(57)【要約】  電界成形マルチウェル光電子増倍管及びその製作方法を提供する。この光電子増倍管は、下側絶縁体と、ａ−Ｓｅ光伝導層と、上側絶縁体とを含む電界成形マルチウェルアバランシェ検出器を含む。ａ−Ｓｅ光伝導層は、下側絶縁体と上側絶縁体との間に位置する。光電子増倍管の長さに沿って光相互作用領域、アバランシェ領域及び収集領域が設けられ、光相互作用領域及び収集領域は、アバランシェ領域の両側に位置する。【選択図】      図２
2019506756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界成形マルチウェルアバランシェ検出器を含む光電子増倍管であって、前記電界成形マルチウェルアバランシェ検出器は、
下側絶縁体と、
ａ−Ｓｅ光伝導層と、
上側絶縁体と、
を含み、
前記ａ−Ｓｅ光伝導層は、前記下側絶縁体と前記上側絶縁体との間に存在し、
前記光電子増倍管の長さに沿って光相互作用領域、アバランシェ領域及び収集領域が設けられ、
前記光相互作用領域及び前記収集領域は、前記アバランシェ領域の両側に位置する、
ことを特徴とする光電子増倍管。
【請求項２】
前記ａ−Ｓｅ光伝導層は、前記下側絶縁体と前記上側絶縁体との間に位置する、
請求項１に記載の光電子増倍管。
【請求項３】
前記アバランシェ領域は、水平配向で形成され、
前記ａ−Ｓｅ光伝導層及び前記上側絶縁体は、前記下側絶縁体上に垂直配向で形成される、
請求項１に記載の光電子増倍管。
【請求項４】
前記アバランシェ領域は、フォトリソグラフィを通じて形成される、
請求項１に記載の光電子増倍管。
【請求項５】
前記光相互作用領域は、上側光学窓及び下側光学窓を含み、
前記上側光学窓は、前記検出器の上方からの第１の光が入射するように構成され、
前記下側光学窓は、前記検出器の下方からの第２の光が入射するように構成される、
請求項１に記載の光電子増倍管。
【請求項６】
前記光相互作用領域の遠位端に位置する高電圧源と、
前記収集領域の遠位端に位置するコレクタと、
をさらに含み、
前記高電圧源及び前記コレクタは、前記検出器の両側の水平端に位置して前記高電圧源と前記コレクタとの間に電界を形成する、
請求項１に記載の光電子増倍管。
【請求項７】
前記アバランシェ領域の水平方向長さに沿って所定の間隔で位置する複数のグリッドをさらに含む、
請求項１に記載の光電子増倍管。
【請求項８】
前記複数のグリッドの各グリッドは、前記複数のグリッドのうちの隣接する別のグリッドから所定の距離に設けられる、
請求項７に記載の光電子増倍管。
【請求項９】
前記複数のグリッドは、間に複数の増幅段を含む複数の横方向フリッシュグリッドを形成する、
請求項７に記載の光電子増倍管。
【請求項１０】
前記複数のグリッドは、バイアスを掛けられて高電界領域を生じ、ａ−Ｓｅ内における電界ホットスポットの形成と、高電界金属半導体界面からの電荷注入とを排除する多段アバランシェ利得をもたらす、
請求項７に記載の光電子増倍管。
【請求項１１】
前記多段アバランシェ利得は、前記複数のグリッドのグリッド面間に制限され、金属電極からの電荷注入が排除される、
請求項１０に記載の光電子増倍管。
【請求項１２】
電界成形マルチウェルアバランシェ検出器を含む光電子増倍管であって、前記電界成形マルチウェルアバランシェ検出器は、
絶縁体と、
前記絶縁体に隣接するａ−Ｓｅ光伝導層と、
光相互作用領域と、
アバランシェ領域と、
収集領域と、
を含み、
前記光相互作用領域、前記アバランシェ領域及び前記収集領域は、前記光電子増倍管の長さに沿って設けられ、
前記光相互作用領域及び前記収集領域は、前記アバランシェ領域の両側に位置する、
ことを特徴とする光電子増倍管。
【請求項１３】
前記アバランシェ領域は、水平配向で形成され、前記ａ−Ｓｅ光伝導層は、前記下側絶縁体上に垂直配向で形成される、
請求項１２に記載の光電子増倍管。
【請求項１４】
前記アバランシェ領域は、フォトリソグラフィを通じて形成される、
請求項１２に記載の光電子増倍管。
【請求項１５】
前記光相互作用領域は、検出すべき光が入射するように構成された光学窓を含む、
請求項１２に記載の光電子増倍管。
【請求項１６】
前記光相互作用領域内に位置する複数の高電圧分割器と、
前記収集領域の遠位端に位置するコレクタと、
をさらに含む、請求項１２に記載の光電子増倍管。
【請求項１７】
前記アバランシェ領域の水平方向長さに沿って複数のグリッドをさらに含む、
請求項１２に記載の光電子増倍管。
【請求項１８】
前記複数のグリッドの各グリッドは、前記複数のグリッドのうちの隣接する別のグリッドから所定の距離に設けられる、
請求項１７に記載の光電子増倍管。
【請求項１９】
前記複数のグリッドは、間に複数の増幅段を含む複数の横方向フリッシュグリッドを形成し、
前記複数のグリッド間に多段アバランシェ利得が制限され、金属電極からの電荷注入が排除される、
請求項１７に記載の光電子増倍管。
【請求項２０】
前記複数のグリッドは、バイアスを掛けられて高電界領域を生じ、ａ−Ｓｅ内における電界ホットスポットの形成と、高電界金属半導体界面からの電荷注入とを排除する多段アバランシェ利得をもたらす、
請求項１７に記載の光電子増倍管。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
〔優先権〕
本出願は、２０１６年１月７日に米国特許商標庁に出願された米国仮特許出願第６２／２７５，９２７号に対する優先権を主張するものであり、この文献の開示は引用により本明細書に組み入れられる。
【０００２】
本発明は、一般に固体放射線画像検出器（ｓｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ  ｉｍａｇｉｎｇ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ）の分野に関し、具体的には、電界成形マルチウェル検出器構造（ｆｉｅｌｄ−ｓｈａｐｉｎｇ  ｍｕｌｔｉ−ｗｅｌｌ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する非晶質セレン放射線検出器（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｅｌｅｎｉｕｍ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ）に関する。
【背景技術】
【０００３】
核医学及びその画像診断における応用の分野は急速に成長しており、従来の光電子増倍管（ＰＭＴ）と同様の性能特性をもたらすように、単一素子又は画素アレイ検出器の形態の固体光電子増倍管の使用が研究されてきた。固体技術の利点は、耐久性、小型、及び磁界に対する強さである。今のところ、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）アレイから構築されたシリコン光電子増倍管（ＳｉＰＭ）が、陽電子放出断層撮影法（ＰＥＴ）及び単一光子放射断層撮影法（ＳＰＥＣＴ）におけるＰＭＴの唯一の置換候補と見られ、急速な発展を見せている。しかしながら、ＳｉＰＭは、ＰＭＴとは対照的に線形モードでは動作せず、低い光子検出効率、狭い領域、高コスト、低い均一性及び低収率という欠点を有する。
【０００４】
ＳｉＰＭは、ＰＭＴと同様の約１０6のアバランシェ利得（ｇav）を達成するために非線形ガイガーモードではブレークダウン（降伏）を超えて動作し、この結果、光学的クロストークを生じる。線形モードデバイスである高利得ＡＰＤでは、衝突電離に起因するアバランシェ増倍プロセスが確率論的（ｓｔｏｃｈａｓｔｉｃ）であって過度のノイズを生じる。
【０００５】
ＡＰＤでは、電界（Ｆ）を高めることによって増倍率（Ｍ）が高まるにつれ、アバランシェ利得の変動が次第に悪化する。実際の半導体材料では、単一キャリアの増倍という理想的な状態が極めて稀なケースであり、電子と正孔が共に衝突電離を有する可能性もあることを考慮すると、Ｆに対するＭの勾配は、１≦ｋ＜０とする２つのキャリアの電離率の比（ｋ）の強関数である［１］。結晶シリコンにおける高いｋ値は均一性に寄与し、ＡＰＤ及びＳｉＰＭの問題を生じる。既にコピー機用に開発されていた非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）は、この基準の唯一の例外である。
【０００６】
ａ−Ｓｅは、結晶性固体と比べて実質的に低コストで広い面積にわたって容易に均一に生成され、高電界においてアバランシェを生じる唯一の非晶質材料である。ａ−Ｓｅの衝突電離プロセスの重要な特徴は、正孔のみがホットキャリアになってアバランシェ増倍を受ける点である。従って、アバランシェセレンデバイスは、非常に小さなｋ値を有する線形モードデバイスである。商業的に言えば、ａ−Ｓｅのアバランシェ利得は、例えばオーロラ及び日食などの天文学的現象を取り込むことができる、人間の視覚よりも感度が高い最初の光学カメラの開発を可能にした［２］。ａ−Ｓｅは、〜９０％の青色波長検出効率を有し、従って高エネルギー放射線検出用の青色発光シンチレータに結合されることが理想的である。ａ−Ｓｅは、高電界においてもバンドギャップが広くリーク電流が極めて小さな室温半導体である。
【０００７】
直接変換型ａ−Ｓｅ  ＦＰＤの限界としては、ａ−Ｓｅ中の電子正孔対を生成するのに必要なエネルギーが１０Ｖ／ミクロンにおいて５０ｅＶであるため、電子ノイズに起因して低線量撮像性能が低下することが挙げられる。さらに変換効率の高い他の光伝導材料も研究されているが、直接変換型ａ−Ｓｅ  ＦＰＤは、電荷トラップ及び製作上の問題に起因して商業化には程遠い状態である。電界を３０Ｖ／ミクロンよりも、すなわち１０００ミクロンの層において３０，０００ボルトよりも高めることによって、ａ−Ｓｅの変換を改善することが可能である。しかしながら、この電界の増加は、信頼性の高い検出器の構成及び動作にとって極めて困難であり、実用的でない。
【０００８】
無定形固体、すなわち無秩序な非晶質固体は、キャリア移動度の低さとパルス応答の移動時間制限とを原因とする低時間分解能、及び高エネルギー放射線から電荷への低変換利得に起因して、実現可能な光子計数モードの放射画像検出器としては除外されている。別個の吸収領域とアバランシェ領域とを有する直接変換型ａ−Ｓｅ層も提案されているが、重大な障害によってその実用的な実装が妨げられている。
【０００９】
フリッシュグリッドを有する単極固体検出器も提案されている。しかしながら、このような検出器構造は、半導体と画素電極との間の界面にウェル内の最も高い電界が生じる結果、高電荷注入に起因して暗電流が高くなり、検出器に不可逆的損傷が与えられる恐れがあるため、直接変換アバランシェ利得にとっては実用的でない。
【００１０】
高粒度マイクロパターンマルチウェル構造、すなわちマルチウェル固体検出器（ＭＷＳＤ）を用いて単極性時間微分（ｕｎｉｐｏｌａｒ  ｔｉｍｅ−ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ：ＵＴＤ）固体検出器が製作されている。また、ＵＴＤ電荷検知及びアバランシェ増倍利得に基づく垂直検出器構造、すなわち電界成形マルチウェルアバランシェ検出器（ＳＷＡＤ）及びナノ電極マルチウェル高利得アバランシェラッシング光検出器（ＮＥＷ−ＨＡＲＰ）も提案されている［５−６］。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本明細書では、従来のシステムの短所を克服することで、光誘起キャリアパケットの拡散によって設定される信号立ち上がり時間を改善するマルチウェルセレン検出器及びその製作方法を提供する。
【００１２】
従って、本発明の態様は、上記の問題点及び不利点に対処して後述する利点をもたらす。本発明の態様は、シンチレーション結晶と結合した時に間接的Ｘ線及びガンマ線検出能力を有する光伝導材料として非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）を使用する単一キャリア固体光電子増倍管デバイス構造を提供する。
【００１３】
本開示の態様は、下側絶縁体と、ａ−Ｓｅ光伝導層と、上側絶縁体とを含む電界成形マルチウェルアバランシェ検出器を含む光電子増倍管を提供する。ａ−Ｓｅ光伝導層は、下側絶縁体と上側絶縁体との間に存在する。光電子増倍管の長さに沿って光相互作用領域、アバランシェ領域及び収集領域が設けられ、光相互作用領域及び収集領域は、アバランシェ領域の両側に位置する。
【００１４】
本開示の別の態様は、絶縁体と、絶縁体に隣接するａ−Ｓｅ光伝導層と、光相互作用領域と、アバランシェ領域と、収集領域とを含む電界成形マルチウェルアバランシェ検出器を含む光電子増倍管を提供する。光相互作用領域、アバランシェ領域及び収集領域は、光電子増倍管の長さに沿って設けられ、光相互作用領域及び収集領域は、アバランシェ領域の両側に位置する。
【００１５】
以下の詳細な説明を添付図面と共に解釈すれば、本発明のいくつかの実施形態の上記及びその他の態様、特徴及び利点がさらに明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本開示の実施形態によるマルチウェルセレン光電子増倍管（Ｓｅ−ＰＭ）の外形図である。
【図２】図１のＳｅ−ＰＭにおける電界強度を示す図である。
【図３】本開示の別の実施形態によるマルチウェルＳｅ−ＰＭの外形図である。
【図４】図３のＳｅ−ＰＭにおける電界強度を示す図である。
【図５】本開示の重み付け電位対距離を示すグラフである。
【図６（ａ）】本開示の電界電圧対距離のグラフである。
【図６（ｂ）】本開示の利得対距離のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明のいくつかの実施形態の詳細な説明を行う。本発明の説明では、本発明を不要な詳細で曖昧にしないように、本発明の概念を明確に理解する目的で、当業で周知の関連機能又は関連構造に関する説明は省略する。
【００１８】
本明細書では、光伝導層として非晶質材料を使用する固体アバランシェ放射線検出器及びその構築方法を開示する。固体アバランシェ放射線検出器は、複数の低電界領域間に高電界アバランシェ領域を限局化することによる電界成形に基づいて、Ｓａｕｌｉのデバイス［７］、Ｌｅｅ他に付与された米国特許第６，４３７，３３９号のデバイス、Ａ．Ｈ．Ｇｏｌｄａｎ他に付与された米国特許第８，１２９，６８８号のデバイス、Ａ．Ｈ．Ｇｏｌｄａｎ他に付与された米国特許出願第１４，８８８，８７９号の米国特許出願公開第２０１６／００８７１１３号のデバイス、及びＡ．Ｈ．Ｇｏｌｄａｎ他に付与された米国特許出願第１４／４１４，６０７号の米国特許出願公開第２０１５／０１７１２３２号のデバイスを改善したものであり、これらの各文献の内容は引用により本明細書に組み入れられる。
【００１９】
図１は、本開示の実施形態によるマルチウェルＳｅ−ＰＭの外形図である。図２は、図１のＳｅ−ＰＭの動作中における電界強度を示す図である。
【００２０】
図１及び図２に示すように、光電子増倍管デバイスが、直列の横方向の、すなわち水平なＳＷＡＤ構造１００と、下側絶縁体１１２と、ａ−Ｓｅ光伝導層１３０と、上側絶縁体１１４とを備える。ａ−Ｓｅ光伝導層１３０は、下側絶縁体１１２と上側絶縁体１１４との間に位置する。絶縁体の代わりに誘電体を使用することもできる。直列横方向ＳＷＡＤ構造１００の長さに沿って、光相互作用領域１４０、アバランシェ領域１５０及び収集領域１８０が設けられる。光相互作用領域１４０及び収集領域１８０は、アバランシェ領域１５０の両側に隣接して位置する。
【００２１】
アバランシェ領域１５０は、従来のデバイスに見られるような垂直方向膜厚によってではなく、フォトリソグラフィを通じて長手方向、すなわち水平配向に沿って形成される。フォトリソグラフィを通じてアバランシェ領域１５０を規定すると、安定した信頼性の高い繰り返し可能な検出器アーキテクチャがもたらされる。
【００２２】
光相互作用領域１４０は、直列横方向ＳＷＡＤ構造１００の上方及び下方からの第１の光１４４及び第２の光１４６がそれぞれ入射する、上側すなわち前方光学窓１４１と、下側すなわち後方光学窓１４２とを有する。
【００２３】
光相互作用領域１４０の遠位端には高電圧源１４９が設けられ、収集領域１８０の遠位端にはコレクタ１８２が設けられ、従って高電圧源１４９及びコレクタ１８２は、直列横方向ＳＷＡＤ構造１００の両水平端に設けられる。
【００２４】
ａ−Ｓｅ光伝導層１３０は、下側絶縁体１１２と上側絶縁体１１４との間に位置する。下側絶縁体１１２は、ポリイミドであることが好ましく、上側絶縁体１１４は、例えばパリレンなどの防湿及び誘電体バリアを提供する化学気相成長ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマーであることが好ましい。下側絶縁体１１２は、好ましくはガラス基板である基板１１０の上側に隣接して位置する。
【００２５】
直列横方向ＳＷＡＤ構造１００のアバランシェ領域１５０の水平方向長さに沿って、複数のグリッド１５２、１５４、１５６、１５８、すなわち横方向フリッシュグリッドが所定の間隔で設けられ、複数のグリッド１５２、１５４、１５６、１５８の各グリッドは、複数のグリッド１５２、１５４、１５６、１５８のうちの隣接する別のグリッドから１又は２以上の所定の距離に設けられる。
【００２６】
図１のマルチウェルＳｅ−ＰＭでは、複数のグリッドの各グリッドが、対向する第１の部分及び第２の部分を有する。すなわち、グリッド１５２は、上側絶縁体１１４及び下側絶縁体１１２上にそれぞれ形成された第１の部分１５２ａ及び第２の部分１５２ｂを含む。グリッド１５４は第１の部分１５４ａ及び第２の部分１５４ｂを含み、グリッド１５６は第１の部分１５６ａ及び第２の部分１５６ｂを含み、グリッド１５８は第１の部分１５８ａ及び第２の部分１５８ｂを含み、これらは同様に位置付けられる。これらのグリッド電極は、それぞれの絶縁体内又は絶縁体上に形成することができる。電界が弱いので、グリッド電極を絶縁体に封入する必要はない。
【００２７】
複数のグリッド１５２、１５４、１５６、１５８の各グリッドの電極にバイアスを掛けることによって高電界領域が生じ、これによって多段アバランシェ利得が達成される。従って、実際のＳｅ−ＰＭは、ａ−Ｓｅの内部における電界ホットスポットの形成を排除する絶縁遮断層を備えて金属から半導体への電荷注入も排除し、全てのグリッド電極は、誘電体／絶縁体を用いて封入される。
【００２８】
図２に、複数のグリッドの各グリッド間に形成された４つの増幅段１７２、１７４、１７６、１７８を示す。図２には、ａ−Ｓｅ内に電界ホットスポットが存在しない電圧変動を示す。アバランシェ領域１５０の全体的なサイズに対する上側及び下側光学窓の比率を高めると、低時間分解能を代償に、増幅段に起因して充填率が低下する。
【００２９】
グリッドの数を減らすと利得が減少する。或いは、グリッドの数を増やすと、対応して利得が増加する。基本的に、グリッドの数を増やすことによって無限の利得を得ることができる。フォトリソグラフィでは、グリッドが水平配向で追加されるので、垂直方向厚を増やすことなく利得がもたらされる。
【００３０】
図３は、本開示の別の実施形態によるマルチウェルＳｅ−ＰＭの外形図である。図４は、図３のＳｅ−ＰＭの動作中における電界強度を示す図である。
【００３１】
図３及び図４に示すように、直列横方向ＳＷＡＤ構造３００が、相互作用領域３４０内に位置する複数のグリッド３５２、３５４、３５６、３５８と、光相互作用領域３４０内の複数の高電圧分割器３４９ａ、３４９ｂ、３４９ｃ、３４９ｄとを備える。複数のグリッド３５２、３５４、３５６、３５８は、下側絶縁体３１２上のみに位置する。収集領域３８０は、コレクタ３８２を備える。図３の他の構成要素は動作的に図１に対応し、ここでは簡潔にするためにこれらの説明を繰り返さない。
【００３２】
図４には、高電界アバランシェ領域をグリッド３５２とグリッド３５４との間の利得段３７２、グリッド３５４とグリッド３５６との間の利得段３７４、及びグリッド３５６とグリッド３５８との間の利得段３７６に限局化することにより、アバランシェ増倍をグリッド面間に閉じ込めて金属電極からの電荷注入を排除することによる横方向ＳＷＡＤのガウス電界成形を示す。このような水平多段電界成形は、単一段垂直アバランシェデバイスでは不可能な利得レベルを達成する。
【００３３】
図３及び図４には、横方向ＳＷＡＤのグリッドがコレクタの直近で極めて強い近接場効果を提供するＳｅ−ＰＭの重み付け電位分布（ｗｅｉｇｈｔｉｎｇ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ  ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）を示す。図４に示すように、アバランシェを生じた正孔（ａｖａｌａｎｃｈｅｄ  ｈｏｌｅｓ）が最後のグリッド電極をドリフト通過（ｄｒｉｆｔ  ｐａｓｓ）してコレクタに到達した場合にのみ信号が誘発され、読み出し電子回路によって検知される。従って、ほぼ理想的なＵＴＤ電荷検知が行われ、電荷雲の空間的な幅における検出器の時間分解能のみが物理的に制限される。
【００３４】
図４に示すように、グリッド３５２の利得段３７２に近い方の側、グリッド３５４の利得段３７４に近い方の側、グリッド３５６の両側、及びグリッド３５８の利得段３７８に近い方の側にホットスポットが形成される。
【００３５】
図５は、本開示の重み付け電位対距離を示すグラフである。図５には、本開示の水平光電子増倍管の動作中における正孔のみによる電荷収集（ｈｏｌｅ−ｏｎｌｙ  ｃｈａｒｇｅ  ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）の重み付け電位分布を示す。
【００３６】
図６（ａ）は、４つの利得段を有する横方向ＳＷＡＤを使用した直列ガウス電界成形領域の、本開示の電界電圧対距離のグラフである。図６（ｂ）は、Ｎ＝４のＳｅ−ＰＭの場合に〜１０6［Ｖ／Ｖ］のシミュレートされたアバランシェ利得ｇavを示す、本開示の利得対距離のグラフである。
【００３７】
特定の態様を参照しながら本発明を図示し説明したが、当業者であれば、添付の特許請求の範囲及びその同等物によって定められる本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、これらの態様における形態及び詳細の様々な変更を行うことができると理解するであろう。
【００３８】
参考文献
［１］：Ｐ．Ｐ．Ｗｅｂｂ、Ｒ．Ｊ．ＭｃＩｎｔｙｒｅ、及びＪ．Ｃｏｎｒａｄ著、ＲＣＡ  ｒｅｖｉｅｗ  ３５、２３４頁（１９７４年）
［２］：Ｈ．Ｓｈｉｍａｍｏｔｏ、Ｔ．Ｙａｍａｓｈｉｔａ他著、ＩＥＥＥ  Ｍｉｃｒｏ  ３１、５１頁（２０１１年）
［３］：Ａ．Ｈ．Ｇｏｌｄａｎ、Ｏ．Ｔｏｕｓｉｇｎａｎｔ他著、Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．１０１、ｐ．２１３５０３（２０１２年）
［４］：Ａ．Ｈ．Ｇｏｌｄａｎ、Ｊ．Ａ．Ｒｏｗｌａｎｄｓ、Ｏ．Ｔｏｕｓｉｇｎａｎｔ他著、Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．１１３（２０１３年）
［５］：Ａ．Ｈ．Ｇｏｌｄａｎ及びＷ．Ｚｈａｏ著、Ｍｅｄ．  Ｐｈｙｓ．４０、ｐ．０１０７０２（２０１３年）
［６］：Ａ．Ｈ．Ｇｏｌｄａｎ、Ｊ．Ａ．Ｒｏｗｌａｎｄｓ、Ｍ．Ｌｕ、及びＷ．Ｚｈａｏ著、Ｐｒｏｃ．  Ｃｏｎｆ．  Ｒｅｃ．  ＩＥＥＥ  ＮＳＳ／ＭＩＣ  Ｎ３２−４、シアトル、ＷＡ（２０１４年）
［７］：Ｆ．Ｓａｕｌｉ著、「ＧＥＭ：ガス検出器における電子増幅のための新概念（ＧＥＭ：  Ａ  ｎｅｗ  ｃｏｎｃｅｐｔ  ｆｏｒ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ｉｎ  ｇａｓ  ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ）」Ｎｕｃｌ．  Ｉｎｓｔｒ．  ａｎｄ  Ｍｅｔｈ．Ａ、３８６（２−３）：５３１−５３４、１９９７年
【符号の説明】
【００３９】
１００  電界成形マルチウェルアバランシェ検出器（ＳＷＡＤ）構造
１５２〜１５８  グリッド
１７２〜１７８  増幅段
【図１】
2019506756.tif 000003
【図２】
2019506756.tif 000004
【図３】
2019506756.tif 000005
【図４】
2019506756.tif 000006
【図５】
2019506756.tif 000007
【図６Ａ】
2019506756.tif 000008
【図６Ｂ】
2019506756.tif 000009
【国際調査報告】
2019506756.tif 000010
2019506756.tif 000011