(57)【要約】  本発明は蒸着用ノズルに付いた汚染物質から基板の表面を保護することができる蒸着装置を提供することがその技術的課題である。このために、本発明の蒸着装置は、基板に１種以上の薄膜形成用物質を蒸着させるための蒸着装置であって、前記基板に第１薄膜形成用物質を噴射するための複数の蒸着用ノズルが第１方向に長く配列された第１伝導管を有する第１線形蒸発源と、前記第１伝導管と前記基板の間に備えられ、前記噴射される第１薄膜形成用物質の一部を前記基板に通過させる通過領域部及び前記第１薄膜形成用物質の残りを遮断させる遮蔽領域部を含む固定型遮蔽部材と、前記固定型遮蔽部材に備えられ、前記複数の蒸着用ノズルの少なくとも一つの蒸着用ノズルに付いた汚染物質が前記基板に移動することを防ぐ第１汚染防止部材とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に１種以上の薄膜形成用物質を蒸着させるための蒸着装置であって、
前記基板に第１薄膜形成用物質を噴射するための複数の蒸着用ノズルが第１方向に長く配列された第１伝導管を有する第１線形蒸発源と、
前記第１伝導管と前記基板の間に備えられ、前記噴射される第１薄膜形成用物質の一部を前記基板に通過させる通過領域部及び前記第１薄膜形成用物質の残りを遮断させる遮蔽領域部を含む固定型遮蔽部材と、
前記固定型遮蔽部材に備えられ、前記複数の蒸着用ノズルの少なくとも一つの蒸着用ノズルに付いた汚染物質が前記基板に移動することを防ぐ第１汚染防止部材と、
を含む、蒸着装置。
【請求項２】
前記第１汚染防止部材は、前記通過領域部を横切るように備えられて前記通過領域部を第１及び第２通過領域に区分させる、請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記第１汚染防止部材は、前記通過領域部を第１方向に横切って長く備えられ、
前記複数の蒸着用ノズルは、前記第１汚染防止部材に対応するように配列される、請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記蒸着装置は、前記固定型遮蔽部材に第１ヒンジ軸を介して回動可能に備えられ、前記第１通過領域の幅を調節する第１回転型遮蔽部材をさらに含む、請求項２に記載の着装置。
【請求項５】
前記第１ヒンジ軸は、前記固定型遮蔽部材の前記遮蔽領域部において前記第１汚染防止部材の側面の中心に対して直角となる位置に備えられる、請求項４に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記第１通過領域の幅は、前記第１回転型遮蔽部材の回転によって前記第１伝導管の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、前記第１伝導管の末端に行くほど線形的に段々大きくなる、請求項５に記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記蒸着装置は、前記固定型遮蔽部材に第２ヒンジ軸を介して回動可能に備えられ、前記第２通過領域の幅を、前記第１伝導管の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、前記第１伝導管の末端に行くほど線形的に段々大きくなるように調節する第２回転型遮蔽部材をさらに含む、請求項６に記載の蒸着装置。
【請求項８】
前記蒸着装置は、
前記第１及び第２回転型遮蔽部材にそれぞれ回転力を加える第１及び第２駆動部と、
前記固定型遮蔽部材の前記遮蔽領域部のうち前記第１伝導管の先端部に対応する第１部分に備えられて蒸着率を測定する先端側蒸着率センサーと、
前記固定型遮蔽部材の前記遮蔽領域部のうち前記第１伝導管の末端部に対応する第２部分に備えられて蒸着率を測定する末端側蒸着率センサーと、
をさらに含む、請求項７に記載の蒸着装置。
【請求項９】
前記先端側蒸着率センサーで測定された先端側蒸着率が前記後端側蒸着率センサーで測定された末端側蒸着率より大きければ、前記第１及び第２駆動部のそれぞれは、前記第１及び第２通過領域の各幅が前記第１伝導管の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、前記第１伝導管の末端に行くほど線形的に段々大きくなるように、前記第１及び第２回転型遮蔽部材をそれぞれ回転させる、請求項８に記載の蒸着装置。
【請求項１０】
前記蒸着装置は、
前記第１伝導管の左側に配置されて第２薄膜形成用物質を案内する第２伝導管と、
前記第１伝導管の右側に配置されて前記第２薄膜形成用物質と同じ物質である第３薄膜形成用物質を案内する第３伝導管とをさらに含み、
前記第２及び第３薄膜形成用物質は、所要蒸着率を発生させる所要蒸着率発生温度が前記第１薄膜形成用物質より高い物質である、請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項１１】
前記蒸着装置は、
前記固定型遮蔽部材に、前記第２伝導管に対応するように備えられる第２汚染防止部材と、
前記固定型遮蔽部材に、前記第３伝導管に対応するように備えられる第３汚染防止部材と、
をさらに含む、請求項１０に記載の蒸着装置。
【請求項１２】
前記第２及び第３伝導管のそれぞれは、互いに異なる第２及び第３線形蒸発源にそれぞれ含まれる、請求項１０に記載の蒸着装置。
【請求項１３】
前記第２及び第３伝導管は、第１伝導管に対して平行に配置され、
前記第２伝導管、前記第１伝導管及び前記第３伝導管はこの順に円弧を描くように配置される、請求項１０に記載の蒸着装置。
【請求項１４】
前記円弧の中心は、前記基板の第１部分に位置し、
前記第１部分は、前記通過領域部の中心に対応する部分である、請求項１３に記載の蒸着装置。
【請求項１５】
前記蒸着装置は、
前記第１、第２及び第３伝導管のそれぞれに備えられてそれぞれの蒸着率を測定する一つ以上の蒸着率測定部をさらに含む、請求項１０に記載の蒸着装置。
【請求項１６】
前記蒸着率測定部は、
前記第１、第２及び第３伝導管のそれぞれと連通するように備えられる測定用ノズルと、前記第１、第２及び第３伝導管のそれぞれに一端が備えられ、前記測定用ノズルから噴射される薄膜形成用物質を案内する測定用伝導管と、
前記測定用伝導管の他端に備えられ、前記噴射される薄膜形成用物質の蒸着率を測定する導電管側蒸着率センサーと、
を含む、請求項１５に記載の蒸着装置。
【請求項１７】
前記一つ以上の蒸着率測定部は、
前記第１、第２及び第３伝導管の各先端部に備えられてそれぞれの蒸着率を測定する前端側蒸着率測定部と、
前記第１、第２及び第３伝導管の各末端部に備えられてそれぞれの蒸着率を測定する末端側蒸着率測定部と、
を含む、請求項１５に記載の蒸着装置。
【請求項１８】
前記蒸着装置は、前記基板を第２方向に移送させる基板移送部をさらに含み、
前記第１及び第２方向は互いに直角である、請求項１に記載の蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は線形蒸発源を用いた蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、蒸着装置は、半導体製造工程でウエハーの表面に特定の物質からなった薄膜を形成するか、あるいは大型平面ディスプレイ装置の製造において、ガラス基板などの表面に所望物質の薄膜を形成するのに使われている。
【０００３】
このような蒸着装置は、真空チャンバーと、ウエハー、基板など（以下、“基板”という）を真空チャンバーに備えさせる装着部と、基板の表面に薄膜形成用物質を蒸発させる線形蒸発源とを含む。
【０００４】
特に、線形蒸発源は、薄膜形成用物質を収容するるつぼと、るつぼを加熱するヒーターと、加熱された薄膜形成用物質を基板の表面に噴射するために線形に配列された複数の蒸着用ノズルとを含む。
【０００５】
しかし、既存の蒸着装置は、蒸着用ノズルに付いた汚染物質が噴射されるか取れて基板の表面を汚染させる問題がある。
【０００６】
また、それぞれの蒸着用ノズルの噴射量が違って基板の表面に蒸着される薄膜形成用物質の蒸着厚さに偏差が発生する問題がある。すなわち、線形蒸発源から薄膜形成用物質の移動方向を基準にそれぞれの蒸着用ノズルのうち相対的に後端側に位置する蒸着用ノズルの噴射量が少ないことがあるため、基板上の蒸着厚さに偏差が発生する問題がある。
【０００７】
また、互いに異なる２種の薄膜形成用物質を蒸着させるために二つの線形蒸発源を使うと言っても、所要蒸着率を発生させる温度（以下、“所要蒸着率発生温度”という）が互いに異なって２種の薄膜形成用物質の蒸着率に偏差が発生する問題がある。例えば、それぞれの線形蒸発源のるつぼ温度が同一である場合、相対的に所要蒸着率発生温度が高い薄膜形成用物質は蒸着率が相対的に下がる問題があり、その所要蒸着率発生温度が高い薄膜形成用物質の蒸着率を高めるために該当線形蒸発源のるつぼ温度を高める場合、線形蒸発源の熱的安全性が落ちる問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の技術的課題は、蒸着用ノズルに付いた汚染物質から基板の表面を保護することができる蒸着装置を提供することである。
【０００９】
本発明の他の技術的課題は、基板の表面に蒸着される薄膜形成用物質の蒸着厚さの偏差を最小化することができる蒸着装置を提供することである。
【００１０】
本発明のさらに他の技術的課題は、所要蒸着率を発生させる温度（以下、“所要蒸着率温度”という）が互いに異なる少なくとも２種の薄膜形成用物質を同時に基板の表面に蒸着しながらも蒸着率の相対的低減を防ぐとともに線形蒸発源の熱的安全性を確保することができる蒸着装置を提供することである。
【００１１】
本発明のさらに他の技術的課題は、互いに異なる少なくとも２種の薄膜形成用物質の蒸着率比を基板上の全ての位置で最大限均一にすることができる蒸着装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために、本発明の実施例による蒸着装置は、基板に１種以上の薄膜形成用物質を蒸着させるための蒸着装置であって、前記基板に第１薄膜形成用物質を噴射するための複数の蒸着用ノズルが第１方向に長く配列された第１伝導管を有する第１線形蒸発源と、前記第１伝導管と前記基板の間に備えられ、前記噴射される第１薄膜形成用物質の一部を前記基板に通過させる通過領域部及び前記第１薄膜形成用物質の残りを遮断させる遮蔽領域部を含む固定型遮蔽部材と、前記固定型遮蔽部材に備えられ、前記複数の蒸着用ノズルの少なくとも一つの蒸着用ノズルに付いた汚染物質が前記基板に移動することを防ぐ第１汚染防止部材とを含む。
【００１３】
前記第１汚染防止部材は、前記通過領域部を横切るように備えられて前記通過領域部を第１及び第２通過領域に区分させることができる。
【００１４】
前記第１汚染防止部材は、前記通過領域部を第１方向に横切って長く備えられることができ、前記複数の蒸着用ノズルは、前記第１汚染防止部材に対応するように配列されることができる。
【００１５】
前述した本発明の実施例による蒸着装置は、前記固定型遮蔽部材に第１ヒンジ軸を介して回動可能に備えられ、前記第１通過領域の幅を調節する第１回転型遮蔽部材をさらに含むことができる。
【００１６】
前記第１ヒンジ軸は、前記固定型遮蔽部材の前記遮蔽領域部において前記第１汚染防止部材の側面の中心に対して直角となる位置に備えられることができる。
【００１７】
前記第１通過領域の幅は、前記第１回転型遮蔽部材の回転によって前記第１伝導管の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、前記第１伝導管の末端に行くほど線形的に段々大きくなってもよい。
【００１８】
前述した本発明の実施例による蒸着装置は、前記固定型遮蔽部材に第２ヒンジ軸を介して回動可能に備えられ、前記第２通過領域の幅を、前記第１伝導管の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、前記第１伝導管の末端に行くほど線形的に段々大きくなるように調節する第２回転型遮蔽部材をさらに含むことができる。
【００１９】
前述した本発明の実施例による蒸着装置は、前記第１及び第２回転型遮蔽部材にそれぞれ回転力を加える第１及び第２駆動部と、前記固定型遮蔽部材の前記遮蔽領域部のうち前記第１伝導管の先端部に対応する第１部分に備えられて蒸着率を測定する先端側蒸着率センサーと、前記固定型遮蔽部材の前記遮蔽領域部のうち前記第１伝導管の末端部に対応する第２部分に備えられて蒸着率を測定する末端側蒸着率センサーとをさらに含むことができる。
【００２０】
前記先端側蒸着率センサーで測定された先端側蒸着率が前記後端側蒸着率センサーで測定された末端側蒸着率より大きければ、前記第１及び第２駆動部のそれぞれは、前記第１及び第２通過領域の各幅が前記第１伝導管の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、前記第１伝導管の末端に行くほど線形的に段々大きくなるように、前記第１及び第２回転型遮蔽部材をそれぞれ回転させることができる。
【００２１】
前述した本発明の実施例による蒸着装置は、前記第１伝導管の左側に配置されて第２薄膜形成用物質を案内する第２伝導管と、前記第１伝導管の右側に配置されて前記第２薄膜形成用物質と同じ物質である第３薄膜形成用物質を案内する第３伝導管とをさらに含むことができ、前記第２及び第３薄膜形成用物質は、所要蒸着率を発生させる所要蒸着率発生温度が前記第１薄膜形成用物質より高い物質であってもよい。
【００２２】
前述した本発明の実施例による蒸着装置は、前記固定型遮蔽部材に、前記第２伝導管に対応するように備えられる第２汚染防止部材と、前記固定型遮蔽部材に、前記第３伝導管に対応するように備えられる第３汚染防止部材とをさらに含むことができる。
【００２３】
前記第２及び第３伝導管のそれぞれは、互いに異なる第２及び第３線形蒸発源にそれぞれ含まれることができる。
【００２４】
前記第２及び第３伝導管は、第１伝導管に対して平行に配置されることができ、前記第２伝導管、前記第１伝導管及び前記第３伝導管はこの順に円弧を描くように配置されることができる。
【００２５】
前記円弧の中心は、前記基板の第１部分に位置することができ、前記第１部分は、前記通過領域部の中心に対応する部分であってもよい。
【００２６】
前述した本発明の実施例による蒸着装置は、前記第１、第２及び第３伝導管のそれぞれに備えられてそれぞれの蒸着率を測定する一つ以上の蒸着率測定部をさらに含むことができる。
【００２７】
前記蒸着率測定部は、前記第１、第２及び第３伝導管のそれぞれと連通するように備えられる測定用ノズルと、前記第１、第２及び第３伝導管のそれぞれに一端が備えられ、前記測定用ノズルから噴射される薄膜形成用物質を案内する測定用伝導管と、前記測定用伝導管の他端に備えられ、前記噴射される薄膜形成用物質の蒸着率を測定する導電管側蒸着率センサーとを含むことができる。
【００２８】
前記一つ以上の蒸着率測定部は、前記第１、第２及び第３伝導管の各先端部に備えられてそれぞれの蒸着率を測定する前端側蒸着率測定部と、前記第１、第２及び第３伝導管の各末端部に備えられてそれぞれの蒸着率を測定する末端側蒸着率測定部とを含むことができる。
【００２９】
前述した本発明の実施例による蒸着装置は、前記基板を第２方向に移送させる基板移送部をさらに含むことができ、前記第１及び第２方向は互いに直角であってもよい。
【発明の効果】
【００３０】
以上のように、本発明の実施例による蒸着装置は次のような効果を有することができる。
【００３１】
本発明の実施例によれば、第１薄膜形成用物質を案内する第１伝導管を有する第１線形蒸発源と、通過領域部及び遮蔽領域部を有する固定型遮蔽部材と、第１汚染防止部材とを含む技術構成を提供するので、第１伝導管の複数の蒸着用ノズルの一つ以上に付いた汚染物質が基板の表面に移動する前に第１汚染防止部材によって遮断して基板の表面を汚染物質から保護することができる。
【００３２】
また、本発明の実施例によれば、第１回転型遮蔽部材をさらに含む技術構成を提供するので、それぞれの蒸着用ノズルの噴射量が第１伝導管の後端に行くほど段々小さくなっても固定型遮蔽部材の第１通過領域の幅が第１回転型遮蔽部材の回転によって第１伝導管の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、第１伝導管の後端に行くほど線形的に段々大きくなることができ、第１伝導管の長手方向に発生し得る基板上の蒸着厚さの偏差を最小化することができる。
【００３３】
また、本発明の実施例によれば、第２及び第３薄膜形成用物質をそれぞれ案内する第２及び第３伝導管をさらに含む技術構成を提供するので、互いに同じ物質である第２及び第３薄膜形成用物質の所要蒸着率発生温度がこれらと違う物質である第１薄膜形成用物質の所要蒸着率発生温度より高くても、同じ物質である第２及び第３薄膜形成用物質が二つの伝導管である第２及び第３伝導管から提供されることで、これらの物質の蒸着率の相対的低減を防ぐとともに相対的に低い第１薄膜形成用物質の所要蒸着率発生温度で充分に稼動することができ、それぞれの線形蒸発源の熱的安全性を確保することができる。例えば、第１、第２及び第３線形蒸発源のるつぼ温度が同一である場合、相対的に所要蒸着率発生温度が高い薄膜形成用物質に対しても二つの第２及び第３線形蒸発源から同じ物質である第２及び第３薄膜形成用物質を提供するので、これらの物質の蒸着率が相対的に下がることを防ぐことができ、さらに相対的に低い第１薄膜形成用物質の所要蒸着率発生温度で稼動されることができ、それぞれの線形蒸発源の熱的安全性を確保することができる。
【００３４】
また、本発明の実施例によれば、第２及び第３伝導管が第１伝導管に平行に配置され、第２伝導管、第１伝導管及び第３伝導管がこの順に円弧を描くように配置される技術構成を提供するので、互いに異なる少なくとも２種の薄膜形成用物質の蒸着率比を基板上の全ての位置で最大限均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１、第２及び第３実施例による蒸着装置にそれぞれ使われる線形蒸発源を概略的に示した部分切開断面図である。
【図２】本発明の第１実施例による蒸着装置を概略的に示した図である。
【図３】図２の蒸着装置を第１伝導管から見た図である。
【図４】本発明の第１実施例の変形例による蒸着装置を第１伝導管から見た図である。
【図５】本発明の第２実施例による蒸着装置を概略的に示した図である。
【図６】本発明の第３実施例による蒸着装置を概略的に示した図である。
【図７】図５の蒸着装置において基板の移送座標による蒸着率の変化を示したグラフである。
【図８】図６の蒸着装置において基板の移送座標による蒸着率の変化を示したグラフである。
【図９】図５の蒸着装置（直線形配置）と図６の蒸着装置（円弧形配置）を比較したもので、基板の移送座標による蒸着率比の変化を示したグラフである。
【図１０】（ａ）はそれぞれの伝導管に備えられた蒸着率測定部を概略的に示した図、（ｂ）は伝導管の前端と後端にそれぞれ備えられた前端側蒸着率測定部と後端側蒸着率測定部を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、添付図面に基づき、本発明の実施例について本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な相異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施例に限定されない。
【００３７】
図１は本発明の第１、第２及び第３実施例による蒸着装置にそれぞれ使われる線形蒸発源を概略的に示した部分切開断面図、図２は本発明の第１実施例による蒸着装置を概略的に示した図、そして図３は図２の蒸着装置を第１伝導管から見た図である。
【００３８】
本発明の第１実施例による蒸着装置１００は、図１〜図３に示したように、基板１０に１種以上の薄膜形成用物質を蒸着させるための蒸着装置で、第１線形蒸発源１１０と、固定型遮蔽部材１２０と、第１汚染防止部材１３０とを含む。以下、図１〜図３を参照しながら各構成要素について詳細に説明する。
【００３９】
第１線形蒸発源１１０は、図１及び図２に示したように、第１薄膜形成用物質Ａを蒸発させて基板１０に噴射するための装置である。例えば、第１線形蒸発源１１０は、図１に示したように、第１薄膜形成用物質Ａを収容するるつぼ１１３と、るつぼ１１３の第１薄膜形成用物質Ａを第１方向に案内するために第１方向に伸びる第１伝導管１１２と、るつぼ１１３と第１伝導管１１２を加熱するヒーター１１４と、第１伝導管１１２の長手方向に沿って線形に配列され、第１伝導管１１２の第１薄膜形成用物質Ａを基板１０に噴射する複数の蒸着用ノズル１１１とを含むことができる。参考として、図１を基準に見ると、第１伝導管１１２の先端は図１の左側部分で、るつぼ１１３に隣接した部分であり、第１伝導管１１２の末端は図１の右側部分で、るつぼ１１３から一番遠く離れた部分である。また、図３を基準に見ると、第１伝導管１１２が図３には示されていないが、第１伝導管１１２の先端は図３の上部に向かって配置され、第１伝導管１１２の末端は図１の下部に向かって配置されると仮定して示している。
【００４０】
固定型遮蔽部材１２０は、図２及び図３に示したように、それぞれの蒸着用ノズル１１１から噴射される第１薄膜形成用物質Ａが基板１０の蒸着領域にのみ案内されるように一部を遮蔽する構成要素である。例えば、固定型遮蔽部材１２０は、図２及び図３に示したように、第１伝導管１１２と基板１０の間に備えられ、噴射される第１薄膜形成用物質Ａが基板１０の蒸着領域に案内されるように第１薄膜形成用物質Ａの一部を基板１０に通過させる通過領域部１２１と、第１薄膜形成用物質Ａのうち基板１０の蒸着領域外に向かう残りを遮断させる遮蔽領域部１２２とを含むことができる。
【００４１】
第１汚染防止部材１３０は、複数の蒸着用ノズル１１１の少なくとも一つの蒸着用ノズルに付いた汚染物質が基板１０に移動することを防ぐ構成要素であり、図２及び図３に示したように、固定型遮蔽部材１２０に備えられることができる。よって、第１伝導管１１２の複数の蒸着用ノズル１１１の一つ以上に付いた汚染物質を基板１０の表面に移動する前に第１汚染防止部材１３０によって遮断することにより、基板１０の表面を汚染物質から保護することができる。
【００４２】
さらに、第１汚染防止部材１３０は、図３に示したように、通過領域部１２１を横切るように備えられて通過領域部１２１を第１及び第２通過領域１２１ａ、１２１ｂに区分させることができる。また、第１汚染防止部材１３０は通過領域部１２１を横切って前述した第１方向に長く構成されることができ（図３参照）、複数の蒸着用ノズル１１１は基板１０に対する垂直距離を基準に第１汚染防止部材１３０に対応するように配列されることができる（図２参照）。
【００４３】
また、前述した本発明の第１実施例による蒸着装置１００は、図２及び図３に示したように、第１回転型遮蔽部材１４０をさらに含むことができる。第１回転型遮蔽部材１４０は、固定型遮蔽部材１２０に第１ヒンジ軸１４１を介して回動可能に備えられ、第１通過領域１２１ａの幅（図３の“Ｗ”参照）を調節する役割をする。よって、第１通過領域１２１ａの幅（図３の“Ｗ”参照）を調節することにより、基板１０の表面に蒸着される第１薄膜形成用物質Ａの蒸着厚さの偏差を最小化することができる。
【００４４】
特に、第１ヒンジ軸１４１は、図３に示したように、固定型遮蔽部材１２０の遮蔽領域部１２２において、第１汚染防止部材１３０の側面の中心に対して直角の位置に備えられることができる。さらに、第１通過領域１２１ａの幅（図３の“Ｗ”参照）は、図３に示したように、第１回転型遮蔽部材１４０の回転によって第１伝導管１１２の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、第１伝導管１１２の末端に行くほど線形的に段々大きくなることができる。よって、それぞれの蒸着用ノズル１１１の噴射量が第１伝導管１１２の後端に行くほど段々小さくなっても固定型遮蔽部材１２０の第１通過領域１２１ａの幅（図３の“Ｗ”参照）が第１回転型遮蔽部材１４０の回転によって第１伝導管１１２の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、第１伝導管１１２の末端に行くほど線形的に段々大きくなることができるので、第１伝導管の長手方向に発生し得る基板１０上の蒸着厚さの偏差をもっと最小化することができる。
【００４５】
さらに、前述した本発明の第１実施例による蒸着装置１００は、図２及び図３に示したように、固定型遮蔽部材１２０に第２ヒンジ軸１５１を介して回動可能に備えられ、第２通過領域１２１ｂの幅Ｗを第１伝導管１１２の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、第１伝導管１１２の末端に行くほど線形的に段々大きくなるように調節する第２回転型遮蔽部材１５０をさらに含むことができる。よって、固定型遮蔽部材１２０の第２通過領域１２１ｂを通過する第１薄膜形成用物質Ａに対しても基板１０上の蒸着厚さの偏差を最小化することができる。
【００４６】
さらに、前述した本発明の第１実施例による蒸着装置は、図２に示したように、基板１０を第２方向に移送させる基板移送部１９０をさらに含むことができる。ここで、第２方向は前述した第１方向に対して直角になることができる。
【００４７】
以下、図４を参照して、本発明の第１実施例の変形例による蒸着装置について説明する。
【００４８】
図４は本発明の第１実施例の変形例による蒸着装置を第１伝導管から見た図である。
【００４９】
本発明の第１実施例の変形例による蒸着装置は、図４に示したように、第１及び第２駆動部１６１、１６２、先端側蒸着率センサー１７０、及び末端側蒸着率センサー１８０をさらに含むことを除き、前述した本発明の第１実施例と同様であるので、以下では第１及び第２駆動部１６１、１６２、先端側蒸着率センサー１７０、及び末端側蒸着率センサー１８０を主に説明する。
【００５０】
第１及び第２駆動部１６１、１６２のそれぞれは、第１及び第２回転型遮蔽部材１４０、１５０にそれぞれ回転力を加える構成要素である。例えば、第１及び第２駆動部１６１、１６２はモーターなどからなることができる。
【００５１】
先端側蒸着率センサー１７０は固定型遮蔽部材１２０の遮蔽領域部１２２のうち第１伝導管１１２の先端部に対応する第１部分に備えられて蒸着率を測定する構成要素であり、末端側蒸着率センサー１８０は固定型遮蔽部材１２０の遮蔽領域部１２２のうち第１伝導管１１２の末端部に対応する第２部分に備えられて蒸着率を測定する構成要素である。
【００５２】
したがって、先端側蒸着率センサー１７０で測定された先端側蒸着率が末端側蒸着率センサー１８０で測定された末端側蒸着率より大きければ、第１及び第２駆動部１６１、１６２のそれぞれは、第１及び第２通過領域１２１ａ、１２１ｂの各幅Ｗが第１伝導管１１２の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、第１伝導管１１２の末端に行くほど線形的に段々大きくなるように第１及び第２回転型遮蔽部材１４０、１５０をそれぞれ回転させることができるので、基板１０上の蒸着厚さの偏差をより最小化することができる。
【００５３】
以下、図５を参照して、本発明の第２実施例による蒸着装置２００について説明する。
【００５４】
図５は本発明の第２実施例による蒸着装置を概略的に示した図である。
【００５５】
本発明の第２実施例による蒸着装置２００は、図５に示したように、第２伝導管２２２及び第３伝導管２３２をさらに含むことを除き、前述した本発明の第１実施例の変形例と同様であるので、以下では第２伝導管２２２及び第３伝導管２３２を主に説明する。
【００５６】
第２伝導管２２２は第１伝導管１１２の左側（図５を基準に左側）に配置されて第２薄膜形成用物質Ｂ−１を案内し、第３伝導管２３２は第１伝導管１１２の右側（図５を基準に右側）に配置されて第２薄膜形成用物質Ｂ−１と同じ物質である第３薄膜形成用物質Ｂ−２を案内する。特に、同じ物質である第２及び第３薄膜形成用物質Ｂ−１、Ｂ−２の所要蒸着率発生温度はこれらと違う物質である第１薄膜形成用物質Ａの所要蒸着率発生温度より高くてもよい。さらに、第２伝導管２２２、第１伝導管１１２及び第３伝導管２３２は、基板１０に対して平行な直線Ｌ上に配置されて直線形配置を成すことができる。また、第２及び第３伝導管２２２、２３２のそれぞれは、互いに異なる第２及び第３線形蒸発源２２０、２３０にそれぞれ含まれることができる（図１参照）。
【００５７】
したがって、互いに同じ物質である第２及び第３薄膜形成用物質Ｂ−１、Ｂ−２の所要蒸着率発生温度がこれらと違う物質である第１薄膜形成用物質Ａの所要蒸着率発生温度より高くても、同じ物質である第２及び第３薄膜形成用物質Ｂ−１、Ｂ−２が二つの伝導管である第２及び第３伝導管２２２、２３２から提供されるので、これらの物質の蒸着率の相対的低減を防ぐことができるとともに相対的に低い第１薄膜形成用物質Ａの所要蒸着率発生温度で充分に所望の蒸着率を達成することができ、それぞれの線形蒸発源１１０、２２０、２３０の熱的安全性を確保することができる。例えば、第１、第２及び第３線形蒸発源１１０、２２０、２３０のるつぼ１１３の温度が同一である場合、相対的に所要蒸着率発生温度が高い薄膜形成用物質であっても、二つの第２及び第３線形蒸発源２２０、２３０から同じ物質である第２及び第３薄膜形成用物質Ｂ−１、Ｂ−２を提供するので、これらの物質の蒸着率が相対的に下がることを防ぐことができ、また相対的に低い第１薄膜形成用物質Ａの所要蒸着率発生温度で充分に所望の蒸着率を得ることができ、それぞれの線形蒸発源１１０、２２０、２３０の熱的安全性を確保することができる。
【００５８】
さらに、前述した本発明の第２実施例による蒸着装置２００は、図５に示したように、第２汚染防止部材２４０及び第３汚染防止部材２５０をさらに含むことができる。第２汚染防止部材２４０は固定型遮蔽部材１２０に、基板１０に対する垂直距離を基準に第２伝導管２２２に対応するように備えられることができ、第３汚染防止部材２５０は固定型遮蔽部材１２０に、基板１０に対する垂直距離を基準に第３伝導管２３２に対応するように備えられることができる。よって、第２伝導管２２２の蒸着用ノズルに付いた汚染物質は第２汚染防止部材２４０によって遮断されることにより、汚染物質が基板１０に移動することを防ぐことができ、第３伝導管２３２の蒸着用ノズルに付いた汚染物質は第３汚染防止部材２５０によって遮蔽されることにより、汚染物質が基板１０に移動することを防ぐことができる。
【００５９】
以下、図６〜図１０を参照して、本発明の第３実施例による蒸着装置３００について説明する。
【００６０】
図６は本発明の第３実施例による蒸着装置を概略的に示した図、図７は図５の蒸着装置において基板の移送座標による蒸着率の変化を示したグラフ、図８は図６の蒸着装置において基板の移送座標による蒸着率の変化を示したグラフ、そして図９は図５の蒸着装置（直線形配置）と図６の蒸着装置（円弧形配置）を比較したもので、基板の移送座標による蒸着率比の変化を示したグラフである。
【００６１】
図１０の（ａ）はそれぞれの伝導管に備えられた蒸着率測定部を概略的に示した図、（ｂ）は伝導管の前端と後端にそれぞれ備えられた前端側蒸着率測定部と後端側蒸着率測定部を示した図である。
【００６２】
本発明の第３実施例による蒸着装置３００は、図６に示したように、第１、第２及び第３伝導管１１２、２２２、２３２の配置形態を除き、前述した本発明の第２実施例と同様であるので、以下では第１、第２及び第３伝導管１１２、２２２、２３２の配置形態を主に説明する。
【００６３】
第２及び第３伝導管２２２、２３２は第１伝導管１１２に対して平行に配置されることができ、第２伝導管２２２、第１伝導管１１２及び第３伝導管２３２はこの順に円弧（図６の３１０）を描くように配置されることができる。よって、基板１０での蒸着率（蒸着厚さ）は蒸着ノズルからの距離の二乗に反比例するので、このように第２伝導管２２２及び第３伝導管２３２をそれらの中央に位置する第１伝導管１１２を基準に円弧形に傾けることにより、同じ物質である第２及び第３薄膜形成用物質Ｂ−１、Ｂ−２の蒸着率とこれらと違う物質である第１薄膜形成用物質Ａの蒸着率の比の偏差を最小化することができる。
【００６４】
実験によって確認した結果、前述した本発明の第２実施例のように第２伝導管２２２、第１伝導管１１２及び第３伝導管２３２が直線形に配置される場合、図７に示したように、基板１０の移送座標によって第１、第２及び第３薄膜形成用物質Ａ、Ｂ−１、Ｂ−２の蒸着率が違って分布されることが分かった。
【００６５】
これに対し、実験によって確認した結果、前述した本発明の第３実施例のように第２伝導管２２２、第１伝導管１１２及び第３伝導管２３２が円弧形に配置される場合、図８に示したように、基板１０の移送座標によって第１、第２及び第３薄膜形成用物質Ａ、Ｂ−１、Ｂ−２の蒸着率が最大限均一に分布することが分かった。特に、図９に示したように、実験によって確認した結果、前述した本発明の第２実施例のように直線形配置の場合、基板１０上の位置によって蒸着率の比が変わることが分かる反面、前述した本発明の第３実施例のように円弧形に配置される場合、同じ物質である第２及び第３薄膜形成用物質Ｂ−１、Ｂ−２の蒸着率とこれらと違う物質である第１薄膜形成用物質Ａの蒸着率の比が基板上の全ての位置でほぼ同じ値（２．０）であることが分かった。これは、前述した本発明の第３実施例のように円弧形に配置される場合、基板１０上の全ての位置で同じ組成比で、第２及び第３薄膜形成用物質Ｂ−１、Ｂ−２の和と第１薄膜形成用物質Ａが２：１に近い化合物を得ることができることを示したものである。
【００６６】
さらに、例えば、前述した円弧３１０の中心ＡＣは、図６に示したように、基板１０の第１部分に位置することができ、第１部分は通過領域部１２１の中心に対応する部分であってもよい。
【００６７】
さらに、前述した本発明の第３実施例による蒸着装置３００は、図１０の（ａ）に示したように、第１、第２及び第３伝導管１１２、２２２、２３２のそれぞれに備えられてそれぞれの蒸着率を測定する一つ以上の蒸着率測定部３２０をさらに含むことができる。よって、それぞれの伝導管１１２、２２２、２３２に対して独立的に蒸着率を測定することができ、より正確な蒸着率の管理が可能である。
【００６８】
例えば、蒸着率測定部３２０のそれぞれは、図１０の（ｂ）に示したように、測定用ノズル３２１、測定用伝導管３２２及び導電管側蒸着率センサー３２３を含むことができる。測定用ノズル３２１は第１、第２及び第３伝導管１１２、２２２、２３２のそれぞれと連通するように備えられることができ、測定用伝導管３２２は第１、第２及び第３伝導管１１２、２２２、２３２のそれぞれに一端が備えられ、測定用ノズル３２１から噴射される薄膜形成用物質を案内することができ、そして導電管側蒸着率センサー３２３は測定用伝導管３２２の他端に備えられ、噴射される薄膜形成用物質の蒸着率を測定することができる。特に、測定用伝導管３２２の内壁から放出される物質の影響を最小化するために、測定用伝導管３２２の内壁を冷却させる冷却ジャケット（図示せず）を測定用伝導管３２２にさらに備えることができる。また、測定用伝導管３２２の一端はフランジなどの締結手段（図示せず）を介して第１、第２及び第３伝導管１１２、２２２、２３２のそれぞれに締結され、測定用伝導管３２２の他端もフランジなどの締結手段（図示せず）を介して導電管側蒸着率センサー３２３のモジュールに締結されることができる。
【００６９】
また、一つ以上の蒸着率測定部３２０は、伝導管の前端部と末端部の蒸着率が違うことを勘案すると、図１０の（ｂ）に示したように、第１、第２及び第３伝導管１１２、２２２、２３２の各前端部に備えられてそれぞれの蒸着率を測定する前端側蒸着率測定部３２０と、第１、第２及び第３伝導管１１２、２２２、２３２の各末端部に備えられてそれぞれの蒸着率を測定する末端側蒸着率測定部３２０とを含むことができる。
【００７０】
以上で本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を用いた当業者の多くの変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【００７１】
（付記）
（付記１）
基板に１種以上の薄膜形成用物質を蒸着させるための蒸着装置であって、
前記基板に第１薄膜形成用物質を噴射するための複数の蒸着用ノズルが第１方向に長く配列された第１伝導管を有する第１線形蒸発源と、
前記第１伝導管と前記基板の間に備えられ、前記噴射される第１薄膜形成用物質の一部を前記基板に通過させる通過領域部及び前記第１薄膜形成用物質の残りを遮断させる遮蔽領域部を含む固定型遮蔽部材と、
前記固定型遮蔽部材に備えられ、前記複数の蒸着用ノズルの少なくとも一つの蒸着用ノズルに付いた汚染物質が前記基板に移動することを防ぐ第１汚染防止部材と、
を含む、蒸着装置。
【００７２】
（付記２）
前記第１汚染防止部材は、前記通過領域部を横切るように備えられて前記通過領域部を第１及び第２通過領域に区分させる、付記１に記載の蒸着装置。
【００７３】
（付記３）
前記第１汚染防止部材は、前記通過領域部を第１方向に横切って長く備えられ、
前記複数の蒸着用ノズルは、前記第１汚染防止部材に対応するように配列される、付記２に記載の蒸着装置。
【００７４】
（付記４）
前記蒸着装置は、前記固定型遮蔽部材に第１ヒンジ軸を介して回動可能に備えられ、前記第１通過領域の幅を調節する第１回転型遮蔽部材をさらに含む、付記２に記載の着装置。
【００７５】
（付記５）
前記第１ヒンジ軸は、前記固定型遮蔽部材の前記遮蔽領域部において前記第１汚染防止部材の側面の中心に対して直角となる位置に備えられる、付記４に記載の蒸着装置。
【００７６】
（付記６）
前記第１通過領域の幅は、前記第１回転型遮蔽部材の回転によって前記第１伝導管の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、前記第１伝導管の末端に行くほど線形的に段々大きくなる、付記５に記載の蒸着装置。
【００７７】
（付記７）
前記蒸着装置は、前記固定型遮蔽部材に第２ヒンジ軸を介して回動可能に備えられ、前記第２通過領域の幅を、前記第１伝導管の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、前記第１伝導管の末端に行くほど線形的に段々大きくなるように調節する第２回転型遮蔽部材をさらに含む、付記６に記載の蒸着装置。
【００７８】
（付記８）
前記蒸着装置は、
前記第１及び第２回転型遮蔽部材にそれぞれ回転力を加える第１及び第２駆動部と、
前記固定型遮蔽部材の前記遮蔽領域部のうち前記第１伝導管の先端部に対応する第１部分に備えられて蒸着率を測定する先端側蒸着率センサーと、
前記固定型遮蔽部材の前記遮蔽領域部のうち前記第１伝導管の末端部に対応する第２部分に備えられて蒸着率を測定する末端側蒸着率センサーと、
をさらに含む、付記７に記載の蒸着装置。
【００７９】
（付記９）
前記先端側蒸着率センサーで測定された先端側蒸着率が前記後端側蒸着率センサーで測定された末端側蒸着率より大きければ、前記第１及び第２駆動部のそれぞれは、前記第１及び第２通過領域の各幅が前記第１伝導管の先端に行くほど線形的に段々小さくなり、前記第１伝導管の末端に行くほど線形的に段々大きくなるように、前記第１及び第２回転型遮蔽部材をそれぞれ回転させる、付記８に記載の蒸着装置。
【００８０】
（付記１０）
前記蒸着装置は、
前記第１伝導管の左側に配置されて第２薄膜形成用物質を案内する第２伝導管と、
前記第１伝導管の右側に配置されて前記第２薄膜形成用物質と同じ物質である第３薄膜形成用物質を案内する第３伝導管とをさらに含み、
前記第２及び第３薄膜形成用物質は、所要蒸着率を発生させる所要蒸着率発生温度が前記第１薄膜形成用物質より高い物質である、付記１に記載の蒸着装置。
【００８１】
（付記１１）
前記蒸着装置は、
前記固定型遮蔽部材に、前記第２伝導管に対応するように備えられる第２汚染防止部材と、
前記固定型遮蔽部材に、前記第３伝導管に対応するように備えられる第３汚染防止部材と、
をさらに含む、付記１０に記載の蒸着装置。
【００８２】
（付記１２）
前記第２及び第３伝導管のそれぞれは、互いに異なる第２及び第３線形蒸発源にそれぞれ含まれる、付記１０に記載の蒸着装置。
【００８３】
（付記１３）
前記第２及び第３伝導管は、第１伝導管に対して平行に配置され、
前記第２伝導管、前記第１伝導管及び前記第３伝導管はこの順に円弧を描くように配置される、付記１０に記載の蒸着装置。
【００８４】
（付記１４）
前記円弧の中心は、前記基板の第１部分に位置し、
前記第１部分は、前記通過領域部の中心に対応する部分である、付記１３に記載の蒸着装置。
【００８５】
（付記１５）
前記蒸着装置は、
前記第１、第２及び第３伝導管のそれぞれに備えられてそれぞれの蒸着率を測定する一つ以上の蒸着率測定部をさらに含む、付記１０に記載の蒸着装置。
【００８６】
（付記１６）
前記蒸着率測定部は、
前記第１、第２及び第３伝導管のそれぞれと連通するように備えられる測定用ノズルと、前記第１、第２及び第３伝導管のそれぞれに一端が備えられ、前記測定用ノズルから噴射される薄膜形成用物質を案内する測定用伝導管と、
前記測定用伝導管の他端に備えられ、前記噴射される薄膜形成用物質の蒸着率を測定する導電管側蒸着率センサーと、
を含む、付記１５に記載の蒸着装置。
【００８７】
（付記１７）
前記一つ以上の蒸着率測定部は、
前記第１、第２及び第３伝導管の各先端部に備えられてそれぞれの蒸着率を測定する前端側蒸着率測定部と、
前記第１、第２及び第３伝導管の各末端部に備えられてそれぞれの蒸着率を測定する末端側蒸着率測定部と、
を含む、付記１５に記載の蒸着装置。
【００８８】
（付記１８）
前記蒸着装置は、前記基板を第２方向に移送させる基板移送部をさらに含み、
前記第１及び第２方向は互いに直角である、付記１に記載の蒸着装置。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明は線形蒸発源を用いた蒸着装置に関するものであるので、半導体などを製造するのに適用することができ、産業上利用可能性がある。
【図１】
2019529720.tif 000003
【図２】
2019529720.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2019529720.tif 000012
【国際調査報告】
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2019529720.tif 000014
2019529720.tif 000015
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