(57)【要約】  カソード及びアノード電極が、ＬＥＤサブマウントの底部表面の中心線に沿って、底部表面上に位置づけられる。２つの熱パッドが、底部表面の両側に沿って電極のそれぞれの側に位置づけられる。この構成により、回路基板への電極のハンダボンディングのストレスが小さくなる。さらに、２つの熱パッドによる伝熱が、電極によりチョークされないので、回路基板により一様に熱が拡散する。さらに、外方熱パッドが同形で金属設計が対称的であるので、モルテンハンダが熱パッドじょうに同一形状となり、ＬＥＤダイ及びサブマウントが回路基板の表面に関して傾斜しない。他の構成も開示され、それがＬＥＤダイの熱的及び電気的特性を向上させる。
2019513293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともp型層及びn型層を有する半導体発光層(12)を有する半導体ダイオードモジュールであり、前記半導体発光層の第１表面を通じて光が出射し、当該モジュールの第２表面が基板(64)上の金属パッド(66,68,70)に接続するための金属パターンを有し、
前記金属パターンが：
前記n型層に電気的に接続されているカソード電極(50)；
前記p型層に電気的に接続されているアノード電極(52)；及び
前記カソード電極及び前記アノード電極から絶縁されている２つの熱パッド(54,56)であり、当該モジュールの前記第２表面の両側に沿って位置づけられ、実質的に同じ形状を有する熱パッド；
を有する、
モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載のモジュールであり、さらに
サブマウント(58)に搭載されるＬＥＤダイ(10)を有し、
当該モジュールの前記第２表面は前記サブマウントの底部表面である、
モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載のモジュールであり、さらに
ＬＥＤダイ(10)を有し、
当該モジュールの前記第２表面は前記ＬＥＤダイの底部表面である、
モジュール。
【請求項４】
請求項１に記載のモジュールであり、さらに
前記基板(64)が回路基板である、
モジュール。
【請求項５】
請求項１に記載のモジュールであり、
前記カソード電極(50)及び前記アノード電極(52)が前記第２表面の中心線に沿って位置されており、前記熱パッド(54,56)が前記中心線の両側に位置されており、前記カソード電極及び前記アノード電極が熱パッドと前記中心線との間にある、
モジュール。
【請求項６】
請求項１に記載のモジュールであり、
前記熱パッド(84,86)が長方形であり、前記第２表面の対抗するコーナーに位置されており、前記カソード電極(80)及び前記アノード電極(82)が長方形であり、前記第２表面の対抗するコーナーに位置されている、
モジュール。
【請求項７】
請求項１に記載のモジュールであり、
前記熱パッド(96,98)が三角形であり、前記第２表面の対抗する側に位置されており、前記カソード電極(90)及び前記アノード電極(92)が三角形であり、前記第２表面の対抗する側に位置されている、
モジュール。
【請求項８】
少なくとも第１端子(14)及び第２端子(16)を有する電気デバイスを有する電子デバイスであり、当該電子デバイスの表面が基板(64)上の金属パッド(66,68,70)への接続のための金属パターンを有し、
前記金属パターンが：
前記第１端子に電気的に接続されている第１電極(50)；
前記第２端子に電気的に接続されている第２電極(52)；及び
前記第１電極及び前記第２電極から絶縁されている少なくとも２つの熱パッド(54,56)であり、前記金属パターンを有する前記電気デバイスの前記表面の両側に沿って位置づけられ、実質的に同じ形状を有する熱パッド；
を有する、
電子デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記電気デバイスが、サブマウント(58)に搭載される半導体ダイ(10)を有し、
前記電気デバイスの前記表面は前記サブマウントの表面である、
電子デバイス。
【請求項１０】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記電気デバイスが、半導体ダイ(10)を有し、
前記電気デバイスの前記表面は前記半導体ダイの底部表面である、
電子デバイス。
【請求項１１】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記電気デバイスが、サブマウント(58)に搭載される複数のダイ(10)を有し、
前記電気デバイスの前記表面は前記サブマウントの底部表面である、
電子デバイス。
【請求項１２】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記第１電極(50)及び前記第２電極(52)が前記表面の中心線に沿って位置されており、前記熱パッド(54,56)が前記中心線の両側に位置されており、前記第１電極及び前記第２電極が熱パッドと前記中心線との間にある、
電子デバイス。
【請求項１３】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記熱パッド(54,56)が、前記第１電極(50)及び前記第２電極(52)よりも大きい、
電子デバイス。
【請求項１４】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記熱パッド(84,86)が長方形であり、前記表面の対抗するコーナーに位置されており、前記第１電極(80)及び前記第２電極(82)が長方形であり、前記表面の対抗するコーナーに位置されている、
電子デバイス。
【請求項１５】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記熱パッド(96,98)が三角形であり、前記表面の対抗する側に位置されており、前記第１電極(90)及び前記第２電極(92)が三角形であり、前記表面の対抗する側に位置されている、
電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスに関し、特に、熱抵抗、ハンダ信頼性及び表面実装技術（ＳＭＴ）処理歩留まりを向上させるための、回路基板（circuit  board）のパッドにハンダ付けされる半導体ダイ又はサブマウントの表面上の金属パッドの構成に関する。本出願は、2015年12月2日に出願された米国仮出願第62/262,311号の優先権を主張する。米国仮出願第62/262,311号の内容を本明細書に引用して組み込む。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来のＬＥＤダイ10を示す。ＬＥＤダイ10は、ＬＥＤ層12により指示されている、半導体層及び選択的な透明基板を含む。底部カソード電極14は、LEDダイ10内のn型層に電気的に接続され、アノード電極16は、LEDダイ10内のp型層に接続される。LEDダイ10は、フリップチップとして示されているが、その代わりに、ワイヤボンディングされた1個の頂部電極又はワイヤボンディングされた2個の頂部電極を有してもよい。
【０００３】
LEDダイ10は、AlN本体を有するような、熱伝導性のサブマウント18上に最初に搭載することができる。サブマウントを使用することにより、LEDダイ10の取り扱い及び回路基板への取り付けが非常に容易になる。サブマウント18は、超音波溶接又は他の技術によってLEDダイ電極14及び16に接合される頂部金属パッド20及び22を有する。サブマウントの金属パッド20及び22は、サブマウント18の頂部表面上の金属トレース及びサブマウント本体を貫通する垂直ビア26の手段によって、複数の底部電極24（一方が断面で示されている）に電気的に接続されている。
【０００４】
サブマウント18は、LEDダイ10とプリント回路基板30との間のインターフェースのように働き、LEDダイ10によって生成された電流及び熱を伝導する。LEDダイ10によって発生された熱は、主にLEDダイ電極14及び16によってサブマウント本体に伝導される。サブマウント18は、通常銅で形成される電気的に絶縁された熱パッド32を介して回路基板30に熱を伝導する。回路基板30上の電極34（断面内に1つのみが示されている）がサブマウント18の底部電極24にハンダ付けされ、回路基板30上の熱パッド35がサブマウント上の熱パッド32にハンダ付けされる。電極34は、トレース36によって電源に接続される。回路基板30は、アルミニウム又は銅製のコアから形成されるように、しばしば熱伝導性が高く、金属製コアから電極34及びトレース36を電気的に絶縁するための薄い誘電体層38を有する。
【０００５】
回路基板30上の熱パッド35は、熱を横方向に拡散するためにサブマウント18のフットプリントよりもはるかに大きくてしてもよい。
【０００６】
図2は、サブマウント18の底部表面上の電極24A及び24B並びに熱パッド32を示し、これらは回路基板30上の電極及び熱パッドパターンに対応する。
【０００７】
このような設計の問題点は、熱パッドと電気パッドとの間の隙間によって熱フローが中断されるため、回路基板30のCu層内の熱拡散が電極34の位置によって部分的に絞られて（choked）しまう（或いは遮られてしまう）ことである。別の問題は、熱パッド35上を濡らす溶融ハンダ40（ハンダ槽からのものなど）が表面張力によって平坦ではなく、小さな電極34上の溶融ハンダ42の高さが、熱パッド35上のハンダ40の高さとは異なってしまうことである。これにより、冷却によってハンダが凝固した後、回路基板30上に取り付けられたときにサブマウント18及びLEDダイ10がわずかに傾斜する。この効果は、特に2.5×2.5mmを超えるような大きなサブマウントで起こる。
【０００８】
さらに、図1及び図2の設計では、サブマウント18と回路基板30との間の熱膨張係数（CTE）の不一致に起因するハンダクラック及び層間剥離が起こりやすい。何故ならば、サブマウント18の中心から離れるにつれて応力が増加し、小さな電極24がサブマウント18の中心から最も離れているからである。もし電極がハンダによって互いに電気的に十分に接続されていないと、割れた開放接点でアークが発生し、界面で高熱が発生し、電圧降下が増加する。
【０００９】
LEDダイ10の底部表面が図2に示したものと同様な電極及び熱パッド構成を有し、LEDダイ10が回路基板上の対応するパッドに直接接合されている場合にも同じ問題が生じる。
【００１０】
図3は、LEDダイのためのサブマウントの底部表面上の電極44及び46並びに熱パッド48の別の従来の構成を示す。この3ストライプ設計は、図2の構成に関して上述したものと同様な、傾斜、電極44／46による熱拡散の絞り、及びハンダクラッキング（cracking）／剥離（delamination）の諸欠点を有する。何故ならば、電極44及び46が中心から離れており、熱パッド48を部分的に囲んでいるからである。
【００１１】
必要とされるものは、上述した欠点のない、LEDダイ又はサブマウントの底部表面上の金属電極及び熱パッドの構成である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
電子デバイス又は光電子デバイスの熱的及び電気的特性を向上させる、半導体ダイ又はサブマウントの底部表面上の様々な金属電極及び熱パッド構成を記載する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
一実施形態において、LEDモジュールのカソード電極及びアノード電極が、サブマウント底部表面の中心線に沿って配置され、2つの熱パッドが、底部表面の対抗する両側に配置され、電極が2つの熱パッドの間にある。ハンダの応力は、サブマウントの中央付近で最も低いので、電極を回路基板に接合するハンダにかかる応力が小さい。
【００１４】
さらに、2つの熱パッドによって伝導される熱（の流れ）が電極によって絞られないので、熱は回路基板内外へより均一に拡散する。
【００１５】
さらに、金属設計が対称であり、熱パッドが同一であるので、溶融ハンダは両熱パッド上で同じ形状を有し、ダイ及びサブマウントを回路基板の表面に平行にする。したがって、ダイの傾斜がない。このことは、ダイがLEDダイである場合に特に重要である。何故ならば、傾斜が発光プロファイルに影響するからである。
【００１６】
上記の熱的及び電気的改善を達成するようにダイ又はサブマウントの底部上に様々な金属電極及び熱パッドが配置される、他の構成が記載されている。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図1は、回路基板上に搭載されるサブマウントの上に搭載される例示的なＬＥＤダイの断面図である。
【図２】図2は、従来のLEDダイ又はサブマウントの底部上の従来の金属電極及び熱パッドの構成を示す。
【図３】図３は、他の従来のLEDダイ又はサブマウントの底部上の従来の金属電極及び熱パッドの構成を示す。
【図４】図4は、本発明の一実施形態に従った、LEDダイ又はサブマウントの底部上の金属電極及び熱パッドの構成を示す。
【図５Ａ】図5Aは、回路基板上に搭載されるサブマウントの上に搭載されるLEDダイの断面図であり、サブマウントの底部表面が図4に示す金属構成を有しており、熱パッドの短辺側から見た図である。
【図５Ｂ】図5Bは、熱パッドの長辺側から見た図であり、図5Aの構造を示す。
【図６】図6は、本発明の他の実施形態に従った、LEDダイ又はサブマウントの底部上の金属電極及び熱パッドの構成を示す。
【図７】図7は、本発明の別の実施形態に従った、LEDダイ又はサブマウントの底部上の金属電極及び熱パッドの構成を示す。
【図８】図8は、複数のダイが取り付けられたサブマウントを示し、サブマウントは、図４，６及び７の金属パターンに同様な底部金属パターンを有する。  様々な図において同じ又は等価である要素には、同じ参照符号が付けられている。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、回路基板に接合されるべき金属パッドを有する如何なる電子デバイスにも適用可能であるが、LEDモジュールの例を説明する。
【００１９】
図４は例示的なLEDダイ又はサブマウントの底部表面の図であり、本発明の一実施形態に従った金属カソード電極50、アノード電極52、並びに熱パッド54及び56を示す。この例では、LEDダイがサブマウント上に搭載され、サブマウントが、同じ金属パターンを有する回路基板の上に搭載されるものと仮定する。ゆえに、図４に示す構成は、サブマウント58の底部表面上の構成である。したがって、LEDダイの底部の金属電極構成は重要ではない。何故ならば、サブマウント58が、トレース及び垂直ビアを使用してLEDダイ電極をサブマウント58上の底部電極50／52に電気的に接続し、LEDダイによって生成された熱がサブマウント本体によって熱パッド54／56に伝導されるからである。
【００２０】
別の実施形態では、LEDダイも熱パッドを含んでもよく、サブマウントが、頂部熱パッドから底部熱パッド54及び56に通じる金属ビアを含んでもよい。
【００２１】
図5Aは、LEDダイ10を示し、サブマウント58の頂部表面に搭載される、図1の従来のLEDダイであってもよい。この図は、熱パッド54及び56の短辺に面している。図5Bは、図5Aの構造を示す図であり、この図は熱パッド54の長辺に面している。
【００２２】
LEDダイのアノード電極16は、サブマウント58上の頂部金属アノードパッド60に取り付けられるべく示されており、カソード電極14は、サブマウント58上の頂部金属カソードパッド61に取り付けられるべく示されている。取付けは、超音波溶接その他の技術によって行われる。パッド60は、サブマウント本体内に形成された垂直金属ビア62によって底部アノード電極52に電気的に接続されている。LEDダイのカソード電極14を示す反対側から見た図は、図5Aと同一である。
【００２３】
LEDダイ10からの熱は、LEDダイの金属電極14／16からを含むLEDダイの底部表面からサブマウント58の本体に伝導され、最初にサブマウント58全体に熱を拡散する。次に、サブマウント58上の熱パッド54及び56並びに回路基板64上の対応する金属パッド66及び68を介して、熱が金属コア回路基板64に伝達される。サブマウント58のアノード電極52は、回路基板64上のアノードパッド70に電気的に接続される。回路基板64上のパッド66及び68は、パッド66及び68の外側への膨張を阻止する電極がないので、より良好な熱拡散のためにサブマウント58のフットプリントを越えて延在することができる。
【００２４】
図4に示す金属構成は、LEDダイ10からのヒートシンクを改善し、LEDダイの傾斜を低減し、以下に説明するようにハンダクラッキング／剥離の可能性を低減する。
【００２５】
熱パッド54及び56がサブマウント58の両側近くに対称的に配置されており、電極50及び52が中央に沿って配置されているので、サブマウント58が回路基板64上に搭載された後に、熱の外方への拡散が絞られない。さらに、この構成により、回路基板64上の熱パッド66及び68がサブマウント58のフットプリントを越えて延びて熱をより良好に拡散することを可能にする。
【００２６】
熱パッド66及び68の寸法は同じであり、サブマウント58の実質的に全長に延びているので、パッド66及び68の両方に分配された溶融ハンダ74及び76は、高さ及び体積などについて同じ特性を有する。したがって、サブマウント58が溶融ハンダの上に置かれた時に、サブマウント58及びLEDダイ10は傾斜しない。ハンダが冷却されると、回路基板64上の金属パッド70／66／68は、サブマウント58上のそれぞれの電極50／52及び熱パッド54／56に熱的及び電気的に接続される。
【００２７】
サブマウント58と回路基板64との間の固有のCTEの不一致に起因して、ハンダ接合部は熱サイクルにより応力を受ける。この応力は、サブマウント58の中心から遠くなると大きくなる。「中心」電極50及び52に接続されたハンダ接合部は、熱パッド54及び56に接続されたハンダ接合部よりも小さい面積を有するため、クラッキング／デラミネーションの影響をより受けやすく、LEDダイへの電気的接続の信頼性を低下させる。これらの電極ハンダ接合部は、サブマウント58の中心に近いので、熱パッドのハンダ接合部よりも受ける応力が小さい。こうして、この構成がハンダ接合部の信頼性を向上させる。
【００２８】
より対称的であるパッド構成を提供し、かつ熱パッドからの熱分配を絞らないという同じ概念を、サブマウント又はLEDダイの表面上の異なる金属設計に適用することができる。
【００２９】
図6は、サブマウント又はLEDダイの底部表面上の金属電極及び熱パッド構成の別の実施形態を示す。カソード電極80、アノード電極82、熱パッド84及び熱パッド86が、長方形（例えば、正方形）であり、異なる象限に位置する。回路基板には対応するパターンがある。すべての電極／パッドが同じ寸法であるので、溶融ハンダは各電極／パッド上で同じ高さを有するので、傾斜はない。
【００３０】
熱パッド84及び86は、それらの外側の2つの上の電極によってブロックされないので、熱は回路基板内により効率的に拡散し、回路基板はサブマウントのフットプリントを十分に越えて延びる熱パッドを使用することができる。
【００３１】
電極80及び82はサブマウントの中央に近いので、ハンダ接合部上の熱応力が小さくなり、クラッキング又は剥離の可能性が低減する。
【００３２】
図7は、サブマウント又はLEDダイの底部表面上の金属電極及び熱パッド構成の別の実施形態を示す。カソード電極90、アノード電極92、熱パッド96及び熱パッド98は、三角形であり、異なる象限に位置する。回路基板は対応する金属パターンを有する。すべての電極／パッドが同じ寸法であるので、溶融ハンダは各電極／パッド上で同じ高さを有するので、傾斜はない。
【００３３】
熱パッド96及び98は、それらの外側にある電極によってブロックされるということがないので、熱は回路基板内へとより効率的に拡散し、回路基板はサブマウントのフットプリントを十分に超えて延在する熱パッドを使用することができる。
【００３４】
電極90及び92はサブマウントの中央に近いので、ハンダ接合部上の熱応力が小さくなり、クラッキング又は剥離の可能性が減少する。
【００３５】
他の金属パターンの構成も、図４乃至７に関連して上述したガイドラインを使用して可能である。例えば、熱パッドは3つ以上でもよく、サブマウントの中心に近い電極を対称的に包囲してもよい。熱パッドは、任意の形状とすることができる。
【００３６】
上述から理解されるように、LEDと回路基板との間の熱抵抗を最適化し（すなわち、システムレベルで）、ハンダ信頼性を向上させ、SMT処理歩留まりを向上させる（即ち、回路基板への接合を成功させる）ようなLED金属パッド構成を説明してきた。
【００３７】
金属パターンは、回路基板などの基板の表面に直接取り付けられるものであればLEDダイ又はそのサブマウントのいずれにも有用であるため、いずれの構造もLEDモジュールと呼ぶことができる。LEDダイは、レーザダイオードダイであってもよく、或いは非レーザダイであってもよい。
【００３８】
図8は、回路基板へのボンディングのための上述の金属パターンのいずれとも一致する底部金属パターンを有するサブマウント102を示す。任意の数のダイを表現する複数のダイ104及び106は、サブマウント102の頂部上のトレースパターンによって相互接続されることができる。ダイ104及び106によって生成された熱を組み合わせて、サブマウントの底部上の熱パッドを介して回路基板に伝達する。一実施形態では、ダイ104及び106のための任意の数の電極が、図4の概念に一致するサブマウント102の底部上の熱パッドの間に配置されてもよい。他の実施形態では、図６及び図７に示すような方法で、熱パッドと一緒に分配されてもよい。
【００３９】
すべての電極をサブマウントの中心付近に配置し、熱パッドを電極の両側又はすべての電極の周りに配置することにより、（電極が中心に近いため）電極上の熱（CTE）応力が小さくなり、ハンダボンドの信頼性を高め、傾きの可能性を低減する。複数のLEDダイ（又は他の熱発生ダイ）を支持するようなより大きなサブマウントでは、熱応力の問題が増大し、本発明は、より大きなサブマウントに対して特に有益である。
【００４０】
金属パターンの設計は、熱が発生し、LEDに限定されないダイ及び／又はサブマウントに有益である。例えば、パワートランジスタ及び他の高熱生成ダイは、本発明の恩恵を受けることができる。
【００４１】
本発明の特定の実施形態を示し説明してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく変更及び修正を行うことができることは当業者には明らかであり、ゆえに添付の特許請求の範囲はそのようなすべての変更と修正を包含する。
【図１】
2019513293.tif 000003
【図２】
2019513293.tif 000004
【図３】
2019513293.tif 000005
【図４】
2019513293.tif 000006
【図５Ａ】
2019513293.tif 000007
【図５Ｂ】
2019513293.tif 000008
【図６】
2019513293.tif 000009
【図７】
2019513293.tif 000010
【図８】
2019513293.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月2日(2018.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともp型層及びn型層を含む少なくとも複数の半導体層を有する発光構造体と、金属パターンとを有する半導体ダイオードモジュールであり、前記発光構造体が当該半導体ダイオードモジュールの第１表面である第１表面を有し、当該半導体ダイオードモジュールが当該半導体ダイオードモジュールの前記第１表面に対抗する第２表面を有し、前記金属パターンが当該半導体ダイオードモジュールの前記第２表面の上に位置され、
前記金属パターンが：
前記n型層に電気的に接続されているカソード電極；
前記p型層に電気的に接続されているアノード電極；及び
前記カソード電極及び前記アノード電極から絶縁されている２つの熱パッド(54,56)であり、当該半導体ダイオードモジュールの前記第２表面の両側に沿って位置づけられ、実質的に同じ形状を有する熱パッド；
を有する、
半導体ダイオードモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体ダイオードモジュールであり、さらに
サブマウントの第１表面に搭載されるＬＥＤダイを有し、
前記ＬＥＤダイは、少なくとも前記発光構造体を有し、
当該半導体ダイオードモジュールの前記第２表面は前記サブマウントの前記第１表面に対抗する前記サブマウントの第２表面である、
半導体ダイオードモジュール。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体ダイオードモジュールであり、さらに
当該半導体ダイオードモジュールの前記第２表面が、当該半導体ダイオードモジュールの前記第１表面に対抗する前記発光構造体の表面であり、
前記カソード電極、前記アノード電極及び前記２つの熱パッドが当該半導体ダイオードモジュールの前記第２表面に直接に結合される、
半導体ダイオードモジュール。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体ダイオードモジュールであり、
前記発光構造体が、透明基板を有する、
半導体ダイオードモジュール。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体ダイオードモジュールであり、
前記カソード電極及び前記アノード電極が当該半導体ダイオードモジュールの前記第２表面の中心線に沿って位置されており、前記熱パッドが各々前記中心線の両側に位置されている、
半導体ダイオードモジュール。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体ダイオードモジュールであり、
前記熱パッドが長方形であり、当該半導体ダイオードモジュールの前記第２表面の中心線の両側で互いに対角に位置されており、前記カソード電極及び前記アノード電極が長方形であり、前記熱パッドとは異なる位置に前記中心線の両側で互いに対角に位置されている、
半導体ダイオードモジュール。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体ダイオードモジュールであり、
前記熱パッドが三角形であり、当該半導体ダイオードモジュールの前記第２表面の第１中心線の両側で互いに対抗して位置されており、前記カソード電極及び前記アノード電極が三角形であり、前記第１中心線に交差する、当該半導体ダイオードモジュールの前記第２表面の第２中心線の両側で互いに対抗して位置されている、
半導体ダイオードモジュール。
【請求項８】
電子デバイスであって、
第１表面と該第１表面に対抗する第２表面とを有する本体であり、前記第１表面が当該電子デバイスの第１表面であり、当該電子デバイスが該第１表面に対抗する第２表面を有する、本体；及び
当該電子デバイスの前記第２表面に位置される金属パターン；
を有し、
前記金属パターンが：
第１電極；
第２電極；及び
前記第１電極及び前記第２電極から絶縁されている少なくとも２つの熱パッドであり、当該電子デバイスの前記第２表面の両側に沿って位置づけられ、実質的に同じ形状を有する熱パッド；
を有する、
電子デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記本体がサブマウントの第１表面に搭載される半導体ダイであり、
当該電子デバイスの前記第２表面は、前記サブマウントの前記第１表面に対抗する、前記サブマウントの第２表面である、
電子デバイス。
【請求項１０】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記本体が、半導体ダイであり、
当該電子デバイスの前記第２表面が、前記本体の第２表面である、
電子デバイス。
【請求項１１】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記本体が、サブマウントの第１表面に搭載された複数のダイを有し、
当該電子デバイスの前記第２表面が、前記サブマウントの前記第１表面に対抗する、前記サブマウントの第２表面である、
電子デバイス。
【請求項１２】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記第１電極及び前記第２電極が、当該電子デバイスの前記第２表面の中心線に沿って位置されており、前記熱パッドが前記中心線の両側に位置されている、
電子デバイス。
【請求項１３】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記熱パッドの各々が、前記第１電極及び前記第２電極の各々よりも大きい、
電子デバイス。
【請求項１４】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記熱パッドが長方形であり、当該電子デバイスの前記第２表面の中心線の両側に互いに対角に位置されており、前記第１電極及び前記第２電極が長方形であり、前記熱パッドとは異なる位置で前記中心線の両側に互いに対角に位置されている、
電子デバイス。
【請求項１５】
請求項８に記載の電子デバイスであり、
前記熱パッドが三角形であり、当該電子デバイスの前記第２表面の第１中心線の両側に互いに対角に位置されており、前記第１電極及び前記第２電極が三角形であり、前記第１中心線に交差する、当該電子デバイスの前記第２表面の第２中心線の両側に互いに対角に位置されている、
電子デバイス。
【国際調査報告】
2019513293.tif 000012