(57)【要約】  レチクルブランクを処理するための手法が、本明細書に提示される。１つの手法において、レチクル処理システムは、フレームに連結されたプレートを有する支持アセンブリと、支持アセンブリに連結されたキャリアアセンブリとを含む。１つの手法において、キャリアアセンブリは、プレートに連結されたキャリアベースと、キャリアベースの上に配置されたレチクルと、レチクルの上に配置されたキャリアシールドとを含み、キャリアシールドは、その内部に形成された中央開口部を含み、レチクルの載置及び抽出を可能にしうる。１つの手法において、キャリアアセンブリが支持アセンブリの上に載置されると、複数のピンが、プレートからキャリアベースの対応する開口部を通って延び、キャリアベース、レチクル、及びキャリアシールドが各々独立して支持され、互いから垂直に分離するように、複数のピンがキャリアアセンブリを支持する。【選択図】図２
2019519910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクル処理システムであって、
フレームに連結されたプレートを含む支持アセンブリと、
前記支持アセンブリに連結されたキャリアアセンブリであって、
前記プレートに連結されたキャリアベース、
前記キャリアベースの上に配置されたレチクル、及び
前記レチクルの上に配置され、前記レチクルへのアクセスを可能にする中央開口部を含むキャリアシールド
を含むキャリアアセンブリと
を含むシステム。
【請求項２】
前記プレートの上面から前記キャリアベースの第１の組の開口部を通って延びる第１の組のピンであって、前記レチクルの上で前記キャリアシールドを支持するために、前記キャリアシールドの底面と接触する第１の組のピンを更に含む、請求項１に記載のレチクル処理システム。
【請求項３】
前記プレートの前記上面から前記キャリアベースの第２の組の開口部を通って延びる第２の組のピンであって、前記キャリアベースの上で前記レチクルを支持するために前記レチクルと接触する第２の組のピンを更に含む、請求項２に記載のレチクル処理システム。
【請求項４】
前記プレートの前記上面から延びる第３の組のピンであって、前記プレートの上で前記キャリアベースを支持する第３の組のピンを更に含む、請求項２に記載のレチクル処理システム。
【請求項５】
前記第３の組のピンの各々が、前記キャリアベースの底面と接触する上座面を含む、請求項４に記載のレチクル処理システム。
【請求項６】
前記第３の組のピンの前記上座面が凸状であり、かつ前記プレートの中心部分に向かって下に傾斜する、請求項５に記載のレチクル処理システム。
【請求項７】
前記キャリアベースが第１の間隙によって前記プレートから垂直に分離し、前記レチクルが第２の間隙によって前記キャリアベースから垂直に分離し、前記キャリアシールドが第３の間隙によって前記レチクルから垂直に分離する、請求項１に記載のレチクル処理システム。
【請求項８】
前記キャリアアセンブリを前記支持アセンブリに位置合わせするためのセンサシステムを更に含む、請求項１に記載のレチクル処理システム。
【請求項９】
レチクルブランクを処理する方法であって、
キャリアベース、キャリアシールド、及びレチクルブランクを含むキャリアアセンブリを提供することと、
フレームに連結されたプレートを含む支持アセンブリの上に前記キャリアベース及び前記キャリアシールドを載置することと、
前記キャリアシールドの開口部内に前記レチクルブランクを堆積させることと、
前記支持アセンブリから前記キャリアアセンブリを除去することと
を含む方法。
【請求項１０】
前記プレートの上面から延びる複数のピンの上に前記キャリアアセンブリを堆積させることを更に含み、前記キャリアベースが第１の間隙によって前記プレートから垂直に分離し、前記レチクルブランクが第２の間隙によって前記キャリアベースから垂直に分離し、前記キャリアシールドが第３の間隙によって前記レチクルブランクから垂直に分離するように、前記複数のピンが前記キャリアアセンブリを支持する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ロボットを前記第１の間隙内に位置付けることと、
前記キャリアベース、前記キャリアシールド、及び前記レチクルブランクを互いに係合させるために、前記ロボットを使用して、前記キャリアアセンブリを前記支持アセンブリから持ち上げることと
を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
センサシステムを使用して、前記キャリアアセンブリの位置を特定することと、
前記キャリアアセンブリの特定された前記位置に従って、前記支持アセンブリの上に前記キャリアアセンブリを堆積させることと
を更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記プレートの上面から前記キャリアベースの第１の組の開口部を通って延び、前記レチクルの上で前記キャリアシールドを支持する、第１の組のピンの上に前記キャリアシールドを載置することと、
前記プレートの前記上面から前記キャリアベースの第２の組の開口部を通って延び、前記キャリアベースの上で前記レチクルを支持する、第２の組のピンの上に前記キャリアベースを載置することと、
前記プレートの前記上面から延び、前記プレートの上で前記キャリアベースを支持する、第３の組のピンの上に前記キャリアベースを載置することと
を更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
凸状であり、かつ前記プレートの中心部分に向かって下に傾斜する、前記第３の組のピンの上座面の上に前記キャリアベースを載置することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、概して、リソグラフィレチクルブランク処理に関し、より詳細には、支持アセンブリを使用してリソグラフィレチクルブランクを処理するためのカスタマイズされた支持アセンブリ及び関連する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
軟Ｘ線投影リソグラフィとしても知られている極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶ）は、０．１３ミクロン以下の最小の特徴サイズの半導体デバイス製造のための遠紫外線リソグラフィに取って代わり始めている。ＥＵＶシステムは、光の透過の代わりに反射によって動作する。非反射性吸収体マスクパターンでコーティングされた一連のミラー、又はレンズ要素、及び反射要素又はマスクブランクの使用により、パターン化された化学光がレジストコーティングされた半導体ウエハ上に反射される。
【０００３】
従来のＥＵＶブランクプロセスは、例えば、１５２ｍｍ×１５２ｍｍのブランクレチクルをコーティングツールに入れて様々なコーティングを塗布することを含みうる。構成される際に、正方形のレチクルは、レチクルを３００ｍｍのウエハのようなコーティングツールを介して転写可能にするために、キャリアアセンブリ（例えば、３００ｍｍのキャリアアセンブリ）内に挟まれる。キャリアアセンブリは、キャリアベース、レチクルブランク、及びキャリアシールドを含みうる。
【０００４】
処理中、レチクルブランクがコーティングツールに搬入されるたびに、キャリアアセンブリの要素がまとめられ、分離される。このプロセスは、その間にレチクルを配置することができるように、キャリアベースとキャリアシールドとを分離するための複数のリフト及びクランプを含む。リフトは、キャリアアセンブリを開閉するために伸縮することができる。しかし、この手法は、複数のリフティング構成要素及びクランプ構成要素がレチクルの近くに提供されるため、粒子が生成される可能性が高くなり、望ましくない。更に、現在の技法では、クリーンなＦＩ−ロボット小型環境とは対照的に、不所望にもレチクルがエンクロージャ内に配置され、ＦＩの前面で利用可能なわずかなロードポート位置のうちの１つが使用され、ＦＩは複数のモジュールからキャリアアセンブリをピックアップする必要があるので、キャリアアセンブリの精度配置が低減され、よって配置誤差の可能性が高まる。
【発明の概要】
【０００５】
上記に鑑み、本開示の利点は、フレームに連結されたプレートを含むカスタマイズされた支持アセンブリであって、プレートが、処理中にキャリアアセンブリの構成要素を個々に支持し垂直に分離するように、プレートからキャリアアセンブリのキャリアベース内の対応する開口を通って延びる、支持アセンブリを提供することである。更に、本開示の利点は、有害な粒子の生成を最小化するためのキャリアアセンブリの組み立て及び分解のシステム及び方法を提供することである。
【０００６】
本開示による例示的レチクル処理システムは、フレームに連結されたプレートを有する支持アセンブリと、支持アセンブリに連結されたキャリアアセンブリとを含みうる。キャリアアセンブリは、プレートに連結されたキャリアベースと、キャリアベースの上に配置されたレチクルと、レチクルの上に配置されたキャリアシールドであって、レチクルにアクセスするための中央開口部を含むキャリアシールドとを含みうる。
【０００７】
本開示による例示的レチクルキャリアは、プレートに連結されたキャリアベース、キャリアベースの上に配置されたレチクル、及びレクチルの上に配置されたキャリアシールドであって、レチクルへのアクセスを可能にする中央開口部を含むキャリアシールドを含むキャリアアセンブリを含みうる。レチクルキャリアは、フレームに連結されたプレートを含む支持アセンブリと、プレートの上面からキャリアベースの対応する開口部を通って延びる複数のピンであって、キャリアベースが第１の間隙によってプレートから垂直に分離し、レチクルが第２の間隙によってキャリアベースから垂直に分離し、キャリアシールドが第３の間隙によってレチクルから垂直に分離するように、キャリアアセンブリを支持する複数のピンとを更に含みうる。
【０００８】
本開示によるレチクルブランクを処理する例示的方法は、キャリアベース、キャリアシールド、及びレチクルブランクを含むキャリアアセンブリを提供することを含みうる。方法は、フレームに連結されたプレートを含む支持アセンブリの上にキャリアベース及びキャリアシールドを堆積させることを更に含みうる。方法は、キャリアシールドの開口部内にレチクルブランクを堆積させることと、支持アセンブリからキャリアアセンブリを除去することとを更に含みうる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示のある態様による例示的コーティングツールの概略図を示す。
【図２】本開示のある態様によるレチクル処理システムの斜視図である。
【図３】本開示のある態様による図２のレチクル処理システムの側面図である。
【図４】本開示のある態様による図２のレチクル処理システムの分解斜視図である。
【図５】本開示のある態様による図２のレチクル処理システムの支持アセンブリの斜視図である。
【図６】本開示のある態様による図２のレチクル処理システムのキャリアベースの上面図である。
【図７】本開示のある態様による図２のレチクル処理システムの側断面図である。
【図８】Ａ及びＢは、本開示のある態様による図２のレチクル処理システムと共に使用される支持ピンの前面図及び側面図をそれぞれ示す。
【図９】本開示によるレチクルを処理するための例示的方法を示すフローチャートである。
【図１０】本開示による図２のレチクル処理システムを動作させるための例示的方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図面は、必ずしも縮尺通りではない。図面は単なる表示であり、開示の特定のパラメータを描写することを意図しない。更に、図面は、本開示の例示的な実施形態を示すことが意図されており、したがって、範囲を限定するものとはみなされない。
【００１１】
更に、図のいくつかの特定の要素は、説明を明確にするために、省略してもよく、又は縮尺通りに示されなくてもよい。断面図は、図を分かりやすくするために、そうでなければ「真の」断面図で見ることができる特定の背景線を省略して、「断片（ｓｌｉｃｅ）」又は「近視眼的な（ｎｅａｒ−ｓｉｇｈｔｅｄ）」断面図の形態でありうる。更に、明瞭化のため、いくつかの図面において、いくつかの参照番号が省略されることがある。
【００１２】
ここで、本開示による様々な手法を、方法の実施形態が示されている添付の図面を参照してより詳細に以下に説明することになる。この手法は、多くの異なる形態で実施されてもよく、本明細書に記載の実施形態に限定されるものとして解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が網羅的かつ完全であり、システム及び方法の範囲を当業者に完全に伝えることになるように提供される。
【００１３】
便宜上及び明瞭化のために、「上（ｔｏｐ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上（ｕｐｐｅｒ）」、「下（ｌｏｗｅｒ）」、「垂直（ｖｅｒｔｉｃａｌ）」、「水平（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）」、「横（ｌａｔｅｒａｌ）」及び「縦（ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ）」などの用語は、図に示されているようなデバイスの構成要素の形状寸法及び配向に関して、これらの構成要素及びそれらの構成部分の相対的な配置及び配向を説明するために、本明細書で使用されることになる。用語は、具体的に言及された文言、その派生語、並びに類似の意味及び／又は重要性の文言を含むことになる。
【００１４】
本明細書で使用されるように、単数で列挙され、単語「ａ」又は「ａｎ」が続く要素又は動作は、そのような除外が明示的に記載されるまで、複数の要素又は操作を含むと理解されるべきである。更に、本開示の「１つの実施形態」への言及は、限定を意図するものではない。更なる実施形態はまた、記載された特徴を組み込んでもよい。
【００１５】
上述のように、レチクルブランクを処理するための手法が、本明細書に提示される。１つの手法では、レチクル処理システムは、フレームに連結されたプレートを有する支持アセンブリと、支持アセンブリに連結されたキャリアアセンブリとを含む。本明細書に記載のレチクル処理システムは、例えば、層流を有さず、ロードポート位置の１つを占めるスタンドアロン（独立型）ポッドの代わりにミニ環境の「クリーンな」層流領域に存在してもよい。１つの手法では、キャリアアセンブリは、プレートに結合されたキャリアベースと、キャリアベース上に配置されたレチクルと、レチクル上に配置されたキャリアシールドとを含み、キャリアシールドは、その中に形成され、レチクルの出入りを提供する中央開口部を有する。１つの手法において、キャリアアセンブリが支持アセンブリの上に載置されると、複数のピンが、プレートからキャリアベースの対応する開口部を通って延び、キャリアベース、レチクル、及びキャリアシールドが各々独立して支持され、互いから垂直に分離するように、複数のピンがキャリアアセンブリを支持する。
【００１６】
ここで図面を参照すると、図１は、ＥＵＶマスク製作システム１００を示す。ＥＵＶマスク製作システム１００は、一又は複数のマスクブランク１０４を受け取るマスクブランク搬入及びキャリアハンドリングシステム１０２を含みうる。エアロック１０６は、ウエハハンドリング真空チャンバ１０８へのアクセスを提供する。図示された実施形態において、ウエハハンドリング真空チャンバ１０８は、２つの真空チャンバ、例えば第１の真空チャンバ１１０及び第２の真空チャンバ１１２を含む。第１の真空チャンバ１１０内に、第１のウエハハンドリングシステム１１４があり、第２の真空チャンバ１１２の中に第２のウエハハンドリングシステム１１６がある。
【００１７】
ウエハハンドリング真空チャンバ１０８は、その周囲に様々な他のシステムを取り付けるための複数のポートを有しうる。この非限定的実施形態では、第１の真空チャンバ１１０は、ガス抜きシステム１１８、第１の物理的気相堆積システム１２０、第２の物理的気相堆積システム１２２、及び前洗浄システム１２４を有している。更に、第２の真空チャンバ１１２は、第１のマルチカソード源１２６、流動性化学気相堆積（ＦＣＶＤ）システム１２８、硬化システム１３０、及びそれに結合された第２のマルチカソード源１３２を含みうる。
【００１８】
第１のウエハハンドリングシステム１１４は、エアロック１０６及び第１の真空チャンバ１１０周囲の様々なシステムの間で、及び連続的真空内のスリットバルブを通して、ウエハ１３４などのウエハを移動可能にする。第２のウエハハンドリングシステム１１６は、ウエハを連続的真空内に維持しつつ、第２の真空チャンバ１１２の周囲でウエハ１３６などのウエハを移動可能にする。統合されたＥＵＶマスク製作システム１００は、以下に記載されるレチクル処理システムと共に動作しうる。
【００１９】
ここで図２から図４を参照すると、本開示によるレチクル処理システムがより詳しく記載されることになる。図示されるように、レチクル処理システム２００（以降「システム」）は、支持アセンブリ２０４に連結され、かつ支持アセンブリ２０４によって支持される、キャリアアセンブリ２０２を含む。１つの実施形態では、支持アセンブリ２０４は、プレート２０８の周囲に沿って部分的に延びるフレーム２１０に連結されたプレート２０８を含む。図示されるように、プレート２０８は、フレーム２１０の開口部を通って延びる一組のファスナ２１２Ａ−Ｃによってフレーム２１０に連結されうる。任意の特定の種類に限定されないが、ファスナ２１２Ａ−Ｃは、ナット並びにプレート２０８及びフレーム２１０を通って延びるボルトを含んでもよく、ファスナ２１２Ａ−Ｃに可撓性／弾力性を提供するために、ボルトの周囲にばね２１４が設けられている。図示されるように、フレーム２１０がＬ字型の構成を有し、プレート２０８が六角形状を有しうるため、支持アセンブリ２０４は、処理チャンバ内の角に固定可能となる。特定の用途及び処理環境に応じて、フレーム２１０及びプレート２０８の他の形状寸法が可能でありうるため、この構成は非限定的である。
【００２０】
図示されるように、キャリアアセンブリ２０２は、レチクルブランク２２２の下及び上にそれぞれ配置されたキャリアベース２１８及びキャリアシールド２２０を含む。キャリアシールド２２０は、処理中にレチクルブランク２２２へのアクセス及び出入りを可能にするために、その内部に形成された中央開口部２２４を含む。図示されるように、キャリアシールド２２０の中央開口部２２４は、一般的にレチクルブランク２２２の上で位置合わせされる。１つの非限定的手法では、レチクルブランク２２２は、ガラス、ケイ素、又は他の超低熱膨張材料の超低熱膨張基板を有する、ＥＵＶマスクブランクである。超低熱膨張材料は、溶融シリカ、溶融石英、フッ化カルシウム、炭化ケイ素、酸化ケイ素−酸化チタン合金、又はこれらの材料の範囲内の熱膨張係数を有する他の材料を含みうる。
【００２１】
ここで図４−図７を参照すると、本開示による支持アセンブリ２０４が、より詳細に説明されることになる。図示されるように、プレート２０８は、プレート２０８の上面２３４から垂直に又は概して垂直に各々が延びる、第１の組のピン２２８Ａ−Ｃ、第２の組のピン２３０Ａ−Ｃ、及び第３の組のピン２３２Ａ−Ｃを含む。１つの実施形態では、第２の組のピン２３０Ａ−Ｃは、第１の組のピン２２８Ａ−Ｃよりもプレート２０８の中心部分２３８に接近して位置付けられ、第１の組のピン２２８Ａ−Ｃは、第３の組のピン２３２Ａ−Ｃよりもプレート２０８の中心部分２３８に接近して位置付けられている。１つの非限定的手法では、第１の組のピン２２８Ａ−Ｃ、第２の組のピン２３０Ａ−Ｃ、及び第３の組のピン２３２Ａ−Ｃの各々は、複数のピンとキャリアアセンブリとの間の接点の数を最小にしつつ、キャリアアセンブリ２０２の各構成要素を支持するため三角形パターンに配置されている。支持ピンの数及び配置は図示された実施形態に限定されないことが認識されよう。
【００２２】
ここで図５−図７を参照すると、動作中に、支持アセンブリ２０４は、その上でキャリアアセンブリを受ける。より具体的には、キャリアベース２１８がプレート２０８の上まで下げられ、第１の組のピン２２８Ａ−Ｃを、キャリアベース２１８内の対応する第１の組の開口部２４２Ａ−Ｃに貫通させる。図示されるように、第１の組のピン２２８Ａ−Ｃは、概して、一旦組み立てられるとキャリアシールド２２０の底面２４４と接触するように、第２の組のピン２３０Ａ−Ｃ及び第３の組のピン２３２Ａ−Ｃより垂直に高く延びる。第１の組のピン２２８Ａ−Ｃは、レチクル２２２の上でキャリアシールド２２０を支持し、持ち上げる。１つの実施形態では、第１の組のピン２２８Ａ−Ｃは各々、キャリアシールド２２０の底面２４４と最小限係合するためのドーム状の上先端部２４６を含む。
【００２３】
更に、キャリアベース２１８がプレート２０８の上まで下げられると、第２の組のピン２３０Ａ−Ｃは、キャリアベース内の対応する第２の組の開口部２５０Ａ−Ｃを貫通し、レチクル２２２に係合する。図示されるように、第２の組のピン２３０Ａ−Ｃは、概して、第３の組のピン２３２Ａ−Ｃより高く垂直に延びるが、第１の組のピン２２８Ａ−Ｃほど高くはない。第２の組のピン２３０Ａ−Ｃの各々は、キャリアベース２１８上でレチクルを支持するために、レチクル２２２の底面２５８に係合する上面２５４を含む。１つの実施形態では、上面２５４は、プレート２０８の中心部分２３８に向かって下方に傾斜する。
【００２４】
一方で、第３の組のピン２３２Ａ−Ｃは、その周囲に沿ってキャリアベース２１８に係合し、プレート２０８上でキャリアベース２１８を支持する。より具体的には、図８Ａ−８Ｂに示されるように、第３の組のピン２３２Ａ−Ｃは各々、キャリアベース２１８の底面２６４（図７）に係合するための、裏部分２６２に連結された上座面２６０を含む。裏部分２６２は、一旦キャリアベース２１８が上座面２６０の上に配置されると、キャリアベース２１８の側方移動を制限するように構成される。更に、上座面２６０のドーム状の／凸状の輪郭は、キャリアベース２１８と第３の組のピン２３２Ａ−Ｃとの間の表面積接触を低減することがあり、したがって、粒子生成が最小になる。プレート２０８の中心部分２３８に向かう上座面２６０の下方への傾斜は、キャリアプレート２１８の安定性及び配置精度を向上させうる。
【００２５】
再び図７を参照すると、キャリアベース２１８、レチクル２２２、及びキャリアシールド２２０が各々独立して支持され、互いから垂直に分離されるように、複数のピン２２８Ａ−Ｃ、２３０Ａ−Ｃ、及び２３２Ａ−Ｃは、キャリアアセンブリ２０２を支持する。使用中に、キャリアアセンブリ２０２が支持アセンブリ２０４の上に配置されると、キャリアアセンブリの構成要素は、互いに直接接触することはない。特に、キャリアベース２１８が第１の間隙２６８によってプレート２０８から垂直に分離され、レチクル２２２が第２の間隙２７０によってキャリアベース２１８から垂直に分離され、かつキャリアシールド２２０が第３の間隙２７２によってレチクル２２２から分離されるように、複数のピンは、キャリアアセンブリ２０２の構成要素を支持する。キャリアベース２１８を通して対応する開口部だけではなく、複数のピン２２８Ａ−Ｃ、２３０Ａ−Ｃ、及び２３２Ａ−Ｃの配置及び相対的高さによっても、支持アセンブリ２０４の上に配置されると、キャリアアセンブリ２０２の構成要素間で実証（ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅ）された分離が可能になる。
【００２６】
いくつかの実施形態では、図７に更に示されるように、システム２００は、キャリアアセンブリ２０２を支持アセンブリ２０４に位置合わせするためのセンサシステム２８０を含みうる。例えば、一又は複数のセンサ２８２Ａ−Ｃは、キャリアアセンブリ構成要素（例えば、キャリアシールド２２０、レチクル２２２、又はキャリアベース２１８）の各々が支持アセンブリ２０４の上の正確な「所定位置に（ｉｎ−ｐｏｓｉｔｉｏｎ）」あるかを検証するために、使用される。これはまた、キャリアアセンブリ２０２又はレチクル２２２がすでに所定位置にある場合に、ユーザがそれらを支持アセンブリ２０４の上に不注意に配置してしまうことを防止する。
【００２７】
１つの非限定的実施形態では、第１のセンサ２８２−Ａは、キャリアベース２１８の存在及び配置を検出するための第１のスキャンエリアＳ１を監視し、第２のセンサ２８２−Ｂは、レチクル２２２の存在及び配置を検出するための第２のスキャンエリアＳ２を監視し、第３のセンサ２８２−Ｃは、キャリアシールド２２０の存在及び配置を検出するための第３のスキャンエリアＳ３を監視する。センサは、後続の分析／処理のためにセンサシステム２８０のプロセッサ（図示せず）に出力／フィードバックを送信しうる。
【００２８】
動作中に、センサシステム２８０は、レチクル２２２を含むキャリアアセンブリ２０２をキャリアアセンブリ２０２の上に正確に配置するために、ファクトリインターフェース（ＦＩ）ロボットなどのロボット（図示せず）と併用され、キャリアアセンブリ２０２を組み立てる又は分解することができる。更に、センサシステム２８０は、レチクル２２２を含むキャリアアセンブリ２０２が、ロードロックに運ばれる前に、正しく組み立てられているかを検証するために使用される。有利には、ロボットは、唯一の移動構成要素であり、システム２００が不必要なリフト又は複数のロボットの影響を確実に受けないようにするため、位置の誤差が最小化される。例えば、複数の異なるリフトが用いられる場合とは異なり、ロボットの垂直なピックアップ及びドロップオフ軌道は、実質的に同一である。
【００２９】
ここで図９−１０を参照すると、本開示のある態様によるレチクルブランクを処理するための方法のフロー図がそれぞれ示される。いくつかの実施形態では、方法は、部分的にコンピュータシステムを使用して実施又は指示されてもよい。このように、図９−１０の方法は、本開示の様々な実施形態による、システム、方法、及びコンピュータプログラム製品の可能な実施態様の機能及び／又は動作を図解しうる。これに関して、フローチャートのブロックは、指定された論理機能を実施するための一又は複数の実行可能な命令を含む、モジュール、セグメント、又はコードの一部を表しうる。また、いくつかの代替的な実施態様では、ブロックに記されている機能は、図示された順序から外れて起こる可能性もある。例えば、連続して示される２つのブロックは、実際には同時に実行されてもよい。また、方法３００、４００のブロックは、指定された機能若しくは動作、又は専用ハードウェアとコンピュータ命令との組み合わせを実行するための専用ハードウェアベースのシステムによって実施することができる。
【００３０】
１つの実施形態では、図９に示すように、方法３００は、ブロック３０１に示すように、キャリアベース、キャリアシールド、及びレチクルブランクを含むキャリアアセンブリを提供することを含みうる。方法３００は、ブロック３０３に示すように、支持アセンブリの上にキャリアベース及びキャリアシールドを堆積させることを更に含みうる。いくつかの実施形態では、支持アセンブリは、フレームに連結されたプレートを含む。いくつかの実施形態では、方法３００は、ブロック３０３で、プレートの上面から延びる複数のピンの上にキャリアアセンブリを堆積させることを含み、キャリアベースが第１の間隙によってプレートから垂直に分離し、レチクルブランクが第２の間隙によってキャリアベースから垂直に分離し、キャリアシールドが第３の間隙によってレチクルから垂直に分離するように、複数のピンがキャリアアセンブリを支持する。
【００３１】
いくつかの実施形態では、方法３００は、ブロック３０３で、センサシステムを使用してキャリアアセンブリの位置を特定することと、キャリアアセンブリの特定された位置に従って支持アセンブリの上にキャリアアセンブリを堆積させることとを更に含みうる。
【００３２】
いくつかの実施形態では、方法３００は、ブロック３０３で、プレートの上面からキャリアベースの第１の組の開口部を通って延びる、キャリアシールドの底面と接触している第１の組のピンを提供することと、プレートの上面からキャリアベースの第２の組の開口部を通って延びる第２の組のピンを提供することとを更に含みうる。方法３００は、ブロック３０３で、キャリアベースの上でレチクルを支持し、第１の組のピンよりプレートの中心部分に接近して位置付けられる第２の組のピンを更に含む。方法３００は、ブロック３０３で、プレートの上面から延び、プレート上でキャリアベースを支持するためにキャリアベースと接触している、第３の組のピンを提供することを更に含み、第１の組のピンは、第３の組のピンよりプレートの中心部分に接近して位置付けられる。方法３００は、ブロック３０３で、支持アセンブリの中心に向かって下に傾斜するドーム状の輪郭を有する、第３の組のピンの上棚表面にキャリアベースを載置することを更に含みうる。
【００３３】
方法３００は、ブロック３０５で示すように、キャリアシールドの開口部内にレチクルブランクを堆積させることを更に含む。いくつかの実施形態では、レチクルブランクは、プレートから延びる第２の組のピンの上に堆積される。
【００３４】
方法３００は、ブロック３０７で示すように、キャリアアセンブリを支持アセンブリから除去することを更に含む。いくつかの実施形態では、ロボットが、プレートとキャリアベースとの間に形成された第１の間隙内に位置付けられ、次いで、キャリアアセンブリが支持アセンブリから上に向かって持ち上げられ、次にキャリアベース、キャリアシールド、及びレチクルブランクが互いを圧縮し係合させる。ロボットは、次いで、更なる処理のためにキャリアアセンブリを搬送しうる。
【００３５】
ここで図１０を参照すると、本開示のある態様によるレチクルブランク処理システムを動作させるための別の方法４００のフロー図が示される。ブロック４０１では、ロボット（例えば、ＦＩロボット）が、ロードポートからキャリアアセンブリを除去し、キャリアアセンブリをアライナに載置し、そこで次に、キャリアアセンブリがノッチで位置合わせされる（ｎｏｔｃｈ  ａｌｉｇｎｅｄ）。ブロック４０３で、ロボットは、位置合わせされたキャリアアセンブリをアライナから除去し、そのキャリアアセンブリをセンサシステムに移動させる。ブロック４０５で、キャリアアセンブリがなおもロボットブレード上にある間、センサシステムは、測定されたキャリアアセンブリと、キャリアアセンブリの理論的に較正された中心Ｘ、Ｙ、及びθとの間でＸ、Ｙ、及びθに対する「補正オフセット」を決定する。
【００３６】
ブロック４０７で、ロボットは、キャリアアセンブリをセンサシステムから支持アセンブリに移動させる。ブロック４０９で、キャリアアセンブリが複数のピンの各々の上で拡張された構成にあるとき、ロボットは支持アセンブリから後退する。ブロック４１１で、レチクルは、測定のためにセンサシステムに移動される。ブロック４１３で、なおもロボットブレード上にある間、センサシステムは、測定されたキャリアアセンブリと、レチクルを含むキャリアアセンブリの理論的に較正された中心Ｘ、Ｙ、及びθとの間で、Ｘ、Ｙ、及びθに対する補正オフセットを決定する。センサシステムはまた、レチクルの配向だけではなく、レチクルが上向きであるか下向きであるかを判定する。
【００３７】
ブロック４１５で、ロボットは、Ｘ、Ｙ、及びθに対する補正オフセットを用いて、レチクルをセンサシステムから支持アセンブリに移動させる。ブロック４１７で、ロボットは、次いで、レチクルをキャリアアセンブリの第２の複数のピンの上に残したまま、支持アセンブリから後退する。構成されたように、レチクルは、キャリアベースとキャリアアセンブリのキャリアシールドとの間に吊り下げられる。
【００３８】
次に、ブロック４１９で、ロボットは、キャリアベースの下を移動し、キャリアベース、レチクル、次いでキャリアシールドをピックアップしつつ持ち上げ始める。ロボットが上に向かって移動すると、キャリアアセンブリが崩壊し、キャリアベース、レチクル及びキャリアシールドを互いに係合させる。例えば、キャリアベースの上面が、レチクルの底面と接触するようになり、レチクルが、キャリアシールドの開口部を上に向かって移動する。ブロック４２１で、センサシステムがキャリアアセンブリを検証し、レチクルは指定された公差仕様内に位置付けられる。一旦検証されると、ブロック４２３で、キャリアアセンブリは、ロードロック（例えば、単一ウエハウエハロードロック（ＳＷＬＬ））に移動される。
【００３９】
本開示の第１の利点は、レチクル付近で複数のリフティング及びクランピング機構を排除し、したがって粒子の生成を低減することを含む。本開示の第２の利点は、レチクルがクリーンなＦＩミニ環境（ｃｌｅａｎ  ＦＩ  ｍｉｎｉ  ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ）に直接置かれていることを含む。第３の利点は、少なくとも１つの配置プロセスを排除すること、したがって、キャリアアセンブリの配置精度を高めることである。本開示の第４の利点は、ロボットがキャリアアセンブリをピックアップした後の追加の検証プロセスによる精度の向上である。
【００４０】
本開示の特定の実施形態を本明細書に記載してきたが、本開示は、当該技術が許容する範囲において広範であり、明細書も同様に読めるため、これらの実施形態に限定されるものではない。したがって、上記の説明は、限定的なものとして解釈されるべきではない。それよりむしろ、上記の説明は、特定の実施形態の単なる例示である。当業者であれば、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲内で他の変形例を想到するだろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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