(57)【要約】  アレイ基板、表示装置及び製造方法が提供される。アレイ基板は、ベース基板（１００）及び前記ベース基板（１００）上に設置された画素アレイ構造を備え、前記画素アレイ構造は、光漏れ又は反射を回避できることによって表示装置の開口率を向上させる遮光材料（１１５）で製造された少なくとも１層の遮光層を備える。
2019517009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板であって、ベース基板及び前記ベース基板上に設置された画素アレイ構造を備え、
前記画素アレイ構造は遮光材料で製造された少なくとも１層の遮光層を備える、アレイ基板。
【請求項２】
前記画素アレイ構造はさらに薄膜トランジスタを備え、前記薄膜トランジスタは活性層パターンを備え、前記遮光層は少なくとも前記活性層パターンに対応するように設置される、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記画素アレイ構造はさらにソース・ドレイン金属層パターンを備え、前記ソース・ドレイン金属層パターンは前記薄膜トランジスタのソース及びドレインとデータラインを備え、
前記ソース・ドレイン金属層パターンの前記ベース基板から離れた表面の少なくとも一部に前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項１又は２に記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記ソース・ドレイン金属層パターンの前記ベース基板に近い表面の少なくとも一部にさらに、前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項３に記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記遮光材料のパターンと前記ソース・ドレイン金属層パターンは前記ベース基板の厚さ方向において互いに重なる、請求項３又は４に記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記画素アレイ構造はさらに共通電極を備え、
前記共通電極の前記ベース基板から離れた表面に前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項１又は２に記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記画素アレイ構造はさらに平坦層及び前記共通電極と絶縁される画素電極を備え、
前記画素電極は前記共通電極と前記平坦層を貫通する第１ビアホールを介して前記ドレインに接続される、請求項６に記載のアレイ基板。
【請求項８】
前記画素アレイ構造はさらに画素電極を備え、
前記画素電極の前記ベース基板から離れた表面に前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項１又は２に記載のアレイ基板。
【請求項９】
前記画素アレイ構造はさらに、前記ソース・ドレイン金属層パターンと前記画素電極との間に設置された平坦層を備え、
前記画素電極は前記平坦層を貫通するビアホールを介して前記ドレインに接続される、請求項８に記載のアレイ基板。
【請求項１０】
前記画素アレイ構造はさらに平坦層を備え、
前記平坦層の前記ベース基板から離れた表面に前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項１又は２に記載のアレイ基板。
【請求項１１】
前記画素アレイ構造はさらにゲート金属層パターンを備え、
前記ゲート金属層パターンの前記ベース基板から離れた表面に前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項１又は２に記載のアレイ基板。
【請求項１２】
前記ゲート金属層パターンの前記ベース基板に近い表面にさらに、前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項１１に記載のアレイ基板。
【請求項１３】
前記ゲート金属層パターンは、前記薄膜トランジスタのゲート、ゲートライン及び共通電極ラインを備える、請求項１１に記載のアレイ基板。
【請求項１４】
前記画素アレイ構造はさらに、ゲートライン、データライン、画素電極及び共通電極を備え、前記共通電極と前記画素電極は互いに絶縁され且つ同一層又は異なる層に位置し、前記共通電極及び／又は前記画素電極は前記ゲートライン及び／又はデータラインに被覆されている、請求項１又は２に記載のアレイ基板。
【請求項１５】
前記遮光材料は酸化モリブデンである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のアレイ基板。
【請求項１６】
前記画素アレイ構造はさらにカラーフィルタ層を備え、前記カラーフィルタ層は複数のカラーフィルタユニットを備える、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のアレイ基板。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載のアレイ基板を備える表示装置。
【請求項１８】
アレイ基板の製造方法であって、
ベース基板を提供するステップと、
前記ベース基板上に画素アレイ構造を形成するステップとを含み、
前記画素アレイ構造は、遮光材料で製造された少なくとも１層の遮光層を備える、アレイ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記画素アレイ構造はさらに薄膜トランジスタを備え、前記薄膜トランジスタは活性層パターンを備え、前記遮光層は少なくとも前記活性層パターンに対応するように設置される、請求項１８に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記画素アレイ構造はソース・ドレイン金属層パターンを備え、
前記ソース・ドレイン金属層パターンの前記ベース基板から離れた一側の少なくとも一部の表面に遮光材料が形成されて前記遮光層を提供する、請求項１８又は１９に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２１】
前記画素アレイ構造はさらに共通電極を備え、
前記共通電極の前記ベース基板から離れた表面に前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項１８又は１９に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２２】
前記画像アレイ構造はさらに画素電極を備え、
前記画素電極の前記ベース基板から離れた表面に前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項１８又は１９に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２３】
前記画素アレイ構造はさらに平坦層を備え、
前記平坦層の前記ベース基板から離れた表面に前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項１８又は１９に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２４】
前記画素アレイ構造はさらにゲート金属層パターンを備え、
前記ゲート金属層パターンの前記ベース基板から離れた表面に前記遮光材料が設置されて前記遮光層を提供する、請求項１８又は１９に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２５】
前記遮光材料は酸化モリブデンである、請求項１８〜２４のいずれか１項に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２６】
前記画素アレイ構造はさらにカラーフィルタ層を備え、前記カラーフィルタ層は複数のカラーフィルタユニットを備える、請求項１８〜２４のいずれか１項に記載のアレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施例は、アレイ基板、表示装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイパネルは、一般的にアレイ基板とカラーフィルタ基板をセル化してなる。アレイ基板に設置された金属電極／導線は、通電すると横電界が発生し、このような電界により該金属電極／導線に隣接する液晶の偏向を不規則にして、ディスプレイパネルの光漏れ現象を引き起こす。金属電極／導線に生じた横電界によるディスプレイパネルの光漏れを防止するために、一般的に、カラーフィルタ基板側にブラックマトリックスを設置することにより、金属電極／導線に生じた横電界に起因する光漏れを防止するとともに、外光によるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）チャネルのリーク電流への影響を回避する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
カラーフィルタ基板とアレイ基板をセル化する時に、一定のずれが発生する可能性があるため、ブラックマトリックスの寸法は一般的にやや大きく設計されて、ディスプレイパネルの開口率が低下してしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の一態様は、ベース基板及び前記ベース基板上に設置された画素アレイ構造を備え、前記画素アレイ構造が遮光材料で製造された少なくとも１層の遮光層を備えるアレイ基板を提供する。
【０００５】
本開示の別の態様は、上記アレイ基板を備える表示装置を提供する。
【０００６】
本開示の更に別の態様は、ベース基板を提供するステップと、前記ベース基板上に画素アレイ構造を形成するステップとを含むアレイ基板の製造方法を提供する。前記画素アレイ構造は、遮光材料で製造された少なくとも１層の遮光層を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示の実施例の技術案をより明確に説明するために、以下、実施例の図面を簡単に説明するが、勿論、以下で説明される図面は本開示の一部の実施例に関するものに過ぎず、本開示を制限するものではない。
【０００８】
【図１ａ】本開示の一実施例に係るアレイ基板の上面模式図である。
【図１ｂ】図１ａのアレイ基板のＡ−Ａ１線矢視断面模式図である。
【図１ｃ】図１ａのアレイ基板のＢ−Ｂ１線矢視断面模式図である。
【図２】本開示の別の実施例に係るアレイ基板の共通電極のＴＦＴチャネル領域に対応する位置に遮光材料が設置された場合の模式図である。
【図３】本開示の別の実施例に係るアレイ基板の画素電極のＴＦＴチャネル領域に対応する位置に遮光材料が設置された場合の模式図である。
【図４】本開示の別の実施例に係るアレイ基板の平坦層のＴＦＴチャネル領域に対応する位置に遮光材料が設置された場合の模式図である。
【図５】本開示の別の実施例に係るアレイ基板のゲート金属層に遮光材料が設置された場合の模式図である。
【図６】本開示の別の実施例に係るアレイ基板のゲート金属層パターンのベース基板に近い一側に遮光材料が設置された場合の模式図である。
【図７】本開示の別の実施例に係るＣＯＡアレイ基板の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示の目的、技術案及び利点をより明瞭にするために、以下、本開示の実施例の図面をもって、本開示の実施例の技術案を明瞭且つ完全に説明する。勿論、説明される実施例は全部の実施例ではなく、本開示の一部の実施例だけである。説明される本開示の実施例に基づき、当業者が創造的な労働を必要とせずに想到し得る他の実施例はすべて本開示の保護範囲に属する。
【００１０】
ディスプレイパネルにおいて、ブラックマトリックスは一般的にカラーフィルタ基板側に設置される。ブラックマトリックスの設置位置は、金属電極／導線が生じた横電界によって該金属電極／導線に隣接する液晶分子偏向を不規則にすることに起因する光漏れを回避するように、アレイ基板の金属電極／導線の上方を含んでもよく、また、光がＴＦＴのチャネル領域に照射することに起因するリーク電流の発生を防止するように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）チャネル領域の上方を含んでもよい。アレイ基板とカラーフィルタ基板をセル化してディスプレイパネルを形成する時、アレイ基板とカラーフィルタ基板の相対的な位置は一定のずれが発生する可能性がある。したがって、一般的にブラックマトリックスの寸法を大きく設計することで、セル化ずれによる悪影響を解消する。その一方で、ブラックマトリックスの寸法は大きい冗余設計を用いると、ディスプレイパネルの開口率を低下させてしまう。
【００１１】
本開示の一態様の実施例は、ベース基板及び前記ベース基板上に設置された画素アレイ構造を備え、該画素アレイ構造が遮光材料で製造された少なくとも１層の遮光層を備えるアレイ基板を提供する。たとえば、画素アレイ構造はさらに薄膜トランジスタを備え、前記薄膜トランジスタは活性層パターンを備え、該遮光層は少なくとも前記活性層パターンに対応するように設置され、たとえば、ベース基板に垂直である方向において、該遮光層は少なくとも一部の活性層パターンのチャネル領域又は活性層パターン全体を被覆するように設置されて、該遮光層を活性層パターンに対応するようにする。
【００１２】
たとえば、前記画素アレイ構造はソース・ドレイン金属層パターンを備え、前記ソース・ドレイン金属層パターンは薄膜トランジスタのソース及びドレインとデータラインを備え、前記ソース・ドレイン金属層パターンのベース基板から離れた表面の少なくとも一部に遮光材料が設置されて遮光性を提供する。
【００１３】
たとえば、画素アレイ構造はさらに、ゲート金属層パターン、共通電極、画素電極等を備えてもよく、該ゲート金属層パターン、共通電極、画素電極のうちの少なくとも１つのベース基板から離れた表面の少なくとも一部に遮光材料が設置されて遮光層を提供する。
【００１４】
該遮光層は、それに入射した光を遮光したり、それに照射した光の反射を弱めたりすることができるため、これら光による表示効果への影響を低減させ、特にこれら光による薄膜トランジスタの活性層のチャネル領域への影響を低減させ、それによって、薄膜トランジスタの特性を改善し、表示効果を向上させる。
【００１５】
たとえば、遮光材料は、たとえば少なくともソース・ドレイン金属層のベース基板から離れた表面に設置される。たとえば、ソース・ドレイン金属層パターンの該側表面全体に遮光材料が設置されてもよく、又はたとえば、ソース・ドレイン金属層の該側表面の一部に遮光材料が設置されてもよい。たとえば、データラインのベース基板から離れた一側に設置された遮光材料は、データラインの短手方向における寸法がデータラインの幅と同じである。たとえば、一部のデータラインは、ベース基板から離れた一側に遮光材料が設置されるのに対して、別の一部のデータラインは、ブラックマトリックスを設置して光漏れを回避してもよく、たとえばカラーフィルタ基板側にブラックマトリックスが設置される。該遮光材料の設置方式は、たとえばソース・ドレイン金属層のベース基板側から離れた表面に堆積又はスパッタリングすることである。
【００１６】
（実施例１）
図１ａは、本開示の一実施例に係るアレイ基板の１つの画素ユニット（サブ画素）の上面模式図である。図１ａに示すように、アレイ基板の各画素ユニットは互いに交差しているゲートライン１０２とデータライン１０７により画定され、ゲートライン１０２とデータラインの交差位置付近にスイッチ素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設置される。たとえば、ＴＦＴのソース１０８はデータライン１０７に接続され、ドレイン１０９は画素電極１４０に接続される。たとえば、共通電極ライン１０１とゲートライン１０２は同一層に位置するとともに、互いに平行に延伸する。
【００１７】
なお、図１ａは画素ユニットの構造を模式的に示し、たとえば画素電極はくし状電極である。ただし、本開示はそれに制限されず、たとえば、画素電極はブロック状電極又は他の形状の電極であってもよい。
【００１８】
図１ｂは図１ａのアレイ基板のＡ−Ａ１線矢視断面模式図である。図１ｃは図１ａのアレイ基板のＢ−Ｂ１線矢視断面模式図である（同様に、図２−図７に示すアレイ基板の断面模式図の切断線方向もＢ−Ｂ１であり、ここで一括して説明する）。
【００１９】
図１ｂと図１ｃに示すように、アレイ基板は、ベース基板１００及びベース基板１００上に設置された画素アレイ構造を備える。画素アレイ構造は、ゲートラインとゲートラインに接続されたゲート１０３を備えるゲート金属層パターンと、ゲート金属層パターン上に被覆されたゲート絶縁層と、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）チャネル領域としての部分１０４を備える活性層パターンと、データライン１０７、データライン１０７に接続されたソース１０８、画素電極１４０に接続されたドレイン１０９を備えるソース・ドレイン金属層パターンとを備える。
【００２０】
該画素アレイ構造では、たとえば、ゲート金属層パターンはさらに共通電極ライン１０１を備えてもよい。また、たとえば、活性層パターンはさらにデータラインの下に位置する部分１１４を備えてもよい。
【００２１】
図１ｂと図１ｃに示すように、ソース・ドレイン金属層パターンのベース基板１００から離れた一側に遮光材料１１５が設置されて遮光層を提供する。該遮光材料は、ソース・ドレイン金属層による光漏れ又は反射を防止して、さらに表示装置の開口率を高めることができる。
【００２２】
本実施例の一例では、図１ｃに示すように、上記のように、画素アレイ構造は、ベース基板とソース・ドレイン金属層パターンとの間に活性層パターンを備え、該活性層パターンは薄膜トランジスタのソース１０８とドレイン１０９との間に位置するチャネル領域１０４を備え、すなわち、チャネル領域は、ソース１０８及びドレイン１０９の分布に対応した活性層のソース領域とドレイン領域の間に位置し、それによって、該チャネル領域に対応したゲートに導通電圧が印加されると、該チャネル領域１０４はＴＦＴのソースとドレインを導通することができる。
【００２３】
本実施例の一例では、たとえば、前記遮光材料のパターンと前記ソース・ドレイン金属層パターンは前記ベース基板の厚さ方向において互いに重なる。つまり、ソース・ドレイン金属層パターンのベース基板から離れた一側に遮光材料が設置され、それにより、たとえばデータライン等による光漏れを効果的に解消する。
【００２４】
本実施例の一例では、たとえば、前記画素アレイ構造はさらに共通電極１３０を備えてもよい。共通電極１３０は少なくともデータライン１０７及び薄膜トランジスタ上に被覆されることで、データライン１０７に生じた漂遊電界を遮蔽する。さらに、同様に、共通電極１３０はゲートライン１０１上に被覆されてもよく、それによりゲートライン１０１に生じた漂遊電界を遮蔽する。
【００２５】
該画素アレイ構造において、ゲート金属層パターンはベース基板１００上に形成され、ゲート絶縁層１２０はゲート金属層パターン上に被覆され、活性層パターンとソース・ドレイン金属層パターンはゲート絶縁層１２０に形成され、平坦層１１０は活性層パターンとソース・ドレイン金属層パターン上に被覆され、共通電極１３０は平坦層１１０上に形成され、層間絶縁層１５０は共通電極１３０上に被覆され、画素電極１４０は層間絶縁層１５０上に設置されている。たとえば、平坦層１１０と層間絶縁層１５０は同じ無機又は有機絶縁材で製造されてもよい。該実施例の例では、共通電極１３０と画素電極１４０は同一層に設置されないことにより、ＡＤＳ（アドバンスドスーパーディメンションスイッチ）モードアレイ基板が得られるが、本開示はそれに制限されず、たとえば共通電極と画素電極は同一層に位置してもよく、この場合は、ＩＰＳ（面内スイッチ）モードアレイ基板が得られる。
【００２６】
（実施例２）
図２は本開示の別の実施例に係るアレイ基板の共通電極のＴＦＴチャネルと対応する領域に遮光材料が被覆された場合の模式図である。
【００２７】
図２に示すように、ベース基板１００上にゲート金属層パターン、ゲート絶縁層１２０、活性層パターン、ソース・ドレイン金属層パターン、共通電極１３０、層間絶縁層１５０及び画素電極１４０が設置されている。活性層パターンは、チャネル領域１０４を備え、共通電極１３０のベース基板１００から離れ且つチャネル領域１０４に対応した表面に遮光材料１１５が設置されて遮光層を提供する。ＴＦＴチャネル領域に光が照射されると、リーク電流が発生するため、表示効果に悪影響を与える。共通電極のベース基板から離れた表面に遮光材料が設置されて遮光層を提供し、該遮光層は少なくともＴＦＴチャネル領域に対応し、たとえばベース基板に垂直である方向においてＴＦＴチャネル領域又は活性層パターン全体を被覆することによって、光のＴＦＴチャネル領域への照射を防止し、表示装置の表示効果が確保できる。
【００２８】
本実施例の一例では、図２に示すように、前記画素アレイ構造はさらに平坦層１１０、前記共通電極１３０と絶縁される画素電極１４０、及び共通電極１３０と画素電極１４０との間の層間絶縁層１５０を備えてもよく、画素電極１４０は、共通電極１３０上に位置する場合、層間絶縁層１５０、共通電極１３０及び前記平坦層１１０を貫通する第１ビアホールを介して、たとえばＴＦＴのドレインに接続できる。
【００２９】
該実施例の一例では、共通電極１３０と画素電極１４０は同一層に設置されていないが、本開示はそれに制限されず、たとえば共通電極と画素電極は同一層に位置してもよい。また、共通電極１３０のベース基板１００から離れ且つＴＦＴチャネル領域１０４に対応する表面に遮光材料１１５が設置されて遮光層を提供する。たとえば、該遮光材料１１５はベース基板の厚さ方向においてソース・ドレインの少なくとも一部と重なることで、ソース・ドレインをより確実に保護する。たとえば、光漏れをより確実に防止するために、共通電極１３０のベース基板１００から離れ且つソース・ドレイン金属層パターンに対応する表面に遮光材料を設置して遮光層を提供してもよい。画素電極１４０は、層間絶縁層１５０、遮光材料１１５、共通電極１４０、平坦層１１０及びドレイン１０９のベース基板１００から離れた一側に被覆された遮光材料１１５を貫通する第１ビアホール１１７を介してドレイン１０９に接続される。
【００３０】
通常、ソース・ドレイン金属層上に平坦層が設置され、たとえば、該平坦層の材料はポリエステル、ポリ塩化ビニル等の有機材料であってもよい。本実施例において、該平坦層は、たとえば、ソース・ドレイン金属層と共通電極を絶縁し、及びソース・ドレイン金属層上に被覆されて平坦な表面を形成して、続く工程を実施しやすくするという役割を果たす。平坦層上に、たとえば、共通電極と画素電極は同一平面に形成されても、異なる平面に形成されてもよく、異なる電圧が印加されて、共通電極と画素電極との間に液晶分子運動を駆動するための電界を形成する。たとえば、図示するとおり、画素電極１４０は共通電極１３０上に設置される。画素電極はソース・ドレイン金属層に位置するドレインに電気的に接続される必要があるため、層間絶縁層及び平坦層のドレインに対応する位置に接続用ビアホールが設置される。同様に、必要があれば、共通電極のドレインに対応した位置に平坦層中の接続用ビアホールと連通する接続用ビアホールを備えてもよく、又は、共通電極は接続用ビアホールの位置以外に形成され、すなわち、接続用ビアホールの位置に形成されないようにする。画素電極は、該接続用ビアホールを介してドレインに電気的に接続される。
【００３１】
画素電極とドレインの電気的接続は、たとえば下記手段により実現できる。層間絶縁層、共通電極及び平坦層を貫通する第１ビアホールが形成された後、画素電極形成用のＩＴＯを堆積する。ＩＴＯ層が堆積されると、ＩＴＯ材料は第１ビアホール内に入り、それにより画素電極とＴＦＴドレインの電気的接続を実現する。
【００３２】
本実施例の一例では、前記平坦層の材料は有機材料である。上記のように、平坦層の材料はポリ塩化ビニルであってもよく、たとえば、他の絶縁性有機材料であってもよい。
【００３３】
（実施例３）
図３は、本開示の別の実施例に係るアレイ基板の画素電極のＴＦＴチャネルに対応する領域に遮光材料が被覆された場合の模式図である。
【００３４】
図３に示すように、ベース基板１００上にゲート金属層パターン、ゲート絶縁層、活性層パターン、ソース・ドレイン金属層パターン、共通電極１３０及び画素電極１４０が設置されている。本実施例では、前記画素電極１４０の前記ベース基板から離れ且つ前記チャネル領域に対応する位置にも、遮光材料１１５が設置されて遮光層を提供する。上記のように、ＴＦＴのチャネル領域はリーク電流の発生を防止するように遮断される必要があるため、画素電極のベース基板から離れ且つチャネル領域に対応する表面に遮光材料を設置することができ、たとえば、ベース基板に垂直である方向において、該遮光層は少なくとも活性層パターンのチャネル領域の一部又は活性層パターン全体を被覆するように設置される。たとえば、画素電極パターンを形成する時、ＴＦＴチャネル領域に対応する位置に画素電極パターンを残して、該部分の画素電極パターン上に遮光材料を設置し、ＴＦＴチャネル領域を効果的に保護する。たとえば、さらに画素電極のソース・ドレイン金属層パターンに対応する表面に遮光材料を設置して遮光層を提供することで、ソース・ドレイン金属層による光漏れをより効果的に遮断してもよい。
【００３５】
本実施例の一例では、前記画素アレイ構造はさらに前記ソース・ドレイン金属層パターンと前記画素電極との間に設置された平坦層、層間絶縁層を備え、前記画素電極は前記平坦層、層間絶縁層を貫通するビアホールを介して前記ドレインに電気的に接続される。図示のとおり、画素電極１４０と共通電極１３０は異なる層に設置され、画素電極１４０がベース基板から離れた一側にあり、たとえば、画素電極はベース基板に近い一側に設置され、共通電極はベース基板から離れた層上に設置されてもよい。画素電極と共通電極がこのように設置される場合、画素電極と層間絶縁層は隣接するようになる。したがって、画素電極は層間絶縁層と平坦層を貫通するビアホールを介してＴＦＴのドレインに電気的に接続できる。
【００３６】
（実施例４）
本開示の更に別の実施例では、平坦層の前記ベース基板から離れ且つ前記チャネル領域に対応する表面に遮光材料が設置されている。図４は本開示の一実施例に係るアレイ基板の平坦層のＴＦＴチャネル領域に対応する領域に遮光材料が設置された場合の模式図である。図４に示すように、ベース基板１００上にゲート金属層パターン、ゲート絶縁層、活性層パターン、ソース・ドレイン金属層パターン、平坦層１１０、共通電極１３０及び画素電極１４０が設置されている。ソース・ドレイン金属層パターン（ＴＦＴのソース１０８、ドレイン１０９及びデータライン１０７を備える）のベース基板１００から離れた表面に遮光材料１１５が設置されて遮光層を提供し、平坦層１１０は遮光材料１１５及びソース・ドレイン金属層パターン上に被覆され、たとえば、ベース基板に垂直である方向において、該遮光層は少なくとも活性層パターンのチャンネル領域の一部又は活性層パターン全体を被覆するように設置される。活性層パターンはチャネル領域１０４を備え、平坦層１１０のベース基板１００から離れ且つチャネル領域１０４に対応する表面に遮光材料１１５が設置されて遮光層を提供する。たとえば、上記のように、光漏れをより確実に防止するために、該遮光材料１１５はベース基板１００の厚さ方向においてＴＦＴソース・ドレインの少なくとも一部と重なり、及び／又はソース・ドレイン金属層パターンと互いに重なってもよい。平坦層１１０のベース基板から離れ且つＴＦＴチャネルに対応する表面に遮光材料を設置することにより、ＴＦＴチャネル領域を保護するとともにリーク電流の発生を防止するという役割を果たす。
【００３７】
（実施例５）
本開示の更に別の実施例では、ゲート金属層パターンの前記ベース基板から離れた表面に遮光材料が設置される。ゲート金属層パターンはたとえば、ゲートライン、ゲートラインに接続されたゲート、及び共通電極ライン等を備えてもよく、これら金属電極／導線に通電すると生じた電界は、液晶分子偏向を不規則にして、更に光漏れを引き起こす可能性がある。
【００３８】
図５は本開示の実施例に係るアレイ基板においてゲート金属層に遮光材料が設置された場合の模式図である。図５に示すように、アレイ基板は、ベース基板１００、順にベース基板１００上に設置されたゲート金属層パターン、ゲート絶縁層、ソース・ドレイン金属層パターン、平坦層、共通電極１３０及び画素電極１４０を備える。図中、ソース・ドレイン金属層パターンのベース基板１００から離れた表面に遮光材料１１５が設置されて遮光層を提供し、同時に、ゲート金属層パターンのベース基板から離れた表面にも遮光材料が設置されて遮光層を提供する。たとえば、ゲート金属層パターンはゲートライン、ゲートラインに接続されたゲート１０３、及び共通電極ライン１０１を備え、さらにゲートライン、ゲート及び共通電極ラインのベース基板から離れた表面に遮光材料が設置されている。すなわち、ゲート金属層パターンのベース基板側から離れた表面全体に遮光材料が設置されて遮光層を提供する。ゲート金属層パターン上に遮光材料を設置することにより、さらに光漏れの発生を防止して、ＴＦＴチャネル領域を保護し、表示装置の開口率を向上させることができる。
【００３９】
本実施例の一例では、たとえば、前記ゲート金属層パターンの前記ベース基板に近い表面にも、さらに遮光材料が設置されて遮光層を提供してもよい。図６は本開示の実施例に係るアレイ基板においてゲート金属層パターンのベース基板に近い表面にも遮光材料が設置された場合の模式図である。
【００４０】
図６に示すように、アレイ基板は、ベース基板１００、順にベース基板１００上に設置されたゲート金属層パターン、ゲート絶縁層、ソース・ドレイン金属層パターン、平坦層、共通電極１３０及び画素電極１４０を備える。図中、ソース・ドレイン金属層パターンのベース基板１００から離れた表面に遮光材料１１５が設置されるとともに、ゲート金属層パターンのベース基板１００に近い表面にも遮光材料１１５が設置されて遮光層を提供する。たとえば、図示のとおり、ソース・ドレイン金属層パターンのベース基板１００から離れた表面に遮光材料１１５が設置され、ＴＦＴチャネル領域に対応する位置に、チャネル領域を遮断するための遮光材料１１５が設置され、且つゲート金属層パターンのベース基板１００側から離れた表面及びベース基板１００側に近い表面のいずれにも遮光材料１１５が設置されている。それによって、表示装置の光漏れをより確実に防止して、光のＴＦＴチャネル領域への照射を防止し、表示装置の開口率を向上させる。
【００４１】
なお、液晶表示装置は通常バックライトを備え、ソース・ドレイン金属層とゲート金属層の製造材料、たとえばアルミ又はアルミ合金、銅又は銅合金等は、高反射性を有する。したがって、バックライトから発光する光はアレイ基板において複数回の反射と屈折が発生し、下記問題を引き起こす。これら反射と屈折された光は、各方向からＴＦＴチャネルに照射される可能性があって、リーク電流を発生させる一方、これら反射と屈折された光は、ブラックマトリックスが遮断していない部分で光漏れを発生させる可能性もあって、表示効果に影響を与える。ゲート金属層のベース基板に近い一側及びベース基板から離れた一側にいずれも遮光材料を設置することで、光の反射を効果的に低減させ、ＴＦＴチャネルリーク電流の発生を回避又は減少させ、さらに光漏れ現象を低減させ、表示効果を向上させることができる。
【００４２】
本実施例の一例では、たとえば、前記ゲート金属層パターンはゲートラインと共通電極ラインを備える。
【００４３】
本実施例の一例では、たとえば、前記画素アレイ構造はさらに共通電極を備え、前記共通電極は第２ビアホールを介して前記共通電極ラインに接続される。
【００４４】
図５に示すように、ベース基板１００上にゲート金属層パターン、ゲート絶縁層、活性層パターン、ソース・ドレイン金属層パターン、平坦層、共通電極１３０及び画素電極１４０が順に設置されている。ゲート金属層パターンは共通電極ライン１０１を備え、且つ共通電極１３０と共通電極ライン１０１は第２ビアホール１１８を介して接続され、それによって、共通電極ライン１０１は共通電極１３０に共通電圧信号を印加する。図に示すアレイ基板はボトムゲート構造を有し、すなわちゲート金属層パターンの上方（ベース基板から離れた側）にたとえばゲート絶縁層、活性層、ソース・ドレイン金属層、平坦層１１０及び共通電極１３０が設置される。したがって、共通電極１３０と共通電極ライン１０１を接続するための第２ビアホール１１８はたとえば、平坦層とゲート絶縁層を貫通する（図に示す共通電極ラインのベース基板１００から離れた一側に遮光材料１１５が設置され、共通電極と共通電極ラインを接続するために、第２ビアホール１１８は該遮光材料１１５を貫通する）。共通電極と共通電極ラインの接続は、たとえば金属又は他の導体により実現できる。
【００４５】
一実施例では、前記ソース・ドレイン金属層パターンの前記ベース基板に近い表面の少なくとも一部に遮光材料が設置される。液晶表示装置は通常バックライトを備える。ソース・ドレイン金属層の製造材料、たとえばアルミ又はアルミ合金、銅又は銅合金等は、高反射性を有する。したがって、バックライトから発光する光はアレイ基板において、たとえばソース・ドレイン金属層を通過して複数回の反射と屈折が発生し、下記問題を引き起こす。これら反射と屈折された光は、各方向からＴＦＴチャネル領域に照射されて、リーク電流を引き起こす一方、たとえばソース・ドレイン金属層により反射と屈折されたこれら光は、光漏れを発生させて、表示効果に影響を与える懸念もある。ソース・ドレイン金属層のベース基板に近い一側とベース基板から離れた一側の表面にいずれも遮光材料を設置することにより、光の反射を効果的に低減させ、ＴＦＴチャネルリーク電流の発生を回避又は減少させ、更に光漏れ現象を低減させ、表示効果を向上させることができる。
【００４６】
一実施例では、たとえば、前記遮光材料は酸化モリブデンであってもよい。無機材料の酸化モリブデンを遮光材料として用いることで、ＴＦＴ装置への汚染を防止して、アレイ基板の光漏れを低減させるとともに、ＴＦＴのチャネル領域を効果的に保護し、さらに表示効果を向上させ、製品の将来性が期待できる。
【００４７】
（実施例６）
本開示の別の実施例では、アレイ基板には、画素アレイ構造を設置する以外、さらにカラーフィルタ層を備える。カラーフィルタ層は、各画素ユニットに対応するカラーフィルタユニットを備え、たとえば、赤色、緑色又は青色（ＲＧＢ）フィルタユニットであってもよい。このようなアレイ基板はＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ−ｆｉｌｔｅｒ  Ｏｎ  Ａｒｒａｙ）基板と呼ばれる。さらに、該ＣＯＡ基板を用いてディスプレイパネルを構成する場合、対向基板にカラーフィルタ層を設置しなくてもよく、且つ該ディスプレイパネルは開口率とセル化精度を向上させる。
【００４８】
図７は本開示の別の実施例に係るＣＯＡアレイ基板の模式図である。図７に示すように、アレイ基板はベース基板１００及びベース基板１００上に設置された画素アレイ構造を備える。画素アレイ構造は、ゲートラインとゲートラインに接続されたゲート１０３を備えるゲート金属層パターンと、ゲート金属層パターン上に被覆されたゲート絶縁層と、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）チャネル領域としての部分１０４を備える活性層パターンと、データライン１０７、データライン１０７に接続されたソース１０８、画素電極１４０に接続されたドレイン１０９を備えるソース・ドレイン金属層パターンとを備える。ソース・ドレイン金属層パターンのベース基板１００から離れた一側に遮光材料１１５が設置されて遮光層を提供する。該遮光材料は、ソース・ドレイン金属層による光漏れ又は反射を防止し、そして、表示装置の開口率を高めることができる。
【００４９】
図１ｃに示す実施例に比べて、該アレイ基板は、平坦層１１０と共通電極１３０との間にさらにカラーフィルタ層が設置され、該カラーフィルタ層はさらに、複数のカラーフィルタユニットを備え、たとえば、図中の対応する画素ユニットは赤色フィルタユニット２１０を備え、それに隣接する画素ユニットは緑色又は青色フィルタユニット２２０を備える。
【００５０】
なお、図１〜図７に示すものはすべてボトムゲート構造を有するアレイ基板であるが、本開示の実施例はトップゲート構造を有するアレイ基板にも適用できる。
【００５１】
より高い技術的効果を奏するために、以上の実施例を組み合わせてもよい。たとえば、ソース・ドレイン金属層のベース基板に近い表面とベース基板から離れた表面に遮光材料が設置され、ゲート金属層のベース基板に近い表面とベース基板から離れた表面に遮光材料が設置され、及びＴＦＴチャネルに対応する領域に遮光材料が被覆されており、それによって、たとえばバックライトから発光する光がベース基板において反射と屈折を行うことをより確実に防止し、光漏れを低減させて、ＴＦＴチャネルを保護し、より高い表示効果を確保することができる。
【００５２】
（実施例７）
本開示の別の態様の実施例は、上記のいずれかアレイ基板を備える表示装置を提供する。該アレイ基板のため、該表示装置は上記の技術的効果を有し、以上の説明を参照すればよい。また、アレイ基板とセル化する対向基板（たとえばカラーフィルタ基板）にはたとえばブラックマトリックスが設置されなくてもよいため、対向基板の構造を更に簡素化させる。アレイ基板がＣＯＡ基板である場合、対向基板はカラーフィルタ層をさらに設置しなくてもよい。
【００５３】
（実施例８）
本開示の更に別の態様の実施例は、アレイ基板の製造方法を提供し、ベース基板を提供するステップと、前記ベース基板上に画素アレイ構造を形成するステップとを含み、前記画素アレイ構造は遮光材料で製造された少なくとも１層の遮光層を備える。
【００５４】
たとえば、前記画素アレイ構造はさらにソース・ドレイン金属層パターンを備え、前記ソース・ドレイン金属層パターンの前記ベース基板から離れた表面の少なくとも一部に遮光材料が形成されて遮光層を提供する。
【００５５】
本開示の実施例の方法で製造されたアレイ基板において、ソース・ドレイン金属層パターンの前記ベース基板から離れた表面の少なくとも一部に遮光材料が形成されて遮光層を提供し、たとえばディスプレイパネルの光漏れを効果的に防止できる。さらに、遮光材料としてのブラックマトリックスがアレイ基板側に設置されるため、セル化ずれの問題がなく、したがって、ブラックマトリックスの幅が小さく、開口率は向上する。
【００５６】
たとえば、前記ソース・ドレイン金属層パターンを形成するプロセスは、ソース・ドレイン金属層及び遮光材料層を堆積するステップと、一次マスクプロセスを用いて、前記ソース・ドレイン金属層及び前記遮光材料層をパターニングして、少なくとも一部の表面に前記遮光材料が形成された前記ソース・ドレイン金属層パターンを形成するステップとを含む。ここで、遮光材料層のパターンとソース・ドレイン金属層パターンが同時に形成されるため、別のステップを追加することがなく、コストが低い。さらに、形成された遮光材料層はソース・ドレイン金属層パターンを完全に被覆するため、光漏れ防止効果が高い。
【００５７】
たとえば、前記画素アレイ構造はさらにゲート金属層パターンを備えてもよく、前記ゲート金属層パターンを形成するプロセスは、前記ベース基板上にゲート金属層と遮光材料層を堆積し、一次マスクプロセスを用いて、前記ゲート金属層と前記遮光材料層をパターニングして、前記ゲート金属層パターンを形成するステップを含み、前記ゲート金属層パターンの前記ベース基板から離れた表面の少なくとも一部に遮光材料が形成されている。ここで、遮光材料層のパターンとゲート金属層パターンは順に堆積されて、一次マスクを用いてエッチングされてなるため、別のステップを追加することがなく、コストが低い。さらに、ゲート金属層パターンのベース基板から離れた表面にも遮光材料層が被覆されているため、たとえば反射と屈折される光のＴＦＴチャネルへの照射によるリーク電流の発生を防止できる。
【００５８】
たとえば、前記画素アレイ構造はさらに活性層パターンを備えてもよく、前記活性層パターンはＴＦＴチャネル領域を備える。
【００５９】
実施例の例では、前記ソース・ドレイン金属層パターンが形成された後、さらに、前記ソース・ドレイン金属層パターン上に平坦層を形成するステップと、前記平坦層上に共通電極層と遮光材料層を堆積するステップと、前記共通電極層と前記遮光材料層をエッチングして、前記ＴＦＴチャネル領域に対応する位置に遮光材料が設置された共通電極を形成するステップとを含む。ＴＦＴチャネル領域の上方に遮光材料層を形成することで、光のＴＦＴチャネルへの照射によるリーク電流の発生を防止できる。さらに、遮光材料層はアレイ基板側に設置されているため、セル化ずれの問題がなく、遮光材料層の寸法が比較的に小さく、開口率は向上する。
【００６０】
たとえば、前記共通電極が形成された後、本開示の実施例の方法はさらに、層間絶縁層を形成するステップと、第１ビアホールと画素電極を形成するステップと、前記画素電極を前記第１ビアホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続するステップとを含む。たとえば、平坦層上に共通電極が形成された後、共通電極におけるドレインに対応する位置にビアホール（又は開口）を予め作り、それにより層間絶縁層が形成された後、層間絶縁層、平坦層を貫通する第１ビアホールの形成を容易にする。
【００６１】
たとえば、上記構造において、遮光材料は酸化モリブデンであってもよい。無機材料の酸化モリブデンを遮光材料として用いることで、ＴＦＴ装置への汚染を防止するとともに、ＴＦＴのチャネル領域を効果的に保護して、アレイ基板の光漏れを低減させ、表示効果を向上させ、製品の将来性が期待できる。
【００６２】
以下、ソース・ドレイン金属層パターンのベース基板から離れた一側及びＴＦＴチャネルに対応する共通電極上に遮光材料層パターンを形成する場合を例として、本開示の実施例に係るアレイ基板の製造方法を詳細に説明するが、本開示の実施例はこれに制限されない。
【００６３】
（１）ゲート金属層パターンの形成
ベース基板、ガラス基板にたとえばアルミを材料とする金属薄膜を１層堆積し、金属層の表面に１層のフォトレジストを塗布し、マスク露光によりゲート金属層パターン以外のフォトレジストを除去して、該層の金属薄膜のエッチング対象部分を露出させ、それでフォトレジストパターンを得る。ポジ型フォトレジスト又はネガ型フォトレジストが使用できる。たとえば、エッチング液を用いて金属層薄膜のフォトレジストパターンによって露出された部分をエッチングする。次に、残りのフォトレジストを除去して、ゲート金属層パターンを形成する。たとえば、該金属層パターンはゲートラインとゲートラインに接続されたゲートを備え、さらに共通電極ラインを備えてもよい。
【００６４】
次に、ゲート金属層パターンにゲート絶縁層を形成して、ゲート金属層パターンを被覆する。
【００６５】
（２）活性層及びソース・ドレイン金属層パターンの形成
ここで、ソース・ドレイン金属層パターンのベース基板から離れた表面に遮光材料が設置されている。
【００６６】
たとえば、ゲート絶縁層上に活性層、ソース・ドレイン金属層及び酸化モリブデン材料を順に堆積する。
【００６７】
酸化モリブデン材料は本開示の実施例の遮光材料の１種であり、黒色で、遮光効果がブラックマトリックスと類似する。たとえば、酸化モリブデンの堆積プロセスは、同一装置の異なるチャンバにおいて、たとえば金属層薄膜のスパッタリングプロセスと順に行える。酸化モリブデンをスパッタリングするターゲット材は、たとえばモリブデンターゲット材又はモリブデンニオブターゲット材であり、使用されるガスはたとえば酸素ガス又はアルゴンガスであってもよい。
【００６８】
酸化モリブデン材料層上に１層のフォトレジストを塗布し、ハーフトーン又はグレートーンマスクプロセスによりソース・ドレイン金属層パターンと活性層のチャネル領域を形成する。ハーフトーン又はグレートーンマスクプロセスは、ポジ型フォトレジストを使用し、使用されるマスクの透光領域は活性層、ソース・ドレイン金属層、酸化モリブデン層のエッチング除去対象部分に対応し、マスクの半透光領域又は部分的透光領域はチャネル領域に対応し、マスクの非透光領域はソース・ドレイン金属層パターンに対応する。該マスクによってフォトレジストを露光、現像すると、透光領域に対応するフォトレジストが除去され、半透光領域又は部分的透光領域に対応するフォトレジストが部分的に残され（厚さは減少する）、非透光領域に対応するフォトレジストがたとえばほぼ残され、それによって、フォトレジストパターンは得られる。該フォトレジストパターンを用いてエッチングし、たとえば、エッチング液で露出された酸化モリブデンをエッチングして、酸化モリブデン層パターンを形成し、続いて別のエッチング液で露出されたソース・ドレイン金属層をエッチングして、ソース・ドレイン金属層パターンを形成し、該ソース・ドレイン金属層パターンのベース基板から離れた一側に酸化モリブデン材料が被覆され、次に、別のエッチング液で露出された活性層をエッチングする。その後、フォトレジストパターンにアッシングプロセスを行って、半透光領域又は部分的透光領域に対応するフォトレジストを除去するとともに、非透光領域に対応するフォトレジストを部分的に残し（厚さを減少させる）、エッチング液でそれぞれ露出されたチャネル領域に対応する酸化モリブデン材料とソース・ドレイン金属層をエッチングし、ＴＦＴチャネルを形成し、最後に、フォトレジストを除去する。
【００６９】
（３）平坦層及びビアホールパターンの形成
平坦層を堆積し、必要があれば、マスク露光プロセスによりビアホールパターンを形成し、前記説明を参照すればよい。該ビアホールは、後続で形成される共通電極と共通電極ラインを電気的に接続するためのものである。
【００７０】
（４）共通電極及びＴＦＴチャネルに対応する酸化モリブデン層の形成
共通電極を形成するためのＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層と酸化モリブデン材料を堆積する。ハーフトーン又はグレートーンリソグラフィプロセスを用いて酸化モリブデン層とＩＴＯ層をパターニングする。酸化モリブデン材料にフォトレジスト、たとえばポジ型フォトレジストを塗布する。ハーフトーン又はグレートーンマスクの透光領域は共通電極以外の領域に対応し、マスクの半透光領域又は部分的透光領域は共通電極の酸化モリブデンが残された領域以外の領域に対応し、マスクの非透光領域は酸化モリブデンが残される領域に対応する。該ハーフトーン又はグレートーンマスクによってフォトレジストを露光させて、フォトレジストパターンを得る。該フォトレジストパターンを利用して、露出された酸化モリブデンとＩＴＯ材料を除去し、次にアッシングプロセスにより半透光領域又は部分的透光領域に対応するフォトレジストを除去し、非透光領域に対応するフォトレジストを部分的に残し（厚さを減少させる）、共通電極上の酸化モリブデン材料を部分的に露出させ、続いて一次エッチングを行って露出された酸化モリブデン材料を除去して、共通電極を形成する。次に、残ったフォトレジストを除去する。さらに、該共通電極は、後続に形成されて画素電極とＴＦＴのドレインを接続するためのビアホールに対応する位置に開口を有する。
【００７１】
また、ＴＦＴチャネルの真上に遮光材料を被覆するために、マスクのＴＦＴチャネルに対応する部分を非透光領域にする。
【００７２】
（５）層間絶縁層及びビアホールの形成
前記説明を参照して、共通電極層上に層間絶縁層を堆積し、マスク露光プロセスでビアホールパターンを形成する。
【００７３】
（６）画素電極の形成
層間絶縁層にさらにＩＴＯを１層堆積して、マスク、露光及びエッチングのステップで画素電極パターンを形成する。該画素電極は、上記ビアホールを介してソース・ドレイン金属層のドレインに接続される。
【００７４】
この方法で形成されたアレイ基板は、ソース・ドレイン金属層パターンの上方及び共通電極のＴＦＴチャネルに対応する領域のいずれにも、遮光材料の酸化モリブデンが被覆されている。以上に説明したとおり、光漏れを効果的に防止し、ＴＦＴチャネル領域を保護するという役割を果たし、さらにセル化時に変位がないため、高開口率を有する。
【００７５】
本実施例の一例では、ソース・ドレイン金属層パターン上に平坦層が形成された後、つまり、上記ステップ（３）とステップ（４）の間に、たとえば、平坦層上に三原色のカラーフィルタユニットを形成するプロセスを実施してもよい。たとえば、画素ユニットに対応して、ＲＧＢ（赤緑青）フィルタユニットを形成して、ＣＯＡ基板を得る。
【００７６】
たとえば、ＲＧＢフィルタユニットの形成プロセスとしては、たとえば塗布によって赤色レジスト層を形成し、そして、リソグラフィプロセス及びエッチングプロセスで赤色フィルタユニットを形成し、次に、たとえば塗布によって緑色レジスト層を形成し、そして、リソグラフィプロセス及びエッチングプロセスで緑色フィルタユニットを形成し、さらに、青色レジスト層を形成し、そして、リソグラフィプロセス及びエッチングプロセスで青色フィルタユニットを形成する。これらＲＧＢフィルタユニットは互いに並列されてもよく、又は境界部で互いに部分的に重なってもよい。
【００７７】
ここで、上記ステップ（３）と（４）の間にカラーフィルタユニットを形成するステップを追加するため、カラーフィルタユニットがＴＦＴのドレインに対応する位置を被覆すると、ＴＦＴのドレインを接続するビアホールを形成する時、対応するカラーフィルタユニットのカラーレジスト材料層をエッチングして除去する必要がある。たとえば、形成されたアレイ基板製品では、ドレインを接続するビアホールは、順に平坦層、フォトレジスト材料層、ＲＧＢサブ画素及び酸化モリブデンを貫通する。勿論、形成されたカラーフィルタユニットはＴＦＴのドレインに対応する位置を露出された場合、上記ビアホールを形成する時に、対応するカラーフィルタユニットのカラーレジスト材料層をエッチングして除去する必要がない。
【００７８】
つまり、本開示の実施例は、三原色フィルタユニットがカラーフィルタ基板側に設置された場合にも、三原色フィルタユニットがアレイ基板側に設置された場合にも適用でき、且ついずれも本開示の保護範囲に属する。
【００７９】
同様に、本開示の実施例では、アレイ基板を製造する時、たとえばソース・ドレイン金属パターンのベース基板に近い表面、ゲート金属層パターンのベース基板から離れた表面又はベース基板に近い表面、及びＴＦＴチャネルに対応する領域に遮光材料が被覆されて遮光層を提供してもよく、いずれもたとえば酸化モリブデン等の遮光材料が被覆されることによって、さらに光の反射、屈折等によるＴＦＴチャネルでのリーク電流の発生を防止して、表示効果を向上させる。
【００８０】
本開示の実施例の他の構造を有するアレイ基板の製造方法は上記と同様であるため、ここで詳細な説明を省略する。
【００８１】
明細書において、「第１」及び「第２」のような用語は、物又は操作間の関係又は順番を必ずしも必要としない又は指摘せず、ある物又は操作を別の物又は操作と区別するために使用される。用語「備える」、「含む」のような表現は開放式であり、含まれる過程、方法、物品を排除せず、他の要素も存在する。なお、「上」、「下」などに指示される方位又は位置関係は図面に基づいて示される方位又は位置関係であり、装置又は素子が必ず特定の方位を有し、特定の方位で構成し及び操作することを指示しない又は指摘せず、本開示を容易に説明し及び説明を簡略化させるために使用され、したがって、本開示を制限するものであると理解してはならない。明確に規定及び限定されていない場合、「取り付ける」、「連結」、「接続」等の用語は広い意味を持っている。例えば、固定して接続されてもよいし、取り外し可能に接続され、又は一体的に接続されてもよい。機械的に接続されてもよいし、電気的に接続されてもよい。直接接続されてもよいし、媒体を介して間接的に接続されてもよい。２つの素子の内部の連通であってもよい。当業者は、具体的な状況に基づいて上記用語の本発明における具体的な意味を理解することができる。
【００８２】
以上は本開示の例示的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲を制限するものではなく、本開示の保護範囲は添付する特許請求の範囲により決定される。
【００８３】
本願は２０１６年５月２５日に提出した中国特許出願第２０１６１０３５２９４９．７号の優先権を主張し、ここで、該中国特許出願の全内容は援用により本願の一部として込み込まれる。
【符号の説明】
【００８４】
１００  ベース基板
１０１  共通電極ライン
１０２  ゲートライン
１０３  ゲート
１０４  チャネル領域
１０７  データライン
１０８  ソース
１０９  ドレイン
１１０  平坦層
１１５  遮光材料
１１７  第１ビアホール
１２０  ゲート絶縁層
１３０  共通電極
１４０  画素電極
１５０  層間絶縁層
２１０  赤色フィルタユニット
２２０  緑色又は青色フィルタユニット
【図１ａ】
2019517009.tif 000003
【図１ｂ】
2019517009.tif 000004
【図１ｃ】
2019517009.tif 000005
【図２】
2019517009.tif 000006
【図３】
2019517009.tif 000007
【図４】
2019517009.tif 000008
【図５】
2019517009.tif 000009
【図６】
2019517009.tif 000010
【図７】
2019517009.tif 000011
【国際調査報告】
2019517009.tif 000012
2019517009.tif 000013
2019517009.tif 000014
2019517009.tif 000015
2019517009.tif 000016