(57)【要約】  以下のものを含む洗浄液混合システム、ツール、及びその動作方法が開示される。すなわち、超高純度の水を供給するための超高純度の水源、ガスの形態を採るアンモニアをフィルタリングするためのアンモニアフィルタ、ガスの形態を採る過酸化水素をフィルタリングするための過酸化水素フィルタ、超高純度の水の中にアンモニアを溶解させ超希薄アンモニア水を生成するためのアンモニア再ガス膜、超高純度の水の中に過酸化水素を溶解させ超希薄水素水を生成するための過酸化水素再ガス膜、及び超希薄アンモニア水と超希薄水素水を混合することによって超希薄洗浄液を生成するためのミキサーである。【選択図】図１
2019523450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄液混合システムの動作方法であって、
超高純度の水源から超高純度の水を供給すること、
アンモニアフィルタを通して一定量のアンモニアをフィルタリングすること、
過酸化水素フィルタを通して一定量の過酸化水素をフィルタリングすること、
前記超高純度の水の中に前記アンモニアを溶解させることによって超希薄アンモニア水を生成すること、
前記超高純度の水の中に前記過酸化水素を溶解させることによって超希薄水素水を生成すること、及び
前記超希薄アンモニア水と前記超希薄水素水を混合することによって超希薄洗浄液を生成することを含む、方法。
【請求項２】
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドフィルタを通して一定量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドをフィルタリングすること、及び
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド流量コントローラを使用して、前記高純度の水の中に溶解される前記テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの量を調整することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更なるフィルタを通して前記超希薄水素水をフィルタリングすることを更に含み、アンモニア流量コントローラを使用して、前記高純度の水の中に溶解される前記アンモニアの量を調整すること、過酸化水素流量コントローラを使用して、前記高純度の水の中に溶解される前記過酸化水素の量を調整すること、前記アンモニア流量コントローラに接続された導電性センサを使用して、前記高純度の水の中に溶解される前記アンモニアの量を調整すること、又は、前記過酸化水素流量コントローラに接続された過酸化水素センサを使用して、前記高純度の水の中に溶解される前記過酸化水素の量を調整することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
洗浄液混合システムであって、
超高純度の水を供給するための超高純度の水源、
ガスの形態を採る一定量のアンモニアをフィルタリングするためのアンモニアフィルタ、
ガスの形態を採る一定量の過酸化水素をフィルタリングするための過酸化水素フィルタ、
前記超高純度の水の中に前記アンモニアを溶解させ超希薄アンモニア水を生成するためのアンモニア再ガス膜、
前記超高純度の水の中に前記過酸化水素を溶解させ超希薄水素水を生成するための過酸化水素再ガス膜、及び
前記超希薄アンモニア水と前記超希薄水素水を混合することによって超希薄洗浄液を生成するためのミキサーを備える、システム。      
【請求項５】
前記超希薄アンモニア水をフィルタリングするための第２のフィルタを更に備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
ガスの形態を採るテトラメチルアンモニウムヒドロキシドをフィルタリングするためのテトラメチルアンモニウムヒドロキシドフィルタを更に備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記超高純度の水の中に溶解される前記アンモニアの量を調整するためのアンモニア流量コントローラを更に備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項８】
前記超高純度の水の中に溶解される前記過酸化水素の量を調整するための過酸化水素流量コントローラを更に備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項９】
前記超高純度の水の中に溶解される前記アンモニアの量を調整するためのアンモニア流量コントローラに接続された導電性センサを更に備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項１０】
前記超高純度の水の中に溶解される前記過酸化水素の量を調整するための過酸化水素流量コントローラに接続された過酸化水素センサを更に備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項１１】
洗浄液混合システムを備える洗浄ツールであって、前記洗浄液混合システムが、
超高純度の水を供給するための超高純度の水源と、
ガスの形態を採るアンモニアをフィルタリングするためのアンモニアフィルタと、
ガスの形態を採る過酸化水素をフィルタリングするための過酸化水素フィルタと、
前記超高純度の水の中に前記アンモニアを溶解させ超希薄アンモニア水を生成するためのアンモニア再ガス膜と、
前記超高純度の水の中に前記過酸化水素を溶解させ超希薄水素水を生成するための過酸化水素再ガス膜と、
前記超希薄アンモニア水と前記超希薄水素水を混合することによって超希薄洗浄液を生成するためのミキサーとを含み、且つ、前記洗浄ツールが更に、
前記洗浄液混合システムに連結された洗浄チャンバを備える、洗浄ツール。
【請求項１２】
ガスの形態を採る前記アンモニアを供給するためのアンモニアガス源、及び
ガスの形態を採る前記過酸化水素を供給するための過酸化水素ガス源を更に備える、請求項１１に記載の洗浄ツール。
【請求項１３】
前記超高純度の水から余剰のガスを除去するための脱気膜を更に備える、請求項１１に記載の洗浄ツール。
【請求項１４】
前記ミキサーと前記洗浄チャンバとの間に最後の導電性センサを更に備える、請求項１１に記載の洗浄ツール。
【請求項１５】
前記アンモニアフィルタが５nm未満の孔径を有し、前記過酸化水素フィルタが５nm未満の孔径を有する、請求項１１に記載の洗浄ツール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、広くは、洗浄液混合システムに関し、特に、超希薄洗浄液を用いた洗浄のためのシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
極紫外線リソグラフィ（EUVL、ソフトＸ線投影リソグラフィとしても知られ、またEUVとも略される）は、１４nm及びこれより小さい最小特徴サイズの半導体デバイスを製造するための、深紫外線リソグラフィに取って代わる後継候補である。
【０００３】
しかし、概して、５から４０ナノメートルの波長範囲の極紫外線は、ほとんどの全ての物質によって強く吸収される。この理由により、極紫外線システムは、光の透過よりも反射によって機能する。非反射吸収マスクパターンでコーティングされた一連のミラー又はレンズ素子、及び反射素子又はマスクブランクの使用を介して、パターン化された化学光がレジストでコーティングされた半導体ウエハ上で反射される。
【０００４】
極紫外線リソグラフィシステムのレンズ素子及びマスクブランクは、モリブデンやケイ素などの材料の反射多層コーティングでコーティングされている。１３ナノメートルの極紫外線に対して、例えば、１２から１４ナノメートルの帯域の、非常に狭い紫外線の帯域内の本質的に単一波長で光を強く反射させる多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって、レンズ素子又はマスクブランク当たりで近似的に６５％の反射率値が得られている。
【０００５】
半導体処理技術では、マスクにおいて問題の原因となる様々な種類の欠陥がある。例えば、不透明性欠陥は、通常、反射されるべき光を吸収する多層コーティング又はマスクパターン上部の粒子が原因で起こる。透明欠陥は通常、そこを通って吸収されるべき光を反射させるところの多層コーティング上部のマスクパターンにおけるピンホールが原因で起こる。更に、多層コーティングの厚さ及び均一性は、最終マスクによって生成される像（image）を歪ませないような製造精度を必要とする。
【０００６】
過去に、深紫外線リソグラフィのためのマスクブランクは、概して、ガラスから作られてきたが、その代替物として極紫外線リソグラフィのために低熱膨張材料が提示された。ブランクがガラスであれ低熱膨張材料であれ、マスクブランクの表面は、研磨剤を用いた機械的な研磨によってできる限り滑らかに作られる。マスクブランク生成における別の１つの障害は、そのようなプロセスの後に残されるしばしば「スクラッチディグ」マークと称されるスクラッチを含み、それらの深さ及び幅は、マスクブランクを研磨するために使用される研磨剤の粒子のサイズに依存する。視認可能な深紫外線リソグラフィに対して、これらのスクラッチは、非常に小さいので、半導体ウエハ上のパターンにおける位相欠陥をもたらさない。しかし、極紫外線リソグラフィに対しては、スクラッチディグマークは重大な問題である。何故ならば、それらが位相欠陥として現れるからである。
【０００７】
EUVリソグラフィに対して必要とされる短い照明波長により、使用されるパターンマスクは、現在のリソグラフィで使用されている透過マスクの代わりに反射マスクでなければならない。反射マスクは、モリブデンとケイ素の薄い層を交互にした精密なスタックから作り上げられており、それは、ブラッグ（Bragg）リフレクタ又はミラーを生成する。多層スタック及び小さい特徴のサイズの性質を原因として、その上に多層スタックが堆積したところの基板の層又は表面の均一性における任意の欠陥が悪化され、最終製品に影響を与えることとなる。数ナノメートルのスケールの欠陥は、仕上げられたマスク上の印刷可能な（printable）欠陥として現れ、多層スタックの堆積前にマスクブランクの表面から除去される必要があり得る。更に、堆積層の厚さ及び均一性は、最終的に完成したマスクを台無しにすることがないように、非常に要求が高い仕様を満たす必要がある。
【０００８】
電子部品の形状を更に小さくする必要性を考慮すると、これらの問題への答えを見つけることが益々重要である。かつてないほどの消費市場での競争圧力と共に、消費者の期待の高まりを考慮すると、これらの問題への答えを見つけることが重要である。加えて、コストを下げて、効率性及び性能を改善し、競争圧力に対抗する必要性により、これらの問題への答えを見つける必要の重要性にさらに高い緊急性が増し加わる。
【０００９】
これらの問題の解決は長らく追い求められてきたが、以前の開発において何らかの解決が教示又は示唆されておらず、したがって、これらの問題の解決は長らく当業者から遠ざかってきた。
【発明の概要】
【００１０】
本開示の実施形態は、以下のことを含む洗浄液混合システムの動作方法を提供する。すなわち、超高純度の水源から超高純度の水を供給すること、アンモニアフィルタを通して一定量のアンモニアをフィルタリングすること、過酸化水素フィルタを通して一定量の過酸化水素をフィルタリングすること、超高純度の水の中にアンモニアを溶解させることによって超希薄アンモニア水（ultra-dilute ammoniated water）を生成すること、超高純度の水の中に過酸化水素を溶解させることによって超希薄水素水（ultra-dilute hydrogenated water）を生成すること、及び超希薄アンモニア水と超希薄水素水を混合することによって超希薄洗浄液を生成することである。
【００１１】
本開示の更なる実施形態は、以下のものをふくむ洗浄液混合システムを提供する。すなわち、超高純度の水を供給するための超高純度の水源、ガスの形態を採るアンモニアをフィルタリングするためのアンモニアフィルタ、ガスの形態を採る過酸化水素をフィルタリングするための過酸化水素フィルタ、超高純度の水の中にアンモニアを溶解させ超希薄アンモニア水を生成するためのアンモニア再ガス膜（ammonia re-gas membrane）、超高純度の水の中に過酸化水素を溶解させ超希薄水素水を生成するための過酸化水素再ガス膜、及び超希薄アンモニア水と超希薄水素水を混合することによって超希薄洗浄液を生成するためのミキサーである。
【００１２】
本開示の特定の実施形態は、上述のステップ若しくは要素に加えて又はその代わりに他のステップ若しくは要素を含む。添付の図面を参照しながら、以下の詳細な説明を読むことで、ステップ又はエレメントが当業者に明らかとなるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の一実施形態による、洗浄ツールのブロック図である。
【図２】図１の洗浄ツールの図１の洗浄チャンバに連結された洗浄液混合システムのシステム図である。
【図３】本開示の更なる一実施形態による、洗浄液混合システムの動作方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本システムの実施形態を示す図面は、半図解式であり、縮尺が正確ではなく、特に、それらの図面の一部は、提示するための明瞭さを優先し、図面内で誇張されて示されている。同様に、図面内の図は説明の容易さのために概して類似した配向を示しており、図面内のこの描写はほとんどの部分に対して任意のものである。
【００１５】
本明細書で使用される「処理」という用語は、記載された構造体を形成するために必要とされる、材料又はフォトレジストの堆積、並びに、材料又はフォトレジストのパターニング、露出、現像、エッチング、洗浄、及び／又は除去を含む。
【００１６】
次に図１を参照すると、本開示の一実施形態による、洗浄ツール１００のブロック図が示されている。洗浄ツール１００は、洗浄ツール１００内の洗浄チャンバ１０２に連結され得る洗浄液混合システム１０４によって生成された超希薄洗浄液を利用し得る。洗浄液混合システム１０４は、超清浄供給モジュールとも呼ばれ得る。この実施例において、洗浄液混合システム１０４は、洗浄ツール１００から分離して示されているが、洗浄液混合システム１０４は、洗浄ツール１００と一体化され得ることも理解されよう。洗浄液混合システム１０４が、洗浄ツール１００から分離されているならば、洗浄液混合システム１０４は、例えば、複数の洗浄ツールをサポートすることも可能である。
【００１７】
洗浄ツール１００と洗浄液混合システム１０４の両方は、超高純度の水源１１０によって超高純度の水を供給され得る。「超高純度」という用語は、純度を指し、水の中に溶解しているイオンの数によって定量化される。これは、導電率によって決定され得る。導電率は、超高純度の水に対して、１８．２メガオーム（１８．２ミリオンオーム）である。超高純度の水の金属イオンの濃度は、ppmのレベルにあり得る。洗浄ツール１００は、バルク化学物質供給システム１１２によって必要な化学物質（necessary chemicals）も供給され得る。洗浄ツール１００又は洗浄チャンバ１０２は、超希薄洗浄液の生産を制御するために、洗浄液混合システム１０４に制御信号を送信することができる。「超希薄」は、１００ppm以下の濃度として定義される。洗浄ツール１００は、洗浄チャンバ１０２に連結された排出部１０６及びドレイン１０８も装備されてよく、排出部１０６はスクラバーも含み得る。スクラバーとドレインは、洗浄ツール１００の外部要素であってもよい。
【００１８】
次に図２を参照すると、図１の洗浄ツール１００の図１の洗浄チャンバ１０２に連結された洗浄液混合システム１０４のシステム図が示されている。洗浄液混合システム１０４は、EUVマスクブランクを洗浄するための水酸化アンモニウムと過酸化水素の超希薄混合物を生成するための２つの相互リンクされたシステムを含む。
【００１９】
メガソニック洗浄中に、水酸化アンモニウム及び過酸化水素の溶液と水との前述の混合物などの、高いpHの溶液を使用することが一般的である。そのような混合物は、通常、９を超えるpHを有し、したがって、これらの溶液と接触している表面のゼータ電位は、通常、負である。したがって、キャビテーションイベントによって粒子が表面から分離したときに、その粒子は、表面上に戻って再び堆積することはないだろう。したがって、これらの溶液は、EUVマスクの表面から任意の汚染粒子を除去するためのメガソニック洗浄と組み合されて使用されるときに非常に効果的である。
【００２０】
しかし、EUVマスクは、粒子の欠陥に敏感なので、EUVマスク基板上の１２nmのサイズの粒子でさえ、最終製品において欠陥をもたらし得る。通常の洗浄液は、欠陥を避けるために十分な粒子を除去することができず、１００nmものサイズの粒子を残す場合がある。本開示の実施形態は、任意の既存の技術又はツールよりもこれらの粒子を遥かに多く除去するための特定の混合及び供給ツールを提供する。
【００２１】
洗浄液混合システム１０４は、図１の高純度の水源１１０からの高純度の水２０３から任意の潜在的な汚染物を更に除去し、余剰のガスを除去し、偶然にではなく意図的に溶液内に溶解された任意のガスが存在することを保証するために、高純度の水２０３を脱気膜２０４を通して送ることによって開始する。脱気膜２０４及び任意の他の脱気膜は、膜がフィルタリングすることを意図しているガスに応じて選択されたサイズである５nmから１００nmの孔径、代替的に、５nm未満の孔径を有し得る。アンモニアガス源２０６が、アンモニアフィルタ２０８を通して、その後に、アンモニア流量コントローラ２１０へ、ガスの形態を採るアンモニア２０７（NH3）を供給し送る。アンモニア流量コントローラ２１０が、アンモニア再ガス膜２１２に到達するアンモニアガスの量を調整する。アンモニア再ガス膜２１２で、超高純度の水源２０２からの超高純度の水２０３は、アンモニア流量コントローラ２１０によって調整された注意深く制御された比率で、アンモニアガス源２０６からのアンモニア２０７と組み合されて、超希薄アンモニア水２１３を生成する。超希薄アンモニア水２１３内のアンモニア２０７の濃度は、１ppmから１００ppmの範囲内にあり得る。５ppmのアンモニア２０７の濃度を有する超希薄アンモニア水２１３は、表面の汚染を避ける一方で、石英の表面を効果的に洗浄することが分かってきた。
【００２２】
アンモニア流量コントローラ２１０は、アンモニウムイオンでEUVマスクの表面を汚染する懸念なしにメガソニック洗浄中に使用され得る、超希薄アンモニア水２１３の調合を可能にする。余剰のアンモニウムイオンは、アンモニア水で洗浄されるマスク上のヘイズ問題（haze problem）をもたらすことが知られている。超希薄アンモニア水２１３は、超希薄アンモニア水の更なるフィルタリングのために第２のフィルタ２１６へ継続的に進む。第２のフィルタ２１６に到達する前に、超希薄アンモニア水２１３は、導電性センサ２１４を通過し又は通り過ぎる。導電性センサ２１４は、超希薄アンモニア水２１３内のアンモニア２０７の濃度に関するフィードバックをアンモニア流量コントローラ２１０に提供し、アンモニア流量コントローラ２１０が、１００万分の１（ppm）の粒状態（granularity）にアンモニア２０７の濃度を制御することができる。
【００２３】
洗浄液混合システム１０４は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドフィルタ２４２を通ってフィルタリングされ、その後に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド流量コントローラ２４４に至るガスとして、一定量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH、化学式N(CH3)4+OH-によっても表される）２４０を供給する、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドガス源２３８も含み得る。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド流量コントローラ２４４は、アンモニア再ガス膜２１２に到達するテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの量を調整する。アンモニア再ガス膜２１２で、超高純度の水源２０２からの超高純度の水２０３は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド流量コントローラ２４４によって調整された注意深く制御された比率で、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドガス源２３８からのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド２４０と組み合されて、超希薄テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水２４６を生成する。
【００２４】
同時に、洗浄液混合システム１０４は、過酸化水素ガス源２２２を利用して、過酸化水素フィルタ２２４を通って、その後に、過酸化水素流量コントローラ２２６に至るガスとして、過酸化水素２２３（H2O2）を供給することができる。過酸化水素流量コントローラ２２６は、過酸化水素再ガス膜２２８に到達する過酸化水素ガスの量を調整する。超希薄水素水２２９を生成するために、過酸化水素再ガス膜２２８で、超高純度の水源２０２からの超高純度の水２０３が、過酸化水素流量コントローラ２２６によって調整された注意深く制御された比率で、過酸化水素ガス源２２２からの過酸化水素２２３と組み合される。過酸化水素２２３の濃度は、アンモニア２０７の濃度の２倍から３倍のレベルで最も優れて機能することが分かってきた。過酸化水素ガス源２２２は、過酸化水素２２３の量を調節してアンモニア２０７の濃度とマッチングさせるために、超希薄アンモニア水２１３内のアンモニア２０７の濃度についてのフィードバックを導電性センサ２１４から受信することができる。
【００２５】
過酸化水素流量コントローラ２２６は、１００nm未満のサイズを有する粒子でさえ効果的に除去するために、超希薄アンモニア水２１３と組み合されてメガソニック洗浄で使用され得る、超希薄水素水２２９の調合を可能にする。超希薄水素水２２９は、更なるフィルタリングのために更なるフィルタ２３２へ継続的に進む。更なるフィルタ２３２に到達する前に、超希薄水素水２２９は、過酸化水素センサ２３０を通過し又は通り過ぎる。過酸化水素センサ２３０は、超希薄水素水２２９内の過酸化水素２２３の濃度に関するフィードバックを、過酸化水素流量コントローラ２２６に提供することができる。これは、過酸化水素流量コントローラ２２６によって、過酸化水素２２３の濃度を１００万分の１（ppm）の粒状態に制御することを可能にする。
【００２６】
超希薄アンモニア水２１３が第２のフィルタ２１６を通過してしまうと、その流れは、アンモニア溶液液体流量コントローラ２１８によってゲート制御される。アンモニア溶液液体流量コントローラは、ミキサー２２０の中へ供給する。超希薄水素水２２９は、同様に、更なるフィルタ２３２を通って送られ、その流れは、過酸化水素溶液液体流量コントローラ２３４によって制御される。過酸化水素溶液液体流量コントローラ２３４も、ミキサー２２０の中へ供給する。ミキサー２２０は、最も効果的な洗浄のために適切な比率で、超希薄アンモニア水２１３と超希薄水素水２２９を組み合せることができ、結果としての超希薄洗浄液は、洗浄ツール１００内の洗浄チャンバへ送られる。超希薄水素水２２９内の過酸化水素２２３の濃度は、アンモニア２０７の濃度の２倍から３倍のレベルで超希薄アンモニア水２１３と組み合されたときに、優れた洗浄力を提供する。
【００２７】
洗浄ツール１００に送られる前に、少なくとも超希薄アンモニア水２１３と超希薄水素水２２９の混合物である超希薄洗浄液は、最後の導電性センサ２３６によってチェックされて、溶液の適切な濃度が満たされていることを保証する。最後の導電性センサ２３６が、読み取り値が期待通りであると判定したならば、超希薄洗浄液は、最終的に洗浄ツール１００へ送られる。超希薄洗浄液は、特定の比率で組み合された、超希薄アンモニア水２１３と超希薄水素水２２９の混合物であってもよい。
【００２８】
洗浄液混合システム１０４は、NH4(OH)/H2O2/H2Oの化学式によっても知られている、アンモニウムヒドロキシドと過酸化水素の混合物（APM）である、超希薄溶液も生成することができる。この洗浄液は、EUVマスク表面の最小エッチングでEUVマスクブランクを洗浄する際にも効果的があることが分かってきた。
【００２９】
超希薄テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水２４６は、超希薄洗浄液と比較してより積極的な洗浄が必要とされるときに有用であることが分かってきた。超希薄テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水２４６は、超希薄洗浄液よりも優れた洗浄効率を有することができ、概して、より大きな粒子を除去するためのより早い洗浄ステップに適している。超希薄洗浄液は、それ程積極的ではなく、表面の最小エッチングを用いた安全なやり方でEUVマスクブランクから最後の粒子を除去するために使用することができる。積極的な方式は、新たな欠陥を導入し得る。超希薄テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水２４６の使用は、プロセスの必要性に基づいて決定される。
【００３０】
ミキサー２２０を使用して超希薄アンモニア水２１３と超希薄水素水２２９を混合することは、他の技術よりも洗浄中に小さいサイズの粒子の除去を改良できることが理解されるようになってきた。アンモニア流量コントローラ２１０は、超希薄アンモニア水２１３を生成するために、どれだけのアンモニア２０７が超高純度の水２０３の中に溶解されるかを制御することができ、それは、超希薄水素水２２９と組み合されて使用されるときに、より小さい粒子でさえも効果的に洗浄することが分かってきた。
【００３１】
更に、アンモニア２０７と過酸化水素２２３の両方をそれらのそれぞれのフィルタを通してフィルタリングすることは、超希薄アンモニア水２１３と超希薄水素水２２９の最小の汚染を可能にすることも理解されるようになってきた。アンモニアフィルタ２０８と過酸化水素フィルタ２２４は、両方とも、５nm未満の孔径、例えば、３nmもの小さい孔径を有することができる。何故ならば、それらのフィルタは、ガスだけをフィルタリングするからである。更に、第２のフィルタ２１６と更なるフィルタ２３２は、超希薄アンモニア水２１３と超希薄水素水２２９から生成された超希薄洗浄液が、可能な限り特定の汚染物によって汚染されていないことを保証する。
【００３２】
超希薄アンモニア水２１３と超希薄水素水２２９を生成するためのシステムを相互にリンクすることは、優れた品質制御及び単純化された製造を可能にすることが理解されるようになってきた。それらのシステムは、相互にリンクされているので、アンモニア２０７と過酸化水素２２３の両方を個別に溶解させるために使用され得る、高純度の水源２０２のうちの１つだけが必要とされる。これは、超高純度の水２０３を搬送するという余計な問題を回避する。超高純度の水２０３がより長い距離だけ動かされる必要があれば、汚染の可能性がより高くなる。更に、それらのシステムは、相互にリンクされ同じシステム内にあるので、超希薄アンモニア水２１３と超希薄水素水２２９の両方がミキサー２２０に連結されることは簡単であり、ミキサー２２０は、洗浄チャンバに送られる超希薄洗浄液の量を注意深く制御することができ、超希薄洗浄液を生成するために更なるステップが必要とされないことを保証し得る。
【００３３】
次に図３を参照すると、本開示の更なる一実施形態による、洗浄液混合システムの動作方法３００のフローチャートが示されている。方法３００は、以下のことを含む。すなわち、ブロック３０２で、超高純度の水源から超高純度の水を供給すること、ブロック３０４で、アンモニアフィルタを通して一定量のアンモニアをフィルタリングすること、ブロック３０６で、過酸化水素フィルタを通して一定量の過酸化水素をフィルタリングすること、ブロック３０８で、超高純度の水の中にアンモニアを溶解させることによって超希薄アンモニア水を生成すること、ブロック３１０で、超高純度の水の中に過酸化水素を溶解させることによって超希薄水素水を生成すること、及び、ブロック３１２で、超希薄アンモニア水と超希薄水素水を混合することによって超希薄洗浄液を生成することである。
【００３４】
提示された方法、プロセス、装置、デバイス、製品、及び／又はシステムの実施形態は、単純であり、費用効率が高く、複雑でなく、非常に万能であり、精度が高く、敏感であり、また効果的であり、素早く効率的に、並びに経済的に製造、応用、及び利用するために既知の構成要素を適合させることによって実施され得る。
【００３５】
１以上の実施形態は、簡略化された動作及び改良された性能を提供して、プロセス、装置、デバイス、製品、及び／又はシステムのコストを低減させる。
【００３６】
本明細書の開示が、特定の実施形態を参照しながら説明されたが、これらの実施形態は本開示の原理及び用途の単なる例示であることを理解されたい。本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に対して、様々な修正及び変形を行い得ることが当業者には明らかであろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内にある修正及び変形を含むことが意図されている。
【図１】
2019523450.tif 000003
【図２】
2019523450.tif 000004
【図３】
2019523450.tif 000005
【国際調査報告】
2019523450.tif 000006
2019523450.tif 000007