(57)【要約】  実施の形態は、流体アセンブリに関し、より詳しくは、基板上に物理的構造を形成するためのシステムおよび方法に関する。そのアセンブリパネルは、上面を有する基板；その基板の最上層の上に配置された電子部品構造層；およびその基板の最上層と電子部品構造層の上に配置されたゾルゲル系構造層を含み、このゾルゲル系構造層は、電子部品構造層の少なくとも一部を露出する開口を備える。
2019536265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アセンブリパネルにおいて、
上面を有する基板；
前記基板の最上層の上に配置された電子部品構造層；および
前記基板の最上層と前記電子部品構造層の上に配置されたゾルゲル系構造層であって、該電子部品構造層の少なくとも一部を露出する開口を備えたゾルゲル系構造層；
を備えたアセンブリパネル。
【請求項２】
前記電子部品構造層は第１の厚さを示し、前記ゾルゲル系構造層は、該第１の厚さより少なくとも３倍厚い第２の厚さを示す、請求項１記載のアセンブリパネル。
【請求項３】
前記ゾルゲル系構造層が、シラン、ケイ酸塩、および水からなる群より選択される少なくとも２つの材料を含む材料から形成される、請求項１または２記載のアセンブリパネル。
【請求項４】
前記ゾルゲル系構造層が、ヒドロキシ（ポリジメチルシロキサン）、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、テトラエチルオルトケイ酸塩、水、およびオクチルトリクロロシランからなる群より選択される少なくとも２つの材料を含む材料から形成される、請求項１から３いずれか１項記載のアセンブリパネル。
【請求項５】
前記電子部品構造層が、前記開口の内の第１のものの底部領域を該開口の内の第２のものの底部領域に接続する導電性材料を含む、請求項１から４いずれか１項記載のアセンブリパネル。
【請求項６】
前記基板の材料が、高分子、金属、セラミック、ガラス、およびガラスセラミックからなる群より選択される、請求項１から５いずれか１項記載のアセンブリパネル。
【請求項７】
前記開口の内の一部の底部から前記基板を通じてビアが延在する、請求項１から６いずれか１項記載のアセンブリパネル。
【請求項８】
前記基板が多層基板である、請求項１から７いずれか１項記載のアセンブリパネル。
【請求項９】
電子表示装置において、
基板、
前記基板の上に形成され、第１の導電性配線を含む電子部品構造層、
ゾルゲル系構造層であって、該ゾルゲル系構造層が前記電子部品構造層の第１の部分を覆うように、前記基板の上に形成され、該ゾルゲル系構造層は、そこを通じて該電子部品構造層の第２の部分が露出される開口を備え、前記第１の導電性配線が該開口の内の少なくとも２つの底部を電気的に接続する、ゾルゲル系構造層、
各々が前記開口の内のそれぞれの開口内にある発光ダイオードであって、該発光ダイオードの各々は、上側電気接点および下側電気接点を備え、該発光ダイオードの内の一部の該下側電気接点は、前記第１の導電性配線に電気的に接続されている、発光ダイオード、
前記ゾルゲル系構造層および微小デバイスの少なくとも一部を覆う被包層、および
前記発光ダイオードの内の２つ以上の前記上側電気接点を電気的に接続する第２の導電性配線、
を備えた電子表示装置。
【請求項１０】
アセンブリパネルにおいて、
上面を有する基板、
前記基板の上面に隣接して配置されたゾルゲル系構造層、および
電子部品構造層であって、該電子部品構造層が前記ゾルゲル系構造層によって前記基板から隔てられるように該ゾルゲル系構造層の上に配置されている、電子部品構造層、
を備えたアセンブリパネル。
【請求項１１】
前記ゾルゲル系構造層と前記基板の上面との間には、電子部品が存在しない、請求項１０記載のアセンブリパネル。
【請求項１２】
アセンブリパネルにおいて、
基板、および
前記基板の上に配置された溶液系構造層であって、３００セ氏温度超の熱サイクル能力、８０パーセント超の光学透過率、２マイクロメートル超の厚さ、および２０ＧＰａ超のヤング率を示す溶液系構造層、
を備えたアセンブリパネル。
【請求項１３】
前記溶液系構造層がゾルゲル材料から作られている、請求項１２記載のアセンブリパネル。
【請求項１４】
前記ゾルゲル材料が、５０ナノメートル超の深さを有する特徴について、１０マイクロメートル未満の特徴解像度を示す、請求項１３記載のアセンブリパネル。
【請求項１５】
前記熱サイクル能力が３５０セ氏温度超であり、前記光学透過率が９０パーセント超であり、前記厚さが３マイクロメートル超であり、前記ヤング率が３０ＧＰａ超である、請求項１２記載のアセンブリパネル。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の説明】
【０００１】
本出願は、その内容が依拠され、ここに全て引用される、２０１６年１１月７日に出願された米国特許出願第１５／３４４７３６号の米国法典第３５編第１２０条の下での優先権の恩恵を主張するものである。
【技術分野】
【０００２】
実施の形態は、流体アセンブリに関し、より詳しくは、基板上に物理的構造を形成するためのシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
ＬＥＤディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ構成部品、およびアレイＬＥＤデバイスは、ディスプレイまたはデバイスの表面に亘り規定の位置に配置された多数のダイオードを備える。基板に関してダイオードを組み立てるために、流体アセンブリが使用されることがある。そのような組立ては、多くの場合、それによってＬＥＤデバイスが基板上のウェル中に堆積される確率過程である。従来のパターンおよびエッチング過程を使用して基板の表面にそのようなウェルを形成すると、例えば、流体アセンブリを制御できなくする下に凹形のウェル底部を含む不規則なウェル形状が生じ得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
それゆえ、少なくとも上述した理由のために、当該技術分野において、基板上に物理的構造を製造するための先進のシステムおよび方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施の形態は、流体アセンブリに関し、より詳しくは、基板上に物理的構造を形成するためのシステムおよび方法に関する。
【０００６】
この要約では、本発明のいくつかの実施の形態の概要しか与えない。「１つの実施の形態において」、「１つの実施の形態によれば」、「様々な実施の形態において」、「１つ以上の実施の形態において」、「特定の実施の形態において」などの句は、概して、その句の後に続く特定の特性、構造、または特徴が、本発明の少なくとも１つの実施の形態に含まれ、本発明の複数の実施の形態に含まれることもあることを意味する。重要なことには、そのような句は、必ずしも、同じ実施の形態を称するものではない。本発明の多くの他の実施の形態が、以下の詳細な説明、付随の特許請求の範囲および添付図面からより完全に明白になるであろう。
【０００７】
本発明の様々な実施の形態のさらなる理解は、明細書の残りの部分に記載された図面を参照することによって実現されるであろう。図面において、同様の構成部品を称するために、いくつかの図面に亘り、同様の参照番号が使用される。ある場合には、多数の同様の構成部品の内の１つを示すために、参照番号に、小文字からなるサブラベルが関連付けられる。既存のサブラベルへの特定なく、参照番号が言及された場合、そのような多数の同様の構成部品の全てを称することが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１ａ】本発明の１つ以上の実施の形態による、基板の表面の上にゾルゲル系構造アライメント層に対して分散液体および複数の物理的物体からなる懸濁液を移動させることのできる流体アセンブリシステムの概略図
【図１ｂ】本発明の１つ以上の実施の形態による、基板の表面の上にゾルゲル系構造アライメント層に対して分散液体および複数の物理的物体からなる懸濁液を移動させることのできる流体アセンブリシステムの概略図
【図２】本発明の様々な実施の形態による、ゾルゲル系構造アライメント層内に画成されたウェルを含む完成した微小デバイスアセンブリの概略図
【図３】ゾルゲル系構造アライメント層内に画成されたウェルを含む微小デバイスアセンブリを形成するための、本発明のいくつかの実施の形態による方法を示す流れ図
【図４ａ】本発明の実施の形態による、ゾルゲル系構造アライメント層を作るための過程を示す流れ図
【図４ｂ】本発明の別の実施の形態による、ゾルゲル系構造アライメント層を作るための別の過程を示す流れ図
【図４ｃ】本発明のさらなる実施の形態による、ゾルゲル系構造アライメント層を作るためのさらなる過程を示す流れ図
【図５ａ】図３に示された方法と一致するゾルゲル系構造アライメント層の形成を含む加工段階の一部の説明図
【図５ｂ】図３に示された方法と一致するゾルゲル系構造アライメント層の形成を含む加工段階の一部の説明図
【図５ｃ】図３に示された方法と一致するゾルゲル系構造アライメント層の形成を含む加工段階の一部の説明図
【図５ｄ】図３に示された方法と一致するゾルゲル系構造アライメント層の形成を含む加工段階の一部の説明図
【図５ｅ】図３に示された方法と一致するゾルゲル系構造アライメント層の形成を含む加工段階の一部の説明図
【図６】本発明の異なる実施の形態に関して使用されることがある例示の温度に基づく硬化過程のグラフ
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態は、流体アセンブリに関し、より詳しくは、基板上に物理的構造を形成するためのシステムおよび方法に関する。
【００１０】
様々な実施の形態は、上面を有する基板；その基板の最上層の上に配置された電子部品構造層；およびその基板の最上層と電子部品構造層の上に配置されたゾルゲル系構造層を含むアセンブリパネルを提供する。このゾルゲル系構造層は、電子部品構造層の少なくとも一部を露出する開口を備える。上述した実施の形態のある場合には、電子部品構造層は第１の厚さを示し、ゾルゲル系構造層は、その第１の厚さより少なくとも３倍厚い第２の厚さを示す。より具体的な例において、第２の厚さは、第１の厚さより少なくとも５倍厚い。
【００１１】
上述した実施の形態の様々な場合において、そのゾルゲル系構造層は、シラン、ケイ酸塩、および水の２つ以上から形成される。上述した実施の形態のある場合には、そのゾルゲル系構造層は、ヒドロキシ（ポリジメチルシロキサン）、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、テトラエチルオルトケイ酸塩、水、およびオクチルトリクロロシランの内の少なくとも２つから形成される。上述した実施の形態の１つ以上の場合において、その電子部品構造層は、開口の内の第１のものの底部領域を開口の内の第２のものの底部領域に接続する導電性材料を含む。上述した実施の形態の様々な場合において、その基板の材料は、高分子、金属、セラミック、ガラス、およびガラスセラミックの内の１つであることがある。特別な場合には、その基板は多層構造である。ある場合には、ビアが、開口の内の一部の底部から基板を通じて延在する。
【００１２】
他の実施の形態は、デバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；および溶液を利用する過程を使用して、その基板上にゾルゲル系構造層を形成する工程を有してなり、そのゾルゲル系構造層は様々な特徴深さを含む、方法を提供する。ある場合には、その溶液を利用する過程は減法過程を含み、様々な場合には、その溶液を利用する過程は加法過程を含む。
【００１３】
様々な場合において、様々な特徴深さは、そこを通じて下位層が露出されるゾルゲル系構造層内の開口を含む。ある場合には、前記方法は、基板の上にゾルゲル系構造層を形成する前に、基板の上に電子部品構造層を、そのゾルゲル系構造層がその電子部品構造層の少なくとも一部を覆うように形成する工程をさらに含む。そのような場合、下位層は、以下に限られないが、電子部品構造層、および基板の上面であることがある。様々な場合、その方法は、流体アセンブリを使用して、開口内に微小デバイスを堆積させる工程；およびゾルゲル系構造層および微小デバイスの上に被包層を形成する工程をさらに含む。「被包」という用語は、被覆を意味するために最も広い意味で使用されることに留意すべきである。それゆえ、被包は、気密封止を含むことがあるが、気密シールをもたらさない他の被覆も含む。特別な場合、その微小デバイスは発光ダイオードである。１つ以上の場合において、被包層を形成する工程は、基板の上にゾルゲル材料を堆積させ、そのゾルゲル材料を硬化させる工程を含む。
【００１４】
１つ以上の場合において、前記溶液を利用する過程は、以下に限られないが、複製過程、スタンピング過程、および印刷過程であることがある加法過程を含む。上述した実施の形態の様々な場合において、その溶液を利用する過程は、加法の印刷過程である。そのような印刷過程は、以下に限られないが、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、およびオフセット印刷であることがある。様々な場合において、その溶液を利用する過程は、基板の上に加えられたゾルゲル材料を硬化させる工程を含む加法過程である。
【００１５】
そのゾルゲル層は、加法過程、減法過程、または加法過程と減法過程の組合せによりパターン形成することができる。ある場合には、ビアが、開口の内の一部の底部から基板を通じて延在する。そのゾルゲル層は、多数の垂直寸法を持つ特徴を有し得る。例えば、深さが１マイクロメートル未満（＜１μｍ）のゾルゲル表面性状特徴に加え、垂直深さが１マイクロメートル以上（１≧μｍ）のウェル構造がゾルゲル層に形成され得る。それに加え、解像度が１０マイクロメートル未満（＜１０μｍ）の所定の特徴が、そのゾルゲル層内に製造され得る。例えば、垂直深さが５０ナノメートル以上（≧５０ｎｍ）の特徴に関して、ある場合には、水平特徴寸法は、１０マイクロメートル以下（≦１０μｍ）であることがある。他の場合には、水平特徴寸法は、５マイクロメートル以下（≦５μｍ）であることがある。さらに他の場合には、水平特徴寸法は、３マイクロメートル以下（≦３μｍ）であることがある。さらに別の場合には、水平特徴寸法は、１マイクロメートル以下（≦１μｍ）であることがある。
【００１６】
さらに他の実施の形態は、電子表示装置を提供する。その電子表示装置は、基板、電子部品構造層、ゾルゲル系構造層、発光ダイオード、および被包層を備える。この電子部品構造層は、基板の上に形成され、第１の導電性配線を含む。ゾルゲル系構造層は、このゾルゲル系構造層が電子部品構造層の第１の部分を覆うように、基板の上に形成される。このゾルゲル系構造層は、そこを通じて電子部品構造層の第２の部分が露出される開口を備え、第１の導電性配線はその開口の内の少なくとも２つの底部を電気的に接続する。その発光ダイオードは各々、開口の内のそれぞれの開口内にあり、発光ダイオードの各々は、上側電気接点および下側電気接点を備える。その発光ダイオードの内の一部の下側電気接点は、第１の導電性配線に電気的に接続されている。その被包層は、ゾルゲル系構造層および発光ダイオードがすでに充填されてはいない開口の微小デバイス充填部分の少なくとも一部を覆う。第２の導電性配線が、発光ダイオードの内の２つ以上の上側電気接点を電気的に接続する。
【００１７】
さらなる実施の形態は、上面を有する基板を備えたアセンブリパネルを提供する。ゾルゲル系構造層がその基板の上面に隣接して配置され、電子部品構造層が、その電子部品構造層がゾルゲル系構造層によって基板から隔てられるようにゾルゲル系構造層の上に配置されている。そのような場合のいくつかにおいて、ゾルゲル系構造層と基板の上面との間には、電子部品は存在しない。
【００１８】
さらに追加の実施の形態は、基板、およびその基板の上に配置された溶液系構造層を備えたアセンブリパネルを提供する。その溶液系構造層は、３００セ氏温度超の熱サイクル能力、８０パーセント超の光学透過率、２マイクロメートル超の厚さ、および２０ＧＰａ超のヤング率を示す。より特別な場合において、熱サイクル能力は３５０セ氏温度超であり、光学透過率は９０パーセント超であり、厚さは３マイクロメートル超であり、ヤング率は３０ＧＰａ超である。ある場合には、その溶液系構造層は、ゾルゲル材料から作られている。ある場合には、そのゾルゲル材料は、５０ナノメートル超の深さを有する特徴について、１０マイクロメートル未満の特徴解像度を示す。
【００１９】
図１ａを見ると、本発明の１つ以上の実施の形態による、分散液体１１５および複数の物理的物体１３０からなる懸濁液１１０を、基板１４０の表面の上にあるゾルゲル系構造アライメント層１９０に対して移動させることのできる流体アセンブリシステム１００が示されている。ある場合には、物理的物体１３０は微小デバイスであることがあるが、他の場合には、その物理的物体は他の電子部品または非電子部品であることがある。図１ｂを見ると、ウェル（円形として示されている）のアレイがゾルゲル系構造アライメント層１９０中に延在している、基板１４０の表面の例示の上面図が示されている。ウェル１４２が断面で円形として示されているが、異なる実施の形態に関して、他の形状を使用してもよいことに留意すべきである。いくつかの実施の形態において、基板１４０はガラス基板であり、ウェル１４２は、５００マイクロメートルだけずれてゾルゲル系構造アライメント層１９０内に形成された直径６０マイクロメートルである。いくつかの実施の形態において、ゾルゲル系構造アライメント層１９０は、例えば、十分な透明度を有するゾルゲル材料のパターン形成、印刷、複製、またはスタンピングなどの加法過程を使用して、基板１４０の上に形成される。他の実施の形態において、ゾルゲル系構造アライメント層１９０は、例えば、パターン形成およびエッチングなどの減法過程を使用して、基板１４０の上に形成される。他の実施の形態において、そのゾルゲル層は、加法過程と減法過程の組合せを使用して、パターン形成される。ゾルゲル構造は、その基板の他の層における物理的パターンと組み合わせて形成することもできる。
【００２０】
ある場合には、ゾルゲル系構造アライメント層１９０の厚さは、物理的物体１３０の高さと実質的に等しい。ある場合には、ゾルゲル系構造アライメント層１９０の厚さは、ウェル１４２の深さと同じである。ウェル１４２の入口開口は、任意の所定のウェル１４２中に１つしか物理的物体１３０が堆積されないように、物理的物体１３０の幅より大きい。実施の形態では、物理的物体１３０をウェル１４２中に堆積させることを述べているが、本発明の異なる実施の形態にしたがって、他のデバイスまたは物体が堆積されてもよいことに留意すべきである。
【００２１】
堆積装置１５０は基板１４０の表面上に懸濁液１１０を堆積させ、懸濁液１１０は、ダム構造の側面１２０によって基板１４０の上部に保持される。いくつかの実施の形態において、堆積装置１５０は、懸濁液１１０の貯留部にアクセスできるポンプである。懸濁液移動装置１６０は、物理的物体１３０が基板１４０の表面に対して動くように、基板１４０上に堆積された懸濁液１１０を撹拌する。物理的物体１３０が基板１４０の表面に対して動きながら、ウェル１４２中に堆積される。いくつかの実施の形態において、懸濁液移動装置１６０は、三次元で動くブラシである。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、以下に限られないが、ポンプを含む懸濁液移動装置１６０の可能を果たすために使用できる数多くの装置が認識されるであろう。
【００２２】
捕獲装置１７０は、懸濁液１１０中に延在し、分散液体１１５および堆積されていない物理的物体１３０の一部を含む懸濁液１１０の一部を回収し、その回収した材料を再利用のために戻すことができる入口を備える。いくつかの実施の形態において、捕獲装置１７０はポンプである。ある場合には、ゾルゲル系構造アライメント層１９０を含む基板１４０は、図３〜６に関して下記に述べられるような過程の内の１つ以上を使用して形成される。様々な実施の形態において、物理的物体１３０がそれぞれのウェル１４２内の適所に一旦入ったら、物理的物体１３０はゾルゲル系過程を使用して被包される。そのような被包は、ゾルゲル系構造アライメント層１９０を形成するのに使用したのと同じゾルゲル過程を使用してもよく、または例えば、組み立てられた製品の上にゾルゲルの薄いコーティングを施すために、ドクターブレードの使用、スロットダイ被覆、または印刷過程などの異なるゾルゲル過程を使用してもよい。この後に、物理的物体１３０に電気的に接続するために、上部電気接点を形成してよい。組み立てられた物理的物体１３０、被包および電気的接続を含むそのような完成製品の例が、図２に関して下記に述べられている。ゾルゲル層内の構造は、他の構造要素と組み合わせて形成しても差し支えない。これらは、基板内の物理的構造、基板とゾルゲルとの間に存在する層、およびゾルゲルの上の層を含み得る。多層におけるこれらの構造を組み合わせて、複合ウェル、ビア、流体流路または他の要素を形成することができる。基板１４０内にビアを形成してもよいことに留意すべきである。これらのビアは、各ウェル１４２の底部から基板を通って延在しても、またはウェル１４２の外側に存在してもよい。
【００２３】
流体アセンブリ中に微小デバイスを捕獲するのに構造アライメント層を形成するためのゾルゲル材料の使用が、改善された気密性、より高温での加工、より高い光学透過率、所望の機械的安定性、様々なはんだ過程との適合性、および流体アセンブリが行われるより化学的に不活性な表面が可能になるので、有機コーティングよりも優れていると判断された。一例として、ゾルゲル系構造材料を使用すると、特定のゾルゲル材料および所望の光学透過率（例えば、４００〜８００ｎｍの波長範囲において、７０％以上、８０％以上、または９０％以上）に応じて、ある場合には２００セ氏温度より高い（＞２００℃）温度逸脱で、熱加工が可能になる。他の場合には、特定のゾルゲル材料および所望の光学透過率（例えば、４００〜８００ｎｍの波長範囲において、７０％以上、８０％以上、または９０％以上）に応じて、３００セ氏温度より高い（＞３００℃）温度逸脱が可能である。さらに他の場合には、特定のゾルゲル材料および所望の光学透過率（例えば、４００〜８００ｎｍの波長範囲において、７０％以上、８０％以上、または９０％以上）に応じて、３５０セ氏温度より高い（＞３５０℃）温度逸脱が可能である。特別な場合には、特定のゾルゲル材料および所望の光学透過率（例えば、４００〜８００ｎｍの波長範囲において、７０％以上、８０％以上、または９０％以上）に応じて、４００セ氏温度より高い（＞４００℃）温度逸脱が可能である。上述した温度逸脱および特徴は、比較的大きい厚さ（例えば、１マイクロメートルから（≧１μｍ）１０マイクロメートル（１０μｍ）超の厚さ）の構造アライメント層１９０を形成しつつ、達成することができる。さらに、ゾルゲル材料のそのような使用は、有機コーティングと比べた場合、最終的な薄膜特性を著しく変えずに設備加工に粘度をより容易に調整すること、および／またはゾルゲル系構造アライメント層１９０を形成するためにゾルゲル過程の光学的性質および電気的性質のより大きい調整能力を提示する。それに加え、またはそれに代えて、ゾルゲル系構造アライメント層１９０を形成するためにゾルゲル過程を使用すると、一工程で公知の厚さへの印刷が可能になる一方で、一貫した浴への有機コーティングの従来のパターン形成およびエッチングには、エッチング浴の定期的なメンテナンスが必要である。上述したことは、達成されるであろう利点の例に過ぎず、ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、異なる実施の形態にしたがって達成できるであろう追加のまたは代わりの利点が認識されることに留意すべきである。
【００２４】
図２を見ると、本発明の様々な実施の形態によるゾルゲル系構造アライメント層２１０内に画成されたウェル２４２を含む、完成した微小デバイスアセンブリ２００が示されている。微小デバイスアセンブリ２００は、多数の微小デバイスアセンブリを含むより大型のアセンブリパネルの一部であることがある。ゾルゲル系構造アライメント層２１０が、ウェル２４２の底部から延在するビア２８０を含む基板２０２上に配置されている。そのビアは、他の実施の形態には含まれていないことに留意すべきである。基板２０２は、ゾルゲル系構造アライメント層２１０の堆積と硬化に適合するどのような材料および材料の厚さから形成されてもよい。単なる例として、基板２０２は、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、高分子、および／または金属であることがある。基板２０２は、単一材料、層の積層体、および／または複合材料であってもよい。微小デバイスアセンブリ２００が透明ディスプレイ用途に関して使用されている１つの特別な実施の形態において、基板２０２は、厚さが７００マイクロメートル未満のガラス基板であることがある。特定の実施の形態において、基板２０２は、０．１ミリメートル未満（≦０．１ｍｍ）から約０．７ミリメートル（≦０．７ｍｍ）の全厚を有することがある。基板２０２は、以下に限られないが、個々の自立シート／ウエハー、担体に結合した可撓性基板、またはロール・ツー・ロール加工に適した可撓性基板ウェブの形態にあることがある。
【００２５】
底部接点２０６が、電気接点を作るべき位置で基板２０２上に形成される。底部接点２０６は、例えば、１マイクロメートル未満の厚さ２３３を有する金属層であることがある。この底部接点２０６は、ゾルゲル系構造アライメント層２１０の厚さ２３２より相当小さい厚さ（例えば、厚さ２３３）を示す層の一部として形成される様々な電気回路を含むことがある電子部品層の一部として含まれることがある。ある場合には、厚さ２３２は、厚さ２３３の少なくとも２倍である。様々な場合において、厚さ２３２は、厚さ２３３の少なくとも３倍である。特別な場合において、厚さ２３２は、厚さ２３３の少なくとも５倍である。様々な実施の形態において、ゾルゲル系構造アライメント層２１０は、最終的な構造内に存在し、ゾルゲル系構造アライメント層２１０の下（すなわち、ゾルゲル系構造アライメント層２１０と基板２０２との間）、またはゾルゲル系構造アライメント層２１０の上、もしくはゾルゲル系構造アライメント層２１０の下と上の両方の組合せのいずれかに存在する電子導体線の厚さの１０倍から５０倍までであることがある。
【００２６】
微小デバイス２２６がウェル２４２内に堆積されている。この堆積は、例えば、図１に関して先に述べられたものと同様の流体アセンブリ過程を使用することによって、行われることがある。ある場合には、微小デバイス２２６は、導電性最下層２３９および導電性最上層２３８を有する電子部品である。特別な場合において、微小デバイス２２６は発光ダイオードである。被包層２１８が、ゾルゲル系構造アライメント層２１０および微小デバイス２２６の少なくとも一部の上に形成されて、ウェル２４２の開放区域を充填している。被包層２１８は、微小デバイス２２６をウェル２４２内の適所に固定する。微小デバイスアセンブリ２００がディスプレイの一部である実施の形態において、被包層２１８は実質的に透明であり、微小デバイス２２６からの光が被包層２１８を越えて透過できる。ある場合には、被包層２１８は、ゾルゲル系構造アライメント層２１０を形成するために使用されたのと同じ材料から形成される。電気接点層２４０が、導電性最上層２３８および完成した微小デバイスアセンブリ２００上の他の電気接点（図示せず）に回路が繋がるように基板２０２上に形成される。その上、最終的な構造は、流体により配置された要素と反対の基板側にゾルゲル要素を含んでも差し支えない。
【００２７】
図３を見ると、流れ図３００は、ゾルゲル系構造アライメント層内に画成されたウェルを含む微小デバイスアセンブリを形成するための、本発明のいくつかの実施の形態による方法を示している。流れ図３００にしたがうと、基板が提供される（ブロック３０５）。その基板は、ゾルゲル系構造アライメント層の堆積および硬化に適合する、どの材料および材料厚から形成されてもよい。ある場合には、基板は、その基板を通じて延在するビアを備える。単にいくつかの例として、その基板は、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、高分子、および／または金属であることがある。基板２０２は、単一材料、層の積層体、および／または複合材料であってもよい。製造される微小デバイスアセンブリがディスプレイの一部である１つの特定の実施の形態において、その基板は、厚さが７００マイクロメートル以下のガラス基板であることがある。その基板は、以下に限られないが、個々の自立性シート／ウエハー、担体に結合した可撓性基板、またはロール・ツー・ロール加工に適した可撓性基板ウェブの形態にあることがある。
【００２８】
その基板上に電子構造が形成される（ブロック３１０）。そのような電子構造としては、以下に限られないが、導電性配線および／またはトランジスタが挙げられるであろう。これらの電子構造は、電子構造を形成するための、当該技術分野に公知のどの加工法を使用して形成されてもよい。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、異なる実施の形態に関して使用できる多種多様な電子構造およびその電子構造を形成するためのプロセスが認識されるであろう。図５ａを見ると、ビア５８０がその中を通じて形成された基板５０２を含む中間製品５９０が示されている。基板５０２の上面５０４上に厚さ５３３を持つ電子構造（この場合、電気接点５０６）が形成された後の中間製品５９０が示されている。
【００２９】
図３に戻ると、その基板上に、ゾルゲル系構造アライメント層が形成され、硬化される（ブロック３１５）。この過程は、特定の実施の形態に応じて異なる様式で行われることがあり、点線内に示されており、これは、図４ａ〜４ｃに述べられた過程の内の１つで置き換えられることを示す。それに加え、このゾルゲル系構造アライメント層は、多重法または反復法と組み合わせて、形成しても差し支えない。具体的には、図４ａ〜４ｂは、ゾルゲル系構造アライメント層を形成するための異なる加法手法（すなわち、ゾルゲル構造が望ましい場所で、ゾルゲルが加えられ、硬化される過程）を示す。対照的に、図４ｃは、ゾルゲル系構造アライメント層を形成するための異なる減法手法（すなわち、ゾルゲル構造の間の空隙が望ましい場所から、ゾルゲルが除去される過程）を示す。減法過程と加法過程の両方を組み合わせることも可能である。それらの場合のいずれにおいても、ゾルゲル構造層が形成される。図５ｂを見ると、ゾルゲル構造の間に空隙５４２が形成された、基板５０２上に形成されたゾルゲル構造層５１０を含む中間製品５９１が示されている。
【００３０】
図４ａを見ると、流れ図３１５ａは、いくつかの実施の形態による、ゾルゲル系構造アライメント層を形成し、硬化させる印刷方法を示している。流れ図３１５ａにしたがうと、印刷イメージが形成される（ブロック４０５）。その印刷イメージは、ゾルゲル材料を印刷すべき場所、およびゾルゲル材料を印刷すべきでない場所の基板の表面のイメージである。ゾルゲル材料を印刷すべき区域は、ゾルゲル系構造アライメント層のゾルゲル構造に対応し、ゾルゲル材料を印刷すべきでない区域は、ゾルゲル系構造アライメント層内の空隙に対応する。ある場合には、空隙は、流体アセンブリ中に微小デバイスを堆積させられるウェルである。
【００３１】
次に、ゾルゲル材料が基板上に、先に形成された電子構造を覆って印刷される（ブロック４１０）。他の例では、ゾルゲルと基板との間に何も中間体電子構造が存在しない基板構造に隣接して、ゾルゲル材料がパターン形成される。いくつかの実施の形態において、印刷過程は、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、またはオフセット印刷過程である。グラビア印刷の実施の形態において、印刷イメージは、圧着ローラの表面に彫り込まれているか、またはフォトリソグラフィーにより形成されている。印刷シリンダにゾルゲル材料が被覆され、基板が圧着ローラと印刷シリンダとの間に通されて、圧着ローラ上の印刷イメージにより示されるように、ゾルゲル系構造アライメント層の構造を形成すべき基板上の位置にゾルゲル材料が堆積される。
【００３２】
他の実施の形態において、印刷過程は、オフセット印刷過程である。そのような実施の形態において、印刷イメージは、印刷プレート上に彫り込まれているか、またはフォトリソグラフィーにより形成されている。次に、印刷プレートは、ゾルゲル材料で被覆され、次に、基板に押し付けられる。ゾルゲルが被覆されたプレートを基板に押し付けると、印刷プレート上の印刷イメージにより示されるように、ゾルゲル系構造アライメント層の構造を形成すべき基板上の位置に、ゾルゲル材料が堆積される。他の実施の形態において、印刷過程はスクリーン印刷過程である。そのような実施の形態において、印刷イメージはスクリーン上でパターン形成される。
【００３３】
さらに他の実施の形態において、印刷過程はインクジェット印刷である。そのような実施の形態において、ゾルゲル材料の微細液滴が、印刷イメージにしたがって、基板上に噴射される。詳しくは、ゾルゲル材料の液滴は、ゾルゲル系構造アライメント層の構造を形成すべき位置で基板上に噴射される。
【００３４】
使用される印刷のタイプにかかわらず、印刷過程により、ゾルゲル系構造アライメント層のゾルゲル構造が印刷イメージにより示される区域に、ゾルゲル材料が形成される。そのゾルゲル材料は、以下に限られないが、トリエトキシ−、トリクロロ−、および／またはトリフルオロ−、シラン、テトラエチルオルトケイ酸エン（ＴＥＯＳ）、および水（シランの加水分解のため）の混合物からなることがある。それらのシランは、架橋反応に反応性であるような有機部分、表面エネルギー修正のためのアルキル鎖またはフッ素化種、金属付着のための−ＳＨまたは−ＣＮなどの反応性種によってさらに官能化されている。具体的な一例として、ゾルゲル材料は、下記の表Ａに示されるような相対体積の成分から形成されることがある：
【００３５】
【表１】
2019536265.tif 000003
【００３６】
上述したゾルゲルは、回転成形により堆積されるように設計され、かつ特定の流体アセンブリ過程に関する所要の光学透過率、熱的および化学的安定性の要件を満たすように設計される。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、特定の用途の要件のために調整された他のゾルゲル配合物が認識されるであろう。
【００３７】
ゾルゲル系構造アライメント層の構造を形成すべき位置にゾルゲル材料を形成して（ブロック４１０）、基板、先に形成された電子構造、および印刷されたゾルゲル材料に硬化過程が施される（ブロック４１５）。この硬化過程は、ゾルゲル材料の化学構造を機械的に安定な固体に変化させるように設計される。いくつかの実施の形態において、硬化過程は、紫外線硬化性ゾルゲル材料が使用される場合、基板の表面上にあるゾルゲル材料を紫外線に暴露する工程を含む。他の実施の形態において、硬化過程は、熱縮合性ゾルゲル材料が使用される場合、基板の表面上にあるゾルゲル材料を熱に暴露する工程を含む。他の実施の形態において、紫外線暴露および熱暴露の両方が使用される。一般に、ゾルゲルを硬化させるために使用されるエネルギーは、光源、熱源、または他の源であって差し支えない。
【００３８】
いくつかの実施の形態において、ゾルゲルの硬化は、少なくとも１つの事前硬化サイクルと、その後の時点の最終硬化工程を含む工程で行われ得る。熱硬化性ゾルゲルが使用される場合、硬化は、高温（例えば、３００セ氏温度以上）でのその後のデバイス製造工程に適合する低下温度（例えば、２００セ氏温度以下）で行われ得る。例えば、比較的低温での硬化後、そのゾルゲルは、例えば、４００セ氏温度のより高温での後のデバイス加工工程中に機械的に安定なままである。単にいくつかの利点として、そのゾルゲル構造層は、硬化後に微小亀裂を示さずに、電子構造の厚さと比べて比較的大きい厚さで形成されることがある。いくつかの実施の形態において、ゾルゲル系構造アライメント層の厚さは、１マイクロメートル超である。様々な実施の形態において、ゾルゲル系構造アライメント層の厚さは、３マイクロメートル超である。様々な実施の形態において、ゾルゲル系構造アライメント層の厚さは、５マイクロメートル超である。特別な実施の形態において、ゾルゲル系構造アライメント層の厚さは、１０マイクロメートル超である。図６を見ると、グラフ６００は、基板およびそれを覆うゾルゲル材料が、３０分間に亘り１５０セ氏温度で、その後、６０分間に亘り２００セ氏温度で硬化される、例示の熱を利用する硬化過程を示す。グラフ６００は、特定のゾルゲル材料に特異的な１つの例示の硬化過程を示していること、および他の硬化過程を異なる実施の形態に関して使用してよいことに留意すべきである。
【００３９】
図４ｂを見ると、流れ図３１５ｂは、いくつかの実施の形態による、ゾルゲル系構造アライメント層を形成し、硬化させる複製またはスタンピング方法を示している。流れ図３１５ｂにしたがうと、ゾルゲルスタンプが形成される（ブロック４０６）。このスタンプは、基板の表面上にゾルゲルを形成すべき位置を含むように彫り込まれているか、またはフォトリソグラフィーにより製造されている。そのスタンプは、ゾルゲル材料で被覆され、そのスタンプ上のゾルゲル材料が、基板の表面に、先に形成された電子構造を覆って転写されるように基板の表面に押される（ブロック４１１）。あるいは、基板にゾルゲル材料を被覆することができ、次に、スタンプがその表面に三次元パターンを複製する。このスタンピング過程により、ゾルゲル系構造アライメント層のゾルゲル構造が印刷イメージにより示される区域に、ゾルゲル材料が形成される。このゾルゲル材料は、図４ａに関して先に述べたものと同様であってよい。ゾルゲル系構造アライメント層の構造を形成すべき位置にゾルゲル材料を形成して（ブロック４１１）、基板、先に形成された電子構造、および印刷されたゾルゲル材料に硬化過程が施される（ブロック４１６）。この硬化過程は、図４ａに関して先に述べたものと同様であってよい。
【００４０】
図４ｃを見ると、流れ図３１５ｃは、いくつかの実施の形態による、ゾルゲル系構造アライメント層を形成し、硬化させるパターン形成およびエッチング方法を示している。流れ図３１５ｃにしたがうと、パターン形成マスクが形成される（ブロック４０７）。このパターン形成マスクは、ゾルゲル系構造アライメント層のゾルゲル構造を形成すべき位置で実質的に透明であり、ゾルゲル構造の間の空隙が望ましい位置で実質的に不透明である。ゾルゲルが、基板およびその基板上に先に形成された任意の電子構造を覆って形成される（ブロック４１２）。このゾルゲルは、以下に限られないが、ドクターブレードを使用するものなどの溶液系堆積方法、蒸着、スロット・ダイ・コーティング、スピン・コーティング、吹き付け塗り、または他の方法を含む当該技術分野に公知のどの方法を使用して、基板上に形成してもよい。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、異なる実施の形態に関して使用できる、基板上にゾルゲル材料を形成するために使用できる様々な過程が認識されるであろう。そのゾルゲル材料は、感光性材料でなければならない、または選択的エッチング過程に適合しなければならないことを除いて、図４ａに関して先に述べたものと同様であってよい。基板上に堆積されたゾルゲルは、パターン形成マスクにしたがって選択的に硬化される（ブロック４１７）。この選択的硬化は、例えば、基板上のゾルゲル材料を、パターン形成マスクを通じて紫外線に暴露することによって、行われることがある。紫外線に暴露されたこのゾルゲル材料（すなわち、パターン形成マスクの実質的に透明な区域に対応するゾルゲル材料）は、より機械的に安定に化学的に変化しており、紫外線に暴露されていないゾルゲル材料（すなわち、パターン形成マスクの実質的に不透明な区域に対応するゾルゲル材料）はほとんど変化していないままである。次に、このゾルゲル材料に化学的エッチングを施し、ここで、ゾルゲル材料の未硬化部分はエッチングにより除去され、ゾルゲル材料の硬化部分のみが残される（ブロック４２２）。このゾルゲル層の硬化部分はゾルゲル系アライメント層に対応するので、このエッチング過程によりゾルゲル系アライメント層が形成される。あるいは、完全に硬化したゾルゲルを、フォトレジストおよびドライまたはウェットエッチング液を使用して、典型的なフォトリソグラフィーおよびエッチング過程でパターン形成しても差し支えない。この場合、ゾルゲル層が形成され、紫外線および／または熱硬化される。その表面上で、フォトレジストまたは他のエッチングマスク層がパターン形成されている。次に、そのエッチングマスクパターンが、ウェットまたはドライエッチング過程によって、ゾルゲル層に転写される。ゾルゲル層をパターン形成するこれらの減法エッチング過程を、先に記載した加法過程と組み合わせることもできる。例えば、ゾルゲル層に、印刷、スタンピング、複製、または成形工程により最初にパターン形成し、次に、減法エッチング過程によって表面または構造を変更することができる。このようにして、減法過程、加法過程、または減法過程と加法過程の組合せを使用して、多数のレベルの断面形状を有する三次元特徴をゾルゲル層内に形成することができる。これらの断面形状は、丸みを帯びた底部、アンダーカット側壁、平らな底部、線形傾斜側壁、または形状が湾曲したまたは任意の形状の側壁を含み得る。
【００４１】
図３に戻ると、ゾルゲル系構造アライメント層に微小デバイスが組み込まれる（ブロック３２０）。これは、例えば、分散媒および多数の微小デバイスの懸濁液を形成し、懸濁液からの微小デバイスが、構造アライメント層の構造間の空隙内に堆積するようにゾルゲル系構造アライメント層上に懸濁液を移動させることによって、行われることがある。図５ｃを見ると、ゾルゲル構造間に形成された空隙内に堆積された、上面５３８および底面５３９を有する微小デバイス５２６を含む中間製品５９２が示されている。
【００４２】
図３に戻ると、基板上に、被包層が形成され、硬化される（ブロック３２５）。ある場合には、その被包層は、ゾルゲル系構造層を形成するために使用した同じゾルゲル材料から製造されたゾルゲル層である。その被包層は、所定の空隙内に堆積された微小デバイスの少なくとも一部を覆い、微小デバイスにより充填されていない空隙の部分を充填する。この被包層は、微小デバイスを適所に維持しつつ、追加の電子構造が形成される。図５ｄを見ると、空隙５４２内に微小デバイス５２６を固定する被包層５１８を含む中間製品５９３が示されている。図３に戻ると、微小デバイスへの上部電気接点を含む電気的構造が基板上に形成される（ブロック３３０）。図５ｅを見ると、微小デバイス５２６の最上層５３８に接触が行われるように、基板２０２上に形成された電気接点層５４０を含む中間製品５９４が示されている。
【００４３】
ゾルゲル系構造層を形成するためにゾルゲルを使用すると、様々な光学透過率特徴を達成するために調整することができる。単にいくつかの例として、ここに記載された実施の形態に１０マイクロメートル厚のゾルゲル系構造アライメント層を使用して、３５０ナノメートルから８００ｎｍの波長について、９０パーセント超の透過率を達成できる。このレベルの透過率は、４００℃への熱サイクル後に９０パーセント未満であり、一般に、３５０ナノメートルと４００ナノメートルの間の波長に関して９０パーセントよりずっと低い、感光済み高分子の使用により達成できるものよりも良好である。さらに、約６８０ナノメートルで感光済み高分子に生じる吸収は、ここに述べられた実施の形態に示されていない。
【００４４】
結論として、本発明は、基板上に構造を形成するための新規のシステム、装置、方法および構成を提供する。本発明の１つ以上の実施の形態の詳細な説明が先に与えられているが、本発明の精神から逸脱せずに、様々な代替、変更、および同等物が当業者に明白であろう。例えば、流体アセンブリに関して使用するためのウェルの形成に関していくつかの実施の形態が述べられているが、実施の形態は、以下に限られないが、表面粗面化、流体操作特徴および／または他の流体アセンブリ特徴を含む、他の構造に適用性を見出していることに留意のこと。実際に、より一般に、本発明による実施の形態を使用して、粗面化または物理的特徴の形成によって、調整された表面静摩擦を達成するためにゾルゲル系構造層を形成してもよい。そのゾルゲルの形成は、静摩擦、光学散乱（増加または減少）、粘度および溶液系加工との適合性、硬化速度と方法、特定波長での光吸収（増加または減少）、屈折率、ヤング率、硬度、誘電特性、および電子機器過程の適合性などの性質を制御することに焦点を当てるように特別に設計することができる。したがって、先の記載は、本発明の範囲を限定すると解釈するべきではなく、本発明の範囲は、付随の特許請求の範囲により限定される。
【００４５】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【００４６】
実施形態１
アセンブリパネルにおいて、
上面を有する基板；
前記基板の最上層の上に配置された電子部品構造層；および
前記基板の最上層と前記電子部品構造層の上に配置されたゾルゲル系構造層であって、該電子部品構造層の少なくとも一部を露出する開口を備えたゾルゲル系構造層；
を備えたアセンブリパネル。
【００４７】
実施形態２
前記電子部品構造層は第１の厚さを示し、前記ゾルゲル系構造層は、該第１の厚さより少なくとも３倍厚い第２の厚さを示す、実施形態１に記載のアセンブリパネル。
【００４８】
実施形態３
前記第２の厚さが、前記第１の厚さより少なくとも５倍厚い、実施形態２に記載のアセンブリパネル。
【００４９】
実施形態４
前記ゾルゲル系構造層が、シラン、ケイ酸塩、および水からなる群より選択される少なくとも２つの材料を含む材料から形成される、実施形態１に記載のアセンブリパネル。
【００５０】
実施形態５
前記ゾルゲル系構造層が、ヒドロキシ（ポリジメチルシロキサン）、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、テトラエチルオルトケイ酸塩、水、およびオクチルトリクロロシランからなる群より選択される少なくとも２つの材料を含む材料から形成される、実施形態１に記載のアセンブリパネル。
【００５１】
実施形態６
前記電子部品構造層が、前記開口の内の第１のものの底部領域を該開口の内の第２のものの底部領域に接続する導電性材料を含む、実施形態１に記載のアセンブリパネル。
【００５２】
実施形態７
前記基板の材料が、高分子、金属、セラミック、ガラス、およびガラスセラミックからなる群より選択される、実施形態１に記載のアセンブリパネル。
【００５３】
実施形態８
前記開口の内の一部の底部から前記基板を通じてビアが延在する、実施形態１に記載のアセンブリパネル。
【００５４】
実施形態９
前記基板が多層基板である、実施形態１に記載のアセンブリパネル。
【００５５】
実施形態１０
デバイスを製造する方法であって、
基板を提供する工程；および
溶液を利用する過程を使用して、前記基板上にゾルゲル系構造層を形成する工程であって、該ゾルゲル系構造層は様々な特徴深さを含む工程、
を有してなる方法。
【００５６】
実施形態１１
前記溶液を利用する過程が減法過程である、実施形態１０に記載の方法。
【００５７】
実施形態１２
前記様々な特徴深さが、そこを通じて下位層が露出される前記ゾルゲル系構造層内の開口を含む、実施形態１０に記載の方法。
【００５８】
実施形態１３
前記方法が、
前記基板の上に前記ゾルゲル系構造層を形成する前に、該基板の上に電子部品構造層を、該ゾルゲル系構造層が該電子部品構造層の少なくとも一部を覆うように形成する工程、
をさらに含み、
前記下位層は、前記電子部品構造層、および前記基板の上面からなる群より選択される、実施形態１２に記載の方法。
【００５９】
実施形態１４
流体アセンブリを使用して、前記開口内に微小デバイスを堆積させる工程、および
前記ゾルゲル系構造層および前記微小デバイスの上に被包層を形成する工程、
をさらに含む、実施形態１３に記載の方法。
【００６０】
実施形態１５
前記微小デバイスが発光ダイオードである、実施形態１４に記載の方法。
【００６１】
実施形態１６
前記被包層を形成する工程が、前記基板の上にゾルゲル材料を堆積させ、該ゾルゲル材料を硬化させる工程を含む、実施形態１４に記載の方法。
【００６２】
実施形態１７
前記溶液を利用する過程が加法過程であり、該加法過程が、複製過程、スタンピング過程、および印刷過程からなる群より選択される、実施形態１０に記載の方法。
【００６３】
実施形態１８
前記溶液を利用する過程が加法過程であり、該加法過程が印刷過程であり、該印刷過程が、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、およびオフセット印刷からなる群より選択される、実施形態１０に記載の方法。
【００６４】
実施形態１９
前記溶液を利用する過程が加法過程であり、該加法過程が前記基板の上に加えられたゾルゲル材料を硬化させる工程を含む、実施形態１０に記載の方法。
【００６５】
実施形態２０
前記基板の上に加えられたゾルゲル材料を硬化させる工程が、前記ゾルゲル材料を紫外線に暴露する過程、および前記ゾルゲル材料を熱放射線に暴露する過程からなる群より選択される過程を含む、実施形態１９に記載の方法。
【００６６】
実施形態２１
前記基板の上に前記ゾルゲル系構造層を形成する前に、該基板の上に電子部品構造層を、該ゾルゲル系構造層が該電子部品構造層の少なくとも一部を覆うように形成する工程、
をさらに含む、実施形態１０に記載の方法。
【００６７】
実施形態２２
前記開口の内の一部の底部から前記基板を通じてビアが延在する、実施形態１０に記載の方法。
【００６８】
実施形態２３
電子表示装置において、
基板、
前記基板の上に形成され、第１の導電性配線を含む電子部品構造層、
ゾルゲル系構造層であって、該ゾルゲル系構造層が前記電子部品構造層の第１の部分を覆うように、前記基板の上に形成され、該ゾルゲル系構造層は、そこを通じて該電子部品構造層の第２の部分が露出される開口を備え、前記第１の導電性配線が該開口の内の少なくとも２つの底部を電気的に接続する、ゾルゲル系構造層、
各々が前記開口の内のそれぞれの開口内にある発光ダイオードであって、該発光ダイオードの各々は、上側電気接点および下側電気接点を備え、該発光ダイオードの内の一部の該下側電気接点は、前記第１の導電性配線に電気的に接続されている、発光ダイオード、
前記ゾルゲル系構造層および微小デバイスの少なくとも一部を覆う被包層、および
前記発光ダイオードの内の２つ以上の前記上側電気接点を電気的に接続する第２の導電性配線、
を備えた電子表示装置。
【００６９】
実施形態２４
アセンブリパネルにおいて、
上面を有する基板、
前記基板の上面に隣接して配置されたゾルゲル系構造層、および
電子部品構造層であって、該電子部品構造層が前記ゾルゲル系構造層によって前記基板から隔てられるように該ゾルゲル系構造層の上に配置されている、電子部品構造層、
を備えたアセンブリパネル。
【００７０】
実施形態２５
前記ゾルゲル系構造層と前記基板の上面との間には、電子部品が存在しない、実施形態２４に記載のアセンブリパネル。
【００７１】
実施形態２６
アセンブリパネルにおいて、
基板、および
前記基板の上に配置された溶液系構造層であって、３００セ氏温度超の熱サイクル能力、８０パーセント超の光学透過率、２マイクロメートル超の厚さ、および２０ＧＰａ超のヤング率を示す溶液系構造層、
を備えたアセンブリパネル。
【００７２】
実施形態２７
前記溶液系構造層がゾルゲル材料から作られている、実施形態２６に記載のアセンブリパネル。
【００７３】
実施形態２８
前記ゾルゲル材料が、５０ナノメートル超の深さを有する特徴について、１０マイクロメートル未満の特徴解像度を示す、実施形態２７に記載のアセンブリパネル。
【００７４】
実施形態２９
前記熱サイクル能力が３５０セ氏温度超であり、前記光学透過率が９０パーセント超であり、前記厚さが３マイクロメートル超であり、前記ヤング率が３０ＧＰａ超である、実施形態２６に記載のアセンブリパネル。
【符号の説明】
【００７５】
１００    流体アセンブリシステム
１１０    懸濁液
１１５    分散液体
１３０ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ    物理的物体
１４０、２０２、５０２    基板
１４２ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ、２４２    ウェル
１５０    堆積装置
１６０    懸濁液移動装置
１７０    捕獲装置
１９０、２１０    ゾルゲル系構造アライメント層
２００    微小デバイスアセンブリ
２０６    底部接点
２１８、５１８    被包層
２４０、５４０    電気接点層
２２６、５２６    微小デバイス
２８０、５８０    ビア
５０６    電気接点
５１０    ゾルゲル構造層
５４２    空隙
５９０、５９１、５９２、５９３、５９４    中間製品
【図１ａ】
2019536265.tif 000004
【図１ｂ】
2019536265.tif 000005
【図２】
2019536265.tif 000006
【図３】
2019536265.tif 000007
【図４ａ】
2019536265.tif 000008
【図４ｂ】
2019536265.tif 000009
【図４ｃ】
2019536265.tif 000010
【図５ａ】
2019536265.tif 000011
【図５ｂ】
2019536265.tif 000012
【図５ｃ】
2019536265.tif 000013
【図５ｄ】
2019536265.tif 000014
【図５ｅ】
2019536265.tif 000015
【図６】
2019536265.tif 000016
【国際調査報告】
2019536265.tif 000017
2019536265.tif 000018
2019536265.tif 000019