(57)【要約】本発明の主題は、基板（２）内に形成され、第１のＲＦ信号線（３）および第２のＲＦ信号線（４）と、変形可能な膜（５）と、膜（５）を変形させるように構成された起動手段（７）と、基板トラックと、膜トラックとを含み、ＲＦ信号線（３、４）は、膜トラックおよび基板トラックのうちの１つによって接続されるマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチであって、膜ＲＦグランド（９、１０）は、膜（５）に一体化され、膜ＲＦグランドは、基板ＲＦグランド（１１、１２、１３、１４）に電気的に接続され、膜ＲＦグランドは、フレーミングして、膜トラックおよび基板トラックの少なくとも１つに平行に形成され、これによってＲＦグランド（９、１０）は、スイッチがオン状態にあるとき、第１のＲＦ信号線（３）から第２のＲＦ信号線（４）へのＲＦ信号の伝搬を導くためにＲＦ信号経路の近くを進むことを特徴とする。
2019522339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２、２’、２”、２０２、３０２、４０２）上に形成されたマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）（１、１’、１”、１０１、２０１、３０１、４０１）であって、前記電気機械スイッチ（１、１’、１”、１０１、２０１、３０１、４０１）が、
前記基板（２、２’、２”、２０２、３０２、４０２）上に形成された第１のＲＦ信号線（３、３’、３”、１０３、２０３、３０３、４０３）および第２のＲＦ信号線（４、４’、４”、２０４、３０４、４０４）と、
高抵抗材料（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）から作られた変形可能な膜であって、前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）が、非変形状態では、前記基板（２、２’、２”、２０２、３０２、４０２）に固定された固定手段（６、６’、６”、１０６、２０６）によって前記基板（２、２’、２”、２０２、３０２、４０２）から離間し続けている変形可能な膜と、
前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）をその非変形状態から変形させるように構成された作動手段（７、７’、７”、１０７、２０７、３０７、４０７）と、
前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）に対向して前記基板（２、２’、２”、２０２、３０２、４０２）上に形成された基板トラック（１０３）と、
膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）であって、前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）に一体化され、前記膜（８、８’、８”、２０８’、３０８ａ、３０８ｂ）の変形状態において前記基板トラック（１０３）と当該膜トラックとの間で導電性接触を生成するように構成された前記基板トラック（１０３）と対向する導電性接触ゾーン（８ａ、８ａ’、８ａ”、２０８ａ）を支える膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）であって、前記第１のＲＦ信号線（３、３’、３”、１０３、２０３、３０３、４０３）および前記第２のＲＦ信号線（４、４’、４”、２０４、３０４、４０４）が、当該膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）および前記基板トラック（１０３）の少なくとも１つによって接続され、前記スイッチ（１、１’、１”、１０１、２０１、３０１、４０１）が、信号が前記第１のＲＦ信号線（３、３’、３”、１０３、２０３、３０３、４０３）から前記第２のＲＦ信号線（４、４’、４”、２０４、３０４、４０４）へと循環できるときにオン状態にあり、信号が前記第１のＲＦ信号線（３、３’、３”、１０３、２０３、３０３、４０３）から前記第２のＲＦ信号線（４、４’、４”、２０４、３０４、４０４）へと循環できないときにオフ状態にある膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）と、
を含み、
膜ＲＦグランド（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、１０９、１１０、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）が前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）内に一体化され、前記膜ＲＦグランド（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、１０９、１１０、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）が固定具（６、６’、６”、１０６、２０６）によってＲＦ基板グランド（１１、１２、１３、１４、１１’、１３’、１１”、１３”、１１１、１１２、１１３、１１４、２１１、２１２、２１３、２１４、３１１、３１２、４１１、４１２）に電気的に接続され、前記ＲＦグランド（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、１０９、１１０、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）が、前記スイッチが前記オン状態にあるとき、前記第１のＲＦ信号線（３、３’、３”、１０３、２０３、３０３、４０３）から前記第２のＲＦ信号線（４、４’、４”、２０４、３０４、４０４）への前記ＲＦ信号の伝搬を導くために前記ＲＦ信号経路に緊密にしたがうように、前記膜ＲＦグランド（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、１０９、１１０、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）がフレーミングして前記膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）および前記基板トラック（１０３）の少なくとも１つに平行に形成されることを特徴とする、マイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）（１、１’、１”、１０１、２０１、３０１、４０１）。
【請求項２】
前記膜トラック（８、８’、８”、３０８ａ、３０８ｂ）が、前記第１のＲＦ信号線（３、３’、３”、３０３）に一端で接続され、前記基板トラックが、前記第２のＲＦ信号線（４、４’、４”、３０４）に接続され、前記スイッチ（１、１’、１”、３０１）の前記オン状態が、前記膜（５、５’、５”、３０５）の前記変形状態で作られ、前記スイッチ（１、１’、１”、３０１）の前記オフ状態が、前記膜（５、５’、５”、３０５）の非変形状態で作られることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）（１、１’、１”、３０１）。
【請求項３】
前記第１のＲＦ信号線（２０３）および前記第２のＲＦ信号線（２０４）が、前記膜トラック（２０８）によって接続され、前記基板トラックが、前記ＲＦグランド（２０９、２１０）に接続され、前記スイッチ（２０１）の前記オフ状態が、前記膜（２０５）の前記変形状態で作られ、前記スイッチ（２０１）の前記オン状態が、前記膜（２０５）の前記非変形状態で作られることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）（２０１）。
【請求項４】
前記第１のＲＦ信号線（１０３、４０３）および前記第２のＲＦ信号線（４０４）が、前記基板トラック（１０３）によって接続され、前記膜トラックが、前記ＲＦグランド（１０９、４０１ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）に接続され、前記スイッチ（１０１、４０１）の前記オフ状態が、前記膜（１０５、４０５）の前記変形状態で作られ、前記スイッチ（１０１、４０１）の前記オン状態が、前記膜（１０５、４０５）の前記非変形状態で作られることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）（１０１、４０１）。
【請求項５】
前記膜ＲＦグランド（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ）が、前記膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）のどちらかの側に配置された２つのＲＦグランドトラック（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ）で構成されることを特徴とする、請求項２または３に記載のマイクロ電気機械スイッチ（１、１’、１”、２０１、３０１）。
【請求項６】
前記膜ＲＦグランド（１０９、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）が、前記基板トラック（１０３）のどちらかの側に配置された２つのＲＦグランドトラック（１０９、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）で構成されることを特徴とする、請求項４に記載のマイクロ電気機械スイッチ（１０１、４０１）。
【請求項７】
前記膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）および前記２つのＲＦグランドトラック（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、１０９、１１０、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）が、前記基板（２、２’、２”、２０２、３０２、４０２）と平行な同一平面にあることを特徴とする、請求項５または６に記載のマイクロ電気機械スイッチ（１、１’、１”、１０１、２０１、３０１、４０１）。
【請求項８】
前記膜ＲＦグランド（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、１０９、１１０、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）が、前記膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）の上方に位置するＲＦグランドトラック（１０’、１０”）と、前記膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）の下方に位置するＲＦグランドトラック（９、９”）との少なくとも１つをさらに含み、前記膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）の上方に位置する前記膜ＲＦグランド（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、１０９、１１０、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）の前記ＲＦグランドトラック（１０’、１０”）が、前記固定具（６、６’、６”、１０６、２０６）と、前記接触ゾーン（８ａ、８ａ’、８ａ”、２０８ａ）に接続された前記膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）の前記端部との間で前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）の幅の少なくとも一部の上に延在し、前記膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）の下方に位置する前記膜ＲＦグランド（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、１０９、１１０、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）の前記ＲＦグランドトラック（９’、９”）が、前記固定具（６、６’、６”、１０６、２０６）と、前記接触ゾーン（８ａ、８ａ’、８ａ”、２０８ａ）に接続された前記膜トラック（８、８’、８”、２０８、３０８ａ、３０８ｂ）の前記端部との間で前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）の幅の少なくとも一部の上に延在し、前記接触ゾーン（８ａ、８ａ’、８ａ”、２０８ａ）を自由にしておくことを特徴とする、請求項２、３、５、６のいずれか１項に記載のマイクロ電気機械スイッチ（１、１’、１”、１０１、２０１、３０１、４０１）。
【請求項９】
前記膜ＲＦグランド（９”、１０”）の前記ＲＦグランドトラック（９”、１０”）が、前記導電性トラック（８”）の両側に形成された前記膜（１５）内のビアによって接続されていることを特徴とする、請求項８に記載のマイクロ電気機械スイッチ（１”）。
【請求項１０】
前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）の前記接触ゾーン（８ａ、８ａ’、８ａ”、２０８ａ）が、前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）の下面から突出する接触ピン（８ａ、８ａ’、８ａ”、２０８ａ）であって、前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）の前記変形状態における前記基板トラック（１０３）との前記接触ピン（８ａ、８ａ’、８ａ”、２０８ａ）の導電性のある物理的接触を提供することを特徴とする、請求項１から９のいずれか１項に記載のマイクロ電気機械スイッチ（１、１’、１”、１０１、２０１、３０１、４０１）。
【請求項１１】
前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）が、５×１０４オーム・ｃｍより大きい電気抵抗を有する誘電体材料からなることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか１項に記載のマイクロ電気機械スイッチ（１、１’、１”、１０１、２０１、３０１、４０１）。
【請求項１２】
前記膜ＲＦグランド（９、１０、９’、１０’、９”、１０”、１０９、１１０、２０９、２１０、３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ、４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂ）が、前記基板（２、２’、２”、２０２、３０２、４０２）と対向する、前記膜（５、５’、５”、１０５、２０５、３０５、４０５）の下面にあることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか１項に記載のマイクロ電気機械スイッチ（１、１’、１”、１０１、２０１、３０１、４０１）。
【請求項１３】
第２の膜トラック（３０８ａ、３０８ｂ）と、前記基板（３０２）に平行な平面に対して前記膜トラック（３０８ａ、３０８ｂ）に対称に、かつ前記膜（３０５）の厚みに沿って中央に形成された第２の膜ＲＦグランド（３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ）との少なくとも１つをさらに含み、前記第２のＲＦグランド（３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ）が、前記基板（３０２）に平行な平面に対して前記膜ＲＦグランド（３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂ）に対称で、かつ前記膜（３０５）の前記厚さに沿って中央にあることを特徴とする、請求項２、３、５のいずれか１項に記載のマイクロ電気機械スイッチ（３０１）。
【請求項１４】
前記第１のＲＦ信号線（３０３、４０３）および前記第２のＲＦ信号線（３０４、４０４）が、同一平面上にあり、前記膜（３０５、４０５）が、丸みを帯び、かつ前記基板（３０２、４０２）上に形成された５つの固定具によって前記基板（３０２、４０２）から離間を保たれており、前記静電作動手段（３０７、４０７）が、前記膜（３０５、４０５）に対向して前記基板（３０２、４０２）上に形成された静電起動電極（３０７、４０７）と、起動線（３１８、４１８）によって供給された電力とからなり、前記起動電極（３０７、４０７）が、前記起動線（３１８、４１８）によって起動されると、前記膜（３０５、４０５）をその変形状態にするように構成されていることを特徴とする、請求項２、４から７、９から１３のいずれか１項に記載のマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）（３０１、４０１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦ  ＭＥＭＳという頭字語を用いて参照される高周波マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波マイクロ電気機械システム（ＲＦ  ＭＥＭＳ）は、広範囲の周波数（ＤＣ〜２００ＧＨｚ）に対応するアプリケーションのスイッチング動作を実行することを可能にする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
一般的に、このタイプの部品は、チップ全体にわたって波の最適な誘導を提供するために、５０または７５オームの特性インピーダンスを有するコプレーナまたはマイクロストリップ技術で設計されている。しかしながら、浮遊効果を制限し、高周波（＞２０ＧＨｚ）でのＭＥＭＳ膜のＲＦ適合を維持することは、技術的制約を課す。
【０００４】
実際、ＲＦ  ＭＥＭＳの最新技術は、機械的膜を次のように提示する：
・完全に金属製であるか、または金属で覆われているので、完全に導電性である。この場合、スイッチの入力と出力の間に生成される浮遊容量は、しばしば周波数制限をもたらす。さらに、コプレーナ直列構成では、基板上に配置されるＲＦグランドは、一般的に、適応を改善するためにＭＥＭＳ膜でより大きくまたは狭くされるが、高い周波数で良好な性能を保証するには不十分である。
・または部分的に金属性である。この場合、ＲＦ信号を伝えることを可能にする導電線と、ＭＥＭＳの起動を可能にする１以上の電極から構成されることが多い。したがって、大部分の場合、ＲＦグランドは、起動電極の反対側の膜の下の基板上にもたらされる。この構成は高い周波数に達することを可能にするが、起動面を制限するので、高い接触力（１００μＮ以上）を保証するために大きな膜を設計する必要があり、したがって信頼性が高い。さらに、このタイプのコンポーネントは常に直列に提示され、並列構成で実装するのが難しい場合がある。
【０００５】
出願人は、ＲＦグランドをＭＥＭＳ膜に配置することによってこれらの問題を解決することを提案している。この構成は、ＲＦ性能を高い周波数（＞５０ＧＨｚ）に保つことができ、ほとんどの場合膜の機械的表面の９０％を超えるＭＥＭＳの起動力を維持し、膜上の電流の循環を制御することにより電力挙動を改善し、膜の機械的特性に影響を与えることなく、コンポーネントを並列構成に簡単に統合することができるという利点を有する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
したがって、本発明は、基板上に形成されたマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）であって、マイクロ電気機械スイッチが、
基板上に形成された第１のＲＦ信号線および第２のＲＦ信号線と、
高抵抗材料から作られた変形可能な膜であって、膜が、非変形状態では、基板に固定された固定手段によって基板から離間し続けている変形可能な膜と、
膜をその非変形状態から変形させるように構成された作動手段と、
膜に対向して基板上に形成された基板トラックと、
膜トラックであって、膜に一体化され、膜の変形状態において基板トラックと膜トラックとの間で導電性接触を生成するように構成された基板トラックと対向する導電性接触ゾーンを支える膜トラックであって、第１のＲＦ信号線および第２のＲＦ信号線が、膜トラックおよび基板トラックの少なくとも１つによって接続され、スイッチが、信号が第１のＲＦ信号線から第２のＲＦ信号線へと循環できるときにオン状態にあり、信号が第１のＲＦ信号線から第２のＲＦ信号線へと循環できないときにオフ状態にある膜トラックと、
を含み、
膜ＲＦグランドが膜内に一体化され、膜ＲＦグランドが固定具によってＲＦ基板グランドに電気的に接続され、膜ＲＦグランドが、スイッチがオン状態にあるとき、第１のＲＦ信号線から第２のＲＦ信号線へのＲＦ信号の伝搬を導くためにＲＦ信号経路に緊密にしたがうように、膜ＲＦグランドがフレーミングして膜トラックおよび基板トラックの少なくとも１つに平行に形成されることを特徴とする、マイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）に関する。
【０００７】
したがって、その構成、直列または並列にかかわらず、コンポーネント内のＲＦ信号の誘導を提供する。
【０００８】
直列構成は、スイッチが起動されたときに入力から出力へのＲＦ電流の通過を可能にする構成であることに留意すべきである。逆に、並列構成のスイッチは、一度起動すると電流をＲＦグランドに向けてリダイレクトする。
【０００９】
ＲＦグランドは、スイッチのＤＣグランドとは異なることにも留意すべきである。ＲＦグランドとは、電気信号電位に対して電気的基準電位を支配する線または導電線の１組のうちの１つとして定義され、高周波信号線に沿って配置され、デバイスの入力から出力へ向かう高周波の誘導を可能にする。ＲＦグランド線は、ＲＦ出力線に向かうＲＦ入力線の電気的連続性を提供する。信号線に対するＲＦグランドの配置は、導波路の特性インピーダンスを決定する。
【００１０】
ＤＣグランドは、次に、コンポーネントを起動させるのに必要な電位に対して電気的基準電位を伝達する線または導電線の１組のうちの１つとして定義される。ＲＦグランド線およびＤＣグランド線は、同じ導電線を表すことができる。それにもかかわらず、ＤＣグランド線だけでは、ＲＦ信号をデバイスの入力から出力に向かって局所的に誘導することはできない。
【００１１】
動詞「フレーミングする」は、本出願では広く用いられ、すなわち、膜ＲＦグランドは、膜トラック用に、膜トラックに対して、上方に、両側に、下方に、または３つの組み合わせで、配置することができる。コプレーナＲＦグランド構成（コプレーナ導波路の略語ＣＰＷまたはＣＰＷＧ）、マイクロストリップ、ストリップ線路、または表面積分導波路（ＳＩＷ）は、膜ＲＦグランドが膜トラックをフレーミングする構成として示すことができる。ＲＦグランド線が基板線をフレームする場合、膜ＲＦグランドは、基板トラックの平面内のその投影が基板トラックの両側に位置するように構成されていることを留意すべきである。
【００１２】
第１のＲＦ信号線は、スイッチのＲＦ信号入力線およびＲＦ信号出力線のうちの一方とし、第２のＲＦ信号線は、スイッチのＲＦ信号入力線およびＲＦ信号出力線のうちの他方とすることができる。
【００１３】
変形可能な膜は、基板および基板上に形成された他の任意のマイクロ機械的構造のうちの少なくとも１つに形成された１つまたはいくつかの固定具によって基板から離間して保持されてもよい。非変形状態の変形可能な膜は、概して、基板に対して実質的に平行である。
【００１４】
起動手段は、静電起動手段、圧電起動手段、熱起動手段、および誘導起動手段のうちの少なくとも１つとすることができる。
【００１５】
本発明では、静電作動を使用する場合、スイッチは、膜の下面と、誘電体の無いまたは空隙を有する、すなわち、起動電極と膜との間に誘電体が無い起動手段との間の分離を有することができる。
【００１６】
本出願において、高抵抗材料から製造された膜は、誘電体膜または半導体膜を指す。
【００１７】
したがって、膜は、好ましくは、誘電材料であるが、高抵抗または半導体材料であってもよい。
【００１８】
本出願では、誘電体という用語は、いくつかの導電性要素を分離し、前記導電性要素を電気的に絶縁する、異なる材料の１以上の層を指す。
【００１９】
誘電体は、特に、５×１０４オーム・ｃｍよりも大きい電気抵抗を有する材料であり、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、またはＧａＮとすることができる。
【００２０】
膜が半導体または高抵抗材料からなる場合、後者は５×１０２〜５×１０３オーム・ｃｍの電気抵抗を有する材料、例えば、ＳｉＧｅ、シリコン、またはＡｓＧａとすることができる。
【００２１】
ＲＦグランド、ＲＦ信号線、および膜および基板トラックは、好ましくは、金、銅、アルミニウムまたはタングステン、またはこれらの金属の合金からなる任意の金属から作ることができる。
【００２２】
起動電極はまた、任意の金属、ＳｉＣｒなどの抵抗性材料、またはニッケルをドープした炭素、ドープされたシリコン、ＴｉＷから作製することもできる。
【００２３】
本願では、出力信号が入力信号に対して少なくとも１５ｄＢだけ減衰される場合、信号は循環しないと考えられる。したがって、第１のＲＦ信号線と第２のＲＦ信号線との間でＲＦ信号が１５ｄＢ以上絶縁されていれば、これらの２本の線の間でＲＦ信号は循環しないと考えられる。逆に、ＲＦ信号が１５ｄＢ未満で絶縁されている場合、ＲＦ信号はこれらの２本の線の間を循環すると考えられる。
【００２４】
基板は、誘電性であっても半導電性であってもよい。それは、特に、非限定的に、石英、ＳｉＯ２、シリコン、ＳｉＧｅ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＧａＮのベースを有する１つまたはいくつかの層を含むことができる。
【００２５】
直列ＭＥＭＳ構成に対応する第１の実施形態によれば、膜トラックは一端が第１のＲＦ信号線に接続され、基板トラックが第２のＲＦ信号線に接続され、スイッチのオン状態は、膜の変形した状態で作られ、スイッチのオフ状態は、膜の非変形状態で作られる。
【００２６】
第１の並列構成によるＭＥＭＳに対応する第２の実施形態によれば、第１のＲＦ信号線と第２のＲＦ信号線とは膜トラックによって接続され、基板トラックはＲＦグランドに接続され、スイッチのオフ状態は、膜の変形された状態において作られ、スイッチのオン状態は、膜の非変形状態において作られる。
【００２７】
第２の並列構成のＭＥＭＳに対応する第３の実施形態によれば、第１のＲＦ信号線と第２のＲＦ信号線は基板トラックによって接続され、膜トラックはＲＦグランドに接続され、スイッチのオフ状態は、膜の変形された状態において作られ、スイッチのオン状態は、膜の非変形状態において作られる。
【００２８】
第３の実施形態に対応する直列構成または第２の並列構成に対する本発明の１つの特定の構成によれば、膜ＲＦグランドは、膜トラックの両側に位置する２つのＲＦグランドトラックから構成することができる。
【００２９】
第１の並列構成のための本発明の別の特定の構成によれば、膜ＲＦグランドは、基板トラックの両側に配置された２つのＲＦグランドトラックから構成することができる。基板トラックに対して、膜ＲＦグランドは、基板トラックの平面内のその投影が基板トラックの両側に位置するように構成される。
【００３０】
本発明の別の特定の構成によれば、膜トラックと２つのＲＦグランドトラックは、基板に平行な同一平面内にあってもよい。
【００３１】
本発明の別の特定の構成によれば、膜ＲＦグランドは、膜トラックの上方に配置されたＲＦグランドトラックと、膜トラックの下方に位置するＲＦグランドトラックとのうちの少なくとも１つをさらに含むことができ、膜トラックの上方に位置する膜ＲＦグランドは、固定具と接触ゾーンに接続された膜トラックの端部との間の膜の幅の少なくとも一部の上に延在し、膜トラックの下方に位置するＲＦグランドトラックおよび膜ＲＦグランドは、固定具と接触ゾーンに接続された膜トラックの端部との間の膜の幅の少なくとも一部にわたって延在し、接触ゾーンを自由にする。
【００３２】
このようにして、膜内のＲＦ信号の最適な誘導が直列構成のために提供される。
【００３３】
膜ＲＦグランドのＲＦグランドトラックは、導電トラックの両側に形成された膜のビアによって接続することができる。
【００３４】
本発明の別の特定の構成によれば、膜の接触ゾーンは膜の下面から突出した接触ピンであり、膜の変形状態において接触ピンと基板トラックとの導電性物理的接触を提供する。
【００３５】
接触ピンは、有利には、白金族の金属、白金族の金属の酸化物、またはそれらの組み合わせのうちの１つから構成することができる。
【００３６】
本発明の別の特定の構成によれば、膜ＲＦグランドは、基板に対向する膜の下面にある。
【００３７】
マイクロ電気機械スイッチは、第２の膜トラックと、基板に平行な平面に対して膜トラックに対称的に、かつ膜の厚みに沿って中央に形成された第２の膜ＲＦグランドとの少なくとも１つをさらに含み、第２のＲＦグランドは、基板に平行な平面に対して膜ＲＦグランドに対称であり、かつ膜の厚さに沿って中央にある。
【００３８】
このように、この構成は、膜の構成材料の熱膨張差によって引き起こされる膜の温度たわみを制限することを可能にする。
【００３９】
本発明の１つの特定の構成によれば、第１のＲＦ信号線と第２のＲＦ信号線は同一平面上にあり、膜は丸みを帯びており、基板上に形成された５つの固定具によって基板から離間を保たれ、静電作動手段は、膜に対向して基板上に形成され、起動線によって供給された静電起動電極からなり、起動電極は、起動線によって起動されると、膜をその変形状態にするように構成されている。
【００４０】
本発明に係るマイクロ電気機械スイッチは、特に、材料の薄層の一連の堆積およびエッチング操作によって製造することができる。堆積は、マイクロエレクトロニクスの分野で知られている堆積装置（熱蒸発器、電子銃、ＤＣおよびＲＦ陰極スタッター、レーザーアブレーションなど）によって行われる。材料のエッチングは、パターンを画定することを可能にするフォトリソグラフィ法によって支援することができる。エッチングは、化学溶液（例えば、フッ化水素酸、塩酸、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）など）を用いて、またはＯ２、ＣＦ４、またはＳＦ６プラズマなどを用いて行うことができる。
【００４１】
本発明の主題をより良く説明するために、添付の図面を参照して、以下に１つの特定の実施形態を非限定的な例として説明する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施形態の第１の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の概略上面図である。
【図１ａ】本発明の第１の実施形態の第１の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図１の線Ａ−Ａ’に沿った縦断面図である。
【図１ｂ】本発明の第１の実施形態の第１の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図１の線Ｂ−Ｂ’に沿った縦断面図である。
【図１ｃ】本発明の第１の実施形態の第１の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図１の線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図である。
【図２ａ】本発明の第１の実施形態の第２の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の図１のものと同様な線Ａ−Ａ’に沿った概略縦断面図である。
【図２ｂ】本発明の第１の実施形態の第２の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の図１のものと同様な線Ｂ−Ｂ’に沿った縦断面図である。
【図２ｃ】本発明の第１の実施形態の第２の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の図１のものと同様な線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図である。
【図３ａ】本発明の第１の実施形態の第３の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の図２ｂと同様の概略図である。
【図３ｂ】本発明の第１の実施形態の第３の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の図２ｃと同様の概略図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の概略上面図である。
【図４ａ】本発明の第２の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図４の線Ａ−Ａ’に沿った縦断面図である。
【図４ｂ】本発明の第２の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図４の線Ｂ−Ｂ’に沿った縦断面図である。
【図４ｃ】本発明の第２の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図４の線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図である。
【図４ｄ】本発明の第２の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図４の線Ｄ−Ｄ’に沿った断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の概略上面図である。
【図５ａ】本発明の第３の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図５の線Ａ−Ａ’に沿った縦断面図である。
【図５ｂ】本発明の第３の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図５の線Ｂ−Ｂ’に沿った縦断面図である。
【図５ｃ】本発明の第３の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図５の線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図である。
【図５ｄ】本発明の第３の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の、図５の線Ｄ−Ｄ’に沿った断面図である。
【図６ａ】本発明の第１の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の一実施形態の上面図である。
【図６ｂ】本発明の第１の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の一実施形態の分解斜視図である。
【図７ａ】本発明の第２の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の一実施形態の上面図である。
【図７ｂ】本発明の第２の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）の一実施形態の分解斜視図である。
【図８ａ】本発明に係る直列スイッチの非起動状態の性能曲線である。
【図８ｂ】本発明に係る直列スイッチの起動状態の性能曲線である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
図１、図１ａ、図１ｂ、および図１ｃは、本発明の第１の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ１の第１の代替例を示し、この第１の実施形態は、いわゆる直列構成に対応する。
【００４４】
マイクロ電気機械スイッチ１は基板２を含み、その上面には、第１のＲＦ信号線３と、第１のＲＦ信号線３に位置合わせされた第２のＲＦ信号線４とが形成され、第１のＲＦ信号線３と第２のＲＦ信号線４は、同じ方向を有する。第１のＲＦ信号線３と第２のＲＦ信号線４の一方が、マイクロ電気機械スイッチ１の入力ＲＦ信号線を構成し、第１のＲＦ信号線３と第２のＲＦ信号線４の他方が、その出力ＲＦ信号線を構成する。
【００４５】
誘電性または半導電性とすることができる変形可能な膜５は、２つの固定具６によって基板２から離間して保持される。膜５は、以下の実施形態では誘電体であると仮定されるが、これに限定されない。
【００４６】
誘電性変形可能膜５は、誘電性膜５が図１ａに示されるように、基板２の上方の固定具６によって基板２と平行または実質的に平行に維持される第１の位置、いわゆる非変形位置と、以下でより詳細に説明するいわゆる変形位置との間で変形可能である。
【００４７】
２つの部分からなる起動電極７が誘電体膜５の下方に配置され、起動電極７に電力が供給されると（電源は図面の概略図には図示されていない）、誘電体膜５を引き付けてその変形状態を選択する。図に示す起動は静電起動であるが、起動は静電起動、圧電型起動、熱起動、または誘導起動であってもよく、本発明はこの点に限定されない。
【００４８】
誘電体膜５には膜トラック８が形成されており、この第１の実施形態の前記膜トラック８は、固定具６を介して第２のＲＦ信号線４に接続され、誘電体膜５の下にピンの形態の突起８ａを有し、前記突起８ａは、誘電体膜５の変形した状態で第１のＲＦ信号線３に接触することを意図しているので、ＲＦ信号は、誘電体膜５の変形状態では、第１のＲＦ信号線３から膜トラック８を介して第２のＲＦ信号線４に進むことができ、誘電体膜５の非変形状態では、第１のＲＦ信号線３から膜トラック８を介して第２のＲＦ信号線４に進むことができず、起動電極７の起動によって命令される静電スイッチを構成する。
【００４９】
膜ＲＦグランド９および１０も誘電体膜５内に形成され、膜トラック８と平行でかつ後者（膜トラック８）と同じ面内に形成され、固定具６によって、第１のＲＦ信号線３および第２のＲＦ信号線４に平行かつ後者（第１のＲＦ信号線３および第２のＲＦ信号線４）と同一平面内の、基板２上に形成されたＲＦグランド１１、１２、１３、１４に接続される。
【００５０】
したがって、ＲＦグランド９、１０、１１、１２、１３、１４および信号線３および４の全ては、誘電体膜５の変形状態において、第１のＲＦ信号線３と第２のＲＦ信号線４との間を移動するＲＦ信号用の導波路と、第１のＲＦ信号線３上のＲＦ信号用の導波路を構成するＲＦグランド１３および１４と、膜トラック８の上を移動するＲＦ信号用の導波管を構成するＲＦグランド９および１０と、第２のＲＦ信号線４の上を移動するＲＦ信号用の導波管を構成するＲＦグランド１１および１２とを形成し、こうしてＲＦ信号はマイクロ電気機械スイッチ１を通るその経路全体にわたってすべて導かれる。
【００５１】
本発明の範囲から逸脱することなく、ＲＦ信号は、第２のＲＦ信号線４から第１のＲＦ信号線３の方向に対称的に移動することができ、上記の図１、図１ａ、図１ｂ、図１ｃの説明に関連して示される移動方向は、マイクロ電気機械スイッチ１の動作を説明することのみを意図しており、この点で本発明を限定するものではないことに留意すべきである。
【００５２】
ＲＦグランド１１、１２、１３、１４はまた、一度偏極されるとマイクロ電気機械スイッチ１を起動させる電極との電位差を確立することを可能にするＤＣグランドを構成する。
【００５３】
図２ａ、図２ｂ、図２ｃは、第１の実施形態の第２の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ１’を示す。
【００５４】
第１の実施形態のこの第２の代替例の上面図は、図を読みにくくする層の数のために図示されていない。しかしながら、切断線ＡＡ’、ＢＢ’、ＣＣ’は、図１のものと同様であり、したがって、それぞれ、第１の実施形態の第２の代替例に係るマイクロ電気機械スイッチ１’の縦方向断面の中央、横方向断面、および中央断面に対応する。
【００５５】
図１、図１ａ〜図１ｃを参照して説明した第１の実施形態の第１の代替例の要素と同一の要素には、同じ参照符号の後に符号「’」を付し、第１の実施形態の第１の代替例と同じ構造を有する場合は詳細には説明されない。
【００５６】
第１の実施形態のこの第２の代替例では、基板２’は、第１の実施形態の第１の代替例と同様に、ＲＦグランド１１’および１３’ならびに起動電極７’（図１のＲＦグランド１２および１４に対応する他のＲＦグランドは、図の数を掛け合わせないように示されていないが、もちろん、第１の実施形態のこの第２の代替例にも存在する）。
【００５７】
第１の代替例との相違点は、膜ＲＦグランド９’および１０’の位置にある。したがって、第２の代替例では、起動電極７’を有する基板２’の表面を横切って誘電体膜５’の下面に第１の膜ＲＦグランド９’が形成され、第２の膜ＲＦグランド１０’は、誘電体膜５’の上面に形成され、膜トラック８’は、固定具６’のうちの１つと誘電体膜５’の実質的に中心との間の２つの膜ＲＦグランド９’と１０’の間に延在し、膜トラック８’に接続された突起８ａ’は、第１の実施形態の第１の代替例と同様に、膜ＲＦグランド９’に形成された開口内で第１のＲＦ信号線３’に対向する誘電体膜５’の下方に突出している。
【００５８】
膜ＲＦグランド１０’は、誘電体膜５’の上面全体にわたって延在し、膜ＲＦグランド９’は、誘電体膜５’の下面の一部の上にのみ延在するので、突起８ａ’がその端部で誘電体膜５’の下面に露出して、誘電体膜５’の変形状態で第１のＲＦ信号線３’との電気的接触を生成可能にする。
【００５９】
図３ａおよび図３ｂに示す第１の実施形態の第３の代替例は、第２の代替例と同一であり、同一の要素は、図２ａ、図２ｂ、図２ｃと同じ参照符号を有し、その後に新しい記号「’」が付される。
【００６０】
要素の構造および位置は、図２ａ、図２ｂ、図２ｃと同じであるが、それらの構造が変化しないときは詳細には説明しない。第１の実施形態の第２および第３の代替例の違いは、第１および第２の膜ＲＦグランド９”および１０”の間にビア１５が存在することにあり、第１の代替例に対して、膜トラック８”上の膜５”内を循環するＲＦ信号の改善された導波が可能になる。
【００６１】
図面の数を掛けないように記載されていない他の代替例も、本発明の範囲内に入る。したがって、膜ＲＦグランドとして、第１の実施形態の第２の代替例の第２のＲＦグランド１０’と同様のＲＦグランドのみ、または第１の実施形態の第２の代替例の第１のＲＦグランド９’と同様のＲＦグランドのみ、または第１の代替例と第２の代替例のＲＦグランドの組み合わせ、すなわち図１ａ〜１ｃのＲＦグランド９および１０のような膜トラックをフレーミングする２つのＲＦグランド、および図２ａ−２ｂ−２ｃのように膜トラックの下方および上方の２つのＲＦグランド、図３ａおよび図３ｂのようなビアありまたはビアなしのものを有するものと考えることができる。これらの代替例の全ては、本発明の範囲内に含まれるが、本発明はそれに限定されない。
【００６２】
図４、図４ａ〜図４ｃは、本発明の第２の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ１０１を示し、第１の並列構成と呼ばれる。第１の実施形態の第１の代替例の要素と同一または類似の要素は、１００だけ増加した同じ参照番号を有しており、ここでは詳細には説明しない。
【００６３】
この第２の実施形態では、マイクロ電気機械スイッチ１０１は、基板１０２上に配置され、誘電体膜１０５の横方向下方に実質的に誘電体膜１０５の中央に沿って延在する基板トラック１０３を含み、基板トラック１０３は、この第２の実施形態では、マイクロ電気機械スイッチ１０１を介してＲＦ信号を輸送する。
【００６４】
誘電体膜１０５の上流および下流には、４つのＲＦグランド１１１、１１２、１１３、１１４が基板１０２上に形成され、上流のＲＦグランド１１３および１１４は、膜の固定具１０６で停止し、下流のＲＦグランド１１１および１１２は、誘電体膜１０５の端部から開始し、これらのＲＦグランド１１１、１１２、１１３、１１４の役割は、誘電体膜１０５の上流および下流の基板トラック１０３上のＲＦ信号用の導波路を形成することであり、グランド１１３、１１４のみが起動に必要なＤＣグランドを構成する。
【００６５】
基板１０２上にあって誘電体膜１０５の下にあるＲＦグランド１１１、１１２、１１３、１１４の間には、誘電体膜１０５を変形させるために、起動電極１０７（第１実施形態のような２つの部分）が基板トラック１０３の両側に形成されている。起動電極１０７は、別々にまたは単一要素として電力供給される２つの要素から構成することができ、基板トラック１０３の両側の２つの要素間の接続は、基板１０２内に形成される。
【００６６】
膜１０５には、２つの膜ＲＦグランド１０９および１１０が形成され、基板トラック１０３と平行に膜１０５内でその両側に延在し、これによって基板トラック１０３の平面内における膜ＲＦグランド１０９および１１０の突起は、基板トラック１０３の両側にあり、基板トラック１０３と平行である。
【００６７】
膜ＲＦグランド１０９および１１０は、固定具１０６によってＲＦグランド１１１および１１２に接続され、実質的にその中央がブリッジ１１６によって接続される。
【００６８】
図４、図４ａ〜図４ｃに示す実施形態では、膜ＲＦグランド１０９および１１０は、誘電体膜１０５の下面が誘電体膜１０５の下に開くように、誘電体膜１０５の下面上に形成される。したがって、この実施形態では、ブリッジ１１６はまた、誘電体膜１０５の下に開き、起動電極１０７による誘電体膜１０５の変形中に、図１ａの突起８ａと同様の突起１１６ａによって、基板トラック１０３上を循環するＲＦ信号を短絡することを可能にする。
【００６９】
膜ＲＦグランド１０９および１１０が誘電体膜１０５に完全に埋め込まれていると考えることも可能であり、その場合、ブリッジ１１６に接続された突起１１６ａは基板トラック１０３との電気的接触を可能にするために、誘電体膜１０５の下面上で突出している必要があることに留意すべきである。
【００７０】
この実施形態では、他の実施形態のすべてと同様に、変形した状態の誘電体膜と基板上の要素との接触は、誘電体膜の下面と基板上の要素との直接接触によるものか、または誘電体膜の下面に形成され、そこから突出する突起またはピンによるものかのいずれかとすることができ、ピンは、基板上の要素と接触して配置されなければならない要素と誘電体膜内で接続される。
【００７１】
したがって、ＲＦ信号が、後者（誘電体膜）が変形したときに誘電体膜を通過することによってマイクロ電気機械スイッチを通過する第１の実施形態とは異なり、第２の実施形態では、誘電体膜が変形しないときに、ＲＦ信号はマイクロ電気機械スイッチを通過し、誘電体膜が変形すると短絡する。
【００７２】
図５、図５ａ〜図５ｃは、第２の並列構成と呼ばれる、本発明の第３の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ２０１を示す。第１の実施形態の第１の代替例の要素と同一または類似の要素は、２００だけ増加した同一の参照番号を付しており、ここではさらに詳細には説明しない。
【００７３】
この第３の実施形態では、マイクロ電気機械スイッチ２０１は、基板２０２上に配置された、第１のＲＦ信号線２０３と、第１のＲＦ信号線２０３に平行でその延長線上の第２のＲＦ信号線２０４とを含む。
【００７４】
基板２０２上に形成されたＲＦ基板グランド２１３、２１４は、第１の信号線２０３と平行に形成され、それに平行であり、一方、ＲＦ基板グランド２１１および２１２は、第２の信号線２０４と平行に形成され、それに平行である。
【００７５】
誘電体膜２０５は、誘電体膜２０５の２つの対向する側に配置された２つの固定具２０６によって、基板２０２から離間して維持され、誘電体膜２０５は、膜トラック２０８と、膜トラック２０８の両側に後者（膜トラック２０８）と同じ平面内に配置された２つのＲＦグランド２０９および２１０とを有する。膜トラックは、第１の実施形態（第１の変形例）の突起８ａと同様に、誘電体膜２０５の変形状態で電気的接触を生成するために、基板２０２に向けられた突起２０８ａを有する。
【００７６】
膜トラック２０８は、誘電体膜２０５の非変形構成において、ＲＦ信号がマイクロ電気機械スイッチ２０１を膜トラック２０８によって第１のＲＦ信号線２０３から第２のＲＦ信号線２０４へ（または他の方向に）通過するように固定具２０６によって第１および第２のＲＦ信号線２０３および２０４にそれぞれ接続される。２つの膜ＲＦグランド２０９および２１０は、次いで、固定具２０６によって、ＲＦ基板グランド２１１、２１２、２１３、２１４に接続される。
【００７７】
２つの起動電極２０７は、膜トラック２０８の方向に対して横方向に誘電体膜２０５の下方に平行に形成され、他の実施形態と同様に誘電体膜２０５を変形させる。他の実施形態と同様に、起動電極２０７の電源は図を過負荷にしないように省略されている。
【００７８】
２つの起動電極２０７の間で、基板２０２上に、他の２つの起動電極２０７に平行であり、したがって膜トラック２０８の方向に直交するグランドトラック２１７が形成され、これによってグランドトラック２１７の平面内の膜トラック２０８の中央の突起が、グランドトラック２１７の中心に実質的に対応する。グランドトラック２１７は、固定具２０６によって膜ＲＦグランド２０９および２１０に接続される。
【００７９】
他の実施形態と同様に、膜トラック２０８は、誘電体膜２０５の表面の真下に開口する表面（下面）を有するものとして概略的に示されているが、本発明の範囲から逸脱することなく、膜トラック２０８は誘電体膜２０５に埋め込まれ、ビアによって誘電体膜２０５の下面および突起２０８ａに接続され、基板上の要素との接触を生成する。
【００８０】
誘電体膜２０５の両側の固定具２０６の対称性を有して接合された２つの起動電極２０７は、誘電体膜２０５の中央を変形させるので、この実施形態の突起２０８ａは、誘電体膜２０５の下方に、ＲＦグランドトラック２１７の中心の真上に配置する。
【００８１】
誘電体膜２０５の変形状態は、第２の実施形態と同様に、マイクロ電気機械スイッチ２０１を介した短絡、ひいてはＲＦ信号通過停止に対応し、誘電体膜２０５の非変形状態は、スイッチ２０１を通るＲＦ信号の通過に対応し、第２の実施形態との違いは、基板上に配置されたトラックを通過する代わりに、この第３の実施形態のＲＦ信号は、誘電体膜２０５を通過することである。
【００８２】
図６ａおよび図６ｂは、第１の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ３０１の実装を示す。
【００８３】
第１の実施形態の第１の代替例の要素と共通の要素は、３００だけ増加させた同じ参照番号によって示されている。
【００８４】
このようにして、基板３０２上に、第１のＲＦ信号線３０３と第２のＲＦ信号線３０４とが、それぞれパッド３０３ａおよび３０４ａを介してアクセス可能に形成される。
【００８５】
起動電極３０７も、基板３０２上に形成され、供給トラック３１８によってパッド３１９に接続され、起動電極３０７を起動するために電源（図示せず）を接続することを可能にする。
【００８６】
本発明のこの特定の非限定的な実施形態では、起動電極３０７は、四分の一が除去されたディスクの形状であり、基板トラック３０４ｂは欠損した四分の一の二等分線に沿って延びており、前記基板トラック３０４ｂはマイクロ電気機械スイッチ３０１が起動していないときに、起動電極３０７とは接触していないが、第２のＲＦ信号トラック３０４と接触している。
【００８７】
誘電体膜３０５は、膜トラック３０８ａをフレーミングする２つのＲＦグランドトラック３０９ａおよび３１０ａを含む第１の層（下層）と、誘電体層３０５ａと、第１の層と対称な第２の層との３つの積層された層からなり、膜トラック３０８ｂをフレーミングする２つのＲＦグランドトラック３０９ｂおよび３１０ｂを含む。パッド３２０は、ＲＦグランド３０９ａ、３１０ａ、３０９ｂ、３１０ｂに電力を供給することを可能にする。
【００８８】
図６ａから分かるように、空洞３２５が、膜トラック３０８ｂの方向に一致する方向の両側に対称に形成され、前記空洞３２５は、起動電極３０７による起動中に誘電体膜３０５の最適な変形を可能にするために、グランドトラック３１１および３１２の丸みを帯びた突起に対応することを除いて、完全な誘電体膜４０５は、起動電極４０７の形状に実質的に一致する形状を有する。
【００８９】
誘電体膜３０５は、ＲＦグランドトラック３１１と３１２との間に形成された空間３２３に収容されている。
【００９０】
空洞３２５の間の誘電体膜３０５の部分が固定具を構成し、ＲＦグランドトラック３０９ａ、３０９ｂ、３１０ａ、３１０ｂをＲＦグランド３１１および３１２に接続することを可能にし、膜トラック３０８ａ、３０８ｂの軸内における誘電体膜３０５の固定具は、膜トラック３０８ａ、３０８ｂを第１のＲＦ信号線３０３に接続可能にする。対応する丸みを帯びた突起３２４が、ＲＦグランドトラック３１１および３１２上に形成される。
【００９１】
誘電体膜３０５に形成された孔３２２は、誘電体膜３０５の変形を最適化することを可能にする。
【００９２】
これは図６ａ、図６ｂには示されていないが、誘電体膜３０５の変形状態における基板トラック３０４ｂとの接触を保証するために、第１のＲＦ信号線３０３からの信号が膜トラック３０８ａ、３０８ｂを通過し、次に第２のＲＦ信号線３０４を通過するために、ピンが膜トラック３０８ａの下方に突出していることが好ましい。
【００９３】
層３０９ａ、３１０ａ、３０８ａ、および３０９ｂ、３１０ｂ、３０８ｂの対称性により、膜の構成材料の熱膨張の差によって引き起こされる膜の温度たわみを制限することが可能になる。
【００９４】
図７ａおよび図７ｂは、第２の実施形態に係るマイクロ電気機械スイッチ４０１の実装を示す。
【００９５】
第２の実施形態の要素と共通する要素は、４００だけ増加した同じ参照番号によって示されている。
【００９６】
このようにして基板４０２上に、第１のＲＦ信号線４０３と第２のＲＦ信号線４０４が形成され、それぞれパッド４０３ａおよび４０４ａによってアクセス可能である。
【００９７】
起動電極４０７もまた基板４０２上に形成され、供給トラック４１８によってパッド４１９に接続され、コンポーネントを分極化し、それを起動することを可能にするために、電源（図示せず）を接続可能にする。
【００９８】
本発明のこの特定かつ非限定的な実施形態では、起動電極３０７は、基板４０２上に形成され、それに対して対称な基板トラック４０３ｂによって分離された２つのハーフディスク４０７ａおよび４０７ｂから構成され、その４分の１は、マイクロ電気機械スイッチ４０１が組み立てられたときに、第２のＲＦ信号線４０４に向けられた起動電極４０７の側で欠落している。
【００９９】
２つのハーフディスク４０７ａ、４０７ｂは、ハーフディスク４０７ａ、４０７ｂの欠損した４分の１部分によって形成された自由空間に形成されたトラック４０７ｃによって接続され、トラック４０７ａは、基板トラック４０３ｂを迂回させる。
【０１００】
誘電体膜４０５は、３つの積層された層から構成され、第１の層（下層）は、ブリッジ４１６ａにより接続された２つのＲＦグランドトラック４０９ａ、４１０ａと、誘電体層４０５ａと、第１の層と対称な第２の層と、ブリッジ４１６によって接続された２つのＲＦグランドトラック４０９ｂおよび４１０ｂとを含む。パッド４２１は、ＲＦグランド４０９ａ、４１０ａ、４０９ｂ、および４１０ｂに電力を供給することを可能にする。
【０１０１】
図７ａに見られるように、空洞４２５が、基板トラック４０３ａの方向に一致する方向の両側に対称に形成され、前記空洞４２５は、起動電極４０７による起動中に誘電体膜４０５の最適な変形を可能にするために、グランドトラック４１１および４１２の丸みを帯びた突起に対応することを除いて、完全な誘電体膜４０５は、起動電極４０７の形状に実質的に一致する形状を有する。
【０１０２】
誘電体膜４０５は、ＲＦグランドトラック４１１と４１２との間に形成された空間４２３内に収容される。
【０１０３】
空洞４２５間の誘電体膜４０５の部分が固定具を構成し、ＲＦグランドトラック４０９ａ、４０９ｂ、４１０ａ、４１０ｂをＲＦグランド４１１および４１２に接続することを可能にする。誘電体膜４０５の非変形状態では、第２のＲＦ信号線は、基板トラック４０３ｂと接触している。対応する丸みを帯びた突起４２４が、ＲＦグランドトラック４１１および４１２に形成されている。
【０１０４】
誘電体膜４０５に形成された孔４２２は、誘電体膜４０５の変形を最適化することを可能にする。
【０１０５】
これは図７ａ、図７ｂには示されていないが、誘電体膜４０５の変形状態における基板トラック４０３ｂとの接触を保証するために、第１のＲＦ信号線４０３から第２のＲＦ信号線４０４へ循環するＲＦ信号の短絡回路を生成し、基板トラック４０３ｂ上を循環するＲＦ信号が、誘電体膜４０５の変形状態においてグランドに直接送信されるように、ピンがブリッジ４１６ａの下方に突出していることが好ましい。
【０１０６】
層４０９ａ、４１０ａ、４１６ａおよび４０９ｂ、４１０ｂ、４１６ｂの対称性は、膜の構成材料の熱膨張の差によって生じる膜の温度たわみを制限することを可能にする。
【０１０７】
このようなコンポーネントの形状の利点のより詳細な説明については、出願人の名称におけるフランス特許出願第３、０２７、４４８号を参照することができる。
【０１０８】
図８ａは、非起動状態の直列構成におけるスイッチの周波数の関数としての絶縁性を示す。
【０１０９】
図８ｂは、起動状態の直列構成におけるスイッチの周波数の関数としての挿入損失および適応レベルを示す。
【図１】
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【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
2019522339.tif 000009
【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図５】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【国際調査報告】
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