(57)【要約】  共通金属を含むバックプレーン側接合構造が、バックプレーン上に形成される。各ソースクーポンが、転送基板および転送されるデバイスのアレイを含むように、複数のソースクーポンが提供される。各アレイが、同じタイプと、共通金属と異なる共晶温度を提供する異なる金属を含む接合構造の異なるタイプと、の複数のデバイスを含むユニットセル構造を含むように、デバイスの各アレイは配される。それぞれの接合パッドとバックプレーン側接合構造との間で、徐々に高い共晶温度を提供する供給クーポンと選択されるデバイスとを順次適用することによって、デバイスの異なるタイプがバックプレーンに順次転送されうる。以前に転送されたデバイスは、後続の転送プロセスの間、バックプレーン上に留まり、バックプレーン上に異なるデバイスのアレイを形成することができる。
2019522226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスアセンブリを形成する方法であって、
共通金属を含むバックプレーン側接合構造のセットを含むバックプレーン側ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイを含むバックプレーンを提供することと、
第１転送基板と少なくとも１つの第１デバイスを含む第１ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイとを含み、前記バックプレーン側ユニットセル構造の複数のインスタンスの前記周期的なアレイと同じ周期性を有する第１ソースクーポンを提供することであって、第１金属を含む第１デバイス側接合構造のインスタンスが、各第１ユニットセル構造ごとに１つの第１デバイス上に提供され、前記共通金属と前記第１金属とが、接合の際に第１共晶温度を有する第１冶金接合を提供するために選択される、ことと、
前記第１デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスを、整合するバックプレーン側接合構造に接合することによって、前記第１ユニットセル構造の各インスタンスから前記バックプレーンに１つの第１デバイスを転送することであって、接合されないバックプレーン側接合構造がリフローしない間に、前記第１冶金接合を有する第１接合材料部の周期的なアレイが形成される、ことと、
第２転送基板と少なくとも１つの第２デバイスを含む第２ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイとを含み、前記バックプレーン側ユニットセル構造の複数のインスタンスの前記周期的なアレイと同じ周期性を有する第２ソースクーポンを提供することであって、第２金属を含む第２デバイス側接合構造のインスタンスが、各第２ユニットセル構造ごとに１つの第２デバイス上に提供され、前記共通金属と前記第２金属とが、接合の際に第２共晶温度を有する第２冶金接合を提供するために選択され、前記第２共晶温度が前記第１共晶温度よりも高い、ことと、
前記第２デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスを、整合するバックプレーン側接合構造に接合することによって、前記第２ユニットセル構造の各インスタンスから前記バックプレーンに１つの第２デバイスを転送することと、を含む方法。
【請求項２】
前記第２デバイスの転送によって、前記第２冶金接合を有する第２接合材料部の周期的なアレイが形成され、
前記第２デバイスの転送の間、前記第１金属の部分的な蒸発によって、第１接合材料部の前記周期的なアレイは、組成が変化することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１ユニットセル構造は、少なくとも２つの第１デバイスを含み、
前記第１デバイス側接合構造のインスタンスは、前記少なくとも２つの第１デバイスの１つの上に提供され、
前記第２デバイス側接合構造のインスタンスは、前記少なくとも２つの第１デバイスの他の１つの上に提供され、
前記第１デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスが提供された前記第１デバイスの転送の間、前記第２デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスが提供された第１デバイスは、前記バックプレーンに転送されないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスが提供された前記第１デバイスを前記バックプレーンに転送する間、前記第１転送基板上の前記第１デバイス上の前記第２デバイス側接合構造のインスタンスは、リフローすることなく、それぞれのバックプレーン側接合構造と物理的に接触していることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２ユニットセル構造は、少なくとも２つの第２デバイスを含み、
前記第２デバイス側接合構造のインスタンスは、前記少なくとも２つの第２デバイスの１つの上に提供され、
第３金属を含む第３デバイス側接合構造のインスタンスは、前記少なくとも２つのデバイスの他の１つの上に提供され、前記共通金属と前記第３金属とが、接合の際に第３共晶温度を有する第３冶金接合を提供するために選択され、前記第３共晶温度が前記第１および前記第２共晶温度よりも高く、
前記第２デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスが提供された前記第２デバイスの転送の間、前記第３デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスが提供された第２デバイスは、前記バックプレーンに転送されないことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第１、前記第２および前記第３デバイスが、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオードおよび青色発光ダイオードを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第３転送基板と少なくとも１つの第３デバイスを含む第３ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイとを含み、前記バックプレーン側ユニットセル構造の複数のインスタンスの前記周期的なアレイと同じ周期性を有する第３ソースクーポンを提供することであって、前記第３デバイス側接合構造のインスタンスが、各第３ユニットセル構造ごとに１つの第３デバイス上に提供される、ことと、
前記第３デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスを、整合するバックプレーン側接合構造に接合することによって、前記第３ユニットセル構造の各インスタンスから前記バックプレーンに１つの第３デバイスを転送することと、をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第３デバイスの転送によって、前記第３冶金接合を有する第３接合材料部の周期的なアレイが形成され、
前記第３デバイスの転送の間、前記第１金属の部分的な蒸発によって、第１接合材料部の前記周期的なアレイは、組成が変化し、
前記第３デバイスの転送の間、前記第２金属の部分的な蒸発によって、第２接合材料部の前記周期的なアレイは、組成が変化することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第１接合材料部の前記周期的なアレイ、第２接合材料部の前記周期的なアレイ、および、第３接合材料部の前記周期的なアレイのそれぞれは、前記バックプレーン側ユニットセル構造の複数のインスタンスの前記周期的なアレイと同じ周期性を有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記バックプレーン側ユニットセル構造の複数のインスタンスの前記周期的なアレイは、前記バックプレーン側ユニットセル構造の前記複数のインスタンスが、前記バックプレーンの表面に垂直な２つの直交する方向に繰り返される２次元の矩形状の周期的なアレイであることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記デバイスアセンブリが、３色以上の異なる色を放出する発光ダイオードを含む発光ディスプレイパネルを含む集積発光デバイスアセンブリであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記発光ディスプレイパネルが、前記バックプレーンに接合された赤色、緑色および青色波長の発光ダイオードとセンサとを含む直視型ディスプレイパネルを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第４転送基板と少なくとも１つの第４デバイスを含む第４ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイとを含み、前記バックプレーン側ユニットセル構造の複数のインスタンスの前記周期的なアレイと同じ周期性を有する第４ソースクーポンを提供することであって、前記第４デバイス側接合構造のインスタンスが、各第４ユニットセル構造ごとに１つの第４デバイス上に提供され、前記共通金属と前記第４金属とが、接合の際に第４共晶温度を有する第４冶金接合を提供するために選択され、前記第４共晶温度が前記第１、前記第２および前記第３共晶温度よりも高い、ことと、
前記第４デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスを、整合するバックプレーン側接合構造に接合することによって、前記第４ユニットセル構造の各インスタンスから前記バックプレーンに１つの第４デバイスを転送することであって、第１接合材料部の前記周期的なアレイ、第２接合材料部の前記周期的なアレイ、および、第４接合材料部の前記周期的なアレイがリフローしない間に、前記第４冶金接合を有する第４接合材料部の周期的なアレイが形成される、ことと、をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイを含むデバイスアセンブリであって、
前記ユニットセル構造の各インスタンスは、
第１冶金接合を使用する第１接合材料部を介して、前記バックプレーンに接合される第１デバイスと、
第２冶金接合を使用する第２接合材料部を介して、前記バックプレーンに接合される第２デバイスと、を含み、
前記第１冶金接合と前記第２冶金接合とは、共通金属を含み、
前記第１冶金接合は、前記第２冶金接合中に存在しない第１金属を含み、
前記第２冶金接合は、前記第１冶金接合中に存在しない第２金属を含むことを特徴とするデバイスアセンブリ。
【請求項１５】
前記ユニットセル構造の各インスタンスは、第３冶金接合を使用する第３接合材料部を介して、前記バックプレーンに接合される第３デバイスをさらに含み、前記第３冶金接合は、前記共通金属を含み、前記第１金属または前記第２金属を含まず、前記共通金属、前記第１金属および前記第２金属とは異なる第３金属を含むことを特徴とする請求項１４に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項１６】
前記第１デバイスは、第１波長にピーク強度を有する光を放出する第１発光デバイスであり、
前記第２デバイスは、前記第１波長とは異なる第２波長にピーク強度を有する光を放出する第２発光デバイスであり、
前記第３デバイスは、前記第１および前記第２波長とは異なる第３波長にピーク強度を有する光を放出する第３発光デバイスであり、
前記デバイスアセンブリは、集積発光デバイスアセンブリであることを特徴とする請求項１５に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項１７】
前記バックプレーン上の前記第１デバイスおよび前記第２デバイスのすべてのインスタンスの上面が、同じ水平面内にあることを特徴とする請求項１４に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項１８】
前記周期的なアレイは、前記ユニットセル構造の前記複数のインスタンスが、前記周期的なアレイが取り付けられている前記バックプレーンの表面に垂直な２つの直交する方向に繰り返される２次元の矩形状の周期的なアレイであることを特徴とする請求項１４に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項１９】
前記デバイスアセンブリが、３色以上の異なる色を放出する発光ダイオードを含む発光ディスプレイパネルを含む集積発光デバイスアセンブリであることを特徴とする請求項１４に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項２０】
前記発光ディスプレイパネルが、前記バックプレーンに接合された赤色、緑色および青色波長の発光ダイオードとセンサとを含む直視型ディスプレイパネルを含むことを特徴とする請求項１９に記載のデバイスアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、その全体の開示が参照によって本明細書に組み込まれる２０１６年４月１５日に出願された米国仮出願番号６２／３２２，８４８の優先権の利益を主張する。
【０００２】
本発明の実施形態は、一般に、バックプレーン上の発光デバイスアレイを使用する発光ディスプレイパネルのような、マルチデバイスユニットセルのアレイ、および、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
発光ダイオードのような半導体デバイスを含むデバイスアレイは、様々な用途に使用することができる。例えば、発光デバイスのアレイは、直視型のディスプレイデバイスのような、エレクトロニックディスプレイに使用される。
【発明の概要】
【０００４】
本開示の態様によれば、デバイスアセンブリを形成する方法が提供される。デバイスアセンブリを形成する方法は、共通金属を含むバックプレーン側接合構造のセットを含むバックプレーン側ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイを含むバックプレーンを提供するステップと、第１転送基板と少なくとも１つの第１デバイスを含む第１ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイとを含み、バックプレーン側ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイと同じ周期性を有する第１ソースクーポンを提供するステップであって、第１金属を含む第１デバイス側接合構造のインスタンスは、各第１ユニットセル構造ごとに１つの第１デバイス上に提供され、共通金属および第１金属は、接合の際に第１共晶温度を有する第１冶金接合を提供するように選択されるステップと、第１デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスを、整合するバックプレーン側接合構造に接合することによって、第１ユニットセル構造の各インスタンスからバックプレーンに１つの第１デバイスを転送するステップであって、接合されないバックプレーン側接合構造がリフローしない間に、第１冶金接合を有する第１接合材料部の周期的なアレイが形成されるステップと、第２転送基板と少なくとも１つの第２デバイスを含む第２ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイとを含み、バックプレーン側ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイと同じ周期性を有する第２ソースクーポンを提供するステップであって、第２金属を含む第２デバイス側接合構造のインスタンスが、各第２ユニットセル構造ごとに１つの第２デバイス上に提供され、共通金属と第２金属とが、接合の際に第２共晶温度を有する第２冶金接合を提供するために選択され、第２共晶温度が第１共晶温度よりも高いステップと、第２デバイス側接合構造のそれぞれのインスタンスを、整合するバックプレーン側接合構造に接合することによって、第２ユニットセル構造の各インスタンスからバックプレーンに１つの第２デバイスを転送する工程と、を含む。
【０００５】
本開示の別の態様によれば、ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイを含むデバイスアセンブリが提供される。ユニットセル構造の各インスタンスは、第１冶金接合を使用する第１接合材料部を介してバックプレーンに接合される第１デバイスと、第２冶金接合を使用する第２接合材料部を介してバックプレーンに接合される第２デバイスを含む。第１冶金接合と第２冶金接合とは、共通金属を含む。第１冶金接合は、第２冶金接合中に存在しない第１金属を含む。第２冶金接合は、第１冶金接合中に存在しない第２金属を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本開示の実施形態による、初期成長基板から、その上に、それぞれのデバイスを有する成長基板のアセンブリを生成するステップの概略図である。
【０００７】
【図２】図２は、本開示の実施形態による、それぞれのデバイスを介して、成長基板をそれぞれの第１搬送基板に接合するステップの概略図である。
【０００８】
【図３】図３は、本開示の実施形態による、成長基板を除去するステップの概略図である。
【０００９】
【図４】図４は、本開示の実施形態による、第１搬送基板の上の第１接合材料層の形成、第２搬送基板の提供、および、剥離層および第２接合材料層の形成のステップの概略図である。
【００１０】
【図５】図５は、本開示の実施形態による、第１搬送基板と第２搬送基板との各ペアを接合するステップの概略図である。
【００１１】
【図６】図６は、本開示の実施形態による、接合構造から各第１搬送基板が除去されるステップの概略図である。
【００１２】
【図７Ａ】、
【図７Ｂ】、
【図７Ｃ】、
【図７Ｄ】、
【図７Ｅ】図７Ａ〜７Ｅは、本開示の実施形態による、転送シーケンスの様々なステップの間のクーポンおよびバックプレーンを供給する順次的な概略上面図である。
【００１３】
【図８Ａ】、
【図８Ｂ】、
【図８Ｃ】図８Ａ〜８Ｃ、８Ｅ〜８Ｉ、８Ｋ〜８Ｏ、８Ｑ〜８Ｕ、８Ｗおよび８Ｘは、本開示の実施形態による、デバイスを複数のバックプレーンに転送するために使用される第１バックプレーンおよびソースクーポンの順次的な垂直断面図である。
【００１４】
【図８Ｄ】図８Ｄは、本開示の実施形態による、図８Ｃの構造の別の構造の垂直断面図である。
【図８Ｅ】、
【図８Ｆ】、
【図８Ｆ】、
【図８Ｇ】、
【図８Ｉ】図８Ａ〜８Ｃ、８Ｅ〜８Ｉ、８Ｋ〜８Ｏ、８Ｑ〜８Ｕ、８Ｗおよび８Ｘは、本開示の実施形態による、デバイスを複数のバックプレーンに転送するために使用される第１バックプレーンおよびソースクーポンの順次的な垂直断面図である。
【００１５】
【図８Ｊ】図８Ｊは、本開示の実施形態による、図８Ｉの構造の別の構造の垂直断面図である。
【図８Ｋ】、
【図８Ｌ】、
【図８Ｍ】、
【図８Ｎ】、
【図８Ｏ】図８Ａ〜８Ｃ、８Ｅ〜８Ｉ、８Ｋ〜８Ｏ、８Ｑ〜８Ｕ、８Ｗおよび８Ｘは、本開示の実施形態による、デバイスを複数のバックプレーンに転送するために使用される第１バックプレーンおよびソースクーポンの順次的な垂直断面図である。
【００１６】
【図８Ｐ】図８Ｐは、本開示の実施形態による、図８Ｏの構造の別の構造の垂直断面図である。
【図８Ｑ】、
【図８Ｒ】、
【図８Ｓ】、
【図８Ｔ】、
【図８Ｕ】図８Ａ〜８Ｃ、８Ｅ〜８Ｉ、８Ｋ〜８Ｏ、８Ｑ〜８Ｕ、８Ｗおよび８Ｘは、本開示の実施形態による、デバイスを複数のバックプレーンに転送するために使用される第１バックプレーンおよびソースクーポンの順次的な垂直断面図である。
【００１７】
【図８Ｖ】図８Ｖは、本開示の実施形態による、図８Ｕの構造の別の構造の垂直断面図である。
【図８Ｗ】、
【図８Ｘ】図８Ａ〜８Ｃ、８Ｅ〜８Ｉ、８Ｋ〜８Ｏ、８Ｑ〜８Ｕ、８Ｗおよび８Ｘは、本開示の実施形態による、デバイスを複数のバックプレーンに転送するために使用される第１バックプレーンおよびソースクーポンの順次的な垂直断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
上述したように、本開示は、一体化バックライトユニットのアセンブリおよびその製造方法に関し、その様々な態様が以下に示される。図面全体を通して、同等の要素は同じ参照番号によって示される。図面は、縮尺通りに描かれない。要素の重複がないことが明確に記載されているか、そうでないことが明示的に示されていない限り、要素の単一のインスタンスが書かれていても、要素の複数のインスタンスが複製されてもよい。例えば”第１”、”第２”、および”第３”などの序数は、単に同様の要素を識別するために用いられ、本開示の明細書および特許請求の範囲にわたって異なる序数が用いられてもよい。
【００１９】
本明細書で用いられる場合、”発光デバイス”は、光を放出するように構成された任意のデバイスを指し、発光ダイオード（ＬＥＤ）、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）のようなレーザ、および、適切な電気的バイアスの印可によって光を放出するように構成された任意の他のエレクトロニックデバイスを含むが、これに限られることはない。発光デバイスは、ｐ側のコンタクトとｎ側のコンタクトとが構造の反対側に位置する縦型構造（例えば、縦型ＬＥＤ）であってもよいし、また、ｐ側のコンタクトとｎ側のコンタクトとが構造の同じ側に位置する横型構造であってもよい。本明細書で用いられる場合、”発光デバイスアセンブリ”は、少なくとも１つの発光デバイスが、少なくとも１つの発光デバイスの安定した機械的支持を提供するように構成される基板、マトリックス、または、任意の他の構造を含むことができる支持構造に対して構造的に固定されるアセンブリを指す。
【００２０】
本開示において、成長基板からターゲット基板へのデバイスのアレイ（例えば、発光デバイスのアレイまたはセンサデバイスのアレイ）を転送するための方法が提供される。ターゲット基板は、任意の構成が所望される複数のタイプのデバイスの形成される任意の基板でありうる。例示的な一例において、ターゲット基板は、発光デバイスを駆動するための能動または受動マトリックスバックプレーン基板のようなバックプレーン基板でありうる。本明細書で用いられる場合、”バックプレーン基板”は、複数のデバイスをその上に貼るように構成された任意の基板を指す。１つの実施形態において、バックプレーン基板上の隣接する発光デバイスの中心と中心との距離は、成長基板上の隣接する発光デバイスの中心と中心との距離の整数倍でありうる。発光デバイスは、１つは青色光を放出するように構成され、１つは緑色光を放出するように構成された２つの発光デバイスのグループのような複数の発光デバイスを含んでいてもよい。発光デバイスは、１つは青色光を放出するように構成され、１つは緑色光を放出するように構成され、１つは赤色光を放出するように構成された３つの発光デバイスのグループを含んでいてもよい。本明細書で用いられる場合、”隣接する発光デバイス”は、少なくとも他の発光デバイスよりも近接して位置する複数の２つ以上の発光デバイスを指す。本開示の方法は、成長基板上の発光デバイスアレイからバックプレーン基板へ発光デバイスの一部分の選択的な転送を提供することができる。
【００２１】
図１を参照すると、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、当技術分野で公知の方法を使用して、それぞれの初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）上に製造されうる。本明細書で用いられる場合、”初期成長基板”は、その上またはその中にデバイスを形成するように処理される基板を指す。デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）、および／または、センサデバイス１０Ｓ（例えば、光検出器）、および／または、任意の他のエレクトロニックデバイスを含むことができる。発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）は、任意のタイプの発光デバイス、すなわち、縦型発光デバイス、横型発光デバイス、または、それらの任意の組み合わせでありうる。同じタイプのデバイスが、各初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）上に形成されうる。デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、それぞれの初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）上にアレイとして形成されうる。
【００２２】
１つの実施形態において、初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）は、シリコン基板のような吸収基板を含むことができる。本明細書で用いられる場合、”吸収基板”は、紫外領域、可視領域および赤外領域を含むスペクトル領域内で、光エネルギの５０％よりも多くを吸収する基材を指す。本明細書で用いられる場合、”紫外領域”は、１０ｎｍから４００ｎｍの波長領域を指し、”可視領域”は、４００ｎｍから８００ｎｍの波長領域を指し、”赤外領域”は、８００ｎｍから１ｍｍの波長領域を指す。
【００２３】
初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）が吸収基板である場合、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の各アレイが、それぞれの透明基板にその全体が転送される完全なウェーハ転送処理によって、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の各アレイは、それぞれの透明搬送基板、または、”透明基板”に転送されうる。本明細書で用いられる場合、”透明基板”は、紫外領域、可視領域および赤外領域を含むスペクトル領域内の波長で、光エネルギの５０％よりも多くを透過する基材を指す。
【００２４】
１つの実施形態において、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）を含むことができる。１つの実施形態において、各発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）は、単一のピーク波長の光を放出するように構成されうる。発光デバイスは、典型的に、光の強度が最大である単一の波長を中心とする狭い波長帯域の光を放出し、発光デバイスの波長はピーク波長を指すことが理解される。例えば、第１発光デバイス１０Ｂのアレイは、第１タイプの成長基板１００Ｂに形成されうり、第２発光デバイス１０Ｇのアレイは、第２タイプの成長基板１００Ｇに形成されうり、第３発光デバイス１０Ｒのアレイは、第３タイプの成長基板１００Ｒに形成されうる。加えて、センサデバイス１０Ｓのアレイは、第４タイプの成長基板１００Ｓに形成されうる。また、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）のうち１つ以上のタイプが、少なくとも２つの異なる波長の光を放出するように構成された集積発光デバイスとされうる。１つの実施形態において、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）が、ナノワイヤのアレイ、または、他のナノ構造を含んでいてもよい。
【００２５】
コンタクトパッドのようなコンタクト構造（明示せず）が、各発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）上に提供される。各発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）のためのコンタクト構造は、陽極コンタクト構造および陰極コンタクト構造を含むことができる。発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）のうち１つ以上が、少なくとも２つの異なる波長の光を放出するように構成された集積発光デバイスの場合、共通コンタクト構造（共通陰極コンタクト構造など）が、使用されうる。例えば、単一の集積発光デバイスとして統合された青色、緑色および赤色の発光デバイスのトリプレットは、単一の陰極コンタクトを有していてもよい。
【００２６】
各初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ）上の発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）のアレイは、発光デバイスがその後に転送されるバックプレーン基板上の発光デバイスの中心と中心との距離が、初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ）上の発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）の中心と中心との距離の整数倍であるように構成される。
【００２７】
各初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）およびその上のデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、適切な大きさにダイシングされうる。各初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）の各ダイシングされた一部は、本明細書において、成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）と呼ばれる。成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）とその上のそれぞれのデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）とのアセンブリは、このように生成される。換言すると、成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）は、初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）の全体またはダイシングされた一部の何れかであり、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のアレイは、各成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）上に存在する。各成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）上のデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のアレイは、同じタイプのデバイスのアレイでありうる。
【００２８】
各初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）が、対応する成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）に個片化される前または後に、各デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）、例えば、発光デバイス、発光デバイスのグループ、または、センサデバイスは、デバイスの各隣接するペアの間に溝を形成することによって、互いに機械的に分離されうる。例示的な一例において、発光デバイスアレイまたはセンサアレイが、初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）上に配される場合、溝は、発光デバイスアレイまたはセンサアレイの最終成長面から初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）の上面に延在することができる。
【００２９】
デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の各アレイを、本明細書において転送基板と呼ばれるそれぞれの透明基板に転送するために、様々な方式が使用されうる。図２〜６は、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の各アレイを、それぞれの透明基板に転送するために使用することができる例示的な方式を示す。
【００３０】
図２を参照すると、成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）上にデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）を製造する間、各デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の上のコンタクト構造が、各デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の上面上に形成される場合、第１搬送基板２００が、任意に使用されうる。第１搬送基板２００は、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）に接合でき、（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）に構造的支持を提供できる任意の適切な基板でありうる。デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の各成長したアレイとそれぞれの成長基板１００とは、第１搬送基板２００に接合される。したがって、各成長基板１００は、それぞれのデバイス１０を介して、それぞれの第１搬送基板２００と接合されうる。換言すると、デバイス１０は、成長基板１００と第１搬送基板との間の各接合構造（１００、１０、２００）に存在する。例示的な一例において、第１タイプ成長基板１００Ｂは、第１発光デバイス１０Ｂを介して、第１タイプ第１搬送基板２００Ｂと接合されることができ、第２タイプ成長基板１００Ｇは、第２発光デバイス１０Ｇを介して、第２タイプ第１搬送基板２００Ｇと接合されることができ、第３タイプ成長基板１００Ｒは、第３発光デバイス１０Ｒを介して、第３タイプ第１搬送基板２００Ｒと接合されることができ、第４タイプ成長基板１００Ｓは、センサデバイス１０Ｓを介して、第４タイプ第１搬送基板２００Ｓと接合されうる。
【００３１】
図３を参照すると、各成長基板１００は、成長基板１００、デバイス１０のアレイおよび第１搬送基板２００を含む過渡的接合構造から除去されうる。例えば、成長基板１００がシリコン基板の場合、成長基板１００は、湿式化学エッチングプロセス、研削、研磨、剥離（例えば、水素注入層で）、またはそれらの組み合わせによって除去されうる。例えば、基板の剥離は、脆弱領域（半導体材料内に注入された水素原子など）を形成する原子の注入と、基板を２つの部分に剥離させるための適切なプロセス条件（例えば、高温および／または機械的な力でのアニール）の適用と、によって、行われうる。
【００３２】
図４を参照すると、第１接合材料層３０Ａが、各第１搬送基板２００上に形成されうる。第１接合材料層３０Ａは、適切な処理（熱および／または圧力の適用など）によって、他の接合材料に接合されうる任意の接合材料を含む。１つの実施形態において、第１接合材料層３０Ａは、酸化シリコン、リンボロンガラス（ＢＰＳＧ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）材料などの誘電体、および／または、ＳＵ−８またはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などの接着剤を含むことができる。第１接合材料層３０Ａの厚さは、より小さな、および、より大きな厚さもまた使用されうるが、５０ｎｍから５ミクロンの範囲でありうる。１つの実施形態において、第１接合材料層３０Ａは、約１ミクロンの厚さを有する酸化シリコン層でありうる。第１接合材料層３０Ａは、化学気相成長またはスピンコートのような適切な堆積方法によって形成されうる。
【００３３】
転送基板３００が提供される。本明細書で用いられる場合、”転送基板”は、少なくとも１つのデバイスが、そこからバックプレーン基材を含むことができるターゲット基材に転送される基板を指す。１つの実施形態において、各転送基板３００は、それぞれの第１搬送基板２００からデバイスのアレイを受け取り、デバイスの一部分が後続のプロセスでターゲット基板に転送されるまで、デバイスのアレイを搬送するために使用されうる第２搬送基板でありうる。
【００３４】
いくつかの実施形態において、転送基板３００は、レーザ波長において光学的に透明でありうる。レーザ波長は、それぞれの転送基板３００からターゲット基板へ、個別にかつ選択的にデバイスを転送するために後続で使用されるレーザビームの波長であり、紫外波長、可視波長、または、赤外波長でありうる。１つの実施形態において、転送基板３００は、サファイア、ガラス（酸化シリコン）、または、当技術分野で公知の他の光学的に透明な材料を含むことができる。別の実施形態において、転送基板３００は、透明な成長基板またはそのダイシングされた一部でありうる。いくつかの他の実施形態では、薄い基板を提供するために、初期成長基板が劈開され（例えば、水素または希ガスが注入された層で）、転送基板を使用することなく、そこから発光ダイオードがバックプレーンに転送され、初期成長基板は、レーザ波長でレーザを吸収してもよい。
【００３５】
剥離層２０と第２接合材料層３０Ｂとが、各転送基板３００上に順次、堆積させることができる。剥離層２０は、転送基板３００と十分な接着性を提供することができ、後続の選択的な転送プロセスの間、後続で使用されるレーザビームのレーザ波長で吸収性である材料を含む。例えば、剥離層２０は、シリコンリッチな窒化シリコン、または、レーザ照射によって加熱されうるＧａＮ層のような半導体層を含むことができる。剥離層２０の厚さは、より小さな、および、より大きな厚さもまた使用されうるが、１００ｎｍから１ミクロンの範囲でありうる。
【００３６】
第２接合材料層３０Ｂは、酸化シリコンのような誘電体を含むことができる。第２接合材料層３０Ｂの厚さは、より小さな、および、より大きな厚さもまた使用されうるが、５０ｎｍから５ミクロンの範囲でありうる。１つの実施形態において、第２接合材料層３０Ｂは、約１ミクロンの厚さを有する酸化シリコン層でありうる。第２接合材料層３０Ｂは、化学気相成長またはスピンコートのような適切な堆積方法によって形成されうる。
【００３７】
転送基板３００は、各第１搬送基板２００ごとに提供されうる。例えば、第１転送基板３００Ｂは、第１タイプ第１搬送基板２００Ｂのために提供されうり、第２転送基板３００Ｇは、第２タイプ第１搬送基板２００Ｇのために提供されうり、第３転送基板３００Ｒは、第３タイプ第１搬送基板２００Ｒのために提供されうり、追加の基板３００Ｓは、追加タイプ第１搬送基板２００Ｓのために提供されうる。第１転送基板３００Ｂ、剥離層２０および第２接合材料層３０Ｂの積層を含む第１積層構造（３００Ｂ、２０、３０Ｂ）、第２転送基板３００Ｇ、剥離層２０および第２接合材料層３０Ｂの積層を含む第２積層構造（３００Ｇ、２０、３０Ｂ）、第３転送基板３００Ｒ、剥離層２０および第２接合材料層３０Ｂの積層を含む第３積層構造（３００Ｒ、２０、３０Ｂ）、および、追加の転送基板３００Ｓ、剥離層２０および第２接合材料層３０Ｂの積層を含む追加の積層構造（３００Ｂ、２０、３０Ｂ）、を含む複数の積層構造が形成されうる。
【００３８】
第１発光デバイス１０Ｂのアレイと第１転送基板３００Ｂとの組み合わせは、本明細書において、第１転送アセンブリ（３００Ｂ、１０Ｂ）と呼ばれ、第２発光デバイス１０Ｇのアレイと第２転送基板３００Ｇとの組み合わせは、本明細書において、第２転送アセンブリ（３００Ｇ、１０Ｇ）と呼ばれ、第３発光デバイス１０Ｒのアレイと第３転送基板３００Ｒとの組み合わせは、本明細書において、第３転送アセンブリ（３００Ｒ、１０Ｒ）と呼ばれる。加えて、センサデバイス１０Ｓと第４転送基板３００Ｓとの組み合わせは、本明細書において、第４転送アセンブリ（３００Ｓ、１０Ｓ）と呼ばれる。
【００３９】
図５を参照すると、第１搬送基板２００と転送基板３００（第２搬送基板でありうる）との各ペアが接合されうる。例えば、第２接合材料層３０Ｂは、対応する第１搬送基板２００上のそれぞれの第１接合材料層３０Ａと接合されうり、接合材料層３０を形成する。各接合アセンブリは、第１転送基板３００、剥離層２０、接合材料層３０およびデバイス１０のアレイを含む。
【００４０】
図６を参照すると、第１搬送基板２００は、例えば、研磨、研削、劈開、および／または、化学エッチングによって、各接合アセンブリ（３００、２０、３０、２００）から除去される。デバイス２０の各アレイは、その上に、すなわち透明な転送基板とデバイス２０のアレイとの間に剥離層２０を有する透明な搬送基板である、転送基板３００上に配される。
【００４１】
図７を参照すると、それぞれの転送基板３００上のデバイス１０の各アレイは、各デバイス１０が溝によって隣接するデバイス１０から横に離間するように配されうる。例えば、第１転送基板３００Ｂ上の第１発光デバイス１０Ｂのアレイは、溝によって互いに横に離間されうる。任意に、第１発光デバイス１０Ｂの間のギャップを充填するために、第１光保護材料層１７Ｂが適用されうる。同様に、他の転送基板（３００Ｇ、３００Ｒ、３００Ｓ）上のデバイス１０の各アレイの間のギャップを充填するために、光保護材料層が適用されうる。各光保護材料層は、後続で使用されるレーザビームのレーザ波長で、光を吸収または散乱する材料を含む。各光保護材料層は、例えば、シリコンリッチ窒化シリコン、有機または無機の反射防止コーティング（ＡＲＣ）材料、または、フォトレジスト材料を含むことができる。各光保護材料層は、デバイス１０の外表面が光保護材料層によって覆われないように形成されうる。光保護材料層は、例えば、スピンコートによって、または、堆積とリセスエッチの組み合わせによって、形成されうる。
【００４２】
転送基板３００およびデバイス１０のアレイを含む各アセンブリ（３００、２０、３０、１０）は、各転送基板３００に接触し、紫外領域、可視領域および赤外領域から選択された波長の光を吸収する材料を含む剥離層２０と、剥離層２０およびデバイス１０のそれぞれのアレイと接触する接合材料層３０と、をさらに含むことができる。
【００４３】
図７Ａ〜７Ｅは、４つのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）にデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の４つの異なるタイプ（例えば、それぞれ青色、緑色および赤色を放出するＬＥＤとセンサと）を転送するための、例示的な転送シーケンスの間の複数の供給クーポンおよび複数のバックプレーンの順次的な概略上面図を示す。図８Ａ〜８Ｘは、第１バックプレーンと、その上に配された様々な構造の垂直断面図を示す。
【００４４】
図７Ａを参照すると、対応するバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）上のソースクーポンと接合サイトとのセットのための、例示的なデバイス側接合構造パターンが示されている。デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の４つの異なるタイプは、４つの転送基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）、または、４つの成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）、または、それらの組み合わせを含む４つのソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）上に提供されうる。第１タイプの第１デバイス１０Ｂは、第１ソース３０１Ｂ上に提供されうり、第２タイプの第２デバイス１０Ｇは、第２ソース３０１Ｇ上に提供されうり、第３タイプの第３デバイス１０Ｒは、第３ソース３０１Ｒ上に提供されうり、および、第４タイプの第４デバイス１０Ｓは、第４ソース３０１Ｓ上に提供されうる。１つの実施形態において、第１デバイス１０Ｂは、第１波長（すなわち、第１波長に強度ピークを有する光スペクトル）で光を放出する発光デバイスでありうり、第２デバイス１０Ｇは、第２波長で光を放出する発光デバイスでありうり、第３デバイス１０Ｒは、第３波長で光を放出する発光デバイスでありうり、および、第４デバイス１０Ｓは、半導体センサデバイスでありうる。
【００４５】
ソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）は、様々なデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の一部分を転送する前に、バックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に整列させうる。図８Ａは、整列後の第１バックプレーン４０１および第１ソース基板３０１Ｂの垂直断面図を示す。図８Ａの垂直断面図のジグザグの平面が、図７Ａに示されている。第１パックプレーン４０１の垂直断面図は、第２、第３および第４バックプレーン（４０２、４０３、４０４）の例示である。換言すると、第２、第３および第４バックプレーン（４０２、４０３、４０４）上で行われるプロセスは、図７Ａに示された構成と一致する方法で準用される第１バックプレーン上で行われるプロセスと実質的に同等でありうる。
【００４６】
バックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）の各々（第１バックプレーンなど）は、共通金属を含むバックプレーン側接合構造１４のセットを含むバックプレーン側ユニットセル構造Ｕの、複数のインスタンスの周期的なアレイを含む。共通金属は、異なる金属と複数の共晶系を提供する元素金属である。
【００４７】
デバイス側接合構造（１２１、１２２、１２３、１２４）の異なるタイプは、各ソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒまたは３０１Ｓ）上のデバイスの全体の上に形成されうる。デバイス側接合構造（１２１、１２２、１２３、１２４）のタイプの数は、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の転送のために使用されるバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）の数と同じにすることができる。１つの実施形態において、第１ユニットセルＵ１のインスタンスの２次元アレイが、第１ソース基板３０１から遠位の第１デバイス１０Ｂの表面上に提供されうる。第１ユニットセル構造Ｕ１は、第１デバイス側接合構造１２１のインスタンス、第２デバイス側接合構造１２２のインスタンス、第３デバイス側接合構造１２３のインスタンス、および、第４デバイス側接合構造１２４のインスタンスを含むことができる。
【００４８】
第１ユニットセル構造Ｕ１のインスタンスは、２次元の周期性を有する２次元アレイを形成するために、第１ソース基板３０１Ｂ上で繰り返される。第２ユニットセル構造Ｕ２のインスタンスは、２次元の周期性を有する２次元アレイを形成するために、第２ソース基板３０１Ｇ上で繰り返される。第３ユニットセル構造Ｕ１のインスタンスは、２次元の周期性を有する２次元アレイを形成するために、第３ソース基板３０１Ｒ上で繰り返される。第４ユニットセル構造Ｕ１のインスタンスは、２次元の周期性を有する２次元アレイを形成するために、第４ソース基板３０１Ｓ上で繰り返される。
【００４９】
ユニットセル構造（Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３またはＵ４）の各インスタンスは、第１デバイス１０Ｂ、第２デバイス１０Ｇ、第３デバイス１０Ｒまたは第４デバイス１０Ｓとすることができる同じタイプの複数のデバイスを含むことができる。各ユニットセル構造（Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４）中のデバイスの数は、例示的な一例において４つである、バックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）の数と同じにすることができる。ユニットセル構造（Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３またはＵ４）の各インスタンスは、第１デバイス側接合構造１２１、第２デバイス側接合構造１２２、第３デバイス側接合構造１２３および第４デバイス側接合構造１２４を含んでいてもよい異なるタイプの複数のデバイス側接合構造（１２１、１２２、１２３、１２４）を含むことができる。
【００５０】
１つの実施形態において、第１デバイス側接合構造１２１の各インスタンスは、第１共晶温度でバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）上に提供されたターゲット側接合構造１４内の金属との第１共晶を形成する第１金属を含むことができる。第２デバイス側接合構造１２２の各インスタンスは、第２共晶温度でバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）上に提供されたターゲット側接合構造１４内の金属との第２共晶を形成する第２金属を含むことができる。第３デバイス側接合構造１２３の各インスタンスは、第３共晶温度でバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）上に提供されたターゲット側接合構造１４内の金属との第３共晶を形成する第３金属を含むことができる。第４デバイス側接合構造１２４の各インスタンスは、第４共晶温度でバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）上に提供されたターゲット側接合構造１４内の金属との第４共晶を形成する第４金属を含むことができる。第１金属、第２金属、第３金属および第４金属は、互いに異なることができる。１つの実施形態において、第２共晶温度は第１共晶温度よりも高くでき、第３共晶温度は第２共晶温度よりも高くでき、および、第４共晶温度は第３共晶温度よりも高くできる。
【００５１】
バックプレーン側ユニットセル構造ＵＴの複数のインスタンスの周期的なアレイが、各バックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）の表面上に提供されうる。１つの実施形態において、バックプレーン側ユニットセル構造ＵＴの複数のインスタンスのアレイは、バックプレーン側ユニットセル構造ＵＴの複数のインスタンスが、それぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）の表面に垂直な２つの直交する方向に繰り返される２次元の矩形状の周期的なアレイでありうる。１つの実施形態において、バックプレーン側ユニットセル構造ＵＴの各インスタンスは、デバイス側接合構造（１２１、１２２、１２３、１２４）の各タイプトと嵌合するように構成された複数の接合構造を含むことができる。例示的な一例において、バックプレーン側ユニットセル構造ＵＴの各インスタンスは、第１デバイス側接合構造１２１、第２デバイス側接合構造１２２、第３デバイス側接合構造１２３、および、第４デバイス側接合構造１２４と嵌合するように構成された接合構造を含むことができる。１つの実施形態において、バックプレーン側ユニットセル構造ＵＴ中の接合構造の数は、それぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に転送されるデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のタイプの数と同じにすることができる。１つの実施形態において、バックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）上の各バックプレーン側接合構造１４は、デバイス側接合構造（１２１、１２２、１２３、１２４）、すなわち、第１、第２、第３および第４金属の各々、の各金属と共晶を形成する共通金属を含むことができる。
【００５２】
１つの実施形態において、バックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）上の各バックプレーン側接合構造１４は、それぞれ平面を有するボンドパッド構造とすることができる。１つの実施形態において、第１デバイス側接合構造１２１、第２デバイス側接合構造１２２、第３デバイス側接合構造１２３、および、第４デバイス側接合構造１２４の各インスタンスは、バックプレーン側接合構造１４のインスタンスと嵌合するように構成された、それぞれ平面を有するボンドパッド構造とすることができる。
【００５３】
１つの実施形態において、第１ユニットセル構造Ｕ１は、複数の第１デバイス１０Ｂ、すなわち、３つ、４つ、５つ、または、６つの第１デバイスのような、少なくとも２つの第１デバイス１０Ｂを含むことができる。第１デバイス側接合構造１２１のインスタンスは、第１ユニットセル構造Ｕ１中の複数の第１デバイス１０Ｂのうち１つの上に提供されうり、第２デバイス側接合構造１２２のインスタンスは、第１ユニットセル構造Ｕ１中の複数の第１デバイス１０Ｂのうち他の上に提供されうる。加えて、第３デバイス側接合構造１２３のインスタンスは、第１ユニットセル構造Ｕ１中の複数の第１デバイス１０Ｂのうち、さらに他の上に提供されうる。加えて、第４デバイス側接合構造１２４のインスタンスは、第１ユニットセル構造Ｕ１中の複数の第１デバイス１０Ｂのうち、さらにまた他の上に提供されうる。
【００５４】
加えて、第２ユニットセル構造Ｕ２は、複数の第２デバイス１０Ｇ、すなわち、３つ、４つ、５つ、または、６つの第１デバイスのような、少なくとも２つの第２デバイス１０Ｇを含むことができる。第１デバイス側接合構造１２１のインスタンスは、第２ユニットセル構造Ｕ２中の複数の第２デバイス１０Ｇのうち１つの上に提供されうり、第２デバイス側接合構造１２２のインスタンスは、第２ユニットセル構造Ｕ２中の複数の第２デバイス１０Ｇのうち他の上に提供されうる。加えて、第３デバイス側接合構造１２３のインスタンスは、第２ユニットセル構造Ｕ２中の複数の第２デバイス１０Ｇのうち、さらに他の上に提供されうる。加えて、第４デバイス側接合構造１２４のインスタンスは、第２ユニットセル構造Ｕ２中の複数の第２デバイス１０Ｇのうち、さらにまた他の上に提供されうる。
【００５５】
加えて、第３ユニットセル構造Ｕ３は、複数の第３デバイス１０Ｒ、すなわち、３つ、４つ、５つ、または、６つの第１デバイスのような、少なくとも２つの第３デバイス１０Ｒを含むことができる。第１デバイス側接合構造１２１のインスタンスは、第３ユニットセル構造Ｕ３中の複数の第３デバイス１０Ｒのうち１つの上に提供されうり、第２デバイス側接合構造１２２のインスタンスは、第３ユニットセル構造Ｕ３中の複数の第３デバイス１０Ｒのうち他の上に提供されうる。加えて、第３デバイス側接合構造１２３のインスタンスは、第３ユニットセル構造Ｕ３中の複数の第３デバイス１０Ｒのうち、さらに他の上に提供されうる。加えて、第４デバイス側接合構造１２４のインスタンスは、第３ユニットセル構造Ｕ３中の複数の第３デバイス１０Ｒのうち、さらにまた他の上に提供されうる。
【００５６】
加えて、第４ユニットセル構造Ｕ４は、複数の第４デバイス１０Ｓ、すなわち、３つ、４つ、５つ、または、６つの第１デバイスのような、少なくとも２つの第４デバイス１０Ｓを含むことができる。第１デバイス側接合構造１２１のインスタンスは、第４ユニットセル構造Ｕ４中の複数の第４デバイス１０Ｓのうち１つの上に提供されうり、第２デバイス側接合構造１２２のインスタンスは、第４ユニットセル構造Ｕ４中の複数の第４デバイス１０Ｓのうち他の上に提供されうる。加えて、第３デバイス側接合構造１２３のインスタンスは、第４ユニットセル構造Ｕ４中の複数の第４デバイス１０Ｓのうち、さらに他の上に提供されうる。加えて、第４デバイス側接合構造１２４のインスタンスは、第４ユニットセル構造Ｕ４中の複数の第４デバイス１０Ｓのうち、さらにまた他の上に提供されうる。
【００５７】
第１デバイス側接合構造１２１、第２デバイス側接合構造１２２、第３デバイス側接合構造１２３、および、第４デバイス側接合構造１２４の各インスタンスは、バックプレーン側接合構造１４のインスタンスと嵌合するように構成された、それぞれ平面を有するボンドパッド構造とすることができる。
【００５８】
一般に、第１ソースクーポン（３０１Ｂ、１０Ｂ）は、第１ソース基板３０１Ｒと、少なくとも１つの第１デバイス１０Ｂ（複数の第１デバイス１０Ｂなど）を含み、バックプレーン側ユニットセル構造ＵＴの複数のインスタンスの周期的なアレイと同じ周期性を有する第１ユニットセル構造Ｕ１の複数のインスタンスの周期的なアレイと、を含むことができる。第１金属を含む第１デバイス側接合構造１２１のインスタンスは、各第１ユニットセル構造Ｕ１ごとに１つの第１デバイス１０Ｂ上に提供されうり、共通金属および第１金属は、後続のプロセスにおける接合の際に第１共晶温度を有する第１冶金接合を提供するように選択される。
【００５９】
第２ソースクーポン（３０１Ｇ、１０Ｇ）は、第２ソース基板３０１Ｇと、少なくとも１つの第２デバイス１０Ｇを含み、バックプレーン側ユニットセル構造ＵＴの複数のインスタンスの周期的なアレイと同じ周期性を有する第２ユニットセル構造Ｕ２の複数のインスタンスの周期的なアレイと、を含むことができる。第２金属を含む第２デバイス側接合構造１２２のインスタンスは、各第２ユニットセル構造Ｕ２ごとに１つの第２デバイス１０Ｇ上に提供され、共通金属および第２金属は、接合の際に第２共晶温度を有する第２冶金接合を提供するように選択される。第２共晶温度は、第１共晶温度よりも高い。
【００６０】
第３ソースクーポン（３０１Ｒ、１０Ｒ）は、第３ソース基板３０１Ｒと、少なくとも１つの第３デバイス１０Ｒを含み、バックプレーン側ユニットセル構造ＵＴの複数のインスタンスの周期的なアレイと同じ周期性を有する第３ユニットセル構造Ｕ３の複数のインスタンスの周期的なアレイと、を含むことができる。第３金属を含む第３デバイス側接合構造１２３のインスタンスは、各第３ユニットセル構造Ｕ３ごとに１つの第３デバイス１０Ｒ上に提供され、共通金属および第３金属は、接合の際に第３共晶温度を有する第３冶金接合を提供するように選択される。第３共晶温度は、第２共晶温度よりも高い。
【００６１】
第４ソースクーポン（３０１Ｓ、１０Ｓ）は、第４ソース基板３０１Ｓと、少なくとも１つの第４デバイス１０Ｓを含み、バックプレーン側ユニットセル構造ＵＴの複数のインスタンスの周期的なアレイと同じ周期性を有する第４ユニットセル構造Ｕ４の複数のインスタンスの周期的なアレイと、を含むことができる。第４金属を含む第４デバイス側接合構造１２４のインスタンスは、各第４ユニットセル構造Ｕ４ごとに１つの第４デバイス１０Ｓ上に提供され、共通金属および第４金属は、接合の際に第４共晶温度を有する第４冶金接合を提供するように選択される。第４共晶温度は、第１、第２および第３共晶温度よりも高い。
【００６２】
図８Ｂを参照すると、各ソースクーポン（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）およびそれぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）は、各デバイス側接合構造（１２１、１２２、１２３、１２４）が、嵌合するバックプレーン側接合構造体１４に接触するように、互いに接触する状態となる。例示的な一例において、第１ソースクーポン３０１Ｂは、デバイス側接合構造（１２１、１２２、１２３、１２４）と、嵌合するバックプレーン側接合構造１４と、の垂直に積層されたペアを介して、第１バックプレーン４０１に接触する。第２ソースクーポン３０１Ｂは、デバイス側接合構造（１２１、１２２、１２３、１２４）と、嵌合するバックプレーン側接合構造１４と、の垂直に積層されたペアを介して、第２バックプレーン４０１に接触する。第３ソースクーポン３０１Ｂは、デバイス側接合構造（１２１、１２２、１２３、１２４）と、嵌合するバックプレーン側接合構造１４と、の垂直に積層されたペアを介して、第３バックプレーン４０１に接触する。第４ソースクーポン３０１Ｂは、デバイス側接合構造（１２１、１２２、１２３、１２４）と、嵌合するバックプレーン側接合構造１４と、の垂直に積層されたペアを介して、第４バックプレーン４０１に接触する。
【００６３】
図７Ｂおよび８Ｃを参照すると、バックプレーン側接合構造１４の共通金属と第１デバイス側接合構造１２１の第１金属との組み合わせが共晶化合物を形成し、リフローされて第１接合半田材料部１６１を形成する、第１共晶温度または第１共晶温度よりも高い第１アニール温度で、ソースクーポン（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）とそれぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）との嵌合されたペアがアニールされる。
【００６４】
例示的な一例において、”１”と記されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、それぞれ第１デバイス側接合構造１２１が提供され、したがって、それぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に接合される。”２”、”３”または”４”と記されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、それぞれ第２、第３または第４デバイス側接合構造（１２２、１２３、１２４）が提供され、したがって、何れのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）にも接合されない。
【００６５】
１つの実施形態において、第１ユニットセル構造Ｕ１の各インスタンスから１つの第１デバイス１０Ｂが、第１デバイス側接合構造１２１のそれぞれのインスタンスを、整合するバックプレーン側接合構造１４に接合することによって、第１バックプレーン４０１に転送されうる。接合されないバックプレーン側接合構造１４がリフローしない間に、第１冶金接合を有する第１接合半田材料部１６１の周期的なアレイが形成される。第１デバイス側接合構造１２１の各インスタンスが提供された第１デバイス１０Ｂの転送の間、第２、第３または第４デバイス側接合構造（１２２、１２３または１２４）の各インスタンスが提供された第１デバイス１０Ｂは、第１バックプレーン４０１に転送されない。第１デバイス側接合構造１２１のそれぞれのインスタンスが提供された第１デバイス１０Ｂを第１バックプレーン４０１に転送する間、第１ソース基板３０１Ｂ上の第１デバイス１０Ｂ上の第２、第３および第４デバイス側接合構造のインスタンスは、リフローすることなく、それぞれのバックプレーン側接合構造１４と物理的に接触している。
【００６６】
同様に、第１デバイス側接合構造１２１が提供された第２デバイス１０Ｇは、第２バックプレーン４０２に接合されうり、第２、第３または第４デバイス側接合構造（１２２、１２３、１２４）が提供された第２デバイス１０Ｇは、第２バックプレーン４０２に接合されない。第１デバイス側接合構造１２１が提供された第３デバイス１０Ｒは、第３バックプレーン４０３に接合されうり、第２、第３または第４デバイス側接合構造（１２２、１２３、１２４）が提供された第３デバイス１０Ｒは、第３バックプレーン４０３に接合されない。第１デバイス側接合構造１２１が提供された第４デバイス１０Ｓは、第４バックプレーン４０４に接合されうり、第２、第３または第４デバイス側接合構造（１２２、１２３、１２４）が提供された第４デバイス１０Ｓは、第４バックプレーン４０４に接合されない。
【００６７】
図８Ｄを参照すると、第１デバイス側接合構造１２１のインスタンスを有するデバイスを、それぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に接合するために、別の方法が使用されうる。具体的には、その上にそれぞれの第１接合材料部１２を有するデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、それぞれの少なくとも１つの半田材料部（第１デバイス側接合構造１２１とバックプレーン側接合構造１４との垂直な積層内にある）を順次リフローすることによって、それぞれの第２接合材料部１４と接合されうる。１つの実施形態において、リフローされる各半田材料パッド上にレーザビームを照射することによって、半田材料部のリフローが行われうる。レーザビームは、レーザ３７７によって提供されうる。レーザビームの波長は、それぞれのソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）およびそれぞれのデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）を通過するように選択されうる。１つの実施形態において、レーザビームの波長は、可視光領域（すなわち、４００ｎｍから８００ｎｍの波長の範囲）、または、赤外領域（すなわち、８００ｎｍから１ｍｍの波長の範囲）とすることができる。
【００６８】
第１接合半田材料部１６１は、接合されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の下の各半田材料のリフローによって形成される。各第１接合半田材料部１６１は、リフローされ再凝固された半田材料を含み、加えて、それぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）およびそれぞれのデバイス（１０Ｂ、１０Ｒ、１０Ｒ、１０Ｓ）に取り付けられた金属パッドのペア（別々に図示せず）を含む。
【００６９】
図８Ｅを参照すると、各接合されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、それぞれのソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）から分離されうる。１つの実施形態において、各ソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）は、レーザビームに対して透明、かつ、ソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）の少なくとも１つの表面部（剥離層２０および接合材料層３０など）に隣接するバルク材料部（例えば、転送基板３００）を含むことができる。レーザビームは、レーザ４７７によって提供されうる。１つの実施形態において、レーザビームは、ソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）の少なくとも１つの表面部に衝突する前にバルク材料部を通過することができる。
【００７０】
１つの実施形態において、レーザビームは、接合されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）に近接する、ソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）の各表面部をアブレーションすることができる。１つの実施形態において、接合されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）に近接する、ソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）の表面部は、剥離層２０を含むことができる。１つの実施形態において、剥離層は、レーザビームの吸収の際にアブレーションされる、窒化シリコンまたは半導体材料（ＧａＮなど）を含むことができる。この場合、レーザ波長は、紫外波長（２４８ｎｍまたは１９３ｎｍなど）とすることができ、ソース基板３０１の表面部にレーザビームを照射することによって表面部をアブレーションすることができる。
【００７１】
図８Ｆを参照すると、ソース基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）とバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に接合されないデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）とは、バックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）とそれに接合されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）との各組み合わせから分離される。
【００７２】
図７Ｃを参照すると、ソースクーポンとバックプレーンは、転送されるデバイスの次のセットがターゲット接合サイトに整合できるように整合される。図８Ｇ、８Ｈ、８Ｉ、８Ｋおよび８Ｌのプロセスステップ、または、図８Ｇ、８Ｈ、８Ｊ、８Ｋおよび８Ｌのプロセスステップは、デバイスの次のセットをそれぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に転送するように、順次形成される。図８Ｇ〜８Ｌのプロセスステップは、図８Ａ〜８Ｆのプロセスステップを準用し、同じ方法が使用されてもよい。”１”と表されるデバイスは、図８Ｇ〜８Ｌのプロセスステップを介して、それぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に転送される。処理ステップのシーケンスは、第１ソースクーポン（３０１Ｂ、１０Ｂ）と第２バックプレーン４０２とのペアに対して行われてもよいし、第２ソースクーポン（３０１Ｇ、１０Ｇ）と第１バックプレーン４０１とのペアに対して行われてもよいし、第３ソースクーポン（３０１Ｒ、１０Ｒ）と第４バックプレーン４０４とのペアに対して行われてもよいし、および、第４ソースクーポン（３０１Ｓ、１０Ｓ）と第３バックプレーン４０３とのペアに対して行われてもよい。ソースクーポン、および／または、バックプレーンは、以前に接合されたデバイスと新たに配されるソースクーポンのデバイスとの間の衝突を避けるために、整列されうることが理解される。
【００７３】
図８Ｉまたは図８Ｊの接合プロセスは、第２デバイス側接合構造１２２とバックプレーン側接合構造１４との垂直に接触する各ペアの接合を誘導するように変更される。１つの実施形態において、第２ユニットセル構造Ｕ２の各インスタンスから１つの第２デバイス１０Ｇが、第２デバイス側接合構造１２２のそれぞれのインスタンスを、整合するバックプレーン側接合構造１４に接合することによって、第１バックプレーン４０１に転送されうる。接合されないバックプレーン側接合構造１４がリフローしない間に、第２冶金接合を有する第２接合材料部１６２の周期的なアレイが形成される。第２デバイス側接合構造１２２のそれぞれのインスタンスが提供された第２デバイス１０Ｇの転送の間、第３または第４デバイス側接合構造（１２３または１２４）のそれぞれのインスタンスが提供された第２デバイス１０Ｇは、第１バックプレーン４０１に転送されない。第２デバイス側接合構造１２２のそれぞれのインスタンスが提供された第２デバイス１０Ｂを第１バックプレーン４０１に転送する間、第１ソース基板３０１Ｂ上の第２デバイス１０Ｇ上の、第３および第４デバイス側接合構造（１２３、１２４）のインスタンスは、リフローすることなく、それぞれのバックプレーン側接合構造１４と物理的に接触している。
【００７４】
図７Ｄを参照すると、ソースクーポンとバックプレーンは、転送されるデバイスの次のセットがターゲット接合サイトに整合できるように整合される。図８Ｍ、８Ｎ、８Ｏ、８Ｑおよび８Ｒのプロセスステップ、または、８Ｍ、８Ｎ、８Ｐ、８Ｑおよび８Ｒのプロセスステップは、デバイスの次のセットをそれぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に転送するように、順次形成される。図８Ｍ〜８Ｒのプロセスステップは、図８Ａ〜８Ｆのプロセスステップを準用し、同じ方法が使用されてもよい。”３”と表されるデバイスは、図８Ｍ〜８Ｒのプロセスステップを介して、それぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に転送される。処理ステップのシーケンスは、第１ソースクーポン（３０１Ｂ、１０Ｂ）と第３バックプレーン４０３とのペアに対して行われてもよいし、第２ソースクーポン（３０１Ｇ、１０Ｇ）と第４バックプレーン４０４とのペアに対して行われてもよいし、第３ソースクーポン（３０１Ｒ、１０Ｒ）と第１バックプレーン４０１とのペアに対して行われてもよいし、および、第４ソースクーポン（３０１Ｓ、１０Ｓ）と第２バックプレーン４０２とのペアに対して行われてもよい。ソースクーポン、および／または、バックプレーンは、以前に接合されたデバイスと新たに配されるソースクーポンのデバイスとの間の衝突を避けるために、整列されうることが理解される。
【００７５】
図８Ｉまたは図８Ｊの接合プロセスは、第３デバイス側接合構造１２３とバックプレーン側接合構造１４との垂直に接触する各ペアの接合を誘導するように変更される。１つの実施形態において、第３ユニットセル構造Ｕ３の各インスタンスから１つの第３デバイス１０Ｒが、第３デバイス側接合構造１２３のそれぞれのインスタンスを、整合するバックプレーン側接合構造１４に接合することによって、第１バックプレーン４０１に転送されうる。接合されないバックプレーン側接合構造１４がリフローしない間に、第３冶金接合を有する第３接合材料部１６３の周期的なアレイが形成される。第３デバイス側接合構造１２３のそれぞれのインスタンスが提供された第３デバイス１０Ｒの転送の間、第４デバイス側接合構造１２４のそれぞれのインスタンスが提供された第３デバイス１０Ｒは、第１バックプレーン４０１に転送されない。第３デバイス側接合構造１２３のそれぞれのインスタンスが提供された第３デバイス１０Ｂを第１バックプレーン４０１に転送する間、第１ソース基板３０１Ｂ上の第３デバイス１０Ｒ上の、第４デバイス側接合構造１２４のインスタンスは、リフローすることなく、それぞれのバックプレーン側接合構造１４と物理的に接触している。
【００７６】
図７Ｅを参照すると、ソースクーポンとバックプレーンは、転送されるデバイスの次のセットがターゲット接合サイトに整合できるように整合される。図８Ｓ、８Ｔ、８Ｕ、８Ｗおよび８Ｘのプロセスステップ、または、８Ｓ、８Ｔ、８Ｖ、８Ｗおよび８Ｘのプロセスステップは、デバイスの次のセットをそれぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に転送するように、順次形成される。図８Ｓ〜８Ｘのプロセスステップは、図８Ａ〜８Ｆのプロセスステップを準用し、同じ方法が使用されてもよい。”４”と表されるデバイスは、図８Ｓ〜８Ｘのプロセスステップを介して、それぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に転送される。処理ステップのシーケンスは、第１ソースクーポン（３０１Ｂ、１０Ｂ）と第４バックプレーン４０４とのペアに対して行われてもよいし、第２ソースクーポン（３０１Ｇ、１０Ｇ）と第３バックプレーン４０３とのペアに対して行われてもよいし、第３ソースクーポン（３０１Ｒ、１０Ｒ）と第２バックプレーン４０２とのペアに対して行われてもよいし、および、第４ソースクーポン（３０１Ｓ、１０Ｓ）と第１バックプレーン４０１とのペアに対して行われてもよい。ソースクーポン、および／または、バックプレーンは、以前に接合されたデバイスと新たに配されるソースクーポンのデバイスとの間の衝突を避けるために、整列されうることが理解される。
【００７７】
図８Ｉまたは図８Ｊの接合プロセスは、第４デバイス側接合構造１２４とバックプレーン側接合構造１４との垂直に接触する各ペアの接合を誘導するように変更される。１つの実施形態において、第４ユニットセル構造Ｕ４の各インスタンスから１つの第４デバイス１０Ｓが、第４デバイス側接合構造１２４のそれぞれのインスタンスを、整合するバックプレーン側接合構造１４に接合することによって、第１バックプレーン４０１に転送されうる。第４冶金接合を有する第４接合材料部１６４の周期的なアレイが形成される。
【００７８】
図７Ｅおよび図８Ｘに示されるように、バックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）のいずれかを含むデバイスアセンブリは、ユニットセル構造の複数のインスタンスの周期的なアレイを含むことができる。ユニットセル構造ＵＣの各インスタンスは、第１冶金接合を使用する第１接合材料部１６１を介してバックプレーン（４０１、４０２、４０３または４０２）に接合された第１デバイス１０Ｂ、第２冶金接合を使用する第２接合材料部１６２を介してバックプレーン（４０１、４０２、４０３または４０２）に接合された第２デバイス１０Ｇ、第３冶金接合を使用する第３接合材料部１６３を介してバックプレーン（４０１、４０２、４０３または４０２）に接合された第３デバイス１０Ｒ、第４冶金接合を使用する第４接合材料部１６４を介してバックプレーン（４０１、４０２、４０３または４０２）に接合された第４デバイス１０Ｓを含む。
【００７９】
１つの実施形態において、第１冶金接合、第２冶金接合、第３冶金接合および第４冶金接合は、共通金属を含むことができる。第１冶金接合は、第２、第３および第４冶金接合中に存在しない第１金属を含むことができる。第２冶金接合は、第１、第３および第４冶金接合中に存在しない第２金属を含むことができる。第３冶金接合は、第１、第２および第４冶金接合中に存在しない第３金属を含むことができる。第４冶金接合は、第１、第２および第３冶金接合中に存在しない第４金属を含むことができる。
【００８０】
例示的な一例において、第１デバイス１０Ｂは、第１波長にピーク強度を有する光を放出する第１発光デバイスであってもよく、第２デバイス１０Ｇは、第１波長とは異なる第２波長にピーク強度を有する光を放出する第２発光デバイスであってもよく、第３デバイス１０Ｒは、第１および第２波長とは異なる第３波長にピーク強度を有する光を放出する第３発光デバイスであってもよく、第４デバイス１０Ｓは、センサ半導体デバイス、すなわち、タッチスクリーンのタッチのような、局所的な物理パラメータを感知する電気的機能を提供する半導体デバイスであってもよい。１つの実施形態において、デバイスアセンブリは、集積発光デバイスアセンブリでありうる。
【００８１】
１つの実施形態において、平坦な表面を有する支持基板を用いて第１、第２、第３および第４デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）をそれぞれのバックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に向けて押しながら第４共晶温度または第４共晶温度よりも高い温度で、半田材料部（１６１、１６２、１６３、１６４）のリフローをすることによって、各バックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）上の第１、第２、第３および第４デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のすべてのインスタンスの上面が、同じ水平面内にあってもよい。
【００８２】
バックプレーン（４０１、４０２、４０３、４０４）に取り付けられたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の周期的なアレイは、第１、第２、第３および第４ユニット構造（Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４）の周期性と同じであるバックプレーン側ユニットセル構造ＵＴの周期性と同じでありうる。１つの実施形態において、周期的なアレイは、ユニットセル構造の複数のインスタンスが、周期的なアレイが取り付けられているバックプレーンの表面に垂直な２つの直交する方向に繰り返される２次元の矩形状の周期的なアレイでありうる。
【００８３】
１つの実施形態において、デバイスアセンブリは、３色以上の異なる色を放出する発光ダイオードを含む発光ディスプレイパネルを含む集積発光デバイスアセンブリでありうる。１つの実施形態において、発光ディスプレイパネルは、バックプレーンに接合された赤色、緑色および青色波長の発光ダイオードとセンサとを含む直視型ディスプレイパネルを含むことができる。
【００８４】
バックプレーン側接合構造のための共通金属は、複数の金属を複数の共晶に提供する任意の金属から選択されうる。複数の共晶システムを提供する共通金属と複数の金属との非限定的で例示的な組み合わせが、表１に列挙される。
【００８５】
表１：他の金属と共に複数の共晶系を提供する金属の例。
【表１】
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【００８６】
前述は、特定の好ましい実施形態を指すが、本発明は、それに限定されないことが理解されるであろう。当業者であれば、開示された実施形態に様々な変更を加えることができ、そのような変更は本発明の範囲内にあることが意図されている。特定の構造、および／または、構成を用いる実施形態が本開示に示されている場合、本発明は、そのような置換が明示的に禁止されていないか、または、当業者には不可能であることが知られていなければ、機能的に等価な他の適合する構造および／または構成で実施できることが理解される。
【図１】
2019522226.tif 000004
【図２】
2019522226.tif 000005
【図３】
2019522226.tif 000006
【図４】
2019522226.tif 000007
【図５】
2019522226.tif 000008
【図６】
2019522226.tif 000009
【図７Ａ】
2019522226.tif 000010
【図７Ｂ】
2019522226.tif 000011
【図７Ｃ】
2019522226.tif 000012
【図７Ｄ】
2019522226.tif 000013
【図７Ｅ】
2019522226.tif 000014
【図８Ａ】
2019522226.tif 000015
【図８Ｂ】
2019522226.tif 000016
【図８Ｃ】
2019522226.tif 000017
【図８Ｄ】
2019522226.tif 000018
【図８Ｅ】
2019522226.tif 000019
【図８Ｆ】
2019522226.tif 000020
【図８Ｇ】
2019522226.tif 000021
【図８Ｈ】
2019522226.tif 000022
【図８Ｉ】
2019522226.tif 000023
【図８Ｊ】
2019522226.tif 000024
【図８Ｋ】
2019522226.tif 000025
【図８Ｌ】
2019522226.tif 000026
【図８Ｍ】
2019522226.tif 000027
【図８Ｎ】
2019522226.tif 000028
【図８Ｏ】
2019522226.tif 000029
【図８Ｐ】
2019522226.tif 000030
【図８Ｑ】
2019522226.tif 000031
【図８Ｒ】
2019522226.tif 000032
【図８Ｓ】
2019522226.tif 000033
【図８Ｔ】
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【図８Ｕ】
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【図８Ｖ】
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【図８Ｗ】
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【図８Ｘ】
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【国際調査報告】
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