(57)【要約】  透明なＰＮ接合素子及びそれを用いた電子装置を提供する。このようなＰＮ接合素子は、支持基板、キャップクロライドＣｕＣｌ薄膜層、透明電極層、第１電極及び第２電極を含む。前記キャップクロライド薄膜層は前記支持基板上に形成され、Ｐ型半導体層で動作する。前記透明電極層は前記キャップクロライド薄膜層上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する。前記第１電極は前記キャップクロライド薄膜層上部に形成される。前記第２電極は前記透明電極層上部に形成される。また、前記透明電極層はインジウムすず酸化物ＩＴＯまたはインジウムジンク酸化物ＩＺＯを含む。
2019500740.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に形成され、Ｐ型半導体層で動作するキャップクロライド（ＣｕＣｌ）薄膜層と、
前記キャップクロライド薄膜層の上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する透明電極層と、
前記キャップクロライド薄膜層の上部に形成された第１電極と、
前記透明電極層の上部に形成された第２電極と、を含むことを特徴とするＰＮ接合素子。
【請求項２】
前記透明電極層はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）またはインジウムジンク酸化物（ＩＺＯ）を含むことを特徴とする請求項１に記載のＰＮ接合素子。
【請求項３】
前記支持基板はグラス基板、石英基板、アルミナ基板、シリコン基板、ガリウムヒ素基板のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載のＰＮ接合素子。
【請求項４】
前記キャップクロライド薄膜層及び前記透明電極層の一部を露出させるように前記キャップクロライド薄膜層及び前記透明電極層をカバーするパッシベーション層をさらに含み、
前記第１電極及び前記第２電極は前記パッシベーション層を通じて露出されたキャップクロライド薄膜層及び透明電極層にそれぞれ形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＰＮ接合素子。
【請求項５】
第１基板と、
前記第１基板に対向して配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に、複数個が直列に連結された太陽電池セルと、を含み、
前記太陽電池セルは、
Ｐ型半導体層で動作するキャップクロライド（ＣｕＣｌ）薄膜層と、
前記キャップクロライド薄膜層の上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する透明電極層と、
を含むことを特徴とする太陽電池。
【請求項６】
前記透明電極層はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）またはインジウムジンク酸化物（ＩＺＯ）を含むことを特徴とする請求項５記載の太陽電池。
【請求項７】
前記第１基板と前記第２基板を接着し、前記太陽電池セルを保護する封止材をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池。
【請求項８】
複数の画素で構成される平板表示装置であって、
前記それぞれの画素は、
スキャン信号の印加可否によって、オン／オフされるスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタがオンされる場合、画素信号が印加される駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタによって駆動されて発光される発光素子と、を含み、
前記発光素子は、
Ｐ型半導体層で動作するキャップクロライド（ＣｕＣｌ）薄膜層と、
前記キャップコロライド薄膜層の上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する透明電極層と、
を含むことを特徴とする平板表示装置。
【請求項９】
前記透明電極層はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）またはインジウムジンク酸化物（ＩＺＯ）を含むことを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記それぞれの画素は一つのフレームの間前記発光素子の発光を保持させるための貯蔵キャパシタをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記それぞれの画素は前記透明電極層の上部に形成された蛍光体層をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＰＮ接合素子及びそれを用いた電子装置に関わり、より詳細には可視光線に対して透明なＰＮ接合素子及びそれを用いた電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、数多くの電子機器が使用されつつある。特に、映画やドラマなどで透明なディスプレーなどが使用されており、漸次に大衆化される成り行きである。このような透明な電子装置を具現するためには基本素子として使用される透明ＰＮ接合素子が必須的である。
【０００３】
このような技術のうち、韓国特許公開１０−２０１１−０００７２２３１号、“単極性垂直形透明ダイオード”には、基板、下部電極、ＺｎＯ薄膜、ＺｎＭｇＯ薄膜及び上部電極が順次に積層されて行われた単極性垂直形透明ダイオードが開示されている。
【０００４】
また、韓国特許公開１０−２０１１−００１４３２６号、“太陽電池を備えた透明有機発光ダイオードディスプレー装置及びその製造方法”には、透明有機発光ダイオードＯＬＥＤディスプレー及び駆動回路を含むディスプレー部と、前記透明有機発光ダイオードディスプレー直下段に形成され、光を電気に変換させて機器の電力を補助する太陽電池及び前記透明有機発光ダイオードディスプレーと前記太陽電池の間に形成されて絶縁機能を遂行し、前記太陽電池上部に到達する光の透過度を調節する透明中間層を含む透明有機発光ダイオードディスプレー装置が開示されている。
【０００５】
このように、透明な電子素子及び透明な素子を通じて具現される多様な技術開発が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国特許公開１０−２０１１−０００７２２３１号
【特許文献２】韓国特許公開１０−２０１１−００１４３２６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、このように透明なＰＮ接合素子及びそれを用いた電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような課題を解決するための本発明の一実施形態によるＰＮ接合素子は、支持基板、キャップクロライドＣｕＣｌ薄膜層、透明電極層、第１電極及び第２電極を含む。前記キャップクロライド薄膜層は前記支持基板上に形成され、Ｐ型半導体層で動作する。前記透明電極層は前記キャップクロライド薄膜層上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する。前記第１電極は前記キャップクロライド薄膜層上部に形成される。前記第２電極は前記透明電極層上部に形成される。
【０００９】
例えば、前記透明電極層はインジウム錫酸化物ＩＴＯまたはインジウムジンク酸化物ＩＺＯを含んでいてもよい。
【００１０】
また、前記支持基板はグラス基板、石英基板、アルミナ基板、シリコン基板、ガリウムヒ素基板のうちいずれか一つから形成されてもよい。
【００１１】
また、前記キャップクロライド薄膜層及び前記透明電極層の一部を露出させるように前記キャップクロライド薄膜層及び前記透明電極をカバーするパッシベーション層をさらに含み、前記第１電極及び前記第２電極は前記パッシベーション層を通じて露出されたキャップクロライド薄膜層及び透明電極層にそれぞれ形成されてもよい。
【００１２】
本発明の例示的な一実施形態による太陽電池は、第１基板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に、複数個が直列に連結された太陽電池セルと、を含む。前記太陽電池セルはＰ型半導体層で動作するキャップクロライドＣｕＣｌ薄膜層及び前記キャップクロライド薄膜層上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する透明電極層と、を含む。
【００１３】
例えば、前記透明電極層はインジウムすず酸化物ＩＴＯまたはインジウムジンク酸化物ＩＺＯを含んでいてもよい。
【００１４】
この際、前記太陽電池は、前記第１基板と前記第２基板を接着し、前記太陽電池セルを保護する封止材をさらに含んでいてもよい。
【００１５】
本発明の例示的な一実施形態による太陽電池は、複数の画素で構成される平板表示装置であって、前記それぞれの画素は、スイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ及び発光素子を含む。前記スイッチングトランジスタはスキャン信号の印加可否によって、オン/オフされる。前記駆動トランジスタは前記スイッチングトランジスタがオンされる場合、画素信号が印加される。前記発光素子は  前記駆動トランジスタによって駆動されて発光する。この際、前記発光素子は、Ｐ型半導体層で動作するキャップクロライドＣｕＣｌ薄膜層と、前記キャップコロライド薄膜層上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する透明電極層と、を含む。
【００１６】
例えば、前記透明電極層はインジウムすず酸化物ＩＴＯまたはインジウムジンク酸化物ＩＺＯを含んでいてもよい。
【００１７】
また、前記それぞれの画素は一つのフレームの間前記発光素子の発光を保持させるための貯蔵キャパシタをさらに含んでいてもよい。
【００１８】
また、前記それぞれの画素は前記透明電極層上部に形成された蛍光体層をさらに含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によるＰ型半導体層で動作するキャップクロライドＣｕＣｌ薄膜層と、前記キャップクロライド薄膜層上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する透明電極層で構成されるＰＮ接合素子は紫外線領域のバンドギャップを有することによって、良好な性能の可視光に透明な電子素子を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の例示的な一実施形態によるＰＮ接合素子を示す断面図である。
【図２】本発明の例示的な他の実施形態によるＰＮ接合素子を示す断面図である。
【図３】本発明のＰＮ接合素子を適用した太陽電池の例示的な一実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の例示的な一実施形態による平板表示装置の回路図である。
【図５】図４に示された本発明の例示的な一実施形態による平板表示装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明は多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することできる。ここでは、特定の実施形態を図面に例示し本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解されるべきである。
【００２２】
第１、第２などの用語は多用な構成要素を説明するのに使用されることがあるが、前記構成要素は前記用語によって限定解釈されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみとして使用される。例えば、本発明の権利範囲を外れることなく第１構成要素を第２構成要素ということができ、類似に第２構成要素も第１構成要素ということができる。
【００２３】
本出願において使用した用語は単なる特定の実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上明白に示さない限り、複数の表現を含む。本出願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書に記載された特徴、数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを意味し、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないこととして理解されるべきである。
【００２４】
本発明において膜（または層）“上に形成される”、“上に形成される”という意味は接触されるように直接形成される外に、その間に他の膜または他の層が形成ことがあり得るのを意味し、膜または層の上に“直接形成される”という意味はその間に他の層が介在できないことを意味する。
【００２５】
特別に定義されない限り、技術的か科学的な用語を含むここで使用されるすべての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者によって一般的に理解されるのと同一の意味を有する。
【００２６】
一般的に使用される辞書に定義されているのと同じ用語を関連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、本出願において明白に定義されない限り、理想的か過度に形式的意味で解釈されない。
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の好適な一実施形態をより詳細に説明する。
【００２８】
図１は本発明の例示的な一実施形態によるＰＮ接合素子を示す断面図であり、図２は本発明の例示的な他の実施形態によるＰＮ接合素子を示した断面図である。
【００２９】
図１を参照すると、本発明の例示的な実施形態によるＰＮ接合素子は、支持基板１１０、キャップクロライドＣｕＣｌ薄膜層１２０、透明電極層１３０、第１電極１４０、及び第２電極１５０を含む。
【００３０】
前記支持基板１１０はグラス基板、石英基板、アルミナ基板、シリコン基板、ガリウムヒ素基板のうちいずれか一つであってもよい。
【００３１】
前記キャップクロライド薄膜層１２０は前記支持基板１１０上に形成され、Ｐ型半導体層で動作する。図示されていないが、前記支持基板１１０上に、良質の格子構造を有するキャップクロライド薄膜層１２０を成長させるためのバッファ層をさらに含み、前記バッファ層（図示せず）上部に前記キャップクロライド薄膜層１２０を形成してもよい。前記バッファ層（図示せず）は例えば、キャップクロライドまたは透明単結晶シリコン層で構成されてもよい。
【００３２】
下記の［表１］に示されたように銅ブレンドＩ−ＶＩＩ化合物半導体はシリコンと格子常数が類似して良質の薄膜形成が可能である。より望ましく、ｎ−型半導体層１１０はバッファ層の１１１面上に形成されてもよい。
【００３３】
【表１】
2019500740.tif 000003
【００３４】
サファイアのような高い従来の基板材料と比較して、相対的に安いグラス基板にシリコンバッファ層を構成し、キャップコロライドを形成すると格子常数が類似して良質のキャップクロライド薄膜層を形成することができる。
【００３５】
また、シリコンがダイヤモンド構造を有すると知られている一方、キャップクロライドＣｕＣｌはダイヤモンド構造と等しいジンクブレンド（ｚｉｎｃｂｌｅｎｄｅ）構造を有する。特に、シリコン基板１１１面は、基板上にスタックされ得る、ＣｕＣｌの結晶構造に適合する。
【００３６】
Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体は相対的に大きい励起子結合エネルギー、例えば、ＩＩＩ族窒化物に比べて少なくとも２倍大きい励起子結合エネルギーを有することができ、それによって量子効率を向上させることができる。
【００３７】
本発明では［表１］に示されたＩ−ＶＩＩ化合物半導体のうちキャップクロライドをＰＮ接合素子として採用するが、その理由はＣｕＢｒ及びＣｕＩはバンドギャップエネルギーが可視光線領域に存在するので、可視光線領域の一部の波長の光を吸収することで、完全な透明素子として活用されるには不適合する。
【００３８】
前記透明電極層１３０は前記キャップクロライド薄膜層１２０上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する。例えば、前記透明電極層はインジウムすず酸化物ＩＴＯまたはインジウムジンク酸化物ＩＺＯを含んでいてもよい。
【００３９】
前記第１電極１４０は前記キャップクロライド薄膜層１２０上部に形成され、前記第２電極１５０は前記透明電極層上部に形成される。
【００４０】
図２を参照すると、本発明の例示的な他の実施形態によるＰＮ接合素子は、図１に示された実施形態で前記キャップクロライド薄膜層１２０及び前記透明電極層１３０の一部を露出させるように前記キャップクロライド薄膜層１２０及び前記透明電極層１３０の一部を露出させるように前記キャップクロライド薄膜層１２０及び前記透明電極層１３０をカバーするパッシベーション層１６０をさらに含んでいてもよい。この際、前記第１電極１４０及び前記第２電極１５０は前記パッシベーション層を通じて露出されたキャップクロライド薄膜層１２０及び透明電極層１３０にそれぞれ形成されてもよい。
【００４１】
このようなＰＮ接合素子は、量子効率が優れ、また、紫外線領域帯のバンドギャップエネルギーを有することで、良質の透明化を達成することができる。
【００４２】
図３は本発明のＰＮ接合素子を適用した太陽電池の例示的な一実施形態を示す断面図である。
【００４３】
図３を参照すると、本発明の例示的な一実施形態による太陽電池３００は、第１基板３１０、前記第１基板３１０に対向するように配置された第２基板３２０及び前記第１基板３１０と前記第２基板３２０との間に、複数個が直列に連結された太陽電池セルを含む。前記太陽電池３００は、前記第１基板３１０と前記第２基板３２０を接着し、前記太陽電池セルを保護する封止材３４０をさらに含んでいてもよい。
【００４４】
前記太陽電池セルはＰ型半導体層で動作するキャップクロライド薄膜層１２０及び前記キャップクロライド薄膜層１２０上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する透明電極層１３０を含む。例えば、前記透明電極層１３０はインジウムすず酸化物ＩＴＯまたはインジウムジンク酸化物ＩＺＯを含んでいてもよい。
【００４５】
前記太陽電池セルを直列に連結するために、前記太陽電池３００は連結構造体３３０をさらに含む。
【００４６】
より詳細には、前記第１基板３１０は例えば、透明基板として、グラス基板が使用されてもよい。前記第１基板３１０には前記透明電極層１３０が形成され、その上部にキャップクロライド薄膜層１２０が形成される。この際、前記キャップクロライド薄膜層１２０は互いにずれるように形成され、それを通じて連結構造体３３０は隣接する太陽電池セルの透明電極層１３０とキャップクロライド薄膜層１２０とを連結する。
【００４７】
このような太陽電池３００は前述したように、Ｐ型半導体層で動作するキャップクロライド薄膜層のバンドギャップが紫外線領域であるので、可視光線に透明し、紫外線によって電力を生成するので、明かり窓に活用できる。
【００４８】
図４は本発明の例示的な一実施形態による平板表示装置の回路図である。
【００４９】
本発明の例示的な一実施形態による平板表示装置は複数の画素ＰＸで構成される平板表示装置であって、前記それぞれの画素ＰＸは、図４に示されたように、スイッチングトランジスタｓ−ＴＦＴ、駆動トランジスタｄ−ＴＦＴ及び発光素子ＰＮ−ｄを含む。また、前記それぞれの画素ＰＸは一つのフレームの間前記発光素子ＰＮ−ｄの発光を保持させるための貯蔵キャパシタＣｓをさらに含んでいてもよい。
【００５０】
例えば、前記複数の画素ＰＸは行方向及び列方向に従って、マトリックス形状に配置されてもよい。
【００５１】
例えば、駆動電圧Ｖｃｃとカソード電圧（Ｖｃａｔｈ）の差（Ｖｃｃ−Ｖｃａｔｈ）は大略２０Ｖに固定され、回路要素の大きさは６０Ｈｚのフレーム速度と固定されてもよい。
【００５２】
前記スイッチングトランジスタｓ−ＴＦＴはスキャン信号Ｖｓｃａｎの印加可否によって、オン/オフされる。前記駆動トランジスタｄ−ＴＦＴは前記スイッチングトランジスタｓ−ＴＦＴがオンされる場合、画素信号Ｖｓｉｇが印加される。前記は発光素子ＰＮ−ｄは前記駆動トランジスタｄ−ＴＦＴによって駆動されて発光する。この際、前記発光素子ＰＮ−ｄは、Ｐ型半導体層で動作するキャップクロライド薄膜層及び前記キャップクロライド薄膜層上部に形成され、Ｎ型半導体で動作する透明電極層を含む。例えば、前記透明電極層はインジウムすず酸化物ＩＴＯまたはインジウムジンク酸化物ＩＺＯを含んでいてもよい。
【００５３】
それのために、スイッチングトランジスタｓ−ＴＦＴのゲート電極は前記スキャン信号Ｖｓｃａｎが印加され、前記スキャン信号のドレイン電極はスキャン信号が印加される。前記スイッチングトランジスタのソース電極は駆動トランジスタのゲート電極と電気的に連結され、前記駆動トランジスタのドレイン電極は駆動電圧Ｖｃｃと電気的に連結され、前記駆動トランジスタｄ−ＴＦＴのソース電極は発光素子ＰＮ−ｄのアノード電極と電気的に連結される。
【００５４】
また、前記発光素子ＰＮ−ｄのカソード電極はカソード電圧と連結される。一方、貯蔵キャパシタＣｓの第１電極は前記駆動トランジスタｄ−ＴＦＴのゲート電極と電気的に連結され、前記貯蔵キャパシタＣｓの第２電極は前記駆動トランジスタｄ−ＴＦＴのドレイン電極と連結されてもよい。
【００５５】
従って、スキャン信号Ｖｓｃａｎがスイッチングトランジスタｓ−ＴＦＴのゲート電極に印加され、画素信号Ｖｓｉｇがスイッチングトランジスタｓ−ＴＦＴのドレイン電極に印加されると、前記画素信号は駆動トランジスタｄ−ＴＦＴのゲート電極に印加され前記駆動トランジスタｄ−ＴＦＴをターンオンし、それによって、電流が駆動電圧Ｖｃｃとカソード電圧Ｖｃａｔｈとの間を流れるようになって前記発光素子ＰＮ−ｄを駆動させる。
【００５６】
一方、このような構成は例示的なものであるだけで、前記発光素子ＰＮ−を採用する画素ＰＸを駆動するための任意の回路で構成されてもよい。
【００５７】
図５は図４に示されたように本発明の例示的な一実施形態による平板表示装置を示す断面図である。
【００５８】
図５を参照すると、本発明の例示的な一実施形態による平板表示装置の画素は複数個の薄膜トランジスタを含み、複数個の薄膜トランジスタのうち駆動薄膜トランジスタ１２０は基板１００上に配置されたゲート電極５２１、ソース電極５２２、ドレイン電極５２３、及び半導体層５２４を含む。図５において駆動トランジスタｄ−ＴＦＴのみ開示されているが他のスイッチングトランジスタも同一の構造を有したもよい。
【００５９】
また、駆動トランジスタｄ−ＴＦＴはゲート絶縁膜５１３及び層間絶縁膜５１５をさらに含んでいてもよい。駆動トランジスタの構造は前記図５に開示された形態に限られず、他の形態で構成されてもよい。前記駆動トランジスタｄ−ＴＦＴと第１基板１００の間にバッファ層５１１がさらに配置されてもよい。バッファ層５１１は有機膜からなってもよい。
【００６０】
駆動トランジスタｄ−ＴＦＴ上に、前記駆動トランジスタｄ−ＴＦＴのような駆動素子を絶縁及び保護する平坦化膜５１７が配置される。平坦化膜５１７は向き膜からなっても有機膜からなってもよい。
【００６１】
前記平坦化膜５１７上に第１電極２００が形成される。前記第１電極２００は前記駆動トランジスタｄ−ＴＦＴのソース電極５２２と電気的に連結される。
【００６２】
第１電極２００の間に画素定義膜（ＰＤＬ：pixel  defining  layer、５９０）が形成される。前記画素定義膜５９０は絶縁性を有する材料から形成され、前記第１電極５２０上に画素領域を定義する。前記画素定義膜５９０は第１電極５２０の端部を覆ってもよい。
【００６３】
前記画素定義膜５９０の間に露出された第１電極２００上にはキャップクロライド薄膜層５３０が前記画素定義膜５９０の定義された画素毎に独立的に形成される。また、前記キャップクロライド薄膜層５３０上部には第２電極層５４０が形成される。前記第２電極層５４０はインジウムすず酸化物ＩＴＯまたはインジウムジンク酸化物ＩＺＯを含む透明電極層で構成される。図４で見たようにカソード電圧Ｖｃａｔｈは各画素毎に共通電圧を印加することができるので、前記第２電極層５４０は図５に示されたように、画素定義膜５９０によって分離されないように形成されてもよい。
【００６４】
前述した図１の説明のように、前記キャップクロライド薄膜層５３０と透明電極層である前記第２電極層５４０は紫外線領域のバンドギャップを有するので、前記キャップクロライド薄膜層５３０と透明電極層である前記第２電極層５４０の間では紫外線領域の光が発生される。
【００６５】
従って、それを可視光線に転換させるために前記発光素子ＰＮ−ｄは蛍光体層５５０をさらに含む。前記蛍光体層５５０は同一の波長の可視光線を発光する一つの蛍光体層５５０で形成されてもよく、カラーイメージを表現するために、示されたようにレッド蛍光体層Ｒ、グリーン蛍光体層Ｇ及びブルー蛍光体層Ｂを形成してもよい。
【００６６】
同一の波長の可視光線を発光する蛍光体層５５０である場合には前記画素定義膜５９０によって区分されなく、前記第２電極層５４０のように単一膜で形成してもよいが、レッド蛍光体層Ｒ、グリーン蛍光体層Ｇ及びブルー蛍光体層Ｂを形成する場合には前記画素定義膜５９０によって区分されるように形成する。
【００６７】
このように、本発明によるＰ型半導体層で動作するキャップクロライド薄膜層と、前記キャップクロライド薄膜層上部に形成され、Ｎ型半導体層で動作する透明電極層で構成されるＰＮ接合素子は紫外線領域のバンドギャップを有することで、良好な性能の可視光に透明な電子素子を具現することができる。
【００６８】
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【符号の説明】
【００６９】
１２０：薄膜層
１３０：透明電極層
１４０：第１電極
１５０：第２電極
１６０：パッシベーション層
３００：太陽電池
３３０：連結構造体
３４０：封止材
５１０：第１電極
５３０：キャップクロライド薄膜層
５４０：第２電極層
５５０：蛍光体層
５９０：画素定義膜
【図１】
2019500740.tif 000004
【図２】
2019500740.tif 000005
【図３】
2019500740.tif 000006
【図４】
2019500740.tif 000007
【図５】
2019500740.tif 000008
【国際調査報告】
2019500740.tif 000009
2019500740.tif 000010
2019500740.tif 000011
2019500740.tif 000012