(57)【要約】本発明は特に、原子炉の「容器底貫通部」（１４）の壁（１４０）のような円筒壁（１４０）における溶接欠陥を検査し、測定するためのデバイス（３）に関する。前記デバイスは、長手軸（X‐X'）に沿って近位端（EP）および遠位端（DP）をもつプローブをなす検査ヘッド（４）を有し、「内側」と呼ばれる第一の側（４２）には少なくとも一つの超音波変換器が設けられ、前記検査ヘッド（４）は前記第一の側（４２）と反対の「外側」と呼ばれる第二の側（４３）を有し、前記第二の側は、前記ヘッド（４）の長手軸（X‐X'）に平行な長手軸をもつ円筒断片の形の曲面をもち、外側に向かって凸であり、前記音波変換器は隣接した素子（５０）の系列（５）からなり、各素子（５０）は送信器かつ受信器の両方であり、前記系列（５）は前記長手軸（X‐X'）と同じ方向の円筒断片の形の表面をもち、外側に向かって凸であり；前記第二の側（４３）の円筒断片の二つの端の母線を含む平面（P1）は、前記音波変換器の前記円筒断片の二つの端の母線を含む平面（P2）と、0でない鋭角βをなすことを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子炉の「容器底貫通部」の壁のような円筒壁における溶接欠陥を検査し、測定するためのデバイスであって、当該デバイスは、長手軸に沿って近位端および遠位端をもつプローブをなす検査ヘッドを有し、「内側」と呼ばれる該検査ヘッドの第一の側には少なくとも一つの超音波トランスデューサーが設けられ、
・前記検査ヘッドは前記第一の側と反対の「外側」と呼ばれる第二の側を有し、前記第二の側は、前記ヘッドの長手軸に平行な長手軸の円筒断片の形の曲面をもち、外側に向かって凸であり；
・前記音波トランスデューサーは隣接した素子の系列で形成され、各素子は送信器かつ受信器の両方であり、前記系列の表面は曲がっており、前記長手軸と同じ方向の円筒断片の形であり、外側に向かって凸であり；
前記第二の側の円筒断片の二つの端の母線を含む平面は、前記音波トランスデューサーの前記円筒断片の二つの端の母線を含む平面と、0でない鋭角βをなす、
ことを特徴とする、デバイス。
【請求項２】
前記角βは約21°であることを特徴とする、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記素子は相前後して配列され、それぞれの間には狭いスペースがあることを特徴とする、請求項１または２記載のデバイス。
【請求項４】
各素子は二次元アレイに分布したいくつかのサブ素子に細分され、それにより各サブ素子は、長手方向に少なくとも一つの隣接サブ素子をもち、横断方向に少なくとも一つの隣接サブ素子をもつことを特徴とする、請求項１ないし３のうちいずれか一項記載のデバイス。
【請求項５】
当該デバイスは操作棒を有し、該操作棒は、その遠位端に前記検査ヘッドをもつ、請求項１ないし４のうちいずれか一項記載のデバイス。
【請求項６】
前記素子の系列の曲率半径が8から30mmまでの間であり、好ましくは10mm程度である、請求項１ないし５のうちいずれか一項記載のデバイス。
【請求項７】
原子炉の「容器底貫通部」のような円筒状の導路における溶接欠陥を検査し、測定する方法であって、当該方法は請求項１ないし６のうちいずれか一項記載のデバイスを利用し、当該方法は、前記検査ヘッドを前記円筒状の導路の内部に挿入する段階であって、該検査ヘッドは前記導路の内側壁と同じ曲率半径をもつ「外側」をもつ、段階と；前記外側を前記内側壁に押しつける段階と；前記内側壁の少なくとも一部をスキャンする段階であって、その間、前記外側は前記内側壁と接触したままである、段階とを含むことを特徴とする、方法。
【請求項８】
前記ヘッドは前記導路の内部で一連の長手方向の動きにおいて動かされ、長手方向の動きと動きの間に角度動きがこのヘッドに付与される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記ヘッドは前記導路の内部で一連の角度動きにおいて動かされ、角度方向の動きと動きの間に長手方向動きがこのヘッドに付与される、請求項７記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶接欠陥を測定するための装置およびその実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
添付の図１に示されるような原子炉１の動作は、燃料集合体１０の軸方向に沿った中性子束の測定を必要とする。
【０００３】
稼働中の原子炉の大半について、この目的のために設けられる機器は、「容器底貫通」管（あるいはVBP）１４として知られる通路を介して「容器底」と呼ばれる反応容器１の半球状の底１３にはいる柔軟パイプ１２によって引かれるプローブ１１を使う。通路の詳細な図解は図２に与えられる。
【０００４】
これらのVBP管は、容器底１４の内側殻に溶接される。典型的には、フランスが保有する原子力発電所における900Mweの一つの原子炉は約50のVBPを有する。VBPにおける漏れ、特に溶接２の欠陥による漏れは、原子炉の主要回路における途絶になるだろう。管溶接の品質が、垂直位置における管の良好な保持および容器の密閉を保証する。
【０００５】
しかしながら、溶接部２に対する損傷の測定のためには、定性的な方法が必要とされる。
【０００６】
この技術的課題の解決は、管の容器底の位置によるアクセスの困難さのため、また溶接部の近傍のトポロジーのため、難しさが増す。図に示されるように、容器底は主として平坦だが、その周の領域では曲がっている。つまり、容器の面は、常に鉛直に、燃料集合体の方向に配置された管に直交する平面内にあるとは限らない。
【０００７】
図２に示されるように、容器底の強い曲率半径のため、溶接された管のまわりの非対称な形の溶接部２になっている。この非対称性は、VBPの軸と底１３の内側殻１３０の接平面とがなす角αと相関する。たとえば、この角度は、容器底１３０の端部からその中心に向けて、それぞれ約45°から約5°まで変わりうる。
【０００８】
VBPを検査するためのプローブは、管の外側からアクセスするデバイスを使って利用可能である。この族のプローブによって検査される領域は、管の主要部に限られ、すべてのVBPにおける任意の型の欠陥の検査を許容するものではない。
【０００９】
管内からの検査のためのいわゆる「TOFD」プローブ（Time  of  Flight  Diffraction［飛行時間回折］）が利用可能であり、音響波を生成し、測定することによって機能する。
【００１０】
これらのプローブを使う方法は、溶接部のそれぞれの側に位置される、二つの「音響トランスデューサー」を使って溶接部を検査する。溶接部に何らかの不連続性があれば、それが通常の音響学の法則に従ってエネルギーの一部を回折させる。この回折されたエネルギーが受信トランスデューサーによって回収され、「飛行時間」測定によって不連続性を位置特定するために使われる。
【００１１】
さらに、内部からこれらの管を検査するための「角度トランスデューサー」型のプローブが知られている。このデバイスでは、単一のセンサーが送受信両方に使われる。該センサーは、音響学の法則（スネル・デカルトの法則）に従って単一の方向にビームを偏向させることのできる楔形の上に置かれる。
【００１２】
したがって、放出されるビームの単一の方向のため、センサーを用いて、音響エネルギーがセンサーのほうに戻ることを許容する配向をもつ欠陥を検出することができる。
【００１３】
これら二つの型のプローブ（「TOFD」および「角度トランスデューサー」）は、VBP管の内側を検査するために、たとえばInetec社から市販されている。
【００１４】
それらは、容器底貫通部の検査についての最近の文献にも見出せる（非特許文献１）。
【００１５】
これら二つの型のプローブ（角度トランスデューサーまたはTOFDプローブ）の欠点は、超音波ビームを溶接部における単一のエリアに、単一の方向で送ることしか許容しないという事実にある。この制約は前記プローブの寸法によって課される。
【００１６】
たとえば、TOFDプローブの場合、このエリアは事実上、トランスデューサーが位置される楔形の角度および送信部と受信部の間の距離によって課される。同様に、「角度トランスデューサー」の場合、ビーム方向は楔形の角度によって課される。
【００１７】
「複数素子」解決策、すなわち（没入型のまたは柔軟な楔形との接触型または剛性の楔形上の接触型の）いくつかの素子をもつ解決策も、外側からの溶接検査のための現状技術において存在する。
・「柔軟接触」の例：非特許文献２
・「剛性楔形上の接触」の例：非特許文献３
・「没入」の例：非特許文献４。
【００１８】
しかしながら、これらのデバイスは小さな角度αをもつVBPの溶接部の検査は許容しない。「柔軟な楔形」法の場合、タイトなスペースが柔軟な楔形によるエリアの検査を妨げる。「没入」または「剛性の楔形上の接触」法の場合、小さなクリアランスの問題と、三次元的に変化する表面不規則性の両方があって検査を妨げる。
【００１９】
さらに、管内部の検査のための「楔形」型の複数素子解決策が現状技術において開示されているが、これらは、定義されたような提起される技術的課題に基づくVBPの非対称的な溶接部の欠陥の測定は許容しない。
【００２０】
さらに、それらは大きな内径をもつコンポーネントにおける欠陥の測定を許容するだけである（たとえば非特許文献５参照）。
【００２１】
特許文献については、この主題についての現状技術は特許文献１、特許文献２、特許文献３に示される。
【００２２】
いずれにせよ、これら従来の刊行物は以下の点で共通している。
【００２３】
外側から作用するいかなる方法もいかなる検出機器も、特に曲率半径がこの上なく制約的であるときは、溶接された接合部／管エリアへのアクセスを提供しない。これは特許文献４、５に記載されるデバイスで特にそうである。
【００２４】
管の内側での検出を許容する解決策は、（管が小さな直径のときの）タイトなスペースの問題やこの溶接部の非対称な性質には取り組まない。
【００２５】
上記において詳述した欠点を克服し、上記の欠点を解消することが本発明の目的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２６】
【特許文献１】特開2013-217770
【特許文献２】特開2011-252759
【特許文献３】仏国特許出願公開第2717578号
【特許文献４】特開2014-185895
【特許文献５】国際公開第81/02636号パンフレット
【非特許文献】
【００２７】
【非特許文献１】Joon  Soo  Park,  et  al、‘Development  of  Automated  Nondestructive  Inspection  System  for  BMI  Nozzles  in  Nuclear  Vessel’,  Journal  of  the  Korean  Society  for  Nondestructive  Testing,  Vol.33,  No.1:  26-33,  2013
【非特許文献２】Bastien  Chapuis  et  al、‘Zone  Sensitivity  Optimization  For  The  Ultrasonic  Inspection  Of  Complex  3D  Geometries  Using  Civa  Software’,  ICNDE  2013
【非特許文献３】V  Chardome  et  al、‘Development  And  Qualification  Of  A  Procedure  For  The  Mechanized  Ultrasonic  Examination  Of  Structural  Weld  Overlays’,  ICNDE  2013
【非特許文献４】T.  Miura  et  al、‘Development  of  Ultrasonic  And  Eddy  Current  Testing  techniques  For  Curved  Structures’,  ICNDE  2013
【非特許文献５】Jerome  Poguet  et  al、8th  ECNDT,  Barcelona,  17-21  June  2002
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００２８】
したがって、本発明は、原子炉の「容器底貫通部」の壁のような円筒壁における溶接欠陥を検査し、測定するためのデバイスに関する。本デバイスは、長手軸（X‐X'）に沿って近位端および遠位端をもつプローブをなす検査ヘッドを有し、「内側」と呼ばれる該検査ヘッドの第一の側には少なくとも一つの超音波トランスデューサーが設けられ、
・前記検査ヘッドは前記第一の側と反対の「外側」と呼ばれる第二の側を有し、前記第二の側は、前記ヘッドの長手軸（X‐X'）に平行な長手軸の円筒断片の形の曲面をもち、外側に向かって凸であり；
・前記音波トランスデューサーは隣接した素子の系列で形成され、各素子は送信器かつ受信器の両方であり、前記系列の表面は曲がっており、前記長手軸（X‐X'）と同じ方向の円筒断片の形であり、外側に向かって凸であり；
前記第二の側の円筒断片の二つの端の母線を含む平面（P1）は、前記音波トランスデューサーの前記円筒断片の二つの端の母線を含む平面（P2）と、0でない鋭角βをなす。
【００２９】
このデバイスの有利な、限定しない特徴によれば、
・前記角度βは約21°である；
・前記素子は前後に順次一列に配列され、それぞれの間には狭いスペースがある；
・各素子は二次元アレイに分布したいくつかのサブ素子に細分され、それにより各サブ素子は、長手方向に少なくとも一つの隣接サブ素子をもち、横断方向に少なくとも一つの隣接サブ素子をもつ；
・当該デバイスは操作棒を有し、該操作棒は、その遠位端に前記検査ヘッドをもつ；
・素子の系列の曲率半径は8から30mmまでの間であり、好ましくは10mm程度である。
【００３０】
また、本発明は、原子炉の「容器底貫通部」のような円筒状の導路における溶接欠陥を検査し、測定する方法に関し、該方法は上記の特性の一つに基づくデバイスを利用する。
【００３１】
本発明によれば、この方法は、前記検査ヘッドを前記円筒状の導路の内部に挿入する段階であって、該検査ヘッドは前記導路の内側壁と同じ曲率半径をもつ「外側」をもつ、段階と；前記外側を前記内側壁に押しつける段階と；前記内側壁の少なくとも一部をスキャンする段階であって、その間、前記外側は前記内側壁と接触したままである、段階とを含むという事実を特徴とする。
【００３２】
この方法の他の有利な、限定しない特徴によれば、
・前記ヘッドは前記導路内部で一連の長手方向の動きにおいて動かされる。長手方向の動きと動きの間に角度動きがこのヘッドに付与される。
・前記ヘッドは前記導路内部で一連の角度動きにおいて動かされる。角度方向の動きと動きの間に長手方向動きがこのヘッドに付与される。
【００３３】
特徴のこの組み合わせを用いれば、円筒状VBP壁の、たとえば該VBPの内側での完全に機能する検査を実施することが可能である。特に、要素の特定の分布および配向が、一回で非常に幅広い範囲の角度にわたるスキャンを許容するからである。
【００３４】
請求項を含む本願を通じて、変換器という用語が、トランスデューサーの代わりに使用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
本発明の他の特徴および利点は、本発明のある好ましい実施形態の以下の記述を読めば、明白になるであろう。この記述は、付属の図面を参照して与えられる。
【図１】上記のように、本願出願人に知られている現状技術を示す図である。
【図２】上記のように、本願出願人に知られている現状技術を示す図である。
【図３】検査すべきVBP内の位置における本発明に従うデバイスの検査ヘッドの簡略化された斜視図である。
【図４】図３に示した検査ヘッドの斜視図である。ここでは180°回転した位置で示されている。
【図５】VBP内の位置にある、図４の検査ヘッドの正面図である。
【図６】VBP内の位置にある、図４の検査ヘッドの側面図である。
【図７】検査ヘッドの変形実施例の、図６と同様の図である。
【図８】図７のヘッドの下側の図である。
【図９】本発明の方法をどのように実施するかを例解するために意図された概略図である。
【図１０】この方法の実施のための機器を示す概略図である。
【図１１】本発明のデバイスを使うときに得られる信号の振幅を示す画像である。
【図１２】本発明のデバイスを使うときに得られる信号の振幅を示す画像である。
【図１３】本発明のデバイスを使うときに得られる信号の振幅を示す画像である。
【図１４】本発明のデバイスを使うときに得られる信号の振幅を示す画像である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
図１０においてその全体において概略的に示される本発明のデバイス３は、本質的には棒３０を有し、その遠位端に検査ヘッドまたはプローブ４がある。
【００３７】
慣例により、遠位端とは、ヘッド４とは棒の反対側に位置するオペレーターから最も隔たった端部を意味する。
【００３８】
ヘッド４の実施形態の好ましい例は図３ないし図６に与えられる。
【００３９】
これらの図において、X‐X'はヘッドの長手軸であり、EPおよびEDはそれぞれ近位端および遠位端である。ある図示しない実施形態では、これらの端部は逆でもよい。
【００４０】
本発明によれば、検査ヘッド４は、好ましくは商標名「REXOLITE」のもとで知られているような電気絶縁材料でできており、「内側」と呼ばれる第一の側４２と、第一の側の反対の、「外側」と呼ばれる第二の側４３とを有する。
【００４１】
この第二の側４３は、ヘッドの長手軸X‐X'に平行な長手軸をもつ円筒断片の形の曲面をもち、外側に向かって凸である。図４において、P1は第二の側の円筒断片の二つの端の母線を含む平面である。
【００４２】
この曲面の曲率半径は、下記で見られるように、検査することが望まれる円筒状の導路の曲率半径に等しい。
【００４３】
第一の側４２はヘッドの内側表面の一部を占めるだけであり、平面状プラットフォーム４０を介して近位端EPの方向に続く。
【００４４】
第一の側４２は、隣接する送信器／受信器素子５０の系列５で形成される超音波トランスデューサーを受け入れ、該系列は、長手軸X‐X'と同じ方向をもち、外側に向かって凸の円筒断片の形の曲面をもつ。参照符号P2は、この音波トランスデューサーの前記円筒断片の二つの端の母線を含む平面である。参考までに、系列５の曲率半径は8から30mmまでの間であり、より好ましくは10mm程度である。
【００４５】
本発明によれば、これら二つの平面P1とP2は0でない鋭角βをなす。
【００４６】
特に好ましい仕方では、この角は約21°である。
【００４７】
図３および図４に示す実施形態では、素子５は、狭いスペースをはさんで相前後して配列されている。
【００４８】
しかしながら、図７および図８に示されるように、各素子５０が二次元アレイ内に配置されたいくつかのサブ素子５０１に細分されることができる。各サブ素子５０１は、長手方向の少なくとも一つの隣接サブ素子と、横断方向の少なくとも一つの隣接サブ素子とを含む。
【００４９】
これらの図は単に例解することを意図したものである。よって、簡単のため、素子５の曲がりは図示されていない。
【００５０】
いずれせよ、各サブ素子５０１は送信器および受信器の両方である。
【００５１】
図４に示される実施形態によれば、少なくとも八つの整列された素子５０が電子回路によって駆動され、素子は、これらの素子によって生成される超音波ビームに付与することが望まれる形状の関数として特定の決定された時点において励振される。
【００５２】
角度βは、たとえば−20°、70°のオーダーの角度範囲をカバーすることを容易にするために、約21°である。下記で見るように、諸素子５０の遅延された励振の適用がすでに種々の角度でのビームの偏向を許容するが、不完全な仕方でである。角度βを用いて、この問題を克服することができる。
【００５３】
上述した角度範囲の参照枠はVBP管の軸に対する法線であり、＋90°の角度が図２における下方を向く。
【００５４】
ヘッド４（筐体および素子５の配線を含む）の寸法は、VBP管の内径より小さくなければならない。ヘッド４の前方（すなわち近位端EPの側）に図示しない波破砕器が位置されることが有利である。それにより、ヘッド内部で発生する跳ね返りエコーが、VBP溶接部における検査されるべき欠陥によって送られるエコーをマスクしなくなる。
【００５５】
素子５０の動作周波数は、検出することが望まれる欠陥の（センサーとの関係での）深さに応じて選択される。VBPの溶接されるエリアにおける欠陥については、3MHz前後の周波数が使われる。
【００５６】
溶接されるエリアにおける未知の配向および位置の欠陥の検査は、有利には、検査の自動化によって可能にされる。
【００５７】
たとえば、図１０に示されるように、本発明のデバイス３は棒３０を有し、その遠位端にヘッド４があって、モーター６０によって自転させられる。モーター６０自身はレール６に取り付けられ、レール６はフレーム６１に沿って滑動する。このように、VBP  １４内のデバイス３を、VBP  １４の軸方向およびこの同じ軸のまわりの回転運動の両方で動かすことが可能である。
【００５８】
さらに、ヘッド４の各位置について、超音波パルスの系列が送出され、各パルスは異なる方向での媒質の照射を許容する。よって、従来技術とは逆に、単一の組の素子５０を用いて、可変配向の欠陥を検出することが可能である。
【実施例】
【００５９】
九個の素子５０をもつ、3MHzの周波数（−6dBで中心周波数の55%の帯域幅）で動作する圧電トランスデューサーが21°の角度βをもって図４のようなヘッドに取り付けられる。
【００６０】
素子５０はほぼ長方形であり（寸法6mmかける1.15mm）、相前後して整列しており、二つの素子間に0.15mmの間隔がある。ヘッド４はRexolite（登録商標）でできている。図示しない波破砕器がヘッド４の前方に、すなわちその近位端側に位置されている。圧電素子５０は、10mmの曲率半径をもつ曲がった形状を付与するよう加工されている。
【００６１】
この実施例では、ヘッド４は円筒形状の金属筐体内に統合されており、ヘッド４を案内し、VBP  １４の内側壁１４０に接して保持するのを容易にしている。
【００６２】
動作させられるとき、商標「M2M」の電子装置が圧電素子５０による送出を励起し、これら同じ素子５０によって受信される信号を記録するために使われる。電子回路は「multi2000」ソフトウェアによって案内される。
【００６３】
このソフトウェアは、放出される超音波に付与することが望まれる形状の関数としてトランスデューサーの異なる素子５０の励起に適用されるべき時間遅延を計算する。この適用において、長手方向波の超音波ビームが、−20°から70°までの間の角度だけピッチ2°で偏向されるよう、時間遅延が計算される。
【００６４】
ヘッド４はVBP管１４の軸（図９の矢印ｆによって示されるいわゆる「スキャン」軸）に沿って動かされる。信号は0.5ミリメートル毎に送出され、記録される。
【００６５】
測定は、管の軸のまわりの、ピッチ2°でのヘッド４の相続く回転（図９における矢印ｇ）後に繰り返される。これにより、検査されるべき溶接されたエリア全体をカバーすることができる。
【００６６】
プローブの動きは、商標「Micro-contr＾ole」の電導アームによって保証され、該アームは同じ商標のコントローラ（型番ITL09）によって駆動される。
【００６７】
測定された信号は次いで、「CIVA」ソフトウェアを使って後処理される。これにより、カラーコードのように受信信号の振幅を表わす画像が得られる。振幅は、スキャン軸に沿ったヘッド４の位置または回転値に従ったヘッド４の位置のいずれかの関数として、あるいは印加された超音波パルスの関数として（すなわち、超音波ビームの偏向角の関数として）表わされる。これらの画像の解析は、VBP  １４における欠陥の存在を演繹することを許容する。
【００６８】
この手順を下記に例示する。
【００６９】
溶接されたエリアにおける「周状」欠陥と呼ばれる（放電加工によって得られる）二つの人工的な欠陥を有する、あらゆる側面で溶接VBPを表わすモデルを考える。
【００７０】
これらはEE1およびEE2と呼ばれる欠陥である。データは、データを種々の型の画像の形で表現できる処理ソフトウェア（ここでは「CIVA」ソフトウェア）を使って解析される。
【００７１】
特に、トランスデューサーによって受信された振幅を、縦方向には回転におけるヘッド４の位置の関数として、横方向にはスキャン軸の関数として、カラーコード（図１１以下では灰色階調の変動）で表現するいわゆる「Cスキャン」画像が見られる。
【００７２】
次いで、後処理が、超音波照射の種々の角度についての「Cスキャン」型の画像を観察し、どの照射角が欠陥から受信される最大振幅の指示を得ることを許容するかを判別することに関わる。
【００７３】
より具体的には、CIVAソフトウェアを使って以下の段階が実行される（ただし、これらのデータを処理するために、他のいかなるソフトウェアが使用されることもできる）。
【００７４】
すべてのシーケンスおよびすべての照射について、楔形における反射に起因するいわゆる「常在」エコーを除外する時間窓の選択。
【００７５】
また、溶接に対応するエリアの（縦軸に沿った）スキャン値の範囲の選択（0°での（すなわち管の回転軸に垂直な）超音波照射による管での跳ね返りエコーの観察を介した管だけに対応するエリアの省略。
【００７６】
次に、Cスキャン型画像の観察（一つの決まった照射について、各スキャン・ピッチおよび増分における時間を追った最大振幅）および選ばれた照射の関数としての変化。Cスキャンにおいて溶接されたエリアにエコーが現われるとき、このエコーの形はBスキャンにおいて見られることができる。
【００７７】
次いで、観察されたエコーに対応する増分が選択され、この照射およびこの増分に対応するBスキャンが表示される。
【００７８】
信号対雑音比を最大にするため、照射の角度の選択を微調整することが可能である。それは、以前に取得されたスキャン位置および増分を選択し、固定したスキャンおよび増分について時間の関数としてかつ照射角の関数として測定された信号を表わすいわゆるSスキャンを観察することによる。
【００７９】
時間限界、スキャン限界、そしてさらには照射角度の範囲の選択は、CIVAシミュレーションにも基づくことができる。溶接されたエリアにおける潜在的な欠陥の集合について、これは、各照射角についてこれらの欠陥からのエコーの到着時間と、その振幅のオーダーとの計算を許容する。これは、実験信号の解析を支援するために使用できる。
【００８０】
ノイズの大半を引き起こす寄生エコーが（管の底から跳ね返った）幾何学的なエコーに対応することを述べておくこともできる。したがって、シミュレーション（またはゲージ・ブロックでの測定）が、第一に、同じ幾何構成の新たなコンポーネントのブラインド検査でのこれらのエコーの型の識別を許容し、第二に、ウェーブレット・フィルタリング型の画像処理（ここでは試験されない）がこれらのエコーの抑制を許容し、欠陥エコーのみという恩恵が得られる。
【００８１】
このデータ解析は、欠陥EE1はビームが12°偏向されるときに検出され、欠陥EE2は26°の偏向で検出されることを示している。下記の画像は、得られた「Cスキャン」画像およびいわゆる「Bスキャン」画像を示す。Bスキャン画像は、信号の振幅を時間（縦軸）およびスキャン軸（横軸）に沿ったヘッド４の位置の関数として表わす。回転位置は、欠陥からの信号が最大振幅となるよう選択される。
【００８２】
よって、欠陥EE1およびEE2は、他の「ノイズ」信号から明瞭に区別されるエコー（画像中の暗いスポット）の存在によってうまく検出される。
【００８３】
したがって、検査すべき表面全体を好ましくは自動的にスキャンし、「マルチパルス」、すなわち時間的に離間した複数の超音波放出を加えることによって進行する上記の方法を実装することによって、たとえトランスデューサー素子５０の数が減らされたとしても、欠陥検出の最適な品質が得られる。これは、図面に示したようにトランスデューサー素子が九個のときに具体的に当てはまる。
【００８４】
上記のような適応された処理ソフトウェアを用いて、測定されたエコーの空間的次元の視覚化なしに、構造のノイズ内に失われるところであったエコーを捉えることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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