(57)【要約】【解決手段】オブジェクト上の目標位置（Ｔ）における高さレベルを検出するように構成されたステージとレベルセンサとの組合せが記載される。ステージは、オブジェクトを保持するように構成されたオブジェクトテーブルと、オブジェクトテーブルをレベルセンサに対して第１の方向（Ｙ）に移動させるための位置決め装置を備える。レベルセンサは、オブジェクトの測定領域に測定ビーム（８２０）を投影するように構成された投影システムであって、測定領域が第１の方向に測定領域長（Ｌ）を有する投影システムと、測定領域内の第１の方向に配置された異なるサブ領域から反射された後に測定ビームの異なる部分を受光し、受光した異なる部分（Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ３１，Ｐ３２）を表す出力信号を提供するように構成された検出器システム（８５０）と、検出器システムからの出力信号を処理するように構成された信号処理システム（８９０）を備える。【選択図】図８
2019502156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクト上の目標位置における高さレベルを検出するように構成されたステージとレベルセンサとの組合せであって、
前記ステージは、
前記オブジェクトを保持するように構成されたオブジェクトテーブルと、
前記オブジェクトテーブルを前記レベルセンサに対して第１の方向に移動させるための位置決め装置と、を備え、
前記レベルセンサは、
前記オブジェクトの測定領域に測定ビームを投影するように構成された投影システムであって、測定領域が第１の方向に測定領域長を有する投影システムと、
測定領域内の第１の方向に配置された異なるサブ領域から反射された後に測定ビームの異なる部分を受光し、受光した異なる部分を表す出力信号を提供するように構成された検出器システムと、
前記検出器システムからの出力信号を処理するように構成された信号処理システムと、を備え、
前記信号処理システムは、前記ステージによって第１の方向に前記オブジェクトが移動する間に、
目標領域がサブ領域内にあるときに、測定ビームの受光された部分を表す出力信号を、異なるサブ領域のそれぞれについて連続的に取り出し、
出力信号の組み合わせに基づいて、目標位置の高さレベルを決定するように構成される、組合せ。
【請求項２】
前記検出器システムは、複数の検出器を備え、複数の検出器の各検出器は、測定ビームの異なる部分をそれぞれ受光するように構成される、請求項１に記載の組合せ。
【請求項３】
前記信号処理システムは、
出力信号に基づいて、それぞれの異なるサブ領域の複数の高さレベルを決定し、
複数の高さレベルを組み合わせることによって目標位置の高さレベルを決定するように構成される、請求項１に記載の組合せ。
【請求項４】
前記信号処理システムは、目標位置の高さレベルを複数の高さレベルの平均として決定するように構成される、請求項３に記載の組合せ。
【請求項５】
サブ領域が重複していない、請求項１から４のいずれかに記載の組合せ。
【請求項６】
前記投影システムは、光源と、前記光源からの光ビームを測定ビームに変換するように構成された投影格子とを備える、請求項１から５のいずれかに記載の組合せ。
【請求項７】
前記投影格子は、透過型格子または反射型格子である、請求項６に記載の組合せ。
【請求項８】
測定領域長は、サブ領域長のＮ倍であり、Ｎは１より大きい自然数である、請求項１から７のいずれかに記載の組合せ。
【請求項９】
前記検出器システムは、測定領域から反射された測定ビームの異なる部分を受光するための検出格子を備える、請求項１から８のいずれかに記載の組合せ。
【請求項１０】
各検出器は、検出器対を備え、検出格子は、反射された測定ビームの受光された部分を、前記検出器対により捕捉される一対のビームに変換するように構成される、請求項２に記載の組合せ。
【請求項１１】
前記検出器システムは、測定領域内の異なるサブ領域から反射された後に測定ビームの異なる部分を受光するための２次元感光性アレイを備える、請求項１から１０のいずれかに記載の組合せ。
【請求項１２】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、
パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
請求項１から１１のいずれかに記載の組合せと、を備え、
前記オブジェクトテーブルは、前記基板を保持するように構成され、前記レベルセンサは、前記基板上の目標位置における高さレベルを検出するよう構成される、リソグラフィ装置。
【請求項１３】
パターン付き放射ビームを基板上に投影するステップを備えるデバイス製造方法であって、
パターン付き放射ビームを投影するステップは、請求項１から１１のいずれかに記載の組合せを用いて前記基板の高さマップを決定するステップより先行する、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１５年１２月１５日に出願された欧州出願第１５２００１１０．３号の優先権を主張し、その全体が本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、ステージとレベルセンサの組合せ、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用され得る。このパターンが基板（例えばシリコンウェハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイを含む）目標部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板には網状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をこの方向と平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。
【０００４】
パターンを基板の目標部分に正確に投影または転写するために、露光されるべき基板の様々な特性が測定される。決定される特性の１つは、基板のいわゆる高さマップであり、高さマップは、基板の実際の高さプロファイルの洞察を提供する。基板の実際の高さプロファイル、特に目標部分の高さプロファイルの知識は、目標部分へのパターンの露光中に基板が投影システムの焦点面内またはその近くに位置することを確実にするために必要である。典型的には、基板の高さプロファイルを評価するために、いわゆるレベルセンサが使用される。このようなレベルセンサは、例えば、基板の表面上に光ビームを投影するように構成された光源と、基板の表面からの光ビームの反射を検出するように構成された検出器と、基板の表面からの光ビームの少なくとも検出された反射に基づいて基板の位置を決定するように構成されたプロセッサとを備える。典型的には、レベルセンサは、基板上の異なる位置に別個の光ビームのアレイを投影するように構成され、それにより光のスポット、すなわち例えば矩形断面を有する測定スポットで異なる位置を照明する。反射された光ビームに基づいて、異なる位置における基板の高さを決定することができる。このようにして決定されたある位置における高さは、典型的には、測定スポットによって覆われた領域にわたる基板の平均高さである。そのような測定スポットのサイズは、典型的には、高さマップの所望の分解能と検出器の感度との間のトレードオフである。このため、既知のレベルセンサは、特に基板のエッジまたはその近くでは、正確さが不十分である基板の高さマップを提供する可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
改善された分解能を可能にするレベルセンサシステムを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態によれば、そのようなシステムとして、オブジェクト上の目標位置における高さレベルを検出するように構成されたステージとレベルセンサとの組合せが提供される。ステージは、
オブジェクトを保持するように構成されたオブジェクトテーブルと、
オブジェクトテーブルをレベルセンサに対して第１の方向に移動させるための位置決め装置と、を備える。
レベルセンサは、
オブジェクトの測定領域に測定ビームを投影するように構成された投影システムであって、測定領域が第１の方向に測定領域長を有する投影システムと、
測定領域内の第１の方向に配置された異なるサブ領域から反射された後に測定ビームの異なる部分を受光し、受光した異なる部分を表す出力信号を提供するように構成された検出器システムと、
検出器システムからの出力信号を処理するように構成された信号処理システムと、を備える。信号処理システムは、ステージによって第１の方向にオブジェクトが移動する間に、
目標領域がサブ領域内にあるときに、測定ビームの受光された部分を表す出力信号を、異なるサブ領域のそれぞれについて連続的に取り出し、
出力信号の組み合わせに基づいて、目標位置の高さレベルを決定するように構成される。
【０００７】
本発明の別の態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、本発明に係るステージとレベルセンサの組合せと、を備える。オブジェクトテーブルは、基板を保持するように構成され、レベルセンサは、基板上の目標位置における高さレベルを検出するよう構成される。
【０００８】
本発明のさらに別の態様によれば、デバイス製造方法が提供される。この方法は、パターン付き放射ビームを基板上に投影するステップを備える。パターン付き放射ビームを投影するステップは、本発明に係るステージとレベルセンサの組合せを用いて基板の高さマップを決定するステップより先行する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。
【図１】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【００１０】
【図２】当技術分野で周知のレベルセンサを示す図である。
【００１１】
【図３】基板とレベルセンサの測定領域の上面図である。
【図４】基板とレベルセンサの測定領域の上面図である。
【００１２】
【図５】レベルセンサに適用することのできる投影格子を示す図である。
【００１３】
【図６】基板のエッジ近くの高さ測定での改良された分解能の効果を示す図である。
【００１４】
【図７】当技術分野で周知のレベルセンサに適用される測定原理を示す図である。
【００１５】
【図８】本発明に係るレベルセンサの第１実施形態を示す図である。
【図９】本発明に係るレベルセンサの第１実施形態を示す図である。
【図１０】本発明に係るレベルセンサの第１実施形態を示す図である。
【００１６】
【図１１】本発明に係るレベルセンサに適用できる信号処理システムを示す図である。
【００１７】
【図１２】本発明に係るレベルセンサに適用できる投影システムを示す図である。
【００１８】
【図１３】本発明に係るレベルセンサに適用できる投影格子を示す図である。
【００１９】
【図１４】本発明に係るレベルセンサに適用できるセンサを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射、または、他の適する放射）を調整するよう構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１位置決め装置ＰＭに接続されているマスク支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、を含む。また、この装置は、基板（例えば、レジストで被覆されたウェハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第２位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴまたは「基板支持部」を含む。さらに、この装置は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを含む）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳを含む。
【００２１】
照明システムは、放射の方向や形状の調整、または放射の制御のために、各種の光学素子、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはその他の形式の光学素子、若しくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００２２】
マスク支持構造は、パターニングデバイスを支持する（すなわち、パターニングデバイスの重量を支える）。支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否か等その他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。マスク支持構造は、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いることができる。マスク支持構造は例えばフレームまたはテーブルであってよく、固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。
【００２３】
本書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用可能ないかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合のように、放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよい。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。
【００２４】
パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
【００２５】
本書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射に関して又は液浸液の使用または真空の使用等の他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきであり、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはそれらの任意の組み合わせを含む。本書における「投影レンズ」との用語の使用はいかなる場合も、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされうる。
【００２６】
図示されるように、本装置は、（例えば透過型マスクを用いる）透過型である。これに代えて、本装置は、（例えば、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ、または反射型マスクを用いる）反射型であってもよい。
【００２７】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれより多くの基板テーブルまたは「基板支持部」（及び／または２つ以上のマスクテーブルまたは「マスク支持部」）を有する形式のものであってもよい。このような多重ステージ型の装置においては、追加されたテーブルまたは支持部は並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルまたは支持部が露光のために使用されている間に１以上の他のテーブルまたは支持部で準備工程が実行されてもよい。
【００２８】
また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で投影システムと基板との間の空間を満たすよう覆われうる形式のものであってもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムとの間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されてもよい。液浸技術は投影システムの開口数を増大させるために使用することができる。本書で使用される「液浸」との用語は、基板等の構造体が液体に浸されなければならないことを意味するのではなく、液体が投影システムと基板との間に露光中に配置されることを意味するにすぎない。
【００２９】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合には、放射源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは、適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを例えば含むビーム搬送系ＢＤを介して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと受け渡される。放射源が例えば水銀ランプである等の他の場合には、放射源はリソグラフィ装置と一体の部分であってもよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。
【００３０】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するよう構成されているアジャスタＡＤを含んでもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）を調整することができる。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯ等その他の各種構成要素を含んでもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。
【００３１】
放射ビームＢは、マスク支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されるパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射して、パターニングデバイスによりパターン形成される。マスクＭＡを横切った放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦する。第２位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）により、例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）は、例えばマスクライブラリの機械的な取り出し後または走査中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般にマスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現されうる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」の移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現されうる。ステッパでは（スキャナとは異なり）、マスクテーブルＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。マスクＭＡと基板Ｗとは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、マスクＭＡに複数のダイが設けられる場合にはマスクアライメントマークがダイ間に配置されてもよい。
【００３２】
図示の装置は例えば次のモードのうち少なくとも１つのモードで使用され得る。
１．ステップモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンの全体が１回で目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持部」及び基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」は実質的に静止状態とされる（すなわち単一静的露光）。そして基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」がＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で結像される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。
２．スキャンモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持部」及び基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」は同期して走査される（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持部」に対する基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められうる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分Ｃの（走査方向の）長さを決定する。
３．別のモードにおいては、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持部」がプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とし、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」が移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」の毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
上記で記載した使用モードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別の使用モードが用いられてもよい。
【００３３】
本発明によるリソグラフィ装置は、レベルセンサＬＳをさらに備える。一実施形態では、本発明は、オブジェクト上の目標位置における高さレベルを検出するように構成されたステージセンサとレベルセンサとの組合せを提供する。そのような組合わせでは、ステージは、オブジェクトを保持するように構成されたオブジェクトテーブルと、オブジェクトテーブルをレベルセンサに対して移動させるための位置決め装置とを備えることができる。一実施形態では、位置決め装置は、例えば、オブジェクトテーブルを移動させるための１つ以上のアクチュエータおよび／またはモータを備える。このようなアクチュエータまたはモータの例は、例えば、ローレンツアクチュエータ、リラクタンスアクチュエータ、平面モータ、リニアモータなどを含む。一実施形態では、位置決め装置は、オブジェクトテーブルの微細な位置決めのためのモジュールと、オブジェクトテーブルの粗い位置決めのためのモジュールとを含むことができる。本発明によるリソグラフィ装置に適用される場合、オブジェクトテーブルは、例えば、図示のように基板テーブルＷＴに対応する。
【００３４】
図示の実施形態では、レベルセンサＬＳは投影システムＰＳから離れて設けられている。そのような構成では、リソグラフィ装置は、例えば、別の基板が露光されている間に一方の基板を処理するように（例えば、レベルセンサＬＳを使用して高さマップを決定するように）構成することができる。そのような構成では、リソグラフィ装置は、例えば、ポジショナＰＷなどの１つまたは複数のポジショナによって位置決め可能な２つの基板テーブルＷＴ（図示せず）を有するデュアルステージ装置であってもよい。
【００３５】
別の方法として、レベルセンサＬＳは、投影システムＰＳの下に、または投影システムＰＳに隣接して設けられてもよい。
【００３６】
図２は、レベルセンサ２００の一般的な構成を概略的に示す。レベルセンサ２００は、例えばリソグラフィ装置内で露光される基板などのオブジェクトの特定の位置、目標位置とも呼ばれる、での高さレベルを決定するために適用できる。レベルセンサ２００は、測定ビーム２２０を生成し、オブジェクト２３０上の高さレベル、すなわちZ方向の位置が決定されるべき目標位置２３０．１に、ある入射角で投影するように構成された投影システム２１０を備える。測定ビーム２２０を生成し投影するために、投影システム２１０は、投影システム２１０の投影格子２１０．２によって与えられる光ビームを生成して測定ビーム２２０を生成する光源２１０．１を備える。光源２１０．１は、例えば２００ｎｍ〜５００ｎｍまたは６００〜１０５０ｎｍの範囲の例えば広帯域光源であってもよい。例えば投影格子２１０．２は、例えば３０μｍのピッチＰを有するパターンを含んでよい。測定ビーム２２０は、オブジェクト２３０に衝突し、長さＬを有するオブジェクト上に測定スポットまたは測定領域２２０．１を形成する。長さＬは、測定ビーム２２０の断面サイズＬ’'およびオブジェクト２３０上への測定ビームの入射角に依存する。目標位置２３０．１での高さレベルを決定するために、レベルセンサ２００は、検出システム２６０をさらに備える。検出システム２６０は、検出格子２６０．１、検出器２６０．２、および検出器２６０．２の出力信号２７０を処理するための処理ユニット２６０．３を備える。三角測量の技術によって、目標位置２３０．１における高さレベルを決定することができる。検出された高さは、典型的には、検出器２６０．２によって測定される信号強度に関連し、信号強度は、適用される格子２１０．２のピッチＰおよび入射角に依存する周期性を有する。
【００３７】
図２に概略的に示されるレベルセンサ２００は、例えば、リソグラフィ装置内で処理される基板のいわゆる高さマップを決定するために適用される。基板表面を効果的にカバーするために、レベルセンサは、ビーム２２０のような測定ビームのアレイを基板の表面上に投影するように構成され、それにより、より大きな測定範囲をカバーする測定領域またはスポットのアレイを生成することができる。
【００３８】
図３は、パターンが露光される複数の目標部分３１０を有する基板３００の上面図を概略的に示す。図３は、基板の高さマップを決定するために使用されるレベルセンサによって生成されるような測定スポットのアレイによって形成される組合せ測定領域３２０をさらに概略的に示す。基板全体の高さマップを決定するために、レベルセンサおよび基板３００は、互いに対して、例えば蛇行経路３３０に沿って移動されてもよい。このような基板とレベルセンサとの相対移動は、レベルセンサによる基板の走査とも呼ばれる。組合せ測定領域３２０の幅Ｗを拡大することによって、または、例えばＸ方向に互いに隣接して配置された複数の類似のレベルセンサのアレイを適用することによって、測定範囲をさらに拡大することができることに留意されたい。
【００３９】
図４は、基板上の２つの目標部分３１０と、測定範囲Ｗにわたるレベルセンサによって提供される測定領域または測定スポットのアレイ３３０のより詳細な上面図を概略的に示す。
【００４０】
測定領域またはスポット３３０は、例えば、図２に示すような長さＬに類似する長さＬをＹ方向、すなわち基板がレベルセンサに対して移動される方向に有し、組合せ測定領域のスポット３３０は、図２のＹ方向に垂直なＸ方向の測定範囲３２０に等しい幅にわたる。離散的な測定スポット３３０をＸ方向に配置するのではなく、幅Ｗにわたる連続的な測定ビームを適用することもできる。図４に示すような複数の測定スポット３３０を生成するために、図５に示すような投影格子を適用することができる。図示されているような格子５００は、開口５３０のグループを通過する６つの測定ビームを生成するための透過型格子である。各測定ビームは、ピッチＰで配置される複数の矩形開口５３０．１により形成され、図２に見ることができるような測定ビームの高さＬ’がもたらされる。このような投影格子５００の典型的な例は、以下の寸法を有する。
ピッチＰ＝３０μｍ
測定領域の数＝３０
領域５３０当たりの開口の数＝６０
測定スポットの幅ｗ＝１ｍｍ
このような格子を使用すると、約５０ｍｍの幅にわたる測定範囲を得ることができる。測定ビームの高さＬ’が投影によって図２に見ることができるような高さＬを有する測定領域に変換されるのに対して、測定ビームの幅（すなわち、開口５３０．１の幅ｗに対応する）は、オブジェクトへの投影によって実質的に維持され、したがってオブジェクト上の測定スポットまたは領域の幅に対応することに留意されたい。
【００４１】
上述したようなレベルセンサを使用して、例えば基板などのオブジェクトの高さレベルを、例えば図２または５に示すような長さＬなどのような測定領域またはスポットの長さに実質的に反比例するＹ方向の分解能で測定することができる。言い換えれば、上述のレベルセンサは、長さＬを有する測定領域に対して単一の高さの値を生成することができ、この単一の高さの値は、この測定領域わたるオブジェクトの平均高さに実質的に対応する。
【００４２】
レベルセンサの空間分解能を向上させること、特に、基板のエッジ付近の基板の高さマップをより詳細に評価することが望ましい。
【００４３】
図６は、分解能を２倍にすることができる場合、すなわち測定領域の長さを半分にすることができる場合の効果を示す。図６は、エッジ６１０を含む基板６００の一部の断面図を概略的に示す。エッジの近くでは、（Ｚ方向における）顕著な変形が認められる。図６において、実線の水平線分６２０は、測定された高さレベルを表し、高さレベルは、線分６２０の（Ｚ方向の）垂直位置で示され、線分６２０の長さは、適用される測定領域の長さに対応する。図６の上のグラフでは、適用される測定領域の長さはＬに等しく、図６の下のグラフでは、Ｌ／２に等しい測定領域の長さが適用される。見て分かるように、より小さい測定領域の長さを適用することにより、より正確な高さプロファイルを確立することができる。図６に概略的に示されているように、エッジ６１０部分の近くの基板の変形は、「エッジロールオフ」と呼ばれてもよい。この現象は、例えば、ウェハの固有の反りによるウェハのカールダウン（curl down）によって引き起こされる可能性がある。典型的には、基板は基板テーブル上に搭載され、基板テーブルには、基板を保持するための１つ以上のクランプ、例えば真空クランプまたは静電クランプが設けられている。基板テーブルの支持面、すなわち表面が実装される面は、典型的には、基板がその上に実装される複数のバール（burl）を含む。これらの支持バールの最後の部分を越えて、ウェハは、その固有の反り形状をとることがそれほど制限されず、図６に示すような変形を生じ得る。
【００４４】
図６に示す測定領域の長さＬを用いた高さレベル測定の分解能が限られているため、決定された高さマップと基板の実際の高さとの間に、特に基板のエッジ近くに、比較的大きいずれが存在する可能性がある。高さマップは、基板が投影システム、例えば図１に示す投影システムＰＳ、の焦点面内またはその近くに確実に位置決めされるように露光プロセスで使用されるので、不正確な高さマップは、露光中の基板の焦点合わせに悪影響を及ぼし得る。
【００４５】
図２を参照すると、測定ビームの高さＬ’を変えることによって、測定領域の長さＬを容易に調整できることが分かる。しかしながら、本発明者らは、例えば測定ビーム高さＬ’を減少させることによって測定領域の長さＬを単に減少させることは、測定精度に悪影響を及ぼす可能性があることに気づいた。測定領域の長さＬまたはスポットの長さを減少させることによって、検出器によって受光される放射量が低減され、その結果、信号対雑音比が劣化する。結果として、測定領域の長さＬを減少させるときに期待される分解能の理論的なゲインは、測定領域の長さＬの単なる減少によっては実際には得られない。したがって、本発明は、測定精度を実質的に維持しながら、レベルセンサの分解能を上げる別の方法を提供する。
【００４６】
参照目的のために、図７は、当該技術分野で知られているレベルセンサに適用される測定原理をより詳細に説明する。図７は、光源７０４からの光ビーム７０２に投影格子７１０を付与することによって生成された測定ビーム７２０を概略的に示しており、測定ビーム７２０は、例えば基板などのオブジェクトの表面７３０に投影され、その結果、測定領域長Ｌを有する測定領域またはスポットを形成する。測定ビーム７２０は、表面から検出器システム７４０に向かって反射される。検出器システム７４０は、反射測定ビームを受け取り、反射測定ビームを例えばＣＣＤアレイやフォトダイオードなどの検出器対７７０．１，７７０．２にリダイレクトする。リダイレクトビーム７２０．１および７２０．２は、検出器対７７０．１，７７０．２のそれぞれの感光領域７７０．３，７７０．４で受光される。検出器対７７０．１，７７０．２は、は、反射測定ビーム７２０のリダイレクトビーム７２０．１，７２０．２から受信した放射を表す出力信号７９０を出力し、これらの出力信号７９０を処理ユニット７８０に提供するように構成されている。処理ユニット７８０は、受信した出力信号７９０に基づいて、測定位置、すなわち測定ビーム７２０により覆われている長さＬの領域、における基板の高さレベルを決定するよう構成される。
【００４７】
図８〜図１０は、本発明に係るステージとレベルセンサとの組合せで適用可能なレベルセンサの実施形態を概略的に示している。これらの図は、本発明に適用される測定原理を示し、この測定原理は、改善された分解能でオブジェクトの高さレベルを決定することを可能にする。図８から図１０は、オブジェクトに対する、特にオブジェクト上の目標位置Ｔに対する、レベルセンサの３つの異なる位置を概略的に示す。本発明の意味において、目標位置は、高さレベルが決定される対象上の位置または領域を示すために使用される。図８〜図１０を比較するとわかるように、目標位置Ｔは、測定ビーム８２０の異なる部分にさらされる。これは、例えばオブジェクトに対するレベルセンサの移動の間に、例えばオブジェクトがレベルセンサに対してＹ方向に走査移動されるときに、生じる。具体的には、図８において、目標位置Ｔは、測定ビーム８２０の第１部分Ｐ１にさらされ、図９において、目標位置Ｔは、測定ビーム８２０の第２部分Ｐ２にさらされ、図１０において、目標位置Ｔは、測定ビーム８２０の第３部分Ｐ３にさらされる。図８〜図１０に示すレベルセンサの実施形態は、測定ビーム８２０を生成してオブジェクトの表面８３０上に投影し、それによりＹ方向の測定領域長Ｌの測定領域を生成するように構成された投影システムを備える。図示された実施形態では、測定ビーム８２０は、光源８０４からの光ビーム８０２に投影格子８１０を与えることによって生成され、測定ビーム８２０は、例えば基板などのオブジェクトの表面８３０に投影され、その結果、例えば図７において適用された長さＬに類似する測定領域長Ｌを有する測定領域またはスポットを形成する。図８〜図１０に示すレベルセンサの実施形態は、検出器システム８５０をさらに備える。本発明によれば、検出器システム８５０は、測定領域内のＹ方向に配置される異なるサブ領域から反射された後に測定ビーム８２０の異なる部分を受光し、受光された異なる部分を表す出力信号を提供するよう構成される。図示の実施形態では、検出器システム８５０は、検出格子８６０を備える。検出格子８６０は、反射測定ビームを受光し、反射測定ビームを図７の格子７６０と同様の方法でリダイレクトする。すなわち、反射測定ビームは、２つの別々のビーム、リダイレクトビームに変換される。リダイレクトビームは、レベルセンサの複数の検出器により受光される。図示の実施形態では、レベルセンサの検出器システム８５０は、複数の検出器を備える。該複数の検出器の各検出器は、測定ビーム８２０のそれぞれの異なる部分を受光するよう構成される。測定ビームのそれぞれの異なる部分は、測定領域のそれぞれの異なるサブ領域から反射される。しかしながら、以下でより詳細に説明するように、ＣＣＤまたはＣＭＯＳ検出器のような単一の検出器を適用することもできることに留意されたい。図示の実施形態では、測定ビーム８２０の部分Ｐ１は、オブジェクト上に第１測定サブ領域を形成する。第１測定サブ領域は、Ｙ方向に長さＬ１を有する。測定ビーム８２０の部分Ｐ２は、オブジェクト上に第２測定サブ領域を形成する。第２測定サブ領域は、Ｙ方向に長さＬ２を有する。測定ビーム８２０の部分Ｐ３は、オブジェクト上に第３測定サブ領域を形成する。第３測定サブ領域は、Ｙ方向に長さＬ３を有する。見て分かるように、測定領域の異なるサブ領域は、Y方向に互いに隣接して配置され、一緒になって長さＬを有する全測定領域を形成する。一実施形態では、サブ領域の長さは等しい。
【００４８】
図示の実施形態では、検出器システム８５０は３つの検出器８５２，８５４および８５６を備え、それぞれが測定ビーム８２０の異なる部分を受光するように構成されている。図示の実施形態では、検出器８５２，８５４，８５６の各検出器は、測定ビームの異なる部分のリダイレクト部分を検出するための検出器対を備える。具体的には、図８〜図１０に示すように、検出器８５２は、測定ビームの部分Ｐ１に由来する、すなわち第１測定サブ領域から反射されたリダイレクトビームＰ１１およびＰ１２を検出するように構成された検出器対８５２．１，８５２．２を備える。検出器８５４は、測定ビームの部分Ｐ２に由来する、すなわち第２測定サブ領域から反射されたリダイレクトビームＰ２１およびＰ２２を検出するように構成された検出器対８５４．１，８５４．２を備える。検出器８５６は、測定ビームの部分Ｐ３に由来する、すなわち第３測定サブ領域から反射されたリダイレクトビームＰ３１およびＰ３２を検出するように構成された検出器対８５６．１，８５６．２を備える。言い換えれば、各検出器または検出器対は、測定領域の特定のサブ領域に関連付けられる。
【００４９】
本発明に係るレベルセンサは、複数の検出器からの出力信号を処理するための信号処理システム８９０をさらに備える。図示の実施形態では、信号処理システム８９０は、検出器対８５２．１，８５２．２，８５４．１，８５４．２および８５６．１，８５６．２の出力信号を受信して、オブジェクト上の目標位置Ｔの高さレベルを決定するためにそれらを処理するよう構成される。高さレベルを決定するために、信号処理システムは、検出器のそれぞれと関連付けられたサブ領域が目標位置Ｔと位置合わせされたとき、または目標位置Ｔが各サブ領域内にあるとき、複数の検出器のそれぞれから測定ビームの受信された部分を表す出力信号を連続的に取り出すように構成される。したがって、図８〜図１０を参照すると、信号処理システム８９０は、
１．目標位置Ｔが第１測定サブ領域と位置合わせされている、またはその内部にあるとき（図８）の、検出器対８５２．１，８５２．２からの出力信号、
２．目標位置Ｔが第２測定サブ領域と位置合わせされている、またはその内部にあるとき（図９）の、検出器対８５４．１，８５４．２からの出力信号、および
３．目標位置Ｔが第３測定サブ領域と位置合わせされている、またはその内部にあるとき（図１０）の、検出器対８５６．１，８５６．２からの出力信号、
を連続して受信するように構成される。
したがって、例えばオブジェクトを保持するオブジェクトテーブルとオブジェクトテーブルを移動させるための位置決め装置とを含むステージにより、レベルセンサに対してオブジェクトをＹ方向に移動させることによって、目標位置Ｔは、同じＹ方向に互いに隣接してまたは隣同士に設けられた全てのサブ領域によって連続して「見られる」。
【００５０】
これらの信号を使用して、信号処理システム８９０は、目標位置Ｔにおける高さレベルを決定することができる。当業者に理解されるように、目標位置Ｔが第１測定サブ領域と位置合わせされているとき（図８）に受信されるような検出器対８５２．１，８５２．２からの出力信号はすでに、目標位置Ｔの高さレベルの値に到達するための十分な情報を提供する。しかしながら、この高さレベルの値は、比較的小さい測定領域、すなわち長さＬ１を有する領域（例えば測定ビーム８２０により覆われる全体的な測定領域（すなわち測定領域長Ｌを有する測定領域）の１／３）に基づいているので、悪い信号対雑音比に苦しむ可能性がある。しかしながら、本発明に係るレベルセンサは、目標位置の高さ測定を複数回行うことを可能にする。図示の実施形態では、測定ビーム８２０の３つの異なる部分Ｐ１，Ｐ２およびＰ３を使用して、目標位置Ｔの高さ測定を実際に３回繰り返すことができる。これにより、比較的小さい測定領域を適用したレベルセンサを用いた単一の高さ測定と比較して、目標位置Ｔの高さレベルをより正確に決定することができる。
【００５１】
目標位置の高さレベルを決定するために、レベルセンサの複数の検出器の出力信号を使用することにより、様々な選択肢が存在する。
【００５２】
図１１には、本発明に係るレベルセンサに適用可能な信号処理システム８９０が概略的に示されている。本発明に適用される信号処理システム８９０は、例えば、受信された出力信号などのデータを処理するためのマイクロプロセッサ、コンピュータまたは同種のものなどのプロセッサ８９０．１を備えることができる。一実施形態では、信号処理システムは、受信された出力信号などのデータを記憶するためのメモリ８９０．２またはメモリユニットをさらに備えることができる。図示の実施形態では、信号処理システム８９０は、検出器システム、例えばレベルセンサの検出器システムの１つ以上の検出器、からの出力信号９００を受信するための入力端子８９０．３と、目標位置Ｔの高さレベルを表す信号９１０を出力するための出力端子８９０．４とを備える。
【００５３】
一実施形態では、信号処理システムは、検出器システムからの出力信号を受信し、出力信号を組み合わせ、組み合わされた出力信号から目標位置の高さレベルを決定するように構成される。このような実施形態では、信号処理システム８９０は、受信した出力信号をメモリ８９０．２に記憶し、目標位置と関連する全ての出力信号が受信されたときに、出力信号を組み合わせて、目標位置Ｔの高さレベルを決定するように構成される。図８〜図１０に示すような検出器配置を参照すると、信号処理システム８９０は、例えば、検出器８５２．１，８５４．１および８５６．１の出力信号を例えばこれらの信号を加算することにより組み合わせ、検出器８５２．２，８５４．２および８５６．２の出力信号を例えばこれらの信号を加算することにより組み合わせ、両方の組み合わされた信号を用いて目標位置の高さレベルを決定するように構成することができる。あるいは、信号処理システム８９０は、複数の異なるサブ領域が目標位置Ｔと位置合わせされたときに得られる複数の出力信号に基づいて、目標位置Ｔの複数の高さレベルのそれぞれを決定し、そして複数の高さレベルを組み合わせることにより目標位置の高さレベルを決定するように構成されてもよい。
【００５４】
出力信号または複数の高さレベルのそれぞれを組み合わせる例として、出力信号または高さレベルの平均を決定することが挙げられる。本発明に係るレベルセンサは、測定ビームの複数のサブビームを用いて、同じ目標位置の複数の高さ測定値を決定することを可能にする。これらの高さ測定値は、例えば、高さレベルのより正確な値に達するように平均化される。
【００５５】
図８〜図１０に示す実施形態では、適用される測定ビーム８２０は、例えば、図５に示すような格子によって生成され、長さＬにわたって実質的に連続しているオブジェクト上の測定領域に提供される。
【００５６】
しかしながら、別の方法として、測定ビームは、空間的に分離された複数の別々のサブビームを含むこともできる。図１２は、そのような測定ビームの断面図を概略的に示している。図１２は、測定ビーム１０２０の測定領域の長さＬ未満の長さＬ４を有する各測定サブ領域にそれぞれ提供される第１サブビーム１０２０．１および第２サブビーム１０２０．２を含む測定ビーム１０２０を生成および投影するように構成された投影システム１０１０を概略的に示している。一実施形態では、異なるサブビームを投影システム１０１０の異なる光源によって生成することができる。一実施形態では、異なるサブビームを提供する異なる光源は、例えば印加された周波数または周波数成分または偏光状態などの異なる特性を有することができる。異なるサブビームを生成するために、投影システム１０１０は、異なる光源からの光ビームを測定サブビームに変換する異なる格子を含むことができる。これらの異なる格子は、例えば、例えば異なるピッチなどの異なる特性を有する。
【００５７】
あるいは、サブビーム１０２０．１および１０２０．２は、単一の格子、例えば図１３に概略的に示されるような格子によって生成されてもよい。図１３は、２つのサブビームを生成するための格子１３００を概略的に示す。格子１３００の上部は、６セットのピッチＰで配置されたアパーチャを備え、光ビームによって付与されたときにサブビーム１０２０．１を生成するように構成される。同様に、格子１３００の下部も６セットを備え、光ビームによって付与されたときにサブビーム１０２０．２を生成するように構成される。図１３は、投影格子１３００によって提供され、図１２にも示されている、開口部の幅ｗおよび測定領域の長さＬ’をさらに示している。
【００５８】
図５および図１３に示す投影格子５００および１０３０は、透過型格子であるが、同じまたは類似の測定ビームまたはサブビームを、反射型格子または回折格子によって生成することができることに注目すべきである。
【００５９】
本発明の一実施形態では、レベルセンサの検出器システムに適用される複数の検出器は、フォトダイオード、ＣＣＤセンサまたはＣＭＯＳセンサなどの別々の検出器であってもよい。図８〜図１０を参照すると、検出器対８５２，８５４および８５６の検出器は、例えば測定ビーム８２０または１０２０などの与えられる測定ビームの特定のリダイレクト部分（Ｐ１１〜Ｐ３２）を受光するように構成されたフォトダイオード、ＣＣＤセンサまたはＣＭＯＳセンサとすることができる。
【００６０】
別の方法として、検出器システムは、読み出し可能な感光性ピクセルの２次元アレイから成るＣＣＤまたはＣＭＯＳセンサを含むことができる。このような実施形態では、複数の検出器は、２次元アレイの一部から構成されてもよく、各部分は、適用される測定ビームの特定のリダイレクト部分を受光するように構成および配置される。
【００６１】
図１４は、感光性ピクセルの２次元アレイ１４１０から成るＣＣＤまたはＣＭＯＳセンサ１４００を概略的に示す。点線の輪郭１４１０および１４２０によってアレイ上に概略的に示されているのは、完全な測定ビーム８２０のリダイレクトビームが投影される領域である。したがって、図８〜図１０を参照すると、領域１４１０は、リダイレクトビームＰ１１，Ｐ２１およびＰ３１が投影されるセンサの感光性領域とすることができ、領域１４２０は、リダイレクトビームＰ１２，Ｐ２２およびＰ３２が投影されるセンサの感光性領域とすることができる。図７を参照すると、センサ１４００がその構成で適用される場合、領域１４１０は、リダイレクトビーム７２０．１が投影されるセンサの感光性領域とすることができ、領域１４２０は、 リダイレクトビーム７２０．２が投影されるセンサの感光性領域とすることができる。図８〜図１０または図７に示す測定原理の概略図に関して、検出器対を形成する検出器はある角度で配置する必要はないが、例えば図１４に示すアレイのような２次元アレイによって形成される平面内に配置することができることが指摘できる。これを実現するために、検出格子と複数の検出器との間に追加の光学部品を配置することができる。これに代えてまたは加えて、ビームＰ１１，Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ１２，Ｐ２２およびＰ３２のようなリダイレクトビームは、斜角（oblique angle）で検出器によって受光されてもよい。すなわち、リダイレクトビームは、図８〜図１０に示されるように平角 （straight angle）で検出器に衝突する必要はない。図１４は、図８〜図１０に示されているようなリダイレクトビームＰ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２およびＰ３１およびＰ３２のそれぞれが投影される領域１４１０．１，１４１０．２，１４１０．３，１４１０．４，１４１０．５および１４１０．６をさらに概略的に示す。したがって、センサ１４００を使用して図８〜図１０に示す測定シーケンスを実行するために、図８に示すように目標領域Ｔが長さＬ１を有する測定サブ領域と位置合わせされたときに領域１４１０．１および１４１０．２を読み出すことができ、次に、図９に示すように目標領域Ｔが長さＬ２を有する測定サブ領域と位置合わせされたときに領域１４１０．３および１４１０．４を読み出すことができ、その後、図１０に示すように目標領域Ｔが長さＬ３を有する測定サブ領域と位置合わせされたときに領域１４１０．５および１４１０．６を読み出すことができる。このプロセスの間、異なるセンサ領域から出力される信号は、レベルセンサの信号処理システムのメモリ装置、例えば図１１に示すような信号処理システム８９０のメモリ８９０．２に格納することができる。当業者には明らかであるように、図１４を参照して説明したようにＣＣＤアレイまたはＣＭＯＳセンサなどが使用される場合には、事前に検出器の数を決定する必要はなく、それぞれが、適用されるセンサ１４００の異なる感光性部分に対応する。または言い換えれば、異なるサブビームへの測定ビームの細分化は、固定される必要はなく、センサ上の異なる位置で受信される信号が使用される方法を単に再構成することによって実現されてもよい。結果として、本発明の実施形態に係るレベルセンサを���基板のある領域に対する従来のセンサとして動作させ、それにより長さＬを有する測定領域に関連する分解能で高さレベルを決定し、例えば基板のエッジ近くなどの他の領域に対してレベルセンサをより高い分解能で動作させる。図１４で説明した実施形態では、サブ領域の数は、必要なときに、２から例えば１０までの範囲で容易に調整することができることに留意されたい。一実施形態では、低分解能と高分解能とを切り替える処理は、予め決定される必要はない。むしろ、基板の走査動作中に連続した目標位置の間に高さレベルの比較的大きな差が観測されるとき、より高い解像度で動作させるために、いわゆるオンザフライで、（上述のように）出力信号の処理を調整することができる。
【００６２】
本発明に係るステージとレベルセンサとの組合せは、パターンに露光される基板の高さマップを決定するために、本発明に係るリソグラフィ装置に有利に適用することができる。
【００６３】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に具体的に言及しているかもしれないが、本書に説明されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。当業者であればこれらの他の適用に際して、本書における「ウェハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及される基板は、露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本書における基板という用語は処理済みの多数の層を既に含む基板をも意味する。
【００６４】
上記では光リソグラフィにおける本発明の実施の形態の使用に具体的に言及したかもしれないが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用されうるものであり、文脈が許す場合、光リソグラフィに限られるものではないことは理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィによって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離すと、レジストの硬化後にパターンが残される。
【００６５】
本書に使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）及び極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）含むあらゆる種類の電磁放射、さらにはイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを包含する。
【００６６】
「レンズ」という用語は、文脈の許す限り、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学部品を含む様々な種類の光学部品のいずれか、またはその組合せを指してもよい。
【００６７】
以上では本発明の特定の実施形態を説明したが、本発明は、説明したものとは異なる方式で実施されうることが理解される。例えば、本発明は、上述の方法を記載する１つ以上の一連の機械可読命令を含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク)の形態をとってもよい。
【００６８】
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の特許請求の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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