(57)【要約】  塩素ドープコアと、フッ素ドープトレンチ領域を有するクラッドとを備える、シングルモード光ファイバを開示する。上記光ファイバは、コアアルファα≧１０、コア半径ｒ１、最大屈折率デルタΔ１ｍａｘ及びＣｌ濃度≧０．９重量％を有する、塩素ドープシリカコアを含む。上記光ファイバはまた、上記コアを取り囲むクラッドを有し、上記クラッドは内側及び外側クラッドを有する。上記内側クラッドは、第１及び第２のクラッド領域を有する。上記光ファイバは：９マイクロメートル超の、１３１０ｎｍでのモードフィールド直径；≦１２６０ｎｍのケーブルカットオフ波長；１３００ｎｍ≦λ０≦１３２４ｎｍのゼロ分散波長λ０；及び０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍマンドレルに関する１５５０ｎｍでの曲げ損失を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバであって、前記光ファイバは：
ａ）コアアルファα≧１０、コア半径ｒ１、最大屈折率デルタΔ１ｍａｘ、及びＣｌ濃度≧０．９重量％を備える、塩素ドープシリカコア；
ｂ）前記コアを取り囲むクラッドであって：
ａ．前記コアの直近を取り囲む内側クラッド領域であって、外半径ｒ２ａ及びｒ２をそれぞれ有する第１及び第２のクラッド領域を備え、ｒ２ａ＜ｒ２であり、前記第２のクラッド領域は、半径ｒ２ａにおける最小屈折率デルタΔ２ｍｉｎ及び半径ｒ２における最大屈折率デルタΔ２ｍａｘを有する屈折率デルタΔ２を備え、Δ２ｍｉｎ＜Δ２ｍａｘ＜Δ１ｍａｘであり、また屈折率勾配ＴＳ＝（Δ２ｍａｘ−Δ２ｍｉｎ）／（ｒ２−ｒ１）＞０を備える、内側クラッド領域；
ｂ．前記第１の内側クラッド領域を取り囲む外側クラッド領域であって、外半径ｒｍａｘ及び屈折率デルタΔ５を備え、Δ２ｍｉｎ＜Δ５＜Δ２ｍａｘである、外側クラッド領域
を備える、クラッド
を備え、
ｃ）前記光ファイバは：９マイクロメートル超の、１３１０ｎｍでのモードフィールド直径ＭＦＤ；≦１２６０ｎｍのケーブルカットオフ波長；ゼロ分散波長λ０、ただし１３００ｎｍ≦λ０≦１３２４ｎｍ；及び０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍマンドレルに関する１５５０ｎｍでの曲げ損失を備える、光ファイバ。
【請求項２】
前記第１のクラッド領域は、フッ素ドープシリカ、好ましくはフッ素ドープシリカ及び塩素ドープシリカを含む、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
前記クラッドは、前記第２のクラッド領域の直近を取り囲む第３のクラッド領域を更に備え、
前記第３のクラッド領域は、屈折率デルタΔ３及び最大屈折率デルタΔ３ｍａｘを備え、
Δ５＜Δ３ｍａｘである、請求項１又は２に記載の光ファイバ。
【請求項４】
前記クラッドは、前記第３のクラッド領域の直近を取り囲む第４のクラッド領域を更に備え、
前記第４のクラッド領域は、屈折率デルタΔ４及び最小屈折率デルタΔ４を備え、
Δ４＜Δ５、好ましくは−０．３％≦Δ４≦０％である、請求項３に記載の光ファイバ。
【請求項５】
前記コアの塩素濃度は１．３重量％超、好ましくは２重量％超、又は３重量％超である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項６】
前記外側クラッド領域は非ドープシリカ外側層で取り囲まれる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項７】
（ｉ）０．１％≦Δ１ｍａｘ≦０．５％であり：及び／又は
（ｉｉ）−０．３５％≦Δ２ｍｉｎ≦０．０５％である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項８】
（ｉ）前記１５５０ｎｍでの減衰は≦０．１７ｄＢ／ｋｍであり；及び／又は
（ｉｉ）３０ｍｍマンドレルに関する前記１５５０ｎｍでの曲げ損失は≦０．００５ｄＢ／ｔｕｒｎであり；及び／又は
（ｉｉｉ）２０ｍｍマンドレルに関する前記１５５０ｎｍでの曲げ損失は０．３ｄＢ／ｔｕｒｎ未満である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項９】
前記コア半径ｒ１は３．５マイクロメートル≦ｒ１≦５．５マイクロメートルであり；
０．１％≦Δ１ｍａｘ≦０．４％であり；
前記内側クラッド領域は外半径ｒ２を備え、５マイクロメートル≦ｒ２≦２０マイクロメートルであり；
−０．３５％≦Δ２ｍｉｎ＜０％である、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項１０】
（ｉ）前記内側クラッド領域は、１Δ％−マイクロメートル２〜１２Δ％−マイクロメートル２のモート容積を備え；及び／又は
（ｉｉ）前記１３１０ｎｍでのＭＦＤは９マイクロメートル〜９．５マイクロメートルであり；及び／又は
（ｉｉｉ）０．００５％Δ／マイクロメートル＜ｄΔ２／ｄｒ＜０．２％Δ／マイクロメートルである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【発明の詳細な説明】
【優先権】
【０００１】
本出願は、米国特許法第１１９条の下で、２０１６年７月２９日出願の米国仮特許出願第６２／３６８，７１２号の優先権を主張するものであり、上記仮特許出願の内容は信頼できるものであり、その全体が参照により本出願に援用される。
【技術分野】
【０００２】
本開示は一般に、曲げ損失が小さいシングルモード光ファイバに関し、特に塩素ドープコアを備える光ファイバに関し、より詳細には、塩素ドープコアと、フッ素ドープトレンチ領域を有するクラッドとを備える、シングルモードファイバに関する。
【０００３】
本出願に引用されるいずれの参考文献が先行技術を構成することを承認するものではない。出願人は、引用されたいずれの文献の正確性及び適切性に意義を申し立てる権利を明示的に留保する。
【背景技術】
【０００４】
低減衰は、通信用途に使用される光ファイバに関して重要な特性である。本明細書で開示される光ファイバは、海底及び地上の長距離システムのための光ファイバケーブルにおける低減衰光ファイバとして特に有用である。
【発明の概要】
【０００５】
本開示のある実施形態は、光ファイバであって、上記光ファイバは：
ａ）コアアルファα≧１０、コア半径ｒ１、最大屈折率デルタΔ１ｍａｘ、及びＣｌ濃度≧０．９重量％を有する、塩素ドープシリカコア；
ｂ）上記コアを取り囲むクラッドであって：
ａ．上記コアの直近を取り囲む内側クラッド領域であって、外半径ｒ２ａ及びｒ２をそれぞれ有する第１及び第２のクラッド領域を備え、ｒ２ａ＜ｒ２であり、上記第２のクラッド領域は、半径ｒ２ａにおける最小屈折率デルタΔ２ｍｉｎ及び半径ｒ２における最大屈折率デルタΔ２ｍａｘを有する屈折率デルタΔ２を備え、Δ２ｍｉｎ＜Δ２ｍａｘ＜Δ１ｍａｘであり、また屈折率勾配ＴＳ＝（Δ２ｍａｘ−Δ２ｍｉｎ）／（ｒ２−ｒ１）＞０を備える、内側クラッド領域；
ｂ．上記第１の内側クラッド領域を取り囲む外側クラッド領域であって、外半径ｒｍａｘ及び屈折率デルタΔ５を備え、Δ２ｍｉｎ＜Δ５＜Δ２ｍａｘである、外側クラッド領域
を備える、クラッド
を備え、
ｃ）上記光ファイバは：９マイクロメートル超の、１３１０ｎｍでのモードフィールド直径ＭＦＤ；≦１２６０ｎｍのケーブルカットオフ波長；ゼロ分散波長λ０、ただし１３００ｎｍ≦λ０≦１３２４ｎｍ；及び０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍマンドレルに関する１５５０ｎｍでの曲げ損失を有する。
【０００６】
本開示の別の実施形態は、上記第１のクラッド領域がフッ素ドープシリカを含む、上述の光ファイバである。
【０００７】
本開示の別の実施形態は、上記第１のクラッド領域が基本的にフッ素ドープシリカ及び塩素ドープシリカからなる、上述の光ファイバである。
【０００８】
本開示の別の実施形態は、上記クラッドが、上記第２のクラッド領域の直近を取り囲む第３のクラッド領域を更に備え、上記第３のクラッド領域は屈折率デルタΔ３及び最大屈折率デルタΔ３ｍａｘを備え、Δ５＜Δ３ｍａｘである、上述の光ファイバである。
【０００９】
本開示の別の実施形態は、上記クラッドが、上記第３のクラッド領域の直近を取り囲む第４のクラッド領域を更に備え、上記第４のクラッド領域は屈折率デルタΔ４及び最小屈折率デルタΔ４を備え、Δ４＜Δ５である、上述の光ファイバである。
【００１０】
本開示の別の実施形態は、上記第３のクラッド領域がフッ素ドープシリカを含む、上述の光ファイバである。
【００１１】
本開示の別の実施形態は、上記第３のクラッド領域が基本的にフッ素ドープシリカ及び塩素ドープシリカからなる、上述の光ファイバである。
【００１２】
本開示の別の実施形態は、上記コアの塩素濃度が１．３重量％超である、上述の光ファイバである。
【００１３】
本開示の別の実施形態は、上記コアの塩素濃度が２重量％超である、上述の光ファイバである。
【００１４】
本開示の別の実施形態は、上記コアの塩素濃度が３重量％超である、上述の光ファイバである。
【００１５】
本開示の別の実施形態は、上記外側クラッド領域が非ドープシリカ外側層で取り囲まれる、上述の光ファイバである。
【００１６】
本開示の別の実施形態は、０．１％≦Δ１ｍａｘ≦０．５％である、上述の光ファイバである。
【００１７】
本開示の別の実施形態は、−０．３５％≦Δ２ｍｉｎ≦０．０５％である、上述の光ファイバである。
【００１８】
本開示の別の実施形態は、−０．３％≦Δ４≦０％である、上述の光ファイバである。
【００１９】
本開示の別の実施形態は、上記１５５０ｎｍでの減衰が≦０．１７ｄＢ／ｋｍである、上述の光ファイバである。
【００２０】
本開示の別の実施形態は、３０ｍｍマンドレルに関する上記１５５０ｎｍでの曲げ損失が≦０．００５ｄＢ／ｔｕｒｎである、上述の光ファイバである。
【００２１】
本開示の別の実施形態は、上記コア半径ｒ１が３．５マイクロメートル≦ｒ１≦５．５マイクロメートルであり；０．１％≦Δ１ｍａｘ≦０．４％であり；上記内側クラッド領域が外半径ｒ２を備え、５マイクロメートル≦ｒ２≦２０マイクロメートルであり；−０．３５％≦Δ２ｍｉｎ＜０％である、上述の光ファイバである。
【００２２】
本開示の別の実施形態は、上記内側クラッド領域が１Δ％−マイクロメートル２〜１２Δ％−マイクロメートル２のモート（ｍｏａｔ）容積を備える、上述の光ファイバである。
【００２３】
本開示の別の実施形態は、２０ｍｍマンドレルに関する上記１５５０ｎｍでの曲げ損失が０．３ｄＢ／ｔｕｒｎ未満である、上述の光ファイバである。
【００２４】
本開示の別の実施形態は、上記１３１０ｎｍでのＭＦＤが９マイクロメートル〜９．５マイクロメートルである、上述の光ファイバである。
【００２５】
本開示の別の実施形態は、上記内側クラッドが、０．００５％Δ／マイクロメートル＜ｄΔ２／ｄｒ＜０．２％Δ／マイクロメートルであるトレンチ勾配（ＴＳ）ｄΔ２／ｄｒを備える、上述の光ファイバである。
【００２６】
更なる特徴及び利点は、以下の「発明を実施するための形態」に記載され、またその一部は、当業者には、「発明を実施するための形態」の記載から容易に明らかとなるか、又は本明細書及び請求項並びに添付の図面に記載される実施形態を実践することにより認識されるであろう。
【００２７】
以上の「発明の概要」及び以下の「発明を実施するための形態」はいずれも例示的なものにすぎず、請求項の本質及び特性を理解するための概観又は枠組みを提供することを意図したものであることを理解されたい。
【００２８】
添付の図面は、更なる理解を提供するために含まれており、また本明細書に組み込まれて本明細書の一部を構成する。これらの図面は、１つ以上の実施形態を図示し、本記載と併せて、様々な実施形態の原理及び動作を説明する役割を果たす。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本明細書で開示される例示的な光ファイバの側面図
【図２Ａ】図１の光ファイバの第１の実施形態の概略断面図
【図２Ｂ】図２Ａの光ファイバの相対屈折率プロファイルΔのプロット
【図３Ａ】図１の光ファイバの第２の実施形態の概略断面図
【図３Ｂ】図３Ａの光ファイバの相対屈折率プロファイルΔのプロット
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下の「発明を実施するための形態」において、更なる特徴及び利点を記載する。これは当業者には本説明から明らかとなるか、又は以下の説明と、請求項及び添付の図面とに記載された通りに実践することによって認識される。
【００３１】
低減衰及び低曲げ損失は、光ファイバの重要な特性である。本明細書で開示される光ファイバは、海底及び地上の長距離システムのための光ファイバケーブルにおける低減衰光ファイバとしての使用に役立つ。
【００３２】
定義
本明細書では、屈折率はｎで表される。
【００３３】
減衰はデシベル、即ちｄＢで測定され、表中では「Ａｔｔｎ」と略される。
【００３４】
用語「光ファイバ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｆｉｂｅｒ）」は、本明細書中では「ファイバ」とも呼ばれる。
【００３５】
「相対屈折率プロファイル（ｒｅｌａｔｉｖｅ  ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  ｉｎｄｅｘ  ｐｒｏｆｉｌｅ）」は、（以下で定義する）相対屈折率Δと、ｒで表される導波路ファイバ半径との間の関係である。
【００３６】
相対屈折率プロファイルの各セグメントに関する半径ｒは、略号ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４等で与えられる。
【００３７】
特段の記載がない限り、「相対屈折率パーセント（ｒｅｌａｔｉｖｅ  ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  ｉｎｄｅｘ  ｐｅｒｃｅｎｔ）」は、Δ％＝１００×（ｎｉ２−ｎｃ２）／２ｎｉ２として定義され、本明細書中で使用される場合、ｎｃは非ドープシリカガラスの平均屈折率である。本明細書中で使用される場合、相対屈折率はΔで表され、その値は特段の記載がない限り単位「％」で与えられる。用語：デルタ、Δ、Δ％、％Δ、デルタ％、屈折率デルタ、％デルタ、パーセントデルタ、相対屈折率又は屈折率は、本明細書中では相互交換可能なものとして使用され得る。ある領域の屈折率が非ドープシリカの平均屈折率未満である場合、相対屈折率パーセントは負となり、「下降領域又は下降屈折率を有する」と表現される。ある領域の屈折率がクラッド領域の平均屈折率より大きい場合、相対屈折率パーセントは正である。本明細書中では、「アップドーパント（ｕｐｄｏｐａｎｔ）」は、純粋な非ドープＳｉＯ２に対して屈折率を上昇させる性質を有するドーパントであるとみなされる。本明細書中では、「ダウンドーパント（ｄｏｗｎｄｏｐａｎｔ）」は、純粋な非ドープＳｉＯ２に対して屈折率を低下させる性質を有するドーパントであるとみなされる。アップドーパントの例としては、ＧｅＯ２（ゲルマニア）、Ａｌ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｃｌ、Ｂｒが挙げられる。ダウンドーパントの例としては、フッ素及びＢ２Ｏ３が挙げられる。
【００３８】
本明細書に記載されるように、光ファイバの相対屈折率を、屈折率ｎｃを非ドープシリカとして計算するが、同等の光ファイバ特性を得るために、光ファイバ全体の屈折率プロファイルを線形に上（又は下）にシフトさせることができる。
【００３９】
導波路ファイバの「波長分散（ｃｈｒｏｍａｔｉｃ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ）」（本明細書では特段の記載がない限り「分散（ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ）」と呼ばれる）は、材料分散、導波路分散及びモード間分散の合計である。単一モード導波路ファイバの場合、モード間分散はゼロである。ゼロ分散波長は、上記分散の値がゼロとなる波長である。分散勾配は、波長に対する分散の変化率である。
【００４０】
「有効面積（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ  ａｒｅａ）」は：
Ａｅｆｆ＝２π（∫ｆ２ｒｄｒ）２／（∫ｆ４ｒｄｒ）
のように定義され、ここで積分の極限は０〜∞であり、ｆは導波路内を伝播する光に関連する電場の横断方向成分である。本明細書中で使用される場合、「有効面積」又は「Ａｅｆｆ」は、特段の記載がない限り、波長１５５０ｎｍでの光学有効面積を指す。
【００４１】
用語「αプロファイル（α‐ｐｒｏｆｉｌｅ）」は、単位が「％」であるΔ（ｒ）に関して表される相対屈折率プロファイルを指し、ここでｒは半径であり、またΔ（ｒ）は、等式：
Δ（ｒ）＝Δ（ｒｏ）（１−［ｒ−ｒｏ／（ｒ１−ｒｏ）］α）
に従っており、ここでｒｏは、Δ（ｒ）が最大となる点であり、ｒ１は、Δ（ｒ）％がゼロとなる点であり、ｒはｒｉ≦ｒ≦ｒｆの範囲内であり、Δは上で定義されており、ｒｉはαプロファイルの始点であり、ｒｆはαプロファイルの終点であり、αは、実数のべき指数であり、「アルファ値（ａｌｐｈａ  ｖａｌｕｅ）」又は「α値（α  ｖａｌｕｅ）」と呼ばれる）。以下の議論では、αの例示的な値は、Δ（ｒ）に関する上述の等式に関して提供される。以下の議論では、アルファ値又は「α値」は、単に「α」又は「アルファ」で表される。また以下の議論では、第２のクラッド領域２１ｂに関するアルファ値はαＴ２１ａとして表され、「モートアルファ（ｍｏａｔ  ａｌｐｈａ）」と呼ばれる。
【００４２】
モードフィールド径（ＭＦＤ）はＰｅｔｅｒｍａｎ  ＩＩ法を用いて測定され、２ｗ＝ＭＦＤであり、また：
【００４３】
【数１】
2019526072.tif 000003
【００４４】
である。
【００４５】
用語「μｍ」及び「マイクロメートル」は、本明細書中では相互交換可能なものとして使用できる。
【００４６】
用語「モート（ｍｏａｔ）」及び「トレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）」は、本明細書中では相互交換可能なものとして使用でき、これは、あるクラッド領域であって、該クラッド領域に接触する隣接領域の最小相対屈折率よりも低い最小相対屈折率を有する、クラッド領域を指す。モート容積Ｖは、以下のように定義される：
Ｖ＝２∫Δ５−２（ｒ）ｒｄｒ
ここで、径方向位置ｒ１と径方向位置ｒ２ｂとの間にある所与の径方向位置ｒに関して、Δ５−２（ｒ）＝Δ５−Δ２（ｒ）であり、ｒ２ｂは、ｒ１から径方向外向きに移動した領域２１内の第１の径方向位置であり、屈折率Δ（ａｔ  ｒ２ｂ）はΔ５に等しい。よってＶに関する積分の極限は、ｒ１からｒ２ｂまでである。
【００４７】
用語「屈折率勾配（ｉｎｄｅｘ  ｓｌｏｐｅ）」は、内半径ｒＩＮＮＥＲ及び外半径ｒＯＵＴＥＲを有する所与の領域に関して、ＴＳ＝（ΔＭＡＸ−ΔＭＩＮ）／（ｒＯＵＴＥＲ−ｒＩＮＮＥＲ）と定義される。最も内側のクラッド領域２１に関して、用語「トレンチ勾配（ｔｒｅｎｃｈ  ｓｌｏｐｅ）」及び「屈折率勾配」は相互交換可能なものとして使用され、トレンチ勾配（即ち屈折率勾配）はＴＳで表され、ＴＳ＝（Δ２ｍａｘ−Δ２ｍｉｎ）／（ｒ２−ｒ１）で与えられる。
【００４８】
導波路ファイバの曲げ耐性は、規定された試験条件下で誘発される減衰によって；例えば規定された直径のマンドレルの周りにファイバを配備する又は巻き付けることによって；例えば直径６ｍｍ、１０ｍｍ又は２０ｍｍ等のマンドレルの周りに１回巻き付けて（例えば「１×１０ｍｍ径マクロ曲げ損失」又は１×２０ｍｍ径マクロ曲げ損失」）、１周あたりの減衰の増加を測定することによって、測定できる。曲げ損失又はマクロ曲げ損失又はミクロ曲げ損失は、本明細書では一般にＢＬと略され、単位はｄＢ／ｔｕｒｎである。
【００４９】
曲げ試験の１つのタイプは、側方荷重微小曲げ試験である。このいわゆる「側方荷重（ｌａｔｅｒａｌ  ｌｏａｄ）」試験（ＬＬＷＭ）では、規定の長さの導波路ファイバを２つの平坦なプレートの間に配置する。＃７０ワイヤメッシュを一方のプレートに取り付ける。既知の長さの導波路ファイバをプレート間に挟み、プレートを３０ニュートンの力で押圧しながら基準減衰を測定する。次にプレートに７０ニュートンの力を印加し、減衰の増加を単位ｄＢ／ｍで測定する。この減衰の増加は、所定の波長（典型的には１２００〜１７００ｎｍの範囲内、例えば１３１０ｎｍ又は１５５０ｎｍ又は１６２５ｎｍ）における導波路の側方荷重減衰（単位ｄＢ／ｍ）である。
【００５０】
別のタイプの曲げ試験は、ワイヤメッシュ被覆ドラム微小曲げ試験（ＷＭＣＤ）である。この試験では、直径４００ｍｍのアルミニウムドラムにワイヤメッシュを巻き付ける。メッシュは引き伸ばされることなくしっかりと巻き付けられ、また孔、くぼみ又は損傷を有してはならない。ワイヤメッシュ材料の仕様：ＭｃＭａｓｔｅｒ‐Ｃａｒｒ  Ｓｕｐｐｌｙ  Ｃｏｍｐａｎｙ（オハイオ州クリーブランド）、部品番号８５３８５Ｔ１０６、耐腐食タイプ３０４ステンレス鋼のワイヤ織布、平方インチあたりのメッシュ：１６５×１６５、ワイヤ直径０．００１９インチ（０．０４８２６ｍｍ）、開口の幅：０．００４１インチ（０．１０４１４ｍｍ）、開口面積％：４４．０。規定の長さ（７５０メートル）の導波路ファイバを、８０（＋／−１）グラムの張力を印加しながら、０．０５０ｃｍの巻き取りピッチで、ワイヤメッシュドラム上に１ｍ／秒の速度で巻き付ける。上記規定の長さのファイバの端部は、張力を維持するためにテープで固定され、またファイバは交差しない。光ファイバの減衰を、所定の波長（典型的には１２００〜１７００ｎｍの範囲内、例えば１３１０ｎｍ又は１５５０ｎｍ又は１６２５ｎｍ）で測定し；平滑なドラム上に巻き付けられた光ファイバに対して、基準減衰を測定する。この減衰の増加は、所定の波長（典型的には１２００〜１７００ｎｍの範囲内、例えば１３１０ｎｍ又は１５５０ｎｍ又は１６２５ｎｍ）における導波路のワイヤメッシュ被覆ドラム減衰（単位ｄＢ／ｋｍ）である。
【００５１】
「ピンアレイ（ｐｉｎ  ａｒｒａｙ）」曲げ試験を用いて、曲げに対する導波路ファイバの相対的な耐性を比較する。この試験を実施するために、曲げ損失が実質的に誘発されていない導波路ファイバに関して、減衰損失を測定する。次に導波路ファイバを、ピンアレイの周囲で織り上げ、減衰を再び測定する。曲げによって誘発された損失は、測定した２つの減衰の差である。ピンアレイは、平坦な表面上に１列に配設されて固定垂直位置に保持された、１０個の円筒形ピンのセットである。ピンの間隔は中心間で５ｍｍである。ピンの直径は０．６７ｍｍである。試験中、導波路ファイバをピン表面の部分に適合させるために、十分な張力を印加する。この減衰の増加は、所定の波長（典型的には１２００〜１７００ｎｍの範囲内、例えば１３１０ｎｍ又は１５５０ｎｍ又は１６２５ｎｍ）における導波路のピンアレイ減衰（単位ｄＢ）である。
【００５２】
所与のモードに関する理論上のファイバカットオフ波長、又は「理論上のファイバカットオフ（ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ  ｆｉｂｅｒ  ｃｕｔｏｆｆ）」若しくは「理論上のカットオフ（ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ  ｃｕｔｏｆｆ）」は、λ０で表され、これは、それを超えると、導かれた光が当該モードにおいて伝播できなくなる波長である。数学的定義は、Ｓｉｎｇｌｅ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｂｅｒ  Ｏｐｔｉｃｓ，  Ｊｅｕｎｈｏｍｍｅ，  ｐｐ．  ３９‐４４、Ｍａｒｃｅｌ  Ｄｅｋｋｅｒ、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ、１９９０で確認でき、ここでは理論上のファイバカットオフは、モード伝播定数が外側クラッドの平面波伝播定数と等しくなる波長として説明されている。この理論上の波長は、直径の変動を有しない、無限に長く完全に真っ直ぐのファイバに当てはまる。
【００５３】
ファイバカットオフは、標準２ｍファイバカットオフ試験ＦＯＴＰ‐８０（ＥＩＡ‐ＴＩＡ‐４５５‐８０）によって測定され、これによって「２ｍファイバカットオフ（２ｍ  ｆｉｂｅｒ  ｃｕｔｏｆｆ）」又は「測定カットオフ（ｍｅａｓｕｒｅｄ  ｃｕｔｏｆｆ）」としても知られる「ファイバカットオフ波長（ｆｉｂｅｒ  ｃｕｔｏｆｆ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）」が得られる。ＦＯＴＰ‐８０標準試験は、制御された曲げ量を用いて高次モードを除去するため、又はファイバのスペクトル応答をマルチモードファイバのスペクトル応答に対して正規化するために実施される。
【００５４】
本明細書中で使用される「ケーブル接続カットオフ波長（ｃａｂｌｅｄ  ｃｕｔｏｆｆ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）」又は「ケーブル接続カットオフ（ｃａｂｌｅｄ  ｃｕｔｏｆｆ）」は、λＣで表され、これは、ＥＩＡ‐ＴＩＡファイバ光学標準（ＥＩＡ‐ＴＩＡ  Ｆｉｂｅｒ  Ｏｐｔｉｃｓ  Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）、即ちエレクトロニクス産業連合‐遠距離通信産業境界ファイバ光学標準（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｉｎｄｕｓｔｒｙ  Ａｌｌｉａｎｃｅ  ‐  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｉｎｄｕｓｔｒｙ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ  Ｆｉｂｅｒ  Ｏｐｔｉｃｓ  Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）の一部であるＥＩＡ‐４４５ファイバ光学試験手順に記載された２２ｍケーブル接続カットオフ試験を意味する。
【００５５】
本明細書中に特段の記載がない限り、光学特性（分散、分散勾配等）は、ＬＰ０１モードに関して報告される。
【００５６】
以下の議論において、用語「・・・を取り囲む（ｓｕｒｒｏｕｎｄ）」は、異なる複数の円筒形又は環状ファイバ領域の相対的な配向を記述するために使用され、表現「ＡがＢを取り囲む（Ａ  ｓｕｒｒｏｕｎｄｓ  Ｂ）」は、Ａの内側表面が、Ｂの外側表面を径方向に超えた位置にあることを意味し、「ＡがＢの直近を取り囲む（Ａ  ｉｍｍｅｄｉａｔｅｌｙ  ｓｕｒｒｏｕｎｄｓ  Ｂ）」は、Ａの内側表面がＢの外側表面と接することを意味する。
【００５７】
以下の表では、（モードフィールド直径ＭＦＤを含む）すべての距離の単位はマイクロメートルである。すべての屈折率測定値Δは「％」である。モート容積はＶで表され、単位は「％−マイクロメートル２」である。全てのドープ測定値の単位は重量％である。分散値の単位はｐｓ／ｎｍ／ｋｍである。全ての波長値はナノメートル（ｎｍ）である。
【００５８】
光ファイバ
図１は、本明細書で開示される光ファイバ１０の側面図である。光ファイバ１０は、中心線ＡＣ及び径方向座標ｒを有する。光ファイバ１０は、最大半径ｒ５を有するクラッド２０に取り囲まれた、半径ｒ１のコア１２を有する。光ファイバ１０の外半径はｒｍａｘである。ある例では、光ファイバ１０は、クラッド２０を取り囲む任意の非ドープシリカ層３０を含み、このファイバの実施形態では、層３０の外半径＝３０＝ｒｍａｘである。任意のガラス層３０を含まない実施形態では、ｒ５＝ｒｍａｘである。
【００５９】
コア１２は、最大屈折率Δ１ｍａｘ、アルファα≧１０、最大相対屈折率デルタΔ１ｍａｘを有し、ある例では、最大相対屈折率デルタは０．１％≦Δ１ｍａｘ≦０．４％である。
【００６０】
ある例では、コア１２は、３．５マイクロメートル≦ｒ１≦５．５マイクロメートルの半径ｒ１を有する。
【００６１】
ある例では、コア１２は、Ｃｌ濃度≧０．９重量％においてＣｌでドープされたシリカで作製される。別の例では、Ｃｌ濃度≧１．３重量％である。別の例では、Ｃｌ濃度≧２重量％である。別の例では、Ｃｌ濃度≧３重量％である。
【００６２】
ある例では、光ファイバ１０はまた、９マイクロメートル超の、１３１０ｎｍでのモードフィールド直径ＭＦＤを有し、ある例では、１３１０ｎｍでのモードフィールド直径ＭＦＤは９マイクロメートル〜９．５マイクロメートルである。
【００６３】
別の例では、光ファイバ１０は：１２６０ｎｍ未満のケーブルカットオフ波長；１３００ｎｍ〜１３２４ｎｍのゼロ分散波長；及び０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満又は０．３ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍマンドレルに関する１５５０ｎｍでの曲げ損失を有する。
【００６４】
ある例では、光ファイバ１０はまた、０．１７ｄＢ／ｋｍ未満の、１５５０ｎｍでの減衰を有する。
【００６５】
別の例では、３０ｍｍマンドレルに関する１５５０ｎｍでの曲げ損失は、０．００５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満である。
【００６６】
ある例では、光ファイバ１０のガラス部分はｒｍａｘ＝６２．５マイクロメートルの外半径を有する。光ファイバ１０が任意の層３０を含まない場合、ｒｍａｘはクラッド２０の外半径である。光ファイバ１０が、クラッドを取り囲む任意のシリカ層３０を備える場合、ガラス層３０の外半径がｒｍａｘである。
【００６７】
いくつかの例では、（以下で紹介及び議論する）第２のクラッド領域２１ｂに関するアルファ値αＴ２１ａは、１超、２以上、１０以上又は２０以上である。
【００６８】
いくつかの例では、トレンチ勾配ＴＳ＝（Δ２ｍａｘ−Δ２ｍｉｎ）／（ｒ２−ｒ１）は０．００５〜０．５であり、又は０．０１〜０．２であり、又は０．０１〜０．１１であり、又は０．０１〜０．０４であり、又は０．０１〜０．０２であり、又は０．０１〜０．１であり、別の実施形態では０超であり、又は０超かつ１未満である。
【００６９】
光ファイバ１０は、以下で議論する第１及び第２の実施形態に記載の多数の他の特徴を有する。
【００７０】
第１の実施形態
図２Ａは、光ファイバ１０の第１の実施形態の概略断面図である。図２Ｂは、図２Ａの光ファイバ１０（ただし図２Ｂのファイバの実施形態は任意のシリカ層３０を含まない）に関する、半径ｒに対する相対屈折率プロファイル（「屈折率プロファイル」）Δのプロットである。
【００７１】
光ファイバ１０の第１の実施形態のクラッド２０は、コア１２から外向きに以下の順序で進行する、以下の５つの領域を含む：半径ｒ２ａ及び屈折率Δ２ｍｉｎの第１のクラッド領域２１ａ；半径ｒ２及び屈折率Δ２の第２のクラッド領域２１ｂであって、上記屈折率Δ２はΔ２ｍｉｎからΔ３ｍａｘへと遷移し、屈折率勾配ｄΔ２／ｄｒ≧０を有する、第２のクラッド領域２１ｂ；半径ｒ３及び屈折率Δ３ｍａｘの第３のクラッド領域２２；半径ｒ４及び屈折率Δ４の第４のクラッド領域２３；並びに半径ｒ５及び屈折率Δ５の、第５の最も外側のクラッド領域２４であって、Δ２ｍｉｎ＜Δ５＜Δ２ｍａｘ及びΔ４＜Δ５である、第５の最も外側のクラッド領域２４。光ファイバ１０が任意の層３０を含まない場合、ｒ５＝ｒｍａｘである。図２Ａに示すように、光ファイバ１０が、クラッドを取り囲む任意のシリカ層３０を備える場合、ガラス層３０の最外半径がｒｍａｘである。
【００７２】
隣接するクラッド領域は互いに接しており、またその一方で第１の領域２１ａはコア１２と接している。クラッド２０の第１の領域２１ａ及び第２の領域２１ｂは、最も内側のクラッド領域２１を構成する。
【００７３】
ある例では、０．１％≦Δ１ｍａｘ≦０．５％である。
【００７４】
別の例では、−０．３５％≦Δ２ｍｉｎ≦０．０５％である。
【００７５】
ある例では、クラッド２０の第２のクラッド領域２１ｂは、５マイクロメートル≦ｒ２≦１３マイクロメートルの外半径ｒ２を有し、Δ２ｍｉｎは−０．３５％≦Δ２ｍｉｎ＜０％である。
【００７６】
別の例では、Δ４は−０．３％≦Δ１ｍａｘ≦０％である。
【００７７】
以下の表１は、光ファイバ１０の第１の実施形態に関する６つの例（例１〜例６）を記載する。表中、「ｎａ」は「該当なし（ｎｏｔ  ａｐｐｌｉｃａｂｌｅ）」を表す。
【００７８】
ある例では、第２のクラッド領域２１ｂは上述の屈折率デルタΔ２を備え、半径ｒ２ａにおける最小屈折率デルタΔ２ｍｉｎ及び半径ｒ２における最大屈折率デルタΔ２ｍａｘを有し、Δ２ｍｉｎ＜Δ２ｍａｘ＜Δ１ｍａｘであり、＞０又は上述の範囲のうちの１つの屈折率勾配ＴＳも備える。
【００７９】
【表１】
2019526072.tif 000004
【００８０】
ある例では、第１のクラッド領域２１ａはフッ素ドープシリカを含み、別の例では、第１のクラッド領域はフッ素ドープシリカからなり、更に別の例では、第１のクラッド領域は基本的にフッ素ドープシリカ及び塩素ドープシリカからなる。
【００８１】
また別の例では、第３のクラッド領域２２はフッ素ドープシリカを含み、別の例では、第３のクラッド領域はフッ素ドープシリカ及び塩素ドープシリカからなる。
【００８２】
ある例では、所与の層のシリカ中には、５００ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍのＣｌが存在してよい。これは例えば、ファイバの製造時の乾燥ステップ中に発生し得る。他の場合では、これは、第１及び／又は第３のクラッド領域におけるＦ及びＣｌでの意図的な同時ドープによって発生し得る。
【００８３】
ある例では、最も内側のクラッド領域２１は、１Δ％−マイクロメートル２〜１２Δ％・マイクロメートル２のモート容積を有する。別の例では、最も内側のクラッド領域２１は、３Δ％・マイクロメートル２〜９Δ％・マイクロメートル２のモート容積Ｖを有する。別の例では、最も内側のクラッド領域２１は、３Δ％・マイクロメートル２〜８Δ％・マイクロメートル２のモート容積Ｖを有する。別の例では、最も内側のクラッド領域２１は、３Δ％・マイクロメートル２〜７Δ％・マイクロメートル２のモート容積Ｖを有する。
【００８４】
ある例では、ｒ２−ｒ２ａで与えられる第２のクラッド領域２１ｂの径方向幅は、０〜５マイクロメートル、又は１マイクロメートル〜５マイクロメートル、又は２マイクロメートル〜４マイクロメートルである。
【００８５】
光ファイバの第２の実施形態及び例
図３Ａは、光ファイバ１０の第２の実施形態の概略断面図である。図３Ｂは、図３Ａの光ファイバ１０に関する、半径ｒに対する屈折率プロファイルΔのプロットである。
【００８６】
第１の例示的な光ファイバ１０のクラッド２０は、コアから外向きに以下の順序で進行する、以下の３つの領域を含む：半径ｒ２ａ及び屈折率Δ２ｍｉｎの、第１の最も内側のクラッド領域２１ａ；半径ｒ２の第２のクラッド領域２１ｂ；及び屈折率Δ５の第３のクラッド領域２４。第１のクラッド領域２１ａ及び第２のクラッド領域２１ｂは、最も内側のクラッド領域２１を構成する。
【００８７】
ある例では、屈折率Δ２はΔ２ｍｉｎからΔ３ｍａｘまで遷移し、屈折率勾配ＴＳ≧０を有する。またある例では、Δ２ｍｉｎ＜Δ５＜Δ２ｍａｘ及びΔ５＜Δ３ｍａｘである。
【００８８】
隣接するクラッド領域は互いに接しており、第１の領域２１ａはコア１２に接している。
【００８９】
ある例では、０．１％≦Δ１ｍａｘ≦０．５％である。
【００９０】
別の例では、−０．３５％≦Δ２ｍｉｎ≦０．０５％である。
【００９１】
ある例では、第２のクラッド領域２１ｂは５マイクロメートル≦ｒ２≦１３マイクロメートルの外半径ｒ２を有し、Δ２ｍｉｎは、−０．３５％≦Δ２ｍｉｎ＜０％である。
【００９２】
光ファイバ１０の第２の実施形態は、第１の実施形態と同様であるが、クラッド領域２２及び２３が省略されている。
【００９３】
ある例では、第２のクラッド領域２１ｂは上述の屈折率デルタΔ２を備え、半径ｒ２ａにおける最小屈折率デルタΔ２ｍｉｎ及び半径ｒ２における最大屈折率デルタΔ２ｍａｘを有し、Δ２ｍｉｎ＜Δ２ｍａｘ＜Δ１ｍａｘであり、＞０又は上述の範囲のうちの１つの屈折率勾配ＴＳも備える。
【００９４】
以下の表２は、第１の例示的な光ファイバ１０に関する、例７〜例１３の６つの例を記載する。
【００９５】
【表２】
2019526072.tif 000005
【００９６】
ある例では、第１のクラッド領域２１ａはフッ素ドープシリカを含み、別の例では、第１のクラッド領域はフッ素ドープシリカからなる。
【００９７】
ある例では、最も内側のクラッド領域２１は、１Δ％・マイクロメートル２〜１２Δ％・マイクロメートル２のモート容積Ｖを有する。別の例では、最も内側のクラッド領域２１は、３Δ％・マイクロメートル２〜９Δ％・マイクロメートル２のモート容積Ｖを有する。別の例では、最も内側のクラッド領域２１は、３Δ％・マイクロメートル２〜８Δ％・マイクロメートル２のモート容積Ｖを有する。
【００９８】
表２の例示的な光ファイバ１０に基づくある例では、ｗ＝ｒ２−ｒ２ａで与えられる第２のクラッド領域２１ｂの径方向幅ｗは０である。
【００９９】
内側クラッド領域２１ａを備えるいくつかの実施形態では、第２のクラッド領域２１ｂの径方向幅ｗ（即ち最も内側のクラッド領域２１の、勾配を有する部分の幅）は、０．１マイクロメートル≦（ｒ２−ｒ２ａ）≦７マイクロメートルである。これらの実施形態の一部では、第２のクラッド領域２１ｂの径方向幅ｗは１マイクロメートル≦（ｒ２−ｒ２ａ）≦７マイクロメートルであり、またいくつかの実施形態では２マイクロメートル≦（ｒ２−ｒ２ａ）≦６マイクロメートルである。
【０１００】
内側クラッド領域２１ａを有しない（即ちｒ１＝ｒ２ａである）いくつかの実施形態では、第２のクラッド領域２１ｂの径方向幅ｗは、０．１マイクロメートル≦（ｒ２−ｒ１）≦７マイクロメートルである。これらの実施形態の一部では、第２のクラッド領域２１ｂの径方向幅ｗは１マイクロメートル≦（ｒ２−ｒ１）≦７マイクロメートルであり、またいくつかの実施形態では２マイクロメートル≦（ｒ２−ｒ１）≦６マイクロメートルである。
【０１０１】
本発明の精神又は範囲から逸脱することなく、様々な修正及び変形を実施できることは、当業者には明らかであろう。本発明の精神及び本質を組み込んだ、本開示の実施形態の修正、組み合わせ、部分的組み合わせ及び変形は、当業者に想起され得るものであるため、本発明は、添付の請求項及びその均等物の範囲内の全てを含むものと解釈されるものとする。 
【０１０２】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【０１０３】
実施形態１
光ファイバであって、上記光ファイバは：
ａ）コアアルファα≧１０、コア半径ｒ１、最大屈折率デルタΔ１ｍａｘ、及びＣｌ濃度≧０．９重量％を備える、塩素ドープシリカコア；
ｂ）上記コアを取り囲むクラッドであって：
ａ．上記コアの直近を取り囲む内側クラッド領域であって、外半径ｒ２ａ及びｒ２をそれぞれ有する第１及び第２のクラッド領域を備え、ｒ２ａ＜ｒ２であり、上記第２のクラッド領域は、半径ｒ２ａにおける最小屈折率デルタΔ２ｍｉｎ及び半径ｒ２における最大屈折率デルタΔ２ｍａｘを有する屈折率デルタΔ２を備え、Δ２ｍｉｎ＜Δ２ｍａｘ＜Δ１ｍａｘであり、また屈折率勾配ＴＳ＝（Δ２ｍａｘ−Δ２ｍｉｎ）／（ｒ２−ｒ１）＞０を備える、内側クラッド領域；
ｂ．上記第１の内側クラッド領域を取り囲む外側クラッド領域であって、外半径ｒｍａｘ及び屈折率デルタΔ５を備え、Δ２ｍｉｎ＜Δ５＜Δ２ｍａｘである、外側クラッド領域
を備える、クラッド
を備え、
ｃ）上記光ファイバは：９マイクロメートル超の、１３１０ｎｍでのモードフィールド直径ＭＦＤ；≦１２６０ｎｍのケーブルカットオフ波長；ゼロ分散波長λ０、ただし１３００ｎｍ≦λ０≦１３２４ｎｍ；及び０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、２０ｍｍマンドレルに関する１５５０ｎｍでの曲げ損失を備える、光ファイバ。
【０１０４】
実施形態２
上記第１のクラッド領域はフッ素ドープシリカを含む、実施形態１に記載の光ファイバ。
【０１０５】
実施形態３
上記第１のクラッド領域は基本的にフッ素ドープシリカ及び塩素ドープシリカからなる、実施形態２に記載の光ファイバ。
【０１０６】
実施形態４
上記クラッドは、上記第２のクラッド領域の直近を取り囲む第３のクラッド領域を更に備え、
上記第３のクラッド領域は、屈折率デルタΔ３及び最大屈折率デルタΔ３ｍａｘを備え、
Δ５＜Δ３ｍａｘである、実施形態１〜３のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１０７】
実施形態５
上記クラッドは、上記第３のクラッド領域の直近を取り囲む第４のクラッド領域を更に備え、
上記第４のクラッド領域は、屈折率デルタΔ４及び最小屈折率デルタΔ４を備え、
Δ４＜Δ５である、実施形態４に記載の光ファイバ。
【０１０８】
実施形態６
上記第３のクラッド領域はフッ素ドープシリカを含む、実施形態３又は４に記載の光ファイバ。
【０１０９】
実施形態７
上記第３のクラッド領域は基本的にフッ素ドープシリカ及び塩素ドープシリカからなる、実施形態６に記載の光ファイバ。
【０１１０】
実施形態８
上記コアの塩素濃度は１．３重量％超である、実施形態１〜７のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１１１】
実施形態９
上記コアの塩素濃度は２重量％超である、実施形態８に記載の光ファイバ。
【０１１２】
実施形態１０
上記コアの塩素濃度は３重量％超である、実施形態９に記載の光ファイバ。
【０１１３】
実施形態１１
上記外側クラッド領域は非ドープシリカ外側層で取り囲まれる、実施形態１〜１０のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１１４】
実施形態１２
０．１％≦Δ１ｍａｘ≦０．５％である、実施形態１〜１１のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１１５】
実施形態１３
−０．３５％≦Δ２ｍｉｎ≦０．０５％である、実施形態１〜１２のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１１６】
実施形態１４
−０．３％≦Δ４≦０％である、実施形態５に記載の光ファイバ。
【０１１７】
実施形態１５
上記１５５０ｎｍでの減衰は≦０．１７ｄＢ／ｋｍである、実施形態１〜１４のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１１８】
実施形態１６
３０ｍｍマンドレルに関する上記１５５０ｎｍでの曲げ損失は≦０．００５ｄＢ／ｔｕｒｎである、実施形態１〜１５のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１１９】
実施形態１７
上記コア半径ｒ１は３．５マイクロメートル≦ｒ１≦５．５マイクロメートルであり；
０．１％≦Δ１ｍａｘ≦０．４％であり；
上記内側クラッド領域は外半径ｒ２を備え、５マイクロメートル≦ｒ２≦２０マイクロメートルであり；
−０．３５％≦Δ２ｍｉｎ＜０％である、実施形態１〜１６のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１２０】
実施形態１８
上記内側クラッド領域は、１Δ％−マイクロメートル２〜１２Δ％−マイクロメートル２のモート容積を備える、実施形態１〜１７のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１２１】
実施形態１９
２０ｍｍマンドレルに関する上記１５５０ｎｍでの曲げ損失は０．３ｄＢ／ｔｕｒｎ未満である、実施形態１〜１８のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１２２】
実施形態２０
上記１３１０ｎｍでのＭＦＤは９マイクロメートル〜９．５マイクロメートルである、実施形態１〜１９のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【０１２３】
実施形態２１
０．００５％Δ／マイクロメートル＜ｄΔ２／ｄｒ＜０．２％Δ／マイクロメートルである、実施形態１〜２０のいずれか１つに記載の光ファイバ。
【符号の説明】
【０１２４】
１０      光ファイバ
１２      コア
２０      クラッド
２１ａ    第１のクラッド領域、第１の最も内側のクラッド領域
２１ｂ    第２のクラッド領域
２２      第３のクラッド領域
２３      第４のクラッド領域
２４      第５の最も外側のクラッド領域
３０      非ドープシリカ層、ガラス層、シリカ層
【図１】
2019526072.tif 000006
【図２Ａ】
2019526072.tif 000007
【図２Ｂ】
2019526072.tif 000008
【図３Ａ】
2019526072.tif 000009
【図３Ｂ】
2019526072.tif 000010
【国際調査報告】
2019526072.tif 000011
2019526072.tif 000012