(57)【要約】【課題】基板処理のための電荷量の条件を最適化することができ、洗浄、注入、蒸着などの工程装置を備える複合（多用途）プラズマ工程装置においても、基板処理のための電荷量の条件を容易に最適化することができ、基板処理のための電荷量の最適条件を確認することができ、テスト、教育などの用途にも活用することができる、電荷量を調整できるプラズマ工程装置を提供する。【解決手段】プラズマ工程装置は、電荷量測定器、制御部を備える。電荷量測定器は、基板の領域で電荷量を測定する。制御部は、電荷量測定器から受ける測定電荷量が基板の最適電荷量に収束するように、イオンソースに供給される電源を制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ工程装置において、
内部に密閉空間を有する工程チャンバと、
前記工程チャンバ内で基板を支持する基板キャリアと、
前記工程チャンバ内に配置されて正イオンを生成して前記基板に供給するイオンソースと、
前記工程チャンバ内に配置されて負イオンを生成して前記基板に供給する中和器又はスパッタカソードと、
前記基板の領域で前記正イオン又は前記負イオンの電荷量を測定する電荷量測定器と、
前記電荷量測定器から受ける電荷量が前記基板の最適電荷量に収束するように、前記イオンソース、前記中和器、前記スパッタカソードに印加される電源の少なくとも１つを制御する制御部と、を含み、
前記基板の最適電荷量は、前記基板の表面エネルギーに基づいて算出される、電荷量を調整できるプラズマ工程装置。
【請求項２】
前記基板は絶縁体である、請求項１に記載の電荷量を調整できるプラズマ工程装置。
【請求項３】
前記イオンソースは、前記基板に向かう前方に複数の磁極を離隔配置して加速ループ用開放スリットを形成し、側方及び後方を閉鎖する磁場部と、前記磁場部の内部で前記開放スリットの下端に配置される電極と、を含む、エンドホールイオンソースであり、
前記エンドホールイオンソースは、前記側方及び前記後方から工程ガスの供給を受けるのではなく、前記工程チャンバ内の工程ガスからプラズマイオンを生成し、前記プラズマイオンを前記電極と前記基板との間の電位差により前記基板に移動させる、請求項１又は２に記載の電荷量を調整できるプラズマ工程装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ工程装置に関し、詳しくは、基板に到達するプラズマイオンなどの電荷量を基板の物性に応じて調整できるプラズマ工程装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体工程では基板に不純物を注入したり、薄膜を蒸着したり、又は、表面をエッチングしたりするなどの様々な処理を行う。このような基板処理には、プラズマ装置が様々な方式で用いられている。
【０００３】
プラズマ装置で基板を処理する過程において、基板に向かう物質は一般的に電荷を帯びている。しかし、電荷を帯びた粒子が基板へ移動し続けると、基板には同じ電荷を帯びた粒子が蓄積され、その結果、基板に後で到達する物質は反発力によりそれ以上到達できなくなる状態となることがある。
【０００４】
このような問題を解決するために、特許文献１は、「プラズマフラッドガンを用いたイオン中和システム」を開示している。内容を見ると、半導体ウエハ上に蓄積される陽電子を中和するプラズマフラッドガンを備えている。プラズマフラッドガンは、電子を発生させて半導体ウエハに隣接する領域でイオンビームを中和させている。特許文献２は、「ビーム空間電荷中和装置を備えたイオン注入装置」を開示している。内容を見ると、プラズマ用熱電子を生成して放出するプラズマシャワーを備えている。このように、従来技術においては、基板に向かうイオンビームの電荷を中和することにのみ焦点を置いている。
【０００５】
しかし、基板毎に物性が異なり、その結果、基板毎に洗浄、注入、蒸着などのための工程条件が異ならざるを得ない。つまり、ある基板は表面に電荷を帯びていないときに洗浄、注入、蒸着が容易に行われ、ある基板は所定量の正電荷が蓄積されて全体として弱い正電荷を帯びているときに洗浄、注入、蒸着が容易に行われる。
【０００６】
よって、従来技術のように基板領域で工程物質の電荷を中和するだけでは、基板処理を最適化する上で足りない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国登録特許第１４４１１９１号公報
【特許文献２】韓国登録特許第１１２６３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような従来技術の問題を解決するためのものであり、
第一に、基板処理のための電荷量の条件を最適化することができ、
第二に、洗浄、注入、蒸着などの工程装置を備える複合（多用途）プラズマ工程装置においても、基板処理のための電荷量の条件を容易に最適化することができ、
第三に、基板処理のための電荷量の最適条件を確認することができ、テスト、教育などの用途にも活用することができる、電荷量を調整できるプラズマ工程装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような技術的課題を解決するための本発明のプラズマ工程装置は、工程チャンバ、基板キャリア、イオンソース、電荷量測定器、制御部などを含む構成とする。
【００１０】
工程チャンバは、内部に密閉空間を形成する。
【００１１】
基板キャリアは、工程チャンバ内に備えられて基板を支持する。
【００１２】
イオンソースは、工程チャンバ内で工程ガスからプラズマイオンを生成して基板に供給する。
【００１３】
電荷量測定器は、基板の領域で電荷量を測定する。
【００１４】
制御部は、電荷量測定器から受ける測定電荷量が基板の最適電荷量に収束するように、イオンソースに供給される電源を制御することができる。
【００１５】
本発明による電荷量を調整できるプラズマ工程装置は、中和器を含んでいてもよい。
【００１６】
中和器は、工程チャンバ内に電子などを供給することができる。中和器は、基板領域で電荷量を調整することができる。この場合、制御部は、電荷量測定器の測定電荷量が基板の最適電荷量に収束するように、イオンソース及び中和器に供給される電源の少なくとも一方を制御することができる。
【００１７】
本発明による電荷量を調整できるプラズマ工程装置は、スパッタカソードを含んでもよい。
【００１８】
スパッタカソードは、工程チャンバ内で蒸着物質を基板に供給することができる。この場合、制御部は、測定電荷量が最適電荷量に収束するように、イオンソース、中和器及びスパッタカソードに供給される電源の少なくとも１つを制御することができる。
【００１９】
本発明による電荷量を調整できるプラズマ工程装置において、基板は、絶縁体であってもよい。制御部は、基板の表面エネルギーに基づいて算出されて保存された最適電荷量を用いるようにしてもよい。
【００２０】
本発明による電荷量を調整できるプラズマ工程装置において、イオンソースは、エンドホールイオンソースであってもよい。エンドホールイオンソースは、磁場部、電極などから構成してもよい。磁場部は、基板に向かう前方に複数の磁極を離隔配置して加速ループ用開放スリットを形成するようにしてもよい。磁場部は、側方及び後方を閉鎖し、工程ガスを注入するガス注入口を含まないようにしてもよい。電極は、磁場部の内部で開放スリットの下端に配置されてもよい。
【００２１】
エンドホールイオンソースは、側方及び後方から工程ガスの供給を受けるのではなく、工程チャンバ内の工程ガスからプラズマイオンを生成し、そのプラズマイオンを電極と基板との間の電位差により基板に移動させるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
このような構成を有する本発明のプラズマ工程装置によれば、基板の物性、例えば基板の表面エネルギーに符合する電荷量の条件を基板領域において形成することができ、プラズマを用いた基板処理を最適化することができる。
【００２３】
本発明のプラズマ工程装置によれば、洗浄、注入、蒸着などの工程装置を備える複合（多用途）プラズマ工程装置においても、イオンソース、中和器、スパッタカソードなどの選択的制御により基板処理のための電荷量の条件を容易に最適化することができる。
【００２４】
また、本発明のプラズマ工程装置によれば、基板処理のための電荷量の最適条件を確認することもでき、テスト、教育などの用途にも活用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明による電荷量を調整できるプラズマ工程装置の第１実施形態を示す構成図である。
【図２】本発明による電荷量を調整できるプラズマ工程装置の第２実施形態を示す構成図である。
【図３】本発明による電荷量を調整できるプラズマ工程装置の第３実施形態を示す構成図である。
【図４】本発明によるプラズマ工程装置の第１実施形態における電荷量を制御する方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明によるプラズマ工程装置の第２実施形態における電荷量を制御する方法を示すフローチャートである。
【図６】本発明によるプラズマ工程装置の第３実施形態における電荷量を制御する方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付図面を参照して本発明について詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明による電荷量を調整できるプラズマ工程装置の第１実施形態を示す構成図である。
【００２８】
図１に示すように、第１実施形態のプラズマ工程装置は、工程チャンバ１０、基板キャリア２０、イオンソース３０、電荷量測定器４０、電源部５０、制御部６０などを含む構成としてもよい。
【００２９】
工程チャンバ１０は、内部に密閉空間を形成する。工程チャンバ１０には工程によって非反応ガス又は反応ガスが注入される。非反応ガスにはアルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）、キセノン（Ｘｅ）などがあり、反応ガスには窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、メタン（ＣＨ４）、フッ化炭素（ＣＦ４）などがある。場合によっては非反応ガスと反応ガスを混合して用いてもよい。工程チャンバ１０の一側には真空ポンプが結合されてもよいが、真空ポンプは内部空間が所定の工程圧力を維持するようにする。
【００３０】
基板キャリア２０は、工程チャンバ１０内に備えられてもよい。基板キャリア２０は、基板Ｓを支持することができる。基板キャリア２０は、工程チャンバ１０内で固定されるか又は移動する形態で構成してもよい。
【００３１】
イオンソース３０は、工程チャンバ１０内で工程ガスからプラズマイオンを生成して基板Ｓに供給することができる。イオンソース３０としては、エンドホールイオンソースを用いてもよい。エンドホールイオンソースは、磁場部、電極などから構成してもよい。
【００３２】
磁場部は、磁石、磁極、磁心などから構成され、内部に円形又は楕円形の加速ループ空間を形成するようにしてもよい。磁場部が形成する加速ループ空間は、磁極方向に開放され、磁心方向に閉鎖されるようにしてもよい。
【００３３】
磁石は、磁極と磁心間に配置されてもよい。磁石は、永久磁石又は電磁石で構成してもよく、例えば、上端がＮ極、下端がＳ極になるように構成してもよい。１つの加速ループを形成する場合、両側磁極は磁石の下端で磁心に接続して構成できるので、磁石は中央磁
極の下部にのみ備えてもよい。
【００３４】
磁極は、基板Ｓ方向に所定間隔離隔して配置されてもよい。磁極は、加速ループを介してＮ極とＳ極が交互に配置されてもよい。１つの加速ループを形成する場合、中央磁極はＮ極、両側磁極はＳ極で構成してもよい。この場合、中央磁極は磁石の上端であるＮ極に結合され、両側磁極は磁心を介して磁石の下端であるＳ極に磁気結合されるようにしてもよい。
【００３５】
磁心は、磁石の下端と両側磁極を磁気結合するものであり、磁石の下端であるＳ極の磁力線を誘導することができる。磁心は、両側磁極に接続されて両側磁極をＳ極にし、また、磁石の下端であるＳ極の磁力線が磁石の上端であるＮ極の磁力線に及ぼす影響を最小限に抑えることができる。
【００３６】
電極は、磁場部の内部で磁極間の空間、すなわち加速ループ空間の下部に磁場部と電気的に離隔して配置されてもよい。
【００３７】
このような構成を有するエンドホールイオンソースにおいて、電極にプラス高電圧を印加して磁極を接地すると、電極と基板キャリア２０間に形成される電場により内部電子又はプラズマ電子が加速ループ空間の電極側に移動することができる。このとき、磁極間に発生する磁場及び電極と磁極間に発生する電場により内部電子又はプラズマ電子が力を受けて加速ループに沿って高速移動することができる。加速ループに沿って高速移動する電子は加速ループ内の工程ガスをイオン化し、イオン化されたプラズマイオンのうち正イオンは電極と基板キャリア２０間の電位差により基板キャリア２０側に移動して基板Ｓに対して洗浄、エッチング、表面改質などの作用をする。
【００３８】
エンドホールイオンソースは、磁場部の側方及び後方に工程ガスを注入するためのガス注入口を含まず、閉鎖されるようにしてもよい。この場合、エンドホールイオンソースは、側方及び後方から工程ガスが供給されるのではなく、工程チャンバ１０内の工程ガスからプラズマイオンを生成する。
【００３９】
電荷量測定器４０は、工程チャンバ１０内、とりわけ基板Ｓの領域で電荷量を測定するようにしてもよい。電荷量測定器４０は、ファラデーカップ（Faraday Cup）を用いるよ
うにしてもよい。ファラデーカップは、上方に開口を有し、側方及び後方を閉鎖したコップ状に構成してもよい。イオン又は電子がファラデーカップに注入されて蓄積されると電流が生成されるが、その電流値によりイオンビーム又は電子ビームの電荷量を測定するようにしてもよい。
【００４０】
ファラデーカップは様々な形態で実現することができる。例えば、ファラデーカップは、カップ部、駆動部などから構成してもよい。電荷量を測定する必要がある場合、駆動部は、カップ部を基板Ｓ側に移動させることができる。カップ部は、基板Ｓに照射されているイオン又は電子を捕集することができる。
【００４１】
ファラデーカップは、カップ部、ビームディフレクタなどから構成してもよい。この場合、カップ部は、中央にイオンビームを通過させる貫通部を備えるようにしてもよい。貫通部は、隔壁により内部空間から分離され、上部には曲がったイオンビームが入射する入口を備えるようにしてもよい。ビームディフレクタは、カップ部の上側に備えられ、電荷量を測定する必要がある場合、イオンビームをカップ部の入口方向に誘導することができる。
【００４２】
電源部５０は、イオンソース３０、電荷量測定器４０に電源を供給することができる。
電源部５０は、イオンソース３０の電極にプラスＤＣ高電圧を印加することができる。電源部５０は、電荷量測定器４０にプラス電圧とマイナス電圧を捕集イオンによって選択的に印加することができる。すなわち、電源部５０は、電荷量測定器４０が電子又はマイナスイオンを捕集する場合はプラスＤＣ電圧を印加し、電荷量測定器４０がプラスイオンを捕集する場合はマイナスＤＣ電圧を印加することができる。イオンソース３０を含む第１実施形態の場合、イオンソース３０から放出されるイオンビームがプラス極性を帯びるので、電荷量測定器４０にはマイナスＤＣ電圧を印加することができる。
【００４３】
制御部６０は、電荷量測定器４０から受ける測定電荷量が基板Ｓの最適電荷量に収束するように、イオンソース３０、例えばイオンソース３０の電極に印加される電圧を制御することができる。
【００４４】
基板Ｓの最適電荷量は、基板Ｓの物性、例えば表面エネルギーによって決定される。基板Ｓの最適電荷量は、実験などにより導き出すことができ、その最適電荷量を基板Ｓの種類にマッチしてデータベース化することができる。また、基板Ｓの最適電荷量は、工程環境によって異なり、この場合、工程を行う前に基板Ｓの最適電荷量を検出して活用することもできる。基板Ｓの最適電荷量は、基板Ｓが導体である場合より絶縁体である場合においてより重要であり得る。基板Ｓが絶縁体である場合は、ビームイオンが基板Ｓの表面に蓄積されて基板Ｓの表面に極性を持たせ、基板Ｓが導体である場合は、基板Ｓに到達した電荷が放電されて基板Ｓの表面に極性を持たせないからである。
【００４５】
導体基板の場合は、基板Ｓの最適電荷量を考慮する必要がないこともある。ただし、基板Ｓが導体である場合も、基板Ｓに移動するビームイオンの結集により導体基板Ｓの表面に極性が現れることがある。このような場合、導体基板であっても、測定電荷量が最適電荷量に近づくように制御することができる。
【００４６】
制御部６０は、電荷量測定器４０にマイナスＤＣ電圧を印加することができる。制御部６０は、電荷量測定器４０から測定電荷量を受けることができる。
【００４７】
制御部６０は、電荷量測定器４０から測定電荷量を受けながら、イオンソース３０の電極に印加するプラスＤＣ電圧を調整することができる。制御部６０は、受けた測定電荷量と保存された最適電荷量とを比較し、一致した時点のイオンソース３０の印加電圧を確認することができる。制御部６０は、確認したイオンソース３０の印加電圧を工程条件として設定し、基板Ｓに対して洗浄、エッチング、表面改質などの工程を行わせる。
【００４８】
［発明を実施するための形態］
図２は、本発明による電荷量を調整できるプラズマ工程装置の第２実施形態を示す構成図である。
【００４９】
図２に示すように、第２実施形態のプラズマ工程装置は、第１実施形態に加え、中和器７０をさらに含む構成としてもよい。
【００５０】
中和器７０は、工程チャンバ１０内、とりわけイオンソース３０と基板との間に電子を供給することができる。中和器７０は、イオンソース３０から放出されて基板Ｓに移動するプラズマイオンのプラス電荷量を減少させることができる。
【００５１】
中和器７０は、フィラメントを電源に接続して構成してもよい。フィラメントとしては、タングステン、ニッケルなどを用いることができる。フィラメントには、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化ケイ素、酸化カリウムなどを添加してもよいが、こうすることにより高温でフィラメントが変形することを防止することができる。フィラメントに電源が
供給されて加熱されると、熱電子が放出される。熱電子は、中和器７０から飛び出してイオンソース３０から放出される正イオンと結合し、その結果、正イオンは中性又は緩和された正イオンに変化して基板Ｓに移動する。
【００５２】
制御部６０は、電荷量測定器４０から受ける測定電荷量が基板Ｓの最適電荷量に収束するように、イオンソース３０と中和器７０に供給される電源の少なくとも一方を制御することができる。
【００５３】
制御部６０は、電荷量測定器４０から測定電荷量を受けながら、イオンソース３０に印加する電圧を調整するか、中和器７０に印加する電圧を調整することができる。制御部６０は、イオンソース３０の印加電圧と中和器７０の印加電圧とのいずれも調整することができるが、中和器７０の印加電圧のみを調整することが容易であり得る。
【００５４】
制御部６０は、受けた測定電荷量と保存された最適電荷量とを比較し、一致した時点でイオンソース３０の印加電圧と中和器７０の印加電圧とを確認することができる。制御部６０は、確認したイオンソース３０の印加電圧と中和器７０の印加電圧とを工程条件として設定することができる。
【００５５】
第２実施形態の他の構成は第１実施形態の対応構成と同様であるので、他の構成についての説明は第１実施形態の関連説明で代替する。
【００５６】
図３は、本発明による電荷量を調整できるプラズマ工程装置の第３実施形態を示す構成図である。
【００５７】
図３に示すように、第３実施形態のプラズマ工程装置は、第２実施形態に加え、スパッタカソード８０をさらに含む構成としてもよい。
【００５８】
スパッタ８０は、工程チャンバ１０内に備えられて蒸着物質を基板Ｓに供給することができる。スパッタリング工程では、工程チャンバ１０内にアルゴン（Ａｒ）ガスを注入し、スパッタ８０のカソード（Cathode）側に材料物質である平板状又は円筒状ターゲット
を配置し、アノード（Anode）側である基板キャリア２０を接地するようにしてもよい。
カソードにマイナス高電圧を印加すると、アルゴンがイオン化されてプラズマ状態になり、イオン化されたアルゴン粒子（Ａｒ＋）は電圧差により加速されてカソード側のターゲットに衝突する。このとき、ターゲット物質が飛び出して基板キャリア２０側に移動して基板Ｓに蓄積され、その結果、基板Ｓに薄膜を形成することができる。基板Ｓに移動するターゲット物質は、個別粒子から見ると電荷を帯びないものもあるが、全体としては負電荷を帯びる。ターゲット物質は、拡散又は電位差によりスパッタ８０から基板Ｓに移動することができる。
【００５９】
制御部６０は、電荷量測定器４０から受ける測定電荷量が基板Ｓの最適電荷量に収束するように、イオンソース３０、中和器７０、スパッタ８０のカソードの印加電圧の少なくとも１つを制御することができる。
【００６０】
制御部６０は、電荷量測定器４０から測定電荷量を受けながら、イオンソース３０の電極、中和器７０、スパッタ８０のカソードに印加される電圧を調整することができる。制御部６０は、イオンソース３０、中和器７０、スパッタ８０のカソードに印加される電圧を全て調整することもできるが、中和器７０の印加電圧のみを調整することが容易であり得る。
【００６１】
制御部６０は、受けた測定電荷量と保存された最適電荷量とを比較し、一致した時点で
イオンソース３０、中和器７０、スパッタ８０のカソードに印加される電圧を確認することができる。制御部６０は、確認したイオンソース３０の印加電圧、中和器７０の印加電圧、スパッタ８０のカソードの印加電圧を工程条件として設定することができる。
【００６２】
第３実施形態の他の構成は第１及び第２実施形態の対応構成と同様であるので、他の構成についての説明は第１及び第２実施形態の関連説明で代替する。
【００６３】
なお、プラズマ工程装置は、第１実施形態にスパッタカソードを追加した、すなわちイオンソース及びスパッタカソードを含む構成も可能である。
【００６４】
図４は、本発明によるプラズマ工程装置の第１実施形態における電荷量を制御する方法を示すフローチャートである。
【００６５】
制御部６０は、基板Ｓ毎に固有の最適電荷量、すなわち基板Ｓの表面エネルギーなどの物性に符合する最適電荷量をデータベース化してメモリに保存することができる。制御部６０は、外部から基板Ｓの種類が入力されると、当該基板Ｓに対応する最適電荷量をメモリから抽出することができる（Ｓ１１）。
【００６６】
制御部６０は、電荷量測定器４０にマイナスＤＣ電圧を印加することができる。この場合、電荷量測定器４０は、イオンソース３０から放出されるプラス極性のプラズマイオンを容易に捕集することができる。制御部６０は、電荷量測定器４０が測定した電荷量を受けることができる（Ｓ１２）。
【００６７】
制御部６０は、イオンソース３０の電極に印加するプラスＤＣ電圧を調整しながら電荷量測定器４０の測定電荷量をモニタすることができる。制御部６０は、測定電荷量が最適電荷量に一致した時点でイオンソース３０に印加する電圧の調整を中止することができる（Ｓ１３）。
【００６８】
制御部６０は、電圧の調整を中止した時点のイオンソース３０の印加電圧を工程条件として設定することができる（Ｓ１４）。
【００６９】
その後、制御部６０は、基板Ｓに対する洗浄、エッチング、表面改質などの工程を行わせることができる（Ｓ１５）。
【００７０】
図５は、本発明によるプラズマ工程装置の第２実施形態における電荷量を制御する方法を示すフローチャートである。
【００７１】
図５の電荷量制御方法においては、図４の方法とは異なり、制御部６０は、電荷量測定器４０から受ける測定電荷量が基板Ｓの最適電荷量に収束するように、イオンソース３０の印加電圧を調整するか、中和器７０の印加電圧を調整するか、又は、イオンソース３０の印加電圧と中和器７０の印加電圧とのいずれも調整することができる。ただし、制御の容易のためには、中和器７０の印加電圧のみを調整する。
【００７２】
制御部６０が最適電荷量を保存して検索、抽出することは、図４のステップＳ１１と同一にしてもよい（Ｓ２１）。
【００７３】
制御部６０が電荷量測定器４０から測定電荷量を受けることは、図４のステップＳ１２と同一にしてもよい（Ｓ２２）。
【００７４】
制御部６０は、イオンソース３０の電極に印加するプラスＤＣ電圧と中和器７０に印加
する電圧を調整しながら電荷量測定器４０の測定電荷量をモニタすることができる。制御部６０は、測定電荷量が最適電荷量に一致した時点でイオンソース３０及び／又は中和器７０の印加電圧の調整を中止することができる（Ｓ２３）。
【００７５】
制御部６０は、電圧の調整を中止した時点のイオンソース３０の印加電圧と中和器７０の印加電圧とを工程条件として設定することができる（Ｓ２４）。
【００７６】
その後、制御部６０は、基板Ｓに対する洗浄、エッチング、表面改質などの工程を行わせることができる（Ｓ２５）。
【００７７】
図６は、本発明によるプラズマ工程装置の第３実施形態における電荷量を制御する方法を示すフローチャートである。
【００７８】
図６の電荷量制御方法においては、図４、図５の方法とは異なり、制御部６０は、電荷量測定器４０から受ける測定電荷量が基板Ｓの最適電荷量に収束するように、イオンソース３０、中和器７０、スパッタ８０のカソードの印加電圧の少なくとも１つを調整することができる。
【００７９】
制御部６０が最適電荷量を保存して検索、抽出することは、図４、図５のステップＳ１１、Ｓ２１と同一にしてもよい（Ｓ３１）。
【００８０】
制御部６０が電荷量測定器４０から測定電荷量を受けることは、図４、図５のステップＳ１２、Ｓ２２と同一にしてもよい（Ｓ３２）。
【００８１】
制御部６０は、イオンソース３０、中和器７０、スパッタ８０のカソードに印加する電圧を調整しながら電荷量測定器４０の測定電荷量をモニタすることができる。制御部６０は、測定電荷量が最適電荷量に一致した時点でイオンソース３０、中和器７０、スパッタ８０のカソードの印加電圧の調整を中止することができる（Ｓ３３）。ただし、中和器７０の印加電圧のみを調整しながら測定電荷量が最適電荷量に一致するかをモニタする場合は、中和器７０の印加電圧の調整のみを中止する。
【００８２】
制御部６０は、電圧の調整を中止した時点のイオンソース３０、中和器７０、スパッタ８０のカソードの印加電圧を工程条件として設定することができる（Ｓ３４）。
【００８３】
その後、制御部６０は、基板Ｓに対する蒸着などの工程を行わせることができる（Ｓ３５）。
【００８４】
以上、本発明を様々な実施形態に基づいて説明したが、これは本発明を例証するためのものである。通常の技術者であれば、上記実施形態に基づいて本発明の技術思想を様々に変形又は修正できるであろう。しかし、本出願の権利範囲は請求の範囲により定められるので、その変形や修正は本発明に含まれるものと解釈できる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明のプラズマ工程装置は、半導体産業はもとより、基板処理のための電荷量の最適条件を確認するテスト、教育などにも活用することができる。
【図１】
2019512610.tif 000003
【図２】
2019512610.tif 000004
【図３】
2019512610.tif 000005
【図４】
2019512610.tif 000006
【図５】
2019512610.tif 000007
【図６】
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【国際調査報告】
2019512610.tif 000009
2019512610.tif 000010
2019512610.tif 000011
2019512610.tif 000012