(57)【要約】【課題】【解決手段】  本発明は、粒子線を用いて基板の表面を処理する方法及び装置に関する。当該方法は、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）を照射する工程を備えており、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の第１領域（３０８）において、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）は、非パルス（３０６）状で前記基板（１１４）の前記表面（３０２）に当たる前記粒子線（１０４）により処理され、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の第２領域（３１０）において、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）は、パルス（３０４）状で前記基板（１１４）の前記表面（３０２）に当たる前記粒子線（１０４）により処理される。【選択図】図３
2019533293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子線（１０４）を用いて基板（１１４）の表面（３０２）を処理する方法（３００）であって、該方法（３００）は、前記粒子線により前記基板（１１４）の前記表面（３０２）を照射する工程を備えており、
前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の第１領域（３０８）において、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）は、非パルス（３０６）状で前記基板（１１４）の前記表面（３０２）に当たる前記粒子線（１０４）により処理され、
前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の少なくとも第２領域（３１０）において、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）は、パルス状で前記基板（１１４）の前記表面（３０２）に当たる前記粒子線（１０４）により処理される
ことを特徴とする方法（３００）。
【請求項２】
粒子線（１０４）を用いて基板（１１４）の表面（３０２）を処理する方法（３００）であって、該方法（３００）は、前記粒子線により前記基板（１１４）の前記表面（３０２）を照射する工程を備えており、
前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の第１領域（３０８）において、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）は、第１デューティサイクルでパルス（３０４）化された、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）に当たる前記粒子線（１０４）により処理され、
前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の少なくとも第２領域（３１０）において、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）は、前記第１デューティサイクルとは異なる第２デューティサイクルのパルス状で、前記粒子線（１０４）により処理される
ことを特徴とする方法（３００）。
【請求項３】
前記方法（３００）は、処理される各表面領域に対して、パルス及び非パルス処理の回数を決定する工程を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法（３００）。
【請求項４】
前記パルス処理の回数を決定する工程は、パルス幅、パルス振幅、パルス形状、パルス位置、及び／又はパルス分布を決定する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法（３００）。
【請求項５】
前記粒子線（１０４）は、パルスが、パルス（３０４）処理領域の中心周辺で対照的に配置されるように、パルス（３０４）状で前記基板（１１４）の前記表面（３０２）に当たることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項６】
前記方法（３００）は、前記基板（１１４）の少なくとも一の領域で、表面（３０２）の上又は下にある基準平面（３２０）を規定する工程を更に備えており、
前記基板（１１４）は、前記領域の前記表面（３０２）が前記基準平面（３２０）と所定の関係を有する場合に、前記領域においてパルス（３０４）化され、
前記領域は、他の場合では、非パルス化されるか、又は処理されないことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項７】
前記方法（３００）は、処理される前記表面の各領域に対して前記第１デューティサイクルと前記第２デューティサイクルを決定する工程を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の方法（３００）。
【請求項８】
前記非パルス照射が前記表面の一の領域で行われた後に、前記パルス照射が前記表面の同じ領域で行われることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項９】
前記パルス照射が前記表面の一の領域で行われた後に、前記非パルス照射が前記表面の同じ領域で行われることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項１０】
前記粒子線（１０４）は、中性粒子ビーム、粒子束ビーム、イオンビーム、又は電子ビームであることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項１１】
前記粒子線（１０４）を用いて前記表面（３０２）を処理する際に、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）又は前記表面の一部から材料が除去されることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項１２】
前記粒子線（１０４）を用いて前記表面（３０２）を処理する際に、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）又は前記表面の一部に材料が堆積されることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項１３】
前記第１領域は、前記第２領域とは異なることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項１４】
前記方法（３００）は、前記基板の前記表面（３０２）の少なくとも一部の表面状態を検出する工程を備えることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項１５】
前記方法（３００）は、前記基板の前記表面（３０２）の上又は下にある対象平面を決定する工程を備えており、前記基板は、前記対象平面に到達するまで、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の一の領域で処理されることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項１６】
前記方法（３００）は、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）を更に照射する工程を備えており、前記対象平面に到達した前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の一の領域（３１２）では、前記粒子線（１０４）は、この領域（３１２）において前記表面（３０２）が前記粒子線（１０４）によって処理されないように遮断されることを特徴とする請求項１５に記載の方法（３００）。
【請求項１７】
前記方法は、少なくとも一の他の更なる照射工程を備えており、前記非パルス照射の前記基板の前記表面の前記第１領域は、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）上にパルス（３０６）化された前記粒子線（１０４）を用いた前記他の更なる照射工程中に処理されることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれか一項に記載の方法（３００）。
【請求項１８】
粒子線（１０４）を用いて基板（１１４）の表面（３０２）を処理する装置であって、該装置は、
粒子線（１０４）により前記基板（１１４）の前記表面（３０２）を処理するように構成された粒子線源と、
前記粒子線（１０４）を制御するように構成され、前記粒子線により前記基板（１１４）の前記表面（３０２）を照射するように構成されたビーム源制御手段（１１２）と、
を備えており、
前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の第１領域（３０８）において、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）は、非パルス（３０６）状で前記基板（１１４）の前記表面（３０２）に当たる前記粒子線（１０４）により処理され、
前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の第２領域（３１０）において、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）は、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）上へパルス（３０４）化された前記粒子線（１０４）により処理される
ことを特徴とする装置。
【請求項１９】
粒子線（１０４）を用いて基板（１１４）の表面（３０２）を処理する装置であって、該装置は、
粒子線（１０４）により基板（１１４）の表面（３０２）を処理するように構成された粒子線源と、
前記粒子線（１０４）を制御するように構成され、前記粒子線により前記基板（１１４）の前記表面（３０２）を照射するように構成されたビーム源制御手段（１１２）と、
を備えており、
前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の第１領域（３０８）において、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）は、第１デューティサイクルでパルス（３０４）化された、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）に当たる前記粒子線（１０４）により処理され、
前記基板（１１４）の前記表面（３０２）の第２領域（３１０）において、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）は、前記第１デューティサイクルとは異なる第２デューティサイクルでパルス（３０４）化された、前記基板（１１４）の前記表面（３０２）に当たる前記粒子線（１０４）により処理される
ことを特徴とする装置。
【請求項２０】
処理チャンバ（１２２）を更に備えており、前記照射源（１０２）及び前記基板（１１４）の少なくとも一部は、前記処理チャンバ（１２２）内に配置されることを特徴とする請求項１８又は１９に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粒子線を用いて基板の表面を処理する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
産業界では、例えば、装置の表面に隆起があり、表面が、ある対象、即ち、例えば過多又は過少の材料を有する対象表面からずれる際に、被覆半導体上の表面又はその他の構成部品表面を処理する方法が用いられる。
【０００３】
過剰の材料は、例えばイオンビームエッチングを用いて除去できる。サイト選択性イオンビームエッチングでは、イオンビームは処理される表面に対して移動される。処理される表面は、複数の表面セグメントに分割できる。走査時には、イオンビームは常に一の表面セグメントに所定時間留まる。
【０００４】
図４は、イオンビームを用いて、所定の均質性と粗さ４０２を得るように処理される表面４０６を有する基板４００の模式的断面図を示す。イオンビームエッチングでは、材料は、各表面セグメントにおいて、処理される表面４０６から除去される。イオンビームは、複数回、即ち複数回の照射パスにおいて、所謂、走査Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３において、表面を通過し、各走査において材料を除去する。
【０００５】
現在、特定の精密な局所的基板除去又は基板堆積を達成するために、全処理期間に渡って電流密度分布の時間的恒常性が高いイオンビームを表面改質の目的で用いている。
【０００６】
各走査中、これは最小量の材料であってよく、これは基準エッチ４０８とも称される。基準エッチ４０６は、イオンビームのビームプロファイル、イオンエネルギー、技術的最大可能移動速度、及びライン供給に依存する。一回の走査当たりに除去可能な材料量は、基板上の熱応力により、最大値４０４に限定される。各走査中、例えば、５ｎｍから３０ｎｍの範囲の厚さを有する材料層が、イオン照射により除去できる。従って、より多量の除去を達成するために、基板は複数回走査される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、基準エッチの結果、処理される構成部品の全表面に渡って材料が不要に除去されてしまい、これにより不要に処理時間がかかり、対象平面４０２の均質性を低下させてしまう。
【０００８】
或いは、パルス持続時間が夫々の表面セグメントに適するように適合された、電気的に切り替えられたイオンビームが用いられる。より小さな変化を意図した基板のこれらの領域は、滞留時間がより短く、同時にパルス持続時間がより短いイオンビームで処理され、一方、より大きな変化を意図した基板のこれらの領域は、対応して滞留時間がより長く、持続時間がより長いイオンビームで処理される。費やされる全滞留時間は、複数回の走査Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の間で等しく分割される。
【０００９】
しかしながら、各パルスは、表面セグメント上のイオンビームの点滅（オンオフ切り替え）という結果を生じる。点滅（オンオフ切り替え）処理により、材料除去は、時間的勾配プロファイルを有する。勾配プロファイルと、切り替え処理が行われる場所とは、時間及び／又は空間変動を有してよい。勾配プロファイルは、イオンビームエッチング中に系統誤差を引き起こす。その結果、各照射期間は、イオンビームの点滅（オンオフ切り替え）からの勾配プロファイルを有することになり、個々の期間における系統誤差は合算される。これはイオンビーム処理の精度を低下させる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
各種の実施形態では、粒子線を用いて基板の表面を処理する装置及び方法が提供される。これにより、上述した欠点の少なくとも一部は軽減又は回避すらされる。
【００１１】
各種の実施形態では、粒子線を用いて基板の表面を処理する方法が提供される。当該方法は、前記粒子線により前記基板の前記表面を照射する工程を備える。照射時には、前記基板の前記表面の第１領域において、前記基板の前記表面は、非パルス状で前記基板の前記表面に当たる前記粒子線により処理される。照射時には、前記基板の前記表面の少なくとも第２領域において、前記基板の前記表面は、パルス状で前記基板の前記表面に当たる前記粒子線により処理される。
【００１２】
基板の表面のパルス及び非パルス照射は、走査工程、即ち、基板の表面の処理パスにおいて起こりうる。
【００１３】
第１パスの非パルス照射と第２パスのパルス照射とを組み合わせることにより、表面を処理するために必要なパルス数を減少又は最小にできる。
【００１４】
従って、純粋なパルス処理と比べて、基板処理中のパルス勾配により生じる誤差を減少又は最小にできる。さもなければ、各パルスの誤差は、全照射パス（走査）に渡って合算されてしまう。パルス勾配により生じる誤差は、例えば、表面との粒子線の接触をオンオフ切り替えする際に不変の粒子線プロファイルにより生じる。
【００１５】
非パルス表面処理、即ち、連続波処理と比べると、表面の不要又は不適当な処理を回避又は減少できる。その結果、表面をより正確に処理でき、また表面粗さがより低くなり、若しくは表面の均質性又は所与の表面性状との一致がより高くなりうる。
【００１６】
他の異なる実施形態では、当該方法は、前記粒子線により前記基板の前記表面を照射する工程を備えており、基板の表面は、前記表面の第１領域において照射する際の粒子線により処理され、前記基板の前記表面は、第１デューティサイクルでパルス化された、前記基板の前記表面に当たる前記粒子線により処理される。前記基板の前記表面の少なくとも第２領域において、前記基板の前記表面は、前記第１デューティサイクルとは異なる第２デューティサイクルでパルス化された、前記基板の前記表面に当たる前記粒子線により処理される。
【００１７】
デューティサイクルは、パルスデューティファクタ（パルス占有率）、走査速度又はデューティサイクル（デューティ比）と称することもできる。デューティサイクルを決定するために、表面は、粒子線を用いて処理、即ち照射される複数の等寸法セグメント又は領域に細分化できる。デューティサイクルを決定するために、複数のセグメントが、セグメント当たり同じ又は一定エネルギー密度の粒子線により処理される、と更に仮定する。よって、デューティサイクルは、セグメント内のビームの全滞留時間に対する、セグメント内のオンにされたビームの時間の比から生じる。よって、デューティサイクルは、各種の実施形態において、領域セグメント当たりの滞留時間に関連する。
【００１８】
一のセグメントのサイズ、即ちそのエッジ長は、例えば粒子線のビームプロファイルから生じる。これは、例えばガウスビームの半値幅及び／又はステップサイズ、即ち、基板の表面上の粒子線の最小の機械的変化である。
【００１９】
基板の表面の非処理時は、デューティファクタは０であることは明らかである。非パルス処理では、デューティサイクルは１．０である。パルス処理では、デューティサイクルは０．０よりも大きく、１．０よりも小さい。
【００２０】
例えば、第１デューティサイクルは、０．０から１．０の範囲の値を有してよい。第２デューティサイクルは、例えば、０．０よりも大きく、１．０よりも小さい値を有してよい。
【００２１】
各種の実施形態では、当該方法は、基板の表面が、非パルス状で基板の表面に当たる粒子線により処理される非パルス照射を有する。
【００２２】
各種の実施形態では、パルス照射及び非パルス照射は、表面の一の領域又はセグメントで重なってよい。非パルス照射は、連続波照射と称されてもよい。パルス照射は、例えば、非パルス照射よりも、一定のエネルギー密度において除去速度又は分離速度が低くてよい。これにより、パルス幅の減少及び粒子線のオン／オフ動作（並びにそれに関連する、より少ない又は小さい勾配の粒子線制御）が容易になる。この結果、表面処理の信頼性はより高くなる。
【００２３】
しかしながら、各種の実施形態では、セグメント当たりの滞留時間及び個々のセグメント間の除去又は分離速度は、例えばパルス振幅変調又はパルス周波数変調を実現するように変更できる。セグメント当たり又はパルス当たりの滞留時間は、例えば粒子線の一定エネルギー密度において、例えば、非パルス処理に対して減少又は増加される。その結果、除去又は分離速度を変更でき、また疑いもなく、パルス振幅を増加又は減少できる。しかしながら、パルス処理の除去又は分離速度は、夫々の領域セグメントに渡って平均化されてもよく、また非パルス処理の除去又は分離速度に対応してよい。例として、パルス処理は、滞留時間が長く、パルスが比較的狭い、即ち、粒子線の供給速度がより低い、基板の表面処理を含んでよい。この供給速度とは、走査線において表面領域での滞留時間を制御するための該走査線内の粒子線の進行である。ライン供給は、一の走査線から次の走査線への粒子線の送出である。ライン供給は、表面の常に一の領域において、粒子線の滞留時間に直接的な影響を与えることはできない。
【００２４】
一の実施形態では、表面のパルス照射は、例えば表面の同じ領域の非パルス照射に基づいて、パルス振幅を増加又は減少させて、且つパルスブレーキ無し又は殆ど無しに、即ち、パルス振幅変調により行われる。
【００２５】
一の実施形態では、前記方法は、処理される表面の各領域に対して、パルス及び非パルス処理の回数を決定する工程を更に備える。処理の開始前に基板の処理を明確に規定することにより、表面処理を最適化できる。
【００２６】
更に他の実施形態では、前記パルス処理の回数を決定する工程は、パルス幅、パルス振幅、パルス形状、パルス位置、及び／又はパルス分布を決定する工程を含んでよい。例えば、粒子線を用いた基板の表面のパルス処理のデューティサイクルは、除去又は分離する材料の量から生じる。これにより、例えば、パルス幅、（勾配）形状及び位置を決定できる必要数のパルスを最適化でき、よって、当該方法の系統誤差は減少する。
【００２７】
パルス分布は、例えば一又は複数の基準点に対する、例えば、パルスの位置を有することができる。基準点は、例えば、処理される領域の端部又は中心である。パルス分布は、例えば、処理される領域の中心に対するパルスの鏡対象分布であってよい。
【００２８】
更に他の実施形態では、前記粒子線は、パルスが、パルス状で処理された領域の中心に対して対照的に配置されるように、パルス状で前記基板の前記表面に当たってよい。これにより、パルス状で処理される領域の表面の均質性が高めることができる。
【００２９】
更に他の実施形態では、前記方法は、前記基板の少なくとも一の領域で、表面の上又は下にある基準平面を規定する工程を更に備える。前記基板は、処理により前記領域の前記表面が前記基準平面と所定の関係を有する場合に前記領域においてパルス化される。前記領域は、他の場合では、粒子線を用いて、非パルス状で処理されるか、又は処理されなくてよい。
【００３０】
言い換えれば、基準平面は、前記基板の少なくとも一の領域で、表面の上又は下に規定されてよい。前記基板は、前記領域の前記表面が前記基準平面と所定の関係を有する場合に前記領域においてパルス化され、前記領域は、他の場合では、非パルス状で処理されるか、又は処理されない。
【００３１】
例えば、基準平面は、荒い処理方法、例えば化学的機械研磨によって形成された中心での平面である。パルス機械除去照射は、例えば、表面セグメントの表面が基準平面の下に配置される場合に実行できる。非パルス機械除去照射は、例えば、表面セグメントの表面が基準平面の上、又は基準表面の近傍に配置される場合に実行できる。表面は、例えば、非パルス照射を用いても所定対象平面に到達しない場合に、基準表面の近傍に位置する。
【００３２】
材料は、例えば、基板の一の領域で、非パルス状で基板の表面から除去される。この領域の表面が基準平面内にある場合には、照射の種類、即ちモードは、この領域に対して変更でき、例えば、パルス材料除去に切り替えることができる。この材料は、例えば、この領域の表面が所定対象平面に配置されるまで、例えばこの領域においてパルス状で除去されてよい。その後、この領域の処理は、非照射にできる。即ち、粒子線は、この領域の基板の表面の走査パスに対して遮断できる。言い換えれば、基板の表面の少なくとも一の領域は、各種の実施形態では、パルス及び非パルス状で処理される。パルス処理及び非パルス処理は、同時に又は異なるタイミングで、例えば異なる走査パスで、実行できる。表面が基準平面の僅かに上に位置する場合には、パルス処理は、例えば、パルス及び非パルス処理の重なりを有してよい。よって、各種の実施形態では、走査の数を減少でき、及び／又は処理の精度を向上できる。基板の表面の粗さ又はうねりは、例えば、処理後に減少できる。
【００３３】
更に他の実施形態では、前記方法は、処理される前記表面の各領域に対して前記第１デューティサイクルと前記第２デューティサイクルを決定する工程を更に備える。
【００３４】
更に他の実施形態では、前記非パルス照射が前記表面の一の領域で行われた後に、前記パルス照射が前記表面の同じ領域で行われる。
【００３５】
更に他の実施形態では、前記パルス照射が前記表面の一の領域で行われた後に、前記非パルス照射が前記表面の同じ領域で行われる。
【００３６】
更に他の実施形態では、非パルス照射が基板の全表面で行われた後に、パルス及び非パルス照射が表面の一の領域で行われる。或いは、パルス及び非パルス照射が表面の一の領域で行われた後に、非パルス照射が基板の全表面で行われる。
【００３７】
各種の実施形態では、前記粒子線は、中性粒子ビーム、イオンビーム、粒子束ビーム、中性粒子コングロマリット（中性粒子クラスタ、所謂ガスクラスタ）ビーム、イオン化粒子コングロマリット（所謂ガスクラスタ）ビーム、又は電子ビームである。中性粒子は、例えば、外見上不変の粒子として、例えば原子、分子又はこれら両方のうちの一方のコングロマリットとして理解される。しかしながら、中性粒子は、例えば、部分電荷又はダイポール等を含んでよい。イオン又は電子は、この意味では中性粒子ではない。
【００３８】
各種の実施形態では、前記粒子線を用いて前記表面を処理する際に、前記基板の前記表面又は前記表面の一部から材料が除去されてよい。この処理は、例えば、イオンビームエッチングであってよい。
【００３９】
或いは又は加えて、前記粒子線を用いて前記表面を処理する際に、前記基板の前記表面又は前記表面の一部に材料が堆積される。この処理は、例えば、マグネトロンスパッタリングであってよい。マグネトロンスパッタリングでは、電場及び磁場は、励起プラズマの電子が、照射源のスパッタリング材料の表面上で、螺旋線路や円等のコイルパス上に偏向されるように、照射源においてスーパーインポーズされる。これにより、励起ガスの電子のパス長を長くし、電荷キャリア当たりの衝突数が増加する。その結果は、非常に低圧のプラズマ、所謂マグネトロンプラズマである。このマグネトロンプラズマの正の電荷キャリアは、スパッタリング材料の表面で電位により加速され、このスパッタリング材料の表面から衝撃処理を介して中性粒子を放出する。これらのトリガ中性粒子は、順に、基板の方向で粒子流、即ち中性粒子ビームを形成する。特定の実施形態では、ビームは、部分的にイオン化されて生じてもよい。
【００４０】
各種の実施形態では、マグネトロンスパッタリングは、高パワーインパルスマグネトロンスパッタリング（ＨｉＰＩＭＳ）である。
【００４１】
例えば、パルサ、即ち回路ブレーカは、パワー調節に用いられる。１ＭＷよりも高いパワーのパルス放電を介して、よりイオン化度の高い粒子線をマグネトロンスパッタリングで達成できる。これは、例えば、成長層のより高い接着強度等の成長層の特性の変化をもたらす。
【００４２】
一の実施形態では、前記第１領域は、前記第２領域とは異なってよい。第２領域は、時間及び／又は空間において異なってよい。第２領域は、例えば第１領域の隣に配置される。或いは又は加えて、第２領域は、第１領域とは異なるタイミングで、即ち、異なる照射でパルス化されてよい。
【００４３】
一の実施形態では、前記方法は、前記基板の前記表面の少なくとも一部の表面状態を検出する工程を更に備える。表面状態は、例えば、照射の前に検出できる。表面状態に基づいて、基準平面、対象平面、表面のセグメントサイズ、及びセグメント当たりの個々の照射パス（走査）における照射のデューディサイクルを決定できる。
【００４４】
表面セグメント当たりの複数回の走査を用いて、基板に導入される熱を減少できる。なぜなら、熱の一部は、熱放散と熱照射とを介した走査の間で放散されるからである。この結果、第１領域での熱応力を減少できるので、基板の破損のリスクは低くなり、又は基板へのその他の熱的悪影響は回避される。
【００４５】
更に他の実施形態では、前記方法は、前記基板の前記表面の上又は下にある対象平面を決定する工程を更に備える。前記基板は、前記対象平面に到達するまで、前記基板の前記表面の少なくとも一の領域で処理される。
【００４６】
更に他の実施形態では、前記方法は、前記基板の前記表面を更に照射する工程を更に備える。更なる照射工程中、例えば、前記粒子線は、前記対象平面に到達した前記基板の前記表面の一の領域では遮断されるので、この領域において前記表面が前記粒子線によって処理されない。粒子線は、例えば、シャッタ及び／又は粒子線を切ることにより遮断できる。
【００４７】
更に他の実施形態では、前記方法は、少なくとも一の他の更なる照射工程を備えている。前記非パルス照射の前記基板の前記表面の前記第１領域は、パルス状で前記基板の前記表面に当たる前記粒子線を用いた前記他の更なる照射工程中に処理される。言い換えれば、先の非パルス化領域は、他のタイミングで、例えば後の走査中に、パルス化できる。
【００４８】
各種の実施形態では、粒子線を用いて基板の表面を処理する装置が提供される。該装置は、粒子線により前記基板の前記表面を処理するように設計された粒子線源を有する。当該装置は、前記粒子線を制御するビーム源制御手段を更に含む。該ビーム源制御手段は、前記粒子線により前記基板の前記表面を照射するように構成されており、前記基板の前記表面の第１領域において、前記基板の前記表面は、非パルス状で前記基板の前記表面に突き当たる前記粒子線により処理され、前記基板の前記表面の第２領域において、前記基板の前記表面は、前記基板の前記表面上へパルス化された前記粒子線により処理される。
【００４９】
各種の実施形態では、粒子線を用いて基板の表面を処理する装置が提供される。該装置は、粒子線により基板の表面を処理するように設計された粒子線源を有する。当該装置は、前記粒子線を制御するビーム源制御手段を更に含む。該ビーム源制御手段は、前記粒子線により前記基板の前記表面を照射するように構成されており、前記基板の前記表面の第１領域において、前記基板の前記表面は、第１デューティサイクルでパルス化された、前記基板の前記表面に当たる前記粒子線により処理され、前記基板の前記表面の第２領域において、前記基板の前記表面は、前記第１デューティサイクルとは異なる第２デューティサイクルでパルス化された、前記基板の前記表面に当たる前記粒子線により処理される。
【００５０】
一の実施形態では、当該装置は、処理チャンバを有する。前記照射源及び前記基板の少なくとも一部は、例えば照射中に、前記処理チャンバ内に配置される。
【００５１】
本発明の実施形態を図面に例示し、以下に、より詳細に説明する。
【００５２】
これらの図面は以下について示している。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】各種の実施形態に係る装置を示す図である。
【図２】各種の実施形態に係る装置のビーム源制御を示すブロック図である。
【図３】各種の模範的実施形態に係る方法を示す図である。
【図４】基板の表面の処理を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００５４】
以下の詳細な説明では、添付図面を参照する。添付図面は、本明細書の一部を形成しており、本発明を用いた具体的な実施形態が例示により示されている。この点で、例えば「上」「下」「前」「後ろ」「前に「後ろに等の方向を示す文言は、説明される図面の方位に対して用いられる。実施形態の構成部品は、複数の異なる方位で配置できるので、この方向を示す文言は例示的であり、決して限定的ではない。他の実施形態が用いられてもよく、本発明の保護範囲から逸脱することなく、構造的又は論理的な変更が行われてよいことは言うまでもない。ここに記載された各種の模範的実施形態の特徴は、特に詳細に明記しない限り、互いに組み合わされてよいことは言うまでもない。従って、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるべきではなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲により規定される。
【００５５】
本明細書で用いられるように、「結合された」、「接続された」、及び「連結された」という文言は、直接的及び間接的結合と、直接的又は間接的接続、及び直接的及び間接的連結を述べるために用いられる。図中、同一又は類似の要素には、適宜、同一の参照符号が付与される。
【００５６】
図１は、装置１００を模式的に示す図である。このような装置１００は、例えば、粒子線１０４を用いた基板１１４の表面の処理に適している。
【００５７】
装置１００は、領域１０６（ストライク領域とも称される）において基板１１４の表面の一の領域に当たる粒子線１０４を出射するように設計された粒子線源１０２を有する。
【００５８】
粒子線源１０２は、例えば基板から材料を除去する又は表面から材料を分離するために、粒子線を用いた基板の表面の処理に適するように適合される。
【００５９】
一の実施形態では、照射源１０２は、イオンビーム源であり、粒子線１４０は、例えば、ガウス電荷電流分布密度を有する集束イオンビームである。イオンビームは、この例において、基板から薄膜を除去するために用いられる。イオンビーム源は、幅広イオンビーム源として構成されてよい。
【００６０】
装置１００は、粒子線１０４を制御するビーム源制御器１１２を更に含む。各種の実施形態によれば、このようなビーム源制御器１１２は、自動的に、又は手動で、又は対応する組み合わせで粒子線のパラメータ及び特性を変更、制御、相殺及び／又は再調整してよい。これは、粒子線源１０２の異なる構成部品の位置又は電気動作電流に関係してよい。同様に、このビーム源制御器１１２は、ビームニュートライザの特性、粒子線源の原料ガスの組成及び線量、及び／又は各種成分の温度等の、粒子線１０４の直接的又は間接的パラメータに関係してよい。
【００６１】
加えて、ビーム源制御器１１２は、粒子線源１０２、ひいては粒子線１０４のパラメータを変更してよい。例えば、粒子線の荷電粒子の運動エネルギーに効果を及ぼす加速電圧を変更できる。ビーム源制御器１１２は、粒子線１０４の粒子数を制御するように、粒子線源１０２へのガス源（図示せず）又は粒子線源１０２のプラズマ励起を含有及び制御又は調節してもよい。ガス供給は、一般に、粒子線１４０を維持するために粒子線源に必要であってよい。プラズマ励起は、一般に、供給されるガスから、荷電又は非中性粒子ビーム１０４に必要な電荷キャリア（例えばイオン）を生成するために、荷電粒子で動作される粒子線源に必要とされる。
【００６２】
ビーム源制御器１１２は、基板１１４の表面を照射する粒子源１０２を備えて構成されており、基板１１４の表面の第１領域において、基板１１４の表面は、非パルス状で基板１１４の表面に当たる粒子線１０４により処理され、基板１１４の表面の第２領域において、基板１１４の表面は、パルス状で基板１１４の表面に当たる粒子線１０４により処理される。
【００６３】
或いは又は加えて、照射用ビーム源制御器１１２は、基板１１４の表面の第１領域において、基板１１４の表面が、第１デューティサイクルでパルス化された、基板１１４の表面に当たる粒子線１０４により処理され、基板１１４の表面の第２領域において、基板１１４の表面が、第１デューティサイクルとは異なる第２デューティサイクルでパルス化された、基板１１４の表面に当たる粒子線１０４により処理されるように、配置される。
【００６４】
ビーム源制御器１１２は、基板の表面を非パルス照射するための粒子線源１０２を更に備えており、非パルス照射では、基板の表面は、非パルス状で基板１１４の表面に当たる粒子線１０４により処理される。
【００６５】
一の実施形態では、装置１００は処理チャンバ１２２を有する。照射源１０２及び基板１１４の少なくとも一部は、例えば照射中、処理チャンバ１２２内に配置される。言い換えれば、装置１００は、断面図に示される処理チャンバ１２２を有しており、その内部には、粒子線１０４を出射するように構成された粒子線源１０２が配置される。
【００６６】
粒子線源１０２は、処理チャンバ１２２（可動又は固定）の壁、又は処理チャンバ１２２内（例えば処理チャンバ１２２のドアの底部、例えば粒子線源１０２が設けられ、且つ粒子線源１０２を移動できるキャリッジ）に設けられてよい。
【００６７】
処理チャンバ１２２は、処理チャンバ壁及び隣接装置の温度を制御する温度制御器を更に含んでよい。各種の実施形態では、粒子線１０４による基板１１４の処理の結果が温度に依存するので温度制御器は有用であってよい。例えばアースへの電気接続は、粒子線を用いた処理中に基板１１４の電気充電を相殺するのに各種の実施形態において有用であってよい。
【００６８】
処理チャンバ１２２は、粒子線による処理中に基板１１４の充電を相殺できるビーム中性化装置を更に備えてよい。基板は、充電を防ぐために、例えば接地電位である基準電位に電気的に接続されてよい。
【００６９】
処理チャンバ１２２は、処理チャンバ１２２内の圧力を調節できる適切な真空システムを含んでもよく、よって、希望通りに処理チャンバ１２２内部で真空を作り出すことができる。
【００７０】
粒子線源１０２の位置は、ホルダ（図示せず）及びビーム源制御器１１２により変更できる。
【００７１】
ホルダは、一、二又は全三空間方向の直進運動、及び／又は一、二又は全三空間軸の周りの回転運動を可能とするように構成されてよい。或いは又は加えて、それに応じて基板を移動できる。
【００７２】
粒子線１０４は、基板の表面のストライク領域１０６に当たってよい。ホルダを用いて、ストライク領域１０６を基板１１４の表面の任意の位置又は領域に移動できる。
【００７３】
一の実施形態では、基板１１４を処理する方法は、以下を含んでよい。
【００７４】
基板１１４は、予め測定されてよく、即ち表面状態、例えば表面凹凸は、干渉法により決定されてよい。表面凹凸情報は、基板１１４の初期状態として、検出器１２２のメモリ（例えばプログラム可能プロセッサ及び／又はハードワイヤードロジック等のプロセッサ）に格納されてよい。
【００７５】
そして基板１１４は、基板ホルダ、及び真空システムにより適切な処理圧に減圧された処理チャンバ１２２に保持できる。ホルダは、粒子線源１０２をオンにする際に、粒子線１０４が、シールド、例えば振動板に当たるように位置されてよい。
【００７６】
その後、粒子線源１０２は、ビーム源制御器１１２を用いてオンにできる。実施形態によっては、粒子線源１０２が安定した粒子線１０４を有するまで、即ち、例えば、粒子線１０４が小さい強さ変動のみを有するまで、待つことができる。
【００７７】
粒子線１０４のストライク領域１０６は、ビーム源制御器１１２とホルダとにより変更できる。
【００７８】
所望の応用によっては、基板１１４にとって粒子線１０４の焦点面にあることは有利であってよい。その結果、ストライク領域１０６は空間範囲で最小にされ、よって、基板１１４の所望の処理の空間分解能は最大にされる。或いは、基板１１４は、焦点面から外れて位置されてよい。その結果、熱出力密度を減少できる。
【００７９】
基板１１４の表面特性、例えば表面うねりを測定することにより、基板１１４上の粒子線１０４二次元除去速度は、例えば干渉計測法と、基板１１４の以前に決定されたデータとの比較とを用いて決定できる。この二次元除去速度は、ガウス二次元除去速度に対応してよい。
【００８０】
その後、基板１１４は、処理チャンバ１２２で基板ホルダに取り付けることができ、処理チャンバ１２２は、真空システムを用いて適切な処理圧に減圧できる。上述したように、その後、粒子線源１０２は、安定な粒子線１０４で運転できる。
【００８１】
その後、粒子線の二次元分布密度関数を決定できる。この結果、対応パラメータでの二次元分布密度関数は、十分な精度でビームのストライク領域（所謂、基準点）の二次元除去速度のモデルとなる二次元相関分布密度関数を生成するように適合される。対応する精度は、処理基板１１４に対する所望の結果に依存する。
【００８２】
その後、決定装置１２２を用いて計算を行うことができる。この計算では、基板１１４に対する粒子線１０４のモーションプロファイルを決定するために、二次元相関分布密度を用いてよい。或いは、基準点の二次元除去速度を用いて、例えば、このモーションプロファイルを生成し、ビーム源制御器１１２のメモリに格納してよい。
【００８３】
このモーションプロファイルは、基板上の粒子線１０４の位置、相対対流時間、デューティサイクル、及びパルス形状を含んでよい。或いは、モーションプロファイルは、速度が基板１１４の表面に対する粒子線１０４の移動速度を描く、速度データを含んでよい。
【００８４】
モーションプロファイルは、一又は二以上の走査パスを有してよい。一の走査パスでは、粒子線源は表面の各領域を通過する。この場合、パルス化された、非パルス化された、又は（例えば、シールドで粒子線を遮断することにより）何もされない粒子線は、基板の表面に当たることができる。
【００８５】
検出器１２２は、モーションプロファイルが実行されるように、ビーム源制御器１１２及び／又はホルダ（図示せず）に電気的に接続されてよい。その後、ビーム源制御器１１２及びホルダを用いて、粒子線１０４のストライク領域１０６は、基板１１４の表面の処理に対応するモーションプロファイルに応じて、基板１１４の表面に渡って誘導することができる。そして、処理された基板１１４は、処理チャンバ１２２から取り外されてよい。
【００８６】
決定装置１２２で実施される方法は、例えば、基板の表面が、所望パターン、又は処理後にできるだけ平坦な表面を有するように、モーションプロファイルを計算できる。
【００８７】
局所的に異なる除去又は局所的に異なる堆積を行うために、基板及び／又は粒子線は、機械的位置決めシステムで移動され、並びに／或いは、粒子線は、例えば異なるデューティサイクルでパルス化される。
【００８８】
機械的システムの限定的な機械力学により、表面セグメント当たりの最小滞留時間は、典型的には少なくとも十分の数ミリ秒である。
【００８９】
パルス化粒子線を用いることにより、一の表面セグメントにおける時間平均化ビーム強度を低下できる。その結果、最小局所的滞留時間を減少できる。
【００９０】
モーションプロファイルは、各種の模範的実施形態では、粒子線１０４を用いて基板１１４の表面を処理する方法の一部である。
【００９１】
この方法は、粒子線１０４により基板１１４の表面を照射する工程を備える。照射時には、基板の表面の第１領域において、基板の表面は、非パルス状で基板の表面に当たる粒子線により処理される。基板の表面の第２領域では、基板の表面は、基板の表面上をパルス化された粒子線で照射する際に照射される。
【００９２】
或いは又は加えて、基板の表面の第１領域において照射される際には、基板の表面は、第１デューティサイクルでパルス化された、基板の表面に当たる粒子線により処理される。基板の表面の第２領域において、基板の表面は、第２デューティサイクルでパルス化された、基板の表面に当たる粒子線により処理される。第２デューティサイクルは、第１デューティサイクルとは異なる。
【００９３】
パルス照射は、例えば、基板の表面及び／又は基板の表面の一の領域の非パルス照射の後に行われる。或いは、基板の表面及び／又は基板の表面の一部の非パルス照射は、パルス照射の後に行われる。
【００９４】
粒子線は、例えば、中性粒子ビーム、クラスタビーム、クラスタイオンビーム、イオンビーム又は電子ビームである。基板の表面を処理する方法は、例えば、マグネトロンスパッタリングである。
【００９５】
粒子線を用いて表面を処理する際には、基板の表面から材料を除去でき、及び／又は基板の表面に材料を堆積できる。
【００９６】
第１領域、即ち、非パルス処理領域は、第２領域、即ち、パルス処理領域と異なってよい。非パルス処理領域は、他の走査等の、その後の処理でパルス化することにより処理できる。
【００９７】
電流測定装置、ホルダ又は電流プローブ等の装置の全構成部品は、特定環境に適するように適合できる。例えば、この装置が真空で作動される場合には、フローガイド、グリース及び部品材料が適合されてよい。
【００９８】
各種の実施形態に係る方法について、図２に関連してより詳細に説明する。
【００９９】
図２は、各種の模範的実施形態に係る装置のビーム源制御を示すブロック図である。ビーム源制御器１１２は、セキュリティコントローラ又はリモートモニタ等の装置の外部環境に装置を接続又は統合する一又は複数のポート２０２を有する。
【０１００】
ビーム源制御器１１２は、装置の構成部品及びモジュールの個々の信号を受信、評価及び制御する、プロセッサ２０４、コンピュータ２０４、又はその他の計算装置２０４（以下、処理モジュールコンピュータＰＭＣと称される）を含んでよい。
【０１０１】
ＰＭＣ２０４は、自由にプログラム可能なプロセッサ（例えばマイクロプロセッサ又はナノプロセッサ）、ハードワイヤードロジック又はファームウェア、又は例えば特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）又はフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）であってよい。
【０１０２】
中でも、中心軸システム２０６は、ＰＭＣ２０４に接続され、ビーム源１０２の粒子線１０４及びそのビームプロファイルを制御するために、スイッチ回路２１２により粒子線回路２０８及び加速器回路２１０に接続される。
【０１０３】
粒子線スイッチ回路２０８及び加速器回路２１０は、夫々、互いに技術的に等しい電源を有してよい。
【０１０４】
スイッチ回路２１２は、照射源１０２と粒子線回路２０８との間、及び／又は照射源１０２と加速器回路２１０との間に、電気的に切り替え可能なスイッチ、例えばパワートランジスタを備えてよい。スイッチ回路２１２は、粒子線回路２０８又は加速器回路２１０の電位を照射源１０２に電気的に接続できるように、或いは、接地電位又は他の電位を照射源１０２に印加できるように、構成されてよい。このようにして、粒子線を容易にパルス化でき、表面上のパルスの位置及びそのエネルギーを容易に調整できる。
【０１０５】
図３は、各種の模範的実施形態に係る方法を示す図である。
【０１０６】
上述したモーションプロファイルは、各種の実施形態において、粒子線１０４を用いて基板の表面３０２を処理する方法３００であってよい。
【０１０７】
図３の上部に、粒子線１０４を用いて処理される基板の表面３０２の断面プロファイルを示す。粒子線は、複数のパス（走査）Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３において表面を駆動又は誘導される。
【０１０８】
一方、材料は基板の表面から、即ち、粒子線パルス３０４を用いてパルス化３１０されてよく、又は、連続波モード３０６で非パルス化３０８されてよい。或いは、表面は処理されないままでもよい。例えば、表面が処理されない場合、粒子線はオフ又は遮断されており、表面から材料は全く除去されない。
【０１０９】
非処理では、デューティサイクルは０．０である。非パルス処理では、デューティサイクルは１．０である。パルス処理では、デューティサイクルは０．０よりも大きく、１．０よりも小さい。
【０１１０】
断面プロファイルの下に、表面セグメントの局所的除去速度３３２、速度プロファイル３３４、及び断面プロファイルに対する異なる走査Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を夫々示す。除去速度３３２は、位置当たりの滞留時間を用いて、粒子線の一定エネルギー分布に設定できる。滞留時間は、例えば粒子線の供給速度を用いて調整できる。供給速度の局所変動、ひいては滞留時間により、吸収線量の変調を達成できる。供給速度の変化、故に滞留時間は、粒子線の速度プロファイル３３４から明らかであろう。粒子線は、例えば第２領域３３８よりも第１領域３３６においてより低速に誘導されてよい。
【０１１１】
複数の走査Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３で除去された材料の合計は、基板の表面３０２が（以下により詳細に説明する）基準平面３２０の下に配置される場合には、（以下により詳細に説明する）対象平面３３０の上の断面プロファイルに示される材料にほぼ対応する。
【０１１２】
処理される表面は、基準平面３２０よりも実質的に下の表面を持つ複数のセグメントでは最大速度で、端部周辺（夫々の走査に対して線図３３４で示される）ではより低速に照射できる。
【０１１３】
複数の走査Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３における夫々の走査で露出された基板の表面は、粒子線１０４により、一のセグメントにおける材料の最大可能部分３１８が、例えば一のセグメント毎の装置固有の最小除去時間及び滞留時間で非パルス除去されるように、処理される。残り３１４は、最小可能デューティサイクルを用いてパルス状で一の走査で除去される。デューティサイクルは、一のパルスを用いて、又は一のセグメントの中心に対照的に照射された複数のパルスを用いて実現できる。
【０１１４】
非パルス処理３０８とパルス処理３１０とを組み合わせることにより、パルス数を減少又は最小にできる。このようにして、純粋なパルス処理と比べて、基板処理時のパルス勾配により生じる誤差を減少又は最小にできる。
【０１１５】
パルスの勾配及び位置指定により生じる誤差は、例えば、表面上に当たる粒子線をオンオフ切り替えする際に、連続粒子線プロファイルによりマッピングされる。
【０１１６】
非パルス表面処理、即ち、連続波処理と比べると、表面の不要又は不適当な処理を回避又は減少できる。その結果、表面をより正確に処理でき、また表面粗さがより低くなり、若しくは表面の均質性又は所与の表面性状との一致がより高くなりうる。
【０１１７】
この方法は、例えば、基板の表面の少なくとも一部の表面状態を検出する工程を備える。過剰の材料又は材料の不足は、例えば所定の対象平面３３０に対して基板の表面３０２から開始して決定できる。対象平面３３０は、例えば、達成される層厚、及び／又は基板の表面の均質性である。
【０１１８】
言い換えれば、この方法は、基板の表面３０２の上又は下にある対象平面３３０を決定することを含んでよい。基板は、対象平面に到達するまで、基板の表面の少なくとも一の領域で処理できる。
【０１１９】
表面３０２は、複数のセグメントに分割できる。複数のセグメントは、例えば、基板の表面に配置された平坦且つ二次元領域である。
【０１２０】
この方法は、基板の少なくとも一の領域で、表面３０２の上又は下にある基準平面３２０を規定する工程を更に含んでよい。基板は、例えば、夫々のセグメントの表面が、基準平面３２０に対する所定の条件を満たす場合に、複数のセグメントにおいてパルス化されてよい。材料を除去する方法では、例えば、夫々のセグメントの表面が、基準平面３２０の下に配置される場合に、パルス処理を行うことができる。基準平面よりも上にある表面を持つセグメントは、例えば、非パルス状で処理でき、これにより、材料除去がより高速に行われる。
【０１２１】
基準平面３２０は、基板のセグメントの表面３０２の下及び／又は上に配置されてよい。
【０１２２】
各種の模範的実施形態では、基準平面３２０は、基板の表面の荒い処理により、例えば、（化学的）機械研磨により得られる平面である。
【０１２３】
或いは又は加えて、基準平面３２０は、そこに到達するまで、滞留時間を修正するために供給速度のみが用いられる平面である。
【０１２４】
個々のセグメントに対して、パルス処理３１０及び非パルス処理３０８の回数は、粒子線１０４の照射を開始する前に表面３０２から対象表面に到達するように決定されてよい。
【０１２５】
パルス処理３０８の回数を決定する工程は、例えば、パルス幅、パルス振幅、パルス形状、及び／又はパルス分布を決定する工程を含んでよい。
【０１２６】
この方法は、例えば、処理される表面の各領域に対してデューティサイクルを決定する工程を含む。デューティサイクルを制御することにより、例えば熱ドリフトにより生じるビーム源のパワー及び電流密度変動を、例えば、指定された誤差範囲内に補償できる。このために、時間平均化ビーム源放出電流は、その他の処理パラメータを維持しつつ、ビーム源放出電流、ひいては時間平均化イオン電流分布を一定に維持するように調整されたデューティサイクル及び測定変量として用いることができる。
【０１２７】
粒子線は、例えば、パルスが、パルス状で処理された領域の中心、即ちセグメントに対して対照的に配置されるように、パルス状で基板の表面に当たってよい。粒子線は、例えば、ガウスビームプロファイルを有する。よって、対照的にパルス照射されたセグメントは、例えば、セグメントの中心に対する点対象処理に関連して、及び／又は非対称処理に対して、均質性がより高い。
【０１２８】
パルス処理は、例えば、端部に、又は端部とセグメントの中心との間に位置する複数のパルス３０４を含む。
【０１２９】
各種の実施形態では、この方法は、基板の表面の更なる照射工程３１２を含む。更なる照射工程３１２時は、粒子線１０４は、例えばシールドを用いて、又はビーム源制御器１１２のスイッチ回路を用いて、対象平面３３０に到達した基板の表面の一の領域において遮断される。このような遮断により、この領域の表面が、粒子線により処理されることを防止できる。言い換えれば、更なる処理工程中、ビーム源、例えばイオン源は、完全にオフにできる。即ち、デューティサイクルは０．０である。この場合、例えば、イオンビームは基板の一の位置から他の位置へ誘導されるが、これは表面セグメントを被覆又はエッチングせずに行われる。
【０１３０】
処理パラメータとして適合された滞留時間及びパルス持続時間を同時に用いることで、基板又はイオンビームの速度をより均一にでき、また処理全体をより適度にすることができるので、結果として、位置決めシステムの構成部品の寿命をより長くすることになる。
【図１】
2019533293.tif 000003
【図２】
2019533293.tif 000004
【図３】
2019533293.tif 000005
【図４】
2019533293.tif 000006
【国際調査報告】
2019533293.tif 000007
2019533293.tif 000008
2019533293.tif 000009
2019533293.tif 000010
2019533293.tif 000011
2019533293.tif 000012