(57)【要約】  蒸発した原材料を２つ以上の基板上に堆積させるための堆積装置が説明される。堆積装置は、真空チャンバと、２つ以上の基板の第１の基板の第１の堆積領域及び２つ以上の基板の第２の基板の第２の堆積領域を提供する基板支持アセンブリとを含み、また、第１の堆積領域と第２の堆積領域は隣り合って配置され、更に、原材料を蒸発させるための堆積ソースアセンブリは、第１の堆積領域と第２の堆積領域で順に堆積させるように第１の方向に沿って、また、第１の方向とは反対に第２の堆積領域と第１の堆積領域で順に堆積させるように第２の方向に沿って移動するように構成されている。【選択図】図４
2019510129.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上の基板上に蒸発した原材料を堆積させるための堆積装置であって、
真空チャンバと、
前記２つ以上の基板の第１の基板の第１の堆積領域及び前記２つ以上の基板の第２の基板の第２の堆積領域を提供する基板支持アセンブリであって、前記第１の堆積領域と前記第２の堆積領域は隣り合って配置される、基板支持アセンブリと、
前記第１の堆積領域と前記第２の堆積領域で順に堆積させるように第１の方向に沿って、また、前記第１の方向とは反対に前記第２の堆積領域と前記第１の堆積領域で順に堆積させるように第２の方向に沿って移動するように構成される原材料を蒸発させるための堆積ソースアセンブリと
を備える堆積装置。
【請求項２】
前記堆積ソースアセンブリを前記第１の方向に沿って、特に、隣り合って配置される前記第１の堆積領域と前記第２の堆積領域によってもたらされる基板支持平面に平行に移動するように構成されたリニア誘導エレメントを更に備える、請求項１に記載の堆積装置。
【請求項３】
前記リニア誘導エレメントは、前記堆積ソースアセンブリを真空チャンバ内の１つのソース平面内で移動するように構成されている、請求項２に記載の堆積装置。
【請求項４】
前記リニア誘導エレメントは、第１の端点と第２の端点を有し、前記堆積ソースアセンブリは、前記第１の端点と前記第２の端点との間で、第１の方向に沿って前後に移動される、請求項２又は３に記載の堆積装置。
【請求項５】
ソース平面は、前記第１の方向と、前記第１の方向とは異なるソース延伸方向に沿って延在する線状堆積ソースを提供する前記堆積ソースアセンブリによって画定される、請求項２から４のいずれか一項に記載の堆積装置。
【請求項６】
前記堆積ソースアセンブリを前記リニア誘導エレメントから移動するための更なるリニア誘導エレメントを有する、前記真空チャンバに連結された保守チャンバを更に備える、請求項２から５のいずれか一項に記載の堆積装置。
【請求項７】
２つ以上の基板上に蒸発した原材料を堆積させるための堆積システムであって、
請求項１から６のいずれか一項に記載の堆積装置と、
マスク保管チャンバと、
マスクキャリアを前記マスク保管チャンバから前記堆積装置まで移動するように構成された一又は複数の支持トラックと
を備える堆積システム。
【請求項８】
前記堆積ソースアセンブリを前記リニア誘導エレメントから移動するための更なるリニア誘導エレメントを有する、前記真空チャンバに連結された保守チャンバを更に備える、請求項７に記載の堆積システム。
【請求項９】
請求項１から６のいずれか一項に記載の第２の堆積装置と、
前記堆積ソースアセンブリを前記リニア誘導エレメントから移動するための更なるリニア誘導エレメントを有する、前記真空チャンバに連結された保守チャンバであって、前記堆積装置と前記第２の堆積装置との間に提供される、保守チャンバと
を更に備える、請求項７に記載の堆積システム。
【請求項１０】
第１のローディングチャンバと第２のローディングチャンバを更に備え、前記第１のローディングチャンバと前記第２のローディングチャンバは、前記第１の堆積領域及び前記第２の堆積領域と共に隣り合って配置され、また、前記第１の堆積領域及び前記第２の堆積領域は、前記第１のローディングチャンバと前記第２のローディングチャンバとの間に配置される、請求項７から９のいずれか一項に記載の堆積システム。
【請求項１１】
二重トラック構成を伴う部分を少なくとも１つ有する支持トラックを有する移送チャンバを更に備える、請求項７から１０のいずれか一項に記載の堆積システム。
【請求項１２】
２つ以上の基板上に蒸発した原材料を堆積させるための堆積システムであって、
請求項１から６のいずれか一項に記載の２つ以上の堆積装置であって、前記堆積装置の各々は基板支持トラック、キャリア支持トラック及び移送トラックを有し、前記２つ以上の堆積装置のうち隣接する堆積装置の前記基板支持トラック、前記キャリア支持トラック及び前記移送トラックは一つの線上に配置されている、２つ以上の堆積装置と、
少なくとも１つの真空チャンバに連結され、前記堆積ソースアセンブリを前記リニア誘導エレメントから移動するための更なるリニア誘導エレメントを有する保守チャンバと
を備える、堆積システム。
【請求項１３】
２つ以上の基板上に蒸発した原材料を堆積させるための方法であって、
前記２つ以上の基板の第１の基板を真空処置チャンバ内へ移動することと、
堆積ソースアセンブリを第１の方向に移動すると共に、気体の原材料を堆積方向に前記第１の基板上へと誘導することと、
前記堆積ソースアセンブリを前記第１の方向と反対の第２の方向に移動すると共に、気体の原材料を前記堆積方向に前記第１の基板上へと誘導することと、
前記２つ以上の基板の第２の基板を前記真空処置チャンバ内へ移動すると共に、気体の原材料を前記堆積方向に前記第１の基板上へと誘導することと、
前記堆積ソースアセンブリを第２の方向に移動すると共に、気体の原材料を堆積方向に前記第２の基板上へと誘導することと、
前記堆積ソースアセンブリを前記第１の方向に移動すると共に、気体の原材料を前記堆積方向に前記第２の基板上へと誘導することと
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］  本開示の実施形態は、２つの基板上での原材料の堆積に関し、具体的には、隣り合って配置された２つの基板上にスキャニングソース、すなわち、可動式ソースを用いて原材料を堆積させることに関する。本開示の実施形態は特に、蒸発した原材料を２つ以上の基板上に堆積させるための堆積装置、並びに、蒸発した原材料を２つ以上の基板上に堆積させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
［０００２］  有機蒸発器は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の生産用ツールである。ＯＬＥＤは、特殊な発光ダイオードであり、その中で発光層がある有機化合物の薄膜を含んでいる。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の携帯型デバイスなどの製造に使用される。ＯＬＥＤは、一般的な空間照明にも使用することができる。ＯＬＥＤピクセルは直接発光するため、ＯＬＥＤディスプレイで可能な色、輝度、及び視野角の範囲は従来のＬＣＤディスプレイの範囲よりも広い。したがって、ＯＬＥＤディスプレイのエネルギー消費は、従来のＬＣＤディスプレイのエネルギー消費よりもかなり少ない。更に、実際、ＯＬＥＤは、可撓性基板上に製造することができ、更なる用途がもたらされる。例えば、典型的なＯＬＥＤディスプレイは、個々に通電可能なピクセルを有するマトリクスディスプレイパネルを形成するように、すべて基板上に堆積される、２つの電極の間に配置された有機材料の層を含みうる。
【０００３】
［０００３］  基板上での膜層形成に関する、堆積スループット、堆積システムのサイズ、とりわけ、設置面積（ｆｏｏｔｐｒｉｎｔ）は、同一チャンバ内で異なる基板上への膜層の堆積に同一のソースを使用することによって、向上させることができる。このようなシステムは、基板上に膜層を堆積させるため、第１の基板を横断してスキャンし、次に１８０度回転して、基板上に膜層を形成するため、チャンバ内の第２の基板を横断してスキャンする、スキャニング蒸発を使用しうる。チャンバ内でのソース位置の制御は難しく、ソースのスキャニング運動のメカニズムは、ソースの回転が必要になることから更に複雑になる。
【０００４】
［０００４］  以上のことを考慮すると、蒸発ソースアセンブリの改良、堆積装置の改良、又は、堆積装置の改良を含む処理システムの改良をそれぞれ行い、２つ以上の基板上に蒸発した原材料を堆積させる方法を改良することは有益である。
【発明の概要】
【０００５】
［０００５］  一実施形態では、２つ以上の基板上に蒸発した原材料を堆積させるための堆積装置が提供される。堆積装置は、真空チャンバと、２つ以上の基板の第１の基板の第１の堆積領域及び２つ以上の基板の第２の基板の第２の堆積領域を提供する基板支持アセンブリとを含み、また、第１の堆積領域と第２の堆積領域は隣り合って配置され、更に、原材料を蒸発させるための堆積ソースアセンブリは、第１の堆積領域と第２の堆積領域で順に堆積させるように第１の方向に沿って、また、第１の方向とは反対に第２の堆積領域と第１の堆積領域で順に堆積させるように第２の方向に沿って移動するように構成されている。
【０００６】
［０００６］  別の実施形態によれば、蒸発した原材料を２つ以上の基板上に堆積させるための堆積装置が設けられる。堆積装置は、真空チャンバと、２つ以上の基板の第１の基板の第１の堆積領域及び２つ以上の基板の第２の基板の第２の堆積領域を提供する基板支持アセンブリとを含み、また、第１の堆積領域と第２の堆積領域は基板支持体平面内で隣り合って配置され、更に、原材料を蒸発させるための堆積ソースアセンブリは、第１の方向に沿って前後に移動し、第１の堆積領域と第２の堆積領域に沿って順に通過するように構成されている。
【０００７】
［０００７］  別の実施形態によれば、蒸発した原材料を２つ以上の基板上に堆積させるための堆積システムが提供される。堆積システムは、本書に記載の実施形態、実施例及び実装のいずれかに従う堆積装置を含む。堆積システムは更に、マスク保管チャンバ、並びに、マスク保管チャンバから堆積装置までマスクキャリアを移動するように構成された一又は複数の支持トラックを含む。
【０００８】
［０００８］  別の実施形態によれば、蒸発した原材料を２つ以上の基板上に堆積させるための堆積システムが提供される。堆積システムは、本書に記載の実施形態、実施例及び実装のいずれかに従う２つ以上の堆積装置を含み、堆積装置の各々は、基板支持トラック、キャリア支持トラック、及び搬送トラックを有し、２つ以上の堆積装置のうち隣接する堆積装置の基板支持トラック、キャリア支持トラック、及び搬送トラックは一つの線上に配置されている。堆積システムは更に、少なくとも１つの真空チャンバに連結され、堆積ソースアセンブリを１つのリニア誘導エレメントから更に別のリニア誘導エレメントまで移動するための更なるリニア誘導エレメントを有する保守チャンバを含む。
【０００９】
［０００９］  上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上で簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができる。添付の図面は実施形態に関連し、以下の記述において説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置を示す。
【図１Ｂ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置を示す。
【図１Ｃ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置を示す。
【図１Ｄ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置を示す。
【図２】本書に記載の実施形態による堆積装置及び堆積方法で使用するための堆積ソースアセンブリを示す。
【図３】本書に記載の実施形態による堆積装置及び堆積方法で使用するための、堆積ソースアセンブリ及び堆積ソースアセンブリの可動機構を示す。
【図４】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置を示す。
【図５】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置を示す。
【図６Ａ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置を示す。
【図６Ｂ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積システムであって、２つ以上の堆積装置を有する堆積システムを示す。
【図６Ｃ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置を示す。
【図６Ｄ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置を示す。
【図７Ａ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積システムであって、２つ以上の堆積装置を有する堆積システムを示す。
【図７Ｂ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積システムであって、２つ以上の堆積システムを有する堆積システムを示す。
【図８Ａ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図８Ｂ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図８Ｃ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図８Ｄ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図８Ｅ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図８Ｆ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図８Ｇ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図８Ｈ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図９】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置を示す。
【図１０Ａ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図１０Ｂ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図１０Ｃ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図１０Ｄ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図１０Ｅ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図１０Ｆ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図１０Ｇ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図１０Ｈ】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積装置で、動作の順序を示す。
【図１１】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積システムであって、２つ以上の堆積システムを有する堆積システムを示す。
【図１２】２つ以上の基板の連続的な順次堆積のための、本開示の実施形態による堆積システムであって、２つ以上の堆積システムを有する堆積システムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［００１０］  様々な実施形態をこれより詳細に参照し、それらの実施形態の一又は複数の実施例を図に示す。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。概して、個々の実施形態に関する相違のみが説明される。各実施例は、単なる説明として提示されており、限定を意味するものではない。更に、一実施形態の一部として図示且つ説明される特徴は、他の実施形態で用いてもよく、或いは他の実施形態と併用してもよい。それにより、さらに別の実施形態が生み出される。本記載には、このような修正例及び変形例が含まれることが意図されている。
【００１２】
［００１１］  本書に記載の実施形態は、特に、例えば、ＯＬＥＤディスプレイ製造用の、大面積基板上での、有機材料の堆積に関する。幾つかの実施形態によれば、大面積基板、或いは、１つ又は複数の基板を支持するキャリア、すなわち、大面積キャリアは、少なくとも０．１７４ｍ２のサイズを有し得る。典型的には、そのサイズは、約１．４ｍ２から約８ｍ２、より典型的には約２ｍ２から約９ｍ２、又は最大１２ｍ２となることがある。典型的には、基板が支持され、本書に記載の実施形態による保持配列、装置及び方法が提供される、長方形のエリアは、本書に記載されたような大面積基板用のサイズを有するキャリアである。例えば、単一の大面積基板の面積に対応するであろう大面積キャリアを、約１．４ｍ２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．２９ｍ２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、又は約８．７ｍ２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０とすることができる。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などの更に次の世代及びそれに相当する基板領域を同様に実装することができる。ＧＥＮ世代の半分のサイズもＯＬＥＤディスプレイ製造において提供されうる。
【００１３】
［００１２］  本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、基板の厚さを０．１から１．８ｍｍとすることができ、保持装置、特に保持デバイスは、そのような基板の厚さに適合することができる。しかしながら、特に基板の厚さは、約０．９ｍｍ又はそれを下回る、０．５ｍｍ又は０，３ｍｍなどとすることができ、保持装置、及び特に保持デバイスは、そのような基板の厚さに適合される。
【００１４】
［００１３］  本書で使用する「基板」という語は、具体的には、ウエハ、サファイアなどの透明結晶体の薄片、又はガラスプレートといった、実質的非可撓性の基板を包含しうる。しかしながら、本開示はこれらに限定されず、「基板」という語は例えばウェブ又はホイル等の可撓性基板も包含しうる。「実質的非可撓性」という用語は、「可撓性」とは区別して理解される。具体的には、実質的非可撓性基板は、例えば、０．９ｍｍ以下（０．５ｍｍ以下等）の厚さを有するガラス板でも、ある程度の可撓性を有することができるが、実質的非可撓性基板の可撓性は、可撓性基板と比べて低い。
【００１５】
［００１４］  本書に記載の実施形態によれば、基板は、材料を堆積させるのに適した任意の材料から作られてもよい。例えば、基板は、ガラス（例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、ならびに堆積プロセスによってコーティングできる任意の他の材料および材料の組合せからなる群から選択された材料から作られたものとすることができる。
【００１６】
［００１５］  図１Ａ〜図１Ｄは、蒸発した材料、すなわち、蒸発した原材料を２つ以上の基板上に堆積させるための装置を示している。堆積装置は、真空チャンバ１１０を含む。真空チャンバはまた、処理チャンバ又は堆積チャンバとみなすことができる。基板支持アセンブリは、第１の堆積領域に対応する第１の基板ための第１の位置１１２、及び第２の堆積領域に対応する第２の基板ための第２の位置１１４を提供する。他の実施形態と組み合わせうる、本書に記載の実施形態によれば、第１の堆積領域と第２の堆積領域は隣り合って配置される。基板支持アセンブリは、第１の基板位置を提供する第１の部分と、第２の基板位置を提供する第２の部分、例えば分離された第２の部分を有することができる。基板支持アセンブリは、第１及び第２の基板位置を提供する共通の支持アセンブリになりうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、基板支持アセンブリは更に、基板を移送するように構成可能である。第１の基板１３２と第２の基板１３４は、１つの平面内、すなわち、基板支持体平面内に配置可能である。第１の基板と第２の基板との間には、例えば、数ミリメートル又は数センチメートルのわずかなオフセットがありうる。潜在的に存在するオフセットは、基板間の材料堆積の均一性を高めるためには、最小化することが有益である。第１の堆積領域と第２の堆積領域が隣り合う配置は、基板のエッジ、又は基板を支持する各キャリアのエッジが互いに向かい合う配置になっている。基板の表面は基本的に一平面内に配置される。
【００１７】
［００１６］  図１Ａ〜図１Ｄに示した装置は更に、堆積ソース（堆積源）アセンブリ１２０を含む。堆積ソースアセンブリ１２０は、リニア誘導エレメント１２２上に移動可能に支持される。堆積ソースアセンブリは、リニア誘導エレメントに沿って前後に、具体的には、リニア誘導エレメントの２つの端点の間で移動可能である。したがって、堆積ソースアセンブリは、ソース平面内、例えば１つのソース平面内で前後に移動する。図１Ａに示したように、堆積ソースアセンブリ１２０は、図１Ａの矢印１２３で示された第１の方向、並びに、図１Ｂの矢印１２３で示された、第１の方向とは反対の第２の方向に沿って動くことができる。
【００１８】
［００１７］  堆積ソースアセンブリは、一又は複数のるつぼ１２６、及び一又は複数の分配アセンブリ１２４を含む。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、分配アセンブリ１２４は線源を提供する。分配アセンブリ１２４は、リニア誘導エレメント１２２に沿って移動する間に蒸発した原材料のラインを提供するため、一方向に延在する複数の開口部又はノズルを有することができる。
【００１９】
［００１８］  本書に記載の実施形態は、垂直な基板配向、並びに堆積ソースアセンブリによって提供される線源の垂直な配向によって有利に利用されうる。これは、堆積ソースアセンブリが、ソース延伸方向を有する線状堆積ソースを提供できること、例えば、堆積材料のラインを提供するように構成されうることを意味する。したがって、図１Ａ〜図１Ｄは、蒸発した材料を基板上に堆積させるための装置の上面図に対応している。基板支持体平面は、第１の基板１３２及び／又は第２の基板１３４の表面によって画定されうる。ソース平面は、分配アセンブリ１２４の延伸、及び、矢印１２３によって示される第１の方向に沿った堆積ソースアセンブリ１２０の運動によって画定されうる。本書に記載の垂直配向を参照することにより、重力の方向からのわずかな偏移が可能になりうる。垂直配向は基本的に垂直で、水平基板配向とは区別される。
【００２０】
［００１９］  本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、第１の堆積領域の基板、第２の堆積領域の基板、及び分配管の長さ、例えば、線源の長さは、基本的に重力の方向に平行になりうる。基本的に平行とは、−２０°〜２０°、例えば、−１５°〜１５°の角度を有すると理解すべきである。このような実施形態によれば、基板は基本的に垂直に配向される（基本的に、垂直からの偏移が−２０°＜基板配向＜＋２０°）。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる、本書に記載の実施形態によれば、正確な垂直配向からの偏移は、蒸発した材料が堆積する基板表面が下を向くようになっている。堆積される基板表面が下を向いていることによって、堆積される表面上での粒子生成を低減することができる。
【００２１】
［００２０］  るつぼ内で蒸発した原材料がるつぼから分配アセンブリまで誘導されるように、特に、るつぼ内で蒸発した原材料がるつぼから分配アセンブリまで直接誘導されるように、るつぼ１２６は分配アセンブリ１２４の下方に設けることが可能である。堆積ソースアセンブリ１２０は更に、るつぼ及び分配アセンブリ用の支持体１２８を含む。支持体１２８は、堆積ソースアセンブリ１２０をリニア誘導エレメント１２２に沿って動かすための駆動ユニットを含みうる。動作中、るつぼと分配アセンブリは支持体１２８に対して固定されている。具体的には、るつぼと分配アセンブリは、支持体１２８に対して、反対方向（例えば、図１Ａ〜図１Ｄの下向き）には回転されない。また、支持体１２８は動作中に回転されない。基板上へ一方向の材料堆積を維持することによって、堆積ソースアセンブリ１２０の設計はより単純化することができる。堆積ソースアセンブリの性能は主として、基板上に堆積される層の結果を決定するため、堆積ソースアセンブリの設計が単純であるほど、堆積層の特性は制御しやすくなる。
【００２２】
［００２１］  本書に記載の実施形態により、隣り合う２つ以上の基板上に蒸発した原材料を順次堆積させることが可能になる。順次堆積では、第１の堆積領域に堆積を行い、その後第２の堆積領域に堆積を行い、その後再度第１の堆積領域に堆積を行う。第１の堆積領域の基板と第２の堆積領域の基板が交互に処理される。蒸発プロセスの平衡を阻害することなく、堆積ソースアセンブリ１２０からの材料蒸発を停止することは不可能か、困難である。平衡を阻害すると、安定した蒸発条件が再度確立されるまで、堆積装置が休止する結果となる。本書に記載の実施形態により、第１の堆積領域の基板と第２の堆積領域の基板が順次処理される連続的な蒸発プロセスが可能になる。第１の基板は、第２の基板が処理される間に、蒸発した原材料の堆積に向けて配置され、準備される。第２の基板の処理後、第１の基板は処理可能で、第２の基板の処理領域には更なる基板を準備することが可能で、その結果、第１の基板が処理される間に、更なる基板が配置され、堆積が準備される。
【００２３】
［００２２］  基板の順次処理、すなわち、原材料の堆積は、図１Ａ〜図１Ｄに示したシーケンスを参照すると理解しやすい。図１Ａでは、第１の基板位置１１２の第１の基板１３２が処理され、材料層１３３が第１の基板１３２上に供給される。堆積ソースアセンブリ１２０は、図１Ａの矢印１２３で示された第１の方向に移動する。堆積ソースアセンブリは、第２の位置１１４の第２の基板１３４を通過する。図１Ｂでは、堆積ソースアセンブリ１２０は第２の基板１３４を一度通過し終わっている。堆積ソースアセンブリは、図１Ｂの矢印１２３で示されたように、第１の方向と反対の第２の方向へ戻る。層の前半が第２の基板１３４上に提供される。その間に、第１の基板１３２は真空チャンバ１１０から取り除かれている。第１の基板１３２は、バルブ１４２、例えば、スリットバルブなどの真空密閉をもたらすためのバルブを介して、取り除くことができる。図１Ｂは、第１の堆積領域で空になった第１の位置１１２を示している。第１の基板の取り出しと別の基板の装填は、図１Ｂの矢印１４３で示されている。図１Ｃでは、堆積ソースアセンブリは、第２の基板１３４を２回通過している。第２の基板１３４上の層１３５の堆積は完了している。その間に、第１の位置１１２に別の基板１３２’が準備され、マスク１３６が別の基板に対して位置合わせされている。堆積ソースアセンブリ１２０は、図１Ｃの矢印１２３で示した第２の方向へ移動し続ける。堆積ソースアセンブリは別の基板１３２’を通過する。堆積ソースアセンブリは、図１Ｄの別の基板１３２’を１回通過している。図１Ｄでは、層１３３の前半が堆積されている。その間に、第２の基板１３４は真空チャンバ１１０から取り除かれている。第２の基板は、バルブ１４２、例えば、スリットバルブなどの真空密閉をもたらすバルブを経由して取り除くことができる。図１Ｄは、第２の堆積領域で空になった第２の位置１１４を示す。第１の位置１１２と第２の位置１１４の基板は、交互に処理されうる。幾つかの実施形態によれば、基板は、第１の方向へのソースの運動である前半の堆積プロセス、及び、第１の方向とは反対の第２の方向へのソースの運動である後半の堆積プロセスで処理されうる。
【００２４】
［００２３］  本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態により、堆積装置及び堆積のための方法は対称な配置を提供する。例えば、中間の位置に堆積ソースアセンブリ１２０のアイドル位置を有する対称の配置が、各基板の２段階堆積プロセスによってもたらされうる。
【００２５】
［００２４］  図２は、本書に記載の更なる実施形態による蒸発ソース（蒸発源）の概略上面図である。図２に示した蒸発ソースは、３つの分配アセンブリ１２４を含む。本書に記載の実施形態によれば、分配管は長さ方向に延在し、複数の排出口は分配管の長さ方向に沿って配置されうる。分配管の壁は、壁に装着される又は取り付けられる加熱素子２８０によって加熱されうる。基板、マスク、又は分配管の加熱部分から堆積装置の別の部分に向かう熱放射を低減するため、分配管を取り囲む第１の外側シールド２０２は冷却されうる。堆積領域又は基板に向けられた熱負荷をそれぞれ低減するため、追加の第２の外側シールド２０４が提供されうる。第２の外側シールド２０４は、基板に面する及び／又はマスクに面する前壁２０５を有してもよい。第２の外側シールド２０４は、一又は複数の側壁を含みうる。例えば、第２の外側シールド２０４は第１の側壁２０６と第２の側壁２０７を含む。
【００２６】
［００２５］  本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、幾つかの実施形態によれば、シールドは、金属シールドに取り付けられた又は金属シールド内部に設けられた、水などの冷却流体用の導管を有する金属板として提供することができる。加えて、又は代替的に、冷却シールドを冷却するために熱電性冷却装置又は他の冷却装置を提供することができる。典型的には、外側シールド、すなわち、分配管の内部空洞を取り囲む最も外側のシールドを冷却することができる。
【００２７】
［００２６］  図２に更に示されるように、シールド装置２２０は、例えば、外側シールドに取り付けられて、又は外側シールドの一部として、提供される。幾つかの実施形態によれば、シールド装置２２０はまた、堆積領域に向かって放出される熱負荷を更に低減するために冷却することができる。矢印は、分配アセンブリ１２４を出る蒸発した原材料を示す。本書に記載の実施形態によれば、蒸発ソースは典型的に、蒸発ソースの長さ方向に沿って分散された複数の排出口を含む。例えば、蒸発ソースは３０個以上の排出口を含むことがあり、例えば、互いに２ｃｍ離間された少なくとも５０個の排出口を含みうる。本書に記載の実施形態によれば、シールド装置は、基板に向かって分散された蒸発した原材料の分配コーン又はプルームの境界を定める。典型的には、シールドは蒸発した原材料の少なくとも一部をブロックするように構成される。
【００２８】
［００２７］  図２に示した３つの分配管は、これらの分配管に隣接する蒸発器制御ハウジング２１２に設けられるが、例えば、熱絶縁体２１４を介して接続される。蒸発器制御ハウジングは、蒸発器制御ハウジング内の気圧を維持するように構成されており、また、スイッチ、バルブ、コントローラ、冷却装置、冷却制御装置、加熱制御装置、電源、及び測定装置からなる群から選択される、少なくとも１つの要素を収納するように構成されている。本書に記載の実施形態では、蒸発ソースアレイの蒸発ソースを操作するための構成要素を、大気圧下で蒸発るつぼ及び分配管に接近して提供することができ、蒸発ソースと共に堆積装置を通って移動することができる。
【００２９】
［００２８］  本書に記載の実施形態によれば、堆積ソースアセンブリは少なくとも１つのるつぼ及び対応する分配アセンブリを有しうる。ＯＬＥＤ製造に関しては、２つ、３つ、４つ以上のるつぼと対応する分配アセンブリが提供されうる。３つのるつぼと対応する３つの分配アセンブリを有することは、基板上に１つのＯＬＥＤ層を形成する複数のＯＬＥＤ材料の同時蒸発に有利である。
【００３０】
［００２９］  本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、幾つかの実施形態によれば、原材料は、ＯＬＥＤ装置の製造のため、基板上に堆積される有機材料であってもよい。原材料は気化させて、蒸発又は昇華によって気体の原材料を形成することができる。一部の材料に関しては、その材料に応じて昇華が利用されうると理解すべきで、また、本書で使用される「蒸発」という用語は、昇華の選択肢を含むと理解すべきである。
【００３１】
［００３０］  本書に記載の実施形態は、原材料リザーバを有する本体又は堆積ソースを備えた堆積ソースアセンブリ、及び、原材料の蒸発又は昇華のうちの少なくとも１つによって、原材料を気体に気化させるためのヒータを提供する。本体は水平に延在可能で、気体の原材料は抜け出ることができ、例えば、開口部は本体の側面、すなわち、分配アセンブリ上に含まれる。操作中、ソース側に抜け出るソースだけがソースとして気体の原材料に露出され、基板は互いに対して移動する。
【００３２】
［００３１］  蒸発材料の沸点に到達することなく、十分な蒸発を実現するため、蒸発プロセスは真空環境内で実行される。蒸発堆積（又は昇華堆積）の原理は典型的に３つの相を含む。第１の相は蒸発相（ｅｖａｐｏｒａｔｉｎｇ  ｐｈａｓｅ）で、蒸発される材料はるつぼ内で動作温度まで加熱される。動作温度は、材料がるつぼから基板まで移動するのに十分な蒸気圧を作り出すように設定される。第２の相は移送相（ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｐｈａｓｅ）で、基板上に蒸気の均一な層を提供するため、蒸気は、例えば、基板上にノズルのついた蒸気分配管を介して、るつぼから移動する。第３の相は濃縮相（ｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ  ｐｈａｓｅ）で、気化した材料が基板に付着できるように、基板の表面は蒸発した材料よりも温度が低くなっている。
【００３３】
［００３２］  本書に記載の実施形態によれば、堆積ソース、例えば、原材料の蒸発又は昇華のソースは処理チャンバ又は堆積システムに移送される。更に、基板キャリア又は基板はそれぞれ、また、マスク又はマスクキャリアはそれぞれ、処理チャンバ又は堆積システムに移送される。粒子生成を低減するため、一又は複数の堆積ソース、基板又は基板キャリア、及びマスク又はマスクキャリアが、磁気浮上移送などの非接触浮上移送によって移送される場合には、これは有利である。本開示全体を通じて使用される「非接触（ｃｏｎｔａｃｔｌｅｓｓ）」という語は、堆積ソースアセンブリなどの処理システムに採用されるエレメント、キャリア又は基板の重量が機械的な接触や機械的な力によって保持されるのではなく、磁力によって保持されるという意味に理解されうる。基板支持アセンブリは、第１の部分、すなわち、第１の基板位置を提供する第１の磁気浮上アセンブリ、及び、第２の部分、すなわち、第２の基板位置を提供する第２の磁気浮上アセンブリを有することができる。基板支持アセンブリは、共通の支持アセンブリ、すなわち、第１及び第２の基板位置を提供する共通の磁気浮上アセンブリであってよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、基板支持アセンブリは、例えば、浮上した状態で基板を移送するように更に構成されうる。
【００３４】
［００３３］  具体的には、堆積ソースアセンブリは、機械的な力の代わりに磁力を使用して、浮上状態又は浮動状態で保持される。一例としては、本書に記載の移送装置は、堆積ソースアセンブリの重量を支持する、機械的レールなどの機械的手段を有さないことがある。幾つかの実行形態では、堆積ソースが基板を越えて移動する間に、堆積ソースアセンブリと移送装置の残りの部分との間に機械的接触が全く存在しないことがある。
【００３５】
［００３４］  例示的に図３を参照して、堆積ソースアセンブリを非接触で移送するための移送装置が説明される。典型的には、移送装置は、本書に記載のように、堆積装置の真空チャンバ内に配置される。特に、移送装置は、非接触浮上、移送及び／又は堆積ソースの位置合わせのために構成される。非接触浮上、移送及び／または位置合わせは、移送中に、例えばガイドレールとの機械的接触による粒子が、一切発生しないという点で有益である。
【００３６】
［００３５］  堆積ソースを誘導するための機械的手段と比較しての更なる利点は、本書に記載の実施形態が、被覆される基板に沿った堆積ソースの移動の直線性に影響を与える摩擦の関与を受けないことにある。堆積ソースの非接触移送は堆積ソースの摩擦のない移動を可能にし、堆積ソースと基板との間のターゲット距離は高い精度と速度で制御され、維持されうる。更に、浮上により、堆積ソース速度の迅速な加速と減速、及び／又は、堆積ソース速度の微調整が可能になる。したがって、本書に記載の処理システムは、堆積ソースと基板との間の距離の変動、又は、堆積ソースが材料放出の間に基板に沿って移動する際の速度の変動など、幾つかの因子に対して敏感な、層均一性の改善をもたらす。
【００３７】
［００３６］  更に、機械的レールの材料は、一般的に、チャンバの排気によって、また、温度、使用、摩耗などによって引き起こされうる、変形に悩まされる。このような変形は、堆積ソースと基板との間の距離に影響を及ぼし、ひいては、堆積層の均一性に影響を及ぼす。対照的に、本書に記載の移送装置の実施形態により、例えば、誘導構造に存在する潜在的な変形を補償することができる。より具体的には、図３を参照してより詳細に説明されるように、垂直方向（例えば、ｙ方向）に沿った、及び／又は、一又は複数の横方向（例えば、ｘ方向とｚ方向）に沿った、堆積ソースアセンブリの非接触並進に対応して装置を構成することができる。堆積ソースの位置合わせの範囲は２ｍｍ以下、より具体的には１ｍｍ以下になりうる。
【００３８】
［００３７］  本開示では、「実質的に平行（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ  ｐａｒａｌｌｅｌ）」な方向という文言は、互いに１０度まで又は１５度までの小角度をなす複数の方向を含みうる。更に、「実質的に直角（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ  ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ）」な方向という文言は、互いに９０度未満（例えば、少なくとも８０度、又は少なくとも７５度）の角度をなす、複数の方向を含みうる。同様の考えが、実質的に平行又は直角な軸、平面、領域などの概念に適用される。
【００３９】
［００３８］  特に、本書に記載の移送装置は、垂直基板処理に使用可能である。かかる装置及び方法においては、基板処理中に基板が垂直に配向される。すなわち、基板は、本書で説明している（すなわち、起こりうる厳密な垂直性からの偏差を許容する）垂直方向に、平行に配置される。基板配向の厳密な垂直性からの小さな偏差が提供されうる。例えば、基板支持体がこのような偏差を伴うことで、基板表面への粒子付着の低減がもたらされうるからである。基本的に垂直な基板は、垂直配向からの１５°以下の偏差を有しうる。
【００４０】
［００３９］  図３に例示的に示したように、移送装置は典型的に、本書に記載の堆積ソース３５２及び堆積ソースを支持するためのソース支持体３５１を含む堆積ソースアセンブリ３３０を含む。具体的には、ソース支持体３５１はソースカート（ｓｏｕｒｃｅ  ｃａｒｔ）であってもよい。堆積ソース３５２は、ソース支持体の上に装着されうる。図３に矢印で示したように、堆積ソースは、第１の基板１３２への堆積のため、材料を放出するように適合されている。更に、図３に例示的に示したように、マスク３３６は基板と堆積ソース３５２との間に配置されうる。マスクは、堆積ソースによって放出される材料が、基板の一又は複数の領域に堆積するのを防止するように準備することができる。例えば、マスクは、基板の被覆中に一又は複数のエッジ領域に材料が堆積されないように、基板の一又は複数のエッジ領域をマスクするように構成されたエッジ除外シールドであってもよい。別の実施例として、マスクは、堆積ソースアセンブリからの材料によって基板上に堆積される複数の特徴をマスキングするためのシャドウマスクであってもよい。
【００４１】
［００４０］  更に、図３を例示的に参照すると、堆積ソースアセンブリ３３０は、第１の能動的磁気ユニット３４１及び第２の能動的磁気ユニット３４２．を含みうる。移送装置は典型的に、堆積ソース移送方向に延在する、誘導構造体３７０を更に含む。誘導構造体３７０は、ソース移送方向に沿って延在する直線形状を有しうる。第１の能動的磁気ユニット３４１、第２の能動的磁気ユニット３４２、及び誘導構造体３７０は、堆積ソースアセンブリの浮上のため、第１の磁気浮上力Ｆ１及び第２の磁気浮上力Ｆ２を提供するように構成されている。
【００４２】
［００４１］  本開示では、「能動的磁気ユニット」又は「能動的磁気エレメント」は、調整可能な磁場を生成するように適合された磁気ユニット又は磁気エレメントであってよい。調整可能な磁場は、移送装置の動作中に動的に調整可能であってよい。例えば、磁場は、基板上への材料の堆積のため、堆積ソースによる材料の放出中に調整可能であってよく、及び／又は、層形成プロセスの堆積サイクル間で調整かのであってよい。代替的に又は付加的に、誘導構造体に対する堆積ソースアセンブリの位置に基づいて、磁場は調整可能でありうる。調整可能な磁場は、静磁場又は動磁場でありうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態によれば、能動的磁気ユニット又はエレメントは、垂直方向に沿って延在する磁気浮上力を提供するための磁場を発生させるように構成可能である。代替的に、能動的磁気ユニット又はエレメントは、横方向に沿って延在する磁力、例えば、前述のように反発する磁力を提供するように構成されうる。例えば、能動的磁気ユニット又は能動的磁気エレメントは、本書に記載のように、電磁デバイス、ソレノイド、コイル、超電導磁石、或いはこれらの組み合わせからなる群から選択されるエレメントであってよく、或いはそのエレメントを含んでもよい。
【００４３】
［００４２］  図３に例示的に示したように、移送装置の動作中、誘導構造体３７０の少なくとも一部は、第１の能動的磁気ユニット３４１に面してもよい。誘導構造体３７０及び／又は第１の能動的磁気ユニット３４１は、少なくとも部分的に堆積ソース３５２の下方に配置されうる。ソースは、誘導構造体すなわちリニア誘導エレメントの下方に垂れ下がる。誘導構造体３７０は、真空処理チャンバ内に静的に配置可能な静的誘導構造体になりうる。具体的には、誘導構造体は磁気特性を有しうる。例えば、誘導構造体３７０は、磁気材料、例えば、強磁性体、特に強磁性鋼から作られうる。したがって、誘導構造体は磁気ユニットであるか、磁気ユニットを含みうる。
【００４４】
［００４３］  「受動的磁気ユニット」又は「受動的磁気エレメント」という用語は、本書では、「能動的（ａｃｔｉｖｅ）」磁気ユニットという概念と区別するために使用される。受動的磁気ユニット又はエレメントは、能動的な制御又は調整の影響を受けない磁気特性を有するユニット又はエレメントを意味しうる。例えば、受動的磁気ユニット又はエレメントは、磁場（例えば、静磁場）を生成するように適合されうる。受動的磁気ユニット又はエレメントは、調節可能な磁場を生成するように構成されない場合がある。典型的には、受動的磁気ユニット又はエレメントは、永久磁石であってもよく、或いは永久磁性を有してもよい。
【００４５】
［００４４］  本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、第１の能動的磁気ユニットは、第１の磁気浮上力Ｆ１を提供する第１の調整可能な磁場を生成するように構成されうる。第２の能動的磁気ユニットは、第２の磁気浮上力Ｆ２を提供する第２の調整可能な磁場を生成するように構成されうる。装置は、第１の能動的磁気ユニット３４１、及び／又は第１の調整可能な磁場を制御するための第２の能動的磁気ユニット３４２、及び／又は堆積ソースの位置合わせ用の第２の調整可能な磁場を個別に制御するように構成されたコントローラ３５５を含みうる。より具体的には、コントローラ３５５は、堆積ソースを垂直方向に並進的に位置合わせするため、第１の能動的磁気ユニット及び第２の能動的磁気ユニットを制御するように構成されうる。第１の能動的磁気ユニットと第２の能動的磁気ユニットを制御することにより、堆積ソースアセンブリは、ターゲット位置に配置されうる。更に、堆積ソースアセンブリは、コントローラの制御下で、ターゲット位置に維持されうる。
【００４６】
［００４５］  第１の能動的磁気ユニット３４１と第２の能動的磁気ユニット３４２の個々の可制御性によってもたらされる回転自由度により、第１の回転軸３３４に対する堆積ソースアセンブリ３３０の角配向の制御が可能になる。コントローラ３５５の制御下で、ターゲット角配向がもたらされる、及び／又は維持される。
【００４７】
［００４６］  更なる能動的磁気ユニット３４３が、第１の平面３３３の第１の側３３３Ａに配置されうる。動作中には、更に能動的磁気ユニット３４３は、誘導構造体３７０の第１の部分３７１に面してもよく、及び／又は第１の平面３３３と第１の部分３７１との間に少なくとも部分的に提供されうる。典型的には、第１の受動的磁気ユニット３４５と誘導構造体３７０は、第１の横方向力（ｔｒａｎｓｖｅｒｓａｌ  ｆｏｒｃｅ）Ｔ１を提供するように構成される。
【００４８】
［００４７］  具体的には、第１の受動的磁気ユニット３４５は磁場を生成するように構成されうる。第１の受動的磁気ユニット３４５によって生成される磁場は、誘導構造体３７０の磁気特性と相互作用し、堆積ソースアセンブリ３３０に作用する第１の横方向力Ｔ１をもたらす。第１の対抗する力Ｏ１は、横方向、例えば、ｚ方向に沿って堆積ソースアセンブリ３３０に作用する正味の力がゼロになるように、第１の横方向力Ｔ１を中和しうる。したがって、堆積ソースアセンブリ３３０は、横方向に沿ってターゲット位置に非接触で保持されうる。
【００４９】
［００４８］  図３に示されているように、コントローラ３５５は、更なる能動的磁気ユニット３４３を制御するように構成されうる。更なる能動的磁気ユニット３４３の制御には、第１の対向する横方向力Ｏ１を制御するための更なる能動的磁気ユニット３４３によって生成される、調整可能な磁場の制御が含まれうる。更なる能動的磁気ユニット３４３の制御により、横方向、例えば、ｚ方向に沿った堆積ソース３５２の非接触の位置合わせが可能になりうる。
【００５０】
［００４９］  移送装置の幾つかの実施形態によれば、受動的磁気駆動ユニットが誘導構造体に提供されうる。例えば、受動的磁気駆動ユニットは、複数の永久磁石、特に、変化する極配向で受動的磁気アセンブリを形成する複数の永久磁石になりうる。複数の磁石は、受動的磁石アセンブリを形成するため、交互の極配向を有することができる。能動的磁気駆動ユニットは、ソースアセンブリ、例えば、ソース支持体３５１に、又はその内部に提供されうる。受動的磁気駆動ユニットと能動的磁気駆動ユニットは、駆動装置、例えば、ソースアセンブリが浮上している間に誘導構造体に沿って移動するための非接触駆動装置を提供することができる。
【００５１】
［００５０］  本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、ソースカートは、第１の能動的磁気ユニット３４１、第２の能動的磁気ユニット３４２、第３の能動的磁気ユニット、第４の能動的磁気ユニット、第５の能動的磁気ユニット、第６の能動的磁気ユニット、第１の受動的磁気ユニット３４５、第２の受動的磁気ユニット、或いはこれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つなど、更なる能動的磁気ユニットを含みうる。
【００５２】
［００５１］  第１の能動的磁気ユニット、第２の能動的磁気ユニット、第３の能動的磁気ユニット及び第４の動的磁気ユニットを制御することによって、堆積ソースは垂直方向に沿って並進的に位置合わせされうる。コントローラの制御下で、堆積ソースは、垂直方向、例えばｙ方向に沿って、ターゲット位置に配置されうる。
【００５３】
［００５２］  第１の能動的磁気ユニット、第２の能動的磁気ユニット、第３の能動的磁気ユニット、及び第４の能動的磁気ユニットを制御すること、特に独立に制御することによって、堆積ソースアセンブリは第１の回転軸の周りに回転されうる。同様に、これらのユニットを制御することによって、堆積ソースアセンブリは第２の回転軸の周りに回転されうる。能動的磁気ユニットの制御により、堆積ソースの位置合わせのため、第１の回転軸に対する堆積ソースアセンブリの角配向、及び第２の回転軸に対する角配向の制御が可能になる。したがって、堆積ソースの角位置合わせに関する２つの回転自由度が提供されうる。
【００５４】
［００５３］  図４は、堆積装置４００を示す。堆積装置４００は、その内部に２つ以上の基板を処理するための真空チャンバ１１０を含む。更に、堆積装置は、例えば、堆積ソースアセンブリ１２０の保守のための、一又は複数の保守チャンバを含む。堆積装置は、移送チャンバ４５０を含む。堆積装置は、２つのローディングチャンバ４４２を含む。
【００５５】
［００５４］  第１の基板１３２及び第２の基板１３４は隣り合って（すなわち、一平面内に）配置され、真空チャンバ１１０内では、蒸発した原材料４２０を堆積方向に誘導する堆積ソースアセンブリ１２０は、リニア誘導エレメント１２２に沿って前後に、第１及び第２の基板に沿って移動される。第１の基板１３２及び／又は第２の基板１３４は、各マスク１３６／１３８によりマスクになりうる。蒸発した原材料の第１の基板及び第２の基板への堆積中に、堆積原材料は蒸発した原材料を堆積方向に沿って誘導する。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、蒸発した原材料の堆積は同一方向に、すなわち、動作中に基板の上に材料を堆積させるための堆積方向に連続的に提供される。
【００５６】
［００５５］  本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、少なくとも１つの保守チャンバ４３０が提供される。保守チャンバにより、堆積ソースアセンブリ１２０の保守チャンバ４３２から真空チャンバ１１０まで（及びその逆）の移送が可能になる。保守チャンバ４３０は、更なるリニア誘導エレメント４２２を含む。更なるリニア誘導エレメント４２２が、リニア誘導エレメント１２２の直線経路に沿って提供される。したがって、堆積ソースアセンブリ１２０は、リニア誘導エレメント１２２から更なるリニア誘導エレメント４２２まで、或いは、更なるリニア誘導エレメント４２２からリニア誘導エレメント１２２まで移動しうる。保守チャンバ４３０は更に、例えば、バルブ４３１が閉鎖された後に、開放されうるドア４３３を含む。バルブ４３１を開放することにより、保守チャンバ４３０から真空チャンバ１１０まで（及びその逆に）、堆積ソースアセンブリ１２０の経路を設けることができる。バルブ４３１の閉鎖後、保守チャンバは、真空チャンバ１１０内の真空を乱すことなく換気可能である。
【００５７】
［００５６］  図４は、保守チャンバ４３０及び第２の保守チャンバ４３２を示す。各保守チャンバは、蒸発ソースアセンブリの移動のため、更なるリニア誘導エレメント４２２を有する。幾つかの実施形態によれば、第１の保守チャンバ４３０は、堆積ソースアセンブリ１２０を保守チャンバから真空チャンバ１１０まで装填するように提供されうる。第２の保守チャンバ４３２は、堆積ソースアセンブリ１２０を真空チャンバ１１０から第２の保守チャンバ４３２まで装填するように提供されうる。第２の保守チャンバ４３２は、ドア４３３を含む。各保守チャンバは、バルブ４３１によって真空チャンバ１１０に接続される。
【００５８】
［００５７］  本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、原材料を蒸発させるための堆積装置は、１つの保守チャンバを含んでよく、２つ以上の保守チャンバを含んでもよい。保守チャンバは、ソースの保守に使用可能である。具体的には、保存操作は保守チャンバ内で強化されうる。これには数十分から１時間を要することがある。すぐに使用できる堆積ソースアセンブリを真空チャンバ１１０に装填することができる。すぐに使用できる堆積ソースアセンブリを装填することにより、堆積装置４００のダウンタイムは短縮される。
【００５９】
［００５８］  図４は２つのローディングチャンバ４４２を示す。他の実施形態と組み合わされうる本書に記載の実施形態によれば、第１のローディングチャンバは、第１の基板１３２に対して構成される堆積領域に隣接して提供され、第２のローディングチャンバは第２の基板１３４に対して構成される第２の堆積領域に隣接して提供される。ローディングチャンバ４４２は、バルブ１４２（例えば、スリットバルブ）によって、真空チャンバ１１０に接続可能である。ローディングチャンバ４４２は、少なくとも１つの第１の支持トラック４５６及び第２の支持トラック４５８を含むように構成可能である。第１のトラック４５６は、基板又はキャリア上に提供される基板を有するキャリアを支持するように構成される、基板支持トラックに対応する。第２の支持トラック４５８は、マスク又はキャリア上に提供されるマスクを有するキャリアを支持するように構成される、マスク支持トラックに対応する。
【００６０】
［００５９］  本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる本開示の実施形態によれば、基板及び／又はマスク（又は各キャリア）の装填は、基板支持体平面に平行な方向に行われる。処理チャンバ４４２は、移送チャンバ４５０に更に連結される。ローディングチャンバから移送チャンバへ（及びその逆）の基板の装填は、基板支持体平面に垂直な方向に行われる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、移送チャンバ４５０及びローディングチャンバ４４２は、１つの真空領域を形成するように提供可能であるか、別の真空領域になりうる。
【００６１】
［００６０］  幾つかの実施形態によれば、ローディングチャンバ４４２は、マスク又は第２の支持トラック４５８上でマスクを支持するキャリアの装填および取り出しのためのバルブ４４３を更に含みうる。
【００６２】
［００６１］  基板又は基板を支持するキャリアは、堆積装置４００を含む堆積システムを介して、支持トラック４５２に沿って移動可能である。支持トラック４５２の一部は、支持トラック４５２及び更なる支持トラック４５４を有する二重トラック構成で提供されうる。支持トラックの一部の二重トラック構成により、処理した基板をローディングチャンバ４４２から取り出し、移送チャンバ４５０に移動すると同時に、移送チャンバ４５０からローディングチャンバ４４２に基板を移動して処理することが可能になる。追加的に、又は代替的に、支持トラック４５２の一部の二重トラック構成により、マスク又はキャリア上に支持されたマスクを有するキャリアを移送チャンバ４５０からローディングチャンバ４４２に移動すること、及び／又は、マスク又はキャリア上に支持されたマスクを有するキャリアをローディングチャンバ４４２から取り出して、移送チャンバ４５０に移動することが可能になる。移送チャンバ４５０を介して、マスクの移送を可能にする実施形態は、更なるバルブ４４３を除外しうる。
【００６３】
［００６２］  図５は、更なるバルブ４４３なしで、更なる堆積装置４００を示す。移送チャンバ４５０内でマスクやマスクを支持するキャリアのトラフィックを改善するため、支持トラック４５２及び更なる支持トラック５５４を有する二重トラック構成が移送チャンバ４５０に提供されうる。追加的に、又は代替的に、実施形態は、基板支持体及びマスク支持体のための二重トラック構成を含みうる。したがって、本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態は、４つの支持トラックを有し、２つの支持トラックが基板の装填及び取り出し用で、２つの支持トラックがキャリアの装填及び取り出し用である移送チャンバを含みうる。
【００６４】
［００６３］  図６Ａは、本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる、堆積装置４００の更なる修正を示している。ローディングチャンバ６４２は、図４及び図５に示したローディングチャンバ４４２と比較して、サイズが大きくなっている。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、真空チャンバ１１０と移送チャンバ４５０との間に空間６１０が提供されうる。これにより、真空チャンバ１１０の外壁の位置でマスクと基板を互いに対して揃えるための、位置合わせシステムを提供することができる。位置合わせシステムの一部は、空間６１０、すなわち、真空の外側に、具体的には真空チャンバ１１０の真空又は移送チャンバ４５０の真空の外側に提供することができる。
【００６５】
［００６４］  図６Ｂは、蒸発した材料、例えば、蒸発した原材料を複数の基板上に堆積させるための堆積システム６００を示す。堆積システム６００は、ローディングチャンバ６３２を含む。ローディングチャンバは、基板又はキャリア上に基板を支持するキャリアを、水平配向から垂直配向に回転するように構成されているスイングモジュールになりうる。基板又はキャリアを回転するように構成されたスイングモジュールは、真空チャンバ内に提供されうる。堆積システム６００は、移送チャンバ４５０を更に含む。
【００６６】
［００６５］  本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、移送チャンバは、基板又は基板を支持するキャリアをローディングチャンバから回転チャンバ６３６まで移送するように構成された第１の移送トラック６３４を含むことができる。回転チャンバ６３６は、基板又は基板を支持するキャリアを回転するように構成されている。回転チャンバ６３６内の基板が回転すると、基板又は基板を支持するキャリアは、第１の移送トラック６３４から第２の移送トラック６３８まで移動される。第２の移送トラック６３８は、基板又は基板を支持するキャリアを回転チャンバ６３６からアンローディングチャンバ６３９まで移送するように構成されている。
【００６７】
［００６６］  アンローディングチャンバは、基板又は基板を支持するキャリアを垂直配向から水平配向に回転するように構成された、スイングモジュールであってもよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、基板又は基板を支持するキャリアは、ローディングチャンバ６３２とアンローディングチャンバ６３９との間の堆積システム６００内に垂直配向で留まることができる。
【００６８】
［００６７］  本書に記載の他の実施形態と組み合わされうるオプションの実施形態によれば、第１の移送トラック６３４と第２の移送トラック６３８はまた、上述の方向と反対の方向に基板又は基板を支持するキャリアを移送するように構成されうる。例えば、基板又はキャリアは、各移送トラック上で前後に移送可能である。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる更なる実施形態によれば、第１の移送トラック６３４と第２の移送トラック６３８の各々は更に、マスク又はキャリア上にマスクを有するキャリアを支持するための別々のマスク支持トラックを含む。
【００６９】
［００６８］  堆積システム６００は、真空チャンバ内の２つの基板に堆積を行うため、２つ以上の真空チャンバ１１０を含むことが可能で、基板は隣り合って配置され、堆積ソースアセンブリ１２０は、リニア誘導エレメントに沿って前後に移動することによって、連続的な堆積プロセスを提供する。図６Ｂは２つの真空チャンバ１１０を示す。各真空チャンバは第１の基板１３２と第２の基板１３４を示す。各真空チャンバには、第１の基板のための第１の堆積領域と第２の基板のための第２の堆積領域が提供される。
【００７０】
［００６９］  更に、各真空チャンバは第１のマスク１３６と第２のマスク１３８を示す。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、真空チャンバ１１０には、第１のマスク支持体と第２のマスク支持体が提供される。
【００７１】
［００７０］  ２つのローディングチャンバ４４２が、真空チャンバ１１０の向かい合う面に配置される。ローディングチャンバは、真空チャンバ１１０の基板支持体平面と平行な移送方向に、基板支持トラック、すなわち、基板移送トラックを有する。真空チャンバの第１の堆積領域には、１つのローディングチャンバ４４２から未処理の基板が装填されうる。真空チャンバの第２の堆積領域には、別のローディングチャンバ４４２から未処理の基板が装填されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、ローディングチャンバは、第１のトラックと第２のトラックを有する、基板のための二重トラック支持構成を含むことができる。二重トラック構成を有することにより、未処理の基板の装填と処理後の基板の取り出しが短時間で可能になる。
【００７２】
［００７１］  追加的に、又は代替的に、二重トラック構成はまた、マスク又はマスクキャリアを真空チャンバ１１０の内外に移動することを可能にする。更なる構成によれば、追加トラック、例えば、２つの追加トラックが、マスク又はマスクキャリアのためにローディングチャンバ４４２に提供されうる。
【００７３】
［００７２］  図６Ｂに示したように、ローディングチャンバ４４２は、隣り合う基板を処理するため、２つの真空チャンバの間に提供される。２つの真空チャンバの間に提供されたローディングチャンバ４４２は、基板及び／又はマスクを、２つの隣接する真空チャンバ１１０の各々に装填し、取り出すことができる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、内部で隣り合う基板を処理するＮ個の真空チャンバが提供され、Ｎ個の真空チャンバに基板を装填し、取り出すためのＮ＋１個のローディングチャンバが提供されうる。
【００７４】
［００７３］  堆積システム６００は更に、保守チャンバ４３０を含みうる。図６Ｂに示した保守チャンバ４３０は、基板処理用の２つの真空チャンバの間に提供される。保守チャンバ４３０は、堆積ソースアセンブリ１２０を保守するように構成されている。すぐに使用できる堆積ソースアセンブリ１２０は、保守チャンバ４３０から真空チャンバ１１０の１つに移動することができる。例えば、保守チャンバ４３０には、ソース平面、すなわち、ソースが２つの基板を横断して前後に掃引しながら移動する平面内で、すぐに使用できる堆積ソースアセンブリ１２０を回転させる回転機構が提供可能である。すぐに使用できる堆積ソースアセンブリがソース平面内で回転された後、堆積ソースアセンブリは真空チャンバの１つに移動可能である。
【００７５】
［００７４］  図６Ｃは、２つ以上の基板に蒸発した材料を堆積させるための更なる堆積装置を示す。堆積装置は、第１の基板１３２の第１の堆積領域と第２の基板１３４の第２の堆積領域を有する真空チャンバ１１０を含む。堆積領域は、第１の基板位置と第２の基板位置を提供する基板支持アセンブリ（２つの部分を備える、又は１つの共通アセンブリとして）によって提供される。更に、第１のマスク１３６のための第１の支持体位置、及び第２のマスク１３８のための第２の支持体位置が提供される。堆積ソースアセンブリ１２０の保守のための保守チャンバ４３０が提供される。例えば、保守チャンバ４３０は、第１の堆積領域と第２の堆積領域との間の領域６１１に隣接することができる。領域６１１は、真空チャンバ１１０の中心領域とみなすことができる。第１の基板１３２の第１の堆積領域と第２の基板１３４の第２の堆積領域は隣り合って配置される。第１の堆積領域と第２の堆積領域は、基板支持体平面をもたらす。基板支持体平面は垂直であるか、基板が下向きになるようにわずかに（例えば、１５°未満）傾斜することができる。堆積ソースアセンブリ１２０は、リニア誘導エレメント１２２に沿って前後に動かされる。これを、矢印６２２によって示す。
【００７６】
［００７５］  本書に記載の実施形態によれば、保守チャンバ４３０は、例えば、破線６３１で真空チャンバ１１０から真空密閉されうる。真空密閉又は真空密閉されたドアが、保守チャンバ４３０と真空チャンバ１１０との間に提供されうる。堆積ソースアセンブリ１２０の交換のため、保守チャンバ４３０内に示した堆積ソースアセンブリ１２０は真空チャンバ１１０に移動することが可能で、一方、真空チャンバ１１０内に示した堆積ソースアセンブリは真空チャンバ１１０から取り出して保守チャンバ４３０に移動することが可能である。例えば、これは回転機構によって提供される。回転機構の操作のため、堆積ソースアセンブリ１２０はアイドル（待機）位置に移動可能である。例えば、アイドル位置は、堆積ソースアセンブリ１２０がアイドルシールド６９０に面する位置になりうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、アイドルシールド６９０は、堆積ソースアセンブリ１２０と共に、真空チャンバ１１０から取り出すことができる。更に、アイドルシールド６９１は、保守チャンバから真空チャンバ１１０へ提供されうる。
【００７７】
［００７６］  幾つかの実施形態によれば、堆積ソースアセンブリの制御ハウジング（例えば、図２の参照番号２１２を参照）は、媒体供給アーム６８０によって大気圧に接続可能である。例えば、媒体供給アーム６８０は、領域６１１、例えば、真空チャンバ１１０の中心領域に隣接可能である。
【００７８】
［００７７］  図６Ｃに示した堆積装置は更に、移送チャンバ４５０と２つのローディングチャンバ４４２を含みうる。真空チャンバ１１０は、２つのローディングチャンバ４４２の間に提供される。第１の堆積領域は第１のローディングチャンバに隣接しており、基板は第１のローディングチャンバから第１の堆積領域に装填され、また、取り出される。第２の堆積領域は第２のローディングチャンバに隣接しており、基板は第２のローディングチャンバから第２の堆積領域に装填され、また、取り出される。
【００７９】
［００７８］  典型的な実装によれば、ローディングチャンバ４４２は少なくとも第１の支持トラック４５６（例えば、第１の移送トラック）と第２の支持トラック４５８（例えば、第２の移送トラック）を含む。図６Ｃに矢印で示したように、基板及び／又はマスクは、ローディングチャンバから真空チャンバへ移動され、第１の堆積領域と第２の堆積領域によって提供される基板支持体平面に平行になっている。ローディングチャンバ内の第１の支持トラックと第２の支持トラックは、基板の迅速な装填と取り出しに利用可能であり、及び／又はマスクの装着と取り出しに利用しうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる更なる修正によれば、更なる支持トラック、具体的には第３の支持トラックと第４の支持トラックがローディングチャンバに提供されうる。２つ以上の支持トラックを有することにより、基板支持体とマスク支持体に対して個別のトラックを有することができる。したがって、二重トラック構成は、２つ、３つ、４つ、或いはそれ以上のトラックを有するマルチトラック構成であってもよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、二重トラック構成又はマルチトラック構成は、ローディングチャンバ４４２から移送チャンバ４５０へ移動可能である。移送アセンブリは、トラック上でローディングチャンバから移送チャンバまで（及びその逆）の移送方向に垂直な方向に、トラックの移動を提供するように構成されている。
【００８０】
［００７９］  図６Ｄは、２つ以上の基板に蒸発した材料を堆積させるための更なる堆積装置を示す。堆積装置は、第１の基板１３２の第１の堆積領域と第２の基板１３４の第２の堆積領域を有する真空チャンバ１１０を含む。本書に記載の他の実施形態と比較すると、第１の堆積領域と第２の堆積領域は、移送チャンバ４５０から離れる向きにある真空チャンバ１１０の側面に提供される。幾つかの実施形態によれば、堆積装置を設けることが可能で、堆積ソースアセンブリ１２０を支持するためのリニア誘導エレメント１２２は、基板支持アセンブリと移送チャンバ４５０に隣接するチャンバ壁との間に、或いは、基板支持アセンブリと移送チャンバ４５０との間に設けられる。これは、基板支持アセンブリ上に支持される基板の位置合わせとして有利になりうる。また、マスク支持アセンブリ上に支持されるマスクは、真空チャンバ１１０の外壁（例えば、図６Ｄの真空チャンバの下方壁）から容易にアクセスすることができる。
【００８１】
［００８０］  堆積領域は、第１の基板位置と第２の基板位置を提供する基板支持アセンブリ（２つの部分を備える、又は１つの共通アセンブリとして）によって提供される。更に、第１のマスク１３６のための第１の支持体位置、及び第２のマスク１３８のための第２の支持体位置が提供される。堆積ソースアセンブリ１２０の保守のための保守チャンバ４３０が提供される。例えば、保守チャンバ４３０は、第１の堆積領域と第２の堆積領域との間の領域に隣接することができる。この領域は、真空チャンバ１１０の中心領域とみなすことができる。第１の基板１３２の第１の堆積領域と第２の基板１３４の第２の堆積領域は隣り合って配置される。第１の堆積領域と第２の堆積領域は、基板支持体平面をもたらす。基板支持体平面は垂直であるか、基板が下向きになるようにわずかに（例えば、１５°未満）傾斜することができる。堆積ソースアセンブリ１２０は、リニア誘導エレメント１２２に沿って前後に動かされる。これを、矢印６２２によって示す。
【００８２】
［００８１］  本書に記載の実施形態によれば、保守チャンバ４３０は、真空チャンバ１１０から真空密閉されうる。例えば、オプションのゲート弁は、保守チャンバ４３０から真空チャンバ１１０の堆積領域を密閉するために提供されうる。真空密閉又は真空密閉されたドアが、保守チャンバ４３０と真空チャンバ１１０との間に提供されうる。本書に記載の他の任意の実施形態、例えば、図６Ｃに関して説明された実施形態により、保守チャンバが提供されうる。
【００８３】
［００８２］  図６Ｄに示した堆積装置は更に、移送チャンバ４５０と２つのローディングチャンバ４４２を含みうる。真空チャンバ１１０は、２つのローディングチャンバ４４２の間に提供される。第１の堆積領域は第１のローディングチャンバに隣接しており、基板は第１のローディングチャンバから第１の堆積領域に装填され、また、取り出される。第２の堆積領域は第２のローディングチャンバに隣接しており、基板は第２のローディングチャンバから第２の堆積領域に装填され、また、取り出される。
【００８４】
［００８３］  典型的な実装によれば、ローディングチャンバ４４２は、例えば、移送チャンバ４５０からローディングチャンバに動かされる、少なくとも第１の支持トラック４５２（例えば、第１の移送トラック）と第２の支持トラック４５４（例えば、第２の移送トラック）を含みうる。基板及び／又はマスクは、ローディングチャンバから真空チャンバへ移動され、第１の堆積領域と第２の堆積領域によって提供される基板支持体平面に平行になっている。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる更なる修正によれば、更なる支持トラック、具体的には第３の支持トラックと第４の支持トラックがローディングチャンバに提供されうる。２つ以上の支持トラックを有することにより、基板支持体とマスク支持体に対して個別のトラックを有することができる。したがって、二重トラック構成は、２つ、３つ、４つ、或いはそれ以上のトラックを有するマルチトラック構成であってもよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、二重トラック構成又はマルチトラック構成は、ローディングチャンバ４４２から移送チャンバ４５０へ（及びその逆に）移動可能である。
【００８５】
［００８４］  図７Ａは、更なる堆積装置６００を示す。堆積システムは、ローディングチャンバ６３２とアンローディングチャンバ６３９を含む。代替的に、ローディングチャンバはアンローディングチャンバであってよく、また、アンローディングチャンバはローディングチャンバであってもよい。更に、ボースト（ｂｏａｓｔ）チャンバが装填及び取り出し用に提供されうる。ローディングチャンバとアンローディングチャンバは、水平配向から垂直配向に（及びその逆に）回転するためのスイングモジュールを含む。
【００８６】
［００８５］  堆積システム６００は、複数の堆積装置４００を含む。堆積装置は、本書に記載の、具体的には図４、図５、図６Ａ、及び図６Ｃに関して説明されている他の堆積装置の一又は複数の詳細及び態様と共に提供されうる。堆積装置の移送チャンバは、移送チャンバ（例えば、隣接する移送チャンバ）を介して基板とキャリアの移送が可能になるように、一つの線上に配置される。更に、堆積装置の２つ以上の真空チャンバ（例えば、図４、図５、図６Ａ、及び図６Ｃの真空チャンバ１１０）が共通の移送チャンバを有することも可能になりうる。例えば、有機材料の１つの層は、堆積装置４００の各々に提供されうる。したがって、ＯＬＥＤディスプレイなどのデバイスは、基板が様々な堆積装置を介して堆積システムを通過する間に、層ごとに製造可能である。堆積システム６００は更に、回転チャンバ内に設けられた移送トラックを、例えば、９０°、１８０°、２７０°又は３６０°だけ回転するための回転チャンバ７１０を含む。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、回転チャンバは、移送チャンバ内の多数のトラックに対応する、多数の支持トラックソース移送トラックを有することができる。例えば、数の対応は、回転チャンバが移送チャンバの２倍の数のトラックを有するようになってもよい。これにより、１つの堆積装置の移送方向から別の堆積装置の反対の移送方向へ、基板及び／又はマスクを移送することができる。
【００８７】
［００８６］  本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、回転チャンバは、一又は複数のマスク保管チャンバ、すなわち、マスクシェルフチャンバ又はマスクバッファチャンバに更に接続されうる。保管バッファチャンバは、堆積装置の真空チャンバで定期的に交換されうる、複数のマスクを保持する。図７Ａは、３つのマスク保管チャンバ７２０を示す。２つ以上のマスク保管チャンバを提供することにより、堆積システム内のマスクトラフィックの改善が可能になる。更に、マスクバッファチャンバは、チャンバ（洗浄チャンバ又はロードロックチャンバ）へマスクを移送し、取り出すためのスリットバルブを含みうる。
【００８８】
［００８７］  図７Ｂは、一又は複数の堆積装置４００を含む堆積システムを更に含む。堆積装置４００は、真空チャンバ内に隣り合うように配置された基板位置の各側面にローディングチャンバを有する。ローディングチャンバは、移送チャンバ４５０に接続される。基板及び／又はキャリアは、支持トラックを支持トラックの移送方向に垂直に動かすことによって、移送チャンバ４５０からローディングチャンバに移動可能である。図７Ｂに示したシステムは、例示的に、回転チャンバ７１０に接続された２つのマスク保管チャンバ７２０を含む。回転チャンバ内の支持トラックは、マスク保管チャンバに面する移送方向を有するように回転されうる。マスクは、回転チャンバの支持トラック上に装填されうる。回転チャンバは、支持体トラック、すなわち、移送トラックを９０°回転することができる。マスクは、移送チャンバの中へ、すなわち、支持トラック４５２、更なる支持トラック４５４又は更なるトラック７５０に沿って、移送されうる。例えば、更なるトラック７５０は、堆積システム内でのマスクトラフィックを容易にするために提供されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、ローディングチャンバはまた、第１の支持トラック４５６、第２の支持トラック４５８、及び追加の支持トラックを有しうる。
【００８９】
［００８８］  図８Ａ〜図８Ｈは、隣り合う２つの基板上に、すなわち、基板エッジが互いに向かい合った状態で、材料を堆積させるための堆積装置を示す。装置は、２つの基板の処理、すなわち堆積のための真空チャンバ、真空チャンバ内に配置された各基板に隣接するローディングチャンバ４４２、及び移送チャンバ４５０を含む。移送チャンバ４５０は、堆積システムを通って基板を移送するための支持トラック４５２を含む。更に、支持トラック４５２は、二重トラック構成を伴う部分を有し、ここに第２のトラック４５４が設けられる。図８Ａ〜図８Ｈに示したように、二重トラック構成を備える支持トラック部分は、移送チャンバ４５０からローディングチャンバ４４２へ移動可能である。幾つかの実施形態によれば、二重トラック構成を備える支持トラック部分は、１つのチャンバから隣接するチャンバへ、例えば、移送チャンバからローディングチャンバへ移動可能である。他の実施形態によれば、移送チャンバとローディングチャンバは共に、一又は複数の支持トラック、例えば、シングルトラック構成、二重トラック構成、トリプルトラック構成、或いはそれ以上のトラック構成を備える支持トラックを含みうる。基板及び／又はマスク用のキャリアは、トラック間の切り換えによって、或いは１つのチャンバから別のチャンバへのトラックの移動によって移送されうる。上述の実施形態は互いに排他的であると理解すべきではなく、１つのチャンバが一又は複数のチャンバを含み、一方で、更なるトラックがチャンバへ入ってくるように結合されうる。
【００９０】
［００８９］  図８Ａでは、基板Ｓ１は第１の基板位置、すなわち、例えば、基板支持体の第１の堆積領域にある。基板支持体は、基板Ｓ１を第１の堆積領域内に浮上した状態で提供しうる。第１のマスク１３６は、堆積ソースアセンブリ１２０と基板Ｓ１との間に提供される。基板Ｓ２は、第２の基板位置、すなわち、例えば、基板支持体の第２の堆積領域にある。基板支持体は、基板Ｓ２を第１の堆積領域内に浮上した状態で提供しうる。図８Ａから図８Ｈまで、堆積ソースアセンブリ１２０は、第１の堆積領域と第２の堆積領域に順に沿った２つの端部位置の間のリニア誘導エレメント１２２に沿って移動する。堆積ソースアセンブリ１２０は、第１の方向８０１と、第１の方向に向かい合う第２の方向に移動する。
【００９１】
［００９０］  図８Ａでは、基板Ｓ１は蒸発した材料による１回の完全なスウィープで処理されている。右側から左側までの堆積ソースアセンブリ１２０の移動によって、基板Ｓ１の約半分に材料が堆積している。基板Ｓ１が処理される間に、移送チャンバの支持トラックの二重トラック構成を備えた部分は、矢印８１１で示されたように、右側のローディングチャンバ４４２まで移動される。図８Ｂに示したように、二重トラック構成を備えた支持トラック部分は、その上に装填された基板Ｓ３を有する。基板Ｓ３は、第１の堆積領域の平面内のスリットバルブを通過している。空の支持トラックは基板支持体平面内、すなわち、第１の堆積領域の平面内に提供される。矢印８１２で示されたように、処理された基板Ｓ１は支持トラック４５４上を移動されうる。この時点で、基板Ｓ１上での原材料の蒸発は完了している。堆積ソースアセンブリ１２０は、第１の方向８０１に沿って移動を続け、第２の基板Ｓ２の堆積を開始する。図８Ｃでは、第２の基板の前半は、第１のスウィープで堆積されている。第１の基板Ｓ２は支持トラック４５４上に装填され、二重トラック構成を備える支持トラックの部分は、矢印８１３で示されたように、ローディングチャンバ４４２から移送チャンバ４５０へ移動されうる。
【００９２】
［００９１］  図８Ｄでは、第１の基板Ｓ１は支持トラック４５２と位置合わせされ、矢印８１５で示されたように、下流プロセスまで移動されうる。第３の基板Ｓ３は、真空チャンバ１１０内の基板支持アセンブリと位置合わせされ、第３の基板Ｓ３は第１の堆積領域に移動されうる。堆積ソースアセンブリは基板Ｓ２の１回のスウィープを完了し、後方に移動し、第２の堆積領域と第１の堆積領域の傍らを通過する。図８Ｅでは、第４の基板Ｓ４は、下流プロセスから、二重トラック構成を有する支持トラック４５２の部分に装填されている。基板Ｓ４は、矢印８１６で示されているように、第２の堆積領域に隣接するローディングチャンバ４４２、例えば、図８Ａ〜図８Ｈの左ローディングチャンバに移動される。図８Ｅは更に、第２の方向８０２に沿って移動する間に、堆積ソースアセンブリが基板Ｓ２の約２分の１に堆積したことを示している。図８Ｆでは、基板Ｓ２の処理は完了し、矢印８１７で示されているように、基板は二重トラック構成を有する支持トラックの一部のトラック上に移動される。この位置で、基板Ｓ４は、真空チャンバ内の基板支持アセンブリ、例えば、第２の堆積領域の平面に沿ったスリットバルブを通過している。
【００９３】
［００９２］  図８Ｇでは、第１の堆積領域内の基板Ｓ３の処理は開始され、一方、堆積ソースアセンブリは第２の方向に沿って移動を続ける。支持トラックの二重トラック構成部分は、基板Ｓ２を支持トラック４５２に、また、基板Ｓ４を真空チャンバの基板支持アセンブリに位置合わせするため、矢印８１８で示されたように移動する。図８Ｈでは、基板Ｓ２は矢印８２０で示されたように下流プロセスに移動され、また、基板Ｓ４は矢印８１９で示されたように真空チャンバに移動されうる。
【００９４】
［００９３］  図９は更に、蒸発した材料又は蒸発した原材料をそれぞれ一又は複数の基板上に堆積させるための堆積装置９００を示す。堆積装置は、第１の基板１３２の第１の堆積領域と第２の基板１３４の第２の堆積領域を提供する真空チャンバ９０１と基板支持アセンブリを含む。第１の堆積領域と第２の堆積領域は隣り合って配置される。すなわち、第１の基板１３２のエッジと第２の基板１３４のエッジは互いに向かい合う。原材料を蒸発させるための堆積ソースアセンブリ１２０は、第１の位置領域と第２の堆積領域で順に堆積させるため、第１の方向に沿って移動し、その後、第２の堆積領域と第１の堆積領域で順に堆積させるため、第１の方向と反対の第２の方向に沿って移動するように構成されている。
【００９５】
［００９４］  第１のマスク１３６は、堆積ソースアセンブリと、第１の基板１３２に基板位置を提供する第１の堆積領域との間に提供される。第２のマスク１３８は、堆積ソースアセンブリと、第２の基板１３４に基板位置を提供する第２の堆積領域との間に提供される。前の実施形態と同様に、保守チャンバ４３０は、例えば、真空チャンバ９０１のそれぞれの側に提供される。本書に記載の保守チャンバの詳細、態様、及び実装は、図９に関して例示的に説明されたように、堆積装置９００の実施形態と組み合されうる。
【００９６】
［００９５］  本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、複数の支持トラックは真空チャンバ９０１内に提供されうる。更に、一又は複数のスリットバルブは、真空チャンバ９０１のそれぞれの側に提供される。図９は、下流プロセスからマスクと基板を受容するための第１のスリットバルブ９１１と、上流プロセスにマスクと基板を移動するための第２のスリットバルブ９１２を示す。これは、図９の矢印によって示される。更に、堆積領域の各々に対して、第１のトラック９２２と第２のトラック９２４を有する二重トラック支持体が提供される。二重トラック支持体は、図９に示された前方位置と後方トラック９２８によって示された後方位置との間を移動されうる。基板は、第１の支持トラック９２２、第２の支持トラック９２４、及び後方トラック９２８の各々の堆積システムを通って移動されうる。更に、マスクはマスクトラック上の堆積システムを通って移動されうる。
【００９７】
［００９６］  図１０Ａ〜図１０Ｈは、図９に示した２つ以上の堆積装置９００を有する堆積システムの操作を示している。図１０Ａ〜図１０Ｈは、移送チャンバ１０５０、第１の真空チャンバ９０１及び第２の真空チャンバ９０１を示す。真空チャンバの各々は、第１の堆積領域と第２の堆積領域を有する。各基板位置は、位置Ｐ１、位置Ｐ２、位置Ｐ３、及び位置Ｐ４として示されている。移送チャンバ１０５０内の左位置はＰ−１（図示せず）として示され、移送チャンバ１０５０内の右位置はＰ０（図示せず）として示されている。基板を支持するための二重トラック支持体の各々は、図１０Ａと図１０Ｄに例示的に示されている後方位置Ｒと前方位置Ｆを有する。後方位置Ｒと前方位置Ｆは他の図に提供される。
【００９８】
［００９７］  図１０Ａでは、二重トラック支持体のすべてが前方位置で提供される。支持トラック９２２は基板と共に装填される。移送チャンバ１０５０内には、空の基板が提供される。左の真空チャンバ９０１では、基板は第１の層を受容し、一方、堆積ソースアセンブリは第１の方向８０１に沿って移動する。右の真空チャンバ９０１内では、基板は第２の層を受容し、一方、堆積ソースアセンブリは第１の方向８０１に沿って移動する。堆積ソースアセンブリは、第１の堆積領域、すなわち、右の堆積領域Ｐ２及びＰ４で堆積する。図１０Ｂでは、第１の堆積領域の処理は完了している。第１の層は位置Ｐ２に堆積され、また、更なる層が位置Ｐ４に堆積されている。位置Ｐ０、Ｐ２、及びＰ４の二重トラック支持体は、矢印で示されたように、後方位置に移動される。堆積ソースアセンブリは、位置Ｐ１及びＰ３の基板を処理するため、第１の方向８０１に沿って移動し続ける。図１０Ｃでは、位置Ｐ４の基板は、下流プロセスまで移動される。位置Ｐ２の基板は、位置Ｐ４まで移動される。位置Ｐ０の基板は位置Ｐ２まで移動され、また、新しい基板が位置Ｐ０に装填される。その間、位置Ｐ１の基板は第１の層を受容し、また、位置Ｐ３の基板は第２の層を受容する。図１０Ｄでは、堆積ソースアセンブリは、位置Ｐ１及びＰ３で基板を横断する第１のスウィープを完了し、第１の方向８０１と反対の第２の方向８０２に移動する。位置Ｐ０、Ｐ２、及びＰ４の二重トラック支持体は、矢印で示されたように、前方位置まで戻される。図１０Ｅでは、堆積ソースアセンブリは、位置Ｐ１及びＰ３で基板を横断する第２のスウィープの提供を継続する。図１０Ｆでは、位置Ｐ１で第１の層の堆積が完了し、また、位置Ｐ３で第２の層の堆積が完了している。更に、位置Ｐ−１、Ｐ１、及びＰ３の二重トラック支持体は、矢印で示されたように、後方位置まで移動される。堆積ソースアセンブリは、第２の堆積領域と第１の堆積領域に沿って、すなわち、位置Ｐ１からＰ２まで、及び位置Ｐ３からＰ４まで順に通過するため、第２の方向８０２に沿って移動し続ける。図１０Ｇでは、位置Ｐ３の基板は、下流プロセスまで移動される。位置Ｐ１の基板は、位置Ｐ３まで移動される。位置Ｐ−１の基板は位置Ｐ１まで移動され、新しい基板は位置Ｐ−１に装填される。更に、堆積ソースアセンブリは、位置Ｐ２に第１の層を、また、位置Ｐ４に更なる層を提供し続ける。図１０Ｈでは、位置Ｐ２での層の前半と位置Ｐ４での層の前半の堆積が完了し、堆積ソースアセンブリは、第２の方向８０２と反対の第１の方向８０１に沿って移動する。位置Ｐ−１、Ｐ１、及びＰ３の二重トラック支持体は、前方位置まで戻る。その結果、図１０Ａで示されたように、処理は継続されうる。したがって、真空チャンバ９０１内には連続堆積処理が提供されうる。第１の堆積領域と第２の堆積領域に材料を交互に堆積させる間に連続的な蒸発プロセスが提供され、堆積方向は、基板上での材料の堆積と基本的に同じままである。
【００９９】
［００９８］  図１１は、蒸発した材料、例えば、蒸発した原材料を複数の基板上に堆積させるための堆積システムを示す。堆積システムは、ローディングチャンバ６３２を含む。ローディングチャンバは、基板又はキャリア上に基板を支持するキャリアを、水平配向から垂直配向に回転するように構成されているスイングモジュールになりうる。基板又はキャリアを回転するように構成されたスイングモジュールは、真空チャンバ内に提供されうる。堆積システムは更に、図１０Ａ〜図１０Ｈによって示されているように操作されうる複数の堆積装置９００を含む。堆積装置の第１の列が処理されると、基板は回転チャンバ７１０に装填されうる。回転チャンバ７１０は、堆積装置の第２の列に基板を提供するため、１８０°だけ回転可能である。更に、一又は複数のマスク保管チャンバ７２０は、回転チャンバに提供されうる。回転チャンバはマスク保管チャンバ７２０からマスクを受容すること、或いは９０°だけ回転することでマスク保管チャンバ７２０までマスクを移動することができる。堆積装置の第２列で基板の処理を完了した後、基板はアンローディングチャンバ６３９まで提供されうる。アンローディングチャンバは、基板又は基板を支持するキャリアを垂直配向から水平配向まで回転するように構成されたスイングモジュールであってもよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる幾つかの実施形態によれば、基板又は基板を支持するキャリアは、ローディングチャンバ６３２とアンローディングチャンバ６３９との間の堆積システム６００内に垂直配向で留まることができる。
【０１００】
［００９９］  図１２は蒸発した材料を堆積させるための堆積システムを示す。図１１に関して説明された堆積システムと比較して、一又は複数のマスク保管チャンバ７２０の各堆積チャンバ又は堆積９００からの距離を短縮するため、回転チャンバ７１０が堆積装置９００の間に提供される。処理中に基板を堆積装置の進入列から堆積装置の退出列まで移動するため、更なる回転チャンバ７１０が提供される。
【０１０１】
［００１００］  本開示の実施形態は、２つの基板上の原材料の堆積について、
具体的には、隣り合って配置された２つの基板上に、例えば、スキャニングソース、すなわち、可動式ソースを用いて原材料を堆積させることについて言及している。第１の堆積領域と第２の堆積領域は隣り合って配置され、原材料を蒸発させるための堆積ソースアセンブリは、第１の堆積領域と第２の堆積領域で順に堆積させるため、第１の方向に沿って移動し、また、第２の堆積領域と第１の堆積領域で順に堆積させるため、第１の方向と反対の第２の方向に沿って移動するように構成されている。したがって、連続堆積処理は、堆積ソース（特に蒸発ソース）の材料利用率が非常に高く（例えば、約８０％以上）なりうるように、提供されうる。この利点は、第１の堆積領域に隣接したローディングチャンバ、並びに、本書に記載されているように、第２の堆積領域に隣接した更なるローディングチャンバを有する装置に、特に当てはまる。更に、本書に記載されているように、移送チャンバを含む、或いは、移送チャンバとして処理チャンバを利用するシステムにより、小さな設置面積が、特に、最新の製造現場の要件を満たすことができる寸法の設置面積が可能になる。
【０１０２】
［００１０１］  以上の説明は幾つかの実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱せずに他の実施形態及び更なる実施形態を考案してもよく、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定められる。
【図１Ａ】
2019510129.tif 000003
【図１Ｂ】
2019510129.tif 000004
【図１Ｃ】
2019510129.tif 000005
【図１Ｄ】
2019510129.tif 000006
【図２】
2019510129.tif 000007
【図３】
2019510129.tif 000008
【図４】
2019510129.tif 000009
【図５】
2019510129.tif 000010
【図６Ａ】
2019510129.tif 000011
【図６Ｂ】
2019510129.tif 000012
【図６Ｃ】
2019510129.tif 000013
【図６Ｄ】
2019510129.tif 000014
【図７Ａ】
2019510129.tif 000015
【図７Ｂ】
2019510129.tif 000016
【図８Ａ】
2019510129.tif 000017
【図８Ｂ】
2019510129.tif 000018
【図８Ｃ】
2019510129.tif 000019
【図８Ｄ】
2019510129.tif 000020
【図８Ｅ】
2019510129.tif 000021
【図８Ｆ】
2019510129.tif 000022
【図８Ｇ】
2019510129.tif 000023
【図８Ｈ】
2019510129.tif 000024
【図９】
2019510129.tif 000025
【図１０Ａ】
2019510129.tif 000026
【図１０Ｂ】
2019510129.tif 000027
【図１０Ｃ】
2019510129.tif 000028
【図１０Ｄ】
2019510129.tif 000029
【図１０Ｅ】
2019510129.tif 000030
【図１０Ｆ】
2019510129.tif 000031
【図１０Ｇ】
2019510129.tif 000032
【図１０Ｈ】
2019510129.tif 000033
【図１１】
2019510129.tif 000034
【図１２】
2019510129.tif 000035
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月9日(2018.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上の基板上に蒸発した原材料を堆積させるための堆積装置であって、
真空チャンバと、
基本的に垂直の配向を有する前記２つ以上の基板の第１の基板の第１の堆積領域及び基本的に垂直の配向を有する前記２つ以上の基板の第２の基板の第２の堆積領域を提供する基板支持アセンブリであって、前記第１の堆積領域と前記第２の堆積領域は隣り合って配置される、基板支持アセンブリと、
前記第１の堆積領域と前記第２の堆積領域で順に堆積させるように第１の方向に沿って、また、前記第１の方向とは反対に前記第２の堆積領域と前記第１の堆積領域で順に堆積させるように第２の方向に沿って移動するように構成される原材料を蒸発させるための堆積ソースアセンブリと
を備える堆積装置。
【請求項２】
前記堆積ソースアセンブリを前記第１の方向に沿って移動するように構成されたリニア誘導エレメントを更に備える、請求項１に記載の堆積装置。
【請求項３】
前記リニア誘導エレメントは、隣り合って配置される前記第１の堆積領域と前記第２の堆積領域によってもたらされる基板支持平面に平行に移動するように構成される、請求項２に記載の堆積装置。
【請求項４】
前記リニア誘導エレメントは、前記堆積ソースアセンブリを真空チャンバ内の１つのソース平面内で移動するように構成されている、請求項２又は３に記載の堆積装置。
【請求項５】
前記リニア誘導エレメントは、第１の端点と第２の端点を有し、前記堆積ソースアセンブリは、前記第１の端点と前記第２の端点との間で、第１の方向に沿って前後に移動される、請求項２から４のいずれか一項に記載の堆積装置。
【請求項６】
ソース平面は、前記第１の方向と、前記第１の方向とは異なるソース延伸方向に沿って延在する線状堆積ソースを提供する前記堆積ソースアセンブリによって画定される、請求項２から５のいずれか一項に記載の堆積装置。
【請求項７】
前記堆積ソースアセンブリを前記リニア誘導エレメントから移動するための更なるリニア誘導エレメントを有する、前記真空チャンバに連結された保守チャンバを更に備える、請求項２から６のいずれか一項に記載の堆積装置。
【請求項８】
２つ以上の基板上に蒸発した原材料を堆積させるための堆積システムであって、
請求項１から７のいずれか一項に記載の堆積装置と、
マスク保管チャンバと、
マスクキャリアを前記マスク保管チャンバから前記堆積装置まで移動するように構成された一又は複数の支持トラックと
を備える堆積システム。
【請求項９】
前記堆積ソースアセンブリを前記リニア誘導エレメントから移動するための更なるリニア誘導エレメントを有する、前記真空チャンバに連結された保守チャンバを更に備える、請求項８に記載の堆積システム。
【請求項１０】
請求項１から７のいずれか一項に記載の第２の堆積装置と、
前記堆積ソースアセンブリを前記リニア誘導エレメントから移動するための更なるリニア誘導エレメントを有する、前記真空チャンバに連結された保守チャンバであって、前記堆積装置と前記第２の堆積装置との間に提供される、保守チャンバと
を更に備える、請求項８に記載の堆積システム。
【請求項１１】
第１のローディングチャンバと第２のローディングチャンバを更に備え、前記第１のローディングチャンバと前記第２のローディングチャンバは、前記第１の堆積領域及び前記第２の堆積領域と共に隣り合って配置され、また、前記第１の堆積領域及び前記第２の堆積領域は、前記第１のローディングチャンバと前記第２のローディングチャンバとの間に配置される、請求項８から１０のいずれか一項に記載の堆積システム。
【請求項１２】
二重トラック構成を伴う部分を少なくとも１つ有する支持トラックを有する移送チャンバを更に備える、請求項８から１１のいずれか一項に記載の堆積システム。
【請求項１３】
２つ以上の基板上に蒸発した原材料を堆積させるための堆積システムであって、
請求項１から７のいずれか一項に記載の２つ以上の堆積装置であって、前記堆積装置の各々は基板支持トラック、キャリア支持トラック及び移送トラックを有し、前記２つ以上の堆積装置のうち隣接する堆積装置の前記基板支持トラック、前記キャリア支持トラック及び前記移送トラックは一つの線上に配置されている、２つ以上の堆積装置と、
少なくとも１つの真空チャンバに連結され、前記堆積ソースアセンブリを前記リニア誘導エレメントから移動するための更なるリニア誘導エレメントを有する保守チャンバと
を備える、堆積システム。
【請求項１４】
２つ以上の基板上に蒸発した原材料を堆積させるための方法であって、
基本的に垂直の配向を有する前記２つ以上の基板の第１の基板を真空処置チャンバ内へ移動することと、
堆積ソースアセンブリを第１の方向に移動すると共に、気体の原材料を堆積方向に前記第１の基板上へと誘導することと、
前記堆積ソースアセンブリを前記第１の方向と反対の第２の方向に移動すると共に、気体の原材料を前記堆積方向に前記第１の基板上へと誘導することと、
基本的に垂直の配向を有する前記２つ以上の基板の第２の基板を前記真空処置チャンバ内へ移動すると共に、気体の原材料を前記堆積方向に前記第１の基板上へと誘導することと、
前記堆積ソースアセンブリを第２の方向に移動すると共に、気体の原材料を堆積方向に前記第２の基板上へと誘導することと、
前記堆積ソースアセンブリを前記第１の方向に移動すると共に、気体の原材料を前記堆積方向に前記第２の基板上へと誘導することと
を含む方法。
【国際調査報告】
2019510129.tif 000036
2019510129.tif 000037
2019510129.tif 000038
2019510129.tif 000039