(57)【要約】  コーティングされた燐光体は、式Ｉ      Ａｘ［ＭＦｙ］：Ｍｎ４＋              Ｉの第１のＭｎ４＋ドープされた燐光体を含み、第２の燐光体を含むコアに直接配置されたシェルを含む。第２の燐光体は、式Ｉまたは式ＩＩ      Ａｘ［ＭＦｙ］        ＩＩの化合物以外の材料であり、  Ａは、出現ごとに独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはこれらの組合せであり；  Ｍは、出現ごとに独立して、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄ、またはこれらの組合せであり；、  ｘは、［ＭＦｙ］イオンの電荷の絶対値であり；、  ｙは、５、６、または７である。【選択図】図１
2019532121.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
Ａｘ［ＭＦｙ］：Ｍｎ４＋
Ｉ
の第１の燐光体（２２、１２２、２２２）を含み、第２の燐光体（２２、１２２、２２２）を含むコアに直接配置されたシェル（１８）
を含むコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）であって、
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、Ｃｅ３＋ドープされたガーネット、Ｅｕ２＋ドープされた酸窒化物、Ｅｕ２＋ドープされた窒化物、またはこれらの組合せから選択される燐光体（２２、１２２、２２２）であり；
Ａは、出現ごとに独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはこれらの組合せであり；
Ｍは、出現ごとに独立して、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄ、またはこれらの組合せであり；
ｘは、前記［ＭＦｙ］イオンの電荷の絶対値であり；
ｙは、５、６、または７である、コーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項２】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、緑色燐光体（２２、１２２、２２２）である、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項３】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、Ｃｅ３＋ドープされたガーネット燐光体（２２、１２２、２２２）である、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項４】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、Ｃｅ３＋ドープされたイットリウムアルミニウムガーネット燐光体（２２、１２２、２２２）である、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項５】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、（Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌｕ）３（Ａｌ，Ｇａ）５−αＯ１２−３／２α：Ｃｅ３＋（ただし、０≦α≦０．５）である、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項６】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、Ｅｕ２＋ドープされたβ−ＳｉＡｌＯＮ燐光体（２２、１２２、２２２）である、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項７】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋である、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項８】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、Ｅｕ２＋ドープされた窒化物燐光体（２２、１２２、２２２）である、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項９】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、Ｓｒ［ＬｉＡｌ３Ｎ４］：Ｅｕ２＋、Ｓｒ［Ｍｇ３ＳｉＮ４］：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ，Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ２＋、またはこれらの組合せである、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項１０】
Ｍは、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ、またはこれらの組合せである、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項１１】
Ａは、Ｎａ、Ｋ、またはこれらの組合せである、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項１２】
Ａは、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはこれらの組合せであり；
Ｍは、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ、またはこれらの組合せであり；
Ｙは、６である、
請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項１３】
前記第１の燐光体（２２、１２２、２２２）は、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋である、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項１４】
半導体光源（１２）と、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）とを備える照明器具（１０）。
【請求項１５】
半導体光源（１２）と、請求項１記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）とを備えるバックライト装置。
【請求項１６】
コーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）を調製する方法であって、ＨＦ溶液中で特定の形態の燐光体材料（２２、１２２、２２２）の懸濁液を、Ｍｎ４＋、Ａ＋、およびＭの源に接触させて、
式Ｉ
Ａｘ［ＭＦｙ］：Ｍｎ４＋
Ｉ
の第１の燐光体（２２、１２２、２２２）を含み、第２の燐光体（２２、１２２、２２２）を含むコアに直接配置されたシェル（１８）を有するコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）であって、
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、式Ｉまたは式ＩＩ
Ａｘ［ＭＦｙ］
ＩＩ
の化合物以外の材料であり、
Ａは、出現ごとに独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはこれらの組合せである；
Ｍは、出現ごとに独立して、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄ、またはこれらの組合せであり；
ｘは、前記［ＭＦｙ］イオンの電荷の絶対値であり；
ｙは、５、６、または７であるコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）を形成するステップを含む方法。
【請求項１７】
前記コーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）を高温でガス状形態のフッ素含有酸化剤と接触させるステップをさらに含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
式Ｉ
Ａｘ［ＭＦｙ］：Ｍｎ４＋
Ｉ
の第１の燐光体（２２、１２２、２２２）を含み、第２の燐光体（２２、１２２、２２２）を含むコアに直接配置されたシェル（１８）を含むコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）であって、
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、式Ｉまたは式ＩＩ
Ａｘ［ＭＦｙ］
ＩＩ
の化合物以外の材料であり、
Ａは、出現ごとに独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはこれらの組合せであり；
Ｍは、出現ごとに独立して、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄ、またはこれらの組合せであり；
ｘは、前記［ＭＦｙ］イオンの電荷の絶対値であり；
ｙは、５、６、または７であるコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項１９】
第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、Ｃｅ３＋ドープされたガーネット、Ｅｕ２＋ドープされたβ−ＳｉＡｌＯＮ、Ｅｕ２＋ドープされた窒化物、またはこれらの組合せから選択される燐光体（２２、１２２、２２２）である、請求項１８記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項２０】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、緑色燐光体（２２、１２２、２２２）である、請求項１８記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項２１】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、Ｃｅ３＋ドープされたイットリウムアルミニウムガーネット燐光体（２２、１２２、２２２）である、請求項１８記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項２２】
前記第２の燐光体（２２、１２２、２２２）は、（Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌｕ）３（Ａｌ，Ｇａ）５−αＯ１２−３／２α：Ｃｅ３＋（ただし、０≦α≦０．５）である、請求項１８記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【請求項２３】
前記第１の燐光体（２２、１２２、２２２）は、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋である、請求項１８記載のコーティングされた燐光体（２２、１２２、２２２）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、赤色発光燐光体を有するコアシェル材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
米国特許第７，３５８，５４２号、米国特許第７，４９７，９７３号、および米国特許第７，６４８，６４９号に記載されているものなどのＭｎ４＋によって活性化される錯体フッ化物材料に基づく赤色発光燐光体は、現在の蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプによって生成されるものと同等の青色ＬＥＤからの温白色光（黒体軌跡上でＣＣＴ＜５０００Ｋ、演色評価数（ＣＲＩ）＞８０）を達成するために、ＹＡＧ：Ｃｅまたは他のガーネット組成物などの黄色／緑色発光燐光体と組み合わせて利用することができる。これらの材料は、青色光を強く吸収し、深紅色／ＮＩＲ発光をほとんど伴わない約６１０〜６３５ｎｍの間で効率的に発光する。したがって、発光効率は、目の感度が乏しいより深紅においてかなりの発光を有する赤色燐光体と比較して最大にされる。量子効率は、青色（４４０〜４６０ｎｍ）励起下で８５％を超え得る。
【０００３】
赤色発光燐光体と他の燐光体のブレンドを収容するＬＥＤパッケージは、燐光体とバインダ材料の間の屈折率の不整合による相分離および光散乱を含む問題に遭遇し得る。したがって、ブレンドに関して生じ得る問題を緩和することができる燐光体が必要とされている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
手短に言えば、一態様において、本発明は、式Ｉ
Ａｘ［ＭＦｙ］：Ｍｎ４＋
Ｉ
の第１のＭｎ４＋ドープされた燐光体を含み、第２の燐光体を含むコアに直接配置されたシェルを含むコーティングされた燐光体に関する。この第２の燐光体は、式Ｉまたは式ＩＩ
Ａｘ［ＭＦｙ］
ＩＩ
の化合物以外の材料である。
【０００５】
式Ｉおよび式ＩＩの化合物について、
Ａは、出現ごとに独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはこれらの組合せであり；
Ｍは、出現ごとに独立して、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄ、またはこれらの組合せであり；
ｘは、［ＭＦｙ］イオンの電荷の絶対値であり；
ｙは、５、６、または７である。
【０００６】
本発明のこれらおよび他の特徴、態様ならびに利点は、図面全体にわたって同様の符号が同様の部分を表す添付図面を参照して以下の詳細な記載を読むとより良く理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態による照明器具の概略断面図である。
【図２】本発明の別の実施形態による照明器具の概略断面図である。
【図３】本発明のさらなる別の実施形態による照明器具の概略断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による照明器具の破断側面斜視図である。
【図５】表面実装部品（ＳＭＤ）バックライトＬＥＤの概略斜視図である。
【図６】本発明によるコーティングされた燐光体の放出スペクトルを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
コーティングされた燐光体のシェルを構成する式ＩのＭｎ４＋ドープされた燐光体は、配位子として働くフッ素イオンに囲まれた少なくとも１つの配位中心を含むとともに、必要に応じて対イオンによって電荷補償される配位化合物である。一例のＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋では、配位中心はＳｉであり、対イオンはＫである。Ｍｎ４＋活性化イオンも、母体格子、例えばＳｉの中心の部分の代わりとなる配位中心として働く。対イオンを含む母体格子は、活性化イオンの励起および放出特性をさらに変更することができる。
【０００９】
式Ｉの燐光体中のマンガンの量は、約１ｍｏｌ％から約３０ｍｏｌ％、特に約３ｍｏｌ％から約２０ｍｏｌ％の範囲である。燐光体の式ＩがＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋である実施形態では、マンガンの量は、約１ｍｏｌ％（約０．２５重量％％）から約２５ｍｏｌ％  （約６重量％％）、特に約２ｍｏｌ％（約０．５重量％％）から約２０ｍｏｌ（約５重量％％）、より好ましくは約２ｍｏｌ％（約０．５重量％％）から約４重量％（約１６．５ｍｏｌ％）の範囲である。
【００１０】
特定の実施形態では、燐光体の配位中心、すなわち式ＩのＭは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、またはこれらの組合せである。より詳細には、配位中心は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、またはこれらの組合せであり、対イオン、または式ＩのＡは、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはこれらの組合せであり、ｙは６である。式Ｉの燐光体の例は、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ２ＳｎＦ６：Ｍｎ４＋、Ｃｓ２ＴｉＦ６、Ｒｂ２ＴｉＦ６、Ｃｓ２ＳｉＦ６、Ｒｂ２ＳｉＦ６、Ｎａ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｎａ２ＺｒＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＺｒＦ７：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＢｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＹＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＬａＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＧｄＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＮｂＦ７：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＴａＦ７：Ｍｎ４＋を含む。特定の実施形態では、式Ｉの燐光体は、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋である。
【００１１】
一部の実施形態では、コーティングされた燐光体のコアは、緑色範囲内で発光する燐光体で構成される。そのようなコーティングされた燐光体は、黄緑色と赤色の両方の範囲内での発光を有し、青色ＬＥＤと組合せて使用されると、白色光を生成するために他の燐光体を必要としなくてもよい。コアを形成し得る緑色燐光体の例は、Ｃｅ３＋ドープされたガーネット、およびＥｕ２＋ドープされた酸窒化物燐光体を含む。適切なＣｅ３＋ドープされたガーネットは、Ｃｅ３＋ドープされたイットリウムアルミニウムガーネット、詳細には（Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌｕ）３（Ａｌ，Ｇａ）５−αＯ１２−３／２α：Ｃｅ３＋（ただし、０≦α≦０．５）、より詳細には、Ｃｅ３＋ドープされたイットリウムアルミニウムガーネットを含む。Ｅｕ２＋ドープされた酸窒化物燐光体は、米国特許第７，５４４，３１０号およびＮａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｆｏｒ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｓｃｉｅｎｃｅに譲渡された他の特許、ならびに米国特許第８，２３７，３４８号およびシャープ株式会社に譲渡された他の特許に記載されているものなどのＥｕ２＋ドープされたβ−ＳｉＡｌＯＮ燐光体を含む。
【００１２】
他の実施形態では、コーティングされた燐光体のコアは、赤色の範囲内で発光するＥｕ２＋ドープされた窒化物燐光体で構成される。コアを形成し得る赤色燐光体の例は、Ｓｒ１−ｘＣａｘＳ：Ｅｕ２＋、ならびにＥｕ２＋ドープされた窒化物燐光体、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、Ｓｒ［ＬｉＡｌ３Ｎ４］：Ｅｕ２＋、およびＳｒ［Ｍｇ３ＳｉＮ４］：Ｅｕ２＋を含む。
【００１３】
概して、コーティングされた燐光体のコアは、ＨＦなどの強酸、フッ素ガスなどの酸化剤、および高温への露出を含み得るコーティングを調製するための条件に安定である式Ｉまたは式ＩＩの化合物以外の材料で構成される。コーティングされた燐光体は、ＨＦ溶液中のコーティングされた燐光体のコアを形成する燐光体の懸濁液をＭｎ４＋、Ａ＋、およびＭの源と接触させることによって調製されてもよい。一部の実施形態では、燐光体は、Ｍの源およびＨＦを収容する第１の溶液、ならびにＭｎの源を収容する第２の溶液をＡの源が存在中の懸濁されたコア燐光体に徐々に加えて、コーティングされた燐光体を形成することによって調製される。
【００１４】
Ｍｎの源として使用するための材料は、例えば、Ｋ２ＭｎＦ６、ＫＭｎＯ４、Ｋ２ＭｎＣｌ６、ＭｎＦ４、ＭｎＦ３、ＭｎＦ２、ＭｎＯ２、およびこれらの組合せを含み、特に、Ｋ２ＭｎＦ６を含む。シェル燐光体がＫ２ＳｉＦ６の場合、Ｍの源は、Ｓｉを含有し、溶液中で可溶性が良好である化合物、例えば、Ｋ２ＳｉＦ６、Ｎａ２ＳｉＦ６、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６、Ｒｂ２ＳｉＦ６、Ｃｓ２ＳｉＦ６、ＳｉＯ２、またはこれら組合せであってもよく、特にＫ２ＳｉＦ６であってもよい。Ｋ２ＳｉＦ６の使用は、それが水中でとても高い可溶性を有するとともに、アルカリ金属元素を不純物として含有しないので、有利である。Ｍの源は、単一化合物、または２つ以上の化合物の組合せであり得る。使用される原料の量は、一部の実施形態における、Ａの源の超過が存在し得る場合を除いて、概して所望の組成に対応する。
【００１５】
コーティングされた燐光体は、コアの燐光体に害を及ぼすことなく式Ｉの燐光体の色安定性を増大させ得る合成後処理にかけられてもよい。特に、コーティングされた燐光体は、米国特許第８，３０９，７２４号に記載されるように、高温でガス状形態のフッ素含有酸化剤と接触させられ得る。温度は、約２００℃から約７００℃、特に接触中に約３５０℃から約７００℃、一部の実施形態では、約５００℃から約７００℃の範囲である。燐光体は、それを色安定な燐光体に変換するのに十分な期間にわたって酸化剤と接触させられる時間と温度は相関関係にあり、共に調整可能であり、例えば、時間を増加させつつ温度を低下させたり、または温度を上昇させつつ時間を減少させたりすることができる。特定の実施形態では、時間は、少なくとも１時間、特に少なくとも４時間、より好ましくは少なくとも６時間、最も好ましくは少なくとも８時間である。
【００１６】
フッ素含有酸化剤は、Ｆ２、ＨＦ、ＳＦ６、ＢｒＦ５、ＮＨ４ＨＦ２、ＮＨ４Ｆ、ＫＦ、ＡｌＦ３、ＳｂＦ５、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＫｒＦ、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＮＦ３、ＳｉＦ４、ＰｂＦ２、ＺｎＦ２、ＳｎＦ２、ＣｄＦ２、Ｃ１〜Ｃ４のフルオロカーボン、またはこれらの組合せであり得る。適切なフルオロカーボンの例は、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＦ３ＣＨ２Ｆ、およびＦ２ＣＨＦを含む。特定の実施形態では、フッ素含有酸化剤はＦ２である。色安定な燐光体を得るための雰囲気中の酸化剤の量は、特に時間および温度の変動と関連して、変動し得る。フッ素含有酸化剤がＦ２である場合、雰囲気は、少なくとも０．５％のＦ２を含み得るが、一部の実施形態では、低濃度が有効であり得る。特に、雰囲気は、少なくとも５％のＦ２を含み得、より詳細には、少なくとも２０％のＦ２を含み得る。雰囲気は、フッ素含有酸化剤と任意に組合せて、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンをさらに含んでもよい。特定の実施形態では、雰囲気は、約２０％のＦ２および約８０％の窒素で構成されている。
【００１７】
コーティングされた燐光体は、フッ素含有酸化剤と接触させる前または後、あるいは前後両方において、米国特許第８，２５２，６１３号、米国特許第８，７１０，４８７号、および米国特許第２０１５／００５４４００号に記載されているように、水性フッ化水素酸中の式ＩＩの化合物の溶液で処理されてもよい。この溶液は、飽和またはほぼ飽和させられてもよい。ほぼ飽和した溶液は、飽和溶液を作製するのに必要な量を上回る１〜１０％の溶媒を含有するものである。燐光体が溶液に接触させられる温度は、特に限定されず、都合に合わせて選択されてもよいが、時間または濃度などの他のパラメータが燐光体の所望の特性をもたらすように高いまたは低い温度で調整されてもよい。特定の実施形態では、温度は、約２０℃から約５０℃の範囲である。燐光体を処理するのに必要な期間は、約１分から約５時間、特に約５分から約１時間の範囲である。ＨＦ水溶液中のフッ化水素酸の濃度は、約２０％ｗ／ｗから約７０％ｗ／ｗ、特に約４０％ｗ／ｗから約７０％ｗ／ｗの範囲である。
【００１８】
本発明の一実施形態による照明器具または発光アセンブリまたはランプ１０が図１に示されている。照明器具１０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１２として示される半導体放射線源と、ＬＥＤチップに電気的に取り付けられたリード１４とを含む。リード１４は、より太いリードフレーム１６に支持された細いワイヤであってもよく、またはリードは、自立した電極であってもよく、リードフレームは、省略されてもよい。リード１４は、ＬＥＤチップ１２に電流を供給し、したがってＬＥＤチップ１２に放射線を放出させる。
【００１９】
ランプは、放出された放射線が燐光体に向けられると白色光を生成することができる任意の半導体青色光源または紫外光源を含むことができる。一実施形態において、半導体光源は、様々な不純物がドープされた青色発光ＬＥＤである。したがって、ＬＥＤは、任意の適切なＩＩＩ−Ｖ、ＩＩ−ＶＩ、またはＩＶ−ＩＶ半導体層に基づく、約２５０〜５５０ｎｍの発光波長を有する半導体ダイオードを含むことができる。特に、ＬＥＤは、約２５０ｎｍよりも大きく、約５５０ｎｍよりも小さな発光波長を有するインジウムガリウム（アルミニウム）窒化物化合物半導体であり得る。特定の実施形態では、チップは、約４００〜約５００ｎｍのピーク発光波長を有する近紫外または青色発光ＬＥＤである。そのようなＬＥＤ半導体は、当技術分野で知られている。放射線源は、便宜上、本明細書ではＬＥＤと記載される。しかしながら、本明細書で使用されるとき、この用語は、例えば、半導体レーザダイオードを含むすべての半導体放射線源を包含することを意味する。さらに、本明細書で論じる本発明の例示的な構造の全般的な議論は、無機ＬＥＤベースの光源を対象としているが、ＬＥＤチップは、別段の記載がない限り、別の放射線源で置き換えられてもまたは補われてもよく、半導体、半導体ＬＥＤ、またはＬＥＤチップへのいかなる言及も、限定するものではないが、有機発光ダイオードを含む任意の適切な放射線源を表しているのにすぎないことを理解されたい。
【００２０】
照明器具１０では、燐光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２に放射結合される。放射結合されるとは、各要素が、一方の要素からの放射線がもう一方の要素に伝達されるように互いに関連付けられていることを意味する。燐光体組成物２２は、任意の適切な方法によってＬＥＤ１２上に堆積させられる。例えば、燐光体の水性懸濁液を形成し、燐光体層としてＬＥＤ表面に塗布することができる。そのような一方法において、燐光体微粒子をランダムに懸濁させたシリコーンスラリーをＬＥＤの周囲に配置する。この方法は、燐光体組成物２２およびＬＥＤ１２の可能な場所の単なる例示である。したがって、燐光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２の上に燐光体懸濁液をコーティングし乾燥させることによって、ＬＥＤチップ１２の発光面の上に、または発光面上に直接コーティングされてもよい。シリコーンベースの懸濁液の場合、懸濁液を適切な温度で硬化させる。シェル１８および封止剤２０は両方とも、白色光２４がこれの要素を透過することができるように透明でなければならない。限定することは意図されていないが、一部の実施形態では、燐光体組成範囲のメジアン粒径は、約１〜約５０ミクロン、特に約１５〜約３５ミクロンの範囲にある。
【００２１】
他の実施形態では、燐光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２上に直接形成される代わりに、封止剤材料２０内部に散在する。燐光体（粉末の形態の）は、封止剤材料２０の単一の領域内部に、または封止剤材料の全容積にわたって散在してもよい。ＬＥＤチップ１２によって放出された青色光は、燐光体組成物２２によって放出された光と混合し、混合光が白色光として現われる。燐光体を封止剤２０の材料内部に散在させる場合、燐光体粉末を、ポリマーまたはシリコーンの前駆体に添加して、ＬＥＤチップ１２の周囲に装填することができ、次いで、ポリマー前駆体を硬化させて、ポリマーまたはシリコーン材料を固化することができる。トランスファ装填（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｌｏａｄｉｎｇ）など他の公知の燐光体散在方法も使用することができる。
【００２２】
一部の実施形態では、封止剤材料２０は、屈折率Ｒを有するシリコーンマトリックスであり、燐光体組成物２２に加えて、約５％未満の吸光度およびＲ±０．１の屈折率を有する希釈剤材料を含む。希釈剤材料は、≦１．７、詳細には≦１．６、より詳細には≦１．５の屈折率を有する。特定の実施形態では、希釈剤材料は、式ＩＩであり、約１．４の屈折率を有する。光学的に不活性の材料を燐光体／シリコーン混合物に添加することによって、燐光体／封止剤混合物を通る光束のより緩やかな分布が生成され、結果として燐光体への損傷がより少なくなる可能性がある。希釈剤に適した材料は、約１．３８（ＡｌＦ３およびＫ２ＮａＡｌＦ６）〜約１．４３（ＣａＦ２）の範囲にある屈折率を有するＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＡｌＦ３、Ｋ２ＮａＡｌＦ６、ＫＭｇＦ３、ＣａＬｉＡｌＦ６、Ｋ２ＬｉＡｌＦ６、およびＫ２ＳｉＦ６などのフッ化物化合物、ならびに約１．２５４〜約１．７の範囲にある屈折率を有するポリマーを含む。希釈剤としての使用に適したポリマーの非限定的な例は、ポリカーボネート、ポリエステル、ナイロン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ならびにスチレン、アクリレート、メタクリレート、ビニル、酢酸ビニル、エチレン、酸化プロピレン、およびエチレンオキシドモノマー由来のポリマー、およびこれらの共重合体ならびにハロゲン化および非ハロゲン化誘導体を含む。これらのポリマー粉末は、シリコーンを硬化させる前にシリコーン封止剤に直接組み込まれてもよい。
【００２３】
さらなる別の実施形態では、燐光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２の上に形成される代わりに、シェル１８の表面上にコーティングされる。燐光体組成物は、好ましくは、シェル１８の内側表面上にコーティングされるが、燐光体は、所望の場合、シェルの外側表面上にコーティングされてもよい。燐光体組成物２２は、シェルの表面全体に、またはシェルの表面の頂部部分にのみコーティングされてもよい。ＬＥＤチップ１２によって放出された紫外／青色光は、燐光体組成物２２によって放出された光と混合し、混合光が白色光として現われる。一部の実施形態では、燐光体は任意の２つもしくは３つすべての位置に、あるいはシェルとは別個の、またはＬＥＤに一体化されたような任意の他の適切な位置に置かれてもよい。
【００２４】
図２は、本発明によるシステムの第２の構造を示す。図１〜図４の対応する番号（例えば、図１の１２および図２の１１２）は、別段の記載がない限り、図のそれぞれにおいて対応する構造に関連する。図２の実施形態の構造は、燐光体組成物１２２がＬＥＤチップ１１２上に直接形成される代わりに封止剤材料１２０内部に散在する以外は、図１の構造と同様である。燐光体（粉末の形態の）は、封止剤材料の単一の領域内部に、または封止剤材料の全容積にわたって散在してもよい。ＬＥＤチップ１１２によって放出された（矢印１２６によって示される）放射線は、燐光体１２２によって放出された光と混合し、混合光が白色光１２４として現われる。燐光体を封止剤材料１２０内部に散在させる場合、燐光体粉末がポリマー前駆体に添加され、ＬＥＤチップ１１２の周囲に装填されてもよい。次いで、ポリマーまたはシリコーン前駆体を硬化させて、ポリマーまたはシリコーンを固化することができる。トランスファ成形などの他の公知の燐光体散在方法も使用することができる。
【００２５】
図３は、本発明によるシステムの第３の可能な構造を示す。図３に示す実施形態の構造は、燐光体組成物２２２がＬＥＤチップ２１２の上に形成されている代わりにエンベロープ２１８の表面上にコーティングされている以外は、図１の構造と同様である。燐光体組成物２２２は、好ましくは、エンベロープ２１８の内側表面上にコーティングされるが、燐光体は、所望の場合、エンベロープの外側表面上にコーティングされてもよい。燐光体組成物２２２は、エンベロープの表面全体に、またはエンベロープの表面の頂部部分にのみコーティングされてもよい。ＬＥＤチップ２１２によって発せられた放射線２２６は、燐光体組成物２２２によって放出された光と混合し、混合光が白色光２２４として現われる。図１〜図３の構造は、組み合わされてもよく、燐光体は、任意の２つもしくは３つすべての位置に、あるいはエンベロープとは別個の、またはＬＥＤに一体化されたような任意の他の適切な位置に置かれてもよい。
【００２６】
上記の構造のいずれにおいても、ランプは、封止剤材料に埋め込まれた複数の散乱粒子（図示せず）を含むこともできる。使用され得る散乱粒子の例には、アルミナまたはチタニアが含まれるが、これらに限定されない。散乱粒子は、ＬＥＤチップから放出された指向性光を、好ましくは無視できる量の吸収で効果的に散乱させる。
【００２７】
図４の第４の構造に示すように、ＬＥＤチップ４１２は、反射カップ４３０内に取り付けられてもよい。カップ４３０は、アルミナ、チタニア、もしくは当技術分野で知られている他の誘電体粉末などの誘電体材料から作られ、またはそのような誘電体材料でコーティングされ、あるいはアルミニウムまたは銀などの反射金属によってコーティングされてもよい。図４の実施形態の構造の残りの部分は、先の図のいずれかと同じであり、２つのリード４１６、導線４３２、および封止剤材料４２０を含むことができる。反射カップ４３０は、第１のリード４１６によって支持され、導線４３２は、ＬＥＤチップ４１２を第２のリード４１６に電気的に接続するために使用される。
【００２８】
別の構造（特にバックライト用途のための）は、例えば、図５に示すように、表面実装部品（「ＳＭＤ」）タイプ発光ダイオード５５０である。このＳＭＤは「側面放射タイプ」であり、光ガイド部材５５４の突出部分に発光窓５５２を有する。ＳＭＤパッケージは、上で規定したようなＬＥＤチップと、本発明によるコーティングされた燐光体を含む燐光体材料とを含むことができる。他のバックライト装置は、限定されるものではないが、テレビ、コンピュータ、スマートフォンおよびタブレットコンピュータなどのハンドヘルド装置を含む。
【００２９】
３５０〜５５０ｎｍで発光するＬＥＤおよび１つまたは複数の他の適切な燐光体とともに使用すると、結果として得られる照明システムは、白色を有する光を生成することができる。また、ランプ１０は、封止剤材料に埋め込まれた散乱粒子（図示せず）を含んでもよい。散乱粒子は、例えば、アルミナまたはチタニアを含んでもよい。散乱粒子は、好ましくは、無視できる量の吸収で、ＬＥＤチップから放出された指向性光を効果的に散乱させる。
【００３０】
本発明のコーティングされた燐光体に加えて、燐光体組成物２２は、１つまたは複数の他の燐光体を含むことができる。緑色、青色、黄色、赤色、または橙色の範囲で発光する燐光体をブレンドに使用して、発光した光の色をカスタマイズし、特定のスペクトル出力分布を生成することができる。燐光体組成物２２で使用するに適した他の材料は、エレクトロルミネセンスポリマー、例えば、ポリフルオレン、好ましくはポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）、およびその共重合体、例えばポリ（９，９’−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）（Ｆ８−ＴＦＢ）；ポリ（ビニルカルバゾール）、およびポリフェニレンビニレン、ならびにそれらの誘導体を含む。加えて、発光層は、青色、黄色、橙色、緑色、もしくは赤色の燐光性染料、または金属錯体、あるいはこれらの組合せを含むことができる。燐光性染料としての使用に適した材料は、限定されないが、トリ（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（赤色染料）、トリ（２−フェニルピリジン）イリジウム（緑色染料）、およびイリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２）（青色染料）を含む。市販のＡＤＳ（Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｄｙｅｓ  Ｓｏｕｒｃｅ，  Ｉｎｃ．）の蛍光性および燐光性金属錯体も使用することができる。ＡＤＳの緑色染料は、ＡＤＳ０６０ＧＥ、ＡＤＳ０６１ＧＥ、ＡＤＳ０６３ＧＥ、ならびにＡＤＳ０６６ＧＥ、ＡＤＳ０７８ＧＥ、およびＡＤＳ０９０ＧＥを含む。ＡＤＳの青色染料は、ＡＤＳ０６４ＢＥ、ＡＤＳ０６５ＢＥ、およびＡＤＳ０７０ＢＥを含む。ＡＤＳの赤色染料は、ＡＤＳ０６７ＲＥ、ＡＤＳ０６８ＲＥ、ＡＤＳ０６９ＲＥ、ＡＤＳ０７５ＲＥ、ＡＤＳ０７６ＲＥ、ＡＤＳ０６７ＲＥ、およびＡＤＳ０７７ＲＥを含む。
【００３１】
燐光体組成物２２での使用に適した燐光体には、
（（Ｓｒ１−ｚ（Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）ｚ）１−（ｘ＋ｗ）（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）ｗＣｅｘ）３（Ａｌ１−ｙＳｉｙ）Ｏ４＋ｙ＋３（ｘ−ｗ）Ｆ１−ｙ−３（ｘ−ｗ）、０＜ｘ≦０．１０、０≦ｙ≦０．５、０≦ｚ≦０．５、０≦ｗ≦ｘ；
（Ｃａ，Ｃｅ）３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２（ＣａＳｉＧ）；
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ，ＯＨ）；Ｅｕ２＋，Ｍｎ；２＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＢＰＯ５：ＢＰＯ５：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）３Ａｌ１−ｘＳｉｘＯ４＋ｘＦ１−ｘ：Ｃｅ３＋（ＳＡＳＯＦ））；（Ｓｒ，Ｃａ）１０（ＰＯ４）６＊νＢ２Ｏ３：Ｅｕ２＋（ただし、０＜ν≦１）；Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８＊２ＳｒＣｌ２：Ｅｕ２＋；
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；ＢａＡｌ８Ｏ１３：Ｅｕ２＋；２ＳｒＯ＊０．８４Ｐ２Ｏ５＊０．１６Ｂ２Ｏ３：Ｅｕ２＋；
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ａｌ２Ｏ４：Ｅｕ２＋；（Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌａ）ＢＯ３：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋；
ＺｎＳ：Ｃｕ＋，Ｃｌ−；ＺｎＳ：Ｃｕ＋，Ａｌ３＋；ＺｎＳ：Ａｇ＋，Ｃｌ−；ＺｎＳ：Ａｇ＋，Ａｌ３＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２Ｓｉ１−ｎＯ４−２ｎ：Ｅｕ２＋（ただし、０≦ｎ≦０．２）；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２（Ｍｇ（Ｚｎ））Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕ２＋；（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）２Ｓ４：Ｅｕ２＋；
（Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌｕ）３（Ａｌ，Ｇａ）５−ａＯ１２−３／２ａ：Ｃｅ３＋（式中、０≦ａ≦０．５）；
（Ｃａ，Ｓｒ）８（Ｍｇ（Ｚｎ））（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；Ｎａ２Ｇｄ２Ｂ２Ｏ７：Ｃｅ３＋Ｔｂ３＋；（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；
（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）２Ｏ３：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋；（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋；（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）ＶＯ４：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋；
（ＣａＳｒ）Ｓ：Ｅｕ２＋，Ｃｅ３＋；ＳｒＹ２Ｓ４：Ｅｕ２＋；ＣａＬａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＰ２Ｏ７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；
（Ｙ，Ｌｕ）２ＷＯ６：Ｅｕ３＋，Ｍｏ６＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ｂＳｉｇＮｍ：Ｅｕ２＋（ただし、２ｂ＋４ｇ＝３ｍ）；Ｃａ３（ＳｉＯ４）Ｃｌ２：Ｅｕ２＋；
（Ｌｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｂ）２−ｕ−ｖＣｅｖＣａ１＋ｕＬｉｗＭｇ２−ｗＰｗ（Ｓｉ，Ｇｅ）３−ｗＯ１２−ｕ／２（ただし、−０．５≦ｕ≦１、０＜ｖ≦０．１、および０≦ｗ≦０．２）；
（Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ）２−ｍ（Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ）ＣａｍＳｉ４Ｎ６＋ｍＣ１−ｍ：Ｃｅ３＋（ただし、０≦ｍ≦０．５）；（Ｌｕ，Ｃａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｙ），Ｅｕ２＋および／またはＣｅ３＋がドープされたα−ＳｉＡｌＯＮ；（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＳｉＯ２Ｎ２：Ｅｕ２＋；Ｃｅ３＋；β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ２＋，３．５ＭｇＯ＊０．５ＭｇＦ２＊ＧｅＯ２：Ｍｎ４＋；Ｃａ１−ｃ−ｆＣｅｃＥｕｆＡｌ１＋ｃＳｉ１−ｃＮ３（ただし、０≦ｃ≦０．２、０≦ｆ≦０．２）；Ｃａ１−ｈ−ｒＣｅｈＥｕｒＡｌ１−ｈ（Ｍｇ，Ｚｎ）ｈＳｉＮ３（ただし、０≦ｈ≦０．２、０≦ｒ≦０．２）；Ｃａ１−２ｓ−ｔＣｅｓ（Ｌｉ，Ｎａ）ｓＥｕｔＡｌＳｉＮ３（ただし、０≦ｓ≦０．２、０≦ｆ≦０．２、ｓ＋ｔ＞０）；および（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋，Ｃｅ３＋が含まれるが、これらに限定されない。また、これらの燐光体は、準備反応の状態が劣化を引き起こさないコーティングされた燐光体のコアとして使用され得る。
【００３２】
燐光体ブレンド中の個々の燐光体のそれぞれの割合は、所望の光出力の特性に応じて変わってもよい。様々な実施形態の燐光体ブレンド中の個々の燐光体の相対的な比率は、燐光体の発光がブレンドされ、ＬＥＤ照明装置で用いられるときに、ＣＩＥ色度図上の所定のｘおよびｙ値の可視光が生成されるように調整されてもよい。白色光が生成されてもよい。この白色光は、例えば、約０．２０〜約０．５５の範囲のｘ値、および約０．２０〜約０．５５の範囲のｙ値を有することができる。しかしながら、上述したように、燐光体組成物中の各燐光体の正確な同一性および量は、エンドユーザの要求に応じて変えられてもよい。例えば、材料は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のバックライト用に意図されたＬＥＤに使用されることがある。本用途では、ＬＥＤカラーポイントは、ＬＣＤ／カラーフィルタの組合せを通過した後、所望の白色、赤色、緑色、および青色に基づいて適切に調整される。
【００３３】
本発明のコーティングされた燐光体は、蛍光灯、ブラウン管、プラズマディスプレイ、または液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）装置のための燐光体として、上記の用途以外の用途に使用されてもよい。また、本材料は、電磁熱量計、ガンマ線カメラ、コンピュータ断層撮影スキャナ、またはレーザ装置のためのシンチレータとして使用されてもよい。
実施例
【実施例１】
【００３４】
ＰＦＳ燐光体のライトコーティングを有するＹＧＡ燐光体
Ｃｅ３＋ドープされたガーネット（ＹＡＧ）燐光体、ＧＴＰタイプ９８０２ＹＡＧを、Ｇｌｏｂａｌ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ＆Ｐｏｗｄｅｒｓ，Ｔｏｗａｎｄａ、ＰＡから得た。ＹＡＧ粉末（１２ｇ）を、上述した処理溶液１３０ｍＬを収容するビーカーに加えた。懸濁液を１０分間撹拌した。撹拌しつつ、ＫＦ（４．５ｇ）を２０ｍＬの４８％ＨＦを収容するビーカーに加えた。このプロセスは、非常に発熱を伴い、溶液は、数分間冷却することが許された、Ｋ２ＭｎＦ６（１．５ｇ）を３０ｍＬの４８％ＨＦを収容するビーカーに加え、この溶液を５分間撹拌した。ＹＡＧの溶液を撹拌するために、Ｋ２ＭｎＦ６溶液を４ｍＬ／分で液滴により加えた。Ｋ２ＭｎＦ６溶液が３分間滴った後に、ＫＦ溶液をこの同じビーカーに３ｍＬ／分の速度で加えた。ＫＦの付加を完了すると、懸濁液をさらに５分間撹拌した。撹拌を停止した後、上澄みを静かに移し、コアシェル材料を真空濾過し、酢酸で１度そしてアセトンで２度すすぎ、次いで真空下で一晩乾燥した。
【００３５】
４９％ＨＦ中に溶解されたＫ２ＳｉＦ６で構成される処理溶液を４９％ＨＦ１００ｍｌあたり４．２ｇのＫ２ＳｉＦ６を加えることによって調製して懸濁液を形成し、この懸濁液は余分な固体を除去するために真空濾過された。およそ２体積％の４９％ＨＦを飽和溶液に加えてほぼ飽和溶液を形成した。
【００３６】
乾燥した燐光体を１グラムの生成物あたり約６ｍｌの溶液の速度で処理溶液に加え、約２０分間撹拌した。処理した生成物を真空濾過し、酢酸で１度およびアセトンで３度すすぎ、次いで真空下で乾燥した。乾燥した粉末を１７０網目スクリーンによってふるいにかけ、５４０℃で約８時間、２０％のＦ２／８０％の窒素で構成された雰囲気下でアニールした。
【００３７】
アニールした材料をＫ２ＳｉＦ６でほぼ飽和された４９％ＨＦの処理溶液と１ｇの生成物あたり約１２ｍｌの溶液の速度で混合し、約２０分間撹拌した。処理した生成物を真空濾過し、酢酸で１度およびアセトンで３度すすぎ、次いで真空下で乾燥した。乾燥した粉末を１７０網目スクリーンによってふるいにかけた。
【実施例２】
【００３８】
ＰＦＳ燐光体のヘビーコーティングを有するＹＧＡ燐光体
ＧＴＰタイプ９８０２ＹＡＧ粉末（１２ｇ）を１３０ｍＬの４８％ＨＦを収容するビーカーに加えた。懸濁液を１０分間撹拌した。撹拌しつつ、ＫＦ（８ｇ）を２０ｍＬの４８％ＨＦを収容する第２のビーカーに加えた。このプロセスは、非常に発熱を伴う。Ｋ２ＭｎＦ６（２ｇ）を３０ｍＬの４８％ＨＦを収容する第３のビーカーに加え、溶液を５分間撹拌した。第４のビーカーへ、４ｍＬの３５％Ｋ２ＳｉＦ６を１２ｍＬの４８％ＨＦに加え、撹拌した。ＹＡＧの撹拌溶液に、Ｈ２ＭｎＦ６溶液を４ｍＬ／分で液滴により加えた。Ｋ２ＭｎＦ６溶液が３分間滴った後に、ＫＦ溶液をこの同じビーカーに３ｍＬ／分の速度で加えることを開始した。Ｋ２ＭｎＦ６溶液が４分間滴った後に、Ｋ２ＳｉＦ６溶液を３ｍＬ／分の速度で液滴により加えた。Ｈ２ＳｉＦ６の付加を完了すると、懸濁液をさらに５分間撹拌した。撹拌を停止した後、実施例１のように、上澄みを静かに移し、コアシェル材料を真空濾過し、酢酸で１度そしてアセトンで２度すすぎ、次いで真空下で一晩乾燥した。乾燥した燐光体を処理し、アニールし、および再び処理した。
比較例１：ＨＦ処理ＹＧＡ燐光体
ＧＴＰタイプ９８０２ＹＡＧ粉末（１２ｇ）を１３０ｍＬの４８％ＨＦを収容するビーカーに加えた。懸濁液を３０分間撹拌した後、上澄みを静かに移し、処理したＹＡＧ材料を真空濾過し、酢酸で１度そしてアセトンで２度すすぎ、次いで真空下で一晩乾燥した。
【００３９】
粒径データを、Ｈｏｒｉｂａ  ＬＡ−９６０レーザ散乱式粒径分布アナライザを用いて得た。ＹＡＧ出発材料についての粒径分布、実施例１および２のコーティングされた燐光体、ならびに比較例１の処理したＹＧＡ燐光体は、表１に示されている。
【００４０】
【表１】
2019532121.tif 000003
図６は、４種類の材料の放出スペクトルを示す。ＹＡＧ：Ｃｅは、４９％ＨＦ中の３０分の洗浄後に劣化しなかったことがわかる。ＨＦで洗浄されたＹＡＧ：Ｃｅ（比較例１）の発光強度は、もしかするとデカンテーション中の微粒子除去により、実際に１３％だけ増加した。Ｃｅ３＋の発光最大も、３．５ｎｍだけ赤方偏移された。実施例１および２のコーティングされた燐光体については、より多くコーティングされた試料は、Ｃｅ３＋によりあまり発光せず、２つの燐光体の相対発光強度を示唆するＭｎ４＋によるより多くの発光に調整することができる。
【００４１】
本発明のある特定の特徴のみが本明細書に図示され記載されたが、多くの修正形態および変更形態が当業者には思い浮かぶであろう。したがって、添付された特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨の範囲内に入るような修正形態および変更形態をすべて含むことが意図されていることを理解されたい。
【符号の説明】
【００４２】
１０  照明器具、ランプ
１２  ＬＥＤチップ、ＬＥＤ
１８  シェル
２０  封止剤、封止剤材料
２２  燐光体組成物
２４  白色光
１１２  ＬＥＤチップ
１２０  封止剤材料
１２２  燐光体組成物、燐光体
１２４  白色光
２１２  ＬＥＤチップ
２１８  エンベロープ
２２２  燐光体組成物
２２４  白色光
２２６  放射線
４１２  ＬＥＤチップ
４１６  リード、第１のリード、第２のリード
４２０  封止剤材料
４３０  カップ
４３２  導線
５５０  表面実装部品（「ＳＭＤ」）タイプ発光ダイオード
５５２  発光窓
５５４  光ガイド部材
【図１】
2019532121.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2019532121.tif 000010
2019532121.tif 000011
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