(57)【要約】【課題】タッチセンサー及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るタッチセンサーは、基板と、この基板の表面に重畳されている導電層と、を備え、この導電層は導電領域及び絶縁領域を備え、導電領域及び絶縁領域は、導電粒子を含む原材料層に対して局部処理を行って形成され、原材料層における局部処理された領域の導電粒子同士が導通されて導電領域を形成し、原材料層における局部処理されない領域の導電粒子同士が離隔して絶縁領域を形成する。【選択図】図１
2019532417.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の表面に重畳されている導電層と、を備え、前記導電層は導電領域及び絶縁領域を備え、前記導電領域及び前記絶縁領域は、導電粒子を含む原材料層に対して局部処理を行って形成され、前記原材料層における局部処理された領域の導電粒子同士が導通されて導電領域を形成し、前記原材料層における局部処理されない領域の導電粒子同士が離隔して絶縁領域を形成することを特徴とするタッチセンサー。
【請求項２】
前記原材料層、前記絶縁領域及び前記導電領域は絶縁粒子を備え、前記絶縁領域の絶縁粒子は前記導電粒子の間に位置し、前記導電領域の絶縁粒子は前記導電粒子の側部に位置することを特徴とする請求項１に記載のタッチセンサー。
【請求項３】
前記絶縁領域は多層の絶縁粒子及び多層の導電粒子を備え、前記絶縁領域の隣接する両層の導電粒子は一層の絶縁粒子によって離隔されることを特徴とする請求項２に記載のタッチセンサー。  
【請求項４】
前記導電領域は多層の導電粒子を備え、前記導電領域の隣接する両層の導電粒子は互いに接触しており、前記導電領域の絶縁粒子は基板に近接していることを特徴とする請求項２に記載のタッチセンサー。
【請求項５】
前記導電領域における絶縁粒子の粒径は、前記絶縁領域における絶縁粒子の粒径より小さいことを特徴とする請求項２に記載のタッチセンサー。  
【請求項６】
前記導電領域の絶縁粒子は、前記原材料層の絶縁粒子が分解されることによって形成されることを特徴とする請求項２に記載のタッチセンサー。
【請求項７】
前記原材料層は絶縁感光層を備え、前記絶縁感光層は、局部処理過程で光照射を受けた領域が導電領域に形成され、光照射を受けない領域が絶縁領域に形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のタッチセンサー。
【請求項８】
前記原材料層の絶縁粒子は、Ｔ−フェニルアラニン分子群によって保護されているカリックスアレーンとトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート誘導体との複合有機ゲル粒子を含むことを特徴とする請求項２〜６のいずれか一項に記載のタッチセンサー。
【請求項９】
前記カリックスアレーンと前記トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート誘導体との質量比は、１：９．５〜１：１０であることを特徴とする請求項８に記載のタッチセンサー。
【請求項１０】
前記原材料層の絶縁粒子が局部処理される過程において、Ｔ−フェニルアラニン分子群が脱落されることを特徴とする請求項８に記載のタッチセンサー。
【請求項１１】
前記導電層をカバーするカバー板をさらに備え、前記カバー板と前記導電層の絶縁領域及び導電領域とは接着層によって接着されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のタッチセンサー。
【請求項１２】
前記絶縁領域と前記導電領域との反射率の差は１％より小さいことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のタッチセンサー。
【請求項１３】
基板に、絶縁粒子と前記絶縁粒子の間に分布されている導電粒子とを含む原材料層を形成するステップと、
前記原材料層に対して局部処理を行い、処理された領域において前記導電粒子を導通させて導電領域を形成し、処理されない領域において前記絶縁粒子で前記導電粒子を離隔させて絶縁領域を形成するステップと、を含むことを特徴とするタッチセンサーの製造方法。
【請求項１４】
前記導電領域における前記絶縁粒子は前記導電粒子の側部に位置し、前記絶縁領域における前記絶縁粒子前記は導電粒子の間に位置することを特徴とする請求項１３に記載のタッチセンサーの製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁領域における前記絶縁粒子は前記導電粒子と一層ずつ交替しながら重畳され、前記導電領域における前記絶縁粒子は前記基板の表面に近接する位置に集中することを特徴とする請求項１３に記載のタッチセンサーの製造方法。
【請求項１６】
前記導電領域における前記絶縁粒子の粒径は、前記絶縁領域における前記絶縁粒子の粒径より小さいことを特徴とする請求項１３に記載のタッチセンサーの製造方法。
【請求項１７】
前記原材料層は、感光材料層であることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか一項に記載のタッチセンサーの製造方法。
【請求項１８】
前記原材料層に対して行う局部処理は、
前記原材料層に対して局部的に光を照射する工程と、
光に照射された前記原材料層に対して中和を行う工程と、を含むことを特徴とする請求項１７に記載のタッチセンサーの製造方法。
【請求項１９】
前記原材料層の絶縁粒子は分子群によって保護された酸性粒子を備え、局部的に光を照射するときに分子群が脱落されて前記酸性粒子が露出されることを特徴とする請求項１８に記載のタッチセンサーの製造方法。  
【請求項２０】
光照射後、弱アルカリ性溶液で前記酸性粒子に対して中和を行って、前記導電領域の絶縁粒子を形成することを特徴とする請求項１９に記載のタッチセンサーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子タッチ技術分野に関するものであり、特にタッチセンサー及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子業界の高速発展に従って、タッチ技術（Ｔｏｕｃｈ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が日常生活に普及されている。早期のガラスタッチパネルは、金属導電層やＩＴＯに対してエッチングしてパターン化を実現した。指がパターン化されたパネルに接触すると、接触箇所の電気容量が変わって信号がチップに入力される。パターン化された導電線路の間に隙間があり、隙間は、一般的に導電線路の上の保護層、光学層又は接着層によって充填される。隙間のサイズが２０μｍより大きく且つ導電線路の材料と隙間に充填された材料の反射係数が大きい場合、この隙間が目によって視認されることがある。
【発明の概要】
【０００３】
本発明は、導電パターンの間の隙間が露出されることを防止することができるタッチセンサー及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
本発明に係るタッチセンサーは、基板と、この基板の表面に重畳されている導電層と、を備え、この導電層は導電領域および絶縁領域を備え、導電領域及び絶縁領域は、導電粒子を含む原材料層に対して局部処理を行って形成され、原材料層における局部処理された領域の導電粒子同士が導通されて導電領域を形成し、原材料層における局部処理されない領域の導電粒子同士が離隔して絶縁領域を形成する。
【０００５】
また、原材料層は絶縁粒子をさらに備え、絶縁領域の絶縁粒子は導電粒子の間に位置し、導電領域の絶縁粒子は導電粒子の側部に位置する。
【０００６】
また、絶縁領域は多層の絶縁粒子及び多層の導電粒子を備え、絶縁領域の隣接する両層の導電粒子は一層の絶縁粒子によって離隔される。
【０００７】
また、導電領域は多層の導電粒子を備え、導電領域の隣接する両層の導電粒子は互いに接触しており、導電領域の絶縁粒子は基板に近接している。
【０００８】
また、導電領域における絶縁粒子の粒径は、絶縁領域における絶縁粒子の粒径より小さい。
【０００９】
また、導電領域の絶縁粒子は、原材料層の絶縁粒子が分解されることによって形成される。
【００１０】
また、原材料層は絶縁感光層を備え、絶縁感光層は、局部処理過程で光照射を受けた領域が導電領域に形成され、光照射を受けない領域が絶縁領域に形成される。
【００１１】
また、原材料層の絶縁粒子は、Ｔ−フェニルアラニン分子群によって保護されているカリックスアレーンとトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート誘導体との複合有機ゲル粒子を含む。
【００１２】
また、前記カリックスアレーンとトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート誘導体との質量比は、１：９．５〜１：１０である。
【００１３】
また、原材料層の絶縁粒子が局部処理される過程において、Ｔ−フェニルアラニン分子群が脱落される。
【００１４】
また、導電層をカバーするカバー板をさらに備え、カバー板と前記導電層の絶縁領域及び導電領域とは接着層によって接着される。
【００１５】
また、絶縁領域と導電領域との反射率の差は１％より小さい。
【００１６】
本発明に係るタッチセンサーの製造方法は、基板に、絶縁粒子とこの絶縁粒子の間に分布されている導電粒子とを含む原材料層を形成するステップと、原材料層に対して局部処理を行い、処理された領域において導電粒子を導通させて導電領域を形成し、処理されない領域において絶縁粒子で導電粒子を離隔させて絶縁領域を形成するステップと、を含む。
【００１７】
また、導電領域における絶縁粒子は導電粒子の側部に位置し、絶縁領域における絶縁粒子は導電粒子の間に位置する。
【００１８】
また、絶縁領域における絶縁粒子は導電粒子と一層ずつ交替しながら重畳され、導電領域における絶縁粒子は基板の表面に近接する位置に集中する。
【００１９】
また、導電領域における絶縁粒子の粒径は、絶縁領域における絶縁粒子の粒径より小さい。
【００２０】
また、原材料層は、感光材料層である。
【００２１】
また、原材料層に対して行う局部処理は、原材料層に対して局部的に光を照射する工程と、光に照射された原材料層に対して中和を行う工程と、を含む。
【００２２】
また、原材料層の絶縁粒子は分子群によって保護された酸性粒子を備え、局部的に光を照射するときに分子群が脱落されて酸性粒子が露出される。
【００２３】
また、光照射後、弱アルカリ性溶液で酸性粒子に対して中和を行って、導電領域の絶縁粒子を形成する。
【発明の効果】
【００２４】
本願のタッチセンサーの導電層は、絶縁感光粒子と導電粒子とを混合することでパターンを形成することを採用し、光に照射された領域の導電粒子を導通させて導電構造を形成し、光に照射されない領域が絶縁を保持し、光照射の領域が除去されずその箇所に保留され、光照射及びアルカリ性溶液への浸透によって光学特性は変化するが、その変化が明らかでないので、目で視認しにくい。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
以下、本発明の実施形態又は従来の技術に係る技術的方案をより明確に説明するために、本発明の実施形態又は従来の技術の説明に使用される図面について簡単に説明する。明らかに、以下説明される図面は、本発明の一部の実施形態だけのものであり、当業者であれば、これらの図面から創造的な努力なしに他の図面を得ることができる。
【図１】図１は、本発明に係るタッチセンサーの構成を示す図である。
【図２】図２は、図１に示されたタッチセンサーの絶縁領域の部分的内部構造を示す図である。
【図３】図３は、図１に示されたタッチセンサーの導電領域の部分的内部構造を示す図である。
【図４】図４は、本発明に係るタッチセンサーの製造方法のフローチャートである。
【図５−７】図５−図７は、図４に示されたタッチセンサーの製造方法における各製造ステップの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態の添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態の技術的方案を明確且つ完全に説明する。
【００２７】
本願は、タッチセンサー及びこのタッチセンサーを用いるタッチ装置を提供する。タッチ装置は、携帯電話、タブレットＰＣやタッチスクリーンなどである。このタッチセンサーは、基板と、この基板の表面に重畳されている導電層と、を備え、この導電層は、導電領域および絶縁領域を有し、導電領域及び絶縁領域は、導電粒子を含む原材料層に対して局部処理を行うことによって形成され、原材料層における局部処理された領域の粒子同士が導通されて導電領域を形成し、原材料層における局部処理されない領域の粒子同士が離隔して絶縁領域を形成する。原材料層は絶縁粒子をさらに備え、絶縁領域の絶縁粒子は導電粒子の間に位置し、導電領域の絶縁粒子は導電粒子の側部に位置する。さらに、原材料層は、絶縁感光層を備え、絶縁感光層における局部処理過程で光照射を受けた領域が導電領域を形成し、光照射を受けない領域が絶縁領域を形成する。
【００２８】
下記の具体的な実施例によって本発明を説明する。図１を参照すると、タッチセンサーは、基板１０と、この基板１０の表面に重畳されている導電層１２と、この導電層１２に重畳されているカバー板１４と、を備える。本実施例において、前記導電層１２と前記カバー板１４とは接着層１００によって接着されている。図２〜図３を参照すると、前記導電層１２は、複数の導電領域１２１と、この複数の導電領域１２１を離隔させる絶縁領域１２３と、に分けられる。
【００２９】
導電領域１２１は多層の導電粒子を備え、導電領域１２１の隣接する両層の導電粒子は互いに接触しており、導電領域の絶縁粒子は基板に近接している。その中において、導電領域１２１における絶縁粒子の粒径は絶縁領域における絶縁粒子の粒径より小さい。導電領域１２１の絶縁粒子は、原材料層の絶縁粒子が分解されて形成される。具体的には、前記導電領域１２１の導電層は、絶縁粒子層１２１１と、この絶縁粒子層１２１１に重畳されている第１導電粒子層１２１２と、を含む。説明しなければならないことは、本実施例における前記絶縁粒子層１２１１と第１導電粒子層１２１２との重畳は、第１導電粒子層１２１２内の導電粒子部分が前記絶縁粒子層１２１１に嵌入されることも含む。前記絶縁粒子層１２１１は複数の絶縁粒子によって形成される。特に、絶縁粒子層１２１１は絶縁の酸性の小分子物質粒子を含む。前記導電領域１２１の絶縁粒子層１２１１は第１導電粒子層１２１２の下方に位置し、即ち基板１０に近接する。前記第１導電粒子層１２１２は、多層の導電粒子層によって構成され、多層導電粒子層は、絶縁粒子層１２１１の上方に位置するとともに導通されて導電領域の導電性能を実現する。
【００３０】
図２に示されたように、絶縁領域１２３は、多層の絶縁粒子及び多層の導電粒子を備え、絶縁領域の隣接する両層の導電粒子は一層の絶縁粒子によって離隔される。具体的には、前記絶縁領域１２３内の前記導電層は、絶縁粒子１２３１と、この絶縁感光粒子１２３１によって離隔される導電粒子１２３２を含む。その中において、前記絶縁領域１２３内の導電粒子１２３２は、基板１０に垂直する方向で互いに絶縁する。絶縁領域１２３における導電粒子１２３２の材料と第１導電粒子層１２１２における導電粒子の材料は同じである。
【００３１】
好ましくは、前記導電粒子１２３２は複数の第２導電粒子層１２４を形成し、各両層の第２導電粒子層の間は、前記絶縁感光粒子１２３１で形成される前記絶縁感光層１２５によって離隔される。本実施例において、各層の絶縁感光層１２５は、両層の前記第２導電粒子層１２４の間に位置し、両層の第２導電粒子層１２４が互いに接触して導通されることを防止する。絶縁領域１２３と導電領域１２１の反射率の差は１％より小さい。
【００３２】
本実施例において、前記絶縁感光層１２５、即ち原材料層の絶縁粒子の成分は、Ｔ−フェニルアラニン（Ｔ−Ｐｈｅｎｙｌａｌａｎｉｎｅ）分子群によって保護されているカリックスアレーン（ｃａｌｉｘａｒｅｎｅ）とトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート（ＴｒｉｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍＴｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）の誘導体との複合有機ゲル粒子である。Ｔ−Ｂｏｃ分子群によって保護されるので、カリックスアレーンとトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート誘導体との複合有機ゲルは、不活性の化学性質を表す。
【００３３】
本実施例において、前記カリックスアレーンと前記トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート誘導体との質量比は、１：９．５〜１：１０である。また、前記絶縁粒子層１２１１を形成する絶縁感光粒子の原始成分と前記絶縁感光層１２５の成分は同じである。
【００３４】
本実施例において、前記絶縁感光層１２５内の絶縁感光粒子の粒径サイズは、８０〜１５０ｎｍである。前記第１導電粒子層１２１２及び第２導電粒子層１２４内の導電粒子の粒径サイズは、３０ｎｍ〜７０ｎｍである。前記第１導電粒子層１２１２及び第２導電粒子層１２４内の導電粒子は、Ａｇである。前記絶縁感光層１２５内の絶縁粒子の粒径が比較的大きいので、各第２導電粒子層１２４の間を離隔させることにより、全体的に絶縁を保持する。
【００３５】
図４を参照すると、本願のタッチセンサーの製造方法は、下記のようなステップを含む。
【００３６】
図５に示されたように、ステップＳ１では、基板１０に原材料層１１を形成する。
【００３７】
前記原材料層１１は、絶縁粒子と、この絶縁粒子の間に分布された導電粒子と、を含む。
【００３８】
図６に示されたように、ステップＳ２では、原材料層に対して局部処理を行い、処理された領域において導電粒子を導通させて導電領域１２１を形成し、処理されない領域において絶縁粒子で導電粒子を離隔させて絶縁領域１２３を形成する。
【００３９】
具体的には、ステップＳ２１では、前記原材料層１１に光を照射してパターン化することにより、複数の第１領域１１３と、この複数の第１領域１１３を離隔させる第２領域１１４と、を形成する。外界からの特殊光線の照射による触媒作用がない場合、前記原材料層１１の絶縁性質は安定的である。特殊光線を照射する条件で（波長が７８０ｎｍ〜８２０ｎｍであるフェムト秒レーザー（ｆｅｍｔｏｓｅｃｏｎｄ  ｌａｓｅｒ））、原材料層１１の化学性質が変化して、酸性物質が生成される。原材料層の絶縁粒子が局部処理される過程において、Ｔ−フェニルアラニン分子群が脱落される。具体的には、前記原材料層１１内の絶縁感光粒子（Ｔ−フェニルアラニン（Ｔ−Ｂｏｃ）によって保護されるカリックスアレーンとトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート誘導体との複合有機ゲル）のＴ−Ｂｏｃ分子群が脱落されてトリフルオロメタンスルホネート複合ゲル粒子に分解され、且つ粒径サイズは８０〜１５０ｎｍである。本実施例において、第２領域１１３は光照射を受けず元の状態を保持し、第１領域１１４は光照射に露出されて化学性質に変化が発生する。
【００４０】
その中において、原材料層１１は感光材料層である。導電領域１２１における絶縁粒子は、導電粒子の側部に位置し、絶縁領域１２３における絶縁粒子は、導電粒子の間に位置する。絶縁領域１２３における絶縁粒子は導電粒子と一層ずつ交替しながら重畳され、導電領域１２１における絶縁粒子は基板の表面に近接する位置に集中されている。導電領域１２１における絶縁粒子の粒径は、絶縁領域１２３における絶縁粒子の粒径より小さい。
【００４１】
図７に示されたように、ステップＳ２２では、パターン化された原材料層１１を弱アルカリ性溶液に投入し、第１領域１１３内の絶縁感光粒子が小分子物質粒子１１５に変換して絶縁粒子層を形成する（図３を参照してください）。具体的には、アルカリ性溶液の作用によってトリフルオロメタンスルホネート複合ゲル粒子が小分子物質粒子１１５に中和されて、小分子物質粒子１１５は重力と拡散作用によって下方へ移動して、前記小分子物質粒子１１５が導電粒子１１２の間から離れる。小分子物質粒子１１５の離隔作用がなくなるので、導電粒子１１２が移動して基板に垂直する方向で接触して第１導電粒子層を形成し、光に照射された第１領域に前記導電領域１２１を形成する。その中において、前記小分子物質粒子１１５の粒径サイズは１ｎｍ〜５０ｎｍである。第２領域１１４には光に照射されず、その内部の絶縁感光粒子は弱アルカリ性の溶液の影響を受けないので、第２領域１１４は元の状態を保持する。
【００４２】
ステップＳ２３では、接着層１００でカバー板１４を前記導電層１２上に固定することで、図１に示すタッチセンサーを形成する。
【００４３】
簡単に言えば、ステップＳ２の局部処理は、原材料層に対して局部的に光を照射する工程と、光が照射された原材料に対して中和を行う工程と、を含む。
【００４４】
図２を参照すると、前記第２領域１１４は、絶縁感光粒子とこの絶縁感光粒子によって離隔された導電粒子とを含む前記絶縁領域１２３を形成する。つまり、前記ステップによる前記原材料層の成分が変化して、絶縁領域１２３と導電領域１２１とを含む導電層１２を形成する。
【００４５】
本実施例において、前記光照射で前記絶縁感光レジスト層をパターン化することは主にパターンを形成するために用いられ、パターンを有するマスク板１６を使用し、マスク板１６は遮光領域１６１及び透光領域１６２を有する。マスク板１６を原材料層１１の上方に置き、透光領域１６２は第１領域１１３の上方に位置し、遮光領域１６１は第２領域１１４の上方に位置する。光線が透光領域１６２を透過して第１領域１１３に照射すれば、第１領域１１３に前記導電領域が形成される。
【００４６】
本願のタッチセンサーの導電層１２は、絶縁感光粒子と導電粒子とを混合することでパターンを形成することを採用し、光に照射された領域の導電粒子を導通させて導電構造を形成し、光に照射されない領域が絶縁を保持することで、パターン化の電極を形成する。光照射した後の領域が除去されず元の箇所に保留され、光照射及びアルカリ性溶液への浸透によって光学特性は変化するが、その変化が明らかではなく、光に照射されない領域との反射率の差が１％以下に保持するので、目で視認しにくい。
【００４７】
上記したパターン化の電極は、光で感光材料を照射することで形成されるが、パターン化の電極は感熱材料を熱処理することで形成されてもよいと、理解されるべきである。例えば、絶縁粒子と導電粒子とを有する感熱材料に対して局部熱処理を行うことにより、絶縁粒子を小分子に分解して、導電粒子同士を接触させて経路を形成することができる。熱処理されない領域は元の絶縁状態を保持する。このように、同様に電極のパターン化の効果を得ることができる。
【００４８】
さらに、上記したパターン化の電極の構造及び方法は、抵抗型センサー、弾性表面波センサーなどのような他のタッチセンサーにも適用されることができる。
【００４９】
上述したのは本発明の好ましい実施形態であり、当業者であれば、本発明の原理を逸脱しない範囲内でいろいろな修正及び変更を行うことができ、その修正及び変更も本発明の保護範囲に属することは自明である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成31年3月15日(2019.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２に示されたように、絶縁領域１２３は、多層の絶縁粒子及び多層の導電粒子を備え、絶縁領域の隣接する両層の導電粒子は一層の絶縁粒子によって離隔される。具体的には、前記絶縁領域１２３内の前記導電層は、絶縁感光粒子１２３１と、この絶縁感光粒子１２３１によって離隔される導電粒子１２３２を含む。その中において、前記絶縁領域１２３内の導電粒子１２３２は、基板１０に垂直する方向で互いに絶縁する。絶縁領域１２３における導電粒子１２３２の材料と第１導電粒子層１２１２における導電粒子の材料は同じである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
具体的には、ステップＳ２１では、前記原材料層１１に光を照射してパターン化することにより、複数の第１領域１１３と、この複数の第１領域１１３を離隔させる第２領域１１４と、を形成する。外界からの特殊光線の照射による触媒作用がない場合、前記原材料層１１の絶縁性質は安定的である。特殊光線を照射する条件で（波長が７８０ｎｍ〜８２０ｎｍであるフェムト秒レーザー（ｆｅｍｔｏｓｅｃｏｎｄ  ｌａｓｅｒ））、原材料層１１の化学性質が変化して、酸性物質が生成される。原材料層の絶縁粒子が局部処理される過程において、Ｔ−フェニルアラニン分子群が脱落される。具体的には、前記原材料層１１内の絶縁感光粒子（Ｔ−フェニルアラニン（Ｔ−Ｂｏｃ）によって保護されるカリックスアレーンとトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート誘導体との複合有機ゲル）のＴ−Ｂｏｃ分子群が脱落されてトリフルオロメタンスルホネート複合ゲル粒子に分解され、且つ粒径サイズは８０〜１５０ｎｍである。本実施例において、第２領域１１４は光照射を受けず元の状態を保持し、第１領域１１３は光照射に露出されて化学性質に変化が発生する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記原材料層は絶縁粒子をさらに備え、前記絶縁領域の絶縁粒子は前記導電粒子の間に位置し、前記導電領域の絶縁粒子は前記導電粒子の側部に位置することを特徴とする請求項１に記載のタッチセンサー。
【国際調査報告】
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