(57)【要約】【解決手段】リソグラフィ装置は、基板を位置決めする基板テーブルと、基板のアライメントを測定するために用いるアライメントセンサとを有する。処理方法の一例において、アライメントセンサは、第１ステップにて一以上のエッジ測定を実行するために用いられる。第２ステップにて、一以上のエッジ測定が基板のノッチ上で実行される。エッジ測定は、その後、リソグラフィ装置内での基板のアライメントに用いられる。具体例において、エッジ表面の一部がレンズの焦点距離に位置するように基板がアライメントセンサに対して配置される。レンズの焦点距離にてエッジ表面により散乱される放射をアライメントセンサが検出する場合、基板のエッジの存在が検出される。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置内で基板を処理する方法であって、
前記基板は、前記基板へのパターン放射ビームの露光が制御可能となるように前記パターン放射ビームに対して移動するよう構成される基板テーブル上に位置決めされ、前記基板は、エッジとノッチとを備え、
前記処理することは、
前記エッジの第１の場所を表す一以上の第１数量を決定することと、
前記ノッチの第２の場所を表す一以上の第２数量を決定することと、
前記一以上の第１数量および前記一以上の第２数量に基づいて、前記リソグラフィ装置内で前記基板をアライメントすることと、を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記一以上の第１数量を決定するステップは、前記エッジ上の複数点の位置を決定することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板の中心位置を決定することをさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記一以上の第２数量を決定することは、前記ノッチのエッジ上の複数点の位置を決定することを含むことを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記決定された複数点に基づいて前記ノッチの中心位置を導出することと、
前記ノッチの前記中心位置に基づいて前記基板の向きを導出することと、をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記リソグラフィ装置は、ある焦点距離の焦点を持つ検出器を備え、前記検出器は、前記焦点に位置する対象物による散乱光を検出するよう構成されており、
前記一以上の第１数量を決定するステップは、
前記基板の表面の距離が前記検出器の前記焦点距離よりも短くなるように、かつ、前記検出器と前記エッジの少なくとも第１部分との間の距離が前記検出器の前記焦点距離に実質的に等しくなるように、前記検出器に対して前記基板を配置することと、
前記基板の前記エッジを照明することと、
前記基板の前記エッジによる散乱光を受けることと、
前記検出器が前記第１部分による散乱光を受ける場合に前記エッジの存在を検出することと、を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の方法を実行するための手段を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項８】
エッジおよびノッチを備える基板へのパターン放射ビームの露光が制御可能となるように前記パターン放射ビームに対して前記基板を移動可能に受け入れる基板テーブルと、
前記エッジの第１の場所を表す一以上の第１数量を決定し、前記ノッチの第２の場所を表す一以上の第２数量を決定するよう動作可能な光学システムと、をさらに備え、
前記基板テーブルはさらに、前記一以上の第１数量および前記一以上の第２数量に基づいて、前記リソグラフィ装置内で前記基板をアライメントするよう動作可能であることを特徴とする請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記光学システムはさらに、前記エッジ上の複数点の位置を決定するよう動作可能であることを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記光学システムはさらに、前記基板の中心位置を決定するよう動作可能であることを特徴とする請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記光学システムはさらに、前記ノッチのエッジ上の複数点の位置を決定するよう動作可能であることを特徴とする請求項９または１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記決定された複数点に基づいて前記ノッチの中心位置を導出し、前記ノッチの中心位置に基づいて前記基板の向きを導出するよう動作可能な処理ユニットをさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
ある焦点距離の焦点を持つ検出器をさらに備え、前記検出器は、前記焦点に位置する対象物による散乱光を検出するよう動作可能であり、
前記基板テーブルは、前記基板の表面の距離が前記検出器の前記焦点距離よりも短くなるように、かつ、前記検出器と前記エッジの少なくとも第１部分との間の距離が前記検出器の前記焦点距離に実質的に等しくなるように、前記検出器に対して前記基板を配置するよう動作可能であり、
前記光学システムはさらに、前記基板の前記エッジを照明して前記基板の前記エッジによる散乱光を受け、前記第１部分による散乱光を前記検出器が受ける場合に前記エッジの存在を検出するよう動作可能であることを特徴とする請求項７から１１のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
請求項３に記載の前記決定するステップをプロセッサに実行させる機械可読指令を備えることを特徴とするコンピュータプログラム製品。
【請求項１５】
請求項５に記載の前記導出するステップをプロセッサに実行させる指令をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、２０１５年１１月３０日に出願された欧州出願１５１９６９９３．８号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
【０００２】
［技術分野］
本発明は、リソグラフィ装置内での基板処理方法および基板処理装置に関する。特に、本発明は、リソグラフィ装置内での基板のアライメントに関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常基板のターゲット部分に与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。このような場合、パターニングデバイス（代替的にマスクまたはレチクルと称される）を用いてＩＣの個々の層の上に形成されるべき回路パターンが生成されうる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェハ）のターゲット部分（例えばダイの一部、一つのダイまたは複数のダイを備える）に転写されることができる。パターンの転写は、典型的に、基板上に設けられる放射感受性材料（レジスト）の層上への結像を介する。一般に、一つの基板は、連続的にパターン化される隣接するターゲット部分のネットワークを含むであろう。既知のリソグラフィ装置は、いわゆるステッパを含み、全体のパターンがターゲット部分に一度に露光されることにより各ターゲット部分が照射される。従来のリソグラフィ装置は、いわゆるスキャナを含み、放射ビームを通じてパターンを所定の方向（「スキャン」方向）にスキャンする一方で、この方向に平行または反平行に基板を同期してスキャンすることにより各ターゲット部分が照射される。基板上へのパターンのインプリントによりパターンをパターニングデバイスから基板に転写することも可能である。
【０００４】
リソグラフィプロセスを制御して基板上に正確にデバイスフィーチャを配置するため、例えば基板上に一以上のアライメントマークが一般に設けられ、リソグラフィ装置はマークの位置を正確に測定しうる一以上のアライメントセンサを含む。アライメントセンサは、事実上の位置測定装置でありうる。異なる形式のマークおよび異なる形式のアライメントセンサが異なる時間および異なる製造者から知られている。
【０００５】
既知のアライメントセンサは、異なる波長を持つ複数の放射ビームを生成する一つまたは複数の放射源を用いる。この態様では、センサは、放射（例えば光）の複数の波長（例えば色）および偏光を用いて、同一のターゲットグレーティングまたは複数のグレーティング上の位置を測定しうる。単一の色または偏光は測定時の全ての状況において理想的ではないため、システムは、多数の信号から最も信頼しうる位置情報を提供するいずれか一つを選択する。
【０００６】
基板に付与されるパターン数の増大とともに基板がさらに複雑になるにつれて、信頼しうる位置情報を提供するアライメントセンサの能力を保証するために追加の波長および／または偏光を加えることが必須になっている。より多くのパターンの追加は、基板上のアライメントマークによる散乱光の量を減少させるかもしれない。さらに、いくつかのパターンは、アライメントセンサにより用いられる波長に対して不透明な材料で作られるかもしれない。これを緩和するためには、アライメントシステムにさらなる複雑性を加えなければならない。しかしながら、アライメントセンサはリソグラフィ装置内に収まる必要があるため、アライメントセンサに対する物理的な制約上、実現可能ではないか、望ましくないかもしれない。
【０００７】
さらに、アライメントシステムにより出射される放射に対するアライメントマークの視認性を高めるための方法は時間がかかる。これは、リソグラフィ装置の製造速度を低下させる。また、この方法は、追加のパターンが付与されることを必要とし、各パターンはそれ自体が基板と位置合わせされなければならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
基板に追加のパターンや層を付与するといった追加の処理ステップの使用を必要とすることなく、基板上のアライメントマークの視認性を高めることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置内で基板を処理する方法が提供される。基板は、基板へのパターン放射ビームの露光が制御可能となるようにパターン放射ビームに対して移動するよう構成される基板テーブル上に位置決めされ、基板はエッジとノッチを備える。処理することは、エッジの第１の場所を表す一以上の第１数量を決定することと；ノッチの第２の場所を表す一以上の第２数量を決定することと；一以上の第１数量および一以上の第２数量に基づいて、リソグラフィ装置内で基板をアライメントすることと、を備える。一以上の第１数量を決定するステップは、エッジ上の複数点の位置を決定することを含んでもよい。エッジ上の３点の位置が決定されてもよい。一以上の第１数量を決定するステップは、エッジの連続的な測定を実行することを含んでもよい。
【００１０】
一実施の形態において、リソグラフィ装置は、ある焦点距離の焦点を持つ検出器を備える。検出器は、焦点に位置する対象物による散乱光を検出するよう構成される。一以上の第１数量を決定するステップは、基板の表面の距離が検出器の焦点距離よりも短くなるように、かつ、検出器とエッジの少なくとも第１部分との間の距離が検出器の焦点距離に実質的に等しくなるように、検出器に対して基板を配置することと；基板のエッジを照明することと；基板のエッジによる散乱光を受けることと；検出器が第１部分による散乱光を受ける場合にエッジの存在を検出することと；を含む。
【００１１】
本発明の第２の態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、エッジおよびノッチを備える基板へのパターン放射ビームの露光が制御可能となるようにパターン放射ビームに対して基板を移動可能に受け入れる基板テーブルと；エッジの第１の場所を表す一以上の第１数量を決定し、ノッチの第２の場所を表す一以上の第２数量を決定するよう動作可能な光学システムと；を備える。基板テーブルはさらに、一以上の第１数量および一以上の第２数量に基づいて、リソグラフィ装置内で基板をアライメントするよう動作可能である。光学システムはさらに、エッジ上の複数点の位置を決定するよう動作可能であってもよい。光学システムはさらに、基板のエッジ上の３点の位置を決定するよう動作可能であってもよい。光学システムはさらに、エッジの連続的な測定を実行するよう動作可能であってもよい。
【００１２】
本発明の第３の態様によれば、上記発明に係るリソグラフィ装置を備えるリソグラフィシステムが提供される。
【００１３】
本発明の第４の態様によれば、上記発明に係る方法におけるステップを実現するための機械可読指令の一以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム製品が提供される。
【００１４】
本発明のさらなる態様、特徴および利点は、本発明の様々な実施の形態の構造および動作とともに、添付の図面を参照しながら以下に詳述される。本発明は、本書に記載される特定の実施の形態に限定されないことに留意されよう。このような実施の形態は、本書において単に例示を目的として示される。追加の実施の形態は、本書に含まれる教示に基づいて当業者であれば明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
本発明の実施の形態は、単なる例示として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の以下の概略的な図面とともに説明されるであろう。
【図１】アライメントセンサを含むリソグラフィ装置を示す。
【図２】本発明に係るリソグラフィ装置が使用されうるリソグラフィセルまたはクラスタを示す。
【図３】図１のデュアルステージ装置内の基板上のターゲット部分（例えばダイ）を露光するステップを模式的に示す。
【図４】図１のリソグラフィ装置内で用いられるアライメントセンサである。
【図５】基板上のアライメントマークの視認性を高める方法のステップを概略的に示す。
【図６】本発明に係る基板上のアライメントマークの視認性を高める方法の例を模式的に示す。
【図７】例示的な基板および例示的な方法により決定される例示的なパラメータのセットを示す。
【図８】本発明に係る例示的な第２の方法で測定される点のセットを示す。
【図９】基板上のアライメントマークの視認性を高める例示的な第２の方法を示す。
【図１０】例示的な方法を実行するために用いられる光学システムの原理を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の形態を詳細に説明する前に、本発明の実施の形態を実施しうる環境例を提示することが有益である。
【００１７】
図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するよう構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと；パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構築され、特定のパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成される第１位置決め装置ＰＭに接続されるパターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと；基板（例えばレジストコートされたウェハ）Ｗをそれぞれが保持するよう構築され、特定のパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするよう構成される第２位置決め装置ＰＷにそれぞれが接続される二つの基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴａおよびＷＴｂと；パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗの（例えば一以上のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するよう構成される投影システム（例えば屈折型投影レンズシステム）ＰＳを備える。基準フレームＲＦは、様々な構成要素を接続し、パターニングデバイスおよび基板およびそれら上のフィーチャの位置の設定および測定の基準として機能する。
【００１８】
照明システムは、放射を方向付け、成形し、または、制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型または他の形式の光学素子、もしくは、これらの任意の組み合わせといった様々な形式の光学素子を含んでもよい。
【００１９】
パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否かといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械式、真空式、静電式または他の固定技術を用いてパターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートＭＴは、フレームまたはテーブルであってもよく、例えば、必要に応じて固定式または可動式であってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを確実にする。
【００２０】
本書で用いる「パターニングデバイス」の用語は、放射ビームの断面にパターンを付与して基板のターゲット部分にパターンを生成するように用いることのできる任意のデバイスを称するものとして広く解釈されるべきである。放射ビームに付されるパターンは、例えば、パターンが位相シフトフィーチャやいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確に一致しなくてもよいことに留意されよう。一般に、放射ビームに付されるパターンは、集積回路といったターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能層に一致するでろう。
【００２１】
図示されるように、装置は透過型である（例えば透過型パターニングデバイスを用いる）。代わりに、装置は反射型であってもよい（例えば、上述したようなプログラマブルミラーアレイを用いるか、反射型マスクを用いる）。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルを含む。本書での「レチクル」または「マスク」の用語の任意の使用は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなされてもよい。「パターニングデバイス」の用語は、プログラマブルパターニングデバイスなどの制御に用いるためのパターン情報をデジタル形式で記憶するデバイスを参照するものと解釈されることもできる。
【００２２】
本書で用いる「投影システム」の用語は、用いられる露光放射や、液浸液の使用または真空の使用といった他の要素について適切であれば、屈折型、反射型、屈折反射型、磁気型、電磁気型および静電型の光学システムまたはこれらの任意の組み合わせを含む、任意の形式の投影システムを包含するもの広く解釈されるべきである。本書での「投影レンズ」の用語の任意の使用は、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなしてもよい。
【００２３】
リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的高屈折率を有する液体（例えば水）でカバーされ、投影システムと基板の間の空間が満たされる形式であってもよい。液浸液はリソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影システムの間に適用されてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増大するための技術として周知である。
【００２４】
動作中、照明システムＩＬは放射ビームを放射源ＳＯから受ける。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合、別体であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに向けて、例えば適切な方向付けミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けを借りて通過する。別の場合、例えば放射源が水銀ランプの場合、放射源がリソグラフィ装置の一体的な部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じて、ビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと称されてもよい。
【００２５】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤと、インテグレータＩＮと、コンデンサＣＯとを含んでもよい。イルミネータは、放射ビームを調整して、その断面に所望の均一性および強度分布を有するようにするために用いられてもよい。
【００２６】
放射ビームＢは、パターニングデバイスサポートＭＴ上に保持されるパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスによりパターン化される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを通過すると、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームを合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計装置、リニアエンコーダまたは静電容量センサ）の助けを借りて、例えば放射ビームＢの経路上に異なるターゲット部分Ｃが位置するように基板テーブルＷＴａまたはＷＴｂを正確に移動させることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（これは図１に明示されていない）を用いて、例えばマスクライブラリからの機械検索後またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。
【００２７】
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２および基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を用いてアライメントされうる。基板アライメントマークが専用のターゲット部分を占めるように描かれているが、それらがターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブラインアライメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに二以上のダイが設けられる場合には、マスクアライメントマークがダイの間に配置されてもよい。小さなアライメントマークがダイの内側のデバイスフィーチャの間に含まれもてよく、この場合、マーカが可能な限り小さく、かつ、隣接するフィーチャとは異なる任意の結像条件またはプロセス条件を必要としないことが望ましい。アライメントマーカを検出するアライメントシステムは、以下にさらに記載される。
【００２８】
図示される装置は、様々なモードで使用されることができる。スキャンモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる間、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（つまり、単一動的露光）。パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性および像反転特性により決定されうる。スキャンモードにおいて、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を制限する一方で、スキャン動作の長さは、ターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決定する。当業者に周知であるような他の型式のリソグラフィ装置および動作モードも可能である。例えば、ステップモードが知られている。いわゆる「マスクレス」リソグラフィにおいて、プログラマブルパターニングデバイスが静止して保持されるが、パターンの変化を伴っており、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。
【００２９】
上述の使用モードを組み合わせてもよいし、および／または、上述の使用モードに変更を加えてもよく、または完全に異なる使用モードを用いてもよい。
【００３０】
リソグラフィ装置ＬＡは、二つの基板テーブルＷＴａ，ＷＴｂおよび二つのステーションを有するいわゆるデュアルステージ形式のものであり、露光ステーションＥＸＰおよび測定ステーションＭＥＡの間で基板テーブルを交換できる。一方の基板テーブル上の一方の基板が露光ステーションにて露光されている間、別の基板が測定ステーションにて他方の基板テーブル上に装填されることができ、様々な準備ステップが実行される。これは、装置のスループットの実質的な増大を可能にする。準備ステップは、レベルセンサＬＳを用いて基板の表面の等高線をマップすること、および、アライメントセンサＡＳを用いて基板上のアライメントマーカの位置を測定することを含んでもよい。仮に位置センサＩＦが測定ステーションまたは露光ステーションにある間に基板テーブルの位置を測定できなければ、基準フレームＲＦに対して双方のステーションにて基板テーブルの位置の追跡を可能にするように第２位置センサが設けられてもよい。他の構成も知られており、図示されるデュアルステージ構成の代わりに使用可能である。例えば、基板テーブルおよび測定テーブルが設けられる他のリソグラフィ装置が知られている。これらは、予備的な測定が実行されるときに一緒にドッキングされる一方、基板テーブルが露光されるときに切り離される。
【００３１】
図２に示されるように、リソグラフィ装置ＬＡは、しばしばリソセルまたはクラスタとも称され、基板上での露光前および露光後プロセスを実行する装置をも含むリソグラフィセルＬＣの一部を形成する。従来、これらは、レジスト層を堆積させるスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像する現像装置ＤＥ，冷却プレートＣＨおよびベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラまたはロボットＲＯは、基板を入力／出力ポートＩ／Ｏ１，Ｉ／Ｏ２から取り出し、異なるプロセス装置間で基板を移動させ、リソグラフィ装置のローディングベイＬＢに運ぶ。しばしば集合的にトラックと称されるこれらの装置は、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は、監視制御システムＳＣＳにより制御され、ＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、異なる装置がスループットおよびプロセス効率を最大化させるように動作することができる。トラックにより処理される基板は、その後、デバイス製造プロセスに含まれるエッチング、および、他の化学的または物理的処理のための他の処理ツールに移送される。
【００３２】
リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵは、記載される様々なアクチュエータおよびセンサの動きおよび測定の全てを制御する。ＬＡＣＵは、装置の動作に関連する所望の計算を実行するための信号処理およびデータ処理の能力も含む。背景および請求項の用語において、これらの処理および制御機能の組み合わせを単に「コントローラ」とも称する。実際には、制御ユニットＬＡＣＵは、装置内のサブシステムまたは構成要素のリアルタイムデータ取得、処理および制御をそれぞれが扱う、多くのサブユニットからなるシステムとして実現されるであろう。例えば、一つの処理サブシステムは、基板位置決め装置ＰＷのサーボ制御に特化しうる。別々のユニットが粗動アクチュエータおよび微動アクチュエータを扱ってもよいし、または異なる軸を扱ってもよい。別のユニットは、位置センサＩＦの読み出しに特化しうる。装置の全般制御は、これらサブシステムの処理ユニット、オペレータおよびリソグラフィ製造プロセスに含まれる他の装置と通信する中央処理ユニットにより制御されてもよい。
【００３３】
図３は、図１のデュアルステージ装置内の基板Ｗ上のターゲット部分（例えばダイ）に露光するステップを模式的に示す。まず、従来の実施に係るプロセスが説明される。
【００３４】
破線の箱内の左手側に測定ステーションＭＥＡにて実行されるステップが示される一方、右手側は露光ステーションＥＸＰにて実行されるステップを示す。上述のように、随時、基板テーブルＷＴａ，ＷＴｂの一方が露光ステーションに位置する一方、他方が測定ステーションに位置する。この記載の説明のため、基板Ｗがすでに露光ステーションに搭載されていることを仮定する。ステップ２００にて、新しい基板Ｗ’が図示しない機構により装置に搭載される。これら二つの基板は、リソグラフィ装置のスループットを増大させるために並行して処理される。
【００３５】
最初に新しく搭載された基板Ｗ’を参照すると、これは事前に処理されていない基板であってよく、装置での初回露光用の新しいフォトレジストとともに準備されてもよい。しかしながら、たいていの場合、説明するリソグラフィプロセスは、一連の露光および処理ステップのうちの一つのステップにすぎないため、基板Ｗ’がこの装置および／または他のリソグラフィ装置をすでに複数回通過しており、同様の後続の処理を受けるかもしれない。特にオーバレイ性能を改善するという問題に対しては、一以上のパターニングおよび処理のサイクルがすでになされた基板上の真に正確な位置に新しいパターンが付与されることを確実にすることが課題である。これら処理ステップは、良好なオーバレイ性能を達成するために測定および補正されるべき歪みを基板に徐々に導入する。
【００３６】
事前および／または後続のパターニングステップは、今述べたように他のリソグラフィ装置で実行されてもよいし、異なる形式のリソグラフィ装置でさえ実行されてもよい。例えば、分解能やオーバレイなどのパラメータが非常に厳しく要求されるデバイス製造プロセスのいくつかの層は、要求がそれほど厳しくない他の層よりも高度なリソグラフィツールで実行されうる。したがって、いくつかの層が液浸型のリソグラフィ装置で露光される一方、残りは「ドライ」ツールで露光されてもよい。いくつかの層がＤＵＶ波長で動作するツールで露光される一方、残りがＥＵＶ波長の放射を用いて露光されてもよい。
【００３７】
２０２にて、基板マークＰ１等を用いるアライメント測定および画像センサ（不図示）は、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂに対する基板のアライメントの測定および記録に用いられる。加えて、基板Ｗ’にわたる複数のアライメントマークがアライメントセンサＡＳを用いて測定されるであろう。これらの測定は、一実施の形態において「ウェハグリッド」を確立するために用いられる。ウェハグリッドは、基板にわたるマークの分布をきわめて正確にマップ化し、名目上の矩形グリッドに対する任意の歪みを含む。
【００３８】
ステップ２０４にて、レベルセンサＬＳを用いてＸ−Ｙ位置に対するウェハ高さ（Ｚ）のマップも測定される。従来、高さマップは、露光されるパターンの正確な焦点合わせを実現するためにのみ用いられる。詳細は後述されるように、現在の装置は、アライメント測定を補うためにも高さマップデータを用いる。
【００３９】
基板Ｗ’が搭載されたとき、実行すべき露光を定義するとともに、基板の特性および事前に作られたパターンないしその上に作られるべきパターンを定義するレシピデータ３０６が受信される。これらレシピデータに対して、２０２，２０４にてなされたウェハ位置、ウェハグリッドおよび高さマップの測定結果が追加され、その結果、レシピおよび測定データ２０８の完全なセットを露光ステーションＥＸＰに送信できる。アライメントデータの測定結果は、例えばリソグラフィプロセスで製造される製品パターンに対して固定または名目上固定された関係性で形成されるアライメントターゲットのＸおよびＹ位置を備える。露光直前に取得されるこれらのアライメントデータは、補正モデルのパラメータを提供するために組み合わされ、内挿される。これらパラメータおよび補正モデルは、現行のリソグラフィステップで付与されるパターンの位置を補正するために露光動作中に用いられるであろう。従来の補正モデルは、「理想」グリッドの並進、回転および拡大縮小を異なる次元で定義する４、５または６のパラメータを備えうる。ＵＳ２０１３２３０７９７Ａ１にさらに記載されるように、より多くのパラメータを用いる高度なモデルが知られている。
【００４０】
２１０にて、ウェハＷ’およびＷが交換され、測定された基板Ｗ’が露光ステーションＥＸＰに入る基板Ｗとなる。図１の装置例において、この交換は、装置内のサポートＷＴａおよびＷＴｂの交換により実行され、その結果、基板Ｗ，Ｗ’はそれらのサポート上に正確に固定および位置決めされたままとなり、基板テーブルと基板自体の間の相対的なアライメントが維持される。したがって、いったんテーブルが交換されると、投影システムＰＳと基板テーブルＷＴｂ（以前はＷＴａ）の間の相対位置を決定することが、露光ステップの制御にて基板Ｗ（以前はＷ’）についての測定情報２０２，２０４を使用するのに必要なことの全てである。ステップ２１２にて、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２を用いてレチクルアライメントが実行される。ステップ２１４，２１６，２１８にて、多数のパターンの露光を完了するために、基板Ｗを横切る連続的なターゲット位置にてスキャン動作および放射パルスが適用される。
【００４１】
露光ステップの実行時に測定ステーションにて得られるアライメントデータおよび高さマップを用いることにより、これらのパターンが所望の場所に対して、特に同じ基板上に事前に配置されているフィーチャに対して正確にアライメントされる。露光された基板（ここでＷ”の符号が付される）は、ステップ２２０にて装置から取り外され、露光されたパターンにしたがってエッチングや他のプロセスを受ける。
【００４２】
図４は、アライメントセンサである光学システム４００を模式的に示す。いくつかの分岐を有する光軸Ｏは、光学システム４００の全体にわたって延びる破線により示される。光学システムは、放射源４２０、照明ビーム４２２、対物レンズ４２４、情報搬送ビーム４２６、自己参照干渉計４２８、および、検出器４３０を有する。実際には、複数の検出器が設けらてもよい。検出器からの信号は、処理ユニットＰＵにより処理される。
【００４３】
この概略図に示される追加的な構成要素は以下の通りである。照明サブシステム４４０において、放射源４２０からの放射は、光ファイバ４４２を通じて照明成形光学系４４６に送られる。これは、入力ビーム４２２をビームスプリッタ４５４を介して瞳面Ｐを有する対物レンズ４２４に送る。対物レンズ４２４は、基板Ｗ上に形成されるアライメントマーク２０２上にスポット４０６を形成する。基板は、基板ステージ（不図示）上に位置決めされ、光学システムに対して移動されうる。当業者であれば、もちろん、この相対的移動を多数の特定の方法により実施することができる。一例において、光学システムが静止し、ステージが移動する。別の例において、光学システムが移動し、ステージが静止する。さらに別の例では、ステージが少なくとも一次元に移動し、光学システムが少なくとも他の次元で移動する。
【００４４】
情報搬送ビーム４２６は、マークにより回折され、ビームスプリッタ４５４を通過して干渉計４２８に向かう。干渉計４２８は、直交する偏光を持つ二つの部分に放射場を分割し、これらの部分を光軸回りに互いに対して１８０°回転させ、それらを結合して出力ビーム４８２にする。レンズ４８４は、放射場全体を検出器４３０に合焦させる。この例におけるアライメントセンサでの検出器４３０は、実際上は単一のフォトダイオードであり、既に説明したスキャン動作による場合を除いて、いかなる空間情報も提供しない。共役瞳面での空間分解能を有する検出器を加えることで、アライメントセンサハードウェアを用いる角度分解散乱計測法の実行を可能にできる。
【００４５】
この例において、非対称性測定の構成４６０を含めることができる。構成４６０は、干渉計４２８の手前に配置される第２ビームスプリッタ４６２を通じて情報搬送ビーム４２６の一部４６４を受け取る。
【００４６】
図４に示される例において、干渉計の周辺で実用上用いられるいくつかの光学素子が省略されていることに留意すべきである。これは、このアイデアの説明を単に単純化するためになされる。現実の実装において、これらが含まれる必要があるかもしれない。
【００４７】
上述のように、アライメントセンサにより用いられるアライメントマークは、アライメントプロセスの間に用いられる光ビームに対して不明瞭または不可視となるかもしれない。アライメントマークの上に堆積される一つまたは複数の層は、アライメントセンサにより用いられる光ビームに対して全体的または部分的に不透明であるかもしれない。
【００４８】
図５は、この問題を克服するための既知の方法を示す。基板５０２は、その表面上に多数のアライメントマーク５０４を有する。多数の層５０６，５０８，５１０がリソグラフィプロセスの間に堆積されている。一以上の層は、部分的または全体的に入射光ビーム５１２に対して不透明でありうる。したがって、アライメントマークの位置を検出するためにいかなる散乱光ビーム５１４も用いることはできない。実際、アライメントマークは、アライメントセンサにより用いられる放射に対して不可視でありうる。
【００４９】
アライメントセンサに対して可視であるアライメントマークを与えるため、アライメントマークの上の少なくともいくつかの層を除去することが必要である。これを実現するため、追加の層５２０が基板上に堆積される。追加の層は、追加のアライメントマーク５２２のセットを備える。
【００５０】
追加のアライメントマークはその後、基板上に続いて堆積されるさらなる層５２４のアライメントに用いられる。このさらなる層は、光学窓５２６（「クリアアウトウィンドウ」とも称される）を備える。光学窓は、アライメントマーク５０４に位置合わせされ、アライメントマーク全体をカバーするように寸法が決められる。理想的には、光学窓は小さな許容値の範囲内でアライメントマークのサイズと整合するように寸法が決められる。これは、基板上の貴重な表面のスペースを用いることが回避される。この理由のため、光学窓は、アライメントマークに位置合わせされる必要がある。
【００５１】
つづいて、下位層５０６，５０８，５１０から材料が適切な方法で除去されることができる。下位層の一つまたは複数の層からの材料は、下位層の光学特性に応じて除去されることができる。一以上の層が除去されている場合、入射光ビーム５３２は、情報搬送ビーム５３４がアライメントセンサの検出器により検出可能となるようにして、アライメントマーク５０４により散乱されるであろう。
【００５２】
上述のプロセスは、時間がかかり、かつ、追加のマークおよび光学窓が狭い公差内に位置合わせされることを必要とする。したがって、これは、リソグラフィプロセスの注意深い制御を必要とし、リソグラフィ装置の製造速度に負の影響を及ぼす。
【００５３】
図６は、上述の欠点を克服するための例示的な処理方法を示す。第１ステップ６０１において、基板の一以上の第１数量が決定される。第２ステップ６０２において、基板の一以上の第２数量が決定される。第１数量および第２数量は、一例において、基板に関連する物理的なパラメータでありうる。これは、基板のエッジの点の位置または基板上のノッチの位置を含むが、これに限定されるものではない。第３ステップにおいて、基板は、第１数量および第２数量に基づいてリソグラフィ装置内でアライメント６０３される。基板のアライメント後、上述の光学窓の追加といった任意の必要な処理を実行できる。これにより、例示的な方法は、追加の層およびアライメントマークを追加する必要性を除去する。
【００５４】
もちろん、この例示的な方法は、アライメントマークを用いることなく、リソグラフィ装置内での基板のアライメントおよび位置決めに貢献するためにより一般的に用いることができることが理解されよう。
【００５５】
図７は、上述の第１数量および第２数量の測定による例示的な方法により決定可能な例示的な基板パラメータのセットを示す。これらのパラメータは、リソグラフィプロセスの間に基板を位置合わせするためにリソグラフィ装置により用いられる。基板７０２は、座標ＴｘおよびＴｙ（それぞれｘおよびｙ座標）を持つ中心点７０４と、ノッチ７０６とを有する。この例において、ノッチは円形状であるが、ノッチが任意の適切な幾何学的形状およびサイズを有することができることが理解されよう。具体的なノッチのサイズおよび形状は、具体的な基板のサイズおよび／形状に対して標準化されてもよく、したがって、測定される基板の型式を特定するために用いられてもよい。特定の基板を位置合わせするため、中心位置に加えて基板の向きを知ることが必須である。基板の向きは、パラメータＲｓにより示される。このパラメータは、基板の中心点と基板のノッチとの間の仮想線の角度の決定により導出される。この例において、角度はｙ軸に対して決定されるが、原理的には基板の中心と交差する任意の適切な軸に対して決定されることができる。
【００５６】
第２の例示的な処理方法は、図８および図９を参照しながら以下に説明されるであろう。例示的な基板８０２は、図７に模式的に示されるものと実質的に同様の円形状のノッチ８０４を有する。
【００５７】
第１ステップ９０１において、基板８０６のエッジ上の複数点８０８の位置が決定される。この例において、三つの点が用いられる。これらの点は、基板のエッジに沿って実質的に等間隔に分布している。しかしながら、原理上、任意の適切な数の点を用いることができ、これらは基板のエッジの沿って任意の適切な分布を有する。測定されるべき各点はアライメントの実行に必要な時間を増大させるため、基板の中心を正確に決定するために可能な限り少ない点を用いることが望ましい。実質的に円形の基板の中心位置を正確に決定するためには三つの点で十分であることが分かっている。しかしながら、他の幾何形状またはより複雑な幾何形状の基板の中心点を決定するため、より少ない数またはより多い数の点が用いられる例が想定されてもよい。
【００５８】
第２ステップ９０２において、ノッチ８０４のエッジに沿う第２の複数点８１０の位置が決定される。この決定は、第１ステップにおける基板のエッジと同様の方法で実行されてもよい。代わりに、第２の複数の位置を決定するために任意の他の適切な方法が用いられてもよい。この例において、五つの点の位置が決定されるが、これは単なる例示にすぎない。上述のように、アライメントプロセスの実行に必要となる時間を減少させるために可能な限り少ない測定が実行されることが望ましい。
【００５９】
第３ステップ９０３において、基板の中心位置は、基板のエッジ上の点８０８の決定された位置に基づいて決定される。この例において、実質的に円形状の基板が用いられる。しかしながら、円形ではない基板が用いられる実施の形態も同様に想定されうる。
【００６０】
第４ステップ９０４において、ノッチの中心位置は、ノッチのエッジ上の点８１０の決定された位置に基づいて決定される。決定された点に加えて、ノッチの幾何学形状を知ることが必須である。この例において、ノッチは（円８２０により示されるように）実質的に円形状である。したがって、ノッチの中心位置は、その円の公称中心である。他の例において、ノッチは、三角形であってもよいし、または、基板の平坦なエッジとして形成されてもよいが、これらに限られるものではない。他の形状ももちろん想定されうる。ノッチの形状及びサイズは典型的に、上述のように基板の特定の型式およびサイズに応じてあらかじめ決まることが留意されよう。
【００６１】
基板の中心位置およびノッチは、その後、基板の向きＲｓを導出９０５するために用いられる。基板の決定された中心位置および基板の決定された向きは、さらなる処理ステップ９０６において、例えば、基板の表面上の一以上のアライメントマークの位置を決定するための基準としてその後に用いられてもよい。
【００６２】
図１０は、例示的な測定セットアップの概略的な模式図を示す。この例において、図４に示されるアライメントセンサの光学システムがこの方法の測定ステップの実行に用いられる。図４の概略的な図式との比較を容易にするため、アライメントセンサ１０００のいくつかの部分は、図４に用いられる参照符号と同様の符号が付されているが、頭文字が「４」の代わりに「１０」となっている。
【００６３】
この例において、基板１００２は、製品が形成されうる中央面１００４と、エッジ面１００６とを有する。エッジ面１００６は、（図１０に示されるように）面取りされてもよく、または、カーブしてもよい。
【００６４】
光学システム１０００は、照明ビーム１０２２を出射する照明源（不図示）を有する。照明ビームは、ビームスプリッタ１０５４により反射され、対物レンズ１０２４を通じて基板１００２の表面に向けて伝搬する。対物レンズは、（破線１０９８で示される）焦点距離を有する。基板は、エッジ面の少なくとも一部がレンズの焦点距離よりも対物レンズ１０２４の近くに位置するように光学システムに対して配置されている。
【００６５】
照明ビームは、基板の表面により散乱され、対物レンズにより少なくとも一部が受光される。散乱放射（これは図４の情報搬送ビームに類似する）は、その後、光学システムを伝搬し、図４に関してすでに説明したような光学素子を通過する。レンズ１０８４は、散乱放射を検出器（不図示）に向けて合焦させる。検出器の直前には、アライメント測定の間に基板上のスポットの外側から来る放射の大部分を除去するよう意図されたアパチャ１０１８が位置する。実際には、光学システム１０００の検出器は、対物レンズ１０２４の焦点に位置する対象物により反射された光のみを検出するであろう。
【００６６】
エッジ検出用に光学システム１０００を用いることの原理は、以下に説明されるであろう。基板のエッジを検出するため、光学システムは、光ビームを基板の表面を横切るようにスキャンさせるために基板に対して移動する。本開示の目的において、光学システムが移動するか、基板が移動するかは重要ではないことに留意すべきである。いくつかの例にいおいて、光学システムが移動し、基板が静止してもよい。他の例において、光学システムが静止し、基板が移動してもよい。さらに別の例において、光学システムおよび基板の双方が一以上の軸に沿って移動してもよい。
【００６７】
図１０（ａ）は、光学システムが基板１００２の中央面１００４を横切ってスキャンされる状況を示す。照明ビームは、基板の表面に向けられており、その表面により散乱され、上述のように、その表面上で散乱された放射は光学システムを通って検出器に向かう。基板の中央面は対物レンズの焦点に位置しないため、散乱放射はレンズによってアパチャに合焦されない。
【００６８】
図１０（ｂ）は、対物レンズの焦点に位置する基板１００２のエッジ面１００６の一部により散乱される放射を受ける状況を示す。散乱放射は、上述のように、レンズ１０８４によりアパチャに合焦される。この状況において、光学システムは、図４を参照して説明したのと類似した態様で機能し、したがって、基板のエッジの存在を検出するであろう。
【００６９】
図１０（ｃ）は、基板のエッジを越えて移動した光学システムでの状況を示す。図示される放射ビームは、例えば、図１０（ｂ）に示される状況のすぐ右側のエッジ表面などの基板の表面で放射が実際に散乱される状況を示すためのものであることに留意すべきである。もちろん、照明源により出射される光ビームを検出器に向けて散乱させるべき表面が存在しなければ、光学システムの検出器により受光される放射が何ら存在しないであろうことが理解されよう。図示されるように、対物レンズの焦点距離の外側の表面により散乱される放射は、図１０（ａ）の状況と同様、アパチャを通じて検出器に合焦されないであろう。
【００７０】
もちろん、上述の方法の特定の実施の形態は単に例示を目的とし、本手法の他の実施例が想定されうることが理解されるであろう。
【００７１】
本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に記載するリソグラフィ装置は、例えば集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドの製造といった他の用途も有しうることが理解されよう。当業者であれば、このような代替的な用途において、本書における「ウェハ」または「ダイ」の用語の任意の使用がより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」のそれぞれと同義とみなされうることが理解されよう。本書で参照される基板は、露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、および／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用されうる。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味しうる。
【００７２】
上記では光学リソグラフィの文脈で本発明の実施の形態の使用について特定の参照がなされたが、本発明はインプリントリソグラフィなどの他の用途に用いることもでき、文脈上許されれば光学リソグラフィに限定されない。インプリントリソグラフィにおいて、パターニングデバイスの形状は、基板上に形成されるパターンを定義する。パターニングデバイスの形状は、基板に供給されるレジスト層に押し付けされてもよく、その後、レジストは、電磁放射、熱、圧力またはこれらの組み合わせを加えることにより硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後、パターンが残るレジストから除去される。
【００７３】
本書で用いられる「放射」および「ビーム」の用語は、いかなる種類の電磁的な放射を包含し、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、または、その近傍の波長を有する）、極短紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５−２０ｎｍの範囲の波長を有する）、および、イオンビームや電子ビームといった粒子ビームを含む。
【００７４】
「レンズ」の用語は、文脈が許される場合において、屈折型、反射型の光学素子を含む任意の種類の光学素子の任意の一つまたは組み合わせと称されてもよい。
【００７５】
本発明の特定の実施の形態が上述されたが、本発明は上述とは異なる態様で実施されてもよいことが理解されよう。例えば、本発明は、上述の方法を記述する機械可読指令の一以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態を取ってもよく、または、内部に記憶されるこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク）の形態を取ってもよい。
【００７６】
上記説明は、例示を意図するものであり、限定を意図するものではない。したがって、当業者であれば、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に対して変形がなされうることは明らかであろう。
【図１】
2019502173.tif 000003
【図２】
2019502173.tif 000004
【図３】
2019502173.tif 000005
【図４】
2019502173.tif 000006
【図５】
2019502173.tif 000007
【図６】
2019502173.tif 000008
【図７】
2019502173.tif 000009
【図８】
2019502173.tif 000010
【図９】
2019502173.tif 000011
【図１０】
2019502173.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月27日(2018.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置内で基板を処理する方法であって、
前記基板は、前記基板へのパターン放射ビームの露光が制御可能となるように前記パターン放射ビームに対して移動するよう構成される基板テーブル上に位置決めされ、前記基板は、エッジとノッチとを備え、
前記処理することは、
前記基板の前記エッジの第１の場所を表す一以上の第１数量を決定することと、
前記ノッチの第２の場所を表す一以上の第２数量を決定することと、
前記一以上の第１数量および前記一以上の第２数量に基づいて、前記リソグラフィ装置内で前記基板をアライメントすることと、を備え、
前記リソグラフィ装置は、ある焦点距離の焦点を持つ検出器を備え、前記検出器は、前記焦点に位置する対象物による散乱光を検出するよう構成されており、
前記一以上の第１数量を決定するステップは、
前記基板の表面の距離が前記検出器の前記焦点距離よりも短くなるように、かつ、前記検出器と前記基板の前記エッジの少なくとも第１部分との間の距離が前記検出器の前記焦点距離に実質的に等しくなるように、前記検出器に対して前記基板を配置することと、
前記基板の前記エッジを照明することと、
前記基板の前記エッジによる散乱光を受けることと、
前記検出器が前記基板の前記エッジの前記第１部分による散乱光を受ける場合に前記エッジの存在を検出することと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記一以上の第１数量を決定するステップは、前記基板の前記エッジ上の複数点の位置を決定することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板の中心位置を決定することをさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記一以上の第２数量を決定することは、前記ノッチのエッジ上の複数点の位置を決定することを含むことを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記決定された複数点に基づいて前記ノッチの中心位置を導出することと、
前記ノッチの前記中心位置に基づいて前記基板の向きを導出することと、をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記一以上の第２数量を決定するステップは、
前記基板の表面の距離が前記検出器の前記焦点距離よりも短くなるように、かつ、前記検出器と前記ノッチのエッジの少なくとも第１部分との間の距離が前記検出器の前記焦点距離に実質的に等しくなるように、前記検出器に対して前記基板を配置することと、
前記ノッチのエッジを照明することと、
前記ノッチのエッジによる散乱光を受けることと、
前記検出器が前記ノッチのエッジの前記第１部分による散乱光を受ける場合に前記ノッチのエッジの存在を検出することと、を含むことを特徴とする請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
リソグラフィ装置であって、前記リソグラフィ装置は、
エッジおよびノッチを備える基板へのパターン放射ビームの露光が制御可能となるように前記パターン放射ビームに対して前記基板を移動可能に受け入れる基板テーブルと、
前記基板の前記エッジの第１の場所を表す一以上の第１数量を決定し、前記ノッチの第２の場所を表す一以上の第２数量を決定するよう動作可能な光学システムと、を備え、
前記基板テーブルはさらに、前記一以上の第１数量および前記一以上の第２数量に基づいて、前記リソグラフィ装置内で前記基板をアライメントするよう動作可能であり、
前記リソグラフィ装置は、ある焦点距離の焦点を持つ検出器をさらに備え、前記検出器は、前記焦点に位置する対象物による散乱光を検出するよう動作可能であり、
前記基板テーブルは、前記基板の表面の距離が前記検出器の前記焦点距離よりも短くなるように、かつ、前記検出器と前記基板の前記エッジの少なくとも第１部分との間の距離が前記検出器の前記焦点距離に実質的に等しくなるように、前記検出器に対して前記基板を配置するよう動作可能であり、
前記光学システムはさらに、前記基板の前記エッジを照明して前記基板の前記エッジによる散乱光を受け、前記基板の前記エッジの前記第１部分による散乱光を前記検出器が受ける場合に前記エッジの存在を検出するよう動作可能であることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記光学システムはさらに、前記基板の前記エッジ上の複数点の位置を決定するよう動作可能であることを特徴とする請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記光学システムはさらに、前記基板の中心位置を決定するよう動作可能であることを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記光学システムはさらに、前記ノッチのエッジ上の複数点の位置を決定するよう動作可能であることを特徴とする請求項８または９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記決定された複数点に基づいて前記ノッチの中心位置を導出し、前記ノッチの中心位置に基づいて前記基板の向きを導出するよう動作可能な処理ユニットをさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記基板テーブルはさらに、前記基板の表面の距離が前記検出器の前記焦点距離よりも短くなるように、かつ、前記検出器と前記ノッチのエッジの少なくとも第１部分との間の距離が前記検出器の前記焦点距離に実質的に等しくなるように、前記検出器に対して前記基板を配置するよう動作可能であり、
前記光学システムはさらに、前記ノッチのエッジを照明して前記ノッチのエッジによる散乱光を受けることと、前記検出器が前記ノッチのエッジの前記第１部分による散乱光を受ける場合に前記ノッチのエッジの存在を検出するよう動作可能であることを特徴とする請求項７から１１のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記光学システムを含むアライメントセンサをさらに備え、前記アライメントセンサは、前記基板上の一以上のアライメントマークの位置を測定するよう構成されることを特徴とする請求項７から１２のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
請求項３に記載の前記決定するステップをプロセッサに実行させる機械可読指令を備えることを特徴とするコンピュータプログラム製品。
【請求項１５】
請求項５に記載の前記導出するステップをプロセッサに実行させる指令をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【国際調査報告】
2019502173.tif 000013
2019502173.tif 000014
2019502173.tif 000015