(57)【要約】  キャリア基板は、第一表面と、当該第一表面に平行で当該第一表面に対向する第二表面とを有する基層を含む。当該キャリア基板はさらに、当該基層の第一表面に接合されたガラス層を含む。当該キャリア基板は、１５０ＧＰａ以上のヤング率を有する。キャリア基板は、多結晶性セラミックを含み、ならびに１５０ＧＰａ以上のヤング率を有する。当該キャリア基板は、２５℃から５００℃の範囲にわたって２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有する。
2019523547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一表面および該第一表面に対向する第二表面を有する基層と、
該基層の該第一表面に接合されたガラス層と、
を含み、
１５０ＧＰａ以上のヤング率と、およそ１μｍの波長において６０％以上かつ９０％以下の透過率とを有する、
キャリア基板。
【請求項２】
２５℃から５００℃の温度範囲にわたって、２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有する、請求項１記載のキャリア基板。
【請求項３】
１５０ＧＰａ以上かつ４００ＧＰａ以下のヤング率を有する、請求項１〜２のいずれか一項記載のキャリア基板。
【請求項４】
およそ１μｍの波長において６５％以上かつ９０％以下の透過率を有する、請求項１〜３のいずれか一項記載のキャリア基板。
【請求項５】
前記ガラス層が、第一表面を有し、ならびに該第一表面に対向する第二表面を有し、
該ガラス層の該第一表面が、前記基層の前記第一表面に接合されており、
該ガラス層の該第二表面が、３０ｎｍ以下の表面粗度（Ｒａ）を有する、
請求項１〜４のいずれか一項記載のキャリア基板。
【請求項６】
前記基層が、アルミナ、ジルコニア、サファイア、スピネル、および金属からなる群より選択される材料を含む、請求項１〜５のいずれか一項記載のキャリア基板。
【請求項７】
多結晶性セラミックを含むキャリア基板であって、
１５０ＧＰａ以上のヤング率を有し、
２５℃から５００℃の範囲にわたって２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有し、
およそ１μｍの波長において３０％以上かつ９０％以下の透過率を有する、
キャリア基板。
【請求項８】
１５０ＧＰａ以上かつ４００ＧＰａ以下のヤング率を有する、請求項７記載のキャリア基板。
【請求項９】
およそ１μｍの波長において６０％以上かつ９０％以下の透過率を有する、請求項７または８記載のキャリア基板。
【請求項１０】
前記多結晶性セラミックが、アルミナ、ジルコニア、およびスピネルからなる群より選択される、請求項７〜９のいずれか一項記載のキャリア基板。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、米国特許法第１１９条の下、２０１６年７月１日に出願された米国特許仮出願第６２／３５７５２０号に対する優先権の恩典を主張するものであり、なお、本出願は、当該仮出願の内容に依拠し、ならびに当該仮出願の全体が参照により本明細書に組み入れられる。
【技術分野】
【０００２】
本明細書は、概して、半導体加工のためのキャリア基板、より詳細には、硬い基層と任意選択のガラス層とを含むキャリア基板に関する。
【背景技術】
【０００３】
基板は、集積回路の製造のためのシリコン半導体用のキャリアとして使用され得る。シリコン半導体は、当該基板上に配置され、次いで、所望の厚さにバックグラインド加工され得、および／またはチップが、当該シリコン半導体に組付けられ得る。半導体のバックグラインド加工の間、当該シリコン半導体の厚さは、集積回路のスタッキングおよそ高密度パッケージングを可能にするために減じられる。そのような集積回路を作製する際、バックグラインド加工によって、または加工の際のウェハもしくはパネルと金属化された層との間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致によって、当該半導体が歪ませられないことが重要であり得る。
【０００４】
この問題に対する現在のアプローチとしては、加工の際の歪を最小限に抑えるために、当該半導体の電気的に不活性な側の裏面に取り付けられたガラス補強材および金属補強材が挙げられる。しかしながら、これらの両アプローチには限界があり得る。ガラス補強材の場合、全ての加工ステップにおいて当該基板の平坦さを確保するには、当該材料の硬度は適切ではなく、取り扱いにおいて損傷を受ける傾向にある。しかしながら、ガラスは、その透明性が当該補強材の容易なレーザー剥離を可能にすること、ならびに半導体のＣＴＥに当該ガラスキャリア基板のＣＴＥを一致させるために様々なガラス組成物を使用することができることから、有利である。金属補強材は、ガラス補強材より良好な損傷抵抗性を有するが、それらの剛性はガラス補強材ほど高くはなく、ならびに金属補強材は、酸エッチング浴においてより侵食される傾向にあり得る。さらに、金属補強材は、不透光性であるため、レーザー剥離プロセスにあまり適していない。非レーザー手段による剥離方法、例えば、熱対流など、は可能であるが、産業において設備および加工の変更が引き起こされ、その産業ではそのような設備変更がコスト高である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、設計され指定された熱膨張係数を有する、シリコン半導体のウェハまたはパネルのレベル加工のためのキャリアとして使用することができる代替の基板が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態により、キャリア基板は、第一表面と、当該第一表面に対して平行で当該第一表面に対向する第二表面とを有する基層を含む。当該キャリア基板はさらに、当該基層の第一表面に接合されたガラス層を含む。当該キャリア基板は、１５０ＧＰａ以上のヤング率を有する。
【０００７】
別の実施形態により、キャリア基板は、第一表面と、当該第一表面に対して平行で当該第一表面に対向する第二表面とを有する基層を含む。当該キャリア基板はさらに、当該基層の第一表面に接合されたガラス層と、当該基層の第二表面に接合されたガラス層とを含む。当該キャリア基板は、１５０ＭＰａ以上のヤング率を有する。
【０００８】
別の実施形態において、キャリア基板は、多結晶性セラミックを含み、１５０ＧＰａ以上のヤング率を有する。当該キャリア基板は、２５℃から５００℃の範囲にわたって２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有する。
【０００９】
別の実施形態において、キャリア基板は、第一表面と、当該第一表面に対して平行で当該第一表面に対向する第二表面とを有する多結晶性セラミック基層を含む。当該キャリア基板はさらに、当該基層の第一表面に接合されたガラス層を含む。当該キャリア基板は、１５０ＧＰａ以上のヤング率と、２５℃から５００℃の範囲にわたって、２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率とを有する。
【００１０】
別の実施形態において、キャリア基板は、第一表面と、当該第一表面に対して平行で当該第一表面に対向する第二表面とを有する多結晶性セラミック基層を含む。当該キャリア基板はさらに、当該基層の第一表面に接合されたガラス層と、当該基層の第二表面に接合された第二ガラス層とを含む。当該キャリア基板は、１５０ＧＰａ以上のヤング率と、２５℃から５００℃の範囲にわたって、２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率とを有する。
【００１１】
本明細書において説明される半導体キャリア用の機器のさらなる特徴および利点は以下の詳細な説明において述べられ、ある程度は、当業者にはその説明から容易に明らかであろうし、あるいは、以下の詳細な説明及び添付される特許請求の範囲を含み、添付図面も含む、本明細書に説明される実施形態を実施することによって認められるであろう。
【００１２】
上述の全般的説明および以下の詳細な説明は両方とも、様々な実施形態について説明し、特許請求される主題の本質および特質を理解するための概要または枠組みを提供することを意図していることは理解されたい。添付図面は、様々な実施形態についてのさらなる理解を提供するために含まれており、本明細書に組み入れられて本明細書の一部を構成する。図面は本明細書に説明される様々な実施形態を示し、記述とともに、特許請求される主題の原理及び動作の説明に役立つ。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本明細書において示され説明される１つまたは複数の実施形態による、キャリア基板の基層を図式的に示す。
【図２】本明細書において示され説明される１つまたは複数の実施形態による、キャリア基板の基層の第一表面に接合されたガラス層を有する当該基層を図式的に示す。
【図３】本明細書において示され説明される１つまたは複数の実施形態による、キャリア基板の基層の第一表面に接合された第一ガラス層と、当該基層の第二表面に接合された第二ガラス層とを有する当該基層を図式的に示す。
【図４】本明細書において示され説明される１つまたは複数の実施形態による、接着層によってキャリア基板の基層の第一表面に接合されたガラス層を有する当該基層を図式的に示す。
【図５】本明細書において示され説明される１つまたは複数の実施形態による、接着層によってキャリア基板の基層の第一表面に接合された第一ガラス層と、接着層によって当該基層の第二表面に接合された第二ガラス層とを有する当該基層を図式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
ここで、実施例が添付の図面に示されている、半導体のためのキャリア基板について詳細に言及する。可能な限り、図面全体を通じて、同じまたは類似の部分を示すために、同じ参照番号が使用される。本明細書において開示されるキャリア基板の実施形態は、加工の際に半導体の変形を減少させる当該キャリア基板に剛性を提供する基層を含む。いくつかの実施形態において、当該半導体は、当該基層に直接適用され得る。例えば、当該基層の高い剛性は、キャリアウェハと半導体との間のＣＴＥの不一致を補うことができる。しかしながら、場合により、当該基層は、当該基層に半導体を直接接合することを可能にする表面粗度（Ｒａ）を有するように当該基板の基層をマシン加工することを困難またはコスト高にする材料で構成され得る。本明細書において開示されるキャリア基板の実施形態は、高い剛性を有する基層の表面にガラス層を接合することによって、この困難および他の困難、例えば、半導体にＣＴＥを一致させることの困難など、に対処するものである。そのような実施形態において、当該ガラス層は、当該ガラス層の表面に半導体を適用することを可能にする表面粗度（Ｒａ）を有するように、機械加工され得る。
【００１５】
図１を参照すると、実施形態による例示的キャリア基板１０が示されている。図１に示されたキャリア基板１０は、第一表面１０１と、当該第一表面１０１に平行で当該第一表面１０１に対向する第二表面１０２と有する基層１００を含む。当該基層１００は、当該半導体の加工および取り扱いの際の半導体の変形が減少するように、当該キャリア基板１０に対して剛性を提供する。
【００１６】
実施形態、例えば、図１に示されるようなものなど、において、キャリア基板１０は、基層１００で構成され得る。そのような実施形態において、基層１００は、多結晶性セラミックで構成される。例示的多結晶性セラミックとしては、アルミナ、ジルコニア、スピネル、および他の透光性の多結晶性セラミックが挙げられる。当該多結晶性セラミックの基層は、多数のセラミック加工法、例えば、テープキャスト法、ローラミル法、およびカレンダー法など、によって製造され得る。
【００１７】
ここで、図２を参照すると、実施形態において、キャリア基板１０は、基層１００と、当該基層１００の第一表面１０１に接合されたガラス層２００とを含み得る。当該ガラス層２００は、第一表面２０１と、当該第一表面２０１に平行で当該第一表面２０１に対向する第二表面２０２とを有する。ガラス層２００の第一表面２０１は、基層１００の第一表面１０１に接合されており、それにより、当該ガラス層の第二表面２０２は、露出され、機械加工することができる。実施形態において、半導体は、ガラス層２００の第二表面２０２が機械加工された後および当該ガラス層２００が基層１００に接合された後に、ガラス層２００の第二表面２０２に適用され得る。当該ガラス層の組成は、当該ガラス層２００のＣＴＥが基層１００のＣＴＥに一致するように選択され得る。いくつかの実施形態において、当該ガラスは、アルカリアルミノケイ酸ガラスまたは無アルカリアルミノケイ酸ガラスであり得る。実施形態において、当該ガラス層は、様々な方法、例えば、延伸法、ダウンドロー法、フュージョンドロー法、オーバーフローダウンドロー法、フロート法など、によって形成されたガラスシートであり得る。他の実施形態において、当該ガラスは、フリット組成物の噴霧塗工、グレージングタイプのプロセス、および基板浸漬法によって形成され得る。本明細書において使用される場合、用語「ガラス」は、ガラスおよびガラス−セラミックなど、部分的にガラスで作製された、または全体がガラスで作製された任意の材料を含むことが意図される。ガラス−セラミックは、非晶相と結晶相の両方のガラスを含む。いくつかの実施形態において、当該ガラスは、ガラス−セラミックであり、当該ガラス−セラミックにおける平均結晶サイズは、１００オングストローム以下、９０オングストローム以下、８０オングストローム以下、または７０オングストローム以下である。
【００１８】
ここで、図３を参照すると、実施形態において、当該キャリア基板１０は、基層１００と、当該基層１００の第一表面１０１に接合されたガラス層２００と、当該基層１００の第二表面１０２に接合された第二ガラス層３００とを含み得る。当該第二ガラス層３００は、第一表面３０１と、当該第一表面３０１に平行で当該第一表面３０１に対向する第二表面３０２とを有する。当該第二ガラス層３００の第一表面３０１は、基層１００の第二表面１０２に接合されており、それにより、当該第二ガラス層の第二表面３０２は、露出され、機械加工することができる。当該第二ガラス層３００の組成は、当該ガラス層３００のＣＴＥが基層１００のＣＴＥに一致するように、および／またはガラス層２００のＣＴＥに一致するように選択され得る。いくつかの実施形態において、当該ガラスは、アルカリアルミノケイ酸ガラスまたは無アルカリアルミノケイ酸ガラスであり得る。当該第二ガラス層３００のガラス組成は、当該ガラス層２００の組成と同じであり得るか、または異なり得る。第二ガラス層３００の適用は、ガラス層２００と基層１００との間にＣＴＥの不一致が存在する場合、有益であり得る。これらの例において、第二ガラス層３００を追加することにより、キャリア基板１０の熱膨張のバランスを取ることによって、より均一な平坦さ（例えば、反りの減少など）が可能となる。実施形態において、当該ガラス層は、様々な方法、例えば、延伸法、ダウンドロー法、フュージョンドロー法、オーバーフローダウンドロー法、フロート法など、によって形成されたガラスシートであり得る。他の実施形態において、当該ガラスは、フリット組成物の噴霧塗工、グレージングタイプのプロセス、および基板浸漬法によって形成され得る。
【００１９】
キャリア基板１０が基層１００と１つまたは複数のガラス層２００、３００とを含む実施形態、例えば、図２および図３に示される実施形態など、において、基層は、キャリア基板１０に剛性を提供する任意の材料を含み得る。そのような実施形態において、当該基層は、アルミナ、ジルコニア、サファイア、スピネル、金属、および他の透光性セラミックを含み得る。いくつかの実施形態において、当該キャリア基板１０が、基層１００と、１つまたは複数のガラス層２００、３００とを含む場合、当該基層は、多結晶性セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、およびスピネルなど、を含み得る。他の実施形態において、当該キャリア基板１０が、基層１００と、１つまたは複数のガラス層２００、３００とを含む場合、当該基層は、金属、例えば、ステンレス鋼など、を含み得る。
【００２０】
ここで、図２および図３を参照すると、ガラス層２００および第二ガラス層３００は、基層１００へのガラス層２００または第二ガラス層３００の直接接合を含む様々な方法によって、あるいは当該ガラス層２００または当該第二ガラス層３００を当該基層１００に間接的に接合することによって、適用され得る。
【００２１】
実施形態において、当該ガラス層２００は、基層１００の第一表面１０１に直接的に接合され得、および／または第二ガラス層３００は、当該基層１００の第二表面１０２に直接的に接合され得る。実施形態により、基層１００へのガラス層２００または第二ガラス層３００の直接接合は、化学的／機械的接着によって達成され得、その場合、ガラス層２００の第一表面１０１および／または第二ガラス層３００の第一表面３０１は、溶融され、次いで、基層１００の、それぞれ、第一表面１０１および／または第二表面１０２のどちらかに適用される。この方法は、基層１００と、ガラス層２００および第二ガラス層３００のどちらかあるいはその両方との間のＣＴＥの不一致が比較的小さい場合に効果的であることが分かっている。いくつかの実施形態では、残留応力を最小化するために、このプロセスにおいて、アニール処理ステップが使用される。いくつかの実施形態において、湿潤化および界面反応層の発達を増加させることによって、基層１００とガラス層２００および第二ガラス層３００のうちの一方または両方との接合を促進するのを補助するために、１つまたは複数の融剤を使用してもよい。例示的侵食作用は、加熱ステップの前に、基層とガラス層２００および第二ガラス層３００のうちの一方または両方との間に適用された薄いオルトホウ酸層を使用する。当該オルトホウ酸は、共晶の形成、中間反応生成物、界面領域での当該種の移動度の増加によって溶融反応を開始させるために、低温の液相を提供する。実施形態において、アルカリおよびアルカリ土類酸化物を、融剤として使用することができる。しかしながら、炭酸塩は、関連する酸化物への分解の際にガスを発生するため、避けるべきである。このガスは、第二ガラス層３００のガラス層２００において、望ましくない泡形成を引き起こし得、これは、表面仕上げにおいて問題を引き起こし得る。実施形態において、本明細書の上記において説明されるように、基層へのガラス層２００および／または第二ガラス層３００の直接接合は、最終的なガラス層中への空気の閉じ込めを最小限に抑えることを補助するために、真空雰囲気において為されるべきである。
【００２２】
ここで、図４および図５を参照すると、接着層４００が、基層１００の第一表面１０１とガラス層２００の第一表面２０１との間に提供されている。任意選択により、基層１００の第二表面１０２と第二ガラス層３００の第一表面３０１との間に、接着層５００を提供してもよい。接着層の使用は、ガラス層２００およびガラス層３００のうちの一方または両方が、フラットディスプレイタイプのガラス、例えば、延伸法またはフュージョン法によって製造されたものなど、である場合、魅力的な選択肢であり得る。接着層４００、５００が使用される実施形態では、ガラス層２００および第二ガラス３００のどちらも、基層に接合するために溶融させる必要はない。したがって、ガラス層２００の第二表面２０２および第二ガラス層３００の第二表面３０２は、平坦なままであり、高温において生じる表面張力により歪ませられない。このほとんど初期状態において、ガラス層２００の第二表面２０２および第二ガラス層３００の第二表面３０２は、最終製品の表面仕上げおよび寸法公差を満たすために、ほとんど研磨する必要がない。
【００２３】
基層１００と、それぞれ、ガラス層２００および第二ガラス層３００のうちの一方または両方との間に提供する接着層４００、５００の選択は重要である。接着層４００、５００は、ガラス層２００および／または第二ガラス層３００を基層に接合して最終研磨に耐えるよう、適切な強度を提供する必要があるだけでなく、加工が完了した後に、半導体からのキャリア基板１０の熱剥離に耐えなければならない。これら２つの接着層のタイプの間において、剥離温度への階層的アプローチが必要である。この階層的層状化を達成する方法の１つは、キャリア基板１０を半導体に接合のためにより低い温度の熱可塑性材料を使用し、基層をガラス層２００および第二ガラス層３００のうちの一方または両方に接合するためにより高い温度の熱硬化性ポリマーを使用する、方法である。
【００２４】
いくつかの実施形態において、基層１００がセラミックの場合、未焼結状態の基層１００の第一表面１０１および第二表面１０２のうちの一方または両方に対する熱的／機械的エンボス加工と、その後の最終基層１００の焼成によって、機械的特徴部が基層１００の第一表面１０１および第二表面１０２のうちの一方または両方に追加され得る。実施形態において、そのような表面改質の方法は、ガラス層２００および第二ガラス層３００のうちの一方または両方に基層１００を接合するのに適した表面を促進する。基層１００の第一表面１０１および第二表面１０２のうちの一方または両方を改質するための例示的方法としては、サンドブラスト法による表面粗化、未焼成セラミック基層のエンボス加工、または同様の他の方法が挙げられる。これらの表面改質は、接合するのに適した面をガラス層／接着層に与え、完全に平坦なセラミック基材の表面積におけるガラス／接着剤の接合の表面積の増加を提供する。
【００２５】
キャリア基板、例えば、図１〜５に示されたキャリア基板１０など、の寸法および幾何学的形状は、特に限定されない。実施形態において、キャリア基板の幾何学的形状は、円形、楕円形、長方形、または正方形であり得る。キャリア基板の幾何学的形状が円形または楕円形である実施形態において、キャリア基板の直径は、２００ｍｍ以上かつ３００ｍｍ以下であり得る。キャリア基板の幾何学的形状が円形または楕円形であるいくつかの実施形態において、当該キャリア基板の直径は、約２００ｍｍであり得る。キャリア基板の幾何学的形状が円形または楕円形である他の実施形態において、当該キャリア基板の直径は、約３００ｍｍであり得る。キャリア基板が楕円形である実施形態において、上記において言及された直径は、楕円の最も大きい直径であることは、理解されるべきである。キャリア基板が長方形または正方形の幾何学的形状を有する実施形態において、当該キャリア基板は、７５０ｍｍ以下の長さおよび７５０ｍｍ以下の幅を有し得る。キャリア基板が長方形または正方形の幾何学的形状を有するいくつかの実施形態において、当該キャリア基板は、２５０ｍｍ以上かつ７５０ｍｍ以下の長さおよび２５０ｍｍ以上かつ７５０ｍｍ以下の幅、例えば、３５０ｍｍ以上かつ６５０ｍｍ以下の長さおよび２５０ｍｍ以上かつ６５０ｍｍ以下の幅など、を有し得る。
【００２６】
基層１００と、任意選択のガラス層２００、３００と、任意選択の接着層４００、５００とを含む、本明細書において開示されるキャリア基板は、当該層に使用される材料および当該キャリア基板に適用される半導体の加工に基づく厚さを有する。実施形態において、当該キャリア基板の厚さは、０．１５ｍｍ以上かつ３．００ｍｍ以下、例えば、０．２５ｍｍ以上かつ２．７５ｍｍ以下など、であり得る。他の実施形態において、当該キャリア基板の厚さは、０．５０ｍｍ以上かつ２．５０ｍｍ以下、例えば、０．７５ｍｍ以上かつ２．２５ｍｍ以下など、であり得る。他の実施形態において、当該キャリア基板の厚さは、１．００ｍｍ以上かつ２．００ｍｍ以下、例えば、１．２５ｍｍ以上かつ１．７５ｍｍ以下など、であり得る。
【００２７】
いくつかの実施形態において、比較的平坦なキャリア基板を有することは有利であり得る。本明細書において使用される場合、「平坦度」は、当該キャリア基板の平坦さを意味する。当該平坦度は、ある寸法に沿った当該キャリア基板の歪によって測定され得る。例えば、弓形または「Ｕ」字形のキャリア基板は、その長さに沿って当該キャリア基板のどちらかの末端において最大高さを有し得、その長さの幾何学的中央付近において最小高さを有し得る。当該キャリア基板の「平坦度」は、最大高さと最小高さの差である。したがって、さらなる実施例として、弓形または「Ｕ」字形を有するキャリア基板は、３０μｍの最大高さおよび５μｍの最小高さを有し得、これは、２５μｍの平坦度をもたらす。本明細書において開示される実施形態によるキャリア基板は、２５μｍ以下、例えば、２０μｍ以下など、の平坦度を有し得る。他の実施形態において、キャリア基板は、１５μｍ以下、例えば、１０μｍ以下など、の平坦度を有し得る。さらなる他の実施形態において、キャリア基板は、５μｍ以下、例えば、２μｍ以下など、の平坦度を有し得る。さらなる他の実施形態において、キャリア基板は、１μｍ以下、例えば、０．５μｍ以下など、の平坦度を有し得る。本明細書において使用される場合、平坦度なる用語は、それぞれ、最高点とガラスベースの物品１００の形状に対して適用された最小二乗焦点面との間、ならびに最低点と最小二乗焦点面との間、において測定された最大距離の絶対値の和として定義される。最高点および最低点は両方とも、ガラスベースの物品１００の同じ表面に対してである。最小二乗焦点面は、固定されていない（自由状態の）当該ガラスベースの物品の形状に対して適用される。最小二乗焦点面は、以下の方法によって特定される。平面は、方程式ｚ＝Ａ＋Ｂｘ−Ｃｙによって特定される。次いで、最小二乗平面近似は、当該平面からの実データの偏差の二乗の合計の行列最小化によって特定される。この方法は、最小二乗値Ａ、Ｂ、およびＣを見出す。当該行列は、以下のように特定される：
【００２８】
【数１】
2019523547.tif 000003
この方程式をＡ、Ｂ、およびＣについて解くことにより、最小二乗近似が完成する。平坦度は、Ｔｒｏｐｅｌ  ＦｌａｔＭａｓｔｅｒ  ＭＳＰ（Ｍｕｌｔｉ−Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｒｏｆｉｌｅｒ）を使用して測定することができる。
【００２９】
半導体の適用に適した表面を提供するために、または加工設備、例えば、真空チャックなど、に適した表面を提供するために、半導体が適用される当該キャリア基板の表面および／または加工設備によって使用される当該基板の表面は、適切な表面粗度（Ｒａ）を有する。そのような表面の粗度は、表面を形成した方法の結果であり得る。例えば、そのような表面が、ガラス層２００の第二表面２０２または第二ガラス層の第二表面３０２である場合、当該表面粗度は、当該ガラス層を形成した方法、例えば、非常に低い表面粗度（Ｒａ）を有するガラス表面をもたらすフュージョン法など、の結果であり得る。所望の表面粗度（Ｒａ）を有するように形成されていない表面、例えば、基層１００の第一表面１０１および第二表面１０２など、の場合、当該表面は、例えば、従来の研削技術または研磨技術などによって、所望の表面粗度へと機械加工され得る。このために、所望の表面粗度（Ｒａ）を有するようにセラミック層を機械加工するよりも、所望の表面粗度（Ｒａ）を有するようにガラス層を機械加工する方が、一般的に、より容易であり、より費用対効果が良い。実施形態において、キャリア基板の表面は、３０ｎｍ以下、例えば、２５ｎｍ以下など、の表面粗度（Ｒａ）を有し得る。他の実施形態において、キャリア基板の表面は、２０ｎｍ以下、例えば、１５ｎｍ以下など、の表面粗度（Ｒａ）を有し得る。さらなる他の実施形態において、キャリア基板の表面は、１０ｎｍ以下、例えば、５ｎｍ以下など、の表面粗度（Ｒａ）を有し得る。表面粗度（Ｒａ）は、Ｚｙｇｏ社製の表面形状測定装置（ｓｕｒｆａｃｅ  ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｅｒ）を使用して測定され得、その場合、少なくとも３つの試料の約１００μｍ×１００μｍのエリアにおける表面粗度（Ｒａ）が測定され、平均される。
【００３０】
上記において言及したように、当該キャリア基板の基層は、当該キャリア基板に対して剛性を提供する。当該キャリア基板の剛性の増加は、当該キャリア基板が加工の際に変形しにくいため、加工の際の半導体の歪の減少をもたらし得る。さらに、高い剛性を有するキャリア基板を備えることは、熱的プロセスの間の膨張および収縮の結果として生じるキャリア基板の変形の量を減少させることによって、当該キャリア基板の層の間のＣＴＥ不一致、ならびに当該キャリア基板と半導体との間のＣＴＥの不一致の影響を最小限に抑える。このために、実施形態において、当該キャリア基板は、１５０ＧＰａを超える、例えば、１５０ＧＰａ以上かつ４００ＧＰａ以下、または２００ＧＰａ以上かつ３８０ＧＰａ以下など、のヤング率を有する。他の実施形態において、当該キャリア基板は、２５０ＧＰａ以上かつ３５０ＧＰａ以下、例えば、２７５ＧＰａ以上かつ３２５ＧＰａ以下など、のヤング率を有する。本開示において列挙されるヤング率は、「Ｓｔａｎｄａｒｄ  ｔｅｓｔ  ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  ｄｙｎａｍｉｃ  Ｙｏｕｎｇ’ｓ  ｍｏｄｕｌｕｓ，  ｓｈｅａｒ  ｍｏｄｕｌｕｓ，  ａｎｄ  Ｐｏｉｓｓｏｎ’ｓ  ｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ｓｏｎｉｃ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ」の表題のＡＳＴＭ  Ｅ１８７５−１３において説明される一般的タイプに従って室温において音響共振技術により測定した場合の値を意味する。当該キャリア基板が基層のみを含む実施形態では、上記において開示されるヤング率は、基層のヤング率であることは、理解されるべきである。しかしながら、キャリア基板が、基層と、１つまたは複数のガラス層と、１つまたは複数の接着層とを含む実施形態では、上記において開示されるヤング率は、基層と任意のガラス層または接着層とを含むキャリア基板全体のヤング率である。
【００３１】
上記において開示したように、半導体を製造するプロセスの間、実施形態において、キャリア基板のＣＴＥを半導体基板のＣＴＥと同じまたは実質的に同じにすることで変形が減少し得ることが見出された。これは、半導体が加熱プロセス、例えば、はんだリフロープロセスなど、を受ける場合に、半導体とキャリア基板ラミネートとの間において同様の膨張量を確保し、それにより、熱的に課せられた応力による半導体の機械的破壊を防ぐ。実施形態において、基層のＣＴＥは、基板のＣＴＥと同じまたは実質的に同じである。そのような実施形態において、半導体は、ガラス層を追加することなく、キャリア基板の基層に直接的に適用され得る。しかしながら、他の実施形態では、基層のＣＴＥは、半導体のＣＴＥと一致しない。そのような実施形態では、ガラス層が、例えば、図２に示されるように、基層の少なくとも一方の表面に接合され、ならびに当該ガラス層は、半導体のＣＴＥと同じまたは実質的に同じＣＴＥを有する。そのような実施形態では、半導体は、同じまたは実質的に同じＣＴＥを有するガラス層に適用される。しかしながら、高い剛性を有する基層を使用することで、半導体が適用されるキャリア基板の層と当該半導体のＣＴＥとの間のＣＴＥの不一致によって生じる変形が補われる。したがって、実施形態において、半導体が適用されるキャリア基板の層のＣＴＥは、半導体のＣＴＥに一致または実質的に一致させる必要がない。このパラグラフにおいて使用される場合、「実質的に同じ」ＣＴＥは、目標ＣＴＥ±１０％を意味することは理解されるべきである。
【００３２】
実施形態において、半導体が適用されるキャリア基板の層、基層またはガラス層など、は、２５℃から５００℃の範囲にわたって２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下、例えば、２５℃から５００℃の範囲にわたって３０×１０−７／℃以上かつ９０×１０−７／℃以下など、のＣＴＥを有する。実施形態において、半導体が適用されるキャリア基板の層、基層またはガラス層など、は、２５℃から５００℃の範囲にわたって４０×１０−７／℃以上かつ８５×１０−７／℃以下、２５℃から５００℃の範囲にわたって５０×１０−７／℃以上かつ８０×１０−７／℃以下など、のＣＴＥを有する。実施形態において、半導体が適用されるキャリア基板の層、基層またはガラス層など、は、２５℃から５００℃の範囲にわたって７０×１０−７／℃以上かつ７８×１０−７／℃以下、２５℃から５００℃の範囲にわたって７１×１０−７／℃以上かつ７７×１０−７／℃以下など、のＣＴＥを有する。当該ＣＴＥは、ＡＳＴＭ  Ｅ２２８−１１に従って、押し棒式膨張計（ｐｕｓｈ−ｒｏｄ  ｄｉｌａｔｏｍｅｔｅｒ）を使用して測定され得る。
【００３３】
実施形態において、レーザー剥離法を使用して半導体からキャリア基板を剥離することは有利であり得る。そのような実施形態において、当該キャリア基板は、照射レーザーに応じて、紫外線（ＵＶ）および／または赤外線（ＩＲ）に対して透光性でなければならない。ガラス層は、全ての光に対して一般的に透光性であるため、ＵＶ光およびＩＲ光の透過における制限要素は、概して、基層である。実施形態において、当該キャリア基板は、およそ１μｍの波長において３０％以上かつ９０％以下、およそ１μｍの波長において３０％以上かつ８５％以下、およそ１μｍの波長において３０％以上かつ８０％以下、およそ１μｍの波長において３０％以上かつ７５％以下、およそ１μｍの波長において３０％以上かつ７０％以下、およそ１μｍの波長において４０％以上かつ９０％以下、およそ１μｍの波長において４０％以上かつ８５％以下、およそ１μｍの波長において４０％以上かつ８０％以下、およそ１μｍの波長において４０％以上かつ７５％以下、およそ１μｍの波長において４０％以上かつ７０％以下、およそ１μｍの波長において５０％以上かつ９０％以下、およそ１μｍの波長において５０％以上かつ８５％以下、およそ１μｍの波長において５０％以上かつ８０％以下、およそ１μｍの波長において５０％以上かつ７５％以下、およそ１μｍの波長において５０％以上かつ７０％以下、およそ１μｍの波長において５５％以上かつ９０％以下、およそ１μｍの波長において５５％以上かつ８５％以下、およそ１μｍの波長において５５％以上かつ８０％以下、およそ１μｍの波長において５５％以上かつ７５％以下、およそ１μｍの波長において６０％以上かつ９０％以下、およそ１μｍの波長において６０％以上かつ８５％以下、およそ１μｍの波長において６０％以上かつ８０％以下、およそ１μｍの波長において６５％以上かつ９０％以下、およそ１μｍの波長において６５％以上かつ８５％以下、およそ１μｍの波長において７０％以上かつ９０％以下、またはそれらにおける任意の範囲および部分範囲、の透過率を有する。
【００３４】
ここで、実施形態において、キャリア基板は、第一表面と、当該第一表面に平行で当該第一表面に対向する第二表面とを有する基層を含むことは理解されるべきである。当該キャリア基板はさらに、当該基層の第一表面に接合されたガラス層を含む。当該キャリア基板は、１５０ＧＰａ以上のヤング率を有する。ここで、実施形態において、キャリア基板は、多結晶性セラミックを含み、１５０ＧＰａ以上かつ４００ＧＰａ以下のヤング率を有することも理解されるべきである。当該キャリア基板は、２５℃から５００℃の範囲にわたって２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有する。
【００３５】
第一態様において、キャリア基板は、第一表面および当該第一表面に対向する第二表面を有する基層と、当該基層の第一表面に接合されたガラス層とを含み、１５０ＧＰａ以上のヤング率と、およそ１μｍの波長において６０％以上かつ９０％以下の透過率とを有する。
【００３６】
第二態様において、第一態様のキャリア基板は、２５℃から５００℃の温度範囲にわたって、２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有する。
【００３７】
第三態様において、第一および第二態様のキャリア基板は、２５℃から５００℃の温度範囲にわたって、３０×１０−７／℃以上かつ９０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有する。
【００３８】
第四態様において、第一態様から第三態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、１５０ＧＰａ以上かつ４００ＧＰａ以下のヤング率を有する。
【００３９】
第五態様において、第一態様から第四態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、２００ＧＰａ以上かつ３８０ＧＰａ以下のヤング率を有する。
【００４０】
第六態様において、第一態様から第五態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、およそ１μｍの波長において６５％以上かつ９０％以下の透過率を有する。
【００４１】
第七態様において、第一態様から第六態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、およそ１μｍの波長において７０％以上かつ９０％以下の透過率を有する。
【００４２】
第八態様において、第一態様から第七態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、２５μｍ以下の平坦度を有する。
【００４３】
第九態様において、第一態様から第八態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、第一表面を有し、ならびに当該第一表面に平行で当該第一表面に対向する第二表面を有し、上記ガラス層の第一表面は、上記基層の第一表面に接合されており、当該ガラス層の第二表面が、３０ｎｍ以下の表面粗度（Ｒａ）を有する。
【００４４】
第十態様において、第一態様から第九態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、アルミナ、ジルコニア、サファイア、スピネル、他の高剛性セラミック材料、および金属からなる群より選択される材料を含む基層を有する。
【００４５】
第十一態様において、第一態様から第十態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、多結晶性セラミックを含む基層を有する。
【００４６】
第十二態様において、第一態様から第十一態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、アルミナ、ジルコニア、およびスピネルからなる群より選択される材料を含む基層を有する。
【００４７】
第十三態様において、第一態様から第十態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、金属を含む基層を有する。
【００４８】
第十四態様において、第一態様から第十三態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、円形の幾何学的形状を有し、ならびに、２００ｍｍ以上かつ３００ｍｍ以下の直径を有する。
【００４９】
第十五態様において、第一態様から第十三態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、７５０インチ（約１９．０５メートル）以下の幅および７５０ｍｍ以下の長さの長方形の幾何学的形状を有する。
【００５０】
第十六態様において、第一態様から第十五態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、上記基層の第二表面に接合された第二ガラス層を有する。
【００５１】
第十七態様において、第一態様から第五態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、上記ガラス層と上記基層の第一表面との間に接触して位置された接着層によって当該基層の第一表面に接合された当該ガラス層を有する。
【００５２】
第十八態様において、第十七態様のキャリア基板は、上記第二ガラス層と上記基層の第二表面との間に接触して位置された第二接着層によって当該基層の当該第二表面に接合された当該第二ガラス層を有する。
【００５３】
第十九態様において、キャリア基板は、多結晶性セラミックを含み、当該キャリア基板は、１５０ＧＰａ以上のヤング率を有し、ならびに当該キャリア基板は、２５℃から５００℃の範囲にわたって、２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有し、ならびに、当該キャリア基板は、およそ１μｍの波長において３０％以上かつ９０％以下の透過率を有する。
【００５４】
第二十態様において、第十九態様のキャリア基板は、１５０ＧＰａ以上かつ４００ＧＰａ以下のヤング率を有する。
【００５５】
第二十一態様において、第十九態様および第二十態様のキャリア基板は、２００ＧＰａ以上かつ３８０ＧＰａ以下のヤング率を有する。
【００５６】
第二十二態様において、第十九態様から第二十一態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、２５℃から５００℃の温度範囲にわたって、３０×１０−７／℃以上かつ９０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有する。
【００５７】
第二十三態様において、第十九態様から第二十二態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、およそ１μｍの波長において６０％以上かつ９０％以下の透過率を有する。
【００５８】
第二十四態様において、第十九態様から第二十三態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、およそ１μｍの波長において６５％以上かつ９０％以下の透過率を有する。
【００５９】
第二十五態様において、第十九態様から第二十四態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、２５μｍ以下の平坦度を有する。
【００６０】
第二十六態様において、第十九態様から第二十五態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、３０ｎｍ以下の表面粗度（Ｒａ）を有する少なくとも１つの表面を有する。
【００６１】
第二十七態様において、第十九態様から第二十六態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、アルミナ、ジルコニア、スピネル、および他の高剛性セラミック材料からなる群より選択される多結晶性セラミックを有する。
【００６２】
第二十八態様において、第十九態様から第二十七態様のいずれか１つにおけるキャリア基板は、第一表面および当該第一表面に対向する第二表面を有する基層と、当該基層の第一表面に接合されたガラス層とを含む。
【００６３】
第二十九態様において、第二十八態様のキャリア基板は、さらに、上記基層の第二表面に接合された第二ガラス層を含む。
【実施例】
【００６４】
実施例１
透光性アルミナは、米国特許第９，２８７，１０６（Ｂ１）号に記載されたテープキャスト法を使用して製造した。透光性のパーセントに関して、光学要件は、純粋な光学用途ほど厳しくはなく、したがって、本明細書において形成される試料は、米国特許第９，２８７，１０６（Ｂ１）号に記載された水素焼成を使用せず、空気中において焼結した。可視光に対して透明性を示す、１．５ｍｍの公称厚さを有する１５２．４ｍｍの多結晶性アルミナプレートが形成された。５００〜７００μｍの目標厚さまで薄くした場合、この層は、匹敵するＣＴＥのガラスに適合させたときに当該複合材構造に対して必要な剛性を提供した。このことは、２００ｍｍの半導体ウェハに迫るサイズ適応能力を示している。この場合、当該サイズは、試料を作製する用具によって制限されたが、より大きな試料を作製に対する技術の本質的な限界または不能ではない。
【００６５】
実施例２
透光性アルミナを米国特許第９，２８７，１０６（Ｂ１）号の方法で作製し、それを、６７．３７モル％のＳｉＯ２、３．６７モル％のＢ２Ｏ３、１２．７３モル％のＡｌ２Ｏ３、１３．７７モル％のＮａ２Ｏ、０．０１モル％のＫ２Ｏ、２．３９モル％のＭｇＯ、０．０１モル％のＦｅ２Ｏ３、０．０１モル％のＺｒＯ２、および０．０９モル％のＳｎＯ２の組成を有する、接合に適したＣＴＥを有するガラス片に、熱的加工によって接合した。接合の前に、当該アルミナ基板およびガラスをエチルアルコールで拭くことにより、取り扱いによるオイルを除去した。当該アルミナを、ムライト製の窯道具の上に位置し、ならびにガラスを当該透光性アルミナの上に位置した。当該試料を、ＣＭ，  Ｉｎｃ．によって製造されたＲａｐｉｄ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｆｕｒｎａｃｅにおいて、２００℃／時の加熱スケジュールの後に、１２００℃で３０分間かけて接合した。この実施例は、当該複合材料の透光性または透明性を維持しつつ当該アルミナセラミックにガラスを接合する能力を実証している。この外側ガラス層を機械研磨することにより、粗度および平行度の両方に対する当該表面の表面仕上げ要件への研磨が純粋なセラミックよりはるかに容易である表面を得た。
【００６６】
実施例３
透光性ジルコニアの製造およびその後の接合を実証した。当該表面を形成するためにテープキャスト法を使用した。ジルコニアセラミックのＣＴＥがアルミナセラミックと比べてより高いため、フュージョンドローによるより高いＣＴＥを有するディスプレイガラス、この場合では、約５７．４３モル％のＳｉＯ２、１６．１モル％のＡｌ２Ｏ３、１７．０５モル％のＮａ２Ｏ、２．８１モル％のＭｇＯ、０．０７モル％のＳｎＯ２、６．５４モル％のＰ２Ｏ５の組成を有するガラス、を選択した。接合の前に、当該ジルコニア基板およびガラスを、エチルアルコールで拭くことにより、取り扱いによるオイルを除去した。当該ジルコニアを、ムライト製の窯道具の上に位置し、ならびにガラスを当該透光性ジルコニアの上に位置した。当該試料を、ＣＭ，Ｉｎｃ．によって製造されたＲａｐｉｄ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｆｕｒｎａｃｅにおける２００℃／時の加熱スケジュールの後に、１２００℃で３０分間かけて接合した。この実施例は、当該複合材料の透光性を維持しつつ当該ジルコニアセラミックにガラスを接合する能力を実証している。この外側ガラス層を機械研磨することにより、粗度および平行度の両方に対する当該表面の表面仕上げ件への研磨が純粋なセラミックよりはるかに容易である表面を得た。
【００６７】
実施例４
当該補剛層の一部への表面特徴部の追加は、外側クラッドガラスとセラミックとの間の界面接着を促進する別の方法である。この実施例では、未焼結状態において、熱的／機械的エンボス加工により、未焼成セラミックの表面にテクスチャを追加した。当該表面は、テープキャスト法を使用して形成した。この場合、焼成されたセラミックは、約７５体積％のアルミナと２５体積％のジルコニアとによる二相混合物である。アルミナ／ジルコニアセラミックのＣＴＥがより高いため、フュージョンドローによるより高いＣＴＥを有するディスプレイガラス、約５７．４３モル％のＳｉＯ２、１６．１モル％のＡｌ２Ｏ３、１７．０５モル％のＮａ２Ｏ、２．８１モル％のＭｇＯ、０．０７モル％のＳｎＯ２、６．５４モル％のＰ２Ｏ５の組成を有するガラス、を選択した。
【００６８】
実施例５
約６４．６２モル％のＳｉＯ２、５．１４モル％のＢ２Ｏ３、１３．９７モル％のＡｌ２Ｏ３、１３．７９モル％のＮａ２Ｏ、２．４モル％のＭｇＯ、０．００３モル％のＴｉＯ２、および０．０８モル％のＳｎＯ２を有するガラスシートを、粒子の５０％が約５μｍの直径を有する粉末へとミル粉砕した。当該粉末からペーストを作製したが、この場合、当該ペーストは、約２２．２２重量％のＴｅｘａｎｏｌ、０．９３重量％のＴ−１００  ＥＣ、７５．９３重量％の粉末、および０．９３重量％のＯＣ−６０であった。当該ペーストを、スロットコートダイに入れ、約１６０μｍから１７０μｍのコーティング厚さにおいてアルミナ基板をコーティングした。当該コーティングされた試料を、６０℃で２時間加熱することにより、当該コーティングを乾燥させた。次いで、当該アルミナ基板上のコーティング中のガラスを焼結するために、以下の焼成サイクルを使用して、当該コーティングされた試料を焼成した。当該コーティングされた基板を、５℃／分の速度で３００℃に加熱し、３００℃で１時間維持し、５℃／分の速度において３００℃から１１００℃に加熱し、１１００℃で２時間維持し、次いで、５℃／分の速度において室温まで冷却した。焼結後、当該コーティング厚さは、およそ１００μｍであった。このプロセスは、結果として、当該アルミナ基板上に均一なガラスコーティング層を生じた。
【００６９】
権利請求される主題の趣旨および範囲から逸脱することなく、本明細書において説明される実施形態に対して様々な変更および変形を為すことができることは、当業者に明らかであろう。したがって、本明細書は、本明細書において説明される様々な実施形態の変更および変形が添付の請求項およびそれらの等価物の範囲内である限り、そのような変更および変形を網羅することが意図される。
【００７０】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【００７１】
実施形態１
第一表面および当該第一表面に対向する第二表面を有する基層と、
当該基層の当該第一表面に接合されたガラス層と
を含み、
１５０ＧＰａ以上のヤング率と、およそ１μｍの波長において６０％以上かつ９０％以下の透過率とを有する、
キャリア基板。
【００７２】
実施形態２
２５℃から５００℃の温度範囲にわたって、２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有する、実施形態１に記載のキャリア基板。
【００７３】
実施形態３
２５℃から５００℃の温度範囲にわたって、３０×１０−７／℃以上かつ９０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有する、実施形態１または２に記載のキャリア基板。
【００７４】
実施形態４
１５０ＧＰａ以上かつ４００ＧＰａ以下のヤング率を有する、実施形態１〜３のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００７５】
実施形態５
２００ＧＰａ以上かつ３８０ＧＰａ以下のヤング率を有する、実施形態１〜４のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００７６】
実施形態６
およそ１μｍの波長において６５％以上かつ９０％以下の透過率を有する、実施形態１〜５のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００７７】
実施形態７
およそ１μｍの波長において７０％以上かつ９０％以下の透過率を有する、実施形態１〜６のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００７８】
実施形態８
２５μｍ以下の平坦度を有する、実施形態１〜７のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００７９】
実施形態９
上記ガラス層が、第一表面を有し、ならびに当該第一表面に対向する第二表面を有し、
当該ガラス層の当該第一表面が、上記基層の上記第一表面に接合されており、
当該ガラス層の当該第二表面が、３０ｎｍ以下の表面粗度（Ｒａ）を有する、
実施形態１〜８のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００８０】
実施形態１０
上記基層が、アルミナ、ジルコニア、サファイア、スピネル、および金属からなる群より選択される材料を含む、実施形態１〜９のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００８１】
実施形態１１
上記基層が、多結晶性セラミックを含む、実施形態１〜１０のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００８２】
実施形態１２
上記基層が、アルミナ、ジルコニア、およびスピネルからなる群より選択される材料を含む、実施形態１０に記載のキャリア基板。
【００８３】
実施形態１３
上記基層が、金属を含む、実施形態１〜１２のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００８４】
実施形態１４
円形の幾何学的形状を有し、ならびに、２００ｍｍ以上かつ３００ｍｍ以下の直径を有する、実施形態１〜１３のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００８５】
実施形態１５
７５０ｍｍ以下の幅および７５０ｍｍ以下の長さの長方形の幾何学的形状を有する、実施形態１〜１４のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００８６】
実施形態１６
第二ガラス層が、上記基層の上記第二表面に接合される、実施形態１〜１５のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００８７】
実施形態１７
上記ガラス層が、当該ガラス層と上記基層の上記第一表面との間に接触して位置された接着層によって当該基層の当該第一表面に接合される、実施形態１〜１６のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００８８】
実施形態１８
第二ガラス層が、当該第二ガラス層と上記基層の上記第二表面との間に接触して位置された第二接着層によって当該基層の当該第二表面に接合される、実施形態１７に記載のキャリア基板。
【００８９】
実施形態１９
多結晶性セラミックを含むキャリア基板であって、
１５０ＧＰａ以上のヤング率を有し、
２５℃から５００℃の範囲にわたって２０×１０−７／℃以上かつ１２０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有し、
およそ１μｍの波長において３０％以上かつ９０％以下の透過率を有する、
キャリア基板。
【００９０】
実施形態２０
１５０ＧＰａ以上かつ４００ＧＰａ以下のヤング率を有する、実施形態１９に記載のキャリア基板。
【００９１】
実施形態２１
２００ＧＰａ以上かつ３８０ＧＰａ以下のヤング率を有する、実施形態１９または２０に記載のキャリア基板。
【００９２】
実施形態２２
２５℃から５００℃の温度範囲にわたって、３０×１０−７／℃以上かつ９０×１０−７／℃以下の熱膨張率を有する、実施形態１９〜２１のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００９３】
実施形態２３
およそ１μｍの波長において６０％以上かつ９０％以下の透過率を有する、実施形態１９〜２２のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００９４】
実施形態２４
およそ１μｍの波長において６５％以上かつ９０％以下の透過率を有する、実施形態１９〜２３のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００９５】
実施形態２５
２５μｍ以下の平坦度を有する、実施形態１９〜２４のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００９６】
実施形態２６
３０ｎｍ以下の表面粗度（Ｒａ）を有する少なくとも１つの表面を有する、実施形態１９〜２５のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００９７】
実施形態２７
上記多結晶性セラミックが、アルミナ、ジルコニア、およびスピネルからなる群より選択される、実施形態１９〜２６のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００９８】
実施形態２８
第一表面および当該第一表面に対向する第二表面を有する基層と、
当該基層の当該第一表面に接合されたガラス層と、
を含む、実施形態１９〜２７のいずれか１つに記載のキャリア基板。
【００９９】
実施形態２９
さらに、上記基層の上記第二表面に接合された第二ガラスを含む、実施形態２８に記載のキャリア基板。
【符号の説明】
【０１００】
１０  キャリア基板
１００  基層
１０１、２０１、３０１  第一表面
１０２、２０２、３０２  第二表面
２００  ガラス層
３００  第二ガラス層
４００、５００  接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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