(57)【要約】  本発明は、オプトエレクトロニクス部品であって、接続面（１００ｂ）と、接続面（１００ｂ）とは反対側の上面（１００ａ）と、接続面（１００ｂ）と上面（１００ａ）とを互いに結合している横側面（１００ｃ）とを有するオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）と、第１の鋳造体（２１）と、第２の鋳造体（２２）と、を備えており、第１の鋳造体（２１）が、半導体チップ（１００）のすべての横側面（１００ｃ）および上面（１００ａ）を覆っており、第１の鋳造体（２１）が、半導体チップ（１００）の接続面（１００ｂ）と揃っている底面（２１ｂ）を有し、第２の鋳造体（２２）が、第１の鋳造体（２１）の底面（２１ｂ）と揃っている底面（２２ｂ）を有し、第２の鋳造体（２２）が、半導体チップ（１００）とは反対側の第１の鋳造体（２１）の側面（１００ｃ）すべてを完全に覆っており、接続面（１００ｂ）とは反対側の第２の鋳造体（２２）のカバー面（２２ａ）が凸状に湾曲している、オプトエレクトロニクス部品、に関する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス部品であって、
−  接続面（１００ｂ）と、前記接続面（１００ｂ）とは反対側の上面（１００ａ）と、前記接続面（１００ｂ）と前記上面（１００ａ）とを互いに結合している横側面（１００ｃ）とを有するオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）と、
−  第１のポッティング体（２１）と、
−  第２のポッティング体（２２）と、
を備えており、
−  前記第１のポッティング体が、前記半導体チップのすべての横側面および前記上面を覆っており、
−  前記第１のポッティング体（２１）が、前記半導体チップ（１００）の前記接続面（１００ｂ）と揃っている底面（２１ｂ）、を有し、
−  前記第２のポッティング体（２２）が、前記第１のポッティング体（２１）の前記底面（２１ｂ）と揃っている底面（２２ｂ）、を有し、
−  前記第２のポッティング体（２２）が、前記半導体チップ（１００）とは反対側の前記第１のポッティング体（２１）の前記側面（１００ｃ）すべてを完全に覆っており、
−  前記接続面（１００ｂ）とは反対側の前記第２のポッティング体（２２）の上面（２２ａ）が凸状に湾曲しており、
−  前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）が、露出した電気的接触面であって、前記半導体チップ（１００）が前記電気的接触面を介して電気的に接続可能かつ動作可能である、前記露出した電気的接触面、を前記接続面（１００ｂ）にのみ有する、
オプトエレクトロニクス部品。
【請求項２】
前記オプトエレクトロニクス部品が、前記第１のポッティング体（２１）と前記第２のポッティング体（２２）とに部分的に直接接触しているキャリア（１０）、を備えており、前記キャリア（１０）が、結合剤なしに前記第１のポッティング体（２１）および前記第２のポッティング体（２２）に結合されている、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項３】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）と、前記第１のポッティング体（２１）と、前記第２のポッティング体（２２）とが、前記オプトエレクトロニクス部品の下面において自由にアクセス可能である、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項４】
前記第２のポッティング体（２２）が透明である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項５】
前記第１のポッティング体（２１）が前記半導体チップ（１００）に直接接触している、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項６】
前記第１のポッティング体（２１）と前記第２のポッティング体（２２）が、結合剤なしに互いに結合されている、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項７】
前記第１のポッティング体（２１）および前記第２のポッティング体（２２）が、横平面において相似ではない輪郭を有する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項８】
オプトエレクトロニクス部品を製造する方法であって、以下のステップ、すなわち、
−  キャリア（１０）を設けるステップと、
−  前記キャリア（１０）の上に第２のマスク（３２）を配置するステップと、
−  前記第２のマスク（３２）を第１のマスク（３１）が覆うように、前記キャリア（１０）の上に前記第１のマスク（３１）を配置するステップと、
−  前記第１のマスク（３１）の凹部（３１１）の中、前記キャリア（１０）の上に、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）を配置するステップと、
−  前記第１のマスク（３１）の前記凹部（３１１）の中に第１の封止剤を塗布して第１のポッティング体（２１）を形成するステップと、
−  前記第１のマスク（３１）を除去するステップと、
−  前記第２のマスク（３２）の凹部（３２１）の中に第２の封止剤を塗布して第２のポッティング体（２２）を形成するステップと、
−  前記第２のマスク（３２）を除去するステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）が、前記第２のポッティング体（２２）のための前記第２のマスク（３２）の格子構造によって形成された溝の少なくともいくつかに沿って分離される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャリア（１０）が除去される、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のマスク（３１）における前記凹部（３１１）が、前記第２のマスク（３２）における前記第凹部（３２１）と相似ではない、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
液体状態における前記第２の封止剤が、前記第２のマスク（３２）の材料に対して非濡れ性である、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品が製造される、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
オプトエレクトロニクス部品と、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法を開示する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
解決すべき目的は、特に材料が節約され、簡単かつ高い費用効率で製造することのできるオプトエレクトロニクス部品を提供することである。解決すべき別の目的は、対応する方法を開示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品は、例えば、放射放出オプトエレクトロニクス部品である。本オプトエレクトロニクス部品は、特に、発光ダイオードまたは発光モジュールとすることができる。本オプトエレクトロニクス部品の通常の動作時、本オプトエレクトロニクス部品によって電磁放射が生成されて放出される。この場合、本オプトエレクトロニクス部品は、紫外線放射と赤外線放射の間のスペクトル領域における電磁放射（特に可視光）を生成することが可能である。
【０００４】
少なくとも一実施形態によれば、本オプトエレクトロニクス部品は、接続面と、接続面とは反対側の上面と、接続面と上面とを互いに結合している横側面とを有するオプトエレクトロニクス半導体チップ、を備えている。半導体チップは、例えば、通常の動作時に電磁放射を生成するように構成されているＬＥＤチップである。
【０００５】
半導体チップは、その接続面に少なくとも１つの接触面を有することができ、この接触面を通じて半導体チップに電気的に接触して半導体チップを動作させることができる。動作時、半導体チップにおいて生成された電磁放射の大部分が、接続面とは反対側の上面を通じて半導体チップから出射する。
【０００６】
少なくとも一実施形態によれば、本オプトエレクトロニクス部品は、第１のポッティング体を有する。第１のポッティング体は、例えば、プラスチック材料（特にシリコーン）を含む、またはこの材料からなる。これに加えて、第１のポッティング体は、少なくとも１種類の変換剤を含むことができる。この変換剤は、半導体チップにおいて生成された電磁放射の少なくとも一部を、より長い波長領域の電磁放射に変換するように設計されている。変換剤は、例えば、蛍光体の粒子とすることができる。第１のポッティング体は、半導体チップが例えば機械的損傷および／または化学的損傷に対して第１のポッティング体によって保護されるように、半導体チップに対する保護機能も有し、これは有利である。
【０００７】
本オプトエレクトロニクス部品の少なくとも一実施形態によれば、本オプトエレクトロニクス部品は、第２のポッティング体を備えている。第２のポッティング体は、特に、透明材料を使用して（例えばプラスチック材料、特にシリコーンを使用して）形成されている、またはこのような材料からなる。
【０００８】
少なくとも一実施形態によれば、第１のポッティング体は、半導体チップのすべての横側面および上面を、特に完全に、覆っている。例えば、半導体チップの横側面に垂直に測定される、半導体チップの横側面の上の第１のポッティング体の厚さは、半導体チップの上面に垂直に測定される上面の上の厚さと、製造公差の範囲内で正確に同じである。「製造公差の範囲内で」とは、本明細書においては、逸脱量が最大で５％、特に最大で１％であることを意味する。
【０００９】
第１のポッティング体は、半導体チップの横側面と上面とに直接接触している。特に、第１のポッティング体と半導体チップは、これらの間のさらなる結合手段なしに材料自体によって互いに結合されている（materially connected）。
【００１０】
少なくとも一実施形態によれば、第１のポッティング体は、半導体チップの接続面と揃っている、または実質的に揃っている底面、を有する。「実質的に揃っている」とは、接続面における１つまたは複数の接続点が接続面と揃っていない場合、底面を有する第１のポッティング体が、それらの接続点の高さだけ接続面よりも突き出していてよいことを意味する。例えば、第１のポッティング体の底面は、製造公差の範囲内で、半導体チップの接続面に平行に延びている。特に、第１のポッティング体の底面と半導体チップの接続面は、製造公差の範囲内で同じ平面内にある。
【００１１】
少なくとも一実施形態によれば、第２のポッティング体は、製造公差の範囲内で第１のポッティング体の底面と揃っている底面、を有する。例えば、第２のポッティング体の底面は、製造公差の範囲内で、第１のポッティング体の結合面に平行に延びている。特に、第１のポッティング体の底面と第２のポッティング体の底面は、製造公差の範囲内で同じ平面内にある。半導体チップの接続面の平面視においては、半導体チップの接続面は、横平面において、第１のポッティング体の底面によって完全に囲まれている。横平面とは、半導体チップの接続面に平行に延びている平面である。
【００１２】
本オプトエレクトロニクス部品の少なくとも一実施形態によれば、第２のポッティング体は、半導体チップとは反対側の第１のポッティング体の側面すべてを完全に覆っている。例えば、第２のポッティング体は、半導体チップとは反対側の第１のポッティング体の側面に直接接触している。特に、第１のポッティング体と第２のポッティング体との間に凝集力による結合（cohesive connection）が存在し、この結合には、２つのポッティング体の間にさらなる結合手段が存在せず、この結合は２つのポッティング体の一方を破壊することによってのみ解消することができる。半導体チップの接続面の平面視において、第１のポッティング体の底面は、横平面において第２のポッティング体の底面によって完全に囲まれている。
【００１３】
本オプトエレクトロニクス部品の少なくとも一実施形態によれば、接続面とは反対側に位置する第２のポッティング体のカバー面は、凸状に湾曲している。第２のポッティング体のこの上面は、本オプトエレクトロニクス部品の動作時に生成される電磁放射の大部分が本オプトエレクトロニクス部品から出射するときに通過する面である。凸状に湾曲しているとは、この文脈では、例えば、凸状に湾曲した面の曲率半径の中心点が、上面よりオプトエレクトロニクス半導体チップの側にあることを意味する。
【００１４】
本オプトエレクトロニクス部品の少なくとも一実施形態によれば、本オプトエレクトロニクス部品は、接続面と、接続面とは反対側の上面と、接続面と上面とを互いに結合している横側面とを有するオプトエレクトロニクス半導体チップ、を備えている。さらに、オプトエレクトロニクス部品は、第１のポッティング体および第２のポッティング体を備えており、第１のポッティング体は、半導体チップのすべての横側面および上面を覆っている。第１のポッティング体は、半導体チップの接続面と揃っている底面、を有する。第２のポッティング体は、第１のポッティング体の底面と揃っている底面、を有する。第２のポッティング体は、半導体チップとは反対側の第１のポッティング体の側面すべてを完全に覆っている。接続面とは反対側の第２のポッティング体の上面は、凸状に湾曲している。
【００１５】
本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品の１つは、特に、以下の考察に基づいている。オプトエレクトロニクス部品は、それらを環境の影響から保護する目的で、例えばポッティングまたは別のタイプの保護要素を含み、これらはオプトエレクトロニクス部品の外側に露出する表面の少なくとも一部を形成している。ポッティングは、部品を保護する以外にもさらなる機能を果たすように形成することができる。これらの機能は、例えば、オプトエレクトロニクス部品の光学特性に関するものとすることができる。
【００１６】
本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品は、特に、例えば異なる光学機能を達成する目的で、それぞれが異なる光学特性を有する第１のポッティング体と第２のポッティング体とから、ポッティングを形成するという着想を利用する。
【００１７】
第１のポッティング体と第２のポッティング体は、個別に最適化された別々の工程ステップにおいて作製することができ、したがってオプトエレクトロニクス部品全体を、特に効率的に、かつ材料が節約されるように製造することができ、これは有利である。
【００１８】
少なくとも一実施形態によれば、本オプトエレクトロニクス部品は、第１のポッティング体と第２のポッティング体とに部分的に直接接触しているキャリアを備えており、このキャリアは、何らの結合剤なしに第１のポッティング体および第２のポッティング体に結合されている。キャリアは、例えば、プリント基板（ＰＣＢ）、メタルコア基板、セラミックキャリア、またはいわゆるクワッドフラットノーリード（ＱＦＮ：quad-flat no-lead package）パッケージとすることができる。
【００１９】
特に、キャリアは、第１のポッティング体の底面と第２のポッティング体の底面とに直接接触している。さらに、キャリアは、オプトエレクトロニクス半導体チップの接続面に配置されている。キャリアは、例えば、電気的接触構造、印刷導体、および／または、さらなる構成要素を備えていることができ、これらによってオプトエレクトロニクス部品に電気的に接触してオプトエレクトロニクス部品を動作させることができる。この場合、半導体チップの接触面が、キャリアの接触構造に直接接触している。半導体チップの接触面は、半導体チップの主延在面に垂直に半導体チップの接続面より突き出していることができる。特に、キャリアと半導体チップとの間に、凝集力による結合を存在させることができる。凝集力による結合は、結合剤、特に、導電性接着剤またははんだを含んでいてもよい。半導体チップとキャリアとの間の電気的かつ機械的な結合部が環境の影響から保護され、これは有利であり、なぜなら第１のポッティング体の底面および第２のポッティング体の底面がキャリアに直接接触しており、かつ、第１のポッティング体の底面および第２のポッティング体の底面が半導体チップの接続面を横平面において完全に囲んでいるためである。
【００２０】
本オプトエレクトロニクス部品の少なくとも一実施形態によれば、オプトエレクトロニクス部品の下面において、オプトエレクトロニクス半導体チップと、第１のポッティング体と、第２のポッティング体とに、自由にアクセス可能である。特に、半導体チップの接続面と、第１のポッティング体の底面および第２のポッティング体の底面は、少なくとも部分的に外側に露出している。したがって、支持体を介してオプトエレクトロニクス部品に導通状態に接触してオプトエレクトロニクス部品を動作させる目的で、オプトエレクトロニクス部品を、その裏面が支持体の上に位置する状態で配置することができる。キャリアは、例えば、オプトエレクトロニクス部品のヒートシンクとしての役割も果たすことができる。
【００２１】
本オプトエレクトロニクス部品の少なくとも一実施形態によれば、半導体チップは、露出した電気的接触面であって、この面を介して半導体チップに電気的に接触して半導体チップを動作させることのできる電気的接触面を、接続面にのみ有する。この場合に半導体チップは、特に、表面実装可能な半導体チップ（例えばフリップチップ）であり、表面実装可能な半導体チップの接触面は、動作時に生成される電磁放射の大部分が放出される面とは反対側に位置している。半導体チップの接触面は、ボンディングワイヤによって電気的に接触されるのではなく、導電性構造の上に直接配置することができ、これは有利である。
【００２２】
少なくとも一実施形態によれば、第２のポッティング体は透明である。「透明」とは、この文脈においては、電磁放射が第２のポッティング体を通過するとき、電磁放射の反射、吸収、または散乱がさほど大きくないことを意味する。凸状に湾曲した上面を有する透明な第２のポッティング体は、半導体チップの動作時に生成される電磁放射に対して光学レンズとしての役割を果たし、これは有利である。したがって、オプトエレクトロニクス部品から電磁放射が取り出される効率を、第２のポッティング体によって高めることができる。
【００２３】
本オプトエレクトロニクス部品の少なくとも一実施形態によれば、第１のポッティング体は、半導体チップに直接接触している。具体的には、第１のポッティング体は、半導体チップの横側面および上面に、機械的に直接接触している。第１のポッティング体と半導体チップは、別の結合剤なしに材料自体によって相互に結合されている。半導体チップとポッティング体との間のこの機械的結合は、２つの要素の一方を破壊することによってのみ解消することができる。
【００２４】
本オプトエレクトロニクス部品の少なくとも一実施形態によれば、第１のポッティング体と第２のポッティング体は、結合剤なしに互いに結合されている。第１のポッティング体と第２のポッティング体は、互いに材料自体によって結合されており、この結合は、一方のポッティング体を破壊することによってのみ解消することができる。第１のポッティング体および第２のポッティング体は、プラスチック材料（シリコーンなど）を含み、プラスチック材料が材料自体によって接合される。半導体チップによって放出される光のビーム経路に、接着促進物質や接着剤などのさらなる材料（放射の一部を反射する、または吸収しうる）が配置されることはなく、これは有利である。
【００２５】
本オプトエレクトロニクス部品の少なくとも一実施形態によれば、第１のポッティング体および第２のポッティング体は、横平面において相似ではない輪郭を有する。オプトエレクトロニクス半導体チップの接続面の平面視において、第２のポッティング体の輪郭が、横平面において第１のポッティング体の輪郭を完全に囲むことができる。第１のポッティング体の輪郭は、第１のポッティング体の横側面（第１のポッティング体の底面とその反対側の上面とを結合している）によって定義される。第２のポッティング体の輪郭は、第２のポッティング体の横側面（第２のポッティング体の底面とその反対側の上面とを結合している）によって定義される。
【００２６】
第１のポッティング体の輪郭と、第２のポッティング体の輪郭とが互いに相似ではない場合、これらの輪郭を相似変換によって互いに変換することはできない。すなわち、拡大・縮小（central dilations）および合同変換（すなわち平行移動、回転、および鏡映）から構成することのできる、一方の輪郭から他方の輪郭への変換を可能にする幾何学変換は存在しない。
【００２７】
第１のポッティング体の輪郭は、そのサイズのみならず、その幾何学形状が異なっていることができ、これは有利である。結果として、第１のポッティング体および第２のポッティング体それぞれの光学特性を互いに個別に最適化することができる。
【００２８】
さらには、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法を開示する。本方法を使用して、特に、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品を製造することができる。すなわち、本オプトエレクトロニクス部品に関して開示されているすべての特徴は、本方法に関しても開示され、この逆も同様である。
【００２９】
オプトエレクトロニクス部品を製造するための、本明細書に記載されている方法は、特に、放射放出オプトエレクトロニクス部品の製造に関する。このオプトエレクトロニクス部品は、通常の動作時、紫外線放射と赤外線放射の間の可視波長領域における電磁放射を生成するように設計されている。
【００３０】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、最初にキャリアを設ける。キャリアは、例えば、箔、プリント基板、メタルコア基板、セラミックキャリア、またはクワッドフラットノーリード（ＱＦＮ）パッケージとすることができる。
【００３１】
さらなる方法ステップにおいては、キャリアの上に第２のマスクを配置する。第２のマスクは、その主延在面に垂直に第２のマスクを完全に貫く凹部を有する。凹部は、第２のマスクの主延在面に平行に延びる横平面において、製造公差の範囲内で、規則的な格子の格子点に配置される。凹部は、横平面において、任意の多角形輪郭および／または円形輪郭を有することができる。
【００３２】
第２のマスクは自立性であり、例えば、ポリマー、セラミック、または金属を含むことができ、特に、第２のマスクはステンレス鋼を含む、またはステンレス鋼からなることができる。これに加えて、第２のマスクは、被覆、特にテフロンの被覆を有することができる。被覆は、第２のポッティング体が第２のマスクに付着する危険性を低減するように設計されていることが有利である。
【００３３】
さらなる方法ステップにおいては、第２のマスクを第１のマスクが覆うように、キャリアの上に第１のマスクを配置する。第１のマスクは、その主延在面に垂直に第１のマスクを完全に貫く凹部を有する。凹部は、第１のマスクの主延在面に平行に延びる横平面において、製造公差の範囲内で、規則的な格子の交点に配置される。凹部は、横平面において、任意の多角形輪郭および／または円形輪郭を有することができる。
【００３４】
第１のマスクは、自立性であるように設計されており、例えば、ポリマー、セラミック、または金属を含むことができ、特に、第１のマスクはステンレス鋼を含む、またはステンレス鋼からなることができる。これに加えて、第１のマスクは、被覆、特にテフロンの被覆を有することができる。被覆は、第１のポッティング体が第１のマスクに付着する危険性を低減するように設計されていることが有利である。
【００３５】
これに加えて、第１のマスクは、第２のマスクを第１のマスクに挿入することのできる領域を有する。この領域において第２のマスクの露出した外面を第１のマスクが覆うように、第１のマスクを第２のマスクの上に配置する。露出した外面とは、キャリアに直接接触していない、第２のマスクの表面である。第１のマスクは、特に、少なくとも凹部の領域において第２のマスクを完全に覆う。
【００３６】
第２のマスクの上に第１のマスクを配置するとき、第１のマスクと第２のマスクは、少なくとも部分的に互いに直接接触する。第１のマスクは、例えば、第２のマスクによってキャリアに対して位置調整される。特に、第１のマスクの凹部が横平面において第２のマスクの凹部の中に位置するように、第１のマスクが第２のマスクに対して位置調整される。第１のマスクおよび第２のマスクそれぞれは、キャリアに直接接触する底面を有する。
【００３７】
さらなる方法ステップにおいては、第１のマスクの凹部の中、キャリアの上に、オプトエレクトロニクス半導体チップを配置する。特に、第１のマスクの各凹部に、ただ１つの半導体チップを配置する。半導体チップは、特に、通常の動作時に可視波長領域における光を放出する放射放出半導体チップである。
【００３８】
オプトエレクトロニクス半導体チップは、キャリアの上に配置された後、横平面において第１のマスクによって完全に囲まれている。特に、第１のマスクは、第１のマスクの主延在面に垂直に半導体チップよりも突き出している。オプトエレクトロニクス半導体チップは、第１のマスクに機械的に直接接触していない。特に、オプトエレクトロニクス半導体チップの側面と、この側面に面する第１のマスクの対応する側面との間の、横平面における距離は、製造公差の範囲内で同じである。
【００３９】
さらなる方法ステップにおいては、第１のマスクの凹部の中に第１の封止剤を塗布して第１のポッティング体を形成する。封止剤は、基材（例えばシリコーン）と、変換剤とを含む。第１の封止剤は、最初は液体であり、硬化して第１のポッティング体を形成する。変換剤は、例えば粒子（特に、蛍光体の粒子）を含むことができる。
【００４０】
第１の封止剤は、半導体チップの上面に垂直に測定される厚さと、半導体チップの横側面に垂直に測定される厚さとが、製造公差の範囲内で同じであるように、第１のマスクの凹部の中に塗布する。第１の封止剤は、例えば、ドクタリング（doctoring）、鋳造、またはスクリーン印刷によって塗布する。
【００４１】
さらなる方法ステップにおいては、第１のマスクを除去する。第１のマスクは、キャリアから除去した後に再利用することができるように、非破壊的にキャリアから除去する。例えば、第１のマスクとキャリアを引き離す、または第１のマスクと第２のマスクを引き離すことによって、第１のマスクを除去する。これに代えて、ブラシ状の工具によって第１のマスクをキャリアから除去する。ブラシ状の工具は隆起構造部を有し、これらは、第１のマスクの凹部の互いの距離だけ隔てて横方向に隣り合って配置されている。第１のマスクを除去するためには、第１のマスクの凹部における、キャリアとは反対側の第１のポッティング体の表面に、隆起構造部を押し付ける。この場合、第１のマスクが押圧方向に除去される。
【００４２】
さらなる方法ステップにおいては、第２のマスクの凹部の中に第２の封止剤を塗布して第２のポッティング体を形成する。第２の封止剤は、プラスチック材料（特にシリコーン）を含む。第２の封止剤は透明であり、したがって電磁放射はわずかに吸収、反射、または散乱されるのみである。
【００４３】
第２の封止剤は、最初は液体であり、硬化して第２のポッティング体を形成する。第２の封止剤は、例えば、鋳造、噴霧、またはディスペンス法によって塗布する。例えば、第２のポッティング体の上面が、オプトエレクトロニクス半導体チップの上面の上方に凸状曲率（convex curvature）を有するように、第２の封止剤を塗布する。第２の封止剤は、例えば、第２のマスクの表面に対する非濡れ性を有し、したがって、第２のポッティング体が基板とは反対側の第２のマスクの面を超えて突き出して凸状メニスカスを形成するように第２のポッティング体を塗布することができる。凸状に湾曲した上面の曲率半径は、第２のマスクに対する第２の封止剤の濡れ性によって調整することができ、これは有利である。第２の封止剤と第２のマスクとの間の接触角が大きくなると、第２のポッティング体の凸状に湾曲した上面の曲率半径が小さくなる。
【００４４】
さらなる方法ステップにおいては、第２のマスクを除去する。第２のマスクは、キャリアから除去した後に再利用することができるように、非破壊的にキャリアから除去する。例えば、第２のマスクとキャリアを引き離すことによって、第２のマスクを除去する。これに代えて、ブラシ状の工具によって第２のマスクをキャリアから除去する。ブラシ状の工具は隆起構造部を有し、これらは第２のマスクの凹部の互いの距離だけ隔てて横方向に隣り合って配置されている。第２のマスクを除去するためには、第２のマスクの凹部における、キャリアとは反対側の第２のポッティング体のカバー面に、隆起構造部を押し付ける。この場合、第２のマスクが押圧方向に対して除去される。
【００４５】
さらなる方法ステップにおいては、第２のポッティング体のための第２のマスクの格子構造によって形成された溝の少なくともいくつかに沿って、オプトエレクトロニクス半導体チップを個片化する。例えばキャリアを切断することによって、オプトエレクトロニクス半導体チップを個片化する。これに代えて、オプトエレクトロニクス半導体チップと第１および第２のポッティング体からキャリアを剥離することによって、オプトエレクトロニクス半導体チップを個片化することができる。キャリアをフィルムとすることができ、したがってフィルムを引き剥がすことによってオプトエレクトロニクス部品が分離され、これは有利である。
【００４６】
特に、個片化した後、２個以上の半導体チップが互いに機械的に結合されているようにすることができる。この場合、オプトエレクトロニクス部品は、２個以上の半導体チップを備えている。この場合、半導体チップそれぞれにただ１つの第１のポッティング体およびただ１つの第２のポッティング体が割り当てられている。したがって個々の半導体チップそれぞれが、自身に一意に割り当てられた凸状に湾曲した上面を有する。
【００４７】
さらなる方法ステップにおいては、キャリアを除去する。キャリアは、第２のマスクを除去する前、または第２のマスクを除去した後に、除去することができる。例えばオプトエレクトロニクス半導体チップと第１および第２のポッティング体からキャリアを引き剥がすことによって、キャリアを機械的に除去することができる。この場合、キャリアは特にフィルムである。
【００４８】
本明細書に記載されている方法の一実施形態によれば、第１のマスクにおける凹部は、第２のマスクにおける凹部と相似ではない。第１のマスクの凹部の輪郭と、第２のマスクの凹部の輪郭が互いに相似ではない場合、これらの輪郭を相似変換によって互いに変換することはできない。すなわち、拡大・縮小および合同変換（すなわち平行移動、回転、および鏡映）から構成することのできる、一方の輪郭から他方の輪郭に変換する幾何学変換は存在しない。例えば、横平面において第１のマスクの凹部が、多角形（特に四角形）である輪郭を有することができ、横平面において第２のマスクの凹部が、円形輪郭を有する。
【００４９】
本明細書に記載されている方法の一実施形態においては、液体状態における第２のポッティング材料は、第２のマスクの材料に対して非濡れ性である。したがって第２のポッティング材料と第２のマスクの材料との間の接触角は、９０゜より大きい。第２のマスクの材料と第２のポッティング材料との間の接触角を調整することによって、第２のポッティング体の上面の凸状曲率を調整することができ、これは有利である。
【００５０】
本オプトエレクトロニクス部品と、本オプトエレクトロニクス部品の製造方法のさらなる利点ならびに有利な修正形態およびさらなる発展形態は、図面を参照しながら説明する以下の例示的な実施形態から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１Ａ】本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品を製造する製造工程の工程ステップの概略断面図を示している。
【図１Ｂ】本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品を製造する製造工程の工程ステップの概略断面図を示している。
【図１Ｃ】本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品を製造する製造工程の工程ステップの概略断面図を示している。
【図１Ｄ】本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品を製造する製造工程の工程ステップの概略断面図を示している。
【図１Ｅ】本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品を製造する製造工程の工程ステップの概略断面図を示している。
【図１Ｆ】本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品を製造する製造工程の工程ステップの概略断面図を示している。
【図２】本明細書に記載されている、キャリア１０を備えていないオプトエレクトロニクス部品の概略断面図を示している。
【図３】本明細書に記載されている、キャリア１０を備えたオプトエレクトロニクス部品の概略断面図を示している。
【図４】本明細書に記載されている製造方法の一実施形態における、キャリア１０に面する側からの第１のマスク３１および第２のマスク３２の平面視を示している。この実施形態では、第１のマスクの凹部３１１と第２のマスクの凹部３２１は、互いに相似ではない。
【図５】本明細書に記載されている製造方法の一実施形態における、キャリア１０に面する側からの第１のマスク３１および第２のマスク３２の概略平面視を示している。
【図６Ａ】共通のキャリア１０の上に配置されている複数の半導体チップ１００を有するオプトエレクトロニクス部品１の例示的な実施形態の概略平面図を示している。
【図６Ｂ】共通のキャリア１０の上に配置されている複数の半導体チップ１００を有するオプトエレクトロニクス部品１の例示的な実施形態の概略平面図を示している。
【図６Ｃ】共通のキャリア１０の上に配置されている複数の半導体チップ１００を有するオプトエレクトロニクス部品１の例示的な実施形態の概略平面図を示している。
【図６Ｄ】共通のキャリア１０の上に配置されている複数の半導体チップ１００を有するオプトエレクトロニクス部品１の例示的な実施形態の概略平面図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
図面において、同じ要素、類似する要素、または同等の要素には、同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素の互いの比率は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、図を見やすくする、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してあることがある。
【００５３】
図１Ａ〜図１Ｆは、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品を製造するための、本明細書に記載されている工程の一実施形態を、概略断面図に基づいて示している。
【００５４】
本明細書に記載されている方法の最初の方法ステップについて、図１Ａを参照しながらさらに詳しく説明する。この場合、最初に、キャリア１０の上に第２のマスク３２を配置し、次いで第１のマスク３１を配置する。第１のマスク３１の凹部３１１の領域においては、キャリア１０に第１のマスク３１および第２のマスク３２が存在せず、マスク３１，３２の側の上面においてキャリア１０に自由にアクセス可能である。第２のマスク３２は、キャリア１０によって覆われていないすべての面において第１のマスク３１によって覆われている。第１のマスク３１と、第２のマスク３２と、キャリア１０は、互いに機械的に直接接触している。第１のマスク３１および第２のマスク３２の両方がキャリア１０に直接接触しているように、第１のマスク３１の指定された領域に第２のマスク３２を挿入することができる。
【００５５】
本明細書に記載されている方法の２番目の方法ステップについて、図１Ｂを参照しながらさらに詳しく説明する。この場合、第１のマスク３１の凹部３１１の中にオプトエレクトロニクス半導体チップ１００を配置する。半導体チップ１００は、キャリア１０に材料自体によって結合される。キャリア１０は接触構造を有することができ、この接触構造を介して半導体チップ１００に導通状態に接触して半導体チップ１００を動作させることができる。半導体チップ１００は、その接続面１００ｂによってキャリア１０の上に配置される。すなわち半導体チップ１００は、表面実装可能なチップ（例えばフリップチップ）であり、その接続面１００ｂのみから接触して動作させることができる。
【００５６】
具体的には、オプトエレクトロニクス半導体チップ１００の側面１００ｃと第１のマスク３１との間の、横平面における距離が、すべての側面において等しく、かつオプトエレクトロニクス半導体チップ１００が第１のマスク３１に機械的に直接接触しないように、半導体チップ１００を配置する。
【００５７】
本明細書に記載されている方法の３番目の方法ステップについて、図１Ｃを参照しながらさらに詳しく説明する。この場合、第１のマスク３１の凹部３１１の中に第１のポッティング体２１を配置する。第１のポッティング体２１は、それぞれ、オプトエレクトロニクス半導体チップ１００の側面１００ｃおよび上面１００ａに配置され、凝集力によって結合される。第１のポッティング体２１の横方向範囲は、第１のマスク３１の凹部３１１の輪郭によってあらかじめ決まる。第１のポッティング体２１の封止剤は、例えば、半導体チップの上面１００ａに垂直に測定される、半導体チップ１００の上面１００ａの上の第１のポッティング体２１の厚さと、横側面１００ｃに垂直に測定される、横側面１００ｃの上の厚さとが同じであるように、配置する。
【００５８】
第１のポッティング体２１は、例えば、シリコーンと変換剤を含む。変換剤は、半導体チップ１００において生成された電磁放射を、より長い波長領域の電磁放射に変換するように設計される。
【００５９】
本明細書に記載されている方法の４番目の方法ステップについて、図１Ｄを参照しながらさらに詳しく説明する。このステップでは第１のマスク３１を除去する。特に、第１のマスク３１を非破壊的に除去し、第１のマスク３１を再利用することができる。第１のマスク３１を除去した後には、キャリア１０によって覆われていない第２のマスク３２の領域が自由にアクセス可能であるように露出する。オプトエレクトロニクス半導体チップ１００および第１のポッティング体２１が配置されていない領域においては、第２のマスク３２の凹部３２１の中でキャリア１０に自由にアクセス可能である。
【００６０】
本明細書に記載されている方法の５番目の方法ステップについて、図１Ｅを参照しながらさらに詳しく説明する。このステップでは、第２のマスクの凹部３２１の中に第２のポッティング体２２を配置する。第２のポッティング体２２は、キャリア１０とは反対側において第２のマスク３２より突き出す。キャリアとは反対側において、第２のポッティング体２２の上面２２ａは凸状に湾曲する。第２のポッティング体２２それぞれは、半導体チップ１００とは反対側の第１のポッティング体２１の表面すべてを覆い、これらの表面それぞれに凝集力によって直接結合される。第２のポッティング体の底面２２ｂは、第１のポッティング体２１の底面２１ｂと揃っている。横平面において、第２のポッティング体２２の範囲は第２のマスク３２を通じて限定される。
【００６１】
第２のポッティング体２２は、例えばシリコーンを含み、かつ透明に形成されている。特に、第２のポッティング体２２は、オプトエレクトロニクス部品の電磁放射に対して透明である。
【００６２】
本明細書に記載されている方法の６番目の方法ステップについて、図１Ｆを参照しながらさらに詳しく説明する。このステップでは、第２のマスク３２を除去する。特に、除去において第２のマスク３２を損傷または破壊しない。第２のマスク３２を除去した後、キャリア１０は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１００の側の面に露出領域を有する。例えば、次のステップにおいて、キャリア１０を切断する、またはキャリア１０を剥離することによって、これらの露出領域に沿ってオプトエレクトロニクス半導体チップ１００を分離することができる。特に、これらの露出領域のいくつかのみに沿って、半導体チップ１００を分離することができ、したがってオプトエレクトロニクス部品は、共通のキャリア１０の上に機械的に直接接触している複数の半導体チップ１００を備えている。
【００６３】
図２は、第１の例示的な実施形態に係る、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品の概略断面図を示している。オプトエレクトロニクス半導体チップ１００は、露出した接続面１００ｂを有し、この接続面１００ｂを介してオプトエレクトロニクス半導体チップ１００に導電接続してチップ１００を動作させることができる。上面１００ａおよび横側面１００ｃ（オプトエレクトロニクス半導体チップ１００の接続面１００ｂと上面１００ａを互いに結合している）は、第１のポッティング体２１によって覆われている。オプトエレクトロニクス半導体チップ１００は、特に、これらの表面において第１のポッティング体２１に機械的に直接接触している。第１のポッティング体２１の底面２１ｂは、半導体チップ１００の接続面１００ｂと揃っている。オプトエレクトロニクス半導体チップ１００とは反対側の第１のポッティング体２１の面には、第２のポッティング体２２が配置されている。第２のポッティング体２２は、半導体チップ１００とは反対側の第１のポッティング体の面を完全に覆っており、かつこれらの面に直接接触している。第２のポッティング体２２の底面２２ｂは、第１のポッティング体２１の底面２１ｂと揃っている。第２のポッティング体２２の上面２２ａは、凸状に湾曲している。
【００６４】
第１のポッティング体２１は、例えば、ポリマー材料（特にシリコーン）および変換剤を含む。変換剤は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１００の通常の使用時に生成される電磁放射を、より長い波長領域の放射に変換する。変換剤は、例えば蛍光体の粒子を含む、または蛍光体の粒子からなることができる。第１のポッティング体２１は透明ではない。
【００６５】
第２のポッティング体２２は、例えばポリマー材料（特にシリコーン）を含む。第２のポッティング体２２は透明である。したがって第２のポッティング体２２は、上面２２ａの凸状曲率により、光学レンズの効果を有する。
【００６６】
図３は、第２の例示的な実施形態に係る、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品の概略断面図を示している。このオプトエレクトロニクス部品は、図２のオプトエレクトロニクス部品と同様に、オプトエレクトロニクス半導体チップ１００と、第１のポッティング体２１と、第２のポッティング体２２とを備えている。これに加えて、このオプトエレクトロニクス部品はキャリア１０を備えており、キャリア１０は、接続面１００ｂと、第１のポッティング体２１の底面２１ｂおよび第２のポッティング体２２の底面２２ｂ（これらの底面は接続面１００ｂと揃っている）とに配置されている。キャリア１０は、例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップ１００との電気的接触を形成してチップ１００を動作させるための電気導体トラックおよび接触構造を備えていることができる。キャリアは、特に、プリント基板（ＰＣＢ）、メタルコア基板、またはセラミック基板である。
【００６７】
図４は、本オプトエレクトロニクス部品の製造時における、キャリア１０に面する側からの第１のマスク３１および第２のマスク３２の概略平面視を示している。第１のマスク３１は正方形の凹部３１１を有し、これらの凹部３１１は、第１のマスク３１の主延在面に垂直に第１のマスク３１を完全に貫いている。第１のマスク３１の凹部３１１は、第１のマスク３１の主延在面において、規則的な格子の格子点に配置されている。第２のマスク３２は円形の凹部３２１を有し、これらの凹部３２１は、第２のマスク３２の主延在面に垂直に第２のマスク３２を完全に貫いている。第２のマスク３２の凹部３２１は、第２のマスクの主延在面に沿って、規則的な格子の格子点に配置されている。第１のマスク３１の凹部３１１と第２のマスク３２の凹部３２１は、第１のマスク３１の凹部３１１の各輪郭が、横平面において第２のマスク３２の凹部３２１の輪郭によって完全に囲まれるように、配置されている。横平面とは、第１のマスク３１および第２のマスク３２の主延在方向に平行に延びる平面である。
【００６８】
第１のマスク３１は、第２のマスク３２を第１のマスク３１に挿入するために設けられている領域を有する。挿入された状態では、第１のマスク３１と第２のマスク３２は、キャリア１０の側の面において互いに揃っている。この実施形態では、第１のマスク３１の凹部３１１の輪郭と、第２のマスク３２の凹部３２１の輪郭は、互いに相似ではない。
【００６９】
図５は、第１のマスク３１および第２のマスク３２の代替実施形態の概略平面図を示している。図４に示した、第１のマスク３１および第２のマスク３２の例示的な実施形態とは異なり、この例示的な実施形態では、第１のマスク３１の凹部３１１の輪郭と、第２のマスク３２の凹部３２１の輪郭とが、互いに相似である。
【００７０】
図６Ａは、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品１の例示的な実施形態の上面の概略平面図を示しており、オプトエレクトロニクス部品１はキャリア１０および多数の半導体チップ１００を備えている。これらの半導体チップ１００は、横平面においてキャリア１０の表面上に直線に沿って配置されており、各半導体チップ１００は、図３に示したように第１のポッティング体２１および第２のポッティング体２２によって覆われている。
【００７１】
キャリア１０は、導体トラックおよび接触構造を備えており、これらによって半導体チップ１００に導通状態に接触して半導体チップ１００を動作させることができる。これに加えて、キャリア１０は、オプトエレクトロニクス部品１の機械的荷重支持要素（mechanically load-bearing component）である。より具体的には、キャリア１０の上に第１のポッティング体２１および第２のポッティング体２２を作製する。次いで、意図されているようにキャリアを切断し、したがって６個の半導体チップ１００を有するオプトエレクトロニクス部品１が作製された。
【００７２】
図６Ｂは、さらなる実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品１の上面の概略平面図を示している。この実施形態は図６Ａの実施形態とは異なり、オプトエレクトロニクス部品１が、規則的な格子に沿って配置されている２４個の半導体チップ１００の長方形配列を含むように、キャリア１０が切断されている。
【００７３】
図６Ｃは、さらなる例示的な実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品１の上面の概略平面図を示している。この実施形態では、図６Ａの実施形態との本質的な相違点として、オプトエレクトロニクス部品１が１２個の半導体チップ１００のＦ形状の配列を備えているように、キャリア１０が切断されている。
【００７４】
図６Ｄは、さらなる例示的な実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品１の上面の概略平面図を示している。この実施形態では、図６Ａの実施形態との本質的な相違点として、オプトエレクトロニクス部品１が９個の半導体チップ１００の十字形状の配列であるように、キャリア１０が切断されている。
【００７５】
これに代えて、オプトエレクトロニクス部品１は、その主延在面に沿った別の輪郭（それに沿ってキャリア１０が分離される）を有することができる。
【００７６】
一般には、適切な分離によって、本明細書に記載されている部品を、例えば文字、記号、または絵文字を模倣するさまざまな形態において実施することが可能である。
【００７７】
本発明は、その実施形態に基づく説明によって制限されない。むしろ本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せ（特に特許請求項における特徴の任意の組合せを含む）を包含しており、これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が特許請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【関連出願】
【００７８】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１６１０８９３１．１号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照により本明細書に組み込まれている。
【符号の説明】
【００７９】
１  オプトエレクトロニクス部品
１０  キャリア
１００  半導体チップ
１００ａ  半導体チップの上面
１００ｂ  半導体チップの接続面
１００ｃ  半導体チップの横側面
２１  第１のポッティング体
２１ｂ  第１のポッティング体の底面
２２  第２のポッティング体
２２ａ  第２のポッティング体の上面
２２ｂ  第２のポッティング体の底面
３１  第１のマスク
３１１  第１のマスクにおける凹部
３２  第２のマスク
３２１  第２のマスクにおける凹部
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
2019523544.tif 000013
【図６Ｂ】
2019523544.tif 000014
2019523544.tif 000015
【図６Ｃ】
2019523544.tif 000016
2019523544.tif 000017
【図６Ｄ】
2019523544.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月5日(2018.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス部品であって、
−  接続面（１００ｂ）と、前記接続面（１００ｂ）とは反対側の上面（１００ａ）と、前記接続面（１００ｂ）と前記上面（１００ａ）とを互いに結合している横側面（１００ｃ）とを有するオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）と、
−  第１のポッティング体（２１）と、
−  第２のポッティング体（２２）と、
を備えており、
−  前記第１のポッティング体が、前記半導体チップのすべての横側面および前記上面を覆っており、
−  前記第１のポッティング体（２１）が、前記半導体チップ（１００）の前記接続面（１００ｂ）と揃っている底面（２１ｂ）、を有し、
−  前記第２のポッティング体（２２）が、前記第１のポッティング体（２１）の前記底面（２１ｂ）と揃っている底面（２２ｂ）、を有し、
−  前記第２のポッティング体（２２）が、前記半導体チップ（１００）とは反対側の前記第１のポッティング体（２１）の前記横側面（１００ｃ）すべてを完全に覆っており、
−  前記接続面（１００ｂ）とは反対側の前記第２のポッティング体（２２）の上面（２２ａ）が凸状に湾曲しており、
−  前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）が、露出した電気的接触面であって、前記半導体チップ（１００）が前記電気的接触面を介して電気的に接続可能かつ動作可能である、前記露出した電気的接触面、を前記接続面（１００ｂ）にのみ有する、
オプトエレクトロニクス部品。
【請求項２】
前記オプトエレクトロニクス部品が、前記第１のポッティング体（２１）と前記第２のポッティング体（２２）とに部分的に直接接触しているキャリア（１０）、を備えており、前記キャリア（１０）が、結合剤なしに前記第１のポッティング体（２１）および前記第２のポッティング体（２２）に結合されている、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項３】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）と、前記第１のポッティング体（２１）と、前記第２のポッティング体（２２）とが、前記オプトエレクトロニクス部品の下面において自由にアクセス可能である、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項４】
前記第２のポッティング体（２２）が透明である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項５】
前記第１のポッティング体（２１）が前記半導体チップ（１００）に直接接触している、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項６】
前記第１のポッティング体（２１）と前記第２のポッティング体（２２）が、結合剤なしに互いに結合されている、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項７】
前記第１のポッティング体（２１）および前記第２のポッティング体（２２）が、横平面において相似ではない輪郭を有する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項８】
オプトエレクトロニクス部品を製造する方法であって、以下のステップ、すなわち、
−  キャリア（１０）を設けるステップと、
−  前記キャリア（１０）の上に第２のマスク（３２）を配置するステップと、
−  前記第２のマスク（３２）を第１のマスク（３１）が覆うように、前記キャリア（１０）の上に前記第１のマスク（３１）を配置するステップと、
−  前記第１のマスク（３１）の凹部（３１１）の中、前記キャリア（１０）の上に、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）を配置するステップと、
−  前記第１のマスク（３１）の前記凹部（３１１）の中に第１の封止剤を塗布して第１のポッティング体（２１）を形成するステップと、
−  前記第１のマスク（３１）を除去するステップと、
−  前記第２のマスク（３２）の凹部（３２１）の中に第２の封止剤を塗布して第２のポッティング体（２２）を形成するステップと、
−  前記第２のマスク（３２）を除去するステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）が、前記第２のポッティング体（２２）のための前記第２のマスク（３２）の格子構造によって形成された溝の少なくともいくつかに沿って分離される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャリア（１０）が除去される、請求項８から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のマスク（３１）における前記凹部（３１１）が、前記第２のマスク（３２）における前記第凹部（３２１）と相似ではない、請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
液体状態における前記第２の封止剤が、前記第２のマスク（３２）の材料に対して非濡れ性である、請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のマスク（３１）は、前記第２のマスク（３２）を挿入することができる領域を有する、
請求項８から請求項１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品が製造される、請求項８から請求項１３のいずれか１項に記載の方法。
【国際調査報告】
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