(57)【要約】  式Ａ〜Ｅの青色および緑色発光Ｅｕ２＋活性化オキシハライド蛍光体は、照明および表示用途のデバイスで使用することができる：Ａ．Ｍ３ＳｉＯ３Ｘ４：Ｅｕ２＋；Ｂ．Ｍ５Ｓｉ３Ｏ９Ｘ４：Ｅｕ２＋；Ｃ．Ｍ１．６４Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｘ０．３６：Ｅｕ２＋；Ｄ．Ｍ１０Ｓｉ３Ｏ９Ｘ１４：Ｅｕ２＋；Ｅ．Ｍ２ＳｉＯ３Ｘ２：Ｅｕ２＋；式中、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、またはその混合物であり；Ｘは、Ｂｒ、またはＢｒとＣｌの混合物である。【選択図】図１
2019513305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光源と、前記光源に放射結合されているＥｕ２＋活性化蛍光体を備えるデバイスであって；
前記蛍光体が、以下の
Ａ．Ｍ３ＳｉＯ３Ｘ４：Ｅｕ２＋；
Ｂ．Ｍ５Ｓｉ３Ｏ９Ｘ４：Ｅｕ２＋；
Ｃ．Ｍ１．６４Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｘ０．３６：Ｅｕ２＋；
Ｄ．Ｍ１０Ｓｉ３Ｏ９Ｘ１４：Ｅｕ２＋；
Ｅ．Ｍ２ＳｉＯ３Ｘ２：Ｅｕ２＋；
〔上式で、
Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、またはその混合物であり；
Ｘは、Ｂｒ、またはＢｒとＣｌの混合物である〕；
から選択されるデバイス。
【請求項２】
前記蛍光体が、Ｍ３ＳｉＯ３Ｘ４：Ｅｕ２＋である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記蛍光体が、Ｍ５Ｓｉ３Ｏ９Ｘ４：Ｅｕ２＋である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記蛍光体が、Ｍ１．６４Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｘ０．３６：Ｅｕ２＋である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記蛍光体が、Ｍ１０Ｓｉ３Ｏ９Ｘ１４：Ｅｕ２＋である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記蛍光体が、Ｍ２ＳｉＯ３Ｘ２：Ｅｕ２＋である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記蛍光体が、
Ｂａ３ＳｉＯ３Ｂｒ４：Ｅｕ２＋；
Ｂａ５Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ４：Ｅｕ２＋；
Ｃａ５Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ４：Ｅｕ２＋；
Ｂａ０．９８４Ｓｒ０．６５６Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｂｒ０．３６：Ｅｕ２＋；
Ｓｒ１０Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ１４：Ｅｕ２＋；および
Ｓｒ２ＳｉＯ３Ｂｒ２：Ｅｕ２＋
から選択される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
式Ｉ
Ａｘ［Ｍ１Ｆｙ］：Ｍｎ４＋
Ｉ
〔上式で、
Ａは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓまたはその組合せであり；
Ｍ１は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄまたはその組合せであり；
ｘは、［Ｍ２Ｆｙ］イオンの電荷の絶対値であり；かつ
ｙは、５、６または７である〕
のＭｎ４＋ドープ蛍光体をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記式ＩのＭｎ４＋ドープ蛍光体がＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋である、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載のデバイスを含むバックライトユニット。
【請求項１１】
請求項１に記載のバックライトユニットを含む電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１に記載のデバイスを含む照明装置（１０）。
【請求項１３】
Ａ．Ｍ３ＳｉＯ３Ｘ４：Ｅｕ２＋；
Ｂ．Ｍ５Ｓｉ３Ｏ９Ｘ４：Ｅｕ２＋；
Ｃ．Ｍ１．６４Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｘ０．３６：Ｅｕ２＋；
Ｄ．Ｍ１０Ｓｉ３Ｏ９Ｘ１４：Ｅｕ２＋；
Ｅ．Ｍ２ＳｉＯ３Ｘ２：Ｅｕ２＋；
〔上式で、
Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、またはその混合物であり；
Ｘは、Ｂｒ、またはＢｒとＣｌの混合物である〕；
からなる群から選択されるＥｕ２＋活性化蛍光体。
【請求項１４】
式Ｍ３ＳｉＯ３Ｘ４：Ｅｕ２＋の、請求項１３に記載のＥｕ２＋活性化蛍光体。
【請求項１５】
式Ｍ５Ｓｉ３Ｏ９Ｘ４：Ｅｕ２＋の、請求項１３に記載のＥｕ２＋活性化蛍光体。
【請求項１６】
式Ｍ１．６４Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｘ０．３６：Ｅｕ２＋の、請求項１３に記載のＥｕ２＋活性化蛍光体。
【請求項１７】
Ｍ１０Ｓｉ３Ｏ９Ｘ１４：Ｅｕ２＋の、請求項１３に記載のＥｕ２＋活性化蛍光体。
【請求項１８】
Ｍ２ＳｉＯ３Ｘ２：Ｅｕ２＋の、請求項１３に記載のＥｕ２＋活性化蛍光体。
【請求項１９】
前記蛍光体が、
Ｂａ３ＳｉＯ３Ｂｒ４：Ｅｕ２＋；
Ｂａ５Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ４：Ｅｕ２＋；
Ｃａ５Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ４：Ｅｕ２＋；
Ｂａ０．９８４Ｓｒ０．６５６Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｂｒ０．３６：Ｅｕ２＋；
Ｓｒ１０Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ１４：Ｅｕ２＋；および
Ｓｒ２ＳｉＯ３Ｂｒ２：Ｅｕ２＋
から選択される、請求項１３に記載のＥｕ２＋活性化蛍光体。
【請求項２０】
約３．２部〜約３．４部のＢａＣＯ３、
約１．５〜約１．７部のＳｒＣＯ３、
約０．８７〜約０．８９部のＳｉＯ２、約０．０２〜約０．１５部のＥｕ２Ｏ３および
約０．５４〜約０．６２部のＮＨ４Ｂｒを組み合わせること；および
１回目の焼成で、前記組合せを減圧雰囲気下、約８００℃〜約１３００℃の範囲の温度で焼成して中間生成物を形成すること；および
２回目の焼成段階で、前記中間生成物を減圧雰囲気下、約８００℃〜約１３００℃の範囲の温度で焼成すること
によって製造されるＥｕ２＋活性化蛍光体。
【請求項２１】
前記１回目の焼成段階で、前記組合せを約１１００℃で焼成し；前記２回目の焼成段階で、前記中間生成物を約１１００℃で焼成する、請求項２０に記載のＥｕ２＋活性化蛍光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オキシブロミド蛍光体およびその使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子と蛍光体の組合せに基づく発光デバイスは、低いエネルギー消費、コンパクトなサイズ、高輝度および広い色域が期待される次世代デバイス用に注目されてきた。さらに、最近は、小型液晶ディスプレイ用のバックライトの開発はより競争的になっている。この分野では、様々な方法が提案されてきたが、輝度と色域（ＮＴＳＣ比）の両方を提供することのできる方法はまだ見出されていない。現在、青色発光素子（ピーク波長：約４５０ｎｍ）と、青色光によって励起し、黄色光発光を示す三価セリウムによって活性化した（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２蛍光体、または二価ユウロピウムによって活性化した（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）２ＳｉＯ４蛍光体の組合せが主に使用されている。しかし、そのような発光デバイスにおいて、色域（ＮＴＳＣ比）は一般に約６５％（ＣＩＥ１９３１）であるが、小型のＬＣＤにおいてさえも、より高い色域が求められる。そのような背景のもと、小型ＬＣＤ用のバックライトの色域（ＮＴＳＣ比）を改善することが今すぐ必要とされている。したがって、青色放射を効率的に吸収し、高い量子効率を提供し、白色発光照明デバイスにおいて改善された演色性をもたらす蛍光体組成物およびブレンドが必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】欧州特許第２２８００５４号明細書
【発明の概要】
【０００４】
手短に言えば、一態様では、本発明は、式Ａ〜Ｅ
Ａ．Ｍ３ＳｉＯ３Ｘ４：Ｅｕ２＋；
Ｂ．Ｍ５Ｓｉ３Ｏ９Ｘ４：Ｅｕ２＋；
Ｃ．Ｍ１．６４Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｘ０．３６：Ｅｕ２＋；
Ｄ．Ｍ１０Ｓｉ３Ｏ９Ｘ１４：Ｅｕ２＋；
Ｅ．Ｍ２ＳｉＯ３Ｘ２：Ｅｕ２＋；
〔上式で、
Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、またはその混合物であり；
Ｘは、ＣｌまたはＢｒ、またはそれらの混合物である〕；
の青色および緑色発光Ｅｕ２＋活性化オキシハライド蛍光体に関する。
【０００５】
もう一つの態様では、本発明は、式Ａ〜Ｅの蛍光体から選択されるＥｕ２＋活性化蛍光体と放射結合された半導体光源を含むデバイスに関する。デバイスは、照明および表示用途用に構成されてよい。
【０００６】
本発明のこれらおよび他の特徴、態様、ならびに利点は、図面を通して同様の文字が同様の部品を表している添付の図面を参照して以下の詳細な説明が読まれるときに、より良く理解されることになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態によるデバイスの概略断面図を示す図である。
【図２】本発明のもう一つの実施形態によるデバイスの概略断面図を示す図である。
【図３】本発明のさらにもう一つの実施形態によるデバイスの概略断面図を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態によるデバイスの側断面斜視図を示す図である。
【図５】表面実装型デバイス（ＳＭＤ）バックライトＬＥＤの概略斜視図を示す図である。
【図６】Ｍ＝ＢａおよびＸ＝Ｂｒである、式Ａの緑色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。
【図７】Ｍ＝ＢａおよびＸ＝Ｂｒである、式Ｂの青色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。
【図８】Ｍ＝ＣａおよびＸ＝Ｂｒである、式Ｂの青色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。
【図９】Ｍ＝Ｂａ／ＳｒおよびＸ＝Ｂｒである、式Ｃの緑色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。
【図１０】Ｍ＝ＳｒおよびＸ＝Ｂｒである、式Ｄの青色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。
【図１１】Ｍ＝ＳｒおよびＸ＝Ｂｒである、式Ｅの青色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明による青色および緑色発光Ｅｕ２＋活性化オキシハライド蛍光体は、ダウンコンバートする蛍光体として、高い量子効率および望ましいスペクトル特性を有する。蛍光体は、ＬＥＤ用途のためのダウンコンバートする蛍光体として使用されてよく、その用途は、スペクトル特性に応じて変動する。狭い青色蛍光体は、４０５ｎｍＬＥＤパッケージに用途を有し、ここで白色光の青色成分は４５０ｎｍ放射体を欠くためになくなっている。狭帯域緑色蛍光体は、その他の公知のＬＥＤ蛍光体と適切な比で混合された場合に、色域の高いＬＣＤ  ＢＬＵ’ｓに、あるいはＣＲＩまたはＬＰＷに望ましい効果を達成することに用途がある。
【０００９】
ハロゲン化物イオンである、式Ａ〜Ｅ中のＸは、ＣｌまたはＢｒまたはその混合物であってよい；好ましい実施形態では、ハロゲン化物イオンはＢｒである。金属イオンＭは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、またはその混合物であってよく、好ましい実施形態では、金属イオンは、Ｂａ、ＳｒまたはＣａである。蛍光体は、活性化されているかまたはＥｕ２＋イオンでドープされ、さらなる活性剤イオンが存在していてもよい。さらなる活性剤イオンの例としては、Ｍｎ２＋、Ｍｎ４＋、Ｃｅ３＋、Ｓｎ２＋、Ｂｉ３＋、Ｓｂ３＋、Ｃｒ３＋、Ｔｂ３＋、Ｐｒ３＋、Ｅｕ３＋、Ｔｉ４＋、Ｉｎ＋、Ｔｌ＋、Ｄｙ３＋およびＰｂ２＋が挙げられる。
【００１０】
特定の実施形態では、蛍光体は、Ｂａ３ＳｉＯ３Ｂｒ４：Ｅｕ２＋；Ｂａ５Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ４：Ｅｕ２＋；Ｃａ５Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ４：Ｅｕ２＋；Ｍ１．６４Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｂｒ０．３６：Ｅｕ２＋（ここでＭは６０：４０  Ｂａ：Ｓｒである）；Ｓｒ１０Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ１４：Ｅｕ２＋；またはＳｒ２ＳｉＯ３Ｂｒ２：Ｅｕ２＋である。
【００１１】
蛍光体は、オキシハライド蛍光体を製造するための公知の方法によって製造されてよい。一部の実施形態では、固体形態の原材料の混合物は、還元雰囲気下で焼成されてよい。特に、Ｅｕ２＋活性化蛍光体は、
約３．２部〜約３．４部のＢａＣＯ３、
約１．５〜約１．７部のＳｒＣＯ３、
約０．８７〜約０．８９部のＳｉＯ２、
約０．０２〜約０．１５部のＥｕ２Ｏ３および
約０．５４〜約０．６２部のＮＨ４Ｂｒ
を組み合わせることによって製造されてよい。
【００１２】
１回目の焼成段階では、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＳｉＯ２、Ｅｕ２Ｏ３とＮＨ４Ｂｒ原材料の組合せを減圧雰囲気下、約８００℃〜約１３００℃の範囲の温度で焼成して中間生成物を形成する。その後、２回目の焼成段階で、中間生成物を還元雰囲気下約８００℃〜約１３００℃の範囲の温度で焼成する。還元雰囲気は、０．５％のＨ２および９９．５％のＮ２で構成されてよい。材料は、２つの焼成段階の間に周囲温度まで冷却されてよい。特定の実施形態では、１回目と２回目の焼成段階の温度は約１１００℃である。得られるＥｕ２＋活性化蛍光体の組成は、
Ｍ１．６４Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｂｒ０．３６：Ｅｕ２＋：（Ｍ＝６０：４０  Ｂａ：Ｓｒ）として、または
Ｍ２ＳｉＯ４−０．５ｘＢｒｘ（ここでＭ＝６０：４０  Ｂａ：Ｓｒであり、ｘは０．４４である）として、または
（１−ｘ）Ｍ２ＳｉＯ４＋ｘＭ２ＳｉＯ３Ｂｒ２（ここでＭ＝６０：４０  Ｂａ：Ｓｒであり、ｘは０．２２である）として、または
（１−２ｘ）Ｍ２ＳｉＯ４＋ｘＭＳｉＯ３＋ｘＭＢｒ２（ここでＭ＝６０：４０  Ｂａ：Ｓｒであり、ｘは０．１８である）として表すことができる。
【００１３】
本発明の一実施形態による照明装置または発光アセンブリまたはランプ１０を図１に示す。照明装置１０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１２として示される半導体放射源と、ＬＥＤチップに電気的に取り付けられたリード１４とを備える。リード１４は、より厚い１または複数のリードフレーム１６によって支持された細いワイヤであってもよいし、またはリードは自己支持電極であってもよく、リードフレームは省略されてもよい。リード１４は、ＬＥＤチップ１２に電流を供給し、それにより放射を放出する。
【００１４】
ランプは、発した放射が蛍光体に向けられたときに白色光を発生することができる半導体青色光源またはＵＶ光源を備えることができる。一実施形態において、半導体光源は、様々な不純物をドープされた青色発光ＬＥＤである。したがって、ＬＥＤは、任意の適切なＩＩＩ−Ｖ、ＩＩ−ＶＩまたはＩＶ−ＩＶ半導体層に基づき、約２５０〜５５０ｎｍの発光波長を有する半導体ダイオードを備えることができる。特に、ＬＥＤは、ＧａＮ、ＺｎＳｅまたはＳｉＣを含む少なくとも１つの半導体層を備えることができる。例えば、ＬＥＤは、約２５０ｎｍより長く、約５５０ｎｍよりも短い発光波長を有する、式ＩｎｉＧａｊＡｌｋＮ（式中、０≦ｉ；０≦ｊ；０≦ｋおよびｉ＋ｊ＋ｋ＝１）で表される窒化化合物半導体を含むことができる。特定の実施形態では、チップは、ピーク発光波長が約４００〜約５００ｎｍの近紫外または青色発光ＬＥＤ、特に、ピーク発光波長が約４０５ｎｍの紫外発光ＬＥＤまたはピーク発光波長が約４５０ｎｍの青色発光ＬＥＤである。このようなＬＥＤ半導体は、当技術分野で公知である。放射源は便宜上本明細書においてＬＥＤとして記載する。しかし、本明細書において使用する場合、この用語は、例えば半導体レーザーダイオードおよび有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含むすべての半導体放射源を包含することを意味する。さらに、本明細書において論じる本発明の例示的な構造の一般的な考察は無機ＬＥＤに基づく光源を対象としているが、特に明記しない限りＬＥＤチップを別の放射源で置き換え、補充または増強することができること、ならびに半導体、半導体ＬＥＤ、またはＬＥＤチップに関する言及は、限定されるものではないが、レーザーダイオードまたはＯＬＥＤを含む任意の適切な放射源の単なる代表例であることは理解される。
【００１５】
照明装置１０では、蛍光体組成物２２がＬＥＤチップ１２に放射結合される。放射結合とは、要素が互いに関連しているため、一方からの放射が他方に伝達されることを意味する。蛍光体組成物２２には、本発明による少なくとも１つの緑色発光蛍光体が含まれる。さらに、米国特許第７，３５８，５４２号、米国特許第７，４９７，９７３号、および米国特許第７，６４８，６４９号に記載の赤色発光Ｍｎ４＋ドープ複合フッ化物材料も含まれてよい。Ｍｎ４＋ドープ複合フッ化物は、式Ａ２［Ｍ１Ｆ６］：Ｍｎ４＋の複合フッ化物であり、ここでＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはそれらの組合せであり；Ｍ１はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄ、またはそれらの組合せである。本明細書で使用する場合、「複合フッ化物」という用語は、配位子として作用するフッ化物イオンによって囲まれ、必要に応じて対イオンによって電荷補償された、少なくとも１つの配位中心を含む配位化合物を指す。例えば、式Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋のＭｎ４＋をドープした複合フッ化物では、では、配位中心はＳｉであり、対イオンはＫである。複合フッ化物は、時には単純な二元フッ化物の組合せとして記載されているが、そのような表現は、配位中心の周りの配位子の配位数を示すものではない。角括弧（簡単のために時には省略される）は、それらが包含する複合イオンが単純なフッ化物イオンと異なる新しい化学種であることを示す。賦活剤イオン（Ｍｎ４＋）はまた、配位中心として作用し、ホスト格子の中心の一部、例えばＳｉを置換する。ホスト格子（対イオンを含む）は、賦活剤イオンの励起および発光特性をさらに変化させる場合がある。特定の実施形態では、複合フッ化物蛍光体の配位中心、すなわち式ＩＶ中のＭはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、またはそれらの組合せである。より具体的には、配位中心はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、またはそれらの組合せであり；対イオン、すなわち式中のＡはＮａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはそれらの組合せである。複合フッ化物蛍光体の例は、Ｋ２［ＳｉＦ６］：Ｍｎ４＋、Ｋ２［ＴｉＦ６］：Ｍｎ４＋、Ｋ２［ＳｎＦ６］：Ｍｎ４＋、Ｃｓ２［ＴｉＦ６］：Ｍｎ４＋、Ｒｂ２［ＴｉＦ６］：Ｍｎ４＋、Ｃｓ２［ＳｉＦ６］：Ｍｎ４＋、Ｒｂ２［ＳｉＦ６］：Ｍｎ４＋、Ｎａ２［ＴｉＦ６］：Ｍｎ４＋、Ｎａ２［ＺｒＦ６］：Ｍｎ４＋、またはそれらの組合せを含む。特定の実施形態において、Ｍｎ４＋ドープ複合フッ化物は、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋である。
【００１６】
いくつかの実施形態では、蛍光体組成物は、照明装置から白色光を作り出す蛍光体ブレンドを形成するための第３の蛍光体をさらに含むことができる。例えば、蛍光体ブレンドは、白色発光ＬＥＤベースのデバイスにおいて用途を見出すことができる。一実施形態では、第３の蛍光体は、約５２０ナノメートル〜約５８０ナノメートルの波長範囲にピーク発光を有する緑色発光蛍光体である。第３の蛍光体の適切な例は、これらに限定されないが、緑色発光ガーネット（例えば、ＹＡＧ）、オルトシリケート、ベータサイアロン、オキシハロゲン化物およびそれらの組合せを含む。
【００１７】
蛍光体組成物２２は、任意の適切な方法によってＬＥＤ１２上に堆積される。例えば、１または複数の蛍光体の水系懸濁液を形成し、蛍光体層としてＬＥＤ表面に適用することができる。そのような一方法では、蛍光体粒子がランダムに懸濁されたシリコーンスラリーがＬＥＤの周りに配置される。この方法は、蛍光体組成物２２およびＬＥＤ１２の可能な位置の単なる例示である。したがって、蛍光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２の上に蛍光体懸濁液をコーティングし、乾燥させることによって、ＬＥＤチップ１２の発光面の上にまたは直接にコーティングされ得る。シリコーン系懸濁液の場合、この懸濁液は適切な温度で硬化される。シェル１８および封入材２０は両方とも、白色光２４がこれらの要素を透過するように透明でなければならない。限定を意図するものではないが、いくつかの実施形態において、蛍光体組成物のメジアン粒径は、約１〜約５０ミクロン、特に約１５〜約３５ミクロンの範囲である。
【００１８】
他の実施形態において、蛍光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２上に直接形成される代わりに、封入材２０内に点在させられる。蛍光体（粉末形態）は、封入材２０の単一領域内に、または封入材の全体積にわたって点在させることができる。ＬＥＤチップ１２によって発せられた青色光は、蛍光体組成物２２によって発せられた光と混ざり合い、混合光は白色光として現れる。蛍光体を封入材２０内に点在させる場合、ＬＥＤチップ１２の周囲に装填されたポリマーまたはシリコーン前駆体に蛍光体粉末を添加し、その後ポリマー前駆体を硬化させて、ポリマーまたはシリコーン材料を固化することができる。他の公知の蛍光体点在法、例えば、トランスファーローディング（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｌｏａｄｉｎｇ）も使用することができる。
【００１９】
さらに別の実施形態において、蛍光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２にわたって形成される代わりに、シェル１８の表面上にコーティングされる。蛍光体組成物は、好ましくは、シェル１８の内側表面にコーティングされるが、所望であれば、シェルの外側表面にコーティングされてもよい。蛍光体組成物２２は、シェルの表面全体にコーティングされてもよく、またはシェルの表面上部のみにコーティングされてもよい。ＬＥＤチップ１２によって発せられたＵＶ／青色光は、蛍光体組成物２２によって発せられた光と混ざり合い、混合光は白色光として現れる。当然のことながら、蛍光体は、いずれか２箇所または３箇所すべてに、またはシェルとは別個に、もしくはＬＥＤに一体化されたような任意の他の適切な場所に配置することができる。
【００２０】
図２は、本発明によるシステムの第２の構造を例示する。図１〜図４の対応する数字（例えば、図１の１２および図２の１１２）は、特に明記しない限り、各図の対応する構造に関する。図２の実施形態の構造は、蛍光体組成物１２２がＬＥＤチップ１１２上に直接形成される代わりに、封入材１２０内に点在する点を除いて、図１の構造と同様である。蛍光体（粉末形態）は、封入材の単一の領域内に、または封入材の全体積にわたって点在させることができる。ＬＥＤチップ１１２によって発せられた放射（矢印１２６によって示される）は、蛍光体１２２によって発せられた光と混ざり合い、混合光は白色光１２４として現れる。蛍光体を封入材１２０内に点在させる場合、蛍光体粉末をポリマー前駆体に添加し、ＬＥＤチップ１１２の周りに装填することができる。次いで、ポリマーまたはシリコーン前駆体を硬化させて、ポリマーまたはシリコーンを固化させることができる。他の公知の蛍光体点在法、例えば、トランスファー成形も使用することができる。
【００２１】
図３は、本発明によるシステムの第３の可能な構造を例示する。図３に示す実施形態の構造は、蛍光体組成物２２２が、ＬＥＤチップ２１２にわたって形成される代わりに、エンベロープ２１８の表面上にコーティングされる点を除いて、図１の構造と同様である。蛍光体組成物２２２は、好ましくはエンベロープ２１８の内側表面にコーティングされるが、所望であればエンベロープの外側表面にコーティングされてもよい。蛍光体組成物２２２は、エンベロープの表面全体にコーティングされてもよく、またはエンベロープの表面上部のみにコーティングされてもよい。ＬＥＤチップ２１２によって発せられた放射２２６は、蛍光体組成物２２２によって発せられた光と混ざり合い、混合光は白色光２２４として現れる。当然のことながら、図１から図３の構造は組み合わせることができ、蛍光体は、いずれか２箇所または３箇所すべてに、またはエンベロープとは別個に、もしくはＬＥＤに一体化されたような任意の他の適切な場所に配置することができる。
【００２２】
上記構造のいずれにおいても、ランプは、封入材に埋め込まれた複数の散乱粒子（図示せず）を含むことができる。散乱粒子としては、例えば、アルミナまたはチタニアを挙げることができる。散乱粒子は、ＬＥＤチップから発せられた指向性光を、好ましくは無視できる量の吸収で効果的に散乱させる。
【００２３】
図４の第４の構造に示すように、ＬＥＤチップ４１２は、反射カップ４３０内に取り付けられてもよい。カップ４３０は、アルミナ、チタニア、または当該技術分野で公知の他の誘電性粉末などの誘電材料から作製されるかもしくはこれによりコーティングされても、またはアルミニウムもしくは銀のような反射金属によってコーティングされてもよい。図４の実施形態の構造の残りの部分は、先の図面のいずれかの構造と同じであり、２つのリード４１６、導線４３２、および封入材４２０を備えることができる。反射カップ４３０は、第１のリード４１６によって支持され、導線４３２は、ＬＥＤチップ４１２を第２のリード４１６と電気的に接続するために使用される。
【００２４】
別の構造（特に、バックライト用途）は、例えば図５に例示されるような表面実装型デバイス（「ＳＭＤ」）タイプの発光ダイオード５５０である。このＳＭＤは、「側面発光型」であり、導光部材５５４の突出部分に発光窓５５２を有する。ＳＭＤパッケージは、上記で定義したＬＥＤチップと、ＬＥＤチップから発せられた光によって励起される蛍光体材料とを備えることができる。他のバックライトデバイスとしては、限定するものではないが、半導体光源および本発明による緑色発光オキシハライド蛍光体を含むディスプレイを有する、テレビ、コンピュータ、スマートフォン、タブレットコンピュータ、および他の携帯用デバイスが挙げられる。
【００２５】
３５０〜５５０ｎｍで発光するＬＥＤおよび１または複数の他の適切な蛍光体とともに使用された場合、得られる照明システムは白色を有する光を発生する。ランプ１０はまた、封入材に埋め込まれた散乱粒子（図示せず）をさらに含んでもよい。散乱粒子としては、例えば、アルミナまたはチタニアを挙げることができる。散乱粒子は、ＬＥＤチップから発せられた指向性光を、好ましくは無視できる量の吸収で効果的に散乱させる。
【００２６】
本発明による緑色発光蛍光体、および所望により赤色発光Ｍｎ４＋ドープ蛍光体に加えて、蛍光体組成物２２には、１以上のその他の蛍光体が含まれてよい。約２５０〜５５０ｎｍの範囲の放射を発する青色または近紫外ＬＥＤと組み合わせた照明装置で使用される場合、アセンブリによって発せられる得られる光は白色光となる。緑色、青色、黄色、赤色、橙色、または他の色の蛍光体などの他の蛍光体をブレンドに用いて、得られる光の白色をカスタマイズし、特定のスペクトル出力分布を生成することができる。蛍光体組成物２２での使用に適した蛍光体としては、限定されるものではないが、以下が挙げられる：
（（Ｓｒ１−ｚ（Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）ｚ）１−（ｘ＋ｗ）（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）ｗＣｅｘ）３（Ａｌ１−ｙＳｉｙ）Ｏ４＋ｙ＋３（ｘ−ｗ）Ｆ１−ｙ−３（ｘ−ｗ）、０＜ｘ≦０．１０、０≦ｙ≦０．５、０≦ｚ≦０．５、０≦ｗ≦ｘ；
（Ｃａ，Ｃｅ）３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２（ＣａＳｉＧ）；
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）３Ａｌ１−ｘＳｉｘＯ４＋ｘＦ１−ｘ：Ｃｅ３＋（ＳＡＳＯＦ））；
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ，ＯＨ）：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＢＰＯ５：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；（Ｓｒ，Ｃａ）１０（ＰＯ４）６＊□Ｂ２Ｏ３：Ｅｕ２＋（ここで０＜□≦１）；Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８＊２ＳｒＣｌ２：Ｅｕ２＋；
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；ＢａＡｌ８Ｏ１３：Ｅｕ２＋；２ＳｒＯ＊０．８４Ｐ２Ｏ５＊０．１６Ｂ２Ｏ３：Ｅｕ２＋；
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ａｌ２Ｏ４：Ｅｕ２＋；（Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌａ）ＢＯ３：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋；ＺｎＳ：Ｃｕ＋，Ｃｌ−；ＺｎＳ：Ｃｕ＋，Ａｌ３＋；ＺｎＳ：Ａｇ＋，Ｃｌ−；ＺｎＳ：Ａｇ＋，Ａｌ３＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２Ｓｉ１−□Ｏ４−２□：Ｅｕ２＋（ここで０≦□≦０．２）；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２（Ｍｇ，Ｚｎ）Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕ２＋；（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）２Ｓ４：Ｅｕ２＋；
（Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌｕ）３（Ａｌ，Ｇａ）５−□Ｏ１２−３／２□：Ｃｅ３＋（ここで０≦□≦０．５）；
（Ｃａ，Ｓｒ）８（Ｍｇ，Ｚｎ）（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；Ｎａ２Ｇｄ２Ｂ２Ｏ７：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋；（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；
（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）２Ｏ３：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋；（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋；（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）ＶＯ４：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋；
（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ２＋，Ｃｅ３＋；ＳｒＹ２Ｓ４：Ｅｕ２＋；ＣａＬａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＰ２Ｏ７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋；（Ｙ，Ｌｕ）２ＷＯ６：Ｅｕ３＋，Ｍｏ６＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）□Ｓｉ□Ｎ□：Ｅｕ２＋（ここで２□＋４□＝３□）；Ｃａ３（ＳｉＯ４）Ｃｌ２：Ｅｕ２＋；
（Ｌｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｂ）２−ｕ−ｖＣｅｖＣａ１＋ｕＬｉｗＭｇ２−ｗＰｗ（Ｓｉ，Ｇｅ）３−ｗＯ１２−ｕ／２（ここで−０．５≦ｕ≦１、０＜ｖ≦０．１、かつ０≦ｗ≦０．２）；
（Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ）２−□Ｃａ□Ｓｉ４Ｎ６＋□Ｃ１−□：Ｃｅ３＋、（ここで０≦□≦０．５）；（Ｌｕ，Ｃａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｙ）、Ｅｕ２＋および／またはＣｅ３＋をドープしたα−ＳｉＡｌＯＮ；（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＳｉＯ２Ｎ２：Ｅｕ２＋，Ｃｅ３＋；β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ２＋、３．５ＭｇＯ＊０．５ＭｇＦ２＊ＧｅＯ２：Ｍｎ４＋；Ｃａ１−ｃ−ｆＣｅｃＥｕｆＡｌ１＋ｃＳｉ１−ｃＮ３、（ここで０≦ｃ≦０．２、０≦ｆ≦０．２）；Ｃａ１−ｈ−ｒＣｅｈＥｕｒＡｌ１−ｈ（Ｍｇ，Ｚｎ）ｈＳｉＮ３、（ここで０≦ｈ≦０．２、０≦ｒ≦０．２）；Ｃａ１−２ｓ−ｔＣｅｓ（Ｌｉ，Ｎａ）ｓＥｕｔＡｌＳｉＮ３、（ここで０≦ｓ≦０．２、０≦ｆ≦０．２、ｓ＋ｔ＞０）；（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、Ｃｅ３＋；および
Ｃａ１−□−□−φＣｅ□（Ｌｉ，Ｎａ）□Ｅｕ□Ａｌ１＋□−□Ｓｉ１−□＋□Ｎ３、（ここで０≦□≦０．２、０≦□≦０．４、０≦□≦０．２）。
【００２７】
蛍光体ブレンド中の個々の蛍光体のそれぞれの比は、所望の光出力の特性に依存して変化し得る。様々な実施形態の蛍光体ブレンドにおける個々の蛍光体の相対的比率は、それらの発光がブレンドされてＬＥＤ照明デバイスに使用されるとき、ＣＩＥ色度図上の所定のｘおよびｙ値の可視光が生成されるように調整することができる。述べたように、白色光が生成されることが好ましい。この白色光は、例えば、約０．２０から約０．５５の範囲のｘ値と、約０．２０から約０．５５の範囲のｙ値とを有することができる。しかし、上述のように、蛍光体組成物中の各蛍光体の正確な同一性および量は、最終使用者の必要に応じて変えることができる。例えば、この材料は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）バックライトのために意図されたＬＥＤに使用することができる。この用途では、ＬＥＤカラーポイントは、ＬＣＤ／カラーフィルタの組合せを通過した後、所望の白色、赤色、緑色、および青色に基づいて適切に調節される。
【００２８】
また、蛍光体組成物２２は、ポリフルオレン、好ましくはポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）およびそのコポリマー、例えばポリ（９，９’−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビス−Ｎ，Ｎ’‐（４−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）（Ｆ８−ＴＦＢ）；ポリ（ビニルカルバゾール）およびポリフェニレンビニレンならびにそれらの誘導体などのエレクトロルミネセンスポリマーを含んでもよい。さらに、発光層は、青色、黄色、橙色、緑色または赤色のリン光染料もしくは金属錯体、量子ドット材料、またはそれらの組合せを含むこともできる。リン光染料としての使用に適切な材料としては、限定するものではないが、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（赤色染料）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（緑色染料）およびイリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２）（青色染料）が挙げられる。ＡＤＳ（Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｄｙｅｓ  Ｓｏｕｒｃｅ，Ｉｎｃ．）から市販されている蛍光およびリン光金属錯体を使用することもできる。ＡＤＳの緑色染料は、ＡＤＳ０６０ＧＥ、ＡＤＳ０６１ＧＥ、ＡＤＳ０６３ＧＥ、およびＡＤＳ０６６ＧＥ、ＡＤＳ０７８ＧＥ、およびＡＤＳ０９０ＧＥを含む。ＡＤＳの青色染料は、ＡＤＳ０６４ＢＥ、ＡＤＳ０６５ＢＥ、およびＡＤＳ０７０ＢＥを含む。ＡＤＳの赤色染料は、ＡＤＳ０６７ＲＥ、ＡＤＳ０６８ＲＥ、ＡＤＳ０６９ＲＥ、ＡＤＳ０７５ＲＥ、ＡＤＳ０７６ＲＥ、ＡＤＳ０６７ＲＥ、およびＡＤＳ０７７ＲＥを含む。例となる量子ドット材料は、ＣｄＳｅ、ＺｎＳまたはＩｎＰに基づき、それには、限定されるものではないが、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＰｂＳｅ／ＰｂＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳまたはＣｄＴｅ／ＺｎＳなどのコア／シェル発光ナノ結晶が含まれる。
【００２９】
本発明の緑色発光蛍光体は、上記以外の用途に使用されてよい。例えば、材料は、蛍光灯、陰極線管、プラズマディスプレイデバイスまたは液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の蛍光体として使用することができる。この材料は、電磁カロリメータ、ガンマ線カメラ、コンピュータ断層撮影スキャナまたはレーザーのシンチレータとして使用することもできる。これらの用途は単なる例示であり、限定するものではない。
【００３０】
本開示に記載の実施形態、特に本明細書に記載の蛍光体組成物を使用することにより、一般照明用の低色温度範囲（２５００Ｋ〜４０００Ｋ）に対して、高い赤−緑色コントラスト、高い光度、および高いＣＲＩ値を有する白色光を作り出すランプを提供することができる。
【００３１】
実施例
一般的手順
シリコーンテープサンプル調製
５００ｍｇの被験材料を１．５０ｇのシリコーン（Ｓｙｌｇａｒｄ  １８４）と混合することによってサンプルを調製した。混合物を約１５分間真空チャンバ内で脱気した。この混合物（０．７０ｇ）を円盤状テンプレート（直径２８．７ｍｍ、厚さ０．７９ｍｍ）に注ぎ、９０℃で３０分間焼成した。試験のためにサンプルを約５ｍｍ×５ｍｍの大きさの正方形に切断した。
【００３２】
安定性試験
高光束条件
４４６ｎｍで発光するレーザーダイオードを、その他端にコリメータを有する光ファイバーと接続した。電力出力は３１０ｍＷであり、サンプルのビーム径は７００ミクロンであった。これは、サンプル表面の８０Ｗ／ｃｍ２の束と同等である。レーザーからの散乱線と励起した蛍光体からの発光の組合せである分光分布（ＳＰＤ）スペクトルは、１メートル（直径）積分球で収集し、データをスペクトロメーターソフトウェア（Ｓｐｅｃｗｉｎ）で処理される。２分の間隔で、ＳＰＤを４００ｎｍから５００ｎｍ、および５５０ｎｍから７００ｎｍまでそれぞれ積算することによって、レーザーからの積算電力および蛍光体発光を約２１時間にわたって記録した。測定の最初の９０分は、レーザーの熱安定性による作用を避けるために破棄される。レーザー損傷に起因する強度損失の百分率は、次のように計算される：
【００３３】
【数１】
2019513305.tif 000003
蛍光体の発光出力だけがプロットされるが、レーザー放射の積算出力ならびにそのピーク位置をモニターして、レーザーが実験中に安定していた（１％未満の変動）ことを確認した。
【００３４】
高温高湿（ＨＨＴＨ）処理
高温高湿（ＨＴＨＨ）処理のためのサンプルは、蛍光体粉末を二液型メチルシリコーン結合剤（ＲＴＶ−６１５、Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）に、０．９ｇの蛍光体に対して０．８２５ｇのシリコーン（パートＡ＋Ｂ）という比率で混合することによって作製した。次に、蛍光体／シリコーン混合物をアルミニウムサンプルホルダーに注入し、９０℃で２０分間硬化させる。対照サンプルを窒素下で貯蔵し、ＨＴＨＨ条件に曝露するサンプルを８５℃／８５％ＲＨ制御雰囲気チャンバに入れた。これらのＨＴＨＨ試料は定期的に取り出し、４５０ｎｍ励起下での発光強度を対照サンプルと比較した。
【実施例１】
【００３５】
蛍光体調製：Ｂａ３ＳｉＯ３Ｂｒ４：Ｅｕ２＋
材料：高純度炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）（９９．９％）およびアンモニウムブロミド（ＮＨ４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製することなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表１に示す。
【００３６】
【表１】
2019513305.tif 000004
粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２で構成される雰囲気下、７００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２雰囲気下、８５０℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。
【００３７】
生成物の発光スペクトルを図６に示す。ピーク発光波長は約５２０ｎｍであり、ＦＷＨＭは１００ｎｍであった。
【実施例２】
【００３８】
蛍光体調製：Ｂａ５Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ４：Ｅｕ２＋
材料：高純度炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）（９９．９％）およびアンモニウムブロミド（ＮＨ４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製することなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表２に示す。
【００３９】
【表２】
2019513305.tif 000005
粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２で構成される雰囲気下、８００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２雰囲気下、８５０℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。
【００４０】
生成物の発光スペクトルを図７に示す。ピーク発光波長は約４８５ｎｍであり、ＦＷＨＭは８８ｎｍであった。
【実施例３】
【００４１】
蛍光体調製：Ｃａ５Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ４：Ｅｕ２＋
材料：高純度炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）（９９．９％）およびアンモニウムブロミド（ＮＨ４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製するとなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表３に示す。
【００４２】
【表３】
2019513305.tif 000006
粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２で構成される雰囲気下、６００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２雰囲気下、７００℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。
【００４３】
生成物の発光スペクトルを図８に示す。ピーク発光波長は約４３５ｎｍであり、ＦＷＨＭは３５ｎｍであった。
【実施例４】
【００４４】
蛍光体調製：Ｍ１．６４Ｓｉ０．８２Ｏ３．１Ｂｒ０．３６：Ｅｕ２＋：（Ｍ＝６０：４０  Ｂａ：Ｓｒ）
材料：高純度炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）（９９．９％）および臭化物アンモニウム（ＮＨ４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製することなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表４に示す。
【００４５】
【表４】
2019513305.tif 000007
粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２で構成される雰囲気下、１１００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２雰囲気下、１１００℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。
【００４６】
生成物の発光スペクトルを図９に示す。ピーク発光波長は約５１８ｎｍであり、ＦＷＨＭは６０ｎｍであった。
【実施例５】
【００４７】
蛍光体調製：Ｓｒ１０Ｓｉ３Ｏ９Ｂｒ１４：Ｅｕ２＋
材料：高純度炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）（９９．９％）および臭化物アンモニウム（ＮＨ４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製することなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表５に示す。
【００４８】
【表５】
2019513305.tif 000008
粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２で構成される雰囲気下、５００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２雰囲気下、６００℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。
【００４９】
生成物の発光スペクトルを図１０に示す。ピーク発光波長は約４２８ｎｍであり、ＦＷＨＭは３０ｎｍであった。
【実施例６】
【００５０】
蛍光体調製：Ｓｒ２ＳｉＯ３Ｂｒ２：Ｅｕ２＋
材料：高純度炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）（９９．９％）および臭化物アンモニウム（ＮＨ４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製することなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表６に示す。
【００５１】
【表６】
2019513305.tif 000009
粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２で構成される雰囲気下、５００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２雰囲気下、６００℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。
【００５２】
生成物の発光スペクトルを図１１に示す。ピーク発光波長は約４６８ｎｍであり、ＦＷＨＭは８５ｎｍであった。
【００５３】
実施例４の生成物を、市販のβ−ＳｉＡｌＯＮサンプルとともに高温／高湿および高光束条件下で安定性試験に付した。結果を表７に示す。
【００５４】
【表７】
2019513305.tif 000010
本発明の特定の特徴だけを本明細書において例示および説明してきたが、多くの修正および変更が当業者に想到されるであろう。したがって、添付の特許請求の範囲が、そのようなすべての修正および変更を本発明の真の精神の範囲に包含されるものとして含むように意図されていることを、理解すべきである。
【符号の説明】
【００５５】
１０  ランプ、照明装置
１２  ＬＥＤチップ、ＬＥＤ
１４  リード
１６  リードフレーム
１８  シェル
２０  封入材
２２  蛍光体組成物
２４  白色光
１１２  ＬＥＤチップ
１２０  封入材
１２２  蛍光体組成物
１２２  蛍光体
１２４  白色光
１２６  矢印
２１２  ＬＥＤチップ
２１８  エンベロープ
２２２  蛍光体組成物
２２４  白色光
２２６  放射
４１２  ＬＥＤチップ
４１６  第１のリード、第２のリード
４２０  封入材
４３０  反射カップ
４３２  導線
５５０  発光ダイオード
５５２  発光窓
５５４  導光部材
【図１】
2019513305.tif 000011
【図２】
2019513305.tif 000012
【図３】
2019513305.tif 000013
【図４】
2019513305.tif 000014
【図５】
2019513305.tif 000015
【図６】
2019513305.tif 000016
【図７】
2019513305.tif 000017
【図８】
2019513305.tif 000018
【図９】
2019513305.tif 000019
【図１０】
2019513305.tif 000020
【図１１】
2019513305.tif 000021
【国際調査報告】
2019513305.tif 000022
2019513305.tif 000023
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