(57)【要約】  式［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ（式中、ｎ＝２〜４００であり；Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立して、Ｈ、炭化水素基、又はアルキルアミノ基であり、ただし、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つは、Ｈであり；及びＲは、独立して、Ｈ、炭化水素基、又はシリル基である）を有する前駆体を含むＳｉ含有膜形成用組成物が開示される。例示的な前駆体は、限定するものではないが、［−ＮＨ−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ及び［−Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎを含む。【選択図】図２
2019513174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ  （ＩＩ）
（式中、ｔ＝１〜４であり；ｎ＝２〜４００であり；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つは、Ｈであり；及び
Ｒは、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、式ＳｉｘＲ’２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４であり、及び各Ｒ’は、独立して、＝Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成する）を有するシリル基、又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２である）であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、Ｃ６−Ｃ１２アリール、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’の少なくとも１つは、Ｈである）
を有する単位を含有する前駆体を含むＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項２】
前記前駆体は、式［−ＮＨ−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ（ここで、ｔ＝１〜２である）を有する単位を含有する、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項３】
前記前駆体は、
［−Ｎ（ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
［−Ｎ（Ｓｉ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項４】
前記前駆体は、
［−Ｎ（Ｓｉ（Ｍｅ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（Ｅｔ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＰｒ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（ｎＰｒ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（Ｂｕ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＢｕ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（ｔＢｕ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（アミル）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（ヘキシル）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎｘ（ＳｉＨ（Ｍｅ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｅｔ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＰｒ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ｎＰｒ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｂｕ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＢｕ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ｔＢｕ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（アミル）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ヘキシル）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（アミル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
［−Ｎ（ＳｉＨ２（ヘキシル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項５】
前記前駆体は、
［−Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−（ＣＨ２）ｔ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項６】
前記前駆体は、
［−Ｎ（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（アミル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
［−Ｎ（ヘキシル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項７】
前記前駆体は、
［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項８】
前記前駆体は、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎ、及び
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項９】
前記前駆体は、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＨ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ピリジン）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ピロール）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ピロリジン）２−］ｎ、及び
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（イミダゾール）２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項１０】
前記前駆体は、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−（ＣＨ２）ｔ−−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリジン）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロール）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロリジン）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎ、及び
及び［−ＮＨ−ＳｉＨ（イミダゾール）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項１１】
基板上にＳｉ含有膜を形成する方法であって、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のＳｉ含有膜形成用組成物を含む溶液を形成することと、前記溶液をスピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、又はスリットコーティング法で前記基板と接触させて、前記Ｓｉ含有膜を形成することとを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１６年３月２３日に出願された米国仮特許出願第６２／３１２，３５２号明細書の利益を主張するものであり、その全体があらゆる目的のために参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
式：
［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ  （ＩＩ）
（式中、ｍ＝１〜４であり；ｔ＝１〜４であり；ｎ＝２〜４００であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’が、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つは、Ｈであり；及びＲは、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、式ＳｉｘＲ’２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４であり、及び各Ｒ’は、独立して、＝Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成する）を有するシリル基、又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２である）であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、Ｃ６−Ｃ１２アリール、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’の少なくとも１つは、Ｈである）
を有する単位を含有する前駆体を含むＳｉ含有膜形成用組成物が開示される。
【背景技術】
【０００３】
Ｓｉ含有膜は、半導体、太陽電池、ＬＣＤ−ＴＦＴ、フラットパネル型デバイス、耐火性材料、又は航空産業において広く使用されている。Ｓｉ含有膜は、例えば、絶縁し得る電気特性を有する誘電材料（ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯＨ、ＭＳｉＯｘ（式中、Ｍは、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、又はＧｅであり、及びｘは０〜４である））として使用される場合がある。Ｓｉ含有膜は、金属シリサイド又は金属ケイ素窒化物などの導電膜として使用される場合もある。電子デバイス構造のナノスケール（特に２８ｎｍノード未満）への小型化に伴って課せられる厳しい要件のため、速い堆積速度、製造される膜のコンフォーマル性及び一貫性に加えて、揮発性（蒸着プロセスについて）、より低い処理温度、様々な酸化剤との反応性、及び低い膜汚染の要件を満たす、更に微調整された分子の前駆体が必要とされている。
【０００４】
Ｈｉｚａｗａ及びＮｏｊｉｍｏｔｏ（Ｋｏｇｙｏ  Ｋａｇａｋｕ  Ｚａｓｓｈｉ，１９５６，５９，１３５９−６３）は、Ｍｅ３ＳｉＣＨ２ＳｉＭｅ２ＣｌとＮＨ３との反応からの（Ｍｅ３ＳｉＣＨ２ＳｉＭｅ２）２ＮＨの合成を述べている。
【０００５】
Ｏ’Ｎｅｉｌｌら（米国特許出願公開第２０１５／００８７１３９号明細書）は、Ｈ３Ｓｉ−Ｒ３−ＳｉＨ２−ＮＲ１−ＳｉＨ２−Ｒ３−ＳｉＨ３（式中、Ｒ１は、直鎖又は分岐のＣ１−Ｃ１２炭化水素基、直鎖又は分岐のＣ３−Ｃ１２アルケニル基、直鎖又は分岐のＣ３−Ｃ１２のアルキニル基、Ｃ３−Ｃ１２環状アルキル基、又はＣ５−Ｃ１２アリール基であり、Ｒ３は、直鎖又は分岐のＣ１−Ｃ１２アルキレン基、直鎖又は分岐のＣ３−Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３−Ｃ１２環状アルキレン基、Ｃ３−Ｃ１２ヘテロ環アルキレン基、Ｃ５−Ｃ１２アリーレン基、又はＣ５−Ｃ１２ヘテロアリーレン基である）を含む、５つの分類のオルガノアミノシラン前駆体を開示している。
【０００６】
Ｆａｆａｒｄらの国際公開第２０１６／０４９１５４号パンフレットには、Ｓｉ含有膜の堆積のためのカルボシラン置換アミン前駆体が開示されている。カルボシラン置換アミン前駆体は、式（Ｒ１）ａＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３−ａ（式中、ａ＝０又は１であり；Ｒ１は、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、又はハロゲンであり；Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロゲン、アルコキシ、又はアルキルアミノ基である）を有する。
【０００７】
Ｋｅｒｒｉｇａｎらの国際公開第２０１６／１６０９９１号パンフレットには、アンモニア、アミン、及びアミジンを用いたカルボシランの触媒的脱水素型カップリングが開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
製造プロセスの要件に合わせることができ、望ましい電気的特性及び物理的特性を有する膜を得ることができる能力をデバイス技術者に与えるために、Ｓｉ堆積前駆体を設計及び製造すること、特にハロゲンフリー及び／又はより選択的なルートで前駆体を設計及び製造することが継続的に必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
次式：
ＲａＮ（Ｒ４Ｒ５Ｓｉ（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３−ａ  （Ｉ）
を有するか、又は次式：
［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ  （ＩＩ）
を有する単位を含有する前駆体を含むＳｉ含有膜形成用組成物が開示され、式中、
ａ＝０〜１であり；
ｍ＝１〜４であり；
ｔ＝１〜４であり；
ｎ＝２〜４００であり；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立して、Ｈ、炭化水素基（Ｃ１−Ｃ６）、又は式ＮＲ’’２の有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つは、Ｈであり；及び
Ｒは、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、式ＳｉｘＲ’２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４であり、及び各Ｒ’は、独立して、＝Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成する）を有するシリル基、又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（式中、ｂ＝１〜２である）であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、Ｃ６−Ｃ１２アリール、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’の少なくとも１つは、Ｈである。本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、次の態様の１つ以上を含み得る：
【００１０】
・ｍ＝１〜２である；
・ｔ＝１〜２である；
・ａ＝０であり、且つｍ＝１である；
・前駆体がＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３である；
・Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈである；
・前駆体がＮ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・Ｒ１、Ｒ２、又はＲ３の少なくとも１つがＨである；
・Ｒ４又はＲ５の少なくとも１つがＨである；
・Ｒ１、Ｒ２、又はＲ３の少なくとも１つがＨであり、且つＲ４又はＲ５の少なくとも１つがＨである；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがビニルである；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがアリルである；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがフェニルである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
【００１１】
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））３である；
【００１２】
・Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈである；
・Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
【００１３】
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）２）３である；
・Ｒ４及びＲ５＝Ｈである；
【００１４】
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）３）３である；
・ａ＝０であり、且つｍ＝２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２ＣＨ２）ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
【００１５】
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））３である；
・Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈである；
・Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３である；
【００１６】
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））３である；
・Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
【００１７】
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）２）３である；
・Ｒ４及びＲ５＝Ｈである；
【００１８】
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）３）３である；
・ａ＝１であり、且つｍ＝１である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２である；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがビニルである；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがアリルである；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがフェニルである；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４である）である；
【００１９】
・前駆体がＳｉＨ３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ２Ｈ５Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ３Ｈ７Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ４Ｈ９Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ｙ＝１〜６である）である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｉＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｎＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（Ｂｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｉＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｔＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（アミル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ヘキシル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
【００２０】
・前駆体がＳｉＨＭｅ２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨＥｔ２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｉＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｎＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（Ｂｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｉＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｔＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（アミル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ヘキシル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
【００２１】
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））２である；
・Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、ＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２である；
【００２２】
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））２である；
・Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）２）２である；
・Ｒ４及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
【００２３】
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ペンチル２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）３）２である；
・ａ＝１であり、且つｍ＝２である；
・式（Ｉ）がＲＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）２ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２である；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４である）である；
【００２４】
・前駆体がＳｉＨ３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ２Ｈ５Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ３Ｈ７Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ４Ｈ９Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ｙ＝１〜６である）である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｉＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｎＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（Ｂｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｉＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｔＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（アミル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ヘキシル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｉＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｎＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（Ｂｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｉＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｔＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（アミル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ヘキシル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２Ｍｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２Ｅｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
【００２５】
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ピペリジン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ピロリジン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ピロール）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２イミダゾール）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ピリミジン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
【００２６】
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））２である；
・Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２である；
【００２７】
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））２である；
・Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
【００２８】
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）２）２である；
・Ｒ４及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
【００２９】
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）３）２である；
【００３０】
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つがＨである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５が全てＨである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つがビニル基である；
・ＲがＨである；
・ｔ＝１である；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがビニルである；
・Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがアリルである；
・Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがフェニルである；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ単位と、［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３］エンドキャップとを含む；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ単位と、［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）−ＳｉＲ２Ｒ３−ＮＲ１Ｒ２］エンドキャップとを含む；
・Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４）であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ｙ＝１〜６）であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−Ｎ（ＣＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ５Ｈ１１）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ６Ｈ１３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’であり、式中、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’＝Ｈ又はＣ１−Ｃ６炭化水素である；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
【００３１】
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＰｒ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｎＰｒ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（Ｂｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＢｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｔＢｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（アミル）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ヘキシル）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎｘ（ＳｉＨ（Ｍｅ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｅｔ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＰｒ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｎＰｒ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｂｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＢｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｔＢｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（アミル）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ヘキシル）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（アミル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ヘキシル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
【００３２】
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
【００３３】
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）２−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ３、及びＲ５＝Ｈである；
【００３４】
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）−］ｎである；
・ｔ＝２である；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ単位と、［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３−］エンドキャップとを含む；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ単位と、［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＳｉＲ２Ｒ３−ＮＲ１Ｒ２］エンドキャップとを含む；
・Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４）であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
【００３５】
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ｙ＝１〜６）であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−Ｎ（ＣＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ５Ｈ１１）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ６Ｈ１３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＰｒ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｎＰｒ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（Ｂｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＢｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｔＢｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（アミル）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ヘキシル）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎｘ（ＳｉＨ（Ｍｅ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｅｔ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＰｒ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｎＰｒ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｂｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＢｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｔＢｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（アミル）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ヘキシル）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
【００３６】
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（アミル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ヘキシル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’であり、式中、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’＝Ｈ又はＣ１−Ｃ６炭化水素である；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎである；
【００３７】
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）２−］ｎである；
【００３８】
・Ｒ、Ｒ３、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）−］ｎである；
【００３９】
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約０．１モル％〜約５０モル％の前駆体を含む；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約９３重量％〜約１００重量％の前駆体を含む；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約９９重量％〜約１００重量％の前駆体を含む；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約０ｐｐｍｗ〜２００ｐｐｍｗのＣｌを含む；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約０ｐｐｍｗ〜５０ｐｐｍｗのＣｌを含む；
【００４０】
・更に溶媒を含む；
・溶媒が、Ｃ１−Ｃ１６炭化水素、ＴＨＦ、ＤＭＯ、エーテル、ピリジン、ケトン、エステル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される；
・溶媒がＣ１−Ｃ１６飽和又は不飽和炭化水素である；
・溶媒がテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である；
・溶媒がジメチルオキサレート（ＤＭＯ）である；
・溶媒がエーテルである；
・溶媒がピリジンである；
・溶媒がメチルイソブチルケトンである；
・溶媒がシクロヘキサノンである；
・溶媒がエタノールである；
・溶媒がイソプロパノールである；
・触媒又はラジカル発生剤を更に含む；
・ラジカル発生剤がフェノン、キニーネ、又はメタロセンなどの光開始剤である；
・過酸化物又は−Ｎ＝Ｎ−単位を含むアゾ化合物などの熱ラジカル開始剤を更に含む；又は
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が、約０ｐｐｍｗ〜１００ｐｐｂの、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ａｌ、及び遷移金属から選択される各金属（国際純正・応用化学連合（ＩＵＰＡＣ）による規定の通り）を含む。
【００４１】
基板上にＳｉ含有層を堆積させる方法も開示される。上で開示したＳｉ含有膜形成用組成物のいずれか（ただし、好ましくは式（Ｉ）のもの）の蒸気は、その中に基板が配置されている反応器内に導入される。前駆体の少なくとも一部は、蒸着法を使用することで基板の上に堆積してＳｉ含有層を形成する。本開示の方法は、次の態様の１つ以上を含み得る：
【００４２】
・第２の前駆体を含む蒸気を反応器内へ導入する；
・第２の前駆体が、２族、１３族、１４族、遷移金属、ランタニド、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される元素を含む；
・第２の前駆体の元素がＢ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅから選択される；
・反応器への共反応物の導入；
・共反応物が、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、ＮＯ、ＮＯ２、カルボン酸、アルコール、エタノールアミン、これらのラジカル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される；
・共反応物が、プラズマ処理された酸素である；
・共反応物がオゾンである；
・Ｓｉ含有層がケイ素酸化物含有層である；
・共反応物が、Ｈ２、ＮＨ３、（ＳｉＨ３）３Ｎ、ヒドリドシラン（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０、Ｓｉ５Ｈ１０、Ｓｉ６Ｈ１２等）、クロロシラン及びクロロポリシラン（ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｃｌ６、Ｓｉ２ＨＣｌ５、Ｓｉ３Ｃｌ８等）、アルキルシラン（Ｍｅ２ＳｉＨ２、Ｅｔ２ＳｉＨ２、ＭｅＳｉＨ３、ＥｔＳｉＨ３等）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４、ＭｅＨＮＮＨ２、ＭｅＨＮＮＨＭｅ等）、有機アミン（ＮＭｅＨ２、ＮＥｔＨ２、ＮＭｅ２Ｈ、ＮＥｔ２Ｈ、ＮＭｅ３、ＮＥｔ３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ等）、ジアミン（エチレンジアミン、ジメチレンジアミン、テトラメチルエチレンジアミン等）、ピラゾリン、ピリジン、ホウ素含有分子（Ｂ２Ｈ６、トリメチルボラン、トリエチルボラン、ボラジン、置換ボラジン、ジアルキルアミノボラン等）、アルキル金属（トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛等）、これらのラジカル種、並びにこれらの混合物からなる群から選択される；
・共反応物が、Ｈ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、これらの水素ラジカル、及びこれらの混合物からなる群から選択される；
【００４３】
・共反応物がＨＣＤＳ又はＰＣＤＳである；
・共反応物が、飽和又は不飽和の直鎖、分岐、又は環状の炭化水素である；
・共反応物がエチレンである：
・共反応物がアセチレンである：
・共反応物がプロピレンである：
・共反応物がイソプレンである：
・共反応物がシクロヘキサンである：
・共反応物がシクロヘキセンである：
・共反応物がシクロヘキサジエンである：
・共反応物がペンテンである：
・共反応物がペンチンである：
・共反応物がシクロペンタンである：
・共反応物がブタジエンである：
・共反応物がシクロブタンである：
・共反応物がテルピネンである：
・共反応物がオクタンである：
・共反応物がオクテンである：
・蒸着法が化学蒸着法である；
・蒸着法が原子層堆積（ＡＬＤ）法である；
・蒸着法が空間的ＡＬＤ法である；
・蒸着法が流動性化学蒸着法（Ｆ−ＣＶＤ）である；
・ケイ素含有層がＳｉＯ２である；
・ケイ素含有層がＳｉＣである；
・ケイ素含有層がＳｉＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＯＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＯＣである；
・ケイ素含有層がＳｉＯＮＣである；
・ケイ素含有層がＳｉＢＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＢＣＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＣＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＭＣＯであり、式中、ＭがＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ａｌ、Ｇｅから選択される；又は
・Ｓｉ含有層をアニールすることを更に含む。
【００４４】
開示した前駆体を使用する、基板上にＳｉ含有膜を形成する方法も開示される。上で開示したＳｉ含有膜形成用組成物のいずれか（ただし、好ましくは式（ＩＩ）のもの）が、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、又はスリットコーティング法で基板及び形成されたＳｉ含有膜と接触されてＳｉ含有膜を形成する。本開示の方法は、次の態様を含み得る：
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が、Ｃ５−Ｃ１６の分岐、直鎖、飽和、又は不飽和の炭化水素；ＴＨＦ；ＤＭＯ；エーテル；ピリジン；ケトン；エステル；及びこれらの組み合わせからなる群から選択される溶媒を更に含む；
【００４５】
・溶媒がＣ５−Ｃ１６の飽和又は不飽和の炭化水素である；
・溶媒がエーテルである；
・溶媒がメチルイソブチルケトンである；
・溶媒がシクロヘキサノンである；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が触媒又はラジカル発生剤を更に含む；
・ラジカル発生剤が光開始剤である；
・ラジカル発生剤がフェノンである；
・ラジカル発生剤がキニーネである；
・ラジカル発生剤がメタロセンである；
・ラジカル発生剤が熱ラジカル開始剤である；
・ラジカル発生剤が過酸化物である；
・ラジカル発生剤が−Ｎ＝Ｎ−単位を含むアゾ化合物である；
・触媒がルイス酸である；
・触媒が光−酸生成剤である；
・触媒がヒドロシリル化触媒である；
・ルイス酸がトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランＢ（Ｃ６Ｆ５）３である；
・ルイス酸が誘導体である；
・ルイス酸が、Ｂ（Ｃ６Ｆ５）３とメタロセン化合物との錯化によって形成される非配位性アニオンである；
・スピンコーティング法によるＳｉ含有膜の形成；
・スプレーコーティング法によるＳｉ含有膜の形成；
・ディップコーティング法によるＳｉ含有膜の形成；
・スリットコーティング法によるＳｉ含有膜の形成；
・Ｓｉ含有膜のアニーリング；
・Ｓｉ含有膜の紫外線硬化；
・オリゴマーの架橋を増強するための反応性雰囲気下でのＳｉ含有膜の紫外線硬化；又は
・Ｓｉ含有膜のレーザー処理。
【００４６】
表記及び命名法
以降の詳細な記述及び請求項では、多数の略語、記号、及び用語が使用され、これらは当該技術分野で一般に周知である。定義は、便宜上、典型的には各頭字語の最初の例と共に与えられているが、表１は、使用される略語、記号、及び用語の一覧表をそれぞれの定義と共に示す。
【００４７】
【表１】
2019513174.tif 000003
【００４８】
本明細書では、元素の周期律表からの元素の標準的な略語が使用される。元素は、これらの略語によって言及され得る（例えば、Ｓｉはケイ素を意味し、Ｎは窒素を意味し、Ｏは酸素を意味し、Ｃは炭素を意味する等）ことを理解すべきである。
【００４９】
本明細書において、用語「独立して」は、Ｒ基を記載することに関連して使用される場合、対象のＲ基が、同じ又は異なる下付き又は上付きを有する他のＲ基とは独立して選択されるだけでなく、同じＲ基の任意の追加的な種からも独立して選択されることを意味すると理解すべきである。例えば、式ＭＲ１ｘ（ＮＲ２Ｒ３）（４−ｘ）（ｘは２又は３）において、２つ又は３つのＲ１基は、互いに又はＲ２若しくはＲ３と同じであり得るが、同じである必要はない。更に、別段の記載がない限り、Ｒ基の値は、異なる式中で使用される場合、互いに独立であることが理解されるべきである。
【００５０】
本明細書において、用語「炭化水素」は、炭素原子及び水素原子のみを含む飽和又は不飽和の官能基を指す。本明細書において、用語「アルキル基」は、炭素原子及び水素原子のみを含む飽和の官能基を指す。アルキル基は炭化水素の１種である。更に、用語「アルキル基」は、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基を指す。直鎖アルキル基の例としては、限定するものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。分岐アルキル基の例としては、限定するものではないが、ｔ−ブチルが挙げられる。環状アルキル基の例としては、限定するものではないが、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００５１】
本明細書において、用語「アリール」は、環から１つの水素原子が取り除かれた芳香環化合物を指す。
【００５２】
本明細書において、用語「ヘテロ環基」は、その環の要素として、Ｃ並びにＳ及び／又はＮなどの少なくとも２種の異なる元素（Ｈ以外）の原子を有する環状化合物を指す。
【００５３】
本明細書において、用語「カルボシラザン」は、Ｓｉ、Ｃ、及びＮ原子と少なくとも１つのＳｉ−Ｎ結合とを含む直鎖、分岐、又は環状の分子を指す。
【００５４】
本明細書において、頭字語「ＤＳＰ」は、ジシラプロパン、より具体的にはＨ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ３、又はその配位子類似体−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ３、又はそのモノマー類似体−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−を表し；頭字語「ＤＳＢ」は、ジシラブタン、より具体的にはＨ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３、又はその配位子類似体−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３、又はそのモノマー類似体−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−を表し；略語「ＨＮＤＳＰ２」、「ＲＮＤＳＰ２」、「ＮＤＳＰ３」、「ＨＮＤＳＢ２」、「ＲＮＤＳＢ２」、及び「ＮＤＳＢ３」は、それぞれＨＮ（ＤＳＰ）２、ＲＮ（ＤＳＰ）２、Ｎ（ＤＳＰ）３、ＨＮ（ＤＳＢ）２、ＲＮ（ＤＳＢ）２、及びＮ（ＤＳＢ）３を表し、Ｒは、定義される通りである。
【００５５】
本明細書において、略語「Ｍｅ」はメチル基を指し；略語「Ｅｔ」はエチル基を指し；略語「Ｐｒ」は任意のプロピル基（すなわちｎ−プロピル又はイソプロピル）を指し；略語「ｉＰｒ」はイソプロピル基を指し；略語「Ｂｕ」は任意のブチル基（ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル）を指し；略語「ｔＢｕ」はｔｅｒｔ−ブチル基を指し；略語「ｓＢｕ」はｓｅｃ−ブチル基を指し；略語「ｉＢｕ」はｉｓｏ−ブチル基を指し；略語「Ｐｈ」はフェニル基を指し；略語「Ａｍ」は任意のアミル基（ｉｓｏ−アミル、ｓｅｃ−アミル、ｔｅｒｔ−アミル）を指し；略語「Ｃｙ」は環状炭化水素基（シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等）を指す。
【００５６】
本明細書において、用語「ハロゲンフリー」は、Ｘ（ここで、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩである）が０ｐｐｍｗ〜１０００ｐｐｍｗ、好ましくは０ｐｐｍｗ〜５００ｐｐｍｗ、より好ましくは０ｐｐｍｗ〜１００ｐｐｍｗであることを意味する。
【００５７】
本明細書では、元素周期律表からの元素の標準的な省略形が使用される。元素は、これらの省略形（例えば、Ｓｉはケイ素を指し、Ｎは窒素を指し、Ｏは酸素を指し、Ｃは炭素を指す等）によって言及される場合があることを理解すべきである。
【００５８】
ケイ素酸化物などの堆積された膜又は層は、その適切な化学量論量（すなわちＳｉＯ２）に言及することなしに本明細書及び請求項にわたって列挙される。層は、純粋な（Ｓｉ）層、シリサイド（ＭｏＳｉｐ）層、カーバイド（ＳｉｏＣｐ）層、窒化物（ＳｉｋＮｌ）層、酸化物（ＳｉｎＯｍ）層、又はこれらの混合物を含み得；式中、Ｍは、元素であり、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、及びｐは、１〜６（両端値を含む）である。例えば、ケイ化コバルトはＣｏｋＳｉｌであり、式中、ｋ及びｌは、それぞれ０．５〜５の範囲である。同様に、任意の言及される層は、ケイ素酸化物層であるＳｉｎＯｍ（式中、ｎは、０．５〜１．５の範囲であり、且つｍは、１．５〜３．５の範囲である）も含み得る。より好ましくは、ケイ素酸化物層はＳｉＯ２である。ケイ素酸化物層は、有機物を主体とするか又はケイ素酸化物を主体とするｌｏｗ−ｋ誘電材料（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．によるＢｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ  ＩＩ又はＩＩＩ等）などのケイ素酸化物を主体とする誘電材料であり得る。或いは、言及されるいずれのケイ素含有層も純粋なケイ素であり得る。任意のケイ素含有層は、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ａｓ、及び／又はＧｅなどのドーパントも含み得る。
【００５９】
本明細書で列挙される任意の及び全ての範囲は、「両端値を含む」という用語が使用されるか否かに関わらず、それらの端点を含む（すなわち、ｘ＝１〜４は、ｘ＝１、ｘ＝４、及びｘ＝これらの間の任意の数を含む）。
【００６０】
本発明の特性及び目的を更に理解するために、添付の図面と併せて以降の詳細な説明を参照すべきであり、図面中の同様の要素には同じ又は類似の参照番号が与えられている。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】例示的な堆積方法についてのフローチャートである。
【図２】ハロゲンフリーの合成ルートで製造されたＮＤＳＰ２とＮＤＳＰ３との混合物の最終生成物のＧＣＭＳクロマトグラムである。
【図３】分別蒸留の最初のフラクション後の、ハロゲンフリーの合成ルートで製造されたＮＤＳＰ２とＮＤＳＰ３との混合物の最終生成物のＧＣＭＳクロマトグラムである。
【図４】分別蒸留の２番目のフラクション後の、ハロゲンフリーの合成ルートで製造されたＮＤＳＰ３とＨＮＤＳＰ２との混合物のＧＣＭＳクロマトグラムである。
【図５】ハロゲンフリーの合成ルートで製造されたＨＮＤＳＰ２とＮＤＳＰ３とを除去した後の無色高粘度オイルのＧＣＭＳクロマトグラムである。
【図６ａ】室温で１６時間後（図６ａ）及び室温で８週間後（図６ｂ）に最終生成物で得られた、ハロゲンが含まれる合成ルートで選択的に製造されたＮＤＳＰ２の最終生成物のＧＣＭＳクロマトグラムである。
【図６ｂ】室温で１６時間後（図６ａ）及び室温で８週間後（図６ｂ）に最終生成物で得られた、ハロゲンが含まれる合成ルートで選択的に製造されたＮＤＳＰ２の最終生成物のＧＣＭＳクロマトグラムである。
【図７】分子量分布の分子量対多分散度を示すゲル浸透クロマトグラフィーのグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００６２】
カルボシラザン又はポリカルボシラザン（又はポリオルガノシラザン）前駆体を含むＳｉ含有膜形成用組成物が開示される。カルボシラザン又はポリカルボシラザン前駆体を合成する方法、及び半導体製造用ケイ素含有膜の堆積のためにそれを使用する方法も開示される。
【００６３】
本開示の前駆体は、次式：
ＲａＮ（Ｒ４Ｒ５Ｓｉ（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３−ａ  （Ｉ）
を有するか、次式：
［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ  （ＩＩ）
を有する単位を有し、式中、ａ＝０〜１であり；ｍ＝１〜４であり；ｔ＝１〜４であり；ｎ＝２〜４００であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立して、Ｈ、炭化水素基（Ｃ１−Ｃ６）、又は式ＮＲ’’２のアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つは、Ｈであり；及びＲは、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、式ＳｉｘＲ’２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４であり、及び各Ｒ’は、独立して、＝Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成する）を有するシリル基、又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（式中、ｂ＝１〜２である）であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、Ｒ１’、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、Ｃ６−Ｃ１２アリール、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’の少なくとも１つは、Ｈである。好ましくは、ｍ＝１〜２であり、且つｔ＝１〜２である。アルキルアミノ基のＲ’’は、連結してＮ原子上で環状鎖を形成し得る。例えば、ＮＲ’’２は、ピリジン、ピロール、ピロリジン、又はイミダゾール環構造を形成し得る。前駆体は、前駆体が式（Ｉ）で６個のＨを含む場合（すなわち、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５がそれぞれ独立してＨである）、又は式（ＩＩ）中の各Ｎ−Ｓｉ−Ｃ−Ｓｉ若しくはＮ−Ｓｉ−Ｃ−Ｃ−Ｓｉ骨格単位中に５個のＨを含む場合（すなわち、Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５がそれぞれ独立してＨである）、改善された揮発性を有し得る。
【００６４】
式（Ｉ）及び（ＩＩ）で示される本開示の前駆体は、用途に応じて他よりも重い１種の元素を特異的に有するＳｉ含有膜形成用組成物を製造するための柔軟性を付与する。例えば、膜中でより多くのＳｉが好ましい場合、Ｒは、式ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４である）を有するシラン又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’の基（ｂ＝１〜２）であり得る。膜中でより多くのＮが好ましい場合、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、それぞれ独立して、式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基である。膜中でより多くのＣが好ましい場合、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、炭化水素基（Ｃ１−Ｃ１２）であるか、又はＮ−Ｓｉ−Ｃｃ−Ｓｉ（ｃ＝１〜２）などのように骨格単位中で長い炭素結合鎖を形成し得る。
【００６５】
本開示の前駆体は、Ｓｉ−ハロゲン結合を含まない。ハロゲンが基板の他の層（例えば、ｌｏｗ  ｋ層、銅配線層等）にダメージを与え得ることから、これは重要である。本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、ハロゲンフリーであり、全体的に平坦化された熱的に安定である付着性の誘電体層及び他の誘電体様層又は材料を半導体デバイス、半導体部品、エレクトロニクス部品、及び層状材料上に形成することができる。
【００６６】
本開示の前駆体は、Ｓｉ原子に直接結合している１つ又は２つの水素原子を含み得る。本開示の前駆体のＳｉ−Ｈ結合は、類似のＳｉ−ハロゲン含有前駆体と比較した場合、Ｈ原子が小さい表面積のみを占有し、結果として基板表面上により多くの分子が存在することになるため、ＡＬＤ法においてより大きい１サイクル当たりの成長速度を得るのに役立ち得る。ＳｉＨ結合（すなわちヒドリド官能基）の組み込みは、より少ない立体的な嵩高さのみを生じさせ、これは、ＳｉＨ結合を含まない前駆体よりも基板に対して高い反応性を有する前駆体をもたらし得る。これらのＳｉ−Ｈ結合は、蒸着法のために重要な前駆体の揮発性の増加に役立ち得る。その結果、蒸着法について、本開示の式（Ｉ）の前駆体において、Ｒ１、Ｒ２、又はＲ３の少なくとも１つは、好ましくはＨであり、及びＲ４又はＲ５の少なくとも１つは、好ましくはＨである。
【００６７】
本開示の前駆体は、Ｓｉ原子に直接結合した１つ、２つ、又は３つのアミノ基を含み得る。これらのＳｉ−Ｎ結合は、蒸着法のためにも重要な前駆体の熱安定性の増加に役立ち得る。アミノ基は、得られる膜中にＮ及びＣ原子を組み込むことにも役立つ場合があり、これらの原子は、得られる層の任意の後続のエッチングプロセスに対する耐性をより大きくし得る。
【００６８】
当業者であれば、Ｓｉ−Ｈ結合によって与えられる揮発性が、アミノ基によって与えられる熱安定性と直接競合することを認識するであろう。本出願人らは、少なくともＨＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２及びＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２が、これらの競合する特性のバランスをうまくとっていると考えている。
【００６９】
当業者であれば、ｍ＝１である実施形態が、蒸着により適したより揮発性が高く且つより低い融点を有する前駆体を生成し得ることを認識するであろう。ｍ＝２である実施形態も、得られるケイ素含有膜が炭素も含む場合に蒸着に好適な場合がある。ｍ＝３又はｔ＝１〜３である実施形態は、スピンオンコーティング又はディップコーティングなどのキャスティング堆積法のために好適な場合がある。
【００７０】
本開示のＳｉ含有膜形成用組成物のいくつかは、高い蒸気圧、低い融点（好ましくは室温で液体形態である）、低い昇華点、及び高い熱安定性など、蒸着法に適した特性を有する。Ｓｉ含有膜形成用組成物は、好ましくは、１〜５Ｔｏｒｒの蒸気圧を生じる温度で安定である。蒸着に適した本開示のＳｉ含有膜形成用組成物中のカルボシラザン又はポリカルボシラザン（又はポリオルガノシラザン）前駆体は、典型的には約１５０〜約６００、好ましくは約２００〜４００の範囲の分子量を有する。
【００７１】
本開示のＳｉ含有膜形成用組成物のいくつかは、低い蒸気圧、低い融点（好ましくは室温で液体形態である）、及び従来のコーティングプロセスでの良好な溶解性など、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、又はスリットコーティング法に適した特性を有する。これらの堆積法に適した本開示のＳｉ含有膜形成用組成物中のカルボシラザン又はポリカルボシラザン（又はポリオルガノシラザン）前駆体は、典型的には約５００〜約１，０００，０００、好ましくは約１，０００〜約１００，０００、より好ましくは３，０００〜５０，０００の範囲の分子量を有する。
【００７２】
ａ＝０の場合、式（Ｉ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体は、次式を有する：
Ｎ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３  （ＩＩＩ）。
【００７３】
ｍ＝１であり、且つＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、式（ＩＩＩ）で示される本開示の前駆体は、トリス（１，３−ジシラプロパン）アミン［Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３又はＮＤＳＰ３］である。以降の実施例で示されるように、この液体前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合及び低い分子量に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適である。
【００７４】
ｍ＝１であり、且つＲ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、及びＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３が挙げられる。
【００７５】
ｍ＝１であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合及び低い分子量に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、改善された熱安定性も付与し得る。
【００７６】
ｍ＝１であり、且つＲ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＨ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＮＥｔ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピリジン）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピロール）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピロリジン）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、及びＮ（Ｓｉ（イミダゾール）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３が挙げられる。
【００７７】
ｍ＝１であり、且つＲ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３、及びＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３が挙げられる。
【００７８】
ｍ＝１であり、且つＲ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途のいずれかに好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
【００７９】
ｍ＝１であり、且つＲ４及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
【００８０】
ｍ＝２であり、且つＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、本開示のカルボシラザン前駆体は、トリス（１，４−ジシラブタン）アミン［Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３又はＮＤＳＢ３］である。この液体前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合及び低い分子量に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適である。
【００８１】
ｍ＝２であり、且つＲ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、及びＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３が挙げられる。
【００８２】
ｍ＝２であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合及び低い分子量に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。
【００８３】
ｍ＝２であり、且つＲ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＨ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＮＥｔ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピリジン）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピロール）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピロリジン）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、及びＮ（Ｓｉ（イミダゾール）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３が挙げられる。
【００８４】
ｍ＝２であり、且つＲ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３、及びＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３が挙げられる。
【００８５】
ｍ＝２であり、且つＲ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
【００８６】
ｍ＝２であり、且つＲ４及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のためにコーティング用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源も付与し得る。
【００８７】
ａ＝１の場合、式（Ｉ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体は、次式を有する：
ＲＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２  （ＩＶ）
【００８８】
ｍ＝１であり、且つＲ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、式（ＩＶ）で示される本開示の前駆体は、ビス（１，３−ジシラプロパン）アミン［ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２又はＮＤＳＰ２］である。ＮＤＳＰ２は揮発性であり、且つ多くのＳｉ−Ｈ結合を含んでおり、そのため、これは基板表面に対してより反応性である。その結果、この前駆体は、蒸着法、より具体的にはＡＬＤ法に適している。本出願人らは、この前駆体が、Ｎ２を使用するＰＥＡＬＤ法においてＳｉ−Ｃｌ末端又は更にはＳｉ末端の基板表面に結合するための更に十分な反応性を有し得ると考えている。
【００８９】
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体は、ＳｉＨ３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ２Ｈ５Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ３Ｈ７Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉ４Ｈ９Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適な場合がある。追加的なＮ−Ｓｉ結合は、Ｎ−Ｈ結合を有するものよりもこれらの前駆体を安定にするが、Ｎ−Ｃ結合を有するものよりも反応性を高くする。結果として、これらの前駆体は、重合のために穏やかな条件が必要とされる場合に望ましい場合がある。炭素を含まないＳｉｘＨ２ｘ＋１はまた、得られる膜中において、Ｒ＝Ｈ又はアルキル基である対応する分子よりも多くのＳｉをもたらし得る。
【００９０】
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｚ（ＣｙＨ２ｙ＋１）３−ｚ（ここで、ｙ＝１〜６、ｚ＝０〜２である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＭｅ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＥｔ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｉＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｎＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（Ｂｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｉＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｔＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（アミル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ヘキシル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｉＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｎＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（Ｂｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｉＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｔＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（アミル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ヘキシル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉＨ２（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。追加的なＮ−Ｓｉ結合は、Ｎ−Ｈ結合を有するものよりもこれらの前駆体を安定にするが、Ｎ−Ｃ結合を有するものよりも反応性を高くする。結果として、これらの前駆体は、重合のために穏やかな条件が必要とされる場合に望ましい場合がある。炭素鎖の長さは、膜中で望ましい炭素量が得られるように選択することができる。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
【００９１】
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ又はＣ１−Ｃ６炭化水素基である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、又は（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
【００９２】
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ここで、ｙ＝１〜６である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及び（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。Ｓｉ−Ｃ結合（Ｓｉ−Ｒについて）は、反応性が高くなく、蒸着プロセス中に残存しやすいことから、この群の化合物は、ＳｉＯＣ又はＳｉＮＣなど、炭素成分を有する膜の蒸着のために有用な場合がある。その結果、多すぎるＣの堆積を防止するために、ｙは、好ましくは、１〜３である。ＲＮＨＲ２反応物は、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、ペンチル、及びヘキシルに関して液体であることから、これらの前駆体は、ＤＳＰ３類似体よりも合成が容易でもある。
【００９３】
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｘＨ２ｘ−ｙ（ここで、ｘ＝２〜６、ｘ＝２〜６についてｙ＝０であり、ｘ＝３〜６についてｙ＝２であり、又はｘ＝４〜６についてｙ＝４である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、（ビニル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アリル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（プロパジエン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ブテン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ブタジエン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ブタトリエン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、又は（ヘキサジエン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。この群の化合物は、炭素成分を有する膜の蒸着のために有用な場合もある。更に、不飽和炭化水素は、化学的又は物理的に吸着された前駆体間に架橋の機会を付与する。
【００９４】
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｘ（ＮＲ’Ｒ’’）３−ｘ（ここで、ｘ＝１又は２であり、且つＲ’及びＲ’’は、独立して、Ｍｅ、Ｅｔ、ｉＰｒ、又はｎＰｒである）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
【００９５】
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
【００９６】
ｍ＝１であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
【００９７】
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＨ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＮＥｔ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピリジン）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピロール）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピロリジン）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＲＮ（Ｓｉ（イミダゾール）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
【００９８】
ｍ＝１であり、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、及びＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２が挙げられる。
【００９９】
ｍ＝１であり、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
【０１００】
ｍ＝１であり、Ｒ４及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
【０１０１】
ｍ＝２であり、且つＲ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、本開示のカルボシラザン前駆体は、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＨＮＤＳＢ２）である。ＨＮＤＳＢ２は揮発性であり、且つ多くのＳｉ−Ｈ結合を含んでおり、そのため、これは基板表面に対してより反応性である。その結果、この前駆体は、蒸着法、より具体的にはＡＬＤ法に適している場合がある。本出願人らは、この前駆体が、Ｎ２を使用するＰＥＡＬＤ法においてＳｉ−Ｃｌ末端又は更にはＳｉ末端の基板表面に結合するための更に十分な反応性を有し得ると考えている。
【０１０２】
ｍ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体は、ＳｉＨ３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ２Ｈ５Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ３Ｈ７Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉ４Ｈ９Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適な場合がある。追加的なＮ−Ｓｉ結合は、Ｎ−Ｈ結合を有するものよりもこれらの前駆体を安定にするが、Ｎ−Ｃ結合を有するものよりも反応性を高くする。結果として、これらの前駆体は、重合のために穏やかな条件が必要とされる場合に望ましい場合がある。炭素を含まないＳｉｘＨ２ｘ＋１はまた、得られる膜中において、Ｒ＝Ｈ又はアルキル基である対応する分子よりも多くのＳｉをもたらし得る。
【０１０３】
ｍ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｚ（ＣｙＨ２ｙ＋１）３−ｚ（ここで、ｙ＝１〜６、ｚ＝０〜２である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＭｅ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＥｔ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｉＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｎＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（Ｂｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｉＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｔＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（アミル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ヘキシル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｉＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｎＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（Ｂｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｉＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｔＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（アミル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ヘキシル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２Ｍｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２Ｅｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉＨ２（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。追加的なＮ−Ｓｉ結合は、Ｎ−Ｈ結合を有するものよりもこれらの前駆体を安定にするが、Ｎ−Ｃ結合を有するものよりも反応性を高くする。結果として、これらの前駆体は、重合のために穏やかな条件が必要とされる場合に望ましい場合がある。炭素鎖の長さは、膜中で望ましい炭素量が得られるように選択することができる。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
【０１０４】
ｍ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ又はＣ１−Ｃ６炭化水素基である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及び（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
【０１０５】
ｍ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ここで、ｙ＝１〜６である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及び（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。Ｓｉ−Ｃ結合（Ｓｉ−Ｒについて）は、反応性が高くなく、蒸着プロセス中に残存しやすいことから、この群の化合物は、ＳｉＯＣ又はＳｉＮＣなど、炭素成分を有する膜の蒸着のために有用な場合がある。その結果、多すぎるＣの堆積を防止するために、ｙは、好ましくは、１〜３である。ＲＮＨＲ２反応物は、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、ペンチル、及びヘキシルに関して液体であることから、これらの前駆体は、ＤＳＢ３類似体よりも合成が容易でもある。
【０１０６】
ｍ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｘ（ＮＲ’Ｒ’’）３−ｘ（ここで、ｘ＝１又は２であり、且つＲ’及びＲ’’は、独立して、Ｍｅ、Ｅｔ、ｉＰｒ、ｎＰｒである）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
【０１０７】
ｍが２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
【０１０８】
ｍが２であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途のいずれかに好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
【０１０９】
ｍが２であり、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＨ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピリジン）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピロール）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピロリジン）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＲＮ（Ｓｉ（イミダゾール）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
【０１１０】
ｍが２であり、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、及びＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２が挙げられる。
【０１１１】
ｍが２であり、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
【０１１２】
ｍが２であり、Ｒ４及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３