(57)【要約】  半導体システム及び方法は、半導体基板上の材料を改質することを含む選択的エッチングを実行する方法を含みうる。基板は、半導体基板の表面上に少なくとも２つの露出された材料を有しうる。方法は、半導体基板を収容する処理チャンバ内で低出力プラズマを形成することを含みうる。低出力プラズマは、高周波（「ＲＦ」）プラズマであり、これは、実施形態において、約１０Ｗから約１００Ｗの間で作動するＲＦバイアス電力によって少なくとも部分的に形成されうる。ＲＦバイアス電力はまた、約５０００Ｈｚ未満の周波数でパルスされうる。方法はまた、半導体基板の表面上の少なくとも２つの露出された材料のうちの１つを、半導体基板の表面上の少なくとも２つの露出された材料のうちの別の１つよりも高いエッチング速度でエッチングすることを含みうる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択的エッチングを実行する方法であって、
半導体基板の表面上に少なくとも２つの露出された材料を有する前記半導体基板の上の材料を改質することと、
前記半導体基板を収容する処理チャンバ内に低出力プラズマを形成することであって、高周波（ＲＦ）プラズマであって、かつ約１０Ｗから１００Ｗの間で、及び約５０００Ｈｚ未満のパルス状周波数で作動するＲＦバイアス電力によって少なくとも部分的に形成される低出力プラズマを形成することと、
前記半導体基板の前記表面上の前記少なくとも２つの露出された材料のうちの１つを、前記半導体基板の前記表面上の前記少なくとも２つの露出された材料のうちの別の１つよりも高速でエッチングすることと
を含む方法。
【請求項２】
前記改質することが、前記ＲＦバイアス電力で前記処理チャンバ内の前駆体からプラズマを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記前駆体が、酸素、水素、又はヘリウムからなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体基板の前記表面上の前記少なくとも２つの露出された材料の各々が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、及びオキシ炭化ケイ素からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記低出力プラズマを少なくとも部分的に形成する前記ＲＦバイアス電力が、約５０％未満のデューティサイクルで作動する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記低出力プラズマを形成することが、約１００Ｗ未満のＲＦソース電力を利用することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記低出力プラズマを形成することが、パルスＤＣ電力を利用することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記パルスＤＣ電力が、前記半導体基板を支持する双極静電チャックに印加される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記パルスＤＣ電力が、前記半導体基板を支持するペデスタルのシールドリングに埋め込まれた又は前記処理チャンバ内のシャワーヘッドに埋め込まれた導電性リングに印加される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
半導体基板から材料を除去する方法であって、
前記半導体基板の表面上に少なくとも２つの露出された材料を有する前記半導体基板の上の材料を改質することであって、前記材料を改質するプラズマ放出物を生成するためにＲＦバイアス電力を用いて前駆体からプラズマを形成することを含む、材料を改質することと、
前記半導体基板を収容する処理チャンバ内に低出力プラズマを形成することであって、高周波（ＲＦ）プラズマであって、かつ約２０Ｗから５０Ｗの間、約５００Ｈｚから約２０００Ｈｚの間のパルス状周波数、及び約２０％から５０％の間のデューティサイクルで作動するパルスＲＦバイアス電力によって形成される低出力プラズマを形成することと、
前記ＲＦバイアス電力がパルス状である交流周波数でＤＣパルス電力を作動させることと、
前記半導体基板の前記表面上の前記少なくとも２つの露出された材料のうちの１つを、前記半導体基板の前記表面上の前記少なくとも２つの露出された材料のうちの別の１つに対して少なくとも約２０：１の選択性でエッチングすることと
を含む方法。
【請求項１１】
前記改質することが、前記半導体基板の上の前記材料に化学変化を引き起こす化学的改質を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記改質することが、不活性前駆体を利用する物理的改質を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記物理的改質が、前記半導体基板の上の前記材料の前記不活性前駆体のイオンとの結合に損傷を与えることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記低出力プラズマを形成することが、約１００Ｗまで作動するＲＦソース電力を利用することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
半導体基板を支持するように構成されたペデスタルと、
前記ペデスタルと電気的に結合され、約２０Ｗから約５０Ｗの間の電力で基板処理チャンバ内にプラズマを発生させるように構成されたＲＦバイアス電力であって、約５０００Ｈｚ未満の周波数でパルスするように構成されたパルス状電力であるＲＦバイアス電力と、
前記基板処理チャンバと電気的に結合され、ＲＦバイアスプラズマのためのプライミング粒子を生成するように構成されたＤＣパルス状電源であって、約５０％未満のデューティサイクルで１００マイクロ秒以下の持続時間の間パルスがオンにされるように構成されるＤＣパルス状電源と
を含む基板処理チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、半導体材料を処理するためのシステム及び方法に関する。より具体的には、本技術は、低出力プラズマを生成するための半導体材料の改質及びハードウェアの修正に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は、基板表面上に複雑にパターン形成された材料層を製造するプロセスによって可能になる。基板上にパターン形成された材料を製造することは、材料を塗布し除去するための制御された方法を必要とする。除去するために、化学エッチングは、フォトレジスト中のパターンを下層に転写すること、層を薄くすること、又は表面上にすでに存在する特徴の横方向寸法を薄くすることを含む様々な目的に使用される。ある材料を別の材料よりも速くエッチングして、例えばパターン転写プロセスを容易にするエッチングプロセスを有することが望ましいことが多い。そのようなエッチングプロセスは、第１の材料に対して選択的であると言われる。材料、回路、及びプロセスに多様性があるために、様々な材料に対する選択性を有するエッチングプロセスが開発されてきた。
【０００３】
エッチングプロセスは、プロセスで使用される材料に基づいて湿式又は乾式と呼ばれることがある。湿式ＨＦエッチングは、他の誘電体及び材料よりも酸化ケイ素を優先的に除去する。しかしながら、湿式プロセスは、いくつかの制約されたトレンチに浸透することが困難であり、また時には残りの材料を変形させる可能性がある。基板処理領域内に形成された局所プラズマ内に生成されたドライエッチングは、より制約されたトレンチに浸透することができ、繊細な残りの構造の変形を抑えることができる。しかしながら、局部プラズマは、それらが放電するときに電気アークの生成を通して基板を損傷する可能性がある。更に、プラズマ放出物は、交換又は処理を必要としうるチャンバ構成要素を損傷する可能性がある。
【０００４】
したがって、高品質の装置及び構造を製造するために使用することができる改善されたシステム及び方法が必要とされている。本技術は、これら及び他の必要性に対処する。
【発明の概要】
【０００５】
半導体システム及び方法は、半導体基板上の材料を改質することを含む選択的エッチングを実行する方法を含みうる。基板は、半導体基板の表面上に少なくとも２つの露出された材料を有しうる。方法は、半導体基板を収容する処理チャンバ内で低出力プラズマを形成することを含みうる。低出力プラズマは、高周波（「ＲＦ」）プラズマであり、これは、実施形態において、約１０Ｗから約１００Ｗの間で作動するＲＦバイアス電力によって少なくとも部分的に形成されうる。ＲＦバイアス電力はまた、約５０００Ｈｚ未満の周波数でパルスされうる。方法はまた、半導体基板の表面上の少なくとも２つの露出された材料のうちの１つを、半導体基板の表面上の少なくとも２つの露出された材料のうちの別の１つよりも高いエッチング速度でエッチングすることを含みうる。
【０００６】
実施形態では、改質工程は、ＲＦバイアス電力により処理チャンバ内で前駆体からプラズマを形成することを含みうる。実施形態において、前駆体は、酸素、水素、又はヘリウムからなる群から選択されうる。更に、半導体基板の表面上の少なくとも２つの露出された材料の各々が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、及びオキシ炭化ケイ素からなる群から選択されうる。
【０００７】
エッチング工程について、ＲＦバイアス電力は、低出力プラズマを少なくとも部分的に形成し、約５０％未満のデューティサイクルで作動しうる。また、低出力プラズマを形成することは、約１００Ｗ未満のＲＦソース電力を利用することをさらに含みうる。実施形態では、低出力プラズマを形成することはまた、パルスＤＣ電力を利用することを含みうる。パルスＤＣ電力は、半導体基板を支持する双極静電チャックに印加されうる。実施形態では、パルスＤＣ電力は、半導体基板を支持するペデスタルのシールドリングに埋め込まれた、又は処理チャンバ内のシャワーヘッドと結合された導電性リングに印加されうる。
【０００８】
本技術はまた、半導体基板から材料を除去する方法も含む。方法は、半導体基板の表面上に少なくとも２つの露出された材料を有する半導体基板の上の材料を改質することを含みうる。改質することは、材料を改質するプラズマ放出物を生成するためにＲＦバイアス電力を用いて前駆体からプラズマを形成することを含みうる。方法はまた、半導体基板を収容する処理チャンバ内で低出力プラズマを形成することを含みうる。低出力プラズマは、実施形態において、高周波（ＲＦ）プラズマでありうる。低出力プラズマは、約５００Ｈｚから約２０００Ｈｚのパルス周波数で、約２０Ｗから５０Ｗで作動するパルスＲＦバイアス電力によって形成されうる。パルスＲＦバイアス電力は、約２０％から５０％の間のデューティサイクルでも作動しうる。方法は、ＲＦバイアス電力がパルス状である交流周波数でＤＣパルス電力を作動させることを含みうる。方法は、半導体基板の表面上の少なくとも２つの露出された材料のうちの１つを、半導体基板の表面上の少なくとも２つの露出された材料のうちの別の１つに対して少なくとも約２０：１の選択性でエッチングすることとを更に含みうる。
【０００９】
これらの方法では、改質工程は、半導体基板上の材料に化学的変化を引き起こす化学的改質を含みうる。改質はまた、不活性前駆体を利用する物理的改質をも含みうる。実施形態では、物理的改質は、半導体基板上の材料の不活性前駆体のイオンとの結合に損傷を与えることを含みうる。低出力プラズマ工程を形成することは、約１００Ｗまで作動するＲＦソース電力を利用することを更に含みうる。
【００１０】
本技術はまた、半導体基板を支持するように構成されたペデスタルを含む基板処理チャンバも含む。実施形態では、チャンバは、ペデスタルと電気的に結合され、約２０Ｗから約５０Ｗの間の電力で処理チャンバ内にプラズマを発生させるように構成されたＲＦバイアス電力を含みうる。ＲＦバイアス電力は、約５０００Ｈｚ未満の周波数でパルスするように構成されたパルス状電力でありうる。基板処理チャンバは、基板処理チャンバと電気的に結合され、かつＲＦバイアスプラズマのためのプライミング粒子を生成するように構成されたＤＣパルス状電力を更に含みうる。加えて、ＤＣパルス状電源は、プラズマシースを発生させることなくプライミング粒子を生成するための周波数でパルスするように構成されうる。
【００１１】
実施形態では、ＤＣパルス状電源は、約５０％未満のデューティサイクルで１００マイクロ秒以下の持続時間にわたってパルスがオンされるように構成されうる。加えて、実施形態では、ペデスタルは、双極静電チャックであり、ＤＣパルス状電力は、双極静電チャックの電気接地に印加されうる。実施形態では、ＤＣパルス状電力は、ペデスタルと結合された導電性リングと電気的に結合されてもよく、導電性リングは、静電チャックとＲＦバイアスから電気的に分離されてもよい。実施形態では、ＤＣパルス状電力はまた、基板処理チャンバ内のシャワーヘッドに埋め込まれた導電性リングと電気的に結合されてもよい。
【００１２】
そのような技術は、従来の技術を超える多数の利点を提供しうる。例えば、この技術は、材料改質などのため、エッチング工程の改善された選択性を可能にしうる。加えて、本技術の低出力プラズマは、従来の技術よりも改善された特徴プロファイルを作り出し、強化されたプラズマ制御を用いて改善されたフロントエンド及びバックエンド処理を可能にしうる。これら多数の利点及び特徴と共に、これらの実施形態及びその他の実施形態を、下記の説明及び添付の図面と合わせてさらに詳細に説明する。
【００１３】
開示された実施形態の性質及び利点についての更なる理解は、本明細書の残りの部分及び図面を参照することにより、実現されうる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本技術の実施形態による基板をエッチングする方法を示す。
【図２】本技術の実施形態による材料改質及び低出力プラズマの相加効果を示すグラフを示す。
【図３】本技術の実施形態に従って実行されたエッチングプロセスの撮像を示す。
【図４】本技術の実施形態による、処理がある場合とない場合での様々な材料のエッチング速度を図示するチャートを示す。
【図５】本技術の実施形態による、処理がある場合とない場合でのオキシ炭化ケイ素及び炭化ケイ素のエッチング速度を示すチャート図を示す。
【図６】本技術の実施形態による、静電チャックにＤＣパルスを供給するコントローラの部分概略図を示す。
【図７】本技術の実施形態による、処理チャンバ内のペデスタル構造と結合された導体にＤＣパルスを供給するコントローラの部分概略図を示す。
【図８】本技術の実施形態による、処理チャンバのシャワーヘッドと結合された導体にＤＣパルスを供給するコントローラの部分概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
添付図面において、類似の構成要素及び／又は特徴は、同一の参照符号を有することがある。更に、同じ種類の様々な構成要素は、類似の構成要素及び／又は特徴を区別する文字により、参照符号に従って区別されうる。明細書において第１の参照符号のみを使用する場合、その説明は、文字の末尾に関係なく、同じ第１の参照符号を有する類似の構成要素及び／又は特徴のいずれにも適用可能である。
【００１６】
半導体処理において、エッチングは、多くの理由から実行されうる。ドライエッチングでは、前駆体をプラズマ中に流して、様々な半導体材料をエッチングするためのラジカルプラズマ放出物が生成されうる。プラズマ放出物は、基板の表面に向けられたイオンとエッチングされる材料とを含む。反応性イオンエッチングなどによる特定のエッチング工程では、イオンは、材料の表面に向けられ、含まれるエネルギーに基づいて基板の表面から材料をスパッタすることができる。他のエッチング工程は、しばしば選択的エッチングと呼ばれる、第２の材料よりも速くある材料を除去することを目的として設計される。選択性を高めるために、１つの手法は、エッチング工程のスパッタリング成分を減らすことを含みうる。これは、電子温度を下げるためにプラズマ出力を下げることによって部分的に達成されうる。特徴サイズが縮小するにつれて、選択性がますます重要になりうる。選択性が高ければ高いほど、最終製品のターゲット寸法に対する緩衝剤として形成されうる、維持されることを意図する材料は少なくなりうる。特徴サイズが縮小し続けるので、従来のより高い選択性でさえ不適切になりうる。例えば、維持されることを意図する材料から数ナノメートルさえも除去された場合、装置性能は、悪影響を受けることがある。
【００１７】
プラズマは、例えば、基板を支持するペデスタルに電気的に接続される高周波（「ＲＦ」）バイアスを用いることを含む多くの方法で生成されうる。このバイアス電力は、チャンバの一部と結合されたＲＦ源と一緒に若しくはその代わりに使用されてもよく、又は誘導結合プラズマ源、容量結合プラズマ源、マイクロ波源、若しくはプラズマ放出物を生成するために追加的に使用されうる任意の他のプラズマ源と共に機能してもよい。ソース電力の代わりに又はそれに加えてバイアス電力を利用することによって、イオン性に指向性を与えて、より異方性の、又は配向依存性のエッチングが提供されうる。しかしながら、イオンエネルギーが増加するにつれて、スパッタリングもまた増加しうる。スパッタリングはより材料に依存しないため、１つだけ除去することが望まれる材料間の選択性を低下させる可能性がある。したがって、目標は、選択性を改善するための試みにおいて、バイアスにおけるプラズマ出力を減らしてスパッタリングを減らすことでありうる。
【００１８】
従来の技術は、ソースにおけるプラズマ出力又はバイアスを減少させる可能性があるが、プラズマを発生させるという観点、並びにエッチングを生成するという観点の両方から、バイアス電力を減少させうる程度に制限がある。プラズマに衝突するために、電力は、プラズマが生成される流体の破壊電圧を超えなければならない。従来のスパッタリング及びパルスエッチング工程について、グロー放電は、例えば、低電流中電圧状態の、５００Ｖ付近、かつ数千Ｗの電力で、発生することが多い。しかしながら、これらの電力レベルは、イオンエネルギーの増大及びそれに伴う材料のスパッタリングをもたらすことになり、このことは選択性の低下につながることもある。スパッタリングを更に減少させるためにプラズマ出力を低下させると、特にパルスプラズマ出力では、プラズマを生成又は維持することが全く困難になりうる。加えて、バイアス電力があまりにも減少すると、スパッタリングは解決されうるが、全体的なエッチングはゼロまで減少しうる。
【００１９】
本技術は、パルス状の低電力ＲＦプラズマを生成することによってこれらの問題の多くを克服する。従来のいわゆる低出力プラズマは、数百Ｗまでのソース電力、かつメガヘルツ範囲のパルス状周波数で生成されうる。これらのプラズマのスパッタリング成分はなおも著しすぎるので、これらの電力範囲は、本技術の選択性を生成することができない。一方、本技術は、１００Ｗ未満で、約２０％までのデューティサイクルで、かつ約５００Ｈｚまでのパルス状周波数で作動するパルスＲＦバイアスで、様々なチャンバ条件においてプラズマを生成しうる。この動作状態では、スパッタリングは低減されるか又は実質的に排除され、エッチング選択性が生成され、これは従来の技術に対して最大で一桁の改善となりうる。本技術は、材料改質による選択性の向上と低出力エッチングの実行との組み合わせを含みうる。これらのプロセスは、他の材料に対してエッチングされる量を減らすこと、並びに材料にスパッタ又は悪影響を与えうるプラズマ効果を減らすことの両方によって、維持されることを意図する材料の量を減らすことにより、全体の選択性を高めうる。
【００２０】
以下の説明は日常的にエッチング工程を特定することになるが、これらの技術はより広く適用されうると理解すべきである。システム及び動作方法は、更に、説明したように、堆積、洗浄、又は低出力プラズマから利益を得ることができる他の任意のプラズマ工程に適用されうる。したがって、この説明は、本明細書を通じて説明される例のみに用途を限定することを意図していない。
【００２１】
図１は、本技術の実施形態による基板をエッチングする方法１００を示す。パターン形成、フィルム形成、又は他の様々な既知のプロセス工程を含む、言及された方法工程の前に、オプションの工程が実行されてもよい。方法は、工程１１０において半導体基板上の材料を改質することを含みうる。基板は、半導体基板の表面上に少なくとも２つの露出された材料を有してもよく、３つ、４つ、５つ、６つ、又はそれ以上の異なる露出された材料を有していてもよい。更に、１つ又は複数の材料が、選択的エッチング方法１００の前に、最初は覆われているが、次に工程により露出されてもよく、したがって、実施形態では、露出されたフィルムのうちの１つ又は複数が、エッチング工程中に露出されてもよい。実施形態において、これらの材料のうちの１つ又は複数の除去が求められることがある。
【００２２】
方法はまた、動作１２０において、半導体基板を収容する処理チャンバ内に低出力プラズマを形成することを含みうる。低出力プラズマは、実施形態において高周波（「ＲＦ」）プラズマでありうるが、他のプラズマ形成も同様に包含されうる。低出力プラズマは、実施形態において、約１０Ｗから１００Ｗの間で作動するＲＦバイアス電力によって少なくとも部分的に形成されうる。ＲＦバイアス電力は、パルス状でもよく、実施形態では約５０００Ｈｚ未満のパルス状周波数で作動されうる。方法は、工程１３０において、半導体基板の表面上の少なくとも２つの露出された材料のうちの１つ以上をエッチングすることを更に含みうる。実施形態において、少なくとも２つの露出された材料のうちの１つ以上のエッチングは、半導体基板の表面上の少なくとも２つの露出された材料のうちの別の１つよりも高速でありうる。
【００２３】
改質工程は、基板の表面上の材料に基づいて任意の数の方法で調整され、材料の特性の識別及びそれらが基板表面上の他の材料とどのように異なりうるかに基づいてもよい。例えば、改質工程は、密度、化学構造、反応性特性、又は利用されうるフィルム間の他の任意の特性における差異を最初に識別しうる。材料のうちの１つ又は複数に対する改質は、エッチング工程において利用されうるフィルム間の差異を強化又は生成するために実行されうる。実施形態では、材料を１つ又は複数の前駆体にさらすことによって、改質が実行されうる。実施形態において、前駆体は、露出された材料と相互作用する前に励起されてもされなくてもよい。実施形態では、改質することは、処理チャンバ内で前駆体からプラズマを形成することを含みうる。プラズマは、改質されるフィルムに応じて約５０Ｗから約３００Ｗの間でありうる。例えば、より高い密度を示すフィルムは、実施形態においてより高いプラズマ出力から利益を得ることがある。実施形態では、露出された材料の１つ又は複数を改質するプラズマ放出物を生成するために、プラズマが、ソース電力又はバイアス電力で、並びにこの２つの組合せで生成されうる。実施形態では、プラズマは、ＲＦバイアス電力で形成されてもよい。
【００２４】
工程で利用される前駆体は、実行されている改質の種類に基づく１つ又は複数の前駆体を含みうる。前駆体は、ある形で材料と反応することを意図した１つ又は複数の前駆体を含んでもよく、又は１つ又は複数の露出された材料を物理的に変えることを意図した１つ又は複数の前駆体を含んでもよい。これらの効果のいずれか又は両方を有する前駆体の組み合わせもまた、実施形態において利用されうる。例では、前駆体は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、及びラドンなどの貴金属又は不活性元素を含む元素の群から選択されうる。実施形態において、前駆体はまた、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、及びアスタチンを含むハロゲンから選択されてもよい。前駆体はまた、例えば、酸素を含むカルコゲン、並びに水素を含む様々な他の反応性及び非反応性の前駆体から選択されてもよい。
【００２５】
上記のように、改質工程は、化学的改質又は物理的改質の一方又は両方を含みうる。化学的改質は、半導体基板上の１つ又は複数の材料に化学変化を引き起こしうる。化学変化は、例えば、実施形態において材料層の酸化物を生成するような反応を含みうる。化学変化はまた、例えば、電子を除去することによって、材料の結合構造を調整してもよく、又は材料の原子若しくは分子を化学的に変化させてもよい。化学的改質はまた、除去される追加の材料に対して基板の表面上に維持されるべき材料又はフィルムの密度を高めることを含みうる。物理的改質は、基板上の露出された材料と反応しない不活性前駆体を用いて実行されうる。例えば、物理的改質は、半導体基板上の材料のうちの１つ又は複数の材料の不活性前駆体のイオンとの結合を損傷することを含みうる。改質が化学的及び物理的改質の組み合わせを含み、利用される個々の前駆体がある量の物理的改質及び化学的改質の両方を生じさせうることを理解すべきである。
【００２６】
半導体基板の表面上の材料は、様々な半導体処理において使用される様々な材料を含みうる。材料は、金属、誘電体、エッチング停止層、及び半導体処理において一般的に理解される多数の元素のうちのいずれかを含みうる基板材料を含みうる。例えば、材料は、銅、タングステン、チタン、又は他の金属若しくは金属含有層などの金属を含みうる。材料はまた、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭窒化ケイ素などのケイ素含有材料、又は、例えばガリウムなどの他の半導体ベース材料に基づく材料を含みうる。
【００２７】
実施形態では、エッチング工程で利用される低出力プラズマは、基板が支持されるペデスタルと電気的に結合されたＲＦバイアス電力から少なくとも部分的に生成されうる。実施形態では、バイアス電力は、約１Ｗから約５００Ｗの電力で作動されうる。実施形態では、バイアス電力はまた、約１０Ｗから約２５０Ｗ、約１５Ｗから約２００Ｗ、約２０Ｗから約１５０Ｗ、約２０Ｗから約１００Ｗ、又は約２０Ｗから約５０Ｗで作動されうる。バイアス電力は、この範囲内で作動され、なおもプラズマを発生させ、エッチング結果を生成しながらスパッタリングを減少させる利点を提供しうる。例えば、電力レベルが増加すると、イオンエネルギー増加のために、スパッタリングも同様に増加する可能性があるので、実施形態では、電力レベルが約１００Ｗ未満で維持されうる。一方、電力レベルは、実施形態において、約２０Ｗを超えて維持されうるが、これは、この閾値未満のレベルでは、エッチング容量又はプラズマに衝突する能力が低下してしまうことがあるからである。これらのパラメータはまた、圧力及び温度を含むチャンバ条件にある程度依存しうるが、以下でより詳細に論じられる技術を利用して、パルス状条件下でなおも安定したプラズマを生成しうる。
【００２８】
ＲＦバイアス電力は、低出力プラズマを生成するために低いデューティサイクル及びパルス状周波数で作動されうる。デューティサイクルは、実施形態において、約７５％未満であり、実施形態において、約７０％未満、約６５％未満、約６０％未満、約５５％未満、約５０％未満、約４５％未満、約４０％未満、約３５％未満、約３０％未満、約２５％未満、約２０％未満、約１５％未満、又は約１０％未満でありうる。また、安定プラズマを発生するのに十分なオン時間をなおも有しながら、より低いイオンエネルギーを維持するという同様の理由で、実施形態において、約１０％から約６０％、又は約２０％から５０％のデューティサイクルで、ＲＦバイアスパルス状デューティサイクルを作動させてもよい。
【００２９】
実施形態において、ＲＦバイアスのパルス状周波数は、約１０ｋＨｚ未満でありうる。実施形態において、ＲＦバイアスのパルス状の周波数はまた、約９０００Ｈｚ未満、約８０００Ｈｚ未満、約７０００Ｈｚ未満、約６０００Ｈｚ未満、約５０００Ｈｚ未満、約４５００Ｈｚ未満、約４０００Ｈｚ未満、約３５００Ｈｚ未満、約３０００Ｈｚ未満、約２５００Ｈｚ未満、約２０００Ｈｚ未満、約１５００Ｈｚ未満、約１０００Ｈｚ未満、約７５０Ｈｚ未満、又は約５００Ｈｚ未満でありうる。パルス状周波数はまた、実施形態において約５００Ｈｚから約５０００Ｈｚの間、又は実施形態において約５００Ｈｚから約２０００Ｈｚの間で維持されうる。バイアスパルスの周波数は、プラズマ前駆体の解離に影響を与える可能性があり、したがって周波数を調整することによって、解離が調整されうる。
【００３０】
ＲＦバイアス電力に加えて、実施形態では、ＲＦソース電力が使用されてもよい。ＲＦソース電力は、最大約１０００Ｗ以下の電力でエッチング工程に使用され、実施形態において、最大約５００Ｗ、又は最大約１００Ｗの電力で作動されうる。ＲＦソース電力は、実施形態において約１００Ｗ未満で作動され、実施形態において約０Ｗから１００Ｗの間で作動されうる。異なる前駆体がＲＦ源の追加から利益を得ることがある一方で、他の前駆体は、ＲＦソース電力の欠如から利益を得ることがある。例えば、ＲＦ源は、ポリマーの解離を増加させる可能性があるので、例えばＣ４Ｆ８及びＣ４Ｆ６を含む特定の前駆体については、ソース電力が、ポリマーを解離させ、炭素材料を基板上に堆積させ、エッチング工程を妨げることがある。したがって、いくつかの実施形態において、低いＲＦ源を使用するか又はＲＦ源を使用しなければ、エッチングが改善されうる。実施形態では、エッチングされるフィルムの種類に応じて、様々な前駆体がエッチング工程で利用されうる。使用されうる例示的な前駆体は、Ｃ４Ｆ８，Ｃ４Ｆ６，ＣＦ４，Ｃｌ２，ＣＨ２Ｆ２，Ｏ２，Ｎ２、並びにターゲット材料を除去するためのエッチング剤特性を提供しうる任意の他の前駆体を含む。
【００３１】
前述のＲＦバイアス条件は、実施形態において、プラズマシースを制御すること、又はシースの均一性を維持することにおいて困難をもたらすことがある。しかしながら、この条件は、エッチングプロセス中のスパッタリングを最小限に抑えるのに役立ちうる。したがって、本技術は更に、磁気学又は関連する構成要素によって支援されえない低電力でプラズマ作動に対する制御を得ることを求める。特定のプロセスに対して圧力及び作動条件が調整されると、プラズマは、これらの条件下で衝突することがより困難になりうる。プラズマ生成又はガス放電は、粒子をプライミングすること、又は前駆体として活性粒子を生成し破壊することに部分的に依存しうる。これらの活性粒子は、放電を加速するために生成され、必要とされる点火電圧を減少させることがある。プライミング粒子を生成し、プラズマフィードバックループ内に電子を維持するための追加のエネルギー源を含む、前述のようなパルス状電力工程中は、様々な処理条件の間、プラズマ生成を低電力で制御するのに役立つことがある。追加のエネルギー源を提供することによって、プラズマは、次に、低いレベルで、又は上述のような通常の電力レベルよりも低いレベルで衝突されうる。本技術は、高エネルギー粒子をプラズマプライミングループに戻すための実施形態において、追加のエネルギー源を提供する。
【００３２】
本技術では、様々な追加のエネルギー源が利用され、一例では、パルスＤＣ電力を含みうる。低出力プラズマがＲＦバイアス電力で衝突される前に、プラズマのプライミングを助けるために、パルスＤＣ電力が、チャンバ内の様々な場所に接続されてもよい。ただし、このパルスＤＣ電力は、従来のＤＣバイアスとは根本的に異なる。いくつかの従来の処理では、ペデスタルにおけるバイアスとして含める、ＤＣバイアスがシステムに印加される。ＤＣパルスが印加されると、プラズマは、バルクからずっと形成され、電流がペデスタルにおけるプラズマシースに収容されるのに十分な長さに維持されることになる。従って、それは、ペデスタルの表面まで崩壊し、一定量のＤＣ電位を有するシースを形成する。このプラズマシース及び電位は、プロセスのためのイオンエネルギーを生成し、ＤＣプラズマに関連した高いイオンエネルギーのためにカソードの表面で材料のスパッタリングを生成することになる。しかしながら、本技術は、プラズマシースを形成する前に、ＤＣパルスを循環させうる。
【００３３】
本技術の実施形態では、パルスＤＣ電位は、プラズマをプライミングするために開始され、次に基板表面での高電圧ＤＣプラズマシースの形成を防止するために、サイクルがオフにされうる。したがって、従来のＤＣバイアスは、高電圧でイオンエネルギーに影響を与えるシースを発生させるのに十分な長さにパルスを維持する。本技術は、プライミング粒子を生成し、低ＲＦ電力が、プラズマのパルスがオンにされるたびにプラズマに点火できるようにするために、パルスＤＣ電力を利用しうる。典型的な破壊電圧より低くてもよい低いＲＦ電力は、従来のＤＣバイアスによって生成されるような高電圧ＤＣプラズマシースにおいて生成されるであろうよりも低いイオンエネルギーを提供する。本技術のパルスＤＣ電力は、ＲＦバイアスの電力が低いにもかかわらず、ＲＦバイアスのサイクルがオンになると、アバランシェ破壊及びシースの発生を可能にするプライミング粒子を代わりに生成する。その結果、より低いイオンエネルギーでプラズマシースが得られ、これは従来の技術よりもスパッタリングが低減又は実質的に低減されうる。スパッタリングを減らすことによって、先ほど説明したように、より高い選択性が得られうる。
【００３４】
パルスＤＣ電力の機能性を生み出すために、パルスＤＣ電力のデューティサイクルは、非常に低くてもよく、実施形態では、１マイクロ秒から約１００マイクロ秒のオン時間と関連付けられてもよい。実施形態では、オン時間は、約７５マイクロ秒未満、約５０マイクロ秒未満、約３０マイクロ秒未満、約２５マイクロ秒未満、約２０マイクロ秒未満、約１５マイクロ秒未満、約１０マイクロ秒未満、約５マイクロ秒未満、又は約１マイクロ秒未満でありうる。
【００３５】
デューティサイクルに関して、従来のＤＣバイアスは、プラズマシースを生成するために５０％超、７５％超、又は９０％超のデューティサイクルを含みうるが、本技術は、実施形態において、約５０％未満のパルスＤＣ電力のデューティサイクルを利用しうる。パルスＤＣ電力のデューティサイクルはまた、実施形態において、約４０％未満、約３０％未満、約２５％未満、約２０％未満、約１５％未満、約１０％未満、約５％未満、又は約１％未満でありうる。ＤＣ電力はまた、約１％から約５０％、約１％から約２５％、約１％から約１０％、又はこれらの値の間もしくは範囲内の任意の他の範囲のデューティサイクルでパルス化されてもよい。
【００３６】
パルスＤＣ電力はまた、ＲＦバイアスパルス状の交流又は半交流周波数で作動されてもよい。例えば、パルスＤＣ電力の周波数は、ＲＦバイアスがオフサイクルにある間はオンサイクルにあるようなものであってもよく、逆もまた同様である。２つの電力のデューティサイクルに応じて、２つの電力のうちのどちらか一方が所与の時間に作動していてもよく、又は２つの電力のどちらも所与の時間に作動していなくてもよい。実施形態では、両方とも所与の時間に作動していてもよい。本技術の低減されたデューティサイクルを利用することによって、パルスＤＣ電力が動作している間に、プラズマシースが、基板表面に形成されないことがある。したがって、パルスＤＣ電力は、放電破壊に利用可能なプライミング粒子を維持し、システムの動作条件を改善するためにインピーダンスを安定化させながら、その一方で、ＲＦ電力のサイクルがオンになるまで、シース又は破壊を形成しない。このように、約５０ｍＴｏｒｒ未満の圧力状態並びに数百ｍＴｏｒｒ又はそれ以上までの圧力状態を含む種々の圧力範囲が、本技術によって適応されうる。言い換えれば、本技術は、グロー放電破壊のためのインピーダンスを制御して、構成、配向、圧力、化学的性質などの従来のインピーダンス制限を取り除く。
【００３７】
パルスＤＣ電力は、他の図に関して以下で更に説明される複数の方法でシステムと結合されうる。例えば、以下に詳細に説明するように、パルスＤＣ電力は、半導体基板を支持する双極静電チャックに印加されうる。更に、パルスＤＣ電力は、半導体基板を支持するペデスタルのシールドリング内に埋め込まれた、又はそれと結合された導電性リングに印加されてもよい。更にまた、パルスＤＣ電力は、処理チャンバ内のシャワーヘッド内に埋め込まれた、又はそれと接続された導電性リングに印加されてもよい。
【００３８】
図２を参照すると、本技術の実施形態による材料改質及び低出力プラズマの相加効果を示すグラフが示される。図示されたように、例示的なプロセスは、基板の表面上の炭化物フィルムに対して酸化物フィルムを除去することを含みうる。第１のバーによって示されるように、反応性イオンエッチング又は連続波形プロセスは、炭化物材料に対する酸化物材料について１０：１未満の選択性を提供しうる。これは、一部には、イオンプロセスによって引き起こされるスパッタリングに起因する可能性があり、すべての材料に対してより攻撃的であるので、それによって両方のエッチング速度が増加する。更に、反応性イオンエッチングはまた、エッチングプロファイルに丸みを帯びた角を生成することがあり、また所望のフィルムがいったん除去されてしまうと、イオン衝撃のため、下層をエッチングすることもある。したがって、反応性イオンエッチングは、選択的処理及び基板の特徴を維持するためには不十分でありうる。
【００３９】
第２のバーに示されるように、パルスＤＣ電力の場合のように、上述のパルス状低電力ＲＦバイアスプラズマを単に利用することによって、従来の反応性イオンエッチングプロセスよりも選択性が改善されうる。このプロセスはまた、反応性イオンエッチングによって生じる角の丸み及び下層エッチングを低減又は排除しうる。しかし、第３のバーは、低出力パルス状を実行する前に材料改質を実行することの相乗的利益を示す。フィルム改質と低出力プラズマＲＦパルス状プロセスの両方を利用することにより、反応性イオンエッチングプロセスよりも選択性がほぼ一桁増大する。加えて、エッチングプロファイルは、角の丸み及び下層エッチングの減少によって大幅に改善される。
【００４０】
図３は、本技術の実施形態に従って実行されたエッチングプロセスの撮像を示す。左の画像に示すように、窒化ケイ素の領域３０５は、炭化ケイ素の領域３１０の間に配置されている。前述したように材料改質及び低電力ＲＦエッチング工程が行われた後、右図に示されるように、炭化ケイ素部分が除去される。窒化ケイ素層３０５は、実質的に維持され、最小の角の丸みだけしか見ることができない。更に、炭化ケイ素部分３１０の下にある酸化ケイ素層３１５がエッチングプロセス中に露出されたが、酸化ケイ素の衝撃のため、トレンチ内にエッチングされたであろう反応性イオンプロセスとは対照的に、フィルムは、プロセスに対するエッチング停止として作用することができた。測定された効果は、本技術が、窒化ケイ素の最小の角の丸みを伴って５０：１を超える炭化ケイ素の窒化ケイ素に対するエッチング選択性を生成できたことを示す。本技術はまた、７０：１を超える炭化ケイ素の酸化ケイ素に対するエッチング選択性を生成することもできた。
【００４１】
図４は、本技術の実施形態による、処理がある場合及び処理がない場合様々な材料のエッチング速度を示すチャート図を示す。本実施例は、基板表面上に露出したオキシ炭化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、及び窒化ケイ素を改質するためにプラズマ中の酸素前駆体を利用した材料改質を示す。低電力パルスＲＦエッチングプロセスが、酸素処理のある場合とない場合とで、類似の材料に対して実行された。図示されているように、４つのフィルムすべてが、低出力エッチングプロセス中に、材料の改質なしに低い選択性でエッチングされた。それに対して、酸素処理後、オキシ炭化ケイ素フィルム及び炭化ケイ素フィルムはエッチングを続け、一方、酸化ケイ素フィルム及び窒化ケイ素フィルムは、酸素処理によって本質的に維持及び緩衝され、それらのフィルムに表面増強をもたらした。
【００４２】
図５は、本技術の実施形態による、処理がある場合とない場合でのオキシ炭化ケイ素及び炭化ケイ素のエッチング速度を示すチャート図を示す。図４に示す例で行われた酸素改質は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素に対する炭素含有フィルムについては成功したが、２つの炭素含有フィルムは、互いに対して高い選択性を有していなかった。図５では、オキシ炭化ケイ素フィルムのより高い多孔性を利用する物理的改質が行われた。オキシ炭化ケイ素は、炭化ケイ素を上回る多孔性フィルムであり、化学結合もより弱い。この実施例の物理的改質は、プラズマ中でヘリウム前駆体を利用すること、及び次にフィルムをこれらのプラズマ放出物にさらすことを含んだ。ヘリウムは２つのフィルムに対して不活性であるので、ヘリウムイオンの衝撃はオキシ炭化ケイ素の化学結合を損傷するのに十分な容量であったが、ヘリウムが材料と化学的に反応しなかった。これにより更にフィルムが弱くなり、その後、低電力ＲＦパルス状エッチングが行われた。図に示されているように、低出力エッチングに続く改質は、炭化ケイ素を本質的に維持しながらオキシ炭化ケイ素材料を除去した。
【００４３】
図４及び図５により示される例は例示に過ぎず、本技術を限定することを意図するものではない。これらの実施例は、本技術によって包含される材料改質の種類を単に示すものである。当業者は、これらの実施例によって、選択性を向上させ、エッチングプロファイルを改善するために、材料改質及び低出力エッチング工程が様々な材料にどのように適用されうるかを容易に理解するだろう。本技術を利用することによって、酸化ケイ素と窒化ケイ素に対するオキシ炭化ケイ素について、２０：１を超える選択性が実現されうる。また、本技術による様々な材料改質及びエッチングを使用して、オキシ炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び炭化ケイ素に対する酸化ケイ素について、２０：１を超える選択性も実現されうる。また、本技術による様々な材料改質及びエッチングを使用して、酸化ケイ素、窒化ケイ素、及びオキシ炭化ケイ素に対する炭化ケイ素について、２０：１を超える選択性も実現されうる。更に、本技術による様々な材料改質及びエッチングを使用して、酸化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、及び炭化ケイ素に対する窒化ケイ素について、２０：１を超える選択性が実現されうる。実施形態において、これらの工程のいずれかの選択性はまた、約２５：１以上、約３０：１以上、約３５：１以上、約４０：１以上、約４５：１以上、約５０：１以上、約５５：１以上、約６０：１以上、約６５：１以上、約７０：１以上、約７５：１以上、約８０：１以上、約８５：１以上、約９０：１以上、約９５：１以上、又は約１００：１以上でありうる。
【００４４】
図６を参照すると、本技術の実施形態による、静電チャックにＤＣパルスを供給するコントローラの部分概略図が示される。システムは、本技術の実施形態による基板処理チャンバと共に含まれうる。例示的なチャンバは、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．によって製造されるＭｅｓａ（登録商標）エッチシステムでありうる。構成要素は、半導体基板を支持するように構成されたペデスタル６０５を含みうる。システムはまた、ペデスタルと電気的に結合され、かつ前述のようにプラズマを発生させるように構成されたパルスＲＦバイアス電力６１０を含みうる。パルスＲＦバイアス電力６１０は、約２０Ｗから約５０Ｗの間の電力で処理チャンバ内にプラズマを生成するように構成され、パルスＲＦバイアス電力は、約５０００Ｈｚ未満の周波数でパルス化されうる。システムはまた、前述の他のレベルのいずれかで動作するように構成されてもよい。
【００４５】
システムはまた、基板処理チャンバと電気的に結合されたＤＣパルス状電力６１５も含みうる。ＤＣパルス電力６１５は、前述のとおりであり、ＲＦバイアスプラズマのためのプライミング粒子を生成するように構成されうる。実施形態では、ＤＣパルス状電力は、プラズマシースを発生させることなくプライミング粒子を生成するための周波数でパルスするように構成されうる。ＤＣパルス状電力は、前述の時間のいずれか又はデューティサイクルのいずれかで作動され、約５０％未満のデューティサイクルで１００マイクロ秒以下の持続時間にわたってパルス化されるように構成されうる。ＤＣパルス状電力はまた、約２０％未満のデューティサイクルで約５０マイクロ秒未満のパルス持続時間で作動されるように構成されてもよい。実施形態では、ＤＣパルス状電力はまた、約１０％未満のデューティサイクルで約１０マイクロ秒未満のパルス持続時間で作動されるように構成されてもよい。
【００４６】
図６に示すように、ペデスタル６０５は、静電チャックでありうる。チャンバコントローラ６２０は、双極静電チャック用の入力／出力モジュール６３０を含む静電チャックコントローラ６２５に命令を提供しうる。図示されるように、ＤＣパルス状電力６１５は、双極静電チャック６３０の電気的接地と電気的に結合されうる。多くの処理チャンバでは、電極は、ＤＣ電圧にバイアスされ、ＲＦ電力を遮断するためにＤＣ電源の出力に重いフィルタリングが含まれることがある。その結果、構成に示されているように電源がパルス化されると、波形が歪んで減衰し始めることがある。したがって、この問題を克服するために、静電チャック電力は、パルスＤＣの電圧で浮動させることがある。よって、静電チャック電極は、パルスＤＣの高電圧を基準とする。言い換えれば、静電チャック電源は、機械接地から電気的に絶縁されて浮動し、静電チャックの接地は、本質的に高電圧でありうる。次いで、静電チャックは、高電圧に対して正負の極性を出力することができる。
【００４７】
したがって、パルスＤＣがサイクルをオフにされるか接地されると、次に静電チャック電極が、接地、すなわちプラス又はマイナスを基準とすることになるだろう。しかしながら、ＤＣが印加又はパルス化されると、次に静電チャック電極は、印加されたＤＣ電力の電力を基準とすることになるだろう。説明目的で、そのような構成の非限定的な例として、かつ特定のプロセス状況としてではなく、パルスＤＣ電力が１ｋＶで作動し、静電チャックが＋／−５００Ｖで作動する場合、前述のようにプラズマ生成を補助するためにＤＣ電源がサイクルをオンにされると、電極はそれぞれ１５００Ｖ及び５００Ｖになるだろう。この構成の利点は、パルスＤＣ電力のための追加の導体がチャンバ内に必要とされないことでありうる。更に、実施形態では、ＤＣ及びＲＦパルスは交互にされ、したがってＤＣ及びＲＦ供給は、それらが同じペデスタルベースを各々バイアスしているにもかかわらず、互いから分離されうる。
【００４８】
静電チャックから分離されうる追加の結合オプションが図７に示されており、これは、本技術の実施形態によるペデスタル構造と結合された導体にＤＣパルスを供給するコントローラの部分概略図を示している。図に示すように、シャワーヘッド７０３及び基板を支持するように構成されたペデスタル７０５を有する基板処理チャンバ７０１が示される。このシステムは、前述のようにパルスＲＦバイアス７１０と、静電チャックのためのＤＣ電力７１５とを含みうる。ＲＦバイアスによって点火されたプラズマに対するプライミングを生成するために前述したようにパルスＤＣ電力を供給する追加のＤＣパルスユニット７２０が含まれてもよい。この例では、ＤＣパルス状電力は、ペデスタルに埋め込まれているか又はペデスタルに結合されている導電性リング７２５と電気的に結合される。実施形態では、この導電性リング７２５は、静電チャックから及びＲＦバイアスから分離されうる。例えば、導電性リング７２５は、示されるようにペデスタル７０５の石英シールドリングを含む誘電体シールドリングに含まれてもよい。導電性リングは、実施形態において金属又は炭化ケイ素を含む任意の導電性材料でありうる。この状況では、追加の導体がシステムに含まれているが、これは、導電性リングが他の電源から分離されているからであり、構成要素は、互いに対して電気的な浮動を必要としない。
【００４９】
静電チャックから分離されうる他の結合オプションが図８に示され、これは、本技術の実施形態による、処理チャンバのシャワーヘッド内の埋め込まれた導体にＤＣパルスを供給するコントローラの部分概略図を示す。図示されたように、例えば、シャワーヘッド７０３及びペデスタル７０５を含む基板処理チャンバ７０１を含む、図７に関して説明したものに類似の構成要素が示される。このシステムは同様に、パルスＲＦバイアス７１０、静電チャックのためのＤＣ電力７１５、及びＤＣパルス状ユニット７２０を含む。この図は、導電性リング８２５を更に含み、導電性リング８２５は、上述のものに類似した材料であるが、実施形態ではシャワーヘッド７０３と結合されうる。この結合オプションでは、パルスＤＣを他の電源から分離する。
【００５０】
結合リングはまた、実施形態において、チャンバ壁と結合され若しくはチャンバ壁に埋め込まれて含まれてもよく、又はチャンバシステムの他の構成要素に含まれてもよい。同様に包含されることが容易に理解されるように、パルスＤＣ電力にこれらのオプションのいずれか又は代替的オプションを提供することによって、システムは、従来のシステムよりも低い出力プラズマを生成しうる。低電力のパルス状ＲＦバイアスがより低いイオンエネルギーによって、より低い電圧でより容易にプラズマに衝突できるようにするエネルギー粒子を生成するためのエネルギーを提供することによって、エッチング、堆積、洗浄、又は低出力プラズマから利益を受けうる任意の他のプロセスに、改善されたプラズマ処理が提供されうる。
【００５１】
前述の説明では、説明を目的として、本技術の様々な実施形態の理解を促すために、多数の詳細が述べられてきた。しかしながら、これらの詳細のいくつかを含まずに又は更なる詳細と共に、特定の実施形態を実施し得ることが、当業者には明らかであろう。
【００５２】
いくつかの実施形態を開示してきたが、当業者であれば、実施形態の主旨から逸脱することなく様々な変更例、代替構造、及び等価物が使用されうることを理解するだろう。更に、本技術を不必要にあいまいにすることを避けるために、いくつかの周知のプロセス及び要素については説明しなかった。したがって、上記の説明は、本技術の範囲を限定するものと解釈すべきでない。
【００５３】
値の範囲が提示される場合、文脈上明らかに別段の指示がない限り、その範囲の上限と下限の間の各介在値はまた、下限の単位の最小単位まで具体的に開示されることが理解される。記載された範囲の任意の記載値又は記載されていない介在値の間の任意の狭い範囲、そしてその記載範囲のその他任意の記載された又は介在する値も包含される。これら小さい範囲の上限及び下限は、その範囲に個々に含まれ、又はその範囲から除外される場合があり、小さい範囲に限界値のいずれかが含まれる、どちらも含まれない、又は両方が含まれる各範囲もまた、記載された範囲における明確に除外される任意の限界値を条件として、この技術範囲に包含される。記載された範囲に１つ又は複数の限界値が含まれる場合、これらの含有限界値のいずれか又は両方を除外する範囲もまた含まれる。複数の値がリストに提示されている場合、それらの値のいずれかを包含する又はそれに基づく任意の範囲が同様に具体的に開示される。
【００５４】
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるように、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、及び「その（ｔｈｅ）」は、文脈上別途明示しない限り複数の指示物を含む。したがって、例えば、「１つの材料（ａ  ｍａｔｅｒｉａｌ）」への言及は、複数のそのような材料を含み、「その前駆体（ｔｈｅ  ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）」への言及は、１つ又は複数の前駆体及び当業者に既知のその等価物への言及を含む、等々である。
【００５５】
また、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ（ｓ））」、「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ（ｓ））」、「含有している（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ（ｓ））」、及び「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という単語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用された場合、記載された特徴、整数、構成要素、又は工程の存在を特定することを意図しているが、１つ又は複数のその他の特徴、整数、構成要素、工程、作用、又は群の存在又は追加を除外するものではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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