(57)【要約】  自動溶接を実現しやすく、圧電セラミック超音波トランスデューサのパッケージ構造の直径を小さくすることが可能になり、射出成形層でアーク点火不良が生じやすいという問題を解決することができるラグ端子及びそれを用いた超音波スケーラーを提供する。超音波スケーラーに用いられるラグ端子（１）は、第１接続板（１１０）、第２接続板（１２０）、第３接続板（１３０）及び第４接続板（１４０）を含み、第１接続板（１１０）と第２接続板（１２０）は、いずれも第３接続板（１３０）に接続され、且つ第３接続板（１３０）の同じ側に配置され、第４接続板（１４０）の一端は、第３接続板（１３０）に接続され、白銅材料で製造される。超音波スケーラーは、圧電セラミック超音波トランスデューサ（２）と２枚のラグ端子（１）を含み、２枚のラグ端子（１）は、いずれも圧電セラミック超音波トランスデューサ（２）のチップ用駆動電極に嵌設され、且つチップ用駆動電極を引き出すために用いられ、各ラグ端子（１）にはそれぞれ１本の接続線（３）が接続され、接続線（３）とラグ端子（１）との間は、抵抗溶接法で接続される。  【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波スケーラーに用いられるラグ端子（１）であって、第１接続板（１１０）、第２接続板（１２０）、第３接続板（１３０）及び第４接続板（１４０）を備え、
前記第３接続板（１３０）の一端は第１接続板（１１０）に接続され、前記第３接続板（１３０）の他端は第２接続板（１２０）に接続され、
前記第１接続板（１１０）と前記第２接続板（１２０）は、第３接続板（１３０）の同じ側に配置され、
前記第４接続板（１４０）の一端は、第３接続板（１３０）に接続され、
白銅材料で製造される、ことを特徴とする超音波スケーラーに用いられるラグ端子。
【請求項２】
前記第１接続板（１１０）は環状構造であり、外径が１０ｍｍで、内径が５ｍｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子。
【請求項３】
前記ラグ端子（１）は左右対称である、ことを特徴とする請求項２に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子。
【請求項４】
前記第１接続板（１１０）の厚さは０．１ｍｍである、ことを特徴とする請求項３に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子。
【請求項５】
前記第３接続板（１３０）の上表面から第１接続板（１１０）の円心までの距離は５．５ｍｍである、ことを特徴とする請求項４に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子。
【請求項６】
前記第３接続板（１３０）は、厚さが０．１ｍｍ、幅が１．６ｍｍ、長さが４．３５ｍｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子。
【請求項７】
前記第４接続板（１４０）は、厚さが０．１ｍｍ、長さが３．７５ｍｍ、高さが２ｍｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子。
【請求項８】
前記第４接続板（１４０）の一端は、前記第３接続板（１３０）の裏側面に接続され、前記第４接続板（１４０）の他端は、第１接続板（１１０）又は第２接続板（１２０）から離れる方向に延びる、ことを特徴とする請求項１に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子。
【請求項９】
前記ラグ端子（１）は、一体成形プロセスにより加工される、ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子。
【請求項１０】
圧電セラミック超音波トランスデューサ（２）と、請求項１〜９のいずれか一項に記載のラグ端子（１）２枚と、を備え、
２枚のラグ端子（１）は、いずれも圧電セラミック超音波トランスデューサ（２）のチップ用駆動電極に嵌設され、且つチップ用駆動電極を引き出すために用いられ、
各ラグ端子（１）の第４接続板（１４０）の外側面にはそれぞれ１本の接続線（３）が接続され、
前記接続線（３）と前記第４接続板（１４０）との間は、抵抗溶接法により接続される、ことを特徴とする超音波スケーラー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は歯科医療機器の分野に関し、特に、ラグ端子及びそれを使用した超音波スケーラーに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の超音波スケーラーで使用されている超音波トランスデューサにおいて、圧電セラミックチップ群は、一般的に４枚の圧電セラミックチップを有し、隣接する２枚の圧電セラミックチップの同じ極性を有する端面が密着するように配置される。トランスデューサを組み立てる際には、圧電セラミックチップ群の電気的接続を実現するため、通常、電極パッド又はラグ端子を使用に必要がある。ここで、中国特許出願番号２０１３２０３０７０８２５の明細書においては、圧電セラミックチップ群の電気的接続を実現し、圧電セラミックチップ群の正極を構成する部材、及び圧電セラミックチップ群の負極を構成する部材（両者は同じ構造である）が開示されており、該圧電セラミックチップ群の正極又は負極を構成する部材は、圧電セラミックチップ群の電気的接続を良好に実現できるが、この正極又は負極を構成する部材は構造上の影響を受けるため、電源線（接続線）を接続する時、はんだを使用し、いずれも手はんだ付け方法で電源線（接続線）をその上にはんだ付けに必要がある。しかし、手はんだ付け方法は、スポット溶接部の信頼性を保証できないだけでなく（はんだ付け担当者に高い技量が求められる）、自動はんだ付けによる製造の実現が困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明が解決しようとする技術的な課題は、上記従来技術の欠点を克服するために、ラグ端子及びそれを使用した超音波スケーラーを提供することである。
【０００４】
本発明は、上記技術的な課題を解決するために、以下の技術的な解決手段を採用する。超音波スケーラーに用いられるラグ端子であって、ラグ端子は、第１接続板、第２接続板、第３接続板、第４接続板を備え、第３接続板の一端は、第１接続板に接続され、他端は、第２接続板に接続され、第１接続板と第２接続板は、第３接続板の同じ側に配置され、第４接続板の一端は、第３接続板に接続され、ラグ端子は、白銅材料で製造される。
【０００５】
本発明の有益な効果は以下のとおりである。接続線とはんだ付けするための第４接続板を第３接続板に固定することにより、接続線をラグ端子にはんだ付けする時、抵抗溶接によるはんだ付けが容易になり、自動はんだ付けの実施に役立つ。自動はんだ付けは不良率が非常に低く、さらに、抵抗溶接プロセスは、手はんだ付けに比べて、簡単で、溶接品質が高く、スポット溶接部が非常に小さいだけでなく、ロジンの残留がないため、生産効率を向上させる。
【０００６】
上記技術的な解決手段に基づき，本発明は、更に以下のとおりに改善を行う。
【０００７】
更に、第１接続板は環状構造であり、その環状構造は、外径が１０ｍｍ、内径が５ｍｍである。
【０００８】
更に、ラグ端子は左右対称である。
【０００９】
更に、第１接続板の厚さは０．１ｍｍである。
【００１０】
更に、第３接続板の上表面から第１接続板の円心までの距離は５．５ｍｍである。
【００１１】
更に、第３接続板は、厚さが０．１ｍｍ、幅が１、６ｍｍ、長さが４．３５ｍｍである。
【００１２】
更に、第４接続板は、厚さが０．１ｍｍ、長さが３．７５ｍｍ、高さが２ｍｍである。
【００１３】
更に、第４接続板の一端は、第３接続板の裏側面に接続され、第４接続板の他端は、第１接続板又は第２接続板から離れた方向に延びる。
【００１４】
更に、ラグ端子は、一体成形プロセスにより加工される。
【００１５】
本発明は上記技術的な課題を解決するために、以下の技術的な解決手段を採用する。超音波スケーラーであって、圧電セラミック超音波トランスデューサと２枚のラグ端子を含み、２枚のラグ端子は、いずれも圧電セラミック超音波トランスデューサのチップ用駆動電極に嵌設され、且つチップ用駆動電極を引き出すために用いられ、各ラグ端子の第４接続板の外側面にいずれも接続線が接続され、接続線と第４接続板との間は、抵抗溶接の方法で接続される。
【００１６】
上記技術的な解決手段を採用することにより更に以下の有益な効果を奏する。圧電セラミック超音波トランスデューサのパッケージ構造の直径を小さくすることが可能になるだけでなく、従来技術における射出成形層でアーク点火不良が生じやすいという問題を解決することが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子の正面図である。
【図２】図２は、図１の右側面図である。
【図３】図３は、図１のＤ部の拡大図である。
【図４】図４は、図２のＥ部の拡大図である。
【図５】図５は、本発明に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子の斜視図１である。
【図６】図６は、本発明に記載の超音波スケーラーに用いられるラグ端子の斜視図２である。
【図７】図７は、ラグ端子を取り付けてはんだ付けした後の効果図１である。
【図８】図８は、ラグ端子を取り付けてはんだ付けした後の効果図２である。
【図９】図９は、ラグ端子を折り曲げた後の効果図１である。
【図１０】図１０は、ラグ端子を折り曲げた後の効果図２である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら本発明の原理及び特徴について説明するが、挙げられた実施例は、本発明を説明するためのものに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
【００１９】
図１、図２、図３、図４、図５、図６に示すとおり、超音波スケーラーに用いられるラグ端子であって、ラグ端子１は、第１接続板１１０、第２接続板１２０、第３接続板１３０、第４接続板１４０を含み、ラグ端子１は、一体成形プロセスにより加工される。
【００２０】
第１接続板１１０は、第３接続板１３０の左端に接続され、第２接続板１２０は、第３接続板１３０の右端に接続され、接続時、第１接続板１１０と第２接続板１２０は、第３接続板の同じ側に配置され、第１接続板１１０と第２接続板１２０とは平行であり、第３接続板１３０は、電気的接続として機能し、第４接続板１４０の一端は、第３接続板１３０の裏側面に接続され、第４接続板１４０の他端は、第１接続板１１０又は第２接続板１２０から離れた方向に延びる。第１接続板１１０、第２接続板１２０、第３接続板１３０、第４接続板１４０は、いずれも白銅材料で製造される。更に、前記構造のラグ端子１は、１つのスポット溶接部に２つの同じ電極を接続することを可能にして、スケーラーのハンドルの体積を縮小させ、使いやすさを向上させることができる。
【００２１】
第３接続板１３０は逆Ｕ字型構造であり、第１接続板１１０は、Ｕ字型構造の第３接続板１３０の一端に接続され、第２接続板１２０は、Ｕ字型構造の他端に接続される。
【００２２】
本実施例では、ラグ端子１は左右対称であり、即ち、第１接続板１１０と第２接続板１２０とは、構造が同じで、且つ第３接続板１３０の対称面と第４接続板１４０の対称面とは、同一平面上にある。
【００２３】
第１接続板１１０は環状構造であり、その環状構造は、外径が１０ｍｍ、内径が５ｍｍである。第２接続板１２０も環状構造であり、その環状構造は、外径が１０ｍｍ、内径が５ｍｍである。第３接続板１３０は、第１接続板１１０の外周面及び第２接続板１２０の外周面にそれぞれ接続される。
【００２４】
また、本実施例では、第１接続板１１０の厚さは０．１ｍｍであり、第２接続板１２０の厚さは０．１ｍｍである。第３接続板１３０の上表面から第１接続板１１０の円心までの距離は、５．５ｍｍである。第３接続板１３０は、厚さが０．１ｍｍ、幅が１．６ｍｍ、長さが４．３５ｍｍである。第４接続板１４０は、厚さが０．１ｍｍ、長さが３．７５ｍｍ、高さが２ｍｍである。第１接続板１１０の内側面から第２接続板１２０の内側面までの距離は、４．１５ｍｍである。第４接続板１４０と第３接続板１３０の接合部に半径が０．２ｍｍの円弧面取りが設けられる。第３接続板１３０の各折り曲げ部（折り曲げ部は、逆Ｕ字型構造の各折り曲げ位置である）に、いずれも半径が０．３の円弧面取りが設けられる。
【００２５】
図７、図８、図９、図１０に示すとおり、超音波スケーラーであって、圧電セラミック超音波トランスデューサ２と２枚のラグ端子１を含み、２枚のラグ端子１は、いずれも圧電セラミック超音波トランスデューサ２のチップ用駆動電極に嵌設され、且つチップ用駆動電極を引き出すために用いられ、各ラグ端子１の第４接続板１４０の外側面にいずれも接続線３（接続線３は電源を接続するために用いられる）が接続され、即ち、１つのラグ端子１は、電源の正極に接続され、もう１つのラグ端子１は、電源の負極に接続され、接続線３と第４接続板１４０との間は、抵抗溶接の方法で接続される。接続線３とラグ端子１の第４接続板１４０の外側面とをはんだ付けした後、折り畳み装置を使用して、第４接続板１４０を折り畳むことにより、第４接続板１４０の内側面を第３接続板１３０の上表面に近づける。
【００２６】
以上、本発明の実施例を図示且つ説明したが、理解されるべき点として、上記実施例は例示的なものであり、本発明を限定するものと解釈されるべきではなく、当業者は、本発明の範囲内で、上記実施例を変更、修正、置換及び変形することができる。
【符号の説明】
【００２７】
図中、各符号が表す部品は以下のとおりである。
【００２８】
１  ラグ端子
１１０  第１接続板
１２０  第２接続板
１３０  第３接続板
１４０  第４接続板
２  圧電セラミック超音波トランスデューサ
３  接続線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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