(57)【要約】  基板の化学機械研磨方法が開示される。方法は、（ａ）約８０質量％未満の炭素を含む低ｋ誘電体組成物を含有する基板を、研磨パッド、及び水と正の表面電荷を有する砥粒とを含む化学機械研磨組成物と接触させることであって、研磨組成物が約３〜約６のｐＨを有する、接触させることと、（ｂ）研磨パッド及び化学機械研磨組成物を基板に対して移動させることと、（ｃ）基板の少なくとも一部を摩耗させて基板を研磨することと、を含むか、それらからなるか、または本質的にそれらからなる。一部の実施形態において、低ｋ誘電体組成物は、炭素ドープ酸化ケイ素である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の化学機械研磨方法であって、
（ａ）約８０質量％未満の炭素を含む、低ｋ誘電体組成物を含有する基板を、研磨パッド、及び水と正の表面電荷を有する砥粒とを含む化学機械研磨組成物と接触させることであって、前記研磨組成物が約３〜約６のｐＨを有する、接触させることと、
（ｂ）前記研磨パッド及び前記化学機械研磨組成物を前記基板に対して移動させることと、
（ｃ）前記基板の少なくとも一部を摩耗させて前記基板を研磨することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記低ｋ誘電体組成物が、約５０質量％未満の炭素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記低ｋ誘電体組成物が、約３０質量％未満の炭素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記低ｋ誘電体組成物が、炭素ドープ酸化ケイ素である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記炭素ドープ酸化ケイ素が少なくとも３５質量％のケイ素を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記炭素ドープ酸化ケイ素が少なくとも４５質量％の酸素を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記砥粒が、少なくとも約＋１０ｍＶのゼータ電位を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記砥粒が、ウェットプロセスセリアを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記砥粒が、前記研磨組成物の約０．０５質量％〜約２質量％の量で存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記組成物の前記ｐＨが、約３〜約５．６である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記組成物の前記ｐＨが、約５〜約５．６である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記研磨組成物が、式（Ｉ）：
【化１】
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のイオン性ポリマーをさらに含み、式中、Ｘ１及びＸ２が独立して、水素、−ＯＨ、及び−ＣＯＯＨから選択され、Ｘ１及びＸ２のうちの少なくとも１つが−ＣＯＯＨであり、Ｚ１及びＺ２が独立して、ＯまたはＳであり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、及びＣ７〜Ｃ１０アリールから選択され、ｎが約３〜約５００の整数である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
Ｘ１及びＸ２が両方とも−ＣＯＯＨである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
Ｚ１及びＺ２が両方ともＯであり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が水素である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記イオン性ポリマーが、約５００ｇ／ｍｏｌ〜約１０，０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有し、ｎが８以上の値の整数である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記イオン性ポリマーがポリエチレングリコール二酸である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記イオン性ポリマーが、前記研磨組成物の約０．０１質量％〜約０．５質量％の量で存在する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記研磨組成物がポリヒドロキシ芳香族化合物をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記ポリヒドロキシ芳香族化合物が、１，３−ジヒドロキシベンゼン及び１，３，５−トリヒドロキシベンゼンから選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ポリヒドロキシ芳香族化合物が、１，３，５−トリヒドロキシベンゼンである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記ポリヒドロキシ芳香族化合物が、前記研磨組成物の約０質量％〜約０．５質量％の量で存在する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記研磨組成物がポリビニルアルコールをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ポリビニルアルコールが、約２０，０００ｇ／ｍｏｌ〜約２００，０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記ポリビニルアルコールが分岐ポリビニルアルコールである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記ポリビニルアルコールが、前記研磨組成物の約０．０５質量％〜約０．５質量％の量で存在する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記基板の前記表面の少なくとも一部を摩耗させることが、前記基板の前記表面から、前記ｐＨに応じて約１００〜５００Å／分の酸化ケイ素を除去する、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記基板が窒化ケイ素をさらに含み、前記基板の前記表面の少なくとも一部を摩耗させることが、前記基板の前記表面から、約２０Å／分未満の窒化ケイ素を除去する、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
基板表面を平坦化または研磨するための組成物及び方法は当技術分野において周知である。
【背景技術】
【０００２】
研磨組成物（研磨スラリーとしても知られる）は、典型的には液体担体中に砥材を含み、表面を研磨組成物で飽和された研磨パッドと接触させることによって表面に適用される。典型的な砥材は、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、及び酸化スズを含む。研磨組成物は、典型的には、研磨パッド（例えば、研磨布またはディスク）と共に使用される。研磨組成物に懸濁させる代わりに、またはそれに加えて、砥材を研磨パッドに含ませることができる。
【０００３】
半導体デバイスの素子分離のための方法として、シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成され、エッチングまたはフォトリソグラフィによって浅溝が形成され、そして溝を埋めるために誘電体層（例えば、酸化物）が堆積される浅溝分離（ＳＴＩ）プロセスに大きな注目が向けられている。このようにして形成された溝または線の深さの変動のために、典型的には、すべての溝の完全な充填を確実にするために、基板の上に過剰の誘電材料を堆積することが必要である。過剰の誘電材料は、その後、典型的には、窒化ケイ素層を露出させるための化学機械平坦化プロセスによって除去される。窒化ケイ素層が露出するとき、化学機械研磨組成物に曝露する基板の最大の領域は、窒化ケイ素を含み、それは、非常に平坦で均一な表面を達成するために研磨されなければならない。
【０００４】
一般的に、従来の慣行は、窒化ケイ素研磨に優先して酸化物研磨に対する選択性を重視していた。したがって、窒化ケイ素層の露出時に全体的な研磨速度が低下するので、窒化ケイ素層は、化学機械平坦化プロセス中に停止層としての役割を果たしている。
【０００５】
最近では、ポリシリコン研磨に優先して酸化物研磨に対する選択性も重視されている。例えば、一連のＢＲＩＪ（商標）及びポリエチレンオキシド界面活性剤、ならびに、１５のＨＬＢを有するエチレンオキシド−プロピレンオキシド−エチレンオキシドトリブロックコポリマーであるＰＬＵＲＯＮＩＣ（商標）Ｌ−６４の添加は、ポリシリコンに対する酸化物の研磨選択性を増加させると主張されている（Ｌｅｅ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｅｆｆｅｃｔｓ  ｏｆ  Ｎｏｎｉｏｎｉｃ  Ｓｕｒｆａｃｔａｎｔｓ  ｏｎ  Ｏｘｉｄｅ−ｔｏ−Ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ  ｄｕｒｉｎｇ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ，”Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，１４９（８）：Ｇ４７７−Ｇ４８１（２００２）を参照）。また、米国特許第６，６２６，９６８号は、ポリシリコンに対する酸化ケイ素の研磨選択性を、ポリビニルメチルエーテル、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレン２３ラウリルエーテル、ポリプロパン酸、ポリアクリル酸、及びポリエーテルグリコールビス（エーテル）から選択される、親水性及び疎水性官能基を有するポリマー添加剤の使用によって改善できることを開示する。
【０００６】
ＳＴＩ基板は、典型的には、従来の研磨媒体と砥材含有研磨組成物を用いて研磨される。しかしながら、従来の研磨媒体と砥材含有研磨組成物によってＳＴＩ基板を研磨することは、基板表面の過剰研磨、またはＳＴＩフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）内の凹部の形成、及び基板表面上の微小なスクラッチのような他の局所的な欠陥を生じることが観察されている。ＳＴＩフィーチャにおける過剰研磨及び凹部の形成というこの現象は、ディッシング（ｄｉｓｈｉｎｇ）と呼ばれる。基板フィーチャのディッシングが、トランジスタ及びトランジスタ構成要素の相互の分離の失敗を引き起こすことによってデバイスの製造に悪影響を及ぼし、それにより短絡を生じる可能性があるため、ディッシングは望ましくない。さらに、基板の過剰研磨が、酸化物の欠損及び下地の酸化物の研磨または化学的活性による、デバイスの品質及び性能に悪影響を及ぼす可能性がある損傷への曝露を生じる可能性がある。
【０００７】
したがって、酸化ケイ素、窒化ケイ素及びポリシリコンの所望の選択性を提供することができ、好適な除去速度、低い欠陥率、及び好適なディッシング性能を有する、研磨組成物及び方法へ必要性が当技術分野において依然存在する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、基板の化学機械研磨方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の方法は、（ａ）約８０質量％未満の炭素を含む低ｋ誘電体組成物を含有する基板を、研磨パッド、及び水と正の表面電荷を有する砥粒とを含む化学機械研磨組成物と接触させることであって、前記研磨組成物が約３〜約６のｐＨを有する、接触させることと、（ｂ）研磨パッド及び化学機械研磨組成物を基板に対して移動させることと、（ｃ）基板の少なくとも一部を摩耗させて基板を研磨することと、を含むか、それらからなるか、または本質的にそれらからなる。いくつかの実施形態において、低ｋ誘電体組成物は、炭素ドープ酸化ケイ素である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本明細書の実施例２の研磨組成物についての、オングストローム単位でのステップ高さ（Ｙ軸）対秒単位での総研磨時間（Ｘ軸）のグラフである。
【図２】本明細書の実施例２の研磨組成物についての、窒化ケイ素除去（Ｙ軸）対秒単位での総研磨時間（Ｘ軸）のグラフである。
【図３】本明細書の実施例３の研磨組成物（Ｘ軸）のＴＥＯＳ、ＳｉＮ、及び５０％の炭素を含む炭素ドープ酸化ケイ素フィルムの除去速度（Ｙ軸）を示す棒グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施形態は、基板の化学機械研磨方法を提供する。方法は、（ａ）約８０質量％未満の炭素を含む低ｋ誘電体組成物を含有する基板を、研磨パッド、ならびに、水及び正の表面電荷を有する砥粒を含む化学機械研磨組成物であって、約３〜約６のｐＨを有する研磨組成物と接触させることと、（ｂ）研磨パッド及び化学機械研磨組成物を基板に対して移動させることと、（ｃ）基板の少なくとも一部を摩耗させて基板を研磨することと、を含むか、それらからなるか、または本質的にそれらからなる。
【００１２】
本発明の方法は、低ｋ誘電体材料を含有する基板との特定の用途を有する。例えば、一態様において、本発明は、炭素ドープ酸化ケイ素材料、特に、約８０質量％未満の酸素（例えば、約７０質量％未満、約６０質量％未満、約５０質量％未満、約４０質量％未満、約３０質量％未満、約２０質量％未満または、約１０質量％未満）を含むものにおいて、効果的な除去速度を、驚くべきことに、かつ予測できず達成することができる。炭素ドープ酸化ケイ素材料におけるケイ素の量は、任意の好適な量、例えば約１質量％〜約９５質量％、例えば約１０質量％〜約５０質量％、約２０質量％〜約４０質量％の量であってよい。炭素ドープ酸化ケイ素材料における酸素の量はまた、任意の好適な量、例えば約１質量％〜約９５質量％、例えば約１０質量％〜約５０質量％、約２０質量％〜約４０質量％の量であってよい。そのような炭素ドープ酸化ケイ素材料は、それらが疎水性で、かつ比較的軟らかい材料であるため、これまで、効果的に研磨することが困難であった。これは、水性であり、したがって親水性であり、同時に砥粒を含む研磨組成物を使用する際に課題を提起している。
【００１３】
本発明の方法は、約３〜約６の適度に酸性のｐＨを示し、正の表面電荷を有する砥粒を用いる研磨組成物で研磨することにより酸化ケイ素の除去を、驚くべきことに、かつ予測できず達成する。いかなる特定の理論にも拘束されることを望まないが、発明者らは、フィルム除去を促進する好ましい静電引力のために、約３〜約６の範囲内のｐＨを有する研磨組成物が、好ましい実施形態において望ましいことを発見した。
【００１４】
いくつかの実施形態において、研磨組成物のｐＨは、約３〜約５．６であり、例えば、約３〜約５、約３〜約４．５、約３〜約４、約３〜約３．５、約３．５〜約６、約３．５〜約５．６、約３．５〜約５、約３．５〜約４．５、約３．５〜約４．５、約３．５〜約４、約４〜約６、約４〜約５．６、約４〜約５、約４〜約４．５、約４．５〜約６、約４．５〜約５．６、約４．５〜約５、または約５〜約６である。いくつかの実施形態において、組成物のｐＨは、約５〜約５．６である。
【００１５】
様々な実施形態において、基板の低ｋ材料は、二酸化ケイ素と比較して任意の好適な誘電率、例えば約３．５以下（例えば約３以下、約２．５以下、約２以下、約１．５以下または約１以下）の低誘電率を有することができる。代替的に、または追加的に、低ｋ材料は、約１以上（例えば、約１．５以上、約２以上、約２．５以上、約３以上、または約３．５以上）の誘電率を有することができる。したがって、低ｋ材料は、上述の任意の２つに囲まれた誘電率を有することができる。例えば、低ｋ材料は、約１〜約３．５（例えば約２〜３、約２〜３．５、約２．５〜３、約２．５〜３．５）の誘電率を有する材料を含むことができる。
【００１６】
本発明の方法は、集積回路及び他のマイクロデバイスの製造に使用される様々な半導体ウェーハを研磨するのに使用することができる。一態様において、本発明の方法は、シリコン基板上に窒化ケイ素層が形成される浅溝分離（ＳＴＩ）プロセスにおいて使用することができる。浅溝は、例えば基板上のエッチングまたはフォトリソグラフィによって形成される。上述のように、炭素ドープ酸化ケイ素材料を、溝を埋めるための絶縁材料として使用することができる。そのような炭素ドープ酸化ケイ素材料は、電流の漏れや短絡の危険性が低い、良好な溝を充填する性能を有しているため、望ましい。これは、デバイス上に密集して詰め込まれた小さなフィーチャが存在する先進的なノードアプリケーションにおいて特に有利である。
【００１７】
したがって、いくつかの実施形態において、本発明の方法は、先進的なノードアプリケーション（例えば２８ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、１８ｎｍ以下、１６ｎｍ以下、１４ｎｍ以下、１０ｎｍ以下、８ｎｍ以下などの技術ノード）における使用に特に好適である。ノード技術がより先進的になり、平坦化技術における欠陥の非存在は、それぞれのスクラッチの影響がウェーハ上のフィーチャの相対的なサイズが小さくなるにつれてより大きな影響力を有するため、より重要になることは理解されよう。しかしながら、いくつかの実施形態において、ウェーハは、例えば６５ｎｍ以下、４５ｎｍ以下、３２ｎｍ以下などの技術ノードのような従来のノード構成であってもよい。
【００１８】
いくつかの実施形態において、本発明の方法は、酸化ケイ素を選択的に研磨及び除去する一方で、下地の窒化ケイ素ライナー層の除去を回避または低減し、これは当技術分野において、しばしば「窒化物上の停止」と呼ばれる。いくつかの実施形態において、本発明の方法は、以下に詳細に説明するように、「ディッシング」として知られる、溝内の酸化ケイ素の過剰な除去を回避または低減する。
【００１９】
研磨組成物は砥材を含む。砥材は、望ましくは、３〜６の所望のｐＨ（または本明細書に説明される所望のｐＨサブ範囲）において、正の表面電荷を示す。正に荷電した粒子は、研磨中に、負の低ｋ材料、例えば炭素含有酸化ケイ素フィルムに向かう静電引力を高めるために望ましい。例えば、いくつかの実施形態において、砥粒は、少なくとも約＋１０ｍＶのゼータ電位を有する。いくつかの実施形態において、砥粒は、約＋１０ｍＶ〜約＋４０ｍＶ、例えば約＋１０ｍＶ〜約＋３０ｍＶ、約＋１０ｍＶ〜約＋２０ｍＶ、または約＋２０ｍＶ〜約＋４０ｍＶのゼータ電位を有する。
【００２０】
ある実施態様において、砥粒は、セリア粒子を含むか、それからなるか、または本質的にそれからなる。当業者に既知であるように、セリアは、希土類金属セリウムの酸化物であり、酸化セリウム、酸化セリウム（例えば、酸化セリウム（ＩＶ））、または二酸化セリウムとしても知られている。酸化セリウム（ＩＶ）（ＣｅＯ２）は、シュウ酸セリウムまたは水酸化セリウムを焼成することによって形成することができる。セリウムはまた、例えば、Ｃｅ２Ｏ３などのセリウム（ＩＩＩ）酸化物を形成する。セリア砥材は、セリアのこれらまたは他の酸化物のうちのいずれか１つ以上であることができる。
【００２１】
セリア砥材は、任意の好適なタイプであることができる。本明細書において使用されるとき、「ウェットプロセス（ｗｅｔ−ｐｒｏｃｅｓｓ）」セリアは、（例えばヒュームドまたは発熱性セリアとは対照的に）沈殿、縮合重合化または同様のプロセスによって調製されるセリアを指す。ウェットプロセスセリア砥材を含む本発明の研磨組成物は、本発明の方法によって基材を研磨するのに使用されるとき、より低い欠陥を示すことが典型的に見出される。特定の理論に拘束されることを望まずに、ウェットプロセスセリアが球状セリア粒子及び／またはより小さい凝集セリア粒子を含み、これによって、本発明の方法において使用されるとき、より低い基板欠陥を生じると考えられている。例示的なウェットプロセスセリアは、Ｒｈｏｄｉａ  Ｓ．Ａ．（Ｌａ  Ｄｅｆｅｎｓｅ，Ｆｒａｎｃｅ）より市販されるＨＣ−６０（商標）セリアである。
【００２２】
セリア粒子は、任意の好適な粒径（すなわち平均粒子直径）を有することができる。平均セリア粒径が小さすぎる場合、研磨組成物が十分な除去速度を示さない可能性がある。対照的に、平均セリア粒径が大きすぎる場合、研磨組成物は、望ましくない研磨性能、例えば劣悪な基板欠陥を示す可能性がある。したがって、セリア粒子は、約１０ｎｍ以上、例えば約１５ｎｍ以上、約２０ｎｍ以上、約２５ｎｍ以上、約３０ｎｍ以上、約３５以上、約４０以上、約４５以上、または約５０ｎｍ以上の平均粒径を有することができる。代替的に、または追加的に、セリアは、約１，０００ｎｍ以下、例えば約７５０ｎｍ以下、約５００ｎｍ以下、約２５０ｎｍ以下、約１５０ｎｍ以下、約１００以下、約１００以下、約７５以下、または約５０ｎｍ以下の平均粒径を有することができる。したがって、セリアは、上述の任意の２つに囲まれた平均粒径を有することができる。例えば、セリアは、約１０ｎｍ〜約１，０００ｎｍ、約１０ｎｍ〜約７５０ｎｍ、約１５ｎｍ〜約５００ｎｍ、約２０ｎｍ〜約２５０ｎｍ、約２０ｎｍ〜約１５０ｎｍ、約２５ｎｍ〜約１５０ｎｍ、約２５ｎｍ〜約１００ｎｍ、または約５０ｎｍ〜約１５０ｎｍ、また約５０ｎｍ〜約１００ｎｍの平均粒径を有することができる。非球形セリア粒子の場合、粒径は、粒子を包含する最小球の直径である。セリアの粒径は、任意の好適な技術、例えばレーザ回折技術を用いて測定することができる。好適な粒子測定機器は、例えばＭａｌｖｅｒｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ（Ｍａｌｖｅｒｎ，ＵＫ）より入手可能である。
【００２３】
セリア粒子は、好ましくは、本発明の研磨組成物においてコロイド的に安定である。用語コロイドは、液体担体（例えば、水）中のセリア粒子の懸濁液を指す。コロイド的に安定は、時間の経過に伴う懸濁液の維持を指す。本発明の文脈において、砥材を１００ｍＬメスシリンダーに添加し、２時間の期間攪拌せずに放置したとき、砥材における粒子の最初の濃度（ｇ／ｍＬの単位での［Ｃ］）で割った、メスシリンダーの底部の５０ｍＬにおける粒子の濃度（ｇ／ｍＬの単位での［Ｂ］）とメスシリンダーの頂部５０ｍＬにおける粒子の濃度（ｇ／ｍＬの単位での［Ｔ］）との差が０．５以下である（すなわち｛［Ｂ］−［Ｔ］｝／［Ｃ］≦０．５）場合、砥材がコロイド的に安定である。より好ましくは、［Ｂ］−［Ｔ］／［Ｃ］の値が０．３以下、及び最も好ましくは、０．１以下である。
【００２４】
砥材は、任意の好適な量で存在する。本発明の研磨組成物が、少なすぎる砥材を含む場合、組成物は、十分な除去速度を示さない可能性がある。対照的に、研磨組成物が多すぎる砥材を含む場合、研磨組成物は、望ましくない研磨性能を示す可能性があり、かつ／または費用対効果に優れていない可能性があり、かつ／または安定性を欠く可能性がある。研磨組成物は、約２質量％以下のセリア、例えば約１．９質量％以下、約１．８質量％以下、約１．７質量％以下、約１．６質量％以下、約１．５質量％以下、約１．４質量％以下、約１．３質量％以下、約１．２質量％以下、約１質量％以下、約０．９質量％以下、約０．８質量％以下、約０．７質量％以下、約０．６質量％以下のセリア、または約０．５質量％以下の砥材を含むことができる。代替的に、または追加的に、研磨組成物は、約０．０５質量％以上、例えば約０．１質量％以上、約０．２質量％以上、約０．３質量％以上、約０．４質量％以上、約０．５質量％以上、または約１質量％以上の砥材を含むことができる。したがって、研磨組成物は、上述の任意の２つに囲まれた量で適切に砥材を含むことができる。
【００２５】
例えば、いくつかの実施形態において、砥材は、研磨組成物の約０．０５質量％〜約２．０質量％、例えば、約０．０５質量％〜約１．８質量％、約０．０５質量％〜約１．６質量％、約０．０５質量％〜約１．４質量％、約０．０５質量％〜約１．２質量％、約０．０５質量％〜約１質量％、約０．０５質量％〜約０．８質量％、約０．０５質量％〜約０．５質量％、約０．０５質量％〜約０．２質量％、約０．１質量％〜約２質量％、約０．１質量％〜約１．６質量％、約０．１質量％〜約１．２質量％、約０．１質量％〜約０．８質量％、約０．３質量％〜約２質量％、約０．３質量％〜約１．８質量％、約０．３質量％〜約１．４質量％、約０．３質量％〜約１質量％、約０．５質量％〜約２質量％、約０．５質量％〜約１．５質量％、約０．５質量％〜約１質量％、約１質量％〜約２質量％、または約１質量％〜約１．５質量％の量で存在することができる。
【００２６】
いくつかの実施形態において、研磨組成物は、任意で式（Ｉ）：
【化１】
2019508880.tif 000003
のイオン性ポリマーをさらに含み、
式中、Ｘ１及びＸ２が独立して、水素、−ＯＨ及び−ＣＯＯＨから選択され、Ｘ１及びＸ２のうちの少なくとも１つが−ＣＯＯＨであり、Ｚ１及びＺ２が独立して、ＯまたはＳであり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、及びＣ７〜Ｃ１０アリールから選択され、ｎが約３〜約５００の整数である。
【００２７】
ある実施形態において、イオン性ポリマーは式Ｉのものであり、式中、Ｘ１及びＸ２が両方とも−ＣＯＯＨである。ある実施形態において、イオン性ポリマーは式Ｉのものであり、式中、Ｚ１及びＺ２が両方ともＯであり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が水素である。ある好ましい実施形態において、イオン性ポリマーは式Ｉのものであり、式中、Ｘ１及びＸ２が両方とも−ＣＯＯＨであり、Ｚ１及びＺ２が両方ともＯであり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が水素である。いくつかの実施形態において、イオン性ポリマーは、ポリエチレングリコール二酸である。
【００２８】
イオン性ポリマーは、任意の好適な分子量を有することができる。イオン性ポリマーは、約２５０ｇ／ｍｏｌ以上、例えば、約３００ｇ／ｍｏｌ以上、約４００ｇ／ｍｏｌ以上、約５００ｇ／ｍｏｌ以上、約６００ｇ／ｍｏｌ以上、約７５０ｇ／ｍｏｌ以上、約１，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約１，５００ｇ／ｍｏｌ以上、約２，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約２，５００ｇ／ｍｏｌ以上、約３，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約３，５００ｇ／ｍｏｌ以上、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以上、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約５，５００ｇ／ｍｏｌ以上、約６，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約６，５００ｇ／ｍｏｌ以上、約７，０００ｇ／ｍｏｌ以上、または約７，５００ｇ／ｍｏｌ以上の平均分子量を有することができる。代替的に、または追加的に、イオン性ポリマーは、約１５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約１４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約１３，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約１２，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約１１，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約１０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約９，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約８，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約７，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約７，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約６，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約６，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約５，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約３，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約２，５００ｇ／ｍｏｌ以下、または約２，０００ｇ／ｍｏｌ以下の平均分子量を有することができる。したがって、イオン性ポリマーは、上述の任意の２つに囲まれた平均分子量を有することができる。
【００２９】
例えば、イオン性ポリマーは、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約１５，０００ｇ／ｍｏｌ、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約１４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約１３，０００ｇ／ｍｏｌ、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約１２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約１１，０００ｇ／ｍｏｌ、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約１０，０００ｇ／ｍｏｌ、約４００ｇ／ｍｏｌ〜約１０，０００ｇ／ｍｏｌ、約４００ｇ／ｍｏｌ〜約８，０００ｇ／ｍｏｌ、約４００ｇ／ｍｏｌ〜約６，０００ｇ／ｍｏｌ、約４００ｇ／ｍｏｌ〜約４，０００ｇ／ｍｏｌ、約４００ｇ／ｍｏｌ〜約２，０００ｇ／ｍｏｌなどの平均分子量を有することができる。いくつかの実施形態において、イオン性ポリマーは、約５００ｇ／ｍｏｌ〜約１０，０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有し、ｎは約８以上（例えば約８〜約５００）の値の整数である。
【００３０】
研磨組成物は、使用場所において任意の好適な量のイオン性ポリマーを含む。研磨組成物は、約０．００１質量％以上、例えば約０．００５質量％以上、約０．０１質量％以上、約０．０２５質量％以上、約０．０５質量％以上、約０．０７５質量％以上、または約０．１質量％以上のイオン性ポリマーを含むことができる。代替的に、または追加的に、研磨組成物は、約１質量％以下、例えば約０．９質量％以下、約０．８質量％以下、約０．７質量％以下、約０．６質量％以下、約０．５質量％以下、約０．４質量％以下、または約０．３質量％以上のイオン性ポリマーを含むことができる。したがって、研磨組成物は、上述の任意の２つに囲まれた量で適切にイオン性ポリマーを含むことができる。例えば、研磨組成物は、約０．００１質量％〜約１質量％、約０．０１質量％〜約０．９質量％、約０．０２５質量％〜約０．８質量％、約０．０５質量％〜約０．７質量％、約０．０１質量％〜約０．５質量％、または約０．１質量％〜約０．５質量％などのイオン性ポリマーを含むことができる。
【００３１】
いくつかの実施形態において、化学機械研磨組成物は、任意で、１種以上のポリビニルアルコールを含む。ポリビニルアルコールは任意の好適なポリビニルアルコールであり得、直鎖または分岐のポリビニルアルコールであり得る。好適な分岐のポリビニルアルコールの非限定的な例は、Ｎｉｃｈｉｇｏ  Ｇ−ｐｏｌｙｍｅｒｓ、例えばＮｉｐｐｏｎ  Ｇｏｈｓｅｉ，Ｊａｐａｎより入手可能なＯＫＳ−１００９及びＯＫＳ−１０８３製品である。
【００３２】
ポリビニルアルコールは任意の好適な加水分解度を有することができる。加水分解度は、遊離ヒドロキシル基とアセチル化ヒドロキシル基の合計と比較した、ポリビニルアルコール上に存在する遊離ヒドロキシル基の量を指す。好ましくは、ポリビニルアルコールは、約９０％以上、例えば、約９２％以上、約９４％以上、約９６％以上、約９８％以上、または約９９％以上の加水分解度を有する。
【００３３】
ポリビニルアルコールは、任意の好適な分子量を有することができる。ポリビニルアルコールは、約２５０ｇ／ｍｏｌ以上、例えば、約３００ｇ／ｍｏｌ以上、約４００ｇ／ｍｏｌ以上、約５００ｇ／ｍｏｌ以上、約６００ｇ／ｍｏｌ以上、約７５０ｇ／ｍｏｌ以上、約１，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約２，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約３，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約７，５００ｇ／ｍｏｌ以上、約１０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約１５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約２０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約２５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約３０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、約５０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、または約７５，０００ｇ／ｍｏｌ以上の平均分子量を有することができる。代替的に、または追加的に、ポリビニルアルコールは、約２５０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、例えば約２００，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約１８０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約１５０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約１００，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約９０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約８５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約８０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約７５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約５０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約２５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約２０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約１５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約１２，５００ｇ／ｍｏｌ以下、または約１０，０００ｇ／ｍｏｌ以下の平均分子量を有することができる。したがって、ポリビニルアルコールは、上述の任意の２つに囲まれた平均分子量を有することができる。例えば、ポリビニルアルコールは、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約２５０，０００ｇ／ｍｏｌ、２５０ｇ／ｍｏｌ〜約２００，０００ｇ／ｍｏｌ、２５０ｇ／ｍｏｌ〜約１８０，０００ｇ／ｍｏｌ、２５０ｇ／ｍｏｌ〜約１５０，０００ｇ／ｍｏｌ、２５０ｇ／ｍｏｌ〜約１００，０００ｇ／ｍｏｌ、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約７５，０００ｇ／ｍｏｌ、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約５０，０００ｇ／ｍｏｌ、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約２５，０００ｇ／ｍｏｌ、約２５０ｇ／ｍｏｌ〜約１０，０００ｇ／ｍｏｌ、約１０，０００ｇ／ｍｏｌ〜約１００，０００ｇ／ｍｏｌ、約１０，０００ｇ／ｍｏｌ〜約７５，０００ｇ／ｍｏｌ、約１０，０００ｇ／ｍｏｌ〜約５０，０００ｇ／ｍｏｌ、約１０，０００ｇ／ｍｏｌ〜約４０，０００ｇ／ｍｏｌ、約５０，０００ｇ／ｍｏｌ〜約１００，０００ｇ／ｍｏｌ、約７５，０００ｇ／ｍｏｌ〜約１００，０００ｇ／ｍｏｌ、約２５，０００ｇ／ｍｏｌ〜約２００，０００ｇ／ｍｏｌ、または約５０，０００ｇ／ｍｏｌ〜約１８０，０００ｇ／ｍｏｌなどの平均分子量を有することができる。
【００３４】
研磨組成物は、使用場所において任意の好適な量のポリビニルアルコールを含む。研磨組成物は、約０．００１質量％以上、例えば約０．００５質量％以上、約０．０１質量％以上、約０．０２５質量％以上、約０．０５質量％以上、約０．０７５質量％以上、または約０．１質量％以上のポリビニルアルコールを含むことができる。代替的に、または追加的に、研磨組成物は、約１質量％以下、例えば約０．９質量％以下、約０．８質量％以下、約０．７質量％以下、約０．６質量％以下、約０．５質量％以下、約０．４質量％以下、または約０．３質量％以上のポリビニルアルコールを含むことができる。したがって、研磨組成物は、上述の任意の２つに囲まれた量で適切にイオン性ポリマーを含むことができる。例えば、研磨組成物は、約０．００１質量％〜約１質量％、約０．０１質量％〜約０．９質量％、約０．０２５質量％〜約０．８質量％、約０．０５質量％〜約０．７質量％、または約０．１質量％〜約０．５質量％などのポリビニルアルコールを含むことができる。
【００３５】
いくつかの実施形態において、化学機械研磨組成物は、任意で、ポリヒドロキシ芳香族化合物を含む。ポリヒドロキシ芳香族化合物は、任意の好適なポリヒドロキシ芳香族化合物であり得る。用語ポリヒドロキシ芳香族化合物は、アリールまたはヘテロアリールの環に結合する２個以上のヒドロキシル基を有するアリール化合物またはヘテロアリール化合物を指す。好適なポリヒドロキシ芳香族化合物の非限定的な例は、１，２−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，３，５−トリヒドロキシベンゼン、１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、２，６−ジヒドロキシピリジン、２，３−ジヒドロキシピリジン、及び２，４−ジヒドロキシピリジンを含む。好ましい実施形態において、ポリヒドロキシ芳香族化合物は、１，３−ジヒドロキシベンゼン及び１，３，５−トリヒドロキシベンゼンから選択される。
【００３６】
研磨組成物は、使用場所において任意の好適な量のポリヒドロキシ芳香族化合物を含む。研磨組成物は、約０．００１質量％以上、例えば約０．００５質量％以上、約０．０１質量％以上、約０．０２５質量％以上、約０．０５質量％以上、約０．０７５質量％以上、または約０．１質量％以上のポリヒドロキシ芳香族化合物を含むことができる。代替的に、または追加的に、研磨組成物は、約１質量％以下、例えば約０．９質量％以下、約０．８質量％以下、約０．７質量％以下、約０．６質量％以下、約０．５質量％以下、約０．４質量％以下、または約０．３質量％以上のポリヒドロキシ芳香族化合物を含むことができる。したがって、研磨組成物は、上述の任意の２つに囲まれた量で適切にポリヒドロキシ芳香族化合物を含むことができる。例えば、研磨組成物は、約０．００１質量％〜約１質量％、約０．０１質量％〜約０．９質量％、約０．０２５質量％〜約０．８質量％、約０．０５質量％〜約０．７質量％、または約０．１質量％〜約０．５質量％などのポリヒドロキシ芳香族化合物を含むことができる。
【００３７】
化学機械研磨組成物は、任意で、１種以上の添加剤をさらに含む。例示的な添加剤は、調節剤、酸（例えばスルホン酸）、錯化剤（例えばアニオン性ポリマー錯化剤）、キレート剤、殺生物剤、スケール抑制剤、分散剤などを含む。
【００３８】
殺生物剤は、存在するとき、任意の好適な殺生物剤であり得、任意の好適な量で研磨組成物に存在し得る。好適な殺生物剤は、イソチアゾリノン殺生物剤である。研磨組成物において使用される殺生物剤の量は、典型的には約１〜約５０ｐｐｍ、好ましくは約１０〜約２０ｐｐｍである。
【００３９】
酸、塩基、または塩（例えば、有機カルボン酸、塩基及び／またはアルカリ金属炭酸塩など）である、研磨組成物の成分の任意のものは、研磨組成物の水に溶解するとき、カチオン及びアニオンとして解離形態で存在することができることは理解されよう。本明細書において言及される、研磨組成物に存在するそのような化合物の量は、研磨組成物の調製に使用される解離していない化合物の重量を指すことは理解されよう。
【００４０】
研磨組成物は、多くが当技術分野において当業者に既知である、任意の好適な技術によって生成することができる。研磨組成物は、バッチまたは連続のプロセスによって調製することができる。一般的に、研磨組成物は、研磨組成物の成分を混合することによって調製する。本明細書において使用されるとき、用語「成分」は、本個々の成分（例えば、セリア砥材、イオン性ポリマー、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコール、任意のｐＨ調整剤、及び／または任意の添加剤）ならびに成分（例えば、セリア砥材、イオン性ポリマー、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコールなど）の任意の組み合わせを含む。
【００４１】
例えば、研磨組成物は、（ｉ）液体担体のすべてまたは一部を提供することと、（ｉｉ）砥材（例えばセリア）、イオン性ポリマー、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコール、任意のｐＨ調整剤、及び／または任意の添加剤を分散することであって、このような分散物の調製に対して任意の好適な手段を用いて分散することと、（ｉｉｉ）分散物のｐＨを適切に調製することと、（ｉｖ）任意で、任意の他の任意成分及び／または添加剤の好適な量を混合物に添加することと、によって調製することができる。
【００４２】
代替的に、研磨組成物は、（ｉ）１種以上の成分（例えば、液体担体、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコール、任意のｐＨ調整剤、及び／または任意の添加剤）を（例えば、酸化セリウム）スラリーで提供することと、（ｉｉ）１種以上の成分を添加剤溶液（例えば、液体担体、イオン性ポリマー、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコール、任意のｐＨ調節剤、及び／または任意の添加剤）で提供することと、（ｉｉｉ）（例えば、酸化セリウム）スラリーと添加剤溶液を混合して混合物を形成することと、（ｉｖ）任意で、任意の他の好適な添加剤の好適な量を混合物に添加することと、（ｖ）混合物のｐＨを適切に調製することと、によって調製することができる。
【００４３】
研磨組成物は、砥材（例えばセリア）、イオン性ポリマー、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコール、任意のｐＨ調整剤、及び／または任意の添加剤、ならびに水を含む、ワンパッケージシステム（ｏｎｅ−ｐａｃｋａｇｅ  ｓｙｓｔｅｍ）として供給することができる。代替的に、本発明の研磨組成物は、（例えば、酸化セリウム）スラリーと添加剤溶液とを含む２パッケージシステムとして供給され、（例えば、酸化セリア）スラリーは、砥材（例えば、セリア）及び／または任意の添加剤と水とから本質的になるか、またはそれらからなり、添加剤溶液は、イオン性ポリマー、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコール、任意のｐＨ調整剤、及び／または任意の添加剤から本質的になるか、またはそれらからなる。２パッケージシステムは、２つのパッケージ、すなわち、（例えば、酸化セリウム）スラリーと添加剤溶液の配合比を変えることによって、基板全体の平坦化特性及び研磨速度の調整を可能にする。
【００４４】
そのような２パッケージ研磨システムを使用するために様々な方法を採用することができる。例えば、（例えば、酸化セリウム）スラリー及び添加剤溶液を、供給配管の出口に接続及び連結されている異なるパイプによって、研磨テーブルへと送達することができる。（例えば、酸化セリウム）スラリー及び添加剤溶液を、研磨の少し前もしくは直前に混合することができ、または研磨テーブルに同時に供給することもできる。さらに、２つのパッケージを混合するとき、所望なら脱イオン水を添加して研磨組成物及び生じる基材の研磨特性を調整することもできる。
【００４５】
同様に、３、４またはそれ以上のパッケージシステムを、本発明に関連して使用することができ、複数の容器の各々は、本発明の化学機械研磨組成物の異なる成分、１種以上の任意の成分、及び／または、異なる濃度の１種以上の同じ成分を含む。
【００４６】
使用場所またはその近傍で、２つ以上の貯蔵デバイスに含まれる成分を混合して研磨組成物を産生するために、貯蔵デバイスは、典型的には、各貯蔵デバイスから研磨組成物の使用場所（例えば、プラテン、研磨パッド、または基板表面）に至る１つまたは複数の流動ラインを備えて提供される。本明細書において使用されるように、用語「使用場所（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｕｓｅ）」は、研磨組成物が基板表面に適用される場所（例えば、研磨パッドまたは基板表面それ自体）を指す。用語「流動ライン」は、個別の貯蔵容器から、それらに貯蔵される成分の使用場所までの流れの経路を指す。流動ラインはそれぞれ、直接使用場所に通じ得るか、または２つ以上の流動ラインが、任意の場所において、使用場所へと通じる単一の流動ラインへと組み合わされ得る。さらに、任意の流動ライン（例えば、個別の流動ラインまたは組み合わされた流動ライン）は、成分の使用場所に到達する前に、１つ以上の他のデバイス（例えば、ポンプデバイス、測定デバイス、混合デバイスなど）に通じ得る。
【００４７】
研磨組成物の成分は、独立して使用場所に送達され得る（例えば、成分が基板表面に送達され、そこで、成分が研磨プロセス中に混合される）か、または成分のうちの１種以上が、使用場所への送達前、例えば、使用場所への送達の少し前または直前に、混合され得る。成分がプラテン上に混合形態で添加される前の約５分以内に、例えば、プラテン上に混合形態で添加される前の約４分以内、約３分以内、約２分以内、約１分以内、約４５秒以内、約３０秒以内、約１０秒以内、または成分が使用場所に送達される直前に（例えば、成分はディスペンサーで混合される）、成分が混合される場合、成分は「使用場所への送達の直前」に混合される。成分が使用場所の５ｍ以内、例えば使用場所の１ｍ以内、または使用場所の１０ｃｍ以内（例えば使用場所の１ｃｍ以内）で混合される場合、成分はまた、「使用場所への送達の直前」に混合される。
【００４８】
研磨組成物の２つ以上の成分が、使用場所に到達する前に混合されるとき、成分は、流動ライン中で混合され、混合デバイスを使用することなしに使用場所へと送達される。代替的に、流動ラインのうちの１つ以上が混合デバイスに通じて、２つ以上の成分の混合を促進することができる。任意の好適な混合デバイスを使用することができる。例えば、混合デバイスは２つ以上の成分が流動するノズルまたはジェット（例えば高圧ノズルまたはジェット）であり得る。代替的に、混合デバイスは、研磨スラリーの２つ以上の成分がミキサーに導入される１つ以上の入口と、混合された成分がミキサーを出て、直接的にまたは装置の他の要素を介して使用場所へと送達される（例えば１つ以上の流動ラインを介して）少なくとも１つの出口とを含む容器型混合デバイスとすることができる。さらに、こん棒装置は、それぞれのチャンバが少なくとも１つの入口と少なくとも１つの出口を有し、２種以上の成分がそれぞれのチャンバ内で混合される、１つ以上のチャンバを含むことができる。容器型混合デバイスが使用される場合、混合デバイスは、好ましくは、成分の混合をさらに促進するための混合機構を含む。混合機構は、当技術分野において一般的に知られ、スターラー、ブレンダー、撹拌機、パドル付きバッフル、ガススパージャシステム、振動器などを含む。
【００４９】
研磨組成物は、使用前に適量の水で希釈することが意図された濃縮物として提供され得る。そのような実施形態において、研磨組成物は、研磨組成物の成分を、適量の水で濃縮物を希釈すると、研磨組成物のそれぞれの成分が、それぞれの成分について上述した適切な範囲内の量で研磨組成物中に存在するような量で含む。例えば、セリア砥材、イオン性ポリマー、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコール、任意のｐＨ調整剤、及び／または任意の添加剤はそれぞれ、それぞれの成分について上述される濃度よりも約２倍（例えば約３倍、約４倍、または約５倍）多い量で存在でき、濃縮物が等容積の水（例えば、それぞれ２等容積の水、３等容積の水、または４等容積の水）で希釈されるとき、それぞれの成分は、それぞれの成分について上述された範囲内の量で研磨組成物中に存在するであろう。さらに、当業者には理解されるであろうが、濃縮物は、砥材（例えばセリア）、イオン性ポリマー、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコール、任意のｐＨ調整剤、及び／または任意の添加剤が少なくとも部分的にまたは完全に濃縮物中に溶解するのを確実にするために、最終的な研磨生物に存在する水の適切な部分を含む。化学機械研磨組成物は、任意の好適な基材を研磨するのに使用でき、低誘電率材料からなる少なくとも１つの層（典型的に表面層）を含む基材を研磨するのに特に有用である。好適な基材は、半導体産業で使用されるウェーハを含む。ウェーハは典型的に、例えば金属、金属酸化物、金属窒化物、金属複合物、金属合金、低誘電材料、またはそれらの組み合わせを含むか、またはそれらからなる。本発明の方法は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、及び／またはポリシリコン、例えば、上述の材料の任意の１つ、２つまたは特にそのすべてを含む基材を研磨するのに特に有用である。
【００５０】
ある実施形態において、基材は、酸化ケイ素及び／または窒化ケイ素と組み合わせてポリシリコンを含有する。ポリシリコンは、多くが当技術分野において既知である、任意の好適なポリシリコンであり得る。ポリシリコンは、任意の好適な相を有することができ、非晶質、結晶質、またはそれらの組み合わせであり得る。酸化ケイ素は、多くが当技術分野において既知である、任意の好適な酸化ケイ素であり得る。酸化ケイ素の好適なタイプは、ホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、ＰＥＴＥＯＳ、熱酸化物、ドープされていないケイ酸塩ガラス、及びＨＤＰ酸化物を含むが、これらに限定されない。
【００５１】
本発明の化学機械研磨組成物は、望ましくは、本発明の方法によって酸化ケイ素を含有する基板を研磨するとき、高い除去速度を示す。例えば、本発明の実施形態によって、高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物及び／またはプラズマ強化テトラエチルオルトケイ酸塩（ＰＥＴＥＯＳ）及び／またはテトラエチルオルトケイ酸塩（ＴＥＯＳ）を含有するシリコンウェーハを研磨するとき、研磨組成物は、望ましくは、約５００Å／分以上、７００Å／分以上、約１，０００Å／分以上、約１，２５０Å／分以上、約１，５００Å／分以上、約１，７５０Å／分以上、約２，０００Å／分以上、約２，５００Å／分以上、約３，０００Å／分以上、約３，５００Å／分以上の酸化ケイ素の除去速度を示す。実施形態において、酸化ケイ素の除去速度は、約４，０００Å／分以上、約４，５００Å／分以上、または約５，０００Å／分以上であり得る。
【００５２】
本発明の化学機械研磨組成物は、望ましくは、本発明の方法によって窒化ケイ素を含有する基板を研磨するとき、低い除去速度を示す。例えば、本発明の実施形態によって、窒化ケイ素を含有するシリコンウェーハを研磨するとき、研磨組成物は、望ましくは、約２５０Å／分以下、例えば、約２００Å／分以下、約１５０Å／分以下、約１００Å／分以下、約７５Å／分以下、約５０Å／分以下、または約２５Å／分以下の窒化ケイ素の除去速度を示す。
【００５３】
本発明の化学機械研磨組成物は、望ましくは、本発明の方法によってポリシリコンを含有する基板を研磨するとき、低い除去速度を示す。例えば、本発明の実施形態によって、ポリシリコンを含有するシリコンウェーハを研磨するとき、研磨組成物は、望ましくは、約１，０００Å／分以下、約７５０Å／分以下、約５００Å／分以下、約２５０Å／分以下、約１００Å／分以下、約５０Å／分以下、約２５Å／分以下、約１０Å／分以下、または約５Å／分以下のポリシリコンの除去速度を示す。
【００５４】
本発明の化学機械研磨組成物は、望ましくは、酸化ケイ素及び窒化ケイ素を含有する基材を研磨するのに使用されるとき、特にＳＴＩプロセスにおいて使用されるとき、減少したディッシングを示す。ＳＴＩプロセスにおいて、研磨することは典型的に、窒化ケイ素が露出した後にも続けられ、窒化ケイ素表面からの酸化ケイ素の完全な除去を確実にする。この過剰研磨中、溝内に残っている酸化ケイ素は、溝内に残っている酸化ケイ素の表面が窒化ケイ素の表面よりも低くなるように除去され続け、その結果、ディッシングと呼ばれる現象が生じる。いかなる特定の理論にも拘束されることを望まないが、ポリヒドロキシ芳香族化合物が溝内に存在する酸化ケイ素の表面に選択的に結合し、それによって酸化ケイ素のさらなる除去を阻害すると考えられている。
【００５５】
本発明の研磨組成物で研磨される基材、特に酸化ケイ素及び／または窒化ケイ素及び／またはポリシリコンを含有するシリコンは、望ましくは、約５００Å以下、例えば、約５００Å以下、約４５０Å以下、約４００Å以下、約３５０Å以下、約３００Å以下、約２５０Å以下、約２００Å以下、約１５０Å以下、約１００Å以下、または約５０Å以下であるディッシングを有する。
【００５６】
本発明の研磨組成物は、望ましくは、基材を研磨するとき、好適な技術によって決定される低い粒子欠陥を示す。好ましい実施形態において、本発明の化学機械研磨組成物は、低い欠陥に寄与するウェットプロセスセリアを含む。本発明の研磨組成物で研磨された基材上の粒子欠陥は、任意の好適な技術によって決定することができる。例えば、暗視野法線ビームコンポジット（ｄａｒｋ  ｆｉｅｌｄ  ｎｏｒｍａｌ  ｂｅａｍ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）（ＤＣＮ）及び暗視野斜線ビームコンポジット（ｄａｒｋ  ｆｉｅｌｄ  ｏｂｌｉｑｕｅ  ｂｅａｍ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）（ＤＣＯ）などのレーザ光散乱技術を、研磨された基材上の粒子欠陥を決定するために使用することができる。粒子欠陥を評価するための好適な機器は、例えば、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒより入手できる（例えば１２０ｎｍの閾値または１６０ｎｍの閾値で操作できるＳＵＲＦＳＣＡＮ（商標）ＳＰ１装置）。
【００５７】
本発明の研磨組成物で研磨される基材、特に酸化ケイ素及び／または窒化ケイ素及び／またはポリシリコンを含有するシリコンは、望ましくは、約２０，０００カウント以下、例えば約１７，５００カウント以下、約１５，０００カウント以下、約１２，５００カウント以下、約３，５００カウント以下、約３，０００カウント以下、約２，５００カウント以下、約２，０００カウント以下、約１，５００カウント以下、または約１，０００カウント以下のＤＣＮ値を有する。好ましくは、本発明の実施形態により研磨された基板は、約７５０カウント以下、約５００カウント、約２５０カウント、約１２５カウント、または約１００カウント以下のＤＣＮ値を有する。代替的に、または追加的に、本発明の化学機械研磨組成物で研磨された基材は、望ましくは、好適な技術によって決定される、少ないスクラッチを示す。例えば、本発明の実施形態により研磨されたシリコンウェーハは、望ましくは、当技術分野において既知の好適な方法で決定される、約２５０以下のスクラッチ、または約１２５以下のスクラッチを有する。
【００５８】
本発明の化学機械研磨組成物は、特定のフィルム材料に対して選択的な、所望の研磨範囲で効果的な研磨を提供するように調整することができ、同時に、欠陥、腐食、侵食、及び停止層の除去を最小限にすることができる。研磨組成物の成分の相対濃度を変更することによって、選択性をある程度制御することができる。所望するとき、本発明の化学機械研磨組成物を、約５：１以上（例えば、約１０：１以上、約１５：１以上、約２５：１以上、約５０：１以上、約１００：１以上、または約１５０：１以上）の二酸化ケイ素対窒化ケイ素の研磨選択性で基材を研磨するのに使用することができる。所望するとき、本発明の化学機械研磨組成物を、約５：１以上（例えば、約１０：１以上、約１５：１以上、約２５：１以上、約５０：１以上、約１００：１以上、または約１５０：１以上）の二酸化ケイ素対ポリシリコンの研磨選択性で基材を研磨するのに使用することができる。同様に、所望するとき、本発明の化学機械研磨組成物を、約２：１以上（例えば、約４：１以上、または約６：１以上）の窒化ケイ素対ポリシリコンの研磨選択性で基材を研磨するのに使用することができる。ある配合は、約２０：１以上、または約３０：１以上のような、さらにより高い二酸化ケイ素対ポリシリコンの選択性を示すことができる。好ましい実施形態において、本発明の化学機械研磨組成物は、窒化ケイ素に対する二酸化ケイ素の選択的研磨とポリシリコンに対する二酸化ケイ素の選択的研磨を同時に提供する。
【００５９】
本発明の化学機械研磨組成物及び方法は、化学機械研磨装置と組み合わせた使用に好適である。典型的に、装置は、使用時には動作状態にあり、かつ軌道の、直線の、または円の動作から生じる速度を有するプラテンと、プラテンと接触し、かつ動作時にはプラテンと共に動く研磨パッドと、研磨パッドの表面と接触し、かつ研磨パッドの表面に対して基材を移動させることによって研磨されるように基材を保持する担体とを含む。基材の研磨は、基材が研磨パッド及び本発明の研磨組成物と接触して配置され、その後、研磨パッドが基材に対して移動し、基板の少なくとも一部を摩耗させて基材を研磨することで生じる。
【００６０】
基材は、任意の好適な研磨パッド（例えば研磨表面）を使用して化学機械研磨組成物によって研磨することができる。好適な研磨パッドは、例えば織布の及び不織の研磨パッドを含む。さらに、好適な研磨パッドは、様々な密度、硬度、厚さ、圧縮性、圧縮時に反発する能力、及び圧縮弾性率の任意の好適なポリマーを含むことができる。好適なポリマーは、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン、フルオロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、それらの共生成物、及びそれらの混合物を含む。軟質ポリウレタン研磨パッドは、本発明の研磨方法と組み合わせて特に有用である。典型的なパッドは、ＳＵＲＦＩＮ（商標）０００、ＳＵＲＦＩＮ（商標）ＳＳＷ１、ＳＰＭ３１００（例えばＥｍｉｎｅｓｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓより市販される）、ＰＯＬＩＴＥＸ（商標）、及びＦｕｊｉｂｏ  ＰＯＬＹＰＡＳ（商標）２７を含むが、これらには限定されない。特に好適な研磨パッドは、Ｃａｂｏｔ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓより市販されるＥＰＩＣ（商標）Ｄ１００パッドである。別の好適な研磨パッドは、Ｄｏｗ，Ｉｎｃより入手可能なＩＣ１０１０パッドである。
【００６１】
望ましくは、化学機械研磨装置は、インサイチュー研磨終点検出システムをさらに含み、その多くは当技術分野において既知である。研磨されている基板の表面から反射された光または他の放射を分析することによって研磨プロセスを検査及び監視する技術は、当技術分野において既知である。このような方法は、例えば、米国特許第５，１９６，３５３号、米国特許第５，４３３，６５１号、米国特許第５，６０９，５１１号、米国特許第５，６４３，０４６号、米国特許第５，６５８，１８３号、米国特許第５，７３０，６４２号、米国特許第５，８３８，４４７，米国特許第５，８７２，６３３号、米国特許第５，８９３，７９６号、米国特許第５，９４９，９２７号、及び米国特許第５，９６４，６４３号に記載されている。望ましくは、研磨される基材に対する研磨プロセスの進捗の検査または監視は、研磨の終点の決定、すなわち、特定の基材に対する研磨プロセスを終了する時期の決定を可能にする。
【実施例】
【００６２】
以下の実施例は、本発明をさらに説明するが、当然に、その範囲を限定するものと決して解されるべきではない。
【００６３】
実施例１
この実施例は、研磨組成物１Ａ〜１Ｇによる、研磨された炭素ドープ酸化ケイ素フィルム（ブランケットウェーハ）の除去速度への影響を示す。研磨組成物は、ウェットプロセスセリアの形態でセリア、またはコロイドの形態でシリカを含み、固体含有量は表１Ａに示される。セリア及びシリカの粒子は、１５０ｎｍ以下の平均粒径を有した。追加的に、研磨組成物のｐＨ値を表１に列挙する。
【００６４】
特に、炭素ドープ酸化ケイ素フィルムのブランケットウェーハを、ＲＥＦＬＥＸＩＯＮ（商標）ＣＭＰ装置（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．，Ｓａｎｔａ  Ｃｌａｒａ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）上で研磨組成物１Ａ〜１Ｇによって研磨した。ＲＥＦＬＥＸＩＯＮ（商標）の研磨パラメータを以下の表１Ｂに説明する。炭素ドープ酸化ケイ素フィルムは、低誘電率（低ｋ）フィルムであり、２０質量％の炭素、３５質量％のケイ素、及び４５質量％の酸素を含んだ。
【表１】
2019508880.tif 000004
【表２】
2019508880.tif 000005
【００６５】
結果は、セリア粒子が炭素ドープ酸化ケイ素フィルムを高い除去速度で研磨したことを示す。結果は、フィルム中の２０質量％である炭素の含有量の点から驚くべきであった。酸化ケイ素材料中の少ない炭素含有量（ここで２０％）でさえ、表面に疎水性をもたらすため、炭素ドープ酸化ケイ素フィルムに対するそのような高い除去速度の達成は、従来は困難であった。実施例に示されるように、この疎水性のため、組成物１Ａ及び１Ｄは、これらの組成物がドープされていない酸化ケイ素を高い除去速度（例えば＞３０００Å／分）で効率的に研磨することができるにも関わらず、炭素ドープフィルムを研磨することができなかった。
【００６６】
研磨組成物１Ｂ、１Ｃ、１Ｅ、１Ｆ、及び１Ｇはすべて、ｐＨ５．５及びセリアの高い固形分含有量で、高い除去速度を示した。いかなる特定の理論にも拘束されることを望まないが、ｐＨを５．５にシフトさせることによって生じるより高い負のゼータ電位は、正に荷電したセリア粒子と基板表面との間の静電引力を増加させ、それによって除去速度を増加させると考えられている。固形分レベルを０．２８質量％から０．４質量％に増加させることは、機械的作用を増大させ、除去速度をさらに改善した。追加的に、結果は、コロイド状セリア粒子が、湿潤剤を使用せずに疎水性表面を研磨するのに使用できることを示す。
【００６７】
実施例２
この実施例は、「窒化物上の停止」能力を伴って、浅溝分離（ＳＴＩ）パターンウェーハ表面からの炭素ドープ酸化ケイ素フィルムを研磨することができる研磨組成物を示す。１５０ｎｍ以下の平均粒径を有するセリア粒子を０．２質量％の量で含有する研磨組成物を調製した。研磨組成物はまた、０．０３質量％の量のポリエチレングリコール二酸、０．０６質量％の量のポリビニルアルコール、及び０．０２５質量％の量のトリヒドロキシベンゼンを含んだ。研磨組成物は３．５のｐＨを有した。水酸化アンモニウムを添加して所望のｐＨに達した。組成物の残りの部分は水であった。
【００６８】
特に、研磨組成物を、炭素ドープ酸化ケイ素フィルムでコーティングされたＳＴＩウェーハを研磨するのに使用した。ウェーハは、シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層を含み、その中に形成された浅溝を含み、そして、Ｓｉｌｙｂ  Ｗａｆｅｒ  Ｓｅｒｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃ．，Ｇｉｇ  Ｈａｒｂｏｒ，Ｗａｓｈｉｎｇｔｏｎより入手した。溝を埋めるために炭素ドープ酸化ケイ素フィルムの形態の誘電体層を堆積した。炭素ドープ酸化ケイ素フィルムは、低ｋフィルムであり、Ｌａｍｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｆｒｅｍｏｎｔ，ＣＡより入手され、２０質量％の炭素、３５質量％のケイ素、及び４５質量％の酸素を含んだ。研磨は、実施例１に記載される装置及び手順を用いて実施した。
【００６９】
炭素ドープ酸化ケイ素フィルムの堆積したＳＴＩウェーハの研磨及び平坦化の性能は、図１に示され、それは、秒単位での総研磨時間の関数としてオングストローム（Å）単位で測定したステップ高さを表したプロットである。ステップ高さは、平坦化効率の定量である。それは、Ｖｅｅｃｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．，Ｐｌａｉｎｖｉｅｗ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋより市販されるＶｘ３１０原子側面計によって測定した。「１００×１００ミクロン」は、炭素ドープフィルムが研磨されているパターンウェーハ上に存在するフィーチャのサイズを示す。図１は、２０００Åを超える高い初期ステップ高さと約２７０Åの最終的なステップ高さと共に、この実施例の研磨組成物が、効果的な平坦化を達成したことを示す。
【００７０】
研磨組成物の窒化ケイ素除去に対する選択性を決定するために研磨試験を実施した。結果は図２に示され、それは、研磨組成物に関する、窒化ケイ素（ＳｉＮ）除去（Ｙ軸）対秒単位での総研磨時間（Ｘ軸）のグラフである。図２に示されるように、炭素ドープ酸化ケイ素フィルムで埋められた３つのＳＴＩパターンウェーハを３つの異なる時間（９０秒、１１０秒、１３５秒）で研磨し、２セットの棒グラフを提供するようにした。「Ｃｅｌｌ−Ｄ」と「Ｌ４５  ９０％」は、ＳＴＩパターン表面上に存在する、それぞれ０．１８×０．１８μｍと４５×５μｍのサイズを有する異なるフィーチャを指し、Ｓｉｌｙｂ  Ｗａｆｅｒ  Ｓｅｒｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃ．より得られた。図２に示されるように、研磨は両方のフィーチャから有意な量の窒化ケイ素を除去せず、これによって良好な選択性を示す。
【００７１】
実施例３
この実施例は、研磨組成物３Ａ〜３Ｄによる、研磨された炭素ドープ酸化ケイ素フィルム（ブランケットウェーハ）の除去速度への影響を示す。研磨組成物は、０．４質量％の固形分含有量でウェットプロセスセリアの形態のセリアを含んだ。セリア粒子は、１５０ｎｍ以下の平均粒径を有した。研磨組成物はまた、０．０３質量％の量でポリエチレングリコール二酸、及び０．０６質量％の量でポリビニルアルコールを含んだ。研磨組成物の各々は、図３に示されるように、３〜４．７のｐＨを有した。ｐＨにおける差異は、水酸化アンモニウムを添加することによって達成した。それぞれの組成物の残りの部分は水であった。
【００７２】
特に、炭素ドープ酸化ケイ素フィルムのブランケットウェーハを、研磨組成物３Ａ〜３Ｄで研磨した。炭素ドープ酸化ケイ素フィルムは、低ｋフィルムであり、５０質量％の炭素、２５質量％のケイ素、及び２２質量％の酸素を含んだ。追加的に、テトラエチルオルトケイ酸塩（ＴＥＯＳ）及び窒化ケイ素（ＳｉＮ）を選択性のために研磨した。研磨は、Ｌｏｇｉｔｅｃｈテーブルトップ研磨機を用いてＤｏｗ  ＩＣ１０１０（商標）研磨パッドによって実施した。研磨パラメータは次の通りであった。１０．３４ｋＰａ（１．５ｐｓｉ）の下向きの力、６０ｒｐｍのプラテン速度、５７ｒｐｍのヘッド速度、及び１００ｍＬ／分の研磨組成物流量。
【００７３】
除去速度性能は図３に示され、それは、４つの組成物３Ａ〜３Ｄの各々及び３つのウェーハ（５０％炭素ドープ酸化ケイ素、ＴＥＯＳ及びＳｉＮ）の各々について分当たりのオングストローム（Å／分）で測定された除去速度を示す棒グラフである。組成物３Ａについて、ＴＥＯＳ及びＳｉＮは試験されなかった。
【００７４】
これらの結果は、高ｐＨにおいて５０％の炭素を含む炭素ドープ酸化ケイ素についての高い除去速度を示す。これは、ｐＨを５．５にシフトさせることに起因する、正に荷電したセリア粒子と基板表面との間の静電引力を増加させる高い負のゼータ電位のためであった。特に低ｐＨ（組成物３Ｄ）及びＳｉＮ（全組成物）の低除去速度は、研磨組成物が、窒化ケイ素と酸化ケイ素のフィルム表面からの、炭素ドープフィルムを選択的に研磨するために使用することができることを示す。
【００７５】
本明細書に引用される刊行物、特許出願及び特許を含むすべての参考文献は、それぞれの参考文献が個別にかつ具体的に参照により組み入れられることが示され、その全体が本明細書に記載されているのと同じ程度に参照により本明細書に組み込まれる。
【００７６】
本発明の説明の文脈（特に、次の特許請求の範囲の文脈において）における、用語「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」ならびに「少なくとも１」ならびに同様の指示対象の使用は、本明細書中に別の指示がない限り、または文脈によって明らかに矛盾しない限り、単数及び複数形の両方を包含すると解釈されるべきである。続く１つ以上の項目の列挙（例えば、「Ａ及びＢの少なくとも１つ」）が後に続く「少なくとも１」という用語の使用は、本明細書中に別の指示がない限り、または文脈によって明らかに矛盾しない限り、列挙された項目（ＡまたはＢ）から選択される１つの項目を意味するかまたは列挙された項目（Ａ及びＢ）の２つ以上の任意の組合せを意味すると解釈されるべきである。用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」及び「含む（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」は、別の記載がない限り、制限のない用語（すなわち、「含むが、これらに限定されない」を意味する）と解釈されるべきである。本明細書における値の範囲の言及は、本明細書中に別の指示がない限り、範囲に含まれるそれぞれの個別の値を個々に参照する簡略方法として機能することを意図しており、それぞれの個別の値は本明細書に個別に言及されているかのように、本明細書に組み入れられる。本明細書に記載されるすべての方法は、本明細書中で別の指示がない限り、または文脈によって明らかに矛盾しない限り、任意の好適な順序で実施され得る。本明細書で提供される任意の及びすべての例、または例示的な用語（例えば、「〜など」）の使用は、単に本発明をよりよく示すことを意図しており、別の請求がない限り、本発明の範囲の限定を提示するものではない。本明細書中のいかなる文言も、本発明の実施に不可欠なものとして、非請求の要素を示すとして解釈されるべきではない。
【００７７】
本発明を実施するために本発明者らに知られている最良の形態を含む、本発明の好ましい実施形態を本明細書に記載する。これらの好ましい実施形態の変形は、上述の説明を読むことにより当業者には明らかになるであろう。本発明者らは、当業者がこのような変形を適切に使用することを予測しており、本発明者らは本発明が本明細書に具体的に記載されたものとは別の方法で実施されることを意図する。したがって、本発明は、適用法によって許容されるように、本明細書に添付された特許請求の範囲に列挙される主題のすべての修正及び均等物を含む。さらに、本明細書中に別の指示がない限り、または文脈によって明らかに矛盾しない限り、それらのすべての可能な変形における上述の要素の任意の組合せが本発明に包含される。
【図１】
2019508880.tif 000007
【図２】
2019508880.tif 000008
【図３】
2019508880.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月11日(2018.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
研磨組成物は、使用場所において任意の好適な量のポリビニルアルコールを含む。研磨組成物は、約０．００１質量％以上、例えば約０．００５質量％以上、約０．０１質量％以上、約０．０２５質量％以上、約０．０５質量％以上、約０．０７５質量％以上、または約０．１質量％以上のポリビニルアルコールを含むことができる。代替的に、または追加的に、研磨組成物は、約１質量％以下、例えば約０．９質量％以下、約０．８質量％以下、約０．７質量％以下、約０．６質量％以下、約０．５質量％以下、約０．４質量％以下、または約０．３質量％以上のポリビニルアルコールを含むことができる。したがって、研磨組成物は、上述の任意の２つに囲まれた量で適切にポリビニルアルコールを含むことができる。例えば、研磨組成物は、約０．００１質量％〜約１質量％、約０．０１質量％〜約０．９質量％、約０．０２５質量％〜約０．８質量％、約０．０５質量％〜約０．７質量％、または約０．１質量％〜約０．５質量％などのポリビニルアルコールを含むことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
研磨組成物は、砥材（例えばセリア）、イオン性ポリマー、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコール、任意のｐＨ調整剤、及び／または任意の添加剤、ならびに水を含む、ワンパッケージシステム（ｏｎｅ−ｐａｃｋａｇｅ  ｓｙｓｔｅｍ）として供給することができる。代替的に、本発明の研磨組成物は、（例えば、酸化セリウム）スラリーと添加剤溶液とを含む２パッケージシステムとして供給され、（例えば、酸化セリウム）スラリーは、砥材（例えば、酸化セリウム）及び／または任意の添加剤と水とから本質的になるか、またはそれらからなり、添加剤溶液は、イオン性ポリマー、ポリヒドロキシ芳香族化合物、ポリビニルアルコール、任意のｐＨ調整剤、及び／または任意の添加剤から本質的になるか、またはそれらからなる。２パッケージシステムは、２つのパッケージ、すなわち、（例えば、酸化セリウム）スラリーと添加剤溶液の配合比を変えることによって、基板全体の平坦化特性及び研磨速度の調整を可能にする。
【国際調査報告】
2019508880.tif 000010
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