(57)【要約】同期化されたピーク電場およびピーク磁場を使用する、低温殺菌システム、装置、および方法を概略に説明する。低温殺菌システム例は、第１の誘導性素子に結合された第１の容量性素子を含む第１の共振回路と、第２の誘導性素子に結合された第２の容量性素子を含む第２の共振回路とを含み得る。第１の誘導性素子および第２の容量性素子が、第１の処理領域の周囲に位置付けられてもよく、第２の誘導性素子および第１の容量性素子が、第２の処理領域の周囲に位置付けられ得る。第１および第２の共振回路に結合されたコントローラが、第１の信号を第１の共振回路に提供し、所定量だけ位相シフトされた第２の信号を第２の共振回路に提供し得る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の物質を第１の処理領域内で処理し、第２の物質を第２の処理領域内で処理するシステムであって、
第１の誘導性素子に結合された第１の容量性素子を含む第１の共振回路と、
第２の誘導性素子に結合された第２の容量性素子を含む第２の共振回路と、
前記第１の誘導性素子および前記第２の容量性素子は前記第１の処理領域の周囲に位置付けられ、
前記第２の誘導性素子および前記第１の容量性素子は前記第２の処理領域の周囲に位置付けられ、
前記第１および第２の共振回路に結合されて、第１の信号を前記第１の共振回路に、第２の信号を前記第２の共振回路に提供するように構成されたコントローラであって、前記第１および第２の信号は、所定の量だけ位相シフトされる、前記コントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記第１の処理領域内の前記第１の物質の低温殺菌を促進する効果がある前記第１の信号を制御するようにさらに構成され、かつ前記第２の処理領域内の前記第２の物質の低温殺菌を促進する効果がある前記第２の信号を制御するようにも構成されている、
システム。
【請求項２】
前記第１の処理領域を通って延出して、前記第１の物質を前記第１の処理領域に提供するように構成された第１の導管をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第２の容量性素子が前記第１の導管の少なくとも一部の周囲に配置され、かつ前記第１の誘導性素子が、前記第２の容量性素子の周囲および前記第１の導管の少なくとも前記一部の周囲に配置される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第１の導管は、中心軸を有する内側部分と、前記中心軸の周りに配置された外側部分とを含み、前記第２の容量性素子は、前記第１の導管の前記中心軸の少なくとも一部に沿って延出している内部導体と、前記第１の導管の少なくとも前記外側部分の周囲に配置された外部導体とを有する同軸コンデンサとして構成される、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記第２の容量性素子は、前記第１の導管の少なくとも一部の一方の側上に配置された第１のプレートと、前記第１の導管の少なくとも前記一部の実質的に反対側上に配置された第２のプレートとを含む平行板コンデンサとして構成される、請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記第１の導管は、四角形、円形、または楕円形のうちの１つである断面形状を有する、請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１の導管の内側部分は、前記第１の物質の前記第１の処理領域を通る流れを容易にするように構成される、請求項２に記載のシステム。
【請求項８】
前記第２の処理領域を通って延出して、前記第２の物質を前記第２の処理領域に提供するように構成された、第２の導管をさらに備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１の容量性素子が前記第２の導管の少なくとも一部の周囲に配置され、かつ前記第２の誘導性素子が、前記第１の容量性素子の周囲および前記第２の導管の少なくとも前記一部の周囲に配置される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第２の導管は、中心軸を有する内側部分と、前記中心軸の周りに配置された外側部分とを含み、かつ前記第１の容量性素子は、前記第２の導管の前記中心軸の少なくとも一部に沿って延出している内部導体と、前記第２の導管の少なくとも前記外側部分の周囲に配置された外部導体とを有する同軸コンデンサとして構成される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１の容量性素子は、前記第２の導管の少なくとも一部の一方の側上に配置された第１のプレートと、前記第２の導管の少なくとも前記一部の実質的に反対側上に配置された第２のプレートとを含む平行板コンデンサとして構成される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第２の導管は、四角形、円形、または楕円形のうちの１つである断面形状を有する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２の導管の内側部分は、前記第２の物質の前記第２の処理領域を通る流れを容易にするように構成される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
前記コントローラによって提供された第１および第２の信号に応答して、磁場が前記第１の導体素子によって前記第１の処理領域内に生成され、電場が前記第２の容量性素子によって前記第１の処理領域内に生成されるように、前記第１の誘導性素子および前記第２の容量性素子が、前記第１の処理領域の周りに配置される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記磁場は、前記第１の処理領域内で、前記電場と実質的に直交する、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記磁場は、前記第１の処理領域内で、前記電場に対して８９〜９１度の角度にある、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記磁場は、前記第１の処理領域内で、前記電場に対して８７〜９３度の角度にある、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記磁場は、前記第１の処理領域内で、前記電場に対して８６〜９４度の角度にある、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１９】
前記磁場は、前記第１の処理領域内で、前記電場に対して８５〜９５度の角度にある、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２０】
前記第１の領域内の前記磁場および前記電場は、最大場強度に実質的に同時に達するように構成される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２１】
前記コントローラによって提供された第１および第２の信号に応答して、磁場が前記第２の導体素子によって前記第２の処理領域内に生成され、電場が前記第１の容量性素子によって前記第２の処理領域内に生成されるように、前記第２の誘導性素子および前記第１の容量性素子が、前記第２の処理領域の周りに配置される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２２】
前記磁場は、前記第２の処理領域内で、前記電場と実質的に直交する、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記第１の領域内の前記磁場および前記電場は、最大場強度に同時に達するように構成される、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２４】
前記第１および第２の信号は周期的信号であり、かつ前記第１の信号と前記第２の信号との間の位相シフトが約９０度である、請求項１に記載のシステム。
【請求項２５】
前記第１および第２の信号に応答して、前記第１の誘導性素子および前記第２の容量性素子が、第１の時間に、前記第１の処理領域内で最大場強度に同時に達するように構成され、かつ、前記第２の誘導性素子および前記第１の容量性素子が、第２の時間に、前記第２の処理領域内で最大場強度に同時に達するように構成され、前記第１の時間は前記第２の時間と異なる、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記第１および第２の物質が相互に流体連結するように、前記第１および第２の導管が互いに連結される、請求項１に記載のシステム。
【請求項２７】
前記コントローラに結合されるセンサーをさらに備え、前記センサーは、前記第１の処理領域または前記第２の処理領域の１つ内に配置され、前記センサーは、前記第１の処理領域または前記第２の処理領域の対応する前記１つ内の前記磁場または前記電場の１つを測定するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項２８】
物質を処理するためのシステムであって、
前記物質を受け取るように構成された導管と、
第１の信号および第２の信号を選択的に提供するように構成された制御回路と、
前記第１の信号に応答して、選択的に磁場を前記導管内の前記物質に印加するように構成された誘導性素子と、
前記第２の信号に応答して、選択的に電場を前記導管内の前記物質に印加するように構成された容量性素子と、
を備える、システム。
【請求項２９】
前記誘導性素子はコイルを含み、かつ前記導管が前記コイルの内部を通る、請求項２８に記載のシステム。
【請求項３０】
前記容量性素子は、第１の導電性素子および第２の導電性素子を含み、かつ前記導管が前記第１の導電性素子と前記第２の導電性素子との間に延在する、請求項２８に記載のシステム。
【請求項３１】
前記容量性素子は、前記導管の中心軸に沿って延在する第１の導電性素子を含む、請求項２８に記載のシステム。
【請求項３２】
前記容量性素子は、前記導管の外側部分を形成する第２の導電性素子をさらに含む、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３３】
前記容量性素子は、前記導管の壁に近接して位置付けられた第２の導電性素子を含む、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３４】
第２の誘導性素子および第２の容量性素子をさらに備え、
前記第２の容量性素子は、前記誘導性素子に電気的に結合されて第１の共振回路を形成し、かつ
前記第２の誘導性素子は、前記容量性素子に電気的に結合されて第２の共振回路を形成する、
請求項３１に記載のシステム。
【請求項３５】
第２の物質を受け取るように構成された第２の導管をさらに備え、
前記第２の誘導性素子は、前記第２の信号に応答して、前記第２の物質が前記第２の導管を通過する際に、選択的に第２の磁場を前記第２の物質に印加するように構成され、
前記第２の容量性素子は、前記第１の信号に応答して、前記第２の液体が前記第２の導管を通過する際に、選択的に第２の電場を前記第２の液体に印加するように構成される、
請求項３４に記載のシステム。
【請求項３６】
第１の断面形状を含む第１の導管であって、前記第１の断面形状に関して中心に配置される第１の軸に沿って延在する、前記第１の導管と、
第１の磁場を、前記第１の導管の前記第１の断面形状にわたって選択的に生成するように構成された第１の誘導性素子と、
第１の電場を、前記第１の導管の前記第１の断面形状にわたって選択的に生成するように構成された第１の容量性素子と、
第２の断面形状を含む第２の導管であって、前記第２の断面形状に関して中心に配置される第２の軸に沿って延在する、前記第２の導管と、
第２の磁場を、前記第２の導管の前記第２の断面形状にわたって選択的に生成するように構成された第２の誘導性素子と、
第２の電場を、前記第２の導管の前記第２の断面形状にわたって選択的に生成するように構成された第２の容量性素子と、  前記第１および第２の共振回路が、前記第１および第２の導管に関して交差結合されるように、前記第１の容量性素子は、前記第２の誘導性素子に結合されて第１の共振回路を形成し、かつ、前記第２の容量性素子は、前記第１の誘導性素子に結合されて第２の共振回路を形成し、
前記第１および第２の共振回路に、それぞれ、第１および第２の信号によって結合されるコントローラであって、第１の信号に応答して前記第１の共振回路を選択的に起動するように構成され、第２の信号に応答して前記第２の共振回路を選択的に起動するようにも構成される、コントローラと、
を備える、システム。
【請求項３７】
前記コントローラは、前記第１の信号および第２の信号の位相が実質的にずれて、前記第１の信号および前記第２の信号を生成するように構成される、請求項３６に記載のシステム。
【請求項３８】
前記第１および第２の信号の位相が９０度ずれている、請求項３７に記載のシステム。
【請求項３９】
前記第１の導管内に配置されて、前記コントローラに結合される第１のセンサーをさらに備え、前記第１のセンサーは、磁場強度または電場強度を測定し、それに関してフィードバックを提供するように構成される、請求項３６に記載のシステム。
【請求項４０】
前記第２の導管内に配置されて、前記コントローラに結合される第２のセンサーをさらに備え、前記第２のセンサーは、磁場強度または電場強度を測定し、それに関してフィードバックを提供するように構成される、請求項３６に記載のシステム。
【請求項４１】
第１の時間に、第１の磁場および第１の電場を第１の処理領域内に生成することであって、前記第１の磁場の方向および前記第１の電場の方向が、前記第１の処理領域内で相互に関して実質的に直交する、前記第１の磁場および第１の電場を生成することと、
第２の時間に、第２の磁場および第２の電場を第２の処理領域内に生成することであって、前記第２の磁場の方向および前記第２の電場の方向が、前記第２の処理領域内で相互に関して実質的に直交する、前記第２の磁場および第２の電場を生成することと、
を含む、物質を処理する方法。
【請求項４２】
前記第１の磁場および前記第１の電場を生成することが、前記第１の磁場および前記第１の電場を、それらが相互に関して８９〜９１度の角度になるように、生成することを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記第１の磁場および前記第１の電場を生成することが、前記第１の磁場および前記第１の電場を、それらが相互に関して８８〜９２度の角度になるように、生成することを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記第１の磁場および前記第１の電場を生成することが、前記第１の磁場および前記第１の電場を、それらが相互に関して８７〜９３度の角度になるように、生成することを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
前記第１および第２の時間が異なる、請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
前記第１の磁場および第１の電場が、前記第２の磁場および第２の電場とは、位相がずれている、請求項４１に記載の方法。
【請求項４７】
第１の磁場および第１の電場を第１の処理領域内に生成することならびに第２の磁場および第２の電場を前記第２の処理領域内に生成することは、
第１の信号を第１の共振回路に提供することであって、前記第１の共振回路は、前記第１の磁場を前記第１の処理領域内に生成するように配置された第１の誘導性素子と、前記第２の電場を前記第２の処理領域内に生成するように配置された第１の容量性素子とを含む、前記第１の信号を第１の共振回路に提供することと、
第２の信号を第２の共振回路に提供することであって、前記第２の共振回路は、前記第１の電場を前記第１の処理領域内に生成するように配置された第２の容量性素子と、前記第２の磁場を前記第２の処理領域内に生成するように配置された第２の誘導性素子とを含む、前記第２の信号を第２の共振回路に提供することと、
を含み、
前記第１及び第２の信号は位相が９０度ずれている、
請求項４１に記載の方法。
【請求項４８】
前記第１および第２の共振回路が、同じ共振周波数を有する、請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
第１の磁場強度および第１の電場強度を前記第１の処理領域内で感知することと、
前記第１の処理領域内で前記感知された第１の磁場強度および前記感知された第１の電場強度の値に基づいてフィードバックを提供することと、
前記第１の磁場および前記第１の電場を前記第１の処理領域内で生成するために使用された前記第１の信号または前記第２の信号を、前記フィードバックに基づいて動的に調整することと、
をさらに含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項５０】
前記物質を前記第１または第２の食品処理領域の１つ以上を通して流すことをさらに含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項５１】
物質を低温殺菌する方法であって、
磁場および電場を前記物質に印加することを含み、
前記磁場は振動磁場であり、かつ前記電場は振動電場であり、
前記磁場および前記電場は、実質的に相互に同相であり、
前記磁場および電場は一緒に、前記物質を低温殺菌するのに十分である、
方法。
【請求項５２】
前記磁場および電場を前記物質に印加することは、
前記磁場を第１の共振回路の誘導性素子によって生成することと、
前記電場を第２の共振回路の容量性素子によって生成することと、
を含む、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
前記磁場を第１の共振回路の誘導性素子によって生成することは、前記第１の共振回路に第１の発振信号を提供することを含む、請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
前記電場を第２の共振回路の容量性素子によって生成することは、前記第２の共振回路に、前記第１の発振信号とは位相がずれている第２の発振信号を提供することを含む、請求項５２に記載の方法。
【請求項５５】
前記物質を、処理領域を通して流すことをさらに含み、前記処理領域は、前記磁場および前記電場が前記物質内で実質的に直交する空間の体積によって画定され、かつ前記磁場および前記電場が相互に実質的に同相である、
請求項５１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）の定めにより、２０１６年５月２６日に出願された米国仮出願第６２／３４２，０９３号に基づく優先権を主張し、その全ての内容は、参照により、任意の目的のために、本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
本明細書で特に説明がない限り、本明細書に記述する材料は、本出願の特許請求の範囲に対する従来技術ではなく、本明細書に含まれることによって従来技術であると認められるものではない。
【０００３】
食品内で見つかる細菌は、疾病から短い保存期間まで、様々な問題を引き起こし得る。細菌を除去するために低温殺菌が使用されるが、低温殺菌が実行される方法には欠点があり得る。例えば、食品を加熱すると、細菌の一部または全部を除去し得るが、熱は食品も悪い方向に変化させ得る。食品に直流を印加すると細菌を除去することが分かっているが、食品は、高電流のために、破壊される傾向があり、それは、例えば、発がん性化合物の生成および嫌な味につながり得る。さらに、低温殺菌されている食品の状態は、低温殺菌を実行するために使用される技術に影響を及ぼし得る。例えば、液状食品は、様々な特性、例えば、塩分、ｐＨ、温度、および泡の形成などにより問題が生じ得る。
【０００４】
液状食品は、パルス電場を用いて低温殺菌されているが、印加される最大電圧は、液体の破壊電圧によって制限され得る。例えば、塩分を含んだ飲料、例えば、トマトジュースは、高塩分含有量に起因して低破壊であり得る。電場をパルス化することは、パルスが短いために液状食品をより高い電位に晒すことを可能にするが、破壊のために最大電場は依然として制限され得る。この制限される電位は、望ましいほど多くの細菌を除去しない可能性がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
方法およびシステムを含む技術を概略に記述する。システム例は、第１の誘導性素子に結合された第１の容量性素子を含む第１の共振回路、および第２の誘導性素子に結合された第２の容量性素子を含む第２の共振回路を含み得る。第１の領域は第１の物質を受け取り、第１の誘導性素子および第２の容量性素子が第１の領域を形成するように配置されており、また、第２の領域は第２の物質を受け取り、第２の誘導性素子および第１の容量性素子が第２の領域を形成するように配置されている。コントローラが第１および第２の共振回路に結合されて、第１の信号を第１の共振回路に、第２の信号を第２の共振回路に提供するように構成され、第１および第２の信号は、所定の量だけ位相シフトされ得る。コントローラは、第１の領域内の第１の物質の低温殺菌を促進する効果がある第１の信号を制御するようにさらに構成され、また、第２の領域内の第２の物質の低温殺菌を促進する効果がある第２の信号を制御するようにも構成される。
【０００６】
いくつかの例では、システムは、第１の領域を通って延出して、第１の物質を第１の領域に提供するように構成された第１の導管をさらに含み、第１の導管は、中心軸を有する内側部分と、中心軸の周りに配置された外側部分とを含む。いくつかの例では、第２の容量性素子が第１の導管の少なくとも一部の周囲に配置され、第１の誘導性素子が、第１の容量性素子の周囲および第１の導管の少なくとも一部の周囲に配置される。いくつかの例では、第２の容量性素子は、第１の導管の中心軸の少なくとも一部に沿って延出している内部導体と、第１の導管の少なくとも一部の周囲に配置された外部導体とを有する同軸コンデンサとして構成される。いくつかの例では、第２の容量性素子は、第１の導管の少なくとも一部の一方の側上に配置された第１のプレートと、第１の導管の少なくとも一部の実質的に反対側上に配置された第２のプレートとを含む平行板コンデンサとして構成される。
【０００７】
いくつかの例では、システムは、第２の領域を通って延出して、第２の物質を第２の領域に提供するように構成された第２の導管をさらに含み、第２の導管は、中心軸を有する内側部分と、中心軸の周りに配置された外側部分とを含む。いくつかの例では、第１の容量性素子が第２の導管の少なくとも一部の周囲に配置され、第２の誘導性素子が、第１の容量性素子の周囲および第２の導管の少なくとも一部の周囲に配置される。いくつかの例では、第１の容量性素子は、第２の導管の中心軸の少なくとも一部に沿って延出している内部導体と、第２の導管の少なくとも一部の周囲に配置された外部導体とを有する同軸コンデンサとして構成される。いくつかの例では、第１の容量性素子は、第２の導管の少なくとも一部の一方の側上に配置された第１のプレートと、第２の導管の少なくとも一部の実質的に反対側上に配置された第２のプレートとを含む平行板コンデンサとして構成される。
【０００８】
いくつかの例では、コントローラによって提供された第１および第２の信号に応答して、磁場が第１の処理領域内の第１の導体素子によって生成され、電場が第１の処理領域内の第２の容量性素子によって生成されるように、第１の誘導性素子および第２の容量性素子が、第１の領域の周りに配置される。いくつかの例では、第１の処理領域内で、磁場は、電場に実質的に直交する。いくつかの例では、第１の領域内の磁場および電場は、最大場強度に同時に達するように構成される。
いくつかの例では、コントローラによって提供された第１および第２の信号に応答して、磁場が第２の処理領域内で第２の導体素子によって生成され、電場が第２の処理領域内で第１の容量性素子によって生成されるように、第２の誘導性素子および第１の容量性素子が、第２の領域の周りに配置される。いくつかの例では、第２の処理領域内で、磁場は、実質的に電場に直交する。いくつかの例では、第１の領域内の磁場および電場は、最大場強度に同時に達するように構成される。
【０００９】
方法例は、第１の時間に、第１の磁場および第１の電場を第１の処理領域内で生成することを含むことができ、第１の磁場の方向と第１の電場の方向とは、第１の処理領域内で相互に関して実質的に直交する。方法例は、第２の時間に、第２の磁場および第２の電場を第２の処理領域内で生成することも含むことができ、第２の磁場の方向と第２の電場の方向とは、第２の処理領域内で相互に関して実質的に直交する。
【００１０】
いくつかの方法例では、第１の磁場および第１の電場を第１の処理領域内で生成することと、第２の磁場および第２の電場を第２の処理領域内で生成することとは、第１の発振信号を、磁場を第１の処理領域内に提供するために配置された第１の誘導性素子と、電場を第２の処理領域内に提供するために配置された第１の容量性素子とを含む第１の共振回路に提供すること、ならびに第２の発振信号を、電場を第１の処理領域内に提供するために配置された第２の容量性素子と、磁場を第２の処理領域内に提供するために配置された第２の誘導性素子を含む第２の共振回路に提供することをさらに含むことができ、第１の発信信号と第２の発振信号とは、位相が９０度ずれている。
【００１１】
いくつかの方法例では、本方法は、第１の磁場強度および第１の電場強度を第１の領域内で感知すること、第１の領域内で感知された第１の磁場強度および感知された第１の電場強度の値に基づいてフィードバックを提供すること、ならびに第１の磁場および第１の電場を第１の処理領域内で生成するために使用される第１または第２の信号を、フィードバックに基づいて調整することをさらに含み得る。
【００１２】
いくつかの方法例では、本方法は、第２の磁場強度および第２の電場強度を第２の領域内で感知すること、第２の領域内で感知された第２の磁場強度および感知された第２の電場強度の値に基づいてフィードバックを提供すること、ならびに第２の磁場および第２の電場を第２の処理領域内で生成するために使用される発振信号を、フィードバックに基づいて調整することをさらに含み得る。
【００１３】
いくつかの方法例では、本方法は、第１の時間と第２の時間との間に、低温殺菌すべき物質を、第１および第２の処理領域を通して流すこと、ならびに第１および第２のピーク電場と、第１および第２のピーク磁場とをパルス化することをさらに含み得る。
【００１４】
前述した概要は、例示に過ぎず、いかなる方法も限定することを意図していない。前述した例示的な態様、実施形態、および特徴に加えて、さらなる態様、実施形態、および特徴が、図面および以下の詳細な説明を参照することにより明らかになるであろう。
【００１５】
本開示の前述した特徴および他の特徴は、添付の図面と併せて、以下の説明および添付の特許請求の範囲から、より完全に明らかになるであろう。これらの図面が本開示によるいくつかの例を示しているのに過ぎず、従って、その範囲を限定すると見なすべきではないことは理解されたい。本開示は、添付の図面の使用を通じて、さらに具体的および詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１Ａ】本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態に従って配置されたシステム例１００の概略図である。
【図１Ｂ】本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態に従ってシステム例１００が生成する磁場と電場との関係および方向の概略図である。
【図１Ｃ】本開示の少なくともいくつかの実施形態に従って配置されたシステム例１５０の図である。
【図２Ａ】図１Ａの容量性素子１０６を実装するために使用され得る容量性素子２００の２つの断面図である。
【図２Ｂ】図１Ａの容量性素子１０６を実装するために使用され得る容量性素子２５０の２つの断面図である。
【図３Ａ】本開示の少なくともいくつかの実施形態による、導管、容量性素子および誘導性素子の様々な構成例の概略図である。
【図３Ｂ】本開示の少なくともいくつかの実施形態による、導管、容量性素子、および誘導性素子の様々な構成例の概略図である。
【図３Ｃ】本開示の少なくともいくつかの実施形態による、導管、容量性素子、および誘導性素子の様々な構成例の概略図である。
【図４】本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態により配置された低温殺菌システム４００の概略図である。
【図５Ａ】本明細書に記載の例により配置された、図２の低温殺菌システム２００の部分の概略図である。
【図５Ｂ】本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態による、２つの共振回路５１０、５１２の物理的配列例５２５を示す図である。
【図５Ｃ】本明細書に記載のいくつかの例による、処理領域２０４および２０６内の電場および磁場の振幅を経時的に示すタイミング図である。
【図６】本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態による、低温殺菌のための方法例６００を示す流れ図である。
【図７】本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態による、低温殺菌システムを制御するために配置されたコンピューティング装置例７００を示すブロック図である。
【図８】本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態による、低温殺菌システムのための命令を格納するために配置されたコンピュータプログラム製品例７００を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図示された構成の全ては、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成されたものである。
【００１８】
以下の詳細な説明では、本明細書の一部を形成する添付の図面に対する参照が行われる。図面では、文脈上別段の指示がない限り、同様の記号は、通常同様の構成要素を識別する。詳細な説明、図面、および特許請求の範囲に記載された例示的な態様は、限定することを意図していない。本明細書で提示される主題の精神または範囲から逸脱することなく、他の例を利用することができ、他の変更を行うことができる。本明細書で一般的に説明され、図に示されているとおり、本開示の態様は、多種多様な異なる構成で、配置、置換、組合せ、分離、および設計することができ、その全てが本明細書で暗黙的に考慮されるものであることは容易に理解されたい。
【００１９】
本開示は、とりわけ、例えば、第１の領域、第２の領域、および制御回路を備える食品低温殺菌システムを含む、方法、システム、製品、装置、および／または機器に関する。第１および第２の領域と関連する電気部品は、例えば、第１の領域のインダクタンスを第２の領域のキャパシタンスに結合すること、およびその逆に結合することによって、交差結合され得る。制御回路は、位相シフトされた駆動信号を交差結合回路に印加することができ、それによって、第１の領域内のピーク電場とピーク磁場とが実質的に同時に生じるように、両方の領域内で同期化されたパルス電場およびパルス磁場を発生させることができる。さらに、第２の領域内のピーク電場とピーク磁場も同時に生じ得るが、第２の領域におけるピーク時間は、第１の領域におけるピーク時間とは異なり得る。処理領域内でピーク電場とピーク磁場を同時に提供することにより、いくつかの例では相乗効果が実現され得る。それにより、いくつかの例では、電場または磁場のいずれかのみを考慮して予期されるよりも大量の細菌または他の種を死滅させることができる。いくつかの例では、相乗効果は、全体的な電力レベルの低減を可能にすることができ、処理されている液体に対する損傷を軽減させることができる。
【００２０】
前述のように、食品、とりわけ、ジュース、牛乳、液状卵など液状食品の低温殺菌は、パルス電場（ＰＥＦ）を使用して実行され得る。しかし、ＰＥＦの電圧レベルは、食品の誘電破壊のために制限され得る。破壊制限に起因して、低温殺菌の量、例えば、死滅させる細菌数が制限され得る。死滅させる細菌数に関する制限は、例えば、食品の保存期間を制限し得、保存料の取込みをさらに必要とし得、それは望ましくない可能性がある。ＰＥＦに加えて、パルス磁場（ＰＭＦ）も殺菌特性を提供することが示されている。ＰＭＦの殺菌特性は、例えば、殺菌率がｌｏｇ２であり、ＰＥＦによって達成されるものと同様であり得る。ＰＥＦおよびＰＭＦによる食品の低温殺菌は様々な順序で行われ得るが、ＰＥＦとＰＭＦとを組み合わせて適用する方法は、最終結果に影響を与える可能性がある。例えば、同じ食品に対してＰＥＦとＰＭＦとを別々に実行すると、いずれか一方だけが実行された場合に比べて、全体的な低温殺菌がわすかにしか改善されない可能性がある。しかし、ＰＭＦとＰＥＦとが、それぞれの場が相互に直交する状態で同時に、且つある条件下で実行される場合、別々に、または連続的に実行された２つの技術よりも高い殺菌率を提供する相乗効果を得ることができる。
【００２１】
電場と磁場との間に生じる相乗効果は、いくつかの例では、磁場によって生じる磁気絶縁効果に起因し得る。例えば、磁気絶縁は、磁場の存在に起因して気体媒質内で発生する可能性がある。その場合、気泡が、高電場に起因して破壊が生じる位置になる傾向がある。磁気絶縁効果は、気体内で電子の移動経路を変化させることにより、破壊電圧を上昇させ得る。電場および磁場の両方が存在する場合、電子は、２つの場の相互作用に起因して円軌道で移動することができるが、磁場が存在しない場合、電子は、電場に沿って線形経路だけで移動し得る。経路における変化は、磁場の電場に対する配向によってさらに影響を受ける可能性があり、磁場の電場に対する配向は、電子が通過する経路の形状に影響を与えることがある。２つの場の配向は、２つの場がどのように相互作用するかに、および２つの場が電子に与える合成作用に影響を及ぼし得る。いくつかの例では、２つの場の間の相互作用は、２つの場が直交する場合に最大であり得る。これによって、電子が気泡内の移動経路を小さな円または螺旋にし得る。２つの場の間が非直交関係の場合、電子は他の形状の経路を移動し得る。判明されたように、高電場に起因した液体における破壊は、液体それ自体の破壊とは対照的に、液体内に伝搬する前に、液体内に存在する気泡で生じる傾向がある。そのため、磁気絶縁効果は、磁場の存在下で電子が通過する経路が変化したため、液体内の気泡の破壊電圧を上昇させることにより、液体内の破壊を高めることができる。液体の破壊は除去されない可能性があるが、液体が、そうでない場合に可能であるよりも高い電場に晒されることができるように、破壊を十分に上昇させることができる。
【００２２】
磁気絶縁効果による液体内での気泡の低減した破壊電圧は、ＰＥＦベースの低温殺菌システムにおいて利用され得る。液体は、パルス電場に晒された場合には、連続電場に晒された場合よりも、高い破壊電圧を有することができ、それによって、低温殺菌の有効性を改善し得る。記述のとおり、ＰＥＦベースの低温殺菌システムの低温殺菌率は、ｌｏｇ２の殺菌率を得ることができる。それは、有用な殺菌率であるが、より高い殺菌率、例えば、ｌｏｇ４またはｌｏｇ５などが望ましい場合がある。比較のため、ｌｏｇ２の殺菌率は、１００のうち９９の細菌を死滅させることを意味するが、一方、ｌｏｇ４は、１０，０００の細菌のうち９，９９９の細菌を死滅させることを意味する。ＰＥＦのピーク電圧が上昇すると殺菌率が改善されるが、より高い電場に晒された液体は、破壊されて、嫌な味または液体中に発がん性化合物の形成など、望ましくない特性をもたらす可能性がある。従って、液体に望ましくない影響を及ぼすことなく、殺菌率を改善するために、同期化されたＰＥＦおよびＰＭＦを使用して液体を低温殺菌し、処理される食品の破壊レベルを上昇させることができる。それは、いくつかの例では、少なくとも部分的に磁気絶縁効果によるものであり得る。本明細書で使用されているように、同期化とは、実質的同時にそれらの最大値に達する電場および磁場を指すことがある。処理領域内で磁場および電場を同期化させることにより、食品は、破壊を経験することなく、より高い電場に晒されることができ、それは、いくつかの例では、低温殺菌システムがｌｏｇ４またはｌｏｇ５の殺菌率に達することを可能にし得る。
【００２３】
一般に、パルス電場および磁場は、共振回路を使用して生成され得る。共振回路は、時々、タンク回路または同調回路と呼ばれ、典型的には、コンデンサ（Ｃ）に結合されるインダクタ（Ｌ）を含む電気回路であり、そこで、構成要素は、同調または共振周波数で動作するように選択される。すなわち、ｆは、以下の式より与えられる。
【００２４】
【数１】
2019527067.tif 000003
【００２５】
適用される周波数は、例えば、１Ｈｚ〜数十ギガヘルツであり得る。いくつかの例では、適用される周波数は、１Ｈｚ〜１００ｋＨＺであり得る。いくつかの例では、適用される周波数は、１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚであり得る。いくつかの例では、適用される周波数は、１０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚであり得る。いくつかの例では、適用される周波数は、１００ｋＨｚ〜１ＧＨｚであり得る。いくつかの例では、適用される周波数は、５００ｋＨｚ〜１ＭＨｚであり得る。インダクタおよびコンデンサは、単一の構成要素として示されてもよいが、これらは例示に過ぎず、構成要素または回路の任意の集合も十分であろう。従って、回路内に示されている単一のコンデンサは、アクティブもしくはパッシブであり得る個別の構成要素または構成要素の集合のいずれかとして実装され得る。コンデンサは、簡単にキャパシタンスと呼ばれる実効キャパシタンス値を有する。同様に、回路内に示されている単一のインダクタは、アクティブもしくはパッシブまたはそれらの組合せであり得る個別の構成要素または構成要素の集合のいずれかとして実装することができ、インダクタは、簡単にインダクタンスと呼ばれる実効インダクタンス値を有する。
【００２６】
別の共振回路は、一緒に直列結合されたインダクタ、コンデンサ、および抵抗器を含み得る。抵抗器Ｒからの抵抗によって引き起こされ得る減衰係数ζを加えると、前述のＬＣ回路と同様に、ＲＬＣ回路の共振周波数は、以下の式より与えられる。
【００２７】
【数２】
2019527067.tif 000004
【００２８】
ここで、減衰係数は以下の式より与えられる。
【００２９】
【数３】
2019527067.tif 000005
【００３０】
減衰係数は、回路のエネルギー損失の特性であり得る。回路の抵抗は、抵抗損失、例えば、加熱損失とも呼ばれるＩ２Ｒ損失をもたらすことができる。前述のインダクタおよびコンデンサと同様、抵抗器は、アクティブもしくはパッシブまたはそれらの組合せであり得る個別の構成要素または構成要素の集合のいずれかとして実装することができ、抵抗器は、簡単に抵抗と呼ばれる実効抵抗値を有する。コンデンサおよびインダクタは、抵抗器としてモデル化され得る寄生抵抗値も有することができ、従って、物理的な抵抗器は、寄生抵抗として既に他の構成要素の一部であるので、実装されたＲＬＣ回路内には存在しない可能性がある。
【００３１】
共振回路は、一般に、電力をインダクタンスとキャパシタンスとの間で前後に再循環させることによって動作することができ、エネルギーは、抵抗損失を通して失われ得る。抵抗損失は、回路内に存在する他の抵抗素子と共に、キャパシタンスおよびインダクタンスと関連する寄生抵抗を含み得る。エネルギー入力は、キャパシタンスを充電して電場を提供することができるが、インダクタンスはショートとして動作し得る。この状態では、インダクタンスは、磁場を提供しない可能性がある。エネルギーが連続的に供給される場合、キャパシタンスは、充電されたままであり、インダクタンスはショートのままであり得る。しかし、エネルギー源が取り外されると、キャパシタンス内のエネルギーが電流の形でインダクタンスに流れ込み始め、それは磁場を生じ始め得る。そのため、共振回路は一般に、キャパシタンスとインダクタンスとの間で振動するエネルギーに起因して、回路によって生成された対応する磁場と位相がずれている電場を生成する。一般に、抵抗損失を考慮しなければ、エネルギーは、キャパシタンスとインダクタンスとの間で振動し続けるであろう。しかし、ＬＣ回路の寄生抵抗は、例えば、ジュール加熱、例えば、Ｉ２Ｒ損失に起因して、回路のエネルギーをゆっくりと消耗させる可能性がある。いくつかの例では、エネルギーは、駆動信号を使用して、ＬＣ回路に入力され得、駆動信号は、例えば、矩形波、正弦波、三角波、パルスＤＣ信号などの発振信号であり得る。
【００３２】
本明細書に記載のいくつかの例では、本明細書に記載の２つの処理領域と対応し得る、複数（例えば、２つ）の処理チャンバは、１つの処理チャンバと関連するキャパシタンスが、別の処理チャンバと関連するインダクタンスと結合されるように、交差結合され得る電気部品によって形成され得、各チャンバ内で処理領域を画定し得る。例えば、第１の処理チャンバのキャパシタンスは、第２の処理チャンバと関連するインダクタンスに結合され得る。同様に、第１の処理チャンバと関連するインダクタンスは、第２の処理チャンバと関連するキャパシタンスに結合され得る。第１の処理チャンバと関連するキャパシタンスおよび第２の処理チャンバと関連するインダクタンスは、第１の共振回路の少なくとも一部を形成し得る。第１の処理チャンバと関連するインダクタンスおよび第２の処理チャンバと関連するキャパシタンスは、第２の共振回路の少なくとも一部を形成し得る。つまり、第１の共振回路のキャパシタンスが、第２の共振回路の誘導性素子と物理的に同一場所に配置されるように、２つの共振回路は物理的に関連付けられ得る。同様に、第１の共振回路のインダクタンスは、第２の共振回路のキャパシタンスと物理的に同一場所に配置される。第１および第２の共振回路のキャパシタンスおよびインダクタンスを説明されている通り、物理的に配置することにより、２つの共振回路によって生成される電場および磁場は、同じ物理空間内に同時に生成され得る。電場および磁場が同時に存在する物理空間、例えば、空間体積は、食品物質を低温殺菌するために構成された領域を形成し得る。チャンバは、導管、ベッセル（ｖｅｓｓｅｌ）、チューブ、バット、または他の容器として実装することができ、低温殺菌用の場を生成するために使用される構成要素の位置決めに応じて、１つ以上の処理領域を含み得る。同時は、一般に、ほぼ同時に生じる事象を指し得る。例えば、電場および磁場は、正確に同時に存在し得るか、または相互に数マイクロ秒、数ミリ秒、もしくは数秒以内に存在し得る。
【００３３】
たとえ第１の処理領域と関連するキャパシタンスおよびインダクタンスが同じ共振回路の部分でなくても、第１の処理領域と関連するキャパシタンスによって生成された電場を、第１の処理領域と関連するインダクタンスによって生成される磁場と同時に発生させる、駆動信号が、第１および第２の共振回路に提供され得る。さらに、第２の処理領域と関連するキャパシタンスによって生成される電場は、第２の処理領域と関連するインダクタンスによって生成される磁場と同時に発生し得る。例えば、第１および第２の共振回路に提供されるそれぞれの駆動信号は、相互に位相がずれている可能性がある。例えば、それぞれの駆動信号が正弦波である場合、それぞれの正弦波は、位相が９０度ずれて提供することができ、それにより、第１の処理領域と関連するキャパシタンス（例えば、第１の共振回路のキャパシタンス）によって提供される電場が、第１の処理領域と関連するインダクタンス（例えば、第２の共振回路のインダクタンス）によって提供される磁場と実質的に同時に生じる。いくつかの例では、信号は、位相が異なる度数だけ、例えば、８９、８８、８７、８６、８５、８４、８３、８２、８１、または８０度ずれて、提供され得る。概ねピークが同時の電場および磁場を処理領域内で達成する他の位相シフトも使用することができ、それは、一般に、低温殺菌を達成するために十分な強度の電場および磁場を指し得る。いくつかの例では、単一の処理領域と関連するキャパシタンスおよびインダクタンスを制御するために信号が適用される場合、信号は、位相がずれていない可能性があり、同相を有し得る。
【００３４】
本明細書で説明する実施形態のいくつかは、２つの別個の処理領域を、例えば、並列レイアウトで示し得るが、２つの処理領域の物理的配向は、説明を容易にするために使用されており、限定する要素として考えられるべきでない。交差結合発振回路の任意の物理的配向が、本開示によって考慮され、本開示に含まれる。いくつかの実施形態では、導管が、同期化された電場および磁場が共存する領域を通って延出することができ、物質がその導管内に流入し、同期化された電場および磁場が共存する領域を通って流れ、それにより低温殺菌が行われる。いくつかの実施形態では、導管は、隣接して配置された２つ以上の処理領域を通って延出することができる。いくつかの実施形態では、２つの処理領域が異なる導管を取り囲み得る。いくつかの実施形態では、１つの処理領域が物質を処理し、一方、他の処理領域は擬似負荷を含むことができる。
【００３５】
図１Ａは、本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態に従って配置された、例えば、低温殺菌システムまたは部分的低温殺菌システムなどの、システム例１００の略図である。システム例１００は、コントローラ１０２、誘導性素子１０４、容量性素子１０６、導管１０８、およびセンサー１１０を含む。システム例１００は、液状食品、固形食品、またはそれらの組合せなどの物質を、例えば、同期化された電場および磁場にその物質を晒すことによって低温殺菌するように構成され得る。いくつかの例では、同期化された電場および磁場は、パルス化された、例えば、ＰＥＦおよびＰＭＦであってもよい。そのため、それらは、所望の期間において同時に存在する。前述のとおり、パルス電場および磁場は、低温殺菌中に破壊を受けることなく、物質をより高い場エネルギーに晒すことを可能にし得る。
【００３６】
コントローラ１０２は、カップリング（接続体）１１４および１１６を介して誘導性素子１０４および容量性素子１０６にそれぞれ結合される。コントローラ１０２は、カップリング１１４および１１６を介して、誘導性素子１０４および容量性素子１０６のそれぞれに、電圧および／または電流の形態の電気信号を提供するように構成され得る。コントローラは、カップリング１１２を介してセンサー１１０にさらに結合される。コントローラ１０２は、センサー１１０からフィードバックを受信し、それに応答して、誘導性素子１０４および容量性素子１０６に提供される電気信号を調整するように構成され得る。
【００３７】
誘導性素子１０４は、カップリング１１４を介してコントローラ１０２に結合される。誘導性素子１０４は、導管１０８および容量性素子１０６が誘導性素子１０４の内径内に収まり得るように、円筒形状に形成され得る。誘導性素子１０４は、例えば、ソレノイドまたは電磁石を形成するために、例えば、円筒形状に巻かれたワイヤーを使用して、実装され得る。誘導性素子１０４は、コントローラ１０２によって電流が供給されると、磁場を生成し得る。生成された磁場は、少なくとも円筒形状の内径を通って、誘導性素子１０４の円筒形状の中心軸と平行に延在し得る。
【００３８】
容量性素子１０６は、カップリング１１６を介してコントローラ１０２に結合される。容量性素子１０６は、例えば、エアギャップによって分離された２つの導電板１２２、１２４から形成することができ、それらは、例えば、平行板コンデンサを形成し得る。エアギャップ分離は、導管１０８が、２つの導電板１２２、１２４を分離するエアギャップに適合し得るように配置され得る。いくつかの実施形態では、容量性素子１０６は、導管１０８の部分上に形成され得る。容量性素子１０６は、誘導性素子１０４内に収まるように配置され得る。いくつかの実施形態では、容量性素子１０４の２つの導電板１２２、１２４の間に生じた電場は、導管１０８を通って延出し得る。容量性素子１０６は平行板コンデンサとして示されているが、本開示はそのようなものに限定されず、電場を生じるように構成された任意の容量性素子が本開示によって考慮される。
【００３９】
導管１０８は、食品物質、例えば、ジュース、液状卵、固形食品、パルプ（ｐｕｌｐ）入り液状食品、水、牛乳、スムージー、液状チーズなどを提供する、例えば、移送するように構成され得る。導管１０８は、容量性素子１０６の２つの導電板１２２、１２４の間に延在し、さらに誘導性素子１０４の内径内に延出するように配置され得る。導管１０８は、ガラス、プラスチック、ステンレス鋼などの、当技術分野で周知の任意の食品グレード材料で作製され得る。いくつかの実施形態では、導管１０８は、ステンレス鋼およびガラス、またはステンレス鋼およびプラスチックなどの複数の材料から作製され得る。例えば、導管１０８の対向する両側にあるアーチ型の円筒部は、ステンレス鋼製であってもよい。ステンレス鋼部の間の介在部は、ガラスまたはプラスチック製であり得る。いくつかの実施形態では、ステンレス鋼部は、容量性素子１０６を形成し得る。導管１０８は、いくつかの例を挙げると、円形、四角形、または楕円形などの、食品物質の流れを可能にする任意の断面形状を有し得る。
【００４０】
センサー１１０は、カップリング１１２を介してコントローラ１０２に結合されてもよく、導管１０８の内部に配置され得る。センサー１１０は、容量性素子１０６および誘導性素子１０４によってそれぞれ生成された電場および／または磁場を検出するように構成され得る。例えば、センサー１１０は、電場強度をｖ／ｃｍで測定し、かつ／または磁場強度をテスラで測定し得る。センサー１１０は、例えば、ホール効果センサー、誘導センサー、またはそれらの組合せであり得る。
【００４１】
コントローラ１０２は、駆動信号、例えば、電流を、誘導性素子１０４に提供するように構成され得る。駆動信号は、図１Ｂの磁力線１２６として示されるように、誘導性素子１０４に磁場を生成させ得る。磁場は、導管１０８を貫通し、導管１０８の縦軸に沿って延在し得る。磁場が延在する導管１０８の長さは、誘導性素子１０４の内側の導管１０８の長さに依存し得る。いくつかの実施形態では、コントローラ１０２は、パルス磁場を生成するように、発振信号を駆動信号として誘導性素子１０４に提供し得る。発振信号は、正弦波、矩形波、三角波などであり得る。いくつかの実施形態では、駆動信号は、２〜２００マイクロ秒の長さ範囲のパルスであり得る。コントローラ１０２は、２〜１００テスラほどの磁場強度を生じるために、十分なエネルギーを有する駆動信号を供給するように構成され得る。
【００４２】
さらに、コントローラ１０２は、駆動信号、例えば、電位または電圧を、容量性素子１０６に提供するように構成され得る。駆動信号は、２つの導電板１２２、１２４の間に電位差を確立させ得る。図１Ｂの電力線１２８として示されるように、電位差は、２つの導電板１２２、１２４の間に電場を発生させることができる。電場は、導管１０８を貫通してもよい。いくつかの実施形態では、パルス電場を生成するために、コントローラ１０２は、発振信号を駆動信号として容量性素子１０６に提供し得る。発振信号は、正弦波、矩形波、三角波などであり得る。いくつかの実施形態では、駆動信号は、１〜３マイクロ秒の長さ範囲のパルスであり得る。コントローラ１０２は、１０〜３０ｋＶ／ｃｍほどの磁場強度を生じるために、駆動信号によって十分な電力を供給するように構成され得る。
【００４３】
図１Ｂは、本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態に従ってシステム例１００が生成する磁場と電場との関係および方向の概略図である。図１Ｂは、電場および磁場の、導管１０８、誘導性素子１０４および容量性素子１０６に対する関連を示すために必要なシステム１００の構成要素だけを示す。
【００４４】
誘導性素子１０４は、例えば、コントローラ１０２からの駆動信号の受信に応答して、誘導性素子１０４のコイルを取り囲む磁場を生成し得る。磁力線１２６は、図１Ｂでは、コイルの内径を通って、誘導性素子１０４の外側の周囲に延在するように示されている。さらに、磁力線１２６は実質的に、導管１０８の縦軸と平行に延在する。
【００４５】
容量性素子１０６は、例えば、コントローラ１０２からの駆動信号の受信に応答して、２つの導電板１２２、１２４の間に電場を生成し得る。例えば、導電板１０６に陽電位を提供し、導電板１２４に接地電位を提供することによって、電場は生成され得る。周知のように、２つの導電板１２２、１２４の間の電位差は、電場を生じ、電位差は、２つの導電板１２２、１２４上に印加された電位が電場を生成するように、シングルエンド電源（例えば、一方の板に接地電圧を供給し、他方の板に正または負の電圧を供給すること）によって、または、デュアルエンド電源によって提供され得る。電場は、図１Ｂでは、電力線１２８として示されている。電力線１２８は、導電板１２２から導電板１２４まで、導管１０８を通って延在する。
【００４６】
いくつかの実施形態では、誘導性素子１０４により駆動信号に応答して生成される磁場および容量性素子１０６により駆動信号に応答して生成される電場は、同時に生じ得る。かかる時、電場および磁場は、共存し得る。それらそれぞれの力線は、導管１０８内で相互に関して実質的に直交し得る。例えば、磁力線１２６は、電力線１２８に直交する。電力および磁力線が実質的に相互に直交する空間の体積は、本明細書では「処理領域」と呼ばれ得る。一般に、本明細書で直交または実質的に直交と言及される場合、その関係は、偏差を含むことが意図される。偏差は、場が、低温殺菌すべき物質（例えば、液体および／または固体）、またはそれらの物質を含んでいる容器と複雑な相互作用を有する場合に生じ得る。一般に、物質との複雑な相互作用は、電場および／または磁場を回転させることがあり、電場と磁場とは、完全には直交しない可能性がある。しかし、一般に、これらの回転は小さい可能性があり、概ね垂直な電場と磁場との物理効果は、電場と磁場とが完全には垂直でない場合にも提供され得る。
【００４７】
一般に、処理領域は、磁場（および流体の流れ）方向に沿った方が、その方向に垂直な方よりも長い可能性がある。いくつかの例では、大きな電場歪みは主に、磁場に垂直な平面内にあり得る。そのため電場は主に磁場に対して垂直のままであり、誘導電流による磁場の歪みは小さい可能性がある。
【００４８】
直交は、一般に、電場と磁場との間に、力線が９０度に成すことを指す。しかし、場生成における様々な不完全性および／または導管、容器、流体、固体、および他の材料によって生じた場の歪みに起因して、直交する電場と磁場との間の角度は、９０度よりわずかな量だけ異なり得る。例えば、電場と磁場との間の角度は、９０度±１度、±２度、±３度、±４度、±５度であり得る。したがって、例えば、いくつかの例では、力線間に８９〜９１度の角度、８８〜９２の角度、８７〜９３度の角度、８６〜９４度の角度、または８５〜９５度の角度があり得る。
【００４９】
理論に縛られることなく、電気と磁気との組み合わせ低温殺菌は、いくつかの例では、病原体死滅率を改善し得る相乗効果を有する可能性がある。これらの効果の１つは、磁気絶縁であり得る。それにより、電気破壊をより高い電場に遅らせることができる。しかし、磁場は電場に対して完全には垂直ではない可能性があり、代わりに、小さい誤差角度θ（例えば、いくつかの例では、θは０〜５度であり得る）があり得る。一般に、破壊電圧は、θ＝０で最も高く、θに伴い、二次的に（θ２として）減少し得る。破壊電圧が約１０パーセントを超えて変わらないようにθの変動が許容されてもよい。それは、いくつかの例では、５度までの変動に関連し得る。いくつかの例では、破壊電圧の測定は、本明細書に記載の誘導性素子（例えば、磁石）を位置付けるために使用され得る。いくつかの例では、誘導性素子（例えば、磁石）が徐々に移動され得る際に破壊電圧を測定することができ、所望のかつ／または最大の破壊電圧の位置が選択され得る。
【００５０】
図１Ａに示すように、処理領域１１８は、磁力線１２６および電力線１２８が延在して共存する空間の体積内に形成され得る。前述のとおり、物質は、同期化された磁場および電場に晒されると、低温殺菌することができる。そのため、処理領域１１８を通って導管１０８を延出させることにより、処理領域１１８を通過する導管１０８内の物質は、同期化された電場および磁場に晒されることによって低温殺菌することができる。ＰＥＦおよびＰＭＦを生成する実施形態では、処理領域１１８を通過する導管１０８内の物質は、同期化されたＰＥＦおよびＰＭＦに晒されることによって低温殺菌することができる。
【００５１】
図１Ａを再度参照すると、ジュース、牛乳、液状卵、スムージーなどの物質１２０が、例えば、導管１０８を通って移送され、例えば、流動しているときに、システム１００は、物質を同期化された電場および磁場に晒すことによって、物質１２０を低温殺菌し得る。例えば、コントローラ１０２は、磁場および電場の同時生成を引き起こすために、駆動信号を誘導性素子に、且つ駆動信号を容量性素子に提供し得る。そのように、２つの場が同じ空間体積内で同時に生じるように、磁場および電場は同期して生成され得る。物質を磁場および電場に同時に晒すことは、前述の相乗効果をうまく利用することができる。相乗効果は、物質が破壊されることなく、より高い電場を物質に印加できるようにする磁気効果により、システム１００は、より高い死滅率、例えば、ｌｏｇ４またはｌｏｇ５などを獲得することができる。
【００５２】
いくつかの実施形態では、コントローラ１０２は、周期的駆動信号を誘導性素子１０４および容量性素子１０６に提供し得る。周期的駆動信号は、誘導性素子１０４および容量性素子１０６に、パルス磁場および電場をそれぞれ生成させ得る。前述のとおり、パルス場は、システム１００がより高い電場および磁場を生成するのを可能にして、物質の低温殺菌をさらに向上させ得る。
【００５３】
いくつかの実施形態では、システム１００は、物質、例えば、食品物質を、同期化されたパルス電場および磁場、例えば、ＰＥＦおよびＰＭＦに晒すことにより、その物質を低温殺菌することができる。物質は、誘導性素子１０４および容量性素子１０６を通って延在する導管１０８の部分、例えば、処理領域１１８内にあるとき、ＰＥＦおよびＰＭＦに晒され得る。コントローラ１０２は、駆動信号を、カップリング１１４を介して誘導性素子１０４に提供することができる。また、駆動信号を、カップリング１１６を介して容量性素子１０６に提供し得る。駆動信号は、周期的信号、例えば、発振信号であってもよく誘導性素子１０４および容量性素子１０６に、それぞれ、磁場および電場を生成させることができる。いくつかの実施形態では、生成された磁場および電場は、実質的に同時に生じ得る。それにより、電場および磁場強度を実質的に同時に提供する。実質的に同時にとは、一般に、ほぼ同時に、を指す。１００％ピーク場が同時に生じてもよく、またはいくつかの例では、各々の９０％を上回る場強度が同時に生じてもよく、またはいくつかの例では、各々の８０％を上回る場強度が同時に生じてもよい。一般に、低温殺菌を引き起こすのに十分な場強度は、ある期間において、一緒に存在する。いくつかの例では、磁場および電場のピークの場強度は、数マイクロ秒、数ミリ秒、または数秒によって分離され得る。センサー１１０は、処理領域１１８内で生成された磁場および／または電場強度を測定することができる。それに応じて、センサー１１０は、それに基づいてフィードバックをコントローラ１０２に提供し得る。コントローラ１０２は、フィードバックに基づいて、誘導性素子１０４、容量性素子１０６、またはその両方に提供される駆動信号を調整して、磁場および電場が所望の場強度を満たすように保証することができる。所望の場強度は、処理領域内の物質に依存し得るが、一般的には、物質を低温殺菌するのに十分な強度として説明され得る。対象電場強度の範囲例は、１０〜３０ｋＶ／ｃｍであり得る。対象磁場強度の範囲例は、２〜１００テスラであり得る。いくつかの実施形態では、可能な最高の死滅率を獲得するために、電場および磁場は、実質的に同時にピークに達することは望ましい場合がある。ピーク時間の範囲例は２〜２００マイクロ秒である。磁場および電場が生成されている間、食品物質が導管１０８を通って流れている可能性がある。導管１０８内の物質が処理領域１１８内にあるとき、食品物質は、同時に存在する電場および磁場に晒される可能性があり、それは物質を低温殺菌することができる。
【００５４】
いくつかの実施形態では、システム１００は、所望の食品物質を、食品物質の低温殺菌用の導管１０８に提供可能な食品加工施設の一部であり得る。導管１０８は、食品加工製造ラインの一部であり得る。例えば、食品物質を貯蔵タンクから受け取って、例えば、低温殺菌された食品物質を別の貯蔵タンクに供給し得る。低温殺菌後、食品物質は、食品加工施設の包装ステーションに供給され得る。
【００５５】
図１Ｃは、本開示の少なくともいくつかの実施形態に従って配置された、低温殺菌または部分的低温殺菌システムのシステム例１５０を示す図である。システム１５０は、システム１００と同じ構成要素の多くを有し、それらは同様の番号を付けられていて、さらには説明されない。システム１５０は、包装された食品物質を低温殺菌するように構成され得る。例えば、システム１５０は、導管１０８内の処理領域１１８を通って移送され得る包装された物質１３０を低温殺菌することができる。包装材料は、ガラス、プラスチック、紙を含むことができ、一般に、磁場および電場の貫通する任意の材料であり得る。いくつかの実施形態では、媒体を使用して包装された物質１３０を、導管１０８を通して移送することができる。例えば、水を使用して包装された物質１３０を、導管１０８を通して移送することができる。
【００５６】
システム１５０は、システム１００と同様に、誘導性素子１０４および容量性素子１０６に磁場および電場を生成させ得る。例えば、コントローラ１０２は、カップリング１１４および１１６を介して、駆動信号を、誘導性素子１０４および容量性素子１０６に、それぞれ提供し得る。周期的信号であり得る駆動信号は、誘導性素子１０４に磁場を生成させ、容量性素子１０６に電場を生成させ得る。磁場および電場が相互作用する誘導性素子１０４および容量性素子１０６内の空間の体積は、処理領域であり得る。システム１００内のように、導管１０８が、処理領域１１８を通って延在し、それにより、包装された物質１３０を、処理領域１１８を通して移送する。包装された物質が処理領域１１８内にある間に、それらは、包装された物質１３０を低温殺菌するのに十分に強い場強度で、磁場および電場に晒され得る。いくつかの実施形態では、コントローラ１０２は、誘導性素子１０４および容量性素子１０６に、パルス磁場および電場を生成させるパルス駆動信号を提供し得る。
【００５７】
いくつかの例では、導管１０８内の食品物質は、いくつかの例では、食品の包装も含めて、低温殺菌されているとき、連続的に処理領域１１８を通って流れてもよい（例えば、食品物質および／または食品物質の包装は、電場および／または磁場が導管１１８にわたって印加されているとき、処理領域１１８を通って導管１０８内を移動する可能性がある）。導管１０８は、当然ながら、流体の連続流を処理する低温殺菌システムにふさわしいが、このような例は非限定的であり、バッチプレスで一連の設定されたボリュームを処理する低温殺菌システムも本開示によって包含される。例えば、流体および／または流体の包装は、導管１０８全体にわたって印加される電場および／もしくは磁場の持続時間、または持続時間の一部の間、導管１０８内で静止している可能性がある。例えば、いくつかの例では、ある長さの導管１０８が、液体の包装を含む液体で満たされたとき、バッチ処理が使用され得る。電場および／または磁場が液体に印加され、次いで、低温殺菌された液体が導管１０８から取り除かれ得る。導管１０８は、一般に、電場および磁場が導管１０８にわたって印加されるのを可能にする任意の食品グレード材料から形成され得る。導管１０８内の食品物質は、導管１０８全体にわたって印加された電場および／または磁場に晒され、例えば、それによって処理され得る。
【００５８】
低温殺菌システム１００は、連続的に、またはバッチのいずれかで、導管１１０内に供給された液体を低温殺菌するように機能することができる。本明細書に記載の例による低温殺菌され得る液体は、ワインおよびビールを含むアルコール飲料、水、牛乳、ジュース（野菜および果物ジュースを含む）、シロップ、酢、およびそれらの組合せを含むが、それらに限定されない。いくつかの例では、固形食料製品が導管１１０を通って移送されてもよく、本明細書に記載の例に従って低温殺菌されてもよい。そのような固形食料製品は、チーズおよびバターを含む乳製品、ならびに卵を含むが、それらに限定されない。
【００５９】
図２Ａおよび図２Ｂは、本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態に従って配置された容量性素子の配置の概略図である。図２Ａは、図１Ａの容量性素子１０６を実装するために使用され得る容量性素子２００の２つの断面図を示しており、図２Ｂは、図１Ａの容量性素子１０６を実装するために使用され得る容量性素子２５０の２つの断面図を示す。いくつかの実施形態では、容量性素子２００および２５０も図１Ａの導管１０８の少なくとも一部を形成し得る。つまり、導管１０８の少なくとも一部は、容量性素子２００および２５０などの容量性素子を形成するように構成され得る。図２Ａおよび図２Ｂに示す様々な構成要素は例に過ぎず、構成要素の取り除き、構成要素の組み合わせ、および構成要素の置換を含む他の変形形態は全て考慮される。
【００６０】
図２Ａの上部は、容量性素子２００の軸方向断面図２０２を示す。容量性素子２００は、２つの導電側２０６および２０８、ならびに２つの絶縁側２１０および２１２を含む。２つの導電側２０６および２０８は、２つの導電側２０６および２０８がエアギャップの周囲に平行板コンデンサを形成するように、２つの絶縁側２１０および２１２によって相互に分離される。エアギャップは、２つの導電側２０６と２０８との間に容量効果を確立し得る。２つの導電側２０６および２０８は、任意の導電材料、例えば、ステンレス鋼から形成されてもよく、２つの絶縁側は、任意の非導電材料、例えば、ガラスまたはプラスチックから形成されてもよい。
【００６１】
図２Ａの下部は、容量性素子２００の縦方向断面図２０４を示す。ビュー２０４に示すように、２つの導電側２０６および２０８は、２つの導電板間に電位差が確立される場合に、平行板コンデンサを形成し、コンデンサの２つの板の間に延在する電場を操作的に生成する。電場は、力線２２２によって示されている。例えば、正電圧が領域２００の一方の側、例えば、左側に印加されてもよく、反対側、例えば、右側は、接地されてもよい。しかし、本開示は、２つの導電側２０６と２０８との間に電位差を確立するための任意の既知の技術を考慮する。例えば、電位差は、図のように、シングルエンド電源を使用して確立され得る。いくつかの実施形態では、電位差は、差動電源を使用して確立されてもよく、差動電源は、正電圧を２つの導電側２０６、２０８の一方に、負電圧を他方の導電側２０６、２０８に供給し得る。いくつかの実施形態では、電位差は、例えば、駆動信号を提供するコントローラ、例えば、図１Ａのコントローラ１０２によって確立され得る。
【００６２】
図２Ｂの上部は、容量性素子２５０の断面図２１４を示す。容量性素子２５０は、コア２２０および円筒状の外側シェル２１８を含み得る。コア２２０および円筒状の外側シェル２１８の配置は、同軸コンデンサを形成し得る。コア２２０は、エアギャップによって円筒状の外側シェル２１８から分離されてもよく、コア２２０が円筒状の外側シェル２１８の縦軸に沿って延在するように、絶縁材料によって周期的な位置で円筒状の外側シェルに取り付けられ得る。コア２２０と円筒状の外側シェル２１８との間のエアギャップは、その２つの構成要素間に容量効果を確立し得る。コア２２０および円筒状のシェル２１８は、１つ以上の導電材料、例えば、ステンレス鋼を使用して実装され得る。いくつかの実施形態では、容量性素子２５０は、図１Ａの導管１０８などの導管の少なくとも一部を形成し得る。いくつかの例では、物質は、コアと円筒状の外側シェル２１８との間の間隙内で容量性素子２５０を通って流れ得る。
【００６３】
図２Ｂの下部は、容量性素子２５０の縦方向の断面図２１６を示す。電場を容量性素子２５０内に生成するために、コア２２０と円筒状の外側シェル２１８との間に電位差が確立され得る。例えば、コア２２０には正電圧が印加されてもよく、円筒状の外側シェル２１８は接地され得る。そのため、コア２２０と円筒状の外側シェル２１８との間に電位差が確立され得る。それによって、それらの間に径方向の電場を生成し得る。径方向の電場は、力線２２４として示されているように、コア２２０上から始まり、円筒状の外側シェル２１８上で終わる。しかし、本開示は、コア２２０と円筒状の外側シェル２１８との間に電位差を確立するための任意の既知の技術を考慮する。例えば、電位差は、図のように、シングルエンド電源を使用して確立され得る。いくつかの実施形態では、電位差は、差動電源を使用して確立され得、差動電源は、コア２２０または円筒状の外側シェル２１８のいずれかの一方に正電圧を印加し、他方に負電圧を印加し得る。いくつかの実施形態では、電位差は、駆動信号を提供するコントローラ、例えば、図１Ａのコントローラ１０２によって確立され得る。
【００６４】
図３Ａ〜図３Ｃは、本開示の少なくともいくつかの実施形態による、導管、容量性素子、および誘導性素子のための様々な構成例の概略図である。図３Ａは、本開示の少なくともいくつかの実施形態による構成例３００の概略図である。構成例３００は、導管３０２、容量性素子３０４、および誘導性素子３０８を含む。構成例３００は、例えば、システム１００または１５０のいずれかで、容量性素子１０６、誘導性素子１０４、および導管１０８を配置するための構成として、使用され得る。図３Ａの下部は、構成例３００の断面図を示す。構成例３００に関して、容量性素子３０４は、導管３０２の両側に配置された２つの板から形成されていると示されている。このように、容量性素子３０４は、２つの側面間に間隙のある平行板コンデンサを形成して、容量性素子３０４の容量効果を確立し得る。さらに、２つの板は導管３０２の直径に応じた高さを有することができ、そのため、通電されると、容量性素子３０４は、導管３０２の全内部体積にわたって延在する電場を生成し得る。誘導性素子３０６は、導管３０２および容量性素子３０４を取り囲む円として示されている。
【００６５】
図３Ａの上部は、構成例３００の斜視図を示す。図３Ａの上部で見ることができるように、容量性素子３０４は、導管３０２の少なくとも一部に沿って延在する長さを有し得る。さらに、誘導性素子３０６は、直径および長さをもつ円筒形状を有するコイル状ワイヤーから形成され得る。誘導性素子３０６の直径は、導管３０２および容量性素子３０４を取り囲むのに十分な大きさであってもよく、誘導性素子３０６の長さは、容量性素子３０４の長さに応じたものであってもよい。通電されると、誘導性素子３０８は、導管３０２内に、そして導管３０２の縦軸に沿って延在する磁場を生成し得る。容量性素子３０４および誘導性素子３０６の両方内の空間の体積は、図１Ｂに関して前述したように、生成された磁場および電場が共存して相互作用する場所であるので、その体積は、図１Ａの処理領域１１８のような処理領域を形成し得る。その結果、処理領域を通って延出する導管３０２の一部は、低温殺菌の目的で、物質を、処理領域を通して送達することが可能であり得る。
【００６６】
図３Ｂは、本開示の少なくともいくつかの実施形態による構成例３２５の略図である。構成例３２５は、円筒状の外側シェル３１０、コア３１２、および誘導性素子３１４を含む。円筒状の外側シェル３１０およびコア３１２は、エアギャップによって分離されてもよく、組み合わせて容量性素子を形成し得る。構成例３２５は、例えば、システム１００または１５０のいずれかで、容量性素子１０６、誘導性素子１０４、および導管１０８を配置するための構成として、使用され得る。図３Ｂの下部は、構成例３２５の断面図を示す。構成例３２５において、容量性素子は、コア３１２および円筒状の外側シェル３１０から形成されている。このように、容量性素子は、コアと円筒状の外側シェルとの間に間隙のある同軸コンデンサであって、容量効果を確立し得る。さらに、円筒状の外側シェル３１０は、図１Ａの導管１０８などの導管の少なくとも一部を形成し得る。通電されると、同軸容量性素子は、コア３１２と円筒状の外側シェル３１０との間の導管の体積にわたって延在する電場を生成し得る。誘導性素子３１４は、円筒状の外側シェル３１０を取り囲む円として示されている。
【００６７】
図３Ｂの上部は、構成例３２５の斜視図を示す。図３Ｂの上部に見ることができるように、コア３１２は、円筒状の外側シェル３１０の少なくとも一部に沿って延在する長さを有し得る。円筒状の外側シェル３１０およびコア３１２は、相応の長さにおいて導電性があってもよい。円筒状の外側シェル３１０およびコア３１２の両方が導電性である相応の長さは、同軸容量性素子を確立し得る。さらに、誘導性素子３１４は、直径および長さをもつ円筒形状を有するコイル状ワイヤーから形成され得る。誘導性素子３１４の直径は、円筒状の外側シェル３１０を取り囲むのに十分な大きさであってもよく、誘導性素子３１４の長さは、確立された同軸容量性素子と少なくとも相応のものであってもよい。通電されると、誘導性素子３１４は、円筒状の外側シェル３１０内に、そしてコア３１２に沿って延在する磁場を生成し得る。このように、磁場は、コア３１２と円筒状の外側シェル３１０との間の間隙内に存在し得る。確立された同軸容量性素子および誘導性素子３１４の両方内の空間の体積は、図１Ｂに関して前述したように、生成された磁場および電場が共存して相互作用する場所であるので、その体積は、図１Ａの処理領域１１８のような処理領域を形成し得る。
【００６８】
図３Ｃは、本開示の少なくともいくつかの実施形態による構成例３５０の概略図である。構成例３５０は、導管３１６、複数のアーチ型導電性部３１８および３２０、ならびに誘導性素子３２２を含む。構成例３５０は、例えば、システム１００または１５０のいずれかで、容量性素子１０６、誘導性素子１０４、および導管１０８を配置するための構成として、使用され得る。図３Ａの下部は、構成例３５０の断面図を示す。いくつかの実施形態では、複数のアーチ型導体素子３１８および３２０は、導管３１６の外表面上に形成され得る。いくつかの実施形態では、複数の導体素子３１８および３２０は、導管３１６のアーチ型部を形成し得る。構成例３５０では、容量性素子は、複数のアーチ型導電性部３１８および複数のアーチ型導電性部３２０から形成され得る。例えば、複数のアーチ型導電性部３１８は、容量性素子の一方の側を形成してもよく、他方、複数のアーチ型導電性部３２０は、容量性素子の他方の側を形成する。導管３１６は、形成された容量性素子の２つの側面の間にエアギャップを形成し得る。このように、複数の導体素子３１８および３２０から形成された容量性素子は、導管３１６の直径と相応のエアギャップを有する平行板コンデンサに近似し得る。導管３１６内に電場を生成するために、複数のアーチ型導体素子３１８および３２０には、複数の異なる電位が提供されてもよい。これらの電位は、例えば、図３Ａの２つの平行板によって提供されるものと同様に、一定の強度および方向の電場を処理ゾーン内に提供するように調整され得る。一般に、様々な異なる電圧を素子３１８および３２０のセグメントに印加して場の成形を可能にすることができる。誘導性素子３２２は、導管３１６ならびに複数の導体素子３１８および３２２を取り囲む円として示されている。
【００６９】
図３Ｃの上部は、構成例３５０の斜視図を示す。図３Ｃの上部に見ることができるように、複数のアーチ型導電素子３１８および３２０は、導管３１６の少なくとも一部に沿って延在する長さを有し得る。さらに、誘導性素子３２２は、直径および長さをもつ円筒形状を有するコイル状ワイヤーから形成され得る。誘導性素子３２２の直径は、導管３１６ならびに複数のアーチ型導電素子３１８および３２０を取り囲むのに十分な大きさであってもよく、誘導性素子３０６の長さは、複数のアーチ型導電素子３１８および３２０の長さと相応のものであってもよい。通電されると、誘導性素子３２０は、導管３１６内に、そして導管３１６の縦軸に沿って延在する磁場を生成し得る。複数の導電素子３１８および３２０と、誘導性素子３０６との両方内の空間の体積は、図１Ｂに関して前述したように、生成された磁場および電場が共存して相互作用する場所であるので、その体積は図１Ａの処理領域１１８のような処理領域を形成し得る。その結果、処理領域を通って延出する導管３１６の一部は、低温殺菌の目的で、物質を、処理領域を通して送達することが可能であり得る。
【００７０】
図４は、本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態により配置された低温殺菌システム４００の概略図である。図４は、コントローラ４０２、第１のインダクタンス４０８、第１のキャパシタンス４１０、第２のインダクタンス４１２、第２のキャパシタンス４１４、第１のセンサー４１６、第２のセンサー４１８、第１の導管４２０、および第２の導管４２２を含む。システム４００は、それらの電気部品、例えば、交差結合された誘導性素子および容量性素子を有する２つのシステム例１００または１５０を含み得る。図４に示す様々な構成要素は例に過ぎず、構成要素の取り除き、構成要素の組み合わせ、および構成要素の置換を含む他の変形形態は全て考慮される。
【００７１】
コントローラ４０２は、カップリング４３０を介して第１のインダクタンス４０８および第２のキャパシタンスに結合され得る。さらに、コントローラ４０２は、カップリング４２８を介して第２のコンダクタンス４１２および第１のキャパシタンス４１０に結合され得る。コントローラはさらに、カップリング４２４を介して第１のセンサー４１６に結合され、カップリング４２６を介して第２のセンサー４１８にも結合され得る。
【００７２】
第１のインダクタンス４０８は、コントローラ４０２に結合されてもよく、さらに、カップリング４３２を介して第２のキャパシタンス４１４に結合され得る。第１のインダクタンス４０８は、第１のキャパシタンス４１０および第１の導管４２０の両方の周囲に物理的に配置され得る。第１のキャパシタンスは、コントローラ４０２に結合され、さらに、カップリング４３４を介して第２のインダクタンス４１２に結合される。第１のキャパシタンスは、第１の導管４２０の周囲に物理的に配置される。
【００７３】
第２のコンダクタンスは、コントローラ４０２に結合され、さらに、カップリング４３４を介して第１のキャパシタンス４１０に結合される。第２のインダクタンスは、第２のキャパシタンス４１４および第２の導管４２２の両方の周囲に物理的に配置される。第２のキャパシタンスは、コントローラ４０２に結合され、さらに、カップリング４３２を介して第１のインダクタンス４０８に結合される。
【００７４】
第１のセンサー４１６は、第１の導管４２０内に配置されて、コントローラ４０２に結合される。第２のセンサー４１８は、第２の導管４２２内に配置されて、コントローラ４０２に結合される。
【００７５】
第１の導管４２０は、第１のインダクタンス４０８を通って、第１のキャパシタンス４１０の間に延在し得る。第１の導管４２０は、円形、四角形、楕円形などの任意の断面形状であり得る。また、第１の導管４２０は、食品物質、例えば、液状食品、固形食品、またはそれらの組合せなどを、低温殺菌処理領域を通して移送するように構成され得る。第２の導管４２２は、第２のインダクタンス４１２を通って、第２のキャパシタンス４１４の間に延在し得る。第２の導管４２２は、円形、四角形、楕円形などの任意の断面形状であり得る。また、第２の導管４２２は、食品物質、例えば、液状食品、固形食品、またはそれらの組合せなどを、低温殺菌処理領域を通して移送するように構成され得る。
【００７６】
第１の共振回路は、第１のインダクタンス４１０および第２のキャパシタンス４１４によって形成され得る。コントローラ４０２は、カップリング４２８を介して第１の駆動信号を第１の共振回路に提供し得る。さらに、第２の共振回路は、第２のインダクタンス４１２および第１のキャパシタンス４１０によって形成され得る。コントローラ４０２は、カップリング４３０を介して第２の駆動信号を第２の共振回路に提供し得る。
【００７７】
第１の処理領域４０４は、第１のインダクタンス４０８と第１のキャパシタンス４１０との物理的配列から形成され得る。第１の処理領域４０４は、第１のインダクタンス４０８によって生成された磁場と、第１のキャパシタンス４１０の電場とが共存し得る、例えば、占有し得る体積であり得る。第１のインダクタンス４０８によって生成された磁場および第１のキャパシタンス４１０によって生成された電場は、処理領域内で実質的に相互に直交してもよく、図１Ｂに示す電場および磁場に類似しているように見えてもよい。第１のインダクタンス４０８、第１のキャパシタンス４１０、および第１の導管４２０の物理的配列は、図３Ａ〜図３Ｃに示す例のいずれかとして構成され得る。
【００７８】
第２の処理領域４０６は、第２のインダクタンス４１２および第２のキャパシタンス４１４の物理的配列から形成され得る。第２の処理領域４０６は、第２のインダクタンス４１２によって生成された磁場と、第２のキャパシタンス４１４によって生成された電場とが共存し得る、例えば、占有し得る体積であり得る。第１および第２の処理領域４０４および４０６は、例えば、図１Ａの処理領域１１８に類似し得る。第２のインダクタンス４１２によって生成された磁場と、第２のキャパシタンス４１４によって生成された電場とは、処理領域内で実質的に相互に直交してもよく、図１Ｂに示す電場および磁場に類似しているように見えてもよい。同様に、第２のインダクタンス４１２、第２のキャパシタンス４１４、および第２の導管４２２の物理的配列は、図３Ａ〜図３Ｃに示す例のいずれかとして構成され得る。
【００７９】
本明細書に記載のように、２つ以上の共振回路を利用して、パルス電場および／またはパルス磁場低温殺菌システムを作動させることは望ましい場合がある。２つ以上の共振回路を有していると、誘導性素子と容量性素子との間で振動する回路内のエネルギーに起因して、何らかのエネルギー節約をもたらし得る。しかし、一般に、周期的信号でエネルギー供給される単一の共振回路では、容量性素子内のエネルギーは、第１の時間に、電場を生成し得る。次いで、容量性素子内のエネルギーは、周期的信号の変化に基づいて、誘導性素子に移動し始め得る。それに応じて、誘導性素子内のエネルギーは、後続の第２の時間に、磁場を生成し始め得る。処理領域に単一の共振回路を使用すると、いくつかの例では、同期化された磁場および電場を提供することは困難である。図４に示す低温殺菌システム４００などの本明細書に記載のいくつかの例は、複数の処理領域を含む。複数の処理領域、例えば、４０４および４０６は、１つの治療領域に物理的に関連する誘導性素子が、別の治療領域に物理的に関連する容量性素子に電気的に結合されて共振回路を形成するように、交差結合されていることを特徴とし得る。例えば、２つの処理領域の誘導性素子および容量性素子を、このような方法で電気的に結合することにより、２つの共振回路が同時に駆動されて、１つの共振回路内で生成される磁場を、他の共振回路内で生成される磁場と同時に生じさせ得る。さらに、１つの共振回路の容量性素子が、他の共振回路の誘導性素子と物理的に関連しているので、電場および磁場は、同じ処理領域内で同時に生じ得る。なお、当技術分野で周知のように、エネルギーは、各共振回路の容量性素子と誘導性素子との間で流れ得るので、２つの処理領域は、異なる時間にエネルギー供給されると言える。共振回路にエネルギー供給するために周期的信号が使用される場合、エネルギーは、２つの処理領域間で振動するように見え得る。
【００８０】
処理領域４０４、４０６は各々、例えば、図１Ａのシステム１００の少なくとも一部を使用して実装され得る。各処理領域４０４、４０６は、少なくとも１つの関連する誘導性素子および１つの関連する容量性素子を有し得る。容量性素子は、例えば、平行板処理領域を形成するために使用される平行板、および／または、いくつかの例では、同軸処理領域を通して低温殺菌すべき物質を搬送するために使用される導電性チューブおよびコアを使用して実装され得る。誘導性素子は、それぞれの導管を通って導管の縦軸に沿って延出する磁場を提供するように配置された導電コイル、および／または磁石を使用して実装され得る。示されたように、第１の処理領域４０４は、例えば、平行導電板として実装された第１の容量性素子４１０、および、例えば、導管２２０に巻き付けた磁石として実装された、第１の誘導性素子４０８によって形成される。示されたように、第２の処理領域４０６は、例えば、平行導電板として実装された第２の容量性素子４１４と、例えば、導管２２２に巻き付けた磁石として実装された第２の誘導性素子４１２とによって形成される。追加の容量性素子および／または誘導性素子が、例えば、容量性素子および／もしくは誘導性素子を含む共振回路を調整するため、または過剰なエネルギーを貯蔵するために、図４に示す処理領域と関連付けることができる。例えば、所望の磁場強度を生成するためのエネルギーは、所望の電場強度を生成するために必要なエネルギーよりも多くてもよい。そのため、いずれの処理領域とも物理的に関連していない追加のコンデンサを、過剰なエネルギーを貯蔵するために第１および第２の共振回路内に含めることができる。
【００８１】
一般に、図４に示す容量性素子および誘導性素子は、それらが関連する導管を通って、そしてそれに沿って延在する電場および磁場をそれぞれ生成するために配置され得る。一般に、本明細書に記載の例では、容量性素子および誘導性素子は、電場に対して実質的に直交する方向に磁場を生成するように配置され得る（処理領域内のアイテムに起因した場内の乱れ（ｄｉｓｒｕｐｔｉｏｎ）を含まない）。例えば、容量性素子４１０および４１４は、導管４２０および４２２にわたって延在する電場を生成するように配置され、他方、誘導性素子４０８および４１２は、導管４２０および４２２の縦軸に沿って延在する磁場を生成するように配置される。このように、実質的に直交する電場および磁場が導管４２０および４２２内に提供され得る。
【００８２】
本明細書に記載の例では、複数の処理領域は、複数の共振回路が形成されるように、交差結合され得る。例では、複数の共振回路を利用して、同期化されたピーク電場とピーク磁場を処理領域内に提供することを可能にし得る。図４を参照すると、２つの処理領域および２つの共振回路が説明されているが、３、４、５、６、７、８、９、１０、または他の数の処理領域および共振回路を含む他の数の処理領域および共振回路が他の例で使用され得る。第１の誘導性素子４０８（第１の処理領域４０４内に磁場を提供するために配置されている）は、第２の容量性素子４１４（第２の処理領域４０６内に電場を提供するために配置されている）に電気的に結合され得る。それによって、第１の誘導性素子４０８と第２の容量性素子４１４とは第１の共振回路を形成し得る。いくつかの例では、追加の容量性素子、誘導性素子、および／または抵抗素子も、その共振回路内に含まれ得る。誘導性素子４０８および容量性素子４１４を含む共振回路は、コントローラ４０２によって駆動され得る。共振回路の基本的動作に基づいて、コントローラ４０２によって提供された駆動信号は、まず、容量性素子４１４に電場を処理領域４０６内に生成させ、次いで、誘導性素子４０８に磁場を処理領域４０４内に生成させ得る。同様に、誘導性素子４１２（処理領域４０６内に磁場を提供するために配置されている）と容量性素子４１０（処理領域４０４内に電場を提供するために配置されている）とは、結合されて第２の共振回路を形成し得る。コントローラ４０２（または、いくつかの例では、別のコントローラ）は第２の共振回路を駆動し、それにより、コントローラ４０２によって提供された駆動信号は、まず、容量性素子４１０に電場を処理領域４０４内に生成させ、次いで、誘導性素子４１２に磁場を処理領域４０６内に生成させ得る。
【００８３】
一の共振回路の誘導性素子４１２を使用して領域４０６内にピーク磁場を生成し、他方、他の共振回路の容量性素子４１４を使用して実質的に同時に領域４０６内にピーク電場も生成するように、コントローラ４０２は、位相がずれた（例えば、位相が９０度ずれた）信号を２つの共振回路に提供し得る。さらに、異なる時間に、一の共振回路の誘導性素子４１２を使用して領域４０６内にピーク磁場を生成し、他方、他の共振回路の容量性素子４１４を使用して実質的に同時に領域４０６内にピーク電場も生成する。それによって、２つの共振回路は、一方のキャパシタンスが他方のインダクタンスと物理的に関連するように配置されているので、１つの処理領域のインダクタンスおよびキャパシタンスは同時に、それぞれの場を提供することができる。共振回路に提供される信号間に９０度の位相差を説明したが、いくつかの例では８５〜９５度、いくつかの例では７５〜１０５度、または他の例では他の位相差を含む他の位相差を使用することができる。さらに、異なる数の処理領域および共振回路を有する例では、共振回路に提供される信号間の位相差は、ピーク磁場およびピーク電場を同じ領域内で達成するように選択され得る。
【００８４】
センサー４１８、４１６は、それらそれぞれの処理領域の電場および／または磁場強度を測定し、その測定値をコントローラ４０２に提供するように構成されてもよい。センサー４１６、４１８は、容量性素子および誘導性素子によってそれぞれ生成された場の両方を測定するように少なくとも配置されてもよい。図４に示すセンサーの位置に限定すべきでない。所与の処理領域内で実質的に同時に生じる電場及び磁場の所望のピーク電場強度およびピーク磁場強度を達成し、かつ／または維持するために、コントローラ４０２は、本明細書に記載の共振回路に提供される駆動信号を調整することができる。
【００８５】
コントローラ４０２は、図４に示すシステムの共振回路に駆動信号（例えば、電圧、電流）を提供するように構成され得る。コントローラ４０２は、それに応じて、電圧源、電流源、および／または選択的に電力を共振回路に供給するように構成された他の電源に結合され得る。いくつかの例では、コントローラ４０２は、第１の共振回路（例えば、誘導性素子４０８および容量性素子４１４を含む）に第１の駆動信号を提供し、さらに、第２の共振回路（例えば、容量性素子４１０および誘導性素子４１２を含む）に第２の駆動信号を提供するように構成され得る。実質的に同様である第１および第２の共振回路に基づいて、第１および第２の駆動信号は、実質的に同様であり得るが、異なる時間に提供されてもよい。例えば、第１および第２の信号は、正弦波、矩形波、ＤＣパルスなどの発振信号であって、相互に関して位相をずらして提供されてもよいが、それ以外、振幅、周波数、デューティサイクルなどに関しては一致するように提供され得る。
【００８６】
コントローラ４０２は、信号を共振回路にそれらの共振周波数で提供して、各々の共振回路から改善され、および／または最大のエネルギー効率を得るように構成され得る。いくつかの例では、コントローラ４０２は、センサー４１６および４１８から受信したフィードバックに基づいて、共振回路に提供される信号を動的に調整し得る。例えば、コントローラ４０２は、１つ以上の処理領域内のピーク電場およびピーク磁場のタイミングに基づいて、第１および第２の共振回路に提供される第１および第２の信号の振幅、および／または周波数、位相、デューティサイクル、周期、または他の特性を調整するように構成され得る。
【００８７】
図５Ａは、本明細書に記載のいくつかの実施形態により配置された、図４の低温殺菌システム４００の部分の概略図である。
【００８８】
図５Ａは、第１および第２の共振回路５１０および５１２を示す。第１の共振回路５１０は、第１のインダクタＬ１（図４の誘導性素子４０８を含み得る）、抵抗Ｒ１（図４の誘導性素子４０８および容量性素子４１４と関連する寄生抵抗を含み得る）、および第２のコンデンサＣ２（図４の容量性素子４１４を含み得る）を含む。信号源５１４は、第１の共振回路５１０に誘導結合されて示されている。信号源５１４は、例えば、図４のコントローラ４０２によって制御されてもよく、かつ／または図４のコントローラ４０２は、本明細書で説明する様々な信号を提供するようにプログラムされるか、または別の方法で構成され得る。第２の共振回路５１２は、第２のインダクタＬ２（図４の誘導性素子４１２を含み得る）、抵抗器Ｒ２（図４の誘導性素子４１２および図４の容量性素子４１０の寄生抵抗を含み得る）、および第１のコンデンサＣ１（図４の容量性素子４１０を含み得る）を含む。第２の共振回路５１２は、信号源５１６に誘導結合されて示されている。信号源５１６は、例えば、図４のコントローラ４０２によって制御されてもよく、かつ／または図４のコントローラ４０２は、本明細書で説明する様々な信号を提供するようにプログラムされるか、または別の方法で構成され得る。信号源５１４および５１６は、例えば、電圧または電流源によって実装され得る。
【００８９】
信号源５１４および５１６は、発振信号をそれらのそれぞれの共振回路の共振周波数ｆ０で提供するように構成され得る。説明のため、発振信号は、共振周波数ｆ０および所望の振幅に基づく所望の周波数の正弦波であり得る。さらに、信号源５１４、５１６は、実質的に位相が相互に９０度ずれている発振信号を提供してもよい。９０度の使用は、例示に過ぎず、限定的と考えられるべきでない。いくつかの実施形態では、第１および第２の共振回路５１４、５１６の共振周波数は、実質的に同じであり得るが、異なる共振周波数も使用され得る。
【００９０】
いくつかの実施形態では、第１および第２の共振回路５１０、５１２は、電場および磁場がパルス化される所望の周波数に基づいて設計され得る。所望の周波数に基づいて、各共振回路の共振周波数ｆ０（例えば、回路内の誘導性素子、抵抗素子、および容量性素子の値）は、パルス電場および磁場に対して所望の周波数に一致するように選択され得る。
【００９１】
図５Ｂは、本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態による２つの共振回路５１０、５１２の物理的配置例５２５である。第１および第２の共振回路５１０および５１２は、図５Ａに示すように電気的に結合され得るが、図５Ｂに示すように物理的に配置され得る。２つの交差結合された共振回路５２５の物理的配置は、第１のインダクタＬ１が第２のコンデンサＣ２に近接して物理的に配置されていることを示し、第２のコンデンサＣ２は、例えば、処理領域５１８と関連付けられ得る。処理領域５１８は、図４の処理領域４０４の一例であり得る。同様に、第２のインダクタＬ２および第１のコンデンサＣ１の物理的配置は、処理領域５２０と関連付けられ得る。処理領域５２０は、図４の処理領域４０６の一例であり得る。図５Ａは、２つの交差結合された共振回路の電気的結合を示しているが、図５Ｂは、２つの交差結合された共振回路の物理的配置を提供し得る。２つの共振回路は、交差結合されていると説明されているが、本開示の交差結合の態様は、２つの共振回路５１０、５１２によって形成される処理領域を特徴付ける。
【００９２】
図５Ｃは、本明細書に記載のいくつかの例による、処理領域４０４および４０６内の電場および磁場の振幅を経時的に示すタイミング図である。上のグラフ５０２は、処理領域５１８内に提供され得る電場例Ｅ１および磁場例Ｂ１を示す。下のグラフ５０４は、処理領域５２０内に提供され得る電場例Ｅ２および磁場例Ｂ２を示す。電場Ｅ１は、コンデンサＣ１（例えば、図４の容量性素子４１０）の操作によって生成することができ、磁場Ｂ１は、インダクタＬ１（例えば、図４の誘導性素子４０８）の操作によって生成され得る。Ｃ１とＬ１とは異なる共振回路の一部であり、２つの共振回路は、９０度の位相のずれで駆動されるので、電場Ｅ１と磁場Ｂ１とは、処理領域５１８内で同期化されて、同時に生じ得る。下のグラフは、コンデンサＣ２（例えば、図４の容量性素子４１４）の操作によって生成される電場Ｅ２およびインダクタＬ２（例えば、図４の誘導性素子４１２）の操作によって生成される磁場Ｂ２を示す。Ｃ２とＬ２とは異なる共振回路の一部であり、２つの共振回路は、位相が９０度ずれで駆動されるので、Ｅ２とＢ２とは、処理領域５２０内で同期化されて、同時に生じ得る。
【００９３】
いくつかの実施形態では、所望の磁場振幅は約２テスラであり、所望の電場振幅は約１０ｋＶ／ｃｍであり得るが、他の例では他の強度も使用され得る。しかし、１０ｋＶ／ｃｍ電場振幅は、２Ｔ磁場振幅よりもはるかに低い電力で生成され得る。そのため、磁場のエネルギー密度は、電場のエネルギー密度よりも大きい可能性がある。そのため、誘導性素子から受け取った余分なエネルギーを貯蔵するために余分なキャパシタンスが各共振回路に追加され得る。いくつかの実施形態では、余分なキャパシタンスは、処理領域内に電場を提供するために使用される容量性素子（例えば、図４の容量性素子４１０および４１４）と並列に結合され得る。
【００９４】
図６は、本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態による低温殺菌のための方法例６００を示す流れ図である。方法例は、ブロック６０２および／または６０４の１つ以上によって示されるように、１つ以上の操作、機能または動作を含み得る。ブロック６０２〜６１０で説明される操作は、コンピュータ可読媒体、例えば、コンピューティング装置または同様に構成された何らかの他のコントローラのコンピュータ可読媒体などに格納されたコンピュータ実行可能命令の実行（例えば、本明細書に記載の１つ以上のプロセッサによる）に応答して、実行され得る。
【００９５】
プロセス例は、「低温殺菌すべき第１の物質を第１の処理領域に供給する」と示すブロック６０２から開始し得る。ブロック６０２の後には、「低温殺菌すべき第２の物質を第２の処理領域に供給する」と示すブロック６０４が続き得る。ブロック６０４の後には、「第１の時間に、第１の磁場および第１の電場を第１の処理領域内に生成し、第１の磁場の方向および第１の電場の方向が第１の処理領域内で実質的に相互に関して直交する」と示すブロック６０６が続き得る。ブロック６０６の後には、「第２の時間に、第２の磁場および第２の電場を第２の処理領域内に生成し、第２の磁場の方向および第２の電場の方向が第２の処理領域内で実質的に相互に関して直交する」と示すブロック６０８が続き得る。ブロック６０８の後には、「第１および第２処理領域内で磁場および／または電場を感知する」と示すブロック６１０が続き得る。ブロック６１０の後には、「磁場および電場を第１および第２の処理領域内に提供するために使用される第１および第２の信号を動的に調整し、第１の信号は、第１の磁場の生成および第２の電場の生成を引き起こし、第２の信号は、第２の磁場および第１の電場の生成を引き起こす」と示すブロック６１２が続き得る。
【００９６】
記載された方法例に含まれるブロックは、説明のためである。いくつかの実施形態では、ブロックは、異なる順序で実行され得る。いくつかの他の実施形態では、様々なブロックを削除することができる。さらに他の実施形態では、様々なブロックが追加のブロックに分割されるか、他のブロックで補完されるか、またはより少ないブロックに統合されることができる。ブロックの順序の変更、他のブロックへの分割か、または統合に伴うブロックの内容の変更などを含み、これら特定のブロックの他の変形が考慮される。いくつかの例では、ピークの第１の磁場およびピークの第１の電場を第１の処理領域内に同時に提供すること、ならびに、第２の時間に、ピークの第２の磁場およびピークの第２の電場を第２の処理領域内に同時に提供することは、異なる時間、例えば、第１の時間と第２の時間とに実行することができる。
【００９７】
ブロック６０２は、「低温殺菌すべき第１の物質を第１の処理領域に移送する」と示す。ブロック６０２の後には、「低温殺菌すべき第２の物質を第２の処理領域に移送する」と示すブロック６０４が続き得る。いくつかの例では、物質は、同じ液状食品（例えば、牛乳、水、アルコール飲料、ジュース、酢）の一部であり得る。いくつかの例では、第１および第２の処理領域内の物質は異なり得る。移送は、連続的なポンピングまたはバッチ処理、例えば、処理領域を包含する導管もしくは他のベッセルへの流体の投入を含む、流体運動用の任意の機構を通して生じ得る。
【００９８】
ブロック６０６は、「第１の時間に、第１の磁場および第１の電場を第１の処理領域内に生成し、第１の磁場の方向および第１の電場の方向は、第１の食品処理領域内で実質的に相互に関して直交する」と示す。ブロック６０８は、「第２の時間に、第２の磁場および第２の電場を第２の処理領域内に生成し、第２の磁場の方向および第２の電場の方向は、第２の処理領域内で実質的に相互に関して直交する」と示す。ブロック６０６および６０８は、相互に位相がずれている信号を使用して、第１および第２の共振回路をそれらの共振周波数で駆動することによって実装され得る。例えば、第１の共振回路は、第１の処理領域内に磁場を供給するために配置された第１の誘導性素子と、第２の処理領域内に電場を供給するために配置された第１の容量性素子とを含み得る。第２の共振回路は、第２の処理領域内に磁場を供給するために配置された第２の誘導性素子と、第１の処理領域内に電場を供給するために配置された第２の容量性素子とを含み得る。コントローラは、位相がずれている（例えば、位相が９０度ずれている）信号を、第１および第２の共振回路に印加することができ、それにより、ピーク電場およびピーク磁場が第１の処理領域内に同時に提供され、異なる時間には、ピーク電場およびピーク磁場が第２の処理領域内に同時に提供される。使用される信号は、正弦波、三角波、パルス、およびそれらの組合せを含むが、それに限定されない任意の周期的信号であり得る。
【００９９】
ブロック６１０は、「第１および第２処理領域内で磁場および／または電場を感知する」と示す。処理領域内の場強度を感知するために１つ以上のセンサーを設けることができる。ピーク磁場およびピーク電場の振幅および時間は、例えば、本明細書に記載のプロセッサ、コントローラ、または他のコンピューティング装置を利用して、監視され得る。
【０１００】
ブロック６１２は、「磁場および電場を第１および第２の処理領域内に生成するために使用される駆動信号を動的に調整し、第１の信号は第１の磁場の生成および第２の電場の生成を引き起こし、第２の信号は、第２の磁場および第１の電場の生成を引き起こす」と示す。調整は、本明細書に記載のプロセッサ、コントローラ、または他のコンピューティング装置によって行われ得る。本明細書に記載の共振回路に提供される信号の振幅、周波数、および／または位相が調整され得る。例えば、ピーク磁場とピーク電場とが、処理領域内で実質的に同時に発生しない場合、ピーク電場とピーク磁場との同時発生を改善するために共振回路に提供される信号間の位相が変更され得る。所望の低温殺菌のための場強度が不十分であると分かった場合、共振回路に提供される信号の振幅が増大され得る。いくつかの例では、処理領域の一方または両方で温度が上回っている場合、共振回路（複数可）に提供される信号の振幅が減少され得る。
【０１０１】
方法６００は、液状食品を十分に低温殺菌するように実装され得る。例えば、第１および第２のピーク電場およびピーク磁場は、液状食品内に存在する細菌を死滅させるのに十分なレベルで誘導され得る。いくつかの例では、電場および磁場の同時存在の相乗効果に起因して、細菌集団を死滅させる場強度は、電場または磁場が単独でもしくは連続して使用された場合に必要とされるものよりも低い可能性がある。
【０１０２】
図７は、本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態による、低温殺菌システムを制御するために配置されるコンピューティング装置例７００を示すブロック図である。非常に基本的な構成７０１では、コンピューティング装置７００は、典型的には、１つ以上のプロセッサ７１０およびシステムメモリ７２０を含む。メモリバス７３０は、プロセッサ７１０とシステムメモリ７２０との間の通信のために使用され得る。
【０１０３】
所望の構成に応じて、プロセッサ７１０は、マイクロプロセッサ（μＰ）、マイクロコントローラ（μＣ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、またはそれらの任意の組合せを含むがそれらに限定されない任意のタイプのものであり得る。プロセッサ７１０は、１つ以上のレベルのキャッシング、例えば、レベル１のキャッシュ７１１およびレベル２のキャッシュ７１２、プロセッサコア７１３、ならびにレジスタ７１４などを含み得る。プロセッサコア例７１３は、演算論理ユニット（ＡＬＵ）、浮動小数点ユニット（ＦＰＵ）、デジタル信号処理コア（ＤＳＰコア）、またはそれらの任意の組合せを含み得る。メモリコントローラ例７１５はまた、プロセッサ７１０と共に使用され得るか、または、いくつかの実施態様では、メモリコントローラ７１５は、プロセッサ７１０の内部部品でもあり得る。
【０１０４】
所望の構成に応じて、システムメモリ７２０は、揮発性メモリ（ＲＡＭなど）、不揮発性メモリ（ＲＯＭ、フラッシュメモリなど）またはそれらの任意の組合せを含むが、それらに限定されず、任意のタイプのものであり得る。システムメモリ７２０は、オペレーティングシステム７２１、１つ以上のアプリケーション７２２、およびプログラムデータ７２４を含み得る。アプリケーション７２２は、図２の低温殺菌システム２００などの本明細書に記載の低温殺菌システムを操作するために構成された低温殺菌手順７２３を含み得る。プログラムデータ７２４は、低温殺菌データ７２５、所望の電場および／もしくは磁場強度および／もしくは持続時間、ならびに／または本明細書に記載の低温殺菌システムの実装に有用な他の情報を含み得る。例えば、プログラムデータ７２４は、処理されている液状食品のタイプ、設定された流速、許容な温度範囲、所望のＰＥＦおよびＰＭＦのピーク値に基づいて、低温殺菌を制御し得る。いくつかの実施形態では、アプリケーション７２２は、本明細書に記載の手順のいずれかが実行され得るように、オペレーティングシステム７２１上でプログラムデータ７２４を用いて動作するように構成され得る。この説明する基本構成は、図７において、基本構成７０１の破線内の構成要素によって示されている。
【０１０５】
コンピューティング装置７００は、追加の特徴または機能、ならびに基本構成７０１と任意の必要な装置およびインタフェースとの間の通信を容易にするための追加のインタフェースを有し得る。例えば、バス／インタフェースコントローラ７４０は、ストレージインタフェースバス７４１を介して基本構成７０１と１つ以上の記憶装置７５０との間の通信を容易にするために使用され得る。記憶装置７５０は、取外し可能記憶装置７５１、固定型記憶装置７５２、またはそれらの組合せであり得る。取外し可能記憶装置および固定型記憶装置の例は、２〜３例を挙げると、フレキシブルディスクドライブおよびハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの磁気ディスク装置、コンパクトディスク（ＣＤ）ドライブまたはデジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）ドライブなどの光ディスクドライブ、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）、およびテープドライブを含む。コンピュータ記憶媒体の例は、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、または他のデータなどの、情報を格納するための任意の方法または技術で実装された揮発性および不揮発性の、取外し可能および固定型の媒体を含み得る。
【０１０６】
システムメモリ７２０、取外し可能記憶装置７５１および固定型記憶装置７５２は全て、コンピュータ記憶媒体の例である。コンピュータ記憶媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリもしくは他のメモリ技術、ＣＤ−ＲＯＭ、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）もしくは他の光学式記憶装置、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスク記憶装置もしくは他の磁気記憶装置、または所望の情報を格納するために使用可能な、コンピューティング装置７００によってアクセスされ得る任意の他の媒体を含むが、それらに限定されない。任意のそのようなコンピュータ記憶媒体は、コンピューティング装置７００の一部であり得る。
【０１０７】
コンピューティング装置７００は、バス／インタフェースコントローラ７４０を介して、様々なインタフェース装置（例えば、出力インタフェース、周辺インタフェース、および通信インタフェース）から基本構成７０１への通信を容易にするためのインタフェースバス７４２も含み得る。出力装置例７６０は、グラフィック処理ユニット７６１および音声処理ユニット７６２を含み、それらは、１つ以上のＡ／Ｖポート７６３を介して、ディスプレイまたはスピーカーなどの様々な外部装置と通信するように構成され得る。周辺インタフェース例７５０は、シリアルインタフェースコントローラ７７１またはパラレルインタフェースコントローラ７７２を含み、それらは、１つ以上のＩ／Ｏポート７７３を介して、入力装置（例えば、キーボード、マウス、ペン、音声入力装置、タッチ入力装置など）、または他の周辺装置（例えば、プリンタ、スキャナなど）などの外部装置と通信するように構成され得る。通信装置例７８０は、ネットワークコントローラ７８１を含み、それは、１つ以上の通信ポート７８２を介して、ネットワーク通信リンクによる１つ以上の他のコンピューティング装置７９０との通信を容易にするために配置され得る。
【０１０８】
ネットワーク通信リンクは、通信媒体の一例であり得る。通信媒体は、典型的には、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、または搬送波もしくは他の搬送機構などの変調データ信号内の他のデータによって具現化することができ、任意の情報配信媒体を含み得る。「変調データ信号」は、信号内の情報を暗号化するような方法で設定または変更されたその特性のうちの１つまたは複数を有する信号であり得る。限定的ではなく、例として、通信媒体は、有線ネットワークまたは直接な有線接続などの有線媒体、ならびに音響、無線周波数（ＲＦ）、マイクロ波、赤外線（ＩＲ）および他の無線媒体などの無線媒体を含み得る。本明細書で使用されるコンピュータ可読媒体という用語は、記憶媒体および通信媒体の両方を含み得る。
【０１０９】
コンピューティング装置７００は、スモールフォームファクタポータブル（またはモバイル）電子装置の一部、例えば、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、パーソナルメディアプレーヤー装置、無線ウェブウォッチ装置、パーソナルヘッドセット装置、特定用途向け装置、または前述した機能のいずれかを含むハイブリッド装置などとして実装され得る。コンピューティング装置７００は、ラップトップコンピュータおよび非ラップトップコンピュータ構成の両方を含むパーソナルコンピュータとしても実装され得る。
【０１１０】
図８は、本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態による低温殺菌システムのための命令を格納するために配置されるコンピュータプログラム製品例８００を示すブロック図である。コンピュータ可読媒体８０６、コンピュータ記録可能媒体８０８、コンピュータ通信媒体８１０、もしくはそれらの組合せとして実装され得るか、またはそれらを含み得る信号担持媒体８０２は、処理ユニットが前述したプロセスの全部または一部を実行するように構成し得るプログラミング命令８０４を格納する。これらの命令は、例えば、１つ以上の実行可能命令を含むことができる。それによって、低温殺菌システムに、第１の時間において、第１の磁場および第１の電場を第１の食品処理領域内に生成させ、第１の磁場と第１の電場とは、第１の食品処理領域内で交差するものであり、また、第２の時間に、第２の磁場および第２の電場を第２の食品処理領域内に生成させ、当該第２の磁場と第２の電場とは、第２の食品処理領域内で交差するものである。
【０１１１】
いくつかの例では、システムは、チャンバを含み、チャンバは、液体を受け取るように構成された導管を含む。他の例では、他の容器、例えば、それらに制限されないが、バットまたはベッセルが使用され得る。チャンバは、誘導性素子および容量性素子と関連付けられ得る。誘導性素子は、液体が導管を通過する際に、磁場を液体に提供するように構成され得る。容量性素子は、液体が導管を通過する際に、電場を液体に提供するように構成され得る。直交する容量場および誘導場の領域は処理領域を形成し得る。それは、導管内に完全に、または部分的に含まれ得る。
【０１１２】
いくつかの例では、誘導性素子は、コイル、例えば、導電性コイルなどを含み得る。導電性コイルは、第１の駆動信号によってエネルギー供給されたときに磁場を提供する。いくつかの例では、容量性素子は、間に間隙を有する一対の導電体を含むことができ、液体は少なくとも部分的にその間隙を通って流れる。いくつかの例では、システムは、低温殺菌のために第２の液体を受け取るための導管または他の容器として実装され得る第２のチャンバをさらに含み得る。第２のチャンバは、第２の誘導性素子および第２の容量性素子と関連付けられてもよく、第２の誘導性素子および第２の容量性素子は、それぞれ、磁場および電場を第２の液体に提供するように構成される。直交する容量場および誘導場の領域は処理領域を形成し得る。それは、導管内に完全に、または部分的に含まれ得る。いくつかの例では、システムは導管を含み、当該導管は、流体、例えば、液体、泡、懸濁液、粉末などのものを受け取るように構成され得る。システムは、導管の内部に、例えば、液体が導管を通過する際に液体に、磁場を印加するように構成された誘導性素子を含み得る。いくつかの例では、導管は、細長くて、（少なくとも局所的に）中心軸を有することができ、磁場は、導管の中心軸に沿って少なくとも部分的に延在するように構成され得る。システムはさらに、導管の内部に、例えば、液体が導管を通過する際に液体に、電場を印加するように構成された容量性素子を含み得る。磁場および電場は、液体の少なくとも一部内で直交し得る。電場は、例えば、導管の中心で導体素子を使用する放射状の電場であり得る。システムはさらに、第１の信号を誘導性素子に提供して磁場を印加するように構成され、且つ第２の信号を容量性素子に提供して電場を印加するように構成された制御回路を含み得る。制御回路は、電場および磁場が液体内で相互に実質的に同相で振動するように構成され得る。
【０１１３】
いくつかの例では、誘導性素子は、ソレノイドなどのコイルを含んでもよく、導管はコイルの内部を通過する。例えば、コイルは、導管の周りに巻き付けられてもよく、または導管が通って延在する中心部に巻き付けられてもよい。制御回路によって通電されたとき、コイルは電磁石であり得る。
【０１１４】
いくつかの例では、容量性素子は、第１および第２の導電性素子を含んでもよく、導管は、第１の導電性素子と第２の導電性素子との間を通る。いくつかの例では、容量性素子は、導管の中心軸に沿って延在する第１の導電性素子と、導管の外側にあって、導管の外壁に隣接もしくは近接する、または導管の外壁を提供する第２の導電性素子とを含む。
【０１１５】
いくつかの例では、システムは、第２の誘導性素子および第２の容量性素子をさらに含むことができ、第２の容量性素子は、誘導性素子に電気的に結合されて第１の共振回路を形成し、第２の誘導性素子は、容量性素子に電気的に結合されて第２の共振回路を形成する。システムは、第２の液体を受け取るように構成された第２の導管を含むことができ、第２の誘導性素子は、第２の液体が第２の導管を通過する際に、第２の磁場を第２の液体に印加するように構成され、第２の容量性素子は、第２の液体が第２の導管を通過する際に、第２の電場を第２の液体に印加するように構成される。
【０１１６】
いくつかの例では、システムは、第１の導管；第１の磁場を第１の導管に（例えば、第１の導管の内部に、例えば、その中に液体が、例えば、液体の流れとして存在し得る）提供するように構成された第１の誘導性素子；第１の電場を第１の導管に（例えば、第１の導管の内部に、例えば、その中に液体が、例えば、液体の流れとして存在し得る）提供するように構成された第１の容量性素子；第２の導管；第２の磁場を第２の導管に（例えば、第２の導管の内部に、例えば、その中に第２の液体が、例えば、液体の第２の流れとして存在し得る）提供するように構成された第２の誘導性素子；および第２の電場を第２の導管に（例えば、第２の導管の内部に、例えば、その中に第２の液体が、例えば、液体の第２の流れとして存在し得る）提供するように構成された第２の容量性素子を含む。第１の容量性素子は、第２の誘導性素子に結合されて第１の共振回路を形成することができ、第２の容量性素子は、第１の誘導性素子に結合されて第２の共振回路を形成し得る。コントローラは、第１の信号を第１の共振回路に提供し、第２の信号を第２の共振回路に提供するように構成され得る。第１の信号と第２の信号とは、実質的に、または本質的に位相がずれていてもよい。
【０１１７】
いくつかの例では、低温殺菌（または別の方法で液体の汚染を低減させる）方法などの方法は、磁場および電場を液体に印加することを含み、磁場は、振動磁場であり、電場は振動電場であり、磁場および電場は、液体内で実質的に直交し、磁場および電場は、実質的に相互に同相である。磁場および電場は、個別に、及び／または一緒に、液体を低温殺菌するのに十分であり得る。いくつかの例では、方法は、第２の磁場および第２の電場を第２の液体に印加することをさらに含むことができ、第２の磁場は、振動磁場であり、第２の電場は振動電場であり、第２の磁場および第２の電場は、第２の液体内で実質的に直交し、第２の磁場および第２の電場は、実質的に相互に同相であり、磁場および電場とは位相がずれている。
【０１１８】
いくつかの例では、流体は、本明細書に記載の方法および／または装置を使用して、低温殺菌することができる。流体は、液体、泡、スラリー、懸濁液、流動性粉末、ミセルなどであり得るか、またはそれらを含むことができる。流体は、牛乳、果物ジュース、および／または炭酸飲料であり得るか、またはそれらを含むことができる。流体は、ケチャップ、サルサなどの、多成分食品製品であり得る。
【０１１９】
いくつかの例では、流体は、滅菌、低温殺菌、部分的低温殺菌され得る。滅菌または低温殺菌を達成するために、追加の方法および装置を任意の記載された方法および装置と組み合わせることができる。
【０１２０】
本開示は、本出願に記載の特定の例に関して限定されず、記載された特定の例は、様々な態様の例示として意図されている。当業者に明らかであるように、多くの修正および例は、その精神および範囲から逸脱することなく、行われ得る。本明細書に列挙するものに加えて、本開示の範囲内の機能的に同等な方法および装置が、前述の説明から当業者には明らかであろう。かかる修正および例は、添付のクレームの範囲内に含まれることを意図する。本開示は、かかる特許請求の範囲が権利を認められているのと同等な完全な範囲と共に、添付の特許請求の範囲によってのみ限定されるべきである。本開示は特定の方法、試薬、化合物組成物または生物学的システムに限定されず、言うまでもなく、変わり得ることが理解される。本明細書で使用する専門用語は特定の例の説明のみを目的としており、限定することを意図していないことも理解される。
【０１２１】
本明細書での実質的に任意の複数および／または単数の用語の使用に関して、当業者は、文脈および／または用途で適切であるように、複数形から単数形へ、および／または単数形から複数形へ変換できる。様々な単数形／複数形の置換は、明瞭にするために、本明細書で明示的に記載され得る。
【０１２２】
一般に、本明細書で、特に、添付の特許請求の範囲（例えば、添付の特許請求の範囲の本文）で使用される用語は、一般に、「オープン（ｏｐｅｎ）」用語を意図することが当業者によって理解される（例えば、用語「〜を含み（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」は、「〜を含むが、それらに限定されない」と解釈されるべきであり、用語「〜を有する」は、「少なくとも〜を有する」と解釈されるべきであり、用語「〜を含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」は、「〜を含むが、それらに限定されない」と解釈されるべきである、など）。
【０１２３】
導入された特許請求の範囲に記載の特定の数が意図される場合、かかる意図は特許請求の範囲内で明示的に記載され、かかる記載がない場合は、かかる意図は存在しないことが当業者によってさらに理解される。例えば、理解の助けとして、以下の添付の特許請求の範囲では、導入句「少なくとも１つ」および「１つ以上」の使用を含んで、特許請求の範囲の記載を導入し得る。しかし、かかる句の使用は、不定冠詞「１つの（ａ）」または「１つの（ａｎ）」による特許請求の範囲の記載の導入が、たとえ、同じクレームが導入句「１つ以上」または「少なくとも１つ」ならびに「１つの（ａ）」または「１つの（ａｎ）」などの不定冠詞（例えば、「１つの（ａ）」および／または「１つの（ａｎ）」は「少なくとも１つ」または「１つ以上」を意味すると解釈すべきである）を含む場合でも、かかる導入された特許請求の範囲の記載を含む任意の特定の特許請求の範囲を、１つのかかる列挙だけを含む例に限定することを意味すると解釈されるべきでなく、特許請求の範囲の記載を導入するために使用される定冠詞の使用についても同じことが言える。さらに、たとえ導入された特許請求の範囲の記載の特定の数が明示的に記載されていても、当業者は、かかる列挙は、少なくとも記載された数を意味すると解釈すべきであることを理解するであろう（例えば、他の修飾子なしで「２つの列挙」だけの記載は、少なくとも２つの列挙、または２つ以上の列挙を意味する）。
【０１２４】
さらに、「Ａ、Ｂ、およびＣなどのうちの少なくとも１つ」に類似した記法が使用される例では、一般に、かかる構文は、当業者がその記法を理解し得る意味で意図される（例えば、「Ａ、Ｂ、およびＣのうちの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａだけ、Ｂだけ、Ｃだけ、ＡおよびＢを一緒に、ＡおよびＣを一緒に、ＢおよびＣを一緒に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを一緒になど、を有するシステムを含むが、それらに限定されない）。２つ以上の代替用語を提示する実質的に任意の選言的単語および／または句は、明細書、特許請求の範囲、または図面のいずれかにせよ、用語の１つ、用語のいずれか、または用語の両方を含む可能性を考慮すると理解されるべきであることが当業者によってさらに理解されよう。例えば、句「ＡまたはＢ」は、「Ａ」または「Ｂ」または「ＡおよびＢ」の可能性を含むと理解されよう。
【０１２５】
さらに、本開示の特徴または態様がマーカッシュ群の観点から記述され、本開示はそれにより、マーカッシュ群の任意の個々のメンバまたはメンバのサブグループの観点からも記述されることを当業者は認識するであろう。
【０１２６】
当業者によって理解されるように、明細書を提供する観点からなど、あらゆる目的の全てのために、本明細書で開示する全ての範囲は、あらゆる全ての可能なその部分範囲および部分範囲の組合せも含む。任意の列挙された範囲は、十分に記述し、同じ範囲を少なくとも均等な半分、３分割、４分割、５分割、１０分割など、に分解できると容易に認識できる。限定されない例として、本明細書に記載の各範囲は、下部３分の１、中部３分の１および上部３分の１などに、容易に分割できる。同様に当業者によって理解されるように、「〜まで」、「少なくとも」、「〜より大きい」、「〜より少ない」、および同様のものなどの全ての語は、列挙された数を含み、前述のように後に部分範囲に分割できる範囲を指す。最後に、当業者によって理解されるように、範囲は各個々のメンバを含む。従って、例えば、１〜３項目を有するグループは、１、２、または３項目を有するグループを指す。同様に、１〜５項目を有するグループは、１、２、３、４、または５項目を有するグループを指す、などと以下、同様に続く。
【０１２７】
前述の詳細な説明は、ブロック図、流れ図、および／または例の使用を通して、装置および／またはプロセスの様々な例を説明しているが、かかるブロック図、流れ図、および／または例は、１つ以上の機能および／または操作を含み、かかるブロック図、流れ図、または例内の各機能および／または操作は、幅広い範囲のハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、または実質的にその任意の組合せにより、個別および／または集合的に、実装できることが当業者によって理解されよう。一例では、本明細書に記載の主題のいくつかの部分が、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、または他の統合されたフォーマットで実装され得る。しかし、本明細書で開示する例のいくつかの態様は、全体または一部において、１つ以上のコンピュータ上で実行される１つ以上のコンピュータプログラムとして（例えば、１つ以上のコンピュータシステム上で実行される１つ以上のプログラムとして）、１つ以上のプロセッサ上で実行される１つ以上のプログラムとして（例えば、１つ以上のマイクロプロセッサ上で実行される１つ以上のプログラムとして）、ファームウェアとして、または実質的にその任意の組合せとして、集積回路内で同等に実装できること、ならびにソフトウェアおよび／またはファームウェアのために回路を設計することおよび／またはコードを書くことは、本開示の観点から十分に当業者の技能の範囲内であることを当業者は認識するであろう。例えば、速度および精度が最重要であるとユーザーが判断する場合、ユーザーは主としてハードウェアおよび／またはファームウェア手段を選ぶ可能性があり、柔軟性が最重要である場合、ユーザーは主としてソフトウェア実装を選び得るか、またはさらに代替として、ユーザーは、ハードウェア、ソフトウェア、および／もしくはファームウェアの何らかの組合せを選択し得る。
【０１２８】
さらに、本明細書に記載の主題の機構は、様々な形のプログラム製品として配信可能であること、および本明細書に記載の主題の実例は、実際に配信を実行するために使用される信号担持媒体の特定のタイプに関わらず、該当することを当業者は理解するであろう。信号担持媒体の例は、フロッピィディスク、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）、デジタルテープ、コンピュータメモリなどの記録可能型媒体、ならびにデジタルおよび／またはアナログ通信媒体などの伝送型媒体（例えば、光ファイバーケーブル、導波路、有線通信リンク、無線通信リンクなど）を含むが、それらに限定されない。
【０１２９】
当技術分野内で、装置および／またはプロセスを本明細書に記載の方法で記述し、その後、エンジニアリング方式を使用してかかる説明される装置および／またはプロセスをデータ処理プロセスに統合することは一般的であることを当業者は認識するであろう。すなわち、本明細書に記載の装置および／またはプロセスの少なくとも一部は、合理的な量の実験で、データ処理システムに統合できる。典型的なデータ処理システムは一般に、システムユニット筐体、ビデオディスプレイ装置、揮発性および不揮発性メモリなどのメモリ、マイクロプロセッサおよびデジタル信号プロセッサなどのプロセッサ、オペレーティングシステム、ドライバ、グラフィカルユーザーインタフェース、およびアプリケーションプログラムなどの計算実体、タッチパッドまたは画面などの、１つ以上のインタラクション装置、ならびに／またはフィードバックループおよび制御モーターを含む制御システム（例えば、感知位置および／または速度に対するフィードバック、構成要素および／または量の移動および／または調整のための制御モーター）の１つ以上を含むことを当業者は認識するであろう。典型的なデータ処理システムは、典型的には、データコンピューティング／通信および／またはネットワークコンピューティング／通信システムで見られるものなどの任意の適切な市販の構成要素を利用して実装され得る。
【０１３０】
本明細書に記載の主題は時々、異なる他の構成要素内に含まれるか、または異なる他の構成要素と接続された、異なる構成要素を示す。かかる示されたアーキテクチャは例に過ぎないこと、および実際には、同じ機能を達成する多くの他のアーキテクチャが実装できることを理解すべきである。概念的な意味では、同じ機能を達成するための構成要素の任意の配置は、所望の機能が達成されるように、有効に「関連付けられる」。従って、特定の機能を達成するために組み合わされた本明細書における任意の２つの構成要素は、アーキテクチャまたは中間構成要素に関わらず、所望の機能が達成されるように、相互に「関連付けられている」と見ることができる。同様に、そのように関連する任意の２つの構成要素は、所望の機能を達成するために、相互に「動作可能に接続された」、または「動作可能に結合された」とも見ることができ、そのように関連付け可能な任意の２つの構成要素は、所望の機能を達成するために、相互に「動作可能に結合されている」と見ることもできる。動作可能に結合可能な特定の例は、物理的に嵌合可能および／もしくは物理的に相互作用する構成要素ならびに／または無線で相互作用可能および／もしくは無線で相互作用する構成要素ならびに／または論理的に相互作用し、および／もしくは論理的に相互作用可能な構成要素を含むが、それらに制限されない。
【０１３１】
様々な態様および例が本明細書で開示されているが、他の態様および例は当業者に明らかであろう。本明細書で開示する様々な態様および例は、例示のためであり、限定することを意図しておらず、真の範囲および精神は添付の特許請求の範囲によって示されている。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
2019527067.tif 000018
【図７】
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【図８】
2019527067.tif 000020
【国際調査報告】
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2019527067.tif 000022
2019527067.tif 000023
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