(57)【要約】  基板を主搬送方向（Ｚ）に搬送可能な主搬送経路（５０）を備えた真空処理システム（１００，２００，３００）を動作させる方法を説明する。本方法は、（１ａ）基板（１０）上に第１の材料を堆積させるために、基板（１０）を主搬送経路（５０）から第１の堆積モジュール（Ｄ１）にルーティングすることと、（１ｂ）基板（１０）上に第２の材料を堆積させるために、基板（１０）を主搬送経路（５０）から第２の堆積モジュール（Ｄ２）にルーティングすることと、（１ｃ）基板（１０）上に１つ以上のさらなる材料を堆積させるために、基板（１０）を主搬送経路（５０）から１つ以上のさらなる堆積モジュールにルーティングすることと、を含む。さらに、複数の基板上に２つ以上の材料を堆積させるように構成された真空処理システムの１つ以上の回転モジュールを動作させる様々な方法が説明される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主搬送経路（５０）を有する真空処理システム（１００、２００、３００）を動作させる方法であって、前記主搬送経路（５０）に沿って基板を主搬送方向（Ｚ）に搬送することができ、
（１ａ）第１の材料を基板（１０）上に堆積させるために、前記基板（１０）を前記主搬送経路（５０）から第１の堆積モジュール（Ｄ１）にルーティングすることと、
（１ｂ）第２の材料を前記基板（１０）上に堆積させるために、前記基板（１０）を前記主搬送経路（５０）から第２の堆積モジュール（Ｄ２）にルーティングすることと、
（１ｃ）１つ以上のさらなる材料を前記基板（１０）上に堆積させるために、前記基板（１０）を前記主搬送経路（５０）から１つ以上のさらなる堆積モジュールにルーティングすることと
を含む方法。
【請求項２】
シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、所定の時間間隔の後に、詳細には前記真空処理システムのタクト間隔に対応する一定の時間間隔の後に、より詳細には約６０秒の一定のタクト間隔で、後続の基板に対して繰り返し開始される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
奇数のタクト間隔で開始されたシーケンスの段階（１ａ）において、基板が、前記第１の材料を前記基板（１０）上に堆積させるために、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）の第１の堆積領域にルーティングされ、
偶数のタクト間隔で開始されたシーケンスの段階（１ａ）において、基板が、前記第１の材料を前記基板（１０）上に堆積させるために、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）の第２の堆積領域にルーティングされる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
（２ａ）段階（１ａ）の１タクト間隔後に、後続の基板を前記主搬送経路（５０）から第２のラインの第１の堆積モジュール（Ｄ１’）に、前記第１の材料を前記後続の基板上に堆積させるために、ルーティングすることと、
（２ｂ）段階（１ｂ）の１タクト間隔後に、前記後続の基板を前記主搬送経路（５０）から第２のラインの第２の堆積モジュール（Ｄ２’）に、前記第２の材料を前記後続の基板上に堆積させるために、ルーティングすることと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
シーケンス（１ａ）−（１ｂ）およびシーケンス（２ａ）−（２ｂ）が、所定の時間間隔の後に、詳細には前記真空処理システムのタクト間隔に対応する一定の時間間隔の後に、より詳細には約６０秒の一定のタクト間隔で、後続の基板に対して交互に開始される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板（１０）が、段階（１ａ）において、第１の回転モジュール（Ｒ１）から前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）に移動され、前記基板（１０）が、前記第１の材料を堆積させた後、前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に戻される、および／または
前記基板（１０）が、段階（１ｂ）において、前記第１の回転モジュール（Ｒ１）または第２の回転モジュール（Ｒ２）から前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）に移動され、前記基板が、前記第２の材料を堆積させた後、前記第１の回転モジュール（Ｒ１）または前記第２の回転モジュール（Ｒ２）に戻される、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
段階（１ａ）において、第３の基板（１２）が、前記基板（１０）が前記第１の回転モジュール（Ｒ１）から移動される時間期間中に、第２の堆積モジュール（Ｄ２）から前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に移動される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
段階（１ａ）において、第２の基板（１１）が、前記基板（１０）が前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の第１のトラック（Ｘ１）から前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の外に移動される時間期間中に、前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の第２のトラック（Ｘ２）上に配置される、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
（１ａ−１）前記基板（１０）を前記主搬送経路（５０）に沿って第１の回転モジュール（Ｒ１）の第１のトラック（Ｘ１）上に移動させることと、
（１ａ−２）前記第１の回転モジュール（Ｒ１）を第１の角度だけ回転させることと、
（１ａ−３）第２の基板（１１）を前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）から前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の第２のトラック（Ｘ２）上に移動させることと、
（１ａ−４）前記第１の回転モジュール（Ｒ１）を第２の角度だけ、詳細には１８０°回転させることと、
段階（１ａ）において、前記基板（１０）を前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の前記第１のトラック（Ｘ１）から前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）に移動させることと
を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
段階（１ａ）において、第３の基板（１２）が、前記基板（１０）を前記第１のトラック（Ｘ１）から前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）に移動させるのと同時にまたは移動させた後に、第２の堆積モジュール（Ｄ２）から前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の前記第１のトラック（Ｘ１）上に移動される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
（１ａ−５）前記第１の回転モジュール（Ｒ１）を第３の角度だけ、詳細には１８０°回転させることと、
（１ａ−６）前記第２の基板（１１）を前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の前記第２のトラック（Ｘ２）から前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）に移動させることと、
（１ａ−７）前記第１の回転モジュール（Ｒ１）を第４の角度だけ回転させることと、
（１ａ−８）前記第３の基板（１２）を前記第１の回転モジュールから前記主搬送経路（５０）に沿って移動させることと
をさらに含む、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の角度および／または前記第４の角度が、約＋９０°、約−９０°、約＋６０°、約−６０°、約＋１２０°または約−１２０°の角度のうちの１つである、請求項９から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記主搬送経路（５０）が、互いに平行に配置された第１の基板キャリアトラック（３１）と第２の基板キャリアトラック（３２）とを含み、詳細には、基板が、キャリアによって保持されながら、前記第１の基板キャリアトラック（３１）に沿って前記主搬送方向（Ｚ）に移動される、および／または空のキャリアが、前記第２の基板キャリアトラック（３２）に沿って反対方向に戻される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記真空処理システム（１００）が、
前記主搬送経路（５０）に沿って設けられた１つ以上の搬送モジュール（Ｔ１、Ｔ２）および第１の回転モジュール（Ｒ１）を含み、
前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）が、前記主搬送経路（５０）の第１の側（Ｓ１）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置され、前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）が、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）とは反対側の前記主搬送経路の第２の側（Ｓ２）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置されている、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記真空処理システム（２００）が、
前記主搬送経路（５０）に沿って設けられた１つ以上の搬送モジュール（Ｔ１、Ｔ２）および第１の回転モジュール（Ｒ１）を含み、
前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）が、前記主搬送経路（５０）の第１の側（Ｓ１）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置され、前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）が、前記第１の側（Ｓ１）とは反対側の前記主搬送経路の第２の側（Ｓ２）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置されており、
前記真空処理システム（２００）が、
前記主搬送経路（５０）の前記第２の側（Ｓ２）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置された、前記第１の材料を堆積させるための第２のラインの第１の堆積モジュール（Ｄ１’）と、
前記主搬送経路（５０）の前記第１の側（Ｓ１）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置された、前記第２の材料を堆積させるための第２のラインの第２の堆積モジュール（Ｄ２’）と
をさらに含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記真空処理システム（３００）が、
前記主搬送経路（５０）に沿って配置された１つ以上の搬送モジュール（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３）、第１の回転モジュール（Ｒ１）および第２の回転モジュール（Ｒ２）を含み、
前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）が、前記主搬送経路（５０）の第１の側（Ｓ１）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置され、前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）が、前記主搬送経路（５０）の前記第１の側（Ｓ１）に前記第２の回転モジュール（Ｒ２）に隣接して配置されており、
前記真空処理システム（２００）が、
前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）とは反対側の前記主搬送経路（５０）の第２の側（Ｓ２）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置された、前記第１の材料を堆積させるための第２のラインの第１の堆積モジュール（Ｄ１’）と、
前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）とは反対側の前記主搬送経路（５０）の前記第２の側（Ｓ２）に前記第２の回転モジュール（Ｒ２）に隣接して配置された、前記第２の材料を堆積させるための第２のラインの第２の堆積モジュール（Ｄ２’）と
をさらに含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記真空処理システム（３００）が、前記主搬送経路（５０）に関して本質的に対称的な配置を有するミラーラインとして構成される、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
詳細には１つ以上の基板キャリアトラックと平行に、前記主搬送経路（５０）に沿って延びる１つ以上のマスクキャリアトラックが、設けられ、
使用されるべきマスク装置が、前記主搬送経路（５０）に沿って前記１つ以上のマスクキャリアトラックのうちの１つの上で搬送され、
段階（１ａ）において、前記使用されるべきマスク装置が、前記基板（１０）上のマスクされた堆積のために、前記主搬送経路（５０）から前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）に、詳細には、前記基板（１０）の前に、前記基板（１０）と一緒に、または前記基板（１０）の後に、ルーティングされる、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
あるマスク交換頻度で、使用されたマスク装置が、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）からルーティングされ、使用されるべきマスク装置が、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）にルーティングされ、詳細には、前記マスク交換頻度が、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）における基板交換頻度よりも少なく、より詳細には、マスク交換が、基板交換と同期されている、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法であって、
ある時間期間中に、基板またはマスク装置を運ぶ第１のキャリアを、第１のトラック上で第１の方向に前記回転モジュールへ移動させることと、
前記時間期間中に、第２のキャリアを、第２のトラック上で前記第１の方向とは反対の第２の方向に前記回転モジュールへまたは前記回転モジュールから移動させることと
を含む方法。
【請求項２１】
回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法であって、
ある時間期間中に、第１の基板を運ぶ第１のキャリアを、第１のトラック上で第１の方向に前記回転モジュールから移動させることと、
前記時間期間中に、第２の基板を運ぶ第２のキャリアを、前記第１のトラック上で前記第１の方向に前記回転モジュールへ移動させることと
を含む方法。
【請求項２２】
回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法であって、
第２の基板を運ぶ第２のキャリアが、前記回転モジュール内の第２のトラック上に配置されている間に、および／または第２のマスク装置を運ぶ第３のキャリアが、前記回転モジュール内の第３のトラック上に配置されている間に、第１の基板または第１のマスク装置を運ぶ第１のキャリアを、第１のトラック上で前記回転モジュールに移動させること
を含む方法。
【請求項２３】
回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法であって、
基板を運ぶ第１のキャリアを、第１のトラック上で前記回転モジュールに移動させ、マスク装置を運ぶ第２のキャリアを、前記第１のトラックに隣接する第２のトラック上で前記回転モジュールに移動させることと、
前記回転モジュール内で前記第１のキャリアおよび前記第２のキャリアを同時に回転させることと
を含む方法。
【請求項２４】
回転モジュールおよび堆積領域を有する真空処理システムを動作させる方法であって、
第１の時間期間中に、コーティングされた基板および使用されたマスク装置を前記堆積領域から前記回転モジュールに移動させ、続いて、
第２の時間期間中に、前記コーティングされた基板および前記使用されたマスク装置を前記回転モジュール内で回転させること、および／または
第３の時間期間中に、コーティングされるべき基板および使用されるべきマスク装置を主搬送経路から回転モジュールに移動させ、続いて、
第４の時間期間中に、前記コーティングされるべき基板および前記使用されるべきマスク装置を前記回転モジュール内で回転させること
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、特に、２つ、３つまたはそれ以上の異なる材料を複数の基板上に堆積させるための真空処理システムを動作させる方法に関する。実施形態は、特に、基板キャリアによって保持される基板が、真空処理システム内で基板搬送経路に沿って、例えば様々な堆積モジュールの中に、そして様々な堆積モジュールから外に搬送される真空処理システムを動作させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料を利用する光電子デバイスが、いくつかの理由でますます普及しつつある。このようなデバイスを製造するために使用される材料の多くは、比較的安価であるため、有機光電子デバイスは、無機デバイスよりもコスト優位性に関する潜在力がある。可撓性などの有機材料の固有の特性は、可撓性または非可撓性基板上への堆積などの用途に有利であり得る。有機光電子デバイスの例には、有機発光デバイス、有機フォトトランジスタ、有機太陽電池、および有機光検出器が含まれる。
【０００３】
ＯＬＥＤデバイスの有機材料は、従来の材料よりも性能上の優位性を有し得る。例えば、有機発光層が発光する波長は、適切なドーパントで容易に調整することができる。ＯＬＥＤデバイスは、デバイスに電圧が印加されたときに発光する有機薄膜を利用する。ＯＬＥＤデバイスは、フラットパネルディスプレイ、照明、およびバックライトなどの用途に使用するためのますます関心を引く技術になりつつある。
【０００４】
材料、詳細には有機材料は、典型的には、減圧下の真空処理システム内で基板上に堆積される。堆積中、基板の前にマスク装置を配置することができ、マスク装置は、例えば蒸発によって基板上に堆積されるべき材料パターンに対応する開口パターンを画定する少なくとも１つの開口または複数の開口を有することができる。基板は、典型的には、堆積中、マスク装置の後ろに配置され、マスク装置に対して位置合わせされる。例えば、マスクキャリアを使用して、マスク装置を真空処理システムの堆積チャンバ内に搬送し、基板キャリアを使用して、基板をマスク装置の後ろに配置するために基板を堆積チャンバ内に搬送することができる。
【０００５】
典型的には、その後、２個、３個、５個、１０個またはそれ以上の材料が、例えばカラーディスプレイを製造するために、基板上に堆積されてもよい。複数の基板上に異なる材料を堆積させるための複数の堆積モジュールを含む真空処理システムを取り扱うことは、困難であり得る。特に、異なる材料を堆積させるための大型真空処理システムにおける基板トラヒック及びマスクトラヒックの取り扱いは、困難であり得る。
【０００６】
したがって、複数の基板上に材料を堆積させるための真空処理システムを信頼性をもって動作させる方法を提供することが、有益であろう。特に、基板上のマスクされた堆積のために構成された真空処理システムにおいて基板およびマスクの搬送および交換を単純化および加速することは、有益であろう。
【発明の概要】
【０００７】
上記に照らして、複数の基板上に異なる材料を堆積させるための真空処理システムおよび真空処理システムを動作させる様々な方法が、提供される。
【０００８】
本開示の１つの態様によれば、基板を搬送することができる主搬送経路を有する真空処理システムを動作させる方法が、提供される。本方法は、基板を主搬送経路から、基板上に第１の材料を堆積させるための第１の堆積モジュールにルーティングすることと、基板を主搬送経路から、基板上に第２の材料を堆積させるための第２の堆積モジュールにルーティングすることと、基板を主搬送経路から、基板上に１つ以上のさらなる材料を堆積させるための１つ以上のさらなる堆積モジュールにルーティングすることと、を含む。
【０００９】
本開示の１つの態様によれば、回転モジュールを含む真空処理システムを動作させる方法が、提供される。本方法は、ある時間期間中に、基板またはマスク装置を運ぶ第１のキャリアを第１のトラック上で第１の方向に移動させて、回転モジュールに入れることと、該時間期間中に、第２のキャリアを第２のトラック上で、第１の方向とは反対の第２の方向に移動させて、回転モジュールに入れるまたは回転モジュールから出すことと、を含む。
【００１０】
本開示の１つの態様によれば、回転モジュールを含む真空処理システムを動作させる方法が、提供される。本方法は、ある時間期間中に、第１の基板を運ぶ第１のキャリアを第１のトラック上で第１の方向に移動させて、回転モジュールから出すことと、該時間期間中に、第２の基板を運ぶ第２のキャリアを第１のトラック上で第１の方向に移動させて、回転モジュールに入れることと、を含む。
【００１１】
本開示の１つの態様によれば、回転モジュールシステムを含む真空処理を動作させる方法が、提供される。本方法は、第２の基板を運ぶ第２のキャリアが、回転モジュール内の第２のトラック上に配置されている間に、および／または第２のマスク装置を運ぶ第３のキャリアが、回転モジュール内の第３のトラック上に配置されている間に、第１の基板または第１のマスク装置を運ぶ第１のキャリアを第１のトラック上で回転モジュール内に移動させることを含む。
【００１２】
本開示の１つの態様によれば、回転モジュールを含む真空処理システムを動作させる方法が、提供される。本方法は、基板を運ぶ第１のキャリアを第１のトラック上で回転モジュール内に移動させ、マスク装置を運ぶ第２のキャリアを、第１のトラックに隣接する第２のトラック上で回転モジュール内に移動させることと、回転モジュール内で第１のキャリアと第２のキャリアとを同時に回転させることと、を含む。
【００１３】
本開示の１つの態様によれば、回転モジュールおよび堆積領域を含む真空処理システムを動作させる方法が、提供される。本方法は、第１の時間期間中に、コーティングした基板および使用したマスク装置を堆積領域から回転モジュール内に移動させ、続いて、コーティングした基板および使用したマスク装置を第２の時間期間中に回転モジュール内で回転させることと、および／または第３の時間期間中に、コーティングされるべき基板および使用されるべきマスク装置を主搬送経路から回転モジュール内に移動させ、続いて、コーティングされるべき基板および使用されるべきマスク装置を第４の時間期間中に回転モジュール内で回転させることと、を含む。
【００１４】
本開示の１つの態様によれば、真空処理システムが提供される。真空処理システムは、主搬送経路に沿って配置された１つ以上の搬送モジュールおよび第１の回転モジュールと、主搬送経路に沿ってキャリアを搬送するように構成されたキャリア搬送システムと、主搬送経路の第１の側に第１の回転モジュールに隣接して配置された第１の材料を堆積させるための第１の堆積モジュールと、第１の堆積モジュールの反対側の主搬送経路の第２の側に第１の回転モジュールに隣接して配置された第２の材料を堆積させるための第２の堆積モジュールと、を含む。
【００１５】
本開示の１つの態様によれば、真空処理システムが提供される。真空処理システムは、主搬送経路に沿って配置された１つ以上の搬送モジュールおよび第１の回転モジュールと、主搬送経路に沿ってキャリアを搬送するように構成されたキャリア搬送システムと、主搬送経路の第１の側に第１の回転モジュールに隣接して配置された第１の材料を堆積させるための第１の堆積モジュールと、第１の側の反対側の主搬送経路の第２の側に第１の回転モジュールに隣接して配置された第１の材料を堆積させるための第２のラインの第１の堆積モジュールと、主搬送経路の第２の側に第１の回転モジュールに隣接して配置された第２の材料を堆積させるための第２の堆積モジュールと、主搬送経路の第１の側に第１の回転モジュールに隣接して配置された第２の材料を堆積させるための第２のラインの第２の堆積モジュールと、を含む。
【００１６】
本開示の１つの態様によれば、真空処理システムが提供される。真空処理システムは、主搬送経路に沿って設けられた１つ以上の搬送モジュール、第１の回転モジュールおよび第２の回転モジュールと、主搬送経路に沿ってキャリアを搬送するように構成されたキャリア搬送システムと、主搬送経路の第１の側に第１の回転モジュールに隣接して配置された第１の材料を堆積させるための第１の堆積モジュールと、主搬送経路の第１の側に第２の回転モジュールに隣接して配置された第２の材料を堆積させるための第２の堆積モジュールと、第１の堆積モジュールの反対側の主搬送経路の第２の側に第１の回転モジュールに隣接して配置された第１の材料を堆積させるための第２のラインの第１の堆積モジュールと、第２の堆積モジュールの反対側の主搬送経路の第２の側に第２の回転モジュールに隣接して配置された第２の材料を堆積させるための第２のラインの第２の堆積モジュールと、を含む。
【００１７】
任意選択で、さらなる回転モジュールが、主搬送経路に沿って配置されてもよく、さらなる堆積モジュールが、それぞれの回転モジュールに隣接する主搬送経路の第１の側及び／又は第２の側で、さらなる回転モジュールの隣に配置されてもよい。さらなる堆積モジュールは、基板上にさらなる材料、例えば第３の材料、第４の材料および／またはさらなる材料を堆積させるように構成されてもよい。例えば１０以上の異なる材料を含む材料のスタックを、本明細書に記載のいくつかの実施形態による真空処理システム内の基板上に堆積させることができる。
【００１８】
本開示の更なる態様、利点及び特徴が、明細書および添付の図面から明らかである。
【００１９】
本開示の上記列挙した特徴が詳細に理解できるように、上記で簡潔に要約した本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照してなされ得る。添付の図面は、本開示の実施形態に関するものであり、以下に説明される。典型的な実施形態が図面に描かれ、以下の説明で詳述される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本明細書に記載の方法のいくつかに従って動作するように構成された真空処理システムのレイアウトの概略図である。
【図２】本明細書に記載された実施形態に従って図１の真空処理システムを動作させる方法の段階（１ａ）および（１ｂ）を概略的に示す。
【図３（１ａ−１）−（１ａ−３）】本明細書に記載された実施形態に従って図１の真空処理システムを動作させる方法の続いて起こる段階を概略的に示す。
【図３（１ａ−４）−（１ａ−５）】本明細書に記載された実施形態に従って図１の真空処理システムを動作させる方法の続いて起こる段階を概略的に示す。
【図３（１ａ−６）−（１ａ−８）】本明細書に記載された実施形態に従って図１の真空処理システムを動作させる方法の続いて起こる段階を概略的に示す。
【図４】本明細書に記載の方法のいくつかに従って動作するように構成された真空処理システムのレイアウトの概略図である。
【図５】本明細書に記載の方法のいくつかに従って動作するように構成された真空処理システムのレイアウトの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
ここで、１つ以上の例が図に示されている様々な実施形態を詳細に参照する。各例は、説明のために提供され、限定を意味するものではない。例えば、１つの実施形態の一部として図示または説明される特徴は、他の実施形態で、または他の実施形態と共に使用されて、さらなる実施形態を生成することができる。本開示は、そのような変更および変形を含むことが、意図されている。
【００２２】
以下の図面の説明において、同じ参照番号は、同じまたは類似の構成要素を指す。一般に、個々の実施形態に関する相違点のみが、記載されている。特に明記しない限り、１つの実施形態におけるある部分または態様の記載は、別の実施形態における対応する部分または態様にも同様に適用される。
【００２３】
図１は、本明細書に記載の方法のいくつかに従って動作するように構成された真空処理システム１００のレイアウトの概略図である。
【００２４】
真空処理システム１００は、主搬送経路５０に沿って配置された、１つ以上の搬送モジュール、例えば、第１の搬送モジュールＴ１および第２の搬送モジュールＴ２と、第１の回転モジュールＲ１とを含むことができる。さらなる搬送モジュールおよび／またはさらなる回転モジュールが、典型的には、主搬送経路に沿って、例えば交互の配置で設けられる。詳細には、１つ以上の搬送モジュール、第１の回転モジュールＲ１および任意選択のさらなる回転モジュールが、真空処理システム１００の主搬送方向Ｚであってもよい方向に沿って本質的に直線的な構成で配置され得る。
【００２５】
いくつかの実施形態では、３個、４個、５個、またはそれ以上の回転モジュールが、主搬送経路５０に沿って配置される。２つ以上の堆積モジュールが、例えば主搬送経路の第１の側と第２の側に、回転モジュールに隣接して配置されてもよい。回転モジュールが、主搬送経路からの基板を、回転モジュールに隣接して主搬送経路の第１の側と第２の側に配置され得る２つ以上の堆積モジュールにルーティングするように構成されてもよい。
【００２６】
例えば、第１の搬送モジュールＴ１が、主搬送方向Ｚに沿って第１の回転モジュールＲ１の上流に配置され、第２の搬送モジュールＴ２が、主搬送方向Ｚに沿って第１の回転モジュールＲ１の下流に配置されてもよい。コーティングされるべき基板が、主搬送経路５０に沿って主搬送方向Ｚに、すなわち、第１の搬送モジュールＴ１から第１の回転モジュールＲ１を経由して第２の搬送モジュールＴ２の方向に、搬送されてもよい。
【００２７】
コーティングされるべき基板を真空処理システム内にロードするための第１のロードロックチャンバが、第１の搬送モジュールＴ１の上流に、例えば主搬送経路の第１の端部に配置されてもよく、および／またはコーティングされた基板を真空処理システムからアンロードするための第２のロードロックチャンバが、第２の搬送モジュールＴ２の下流に、例えば主搬送経路の第２の端部に配置されてもよい。
【００２８】
いくつかの実施形態では、空のキャリアを主搬送方向Ｚとは反対の方向に戻すための戻りトラック（例えば、図１の第２の基板キャリアトラック３２）が、設けられてもよい。
【００２９】
搬送モジュールは、少なくとも２つの他の真空モジュールまたは真空チャンバの間に、例えば、２つの回転モジュールの間に挿入することができる真空モジュールまたは真空チャンバと理解することができる。キャリア、例えばマスクキャリアおよび／または基板キャリアは、搬送モジュールを通って、搬送モジュールの長さ方向に搬送することができる。搬送モジュールの長さ方向は、真空処理システムの主搬送方向Ｚに対応することができる。いくつかの実施形態では、搬送モジュールを通ってキャリアを案内するための２つ以上のトラックが、搬送モジュールに設けられてもよい。例えば、基板キャリアを搬送するための２つの基板キャリアトラックと、マスクキャリアを搬送するための２つのマスクキャリアトラックが、搬送モジュールを通って延びることができる。いくつかの実施形態では、１つ以上のキャリアが、主搬送経路に沿った隣接する回転モジュールを通る該１つ以上のキャリアの搬送が再開するまで、搬送モジュール内で一時的に停止または「パーク」してもよい。
【００３０】
回転モジュール（本明細書では、「ルーティングモジュール」または「ルーティングチャンバ」とも呼ばれる）は、１つ以上のキャリアの配向を変更するように構成された真空チャンバとして理解することができる。具体的には、１つ以上のキャリアの搬送方向は、回転モジュール内のトラック上に位置する１つ以上のキャリアを回転させることによって変更することができる。例えば、回転モジュールは、キャリアを支持するように構成されたトラックを回転軸の周りに回転させるように構成された回転装置を含むことができる。いくつかの実施形態では、回転モジュールは、回転軸の周りに回転させることができる少なくとも２つのトラック（図１の第１のトラックＸ１および第２のトラックＸ２）を含む。第１のトラックＸ１、詳細には第１の基板キャリアトラックが、回転軸の第１の側に配置され、第２のトラックＸ２、詳細には第２の基板キャリアトラックが、回転軸の第２の側に配置されてもよい。
【００３１】
回転モジュールの１８０°の角度の回転は、トラックスイッチに対応することができ、すなわち、回転モジュールの第１のトラックＸ１の位置および第２のトラックＸ２の位置が、交換またはスワップされる。例えば、図１の第１の回転モジュールＲ１を１８０°の角度だけ回転させることにより、キャリアを、第１の基板キャリアトラック３１から第２の基板キャリアトラック３２へ、またはその逆に、回転させることができる。
【００３２】
いくつかの実施形態では、回転モジュールは、４つのトラック、詳細には、回転軸の周りを回転させることができる２つのマスクキャリアトラックおよび２つの基板キャリアトラックを含む。基板キャリアトラックのみが、図に示されている。例えば、第１のマスクキャリアトラックおよび第１の基板キャリアトラックが、回転モジュールの回転軸の第１の側に互いに隣接して配置され、第２のマスクキャリアトラックおよび第２の基板キャリアトラックが、回転モジュールの回転軸の第２の側に互いに隣接して配置されてもよい。
【００３３】
回転モジュールが、ｘ°、例えば９０°の角度だけ回転すると、トラック上に配置された１つ以上のキャリアの搬送方向が、ｘ°、例えば９０°の角度だけ変化することができる。回転モジュールの１８０°の角度の回転は、トラックスイッチに対応することができ、すなわち、回転モジュールの第１の基板キャリアトラックの位置および回転モジュールの第２の基板キャリアトラックの位置が、交換またはスワップされ得る、および／または回転モジュールの第１のマスクキャリアトラックの位置および回転モジュールの第２のマスクキャリアトラックの位置が、交換またはスワップされ得る。
【００３４】
本明細書に記載された実施形態による真空処理システムは、キャリアを主搬送経路５０に沿って、例えば主搬送方向Ｚおよび、本明細書では「戻り方向」と呼ぶことができる反対方向に搬送するように構成されたキャリア搬送システムをさらに含むことができる。キャリア搬送システムは、キャリアを持ち上げて保持するための保持システム、例えば磁気浮上システムと、キャリアをキャリア搬送経路に沿ってトラックに沿って移動させるための駆動システムとを、含むことができる。
【００３５】
本明細書で使用される「キャリア」という用語は、キャリア搬送経路に沿った、例えば基板キャリアトラックに沿った搬送中に基板を保持するように構成された「基板キャリア」を、特に指すことがある。いくつかの実施形態では、基板は、非水平な配向で、詳細には本質的に垂直な配向でキャリアに保持されてもよい。本明細書で使用される「キャリア」という用語は、搬送経路に沿った、例えばマスクキャリアトラックに沿った搬送中にマスク装置を保持するように構成された「マスクキャリア」を指すことがある。いくつかの実施形態では、マスク装置は、非水平な配向で、詳細には本質的に垂直な配向でキャリアに保持されてもよい。
【００３６】
キャリアは、基板またはマスク装置を、詳細には非水平な配向で、より詳細には本質的に垂直な配向で、保持するように構成された保持面を有するキャリア本体を含むことができる。いくつかの実施形態では、キャリア本体は、キャリア搬送経路に沿って案内されるように構成された被案内部を含むことができる。例えば、キャリアは、保持装置によって、例えば磁気浮上システムによって保持され、駆動装置によって、例えばマスクキャリアトラックに沿って、または基板キャリアトラックに沿って移動してもよい。
【００３７】
例えば、基板は、チャッキング装置によって、例えば静電チャックおよび／または磁気チャックによって、基板キャリアに保持されてもよい。例えば、マスク装置は、チャッキング装置、例えば静電チャックおよび／または磁気チャックによって、マスクキャリアに保持されてもよい。他のタイプのチャッキング装置を使用してもよい。
【００３８】
本明細書において、基板またはマスク装置を「搬送する」、「移動させる」、「ルーティングする」、または「回転させる」とは、基板またはマスク装置を、詳細には非水平な配向で、より詳細には本質的に垂直な配向で、キャリアの保持部に保持するキャリアのそれぞれの動きを指すことがある。
【００３９】
本明細書において「本質的に垂直な配向」とは、垂直な配向からの、すなわち重力ベクトルからのずれが１０°以下、特に５°以下である配向として理解され得る。例えば、基板（またはマスク装置）の主表面と重力ベクトルとの間の角度は、＋１０°と−１０°の間、特に０°と−５°の間であり得る。いくつかの実施形態では、基板（またはマスク装置）の配向は、搬送中および／または堆積中、正確に垂直でなくてもよく、垂直軸に対して、例えば０°と−５°の間、特に−１°と−５°の間の傾斜角だけ、わずかに傾斜していてもよい。負の角度は、基板（またはマスク装置）が下向きに傾斜している基板（またはマスク装置）の配向を指す。堆積中における重力ベクトルからの基板配向のずれは、有利であり得、より安定した堆積プロセスをもたらし得る、または、下向きの配向は、堆積中において基板上の粒子を減少させるのに適し得る。しかしながら、搬送中および／または堆積中における正確に垂直な配向（＋／−１°）もまた、可能である。
【００４０】
いくつかの実施形態では、搬送中および／または堆積中において重力ベクトルと基板（またはマスク装置）との間のより大きな角度が、可能である。０°と＋／−８０°との間の角度は、本明細書において「マスク装置の非水平な配向」と理解され得る。マスク装置を非水平な配向で搬送することは、場所を節約し、より小さな真空チャンバを可能にし得る。搬送中における基板（またはマスク装置）の水平な配向もまた、可能であり得る。
【００４１】
キャリアの保持面は、搬送中に少なくとも一時的に本質的に垂直に配向され得る。基板（またはマスク装置）は、基板（マスク装置）の重量によって曲がり、または把持力が不十分である場合に保持面から滑り落ちる可能性があるため、大面積の基板（またはマスク装置）を本質的に垂直な配向に保持することは、困難である。
【００４２】
図１に例示的に示されるように、真空処理システム１００は、主搬送経路５０の第１の側Ｓ１に第１の回転モジュールＲ１に隣接して配置されている、第１の材料を堆積させるための第１の堆積モジュールＤ１と、第１の側Ｓ１とは反対側の主搬送経路５０の第２の側Ｓ２に第１の回転モジュールＲ１に隣接して配置されている、第２の材料を堆積させるための第２の堆積モジュールＤ２とを、含む。さらなる堆積モジュールが、さらなる回転モジュールに隣接して配置される。
【００４３】
図１は、本明細書に記載の実施形態による真空処理システムのごく一部を示しているに過ぎない。さらなる回転モジュール、例えば第２の回転モジュールＲ２、ならびにさらなる堆積モジュール、例えば、第３の材料を堆積させるための第３の堆積モジュールＤ３、および第４の材料を堆積させるための第４の堆積モジュールＤ４が、設けられてもよい。いくつかの実施形態では、真空処理システム１００は、例えば５つ以上の続いて堆積される層、例えば１０層以上または１５層以上を含むことができる層スタックを基板上に堆積するように構成することができる。
【００４４】
本明細書における「堆積モジュール」は、材料が、例えば蒸発によって１つ以上の基板上に堆積され得る、真空処理システムのセクションまたはチャンバとして理解され得る。堆積源３５、例えば、蒸発した材料を１つ以上の基板の方に向けるように構成された蒸気源が、典型的には、堆積モジュール内に配置される。例えば、堆積源は、堆積モジュール内に設けられ得るソース搬送トラックに沿って移動可能であってもよい。堆積源３５は、蒸発した材料を１つ以上の基板の方に向けながら、ソース搬送トラックに沿って直線的に移動することができる。堆積中、マスク装置を基板の前に配置することができる。したがって、堆積モジュールは、基板上に材料のマスクされた堆積を行うように構成することができる。
【００４５】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、堆積モジュールは、２つの堆積領域、すなわち第１の基板を配置するための第１の堆積領域３６と、第２の基板を配置するための第２の堆積領域３７とを含んでもよい。第１の堆積領域３６は、堆積モジュール内で第２の堆積領域３７に対向して配置することができる。堆積源３５は、続いて、蒸発した材料を、第１の堆積領域３６に配置された第１の基板の方に、および第２の堆積領域３７に配置された第２の基板の方に向けるように、構成することができる。例えば、堆積源の蒸発方向は、例えば、堆積源３５の少なくとも一部を、例えば１８０°の角度だけ回転させることによって、逆にすることができる。
【００４６】
堆積モジュールの第１の堆積領域３６に配置された第１の基板上への堆積中、第２の堆積領域３７は、コーティングされるべき第２の基板を第２の堆積領域の中に移動させること、コーティングされた第２の基板を第２の堆積領域から外に移動させること、第２の堆積領域の第２の基板を、例えば第２の堆積領域に設けられたマスク装置に対して位置合わせすること、のうちの少なくとも１つ以上のために用いられてもよい。同様に、堆積モジュールの第２の堆積領域３７に配置された第２の基板上への堆積中、第１の堆積領域３６は、コーティングされるべき第１の基板を第１の堆積領域の中に移動させること、コーティングされた第１の基板を第１の堆積領域から外に移動させること、第１の堆積領域の第１の基板を、例えば第１の堆積領域に設けられたマスク装置に対して位置合わせすること、のうちの少なくとも１つ以上のために用いられてもよい。したがって、堆積モジュールに２つの堆積領域を設けることにより、所定の時間間隔におけるコーティングされた基板の数を増やすことができる。さらに、例えば、堆積源が、コーティングされるべき基板のマスクに対する位置合わせ中にアイドル位置になく、他の基板上への堆積のために使用されてもよいので、堆積源のアイドル時間を短縮することができる。
【００４７】
本明細書で説明する実施形態によれば、真空処理システム１００を動作させる方法が説明される。真空処理システム１００は、図１に概略的に示されるような真空処理システム１００であってもよい。真空処理システム１００は、第１の回転モジュールＲ１、第１の堆積モジュールＤ１および第２の堆積モジュールＤ２を有する主搬送経路５０を含む。さらなる回転モジュールおよび堆積モジュールを設けることができる。
【００４８】
図２は、図１の真空処理システムを動作させる方法の段階（１ａ）および（１ｂ）を概略的に示す。段階（１ａ）において、基板１０は、基板上に第１の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第１の堆積モジュールＤ１にルーティングされる。後で、段階（１ｂ）において、基板１０は、基板１０上に第２の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第２の堆積モジュールＤ２にルーティングされる。後で、段階（１ｃ）において、更なる材料が、さらなる堆積モジュール内で、例えば、第３の堆積モジュールＤ３および／または第４の堆積モジュールＤ４（図２には示されていない）内で基板上に配置されてもよい。例えば、基板は、その後、主搬送経路から第３の堆積モジュールおよび第４の堆積モジュールにルーティングされてもよい。適切な数の材料を有するスタックを基板上に堆積させることができる。
【００４９】
段階（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）は、典型的には、例えばそれらの間に複数の中間段階を有して、続けて行われる。言い換えれば、第１の材料が、第１の堆積モジュールＤ１内で基板１０上に堆積された後に、第２の材料が、第２の堆積モジュールＤ２内で基板１０上に堆積され得る。第１の材料および第２の材料は、異なる有機材料であってもよい。
【００５０】
各材料の堆積後、基板１０は、主搬送経路に戻り、回転モジュールから後続の堆積モジュールにルーティングされ得る。
【００５１】
第１の材料および第２の材料は、異なる材料である。いくつかの実施形態では、基板上に同じ材料を堆積させるために、２つ以上の堆積モジュールを設けることができる。例えば、同じ材料が、２つの後続の堆積モジュール内で基板上に堆積される場合、材料層の厚さを増加させることができ、例えば、２倍にすることができる。
【００５２】
第１の材料が、画素のアレイの第１の色材、例えば青色材であってもよく、および／または第２の材料が、画素のアレイの第２の色材、例えば、赤色材であってもよい。画素のアレイの第３の色材、例えば緑色材が、前または後に堆積されてもよい。詳細には、同じ真空処理システム内で第１および第２の材料の前または後で、さらなる材料を基板上に堆積させることができる。少なくともいくつかの材料、例えば、第１の材料および第２の材料が、有機材料であってもよい。少なくとも１つの材料が、金属であってもよい。例えば、以下の金属Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの１つ以上が、いくつかの堆積モジュール内で堆積されてもよい。少なくとも１つの材料が、透明な導電性酸化物材料、例えばＩＴＯであってもよい。少なくとも１つの材料が、透明な材料であってもよい。基板をさらなる堆積モジュールにルーティングするためのさらなる回転モジュールが、主搬送経路に沿って第１の回転モジュールＲ１の上流および／または下流に設けられてもよい。
【００５３】
図において、第１の材料は、正方形として図式的に示され、第１の材料でコーティングされた基板は、正方形を伴って描かれている。第２の材料は、三角形として図式的に示され、第１の材料および第２の材料でコーティングされた基板は、正方形および三角形を伴って描かれている。円として図式的に示されているさらなる材料が、前もって基板上に堆積されている。後で基板上に堆積される任意選択のさらなる材料は、星形および多角形として図式的に描かれる。基板上の破線の正方形または破線の三角形は、それぞれの段階でそれぞれの基板上に堆積されつつあるそれぞれの材料を表す。
【００５４】
本明細書に記載のいくつかの実施形態による真空処理システムは、シングルラインシステムであってもよい。例えば、図１の真空処理システム１００は、シングルラインシステムである。そこでは、コーティングされるべき基板および後続の各基板は、同じシーケンスで同じ堆積モジュールに移動される。前記シーケンスは、後続の基板に対して、それぞれ所定の時間間隔後に、詳細にはシステムのタクト間隔に対応する本質的に一定の時間間隔後に、開始することができる。例えば、コーティングされるべき基板および後続の各基板は、主搬送経路の両側に配置された堆積モジュールのそれぞれに所定のシーケンスで移動されてもよい。コーティングされるべき後続の各基板は、同じ所定のシーケンスで堆積モジュールを通って移動することができる。コンパクトな真空処理システムを提供することができる。
【００５５】
詳細には、シングルラインシステムにおいて、シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、所定の時間間隔の後に、詳細には真空処理システムのタクト間隔に対応する一定の時間間隔の後に、より詳細には、約６０秒の一定のタクト間隔で、後続の基板に対して繰り返し開始してもよい。
【００５６】
他の実施形態では、マルチラインシステム、例えば、図４および図５に例示的に示されているような２ラインシステムが、設けられてもよい。そこでは、第１の基板が、第１のシーケンスで堆積モジュールの第１のサブセットに移動し、コーティングされるべき後続の基板が、第２のシーケンスで堆積モジュールの第２のサブセットに移動する。２ラインシステムでは、コーティングされるべき第２の後続の基板が、再び第１のシーケンスで堆積モジュールの第１のサブセットに移動し、コーティングされるべき第３の後続の基板が、再び第２のシーケンスで堆積モジュールの第２のサブセットに移動する。換言すると、２つのコーティングライン（第１のコーティングラインと第２のコーティングライン）が、後続の基板を交互にコーティングするために、同じ真空処理システム内に設けられる。第１のシーケンス（すなわち、第１のコーティングラインに沿った基板の移動）は、システム全体のタクト間隔の２倍に相当する所定の時間間隔後に、コーティングされるべきそれぞれの基板に対して開始され、第２のシーケンス（すなわち、第２のコーティングラインに沿った基板の移動）は、システム全体のタクト間隔の２倍に相当する所定の時間間隔後に、それぞれの基板に対して開始されてもよい。言い換えれば、２つのコーティングラインが合わせて、システム全体の全タクトタイムを提供することができるが、２つのコーティングラインの各々が、システム全体の１タクト間隔おきに新しいコーティングシーケンスを開始することができる。
【００５７】
マルチラインシステムでは、基板１０は、コーティングされるために堆積モジュールの一部のみに、詳細には堆積モジュールの半分のみに移動し、後続の基板は、コーティングされるために堆積モジュールの別の部分のみに、詳細には堆積モジュールの残りの半分に移動する。
【００５８】
主搬送経路５０に沿って基板１０を移動させることは、図１で矢印によって図式的に示されているような、例えば第１の搬送モジュールＴ１から第１の回転モジュールＲ１への、主搬送経路５０に沿った基板１０を保持する基板キャリアの移動を含むことができる。基板１０は、１つ以上の材料（図１で円によって示されている）で既にコーティングされていてもよい。基板１０の移動中、基板は、具体的には非水平な配向で、より具体的には本質的に垂直な配向で、基板キャリアによって運ばれてもよい。
【００５９】
図１のそれぞれの矢印によって図式的に示されるように、主搬送経路５０に沿って配置された複数の基板が、主搬送経路５０に沿って同期して移動してもよい。例えば、第１の基板キャリアトラック３１上に配置された基板キャリアは、同期して、主搬送方向Ｚに、それぞれの隣接するモジュール内へ移動し、および／または第２の基板キャリアトラック３２（本明細書では「戻りトラック」とも呼ばれる）上に配置された基板キャリアは、同期して、反対方向（本明細書では「戻り方向」とも呼ばれる）に、それぞれの隣接するモジュール内へ移動することができる。本明細書において「同期して」とは、例えば、１０秒以下、特に約５秒の「同じ時間枠内」として理解され得る。
【００６０】
詳細には、いくつかの実施形態において、回転モジュールが主搬送経路の配向に配置されている時間間隔は、空のキャリア２１を戻りトラックに沿って戻り方向に同期して戻すために、使用されてもよい。回転モジュールが、回転された状態にある時間間隔において、空のキャリアは、主搬送経路５０に沿った次の同期した移動が可能になるまで、それぞれの搬送モジュールで待機することができる。戻りトラックに沿った２つの隣接する空のキャリアは、１タクト間隔だけ時間的に遅延することができる。換言すれば、後続の空のキャリアは、１タクト間隔の後で、例えば６０秒後に、前の空のキャリアの位置にあることができる（図３の段階（１ａ−１）〜（１ａ−８）も参照）。
【００６１】
同様に、第１の基板キャリアトラック３１上に配置された２つの基板キャリアは、１タクト間隔の倍数だけ時間的に遅延することができる。例えば、図１の第１の基板キャリアトラック３１上に配置された基板１０及び第４の基板１４は、５タクト間隔だけ時間的に遅延してもよい。言い換えれば、基板１０は、５タクト間隔後に、例えば約３００秒後に、第４の基板１４の位置にある。このとき、基板１０は、システムのその位置にある第４の基板１４と同様に、第１の材料と第２の材料の両方でコーティングされている。
【００６２】
主搬送経路５０に沿ったキャリアの同期した移動は、真空処理システム内のキャリアトラヒックを単純化し、タクト間隔を減少させることができ、コーティングされた基板をより短いタクトタイムで提供することができる。
【００６３】
主搬送経路５０は、いくつかの実施形態では非直線的な構成を有してもよく、図１に示される直線的な構成は、単なる例である。主搬送経路５０は、それに沿って基板が搬送される経路であって、典型的にはそれぞれの回転モジュールによって提供される１つ以上の分岐点を含む経路として理解することができ、分岐点で、基板は主搬送経路からルーティングされて、１つ以上の堆積モジュール内で材料でコーティングすることができる。さらに、この１つ以上の分岐点において、主搬送経路に沿った基板の搬送を継続するために、基板を、主搬送経路に戻るようにルーティングすることができる。
【００６４】
図２の段階（１ａ）に概略的に示されるように、主搬送経路５０からの基板１０のルーティングは、基板１０を主搬送経路５０から第１の堆積モジュールＤ１および／または第２の堆積モジュールＤ２に、基板１０の搬送方向を変更するために使用されてもよい第１の回転モジュールＲ１から移動させることを含むことができる。詳細には、基板１０は、主搬送方向Ｚに第１の回転モジュールＲ１に入ることができ、第１の堆積モジュールＤ１に向かって、または第２の堆積モジュールＤ２に向かって、主搬送方向Ｚと直角であってもよい第２の方向に第１の回転モジュールＲ１を出ることができる。例えば、第１の回転モジュールＲ１は、基板１０を約９０°の角度だけ回転させるために使用されてもよい。
【００６５】
いくつかの実施形態では、図２の段階（１ａ）に概略的に示されるように、基板１０は、第１の回転モジュールＲ１から第１の堆積モジュールＤ１内に移動される。第１の堆積モジュールＤ１内で基板１０上に第１の材料を堆積させた後（正方形で示す）、基板１０を第１の回転モジュールＲ１内に戻すことができる。
【００６６】
段階（１ｂ）において、基板１０は、図２の段階（１ｂ）で概略的に示されるように、第２の堆積モジュールＤ２内で第２の材料でコーティングされるために、第１の回転モジュールＲ１から第２の堆積モジュールＤ２に移動することができる。基板１０上に第２の材料を堆積させた後、基板１０を第１の回転モジュールＲ１内に戻すことができる。その後、第１の回転モジュールＲ１は、基板１０を回転させて主搬送方向Ｚに戻し、主搬送経路５０に沿った基板の搬送を継続することができる。
【００６７】
いくつかの実施形態において、第１の回転モジュールＲ１が、主搬送経路５０に配置される。さらなる回転モジュール、例えば第２の回転モジュールＲ２が、例えば、主搬送経路５０から基板を、さらなる材料でコーティングされるように、さらなる堆積モジュール内にルーティングするために、第１の回転モジュールＲ１の下流の主搬送経路に配置されてもよい。
【００６８】
基板上に異なる材料を堆積させるために、基板１０を主搬送経路５０から第１の堆積モジュールＤ１にルーティングし、その後に第２の堆積モジュールＤ２にルーティングすることにより、真空処理システム内の基板トラヒックが簡単になる。これにより、堆積プロセスのタクト間隔を短縮することができ、所定時間内により多くの基板を複数の材料でコーティングすることができる。換言すれば、コーティングされた基板が、より短いタクトタイムで提供され得る。
【００６９】
第１の回転モジュールＲ１および／または全てのさらなる回転モジュールは、第１の回転モジュールＲ１の回転軸の第１の側に配置された第１のトラックＸ１と、第１の回転モジュールＲ１の回転軸の第２の側に配置された第２のトラックＸ２とを含むことができる。段階（１ａ）において、基板１０は、図２の段階（１ａ）に概略的に示されるように、第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１上に配置されてもよい。
【００７０】
第１の回転モジュールＲ１内の第１のトラックＸ１上への基板１０の移動中、第１の回転モジュールＲ１の第２のトラックＸ２は、空であってもよい。あるいは、第１の回転モジュールＲ１の第２のトラックＸ２が、占有されていてもよい。例えば、図１に概略的に示されているように、空のキャリア２１は、同じ時間期間に第２のトラックＸ２から移動させることができる。空のキャリア２１は、例えば、コーティングされるべき新しい基板をロードするために、第２の基板キャリアトラック３２に沿って主搬送方向Ｚと反対の方向に向けられてもよい。
【００７１】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、段階（１ａ）において、基板１０が、第１の回転モジュールＲ１から第１の堆積モジュールＤ１に回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１から移動する時間期間中、第２の基板１１が、第１の回転モジュールＲ１の第２のトラックＸ２上に配置されていてもよい。第２の基板１１は、図２の段階（１ａ）に概略的に示されている。
【００７２】
第２の基板１１は、基板１０の前に第１の堆積モジュールＤ１内で第１の材料でコーティングされた基板であってもよい。第２の基板１１上に第１の材料を堆積した後、第２の基板１１は、第１の堆積モジュールＤ１から第１の回転モジュールＲ１の第２のトラックＸ２上に、詳細には第１のトラックＸ１が基板１０で既に占有されている間に、移動してもよい。続いて、図２の段階（１ａ）に概略的に示すように、第１の回転モジュールＲ１を回転させて、基板１０を第１のトラックＸ１から第１の堆積モジュールＤ１に移動させることができる。これにより、第１の堆積モジュールＤ１における第２の基板１１と基板１０との交換が加速され、堆積プロセスのタクト間隔を短縮することができる。
【００７３】
詳細には、第２の基板１１と基板１０との両方が、第１の堆積モジュールＤ１の同じ堆積領域、例えば、図２の左の堆積領域でコーティングされてもよい。前記堆積領域における基板交換は、図２の段階（１ａ）に概略的に示すように、基板の交換のために基板１０と第２の基板１１を第１の回転モジュールＲ１に同時に配置することによって加速することができる。
【００７４】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、段階（１ａ）において、基板１０が、第１の回転モジュールＲ１から第１の堆積モジュールＤ１に移動される時間期間中に、第３の基板１２が、第２の堆積モジュールＤ２から第１の回転モジュールＲ１に移動することができる。第３の基板１２は、図２の段階（１ａ）に概略的に示されている。
【００７５】
具体的には、第１の回転モジュールＲ１から基板１０を第１のトラックＸ１から第１の堆積モジュールＤ１に移動させるのに同期して、またはその直後に、第３の基板１２を第１の回転モジュールＲ１内の第１のトラックＸ１上へ移動させることができる。例えば、第３の基板１２および基板１０の移動は、図２の段階（１ａ）のそれぞれの矢印によって概略的に示されるように、１０秒以下、特に約５秒の時間枠内で起こり得る。
【００７６】
したがって、第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１は、第１の堆積モジュールＤ１内において第１の材料で、かつ第２の堆積モジュールＤ２内において第２の材料で既にコーティングされた（正方形と三角形で示される）基板であってもよい第３の基板１２の回転のために、直後に使用されてもよい。第３の基板１２は、主搬送経路５０に戻るようにルーティングされてもよい。
【００７７】
第１の堆積モジュールＤ１は、第２の堆積モジュールＤ２に対して第１の回転モジュールＲ１の反対側に配置されてもよい。第１の回転モジュールＲ１は、第１の堆積モジュールＤ１と第２の堆積モジュールＤ２との間の基板搬送に使用されてもよい。第１の回転モジュールＲ２の利用率を向上させることができ、堆積プロセスのタクトタイムを短縮することができる。
【００７８】
図１に示される回転モジュールの第１の回転位置では、第１のトラックＸ１および第２のトラックＸ２は、主搬送経路５０の上流側を主搬送経路５０の下流側と連結するように配置されていてもよい。したがって、基板は、回転モジュールを通って主搬送経路５０に沿ってルーティングされ得る。例えば、空のキャリア２１が、回転モジュールを通って戻り方向に、例えば第２の基板キャリアトラック３２に沿って移動することができる。
【００７９】
代替的に又は追加的に、回転モジュールの第２の回転位置（例えば、図２の段階（１ａ）に概略的に示されるように、第１の回転位置から反時計回りに９０°回転後）において、第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１は、第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域を第２の堆積モジュールＤ２の第１の堆積領域と連結することができ、および／または第１の回転モジュールの第２のトラックＸ２は、第１の堆積モジュールＤ１の第２の堆積領域を第２の堆積モジュールの第２の堆積領域と連結することができる。
【００８０】
代替的に又は追加的に、第３の回転位置（例えば、第１の回転位置から１８０°回転後）において、第１のトラックＸ１と第２のトラックＸ２が、主搬送経路５０の上流側を主搬送経路５０の下流側と連結するように配置されてもよい。しかし、第１のトラックＸ１の位置と第２のトラックＸ２の位置が、スワップされてもよい。
【００８１】
代替的に又は追加的に、回転モジュールの第４の回転位置（例えば、第１の回転位置から時計回りに９０°回転後）において、第１の回転モジュールの第１のトラックＸ１は、第１の堆積モジュールＤ１の第２の堆積領域を第２の堆積モジュールＤ２の第２の堆積領域と連結することができ、および／または第１の回転モジュールの第２のトラックＸ２は、第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域を第２の堆積モジュールの第１の堆積領域と連結することができる。換言すれば、第１のトラックＸ１の位置と第２のトラックＸ２の位置が、第２の回転位置に対してスワップされてもよい。
【００８２】
図３は、真空処理システムを動作させる方法の続いて起こる段階のより詳細なシーケンスを示す。３秒以上８秒以下の時間間隔が、図３の２つの続いて起こる段階の間に経過することができる。図示されたシーケンスは、（ｉ）基板１０を主搬送経路５０から第１の堆積モジュールＤ１に移送して、第１の材料でコーティングするため、（ｉｉ）第１の材料でコーティングされた第２の基板１１を、第１の堆積モジュールＤ１から第２の堆積モジュールＤ２に移送するため、および（ｉｉｉ）第１の材料と第２の材料の両方でコーティングされた第３の基板１２を、第２の堆積モジュールＤ２から主搬送経路５０に戻すため、利用することができる。
【００８３】
第２の基板１１は、基板１０より２または４タクト間隔前に第１の材料でコーティングされた基板であってもよい。第３の基板１２は、第２の基板１１より２または４タクト間隔前に第１の材料でコーティングされた基板であってもよい。換言すれば、基板１０、第２の基板１１及び第３の基板は、１タクト間隔の倍数、特に２タクト間隔又は４タクト間隔だけ時間的に遅延させることができる。
【００８４】
いくつかの実施形態によれば、段階（１ａ−１）において、基板１０は、主搬送経路５０に沿って第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１上に移動される。このとき、第２の基板１１が、第１の堆積モジュールＤ１内で第１の材料でコーティングされ、第３の基板１２が、第２の堆積モジュールＤ２内で第２の材料でコーティングされてもよい。
【００８５】
その後、段階（１ａ−２）において、第１の回転モジュールＲ１を、第１の角度だけ、例えば時計回りに９０°の角度だけ回転させることができる。例えば、第１の回転モジュールＲ１は、第１の回転位置から第４の回転位置に回転され得る。このとき、第１の堆積モジュールＤ１内での第２の基板１１上の第１の材料の堆積は、ほとんど完了していてもよく、または既に完了していてもよい。第２の堆積モジュールＤ２内での第３の基板１２上の第２の材料の堆積は、まだ完了していなくてもよい。例えば、第１の堆積モジュールＤ１内での第２の基板１１上の第１の材料の堆積と、第３の基板１２上の第２の材料の堆積とは、正確に並行に進行しなくてもよく、例えば１０秒以上の、その間の短い時間シフトで進行してもよい。前記短い時間シフトは、回転モジュールの２回転のために使用される時間に対応することができる。
【００８６】
いくつかの実施形態では、それぞれ、主搬送経路の第１の側Ｓ１に配置された堆積モジュールにおける堆積プロセスが、同期され、主搬送経路の第２の側Ｓ２に配置された堆積モジュールにおける堆積プロセスが、同期されていてもよい。第１の側Ｓ１に配置された堆積モジュールにおける堆積プロセスと、第２の側Ｓ２に配置された堆積モジュールにおける堆積プロセスとの間には、短い時間シフトが存在し得る。
【００８７】
いくつかの実施形態では、主搬送経路の第１および第２の側の第１および第２の堆積モジュールの配置に応じて、第１の角度は、＋９０°（−２７０°）または−９０°（＋２７０°）であってもよい。第１の角度は、主搬送経路に対するそれぞれの堆積モジュールの配向に応じて、任意の角度であってもよいことに留意されたい。例えば、図４に示す実施形態では、第１の角度は、主搬送経路５０に対する堆積モジュールの配向に応じて、−６０°、＋６０°、＋１２０°または−１２０°とすることができる。
【００８８】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、真空処理システムの主搬送経路５０に沿って配置されたすべての回転モジュールを、同期して回転させることができる。詳細には、１タクト間隔の所与の倍数だけ時間シフトされた基板が、真空処理システムの様々なモジュールにおいてそれらのそれぞれの位置または配向を同期して変化させることができる（段階（１ａ−２）におけるシステムの各回転モジュールの回転矢印によって示されている）。例えば、図３の段階（１ａ−２）の回転モジュール内で同期して回転している基板は、それぞれ５タクト間隔だけ時間シフトされてもよい。
【００８９】
その後、段階（１ａ−３）において、第２の基板１１を、第１の堆積モジュールＤ１から、詳細には第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域から、第１の回転モジュールＲ１の、占有されていない第２のトラックＸ２上に移動させることができる。
【００９０】
その後、段階（１ａ−４）において、第１の回転モジュールＲ１を、第２の角度だけ、具体的には１８０°だけ回転させることができる。例えば、第１の回転モジュールＲ１は、第４の回転位置から第２の回転位置に回転され得る。このとき、第２の堆積モジュールＤ２内での第３の基板１２上の第２の材料の堆積は、ほとんど完了していてもよく、または既に完了していてもよい。
【００９１】
いくつかの実施形態では、真空処理システムの主搬送経路に沿って配置された全ての回転モジュールが、段階（１ａ−４）において同期して回転されてもよい。詳細には、１タクト間隔の所与の倍数だけ時間シフトされた基板が、真空処理システムの様々なモジュールにおいてそれらのそれぞれの位置または配向を同期して変化させることができる（段階（１ａ−４）におけるシステムの各回転モジュールの回転矢印によって示されている）。
【００９２】
すると、段階（１ａ）において、基板１０は、第１のトラックＸ１から第１の堆積モジュールＤ１内に、詳細には第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域内に移動することができる。
【００９３】
いくつかの実施形態では、基板１０が、段階（１ａ）で第１の堆積モジュールＤ１に移動される間、第２のトラックＸ２は、第２の堆積モジュールＤ２にルーティングされるべき第２の基板１１によって占有されてもよい。したがって、第１の回転モジュールＲ１の利用率を向上させることができ、堆積プロセスのサイクル間隔を短縮することができる。
【００９４】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、段階（１ａ）において、基板１０を第１のトラックＸ１から第１の堆積モジュールＤ１に移動させるのと同時に、またはその直後に、第３の基板１２を、第２の堆積モジュールＤ２から、詳細には第２の堆積モジュールＤ２の第１の堆積領域から第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１上に移動させることができる。したがって、第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１は、第３の基板１２を主搬送経路５０に戻すために、すぐに使用することができる。
【００９５】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、本方法は、段階（１ａ−５）において、第１の回転モジュールＲ１を第３の角度、具体的には１８０°だけ回転させることを含むことができる。例えば、第３の基板１２によって占有される第１のトラックＸ１の位置と、第２の基板１１によって占有される第２のトラックＸ２の位置が、スワップされてもよい。具体的には、第１の回転モジュールＲ１は、第２の回転位置から第４の回転位置に回転され得る。
【００９６】
いくつかの実施形態では、真空処理システムの主搬送経路に沿って配置された全ての回転モジュールが、段階（１ａ−５）において同期して回転されてもよい。詳細には、１タクト間隔の所与の倍数だけ時間シフトされた基板が、真空処理システムの様々な類似のモジュールにおいてそれらのそれぞれの位置または配向を同期して変化させることができる（段階（１ａ−５）におけるシステムの各回転モジュールの回転矢印によって示されている）。
【００９７】
続いて、段階（１ａ−６）において、第２の基板１１を、第１の回転モジュールＲ１の第２のトラックＸ２から第２の堆積モジュールＤ２に移動させて、第２の材料でコーティングすることができる。このとき、第１のトラックＸ１は、第３の基板１２によって占有されていてもよい。
【００９８】
その後、段階（１ａ−７）において、第１の回転モジュールＲ１を、第４の角度だけ、例えば−９０°または＋９０°だけ回転させることができる。具体的には、第１の回転モジュールＲ１は、第４の回転位置から第１の回転位置に回転され得る。
【００９９】
いくつかの実施形態では、真空処理システムの主搬送経路に沿って配置された全ての回転モジュールが、段階（１ａ−７）において同期して回転されてもよい。詳細には、１タクト間隔の所与の倍数だけ時間シフトされた基板が、真空処理システムの様々な類似のモジュールにおいてそれらのそれぞれの位置または配向を同期して変化させることができる（段階（１ａ−７）におけるシステムの各回転モジュールの回転矢印によって示されている）。
【０１００】
すると、段階（１ａ−８）において、第３の基板１２は、詳細には第１のトラックＸ１から、第１の回転モジュールＲ１から出て主搬送経路５０に沿って移動することができる。
【０１０１】
いくつかの実施形態では、真空処理システムの対応するモジュール内の基板移動が、同期されてもよい。例えば、回転モジュールの基板移動を同期させることができ、第１の側Ｓ１に配置された堆積モジュールの基板移動を同期させることができ、および／または第２の側Ｓ２に配置された堆積モジュールの基板移動を同期させることができる。１タクト間隔の所与の倍数だけ時間シフトされ、対応するモジュールに配置されている基板が、同期して、すなわち、例えば１０秒以内または約５秒以内の同じ時間間隔で移動、例えば並進または回転することができる。真空処理システムにおける基板トラヒックを単純化することができ、タクト間隔を短縮することができる。
【０１０２】
本方法は、第１の堆積モジュールＤ１内での基板１０上の第１の材料の堆積の後に、詳細には段階（１ａ−３）の２タクト間隔後に、第１の堆積モジュールＤ１から基板１０を第１の回転モジュールＲ１に戻すことを、さらに含んでもよい。
【０１０３】
その後、第１の回転モジュールＲ１は、特に段階（１ａ−４）および（１ａ−５）のそれぞれ２タクト間隔後に、１回以上、特に１８０°の角度で２回、回転させることができる。
【０１０４】
その後、段階（１ｂ）において、基板１０は、基板上に第２の材料を堆積させるために、第２の堆積モジュールＤ２、詳細には第２の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域に、移動することができる。段階（１ｂ）は、段階（１ａ−６）の２タクトタイム後に実行することができる。
【０１０５】
図１〜図３に例示的に示すようなシングルラインシステムにおいて、基板１０を第１の堆積モジュールＤ１から第２の堆積モジュールＤ２に移動させる移動シーケンスが、第１の堆積モジュールＤ１から第２の堆積モジュールＤ２への第２の基板１１の移動の２タクト間隔後に実行されてもよい。詳細には、上記移動シーケンス（１ａ−１）−（１ａ−２）−（１ａ−３）−（１ａ−４）−（１ａ）−（１ａ−５）−（１ａ−６）−（１ａ−７）−（１ａ−８）の２タクト間隔後に、対応する移動シーケンスを実行することができ、上記移動シーケンスの基板が、対応する移動シーケンスの第２の基板であり、上記移動シーケンスの第２の基板が、対応する移動シーケンスの第３の基板である。したがって、各基板が、２タクト間隔ごとに、それぞれの次の堆積モジュールに移動することができる。
【０１０６】
いくつかの実施形態では、１つのモジュールから隣接するモジュールへの基板の移送時間は、３秒〜１０秒、特に約５秒であってもよい。いくつかの実施形態では、２つの回転位置の間で回転モジュールを回転させる時間は、３秒〜１０秒、特に約５秒であってもよい。
【０１０７】
いくつかの実施形態では、シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、所定の時間間隔の後に、詳細には真空処理システムのタクト間隔に対応する一定の時間間隔の後に、より詳細には約６０秒の一定のタクト間隔で、後続の基板に対して繰り返し開始される。
【０１０８】
いくつかの実施形態では、偶数のタクト間隔で開始されたシーケンスの段階（１ａ）において、基板は、基板上に第１の材料を堆積させるために、第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域にルーティングされ、奇数のタクト間隔で開始されたシーケンスの段階（１ａ）において、それぞれの基板は、基板上に第１の材料を堆積させるために、第１の堆積モジュールＤ１の第２の堆積領域にルーティングされてもよい。
【０１０９】
同様に、偶数のタクト間隔で開始されたシーケンスの段階（１ｂ）において、それぞれの基板は、基板上に第２の材料を堆積させるために、第２の堆積モジュールＤ２の第１の堆積領域にルーティングされ、奇数のタクト間隔で開始されたシーケンスの段階（１ｂ）において、それぞれの基板は、基板上に第２の材料を堆積させるために、第２の堆積モジュールＤ２の第２の堆積領域にルーティングされてもよい。
【０１１０】
同様に、偶数のタクト間隔で開始されたシーケンスの段階（１ｃ）では、それぞれの基板は、それぞれの第１の堆積領域にルーティングされ、奇数のタクト間隔で開始されたシーケンスの段階（１ｃ）では、それぞれの基板は、それぞれの第２の堆積領域にルーティングされてもよい。
【０１１１】
例えば、第１のシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、タクト間隔０で段階（１ａ）から開始することができ、基板が、第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域にルーティングされる。
【０１１２】
第２のシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、１タクト間隔後に（奇数のタクト間隔で）段階（１ａ）から開始することができ、後続の基板が、第１の堆積モジュールＤ１の第２の堆積領域にルーティングされる。そのとき、第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域は、第１のシーケンスの基板で依然として占有されていてもよく、第１のシーケンスの基板は、第１の堆積領域で位置合わせまたはコーティングされていてもよい。
【０１１３】
第３のシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、１タクト間隔後に（偶数のタクト間隔で）段階（１ａ）から開始することができ、第２の後続の基板が、第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域にルーティングされる。このとき、第１のシーケンスの基板は、既に第１の堆積領域を離れ、第２の堆積モジュールＤ２の第２の堆積領域の方に進んでいてもよい。
【０１１４】
第４のシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、１タクト間隔後に（奇数のタクト間隔で）段階（１ａ）から開始することができ、第３の後続の基板が、第１の堆積モジュールＤ１の第２の堆積領域にルーティングされる。このとき、第２のシーケンスの第２の基板は、第１の堆積モジュールＤ１の第２の堆積領域を既に離れ、第２の堆積モジュールＤ２の第２の堆積領域の方に進んでいてもよい。
【０１１５】
後続のシーケンス（本明細書ではサイクルとも呼ばれる）が、真空処理システムのタクト間隔に対応する所定の時間間隔後に繰り返し開始されてもよい。
【０１１６】
詳細には、シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）は、後続の基板に対して、それぞれの時間間隔の後に、詳細にはシステムのタクト間隔に対応し得る一定の時間間隔で、繰り返し開始されてもよい。タクト間隔は、４５秒以上および／または１２０秒以下、特に約６０秒とすることができる。
【０１１７】
後続のサイクルにおける堆積は、堆積モジュールの第１の堆積領域および堆積モジュールの第２の堆積領域で交互に行われてもよい。１サイクルおきに、システムの堆積モジュールの対応する堆積領域への移動シーケンスが行なわれてもよい。
【０１１８】
シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、タクト間隔に対応する一定の時間間隔の後に後続の基板に対して繰り返し開始される場合、堆積された層スタックを有する基板が、例えば４５秒以上および／または１２０秒以下、特に約６０秒ごとの毎タクトタイム後に提供され得る。
【０１１９】
図１の真空処理システム１００は、以下のパラメータのうちの１つ以上にしたがって動作することができる。回転モジュールを２つの回転位置の間で回転させる時間が、３秒以上１０秒以下、特に約５秒である。キャリアを真空モジュールから隣接する真空モジュールに移動させる時間が、３秒以上１０秒以下、特に約５秒である。システムのすべての回転モジュールが、同期されている。主搬送経路に沿った前方および後方への基板の搬送が、同時に可能である。連続する基板交換と基板交換の間の時間間隔が、６０秒である。従って、システムがシングルラインシステムとして構成されているので、システムのタクト間隔全体が、６０秒である。
【０１２０】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、主搬送経路５０は、互いに平行に配置された第１の基板キャリアトラック３１および第２の基板キャリアトラック３２を含むことができる。第１の基板キャリアトラック３１および第２の基板キャリアトラック３２は、主搬送経路５０に沿って基板キャリアを搬送するように構成することができる。基板は、基板キャリアによって保持されながら、第１の基板キャリアトラック３１に沿って主搬送方向Ｚに移動することができる。
【０１２１】
いくつかの実施形態では、空のキャリアが、第２の基板キャリアトラック３２に沿って、反対方向、すなわち主搬送方向Ｚとは反対の方向（本明細書では「戻り方向」ともいう）に戻されてもよい。空のキャリアは、基板またはマスク装置を保持しないキャリアと理解され得る。従って、基板は、基板キャリアに保持されながら、第１の基板キャリアトラック３１に沿って主搬送方向Ｚに搬送され、主搬送経路５０の端部で基板キャリアから取り外され、システムからアンロードされ、空のキャリアが、第２の基板キャリアトラック３２に沿って戻り方向に戻され得る。コーティングすべき新しい基板を、空の基板キャリア上にロードすることができる。
【０１２２】
本明細書に記載の実施形態による方法は、図１に示す真空処理システム１００において実行することができる。真空処理システム１００は、１つ以上の搬送モジュールと、主搬送経路５０に沿って設けられた第１の回転モジュールＲ１と、主搬送経路５０の第１の側Ｓ１に第１の回転モジュールＲ１に隣接して配置された、第１の材料を堆積させるための第１の堆積モジュールＤ１と、第１の堆積モジュールＤ１の反対側の主搬送経路５０の第２の側Ｓ２に第１の回転モジュールＲ１に隣接して配置された、第２の材料を堆積させるための第２の堆積モジュールＤ２とを、含むことができる。
【０１２３】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、主搬送経路５０に沿って、特に１つ以上の基板キャリアトラックと平行に、延びる１つ以上のマスクキャリアトラック（図示せず）が、設けられてもよい。したがって、いくつかの実施形態では、２つのマスクキャリアトラックおよび２つの基板キャリアトラックが、主搬送経路５０に沿って、例えば、主搬送経路に沿った搬送モジュールおよび回転モジュールを通って延びることができる。
【０１２４】
マスク装置を保持するマスクキャリアが、真空処理システムの１つ以上のマスクキャリアトラックに沿って搬送されてもよい。詳細には、マスク装置は、非垂直な配向、特に本質的に垂直な配向でマスクキャリアに保持されてもよい。
【０１２５】
いくつかの実施形態では、マスク装置は、マスクおよびマスクフレームを含むことができる。マスクフレームは、典型的には精巧な構成要素であるマスクを安定させるように構成することができる。例えば、マスクフレームは、フレームの形態でマスクを囲むことができる。マスクは、例えば溶接によってマスクフレームに恒久的に固定されてもよいし、または、マスクフレームに取り外し可能に固定されてもよい。マスクの周縁部が、マスクフレームに固定されていてもよい。
【０１２６】
マスクは、パターンに形成され、マスクされた堆積プロセスによって対応する材料パターンを基板上に堆積するように構成された複数の開口部を、含むことができる。堆積中、マスクは、基板の前に近接して、または基板の前面と直接接触して配置されてもよい。例えば、マスクは、複数の開口部、例えば１００，０００以上の開口部を有するファインメタルマスク（ＦＭＭ）であってもよい。例えば、有機画素のパターンを基板上に堆積させることができる。例えばエッジ除外マスクなどの他のタイプのマスクも可能である。
【０１２７】
いくつかの実施形態では、マスク装置は、少なくとも部分的に、金属、例えば、インバーなどの小さな熱膨張係数を有する金属から作られる。マスクは、堆積中にマスクが基板に向かって磁気的に引き付けられるように、磁性材料を含んでもよい。代替的または追加的に、マスク装置が磁気力を介してマスクキャリアに引き付けられるように、マスクフレームが、磁性材料を含んでもよい。
【０１２８】
マスク装置は、０．５ｍ２以上、詳細には１ｍ２以上の面積を有することができる。例えば、マスク装置の高さは、０．５ｍ以上、詳細には１ｍ以上であってもよく、及び／又はマスク装置の幅は、０．５ｍ以上、詳細には１ｍ以上であってもよい。マスク装置の厚さは、１ｃｍ以下であってもよく、マスクフレームは、マスクより厚くてもよい。
【０１２９】
マスク装置は、真空処理システム１００内での搬送中にマスクキャリアによって保持されてもよい。例えば、マスク装置を保持するマスクキャリアは、真空処理システム１００内で主搬送経路５０に沿って搬送されてもよい。いくつかの実施形態では、マスクキャリアは、真空処理システムを通るマスクキャリアトラックに沿って案内されてもよい。例えば、マスクキャリアは、マスクキャリアトラックに沿って案内されるように構成された被案内部を含むことができる。
【０１３０】
いくつかの実施形態では、マスクキャリアは、磁気浮上システムを含む搬送システムによって搬送される。例えば、磁気浮上システムを設けて、マスクキャリアの重量の少なくとも一部が磁気浮上システムによって運ばれるようにしてもよい。その場合、マスクキャリアは、真空処理システムを通るマスクキャリアトラックに沿って本質的に非接触で案内され得る。キャリアをマスクキャリアトラックに沿って移動させるための駆動装置が、設けられてもよい。
【０１３１】
使用されたマスク装置を所定の時間間隔で、それぞれの堆積モジュール内で、洗浄されたまたは新しいマスク装置と交換することが、有益であり得る。例えば、マスク装置の交換が妥当なものとなる前に、所定の数の基板、例えば１０枚以上１００枚以下の基板上に材料を堆積させるために、マスク装置が使用されてもよい。
【０１３２】
使用されたマスク装置を交換するために、使用されたマスク装置が、堆積モジュールから主搬送経路にルーティングされ、使用されるべきマスク装置が、主搬送経路から堆積モジュールにルーティングされてもよい。
【０１３３】
例えば、使用されるべきマスク装置が、詳細には、基板キャリアトラックのうちの１つの上で平行して搬送されることができる基板に隣接しておよび／または同期して、マスクキャリアトラックのうちの１つの上で主搬送経路５０に沿って搬送されてもよい。使用されるべきマスク装置および基板は、一緒に回転されてもよく、および／または第１の回転モジュール内に一緒に移動されてもよい。
【０１３４】
段階（１ａ）において、使用されるべきマスク装置は、基板１０上のマスクされた堆積のために、詳細には基板１０と共に、主搬送経路５０から第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域にルーティングされてもよい。
【０１３５】
すなわち、使用されるべきマスク装置を、コーティングされるべき基板と共に堆積領域内に移動させることができる。詳細には、第１の回転モジュールＲ１は、使用されるべきマスク装置を、コーティングされるべき基板と同期して堆積モジュールの堆積領域にルーティングするために、使用されてもよい。マスク交換を加速することができ、真空処理システムのタクトタイムを短縮することができる。
【０１３６】
マスク装置は、基板よりも交換の頻度が少なくてもよい。従って、マスク装置は、堆積モジュール内の全ての基板交換でなく、例えば１０サイクルごとに、２０サイクルごとに、又はより少ない頻度で、基板と共に堆積モジュールにルーティングされてもよい。
【０１３７】
いくつかの実施形態では、第１の堆積領域（または任意の他の堆積領域）における基板交換頻度よりも低くてもよい所定のマスク交換頻度で、使用されたマスク装置が、第１の堆積領域（または任意の他の堆積領域）からルーティングされ、使用されるべきマスク装置が、第１の堆積領域（または任意の他の堆積領域）にルーティングされてもよい。例えば、マスク装置は、所与の堆積領域において、１０回目の基板交換ごと、２０回目の基板交換ごと、またはより少ない頻度で交換されてもよい。
【０１３８】
図４は、本明細書に記載されるいくつかの実施形態による真空処理システム２００を概略図で示す。真空処理システム２００を使用して、本明細書に記載された方法のうちのいくつかを実施することができる。特に、真空処理システム２００は、上述した方法のいずれかを実施するために使用することができるので、上記の説明を参照することができ、ここでは繰り返さない。
【０１３９】
真空処理システム２００は、主搬送経路５０に沿って設けられた１つ以上の搬送モジュール、例えば、第１の搬送モジュールＴ１および第２の搬送モジュールＴ２、ならびに第１の回転モジュールＲ１を含むことができる。図４に概略的に示すように、さらなる搬送モジュールおよび／またはさらなる回転モジュールが、主搬送経路に沿って配置されてもよい。
【０１４０】
真空処理システム２００は、主搬送経路５０の第１の側Ｓ１に第１の回転モジュールＲ１に隣接して配置されている、第１の材料を堆積させるための第１の堆積モジュールＤ１と、第１の側Ｓ１とは反対側の主搬送経路５０の第２の側Ｓ２に第１の回転モジュールＲ１に隣接して配置されている、第２の材料を堆積させるための第２の堆積モジュールＤ２とを、さらに含むことができる。
【０１４１】
第１の堆積モジュールＤ１と第２の堆積モジュールＤ２は、第１の回転モジュールＲ１の異なる側に互いに対向して、すなわち、第１の回転モジュールＲ１の回転軸に関して１８０°の角度で、配置されてもよい。従って、第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１及び第２のトラックＸ２は、第１の回転モジュールの少なくとも一つの回転位置で、第１の堆積モジュールＤ１及び第２の堆積モジュールＤ２の堆積領域を連結することができる。
【０１４２】
図４に示すように、いくつかの実施形態では、第１の材料を堆積するための第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’が、主搬送経路５０の第２の側Ｓ２（または、代替的に、第１の側Ｓ１）に第１の回転モジュールＲ１に隣接して配置されてもよい。さらに、第２の材料を堆積するための第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’が、主搬送経路５０の第１の側Ｓ１（または、代替的に、第２の側Ｓ２）に第１の回転モジュールＲ１に隣接して配置されてもよい。
【０１４３】
第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’と第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’は、第１の回転モジュールＲ１の異なる側に互いに対向して、すなわち、第１の回転モジュールＲ１の回転軸に関して１８０°の角度で、配置されてもよい。従って、第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１及び第２のトラックＸ２は、第１の回転モジュールの少なくとも一つの回転位置で、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’及び第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’の堆積領域を連結することができる。
【０１４４】
さらなる堆積モジュールおよび対応する第２のラインの堆積モジュールが、主搬送経路５０に沿って設けられたさらなる回転モジュールに隣接して配置されてもよい。例えば、主搬送経路５０に関して本質的に対称的な配置を有するミラーライン構成が、設けられてもよい。言い換えれば、材料を堆積させるように構成された各堆積モジュールは、主搬送経路の反対側の同じ材料を堆積させるように構成された対応する第２のラインの堆積モジュールと対称的に配置されてもよい。例えば、図４に概略的に示されているように、第３の材料を堆積させるための第３の堆積モジュールＤ３が、主搬送経路５０の反対側の第３の材料を堆積させるための第２のラインの第３の堆積モジュールＤ３’と対称的に配置されてもよい。第３の堆積モジュールＤ３と第２のラインの第３の堆積モジュールＤ３’の両方が、第２の回転モジュールＲ２に隣接して配置されてもよい。
【０１４５】
第１の回転モジュールＲ１は、主搬送経路５０の上流部、主搬送経路５０の下流部、第１の堆積モジュールＤ１（詳細には、第１の堆積モジュールＤ１の第１および第２の堆積領域）、第２の堆積モジュールＤ２（詳細には、第２の堆積モジュールＤ２の第１および第２の堆積領域）、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’（詳細には、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’の第１および第２の堆積領域）、および／または第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’（詳細には、第１の堆積モジュールＤ２’の第１および第２の堆積領域）の間でキャリアをルーティングするように構成されてもよい。
【０１４６】
例えば、第１の回転モジュールＲ１は、第１のトラックＸ１と第２のトラックＸ２との間に配置された回転軸の周りに回転可能な第１のトラックＸ１及び第２のトラックＸ２を含むことができる。第１の回転モジュールＲ１は、少なくとも６つの回転位置間で回転可能であり、２つの回転位置が、主搬送経路５０の上流部を主搬送経路５０の下流部と連結するために設けられ、２つの回転位置が、第１の堆積モジュールＤ１を第２の堆積モジュールＤ２と連結するために設けられ、２つの回転位置が、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’を第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’と連結するために設けられてもよい。
【０１４７】
主搬送経路５０と第１の堆積モジュールＤ１との間の角度は、約６０°であり、主搬送経路５０と第２の堆積モジュールＤ２との間の角度は、−１２０°であり、主搬送経路５０と第２のラインの第１の堆積モジュールＤ２との間の角度は、−６０°であり、主搬送経路５０と第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’との間の角度は、＋１２０°であってもよい。他の角度も可能である。詳細には、第１の堆積モジュールＤ１および第２の堆積モジュールＤ２の堆積領域が、少なくとも１つの回転位置で第１の回転モジュールの第１および第２のトラックを介して連結可能なように、第１の回転モジュールの向かい合う側に位置合わせされ、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’および第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’の堆積領域が、少なくとも１つの回転位置で第１の回転モジュールＲ１の第１および第２のトラックを介して連結可能なように、第１の回転モジュールの向かい合う側に位置合わせされてもよい。
【０１４８】
図４の真空処理システム２００は、上述のように、２ライン構成を有する。ここで、１つおきの基板（例えば、偶数のタクト間隔で開始されたシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）の基板）が、第１の堆積モジュールＤ１、第２の堆積モジュールＤ２および少なくとも１つのさらなる堆積モジュールを含む堆積モジュールの第１のサブセットに続けて移動されるが、堆積モジュールの第２のサブセットには移動されない。その他の基板（例えば、偶数のタクト間隔で開始されたシーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）の基板）は、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’、第２のラインの第２の堆積モジュール、および少なくとも１つのさらなる第２のラインの堆積モジュールを含む堆積モジュールの第２のサブセットに移動されるが、堆積モジュールの第１のサブセットには移動されなくてもよい。
【０１４９】
詳細には、マルチラインシステムで実行される本明細書に記載されているいくつかの実施形態による方法は、（２ａ）段階（１ａ）の１タクト間隔後に、後続の基板を主搬送経路５０から第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’へ、該後続の基板上に第１の材料を堆積させるために、ルーティングすること、および（２ｂ）段階（１ｂ）の１タクト間隔後に、該後続の基板を主搬送経路５０から第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’へ、該後続の基板上に第２の材料を堆積させるために、ルーティングすること、を含むことができる。
【０１５０】
さらに、本方法は、段階（２ｃ）において、該後続の基板を主搬送経路５０から１つ以上のさらなる第２のラインの堆積モジュールへ、さらなる基板上に１つ以上のさらなる材料を堆積させるために、ルーティングすることを含むことができる。それぞれのルーティング段階は、その前のシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）の基板１０の対応するルーティングに対して１タクト間隔だけオフセットされてもよい。
【０１５１】
言い換えれば、２つのコーティングラインが、連続する基板を交互にコーティングするために設けられてもよい。基板が第１のコーティングラインでコーティングされる偶数シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、システムのタクト間隔の２倍に相当する所定の時間間隔の後に、それぞれの連続する基板に対して開始することができる。基板が第２のコーティングラインでコーティングされる奇数のシーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）が、システムのタクト間隔の２倍に相当する所定の時間間隔の後に、それぞれの連続する基板に対して開始することができる。２つのコーティングラインが合わせて、真空処理システムの全タクトタイムを提供することができるが、２つのコーティングラインの各々が、１タクト間隔おきに新しいコーティングシーケンスを開始することができる。２ラインシステムは、シングルラインシステムよりも大きく、コストがかかる可能性がある。しかしながら、コーティングラインの１つの故障または停止時間が、システム全体の停止時間につながることはない。
【０１５２】
上述した方法と同様に、１つおきの偶数シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）において、それぞれの基板が、堆積モジュールの第１のサブセットの第１の堆積領域でコーティングされ、その他の偶数シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）において、それぞれの基板が、堆積モジュールの第１のサブセットの第２の堆積領域でコーティングされてもよい。いくつかの実施形態において、１つおきの奇数シーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）において、それぞれの基板が、堆積モジュールの第２のサブセットの第１の堆積領域でコーティングされ、その他の奇数シーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）において、それぞれの基板が、堆積モジュールの第２のサブセットの第２の堆積領域でコーティングされてもよい。換言すれば、所与の堆積領域における基板交換が、４タクト間隔に対応する時間間隔で実行されてもよい。
【０１５３】
図４の真空処理システム２００は、図１の真空処理システム１００と同様に動作することができるので、上記の説明を参照することができ、ここでは繰り返さない。
【０１５４】
詳細には、上述の段階（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）のシーケンスが、第１の堆積モジュールＤ１および第２の堆積モジュールＤ２を含む第１のラインで、例えばシステム全体のタクトレートの半分に相当するタクトレートで、実行されてもよい。
【０１５５】
同様の段階（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）のシーケンスが、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’および第２の堆積モジュールＤ２’を含む第２のラインで、例えばシステム全体のタクトレートの半分に相当する同じタクトレートで、実行されてもよい。
【０１５６】
シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）およびシーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）が、システム全体のタクトレートで交互に開始してもよい。
【０１５７】
段階（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）の各シーケンスは、複数の中間段階を含むことができる。例えば、基板を第１の堆積モジュールＤ１にルーティングするために、続いて起こる段階のシーケンス（１ａ−１）−（１ａ−２）−（１ａ−３）−（１ａ−４）−（１ａ）−（１ａ−５）−（１ａ−６）−（１ａ−７）−（１ａ−８）が、実行されてもよい。主搬送経路に対する堆積モジュールの配向に従って、段階（１ａ−２）の第１の角度が、例えば＋６０°であってもよく、段階（１ａ−７）の第４の角度が、例えば−６０°であってもよい。あるいは、それぞれの回転モジュールの周りの堆積モジュールの配置に依存して、第１の角度および／または第４の角度が、それぞれの基板交換に対して適切であり得るように、＋／−６０°または＋／−１２０°または任意の他の角度であってもよい。
【０１５８】
本明細書において、回転モジュールの＋ｘ°の回転角度は、−（３６０°−ｘ°）の回転角度に対応しており、全ての負の角度が、正の角度でも表すことができる。例えば、時計回りの６０°の回転は、反時計回りの３００°の回転に対応する。回転モジュールの回転方向は、本明細書に記載の回転運動のいずれにおいても、反時計回りまたは時計回りとすることができる。
【０１５９】
第１の堆積モジュールＤ１内で基板１０上に第１の材料を堆積した後、基板１０は、第１の回転モジュールＲ１内に戻され、第１の回転モジュールＲ１内で、詳細には１８０°の角度の２回転を含んで、回転され、段階（１ｂ）において第２の堆積モジュールＤ２に移動され、第２の材料でコーティングされてもよい。
【０１６０】
いくつかの実施形態では、後続のシーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）が、シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）の段階（１ａ）の１タクト間隔後に開始してもよい。タクト間隔は、４５秒以上１２０秒以下、特に約６０秒とすることができる。
【０１６１】
後続のシーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）は、後続の基板を主搬送経路５０に沿って主搬送方向Ｚに、詳細には第１の回転モジュールＲ１に移動させることを含むことができる。段階（２ａ）において、後続の基板は、後続の基板上に第１の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’にルーティングされ得る。詳細には、段階（２ａ）において、後続の基板は、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’の第２の堆積領域にルーティングされてもよい。その後、段階（２ｂ）において、後続の基板は、第１の回転モジュールＲ１から第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’に移動され、第２の材料を後続の基板上に堆積させることができる。詳細には、段階（２ａ）において、後続の基板は、第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’の第２の堆積領域に移動されてもよい。
【０１６２】
いくつかの実施形態では、第２の後続の基板に対する第２の後続のシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、後続のシーケンスの段階（２ａ）の１タクト間隔後に開始してもよい。
【０１６３】
第２の後続のシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）は、第２の後続の基板を主搬送経路５０に沿って主搬送方向Ｚに、詳細には第１の回転モジュールＲ１に移動させることを含むことができる。段階（１ａ）において、第２の後続の基板は、第２の後続の基板上に第１の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第１の堆積モジュールＤ１にルーティングされ得る。詳細には、段階（１ａ）において、第２の後続の基板は、第１の堆積モジュールＤ１の第２の堆積領域にルーティングされてもよい。その後、段階（１ｂ）において、第２の後続の基板は、第１の回転モジュールＲ１から第２の堆積モジュールＤ２に移動され、第２の材料を第２の後続の基板上に堆積させることができる。詳細には、段階（１ｂ）において、第２の後続の基板は、第２の堆積モジュールＤ２の第２の堆積領域にルーティングされてもよい。
【０１６４】
いくつかの実施形態では、第３の後続のシーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）が、第２の後続のシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）の段階（１ａ）の１タクト間隔後に開始してもよい。
【０１６５】
第３の後続のシーケンスは、第３の後続の基板を主搬送経路５０に沿って主搬送方向Ｚに、詳細には第１の回転モジュールＲ１に移動させることを含むことができる。段階（２ａ）において、第３の後続の基板は、第３の後続の基板上に第１の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’に第１の回転モジュールＲ１からルーティングされ得る。詳細には、段階（２ａ）において、第３の後続の基板は、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’の第１の堆積領域にルーティングされてもよい。その後、段階（２ｂ）において、第３の後続の基板は、第１の回転モジュールＲ１から第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’に移動され、第２の材料を第３の後続の基板上に堆積させることができる。詳細には、段階（２ｂ）において、第３の後続の基板は、第１の回転モジュールＲ１から第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’の第１の堆積領域に移動されてもよい。
【０１６６】
いくつかの実施形態では、第４の後続のシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、第３の後続のシーケンスの開始の１タクト間隔後に開始することができ、第４の後続のシーケンスの第４の後続の基板の移動経路は、第１のシーケンスの第１の基板の移動経路に対応することができる。詳細には、第４の後続のシーケンスの段階（１ａ）は、第１のシーケンスの段階（１ｂ）とほぼ同時に実行することができる。換言すれば、第４の後続の基板が、第１の堆積モジュールＤ１にルーティングされるとき、第１の堆積モジュール内での第１の基板のコーティングが終了しており、第１の基板は、第１の堆積モジュールＤ１から第２の堆積モジュールＤ２への途中にある。したがって、サイクルタクトが約６０秒である場合、回転モジュールの移動シーケンスを約２４０秒ごとに繰り返すことができる。
【０１６７】
図４の真空処理システム２００は、図１の真空処理システム１００のタクト間隔に対応するタクト間隔で、例えば約６０秒のタクト間隔で、動作させることができる。１つのコーティングされた基板が、システムのタクトタイムに対応する各タクト間隔後に、提供され得る。真空処理システム２００は、２ラインシステムであるので、真空処理システム２００は、図１に示すシングルラインシステムと比較して２倍の堆積モジュールを有することができる。したがって、基板は、図１の実施形態と比較して、より長い時間期間にわたって堆積領域に留まり得る。それぞれのマスク装置に対する基板の位置合わせのために、より多くの時間が存在し得る。詳細には、堆積領域内の基板上にそれぞれの材料を堆積させるために、より多くの時間が存在し得る。例えば、マルチラインシステムでは、堆積源は、シングルラインシステムと比較してより遅い速度で、例えば半分の速度で、移動することができ、これは堆積速度を増加させ得る。したがって、堆積の柔軟性が高められ、より広い範囲の層厚が、マルチラインシステム内の各堆積モジュールにおいて堆積され得る。
【０１６８】
対応するモジュールは、マルチラインシステムにおいて同期して動作させることができる。例えば、図４または図５の２ラインシステムの回転モジュール（例えば、第１の回転モジュールＲ１および第２の回転モジュールＲ２）は、それぞれの基板を回転させるために同期して動作させることができ、それぞれの基板は、システムのタクト間隔の倍数だけ適時に遅延していてもよい。
【０１６９】
代替的または追加的に、堆積モジュールのサブセットが、同期して動作してもよい。例えば、第１のラインの堆積モジュールが、本質的に同期して動作し、第２のラインの堆積モジュールが、本質的に同期して動作してもよい。第１のラインの堆積モジュールおよび第２のラインの堆積モジュールが、ほぼ１タクト間隔の時間遅延で動作してもよい。
【０１７０】
いくつかの実施形態では、第１の側Ｓ１に配置された第１のライン（第２のライン）の堆積モジュールと、第２の側Ｓ２に配置された第１のライン（第２のライン）の堆積モジュールとの間には、主搬送経路の両側に配置された堆積モジュール間の基板交換の時間期間のため、時間遅延が存在し得る。
【０１７１】
いくつかの実施形態では、それぞれの回転モジュールに隣接して対応する角度位置に配置された堆積モジュールが、同期して動作してもよい（例えば、それぞれの堆積源が、それぞれの堆積モジュール内の同じコーティング位置にあってもよい）。例えば、図４の第２の堆積モジュールＤ２と第３の堆積モジュールＤ３が、同期して動作し、図４の第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’と第２のラインの第３の堆積モジュールＤ３’が、同期して動作してもよい。同様に、図５の真空処理システム３００の全ての第１のラインの堆積モジュールが、同期して動作し、図５の真空処理システム３００の全ての第２のラインの堆積モジュールが、同期して動作してもよい。
【０１７２】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、真空処理システムは、マスクハンドリングチャンバとも呼ばれるマスクハンドリングモジュール６０をさらに含むことができる。いくつかの実施形態において、マスクハンドリングモジュール６０は、主搬送経路５０に配置される。使用されたマスク装置が、マスクハンドリングモジュール６０に搬送され、例えばロードロックチャンバを介して、真空処理システムからアンロードされてもよい。使用されるべきマスク装置が、真空処理システムの周囲環境からマスクハンドリングモジュール６０にロードされて、堆積チャンバの１つに搬送されてもよい。
【０１７３】
例えば、いくつかの実施形態では、第１のマスクキャリアトラックが、使用されるべきマスク装置を保持するマスクキャリアをマスクハンドリングモジュール６０から堆積モジュールに搬送するために設けられ、第２のマスクキャリアトラックが、使用されたマスク装置を保持するマスクキャリアを堆積モジュールからマスクハンドリング領域に搬送し、システムからアンロードするために設けられてもよい。例えば、１つ以上のマスクハンドリングアセンブリ、例えば、ロボットデバイスが、マスク装置をマスクキャリアに取り付けるおよび／またはマスクキャリアから取り外すために、マスクハンドリングモジュールに設けられてもよい。
【０１７４】
マスク装置の搬送は、真空処理システム内の基板の搬送と少なくとも部分的に同期されてもよい。上記の説明が参照され、ここでは繰り返さない。
【０１７５】
図４の真空処理システム２００は、以下のパラメータのうちの１つ以上に従って動作することができる。回転モジュールを２つの回転位置の間で回転させる時間が、３秒以上１０秒以下、特に約５秒である。キャリアを真空モジュールから隣接する真空モジュールに移動させる時間が、３秒以上１０秒以下、特に約５秒である。システムのすべての回転モジュールが、同期されている。主搬送経路に沿った前方および後方への基板の搬送が、同時に可能である。第１のラインの堆積モジュールのみに関わる連続する基板交換と基板交換の間の時間間隔が、約１２０秒（９０秒以上１５０秒以下）である。第２のラインの堆積モジュールのみに関わる連続する基板交換と基板交換の間の時間間隔が、約１２０秒（９０秒以上１５０秒以下）である。システムのタクト間隔全体が、約６０秒（４５秒以上７５秒以下）である。
【０１７６】
図５は、本明細書に記載されるいくつかの実施形態による真空処理システム３００を概略図で示す。真空処理システム３００は、本明細書に記載された方法のいずれかを実施するために使用することができるので、上記の説明を参照することができ、ここでは繰り返さない。
【０１７７】
真空処理システム３００は、主搬送経路５０に関して本質的に対称的な配置を有するミラーラインとして構成することができる。例えば、第１の材料を堆積させるための堆積モジュールが、主搬送経路の両側に互いに対称的に配置され、第２の材料を堆積させるための堆積モジュールが、主搬送経路の両側に互いに対称的に配置されてもよい。
【０１７８】
本明細書に記載の実施形態による方法は、図５に示す真空処理システム３００において実行することができる。真空処理システム３００は、主搬送経路５０に沿って設けられた、例えば、第１の搬送モジュールＴ１、第２の搬送モジュールＴ２、および第３の搬送モジュールＴ３などの１つ以上の搬送モジュール、第１の回転モジュールＲ１ならびに第２の回転モジュールＲ２を含むことができる。さらなる搬送モジュールおよび／またはさらなる回転モジュールが、主搬送経路５０に沿って設けられてもよい。
【０１７９】
いくつかの実施形態では、２ラインシステムが提供されてもよい。本明細書で第１のラインの堆積モジュールとも呼ばれる堆積モジュールの第１のサブセットが、主搬送経路の第１の側Ｓ１に配置され、複数の基板上に所定の層スタックを堆積するための第１のラインを提供し得る。例えば、第１の材料を堆積するための第１の堆積モジュールＤ１が、主搬送経路５０の第１の側Ｓ１に第１の回転モジュールＲ１に隣接して配置され、第２の材料を堆積するための第２の堆積モジュールＤ２が、主搬送経路５０の第１の側Ｓ１に第２の回転モジュールＲ２に隣接して配置され得る。
【０１８０】
本明細書で第２のラインの堆積モジュールとも呼ばれる堆積モジュールの第２のサブセットが、主搬送経路の第２の側Ｓ２に配置され、複数の基板上に所定の層スタックを堆積するための第２のラインを提供し得る。例えば、第１の材料を堆積させるための第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’が、第１の側Ｓ１とは反対側の主搬送経路５０の第２の側Ｓ２に第１の回転モジュールＲ１に隣接して、詳細には第１の堆積モジュールＤ１と対称的に、配置され得る。さらに、第２の材料を堆積させるための第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’が、主搬送経路５０の第２の側Ｓ２に第２の回転モジュールＲ２に隣接して、詳細には第２の堆積モジュールと対称的に、配置され得る。
【０１８１】
詳細には、真空処理システム３００は、ミラーラインとして構成することができる。主搬送経路５０の第１の側Ｓ１に配置された堆積モジュールが、複数の材料を基板上に堆積させるために使用されてもよい。同様に、主搬送経路５０の第２の側Ｓ２に配置された堆積モジュールが、前記複数の材料を基板上に堆積させるために使用されてもよい。したがって、主搬送経路の一方の側に配置された１つの堆積モジュールの中断または不具合の場合に、主搬送経路の他方の側に配置された堆積モジュールは、堆積を続けることができ、それゆえ、真空処理システムは、低下した基板出力速度で動作し続けることができる。
【０１８２】
真空処理システム３００は、上述の方法に従って動作することができるので、上述の実施形態を参照することができ、ここでは繰り返さない。
【０１８３】
例えば、対応するモジュールを、同期して動作させることができる。詳細には、図５の２ラインシステムの回転モジュール（例えば、第１の回転モジュールＲ１および第２の回転モジュールＲ２）は、それぞれの基板を回転させるために同期して動作させることができ、それぞれの基板は、システムの１タクト間隔の倍数だけ適時に遅延していてもよい。
【０１８４】
いくつかの実施形態において、第１のラインの堆積モジュールが、同期して動作し、および／または第２のラインの堆積モジュールが、同期して動作してもよい。第１のラインの堆積モジュールと第２のラインの堆積モジュールとの間に約１タクト間隔の時間遅延が存在してもよい（例えば、それぞれの堆積源の対応する位置が、１タクト間隔の時間的遅延で選ばれてもよい）。
【０１８５】
いくつかの実施形態では、第１の基板キャリアトラック３１に沿ったキャリア搬送は、図５のそれぞれの矢印によって概略的に示されるように、同期していてもよい。第２の基板キャリアトラック３２に沿った戻り方向への空のキャリア２１の搬送は、図５のそれぞれの矢印によって概略的に示されるように、同期していてもよい。
【０１８６】
以下では、真空処理システム３００を動作させる例示的な方法を説明する。
【０１８７】
基板１０が、主搬送経路５０に沿って、第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１上に移動することができる。
【０１８８】
その後、第１の回転モジュールＲ１を、第１の角度、詳細には約＋９０°または−９０°の角度だけ回転させることができる。第１の角度は、主搬送経路に対する第１の堆積モジュールＤ１の配向に依存し得る任意の角度であってよい。例えば、図５に示す実施形態では、第１の角度は、−９０°の角度であってもよい。換言すれば、第１の回転モジュールＲ１は、図５に示す第１の回転位置から第２の回転位置まで回転させることができる。
【０１８９】
その後、段階（１ａ）において、基板１０は、第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１から第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域内に移動することができる。第１の堆積モジュールＤ１の第１の堆積領域において、第１の材料が、基板１０上に堆積される。
【０１９０】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、基板１０が、第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１上に移動する前に、前の基板１６が、第１の堆積領域から主搬送経路５０に戻され得る。具体的には、前の基板１６が、第１の堆積領域から回転モジュールＲ１内に移動すると、第１の回転モジュールＲ１が、第２の角度だけ回転し、すると、前の基板１６は、第１の回転モジュールＲ１から主搬送経路５０に沿って第２の回転モジュールＲ２に向けて移動して、第２の堆積モジュールＤ２にルーティングされてもよい。
【０１９１】
いくつかの実施形態では、第２の角度は、＋９０°であってもよい。しかしながら、第２の角度は、主搬送経路に対するそれぞれの堆積モジュールの配向に依存してもよい。例えば、第２の角度は、−９０°または別の角度であってもよい。具体的には、第１の回転モジュールは、図５に示す第１の回転位置まで回転して戻ってもよい。
【０１９２】
前の基板を主搬送経路に戻した後、基板１０は、段階において第１の回転モジュールＲ１の第１のトラックＸ１上に移動されて、段階（１ａ）で第１の堆積モジュールＤ１にルーティングされてもよい。
【０１９３】
基板１０上に第１の材料を堆積した後、基板１０を主搬送経路に戻し、主搬送経路５０に沿って第２の回転モジュールＲ２に移動させ、第２の回転モジュール内で、詳細には−９０°の角度だけ回転させ、段階（１ｂ）において第２の回転モジュールＲ２から第２の堆積モジュールＤ２内に移動させることができる。第２の材料が、第２の堆積モジュールＤ２で基板上に堆積されてもよい。
【０１９４】
段階（１ｃ）で、基板１０が、第１の側Ｓ１に配置されたさらなる堆積モジュールにルーティングされ、さらなる材料でコーティングされてもよい。
【０１９５】
いくつかの実施形態では、後続のシーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）が、シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）の段階（１ａ）の後に、所定の時間間隔、詳細には１タクト間隔で、開始してもよい。タクト間隔は、４５秒以上１２０秒以下、特に約６０秒とすることができる。
【０１９６】
後続のシーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）は、後続の基板を主搬送経路５０に沿って主搬送方向Ｚに、詳細には第１の回転モジュールＲ１に移動させることを含むことができる。段階（２ａ）において、後続の基板は、後続の基板上に第１の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’にルーティングされ得る。詳細には、段階（２ａ）において、後続の基板は、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’の第２の堆積領域にルーティングされてもよい。その後、段階（２ｂ）において、後続の基板は、後続の基板上に第２の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’にルーティングされ得る。詳細には、段階（２ｂ）において、後続の基板は、第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’の第２の堆積領域にルーティングされてもよい。
【０１９７】
いくつかの実施形態では、第２の後続のシーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、後続のシーケンスの段階（２ａ）の１タクト間隔後に開始してもよい。
【０１９８】
第２の後続のシーケンスは、第２の後続の基板を主搬送経路５０に沿って主搬送方向Ｚに、詳細には第１の回転モジュールＲ１に移動させることを含むことができる。段階（１ａ）において、第２の後続の基板は、第２の後続の基板上に第１の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第１の堆積モジュールＤ１にルーティングされ得る。詳細には、段階（１ａ）において、第２の後続の基板は、第１の堆積モジュールＤ１の第２の堆積領域にルーティングされてもよい。その後、段階（１ｂ）において、第２の後続の基板は、第２の後続の基板上に第２の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第２の堆積モジュールＤ２にルーティングされ得る。詳細には、段階（２ｂ）において、第２の後続の基板は、第２の堆積モジュールＤ２の第２の堆積領域にルーティングされてもよい。
【０１９９】
いくつかの実施形態では、第３の後続のシーケンス（２ａ）−（２ｂ）−（２ｃ）が、第２の後続のシーケンスの段階（１ａ）の１タクト間隔後に開始してもよい。
【０２００】
第３の後続のシーケンスは、第３の後続の基板を主搬送経路５０に沿って主搬送方向Ｚに、詳細には第１の回転モジュールＲ１に移動させることを含むことができる。段階（２ａ）において、第３の後続の基板は、第３の後続の基板上に第１の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’にルーティングされ得る。詳細には、段階（２ａ）において、第３の後続の基板は、第２のラインの第１の堆積モジュールＤ１’の第１の堆積領域にルーティングされてもよい。その後、段階（２ｂ）において、第３の後続の基板は、第３の後続の基板上に第２の材料を堆積させるために、主搬送経路５０から第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’にルーティングされ得る。詳細には、段階（２ｂ）において、第３の後続の基板は、第２のラインの第２の堆積モジュールＤ２’の第１の堆積領域にルーティングされてもよい。
【０２０１】
いくつかの実施形態では、第４の後続のシーケンスが、１タクト間隔後に開始することができ、ここで、第４の後続のシーケンスの第４の後続の基板の移動経路は、第１のシーケンスの基板の移動に対応することができる。第４の後続のシーケンスの段階（１ａ）は、第１のシーケンスの段階（１ｂ）とほぼ同時に実行することができる。言い換えれば、第４の後続の基板が、第１の堆積モジュールＤ１にルーティングされるとき、第１の基板が、第１の堆積モジュールＤ１から第２の堆積モジュールＤ２に向かって移動することができる。したがって、タクト間隔が約６０秒である場合、対応する移動シーケンスが、約２４０秒ごとに繰り返され得る。
【０２０２】
図５の真空処理システム３００は、図１の真空処理システム１００のタクト間隔に対応するタクト間隔で、例えば約６０秒のタクト間隔で、動作させることができる。１つのコーティングされた基板が、システムのタクトタイムに対応する各タクト間隔後に、提供され得る。真空処理システム３００は、２ラインシステムであるので、真空処理システム３００は、図１に示すシングルラインシステムと比較して２倍の堆積モジュールを有することができる。したがって、基板は、図１の実施形態と比較して、より長い時間期間にわたって堆積領域に留まり得る。それぞれのマスク装置に対する基板の位置合わせのために、より多くの時間が存在し得る。詳細には、堆積領域内の基板上にそれぞれの材料を堆積させるために、より多くの時間が存在し得る。例えば、２ラインシステムでは、堆積源は、シングルラインシステムと比較してより遅い速度で、例えば半分の速度で、移動することができ、これは堆積速度を増加させ得る。したがって、堆積の柔軟性が高められ、より広い範囲の層厚が、各堆積モジュールにおいて堆積され得る。
【０２０３】
図５の真空処理システム３００は、以下のパラメータのうちの１つ以上にしたがって動作することができる。回転モジュールを２つの回転位置の間で回転させる時間が、３秒以上１０秒以下、特に約５秒である。キャリアを真空モジュールから隣接する真空モジュールに移動させる時間が、３秒以上１０秒以下、特に約５秒である。システムのすべての回転モジュールが、同期されている。主搬送経路に沿った前方および後方への基板の搬送が、同時に可能である。第１のラインの堆積モジュールのみに関わる連続する基板交換と基板交換の間の時間間隔が、約１２０秒（９０秒以上１５０秒以下）である。第２のラインの堆積モジュールのみに関わる連続する基板交換と基板交換の間の時間間隔が、１２０秒（９０秒以上１５０秒以下）である。システムのタクト間隔全体が、約６０秒（４５秒以上７５秒以下）である。
【０２０４】
以下の段落において、実施形態による、少なくとも１つの回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる様々な方法が、説明される。真空処理システムは、本明細書に記載の実施形態のいずれかによる真空処理システムであってよい。前記方法は、真空処理システムのタクトタイムを短縮するために、真空処理システム内のマスクトラヒックおよび／または基板トラヒックを加速することが意図される。
【０２０５】
詳細には、真空処理システムは、主搬送経路に沿って配置された２つ以上の回転モジュールを有することができ、以下の動作方法のうちの１つが、各回転モジュール内で同期して実行される。
【０２０６】
一態様によれば、回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法が説明される。本方法は、ある時間期間中に、基板またはマスク装置を運ぶ第１のキャリアを第１のトラック上で第１の方向に移動させて、回転モジュールに入れる（または回転モジュールから出す）ことと、同じ時間期間中に（すなわち、同期して）、第２のキャリアを第２のトラック上で、第１の方向とは反対の第２の方向に移動させて、回転モジュールに入れるまたは回転モジュールから出すことと、を含む。したがって、１つの回転モジュールは、回転モジュールを通って反対の方向にマスクおよび／または基板を同期して搬送するために使用されてもよい。例えば、基板を第１の方向に移動させて、回転モジュール内に入れ、マスク装置、第２の基板および／または空のキャリアを、別のトラック上で反対方向に移動させて、回転モジュールに出し入れすることができる。例えば、図１に概略的に示されているように、第１のキャリア上の基板１０を、第１の基板キャリアトラック３１上で第１の方向に回転モジュール内へ移動させ、空のキャリア２１を、第２の基板キャリアトラック３２上で反対方向に回転モジュールの外へ、同期して移動させることができる。
【０２０７】
一態様によれば、回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法が説明される。本方法は、ある時間期間中に、第１の基板を運ぶ第１のキャリアを第１のトラック上で第１の方向に回転モジュールの外へ移動させることと、同じ時間期間中に（すなわち、同期して）、第２の基板を運ぶ第２のキャリアを第１のトラック上で第１の方向に回転モジュール内へ移動させることと、を含む。回転モジュールの向かい合う側に配置された２つの堆積モジュールにおける基板交換が加速され、回転モジュールのアイドル時間を短縮することができる。例えば、本明細書に記載の動作方法の段階（１ａ）では、第１の基板を、回転モジュールの第１のトラックから第１の方向に堆積モジュール内へ移動させながら、同期して、第２の基板を、反対側に配置された堆積モジュールから第１の方向に回転モジュールの第１のトラック上に移動させることができる。
【０２０８】
一態様によれば、回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法が説明される。本方法は、第２の基板を運ぶ第２のキャリアが、回転モジュール内の第２のトラック上に配置されている間に、および／または第２のマスク装置を運ぶ第３のキャリアが、回転モジュール内の第３のトラック上に配置されている間に、第１の基板または第１のマスク装置を運ぶ第１のキャリアを第１のトラック上で回転モジュール内に移動させることを含む。コーティングされた基板の堆積領域からの除去およびコーティングされるべき基板の堆積領域への挿入に、回転モジュールの１つより多いトラックを有益に使用することができるので、回転モジュールに隣接して配置された堆積領域内の基板交換が加速され得る。例えば、本明細書に記載される動作方法の段階（１ａ）において、回転モジュールの第１のトラックおよび第２のトラックが、基板キャリアによって同期して占有されていてもよい。
【０２０９】
一態様によれば、回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法が説明される。本方法は、基板を運ぶ第１のキャリアを第１のトラック上で回転モジュール内に移動させ、マスク装置を運ぶ第２のキャリアを、第１のトラックに隣接する第２のトラック上で回転モジュール内に移動させることと、回転モジュール内で第１のキャリアと第２のキャリアとを同時に回転させることと、を含む。詳細には、１つの回転モジュールを、隣接する堆積モジュールにおける基板交換とマスク交換の両方に同時に使用することができる。
【０２１０】
一態様によれば、回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法が説明される。本方法は、第１の時間期間中に、コーティングされた基板および使用されたマスク装置を堆積領域から回転モジュールに移動させ、続いて第２の時間期間中に、コーティングされた基板および使用されたマスク装置を、回転モジュール内で同期して回転させることを含む。
【０２１１】
これに代えてまたはこれに加えて、本方法は、第３の時間期間中に、コーティングされるべき基板および使用されるべきマスク装置を主搬送経路から回転モジュール内に移動させ、続いて第４の時間期間中に、コーティングされるべき基板および使用されるべきマスク装置を、回転モジュール内で同期して回転させることを含んでもよい。マスク交換および基板交換を同期させることができ、真空処理システムのタクト間隔を短縮することができる。
【０２１２】
上記は、本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考え出すこともでき、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図１】
2019512864.tif 000003
【図２】
2019512864.tif 000004
【図３（１ａ−１）−（１ａ−３）】
2019512864.tif 000005
【図３（１ａ−４）−（１ａ−５）】
2019512864.tif 000006
【図３（１ａ−６）−（１ａ−８）】
2019512864.tif 000007
【図４】
2019512864.tif 000008
【図５】
2019512864.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月5日(2018.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主搬送経路（５０）を有する真空処理システム（１００、２００、３００）を動作させる方法であって、前記主搬送経路（５０）に沿って基板を主搬送方向（Ｚ）に搬送することができ、
（１ａ）第１の材料を基板（１０）上に堆積させるために、前記基板（１０）を前記主搬送経路（５０）から第１の堆積モジュール（Ｄ１）にルーティングすることと、
（１ｂ）第２の材料を前記基板（１０）上に堆積させるために、前記基板（１０）を前記主搬送経路（５０）から第２の堆積モジュール（Ｄ２）にルーティングすることと、
（１ｃ）１つ以上のさらなる材料を前記基板（１０）上に堆積させるために、前記基板（１０）を前記主搬送経路（５０）から１つ以上のさらなる堆積モジュールにルーティングすることと
を含む方法。
【請求項２】
シーケンス（１ａ）−（１ｂ）−（１ｃ）が、所定の時間間隔の後に、詳細には前記真空処理システムのタクト間隔に対応する一定の時間間隔の後に、より詳細には約６０秒の一定のタクト間隔で、後続の基板に対して繰り返し開始される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
奇数のタクト間隔で開始されたシーケンスの段階（１ａ）において、基板が、前記第１の材料を前記基板（１０）上に堆積させるために、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）の第１の堆積領域にルーティングされ、
偶数のタクト間隔で開始されたシーケンスの段階（１ａ）において、基板が、前記第１の材料を前記基板（１０）上に堆積させるために、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）の第２の堆積領域にルーティングされる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
（２ａ）段階（１ａ）の１タクト間隔後に、後続の基板を前記主搬送経路（５０）から第２のラインの第１の堆積モジュール（Ｄ１’）に、前記第１の材料を前記後続の基板上に堆積させるために、ルーティングすることと、
（２ｂ）段階（１ｂ）の１タクト間隔後に、前記後続の基板を前記主搬送経路（５０）から第２のラインの第２の堆積モジュール（Ｄ２’）に、前記第２の材料を前記後続の基板上に堆積させるために、ルーティングすることと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
シーケンス（１ａ）−（１ｂ）およびシーケンス（２ａ）−（２ｂ）が、所定の時間間隔の後に、詳細には前記真空処理システムのタクト間隔に対応する一定の時間間隔の後に、より詳細には約６０秒の一定のタクト間隔で、後続の基板に対して交互に開始される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板（１０）が、段階（１ａ）において、第１の回転モジュール（Ｒ１）から前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）に移動され、前記基板（１０）が、前記第１の材料を堆積させた後、前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に戻される、および／または
前記基板（１０）が、段階（１ｂ）において、前記第１の回転モジュール（Ｒ１）または第２の回転モジュール（Ｒ２）から前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）に移動され、前記基板が、前記第２の材料を堆積させた後、前記第１の回転モジュール（Ｒ１）または前記第２の回転モジュール（Ｒ２）に戻される、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
段階（１ａ）において、第３の基板（１２）が、前記基板（１０）が前記第１の回転モジュール（Ｒ１）から移動される時間期間中に、第２の堆積モジュール（Ｄ２）から前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に移動される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
段階（１ａ）において、第２の基板（１１）が、前記基板（１０）が前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の第１のトラック（Ｘ１）から前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の外に移動される時間期間中に、前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の第２のトラック（Ｘ２）上に配置される、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
（１ａ−１）前記基板（１０）を前記主搬送経路（５０）に沿って第１の回転モジュール（Ｒ１）の第１のトラック（Ｘ１）上に移動させることと、
（１ａ−２）前記第１の回転モジュール（Ｒ１）を第１の角度だけ回転させることと、
（１ａ−３）第２の基板（１１）を前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）から前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の第２のトラック（Ｘ２）上に移動させることと、
（１ａ−４）前記第１の回転モジュール（Ｒ１）を第２の角度だけ、詳細には１８０°回転させることと、
段階（１ａ）において、前記基板（１０）を前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の前記第１のトラック（Ｘ１）から前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）に移動させることと
を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
段階（１ａ）において、第３の基板（１２）が、前記基板（１０）を前記第１のトラック（Ｘ１）から前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）に移動させるのと同時にまたは移動させた後に、第２の堆積モジュール（Ｄ２）から前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の前記第１のトラック（Ｘ１）上に移動される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
（１ａ−５）前記第１の回転モジュール（Ｒ１）を第３の角度だけ、詳細には１８０°回転させることと、
（１ａ−６）前記第２の基板（１１）を前記第１の回転モジュール（Ｒ１）の前記第２のトラック（Ｘ２）から前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）に移動させることと、
（１ａ−７）前記第１の回転モジュール（Ｒ１）を第４の角度だけ回転させることと、
（１ａ−８）前記第３の基板（１２）を前記第１の回転モジュールから前記主搬送経路（５０）に沿って移動させることと
をさらに含む、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記真空処理システムが、回転軸の周りに回転することができる、基板キャリアを搬送するための２つの基板キャリアトラックと、マスクキャリアを搬送するための２つのマスクキャリアトラックとを有する少なくとも１つの回転モジュールを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記主搬送経路（５０）が、互いに平行に配置された第１の基板キャリアトラック（３１）と第２の基板キャリアトラック（３２）とを含み、基板が、キャリアによって保持されながら、前記第１の基板キャリアトラック（３１）に沿って前記主搬送方向（Ｚ）に移動される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記真空処理システム（１００）が、
前記主搬送経路（５０）に沿って設けられた１つ以上の搬送モジュール（Ｔ１、Ｔ２）および第１の回転モジュール（Ｒ１）を含み、
前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）が、前記主搬送経路（５０）の第１の側（Ｓ１）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置され、前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）が、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）とは反対側の前記主搬送経路の第２の側（Ｓ２）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記真空処理システム（２００）が、
前記主搬送経路（５０）に沿って設けられた１つ以上の搬送モジュール（Ｔ１、Ｔ２）および第１の回転モジュール（Ｒ１）を含み、
前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）が、前記主搬送経路（５０）の第１の側（Ｓ１）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置され、前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）が、前記第１の側（Ｓ１）とは反対側の前記主搬送経路の第２の側（Ｓ２）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置されており、
前記真空処理システム（２００）が、
前記主搬送経路（５０）の前記第２の側（Ｓ２）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置された、前記第１の材料を堆積させるための第２のラインの第１の堆積モジュール（Ｄ１’）と、
前記主搬送経路（５０）の前記第１の側（Ｓ１）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置された、前記第２の材料を堆積させるための第２のラインの第２の堆積モジュール（Ｄ２’）と
をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記真空処理システム（３００）が、
前記主搬送経路（５０）に沿って配置された１つ以上の搬送モジュール（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３）、第１の回転モジュール（Ｒ１）および第２の回転モジュール（Ｒ２）を含み、
前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）が、前記主搬送経路（５０）の第１の側（Ｓ１）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置され、前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）が、前記主搬送経路（５０）の前記第１の側（Ｓ１）に前記第２の回転モジュール（Ｒ２）に隣接して配置されており、
前記真空処理システム（２００）が、
前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）とは反対側の前記主搬送経路（５０）の第２の側（Ｓ２）に前記第１の回転モジュール（Ｒ１）に隣接して配置された、前記第１の材料を堆積させるための第２のラインの第１の堆積モジュール（Ｄ１’）と、
前記第２の堆積モジュール（Ｄ２）とは反対側の前記主搬送経路（５０）の前記第２の側（Ｓ２）に前記第２の回転モジュール（Ｒ２）に隣接して配置された、前記第２の材料を堆積させるための第２のラインの第２の堆積モジュール（Ｄ２’）と
をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記真空処理システム（３００）が、前記主搬送経路（５０）に関して本質的に対称的な配置を有するミラーラインとして構成される、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
詳細には１つ以上の基板キャリアトラックと平行に、前記主搬送経路（５０）に沿って延びる１つ以上のマスクキャリアトラックが、設けられ、
使用されるべきマスク装置が、前記主搬送経路（５０）に沿って前記１つ以上のマスクキャリアトラックのうちの１つの上で搬送され、
段階（１ａ）において、前記使用されるべきマスク装置が、前記基板（１０）上のマスクされた堆積のために、前記主搬送経路（５０）から前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）にルーティングされる、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
あるマスク交換頻度で、使用されたマスク装置が、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）からルーティングされ、使用されるべきマスク装置が、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）にルーティングされ、詳細には、前記マスク交換頻度が、前記第１の堆積モジュール（Ｄ１）における基板交換頻度よりも少なく、より詳細には、マスク交換が、基板交換と同期されている、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法であって、
ある時間期間中に、基板またはマスク装置を運ぶ第１のキャリアを、第１のトラック上で第１の方向に前記回転モジュールへ移動させることと、
前記時間期間中に、第２のキャリアを、第２のトラック上で前記第１の方向とは反対の第２の方向に前記回転モジュールへまたは前記回転モジュールから移動させることと
を含む方法。
【請求項２１】
回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法であって、
ある時間期間中に、第１の基板を運ぶ第１のキャリアを、第１のトラック上で第１の方向に前記回転モジュールから移動させることと、
前記時間期間中に、第２の基板を運ぶ第２のキャリアを、前記第１のトラック上で前記第１の方向に前記回転モジュールへ移動させることと
を含む方法。
【請求項２２】
回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法であって、
第２の基板を運ぶ第２のキャリアが、前記回転モジュール内の第２のトラック上に配置されている間に、および／または第２のマスク装置を運ぶ第３のキャリアが、前記回転モジュール内の第３のトラック上に配置されている間に、第１の基板または第１のマスク装置を運ぶ第１のキャリアを、第１のトラック上で前記回転モジュールに移動させること
を含む方法。
【請求項２３】
回転モジュールを有する真空処理システムを動作させる方法であって、
基板を運ぶ第１のキャリアを、第１のトラック上で前記回転モジュールに移動させ、マスク装置を運ぶ第２のキャリアを、前記第１のトラックに隣接する第２のトラック上で前記回転モジュールに移動させることと、
前記回転モジュール内で前記第１のキャリアおよび前記第２のキャリアを同時に回転させることと
を含む方法。
【請求項２４】
回転モジュールおよび堆積領域を有する真空処理システムを動作させる方法であって、
第１の時間期間中に、コーティングされた基板および使用されたマスク装置を前記堆積領域から前記回転モジュールに移動させ、続いて、
第２の時間期間中に、前記コーティングされた基板および前記使用されたマスク装置を前記回転モジュール内で回転させること、および／または
第３の時間期間中に、コーティングされるべき基板および使用されるべきマスク装置を主搬送経路から回転モジュールに移動させ、続いて、
第４の時間期間中に、前記コーティングされるべき基板および前記使用されるべきマスク装置を前記回転モジュール内で回転させること
を含む方法。
【国際調査報告】
2019512864.tif 000010
2019512864.tif 000011
2019512864.tif 000012
2019512864.tif 000013
2019512864.tif 000014