(57)【要約】  １つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを含む樹脂を含む組成物が提供される。組成物は、１４０℃〜２５０℃の沸点を有する第１の溶媒と、５０℃〜１１０℃の沸点を有する第２の溶媒と、を更に含み、第１の溶媒と第２の溶媒との重量比は、１：１〜１：５である。基板にコーティングを適用するための方法も提供される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを含む樹脂と、
１４０℃〜２５０℃の沸点を有する少なくとも１つの第１の溶媒と、
５０℃〜１１０℃の沸点を有する少なくとも１つの第２の溶媒と、を含み、
前記第１の溶媒と前記第２の溶媒との重量比が１：１〜１：５である、組成物。
【請求項２】
前記樹脂が、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）、ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＯＳ）、フェニルトリエトキシシラン（ＰＴＥＯＳ）、ビニルトリエトキシシラン（ＶＴＥＯＳ）、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、及び上記の組み合わせからなる群から選択される１つ以上のオルガノアルコキシシラン前駆体から形成される、１つ以上のシリコン系材料を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記第１の溶媒が、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−プロポキシプロパノール、及びプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン、乳酸エチル、及びエチルエステルからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含み、前記第２の溶媒が、アセトン、エチルアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
コーティングを基板上に適用する方法であって、
前記コーティングを前記基板上に第１の速度で分注することであって、前記コーティングは、
１つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを含む樹脂と、
１４０℃〜２５０℃の沸点を有する少なくとも１つの第１の溶媒と、
５０℃〜１２０℃の沸点を有する少なくとも１つの第２の溶媒と、を含み、
前記第１の溶媒と前記第２の溶媒との重量比が１：１〜１：５である、ことと、
前記コーティングが前記基板の前記表面上に拡散し、平面表面を得るように、前記第１の速度以下の第２の速度で前記コーティングをスピンさせることと、
所望の膜厚が確立されるように、前記第１の速度及び前記第２の速度より大きい第３の速度まで前記速度を上げることと、
前記平面表面を得るために流れを促進するように停止時間を提供することと、を含む、方法。
【請求項５】
前記第１の速度が、毎分１００回転〜毎分５００回転であり、前記第２の速度が、毎分０回転〜毎分５００回転であり、前記第３の速度が、毎分１５００回転〜毎分５０００回転である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記低沸点溶媒が、アセトン、エチルアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記高沸点溶媒が、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−プロポキシプロパノール、及びプロピレンカーボネート、及びガンマブチロラクトンからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
コーティングを基板上に適用する方法であって、
前記コーティングを前記基板上に第１の速度で分注することであって、前記コーティングは、
１つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを含む樹脂と、
１４０℃〜２５０℃の沸点を有する少なくとも１つの第１の溶媒と、
５０℃〜１２０℃の沸点を有する少なくとも１つの第２の溶媒と、を含み、
前記第１の溶媒と前記第２の溶媒との重量比が１：１〜１：５である、ことと、
前記コーティングが前記基板の表面上に拡散し、平面表面を得て、前記第２の溶媒を蒸発させるように、前記第１の速度以下の第２の速度で前記コーティングをスピンさせることと、
所望の膜厚が確立されるように、前記第１の速度及び前記第２の速度より大きい第３の速度まで前記速度を上げることと、
前記平面表面を得るために流れを促進するよう、停止時間を提供することと、を含み、
前記第１の速度が、毎分１００回転〜毎分５００回転であり、前記第２の速度が、毎分０回転〜毎分５００回転であり、前記第３の速度が、毎分１５００回転〜毎分５０００回転である、方法。
【請求項９】
前記低沸点溶媒が、アセトン、エチルアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記高沸点溶媒が、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−プロポキシプロパノール、及びプロピレンカーボネート、及びガンマブチロラクトンからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、米国特許法第１１９（ｅ）条の下に、その全体的な開示内容が参照により本明細書に明示的に組み込まれる、２０１６年６月２１日に出願された「ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＡＮＤ  ＳＰＩＮ  ＣＯＡＴＩＮＧ  ＭＥＴＨＯＤＳ  ＳＵＩＴＡＢＬＥ  ＦＯＲ  ＡＤＶＡＮＣＥＤ  ＰＬＡＮＡＲＩＺＡＴＩＯＮ  ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ」と題する米国特許仮出願第６２／３５２，７８３号の利益を主張する。
【０００２】
本開示は、概して、スピンコーティング方法を用いて適用される平坦化材料などの材料に関する。
【背景技術】
【０００３】
平坦化は、平坦化技術を用いて半導体ウエファー表面の平坦度を高めるプロセスである。半導体デバイス製造の出発未加工ウエファーは、概して、複数の隙間又は溝部がエッチングされた平坦又は平面表面を有する。ウエファーが様々なデバイス製造工程を通過するにつれ、異なる材料、形状及び深さの層が、異なる成長及び堆積技術を介してウエファー表面上に堆積される。時には、ウエファー上に既に堆積されているこれらの材料の一部を除去する必要がある。この一連の材料成長、堆積、及び除去工程は、ウエファー表面の平坦性又は平面性を低下させる。
【０００４】
エッチングされた小じわ又は溝部の幅を減少させながら、ウエファーに適用される層の数を増加させる現代の製造技術は、ウエファーの非平面性の可能性を高め得る。
【０００５】
典型的なコーティング製剤は、単一の溶媒又は同様の沸点を有する溶媒の組み合わせを用いる。概ね、高沸点溶媒によるコーティング製剤はより高い粘度を有し、低沸点溶媒によるコーティング製剤はより低い粘度を有する。より厚いコーティングを提供するために高粘度のコーティング製剤が所望され得る一方、かかるコーティングは、隙間又は溝部、特に相対的に高いアスペクト比を有する隙間又は溝部の充填を適切に提供することができない。逆に、あまり粘着性のないコーティング製剤は典型的に、適切な隙間充填能力を提供するが、粘度が低いと典型的に、ウエファー表面沿いに形成されるコーティングの層が薄くなる。
【０００６】
上記の改善が所望され、下層基板の表面特徴が高固形分平坦化製剤で完全に充填されてもよい。
【発明の概要】
【０００７】
本開示は、スピンコーティングプロセスによって、高アスペクト比構造体を有する溝部の平坦化に好適な平坦化コーティング製剤を提供する。本開示は、多様な沸点の溶媒の混合物によるコーティング製剤を更に提供し、コーティング製剤は、ウエファー上に分散される。次いで、ウエファーを回転させて、低ＢＰ溶媒を蒸発させ、その後、高い毎分回転数（ＲＰＭ）のスピンをウエファーに適用して、コーティングの所望の厚さを確立する。次いで、ウエファーの表面に沿った製剤の流れを促進するため、ウエファーに停止時間を与え、その後ウエファーを硬化させる。
【０００８】
例示の一実施形態では、組成物が提供される。組成物は、１つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを含む樹脂を含む。組成物は、１４０℃〜２５０℃の沸点を有する少なくとも１つの第１の溶媒と、５０℃〜１１０℃の沸点を有する少なくとも１つの第２の溶媒と、を更に含み、第１の溶媒と第２の溶媒との重量比は、１：１〜１：５である。より具体的な実施形態では、第１の溶媒と第２の溶媒との重量比は、１：３〜１：４である。
【０００９】
上の実施形態のいずれかのより具体的な一実施形態では、第１の溶媒の第１の溶媒は、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−プロポキシプロパノール、及びプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン、乳酸エチル、及びエチルエステルからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む。なおより具体的な一実施形態では、第１の溶媒は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。
【００１０】
上の実施形態のいずれかのより具体的な一実施形態では、第２の溶媒は、アセトン、エチルアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む。更により具体的な一実施形態では、第２の溶媒は、アセトン及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される。別のより具体的な実施形態では、第２の溶媒はアセトンである。なお別のより具体的な実施形態では、第２の溶媒はイソプロピルアルコールである。
【００１１】
上の実施形態のいずれかのより具体的な一実施形態では、樹脂は、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）、ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＯＳ）、フェニルトリエトキシシラン（ＰＴＥＯＳ）、ビニルトリエトキシシラン（ＶＴＥＯＳ）、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、及び上記の組み合わせからなる群から選択される１つ以上のオルガノアルコキシシラン前駆体から形成される、１つ以上のシリコン系材料を含む。更により具体的な一実施形態では、第１の溶媒は、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−プロポキシプロパノール、及びプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン、乳酸エチル、及びエチルエステルからなる群から選択され、第２の溶媒は、アセトン、エチルアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される。なおより具体的な一実施形態では、第１の溶媒は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、第２の溶媒は、イソプロピルアルコールである。
【００１２】
上の実施形態のいずれかのより具体的な一実施形態では、樹脂は、ｏ−クレゾール、ホルムアルデヒド、及びノボラック系樹脂からなる群から選択される１つ以上の有機系材料を含む。更により具体的な一実施形態では、第１の溶媒は、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−プロポキシプロパノール、及びプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン、及び乳酸エチル、及びエチルエステルからなる群から選択され、第２の溶媒は、アセトン、エチルアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される。なおより具体的な一実施形態では、第１の溶媒は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、第２の溶媒は、アセトン及びイソプロピルアルコールから選択される。
【００１３】
例示の一実施形態では、基板にコーティングを適用する方法が提供される。この方法は、第１の速度で基板にコーティングを分注することと、コーティングが基板の表面上で拡散し、平面表面を得るように、第１の速度以下の第２の速度でコーティングをスピンさせることと、所望の膜厚が確立されるように、第１の速度及び第２の速度より大きい第３の速度まで速度を上げることと、平面表面を得るために流れを促進するよう、停止時間を提供することと、を含む。より具体的な実施形態では、第１の速度は、毎分１００回転〜毎分５００回転であり、第２の速度は、毎分０回転〜毎分５００回転であり、第３の速度は、毎分１５００回転〜毎分５０００回転である。一実施形態では、コーティングは、１つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを含む樹脂と、１４０℃〜２５０℃の沸点を有する少なくとも１つの第１の溶媒と、５０℃〜１２０℃の沸点を有する少なくとも１つの第２の溶媒と、を含み、第１の溶媒と第２の溶媒との重量比は１：１〜１：５である。別の実施形態では、コーティングは、上の実施形態のいずれかの組成物を含む。
【００１４】
別の例示の実施形態では、コーティングを基板上に適用する方法が提供される。この方法は、第１の速度で基板にコーティングを分注することと、コーティングが基板の表面上で拡散し、平面表面を得て、第２の溶媒を蒸発させるように、第１の速度以下の第２の速度でコーティングをスピンさせることと、所望の膜厚が確立されるように、第１の速度及び第２の速度より大きい第３の速度まで速度を上げることと、平面表面を得るために流れを促進するよう、停止時間を提供することと、を含み、第１の速度は、毎分１００回転〜毎分５００回転であり、第２の速度は、毎分０回転〜毎分５００回転であり、第３の速度は、毎分１５００回転〜毎分５０００回転である。一実施形態では、コーティングは、１つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを含む樹脂と、１４０℃〜２５０℃の沸点を有する少なくとも１つの第１の溶媒と、５０℃〜１２０℃の沸点を有する少なくとも１つの第２の溶媒と、を含み、第１の溶媒と第２の溶媒との重量比は１：１〜１：５である。別の実施形態では、コーティングは、上の実施形態のいずれかの組成物を含む。上の実施形態のいずれかのより具体的な一実施形態では、第１の溶媒は、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−プロポキシプロパノール、及びプロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン、及び乳酸エチル、及びエチルエステルからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む。更により具体的な一実施形態では、第１の溶媒は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。別のより具体的な実施形態では、第１の溶媒は、イソプロピルアルコールである。
【００１５】
上の実施形態のいずれかの別のより具体的な一実施形態では、第２の溶媒は、アセトン、エチルアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む。更により具体的な一実施形態では、第２の溶媒は、アセトン及びイソプロピルアルコールから選択される。
【００１６】
上の実施形態のいずれかの別のより具体的な実施形態では、第１の溶媒は、ＰＧＭＥＡであり、第２の溶媒は、アセトン及びイソプロピルアルコールから選択される。別のより具体的な実施形態では、第１の溶媒は、イソプロピルアルコールであり、第２の溶媒は、アセトンである。
【００１７】
上の実施形態のいずれかのより具体的な一実施形態では、樹脂は、１つ以上のシリコン系材料を含む。更により具体的な一実施形態では、シリコン系材料は、１つ以上のオルガノアルコキシシラン前駆体から形成される。更により具体的な一実施形態では、オルガノアルコキシシラン前駆体は、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）、ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＯＳ）、フェニルトリエトキシシラン（ＰＴＥＯＳ）、ビニルトリエトキシシラン（ＶＴＥＯＳ）、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、及び上記の組み合わせから選択される。別のより具体的な実施形態では、シリコン系材料は、架橋性メチルシロキサンポリマーである。
【００１８】
上の実施形態のいずれかのより具体的な一実施形態では、樹脂は、１つ以上の有機系材料を含む。より具体的な一実施形態では、有機系材料は、ｏ−クレゾール、ホルムアルデヒド、及びノボラック系樹脂からなる群から選択される。更により具体的な一実施形態では、有機系材料は、ノボラック系樹脂である。
【００１９】
上の実施形態のいずれかのより具体的な一実施形態では、組成物は、フッ素系界面活性剤及びシリコーン界面活性剤からなる群から選択される界面活性剤を更に含む。
【００２０】
例示の一実施形態では、上の実施形態のいずれかの組成物から形成されるコーティングが提供される。
【００２１】
例示の一実施形態では、基板にコーティングを適用する方法が提供される。この方法は、第１の速度で基板上に組成物を分注することと、第１の時間、コーティングが基板上で拡散するように、第１の速度以下の第２の速度でコーティングをスピンさせることと、所望の膜厚を確立するために、第１の速度及び第２の速度より大きい第３の速度まで速度を上げることと、平面表面を得るために流れを促進するよう、停止時間を提供することと、を含み、第１の速度は、毎分１００回転〜毎分５００回転であり、第２の速度は、毎分０回転〜毎分５００回転であり、第３の速度は、毎分１５００回転〜毎分５０００回転である。より具体的な一実施形態では、コーティングは、上の実施形態のいずれかの組成物から形成される。
【００２２】
例示の一実施形態では、基板にコーティングを適用する方法が提供される。この方法は、第１の速度で基板上にコーティングを分注することであって、コーティングは、１つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを含む樹脂と、少なくとも１つの第１の溶媒及び少なくとも１つの第２の溶媒であって、５０℃〜１２０℃の沸点を有する、第１の溶媒及び第２の溶媒と、を含む、ことと、コーティングが基板の表面上に広がり、平面表面を実現し、第２の溶媒を蒸発させるように、第１の速度以下の第２の速度でコーティングをスピンさせることと、所望の膜厚が確立されるように、第１の速度及び第２の速度より大きい第３の速度まで速度を上げることと、平面表面を得るために流れを促進するよう、停止時間を提供することと、を含み、第１の速度は、毎分１００回転〜毎分５００回転であり、第２の速度は、毎分０回転〜毎分５００回転であり、第３の速度は、毎分１５００〜毎分５０００回転である。
【００２３】
多数の実施形態が開示されるが、それでもなお当業者には、本発明の例示的実施形態を示し、説明する以下の詳細な説明から、本発明の他の実施形態が明らかになるであろう。したがって、図面及び詳細な説明は、制限的なものではなく、本質的に実例とみなされるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施例１に関し、シリコン樹脂系組成物の膜厚に対する蒸発時間の影響を示す。
【図２】実施例１に関し、有機樹脂系組成物の膜厚に対する蒸発時間の影響を示す。
【図３】実施例２に関し、メチルシロキサン樹脂系組成物の膜厚に対する蒸発時間の影響を示す。
【図４】実施例１又は実施例２の膜を基板上に適用する例示の方法を示す。
【００２５】
対応する参照文字は、いくつかの図に亘って対応する部分を示す。本明細に提示する例示は、特定の例示の実施形態を示すために提供されており、かかる例示は、何らかの方法で範囲を制限するものとして解釈されるべきではない。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
Ｉ．製剤
例示の一実施形態では、平坦化用途のためのポリシロキサン製剤は、１つ以上の溶媒と、ポリマー樹脂と、を含む。ポリマー樹脂は、１つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを例示的に含む。
【００２７】
ａ．ポリマー樹脂
ｉ．シリコン系材料
例示の一実施形態では、製剤は、ポリシロキサンコーティングを形成する１つ以上の架橋性又は重合性シリコン系材料を含む液体製剤として提供される。
【００２８】
例示の一実施形態では、製剤は、製剤の総重量に基づき、１．０重量．％、１．５重量％、２．０重量％と小さいか、１０重量％、１５重量％、２０重量％と大きいか、又は１．０重量％〜２０重量％、１．５重量％〜１５重量％、若しくは２．０重量％〜１０重量％など、上記の値のうちのいずれか２つの間に定義される任意の範囲内にある量の、１つ以上のシリコン系材料を含む。
【００２９】
例示のシリコン系材料は、加水分解及び縮合反応を介して１つ以上のオルガノアルコキシシラン前駆体から形成される１つ以上の架橋性シロキサンオリゴマーと、重合反応を介して１つ以上のオルガノアルコキシシラン前駆体から形成される１つ以上のシロキサンポリマーと、を含む。例示のオルガノアルコキシシラン前駆体は、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）、ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＯＳ）、フェニルトリエトキシシラン（ＰＴＥＯＳ）、ビニルトリエトキシシラン（ＶＴＥＯＳ）、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、及び上記の組み合わせを含む。
【００３０】
いくつかの実施形態では、１つ以上の架橋性シロキサンオリゴマーは、メチルシロキサンオリゴマーを含む。いくつかの実施形態では、メチル基は、架橋性シロキサンオリゴマーの固形重量の０重量％、１重量％、２重量％、５重量％と小さいか、１０重量％、１５重量％、２０重量％と大きい割合からなるか、又は、１重量％〜２０重量％、２重量％〜１５重量％、若しくは５重量％〜１５重量％など、上記の値のうちのいずれか２つの間に定義される任意の範囲内であってもよい。いくつかの実施形態では、メチル基は、全架橋性シロキサンオリゴマーの約１０重量％を含む。
【００３１】
いくつかの実施形態では、架橋性シロキサンオリゴマーは、５００ダルトン、１０００ダルトン、１２５０ダルトン、１５００ダルトンと小さいか、１６００ダルトン、１７５０ダルトン、２０００ダルトン、３０００ダルトン、５０００ダルトンと大きいか、又は５００ダルトン〜５０００ダルトン、若しくは１０００ダルトン〜３０００ダルトン、若しくは１５００ダルトン〜２０００ダルトンなど、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内にある重量平均分子量を有する。いくつかの実施形態では、架橋性シロキサンオリゴマーは、１．１０、１．１２、１．１５と小さいか、１．１６、１．１８、１．２０と大きいか、又は１．１０〜１．２０、１．１２〜１．１８、又は１．１５〜１．１８など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内にある多分散指数（重量平均分子量／数平均分子量）を有する。いくつかの実施形態では、架橋性シロキサンオリゴマーは、約１５００の重量平均分子量及び約１．１６の多分散指数を有する。
【００３２】
例示のシリコン系材料としては、材料３１２Ｂ、４１２Ｂ、５１２Ｂを含む、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｃ．から入手可能なＡＣＣＵＧＬＡＳＳ（登録商標）Ｔ−１２Ｂ  Ｓｐｉｎ−ｏｎ  Ｇｌａｓｓシリーズの材料などの架橋性メチルシロキサンポリマーが挙げられる。
【００３３】
ｉｉ．有機系材料
別の例示の実施形態では、本製剤は、有機コーティングを形成する１つ以上の有機系材料を含む。例示の有機系材料としては、ノボラック系樹脂などのフェノールホルムアルデヒド樹脂が挙げられる。
【００３４】
いくつかの実施形態では、有機系材料は、１４００ダルトン、１５００ダルトン、１６００ダルトンと小さいか、２０００ダルトン、２１００ダルトン、２２００ダルトンと大きいか、又は１４００ダルトン〜２２００ダルトンなど、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内にある重量平均分子量を有する。
【００３５】
例示の有機系材料としては、材料Ｔ−１３ＥＬ、Ｔ２５、及びＴ−２７を含む、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｃ．から入手可能なＡＣＣＵＦＬＯ  Ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ  Ｆｉｌｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓなどのノボラック系ポリマーが挙げられる。
【００３６】
ｂ．溶媒
この製剤は、少なくとも１つの高沸点溶媒と、少なくとも１つの低沸点溶媒と、を含む。
【００３７】
好適な高沸点溶媒は、少なくとも１４０℃か、又は１４０℃、１６０℃、１８０℃と低いか、２１０℃、２３０℃、２５０℃と高いか、又は１４０℃〜２５０℃、１６０℃〜２３０℃、若しくは１８０℃〜２１０℃など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内にある沸点を有してもよい。例示の高沸点溶媒としては、ジプロピレングリコールメチルエーテル（ＤＰＭ）、トリプロピレングリコールメチルエーテル（ＴＰＭ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、ｎ−プロポキシプロパノール（ＮＰＰ）、プロピレンカーボネート、ガンマブチロラクトン、乳酸エチルなどのグリコールエーテルが挙げられる。
【００３８】
好適な低沸点溶媒は、１２５℃未満か、又は５０℃、７５℃と低いか、１００℃、１２５℃と高いか、又は５０℃〜１２５℃若しくは７５℃〜１００℃など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内にある沸点を有してもよい。例示の低沸点溶媒としては、水、アセトン、エチルアセテートなどのエチルエステル、及びメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどの低分子量アルコールが挙げられる。
【００３９】
例示の一実施形態では、製剤は、少なくとも約１４０℃、より具体的には少なくとも約１４５℃、更により具体的には少なくとも約１５０℃の沸点を有する高沸点溶媒を含む。製剤は、少なくとも５０℃、より具体的には少なくとも約７５℃、更により具体的には少なくとも約１００℃の沸点を有する低沸点溶媒を含む。
【００４０】
例示の一実施形態では、製剤は、高沸点溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）と、低沸点溶媒としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と、を含む。別の例示の実施形態では、製剤は、高沸点溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）と、低沸点溶媒としてアセトンと、を含む。
【００４１】
例示の一実施形態では、１つ以上の高沸点溶媒は、高沸点溶媒及び低沸点溶媒の総重量の２０重量％、２５重量％、３０重量％、３５重量％と小さいか、又は４０重量％、４５重量％、５０重量％と大きいか、又は２０重量％〜５０重量％若しくは３０重量％〜４０重量％など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内からなる。
【００４２】
例示の一実施形態では、１つ以上の低沸点溶媒は、高沸点溶媒及び低沸点溶媒の総重量の２０重量％、２５重量％、３０重量％、３５重量％と小さいか、又は６０重量％、６５重量％、７０重量％、７５重量％、８０重量％と大きいか、又は２０重量％〜８０重量％若しくは３０重量％〜７０重量％など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内からなる。
【００４３】
別の例示の実施形態では、製剤は、アセトン及びイソプロピルアルコールなどの２つ以上の低沸点溶媒の混合物を含み、高沸点溶媒を含まない。
【００４４】
例示の一実施形態では、１つ以上の低沸点溶媒に対する１つ以上の高沸点溶媒の重量比は、１：１、１：１．２５、１：１．５、１：１．７５、１：２と大きいか、１：２．２５、１：２．５、１：２．７５、１：３、１：４、１：５と小さいか、又は１：１〜１：５、１：１５〜１：４、若しくは１：１５〜１：３など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内である。
【００４５】
例示の一実施形態では、製剤は、製剤の総重量に基づき、４０重量％、５０重量％、６０重量％、７０重量％、８０重量％と小さいか、９０重量％、９２重量％、９５重量％、９７重量％、９８重量％、９９重量％と大きいか、又は４０重量％〜９９重量％など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内にある溶媒の合計量を含む。
【００４６】
ｃ．その他の添加剤
製剤は、１つ以上の添加物を更に含んでもよい。
【００４７】
いくつかの例示の実施形態では、製剤は、シリコン系材料の架橋を改善するために１つ以上の触媒を含む。例示の触媒体としては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などの有機置換水酸化アンモニウム、又はＴＭＡＮ（テトラメチルアンモニウム窒化物）などの有機置換アンモニウム塩が挙げられる。いくつかの実施形態では、製剤は、製剤の総重量に基づき、０重量％、０．００１重量％、０．０１重量％と小さいか、０．１重量％、０．２重量％、１．０重量％と大きいか、又は０重量％〜１．０重量％、０．０１重量％〜０．１重量％、若しくは０．００１重量％〜０．１重量％など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内にある触媒の合計量を含む。
【００４８】
いくつかの例示の実施形態では、製剤は、基板上のシリコン系材料のレベリングを改善するために、１つ以上の界面活性剤を含む。例示の界面活性剤としては、ＢＹＫ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＧｍｂＨ提供のＢＹＫ−３０７、ＢＹＫ−３０６、ＢＹＫ−２２２、３Ｍ提供のＮｏｖｅｃＴＭ  Ｆｌｕｏｒｏｓｕｒｆａｃｔａｎｔ  ＦＣ−４４３０、又はＥｖｏｎｉｋ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ  ＡＧ提供のＴｅｇｏ（登録商標）Ｆｌｏｗ  ３００が挙げられる。いくつかの実施形態では、製剤は、製剤の総重量に基づき、０重量％、０．００１重量％、０．０１重量％と小さいか、０．１重量％、０．５重量％、１．０重量％、１．５重量％、２．０重量％と大きいか、又は０重量％〜１．０重量％、０．０１重量％〜０．１重量％、若しくは０．００１重量％〜０．１重量％など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内の界面活性剤の合計量を含む。
【００４９】
ＩＩ．コーティング
いくつかの例示の実施形態では、コーティングは、樹脂、高沸点溶媒、低沸点溶媒、及び任意の添加剤を含む組成物を提供し、組成物を基板に適用し、適用された組成物から溶媒を除去してコーティングを形成することによって形成される。
【００５０】
例示の一実施形態では、第１の溶媒を含む第１の組成物が提供され、第２の溶媒は、第１の組成物に添加される。例示の一実施形態では、第１の組成物は高沸点溶媒を含み、第２の溶媒は低沸点溶媒である。別の例示の実施形態では、第１の組成物は低沸点溶媒を含み、第２の溶媒は高沸点溶媒である。
【００５１】
別の例示の実施形態では、コーティングは、溶媒交換プロセスによって形成される。例示の一実施形態では、複数の低沸点溶媒の混合物を有し、高沸点溶媒を有さない溶液が提供される。その後、高沸点溶媒が溶液に添加され、低沸点溶媒の多くはロータリーエバポレーターによって剥ぎ取られ、単一の低沸点溶媒と単一の高沸点溶媒との混合物が残される。このようにして、低沸点溶媒は、高沸点溶媒の添加のために交換される。
【００５２】
更に別の例示の実施形態では、コーティングは、高沸点溶媒及び低沸点溶媒を選択することによって形成される。次いで、溶媒は混合され、樹脂に添加される。次いで、更なる添加物が添加されて、上記の製剤が作製される。
【００５３】
例示の一実施形態では、スピンコーティング方法は、ウエファーの表面上にコーティングを適用するため、かつ所望の厚さのコーティングを得るために採用される。図４に示すように、方法１０は、複数工程のスピンコーティングプロセスを含む。ブロック１２で、製剤を第１のウエファー回転速度で動的に分注する。例示の一実施形態では、ウエファーをスピンプレート上に載せ、流体をウエファーの中心に適用する。次いで、コーティングをウエファーの中心に適用する。適用後、次いでウエファーをスピンさせて、コーティングがウエファーの表面を被覆できるようにする。代替の実施形態では、コーティングを、ウエファーの表面上でウエファーの中心から離れた位置に適用する。次いで、ウエファーをスピンさせて、ウエファーの表面の完全な被覆を達成する。
【００５４】
例示の適用速度は、１００ｒｐｍ（毎分回転数）、１５０ｒｐｍ、２００ｒｐｍ、２５０ｒｐｍと小さいか、３５０ｒｐｍ、４００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、５００ｒｐｍと大きいか、又は１００ｒｐｍ〜５００ｒｐｍなど、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内であってもよい。例示のスピン時間は、１秒、１．５秒、２秒と小さいか、３．５秒、４秒、４．５秒、５秒と大きいか、又は１秒〜５秒若しくは１秒〜２秒など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内であってもよい。
【００５５】
ブロック１４で、複数工程のスピンコーティングプロセスは次いで、追加の液体製剤を適用せずに所望の速度でウエファーを回転させる、及び低沸点溶媒を蒸発させる拡散時間を含む。いかなる特定の理論に束縛されるものではないが、拡散時間は、コーティングが表面に沿って流れ、平面表面を得ることを可能にすると考えられる。例示の適用速度は、０ｒｐｍ（毎分回転数）、１００ｒｐｍ、２００ｒｐｍ、３００ｒｐｍと小さいか、４００ｒｐｍ、５００ｒｐｍと大きいか、又は０ｒｐｍ〜５００ｒｐｍなど、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内であってもよい。例示のスピン時間は、１０秒、２０秒、３０秒と小さいか、４０秒、５０秒、６０秒と大きいか、又は２０〜６０秒など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内であってもよい。
【００５６】
ブロック１０でコーティングをウエファー上に動的に分注してから、ブロック１４の拡散時間を完了させるまでの時間が、コーティングの蒸発時間をなし得る。いくつかの実施形態では、蒸発時間は、２秒、５秒、１０秒と小さいか、１５秒、２５秒、３０秒と大きいか、又は２〜３０秒など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内である。蒸発時間が経過した後、コーティングは、５，０００オングストローム、１０，０００オングストローム、１５，０００オングストローム、２０，０００オングストロームと小さいか、２５，０００オングストローム、３０，０００オングストローム、３５，０００オングストロームと大きいか、又は５，０００オングストローム〜３０，０００オングストロームなど、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内の厚さを有する。
【００５７】
ブロック１６で、複数工程のスピンコーティングプロセスは次いで、図４のブロック１４に示すように、所望のコーティング厚さを確立するため、追加の液体製剤を適用せずにウエファーを回転させる高ｒｐｍスピンを含む。例示の適用速度は、１，０００ｒｐｍ（毎分回転数）、１，５００ｒｐｍ、２，０００ｒｐｍ、２，５００ｒｐｍと小さいか、３，５００ｒｐｍ、４，０００ｒｐｍ、４，５００ｒｐｍ、５，０００ｒｐｍと大きいか、又は１，５００ｒｐｍ〜５，０００ｒｐｍなど、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内であってもよい。例示のスピン時間は、１０秒、２０秒、３０秒と小さいか、４０秒、５０秒、６０秒と大きいか、又は２０〜６０秒など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内であってもよい。
【００５８】
ブロック１８で、複数工程のスピンコーティングプロセスは次いで、図４のブロック１６に示すように、適用された表面に沿った高沸点溶媒の粘性流体の流れを促進するため、停止時間を置く。停止時間のための例示の時間として、１０秒、２０秒、３０秒か、４０秒、５０秒、６０秒と大きいか、又は２０〜６０秒など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内が挙げられる。
【００５９】
コーティングの適用後、ブロック２０で、図４のブロック１８に示すように、適用された表面上でコーティングを硬化させる。硬化のための例示の温度は、１００℃、２００℃、３００℃と低いか、６００℃、７００℃、８００℃、９００℃と高いか、又は２００℃〜８００℃など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内であってもよい。硬化時間は、１分、１０分、２０分と小さいか、４０分、５０分、６０分、７０分と大きいか、又は１分〜６０分など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内であってもよい。
【００６０】
いくつかの例示的実施形態では、材料は、好適な基板上に隙間の充填又は平坦化層として形成される。例示の基板としては、半導体製造工程において使用されるように、シリコンウエファー上に位置付けられるような誘電体膜、ポリシリコン膜、誘電体金属層、金属シリコン層、又は有機層が挙げられる。
【００６１】
形成された層は、充填される特徴の幅に依存する平面性を有する。例示の実施形態では、特徴の幅は、２μｍ、３μｍ、４μｍ、５μｍと小さいか、７μｍ、８μｍ、９μｍ、１０μｍと大きいか、又は上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内である。いくつかの例示的実施形態では、形成される層は、充填される隙間の前述のサイズに応じて、６０％、７０％、８０％と小さいか、９０％、９５％、９９％と大きいか、又は上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内である平面性を有してもよい。
【００６２】
平坦化性能は、トポグラフィーが低減される効果の程度によって主に評価され得る。平坦化の前後のトポグラフィーが評価される。トポグラフィーの低減（又は平坦化改善）の割合は、平坦化度（Ｄｅｇｒｅｅ  ｏｆ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ、ＤＯＰ又は％平坦化）として表現され、次のように計算され得る。
【００６３】
ＤＯＰ（％平坦化）＝（１−（Ｔ’／Ｔ））×１００
【００６４】
ここで、Ｔ’は平坦化後のトポグラフィック構造上の段差であり、Ｔは平坦化前の初期のトポグラフィック構造の段差である。完全平坦化は、１００％のＤＯＰを有し、Ｔ’は０に等しく、トポグラフィック構造上のトポグラフィーは、平坦化後に除去される。
【００６５】
約２μｍの幅を有する特徴を含む例示の一実施形態では、形成される層は、９３％、９４％、９５％と小さいか、９７％、９８％、９９％と大きいか、又は９３％〜９９％又は９５％〜９９％など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内である平面性を有してもよい。約５μｍの幅を有する特徴を含む例示の一実施形態では、形成される層は、８１％、８５％、９０％と小さいか、９５％、９７％、９９％と大きいか、又は８１％〜９８．５％若しくは９０％〜９５％など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内である平面性を有してもよい。約１０μｍの幅を有する特徴を含む例示の一実施形態では、形成される層は、６０％、７０％、８０％と小さいか、９０％、９５％、１００％と大きいか、又は６０％〜１００％、９０〜１００％、若しくは９５％〜１００％など、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内である平面性を有してもよい。
【００６６】
適用されると、基板上のコーティングは厚さを有する。例示の一実施形態では、コーティングは、５，０００オングストローム、６，０００オングストローム、７，０００オングストロームと小さいか、１０，０００オングストローム、１１，０００オングストローム、１２，０００オングストローム、１３，０００オングストローム、１４，０００オングストロームと大きいか、又は５，０００オングストローム〜１３，０００オングストロームなど、上記の値のうちのいずれか２つの間で定義される任意の範囲内の厚さを有する。
【実施例】
【００６７】
実施例１：高沸点溶媒及び低沸点溶媒による製剤
表１に提供される重量比に従ってコーティング製剤のサンプルを調製した。
【００６８】
【表１】
2019525451.tif 000003
【００６９】
樹脂１は、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｃ．からＰＴＳという商標名で入手可能なシリコン系樹脂であった。樹脂２は、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｃ．からＡＣＣＵＦＬＯという商標名で入手可能な有機系樹脂であった。樹脂３は、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｃ．からＡＣＣＵＧＬＡＳＳ  Ｔ−１２という商標名で入手可能なメチルシロキサン系樹脂であった。
【００７０】
表１に提供されるコーティングは、スピンコーティング技術を介して適用した。スピンコーティング技術は、最初にコーティングを表面上にスピンコーティングし、その後、表面に沿ってコーティングを静的に分注し、その後、３００ｒｐｍの拡散時間で低沸点溶媒を蒸発させ、その後、２０秒間１５００ｒｐｍのスピンによって所望の膜厚を確立し、最後に、停止時間によって、平面表面を得るために高沸点溶媒の粘性液体の流れを促進することを含む。すべてのコーティングは、２００℃未満で数分間、ホットプレート上で焼成した。
【００７１】
様々な蒸発時間で結果として得られるコーティングの厚さが、表２に提供されている。
【００７２】
【表２】
2019525451.tif 000004
【００７３】
表２に提示されているデータは、図１〜図３に更に示されており、秒単位の経過蒸発時間に応じたオングストローム単位の膜厚を比較するものである。
【００７４】
最初に図１を参照すると、２０重量％の樹脂１の２つの製剤のデータが示されている。比較例１は、８０重量％のＰＧＭＥＡを含み、例１は、２４重量％のＰＧＭＥＡ（沸点１４５〜１４６℃）及び５６重量％のアセトン（沸点５６℃）の混合物を含む。図１に見られ得るように、例１のＰＧＭＥＡ及びアセトンの組み合わせは、蒸発時間３０秒で比較例１より大きい膜厚をもたらす。
【００７５】
ここで図２を参照すると、樹脂２を含む３つの製剤のデータが示されている。比較例２及び例３は、２０重量％の樹脂２を含み、例２は、１０重量％の樹脂２を含む。比較例２は、８０重量％のＰＧＭＥＡを含み、実施例２及び３は、５６重量％のＩＰＡ（沸点８２．６℃）及び２４重量％のＰＧＭＥＡ（沸点１４５〜１４６℃）を含む。図２に見られ得るように、例３の樹脂濃度の低いＰＧＭＥＡ及びＩＰＡの組み合わせは、蒸発時間３０秒で例２及び比較例２より大きい膜厚をもたらす。例２はまた、蒸発時間が進行するにつれ、比較例２に比べて大きい膜厚をもたらす。例２は、１０秒付近から大きい膜厚を有していたが、この時間より前の例２は、比較例２以下の厚さをもたらしている。
【００７６】
図１及び図２に示すように、溶媒の混合物による製剤は、単一の溶媒による製剤よりも大きい膜厚を示した。また、高沸点溶媒及び低沸点溶媒の両方を含む溶媒混合物による製剤は、使用した樹脂に関係なく、単一の溶媒代替物に比べて改善された膜厚を示す。
【００７７】
実施例２：実施例１：複数の低沸点溶媒による製剤
表１に提供される重量比に従って実施例４のコーティング製剤のサンプルを調製した。コーティングは、スピンコーティング技術を介して適用した。スピンコーティング技術は、最初にコーティングを表面上にスピンコーティングし、その後、表面に沿ってコーティングを静的に分注し、その後、３００ｒｐｍの拡散時間で低沸点溶媒イソプロピルアルコールを蒸発させ、その後、２０秒間１５００ｒｐｍのスピンによって所望の膜厚を確立し、最後に、停止時間によって、平面表面を得るために相対的に沸点の高いアセトンの流れを促進することを含む。すべてのコーティングは、２００℃未満で数分間、ホットプレート上で焼成した。
【００７８】
様々な蒸発時間で結果として得られるコーティングの厚さが、表２に提供されている。
【００７９】
次に図３を参照すると、例４のデータが示されており、この例は、２つの低沸点溶媒、すなわち、２９．３重量％のアセトン及び５８．７重量％のＩＰＡとの溶媒混合物を有する、１２重量％の樹脂３を含む。図３は、蒸発時間が長くなるほど膜厚が大きくなる傾向を示しており、適量の拡散時間を示す低沸点溶媒の混合物が、良好な厚さ特性のコーティングをもたらし得ることを示している。
【００８０】
図３に示すように、溶媒の混合物による製剤は、単一の溶媒による製剤よりも大きい膜厚を示した。
【００８１】
本発明の範囲から逸脱することなく、記載した例示的実施形態に対して様々な修正及び付加を行うことができる。例えば、上述の実施形態は、特定の特徴に言及するものであるが、本発明の範囲はまた、異なる特徴の組み合わせを有する実施形態及び上述の特徴のすべてを含むわけではない実施形態を含む。
【図１】
2019525451.tif 000005
【図２】
2019525451.tif 000006
【図３】
2019525451.tif 000007
【図４】
2019525451.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月7日(2018.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティングを基板上に適用する方法であって、
前記コーティングを前記基板上に分注することであって、前記コーティングは、
１つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを含む樹脂と、
１４０℃〜２５０℃の沸点を有する少なくとも１つの第１の溶媒と、
５０℃〜１２０℃の沸点を有する少なくとも１つの第２の溶媒と、を含み、
前記第１の溶媒と前記第２の溶媒との重量比が１：１〜１：５である、ことと、
前記分注工程の前及びその間のうちの少なくとも１つに、前記基板を第１の速度でスピンさせることと、
前記コーティングが前記基板の表面上に拡散し、平面表面を得るように、前記第１の速度以下の第２の速度で前記コーティングをスピンさせることと、
所望の膜厚が確立されるように、前記第１の速度及び前記第２の速度より大きい第３の最終速度まで前記速度を上げることと、
前記平面表面を得るために流れを促進するよう、任意の後続の加熱前に１０〜６０秒の停止時間を提供することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第１の溶媒が、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−プロポキシプロパノール、及びプロピレンカーボネート、及びガンマブチロラクトンからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含み、前記少なくとも１つの第２の溶媒が、アセトン、エチルアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コーティングを基板上に適用する方法であって、
前記コーティングを前記基板上に分注することであって、前記コーティングは、
１つ以上のシリコン系材料、１つ以上の有機系材料、又はシリコン系材料と有機系材料との組み合わせを含む樹脂と、
１４０℃〜２５０℃の沸点を有する少なくとも１つの第１の溶媒と、
５０℃〜１２０℃の沸点を有する少なくとも１つの第２の溶媒と、を含み、
前記第１の溶媒と前記第２の溶媒との重量比が１：１〜１：５である、ことと、
前記分注工程の前及びその間のうちの少なくとも１つに、前記基板を第１の速度でスピンさせることと、
前記コーティングが前記基板の表面上に拡散し、平面表面を得て、前記第２の溶媒を蒸発させるように、前記第１の速度以下の第２の速度で前記コーティングをスピンさせることと、
所望の膜厚が確立されるように、前記第１の速度及び前記第２の速度より大きい第３の速度まで前記速度を上げることと、
前記平面表面を得るために流れを促進するよう、任意の後続の加熱前に１０〜６０秒の停止時間を提供することと、を含み、
前記第１の速度が、毎分１００回転〜毎分５００回転であり、前記第２の速度が、毎分０回転〜毎分５００回転であり、前記第３の最終速度が、毎分１０００回転〜毎分５０００回転である、方法。
【国際調査報告】
2019525451.tif 000009
2019525451.tif 000010