(57)【要約】  ＴＦＴ基板（１）の断線（２０）修復方法であって、まずＴＦＴ基板（１）における断線（２０）及び該断線（２０）における断線点（２１）の位置を特定し、次にパッシベーション層（５００）と前記断線点（２１）の両端に位置する前記断線（２０）とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線（２０）の位置する金属層を露出させ、ついでに前記パッシベーション層（５００）及び断線点（２１）の両端に露出する金属層に中間材料層（７００）を被覆し、最後に中間材料層（７００）に長金属膜（８００）を形成することにより、断線点（２１）の両端の前記断線（２０）を連通させ、中間材料層（７００）の設置によって、カラーレジスト層（６００）の残留又はパッシベーション層（５００）の褶曲に起因して修復効果が悪いという問題を解決し、長金属膜（８００）のパッシベーション層（５００）での付着効果及び均一性を向上させ、長金属膜（８００）の断線及び剥離リスクを低下させ、ＴＦＴ基板（１）の断線（２０）の修復成功率を向上させることができる。
2019514075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ基板の断線修復方法であって、
ベース基板と、前記ベース基板に設置されるパターニングされた第一金属層と、前記ベース基板及び第一金属層に被覆される絶縁層と、前記絶縁層に設置されるパターニングされた第二金属層と、前記絶縁層及び第二金属層に被覆されるパッシベーション層と、を含むＴＦＴ基板を提供するステップ１と、
前記ＴＦＴ基板における断線及び該断線における断線点の位置を特定するステップ２と、
前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させるステップ３と、
前記パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆するステップ４と、
前記中間材料層に長金属膜を形成することにより、前記断線点の両端の前記断線を連通させるステップ５と、を含むＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項２】
前記ステップ４における中間材料層の材料がクロム、カドミウム、又は錫である請求項１に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項３】
前記ステップ２は、具体的に、前記ＴＦＴ基板をアレイテストサイトにて検出し、前記ＴＦＴ基板における断線及び該断線における断線点の位置座標を検索して、該断線点の座標を記録することを含む請求項１に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項４】
前記ステップ３は、具体的に、前記ＴＦＴ基板を修復装置本体に搬送し、前記修復装置本体が断線点の座標に基づいて対応する断線点を位置特定し、次に、レーザ溶接によって前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置に加工することにより、前記金属層を露出させることを含む請求項３に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項５】
前記ステップ４における中間材料層の材料がロゾール酸材料である請求項１に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項６】
前記ステップ４における中間材料層の材料がＣ１９Ｈ２９ＣＯＯＨであり、前記中間材料層が長金属膜の形成に従って次々と気化する請求項５に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項７】
前記ステップ４は、具体的に、前記ＴＦＴ基板を中間材料サイトに搬送することにより、前記パッシベーション層及び金属層に前記中間材料層を形成することを含む請求項１に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項８】
前記ＴＦＴ基板は更に前記パッシベーション層に設置されるカラーレジスト層を含み、
前記ステップ３において、該断線点に隣接する領域内のカラーレジスト層の一部を除去し、断線における断線点の両端を連通できるカラーレジスト溝を形成し、前記カラーレジスト溝には前記カラーレジスト層の下方に位置する前記パッシベーション層が露出し、前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させ、
前記ＴＦＴ基板の断線修復方法は更に前記カラーレジスト溝を有するサブピクセル領域に対して暗点化処理を行うステップ６を含む請求項１に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項９】
前記ステップ４において、前記カラーレジスト溝の内部のパッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆する請求項８に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項１０】
前記ステップ６における暗点化処理ステップは、具体的に、
前記長金属膜と空間的に交差する記憶コンデンサの電極線を切断し、暗点化すべきサブピクセル領域のソース電極とデータ線との接続、又は、ドレイン電極とピクセル電極との接続を切断するステップ６１と、
暗点化すべきサブピクセル領域のピクセル電極と記憶コンデンサの電極線とを一体に溶接するステップ６２と、を含む請求項８に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項１１】
ＴＦＴ基板の断線修復方法であって、
ベース基板と、前記ベース基板に設置されるパターニングされた第一金属層と、前記ベース基板及び第一金属層に被覆される絶縁層と、前記絶縁層に設置されるパターニングされた第二金属層と、前記絶縁層及び第二金属層に被覆されるパッシベーション層と、を含むＴＦＴ基板を提供するステップ１と、
前記ＴＦＴ基板における断線及び該断線における断線点の位置を特定するステップ２と、
前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させるステップ３と、
前記パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆するステップ４と、
前記中間材料層に長金属膜を形成することにより、前記断線点の両端の前記断線を連通させるステップ５と、を含み、
前記ステップ２は、具体的に、前記ＴＦＴ基板をアレイテストサイトにて検出し、前記ＴＦＴ基板における断線及び該断線における断線点の位置座標を検索して、該断線点の座標を記録することを含み、
前記ステップ３は、具体的に、前記ＴＦＴ基板を修復装置本体に搬送し、前記修復装置本体が断線点の座標に基づいて対応する断線点を位置特定し、次に、レーザ溶接によって前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置に加工することにより、前記金属層を露出させることを含むＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項１２】
前記ステップ４における中間材料層の材料がクロム、カドミウム、又は錫である請求項１１に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項１３】
前記ステップ４における中間材料層の材料がロゾール酸材料である請求項１１に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項１４】
前記ステップ４における中間材料層の材料がＣ１９Ｈ２９ＣＯＯＨであり、前記中間材料層が長金属膜の形成に従って次々と気化する請求項１３に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項１５】
前記ステップ４は、具体的に、前記ＴＦＴ基板を中間材料サイトに搬送することにより、前記パッシベーション層及び金属層に前記中間材料層を形成することを含む請求項１１に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項１６】
前記ＴＦＴ基板は更に前記パッシベーション層に設置されるカラーレジスト層を含み、
前記ステップ３において、該断線点に隣接する領域内のカラーレジスト層の一部を除去し、断線における断線点の両端を連通できるカラーレジスト溝を形成し、前記カラーレジスト溝には前記カラーレジスト層の下方に位置する前記パッシベーション層が露出し、前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させ、
前記ＴＦＴ基板の断線修復方法は更に前記カラーレジスト溝を有するサブピクセル領域に対して暗点化処理を行うステップ６を含む請求項１１に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項１７】
前記ステップ４において、前記カラーレジスト溝の内部のパッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆する請求項１６に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【請求項１８】
前記ステップ６における暗点化処理ステップは、具体的に、
前記長金属膜と空間的に交差する記憶コンデンサの電極線を切断し、暗点化すべきサブピクセル領域のソース電極とデータ線との接続、又は、ドレイン電極とピクセル電極との接続を切断するステップ６１と、
暗点化すべきサブピクセル領域のピクセル電極と記憶コンデンサの電極線とを一体に溶接するステップ６２と、を含む請求項１６に記載のＴＦＴ基板の断線修復方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示技術分野に関し、特にＴＦＴ基板の断線修復方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）は現在最も広く使用されているフラットパネルディスプレイの１つであり、液晶パネルが液晶表示装置のコア構成部分である。
【０００３】
従来の液晶パネルは常にカラーフィルタ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ、ＣＦ）基板、薄膜トランジスタアレイ基板（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  Ａｒｒａｙ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ、ＴＦＴ  Ａｒｒａｙ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）及び２つの基板の間に配置される液晶層（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｌａｙｅｒ）で構成され、その動作原理は、平行する二枚のガラス基板の間に液晶分子を充填し、二枚のガラス基板の間に垂直及び水平である多くの小さな電線があり、通電するかどうかによって液晶分子の方向を変化させるように制御し、バックライトモジュールの光線を屈折することにより、画面を生成する。薄膜トランジスタアレイ基板には液晶の回転を駆動し、各ピクセルの表示を制御するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイが製造されるが、カラーフィルタ基板には各ピクセルのカラーを形成するためのカラーフィルタ層が設けられる。カラーフィルタ層は赤色カラーレジスト（Ｒｅｄ）、緑色カラーレジスト（Ｇｒｅｅｎ）、及び青色カラーレジスト（Ｂｌｕｅ）が交互配列されてなる。
【０００４】
ＴＦＴ基板の断線とは、ＴＦＴ基板の製造プロセスの欠点に起因して、液晶表示パネルにおける駆動線又は信号線に断線点が発生するため、液晶表示装置に表示する際に、あるピクセル点が常に明状態にあるという現象を意味する。断線がＴＦＴ基板の製造プロセスの欠点に起因するため、製造プロセスを改良しても、断線比率を０に低下することができないことは、液晶表示装置の解決不可能な欠点である。断線が発生する液晶表示装置は品質が悪く、出荷中に断線を発見すれば、該液晶表示装置を廃棄処分にする必要があるため、製造コストを増加させてしまう。廃棄処分量を減少させ、製造コストを削減するために、従来技術はＴＦＴ基板の製造プロセスを完了した後、ＴＦＴ基板に対して断線検出を行って、検査された断線を修復する。
【０００５】
図１及び図２は従来のＴＦＴ断線修復方法で修復されたＴＦＴ基板の構造模式図及び修復位置の断面模式図であり、該ＴＦＴ断線修復方法は断線２０′の断線点２１′に隣接するサブピクセル領域に修復構造を設置し、まず断線点２１′に隣接するサブピクセル領域におけるパッシベーション層５００′に位置するカラーレジスト層６００′の一部を除去（Ｒｅｍｏｖｅ）し、断線点２１′の両端を連通できるカラーレジスト溝６１０′を形成し、次に断線点２１′の両端にレーザ溶接（ｌａｓｅｒ  ｗｅｌｄｉｎｇ）し、断線２０′における断線点２１′の両端に位置するパッシベーション層５００′、又はパッシベーション層５００′及び絶縁層３００′を除去し、その後、レーザ化学気相成長法（Ｌａｓｅｒ  ＣＶＤ）でカラーレジスト溝６１０′に長金属膜７００′を形成することにより、断線２０′を導通させ、ついでにカラーレジスト溝６１０′の位置するサブピクセル領域に暗点化し、ＴＦＴ断線の修復を完了する。このような断線修復方法は、カラーレジストを除去する際に、カラーレジストを除去するエネルギーが小さすぎる場合、パッシベーション層５００′にカラーレジストが残され、カラーレジストを除去するエネルギーが大きすぎる場合、パッシベーション層５００′に褶曲を形成し、最終的に長金属膜７００′の局所が細すぎて、長金属膜７００′とパッシベーション層５００′との付着効果が悪く、長金属膜７００′の断線及び剥離（Ｐｅｅｌｉｎｇ）リスクが発生しやすく、ＴＦＴ断線の修復成功率を低下させてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、長金属膜の付着効果及び均一性を向上させ、長金属膜の断線及び剥離リスクを低下させ、ＴＦＴ基板の断線修復成功率を向上させ、製品の品質を確保し、製品の競争力を向上させることができるＴＦＴ基板の断線修復方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を実現するために、本発明はＴＦＴ基板の断線修復方法を提供し、
ベース基板と、前記ベース基板に設置されるパターニングされた第一金属層と、前記ベース基板及び第一金属層に被覆される絶縁層と、前記絶縁層に設置されるパターニングされた第二金属層と、前記絶縁層及び第二金属層に被覆されるパッシベーション層と、を含むＴＦＴ基板を提供するステップ１と、
前記ＴＦＴ基板における断線及び該断線における断線点の位置を特定するステップ２と、
前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させるステップ３と、
前記パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆するステップ４と、
前記中間材料層に長金属膜を形成することにより、前記断線点の両端の前記断線を連通させるステップ５と、を含む。
【０００８】
前記ステップ４における中間材料層の材料がクロム、カドミウム、又は錫である。
【０００９】
前記ステップ２は、具体的に、前記ＴＦＴ基板をアレイテストサイトにて検出し、前記ＴＦＴ基板における断線及び該断線における断線点の位置座標を検索して、該断線点の座標を記録することを含む。
【００１０】
前記ステップ３は、具体的に、前記ＴＦＴ基板を修復装置本体に搬送し、前記修復装置本体が断線点の座標に基づいて対応する断線点を位置特定し、次に、レーザ溶接によって前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置に加工することにより、前記金属層を露出させることを含む。
【００１１】
前記ステップ４における中間材料層の材料がロゾール酸材料である。
【００１２】
前記ステップ４における中間材料層の材料がＣ１９Ｈ２９ＣＯＯＨであり、前記中間材料層が長金属膜の形成に従って次々と気化する。
【００１３】
前記ステップ４は、具体的に、前記ＴＦＴ基板を中間材料サイトに搬送することにより、前記パッシベーション層及び金属層に前記中間材料層を形成することを含む。
【００１４】
前記ＴＦＴ基板は更に前記パッシベーション層に設置されるカラーレジスト層を含み、
前記ステップ３において、該断線点に隣接する領域内のカラーレジスト層の一部を除去し、断線における断線点の両端を連通できるカラーレジスト溝を形成し、前記カラーレジスト溝には前記カラーレジスト層の下方に位置する前記パッシベーション層が露出し、前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させ、
前記ＴＦＴ基板の断線修復方法は更に前記カラーレジスト溝を有するサブピクセル領域に対して暗点化処理を行うステップ６を含む。
【００１５】
前記ステップ４において、前記カラーレジスト溝の内部のパッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆する。
【００１６】
前記ステップ６における暗点化処理ステップは、具体的に、
前記長金属膜と空間的に交差する記憶コンデンサの電極線を切断し、暗点化すべきサブピクセル領域のソース電極とデータ線との接続、又は、ドレイン電極とピクセル電極との接続を切断するステップ６１と、
暗点化すべきサブピクセル領域のピクセル電極と記憶コンデンサの電極線とを一体に溶接するステップ６２と、を含む。
【００１７】
本発明は更にＴＦＴ基板の断線修復方法を提供し、
ベース基板と、前記ベース基板に設置されるパターニングされた第一金属層と、前記ベース基板及び第一金属層に被覆される絶縁層と、前記絶縁層に設置されるパターニングされた第二金属層と、前記絶縁層及び第二金属層に被覆されるパッシベーション層と、を含むＴＦＴ基板を提供するステップ１と、
前記ＴＦＴ基板における断線及び該断線における断線点の位置を特定するステップ２と、
前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させるステップ３と、
前記パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆するステップ４と、
前記中間材料層に長金属膜を形成することにより、前記断線点の両端の前記断線を連通させるステップ５と、を含み、
前記ステップ２は、具体的に、前記ＴＦＴ基板をアレイテストサイトにて検出し、前記ＴＦＴ基板における断線及び該断線における断線点の位置座標を検索して、該断線点の座標を記録することを含み、
前記ステップ３は、具体的に、前記ＴＦＴ基板を修復装置本体に搬送し、前記修復装置本体が断線点の座標に基づいて対応する断線点を位置特定し、次に、レーザ溶接によって前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置に加工することにより、前記金属層を露出させることを含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、本発明に係るＴＦＴ基板の断線修復方法であって、まず前記ＴＦＴ基板における断線及び該断線における断線点の位置を特定し、次に前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させ、ついでに前記パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆し、最後に前記中間材料層に長金属膜を形成することにより、前記断線点の両端の前記断線を連通させ、中間材料層の設置によって、カラーレジスト層の残留又はパッシベーション層の褶曲に起因して修復効果が悪いという問題を解決し、長金属膜のパッシベーション層での付着効果及び均一性を向上させ、長金属膜の断線及び剥離リスクを低下させ、ＴＦＴ基板の断線修復成功率を向上させることができるという有益な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
本発明の特徴及び技術的内容を更に理解するために、以下の本発明についての詳細な説明及び図面を参照できるが、図面は参照及び説明のためのものであって、本発明を制限するためのものではない。
【００２０】
【図１】図１は従来のＴＦＴ基板の断線修復方法で修復されたＴＦＴ基板の構造模式図である。
【図２】図２は図１におけるＡ−Ａ′箇所の断面模式図である。
【図３】図３は本発明のＴＦＴ基板の断線修復方法でＴＦＴ基板の表示領域内の断線を修復する時のフローチャートである。
【図４】図４は図３に示すフローチャートにおけるステップ１の模式図である。
【図５】図５は図４におけるＢ−Ｂ′線箇所の断面模式図である。
【図６】図６は図３に示すフローチャートにおけるステップ３の模式図である。
【図７】図７は図６におけるＢ−Ｂ′線箇所の断面模式図である。
【図８】図８は図３に示すフローチャートにおけるステップ４の模式図である。
【図９】図９は図８におけるＢ−Ｂ′線箇所の断面模式図である。
【図１０】図１０は図３に示すフローチャートにおけるステップ５の模式図である。
【図１１】図１１は中間材料層の材料が金属材料である場合の図１０におけるＢ−Ｂ′線箇所の断面模式図である。
【図１２】図１２は中間材料層の材料がロゾール酸材料である場合の図１０におけるＢ−Ｂ′線箇所の断面模式図である。
【図１３】図１３は図３に示すフローチャートにおけるステップ６の模式図である。
【図１４】図１４は本発明のＴＦＴ基板の断線修復方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明に用いた技術的手段及びその効果を更に説明するために、以下、本発明の好適な実施例及びその図面を参照しながら詳しく説明する。
【００２２】
図１４及び図３に示すように、本発明はＴＦＴ基板の断線修復方法を提供し、該方法でＴＦＴ基板の表示領域内の断線を修復する時、以下のステップを含む。
【００２３】
ステップ１、図４及び図５に示すように、ＴＦＴ断線を修復すべきＴＦＴ基板１を提供する。
【００２４】
具体的に、前記ＴＦＴ基板１は、ベース基板１００と、前記ベース基板１００に設置されるパターニングされた第一金属層２００と、前記ベース基板１００及び第一金属層２００に被覆されるゲート絶縁層３００と、前記ゲート絶縁層３００に設置されるパターニングされた第二金属層４００と、前記ゲート絶縁層３００及び第二金属層４００に被覆されるパッシベーション層５００と、前記パッシベーション層５００に設置されるカラーレジスト層６００と、を含み、
前記第一金属層２００は間隔を置いて平行に配列される複数の駆動線２１０を含み、前記第二金属層４００は間隔を置いて平行に配列される複数のデータ線４１０を含み、前記駆動線２１０及びデータ線４１０が空間的に垂直に交差してアレイ状に配列される複数のサブピクセル領域を形成する。
【００２５】
更に、前記ステップ１における第一金属層２００は更に各サブピクセル領域に被覆される記憶コンデンサの電極線（ＣＳＴ  Ｌｉｎｅ）２２０、及びそれぞれアレイ状に配列される各サブピクセル領域に対応形成された複数のグリッド電極（図示せず）を含み、前記複数のグリッド電極はそれぞれそれが位置するサブピクセル領域に対応する駆動線２１０に電気的に接続され、前記絶縁層３００は積層設置されたゲート絶縁層及び層間絶縁層を含み、前記複数のグリッド電極の上方のゲート絶縁層と層間絶縁層との間に複数の半導体層３１０が形成され、前記ステップ１における第二金属層４００は更にそれぞれアレイ状に配列される各サブピクセル領域に対応形成された複数のソース電極４２０及びドレイン電極４３０を含み、前記複数のソース電極４２０及びドレイン電極４３０がそれぞれ対応する半導体層３１０の両端に接触し、前記複数のソース電極４２０はそれぞれそれが位置するサブピクセル領域に対応するデータ線４１０に電気的に接続され、前記ＴＦＴ基板１は更に前記カラーレジスト層６００に設けられる、それぞれ各サブピクセル領域に対応形成された複数のピクセル電極（図示せず）を含み、前記複数のピクセル電極はそれぞれそれが位置するサブピクセル領域に対応するドレイン電極４３０に電気的に接続される。
【００２６】
ただし、前記グリッド電極、半導体層３１０、ソース電極４２０、ドレイン電極４３０が共に各サブピクセル領域のスイッチＴＦＴを形成することにより、データ信号の書き込みを制御する。前記ソース電極４２０、ドレイン電極４３０が前記層間絶縁層に形成される貫通孔によって前記半導体層３１０に接触し、前記ピクセル電極が前記カラーレジスト層６００及びパッシベーション層５００に形成される貫通孔によって前記ドレイン電極４３０に接触し、前記ピクセル電極が前記記憶コンデンサの電極線２２０と絶縁的に重ね合わせして記憶コンデンサを形成する。好ましくは、前記絶縁層３００及びパッシベーション層５００の材料が酸化ケイ素、窒化ケイ素、又はそれらの組み合わせであり、前記第一金属層２００及び第二金属層４００の材料がアルミニウム、又は銅である。
【００２７】
具体的に、前記カラーレジスト層６００は様々な異なる色のカラーレジストを含み、好ましくは、前記ステップ１におけるカラーレジスト層６００は順に交互配列される赤色カラーレジストＲ、緑色カラーレジストＧ、及び青色カラーレジストＢを含み、当然ながら、必要に応じて、前記カラーレジスト層６００は更に白色カラーレジスト、黄色カラーレジスト等の様々な色のカラーレジストを含んでもよい。
【００２８】
ステップ２、前記ＴＦＴ基板１をアレイテストサイトにて検出し、前記ＴＦＴ基板１における断線２０及び該断線２０における断線点２１の位置座標を検索して、該断線点２１の座標を記録する。
【００２９】
具体的に、前記断線点２１の座標を対応する修復システムに記録することにより、各装置は修復システムから該座標を取得し、断線点２１の位置を直ちに特定することができる。
【００３０】
具体的に、該断線２０が駆動線２１０であってもよいし、データ線４１０であってもよい。
【００３１】
ステップ３、前記ＴＦＴ基板１を修復装置本体に搬送し、修復装置本体が断線点２１の座標に基づいて対応する断線点２１を位置特定して、レーザで該断線点２１に隣接するサブピクセル領域内のカラーレジスト層６００の一部を除去し、断線２０における断線点２１の両端を連通できるカラーレジスト溝６１０を形成し、次に断線２０における断線点２１の両端の位置にレーザ溶接することにより、断線点２１の両端の金属層を露出させる。
【００３２】
図６及び図７に示すように、断線２０がデータ線４１０である場合、レーザ溶接時に断線点２１の両端のパッシベーション層５００を除去する必要があり、断線２０が駆動線２１０である場合、レーザ溶接時に断線点２１の両端のパッシベーション層５００及び絶縁層３００を除去する必要がある。また、図６における除去されたのは断線点２１の右側のサブピクセル領域内のカラーレジスト層６００の一部であり、必要に応じて、更に断線点２１の左側のサブピクセル領域内のカラーレジスト層６００の一部を除去する案を用いてもよい。
【００３３】
ステップ４、図８及び図９に示すように、前記ＴＦＴ基板１を中間材料サイトに搬送し、前記カラーレジスト溝６１０の内部のパッシベーション層５００及び断線点２１の両端に露出する金属層に中間材料層７００を被覆する。
【００３４】
具体的に、前記中間材料７００層の材料が高接着力の金属であってもよく、クロム、カドミウム、又は錫が好ましい。前記中間材料７００層の材料がロゾール酸材料であってもよく、Ｃ１９Ｈ２９ＣＯＯＨが好ましい。
【００３５】
ステップ５、前記ＴＦＴ基板１をレーザＣＶＤ装置に搬送し、レーザＣＶＤプロセスを利用して前記中間材料層７００に長金属膜８００を形成する。
【００３６】
具体的に、図１０及び図１１に示すように、中間材料層７００が高接着力の金属であり、長金属膜８００が中間材料層７００及び断線点２１の両端のレーザ孔によって断線点２１の両端を接続することにより、断線２０を連通させ、正常に信号を伝送し、それにより断線２０の修復を完了する。
【００３７】
ただし、クロム、カドミウム、又は錫が金属及び非金属といずれもより高い接着力を有するため、中間材料層７００をパッシベーション層５００及び長金属膜８００にしっかりと接着させることができ、長金属膜８００のパッシベーション層５００での付着効果を向上させ、長金属膜８００の脱落を効果的に防止することができ、同時に、中間材料層７００は修復装置本体の大きすぎるカラーレジスト除去エネルギーによるパッシベーション層の褶曲及び小さすぎるカラーレジスト除去エネルギーによるカラーレジストの残留を改善することができ、長金属膜８００の付着面を平坦化し、長金属膜８００の均一性を向上させることができ、長金属膜８００の局所が細すぎるため、断線が発生することを防止し、ＴＦＴ基板の断線修復成功率を向上させる。
【００３８】
具体的に、図１０及び図１２に示すように、中間材料層７００がロゾール酸であり、長金属膜８００は製造中に放熱によってロゾール酸を気化させ、中間材料層７００を無くし、長金属膜８００の製造を完了した後、長金属膜８００が断線点２１の両端のレーザ孔によって断線点２１の両端を接続することにより、断線２０を連通させ、正常に信号を伝送し、それにより断線２０の修復を完了する。
【００３９】
ただし、ロゾール酸が熱の影響を受けると気化するため、長金属膜８００の製造中に、長金属膜８００を形成する溶融された金属がロゾール酸の気化中に次々と堆積し、レベリングすることにより、長金属膜８００内の金属分子同士を更に密着させ、長金属膜８００のパッシベーション層５００での付着効果及び均一性を向上させることができ、ＴＦＴ基板の断線修復成功率を向上させる。
【００４０】
ステップ６、カラーレジスト溝６１０を有するサブピクセル領域に対して暗点化処理を行い、ＴＦＴ基板の断線修復を完了する。
【００４１】
具体的に、図１３に示すように、前記ステップ６は具体的に以下を含む。
【００４２】
ステップ６１、まず前記長金属膜８００と空間的に交差する記憶コンデンサの電極線２２０を切断し、長金属膜８００と記憶コンデンサの電極線２２０との短絡を防止する。
【００４３】
次に暗点化すべきサブピクセル領域のソース電極４２０とデータ線４１０との接続、又は、ドレイン電極４２０とピクセル電極との接続を切断する。
【００４４】
ステップ６２、暗点化すべきサブピクセル領域のピクセル電極と記憶コンデンサの電極線２２０とを一体に溶接することにより、該サブピクセル領域が暗点化状態を呈する。
【００４５】
具体的に、前記断線２０の修復を完了した後、ＴＦＴ基板１を再検出し、修復に成功したと決定すれば、出荷可能になる。
【００４６】
本発明に係る中間材料層を追加する修復方法であって、
まず、加工によって修復対象金属線の上方のパッシベーション層領域を露出させ、前記加工方法は、従来の物理又は化学的方法でパッシベーション層の上方の他の構造（上記実施例における表示領域に対応するカラーレジスト層）を除去することにより、修復対象金属線の断線点近傍の上方のパッシベーション層を露出させることを含み、ここでパッシベーション層が絶縁層と称されてもよく、
次に、レーザ溶接によってパッシベーション層を加工することにより、断線点の両端の修復対象断線とパッシベーション層とが交差する位置に該断線の位置する金属層を露出させ、
最後に、順に該パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層７００及び長金属膜８００を被覆することにより、断線点の両端の修復対象断線を中間材料層７００及び長金属膜８００によって導通させる本発明に係る中間材料層を追加する修復方法も非表示領域等の他の同様の位置にも適用すると理解される。ここで中間材料層の材料が上記実施例と同様であり、詳細な説明は省略する。
【００４７】
ただし、本発明を非表示領域内の断線の修復に応用する他の具体的な細部は本分野の従来技術に属し、詳細な説明は省略する。
【００４８】
要するに、本発明に係るＴＦＴ基板の断線修復方法であって、まず前記ＴＦＴ基板における断線及び該断線における断線点の位置を特定し、次に前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させ、ついでに前記パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆し、最後に前記中間材料層に長金属膜を形成することにより、前記断線点の両端の前記断線を連通させ、中間材料層の設置によって、カラーレジスト層の残留又はパッシベーション層の褶曲に起因して修復効果が悪いという問題を解決し、長金属膜のパッシベーション層での付着効果及び均一性を向上させ、長金属膜の断線及び剥離リスクを低下させ、ＴＦＴ基板の断線修復成功率を向上させることができる。
【００４９】
以上の説明は、当業者であれば、本発明の技術案及び技術思想に基づいて他の種々の対応する変更及び変形を行うことができるが、すべてのこれらの変更及び変形はいずれも本発明の添付の特許請求の保護範囲に属すべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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