(57)【要約】  式（Ｉ）（明細書参照）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを４６０℃〜７００℃の温度で加熱することによる生成物を含むエージングしたシルセスキオキサンポリマー、エージングしたシルセスキオキサンポリマー及び少なくとも１つの追加の構成成分を含む配合物、エージングしたシルセスキオキサンポリマーの作製及び使用方法、並びにエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含有する製造物品及びデバイス。【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱工程（ａ）又は（ｂ）を含むプロセスによって作製された生成物である、エージングしたシルセスキオキサンポリマーであって、加熱工程（ａ）は下位工程（ａ）（１）及び（ａ）（２）：
（ａ）（１）シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを、１５０摂氏度（℃）〜３００℃の温度で少なくとも１０秒間加熱して、硬化したシルセスキオキサンポリマーを得ること、次いで（ａ）（２）前記硬化したシルセスキオキサンポリマーを、４６０℃〜７００℃の温度で少なくとも１分間加熱して、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを得ることで構成され、ここで前記シルセスキオキサン樹脂プレポリマーは式（Ｉ）：（ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｘ（ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｙ（ＲＡｌｋＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｚ（Ｉ）［式中、各ＲＡｒは独立してフェニル又はナフチルであり、各ＲＡｌｋは独立して（Ｃ１−Ｃ３）アルキルであり、添字ｘは０．２０〜０．９４のモル分率であり、添字ｙは０．０６〜０．８０のモル分率であり、添字ｚは０〜０．７０のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、各ｈは独立して０、１又は２である。］のものであり、前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーにおいて、ＳｉＯＨ基を有する単位のモルパーセント、ｗ１は６〜３８モルパーセントである；  
加熱工程（ｂ）は、硬化したシルセスキオキサンポリマーを、４６０℃〜７００℃の温度で少なくとも１分間加熱して、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを得ることである；
前記加熱工程（ａ）又は（ｂ）において、前記硬化したシルセスキオキサンポリマーは、独立して、式（Ｉ）：（ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｘ（ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｙ（ＲＡｌｋＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｚ（Ｉ）［式中、各ＲＡｒは独立してフェニル又はナフチルであり、各ＲＡｌｋは独立して（Ｃ１−Ｃ３）アルキルであり、添字ｘは０．２０〜０．９４のモル分率であり、添字ｙは０．０６〜０．８０のモル分率であり、添字ｚは０〜０．７０のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、各ｈは独立して０、１又は２である。］のものであり、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーにおいて、ＳｉＯＨ基を有する単位のモルパーセント、ｗ２は、１〜２０モルパーセントであり；ｗ１＞ｗ２であり；
前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、第１質量である質量１によって特徴付けられ、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、第２質量である質量２によって特徴付けられ、ここで質量２＝０．８５質量１〜１．０２質量１である、エージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【請求項２】
前記プロセスが、前記加熱工程（ａ）を含む、請求項１に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【請求項３】
前記プロセスが、前記加熱工程（ｂ）を含む、請求項１に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【請求項４】
以下の制限（Ａ）〜（Ｒ）：
（Ａ）前記加熱下位工程（ａ）（２）において、又は前記加熱工程（ｂ）において、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを、４６０℃〜６００℃の温度で１分間〜１２０分間加熱する；
（Ｂ）前記加熱下位工程（ａ）（２）において、又は前記加熱工程（ｂ）において、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを、５００℃〜７００℃の温度で１分間〜１２０分間加熱する；
（Ｃ）前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、４６０℃〜７００℃の温度下のものとして特徴付けられる；
（Ｄ）前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、−４０℃〜４０℃の温度下のものとして特徴付けられる；
（Ｅ）前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、３０，０００〜３，０００，０００の重量平均分子量Ｍｗを有する；
（Ｆ）制限（Ｅ）並びに制限（Ｃ）及び（Ｄ）のいずれか１つ；
（Ｇ）質量２＝０．８６質量１〜１．００質量１、質量２＝０．９１質量１超から１．００質量＜１、又は質量２＝０．９３質量１〜０．９９質量１；
（Ｈ）５００℃で６０分間加熱することからなる前記加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９１質量１〜１．００質量１；
（Ｉ）６００℃で６０分間加熱することからなる前記加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９１質量１〜１．００質量１；
（Ｊ）５００℃で６０分間加熱することからなる前記加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９３質量１〜１．００質量１；
（Ｋ）６００℃で６０分間加熱することからなる前記加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９３質量１〜１．００質量１；
（Ｌ）制限（Ｈ）及び（Ｉ）の両方；
（Ｍ）制限（Ｊ）及び（Ｋ）の両方；
（Ｎ）前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー及び前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、２．４重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（ＴＭＡＨａｑ）に６０℃で１０分間浸漬することによる溶解度、又は、６０℃での２．４重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（ＴＭＡＨａｑ）中の溶解速度から選択される少なくとも１つの化学的特徴が互いに異なっており、ここでその中の前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーの前記溶解度が前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの前記溶解度よりも少なくとも２５％小さい；
（Ｏ）前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー及び前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、フーリエ変換赤外線（ＩＲ）分光法により測定した際に、「Ｓｉ−Ｈ含有量」であるケイ素結合水素原子の含有量から選択される少なくとも１つの構造的特徴が互いに異なっており、ここで、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーの前記Ｓｉ−Ｈ含有量は、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの前記Ｓｉ−Ｈ含有量よりも少なくとも２５％小さい；
（Ｐ）制限（Ｎ）及び（Ｏ）のうちの少なくとも２つ；
（Ｑ）制限（Ｎ）又は（Ｏ）、及び制限（Ａ）〜（Ｍ）のいずれか１つ；並びに
（Ｒ）前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー及び前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは、２５℃でのプロピレングリコールモノメチルエーテルモノアセテートであるＰＧＭＥＡ中の溶解度、から選択される少なくとも１つの化学的特徴が互いに異なっており、ここで、それぞれ２５℃にて１．０ミリリットルのＰＧＭＥＡ中で０．１０ｇの前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー又は式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーで全て測定して、前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは完全に溶解し、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは不溶であるか、又は少なくとも部分的に不溶である；
のいずれか１つによって特徴付けられる請求項１〜３のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【請求項５】
前記加熱工程（ａ）を含むプロセスよって作製され、前記加熱下位工程（ａ）（１）を実施した後、前記プロセスが、前記加熱下位工程（ａ）（２）を実施する前に、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを、０℃〜４０℃の温度まで冷却する、下位工程（ａ）（１．５）を更に含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【請求項６】
シート、複数の粒子、又は設計されたパターンとして構成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む製造物品。
【請求項７】
前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーと動作可能に接触して配置される、基板を更に備える、請求項６に記載の製造物品。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む電子デバイス、及びそれと動作可能に接触して配置される電子部品。
【請求項９】
半導体デバイスの高温形成したフィーチャの作製方法であって、半導体部品上に配置された請求項１〜５のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む物品に、４６０℃〜７００℃の温度で少なくとも１つの加工工程を実施して、前記半導体部品上に配置された高温形成したフィーチャ及び前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む半導体デバイスを得ることを含む方法。
【請求項１０】
以下の制限（１）〜（７）：
（１）前記高温形成したフィーチャは、４６０℃〜７００℃の温度で実施される材料堆積又は処理プロセスによって作製される；
（２）前記高温形成したフィーチャは、４６０℃〜７００℃の温度で実施される材料堆積又は処理プロセスによって作製され、ここで前記材料堆積プロセスは、ＣＶＤ前駆体を用いた化学蒸着又はＡＬＤ前駆体を用いた原子層堆積を含み、前記処理プロセスは、アニーリング、アッシング、又はエッチングを含み；全てが４６０℃〜７００℃の温度で実施される；
（３）前記加工工程を実施する前に、工程（ａ）又は（ｂ）により前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを予め作製するか、又は前記加工工程を実施する際に、ｉｎ  ｓｉｔｕで工程（ａ）又は（ｂ）により前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを作製する；
（４）前記方法は、前記加工工程を実施する前に、前記半導体部品上に前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーと送達媒質との混合物をスピンコーティングしてウェットコーティングを得ること、及び前記ウェットコーティングから前記送達媒質を除去して、前記半導体部品と接触している前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥したコーティングを得ることを更に含む；
（５）前記半導体部品は半導体ウエハを含む；並びに、
（６）前記高温形成したフィーチャは、半導体材料の堆積物、アニーリングされた半導体材料、アッシング残留物、又はエッチングした層を含む；並びに
（７）前記半導体デバイスは、光（起）電セル、ダイオード、トランジスタ、又は集積回路を備える；
のいずれか１つを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
液体フルオリドストリッパで前記半導体部品から前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーの少なくとも一部をウェットストリッピングすることを更に含み、前記液体フルオリドストリッパは、酢酸、ジメチルアセトアミド、アンモニウムフルオリド、及び水を含み、前記アンモニウムフルオリドの濃度は、前記液体フルオリドストリッパの総重量に対して少なくとも４重量％（ｗｔ％）〜１５ｗｔ％であり、前記ウェットストリッピングは、前記液体フルオリドストリッパ中の前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーの少なくとも一部を溶解するように、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを前記液体フルオリドストリッパと接触させることを含む、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーの粒子の分散体と、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーではない少なくとも１つの追加の構成要素と、を含む、配合物。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの追加の構成要素が、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー、液体媒質、オルガノシロキサンモノマー又はオリゴマー、シラン、非樹脂性ポリオルガノシロキサン、有機ポリマー、粒子状炭素、及び粒子状無機固体である、請求項１２に記載の配合物。
【請求項１４】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを、それが接触している基板から除去する方法であって、前記液体フルオリドストリッパは酢酸、ジメチルアセトアミド、アンモニウムフルオリド、及び水を含み、前記アンモニウムフルオリドの濃度は、前記液体フルオリドストリッパの総重量に対して少なくとも４重量％（ｗｔ％）〜１５ｗｔ％であり、前記液体フルオリドストリッパ中の前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーの少なくとも一部を溶解するように、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを液体フルオリドストリッパと接触させることを含む、方法。
【請求項１５】
以下の制限（ａａ）〜（ｌｌ）：
（ａａ）前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは、沸点が３０℃〜１５０℃の溶媒を０．５ｗｔ％未満有する、実質的に溶媒を含まない形態の前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの硬化による硬化生成物を含む；
（ｂｂ）各ＲＡｒはフェニルであり、各ＲＡｌｋはメチルである；
（ｃｃ）（ａａ）及び（ｂｂ）の両方；
（ｄｄ）添字ｘは０．２５〜０．９０のモル分率であり、添字ｙは０．１０〜０．５０のモル分率であり、添字ｚは０〜０．６５のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である；
（ｅｅ）添字ｚは０であり、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは式（Ｉ−ａ）：（ＨＳｉＯ３／２）ｘ（フェニルＳｉＯ）３／２ｙ（Ｉ−ａ）［式中、添字ｘは０．５〜０．９４であり、添字ｙは０．０６〜０．５であり、合計はｘ＝ｙ＝１である。］のものである；
（ｆｆ）（ｂｂ）及び（ｅｅ）の両方；
（ｇｇ）（ａａ）、（ｂｂ）及び（ｅｅ）の各々；
（ｈｈ）添字ｚは０．４０〜０．６５のモル分率であり、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、式（Ｉ−ｂ）：（ＨＳｉＯ３／２）ｘ（フェニルＳｉＯ３／２）ｙ（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）ｚ（Ｉ−ｂ）［式中、添字ｘは０．２５〜０．４０であり、添字ｙは０．１０〜０．２５であり、添字ｚは０．４０〜０．６５の前記モル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。］のものである；
（ｉｉ）（ｂｂ）及び（ｈｈ）の両方；
（ｊｊ）（ａａ）、（ｂｂ）及び（ｈｈ）の各々；
（ｋｋ）各ＲＡｒはフェニルであり、各ＲＡｌｋはメチルであり、前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、又は前記エージングしたシルセスキオキサンポリマー中の、前記得られた（ＨＳｉＯ３／２）ｘ単位（Ｔ（Ｈ））、（フェニルＳｉＯ）３／２ｙ単位（Ｔ（フェニル））、及び（メチルＳｉＯ）３／２ｙ単位（Ｔ（メチル））の前記モル分率は、
Ｔ（Ｈ）０．９０Ｔ（フェニル）０．１０；
Ｔ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５；
Ｔ（Ｈ）０．８０Ｔ（フェニル）０．２０；
Ｔ（Ｈ）０．５０Ｔ（フェニル）０．５０；
Ｔ（Ｈ）０．３５Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４０；
Ｔ（Ｈ）０．３０Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４５；
Ｔ（Ｈ）０．２５Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．６５；及び
Ｔ（Ｈ）０．４０Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．５０から選択される；
（ｌｌ）制限（ｋｋ）、及び（ａａ）又は（ｃｃ）のいずれか、
のいずれか１つを含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の発明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、全般的に、エージングしたシルセスキオキサンポリマー、それを含む配合物、製造された物品、及びデバイス、その作製方法、並びにその使用方法に関する。エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、非常に高温（例えば、４６０摂氏度（℃）〜７００℃）で使用することができ、更に質量的な安定性を維持することができ、本発明の新規のストリッパ配合物を使用した際、完全かつ容易に剥離可能である。
【背景技術】
【０００２】
脱着可能なポリマーは、航空宇宙、自動車、及びエレクトロニクス産業などの様々な産業における電子デバイス及び微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）の処理及び製造における使用が見出されてきた。脱着可能ポリマーとしては、特定の種類の無機ポリマー、有機ポリマー、及びシリコーンが挙げられる。その特性及び利用目的に応じて、脱着可能ポリマーは、一般に、以下のカテゴリ：犠牲ポリマー及びリワーク型ポリマーの１つ以上に分類される。電子デバイス及びＭＥＭＳは、犠牲ポリマー及びリワーク型ポリマーの一方又は両方を使用するプロセスを用いて作製され得る。
【０００３】
犠牲ポリマーは、電子デバイス及びＭＥＭＳの製造における一時的な使用のために設計されかつこのような使用が意図される仮固着用接着剤及びフォトレジストポリマーなどの物質であり、設計次第で、意図された目的を果たした後に、少なくとも部分的にデバイスから脱着される。即ち、完成した電子デバイス又はＭＥＭＳには少なくともある程度の量の犠牲ポリマーは残存しない。例えば、半導体デバイス用集積回路（ＩＣ）は、構造材料及び犠牲ポリマーの交互層又は列を用いて加工されてよい又は作製されてよい。回路が形成された後、犠牲ポリマーの列は後に除去され、完成した半導体デバイスに残存しない。あるいは、半導体デバイス用半導体ウエハを、犠牲仮固着用接着剤で支持ウエハに一時的に接着してもよい。仮固着用接着剤は後に半導体ウエハから除去され、完成した半導体デバイスに残存しない。
【０００４】
カプセル化用材料、境界面層、又は注型封入部材（ｐｏｔｔａｎｔ）などのリワーク型ポリマーは、製造上の欠陥が発見されない限り、完成した電子デバイス又はＭＥＭＳに残存させてもよい物質である。後者の場合、リワーク型ポリマーは、半導体基板などの貴重なデバイス構成部品の再利用を可能にするために、デバイス又はＭＥＭＳから完全に剥離されてもよい。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）を備えたランプを、リワーク型ポリマーカプセル化用材料で作製してもよく、ランプのうちの１つで欠陥が発見された場合に、欠陥のあるランプからカプセル化用材料を除去し、解放されたＬＥＤを新しいカプセル化用材料で再封止する。
【０００５】
電子デバイス及びＭＥＭＳの製造並びに操作要件は、脱着可能ポリマーに厳しい性能要件を課す。脱着可能なポリマーは、４００℃以下の温度にて安定で、かつ更に、敏感な電気部品又は光学部品に害を及ぼさない液体ストリッパを使用して、容易かつ完全に剥離可能なままでなければならない。脱着可能なポリマー及び液体ストリッパは、これらの産業においてほとんど認められていない。
【０００６】
既存の脱着可能なポリマーは、製造プロセス中又は操作プロセス中に高すぎる（例えば、＞４００℃）熱にさらされる場合、１つ以上の不利益を被ることが予想される。これらは過度に収縮し、化学的に劣化し、あまりにも多くの質量を失い（例えば、＞１５％質量の損失）、あまりにも多くの質量が増大し（例えば、＞２％質量の増大）、及び／又は剥離不能となる。かかる収縮は、望ましくないことに、脱着可能なポリマーが接触している電気／光学部品（複数可）から脱着可能なポリマーを引き離すことにつながる。既存の脱着可能ポリマーは、化学的劣化により腐食副産物を放出し、敏感な電子部品及びＭＥＭＳ部品を汚染する。あるいは、又は加えて、化学的劣化により、脱着可能ポリマーは、例えば、仮固着用接着剤では早期に接着力を失う又はカプセル化用材料では光学透過性を失う（スペクトルの変化又は透過率（％）の減少）などのように、それらの使用に際し特性を失う。質量損失は収縮と同様であり、望ましくないことに、脱着可能なポリマーの特性に、硬度の増加、柔軟性の低下、又は熱伝導率／絶縁性の低下などといった変化を生じ得る。質量の増大に伴う影響は、化学的劣化に関係する汚染又は特性損失による影響と同様である。脱着可能なポリマーを過剰に加熱すると、望ましくないことに液体ストリッパに対して不活性となり、処理操作及び製造操作が非効率又は不能になり得る。
【０００７】
しかし、既存の脱着可能なポリマーの組成物の性質は、それらの有用な製造及び操作条件を約４００℃、典型的には３００℃〜３５０℃以下の最高温度に制限する。この温度を上回ると、既存の脱着可能なポリマーには上記の欠陥の１つ以上が生じることが予想される。例えば、４００℃を上回る温度で既存の脱着可能なポリマーを使用することを妨げる共通の問題は、それらが、１５％超の質量を損失し、及び／又は液体ストリッパで剥離不能となることである。４００℃を上回ると、その他の既存の脱着可能なポリマーは、化学的に劣化し、及び／又は質量が増大する。
【０００８】
既存の有機ポリマーの操作制限は、約４００℃の最高使用温度を有すると言われているポリイミドにより説明されるものである。ポリイミドは４００℃を上回る温度で不安定になり、劣化して、質量が増大又は低下する。ポリイミドはまた、剥離不能になり得る。
【０００９】
既存の無機ポリマーの操作制限は、米国特許第５，７６２，６９７号（Ｙｏｓｈｉｎｏｒｉ  Ｓａｋａｍｏｔｏら）（ＳＡＫＡＭＯＴＯ）の硬化したトリアルコキシシラン（ｔｒｉａｌｋｏｘａｙｓｉｌａｎｅ）加水分解産物により説明される。ＳＡＫＡＭＯＴＯの無機シルセスキオキサンポリマーは、有機基（例えば、ヒドロカルビル基）がないか、又は含まない。式（ＨＳｉ（Ｏ（Ｃ１−Ｃ４）アルキル）３）のトリアルコキシシランを加水分解することで作製される、硬化したトリアルコキシシラン加水分解産物は、空気中で熱重量分析を行う際に非常に特異的な熱重量挙動を示すと言われている。即ち、温度（空気中）を上昇させることによって得られる熱重量曲線は、熱重量分析で重量の減少を示すトリアルコキシシラン加水分解産物を含有する従来のコーティング溶液とは対照的に、３００℃を大きく超える温度で数％（例えば３％）の（重量の）増加を示す。硬化したトリアルコキシシラン加水分解産物の膜を空気中で４００℃にて３０分間焼成し（適用例１〜３）、次いで、ガス放出試験機を用いて熱分解によりガス放出試験を実施し、温度を５０℃から６００℃まで上昇させた。ガス放出を根拠とする劣化が観察された。更に、トリアルコキシシラン加水分解産物プレポリマー及び比較のトリアルコキシシラン加水分解産物プレポリマーのうちの１つでは、１０℃／分の昇温速度で４０℃〜８００℃の温度範囲で、熱重量分析（ＴＧ）及び示差熱分析（ＤＴＡ）を実施したところ（適用例４）、それぞれ固体材料１及び２が得られた。固体材料１は、３６０℃以上８００℃以下で約４．０％の重量の増加を示したが、固体材料２は、８００℃まで加熱した場合、９．３％の重量の減少を示した。ＳＡＫＡＭＯＴＯの無機シルセスキオキサンポリマーは、高温で過剰な重量の増大又は過剰な重量の損失を受けやすく、剥離させることができない場合がある。
【００１０】
ケイ素結合した有機基（例えば、ヒドロカルビル基）を有するシリコーンは、４５０℃を上回る温度ではＳＡＫＡＭＯＴＯの無機ポリマーよりも質量的に安定でないことが予想される。これは、シリコーンのケイ素結合有機基は、炭素−水素結合、炭素−炭素結合、及び炭素−ケイ素結合を含有するが、ＳＡＫＡＭＯＴＯの無機ポリマーは含有しないためである。これらの炭素−水素結合、炭素−炭素結合、及び炭素−ケイ素結合は、シリコーンが高温で化学的に分解する更なる経路を提供する。このような化学的分解の例は、酸化（質量増大）、ガス放出、解重合、ランダムな鎖の切断、側基脱離、又はこれらの任意の２つ以上の組み合わせをもたらす反応である。これらの化学的劣化により、シリコーンは意図された用途に適さないものとなる。
【００１１】
既存のシリコーンの操作制限は、既存のシルセスキオキサンポリマーによって示される。例えば、米国特許第５，０１０，１５９号（Ｈｏｗａｒｄ  Ｍ．Ｂａｎｋら）（ＢＡＮＫ）、及び同第５，０６３，２６７号（Ｌａｒｒｙ  Ｆ．Ｈａｎｎｅｍａｎ）（ＨＡＮＮＥＭＡＮ）に記載されたシルセスキオキサンポリマー樹脂を、３５０℃超に加熱すると、剥離可能ではないポリマーが得られ得る。また、ＢＡＮＫ及びＨＡＮＮＥＭＡＮのシルセスキオキサンポリマー樹脂は、４００℃超に加熱された場合に、あまりにも多くの質量を損失する傾向がある。更に、シランモノマーからのＢＡＮＫ及びＨＡＮＮＥＭＡＮのシルセスキオキサン樹脂（プレポリマー）の硬化には、望ましくないことに、高温（例えば、３００℃又は３５０℃）での加熱が必要とされる。高温は、デバイス上のこれらのシルセスキオキサン樹脂の用途製造業者にとって加工制限及びコストを増加させる。
【００１２】
既存のシルセスキオキサンポリマーの操作制限の更なる実例は、米国特許第７，７５６，３８４（Ｂ２）号（Ｐｅｎｇ−Ｆｅｉ  Ｆｕら）（「ＦＵ＃１」；また、Ｐｅｎｇ−Ｆｅｉ  Ｆｕは本発明者である。）に記載された反射防止コーティングにおいて見出される。ＦＵ＃１は、全般的に、シルセスキオキサン樹脂（プレポリマー）を、８０℃〜４５０℃の温度で０．１〜６０分間硬化させて、シルセスキオキサンポリマーを得ることについて述べている。実際の実施では、ある種のＦＵ＃１の例が、３５０℃の最大温度でシルセスキオキサン樹脂（プレポリマー）を焼成することを述べているが、得られたシルセスキオキサンポリマーは、商業用ウェットストリッピング溶液ＡＣＴ（登録商標）ＮＥ−８９又はＣＣ１では剥離できなかった。３５０℃を超えてシルセスキオキサン樹脂を焼成することは、問題を悪化させるだけとなる。
【００１３】
既存のシルセスキオキサンポリマーの操作制限の更なる実例は、米国特許第８，６５３，２１７号（Ｂ２）（Ｐｅｎｇ−Ｆｅｉ  Ｆｕら）（ＦＵ＃２；こちらもＰｅｎｇ−Ｆｅｉ  Ｆｕは本発明者である。）に記載された反射防止コーティングにおいて見出される。ＦＵ＃２は、全般的に、シルセスキオキサン樹脂（プレポリマー）を、８０℃〜４５０℃の温度で０．１〜６０分間硬化させて、シルセスキオキサンポリマーを得ることについて述べている。実際の実施において、ある種のＦＵ＃２の例が、シルセスキオキサン樹脂（プレポリマー）を２５０℃の最大温度で焼成することを述べている。得られたシルセスキオキサンポリマーは、ＡＣＴ（登録商標）ＮＥ−８９、又はＣＣ１で完全に剥離され得る。しかし、ＦＵ＃１に基づき、ＦＵ＃２のシルセスキオキサン樹脂を３５０℃超で焼成すると、ＡＣＴ（登録商標）ＮＥ−８９（Ｅｔｃｈ  Ｒｅｓｉｄｕｅ  Ｒｅｍｏｖｅｒ，Ａｉｒ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ａｎｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．）、又はＣＣ１（Ｃｏｎｔａｃｔ  Ｃｌｅａｎ  １，ＡＴＭＩ）で剥離できないシルセスキオキサンポリマーが得られることが予想される。
【発明の概要】
【００１４】
本発明は、全般的に、エージングしたシルセスキオキサンポリマー、それを含む配合物、製造された物品、及びデバイス、その製造方法、並びにその使用方法に関する。エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、硬化したシルセスキオキサンポリマーを、４６０℃〜７００℃で加熱することによって作製される。硬化したシルセスキオキサンポリマーは、式（ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｘのＴ（Ｈ）構成単位及び式（ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｙのＴ（アリール）構成単位［式中、Ｈは水素であり、ＯＨはケイ素結合水素であり、ｈ、ｘ、ＲＡｒ、及びｙは後で定義するとおりである。］を含む。エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、非常に高温（例えば、４６０℃〜７００℃）で物品、デバイス及び方法にて使用することができ、更に質量的な安定を維持することができ、本発明の新規のストリッパ配合物を使用した際、完全かつ容易に剥離可能である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
「発明の概要」及び「要約書」は、参照により本明細書に組み込まれる。
【００１６】
本発明者らは、中程度の温度（例えば、１５０℃〜２００℃）で硬化して硬化ポリマーを得ることができるプレポリマーを提供するという問題に対する解決策を提示し、ここで硬化したポリマーは、その後、電子デバイス及びＭＥＭを処理及び製造する際に、熱エージングし、高温（４６０℃〜７００℃）で使用することができる。より詳細には、本発明者らは、硬化させると硬化したシリコーンを作製するシリコーンプレポリマーに属するポリマーを発見し、かかるポリマーは、４６０℃〜７００℃の温度でエージング後、質量的に安定で、本発明の液体フルオリドストリッパで完全にかつ容易に剥離可能なエージングしたシリコーンをもたらす。更により詳細には、本発明者らは、硬化させると硬化したシルセスキオキサンポリマーを作製するシルセスキオキサン樹脂プレポリマーに属するポリマーを発見し、かかるポリマーは、４６０℃〜７００℃の温度でエージング後、質量的に安定で、本発明の液体フルオリドストリッパで完全にかつ容易に剥離可能なエージングしたシルセスキオキサンポリマーをもたらす。更により詳細には、本発明者らは、特定量のＴ（Ｈ）構成単位及びＴ（アリール）構成単位を含有し、硬化させると硬化したシルセスキオキサンポリマーを作製するシルセスキオキサン樹脂プレポリマーに属するポリマーを発見し、かかるポリマーは、４６０℃〜７００℃の温度でエージング後、Ｔ（Ｈ）構成単位及びＴ（アリール）構成単位を含有し、本発明の液体フルオリドストリッパで完全にかつ容易に剥離可能なエージングしたシルセスキオキサンポリマーをもたらす。シルセスキオキサン樹脂プレポリマー、硬化したシルセスキオキサンポリマー、及びエージングしたシルセスキオキサンポリマーは、任意選択的に、特定量のＴ（アルキル）構成単位を含まなくてもよく、又はそれを更に含有していてもよい。更により好ましくは、シルセスキオキサン樹脂プレポリマー、及び硬化したシルセスキオキサンポリマーは、後述の式（Ｉ）のものであり、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを４６０℃〜７００℃の温度で加熱することによる生成物である。
【００１７】
本発明者らは、４５０℃を上回る温度でのエレクトロニクス又はＭＥＭＳの製造又は操作における利用が見出されたシリコーン樹脂をなにも認識していない。本発明者らは、本発明者らが記載しようとする本発明の解決策及び実施形態は、本出願が出願された時点で利用可能な技術分野で開示、教示又は示唆されていないと考えている。本発明者らは、本発明の問題を認識しておらず、本発明の後知恵の知見を用いてのみ識別することができる背景技術における技術を引用する。本明細書における教示及び説明がない場合には、背景技術に挙げられている技術は、本発明の問題に対する解決策の出発点とはみなされない。本発明者らが本発明の解決策及び実施形態を想到することができたのは、本発明の研究及び試験の後のみであった。本発明のいくつか実施形態は以下に番号付けされた態様を含む。
【００１８】
態様１．加熱工程（ａ）又は（ｂ）を含むプロセスによって作製された生成物である、エージングしたシルセスキオキサンポリマーであって、加熱工程（ａ）は下位工程（ａ）（１）及び（ａ）（２）：（ａ）（１）シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを、１５０摂氏度（℃）〜３００℃の温度で少なくとも１０秒間加熱して、硬化したシルセスキオキサンポリマーを得ること、次いで（ａ）（２）硬化したシルセスキオキサンポリマーを、４６０℃〜７００℃の温度で少なくとも１分間加熱して、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを得ることで構成され、ここでシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは式（Ｉ）：（ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｘ（ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｙ（ＲＡｌｋＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｚ（Ｉ）［式中、各ＲＡｒは独立してフェニル又はナフチルであり、各ＲＡｌｋは独立して（Ｃ１−Ｃ３）アルキルであり、添字ｘは０．２０〜０．９４のモル分率であり、添字ｙは０．０６〜０．８０のモル分率であり、添字ｚは０〜０．７０のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、各ｈは独立して０、１又は２である。］のものであり、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーにおいて、ＳｉＯＨ基を有する単位のモルパーセント、ｗ１は６〜３８モルパーセントであり；又は加熱工程（ｂ）は、硬化したシルセスキオキサンポリマーを、４６０℃〜７００℃の温度で少なくとも１分間加熱して、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを得ることであり；加熱工程（ａ）又は（ｂ）において、硬化したシルセスキオキサンポリマーは、独立して、式（Ｉ）：（ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｘ（ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｙ（ＲＡｌｋＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｚ（Ｉ）［式中、各ＲＡｒは独立してフェニル又はナフチルであり、各ＲＡｌｋは独立して（Ｃ１−Ｃ３）アルキルであり、添字ｘは０．２０〜０．９４のモル分率であり、添字ｙは０．０６〜０．８０のモル分率であり、添字ｚは０〜０．７０のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、各ｈは独立して０、１又は２である。］のものであり、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーにおいて、ＳｉＯＨ基を有する単位のモルパーセント、ｗ２は、１〜２０モルパーセントであり；ｗ１＞ｗ２であり；式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、第１質量である質量１によって特徴付けられ、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、第２質量である質量２によって特徴付けられ、ここで質量２＝０．８５質量１〜１．０２質量１である、エージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【００１９】
エージングしたシルセスキオキサンポリマーの質量の損失又は増大は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの出発重量（即ち、これらの乾燥形態、溶媒不含形態）に対するものである。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥形態の重量は、硬化によりそれから調製される式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの重量に等しい。いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーの質量の損失又は増大は、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの出発重量に対するものである。エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、全て式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーに対して、＞０質量％から＜１５質量％、あるいは＞０質量％から＜１０質量％、あるいは＞０質量％から＜７質量％を損失してもよい。いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、全て式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーに対して、＞０質量％から＜６質量％、あるいは＞０質量％から＜５質量％、あるいは＞０質量％から＜４質量％、あるいは＞０質量％から＜３質量％、あるいは＞０質量％から≦２質量％を損失してもよい。いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、全て式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーに対して、少なくとも１．９質量％、あるいは少なくとも２．０質量％を損失してもよい。あるいは、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、全て式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーに対して、＞０質量％から＜２質量％、あるいは＞０質量％から＜１質量％、あるいは＞０質量％から＜０．５質量％増大してもよい。あるいは、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーに対して、質量が増大しなくてもよく、又は損失しなくてもよい。エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、各々後述するように安定性試験方法１、あるいは安定性試験方法２に従って、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを熱重量分析（ＴＧＡ）することにより行われる質量損失によって特徴付けられてもよい。
【００２０】
エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、これらの膜の収縮により特徴付けられてもよい。エージングしたシルセスキオキサンポリマーの膜の収縮は、エージングしたシルセスキオキサンポリマーの膜の厚さを、エージングしたシルセスキオキサンポリマー膜が熱エージングよって調製された式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの膜の出発厚さで割ったものに相当するとして計算され、百分率で表されてもよい。式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの膜は、ＰＧＭＥＡ中の１０重量％の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの混合物を（混合物を０．２マイクロメートルＰＴＦＥフィルタに通して濾過した後）、１５センチメートル直径のシリコンウエハ上に塗布し、塗布した材料をスピンコーティングして膜を得て、得られた膜を１５０℃で６０秒間ソフトベーキングして式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの膜を得ること；及び式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの膜を２００℃で１０分間加熱して、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを硬化し、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを得ることによって調製してもよい。この方法で調製される式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの膜の出発厚さは、０．２〜５マイクロメートルであってもよい。いくつかの実施形態では、５００℃で３０分間乾燥分子状窒素ガス雰囲気下で熱エージングした後の、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの膜の出発厚さに対するエージングしたシルセスキオキサンポリマーの膜の収縮は、０．２％〜６．５％である。あるいは、６００℃で３０分間熱エージングした後の、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの膜の出発厚さに対するエージングしたシルセスキオキサンポリマーの膜の収縮は、９％〜１７％である。
【００２１】
式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、６〜３８モルパーセント（ｍｏｌ％）、あるいは６〜３５ｍｏｌ％、あるいは６〜３０ｍｏｌ％、あるいは６〜２５ｍｏｌ％、あるいは１０〜３８ｍｏｌ％、あるいは１５〜３８ｍｏｌ％、あるいは１５〜３５ｍｏｌ％、あるいは１０〜３０ｍｏｌ％、あるいは２０〜３５ｍｏｌ％、あるいは２５〜３８ｍｏｌ％、あるいは７ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは８ｍｏｌ％±２ｍｏｌ％、あるいは９ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは１０ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは１１ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは１２ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは１３ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは１４ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは１５ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは１６ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは１７ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは１８ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは１９ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは２０ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは２１ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは２２ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは２３ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは２４ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは２５ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは２６ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは２７ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは２８ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは２９ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは３０ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは３１ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは３２ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは３３ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは３４ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは３５ｍｏｌ％±３ｍｏｌ％、あるいは３６ｍｏｌ％±２ｍｏｌ％、あるいは３７ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％のシラノール含有量を有してもよい。式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは、１〜２０ｍｏｌ、あるいは２〜２０ｍｏｌ％、あるいは３〜２０ｍｏｌ％、あるいは４〜２０ｍｏｌ％、あるいは５〜２０ｍｏｌ％、あるいは２〜１９ｍｏｌ％、あるいは５〜１９ｍｏｌ％、あるいは５〜１６ｍｏｌ％、あるいは５〜１５ｍｏｌ％、あるいは７〜１５ｍｏｌ％、あるいは５ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは６ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは７ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは８ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは９ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは１０ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは１１ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは１２ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは１３ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは１４ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％、あるいは１５ｍｏｌ％±１ｍｏｌ％のシラノール含有量を有してもよい。あるいは、又は加えて、シラノール含有量又はシラノール含有量及び熱エージング特性について、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、２５，０００以上、あるいは、２５，０００以上〜２，０００，０００、あるいは、３０，０００〜２，０００，０００、あるいは、５０，０００〜２，０００，０００、あるいは、７５，０００〜２，０００，０００、あるいは、１００，０００〜１，０００，０００、あるいは、５００，０００〜２，０００，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を有してもよい。
【００２２】
態様２．プロセスが、加熱工程（ａ）を含む、態様１に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【００２３】
態様３．プロセスが、加熱工程（ｂ）を含む、態様１に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【００２４】
態様４．以下の制限（Ａ）〜（Ｒ）：（Ａ）加熱下位工程（ａ）（２）において、又は加熱工程（ｂ）において、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを、４６０℃〜６００℃の温度で１分間〜１２０分間加熱する；（Ｂ）加熱下位工程（ａ）（２）において、又は加熱工程（ｂ）において、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを、５００℃〜７００℃の温度で１分間〜１２０分間加熱する；（Ｃ）エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、４６０℃〜７００℃の温度下のものとして特徴付けけられる；（Ｄ）エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、−４０℃〜４０℃の温度下のものとして特徴付けられる；（Ｅ）式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、３０，０００〜３，０００，０００の重量平均分子量Ｍｗを有する；（Ｆ）制限（Ｅ）並びに制限（Ｃ）及び（Ｄ）のいずれか１つ；（Ｇ）質量２＝０．８６質量１〜１．００質量１、質量２＝０．９１質量１〜１．００質量＜１、又は質量２＝０．９３質量１〜０．９９質量１；（Ｈ）５００℃で６０分間加熱することからなる加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９１質量１〜１．００質量１；（Ｉ）６００℃で６０分間加熱することからなる加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９１質量１〜１．００質量１；（Ｊ）５００℃で６０分間加熱することからなる加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９３質量１〜１．００質量１；（Ｋ）６００℃で６０分間加熱することからなる加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９３質量１〜１．００質量１；（Ｌ）制限（Ｈ）及び（Ｉ）の両方；（Ｍ）制限（Ｊ）及び（Ｋ）の両方；（Ｎ）式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー及びエージングしたシルセスキオキサンポリマーは、２．４（例えば、２．３７〜２．３８）重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（ＴＭＡＨａｑ）に６０℃で１０分間浸漬することによる溶解度、又は、６０℃での２．４重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（ＴＭＡＨａｑ）中の溶解速度から選択される少なくとも１つの化学的特徴が互いに異なっており（即ち、エージングしたシルセスキオキサンポリマーはＴＭＡＨ耐性であると特徴付けられる）、ここでその中のエージングしたシルセスキオキサンポリマーの溶解度が式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの溶解度よりも少なくとも２５％小さい；（Ｏ）式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー及びエージングしたシルセスキオキサンポリマーは、フーリエ変換赤外線（ＩＲ）分光法により測定した際に、「Ｓｉ−Ｈ含有量」（又は「ＳＩＨ含有量」）であるケイ素結合水素原子の含有量から選択される少なくとも１つの構造的特徴が互いに異なっており、ここで、エージングしたシルセスキオキサンポリマーのＳｉ−Ｈ含有量は、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーのＳｉ−Ｈ含有量よりも少なくとも２５％小さい；（Ｐ）制限（Ｎ）及び（Ｏ）のうちの少なくとも２つ；（Ｑ）制限（Ｎ）又は（Ｏ）、及び制限（Ａ）〜（Ｍ）のいずれか１つ；並びに（Ｒ）式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー及び式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは、２５℃でのプロピレングリコールモノメチルエーテルモノアセテートであるＰＧＭＥＡ中の溶解度、から選択される少なくとも１つの化学的特徴が互いに異なっており、ここで、それぞれ２５℃にて１．０ミリリットルのＰＧＭＥＡ中で０．１０ｇの式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー又は式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーで全て測定して、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは完全に溶解し、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは不溶であるか、又は少なくとも部分的に不溶である；のいずれか１つによって特徴付けられる態様１〜３のいずれか１つに記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。いくつかの実施形態では、選択された物理的特性は（Ａ）、あるいは（Ｂ）、あるいは（Ｃ）、あるいは（Ｄ）、あるいは（Ｅ）、あるいは（Ｆ）、あるいは（Ｇ）、あるいは（Ｈ）、あるいは（Ｉ）、あるいは（Ｊ）、あるいは（Ｋ）、あるいは（Ｌ）、あるいは（Ｍ）、あるいは（Ｎ）、あるいは（Ｏ）、あるいは（Ｐ）、あるいは（Ｑ）、あるいは（Ｒ）である。
【００２５】
あるいは、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、及びエージングしたシルセスキオキサンポリマーは、（Ｓ）２マイクロメートルの厚さの試験膜上で測定したナノインデンテーション；（Ｔ）Ｓｉ−Ｈピークのそれぞれの高さを用いてＦＴ−ＩＲ分光法によって測定した際のＳｉＨピークの高さの変化；及び（Ｕ）Ｓｉ−Ｏピークのそれぞれの高さと比較したＳｉ−Ｈピークのそれぞれの高さを用いてＦＴ−ＩＲ分光法によって測定した際のＳｉＨ／ＳｉＯモル比の変化から選択される少なくとも１つの物理的特性が互いに異なっていてもよい。いくつかの実施形態では、選択された物理的特性は、（Ｓ）、あるいは（Ｔ）、あるいは（Ｕ）である。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーのＦＴ−ＩＲにおいて、典型的なＳｉ−Ｈピークは、約２２４４センチメートルの逆数（ｒｅｃｉｐｒｏｃａｌ  ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ）（ｃｍ−１）であり、及び典型的なＳｉ−Ｏピークは、約１０４５ｃｍ−１である。エージングしたシルセスキオキサンポリマーのＦＴ−ＩＲにおいて、典型的なＳｉ−Ｈピークは、約２２４４〜２２４８ｃｍ−１であり、及び典型的なＳｉ−Ｏピークは、１００８〜１０２２ｃｍ−１である。一般的に、熱エージングの程度が大きくなるほど（例えば、全ての他のものが同等である場合、熱エージング温度が高くなるほど）、Ｓｉ−Ｈピークについてのｃｍ−１値は高くなり、Ｓｉ−Ｏピークについてのｃｍ−１値は低くなる。いくつかの実施形態では、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プロポリマーのＳｉ−Ｈ／Ｓｉ−Ｏ比（１５０℃で６０秒間これらの膜をソフトベーキング後）は０．７〜１．６であるのに対し、硬化して、次いで５００℃で３０分間乾燥分子状窒素ガス雰囲気下で熱エージングすることによってそれから調製されたエージングしたシルセスキオキサンポリマーのＳｉ−Ｈ／Ｓｉ−Ｏ比は、０．４以上＜０．７であり、及び／又は硬化して、次いで６００℃で３０分間乾燥分子状窒素ガス雰囲気下で熱エージングすることによってそれから調製されたエージングしたシルセスキオキサンポリマーのＳｉ−Ｈ／Ｓｉ−Ｏ比は、０．２以上＜０．３である。
【００２６】
ＴＭＡＨａｑ耐性については、浸漬工程後に未溶解のエージングしたシルセスキオキサンポリマーの量が多くなるほど、それらのＴＭＡＨａｑ耐性の程度は大きくなる。逆に、ＴＭＡＨａｑ中に溶解するエージングしたシルセスキオキサンポリマーが多くなるほど、それらのＴＭＡＨａｑ耐性の程度は小さくなる。ＴＭＡＨａｑ耐性を試験する目的のために、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは膜の形態であってもよい。膜は、０．４マイクロメートル（μｍ）〜１．０μｍ、あるいは０．５μｍの厚さを有してもよい。ＴＭＡＨａｑ耐性は、後述の剥離試験方法１に従って測定してもよく、ここでストリッピング溶液は、２．４重量％のＴＭＡＨａｑである。
【００２７】
態様５．加熱工程（ａ）を含むプロセスよって作製され、加熱下位工程（ａ）（１）を実施した後、プロセスが、加熱下位工程（ａ）（２）を実施する前に、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを、０℃〜４０℃の温度まで冷却する、下位工程（ａ）（１．５）を更に含む、態様１〜４のいずれか１つに記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【００２８】
便宜上及び簡潔さのために、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂のプレポリマー、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、及びエージングしたシルセスキオキサンポリマーを、一括して「本発明のシルセスキオキサン材料」と称してもよい。いくつかの実施形態では、本発明のシルセスキオキサン材料は、式（Ｉ）：（ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｘ（ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｙ（ＲＡｌｋＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｚ（Ｉ−ａ）［式中、各ＲＡｒは独立してフェニル又はナフチルであり、各ＲＡｌｋは独立して（Ｃ１−Ｃ３）アルキルであり、添字ｘは０．２０〜０．９４のモル分率であり、添字ｙは０．０６〜０．８０のモル分率であり、添字ｚは０〜０．７０のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、各ｈは独立して０、１又は２であり、それぞれのＳｉＯＨ含有量は態様１に記載のとおりである。］から本質的になる、あるいはそれからなる。本文脈中で使用される場合、語句「〜から本質的になる」とは、「〜を含む」のような非限定的用語と、「〜からなる」のような限定的用語との間の中間的な用語を意味し、ここで中間的な用語は、特許請求された発明の基本的かつ新規な特徴に影響を与えない。いくつかの態様では、語句〜から本質的になるとは、（ｉ）本発明のシルセスキオキサン材料における唯一の一価有機基がＲＡｒ及びＲＡｌｋ基であるか、（ｉｉ）本発明のシルセスキオキサン材料における唯一の構成単位が、ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ、ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ、任意選択的にＲＡｌｋＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ構成単位及び／又は任意選択的に［ＳｉＯ４／２］ｑ構成単位［式中、存在する場合、ｑは＞０から＜０．０５である。］であるかのいずれか、又は（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を意味する。制限（ｉ）を満たす場合、本発明のシルセスキオキサン材料は、任意のその他の一価有機基が存在しない、又は含まない（例えば、一価のアルケニル、オルガノヘテリル、及びヘテロヒドロカルビル基を含まない）。制限（ｉ）は、１Ｈ−ＮＭＲ又は１３Ｃ−ＮＭＲなどの核磁気（ＮＭＲ）分光法を用いて決定してもよい。制限（ｉｉ）を満たす場合、本発明のシルセスキオキサン材料は、任意のその他の構成単位（例えば、式ＲＤ２ＳｉＯ２／２のＤ単位［式中、各ＲＤは独立してヒドロカルビルである。］、及び式ＲＭ３ＳｉＯ１／２のＭ単位［式中、各ＲＭは独立してヒドロカルビルである。］）が存在しない、又は含まない。制限（ｉｉ）は、２９Ｓｉ−ＮＭＲなどのＮＭＲ分光法を用いて決定してもよい。本文脈中で使用するとき、限定的語句「〜からなる」とは、本発明のシルセスキオキサン材料が構成単位及び式（Ｉ）に示される基のみを有するということを意味する。いくつかの実施形態では、本発明のシルセスキオキサン材料における唯一の構成単位は、ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ、ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ、及び［ＳｉＯ４／２］ｑ構成単位［式中、ｈ及びＲＡｒは式（Ｉ）について定義したとおりであり、ｑは＞０から＜０．０５のモル分率である。］である。いくつかの実施形態では、本発明のシルセスキオキサン材料における唯一の構成単位は、ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ、及びＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ構成単位［式中、ｈ及びＲＡｒは式（Ｉ）について定義したとおりである。］である。いくつかの実施形態では、本発明のシルセスキオキサン材料における唯一の構成単位は、ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ、ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ、ＲＡｌｋＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ、及び［ＳｉＯ４／２］ｑ構成単位［式中、ｈ、ＲＡｒ、及びＲＡｌｋは式（Ｉ）について定義したとおりであり、ｑは＞０から＜０．０５のモル分率である。］である。いくつかの実施形態では、本発明のシルセスキオキサン材料における唯一の構成単位は、ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ、ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ、及びＲＡｌｋＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ構成単位［式中、ｈ、ＲＡｒ、及びＲＡｌｋは式（Ｉ）について定義したとおりである。］である。
【００２９】
本発明のシルセスキオキサン材料のいくつか実施例では、各ｈは０である（即ち、式（Ｉ）における各構成単位はＴ単位である）、あるいは、１つのｈは１であり、その他のｈは０である。あるいは、又は加えて、各ＲＡｒはフェニルである。あるいは、又は加えて、各ＲＡｌｋは、存在する場合、メチルである。あるいは、又は加えて、ｘは０．２０〜０．５０、又は０．５０〜０．９４であり、ｙは０．２０〜０．８０、又は０．４０〜０．８０であり、ｚは０〜０．１０であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。
【００３０】
いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは後述の実施例のいずれか１つのエージングしたシルセスキオキサンポリマーである。その他の実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは後述の実施例のいずれか１つのエージングしたシルセスキオキサンポリマーではない（かかるポリマーを除外する）。
【００３１】
態様６．態様１〜５のいずれか１つに記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む製造物品。製造物品は、シート、複数の粒子、又は設計されたパターンとして構成されてもよい。設計されたパターンは、幾何学的パターンであってもよい。
【００３２】
態様７．エージングしたシルセスキオキサンポリマーと動作可能に接触して配置される、基板を更に備える、態様６に記載の製造物品。
【００３３】
態様８．態様１〜５のいずれか１つに記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む電子デバイス、及びそれと動作可能に接触して配置される電子部品。
【００３４】
態様９．半導体デバイスの高温形成したフィーチャの作製方法であって、半導体部品上に配置された態様１〜５のいずれか１つに記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む物品に、４６０℃〜７００℃の温度で少なくとも１つの加工工程を実施して、半導体部品上に配置された高温形成したフィーチャ及びエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む半導体デバイスを得ることを含む方法。
【００３５】
態様１０．以下の制限（１）〜（７）：（１）高温形成したフィーチャは、４６０℃〜７００℃の温度で実施される材料堆積又は処理プロセスによって作製される；（２）高温形成したフィーチャは、４６０℃〜７００℃の温度で実施される材料堆積又は処理プロセスによって作製され、ここで材料堆積プロセスは、ＣＶＤ前駆体を用いた化学蒸着又はＡＬＤ前駆体を用いた原子層堆積を含み、処理プロセスは、アニーリング、アッシング、又はエッチングを含み；全てが４６０℃〜７００℃の温度で実施される；（３）加工工程を実施する前に、工程（ａ）又は（ｂ）によりエージングしたシルセスキオキサンポリマーを予め作製するか、又は加工工程を実施する際に、ｉｎ  ｓｉｔｕで工程（ａ）又は（ｂ）によりエージングしたシルセスキオキサンポリマーを作製する；（４）方法は、加工工程を実施する前に、半導体部品上に式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーと送達媒質との混合物をスピンコーティングしてウェットコーティングを得ること、及びウェットコーティングから送達媒質を除去して、半導体部品と接触している式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥したコーティングを得ることを更に含む；（５）半導体部品は半導体ウエハを含む；並びに、（６）高温形成したフィーチャは、半導体材料の堆積物、アニーリングされた半導体材料、アッシング残留物、又はエッチングした層を含む；並びに、（７）半導体デバイスは、光（起）電セル、ダイオード、トランジスタ、又は集積回路を備える；のいずれか１つを更に含む、態様９に記載の方法。
【００３６】
態様１１．液体フルオリドストリッパで半導体部品からエージングしたシルセスキオキサンポリマーの少なくとも一部をウェットストリッピングすることを更に含み、液体フルオリドストリッパは、酢酸、ジメチルアセトアミド、アンモニウムフルオリド、及び水を含み、アンモニウムフルオリドの濃度は、液体フルオリドストリッパの総重量に対して少なくとも４重量％（ｗｔ％）〜１５ｗｔ％であり、ウェットストリッピングは、液体フルオリドストリッパ中のエージングしたシルセスキオキサンポリマーの少なくとも一部を溶解するように、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを液体フルオリドストリッパと接触させることを含む、態様９又は１０のいずれかに記載の方法。
【００３７】
態様１２．態様１〜５のいずれか１つに記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーの粒子の分散体と、エージングしたシルセスキオキサンポリマーではない少なくとも１つの追加の構成要素と、を含む、配合物。
【００３８】
態様１３．少なくとも１つの追加の構成要素が、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー、液体媒質、オルガノシロキサンモノマー又はオリゴマー、シラン、非樹脂性ポリオルガノシロキサン、有機ポリマー、粒子状炭素、及び粒子状無機固体である、態様１２に記載の配合物。
【００３９】
態様１４．態様１〜５のいずれか１つに記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを、それが接触している基板から除去する方法であって、液体フルオリドストリッパは酢酸、ジメチルアセトアミド、アンモニウムフルオリド、及び水を含み、アンモニウムフルオリドの濃度は、液体フルオリドストリッパの総重量に対して少なくとも４重量％（ｗｔ％）〜１５ｗｔ％であり、液体フルオリドストリッパ中のエージングしたシルセスキオキサンポリマーの少なくとも一部を溶解するように、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを液体フルオリドストリッパと接触させることを含む、方法。エージングしたシルセスキオキサンポリマー及び液体ストリッパは、接触工程の間、典型的には、２０℃〜６０℃の温度である。
【００４０】
態様１５．以下の制限（ａａ）〜（ｌｌ）：（ａａ）式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは、沸点が３０℃〜１５０℃の溶媒を０．５ｗｔ％未満有する、実質的に溶媒を含まない形態の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの硬化生成物を含む；（ｂｂ）各ＲＡｒはフェニルであり、各ＲＡｌｋはメチルである；（ｃｃ）（ａａ）及び（ｂｂ）の両方；（ｄｄ）添字ｘは０．２５〜０．９０のモル分率であり、添字ｙは０．１０〜０．５０のモル分率であり、添字ｚは０〜０．６５のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である；（ｅｅ）添字ｚは０であり、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは式（Ｉ−ａ）：（ＨＳｉＯ３／２）ｘ（フェニルＳｉＯ）３／２ｙ（Ｉ−ａ）［式中、添字ｘは０．５〜０．９４であり、添字ｙは０．０６〜０．５であり、合計ｘ＝ｙ＝１である。］のものである；（ｆｆ）（ｂｂ）及び（ｅｅ）の両方；（ｇｇ）（ａａ）、（ｂｂ）及び（ｅｅ）の各々；（ｈｈ）添字ｚは０．４０〜０．６５のモル分率であり、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、式（Ｉ−ｂ）：（ＨＳｉＯ３／２）ｘ（フェニルＳｉＯ３／２）ｙ（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）ｚ（Ｉ−ｂ）［式中、添字ｘは０．２５〜０．４０であり、添字ｙは０．１０〜０．２５であり、添字ｚは０．４０〜０．６５のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。］のものである；（ｉｉ）（ｂｂ）及び（ｈｈ）の両方；（ｊｊ）（ａａ）、（ｂｂ）及び（ｈｈ）の各々；（ｋｋ）各ＲＡｒはフェニルであり、各ＲＡｌｋはメチルであり、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、又はエージングしたシルセスキオキサンポリマー中の、得られた（ＨＳｉＯ３／２）ｘ単位（Ｔ（Ｈ））、（フェニルＳｉＯ）３／２ｙ単位（Ｔ（フェニル））、及び（メチルＳｉＯ）３／２ｙ単位（Ｔ（メチル））のモル分率は、Ｔ（Ｈ）０．９０Ｔ（フェニル）０．１０；Ｔ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５；Ｔ（Ｈ）０．８０Ｔ（フェニル）０．２０；Ｔ（Ｈ）０．５０Ｔ（フェニル）０．５０；Ｔ（Ｈ）０．３５Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４０；Ｔ（Ｈ）０．３０Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４５；Ｔ（Ｈ）０．２５Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．６５；及びＴ（Ｈ）０．４０Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．５０から選択される；（ｌｌ）制限（ｋｋ）、及び（ａａ）又は（ｃｃ）のいずれか、のいずれか１つを含む、態様１〜１４のいずれか１つに記載の発明。
【００４１】
本発明は、複数の典型的な非限定の実施形態、及び実施例を開示することにより、例示的な方法で本明細書で説明されている。本明細書で使用される用語は当業者により容易に理解され得る。一部の用語は、例えばＩＵＰＡＣ．Ｃｏｍｐｅｎｄｉｕｍ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ，２ｎｄ  ｅｄ．（ｔｈｅ「Ｇｏｌｄ  Ｂｏｏｋ」）（Ａ．Ｄ．ＭｃＮａｕｇｈｔ  ａｎｄ  Ａ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ．により編集、Ｂｌａｃｋｗｅｌｌ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｏｘｆｏｒｄ（１９９７））におけるもののように、ＩＵＰＡＣによって定義される。ＸＭＬオンライン修正版：ｈｔｔｐ：／／ｇｏｌｄｂｏｏｋ．ｉｕｐａｃ．ｏｒｇ（２００６−）（Ｍ．Ｎｉｃ，Ｊ．Ｊｉｒａｔ，Ｂ．Ｋｏｓａｔａにより編集、Ａ．Ｊｅｎｋｉｎｓ．により更新編集）ＩＳＢＮ  ０−９６７８５５０−９−８．ｄｏｉ：１０．１３５１／ｇｏｌｄｂｏｏｋ。ＩＵＰＡＣで定義されていない用語は、Ｈａｗｌｅｙ’ｓ  ＣＯＮＤＥＮＳＥＤ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＤＩＣＴＩＯＮＡＲＹ，１１ｔｈ  ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｎ．Ｉｒｖｉｎｇ  Ｓａｘ＆Ｒｉｃｈａｒｄ  Ｊ．Ｌｅｗｉｓ，Ｓｒ．，１９８７（Ｖａｎ  Ｎｏｓｔｒａｎｄ  Ｒｅｉｎｈｏｌｄ）で定義されてもよい。他の用語を以下に定義する。用語、語句又は表現の異なる意味が、本明細書の他の箇所の異なる説明の文脈から述べられているか又は示されていない限り、本明細書でのこのような用語への任意の言及は、これらの定義を省略するものとする。例えば、濃度が本明細書の他の箇所でモルパーセントとして表現される場合であれば、それはデフォルトの重量パーセントではない。
【００４２】
「あるいは」とは、独立した実施形態を示すものとする。量及び量の比は、重量を基準にしている。冠詞「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は各々、１つ以上を指す。態様及び実施形態は、同じ意味で使用される。
【００４３】
「副産物」は、化学反応の二次生成物を意味する。
【００４４】
「触媒」は、担持又は非担持であってもよく、複合触媒であってもなくてもよい、均一又は不均一触媒を意味する。「化学元素」若しくは「原子」、化学元素の族（単数若しくは複数）、又は元素周期表は、２０１３年５月１日付けのＩＵＰＡＣ版により発行された化学元素、族（単数若しくは複数）、及び元素周期表を意味するものとする。ｉｕｐａｃ．ｏｒｇ／ｒｅｐｏｒｔｓ／ｐｅｒｉｏｄｉｃ＿ｔａｂｌｅ／を参照のこと）。「コーティング」は「膜」と同じ意味で用いられ、一次元で制限される材料を意味する。制限された次元は、「厚さ」として特徴付けることができる。比較例におけるような「比較」は、例示を目的とするのみであり、従来技術に由来するものを意味しないものとする。「組成」は、その構成元素の実験式によって定義することができる化学物質を意味する。「パーセント」又は「％」としての「濃度」は、重量％（ｗｔ％）を意味し、記載の材料の作製に使用される全成分の総重量に基づくものであり、総重量は１００重量％である。「接触させる」は、物理的接触状態にすることを意味する。
【００４５】
ヒドロカルビレン、アルキレン、アルケニレン、アリーレン、及びフェニレンなどの化学名において接尾辞として使用される「エン」は、二価のラジカル基を意味する。「エン」の名称は、それぞれ、炭化水素ジイル、アルカンジイル、アルケンジイル、アレーンジイル、ベンゼンジニルなどの「ジイル」の名称と同じ意味で用いられてもよい。本発明の「実施例」は、特定の発明の実施形態に依拠し、特定の発明の実施形態に対する適切な支持を提供し得る。
【００４６】
「〜を含まない（Ｆｒｅｅ  ｏｆ）」は「〜が存在しない（ｌａｃｋｓ）」と同じ意味で用いられ、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分光法（例えば、１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、又は２９Ｓｉ−ＮＭＲ）、又はフーリエ変換赤外線（ＩＲ）分光法を用いて検出できない、あるいは、完全に存在しないことを意味する。
【００４７】
「超」又は「＞」は、その上側端点として絶対最大値（例えば、１００％）、又は場合によっては、絶対最大値がない場合、実際的最大値（例えば、１０，０００繰り返し単位、又は１０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ）を含む範囲又は部分的範囲を包含する。あるいは、上側端点は、絶対最大値未満（例えば、＜１００％）、又は実際的最大値未満（例えば、＜１０，０００繰り返し単位、又は＜１０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ）場合がある。
【００４８】
「ヘテロ原子」は、これを含有する有機基における、炭素及び水素以外の任意の原子を意味する。典型的には、ヘテロ原子は、これを含有する有機基における、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＰ；あるいは、Ｎ、Ｏ、及びＳ；あるいは、Ｎ又はＯから選択される。「ヘテロヒドロカルビル」は、その非置換形態において、少なくとも１つのヘテロ原子を含有し、炭素原子上にその形式的なラジカルを有する一価の有機基である。「ヒドロカルビル」は、その非置換形態において、炭素及び水素原子のみで構成され、炭素原子上にその形式的なラジカルを有する一価の有機基である。
【００４９】
「発明」又は同等の表現（例えば、本発明［（ｔｈｅ  ｐｒｅｓｅｎｔ  ｉｎｖｅｎｔｉｏｎ）、（ｔｈｉｓ  ｉｎｖｅｎｔｉｏｎ）、又は（ｔｈｅ  ｉｎｖｅｎｔｉｏｎ）］は、代表的な発明の実施形態、又は態様を意味するものであり、発明の範囲を過度に限定するために使用すべきではない。「ＩＵＰＡＣ」は、国際純正応用化学連合（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｕｎｉｏｎ  ｏｆ  Ｐｕｒｅ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）（ＩＵＰＡＣ  Ｓｅｃｒｅｔａｒｉａｔ，Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｔｒｉａｎｇｌｅ  Ｐａｒｋ，Ｎｏｒｔｈ  Ｃａｒｏｌｉｎａ，ＵＳＡ）である。
【００５０】
「未満」又は「より小さい（＜）」は、その下側端点として絶対最小値（例えば、ゼロ（０））、又は場合によっては絶対最小値がない場合、実際的最小値（例えば、ゼロより大きい（＞０））を含む範囲又は部分的範囲を包含する。あるいは、下側端点は、絶対最小値より大きい（例えば、＞０％）場合がある。「＜１０重量％の濃度」は、＞０から＜１０重量％であることを意味する。
【００５１】
要素Ａ、Ｂ、及びＣのマーカッシュ群は、「Ａ、Ｂ、及びＣから選択される要素」、「Ａ、Ｂ、及びＣからなる群から選択される要素」、又は「要素Ａ、Ｂ、又はＣ」として同等に表現することができる。マーカッシュ群は、属及びその亜属、属及びその特定の要素、又は亜属及びその特定の要素を含んでもよく、その各々が、個々に又は集合的に依拠してもよい。「〜であってもよい、〜し得る、〜ことができる（ｍａｙ）」は、選択肢を与えるものであり、必須ではない。分子の「分子質量」とは、モル当たりのグラムで表される分子量（ＭＷ）を意味する。ポリマーの「平均分子質量」とは、グラムで表される重量平均分子量（Ｍｗ）を意味する。ＭＷは、標準ポリスチレンを用いるゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて測定される。
【００５２】
「動作可能な（ｏｐｅｒａｔｉｖｅ）」は、機能的に有効であることを意味する。例えば、「動作可能な接触」とは、機能的に有効に接触することを含み、例えば、修正、コーティング、接着、封止、又は充填に関するものである。動作可能な接触は、直接物理的に接触すること、あるいは、その意図した目的に対して有効であるならば、間接的に接触することであり得る。「任意選択的に」とは、存在しない（又は除外される）か、あるいは存在する（又は含まれる）ことを意味する。「有機基（Ｏｒｇａｎｉｃ  ｇｒｏｕｐ及びｏｒｇａｎｏ  ｇｒｏｕｐ）」は、同じ意味で用いられ、非置換であっても又は置換されていてもよく、１つ以上の炭素原子及び水素原子（非置換の場合）、並びに任意選択的にヘテロ原子で構成される。有機基は、一価（自由原子価が１）であっても、二価（自由原子価が２）であっても、三価（自由原子価が３）であっても、又は四価（自由原子価が４）であってもよく、それぞれ１価、２価、３価、及び４価とも呼ばれる。有機基の各々の形式的なラジカルは、独立して、炭素原子上、又は、存在する場合は、任意選択的にヘテロ原子上に存在してもよい。「オルガノヘテリル」は、その非置換形態において、少なくとも１つのヘテロ原子を有し、ヘテロ原子上にその形式的なラジカルを有する一価の有機基である。「オルガニル」は、その非置換形態において、少なくとも１つのヘテロ原子を任意選択的に含有してもよく、又は含有しなくてもよく、炭素原子上にその形式的なラジカルを有してもよい一価の有機基である。
【００５３】
材料の特性（例えば、粘度）は、２３摂氏度（℃）及び１０１．３キロパスカル（ｋＰａ）で行われる、これを測定するための試験方法を用いて、デフォルトで測定されるる。「精製する」とは、所望の成分の濃度を上昇させること（最高で≦１００％）を意味する。
【００５４】
本明細書に依拠した範囲は、範囲内の端点並びに整数及び／又は小数値を含む全ての範囲及び部分的範囲を表現し意図している。範囲若しくは部分的範囲の端点の間の開示された端点又は開示された個々の数値は、特定の発明の実施形態に依拠し、特定の発明の実施形態に対して適切な支持を提供し得る。「残留物」とは、後に残された部分、例えば、蒸留後の釜残渣を意味する。
【００５５】
「分離」とは、物理的に離れるようにすること、したがって結果として、もはや直接接触していないことを意味する。「シラノール含有量」とは、ケイ素結合ヒドロキシル基（Ｓｉ−ＯＨ）の濃度を意味し、モルパーセント（ｍｏｌ％）で表され、ケイ素−２９核磁気共鳴（２９Ｓｉ−ＮＭＲ）によって決定される。「シリコーン」は、直鎖状のポリオルガノシロキサン巨大分子、分枝状のポリオルガノシロキサン巨大分子、並びに直鎖状及び分枝状のポリオルガノシロキサン巨大分子の混合物を包含する。分枝状ポリオルガノシロキサン巨大分子は、シルセスキオキサン樹脂及び樹脂直鎖状ポリオルガノシロキサン巨大分子を含む。シリコーンは、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位、及びＱ単位のうちの１つ以上で構成されてもよく、ここで、Ｍ単位は式ＲＭ３ＳｉＯ１／２のものであり、Ｄ単位は式ＲＤ２ＳｉＯ２／２のものであり、Ｔ単位は式ＲＴＳｉＯ３／２のものであり、及びＱ単位は式ＳｉＯ４／２のものであり、各ＲＭ、ＲＤ、及びＲＴは独立して水素、ハロゲン、ヒドロキシル、又は有機基である。「ＳｉＯＺ」は、全てのケイ素結合ヒドロキシル基及びケイ素結合Ｏ−ヒドロカルビル基を包含する。例えば、ＳｉＯＨ基、ＳｉＯメチル基、ＳｉＯエチル基、ＳｉＯプロピル基、及びＳｉＯ（１−メチルプロピル）基である。有機基上の「置換基」は、「ＳＵＢ」として示されてもよく、ここで、各ＳＵＢは、独立して、ハロゲン原子、−ＮＨ２、−ＮＨＲ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＨ、−ＯＲ、オキソ（＝Ｏ）、−ＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ、−ＳＨ、−ＳＲ、−ＳＳＨ、−ＳＳＲ、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｒ、−ＳＯ２Ｒ、−ＯＳＯ２Ｒ、−ＳｉＲ３、及び−Ｓｉ（ＯＲ）３［式中、各Ｒは、独立して、非置換（Ｃ１〜Ｃ３０）ヒドロカルビルである。］である。ハロゲン原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ、あるいは、Ｆ、Ｃｌ、又はＢｒ、あるいは、Ｆ又はＣｌ、あるいは、Ｆ、あるいは、Ｃｌである。「基板」とは、その上に材料を受け入れることができる、少なくとも１つの表面を有する物を意味する。
【００５６】
「それの（Ｔｈｅｒｅｏｆ）」とは、言及している直前の要素、部材、特徴、限定、リスト、又は群を指すものとし、それらにより置き換えて変更してもよい。
【００５７】
「媒質（ｖｅｈｉｃｌｅ）」は、その中で溶解し得るかどうかに関わらず、他の材料の担体、受容媒体、分散剤、希釈剤、上清、又は溶媒として機能する液体を意味する。
【００５８】
任意の化合物は、天然存在比の同位体、同位体濃縮した同位体、及びそれらの混合物を含む、これらの全ての「同位体形態」を含む。いくつかの態様では、同位体形態は、天然存在比の同位体、あるいは同位体濃縮した同位体である。同位体濃縮した形態のケイ素含有化合物は、天然の存在比を超える量の重水素、三重水素、２９Ｓｉ、３０Ｓｉ、３２Ｓｉ、又はこれらの任意の２種以上の組み合わせを有する。同位体濃縮した形態の化合物は、同位体濃縮した化合物又はそれから作製若しくは合成された同位体濃縮された材料の検出が有用である追加の用途を有し得る。このような使用の例は、医学研究及び偽造防止用途である。
【００５９】
いくつかの態様では、本明細書に記載された任意の組成は、その化学元素が明確に除外されている場合を除いて、元素周期表の第１属〜第１８属の化学元素のうちの任意の１つ以上を含有してもよい。Ｓｉ、Ｏ、Ｈ、Ｃ、Ｎ、ハロゲン、本明細書の他の箇所に記載された任意の触媒の金属などといった特定の元素は典型的には排除されない。上述以外に、典型的に排除される化学元素は、（ｉ）ランタノイド及びアクチノイドを含む第２属〜第１３属及び第１８属のいずれか１つからの少なくとも１つの化学元素；（ｉｉ）ランタノイド及びアクチノイドを含む、元素周期表の第３周期〜第６周期のいずれか１つからの、少なくとも１つの化学元素；又は（ｉｉｉ）Ｓｉ、Ｏ、Ｈ、Ｃ、Ｎ、ハロゲン、本明細書の他の箇所に記載された任意の触媒の金属を除外しないことを除いて、（ｉ）及び（ｉｉ）の両方、であってもよい。いくつかの態様では、任意の組成は、本明細書の他の箇所に記載された任意の触媒の金属を除いて、以下の原子番号：２、３、４、５、７、１０、１１、１２、１３、１５、１６、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６９、７０、７１、７２、７３、７４、７５、７６、７７、７８、７９、８０、８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２、１１３、１１４、及び１１６のいずれか１つを有する化学元素を含有しない。
【００６０】
本明細書で使用するとき、「質量的に安定な（ｍａｓｓ  ｓｔａｂｌｅ及びｍａｓｓ−ｓｔａｂｌｅ）」は、全般的に、熱エージング温度（例えば、４６０℃〜７００℃）で加熱された後の出発重量に対する質量（重量）の損失又は増大に対する耐性を意味し、ここで重量の損失又は増大は、化学的メカニズムによるものであり、溶媒などの揮発性非シロキサン残留物の蒸発などの物理的現象によるものではない。化学的メカニズムは、酸化、ガス放出、解重合、ランダムな鎖の切断、側基脱離、又はこれらの任意の２つ以上の組み合わせを含み得る。エージングしたシルセスキオキサンポリマーの質量の増大又は損失とは、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの所与の測定された出発重量（例えば、１．０００グラム（ｇ））と比較して、又は式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを硬化することによりそれから作製される式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの所与の測定された出発重量（例えば、１．０００ｇ）と比較して、それから調製された（式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを熱エージングすることにより）エージングしたシルセスキオキサンポリマーの重量は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの所与の出発重量に対して、又はそれから作製される式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの出発重量に対して、より高い重量（質量増大）又はより低い重量（質量損失）を有することを意味する。例えば、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの１．０００ｇの出発重量と比較して、２％の質量増大により、１．０２００ｇの終了重量のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを得る一方、１５％の質量損失により、０．８５００ｇの終了重量のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを得る。
【００６１】
質量的に安定であることにより、いくつかの実施形態では、本発明は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの硬化、及びその後の熱エージングにより作製されたエージングしたシルセスキオキサンポリマーが、かかるプレポリマーの質量の少なくとも８５％を保持し、かつ質量の増大は２％未満であることを意味する。即ち、エージングしたシルセスキオキサンポリマーからの任意の質量損失は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの出発重量の＞０％から１５％以下に制限される。また、エージングしたシルセスキオキサンポリマーに対する質量の増大は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの出発重量の＞０％から２％以下に制限される。言い換えれば、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの硬化、及びその後の熱エージングにより作製されたエージングしたシルセスキオキサンポリマーの質量は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの出発質量の０．８５〜１．０２倍である。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥形態（例えば、１５０℃でのソフトベーク後）の質量が、硬化することによりそれから調製される式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの質量に等しいので、上述の質量の増大及び損失の制限は、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの出発重量に関し、エージングしたシルセスキオキサンポリマーにも適用される。したがって、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、質量が増大又は損失しなくてもよく（増大又は損失が０％である）、あるいは＞０％から２質量％以下で増大してもよく、あるいは＞０％から５質量％未満を損失し得る。あるいは、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、＞０％から１０質量％未満、あるいは＞０％から＜７質量％を損失し得る。いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、＞０％から＜６質量％、あるいは＞０％から＜５質量％、あるいは＞０％から＜４質量％、あるいは＞０％から＜３質量％、あるいは＞０％から≦２質量％を損失する。いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、少なくとも１．９質量％、あるいは少なくとも２．０質量％を損失する。この低い程度の質量損失は、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを、航空宇宙及び半導体デバイス製造産業において出現している高温製造方法に使用するのに適している。
【００６２】
エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、液体フルオリドストリッパ中で完全にかつ容易に剥離可能であることを維持する。完全にかつ容易に剥離可能であることにより、本発明は、基板（例えば、ポリシリコンウエハ）上に配置されたエージングしたシルセスキオキサンポリマーの１マイクロメートル厚の膜が、本発明の液体フルオリドストリッパ中でかかる膜を浸漬することにより、２０分以内に基板から完全に除去され得ることを意味する。本発明のストリッパは、酢酸、ジメチルアセトアミド、アンモニウムフルオリド、及び水を含み、ここでアンモニウムフルオリドの濃度は、液体フルオリドストリッパの総重量に対して少なくとも４重量％（ｗｔ％）〜１５ｗｔ％であり、液体フルオリドストリッパの温度は６０℃、あるいは２３℃である。したがって、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを基板上のコーティングとして使用する際に、本発明の液体フルオリド系ストリッパを使用してコーティングを基板から完全に剥離することができる。更に、本発明のストリッパは、典型的には、脱着可能な材料で処理又は操作される必要がある電子部品及び光学部品と適合する。このような部品の例は、光電セル又は光起電セル（一括して、光（起）電セル）、ダイオード、トランジスタ、及び集積回路である。したがって、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、ストリッピングを必要とする半導体デバイス製造プロセスに加えて、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを電子デバイス内に残存させることができる電子デバイスを作製するための製造プロセスに好適である。
【００６３】
エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、電子デバイス処理及び製造操作などの高温（４６０℃〜７００℃）処理及び製造操作にて使用されてもよい。エージングしたシルセスキオキサンポリマーは剥離能を維持するため、脱着可能ポリマーとして、あるいは犠牲ポリマーとして、あるいはリワーク型ポリマーとして使用され得る。エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、航空宇宙及び半導体デバイス産業などの産業における用途を含む、多くの利用を見出す。デバイスの形状寸法が減少するにつれ、又は性能要件が増大するにつれて、これらの産業は４６０℃〜７００℃の高温範囲での処理及び製造操作の実施に移り得るが、エージングしたシルセスキオキサンポリマーの性能は既存の脱着可能ポリマーの性能とは区別される。
【００６４】
エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、７００℃よりも高い熱エージング温度、例えば＞７００℃から１０００℃以下にて質量的に安定な生成物として作製されてもよい。したがって、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、電子デバイス処理及び製造操作などの超高温（＞７００℃から１０００℃以下）処理操作及び製造操作にて使用されてもよい。
【００６５】
「エージングしたシルセスキオキサンポリマー」は、一般に、高温、例えば４６０℃〜７００℃の「熱エージング温度」で、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを加熱すると、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーにおいて生じる熱エージングプロセスの生成物である。エージングは、熱エージング時間である少なくとも１分間、典型的には１０〜１２０分間という期間の間、進行し得る。いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーがその熱エージング温度で質量平衡（即ち一定重量、即ち±０．１重量％）に達するまで、熱エージング時間にわたり加熱が行われる。得られたエージングしたシルセスキオキサンポリマーは、その熱エージング温度で、当然、より低い熱エージング温度以下（例えば、２３℃又は１００℃）で「質量的に安定な生成物」であると特徴付けられる。エージングしたシルセスキオキサンポリマーが特定の熱エージング温度で質量的に安定な生成物になったことを判定するのは、単に、これらの２つの逐次的な重さが同じになるまで、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを定期的に秤量すればよい。その他の実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、エージングしたシルセスキオキサンポリマーが、「エージングした生成物」であると特徴付けられるように、そのエージング温度での質量平衡を達成するには不十分な（即ち一定重量、即ち±０．１重量％を達成するには不十分な）時間の間、熱エージング温度で熱エージングされている。エージングしたシルセスキオキサンポリマーが特定の熱エージング温度でエージングした生成物であることを判定するには、単に、同じではないこれらの２つの逐次的な重さを測定すればよい。いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、全て本明細書に記載された熱エージング温度のいずれか１つで、質量的に安定な生成物、あるいはエージングした生成物である。
【００６６】
いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを熱エージングすることによる質量的に安定な生成物である。典型的には、エージングしたシルセスキオキサンポリマーが質量平衡を達成し、これにより質量的に安定な生成物として特徴付けられるのに十分な熱エージング時間は、１０〜１２０分、あるいは１０〜９０分、あるいは１０〜７５分、あるいは１０〜６０分、あるいは１０〜３０分、あるいは２０〜１２０分、あるいは２０〜９０分、あるいは２０〜７５分、あるいは２０〜６０分、あるいは３０〜１２０分、あるいは３０〜９０分、あるいは３０〜６０分、あるいは２〜１５分、あるいは５〜３０分、あるいは５〜２０分である。
【００６７】
本明細書で使用する場合、用語「熱エージング」は、一般に、熱エージング温度である４６０℃〜７００℃で、熱エージング時間である少なくとも１分という期間の間、材料を加熱することを含むプロセスを意味する。材料が質量平衡（即ち一定重量、即ち±０．１ｗｔ％）を達成するために、熱エージング時間が十分である場合、材料はその熱エージング温度で質量的に安定であり、これにより、質量的に安定な生成物として特徴付けられると言われる。その達成に到達する前、材料はエージングした生成物であると言われる。熱エージングプロセスは、ポリマーの光誘起エージング、物理的エージング、及び結晶化などの他の種類のエージングプロセスとは異なる。熱エージングプロセスは、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーに対するエージングしたシルセスキオキサンポリマーの物理的及び／又は化学的構造、並びに特性値における変化をもたらす。エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーとは、重量平均分子量、構造、架橋密度、嵩密度、シラノール含有量、ＳｉＨ含有量、ストリッパ中での溶解度、又はこれらの任意の２つ以上の組合わせなど、質量以外の少なくとも１つの特性で異なる。本発明の熱エージングは、空気、二酸化炭素、分子状窒素、アルゴン若しくはヘリウムのガスなどの不活性雰囲気、又はこれらの混合物などの任意の相溶性のある雰囲気中で実施してもよい。雰囲気は、シルセスキオキサンポリマーに対して静止していても流動していてもよい。熱エージングは、紫外線及び／又は可視光の非存在下で行ってもよい。
【００６８】
「硬化したシルセスキオキサンポリマー」は、一般に、シルセスキオキサン樹脂プレポリマー（例えば、式（Ｉ）のもの）をより高いモル質量のポリマーに変換し、次いでネットワークに変換する硬化プロセスによって作製されたポリマーを意味する。硬化したシルセスキオキサンポリマー（例えば、式（Ｉ）のもの）を使用する非発明の用途において、硬化したシルセスキオキサンポリマーは最終的なポリマーであると考えられる。しかし、本発明において、硬化したシルセスキオキサンポリマー（例えば、式（Ｉ）のもの）は、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを作製するのに有用な中間体ポリマーであると考えられる。硬化プロセスは、硬化したシルセスキオキサンポリマーが得られるまで、シルセスキオキサン樹脂プレポリマー（例えば、式（Ｉ）のもの）を硬化温度で加熱して硬化させることを含んでも良い。加熱は、熱エージングとは別個に実施してもよく、又はｉｎ  ｓｉｔｕでの硬化のための低い加熱と、それに続く熱エージング用のより高い加熱と、を含む加熱プロファイルの予備的かつ連続的な部分として実施してもよい。しかし、加熱を含む硬化プロセスは、使用される温度、使用される加熱時間、使用される材料、及び製造される生成物の観点から、熱エージングプロセスとは異なる。例えば、１５０℃〜３００℃の硬化温度は、本明細書の他の箇所に記載されている４６０℃〜７００℃の熱エージング温度とは全く異なり、硬化時間は、典型的には、熱エージング時間よりも短い。また、硬化プロセスに硬化剤を用いて硬化速度又は硬化度を高めてもよく、一方で熱エージングプロセスには硬化剤が無くてもよい。あるいは、硬化剤をシルセスキオキサン樹脂プレポリマー（例えば、式（Ｉ）のもの）と接触させて用いてもよいその他の実施形態では、硬化したシルセスキオキサンポリマー（例えば、式（Ｉ）のもの）が作製された後には、硬化剤が効果を有しなくてもよく、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを作製するために使用される熱エージングプロセスにおいて、副構成成分であってもよい。これらの実施形態で使用してもよい硬化剤の例は、シルセスキオキサンの縮合硬化を促進するのに有用な、スズ塩及びチタンアルコキシドなどの縮合触媒である。硬化プロセスはまた、ポリマーの光誘起エージング、物理的エージング、及び結晶化などの他の種類のプロセスとは異なる。
【００６９】
「プロピレングリコールメチルエーテルアセテート」、「１，２−プロピレングリコールモノメチルエーテルモノアセテート」及び「ＰＧＭＥＡ」は、式ＣＨ３Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ３の分子又は分子群を意味する。ＣＡＳ番号：１０８−６５−６。
【００７０】
「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド」又は「ＴＭＡＨ」は、式Ｎ（ＣＨ３）４ＯＨの分子又は分子群を意味する。
【００７１】
具体的には、上記の定義を参照すると、シルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーであり、それから作製される硬化したシルセスキオキサンポリマーは、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーであり、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーから作製されるエージングしたシルセスキオキサンポリマーである。式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー及びエージングしたシルセスキオキサンポリマーはまた、独立してコポリマーであると特徴付けられてもよい。エージングしたシルセスキオキサンポリマーはまた、式（Ｉ）によって規定されてもよい。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、及びのそれから作製される式（Ｉ）エージングしたシルセスキオキサンポリマーの説明において、式（Ｉ）は縮合式（「半構造式」）であるため、本発明のシルセスキオキサン材料が構造において互いに異なっていたとしても、式（Ｉ）は、本発明のシルセスキオキサン材料の各々を説明するのに、独立して使用されてもよい。縮合式とは、縮合式が一部であるが完全な構造的情報を伝えるという点で、構造的な詳細の観点から、完全な構造式（正確構造）及び実験式（原子及び化学量論についてのリスト）の間に分類される化学式の種類である。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを式（Ｉ−ｓｒｐ）のものであるとして、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを式（Ｉ−ｃｐｓ）のものであるとして、及びエージングしたシルセスキオキサンポリマーを式（Ｉ−ａｐｓ）のものであるとして参照することにより、本発明の式（Ｉ）のシルセスキオキサン材料を区別することは好都合であり得る。
【００７２】
本発明のシルセスキオキサン材料の各々は、独立して、その同位体組成によって更に定義されてもよい。このような本発明のシルセスキオキサン材料は、各々、天然存在比の同位体形態、あるいは同位体濃縮した形態、あるいは前述の形態の混合物であってもよい。本発明のシルセスキオキサン材料の化合物の同位体濃縮した形態には、天然存在比を超える量の重水素、三重水素、２９Ｓｉ、３０Ｓｉ、３２Ｓｉ、又はこれらのいずれか２種以上の組み合わせを含む形態が挙げられる。本明細書で記述された本発明のシルセスキオキサン材料の使用に加えて、本発明のシルセスキオキサン材料の同位体濃縮した形態は、同位体濃縮した本発明のシルセスキオキサン材料又はそれから作製された同位体濃縮したケイ素材料（例えば、膜）の検出が有益である用途において有用であり得る。かかる用途の例は、医学研究及び偽造防止用途である。異なる同位体組成を有する本発明のシルセスキオキサン材料は、少なくとも１つの特性、機能、及び／又は用途が互いに異なってもよい。更に、特定タイプの本発明のシルセスキオキサン材料の同位体濃縮した形態は、少なくとも１つの特性、機能及び／又は用途において、本発明のシルセスキオキサン材料の同一タイプの天然存在比の形態又はその他の同位体濃縮した形態と異なっていてもよい（例えば、エージングしたシルセスキオキサンポリマーの同位体濃縮した形態は、少なくとも１つの特性、機能及び／又は用途において、エージングしたシルセスキオキサンポリマーの天然存在比の形態とは異なっていてもよい）。
【００７３】
本発明のシルセスキオキサン材料（式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、及び式（Ｉ）のエージングしたシルセスキオキサンポリマー）は、構造に加えて、少なくとも１つの特性、機能、及び／又は用途において互いに異なる。このような異なる特性の例は、熱安定性（加熱時の質量安定性）、接着性、有機溶媒（例えば、トルエン又はメチルエチルケトン）中の溶解度、及び液体ストリッパ中の可剥性のうちの１つ以上である。一般に、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは有機溶媒及び任意の液体ストリッパに可溶であり、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは任意の液体ストリッパに少なくとも可溶であり、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは有機溶媒に不溶であり、ほとんどの商用液体ストリッパ（例えば、ＡＣＴ（登録商標）ＮＥ−８９又はＣＣ１）に不溶であり、本発明の液体フルオリドストリッパに可溶である。ＡＣＴ（登録商標）ＮＥ−８９は、エッチング残留物の除去、及び汚染された酸化物表面の枚葉式でのエッチング制御に使用するために配合されたフルオリド含有ストリッパであり、Ａｉｒ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ａｎｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．（Ａｌｌｅｎｔｏｗｎ，Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ，ＵＳＡ）から入手可能である。ＣＣ１はＣｏｎｔａｃｔ  Ｃｌｅａｎ  １であり、ＡＴＭＩ，ａｎ  Ｅｎｔｅｇｒｉｓ  ｃｏｍｐａｎｙから入手可能である。
【００７４】
式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを、適切な溶媒（例えばヘプタン又はトルエンなどの炭化水素のような非プロトン性溶媒など）中でトリクロロシラン（ＨＳｉＣｌ３）、アリールトリクロロシラン（ＡｒＳｉＣｌ３）、及び任意選択的にアルキルトリクロロシラン（ＡｌｋＳｉＣｌ３）の制御された加水分解により、作製、即ち合成して、溶媒中の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの第１混合物を得てもよい。加水分解は、温度、水の量及び濃度、並びに米国特許第７，７５６，３８４号（Ｂ２）、及び同第８，６５３，２１７号（Ｂ２）に記載されているような溶媒を調節することにより制御される。いくつかの実施形態では、溶媒は３．５％の水を含有するＰＧＭＥＡである。式（Ｉ）の合成したシルセスキオキサン樹脂プロポリマーは、（ＨＳｉＯ３／２）ｘ（ＲＡｒＳｉＯ３／２）ｙ（ＲＡｌｋＳｉＯ３／２）ｚ［式中、ＲＡｒ、ＲＡｌｋ、並びに添字ｘ、ｙ、及びｚは上記に定義されるとおりである。］を含む。式（Ｉ）における（ＨＳｉＯ３／２）ｘ単位、（ＲＡｒＳｉＯ３／２）ｙ単位、及び（ＲＡｌｋＳｉＯ３／２）ｚ単位のモル分率は、制御された加水分解において使用されるＨＳｉＣｌ３、ＡｒＳｉＣｌ３、及び任意のＡｌｋＳｉＣｌ３の相対モル量に等しくなる。制御された加水分解は、望ましくは、式（Ｉ）の均一なシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを与える単相反応である。例えば、式（ＨＳｉＯ３／２）ｘ（ＲＡｒＳｉＯ３／２）ｙのものである式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの一実施形態は、米国特許第７，７５６，３８４（Ｂ２）号にて開示されている合成手順に従って合成してもよく、式（ＨＳｉＯ３／２）ｘ（ＲＡｒＳｉＯ３／２）ｙ（ＲＡｌｋＳｉＯ３／２）ｚ［式中、ｚは＞０である。］のものである式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの一実施形態は、米国特許第８，６５３，２１７（Ｂ２）号の手順に従って合成してもよい。
【００７５】
所望であれば、式（Ｉ）の合成したシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、そのままの形態で単離されるか、又は異なる溶媒で再配合されてもよい。例えば、所望であれば、上記第１混合物から、溶媒、並びに任意の未反応のトリクロロシラン、及び揮発性副産物などの揮発物を蒸発させて、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを乾燥又は単離した固体として得る。
【００７６】
あるいは、所望であれば、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの上述の合成で使用される溶媒を、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを基板上に塗布する際に好適な溶媒と置き換える（例えば、溶媒交換により）。好適な溶媒をコーティングすることには、ＰＧＭＥＡなどの好適な溶媒をスピンコーティングすることを含む。例えば、合成にトルエンが使用される場合、第１の混合物のトルエンをＰＧＭＥＡに溶媒交換し、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの第２の混合物を得る。溶媒交換は、第１混合物にＰＧＭＥＡを添加して中間混合物を得て、中間混合物から全てのＰＧＭＥＡを蒸発させることなく中間混合物からトルエンを蒸発させて、第２混合物を得ることによって行ってもよい。第２の混合物は、トルエンを含んでいなくてもよく、ＰＧＭＥＡ中に分散した式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含んでもよい。第２の混合物の好都合な実施形態は、ＰＧＭＥＡ中に１０重量％の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含有してもよい。ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの濃度は、追加のＰＧＭＥＡを添加又は第２混合物からＰＧＭＥＡの一部を蒸発させることによって、所望のとおりに調整してもよい。第２混合物を、０．２μｍの濾過膜を用いて濾過して、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー溶液を得てもよい。第２混合物を、蒸発工程にかけて、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを乾燥又は単離された固体として得てもよい。
【００７７】
いくつかの実施形態では、第１又は第２の混合物に適用される蒸発工程は、第１の混合物を、揮発物を蒸発させるのに十分な１２０℃〜１５０℃などといった温度で短時間（例えば３０秒〜５分、例えば１分）加熱することを含むソフトベーク工程であってもよい。ソフトベークは、半導体デバイス製造技術において一般に使用される。ソフトベーク工程により、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥固体膜を得ることもできる。あるいは、蒸発は、第１若しくは第２の混合物に真空を適用すること、又は加熱してそこに真空を適用することの両方を含んでもよい。
【００７８】
式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは、本明細書に記載されるように、１５０℃〜３００℃の温度（「硬化温度」）で、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの単離又は乾燥形態を加熱することにより調製してもよい。加熱は、硬化温度に設定されたホットプレート上、硬化温度に設定された二重炉などのオーブン内、又は硬化温度を得るのに十分に強力な赤外線ランプ若しくはレーザーを用いるなどの任意の好都合な手段により実施されてもよい。いくつかの実施形態では、硬化温度は、１５０℃〜２５０℃、あるいは１７０℃〜２１０℃、あるいは１８０℃〜２００℃であってもよい。
【００７９】
エージングしたポリマー性シルセスキオキサンは、４６０℃〜７００℃の温度（「熱エージング温度」）で、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの単離又は乾燥形態を加熱することにより調製してもよい。いくつかの実施形態では、熱エージング温度は、４６０℃〜６５０℃、あるいは４６０℃〜６４０℃、あるいは４６０℃〜６００℃、あるいは４６０℃〜５５０℃、あるいは４６０℃〜５００℃、あるいは５００℃〜＜７００℃、あるいは５００℃〜６５０℃、あるいは５００℃〜６００℃、あるいは６００℃〜７００℃、あるいは５５０℃〜６５０℃であってもよい。加熱は、熱エージング温度に設定されたホットプレート上、熱エージング温度に設定された二重石英炉などのオーブン内、又は十分に強力な赤外線ランプ若しくはレーザーを用いて熱エージング温度を得るなどの任意の好都合な手段により実施されてもよい。
【００８０】
熱エージングは、硬化温度範囲及び熱エージング温度範囲を含む同じ熱プロファイルの一部として硬化の直後に続いてもよい。熱プロファイルは、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを室温（例えば、２３℃）から熱エージング温度まで制御された加熱速度（例えば、１０℃〜２０℃／分）で加熱することと、硬化温度範囲を通過することと、熱エージング温度範囲に達する前に式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを製造することと、を含んでもよい。あるいは、硬化を実施してもよく、得られた式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは、貯蔵温度（例えば、−４０℃〜４０℃）でしばらくの間（例えば、１分〜１年）貯蔵してもよく、次いで式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを熱エージングして、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを得てもよい。例えば、半導体ウエハなどの基板上で式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーのコーティングを調製することと、コーティング基板の式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを熱エージングプロセスにかける前に、得られたコーティング基板をしばらくの間貯蔵して、基板（例えば、半導体ウエハ）上に配置されたエージングしたシルセスキオキサンポリマーのコーティングを含む熱エージングしたコーティング基板を得ることと、が好都合であり得る。硬化及び熱エージングプロセスは、同一又は異なる加熱装置を用いて、同一又は異なる場所で実施してもよい。
【００８１】
本発明のシルセスキオキサン材料は、ＭＥＭＳの電子デバイスの製造における１つ以上の加工工程において、又はＭＥＭＳの電子デバイスを用いた１つ以上の操作条件において、使用してもよい。エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、フォトレジスト材料下での裏面ＡＲＣ（ＢＡＲＣ）などの反射防止コーティング（ＡＲＣ）、仮固着用接着剤（ＴＢＡ）若しくは永久的固着用接着剤（ＰＢＡ）、ＬＥＤ用の光学カプセル化用材料などのカプセル化用材料、熱絶縁物などの境界面層、又は電気インバータ及びコンバータ用などの注型封入部材として有用である。エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、電子部品又は光学部品上の適所で調製してもよい。
【００８２】
ＢＡＲＣ法は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー及び媒質を含むコーティング組成物を、半導体ウエハに塗布すること（例えば、スピンコーティングにより）、式（Ｉ）のプレポリマーを硬化することなくウエハから媒質を除去すること（例えば、ソフトベーキングにより）、ウエハ上の（乾燥した）得られたソフトベークした式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを硬化して式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーのコーティングを得ること、及び式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを熱エージングして半導体ウエハ上に配置されたエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含むＢＡＲＣを得ること、を含む。その後、フォトレジスト材料を、例えば、ＢＡＲＣ上に塗布、パターン化、エッチング、又は展開してもよい。
【００８３】
ＴＢＡ法は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー及び媒質を含むコーティング組成物を、半導体ウエハに塗布すること（例えば、スピンコーティングにより）、式（Ｉ）のプレポリマーを硬化することなくウエハから媒質を除去すること（例えば、ソフトベーキングにより）、ウエハ上の（乾燥した）得られたソフトベークした式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー上に支持基板を配置して、ウエハと支持基板との間に配置された式（Ｉ）のソフトベークしたプレポリマーを有する積層体を得ること、積層体中の式（Ｉ）のプレポリマーを硬化して積層体中の式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを得ること、及び式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを熱エージングして、支持基板と半導体ウエハとの間に配置されたエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含むエージングした積層体を得ること、を含む。エージングした積層体を加工（例えば、その上にダイシング又はＩＣを組み込んで）して加工積層体を得た後、加工積層体を液体フルオリドストリッパに浸漬することにより、支持基板を加工積層体の半導体ウエハから分離することができる。
【００８４】
カプセル化用材料、境界面層、又は注型封入部材の方法は、公知のカプセル化、積層化、又は注型封入（ｐｏｔｔｉｎｇ）方法に従って、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー、又は式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを使用することができ、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを適所で熱エージングして、カプセル化用材料、境界面層、又は注型封入部材としてエージングしたシルセスキオキサンポリマーを得ることができる。適所でのエージングは、光（起）電セル又はＬＥＤランプ（カプセル化用材料）上で、２つの電子部品間（境界面層）で、又はインバータ若しくはコンバータ（注型封入部材）の電気的な構成要素を収容するハウジング内で行うことができる。
【００８５】
エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、高温プロセス（例えば、４６０℃〜７００℃の温度で行われる加工工程）を必要とする製造条件又は操作条件において特に有用である。このような高温プロセスの例は、高温材料堆積プロセス及び高温処理プロセスである。高温材料堆積の例は、ＣＶＤ前駆体を使用した化学蒸着（ＣＶＤ）、又はＡＬＤ前駆体を使用した原子層堆積（ＡＬＤ）であり、全てが４５０℃を上回る温度で実施される。例えば、半導体材料（元素状ケイ素、炭化ケイ素又は窒化ケイ素など）を基板上に堆積させるのは、ＣＶＤ又はＡＬＤプロセスである。高温処理プロセスの例は、アニーリング、アッシング、又はエッチングであり、全てが４５０℃を上回る温度で実施される。例えば、ポリシリコンウエハ上に窒化ケイ素層をアニーリングし、半導体デバイスから除去するために犠牲ポリマーをアッシングし、又は半導体材料上に誘電体層を形成するために半導体デバイスの表面をプラズマ処理若しくはエッチングする。プラズマ処理工程は、酸素プラズマ処理（酸素プラズマエッチング）を含んでもよい。式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを作製するのに有用であり、この作製は、高温プロセスより前の独立したものであってもよく、又は高温プロセス中の開始部分（ｉｎ  ｓｉｔｕ）であってもよい。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの作製に有用である。
【００８６】
式（Ｉ）の添字ｘ、ｙ、及び任意のｚは、エージングしたシルセスキオキサンポリマー中のＨ原子に対して、Ｒ基（ＲＡｒ＋任意のＲＡｌｋ）の濃度を最終的に調整するように選択される。式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーにおいて、添字ｘが０．２０未満の場合、及びしたがって添字ｙ＋ｚ（ｚが＞０の場合）の合計が０．８０より大きい場合、得られた非発明のエージングしたシルセスキオキサンポリマーの熱安定性は、望ましくないことに低下することを本発明者らは発見した。また、本発明の液体フルオリドストリッパ中の得られた非発明のエージングしたシルセスキオキサンポリマーの可剥性は、望ましくないことに低下し得る。エージングしたシルセスキオキサンポリマー中のＨ原子に対するＲ基（ＲＡｒ＋任意のＲＡｌｋ）の濃度は、上述した半導体デバイス製造に望ましいように、有利にもその酸素プラズマエッチングを可能にする。
【００８７】
高温プロセスにおける使用に加えて、本発明のシルセスキオキサン材料は、電子デバイス及びのＭＥＭＳの作製に関する低温プロセスにおいて有用である。例えば、本発明のシルセスキオキサン材料は、以下の加工工程：本発明のシルセスキオキサン材料（例えば、エージングしたシルセスキオキサンポリマー）上にフォトレジスト材料を堆積させて、半導体部品上に配置された本発明のシルセスキオキサン材料上に配置されたフォトレジスト材料の層を含む積層体を得ること；リソグラフィにより積層体のフォトレジスト材料の層をパターニングして、半導体部品上に配置された本発明のシルセスキオキサン材料（例えば、エージングしたシルセスキオキサンポリマー）上に配置されたフォトレジスト材料のパターン化層を含む第１パターン化積層体を得ること；第１パターン化積層体をエッチングして、半導体部品上に配置された本発明のシルセスキオキサン材料（例えば、エージングしたシルセスキオキサンポリマー）のパターン化層上に配置されたフォトレジスト材料のパターン化層を含む第２パターン化積層体を得ること；第２パターン化積層体において半導体材料を堆積させて、半導体部品上に配置された充填パターンを得ること；充填パターンをエッチバック又は平坦化して、エッチング又は平坦化された充填パターンを得ること；並びに本発明のシルセスキオキサン材料（例えば、エージングしたシルセスキオキサンポリマー）のパターンを半導体材料で充填し、少なくとも本発明のシルセスキオキサン材料（例えば、エージングしたシルセスキオキサンポリマー）を平坦化し、本発明のシルセスキオキサン材料（例えば、エージングしたシルセスキオキサンポリマー）の少なくとも一部をストリッピングすること、の任意の１つ以上において使用されてもよい。本発明のシルセスキオキサン材料が、エージングしたシルセスキオキサンポリマーである場合、ストリッピングは、本発明の液体フルオリドストリッパを使用することを含んでもよい。
【００８８】
エージングしたシルセスキオキサンポリマーを含有する任意の製造物品又はデバイスは、本発明の想到される実施形態である。物品又はデバイスは、本明細書においては、熱エージングした物品又は熱エージングしたデバイスと称してもよい。熱エージングした物品又はデバイスのエージングしたシルセスキオキサンポリマーは、先に記載された、エージングした生成物、あるいは質量的に安定な生成物であってもよい。
【００８９】
エージングしたシルセスキオキサンポリマー、及びエージングしたシルセスキオキサンポリマーではない少なくとも１つの追加の構成成分を含む任意の配合物もまた、本発明の想到される実施形態である。いくつかの実施形態では、配合物は、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを粒子形態で含有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの追加の構成成分は、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー、液体媒質、オルガノシロキサンモノマー若しくはオリゴマー、シラン、非樹脂性ポリオルガノシロキサン、有機ポリマー、粒子状炭素、又は粒子状の無機固体を含む。液体媒質の例は、２５℃で５０〜５００センチストークスの動粘度を有するシリコーン流体、及びトルエン、ＰＧＭＥＡ、メチルエチルケトン、エチルアセテート、キシレンなどの有機溶媒である。オルガノシロキサンモノマー又はオリゴマーの例は、テトラアルコキシシラン、ヘキサアルキルジシロキサン、及びオクタメチルシクロシロキサンである。シランの例は、テトラメチルシラン、モノシラン、ヘキサクロロジシランなどである。非樹脂性ポリオルガノシロキサンの例は、ポリジメチルシロキサン、及びポリ（メチル、フェニル）（ジメチル）シロキサンである。有機ポリマーの例は、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリオレフィン、ポリカーボネートなどである。粒子状無機固体の例は、顔料（例えば、ＴｉＯ２）、セラミックス、シリカ、シリケート、及び元素周期表の第１属〜第１３属のいずれか１つの金属のアルコキシドである。粒子状炭素の例は、活性炭、ダイヤモンド、カーボンナノチューブ、グラフェン、及びグラファイトである。配合物のエージングしたシルセスキオキサンポリマーは、先に記載された、エージングした生成物、あるいは質量的に安定な生成物であってもよい。実施形態については、先に説明した。
【００９０】
所望であれば、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、典型的には２０℃〜５０℃の比較的低温にて制御された加水分解条件下で、ＨＳｉＣｌ３、及びＡｒｙｌＳｉＣｌ３、並びに任意選択的にＡｌｋＳｉＣｌ３などのシランモノマーから合成してもよい。
【００９１】
本発明は、高温の用途と無関係の更なる用途を有してもよい。
【００９２】
本発明は、技術的及び非技術的な利点を有する。有利には、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、２０℃〜５０℃などの比較的低温にて制御された加水分解条件下で、ＨＳｉＣｌ３、及びＡｒｙｌＳｉＣｌ３などのシランモノマーから合成してもよい。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、１５０℃〜２５０℃、あるいは１８０℃〜２００℃などの比較的低い硬化温度で硬化してもよい。本発明のエージングしたシルセスキオキサンポリマーは、４６０℃を上回る（例えば、＞４５０℃の）温度まで加熱した場合、質量的に安定である。エージングしたシルセスキオキサンポリマーの質量の任意の増大又は損失は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの出発重量に対するものである。あるいは、エージングしたシルセスキオキサンポリマーの質量の任意の増大又は損失は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを硬化することによって作製される式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの出発重量に対するものである。
【００９３】
本発明は、以下の非限定的な実施例によって更に説明され、本発明の実施態様は、この非限定的な実施例の特徴及び限定の任意の組み合わせを含んでもよい。周囲温度は別段の表示がない限り、約２３℃である。
【実施例】
【００９４】
２９Ｓｉ−ＮＭＲ装置及び溶媒：Ｖａｒｉａｎ  ４００ＭＨｚ  Ｍｅｒｃｕｒｙ分光計を使用した。ＣＤＣｌ３を溶媒として使用した。
【００９５】
液体フルオリドストリッパ１：追加量のアンモニウムフルオリド水溶液をＡＣＴ  ＮＥ−１４（Ａｉｒ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ＆  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．，Ａｌｌｅｎｔｏｗｎ，Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ，ＵＳＡ）に添加することにより調製し、酢酸、ジメチルアセトアミド、アンモニウムフルオリド、及び水を含み、アンモニウムフルオリドの濃度が液体フルオリドストリッパ１の総重量に対して４〜１５ｗｔ％である、液体フルオリドストリッパ１を得た。
【００９６】
式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成：トルエン、並びにトルエン中でトリクロロシラン（ＨＳｉＣｌ３）、フェニルトリクロロシラン（ＰｈＳｉＣｌ３）、及び任意選択的にメチルトリクロロシラン（ＣＨ３ＳｉＣｌ３）を用いた制御された加水分解法を使用して、３．５％の水を含有する、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの第１混合物を得る。式（Ｉ）の合成したシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、（ＨＳｉＯ３／２）ｘ（ＰｈＳｉＯ３／２）ｙ（ＭｅＳｉＯ３／２）ｚ［式中、Ｐｈはフェニルであり、Ｍｅはメチルであり、添字ｘ、ｙ及びｚは上記に定義されるとおりである。］を含む。（ＨＳｉＯ３／２）ｘ、（ＰｈＳｉＯ３／２）ｙ、及び（ＭｅＳｉＯ３／２）ｚの式（Ｉ）における単位のモル分率は、制御された加水分解において使用されるＨＳｉＣｌ３、ＰｈＳｉＣｌ３、及び任意のＣＨ３ＳｉＣｌ３の相対モル量に等しくなる。したがって、式（Ｉ）における単位のモル分率は、制御された加水分解において使用されるＨＳｉＣｌ３、ＰｈＳｉＣｌ３、及び任意のＣＨ３ＳｉＣｌ３の相対モル量を制御することにより制御してもよい。
【００９７】
式（Ｉ）の合成したシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの単離又は再配合：所望であれば、第１の混合物［式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成方法において上述した］から、トルエン、並びに任意の未反応のトリクロロシラン及び揮発性副産物などの揮発物を蒸発させて、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを単離した固体として得る。あるいは、所望であれば、第１の混合物のＰＧＭＥＡをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）又はメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）などの別の溶媒と溶媒交換して、その他の溶媒中の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの第２の混合物を得る。第２の混合物は、ＰＧＭＥＡ中の１０ｗｔ％の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含有するように構成されてもよい。ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの他の濃度は、５ｗｔ％〜４０ｗｔ％などを使用してもよいが、作製して使用するには、１０ｗｔ％が都合のよい濃度である。第２の混合物を、０．２μｍの濾過膜を用いて濾過して、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー溶液を得てもよい。
【００９８】
コーティングした半導体ウエハの調製：ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの一実施例の溶液（１０％固体）を、Ｋａｒｌ  Ｓｕｓｓ  ＣＴ６２スピンコータ装置を用いて６インチ（１５センチメートル（ｃｍ））直径のシリコンウエハ上にスピンコーティングし、次いでホットプレート上にて１５０℃で１分間（ソフト）ベークし、ＰＧＭＥＡを除去して、シリコンウエハ上に配置された式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの膜を備えるソフトベークしたウエハを得る。エリプソメータを用いて膜の初期厚さを測定する。ソフトベークしたウエハを、１５０℃〜２５０℃の所定の硬化温度に設定した二重石英炉に入れ、それを３０分間加熱し、２３℃まで冷却してシリコンウエハ上に配置された式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー（「硬化したウエハ」）を得る。有用な硬化温度は、１５０℃、１８０℃、１８０℃及び２００℃である。初期厚さ及び硬化温度を記録する。平均初期膜厚は０．２００〜０．５００μｍ、あるいは０．２４０〜０．４００μｍであってもよい。
【００９９】
式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの熱エージング：安定性試験方法１又は２において、以下に記載の熱プログラムＡ〜Ｈのうちのいずれか１つを使用して上記で調製した式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー又は式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーのいずれかの乾燥した形態を加熱して、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを熱エージングし、質量的に安定な生成物と特徴付けられるエージングしたシルセスキオキサンポリマーの一実施形態を得る。
【０１００】
安定性試験方法１：プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）などの溶媒中の１０％の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの一実施例の溶液をアルミニウムパンに入れ、１２０℃で３０分間溶媒を蒸発させることにより、試験試料を調製し、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥した試験試料を得る。約２０ｍｇの乾燥した試験試料を１５０マイクロリットル（μＬ）のアルミナるつぼに入れ、毎分１０℃（℃／分）の加熱速度並びに毎分４０ミリリットル（ｍＬ／分）の速度で流れる分子状窒素ガス及び／又はエアパージガスを使用したＭｅｔｔｌｅｒ  Ｔｏｌｅｄｏ  ＴＧＡ装置を用いて、入れた試料を熱重量分析（ＴＧＡ）にかける。乾燥した試験試料をｉｎ  ｓｉｔｕで硬化し、次いで、乾燥分子状窒素ガス雰囲気下で（別途注記のない限り）加熱エージングし、以下、実施例にて記載されたようにして、ＴＧＡ装置に入力された熱プログラムを用いた熱エージング温度プロファイルを介して分析する。好適なｉｎ  ｓｉｔｕでの硬化及び熱エージング温度プロファイルは、以下の熱プログラムＡ〜Ｅのいずれか１つに従って得られ得る。熱プログラムＡ：１０℃／分で２３℃から７００℃まで加熱し、７００℃で３０分間維持し、次いで２３℃まで冷却する。熱プログラムＢ：１０℃／分で２３℃から６００℃まで加熱し、６００℃で６０分間維持し、２３℃まで冷却する。熱プログラムＣ：１０℃／分で２３℃から５００℃まで加熱し、５００℃で６０分間維持し、２３℃まで冷却する。熱プログラムＤ：１０℃／分で２３℃から３５０℃まで加熱し、３５０℃で２０分間維持し、次いで１０℃／分で３５０℃から６００℃まで加熱し、次いで６００℃で６０分間維持し、得られた熱エージングした物品を２３℃まで冷却する。熱プログラムＥ：１０℃／分で２３℃から３５０℃まで加熱し、３５０℃で２０分間維持し、次いで１０℃／分で３５０℃から５００℃まで加熱し、次いで５００℃で６０分間維持し、得られた熱エージングした物品を２３℃まで冷却する。表形式又はサーモグラフィ形式でパーセントとして重量損失を報告する。あるいは、熱プログラムＡ〜Ｅは、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの予め作製された試料の分析を熱エージングするために使用してもよい。
【０１０１】
安定性試験方法２：ＰＧＭＥＡなどの溶媒中の１０％の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの一実施例の溶液をシリコンウエハに塗布し、塗布した溶液を１２０℃で３０分間乾燥させて、シリコンウエハ上に配置された式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥した試験膜を備える、コーティングした物品を得る。乾燥した試験膜をｉｎ  ｓｉｔｕで硬化し、次いで、以下の熱プログラムＦ〜Ｈのいずれか１つに従ってコーティングした物品を加熱し、次いで得られた熱エージングした物品を２３℃まで冷却することにより、乾燥分子状窒素ガス雰囲気下で（別途注記のない限り）熱エージングする。熱プログラムＦ：５００℃で３０分間加熱し、２３℃まで冷却する。熱プログラムＧ：５５０℃で３０分間加熱し、２３℃まで冷却する。熱プログラムＨ：６００℃で３０分間加熱し、２３℃まで冷却する。熱プログラムＦ〜Ｈにおける加熱は、熱プログラム温度に設定された二重石英炉内で行ってもよい。あるいは、熱プログラムＦ〜Ｈは、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの予め作製された試料の分析を熱エージングするために使用してもよい。
【０１０２】
剥離試験方法１：上記の安定性試験方法１又は２に従って調製した、熱エージングした物品を、所定の期間、所定のストリッピング溶液中に浸漬し、浸漬したウエハを得る。ストリッピング溶液から浸漬物を取り出し、これを脱イオン（ＤＩ）水でリンスして処理済ウエハを得る。エリプソメータ（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ，Ｍ２００Ｄ）を用いて処理済みウエハ上に残存する膜の厚さを測定する。ストリッピング溶液、浸漬の時間、及び任意の残留膜の厚さを記録する。
【０１０３】
本発明の実施例（ＩＥｘ．）１：式（Ｉ）のＴ（Ｈ）０．９０Ｔ（フェニル）０．１０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成。１２０ｇの乾燥ＰＧＭＥＡ中に３０．５グラム（ｇ）（０．２２５モル）のトリクロロシラン及び５．２９ｇ（０．０２５モル）のフェニルトリクロロシランを溶解させた溶液を、窒素ガス下にて三ツ口フラスコへ移した。トリクロロシラン及びフェニルトリクロロシランからのケイ素原子の総数に対する水のモル比は２．２：１であった。移された溶液に、２００ｇのＰＧＭＥＡと１０ｇ（０．５５５モル）の水の予め混合した溶液（「ウェットＰＧＭＥＡ」）を、１時間にわたって添加した。混合物をボディー化する（ｂｏｄｙ）（反応平衡に到達させる）ために、ウェットＰＧＭＡの添加が完了した後、得られた反応混合物を、２０℃で１時間攪拌した。得られたボディー化（ｂｏｄｉｅｄ）混合物は、式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．９０Ｔ（フェニル）０．１０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含んだ。ボディー化混合物を、ロータリーエバポレータ（恒温槽温度４０℃）で揮発物（例えば、塩化水素及びＰＧＭＥＡの一部）を除去することにより濃縮し、ＰＧＭＥＡ中１０ｗｔ％の固体含有量を含む第１濃縮物を得た。約４０ｇのエタノールを第１濃縮物に添加し、得られた第１希釈混合物を剥離して、ＰＧＭＥＡ中２０ｗｔ％の固体含有量を含む第２濃縮物を得た。第２濃縮物を所定量の乾燥ＰＧＭＥＡで希釈して、ＰＧＭＥＡ中１０ｗｔ％の固体含有量を含む第２希釈混合物を得た。第２希釈混合物を、０．２０μｍポリ（テトラフルオロエチレン）（ＰＴＦＥ）フィルタで濾過し、濾過物を２５０ｍＬ容量の高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）ボトルに貯蔵し、乾燥ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．９０Ｔ（フェニル）０．１０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの貯蔵溶液を得た。
【０１０４】
ＩＥｘ．１（Ａ）：単離して乾燥したＴ（Ｈ）０．９０Ｔ（フェニル）０．１０シルセスキオキサン樹脂プレポリマー（仮想例）：ＩＥｘ．１の貯蔵溶液のアリコートから全てのＰＧＭＥＡを除去し、式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．９０Ｔ（フェニル）０．１０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含む残留物を、単離して乾燥した材料として得る。
【０１０５】
ＩＥｘ．２：式（Ｉ）のＴ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成。３０．５ｇ（０．２２５モル）のトリクロロシランの代わりに２８．８ｇ（０．２１２５モル）のトリクロロシランを使用すること、及び５．２９ｇ（０．０２５モル）のフェニルトリクロロシランの代わりに７．９３ｇ（０．０３７５モル）のフェニルトリクロロシランを使用すること以外は、ＩＥｘ．１の手順を繰り返し、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの貯蔵溶液を得る。
【０１０６】
ＩＥｘ．２（Ａ）：単離して乾燥したＴ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５シルセスキオキサン樹脂プレポリマー（仮想例）：ＩＥｘ．２の貯蔵溶液のアリコートから全てのＰＧＭＥＡを除去し、式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含む残留物を、単離して乾燥した材料として得る。
【０１０７】
ＩＥｘ．３：式（Ｉ）のＴ（Ｈ）０．８０Ｔ（フェニル）０．２０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成。３０．５ｇ（０．２２５モル）のトリクロロシランの代わりに２７．１ｇ（０．２０モル）のトリクロロシランを使用すること、及び５．２９ｇ（０．０２５モル）のフェニルトリクロロシランの代わりに１０．５８ｇ（０．０５０モル）のフェニルトリクロロシランを使用すること以外は、ＩＥｘ．１の手順を繰り返し、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．８０Ｔ（フェニル）０．２０シルセスキオキサン樹脂プレポリマー貯蔵溶液を得る。
【０１０８】
ＩＥｘ．３（Ａ）：単離して乾燥したＴ（Ｈ）０．８０Ｔ（フェニル）０．２０シルセスキオキサン樹脂プレポリマー（仮想例）：ＩＥｘ．３の貯蔵溶液のアリコートから全てのＰＧＭＥＡを除去し、式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．８０Ｔ（フェニル）０．２０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含む残留物を、単離して乾燥した材料として得る。
【０１０９】
ＩＥｘ．４：式（Ｉ）のＴ（Ｈ）０．５０Ｔ（フェニル）０．５０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成。３０．５ｇ（０．２２５モル）のトリクロロシランの代わりに１６．９ｇ（０．１２５モル）のトリクロロシランを使用すること、及び５．２９ｇ（０．０２５モル）のフェニルトリクロロシランの代わりに２６．４４ｇ（０．１２５モル）のフェニルトリクロロシランを使用すること以外は、ＩＥｘ．１の手順を繰り返し、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．５０Ｔ（フェニル）０．５０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの貯蔵溶液を得る。
【０１１０】
ＩＥｘ．４（Ａ）：単離して乾燥したＴ（Ｈ）０．５０Ｔ（フェニル）０．５０シルセスキオキサン樹脂プレポリマー（仮想例）：ＩＥｘ．４の貯蔵溶液のアリコートから全てのＰＧＭＥＡを除去し、式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．５０Ｔ（フェニル）０．５０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含む残留物を、単離して乾燥した材料として得る。
【０１１１】
ＩＥｘ．５：式（Ｉ）のＴ（Ｈ）０．３５Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成。３０．５ｇ（０．２２５モル）のトリクロロシランの代わりに１１．９ｇ（０．０８８モル）のトリクロロシランを使用すること、５．２９ｇ（０．０２５モル）のフェニルトリクロロシランの代わりに１３．２２ｇ（０．０６３モル）のフェニルトリクロロシランを使用すること、及びこの溶液に１５．０ｇ（０．１００モル）のメチルトリクロロシランを添加して、これを三ツ口フラスコに移すこと以外は、ＩＥｘ．１の手順を繰り返し、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．３５Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの貯蔵溶液を得る。
【０１１２】
ＩＥｘ．５（Ａ）：単離して乾燥したＴ（Ｈ）０．３５Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４０シルセスキオキサン樹脂プレポリマー（仮想例）：ＩＥｘ．５の貯蔵溶液のアリコートから全てのＰＧＭＥＡを除去し、式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．３５Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含む残留物を、単離して乾燥した材料として得る。
【０１１３】
ＩＥｘ．６：式（Ｉ）のＴ（Ｈ）０．３０Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成。３０．５ｇ（０．２２５モル）のトリクロロシランの代わりに１０．２ｇ（０．０７５モル）のトリクロロシランを使用すること、５．２９ｇ（０．０２５モル）のフェニルトリクロロシランの代わりに１３．２２ｇ（０．０６３モル）のフェニルトリクロロシランを使用すること、及びこの溶液に１６．８２ｇ（０．１１３モル）のメチルトリクロロシランを添加して、これを三ツ口フラスコに移すこと以外は、ＩＥｘ．１の手順を繰り返し、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．３０Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの貯蔵溶液を得る。
【０１１４】
ＩＥｘ．６（Ａ）：単離して乾燥したＴ（Ｈ）０．３０Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４５シルセスキオキサン樹脂プレポリマー（仮想例）：ＩＥｘ．６の貯蔵溶液のアリコートから全てのＰＧＭＥＡを除去し、式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．３０Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含む残留物を、単離して乾燥した材料として得る。
【０１１５】
ＩＥｘ．７：式（Ｉ）のＴ（Ｈ）０．２５Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．６５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成。３０．５ｇ（０．２２５モル）のトリクロロシランの代わりに８．４７ｇ（０．０６３モル）のトリクロロシランを使用すること、及びこの溶液に２４．３ｇ（０．１６３モル）のメチルトリクロロシランを添加して、これを三ツ口フラスコに移すこと以外は、ＩＥｘ．１の手順を繰り返し、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．２５Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．６５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの貯蔵溶液を得る。
【０１１６】
ＩＥｘ．７（Ａ）：単離して乾燥したＴ（Ｈ）０．２５Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．６５シルセスキオキサン樹脂プレポリマー（仮想例）：ＩＥｘ．７の貯蔵溶液のアリコートから全てのＰＧＭＥＡを除去し、式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．２５Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．６５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含む残留物を、単離して乾燥した材料として得る。
【０１１７】
ＩＥｘ．８：式（Ｉ）のＴ（Ｈ）０．４０Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．５０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成。３０．５ｇ（０．２２５モル）のトリクロロシランの代わりに１３．６ｇ（０．１００モル）のトリクロロシランを使用すること、及びこの溶液に１８．６９ｇ（０．１２５モル）のメチルトリクロロシランを添加して、これを三ツ口フラスコに移すこと以外は、ＩＥｘ．１の手順を繰り返し、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．４０Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．５０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの貯蔵溶液を得る。
【０１１８】
ＩＥｘ．８（Ａ）：単離して乾燥したＴ（Ｈ）０．４０Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．５０シルセスキオキサン樹脂プレポリマー（仮想例）：ＩＥｘ．８の貯蔵溶液のアリコートから全てのＰＧＭＥＡを除去し、式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．４０Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．５０シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含む残留物を、単離して乾燥した材料として得る。
【０１１９】
ＩＥｘ．９：式（Ｉ）のＴ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの合成。ＩＥｘ．２の手順を繰り返し、ＰＧＭＥＡ中の式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーの貯蔵溶液を得る。
【０１２０】
ＩＥｘ．９（Ａ）：単離して乾燥した式（Ｉ）のＴ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５シルセスキオキサン樹脂プレポリマー：ＩＥｘ．９の貯蔵溶液のアリコートから全てのＰＧＭＥＡを除去し、式（Ｉ）のものであるＴ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを含む残留物を、単離して乾燥した材料として得た。
【０１２１】
ＩＥｘ．Ａ〜Ｖ：エージングしたシルセスキオキサンポリマーの調製：ＩＥｘ．１〜ＩＥｘ．９のいずれか１つの式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを別個にソフトベークし（１５０℃６０秒間）、次いで熱プログラムＡ〜Ｈのいずれか１つに従ってＩＥｘ．１〜ＩＥｘ．９のいずれか１つのソフトベークした式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを硬化し、熱エージングして、順次、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、続いてエージングしたシルセスキオキサンポリマーを、それぞれ以下の表１に示すようにＩＥｘ．Ａ〜Ｖの質量的に安定な生成物として得る。
【０１２２】
【表１】
2019512027.tif 000002
【０１２３】
＊即ち、１．０％の重量増大；  ＊＊仮想実施例を示す
【０１２４】
表１のデータに示すように、本発明のエージングしたシルセスキオキサンポリマーは、５００℃、５５０℃、６００℃、若しくは７００℃、又は最大６０分間、対応する硬化したシルセスキオキサンポリマーを加熱して、エージングしたシルセスキオキサンポリマーの実施形態を（質量的に安定な生成物として）得ることにより調製した後に、安定である。エージングしたシルセスキオキサンポリマーの質量の増大又は損失は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの出発質量に対するものであり、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥形態の出発重量からエージングしたシルセスキオキサンポリマーの重量を減算することにより算出される。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥形態の重量は、硬化によりそれから製造される式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの重量に等しい。いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーの質量の増大又は損失は、式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの出発質量に対するものである。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーを硬化し、次いで、得られた式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを熱エージングすることにより、＞０質量％から１５質量％未満、あるいは＞０質量％から１１質量％未満、あるいは＞０質量％から＜７質量％を損失した（損失してもよい）質量的に安定な生成物として、エージングしたシルセスキオキサンポリマーを得てもよい。いくつかの実施形態では、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥形態の出発質量に対して、＞０質量％から＜６質量％、あるいは＞０質量％から＜５質量％、あるいは＞０質量％から＜４質量％、あるいは＞０質量％から＜３質量％、あるいは＞０質量％から≦２質量％を損失した（損失してもよい）。いくつかの実施形態では、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、少なくとも１．９質量％、あるいは少なくとも２．０質量％を損失した（損失してもよい）。この低い程度の質量損失は、エージングしたシルセスキオキサンポリマー（例えば、これらの実施形態からの質量的に安定な生成物）を、航空宇宙及び半導体デバイス製造産業において出現している高温製造方法に使用するのに適している。
【０１２５】
ＩＥｘ．Ｗ〜Ｚ及びＡＡ〜ＡＰ：ソフトベークして硬化したウエハの調製：先に記載されたコーティングしたウエハの調製に従って、ソフトベークして硬化したウエハを調製する。ＩＥｘ．Ｖ〜ＩＥｘ．Ｚ及びＡＡ〜ＡＰの硬化したウエハに安定性試験方法１又は２続いて剥離試験方法１を受けさせ、硬化したウエハのエージングしたシルセスキオキサンポリマーの可剥性を評価する。下の表２に結果を記録する。
【０１２６】
表２において、ＴＭＡＨは水中の２．４ｗｔ％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、非フルオリド系ストリッパである。
【０１２７】
【表２】
2019512027.tif 000003
【０１２８】
＊質量的に安定な生成物  ＊＊Ｌｉｑ．Ｆ＝液体フルオリドストリッパ１
【０１２９】
表２のデータに示すように、エージングしたシルセスキオキサンポリマーの熱エージングしたコーティングは、酢酸、ジメチルアセトアミド、アンモニウムフルオリド、及び水を含む液体フルオリド系ストリッパなどの、本発明の液体フルオリド系ストリッパを使用して、基板から完全に剥離することができ、ここでアンモニウムフルオリドの濃度は、液体フルオリドストリッパの総重量に対して少なくとも４ｗｔ％〜１５ｗｔ％である。この液体フルオリドストリッパを用いた可剥性は、熱エージングしたコーティングがＴＭＡＨａｑ耐性である場合には、特に予測不可能である。したがって、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、ストリッピングを必要とする半導体デバイス製造プロセス用の犠牲ポリマーとして、加えてエージングしたシルセスキオキサンポリマーを電子デバイス内に残存させることができる電子デバイスを作製するための製造プロセス用のリワーク型ポリマーとして好適である。
【０１３０】
以下の特許請求の範囲は、参照により本明細書に組み込まれ、用語「請求項」（単数及び複数）はそれぞれ用語「態様」（単数及び複数）に置き換えられる。本発明の実施形態は、これらの得られた番号付けされた態様も包含する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月17日(2018.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱工程（ａ）又は（ｂ）を含むプロセスによって作製された生成物である、エージングしたシルセスキオキサンポリマーであって、加熱工程（ａ）は下位工程（ａ）（１）及び（ａ）（２）：
（ａ）（１）シルセスキオキサン樹脂プレポリマーを、１５０摂氏度（℃）〜３００℃の温度で少なくとも１０秒間加熱して、硬化したシルセスキオキサンポリマーを得ること、次いで（ａ）（２）前記硬化したシルセスキオキサンポリマーを、４６０℃〜７００℃の温度で少なくとも１分間加熱して、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを得ることで構成され、ここで前記シルセスキオキサン樹脂プレポリマーは式（Ｉ）：（ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｘ（ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｙ（ＲＡｌｋＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｚ（Ｉ）［式中、各ＲＡｒは独立してフェニル又はナフチルであり、各ＲＡｌｋは独立して（Ｃ１〜Ｃ３）アルキルであり、添字ｘは０．２０〜０．９４のモル分率であり、添字ｙは０．０６〜０．８０のモル分率であり、添字ｚは０〜０．７０のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、各ｈは独立して０、１又は２である。］のものであり、前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーにおいて、ＳｉＯＨ基を有する単位のモルパーセント、ｗ１は６〜３８モルパーセントである；
加熱工程（ｂ）は、硬化したシルセスキオキサンポリマーを、４６０℃〜７００℃の温度で少なくとも１分間加熱して、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを得ることである;
前記加熱工程（ａ）又は（ｂ）において、前記硬化したポリマー型シルセスキオキサンは、独立して、式（Ｉ）：（ＨＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｘ（ＲＡｒＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｙ（ＲＡｌｋＳｉＯ（３−ｈ）／２（ＯＨ）ｈ）ｚ（Ｉ）［式中、各ＲＡｒは独立してフェニル又はナフチルであり、各ＲＡｌｋは独立して（Ｃ１〜Ｃ３）アルキルであり、添字ｘは０．２０〜０．９４のモル分率であり、添字ｙは０．０６〜０．８０のモル分率であり、添字ｚは０〜０．７０のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、各ｈは独立して０、１又は２である。］のものであり、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーにおいて、ＳｉＯＨ基を有する単位のモルパーセント、ｗ２は、１〜２０モルパーセントであり；ｗ１＞ｗ２であり;
前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、第１質量である質量１によって特徴付けられ、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、第２質量である質量２によって特徴付けられ、ここで質量２＝０．８５質量１〜１．０２質量１である、エージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【請求項２】
前記プロセスが、前記加熱工程（ａ）を含む、請求項１に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【請求項３】
前記プロセスが、前記加熱工程（ｂ）を含む、請求項１に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【請求項４】
以下の制限（Ａ）〜（Ｒ）：
（Ａ）前記加熱下位工程（ａ）（２）において、又は前記加熱工程（ｂ）において、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを、４６０℃〜６００℃の温度で１分間〜１２０分間加熱する；
（Ｂ）前記加熱下位工程（ａ）（２）において、又は前記加熱工程（ｂ）において、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを、５００℃〜７００℃の温度で１分間〜１２０分間加熱する；
（Ｃ）前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、４６０℃〜７００℃の温度下のものとして特徴付けられる；
（Ｄ）前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、−４０℃〜４０℃の温度下のものとして特徴付けられる；
（Ｅ）前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは、３０，０００〜３，０００，０００の重量平均分子量Ｍｗを有する；
（Ｆ）制限（Ｅ）並びに制限（Ｃ）及び（Ｄ）のいずれか１つ；
（Ｇ）質量２＝０．８６質量１〜１．００質量１、質量２＝０．９１質量１超１．００質量１未満、又は質量２＝０．９３質量１〜０．９９質量１；
（Ｈ）５００℃で６０分間加熱することからなる前記加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９１質量１〜１．００質量１；
（Ｉ）６００℃で６０分間加熱することからなる前記加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９１質量１〜１．００質量１；
（Ｊ）５００℃で６０分間加熱することからなる前記加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９３質量１〜１．００質量１；
（Ｋ）６００℃で６０分間加熱することからなる前記加熱下位工程（ａ２）、又は加熱工程（ｂ）の実施形態の後、質量２＝０．９３質量１〜１．００質量１；
（Ｌ）制限（Ｈ）及び（Ｉ）の両方；
（Ｍ）制限（Ｊ）及び（Ｋ）の両方；
（Ｎ）前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー及び前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、２．４重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（ＴＭＡＨａｑ）に６０℃で１０分間浸漬することによる溶解度、又は、６０℃での２．４重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（ＴＭＡＨａｑ）中の溶解速度から選択される少なくとも１つの化学的特徴が互いに異なっており、ここで前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーの前記溶解度が前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの前記溶解度よりも少なくとも２５％小さい；
（Ｏ）前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー及び前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、フーリエ変換赤外線（ＩＲ）分光法により測定した際に、「Ｓｉ−Ｈ含有量」であるケイ素結合水素原子の含有量から選択される少なくとも１つの構造的特徴が互いに異なっており、ここで、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーの前記Ｓｉ−Ｈ含有量は、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーの前記Ｓｉ−Ｈ含有量よりも少なくとも２５％小さい；
（Ｐ）制限（Ｎ）及び（Ｏ）のうちの少なくとも２つ；
（Ｑ）制限（Ｎ）又は（Ｏ）、及び制限（Ａ）〜（Ｍ）のいずれか１つ；並びに、
（Ｒ）前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー及び前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは、２５℃でのプロピレングリコールモノメチルエーテルモノアセテートであるＰＧＭＥＡ中の溶解度、から選択される少なくとも１つの化学的特徴が互いに異なっており、ここで、それぞれ２５℃にて１．０ミリリットルのＰＧＭＥＡ中で０．１０ｇの前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー又は式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーで全て測定して、前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーは完全に溶解し、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは不溶であるか、又は少なくとも部分的に不溶である；
のいずれか１つによって特徴付けられる請求項１〜３のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【請求項５】
前記加熱工程（ａ）を含むプロセスよって作製され、前記加熱下位工程（ａ）（１）を実施した後、前記プロセスが、前記加熱下位工程（ａ）（２）を実施する前に、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーを、０℃〜４０℃の温度まで冷却する、下位工程（ａ）（１．５）を更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマー。
【請求項６】
シート、複数の粒子、又は設計されたパターンとして構成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む製造物品。
【請求項７】
前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーと動作可能に接触して配置される、基材を更に備える、請求項６に記載の製造物品。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む電子デバイス、及びそれと動作可能に接触して配置される電子部品。
【請求項９】
半導体デバイスの高温形成したフィーチャの作製方法であって、半導体部品上に配置された請求項１〜３のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む物品に、４６０℃〜７００℃の温度で少なくとも１つの加工工程を実施して、前記半導体部品上に配置された高温形成したフィーチャ及び前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを含む半導体デバイスを得ることを含む方法。
【請求項１０】
以下の制限（１）〜（７）：
（１）前記高温形成したフィーチャは、４６０℃〜７００℃の温度で実施される材料堆積又は処理プロセスによって作製される；
（２）前記高温形成したフィーチャは、４６０℃〜７００℃の温度で実施される材料堆積又は処理プロセスによって作製され、ここで前記材料堆積プロセスは、ＣＶＤ前駆体を用いた化学蒸着又はＡＬＤ前駆体を用いた原子層堆積を含み、前記処理プロセスは、アニーリング、アッシング、又はエッチングを含み；全てが４６０℃〜７００℃の温度で実施される；
（３）前記加工工程を実施する前に、工程（ａ）又は（ｂ）により前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを予め作製するか、又は前記加工工程を実施する際に、ｉｎ  ｓｉｔｕで工程（ａ）又は（ｂ）により前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを作製する；
（４）前記方法は、前記加工工程を実施する前に、前記半導体部品上に前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーと送達媒質との混合物をスピンコーティングしてウェットコーティングを得ること、及び前記ウェットコーティングから前記送達媒質を除去して、前記半導体部品と接触している前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの乾燥したコーティングを得ることを更に含む；
（５）前記半導体部品は半導体ウエハを含む；並びに、
（６）前記高温形成したフィーチャは、半導体材料の堆積物、アニーリングされた半導体材料、アッシング残留物、又はエッチングした層を含む；並びに
（７）前記半導体デバイスは、光（起）電セル、ダイオード、トランジスタ、又は集積回路を備える；
のいずれか１つを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
液体フルオリドストリッパで前記半導体部品から前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーの少なくとも一部をウェットストリッピングすることを更に含み、前記液体フルオリドストリッパは、酢酸、ジメチルアセトアミド、アンモニウムフルオリド、及び水を含み、前記アンモニウムフルオリドの濃度は、前記液体フルオリドストリッパの総重量に対して少なくとも４重量％（ｗｔ％）〜１５ｗｔ％であり、前記ウェットストリッピングは、前記液体フルオリドストリッパ中の前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーの少なくとも一部を溶解するように、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを前記液体フルオリドストリッパと接触させることを含む、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーの粒子の分散体と、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーではない少なくとも１つの追加の構成要素と、を含む、配合物。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの追加の構成要素が、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー、液体媒質、オルガノシロキサンモノマー又はオリゴマー、シラン、非樹脂性ポリオルガノシロキサン、有機ポリマー、粒子状炭素、及び粒子状無機固体である、請求項１２に記載の配合物。
【請求項１４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のエージングしたシルセスキオキサンポリマーを、それが接触している基板から除去する方法であって、前記液体フルオリドストリッパは酢酸、ジメチルアセトアミド、アンモニウムフルオリド、及び水を含み、前記アンモニウムフルオリドの濃度は、前記液体フルオリドストリッパの総重量に対して少なくとも４重量％（ｗｔ％）〜１５ｗｔ％であり、前記液体フルオリドストリッパ中の前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーの少なくとも一部を溶解するように、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーを液体フルオリドストリッパと接触させることを含む、方法。
【請求項１５】
以下の制限（ａａ）〜（ｌｌ）：
（ａａ）前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマーは、沸点が３０℃〜１５０℃の溶媒を０．５ｗｔ％未満有する、実質的に溶媒を含まない形態の前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマーの硬化による硬化生成物を含む；
（ｂｂ）各ＲＡｒはフェニルであり、各ＲＡｌｋはメチルである；
（ｃｃ）（ａａ）及び（ｂｂ）の両方；
（ｄｄ）添字ｘは０．２５〜０．９０のモル分率であり、添字ｙは０．１０〜０．５０のモル分率であり、添字ｚは０〜０．６５のモル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である；
（ｅｅ）添字ｚは０であり、前記エージングしたシルセスキオキサンポリマーは式（Ｉ−ａ）：（ＨＳｉＯ３／２）ｘ（フェニルＳｉＯ）３／２ｙ（Ｉ−ａ）［式中、添字ｘは０．５〜０．９４であり、添字ｙは０．０６〜０．５であり、合計はｘ＝ｙ＝１である。］のものである；
（ｆｆ）（ｂｂ）及び（ｅｅ）の両方；
（ｇｇ）（ａａ）、（ｂｂ）及び（ｅｅ）の各々；
（ｈｈ）添字ｚは０．４０〜０．６５のモル分率であり、エージングしたシルセスキオキサンポリマーは、式（Ｉ−ｂ）：（ＨＳｉＯ３／２）ｘ（フェニルＳｉＯ３／２）ｙ（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）ｚ（Ｉ−ｂ）［式中、添字ｘは０．２５〜０．４０であり、添字ｙは０．１０〜０．２５であり、添字ｚは０．４０〜０．６５の前記モル分率であり、合計ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。］のものである；
（ｉｉ）（ｂｂ）及び（ｈｈ）の両方；
（ｊｊ）（ａａ）、（ｂｂ）及び（ｈｈ）の各々；
（ｋｋ）各ＲＡｒはフェニルであり、各ＲＡｌｋはメチルであり、前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂プレポリマー、前記式（Ｉ）の硬化したシルセスキオキサンポリマー、又は前記エージングしたシルセスキオキサンポリマー中の、前記得られた（ＨＳｉＯ３／２）ｘ単位（Ｔ（Ｈ））、（フェニルＳｉＯ）３／２ｙ単位（Ｔ（フェニル））、及び（メチルＳｉＯ）３／２ｙ単位（Ｔ（メチル））の前記モル分率は、
Ｔ（Ｈ）０．９０Ｔ（フェニル）０．１０；
Ｔ（Ｈ）０．８５Ｔ（フェニル）０．１５；
Ｔ（Ｈ）０．８０Ｔ（フェニル）０．２０；
Ｔ（Ｈ）０．５０Ｔ（フェニル）０．５０；
Ｔ（Ｈ）０．３５Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４０；
Ｔ（Ｈ）０．３０Ｔ（フェニル）０．２５Ｔ（メチル）０．４５；
Ｔ（Ｈ）０．２５Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．６５；及び
Ｔ（Ｈ）０．４０Ｔ（フェニル）０．１０Ｔ（メチル）０．５０から選択される；
（ｌｌ）制限（ｋｋ）、及び（ａａ）又は（ｃｃ）のいずれか、
のいずれか１つを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発明。
【国際調査報告】
2019512027.tif 000004
2019512027.tif 000005