(57)【要約】  レーザーダイオードバー（１０）の製造方法を説明する。本方法は、並んで設けられた複数のエミッタ（１，２）を形成するステップと、各エミッタ（１，２）の少なくとも１つの光学特性および／または電気特性を検査し、当該光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲内にあるエミッタ（１）を、第１のエミッタ（１）のグループに割り当て、少なくとも１つの当該光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲を外れるエミッタ（２）を、第２のエミッタ（２）のグループに割り当てるステップと、第１のエミッタ（１）を電気的に接続し、レーザーダイオードバー（１０）の動作時に第２のエミッタ（２）に電流が供給されないように第２のエミッタ（２）を電気的に接続しないステップと、を含む。さらに、本方法によって製造可能なレーザーダイオードバー（１０）も示す。
2019523996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーダイオードバー（１０）の製造方法であって、
レーザー放射の形成に適した活性層（１４）と前記レーザーダイオードバー（１０）の第１の主面（１７）のｐコンタクト（１２）と前記レーザーダイオードバー（１０）の前記第１の主面（１７）とは反対側の第２の主面（１８）のｎコンタクト（１６）とを有するそれぞれ１つずつの半導体積層体（１１）を含む、並んで設けられた複数のエミッタ（１，２）を形成するステップと、
各前記エミッタ（１，２）の少なくとも１つの光学特性および／または電気特性を検査し、当該光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲内にあるエミッタ（１）を、第１のエミッタ（１）のグループに割り当て、少なくとも１つの当該光学特性および／または電気特性が前記設定された目標値範囲を外れるエミッタ（２）を、第２のエミッタ（２）のグループに割り当てるステップと、
前記第１のエミッタ（１）を電気的に接続し、前記レーザーダイオードバー（１０）の動作時に前記第２のエミッタ（２）に電流が供給されないように前記第２のエミッタ（２）を電気的に接続しないステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ｎコンタクト（１２）を、ｎ接続層（３）に接続し、
前記ｎ接続層（３）は、前記第２の主面（１８）に配置されており、かつ前記レーザーダイオードバー（１０）の全エミッタ（１，２）に対する共通の接続面としてのｎ接続面（４）を形成している、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
各前記エミッタ（１，２）の前記ｐコンタクト（１６）は、それぞれｐ接続層（５）に接続されており、前記ｐ接続層（５）は、前記第１の主面（１７）から前記半導体積層体（１１）内の貫通接続部（７）を通って前記第２の主面（１８）へ通じており、かつ前記第２の主面（１８）にｐ接続面（６）を有する、
請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
各前記エミッタ（１，２）の前記ｐコンタクト（１６）は、それぞれｐ接続層（５）に接続されており、前記ｐ接続層（５）は、前記第１の主面（１７）から前記レーザーダイオードバー（１０）の側方ファセット面（１９）を経て前記第２の主面（１８）へ通じており、かつ前記第２の主面（１８）にｐ接続面（６）を有する、
請求項１または２記載の方法。
【請求項５】
前記レーザーダイオードバー（１０）は、前記第１の主面（１７）で、接続層（２４）によって支持体（２１）上に実装されており、
前記ｐコンタクト（１６）は、ｐ接続層（５）によって前記接続層（２４）に導電接続されており、前記接続層（２４）は、前記支持体（２１）上にｐ接続面（６）を有する、
請求項１または２記載の方法。
【請求項６】
前記第１のエミッタ（１）を電気的に接続することは、前記第１のエミッタ（１）の前記ｐ接続面（６）にそれぞれ電流リードを設けることを含む、
請求項３から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記第２のエミッタ（２）の前記ｐ接続面（６）には、電流リードが設けられない、
請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記半導体積層体（１１）は、窒化物半導体材料を有する、
請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
並んで設けられた複数のエミッタ（１，２）を含む、レーザーダイオードバーであって、
各前記エミッタ（１，２）は、レーザー放射の形成に適した活性層（１４）と前記レーザーダイオードバー（１０）の第１の主面（１７）のｐコンタクト（１６）と前記レーザーダイオードバー（１０）の前記第１の主面（１７）とは反対側の第２の主面（１８）のｎコンタクト（１２）とを有するそれぞれ１つずつの半導体積層体（１１）を含み、
前記レーザーダイオードバー（１０）は、電気的に接続された第１のエミッタ（１）のグループと、電気的に接続されない第２のエミッタ（２）のグループとを含む、
レーザーダイオードバー。
【請求項１０】
前記ｎコンタクト（１２）は、前記第２の主面（１８）に配置されておりかつｎ接続面（４）を有するｎ接続層（３）に接続されている、
請求項９記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１１】
各前記エミッタ（１，２）の前記ｐコンタクト（１６）は、それぞれｐ接続層（５）に接続されており、前記ｐ接続層（５）は、前記第１の主面（１７）から前記半導体積層体（１１）内の貫通接続部（７）を通って前記第２の主面（１８）へ通じており、かつ前記第２の主面（１８）にｐ接続面（６）を有する、
請求項９または１０記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１２】
各前記エミッタ（１，２）の前記ｐコンタクト（１６）は、それぞれｐ接続層（５）に接続されており、前記ｐ接続層（５）は、前記第１の主面（１７）から前記レーザーダイオードバー（１０）の側方ファセット面（１９）を経て前記第２の主面（１８）へ通じており、かつ前記第２の主面（１８）にｐ接続面（６）を有する、
請求項９または１０記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１３】
前記レーザーダイオードバー（１０）は、前記第１の主面（１７）で、接続層（２４）によって支持体（２１）上に実装されており、
前記ｐコンタクト（１６）は、ｐ接続層（５）によって前記接続層（２４）に導電接続されており、前記接続層（２４）は、前記支持体（２１）上にｐ接続面（６）を有する、
請求項９または１０記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１４】
前記第１のエミッタ（１）の前記ｐ接続面（６）は、電流リードにより電気的に接続されており、前記第２のエミッタ（２）の前記ｐ接続面（６）は、前記電流リードによっては接続されていない、
請求項１１から１３までのいずれか１項記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１５】
前記電流リードは、それぞれ少なくとも１つのボンディングワイヤ（９）を含む、
請求項１４記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１６】
前記半導体積層体（１１）は、窒化物半導体材料を有する、
請求項９から１５までのいずれか１項記載のレーザーダイオードバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーダイオードバーの製造方法およびこの方法によって製造可能なレーザーダイオードバーに関する。
【０００２】
本願は、独国特許出願第１０２０１６１１１０５８．２号の優先権を主張し、その開示内容は引用により本願に含まれるものとする。
【０００３】
特に、窒化物半導体材料、特にＩｎＡｌＧａＮをベースとしたレーザーダイオードバーのための方法が存在する。こうしたレーザーダイオードバーは、特に可視スペクトル領域の放射を放出することができる。しかし、窒化物半導体から効率の良いレーザーダイオードバーを製造することは困難である。なぜなら、当該材料系では、他の材料系、例えばＩｎＡｌＧａＡｓに比べて、高い欠陥密度が生じうるからである。
【０００４】
解決すべき課題の１つは、改善された効率を特徴とするレーザーダイオードバーおよびその製造方法を提供することにある。
【０００５】
この課題は、各独立請求項に記載のレーザーダイオードバーの製造方法およびレーザーダイオードバーによって解決される。本発明の有利な構成および発展形態は、各従属請求項の対象となっている。
【０００６】
レーザーダイオードバーの製造方法の少なくとも１つの実施形態によれば、並んで設けられる複数のエミッタが製造され、各エミッタは有利には別個に電気的に接続可能である。各エミッタは、特に、レーザー放射の放出に適するそれぞれ１つずつの半導体積層体を含む。各エミッタの半導体積層体は、例えばそれぞれ１つのｎ型半導体領域、ｐ型半導体領域、およびこれらの間に設けられる、レーザー放射の形成に適した活性層を含む。ｎ型半導体領域、活性層およびｐ型半導体領域は、それぞれ１つもしくは複数の部分層を含んでもよい。ｎ型半導体領域、活性層およびｐ型半導体領域が１つもしくは複数の非ドープ層を含む構成も可能である。
【０００７】
さらに、各エミッタは、レーザーダイオードバーの第１の主面のそれぞれ１つのｐコンタクトと、第１の主面の反対側の第２の主面のｎコンタクトとを有する。言い換えれば、ｐコンタクトおよびｎコンタクトは、活性層から見て相互に反対側にある。
【０００８】
第１の主面は、支持体、例えばヒートシンクに面し、レーザーダイオードバーのための実装面として用いることができる。第２の主面は、レーザーダイオードバーの、支持体とは反対の側の表面であってよい。
【０００９】
本方法では、エミッタの少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が検査される。この場合、当該光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲内にあるエミッタが第１のエミッタのグループに割り当てられる。他方、光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲を外れるエミッタが第２のエミッタのグループに割り当てられる。
【００１０】
第１のエミッタのグループまたは第２のエミッタのグループへの各エミッタの割り当ては、例えば、エミッタのテストモードの実行、およびその際の少なくとも１つの電気特性および／または光学特性の測定により、行うことができる。テストモードでは、各エミッタを少なくとも一時的に電気的に接続して電流により駆動することができる。電気特性および／または光学特性は、特には、設定された電流強度での放出強度であってよい。また、エミッタで検査される電気特性および／または光学特性は、例えば、エミッタのレーザー放出が開始される閾値電流強度であってよい。
【００１１】
後続の方法ステップで、第１のエミッタが電気的に接続される。当該電気的接続は、特に、第１のエミッタにレーザーダイオードバーの動作時に電流を供給するように構成された、第１のエミッタへの電流リードを設けることを含む。電流リードとして、特に、ボンディングワイヤを設けることができる。
【００１２】
他方、第２のエミッタは電気的に接続されず、これにより、レーザーダイオードバーの動作時に電流が供給されない。例えば、第１のエミッタをそれぞれボンディングワイヤに接続する一方、第２のグループのエミッタでは、少なくとも１つの電気コンタクト、例えばｐコンタクトに、電流リード、例えばボンディングワイヤを設けない構成が可能である。代替的に、例えば、まず全てのエミッタの２つの電気コンタクトに電流リード、例えばボンディングワイヤを設け、ついで第２のエミッタの少なくとも１つの電気コンタクトの電流リードを除去もしくは分断するように構成してもよい。このために、例えば、電気的接続のために設けられたボンディングワイヤを分断もしくは除去することができる。
【００１３】
ここで提案されている動作方式の方法により、完成したレーザーダイオードバーの動作時に、検査された少なくとも１つの電気特性および／または光学特性が設定された目標値範囲内にあるエミッタのみへの電流供給が達成される。こうした手段により、有利には、レーザーダイオードバーの動作時に、例えば製造差および／または欠陥のために放射の放出に全くもしくは少なくとも充分には寄与しないエミッタに電流が供給されることが防止される。
【００１４】
第２のエミッタのグループは、特には、設定された動作電流強度のもとで閾値電流強度が超過されない、エラーを有するエミッタを含みうる。こうしたエラーを有するエミッタはここで説明している方法では電気的に接続されないことにより、完成したレーザーダイオードバーの動作時にこれらのエミッタに電流が流れてしまい、放射放出に寄与しないにもかかわらずレーザーダイオードバーの加熱の原因となることが防止される。つまり、エラーを有するエミッタの電気的接続を回避することにより、レーザーダイオードバーの電流消費が低減され、効率が改善される。
【００１５】
一構成では、エミッタのｎコンタクトが、第２の主面に配置されておりかつｎ接続面を有するｎ接続層に接続される。ｎ接続面は、特に、レーザーダイオードバーの支持体とは反対の側であってよい。ｎ接続面は、レーザーダイオードバーの全てのエミッタに対する共通のｎ接続面として形成可能である。ｎ接続層は特には金属層であってよい。
【００１６】
好ましい一構成では、エミッタのｐコンタクトがそれぞれ１つのｐ接続層に接続され、当該ｐ接続層は、第１の主面から半導体積層体内の貫通接続部を通って第２の主面へ通じ、かつ第２の主面でｐ接続面を形成する。ｐ接続層は、ｎ接続層と同様に、特には金属層であってよい。ｎ接続面およびｐ接続面は、第２の主面で特に露出し、したがって有利には外部の電流リード、例えばボンディングワイヤに電気的に接続可能である。
【００１７】
別の一構成では、エミッタのｐコンタクトが、それぞれ、第１の主面からレーザーダイオードバーの側方ファセット面を経て第２の主面へ通じるｐ接続層によって接続される。ｐ接続層はこの場合、レーザーダイオードバーの第２の主面に、有利にはｐ接続面を有する。上述した構成と同様に、この場合も、エミッタのｎ接続面およびｐ接続面の双方がレーザーダイオードバーの第２の主面に配置される。ｎ接続面およびｐ接続面は、第２の主面で特に露出し、したがって有利には、外部の電流リード、例えばボンディングワイヤに電気的に接続可能である。
【００１８】
別の一構成では、レーザーダイオードバーは、第１の主面で、支持体上に実装される。支持体は例えばサブマウントまたはヒートシンクであってよい。当該構成では、エミッタのｐコンタクトはそれぞれｐ接続層に接続可能であり、当該ｐ接続層は支持体上の導電性の接続層に接続される。当該構成では、支持体上に配置された接続層がｐ接続面を有することができる。この場合、ｐ接続面は、支持体上に、導電性の接続層の表面によって形成される。エミッタのｐ接続面は、特に、レーザーダイオードバーに並んで支持体上に設けることができる。当該ｐ接続面は、好ましくは支持体の表面に露出し、したがって外部から任意にアクセス可能である。
【００１９】
本方法の一構成では、第１のエミッタの電気的接続は、当該第１のエミッタのｐ接続面に電流リード、例えばボンディングワイヤを設けることを含む。
【００２０】
他方、好ましくは、第２のエミッタのｐ接続面には電流リードは設けられず、これにより、第２のエミッタにはレーザーダイオードバーの完成時にも電流が供給されない。第２のエミッタのｐ接続面には、例えばボンディングワイヤが取り付けられないか、または先に取り付けられたボンディングワイヤが除去もしくは分断される。
【００２１】
本方法は、窒化物半導体材料をベースとした半導体積層体を含むレーザーダイオードバーにとって特に有利である。当該半導体積層体は、特には、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ［０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１かつｘ＋ｙ≦１］の材料系から形成される層を含むことができる。窒化物半導体層の製造の際には、他の材料系、例えばヒ化物半導体材料に比べて、高い欠陥密度が生じることがある。このことは特に、各エミッタの閾値電流強度が相互に偏差してしまう事態をまねきうる。したがって、設定された動作電流強度においても、レーザーダイオードバーの個々のエミッタがレーザー光を放出しないのに電流を消費し、レーザーダイオードバーの加熱の原因となることが起こりうる。ここで説明している方法では、エラーを有するエミッタを製造時に特定し、レーザーダイオードバーの完成時に電気的に接続しないことにより、当該効果が低減される。
【００２２】
さらに、上記の方法によって製造可能なレーザーダイオードバーが提供される。少なくとも１つの構成によれば、当該レーザーダイオードバーは、並んで設けられた複数のエミッタを含む。ここでは特に、全てのエミッタがレーザーダイオードである。エミッタの放出方向は、特には相互に平行に延在する。レーザーダイオードバーは、好ましくは第１の側方ファセット面および第２の側方ファセット面を有し、当該側方ファセット面は、エミッタ用の、好ましくは反射コーティングを有するレーザーレゾネータの形成のために設けられる。側方ファセット面のうち１つは、この場合、有利にはレーザー放射のための放射出射面として機能し、好ましくは反対側の側方ファセット面よりも低い反射率を有する。
【００２３】
レーザーダイオードバーは、好ましくは、電気的に接続される第１のエミッタのグループと、電気的に接続されない第２のエミッタのグループとを含む。特に、第１のエミッタでは、ｐコンタクトおよびｎコンタクトの双方に、それぞれ、レーザーダイオードバーの動作時にエミッタに電流を供給するように構成された電流リードが設けられる。第２のエミッタでは、ｐコンタクトおよび／またはｎコンタクトに電流リードは設けられず、これにより、第２のエミッタにはレーザーダイオードバーの動作時に電流が供給されない。特に、第１のエミッタのｐ接続面をそれぞれボンディングワイヤによって接続し、ただし第２のエミッタのｐ接続面をそれぞれボンディングワイヤによって接続しないかまたはボンディングワイヤを分断する構成も可能である。
【００２４】
レーザーダイオードバーの別の有利な構成は製造方法の上記の説明から得られ、また逆に製造方法の別の有利な構成はレーザーダイオードバーの説明から得られる。
【００２５】
本発明を、以下に、図１〜図３に関連する実施例に即して詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１Ａ】第１の実施例によるレーザーダイオードバーの平面を示す概略図である。
【図１Ｂ】第１の実施例におけるエミッタの一部分の断面を示す概略図である。
【図１Ｃ】第１の実施例の代替バリエーションにおけるエミッタの一部分の断面を示す概略図である。
【図２】Ａは第２の実施例によるレーザーダイオードバーの平面を示す概略図であり、Ｂは第２の実施例におけるエミッタの一部分の断面を示す概略図である。
【図３】Ａは第３の実施例によるレーザーダイオードバーの平面を示す概略図であり、Ｂは第３の実施例におけるエミッタの一部分の断面を示す概略図である。
【００２７】
図中、同じ要素または同様の作用を有する要素には同じ参照番号を付してある。図示の各要素およびその相互の寸法比は縮尺通りでないことに注意されたい。
【００２８】
図１Ａ，図１Ｂには、レーザーダイオードバー１０の一実施例が平面図および断面図で略示されている。
【００２９】
平面図から見て取れるように、レーザーダイオードバー１０は、並んで設けられた複数のエミッタ１，２を有する。エミッタ１，２は、ｎ型半導体領域１３、ｐ型半導体領域１５およびｎ型半導体領域１３とｐ型半導体領域１５との間に設けられる活性層１４とを有する、それぞれ１つずつの半導体積層体１１を含む。半導体積層体１１は、エミッタ１，２間で、それぞれ少なくとも部分的に、例えばｐ型半導体領域１５を通してのメサエッチングにより（図示されていない）、分断可能である。
【００３０】
半導体積層体１１は、特に、窒化物半導体をベースとしたものであってよい。これは、ここでの関連においては、半導体積層体１１またはその少なくとも１つの層が、ＩＩＩ族窒化物半導体材料、好ましくはＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ［０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１かつｘ＋ｙ≦１］を含むことを意味する。この場合、当該材料は、必ずしも数学的に厳密に上掲式にしたがった組成を有さなくてもよい。むしろ、１つもしくは複数のドープ物質および付加的な成分を含むことができる。ただし、簡明性のために、上掲式には、部分的に少量の別の物質によって置換可能であっても、結晶格子（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｎ）の主要成分しか含めていない。
【００３１】
活性層１４は、例えばｐｎ接合部として、ダブルヘテロ構造として、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造として形成可能である。ここで、量子井戸構造なる語は、電荷担体が閉じ込め（Confinement）によってエネルギ状態の量子化を受ける構造を含む。特に、量子井戸構造なる語は、量子化の次元に関する情報を含まない。したがって、当該語は、とりわけ、量子井戸、量子ワイヤ、量子ドットおよびこれらの構造の全ての組み合わせを含む。
【００３２】
レーザーダイオードバー１０は側方ファセット面１９，２０を有し、これらの側方ファセット面１９，２０は、活性層１４において形成された放射のためのレーザーレゾネータを形成する。側方ファセット面１９，２０の一方もしくは双方に、反射を増大するコーティングを設けることができる。レーザーダイオードバー１０の側方ファセット面２０は、形成されたレーザー放射に対する放射出射面として用いられる。この場合、放射出射面として用いられる側方ファセット面２０が反対側の側方ファセット面１９よりも小さい反射率を有すると有利である。放射出射面として用いられる側方ファセット面２０は、コーティングされないかまたは反射を低減するコーティングもしくは反射を増大するコーティングを有するように構成可能である。
【００３３】
レーザーダイオードバー１０の、並んで設けられたエミッタ１，２は、それぞれ、第１の主面１７にｐコンタクト１６を、第１の主面１７とは反対側の第２の主面１８にｎコンタクト１２を含む。図１Ｂの断面図に示されているように、ｎコンタクト１２はｎ接続層３に接続されており、当該ｎ接続層３は、第２の主面１８に配置されており、そこでｎ接続面４を形成している。ｎ接続面４は、特にボンディングワイヤ９を用いた電気的接続のために設けることができる。
【００３４】
図１Ａ，図１Ｂの実施例では、ｐコンタクト１６が、第１の主面１７から半導体積層体１１内の貫通接続部７を通って第２の主面１８へ通じるｐ接続層５に接続されている。貫通接続部７は特には活性層１４を貫通しており、ここで特に貫通接続部７の側壁には、有利には、短絡を回避するための電気絶縁層８が設けられている。貫通接続部７は、任意の断面、例えば円形もしくは長方形の断面を有していてよい。貫通接続部７を通したｐ接続層５の貫通接続により、ｐ接続層５が、ｎ接続面４と同様にレーザーダイオードバー１０の第２の主面１８に配置されるｐ接続面６を有する構成が達成される。ｎ接続面４およびｐ接続面６は、有利には、レーザーダイオードバー１０の第２の主面１８で露出しており、これにより、電気的接続を可能とするために、外部から任意にアクセス可能である。ｐ接続層５が第２の主面１８へ通じていることにより、ｐ接続層５のｐ接続面６は、レーザーダイオードバー１０が第１の主面１７で支持体、例えばヒートシンク上に実装されている場合、外部から、例えばボンディングワイヤを介してアクセス可能である。
【００３５】
レーザーダイオードバーは、例えば接続層２４、例えばはんだ層によって支持体２１、特にヒートシンクに接続可能である。この場合、支持体２１が導電性であるケースで、隣接するエミッタ１，２のｐ接続層５の、第１の主面１７に設けられた各領域が、接続層２４または支持体２１によって電気的に相互に接続されることが回避される。好ましくは、例えばセラミックを含む非導電性の支持体２１が使用される。当該非導電性の支持体２１は、有利には、エミッタ１，２にそれぞれ個別に接触する、パターニングされた導電性の接続層２４を有する。
【００３６】
図１Ｃに示されている代替構成では、第１の主面１７のｐ接続層５の領域と各エミッタの導電性の接続層２４との間に、電気絶縁層２３が設けられている。この場合、導電性の接続層２４は、支持体２１上に全面にわたって設けることができる。
【００３７】
レーザーダイオードバー１０の本製造方法により、とりわけ、第２の主面１８のｎ接続面４およびｐ接続面６への自由なアクセス性を利用して、エミッタ１，２を選択的に接続することができる。図１Ａの平面図から見て取れるように、レーザーダイオードバー１０の全てのエミッタ１，２が電気的に接続されているわけではない。エミッタ１，２は、ボンディングワイヤ９によって電気的に接続される共通のｎ接続面４を有する。他方、ｐ接続面６は第１のエミッタ１のグループにおいてのみボンディングワイヤ９に接続されており、第２のエミッタ２のグループではｐ接続面６はボンディングワイヤを有さない。つまり、レーザーダイオードバー１０の動作中、第２のエミッタ２には電流が供給されない。このようにすれば、有利には、欠陥を有するエミッタ２または放射放出に充分に寄与しないエミッタ２への電流供給を中止することができる。そうでないと、エラーを有するこうしたエミッタ２は、レーザーダイオードバー１０の動作時に、放射放出に寄与しないにもかかわらず、損失電流を発生して、レーザーダイオードバー１０の加熱の原因となってしまう。
【００３８】
エラーを有するエミッタ２を識別するために、レーザーダイオードバー１０の本製造方法では、有利には、エミッタ１，２の少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が検査される。エミッタ１，２の検査は、特に、少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が測定されるよう、各エミッタの光学監視および／またはエミッタ１，２のプローブを用いた電気的接続を含んでいてよい。例えば、設定された電流強度での放出強度および／またはエミッタ１，２のレーザー放出が開始される閾値電流強度を求めることができる。検査された少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が目標値範囲内にあるエミッタ１は、第１のエミッタ１のグループに割り当てられ、レーザーダイオードバー１０の完成時に電気的に接続される。他方、検査された少なくとも１つの光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲に入らない、エラーを有するエミッタ２は、第２のエミッタ２のグループに割り当てられ、レーザーダイオードバー１０の完成時に電気的に接続されない。特に、第２のエミッタ２の少なくとも１つの接続面４，６を、例えばボンディングワイヤ９のような電流リードに接続しない構成が可能である。ここに示した実施例では、第２のエミッタ２のｐ接続面６にボンディングワイヤ９が設けられておらず、このため、レーザーダイオードバー１０の動作時の電流供給は遮断されている。エラーを有する第２のエミッタ２に電流が供給されないことにより、有利には、レーザーダイオードバー１０の効率が高まる。
【００３９】
図２のＡには、レーザーダイオードバー１０の別の実施例が平面図で示されており、図２のＢには、レーザーダイオードバー１０の、放射出射面として用いられる側方ファセット面２０とは反対側の側方ファセット面１９の一部分の断面図が示されている。上述した実施例と同様に、エミッタ１，２に共通するｎ接続面４とエミッタ１，２で別個のｐ接続面６との双方は、レーザーダイオードバー１０の第２の主面１８に配置されており、そこでは、特にボンディングワイヤ９による電流リードを形成するために、任意にアクセス可能となっている。
【００４０】
上述した実施例との相違は、ｐ接続層５が、半導体積層体１１を通る貫通接続部を介してではなく、図２のＢから見て取れるように、レーザーダイオードバー１０の側方ファセット面１９を経て第１の主面１７から第２の主面１８に通じている点にある。短絡を回避するため、側方ファセット面１９には、特には誘電体ミラーであってよい電気絶縁層２２が設けられている。誘電体ミラーは複数の部分層を有することができる（図示されていない）。つまり、電気絶縁層２２は、同時に、レゾネータミラーを形成する側方ファセット面１９の反射コーティングとしても、また半導体積層体１１の各層間、特にｎ型半導体領域とｐ接続層５との間の電気的絶縁部としても機能しうる。レーザーダイオードバー１０は、上述した実施例と同様に、接続層を介して、支持体、特にヒートシンクに接続することができる。支持体および接続層は、ここでは簡単化のために繰り返しては示さない。なお、その構成は、図１Ｂ，図１Ｃの実施形態に相応していてよい。
【００４１】
特に、隣接するエミッタ１，２の電気的接続を回避するために、例えばセラミックを含む非導電性の支持体を使用することができる。ここで、非導電性の支持体は、有利には、エミッタ１，２にそれぞれ個々に接触する、パターニングされた導電性の接続層を有する。代替的に、第１の主面１７のｐ接続層５の領域と各エミッタの導電性の接続層との間に電気絶縁層を設けることもできる。この場合、導電性の接続層は、支持体上に全面にわたって設けることができる。
【００４２】
それ以外の点では、レーザーダイオードバー１０の構造、機能および製造方法は、上述した実施例に実質的に相応し、したがってここで繰り返して詳細には説明しない。
【００４３】
図３のＡには、レーザーダイオードバー１０のさらに別の実施例が平面図で示されており、図３のＢには、レーザーダイオードバー１０の、放射出射面として用いられる側方ファセット面２０とは反対側の側方ファセット面１９の一部分の断面図が示されている。当該実施例では、エミッタ１，２は、上述した実施例と同様に、レーザーダイオードバー１０の第２の主面１８に、共通のｎ接続面４を有する。ただし上述した実施例とは異なり、エミッタのｐ接続面６は、レーザーダイオードバー１０の第２の主面１８に配置されていない。むしろ、レーザーダイオードバー１０は、ｐ接続層５が設けられている第１の主面１７で、支持体２１上に実装されている。ｐ接続層５は、例えばはんだ層であってよい導電性の接続層２４に接続されている。導電性の接続層２４は支持体２１上に延在しており、これにより、導電性の接続層２４は、支持体２１上に、任意にアクセス可能なｐ接続面６を有する。上述した実施例と同様に、第１のエミッタ１は、ｐ接続面６を介して、選択的にボンディングワイヤ９に電気的に接続され、一方、エラーを有する第２のエミッタ２のｐ接続面６にはボンディングワイヤ９は設けられない。
【００４４】
それ以外の点では、第３の実施例は、さらなる詳細および有利な構成に関し、上述した実施例に相応する。
【００４５】
本発明は、実施例に即した説明に限定されない。むしろ、本発明は、新規な特徴の全て、および特に特許請求の範囲の特徴の組み合わせの全てを含む、特徴の組み合わせの全てがそれ自体特許請求の範囲または実施例に明示的に示されていなくても、これらの特徴の全ておよびその組み合わせの全てを含む。
【符号の説明】
【００４６】
１  第１のエミッタ
２  第２のエミッタ
３  ｎ接続層
４  ｎ接続面
５  ｐ接続層
６  ｐ接続面
７  貫通接続部
８，２２，２３  電気絶縁層
９  ボンディングワイヤ
１０  レーザーダイオードバー
１１  半導体積層体
１２  ｎコンタクト
１３  ｎ型半導体領域
１４  活性層
１５  ｐ型半導体領域
１６  ｐコンタクト
１７  第１の主面
１８  第２の主面
１９，２０  側方ファセット面
２１  支持体
２４  接続層
【図１Ａ】
2019523996.tif 000003
【図１Ｂ】
2019523996.tif 000004
【図１Ｃ】
2019523996.tif 000005
【図２Ａ】
2019523996.tif 000006
【図２Ｂ】
2019523996.tif 000007
【図３Ａ】
2019523996.tif 000008
【図３Ｂ】
2019523996.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月15日(2019.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーダイオードバー（１０）の製造方法であって、
レーザー放射の形成に適した活性層（１４）と前記レーザーダイオードバー（１０）の第１の主面（１７）のｐコンタクト（１２）と前記レーザーダイオードバー（１０）の前記第１の主面（１７）とは反対側の第２の主面（１８）のｎコンタクト（１６）とを有するそれぞれ１つずつの半導体積層体（１１）を含む、並んで設けられた複数のエミッタ（１，２）を形成するステップと、
各前記エミッタ（１，２）の少なくとも１つの光学特性および／または電気特性を検査し、当該光学特性および／または電気特性が設定された目標値範囲内にあるエミッタ（１）を、第１のエミッタ（１）のグループに割り当て、少なくとも１つの当該光学特性および／または電気特性が前記設定された目標値範囲を外れるエミッタ（２）を、第２のエミッタ（２）のグループに割り当てるステップと、
前記第１のエミッタ（１）を電気的に接続し、前記レーザーダイオードバー（１０）の動作時に前記第２のエミッタ（２）に電流が供給されないように前記第２のエミッタ（２）を電気的に接続しないステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ｎコンタクト（１２）を、ｎ接続層（３）に接続し、
前記ｎ接続層（３）は、前記第２の主面（１８）に配置されており、かつ前記レーザーダイオードバー（１０）の全エミッタ（１，２）に対する共通の接続面としてのｎ接続面（４）を形成している、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
各前記エミッタ（１，２）の前記ｐコンタクト（１６）は、それぞれｐ接続層（５）に接続されており、前記ｐ接続層（５）は、前記第１の主面（１７）から前記半導体積層体（１１）内の貫通接続部（７）を通って前記第２の主面（１８）へ通じており、かつ前記第２の主面（１８）にｐ接続面（６）を有する、
請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
各前記エミッタ（１，２）の前記ｐコンタクト（１６）は、それぞれｐ接続層（５）に接続されており、前記ｐ接続層（５）は、前記第１の主面（１７）から前記レーザーダイオードバー（１０）の側方ファセット面（１９）を経て前記第２の主面（１８）へ通じており、かつ前記第２の主面（１８）にｐ接続面（６）を有する、
請求項１または２記載の方法。
【請求項５】
前記レーザーダイオードバー（１０）は、前記第１の主面（１７）で、接続層（２４）によって支持体（２１）上に実装されており、
前記ｐコンタクト（１６）は、ｐ接続層（５）によって前記接続層（２４）に導電接続されており、前記接続層（２４）は、前記支持体（２１）上にｐ接続面（６）を有する、
請求項１または２記載の方法。
【請求項６】
前記第１のエミッタ（１）を電気的に接続することは、前記第１のエミッタ（１）の前記ｐ接続面（６）にそれぞれ電流リードを設けることを含む、
請求項３から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記第２のエミッタ（２）の前記ｐ接続面（６）には、電流リードが設けられない、
請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記半導体積層体（１１）は、窒化物半導体材料を有する、
請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記第２のエミッタ（２）は、欠陥を有するかまたは不充分にしか放射放出に寄与しない、エラーを有するエミッタを含む、
請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
並んで設けられた複数のエミッタ（１，２）を含む、レーザーダイオードバーであって、
各前記エミッタ（１，２）は、レーザー放射の形成に適した活性層（１４）と前記レーザーダイオードバー（１０）の第１の主面（１７）のｐコンタクト（１６）と前記レーザーダイオードバー（１０）の前記第１の主面（１７）とは反対側の第２の主面（１８）のｎコンタクト（１２）とを有するそれぞれ１つずつの半導体積層体（１１）を含み、
前記レーザーダイオードバー（１０）は、電気的に接続された第１のエミッタ（１）のグループと、電気的に接続されない第２のエミッタ（２）のグループとを含む、
レーザーダイオードバー。
【請求項１１】
前記ｎコンタクト（１２）は、前記第２の主面（１８）に配置されておりかつｎ接続面（４）を有するｎ接続層（３）に接続されている、
請求項１０記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１２】
各前記エミッタ（１，２）の前記ｐコンタクト（１６）は、それぞれｐ接続層（５）に接続されており、前記ｐ接続層（５）は、前記第１の主面（１７）から前記半導体積層体（１１）内の貫通接続部（７）を通って前記第２の主面（１８）へ通じており、かつ前記第２の主面（１８）にｐ接続面（６）を有する、
請求項１０または１１記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１３】
各前記エミッタ（１，２）の前記ｐコンタクト（１６）は、それぞれｐ接続層（５）に接続されており、前記ｐ接続層（５）は、前記第１の主面（１７）から前記レーザーダイオードバー（１０）の側方ファセット面（１９）を経て前記第２の主面（１８）へ通じており、かつ前記第２の主面（１８）にｐ接続面（６）を有する、
請求項１０または１１記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１４】
前記レーザーダイオードバー（１０）は、前記第１の主面（１７）で、接続層（２４）によって支持体（２１）上に実装されており、
前記ｐコンタクト（１６）は、ｐ接続層（５）によって前記接続層（２４）に導電接続されており、前記接続層（２４）は、前記支持体（２１）上にｐ接続面（６）を有する、
請求項１０または１１記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１５】
前記第１のエミッタ（１）の前記ｐ接続面（６）は、電流リードにより電気的に接続されており、前記第２のエミッタ（２）の前記ｐ接続面（６）は、前記電流リードによっては接続されていない、
請求項１２から１４までのいずれか１項記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１６】
前記電流リードは、それぞれ少なくとも１つのボンディングワイヤ（９）を含む、
請求項１５記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１７】
前記半導体積層体（１１）は、窒化物半導体材料を有する、
請求項１０から１６までのいずれか１項記載のレーザーダイオードバー。
【請求項１８】
前記第２のエミッタ（２）は、欠陥を有するかまたは不充分にしか放射放出に寄与しない、エラーを有するエミッタを含む、
請求項１０から１７までのいずれか１項記載のレーザーダイオードバー。
【国際調査報告】
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