のギャップの差を考慮して平坦化に近づく方向に予測ＰＶ値などを設定することができる。
【０１３２】
これによって、図１ないし図７の実施例は、前述した予測ＰＶ値などが反映されたデルタ補正値と研磨終点時間は、ウェーハ表面の平坦化を成すことに大きく寄与できるようになる。
【０１３３】
以上、開示された実施例は、本発明の精神および必須の特徴を逸脱しない範囲で他の特定の形態に具体化できることは当業者にとって自明である。
【０１３４】
したがって、前述した説明は、すべての面で制限的に解釈されてはならず、例示的なものと考慮されるべきである。本実施例の範囲は、添付された請求項の合理的解釈によって決定されるべきであり、本実施例の等価的範囲内におけるすべての変更は本実施例の範囲に含まれる。
【発明の実施のための形態】
【０１３５】
発明の実施のための形態は前述した「発明を実施するための形態」で十分に説明された。
【０１３６】
［産業上の利用可能性］
前述したポリッシング測定装置およびその研磨時間の制御方法、ならびにそれを含んだポリッシング制御システムは、ウェーハの表面形状によって補正値を演算して研磨終点時間に反映し、研磨終点時間を各ポリッシング装置別の制御器にそれぞれ印加するので、ウェーハ表面に欠陥がなく平坦化に優れたウェーハを製造できるウェーハ製造装置に適用され得る。
【図１】
2019507027.tif 000003
【図２】
2019507027.tif 000004
【図３】
2019507027.tif 000005
【図４】
2019507027.tif 000006
【図５】
2019507027.tif 000007
【図６】
2019507027.tif 000008
【図７】
2019507027.tif 000009
【図８】
2019507027.tif 000010
【図９】
2019507027.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月18日(2018.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記プロファイル決定部は、前記各ウェーハの同一線上に位置した位置別の厚さを演算することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
一実施例において、プロファイル決定部１２０は、形状スキャン部１１０によりスキャンされたウェーハ形状に対して各位置ごとに厚さを演算することができる。例えば、プロファイル決定部１２０がウェーハの同一線上に位置した各位置地点ごとに厚さを演算することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
さらに、ポリッシング測定装置４１０は、既にスキャンされたウェーハ形状に対して各位置ごとに厚さを演算することができる。ポリッシング測定装置４１０がウェーハの同一線上に位置した各位置地点ごとに厚さが演算され得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各ウェーハの研磨時間を制御する少なくとも１つの制御器から提供されたウェーハ形状をスキャンする形状スキャン部；
前記スキャンされたウェーハ形状の厚さを演算してウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイルを決定するプロファイル決定部；
前記決定されたプロファイル別のＰＶ値を演算し、前記演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算する終点時間演算部；および
前記演算された研磨終点時間を前記少なくとも１つの制御器に伝送して研磨中の前記各ウェーハの研磨時間を変更する研磨時間変更部
を含む、ポリッシング測定装置。
【請求項２】
前記ウェーハ形状は、
前記研磨時間により生成された結果である、請求項１に記載のポリッシング測定装置。
【請求項３】
前記プロファイル決定部は、
前記各ウェハーの同一線上に位置した位置別の厚さを演算する、請求項１又は 請求項 ２に記載のポリッシング測定装置。
【請求項４】
前記厚さは、
前記位置別の前記各ウェハーの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含む、請求項３に記載のポリッシング測定装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つのプロファイルは、
前記演算されたウェハー形状の厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含む、請求項４に記載のポリッシング測定装置。
【請求項６】
前記デルタ補正値は、前記予測ＰＶ値−前記ＰＶ値であり、
前記研磨終点時間は、前記ＰＶ値による制御時間±前記デルタ補正値である、請求項１に記載のポリッシング測定装置。
【請求項７】
前記予測ＰＶ値は、
前記少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間または研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値である、請求項６に記載のポリッシング測定装置。
【請求項８】
前記研磨時間変更部は、前記終点時間演算部によって演算された研磨終点時間（Ｔ）を、内部通信または外部通信を通じて連結された少なくとも１つの制御器に伝送する、請求項１に記載のポリッシング測定装置。
【請求項９】
前記研磨終点時間（Ｔ）を受信した前記少なくとも１つの制御器は、取得した研磨終点時間により一次的に研磨中の各ウェハーの研磨時間を変更する、請求項８に記載のポリッシング測定装置。
【請求項１０】
スキャンされたウェーハ形状の厚さを演算してウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイルを決定し、前記決定されたプロファイル別に演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算するポリッシング測定装置；
前記各ウェーハの研磨時間を以下のポリッシング装置に印加して研磨中の前記ウェーハ形状を取得し、前記研磨時間を前記演算された研磨終点時間に変更する少なくとも１つの制御器；および
前記研磨時間により前記各ウェーハの表面を一次研磨し、前記変更された研磨終点時間により前記各ウェーハの表面を二次研磨するポリッシング装置
を含む、ポリッシング制御システム。
【請求項１１】
前記ポリッシング測定装置は、
前記各ウェーハの同一線上に位置した位置別の厚さを演算する、請求項１０に記載のポリッシング制御システム。
【請求項１２】
前記厚さは、
前記位置別の前記各ウェーハの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含む、請求項１１に記載のポリッシング制御システム。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのプロファイルは、
前記演算されたウェーハ形状の厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含む、請求項１２に記載のポリッシング制御システム。
【請求項１４】
前記デルタ補正値は、前記予測ＰＶ値−前記ＰＶ値であり、
前記研磨終点時間は、前記ＰＶ値による制御時間±前記デルタ補正値である、請求項１０に記載のポリッシング制御システム。
【請求項１５】
前記予測ＰＶ値は、
前記少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間または研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値である、請求項１４に記載のポリッシング制御システム。
【請求項１６】
ポリッシング測定装置を通じて複数の制御器の各ウェーハに対する研磨終点時間を制御するための方法であって、
少なくとも１つの制御器から提供されたウェーハ形状をスキャンするステップ；
前記スキャンされたウェーハ形状に基づいて前記各ウェーハの同一線上に位置した位置別の厚さを演算するステップ；
前記演算された位置別の厚さに基づいてウェーハタイプに対する少なくとも１つのプロファイルを決定するステップ；
前記決定されたプロファイル別のＰＶ値を演算し、前記演算されたＰＶ値と設定された予測ＰＶ値とを用いてデルタ補正値と研磨終点時間とを演算するステップ；および
前記演算された研磨終点時間を前記少なくとも１つの制御器に伝送して研磨中の前記各ウェーハの研磨時間を変更させるステップ
を含む、研磨時間の制御方法。
【請求項１７】
前記厚さは、
前記位置別の前記各ウェーハの最大厚さ、最小厚さ、平均厚さ、１／４厚さ、２／４厚さ、および３／４厚さのうち少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の研磨時間の制御方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのプロファイルは、
前記演算されたウェーハ形状の厚さに基づいて区別されたＣｏｎｖｅｘ型、Ｗ字型、Ｍ字型、およびＣｏｎｃａｖｅ型を含む、請求項１７に記載の研磨時間の制御方法。
【請求項１９】
前記デルタ補正値は、前記予測ＰＶ値−前記ＰＶ値であり、
前記研磨終点時間は、前記ＰＶ値による制御時間±前記デルタ補正値である、請求項１６に記載の研磨時間の制御方法。
【請求項２０】
前記予測ＰＶ値は、
前記少なくとも１つのプロファイルごとに予測された研磨時間または研磨時間に影響を与える環境的要素に基づいて予測された値である、請求項１９に記載の研磨時間の制御方法。
【国際調査報告】
2019507027.tif 000012
2019507027.tif 000013
2019507027.tif 000014
2019507027.tif 000015