(57)【要約】  本発明は、温度測定用のセンサ素子を開示する。このセンサ素子（１）は、加圧焼結を用いて１つの回路基板上に固定されるようになっており、このセンサ素子（１）の構造は、加圧焼結の際のこのセンサ素子（１）への圧力印加が補償されるように構成されている。さらに本発明は、センサ素子（１）を製造するための方法を開示する。【選択図】  図１
2019502898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度測定用のセンサ素子（１）であって、
前記センサ素子（１）は、１つの回路基板上に加圧焼結を用いて固定されるようになっており、
前記センサ素子（１）の構造は、前記加圧焼結の際の前記センサ素子（１）への圧力印加が補償されるように構成されている、
ことを特徴とするセンサ素子。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサ素子において、
前記センサ素子（１）は、少なくとも２つの電極（２）を備え、  前記センサ素子（１）は、複数の前記電極（２）の間の中間領域における加圧焼結の際に発生する圧力負荷が、前記回路基板に逃がされるように構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載のセンサ素子。
【請求項３】
前記センサ素子（１）は、１つのＴ形状の構造を備えることを特徴とする、請求項１または２に記載のセンサ素子。
【請求項４】
請求項２または３に記載のセンサ素子において、
前記センサ素子（１）は、１つのセラミックの基体（７）を備え、
前記電極（２）は、前記基体（７）の１つの外面上に配設されており、
前記基体（７）は、１つの突出部（３）を備え、
前記突出部（３）は、複数の前記電極（２）の間に配設されている、
ことを特徴とするセンサ素子。
【請求項５】
請求項４に記載のセンサ素子において、
複数の前記電極（２）は、前記センサ素子（１）の１つの共通な外面上に配設されており、
前記共通な外面は、前記センサ素子（１）の下面となっている、
ことを特徴とするセンサ素子。
【請求項６】
請求項４または５に記載のセンサ素子において、
前記突出部（３）は、台座形状に形成されており、
前記突出部（３）は、複数の前記電極（２）の間で、前記センサ素子（１）の外面から突出している、
ことを特徴とするセンサ素子。
【請求項７】
前記突出部（３）は、前記基体（７）の１つの一体的な構成部分を形成していることを特徴とする、請求項４乃至６のいずれか１項に記載のセンサ素子。
【請求項８】
請求項２または３に記載のセンサ素子において、
前記センサ素子（１）は、１つのセラミックの基体（７）および１つのセラミックの担体材料（５）を備え、
前記基体（７）は、前記担体材料（５）上に形成されており、
前記担体材料（５）は、１つの突出部（６）を備え、
前記突出部（６）は、複数の前記電極（２）の間に配設されている、
ことを特徴とするセンサ素子。
【請求項９】
複数の前記電極（２）は、前記センサ素子（１）の複数の異なる端面に配設されていることを特徴とする、請求項８に記載のセンサ素子。
【請求項１０】
複数の前記電極（２）は、キャップとして複数の前記端面に取り付けられていることを特徴とする、請求項９に記載のセンサ素子。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか１項に記載のセンサ素子において、
前記突出部（６）は、台座形状に形成されており、
前記突出部（６）は、複数の前記電極（２）の間で、前記センサ素子（１）の１つの外面から突出している、
ことを特徴とするセンサ素子。
【請求項１２】
前記突出部（６）は、前記担体材料の１つの一体的な構成部分を形成していることを特徴とする、請求項８乃至１１のいずれか１項に記載のセンサ素子。
【請求項１３】
センサ素子（１）を製造するための方法であって、
１つのセラミックの基体（７）を形成するためのＮＴＣ粉末を製造するステップと、
前記ＮＴＣ粉末をプレスするステップであって、プレスされた前記基体（７）が１つの突出部（３）を備えるように１つのプレス型が構成されている、ステップと、
プレスされた前記基体（７）を焼結するステップと、
前記基体（７）の下面上に複数の電極（２）を取り付けるステップであって、複数の当該電極（２）が、前記突出部（３）によって互いに離間されている、ステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１４】
センサ素子（１）を製造するための方法であって、
１つのセラミックの担体材料（５）を準備するステップであって、当該担体材料（５）が１つの突出部（６）を備える、ステップと、
前記担体材料（５）を、少なくとも部分的に、ＮＴＣ層を形成するためのＮＴＣペーストを用いて印刷するステップと、
複数の電極（２）を、ＮＴＣ層および担体材料（５）から成る系の反対側にある複数の端面上に取り付けるステップであって、複数の当該電極（２）が、前記突出部（６）によって互いに離間されている、ステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ素子を開示する。このセンサ素子は、特に温度の測定用に用いられる。たとえばこのセンサ素子はＮＴＣセンサ素子（negative temperature coefficient）、すなわち高温導体である。さらに本発明は、センサ素子を製造するための方法を開示する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術では、様々なアプリケーションにおけるモニタリングおよび制御のために主にセラミック高温導体サーミスタ素子（ＮＴＣ），シリコン温度センサ（ＫＴＹ），白金温度センサ（ＰＲＴＤ），または熱電対（ＴＣ）を用いて、温度が測定されていた。この際その低い製造コストのために、ＮＴＣサーミスタが最も広く普及している。ＮＴＣサーミスタ素子のもう１つの利点は、熱電対またはたとえばＰｔ素子のような金属抵抗素子とは逆に、顕著に負の抵抗温度特性を有していることである。
【０００３】
パワーモジュールにおける使用の場合には、主に表面実装デバイスのＮＴＣ温度センサ（複数）が用いられ、これらははんだ付けされる。低パワー用の制御モジュールでは、この代替として、ＮＴＣチップ（複数）も用いられ、これらはその下面で銀焼結，はんだ付け，または接着を用いて取り付けられており、そしてその上面でボンディングワイヤを介して接続される。
【０００４】
このＮＴＣセラミックの電気的接続のためには、金属電極が取り付けられなければならない。このため従来技術では、主に銀ペーストまたは金ペーストから成る厚膜電極がシルクスクリーン印刷およびこれに続く焼成によって取り付けられる。銀メタライジングは、とりわけ銀焼結結合およびはんだ結合に適している。増大する技術的な要求のため、ボンディングおよび溶接のような、最近の信頼性のある外部接続に関して、特に金ワイヤ、アルミニウムワイヤ、あるいは銅ワイヤを用いたボンディングの際には、もう１つの電極が必要であるが、これは銀への結合が充分な信頼性を全く備えないからである。
【０００５】
金メタライジングの場合には、接続ワイヤへのはんだ付けは実現することができない。ボンディング接続は、費用的な理由から、金の細いワイヤを用いてのみ実現されている。金電極へのアルミニウムボンディングワイヤ接続は、上記の必要とされる信頼性を達成しない。
【０００６】
現在ではこの温度測定は、はんだ付けされた表面実装型ＮＴＣセンサを有するパワーモジュールで行われている。使用温度および信頼性に関して増大する要求のため、はんだ付け無しに回路基板へ取り付けることができ、かつ高い長時間安定性を備えるとともに、より高い温度での使用に適したＮＴＣ温度センサが求められている。
【０００７】
適合した取り付けは、微細分散された銀ペーストを用いた銀焼結で行われるが、これはしかしながら負荷による押圧下で行われる。  このためフリップチップ実装では、デバイスの十分な機械的剛性が必要であり、これによって、発生する曲げ応力は破損をもたらさず、あるいは損傷（亀裂）を全く生じない。従来のＮＴＣセンサセラミックは、殆どが、発生する応力に耐えるための曲げ強度が小さすぎるものであった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、改善された特性を備えるセンサ素子を提示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この課題は独立請求項に記載のセンサ素子によって解決される。
【００１０】
１つの態様によれば、温度測定用の１つのセンサ素子が提示される。このセンサ素子は、１つのセラミックのセンサ材料を備える。このセンサ材料は、１つのＮＴＣセラミックである。例えばこのセラミックは１つのペロブスカイト構造を備える。具体的にはこのセラミックは、様々なドーピングを含むＹ−Ｃａ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｏ系をベースにするものであってよい。代替として、このセンサ素子は、スピネル構造を備えてよい。たとえばこのセラミックは、様々なドーピングを含むＮｉ−Ｃｏ−Ｍｎ−Ｏ系をベースにするものであってよい。このセンサ素子は、１つのＮＴＣセンサチップである。
【００１１】
このセンサ素子は、１つの回路基板あるいは１つのＤＣＢ基板上に銀焼結の加圧焼結を用いて固定されるようになっている。  具体的にはこのセンサ素子は、この回路基板上に銀焼結を用いて取り付けられるようになっている。このセンサ素子１の構造は、加圧焼結の際のこのセンサ素子への圧力印加が補償されるように構成されている。
【００１２】
この本発明による構造により、このセンサ素子の機械的剛性が高められる。これによりこのデバイスの過圧焼結は、微小亀裂等のどのような損傷も生じないようにすること、あるいは全くこのデバイスの破損を引き起こさないようにすることを可能とする。以上によりとりわけ剛性のあるセンサ素子が提供され、このセンサ素子は回路基板へのはんだ取り付けを行わずに取り付けることができる。
【００１３】
１つの実施形態例によれば、本発明によるセンサ素子は、少なくとも１つの電極を備える。好ましくはこのセンサ素子は、２つの電極を備える。その他にこのセンサ素子は、さらに１つのセラミック補強部または１つのセラミック担体を備えてよい。これらの電極は、上記のセラミックのセンサ材料上に配設されている。
【００１４】
好ましくはこれらの電極は、空間的に互いに離れている。これはこれらの電極の間に距離があることを意味している。たとえばこれらの電極の間には、セラミック材料が配設されている。本発明によるセンサ素子は、これらの電極の間の中間領域における銀焼結の加圧焼結の際に発生する圧力負荷が、回路基板に逃がされるように構成されている。具体的には、この銀焼結の加圧焼結の際に発生する力が、これらの電極の間の中間領域を用いて補償される。
【００１５】
以上により、銀焼結に適した電極を有する１つのＮＴＣ温度センサが提供され、ここでこのセンサは、この銀焼結の際の圧力負荷が大部分上記の電極の中間領域において回路基板に逃がされ、そしてその取り付けの際の曲げ応力による損傷が避けられるように形成されている。
【００１６】
１つの実施形態例によれば、本発明によるセンサ素子は、１つのＴ形状の構造を備える。具体的にはこのセンサ素子は、「Ｔ」の水平方向のバーまたはビームに対応する１つのセグメントを備える。さらにこのセンサ素子は、「Ｔ」の垂直方向のバーまたはビームに対応する１つのセグメントを備える。これら２つのセグメントは、分解しないように多義に結合されている。これら２つのセグメントは、好ましくは一体的に実装されている。
【００１７】
このＴ形状の構造により、このセンサ素子の機械的剛性が高められる。これによりこのデバイスの過圧焼結は、微小亀裂等のどのような損傷も生じないようにすること、あるいは全くこのデバイスの破損を引き起こさないようにすることを可能とする。
【００１８】
１つの実施形態例によれば、本発明によるセンサ素子は、１つのセラミックの基体を備える。このセラミックの基体は、上記のセラミック材料を備える。上記の電極（複数）は、この基体の１つの外面上に配設されている。これらの電極は、好ましくはこのセンサ素子あるいはこの基体の１つの共通な外面上に配設されている。この共通な外面は、好ましくはこのセンサ素子あるいはこの基体の下面となっている。
【００１９】
上記の基体は、１つの突出部を備える。この突出部は、この基体の１つの一体的な構成部分を形成している。換言すれば、突出部および基体は一体的に形成されている。具体的には、この突出部は、セラミックのセンサ材料を備える。この突出部は、上記の電極（複数）の間に配設されている。この突出部は、これらの電極の間の１つの中間領域を形成している。
【００２０】
好ましくはこの突出部は、台座状に形成されている。この突出部は、たとえば「Ｔ」の垂直のバーとなっており、他方この基体の他の部分は、この「Ｔ」の水平方向のバーまたはビームとなっている。この突出部は、上記の電極（複数）の間で、このセンサ素子の外面あるいは下面から突出している。
【００２１】
上記の電極（複数）の間の中間領域に配設されている突出部または台座によって、上記の銀焼結の加圧焼結の際に発生する力が、回路基板に逃がされる。これにより曲げ応力による上記のセンサ素子の損傷が防止される。
【００２２】
１つの実施形態例によれば、本発明によるセンサ素子は、１つのセラミックの基体を備える。このセラミックの基体は、上記のセラミック材料を備える。上記の電極（複数）は、このセンサ素子の異なる端面（複数）に配設されている。これらの電極は、反対側にある端面（複数）に配設されている。好ましくはこれらの電極は、キャップとしてこれらの端面に取り付けられている。
【００２３】
さらに本発明によるセンサ素子は、１つのセラミックの担体材料を備える。上記の基体はこの担体材料上に形成されている。好ましくは、この基体は、この担体材料の１つの外面、たとえばこの担体材料の上面を完全に覆っている。
【００２４】
この担体材料は、１つの突出部を備える。この突出部は、この担体材料の１つの一体的な構成部分を形成している。換言すれば、担体材料および突出部は一体的に形成されている。具体的には、この担体材料は、セラミックのセンサ材料を備える。この突出部は、上記の電極（複数）の間に配設されている。この突出部は、これらの電極の間の１つの中間領域を形成している。この突出部は台座形状に形成されている。この突出部は、上記の電極（複数）の間で、このセンサ素子の外面から突出している。
【００２５】
上述したように、本発明によるセンサ素子は、１つのＴ形状の構造を備える。具体的にはこのセンサ素子には、１つの突出部または台座が設けられている。この突出部または台座は、このセンサ素子の表面から突出している。この突出部または台座は、好ましくは上記の電極（複数）の間に形成されている。この突出部または台座は、セラミックのセンサ材料および／または上記のセラミック補強部の材料を備えてよい。このセンサ素子１の構造は、製造プロセスあるいは取り付けプロセスの際のこのセンサ素子への圧力印加が補償されるように適合され、あるいは構成されている。さらに機械的な曲げ応力が極小に低減される。
【００２６】
１つの態様によれば、１つのセンサ素子を製造するための方法（複数）が示される。好ましくは、各々の方法によって上述のセンサ素子が製造される。本センサ素子または本方法に関して開示された全ての特徴は、これに対応してそれぞれの他の態様に関しても開示されているものであり、そしてこの逆も成り立っている。またそれぞれの特徴がそれぞれの態様に関連して顕わに示されていない場合でこれらは成り立っているものである。
【００２７】
本方法は、以下の処理ステップを備える。
−  １つのセラミックの基体を形成するためのＮＴＣ粉末を製造するステップ。
−  このＮＴＣ粉末をプレスするステップ。このため１つのプレス型が利用される。このプレス型は、プレスされた上記の基体が１つの突出部を備えるように構成されている。このプレス型は、プレスされた上記の基体が１つのＴ形状の構造を備えるように構成されている。
−  プレスされたこの基体を焼結するステップ。
−  この基体の下面上に電極（複数）を取り付けるステップ。これは薄膜技術または厚膜技術を用いて行うことができる。これらの電極は、上記の突出部によって互いに離間されている。
【００２８】
もう１つの実施形態によれば、本方法は、以下のステップを備える。
−１つのセラミックの担体材料を準備するステップ。この担体材料は、１つの突出部を備える。
−  この担体材料を、少なくとも部分的に、ＮＴＣ層を形成するためのＮＴＣペーストを用いて印刷するステップ。好ましくはこの担体材料の、上記の台座の反対側にある１つの表面が、ＮＴＣペーストを用いて印刷される。たとえばこの担体材料の上面が、ＮＴＣペーストを用いて印刷される。たとえば上記の突出部は、この反対側のある面、すなわちこの担体材料の下面上に配設されている。代替として、この担体材料の突出部は、上記のＮＴＣペーストを用いた担体材料の印刷の後に漸く形成されてもよい。
−この担体材料およびＮＴＣペーストからなる系を焼結するステップ。
−電極（複数）を取り付けるステップ。これらの電極は、このＮＴＣ層および担体材料から成る系の反対側にある端面上に配設される。これらの電極は、上記の突出部によって互いに離間されている。以上により上記の担体セラミックの取り付け面と上記のＮＴＣ層との間の電気的接続がもたらされ、これらの電極はこれらの端面を覆うキャップとして形成されている。
【００２９】
１つの態様によれば、温度測定用のセンサ素子が提示され、ここでこのセンサ素子は１つのＴ形状の構造を備え、そしてここでこのセンサ素子の構造は、上記の製造プロセスの際のこのセンサ素子への圧力印加が補償されるように構成されている。
【００３０】
本発明によるセンサ素子と方法を、実施形態例とこれに付随する図を参照して、以下に詳細に説明する。
【００３１】
以下に説明する図面は、寸法を正確に示すものではない。むしろより見易いように、個々の寸法は、拡大、縮小、または歪んで表示されていることがあり得る。
【００３２】
互いに同じ要素、または同じ機能を担う要素は、同じ参照番号で示されている。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】１つの第１の実施形態における、１つのセンサ素子を示す。
【図２】もう１つの実施形態における、１つのセンサ素子を示す。
【図３】もう１つの実施形態における、１つのセンサ素子を示す。
【図４】図３のセンサ素子の仕上げ例を示す。
【００３４】
図１は、１つのセンサ素子１、具体的には１つのセンサチップを示す。このセンサ素子１は、好ましくは温度の測定用に構成されている。このセンサ素子１は、２つの電極２を備える。このセンサ素子１は、１つのセラミックのセンサ材料を備える。このセンサ素子１は、１つのセラミックの基体７を備える。この基体７は、１つのセラミック材料を備える。
【００３５】
このセンサ材料は、１つのＮＴＣ（Negative-Temperature-Coefficient）セラミックである。例えばこのセラミックは１つのペロブスカイト構造を備える。具体的にはこのセラミックは、様々なドーピングを含むＹ−Ｃａ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｏ系をベースにするものであってよい。このようなセンサ素子１は、高温のアプリケーションにとりわけ適している。代替としてこのセンサ素子１は、特に適用温度が低い場合には、スピネル構造を有するセラミックを備えてよい。たとえばこのセラミックは、様々なドーピングを含むＮｉ−Ｃｏ−Ｍｎ−Ｏ系をベースにするものであってよい。
【００３６】
本発明によるセンサ素子は、たとえば銀焼結を用いて、１つの回路基板上に押圧下で固定されるように構成されている。従来の表面実装型ＮＴＣセンサでも、また代替のフリップチップ構造でも、発生する曲げ応力のため、この曲げ応力がこのデバイスの固有の剛性を越えるために、圧力印加状態での銀焼結は不可能であった。この曲げ応力は、プリント基板上の接続パッド（複数）に上方から押圧されて着座するデバイスに発生する。これらの接続パッドの間は、特にＤＣＢボードの場合には、比較的深い溝（複数）となっており、これらの溝はこのＤＣＢ基板上の電極層の厚さに対応しており、そして通常数百μｍとなっている。
【００３７】
銀焼結の際に発生する圧力負荷を補償するため、図１に示すセンサ素子１は、１つの台座３を備える。このセンサ素子１は、Ｔ形状に形成されている。図１に示す実施形態例によれば、具体的にはセラミックの基体７がＴ形状に形成されている。この「Ｔ」の水平方向のバーは、この実施形態例においては、センサ素子１あるいは基体７の上面を形成している。この「Ｔ」の垂直方向のバーは、台座３となっている。この台座３は、センサ素子１あるいは基体７の下面から突出している。この台座３は、この基体７の一体的な構成部分である。
【００３８】
台座３を有するこのセンサ素子１は、適合したプレス型を用いたプレスによって直接製造することができ、あるいは１つの圧縮成形体すなわちＮＴＣシート（複数）から製造されたＴ形状の基板から分離することができる。これはソーイング、グラインディング、レーザ裁断、または他の適合した機械的加工によって実現することができる。
【００３９】
メタライジング部が、薄膜電極または厚膜電極として取り付けられる。電極（複数）２は、台座３によって互いに離間されており、すなわち空間的に離れている。
【００４０】
これらの電極２は、下面上に、この台座３の右側および左側に、具体的にはスパッタリング、蒸着、またはシルクスクリーン印刷を用いて取り付けられる。これらの電極２は、センサ素子１の同じ外面上に（ここでは下面上に）配設されている。
【００４１】
銀焼結の際に良好な付着を実現するためには、同様に銀から成る電極が有利である。しかしながら、たとえばＡｕ，Ｃｕ，Ａｌ等の他の電極材料も、これらが銀焼結可能であるか、または他の標準的な処理を用いて加工することができるのであれば、使用することができる。
【００４２】
薄膜電極の製造は、スパッタリングまたは蒸着によって行うことができる。この際１つの第１の実施例においては、このベース電極はニッケル層から成っており、このニッケル層はバナジウム成分を含んでよく、または１つの第２の実施形態においては、２つの層から成っていてよく、ここでこの下側の層はクロムまたはチタンを含み、そして上側の第２の層はニッケルから成っており、これらの層も同様にバナジウムの成分を含んでよい。
【００４３】
このベース電極は、たとえば銀、金、銅、アルミニウム等の１つの酸化しにくい金属から成るカバー層によって保護されてよい。このベース電極は、純粋にニッケルのベース電極の腐食保護（酸化）用に用いられてよく、または接続用に有利なものあるいはむしろ必要なものであってもよい。微細分散した銀ペーストでの銀焼結を用いた接続の場合には、たとえば銀のカバー電極は、必要不可欠である。
【００４４】
このベース電極の厚さは、１０μｍより小さく、さらに有利には３μｍより小さく、理想的には０．５μｍより小さい。上記のカバー電極の厚さは１μｍまでであってよく、特別な場合は２０μｍまでであってよい。
【００４５】
厚膜電極の製造は、シルクスクリーン印刷処理とこれに続く焼成によって行うことができる。ここに使用されるペーストは、銀または適当な混合物を含んでよい。
【００４６】
裁断処理によって、最終的な幾何形状が生成される。極めてバラつきの少ない抵抗とする場合には、定格温度での抵抗の調整のためにトリミング処理が、部分的なレーザアブレーションによって行われてよい。上記のＤＣＢ基板あるいは上記のプリント基板へのセンサ１の接続は、銀焼結、はんだ付け、または接着を用いて行うことができる。
【００４７】
この実施形態例によるセンサ素子１（圧縮成形体）は、たとえば以下のようなやり方で製造される。
【００４８】
第１のステップにおいてＮＴＣ粉末が製造される。このステップには、たとえば計量、湿式の一次造粒、乾燥、ふるい分け、か焼、湿式の二次造粒、噴霧が含まれる。この後、噴霧された顆粒のプレスが行われる。この際プレス型は、このプレスの際に１つのＴ形状の基体が生成されるように、形成されている。
【００４９】
次のステップにおいて、上記の圧縮成形体の脱炭が行われる。この後この圧縮成形体は焼結される。
【００５０】
これに続いて、上述したように、スパッタリング技術を用いて、上記の下面上で、上記の台座３の右側および左側へのＮｉ／Ａｇの薄膜電極（複数）２の取り付けが行われる。これらの電極２は、この台座３によって互いに離間されている。
【００５１】
セラミックの長期安定性を改善するために、次のステップにおいて、メタライジングされていない領域に渡って、たとえばセラミック，ガラス，プラスチック，または金属酸化物から成る、１つの薄い、非導電性の保護層が取り付けられてよい。これらは、スパッタリング，蒸着，リソグラフィー，または印刷および焼成によって実現されてよい。
【００５２】
この後、定格温度での、台座３を有する個々のセンサ素子１の抵抗（複数）の電気的測定が行われる。抵抗の調整のため、上記のメタライジングされた基板が電気的に予備測定される。この予備測定データを参照して、上記の台座を有するＮＴＣセンサの幾何形状が画定される。長さが固定されているので、調整パラメータとしては幅が、変化可能な寸法として残されている。
【００５３】
次のステップにおいては、台座３を有するこの個々のセンサ素子１の、要求されている抵抗値へのトリミングが、１つの面の全面的なグラインディングによって行われる。
【００５４】
定格温度でとりわけバラつきの少ない抵抗とするためには、追加的なトリミング処理を用いて個々のデバイスの抵抗を調整することができる（ここでは図４も参照）。この際セラミック材料または電極材料が、たとえばレーザ裁断、またはグラインディングによって、部分的に除去されて、この抵抗の幾何形状の変更によって調整される。
【００５５】
最後のステップにおいて、目視検査および抜き取り検査のような試験測定が行われる。
【００５６】
図２は、台座３を有する、１つの補強されたセンサ素子１を示す。この構造は、基本的に図１に示すセンサ素子１に対応している。しかしながら、このセンサ素子１は、その上面上に（台座３の反対側にある面上に）、１つの追加的なセラミック層４を備える。基体７は、このセラミック層４上に配設されている。具体的にはこのセラミック層４は、この基体７の上面を、好ましくは完全に覆っている。このセラミック層４は、とりわけ大きな応力のかかるプロセス用の機械的補強部として用いられる。この構造は顆粒のプレスまたは積層されたシートによって実現される。上記のＮＴＣセラミックがこのセラミック層４と一緒にあるいは次々にこのセラミック層と共にプレスされる。その他図２に示すセンサ素子１の製造は、図１を参照して説明したように行われる。
【００５７】
図３は、センサ材料（ＮＴＣ層（複数））が印刷された、台座６を有する１つの担体材料５を示す。これらのＮＴＣ層は、この実施形態例においては、基体７となっている。
【００５８】
このセラミックの担体材料５上に、ＮＴＣ層（複数）が印刷される。この担体材料５は、Ｔ形状に構成されている。具体的にはこの担体材料５は、台座６を備え、ここでこの台座は「Ｔ」の垂直方向のバーとなっている。この台座６は、この担体材料５の一体的な構成部分である。
【００５９】
この担体材料５は、たとえばＡｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2，ＡＴＺ材料，またはＺＴＡ材料，またはＭｇＯをベースにしたものから成っている。この担体材料５は、ＮＴＣペーストの印刷の前または後で、適合した形状にされてよく、そして焼結の後で個々に分離されるかまたは既に個別部品となっていてよい。
【００６０】
電極（複数）２は、上記の端面（複数）あるいは側面（複数）に取り付けられてよい。具体的には、これらの電極２は、キャップ（複数）として取り付けられる。これはこの構造の上記の回路基板あるいはプリント基板あるいはＤＣＢ基板上への接続を可能とする。しかしながら上記のセンサ材料（上記のＮＴＣ層）は、上記のパッド（複数）と直接接続されていないので、これらの電極２のキャップ形状は、このＮＴＣ層の接続を補償するために必要である。
【００６１】
図４は、台座６を有する１つの担体材料５上の、１つのトリミングされたＮＴＣセンサを示す。このトリミング処理により、定格温度での抵抗を調整するためにセンサ材料が除去されている。この除去は、既に上述したように、部分的にレーザアブレーションによって行われる。
【００６２】
上記の図１〜４に示す実施形態例全てによれば、本発明によるセンサ素子１は、１つのＴ形状の構造を備える。上記の加圧焼結の際にこのデバイスに作用する大きな力は、上記のように選択された構造によって補償され、そして機械的曲げ応力が極小まで低減される。具体的には、銀焼結の際の圧力負荷が、大部分電極（複数）２の中間領域で、上記のプリント基板に逃がされ、これによって取り付けの際の曲げ応力による損傷が避けられる。
【００６３】
たとえばＡｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2，ＡＴＺ材料，またはＺＴＡ材料，またはＭｇＯをベースにした、セラミックの担体材料の使用は、機械的剛性をさらに高めることをもたらす。
【００６４】
プリント基板あるいはＤＣＢ基板への使用のために、図１〜４に示すセンサ素子１が導電路（複数）上に焼結されてよい。この焼結は、押圧下でまたは無押圧で行われてよい。接着またははんだ付けによる取り付けは、上述したように行われる。
【００６５】
ここで提示した物の記載は、個々の特定の実施形態に限定されるものではない。むしろこれらの個々の実施形態の特徴は、技術的に意味がある限り、任意に互いに組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００６６】
１  ：  センサ素子
２  ：  電極
３  ：  突出部／台座
４  ：  セラミック層
５  ：  担体材料
６  ：  台座
７  ：  基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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