(57)【要約】その中に彫刻された少なくとも１つのワッフラーを含むクレジットカード形状の装置のような有形装置。フィルムまたはシートの形状の底部安定化材料がワッフラー内に配置される。金などのナノスケールで強磁性である粉末形態のナノスケール金属が、底部安定化フィルムの上に添加される。ナノスケールの強磁性粉末がナノスケール金属に添加され、その上に頂部安定化フィルムが配置される。次いで、セラミック粉末を使用して組成物をさらに安定化させ、最後にすべての成分をワッフラー内にシールする。ナノスケール金属は、原子層堆積を用いて安定化フィルムに付着させることができる。本発明は、複数の電子装置から放射される電磁汚染を、その放射内の素粒子のスピンの極性を組織化することによって無効にするために使用される。【選択図】図１
2019516253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する有形装置であって、
前記表面に凹部を形成することによってそれぞれ形成された少なくとも１つのワッフラーと、
前記少なくとも１つのワッフラーのそれぞれの少なくとも２つの安定化フィルムと、
ナノスケールの形態である場合に強磁性特性を有する第１ナノスケール材料であって、前記第１ナノスケール材料は、底部第１安定化フィルムを受け入れる少なくとも１つのワッフラーを有する前記装置の前記表面上の前記少なくとも１つのワッフラーに塗布され、前記第１ナノスケール材料は粉末形態であり、前記第１ナノスケール材料の所定量は前記第１安定化フィルムに亘って広がっており、前記ナノスケール材料は金属である、第１ナノスケール材料と、
前記ナノスケール材料と混合された強磁性粉末と、
前記第１ナノスケール材料と前記強磁性粉末との混合物の上に配置された第２安定化フィルムと、
前記第２安定化フィルムの上に広がるセラミック粉末と、
前記少なくとも１つのワッフラー内に、前記セラミック粉末、前記両安定化フィルム、前記第１ナノスケール材料、及び、前記強磁性粉末をシールする封止剤材料と、を備える、有形装置。
【請求項２】
複数のワッフラーが前記有形装置内で使用される、請求項１に記載の装置対象。
【請求項３】
第２ナノスケール材料が前記第１ナノスケール材料および前記強磁性材料と混合される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１または前記第２ナノスケール材料が粉末形態の金である、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記第１または前記第２ナノスケール材料が粉末形態のパラジウムである、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記ナノスケール材料が粉末形態のチタンである、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記第１ナノスケール材料が４０〜１００ナノメートルの粒径を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１ナノスケール材料が９７ナノメートルの粒径を有する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１および前記第２安定化フィルムは、以下のリスト、つまり、強化炭化ケイ素とのアルミニウム／リチウムの組み合わせ、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、または石英由来の材料から作られる、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記表面はポリマーでできている、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
表面を有する有形装置を製造する方法であって、
ａ）前記有形装置を所定の寸法に切断することと、
ｂ）前記有形装置内に凹部を形成することによって、前記有形装置の表面に所定の直径および深さの少なくとも１つのワッフラーを形成することと、
ｃ）前記少なくとも１つのワッフラーに第１安定化シートを配置することと、
ｄ）ナノスケールの強磁性特性を有する第１ナノスケール材料の所定量を前記第１安定化フィルムの上部に塗布することと、
ｅ）所定量の強磁性材料を前記第１ナノスケール材料に塗布することと、
ｆ）前記第１ナノスケール材料および前記強磁性材料の上に第２頂部安定化フィルムを配置することと、
ｇ）所定量のセラミック粉末を前記第２安定化フィルムの上に塗布することと、
ｈ）前記第１および前記第２安定化フィルム、前記第１ナノスケール材料、前記セラミック粉末、および、前記強磁性材料をシーリング剤を用いて各ワッフラー内にシールすることと、
ｉ）電磁汚染の無効化が所望されるユーザ選択領域に前記有形装置を配置すること、とを含む、方法。
【請求項１２】
第２ナノスケール材料が前記第１ナノスケール材料と混合される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１または前記第２ナノスケール材料がパラジウムである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１または前記第２ナノスケール材料がチタンである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１または前記第２ナノスケール材料が金である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
複数のワッフラーが前記有形装置内で使用される、請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所与の領域における電磁汚染の影響を無効にする組成物、方法および装置に関し、特に、人為的な供給源からの非電離放射線の有害な影響を無効にする装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
過去に電磁汚染を低減する装置の設計がいくつか行われてきた。しかし、単に電磁汚染の影響を減じるのではなく、電磁汚染の影響を完全に無効にすることができるものはない。
【０００３】
出願人は、関連する参考文献が、電磁汚染に関連し、携帯電話のブルートゥース（登録商標）シールド、パーソナルボディシールド、ハウスシールド、およびラップトップ／マイクロ波シールドに関するwww.swiftfire.org/rid-electromagnetic- radiationに記載されている非特許刊行物に対応していると考えている。当技術分野で知られているこれらのシールドおよび同様の装置は、電磁汚染の有害な影響を低減することができるが、完全に無効にすることはできない。
【０００４】
本発明は、ナノスケールで強磁性材料の新規かつ自明でない組み合わせを使用して、電磁汚染物質の粒子の調和のとれた配置を除去し、作り出し、故にその有害な影響を無効にする。
【０００５】
無効化は、電子を含む素粒子のスピンの偏極を組織化することによって達成される。それらの軌道に影響を与えることなく素粒子のスピンを組織化するように注意する。
【０００６】
最も近い主題を説明する他の文書は、効率的かつ経済的な方法で問題を解決できない多かれ少なかれ複雑な特徴を提供する。これらの刊行物のいずれも、本発明の新規な特徴を示唆していない。
【発明の概要】
【０００７】
本発明の主な目的の１つは、所与の空間における電磁汚染の影響を無効にする装置を提供することである。
【０００８】
発明の別の目的は、磁気または電気の両方の静電気の存在を低減し、故に電子機器の寿命を延ばすとともに、人間や動物への感電を防ぐことができる装置を提供することである。
【０００９】
本発明のさらに別の目的は、電力消費を最適化する装置を提供することである。
【００１０】
本発明の別の目的は、必要とされる用途に応じて複数の装置と協働するように調節することができる組成物を含む装置を提供することである。
【００１１】
本発明のさらに別の目的は、その有効性を維持しながら実施および維持することに安価な装置を提供することである。
【００１２】
本発明のさらなる目的は、本明細書の以下の部分において明らかにされ、詳細な説明は、限定を加えることなく本発明を完全に開示するためのものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
上記および他の関連する目的を考慮して、本発明は、添付の図面と併せて読むと以下の説明からより完全に理解されるように、構成および部品の組み合わせの詳細に存在する。
【図１】図１は、本発明の上面図を示すが、装置内に３つのワッフラー２０が成形され、本発明の強磁性組成物対象が均一に充填される。
【図１Ａ】図１Ａは、本出願に見られる様々な構成要素を示すワッフラーの内部の透視正面立面図を示す。
【図２】図２は、本発明の上面図を示すが、図１の充填されたワッフラー２０は、ラミネート材料９０を用いてシールされている。
【図３】図３は、代替的実施形態を示すが、液状形態の分子安定化添加剤１００がシールの前に各ワッフラーに加えられている。
【図４】図４は、代替的実施形態を示すが、より強い強磁性材料６０およびナノスケール金属４０、５０を装置に加えてより大きな用途と協働させることができるように、追加のワッフラー２０が使用される。
【図５】図５は、代替的実施形態を示すが、より強い強磁性材料６０およびナノスケール金属４０、５０を装置に加えてより大きな用途と協働させることができるように、追加のワッフラー２０が使用される。
【図６】図６は、代替的実施形態を示すが、追加のワッフラー２０が使用され、さらなる強磁性材料６０およびナノスケール金属４０、５０を装置に加えて、産業用途などのより大きな用途と協働させることができる。
【図７】図７は、代替的実施形態を示すが、追加のワッフラー２０が使用され、さらなる強磁性材料６０およびナノスケール金属４０、５０を装置に加えて、産業用途などのより大きな用途と協働させることができる。
【図８】図８は、本発明の動作環境における本発明１０を示しており、電磁汚染を放出する複数の装置を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図面を参照し、本発明が全体的に数字１０で示されているが、それは、基本的に、ナノスケール金属４０、５０を含む組成物を含むことが観察され得る。その組成物は、チタン、セラミック粉末、パラジウムまたは同様の材料などの安定化材料３０、７０と組み合わされるとき、強磁性的に安定な特性を有する組成物を生成する。安定化材料３０、７０と組み合わされるナノスケールで使用される金属４０、５０としては、粉末状の、金、パラジウム、およびチタンが挙げられる。
【００１５】
安定化材料３０、７０は、さらに、フィルム／シートの形態で、強化炭化ケイ素とのアルミニウム／リチウムの組み合わせ、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、または石英を含むことができる。本発明は、所定の量の上記金属をナノスケールで使用して、互いに平行かつ間隔をあけた２枚の安定化材料３０、７０を含む。
【００１６】
本発明を作成する方法は、所定量のワッフラー２０を有形装置に押し込むことを含む。チタンなどの安定化材料の底部シート３０は、１つまたは複数のワッフラー２０内に配置される。チタンなどの粉末形態のナノスケール金属４０の１つは、底部シート３０全体に広げられることができる。金などの粉末状の第２ナノスケール金属５０は、第１ナノスケール金属４０と混合することができる。強磁性粉末６０は、同様に、粉末形態の両方のナノスケール金属４０、５０と組み合わせて、装置の有効性を高めることができる。次に、安定化フィルムの頂部シート７０を粉状金属の上に載せて、故にそれら金属をシートの中に挟み込む。
【００１７】
次いで、セラミック粉末８０を、安定化材料でできた頂部シート７０の上に広げる。頂部シート３０および底部シート７０は、同じまたは異なる安定化材料で作ることができる。最後に、プラスチックラミネーション層を用いて頂部シート、粉末状のナノスケール金属４０、５０および底部シート３０を、有形装置１０に凹設されたワッフラー２０内にシールする。
【００１８】
好ましい実施形態では、粉末形態のナノスケール金属４０、５０の各粒子は、４０■１００ナノメートルの範囲の直径を有する。最適な直径は９７ナノメートルである。
【００１９】
残りのワッフラー２０は、上述したものと同じ方法で充填され、有形装置１０は、次に、人工供給源からの非電離放射線を含む電磁汚染を放出する物品に隣接して配置される。一実施形態では、各ワッフラー２０は、所定の直径を有する実質的に円形の形状を有する。あらかじめ選択された組成物の量は、ワッフラーの表面の平方ミリメートルに対して０．０００９グラムの割合で各ワッフラー２０に亘って均一に広がっている。
【００２０】
必要に応じて、液状形態の分子保護添加剤１００を、図３に示す組成物をその中に有する各ワッフラー２０に塗布する。添加剤は、アルカンチオールまたはテトラアルキルアンモニウムからなる。
【００２１】
本発明は、装置ワッフラー２０と共に使用されるナノスケール金属４０、５０がナノスケールの場合、強磁性であることを必要とする。元の状態で強磁性である材料は、安定化材料３０、７０と組み合わせて使用される金属としては機能しない。なぜなら、それらは磁場が強すぎて電子装置から放出される素粒子の軌道を変化させるからである。
【００２２】
素粒子には、光子、プロトン、クォーク、電子などが含まれる。電子装置が放射線を放出するとき（これらの素粒子の伝搬として知られる）、この放射は、不規則なスピンを有する素粒子を有する。この混乱したスピンは、生体組織や電子装置を傷つける。
【００２３】
元の状態で強磁性である材料は、これらの素粒子のスピンを組織化することができるが、元の状態では磁場が強すぎるため、放射線の軌道全体が変化し、その結果、電磁波を放出している電子装置が達成しようとしているあらゆる機能の信号損失、通信障害または故障につながる。
【００２４】
しかし、材料がナノスケールで強磁性であり、本発明の新規かつ自明でない方法で構成されている場合、放射の軌道、ひいては機能に影響を与えずに、素粒子の有害な混乱したスピンを組織化することができる。ナノスケールの強磁性特性を有して使用される粉末形態の材料４０、５０は、ナノスケールの場合には、自発的に安定な強磁性形態であるべきである。
【００２５】
さらに、使用される材料は、高いキュリー温度に耐えながらも、ナノスケールではその強磁性特性を維持することができるべきである。例えば、金、パラジウム、およびチタンは、約５４４℃のキュリー温度までナノスケールで強磁性特性を維持する。これらの材料は、静電気を吸収する材料である必要がある。スピンの偏極を組織化することは静電気を減少させる。
【００２６】
好ましい実施形態では、セラミック粉末８０は、少なくとも１５０ナノメートルの粒径を有する。強磁性粉末６０は少なくとも１００ナノメートルの粒径を有する。既に開示された残りの安定化材料フィルム３０、７０は、少なくとも１．５ミクロンの厚さを有する。フィルムまたはシートの厚さは、意図された用途に合わせて構成されている。より大きな用途では、より厚い層の安定化フィルムが使用される。ナノスケール材料を粉末形態でフィルム３０、７０に塗布するには、以下の方法を使用することができる。すなわち、電気メッキ、原子層堆積、または物理蒸着である。好ましい方法は原子層堆積である。
【００２７】
前述の説明は、本発明の目的および利点の最良の理解を伝えるものである。異なる実施形態が、本発明の発明の概念を構成することができる。本明細書に開示されるすべての事項は、単なる例示であり、限定的な意味ではないと理解されるべきであることを理解されたい。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
開示された発明は、携帯電話、マイクロ波、コンピュータ、診断装置、製造装置などを含む、汚染を放出する装置に関連した電磁気汚染を低減および／または潜在的に排除するために当該産業で使用される。
【図１】
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【図１Ａ】
2019516253.tif 000004
【図２】
2019516253.tif 000005
【図３】
2019516253.tif 000006
【図４】
2019516253.tif 000007
【図５】
2019516253.tif 000008
【図６】
2019516253.tif 000009
【図７】
2019516253.tif 000010
【図８】
2019516253.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月14日(2018.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
好ましい実施形態では、粉末形態のナノスケール金属４０、５０の各粒子は、４０〜１００ナノメートルの範囲の直径を有する。最適な直径は９７ナノメートルである。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月15日(2019.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する有形装置であって、
前記表面に凹部を形成することによってそれぞれ形成された少なくとも１つのワッフラーと、
前記少なくとも１つのワッフラーのそれぞれの安定化フィルムと、
ナノスケールの形態である場合に強磁性特性を有する第１ナノスケール材料であって、前記第１ナノスケール材料は、前記装置の前記表面上の前記少なくとも１つのワッフラーに塗布され、前記第１ナノスケール材料は粉末形態であり、前記第１ナノスケール材料の所定量は前記安定化フィルムに亘って広がっており、前記第１ナノスケール材料は金属である、第１ナノスケール材料と、
前記第１ナノスケール材料と混合された強磁性粉末と、
封止剤材料と、を備え、
前記第１ナノスケール材料、及び、前記強磁性粉末が前記少なくとも１つのワッフラーに含まれる、有形装置。
【請求項２】
複数のワッフラーが前記有形装置内で使用される、請求項１に記載の装置対象。
【請求項３】
第２ナノスケール材料が前記第１ナノスケール材料および前記強磁性材料と混合される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１または前記第２ナノスケール材料が粉末形態の金である、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記第１または前記第２ナノスケール材料が粉末形態のパラジウムである、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記ナノスケール材料が粉末形態のチタンである、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記第１ナノスケール材料が４０〜１００ナノメートルの粒径を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１ナノスケール材料が９７ナノメートルの粒径を有する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１および前記第２安定化フィルムは、以下のリスト、つまり、強化炭化ケイ素とのアルミニウム／リチウムの組み合わせ、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、または石英由来の材料から作られる、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記表面はポリマーでできている、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
表面を有する有形装置を製造する方法であって、
ａ）前記有形装置を所定の寸法に切断することと、
ｂ）前記有形装置内に凹部を形成することによって、前記有形装置の表面に所定の直径および深さの少なくとも１つのワッフラーを形成することと、
ｃ）前記少なくとも１つのワッフラーに第１安定化シートを配置することと、
ｄ）ナノスケールの強磁性特性を有する第１ナノスケール材料の所定量を前記第１安定化フィルムの上部に塗布することと、
ｅ）所定量の強磁性材料を前記第１ナノスケール材料に塗布することと、
ｆ）前記第１ナノスケール材料および前記強磁性材料の上に第２頂部安定化フィルムを配置することと、
ｇ）所定量のセラミック粉末を前記第２安定化フィルムの上に塗布することと、
ｈ）前記第１および前記第２安定化フィルム、前記第１ナノスケール材料、前記セラミック粉末、および、前記強磁性材料をシーリング剤を用いて各ワッフラー内にシールすることと、
ｉ）電磁汚染の無効化が所望されるユーザ選択領域に前記有形装置を配置すること、とを含む、方法。
【請求項１２】
第２ナノスケール材料が前記第１ナノスケール材料と混合される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１または前記第２ナノスケール材料がパラジウムである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１または前記第２ナノスケール材料がチタンである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１または前記第２ナノスケール材料が金である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
複数のワッフラーが前記有形装置内で使用される、請求項１１に記載の方法。
【国際調査報告】
2019516253.tif 000012