(57)【要約】  横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法が提供される。この横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、基板（１０）と、基板（１０）上のアノード端子及びカソード端子と、アノード端子とカソード端子との間に配置されたドリフト領域(３０)及びゲート電極（６２）とを備える。アノード端子は、基板（１０）上のＮ型バッファ領域（４２）と、Ｎ型バッファ領域（４２）内のＰウェル（４４）と、Ｐウェル（４４）内のＮ＋領域（４６）と、Ｎ＋領域（４６）の上に配置されＰウェル（４４）によって部分的に囲まれた溝と、前記溝内に配置された多結晶シリコン（７４）と、溝の両側のＰ＋接合部（５３）と、Ｐ＋接合部（５３）の両側に配置されたＮ＋接合部（５５）とを備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されたカソード端子と、
前記基板上に配置されたアノード端子であって、前記基板上に配置されたＮ型バッファ領域と、前記Ｎ型バッファ領域内に配置されたＰウェルと、前記Ｐウェル内に配置されたＮ＋領域と、前記Ｎ＋領域の上に配置され前記Ｐウェルによって部分的に囲まれたトレンチと、前記トレンチ内に配置されたポリシリコンと、前記トレンチの両側に配置されたＰ＋接合部と、前記Ｐ＋接合部の両側に配置されたＮ＋接合部とを備えるアノード端子と、
前記アノード端子と前記カソード端子との間に配置されたドリフト領域と、
前記アノード端子と前記カソード端子との間に配置されたゲートとを備える、横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項２】
前記トレンチは、幅が底から上に向かって徐々に増加して傾斜を形成し、幅の狭い底部と幅の広い頂部とを有する構造である、請求項１に記載の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項３】
前記Ｎ型バッファ領域のドーパント濃度は、前記Ｐウェルのドーパント濃度よりも低く、前記Ｐウェルの前記ドーパント濃度は、前記Ｐ＋接合部及び前記Ｎ＋接合部のドーパント濃度よりも低い、請求項１に記載の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項４】
前記Ｎ型バッファ領域の前記ドーパント濃度は、２Ｅ１５〜５Ｅ１５ｃｍ−３の範囲内にあり、前記Ｐウェルの前記ドーパント濃度は、４Ｅ１７〜８Ｅ１７ｃｍ−３の範囲内にあり、前記Ｐ＋接合部及び前記Ｎ＋接合部の前記ドーパント濃度は、５Ｅ２０〜１０Ｅ２０ｃｍ−３の範囲内にある、請求項３に記載の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項５】
前記アノード端子は、前記トレンチの内面上に配置された酸化層をさらに備え、前記酸化層は、前記トレンチの側壁上に配置された酸化膜と、前記トレンチの底部の両側に配置されたスペーサ構造とを含み、前記酸化層は、前記ポリシリコンがその下にある前記Ｎ＋領域と直接接触するように、前記トレンチの底部の中央部に対応する位置にボイドを有する、請求項１に記載の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項６】
前記ポリシリコンのドーパント濃度は、１Ｅ２１〜１０Ｅ２２ｃｍ−３の範囲内である、請求項１に記載の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項７】
前記横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、シリコン・オン・インシュレータ型の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタであり、前記横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、前記基板と前記ドリフト領域との間に配置された埋込み酸化層をさらに備え、前記基板は、Ｐ型基板であり、前記ドリフト領域は、Ｎ型ドリフト領域である、請求項１に記載の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項８】
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法であって、
シリコンウエハにＮ型イオンを注入し、ドライブインを行いＮ型バッファ領域を形成し、
前記シリコンウエハの表面上にハードマスク層を堆積させ、フォトレジストを用いてトレンチリソグラフィ及びエッチングを行って前記ハードマスク層をエッチングしトレンチ窓を形成し、
前記トレンチ窓の下のシリコンをエッチングしてトレンチを形成し、
ライナー酸化を行って前記トレンチの内側表面にライナー酸化層を形成し、前記トレンチの側壁における前記ライナー酸化層の厚さが前記トレンチの底部における前記ライナー酸化層の厚さよりも大きくなされており、
前記トレンチ窓を通してＰ型イオンを注入し、前記イオンが前記ライナー酸化層を通過して前記トレンチ周りのＮ型バッファ領域内にＰウェルを形成し、
前記トレンチ内に酸化層を堆積させ、前記酸化層のエッチング後に前記トレンチの側壁上に酸化膜と前記トレンチの底部の両側にスペーサ構造とを形成し、
Ｎ型イオンを前記トレンチ内に注入して、前記酸化膜及び前記スペーサ構造の遮断状況下で自己整合注入によりＮ＋領域を形成し、
前記トレンチ内にポリシリコンを堆積して、前記ポリシリコンのエッチング後に前記ハードマスク層を剥離し、
前記Ｐウェル及び前記Ｎ＋領域にアニールを行い、
リソグラフィおよびエッチングによって前記トレンチの両側にＰ＋接合部と前記Ｐ＋接合の両側にＮ＋接合部とを形成するようになされている、横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記ハードマスク層は、窒化シリコン層である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記トレンチ内に前記酸化層を堆積させ、前記酸化層のエッチング後に前記トレンチの側壁上に前記酸化膜と前記トレンチの前記底部の両側に前記スペーサ構造とを形成する前記ステップ中において、反応物質としてエチルオルトシリケートを用いて化学蒸着を行い、且つ異方性エッチングを行う、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記トレンチ内に前記ポリシリコンを堆積する前記ステップの前、及び前記トレンチ内に前記Ｎ型イオンを注入する前記ステップの後には、前記酸化層を洗浄するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記トレンチ窓を通して前記Ｐ型イオンを注入し、前記イオンが前記酸化層を通過し、前記トレンチの周囲の前記Ｎ型バッファ領域内に前記Ｐウェルを形成する前記ステップ中において、複数の注入を行い、よりゆっくりと変化するドーパント濃度勾配を得られるようになされた、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記Ｎ型バッファ領域のドーパント濃度は、前記Ｐウェルのドーパント濃度よりも低く、前記Ｐウェルの前記ドーパント濃度は、前記Ｐ＋接合部及び前記Ｎ＋接合部のドーパント濃度よりも低い、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記Ｎ型バッファ領域の前記ドーパント濃度は、２Ｅ１５〜５Ｅ１５ｃｍ−３の範囲内にあり、前記Ｐウェルの前記ドーパント濃度は、４Ｅ１７〜８Ｅ１７ｃｍ−３の範囲内にあり、前記Ｐ＋接合部及び前記Ｎ＋接合部の前記ドーパント濃度は、５Ｅ２０〜１０Ｅ２０ｃｍ−３の範囲内にある、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、シリコン・オン・インシュレータ型の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタであり、基板は、Ｐ型基板であり、ドリフト領域は、Ｎ型ドリフト領域である、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体技術に関し、より詳細には、横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、及びその横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＬＩＧＢＴ）は、通常、高電圧電力駆動集積回路の出力段として用いられる。このＬＩＧＢＴの構造は、横型二重拡散ＭＯＳＦＥＴ（ＬＤＭＯＳ）における単一キャリアによるオン抵抗の低減と比べて、電子と正孔の両方の二重キャリアの注入によって生じる伝導度変調効果により、より低いオン抵抗を示すことができる。
【０００３】
しかしながら、ＬＩＧＢＴをオフにすると、ＬＩＧＢＴのドリフト領域には、少数キャリアの正孔が残存することにより、ターンオフ時間が長くなり、消費電力が大きくなるという問題がある。オン抵抗とターンオフ時間は、正孔濃度に反比例するため、オン抵抗とターンオフ時間のバランスをどのようにとるかが、ＬＩＧＢＴ素子を継続的に改善する指針となってきている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、低いオン抵抗を確保した上で、迅速にオフさせることができる横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供することが必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、基板と、基板上のアノード端子及びカソード端子と、アノード端子とカソード端子との間に配置されたドリフト領域及びゲートとを備える。アノード端子は、基板上のＮ型バッファ領域と、Ｎ型バッファ領域内のＰウェルと、Ｐウェル内のＮ＋領域と、Ｎ＋領域の上に位置しＰウェルによって部分的に囲まれたトレンチと、トレンチ内のポリシリコンと、トレンチの両側のＰ＋接合部と、Ｐ＋接合部の両側のＮ＋接合部とを備える。
【０００６】
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法は、シリコンウエハにＮ型イオンを注入しドライブインを行ってＮ型バッファ領域を形成し、シリコンウエハの表面上にハードマスク層を堆積させフォトレジストを用いてトレンチリソグラフィ及びエッチングを行ってハードマスク層をエッチングしてトレンチ窓を形成し、トレンチ窓の下のシリコンをエッチングしてトレンチを形成し、ライナー酸化を行ってトレンチの内側表面にライナー酸化層を形成し、ここで、トレンチの側壁におけるライナー酸化層の厚さがトレンチの底部におけるライナー酸化層の厚さよりも大きくなされており、トレンチ窓を通してＰ型イオンを注入し該イオンがライナー酸化層を通過してトレンチ周りのＮ型バッファ領域内にＰウェルを形成し、トレンチ内に酸化層を堆積させ該酸化層をエッチングした後にトレンチの側壁上に酸化膜とトレンチの底部の両側にスペーサ構造とを形成し、Ｎ型イオンをトレンチ内に注入して酸化膜及びスペーサ構造の遮断状況下で自己整合注入によりＮ＋領域を形成し、トレンチ内にポリシリコンを堆積してポリシリコンのエッチング後にハードマスク層を剥離し、ＰウェルとＮ＋領域にアニールを行い、リソグラフィおよびエッチングによってトレンチの両側にＰ＋接合部と該Ｐ＋接合の両側にＮ＋接合とを形成するようになされている。
【０００７】
上記横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいては、一方で、順方向導通時に複数の正孔が注入されることにより、大きな伝導度変調効果が生じてオン抵抗を低減し、他方で、デバイスがオフ状態になると、Ｎ＋領域とＮ＋接合部が少数キャリアの正孔を迅速に吸収し、ターンオフ損失を大幅に低減することができる。
【０００８】
本開示のさらなる目的、特徴、及び利点は、添付の図面に示される好ましい実施形態の詳細な説明から明らかになるのであろう。図面中の構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれている必要はなく、代わりに、本開示の原理を明確に例示することに重点が置かれている。さらに、図面において、同様の参照番号は、図面全体を通して対応する部分を示す。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの断面図である。
【図２】一実施形態に係る横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照してより十分に説明する。なお、本発明の様々な実施形態は、多くの異なる形態で具体化することができ、本明細書で説明される実施形態に限定されると解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が十分かつ完全になるように且つ本発明の範囲を当業者に十分に伝えるように提供されるものである。
【００１１】
ある要素が別の要素に「固定される」と称される場合、この要素は、その別の要素に直接固定され得るものであるか、又は間に介在する要素が存在してもよいことが理解されるであろう。また、ある要素が別の要素に「接続」又は「結合」されていると称される場合、この要素は、その別の要素に直接接続又は結合され得るものであるか、又は間に介在する要素が存在してもよい。本明細書で用いられるように、「垂直」、「水平」、「左」、「右」といった用語、及びこれらの類似の表現は、例示のみを目的とする。
【００１２】
ここで用いられる半導体語彙は、当業者によって一般的に用いられる技術用語である。例えば、Ｐ型及びＮ型不純物に関して、ドーパント濃度を区別するために、Ｐ＋型は、単に高濃度にドープされたＰ型を表し、Ｐ型は、中濃度にドープされたＰ型を表し、Ｐ−型は、低濃度にドープされたＰ型を表す。Ｎ＋型は、高濃度にドープされたＮ型を表し、Ｎ型は、中濃度にドープされたＮ型を表し、Ｎ−型は、低濃度にドープされたＮ型を表す。
【００１３】
なお、別段の定義がない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術用語及び科学用語を含む）は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されるものと同じ意味を有する。さらに、一般に使用される辞書で定義される単語等の用語は、関連技術の文脈におけるそれらの意味と一致する意味を有するものとして解釈されるべきであり、本明細書で明確にそのように定義されない限り、理想化された又は過度に形式的な意味で解釈されないことを理解されたい。本明細書で使用される「及び／又は」という用語は、関連する列挙された項目のうちの１つ又は複数の任意の及び全ての組合せを含む。
【００１４】
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ技術は、伝導度変調効果により導通電圧降下が小さくなるのに伴い、長いドリフト領域のため、このドリフト領域内に残存する少数キャリアに起因してターンオフ時間が長くなるという問題を抱える。したがって、オン電圧降下とターンオフ時間とのバランスをどのようにとるかが、横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタを継続的に改善する指針となってきている。
【００１５】
図１は、一実施形態に係る横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの概略図である。横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、基板１０と、基板１０上に形成されたアノード端子及びカソード端子と、アノード端子とカソード端子との間に配置されたドリフト領域３０及びゲート６２とを備える（ゲート６２の底部のゲート酸化層は、図１では省略されている）。アノード端子は、基板１０上のＮ型バッファ領域４２と、Ｎ型バッファ領域４２内のＰウェル４４と、Ｐウェル４４内のＮ＋領域４６と、Ｎ＋領域４６上に配置されＰウェル４４によって部分的に囲まれたトレンチと、トレンチ内のポリシリコン７４と、トレンチの両側にＰ＋接合部５３と、Ｐ＋接合部５３の両側にＮ＋接合部５５とを備える。カソード端子は、基板１０上のＰ−領域５２と、Ｐ−領域５２内のＰ型ボディ領域５４及びエミッタＮ＋領域５６とを備え、カソード金属６４は、エミッタの電極として働く。
【００１６】
上記横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタでは、ゲート６２が順バイアスされると、デバイスチャネルがオンし、電子電流がエミッタのＮ＋領域５６から流れ、Ｐ−領域５２のチャネルを通過し、ドリフト領域３０、Ｎ型バッファ領域４２、及びＮ＋領域４６に侵入する。コレクタが順バイアスされると、正孔は、コレクタのＰウェル４４からＰＮ接合の広い領域を通過してＮ型バッファ領域４２に注入され始め、これによって高効率なマルチパスによる多数キャリアの正孔注入を実現し、オン抵抗を大幅に低減する。ＬＩＧＢＴが逆にオフされると、コレクタ（Ｐ＋接合５３及びＮ＋接合５５を含む）が順方向バイアスされ、Ｎ＋領域４６、Ｐウェル４４及びＮ型バッファ領域４２が正孔注入のためのより低い抵抗経路を形成し、ドリフト領域３０内に残存する少数キャリアの正孔を迅速に抽出し始め、より速いスイッチング速度が保証され、迅速なターンオフの目的を達成することができる。
【００１７】
図１に示す実施形態では、トレンチは、幅が底から上に向かって徐々に増加して傾斜を形成し、幅の狭い底部と幅の広い頂部とを有する構造である。
【００１８】
図１に示す実施形態では、Ｎ型バッファ領域４２のドーパント濃度は、Ｐウェル４４のドーパント濃度よりも低く、Ｐウェル４４のドーパント濃度は、Ｐ＋接合５３及びＮ＋接合５５のドーパント濃度よりも低い。一実施形態では、Ｎ型バッファ領域４２のドーパント濃度は、２Ｅ１５〜５Ｅ１５ｃｍ−３の範囲内にあり、Ｐウェル４４のドーパント濃度は、４Ｅ１７〜８Ｅ１７ｃｍ−３の範囲内にあり、Ｐ＋接合５３及びＮ＋接合５５のドーパント濃度は、５Ｅ２０〜１０Ｅ２０ｃｍ−３の範囲内にある。
【００１９】
図１に示す実施形態では、アノード端子は、トレンチの内面上に配置された酸化層をさらに備える。この酸化層は、トレンチの側壁上に配置された酸化膜７２と、トレンチの底部の両側に配置されたスペーサ構造７２ａとを含む。酸化層は、トレンチ内のポリシリコン７４がその下にあるＮ＋領域４６と直接接触するように、トレンチの底部の中央部分に対応する位置にボイドを有する。
【００２０】
図示の実施形態では、トレンチの底部の両側に配置されたポリシリコン７４は、Ｎ＋高濃度ドープポリシリコンであり、そのドーパント濃度はＥ２１〜Ｅ２２ｃｍ−３のオーダーである。
【００２１】
シリコン・オン・インシュレータ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：ＳＯＩ）技術は、ＨＶＩＣ及びＳＰＩＣ用途においてますます重要になっており、一方、ＩＧＢＴデバイスは、高い入力インピーダンス及び伝導度変調効果によって引き起こされる、低オン抵抗特性のために、パワーデバイス用途の分野において次第に重要な役割を果たしてきている。ＳＯＩ型のＬＩＧＢＴデバイスは、バルク・シリコーン接合絶縁デバイスと比較して、低電流漏洩、低オン状態抵抗、高入力インピーダンス、高パッケージ密度、高速スイッチング、著しいノイズ低減効果、及びトレンチ絶縁によって引き起こされる高温作業環境下での実現可能性といった特徴を有するため、自動車電子機器、家庭用電子機器、通信、及び産業上の用途において、その応用が広がっている。オン状態抵抗を低減するためには、正孔の効率的な注入及び相当な伝導度変調効果を必要とすることが特に重要であるが、それに応じて、デバイスがオフされるときに少数キャリアの正孔を迅速に消滅させることができないことによって引き起こされるターンオフ損失が増大することになる。図１に示すＬＩＧＢＴは、シリコン・オン・インシュレータ型の横型絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＳＯＩ−ＬＩＧＢＴ）であり、基板１０とドリフト領域３０との間に配置された埋込み酸化層２０を備える。基板１０は、Ｐ型基板であり、ドリフト領域３０は、Ｎ型ドリフト領域である。
【００２２】
図２は、一実施形態に係る横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法のフローチャートであり、以下のステップを含んでいる。
【００２３】
ステップＳ２１０では、Ｎ型イオンがシリコンウエハに注入され、ドライブインを行い、Ｎ型バッファ領域を形成する。
【００２４】
ステップＳ２２０において、ハードマスク層が堆積され、トレンチリソグラフィ及びエッチングが行われ、ハードマスク層をエッチングしてトレンチ窓を形成する。
【００２５】
ここで、ハードマスク層は、シリコンウエハの表面に堆積され、ハードマスク層の表面にフォトレジストを塗布してリソグラフィを行う。リソグラフィの後にフォトレジストから露出されたハードマスク層は、トレンチ窓を形成するためにエッチング除去され、それによって下にあるシリコンを露出する。図示の実施形態では、ハードマスク層は、窒化シリコン層である。代替実施形態では、当該技術分野で知られている他のハードマスクを使用することもできる。
【００２６】
一実施形態では、パッド酸化層もまた、ハードマスク層の堆積前に形成される。
【００２７】
ステップＳ２３０では、トレンチ窓の下のシリコンをエッチングしてトレンチを形成する。
【００２８】
図示の実施形態では、エッチングを行うことによって、幅が上から底に向かって徐々に減少して傾斜を形成し、幅の広い頂部と幅の狭い底部とを有する構造を形成する。
【００２９】
ステップＳ２４０では、ライナー酸化を行い、トレンチの内面上にライナー酸化層を形成する。
【００３０】
トレンチの側壁と底部の結晶方位は異なるため、ライナー酸化層の酸化速度に差が生じ、側壁の酸化層の厚さが、底部の酸化層の厚さよりも大きくなる。
【００３１】
ステップＳ２５０では、Ｐ型イオンを注入し、トレンチ周囲のＮ型バッファ領域内にＰウェルを形成する。
【００３２】
Ｐ型イオンは、トレンチ窓を通して注入され、該イオンは、酸化層を通過し、トレンチの周りのＮ型バッファ領域内にＰウェルを形成する。トレンチの側壁における酸化層の厚さは、底部における酸化層の厚さよりも大きいので、Ｐウェル内のＰ型イオンの濃度分布は、それに応じて影響を受ける。
【００３３】
ステップＳ２６０では、トレンチ内に酸化層が堆積される。該酸化層をエッチングした後、トレンチの側壁に酸化膜が形成され、トレンチの底部の両側にスペーサ構造が形成される。
【００３４】
図示された実施形態では、反応物質としてエチルオルトシリケート（ｅｔｈｙｌ  ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）（ＴＥＯＳ）を用いて化学蒸着を行い、二酸化ケイ素層を形成する。代替実施形態では、酸化層を当該技術分野で知られている他の技術を用いて形成することもできる。該酸化層の堆積後、異方性エッチングを用いて、トレンチの側壁に酸化膜を形成するとともに、トレンチの底部の両側にスペーサ構造を形成する。さらに、ステップＳ２７０では、トレンチの底部の中央部に酸化層のボイドが形成され、これはＮ＋注入の窓として機能する。
【００３５】
ステップＳ２７０では、Ｎ型イオンを注入し、酸化膜及びスペーサ構造の遮断状況下で自己整合注入によりＮ＋領域を形成する。
【００３６】
Ｎ型イオンは、トレンチに注入され、Ｎ＋領域は、酸化膜及びスペーサ構造の遮断状況下で自己整合注入によって形成される。
【００３７】
自己整合注入により形成されるＮ＋領域、Ｐウェル、及びＮ型バッファ領域は、縦方向の縦型ＮＰＮを形成し、これは、少数キャリアの寿命を制御する臨界手段として働く。
【００３８】
ステップＳ２８０では、トレンチ内にポリシリコンを堆積し、ポリシリコンをエッチングした後、ハードマスク層を剥離する。
【００３９】
ここで、ポリシリコンは堆積され、トレンチの外側にある余分なポリシリコンはエッチング除去され、その後、ハードマスク層が除去される。図示の実施形態において、この方法は、ポリシリコンを堆積するステップの前に、二酸化シリコン不純物を除去するためにＮ＋領域に隣接する二酸化シリコンを洗浄するステップをさらに含む。
【００４０】
図示の実施形態では、ポリシリコン７４は、Ｎ＋高濃度にドープされ、ドーパント濃度は、Ｅ２１〜Ｅ２２ｃｍ−３のオーダーである。
【００４１】
ステップＳ２９０では、Ｐウェル及びＮ＋領域に対してアニールを行う。
【００４２】
熱アニールは、Ｐウェル、Ｎ＋領域等にドープされたイオンを活性化するために行われる。アニールが完了した後、ＣＭＯＳプロセスなどの、デバイスの他の領域における製造プロセスが行われる。
【００４３】
ステップＳ３１０では、リソグラフィ及びエッチングによって、トレンチの両側にＰ＋接合部が形成され、該Ｐ＋接合部の両側にＮ＋接合部が形成される。
【００４４】
注入を完了した後、それに応じてアニールも実行され、その後、デバイスの次なるプロセスが実行される。
【００４５】
一実施形態では、ステップＳ２５０における注入が複数の注入によって行われ、このため、よりゆっくりと変化するドーパント濃度勾配が得られ、これはＰウェルの不純物の分布形態を最適化することができ、さらに、特定の領域において一定のドーパント濃度を達成することさえもでき、Ｎ＋／Ｐ−／Ｎ−型三極管の倍率を増大し、正孔の抽出速度を加速するのに役立つ。
【００４６】
上記の方法を用いて製造された横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの概略図を図１に示す。横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタでは、順方向導通時に複数の正孔が注入され、これにより大きな伝導度変調効果が生じ、オン抵抗を低減する。一方、デバイスがオフされるとき、Ｎ＋領域及びＮ＋接合部は、少数キャリアのホールを迅速に吸収することができ、それによってターンオフ損失を大幅に低減する。換言すれば、ＬＩＧＢＴのコレクタを最適化することにより、深いコレクタＰウェルとＰ＋接合部がトレンチ構造を通して導入され、Ｎ＋ポリシリコンとＮ＋領域が形成される。順方向導通時には、電子／正孔電流チャネルの広い分布が形成され、それによって電流能力が改善される。逆ブロッキング時には、最適化されたコレクタは、少数キャリアのホールをより迅速に収集し、ターンオフ時間を短縮するのに役立つ。一実施形態では、Ｎ型バッファ領域４２のドーパント濃度は、２Ｅ１５〜５Ｅ１５ｃｍ−３の範囲内にあり、Ｐウェル４４のドーパント濃度は、４Ｅ１７〜８Ｅ１７ｃｍ−３の範囲内にあり、Ｐ＋接合部５３及びＮ＋接合部５５のドーパント濃度は、５Ｅ２０〜１０Ｅ２０ｃｍ−３の範囲内にある。
【００４７】
本開示は特定の実施形態を参照して本明細書で例示及び説明されるが、本開示は、示された詳細に限定されることを意図しない。なお、本開示から逸脱することなく、特許請求の範囲の均等物の範囲及び範囲内で様々な修正を詳細に行うことができることに留意されたい。したがって、本開示の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲の対象となる。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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