(57)【要約】  本発明は、基体に固定された少なくとも一つの第１の電子コンポーネントおよび一つの第２の電子コンポーネントを有する電子ユニットに関する。第１および第２の電子コンポーネントの間にシールドが配置されるとともに、このシールドは、基体によって画定された平面から突出したすなわち基体の表面から延在する隆起部を備え、遮蔽の役割を果たすとともに基体と一体型に形成される。
2019514229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体（１２）に固定された少なくとも一つの第１の電子コンポーネント（１４）および一つの第２の電子コンポーネント（１４’）を有する電子ユニットであって、
前記第１および第２の電子コンポーネント（１４，１４’）の間にシールドが配置されるとともに、このシールドが、前記基体によって画定された平面から突出したすなわち前記基体の表面から延在する隆起部（３４）を備え、かつ、遮蔽の役割を果たすとともに前記基体（１２）と一体型に形成された、電子ユニット。
【請求項２】
前記隆起部（３４）が、除去製造工程、特にエッチング、フライス削り、および／またはレーザーアブレーションにより、前記基体（１２）から形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子ユニット。
【請求項３】
前記基体（１２）が、成形回路部品処理によって製造されることを特徴とする請求項１に記載の電子ユニット。
【請求項４】
前記基体（１２）が、３Ｄプリンティングによって製造されることを特徴とする請求項１に記載の電子ユニット。
【請求項５】
前記基体（１２）が、複数のラミネートフィルムから形成され、その基体（１２）の前記隆起部（３４）の領域に、その隣接領域に比べてより多くのフィルムが設けられることを特徴とする請求項１に記載の電子ユニット。
【請求項６】
前記第１の電子コンポーネント（１４）が前記基体（１２）の第１の凹部（１６）に配置され、かつ／または、前記第２の電子コンポーネント（１４’）が前記基体（１２）の第２の凹部に配置されることを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項７】
前記第１の電子コンポーネント（１４）および／または前記第２の電子コンポーネント（１４’）が、導電性接触素子（２６，２６’）、特にワイヤにより、第３の凹部（１８，１８’）の基部（２４）に配置された接点（３２）に導電的に接続されることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項８】
前記隆起部（３４）は、前記基体（１２）によって画定された前記平面から、前記接触素子（２６，２６’）よりもさらに突出することを特徴とする請求項１〜７のうちいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項９】
前記隆起部（３４）は、特に電磁放射を遮蔽する材料で少なくとも部分的にコーティングされることを特徴とする請求項１〜８のうちいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項１０】
前記第１の凹部（１６）、前記第２の凹部（１６’）、および／または、存在する場合には第３の凹部（１８，１８’）が、少なくとも部分的に導電性材料でコーティングされることを特徴とする請求項１〜９のうちいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項１１】
前記第１の凹部（１６）、前記第２の凹部（１６’）、および／または、存在する場合には第３の凹部（１８，１８’）のコーティングが、前記隆起部（３４）のコーティング（３６）部分と接触することを特徴とする請求項９または１０に記載の電子ユニット。
【請求項１２】
前記第１の電子コンポーネント（１４）および／または前記第２の電子コンポーネント（１４’）が、半導体コンポーネントであることを特徴とする請求項１〜１１のうちいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項１３】
前記第１の電子コンポーネント（１４）が電磁放射を放出するコンポーネントであり、前記第２の電子コンポーネント（１４’）が電磁放射を検出するコンポーネントであることを特徴とする請求項１〜１２のうちいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項１４】
請求項１〜１３のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法であって、
基体（１２）を用意するステップと、
前記基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部（３４）を製造するように、特にフライス削り、エッチング、および／またはレーザーアブレーションにより、前記基体（１２）の材料を局所的に除去するステップと、
第１の電子コンポーネント（１４）と、第２の電子コンポーネント（１４’）とを、それら２つの電子コンポーネントの間に前記隆起部（３４）が配置されるように、前記基体（１２）に取り付けるステップと、
を備えた、電子ユニットの製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１３のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法であって、
基体（１２）によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部（３４）を製造するように、プラスチックベースの基体（１２）を射出成形法によって形成するステップと、
第１の電子コンポーネント（１４）と、第２の電子コンポーネント（１４’）とを、それら２つの電子コンポーネントの間に前記隆起部（３４）が配置されるように、前記基体（１２）に取り付けるステップと、
を備えた、電子ユニットの製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜１３のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法であって、
基体（１２）によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部（３４）を製造するように、プラスチックベースの基体（１２）を３Ｄプリンティング処理によって形成するステップと、
第１の電子コンポーネント（１４）と、第２の電子コンポーネント（１４’）とを、それら２つの電子コンポーネントの間に前記隆起部（３４）が配置されるように、前記基体（１２）に取り付けるステップと、
を備えた、電子ユニットの製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜１３のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法であって、
基体（１２）によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部（３４）を製造するように、プラスチックベースの基体（１２）を、複数のフィルム、特に、結合剤とりわけ樹脂によって結合された織物マットによって形成するステップと、
第１の電子コンポーネント（１４）と、第２の電子コンポーネント（１４’）とを、それら２つの電子コンポーネントの間に前記隆起部（３４）が配置されるように、前記基体（１２）に取り付けるステップと、
を備えた、電子ユニットの製造方法。
【請求項１８】
前記フィルムが互いに重ね合わされた状態で前記基体（１２）の所望の三次元構造を形成するように、それらのフィルムを結合する前に、該フィルムが、一定の大きさにするように切断されることを特徴とする請求項１７に記載の電子ユニットの製造方法。
【請求項１９】
前記基体（１２）は、前記隆起部（３４）の領域に、その隣接領域に比べてより多くのフィルムを有することを特徴とする請求項１７または１８に記載の電子ユニットの製造方法。
【請求項２０】
前記隆起部（３４）が、電磁放射を遮蔽する材料で少なくとも部分的にコーティングされることを特徴とする請求項１４または１９に記載の電子ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体に固定された少なくとも一つの第１の電子コンポーネントおよび一つの第２の電子コンポーネントを有する電子ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
基体に電子コンポーネントを配置する際に、それらのコンポーネントのうち少なくとも一つが電磁放射を放出する場合、特に、それらのコンポーネントが互いに空間的に近接するように配置される場合には、問題が発生しうる。この放射はその他のコンポーネントの機能を潜在的に低下させるおそれがある。一方、電磁放射を放出するコンポーネントとそれに対応するレシーバコンポーネントを互いに隣接して配置することは、一部の状況では不可避であり、更には特定の理由により必要とされる。放出される放射がレシーバコンポーネントに直接影響を及ぼす場合には、これは確実に防止する必要がある。このためそれらの２つのコンポーネントの間にシールドが設けられうる。一方、こうした公知の設計のシールドは比較的複雑であり、したがって設計上高価である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって本発明の目的は、第１および第２の電子コンポーネントの間に配置された、できるだけ小型設計で簡単かつ安価に製造することが可能な、シールドを備えた電子ユニットを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この目的は、請求項１の特徴を有する電子ユニットによって充足される。
【０００５】
本発明によれば、シールドは、基体によって画定された平面から突出したすなわちその表面から延在した隆起部であり、遮蔽の役割を果たすとともに基体と一体型に形成される。すなわち、シールドは、基体の材料により、非常に大きい部分に形成されるとともに、コンポーネントを支持する基体の部分から延在する。したがって隆起部は放射の遮蔽障壁を意味する。隆起部は例えば２つのコンポーネントの間に延在するある種の壁であり、したがって、２つの部品のうちの一つによって放射された放射が第２の電子コンポーネント、例えば対応するセンサコンポーネントに直接影響を及ぼさないように、その放射を遮蔽する。構造の一体型の形態により、ユニットの製造コストを低減する。すなわちその後の隆起部の接着または成形が省略される。
【０００６】
本発明のユニットは好ましくはコンポーネント、特にＳＭＤ（表面実装部品）コンポーネントを形成し、このコンポーネントは、次いで、例えば回路内のより大きな電子ユニットに取り付けられる。
【０００７】
本発明の更なる実施例が明細書、従属項、および添付の図面に記載される。
【０００８】
有利な実施例によれば、隆起部は、基体、特に回路基板からの除去製造工程（stripping production process）によって製造される。例えば、基体の材料が、例えばエッチング、フライス削り、および／またはレーザーアブレーションにより、隆起部の周囲のブランクから除去される。
【０００９】
一方、隆起部を有する基体を射出成形のエンジニアリング加工によって製造することも可能である。すなわち、基体は所謂、成形回路部品（ＭＩＤ）である。したがって隆起部および−必要に応じて−基体の更なる構造体が基体の射出成形時に成形される。これにより基体の空間構造の製造に必要な方法ステップを低減する。
【００１０】
この基体は３Ｄプリンティングによっても製造されうる。基体をラミネートフィルムから形成し、隆起部の領域に、その隣接領域に比べてより多くのフィルムを設けることも考えられる。
【００１１】
第１の電子コンポーネントを基体の第１の凹部に配置し、かつ／または第２の電子コンポーネントを基体の第２の凹部に配置することが提供される。それにより、同じ高さによる遮蔽効果が改善される。換言すれば、２つのコンポーネントのうちの一つ、またはそれらの両方のコンポーネントの対応する凹部への配置、特に別々の凹部への配置により、改良されたシールディングがもたらされ、かつ電子ユニットの構造高さの低減がもたらされる。
【００１２】
第１の電子コンポーネントおよび／または第２の電子コンポーネントは導電性接触素子、特にワイヤにより、第３の凹部の基部に配置された接点に導電的に接続される。接触素子の、接点との連結点は「埋没」するため、この手段により電子ユニットの構造高さが低下する。この点に関し、任意のコンポーネントが独立した第３の凹部内に配置された接点に接続されうる。
【００１３】
電子コンポーネントは、接触素子に連結されるとともにその電子コンポーネントにおける第１の凹部の基部から離間する側に配置された、接触部を有する。電子コンポーネントは特に半導体コンポーネントである。
【００１４】
隆起部は、特に基体によって画定された平面から接触素子よりもさらに突出する。例えば隆起部の上縁はユニットの構造高さを画定する。
【００１５】
遮蔽効果を向上させるように、隆起部は、少なくともその部分に関して特に電磁放射を遮蔽する材料で被覆されうる。それにより、隆起部が本質的に遮蔽される放射を透過しないことが達成される。遮蔽は、例えば使用されるコーティング材料の、放射を反射および／または吸収する効果に基づいている。導電性材料はこうした遮蔽効果を有するが、例えば反射性ケイ酸塩（reflective silicates）または吸収性有機化合物などの非金属材料も遮蔽効果を有する。
【００１６】
第１の凹部、第２の凹部、および／または、存在する場合には第３の凹部（複数可）が−付加的にまたは代替的に−少なくともその部分に関して導電性材料で被覆される。凹部のコーティングは−必要に応じて−隆起部のコーティング部分と接触してもよい。
【００１７】
本発明はさらに、特に上記の実施例のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法に関する。この方法は、
−  基体を用意するステップと、
−  基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部を製造するように、特にフライス削り、エッチング、および／またはレーザーアブレーションにより、基体の材料を局所的に除去するステップと、
−  第１の電子コンポーネントと、第２の電子コンポーネントとを、それら２つの電子コンポーネントの間に隆起部が配置されるように、基体に取り付けるステップと、
を備える。
【００１８】
特に上記の実施例のうちの一つに従って実行される電子ユニットの代替的な製造方法は、
−  基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部を製造するように、プラスチックベースの基体を射出成形法によって形成するステップと、
−  第１の電子コンポーネントと、第２の電子コンポーネントとを、それら２つの電子コンポーネントの間に隆起部が配置されるように、基体に取り付けるステップと、
を備える。
【００１９】
特に上記の実施例のうちの一つに従って実行される電子ユニットの更なる製造方法は、
−  基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部を製造するように、プラスチックベースの基体を３Ｄプリンティング処理によって形成するステップと、
−  第１の電子コンポーネントと、第２の電子コンポーネントとを、それら２つの電子コンポーネントの間に隆起部が配置されるように、基体に取り付けるステップと、
を備える。
【００２０】
したがって３Ｄプリンティングは一体型の基体を製造する「構築的な」方法である。
【００２１】
特に上記の実施例のうちの一つに従って実行される電子ユニットを製造するためのさらにもう一つの「構築的な」方法は、
−  基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在するとともにシールドとしての役割を果たす隆起部を製造するように、プラスチックベースの基体を、複数のフィルムまたは層、特に、結合剤とりわけ樹脂によって結合された織物マットによって形成するステップと、
−  第１の電子コンポーネントと、第２の電子コンポーネントとを、それら２つの電子コンポーネントの間に隆起部が配置されるように、基体に取り付けるステップと、
を備える。
【００２２】
フィルムが互いに配置された状態で基体の所望の三次元構造を形成するように、それらのフィルムを結合する前に一定の大きさにするように切断してもよい。その基体は、特に隆起部の領域に、特に隣接領域に比べてより多くのフィルムまたは層を有する。
【００２３】
上記の方法は、例えば、従来の回路基板の製造において周知のように複数のフィルムまたは層を積層することを備える。
【００２４】
各用途に最適化された基体を得、またはその製造コストを低減するように、上記の方法の混合形態も同様に考えられる。
【００２５】
一方、隆起部が基体の一体構造であるユニットが得られることは、全ての方法において共通である。隆起部は、特に基体の残余の部分と同じ材料で構成される。したがって隆起部はこれに続いて本質的に完成体である基体には固定されない。
【００２６】
隆起部は、特に電磁放射を遮蔽する材料によって少なくとも部分的に被覆されうる。
【００２７】
単なる例示を目的として有利な実施例を参照し、かつ添付の図面を参照しながら、本発明を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】電子ユニットの第１の実施例の断面図である。
【図２】電子ユニットの第２の実施例の断面図である。
【図３】本発明のユニットの実施例の斜視図である。
【図４】凹部を有する基体の異なる断面図である。
【図５】凹部を有する基体の異なる断面図である。
【図６】電子ユニットの更なる実施例を示す図である。
【図７】電子ユニットの更なる実施例を示す図である。
【図８】電子ユニットの更なる実施例を示す図である。
【図９】電子ユニットの更なる実施例を示す図である。
【図１０】電子ユニットの更なる実施例を示す図である。
【図１１】第１または第２の凹部の異なる実施例を示す２つの断面図である。
【図１２】第１または第２の凹部を形成するための製造方法の実施例を示す図である。
【図１３】第１または第２の凹部を形成するための製造方法の実施例を示す図である。
【図１４】第１または第２の凹部を形成するための製造方法の実施例を示す図である。
【図１５】電子ユニットの更にもう一つの実施例の平面図である。
【図１６】電子ユニットの更にもう一つの実施例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１は、基体１２−特に回路基板−と、電子コンポーネント１４と、を備えた電子ユニット１０を示す。一方、電子コンポーネント１４は、基体１２の表面１３に配置されるのではなく、寧ろ凹部１６内に、その電子コンポーネント１４の上縁部が図１の上部側を超えて、すなわち基体１２の表面１３を超えて僅かに突出するように配置される。凹部１６はまた、少なくともコンポーネント１４を完全に収容する程度に深くても良い。
【００３０】
凹部１６は、基体１２を貫通するとともに、コーティング処理時にその片側が再び閉じられる通路開口部２０を備える。すなわち、コーティング材料によって形成される基部２２が本質的に周知のようにコーティング処理によって形成される。凹部１６の側壁および表面１３における隣接領域もまた、その処理により−または個々のステップで−コーティングされる。コーティング材料、コーティング厚さ、および／またはコーティング部分の選択は、なされた各要求に適応されうる。
【００３１】
コンポーネント１４は基部２２に従来のように固定される。この点においてコンポーネント１４の接触が提供される。一方、コンポーネント１４が電気接点を確立することなく基部２２に固定される、特に接着接合されることも考えられる。
【００３２】
コンポーネント１４は好ましくは半導体コンポーネントである。コンポーネント１４を電気端子に接続できるように、コンポーネント１４の上部に設けられた接触面に、導電性を有するように締結されたワイヤ２６が設けられる。ワイヤ２６と接点との間の接続は、例えばウェッジボンディングによって確立される。
【００３３】
ワイヤ２６は第２の凹部１８の基部２４との導電性接続２８を確立する。基部２４は導電性であり、凹部１６の基部２２と同様に／同一に形成されている。ワイヤ２６と基部２４との間の接続２８は、「ボールボンディング」によって行われる。したがって基部２４はワイヤ２６の接点である。次いでその接点は導体トラックまたはその他の手段を介して更なるターミナルに接続されて、ユニット１０を例えば回路に統合させる。
【００３４】
コンポーネント１４と基部２４との間の接続の確立は、便宜上、以下のように行われる。
【００３５】
まずワイヤ２６の端部が溶融されて、対応する接触面／接点（ここでは基部２４）に押圧される溶融ボールが形成される。次いでワイヤ２６が第２の接点（ここではコンポーネント１４の上側の接触面）に導かれ、そこで超音波、熱、および／または圧力を用いて接触される。したがってこの例示として記載された方法は、「リバースボールボンディング／ウェッジボンディング処理」である。その他の接触方法を同様に用いてもよい。「ボール」は、上記の手順の前に、例えば、コンポーネント１４の上部の接点に形成してもよい。そしてワイヤ２６が切断され、次いで「リバースボールボンディング／ウェッジボンディング処理」が行われるが、ワイヤ２６はコンポーネント１４の接点に直接固定されるのではなく、寧ろその接点に配置されたボールに固定される（逆の「ボール上のボールスティッチ」（reverse “ball stitch on ball”）−reverse BSOB）。
【００３６】
溶融ボールを形成するように多量の熱をワイヤ２６に導入する必要があるため、連結部２８に隣接するワイヤ２６の部分３０は、一時的に高い熱負荷にかけられる。したがって部分３０は、低熱負荷にかけられるワイヤ２６の領域に比べて機械的により一層損傷を受けやすい。凹部１８内の連結部２８の「埋没」により、接合処理時に熱負荷を受けた領域３０が機械的に変形される必要が無いことを可能にする。すなわち、全配置の構造高さに悪影響を及ぼすことなくその領域を上に「引く」ことができる。
【００３７】
この配置を固定し、かつそのコンポーネントを保護するように、適切な材料（キャスティング化合物３１）でキャスティングされる。
【００３８】
図２は電子ユニットの代替的な実施例１０’を示す。ここには通路開口部はないが、凹部１６，１８の基部２２，２４は、基体１２自体に−例えば、ここでは回路基板に形成される。したがって凹部１６，１８は基体１２の材料の陥凹部である。それらは基体１２を貫通していない。通路開口部から形成された凹部と、電子ユニットの陥凹部として形成された凹部とを組み合わせることも同様に可能である（例えば、図１１参照）。凹部１６，１８が完全にまたは部分的にコーティングされうることが理解できる。一例として凹部１８が、図１に示す実施例１０に類似の構成でワイヤ２６に接続された、部分的にコーティングされた部分（接点３２）を有することが示される。
【００３９】
電子ユニット１０’およびそのコンポーネントを保護するように、キャスティング化合物（図示せず）を用いて同様にキャスティングされる。
【００４０】
用語「基体」は、本発明の開示の枠内において広義に解釈されるものである。それに対応してリードフレームを構成することも概ね可能である。リードフレームはまた、互いにプラスチックで連結された複数の独立した支持体部分を有してもよい。一方、基体１２は好ましくは回路基板である。
【００４１】
ユニット１０，１０’の凹部１６，１８は、各基部２２，２４と、その全ての側部において隣接する側壁２１を備え、従って、基部を全ての側部において包囲する。凹部１６，１８の一つ以上の側部を（部分的に）開放したままにすることも概ね考えられる。しかしながら、連結部２８または接点３２と、コンポーネント１４と、の間に基体部分１２’を設けることが好ましい。すなわち、対応する凹部１６，１８は、好ましくはそれぞれもう一つの凹部１８または１６と対向する少なくとも一つの側壁２１すなわち側壁部を有することが好ましい。基体部分１２’は、凹部１６，１８に隣接する基体１２のその他の領域と実質的に同じ厚さを有してもよい。
【００４２】
図３は、電子ユニット１０”の斜視図を示す。電子ユニット１０”は、それぞれ凹部１６または１６’に配置された２つの電子コンポーネント１４，１４’を備える。それらのコンポーネントは、それぞれ凹部１８または１８’内の接点すなわち各基部に、ワイヤ２６，２６’を介して接続される。凹部１６，１６’，１８，１８’は、例えば図１の凹部のように設計される。
【００４３】
特にコンポーネント１４，１４’がそれぞれ電磁放射を放出するトランスミッタコンポーネントおよびそれに対応するレシーバコンポーネントである場合、コンポーネント１４，１４’の間において、それらのコンポーネント１４，１４’の隣接した配置に作用する信頼性の高いシールディングを提供することが賢明である。このシールディングは本件では、コンポーネント１４，１４’の間に延在する壁３４によって提供される。この壁は基体１２によって画定される平面から立ち上がる隆起部である。換言すれば、壁３２は、基体１２の表面１３から延在する。
【００４４】
壁３４は基体１２に一体型に結合される、すなわち基体１２の一部である。このことは壁が簡単な方法で製造されるという利点を有する。これは例えば材料を除去する製造方法により基体のブランクから成形される。すなわち、壁３４の周囲の領域がエッチング、フライス削り、および／またはレーザーアブレーションなどの一つ以上の適切な処理によって除去される。この点に関し、凹部１６，１８，１６’，１８’または対応する通路開口部２０または基体も同様に、貫通しない陥凹部（例えば、図２，１１参照）によって形成されうる。
【００４５】
一方、ＭＩＤ技術を用いることにより基体１２を形成することも考えられる。この点に関し、この技術は、成形回路部品（molded interconnected devices）を製造する工程である。したがってこれらの成形回路部品は、適切に適合された金属導体トラックおよび／またはコーティング部分を有する射出成形プラスチック部品である。
【００４６】
さらにもう一つの製造工程は所謂３Ｄプリンティングである。すなわち、凹部１６，１８，１６’１８’および／または壁３４を必要に応じて「構築的に」製造するように、基体１２が適切な材料を用いて所望の幾何形状に層状に堆積される。理想的な状況では、材料除去の作業ステップは必要ではなくなる。
【００４７】
基体１２の同様の「構築的な」製造法の変形体により、異なる幾何形状を有する複数の層の積層体が得られる。例えば、凹部１６，１８，１６’１８’が設けられる箇所に開口部を有する−適切な形状の織物マットが互いに重ね合わされ、樹脂によって結合される。また、例えば壁３４を形成するように、特定の領域がより肉厚になるように−例えば、その領域により多くの織物マットの層を設けることにより−基体１２を構成することも可能である。
【００４８】
上記の工程の混合形態も可能である。例えば、一部の基体が材料除去方法のステップで製造され、そしてその基体が別の部分の基体（基部、一般にそれ自体は積層コンポーネント）に重ね合わされうる。
【００４９】
一体構造の基体１２が得られることは全ての製造法の変形体において共通である。
【００５０】
本発明の例では、壁３４はその両側にコーティング３６を備え−特定用途では片面コーティングでも十分であるが−必要に応じて、別のコーティング部分と連結されうることが理解できる。本実施例では、壁３４の左側のコーティング３６は凹部１６のコーティングと接触している。コーティング３６の材料は、好ましくは、壁３４が、コンポーネント１４および／またはコンポーネント１４’によって放出される放射を透過しないまたは少なくとも減衰させるように、選択される。
【００５１】
図４は、壁３４が設けられた基体１２を、コンポーネント１４，１４’またはワイヤ２６，２６’のない斜視図で示す。凹部１６が本質的に図１に関連して説明したように構成されていることを示すように、凹部１６を部分的に開放して示す。
【００５２】
図５は、壁３４の設計が凹部１６，１６’の間に配置された基体部分１２”から延在しているのが認識できるように、図４の基体１２を完全な断面で示す。基体１２”および壁３４は一体型に形成される。壁３４はその両側にコーティング３６を有し、それぞれ凹部１６’（左側）または１６（右側）のコーティングと連結している。
【００５３】
こうした放射を遮蔽する壁の概念は、電子コンポーネントと接点とを別々の凹部に配置する概念とは無関係に実装される。
【００５４】
図６〜１０は、本発明による電子ユニットの想定される実施例を構成する変形体を一例として示す。
【００５５】
例えばユニット１０ａは２つの凹部１８を備え、各凹部１８は、コンポーネント１４に連結された２つのワイヤ２６のうち一方との接触部の役割を果たす（図６参照）。
【００５６】
対照的に、ユニット１０ｂは２つのコンポーネント１４を有しており、それぞれ別々の凹部１６に配置されるとともに、それぞれ一つのワイヤ２６に接続されている。それらのワイヤ２６は、次いで共通の凹部１８内に配置された別々の接点３２に連結される（図７参照）。
【００５７】
ユニット１０ｃは、２つのコンポーネント１４が共通の凹部１６内に配置される点においてユニット１０ｂと異なる（図８参照）。
【００５８】
ユニット１０ｄでは、２つのコンポーネント１４は−ユニット１０ｃと同様に−確かに共通の凹部１６内に配置されている。しがしながら−ユニット１０ａと同様に−２つの異なる凹部１８が設けられている（図９参照）。
【００５９】
ユニット１０ｅは、独立した凹部１６に配置されたコンポーネント１４を有する（図１０参照）。８本のワイヤ２６が、コンポーネントに固定され、次いで、８個の独立した凹部１８内に配置された別々の接点３２に連結される。
【００６０】
上記の複数の実施例の混合形態も容易に実施可能である。例えば、図１１からも認識できるように、凹部１６，１８の数および構成（例えば、幾何形状、コーティングなど）をそれぞれなされた要求に適合させてもよい。ここでは凹部１６，１８は、異なる深さを有する。
【００６１】
凹部１６，１８の実施例を製造するための変形体を図１２〜１４を参照しながら以下に記載する。
【００６２】
図１２は片側がコーティングされた基体１２を示す。コーティング３６’は例えば金属フィルムである。凹部１６，１８が金属除去処理（metal stripping process）により基体１２に組み込まれる。この方法は好ましくはレーザーアブレーション法である。コーティング３６’が金属性（例えば、Ｃｕ）の場合、除去処理は基体１２を完全に貫通したときに自動的に終了する（図１３の状態を参照）。使用されるレーザが強すぎる場合、入射するレーザビームが基体に対向するコーティング３６’の表面に入射するとすぐにそのレーザビームは反射される。コーティング３６’は必要に応じて局所的に除去されてもよい（図１３参照）。
【００６３】
コーティング３６”が部分的にまたは完全に凹部１６，１８の内側を覆うように、次いで任意選択的に被覆される（図１４参照）。状況によっては−コーティング３６”の被覆と同時に、または独立したステップにおいて−コーティング３６’が−部分的にまたは完全に−コーティングまたは被覆される。コーティング３６’，３６”の材料は同じでも異なってもよい。
【００６４】
図１５は、片側が開放された、（コーティング３６”が）被覆された凹部１６”内にコンポーネント１４（例えば、ＬＥＤ）が配置されたユニット１０ｆを示す。それによりコンポーネント１４は妨害を受けない形で右に電磁放射Ｓを放出する。コンポーネント１４に連結された接合線２６が、その周方向が閉鎖された凹部に配置された接点３２に連結される（図１６を参照）。ユニット１０ｆのコンポーネントおよび特にそれらの電気接点はキャスティング化合物３１によって保護される。
【符号の説明】
【００６５】
１０，１０’，１０”，１０ａ〜１０ｆ…電子ユニット
１２…基体
１２’，１２”…基体部分
１３…表面
１４，１４’…電子コンポーネント
１６，１６’，１６”…凹部
１８，１８’…凹部
２０…通路開口部
２１…側壁
２２，２４…基部
２６，２６’…ワイヤ
２８…連結部
３０…ワイヤ部
３１…キャスティング化合物
３２…接点
３４…壁
３６，３６’，３６”…コーティング
Ｓ…放射
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2019514229.tif 000012
【図１１】
2019514229.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年12月4日(2018.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体（１２）に固定された少なくとも一つの第１の電子コンポーネント（１４）および一つの第２の電子コンポーネント（１４’）を有する電子ユニットであって、
前記第１および第２の電子コンポーネント（１４，１４’）の間にシールドが配置されるとともに、このシールドが、前記基体によって画定された平面から突出したすなわち前記基体の表面から延在する隆起部（３４）を備え、かつ、遮蔽の役割を果たすとともに前記基体（１２）と一体型に形成されており、
前記隆起部（３４）は、前記基体（１２）から除去製造工程によって形成され、
前記隆起部（３４）は、前記基体（１２）によって画定された前記平面から、前記第１または第２の電子コンポーネント（１４，１４’）と接触する導電性接触素子（２６，２６’）よりもさらに突出しており、
前記第１の電子コンポーネント（１４）が前記基体（１２）の第１の凹部（１６）に配置され、かつ／または、前記第２の電子コンポーネント（１４’）が前記基体（１２）の第２の凹部に配置され、
前記第１の電子コンポーネント（１４）および／または前記第２の電子コンポーネント（１４’）が、該第１または第２の電子コンポーネント（１４，１４’）の上側に設けられた接触面に導電性を有するように接続された前記導電性接触素子（２６，２６’）により、第３の凹部（１８，１８’）の基部（２４）に配置された接点（３２）に導電的に接続された、電子ユニット。
【請求項２】
前記除去製造工程が、エッチング、フライス削り、および／またはレーザーアブレーションを備えることを特徴とする請求項１に記載の電子ユニット。
【請求項３】
前記導電性接触素子（２６，２６’）が、ワイヤであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子ユニット。
【請求項４】
前記隆起部（３４）が、少なくとも部分的にコーティングされることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項５】
前記隆起部（３４）が、電磁放射を遮蔽する材料で少なくとも部分的にコーティングされることを特徴とする請求項４に記載の電子ユニット。
【請求項６】
前記第１の凹部（１６）、前記第２の凹部（１６’）、および／または、前記第３の凹部（１８，１８’）が、少なくとも部分的に導電性材料でコーティングされることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項７】
前記第１の凹部（１６）、前記第２の凹部（１６’）、および／または、前記第３の凹部（１８，１８’）のコーティングが、前記隆起部（３４）のコーティング（３６）部分と接触することを特徴とする請求項５または６に記載の電子ユニット。
【請求項８】
前記第１の電子コンポーネント（１４）および／または前記第２の電子コンポーネント（１４’）が、半導体コンポーネントであることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項９】
前記第１の電子コンポーネント（１４）が電磁放射を放出するコンポーネントであり、前記第２の電子コンポーネント（１４’）が電磁放射を検出するコンポーネントであることを特徴とする請求項１〜８のうちいずれかに記載の電子ユニット。
【請求項１０】
請求項１〜９のうちの一つに従って設計された電子ユニットの製造方法であって、
基体（１２）を用意するステップと、
前記基体によって画定された平面から突出した、すなわちその表面から延在する、シールドとしての役割を果たす隆起部（３４）であって、前記基体（１２）によって画定された前記平面から、第１または第２の電子コンポーネント（１４，１４’）と接触する導電性接触素子（２６，２６’）よりもさらに突出した隆起部（３４）を製造するように、前記基体（１２）の材料を局所的に除去するステップと、
第１の電子コンポーネント（１４）と、第２の電子コンポーネント（１４’）とを、それら２つの電子コンポーネントの間に前記隆起部（３４）が配置されるように、前記基体（１２）に取り付けるステップと、
を備えた、電子ユニットの製造方法。
【請求項１１】
前記除去が、フライス削り、エッチング、および／またはレーザーアブレーションによって行われることを特徴とする請求項１０に記載の電子ユニットの製造方法。
【請求項１２】
前記隆起部（３４）が、少なくとも部分的にコーティングされることを特徴とする請求項１０または１１に記載の電子ユニットの製造方法。
【請求項１３】
前記隆起部（３４）が、電磁放射を遮蔽する材料で少なくとも部分的にコーティングされることを特徴とする請求項１２に記載の電子ユニットの製造方法。
【国際調査報告】
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