(57)【要約】  マスクアセンブリ（１００）は、両方ともが金属材料で作られたマスクフレーム（１０２）およびマスクスクリーン（１０４）と、マスクフレーム（１０２）およびマスクスクリーン（１０４）の１つまたは両方の露出面に配置された金属コーティング（１２５）と、を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
両方ともが金属材料で作られたマスクフレームおよびマスクスクリーンと、
前記マスクフレームおよび前記マスクスクリーンの１つまたは両方の露出面に配置された金属コーティングと、
を含む、マスクアセンブリ。
【請求項２】
前記金属材料がニッケル：鉄合金を含む、請求項１に記載のマスクアセンブリ。
【請求項３】
前記金属コーティングがニッケル材料を含む、請求項２に記載のマスクアセンブリ。
【請求項４】
前記金属コーティングが白金属元素から選択された金属を含む、請求項２に記載のマスクアセンブリ。
【請求項５】
前記金属コーティングがニッケル合金、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、および金からなるグループから選択される、請求項２に記載のマスクアセンブリ。
【請求項６】
前記金属コーティングが約１μｍ〜約３５μｍの厚さを含む、請求項１に記載のマスクアセンブリ。
【請求項７】
前記金属材料が低熱膨張率を有する金属を含む、請求項１に記載のマスクアセンブリ。
【請求項８】
前記金属コーティングがニッケル材料を含む、請求項７に記載のマスクアセンブリ。
【請求項９】
前記金属コーティングが白金属元素から選択された金属を含む、請求項７に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１０】
両方ともが低熱膨張率を有する金属材料で作られたマスクフレームおよびマスクスクリーンと、
前記マスクフレームおよび前記マスクスクリーンの１つまたは両方の露出面に配置された酸化物コーティングと、
を含む、マスクアセンブリ。
【請求項１１】
前記金属材料がニッケル：鉄合金を含む、請求項１０に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１２】
前記酸化物コーティングがアルミニウム酸化物を含む、請求項１１に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１３】
前記酸化物コーティングがイットリウム酸化物を含む、請求項１１に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１４】
前記酸化物コーティングが約１μｍ〜約５μｍの厚さを含む、請求項１０に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１５】
両方ともが低熱膨張率を有するニッケル：鉄合金で作られたマスクフレームおよびマスクスクリーンと、
前記マスクフレームおよび前記マスクスクリーンの１つまたは両方の露出面に配置された金属コーティングであって、前記マスクスクリーンが複数の開口部を含み、各開口部が前記マスクスクリーンの第１の側面から第２の側面へ内側に傾斜するテーパ付けされた側壁を含む、金属コーティングと、
を含む、マスクアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、電子デバイスの製造で使用される化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスなどの堆積プロセスで使用するためのシャドウマスクに関する。詳細には、本開示の実施形態は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示デバイスの製造における封入プロセスで利用されるシャドウマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤは、情報を表示するためのテレビジョンスクリーン、コンピュータモニタ、モバイルフォン、他の携帯デバイスなどの製造において使用される。典型的なＯＬＥＤは、個々に通電可能なピクセルを有するマトリックス表示パネルを形成するようなやり方で、基板上にすべて堆積させる２つの電極間に位置する有機材料の層を含むことができる。ＯＬＥＤは、一般に、２つのガラスパネル間に配置され、ガラスパネルのエッジがＯＬＥＤを封入するために密閉されている。
そのような表示デバイスの製造では遭遇する多くの課題がある。一部の製造工程では、ＯＬＥＤ材料は、１つまたは複数の層に封入され、水分がＯＬＥＤ材料を損傷するのを防止する。これらのプロセス中に、１つまたは複数のマスクを利用して、ＯＬＥＤ材料を含まない基板の部分を遮蔽する。これらのプロセスで使用されるマスクは、著しい温度差に耐えなければならない。極端な温度は、マスクの熱膨張および収縮を引き起こし、このことが、マスクの亀裂、屈曲、または破損につながることがあり、これらのいずれもが基板の部分の汚染を引き起こす可能性がある。さらに、これらのプロセスの一部は、基板の部分の汚染を引き起こすことがある粒子を生成するようなやり方で、マスクの材料と反応する可能性があるプラズマを利用する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、ＯＬＥＤ表示デバイスを形成する際にマスクを使用する新規かつ改善された装置および処理方法が引き続き必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の実施形態は、有機発光ダイオード表示装置の製造における堆積プロセスで使用するためのマスクアセンブリを提供する。
一実施形態では、両方ともが金属材料で作られたマスクフレームおよびマスクスクリーンと、マスクフレームおよびマスクスクリーンの１つまたは両方の露出面に配置された金属コーティングと、を含むマスクアセンブリが提供される。
別の実施形態では、両方ともが低熱膨張率を有する金属材料で作られたマスクフレームおよびマスクスクリーンと、マスクフレームおよびマスクスクリーンの１つまたは両方の露出面に配置された酸化物コーティングと、を含むマスクアセンブリが提供される。
別の実施形態では、両方ともが低熱膨張率を有するニッケル：鉄合金で作られたマスクフレームおよびマスクスクリーンと、マスクフレームおよびマスクスクリーンの１つまたは両方の露出面に配置された金属コーティングと、を含むマスクアセンブリが提供される。
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、一部が添付図面に示される実施形態を参照することによって上で要約された本開示のより具体的な説明を行うことができる。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定していると考えられるべきではないことに留意されたく、その理由は本開示が他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるためである。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１Ａ】本明細書に開示された実施形態によるマスクアセンブリの一実施形態の等角分解図である。
【図１Ｂ】図１Ａの線１Ｂ−１Ｂに沿った開口部の拡大断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｂの開口部の一部の拡大図である。
【図２】マスクアセンブリの別の実施形態の平面図である。
【図３】図２の線３−３に沿ったマスクアセンブリの一部の断面図である。
【図４】図２の線４−４に沿ったマスクアセンブリの一部の断面図である。
【図５】図２の線５−５に沿ったマスクアセンブリの一部の断面図である。
【図６】本明細書に記載されるようなマスクアセンブリを利用することができるＣＶＤ装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
理解を容易にするために、可能な限り同一の参照数字を使用して、各図に共通の同一の要素を指定した。一実施形態の要素および／またはプロセスステップは、さらに詳説することなく他の実施形態において有益に組み込まれてもよいことが想定されている。
本発明の実施形態は、マスクを基板に対して位置合わせし、マスクを基板上に配置し、封入層を基板上に形成されたＯＬＥＤ材料上に堆積させるように動作可能な、化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスチャンバまたはプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスチャンバなどの、ＣＶＤプロセス用の堆積チャンバで使用されるマスクを含む。本明細書に記載された実施形態は、他のタイプのプロセスチャンバと共に使用されてもよく、ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤプロセスチャンバと共に使用されることに限定されない。本明細書に記載された実施形態は、他のタイプの堆積プロセスと共に使用されてもよく、基板上に形成されたＯＬＥＤを封入するために使用されることに限定されない。本明細書に記載された実施形態は、様々なタイプ、形状、およびサイズのマスクおよび基板と共に使用されてもよい。本明細書に開示された実施形態は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社の１部門であるＡＫＴ社から入手可能なチャンバおよび／またはシステムにおいて実施されてもよい。また、本明細書に開示された実施形態は、他のメーカーからのチャンバおよび／またはシステムにおいて実施されてもよい。
【０００７】
図１Ａは、本明細書に開示された実施形態によるマスクアセンブリ１００の一実施形態の等角分解図である。マスクアセンブリ１００は、マスクフレーム１０２と、マスクフレーム１０２に結合させることができるマスクスクリーン１０４と、を含む。マスクフレーム１０２は、矩形であり、２つの対向する主側面１０５および２つの対向する副側面１１０を含む。側面１０５および１１０は、マスクスクリーン１０４を位置付けることができる開口部を取り囲む。例えば、マスクスクリーン１０４の周辺部１１５は、マスクフレーム１０２の隆起した内部エッジ１２０に取り付けられてもよい。マスクスクリーン１０４は、その長さおよび／または幅に沿って引っ張られ、締め具（図示せず）または溶接プロセスを介してマスクフレーム１０２の内部エッジ１２０に結合されてもよい。マスクフレーム１０２およびマスクスクリーン１０４は、互いに結合されると、ＯＬＥＤデバイスが形成される基板（図示せず）の上方のチャンバ（図示せず）内に位置付けることができるマスクアセンブリ１００を構成する。マスクアセンブリ１００を利用して、基板の部分上に材料を堆積させることができる。堆積材料は、ＯＬＥＤデバイスを封入する窒化ケイ素（ＳｉＮ）または他の材料を含むことができる。堆積材料は、ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ技法を利用して堆積させることができる。また、チャンバ、およびその内部部品、例えば、マスクアセンブリ１００は、フッ素を含有するプラズマを用いて定期的に洗浄されてもよい。
【０００８】
マスクフレーム１０２および／またはマスクスクリーン１０４は、低い熱膨張率（ＣＴＥ）を有する材料で作られてもよい。低ＣＴＥ材料は、温度変化を受けたときに、基板（図示せず）に対するマスクフレーム１０２の移動を防止または最小化する。また、低ＣＴＥ材料は、温度変化を受けたときに、マスクスクリーン１０４を貫いて形成された開口部１３０の、または開口部１３０間の移動を防止または最小化することができる。低ＣＴＥを有する材料の例には、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、これらの合金、およびこれらの組合せが含まれる。一部の実施形態では、マスクフレーム１０２およびマスクスクリーン１０４の１つまたは両方は、マスクアセンブリ１００が使用されるチャンバ内で利用されるガスと反応する可能性がある金属材料で作られ得る。例としては、他の低ＣＴＥ材料の中でもとりわけ、鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）の合金、Ｆｅ、Ｎｉとコバルト（Ｃｏ）の合金を含むことができる。Ｆｅ：Ｎｉ合金およびＦｅ：Ｎｉ：Ｃｏ合金の例には、とりわけ、商品名ＩＮＶＡＲ（登録商標）（Ｆｅ：Ｎｉ３６）、ＳＵＰＥＲ  ＩＮＶＡＲ３２−５（登録商標）の下で市販されている金属が含まれてもよい。低ＣＴＥ材料は、マスクアセンブリ１００の寸法安定性を維持し、これによって、堆積材料の精度を提供する。本明細書に記載されるような低ＣＴＥ材料または金属は、約１４μｍ／ｍ／℃以下、例えば、約１３μｍ／ｍ／℃以下などの、約１５μｍ／ｍ／℃以下のＣＴＥであってもよい。
【０００９】
低ＣＴＥ材料の１つまたは複数は、マスクアセンブリ１００が利用されるチャンバの環境で利用される化学物質と反応する可能性があるため、マスクフレーム１０２およびマスクスクリーン１０４の１つまたは両方は、コーティング１２５を含むことができる。一例において、チャンバを洗浄するために使用されるプラズマ中のフッ素ラジカルは、鉄を含有するマスクアセンブリ１００の低ＣＴＥ材料と反応して、粒子を生成する可能性があるフッ化鉄（ＦｅＦｘ）を形成することがある。コーティング１２５を利用して、マスクフレーム１０２および／またはマスクスクリーン１０４をプラズマから保護して、粒子を低減させることができる。また、コーティング１２５を利用して、マスクフレーム１０２および／またはマスクスクリーン１０４の寿命を延ばすためにマスクフレーム１０２および／またはマスクスクリーン１０４を保護することができる。
マスクアセンブリ１００の寸法は、処理される基板の表面積によって決定されてもよい。一部の実施形態では、長さ×幅は、４．５世代の基板（Ｇ４．５）に対しては約９２０ミリメートル（ｍｍ）×約７３０ｍｍ、Ｇ６ハーフカット基板に対しては約１，５００ｍｍ×約９２５ｍｍ、Ｇ８．５ハーフカット基板に対しては約２，２００ｍｍ×約１，２５０ｍｍ、または任意の他の基板サイズであってもよい。マスクアセンブリ１００は、マスクフレーム１０２と、１つまたは複数のマスクスクリーン、例えば、任意の世代の基板上で使用するのに適したマスクスクリーン１０４と、を含むことができる。マスクフレーム１０２の寸法は、異なる基板サイズに対して異なってもよく、マスクスクリーン１０４の表面積は、異なってもよいが、開口部１３０のサイズは、その寸法が基板上に形成されるＯＬＥＤデバイスのサイズに基づくため同じである場合がある。
【００１０】
図１Ｂは、図１Ａの線１Ｂ−１Ｂに沿った開口部１３０の拡大断面図である。マスクスクリーン１０４は、第１の側面１３５および第２の側面１４０を含み、第２の側面１４０は、処理中に基板にコンタクトするようになされている。開口部１３０は、第１の側面１３５と第２の側面１４０との間に形成されている。開口部１３０は、第１の側面１３５から第２の側面１４０に向かって、内側に向かって先細りになるテーパ付けされた側壁１４５を含むことができる。開口部１３０は、矩形であり、約９０ｍｍ〜約１００ｍｍの主寸法１５０を含むことができる。主寸法１５０の測定方向に垂直な副寸法（図示せず）は、約６０ｍｍ〜約６５ｍｍであってもよい。図１Ｂに示す開口部１３０は、マスクスクリーン１０４のすべての開口部１３０に共通であってもよい。さらに、２つの側壁のみが示されているが、側面のプロファイルは、４つの側面すべてに対して同じであってもよい。
図１Ｃは、図１Ｂの開口部１３０の一部の拡大図である。コーティング１２５は、マスクスクリーン１０４上に断面図で明確に示されている。コーティング１２５の厚さは、約１μｍ〜約５μｍ、例えば、約１μｍ〜約５μｍ、またはそれを上回ってもよい。一部の実施形態では、コーティング１２５は、Ｎｉ：Ｆｅ材料（すなわち、マスクスクリーン１０４の本体）上に配置された、（他の酸化物の中でもとりわけ）アルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）、イットリウム酸化物（Ｙ2Ｏ3）、またはこれらの組合せを含む酸化物材料を含むことができる。他の実施形態では、コーティング１２５は、Ｎｉ：Ｆｅ材料（すなわち、マスクスクリーン１０４の本体）上に配置されたＮｉ層を含むことができる。図示されていないが、コーティング１２５は、マスクスクリーン１０４のすべての表面ならびに開口部１３０の露出面をカバーすることができる。さらに、図示されていないが、コーティングは、マスクフレーム１０２上またはマスクフレーム１０２内に形成された孔またはくぼみを含む、マスクフレーム１０２のすべての外面および／または露出面をすべてカバーすることができる。
【００１１】
コーティング１２５は、金属の場合、無電解堆積もしくはメッキ技法、電解メッキ技法、またはこれらの組合せ、ならびに他の適切な堆積もしくはメッキ技法によって形成されてもよい。コーティング１２５は、一部の実施形態では、Ｎｉ、Ｎｉ：Ｃｏ、または他のＮｉ合金を含むことができる。他の実施形態では、コーティング１２５は、とりわけ、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、またはパラジウム（Ｐｄ）などの白金属元素からの金属を含むことができる。他の実施形態では、フッ素含有ガスに耐性のある金（Ａｕ）または他の金属がコーティング１２５に使用されてもよい。コーティング１２５は、酸化物の場合、任意の適切な堆積技法によって形成されてもよい。
【００１２】
図２は、マスクアセンブリ２００の別の実施形態の平面図である。マスクアセンブリ２００は、マスクフレーム１０２の内部エッジ１２０に結合された１つまたは複数のスクリーン部分２０５Ａおよび２０５Ｂを有するマスクスクリーン１０４の別の実施形態を含む。矩形のストリップ２１０を用いて、スクリーン部分２０５Ａと２０５Ｂを分離することができる。ストリップ２１０は、マスクフレーム１０２の一体部分であってもよく、または締め具もしくは溶接によってマスクフレーム１０２に結合されてもよい。ストリップ２１０は、マスクフレーム１０２およびマスクスクリーン１０４と同じ材料で作られてもよい。また、ストリップ２１０を用いて、スクリーン部分２０５Ａおよび２０５Ｂの内部エッジ２１５をマスクフレーム１０２に結合することができる。例えば、スクリーン部分２０５Ａおよび２０５Ｂの内部エッジ２１５は、締め具または溶接によってストリップ２１０に結合されてもよい。ストリップ２１０を利用して、マスクアセンブリ２００の寸法を拡大させることができ、それによりマスクアセンブリ２００の長さまたは幅は、より大きな表面積を有する基板上での使用が可能なものになり得る。ストリップ２１０は、代わりに、スクリーン部分２０５Ａおよび２０５Ｂの表面積を最小化するために利用されてもよく、これによって、スクリーン部分２０５Ａおよび２０５Ｂの製造およびコーティングをより簡単にすることができる。１つのストリップ２１０ならびに２つのスクリーン部分２０５Ａおよび２０５Ｂのみが示されているが、マスクアセンブリ２００は、２つよりも多い、または少ないマスク部分の取り付けを容易にするために、ストリップ２１０と同様の複数のストリップを含むことができる。一部の実施形態では、複数のスクリーン部分が単一のマスクフレーム１０２と共に利用される場合は、ストリップ２１０（または複数のストリップ）は、利用されない。代わりに、スクリーン部分の内部エッジのそれぞれを互いに溶接することなどによって、スクリーン部分を互いに固定することができる。その場合、互いに結合されないスクリーン部分の外側部分は、マスクフレーム１０２に固定されてもよい。
マスクフレーム１０２は、その上に形成された１つまたは複数の割出し機構２２０を含むことができる。例えば、副側面１１０は、表面に形成された複数の割出し機構２２０を含むことができる。また、主側面１０５は、割出し機構２２０を含むことができる。
【００１３】
図３〜図５は、図２のマスクアセンブリ２００の一部の断面図である。図３は、図２の線３−３に沿ったマスクアセンブリ２００の一部の断面図である。図４は、図２の線４−４に沿ったマスクアセンブリ２００の一部の断面図である。図５は、図２の線５−５に沿ったマスクアセンブリ２００の一部の断面図である。
マスクフレーム１０２は、上記したような低ＣＴＥ材料で作られた本体３００を含む。また、本体３００は、第１の表面３０５、および第１の表面３０５に対向する第２の表面３１０を含む。第２の表面３１０は、処理中に基板支持体またはサセプタなどのチャンバ部品（図示せず）の表面にコンタクトするようになされている。マスクスクリーン１０４の面は、第１の表面３０５および第２の表面３１０の両方の面からオフセットされており、第２の側面１４０は、処理中に基板にコンタクトするようになされている。
【００１４】
上述したように、マスクフレーム１０２の第２の表面３１０は、そこに形成されたくぼみまたは止まり孔などの、１つまたは複数の割出し機構２２０を含む。例えば、主側面１０５は、複数の第１のくぼみ３２０および３２５を含み、副側面１１０は、複数の第２のくぼみ３３０を含む。第１のくぼみ３２０の１つは、台形の特徴３３５を含む。第１のくぼみ３２０の別のくぼみは、三角形の特徴３４０を含む。第２のくぼみ３３０のそれぞれは、矩形の特徴３４５を含むことができる。本明細書に記載されているようにマスクフレーム１０２がコーティングされると、割出し機構２２０の表面のすべてがコーティング１２５を含む。
図６は、一実施形態によるＣＶＤ装置６００の概略断面図であり、マスクアセンブリ６０１を用いて、封入層を基板上に堆積させることができる。マスクアセンブリ６０１は、図１のマスクアセンブリ１００または図２のマスクアセンブリ２００のいずれかであってもよい。
ＣＶＤ装置６００は、１つまたは複数の壁を貫く開口部６０４を有するチャンバ本体６０２を含み、１つまたは複数の基板６０６およびマスクアセンブリ６０１を開口部に挿入することができる。基板６０６は、処理中に、ディフューザー６１２に対向する基板支持体６１０上に配置される。ディフューザー６１２は、処理ガスがディフューザー６１２と基板６０６との間の処理空間６１６に入ることができるように、ディフューザー６１２を貫いて形成された１つまたは複数の開口部６１４を含む。
【００１５】
基板６０６を使用して、ＯＬＥＤ表示装置を形成することができ、ＯＬＥＤが一連の堆積プロセスによって基板６０６の表面上に形成される。基板６０６を使用して、単一のまたは複数の表示装置を形成することができ、各表示装置は、各表示装置の周辺部周りに形成された電気コンタクト層に結合された複数のＯＬＥＤを含む。
製造中に、各表示装置のＯＬＥＤ部分は、ＯＬＥＤを環境から保護するために、窒化ケイ素、アルミニウム酸化物、および／またはポリマーを含む１つまたは複数の層に封入される。封入材料は、ＣＶＤによって堆積させてもよく、マスクアセンブリ６０１を使用して、封入材料の堆積中に電気コンタクト層が遮蔽される。マスクアセンブリ６０１は、ＣＶＤプロセス中に電気コンタクト層を遮蔽するマスクフレーム１０２を含む。
処理のために、マスクアセンブリ６０１は、最初に開口部６０４を介して装置６００に挿入され、複数のモーションアライメント要素６２２上に配置される。次いで、基板６０６が開口部６０４を介して挿入され、基板支持体６１０を貫いて延出する複数のリフトピン６２４上に配置される。次いで、基板支持体６１０が基板６０６に接触するように上昇し、その結果、基板６０６が基板支持体６１０上に配置される。基板６０６は、基板支持体６１０上にある間に、位置合わせされる。
【００１６】
基板６０６が基板支持体６１０上で位置合わせされると、１つまたは複数の可視化システム６２６が、マスクアセンブリ６０１が基板６０６全面にわたって適切に位置合わせされているかどうかを判定する。マスクアセンブリ６０１が適切に位置合わせされていない場合は、１つまたは複数のアクチュエータ６２８が１つまたは複数のモーションアライメント要素６２２を動かして、マスクアセンブリ６０１の位置を調整する。次いで、１つまたは複数の可視化システム６２６がマスクアセンブリ６０１の位置合わせを再確認する。
マスクアセンブリ６０１が基板６０６全面にわたって適切に位置合わせされると、マスクアセンブリ６０１は、基板６０６上に降ろされ、次いでシャドウフレーム６３２がマスクアセンブリ６０１にコンタクトするまで、基板支持体６１０がステム６３０上で上昇する。シャドウフレーム６３２は、マスクアセンブリ６０１に載置される前に、チャンバ本体６０２の１つまたは複数の内壁から延在するレッジ６３４上でチャンバ本体６０２に配置されている。基板支持体６１０は、基板６０６、マスクアセンブリ６０１、およびシャドウフレーム６３２が、ディフューザー６１２に対向する処理位置に配置されるまで、上昇し続ける。次いで、処理ガスが、バッキング板６３８に形成された開口部を介して１つまたは複数のガス源６３６から供給され、一方で、ディフューザー６１２と基板６０６との間の処理空間６１６にプラズマを形成するために、電気バイアスがディフューザー６１２に提供される。また、処理空間６１６は、遠隔プラズマシステム６１８からチャンバ本体６０２の内部にプラズマを提供することによって定期的に洗浄されてもよい。遠隔プラズマシステム６１８は、フッ素含有ガスからなる洗浄ガス源６２０に結合されてもよい。処理および／または洗浄中の温度は、摂氏約８０度（℃）〜約１００℃であっても、またはそれよりも高くてもよい。
【００１７】
堆積プロセスのためのマスクアセンブリが提供される。本明細書に記載されるようなマスクアセンブリ１００、２００および６０１は、より長い寿命、ならびに粒子生成の低減を提供し、これによって、歩留まりを向上し、所有コストを最小限に抑える。本明細書に記載されるようなコーティング１２５を有するマスクアセンブリ１００、２００および６０１の実施形態は、フッ素化学物質との反応を防止し、これによって、粒子生成を最小限に抑えて、コーティング１２５を有するマスクアセンブリ１００、２００および６０１の部分の完全性を維持する。本明細書に記載されるようなコーティング１２５を有するマスクアセンブリ１００、２００および６０１の実施形態は、マスクアセンブリ１００、２００および６０１の寿命を２倍、３倍、またはさらに４倍にすることが示された。
前述の事項は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態が本開示の基本的な範囲から逸脱せずに考案されてもよい。したがって、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図１Ａ】
2019516867.tif 000003
【図１Ｂ】
2019516867.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図２】
2019516867.tif 000006
【図３】
2019516867.tif 000007
【図４】
2019516867.tif 000008
【図５】
2019516867.tif 000009
【図６】
2019516867.tif 000010
【国際調査報告】
2019516867.tif 000011
2019516867.tif 000012