(57)【要約】  半導体チップの転写方法が、それぞれ１つの液体受容領域を有する複数のセグメントを備えた転写ツールを用意するステップと、複数の半導体チップを規則的な配列で初期支持体上に用意するステップと、目標支持体を用意するステップと、少なくとも複数のセグメントの液体受容領域に液滴を選択的に配置するステップと、転写ツールを初期支持体に接近させ、各液滴を半導体チップに接触させて当該半導体チップを濡らすステップと、転写ツールを初期支持体から引き離すステップであって、液滴によって濡らされた半導体チップを転写ツールによって初期支持体から引き離すステップと、転写ツールを目標支持体に接近させ、転写ツールに配置された半導体チップを目標支持体に接触させるステップと、転写ツールを目標支持体からリフトオフし、目標支持体に接触した半導体チップを目標支持体に残留させるステップとを含む。
2019536264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（５００）の転写方法であって、
それぞれ１つの液体受容領域（２１０）を有する複数のセグメント（２００）を備えた転写ツール（１００）を用意するステップと、
複数の半導体チップ（５００）を規則的な配列で初期支持体（４００）上に用意するステップと、
目標支持体（６００）を用意するステップと、
少なくとも複数の前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に液滴（３００）を選択的に配置するステップと、
前記転写ツール（１００）を前記初期支持体（４００）に接近させ、各液滴（３００）を各半導体チップ（５００）に接触させて該半導体チップ（５００）を濡らすステップと、
前記転写ツール（１００）を前記初期支持体（４００）から引き離すステップであって、液滴（３００）によって濡らされた半導体チップ（５００）を前記転写ツール（１００）によって前記初期支持体（４００）から引き離すステップと、
前記転写ツール（１００）を前記目標支持体（６００）に接近させ、前記転写ツール（１００）に配置された前記半導体チップ（５００）を前記目標支持体（６００）に接触させるステップと、
前記転写ツール（１００）を前記目標支持体（６００）から引き離し、前記目標支持体（６００）に接触した前記半導体チップ（５００）を前記目標支持体（６００）に残留させるステップと
を含む、方法。
【請求項２】
複数の前記液滴（３００）の配置を少なくとも部分的に並行して行う、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記液体受容領域（２１０）への前記液滴（３００）の配置を、噴射によって行う、
請求項１および２のいずれか１項記載の方法。
【請求項４】
各セグメント（２００）は液体リザーバ（２５０，２９０）に接続されており、
前記液滴（３００）の配置を、各セグメント（２００）での、前記液体リザーバ（２５０，２９０）から前記液体受容領域（２１０）への液体（２５５）の移動により行う、
請求項１および２のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記液滴（３００）の選択的に配置することは、
少なくとも複数の前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に、電荷を選択的に印加するステップと、
前記液体受容領域（２１０）を極性液体に浸漬するステップと
を含む、
請求項１および２のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
少なくとも複数の前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に電荷を選択的に印加することは、
前記転写ツール（１００）の全てのセグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に電荷を印加するステップと、
複数の前記セグメント（２００）において電荷を選択的に除去するステップと
を含む、
請求項５記載の方法。
【請求項７】
電荷の選択的な除去を、レーザービーム（２７３）によって行う、
請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記液滴（３００）を選択的に配置することは、
前記転写ツール（１００）の全てのセグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に固形物を付与するステップと、
各液滴（３００）を形成するために、少なくとも複数の前記セグメント（２００）において、前記固形物を選択的に液化するステップと
を含む、
請求項１および２のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記液滴（３００）を選択的に配置することは、
少なくとも複数の前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を、露点を下回るように選択的に冷却し、凝縮によって、冷却された前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に液滴（３００）を形成するステップ
を含む、
請求項１および２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記転写ツール（１００）を前記初期支持体（４００）に接近させた後、さらに、
少なくとも、液滴（３００）が配置された前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を、凝固点を下回るように冷却し、前記液滴（３００）を少なくとも部分的に凝固させるステップ
を行い、
前記転写ツール（１００）を前記目標支持体（６００）に接近させた後、さらに、
少なくとも、液滴（３００）が配置された前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を、凝固点を上回るように加熱し、前記液滴（３００）を少なくとも部分的に融解させるステップ
を行う、
請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記液滴（３００）は、水、溶剤、炭化水素、シリコーン、シロキサン、樹脂またはワックスを含む、
請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記転写ツール（１００）を前記目標支持体（６００）から引き離す前に、
前記液滴（３００）を除去するステップ
を行う、
請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記液滴（３００）の除去を、前記液滴（３００）を蒸発させる熱の供給によって行う、
請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記目標支持体（６００）を、その上部に配置された固定剤（６１０）と共に用意し、
前記転写ツール（１００）を前記目標支持体（６００）に接近させる際に、前記転写ツール（１００）に配置された前記半導体チップ（５００）を前記固定剤（６１０）に接触させる、
請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
前記半導体チップ（５００）は、０．１Ｎ／２０ｍｍ２未満の接着力で前記初期支持体（４００）に接着している、
請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体チップ（５００）は、０．１Ｎ／２０ｍｍ２超の接着力で、好ましくは０．５Ｎ／２０ｍｍ２から５Ｎ／２０ｍｍ２の接着力で、前記目標支持体（６００）に接着する、
請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
前記半導体チップ（５００）を前記初期支持体（４００）上に用意することは、
複数の半導体チップ（５００）を規則的な配列でフィルム（８００）上に用意するステップと、
前記初期支持体（４００）を用意するステップと、
前記半導体チップ（５００）が前記初期支持体（４００）に面するように、半導体チップ（５００）の配列を有する前記フィルム（８００）を前記初期支持体（４００）上に載置するステップと、
前記初期支持体（４００）を、水の凝固点を下回るように冷却し、該水（８５０）を前記初期支持体（４００）で凝縮および氷結させて前記半導体チップ（５００）を前記初期支持体（４００）に固定するステップと、
前記フィルム（８００）を前記半導体チップ（５００）から剥離させ、前記半導体チップ（５００）を前記初期支持体（４００）に残留させるステップと、
前記初期支持体（４００）を加熱して、前記初期支持体（４００）に配置された水（８５０）を融解および蒸発させるステップと
を含む、
請求項１から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
前記フィルム（８００）は鋭角で剥離される、
請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記フィルム（８００）は、支持体フィルム（８２０）と該支持体フィルム（８２０）上に配置された接着フィルム（８１０）とを含み、
前記半導体チップ（５００）は前記接着フィルム（８１０）上に配置されている、
請求項１７および１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
相互に画定されたチップ受容領域（４３０）を有するようにパターニングされた上面（４０１）を有する前記初期支持体（４００）を用意し、
各半導体チップ（５００）が固有の前記チップ受容領域（４３０）上に位置するように、前記半導体チップ（５００）の配列を有する前記フィルム（８００）を前記初期支持体（４００）上に載置する、
請求項１７から１９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
半導体チップ（５００）を転写するための転写ツール（１００）であって、
規則的なライン配列またはマトリクス配列で配置された複数のセグメント（２００）を備え、
各セグメント（２００）は、液滴（３００）を配置可能となるように形成された液体受容領域（２１０）を有する、
転写ツール（１００）。
【請求項２２】
各液体受容領域（２１０）は、液体受容面（２２０）を含み、
全てのセグメント（２００）の前記液体受容面（２２０）が、共通の一平面内に配置されている、
請求項２１記載の転写ツール（１００）。
【請求項２３】
前記液体受容面（２２０）は、それぞれ、分離溝（２４０）によって取り囲まれている、
請求項２２記載の転写ツール（１００）。
【請求項２４】
分離溝（２４０）によって取り囲まれた前記液体受容面（２２０）は、長方形状または円形状に形成されている、
請求項２３記載の転写ツール（１００）。
【請求項２５】
各液体受容領域（２１０）は、前記液体受容面（２２０）に配置されたスタンプ（２３０）を有する、
請求項２２から２４までのいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項２６】
前記スタンプ（２３０）は、それぞれ、前記液体受容面（２２０）の中央に配置されている、
請求項２５記載の転写ツール（１００）。
【請求項２７】
前記スタンプ（２３０）は、弾性を有するように形成されている、
請求項２５および２６のいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項２８】
前記スタンプ（２３０）は、それぞれマイクロポーラス材料を含み、
各スタンプ（２３０）により、液体リザーバ（２９０）への液体導通接続路（２９５）が形成されている、
請求項２５から２７までのいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項２９】
前記転写ツール（１００）は、複数の異なるセグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を複数の異なる温度へ遷移させる温度調整装置（７００）を備えている、
請求項２１から２８までのいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項３０】
各セグメント（２００）は、各前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を加熱する加熱素子（７１１）を備え、
複数の異なる前記セグメント（２００）の前記加熱素子（７１１）は、相互に独立に駆動制御可能である、
請求項２９記載の転写ツール（１００）。
【請求項３１】
複数の異なる前記セグメント（２００）の前記加熱素子（７１１）は、交差マトリクス回路（７２０）により駆動制御可能である、
請求項３０記載の転写ツール（１００）。
【請求項３２】
前記転写ツール（１００）は、レーザービーム（７３１）を形成するレーザー光源（７３０）と、レーザービーム（７３１）を選択的に個々の前記セグメント（２００）へ偏向するように構成された偏向装置（７４０）とを有する、
請求項３０記載の転写ツール（１００）。
【請求項３３】
前記転写ツール（１００）は、前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を冷却する冷却装置（７５０）を有する、
請求項２９から３２までのいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項３４】
前記冷却装置（７５０）は、ペルチエ素子（７５１）を有する、
請求項２９記載の転写ツール（１００）。
【請求項３５】
前記冷却装置（７５０）は、ヒートパイプ（７５２）を有する、
請求項３３および３４のいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項３６】
前記転写ツール（１００）は、前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に液滴（３００）を噴射するように構成された印刷ヘッド（１２０）を有する、
請求項２１から３５までのいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項３７】
各セグメント（２００）が、液体リザーバ（２５０）と、液滴（３００）を前記液体受容領域（２１０）に配置するために、各前記セグメント（２００）の前記液体リザーバ（２５０）から各前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）へ液体（２５５）を移動させるように構成されたフルードアクチュエータ（２６０）とを有する、
請求項２１から３５までのいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項３８】
各セグメント（２００）の前記フルードアクチュエータ（２６０）は、液滴（３００）を前記液体受容領域（２１０）から除去するために、各前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）から各前記セグメント（２００）の前記液体リザーバ（２５０）へ液体（２５５）を移動させるように構成されている、
請求項３７記載の転写ツール（１００）。
【請求項３９】
前記転写ツール（１００）は、前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に電荷を印加するように構成された帯電装置（２７０）を有する、
請求項２１から３５までのいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項４０】
各セグメント（２００）は、各前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に電荷を印加するように構成されたセグメント帯電装置（２７０，２７１）を有し、
複数の異なる前記セグメント（２００）の前記セグメント帯電装置（２７０，２７１）は、相互に独立に駆動制御可能である、
請求項３９記載の転写ツール（１００）。
【請求項４１】
前記帯電装置（２７０）は、前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を帯電させる帯電ユニット（２７２）を有し、
前記帯電装置（２７０）は、個々の前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を選択的に放電させる放電ユニット（２７３）を有する、
請求項３９記載の転写ツール（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの転写方法および半導体チップを転写する転写ツールに関する。
【０００２】
従来技術から、半導体チップを初期支持体から目標支持体へ移動させる種々の方法が公知である。ここで、従来は、半導体チップを連続して個々に移動させている。特に、複数の半導体チップを含む装置を製造する際には、このことは大きな時間コストに結びつく。したがって、複数の半導体チップを並行して同時に移動させる方法および装置への関心が存在する。米国特許出願公開第２０１４／００６１６８７号明細書（ＵＳ２０１４／００６１６８７Ａ１）には、こうした方法およびこうした装置が記載されている。ここでは、半導体チップが移すために静電気力によって転写ツールに保持される。
【０００３】
本発明の課題は、半導体チップの転写方法を提供することにある。本発明の別の課題は、半導体チップを転写する転写ツールを提供することにある。これらの課題は、各独立請求項の特徴を有する、半導体チップの転写方法および半導体チップを転写する転写ツールにより解決される。各従属請求項には種々の実施形態が示されている。
【０００４】
半導体チップの転写方法は、それぞれ１つの液体受容領域を有する複数のセグメントを備えた転写ツールを用意するステップと、複数の半導体チップを規則的な配列で初期支持体上に用意するステップと、目標支持体を用意するステップと、少なくとも複数のセグメントの液体受容領域に液滴を選択的に配置するステップと、転写ツールを初期支持体に接近させ、各液滴を半導体チップに接触させてこの半導体チップを濡らすステップと、転写ツールを初期支持体から引き離すステップであって、液滴によって濡らされた半導体チップを転写ツールによって初期支持体から引き離すステップと、転写ツールを目標支持体に接近させ、転写ツールに配置された半導体チップを目標支持体に接触させるステップと、転写ツールを目標支持体から引き離し、目標支持体に接触した半導体チップを目標支持体に残留させるステップとを含む。
【０００５】
有利には、当該方法により、複数の半導体チップを移すことが同時に可能となる。このため、当該方法によれば、多数の半導体チップを低コストに短時間で初期支持体から目標支持体へ移すことができる。
【０００６】
有利には、当該方法における半導体チップは、それらを移すときに静電負荷に曝されず、これにより当該方法では、静電気放電による半導体チップの損傷の危険は僅かしか存在しない。
【０００７】
当該半導体チップの転写方法の特段の利点は、当該方法が、選択された半導体チップの選択的な転写が可能となることにある。これは、当該方法によれば、必ずしも、初期支持体上に用意された半導体チップの全てを移動させなくてよいことを意味する。そうでなく、当該方法では、初期支持体上に配置された半導体チップのうち任意に選択可能な一部のみを移動させることができる。このため、例えば、正常に機能することが既知となった半導体チップのみを移動させ、欠陥が既知となった半導体チップを初期支持体上に残留させることができる。この場合、半導体チップの選択された一部、例えば正常に機能する半導体チップの全てを、時間を節約して、同時に、初期支持体から目標支持体へ転写することができる。
【０００８】
初期支持体から目標支持体へ選択的に移動させるべき半導体チップの選択は、当該方法では、セグメントの液体受容領域への液滴の選択的な配置によって行われる。液滴が配置されたセグメントのみに、続いて半導体チップが移動される。半導体チップを移動させるべきでない場合、当該半導体チップに対応する転写ツールのセグメントには液滴が配置されない。
【０００９】
当該方法の一実施形態では、液滴の配置が、少なくとも部分的に並行して行われる。これにより、有利には、半導体チップの転写方法を特に迅速に、したがってまた低コストに行うことができる。
【００１０】
当該方法の一実施形態では、液体受容領域への液滴の配置が噴射によって行われる。液滴の噴射は、例えば印刷ヘッドによって行うことができる。ここで、印刷ヘッドは可動である。有利には、当該方法により、それぞれ複数の液滴を同時に付与でき、これにより、液体受容領域への液滴の配置が短時間で実行可能となる。
【００１１】
当該方法の一実施形態では、各セグメントは液体リザーバに接続される。ここで、各セグメントでの液滴の配置は、液体リザーバから液体受容領域への液体の移動により行われる。有利には、当該方法によっても、複数のセグメントに液滴を並行して同時に配置でき、これにより当該方法は高速に実行可能となる。
【００１２】
当該方法の一実施形態では、液滴の選択的配置は、少なくとも複数のセグメントの液体受容領域に電荷を選択的に印加するステップと、液体受容領域を極性液体に浸漬するステップとを含む。この場合、液体受容領域を極性液体に浸漬した後、液滴は、先行して帯電された液体受容領域のみまたは先行して帯電されていない液体受容領域のみのいずれかに残留する。有利には、当該方法での液体受容領域への電荷の選択的な印加は、全てのセグメントで同時に行うことができ、これにより液滴の選択的な配置が短時間で実行可能となる。
【００１３】
当該方法の一実施形態では、少なくとも複数のセグメントの液体受容領域に電荷を選択的に印加することは、転写ツールの全てのセグメントの液体受容領域に電荷を印加するステップと、複数のセグメントにおいて電荷を選択的に除去するステップとを含む。有利には、当該方法は、簡単かつ低コストに行うことができる。
【００１４】
当該方法の一実施形態では、電荷の選択的な除去はレーザービームによって行われる。有利には、当該方法での電荷の選択的な除去は、きわめて迅速に高精度で行うことができる。
【００１５】
当該方法の一実施形態では、液滴の選択的な配置は、転写ツールの全てのセグメントの液体受容領域に固形物を付与するステップと、各液滴を形成するために、少なくとも複数のセグメントにおいて固形物を選択的に液化するステップとを含む。有利には、当該方法は、特に簡単かつ低コストに実行可能である。この場合、少なくとも複数のセグメントでの固形物の選択的な液化は、選択的に並行して行うことができ、これにより、当該方法は、特に迅速に実行可能となる。また、当該方法により、セグメントの液体受容領域に液滴を形成し、続いてこの液滴を除去するため、固形物を複数回連続して液化および再固化することにより、液体受容領域に配置された固形物を再利用することもできる。
【００１６】
当該方法の一実施形態では、液滴の選択的配置は、少なくとも複数のセグメントの液体受容領域を、露点を下回るように選択的に冷却し、凝縮によって、冷却されたセグメントの液体受容領域に液滴を形成するステップを含む。有利には、当該方法においても、少なくとも複数のセグメントの液体受容領域への液滴の配置は、並行して、またこれにより特に迅速に行われる。
【００１７】
当該方法の一実施形態では、転写ツールを初期支持体に接近させた後、さらに、少なくとも液滴が配置されたセグメントの液体受容領域を、凝固点を下回るように冷却し、液滴を少なくとも部分的に凝固させるステップが行われる。また、転写ツールを目標支持体に接近させた後、さらに、少なくとも液滴が配置されたセグメントの液体受容領域を、凝固点を上回るように加熱し、液滴を少なくとも部分的に融解させるステップが行われる。有利には、液滴によって濡らされた半導体チップは、液滴を少なくとも部分的に凝固させることにより、転写ツールのセグメントに特に確実に保持され、これにより、当該方法での初期支持体からの半導体チップの引き離すことおよび初期支持体から目標支持体への半導体チップの移動を特に確実に行うことができる。ここで、当該方法は、有利には、初期支持体上に配置された半導体チップと初期支持体との間に高い接着力が存在している場合にも実行可能である。続いて液滴を少なくとも部分的に融解させることにより、半導体チップの移動後に目標支持体上に配置された半導体チップが解放され、これにより転写ツールを目標支持体から引き離して、目標支持体に接触した半導体チップを目標支持体に残留させることができる。
【００１８】
当該方法の一実施形態では、液滴は、水、溶剤、炭化水素、シリコーン、シロキサン、樹脂またはワックスを含む。有利には、これらの材料は、当該方法の実行に適すると判明している。
【００１９】
当該方法の一実施形態では、転写ツールを目標支持体から引き離す前に、液滴を除去するステップが行われる。有利には、液滴を除去することにより、転写ツールのセグメントの液体受容領域への半導体チップの接着力が低減されるかまたは完全に除去され、これにより、半導体チップを同様に目標支持体から引き離してしまうことなく、続いて転写ツールを特に容易に引き離すことができる。
【００２０】
当該方法の一実施形態では、液滴の除去は、液滴を蒸発させる熱の供給によって行われる。これにより、有利には、当該方法は、特に簡単かつ再現可能に実行可能である。
【００２１】
当該方法の一実施形態では、目標支持体が、その上部に配置された固定剤と共に用意される。ここで、転写ツールを目標支持体に接近させると、転写ツールに配置された半導体チップが固定剤に接触する。固定剤は、例えばはんだまたは接着剤であってもよい。有利には、当該方法において固定剤に接触した半導体チップは、確実に目標支持体に接着し、これにより、転写ツールと共に半導体チップを目標支持体から引き離してしまうことなく、続いて転写ツールを目標支持体から引き離すことが容易となる。
【００２２】
当該方法の一実施形態では、半導体チップは、０．１Ｎ／２０ｍｍ２未満の接着力で初期支持体に接着している。有利には、この場合、転写ツールによる初期支持体からの半導体チップを引き離すことが特に簡単に可能となる。
【００２３】
当該方法の一実施形態では、半導体チップは、０．１Ｎ／２０ｍｍ２超の接着力で、好ましくは０．５Ｎ／２０ｍｍ２から５Ｎ／２０ｍｍ２の接着力で、目標支持体に接着する。これにより、有利には、目標支持体に接触する半導体チップが確実に目標支持体に接着し、よって、転写ツールと共に半導体チップを引き離してしまうことなく、続いて転写ツールを目標支持体から引き離すことが容易となる。
【００２４】
当該方法の一実施形態では、半導体チップを初期支持体上に用意することは、複数の半導体チップを規則的な配列でフィルム上に用意するステップと、初期支持体を用意するステップと、半導体チップが初期支持体に面するように、半導体チップの配列を有するフィルムを初期支持体上に載置するステップと、初期支持体を、水の凝固点を下回るように冷却し、この水を初期支持体で凝縮および氷結させて半導体チップを初期支持上体に固定するステップと、フィルムを半導体チップから剥離させ、半導体チップを初期支持体に残留させるステップと、初期支持体を加熱して、初期支持体に配置された水を融解および蒸発させるステップとを含む。これにより、有利には、当該方法では、フィルムから初期支持体への半導体チップの移動が可能となる。この場合、半導体チップは、初期支持体での接着よりも大きな接着力でフィルムに接着することができる。ここで、半導体チップの移動は、半導体チップの具体的なテクノロジに依存せず、つまり半導体チップの種々のタイプに依存せずに、行うことができる。
【００２５】
当該方法の別の一実施形態では、フィルムは鋭角で剥離される。これにより、有利には、特に大きな落屑力がフィルムと半導体チップとの間に作用し、よって、フィルムの剥離が特に簡単に可能となる。
【００２６】
当該方法の一実施形態では、フィルムは、支持体フィルムとこの支持体フィルム上に配置された接着フィルムとを含む。ここで、半導体チップは接着フィルム上に配置される。これにより、有利には、フィルムが簡単に製造可能となり、低コストに入手可能となる。
【００２７】
当該方法の一実施形態では、相互に画定されたチップ受容領域を有するようにパターニングされた上面を有する初期支持体が用意される。ここで、各半導体チップがそれぞれ固有のチップ受容領域上に位置するように、半導体チップの配列を有するフィルムが初期支持体上に載置される。有利には、初期支持体のパターニングされた上面により、水への浸漬中、チップ受容領域において相互に画定された水滴の形成が達成される。これにより、初期支持体における半導体チップの浮動が防止される。さらに、初期支持体の上面のチップ受容領域に形成される滴は、各チップ受容領域への半導体チップの自動センタリングも行うことができる。
【００２８】
半導体チップを転写するための転写ツールは、規則的なライン配列またはマトリクス配列で配置された複数のセグメントを備える。ここで、各セグメントは、液滴を配置可能となるように形成された液体受容領域を１つずつ有する。
【００２９】
有利には、当該転写ツールにより、複数の半導体チップを選択的に並行して初期支持体から目標支持体へ転写することができる。ここで、半導体チップの転写は、転写ツールのセグメントの液体受容領域にそれぞれ１つずつ配置された液滴によって半導体チップを濡らすことにより行われる。転写ツールの複数のセグメントのみの液体受容領域に液滴を選択的に配置することにより、複数の半導体チップのみを選択的に転写することができる。
【００３０】
当該転写ツールにより、有利には、半導体チップを静電気力に曝さずに、半導体チップの転写が可能となる。これにより、転写ツールは、静電気放電による半導体チップの損傷の僅かな危険しか有さず、半導体チップを転写することができる。
【００３１】
当該転写ツールの一実施形態では、各液体受容領域は液体受容面を含む。ここでは、全てのセグメントの液体受容面が共通の一平面内に配置される。これにより、有利には、半導体チップを初期支持体から目標支持体へ転写するために、ライン配列またはマトリクス配列で配置された複数の半導体チップを同時に転写ツールに受容することができる。
【００３２】
当該転写ツールの一実施形態では、液体受容面はそれぞれ分離溝によって取り囲まれる。これにより、有利には、個々のセグメントの液体受容領域に別個の各液滴を容易に形成でき、これにより、所望の半導体チップを正確に選択して転写ツールに受容することができる。この場合、分離溝により、隣り合う液滴の望ましくない合流を防止することができる。
【００３３】
当該転写ツールの一実施形態では、分離溝によって取り囲まれる液体受容面は、長方形状または円形状に形成される。長方形状の液体受容面は、有利には、長方形状の半導体チップの転写に特に良好に適する。円形状に形成される液体受容面は、有利には、液滴の配置に特に良好に適する。
【００３４】
当該転写ツールの一実施形態では、各液体受容領域は、液体受容面に配置されたスタンプを有する。当該スタンプは、有利には、液体受容領域に配置される液滴を液体受容領域にセンタリングすることに寄与する。転写ツールのセグメントの液体受容領域の液体受容面に配置されるスタンプは、半導体チップを基材から基板ウェハへ打ち抜くためにも用いることができる。当該スタンプは、転写ツールのセグメントに受容された半導体チップをファンデルワールス力によって保持するためにも利用可能である。
【００３５】
当該転写ツールの一実施形態では、スタンプはそれぞれ、液体受容面の中央に配置される。これにより、有利には、転写ツールのセグメントの液体受容領域に配置される液滴が、液体受容領域の液体受容面全体にわたって、特に効率的にセンタリングされる。
【００３６】
当該転写ツールの一実施形態では、スタンプが弾性を有するように形成される。これにより有利には、転写ツールを用いた半導体チップの転写中、半導体チップがスタンプによって損傷を受ける危険が低減される。
【００３７】
当該転写ツールの一実施形態では、スタンプは、それぞれマイクロポーラス材料を含む。ここでは、各スタンプから液体リザーバへの液体導通接続路が形成される。当該転写ツールでは、各セグメントにおいて、液体が、液体導通接続路とマイクロポーラス材料を含むスタンプとを介してセグメントの液体受容領域に達し、そこで液滴を形成することができる。これにより、有利には、セグメントの液体受容領域に液滴を容易に配置することができる。
【００３８】
当該転写ツールの一実施形態では、当該転写ツールは、種々のセグメントの液体受容領域を種々の温度へ遷移させる温度調整装置を備える。つまり、温度調整装置は、セグメントを選択的に加熱または冷却することができる。これにより、個々のセグメントに液滴を選択的に配置でき、転写ツールの個々のセグメントで液滴の配置を選択的に防止することができ、または個々のセグメントから液滴を選択的に除去することができる。
【００３９】
当該転写ツールの一実施形態では、各セグメントは、各セグメントの液体受容領域を加熱する加熱素子を備える。ここで、種々のセグメントの加熱素子は相互に独立に駆動制御可能である。これにより、有利には、加熱されたセグメントでの液滴の配置を防止するため、または加熱されたセグメントに配置された液滴を除去するため、個々のセグメントを相互に独立に加熱することができる。
【００４０】
当該転写ツールの一実施形態では、種々のセグメントの加熱素子は、交差マトリクス回路を介して駆動制御可能である。これにより、有利には、各セグメントを他のセグメントから独立に駆動制御することができる。この場合、多数のセグメントが存在するケースでも、制限された数の接続線路しか必要とならず、これにより転写ツールは有利には簡単な構造を有することができる。
【００４１】
当該転写ツールの一実施形態では、当該転写ツールは、レーザービームを形成するレーザー光源と、レーザービームを選択的に個々のセグメントへ偏向するように構成された偏向装置とを有する。当該転写ツールでは、有利には、レーザービームにより個々のセグメントを選択的に加熱して、これにより当該セグメントでの液滴の配置を防止することができ、または当該セグメントに配置された液滴を除去することができる。
【００４２】
当該転写ツールの一実施形態では、当該転写ツールは、セグメントの液体受容領域を冷却する冷却装置を有する。これにより、有利には、転写ツールのセグメントを、凝縮した湿分によってセグメントに液滴が形成される程度まで冷却することができる。
【００４３】
当該転写ツールの一実施形態では、冷却装置はペルチエ素子を有する。これにより、有利には、冷却装置は、転写ツールのセグメントを有効かつ効率的に冷却することができる。
【００４４】
当該転写ツールの一実施形態では、冷却装置はヒートパイプを有する。これにより、有利には、ヒートパイプを介して転写ツールのセグメントから熱を放出させ、これにより転写ツールのセグメントを冷却することができる。
【００４５】
当該転写ツールの一実施形態では、当該転写ツールは、セグメントの液体受容領域に液滴を噴射するように構成された印刷ヘッドを有する。この場合、印刷ヘッドは、可動または不動に形成可能である。有利には、印刷ヘッドにより、転写ツールの複数のセグメントの液体受容領域に複数の液滴を同時に噴射することができる。これにより、有利には、きわめて短い時間で、転写ツールのセグメントの液体受容領域に液滴を配置することができる。
【００４６】
当該転写ツールの一実施形態では、各セグメントが、液体リザーバと、液滴を液体受容領域に配置するために、各セグメントの液体リザーバから各セグメントの液体受容領域へ液体を移動させるように構成されたフルードアクチュエータとを有する。有利には、当該転写ツールでは、複数のセグメントの液体受容領域に液滴を同時に配置することができる。これにより、当該転写ツールのセグメントの液体受容領域での液滴の配置を、きわめて迅速に行うことができる。
【００４７】
当該転写ツールの一実施形態では、各セグメントのフルードアクチュエータが、液滴を液体受容領域から除去するために、各セグメントの液体受容領域から各セグメントの液体リザーバへ液体を移動させるように構成される。これにより、有利には、各液体を複数回使用でき、これにより、転写ツールが、特に簡単に、少ないメンテナンスで使用可能となる。
【００４８】
当該転写ツールの一実施形態では、当該転写ツールは、セグメントの液体受容領域に電荷を印加するように構成された帯電装置を有する。有利には、セグメントの液体受容領域に印加される電荷を、セグメントの液体受容領域に液滴を配置するために利用できる。このことは、例えば、電荷が印加されたセグメントの液体受容領域を極性液体に浸漬することによって行うことができる。
【００４９】
当該転写ツールの一実施形態では、各セグメントは、各セグメントの液体受容領域に電荷を印加するように構成されたセグメント帯電装置を有する。ここで、種々のセグメントのセグメント帯電装置は、相互に独立に駆動制御可能である。これにより、有利には、当該転写ツールでは、選択されたセグメントの液体受容領域のみに電荷を選択的に印加することができる。これにより、選択されたセグメントの液体受容領域のみに液滴を配置することができる。こうすることで、上述の場合と同様に、転写ツールにより、選択された半導体チップのみを選択的に転写することができる。
【００５０】
当該転写ツールの一実施形態では、帯電装置は、セグメントの液体受容領域を帯電させる帯電ユニットを有する。ここで、帯電装置はさらに、個々のセグメントの液体受容領域を選択的に放電させる放電ユニットも有する。放電ユニットは、例えば、液体受容領域を選択的に放電させるためのレーザービームを形成するレーザー装置を含んでよい。また有利には、当該転写ツールにおいて、選択された個々のセグメントの液体受容領域のみを電気的に帯電させ、これにより選択されたセグメントの液体受容領域のみに液滴を配置することもできる。こうすることで、さらに、当該転写ツールにより、選択された個々の半導体チップのみを選択的に転写することができる。
【００５１】
上述した本発明の特性、特徴および利点ならびにこれらを達成するための方式は、各実施例の以下の説明に関連して明瞭に理解されるであろう。各実施例を、図に関連して詳細に説明する。ここでは、各概略図において、次のことが示されている。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】転写ツールのセグメント支持体ならびに初期支持体およびその上部に配置された半導体チップを示す側断面図である。
【図２】一実施形態によるセグメント支持体のセグメントを示す平面図である。
【図３】別の一実施形態によるセグメント支持体のセグメントを示す平面図である。
【図４】転写ツールを初期支持体に接近させた後のセグメント支持体と初期支持体とを示す側断面図である。
【図５】転写ツールを初期支持体から引き離した後のセグメント支持体と初期支持体とを示す側断面図である。
【図６】転写ツールのセグメント支持体と目標支持体とを示す側断面図である。
【図７】転写ツールを目標支持体に接近させた後のセグメント支持体を示す側断面図である。
【図８】目標支持体およびその上部に移動された半導体チップを示す側断面図である。
【図９】一実施形態による転写ツールを示す側断面図である。
【図１０】別の一実施形態による転写ツールを示す側断面図である。
【図１１】別の一実施形態による転写ツールを示す側断面図である。
【図１２】別の一実施形態による転写ツールを示す側断面図である。
【図１３】別の一実施形態による転写ツールならびに初期支持体およびその上部に配置された半導体チップを示す側断面図である。
【図１４】初期支持体に接近させた後の転写ツールを示す側断面図である。
【図１５】初期支持体に接近させた後の転写ツールを示す側断面図である。
【図１６】転写ツールおよび目標支持体を示す側断面図である。
【図１７】目標支持体に接近させた後の転写ツールを示す側断面図である。
【図１８】別の一実施形態による転写ツールを示す側断面図である。
【図１９】転写ツールの交差マトリクス回路の一部を示す図である。
【図２０】別の一実施形態による転写ツールを示す側断面図である。
【図２１】別の一実施形態による転写ツールを示す側断面図である。
【図２２】フィルムおよびその上部に配置された半導体チップを示す図である。
【図２３】初期支持体上に載置される、半導体チップを配置したフィルムを示す側断面図である。
【図２４】初期支持体の冷却後の初期支持体、半導体チップおよびフィルムを示す側断面図である。
【図２５】フィルムの剥離中の、初期支持体、半導体チップおよびフィルムを示す側断面図である。
【図２６】フィルムを除去し、初期支持体を加熱した後の、初期支持体および半導体チップを示す側断面図である。
【図２７】別の一実施形態による初期支持体を示す側断面図である。
【図２８】別の一実施形態による初期支持体を示す側断面図である。
【００５３】
図１には、転写ツール１００の一部の概略的な側断面図が示されている。当該転写ツール１００は、半導体チップを選択的に並行して初期支持体から目標支持体へ転写するために設けられている。ここで、転写ツール１００は、複数の半導体チップを並行して同時に移動させることができる。また、転写ツール１００は、必ずしも初期支持体上に設けられている半導体チップの全てを移動させなくてよく、移動させるべき半導体チップを選択的に選択することができる。
【００５４】
図１には、さらに、初期支持体４００の一部の概略的な側断面図が示されている。初期支持体４００の上面４０１上に、半導体チップ５００が配置されている。半導体チップ５００は、規則的な１次元または２次元の配列で、例えば２次元のマトリクス配列で存在することができる。この場合、規則的な配列の全てのグリッド位置を、半導体チップ５００が占有することができる。ただし、若干数の半導体チップ５００が欠落して、これにより半導体チップ５００の規則的な１次元または２次元の配列が空隙を有してもよい。
【００５５】
初期支持体４００の上面４０１に配置された半導体チップ５００は、相互に間隔を有していてもよい。また、初期支持体４００の上面４０１に配置された半導体チップ５００は、相互に関連するように、例えばウェハ複合体として接続されていてもよい。このケースでは、ウェハ複合体は、個々の半導体チップ５００間の境界に、例えばソートラックの形態で設けうる目標分断位置を有することができる。
【００５６】
初期支持体４００の上面４０１に用意された各半導体チップ５００は、上面５０１およびこの上面５０１の反対側の下面５０２を有する。各半導体チップ５００は、半導体チップ５００の下面５０２が初期支持体４００の上面４０１に面するように、初期支持体４００の上面４０１に配置されている。
【００５７】
半導体チップ５００は、オプトエレクトロニクス半導体チップまたは他の半導体チップであってもよい。例えば、半導体チップ５００は、発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）であってもよい。このケースでは、半導体チップ５００の上面５０１は、例えばＬＥＤチップとして構成された半導体チップ５００の放射放出面であってもよい。
【００５８】
初期支持体４００は、低粘着支持体、すなわち初期支持体４００の上面４０１に配置された半導体チップ５００と初期支持体４００との間の接着力が僅かしか作用しない支持体であってもよい。ここでの接着力または粘着力は、例えば０．１Ｎ／２０ｍｍ２未満であってもよい。このために、初期支持体４００の上面４０１は、例えば軽微な接着性を有する材料、例えばシリコーンまたはポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を含むことができる。初期支持体４００の上面は、発泡性のニトロサーマルリリーステープによって形成することもできる。初期支持体４００の上面４０１は、付加的に、半導体チップ５００と初期支持体４００の上面４０１との間に作用する接着力を低減するため、チップサイズの精細度でパターニングすることができる。半導体チップ５００は、容易に解離可能な固定構造によって、初期支持体４００の上面４０１に固定されていてもよい。
【００５９】
転写ツール１００は、セグメント支持体１１０を含む。セグメント支持体１１０は、規則的な１次元または２次元の配列で、すなわちライン配列またはマトリクス配列で配置された複数のセグメントを有する。セグメント２００の規則的な配列のグリッドスケールは、初期支持体４００の上面４０１に用意された半導体チップ５００のグリッドスケールに相応する。なお「セグメント２００のグリッドスケールは初期支持体４００の上面４０１に用意された半導体チップ５００のグリッドスケールに相応する」なる表現は、セグメント２００のグリッドスケールが用意された半導体チップ５００のグリッドスケールの複数倍に相当する実施形態も含むものとする。セグメント２００のグリッドスケールが用意された半導体チップ５００のグリッドスケールの複数倍に相当する実施形態では、半導体チップの選択のほか、チップ配列のさらなる拡張も達成可能である。これにより、初期支持体の上面４０１に用意された各半導体チップ５００には、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の１つのセグメント２００が対応づけられる。例えば、１つのセグメント支持体１１０上に１つもしくは複数のセグメント２００を配置可能である。複数の実施例では、１つのセグメント支持体１１０上に１つもしくは複数のセグメント２００を配置可能である。
【００６０】
セグメント支持体１１０に配置された各セグメント２００は、主として平坦な液体受容面２２０を有する液体受容領域２１０を有する。セグメント支持体１１０の全てのセグメント２００の液体受容領域２１０は、セグメント支持体１１０の共通の一平面内に形成されている。これにより、全てのセグメント２００の液体受容面２２０が共通の一平面内に配置されている。液体受容領域２１０は例えば１ｍｍ２未満であってもよい。複数の実施形態では、液体受容領域２１０は０．１ｍｍ２以下であってもよい。
【００６１】
図１に示されている例では、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０の液体受容面２２０は、それぞれ分離溝２４０によって取り囲まれており、相互に画定されている。分離溝２４０は、細溝として形成されている。分離溝２４０は、例えばソープロセスによって、またはフォト技術およびエッチングプロセスの組み合わせによって、設けることができる。図２および図３には、２つの例示的な実施形態において、セグメント支持体１１０の複数のセグメントの液体受容面２２０の概略的な平面図が示されている。この場合、セグメント２００は、それぞれ規則的な２次元のマトリクス配列で配置されている。図２の例では、セグメント２００の、分離溝２４０によって取り囲まれた液体受容面２２０は、長方形状に形成されている。図３の例では、セグメント２００の、分離溝２４０によって取り囲まれた液体受容面２２０は、円形状に形成されている。分離溝２４０の延在形態および液体受容面２２０の形状は、別様であってもよい。分離溝２４０は、濡れ性遷移部を形成することができる。濡れ性遷移部なる概念は、ここでは一般に、濡れ性の相違箇所とも称するものとする。幾何学的パターンに加えてまたはこれに代えて、種々の材料を使用することにより、濡れ性遷移部を形成することができる。
【００６２】
簡単な一実施形態では、分離溝２４０を省略することもできる。
【００６３】
初期支持体４００の上面４０１に用意された各半導体チップ５００は、転写ツール１００のセグメント支持体１１０のセグメント２００の正確に１つずつに対応づけられている。転写ツール１００のセグメント支持体１１０は、初期支持体４００の上面４０１の上方に配置されており、各半導体チップ５００に対応するセグメント２００がそれぞれ垂直方向で半導体チップ５００の上方に位置するように位置合わせされている。転写ツール１００のセグメント支持体１１０の位置合わせは、例えば、セグメント支持体１１０上かつ／または初期支持体４００上に配置されたアライメントマークを使用して行うことができる。アライメントマークは、例えば、セグメント支持体１１０の、液体受容領域２１０を有する側の面に配置可能であるか、またはセグメント支持体１１０の、液体受容領域２１０とは反対側の面に配置可能である。セグメント支持体１１０は、自身１１０を通したアライメントマークの認識を可能にするため、必要な場合には、透明に形成することができる。
【００６４】
図１から図３には、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の少なくとも複数のセグメント２００の液体受容領域２１０に液滴３００が配置されたことが示されている。液滴３００は選択されたセグメント２００の液体受容領域２１０のみに選択的に配置されてもよく、またはセグメント支持体１１０の全てのセグメント２００の液体受容領域２１０に配置されてもよい。液滴３００は、後に転写ツール１００によって転写されるそれぞれの半導体チップ５００に対応するセグメント２００のみに配置される。転写ツール１００によって転写されず、初期支持体４００上に残留する半導体チップ５００の場合、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の対応する各セグメント２００に液滴３００は配置されない。
【００６５】
初期支持体４００の上面４０１に用意された半導体チップ５００のうちどの半導体チップ５００を転写ツール１００によって転写するかの選択、すなわち転写ツール１００のセグメント支持体１１０のどのセグメント２００に液滴３００を配置するかの選択は、例えば、半導体チップ５００の先行の特徴づけに基づいて行うことができる。当該選択は、例えば、機能的に特徴づけられた半導体チップ５００のみまたは所望の特性を有するように特徴づけられた半導体チップ５００のみが転写ツール１００によって転写され、他の全ての半導体チップ５００が初期支持体４００上に残留するように、行うことができる。同様に、例えば、転写ツール１００による移動のために、目標支持体での半導体チップ５００の所望の位置に対応する規則的な１次元または２次元の配列のグリッド内の位置を有する半導体チップ５００のみを選択することもできる。いずれの場合にも、初期支持体４００へ移動させるべき半導体チップ５００の選択は、選択された半導体チップ５００に対応するセグメント２００のみに液滴３００を配置することにより、転写ツール１００のセグメント支持体１１０へ移動される。
【００６６】
液滴３００は、それぞれ、転写ツール１００のセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０の液体受容面２２０を濡らす。液滴３００の大きさは、隣り合うセグメント２００に配置された液滴３００が相互に溶け合わないように選定されている。したがって、各液滴３００は、各セグメント２００の液体受容領域２１０に限定されて留まる。セグメント２００の各液体受容面２２０間に配置されている分離溝２４０は、液滴３００をそれぞれセグメント２００の液体受容面２２０に画定することに寄与できる。特に有効な画定は、図３に示されている実施形態の、円形に形成された液体受容面２２０によって達成することができる。
【００６７】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０に液滴３００を配置する種々の方法および装置を、本明細書の以下の部分において説明する。いずれの場合にも、各液滴３００を少なくとも部分的に並行して配置する、つまり複数のセグメント２００の液体受容領域２１０に各液滴３００を同時に配置すると好都合である。液滴３００の配置前に、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０を洗浄するプロセスステップを行うこともできる。
【００６８】
図４には、図１の図示に時間的に後続する処理状態にある、転写ツール１００のセグメント支持体１１０ならびに初期支持体４００およびその上部に用意された半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。
【００６９】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０は、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０に配置された液滴３００が、初期支持体４００の上面４０１に配置された半導体チップ５００の上面５０１に接触してこの上面４０１を濡らすように、初期支持体４００に接近される。セグメント支持体１１０は、セグメント支持体１１０の各セグメント２００が、初期支持体４００の上面４０１の、各セグメント２００に対応する半導体チップ５００の上方に位置するように、初期支持体４００の上面４０１に接近される。液滴３００が配置された液体受容領域２１０を有する各セグメント２００では、液滴が各セグメント２００に対応する半導体チップ５００の上面５０１を濡らす。付加的に、液滴３００はさらに、各セグメント２００の液体受容領域２１０も濡らしている。相応に、セグメント支持体１１０の、液滴３００が配置されなかったセグメント２００では、対応する半導体チップ５００は濡らされない。
【００７０】
図５には、図４の図示に時間的に後続する処理状態にある、転写ツール１００のセグメント支持体１１０、初期支持体４００および半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。
【００７１】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０が、初期支持体４００から引き離されている。ここでは、先行して液滴３００によって濡らされていた全ての半導体チップ５００が、転写ツール１００のセグメント支持体１１０によって初期支持体４００から引き離されるが、セグメント２００に配置された液滴３００にそのまま接着している。先行して液滴３００によって濡らされていない半導体チップ５００は、初期支持体４００の上面４０１に残留する。
【００７２】
液滴３００と半導体チップ５００との間に作用する濡れ力、すなわち半導体チップ５００の上面５０１を液滴３００が濡らしたことによって液滴３００と半導体チップ５００との間に作用する接着力は、液滴３００とセグメント２００の液体受容領域２１０との間に作用する濡れ力と同様、半導体チップ５００と初期支持体４００の上面４０１との間に作用する先行の接着力よりも大きい。これにより、液滴３００によって濡らされた半導体チップ５００は、セグメント支持体１１０を初期支持体４００から引き離す間もセグメント支持体１１０に留まり、このセグメント支持体１１０によって初期支持体４００から引き離される。
【００７３】
図６には、図５の図示に時間的に後続する処理状態にある、半導体チップ５００が接着された、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の概略的な側断面図が示されている。付加的に、図６には、概略的な断面図で、目標支持体６００の一部が示されている。
【００７４】
目標支持体６００は、転写ツール１００によって移動される半導体チップ５００のターゲットとして用いられる。目標支持体６００は、例えば、ウェハ、回路板または他の基板として形成可能である。目標支持体６００は、転写ツール１００によって移動される半導体チップ５００の最終目的を形成しうる。このケースでは、転写ツール１００による半導体チップ５００の移動は、目標支持体６００への実装とも称されうる。ただし、目標支持体６００は、後の他の場所への転写のために半導体チップ５００が一時的にのみ配置される暫定的な支持体を形成していてもよい。
【００７５】
目標支持体６００は、転写ツール１００によって転写される半導体チップ５００が配置される上面６０１を有する。図６に示されている例では、目標支持体６００の上面６０１には、後に目標支持体６００へ移動される半導体チップ５００の固定に用いられる固定剤６１０が予め配置されている。固定剤６１０は、例えばはんだまたは接着剤であってもよい。固定剤６１０は、目標支持体６００の上面６０１に平面状に配置可能である。また、固定剤６１０は、図６に示されているように、目標支持体６００の上面６０１の個々の位置の形態で配置可能であり、ここで、目標支持体６００上へ移動させるべき各半導体チップ５００に対してそれぞれ１つずつの固定剤６１０の固有部分が設けられている。このために、固定剤６１０の各部分は、規則的な１次元または２次元の配列において、目標支持体６００の上面６０１に用意され、そのグリッドスケールは、目標支持体６００上へ移動される半導体チップ５００のグリッドスケールに相応する。ただし、簡単な実施形態では、固定剤６１０を設けることを完全に省略してもよい。
【００７６】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０は、セグメント支持体１１０のセグメント２００に保持されている各半導体チップ５００が目標支持体６００の上面６０１の目標位置の上方に位置するように、目標支持体６００の上面６０１の上方で位置合わせされる。転写ツール１００のセグメント支持体１１０の位置合わせは、例えば、光学アライメントによって行うことができる。この場合、例えば、目標支持体６００の上面６０１に配置されているアライメントマークおよび／または転写ツール１００に配置されているアライメントマークを利用可能である。
【００７７】
図７には、図６の図示に時間的に後続する処理状態にある、転写ツール１００のセグメント支持体１１０、半導体チップ５００および目標支持体６００の概略的な側断面図が示されている。
【００７８】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０は目標支持体６００に接近され、これにより、液滴３００を介してセグメント支持体１１０のセグメント２００に接着している半導体チップ５００が、目標支持体６００に接触する。ここでは、半導体チップ５００の下面５０２が目標支持体６００の上面６０１に面している。各半導体チップ５００に対して目標支持体６００の上面６０１に固定剤６１０の固有部分が１つずつ設けられている図示の例では、転写ツール１００のセグメント支持体１１０に接着している各半導体チップ５００が、固定剤６１０の各固有部分上に配置される。
【００７９】
次の方法ステップでは、転写ツール１００のセグメント支持体１１０が、目標支持体６００から引き離される。ここで、目標支持体６００に接触した半導体チップ５００は、セグメント支持体１１０から解離し、目標支持体６００に残留する。
【００８０】
半導体チップ５００をそれぞれ目標支持体６００に接着させる接着力が、液滴３００と半導体チップ５００との間または液滴３００とセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０との間に作用する濡れ力よりも大きい場合、転写ツール１００のセグメント支持体１１０は、液滴３００を先行して除去することなく、転写ツール１００のセグメント支持体１１０から引き離すことができる。このケースでは、液滴３００によって生じる、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０への半導体チップ５００の接着は、転写ツール１００のセグメント支持体１１０を引き離している間に分離する。このとき、半導体チップ５００と目標支持体６００との間にそれぞれ作用する接着力が０．１Ｎ／２０ｍｍ２超であると、好都合である。さらに、当該接着力が０．５Ｎ／２０ｍｍ２から５Ｎ／２０ｍｍ２であると特に好ましい。目標支持体６００の上面６０１への半導体チップ５００の適切な強さの接着は、例えば、目標支持体６００の上面６０１に先行して配置される固定剤６１０によって生じさせることができる。
【００８１】
ただし、転写ツール１００のセグメント支持体１１０を目標支持体６００から引き離す前に液滴３００を除去することもできる。このケースでは、目標支持体６００に配置された半導体チップ５００と目標支持体６００との間に強い接着力が存在しない場合、特に、液滴３００によって生じる濡れ力より大きい接着力が存在しない場合にも、先行して目標支持体６００に接触した半導体チップを目標支持体６００に残留させることができる。これは、例えば、目標支持体６００の上面６０１に固定剤６１０が設けられなかったケースでありうる。このケースでは、目標支持体６００は、例えば、半導体チップ５００が後の時点で再び引き離される一時的な支持体であってもよい。
【００８２】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０を目標支持体６００から引き離す前の液滴３００の除去は、例えば液滴３００の蒸発によって行うことができる。このために、転写ツール１００のセグメント支持体１１０を目標支持体６００から引き離す前に、液滴３００を加熱してその蒸発を加速するため、熱を供給することができる。熱の供給は、例えば、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の加熱により、または目標支持体６００の加熱により、行うことができる。また、液滴３００の除去は、蒸発による以外の手法によっても行うことができる。
【００８３】
図８には、図７の図示に時間的に後続する処理状態にある、目標支持体６００およびこの目標支持体６００の上面６０１に残留した半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。
【００８４】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０は、目標支持体６００から引き離されている。先行してセグメント支持体１１０のセグメント２００に固定された半導体チップ５００は、目標支持体６００の上面６０１に残留している。セグメント支持体１１０を引き離した後に場合により半導体チップ５００に残留している液滴３００の残留分は、例えば蒸発により除去される。初期支持体４００から目標支持体６００への半導体チップ５００の転写は、これにより終了する。
【００８５】
図９から図１２に即して、以下に、液滴３００をセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０に選択的に配置する他の手段がそれぞれ設けられた転写ツール１００の種々の実施形態を説明する。転写ツール１００の以下に説明する各実施形態は、図１から図８に即して上述した方法による半導体チップ５００の転写に適する。
【００８６】
図９には、一実施形態による転写ツール１００の概略的な側断面図が示されている。当該実施形態では、転写ツール１００は、セグメント支持体１１０のほか、印刷ヘッド１２０を含む。印刷ヘッド１２０は１つもしくは複数のノズル１２５を備える。印刷ヘッド１２０は、ノズル１２５によって液滴３００をセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０に噴射するように構成されている。ここで、セグメント支持体１１０の各セグメント２００に対して個々に、液滴３００を当該セグメント２００の液体受容領域２１０に噴射すべきかどうかを判別可能である。このように、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０への液滴３００の配置は、インクジェットプリンタによって行われる印刷過程と類似の方式で行われる。
【００８７】
印刷ヘッド１２０が複数のノズル１２５を備える場合、印刷ヘッド１２０は、セグメント支持体１１０の複数のセグメント２００の液体受容領域２１０に液滴３００を同時に噴射するように構成可能である。印刷ヘッド１２０が、セグメント支持体１１０のセグメント２００の数よりも小さい数のノズル１２５を備える場合、転写ツール１００のセグメント支持体１１０と印刷ヘッド１２０とは相互に相対的に可動であり、これにより、液滴３００の噴射後、セグメント支持体１１０の１つもしくは複数のセグメント２００の上方で印刷ヘッド１２０をそれぞれセグメント支持体１１０に対して相対的に新たに位置決めし、別の液滴３００をセグメント支持体１１０の別のセグメント２００の液体受容領域２１０に噴射することができる。
【００８８】
転写ツール１００の図９に示されている実施形態では、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０は、液体受容面２２０に加え、それぞれ液体受容面２２０に配置されたスタンプ２３０を有する。ただし、当該スタンプ２３０は省略することもできる。逆に、相応のスタンプ２３０が、本明細書で説明している転写ツール１００の実施形態において、詳細に図示されていないスタンプとして設けられていてもよい。
【００８９】
スタンプ２３０は、それぞれ、液体受容面２２０に対して垂直な方向で、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０の液体受容面２２０を超えて突出している。スタンプ２３０が液体受容面２２０の中央に配置され、液体受容面２２０の一部のみを覆っていると好都合である。スタンプ２３０は、例えば円筒状に形成可能であり、ここで、スタンプ２３０の長手軸線は、セグメント２００の液体受容領域２１０の液体受容面２２０に対して垂直に配向されている。このケースでは、スタンプ２３０は、液体受容面２２０に対して平行な断面において、例えば円形状または長方形状の断面を有しうる。また、スタンプ２３０は別の形状を有してもよい。
【００９０】
スタンプ２３０は、金属、ポリマープラスチック、例えばアクリレート、シリコーン、ＰＤＭＳ、ガラス、セラミック、半導体材料、例えばケイ素、コーティング紙、または他の材料を含んでよい。スタンプ２３０は、剛性または弾性を有するように形成可能である。
【００９１】
セグメント２００の液体受容領域２１０の液体受容面２２０に配置されたスタンプ２３０は、セグメント２００の液体受容領域２１０に配置される液滴３００を液体受容領域２１０にセンタリングして安定に保持するために用いることができる。
【００９２】
スタンプ２３０はまた、初期支持体４００の上面４０１に用意された半導体チップ５００を、転写ツール１００のセグメント支持体１１０が初期支持体４００へ接近されている間、固定部からの解離のため、例えば破断のために用いることもできる。固定部は、半導体チップ５００の移動前に、この半導体チップ５００を初期支持体４００の上面４０１に保持するために設けることができる。
【００９３】
図１０には、別の一実施形態による転写ツール１００の側断面図が示されている。図１０に示されている実施形態では、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の各セグメント２００が、液体リザーバ２５０およびフルードアクチュエータ２６０を備える。フルードアクチュエータ２６０は、それぞれ、液滴３００を液体受容領域２１０に配置するために、各セグメント２００の液体リザーバ２５０から液体２５５を各セグメント２００の液体受容領域２１０に移動させるように構成されている。ここで、個々のセグメント２００のフルードアクチュエータ２６０は、選択されたセグメント２００の液体受容領域２１０に液滴３００を選択的に配置できるようにするため、相互に独立に駆動制御可能である。
【００９４】
これに加えて、フルードアクチュエータ２６０は、液滴３００を液体受容領域２１０から除去するために、各セグメント２００の液体受容領域２１０から液体２５５を各セグメント２００の液体リザーバ２５０へ移動させるように構成可能である。このことは、例えば、転写ツール１００のセグメント支持体１１０を目標支持体６００へ接近させた後、転写ツール１００のセグメント支持体１１０を目標支持体６００から引き離す前に行うことができる。よって、このケースでは、液滴３００は、フルードアクチュエータ２６０により、セグメント２００の液体受容領域２１０から除去される。このケースでは、液滴３００の蒸発を不要とすることができる。
【００９５】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体リザーバ２５０は、相互に分離されていても、または相互に接続されていてもよい。液体リザーバ２５０が相互に接続されるケースでは、個々のセグメント２００の液体リザーバ２５０を、大きな液量を用意可能な共通の１つの液体リザーバに接続することができる。
【００９６】
図１１には、転写ツール１００の別の一実施形態の概略的な側断面図が示されている。図１１に示されている転写ツール１００の実施形態では、当該転写ツール１００は、セグメント２００の液体受容領域２１０に電荷を印加するように構成された帯電装置２７０を有する。
【００９７】
帯電装置２７０は、複数のセグメント帯電装置２７１を含む。セグメント支持体１１０の各セグメント２００は、１つずつ固有のセグメント帯電装置２７１を有する。各セグメント帯電装置２７１は、各セグメント２００の液体受容領域２１０に電荷を印加するため、各セグメント２００の液体受容領域２１０とアースコンタクトとの間に電圧を印加するように構成されている。この場合、セグメント支持体１１０の種々のセグメント２００のセグメント帯電装置２７１は、選択されたセグメント２００の液体受容領域２１０のみに選択的に電荷を印加できるよう、相互に独立に駆動制御可能である。
【００９８】
図１１に示されている転写ツール１００の実施形態では、セグメント帯電装置２７１により、まずセグメント支持体１１０の選択されたセグメント２００の液体受容領域２１０に選択的に電荷を印加することができる。続いて、転写ツール１００のセグメント支持体１１０は、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０が極性液体に接触するよう、極性液体、例えば水に浸漬可能である。セグメント支持体１１０が極性液体に浸漬された後、液滴３００は、先行して電荷が印加された液体受容領域２１０を有するセグメント２００の液体受容領域２１０に接着する。先行して電荷が印加されなかった液体受容領域２１０では、液滴３００は極性液体に接着しないままである。
【００９９】
図１２には、転写ツール１００の別の一実施形態の概略的な側断面図が示されている。図１２に示されている転写ツール１００の実施形態においても、当該転写ツール１００は、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０に電荷を印加するように構成された帯電装置２７０を含む。
【０１００】
図１２に示されている転写ツール１００の実施形態では、帯電装置２７０は、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の全てのセグメント２００の液体受容領域２１０を帯電させるように構成された帯電ユニット２７２を含む。このために、セグメント支持体１１０は、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０を覆うかまたはセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０を形成する、静電帯電可能なフィルム２８０を有する。静電帯電可能なフィルム２８０とは、例えば、光導波材料によってコーティングされたフィルムであってもよい。転写ツール１００の帯電装置２７０の帯電ユニット２７２は、静電帯電可能なフィルム２８０を、セグメント支持体１１０の全てのセグメント２００の領域において静電帯電させ、例えば負に帯電させるように構成されている。帯電ユニット２７２は、このために、例えばチャージコロナ部またはチャージローラを有することができる。
【０１０１】
図１２に示されている実施形態の転写ツール１００の帯電装置２７０はさらに、放電ユニット２７３を含む。放電ユニット２７３は、セグメント支持体１１０の個々のセグメント２００の液体受容領域２１０が先行して帯電ユニット２７２により静電帯電された後、当該液体受容領域２１０を選択的に放電させるように構成されている。よって、放電ユニット２７３は、静電帯電可能なフィルム２８０の一部を選択的に放電させるように構成されている。静電帯電可能なフィルム２８０が光導波材料を含む場合、放電ユニット２７３は、例えば、セグメント支持体１１０の所望のセグメント２００の液体受容領域２１０に選択的に配向可能なレーザービームを形成するように構成されたレーザー装置を含むことができる。このケースでは、図１２に示されている転写ツール１００の実施形態の帯電装置２７０は、レーザープリンタと類似の方式で構成されている。
【０１０２】
図１２に示されている転写ツール１００の実施形態の帯電装置２７０により、セグメント支持体１１０の全てのセグメント２００の液体受容領域２１０をまず静電帯電させ、続いてセグメント支持体１１０の選択されたセグメント２００の液体受容領域２１０を選択的に放電させることができる。こうして、帯電装置２７０により、セグメント支持体１１０の選択されたセグメント２００の液体受容領域２１０に選択的に電荷を印加することができる。
【０１０３】
少なくとも複数のセグメント２００の液体受容領域２１０に選択的に電荷を印加した後、セグメント支持体１１０のうち、先行して電荷が印加されたセグメント２００の液体受容領域２１０に液滴３００を配置するため、セグメント支持体１１０を極性液体に浸漬することができる。このことは、図１１に即して説明した転写ツール１００の実施形態とまったく同様に行われる。
【０１０４】
図９から図１２に即して説明した方法により転写ツール１００のセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０に付与される液滴３００は、例えば、水、溶剤、炭化水素、シリコーン、シロキサン、樹脂またはワックスを含むことができる。液滴３００が炭化水素を含む場合、長鎖の、揮発しにくい炭酸物質の使用、例えば油、エポキシドまたはアクリレートの使用が好都合である。液滴３００は、上述した材料または他の材料の混合物を含んでもよい。
【０１０５】
同様に、イソプロパノールおよび有機固形物粒子、例えば樹脂の混合物の使用も可能である。このケースでは、液体受容領域２１０に付与された液滴３００の揮発性物質、例えばイソプロパノールを、液滴３００の付与後に蒸発させて、その後に接着性の固形物のみを残留させることができる。
【０１０６】
図９に即して説明した液滴３００を付与する方法では、樹脂を液滴３００として付与するために、印刷ヘッド１２０のノズル１２５において液化されるワックスを液体として使用することもできる。液滴３００を付与し、転写ツール１００を初期支持体４００に接近させ、半導体チップ５００を液滴３００によって濡らした後、当該バリエーションでは、液滴３００と半導体チップ５００との間に作用する接着力を付加的に高めるため、液滴３００を硬化することができる。このケースでは、転写ツール１００を目標支持体６００に接近させた後、目標支持体６００に接触した半導体チップ５００を目標支持体６００上に残留させることができるよう、液滴３００を加熱により再び液化することができる。
【０１０７】
同様に、液滴に対し、液滴３００によって濡らされた半導体チップ５００を初期支持体４００から転写ツール１００によって引き離した後に蒸発させる溶剤を使用することもできる。このケースでは、セグメント２００の液体受容領域２１０をスタンプ２３０によって形成すると好都合である。液滴３００の蒸発後、転写ツール１００のセグメント支持体１１０のセグメント２００に配置された半導体チップ５００は、スタンプ２３０の表面と半導体チップ５００の上面５０１との間に作用するファンデルワールス力により、セグメント２００の液体受容領域２１０に接着して留まることができる。
【０１０８】
同様に、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の少なくとも複数のセグメント２００の液体受容領域２１０に液滴３００を選択的に配置するために、まず固形物、例えばワックスを、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の全てのセグメント２００の液体受容領域２１０上に付与することもできる。続いて、各液滴３００を形成するため、少なくとも複数のセグメント２００の固形物が選択的に液化される。ここで、固形物の選択的な液化は、セグメント支持体１１０の各セグメント２００の液体受容領域２１０をセグメント支持体１１０の加熱装置によって選択的に加熱することにより行うことができる。
【０１０９】
図１３には、別の一実施形態による転写ツール１００のセグメント支持体１１０の概略的な側断面図が示されている。また、図１３には、初期支持体４００およびこの初期支持体４００の上面４０１上に用意された半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。
【０１１０】
図１３に示されている転写ツール１００のセグメント支持体１１０の実施形態によれば、セグメント支持体１１０の少なくとも複数のセグメント２００の液体受容領域２１０に液滴３００を選択的に配置する別の方法を実行可能である。このために、図１３に示されている実施形態の転写ツール１００は、セグメント支持体１１０の種々のセグメント２００の液体受容領域２１０を種々の温度へ遷移させるように構成された温度調整装置７００を有する。
【０１１１】
転写ツール１００の温度調整装置７００により、セグメント支持体１１０の少なくとも複数のセグメント２００の液体受容領域２１０に液滴３００を選択的に配置し、選択されたセグメント２００の液体受容領域２１０が露点を下回るように選択的に冷却することができる。ここで、セグメント支持体１１０の残りのセグメント２００の液体受容領域２１０は、露点を上回る温度に留まる。露点を下回る温度とは、例えば５℃であってもよい。露点を上回る温度とは、例えば２５℃であってもよい。このケースでは、露点は例えば１５℃であってもよい。選択されたセグメント２００の液体受容領域２１０が露点を下回るように選択的な冷却を行う間、転写ツール１００の周囲からの液体は、冷却されたセグメント２００の液体受容領域２１０で凝縮し、これにより、当該選択されたセグメント２００の液体受容領域２１０に液滴３００が形成される。
【０１１２】
転写ツール１００の温度調整装置７００は、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０を冷却するように構成された冷却装置７５０を含むことができる。また、温度調整装置７００は、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０を加熱するように構成された加熱装置７１０を含んでもよい。ここで、例えば、各セグメント２００の液体受容領域２１０を選択的に加熱できるよう、セグメント支持体１１０の各セグメント２００には、加熱装置７１０の固有の加熱素子７１１を１つずつ対応づけることができる。このケースでは、セグメント支持体１１０の種々のセグメント２００の加熱素子７１１は、相互に独立に駆動制御可能である。温度調整装置７００の種々の実施形態を以下に図１８から図２１に即してさらに説明する。
【０１１３】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０の種々のセグメント２００の液体受容領域２１０を温度調整装置７００によって種々の温度へ遷移させるため、セグメント支持体１１０の全てのセグメント２００の液体受容領域２１０を、冷却装置７５０によって低い温度へ冷却することができる。続いてもしくは同時に、セグメント支持体１１０の選択された個々のセグメント２００の液体受容領域２１０を、温度調整装置７００の加熱素子７１１によって選択的に加熱することができる。これにより、加熱されなかったセグメント２００は、冷却装置７５０によって達成された低温に留まり、一方、加熱素子７１１によって加熱されたセグメント２００の液体受容領域２１０は高温となる。
【０１１４】
以下では、図１４から図１７に即して、図１から図８に即して上述した半導体チップ５００の転写方法の別の実施形態を説明する。図１４から図１７に即して説明した半導体チップの転写方法は、図１から図８に即して説明した方法と大部分が一致する。よって、半導体チップを移動させる方法の上述の説明は、以下で変更点が記載されていないかぎり、図１４から図１７に即して説明した方法にも当てはまる。以下に説明する方法の実施形態では、図１３に示されている転写ツール１００の実施形態によって実行可能であり、図１３に即して説明した、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０に液滴を選択的に配置する方法に関連しうる。また、液滴３００は、以下に説明する方法では、図９から図１２に即して説明した方法または他の方法のいずれによって付与されてもよい。
【０１１５】
いずれのケースでも、図１４から図１７に即して以下に説明する、半導体チップ５００の転写方法のバリエーションでは、転写ツール１００は、種々のセグメント２００の液体受容領域２１０を種々の温度へ遷移させる温度調整装置７００を含む。ここで、転写ツール１００は、図１３に即して説明したように構成可能である。
【０１１６】
図１４には、初期支持体４００から目標支持体６００への半導体チップ５００の転写方法の実行中の、図４の図示に対応する処理状態にある、転写ツール１００のセグメント支持体１１０ならびに初期支持体４００およびその上面４０１に用意された半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。図１４の図示に先行する処理ステップでは、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の少なくとも複数のセグメント２００の液体受容領域２１０に選択的に液滴３００が配置されている。続いて、各液滴３００がそれぞれ初期支持体４００の上面４０１に配置された半導体チップ５００に接触してこれを濡らすように、転写ツール１００のセグメント支持体１１０が初期支持体４００に接近される。
【０１１７】
半導体チップ５００を液滴３００によって濡らした後、少なくとも、セグメント支持体１１０の、液滴３００が配置されたセグメント２００の液体受容領域２１０が、液滴３００の凝固点を下回るように冷却される。液滴３００が水を含む場合、セグメント２００の液体受容領域２１０は、例えば０℃を下回るように冷却可能である。少なくとも液滴３００が配置されたセグメント２００の液体受容領域２１０を冷却することにより、当該セグメント２００の液体受容領域２１０に配置された液滴３００は少なくとも部分的に凝固する。これにより、液滴３００と液滴３００によって濡らされた半導体チップ５００との間に作用する接着力が増大し、半導体チップ５００は、セグメント２００の液体受容領域２１０の液滴３００の上方に特に確実に保持される。
【０１１８】
図１５には、図１４の図示に時間的に後続する処理状態にある、転写ツール１００のセグメント支持体１１０、初期支持体４００および半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。図１５に示されている処理状態は、図５に示されている処理状態に対応する。
【０１１９】
転写ツール１００は、初期支持体４００から引き離されている。ここで、少なくとも部分的に凝固した液滴３００によって濡らされた半導体チップ５００は、転写ツール１００のセグメント支持体１１０によって初期支持体４００から引き離される。
【０１２０】
図１６には、図１５の図示に時間的に後続する処理状態にある、転写ツール１００のセグメント支持体１１０、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０に接着した半導体チップ５００、および目標支持体６００の概略的な側断面図が示されている。図１６に示されている処理状態は、図６に示されている処理状態に対応する。
【０１２１】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０は、目標支持体６００およびこの目標支持体６００の上面６０１に配置された固定剤６１０の部分に位置合わせされている。
【０１２２】
図１７には、図１６の図示に時間的に後続する処理状態にある、転写ツール１００のセグメント支持体１１０、目標支持体６００および半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。図１７に示されている処理状態は、図７の図示と図８の図示との中間の処理状態に対応する。
【０１２３】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０が、目標支持体６００に接近される。ここで、転写ツール１００のセグメント支持体１１０に配置された半導体チップ５００が、目標支持体６００に接触する。
【０１２４】
続いて、少なくとも、転写ツール１００のセグメント支持体１１０の、液滴３００が配置されたセグメント２００の液体受容領域２１０が、液滴３００の凝固点を上回るように加熱される。これにより、先行して少なくとも部分的に凝固していた液滴３００が、少なくとも部分的に融解する。これにより、液滴３００とこの液滴３００によって濡らされた半導体チップ５００との間の接着力が低減される。
【０１２５】
当該時点で、転写ツール１００のセグメント支持体１１０を目標支持体６００から引き離すことができる。
【０１２６】
半導体チップ５００が目標支持体６００に接着している接着力が、液滴３００の少なくとも部分的な融解の後に液滴３００と半導体チップ５００との間ならびに液滴３００とセグメント２００の液体受容領域２１０との間にまだ作用している接着力よりも大きくすれば、目標支持体６００に接触した半導体チップ５００を目標支持体６００に残留させることができる。このことを回避して図１７に示されている処理状態を達成するために、液滴３００を除去する別の方法ステップを設けることができる。液滴３００の除去は、例えば、転写ツール１００のセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０を加熱して液滴３００を蒸発させることにより行うことができる。
【０１２７】
図１７に示されている処理状態から出発し、転写ツール１００のセグメント支持体１１０は、ここで、目標支持体６００から引き離すことが可能となる。セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０と目標支持体６００に接触した半導体チップ５００との間の接触がもはや存在しないので、ここで、半導体チップ５００は目標支持体６００に残留する。こうして、半導体チップ５００の転写方法が終了する。
【０１２８】
図１８には、別の一実施形態による転写ツール１００の一部の概略的な側断面図が示されている。図１９には、図１８に示されている実施形態の転写ツール１００のセグメント支持体１１０の複数のセグメント２００の液体受容領域２１０の概略的な平面図が示されている。
【０１２９】
図１８および図１９に示されている実施形態では、転写ツール１００は、セグメント支持体１１０の種々のセグメント２００の液体受容領域２１０を種々の温度へ遷移させるように構成された温度調整装置７００を有する。これにより、図１８および図１９に示されている転写ツール１００の実施形態は、特に、図１３から図１７に即して上述した方法の実行に適する。
【０１３０】
転写ツール１００の温度調整装置７００は、複数の加熱素子７１１を備えた加熱装置７１０を含む。セグメント支持体１１０の各セグメント２００には、それぞれ各セグメント２００の液体受容領域２１０を加熱するために設けられた固有の加熱素子７１１が対応づけられている。加熱素子７１１は、例えば、それぞれ加熱抵抗として、例えば白金製のメアンダ状の導体路として、構成可能である。
【０１３１】
転写ツール１００の加熱装置７１０の加熱素子７１１は、付加的に、セグメント支持体１１０の個々のセグメント２００の液体受容領域２１０の温度を測定することができる。加熱素子７１１が白金製のメアンダ状の抵抗パターンとして形成されている場合、各液体受容領域２１０の温度の測定は各加熱素子７１１の電気抵抗の測定によって行うことができる。
【０１３２】
セグメント支持体１１０の種々のセグメント２００の加熱素子７１１は、全て、相互に独立に駆動制御可能である。このために、加熱装置７１０の加熱素子７１１は、交差マトリクス回路７２０によって駆動制御可能である。各加熱素子７１１は、交差マトリクス回路７２０の行線路７２１および列線路７２２のそれぞれに接続されており、これにより、各セグメント２００の液体受容領域２１０を選択的に加熱するため、各加熱素子７１１を通して電流を導通可能である。
【０１３３】
図１８および図１９に例示的かつ概略的に示されている転写ツール１００の実施形態では、加熱素子７１１はそれぞれセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０の液体受容面２２０に直接に配置されている。加熱素子７１１は、熱絶縁体７１２を介して熱的に相互に分離されており、列線路７２２に対して電気的に絶縁されている。交差マトリクス回路７２０の列線路７２２と行線路７２１とは、誘電体７２３によって相互に電気的に絶縁されている。加熱素子７１１と行線路７２１との間ならびに加熱素子７１１と列線路７２２との間の導電接続は、熱絶縁体７１２および誘電体７２３を通って延在するスルーコンタクトを介して形成される。当該スルーコンタクトは、行線路７２１および列線路７２２とまったく同様に、例えば銅を含むことができる。熱絶縁体７１２は例えばフォトレジストによって形成可能である。誘電体７２３は、例えば同様にフォトレジストによって、またはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）によって形成可能である。
【０１３４】
転写ツール１００のセグメント支持体１１０は、基板１１５を有する。当該基板は、平坦な層として形成されており、例えば１ｍｍ以下の厚さを有することができる。基板１１５が良好な熱伝導性および電気絶縁性を有すると好都合である。基板１１５は、例えば、高オームのケイ素またはセラミックのＡｌＮを含むことができる。
【０１３５】
セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０は、基板１１５の一方の面に形成されている。基板１１５の当該側の面には、加熱装置７１０を形成するパターンおよび層も形成されている。
【０１３６】
セグメント支持体１１０の基板１１５の反対側の面には、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０を冷却する冷却装置７５０が配置されている。図１８および図１９に示されている実施例では、冷却装置７５０はペルチエ素子７５１を含む。付加的に、冷却装置７５０は、冷却体または熱交換器を有してもよい。
【０１３７】
転写ツール１００の動作中、転写ツール１００の温度調整装置７００の冷却装置７５０は、セグメント２００の液体受容領域２１０を例えば−１０℃の低温へ冷却することができる。セグメント支持体１１０の選択された個々のセグメント２００では、加熱装置７１０により、各液体受容領域２１０の温度が当該低温に対して高められる。これにより、図１８および図１９に示されている実施形態の転写ツール１００は、セグメント支持体１１０の個々のセグメント２００の液体受容領域２１０を相互に独立に調整することができる。
【０１３８】
図２０には、別の一実施形態による転写ツール１００のセグメント支持体１１０の一部の概略的な側断面図が示されている。図２０に示されている転写ツール１００の実施形態は、図１８に示されている転写ツール１００の実施形態に大部分が一致する。以下では、図２０に示されている転写ツール１００の実施形態と図１８に示されている転写ツール１００の実施形態との相違点のみを説明する。
【０１３９】
図２０に示されている転写ツール１００の実施形態では、転写ツール１００のセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０の液体受容面２２０に配置されたスタンプ２３０が、それぞれマイクロポーラス材料を含む。セグメント支持体１１０の各マイクロポーラススタンプ２３０から、液体リザーバ２９０への液体導通接続路２９５が形成される。
【０１４０】
図２０に示されている転写ツール１００の実施形態のセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０が露点を下回るように冷却されると、セグメント支持体１１０の当該セグメント２００では、液体リザーバ２９０からの液体が液体導通接続路２９５を経てマイクロポーラススタンプ２３０に達することができ、これにより各セグメント２００の液体受容領域２１０に液滴３００が形成される。
【０１４１】
図２１には、別の一実施形態による転写ツール１００のセグメント支持体１１０の概略的な側断面図が示されている。図２１に示されている転写ツール１００の実施形態は、図１８に示されている転写ツール１００の実施形態に類似している。以下では、図２１に示されている転写ツール１００の実施形態の態様と図１８に示されている転写ツール１００の実施形態の態様との相違点のみを説明する。
【０１４２】
転写ツール１００の図２１に示されている実施形態では、液体受容領域２１０を加熱する加熱装置７１０は、加熱素子７１１に代えて、レーザー光源７３０および偏向装置７４０を含む。レーザー光源７３０は、レーザービーム７３１を形成するように構成されている。偏向装置７４０は、レーザー光源７３０によって形成されるレーザービーム７３１を、セグメント支持体１１０の個々のセグメント２００の液体受容領域２１０に選択的に偏向するように構成されている。このために、偏向装置７４０は１つもしくは複数の可動鏡を有することができる。
【０１４３】
図２１に示されている転写ツール１００の実施形態のセグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０は、レーザー光源７３０が放出したレーザービーム７３１の光を熱展開によって吸収するように形成されたそれぞれ１つの吸収層７３２を有する。図２１に示されている例では、吸収層７３２はセグメント２００のスタンプ２３０に配置されている。ただし、吸収層７３２は、セグメント２００の液体受容領域２１０の他の位置に配置されてもよい。
【０１４４】
図２１に示されている実施形態の転写ツール１００の加熱装置７１０により、レーザー光源７３０が形成したレーザービーム７３１を、偏向装置７４０により、選択されたセグメント２００の液体受容領域２１０の吸収層７３２へ選択的に配向して、セグメント支持体１１０の当該セグメント２００の液体受容領域２１０を選択的に加熱することができる。
【０１４５】
冷却装置７５０は、図２１に示されている実施形態の転写ツール１００では、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０への、レーザー光源７３０が形成したレーザービーム７３１の偏向を阻害しないように構成されている。このために、冷却装置７５０は、セグメント支持体１１０のセグメント２００の液体受容領域２１０の熱を離間して配置されたペルチエ素子７５１へ輸送することのできるヒートパイプ７５２を有する。また、ペルチエ素子７５１に代えて、セグメント２００の液体受容領域２１０からヒートパイプ７５２を通して輸送される熱を周囲へ放出させる冷却体を設けることもできる。
【０１４６】
上述した半導体チップ５００の転写方法は、複数の半導体チップ５００を初期支持体４００上に規則的な配列で用意することを含む。以下では、図２２から図２６に即して、半導体チップ５００を初期支持体４００上に用意する方法を例示的に説明する。ただし、半導体チップ５００を初期支持体４００上に用意することは、他の方法によって行ってもよい。
【０１４７】
図２２には、フィルム８００の概略的な側断面図が示されている。フィルム８００は、支持体フィルム８２０と、この支持体フィルム８２０上に配置された接着フィルム８１０とを含む。支持体フィルム８２０は例えばＰＥＴまたはＰＶＣを含んでいてもよい。接着フィルム８１０は、例えばアクリレートまたはシリコーンを含んでいてもよい。
【０１４８】
半導体チップ５００は、フィルム８００の接着フィルム８１０上に規則的な配列で用意されている。規則的な配列とは、ライン配列またはマトリクス配列であってもよい。半導体チップ５００は、その上面がフィルム８００に面し、フィルム８００の接着フィルム８１０に接触するように、フィルム８００の接着フィルム８１０上に配置される。
【０１４９】
フィルム８００は、まず、図２２に例示されているような硬性の支持体８４０上に配置可能である。硬性の支持体８４０は、フィルム８００上に用意される半導体チップ５００のずれを防止するため、剛性を有するように形成可能である。フィルム８００は、別の接着フィルム８３０を介して硬性の支持体８４０に固定可能である。別の接着フィルム８３０は、例えば、熱分離可能な接着フィルム８１０であってもよい。ただし、硬性の支持体８４０の使用は省略することもできる。
【０１５０】
図２３には、図２２の図示に時間的に後続する処理状態にある、フィルム８００およびその上に用意された半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。さらに、図２３には、用意された、上面４０１を有する初期支持体４００の概略的な側断面図も示されている。
【０１５１】
フィルム８００が先行して硬性の支持体８４０に固定されている場合、フィルム８００は、そこに配置された半導体チップ５００と共に、まず硬性の支持体８４０から剥離される。このことは例えば、別の接着フィルム８３０の熱剥離によって行うことができる。
【０１５２】
硬性の支持体８４０を剥離させた後、フィルム８００は、その上に配置されている半導体チップ５００と共に、半導体チップ５００が初期支持体４００の上面４０１に面するように、初期支持体４００の上面４０１上に載置される。ここでは、半導体チップ５００の下面５０２が、初期支持体４００の上面４０１に面している。半導体チップ５００は、初期支持体４００の上面４０１とフィルム８００との間に位置する。
【０１５３】
図２３に示されている処理状態において真空を形成し、同時かつ水平な初期支持体４００への各半導体チップ５００の載置を保証することができる。真空は、選択的に、フィルム８００での載置中に既に初期支持体４００に対して形成することができる。当該真空は、例えばフリットによって形成可能である。
【０１５４】
初期支持体４００は、フィルム８００の載置中、図２３に示されている処理状態において、周囲の露点を上回る温度にある。例えば、初期支持体４００は、２０℃の温度を有することができる。
【０１５５】
図２４には、図２３の図示に時間的に後続する処理状態にある、初期支持体４００、およびこの初期支持体４００上に載置された、半導体チップ５００が配置されたフィルム８００の概略的な側断面図が示されている。
【０１５６】
初期支持体４００は、水の凝固点を下回る温度まで冷却される。例えば、初期支持体４００は、−５℃の温度まで冷却可能である。この場合、まず水８５０が初期支持体４００の周囲から上面４０１へ凝縮し、続いて氷結する。このとき、初期支持体４００の周囲の空気湿度は、例えば加湿器もしくは除湿器を用いて、かつ選択的に露点センサを用いて、一定の値に設定可能である。初期支持体４００の上面４０１において半導体チップ５００のわきまたはその間で凝縮および氷結した水８５０により、半導体チップ５００は初期支持体４００に固定される。
【０１５７】
図２５には、図２４の図示に時間的に後続する処理状態にある、初期支持体４００、フィルム８００、および氷結した水８５０によって初期支持体４００の上面４０１に固定された半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。
【０１５８】
フィルム８００は、図２５に示されている処理状態で、半導体チップ５００から剥離される。ここで、半導体チップ５００は、氷結した水８５０による固定に基づいて初期支持体４００の上面４０１に残留する。フィルム８００の剥離は、図１５に概略的に示されているように鋭角で行われると好都合である。これにより、半導体チップ５００とフィルム８００の接着フィルム８１０との間の接続は、作用するせん断力により、簡単かつ確実に分離される。
【０１５９】
図２６には、図２５の図示に時間的に後続する処理状態にある、初期支持体４００およびこの初期支持体４００の上面４０１上に配置された半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。
【０１６０】
フィルム８００は完全に剥離され、除去されている。続いて、初期支持体４００が、周囲の露点を上回るように加熱される。例えば、初期支持体４００は４０℃の温度まで加熱可能である。ここで、先行して初期支持体４００の上面４０１上で氷結していた水８５０がまず融解し、続いて蒸発する。これにより、半導体チップ５００は、続いての転写ツール１００による目標支持体６００への転写のため、初期支持体４００の上面４０１上に用意される。
【０１６１】
図２７には、別の一実施形態による、初期支持体４００およびこの初期支持体４００の上面４０１上に用意された半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。図２７に示されている実施形態では、初期支持体４００の上面４０１はコーティング４１０を有する。コーティング４１０は、例えば、硬化されたシリコーン、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）または他の接着性材料を含んでいてもよい。ここで、コーティング４１０の接着力は、０．１Ｎ／２０ｍｍ２未満であると好都合である。コーティング４１０は、一定の粗面性を有することができる。例えば、コーティング４１０は１０ｎｍ超の粗面性を有することができる。
【０１６２】
図２８には、別の一実施形態による、初期支持体４００およびこの初期支持体４００の上面４０１上に用意された半導体チップ５００の概略的な側断面図が示されている。
【０１６３】
図２８に示されている実施形態では、初期支持体４００の上面４０１は、この上面４０１を個々のチップ受容領域４３０の規則的な配列に分割するパターン４２０を有する。パターン４２０は、例えば、初期支持体４００の上面４０１に配置された溝によって形成可能である。
【０１６４】
パターン４２０によって画定されるチップ受容領域４３０のそれぞれは、半導体チップ５００を受容するために設けられている。チップ受容領域４３０は、規則的なライン配列またはマトリクス配列を形成する。半導体チップ５００を初期支持体４００の上面４０１上に用意する上述の方法では、各半導体チップ５００が固有のチップ受容領域４３０に位置するよう、半導体チップ５００の配列を有するフィルム８００が初期支持体４００上に載置される。
【０１６５】
半導体チップ５００を初期支持体４００上に用意する上述した方法では、初期支持体４００の上面４０１のパターン４２０により、先行して初期支持体４００の上面４０１で氷結していた水８５０の溶解および蒸発の期間中、非制御状態での濡れ力の発生および初期支持体４００の上面４０１に配置された半導体チップ５００のずれを防止できる。初期支持体４００の上面４０１を相互に画定された複数のチップ受容領域４３０に分割することにより、各チップ受容領域４３０での水８５０の溶解および蒸発の期間中、相互に画定された個々の水滴が形成され、隣り合うチップ受容領域４３０の水滴が結合してしまわない。こうして形成される水滴は、チップ受容領域４３０上に配置される半導体チップ５００を各チップ受容領域４３０にセンタリングするセンタリング効果を作用させることができる。
【０１６６】
半導体チップが支持体に接着する接着力の計算には、例えばＪＩＳＺ０２３７の試験方法を利用可能である。この場合、半導体チップは、例えば２ｋｇの力および５ｍｍ／ｓの速度でラミネートされ、続いて３００ｍｍ／ｓの速度、１８０°の剥離角でデラミネートされる。ここでのフィルム幅は２０ｍｍである。
【０１６７】
本願は、独国特許出願第１０２０１６２２１２８１．８号（ＤＥ１０２０１６２２１２９１．８）の優先権を主張し、その開示内容は引用により本願に組み込まれるものとする。
【０１６８】
本発明を好ましい実施例に即して詳細に図示および説明した。しかし、本発明は開示した例に限定されない。むしろ、当業者は、本発明の権利範囲を逸脱することなく、当該開示から他のバリエーションを導出することができる。
【符号の説明】
【０１６９】
１００  転写ツール
１１０  セグメント支持体
１１５  基板
１２０  印刷ヘッド
１２５  ノズル
２００  セグメント
２１０  液体受容領域
２２０  液体受容面
２３０  スタンプ
２４０  分離溝
２５０，２９０  液体リザーバ
２５５  液体
２６０  フルードアクチュエータ
２７０  帯電装置
２７１  セグメント帯電装置
２７２  帯電ユニット
２７３  放電ユニット
２８０  静電帯電可能なフィルム
２９５  液体導通接続路
３００  液滴
４００  初期支持体
４０１，５０１，６０１  上面
４１０  コーティング
４２０  パターン
４３０  チップ受容領域
５００  半導体チップ
５０２  下面
６００  目標支持体
６１０  固定剤
７００  温度調整装置
７１０  加熱装置
７１１  加熱素子
７１２  熱絶縁体
７２０  交差マトリクス回路
７２１  行線路
７２２  列線路
７２３  誘電体
７３０  レーザー光源
７３１  レーザービーム
７３２  吸収層
７４０  偏向装置
７５０  冷却装置
７５１  ペルチエ素子
７５２  ヒートパイプ
８００  フィルム
８１０  接着フィルム
８２０  支持体フィルム
８３０  別の接着フィルム
８４０  硬性の支持体
８５０  水
【図１】
2019536264.tif 000003
【図２】
2019536264.tif 000004
【図３】
2019536264.tif 000005
【図４】
2019536264.tif 000006
【図５】
2019536264.tif 000007
【図６】
2019536264.tif 000008
【図７】
2019536264.tif 000009
【図８】
2019536264.tif 000010
【図９】
2019536264.tif 000011
【図１０】
2019536264.tif 000012
【図１１】
2019536264.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2019536264.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
2019536264.tif 000023
【図２２】
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【図２３】
2019536264.tif 000025
【図２４】
2019536264.tif 000026
【図２５】
2019536264.tif 000027
【図２６】
2019536264.tif 000028
【図２７】
2019536264.tif 000029
【図２８】
2019536264.tif 000030
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月27日(2019.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（５００）の転写方法であって、
それぞれ１つの液体受容領域（２１０）を有する複数のセグメント（２００）を備えた転写ツール（１００）を用意するステップと、
複数の半導体チップ（５００）を規則的な配列で初期支持体（４００）上に用意するステップと、
目標支持体（６００）を用意するステップと、
複数の前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に液滴（３００）を選択的に配置するステップと、
前記転写ツール（１００）を前記初期支持体（４００）に接近させ、各液滴（３００）を各半導体チップ（５００）に接触させて該半導体チップ（５００）を濡らすステップと、
前記転写ツール（１００）を前記初期支持体（４００）から引き離すステップであって、液滴（３００）によって濡らされた半導体チップ（５００）を前記転写ツール（１００）によって前記初期支持体（４００）から引き離すステップと、
前記転写ツール（１００）を前記目標支持体（６００）に接近させ、前記転写ツール（１００）に配置された前記半導体チップ（５００）を前記目標支持体（６００）に接触させるステップと、
前記転写ツール（１００）を前記目標支持体（６００）から引き離し、前記目標支持体（６００）に接触した前記半導体チップ（５００）を前記目標支持体（６００）に残留させるステップと
を含む、方法。
【請求項２】
複数の前記液滴（３００）の配置を少なくとも部分的に並行して行う、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記液体受容領域（２１０）への前記液滴（３００）の配置を、噴射によって行う、または
前記液滴（３００）の選択的な配置は、
少なくとも複数の前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に、電荷を選択的に印加するステップと、
前記液体受容領域（２１０）を極性液体に浸漬するステップと
を含む、
請求項１および２のいずれか１項記載の方法。
【請求項４】
少なくとも複数の前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に電荷を選択的に印加することは、
前記転写ツール（１００）の全てのセグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に電荷を印加するステップと、
複数の前記セグメント（２００）において電荷を選択的に除去するステップと
を含む、
請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記転写ツール（１００）を前記初期支持体（４００）に接近させた後、さらに、
少なくとも、液滴（３００）が配置された前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を、凝固点を下回るように冷却し、前記液滴（３００）を少なくとも部分的に凝固させるステップ
を行い、
前記転写ツール（１００）を前記目標支持体（６００）に接近させた後、さらに、
少なくとも、液滴（３００）が配置された前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を、凝固点を上回るように加熱し、前記液滴（３００）を少なくとも部分的に融解させるステップ
を行う、
請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記転写ツール（１００）を前記目標支持体（６００）から引き離す前に、
前記液滴（３００）を、特に蒸発により、除去するステップ
を行う、
請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記目標支持体（６００）を、その上部に配置された固定剤（６１０）と共に用意し、
前記転写ツール（１００）を前記目標支持体（６００）に接近させる際に、前記転写ツール（１００）に配置された前記半導体チップ（５００）を前記固定剤（６１０）に接触させる、
請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記半導体チップ（５００）を前記初期支持体（４００）上に用意することは、
複数の半導体チップ（５００）を規則的な配列でフィルム（８００）上に用意するステップと、
前記初期支持体（４００）を用意するステップと、
前記半導体チップ（５００）が前記初期支持体（４００）に面するように、半導体チップ（５００）の配列を有する前記フィルム（８００）を前記初期支持体（４００）上に載置するステップと、
前記初期支持体（４００）を、水の凝固点を下回るように冷却し、該水（８５０）を前記初期支持体（４００）で凝縮および氷結させて前記半導体チップ（５００）を前記初期支持体（４００）に固定するステップと、
前記フィルム（８００）を前記半導体チップ（５００）から剥離させ、前記半導体チップ（５００）を前記初期支持体（４００）に残留させるステップと、
前記初期支持体（４００）を加熱して、前記初期支持体（４００）に配置された水（８５０）を融解および蒸発させるステップと
を含む、
請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記フィルム（８００）は、支持体フィルム（８２０）と該支持体フィルム（８２０）上に配置された接着フィルム（８１０）とを含み、
前記半導体チップ（５００）は前記接着フィルム（８１０）上に配置されている、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
相互に画定されたチップ受容領域（４３０）を有するようにパターニングされた上面（４０１）を有する前記初期支持体（４００）を用意し、
各半導体チップ（５００）が固有の前記チップ受容領域（４３０）上に位置するように、前記半導体チップ（５００）の配列を有する前記フィルム（８００）を前記初期支持体（４００）上に載置する、
請求項８または９記載の方法。
【請求項１１】
半導体チップ（５００）を転写するための転写ツール（１００）であって、
規則的なライン配列またはマトリクス配列で配置された複数のセグメント（２００）を備え、
各セグメント（２００）は、液滴（３００）を配置可能となるように形成された液体受容領域（２１０）を有し、
前記転写ツール（１００）は、前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に液滴（３００）を噴射するように構成された印刷ヘッド（１２０）を有する、かつ／または
前記転写ツール（１００）は、前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に電荷を印加するように構成された帯電装置（２７０）を有する、
転写ツール（１００）。
【請求項１２】
各液体受容領域（２１０）は、液体受容面（２２０）を含み、
全てのセグメント（２００）の前記液体受容面（２２０）が、共通の一平面内に配置されている、
請求項１１記載の転写ツール（１００）。
【請求項１３】
前記液体受容面（２２０）は、それぞれ、分離溝（２４０）によって取り囲まれている、
請求項１２記載の転写ツール（１００）。
【請求項１４】
分離溝（２４０）によって取り囲まれた前記液体受容面（２２０）は、長方形状または円形状に形成されている、
請求項１３記載の転写ツール（１００）。
【請求項１５】
各液体受容領域（２１０）は、前記液体受容面（２２０）に配置されたスタンプ（２３０）を有する、
請求項１２から１４までのいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項１６】
前記スタンプ（２３０）は、それぞれ、前記液体受容面（２２０）の中央に配置されている、
請求項１５記載の転写ツール（１００）。
【請求項１７】
前記スタンプ（２３０）は、弾性を有するように形成されている、
請求項１５および１６のいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項１８】
前記転写ツール（１００）は、複数の異なるセグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を複数の異なる温度へ遷移させる温度調整装置（７００）を備えている、
請求項１１から１７までのいずれか１項記載の転写ツール（１００）。
【請求項１９】
各セグメント（２００）は、各前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）に電荷を印加するように構成されたセグメント帯電装置（２７０，２７１）を有し、
複数の異なる前記セグメント（２００）の前記セグメント帯電装置（２７０，２７１）は、相互に独立に駆動制御可能である、
請求項１１記載の転写ツール（１００）。
【請求項２０】
前記帯電装置（２７０）は、前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を帯電させる帯電ユニット（２７２）を有し、
前記帯電装置（２７０）は、個々の前記セグメント（２００）の前記液体受容領域（２１０）を選択的に放電させる放電ユニット（２７３）を有する、
請求項１１記載の転写ツール（１００）。
【国際調査報告】
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