(57)【要約】  マルチチャネル光電子増倍管（ＰＭＴ）型検出器アセンブリでありフォトカソードを有する。その検出器アセンブリが、第１組のダイノード経路を有する第１ダイノードチャネルを有する。当該第１組のダイノード経路が、第１群の光電子を受け取り第１増幅光電子流を第１アノード上に差し向けるよう構成された複数個のダイノード段を有する。同検出器アセンブリが、別組のダイノード経路を有する別のダイノードチャネルを有する。当該別組のダイノード経路が、別群の光電子を受け取り別の増幅光電子流を別のアノード上に差し向けるよう構成された複数個のダイノード段を有する。同検出器アセンブリが、第１群の光電子を第１組の経路のうち１個又は複数個へと差し向け且つ上記別群の光電子を上記別組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成された、グリッドを有する。
2019510357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光子を吸収するよう構成され更に光電子を放出するよう構成されているフォトカソードと、
第１組のダイノード経路を有する第１ダイノードチャネルであり、当該第１組のダイノード経路のうち少なくとも幾つかが複数個のダイノード段を有し、そのダイノード段が、第１群の上記光電子を受け取り第１増幅光電子流を第１組のアノードのうち第１アノード上に差し向けるよう構成されている第１ダイノードチャネルと、
別組のダイノード経路を有する別のダイノードチャネルであり、その別組のダイノード経路のうち少なくとも幾つかが複数個のダイノード段を有し、そのダイノード段が、別群の上記光電子を受け取り別の増幅光電子流を別組のアノードのうち別のアノード上に差し向けるよう構成されている別のダイノードチャネルと、
フォトカソードに発する第１群の光電子を第１ダイノードチャネルに備わる上記第１組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成されたグリッドであり、更に、そのフォトカソードに発する上記別群の光電子を上記別のダイノードチャネルに備わる上記別組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成されているグリッドと、
を備える光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、上記第１組のダイノード経路及び上記別組のダイノード経路が交互配置平行パターンの態で配置されている光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項３】
請求項１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、第１アノード及び上記別のアノードが交互配置パターンの態で配置されている光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、第１アノードが第１ダイノードチャネルに備わる第１ダイノード経路内に位置する光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項５】
請求項１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、上記別のアノードが上記別のダイノードチャネル内の上記別のダイノード経路内に位置する光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項６】
請求項１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、第１群の光電子及び上記別群の光電子が、第１ダイノードチャネル及び上記別のダイノードチャネルに順次進入する光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項７】
請求項１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、第１群の光電子及び上記別群の光電子が、第１ダイノードチャネル及び上記別のダイノードチャネルに同時進入する光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項８】
請求項１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、第１ダイノードチャネル及び上記別のダイノードチャネルが、更に、フォトカソードからの光電子を電圧スイッチングプロセスを通じグリッドで以て操るよう構成されている光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項９】
請求項１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、その照明源が広帯域光源である光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項１０】
請求項１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、その照明源が狭帯域光源である光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項１１】
請求項１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、第１アノード及び上記別のアノードのうち少なくとも一方が、
第１増幅光電子流を第１光信号に変換するよう構成された第１燐アノード、或いは上記別の増幅光電子流を別の光信号に変換するよう構成された別の燐アノードを備える光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、更に、
第１燐アノードにより生成された第１光信号を検出するよう構成された第１検出器、並びに上記別の燐アノードより生成された上記別の光信号を検出するよう構成された別の検出器、のうち少なくとも一方を備える光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光電子増倍管型検出器アセンブリであって、第１検出器及び上記別の検出器のうち少なくとも一方が、
電荷結合デバイス（ＣＣＤ）型検出器及び相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）型検出器のうち少なくとも一方を備える光電子増倍管型検出器アセンブリ。
【請求項１４】
サンプル表面のうち一部分を照明するよう構成された照明源と、
その照明をサンプル表面上に差し向け集束させるよう構成された一組の照明光学系と、
光電子増倍管型検出器アセンブリと、
を備え、その光電子増倍管型検出器アセンブリが、
第１組のダイノード経路を有する第１ダイノードチャネルであり、当該第１組のダイノード経路のうち少なくとも幾つかが複数個のダイノード段を有し、そのダイノード段が、第１群の上記光電子を受け取り第１増幅光電子流を第１組のアノードのうち第１アノード上に差し向けるよう構成されている第１ダイノードチャネルと、
別組のダイノード経路を有する別のダイノードチャネルであり、その別組のダイノード経路のうち少なくとも幾つかが複数個のダイノード段を有し、そのダイノード段が、別群の上記光電子を受け取り別の増幅光電子流を別組のアノードのうち別のアノード上に差し向けるよう構成されている別のダイノードチャネルと、
フォトカソードに発する第１群の光電子を第１ダイノードチャネルに備わる上記第１組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成されたグリッドであり、更に、そのフォトカソードに発する上記別群の光電子を上記別のダイノードチャネルに備わる上記別組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成されているグリッドと、
を備える検査システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の検査システムであって、上記第１組のダイノード経路及び上記別組のダイノード経路が交互配置平行パターンの態で配置されている検査システム。
【請求項１６】
請求項１４に記載の検査システムであって、第１アノード及び上記別のアノードが交互配置パターンの態で配置されている検査システム。
【請求項１７】
請求項１４に記載の検査システムであって、第１アノードが第１ダイノードチャネルに備わる第１ダイノード経路内に位置する検査システム。
【請求項１８】
請求項１４に記載の検査システムであって、上記別のアノードが上記別のダイノードチャネル内の上記別のダイノード経路内に位置する検査システム。
【請求項１９】
請求項１４に記載の検査システムであって、第１群の光電子及び上記別群の光電子が、第１ダイノードチャネル及び上記別のダイノードチャネルに順次進入する検査システム。
【請求項２０】
請求項１４に記載の検査システムであって、第１群の光電子及び上記別群の光電子が、第１ダイノードチャネル及び上記別のダイノードチャネルに同時進入する検査システム。
【請求項２１】
請求項１４に記載の検査システムであって、第１ダイノードチャネル及び上記別のダイノードチャネルが、更に、フォトカソードからの光電子を電圧スイッチングプロセスを通じグリッドで以て操るよう構成されている検査システム。
【請求項２２】
請求項１４に記載の検査システムであって、照明源が広帯域光源である検査システム。
【請求項２３】
請求項１４に記載の検査システムであって、照明源が狭帯域光源である検査システム。
【請求項２４】
請求項１４に記載の検査システムであって、第１アノード及び上記別のアノードのうち少なくとも一方が、
第１増幅光電子流を第１光信号に変換するよう構成された第１燐アノード、或いは上記別の増幅光電子流を別の光信号に変換するよう構成された別の燐アノードを備える検査システム。
【請求項２５】
請求項２４に記載の検査システムであって、更に、
第１燐アノードにより生成された第１光信号を検出するよう構成された第１検出器、並びに上記別の燐アノードより生成された上記別の光信号を検出するよう構成された別の検出器、のうち少なくとも一方を備える検査システム。
【請求項２６】
請求項２５に記載の検査システムであって、第１検出器及び上記別の検出器のうち少なくとも一方が、
電荷結合デバイス（ＣＣＤ）型検出器及び相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）型検出器のうち少なくとも一方を備える検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は総じて光電子増倍管型検出器アセンブリに関し、より具体的にはマルチチャネル光電子増倍管型検出器アセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連出願への相互参照）
本願は下に列挙されている出願（「関連出願」）に関連する出願であり、当該関連出願における最先、利用可能且つ有効な出願日の利益を主張する（例．仮特許出願以外に関しては最先且つ利用可能な優先日を主張し或いは仮特許出願についての米国特許法第１１９条（ｅ）の規定による利益を関連出願のあらゆる親出願、その親出願、更にその親出願等々に関し主張する）出願である。
【０００３】
（関連出願）
米国特許商標庁の例外的規定の趣旨を踏まえ、本願は「マルチチャネル超高速光電子増倍管」(MULTI-CHANNEL ULTRA HIGH SPEED PHOTOMULTIPLIER TUBE)と題しＤｅｒｅｋ  Ｍａｃｋａｙを発明者とする２０１６年３月２９日付米国仮特許出願第６２／３１４６５４号の通常（非仮）特許出願を構成するものとする。
【０００４】
半導体デバイスへの需要が増すにつれ、より秀逸なデバイス検査能力への切望も増し続けていく。光学検査法で一般に利用されるテクノロジの一つに、光電子増倍管（ＰＭＴ）型検出器の実装がある。一般に、光電子増倍管型検出器は、電磁スペクトラムのうちＵＶ、可視及び近赤外域内の光に対し感受性のある検出器である。そのため、ＰＭＴは半導体デバイス検査プロセス向けに広く利用されている。広く実装されている構成の一つはシングルチャネルＰＭＴである（例．円形ケージ型、ボックス及びグリッド型並びに直線集束型）。そうしたシングルチャネルＰＭＴは検出速度の低さに悩まされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５１１１０５１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１３／０２４２２９１号明細書
【特許文献３】国際公開第２０１５／１００４２１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そのため、従来手法の短所が治癒される光電子増倍管型検出器アセンブリを創案することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本件開示の１個又は複数個の例証的実施形態に係る光電子増倍管型検出器アセンブリが開示される。ある実施形態では、その光電子増倍管型検出器アセンブリが、光子を吸収するよう構成されたフォトカソードを有し、そのフォトカソードが、更に、光電子を放出するよう構成される。また、ある実施形態では、その光電子増倍管型検出器アセンブリが、第１組のダイノード経路を有する第１ダイノードチャネルを有し、当該第１組のダイノード経路のうち少なくとも幾つかが複数個のダイノード段を有し、そのダイノード段が、第１群の光電子を受け取り第１増幅光電子流を第１組のアノードのうち第１アノード上に差し向けるよう構成される。また、ある実施形態では、その光電子増倍管型検出器アセンブリが、別組のダイノード経路を有する別のダイノードチャネルを有し、その別組のダイノード経路のうち少なくとも幾つかが複数個のダイノード段を有し、そのダイノード段が、別群の光電子を受け取り別の増幅光電子流を別組のアノードのうち別のアノード上に差し向けるよう構成される。また、ある実施形態では、その光電子増倍管型検出器アセンブリがグリッドを有し、そのグリッドが、フォトカソードに発する第１群の光電子を第１ダイノードチャネルに備わる上記第１組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成される。ある実施形態では、そのグリッドが、更に、そのフォトカソードに発する別群の光電子を上記別のダイノードチャネルに備わる上記別組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成される。
【０００８】
本件開示の１個又は複数個の例証的実施形態に係る検査システムが開示される。ある実施形態では、その検査システムが、サンプル表面のうち一部分を照明するよう構成された照明源を有する。また、ある実施形態では、その検査システムが、その照明をサンプル表面上に差し向け集束させるよう構成された一組の照明光学系を有する。また、ある実施形態では、その検査システムが光電子増倍管型検出器アセンブリを有する。ある実施形態では、その光電子増倍管型検出器アセンブリが、光子を吸収するよう構成されたフォトカソードを有し、そのフォトカソードが、更に、光電子を放出するよう構成される。ある実施形態では、その光電子増倍管型検出器アセンブリが、第１組のダイノード経路を有する第１ダイノードチャネルを有し、当該第１組のダイノード経路のうち少なくとも幾つかが複数個のダイノード段を有し、そのダイノード段が、第１群の光電子を受け取り第１増幅光電子流を第１組のアノードのうち第１アノード上に差し向けるよう構成される。ある実施形態では、その光電子増倍管型検出器アセンブリが、別組のダイノード経路を有する別のダイノードチャネルを有し、その別組のダイノード経路のうち少なくとも幾つかが複数個のダイノード段を有し、そのダイノード段が、別群の光電子を受け取り別の増幅光電子流を別組のアノードのうち別のアノード上に差し向けるよう構成される。ある実施形態では、その光電子増倍管型検出器アセンブリがグリッドを有し、そのグリッドが、フォトカソードに発する第１群の光電子を第１ダイノードチャネルに備わる上記第１組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成される。ある実施形態では、そのグリッドが、更に、そのフォトカソードに発する別群の光電子を上記別のダイノードチャネルに備わる上記別組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成される。
【０００９】
ご理解頂けるように、上掲の概略記述及び後掲の詳細記述は共に専ら例示的且つ説明的なものであり、特許請求の範囲記載の発明を必ずしも限定するものではない。添付図面は、明細書に組み込まれ明細書の一部を構成するものであり、本発明の諸実施形態を描出しており、且つその概略記述と相俟ち本発明の諸原理を説明する働きを有している。
【００１０】
本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）であれば、以下の如き添付図面を参照することで、本件開示の多数の長所をより良好に理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るマルチチャネル光電子増倍管型検出器アセンブリの概略模式図である。
【図１Ｂ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るマルチチャネル光電子増倍管型検出器アセンブリの概略模式図であり、第１ダイノードチャネルにおける一群又は複数群の第１光子の増幅が描かれている。
【図１Ｃ】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るマルチチャネル光電子増倍管型検出器アセンブリの概略模式図であり、第２ダイノードチャネルにおける一群又は複数群の第２光子の増幅が描かれている。
【図１Ｄ】本件開示の１個又は複数個の実施形態におけるサンプル検査エリア及び第１画素の概略模式図である。
【図１Ｅ】本件開示の１個又は複数個の実施形態におけるサンプル検査エリア及び第２画素の概略模式図である。
【図１Ｆ】本件開示の１個又は複数個の実施形態におけるサンプル検査エリア並びに第３及び第４画素の概略模式図である。
【図２】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る概略模式図であり、本件開示の代替的実施形態が描かれている。
【図３】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るマルチチャネル光電子増倍管型検出器アセンブリが装備された検査システムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面に描かれている被開示主題を詳細に参照することにする。
【００１３】
図１Ａ〜図３全体を通じ、本件開示に係るマルチチャネル光電子増倍管（ＰＭＴ）型検出器アセンブリ１００が記述されている。本件開示の諸実施形態が指向しているのは、検査帯域幅を拡張すべく平行パターンの態で配置された複数個のチャネルを有するマルチチャネル光電子増倍管（ＰＭＴ）型検出器アセンブリ１００である。本件開示の諸実施形態は、半導体検査関連ではひときわ有用である。本件開示の諸実施形態により、隣接する諸サンプルの、或いは同一サンプルの諸エリアの、迅速な計測が実現される。本件開示のＰＭＴ型検出器アセンブリ１００はマルチチャネル構造を構成しており、従来のシングルチャネルＰＭＴ型検出器に比べ検査速度が複数倍高い。
【００１４】
図１Ａは、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００の概略図である。ある実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００はフォトカソード１０４を有している。ある実施形態では、そのフォトカソード１０４が一群又は複数群の光子１０２を吸収し、そして当該一群又は複数群の光子１０２の吸収に応じ一群又は複数群の光電子を放出する。
【００１５】
また、ある実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００は、平行配置された第１ダイノードチャネル１０１ａ及び第２ダイノードチャネル１０１ｂを有している。第１ダイノードチャネル１０１ａ及び第２ダイノードチャネル１０１ｂは、例えば、それぞれ複数個の経路を有する構成とすることができる。例えば、第１ダイノードチャネル１０１ａ内に一組のダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃを設けることができる。また例えば、第２ダイノードチャネル１０１ｂ内に一組のダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂを設けることができる。更に、図１Ａに示すように、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂとを、交互配置平行パターンの態で配置することができる。
【００１６】
考えるに、図１Ａでは第１ダイノードチャネル１０１ａ及び第２ダイノードチャネル１０１ｂが２チャネル並列配置の態で描かれているが、この配置は専ら例証目的で提示されているだけである。注記すべきことに、本検出器アセンブリ１００には、平（例．交互配置平行パターンの態で）平行配置された３個以上のチャネル等、何個のダイノードチャネルを設けることもできる。
【００１７】
同じく考えるに、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂとが、図１Ａでは５個のダイノード経路（即ち１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１３ａ及び１１３ｂ）の集積体として示されているが、この構成は専ら例証目的で提示されているだけである。注記すべきことに、各ダイノードチャネルに何個のダイノード経路が備わっていても、各チャネルに属する経路を交互配置平行パターンの態で配置することができる。
【００１８】
ある実施形態では、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１光電子が第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１経路１１２ａ〜１１２ｃに進入し、それに対し順次、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第２光電子が第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂに進入する。別の実施形態では、一群又は複数群の第１光電子が第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１経路１１２ａ〜１１２ｃに進入し、それと同時に、一群又は複数群の第２光電子が第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂに進入する。
【００１９】
また、一実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００は、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の光電子を制御し及び／又は差し向けるグリッド１０６を有している。例えば、そのグリッド１０６を、フォトカソード１０４の該当部分付近に配置するとよい。一例としては、フォトカソード１０４並びに第１及び第２チャネル１０１ａ，１０１ｂに対するグリッド１０６の位置を、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の光電子を第１チャネル１０１ａ及び／又は第２チャネル１０１ｂ内へと効率的に差し向けうるよう、選択することができる。注記すべきことに、本件開示の技術的範囲は、第１チャネル１０１ａに備わる第１経路１１２ａ〜１１２ｃ内並びに第２チャネル１０１ｂに備わる第２経路１１３ａ〜１１３ｂ内への一群又は複数群の光電子の進入をグリッド１０６で以て制御することに限定されるものではなく、これは専ら例証目的で提示されているだけである。寧ろ、ここで認識頂けるように、本マルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００により、第１チャネル１０１ａに備わる第１経路１１２ａ〜１１２ｃ内並びに第２チャネル１０１ｂに備わる第２経路１１３ａ〜１１３ｂ内への一群又は複数群の光電子の進入を制御するに当たっては、これに限られるものではないが１個又は複数個の集束電極、１個又は複数個の集束メッシュ等をはじめ、本件技術分野で既知なあらゆる電子制御手段を用いることができる。
【００２０】
また、ある実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００では、第１チャネル１０１ａに備わる経路１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃが、それぞれ複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃを有している。また、実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００では、第２チャネル１０１ｂに備わる経路１１３ａ，１１３ｂが、それぞれ、やはり複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃを有している。例えば、第１チャネル１０１ａ及び第２チャネル１０１ｂに備わるそれら複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃを、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の光電子を受け取るよう構成することができる。一例としては、第１チャネル１０１ａ及び第２チャネル１０１ｂに備わるそれら複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃを、更に、その一群又は複数群の光電子を増幅するよう構成することができる。更なる例としては、第１チャネル１０１ａ及び第２チャネル１０１ｂに備わるそれら複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃを、そうした増幅光電子流を一組のアノード１１０ａ，１１０ｂ上へと差し向けるよう構成することができる。
【００２１】
また、ある実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００は、それぞれ第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂから１個又は複数個の増幅光電子流を収集するよう配置された、第１組のアノード１１０ａ、第２組のアノード１１０ｂを有している。例えば、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第１組のアノード１１０ａと、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと連携する第２組のアノード１１０ｂとを、平行配置するとよい。その際、第１組及び第２組のアノード１１０ａ，１１０ｂの並列配置を、第１ダイノードチャネル１０１ａ及び第２ダイノードチャネル１０１ｂの並列配置と、図１Ａに示す如く対応付けることができる。
【００２２】
また例えば、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第１組のアノード１１０ａ中の諸アノードを、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと整列させることで、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ内の１個又は複数個の増幅光電子流が収集されるようにすることができる。その際には、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第１組のアノード１１０ａ中の諸アノードを、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃの直下に配置すればよい。更に例えば、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと連携する第２組のアノード１１０ｂ中の諸アノードを、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと整列させることで、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂ内の１個又は複数個の増幅光電子流が収集されるようにすることができる。その際には、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと連携する第２組のアノード１１０ｂ中の諸アノードを、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂの直下に配置すればよい。更に、ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ，１１３ａ〜１１３ｂに対する第１組のアノード１１０ａ及び第２組のアノード１１０ｂの位置を適宜選択することで、複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃに発する増幅光電子流が第１組のアノード１１０ａ及び第２組のアノード１１０ｂ内へと、効率的に差し向けられるようにすることができる。
【００２３】
考えるに、上述した第１組のアノード１１０ａ及び第２組のアノード１１０ｂが、図１Ａとして示した概略図では物理的に分離されたアノードとして示されているが、この構成は専ら例証目的で提示されているだけである。例えば第１組のアノード１１０ａ全てを相互短絡させてもよい。また例えば、第２組のアノード１１０ｂ全てを相互短絡させてもよい。個別アノードを相互短絡させるのに、本件技術分野で既知ないずれの短絡技術を採用してもよい。
【００２４】
更に、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第１組のアノード１１０ａ、並びに第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと連携する第２組のアノード１１０ｂに、１個又は複数個の光電子流を１個又は複数個の光信号に変換するのに適した１個又は複数個の燐被覆アノードを含めてもよい。例えば、上記１個又は複数個の燐被覆された第１組及び第２組のアノード１１０ａ，１１０ｂを１個又は複数個の増幅光電子流により励起すればよい。また、ある実施形態では、マルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００に１個又は複数個の検出器（図示せず）が設けられ、その検出器が、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第１組のアノード１１０ａや、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと連携する第２組のアノード１１０ｂに発する、１個又は複数個の光信号を検出するよう構成される。当該１個又は複数個の検出器には、例えば、これに限られるものではないが電荷結合デバイス（ＣＣＤ）型検出器、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）型検出器等をはじめ、本件技術分野で既知なあらゆる検出器が含まれうる。
【００２５】
図１Ｂ〜図１Ｆには、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００が、一群又は複数群の第１、第２光電子１１４，１２２をそれぞれ第１チャネル１０１ａ沿い、第２チャネル１０１ｂ沿いに差し向ける第１構成、第２構成にて動作する様子が、描かれている。
【００２６】
図１Ｂは本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００の概略模式図であり、第１チャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃにおける、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１光電子１１４の増幅が描かれている。ここで注記すべきことに、本願中で先に述べた諸実施形態、諸部材及びアーキテクチャについては、図１ＢのマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００に敷衍しうるものであると、解されるべきである。
【００２７】
ある実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００は、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１光電子１１４を増幅するよう構成された、複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃを有している。例えば、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第１組の複数個のダイノード段１０８ａを、フォトカソード１０４により光子１０２から転換された一群又は複数群の第１光電子１１４を受け取るよう、構成することができる。一例としては、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第１組の複数個のダイノード段１０８ａを、更に、上記一群又は複数群の第１光電子１１４を差し向け及び／又は二次放出により増幅するよう構成することで、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第１組の複数個のダイノード段１０８ａに発する第１増幅光電子流１１６が、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１光電子１１４に比し大きくなるように、することができる。同様に、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第２組の複数個のダイノード段１０８ｂにより第１増幅光電子流１１６を増幅することで、第２増幅光電子流１１８が第１増幅光電子流１１６に比し大きくなるようにすることができる。このプロセスを複数回実行することで、所望レベルまで増幅光電子流を増強することができる。第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する複数個のダイノード段それぞれにおける増幅を経た第２増幅光電子流１１８を、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する一組の第３ダイノード段１０８ｃにより差し向けることで、増幅光電子出力１２０を第１組のアノード１１０ａ上に射突させることができる。
【００２８】
注記すべきことに、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１光電子１１４を、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる諸々の第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第１組の複数個のダイノード段１０８ａに同時に到達させつつ、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂには、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１光電子１１４が受け取られないようにすることができる。これにより、フォトカソード１０４により放出され、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ内にある一群又は複数群の第１光電子１１４が、隣接経路間でクロストークしないようにすることができる。
【００２９】
同じくここで注記すべきことに、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ並びに第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと連携するダイノード段１０８ａ〜１０８ｃの個数が、図１Ｂに描かれたダイノード段１０８ａ〜１０８ｃの個数に限定されるわけではない。図１Ｂに示した複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃの個数は専ら例証目的で提示されたものであり、お分かりの通り、本件開示にて何個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃを利用してもかまわない。
【００３０】
図１Ｃは本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００の概略模式図であり、第２チャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂにおける、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第２光電子１２２の増幅が描かれている。ここで注記すべきことに、本願中で先に述べた諸実施形態、諸部材及びアーキテクチャについては、図１ＣのマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００に敷衍しうるものであると、解されるべきである。
【００３１】
注記すべきことに、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第２光電子１２２を、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる諸々の第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと連携する第１組の複数個のダイノード段１０８ａに同時に到達させつつ、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃには、フォトカソード１０４による上記第１及び／又は第２群の光電子１２２が受け取られないようにすることができる。これにより、フォトカソード１０４により放出され、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂ内にある一群又は複数群の第２光電子１２２が、隣接経路間でクロストークしないようにすることができる。
【００３２】
また、ある実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００は、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ並びに第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと連携する、複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃを有している。それら複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃは、例えば、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ沿い並びに第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂ沿いに配置することができる。また例えば、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ並びに第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂを、それぞれ、複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃにより分かつようにしてもよい。一例としては、複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃをダイノード経路に沿い縦集積することで、各ダイノード経路を分離させることができる。別例としては、複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃをダイノード経路沿いに千鳥配置の態で配置することができる。この場合、光電子とその隣の光電子流とのクロストークが実効的に解消及び／又は低減されるよう、各経路（１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ，１１３ａ又は１１３ｂ）を分かつことができる。
【００３３】
考えるに、上述した第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ並びに第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと連携する複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃの形状は、図１Ａ〜図１Ｃとして示した概略図ではその表面上に一通りの湾曲があるダイノードとして示されているが、この構成は単に例証目的で提示されているだけである。複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃとしては他形状のもの、例えばその表面上に複数通りの湾曲があるダイノードも利用することができる。同じく考えるに、上述したダイノード段１０８ａ〜１０８ｃの各組が、図１Ａ〜図１Ｃとして示した概略図では途切れ途切れの金属片として示されているが、この構成は単に例証目的で提示されているだけである。他種ダイノード段、例えば連続ダイノード型増倍管の場合なら線状連続ダイノード段も、利用することができる。
【００３４】
考えるに、上述したダイノード経路（１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ，１１３ａ及び１１３ｂ）諸々と連携する複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃは、図１Ａ〜図１Ｃとして示した概略図では三片のダイノードからなる構成として示されているが、この構成は単に例証目的で提示されているだけである。複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃを他の構成にすること、例えば四片以上のダイノードからなる構成の集積体にして利用することもできる。一般に、典型的なＰＭＴ型検出器では、アノードへの進入に先立ち、１９個にも上るダイノード段で以てフォトカソード１０４からの光電子群を増幅することにより、光電子流が１０〜１０８倍以上も増幅される。
【００３５】
同じく考えるに、上述した複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃが、図１Ａ〜図１Ｃとして示した概略図では千鳥配置の態で配置されているが、この配置は単に例証目的で提示されているだけである。複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃを他の配置にすること、例えば重畳パターン(eclipsed pattern)にして利用することもできる。
【００３６】
また、ある実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００は、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１及び第２光電子１１４，１２２を、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ内、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂ内それぞれの第１組の複数個のダイノード段１０８ａによる電圧スイッチングプロセスを通じ制御し及び／又は第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ並びに第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂそれぞれに差し向ける、グリッド１０６を有している。
【００３７】
例えば、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと連携する第１組の複数個のダイノード段１０８ａ及びグリッド１０６を対象とした電圧スイッチングプロセスを実行することで、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１光電子１１４を制御し及び／又は第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ内へと差し向けることができる。また例えば、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂと連携する第１組の複数個のダイノード段１０８ａ及びグリッド１０６を対象とした電圧スイッチングプロセスを実行することで、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第２光電子１２２を制御し及び／又は第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂ内へと差し向けることができる。一例としては、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃと第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂとの間で交番させることで、グリッド１０６により一群又は複数群の第１及び第２光電子１１４，１２２を制御し、差し向け及び／又は操ることができる。注記すべきことに、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１及び第２光電子１１４，１２２を、電圧スイッチングプロセスを通じ制御し、差し向け及び／又は操り、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ及び／又は第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂ内に向かわせる動作は、迅速及び／又は反復的に用いることができる。更に注記すべきことに、一群又は複数群の第１及び第２光電子１１４，１２２を制御し、差し向け及び／又は操るための電圧スイッチングプロセスの間隔は、その性質上、規則的でも不規則的でもよい。
【００３８】
図１Ｄは、本件開示の１個又は複数個の実施形態におけるサンプルの検査エリア１５０の概略模式図である。ある実施形態では、その検査エリア１５０内に照明スポット１５６が置かれる。例えば、それら照明スポット１５６に第１画素１５２を含めることができる。また例えば、その第１画素１５２を、図１Ｂに示した光子１０２のうち、一群又は複数群の第１光電子１１４に関わるものの源泉とすることができる。本件開示はマルチチャネル構造であるので、ユーザ（等）は、マルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００を用い隣接する諸サンプルを検査し又は同一サンプルの別エリアを検査することができる。その際、そのサンプルへの照明を受け、検査エリア１５０内第１画素１５２によりそのサンプルから反射、散乱及び／又は回折されてきた光子１０２を、本マルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００のフォトカソード１０４へと差し向けることができる。フォトカソード１０４では、その光子１０２を吸収し、更にその光子１０２の吸収に応じ一群又は複数群の第１光電子１１４を放出することができる。一例としては、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１光電子１１４を制御し、及び／又は、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃへと差し向けることができる。注記すべきことに、フォトカソード１０４の働きで上記一群又は複数群の第１光電子１１４の態となり、第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ内に進入する光子は、検査エリア１５０内にある同じサンプル構成画素（例．第１画素１５２）を発生元としている。図１Ｄに示した照明スポット１５６の個数は単に例証目的で提示されているだけであり、考えるに、本件開示にて何個の照明スポットを利用してもかまわない。更に、図１Ｄに示した第１画素１５２の位置は単に例証目的で提示されているだけであり、考えるに、どのような位置にある第１画素であれ本件開示にて利用することができる。
【００３９】
図１Ｅは、本件開示の１個又は複数個の実施形態におけるサンプルの検査エリア１５０の概略模式図である。ある実施形態では、その検査エリア１５０内に照明スポット１５６が置かれる。例えば、それら照明スポット１５６に第２画素１５４を含めることができる。また例えば、その第２画素１５４を、図１Ｃに示した光子１０２のうち、一群又は複数群の第２光電子１２２に関わるものの源泉とすることができる。本件開示はマルチチャネル構造であるので、ユーザ（等）は、マルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００を用い隣接する諸サンプルを検査することや同一サンプルの別エリアを検査することができる。その際、そのサンプルへの照明を受け、検査エリア１５０内第２画素１５４によりそのサンプルから反射、散乱及び／又は回折されてきた光子１０２を、本マルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００のフォトカソード１０４へと差し向けることができる。フォトカソード１０４では、その光子１０２を吸収し、更にその光子１０２の吸収に応じ一群又は複数群の第２光電子１２２を放出することができる。一例としては、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第２光電子１２２を制御し、及び／又は、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂへと差し向けることができる。注記すべきことに、フォトカソード１０４の働きで上記一群又は複数群の第２光電子１２２の態となり、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂ内に進入させる光子は、検査エリア１５０内にある同じサンプル構成画素（例．第２画素１５４）を発生元としている。図１Ｅに示した照明スポット１５６の個数は単に例証目的で提示されているだけであり、考えるに、本件開示にて何個の照明スポットを利用してもかまわない。更に、図１Ｅに示した第２画素１５４の位置は単に例証目的で提示されているだけであり、考えるに、どのような位置にある第２画素であれ本件開示にて利用することができる。
【００４０】
図１Ｆは、本件開示の１個又は複数個の実施形態におけるサンプルの検査エリア１５０の概略模式図である。ある実施形態では、その検査エリア１５０内に照明スポット１５６が置かれる。例えば、それら照明スポット１５６に第３画素１５８及び第４画素１６０を含めることができる。注記すべきことに、本件開示では、サンプル上の各第２画素をアノード１１０ａ〜１１０ｂにより同時に読み取ることができる。その際、検査エリア１５０内の新たな画素対即ち第３画素１５８及び第４画素１６０の検査は、先行する検出即ち第１画素１５２及び第２画素１５４のそれが終了した後に始めることができる。例えば、第３画素１５８及び第４画素１６０からの光子をフォトカソード１０４に吸収させ、その光子吸収に応じ、対応する一群又は複数群の第１及び第２光電子（例．それぞれ図１Ｂ及び図１Ｄに示した１１４及び１２２）をフォトカソード１０４から放出させることができる。また例えば、フォトカソード１０４により放出された一群又は複数群の第１、第２光電子１１４，１２２を、それぞれ第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂに向かうよう制御し及び／又は差し向けることができる。更に例えば、第３画素１５８、第４画素１６０に由来しておりフォトカソード１０４の働きで生じた一群又は複数群の第１、第２光電子１１４，１２２を、それぞれ、複数個のダイノード段１０８ａ〜１０８ｃの働きにより第１ダイノードチャネル１０１ａに備わる第１ダイノード経路１１２ａ〜１１２ｃ内、第２ダイノードチャネル１０１ｂに備わる第２ダイノード経路１１３ａ〜１１３ｂ内で増幅することができる。
【００４１】
更に、対応する増幅光電子流出力１２０，１２８を第１組のアノード１１０ａ及び第２組のアノード１１０ｂに到達させ検出することができる。このプロセスは、検査条件が満足されるまで継続される。図１Ｆに示した照明スポット１５６の個数は単に例証目的で提示されているだけであり、考えるに、何個の照明スポットを本件開示にて利用してもかまわない。更に、図１Ｆに示した第３画素１５８及び第４画素１６０の位置は単に例証目的で提示されているだけであり、考えるに、どのような位置の第３画素１５８及び第４画素１６０であれ本件開示にて利用することができる。
【００４２】
図２は、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ２００の概略模式図である。ある実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ２００は、１個又は複数個の光子２０２を吸収するよう構成されたフォトカソード２０４を有している。そのフォトカソードの特徴については本件開示中で既に述べてある。更に、本マルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ２００は一群のグリッド（例．２０６，２０８及び２１０）を有している。例えば、その一群のグリッドを、第１グリッド２０６を含むものとすることができる。光電子が第１グリッド２０６に射突する際、電圧スイッチングプロセスによりその光電子を操り経路上に送ることができる。また例えば、当該一群のグリッドを、一対の第２グリッド２０８を含むものとすることができる。各グリッド２０８の機能は第１グリッド２０６と同様でよい。この場合、第１グリッド２０６からの第１光電子がグリッド２０８に遭遇することがある。そのときには、検査条件に応じ、グリッド２０８により、電圧スイッチングプロセスを通じそれら光電子の経路を変化させるか、それら光電子を引き続きそれらの経路を辿り別群のグリッドへと向かわせればよい。
【００４３】
更に、ある実施形態では、上記一群のグリッドのなかに、４個のグリッドからなる一組の第３グリッド２１０を含める。例えば、それらグリッド２１０との遭遇時に、諸光電子経路（群）のうちのその経路を電圧スイッチングプロセスにより制御することができる。それらの光電子を１個又は複数個のダイノードチャネル（図示せず）に進入させ、更にダイノード段（図示せず）による増幅に供することで、１個又は複数個のアノード（図示せず）により収集される増幅光電子出力をもたらすことができる。このプロセスを、検査条件が満足されるまで計測すればよい。注記すべきことに、マルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ２００により光電子方向の精密制御を可能にすることができる。
【００４４】
注記すべきことに、グリッド（２０６，２０８及び２１０）は、行数が増加するにつれ、行数−１たる量を表すＮにより２Ｎと表される関係に従いグリッドの個数が増加する決定木型構造に従い、配置される。例えば、第１行には１個（２０個）のグリッド２０６が含まれうる。また例えば、第２行には２個（２１個）のグリッド２０８が含まれうる。第３行等々には４個（２２個）等々のグリッド２１０が含まれる。これは検査条件、コストその他の諸事情が満足されるまで継続される。更に注記すべきことに、図２に描いた本件開示の代替的実施形態で必要とされるアノードの個数は、行数が増加するにつれ、行数たる量を表すＭにより２Ｍと表される関係に従い増加する。例えば、第１行には２個のアノードが含まれうる（例．第１グリッド２０６）。また例えば、第２行には４個のアノードが含まれうる（例．第１グリッド２０６及び第２グリッド２０８）。更に例えば、第３行には８個のアノードが含まれうる（例．第１グリッド２０６、第２グリッド２０８及び第３グリッド２１０）。これは検査条件、コストその他の諸事情が満足されるまで継続される。考えるに、図２に描いた本件開示の代替的実施形態では３行のグリッド（２０６，２０８及び２１０）が示されているが、他の構成にすること例えば４行以上のグリッドを利用することもできる。
【００４５】
考えるに、本件開示では平行な２個のチャネル１０１ａ，１０１ｂを有する二次元的配置に注目しているが、ある方向に沿い２個一組のダイノードチャネル１０１ａ，１０１ｂ、別の方向に沿い別の２個一組のダイノードチャネル１０１ａ，１０１ｂを有する三次元的配置にも同じ原理を敷衍することができる。これにより、合計４個のダイノードチャネルを有する三次元的なＰＭＴ型検出器アセンブリがもたらされよう。ひいては、図１Ａ〜図１Ｃに示したマルチチャネルＰＭＴ型検出器１００の速度が２倍に上昇することとなろう。注記すべきことに、ある方向におけるダイノードチャネルの個数と別の方向におけるそれとが異なっていてもよい。例えば、そのＰＭＴ型検出器がある方向沿いには２個のダイノードチャネル、別の方向沿いには３個のダイノードチャネルを有していてもよい。更に注記すべきことに、ある方向におけるダイノードチャネルの個数と別の方向におけるそれとの組合せは検査条件に依存しうる。
【００４６】
図３には、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００が装備された検査システム３００が描かれている。ある実施形態に係る検査システム３００はマルチチャネルＰＭＴ式検出器を有している。また、実施形態に係る検査システム３００のマルチチャネルＰＭＴ式検出器はマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００を有している。この場合、本検査システム３００のマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００は、光電子増倍管型検出器（本願中で先に述べたそれ）と、光子を吸収するよう構成され更に光電子を放出するよう構成されているフォトカソードと、第１組のダイノード経路を有し、当該第１組のダイノード経路のうち少なくとも幾つかが複数個のダイノード段を有し、そのダイノード段が、第１群の光電子を受け取り第１増幅光電子流を第１組のアノードのうち第１アノード上に差し向けるよう構成されている第１ダイノードチャネルと、別組のダイノード経路を有し、その別組のダイノード経路のうち少なくとも幾つかが複数個のダイノード段を有し、そのダイノード段が、別群の光電子を受け取り別の増幅光電子流を別組のアノードのうち別のアノード上に差し向けるよう構成されている別のダイノードチャネルと、フォトカソードに発する第１群の光電子を第１ダイノードチャネルに備わる上記第１組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成され、更に、そのフォトカソードに発する別群の光電子を上記別のダイノードチャネルに備わる上記別組の経路のうち１個又は複数個へと差し向けるよう構成されているグリッドと、を有するものとなる。また、実施形態に係る検査システム３００のマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００は、一組の集光光学系３０６を介しサンプル３０８の表面から光子を検出するよう構成されている。
【００４７】
また、ある実施形態に係る検査システム３００は、サンプルステージ３１０上に配置されたサンプル３０８（例．半導体ウェハ）の表面のうち一部分を照明するよう構成された照明源３０２を有している。本検査システム３００は、例えば、本件技術分野で既知ないずれの照明源と共に動作するようにも構成することができる。例えば、サンプルの表面を照明するのに用いる照明源に、これに限られるものではないが広帯域光源（例．キセノンランプ、レーザ維持プラズマ光源等）を含めることができる。例えば、サンプルの表面を照明するのに用いる照明源に、これに限られるものではないが狭帯域光源（例．１個又は複数個のレーザ）を含めることができる。
【００４８】
また、ある実施形態に係る検査システム３００は、その照明をサンプル表面上に差し向け集束させるよう構成された一組の照明光学系３０４を有している。本検査システム３００の照明光学系３０４には、照明源３０２に発する光ビームをサンプル３０８の表面のうち一部分の上に差し向け、処理し及び／又は集束させるのに適し本件技術分野で既知な、あらゆる照明光学系を含めることができる。例えば、当該一組の照明光学系３０４に、これに限られるものではないが１個又は複数個のレンズ、１枚又は複数個の鏡、１個又は複数個のビームスプリッタ、１個又は複数個の偏光子素子等を含めることができる。
【００４９】
また、ある実施形態に係る検査システム３００は、サンプル３０８の表面からの散乱光のうち少なくとも一部分をマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００のマルチチャネルＰＭＴフォトカソード１０４上に差し向け集束させるよう構成された、一組の集光光学系３０６を有している。本検査システム３００の集光光学系３０６には、サンプル３０８の表面からの散乱光をマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００上に差し向け、処理し及び／又は集束させるのに適し本件技術分野で既知な、あらゆる集光光学系を含めることができる。例えば、当該一組の集光光学系３０６に、これに限られるものではないが１個又は複数個のレンズ、１枚又は複数個の鏡、１個又は複数個のビームスプリッタ、１個又は複数個の偏光子素子等を含めることができる。
【００５０】
また、考えるに、実施形態の一つは、ここで想定している通り、本検査システム３００が暗視野検査システムとして動作するよう照明源３０２、照明光学系３０４、集光光学系３０６及びマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００を暗視野構成の態で配置したものである。他の実施形態としては、明視野検査システム（図示せず）として動作するよう本検査システム３００を構成したものがある。
【００５１】
考えるに、本件開示にて示した例はＰＭＴ型検出器向けの金属チャネル型ダイノード構成に基づくものであったが、本件開示はＰＭＴ型検出器向けに現用されている他のダイノード構成の大半と併用することができる。
【００５２】
注記すべきことに、本件開示の主目的は、マルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００内ダイノードチャネル間のクロストークをなくし及び／又は減らすことで検査帯域幅を拡げ、ひいては検査速度を高めることにある。いわゆる当業者には広く理解されている通り、電子回路の速度を倍加すると雑音レベルが２１／２倍に上昇する。更に注記すべきことに、本件開示によれば、検出器アセンブリの速度を一定に保ちつつ電子回路の速度を１／２倍に減らしひいては雑音レベルを１／２１／２倍に減らす、という選択肢をユーザ（等）に与えることもできる。本件開示によれば、ユーザ（等）がマルチチャネルＰＭＴ型検出器アセンブリ１００を微細チューニングし、様々な検査条件に適合させることができる。
【００５３】
本願記載の提示主題の特定態様について図示及び記述してきたが、いわゆる当業者には明らかな通り、本願での教示に基づき、本願記載の主題及びそのより広範な諸態様から離隔することなく変更及び修正を施すことができるので、別項の特許請求の範囲の技術的範囲内には、本願記載の主題の神髄及び技術的範囲に属するが如くそうした変更及び修正が全て包含されるものとする。思うに、本件開示及びそれに付随する長所の多くについては上掲の記述により理解頂けるであろうし、開示されている主題から離隔することなく或いはその主要な長所全てを損なうことなく諸部材の形態、構成及び配置に様々な改変を施せることも明らかであろう。更に、ご理解頂けるように、本発明は別項の特許請求の範囲によって定義されるものである。
【図１Ａ】
2019510357.tif 000003
【図１Ｂ】
2019510357.tif 000004
【図１Ｃ】
2019510357.tif 000005
【図１Ｄ】
2019510357.tif 000006
【図１Ｅ】
2019510357.tif 000007
【図１Ｆ】
2019510357.tif 000008
【図２】
2019510357.tif 000009
【図３】
2019510357.tif 000010
【国際調査報告】
2019510357.tif 000011
2019510357.tif 000012