(57)【要約】  本開示は、円筒対称要素（例えばドラム）の外側表面上にコーティングされたキセノンなどのターゲット材を有するレーザ生成プラズマ光源を対称とする。実施形態は、ドラムの照射損傷を軽減するように最適化することができるプレパルス構成と、ドラムの照射損傷を軽減するために利用することができるパルストリミングユニットとを含む。さらに、円筒対称要素の表面に１ｍｍ超の溝深さを有する複数の溝が形成され、合焦ユニットが、レーザビームを合焦させ、ターゲット材からプラズマを生成する照射位置を確立し、この照射位置が、溝表面部分を照射損傷から保護するためにこの表面部分から離間している、実施形態を開示する。
2019502945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露出表面を有する帯状のプラズマ形成用ターゲット材でコーティングされた表面を有する、軸の周りで回転可能な円筒対称要素と、
レーザビームパルス列を出力するシステムであり、各パルスが、時間とともにレーザビーム強度が上昇することを特徴とする立ち上がり縁部を有するシステムと、
前記レーザシステムの下流側でパルスを受信し、各パルスの前記立ち上がり縁部の少なくとも一部分をトリミングして、前記ターゲット材と相互作用してプラズマを生成するトリミングされたパルスを出力するパルストリミングユニットと
を含むデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、各パルスが、時間とともにレーザビーム強度が低下することを特徴とする立ち下がり縁部を有し、前記パルストリミングユニットが、各パルスの前記立ち下がり縁部の少なくとも一部分をトリミングするデバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のデバイスであって、前記パルストリミングユニットが、電気光学変調器を含むデバイス。
【請求項４】
請求項３に記載のデバイスであって、前記電気光学変調器が、ＫＤＰ、ＢＢＯ、ＲＴＰ、ＲＴＡ、ＬｉＮｂＯ３からなる結晶セル材料の一群から選択される結晶セル材料を有する結晶セルを有するデバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のデバイスであって、レーザビームパルス列を出力する前記システムが、キャビティダンプレーザを含むデバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のデバイスであって、レーザビームパルス列を出力する前記システムが、Ｑスイッチレーザを含むデバイス。
【請求項７】
請求項１に記載のデバイスであって、前記トリミングされたパルスが、１ｎｓ未満の上昇時間を有するデバイス。
【請求項８】
露出表面を有し、前記露出表面上の照射位置で面法線を規定する帯状のプラズマ形成用ターゲット材でコーティングされた表面を有する、軸の周りで回転可能な円筒対称要素と、
前記ターゲット材と相互作用してプラズマを生成するレーザビームを出力するシステムであり、前記レーザビームが、前記照射位置におけるレーザ軸に沿って進行し、前記レーザ軸と前記面法線とが、前記照射位置において非ゼロ角度αをなすシステムと
を含むデバイス。
【請求項９】
請求項８に記載のデバイスであって、前記角度αが、１０度より大きいデバイス。
【請求項１０】
請求項８に記載のデバイスであって、前記レーザ軸が、前記照射位置と交差する軸に対して直交するように位置合わせされ、前記回転軸と平行になるように位置合わせされるデバイス。
【請求項１１】
請求項８に記載のデバイスであって、前記レーザ軸が、前記照射位置と交差する軸に対して直交するように位置合わせされ、前記回転軸と平行になるように位置合わせされるデバイス。
【請求項１２】
露出表面を有する帯状のプラズマ形成用ターゲット材でコーティングされた表面を有する、軸の周りで回転可能な円筒対称要素と、
前記ターゲット材と相互作用してプラズマを生成するレーザビームを出力するシステムと、
合焦ユニットと前記プラズマ形成用ターゲット材の前記露出表面との間の位置で前記レーザビームをウエストに合焦させる合焦ユニットと
を含むデバイス。
【請求項１３】
帯状のプラズマ形成用ターゲット材でコーティングされた表面を有する、軸の周りで回転可能な円筒対称要素、ならびに
前記ターゲット材に照射を行ってプラズマを生成するシステムであり、Ｅ１＜Ｅ２として強度最大値Ｉ１およびパルスエネルギーＥ１を有する第１のレーザビームパルスと、強度最大値Ｉ２およびパルスエネルギーＥ２を有する第２のレーザビームパルスとを出力するシステムであって、Ｉ１とＩ２の間の時間遅延が、前記第１のレーザビームパルスに、前記第２のレーザビームパルスによる前記円筒対称要素の前記表面の照射損傷を軽減するように前記プラズマ形成用ターゲット材をプリコンディショニングさせるように選択されるシステム
を含むデバイス。
【請求項１４】
請求項１３に記載のデバイスであって、前記第１のレーザビームパルスが、前記第２のレーザビームパルスより長いパルス持続時間を有するデバイス。
【請求項１５】
請求項１３に記載のデバイスであって、前記第１のレーザビームパルスが、前記第２のレーザビームパルスより短い波長を有するデバイス。
【請求項１６】
請求項１３に記載のデバイスであって、Ｉ１とＩ２の間の前記時間遅延が、１０ｎｓから１０μｓの範囲内であるデバイス。
【請求項１７】
請求項１３に記載のデバイスであって、前記第１のレーザビームパルスの前記強度最大値Ｉ１が、前記第２のレーザビームパルスの前記強度最大値Ｉ２より大きい（Ｉ１＞Ｉ２）デバイス。
【請求項１８】
帯状のプラズマ形成用ターゲット材でコーティングされた表面を有する、軸の周りで回転可能な円筒対称要素であり、前記表面に複数の軸方向に位置合わせされた溝が形成され、各溝が、一対のフィンによって画定され、各フィンが、フィン先端を有し、各溝が、フィン先端から溝表面部分までの１ｍｍより大きい溝深さを有する円筒対称要素と、
レーザビームを出力するシステムと、
前記レーザビームを合焦し、前記ターゲット材からプラズマを生成する照射位置を画定する合焦ユニットであり、前記照射位置が、前記溝表面部分を照射損傷から保護するために前記溝表面部分から離間している合焦ユニットと
を含むデバイス。
【請求項１９】
請求項１８に記載のデバイスであって、前記帯状のプラズマ形成用ターゲット材が、フィン先端から０．５ｍｍ超だけ離間した露出ターゲット材表面を有するデバイス。
【請求項２０】
請求項１８に記載のデバイスであって、前記溝が、底部表面と、前記底部表面とフィン先端の間の面とを有し、ＳＲ１＜ＳＲ２として、前記底部表面の少なくとも一部分が、表面粗さＳＲ１を有し、前記面の少なくとも一部分が、表面粗さＳＲ２を有するデバイス。
【請求項２１】
請求項１８に記載のデバイスであって、前記円筒対称要素の回転位置を示す信号を出力するエンコーダをさらに含むデバイス。
【請求項２２】
請求項２１に記載のデバイスであって、レーザビームを出力する前記システムが、前記信号を受信し、前記信号を使用して、レーザ出力を円筒対称要素の回転位置と同期させるようにパルスレーザ出力をトリガするように構成されるデバイス。
【請求項２３】
請求項１８に記載のデバイスであって、前記円筒対称要素を前記軸の周りで回転させ、前記円筒対称要素を第１の端部位置と第２の端部位置の間で前記軸に沿って前後に平行移動させる駆動ユニットをさらに含み、前記駆動ユニットが、前記第１の端部位置から前記第２の端部位置までの平行移動時に第１のセットのプラズマ形成用ターゲット材照射スポットを確立し、前記第２の端部位置から前記第１の端部位置までの平行移動時に前記第１のセットとは異なる第２のセットのプラズマ形成用ターゲット材照射スポットを確立するように、各端部位置における回転速度を変化させるようにプログラム可能であるデバイス。
【請求項２４】
請求項１８に記載のデバイスであって、各溝が、１つの照射位置を収容する大きさの、前記軸に対して直交する幅を有するデバイス。
【請求項２５】
請求項１８に記載のデバイスであって、各溝が、２つの照射位置を収容する大きさの、前記軸に対して直交する幅を有するデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般に、真空紫外（ＶＵＶ）範囲の光（すなわち約１００ｎｍから２００ｎｍの波長を有する光）、極紫外（ＥＵＶ）範囲の光（すなわち１３．５ｎｍの波長を有する光を含む、１０ｎｍから１２４ｎｍの範囲の波長を有する光）、および／または軟Ｘ線範囲の光（すなわち約０．１ｎｍから１０ｎｍの波長を有する光）を生成するプラズマベース光源に関する。本明細書に記載するいくつかの実施形態は、計測学および／またはマスク検査（例えばブランクまたはパターン付きマスク検査を含む、化学線マスク検査）のアクティビティで使用するのに特に適した高輝度光源である。さらに一般的には、本明細書に記載するプラズマベース光源は、チップをパターン形成するためのいわゆる大量生産（ＨＶＭ）光源として（そのままで、または適宜修正を加えて）使用することもできる。
【背景技術】
【０００２】
本願は、以下に挙げる出願（「関連出願」）に関係し、その出願の最先の有効出願日の利益を主張するものである（例えば、仮特許出願以外の最先の有効優先日を主張する、あるいは関連出願の任意かつ全ての、親出願、祖父母出願、曽祖父母出願などについて、仮特許出願について、米国特許法第１１９条（ｅ）の定めによる利益を主張するものである）。
【０００３】
関連出願
ＵＳＰＴＯの法定外要件のために、本願は、２０１５年１１月１６日出願のアレクセイ  クリツィン（Ａｌｅｘｅｙ  Ｋｕｒｉｔｓｙｎ）、イェ  リュウ（Ｙｅ  Ｌｉｕ）、およびオレグ  コディキン（Ｏｌｅｇ  Ｋｈｏｄｙｋｉｎ）による「ＰＬＡＳＭＡ  ＢＡＳＥＤ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ  ＨＡＶＩＮＧ  Ａ  ＴＡＲＧＥＴ  ＭＡＴＥＲＩＡＬ  ＣＯＡＴＥＤ  ＯＮ  Ａ  ＣＹＬＩＮＤＲＩＣＡＬＬＹ−ＳＹＭＭＥＴＲＩＣ  ＥＬＥＭＥＮＴ」と題する米国仮特許出願第６２／２５５９０７号の正規の（通常の）特許出願を構成する。
【０００４】
レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源などのプラズマベース光源を使用して、欠陥検査、フォトリソグラフィ、または計測学などの適用分野のための軟Ｘ線、極紫外線（ＥＵＶ）光、および／または真空紫外線（ＶＵＶ）光を生成することができる。概略的には、これらのプラズマ光源では、キセノン、スズ、リチウムなどの適当な線放射または帯域放射元素を有するターゲット材が形成するプラズマが、所望の波長を有する光を発出する。例えば、ＬＰＰ源では、真空チャンバ内でパルスレーザビームなどの励起源によってターゲット材を照射して、プラズマを生成する。
【０００５】
１つの構成では、ターゲット材は、ドラムの表面上に形成することができる。パルスが照射位置のターゲット材の小領域を照射した後で、回転および／または軸方向平行移動を行うドラムは、新たなターゲット材領域を照射位置に提示する。照射するたびに、ターゲット材の層にクレータが生じる。これらのクレータは、理論的にはターゲット材を照射位置に無限に供給することができるターゲット材送達システムを提供する補給システムによって補充することができる。
【０００６】
いくつかの適用分野では、キセノン（例えばドラムの表面上にコーティングされたキセノンアイスの層の形態をしている）は、ターゲット材として使用すると、特定の利点を提供することができる。例えば、数キロワットの範囲の全レーザ出力を有する１μｍ駆動レーザで照射されるキセノンターゲット材を使用して、計測ツールまたはマスク／薄膜検査ツールでの使用に特に適した比較的明るいＥＵＶ光源を生成することができる。この適用分野では、レーザは、通常は、約１００μｍ未満の直径を有する焦点に合焦される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１５／００７６３５９号
【特許文献２】米国特許第８０３５０９２号
【特許文献３】米国特許第７９２８４１６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これらのプラズマベース光源の開発に残されている主な難題の１つは、キセノンアイスが１μｍの駆動レーザ光に対して半透明であることから、キセノンアイスで被覆されたドラムがレーザにより損傷することを防止することである。レーザは、通常は約１ｍｍの厚さのキセノンアイス内を伝搬する間にも拡大するが、アイス表面におけるレーザ出力密度は、依然としてかなり高いままであり、ドラム表面のアブレーションを引き起こす可能性がある。ドラムの表面上に生じる粒子は、時間とともにキセノンアイスの安定性を劣化させる可能性があり、ゆっくりとアイス内に浸透して、真空チャンバ内の光学素子およびその他の要素を汚染することにもつながる。
【０００９】
上記に鑑みて、出願人等は、円筒対称要素上にコーティングされたターゲット材を有するプラズマベース光源と、対応する使用方法とを開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の態様では、本明細書では、露出表面を有する帯状のプラズマ形成用ターゲット材でコーティングされた表面を有する、軸の周りで回転可能な円筒対称要素と、レーザビームパルス列を出力するシステムであり、各パルスが、時間とともにレーザビーム強度が上昇することを特徴とする立ち上がり縁部を有するシステムと、前記レーザシステムの下流側でパルスを受信し、各パルスの前記立ち上がり縁部の少なくとも一部分をトリミングして、前記ターゲット材と相互作用してプラズマを生成するトリミングされたパルスを出力するパルストリミングユニットとを含むことを特徴とするデバイスを開示する。
【００１１】
この態様の１実施形態では、各パルスは、時間とともにレーザビーム強度が低下することを特徴とする立ち下がり縁部を有し、パルストリミングユニットは、各パルスの立ち下がり縁部の少なくとも一部分をトリミングする。
【００１２】
特定の実施形態では、パルストリミングユニットは、電気光学変調器を含む。例えば、電気光学変調器は、リン酸二水素カリウム（ＫＤＰ）、メタホウ酸バリウム（ＢＢＯ）、リン酸チタニルルビジウム（ＲＴＰ）、ヒ酸チタニルルビジウム（ＲＴＡ）、ＬｉＮｂＯ３、またはその他の適当な材料からなる結晶セル材料の一群から選択される結晶セル材料を有する結晶セルを有することができる。
【００１３】
１実施形態では、レーザビームパルス列を出力するシステムは、キャビティダンプレーザを含み、別の実施形態では、レーザビームパルス列を出力するシステムは、Ｑスイッチレーザを含む。
【００１４】
１つの特定の実施形態では、トリミングされたパルスは、１ｎｓ未満の上昇時間を有する。
【００１５】
別の態様では、本明細書では、露出表面を有し、露出表面上の照射位置で面法線を規定する帯状のプラズマ形成用ターゲット材でコーティングされた表面を有する、軸の周りで回転可能な円筒対称要素と、ターゲット材と相互作用してプラズマを生成するレーザビームを出力するシステムであり、レーザビームが、照射位置におけるレーザ軸に沿って進行し、レーザ軸と面法線とが、照射位置において非ゼロ角度αをなすシステムとを含むことを特徴とするデバイスを開示する。
【００１６】
１実施形態では、角度αは、１０度より大きい。
【００１７】
特定の実施形態では、レーザ軸は、照射位置と交差する軸に対して直交するように位置合わせされ、回転軸と平行になるように位置合わせされる。
【００１８】
別の態様では、本明細書では、露出表面を有する帯状のプラズマ形成用ターゲット材でコーティングされた表面を有する、軸の周りで回転可能な円筒対称要素と、ターゲット材と相互作用してプラズマを生成するレーザビームを出力するシステムと、合焦ユニットとプラズマ形成用ターゲット材の露出表面との間の位置でレーザビームをウエストに合焦させる合焦ユニットとを含むことを特徴とするデバイスを開示する。
【００１９】
別の態様では、本明細書では、帯状のプラズマ形成用ターゲット材でコーティングされた表面を有する、軸の周りで回転可能な円筒対称要素、ならびにターゲット材に照射を行ってプラズマを生成するシステムであり、Ｅ１＜Ｅ２として強度最大値Ｉ１およびパルスエネルギーＥ１を有する第１のレーザビームパルス（例えばプレパルス）と、強度最大値Ｉ２およびパルスエネルギーＥ２を有する第２のレーザビームパルス（例えば主パルス）とを出力するシステムであって、Ｉ１とＩ２の間の時間遅延が、第１のレーザビームパルスに、第２のレーザビームパルスによる円筒対称要素の表面の照射損傷を軽減するようにプラズマ形成用ターゲット材をプリコンディショニングさせるように選択されるシステムを含むことを特徴とするデバイスを開示する。
【００２０】
この態様の１実施形態では、第１のレーザビームパルスは、第２のレーザビームパルスより長いパルス持続時間を有する。
【００２１】
この態様の１実施形態では、第１のレーザビームパルスは、第２のレーザビームパルスより短い波長を有する。
【００２２】
この態様の１つの特定の実施形態では、Ｉ１とＩ２の間の時間遅延は、１０ｎｓから１０μｓの範囲内である。
【００２３】
この態様の特定の実施形態では、第１のレーザビームパルスの強度最大値Ｉ１は、第２のレーザビームパルスの強度最大値Ｉ２より大きい（Ｉ１＞Ｉ２）。
【００２４】
別の態様では、本明細書では、帯状のプラズマ形成用ターゲット材でコーティングされた表面を有する、軸の周りで回転可能な円筒対称要素であり、上記の表面に複数の軸方向に位置合わせされた溝が形成され、各溝が、一対のフィンによって画定され、各フィンが、フィン先端を有し、各溝が、フィン先端から溝表面部分までの１ｍｍより大きい溝深さを有する円筒対称要素と、レーザビームを出力するシステムと、レーザビームを合焦し、ターゲット材からプラズマを生成する照射位置を画定する合焦ユニットであり、照射位置が、溝表面部分を照射損傷から保護するために溝表面部分から離間している合焦ユニットとを含むことを特徴とするデバイスを開示する。
【００２５】
この態様の１実施形態では、帯状のプラズマ形成用ターゲット材は、フィン先端から０．５ｍｍ超だけ離間した露出ターゲット材表面を有する。
【００２６】
１実施形態では、溝は、底部表面と、底部表面とフィン先端の間の面とを有し、ＳＲ１＜ＳＲ２として、底部表面の少なくとも一部分は、表面粗さＳＲ１を有し、上記の面の少なくとも一部分は、表面粗さＳＲ２を有する。
【００２７】
この態様の１実施形態では、このデバイスは、円筒対称要素の回転位置を示す信号を出力するエンコーダをさらに含み、特定の実施形態では、レーザビームを出力するシステムは、この信号を受信し、この信号を使用して、レーザ出力を円筒対称要素の回転位置と同期させるようにパルスレーザ出力をトリガするように構成される。
【００２８】
この態様の特定の実施形態では、各溝は、１つの照射位置を収容する大きさの、上記の軸に対して直交する幅を有する。
【００２９】
１つの特定の実施形態では、各溝は、複数（例えば２つ以上）の照射位置を収容する大きさの、上記の軸に対して直交する幅を有する。
【００３０】
１つの特定の実施形態では、このデバイスは、円筒対称要素を上記の軸の周りで回転させ、円筒対称要素を第１の端部位置と第２の端部位置の間で上記の軸に沿って前後に平行移動させる駆動ユニットをさらに含み、駆動ユニットは、第１の端部位置から第２の端部位置までの平行移動時に第１のセットのプラズマ形成用ターゲット材照射スポットを確立し、第２の端部位置から第１の端部位置までの平行移動時に第１のセットとは異なる第２のセットのプラズマ形成用ターゲット材照射スポットを確立するように、各端部位置における回転速度を変化させるようにプログラム可能であることを特徴とする。
【００３１】
いくつかの実施形態では、本明細書に記載する光源は、ブランクまたはパターン付きマスクの検査システムなどの検査システムに組み込むことができる。１実施形態では、例えば、検査システムは、中間位置まで放射を送達する光源と、この放射で試料を照明するように構成された光学系と、撮像経路に沿ってこの試料によって反射、散乱、または放射された照明を受光するように構成された検出器とを含むことができる。この検査システムは、検出された照明に関連する信号に基づいて試料の少なくとも１つの欠陥を位置特定または測定するように構成された、検出器と通信するコンピューティングシステムも含むことができる。
【００３２】
いくつかの実施形態では、本明細書に記載する光源は、リソグラフィシステムに組み込むことができる。例えば、この光源をリソグラフィシステムで使用して、レジストコーティングされたウェハを、パターン形成された放射ビームに露光する。１実施形態では、例えば、リソグラフィシステムは、中間位置まで放射を送達する光源と、この放射を受光して、パターン形成された放射ビームを確立する光学系と、パターン形成されたビームをレジストコーティングされたウェハに送達する光学系とを含むことができる。
【００３３】
以上の概略的な説明および以下の詳細な説明は両方とも例示および説明のためのものに過ぎず、必ずしも本開示を制限しないことを理解されたい。本明細書に組み込まれてその一部を構成する添付の図面は、本開示の主題を例示するものである。これらの説明と図面とが組み合わさって、本開示の原理を説明するのに役立つ。
【００３４】
当業者なら、添付の図面を参照することにより、本開示の多数の利点をよりよく理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本開示の１実施形態による回転可能な円筒対称要素上にコーティングされたターゲット材を有するＬＰＰ光源を示す簡略概略図である。
【図２】プレパルスレーザ源および主パルスレーザ源を有する励起源を示す概略図である。
【図３】プレパルスおよび主パルスの時間に対する強度を示すグラフである。
【図４】プレパルスおよび主パルスを生成する１つのレーザ源を有する励起源を示す概略図である。
【図５】ターゲット材の表面からある距離のところでウエストに合焦したレーザビームを示す概略図である。
【図６】パルストリミングユニットを有する励起源を示す概略図である。
【図７】キャビティダンプレーザ源またはＱスイッチレーザ源によって出力される代表的なパルスの時間に対する強度を示すグラフである。
【図８】トリミング後の図７のパルスの時間に対する強度を示すグラフである。
【図９】斜角でターゲット材表面に入力するレーザビームを示す概略図である。
【図１０】斜角でターゲット材表面に入力するレーザビームを示す概略図である。
【図１１】複数の溝が形成された表面を有する円筒対称要素を示す斜視図である。
【図１２】ターゲット材でコーティングした後の図１１の線１２−１２に沿って見た図１１に示す円筒対称要素を示す断面図である。
【図１３】溝が１つの照射位置を収容する大きさの幅を有する実施形態の、図１１に示す円筒対称要素の一部分を示す正面平面図である。
【図１４】溝が２つの照射位置を収容する大きさの幅を有する実施形態の、図１１に示す円筒対称要素の一部分を示す正面平面図である。
【図１５】円筒対称要素の回転位置を決定するエンコーダを有するシステムを示す概略図である。
【図１６】本明細書に開示する光源を組み込んだ検査システムを示す簡略概略図である。
【図１７】本明細書に開示する光源を組み込んだリソグラフィシステムを示す簡略概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、添付の図面に示す開示する主題について、詳細に説明する。
【００３７】
図１は、ＥＵＶ光を生成する光源（全体を１００で示す）およびターゲット材送達システム１０２の実施形態を示す図である。例えば、光源１００は、帯域内ＥＵＶ光（例えば２％の帯域幅で１３．５ｎｍの波長を有する光）を生成するように構成することができる。図示のように、光源１００は、レーザ生成プラズマチャンバ１１０内で照射位置１０８のターゲット材１０６に照射を行ってＥＵＶ光発出プラズマを生成するように構成された、駆動レーザなどの励起源１０４を含む。場合によっては、ターゲット材１０６に、第１のパルス（プレパルス）を照射した後で第２のパルス（主パルス）を照射して、プラズマを生成してもよい。一例として、化学線マスク検査のアクティビティ用に構成された光源１００では、約１μｍの光を出力するＮｄ：ＹＡＧなどの固体利得媒体を有するパルス駆動レーザからなる励起源１０４と、キセノンを含むターゲット材１０６とが、化学線マスク検出に有用な比較的高輝度のＥＵＶ光源を生成する際に特定の利点を提供することができる。Ｅｒ：ＹＡＧ、Ｙｂ：ＹＡＧ、Ｔｉ：サファイヤ、またはＮｄ：バナジウム酸塩などの固体利得媒体を有する他の駆動レーザが適していることもある。エキシマレーザなどのガス放電レーザも、所要の波長で十分な出力を提供する場合には、使用することができる。ＥＵＶマスク検出システムは、高輝度であるのが小さな領域となるが、約１０Ｗの範囲のＥＵＶ光しか必要としないこともある。この場合には、マスク検査システムの十分な出力および輝度のＥＵＶ光を生成するために、数キロワットの範囲内の全レーザ出力が適当であることがあり、この出力を、通常は直径が約１００μｍ未満の小さなターゲットスポットに集中させる。一方、フォトリソグラフィなどの大量生産（ＨＶＭ）のアクティビティでは、複数の増幅ステージを有する高出力ガス放電ＣＯ２レーザシステムを有する約１０．６μｍの光を出力する駆動レーザからなる励起源１０４と、スズを含むターゲット材１０６とが、良好な変換効率での比較的高出力の帯域内ＥＵＶ光の生成を含む、特定の利点を提供することができる。
【００３８】
引き続き図１を参照すると、光源１００では、励起源１０４は、照射位置１０８のターゲット材１０６に、レーザ入力窓１１２を通して送達される合焦照明ビームまたは光パルス列を照射するように構成することができる。さらに示すように、照射位置１０８から発出される光の一部は、集光光学素子１１４（例えば近垂直入射ミラー）まで進行し、ここで極線１１６ａおよび１１６ｂで規定されるように、中間位置１１８に反射される。集光光学素子１１４は、帯域内ＥＵＶ反射に最適化された多層ミラー（例えばＭｏ／Ｓｉ、またはＮｂＣ／Ｓｉ）でコーティングされた高品質研磨表面を有する、２つの焦点を有する長球面の一部分とすることができる。いくつかの実施形態では、集光光学素子１１４の反射表面は、約１００から１０，０００ｃｍ２の範囲の表面積を有し、照射位置１０８から約０．１から２メートルのところに配置することができる。当業者なら、上記の範囲が例示的なものであること、ならびに検査システムまたはフォトリソグラフィシステムなどＥＵＶ照明を利用するデバイスに後に送達するために光を集光して中間位置１１８に向けて方向付けるために、長球面ミラーの代わりに、またはこれに加えて、様々な光学素子を使用することができることを理解するであろう。
【００３９】
光源１００では、ＬＰＰチャンバ１１０は、ＥＵＶ光源として働くプラズマをその中で生成し、その結果得られるＥＵＶ光を集光して合焦する、低圧容器である。ＥＵＶ光は、気体によって強く吸収されるので、ＬＰＰチャンバ１１０内の圧力を低下させることによって、光源内のＥＵＶ光の減衰を抑制する。通常、ＬＰＰチャンバ１１０内の環境は、全圧が４０ｍＴｏｒｒ未満、キセノン分圧が５ｍＴｏｒｒ未満に維持されて、ＥＵＶ光が実質的に吸収されずに伝搬できるようにする。水素、ヘリウム、アルゴン、またはその他の希ガスなどのバッファガスを、真空チャンバ内で使用することができる。
【００４０】
図１にさらに示すように、中間位置１１８におけるＥＵＶビームは、内部焦点モジュール１２２内に投影することができる。この内部焦点モジュール１２２は、ＬＰＰチャンバ１１０内の低圧環境を保存し、得られるＥＵＶ光を使用するシステムをプラズマ生成プロセスで生じるデブリから保護するダイナミックガスロックとして機能することができる。
【００４１】
光源１００は、１種類または複数種類の保護バッファガスをＬＰＰチャンバ１１０内に提供し、内部焦点モジュール１２２のダイナミックガスロック機能を保護するバッファガスを供給することができ、ターゲット材送達システム１０２にキセノン（気体または液体）などのターゲット材を提供することができる、制御システム１２０と通信しているガス供給システム１２４も含むことができる。制御システム１２０と通信している真空システム１２８（例えば１つまたは複数のポンプを有する）を設けて、ＬＰＰチャンバ１１０の低圧環境を確立および維持することができ、また、この真空システム１２８は、必要な場合には、ターゲット材送達システム１０２にポンピングを提供することができる。場合によっては、真空システム１２８が回収したターゲット材および／あるいは１種類または複数種類のバッファガスをリサイクルすることもできる。
【００４２】
引き続き図１を参照すると、光源１００が、ＥＵＶプラズマを撮像する診断ツール１３４を含むことができ、ＥＵＶ出力計１３６を設けて、ＥＵＶ光の出力を測定することができることが分かる。ガスモニタリングセンサ１３８を設けて、ＬＰＰチャンバ１１０内のガスの温度および圧力を測定することができる。以上のセンサは全て、制御システム１２０と通信することができ、制御システム１２０は、実時間のデータ取得および解析、データロギング、ならびに励起源１０４およびターゲット材送達システム１０２を含む様々なＥＵＶ光源のサブシステムの実時間制御を制御することができる。
【００４３】
また、図１は、ターゲット材送達システム１０２が、円筒対称要素１４０を含むことも示している。１実施形態では、この回転可能な円筒対称要素１４０は、図１に示すように、円筒形を有する。他の実施形態では、この回転可能な円筒対称要素１４０は、当技術分野の任意の円筒対称形を有する。例えば、この回転可能な円筒対称要素１４０は、これらに限定されるわけではないが、円筒形、円錐形、球形、楕円体形などを有することができる。さらに、この円筒対称要素１４０は、２種類以上の形状からなる複合形状を有することもできる。１実施形態では、この回転可能な円筒対称要素１４０は、冷却し、円筒対称要素１４０の外周の周りに横方向に延びる帯状のキセノンアイスターゲット材１０６でコーティングすることができる。当業者なら、本開示の範囲を逸脱することなく、様々なターゲット材および堆積技術を使用することができることを理解するであろう。ターゲット材送達システム１０２は、円筒対称要素１４０の表面の上に重なる、実質的にこれと一致する、筐体１４２も含むことができる。筐体１４２は、帯状のターゲット材１０６を保護し、円筒対称要素１４０の表面上におけるターゲット材１０６の初期生成、維持、および補給を容易にするように機能することができる。図示のように、筐体１４２は、照射位置１０８でプラズマを生成するために励起源１０４からビームを照射するためにプラズマ形成用ターゲット材１０６を露出させる開口を備える。ターゲット材送達システム１０２は、シャフト１４８によって円筒対称要素１４０に取り付けられた駆動ユニット１４４も含む。この構成では、駆動ユニット１４４は、円筒対称要素１４０を軸１４６の周りで静止筐体１４２に対して相対的に選択的に回転させ、円筒対称要素１４０を、軸１４６に沿って静止筐体１４２に対して相対的に前後に平行移動させるようにプログラムすることができる。
【００４４】
この構成では、帯状のターゲット材を駆動レーザの焦点に対して相対的に移動させて、一連の新たなターゲット材スポットを順次照射に供することができる。回転可能な円筒対称要素を有するターゲット材支持システムに関するさらなる詳細は、参照によりその全ての内容を本明細書に組み込む、２０１６年９月１４日出願のアレクセイ  クリツィン（Ａｌｅｘｅｙ  Ｋｕｒｉｔｓｙｎ）他による「Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｌｉｇｈｔ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｈａｖｉｎｇ  ａ  Ｔａｒｇｅｔ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｃｏａｔｅｄ  ｏｎ  ａ  Ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌｌｙ−Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ｅｌｅｍｅｎｔ」と題する米国出願第１５／２６５５１５号、２０１４年７月１８日出願のビカノフ（Ｂｙｋａｎｏｖ）他による「Ｓｙｓｔｅｍ  Ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  Ｆｏｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｏｆ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｇｈｔ」と題する米国特許出願第１４／３３５４４２号、および２０１４年６月２０日出願のチルセ（Ｃｈｉｌｅｓｅ）他による「Ｇａｓ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ  ｆｏｒ  ａｎ  ＥＵＶ  Ｌｉｇｈｔ  Ｓｏｕｒｃｅ」と題する米国出願第１４／３１０６３２号に与えられている。
【００４５】
図２は、第１のレーザビーム出力１５２を生成するレーザ源１５０と、第１のレーザビーム出力１５６を生成するレーザ源１５４とを有する励起源１０４ａを有するシステム１４９を示す図である。図示のように、出力１５２と１５６は、例えば部分反射ミラーとすることができる光学素子１６０によって共通のビーム経路１５８に結合することができる。他の光学的構成を使用して、複数の出力を共通の経路に結合することもできる。例えば、これらの出力が異なる波長を有する場合には、格子（図示せず）を使用することができる。光学素子１６０から、結合ビームを、例えば１つまたは複数のレンズあるいは１つまたは複数のミラーなど１つまたは複数の光学素子を有することができる合焦ユニット１６２に入射させる。場合によっては、合焦ユニット１６２は、例えば手動で、または例えば図１に示す制御システム１２０と連絡していることもある回線１６４を介した制御信号に応答して、調節可能にすることもできる。場合によっては、合焦ユニット１６２は、焦点（すなわちウエスト）の大きさを変化させる、かつ／または焦点（すなわちウエスト）の位置を変化させるように調節することができる。この構成により、合焦ユニット１６２から出る収束ビームを、窓１１２を通してチャンバ１１０内に送ることができ、このチャンバ１１０で、このビームを使用して、照射位置１０８の円筒対称要素１４０上のターゲット材１０６からプラズマを発生することができる。
【００４６】
図２および図３を相互に参照すると、励起源１０４ａを使用して、Ｉ１に等しい強度最大値１６８およびパルスエネルギーＥ１を有する第１のレーザビームパルス１６６（例えばプレパルス）と、Ｉ２に等しい強度最大値１７２およびパルスエネルギーＥ２を有する第２のレーザビームパルス１７０（例えば主パルス）とを生成することができ、Ｅ１＜Ｅ２であることが分かる。この式では、例えば半値全幅（ＦＷＨＭ）技術または当技術分野で既知のその他の何らかの技術を使用して、パルスエネルギーを評価することができる。例えば、パルス１６６は、レーザ源１５４から出力することができ、パルス１７０は、レーザ源１５０から出力することができる。レーザ源１５０、１５４は、レーザ源１５０、１５４がトリガされる時間およびその他のプロセス変数を制御することができる制御システム１２０（図１）と回線１７４および回線１７６を介して通信した状態で配置することができる。具体的には、レーザ源１５０、１５４は、時間遅延１７８（例えばパルスピーク間で測定される）を生じるようにトリガすることができる。この構成により、パルス１６６と１７０の間の時間遅延１７８を、パルス１６６に、パルス１７０による円筒対称要素１４０の表面１８０の照射損傷を軽減し、場合によっては解消するように、プラズマ形成用ターゲット材１０６をプリコンディショニングさせる（例えばプリプラズマを発生させる）ように選択することができる。例えば、時間遅延１７８は、約１０ｎｓから１０μｓの範囲とすることができる。
【００４７】
場合によっては、比較的短い持続時間（数ピコ秒以下）および高い強度を有するが全エネルギーは低いパルス１６６は、プレパルスとして効果的に使用することができる。より短い波長（すなわち１μｍ未満）を有するパルス１６６は、同じ放射強度でより高いイオン化を生じることができるが、短波長（緑、ＵＶ、ＤＵＶ）レーザは、コストが高く、パルスエネルギーが低いことがある。プレパルスレーザ（パルス１６６）は、ターゲット材をプリコンディショニングする（イオン化し、加熱する）ことができる。プレパルス（パルス１６６）と主パルス（パルス１７０）の間の時間遅延を変化させることによって、ターゲットの状態（およびプラズマのパラメータ）を最適化して、主レーザパルスを効率的に吸収できるようにすることができる。これにより、円筒対称要素１４０の損傷が軽減される。
【００４８】
上記に与えた説明に修正を加えることもできる。例えば、パルス１６６、１７０は、異なるビーム経路に沿って１つまたは複数の焦点まで送達することもできる。合焦は、例えば２つの独立して制御される合焦ユニットを使用して、ビームを結合する前に行うこともできる。したがって、パルス１６６、１７０は、同じ位置に位置する焦点にも、異なる位置に位置する複数の焦点にも、送達することができる。
【００４９】
図４は、図３に示すパルス１６６、１７０を生成するために使用することができる単一のレーザ源１８４を有する励起源１０４ｂを有するシステム１８２を示す図である。図示のように、レーザ源１８４からの出力１８６を、例えば１つまたは複数のレンズあるいは１つまたは複数のミラーなど１つまたは複数の光学素子を有することができる合焦ユニット１６２ｂに入射させる。場合によっては、合焦ユニット１６２ｂは、例えば手動で、または例えば図１に示す制御システム１２０と連絡していることもある回線１６４ｂを介した制御信号に応答して、調節可能にすることもできる。場合によっては、合焦ユニット１６２ｂは、焦点（すなわちウエスト）の大きさを変化させる、かつ／または焦点（すなわちウエスト）の位置を変化させるように調節することができる。この構成により、合焦ユニット１６２ｂから出る収束ビームを、窓１１２を通してチャンバ１１０内に送ることができ、このチャンバ１１０で、このビームを使用して、照射位置１０８の円筒対称要素１４０上のターゲット材１０６からプラズマを発生することができる。レーザ源１８４は、２つのパルス１６６、１７０を生成するようにレーザ源１８４がトリガされる時間およびその他のプロセス変数を制御することができる制御システム１２０と（回線１８８ｂを介して）通信した状態で配置することができる。この構成により、パルス１６６と１７０の間の時間遅延１７８を、パルス１６６に、パルス１７０による円筒対称要素１４０の表面１８０の照射損傷を軽減し、場合によっては解消するように、プラズマ形成用ターゲット材１０６をプリコンディショニングさせるように選択することができる。
【００５０】
図５は、（例えば図４に示す合焦ユニット１６２ｂなどの合焦ユニットによって）ウエスト１９２に合焦されたビーム１９０を示す図である。図示のように、ウエスト１９２は、円筒対称要素１４０上のターゲット材１０６の表面１９４から距離ｄに位置する。この構成では、円筒対称要素１４０におけるビーム強度が（ターゲット材内に合焦されるビームと比較して）低下し、したがって、この構成では、円筒対称要素１４０の照射損傷が軽減され、場合によっては、それを解消することができる。例えば、ウエスト１９２は、表面１９４から約０から１０ｍｍの範囲内の距離ｄに位置することができる。図５に示す実施形態は、図２および図４に示すプレパルス／主パルスシステムに使用することができ、また、プレパルスを使用しないシステムで使用することもできる。図５に示す実施形態は、トリミングされたパルス（後述）に使用することもできる。
【００５１】
図６は、レーザビームパルス列からなるレーザビーム出力２００を生成するレーザ源１９８を含む励起源１０４ｃを有するシステム１９６を示す図である。例えば、レーザ源１９８は、キャビティダンプレーザ源またはＱスイッチレーザ源とすることができる。図７は、レーザビーム出力２００（図６）の代表パルス２０２を示す図である。図示のように、パルス２０２は、時間とともにレーザビーム強度が上昇することを特徴とする立ち上がり縁部２０４と、最大値２０６と、時間とともにレーザビーム強度が低下することを特徴とする立ち下がり縁部２０８とを含む、時間の関数である実質的にガウス分布の強度を有することができる。
【００５２】
図６に示すように、レーザビーム出力２００を、パルス整形ユニット２１０に通す。パルス整形ユニット２１０は、（例えば回線２１２を介した図１に示す制御システム１２０からの電圧入力に応答して）立ち上がり縁部２０４および／または立ち下がり縁部２０８の一部分をトリミングする。例えば、パルストリミングユニット２１０は、結晶セル、電極、および駆動回路を有する、電気光学変調器（ＥＯＭ）を含むことができる。結晶セルは、ＫＤＰ、ＢＢＯ、ＲＴＰ、ＲＴＡ、ＬｉＮｂＯ３、またはその他の適当な材料で構成することができる。電気光学変調器の透過率は、Ｔ＝ｓｉｎ２［（π／２）（Ｖ／Ｖ１／２）］で与えられ、ここで、Ｖは、電極に印加される電圧であり、Ｖ１／２は、結晶の半波電圧である。したがって、透過率Ｔを制御することによって、所要のパルス整形機能を実現することができる。制御信号に応答してパルスをトリミングする当技術分野で既知のその他の構成を、パルス整形ユニットのＥＯＭの代わりに使用することもできることを理解されたい。
【００５３】
図７は、時間に対するＥＯＭ電圧入力２１４を示す図である。ＥＯＭ電圧入力２１４が、パルス整形ユニット２１０に入射する光がパルス整形ユニットの出力２１６からトリミングされる高電圧と、パルス整形ユニット２１０に入射する光がパルス整形ユニットの出力２１６に渡される低電圧との間で切り替わることが分かる。図８は、パルス整形ユニットの出力２１６からトリミングされたパルス２１８を示す図である。図示のように、トリミングされたパルス２１８は、１ｎｓ未満の上昇時間２２０を有することができる。例えば、図示のように、上昇時間２２０は、最大強度の１０％と最大強度の９０％の間の時間間隔として測定することができる。レーザパルスの上昇する立ち上がり縁部を１ｎｓ未満に短縮すると、ドラムベースＬＰＰ  ＥＵＶ源に有用である。これは、ドラムベースＬＰＰ  ＥＵＶ源を使用して、より良好なエネルギー吸収を実現し、ドラムを損傷させるリスクを大幅に低下させることができるからである。
【００５４】
図６は、パルス整形ユニットの出力２１６を、合焦ユニット１６２ｃおよび窓１１２を通してチャンバ１１０内に送ることができ、このチャンバ１１０で、このビームを使用して、照射位置１０８の円筒対称要素１４０上のターゲット材１０６からプラズマを発生することができることを示している。レーザ源１９８および合焦ユニット１６２ｃは、（回線１８８ｃ、１６４ｃを介して）制御システム１２０と通信した状態で配置することができる。この構成により、トリミングされたパルスは、円筒対称要素１４０の表面１８０の照射損傷を軽減し（すなわちトリミングされていないパルスと比較して軽減し）、場合によっては解消することができる。図６から図８に示すパルストリミングは、図２および図４に示すプレパルス／主パルスシステムに使用して、ターゲット材表面（図５）の上流側でビームを合焦させるシステムにおいてプレパルス、または主パルス、あるいはその両方をトリミングすることができ、また、プレパルスを使用しないシステムで使用することもできる。
【００５５】
１μｍ駆動レーザによるキセノンターゲット材の初期イオン化は、光イオン化プロセスによって起こる。光子のエネルギーは、Ｅｐｈｏｔｏｎ＝ｈｃ／λで与えられ、ここで、ｈはプランク定数（６．６２＊１０−３４ｍ２ｋｇ／ｓ）、ｃは光速、λは光の波長である。波長１μｍのレーザ光では、レーザ光子エネルギーは、約１．２ｅＶであり、キセノン原子のイオン化電位は、１２．１３ｅＶである。したがって、イオン化は、１つの光子では行うことができない。高い放射強度では、イオン化は、いくつかの光子の同時吸収によって起こる。この効果は、多光子イオン化（ＭＰＩ）と呼ばれる。ＭＰＩプロセスでは、イオン化率は、放射強度とともに大きく増大する。また、波長の短いレーザの方が、同じ放射強度でもイオン化率が高くなる。さらに、実際のレーザ強度は、レーザパルスの開始時に最初は（パルスの時間的プロフィル形状により）パルス平均値より低くなる。これにより、ＭＰＩイオン化時間はさらに長くなる。キセノンターゲットは、ＭＰＩでは弱くしかイオン化されず、レーザ吸収は、レーザパルスの第１の「ステージ」では小さいことは明らかである。その結果として、レーザエネルギーの一部が吸収されず、キセノンアイスを透過してドラム表面に至ることになる。キャビティダンプレーザまたはＱスイッチレーザによって生成される通常のレーザの時間的パルス形状（例えばガウス形）は、長い立ち上がり縁部の上昇時間を有するので、エネルギー吸収が非効率的になり、ドラム表面の損傷が過剰になる可能性がある。したがって、上述のようにパルストリミングによって実現することができる速い上昇時間および降下時間を有するレーザパルスを有することが望ましい。
【００５６】
図９および図１０は、レーザビームが円筒対称要素１４０ｄの表面１８０ｄに到達する前にターゲット材１０６ｄを通って進行（および拡大）する距離を増大させて、円筒対称要素１４０ｄの表面におけるレーザ出力密度を低下させることによって、円筒対称要素１４０ｄへの照射損傷を軽減し、場合によっては解消するための構成を示す図である。図示のように、ターゲット材１０６ｄは、照射位置１０８ｄで面法線２２２を有する露出表面１９４ｄを有する。図９は、レーザビームを、照射位置１０８ｄにおいて面法線２２２との間に非ゼロの斜角α１をなすレーザビーム軸２２４に沿って、照射位置１０８ｄに送達することができることを示している。例えば、約１０から６０度の範囲の角度α１を使用することができる。また、図１０は、レーザビームを、照射位置１０８ｄにおいて面法線２２２との間に非ゼロの斜角α２をなすレーザビーム軸２２６に沿って、照射位置１０８ｄに送達することができることを示している。例えば、約１０から６０度の範囲の角度α２を使用することができる。図９および図１０から、角度α１および／またはα２がゼロから増大するにつれて、ビームが円筒対称要素１４０ｄに到達するまでに進行する距離が増大して、（面法線２２２と整列したビーム（すなわちα１＝α２＝０度）と比較して）照射損傷が低下することが分かる。図９および図１０に示すような面法線に対して非ゼロの角度でのレーザビームの整列は、図２および図４に示すプレパルス／主パルスシステムにも、ターゲット材表面（図５）の上流側でビームを合焦させるシステムにも、トリミングされたパルスの実施形態（図６から図８）にも、あるいはプレパルスまたはパルストリミングを使用しないシステムでも使用することができる。
【００５７】
図１１は、複数の軸方向に整列した溝２３０が形成された表面２２８を有する、軸１４６ｅの周りで回転する円筒対称要素１４０ｅを示す図である。例えば、溝２３０は、表面２２８に機械加工することができる。図１２は、ターゲット材１０６ｅの層でコーティングされた円筒対称要素１４０ｅの一部分を示す図である。ここに示すように、各溝２３０は、一対のフィン２３２で画定され、各フィン２３２は、フィン先端２３４を有する。例えば、溝２３０ａは、フィン２３２ａ、２３２ｂによって画定され、フィン先端２３４ａから溝表面部分２３８までの溝深さ２３６を有する。通常は、各溝の溝深さ２３６を、約１ｍｍより大きくして、円筒対称要素１４０ｅの照射損傷を軽減し、場合によっては解消する。また、ターゲット材１０６ｅの層は、フィン先端２３４ａからターゲット材１０６ｅの露出表面１９４ｅまでの距離２４０にわたって延びている。通常は、距離２４０は、約０．５ｍｍより大きい。この構成により、レーザ発射を円筒対称要素１４０ｅの回転と同期させて、レーザがターゲット材（例えばキセノンアイス）の厚いポケットのみを照射し、それにより円筒対称要素１４０ｅの損傷を軽減することを保証することができるが、これは、レーザビームが、さらに長い距離にわたって拡大することができるからである。溝２３０の間のフィン２３２は、円筒対称要素１４０ｅの表面を効率的に冷却し、キセノンアイスの安定性を維持するのを助けることができる。いくつかの実施形態では、各溝２３０の底部表面２４２は、滑らかに（すなわち比較的低い表面粗さＳＲ１を有するように）研磨して、レーザ光の反射率を高めることができ、面２４４（すなわち底部表面２４２とフィン先端２３４の間の表面）は、粗くする（すなわち、ＳＲ１＜ＳＲ２として、比較的高い表面粗さＳＲ２を有するようにする）、またはテクスチャを付けて、ターゲット材１０６ｅと円筒対称要素１４０ｅの間の付着を促進することができる。
【００５８】
図１３は、フィン２３２ｆから２３２ｈによって画定された溝２３０ｆ、２３０ｇが、１つの照射位置１０８ｆ、１０８ｇを収容する大きさの、軸１４６ｅ（図１１）に直交する溝幅を有する実施形態を示す図である（各丸が、照射の影響を受ける領域、例えばターゲット材中に生成されるいわゆるクレータを表している）。図示のように、隣接する溝２３０ｆ、２３０ｇ中の照射位置を、連続した軸方向パスで照射することができる（例えば、照射位置１０８ｆ（黒丸）に対して、円筒対称要素１４０ｆを第１の軸方向に軸方向移動させて照射を行い、その後、照射位置１０８ｇ（白丸）に対して、円筒対称要素１４０ｆの第２の軸方向（第１の方向と逆平行）に軸方向移動させて照射を行うことができる）。
【００５９】
図１４は、フィン２３２ｉから２３２ｋによって画定された溝２３０ｈ、２３０ｉが、２つの照射位置１０８ｈから１０８ｋを収容する大きさの、軸１４６ｅ（図１１）に直交する溝幅を有する実施形態を示す図である（各丸が、照射の影響を受ける領域、例えばターゲット材中に生成されるいわゆるクレータを表している）。図示のように、溝２３０ｉなどの各溝中の隣接する照射位置を、連続した軸方向パスで照射することができる（例えば、照射位置１０８ｈ（黒丸）に対して、円筒対称要素１４０ｈを第１の軸方向に軸方向移動させて照射を行い、その後、照射位置１０８ｉ（白丸）に対して、円筒対称要素１４０ｈの第２の軸方向（第１の方向と逆平行）に軸方向移動させて照射を行うことができる）。溝幅当たり１つの照射位置を収容する大きさの溝幅を有する実施形態、および溝幅当たり２つの照射位置を収容する大きさの溝幅を有する実施形態を示したが、（溝幅当たり）３つ以上の照射位置を収容する大きさの溝を使用することもできることを理解されたい。
【００６０】
図１３および図１４に関連して上述した構成を実施するためには、図１に示す駆動ユニット１４４を、各端部位置（例えば図１に示す整列状態では上部および底部）で照射が行われている間に円筒対称要素１４０の回転速度を変化させて（すなわち加速して）、以前に照射した位置を照射することを避ける（すなわち連続動作中にクレータが重なり合わないようにする）ようにプログラムすればよい。この構成では、プラズマ形成用ターゲット材スポットの第１のセット（例えば図１４の黒丸の照射位置１０８ｊ）には、第１の端部位置（例えば上部）から第２の端部位置（例えば底部）に円筒対称要素１４０を平行移動させるときに照射を行い、プラズマ形成用ターゲット材スポットの第２のセット（例えば図１４の白丸の照射位置１０８ｋ）には、第２の端部位置（例えば底部）から第１の端部位置（例えば上部）に円筒対称要素１４０を平行移動させるときに照射を行うことができる。
【００６１】
図１５は、ターゲット材１０６ｍでコーティングされた円筒対称要素１４０ｍの回転位置を示す信号を回線２５０を介して出力するエンコーダ２４８を有するシステム２４６を示す図である。例えば、エンコーダ２４８は、光学ベースエンコーダ、磁石ベースエンコーダ、またはこの適用業務に適した当技術分野で既知のその他の任意のタイプのエンコーダとすることができる。例えば、エンコーダは、図１に示す制御システム１２０と通信することができる。この構成では、エンコーダ出力を使用して、レーザ出力が円筒対称要素の回転位置と同期するように、（例えば図１に示す励起源１０４による）パルスレーザ出力をトリガすることができる。例えば、エンコーダ２４８は、（例えば、溝２３０ｍまたはフィン２３２ｍが、エンコーダ２４８がモニタリングする予め選択した位置を通過するときに）フィン２３２ｍの間の溝２３０ｍの位置を正確に記録する光学エンコーダとすることができる。
【００６２】
光源照明は、検査、フォトリソグラフィ、または計測学などの半導体プロセスの適用分野に使用することができる。例えば、図１６に示すように、検査システム３００は、本明細書に記載するターゲット送達システムのうちの１つを有する上述した光源１００などの光源を組み込んだ照明源３０２を含むことができる。検査システム３００は、半導体ウェハあるいはブランクまたはパターン付きマスクなどの少なくとも１つの試料３０４を支持するように構成されたステージ３０６をさらに含むことができる。照明源３０２は、照明経路を介して試料３０４を照明するように構成することができ、試料３０４から反射、散乱、または放射された照明は、撮像経路に沿って少なくとも１つの検出器３１０（例えばカメラ、または光センサのアレイ）に向けて送ることができる。検出器３１０に通信可能に結合されたコンピューティングシステム３１２は、検出された照明信号に関連する信号を処理して、非一時的な搬送媒体３１４からコンピューティングシステム３１２のプロセッサによって実行可能なプログラム命令３１６に埋め込まれた検査アルゴリズムに従って試料３０４の１つまたは複数の欠陥を位置特定し、それらの欠陥の様々な属性を測定するように構成することができる。
【００６３】
さらに例えば、図１７は、本明細書に記載するターゲット送達システムのうちの１つを有する上述した光源１００などの光源を組み込んだ照明源４０２を含むフォトリソグラフィシステム４００の全体を示す図である。フォトリソグラフィシステムは、半導体ウェハなど、少なくとも１つの基板４０４をリソグラフィ処理のために支持するように構成されたステージ４０６を含むことができる。照明源４０２は、照明源４０２から出力された照明によって基板４０４または基板４０４上に配置された層に対してフォトリソグラフィを実行するように構成することができる。例えば、出力された照明をレチクル４０８に向けて送り、レチクル４０８から基板４０４に向けて送って、照明したレチクルのパターンに従って基板４０４または基板４０４上の層の表面をパターン形成することができる。図１６および図１７に示す例示的な実施形態は、上述した光源の適用分野を大まかに示すものであるが、当業者なら、本開示の範囲を逸脱することなくこれらの源を様々な状況に適用することができることを理解するであろう。
【００６４】
当業者なら、本明細書に記載するプロセスおよび／またはシステムおよび／またはその他の技術を実施することができる様々な媒体（例えばハードウェア、ソフトウェア、および／またはファームウェア）があること、ならびに好ましい媒体は、プロセスおよび／またはシステムおよび／またはその他の技術を展開する状況によって変化することになることをさらに理解するであろう。いくつかの実施形態では、様々なステップ、機能、および／または動作は、電子回路、論理ゲート、マルチプレクサ、プログラマブル論理デバイス、ＡＳＩＣ、アナログまたはデジタルの制御装置／スイッチ、マイクロコントローラ、あるいはコンピューティングシステムのうちの１つまたは複数で実行される。コンピューティングシステムは、これらに限定されるわけではないが、パーソナルコンピューティングシステム、メインフレームコンピューティングシステム、ワークステーション、画像コンピュータ、並列プロセッサ、または当技術分野で既知のその他の任意のデバイスを含む可能性がある。一般に、「コンピューティングシステム」という用語は、搬送媒体から命令を実行する１つまたは複数のプロセッサを有する任意のデバイスを含むものとして広範に定義される。本明細書に記載する方法などの方法を実施するプログラム命令は、搬送媒体を介して伝送してもよいし、搬送媒体に記憶してもよい。搬送媒体は、ワイヤ、ケーブル、ワイヤレス伝送リンクなどの伝送媒体を含む可能性がある。搬送媒体は、また、読取り専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気または光ディスク、あるいは磁気テープなどの記憶媒体を含む可能性もある。
【００６５】
本明細書に記載する全ての方法は、これらの方法の実施形態の１つまたは複数のステップの結果を記憶媒体に記憶することを含むことができる。これらの結果は、本明細書に記載する任意の結果を含むことができ、当技術分野で既知の任意の方法で記憶することができる。記憶媒体は、本明細書に記載する任意の記憶媒体、または当技術分野で既知のその他の任意の適当な記憶媒体を含むことができる。結果を記憶した後、記憶媒体中のこれらの結果にアクセスして、本明細書に記載する方法またはシステムの実施形態のいずれかによって使用し、ユーザに表示するためにフォーマット化し、別のソフトウェアモジュール、方法、またはシステムなどが使用することができる。さらに、これらの結果は、「永久的」に、「半永久的」に、「一時的」に、または何らかの期間にわたって、記憶することができる。例えば、記憶媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）であることもあり、結果は、必ずしも無期限に記憶媒体内に残るとは限らないこともある。
【００６６】
本発明の特定の実施形態について説明したが、当業者なら、上記の開示の範囲および趣旨を逸脱することなく、本発明を様々に修正および実施することができることは明らかである。したがって、本発明の範囲は、本明細書に添付される特許請求の範囲によってのみ限定されるものとする。
【図１】
2019502945.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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