(57)【要約】リソグラフィ装置は、第１導電体を有する固定フレームと、物体を支持するように構成されたサポート構造とを含むことができる。サポート構造は、フレームに移動可能に結合され、かつ第２導電体を有する。リソグラフィ装置は、第１導電体を第２導電体に電気的に結合する導電性流体も含むことができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
第１導電体を有する固定フレームと、
前記フレームに移動可能に結合された物体を支持するように構成されたサポート構造であって、第２導電体を有するサポート構造と、
前記第１導電体を前記第２導電体に電気的に結合するように構成された導電性流体とを含む、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記フレームは、前記導電性流体を収容するキャビティを画定する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記サポート構造は、第１方向に沿って第１距離を移動するように構成され、
前記キャビティは、前記第１距離以上の前記第１方向の寸法を有する、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記サポート構造は、前記第１方向とは異なる第２方向に沿って第２距離を移動するように構成され、
前記キャビティは、前記第２距離以上の前記第２の方向の寸法を有する、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記キャビティは、垂直方向に前記サポート構造と重なる、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記リソグラフィ装置は、前記導電性流体を前記キャビティ内で保持するガス流を生成するように構成される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記リソグラフィ装置は、前記導電性流体を前記キャビティ内で保持する磁場を生成するように構成される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記第２導電体は、前記導電性流体に沈められた第１部分を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記第２導電体に電気的に結合されかつ前記サポート構造に結合された電気部品をさらに含み、それによって前記電気部品は前記サポート構造と共に動く、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記電気部品は、前記導電性流体を介して送信された信号を送信又は受信するように構成されたセンサを含む、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記電気部品は、前記サポート構造を移動させるように構成されたポジショナを含む、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記第１導電体に電気的に結合された電気部品をさらに含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記電気部品は、前記リソグラフィ装置のプロセスを制御するように構成されたデータ処理装置を含む、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記導電性流体は水銀を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記導電性流体はガリウムを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記導電性流体は、溶媒及び電解質溶質を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記溶媒は水を含み、前記電解質溶質は塩を含む、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記塩は塩化ナトリウムを含む、請求項１７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記サポート構造は、基板を支持するように構成された基板テーブルを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記サポート構造は、パターニングデバイスを支持するように構成されたマスクテーブルを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２０１６年９月９日に出願した米国仮特許出願第６２／３８５，６２３号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本開示は、リソグラフィ装置、及び基板又はパターニングデバイス等の物体を支持するサポート構造に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  リソグラフィ装置は、一般的に、物体を支持する少なくとも１つの可動サポート構造、例えば、基板を支持する基板テーブル又はパターニングデバイスを支持するマスクテーブルを含む。電力又は信号のための電流が、１つ以上のワイヤを用いて、固定源（例えば、フレーム）から可動サポート構造に提供される。一般的に、これらのワイヤ（及び圧縮空気管などの他の構成部品）は、ワイヤが固定式構成部品から可動サポート構造へと通るための導管を提供する導管キャリア（例えば、ケーブルスラブ又は導管コード）内に収容される。多くの場合、導管キャリアは、可動サポート構造がリソグラフィ装置内で移動するにつれて屈曲（例えば、折り畳む及び開く）ように構成され、導管キャリアが屈曲するにつれてその中に収容されるワイヤも屈曲する。
【０００５】
[0005]  リソグラフィ装置内のシステム障害及び汚染の原因の１つは、導管キャリア及び導管キャリア内に含まれるワイヤである。可動サポート構造の動きによって導管キャリア及びワイヤが屈曲すると、導管キャリア及びワイヤを形成する材料（例えば、導管キャリア又はワイヤの高分子絶縁を形成する材料）が摩耗し始める。そして最終的に、導管キャリア及びワイヤは、システム障害の時点まで摩耗し、及び／又はこの摩耗によって汚染粒子を作り出す。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  したがって、いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置内で電流を固定部品から可動サポート構造に送るための導管キャリア及びワイヤの使用が減少又は取り除かれることにより、システム障害及び汚染の原因を減少させるか又は取り除く。
【０００７】
[0007]  いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置は、第１導電体を有する固定フレームと、物体を支持するように構成されたサポート構造とを含む。サポート構造は、フレームに移動可能に結合され、かつ第２導電体を有する。リソグラフィ装置は、第１導電体を第２導電体に電気的に結合する導電性流体（例えば、水銀などの導電性金属を含む流体、水及び塩を含む流体、プラズマを含む流体又はイオン化ガスを含む流体）も含む。
【０００８】
[0008]  いくつかの実施形態では、フレームは、導電性流体を収容するキャビティを画定する。サポートは、第１方向に沿って第１距離を移動するように構成されてよく、キャビティは、第１距離以上の第１方向の寸法を有してもよい。サポートは、第１方向とは異なる第２方向に沿って第２距離を移動するように構成されてもよく、キャビティは、第２距離以上の第２の方向の寸法を有してもよい。キャビティは、垂直方向にサポート構造と重なってもよい。リソグラフィ装置は、導電性流体をキャビティ内で保持するガス流を生成するように構成されるか、又は、導電性流体をキャビティ内で保持する磁場を生成するように構成されてもよい。
【０００９】
[0009]  いくつかの実施形態では、第２導電体は、導電性流体に沈められた第１部分を含む。
【００１０】
[0010]  いくつかの実施形態では、第２導電体に電気的に結合されかつサポート構造に結合された電気部品を含み、それによって電気部品はサポート構造と共に動く。電気部品は、導電性流体を介して送信された信号を送信又は受信するように構成されたセンサを含んでよい。電気部品は、サポート構造を移動させるように構成されたポジショナを含んでよい。
【００１１】
[0011]  いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置は、第１導電体に電気的に結合された電気部品を含む。電気部品は、リソグラフィ装置のプロセスを制御するように構成されたデータ処理装置を含んでもよい。
【００１２】
[0012]  いくつかの実施形態では、導電性流体は水銀又はガリウムを含む。いくつかの実施形態では、導電性流体は、溶媒及び電解質溶質を含む。溶媒は水を含み、電解質溶質は塩、例えば塩化ナトリウムを含んでもよい。いくつかの実施形態では、導電性流体は、プラズマ又はイオン化ガスを含む。
【００１３】
[0013]  いくつかの実施形態では、サポート構造は、基板を支持するように構成された基板テーブルを含む。いくつかの実施形態では、サポート構造は、パターニングデバイスを支持するように構成されたマスクテーブルを含む。
【００１４】
[0014]  本実施形態のさらなる特徴及び利点、並びに様々な実施形態の構造及び動作は、これらの図面と併せて以下に詳細に記載される。本発明は、本明細書中に記載される特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示目的のみのために本明細書中に示される。本明細書中に包含される教示に基づいて、さらなる実施形態が当業者に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015]  本明細書に組み込まれかつ本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し、さらに、記述とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるように役立つ。
【図１Ａ】[0016]  図１Ａは、ある実施形態による反射型リソグラフィ装置の概略図である。
【図１Ｂ】[0017]  図１Ｂは、ある実施形態による透過型リソグラフィ装置の概略図である。
【図２】[0018]  図２は、ある実施形態による基板テーブル及び基板の概略平面図である。
【図３】[0019]  図３は、ある実施形態による、固定フレーム及び可動サポート構造を有するリソグラフィ装置の概略側面図である。
【図４】[0020]  図４は、ある実施形態による、図３のリソグラフィ装置の概略平面図である。
【図５】[0021]  図５は、ある実施形態による、固定フレーム及び可動サポート構造を有するリソグラフィ装置のブロック図である。
【図６】[0022]  図６は、ある実施形態による、エアシャワーを生成するように構成されたリソグラフィ装置の概略側面図である。
【図７】[0023]  図７は、ある実施形態による、磁場を生成するように構成されたリソグラフィ装置の概略側面図である。
【００１６】
[0024]  開示される実施形態の特徴及び利点は、これらの図面と併せて以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面において、同じ参照記号は、全体を通じて対応する要素を特定する。図面において、同じ参照番号は、基本的に、同一の、機能的に同様な、及び／又は構造的に同様な要素を示す。ある要素が初めて登場する図面は、対応する参照番号における左端の数字によって示される。特に指定のない限り、本開示にわたって提供される図面は、縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0025]  開示される（１つ以上の）実施形態は本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は開示される（１つ以上の）実施形態に限定されない。
【００１８】
[0026]  説明される（１つ以上の）実施形態、及び明細書中の「一例」、「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的な実施形態」、「いくつかの実施形態」等への言及は、説明される実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示すが、必ずしもすべての実施形態がその特定の特徴、構造、又は特性を含んでいなくてもよい。また、かかる表現は、必ずしも同じ実施形態を指すものではない。また、特定の特徴、構造、又は特性がある実施形態に関連して説明される場合、かかる特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連においてもたらすことは、それが明示的に説明されているか否かにかかわらず、当業者の知識内のことであると理解される。
【００１９】
[0027]  このような実施形態をより詳細に説明する前に、本開示の実施形態が実施され得る例示的な環境を提示することが有益である。
【００２０】
[0028]  例示的な反射型及び透過型リソグラフィシステム
【００２１】
[0029]図１Ａ及び図１Ｂは、本開示の実施形態を実施することができるリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’のそれぞれの概略図である。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’のそれぞれは、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶ又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル又動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板サポート構造（例えば、基板テーブル）ＷＴとを備える。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。いくつかの実施形態では、投影システムＰＳは反射屈折型である。
【００２２】
[0030]  照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２３】
[0031]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００及び１００’の設計、及び、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定式は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００２４】
[0032]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、投影ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。投影ビームＢに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２５】
[0033]  パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）透過型であっても、（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００２６】
[0034]  「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。ガスは放射又は電子を吸収しすぎることがあるので、ＥＵＶ又は電子ビーム放射に対して真空環境を用いることができる。したがって、真空環境を、真空壁及び真空ポンプを用いてビームパス全体に提供することができる。
【００２７】
[0035]  リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）以上の基板サポート構造ＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板サポート構造ＷＴを並行して使うことができ、又は準備工程を１つ以上のテーブルで実行しつつ、別の１つ以上の基板サポート構造ＷＴを露光用に使うこともできる。
【００２８】
[0036]  図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００，１００’は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００又は１００’の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００，１００’の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２９】
[0037]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネント（図１Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームＢの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００３０】
[0038]  図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、投影ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、（例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように）基板サポート構造ＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００３１】
[0039]  図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵに結合される瞳ＰＰＵを有する。照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から発出してマスクパターンにおける回折によって影響されずにマスクパターンを通り抜ける放射の一部は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布の像を生成する。
【００３２】
[0040]  第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、（例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように）基板サポート構造ＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１Ｂには示されていない）を使い、（例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、）マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
【００３３】
[0041]  通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板サポート構造ＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。（例示では）基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３４】
[0042]  マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは真空チャンバ内にあってよく、真空チャンバ内では、真空内ロボットＩＶＲを用いて、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバの中及び外に移動させることができる。あるいは、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、真空外ロボットを様々な搬送動作に用いることができる。真空内ロボット及び真空外ロボットの両方は、搬送ステーションの固定動的マウントへのあらゆるペイロード（例えば、マスク）の滑らかな移動のために較正される必要がある。
【００３５】
[0043]  リソグラフィ装置１００及び１００’は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００３６】
[0044]  １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板サポート構造ＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板サポート構造ＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３７】
[0045]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板サポート構造ＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板サポート構造ＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。
【００３８】
[0046]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板サポート構造ＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯが採用されてもよく、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板サポート構造ＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３９】
[0047]  上述の使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４０】
[0048]  図２は、基板サポート構造ＷＴがイメージセンサを含む実施形態による、図１Ａ又は図１Ｂのリソグラフィ装置に示される基板サポート構造ＷＴの構成を概略的に示している。いくつかの実施形態では、図２に示すように、基板サポート構造ＷＴは、２つのイメージセンサＩＡＳ１及びＩＡＳ２を含む。イメージセンサＩＡＳ１及びＩＡＳ２は、空間像を介してイメージセンサＩＡＳ１及びＩＡＳ２をスキャンすることによって、マスクＭＡ上のパターン（例えば、物体マーク）の空間像の位置を決定するために使用することができる。ウェーハテーブルＷＴに対するマスクＭＡ上の物体マークの相対位置は、イメージセンサＩＡＳ１及びＩＡＳ２によって得られた情報から推論することができ、多数のパラメータを、マスクＭＡ上の物体マークの測定位置から計算することができる。例えば、マスクＭＡのこのようなパラメータは、ＭＡの倍率（Ｍ）、ｚ軸を中心とする回転（Ｒ）、マスクＭＡのｘ軸及びｙ軸に沿った平行運動（Ｃｘ，Ｃｙ）、ｙ方向の倍率（Ｍｙ）及びスキャンスキュー（ＲＩ）を含むことができる。
【００４１】
[0049]  ２つのイメージセンサＩＡＳ１及びＩＡＳ２の代わりに、例えば１つ又は３つといったようにより多くの又はより少ないイメージセンサが存在してもよいことが理解されるべきである。これらのセンサ及びエレクトロニクス製品の形態は、当業者には周知であってさらに詳しくは説明しない。別の形態のアライメント機構が可能であり、本発明の範囲内で有用である。別の実施形態では、イメージセンサＩＡＳ１及びＩＡＳ２を省くか、又はそれらを基板を運ぶウェーハテーブルとは別のサポート上に設けてもよい。
【００４２】
[0050]  さらなる実施形態では、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む。一般に、ＥＵＶ源は、放射システム内で構成され、対応する照明システムは、ＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するように構成される。
【００４３】
[0051]  リソグラフィ装置の例示的な実施形態
【００４４】
[0052]  図３は、ある実施形態による、フレーム１０２及び物体を支持するように構成されたサポート構造１０４を含むリソグラフィ装置１００の概略側面図である。いくつかの実施形態では、フレーム１０２は固定式であってよく、他の実施形態では、フレーム１０２は可動式であってもよい。いくつかの実施形態では、サポート構造１０４は、サポート構造１０４がフレーム１０２に対して移動するようにフレーム１０２に移動可能に結合されてもよい。
【００４５】
[0053]  いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置１００は、図１Ａ及び図１Ｂを参照して上記で説明した構造及び機能についてリソグラフィ装置１００又は１００’と類似している。いくつかの実施形態では、サポート構造１０４は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル又は動的パターニングデバイス）を支持するように構成された図１Ａ及び図１Ｂで述べたようなマスクテーブルＭＴであってもよい。いくつかの実施形態では、サポート構造１０４は、ウェーハなどの基板を支持するように構成された図１Ａ及び図１Ｂで述べたような基板サポート構造ＷＴであってもよい。いくつかの実施形態では、フレーム１０２は絶縁体である。
【００４６】
[0054]  リソグラフィ装置１００は、電子、イオン又はその両方の動きを通じて電流を通す導電性流体１０６も含んでもよい。いくつかの実施形態では、導電流体１０６は、純水の導電性より大きい（すなわち、約１０−４ｍｈｏ／ｍより大きい）導電性を有する。
【００４７】
[0055]  いくつかの実施形態では、導電性流体１０６は、全体的又は部分的に、水銀、ガリウム、他の適した金属、又は、リソグラフィ装置１００が動作する温度で流体状態を有するそれらの組み合わせを含む。
【００４８】
[0056]  いくつかの実施形態では、導電性流体１０６は、溶媒及び電解質溶質を全体的又は部分的に含む。例えば、溶媒は水であってもよく、電解質溶質は、塩化ナトリウム又は塩化カルシウムなどの塩であってもよい。他の実施形態では、溶媒は水以外の流体であってもよく、溶解質溶質は、塩以外の材料であってもよい。
【００４９】
[0057]  フレーム１０２は、導電性流体１０６に電気的に結合された少なくとも１つの導電体１０８を含んでもよく、サポート構造１０４は、導電性流体１０６に電気的に結合された少なくとも１つの導電体１１０を含んでもよい。したがって、導電性流体１０６は、電流が導電体１０８と導電体１１０との間で送られるように導電体１０８を導電体１１０に電気的に結合する。以下により詳細に述べるように、送られる電流は、例えば、電気部品への入力信号、出力信号又は電力であってもよい。
【００５０】
[0058]  導電体１０８及び導電体１１０は、例えば、固体導電性金属（例えば、銅又は他のあらゆる適した固体導電性金属）又は他のあらゆる適した固体導電性材料を含むあらゆる適した導電体であってよい。いくつかの実施形態では、導電体１０８は、電力又は信号入力／出力電気コネクタである。いくつかの実施形態では、導電体１１０は、固体導電性金属（例えば、銅）から構成された棒又は他のあらゆる適した構造を有する。導電体１１０は、いくつかの実施形態において導電体１１０がサポート構造１０４に沿って移動するようにサポート構造１０４に結合されてもよい。
【００５１】
[0059]  いくつかの実施形態では、フレーム１０２は、導電性流体１０６を収容するキャビティ１１２を画定する。キャビティ１１２は、導電体１１０の少なくとも一部１１４が導電性流体１０６と接触するように（例えば、一部１１４を導電性流体１０６内に沈めることができる）位置決めされ、導電体１０８の一部１１８も、キャビティ１１２内の導電性流体１０６と接触していてもよい（例えば、一部１１８を導電性流体１０６内に沈めることができる）。それにより、導電性流体１０６は、導電体１１０を導電体１０８に電気的に結合する。
【００５２】
[0060]  いくつかの実施形態では、キャビティ１１２は、導電体１１０の一部１１４が可動サポート構造１０４の動きの範囲の一部又は全体にわたり導電性流体１０６と接触するように構成される（例えば、形作られる、サイズ決定される及び位置決めされる）。例えば、図３及び図４に示すように、可動サポート構造１０４は、第１距離を第１方向１２２に移動し、第２距離を異なる第２方向１２４に移動するように構成することができる。いくつかの実施形態では、第１方向１２２及び第２方向１２４は、図３及び図４に示すように互いに垂直であって、リソグラフィ装置１００のＸ軸及びＹ軸と一致することができる。このような実施形態では、キャビティ１１２は、第１方向１２２のサポート構造１０４の動きに適合する方向１２２と平行な方向に第１寸法１２６を有するように形作られるか又はサイズ決定することができ、キャビティ１１２は、第２方向１２４のサポート構造１０４の動きに適合する第２方向１２４と平行な第２寸法１２８を有するように形作られるか又はサイズ決定することができる。
【００５３】
[0061]  いくつかの実施形態では、第１寸法１２６及び第２寸法１２８は、サポート構造１０４が第１方向１２２及び第２方向１２４に移動するそれぞれの距離と等しくてもよい。したがって、導電体１１０がサポート構造１０４の中心に位置決めされた場合、導電体１１０は、サポート構造１０４がその末端位置に第１方向１２２又は第２方向１２４において到達するまでキャビティ１１２を画定する周壁と接触しない。
【００５４】
[0062]  他の実施形態では（図３及び図４に示すように）第１寸法１２６及び第２寸法１２８は、サポート構造１０４が第１方向１２２及び第２方向１２４に移動するそれぞれの距離より大きくてもよい。したがって、導電体１１０がサポート構造１０４の中心に位置決めされた場合、導電体１１０は、サポート構造１０４の可動域内のあらゆる箇所でキャビティ１１２を画定する周壁と接さない。
【００５５】
[0063]  図３〜図５を併せて参照すると、導電体１１０は、可動サポート構造１０４に結合された１つ以上の電気部品１３０に直接的又は間接的に電気的に結合される。いくつかの間接的な電気的結合の実施形態では、導電体１１０は、可動サポート構造１０４に結合されたブスバーに電気的に結合され、電気部品１３０は、電気部品１３０を導電体１１０に電気的に結合するブスバーに電気的に結合されてもよい。いくつかの実施形態では、複数の電気部品１３０がブスバーに結合されてもよい。いくつかの間接的な電気的結合の実施形態では、導電体１１０は、電気部品１３０に電気的に結合された１つ以上の信号処理又は調整部品（例えば、増幅器及びフィルター）に電気的に結合される。
【００５６】
[0064]  電気部品１３０は、リソグラフィ装置１００の動作中のあらゆる時点において、電力を要し、信号を受信し、信号を放出し、又はそれらのあらゆる組み合わせを行う任意のデバイスであってもよい。例えば、いくつかの実施形態では、電気部品１３０は、図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明されたようなポジショナＰＭ又はポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）又はショートストロークモジュール（微動位置決め）であってもよい。いくつかの実施形態では、電気部品１３０はセンサ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ又は静電容量センサ）であってもよい。例えば、電気部品１３０は、図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明されたようなパターニングデバイスサポートＭＴ又は基板サポート構造ＷＴを位置決めするために使用される位置センサＩＦ１又は位置センサＩＦ２を構成するセンサであってもよい。あるいは、例えば、電気部品１３０は、図２を参照して説明されたようなパターニングデバイスＭＡ上のパターン（例えば、物体マーク）の空間像の位置を決定するイメージセンサＩＡＳ１及びＩＡＳ２を構成するセンサであってもよい。
【００５７】
[0065]  図３〜図５を併せて参照すると、導電体１０８は、フレーム１０２に結合することができる又は結合することができない１つ以上の電気部品１３２に直接的又は間接的に電気的に結合される。いくつかの実施形態では、電気部品１３２は、データ処理装置、例えば、リソグラフィ装置１００の様々な構成部品（例えば、アクチュエータ及びセンサ）の動き及び測定の全て又は一部を制御するコントローラを含む。例示的なデータ処理装置は、リソグラフィ装置１００の動作に関係する所望の計算を実施するための信号処理及びデータ処理能力を含む。いくつかの実施形態では、データ処理装置は、多数のサブユニットのシステムであって、各々がリソグラフィ装置１００内のサブシステム又は構成部品のリアルタイムデータ取得、処理及び制御を取り扱う。例えば、１つの処理サブシステムがポジショナＰＷのサーボ制御専用であってもよく、別々のユニットが粗動及び微動アクチュエータ又は様々な軸を取り扱うこともできる。別のユニットが位置センサＩＦ１又はＩＦ２の読み出し専用であってもよい。リソグラフィ装置１００の全体の制御は、中央処理装置によって制御することができ、この中央処理装置は、これらのサブシステム処理ユニット、オペレータ及びリソグラフィ製造プロセスに関わる他の装置と通信する。データ処理装置は、いくつかの実施形態では、マイクロプロセッサであってもよく、また、いくつかの実施形態では、ハードディスクドライブ、フロッピーディスク、コンパクトディスク（ＣＤ）又はデジタル汎用ディスク（ＤＶＤ）などの光ディスク、フラッシュメモリーなどの非一時的なコンピュータ読取可能記憶媒体に記録された命令を実行することができる。
【００５８】
[0066]  いくつかの実施形態では、導電性流体１０６は、電気部品１３０及び電気部品１３２を電気的に結合するワイヤのための導管を提供する従来の導管キャリアであって、固定フレーム１０２と可動サポート構造１０４との間を通り、かつリソグラフィ装置で使用される従来の導管キャリアの機能性を部分的又は完全に置き換える。したがって、いくつかの実施形態では、可動サポート構造１０４上の電気部品１３０を可動サポート構造１０４上にない電気部品１３２に電気的結合するためのワイヤ又は他の導体を運ぶ全て若しくは一部の導管キャリアをリソグラフィ装置１００から省いてもよく、それによって、システム障害及び／又は汚染のリスクを減少又は排除する。
【００５９】
[0067]  いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置１００は、例えば、ＥＵＶ又は電子ビーム放射とともに使用される真空環境内で動作するように構成される。いくつかの真空の実施形態では、リソグラフィ装置１００は、キャビティ１１２内に導電性流体１０６を保持するための機構を含む。図６及び図７は、２つの例示的な実施形態を示している。
【００６０】
[0068]  図６に示すように、リソグラフィ装置１００は、いくつかの実施形態において、キャビティ１１２内に導電性流体１０６を保持するエアシャワーを生成するように構成することができる。いくつかのエアシャワーの実施形態では、導電性流体１０６は、低い蒸気圧を有することができる。例えば、いくつかの実施形態では、導電性流体１０６は、室温で約１００ｐＰａの蒸気圧を有するイオン液体である（室温で約３ｋＰａの蒸気圧を有する純水と比較して）。さらに、リソグラフィ装置１００は、ガス流１３４をキャビティ１１２内の導電性流体１０６の露光面にわたって生成するように構成される。ガス流１３４は、キャビティ１１２内に導電性流体１０６を保持するエアシャワーを形成する。いくつかの実施形態では、フレーム１０２は、ガス流１３４を導入する入口１３６及びガス流１３４を排出する出口１３８を含む。いくつかの実施形態では、ガス流１３４は、ヘリウム、アルゴン、水素、窒素又は類似のもののうちの１つ以上から成る。
【００６１】
[0069]  図７に示すように、いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置１００は、導電性流体１０６がキャビティ１１２内に保持されるように導電性流体１０６を押し戻す磁場を生成するように構成することができる。いくつかの磁場の実施形態では、導電性流体１０６はイオン化ガス又はプラズマである。例えば、いくつかの実施形態では、イオン化ガス又はプラズマは、希ガス又は水銀蒸気を含む。リソグラフィ装置１００は、導電性流体がキャビティ１１２内で保持されるように導電性流体１０６（例えば、イオン化ガス又はプラズマ）を押し戻す磁場１４２を生成するように構成された磁石を含むこともできる。いくつかの実施形態では、磁石１４０は永久磁石である。他の実施形態では、磁石１４０は電磁石である。
【００６２】
[0069]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００６３】
[0070]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００６４】
[0071]  明細書における表現又は用語は、説明を目的としたものであって本発明を限定するためのものではなく、したがって本明細書の用語又は表現は、当業者によって、本明細書中の教示に照らして解釈されるべきものであることを理解されたい。
【００６５】
[0072]  本明細書中に記載される実施形態では、「レンズ」及び「レンズ要素」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【００６６】
[0073]  さらに、本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長λを有する）、及び極端紫外線（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲、例えば、１３．５ｎｍの波長を有する）又は５ｎｍより短い波長で動作する硬Ｘ線、並びにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。一般に、約４００〜７００ｎｍの波長を有する放射を可視光とみなし、約７８０〜３０００ｎｍ（又はそれ以上）の波長を有する放射をＩＲ放射とみなす。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。リソグラフィにおいて、「ＵＶ」という用語は、水銀放電ランプによって生成することができる波長にも適用される：Ｇ線４３６ｎｍ；Ｈ線４０５ｎｍ；及び／又はＩ線３４５ｎｍ。真空ＵＶ又はＶＵＶ（すなわち、空気に吸収されるＵＶ）であり、約１００ｎｍ〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深ＵＶ（ＤＵＶ）は、一般には、１２６ｎｍ〜４２８ｎｍの範囲内の波長を有する放射を指し、ある実施形態では、エキシマレーザは、リソグラフィ装置内で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射が、少なくとも一部が５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射に関することが理解されたい。
【００６７】
[0074]  本明細書で使用される「基板」という用語は一般に、次の材料層が上に追加される材料を言い表す。実施形態では、基板自体がパターン形成されてもよく、また、その上に追加される材料もパターン形成されるか又はパターン形成されずに残されてもよい。
【００６８】
[0075]  本明細書で使用される「実質的に接触する」という用語は一般に、通常はミスアライメントの許容差の結果である互いのわずかな離間のみで互いに物理的に接触する要素又は構造を言い表す。本明細書で使用される１つ以上の特定の特徴、構造又は特性（例えば、「垂直に位置合わせされ」、「実質的に接触する」など）の間の相対空間の説明は、本明細書では説明目的のためだけに用いられ、本明細書に記載の構造の実際の実施には、本開示の精神及び範囲から逸脱することなくミスアライメントの許容差が含まれてもよいことを理解されたい。
【００６９】
[0076]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。この説明は、本発明を制限することを意図するものではない。
【００７０】
[0077]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【００７１】
[0078]  「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「詳細な説明」の項が請求項を解釈するために使用されることを意図していると理解されるべきである。「発明の概要」及び「要約書」の項は、発明者が考える本発明の１つ以上の例示的実施形態を記載できるがそのすべては記載できないため、本発明及び添付の特許請求の範囲を決して限定するものではない。
【００７２】
[0079]  特定の機能及びそれらの関係の実施態様を示す機能的構成要素を使用して本発明の実施形態について説明した。本明細書においては、これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜上、任意に画定されている。特定の機能及びそれらの関係が適切に実施される限り、代替境界を画定することも可能である。
【００７３】
[0080]  特定の実施形態についての上記説明は、本発明の一般的な性質を余すところなく開示しており、したがって当業者は、当分野における知識を適用することにより、過度の実験作業を必要とすることなく、また、本発明の一般概念から逸脱することなく、様々な用途のためにこのような特定の実施形態に容易に修正を加え、及び／又は適合させることができる。したがって、このような適合及び修正は、開示されている実施形態の、本明細書において示されている教示及び手引きに基づく同等物の意味及び範囲内に含まれることが意図されている。本明細書における表現又は用語は、説明を目的としたものであって本発明を限定するためのものではなく、したがって本明細書の用語又は表現は、当業者によって、教示及びガイダンスに照らして解釈されるべきものであることを理解されたい。
【００７４】
[0081]  本発明の広さ及び範囲は、上述したいずれの例示的実施形態によっても限定されず、唯一添付の特許請求の範囲及びそれらの同等物によってのみ定義されるものとする。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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