(57)【要約】  本発明は、半導体部品（９０）のための回路キャリア（１０）、特にリードフレーム又は導電路、の製造方法であって、第１の膨張係数を有する少なくとも一つの第１の銅層（２０）又は一つの第１の銅合金層と、前記第１の膨張係数よりも小さい第２の膨張係数を有する低膨張率の第２の材料（Ｍ２）から作られた少なくとも一つの第２の層（３０）とが、１５０℃〜３００℃の接合温度で、特に低温焼結法によって互いに接合される、ことを特徴とする方法に関する。
2019510367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体部品（９０）のための回路キャリア（１０）、特にリードフレーム又は導電路、の製造方法であって、
第１の膨張係数を有する少なくとも一つの第１の銅層（２０）又は第１の銅合金層と、前記第１の膨張係数よりも小さい第２の膨張係数を有する低膨張率の第２の材料（Ｍ２）から作られた少なくとも一つの第２の層（３０）とが、
１５０℃〜３００℃の接合温度で、特に低温焼結法によって互いに接合される、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
接合材料（ＶＭ）から作られた少なくとも一つの第１の接合層（４０）が、前記第１の銅層（２０）又は前記第１の銅合金層と前記第２の層（３０）との間に形成され、前記接合材料（ＶＭ）は、前記接合温度を超える温度に耐える接合を形成し、好ましくは拡散金属、特に銀（Ａｇ）及び／又は銀合金及び／又は金（Ａｕ）及び／又は金合金及び／又は銅（Ｃｕ）及び／又は銅合金を有する、
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項３】
前記接合温度は、２００℃〜２８０℃、特に２２０℃〜２７０℃、特に２４０℃〜２６０℃、特に２５０℃であり、前記接合温度は、好ましくは少なくとも一つの半導体部品（９０）に製造される回路キャリア（１０）の接合中の実装温度に実質的に対応する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の材料Ｍ２は、ニッケル合金、特にインバール（Ｆｅ65Ｎｉ35）又はインバール３６（Ｆｅ64Ｎｉ36）又はコバール（Ｆｅ54Ｎｉ29Ｃｏ17）、及び／又はタングステン（Ｗ）及び／又は鉄ニッケルコバルト合金（ＦｅＮｉＣｏ合金）、特に好ましくはモリブデン（Ｍｏ）を有する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
銅層（２０）又は銅合金層と、前記第２の層（３０）及び任意選択の接合層（４０、４１）との接合は、加圧によって、特に５ＭＰａ〜３０ＭＰａ、特に１０ＭＰａ〜２８ＭＰａ、特に２５ＭＰａの圧力を用いて行われる、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
特に請求項１から５のいずれか一項に記載の方法により製造された、半導体部品（９０）のための回路キャリア（１０）、特にリードフレーム又は導電路、であって、
−  第１の膨張係数を有する少なくとも一つの第１の銅層（２０）又は第１の銅合金層と、
−  前記第１の膨張係数よりも小さい第２の膨張係数を有する低膨張率の第２の材料（Ｍ２）から作られた少なくとも一つの第２の層（３０）であって、前記第２の材料（Ｍ２）は、ニッケル合金、特にインバール（Ｆｅ65Ｎｉ35）又はインバール３６（Ｆｅ64Ｎｉ36）又はコバール（Ｆｅ54Ｎｉ29Ｃｏ17）、及び／又はタングステン（Ｗ）及び／又は鉄ニッケルコバルト合金（ＦｅＮｉＣｏ合金）、特に好ましくはモリブデン（Ｍｏ）を有する、
を有する回路キャリア（１０）。
【請求項７】
少なくとも一つの第１の接合層（４０）が、前記第１の銅層（２０）又は前記第１の銅合金層と前記第２の層（３０）との間に形成され、前記第１の接合層は、拡散金属、特に銀（Ａｇ）及び／又は銀合金及び／又は金（Ａｕ）及び／又は金合金及び／又は銅（Ｃｕ）及び／又は銅合金を有する、
ことを特徴とする請求項６に記載の回路キャリア（１０）。
【請求項８】
少なくとも前記第１の接合層（４０）は、前記第１の銅層（２０）又は前記第１の銅合金層及び／又は少なくとも前記第２の層（３０）の境界層として形成される、
ことを特徴とする請求項７に記載の回路キャリア（１０）。
【請求項９】
少なくとも一つの第２の銅層（２５）又は第２の銅合金層が、接合材料（ＶＭ）から作られた第２の接合層（４２）によって、低膨張率の第２の材料（Ｍ２）から作られた第２の層（３０）に、好ましくは接合される、
ことを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の回路キャリア（１０）。
【請求項１０】
前記第２の層（３０）は、銅層（２０、２５、２６）又は銅合金層に埋め込まれている、
ことを特徴とする請求項６から９のいずれか一項に記載の回路キャリア（２０）。
【請求項１１】
前記第２の層（３０）は、枠状及び／又は格子状及び／又はワイヤ状に形成される、
ことを特徴とする請求項６から１０のいずれか一項に記載の回路キャリア（１０）。
【請求項１２】
特に請求項６から１１のいずれか一項に記載の回路キャリア（１０）又は請求項１から５のいずれか一項に記載の方法によって製造された回路キャリア（１０）と、前記回路キャリア（１０）に接合された少なくとも一つの半導体部品（９０）と、を有する半導体モジュール（１００）の製造方法であって、
前記半導体部品（９０）は、１５０℃〜３００℃の実装温度でコンタクト層（５０）によって前記回路キャリア（１０）に接合され、前記実装温度は、前記回路キャリア（１０）の層（２０、２５、２６、３０、４０、４１）の接合中の接合温度に実質的に対応する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記回路キャリア（１０）の層（２０、２５、２６、３０、４０、４１）の接合と、前記半導体部品（９０）への前記回路キャリア（１０）の接合とが同時に行われる、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記実装温度は、２００℃〜２８０℃、特に２２０℃〜２７０℃、特に２４０℃〜２６０℃、特に２５０℃である、
ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
特に請求項１２から１４のいずれか一項によって製造された半導体モジュール（１００）であって、
請求項６から１１のいずれか一項に記載の回路キャリア（１０）又は請求項１から５のいずれか一項に記載の方法によって製造された回路キャリア（１０）と、
前記回路キャリア（１０）に接合された少なくとも一つの半導体部品（９０）、特にダイオード又はＩＧＢＴ又はＭＯＳＦＥＴトランジスタと、
を有する半導体モジュール（１００）。
【請求項１６】
前記第２の層（３０）は、銅層（２０、２５、２６）又は銅合金層に埋め込まれ、前記半導体部品（９０）は、好ましくは前記第２の層（３０）の上方に構成される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体モジュール（１００）。
【請求項１７】
前記第２の層（３０）は、銅層（２０、２５、２６）又は銅合金層に埋め込まれ、前記第２の層（３０）は、枠状に構成されて銅層セクション（２９）又は銅合金層セクションを枠で囲み、半導体部品（９０）は、好ましくは前記銅層セクション（２９）又は前記銅合金層セクションの上方に構成される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体モジュール（１００）。
【請求項１８】
前記銅層セクション（２９）又は前記銅合金層セクションの辺長は、半導体部品（９０）の辺長の１５０％以下であり、好ましくは枠状構造の前記第２の層（３０）の幅（ｂ２）は、半導体部品（９０）の最短辺長の１０％〜１００％である、
ことを特徴とする請求項１７に記載の半導体モジュール（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部品のための回路キャリア、特にリードフレーム又は導電路、の製造方法に関する。更に、本発明は、半導体部品のための回路キャリア、特にリードフレーム又は導電路、に関する。加えて、本発明は、回路キャリアとその回路キャリアに接合された少なくとも一つの半導体部品とを有する半導体モジュールの製造方法に関する。更に、本発明は、回路キャリアとその回路キャリアに接合された少なくとも一つの半導体部品とを有する半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーエレクトロニクスパワー半導体は、大部分が低膨張性の材料から作られ、電気的コンタクト及び十分な放熱を得るために回路キャリア上に搭載されなければならず、回路キャリアは、電流を十分に伝導するとともに熱伝導特性を有する。最もシンプルな場合、回路キャリアは、導電路、特に銅の導電路であり、個々又は複数のパワー半導体のキャリアとして用いられる。パワー半導体は、典型的には、ケイ素（Ｓｉ）又は炭化ケイ素（ＳｉＣ）を有する。ケイ素は２．６ｐｐｍ／Ｋの熱膨張を有し、炭化ケイ素は３．７ｐｐｍ／Ｋの熱膨張を有する。これらの膨張係数は、回路キャリアの典型的な材料の膨張係数よりもかなり小さい。リードフレーム又は導電路の形態で存在する回路キャリアは、通常、銅（Ｃｕ）からなる。銅は１７．８ｐｐｍ／Ｋの膨張係数を有する。
【０００３】
信頼できる電気的及び熱的コンタクトを得るために、パワー半導体は、スズ（Ｓｎ）又は鉛（Ｐｂ）をベースはんだとして用いて、回路キャリアにはんだ付けされる。半導体部品を回路キャリア上に焼結（Aufsintern）することもまた知られている。いずれの場合においても、パワー半導体及び回路キャリアは、かなりの熱力学的な不整合（Fehlanpassung）を有するが、これは、接合温度から室温へ冷却した直後に大きな応力をもたらす。半導体のサイズ及び厚さに応じて、不整合は、力学的応力が半導体と回路キャリアとの間の接合の破壊をもたらすほど大きくなり得る。
【０００４】
銅導電路又は銅リードフレームの熱膨張を低減するために、低膨張率の金属を含む銅の合金が既に使用されている。例えば、銅タングステン合金（ＣｕＷ）及び銅モリブデン合金（ＣｕＭｏ）が存在する。これらは、８ｐｐｍ／Ｋと１２ｐｐｍ／Ｋの間の熱膨張をもたらす。
【０００５】
ＣｕＷ及びＣｕＭｏ合金は、生産することが技術的に複雑であり、非常に高価である。特に、銅と合金成分のタングステン（Ｗ）及びモリブデン（Ｍｏ）との間の高い融点の違いのために、合金形成は、合金化が成功するまで非常に広範囲の方法ステップを必要とする。加えて、純粋な銅の熱伝導率は、合金形成によって大きく減少する。これは、コスト集約的（kostenintensiven）な合金化のかなりの欠点を構成する。
【発明の概要】
【０００６】
この従来技術から出発し、本発明の目的は、非常にシンプルで、実行するための費用がかからず、最適化された回路キャリアがそれを用いて製造されることが可能な半導体部品のための回路キャリア、特にリードフレーム又は導電路、の製造方法を明示することである。
【０００７】
更に、本発明の目的は、非常に低い膨張性を有すると同時に費用のかからない回路キャリアを明示することである。
【０００８】
更に、本発明の目的は、半導体モジュールの製造方法を明示することである。更に、本発明の目的は、非常に低い膨張性を有するように構成された、先進の（weiterentwickeltes）半導体モジュールを明示することである。
【０００９】
本発明によれば、半導体部品のための回路キャリア、特にリードフレーム又は導電路、の製造方法のためには、請求項１の内容によって、半導体部品のための回路キャリア、特にリードフレーム又は導電路、のためには、請求項６の内容によって、回路キャリアとその回路キャリアに接合された少なくとも一つの半導体部品とを有する半導体モジュールの製造方法のためには、請求項１２の内容によって、そして、回路キャリアとその回路キャリアに接合された少なくとも一つの半導体部品とを有する半導体モジュールのためには、請求項１５の内容によって、この目的は達成される。
【００１０】
本発明は、半導体部品のための回路キャリア、特にリードフレーム又は導電路、の製造方法を明示するアイデアに基づいており、第１の膨張係数を有する少なくとも一つの第１の銅層又は第１の銅合金層と、第１の膨張係数よりも小さい第２の膨張係数を有する低膨張率の第２の材料から作られた少なくとも一つの第２の層とが、１５０℃〜３００℃の接合温度で互いに接合される。第１の銅層又は第１の銅合金層と、第２の材料から作られた第２の層との接合は、特に低温焼結法（Niedertemperatursinterverfahren）によって行われることが好ましい。少なくとも一つの半導体部品のために製造される回路キャリアは、リードフレーム又は導電路として構成されることができる。
【００１１】
銅層又は銅合金層と第２の層との間には、接合材料から作られた少なくとも一つの接合層が構成される。接合材料は、接合温度を超える温度に耐える接合を形成することができ、好ましくは、拡散金属（Diffusionsmetall）、特に銀（Ａｇ）及び／又は銀合金及び／又は金（Ａｕ）及び／又は金合金及び／又は銅（Ｃｕ）及び／又は銅合金を有する。
【００１２】
接合温度は、２００℃〜２８０℃、特に２２０℃〜２７０℃、特に２４０℃〜２６０℃、特に２５０℃であってもよい。接合温度は、少なくとも一つの半導体部品に製造される回路キャリアの接合中の実装温度に実質的に対応することが好ましい。
【００１３】
少なくとも第２の層の第２の膨張係数を有する低膨張性の第２の材料は、ニッケル合金、特にインバール（Ｆｅ65Ｎｉ35）又はインバール３６（Ｆｅ64Ｎｉ36）又はコバール（Ｆｅ54Ｎｉ29Ｃｏ17）、及び／又はタングステン（Ｗ）及び／又は鉄ニッケルコバルト合金（ＦｅＮｉＣｏ合金）を有することが好ましい。モリブデン（Ｍｏ）又はモリブデン合金は、第２の層の第２の材料に関して特に好ましい材料として実証されている。
【００１４】
原理的には、銅又は銅合金よりも小さな膨張係数を有する全ての金属が、第２の材料として用いられることができる。第２の材料の膨張係数が小さいほど、同時に第２の材料の熱伝導率が高いほど、この材料は第２の材料として適している。電気伝導率は、物理的に熱伝導率と関係している。したがって、良好な熱及び／又は電気伝導率及び低い熱膨張率を有する全ての金属は、第２の材料として用いられるために又は第２の材料に含まれるのに適している。
【００１５】
下表の、第６欄には、第１欄に列挙された材料の膨張係数が示されている。銅よりも小さい膨張係数を有する全ての対応する材料は、したがって、第２の材料としての機能を果たすか、又は第２の材料として用いられるために適している。
【００１６】
【表１】
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【００１７】
少なくとも第１の銅層又は少なくとも第１の銅合金層と、少なくとも第２の層及び任意選択の接合層との接合は、加圧によって、特に５ＭＰａ〜３０ＭＰａ、特に１０ＭＰａ〜２８ＭＰａ、特に２５ＭＰａの圧力を用いて行われることができる。
【００１８】
少なくとも第１の銅層又は少なくとも第１の銅合金層と、少なくとも第２の層及び任意選択の接合層とを接合するために行われることが好ましい低温焼結は、好ましくは１５０℃〜３００℃の温度と５ＭＰａ〜３０ＭＰａの加圧で行われることが好ましい。低温焼結は、２５０℃の温度と２５ＭＰａの圧力で行われることが特に好ましく、焼結は、１〜１０分間、例えば４分間行われることが好ましい。
【００１９】
回路キャリアの製造方法における接合温度は、少なくとも一つの半導体部品に製造される回路キャリアの接合中の実装温度に実質的に対応する。接合温度は、実装温度に正確に対応してもよい。更に、接合温度は、実装温度から最大で２０％、特に最大で１５％、特に最大で１０％、特に最大で５％だけ偏差することができる。接合温度の実装温度からの偏差のパーセント計算は、接合ケルビン温度と実装ケルビン温度との差の計算に基づいて行われる。
【００２０】
低温焼結法を行うことに加えて、高融点金属間相（hochschmelzender intermetallischer Phasen）の形成を伴う拡散はんだ付けによって、回路キャリアの個々の層を互いに接合することも更に可能である。回路キャリアの個々の層を接合するために接着剤（Klebstoffen）を用いることもまた可能である。
【００２１】
接合材料は、少なくとも第１の銅層又は少なくとも第１の銅合金層と、少なくとも第２の層との間の焼結材料又は焼結材料の成分として導入されることが好ましい。導電層を形成するために焼結可能な混合物は、したがって、接合される層間に焼結された接合を形成するために用いられることができる。焼結可能な混合物は、層状プレス品（schichtformigen Presslings besitzen）の形態のインク、ペースト又は焼結プリフォーム（Sinter-Vorform）の使用形態（Anwendungsform）を有してもよい。焼結プリフォームは、金属ペースト又は金属焼結ペーストの塗布及び乾燥によって形成される。このタイプの焼結プリフォームは、焼結可能である。
【００２２】
或いは、接合層を膜（Folie）として、特に金属膜として形成し、この膜、特にこの金属膜を、第１の銅層又は第１の銅合金層と第２の層との間に配置することも可能である。
【００２３】
接合材料を含むか又は接合材料からなる焼結ペーストは、印刷、特にスクリーン又はステンシル印刷（Schablonendrucken）によって、第１の銅層又は第１の銅合金層及び／又は第２の層に塗布されることができる。換言すれば、焼結ペーストは、第１の銅層が存在する場合は第１の銅層上に、又は第１の銅合金層が存在する場合は第１の銅合金層上に、及び／又は第２の層上に塗布される。
【００２４】
任意選択的に、焼結ペースト又は金属焼結ペーストは、実際の焼結方法を行う前に乾燥されることができる。焼結ペーストの金属粒子は、流体状態を経ることなく、少なくとも第１の銅層又は少なくとも第１の銅合金層と、少なくとも第２の層との間の固体電流及び熱伝導性金属接合又は金属接合の形成を伴う拡散による焼結中に接合される。銀及び／又は銀合金及び／又は炭酸銀及び／又は酸化銀を含む焼結ペーストは、特に層を接合するときに使用されることが好ましい。
【００２５】
本発明の更なる実施形態では、接合層の適用前に、接合層又は結合層（Fugeschicht aufgetragen）のより良好な接合のために、例えば電気めっき又はスパッタリングによって、層が、少なくとも第１の銅層又は少なくとも第１の銅合金層及び／又は少なくとも第２の層上に、好ましくは第２の層の上に、塗布されることができる。第２の層がモリブデン層である限り、又は第２の層の第２の材料がモリブデンを含む限り、第２の層の被接合面に電気めっきすることによって、ニッケル銀層（ＮｉＡｇ層）を塗布することができる。接合材料、特に銀は、このニッケル銀層上に特によく付着させることが可能である。
【００２６】
本発明は、更に、半導体部品のための回路キャリア、特にリードフレーム又は導電路、を明示するというアイデアの一観点（einem nebengeordneten Aspekt）に基づいており、回路キャリアは、前述の本発明による方法を用いて製造されることが好ましい。
【００２７】
本発明による回路キャリアは、
−  第１の膨張係数を有する少なくとも一つの第１の銅層又は第１の銅合金層と、
−  第１の膨張係数よりも小さい第２の膨張係数を有する低膨張率の第２の材料から作られた少なくとも一つの第２の層であって、第２の材料は、ニッケル合金、特にインバール（Ｆｅ65Ｎｉ35）又はインバール３６（Ｆｅ64Ｎｉ36）又はコバール（Ｆｅ54Ｎｉ29Ｃｏ17）、及び／又はタングステン（Ｗ）及び／又は鉄ニッケルコバルト合金（ＦｅＮｉＣｏ合金）、特に好ましくはモリブデン（Ｍｏ）を有する、
を有する。
【００２８】
本発明の特に好ましい実施形態では、第２の材料はモリブデン（Ｍｏ）を含むか又は第２の材料はモリブデン（Ｍｏ）である。第２の材料がモリブデン合金を含むか又はモリブデン合金であることも可能である。
【００２９】
少なくとも一つの第１の接合層が、第１の銅層又は第１の銅合金層と第２の層との間に形成され、第１の接合層は、拡散金属、特に銀（Ａｇ）及び／又は銀合金及び／又は金（Ａｕ）及び／又は金合金及び／又は銅（Ｃｕ）及び／又は銅合金を有することが好ましい。
【００３０】
少なくとも第１の接合層は、第１の銅層又は第１の銅合金層及び／又は第２の層の境界層として形成されることができる。
【００３１】
接合層は、自己完結型の可視層とすることができる。本発明による回路キャリアの製造中に、接合材料が比較的低い層厚でしか塗布されないような場合には、製造された製品、すなわち製造された回路キャリアの接合層は、第１の銅層又は第１の銅合金層及び／又は第２の層の境界層として形成されることができる。接合材料は、例えば、少なくとも所定のセクションにおいて、第１の銅層又は第１の銅合金層及び／又は第２の層中に拡散される。
【００３２】
特に、接合層の接合材料は、境界層としての接合層の形成中に、少なくとも所定のセクションにおいて、銀又は銀合金が第１の銅層又は第１の銅合金層及び／又は第２の層に拡散するように、銀又は銀合金であることが好ましい。
【００３３】
本発明の更なる実施形態では、回路キャリアは、少なくとも一つの第２の銅層又は第２の銅合金層を有し、この層は、接合材料から作られた第２の接合層によって、低膨張率の第２の材料から作られた第２の層に接合されることが好ましい。この結果、回路キャリアは、二つの接合層を用いて互いに接合された三つの層を有することができる。
【００３４】
本発明の更なる実施形態では、回路キャリアは、第２の材料から形成された少なくとも一つの第４の層を有することができる。第４の層は、接合材料から作られた第３の接合層によって、銅層又は銅合金層に接合されることが好ましい。本発明のこの実施形態では、回路キャリアは、銅又は銅合金から又は第２の材料から形成される４つの層を有し、これらの４つの層は、少なくとも３つの接合層によって互いに接合される。
【００３５】
本発明の更なる実施形態では、回路キャリアは、少なくとも一つの第３の銅層又は第３の銅合金層を有することができる。第３の銅層又は第３の銅合金層は、銅層又は銅合金層に接合されることができる。この接合は、接合材料から作られた接合層によっても形成されることができる。
【００３６】
回路キャリアは、個々の層及び接合層の対称的配置を有することができる。個々の層及び接合層の対称的配置は、平坦（planer）な回路キャリアが形成されるように形成されることが好ましい。個々の層の対称的配置は、回路キャリアを通る理論的な対称軸が形成される場合、一貫した材料及び層の厚さを有する個々の層及び接合層の対称的配置が、対称軸の上方及び下方に形成されるものと理解される。対称軸は、回路キャリアの総厚さに対する個々の層の配置を半分にし、回路キャリアの総厚さは、個々の層の厚さを加えることによって形成される。
【００３７】
個々の層及び接合層の対称的配置を形成するときに、平坦な回路キャリアを形成することが可能である。
【００３８】
特定の用途では、少なくとも一つの半導体部品の置かれる表面が完全に平坦である必要がある。これは、例えば、コンタクト材料の流動、したがって、コンタクト材料によって回路キャリアに接合された半導体部品の「滑り」を防止する。
【００３９】
本発明の他の実施形態では、個々の層及び接合層が非対称に配置されることができる。個々の層及び接合層は、特に、凸形状又は凹形状の回路キャリアが形成されるように非対称に配置される。凸形状又は凹形状の回路キャリアは、湾曲を有する又は湾曲側面を有する回路キャリアとして説明されることもできる。回路キャリアは、制御された凸形状又は凹形状を有することが好ましい。換言すれば、最大曲率が定義される。
【００４０】
非対称配置は、理論的に形成された対称軸によって見ることができる。対称軸は、個々の層の配置の総厚さを半分にし、総厚さは、回路キャリアの個々の層の厚さを加えることによって定義される。回路キャリアの曲率又は凸凹形状は、第２の材料、すなわち低膨張性の材料から作られる第２の層及び／又は少なくとも第４の層の配置及び／又は形成によって制御されることが好ましい。第２の層及び／又は少なくとも第４の層は、全ての層及び接合層の総配置に対して非対称に予め形成され、対称軸は、製造される回路キャリアの膨張からターゲットされた方法（so dass sich gezielt）で形成される。
【００４１】
用途（Anwendungsfalles）に応じて、低膨張性の第２の材料から作られる第２の層及び／又は少なくとも第４の層の位置及び／又は構成によって、湾曲した回路キャリアを、最後の冷却後に製造することができる。この目的のために、本発明による回路キャリアは前述の本発明による方法を用いて製造され、後で説明される少なくとも一つの半導体部品を有する半導体モジュールを製造するための本発明による方法に繋げられる。
【００４２】
本発明の更なる実施形態では、低膨張性の第２の材料から作られた第２の層を、銅層又は銅合金層に埋め込むことができる。銅層又は銅合金層において、これは、例えば、第１の銅層又は第１の銅合金層、又は第２の銅層又は第２の銅合金層であってもよい。
【００４３】
本発明の更なる実施形態では、第２の層は、低膨張性の第２の材料から、枠状及び／又は格子状及び／又はワイヤ状に形成される。第２の層及び／又は第４の層のこの形成は、各層の銅層又は銅合金層への埋め込みと組み合わせて行われることが好ましい。更に、低膨張性の第２の材料から作られた第２の層は、その上方及び／又は下方に配置された銅層又は銅合金層よりも小さい幅又は長さを有することができる。
【００４４】
第２の層が格子状及び／又はワイヤ状に形成されると、低膨張性材料から作られた第２の層とその上方及び／又は下方に位置する銅層又は銅合金層との間のせん断応力（Scherspannungen）が、より良好な方法で吸収される。接合材料、特にはんだ又は焼結材料又は導電性接着剤は、ワイヤ又はグリッドの中間空間に配置されてもよい。加えて、銅又は銅合金が、ワイヤ又はグリッドの中間空間に配置されることができる。この実施形態では、第２の層の下に形成された銅層又は銅合金層を、例えば、層の接合中にワイヤ又はグリッドの中間空間へ押圧される。
【００４５】
動作中、本発明による回路キャリアは、回路キャリアに接合された半導体部品の放熱の最大化に、本発明に従って寄与する。半導体部品の性能及び寿命は、本発明による回路キャリアに基づいて最大化される。
【００４６】
一観点（einem nebengeordneten Aspekt）において、本発明は、更に、回路キャリアとその回路キャリアに接合された少なくとも一つの半導体部品とを有する半導体モジュールの製造方法を明示するという考え方に基づいている。回路キャリアは、前述の本発明による回路キャリア、又は前述の本発明による方法を使用して製造された回路キャリアであることが好ましい。
【００４７】
半導体モジュールを製造するための本発明による方法は、半導体部品が、１５０℃〜３００℃の実装温度でコンタクト層によって回路キャリアに接合されるという事実に基づいており、実装温度は、回路キャリアの層の接合中の接合温度に実質的に対応する。
【００４８】
実装温度は、接合温度に正確に対応してもよい。実装温度は、接合温度から最大で２０％、特に最大で１５％、特に最大で１０％、特に最大で５％だけ偏差することが好ましい。実装温度の接合温度からの偏差のパーセント計算は、実装ケルビン温度と接合ケルビン温度との差の計算に基づいて行われる。
【００４９】
実装温度は、２００℃〜２８０℃、特に２２０℃〜２７０℃、特に２４０℃〜２６０℃、特に２５０℃であってもよい。
【００５０】
半導体部品は、回路キャリアの表面上に適用（aufgebracht）されるか、回路キャリアの表面に接合されることが好ましく、表面は、銅層又は銅合金層によって形成されることが好ましい。表面は、回路キャリアの最上面と呼ぶこともできる。
【００５１】
コンタクト層は、例えば焼結ペーストであってもよい。また、コンタクト層は、接着層又ははんだ層とすることもできる。
【００５２】
本発明の一実施形態では、回路キャリアの層の接合と、回路キャリアへの半導体部品の接合とを同時に行うことができる。この実施形態では、接合される全ての層、接合層、及び半導体部品が、互いに上下方向（ubereinander angeordnet）に配置され、例えば低温焼結法によって同時に接合される。
【００５３】
回路キャリアを製造するための本発明による方法と、半導体モジュールを製造するための本発明による方法との組み合わせによって、回路キャリアの規定された凸状又は凹状の変形、すなわち規定された最大曲率、が生成されるように、層及び接着層の非対称配置を有する回路キャリアを製造することが可能である。個々の層及び接合層は、互いに非対称に配置される。非対称性は、層の数及び／又は層の厚さによって制御される。
【００５４】
層及び接合層の非対称な配置は、半導体部品の回路キャリアへの実装温度に実質的に対応する接合温度で相互に接続される。
【００５５】
続いて、半導体部品の回路キャリアへの接合が行われる。ここで、製造された非対称な回路キャリアの再加熱中に、凹状又は凸状の変形が劣化し、半導体部品を基板に接合した後に、新たな応力平衡における温度安定な（temperaturstabile）要件を満たす最終形状となる。温度安定な最終形状は、規定された最大曲率であってもよい。例えば、定義された最大曲率は１００μｍである。更に、温度安定な最終形状は、完全に平坦な半導体モジュールであってもよい。
【００５６】
本発明は、更に、半導体モジュールを明示するという考えに基づき、半導体モジュールは、前述の本発明による方法を用いて製造されることが好ましい。半導体モジュールは、回路キャリアとその回路キャリアに接合された少なくとも一つの半導体部品とを有する。回路キャリアは、好ましくは、本発明による回路キャリア、又は前述の本発明による方法によって製造された回路キャリアであることが好ましい。
【００５７】
半導体部品は、ダイオード又はＩＧＢＴ（ｂｉｐｏｌａｒ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ｗｉｔｈ  ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  ｇａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）又はＭＯＳＦＥＴトランジスタであってもよい。半導体部品は、パワー半導体であることが好ましい。
【００５８】
本発明による半導体モジュールの好ましい実施形態によれば、回路キャリアの第２の層は、銅層又は銅合金層に埋め込まれ、半導体部品は、第２の層の上方に構成される。半導体モジュールにおけるこのタイプの第２の層の設計の場合、第２の層の領域は、少なくとも一つの銅層又は少なくとも一つの銅合金層の領域よりも実質的に小さい。第２の層の領域は、半導体部品の領域の８０％以上であることが好ましい。この場合、「上方」とは、半導体部品の第２の層に対する垂直方向の延長の位置である。更なる層が、第２の層と半導体部品との間に配置されてもよい。
【００５９】
第２の層は、その上方に配置された半導体部品と同じ辺比率（Seitenverhaltnis）を有することが好ましい。第２の層の領域を、銅層又は銅合金層の領域と比較して小さくすることによって、低膨張の半導体部品の領域における集中的かつ局所的な膨張の不整合が低減される。回路キャリアにおいて、第２の層を有さない、すなわち第２の層を含まない、セクションが形成される。このセクションには、銅又は銅合金のみが存在する。半導体モジュールのそのような実施形態では、特に高いｚ熱伝導率が存在する。ｚ熱伝導率とは、半導体部品からその下方に位置する回路キャリアの層の方向への熱伝導率を意味すると理解される。
【００６０】
半導体部品は、第２の層と同時に構成されてもよい。
【００６１】
本発明の更なる実施形態では、第２の層は、銅層又は銅合金層に埋め込まれることができ、第２の層は、枠状に構成されて銅層セクション又は銅合金層セクションを枠で囲み（umrahmt）、半導体部品は、銅層セクション又は銅合金層セクションの上方に構成される。この場合、「上方」とは、半導体部品の第２の層に対する垂直方向の延長の位置である。更なる層が、第２の層と半導体部品との間に配置されてもよい。
【００６２】
銅層セクション又は銅合金層セクションの辺長は、半導体部品の辺長の１５０％以下とすることができる。枠状構造の第２の層の幅は、半導体部品の最短辺長の１０％〜１００％であることが好ましい。低膨張性材料の第２の層の枠状構造は、半導体モジュール内の膨張を低減する効果をもたらす。対して、囲まれた銅合金層セクション又は銅層セクションは、銅材料又は銅合金材料に基づいてｚ熱伝導率を最大化する効果をもたらす。
【００６３】
本発明の更なる実施形態では、少なくとも二つの銅層及び／又は銅合金層の間に形成されることが好ましい第２の層の領域のサイズは、半導体部品と回路キャリアの間の力学的せん断応力の分布に適合した形状に限定される。多くの場合、半導体部品と回路キャリアとの間のせん断応力は、半導体部品の対角線に沿って特に大きい。せん断応力はまた対角線を越えて延びる（Diagonalen hinaus erstrecken）こともある。せん断応力の分布は、半導体部品の幾何学的中心に対して実質的に点対称である。
【００６４】
低膨張率の材料から作られた第２の層の最小領域は、結果的に、半導体部品の座標軸方向の領域よりも半導体部品の対角線方向に比例して延びる領域である。換言すると、第２の層は、半導体部品の対角線方向の領域の広がりが半導体部品の座標軸方向の領域の広がりよりも大きいような表面形状を有する。形成された第２の層の表面形状は、四葉のクローバーに類似している。第２の層に埋め込まれた銅層セクション又は銅合金層セクションは、第２の層の領域の中央に構成されることができる。このような半導体モジュールの設計は、低膨張性の材料を使用せずに銅又は銅合金を使用することによって、熱伝導率を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
以下、本発明が、例示的な実施形態に基づいて、添付の概略図を参照しながら、より詳細に説明される。図中において：
【００６６】
【図１ａ】回路キャリアの個々の層の配置を示す。
【図１ｂ】接合状態の図１ａによる回路キャリアを示す。
【図２】第１の例示的な実施形態による半導体モジュールを示す。
【図３】第２の例示的な実施形態による半導体モジュールを示す。
【図４】第３の例示的な実施形態による半導体モジュールを示す。
【図５】第４の例示的な実施形態による半導体モジュールを示す。
【図６】第５の例示的な実施形態による半導体モジュールを示す。
【図７】第６の例示的な実施形態による半導体モジュールを示す。
【発明を実施するための形態】
【００６７】
以下において、同一の部品、及び同一の動作をする部品については、同一の参照番号が使用される。
【００６８】
製造される回路キャリア１０（図１ｂ参照）の個々の層が、図１ａに示されている。結果として、製造される回路キャリア１０は、銅から作られた第１の銅層２０と、第２の材料Ｍ２から作られた第２の層３０と、第２の銅層２５とを有する。
【００６９】
材料Ｍ２は、銅の膨張係数よりも低い第２の膨張係数を有する低膨張性の材料である。第２の材料Ｍ２は、ニッケル合金、特にインバール（Ｆｅ65Ｎｉ35）又はインバール３６（Ｆｅ64Ｎｉ36）又はコバール（Ｆｅ54Ｎｉ29Ｃｏ17）、及び／又はタングステン（Ｗ）及び／又は鉄ニッケルコバルト合金（ＦｅＮｉＣｏ合金）であってもよい。例示的な本実施形態では、材料Ｍ２はモリブデンである。
【００７０】
第１の銅層２０と第２の層３０との間には、接合材料ＶＭから作られた第１の接合層４０が形成されている。第２の層３０と第２の銅層２５との間には、接合材料ＶＭから作られた第２の接合層４１が形成されている。接合層４０及び４１の接合材料ＶＭは、層２０、２５、及び３０の間に接合を形成し、接合温度を超える温度に耐える。接合層は、拡散材料、特に銀及び／又は銀合金及び／又は金及び／又は金合金及び／又は銅及び／又は銅合金を有することが好ましい。
【００７１】
接合層は、焼結層として、特に焼結ペーストとして、形成されることが好ましい。この焼結ペーストは、列挙した拡散金属の一つを有することが好ましく、例えば印刷法（Druckverfahrens）によって塗布されることができる。
【００７２】
層２０、２５、３０、４０、及び４１は、１５０℃〜３００℃の接合温度で、低温焼結法によって互いに接合されることが好ましい。接合温度は、特に２５０℃が好ましい。接合層４０及び４１を用いて層２０、２５、及び３０を接合するための接合温度は、適用される半導体部品に製造される回路キャリア１０の接合中の実装温度に実質的に対応する。
【００７３】
第１の銅層２０の、第２の層３０及び第２の銅層２５への接合は、圧力負荷、特に５ＭＰａ〜３０ＭＰａ、特に２５ＭＰａの圧力によって行われることが好ましい。
【００７４】
製造される回路キャリア１０は、図１ｂに見ることができる。接合層４０及び４１が、同様に見ることができる。接合層４０及び４１は、第１の銅層２０、第２の銅層２５、及び第２の層３０の境界層として形成されることもできる。
【００７５】
図１ａ及び図１ｂに見ることができるように、第１の銅層２０の層厚ｄ１、第２の層３０のｄ２、及び第２の銅層２５のｄ３は同じである。図１ｂに示された対称軸Ｓを用いると、回路キャリア１０の構造は、個々の層２０、２５、及び３０と接合層４０及び４１の対称構造であることが明らかになる。対称軸Ｓは、回路キャリア１０の総厚Ｄを半分にする。総厚Ｄは、層厚ｄ１、ｄ２、ｄ３と接合層４０、４１の層厚とを加えることによって形成される。回路キャリア１０の対称構造は、対称軸Ｓの上方及び下方に示されている。
【００７６】
好ましい実施形態では、第１の銅層２０の層厚ｄ１は０．５ｍｍ〜３．０ｍｍであり、第２の層３０の層厚ｄ２は０．１ｍｍ〜１．０ｍｍであり、第２の銅層２５の層厚ｄ３は０．５ｍｍ〜３．０ｍｍである。第１の接合層及び第２の接合層の厚さは１μｍ〜５０μｍであることが好ましい。
【００７７】
図２には、半導体モジュール１００が図示されている。半導体モジュール１００は、半導体部品９０、及び回路キャリア１０を有する。半導体部品９０は、例えば、ダイオード、ＩＧＢＴ又はＭＯＳＦＥＴトランジスタであってよい。半導体部品９０は、コンタクト層５０によって回路キャリア１０に接合される。コンタクト層５０は、例えば、はんだ層又は導電性接着層又は焼結層であってよい。
【００７８】
図示された回路キャリア１０は、第１の銅層２０、及び第２の材料Ｍ２から作られた第２の層３０からなる。第２の材料Ｍ２は、モリブデンである。第１の銅層２０は、接合材料ＶＭからなる接合層４０によって、第２の層３０に接合される。
【００７９】
半導体部品９０は、コンタクト層５０を用いて、回路キャリア１０の半導体部品９０に面する側面１５上に適用される。半導体部品９０に接合される回路キャリア１０の表面１５は、第１の銅層２０の第１の側面１５であり、第１の銅層２０の第１の側面１５は、第２の層３０とは反対の側に形成されている。
【００８０】
示された対称軸Ｓは、図２による実施形態において、層２０、３０及び４０の非対称配置が存在することを示している。第１の銅層２０の層厚ｄ１は、第２の層３０の層厚ｄ２よりも大きい。
【００８１】
第２の例示的な実施形態による半導体モジュール１００が、図３に示されている。図３の回路キャリア１０は、図１ｂに示された回路キャリア１０、すなわち対称的配置を有する回路キャリア１０である。この実施形態でも、半導体部品９０は、コンタクト層５０によって、第１の銅層２０の第１の側面１５上に適用される。
【００８２】
本実施形態による半導体モジュール１００の回路キャリアに関する更なる例示的な実施形態が、図４に示されている。結果として、第２の材料Ｍ２から、特にモリブデンから、作られた第２の層３０が、第２の銅層２５に埋め込まれている。第２の層３０の幅ｂ２及び第２の層３０の厚さｄ２の両方は、第２の銅層２５の幅ｂ３及び第２の銅層２５の厚さｄ３よりも小さい。半導体部品９０は、回路キャリア１０上の第２の層３０の上方に実装されている。この場合、第２の層の幅ｂ２は、半導体部品９０の幅ｂＨＬよりもわずかに小さい。
【００８３】
回路キャリア１０は、第２の銅層２５の上方及び第２の層３０の上方の所定のセクションに配置された第１の銅層２０を有する。第１の銅層２０を第２の層３０に接合するために、接合材料ＶＭから作られた接合層４０が、第１の銅層２０と第２の材料Ｍ２から作られた第２の層３０との間に形成される。
【００８４】
第２の層３０の層厚ｄ２は、第２の銅層２５の層厚ｄ３よりも低いため、第１の接合層４０は、異なる厚さｄ２及びｄ３のために形成された凹部に、例えばヘラ（Rakels）を用いて導入されることができる。第１の銅層２０は、銅の導電路であることが好ましい。
【００８５】
回路キャリア１０又は半導体モジュール１００を製造するための本発明による方法は、第２の層３０が、例えば低温焼結法によって第１の銅層２０に接合されるようにする。回路キャリア１０の非対称構造のために、回路キャリア１０を室温に冷却するときにまず変形が生じる。次に第２の作業ステップにおいて、半導体部品９０が、特に焼結、拡散はんだ付け、又は接着接合によって回路キャリア１０上に実装されると、力学的応力の均等化が生じて、平坦な導電路の形状とされる。
【００８６】
このタイプの応力均等化された接合は、一つのプロセスステップで行うこともできる。この目的のために、第１の銅層２０、特に銅導電路が、第２の銅層２５に埋め込まれた第２の層３０上に配置され、次に半導体部品９０がその上に配置される。接合層４０は、第１の銅層２０と第２の材料Ｍ２から作られた第２の層３０との間に配置され、コンタクト層５０は、半導体部品９０と第１の銅層２０との間に配置される。全ての層及び半導体部品９０が、一つのプロセスステップで互いに接合されるように、コンタクト層５０及び第１の接合層４０は、銀焼結層であることが好ましい。
【００８７】
図４に類似した半導体モジュール１００の実施形態が、図５に図示されている。この場合でも、第２の層３０は、第２の銅層２５に埋め込まれている。第１の銅層２０は、半導体部品９０と第２の層３０との間に形成されている。更に、第３の銅層２６が形成されている。第２の銅層２５及び第２の層３０は、接合材料ＶＭから作られた第２の接合層４１によって、第３の銅層２６に接合される。
【００８８】
概して、例えばモリブデン等の低膨張率の材料から作られた第２の層３０の領域は、第２の銅層２５及び第３の銅層２６の領域よりも実質的に小さい。しかし、第２の層３０の領域の減少は、半導体部品９０の領域の８０％以上である。図５に図示された例では、第２の層３０の領域は、第２の層の幅ｂ２によって示されるように、半導体部品９０の領域よりも大きい。第２の層３０の領域は、半導体部品９０と同じ辺比率（Seitenverhaltnis）を有することが好ましい。第２の銅層２５及び第３の銅層２６の領域と比較して、低膨張性の材料から作られた第２の層３０の領域の縮小は、低膨張半導体部品９０の領域における集中的かつ局所的な膨張の不整合を低減する。
【００８９】
第１の銅層２０は、第２の層３０を完全に覆う。圧着技術（pressenden Verbindungstechnik）の場合、形状に応じた（konturfolgende erste）第１の銅層２０が、印加された実装圧力のために形成される。この場合、プラトー（Plateau）が形成されてもよく、半導体部品９０を支持する。
【００９０】
本発明による回路キャリア１０に関する更なる実施形態の更なる半導体部品１００が、図６に図示されている。回路キャリア１０の第２の層３０は、この例示的な実施形態では、矩形の枠として形成されている。低膨張性材料から作られ、矩形枠として形成された第２の層３０は、第２の銅層２５に埋め込まれている。第２の層３０は、接合材料ＶＭから作られた第１の接合層４０によって、第１の銅層２０に接合されている。第１の銅層２０もまた、矩形枠として形成されている。第２の層３０は、銅層セクション２９を枠で囲み、半導体部品９０が銅層セクション２９の上方に形成されている。銅層セクション２９の辺長は、半導体部品９０の辺長の１５０％以下であるべきである。枠状構造の第２の層３０の幅ｂ２は、半導体部品９０の最小の辺長の１０％以上であり１００％以下である。
【００９１】
回路キャリア１０は、第３の銅層２６を更に有する。この第３の銅層２６は、第２の接合層４１によって、第２の層３０及び第２の銅層２５に接合される。
【００９２】
第２の層３０の枠状設計は、膨張低減をもたらし、コンタクト層５０によって半導体部品９０が適用された銅層セクション２９が、銅材料であるために最大のｚ熱伝導率をもたらす。半導体部品９０から第３の銅層２６の方向への熱伝導率が、ｚ熱伝導率として定義される。形状に応じた銅層は、例えば焼結方法等に基づく圧着技術に基づいて、実装圧力のために形成される。この場合、第１の銅層２０によって覆われた第２の層３０は、銅層セクション２９の方向に下がった平坦なプラトーを形成し、プラトーは、半導体部品９０を支持する。
【００９３】
図７の半導体モジュール１００の回路キャリア１０は、第１の銅層２０、第２の銅層２５、及び第３の銅層２６を同様に有している。第２の層３０は、第２の銅層２５に埋め込まれている。第１の銅層２０は、正方形又は長方形構造であり、第２の層３０を覆っている。第１の銅層２０は、接合材料ＶＭから作られた枠状構造の第１の接合層４０によって、第２の層３０に接合される。次に第２の銅層２５が、第２の接合層４１を用いて第３の銅層２６に接合される。
【００９４】
低膨張性の材料Ｍ２から作られた第２の層３０の領域の範囲又はサイズは、この例示的な実施形態では、半導体部品９０と回路キャリア１０との間の力学的せん断応力の分布に適合した形状に限定される。せん断応力は、半導体部品９０と回路キャリア１０との間の半導体部品９０の対角線に沿って（そして越えて）特に大きくなる。せん断応力分布は、半導体部品９０の中心点Ｍに対して実質的に点対称である。
【００９５】
この場合の第２の層３０の領域に関する最小限の設計は、したがって、半導体部品９０の対角線をやや越えて延びる領域をもたらす。第２の層３０の領域は、半導体部品９０の座標軸の領域よりも対角線を更に越えて伸びている。結果として得られる表面形状（第２の層３０上の平面図で見ることができる）は、四葉のクローバーに類似している。熱伝導率を改善するために、半導体部品９０の中心点Ｍの領域における第２の層３０に、銅層セクション２９が形成される。
【符号の説明】
【００９６】
１０    回路キャリア
１５    第１の銅層の第１の側面
２０    第１の銅層
２５    第２の銅層
２６    第３の銅層
２９    銅層セクション
３０    第２の層
４０    第１の接合層
４１    第２の接合層
５０    コンタクト層
９０    半導体部品
１００    半導体モジュール
ｂ１    第１の銅層の幅
ｂ２    第２の層の幅
ｂ３    第２の銅層の幅
ｂＨＬ    半導体部品の幅
ｄ１    第１の銅層の厚さ
ｄ２    第２の層の厚さ
ｄ３    第２の銅層の厚さ
Ｄ    総厚
Ｓ    対称軸
Ｍ    半導体部品の中心点
Ｍ２    第２の材料
ＶＭ    接合材料
【図１ａ】
2019510367.tif 000004
【図１ｂ】
2019510367.tif 000005
【図２】
2019510367.tif 000006
【図３】
2019510367.tif 000007
【図４】
2019510367.tif 000008
【図５】
2019510367.tif 000009
【図６】
2019510367.tif 000010
【図７】
2019510367.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月30日(2018.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体部品（９０）のための回路キャリア（１０）、特にリードフレーム又は導電路、の製造方法であって、
第１の膨張係数を有する少なくとも一つの第１の銅層（２０）又は第１の銅合金層と、前記第１の膨張係数よりも小さい第２の膨張係数を有する低膨張率の第２の材料（Ｍ２）から作られた少なくとも一つの第２の層（３０）とが、
１５０℃〜３００℃の接合温度で、特に低温焼結法によって互いに接合される、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
接合材料（ＶＭ）から作られた少なくとも一つの第１の接合層（４０）が、前記第１の銅層（２０）又は前記第１の銅合金層と前記第２の層（３０）との間に形成され、前記接合材料（ＶＭ）は、前記接合温度を超える温度に耐える接合を形成し、好ましくは拡散金属、特に銀（Ａｇ）及び／又は銀合金及び／又は金（Ａｕ）及び／又は金合金及び／又は銅（Ｃｕ）及び／又は銅合金を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接合温度は、２００℃〜２８０℃、特に２２０℃〜２７０℃、特に２４０℃〜２６０℃、特に２５０℃であり、前記接合温度は、好ましくは少なくとも一つの半導体部品（９０）に製造される回路キャリア（１０）の接合中の実装温度に実質的に対応する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の材料（Ｍ２）は、ニッケル合金、特にインバール（Ｆｅ65Ｎｉ35）又はインバール３６（Ｆｅ64Ｎｉ36）又はコバール（Ｆｅ54Ｎｉ29Ｃｏ17）、及び／又はタングステン（Ｗ）及び／又は鉄ニッケルコバルト合金（ＦｅＮｉＣｏ合金）、特に好ましくはモリブデン（Ｍｏ）を有する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
銅層（２０）又は銅合金層と、前記第２の層（３０）及び任意選択の接合層（４０、４１）との接合は、加圧によって、特に５ＭＰａ〜３０ＭＰａ、特に１０ＭＰａ〜２８ＭＰａ、特に２５ＭＰａの圧力を用いて行われる、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
特に請求項１から５のいずれか一項に記載の方法により製造された、半導体部品（９０）のための回路キャリア（１０）、特にリードフレーム又は導電路、であって、
−  第１の膨張係数を有する少なくとも一つの第１の銅層（２０）又は第１の銅合金層と、
−  前記第１の膨張係数よりも小さい第２の膨張係数を有する低膨張率の第２の材料（Ｍ２）から作られた少なくとも一つの第２の層（３０）であって、前記第２の材料（Ｍ２）は、ニッケル合金、特にインバール（Ｆｅ65Ｎｉ35）又はインバール３６（Ｆｅ64Ｎｉ36）又はコバール（Ｆｅ54Ｎｉ29Ｃｏ17）、及び／又はタングステン（Ｗ）及び／又は鉄ニッケルコバルト合金（ＦｅＮｉＣｏ合金）、特に好ましくはモリブデン（Ｍｏ）を有する、
を有する回路キャリア（１０）。
【請求項７】
少なくとも一つの第１の接合層（４０）が、前記第１の銅層（２０）又は前記第１の銅合金層と前記第２の層（３０）との間に形成され、前記第１の接合層は、拡散金属、特に銀（Ａｇ）及び／又は銀合金及び／又は金（Ａｕ）及び／又は金合金及び／又は銅（Ｃｕ）及び／又は銅合金を有する、
ことを特徴とする請求項６に記載の回路キャリア（１０）。
【請求項８】
少なくとも前記第１の接合層（４０）は、前記第１の銅層（２０）又は前記第１の銅合金層及び／又は少なくとも前記第２の層（３０）の境界層として形成される、
ことを特徴とする請求項７に記載の回路キャリア（１０）。
【請求項９】
少なくとも一つの第２の銅層（２５）又は第２の銅合金層が、接合材料（ＶＭ）から作られた第２の接合層（４１）によって、低膨張率の第２の材料（Ｍ２）から作られた第２の層（３０）に、好ましくは接合される、
ことを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の回路キャリア（１０）。
【請求項１０】
前記第２の層（３０）は、銅層（２０、２５、２６）又は銅合金層に埋め込まれている、
ことを特徴とする請求項６から９のいずれか一項に記載の回路キャリア（１０）。
【請求項１１】
前記第２の層（３０）は、枠状及び／又は格子状及び／又はワイヤ状に形成される、
ことを特徴とする請求項６から１０のいずれか一項に記載の回路キャリア（１０）。
【請求項１２】
特に請求項６から１１のいずれか一項に記載の回路キャリア（１０）又は請求項１から５のいずれか一項に記載の方法によって製造された回路キャリア（１０）と、前記回路キャリア（１０）に接合された少なくとも一つの半導体部品（９０）と、を有する半導体モジュール（１００）の製造方法であって、
前記半導体部品（９０）は、１５０℃〜３００℃の実装温度でコンタクト層（５０）によって前記回路キャリア（１０）に接合され、前記実装温度は、前記回路キャリア（１０）の層（２０、２５、２６、３０、４０、４１）の接合中の接合温度に実質的に対応する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記回路キャリア（１０）の層（２０、２５、２６、３０、４０、４１）の接合と、前記半導体部品（９０）への前記回路キャリア（１０）の接合とが同時に行われる、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記実装温度は、２００℃〜２８０℃、特に２２０℃〜２７０℃、特に２４０℃〜２６０℃、特に２５０℃である、
ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
特に請求項１２から１４のいずれか一項によって製造された半導体モジュール（１００）であって、
請求項６から１１のいずれか一項に記載の回路キャリア（１０）又は請求項１から５のいずれか一項に記載の方法によって製造された回路キャリア（１０）と、
前記回路キャリア（１０）に接合された少なくとも一つの半導体部品（９０）、特にダイオード又はＩＧＢＴ又はＭＯＳＦＥＴトランジスタと、
を有する半導体モジュール（１００）。
【請求項１６】
前記第２の層（３０）は、銅層（２０、２５、２６）又は銅合金層に埋め込まれ、前記半導体部品（９０）は、好ましくは前記第２の層（３０）の上方に構成される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体モジュール（１００）。
【請求項１７】
前記第２の層（３０）は、銅層（２０、２５、２６）又は銅合金層に埋め込まれ、前記第２の層（３０）は、枠状に構成されて銅層セクション（２９）又は銅合金層セクションを枠で囲み、半導体部品（９０）は、好ましくは前記銅層セクション（２９）又は前記銅合金層セクションの上方に構成される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体モジュール（１００）。
【請求項１８】
前記銅層セクション（２９）又は前記銅合金層セクションの辺長は、半導体部品（９０）の辺長の１５０％以下であり、好ましくは枠状構造の前記第２の層（３０）の幅（ｂ２）は、半導体部品（９０）の最短辺長の１０％〜１００％である、
ことを特徴とする請求項１７に記載の半導体モジュール（１００）。
【国際調査報告】
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