(57)【要約】  基板を、基板上のフィールドのレイアウトに関連付けられたグリッドに対して所定の向きで導入するように構成された基板導入デバイスと、基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にするように構成された修正要素とを含む基板処理装置において、修正要素は、グリッドのＸ軸又はＹ軸に平行でない方向を有する少なくとも１つの軸に沿って配置されることを特徴とする、基板処理装置。【選択図】      図３
2019532342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を、前記基板上のフィールドのレイアウトに関連付けられたグリッドに対して所定の向きで導入する基板導入デバイスと、
基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にする修正要素と
を含む基板処理装置において、
前記修正要素は、前記グリッドのＸ軸又はＹ軸に平行でない方向を有する少なくとも１つの修正軸に沿って配置されることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記修正軸は、前記基板又は前記基板処理装置の基板ホルダ表面に平行な平面内で方向付けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記修正軸は、前記基板上の前記フィールドのレイアウトに関連付けられた前記グリッドの前記Ｘ軸又はＹ軸に対して４５±４０°の角度で配置される、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板を前記修正軸に対して回転させる回転手段をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記回転手段は、０〜９０°の回転角度の選択を可能にする、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にする修正要素を含む基板処理装置において、前記修正要素は、極座標系のグリッドレイアウトに従って配置されることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項７】
基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にする修正要素を含む基板処理装置において、前記修正要素は、曲線状又は直線状のグリッドレイアウトに従って配置されることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項８】
基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にする修正要素を含む基板処理装置において、前記修正要素は、前記基板上のフィールドのレイアウトに関連付けられたグリッドに対して行われる鏡像操作から得られるグリッドレイアウトに従って配置されることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項９】
半導体プロセスを最適化する方法であって、請求項１に記載の基板処理装置を使用するステップを含む方法。
【請求項１０】
リソグラフィ装置を使用して基板上のフィールドのグリッドにパターンを露光することと、
修正要素のグリッドを使用するプロセスツールに前記基板を移送することと、
前記フィールドのグリッドが前記修正要素のグリッドに対して所定の角度で傾くように前記基板を方向付けることと、
前記プロセスツールを使用して前記パターンを前記基板に転写することと
を含むデバイス製造プロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本願は、２０１６年１０月１７日に出願された欧州出願欧州特許出願公開第１６１９４２２４．８号及び２０１７年４月１９日に出願された欧州出願欧州特許出願公開第１７１６７０４１．７号の優先権を主張するものであり、これらの特許は、参照によりその全体が本明細書に援用される。
【０００２】
[0002]  本発明は、デバイス製造、特にリソグラフィプロセスの歩留まりを改善することに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、基板上、通常、基板のターゲット部分上に所望のパターンを付加する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、代替としてマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、１つのダイ又はいくつかのダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に設けられた放射線感応性材料（レジスト）の層への結像による。一般に、単一の基板は、連続的にパターン形成された隣接するターゲット部分網を含む。
【０００４】
[0004]  リソグラフィプロセスでは、例えば、プロセス制御及び検証のために形成された構造体の測定を頻繁に行うことが望ましい。クリティカルディメンジョン（ＣＤ）を測定するためによく使用される走査電子顕微鏡、デバイス内の２つの層のアライメントの精度を示すオーバーレイを測定する専用ツール、及びパターン形成された基板の様々な特性を測定できるスキャトロメータを含む、上記の測定を行うための様々なツールが公知である。
【０００５】
[0005]  基板にわたってＣＤなどの特性を測定し終わると、公知のプロセス最適化技術により、その特性のいずれのエラーも修正又は補償するように、その基板又は他の基板上で実施される露光又はプロセスステップの関連パラメータが調整される。しかし、この手法は、必ずしも常にエラーを完全に修正又は補償できるとは限らない。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  本発明の目的は、リソグラフィデバイス製造プロセスでの歩留まりを改善することである。
【０００７】
本発明は、第１の態様において、
基板を、基板上のフィールドのレイアウトに関連付けられたグリッドに対して所定の向きで導入するように構成された基板導入デバイスと、
基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にするように構成された修正要素と
を含む基板処理装置において、修正要素は、グリッドのＸ軸又はＹ軸に平行でない方向を有する少なくとも１つの修正軸に沿って配置されることを特徴とする、基板処理装置を提供する。
【０００８】
本発明は、第２の態様において、
リソグラフィ装置を使用して基板上のフィールドのグリッドにパターンを露光することと、
修正要素のグリッドを使用するプロセスツールに基板を移送することと、
フィールドのグリッドが修正要素のグリッドに対して所定の角度で傾くように基板を方向付けることと、
プロセスツールを使用してパターンを基板に転写することと
を含むデバイス製造プロセスを提供する。
【０００９】
[0007]  本発明の実施形態は、単なる例として添付の図面を参照して以下に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】リソグラフィ装置を、半導体デバイスのための製造設備を形成する他の装置と共に示す。
【図２Ａ】長方形のアレイ内にターゲット部分を有する基板を示す。
【図２Ｂ】プロセスツールの領域のグリッドに対して方向付けられた基板を示す。
【図２Ｃ】プロセスデバイスのエッジ領域の配置を示す。
【図３】本発明の実施形態によるデバイス製造プロセスを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0008]  本発明の実施形態を詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る例示的環境を提示することが有益である。
【００１２】
[0009]  図１は、半導体製造設備の典型的なレイアウトを示す。リソグラフィ装置１００は、基板上に所望のパターンを付加する。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用される。その場合、代替としてマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層に形成されるフィーチャの回路パターン（多くの場合、「プロダクトフィーチャ」と呼ばれる）を含む。このパターンは、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層へのパターニングデバイスの露光１０４により、基板「Ｗ」（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、１つのダイ又はいくつかのダイ）に転写される。一般に、単一の基板は、連続的にパターン形成された隣接するターゲット部分網を含む。
【００１３】
[0010]  公知のリソグラフィ装置は、基板のターゲット部分をパターニングデバイスの像位置に同期して配置しながら、パターニングデバイスに光を当てることで各ターゲット部分に照射する。基板の照射されたターゲット部分は、「露光フィールド」又は簡単に「フィールド」と呼ばれる。基板上のフィールドのレイアウトは、典型的には、二次元デカルト座標系に従って整列した（例えば、両方の軸が互いに垂直であるＸ及びＹ軸に沿って整列した）隣接する長方形網である。
【００１４】
[0011]  リソグラフィ装置に関する要件は、所望のパターンを基板上に正確に再現することである。付加されたプロダクトフィーチャの位置及び寸法は、特定の許容値内であることが必要である。位置エラーは、オーバーレイエラー（多くの場合、「オーバーレイ」と呼ばれる）によって発生することがある。オーバーレイは、第１の層内の第１のプロダクトフィーチャを第２の層内の第２のプロダクトフィーチャに対して配置する際のエラーである。リソグラフィ装置は、パターン形成前に各ウェーハを基準に正確に合わせることでオーバーレイエラーを最小限にする。これは、基板に付けられたアライメントマークの位置を測定することでなされる。オーバーレイエラーの発生を防止するために、パターン形成プロセス中、アライメント測定に基づいて基板位置が制御される。
【００１５】
[0012]  プロダクトフィーチャのクリティカルディメンジョン（ＣＤ）のエラーは、露光１０４に伴う供給ドーズ量が仕様の範囲内でない場合に発生することがある。この理由のため、リソグラフィ装置１００は、基板に当てられる放射のドーズ量を正確に制御できなければならない。ＣＤエラーは、パターン像に関する焦点面に対して基板が正確に配置されていない場合にも発生することがある。焦点エラーは、通常、基板面の非平面性による。リソグラフィ装置は、パターン形成前にレベルセンサを使用して基板表面のトポグラフィを測定することにより、これらの焦点位置エラーをできるだけなくす。基板高さ修正は、パターニングデバイスの基板上への正確な結像（合焦）を保証するためにその後のパターン形成中に適用される。
【００１６】
[0013]  リソグラフィプロセスに関係するオーバーレイ及びＣＤエラーを検証するために、パターン形成された基板は、メトロロジ装置１４０によって検査される。メトロロジ装置の一般的な例としてスキャトロメータがある。スキャトロメータは、従来、専用のメトロロジターゲットの特性を測定する。これらのメトロロジターゲットは、正確な測定を可能にするために、通常、その寸法がより大きいことを除いてプロダクトフィーチャの代表となる。スキャトロメータは、オーバーレイメトロロジターゲットに関係する回折パターンの非対称性を検出することでオーバーレイを評価する。クリティカルディメンジョンは、ＣＤメトロロジターゲットに関係する回折パターンを解析することで評価される。メトロロジツールの他の例には、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）など、電子ビーム（ｅビーム）に基づく検査ツールがある。
【００１７】
[0014]  半導体製造設備内において、リソグラフィ装置１００及びメトロロジ装置１４０は、「リソセル」又は「リソクラスタ」の一部を形成する。リソクラスタはまた、感光性レジストを基板Ｗに塗布するためのコーティング装置１０８と、焼付け装置１１０と、露光されたパターンを物理的レジストパターンに現像する現像装置１１２と、エッチングステーション１２２と、エッチング後のアニールステップを行う装置１２４と、場合によりさらなる処理装置１２６などとを含む。メトロロジ装置は、現像（１１２）後又はさらなる処理（例えば、エッチング）後に基板を検査するように構成される。リソセル内の様々な装置は、監視制御システムＳＣＳによって制御され、監視制御システムＳＣＳは、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵによってリソグラフィ装置を制御する。ＳＣＳは、様々な装置が最大限のスループット及び製造歩留まりをもたらしながら動作することを可能にする。重要な制御機構は、メトロロジ装置１４０の（ＳＣＳを介した）様々な装置、特にリソグラフィ装置１００へのフィードバック１４６である。メトロロジフィードバックの特性に基づき、次の基板の処理品質を改善する修正措置が定められる。
【００１８】
[0015]  リソグラフィ装置の性能は、従来、例えば米国特許出願公開第２０１２／２００８１２７Ａ１号に記載されている高度プロセス制御（ＡＰＣ）などの方法によって制御及び修正される。高度プロセス制御技術は、基板に付加されたメトロロジターゲットの測定を使用する。製造実行システム（ＭＥＳ）は、ＡＰＣ測定をスケジュールに組み込み、測定結果を処理ユニットに送る。データ処理ユニットは、測定データの特性を、リソグラフィ装置に向けた命令を含むレシピに変換する。この方法は、リソグラフィ装置に関係するドリフト現象の抑制にきわめて効果的である。
【００１９】
[0016]  処理装置によって行われる修正措置に合わせたメトロロジデータの処理は、半導体製造にとって重要である。メトロロジデータに加えて、個々のパターニングデバイス、基板、処理装置及び他のコンテキストデータの特性も製造プロセスをさらに最適化するために必要とされ得る。利用可能なメトロロジ及びコンテキストデータを使用して、リソグラフィプロセスを全体として最適化する枠組みは、通常、全体論的なリソグラフィの一部とみなされる。例えば、ＣＤエラーが製造プロセスの歩留まりに影響を与えないように、レチクルの上記のＣＤエラーに関連するコンテキストデータを使用して様々な装置（リソグラフィ装置、エッチングステーション）を制御することができる。この場合、次のメトロロジデータを使用して、制御方法の有効性を検証することができ、さらなる修正措置を定めることができる。
【００２０】
[0017]  メトロロジ結果を使用することは、リソグラフィプロセスの実施に役立つ。同時に、メトロロジデータの妥当性に関する要求は、リソグラフィプロセスのあらゆるシュリンク（shrink）と共に高まっている。
【００２１】
[0018]  リソグラフィ装置によって加えられる修正を定めるために使用されるメトロロジ結果の例には、リソグラフィ装置の最適な露光設定を更新するために使用されるＣＤエラー測定がある。修正措置には、フィールド又は基板（ウェーハ）にわたる露光ドーズの調節がある。多くの場合、調節は、露光フィールドのＸ軸に沿って（すなわちｘ位置に応じて）露光ドーズフィンガープリントを局所的に制御することで行われる。他の場合、露光ドーズフィンガープリントは、露光フィールドの（例えば、Ｘ軸に垂直な）Ｙ軸に沿って（すなわちｙ位置に応じて）制御される。この場合、露光ドーズ調節が表される空間座標は、基板上の露光フィールドレイアウトに関連付けられたＸＹ座標系に対して規定される。数学用語では、露光ドーズ調節ＥＤは、Ｘの関数としてのフィンガープリント調節Ｆと、Ｙの関数としてのフィンガープリント調節Ｇとの重畳として次の通り記述することができる。
ＥＤ（Ｘ，Ｙ）＝Ｆ（Ｘ）＋Ｇ（Ｙ）
【００２２】
主に一次元でパラメータ（露光ドーズ）を修正することに限定される修正デバイスを装備したリソグラフィ装置のアーキテクチャを所与として、Ｘ軸又はＹ軸に平行でない方向に沿って露光ドーズを修正／制御する方法は、あまり明白ではない。当然のことながら、例えば、積ＸＹを含む項がある調節関数は、Ｆ（Ｘ）及びＧ（Ｙ）の重畳によって得ることができない。
【００２３】
[0019]  基板の露光後、基板は、現像され、フィーチャがレジスト層に形成される。フィーチャの特性は、メトロロジツールによって測定され、測定されたフィーチャ特性と所望のフィーチャ特性との間の差異に応じてさらなる修正措置が必要とされる。フィーチャは、現像後に測定されるため、「現像後検査」（ＡＤＩ）という用語は、多くの場合、基板のレジスト現像後に行われる測定を指すために使用される。
【００２４】
[0020]  基板の現像後、レジスト内のフィーチャのレイアウトを機能半導体部品のレイアウトに変換するために、いくつかのプロセスステップが行われる。リソグラフィ装置と同様に、他の処理装置も、形成されるフィーチャ（部品）の特性を局所的に制御する手段を装備することができる。重要な例として、エッチングステーションの基板ホルダ内の多数の熱領域の存在がある（図２ｂを参照されたい）。熱領域のレイアウトは、通常、リソグラフィ装置によって行われる露光によるフィールドレイアウトと合致する。基板の温度の局所制御により、基板のエッチング特性の局所制御が行われる。このように、エッチングされたフィーチャ特性（ＣＤ）の特定の空間フィンガープリントを制御することができる。リソグラフィ装置の制御と同様に、エッチング特性ＥＣの調節は、Ｘ方向に制御されたフィンガープリントＨとＹ方向に制御されたフィンガープリントＪとの重畳、すなわちＥＡ（Ｘ，Ｙ）＝Ｈ（Ｘ）＋Ｊ（Ｙ）として表すことができる。次元ごとにパラメータ（ＣＤ）を修正することに限定される修正デバイスを装備したエッチング装置のアーキテクチャを所与として、Ｘ軸又はＹ軸に平行でない方向に沿って（ＣＤに影響を及ぼす）エッチング特性を修正及び／又は制御する方法は、あまり明白ではない。
【００２５】
[0021]  エッチングプロセスステップ後も同様に、エッチングされたフィーチャの特性は、メトロロジツールを使用して測定される。メトロロジ結果は、エッチングされたフィーチャに関するものであるため、「エッチング後検査」（ＡＥＩ）という用語は、多くの場合、基板上で実施されるエッチングプロセスステップ後に行われる測定を指すために使用される。
【００２６】
[0022]  リソグラフィ装置及びエッチングステーションの修正能力は、メトロロジ結果に基づいて、どのような修正措置が適用される必要があるかを検討する場合に考慮されることがある。多くの場合、ＡＥＩ結果は、機能部品の性能を最もよく表し、したがって、これらの結果は、どのような修正措置を実施すべきかを明確にするために検討される。リソグラフィ装置及び処理（エッチング）装置の両方の修正措置は、エッチングされたフィーチャの特性を改善するために有用である可能性がある。課題は、第１の修正措置をリソグラフィ装置に割り当て、さらなる第２の修正措置を他の処理装置に割り当てることである。修正措置を装置に最適に割り当てる方法は、多くの場合、「共最適化」と呼ばれ、対象となる装置に関連付けられた特定の修正特性に基づき、総合的に最良の結果をもたらす修正方法が選択される。
【００２７】
[0023]  リソグラフィ装置及び他の処理（エッチング）装置の両方の修正措置の空間特性に関する情報は、良好な共最適化方法の実施に不可欠である。これに関連して、「修正グリッド」という用語が導入される。修正グリッドは、主軸を画定し、パラメータの変動（例えば、ＣＤ変動又は露光ドーズ変動）は、この主軸に沿って修正することができる。通常、リソグラフィ装置の場合、修正グリッドは、露光フィールドの頂点と位置合わせされる。リソグラフィ装置及びエッチングステーションの両方が同様の修正グリッドを有する（例えば、フィーチャ特性の局所制御が実質的にＸ及びＹ方向に限定される）場合、共最適化は、両方の装置が好意的な修正グリッドを有する（例えば、同じグリッドレイアウトを有さない）場合、その後、付加価値がより小さくなる可能性がある。
【００２８】
[0024]  例示的な例として、露光フィールド内におけるＹ＝Ｘ方向（Ｘ及びＹ軸に対して４５°）に沿ったＣＤ変動の修正がある。リソグラフィ装置及びエッチングステーションの両方がＸ又はＹ方向に沿ったＣＤ変動のみを修正できる場合、リソグラフィ装置及びエッチングステーションの修正要素の共最適化は、上記のＣＤ変動の修正を実質的に改善しない。そのようなＣＤ変動を修正するために、Ｙ＝Ｘ方向に沿ったフィンガープリント調節が支援される必要がある。すでに説明した例（ＥＤ（Ｘ，Ｙ）及びＥＡ（Ｘ，Ｙ））と対照的に、そのような修正は、もはやＸ依存及びＹ依存の関与の和として分解することができず、したがって、リソグラフィ装置又は他の処理装置の修正要素は、Ｙ方向に沿ったフィンガープリント調節から独立して、Ｘ方向に沿ってフィンガープリントを調節できる必要がある。しかし、そのような二次元修正要素は、多数の独立して制御可能なピクセル要素を利用する必要があるためにより複雑になる。
【００２９】
[0025]  非常に複雑な修正デバイス（リソグラフィ装置内又は別の処理装置内のいずれか）の利用を回避するために、単純な一次元修正デバイスの使用を維持するが、例えばリソグラフィ装置とエッチング装置との間において、軸に沿って修正を加えることができるその軸の向きを変えることが提案される。そのようにすることにより、フィールドレイアウトのＸ及びＹ軸と位置合わせされないフィンガープリントのそのような修正は、両方の装置が修正要素に対して同じレイアウトを有する場合よりも広く支援され得る。リソグラフィ装置が、固定された修正グリッドを有すると仮定すると、処理装置に関連付けられた修正グリッドレイアウトは、露光フィールドと位置合わせされない頂点を有して選択される必要がある。処理装置（ほとんどの場合、エッチングステーション）の修正グリッドは、基板ホルダにわたる（加熱要素のような）修正要素又は基板にきわめて近接した修正要素（例えば、エッチング特性に影響を及ぼす電圧調整デバイス）のレイアウトによって画定される。
【００３０】
[0026]  提案された概念の例として、露光フィールド（リソグラフィ装置）及びエッチング装置の熱領域のレイアウトが図２に示されている。図２ａは、基板にわたる露光フィールドＤ１〜Ｄ２ｎの典型的な長方形グリッドを示す。露光フィールドＤ１〜Ｄｎのグリッドは、軸Ｘ、Ｙに合わされている。図２ｂは、本発明の第１の実施形態を示す。図２ｂは、熱領域の配置を示し、領域Ｚ１〜Ｚｎは、リソグラフィ装置に関連付けられた修正グリッドに対して回転したグリッド上に分布している。領域Ｚ１〜Ｚｎは、軸Ｘ、Ｙに対して角度θで方向付けられた軸Ｘ’、Ｙ’に合わされたグリッド上に配置されている。これは、実際の熱領域を基板（ホルダ）に対して回転させることで得られる。修正グリッドの向きは、本明細書で修正軸と称される軸を基準として画定され得る。
【００３１】
[0027]  本発明の第２の実施形態では、修正グリッドの回転は、特定の量だけ回転させた基板をエッチングステーションの基板ホルダに導入することで行われる。これは、ウェーハを基板ホルダに配置する前にエフェクタ要素上でウェーハを回転させることで行うことができる。（ノッチの位置又は露光フィールドのレイアウトに基づいて）修正要素に対する基板の回転角度を測定するために標準アライメント手段を設けることができる。基板をプロセスデバイスに導入する際の基板のアライメントは、リソグラフィ装置への導入時ほど正確である必要はないことに留意されたい。多くの場合、最大で１°若しくは２°又はさらに５°の角度許容差が許容可能である。この実施形態の利点は、処理装置の修正グリットと、基板上のフィールドレイアウトに関連付けられたグリッドとの間の角度θの自由度の高い選択である。角度θは、４５±４５°の範囲から選択することができる。４５°の角度は、（リソグラフィ装置に関係する標準的なフィールドレイアウトに対して）露光フィールド及び／又は基板にわたる対角線に沿ったフィーチャ特性の修正を可能にする。
【００３２】
[0028]  図２ｃは、本発明の第３の実施形態を示す。デカルトベースのグリッドレイアウトの代わりに、極座標系のグリッドレイアウトが、処理装置に関係する修正要素（熱領域）の配置を規定する。
【００３３】
[0029]  本発明の実施形態による方法が図３に示されている。基板は、露光１０４において、リソグラフィ装置によってデバイスパターンに暴露される。露光された基板は、露光ステップで形成されたパターンを基板に転写するためにプロセスツール１２２に移送及び導入される２００。移送若しくは導入中又は基板がプロセスツール１２２内にあるとき、基板は、基板上のフィールドのグリッドとプロセスツールの修正要素のグリッドとの間の角度がθであるように方向付けられる。
【００３４】
[0030]  本発明の第４の実施形態では、曲線状の修正グリッドレイアウトが採用される。第５の実施形態では、直線状のグリッドレイアウトが採用される。
【００３５】
[0031]  第１の装置のための修正グリッドを第２の装置の修正グリッドに対して変更するために、修正グリッド間の回転以外の他の操作も選択することができる。第６の実施形態では、第２の修正グリッドを設定するために第１の修正グリッドに鏡像操作が加えられる。
【００３６】
[0032]  本発明の特定の実施形態が上記に説明されたが、当然のことながら、本発明は、説明したものと別の方法で実施することができる。
【００３７】
[0033]  実施形態は、測定及び最適化ステップを実施し、上記のその後の露光プロセスを制御するように、図１に示す様々な装置に命令するように構成された機械可読命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムを含むことができる。このコンピュータプログラムは、例えば、図１の制御ユニットＬＡＣＵ若しくは監視制御システムＳＣＳ又は両方の組み合わせ内で実行することができる。そのようなコンピュータプログラムが格納されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）を設けることもできる。
【００３８】
[0034]  光リソグラフィとの関連において、本発明の実施形態の使用について上記に特定の言及を行うことができたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えばインプリントリソグラフィで使用することができ、状況が可能にする場合、光リソグラフィに限定されない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に形成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層に押し付けることができ、レジストは、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを加えることで硬化する。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残したままレジストから引き離される。
【００３９】
[0035]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）線及び（例えば、１〜１００ｎｍの範囲の波長を有する）極端紫外（ＥＵＶ）線、並びにイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含むすべてのタイプの電磁放射線を包含する。スキャトロメータ及び他の検査装置の実施は、適切な放射源を使用してＵＶ及びＥＵＶ波長で行うことができ、本開示は、ＩＲ及び可視放射を使用するシステムに決して限定されない。
【００４０】
[0086]  「レンズ」という用語は、状況が可能にする場合、屈折式、反射式、磁気式、電磁気式及び静電式光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ又はそれらの組み合わせを指すことができる。反射式コンポーネントは、ＵＶ及び／又はＥＵＶ範囲で動作する装置で使用される可能性がある。
【００４１】
[0037]  以下は、本発明の例示的な実施形態である。
【００４２】
[0038]  Ａ）基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にするように構成された修正要素を含む基板処理装置において、修正要素は、基板上のフィールドのレイアウトに関連付けられたグリッドのＸ軸又はＹ軸に平行でない方向を有する少なくとも１つの軸に沿って配置されることを特徴とする、基板処理装置。
【００４３】
[0039]  Ｂ）軸は、基板又は基板ホルダ表面に平行な平面内で方向付けられる、実施形態Ａ）による基板処理装置。
【００４４】
[0040]  Ｃ）軸は、基板上のフィールドのレイアウトに関連付けられたグリッドのＸ軸又はＹ軸に対して４５±４０°の角度で配置される、実施形態Ａ）又はＢ）による基板処理装置。
【００４５】
[0041]  Ｄ）基板を、軸であって、それに沿って修正要素が配置される軸に対して回転させる手段をさらに含む、実施形態Ａ）〜Ｃ）のいずれか１つによる基板処理装置。
【００４６】
[0042]  Ｅ）手段は、０〜９０°の回転角度の選択を可能にする、実施形態Ｄ）による基板処理装置。
【００４７】
[0043]  Ｆ）基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にするように構成された修正要素を含む基板処理装置において、修正要素は、極座標系のグリッドレイアウトに従って配置されることを特徴とする、基板処理システム。
【００４８】
[0044]  Ｇ）基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にするように構成された修正要素を含む基板処理装置において、修正要素は、曲線状又は直線状のグリッドレイアウトに従って配置されることを特徴とする、基板処理システム。
【００４９】
[0045]  Ｈ）基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にするように構成された修正要素を含む基板処理装置において、修正要素は、基板上のフィールドのレイアウトに関連付けられたグリッドに対して行われる鏡像操作から得られるグリッドレイアウトに従って配置されることを特徴とする、基板処理システム。
【００５０】
[0046]  Ｉ）基板に対して行われるプロセスの特性の局所修正を可能にするように構成された修正要素を含む基板処理装置において、修正要素は、基板上のフィールドのレイアウトに関連付けられたグリッドに対して行われる拡大縮小操作から得られるグリッドレイアウトに従って配置されることを特徴とする、基板処理システム。
【００５１】
[0047]  Ｊ）半導体プロセスを最適化する方法であって、実施形態Ａ）〜Ｉ）のいずれか１つによる基板処理装置を使用するステップを含む方法。
【００５２】
[0048]  本発明の広さ及び範囲は、上記の例示的な実施形態のいずれかによって限定されず、添付の特許請求の範囲及びその均等物によってのみ規定されるべきである。
【図１】
2019532342.tif 000003
【図２Ａ】
2019532342.tif 000004
【図２Ｂ】
2019532342.tif 000005
【図２Ｃ】
2019532342.tif 000006
【図３】
2019532342.tif 000007
【国際調査報告】
2019532342.tif 000008
2019532342.tif 000009
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