(57)【要約】本発明は、パワーダイを埋め込むプリント回路基板であって、パワーダイとプリント回路基板との間の相互接続は、マイクロ／ナノワイヤから構成され、プリント回路基板は、パワーダイが配置されるキャビティを有し、キャビティは、誘電性流体で更に充填される、プリント回路基板に関する。
2019532492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーダイを埋め込むプリント回路基板であって、前記パワーダイと該プリント回路基板との間の相互接続は、マイクロ／ナノワイヤから構成され、該プリント回路基板は、前記パワーダイが配置されるキャビティを有し、該キャビティは、誘電性流体で更に充填されることを特徴とする、プリント回路基板。
【請求項２】
前記誘電性流体は、絶縁性シリコーンゲル又はグリース又は絶縁油であることを特徴とする、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記誘電性流体は、前記キャビティの容積、及び前記ナノワイヤ同士の間を前記流体で適切に充填することが可能であるように、キャビティへの充填中に低粘度を有することを特徴とする、請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記誘電性流体は、二相材料であることを特徴とする、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記プリント回路基板は、他の少なくとも１つのキャビティを更に有し、該他の少なくとも１つのキャビティは、前記誘電性流体が該他の少なくとも１つのキャビティを出入りして収縮することを可能にするためのものであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記プリント回路基板は、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填を可能にする穴を更に有し、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填後、該穴は、樹脂で充填して塞がれることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記プリント回路基板は、前記流体の温度及び／又は相変化に伴って前記流体が膨張又は収縮するときに変形する可撓性メンブレンを更に備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記プリント回路基板は、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填を可能にする穴を更に有し、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填後、該穴は、可撓性メンブレンで閉じられることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
パワーダイを埋め込むプリント回路基板を作製する方法であって、前記パワーダイと前記プリント回路基板との間の相互接続は、マイクロ／ナノワイヤから構成され、前記プリント回路基板は、前記パワーダイが配置されるキャビティを有し、該方法は、前記キャビティを誘電性流体で充填するステップを含むことを特徴とする、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、包括的には、パワーダイを埋め込むプリント回路基板、及びパワーダイを埋め込む該プリント回路基板を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板（ＰＣＢ）内にパワーダイを埋め込むことが市場に進出してきている。何故ならば、これは、セラミック基板上へのより従来的なパワーダイの組み付けと比較して、低コスト、低インダクタンス、低電磁干渉、及び高効率冷却の技術であるためである。しかしながら、依然として残る１つの問題は、パワーダイとプリント回路基板の銅パッドとの間の相互接続の信頼性である。
【０００３】
従来的に、この相互接続は、はんだ付け、焼結、直接銅堆積（ｄｉｒｅｃｔ  ｃｏｐｐｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いるか、又は導電性接着剤を用いるかのいずれかで実行されている。
【０００４】
例えば、熱膨張係数の不整合及び熱勾配に起因するような熱機械応力をアセンブリが被ると、相互接続は損なわれ、最終的にはパワーモジュールの故障につながり得る。
【０００５】
上述の問題を克服するために、マイクロ／ナノ銅ワイヤから構成される柔軟な相互接続が提案されている。ナノワイヤは、直径と比較して長い長さを有し、低い歪み及び応力で変形するように十分に可撓性である。これらのナノワイヤは、電流及び熱を効率的に伝達するために、比較的高密度を有し、ナノワイヤフォレスト（ｎａｎｏ−ｗｉｒｅ  ｆｏｒｅｓｔ：ナノワイヤ群）を形成する。
【０００６】
したがって、ダイとプリント回路基板との間の熱効果に起因した機械的変位は、ナノワイヤによって、ダイ及びプリント回路基板を損傷させることなく吸収される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ナノワイヤは、熱、電流、及び圧力の組み合わされた作用に伴って、接着／集塊／酸化を被る場合がある。
【０００８】
そのような集塊の結果、ナノワイヤフォレストの硬化／溶接がもたらされ、ひいては、相互接続がその可撓性を失う。
【０００９】
本発明は、パワーダイとプリント回路基板との間の熱抵抗の低減、熱容量の増大、ナノワイヤの酸化の防止、並びに熱及び電流の共同作用（ｊｏｉｎｔ  ａｃｔｉｏｎ）に起因したナノワイヤ同士の集塊の防止、を可能にすることを目標とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このために、本発明は、パワーダイを埋め込むプリント回路基板であって、前記パワーダイと該プリント回路基板との間の相互接続は、マイクロ／ナノワイヤから構成され、該プリント回路基板は、前記パワーダイが配置されるキャビティを有し、該キャビティは、誘電性流体で更に充填されることを特徴とする、プリント回路基板に関する。
【００１１】
本発明はまた、パワーダイを埋め込むプリント回路基板を作製する方法であって、前記パワーダイと前記プリント回路基板との間の相互接続は、マイクロ／ナノワイヤから構成され、前記プリント回路基板は、前記パワーダイが配置されるキャビティを有し、該方法は、前記キャビティを誘電性流体で充填するステップを含むことを特徴とする、方法に関する。
【００１２】
したがって、マイクロ／ナノワイヤは、接着、集塊、酸化から保護され、ＭＯＳＦＥＴの場合のゲートドレイン、ソースドレイン又はゲートソース等の異なる電位間の絶縁性が向上される。
【００１３】
特定の特徴によれば、前記誘電性流体は、絶縁性シリコーンゲル又はグリース又は絶縁油である。
【００１４】
したがって、システムは、低コストかつ高信頼度の誘電性流体を用いることができる。
【００１５】
特定の特徴によれば、前記誘電性流体は、前記キャビティの容積、及び前記ナノワイヤ同士の間を前記流体で適切に充填することが可能であるように、キャビティへの充填中に低粘度を有する。
【００１６】
したがって、キャビティの全残存容積が誘電性流体で充填され、マイクロ／ナノワイヤは、接着、集塊、酸化からより良好に保護され、ＭＯＳＦＥＴの場合のゲートドレイン、ソースドレイン又はゲートソース等の異なる電位間の絶縁性が向上される。
【００１７】
特定の特徴によれば、前記誘電性流体は、二相材料である。
【００１８】
したがって、相変化エネルギー（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｅｎｅｒｇｙ）がサージ電流中に温度を安定させるのに用いられ、したがって、デバイスのロバスト性を高める。
【００１９】
特定の特徴によれば、前記プリント回路基板は、他の少なくとも１つのキャビティを更に有し、該他の少なくとも１つのキャビティは、前記誘電性流体が該他の少なくとも１つのキャビティを出入りして収縮することを可能にするためのものである。
【００２０】
したがって、第１のキャビティにおける圧力変動を低減することができる。
【００２１】
特定の特徴によれば、前記プリント回路基板は、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填を可能にする穴を更に有し、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填後、該穴は、樹脂で充填して塞がれる。
【００２２】
したがって、キャビティへの充填は、パワーダイを埋め込むプリント回路基板の組み立て後に実現され、より標準的なプロセスを用いることができる。
【００２３】
特定の特徴によれば、前記プリント回路基板は、前記流体の温度及び／又は相変化に伴って前記流体が膨張又は収縮するときに変形する可撓性メンブレンを更に備える。
【００２４】
したがって、第１のキャビティにおける圧力変動を低減することができる。
【００２５】
特定の特徴によれば、前記プリント回路基板は、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填を可能にする穴を更に有し、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填後、該穴は、可撓性メンブレンで閉じられる。
【００２６】
したがって、メンブレンは穴としても機能し、作製プロセスが単純化される。
【００２７】
本発明の特徴は、例示の実施形態の以下の説明を読むことによってより明らかになる。この説明は、添付図面に関して作成されたものである。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１ａ】本発明による、パワーダイを埋め込むことを意図したプリント回路基板の第１の部分を作製する第１のステップを表す図である。
【図１ｂ】本発明による、パワーダイを埋め込むことを意図したプリント回路基板の第２の部分を作製する第１のステップを表す図である。
【図２】本発明による、パワーダイを埋め込むことを意図したプリント回路基板の第２の部分を作製する第２のステップを表す図である。
【図３】本発明による、パワーダイを埋め込むことを意図したプリント回路基板の第２の部分を作製する第３のステップを表す図である。
【図４】本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板を表す図である。
【図５】本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板の第１の変形形態の一例を表す図である。
【図６】本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板の第２の変形形態の一例を表す図である。
【図７】本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板の第３の変形形態の一例を表す図である。
【図８】本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板を作製するアルゴリズムの一例を表す図である。
【図９】本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板の第４の変形形態の一例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１ａは、本発明による、パワーダイを埋め込むことを意図したプリント回路基板の第１の部分を作製する第１のステップを表している。
【００３０】
本発明による、パワーダイを埋め込むことを意図したプリント回路基板の第１の部分は、ＦＲ４材料及び銅層Ｃｕａから構成されたプリント回路基板Ｐｃｂａから構成される。
【００３１】
銅層Ｃｕａの部分上にナノワイヤＮｗａが配置される。図１ａの例において、ナノワイヤは、プリント回路基板の第１の部分の銅パッド上に作成される。
【００３２】
代替的に、ナノワイヤは、パワーダイ自体の上に作成される。例えば、ナノワイヤは、多孔質アルミナ層を銅表面に付着／成長させ、銅電気めっき処理を行い、選択的にこの層をエッチングすることによって形成される。
【００３３】
形成されたナノワイヤは、通常、１０μｍオーダーの長さ及び１００ｎｍオーダーの直径のワイヤである。長さ対直径比は、通常、１０よりも大きい。ナノワイヤは、数が十分に多く、例えば少なくとも１００万本／ｃｍ２であるとともに、処理表面の５０％超を覆うことで高密度断面（ｈｉｇｈ  ｃｕｍｕｌａｔｉｖｅ  ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎ：高累積断面）を提供することができる。ナノワイヤは、一貫した高さを得るために処理され、それゆえ、パワーダイの表面との均等な接触が促進される。このことは、例えば、多孔質層エッチングに先行する研磨ステップによって行うことができる。
【００３４】
熱及び電流の共同作用に起因したワイヤ同士の接着を防止するために、表面コーティングのステップを追加することができる。
【００３５】
例えば、非接着性材料のコーティング層を、化学蒸着、無電解析出若しくは電解析出等の堆積技法、又は上述の技法の組み合わせによってナノワイヤの外表面上に堆積させることができる。
【００３６】
図１ｂは、本発明による、パワーダイを埋め込むことを意図したプリント回路基板の第２の部分を作製する第１のステップを表している。
【００３７】
本発明による、パワーダイを埋め込むことを意図したプリント回路基板の第２の部分は、ＦＲ４材料から構成されたプリント回路基板Ｐｃｂｂ１〜Ｐｃｂｂ３から構成されており、プリント回路基板Ｐｃｂｂ３は、銅層Ｃｕｂから更に構成される。
【００３８】
銅層Ｃｕｂの部分上にナノワイヤＮｗｂが配置される。図１ｂの例において、ナノワイヤは、プリント回路基板の第２の部分の銅パッド上に作成される。
【００３９】
代替的に、ナノワイヤは、パワーダイ自体の上に作成される。例えば、ナノワイヤは、多孔質アルミナ層を銅表面に付着／成長させ、銅電気めっき処理を行い、選択的にこの層をエッチングすることによって形成される。
【００４０】
形成されたナノワイヤは、通常、１０μｍオーダーの長さ及び１００ｎｍオーダーの直径のワイヤである。長さ対直径比は、通常、１０よりも大きい。ナノワイヤは、数が十分に多く、例えば少なくとも１００万本／ｃｍ２であるとともに、処理表面の５０％超を覆うことで高密度断面を提供することができる。ナノワイヤは、一定の高さを得るために処理され、それゆえ、パワーダイの表面との均等な接触が促進される。このことは、例えば、多孔質層エッチングに先行する研磨ステップによって行うことができる。
【００４１】
熱及び電流の共同作用に起因したナノワイヤ同士の接着を防止するために、表面コーティングのステップを追加することができる。
【００４２】
例えば、非接着性材料のコーティング層を、化学蒸着、無電解析出若しくは電解析出等の堆積技法、又は上述の技法の組み合わせによってナノワイヤの外表面上に堆積させることができる。
【００４３】
プリント回路基板Ｐｃｂｂ１は、パワーダイを適所に配置することを意図したスペーサーＳｐ１を備える。
【００４４】
プリント回路基板Ｐｃｂｂ２は、パワーダイを適所に配置することを意図したスペーサーＳｐ２を備える。
【００４５】
図２は、本発明による、パワーダイを埋め込むことを意図したプリント回路基板の第２の部分を作製する第２のステップを表している。
【００４６】
プリント回路基板の第２の部分が作製されると、プリント回路基板Ｐｃｂｂ１〜Ｐｃｂｂ３によって形成されたキャビティ内にパワーダイＤｉが配置される。パワーダイＤｉの位置は、スペーサーＳｐ１及びＳｐ２によって決定される。
【００４７】
銅層Ｃｕｂ上に配置されたナノワイヤが、パワーダイＤｉのドレインＤｒと接触する。
【００４８】
高導電性及び高伝熱性を可能にするとともに、組み立て中のナノワイヤの横倒れ（flattening）を防止するために、例えば、接触を促進するとともにナノワイヤとドレインＤｒ表面との間の隙間のない接続をもたらすことができるはんだペースト等の薄層を加えることによって、ドレインＤｒ表面を活性化することができる。小さなパターン、例えばスクラッチ若しくはナノキャビティを有する多孔質表面の使用、又はマイクロメートルレンジの短い銅ナノワイヤの生成により、ナノワイヤとドレインＤｒの表面との間の接続を促進することができる。
【００４９】
図３は、本発明による、パワーダイを埋め込むことを意図したプリント回路基板の第２の部分を作製する第３のステップを表している。
【００５０】
第３のステップにおいて、ダイとケースとの間の熱抵抗を低減して、それによりパワーダイＤｉから熱流を逸らすことを促進することと、熱容量を増大させて、それによりサージ電流又は短絡時の温度上昇を限定的なものにすることと、ナノワイヤの酸化を防止することと、熱及び電流の共同作用に起因するワイヤ同士の集塊を防止することと、ＭＯＳＦＥＴパワーダイＤｉの場合のゲートドレイン、ソースドレイン又はゲートソース等の異なる電位間の絶縁を提供することとを行うために、プリント回路基板Ｐｃｂｂ１〜Ｐｃｂｂ３によって形成されたキャビティが、誘電性流体で充填される。
【００５１】
誘電性流体は、例えば、絶縁性シリコーンゲル／グリース、絶縁油のような種々の粘度を有する液体とすることができる。誘電性流体は、キャビティの容積、特にナノワイヤ同士の間を流体で適切に充填することが可能であるように、キャビティへの充填中に低粘度を有する。キャビティへの充填後、粘度が高まり、例えば、ゲルのような粘度を提供することができる。流体は、公称動作中は液体であるような、例えば４２℃等の十分に低い融点か、又はサージ電流若しくは短絡のような異常動作中にのみ誘電性流体が融解するような、例えば２００℃等のより高い融点か、のうちのいずれかから選ばれる融点を有する、例えばパラフィン又は他のワックス状物質のような二相材料とすることもできる。このように、相変化エネルギーがサージ電流中に温度を安定させるのに用いられ、したがって、パワーダイＤｉのロバスト性を高める。
【００５２】
キャビティは、上述したような組み立てプロセス中に充填することができるが、代替的に、キャビティは、以下で開示するように、組み立てプロセス後に充填することができる。
【００５３】
ナノワイヤフォレスト内の空き空間内での流体浸透を改善するために、密封前に、例えば超音波バスを用いて、機械的撹拌の追加ステップを用いても良い。
【００５４】
図４は、本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板を表している。
【００５５】
プリント回路基板は、プレスパック型接続、すなわち、パワーダイＤｉが圧力の効果のみで２つの銅表面の間に挟持される接続を形成するために、プリント回路基板の第１の部分と第２の部分との組み付けによって形成される。圧力は、積層プロセス中に最初に印加されるが、組み付けプロセス後にもパワーダイを適所に保持する残留圧力が存在する。
【００５６】
プロセスの１つの例が図４において説明されており、ここで、サーマルビアを有するプリント回路基板上にナノワイヤが作成されている。事前に圧延されたプリプレグ層が、事前に作成されたナノワイヤを有するコアに積層される。
【００５７】
図５は、本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板の第１の変形形態の一例を表している。
【００５８】
図５の例において、プリント回路基板の第１の部分は、当該プリント回路基板の第１の部分と第２の部分との組み付け後の、プリント回路基板Ｐｃｂｂ１〜Ｐｃｂｂ３によって形成されたキャビティへの誘電性流体の充填を可能にする、Ｈｏ１及びＨｏ２で示す２つの穴を有する。
【００５９】
プリント回路基板Ｐｃｂｂ１〜Ｐｃｂｂ３によって形成されたキャビティが誘電性流体で充填されると、穴Ｈｏ１及びＨｏ２は、図５には示さない樹脂で充填して塞がれる。
【００６０】
図６は、本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板の第２の変形形態の一例を表している。
【００６１】
図６の例において、プリント回路基板の第１の部分は、Ｍｅ１及びＭｅ２で示す２つのメンブレンを備える。メンブレンは、膨張弁として機能する。メンブレンＭｅ１及びＭｅ２は、例えば、誘電性流体が温度及び／又は相変化に伴って膨張又は収縮するときに変形することができるような可撓性メンブレンである。
【００６２】
図７は、本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板の第３の変形形態の一例を表している。図７の例において、プリント回路基板Ｐｃｂｂ１及びＰｃｂｂ２は、キャビティＣａ１及びＣａ２を有し、これらのキャビティは、誘電性流体がキャビティＣａ１及びＣａ２を出入りして膨張及び収縮することを可能にするために用いることができる。
【００６３】
図８は、本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板を作製するアルゴリズムの一例を表している。
【００６４】
ステップＳ８０において、プリント回路基板の第１の部分の銅層Ｃｕａの部分及びプリント回路基板の第２の部分の銅層Ｃｕｂ上にナノワイヤが作成される。
【００６５】
代替的に、ナノワイヤは、パワーダイ自体の上に作成される。例えば、ナノワイヤは、多孔質アルミナ層を銅表面に付着／成長させ、銅電気めっき処理を行い、選択的にこの層をエッチングすることによって形成される。
【００６６】
形成されたナノワイヤは、通常、１０μｍオーダーの長さ及び１００ｎｍオーダーの直径のワイヤである。長さ対直径比は、通常、１０よりも大きい。ナノワイヤは、数が十分に多く、例えば少なくとも１００万本／ｃｍ２であるとともに、処理表面の５０％超を覆うことで高密度断面を提供することができる。ナノワイヤは、一貫した高さを得るために処理され、それゆえ、パワーダイの表面との均等な接触が促進される。このことは、例えば、多孔質層エッチングに先行する研磨ステップによって行うことができる。
【００６７】
熱及び電流の共同作用に起因したワイヤ同士の接着を防止するために、表面コーティングのステップを追加することができる。
【００６８】
例えば、非接着性材料のコーティング層を、化学蒸着、無電解析出若しくは電解析出等の堆積技法、又は上述の技法の組み合わせによってナノワイヤの外表面上に堆積させることができる。
【００６９】
ステップＳ８１において、パワーダイＤｉは、プリント回路基板の第２の部分の、プリント回路基板Ｐｃｂｂ１〜Ｐｃｂｂ３によって形成されたキャビティ内に配置される。パワーダイＤｉの位置は、スペーサーＳｐ１及びＳｐ２によって決定される。
【００７０】
銅層Ｃｕｂ上に配置されたナノワイヤが、通常、パワーダイＤｉのドレインＤｒと接触する。
【００７１】
高導電性及び高伝熱性を可能にするとともに、組み立て中のナノワイヤの横倒れを防止するために、例えば、接触を促進するとともにナノワイヤとドレインＤｒ表面との間の隙間のない接続をもたらすことができるはんだペースト等の薄層を加えることによって、ドレインＤｒ表面を活性化することができる。小さなパターン、例えばスクラッチ若しくはナノキャビティを有する多孔質表面の使用、又はマイクロメートルレンジの短い銅ナノワイヤの生成により、ナノワイヤとドレインＤｒの表面との間の接続を促進することができる。
【００７２】
ステップＳ８２において、ダイとケースとの間の熱抵抗を低減して、それによりパワーダイＤｉから熱流を逸らすことを促進することと、熱容量を増大させて、それによりサージ電流又は短絡時の温度上昇を限定的なものにすることと、ナノワイヤの酸化を防止することと、熱及び電流の共同作用に起因するワイヤ同士の集塊を防止することと、ＭＯＳＦＥＴパワーダイＤｉの場合のゲートドレイン、ソースドレイン又はゲートソース等の異なる電位間の絶縁を提供することとを行うために、プリント回路基板Ｐｃｂｂ１〜Ｐｃｂｂ３によって形成されたキャビティが、誘電性流体で充填される。
【００７３】
誘電性流体は、例えば、絶縁性シリコーンゲル／グリース、絶縁油のような種々の粘度を有する液体とすることができる。誘電性流体は、キャビティの容積、特にナノワイヤ同士の間を流体で適切に充填することが可能であるように、キャビティへの充填中に低粘度を有する。キャビティへの充填後、粘度が高まり、例えば、ゲルのような粘度を提供することができる。流体は、公称動作中は液体であるような、例えば４２℃等の十分に低い融点か、又はサージ電流若しくは短絡のような異常動作中にのみ誘電性流体が融解するような、例えば２００℃等のより高い融点か、のうちのいずれかから選ばれる融点を有する、例えばパラフィン又は他のワックス状物質のような二相材料とすることもできる。このように、相変化エネルギーがサージ電流中に温度を安定させるのに用いられ、したがって、パワーダイＤｉのロバスト性を高める。
【００７４】
キャビティは、上述したような組み立てプロセス中に充填することができるが、代替的に、キャビティは、以下で開示するように、組み立てプロセス後に充填することができる。
【００７５】
ナノワイヤフォレスト内の空き空間内での流体浸透を改善するために、密封前に、例えば超音波バスを用いて、機械的撹拌の追加ステップを用いても良い。
【００７６】
次のステップＳ８３において、プリント回路基板は、プレスパック型接続、すなわち、パワーダイＤｉが圧力の効果のみで２つの銅表面の間に挟持される接続を形成するために、プリント回路基板の第１の部分と第２の部分との組み付けによって形成される。圧力は、積層プロセス中に最初に印加されるが、組み付けプロセス後にもパワーダイを適所に保持する残留圧力が存在する。
【００７７】
ここで、図５又は図６又は図７を参照して開示したように、ステップＳ８３は、ステップＳ８２の前に実行することができることに留意されたい。
【００７８】
図９は、本発明による、パワーダイを埋め込むプリント回路基板の第４の変形形態の一例を表している。
【００７９】
第４の変形形態において、プリント回路基板Ｐｃｂｂ１及びＰｃｂｂ２は、それぞれ、流体の温度及び／又は相変化に伴って流体が膨張又は収縮するときに変形する可撓性メンブレンＦＭ１及びＦＭ２を備える。
【００８０】
メンブレンＦＭ１及びＦＭ２は、例えば、誘電性流体が温度及び／又は相変化に伴って膨張又は収縮するときに変形することができるような可撓性メンブレンである。メンブレンは、通常、プリント回路基板アセンブリにおいて局所的に積層されたポリイミド等の、可撓性であるが不浸透性である材料から構成される。
【００８１】
ここで、可撓性メンブレンは、プリント回路基板Ｐｃｂａ及びＰｃｂｂ３に配置することもできることに留意されたい。
【００８２】
当然のことながら、本発明の範囲から逸脱することなく、上記で説明した本発明の実施形態に対して多くの変更を行うことができる。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
2019532492.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2019532492.tif 000011
【図９】
2019532492.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月18日(2019.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーダイを埋め込むプリント回路基板であって、
前記パワーダイと前記プリント回路基板との間の相互接続は、マイクロ／ナノワイヤから構成され、
前記プリント回路基板は、前記パワーダイが配置されるキャビティを有し、
前記キャビティは、誘電性流体、すなわち絶縁性シリコーンゲル又はグリース又は絶縁油で更に充填され、前記プリント回路基板は、前記誘電性流体の温度及び／又は相変化に伴って前記誘電性流体が膨張又は収縮するときに変形する可撓性メンブレンを更に備えることか、又は、前記プリント回路基板は、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填を可能にする穴を更に有し、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填後、前記穴は、可撓性メンブレンで閉じられることを特徴とする、プリント回路基板。
【請求項２】
前記誘電性流体は、前記キャビティの容積、及び前記ナノワイヤ同士の間を前記誘電性流体で適切に前記充填することが可能であるように、前記キャビティへの前記充填中に低粘度を有することを特徴とする、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記誘電性流体は、二相材料であることを特徴とする、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記プリント回路基板は、他の少なくとも１つのキャビティを更に有し、前記他の少なくとも１つのキャビティは、前記誘電性流体が前記他の少なくとも１つのキャビティを出入りして収縮することを可能にするためのものであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記プリント回路基板は、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填を可能にする前記穴を更に有し、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填後、前記穴は、樹脂で充填して塞がれることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
パワーダイを埋め込むプリント回路基板を作製する方法であって、
前記パワーダイと前記プリント回路基板との間の相互接続は、マイクロ／ナノワイヤから構成され、
前記プリント回路基板は、前記パワーダイが配置されるキャビティを有し、
前記方法は、前記キャビティを誘電性流体で、すなわち絶縁性シリコーンゲルで又はグリースで又は絶縁油で充填するステップを含み、
前記プリント回路基板は、前記誘電性流体の温度及び／又は相変化に伴って前記誘電性流体が膨張又は収縮するときに変形する可撓性メンブレンを更に備えることか、又は、前記プリント回路基板は、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填を可能にする穴を更に有し、前記キャビティ内への前記誘電性流体の前記充填後、前記穴は、可撓性メンブレンで閉じられることを特徴とする、方法。
【国際調査報告】
2019532492.tif 000013
2019532492.tif 000014