(57)【要約】本発明は、基板（１００）、基板ホルダ（２００）、基板コーティング装置（８００、８０１）、基板（１００）をコーティングするための方法、及びコーティング（１０２）を除去するための方法に関する。基板の裏側（１０１）又は基板ホルダ（２００）のクランプ表面（２０１）に、単分子層（１０２）が適用される。基板が充分なクランプ力（２１０）を受けていない場合、基板裏側と基板との間の摩擦力は小さい。基板（１００）を基板ホルダ（２００）にロードした後、基板を固定するため充分なクランプ力（２１０）を加える。クランプ力によって単分子層（１０２）は局所的に除去され、この結果、基板（１００）と基板ホルダ（２００）との間の摩擦力が増大する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置の基板ホルダにクランプされるように構成された裏側を含むリソグラフィプロセス用の基板であって、前記裏側は、前記裏側の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている、基板。
【請求項２】
前記裏側の前記摩擦係数は、クランプ力が閾値を超えた場合に増大する、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記裏側の前記摩擦係数は、前記単分子層が変位した結果として前記裏側と前記基板ホルダとの間に直接的な接触が生じることにより増大する、請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記単分子層の分子は極性頭部及び非極性尾部を有する、請求項１に記載の基板。
【請求項５】
前記単分子層は自己組織化モノマーである、請求項１に記載の基板。
【請求項６】
前記単分子層はシラン又はシロキサンである、請求項１に記載の基板。
【請求項７】
前記単分子層は、前記裏側の全エリアのうち９０％未満、又は５０％未満、又は１０％未満、又は１％未満のエリアをカバーする、請求項１に記載の基板。
【請求項８】
基板をクランプするように構成されたクランプ表面を含む、装置のための基板ホルダであって、前記クランプ表面は、前記クランプ表面の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている、基板ホルダ。
【請求項９】
前記クランプ表面の前記摩擦係数は、クランプ力が閾値を超えた場合に増大する、請求項８に記載の基板ホルダ。
【請求項１０】
前記クランプ表面の前記摩擦係数は、前記単分子層が変位した結果として基板裏側と前記クランプ表面との間に直接的な接触が生じることにより増大する、請求項９に記載の基板ホルダ。
【請求項１１】
前記クランプ表面は前記基板の裏側を有限数の位置で支持するように構成されている、請求項８に記載の基板ホルダ。
【請求項１２】
基板の裏側に隣接して蒸気を提供する蒸気供給システムを備える基板コーティング装置であって、前記蒸気は前記基板の前記裏側の少なくとも一部に単分子層を生成する、基板コーティング装置。
【請求項１３】
前記基板裏側を既定の位置で支持する基板支持テーブルを更に備える、請求項１２に記載の基板コーティング装置。
【請求項１４】
前記既定の位置は、プロセスステップ中に基板ホルダと接触する可能性のある前記基板の前記裏側の位置とは異なる、請求項１３に記載の基板コーティング装置。
【請求項１５】
請求項８に記載の基板ホルダを備えるリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[0001]  本出願は、２０１７年９月２７日に出願された欧州特許出願第１６１９０８６５．２号の優先権を主張する。この出願は参照により全体が本願に含まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、基板、基板ホルダ、基板コーティング装置、基板をコーティングするための方法、及びコーティングを除去するための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  露光の準備のため基板を最初に基板ホルダにロードする際、応力を解放できるように基板を自由に保持することが望ましい。ロードプロセスの間、基板は、３か所で基板を保持するいわゆるｅピン（e-pin）によって支持される。従って、基板はその重量によって歪み、この歪みは露光前に解放することが望ましい。一方で、露光中は基板を極めて堅固に保持することが望ましい。これには２つの理由がある。第１に、基板は露光シーケンス中に高いスループットを達成するため極めて大きい加速を受け、基板ホルダ上で動いてはいけない。第２に、基板は露光中に投影ビームからのエネルギを吸収し、従って局所的に加熱する。このような局所的加熱は熱膨張を引き起こし、基板とバール（burl）との間にスリップが生じ、オーバーレイエラーを発生させる可能性がある。基板を基板ホルダに堅固に保持することによって、そのような歪みに抵抗することができる。
【０００５】
[0005]  従来、基板ホルダは基板を支持するための複数のバールを有する。基板に接触するバールの総面積は、基板の総面積に比べて小さい。
【０００６】
[0006]  従来、露光中に基板は基板ホルダにクランプされている。２つのクランプ技法が一般的に用いられる。真空クランプでは、例えば基板ホルダと基板との間の空間を、基板の上方の高い圧力よりも低い負圧（under-pressure）に接続することによって、基板において差圧が確立される。この差圧は、基板を基板ホルダに保持する力を生じる。静電クランプでは、静電力を用いて基板と基板ホルダとの間に力を与える。これを達成するためのいくつかの異なる構成が既知である。１つの構成では、基板の下面に第１の電極が設けられ、基板ホルダの上面（クランプ表面とも呼ばれる）に第２の電極が設けられる。第１及び第２の電極間に電位差が確立される。別の構成では、基板ホルダ上に２つの半円形電極が設けられ、基板上に導電層が設けられる。２つの半円形電極間に電位差が印加されて、２つの半円形電極と基板上の導電層が２つの直列のキャパシタのように作用するようになっている。
【０００７】
[0007]  平坦な基板又は非平坦な（湾曲した）基板のクランプによって基板の変形が生じることが一般的に観察されている。これは、基板と基板ホルダとの間に発生する摩擦力によって引き起こされ、基板を基板ホルダのクランプ表面に置く際に基板の応力なしの平坦化を妨げる。こういった力は基板の面内で誘導され、著しい圧縮応力成分及び／又は引張応力成分を生じる。弾性変形によって、これらの応力成分は基板上の製品フィーチャ又はマーカの並進を引き起こし、その結果、リソグラフィ装置のアライメント及び／又はオーバーレイ性能を著しく悪化させる。しかしながら、リソグラフィプロセス中に基板を堅固に基板ホルダに取り付けた状態を保つには、摩擦力は充分に大きくなければならない。摩擦力のこの二重特性は、応力成分が存在しないことが必要であると共に基板ホルダに対して安定して位置決めされる基板のリソグラフィ処理を目指す場合、問題を生じる。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]  この問題は、基板と基板ホルダとの間の摩擦力を制御することによって解決できる。基板を基板ホルダにロードする間は小さい摩擦力が存在しなければならず、リソグラフィプロセスの実行中に基板を基板ホルダにクランプする際はもっと大きい摩擦力が存在しなければならない。
【０００９】
[0009]  一実施形態に従って、装置の基板ホルダにクランプされるように構成された裏側を含むリソグラフィプロセス用の基板が提供される。裏側は、裏側の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている。
【００１０】
[0010]  別の実施形態に従って、基板をクランプするように構成されたクランプ表面を含む、リソグラフィ装置のための基板ホルダが提供される。クランプ表面は、クランプ表面の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている。
【００１１】
[0011]  別の実施形態に従って、基板の裏側に隣接して蒸気を提供する蒸気供給システムを備える基板コーティング装置が提供される。蒸気は基板の裏側の少なくとも一部に単分子層を生成する。
【００１２】
[0012]  別の実施形態に従って、基板に隣接して蒸気を与えることを含む、基板上に単分子層を生成するための方法が提供される。
【００１３】
[0013]  基板の裏側に単分子層を適用する効果は、基板を基板ホルダにロードする際、すなわち基板が充分なクランプ力を受けていない時、基板裏側と基板ホルダとの間の摩擦力が小さくなることである。これによって基板の応力なしの緩和が可能となる。基板を基板ホルダにロードした後、基板を基板ホルダに対して固定するため充分なクランプ力を加える。クランプ力によって単分子層は局所的に除去され、この結果、基板裏側と基板ホルダのクランプ表面との間に直接的な接触が生じる。この直接的な接触の結果として、基板と基板ホルダとの間の摩擦力は大幅に増大する。摩擦力の増大は、リソグラフィ処理中の基板ホルダに対する基板の位置安定性にとって有利である。
【００１４】
[0014]  別の実施形態に従って、基板を光源に露光させるステップを含む、基板から単分子層を除去するための方法が提供される。
【００１５】
[0015]  別の実施形態に従って、基板を含むリソグラフィ装置が提供される。基板は、リソグラフィ装置の基板ホルダにクランプされるように構成された裏側を含む。裏側は、裏側の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている。
【００１６】
[0016]  別の実施形態に従って、基板を含むメトロロジ装置が提供される。基板は、メトロロジ装置の基板ホルダにクランプされるように構成された裏側を含む。裏側は、裏側の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている。
【００１７】
[0017]  別の実施形態に従って、基板ホルダを含むリソグラフィ装置が提供される。基板ホルダは、基板をクランプするように構成されたクランプ表面を含む。クランプ表面は、クランプ表面の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている。
【００１８】
[0018]  別の実施形態に従って、基板ホルダを含むメトロロジ装置が提供される。基板ホルダは、基板をクランプするように構成されたクランプ表面を含む。クランプ表面は、クランプ表面の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている。
【００１９】
[0019]  別の実施形態に従って、基板コーティング装置を含むリソグラフィ装置が提供される。基板コーティング装置は、基板の裏側に隣接して蒸気を提供する蒸気供給システムを備え、蒸気は基板の裏側の少なくとも一部に単分子層を生成する。
【００２０】
[0020]  別の実施形態に従って、基板コーティング装置を含むメトロロジ装置が提供される。基板コーティング装置は、基板の裏側に隣接して蒸気を提供する蒸気供給システムを備え、蒸気は基板の裏側の少なくとも一部に単分子層を生成する。
【００２１】
[0021]  別の実施形態に従って、基板コーティング装置を含むスピンコーティング装置が提供される。基板コーティング装置は、基板の裏側に隣接して蒸気を提供する蒸気供給システムを備え、蒸気は基板の裏側の少なくとも一部に単分子層を生成する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
[0022]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００２３】
【図１】[0023]  一実施形態に従ったリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0024]  基板ホルダ上に置かれた基板を概略的に示す。
【図３】[0025]  一実施形態に従った単分子層内の分子の配向を概略的に示す。
【図４】[0026]  基板ホルダ上に位置決めされた、一実施形態に従った基板を概略的に示す。
【図５】[0027]  一実施形態に従った単分子層で部分的に覆われた基板を示す。
【図６】[0028]  本発明の一実施形態を実施することによって達成された性能の改善を実証する測定結果を示す。
【図７】[0029]  一実施形態に従った平面状基板ホルダを示す。
【図８】[0030]  一実施形態に従ったバールを備えた基板ホルダを示す。
【図９】[0031]  一実施形態に従った第１の基板コーティング装置を示す。
【図１０】[0032]  一実施形態に従った第２の基板コーティング装置を示す。
【図１１】[0033]  一実施形態に従ったスピンコート装置を示す。
【図１２】[0034]  一実施形態に従った、複数の基板を同時にコーティングするためのコーティング装置を示す。
【図１３】[0035]  一実施形態に従った、単分子層を除去するための方法を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
[0036]  図１は、本発明の一実施形態のリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
例えば１つ以上のセンサを支持するセンサテーブル又は基板（例えばレジストコートされた製品基板（production substrate））Ｗを保持するように構成された基板支持装置６０のような、特定のパラメータに従って例えば基板Ｗ等のテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された支持テーブルと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、ダイの一部、１つのダイ、又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。
【００２５】
[0037]  照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２６】
[0038]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２７】
[0039]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２８】
[0040]  パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。
【００２９】
[0041]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００３０】
[0042]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００３１】
[0043]  リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又は１もしくは複数のステージ又は１もしくは複数の支持体）を有するタイプとすることができ、これは例えば、２つ以上の基板テーブルであるか、又は１つ以上の基板テーブルと１つ以上のセンサテーブルもしくは測定テーブルとの組み合わせであり得る。このような「マルチステージ」機械においては、複数のテーブルを並行して使用するか、又は、１つ以上のテーブルを露光に使用している間に１つ以上の他のテーブルで予備工程を実行することができる。リソグラフィ装置は、基板テーブル、センサテーブル、及び測定テーブルと同様に並行して使用できる、２つ以上のパターニングデバイステーブル（又は１もしくは複数のステージ又は１もしくは複数の支持体）を有し得る。リソグラフィ装置は、露光に先立って製品基板を特徴付けるための様々なセンサが存在する測定ステーションと、露光が指揮される露光ステーションと、を有するタイプであり得る。
【００３２】
[0044]  リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間１１を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部を例えば超純水（ＵＰＷ）等の水のような比較的高い屈折率を有する液浸液１０で覆うことができるタイプである。液浸液１０は、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間等、リソグラフィ装置内の他の空間に適用することも可能である。液浸技法を用いて、投影システムの開口数を大きくすることができる。本明細書において用いる場合、「液浸」という言葉は、基板Ｗ等の構造を液浸液１０に浸水させなければならないという意味ではなく、「液浸」とは、露光中に投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液浸液１０が配置されていることを意味するに過ぎない。投影システムＰＳから基板Ｗへのパターン付き放射ビームＢの経路は、完全に液浸液１０を通過する。
【００３３】
[0045]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。
【００３４】
[0046]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えていてもよい。一般に、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
【００３５】
[0047]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを通過した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、放射ビームＢの経路内に異なるターゲット部分Ｃを配置するように基板支持装置６０を正確に移動させることができる。
【００３６】
[0048]  同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板支持装置６０の移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。
【００３７】
[0049]  ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴはショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示の基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占めているが、それらはターゲット部分Ｃ間のスペースに配置されてもよい（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイが設けられている状況では、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２をダイ間に配置することができる。
【００３８】
[0050]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３９】
[0051]  １．ステップモードでは、支持構造ＭＴ及び基板支持装置６０は本質的に静止状態に保たれる一方、放射ビームＢに与えられたパターン全体が一度にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、異なるターゲット部分Ｃを露光できるように、基板支持装置６０をＸ方向及び／又はＹ方向に移動させる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００４０】
[0052]  ２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴ及び基板支持装置６０が同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板支持装置６０の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さ（及び露光フィールドのサイズ）によってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００４１】
[0053]  別のモードでは、支持構造ＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板支持装置６０を移動又はスキャンさせながら放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス放射源を使用して、基板支持装置６０を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラムマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４２】
[0054]  上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００４３】
[0055]  コントローラ５０は、リソグラフィ装置の全体的な動作を制御し、具体的には、以下に詳しく説明する動作プロセスを行う。コントローラ５０は、中央処理装置、揮発性及び不揮発性記憶手段、キーボード及びスクリーン等の１つ以上の入力及び出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続及びリソグラフィ装置の様々な部分に接続される１つ以上のインターフェイスを含む、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして具現化することができる。コンピュータの制御とリソグラフィ装置の制御との１対１の関係は必要でないことは理解されよう。１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御することができる。複数のネットワーク化されたコンピュータを用いて１つのリソグラフィ装置を制御することができる。コントローラ５０は、リソグラフィ装置が一部を形成するリソセル又はクラスタ内の１つ以上の関連プロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成されてもよい。コントローラ５０は、リソセル又はクラスタの監視制御システム及び／又は製造工場の全体的な制御システムに従属するように構成されてもよい。
【００４４】
[0056]  投影システムＰＳの最終光学要素と基板Ｗとの間に液浸液を提供するための構成は、３つの大まかなカテゴリに分類することができる。これらは、浴式（bath type）構成、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。本発明の一実施形態は、特に局所液浸システムに関する。
【００４５】
[0057]  局所液浸システムのために提案された構成では、液体閉じ込め構造１２が、投影システムＰＳの最終光学要素９０と投影システムＰＳに対向するステージ又はテーブルの対向面との間の液浸空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延出している。テーブルの対向面という言葉を使うのは、テーブルが使用中に移動され、まれにしか静止状態でないからである。一般にテーブルの対向面は、基板Ｗ、基板Ｗを取り囲む基板テーブルＷＴ、又はそれら双方の表面である。
【００４６】
[0058]  液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素と基板Ｗ及び／又は基板支持装置６０との間の液浸空間１１内に少なくとも部分的に液浸液１０を封じ込める。液浸空間１１は、投影システムＰＳの最終光学要素の下にこれを取り囲むように位置決めされた液体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。
【００４７】
リソグラフィ装置のための基板
[0059]  露光のために基板を基板支持装置６０にロードするため、基板は、基板ハンドラロボットによって持ち上げられ、基板ホルダを貫通して突出するｅピンセットの上に降ろされる。基板ホルダは、リソグラフィ処理中に基板を固定するよう構成された基板支持装置の一部である。ｅピンは、延出及び後退できるように作動され、基板を把持するため先端に吸引開口を設けることができる。基板ホルダの中心を囲むように３つの離間したｅピンが存在し得る。一度ｅピン上に基板が置かれたら、ｅピンを後退させることで基板を基板ホルダによって支持する。基板がｅピンによって保持されている間、基板自体の重量によって基板は歪み、例えば上方から見た場合に凸状になる。基板が基板ホルダ上に降ろされる際、基板は、例えば中心近傍のような場所で接触するよりも先にエッジ近傍のような場所で接触し、基板ホルダと基板の下面との間の摩擦は、基板が平坦な応力なしの状態へ完全に緩和されるのを妨げる可能性がある。ｅピン上に保持された場合の基板の曲率は基板の剛性のために小さく、基板が基板ホルダ上にある場合は多少の緩和が生じるが、それでもなお残留曲率は望ましくないオーバーレイエラーを引き起こすのに充分な大きさであり得る。ｅピンで保持されていることによって生じる基板の残留曲率に加えて、基板は処理のために湾曲する可能性がある。例えば３Ｄ  ＮＡＮＤ構造の製造中、基板には様々な層が堆積される。これらの層は高温で適用されることがあり、これは基板の冷却段階中に応力成分が蓄積することを示唆している（一般に、基板及び堆積される層は同一の熱膨張係数を持たない）。これらの応力成分は基板の大きな曲率又は変形を招き得る。周知の変形ジオメトリは、基板のボール形又は傘形の形状に似ている。また、例えば鞍形のようなもっと複雑な変形形状も発生し得る。
【００４８】
[0060]  図２ａは、ｅピンによって降ろされている時の湾曲した基板１００を概略的に示す。基板は、破線の円１０３で示した位置において基板ホルダ２００のクランプ表面２０１に接触する。位置１０３では、基板１００に摩擦力１０４が加わる。摩擦力１０４は、基板裏側１０１とクランプ表面２０１との間が密接に接触する状態への基板の緩和に対抗する。図２ｂは、緩和後の基板を概略的に示す。基板は、ｅピンがクランプ表面２０１にあった場合の初期段階よりも変形が小さく、基板ホルダクランプ表面に近接している。しかしながら、摩擦力１０４は残っており、基板の最適な緩和を妨げる。この摩擦力は、内部応力成分１０５（これらは引張応力成分又は圧縮応力成分であり得る）を誘発する。これらの応力成分は、パターン位置精度（オーバーレイエラー）に対して相当な影響を及ぼし得る。
【００４９】
[0061]  図２ｃは本発明の一実施形態を概略的に示す。基板１００の裏側１０１に単分子層１０２がコーティングされている。単分子層は、基板ホルダ表面を構築する材料（例えばセラミック、水晶、ガラス、金属）のような固体材料と接触した場合に低い摩擦係数「ｆ」（ｆ＜＜０．１）を示す材料から成る。単分子層は、基板裏側と基板ホルダのクランプ表面２０１との間の摩擦力１０４を、より小さい摩擦力１０６へ低減させる。誘発される応力成分は摩擦力に比例するので、結果として応力成分１０５は、より小さい応力成分１０７へ低減される（矢印の長さは力／応力成分の大きさを示す）。応力成分の低減によって、基板上に存在するパターンの位置シフトが著しく軽減する。
【００５０】
[0062]  図３は、単分子層内の分子がどのように組織化されるかを概略的に示している。単分子層１０２は典型的に、低摩擦係数特性を有する自己組織化モノマー（ＳＡＭ：self-assembled monomer）である。ＳＡＭでコーティングされた基板の摩擦特性は周知である（Singh, Arvind R等、「Friction characteristics of self-assembled monolayers coated on Si-Wafer by chemical vapour deposition at nano/micro scale」、Proceedings of WTC2005 World Tribology Congress III September 12-16, 2005、米国ワシントンＤ．Ｃ．）。更に、Lessel等（「Self-assembled silane monolayers: A step-by-step high speed recipe for high-quality, low energy surfaces」、ArXiv: 1212.0998 [cond-mat.mtrl-sci]）は、シリコン基板にＳＡＭを提供することが、ＭＥＭデバイスの潤滑特性を改善すると共にマイクロ流体デバイスの動作を向上させるための既知の手順であると述べている。この実施形態及び後述の実施形態では、単分子層は基板の裏側にのみ適用され、基板は基板ホルダにクランプされ、基板にリソグラフィプロセスが行われる。分子は、シラン又はシロキサン化合物をベースにするか又はこれらを含むことができる（Kim, Gyu Man等の「Surface Modification With Self-Assembled Monolayers for Nanoscale Replication of Photoplastic MEM」、Journal of microelectromechanical systems, Vol. 11, No. 3, June 2002も参照のこと）。単分子層の分子３００は、極性頭部３０１及び非極性尾部３０２を含む。極性頭部は、分子の２次元ネットワークが形成されるように基板に結合する。これらの分子は単分子層として配向される。非極性尾部３０２は基板ホルダに面している。非極性尾部と基板ホルダ（典型的に結晶材料又はガラス材料で形成される）との間の弱い結合によって、基板と基板ホルダとの間に小さい摩擦係数が生じる。
【００５１】
[0063]  低摩擦特性とは別に、単分子層１０２は、（ｉ）水管理のために有益であることが分かっている疎水性を基板裏側に与えることができる。これは、分子３００の非極性尾部３０２の撥水性によって生じる。更に、分子３００に導電性基（conductive group）３０３を加えることで、（ｉｉ）基板１００に静電気防止特性を与えることができる。単分子層の存在は更に、（ｉｉｉ）基板裏側への粒子付着を防止することができる。これら３つの追加の特性は全て、基板裏側１０１と基板ホルダ表面２０１との間の粒子の可能性を低下させ、基板ホルダの汚染に起因した問題を抑制する。単分子層の疎水性は、基板が液浸リソグラフィツールで処理される場合は特に有用である。撥水性の基板裏側は、基板ホルダ表面に液浸液（水）が蓄積するのを防止する。
【００５２】
[0064]  図４ａは、図２ｃと同様に、基板ホルダ上に位置決めされた単分子層を備える基板を示す。図４ａは更に、基板１００の典型的に滑らかな裏側１０１に比べて粗い基板ホルダのクランプ表面２０１を視覚化している。破線の円２０５は、基板裏側１０１の単分子層１０２と基板ホルダのクランプ表面２０１との間の実際の接触位置を強調している。基板と基板ホルダとの間の接触面積は極めて小さく、基板裏側の単分子層と基板クランプ表面２０１との間で位置２０５においてのみ直接接触している。各接触位置２０５において、基板裏側１０１と基板ホルダクランプ表面２０１との間には単分子層１０２が存在し、結果として基板と基板ホルダとの間に小さい摩擦力１０６が生じる。ここまでは基板が基板ホルダ上に非クランプ状態で位置決めされていることを仮定しているので、摩擦及び摩擦によって誘発される応力以外の他の力は基板に加えられていない。処理ステップ中、基板は移送され、基板ホルダに対して基板を固定位置に維持するため基板にクランプ力を加える必要がある。（ｉ）加速力と、（ｉｉ）処理に起因した（例えば放射ビームＢからの吸収エネルギに起因した）基板の熱膨張と、の結果として生じる基板の望ましくない位置変化を防止するため、この状況における大きい摩擦力は有益である。従って、基板と基板ホルダとの間の界面には矛盾した要求がある。基板が最初に基板ホルダ上に配置される際に基板を完全に緩和させるには小さい摩擦でなければならないが、処理ステップ中に基板を堅固に保持するにはもっと大きい摩擦でなければならない。
【００５３】
[0065]  図４ｂは、基板ホルダにクランプされた場合の基板を概略的に示す。これは、例えばリソグラフィパターニングステップのような処理ステップが基板に実行されている状況である。基板にクランプ力２１０（下向きの矢印）が加えられている。特定のクランプ力閾値を超えると、単分子層に加わる圧力は、単分子層を局所的に変位させるのに充分な大きさとなる。この結果、位置２０５において基板裏側１０１及び基板ホルダのクランプ表面２０１の凹凸の間で直接的な接触が生じる。直接的な接触の結果として、基板１００とクランプ表面との間の摩擦力は大幅に増大する。基板材料とクランプ表面の材料との間の摩擦係数「ｆｓ」は典型的に、単分子層とクランプ表面との間の摩擦係数「ｆ」よりもはるかに大きい（ｆｓ＞０．１）。摩擦力の増大は図４ｂにおいて摩擦力１０４を表す矢印で示されている。
【００５４】
[0066]  要約すると、基板裏側１０１の単分子層１０２は、基板緩和中に基板とクランプ表面との間の小さい摩擦を達成し、一方で、基板処理中のクランプ力の存在によって単分子層の変位が起こり、結果として基板とクランプ表面との間で充分に大きい摩擦力が生じて基板の位置安定性を保証すると結論付けることができる。
【００５５】
[0067]  図５は、基板ホルダ２００のパターン付きクランプ表面２０１上に位置決めされた基板を概略的に示す。クランプ表面は、円内に図示された詳細で示すように支持構造２０２が設けられている。これらの支持構造は、突起、バール、同心円リング等とすればよい。基板ホルダクランプ表面２０２がパターン付きである場合、基板裏側は所定エリア１１０の外側にのみ単分子層を設ければよい。これらの所定エリアは例えば、特定のレイアウトの支持構造２０２を仮定した場合に基板ホルダの表面２０１に接触しないことが分かっているエリアである。その場合、単分子層がカバーするのは、基板裏側１０１の全表面のうち９０％未満（高密度の支持構造）、５０％未満（例えば支持構造が同心円リングである場合）、１０％未満（通常密度の支持構造）、又は１％未満（低密度の支持構造）とすることができる。
【００５６】
[0068]  図６ａ及び図６ｂは、単分子層の存在がパターン位置シフトに及ぼす効果を実証する。図６ａは、裏側コーティングを設けない場合の基板内に蓄積した応力成分の存在に起因する、基板のクランプ後に測定されたパターン位置シフトの大きさを示す。この図（矢印の長さ及び方向）から、基板上のいくつかの領域では基板面内のパターンの並進が２ｎｍの大きさであることが分かる。これは、基板のロード中に湾曲した基板の緩和が乏しいことの直接的な結果である。図６ｂには、単分子層（この場合、自己組織化モノマー（ＳＡＭ）を用いる）の基板裏側コーティングの効果が示されている。観察されるパターン位置シフトの低減に、基板緩和の改善が明らかに表れている。この場合、わずか０．６ｎｍの最大パターンシフトが観察された。この改善は、リソグラフィ装置の動作にも影響を及ぼし得る。湾曲した基板をロードしても大きいパターン位置シフトを引き起こさないので、この効果を補正するため追加のパターンシフト測定を行う必要はない。こういった余分な測定を省略することで節約された時間を用いて基板を露光することができ、例えば、リソグラフィ装置のスループットが増大する。
【００５７】
基板ホルダ
[0069]  図７ａ及び図７ｂは、基板の最適な緩和を達成するための代替的な方法に関する一実施形態を概略的に示す。基板ホルダ２００のクランプ表面２０１は単分子層２０３でコーティングされている。この場合、分子の極性頭部３０１は基板ホルダのクランプ表面に付着し、非極性尾部は基板裏側に面している。ここで、単分子コーティングの摩擦低減、疎水性、静電気防止、粒子反発、又は粒子含有特性は、基板ホルダのクランプ表面に関連付けられる。単分子層の存在はこの場合も、基板がクランプ表面にロードされているがまだクランプは行われていない時の摩擦を低減させるが、一方で、（基板の処理中の）閾値を超えたクランプ力２１０は層を変位させ、基板と基板ホルダとの間で位置２０５において直接的な接触が確立されて、充分に大きい摩擦力が基板の処理中に基板の位置安定性を与えることを保証する。
【００５８】
[0070]  図８は、支持構造２０２が設けられた基板ホルダ２００を示す。原理上は、基板ホルダのクランプ表面全体に単分子層２０３をコーティングすることができる。しかしながら、これは、支持構造のレイアウトに関連したクランプ表面の特定位置にのみ基板が接触する場合は必要ない。クランプ表面２０１（の一部）にのみ単分子層コーティングを設ければ充分である可能性がある。特に、支持構造の全表面が基板裏側の表面に比べて小さい場合、これはコーティングに必要な分子量を低減させることができる。
【００５９】
[0071]  基板１００及び基板ホルダ２００の開示される実施は特に、基板ロード中の許容可能パターン位置シフトが極めて小さいリソグラフィ装置、及びプロセスステップ（露光）中に基板が大きい加速力を受けるリソグラフィ装置に適切である。しかしながら、本明細書に開示される本発明はそのような装置内での使用に限定されず、例えば、メトロロジ装置（基板上のフィーチャの特性を測定する）、コーティング装置（ウェーハのスピンコーティング）、及びその他の基板処理装置（化学機械研磨、エッチング、イオンインプラント等）内の基板ホルダにも適用可能である。
【００６０】
基板コーティング装置
[0072]  図９は、基板裏側に単分子層１０２を提供するための装置８００を示す。装置は、基板裏側１０１と共に体積７０１を閉じ込める底板５００を備えている。底板に、ガス６００を体積７０１内へ導入することを可能とする入口７００が設けられている。支持４００上に基板エッジ領域１１２が配置されて、基板を取り囲む環境７０２から体積７０１を密封する。典型的に、環境７０２内のガスの圧力「Ｐ１」は、体積７０１内のガスの圧力「Ｐ２」よりも大きく選択される。これにより、ガス６００が環境７０２内へ漏れて、必要な表面１０１以外の表面（例えば、最適な光化学的挙動を保証するため分子３００で汚染されてはいけないフォトレジストでコーティングできる基板の上側１１１）に分子３００を堆積させることを防止する。分子３００（極性頭部及び非極性尾部を含む）を含有するガス６００を放出することによって、基板裏側１０１に付着した単分子層を発生させる。キャリアガスとして、Ｈ２、Ｎ２、クリーンドライエア（ＣＤＡ）、Ｏ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅのガスのうち１つ以上を使用できる。ガス流６００は、基板裏側に分子３００を提供することとは別に、基板の熱調節及び／又は洗浄を行うことも可能である。
【００６１】
[0073]  図１０は、図９に示した装置の異なる実施形態を概略的に示す。装置８０１は、基板１００の支持に関して装置８００と異なっている。基板をエッジ領域１１２で支持するのではなく、底板５００に、基板支持テーブルを形成する支持構造５０１が設けられている。特定のレイアウトの支持構造５０１を選択することによって、基板の裏側を選択的にコーティングすることができ、例えばリソグラフィ装置内で基板ホルダの支持構造２０２に接触する基板裏側のエリアのみに単分子層を与えることができる。これは、基板裏側の必要最小限のエリアのみが単分子層でコーティングされるという利点を有する。支持構造５０１が基板裏側に接触する位置は、基板ホルダの支持構造２０２が基板に接触する位置とは異なるように選択される。これによって、基板裏側１０１と基板ホルダ支持構造２０２との間に単分子層が存在しないことを防止する。図１０では、破線の矩形により、支持構造５０１の位置に対して支持構造２０２が基板裏側１０１に接触する場所が示されている。全ての関連位置（例えば基板裏側が基板ホルダに接触する場所）に単分子層が存在することを保証するため、基板裏側において支持構造２０２及び支持構造５０１の位置が重複するエリアは存在するべきではない。分子３００を基板裏側に接触させる前述の方法と同様、ガス流６００は入口７００を介して分子を体積７０３内へ導入する。分子は支持構造５０１に接触している基板裏側のエリアには到達せず、基板支持テーブルに接触していない基板裏側のエリアのみが単分子層でコーティングされる。分子３００が基板裏側の支持構造５０１の位置に到達するのを防ぐため、追加の措置を取ることができる。１つの例は、支持構造の表面に構造５０２を設けることである。この構造は、分子３００を含有する環境７０３から内部環境５０４を密封する。別の実施は、支持構造内にチャネル５０３を設けて、支持構造表面と基板裏側との間の空間５０４内に（体積７０３の圧力よりも）低いか又は高い圧力を生成することである。ガス６００が基板上側１１１に到達するのを防ぐため、密封構造７０５が設けられている。
【００６２】
[0074]  装置８００又は８０１は、半導体装置（リソグラフィ装置、メトロロジ装置）内に一体化されているか、又は半導体基板のための（スピン）コーティング装置（例えばトラック）内に一体化されている別個のツールとして実施できる。別の装置内にツール８００／８０１を一体化する利点は、単分子層を提供するプロセスを別のプロセスと並行して実行できることである。組み合わせ型の前側（スピン）コーティング及び基板裏側コーティング装置８０２を概略的に示す図１１に、１つの例が与えられている。この実施において、基板表面の裏側１０１は、装置８０１によって採用された実施と同様の単分子層が設けられている。更に、基板の前側１１１をフォトレジストでコーティングするための手段９００も設けられている。この例では、基板前側のコーティングはスピンコーティング原理に基づいている（軸１０００を中心とした基板の回転によってコーティング流体９０１を分配する）。原理上、基板前側１１１をフォトレジストでコーティングすると共に基板裏側１０１に単分子層を与えるプロセスは、並行して実行できる。
【００６３】
[0075]  図１２ａ及び図１２ｂは、単分子層を複数の基板に対して同時に適用するよう構成されたコーティング装置８０３を概略的に示す。図１２ａは、マルチ基板コーティング装置の側面図を示す。基板テーブル５０１上に複数の基板１００が位置決めされている。ガス６００を基板に接触させ、単一の基板の場合と同様に、基板上に単分子層が形成される。図１２ｂは装置８０３の上面図である。この例では、９の基板を同時にロードし、続いて単分子層を提供することができる。複数の基板に同時に層を与えることによって、コーティング装置のスループットを大幅に増大させる。これは、コーティング装置が（リソグラフィ装置によって実行される）リソグラフィステップに遅れずについていく必要がある場合に必要となり得る。リソグラフィ装置の現在のスループットは１時間当たり２５０の基板という高さに達し得るので、コーティング装置に対するスループット要求は少なくともこの数に一致する必要がある。
【００６４】
コーティング除去方法
[0076]  場合によっては、単分子層の除去が必要となり得る。これは、単分子層の分子の存在によって影響を受ける処理ステップを基板に実行する必要がある場合に当てはまることがある。本文書では、単分子層を除去する様々な方法が提案される。図１３は、単分子層を基板裏側から除去する方法を概略的に示す。この方法は、分子３００を放射又はイオンビーム１１００に露光することを利用する。その目的は、分子の極性頭部と非極性尾部との間の結合（図１３の領域１２０）を破壊することである。ビーム１１００は紫外線（ＵＶ）放射とすればよい。放射の高エネルギ光子は分子を分解し、極性頭部と非極性尾部との間の結合を破壊する。残留化合物は、基板上に堆積するのを防止するため、ポンプシステム（図示せず）によって除去できる。ＵＶ光の露光は、基板の前側で感光層のリソグラフィパターン付与も行う光源を利用することによって、リソグラフィ装置内で実行できる。
【００６５】
[0077]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００６６】
[0078]  更に別の実施形態は、以下の付番した条項のリストにおいて開示される。
条項１．装置の基板ホルダにクランプされるように構成された裏側を含むリソグラフィプロセス用の基板であって、裏側は、裏側の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている、基板。
条項２．裏側の摩擦係数は、クランプ力が閾値を超えた場合に増大する、条項１に記載の基板。
条項３．裏側の摩擦係数は、単分子層が変位した結果として裏側と基板ホルダとの間に直接的な接触が生じることにより増大する、条項２に記載の基板。
条項４．単分子層は基板裏側に疎水性を与えるように構成されている、条項１から３のいずれかに記載の基板。
条項５．単分子層は基板に静電気防止特性を与えるように構成されている、条項１から４のいずれかに記載の基板。
条項６．単分子層は基板裏側に粒子が付着するのを防止するように構成されている、条項１から５のいずれかに記載の基板。
条項７．単分子層は基板裏側が粒子を放出するのを防止するように構成されている、条項１から６のいずれかに記載の基板。
条項８．単分子層の分子は極性頭部及び非極性尾部を有する、条項１から７のいずれかに記載の基板。
条項９．単分子層は自己組織化モノマーである、条項１から８のいずれかに記載の基板。
条項１０．単分子層はシランである、条項１から９のいずれかに記載の基板。
条項１１．単分子層はシロキサンである、条項１から９のいずれかに記載の基板。
条項１２．単分子層は、基板ホルダと直接接触している可能性のある裏側のエリアのみをカバーする、条項１から１１のいずれかに記載の基板。
条項１３．単分子層は、裏側の全エリアのうち９０％未満、又は５０％未満、又は１０％未満、又は１％未満のエリアをカバーする、条項１から１２のいずれかに記載の基板。
条項１４．基板をクランプするように構成されたクランプ表面を含む、装置のための基板ホルダであって、クランプ表面は、クランプ表面の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている、基板ホルダ。
条項１５．クランプ表面の摩擦係数は、クランプ力が閾値を超えた場合に増大する、条項１４に記載の基板ホルダ。
条項１６．クランプ表面の摩擦係数は、単分子層が変位した結果として基板裏側とクランプ表面との間に直接的な接触が生じることにより増大する、条項１５に記載の基板ホルダ。
条項１７．単分子層はクランプ表面に疎水性を与えるように構成されている、条項１４から１６のいずれかに記載の基板ホルダ。
条項１８．単分子層はクランプ表面に静電気防止特性を与えるように構成されている、条項１４から１７のいずれかに記載の基板ホルダ。
条項１９．単分子層はクランプ表面に粒子が付着するのを防止するように構成されている、条項１４から１８のいずれかに記載の基板ホルダ。
条項２０．単分子層はクランプ表面が粒子を放出するのを防止するように構成されている、条項１４から１９のいずれかに記載の基板ホルダ。
条項２１．単分子層の分子は極性頭部及び非極性尾部を有する、条項１４から２０のいずれかに記載の基板ホルダ。
条項２２．単分子層は自己組織化モノマーである、条項１４から２１のいずれかに記載の基板ホルダ。
条項２３．単分子層はシランである、条項１４から２２のいずれかに記載の基板ホルダ。
条項２４．単分子層はシロキサンである、条項１４から２２のいずれかに記載の基板ホルダ。
条項２５．クランプ表面は基板の裏側を有限数の位置で支持するように構成されている、条項１４から２４のいずれかに記載の基板ホルダ。
条項２６．単分子層は、基板裏側と直接接触している可能性のあるクランプ表面のエリアのみをカバーする、条項２５に記載の基板ホルダ。
条項２７．基板の裏側に隣接して蒸気を提供する蒸気供給システムを備える基板コーティング装置であって、蒸気は基板の裏側の少なくとも一部に単分子層を生成する、基板コーティング装置。
条項２８．基板裏側を既定の位置で支持する基板支持テーブルを更に備える、条項２７に記載の基板コーティング装置。
条項２９．既定の位置は、プロセスステップ中に基板ホルダと接触する可能性のある基板の裏側の位置とは異なる、条項２８に記載の基板コーティング装置。
条項３０．基板支持テーブルは、蒸気が基板の裏側の既定の位置に到達することを防止するように構成されている、条項２９に記載の基板コーティング装置。
条項３１．密封構造によって、蒸気が基板の上側に到達することを防止する、条項２７から３０のいずれかに記載の基板コーティング装置。
条項３２．基板の裏側は基板の上側よりも低い周囲圧力を受け、これは蒸気が基板の上側に到達する可能性を低下させる一因となる、条項３１に記載の基板コーティング装置。
条項３３．基板の方へガス流を誘導するガス供給システムを更に備える、条項２７から３２のいずれかに記載の基板コーティング装置。
条項３４．ガス流は、Ｈ２、Ｎ２、ＸＣＤＡ、Ｏ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅのガスのうち１つを基板へ移送する、条項３３に記載の基板コーティング装置。
条項３５．ガス流は蒸気と混合され、基板の第１の表面へ誘導される、条項３３又は３４に記載の基板コーティング装置。
条項３６．ウェーハハンドラ又はトラックツールのようなリソグラフィ装置内に一体化されている、条項２７から３５のいずれか記載の基板コーティング装置。
条項３７．レジストコーティング装置内に一体化されている、条項２７から３５のいずれかに記載の基板コーティング装置。
条項３８．基板の洗浄を行うように構成されている、条項２７から３７のいずれかに記載の基板コーティング装置。
条項３９．レジストコーティング装置は、基板の上側へのレジストコーティング及び基板の裏側への単分子コーティングを同時に適用するように構成されている、条項３７に記載の基板コーティング装置。
条項４０．ガス流によって基板の熱調節を実行する、条項３３から３６のいずれかに記載の基板コーティング装置。
条項４１．別個の装置である、条項２７から３５のいずれかに記載の基板コーティング装置。
条項４２．複数の基板上に単分子層を同時に提供するように構成されている、条項３７又は４１に記載の基板コーティング装置。
条項４３．基板に隣接して蒸気を与えることを含む、基板上に単分子層を生成するための方法。
条項４４．単分子層の生成は基板の洗浄ステップと組み合わされる、条項４３に記載の方法。
条項４５．単分子層の生成は基板の熱調節と組み合わされる、条項４３又は４４に記載の方法。
条項４６．単分子層は、基板の測定ステップが実行されている間に生成される、条項４３から４５に記載の方法。
条項４７．単分子層は、基板の上側がコーティングされている間に基板の裏側に生成される、条項４６に記載の方法。
条項４８．基板を光源に露光させるステップを含む、基板から単分子層を除去するための方法。
条項４９．光源はＵＶ光を発する、条項４８に記載の方法。
条項５０．光源はリソグラフィ装置の一部を形成する、条項４８又は４９に記載の方法。
条項５１．条項１から１３のいずれかに記載の基板を備えるメトロロジ装置。
条項５２．条項１から１３のいずれかに記載の基板を備えるリソグラフィ装置。
条項５３．条項１４から２６のいずれかに記載の基板ホルダを備えるメトロロジ装置。
条項５４．条項１４から２６のいずれかに記載の基板ホルダを備えるリソグラフィ装置。
条項５５．条項２７から４０又は条項４２のいずれかに記載の基板コーティング装置を備えるメトロロジ装置。
条項５６．条項２７から４０又は条項４２のいずれかに記載の基板コーティング装置を備えるリソグラフィ装置。
条項５７．条項２７から４０又は条項４２のいずれかに記載の基板コーティング装置を備えるスピンコーティング装置。
【００６７】
[0079]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
【００６８】
[0080]  本発明の特定の実施形態を上述したが、本発明は説明した以外の方法でも実施できることを理解されよう。
【００６９】
[0081]  １つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するあらゆるコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ以上のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。従って、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
【００７０】
[0082]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。従って、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、説明されている本発明に対して変更を加えることができることは当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図２（ｃ）】
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【図３】
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【図４（ａ）】
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【図４（ｂ）】
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【図５】
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【図６（ａ）】
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【図６（ｂ）】
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【図７（ａ）】
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【図７（ｂ）】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２（ａ）】
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【図１２（ｂ）】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年5月9日(2019.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置の基板ホルダにクランプされるように構成された裏側を含むリソグラフィプロセス用の基板であって、前記裏側は、前記裏側の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている、基板。
【請求項２】
前記裏側の前記摩擦係数は、クランプ力が閾値を超えた場合に増大する、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記裏側の前記摩擦係数は、前記単分子層が変位した結果として前記裏側と前記基板ホルダとの間に直接的な接触が生じることにより増大する、請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記単分子層の分子は極性頭部及び非極性尾部を有する、請求項１に記載の基板。
【請求項５】
前記単分子層は自己組織化モノマーである、請求項１に記載の基板。
【請求項６】
前記単分子層はシラン又はシロキサンである、請求項１に記載の基板。
【請求項７】
前記単分子層は、前記裏側の全エリアのうち９０％未満、又は５０％未満、又は１０％未満、又は１％未満のエリアをカバーする、請求項１に記載の基板。
【請求項８】
基板をクランプするように構成されたクランプ表面を含む、装置のための基板ホルダであって、前記クランプ表面は、前記クランプ表面の摩擦係数を低減させるように構成された単分子層が少なくとも部分的に設けられている、基板ホルダ。
【請求項９】
前記クランプ表面の前記摩擦係数は、クランプ力が閾値を超えた場合に増大する、請求項８に記載の基板ホルダ。
【請求項１０】
前記クランプ表面の前記摩擦係数は、前記単分子層が変位した結果として基板裏側と前記クランプ表面との間に直接的な接触が生じることにより増大する、請求項９に記載の基板ホルダ。
【請求項１１】
前記クランプ表面は前記基板の裏側を有限数の位置で支持するように構成されている、請求項８に記載の基板ホルダ。
【請求項１２】
ウェーハハンドラ又は基板にレジストコーティングを提供するように構成されたトラックのような、リソグラフィ装置内に一体化されている、基板コーティング装置であって、
前記基板の裏側の少なくとも一部上に単分子層を生成するために、極性頭部と非極性尾部とを有する分子を含有するガスを前記基板の裏側に接触させるように構成されたガス供給システムを備える、基板コーティング装置。
【請求項１３】
前記基板裏側を既定の位置で支持する基板支持テーブルを更に備える、請求項１２に記載の基板コーティング装置。
【請求項１４】
前記既定の位置は、プロセスステップ中に基板ホルダと接触する可能性のある前記基板の前記裏側の位置とは異なる、請求項１３に記載の基板コーティング装置。
【請求項１５】
請求項８に記載の基板ホルダを備えるリソグラフィ装置。
【国際調査報告】
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