(57)【要約】  本発明は、電界紡糸技術で量子ロッド／ポリマー繊維膜を製造する方法を提供する。前記方法は、（１）量子ロッド溶液を調製する工程と、（２）ポリマー溶液を調製し、工程（１）で調製された量子ロッド溶液をポリマー溶液に添加して量子ロッドの体積濃度が５％〜８０％の電界紡糸前駆体溶液を形成する工程と、（３）電界紡糸前駆体溶液を電界紡糸装置に添加し、発生器の電圧及び受容距離を調節した後、電界紡糸を行い、量子ロッド／ポリマー繊維膜を製造する工程と、を含む。前記方法は、量子ロッドの溶液濃度および電界紡糸過程におけるパラメータを調節することにより、電界紡糸過程における量子ロッドの配向を実現することで、高い偏光性能を有する量子ロッド／ポリマー繊維膜を得る。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）量子ロッド溶液を調製する工程と、
（２）ポリマー溶液を調製し、工程（１）で調製された量子ロッド溶液をポリマー溶液に添加して量子ロッドの体積濃度が５％〜８０％の電界紡糸前駆体溶液を形成する工程と、
（３）工程（２）で調製された電界紡糸前駆体溶液を電界紡糸装置に添加し、発生器の電圧及び受容距離を調節した後、電界紡糸を行い、量子ロッド／ポリマー繊維膜を得る工程と、を含むことを特徴とする量子ロッド／ポリマー繊維膜の製造方法。
【請求項２】
工程（１）で、前記量子ロッド溶液は、量子材料により調製されたものである、ことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記量子材料は、シングルコア材料及び／またはコアシェル被覆性材料である、ことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記量子材料は、コアシェル被覆性材料であり、
好ましくは、前記シングルコア材料は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｕＩｎＳ、ＩｎＰ、ＣｕＺｎＳｅまたはＺｎＭｎＳｅのうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、ＣｄＳｅであることが好ましく、
好ましくは、前記コアシェル被覆性材料は、シングルコア材料をコアとし、そのシェル材料がＣｄＳ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＴｅのうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、ＣｄＳであることが好ましい、ことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項５】
前記量子ロッド溶液はＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液であり、前記ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液がコアシェル被覆性材料により調製され、前記コアシェル被覆性材料がＣｄＳｅをコアとし、そのシェル材料がＣｄＳである、ことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項６】
前記ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液の調製方法は、
（ａ）それぞれＳｅ粉とＳ粉を溶剤に溶解させ、Ｓｅ溶液とＳ溶液を調製する工程と、
（ｂ）ＣｄＯを第１の表面修飾剤と混合し、加熱条件下で、ＣｄＯを完全に溶解して透明になるまで撹拌し、順に、工程（ａ）における前記溶剤と工程（ａ）で調製されたＳｅ溶液を添加して反応させ、冷却し、ＣｄＳｅのコア溶液を得る工程と、
（ｃ）ＣｄＳｅのコア溶液を精製し、酸溶液中に分散させ、ＣｄＳｅ酸溶液を形成する工程と、
（ｄ）ＣｄＯを第２の表面修飾剤と混合し、加熱条件下で、ＣｄＯを完全に溶解して透明になるまで撹拌し、順に、工程（ａ）における前記溶剤、工程（ａ）で調製されたＳ溶液及び工程（ｃ）で調製されたＣｄＳｅ酸溶液を添加して反応させ、冷却し、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液を得る工程と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
工程（ａ）における前記溶剤は、トリ−ｎ−オクチルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィンまたはジフェニルリン酸のうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、
好ましくは、工程（ａ）で、前記Ｓｅ粉の用量は、Ｓｅ溶液濃度を２〜３ｍｍｏｌ／ｍＬにするものであり、２．５ｍｍｏｌ／ｍＬであることが好ましく、
好ましくは、工程（ａ）で、前記Ｓ粉の用量は、Ｓ溶液濃度を０．５〜２ｍｍｏｌ／ｍＬにするものであり、１ｍｍｏｌ／ｍＬであることが好ましく、
好ましくは、前記工程（ａ）で、それぞれＳｅ粉とＳ粉を溶剤に溶解させ、溶液が透明状態となるまでに加熱しながら撹拌し、Ｓｅ溶液とＳ溶液を調製し、
好ましくは、前記工程（ａ）で、加熱・撹拌の温度は５０℃〜２００℃であり、
好ましくは、工程（ｂ）で、前記第１の表面修飾剤は、テトラデシルホスホン酸及び／またはトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドであり、テトラデシルホスホン酸とトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドの組合せであることが好ましく、
好ましくは、工程（ｂ）で、前記ＣｄＯと第１の表面修飾剤との質量比は１：（４〜１００）であり、
好ましくは、工程（ｂ）で、前記加熱の温度は３００℃〜３９０℃である、ことを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
工程（ｃ）で、ＣｄＳｅのコア溶液を精製することは、ＣｄＳｅのコア溶液をクロロホルム及び／またはエタノールで２〜３回遠心精製することであり、
好ましくは、工程（ｃ）で、前記酸溶液は、トリ−ｎ−オクチルホスフィン溶液、トリ−ｎ−ブチルホスフィン溶液またはジフェニルリン酸溶液のうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、
好ましくは、工程（ｄ）で、前記第２の表面修飾剤は、Ｎ−ヘキシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸またはトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドのうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、Ｎ−ヘキシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸及びトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドの組合せであることが好ましく、
好ましくは、工程（ｄ）で、前記ＣｄＯと第２の表面修飾剤との質量比は１：（１〜８０）であり、
好ましくは、工程（ｄ）で、前記加熱温度は２６０℃〜３５０℃であり、
好ましくは、工程（ｄ）で、前記ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液の濃度は０〜３０ｍｇ／ｍＬであり、且つ０を含まず、
好ましくは、工程（ｄ）で、前記反応温度は３００℃〜３５０℃であり、
好ましくは、工程（ｄ）で、前記反応時間は３〜１５ｍｉｎである、ことを特徴とする請求項６または７に記載の製造方法。
【請求項９】
工程（２）で、前記ポリマー溶液を調製することは、ポリマーを有機溶剤に溶解させ、質量濃度が１％〜３５％のポリマー溶液を調製することであり、質量濃度が１０％〜３５％のポリマー溶液であることが好ましく、
好ましくは、前記ポリマーは、ポリビニルピロリドン、ポリメチルメタクリレートまたはポリアクリロニトリルのうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、ポリメチルメタクリレートであることが好ましく、
好ましくは、前記有機溶剤は、酢酸エチル、無水エタノールまたはジメチルホルムアミドのうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、ジメチルホルムアミドであることが好ましく、
好ましくは、工程（２）で、前記電界紡糸前駆体溶液における蛍光量子ロッドの体積濃度は５％〜５０％である、ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
工程（３）で、工程（２）で調製された電界紡糸前駆体溶液を電界紡糸装置における注射器内に添加し、
好ましくは、工程（３）で、前記発生器の電圧を５ｋＶ〜５０ｋＶに調節し、５ｋＶ〜３０ｋＶであることが好ましく、
好ましくは、工程（３）で、前記受容距離は、電界紡糸装置の吐出ヘッドと受容器との間の距離であり、
好ましくは、前記受容器は、アルミニウム製の円錐形ディスク、三角形の旋回フレーム、銅線フレームにより製造された旋回ドラム、籠状の糸巻取り器または皿状の糸巻取り器のうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、
好ましくは、工程（３）で、前記受容距離を５ｃｍ〜５０ｃｍに調節し、５ｃｍ〜２５ｃｍであることが好ましい、ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１１】
工程（３）で製造された量子ロッド／ポリマー繊維膜を加硫機でプレスして透明の薄膜を製造し、
好ましくは、前記加硫機によるプレス過程における温度は８０℃〜１７０℃であり、８０℃〜１３０℃であることが好ましく、
好ましくは、前記加硫機によるプレス過程における圧力は１ＭＰａ〜２０ＭＰａであり、１ＭＰａ〜１０ＭＰａであることが好ましい、ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製造方法により調製された量子ロッド／ポリマー繊維膜であって、
前記量子ロッド／ポリマー繊維膜の偏光度は２０％〜７０％であり、
好ましくは、前記量子ロッド／ポリマー繊維膜におけるナノ繊維の直径は２００ｎｍ〜２０００ｎｍである、ことを特徴とする量子ロッド／ポリマー繊維膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学材料分野に属し、量子ロッド／ポリマー繊維膜の製造方法に関し、特に、電界紡糸技術で量子ロッド／ポリマー繊維膜を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
量子ロッド材料とは、直径が数ナノメートル、長さが１０〜１００ｎｍの結晶材料である。量子ロッドは、量子ドットと類似する光学特性、例えば吸収特性および発光特性を有すると共に、量子ロッドのサイズとカテゴリーを調整することによって光波に対する制御及び調整を実現する。量子ロッドの発光波長は調節可能であり、可視光範囲全体をカバーすることができる。
【０００３】
量子ロッドの長い形態により、量子ドットが備えない光学特性を有させる。量子ロッドの最も特別な光学特性は、偏光を発光する特性を有することにある。それは、その長軸に平行で、且つその短軸に垂直である偏光を発光することができる。量子ロッドのこのような発光特性は、予め定義された軸方向に沿って分布している量子ロッドの長軸方向における偏光を取得することを可能となる。
【０００４】
現在、量子ロッドの偏光性能に関する研究は多いが、ほとんどが単粒子の量子ロッドに対する分析であり、量子ロッドが大量存在した場合での偏光状況に関する分析は少ない。これは、量子ロッドの偏光効果がロッド状の材料の軸方向に沿ったものであるものの、大量の量子ロッドが自在に分布している場合、各量子ロッドからの各々の軸方向に沿った線形の偏光も自在に分布しているので、全体の偏光性能が発現されないためである。確実に偏光性能を有する量子ロッド含有材料を取得するために、これを配向させる必要がある。
【０００５】
現在、量子ロッド材料を配向させる方法は少なく、例えば、機械的引張の方法により量子ロッド薄膜材料を取得する方法などがあるが、当該方法は、材料の損失が大きく、配向効果が限られる。
【０００６】
ＣＮ１０４９９２６３１Ａにおいては、基体上に１層の光透過膜を形成し、光透過膜上に複数の長尺状の溝を形成し、配向膜上に、硬化接着剤、硬化接着剤内にドープされた量子ロッド及び電場誘導単量体を含む量子ロッド層を形成し、量子ロッド層に電場を印加して、電場誘導単量体が電場の作用下で量子ロッドを長尺状の溝に沿って配列されるように駆動し、硬化接着剤を硬化させて量子ロッドを固定する量子ロッド膜の製造方法が開示されている。
【０００７】
ＣＮ１０５６０２２２７Ａにおいては、基板において複数の画素電極と複数の共通電極を形成し、基板上に、複数の量子ロッド、主鎖及び前記主鎖に結合された複数の双極子側鎖を含有したポリマー、及び溶剤を含む量子ロッド組成物を塗布し、前記複数の画素電極と前記複数の共通電極との間に電場を生成し、量子ロッド組成物を硬化させて基板上に量子ロッド膜を形成し、前記複数の量子ロッドの長軸と前記複数の双極子側鎖の軸とが前記電場とほぼ平行な方向に沿って配列している、量子ロッド膜の製造方法が開示されている。
【０００８】
上述した量子ロッド膜の方法は、いずれも電場誘導、及び硬化物質による硬化の方法を用いて量子ロッドが一定の方向に沿って配向するという目的を達成したが、上述したプロセスにより得られた量子ロッド膜の配向程度が限られると共に、操作しにくく、過程が煩雑で、制御可能性が悪く、量子ロッド膜を効率的に大量製造することが困難である。
【０００９】
ナノワイヤは、ナノメートル単位のサイズを有するナノ構造であり、ナノ構造は１０ｎｍ未満から、数百ｎｍまでの多種の直径サイズを有する。現在、規則の１次元のナノワイヤは、テンプレート法、自己組立法、電場誘導、磁場誘導、化学／生物分子の親和組立、双極子選択、スタンプ転写、エッチング法及び電界紡糸などの技術により得られてもよい。電界紡糸技術は、高分子溶液を静電界で帯電させ、溶液が自身の粘性力、表面張力、内部電荷の反発力、外部電場力の作用下でテーラーコーンを形成する。印加された静電圧がある臨界値を超えるように増加すると、高分子溶液が受けた電場力は、表面張力、粘性力を克服して噴射している細流を形成し、溶剤がジェット噴射過程において蒸発しながら、高分子溶質が徐々に硬化し、最終的に収集装置に落ちて連続したマイクロ／ナノ繊維を形成する。電界紡糸技術は、その製造プロセスがシンプルで、コストが低いなどの特徴があるため、研究者により注目されている。最初は主に紡績分野の製造と研究に適用されていた。研究の進歩に伴い、電界紡糸技術は、機能性材料の製造に導入され、電界紡糸技術を用いて直径が数十乃至数百ナノメートルの繊維を取得することができ、シンプルで、効率的で、汎用的な方法である。
【００１０】
従来技術において、主に電界紡糸技術を用いて量子ドット／ポリマー繊維膜を製造するものであり、電界紡糸技術を用いて量子ロッド／ポリマー繊維膜を製造するものは存在しない。これは、量子ロッドが大量存在し、且つ自在に分布している場合、電界紡糸過程で紡績されたワイヤの順番に応じて配列し配向することが難しくし、さらに、確実に高い偏光性能を有する量子ロッド材料を取得することができないためである。
【００１１】
したがって、操作と過程がシンプルで、制御可能性が高く、高い偏光性能を有する量子ロッド／ポリマー繊維膜をどのように研究するかは、差し迫って解決すべき問題となっている。
【発明の概要】
【００１２】
従来の量子ロッド膜を製造する方法において存在する、操作しにくく、過程が煩雑で、制御可能性が悪く、製造された量子ロッド膜の配向程度が限られるなどの問題に対して、本発明は電界紡糸技術を用いて量子ロッド／ポリマー繊維膜を製造する方法を提供する。本発明に係る方法は、量子ロッドの溶液濃度および電界紡糸過程におけるパラメータを調節することにより、電界紡過程における量子ロッドの配向を実現することで、高い偏光性能を有する量子ロッド／ポリマー繊維膜を得る。
【００１３】
この目的を達成するために、本発明は、以下の技術案を講じた。
【００１４】
第１の態様によれば、本発明は、
（１）量子ロッド溶液を調製する工程と、
（２）ポリマー溶液を調製し、工程（１）で調製された量子ロッド溶液をポリマー溶液に添加して量子ロッドの体積濃度が５％〜８０％の電界紡糸前駆体溶液を形成する工程と、
（３）工程（２）で調製された電界紡糸前駆体溶液を電界紡糸装置に添加し、発生器の電圧及び受容距離を調節した後、電界紡糸を行い、量子ロッド／ポリマー繊維膜を得る工程と、を含む量子ロッド／ポリマー繊維膜の製造方法を提供する。
【００１５】
電界紡糸前駆体溶液における量子ロッドの体積濃度は５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％または８０％などであってもよいが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００１６】
本発明に係る「量子ロッド／ポリマー繊維膜」とは、量子ロッドとポリマーの複合繊維膜を指す。
【００１７】
本発明は、量子ロッドの溶液濃度および電界紡糸過程におけるパラメータを調節することにより、電界紡糸過程における量子ロッドの配向を実現する。よって、電界紡糸前駆体溶液における量子ロッド濃度を一定の範囲内に制御する必要がある。
【００１８】
以下は、本発明の好ましい技術案とするが、本発明における技術案を限定するものではない。以下の技術案によって、本発明の技術的目的及び有益な効果をよりよく達成・実現することができる。
【００１９】
本発明の好ましい技術案として、工程（１）で、前記量子ロッド溶液は、量子材料により調製されたものである。
【００２０】
好ましくは、前記量子材料は、シングルコア材料及び／またはコアシェル被覆性材料であり、コアシェル被覆性材料であることが好ましい。
【００２１】
好ましくは、前記シングルコア材料は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｕＩｎＳ、ＩｎＰ、ＣｕＺｎＳｅまたはＺｎＭｎＳｅのうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、前記組合せの代表的であるが限定的ではない実施例は、ＣｄＳｅとＣｄＴｅの組合せ、ＣｄＳとＺｎＳｅの組合せ、ＣｄＴｅとＣｕＩｎＳの組合せ、ＩｎＰとＣｕＺｎＳｅの組合せ、ＣｕＺｎＳｅとＺｎＭｎＳｅの組合せ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ及びＣｄＳの組合せ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ及びＣｕＩｎＳの組合せ、ＩｎＰ、ＣｕＺｎＳｅ及びＺｎＭｎＳｅの組合せ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ及びＣｄＴｅの組合せなどであり、ＣｄＳｅであることが好ましい。
【００２２】
好ましくは、前記コアシェル被覆性材料は、シングルコア材料をコアとし、そのシェル材料がＣｄＳ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＴｅのうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、前記組合せの代表的であるが限定的ではない実施例は、ＣｄＳとＺｎＯの組合せ、ＺｎＳとＺｎＳｅの組合せ、ＺｎＳｅとＺｎＴｅの組合せ、ＣｄＳ、ＺｎＯ及びＺｎＳの組合せ、ＣｄＳ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ及びＺｎＴｅの組合せなどであり、ＣｄＳであることが好ましい。
【００２３】
本発明の好ましい技術案として、前記量子ロッド溶液は、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液であり、前記ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液はコアシェル被覆性材料により調製され、前記コアシェル被覆性材料はＣｄＳｅをコアとし、そのシェル材料がＣｄＳである。
【００２４】
本発明において、前記ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液以外の量子ロッド溶液の調製方法は従来技術における方法により得られてもよいため、ここでは説明しない。
【００２５】
本発明の好ましい技術案として、前記ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液の調製方法は、
（ａ）それぞれＳｅ粉とＳ粉を溶剤に溶解させ、Ｓｅ溶液とＳ溶液を調製する工程と、
（ｂ）ＣｄＯを第１の表面修飾剤と混合し、加熱条件下で、ＣｄＯを完全透明に溶解させるまでに撹拌し、順に、工程（ａ）における前記溶剤と工程（ａ）で調製されたＳｅ溶液を添加して反応させ、冷却し、ＣｄＳｅのコア溶液を得る工程と、
（ｃ）ＣｄＳｅのコア溶液を精製し、酸溶液中に分散させ、ＣｄＳｅ酸溶液を形成する工程と、
（ｄ）ＣｄＯを第２の表面修飾剤と混合し、加熱条件下で、ＣｄＯを完全に溶解して透明になるまで撹拌し、順に、工程（ａ）における前記溶剤、工程（ａ）で調製されたＳ溶液及び工程（ｃ）で調製されたＣｄＳｅ酸溶液を添加して反応させ、冷却し、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液を得る工程と、を含む。
【００２６】
工程（ｂ）における反応時間を、必要とする発射波長に応じて調節し、工程（ｄ）で、前記反応は、酸溶剤の存在下で被覆を行う。
【００２７】
本発明の好ましい技術案として、工程（ａ）で、前記溶剤はトリ−ｎ−オクチルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィンまたはジフェニルリン酸のうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、前記組合せの代表的であるが限定的ではない実施例は、トリ−ｎ−オクチルホスフィンとトリ−ｎ−ブチルホスフィンの組合せ、トリ−ｎ−ブチルホスフィンとジフェニルリン酸の組合せ、トリ−ｎ−オクチルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン及びジフェニルリン酸の組合せなどである。ここで、前記溶剤は、溶剤の作用を果たしながら、表面修飾の作用を果たす。
【００２８】
好ましくは、工程（ａ）で、前記Ｓｅ粉の用量はＳｅ溶液濃度を２〜３ｍｍｏｌ／ｍＬ、例えば２ｍｍｏｌ／ｍＬ、２．２ｍｍｏｌ／ｍＬ、２．４ｍｍｏｌ／ｍＬ、２．６ｍｍｏｌ／ｍＬ、２．８ｍｍｏｌ／ｍＬまたは３ｍｍｏｌ／ｍＬなどにするものであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよく、２．５ｍｍｏｌ／ｍＬであることが好ましい。
【００２９】
好ましくは、工程（ａ）で、前記Ｓ粉の用量はＳ溶液濃度を０．５〜２ｍｍｏｌ／ｍＬ、例えば０．５ｍｍｏｌ／ｍＬ、０．７ｍｍｏｌ／ｍＬ、１ｍｍｏｌ／ｍＬ、１．３ｍｍｏｌ／ｍＬ、１．５ｍｍｏｌ／ｍＬ、１．７ｍｍｏｌ／ｍＬまたは２ｍｍｏｌ／ｍＬなどにするものであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよく、１ｍｍｏｌ／ｍＬであることが好ましい。
【００３０】
好ましくは、前記工程（ａ）で、それぞれＳｅ粉とＳ粉を溶剤に溶解させ、溶液が透明状態となるまでに加熱しながら撹拌し、Ｓｅ溶液とＳ溶液を調製する。
【００３１】
好ましくは、前記工程（ａ）で、加熱・撹拌の温度は５０℃〜２００℃、例えば５０℃、７０℃、９０℃、１００℃、１３０℃、１５０℃、１７０℃または２００℃などであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００３２】
好ましくは、工程（ｂ）で、前記第１の表面修飾剤はテトラデシルホスホン酸及び／またはトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドであり、テトラデシルホスホン酸とトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドの組合せであることが好ましい。ここで、前記第１の表面修飾剤は、溶剤の作用を更に果たす。
【００３３】
好ましくは、工程（ｂ）で、前記ＣｄＯと第１の表面修飾剤との質量比は１：（４〜１００）、例えば１：４、１：１０、１：２０、１：３０、１：４０、１：５０、１：６０、１：７０、１：８０、１：９０または１：１００などであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００３４】
好ましくは、工程（ｂ）で、前記加熱の温度は３００℃〜３９０℃、例えば３００℃、３１０℃、３２０℃、３３０℃、３４０℃、３５０℃、３６０℃、３７０℃、３８０℃または３９０℃などであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００３５】
本発明の好ましい技術案として、工程（ｃ）で、ＣｄＳｅのコア溶液を精製することは、ＣｄＳｅのコア溶液をクロロホルム及び／またはエタノールで２〜３回遠心精製することである。
【００３６】
好ましくは、工程（ｃ）で、前記酸溶液はトリ−ｎ−オクチルホスフィン溶液、トリ−ｎ−ブチルホスフィン溶液またはジフェニルリン酸溶液のうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、前記組合せの代表的であるが限定的ではない実施例は、トリ−ｎ−オクチルホスフィン溶液とトリ−ｎ−ブチルホスフィン溶液の組合せ、トリ−ｎ−ブチルホスフィン溶液とジフェニルリン酸溶液の組合せ、トリ−ｎ−オクチルホスフィン溶液、トリ−ｎ−ブチルホスフィン溶液及びジフェニルリン酸溶液の組合せなどである。
【００３７】
好ましくは、工程（ｄ）で、前記第２の表面修飾剤は、Ｎ−ヘキシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸またはトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドのうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、前記組合せの代表的であるが限定的ではない実施例は、Ｎ−ヘキシルホスホン酸とテトラデシルホスホン酸の組合せ、テトラデシルホスホン酸とトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドの組合せ、Ｎ−ヘキシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸及びトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドの組合せなどである。
【００３８】
好ましくは、工程（ｄ）で、前記ＣｄＯと第２の表面修飾剤との質量比は、１：（１〜８０）、例えば１：１、１：１０、１：２０、１：３０、１：４０、１：５０、１：６０、１：７０または１：８０などであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００３９】
好ましくは、工程（ｄ）で、前記加熱温度は２６０℃〜３５０℃、例えば２６０℃、２７０℃、２８０℃、２９０℃、３００℃、３１０℃、３２０℃、３３０℃、３４０℃または３５０℃などであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００４０】
好ましくは、工程（ｄ）で、前記ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液の濃度は０〜３０ｍｇ／ｍＬであり、且つ０を含まず、例えば０．５ｍｇ／ｍＬ、１ｍｇ／ｍＬ、５ｍｇ／ｍＬ、１０ｍｇ／ｍＬ、１５ｍｇ／ｍＬ、２０ｍｇ／ｍＬ、２５ｍｇ／ｍＬまたは３０ｍｇ／ｍＬなどであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００４１】
本発明におけるＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液の濃度は、実際の必要に応じて調節することができるが、上述した濃度範囲に限定されるものではない。
【００４２】
好ましくは、工程（ｄ）で、前記反応温度は３００℃〜３５０℃、例えば３００℃、３１０℃、３２０℃、３３０℃、３４０℃または３５０℃などであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００４３】
好ましくは、工程（ｄ）で、前記反応時間は３〜１５ｍｉｎ、例えば３ｍｉｎ、５ｍｉｎ、７ｍｉｎ、１０ｍｉｎ、１３ｍｉｎまたは１５ｍｉｎなどであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００４４】
本発明の好ましい技術案として、工程（２）で、前記ポリマー溶液を調製することは、ポリマーを有機溶剤に溶解させて、質量濃度が１％〜３５％、例えば１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％または３５％などのポリマー溶液を調製するが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよく、質量濃度が１０％〜３５％のポリマー溶液であることが好ましい。
【００４５】
好ましくは、前記ポリマーは、ポリビニルピロリドン、ポリメチルメタクリレートまたはポリアクリロニトリルのうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、前記組合せの代表的であるが限定的ではない実施例は、ポリビニルピロリドンとポリメチルメタクリレートの組合せ、ポリメチルメタクリレートとポリアクリロニトリルの組合せ、ポリビニルピロリドン、ポリメチルメタクリレート及びポリアクリロニトリルの組合せなどであり、ポリメチルメタクリレートであることが好ましい。
【００４６】
好ましくは、前記有機溶剤は、酢酸エチル、無水エタノールまたはジメチルホルムアミドのうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、前記組合せの代表的であるが限定的ではない実施例は、酢酸エチルと無水エタノールの組合せ、無水エタノールとジメチルホルムアミドの組合せ、酢酸エチル、無水エタノール及びジメチルホルムアミドの組合せなどであり、ジメチルホルムアミドであることが好ましい。
【００４７】
好ましくは、工程（２）で、前記電界紡糸前駆体溶液における蛍光量子ロッドの体積濃度は５％〜５０％である。
【００４８】
本発明の好ましい技術案として、工程（３）で、工程（２）で調製された電界紡糸前駆体溶液を電界紡糸装置における注射器内に添加する。
【００４９】
好ましくは、工程（３）で、前記発生器の電圧を５ｋＶ〜５０ｋＶ、例えば５ｋＶ、１０ｋＶ、１５ｋＶ、２０ｋＶ、２５ｋＶ、３０ｋＶ、３５ｋＶ、４０ｋＶ、４５ｋＶまたは５０ｋＶなどに調節するが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよく、５ｋＶ〜３０ｋＶであることが好ましい。
【００５０】
本発明は、量子ロッドの溶液濃度および電界紡糸過程におけるパラメータを調節することにより、電界紡糸過程における量子ロッドの配向を実現する。よって、電界紡糸装置における発生器の電圧を一定の範囲内に制御する必要がある。
【００５１】
好ましくは、工程（３）で、前記受容距離は、電界紡糸装置の吐出ヘッドと受容器との間の距離である。
【００５２】
好ましくは、前記受容器は、アルミニウム製の円錐形ディスク、三角形の旋回フレーム、銅線フレームにより製造された旋回ドラム、籠状の糸巻取り器または皿状の糸巻取り器のうちのいずれか１種または少なくとも２種の組合せであり、前記組合せの代表的であるが限定的ではない実施例は、アルミニウム製の円錐形ディスクと三角形の旋回フレームの組合せ、銅線フレームにより製造された旋回ドラムと籠状の糸巻取り器の組合せ、籠状の糸巻取り器と皿状の糸巻取り器の組合せ、アルミニウム製の円錐形ディスク、三角形の旋回フレーム及び銅線フレームにより製造された旋回ドラムの組合せ、三角形の旋回フレーム、銅線フレームにより製造された旋回ドラム、籠状の糸巻取り器及び皿状の糸巻取り器の組合せなどである。
【００５３】
好ましくは、工程（３）で、前記受容距離を５ｃｍ〜５０ｃｍ、例えば５ｃｍ、７ｃｍ、１０ｃｍ、１３ｃｍ、１５ｃｍ、１７ｃｍ、２０ｃｍ、２３ｃｍ、２５ｃｍ、２７ｃｍ、３０ｃｍ、３３ｃｍ、３５ｃｍ、３７ｃｍ、４０ｃｍ、４３ｃｍ、４５ｃｍ、４７ｃｍまたは５０ｃｍなどに調節するが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよく、５ｃｍ〜２５ｃｍであることが好ましい。
【００５４】
本発明は、量子ロッドの溶液濃度および電界紡糸過程におけるパラメータを調節することにより、電界紡糸過程における量子ロッドの配向を実現する。よって、受容距離を一定の範囲内に制御する必要がある。
【００５５】
本発明の好ましい技術案として、工程（３）で製造された量子ロッド／ポリマー繊維膜を加硫機でプレスして透明の薄膜を製造する。
【００５６】
本発明において、得られた量子ロッド／ポリマー繊維膜は、非透明の白くてやわらかい繊維薄膜であり、光学分野においてうまく適用させられるように、量子ロッド／ポリマー繊維膜を高温高圧の加硫機でプレスして、透明の薄膜を製造することができる。
【００５７】
好ましくは、前記加硫機プレス過程における温度は８０℃〜１７０℃、例えば８０℃、９０℃、１００℃、１１０℃、１２０℃、１３０℃、１４０℃、１５０℃、１６０℃または１７０℃などであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよく、８０℃〜１３０℃であることが好ましい。
【００５８】
好ましくは、前記加硫機プレス過程における圧力は１ＭＰａ〜２０ＭＰａ、例えば１ＭＰａ、３ＭＰａ、５ＭＰａ、７ＭＰａ、１０ＭＰａ、１３ＭＰａ、１５ＭＰａ、１７ＭＰａまたは２０ＭＰａなどであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよく、１ＭＰａ〜１０ＭＰａであることが好ましい。
【００５９】
第２の態様によれば、本発明は、上述した製造方法により得られた量子ロッド／ポリマー繊維膜を提供し、前記量子ロッド／ポリマー繊維膜の偏光度は２０％〜７０％、例えば２０％、３０％、４０％、５０％、６０％または７０％などであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００６０】
好ましくは、前記量子ロッド／ポリマー繊維膜におけるナノ繊維の直径は２００ｎｍ〜２０００ｎｍ、例えば２００ｎｍ、３００ｎｍ、５００ｎｍ、７００ｎｍ、１０００ｎｍ、１３００ｎｍ、１５００ｎｍ、１７００ｎｍまたは２０００ｎｍなどであるが、挙げられた数値に限らず、当該数値範囲内の他の挙げられていない数値も同様に適用してもよい。
【００６１】
従来技術と比べて、本発明は、以下の有益な効果を奏する。
【００６２】
（１）本発明は、電界紡糸技術で配向される量子ロッド／ポリマーナノフィルムを製造し、量子ロッドの溶液濃度および電界紡糸過程におけるパラメータを調節することにより、電界紡糸過程における量子ロッドの配向を実現して、得られた量子ロッド／ポリマーナノフィルムが高い偏光性能（偏光度が２０％〜７０％である）を有すると共に、本発明に係る方法は、実験装置がシンプルであり、操作しやすく、且つ生成したナノ繊維の直径が調節可能であり、２００ｎｍ〜２０００ｎｍに達することができる。
（２）本発明に係る方法は、多種の高分子ポリマーに適用することができ、広い適用性を有する。
（３）本発明により調製された量子ロッド／ポリマー繊維膜は、高温高圧の加硫機でプレスされて透明の薄膜を製造でき、光学薄膜の光沢膜として適用することができ、理想的な光学ＬＥＤ業界に適用可能な光学材料である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
図１は、本発明に係る実施例４で製造された量子ロッド／ポリマー繊維膜のＳＥＭ図である。
図２は、本発明に係る実施例４で製造された量子ロッド／ポリマー繊維膜のＴＥＭ図である。
図３は、本発明に係る実施例４で製造された量子ロッド／ポリマー繊維膜の偏光性能のキャラクタリゼーション図である。
図４は、本発明に係る実施例４で製造された量子ロッド／ポリマー繊維膜を加硫機でプレスする前後の比較例の図である。
【発明を実施するための形態】
【００６４】
本発明を更によく説明し、本発明の技術案を理解しやすくするために、以下にて本発明について詳細に説明する。しかし、下記実施例は、本発明の簡単な例示に過ぎず、本発明の特許請求の範囲を代表・限定するものではなく、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲に準じる。
【００６５】
本発明に係る具体的な実施例は、
（１）量子ロッド溶液を調製する工程と、
（２）ポリマー溶液を調製し、工程（１）で調製された量子ロッド溶液をポリマー溶液に添加して量子ロッドの体積濃度が５％〜８０％の電界紡糸前駆体溶液を形成する工程と、
（３）工程（２）で調製された電界紡糸前駆体溶液を電界紡糸装置に添加し、発生器の電圧及び受容距離を調節した後、電界紡糸を行い、量子ロッド／ポリマー繊維膜を得る工程と、を含む量子ロッド／ポリマー繊維膜の製造方法を提供する。
【００６６】
以下は、本発明の代表的であるが非限定的な実施例である。
【００６７】
実施例１
本実施例は、
（ａ）それぞれＳｅ粉とＳ粉をトリ−ｎ−オクチルホスフィン（ＴＯＰ）に溶解させ、１００℃で溶液が透明状態となるまでに加熱しながら撹拌し、濃度が２．５ｍｍｏｌ／ｍＬのＳｅ−ＴＯＰ溶液と濃度が１ｍｍｏｌ／ｍＬのＳ−ＴＯＰ溶液を調製する工程と、
（ｂ）２６ｍｇのＣｄＯを１１２ｍｇテトラデシルホスホン酸（ＴＤＰＡ）と１．５ｇのトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）と混合し、３５０℃でＣｄＯが完全に溶解して透明になるまで加熱しながら撹拌し、順に０．７５ｍＬのＴＯＰと工程（ａ）で調製された０．３ｍＬのＳｅ−ＴＯＰ溶液をすばやく添加して反応させ、反応が完了した後、加熱装置全体を停止して溶液を室温まで冷却させ、ＣｄＳｅのコア溶液を得る工程と、
（ｃ）ＣｄＳｅのコア溶液をクロロホルムとエタノール系で２〜３回遠心精製し、ＴＯＰ溶液に分散させ、ＣｄＳｅ−ＴＯＰ溶液を形成する工程と、
（ｄ）１９ｍｇのＣｄＯを、２７ｍｇのＮ−ヘキシルホスホン酸（ＨＰＡ）、１００ｍｇのテトラデシルホスホン酸（ＴＤＰＡ）及び１ｇのトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）と混合し、３００℃で完全に溶解して透明になるまで加熱しながら撹拌し、順に０．５ｍＬのＴＯＰ、０．５ｍＬの工程（ａ）で調製されたＳ−ＴＯＰ溶液及び０．５ｍＬの工程（ｃ）で調製されたＣｄＳｅ−ＴＯＰ溶液をすばやく添加して３３０℃で１０ｍｉｎ反応させ、反応が完了した後、加熱装置全体を停止して溶液を室温まで冷却させ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液を得る工程と、を含むＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液を調製する方法を提供する。
【００６８】
実施例２
本実施例は、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液を調製する方法を提供する。工程（ａ）で、５０℃で撹拌し、濃度が２ｍｍｏｌ／ｍＬのＳｅ−ＴＯＰ溶液と濃度が０．５ｍｍｏｌ／ｍＬのＳ−ＴＯＰ溶液を調製し、工程（ｂ）で、加熱・撹拌の温度が３００℃であり、工程（ｄ）で、加熱・撹拌の温度が２６０℃であり、順に０．３ｍＬのＴＯＰ、０．３ｍＬの工程（ａ）で調製されたＳ−ＴＯＰ溶液及び０．２ｍＬの工程（ｃ）で調製されたＣｄＳｅ−ＴＯＰ溶液をすばやく添加して３００℃で１５ｍｉｎ反応させる以外、他の原料の用量及び調製方法はいずれも実施例１と同様であり、最終的にＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液を得る。
【００６９】
実施例３
本実施例はＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液を調製する方法を提供する。工程（ａ）で、２００℃で撹拌し、濃度が３ｍｍｏｌ／ｍＬのＳｅ−ＴＯＰ溶液と濃度が２ｍｍｏｌ／ｍＬのＳ−ＴＯＰ溶液を調製し、工程（ｂ）で、加熱・撹拌の温度が３９０℃であり、工程（ｄ）で、加熱・撹拌の温度が３５０℃であり、順に１ｍＬのＴＯＰ、１ｍＬの工程（ａ）で調製されたＳ−ＴＯＰ溶液及び１ｍＬの工程（ｃ）で調製されたＣｄＳｅ−ＴＯＰ溶液をすばやく添加して３５０℃で３ｍｉｎ反応させる以外、他の原料の用量及び調製方法はいずれも実施例１と同様であり、最終的にＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液を得る。
【００７０】
実施例４
本実施例は、
（１）ポリビニルピロリドンというポリマーを酢酸エチルという有機溶剤に溶解させ、質量濃度が２０％のポリマー溶液を調製し、実施例１で調製されたＣｄＳｅ／ＣｄＳ量子ロッド溶液をポリマー溶液に添加して量子ロッドの体積濃度が５０％の電界紡糸前駆体溶液を形成する工程と、
（２）調製された電界紡糸前駆体溶液を電界紡糸装置に添加し、発生器の電圧を２３ｋＶ〜２５ｋＶ、及び受容距離を１７ｃｍ〜２０ｃｍに調節した後、電界紡糸を行い、量子ロッド／ポリマー繊維膜を得る工程と、を含む量子ロッド／ポリマー繊維膜を製造する方法を提供する。
【００７１】
得られた量子ロッド／ポリマー繊維膜に対してキャラクタリゼーションを行い、図１はその走査電子顕微鏡写真であり、図２は透過型電子顕微鏡写真であり、図１〜図２から分かるように、ナノ繊維の平均直径は４６０〜５６０ｎｍである。
【００７２】
得られた量子ロッド／ポリマー繊維膜の偏光性能に対してキャラクタリゼーションを行い、図３はそのスクリーンショットであり、図３から分かるように、本実施例により調製された量子ロッド／ポリマー繊維膜は良好な偏光性を有する。
【００７３】
得られた量子ロッド／ポリマー繊維膜を高温高圧の加硫機でプレスし、加硫機によるプレス過程における温度が８０〜１３０℃であり、圧力が１〜１０ＭＰａであり、透明の薄膜を得た。図４は加硫機でプレスされていない量子ロッド／ポリマー繊維膜との比較であり、左側は加硫機でプレスされていない量子ロッド／ポリマー繊維膜であり、右側は加硫機でプレスされた量子ロッド／ポリマー繊維膜である。これから分かるように、量子ロッド／ポリマー繊維膜は、高温高圧の加硫機でプレスされることにより透明の薄膜を製造する。
【００７４】
実施例５
本実施例は、
（１）ＣｄＴｅ／ＺｎＴｅ量子ロッド溶液を調製する工程と、
（２）ポリメチルメタクリレートというポリマーを無水エタノールという有機溶剤に溶解させ、質量濃度が１％のポリマー溶液を調製し、調製されたＣｄＴｅ／ＺｎＴｅ量子ロッド溶液をポリマー溶液に添加して量子ロッドの体積濃度が５％の電界紡糸前駆体溶液を形成する工程と、
（３）調製された電界紡糸前駆体溶液を電界紡糸装置に添加し、発生器の電圧を５ｋＶ〜７ｋＶ、及び受容距離を５ｃｍ〜７ｃｍに調節した後、電界紡糸を行い、量子ロッド／ポリマー繊維膜を得る工程と、を含む量子ロッド／ポリマー繊維膜を製造する方法を提供する。
【００７５】
本実施例で製造された量子ロッド／ポリマーナノフィルムは、高い偏光性能を有し、その偏光度が６０％であり、且つ生成したナノ繊維の直径が制御・調節可能であり、２００ｎｍ〜２０００ｎｍに達することができる。
【００７６】
実施例６
本実施例は、
（１）ＣｄＳ／ＺｎＳ量子ロッド溶液を調製する工程と、
（２）ポリアクリロニトリルというポリマーを無水エタノールという有機溶剤に溶解させ、質量濃度が３５％のポリマー溶液を調製し、調製されたＣｄＳ／ＺｎＳ量子ロッド溶液をポリマー溶液に添加して量子ロッドの体積濃度が８０％の電界紡糸前駆体溶液を形成する工程と、
（３）調製された電界紡糸前駆体溶液を電界紡糸装置に添加し、発生器の電圧を４８ｋＶ〜５０ｋＶ、及び受容距離を２３ｃｍ〜２５ｃｍに調節した後、電界紡糸を行い、量子ロッド／ポリマー繊維膜を得る工程と、を含む量子ロッド／ポリマー繊維膜を製造する方法を提供する。
【００７７】
本実施例で製造された量子ロッド／ポリマーナノフィルムは高い偏光性能を有し、その偏光度が５０％であり、且つ生成したナノ繊維の直径が制御・調節可能であり、２００ｎｍ〜２０００ｎｍに達することができる。
【００７８】
実施例７
本実施例は、量子ロッド／ポリマー繊維膜を製造する方法を提供する。前記方法は、量子ロッド溶液がＣｕＩｎＳ／ＺｎＳ量子ロッド溶液である以外、他の原料の用量と調製過程がいずれも実施例２と同様である。
【００７９】
本実施例で製造された量子ロッド／ポリマーナノフィルムは高い偏光性能を有し、その偏光度が４０％であり、且つ生成したナノ繊維の直径が制御・調節可能であり、２００ｎｍ〜２０００ｎｍに達することができる。
【００８０】
実施例８
本実施例は量子ロッド／ポリマー繊維膜を製造する方法を提供する。前記方法は、量子ロッド溶液がＺｎＭｎＳｅ／ＺｎＳ量子ロッド溶液である以外、他の原料の用量と調製過程がいずれも実施例２と同様である。
【００８１】
本実施例で製造された量子ロッド／ポリマーナノフィルムは高い偏光性能を有し、その偏光度が４０％であり、且つ生成したナノ繊維の直径が制御・調節可能であり、２００ｎｍ〜２０００ｎｍに達することができる。
【００８２】
比較例１
本比較例は、量子ロッド／ポリマー繊維膜を提供する。前記方法は、工程（２）で電界紡糸前駆体溶液における量子ロッドの体積濃度が１％（＜５％）である以外、他の原料の用量と調製過程がいずれも実施例２と同様である。
【００８３】
本比較例で製造された量子ロッド／ポリマーナノフィルムの偏光度は僅か８％であり、生成したナノ繊維の直径が２００ｎｍ〜２０００ｎｍである。
【００８４】
比較例２
本比較例は、量子ロッド／ポリマー繊維膜を提供する。前記方法は、工程（２）で電界紡糸前駆体溶液における量子ロッドの体積濃度が９０％（＞８０％）である以外、他の原料の用量と調製過程はいずれも実施例２と同様である。
【００８５】
本比較例で製造された量子ロッド／ポリマーナノフィルムの偏光度は僅か５％であり、生成したナノ繊維は安定して均一な直径の繊維を形成することができない。
【００８６】
比較例３
本比較例は、量子ロッド／ポリマー繊維膜を提供する。前記方法は、工程（３）で発生器の電圧が７０ｋＶ（＞５０ｋＶ）である以外、他の原料の用量と調製過程はいずれも実施例２と同様である。
【００８７】
本比較例で製造された量子ロッド／ポリマーナノフィルムの偏光度は僅か１０％であり、生成したナノ繊維の直径が２００ｎｍより小さい。
【００８８】
比較例４
本比較例は量子ロッド／ポリマー繊維膜を提供する。前記方法は、工程（３）で発生器の電圧が１ｋＶ（＜５ｋＶ）である以外、他の原料の用量と調製過程はいずれも実施例２と同様である。
【００８９】
本比較例で製造された量子ロッド／ポリマーナノフィルムの偏光度は僅か１２％であり、生成したナノ繊維の直径が２０００ｎｍより大きい。
【００９０】
比較例５
本比較例は量子ロッド／ポリマー繊維膜を提供する。前記方法は、工程（３）で受容距離が１ｃｍ（＜５ｃｍ）である以外、他の原料の用量と調製過程はいずれも実施例２と同様である。
【００９１】
本比較例で製造された量子ロッド／ポリマーナノフィルムの偏光度は僅か７％であり、生成したナノ繊維の直径が２０００ｎｍより大きい。
【００９２】
比較例６
本比較例は量子ロッド／ポリマー繊維膜を提供する。前記方法は、工程（３）で受容距離が４０ｃｍ（＞２５ｃｍ）である以外、他の原料の用量と調製過程はいずれも実施例２と同様である。
【００９３】
本比較例で製造された量子ロッド／ポリマーナノフィルムの偏光度は僅か１１％であり、且つ繊維が受容面に到着できず、フィルムになるように紡績することができない。
【００９４】
実施例１〜６と比較例１〜６をまとめて分かるように、本発明は、電界紡糸技術で配向される量子ロッド／ポリマーナノフィルムを製造し、量子ロッドの溶液濃度および電界紡糸過程におけるパラメータを調節することにより、電界紡糸過程における量子ロッドの配向を実現し、得られた量子ロッド／ポリマーナノフィルムが高い偏光性能（偏光度が２０％〜７０％である）を有すると共に、本発明に係る方法は、実験装置がシンプルであり、操作しやすく、且つ生成したナノ繊維の直径が制御・調節可能であり、２００ｎｍ〜２０００ｎｍに達することができる。それと同時に、本発明に係る方法は、多種の高分子ポリマーに適用し、広い適用性を有する。本発明により調製された量子ロッド／ポリマー繊維膜は、高温高圧の加硫機でプレスされることによって透明の薄膜を製造することができ、光学薄膜の光沢膜として適用してもよく、光学ＬＥＤ業界に適用可能な理想的な光学材料である。
【００９５】
本発明において、上述した実施例により本発明の詳細な方法を説明したが、本発明は上述した詳細な方法に限定されるものではなく、つまり、本発明を上述した詳細の方法に依存して実施しなければならないわけではないことを出願人より声明する。当業者であれば、本発明に対するあらゆる改良、本発明の製品の各原料に対する等価置換及び補助成分の添加、具体的な形態に対する選択などは、本発明の保護範囲及び開示範囲内に属することを理解すべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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2019535926.tif 000007
2019535926.tif 000008
2019535926.tif 000009