(57)【要約】  電子顕微鏡観測を実行する電子光学システムが開示されている。本システムは、一次電子ビームを生成するよう構成された電子ビーム源を有する。本システムは、光軸沿いに配置された電子源レンズ、集束レンズ及び対物レンズを有する。本システムは、その光軸沿いに配置された第１ウィーンフィルタ、並びにその光軸沿いに配置された第２ウィーンフィルタを有する。それら第１ウィーンフィルタ及び第２ウィーンフィルタは電子源レンズ・対物レンズ間に配置される。第１ウィーンフィルタは、一次ビームにおける色収差を補正するよう構成される。本システムは、標本の表面に発する電子を検出するよう構成された検出器アセンブリも有する。
2019537228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次電子ビームを生成するよう構成された電子ビーム源と、
標本を保持するよう構成された標本ステージと、
前記一次電子ビームの少なくとも一部分を前記標本の一部分上へと差し向けるよう構成された一組の電子光学素子であり、
光軸沿いに配置された電子源レンズと、
前記光軸沿いに配置された集束レンズと、
前記光軸沿いに配置された対物レンズと、
前記光軸沿いに配置された第１偏向器アセンブリと、
前記光軸沿いに配置された第２偏向器アセンブリとを含み、前記第１偏向器アセンブリ及び前記第２偏向器アセンブリが前記電子源レンズ・前記対物レンズ間に配置され、前記一次電子ビームにおける色収差を補正するよう前記第１偏向器アセンブリが構成された一組の電子光学素子と、
前記標本の表面に発する電子を検出するよう構成された検出器アセンブリと、
を備える電子光学システム。
【請求項２】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリ及び前記第２偏向器アセンブリが前記集束レンズ・前記対物レンズ間に配置された電子光学システム。
【請求項３】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリが前記電子源レンズ・前記集束レンズ間に配置され、前記第２偏向器アセンブリが前記集束レンズ・前記対物レンズ間に配置された電子光学システム。
【請求項４】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリ及び前記第２偏向器アセンブリのうち少なくとも一方が、
ウィーンフィルタを備える電子光学システム。
【請求項５】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリが、前記第１偏向器アセンブリ及び前記第２偏向器アセンブリのうち少なくとも一方に起因する、前記一次ビームにおける色収差を補正するよう構成された電子光学システム。
【請求項６】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記第２偏向器アセンブリが、前記標本に発する電子を前記検出器アセンブリに差し向けるよう構成された電子光学システム。
【請求項７】
請求項６に記載の電子光学システムであって、
前記第２偏向器アセンブリが、前記標本に発する二次電子を前記検出器アセンブリに差し向けるよう構成された電子光学システム。
【請求項８】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記一次電子ビームが、テレセントリック電子ビームを構成する電子光学システム。
【請求項９】
請求項８に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリの強度が前記第２偏向器アセンブリの強度と等しい電子光学システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリの極性が前記第２偏向器アセンブリの極性に対し反転している電子光学システム。
【請求項１１】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記一次電子ビームが、発散電子ビームを構成する電子光学システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリの強度が前記第２偏向器アセンブリの強度より高い電子光学システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリの極性が前記第２偏向器アセンブリの極性に対し反転している電子光学システム。
【請求項１４】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記一次電子ビームが、収束電子ビームを構成する電子光学システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリの強度が前記第２偏向器アセンブリの強度より低い電子光学システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリの極性が前記第２偏向器アセンブリの極性に対し反転している電子光学システム。
【請求項１７】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記一次電子ビームが、クロスオーバ電子ビームを構成する電子光学システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリの極性が前記第２偏向器アセンブリの極性と同じである電子光学システム。
【請求項１９】
請求項１８に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリの強度が前記第２偏向器アセンブリの強度と等しい電子光学システム。
【請求項２０】
請求項１８に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリの強度が前記第２偏向器アセンブリの強度より高い電子光学システム。
【請求項２１】
請求項１８に記載の電子光学システムであって、
前記第１偏向器アセンブリの強度が前記第２偏向器アセンブリの強度より低い電子光学システム。
【請求項２２】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記電子ビーム源が、１個又は複数個の電子銃を備える電子光学システム。
【請求項２３】
請求項１に記載の電子光学システムであって、
前記検出器アセンブリが、１個又は複数個の二次電子検出器を備える電子光学システム。
【請求項２４】
一次電子ビームを生成するよう構成された電子ビーム源と、
光軸沿いに配置された電子源レンズと、
前記光軸沿いに配置された集束レンズと、
前記光軸沿いに配置された対物レンズと、
前記光軸沿いに配置された第１ウィーンフィルタと、
前記光軸沿いに配置された第２ウィーンフィルタとを備え、前記第１ウィーンフィルタ及び前記第２ウィーンフィルタが前記電子源レンズ・前記対物レンズ間に配置され、前記一次電子ビームにおける色収差を補正するよう前記第１ウィーンフィルタが構成されており、且つ、
標本の表面に発する電子を検出するよう構成された検出器アセンブリを備える電子光学システム。
【請求項２５】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタ及び前記第２ウィーンフィルタが前記集束レンズ・前記対物レンズ間に配置された電子光学システム。
【請求項２６】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタが前記電子源レンズ・前記集束レンズ間に配置され、前記第２ウィーンフィルタが前記集束レンズ・前記対物レンズ間に配置された電子光学システム。
【請求項２７】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタが、前記第１ウィーンフィルタ及び前記第２ウィーンフィルタのうち少なくとも一方に起因する、前記一次ビームにおける色収差を補正するよう構成された電子光学システム。
【請求項２８】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記第２ウィーンフィルタが、前記標本に発する二次電子を前記検出器アセンブリに差し向けるよう構成された電子光学システム。
【請求項２９】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記一次電子ビームが、テレセントリック電子ビームを構成する電子光学システム。
【請求項３０】
請求項２９に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタの強度が前記第２ウィーンフィルタの強度と等しい電子光学システム。
【請求項３１】
請求項３０に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタの極性が前記第２ウィーンフィルタの極性に対し反転している電子光学システム。
【請求項３２】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記一次電子ビームが、発散電子ビームを構成する電子光学システム。
【請求項３３】
請求項３２に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタの強度が前記第２ウィーンフィルタの強度より高い電子光学システム。
【請求項３４】
請求項３３に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタの極性が前記第２ウィーンフィルタの極性に対し反転している電子光学システム。
【請求項３５】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記一次電子ビームが、収束電子ビームを構成する電子光学システム。
【請求項３６】
請求項３５に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタの強度が前記第２ウィーンフィルタの強度より低い電子光学システム。
【請求項３７】
請求項３６に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタの極性が前記第２ウィーンフィルタの極性に対し反転している電子光学システム。
【請求項３８】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記一次電子ビームが、クロスオーバ電子ビームを構成する電子光学システム。
【請求項３９】
請求項３８に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタの極性が前記第２ウィーンフィルタの極性と同じである電子光学システム。
【請求項４０】
請求項３９に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタの強度が前記第２ウィーンフィルタの強度と等しい電子光学システム。
【請求項４１】
請求項３９に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタの強度が前記第２ウィーンフィルタの強度より高い電子光学システム。
【請求項４２】
請求項３９に記載の電子光学システムであって、
前記第１ウィーンフィルタの強度が前記第２ウィーンフィルタの強度より低い電子光学システム。
【請求項４３】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記電子ビーム源が、１個又は複数個の電子銃を備える電子光学システム。
【請求項４４】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記検出器アセンブリが、１個又は複数個の二次電子検出器を備える電子光学システム。
【請求項４５】
請求項２４に記載の電子光学システムであって、
前記電子光学システムが走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）システムである電子光学システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、総じて走査型電子顕微観測に関し、とりわけ走査型電子顕微鏡システムにおける収差補正に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス例えば論理デバイス及び記憶デバイスの製造においては、通常、多数の半導体製造プロセスを用い基板例えば半導体ウェハを処理することで、それら半導体デバイスの諸フィーチャ（外形特徴）及び階層群が形成される。半導体デバイスのサイズはますます小さくなってきており、それにつれ、高度な検査及びレビュー装置及び手順を開発することが肝要になってきている。
【０００３】
そうした検査テクノロジの一つが電子ビーム式検査システム、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）である。あるモードでは、一次ビームで標本を横断走査しつつ、その標本の表面から放出される二次電子の収集及び分析を通じ、ＳＥＭシステムにより標本の表面をイメージングすることができる。典型的なＳＥＭシステムは、そのＳＥＭの電子光学カラム内に所在するウィーンフィルタを有し、二次電子を二次電子検出器の方へと偏向させる目的でそれが標本上方に配置されるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６４５２１７５号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１６／０３２９１８９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウィーンフィルタの利用により二次電子を一次ビームから分岐させるのでは、その一次ビームにて色収差が生じかねない。従って、一次ビームにおける色収差に関し補正を施すシステム及び方法を提供し、上述した従来アプローチの短所を解消することが有益であろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）装置が開示される。ある実施形態に係る装置は、一次電子ビームを生成するよう構成された電子ビーム源を有する。また、ある実施形態に係る装置は、標本をしっかり保持するよう構成された標本ステージを有する。また、ある実施形態に係る装置は、一次電子ビームの少なくとも一部分を標本の一部分上へと差し向けるよう構成された一組の電子光学素子を有する。また、ある実施形態では、その一組の電子光学素子に、光軸沿いに配置された電子源レンズ(source lens)、光軸沿いに配置された集束レンズ(condenser lens)、並びに光軸沿いに配置された対物レンズが含まれる。また、ある実施形態では、その一組の電子光学素子に、光軸沿いに配置された第１偏向器アセンブリ、並びに光軸沿いに配置された第２偏向器アセンブリが含まれ、それら第１偏向器アセンブリ及び第２偏向器アセンブリが電子源レンズ・対物レンズ間に配置され、一次ビームにおける色収差を補正するよう第１偏向器アセンブリが構成される。また、ある実施形態に係る装置は、標本の表面に発する電子を検出するよう構成された検出器アセンブリを有する。
【０００７】
ある実施形態では第１偏向器アセンブリ及び第２偏向器アセンブリがウィーンフィルタとされる。
【０００８】
また、ある実施形態では第１偏向器アセンブリ及び第２偏向器アセンブリが集束レンズ・対物レンズ間に配置される。
【０００９】
また、ある実施形態では第１偏向器アセンブリが電子源レンズ・集束レンズ間に配置され、第２偏向器アセンブリが集束レンズ・対物レンズ間に配置される。
【００１０】
ご理解頂けるように、上掲の概略記述及び後掲の詳細記述は共に専ら例示的且つ説明的なものであり、特許請求の範囲記載の発明を必ずしも限定するものではない。添付図面は、明細書に組み込まれ明細書の一部を構成するものであり、本発明の諸実施形態を描出しており、また概略記述と相俟ち本発明の諸原理を説明する働きを有している。
【００１１】
本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）であれば、以下の如き添付図面を参照することで、本件開示の多数の長所をより良好に理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る走査型電子顕微鏡システムを描いた図である。
【図１Ｂ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り複数個の磁気偏向器を用いる電子光学システムにおける一次ビームからの二次電子の分離を描いた図である。
【図１Ｃ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り複数個の磁気偏向器を用いる電子光学システムにおける一次ビームからの二次電子の分離を描いた図である。
【図１Ｄ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り電子エミッタ事例における電子源のエネルギ拡散を描いた図である。
【図１Ｅ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り電子光学カラム内ウィーンフィルタに由来する電子エネルギ分散を描いた図である。
【図１Ｆ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係りウィーンフィルタによるエネルギ分散に起因する走査型電子顕微鏡システム内色収差ブラー（ぼけ／ぶれ）を描いた図である。
【図１Ｇ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係りウィーンフィルタに起因する電子ビーム内色収差のシミュレーションを描いた図である。
【図１Ｈ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係りウィーンフィルタに起因する電子ビーム内色収差のシミュレーションを描いた図である。
【図２Ａ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係りＳＥＭイメージングを実行するよう整えられた電子光学システムを描いた図である。
【図２Ｂ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り発散ビームプロファイル事例における電子光学システムの動作を描いた図である。
【図２Ｃ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係りテレセントリックビームプロファイル事例における電子光学システムの動作を描いた図である。
【図２Ｄ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り収束ビームプロファイル事例における電子光学システムの動作を描いた図である。
【図２Ｅ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係りクロスオーバ（交差）ビームプロファイル事例における電子光学システムの動作を描いた図である。
【図２Ｆ】本件開示の１個又は複数個の代替的実施形態に係りＳＥＭイメージングを実行するよう整えられた電子光学システムを描いた図である。
【図３】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り１個又は複数個のウィーンフィルタに起因する色収差の補正以後の電子分布のシミュレーションを描いた図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面に描かれている被開示主題を詳細に参照する。図１Ａ〜図３を総合的に参照し、本件開示に係る走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージング実行システム及び方法について記述することにする。
【００１４】
本件開示の諸実施形態は、電子光学システムの電子ビームにおける色収差を補正するのに適した双偏向器アセンブリ付電子光学システムを指向している。この構成によれば、その電子光学システムの電子光学カラム内に配置された第１及び第２ウィーンフィルタにより、一次電子ビームにおける色収差（即ち電子エネルギ分散収差）を打ち消す／補正するのと同時に、その一次電子ビームから二次電子ビーム／クラウドを分離させて二次電子検出器による収集に供することができる。
【００１５】
図１Ａは、標本１０４例えば半導体ウェハの走査型電子顕微観測／検査／レビューに用いられる電子光学システム１００の概略模式図である。この種のシステムには電子放出源１０２（例．放出チップ（尖端））及び電子ビーム光学カラムが備わりうる。電子放出源１０２の特徴は、電子源輝度Ｂ及び電子源エネルギ拡散ΔＥにより記述することができる。その電子放出源から放出された電子を以て、電子ビーム光学カラム内レンズにより、標本１０４のところに像を形成することができる。完品の電子ビーム光学カラムには少なくとも２個のレンズ、即ちガンレンズ（ＧＬ）１０６及び対物レンズ（ＯＬ）１１０が備わりうる。本システムには１個又は複数個の集束レンズ（ＣＬ）１０８も備わりうる。アパーチャ１１２を装備させてビーム流を選択し諸用途に供する場合、図１Ａに示す如く１個又は複数個の集束レンズが利用される。この場合、そのアパーチャ１１２をガンレンズ１０６・集束レンズ１０８間に配置することができる。ガンレンズ強度を変化させることで、そのアパーチャを通じ諸ビーム流を選択することができ、また、集束レンズ強度を変化させることで、標本１０４における好適な数値開口を選択することができる。複数個のアパーチャを利用してビーム流を選択し諸用途に供する場合、最適なＮＡを選択できるよう複数通りのアパーチャサイズを前もって設計しておくことができるので、標本のところに高質画像を形成するのに要るのはガンレンズ１０６及び対物レンズ１１０だけとなる。加えて、一次電子ビーム１０３は、ガンレンズ１０６・集束レンズ１０８間ビームプロファイルがクロスオーバ（交差）モード及び非クロスオーバモードのいずれになるようにも構成することができる。
【００１６】
ＳＥＭ、レビュー及び／又は検査目的で標本１０４の像を形成するためには、普通、一次電子ビーム１０３から二次電子ビーム１１７を分岐させることが必要となる。それを行うためＥＸＢウィーンフィルタ（ＷＦ）や磁気偏向器（ＭＤ）が広く適用されている。
【００１７】
図１Ａに示すように、ＷＦを対物レンズ１１０付近に配置することで、カラム全長を縮めて電子間クーロン相互作用の効果を制限することができる。サイド検出器１１８は、そのウィーンフィルタによりβなる角度で偏向された二次電子１１７を集めうるよう、配置すればよい。集まった二次電子の信号によりＳＥＭ、レビュー及び／又は検査向けの像を形成することができる。
【００１８】
図１Ｂ及び図１Ｃは、順に、２個及び３個の磁気偏光器（ＭＤ１、ＭＤ２及びＭＤ３）の使用による一次ビーム１０３からの二次電子１１７の分岐を描いた図である。図１Ｂの事例に示すように、上流光学カラムから下流光学カラムにかけて光軸を偏倚させてもよい。図１Ｃに示すように、電子光学カラムを真っ直ぐに保ってもよい。既知の通り、磁界中ではローレンツ力の方向が電子の運動方向に依存するし、その移動方向が反対であるから、図１Ｂ及び図１Ｃでは、それら磁気偏向器のうち１個により一次電子から二次電子を分岐させることができる。注記すべきことに、角度α１、α２及びα３は、順に磁気偏向器ＭＤ１、ＭＤ２及びＭＤ３に係る偏向角を表している。磁気偏向器を用いた、二次電子ビームからの一次ビームの分岐が、例えばＰａｖｅｌ  Ａｄａｍｅｃ名義の１９９９年４月１５日付特許文献１に記載されているので、この参照を以てその全容を本願に繰り入れることにする。
【００１９】
注記すべきことに、一次ビームからの二次電子ビームの分岐を目的としたウィーンフィルタ（補正抜き）の存在は、そのＳＥＭシステムにて多数の問題を引き起こしかねないものである。
【００２０】
第１に、そのウィーンフィルタにより電子分散が引き起こされうる。電子源１０２（例．熱電界放出源）の特徴は輝度及びエネルギ拡散により記述することができる。電子源エネルギ拡散（ΔＥ）は、図１Ｄに示すように色収差発生の根本原因であり、分解能を劣化させる。色収差はレンズ色収差、ウィーンフィルタ色収差及び偏向色収差（即ちトランスファ色収差）に区分することができる。レンズ色収差及びウィーンフィルタ色収差が軸方向分解能に強い影響を及ぼす一方、トランスファ色収差は視野（ＦＯＶ）交差方向の像均一性を劣化させる。
【００２１】
電子エネルギ分散は、主として、ウィーンフィルタにおける電界及び磁界の不同偏向により生じる。ウィーンフィルタは、図１Ｄに示すように中心エネルギ（即ちビームエネルギ（ＢＥ））電子でしか平衡しない。ＶＢＥ−ΔＥ／２からＶＢＥ＋ΔＥ／２に至るエネルギばらつきを有する電子に関しては、ウィーンフィルタが、図１Ｅに示すようにエネルギ分散角γを発生させる。この分散角は
【数１】
2019537228.tif 000003
により与えられる；但しＥはウィーンフィルタ電界強度であり、中心ビームエネルギＶＢＥを有する電子に関しては磁束強度Ｂと平衡する。その磁束密度Ｂは
【数２】
2019537228.tif 000004
により与えられる；但し、ｍは電子質量、ｅは電子電荷である。ウィーンフィルタエネルギ分散角γは専ら平衡化方向、即ち図１Ｄに示した電界Ｅの方向にて発生する。それに対し垂直な方向、即ち磁束Ｂの方向では、ウィーンフィルタエネルギ分散角は０である。
【００２２】
第２に、そのウィーンフィルタにより電子光学システムの一次ビームにて色収差が引き起こされうる。ウィーンフィルタにおけるエネルギ分散角γは、図１Ｆに描かれているように、標本における色収差ブラー（ｄＷＣ）と同等視することができる。図１Ｆに示すように、想定上、対物レンズ１１０の結像関係は物距離Ｐ及び像距離Ｑにより与えられる。ウィーンフィルタは、対物レンズ１１０からＰ’なる距離だけ離して配置すればよい。その距離Ｐ’が距離Ｐと異なっているので、エネルギ分散された電子は対物レンズによりデフォーカス（離焦）される。そのデフォーカスブラー（図１Ｆ中のｄＷＣ）こそが、ウィーンフィルタエネルギ分散により誘起された色ブラーである。
【００２３】
このウィーンフィルタ誘起性色収差ブラーは
【数３】
2019537228.tif 000005
と表すことができる；但しＶＬＥは標本における電子着床エネルギ電圧であり、Ｃｃは色収差係数であり
【数４】
2019537228.tif 000006
により与えられる。
【００２４】
注記すべきことに、Ｅｑ．４によれば、Ｐ→Ｐ’のときにＣｃ→０、Ｐ→∞のときにＣｃ→Ｑとなる。一次電子ビームがウィーンフィルタにより平衡化される一方、二次電子ビームはβなる角度で偏向されサイド検出器１１８へと向かう。それに応じそのウィーンフィルタ強度（ＥＸＢ）が適切に設定される。標本におけるウィーンフィルタ色ブラーは
【数５】
2019537228.tif 000007
とも表すことができる；但しＥｅｆｆは実効ビームエネルギであり
【数６】
2019537228.tif 000008
により与えられる。
【００２５】
Ｅｑ．５及びＥｑ．６は、ウィーンフィルタ誘起性色収差が電子源エネルギ拡散（ΔＥ）、ウィーンフィルタ位置（Ｐ’）、ビームエネルギ（ＶＢＥ）、着床エネルギ（ＶＬＥ）及び検出器位置角（β）の関数であることを示している。
【００２６】
図１Ｇ及び図１Ｈは、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係りウィーンフィルタに起因する電子ビーム内色収差を示すシミュレーションを描いた図である。注記すべきことに、図１Ｇ及び図１Ｈに示したシミュレーションは、電子光学システム例えば図１Ａに示したそれにおけるウィーンフィルタ誘起性色収差のモンテカルロシミュレーションを構成している。図１Ｇに描かれているのは、図１Ａ中のウィーンフィルタ（ＷＦ）がオフしているときの、標本１０４における一次電子ビーム１０３のＸ方向及びＹ方向沿い像形成電子分布である。図１Ｈに描かれているのは、ウィーンフィルタがオンしていて、二次電子ビーム１１７を検出器１１８へとβなる角度で以て偏向させるのに十分な強度を有しているときの、標本１０４におけるＸ方向及びＹ方向沿い電子分布である。図１Ｈのシミュレーションでは、Ｘ方向沿いでウィーンフィルタ平衡が達成されると目論まれていた。シミュレーション結果から示される通り、厳しい電子分散がＸ方向沿いで観測されている。Ｙ方向、即ちウィーンフィルタ１１３由来の場が現れない方向においては、電子は分散されないままとなる。
【００２７】
更に注記すべきことに、複数個の磁気偏向器の使用は、一次電子ビームにて過大な偏向を引き起こしかねない。図１Ｂ及び図１Ｃ中の磁気偏向器に由来する偏向角は
【数７】
2019537228.tif 000009
と表すことができる。
【００２８】
式中、Ｂは磁気偏向器の磁束密度、ＶＢＥはビームエネルギ電圧である。磁気偏向器のエネルギ分散角は、従って、
【数８】
2019537228.tif 000010
により与えられる。
【００２９】
図１Ｂ及び図１Ｃ中の複数磁気偏向器システムの総エネルギ分散角（Δαｔｏｔ）を０にするには磁気偏向器の総偏向を０とすべきであり、これは
【数９】
2019537228.tif 000011
と表される；但しｎは図１Ｂ及び図１Ｃのシステムにおける磁気偏向器の個数である（例．図１Ｂではｎ＝２、図１Ｃではｎ＝３）。
【００３０】
磁気偏向器の使用は幾つかの短所に苦しめられている。例えば、磁気偏向器の使用に伴い、その電子光学システムの一次電子ビームの過偏向が必要になることがある。一例としては、多々ある現実的設計の制限下でサイド検出器１１８を配置しうるようにするには、二次電子１１７を大角度βで偏向させねばならず、ひいては一次電子ビームを過大角度α（例．図１Ｂ中のα２、図１Ｃ中のα３）で偏向させることが必要となる。偏向角αｎ（例．最終偏向角）を大きくすることが必要なら残りのαｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ−１）も大きくしなければならない。過大偏向角は大きな軸外収差（例．コマ収差、非点収差及び像面湾曲）及び歪みを引き起こすので、それら軸外れ効果に関する余計な補正が必要になる。
【００３１】
磁気偏向器の使用に伴い、高強度磁気偏向器が必要になることがある。ウィーンフィルタシステムでは、図１Ａ中の二次電子偏向角βが静電偏向と磁気偏向の総和になる。そのため、両偏向器強度を、図１Ｂ及び図１Ｃ中の磁気偏向単独強度と比べ、かなり低くすることができる。磁気偏向器における高強度は厳しい熱的問題及び不安定問題を引き起こしかねない。
【００３２】
更に注記すべきことに、上流光学カラムから下流光学カラムに至る物理的偏倚が存している場合（例．図１Ｂ）、二次電子ビーム１１７の過大偏向が必要になるだけでなく、光学的整列問題も不可避となる。
【００３３】
図２Ａは、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係りＳＥＭイメージング、レビュー及び／又は検査を実行するよう整えられたシステム２００を描いた図である。電子光学システムが２０１６年５月６日付特許文献２に記載されているので、この参照を以てその全容を本願に繰り入れることにする。
【００３４】
ある実施形態に係るシステム２００は、１本又は複数本の電子ビーム２０３を生成する電子ビーム源２０２を有する。電子ビーム源２０２には、本件技術分野で既知なあらゆる電子源が含まれうる。例えば、電子ビーム源２０２が、これに限られるものではないが１個又は複数個の電子銃（例．エミッタ／放出チップ）を有するのでもよい。一例としては、電子ビーム源２０２が単一の電子銃を有しそれにより１本の電子ビーム２０３が生成されるのでもよい。別例としては、電子ビーム源２０２が複数個の電子銃を有しそれにより複数本の電子ビーム２０３が生成されるのでもよい。別例としては、電子ビーム源２０２が単一の電子銃及びアパーチャプレートを有し、そのアパーチャプレートが有している複数個のアパーチャにより１本の電子ビームを複数本の電子ビーム２０３に分岐させるのでもよい。複数ビーム電子光学システムが２０１６年９月１６日付米国特許出願第１５／２６７２２３号に記載されているので、この参照を以てその全容を本願に繰り入れることにする。
【００３５】
また、ある実施形態に係るシステム２００は標本ステージ２１６を有する。標本ステージ２１６は標本２１４をしっかり保持する。標本２１４には、電子ビーム顕微鏡による検査／レビューに適したあらゆる標本、例えばこれに限られるものではないが基板が含まれうる。その基板には、これに限られるものではないがシリコンウェハが含まれうる。また、ある実施形態では標本ステージ２１６が可調ステージとされる。例えば、標本ステージ２１６が、これに限られるものではないが、一通り又は複数通りの直線方向（例．ｘ方向、ｙ方向及び／又はｚ方向）に沿い標本２１４を随時並進させるのに適した１個又は複数個の並進ステージを有するのでもよい。また例えば、標本ステージ２１６が、これに限られるものではないが、回動方向に沿い標本２１４を随時回動させるのに適した１個又は複数個の回動ステージを有するのでもよい。また例えば、標本ステージ２１６が、これに限られるものではないが、回動方向に沿い標本２１４を随時回動させ及び／又は直線方向に沿い標本を随時並進させるのに適した回動ステージ及び並進ステージを、有するのでもよい。ここで注記すべきことに、本システム２００は、本件技術分野で既知ないずれの走査モードで動作させてもよい。例えば、一次電子ビーム２０３で標本２１４の表面を横断走査する際、本システム２００をスワシングモードで動作させてもよい。この場合、その走査方向が標本運動の方向に対し名目上垂直となるようその標本を動かしながら、本システム２００により一次電子ビーム２０３で以て標本２１４を横断走査すればよい。また例えば、一次電子ビーム２０３で標本２１４の表面を横断走査する際、本システム２００をステップアンドスキャンモードで動作させてもよい。この場合、その標本を名目上静止しているときにビーム２０３により走査されるよう、本システム２００により一次電子ビーム２０３で以て標本２１４を横断走査すればよい。
【００３６】
また、ある実施形態に係るシステム２００は検出器アセンブリ２１８を有する。例えば、検出器アセンブリ２１８を二次電子検出器とすることができる。注記すべきことに、検出器アセンブリ２１８には本件技術分野で既知なあらゆる種類の電子検出器を具備させうる。ある実施形態によれば、検出器アセンブリ２１８にシンチレータ式検出器、例えばこれに限られるものではないがエバハートソーンレイ検出器を具備させ、それにより標本２１４から二次電子を収集することができる。別の実施形態によれば、検出器アセンブリ２１８にマルチチャネルプレート（ＭＣＰ）を具備させ、それにより標本２１４から二次電子を収集することができる。別の実施形態によれば、検出器アセンブリ２１８にＰＩＮ又はｐｎ接合型検出器、例えばダイオード又はダイオードアレイを具備させ、それにより標本２１４から二次電子を収集することができる。別の実施形態によれば、検出器アセンブリ２１８に１個又は複数個のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を具備させ、それにより標本２１４から二次電子を収集することができる。
【００３７】
また、ある実施形態に係るシステム２００は一組の電子光学素子２０５を有する。当該一組の電子光学素子２０５により、図２Ａに示す如く光軸２０７（例．ｚ軸）により規定された電子光学カラムを形成することができる。単純化目的で、図２Ａには単一の電子光学カラムが描かれている。ここで注記すべきことに、この構成を以て本件開示の技術的範囲に対する限定として解すべきではない。例えば、本システム２００が複数個の電子光学カラムを有していてもよい。
【００３８】
前記一組の電子光学素子２０５により、一次電子ビーム２０３の少なくとも一部分を、標本２１４の指定部分上へと差し向けることができる。前記一組の電子光学素子には、一次電子ビーム２０３を標本２１４の指定部分上へと集束させ及び／又は差し向けるのに適し本件技術分野で既知な、あらゆる電子光学素子を含めうる。
【００３９】
前記一組の電子光学素子２０５には１個又は複数個の電子光学レンズを含めることができる。ある実施形態では、前記一組の電子光学素子２０５に、光軸２０７沿いに配置された電子源レンズ２０６又はガンレンズ（ＧＬ）を含める。また、ある実施形態では、前記一組の電子光学素子２０５に、光軸２０７沿いに配置された集束レンズ（ＣＬ）２０８を含める。また、ある実施形態では、前記一組の電子光学素子２０５に、光軸２０７沿いに配置された対物レンズ（ＯＬ）２１０を含める。
【００４０】
また、ある実施形態に係るシステム２００はアパーチャ２１２を有する。このアパーチャを用い、本システム２００のビーム流を選択して諸用途に供することができる。本実施形態では、そのアパーチャ２１２をガンレンズ２０６・集束レンズ２０８間に配置することができる。ガンレンズ２０６の強度を変化させることで、アパーチャ２１２を通じ諸ビーム流を選択することができ、また集束レンズ２０８の強度を変化させることで、標本における好適な数値開口（ＮＡ）を選択すること、ひいては適切な質及び分解能を有する像を形成することができる。複数個のアパーチャを用い本システム２００のビーム流を選択する場合、最適なＮＡを選択できるよう複数通りのアパーチャサイズを前もって設計しておくことができるので、標本２１４のところに像を形成するのに要るのがガンレンズ２０６及び対物レンズ２１０だけとなる。
【００４１】
本システム２００は、第１偏向器アセンブリ２１３及び第２偏向器アセンブリ２１５を有するものとすることができる。例えば、第１偏向器アセンブリ２１３及び第２偏向器アセンブリ２１５をそれぞれウィーンフィルタとすることができる。本件開示の目的を踏まえ、第１偏向器アセンブリ２１３のことを第１ウィーンフィルタ２１３（ＷＦ１）、第２偏向器アセンブリ２１５のことを第２ウィーンフィルタ２１５（ＷＦ２）と呼ぶことにする。
【００４２】
ある実施形態では、第１ウィーンフィルタ２１３が、一次ビーム２０３における色収差を補正するよう構成される。例えば、第１ウィーンフィルタ２１３及び／又は第２ウィーンフィルタ２１５に起因する一次ビーム２０３内色収差を、第１ウィーンフィルタ２１３により補正することができる。この補正に関する条件については後に更に詳細に論ずる。
【００４３】
また、ある実施形態では、第２ウィーンフィルタ２１５が、（一次ビーム２０３に応じ）標本２１４により放出された二次電子（ＳＥ）を検出器アセンブリ２１８へと差し向けるよう、構成される。この場合、本システム２００により一次電子ビーム２０３における色収差を補正するのと同時に、一次電子のビーム２０３から二次電子２１７を分岐させて検出器アセンブリ２１８による収集に供することができる。
【００４４】
注記すべきことに、第１ウィーンフィルタ２１３及び第２ウィーンフィルタ２１５は光軸２０７沿いのどの位置に配置してもよく、またそれらによりシステム２００のウィーンフィルタ色収差の全打ち消しを達成することができる。例えば、第１ウィーンフィルタ２１３及び第２ウィーンフィルタ２１５双方を、ガンレンズ２０６・対物レンズ２１０間に配置することができる。
【００４５】
図２Ａに描かれているように、ある実施形態では、第１ウィーンフィルタ２１３及び第２ウィーンフィルタ２１５双方が、集束レンズ２０８・対物レンズ２１０間に配置される。本実施形態では、第２ウィーンフィルタ２１５が対物レンズ２１０のすぐそばに配置されているので、二次電子２１７を偏向器アセンブリ２１８の方へと偏向させ収集に供することができる。第１ウィーンフィルタ２１３が集束レンズ２０８より下方に配置されているので、それを用い、第１ウィーンフィルタ２１３及び第２ウィーンフィルタ２１５に起因する一次ビーム２０３内合計色収差を補正することができる。
【００４６】
図２Ａに示すように、一次ビーム２０３は、クロスオーバビームプロファイル（破線）又は非クロスオーバビームプロファイル（実線）を採りうる。この場合、一次ビーム２０３はテレセントリックにも非テレセントリックにもされうる（例．発散又は収束）。
【００４７】
図２Ｂ〜図２Ｅは、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る諸ビーム構成におけるシステム２００の動作を描いた図である。
【００４８】
注記すべきことに、第２ウィーンフィルタ２１５は、想定上、二次電子２１７を角度βにて検出器アセンブリ２１８へと偏向させる（但し図２Ｂ〜図２Ｅには示されていない）。第１ウィーンフィルタ２１３には、第１ウィーンフィルタ２１３及び／又は第２ウィーンフィルタ２１５に由来し標本２１４に現れる合計ウィーンフィルタ誘起性色収差を補正する働きがある。それら色収差を打ち消す条件は
【数１０】
2019537228.tif 000012
又は
【数１１】
2019537228.tif 000013
により与えられる；但し
【数１２】
2019537228.tif 000014
である。
【００４９】
Ｅｑ．１０ａ及びＥｑ．１０ｂ中の色収差打ち消し条件は、図２Ｂ〜図２Ｅに描かれているように、第１ウィーンフィルタ２１３にて分散角γ１で以て予め分散されている電子ビーム２０３を動かし第２ウィーンフィルタ２１５における分散角γ２を補償することで、その電子ビームを、対物レンズ２１０の被写体から放出されるはずのそれと等価なものにする、というものである。
【００５０】
注記すべきことに、第１ウィーンフィルタ２１３の強度（Ｅ１／Ｂ１）及び第２ウィーンフィルタ２１５の強度（Ｅ２／Ｂ２）は、Ｅｑ．１及びＥｑ．２により分散角γ１及びγ２で以て与えることができる（本願中で既述）。Ｅ２／Ｂ２を、まずは二次電子偏向角βを満足させることで与えればよく、その上で第２分散角（γ２）及び第１分散角（γ１）を定めればよい。
【００５１】
注記すべきことに、Ｅｑ．１０ａ及びＥｑ．１０ｂにて言及している打ち消し手順は普遍的なものであり、図２Ａに示すように、集束レンズ２０８・対物レンズ２１０間にて、ｉ）クロスオーバプロファイルを呈する電子ビームにも、或いはｉｉ）非クロスオーバプロファイルを呈する電子ビーム例えば発散、テレセントリック又は収束ビームにも、敷衍することができる。
【００５２】
図２Ｂは、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り発散ビームプロファイル事例におけるシステム２００の動作を描いた図である。本実施形態では発散ビーム２０３が対物レンズ２１０に照射されている。ここではＰ＞Ｐ’１＞Ｐ’２とされているため、Ｅｑ．１０ａ、Ｅｑ．１０ｂ、Ｅｑ．１１及びＥｑ．１２に従いＣｃ２＞Ｃｃ１＞０となっている。この場合、第１ウィーンフィルタ２１３の強度を第２ウィーンフィルタ２１５の強度より高くし且つ第１ウィーンフィルタ２１３の極性を第２ウィーンフィルタ２１５の極性に対し反転させるべきであり、そうすることで、第１ウィーンフィルタ２１３及び／又は第２ウィーンフィルタ２１５により生成される色ブラーを完全に補正することができる。
【００５３】
図２Ｃは、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係りテレセントリックビームプロファイル事例におけるシステム２００の動作を描いた図である。本実施形態ではテレセントリックビーム２０３が対物レンズ２１０に照射されている。ここではＰ→無限大とされているため、Ｅｑ．１０ａ、Ｅｑ．１０ｂ、Ｅｑ．１１及びＥｑ．１２に従いＣｃ２＝Ｃｃ１＝Ｑ＞０となっている。この場合、第１ウィーンフィルタ２１３の強度を第２ウィーンフィルタ２１５の強度と等しくすると共に、第１ウィーンフィルタ２１３の極性を第２ウィーンフィルタ２１５の極性に対し反転させればよく、そうすることで、第１ウィーンフィルタ２１３及び／又は第２ウィーンフィルタ２１５により生成される色ブラーを完全に補正することができる。
【００５４】
図２Ｄは、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り収束ビームプロファイル事例におけるシステム２００の動作を描いた図である。本実施形態では収束ビーム２０３が対物レンズ２１０に照射されている。ここではＰ’１＞Ｐ’２及びＰ＜０とされているため、Ｅｑ．１０ａ、Ｅｑ．１０ｂ、Ｅｑ．１１及びＥｑ．１２に従いＣｃ１＞Ｃｃ２＞０となっている。この場合、第１ウィーンフィルタ２１３の強度を第２ウィーンフィルタ２１５の強度より低くし且つ第１ウィーンフィルタ２１３の極性を第２ウィーンフィルタ２１５の極性に対し反転させるべきであり、そうすることで、第１ウィーンフィルタ２１３及び／又は第２ウィーンフィルタ２１５により生成される色ブラーを完全に補正することができる。
【００５５】
図２Ｅは、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係りクロスオーバビームプロファイル事例におけるシステム２００の動作を描いた図である。本実施形態ではクロスオーバビーム２０３が対物レンズ２１０に照射されている。ここではＰ’１＞Ｐ＞Ｐ’２とされているため、Ｅｑ．１０ａ、Ｅｑ．１０ｂ、Ｅｑ．１１及びＥｑ．１２に従いＣｃ１＜０及びＣｃ２＞０となっている。この場合、第１ウィーンフィルタ２１３の強度を（ウィーンフィルタ２１３，２１５の位置を基準としたビーム２０３のクロスオーバ位置に基づき）第２ウィーンフィルタ２１５の強度より高く又は低くすることができ、それにより、第１ウィーンフィルタ２１３及び／又は第２ウィーンフィルタ２１５により生成される色ブラーを完全に補正することができる。ある実施形態によれば、Ｅｑ．１０ｂ（並びにＣｃ１＜０及びＣｃ２＞０なる事実）に従い、第２ウィーンフィルタ２１５の極性と同じになるよう第１ウィーンフィルタ２１３の極性を設定することができる。
【００５６】
注記すべきことに、本件開示の大半にて、第１ウィーンフィルタ２１３及び第２ウィーンフィルタ２１５双方が集束レンズ２０８・対物レンズ２１０間に配置された実現形態のシステム２００に注意が向けられているが、そうした構成が本件開示の技術的範囲に対する制約事項になるわけではない。寧ろ、ここで注記すべきことに、本電子光学システム２００における画像形成手段に従い適切な係数Ｃｃ１（上掲の式によるそれ）が適用されるのであれば、第１ウィーンフィルタ２１３は、一般に、光軸２０７沿いのどの位置に配置されるのでもよい。図２Ｆは、本件開示の１個又は複数個の代替的実施形態に係りＳＥＭイメージングを実行するよう整えられたシステム２００を描いた図である。本実施形態では第１ウィーンフィルタ２１３がガンレンズ２０６・集束レンズ２０８間に配置されている。
【００５７】
図３は、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り１個又は複数個のウィーンフィルタに起因する色収差の補正以後の、電子分布のシミュレーションのグラフ３００を描いた図である。注記すべきことに、グラフ３００の電子分布は、図２Ｂに描かれている電子光学的構成に該当する電子光学的構成に基づきシミュレートされたものである。併せてＥｑ．１０ａ及びＥｑ．１０ｂの電子光学的打ち消し条件も確立された。グラフ３００に示すように、打ち消し条件の確立がウィーンフィルタ色収差の完全補正をもたらしている。そのことは、図３のグラフ３００を、グラフ３００と同じスケールでプロットされている図１Ｇ及び図１Ｈのグラフ１４０及び１４５と比べることで、際立ってくる。注記すべきことに、この色補正後電子分布（図３のグラフ３００に示されているそれ）によりもたらされるスポットサイズは、図１Ｇのグラフ１４０中のそれ、即ちウィーンフィルタに起因する色収差がない場合の電子分布に対応するそれに似通っている。この意味で、図１Ｈのグラフ１４５中に現れていたｘ軸（ウィーンフィルタ平衡化方向）沿い電子分散は、第１ウィーンフィルタ２１３を介した打ち消し条件の実装によって、図３にて完全に除去されている。
【００５８】
本願記載の諸方法のいずれにおいても、それら方法実施形態を構成する１個又は複数個のステップの結果が、格納媒体内に格納されうる。それら結果が本願記載のいずれの結果を含んでいてもよいし、本件技術分野で既知ないずれの要領で格納されるのでもよい。その格納媒体には本願記載のあらゆる格納媒体が、また本件技術分野で既知で好適な他のあらゆる格納媒体が包含されうる。結果格納後は、その格納媒体内の結果にアクセスすること、並びにそれを本願記載の方法又はシステム実施形態のうち任意のもので用いること、ユーザへの表示向けにフォーマットすること、他のソフトウェアモジュール、方法又はシステムで用いること等々ができる。更に、それら結果の格納は、「恒久的」なもの、「半恒久的」なもの、一時的なもの、或いは一定期間に亘るもののいずれでもよい。例えば、その格納媒体がランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）であってもよいし、結果がその格納媒体内に必ずしも永久には存在しないのでもかまわない。
【００５９】
いわゆる当業者にはご認識頂けるように、現在の技術水準は、諸態様のシステムのハードウェア的実現形態とソフトウェア的実現形態との間にほとんど違いが残っていない点まで進歩しているし、ハードウェアを用いるのかそれともソフトウェアを用いるのかは、一般に（但しある種の状況下ではハードウェア・ソフトウェア間選択が重大になりうるので常にではない）コスト対効率のトレードオフを反映する設計的選択事項となっている。いわゆる当業者にはご承知頂けるように、本願記載のプロセス及び／又はシステム及び／又はその他のテクノロジを実行・実現可能な手段は種々あるし（例．ハードウェア、ソフトウェア及び／又はファームウェア）、どの手段が相応しいかは当該プロセス及び／又はシステム及び／又はその他のテクノロジが利用される状況によって変わるであろう。例えば、速度及び正確性が肝要であると実施者が判断している場合、その実施者は主としてハードウェア的及び／又はファームウェア的な手段を選択するであろうし、そうではなく柔軟性が肝要である場合は、実施者は主としてソフトウェア的な実現形態を選択するであろうし、そのいずれでもない場合は、実施者はハードウェア、ソフトウェア及び／又はファームウェアの何らかの組合せを選択するであろう。このように、本願記載のプロセス及び／又は装置及び／又はその他のテクノロジを実行・実現可能な潜在的手段が幾通りかあるなか、いずれかのものが他のものに比べ本質的に優れているわけではなく、どの手段を利用すべきかは、その手段が重用される状況や実施者の具体的懸念（例．速度、柔軟性又は予測可能性）といった、変転しうる事項によって左右される選択的事項である。いわゆる当業者にはご認識頂けるように、諸実現形態の光学的諸態様では、通常、光学指向のハードウェア、ソフトウェア及び／又はファームウェアが採用されよう。
【００６０】
いわゆる当業者にはご認識頂けるように、本願中で説明した形式で装置及び／又はプロセスを記述した上で、技術的手法を用いデータ処理システム内にそれら記述された装置及び／又はプロセスを統合することが、本件技術分野では常識である。即ち、本願記載の装置及び／又はプロセスの少なくとも一部分を、相応量の実験を通じデータ処理システム内に統合することができる。いわゆる当業者にはご認識頂けるように、通常のデータ処理システムは、一般に、システムユニットハウジング、動画表示装置、メモリ例えば揮発性メモリ及び不揮発性メモリ、プロセッサ例えばマイクロプロセッサ及びディジタル信号プロセッサ、情報処理エンティティ例えばオペレーティングシステム、ドライバ、グラフィカルユーザインタフェース及びアプリケーションプログラム、１個又は複数個のインタラクティブデバイス例えばタッチパッド又はスクリーン、及び／又は、フィードバックループ及び制御モータ（例．位置及び／又は速度感知用のフィードバックや諸構成要素及び／又は諸量を動かし及び／又は調節するための制御用モータ）を有する制御システムのうち、１個又は複数個を有している。通常のデータ処理システムは、データ処理／通信及び／又はネットワーク情報処理／通信システムによく見られるそれをはじめ、あらゆる適切な市販部材を利用し実現することができる。
【００６１】
思うに、本件開示及びそれに付随する多くの長所については上掲の記述により理解頂けるであろうし、被開示主題から離隔することなく或いはその主要な長所全てを損なうことなく諸部材の形態、構成及び配置に様々な改変を施せることも明らかであろう。上述の形態は単なる説明用のものであり、後掲の特許請求の範囲の意図はそうした改変を包括、包含することにある。
【図１Ａ】
2019537228.tif 000015
【図１Ｂ】
2019537228.tif 000016
【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
2019537228.tif 000022
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2019537228.tif 000024
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
2019537228.tif 000026
【図２Ｅ】
2019537228.tif 000027
【図２Ｆ】
2019537228.tif 000028
【図３】
2019537228.tif 000029
【国際調査報告】
2019537228.tif 000030
2019537228.tif 000031