(57)【要約】マルチダイ健全性監視デバイスは、ダイ群によって負荷に与える所与の電流において、ダイのうちの１つを非導通状態（ＮＣＳ）に設定し、ダイがＮＣＳにあるときに、ダイの温度を表す信号を得てダイの温度を求め、ダイがＮＣＳにあるときに、ダイのオン電圧（ＯＳＶ）を表す信号を得てダイのＯＳＶを求め、マルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、所与の電流及びダイの求められた温度に対応するＯＳＶを索出し、ダイの求められたＯＳＶと索出されたＯＳＶとの間の差異が所定の値を超えた場合、マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知する。
2019536408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの健全性を管理する方法であって、マルチダイ健全性監視デバイスが、入力信号を受信して、前記マルチダイパワーモジュールの前記ダイを駆動し、前記マルチダイパワーモジュールの少なくとも１つのダイ群が負荷に電流を与え、前記方法は、前記マルチダイ健全性監視デバイスによって実行され、
前記ダイ群によって前記負荷に与える所与の電流において、前記ダイ群のうちの１つのダイを非導通状態に設定するステップと、
前記ダイが前記非導通状態にあるときに、前記ダイの温度を表す信号を得て前記ダイの温度を求めるステップと、
前記ダイが前記非導通状態にあるときに、前記ダイのオン電圧を表す信号を得て前記ダイの前記オン電圧値を求めるステップと、
前記マルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、前記所与の電流及び前記ダイの前記求められた温度に対応するオン電圧を索出するステップと、
前記ダイの前記求められたオン電圧値と前記索出されたオン電圧との間の差異が所定の値を超えた場合、前記マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記所定の値は、前記索出されたオン電圧の２０％に等しい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ダイの温度を表す前記信号と、前記ダイの前記オン電圧を表す前記信号とは、前記ダイのゲートに電流を与えることによって得られる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ダイの温度を表す前記信号は、第１の所定の持続時間中に前記ダイの内部ゲート抵抗器値の測定から得られ、前記ダイの前記オン電圧を表す前記信号は、第１の期間に後続する第２の期間中に前記ダイの等価キャパシタ値の測定から得られる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記方法は、前記ダイ群のうちのダイごとに逐次的に実行される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記マルチダイパワーモジュールは、複数のダイを備え、前記方法は、ダイ群ごとに実行される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記所与の電流値は、前記負荷に与えられるピーク電流値の±１５％に含まれる、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの健全性を管理するマルチダイ健全性監視デバイスであって、前記マルチダイ健全性監視デバイスは、入力信号を受信して、前記マルチダイパワーモジュールの前記ダイを駆動し、前記マルチダイパワーモジュールの少なくとも１つのダイ群が負荷に電流を与え、前記マルチダイ健全性監視デバイスは、
前記ダイ群によって前記負荷に与える所与の電流において、前記ダイ群のうちの１つのダイを非導通状態に設定する手段と、
前記ダイが前記非導通状態にあるときに、前記ダイの温度を表す信号を得て前記ダイの温度を求める手段と、
前記ダイが前記非導通状態にあるときに、前記ダイのオン電圧を表す信号を得て前記ダイの前記オン電圧値を求める手段と、
前記マルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、前記所与の電流及び前記ダイの前記求められた温度に対応するオン電圧を索出する手段と、
前記ダイの前記求められたオン電圧値と前記索出されたオン電圧との間の差異が所定の値を超えた場合、前記マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知する手段と、
を備える、マルチダイ健全性監視デバイス。
【請求項９】
前記所定の値は、前記索出されたオン電圧の２０％に等しい、請求項８に記載のマルチダイ健全性監視デバイス。
【請求項１０】
前記ダイの温度を表す前記信号と、前記ダイの前記オン電圧を表す前記信号とは、前記ダイのゲートに電流を与えることによって得られる、請求項９に記載のマルチダイ健全性監視デバイス。
【請求項１１】
前記ダイの温度を表す前記信号は、第１の所定の持続時間中に前記ダイの内部ゲート抵抗器値の測定から得られ、前記ダイの前記オン電圧を表す前記信号は、第１の期間に後続する第２の期間中に前記ダイの等価キャパシタ値の測定から得られる、請求項１０に記載のマルチダイ健全性監視デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、包括的には、マルチダイパワーモジュールの健全性を管理するデバイス及び方法、並びにマルチダイ健全性監視デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーエレクトロニクスの分野において、いくつかのデバイスは、脆弱であるコンポーネントと知られており、パワーモジュールはその１つである。
【０００３】
高電力変換器システムは、負荷の需要を満たすためにマルチダイパワーモジュールから構成される。マルチダイパワーモジュールは、稼働時間が順守される必要のある（uptime critical）応用例、すなわち、採掘システム又は列車牽引駆動システムにおいて見出されることが多く、このような例では、パワーコンポーネントの定期交換は、ダウンタウンを回避するために保守作業中に行われる。このようなマルチダイパワーモジュールにおいて、ダイの健全状態（state of health：劣化状態）を測定することは困難である。なぜならば、種々のパラメーターの測定を実行するために負荷を遮断する機会がないためである。
【０００４】
ＩＧＢＴのようなパワーダイの健全状態は、通常、オン電圧を経年前の初期値と比較した偏差に反映される。オン電圧は、ダイの使用年数にのみ依存するのではなく、このオン電圧は、電流及び温度にも依存する。オン電圧変化と温度変化との間の相関係数は、ダイを流れる電流の大きさに依存する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、信頼性がありかつ実施が容易である、マルチダイパワーモジュールのダイの健全性の判断を可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このために、本発明は、複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの健全性を管理する方法であって、マルチダイ健全性監視デバイスが、入力信号を受信して、マルチダイパワーモジュールのダイを駆動し、マルチダイパワーモジュールの少なくとも１つのダイ群が負荷に電流を与え、この方法は、マルチダイ健全性監視デバイスによって実行され、
−ダイ群によって負荷に与える所与の電流において、ダイ群のうちの１つのダイを非導通状態に設定するステップと、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイの温度を表す信号を得てダイの温度を求めるステップと、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイのオン電圧を表す信号を得てダイのオン電圧値を求めるステップと、
−マルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、所与の電流及びダイの求められた温度に対応するオン電圧を索出するステップと、
−ダイの求められたオン電圧値と索出されたオン電圧との間の差異が所定の値を超えた場合、マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知するステップと、
を含むことを特徴とする、方法に関する。
【０００７】
本発明は、また、複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの健全性を管理するマルチダイ健全性監視デバイスであって、このマルチダイ健全性監視デバイスは、入力信号を受信して、マルチダイパワーモジュールのダイを駆動し、マルチダイパワーモジュールの少なくとも１つのダイ群が負荷に電流を与え、このマルチダイ健全性監視デバイスは、
−ダイ群によって負荷に与える所与の電流において、ダイ群のうちの１つのダイを非導通状態に設定する手段と、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイの温度を表す信号を得てダイの温度を求める手段と、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイのオン電圧を表す信号を得てダイのオン電圧値を求める手段と、
−このマルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、所与の電流及びダイの求められた温度に対応するオン電圧を索出する手段と、
−ダイの求められたオン電圧値と索出されたオン電圧との間の差異が所定の値を超えた場合、マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知する手段と、
を備えることを特徴とする、マルチダイ健全性監視デバイスに関する。
【０００８】
したがって、マルチダイパワーモジュールの健全状態は、いかなる追加センサーも伴うことなくパワーモジュール動作中に能動的に監視され、それにより、予防保守がより容易になる。
【０００９】
特定の特徴によれば、所定の値は、索出されたオン電圧の２０％に等しい。
【００１０】
したがって、パワーモジュールは、故障が顕在化する前に交換することができ、それにより、消耗によって引き起こされる致命的な故障が回避される。
【００１１】
特定の特徴によれば、ダイの温度を表す信号と、ダイのオン電圧を表す信号とは、ダイのゲートに電流を与えることによって得られる。
【００１２】
したがって、１つのダイの温度及びオン電圧を取得するのに、マルチダイパワーモジュールのゲートドライバーに容易に統合することができる１つの回路しか必要ではなく、それにより、コストが削減される。さらに、マルチダイパワーモジュールパッケージへのアクセスも、上記マルチダイパワーモジュールデバイスの電力端子へのアクセスも必要でない。結果として、電力変換器の設計は、変更されない。
【００１３】
特定の特徴によれば、ダイの温度を表す信号は、第１の所定の持続時間中にダイの内部ゲート抵抗器値の測定から得られ、ダイのオン電圧を表す信号は、第１の期間に後続する第２の期間中にダイの等価キャパシタ値の測定から得られる。
【００１４】
したがって、ダイの温度は、負荷条件から独立して得られるとともに、オン電圧は、接合部温度に直接相関し、それにより、オン電圧及びダイ温度の相互依存性を分離させるのに専用の複雑な較正方法が回避される。
【００１５】
特定の特徴によれば、方法は、ダイ群のうちのダイごとに逐次的に実行される。
【００１６】
したがって、ダイ群のうちの各ダイの健全状態は、各基本電気サイクルにおける同じ瞬間において監視され、ダイ群のうちの各ダイによって同じ測定回路を共有することができ、それにより、コストが削減される。
【００１７】
特定の特徴によれば、マルチダイパワーモジュールは、複数のダイを備え、方法は、ダイ群ごとに実行される。
【００１８】
したがって、パワーモジュールの健全状態は、負荷条件に関してダイ群ごとの常に同じ動作点において監視され、それにより、複雑な計算が回避される。さらに、健全状態は、各群におけるダイの数とは独立して更新することができる。
【００１９】
特定の特徴によれば、所与の電流値は、負荷に与えられるピーク電流値の±１５％に含まれる。
【００２０】
したがって、１つのダイの健全状態を測定することによる影響は最小化され、パワーモジュールの動作点は変更されない。本発明の特徴は、例示の実施の形態の以下の説明を読むことによってより明らかになる。上記の説明は、添付図面に関して作成されたものである。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明による、マルチダイパワーモジュールとマルチダイ健全性監視デバイスとを備えるシステムの一例を表す図である。
【図２】本発明による、パワーダイの温度検知手段とオン電圧検知手段とを備える増幅器の一例を表す図である。
【図３ａ】本発明による、マルチダイ健全性監視デバイスの第１の部分のアーキテクチャの一例を表す図である。
【図３ｂ】本発明による、マルチダイ健全性監視デバイスの第２の部分のアーキテクチャの一例を表す図である。
【図４】本発明による、マルチダイパワーモジュールによって負荷に与えられる信号と、１つのダイの温度及び健全性を求めるのに用いられるタイミングとの一例を表す図である。
【図５】本発明による、ゲート電流注入手段、電圧測定及びダイのモデルの等価回路を表す図である。
【図６】ダイのゲートの入力における等価入力キャパシタの変動を表す図である。
【図７】本発明による、（ａ）電流がダイのゲートに与えられるときの、このダイのゲートの入力における電圧の変動、並びに（ｂ）１つのダイの温度及び健全性を求めるためにマルチダイ健全性監視デバイスによって生成される信号のクロノグラムの一例を表す図である。
【図８】本発明による１つのダイの温度及び健全性を求めるためのアルゴリズムの一例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は、本発明による、マルチダイパワーモジュールとマルチダイ健全性監視デバイスとを備えるシステムの一例を表している。
【００２３】
マルチダイパワーモジュール１５は、Ｄ１，１〜ＤＮ，１、Ｄ１，２〜ＤＮ，２で示される２＊Ｎ個のダイを備える。
【００２４】
マルチダイ健全性監視デバイス１０は、入力信号ＩＮを受信して、それぞれの増幅器１１０１，１〜１１０Ｎ，１、１１０１，２〜１１０Ｎ，２を介してダイＤ１，１〜ＤＮ，１、Ｄ１，２〜ＤＮ，２を駆動する。増幅器１１０１，１〜１１０Ｎ，１、１１０１，２〜１１０Ｎ，２は、ダイ温度検知手段とオン電圧検知手段とを更に備える。
【００２５】
マルチダイパワーモジュール１５は、１７ａ及び１７ｂで示される２つのダイ群を含む。第１のダイ群１７ａは、ダイＤ１，１〜ＤＮ，１を含む。第２のダイ群１７ｂは、ダイＤ１，２〜ＤＮ，２を含む。ダイＤ１，１〜ＤＮ，１のコレクターは、並列に電源ＤＣの正極端子に接続され、ダイＤ１，１〜ＤＮ，１のエミッターは、それぞれダイＤ１，２〜ＤＮ，２のコレクターに接続される。ダイＤ１，２〜ＤＮ，２のエミッターは、並列に電源ＤＣの負極端子に接続される。ダイＤ１，１〜ＤＮ，１、Ｄ１，２〜ＤＮ，２は、負荷Ｍｏに電力を供給する。図１の例において、負荷Ｍｏは、モーターであり、信号Ｃ１、Ｃ２及びＣ３は、モーターＭｏに電力を供給する。
【００２６】
各ダイＤ１，１〜ＤＮ，１、Ｄ１，２〜ＤＮ，２について、ダイのエミッターとコレクターとの間に、明確にするために図１には示されていないダイオードが接続される。より正確には、ダイのエミッターにダイオードのアノードが接続されるとともに、ダイのコレクターにダイオードのカソードが接続される。
【００２７】
本発明によれば、ダイの温度を表す信号とオン電圧を表す信号とは、信号パルス幅変調サイクルにおいて、このダイが非導通状態にあるときに、このダイのゲートに電流を注入することによって求められる。負荷に与えられる信号の所与の電流値において求められるダイの温度を表す信号とオン電圧を表す信号とは、ダイの健全性を求めるのに用いられる。
【００２８】
ダイの温度を表す信号とオン電圧を表す信号とは、内部ゲート抵抗測定技法に従って導出される。
【００２９】
或るダイの内部ゲート抵抗Ｒは、Ｒ＝ａ＊Ｔ＋ｂとして近似することができ、ここで、ａ及びｂは、定数であり、ｂ＞＞ａであり、Ｔは、ダイの温度である。
【００３０】
マルチダイ健全性監視デバイス１０は、ダイ温度検知手段及びオン電圧検知手段を備える各増幅器に、それぞれ電流Ｉ１，１〜ＩＮ，１、Ｉ１，２〜ＩＮ，２を与える。
【００３１】
マルチダイ健全性監視デバイス１０は、ダイＤ１，１〜ＤＮ，１、Ｄ１，２〜ＤＮ，２のゲートにおける、測定信号Ｍ１，１〜ＭＮ，１、Ｍ１，２〜ＭＮ，２を用いた電流の注入を順次アクティベートする。
【００３２】
第１の健全性監視モジュール２０ａは、温度検知手段及びオン電圧検知手段を備える増幅器１１０１，１〜１１０Ｎ，１に、パルス幅変調信号ＰＷ１，１〜ＰＷＮ，１、測定信号Ｍ１，１〜ＭＮ，１を与える。温度検知手段及びオン電圧検知手段を備える増幅器１１０１，１〜１１０Ｎ，１は、ダイＤ１，１〜ＤＮ，１に信号Ｓ１，１〜ＳＮ，１を与える。第１の健全性監視モジュール２０ａは、ダイＤ１，１〜ＤＮ，１の温度を表すとともにダイＤ１，１〜ＤＮ，１のオン電圧を表す信号Ｖｇ１，１〜ＶｇＮ，１を受信する。
【００３３】
第１の健全性監視モジュール２０ａは、信号Ｖｇ１，１〜ＶｇＮ，１をサンプリングするために２つの所定の時点においてトリガーされるアナログ対デジタル変換器を備える。
【００３４】
第２の健全性監視モジュール２０ｂは、温度検知手段及びオン電圧検知手段を備える増幅器１１０１，２〜１１０Ｎ，２に、パルス幅変調信号ＰＷ１，２〜ＰＷＮ，２、測定信号Ｍ１，２〜ＭＮ，２を与える。温度検知手段及びオン電圧検知手段を備える増幅器１１０１，２〜１１０Ｎ，２は、ダイＤ１，２〜ＤＮ，２に信号Ｓ１，２〜ＳＮ，２を与える。
【００３５】
第２の健全性監視モジュール２０ｂは、ダイＤ１，２〜ＤＮ，２の温度を表すとともにダイＤ１，２〜ＤＮ，２のオン電圧を表す信号Ｖｇ１，２〜ＶｇＮ，２を受信する。
【００３６】
第１の健全性監視モジュール２０ｂは、信号Ｖｇ１，２〜ＶｇＮ，２をサンプリングするために２つの所定の時点においてトリガーされるアナログ対デジタル変換器を備える。
【００３７】
マルチダイ健全性デバイス１０は、マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを示すために通知手段Ｎｏｔを備える。
【００３８】
本発明によれば、マルチダイ健全性監視デバイスは、
−ダイ群によって負荷に与える所与の電流において、ダイ群のうちの１つのダイを非導通状態に設定することと、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイの温度を表す信号を得てダイの温度を求めることと、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイのオン電圧を表す信号を得てダイのオン電圧値を求めることと、
−マルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、所与の電流及びダイの求められた温度に対応するオン電圧を索出することと、
−ダイの求められたオン電圧値と索出されたオン電圧との間の差異が所定の値を超えた場合、マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知することと、
を行う。
【００３９】
図２は、本発明による、パワーダイの温度検知手段とオン電圧検知手段とを備える増幅器の一例を表している。
【００４０】
温度検知手段とオン電圧検知手段とを備える増幅器１１０ｎ，ｍによって受信されたパルス幅変調信号ＰＷｎ，ｍ（ただし、ｎ＝１〜Ｎ及びｍ＝１〜２）は、論理積ゲート＆の第１の入力に与えられる。
【００４１】
温度検知手段とオン電圧検知手段とを備える増幅器１１０ｎ，ｍによって受信された測定信号Ｍｎ，ｍ（ただし、ｎ＝１〜Ｎ及びｍ＝１〜２）は、論理積ゲート＆の第２の入力に与えられる。
【００４２】
論理積ゲート＆の出力は、トランジスタＴ１ｎ，ｍ及びＴ２ｎ，ｍのゲートに与えられる。
【００４３】
トランジスタＴ１ｎ，ｍのドレインは、正極電源Ｖｄｄに接続されるとともに、トランジスタＴ１ｎ，ｍのソースは、抵抗器Ｒ１ｎ，ｍの第１の端子に接続される。抵抗器Ｒ１ｎ，ｍの第２の端子は、ダイＤｎ，ｍのゲートに接続される。
【００４４】
トランジスタＴ２ｎ，ｍのソースは、抵抗器Ｒ２ｎ，ｍの第１の端子に接続される。抵抗器Ｒ２ｎ，ｍの第２の端子は、ダイＤｎ，ｍのゲートに接続され、信号Ｓｎ，ｍを与える。
【００４５】
トランジスタＴ２ｎ，ｍのドレインは、トランジスタＴ３ｎ，ｍのドレインとダイオードＤｉｎ，ｍのアノードとに接続される。電圧Ｖｇｎ，ｍは、ダイＤｎ，ｍの温度に従って第１の期間内で変動するとともに、ダイＤｎ，ｍのオン電圧に従って第１の期間に後続する第２の期間内で変動する、ダイＤｎ，ｍの内部ゲート抵抗器の値に依存する。
【００４６】
トランジスタＴ３ｎ，ｍのソースは、負極電源Ｖｓｓに接続される。
【００４７】
ダイＤｎ，ｍの温度及びオン電圧の測定をアクティベートする信号Ｍｎ，ｍは、トランジスタＴ３ｎ，ｍのゲートに与えられる。
【００４８】
温度検知手段とオン電圧検知手段とを備える増幅器１１０ｎ，ｍに与えられた電流Ｉｎ，ｍは、ダイオードＤｉｎ，ｍのアノードに与えられる。
【００４９】
ダイオードＤｉｎ，ｍのカソードは、電圧Ｖｃｌａｍｐに接続され、電圧Ｖｃｌａｍｐは、電圧Ｖｇｎ，ｍを制限する。電圧Ｖｇｎ，ｍは、マルチダイ健全性監視デバイス１０のＩ／Ｏインターフェース内に含まれるアナログ対デジタル変換器の入力に与えられる。
【００５０】
図３ａは、本発明による、マルチダイ健全性監視デバイスの第１の部分のアーキテクチャの一例を表している。
【００５１】
マルチダイ健全性監視デバイス１０の第１の部分は、第１の健全性監視モジュール２０ａである。
【００５２】
第１の健全性監視モジュール２０ａは、例えば、バス３０１によって互いに接続されたコンポーネントと、図８に開示されるようなプログラムによって制御されるプロセッサ３００とに基づくアーキテクチャを有する。
【００５３】
バス３０１は、プロセッサ３００を、読み出し専用メモリＲＯＭ３０２、ランダムアクセスメモリＲＡＭ３０３、及び入出力Ｉ／Ｏ  ＩＦインターフェース３０５にリンクする。
【００５４】
メモリ３０３は、変数と、図８に開示されるようなアルゴリズムに関連したプログラムの命令とを収容するように意図されたレジスタを含む。
【００５５】
プロセッサ３００は、入出力Ｉ／Ｏ  ＩＦ３０５を介して、ダイＤｎ，ｍの電圧Ｖｇｎ，ｍ（ただし、ｎ＝１〜Ｎ及びｍ＝１）、入力信号ＩＮを受信し、ダイＤｎ，ｍのパルス幅変調信号Ｐｗｎ，ｍ（ただし、ｎ＝１〜Ｎ及びｍ＝１）、測定信号Ｍｎ，ｍ（ただし、ｎ＝１〜Ｎ及びｍ＝１）及び電流Ｉｎ，ｍ（ただし、ｎ＝１〜Ｎ及びｍ＝１）を出力する。
【００５６】
読み出し専用メモリ、又は場合によっては、フラッシュメモリ３０２は、図８に開示されるようなアルゴリズムに関連したプログラムの命令を含む。これらの命令は、第１の健全性監視モジュール２０ａに電源が投入されると、ランダムアクセスメモリ３０３に転送される。
【００５７】
第１の健全性監視モジュール２０ａは、ＰＣ（パーソナルコンピューター）、ＤＳＰ（デジタル信号プロセッサ）又はマイクロコントローラー等のプログラマブルコンピューティングマシンによる一組の命令又はプログラムの実行によってソフトウェアで実施することもできるし、それ以外にＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）又はＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）等のマシン又は専用コンポーネントによってハードウェアで実施することもできる。
【００５８】
換言すれば、第１の健全性監視モジュール２０ａは、この第１の健全性監視モジュール２０ａが図８に開示するようなアルゴリズムに関連するプログラムを実行することを可能にする、回路部、又は回路部を備えるデバイスを備える。
【００５９】
図３ｂは、本発明による、マルチダイ健全性監視デバイスの第２の部分のアーキテクチャの一例を表している。
【００６０】
マルチダイ健全性監視デバイス１０の第２の部分は、第２の健全性監視モジュール２０ｂである。
【００６１】
第２の健全性監視モジュール２０ｂは、例えば、バス３５１によって互いに接続されたコンポーネントと、図８に開示されるようなプログラムによって制御されるプロセッサ３５０とに基づくアーキテクチャを有する。
【００６２】
バス３５１は、プロセッサ３５０を、読み出し専用メモリＲＯＭ３５２、ランダムアクセスメモリＲＡＭ３５３、及び入出力Ｉ／Ｏ  ＩＦインターフェース３５５にリンクする。
【００６３】
メモリ３５３は、変数と、図８に開示されるようなアルゴリズムに関連したプログラムの命令とを収容するように意図されたレジスタを含む。
【００６４】
プロセッサ３５０は、入出力Ｉ／Ｏ  ＩＦ３５５を介して、ダイＤｎ，ｍの電圧Ｖｇｎ，ｍ（ただし、ｎ＝１〜Ｎ及びｍ＝２）、入力信号ＩＮを受信し、ダイＤｎ，ｍのパルス幅変調信号Ｐｗｎ，ｍ（ただし、ｎ＝１〜Ｎ及びｍ＝２）、測定信号Ｍｎ，ｍ（ただし、ｎ＝１〜Ｎ及びｍ＝２）及び電流Ｉｎ，ｍ（ただし、ｎ＝１〜Ｎ及びｍ＝２）を出力する。
【００６５】
読み出し専用メモリ、又は場合によっては、フラッシュメモリは、図８に開示されるようなアルゴリズムに関連したプログラムの命令を含む。これらの命令は、第２の健全性監視モジュール２０ｂに電源が投入されると、ランダムアクセスメモリ３５３に転送される。
【００６６】
第２の健全性監視モジュール２０ｂは、ＰＣ（パーソナルコンピューター）、ＤＳＰ（デジタル信号プロセッサ）又はマイクロコントローラー等のプログラマブルコンピューティングマシンによる一組の命令又はプログラムの実行によってソフトウェアで実施することもできるし、それ以外にＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）又はＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）等のマシン又は専用コンポーネントによってハードウェアで実施することもできる。
【００６７】
換言すれば、第２の健全性監視モジュール２０ｂは、この第２の健全性監視モジュール２０ｂが図８に開示するようなアルゴリズムに関連するプログラムを実行することを可能にする、回路部、又は回路部を備えるデバイスを備える。
【００６８】
図４は、本発明による、マルチダイパワーモジュールによって負荷に与えられる信号と、１つのダイの温度及び健全性をともに求めるのに用いられるタイミングとの一例を表している。
【００６９】
負荷Ｍｏに与えられる信号Ｃ１、Ｃ２及びＣ３が図４に示されている。
【００７０】
マルチダイパワーモジュール１５のいくつかの特定のダイが、負荷Ｍｏに十分な電流を与えるために並列に接続される。１つの負荷が少なくとも２つの並列ダイを有する必要があると想定すると、図４に示すように、各ダイは、マルチダイ健全性監視デバイス１０によって与えられるパルス幅変調信号を用いて駆動される。測定中、並列ダイのうちの１つは、オフに保たれる。動作していない１つの並列ダイを有することの影響を低減するために、測定電流Ｉｎ，ｍが並列ダイのうちの１つに注入される瞬間は、Ｔｍｅａｓで示される領域に示すような、１つの相電流が０付近であるときに起こるものとすることができる。一例として、三相モーター駆動システムにおいて、測定の有効領域は、電流のゼロクロス周辺の、最大電流値の±１５％とすることができる。
【００７１】
図５は、本発明によるゲート電流注入手段、電圧測定及びダイのモデルの等価回路を表す図である。
【００７２】
電流源Ｉｎ，ｍは、ダイＤｎ，ｍのエミッターとゲート抵抗器Ｒ２ｎ，ｍの第１の端子との間に適用される。
【００７３】
抵抗器Ｒ２ｎ，ｍの第２の端子は、ダイＤｎ，ｍの等価内部ゲート抵抗器Ｒｎ，ｍの第１の端子に接続され、等価内部ゲート抵抗器Ｒｎ，ｍの第２の端子は、ダイＤｎ，ｍのゲートとコレクターとの間のキャパシタＣｇｃｎ，ｍの第１の端子と、ダイＤｎ，ｍのゲートとエミッターとの間のキャパシタＣｇｅｎ，ｍの第１の端子とに接続される。
【００７４】
キャパシタＣｇｃｎ，ｍの第２の端子は、ダイＤｎ，ｍのコレクターに接続される。
【００７５】
キャパシタＣｇｅｎ，ｍの第２の端子は、ダイＤｎ，ｍのエミッターに接続される。
【００７６】
測定中、ダイＤｎ，ｍは、導通しておらず、かつ、並列に接続された他の全てのダイは、導通している。電圧Ｖｃｅｎ，ｍは、ダイＤｎ，ｍのコレクターとエミッターとの間の電圧である。
【００７７】
ダイＤｎ，ｍがオフ状態にあるとき、すなわち導通していないとき、ダイのゲートは、等価入力キャパシタＣｉｅｓｎ，ｍとしてモデル化することができ、この等価入力キャパシタの値は、Ｃｉｅｓ＝Ｃｇｃｎ，ｍ＋Ｃｇｅｎ，ｍに等しい。電流Ｉｎ，ｍがゲート端子に注入され、等価キャパシタＣｉｅｓｎ，ｍにおける電荷の蓄積に対応して、ゲート電圧が上昇し始める。ゲートの入力における電圧は、導通閾値未満であり、以下の式に従って、時間ｔｍｅａｓ後に求めることができる。
【００７８】
【数１】
2019536408.tif 000003
【００７９】
ゲート電圧は、入力キャパシタンスＣｉｅｓｎ，ｍを帯電するのに経た時間のみではなく、ダイＤｎ，ｍの温度及びコレクター−エミッター電圧Ｖｃｅｎ，ｍにも依存することを見て取ることができる。コレクター−エミッター電圧Ｖｃｅｎ，ｍは、並列に接続されたオン状態のダイのオン電圧に対応する。
【００８０】
具体的には、入力キャパシタンスＣｉｅｓｎ，ｍは、コレクター−エミッター電圧の関数であるが、しかしさらに、コレクター−エミッター電圧は、それ自体、以下の式によって示すように温度のみでなく同様にコレクター電流の関数である。
【００８１】
【数２】
2019536408.tif 000004
【００８２】
ここで、ＩＧＢＴのコレクター及びエミッターの直列総抵抗がＲＣＥで示され、ＩＧＢＴの飽和電圧がＶｃｅ，ｓａｔで示される。
【００８３】
入力キャパシタンスＣｉｅｓとコレクター−エミッター電圧との間の関係は、図６において開示される。
【００８４】
図６は、ダイのゲートの入力における等価入力キャパシタの変動を表している。
【００８５】
縦軸は、キャパシタンス値をナノファラド単位で表しているとともに、横軸は、コレクター−エミッター電圧をボルト単位で表している。
【００８６】
６０で示される曲線は、等価キャパシタＣｉｅｓのキャパシタンス値を表している。
【００８７】
曲線６０は、飽和電圧Ｖｃｅ，ｓａｔ超で２つの主なセクションを有する。ゲート−コレクター電圧が飽和電圧より大幅に高い場合、６５で示される部分に示すように、キャパシタＣｉｅｓの電圧への依存度は低い。しかしながら、ゲート−コレクター電圧が飽和電圧に近いか又はこれと同程度の大きさである場合、キャパシタＣｉｅｓの値は、６２で示される部分に示すように、ゲート−コレクター電圧によって著しく影響を受ける。キャパシタンスＣｇｃｍ，ｎは、並列にあるダイのＶｃｅｎ，ｍ電圧によってバイアスされるので、電圧Ｖｇｎ，ｍは、図７のセクション（ａ）において見て取ることができるように、異なるＶｃｅｎ，ｍの値について異なるように発達する。
【００８８】
図７のセクション（ａ）は、本発明による、電流がダイのゲートに与えられるときの、このダイのゲートの入力における電圧の変動を表している。
【００８９】
横軸は、時間をマイクロ秒単位で表しているとともに、縦軸は、ダイＤｎ，ｍのゲート−エミッター電圧をボルト単位で表している。
【００９０】
７０で示される曲線は、２ボルトのコレクター−エミッター電圧の場合の、ダイＤｎ，ｍのゲート−エミッター電圧の変動を表している。
【００９１】
７２で示される曲線は、０．５ボルトのコレクター−エミッター電圧の場合の、ダイＤｎ，ｍのゲート−エミッター電圧の変動を表している。
【００９２】
７５で示される曲線は、０ボルトのコレクター−エミッター電圧の場合の、ダイＤｎ，ｍのゲート−エミッター電圧の変動を表している。
【００９３】
本発明は、図６における部分６５に対応するＰＴｅｍｐで示される期間中に測定が行われるように、所与の時間の直後に測定電流注入を介してダイＤｎ，ｍの温度を表す信号を得るために、そして、別の所定の期間の後に、図６において部分６２に対応するＰＶｃｅで示される期間中にオン電圧測定を表す信号を得るために、上記の特徴を利用する。
【００９４】
図７のセクション（ｂ）は、本発明による１つのダイの温度及び健全性をともに求めるためにマルチダイ健全性監視デバイスによって生成される信号のクロノグラムの一例を表している。
【００９５】
図７のセクション（ｂ）は、マルチダイ健全性コントローラー１０によって、温度検知手段とオン電圧検知手段とを備える増幅器１１０ｎ，ｍに転送されるパルス幅変調信号ＰＷｎ，ｍ及び測定信号Ｍｎ，ｍを表している。
【００９６】
マルチダイ健全性監視デバイス１０は、ダイＤｎ，ｍの温度を表す信号を得るために１度目に信号Ｖｇｎ，ｍをサンプリングし、ダイＤｎ，ｍのオン電圧を表す信号を得るために２度目に信号Ｖｇｎ，ｍをサンプリングするために、第１の健全性監視モジュール２０ａ又は第２の健全性監視モジュール２０ｂのアナログ対デジタル変換器に、信号ＡＤＣによってコマンドする。
【００９７】
図８は、本発明による１つのダイの温度及び健全性を求めるためのアルゴリズムの一例を表している。
【００９８】
本アルゴリズムは、マルチダイ健全性監視デバイス１０のプロセッサ３００又は３５０によって実行される。
【００９９】
本アルゴリズムは、当該アルゴリズムがマルチダイ健全性監視デバイス１０のプロセッサ３００によって実行される一例において開示される。
【０１００】
ステップＳ９００において、プロセッサ３００は、或る位相によって負荷Ｍｏに与えられる電流、例えば信号Ｃ１の電流が、所定の閾値未満、例えば０付近であるか否かをチェックする。
【０１０１】
信号Ｃ１の位相によって負荷Ｍｏに与えられる電流が所定の閾値未満である場合、プロセッサ３００は、ステップＳ９０１に移行し、信号Ｃ１を負荷Ｍｏに与える１つのダイＤｍ，ｎを選択する。
【０１０２】
ステップＳ９０１において、プロセッサ３００は、Ｉ／Ｏインターフェースに、測定信号Ｍｎ，ｍを生成するようにコマンドし、アナログ対デジタル変換器が安定出力を確立するための最小設定時間、例えばＰＴｅｍｐの半分の持続時間として規定される、所定の期間ｔ１の間待機する。
【０１０３】
ステップＳ９０２において、プロセッサ３００は、１度目に信号Ｖｇｎ，ｍをサンプリングするためにアナログ対デジタル変換器をトリガーする。この電圧は、Ｖｇｎ，ｍとＴとの間の単純線形関係に基づいて温度に関係するものとすることができ、すなわちＶｇｎ，ｍ（ｔ１）＝ｋ１＊Ｔであり、ここで、ｋ１は、線形係数である。
【０１０４】
ステップＳ９０３において、プロセッサ３００は、サンプルを記憶する。
【０１０５】
ステップＳ９０４において、プロセッサ３００は、期間ＰＶｃｅが開始されるまで持続時間ｔ２の間待機する。ＰＶｃｅの開始は、以下の式によって求めることができる。
【０１０６】
【数３】
2019536408.tif 000005
【０１０７】
ここで、Ｖｐａｒｔ２は、図６の入力キャパシタンス曲線上の領域６２における電圧であり、これは、測定精度を最大化する一方でダイの閾値電圧を安全に下回るように、この領域の端付近で選択されており、Ｖｓｓは、増幅器１１０の電源の最低参照電圧である。エミッター電位はグラウンドであり、電源電圧Ｖｓｓは、現行技術水準のゲートドライバー電源において、この参照値未満であることに留意されたい。一例として、Ｖｐａｒｔ２は、Ｖｓｓ＝−５Ｖである場合、０．５Ｖであるものと選択することができる。
【０１０８】
ステップＳ９０５において、プロセッサ３００は、２度目に信号Ｖｇｎ，ｍをサンプリングするためにアナログ対デジタル変換器をトリガーする。この電圧は、Ｖｇｎ，ｍとＶｃｅとの間の単純線形関係に基づいてオン電圧に関係するものとすることができ、すなわちＶｇｎ，ｍ（ｔ２）＝ｋ２＊Ｖｃｅであり、ここで、ｋ２は、線形係数である。
【０１０９】
ステップＳ９０６において、プロセッサ３００は、サンプルを記憶する。
【０１１０】
ステップＳ９０７において、プロセッサ３００は、ステップＳ９０３及びＳ９０６において記憶されたサンプルを、ＲＡＭメモリ３０３に記憶されたテーブルの値と比較する。
【０１１１】
このテーブルは、マルチダイパワーモジュール１５の製造後に規定された、異なる温度Ｔに関連付けられる複数の健全なオン電圧Ｖｃｅを含む。このテーブルは、較正段階時、温度に対してオン電圧Ｖｃｅを測定することによって構築される。一例として、この較正段階は、マルチダイパワーモジュール１５がマルチダイパワーモジュール１５供給業者によって製造された後に実行することができる。
【０１１２】
ステップＳ９０３において求められた温度を用いて、その温度についてテーブル内に記憶された対応するオン電圧Ｖｃｅが、ステップＳ９０６おいて、測定されたオン電圧と比較される。
【０１１３】
ステップＳ９０８において、プロセッサ３００は、テーブル内に記憶されたオン電圧Ｖｃｅと測定されたオン電圧との間の差異が、テーブル内に記憶されたオン電圧値の２０％以上であるか否かをチェックする。
【０１１４】
テーブル内に記憶されたオン電圧Ｖｃｅと測定されたオン電圧との間の差異がテーブル内に記憶されたオン電圧値の２０％以上である場合、プロセッサ３００は、ステップＳ９０９に移行する。
【０１１５】
そうではない場合、プロセッサ３００は、ステップＳ９００に戻る。
【０１１６】
ステップＳ９０９において、プロセッサ３００は、マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを示すために、通知手段にコマンドする。
【０１１７】
当然のことながら、本発明の範囲から逸脱することなく、上記で説明した本発明の実施の形態に対して多くの変更を行うことができる。
【図１】
2019536408.tif 000006
【図２】
2019536408.tif 000007
【図３ａ】
2019536408.tif 000008
【図３ｂ】
2019536408.tif 000009
【図４】
2019536408.tif 000010
【図５】
2019536408.tif 000011
【図６】
2019536408.tif 000012
【図７】
2019536408.tif 000013
【図８】
2019536408.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月13日(2019.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、包括的には、マルチダイパワーモジュールの健全性を管理する方法、並びにマルチダイ健全性監視デバイスに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
高電力変換器システムは、負荷の需要を満たすためにマルチダイパワーモジュールから構成される。マルチダイパワーモジュールは、稼働時間が順守される必要のある（uptime critical）応用例、すなわち、採掘システム又は列車牽引駆動システムにおいて見出されることが多く、このような例では、パワーコンポーネントの定期交換は、ダウンタイム(休止時間)を回避するために保守作業中に行われる。このようなマルチダイパワーモジュールにおいて、ダイの健全状態（state of health：劣化状態）を測定することは困難である。なぜならば、種々のパラメーターの測定を実行するために負荷を遮断する機会がないためである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このために、本発明は、複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの健全性を管理する方法であって、マルチダイ健全性監視デバイスが、入力信号を受信して、マルチダイパワーモジュールのダイを駆動し、マルチダイパワーモジュールの少なくとも１つのダイ群が負荷に電流を与え、この方法は、マルチダイ健全性監視デバイスによって実行され、
−ダイ群によって負荷に与える所与の電流において、ダイ群のうちの１つのダイを非導通状態に設定するステップと、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイの温度を表す信号を得てダイの温度を求めるステップと、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイのオン電圧を表す信号を得てダイのオン電圧値を求めるステップと、
−マルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、所与の電流及びダイの求められた温度に対応するオン電圧を索出するステップと、
−ダイの求められたオン電圧値と索出されたオン電圧との間の差異が所定の値以上の場合、マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知するステップと、
を含むことを特徴とする、方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、また、複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの健全性を管理するマルチダイ健全性監視デバイスであって、このマルチダイ健全性監視デバイスは、入力信号を受信して、マルチダイパワーモジュールのダイを駆動し、マルチダイパワーモジュールの少なくとも１つのダイ群が負荷に電流を与え、このマルチダイ健全性監視デバイスは、
−ダイ群によって負荷に与える所与の電流において、ダイ群のうちの１つのダイを非導通状態に設定する手段と、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイの温度を表す信号を得てダイの温度を求める手段と、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイのオン電圧を表す信号を得てダイのオン電圧値を求める手段と、
−このマルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、所与の電流及びダイの求められた温度に対応するオン電圧を索出する手段と、
−ダイの求められたオン電圧値と索出されたオン電圧との間の差異が所定の値以上の場合、マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知する手段と、
を備えることを特徴とする、マルチダイ健全性監視デバイスに関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
第２の健全性監視モジュール２０ｂは、信号Ｖｇ１，２〜ＶｇＮ，２をサンプリングするために２つの所定の時点においてトリガーされるアナログ対デジタル変換器を備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
マルチダイ健全性監視デバイス１０は、マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを示すために通知手段Ｎｏｔを備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明によれば、マルチダイ健全性監視デバイスは、
−ダイ群によって負荷に与える所与の電流において、ダイ群のうちの１つのダイを非導通状態に設定することと、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイの温度を表す信号を得てダイの温度を求めることと、
−ダイが非導通状態にあるときに、ダイのオン電圧を表す信号を得てダイのオン電圧値を求めることと、
−マルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、所与の電流及びダイの求められた温度に対応するオン電圧を索出することと、
−ダイの求められたオン電圧値と索出されたオン電圧との間の差異が所定の値以上の場合、マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知することと、
を行う。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
【数１】
2019536408.tif 000015
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
ステップＳ９０３において求められた温度を用いて、その温度についてテーブル内に記憶された対応するオン電圧Ｖｃｅが、ステップＳ９０７おいて、測定されたオン電圧と比較される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの健全性を管理する方法であって、マルチダイ健全性監視デバイスが、入力信号を受信して、前記マルチダイパワーモジュールの前記ダイを駆動し、前記マルチダイパワーモジュールの少なくとも１つのダイ群が負荷に電流を与え、前記方法は、前記マルチダイ健全性監視デバイスによって実行され、
前記ダイ群によって前記負荷に与える所与の電流において、前記ダイ群のうちの１つのダイを非導通状態に設定するステップと、
前記ダイが前記非導通状態にあるときに、前記ダイの温度を表す信号を得て前記ダイの温度を求めるステップと、
前記ダイが前記非導通状態にあるときに、前記ダイのオン電圧を表す信号を得て前記ダイの前記オン電圧値を求めるステップと、
前記マルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、前記所与の電流及び前記ダイの前記求められた温度に対応するオン電圧を索出するステップと、
前記ダイの前記求められたオン電圧値と前記索出されたオン電圧との間の差異が所定の値以上の場合、前記マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記所定の値は、前記索出されたオン電圧の２０％に等しい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ダイの温度を表す前記信号と、前記ダイの前記オン電圧を表す前記信号とは、前記ダイのゲートに電流を与えることによって得られる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ダイの温度を表す前記信号は、第１の所定の持続時間中に前記ダイの内部ゲート抵抗器値の測定から得られ、前記ダイの前記オン電圧を表す前記信号は、第１の期間に後続する第２の期間中に前記ダイの等価キャパシタ値の測定から得られる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記方法は、前記ダイ群のうちのダイごとに逐次的に実行される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記マルチダイパワーモジュールは、複数のダイを備え、前記方法は、ダイ群ごとに実行される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記所与の電流値は、前記負荷に与えられるピーク電流値の±１５％に含まれる、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの健全性を管理するマルチダイ健全性監視デバイスであって、前記マルチダイ健全性監視デバイスは、入力信号を受信して、前記マルチダイパワーモジュールの前記ダイを駆動し、前記マルチダイパワーモジュールの少なくとも１つのダイ群が負荷に電流を与え、前記マルチダイ健全性監視デバイスは、
前記ダイ群によって前記負荷に与える所与の電流において、前記ダイ群のうちの１つのダイを非導通状態に設定する手段と、
前記ダイが前記非導通状態にあるときに、前記ダイの温度を表す信号を得て前記ダイの温度を求める手段と、
前記ダイが前記非導通状態にあるときに、前記ダイのオン電圧を表す信号を得て前記ダイの前記オン電圧値を求める手段と、
前記マルチダイ健全性監視デバイスのメモリに記憶されたテーブルにおいて、前記所与の電流及び前記ダイの前記求められた温度に対応するオン電圧を索出する手段と、
前記ダイの前記求められたオン電圧値と前記索出されたオン電圧との間の差異が所定の値以上の場合、前記マルチダイパワーモジュールが交換される必要があることを通知する手段と、
を備える、マルチダイ健全性監視デバイス。
【請求項９】
前記所定の値は、前記索出されたオン電圧の２０％に等しい、請求項８に記載のマルチダイ健全性監視デバイス。
【請求項１０】
前記ダイの温度を表す前記信号と、前記ダイの前記オン電圧を表す前記信号とは、前記ダイのゲートに電流を与えることによって得られる、請求項９に記載のマルチダイ健全性監視デバイス。
【請求項１１】
前記ダイの温度を表す前記信号は、第１の所定の持続時間中に前記ダイの内部ゲート抵抗器値の測定から得られ、前記ダイの前記オン電圧を表す前記信号は、第１の期間に後続する第２の期間中に前記ダイの等価キャパシタ値の測定から得られる、請求項１０に記載のマルチダイ健全性監視デバイス。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2019536408.tif 000016
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2019536408.tif 000017
【国際調査報告】
2019536408.tif 000018
2019536408.tif 000019