(57)【要約】  処理チャンバへのガス流れを制御するための方法及び装置が本明細書に開示されている。いくつかの実施形態では、処理システムは、第１ガス投入口を有する第１処理チャンバと、第１ガス投入口の上流に配置された第１ガスブレイクと、第１ガスブレイクの上流に配置された第１調整弁と、第１調整弁の上流に配置された第１遮断弁とを備える。処理システムは、第２ガス投入口を有する第２処理チャンバと、第２ガス投入口の上流に配置された第２ガスブレイクと、第２ガスブレイクの上流に配置された第２調整弁と、第２調整弁の上流に配置された第２遮断弁とを更に備えてもよい。共有ガス源は、第１遮断弁及び第２遮断弁の上流に配置されて、１つ以上のガスを第１処理チャンバと第２処理チャンバに供給してもよい。
2019525489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ガス投入口を有する第１処理チャンバと、
第１ガス投入口の上流に配置された第１ガスブレイクと、
第１ガスブレイクの上流に配置された第１調整弁と、
第１調整弁の上流に配置された第１遮断弁とを備える処理システム。
【請求項２】
第１遮断弁の上流に配置されて、１つ以上のガスを第１処理チャンバに供給するガス源を更に備える、請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
第２ガス投入口を有する第２処理チャンバと、
第２ガス投入口の上流に配置された第２ガスブレイクと、
第２ガスブレイクの上流に配置された第２調整弁と、
第２調整弁の上流に配置された第２遮断弁とを更に備える、請求項１〜２のいずれか１項に記載の処理システム。
【請求項４】
第１遮断弁及び第２遮断弁の上流に配置されて、１つ以上のガスを第１処理チャンバ及び第２処理チャンバに供給する共有ガス源を更に備える、請求項３に記載の処理システム。
【請求項５】
第１及び第２処理チャンバの各々は、１つ以上のガスを共有ガス源から第１及び第２処理チャンバのそれぞれの処理容積に分配するように構成されたそれぞれのシャワーヘッドを備えている、請求項４に記載の処理システム。
【請求項６】
各シャワーヘッドが電気的に浮いている、請求項５に記載の処理システム。
【請求項７】
第１及び第２ガスブレイクの各々は、プラズマが第１及び第２処理チャンバから共有ガス源へ流れるのを低減するように構成されたレストリクタを備えている、請求項４に記載の処理システム。
【請求項８】
第１処理チャンバと第２処理チャンバは、デュアルチャンバ処理システムの一部であり、デュアルチャンバ処理システムは、第１及び第２処理チャンバのそれぞれの処理容積を分離する共有壁を有する隣接処理チャンバとして第１処理チャンバと第２処理チャンバを有している、請求項３に記載の処理システム。
【請求項９】
デュアルチャンバ処理システムは、第１及び第２処理チャンバのそれぞれの処理容積に流体的に接続された中央ポンピングプレナムを備えている、請求項８に記載の処理システム。
【請求項１０】
第１及び第２ガスブレイクが電気絶縁材料で形成されている、請求項３に記載の処理システム。
【請求項１１】
第１ガスブレイクの流体コンダクタンスは、第１調整弁及び第１遮断弁の流体コンダクタンスよりも大きく、
第２ガスブレイクの流体コンダクタンスは、第２調整弁及び第２遮断弁の流体コンダクタンスよりも大きい、請求項３に記載の処理システム。
【請求項１２】
処理チャンバへのガス流れを制御する方法であって、
処理チャンバに流体的に接続された第１調整弁をガスブレイクの上流で調整して、ガスブレイクが、第１流量に対応する所定の第１圧力に達する工程であって、所定の第１圧力は、参照処理チャンバ内のガスブレイクにおける参照流量に対応する参照圧力に実質的に等しい工程と、
処理チャンバ内で基板を処理すると共に、１つ以上の処理ガスを処理チャンバに第１調整弁を介して供給する工程とを含む方法。
【請求項１３】
参照処理チャンバは、処理チャンバに接続された対の一方の処理チャンバである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
一対の処理チャンバへのガス流れを制御する方法であって、
第２処理チャンバに流体的に接続された第２遮断弁を閉じる工程と、
第１処理チャンバに流体的に接続された第１遮断弁を開く工程と、
第１処理チャンバに流体的に接続された第１調整弁を、第１処理チャンバに接続された第１ガスブレイクの上流で調整して、第１ガスブレイクが、第１流量に対応する第１圧力に達する工程と、
第１ガスブレイクが最適な第１圧力に達するまで、第１調整弁の調整を繰り返す工程と、
第１遮断弁を閉じる工程と、
第２遮断弁を開く工程と、
第２処理チャンバに流体的に接続された第２調整弁を、第２処理チャンバに接続された第２ガスブレイクの上流で調整して、第２ガスブレイクが、第２流量に対応する第２圧力に達する工程と、
第２圧力が第１圧力と実質的に同程度になるまで、第２調整弁の調整を繰り返す工程と、
第１遮断弁を開く工程と、
第１及び第２処理チャンバの各々において基板を処理すると共に、第１及び第２処理チャンバの各々に１つ以上の処理ガスを、第１及び第２調整弁のそれぞれを介して供給する工程とを含む方法。
【請求項１５】
１つ以上の処理ガスは、第１遮断弁及び第２遮断弁の上流に配置された共有ガス源から第１及び第２処理チャンバに供給される、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、概して、基板を処理するための方法及び装置に関する。
【背景】
【０００２】
処理チャンバを有する処理システムは、通常、処理リソース（例えば、共有ガス供給、共有ポンプなど）を共有する。リソースを共有することで、処理システムの構成要素のコストは削減される。しかしながら、本発明者らは、各チャンバへのガス供給ラインのガスコンダクタンスにはばらつきが存在し、このために、チャンバ性能にはミスマッチングが生じていることを発見した。このことから、本発明者らは改良型のガス供給システムを開発して、コンダクタンスをより正確に一致させ、そうすることで、デュアルチャンバ処理システムの両方のチャンバの処理結果をより正確に一致させ、異なるチャンバ内で処理される基板間の処理結果の均一性を向上させてきた。
【０００３】
こうして、本発明者らは改良型のガス供給システムを提供することになった。
【概要】
【０００４】
処理チャンバへのガス流れを制御するための方法及び装置が本明細書に開示されている。いくつかの実施形態では、処理システムは、第１ガス投入口を有する第１処理チャンバと、第１ガス投入口の上流に配置された第１ガスブレイクと、第１ガスブレイクの上流に配置された第１調整弁と、第１調整弁の上流に配置された第１遮断弁とを備える。いくつかの実施形態では、処理システムは、第２ガス投入口を有する第２処理チャンバと、第２ガス投入口の上流に配置された第２ガスブレイクと、第２ガスブレイクの上流に配置された第２調整弁と、第２調整弁の上流に配置された第２遮断弁とを更に備えてもよい。いくつかの実施形態では、共有ガス源が、第１遮断弁及び第２遮断弁の上流に配置されて、１つ以上のガスを第１処理チャンバと第２処理チャンバに供給する。第１処理チャンバと第２処理チャンバは、デュアルチャンバ処理システムの一部であって、このデュアルチャンバ処理システムは、第１及び第２処理チャンバのそれぞれの処理容積を分離する共有壁を有する隣接処理チャンバとして第１処理チャンバと第２処理チャンバを有してもよい。
【０００５】
いくつかの実施形態では、処理チャンバへのガス流れを制御する方法には、処理チャンバに流体的に接続された第１調整弁をガスブレイクの上流で調整して、ガスブレイクが、第１流量に対応する所定の第１圧力に達する工程であって、所定の第１圧力は、参照処理チャンバ内のガスブレイクにおける参照流量に対応する参照圧力に実質的に等しい工程と、処理チャンバ内で基板を処理すると共に、１つ以上の処理ガスを処理チャンバに第１調整弁を介して供給する工程が含まれる。
【０００６】
いくつかの実施形態では、一対の処理チャンバへのガス流れを制御する方法には、第２処理チャンバに流体的に接続された第２遮断弁を閉じる工程と、第１処理チャンバに流体的に接続された第１遮断弁を開く工程と、第１処理チャンバに流体的に接続された第１調整弁を、第１処理チャンバに接続された第１ガスブレイクの上流で調整して、第１ガスブレイクが、第１流量に対応する第１圧力に達する工程と、第１ガスブレイクが最適な第１圧力に達するまで、第１調整弁の調整を繰り返す工程と、第１遮断弁を閉じる工程と、第２遮断弁を開く工程と、第２処理チャンバに流体的に接続された第２調整弁を、第２処理チャンバに接続された第２ガスブレイクの上流で調整して、第２ガスブレイクが、第２流量に対応する第２圧力に達する工程と、第２圧力が第１圧力と実質的に同程度になるまで、第２調整弁の調整を繰り返す工程と、第１遮断弁を開く工程と、第１及び第２処理チャンバの各々において基板を処理すると共に、第１及び第２処理チャンバの各々に１つ以上の処理ガスを、第１及び第２調整弁のそれぞれを介して供給する工程が含まれる。
【０００７】
本開示の他の更なる実施形態を以下に記載する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
上記に簡単に要約され、以下により詳細に論じられる本開示の実施形態は、添付図面に示される本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解され得る。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態を含み得るため、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、範囲を限定すると解釈すべきではないことに留意すべきである。
【０００９】
【図１】本開示のいくつかの実施形態による処理チャンバの概略断面図を示す。
【００１０】
【図２】本開示のいくつかの実施形態による、処理チャンバへのガス流れを制御する方法を説明するフローチャートを示す。
【００１１】
理解を容易にするため、可能な場合には、同一の符号を使用して、これらの図面に共通の同一の要素を示す。これらの図は一定の縮尺で描かれておらず、明快さを優先して簡略化されている場合がある。１つの実施形態の要素及び構成は、具体的な記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得る。
【詳細な説明】
【００１２】
本開示の実施形態は、概してガス供給システムに関する。本発明のガス供給システムの実施形態は、有益にも、複数の処理チャンバ間でのチャンバマッチング及び堆積の均一性を改善する。範囲を限定しているわけではないが、本開示の実施形態が特に有用であるのは、タンデム処理チャンバ（例えば、デュアルチャンバ又はツインチャンバの処理システム）と接続して実施されるときであろう。
【００１３】
本開示の実施形態は、２つの処理チャンバ（ツインチャンバ処理システムの各チャンバなど）の間でのコンダクタンス（例えば、流体コンダクタンス）をバランスさせ、２つのチャンバ間でのチャンバマッチング、又は左右交互チャンバマッチング及び均一性を向上させることに関する。本開示の実施形態は、コンダクタンス調整を必要とする任意の処理チャンバで使用することができる。いくつかの実施形態では、コンダクタンス制御は、各チャンバのガスブレイクの隣にニードル弁などの弁を追加して、チャンバへのガス流れのコンダクタンスのための調整ノブを加えることで実現できる。ニードル弁を調整することで、チャンバガスラインのコンダクタンスを調整して、例えば、所定のコンダクタンス（処理チャンバにとって望ましいコンダクタンスであると確定している「ゴールデン」又は標準のコンダクタンスなど）に一致させることが可能である。
【００１４】
本開示の実施形態であれば、有益にも、調整によって異なる処理チャンバ間のコンダクタンスのいかなる差をも縮小させる、又は無くすことが可能である。加えて、本開示の実施形態であれば、ガスブレイクの圧力損失の仕様における許容限界を緩和することが可能である。これによって、ガスブレイクの製造コストは有益にも低減される。
【００１５】
図１は、本開示のいくつかの実施形態による、ガス供給システム１８０を有する例示的なデュアルチャンバ処理システム（例えば、処理チャンバ１００、１０１）の断面図を示す。デュアルチャンバ処理システムに関連して例証的に説明されているが、本開示の実施形態はまた、スタンドアローンの処理チャンバに関連して使用されてもよい。第１及び第２処理チャンバ１００、１０１の各々は、上部１１９及び下部１３１を備えてもよい。ここで、上部１１９は一般的に処理領域１０２、１０３を備え、下部１３１は一般的に開口１０９に隣接する装填領域１１１を備える。第１及び第２処理チャンバ１００、１０１の各々はチャンバ本体を備えており、チャンバ本体はそれぞれ第１及び第２処理チャンバ１００、１０１に配置された側壁１０５Ａ、Ｂ、内壁１０６、底部１１３、及び蓋１１５を有する。いくつかの実施形態では、蓋１１５は高周波（ＲＦ）カバーである。第１処理チャンバ１００に配置された側壁１０５Ａ、内壁１０６、及び蓋１１５の一部は、第１処理領域１０２を画定する。第２処理チャンバ１０１に配置された側壁１０５Ｂ、内壁１０６、及び蓋１１５の一部は、第２処理領域１０３を画定する。内壁１０６は、第１及び第２処理チャンバ１００、１０１の間で共有され、それぞれの処理領域１０２、１０３の処理環境を互いに分離している。こうして、処理チャンバ１００、１０１内にそれぞれ画定された処理領域１０２、１０３は、分離された処理の間も共通の圧力を共有し得るが、それは、内壁１０６の下部によって、第１及び第２処理チャンバ１００、１０１のそれぞれが互いに連通することが可能になっているからである。内壁１０６の下部は、後述する中央ポンピングプレナム１１７によって画定されている。
【００１６】
蓋１１５はガス分配アセンブリ１１６の構成を備え、このガス分配アセンブリ１１６は、ガス源１８８（ガスパネルなど）からそれぞれの処理領域１０２、１０３にガスを分配するように構成されたシャワーヘッド１２２を備えてもよい。蓋１１５は、処理領域１０２、１０３にそれぞれ対応するガスフィードスルー１８７、１８９を介してガス源１８８に接続されている。いくつかの実施形態では、シャワーヘッド１２２は電気的に浮いていてもよい。シャワーヘッド１２２が電気的に浮いたままで、ガスフィードスルー１８７、１８９を経由してガス源１８８に接地されていないことを確実にするために、ガスフィードスルー１８７、１８９は対応するガスブレイク１８１、１８２を備えている。ガスブレイク１８１、１８２は電気絶縁材料で形成されており、シャワーヘッド１２２が浮いた状態を確実にする。また、ガスブレイク１８１、１８２はレストリクタを備えて、プラズマがガス源１８８に逆流することを実質的に低減又は排除する。こうして、ガス源１８８からガスブレイク１８１、１８２に流入するガスの圧力は、ガスブレイク１８１、１８２の出口におけるガス圧力よりも高くなる。
【００１７】
弁システム１９９は、ガス源１８８とガスブレイク１８１、１８２との間に配置されている。弁システム１９９によって、チャンバマッチングは向上する。これは、各処理チャンバ１００、１０１内の圧力を独立して調整しやすくなり、所定の要求圧力、例えば、ある異なる処理チャンバのある既知の流量での圧力に相当する圧力が得られるためである。その要求圧力値は、処理均一性及び歩留まりに基づいて決定される（例えば、均一性及び歩留まりを最大にすることを目的とした場合）。いくつかの実施形態では、弁システム１９９は第１及び第２遮断弁１８５、１８６を備え、これらの弁は対応する第１及び第２調整弁１８３、１８４とそれぞれ直列に配置されている。弁の各組は、ガスブレイク１８１、１８２のうちの対応する一方と直列に配置されている（例えば、遮断弁１８６は第２調整弁１８４の上流に配置され、次に、第２調整弁１８４はガスブレイク１８２の上流に配置されている）。処理チャンバ１００、１０１の間の処理の相違を低減するために、ガスブレイクは実質的に同程度の圧力損失を有するように設計されている。しかしながら、本発明者らは、製造上のばらつきにより、どの２つのガスブレイクも同一ではなく、許容限界内の変動であっても、処理チャンバ１００、１０１間の処理結果に望ましくない不一致が生じることを発見した。
【００１８】
図２は、処理チャンバへのガス流れを制御する方法２００を示す。方法２００は、ガスブレイク１８１、１８２での最適な圧力値を決定するために使用される。この最適な圧力値では、チャンバマッチングが達成され、歩留まりは最大になり、そして２つの処理チャンバ間の処理均一性が最高になる。この方法は一般的に工程２０２から始まり、ここでは、第２ガスブレイク１８２に流体的に接続された第２遮断弁１８６は閉じられており、そして、第１ガスブレイク１８１に流体的に接続された第１遮断弁１８５は開いている。工程２０４において、第１調整弁１８３が調整され、第１ガスブレイク１８１が第１流量に対応する第１圧力に達する。第１ガスブレイク１８１が、要求されている所定の第１圧力に達するまで、工程２０４を任意選択で繰り返す。所定の第１圧力及び第１流量は、処理チャンバ１０１内でのチャンバ歩留まり及び処理均一性が参照処理チャンバ（対の一方の処理チャンバ１００、又は他の何らかの参照処理チャンバなど）とより厳密に一致するようになる値である。
【００１９】
工程２０６において、第１遮断弁１８５が閉じられ、第２遮断弁１８６が開かれる。工程２０８において、第２調整弁１８４が調整され、第２ガスブレイク１８２が第２流量に対応する第２圧力に達する。第２ガスブレイク１８２が、要求される所定の第２圧力に達するまで、工程２０８を任意選択で繰り返す。所定の第２圧力及び第２流量は、処理チャンバ１００内でのチャンバ歩留まり及び処理均一性が参照処理チャンバ（対の一方の処理チャンバ１０１、又は他の何らかの参照処理チャンバなど）とより厳密に一致するようになる値である。例えば、第１圧力と第２圧力は実質的に同等であってもよい。あるいは、又は、組み合わせて、第１流量と第２流量が実質的に同等であってもよい。工程２１０で、第１遮断弁１８５が開かれ、両チャンバ１００、１０１で処理を進めることができるようになる。デュアルチャンバ処理システムに関連して説明したが、上記方法を、ある参照処理チャンバと比較する形でシングル処理チャンバを用いて実行し、そのガス源（又は他のガス源）から参照処理チャンバに提供される圧力と一致させる、又は実質的に一致させることが可能である。
【００２０】
チャンバマッチングを達成するために、第１及び第２の最適な圧力と流量が選択され、処理チャンバ１００、１０１間で実質的に同程度又は同等なチャンバ歩留まり及び処理均一性が得られるようになる。その結果、第１ガスブレイク１８１と第２ガスブレイク１８２の間の製造に起因する相違は重要でなくなる。有益にも、両ガスブレイクでのガス圧力及び流量を調整できるからである。こうして、有益にも、高いコンダクタンス（例えば、少なくとも弁システム１９９のコンダクタンスよりも高いコンダクタンス）を有するガスブレイクを使用して、弁システム１９９でチャンバ１００、１０１へのガス流れのコンダクタンスを制御してもよい。
【００２１】
図１に戻る。蓋１１５によって、チャンバライナ１５５などのチャンバ構成要素へのアクセスが便利になる。そのアクセスは、例えばクリーニングのためである。いくつかの実施形態では、カバー１６１を蓋１１５に配置して、蓋１１５内に配置された構成要素を保護してもよい。チャンバの整備（すなわち、クリーニング）時間を短縮するために、取り外し可能なチャンバライナ１５５を、側壁１０５Ａ、Ｂ及び内壁１０６に隣接して配置してもよい。チャンバライナ１５５は、チャンバライナ１５５内に形成され、開口１０９と連通する開口１６２を備える。開口１６２及び１０９は位置決め配置されて、基板をそれぞれの処理チャンバ１００、１０１から出し入れできるようなっている。こうして、開口１０９、１６２の各々は、一般的には、例えば基板搬送チャンバ（図示せず）と選択的に連通してもよい。整備の間、蓋１１５は開いたままであり、処理チャンバ１００、１０１の内部にアクセスできるようになっている。
【００２２】
基板支持体１０８が処理位置にあるとき、第１及び第２処理チャンバ１００、１０１の上部１１９及び基板支持体１０８によって、それぞれの分離された処理領域１０２、１０３が一般的に画定され、それぞれの処理チャンバ１００、１０１の各々の間で、処理を分離して行えるようになる。したがって、組み合わせると、側壁１０５Ａ、Ｂ、内壁１０６、基板支持体１０８、及び蓋１１５により、処理領域１０２、１０３の間で処理を分離して行えるようになる。
【００２３】
処理領域１０２、１０３及び装填領域１１１の容積は、蓋１１５の下側境界に対する基板支持体１０８の位置によって変わり得る。一構成では、基板支持体１０８が開口１０９の下に下降しても良い。下降位置では、基板は、開口１０９を介して基板支持体１０８上に位置決め配置され得る。より具体的には、基板支持体１０８が下降すると、リフトピンアセンブリ１１２は、基板を基板支持体１０８の上面から持ち上げることができる。その後、ロボットブレード（図示せず）が装填領域１１１に入り、リフトピンアセンブリ１１２によって持ち上げられた基板と係合して、装填領域１１１から取り出してもよい。同様に基板支持体１０８が下降位置にある状態で、処理のために基板を基板支持体１０８上に配置することができる。その後、基板支持体１０８を処理位置、すなわち、基板支持体１０８の上面がそれぞれの処理領域１０２、１０３に近接して位置決め配置される位置に、垂直に移動させてもよい。
【００２４】
蓋１１５は、蓋１１５に隣接して配置された他のプラズマ発生装置を有してもよい。上部電極アセンブリ１１８は、第１及び第２ＲＦ電源１５０、１５２にそれぞれのマッチングネットワーク１５１、１５３を介して接続されたＲＦコイルを用いて構成されて、ＲＦエネルギーを処理領域１０２、１０３に誘導結合してもよい。ＲＦ電源コントローラ１４９は、両方のＲＦ電源１５０、１５２に接続されて、例えば、電力レベル、位相制御、及び／又は周波数を制御するための出力信号を提供してもよい。
【００２５】
第１及び第２処理チャンバ１００、１０１のそれぞれの下部１３１は、中央ポンピングプレナム１１７によって画定された各チャンバが共通に共有する隣接チャンバ領域も含み得る。この中央ポンピングプレナム１１７は、ポンピング弁１２１を介して真空源１２０と流体的に連通している。一般的に中央ポンピングプレナム１１７は、側壁１０５Ａ、Ｂによって画定される２つの区画を含み、これらの区画は、ポンピング弁１２１と流体的に連通する出力ポート１３０に結合している。これら２つの区画は、第１及び第２処理チャンバ１００、１０１の各々の下部１３１の一部として形成されてもよい。中央ポンピングプレナム１１７は、第１及び第２処理チャンバ１００、１０１の下部１３１と一体に形成されてもよく、あるいは、中央ポンピングプレナム１１７は、下部１３１に接続された別体であってもよい。ガスパージ又は真空処理では、ポンピング弁１２１によって、真空源１２０が出力ポート１３０に取付フランジ１１４を介して接続される。したがって、中央ポンピングプレナム１１７は、一般的に、それぞれの処理チャンバ１００、１０１、より具体的にはそれぞれの処理領域１０２、１０３を、半導体処理に要求される圧力に維持するように構成されているが、他方で、中央ポンピングプレナム１１７によって真空源１２０を用いて排ガスを迅速に除去できるようになっている。
【００２６】
いくつかの実施形態では、出力ポート１３０は処理領域１０２、１０３から距離を置いて配置されているが、それは処理領域１０２、１０３でのＲＦエネルギーの最小化などを目的としており、このようにして、処理チャンバ１００、１０１から勢いよく流出する排気ガス中でのプラズマの衝突は最小限に抑えられる。例えば、出力ポート１３０を、基板支持体１０８及び処理領域１０２、１０３から、出力ポート１３０内のＲＦエネルギーを最小限に抑えるのに十分な距離を置いて配置してもよい。
【００２７】
いくつかの実施形態では、上部電極アセンブリ１１８は、第１上部電極アセンブリ１１８Ａ及び第２電極アセンブリ１１８Ｂを備えており、これらの上部電極アセンブリは、処理領域に隣接して配置され、それぞれの処理領域１０２、１０３にＲＦエネルギーを供給するように適合されている。
【００２８】
これまで処理チャンバに関して説明を行ったが、この弁システム１９９は、複数のチャンバをマッチングさせることが望ましい任意の処理チャンバで利用してもよい。この弁システムはまた、様々な種類の弁の任意の組み合わせを備えて、上記の効果を達成してもよい。
【００２９】
上記説明は本開示のいくつかの実施形態を対象としている、他の更なる実施形態は、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく創作され得る。
【図１】
2019525489.tif 000003
【図２】
2019525489.tif 000004
【国際調査報告】
2019525489.tif 000005
2019525489.tif 000006