(57)【要約】チップ欠陥検出装置及び検出方法を開示する。チップ欠陥検出装置は、少なくとも２種の波長のビームを放射するための光源ユニット（１０）と、光源ユニット（１０）から放射されるビームを受信し、その受信されたビームを第１部分と第２部分とに分割し、ビームの第１部分はチップ（６０）の被検査面を経て反射されて検出ビームを形成するビームスプリッタ（４０）と、ビームの第二部分を受信するのに用いられ、ビームの第二部分を処理して参照ビームを形成する参照ユニット（７０）と、検出ビーム及び参照ビームを受信するための検出ユニット（９０）であって、検出ユニットの検出面上に干渉信号を形成するように参照ビームと検出ビームは所定の角度を呈し、干渉信号によってチップ（６０）の被検査面の欠陥パラメータを決める検出ユニット（９０）とを含む。前記装置を用いてチップを検出することによって検出精度及び検出効率を向上させることができるだけでなく、比較的に大きいチップサンプルの検出にも適応することができる。
2019537713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２種の波長のビームを放射する光源ユニットと、
前記光源ユニットから放射されたビームを第１部分及び第２部分に分割し、前記ビームの第１部分は前記チップの被検査面を経て反射されて検出ビームを形成するビームスプリッタと、
前記参照ユニットの一表面を通じて前記ビームの第２部分を受信して参照ビームを形成する参照ユニットと、
前記検出ビーム及び前記参照ビームを受信するために用いられ、前記検出ユニットの検出面上に干渉信号を形成するように前記参照ビームと検出ビームは所定の角度を呈し、前記干渉信号によって前記チップの被検査面の欠陥パラメータを決める検出ユニットと、
を含む、ことを特徴とするチップ欠陥検出装置。
【請求項２】
前記検出ユニットは、前記干渉信号を検出するための少なくとも１つの検出器を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のチップ欠陥検出装置。
【請求項３】
前記検出器の数は複数個であり、各前記検出器は１つの波長のビームの検出に用いられる、
ことを特徴とする請求項２に記載のチップ欠陥検出装置。
【請求項４】
前記検出器は相補型金属酸化物半導体またはＣＣＤイメージセンサである、
ことを特徴とする請求項２に記載のチップ欠陥検出装置。
【請求項５】
前記参照ユニットは反射素子を含み、前記反射素子の表面を介して前記ビームの第２部分を受信して参照ビームを形成し、前記反射素子の表面と前記チップの被検査面に垂直する垂直方向との間は所定の角度を呈する、
ことを特徴とする請求項１に記載のチップ欠陥検出装置。
【請求項６】
前記光源ユニットは２種の波長のビームを放射し、前記検出ユニットによって測定された比較的短い波長を有するビームの照射強度及び２種の波長の合成波長を有するビームの照射強度は以下の式とお通りであり、
2019537713.tif 000011
式において、Ｉ１は比較的短い波長λ１を有するビームの照射強度を表し、
Ｉ２は２種の波長λ１及びλ２の合成波長を有するビームの照射強度を表し、
θは前記参照ユニットの表面と前記チップの被検査面に垂直する垂直方向との間の角を表し、
ｚは前記チップの被検査面上の測定点の高さを表し、ｘは前記検出ユニットにおける検出ピクセルの水平位置を表す、
ことを特徴とする請求項１に記載のチップ欠陥検出装置。
【請求項７】
比較的短い波長（λ１）を有するビームは前記チップ欠陥検出手段の解像度を決めるものであり、２種の波長の合成波長を有するビームは前記チップ欠陥検出装置の垂直方法の検出範囲を決めるものであり、
前記チップ欠陥検出装置の解像度と前記チップ欠陥検出装置の垂直方向の検出範囲はそれぞれ以下の式によって計算されるものであり、
Ｒ０=λ１/2/SNR；
Ｚ０=λｓ/2；
式において、Ｒ０は前記チップ欠陥検出装置の解像度を表し、
ＳＮＲは前記チップ欠陥検出装置の信号対雑音比を表し、
Ｚ０は前記チップ欠陥検出装置の垂直方向検出範囲を表し、
λｓは波長λ１及び波長λ２の合成波長を表す、
ことを特徴とする請求項６に記載のチップ欠陥検出装置。
【請求項８】
前記光源ユニットは三種の波長λ１、λ２及びλ３のビームを放射し、前記検出ユニットは複数のスーパーピクセルを含み、各前記スーパーピクセルは複数のピクセルを含み、各ピクセルにより測定した照射強度は以下の式通りであり：
2019537713.tif 000012
式において、（ｘ、ｙ）はピクセル座標を表し、Ｂ１、Ｂ２及びＢ３は各波長λ１、λ２及びλ３のビームの透過及び反射に関する係数であり、
Ａ１、Ａ２、Ａ３は各波長λ１、λ２及びλ３のビームとチップの被検査面の反射率に関する係数であり、
φ１、φ２、φ３は各波長λ１、λ２及びλ３のビームの初期位相を表し、
Ｉ（ｘ、ｙ）は座標（ｘ、ｙ）のピクセルで測定した照射強度を表し、θx,y,iは座標（ｘ、ｙ）とするピクセルで測定した前記参照ユニットから反射した波長（λ１）のビームと前記チップの被検査面から反射した波長（λｉ）のビームとの間の角度を表し、ここで、ｉ＝１、２、３である、
ことを特徴とする請求項１に記載のチップ欠陥検出装置
【請求項９】
チップの被検査面の欠陥パラメータはＦＦＴアルゴリズムにより得られる、ことを特徴とする請求項８に記載のチップ欠陥検出装置。
【請求項１０】
前記ビームスプリッタと前記チップの被検査面との間に位置し、前記チップの被検査面を拡大する対物レンズをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のチップ欠陥検出装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０の中の何れか一項に記載のチップ欠陥検出装置を用いるチップ欠陥検出方法において、
光源ユニットを用いて少なくとも２種の波長のビームを放射するステップと、
ビームスプリッタを用いて前記光源ユニットから放射されるビームを第１部分及び第２部分に分割するステップと、
前記ビームの第１部分は前記チップの被検査面を経て反射されて検出ビームを形成するステップと、
前記ビームの第２部分は参照ユニットを経て参照ビームを形成するステップと、
検出ユニットを用いて検出ビームと参照ビームとにより形成された干渉信号を検出し、前記干渉信号によって前記チップの被検査面の欠陥パラメータを決めるステップと、を含むことを特徴とするチップ欠陥検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積回路製造技術分野に関し、特にチップ欠陥検出装置及び検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
「モア・ザン・ムーア」の概念によりＩＣ業界はプロセス技術ノードを追求する時代からチップパッケージング技術に基づいて発展した新しい時代へと移行した。従来のパッケージングに比べて、ウェハーレベルパッケージング（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ，ＷＬＰ）は、パッケージサイズを縮小し、プロセスコストを削減する面で顕著な利点を有する。従って、ＷＬＰは将来ＩＣの継続的な発展をサポートする主要な技術の一つになるだろう。
【０００３】
ＷＬＰは主にＰｉｌｌａｒ／Ｇｏｌｄ／Ｓｏｌｄｅｒ  Ｂｕｍｐ、ＲＤＬ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ，再配線）、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａｓ、Ｓｉ貫通電極）などのプロセス技術を含む。チップ製造の歩留まりを向上させるために、パッケージングプロセス過程全体においてチップに対して欠陥を検出する必要があり、初期の装置は主に表面の汚染、擦り傷、粒子などの２Ｄ欠陥検出に集中されていた。プロセスに対する制御要求が高くなるにつれて、バンプの高さ、ＲＤＬの厚さ、ＴＳＶ穴の深さなどの表面の３Ｄ特徴に対して検出することがますます必要になってきた。
【０００４】
現在、チップの３Ｄ測定に対する精度は比較に低く、また検出効率が比較に低いため、ウェハーの全方向走査検出の要求を満たすことは困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、従来のチップ欠陥検出装置でチップを検出する際に、検出精度が低く、効率が低いという問題を解決するために、チップ欠陥検出装置及び検出方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記技術問題を解決するために、本発明の一方面は、少なくとも２種の波長のビームを放射する光源ユニットと、前記光源ユニットから放射されたビームを第１部分及び第２部分に分割し、前記ビームの第１部分は前記チップの被検査面を経て反射されて検出ビームを形成するビームスプリッタと、一表面を通じて前記ビームの第２部分を受信して参照ビームを形成する参照ユニットと、前記検出ビーム及び前記参照ビームを受信するために用いられ、検出面上に干渉信号を形成するように前記参照ビームと検出ビームは所定の角度を呈し、前記干渉信号によって前記チップの被検査面の欠陥パラメータを決める検出ユニットとを含むチップ欠陥検出装置を提供する。
【０００７】
選択的に可能なものとして、前記検出ユニットは前記干渉信号を検出するための少なくとも１つの検出器を含む。
【０００８】
選択的に可能なものとして、前記検出器の数は複数個であり、各前記検出器は１つの波長のビームの検出に用いられる。
【０００９】
選択的に可能なものとして、前記検出器は相補型金属酸化物半導体またはＣＣＤイメージセンサである。
【００１０】
選択的に可能なものとして、前記参照ユニットは反射素子を含み、前記反射素子の表面を介して前記ビームの第２部分を受信して参照ビームを形成し、前記反射素子の表面と前記チップの被検査面に垂直する垂直方向との間は所定の角度を呈する。
【００１１】
選択的に可能なものとして、前記光源ユニットは２種の波長のビームを放射し、前記検出ユニットによって測定された比較的短い波長を有するビームの照射強度及び２種の波長の合成波長を有するビームの照射強度は以下の式とお通りである。
2019537713.tif 000003
式において、Ｉ１は比較的短い波長λ１を有するビームの照射強度を表し、Ｉ２は２種の波長λ１及びλ２の合成波長を有するビームの照射強度を表し、θは前記参照ユニットの表面と前記チップの被検査面に垂直する垂直方向との間の角を表し、ｚは前記チップの被検査面上の測定点の高さを表し、ｘは前記検出ユニットにおける検出ピクセルの水平位置を表す。
【００１２】
選択的に可能なものとして、比較的短い波長（λ１）を有するビームは前記チップ欠陥検出手段の解像度を決めるものであり、２種の波長の合成波長を有するビームは前記チップ欠陥検出装置の垂直方法の検出範囲を決めるものであり、前記チップ欠陥検出装置の解像度と前記チップ欠陥検出装置の垂直方向の検出範囲はそれぞれ以下の式によって計算される。
Ｒ０=λ１/2/SNR；
Ｚ０=λｓ/2；
式において、Ｒ０は前記チップ欠陥検出装置の解像度を表し、ＳＮＲは前記チップ欠陥検出装置の信号対雑音比を表し、Ｚ０は前記チップ欠陥検出装置の垂直方向検出範囲を表し、λｓは波長（λ１）及び波長（λ２）の合成波長を表す。
【００１３】
選択的に可能なものとして、前記光源ユニットは三種の波長λ１、λ２及びλ３のビームを放射し、前記検出ユニットは複数のスーパーピクセルを含み、各前記スーパーピクセルは複数のピクセルを含み、各ピクセルにより測定した照射強度は以下の式通りである：
2019537713.tif 000004
【００１４】
式において、（ｘ、ｙ）はピクセル座標を表し、Ｂ１、Ｂ２及びＢ３は各波長λ１、λ２及びλ３のビームの透過及び反射に関する係数であり、Ａ１、Ａ２、Ａ３は各波長λ１、λ２及びλ３のビームとチップの被検査面の反射率に関する係数であり、φ１、φ２、φ３は各波長λ１、λ２及びλ３のビームの初期位相を表し、Ｉ（ｘ、ｙ）は座標（ｘ、ｙ）のピクセルで測定した照射強度を表し、θx,y,iは座標（ｘ、ｙ）とするピクセルで測定した前記参照ユニットから反射した波長（λ１）のビームと前記チップの被検査面から反射した波長（λ１）のビームとの間の角度を表し、ここで、ｉ＝１、２、３。
【００１５】
選択的に可能なものとして、チップの被検査面の欠陥パラメータはＦＦＴアルゴリズムにより得られる。
【００１６】
選択的に可能なものとして、前記ビームスプリッタと前記チップの被検査面との間に位置し、前記チップの被検査面を拡大する対物レンズをさらに含む。
【００１７】
前記技術問題を解決するために、本発明の他の一の形態は、前記チップ欠陥検出装置を用いるチップ欠陥検出方法において、
光源ユニットを用いて少なくとも２種の波長のビームを放射するステップと、
ビームスプリッタを用いて前記光源ユニットから放射されるビームを第１部分及び第２部分に分割するステップと、
前記ビームの第１部分は前記チップの被検査面を経て反射されて検出ビームを形成するステップと、
前記ビームの第２部分は参照ユニットを経て参照ビームを形成するステップと、
検出ユニットを用いて検出ビームと参照ビームとにより形成された干渉信号を検出し、前記干渉信号によって前記チップの被検査面の欠陥パラメータを決めるステップとを含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によるチップ欠陥検出装置及びその検出方法において、波長の異なる複数のビームから発生される干渉縞を解析してチップの欠陥を検出することにより、チップに対する三次元測定を実現し、検出精度及び検出効率を向上させ、また、より大きいチップサンプルの検出に適応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施例１によるチップ欠陥検出装置の原理を示す図である。
【図２】本発明の実施例１によるチップ欠陥検出装置の光源から放射される２種の波長の光で抽出した干渉信号図である。
【図３】本発明の実施例１によるチップ欠陥検出装置の光源から放射される１つの波長のビームの光路を示す図である。
【図４】本発明の実施例１によるチップ欠陥検出装置の光源から放射される３種の波長の光の光路を示す図である。
【図５】本発明の実施例２によるチップ欠陥検出装置の原理を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の思想の核心は、波長の異なるビームを用いて物体の被検査面を走査し、また、参照光路を用いて検出器上に干渉縞を形成し、干渉縞における干渉信号の位相を求めることによって被検査面に対して３Ｄ検出を行うことである。
【００２１】
以下、添付図面及び具体的な実施例を結合して本発明によるチップ欠陥検出装置及び検出方法についてさらに詳細に説明する。以下の説明及び特許請求範囲により本発明の長所及び特徴はさらに明確になり得る。なお、図面には、非常に簡易化した形式を採用し、且つ正確ではない縮尺比率を使用しており、本発明の実施例を容易かつ明確に説明することを補助するために用いられることに留意すべきである。
【実施例１】
【００２２】
図１は、実施例１のチップ欠陥検出装置の原理を示す図である。
【００２３】
本実施例によるチップ欠陥検出装置は、主に光源ユニット１０、参照ユニット７０、対物レンズ５０、検出ユニット９０、ビームスプリッタ４０、反射鏡２０及び複数のレンズを含む。
【００２４】
光源ユニット１０は所定波長を有するビームを生成するのに用いられ、これらのビームは反射鏡２０を経て反射されてレンズ３１に入射され、レンズ３１を介してビームスプリッタ４０に到達し、ビームスプリッタ４０はビームを二つの部分に分割し、その一部は対物レンズ５０を経てチップ６０の被検査面に照射され、チップ６０の被検査面から反射されて検出ビーム４２を形成し、対物レンズ５０、ビームスプリッタ４０及びレンズ３３を順次に通過して検出ユニット９０に到達する。他の部分は参照ユニット７０に入射した後、さらに参照ユニット７０で反射されて参照ビーム４１を形成し、レンズ３２、ビームスプリッタ４０及びレンズ３３を通過して検出ユニット９０に達する。検出ビーム４２と参照ビーム４１との間に所定の角度θを有するので、検出ビーム４２と参照ビーム４１は検出ユニット９０上に干渉縞を形成し、干渉縞の位相を解析することによって被検査面の高さを抽出することができる。
【００２５】
光源ユニット１０で発生されるビームは少なくとも２つの波長の異なるビームを含み、光源ユニット１０は、コヒーレンス性及び指向性の優れたビームを優先的に選択する。ビームの波長の選択は検出高さ範囲の需要及び解像度の需要によって決められる。
【００２６】
以下、説明の便宜上、光源ユニット１０が波長の異なる２つのビームと波長の異なる３つのビームを用いる例を挙げる。
【００２７】
光源ユニット１０が２種の波長を用いる際には、それぞれλ１及びλ２（λ２＞λ１）である場合に、以下の二つの関数を解析しなければならない。
2019537713.tif 000005
【００２８】
式において、ｚは被検査面における測定点の垂直方向位置（或は高さ）を表し、ｘは検出面における検出ピクセル点の水平位置を表し、式１ａは波長λ１の干渉信号を表し、即ちＩ１は前記検出ユニットにより測定された比較的短い波長λ１を有するビームの照度強度を表し、式１ｂは合成波長
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の干渉信号を表し、即ちＩ２は前記検出ユニットにより測定された二種の波長λ１及びλ２の合成波長を有するビームの照度強度を表す。図２に示すように、Ｉ１曲線は被検査面の高さｚ方向で比較的に大きい範囲内（例えば、図面の−λｓ／４〜λｓ／４の範囲）での変化グラフを表し、Ｉ２曲線はｚ方向上の一部（小範囲Δｚ内）振動を表す。そのため、波長がλ１のビームは前記システムの解像度Ｒ０＝λ１／２／ＳＮＲ（式でＳＮＲは前記システムの信号対雑音比を表す）を決め、合成波長λｓは前記システムの垂直方向検出範囲Ｚ０＝λｓ／２を決める。
【００２９】
光源ユニット１０が３つの照明波長λ１、λ２及びλ３(λ３＞λ２＞λ１)を用いる場合、前記３つの照明波長の光がそれぞれ検出面で発生する干渉信号はＩ１、Ｉ２、Ｉ３に対応する。
2019537713.tif 000007
【００３０】
３つの波長の前記システムにおいて、λ１は前記システムの解像度Ｒ０＝λ１／２／ＳＮＲ（式で、ＳＮＲは前記システムの信号対雑音比を表す）を決め、合成波長
2019537713.tif 000008
は前記システムの垂直方向検出範囲Ｚ０＝ λｓ／２を決める。
【００３１】
当該技術分野における関連技術的知識によれば、前記検出システムはより多くの検出波長に適用することができる。
【００３２】
図３は、波長λの干渉光路図を示す。検出ユニット９０は一つの検出器９１を用い、参照ユニット７０は一つの反射鏡７１を用いる。同図において、チップ６０の被検査面は水平に放置され、反射鏡７１と垂直方向との間が所定の角度θを設けることにより、検出器９１上に干渉縞を形成するようにした。検出器９１は光電検出器（例えば、（ＣＭＯＳ、Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）相補型金属酸化物半導体または（ＣＣＤ、Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）電荷結合素子イメージセンサ）であってもよい。検出ビーム４２と参照ビーム４１が検出器９１上に形成した干渉縞によって分析された干渉信号は式（３）の通りである。被検査面上の単一測定点の垂直方向の高さｚを求めるために、検出器上に一連のスーパーピクセル（Ｓｕｐｅｒｐｉｘｅｌ）を構築し、各スーパーピクセルはｍ×ｎピクセルにより構成され（即ち、ｍ行ｎ列ピクセル、例えば５×５ピクセル）、対物レンズ５０の光学的解像度に対応する。
【００３３】
2019537713.tif 000009
式において、ｘ＝１，２・・・、ｍ；ｙ＝１，２、・・・、ｎ、Ｉ（ｘ，ｙ）はスーパーピクセルにおけるｍ×ｎピクセルのｘ行目ｙ列目に対応するピクセルによって測定される光強度を表す。Ｂ１、Ｂ２及びＢ３は各波長λ１、λ２及びλ３が参照光路における透過及び反射に関する係数であり、基準を決めて得ることができる。Ａ１、Ａ２、Ａ３は各波長λ１、λ２及びλ３と被検査面の反射率に関する係数であり、θｘ，ｙ，1、θｘ，ｙ，２及びθｘ，ｙ，３はそれぞれ各波長λ１、λ２及びλ３の被検査面での位相変化を表し、ここで、下付き文字ｘ，ｙは検出面上のピクセルの座標に対応し、下付き文字１、２、３は相応する波長λ１、λ２及びλ３に対応し、式３における角θの値は前述した反射鏡７１と垂直方向との間の角θの値と必然的な関係がない。φ１、φ２及びφ３はそれぞれ被検査面の垂直位置ｚによって発生される各波長λ１、λ２及びλ３の位相値を示す。一つのｍ×ｎのスーパーピクセルに対して、ｍ×ｎ行列方程式を得ることができ、ＦＦＴアルゴリズムのような位相抽出アルゴリズムによって、位相φ１＋φ３−２φ２、φ２−φ１及びφ１を順次に求めて前記検出点に対応する高さ値ｚを得ることができる。
【００３４】
2019537713.tif 000010
図４に参照されるように、３種の波長のビームを用い、それぞれλ１、λ２、λ３とし、それぞれ５６０ｎｍ、６３０ｎｍ、７１９．５ｎｍの値とする。前記システムの信号対雑音比をＳＮＲ＝２０とすると、前記システムの垂直方向検出解像度はＲ０＝５６０／ＳＮＲ＝２８ｎｍであり、垂直方向検出範囲Ｚ０＝５１８μｍである。３つの波長の照明光はレンズ１１を通じて光ケーブル１２にカップリングされ、光ケーブル１２を介して伝導された後、レンズ３１に入射される。ここで反射鏡２０の代わりに光ケーブル１２を用いた。本実施例において、参照ユニット７０は一つの反射鏡７１を採用し、検出器９１は一つのＣＣＤまたはＣＭＯＳを用いて３種の波長のビームの干渉信号を検出する。被検査面における測定点が異なる高さｚにある場合には、各スーパーピクセルは異なる干渉信号を検出し、スーパーピクセル信号の位相を解析して高さｚ値を得ることができる。
【実施例２】
【００３５】
図５は、実施例２によるチップ欠陥検出装置の原理を示す図である。実施例２のチップ欠陥検出装置に用いられる参照ユニット７０は３つの反射鏡７１、７２、７３を使用するものであり、検出ユニット９０は３つの検出器９１、９２、９３を使用し、それぞれλ１、λ２、λ３の干渉信号の検出に対応するという点で実施例１と異なる。参照ユニットは３つの反射鏡を用い、各反射鏡と参照ビームの入射方向の垂直方向の間にそれぞれ角θ１、θ２、θ３が構成され、干渉縞の周期分布を調整するためにθ１、θ２、θ３は異なる値に設定される。検出ユニット９０は３つの波長の干渉信号の間のクロストークを除去するために３つの検出器を用いて検出システムの信号対雑音比を向上させる。７３１、７２１、９２１及び９３１は何れもビームスプリッタであり、ビームスプリッタ７３１は波長λ１は反射し、波長λ２及び波長λ３は透過し、ビームスプリッタ７２１は波長λ２は反射し、波長λ３は透過し、ビームスプリッタ９２１は波長λ２及び波長λ３は反射し、波長λ１は透過し、９３１ビームスプリッタは波長λ２は反射し、波長λ３は透過する。
【００３６】
本実施例によるチップ欠陥検出装置を用いて被検査面の垂直方向位置を検出する際にも、前述した式（３）及び式（４）を利用して計算することができる。検出原理は実施例１と同じであり、実施例１よりさらに高い信号対雑音比を得ることができるという点で区別される。
【００３７】
前述した二つの実施例によれば、本発明によるチップ欠陥検出装置は、波長の異なる複数のビームによって生成された干渉縞を分析することによってチップに対して３Ｄ測定を行い、それにより、検出精度、検出効率を向上させ、より大きいチップサンプルの検出に適応することができる。
【００３８】
本明細書における各種実施例は漸進的に記載されており、各実施例では主に他の実施例と異なる点について説明し、各実施例において同一または類似する部分は互いに参照すればよい。実施例に開示されたシステムは、実施例に開示された方法と対応するので、説明は比較的に簡単であり、関連する部分は方法部分に対する説明を参照すればよい。
【００３９】
以上の説明は本発明の好ましい実施例を説明するためのものであり、本発明の範囲に対して如何なる限定をするものではない。本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が前述した内容に基づいて行う如何なる変更、修飾は全て特許請求範囲の保護範囲に属するとすべきである。
【符号の説明】
【００４０】
１０：光源ユニット、１２：光ケーブル、２０、７１、７２、７３：反射鏡、１１、３１、３２、３３：レンズ、４０、７２１、７３１、９２１、９３１：ビームスプリッタ、４１：参照ビーム、４２：検出ビーム、５０：対物レンズ、６０：チップ、７０：参照ユニット、９０：検出ユニット、９１、９２、９３：検出器
【図１】
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【図２】
2019537713.tif 000014
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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