(57)【要約】  本開示は、画素駆動回路とその駆動方法、表示基板及び表示装置を提供する。前記画素駆動回路は、表示駆動ユニットと、指紋認識ユニットとを含み、前記表示駆動ユニットは、駆動トランジスタと、表示記憶モジュールと、データ書込みモジュールと、発光制御モジュールと、補償制御モジュールとを含み、前記指紋認識ユニットは、指紋検出モジュールと、オン制御モジュールとを含み、前記指紋検出モジュールはタッチされた指紋情報を対応する指紋電流信号に変換し、前記オン制御モジュールは、それぞれ発光段階において、第２スキャン信号の制御下で、指紋電流信号を前記指紋電流信号読出しラインに伝送するように制御する。
2019536068.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示駆動ユニットと、指紋認識ユニットとを含む画素駆動回路であって、
前記表示駆動ユニットは、
ゲート電極が第１ノードに接続され、第１電極が第２ノードに接続され、第２電極が発光素子に接続される駆動トランジスタと、
第１端が第３ノードに接続され、第２端が前記第２ノードに接続される表示記憶モジュールと、
第１スキャンライン、前記第１ノード、前記第３ノード、データライン及び開始電圧出力端にそれぞれ接続されるデータ書込みモジュールと、
発光制御ライン、ハイレベル出力端及び前記第２ノードにそれぞれ接続される発光制御モジュールと、
前記第１スキャンライン、第２スキャンライン、前記第１ノード、前記第３ノード、前記駆動トランジスタの第２電極及びローレベル出力端にそれぞれ接続される補償制御モジュールであって、補償段階において、前記第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号の制御下で、前記駆動トランジスタの第２電極が前記ローレベル出力端に接続されるように制御することにより、前記表示記憶モジュールが前記駆動トランジスタの遮断まで前記駆動トランジスタを通じて前記ローレベル出力端へ放電し、発光段階において、前記第２スキャンラインの出力する第２スキャン信号の制御下で、前記第１ノードが前記第３ノードに接続されるように制御することにより、前記駆動トランジスタがオンされて前記発光素子を駆動発光させ、前記駆動トランジスタのゲート−ソース間の電圧で前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償できるようにした補償制御モジュールと、を含み、
前記指紋認識ユニットは、タッチされた指紋情報を対応する指紋電流信号に変換する指紋検出モジュールと、オン制御モジュールとを含み、
前記オン制御モジュールは、前記第２スキャンライン、指紋電流信号読出しライン及び前記指紋検出モジュールにそれぞれ接続され、発光段階において、前記第２スキャン信号の制御下で、前記指紋検出モジュールが前記指紋電流信号読出しラインに接続されるように制御して、前記指紋電流信号を前記指紋電流信号読出しラインに伝送することを特徴とする画素駆動回路。
【請求項２】
前記指紋検出モジュールは、指紋検出電極と、指紋情報検出サブモジュールとを含み、
前記指紋検出電極は、前記タッチされた指紋情報を対応する指紋容量に変換し、
前記指紋情報検出サブモジュールは、前記指紋検出電極に接続されて、前記指紋容量を前記指紋電流信号に変換することを特徴とする請求項１に記載の画素駆動回路。
【請求項３】
前記指紋検出電極は、第４ノードに接続され、
前記指紋情報検出サブモジュールは、
前記第１スキャンライン、リセット信号出力端及び前記第４ノードにそれぞれ接続され、前記第１スキャン信号の制御下で、前記第４ノードが前記リセット信号出力端に接続されるか否かを制御するリセットサブモジュールと、
第１端が前記第１スキャンライン又は前記第２スキャンラインに接続され、第２端が前記第４ノードに接続される基準コンデンサと、
ゲート電極が前記第４ノードに接続され、第１電極が前記オン制御モジュールに接続され、第２電極が前記リセット信号出力端に接続される指紋情報検出トランジスタと、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の画素駆動回路。
【請求項４】
前記リセットサブモジュールは、ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記第４ノードに接続され、第２電極が前記リセット信号出力端に接続されるリセットトランジスタを含み、
前記オン制御モジュールは、ゲート電極が前記第２スキャンラインに接続され、第１電極が前記指紋電流信号読出しラインに接続され、第２電極が前記指紋情報検出トランジスタの第１電極に接続されるオン制御トランジスタを含むことを特徴とする請求項３に記載の画素駆動回路。
【請求項５】
前記データ書込みモジュールは、前記第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号の制御下で、データライン上のデータ電圧を前記第１ノードに書込むか否かを制御し、且つ前記開始電圧出力端の出力する開始電圧を前記第３ノードに書込むか否かを制御し、
前記発光制御モジュールは、前記発光制御ラインの出力する発光制御信号の制御下で、前記第２ノードを前記ハイレベル出力端に接続するか否かを制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の画素駆動回路。
【請求項６】
前記補償制御モジュールは、
ゲート電極が前記第２スキャンラインに接続され、第１電極が前記第３ノードに接続され、第２電極が前記第１ノードに接続される第１補償制御トランジスタと、
ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記駆動トランジスタの第２電極に接続され、第２電極が前記ローレベル出力端に接続される第２補償制御トランジスタと、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の画素駆動回路。
【請求項７】
前記表示記憶モジュールは、記憶コンデンサを含み、
前記データ書込みモジュールは、
ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記データラインに接続され、第２電極が前記第１ノードに接続されるデータ電圧書込みトランジスタと、
ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記開始電圧出力端に接続され、第２電極が前記第３ノードに接続される開始電圧書込みトランジスタと、を含み、
前記発光制御モジュールは、ゲート電極が前記発光制御ラインに接続され、第１電極が前記ハイレベル出力端に接続され、第２電極が前記第２ノードに接続される発光制御トランジスタを含むことを特徴とする請求項６に記載の画素駆動回路。
【請求項８】
指紋情報検出サブモジュールはリセットトランジスタを含むリセットサブモジュールを含み、前記オン制御モジュールはオン制御トランジスタを含み、
前記駆動トランジスタ、前記リセットトランジスタ、前記オン制御トランジスタ、前記第１補償制御トランジスタ、前記第２補償制御トランジスタ、前記データ電圧書込みトランジスタ、前記開始電圧書込みトランジスタ及び前記発光制御トランジスタは、いずれもｐ型トランジスタであり、
前記第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号と、前記第２スキャンラインの出力する第２スキャン信号とは、逆方向であることを特徴とする請求項７に記載の画素駆動回路。
【請求項９】
前記第１スキャンライン及び前記第２スキャンラインは、同一のスキャンラインであることを特徴とする請求項７に記載の画素駆動回路。
【請求項１０】
前記オン制御モジュールは、オン制御トランジスタを含み、
前記第１補償制御トランジスタ及び前記オン制御トランジスタはｎ型トランジスタであり、前記開始電圧書込みトランジスタ、前記データ電圧書込みトランジスタ及び前記第２補償制御トランジスタはｐ型トランジスタであることを特徴とする請求項９に記載の画素駆動回路。
【請求項１１】
前記オン制御モジュールはオン制御トランジスタを含み、前記第１補償制御トランジスタ及び前記オン制御トランジスタはｐ型トランジスタであり、前記開始電圧書込みトランジスタ、前記データ電圧書込みトランジスタ及び前記第２補償制御トランジスタはｎ型トランジスタであることを特徴とする請求項９に記載の画素駆動回路。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の画素駆動回路を制御するための画素駆動回路の駆動方法であって、
各表示周期において、
リセット段階において、第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号の制御下で、データ書込みユニットはデータライン上のデータ電圧が第１ノードに書込まれるように制御すると共に、開始電圧出力端の出力する開始電圧が第３ノードに書込まれるように制御し、発光制御ラインの出力する発光制御信号の制御下で、発光制御モジュールは第２ノードがハイレベル出力端に接続されるように制御するリセットステップと、
前記発光制御信号の制御下で、発光制御モジュールは前記第２ノードと前記ハイレベル出力端の間の接続がオフされるように制御し、前記第１スキャン信号の制御下で、補償制御モジュールは駆動トランジスタの第２電極がローレベル出力端に接続されるように制御することにより、表示記憶モジュールは前記駆動トランジスタを通じて前記第２ノードの電位が前記データ電圧と前記駆動トランジスタの閾値電圧の差値になるまで前記ローレベル出力端へ放電して、前記駆動トランジスタが遮断される補償ステップと、
発光段階において、前記第１スキャン信号の制御下で、データ書込みモジュールは前記データラインと前記第１ノードの間の接続が遮断されるように制御すると共に、前記開始電圧出力端と前記第３ノードの間の接続が遮断されるように制御し、前記発光制御信号の制御下で、発光制御モジュールは前記第２ノードが前記ハイレベル出力端に接続されるように制御し、第２スキャンラインの出力する第２スキャン信号の制御下で、補償制御モジュールは前記第１ノードが前記第３ノードに接続されるように制御することにより、前記駆動トランジスタがオンされて発光素子を駆動して発光させ、前記駆動トランジスタのゲート-ソース間の電圧が前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償できるようにし、指紋検出モジュールはタッチされた指紋情報を対応する指紋電流信号に変換させ、前記第２スキャン信号の制御下で、オン制御モジュールは前記指紋検出モジュールが前記指紋電流信号を指紋電流信号読出しラインに出力するように制御する発光ステップと、
を含むことを特徴とする画素駆動回路の駆動方法。
【請求項１３】
前記指紋検出モジュールが指紋検出電極と、指紋情報検出サブモジュールとを含む場合、前記指紋検出モジュールがタッチされた指紋情報を対応する指紋電流信号に変換するステップは、
前記指紋検出電極は、前記タッチされた指紋情報を対応する指紋容量に変換するステップと、
前記指紋情報検出サブモジュールは、前記指紋容量を前記指紋電流信号に変換するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１２に記載の画素駆動回路の駆動方法。
【請求項１４】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の画素駆動回路を含むことを特徴とする表示基板。
【請求項１５】
前記画素駆動回路が設置されているシリコン基板を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の表示基板。
【請求項１６】
ｎ×Ｎ行ｍ×Ｍ列の画素ユニットを更に含み、
前記表示基板は、Ｎ行Ｍ列の前記画素駆動回路を含み、
第ａ行第ｂ列の画素駆動回路は、第ｎ×ａ行第ｍ×ｂ列の画素ユニットに設置され、
ｎ、Ｎ、ｍ及びＭはいずれも正整数であり、ａはＮより小さい又は等しい正整数であり、ｂはＭより小さい又は等しい正整数であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の表示基板。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の表示基板を含む表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２０１６年１０月２８日に中国特許庁に提出された中国特許出願第２０１６１０９７５８４４．７号明細書の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本願に取り込まれる。
本発明は、表示駆動の技術分野に関し、特に画素駆動回路とその駆動方法、表示基板及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
関連技術における画素駆動回路は、画素補償駆動部分及び指紋認識部分とを統合できないので、信号ラインの多重化により画素補償駆動及び指紋認識を同時に実現し、制御ラインの個数を減らすことができない。そして、関連技術における指紋認識機能のある画素駆動回路は１フレームの時間を表示時間帯と指紋認識時間帯とに分けて、タイムシーケンスごとに表示駆動及び指紋認識を行うので、タイムシーケンスの簡単なＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）を駆動発光させると同時に指紋認識を簡便に行う技術方案を提供できない。関連技術における画素駆動回路が時間を分けて画素補償駆動及び指紋認識を行うには、指紋認識のために表示駆動の時間を分け出すべきであり、１フレーム全体の時間の間画素駆動補償を行うことができず、指紋認識の時間を圧縮するので、指紋認識の精度が効果的に向上できない。そして、１フレームを分けて表示駆動及び指紋認識を行うことは、一つの表示周期の持続時間を減らすためにも不利であり、表示速度を効果的に向上できない。
【発明の概要】
【０００３】
本開示は、関連技術では、タイムシーケンスが簡単な発光素子を駆動発光させると同時に指紋認識を行う技術方案を簡便に提供できないという技術問題を解決する画素駆動回路とその駆動方法、表示基板及び表示装置を提供するのを目的とする。
【０００４】
上記目的を達成するために、本開示は、表示駆動ユニットと、指紋認識ユニットとを含む画素駆動回路を提供し、
前記表示駆動ユニットは、
ゲート電極が第１ノードに接続され、第１電極が第２ノードに接続され、第２電極が発光素子に接続される駆動トランジスタと、
第１端が第３ノードに接続され、第２端が前記第２ノードに接続される表示記憶モジュールと、
第１スキャンライン、前記第１ノード、前記第３ノード、データライン及び開始電圧出力端にそれぞれ接続されるデータ書込みモジュールと、
発光制御ライン、ハイレベル出力端及び前記第２ノードにそれぞれ接続される発光制御モジュールと、
前記第１スキャンライン、第２スキャンライン、前記第１ノード、前記第３ノード、前記駆動トランジスタの第２電極及びローレベル出力端にそれぞれ接続される補償制御モジュールであって、補償段階において、前記第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号の制御下で、前記駆動トランジスタの第２電極が前記ローレベル出力端に接続されるように、制御することにより、前記表示記憶モジュールが前記駆動トランジスタの遮断まで前記駆動トランジスタを通じて前記ローレベル出力端へ放電し、発光段階において、前記第２スキャンラインの出力する第２スキャン信号の制御下で、前記第１ノードが前記第３ノードに接続されるように制御することにより、前記駆動トランジスタがオンされて前記発光素子を駆動発光させ、前記駆動トランジスタのゲート−ソース間の電圧で前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償できるようにした補償制御モジュールと、を含み、
前記指紋認識ユニットは、タッチされた指紋情報を対応する指紋電流信号に変換する指紋検出モジュールと、オン制御モジュールとを含み、
前記オン制御モジュールは、前記第２スキャンライン、指紋電流信号読出しライン及び前記指紋検出モジュールにそれぞれ接続され、発光段階において、前記第２スキャン信号の制御下で、前記指紋検出モジュールが前記指紋電流信号読出しラインに接続されるように制御して、前記指紋電流信号を前記指紋電流信号読出しラインに伝送する。
【０００５】
選択可能に、前記指紋検出モジュールは、指紋検出電極と、指紋情報検出サブモジュールとを含み、
前記指紋検出電極は、前記タッチされた指紋情報を対応する指紋容量に変換し、
前記指紋情報検出サブモジュールは、前記指紋検出電極に接続されて、前記指紋容量を前記指紋電流信号に変換する。
【０００６】
選択可能に、前記指紋検出電極は、第４ノードに接続され、
前記指紋情報検出サブモジュールは、
前記第１スキャンライン、リセット信号出力端及び前記第４ノードにそれぞれ接続され、前記第１スキャン信号の制御下で、前記第４ノードが前記リセット信号出力端に接続されるか否かを制御するリセットサブモジュールと、
第１端が前記第１スキャンライン又は前記第２スキャンラインに接続され、第２端が前記第４ノードに接続される基準コンデンサと、
ゲート電極が前記第４ノードに接続され、第１電極が前記オン制御モジュールに接続され、第２電極が前記リセット信号出力端に接続される指紋情報検出トランジスタとを含む。
【０００７】
選択可能に、前記リセットサブモジュールは、ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記第４ノードに接続され、第２電極が前記リセット信号出力端に接続されるリセットトランジスタを含み、
前記オン制御モジュールは、ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記指紋電流信号読出しラインに接続され、第２電極が前記指紋情報検出トランジスタの第１電極に接続されるオン制御トランジスタを含む。
【０００８】
選択可能に、前記データ書込みモジュールは、前記第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号の制御下で、データライン上のデータ電圧を前記第１ノードに書込むか否かを制御し、且つ前記開始電圧出力端の出力する開始電圧を前記第３ノードに書込むか否かを制御し、
前記発光制御モジュールは、前記発光制御ラインの出力する発光制御信号の制御下で、前記第２ノードを前記ハイレベル出力端に接続するか否かを制御する。
【０００９】
選択可能に、前記補償制御モジュールは、
ゲート電極が前記第２スキャンラインに接続され、第１電極が前記第３ノードに接続され、第２電極が前記第１ノードに接続される第１補償制御トランジスタと、
ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記駆動トランジスタの第２電極に接続され、第２電極が前記ローレベル出力端に接続される第２補償制御トランジスタと、
を含む。
【００１０】
選択可能に、前記表示記憶モジュールは、記憶コンデンサを含み、
前記データ書込みモジュールは、
ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記データラインに接続され、第２電極が前記第１ノードに接続されるデータ電圧書込みトランジスタと、
ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記開始電圧出力端に接続され、第２電極が前記第３ノードに接続される開始電圧書込みトランジスタと、を含み、
前記発光制御モジュールは、ゲート電極が前記発光制御ラインに接続され、第１電極が前記ハイレベル出力端に接続され、第２電極が前記第２ノードに接続される発光制御トランジスタを含む。
【００１１】
選択可能に、前記指紋情報検出サブモジュールはリセットトランジスタを含むリセットサブモジュールを含み、前記オン制御モジュールはオン制御トランジスタを含み、
前記駆動トランジスタ、前記リセットトランジスタ、前記オン制御トランジスタ、前記第１補償制御トランジスタ、前記第２補償制御トランジスタ、前記データ電圧書込みトランジスタ、前記開始電圧書込みトランジスタ及び前記発光制御トランジスタは、いずれもｐ型トランジスタであり、
前記第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号と、前記第２スキャンラインの出力する第２スキャン信号とは、逆方向である。
【００１２】
選択可能に、前記第１スキャンライン及び前記第２スキャンラインは、同一のスキャンラインである。
【００１３】
選択可能に、前記オン制御モジュールは、オン制御トランジスタを含み、
前記第１補償制御トランジスタ及び前記オン制御トランジスタはｎ型トランジスタであり、前記開始電圧書込みトランジスタ、前記データ電圧書込みトランジスタ及び前記第２補償制御トランジスタはｐ型トランジスタであり、或いは、前記第１補償制御トランジスタ及び前記オン制御トランジスタはｐ型トランジスタであり、前記開始電圧書込みトランジスタ、前記データ電圧書込みトランジスタ及び前記第２補償制御トランジスタはｎ型トランジスタである。
【００１４】
本開示は、画素駆動回路を制御するための画素駆動回路の駆動方法であって、
各表示周期において、
リセット段階において、第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号の制御下で、データ書込みユニットはデータライン上のデータ電圧が第１ノードに書込まれるように制御すると共に、開始電圧出力端の出力する開始電圧が第３ノードに書込まれるように制御し、発光制御ラインの出力する発光制御信号の制御下で、発光制御モジュールは第２ノードがハイレベル出力端に接続されるように制御するリセットステップと、
前記発光制御信号の制御下で、発光制御モジュールは前記第２ノードと前記ハイレベル出力端の間の接続がオフされるように制御し、前記第１スキャン信号の制御下で、補償制御モジュールは駆動トランジスタの第２電極がローレベル出力端に接続されるように制御することにより、表示記憶モジュールは前記駆動トランジスタを通じて前記第２ノードの電位が前記データ電圧と前記駆動トランジスタの閾値電圧の差値になるまで前記ローレベル出力端へ放電して、前記駆動トランジスタが遮断される補償ステップと、
発光段階において、前記第１スキャン信号の制御下で、データ書込みモジュールは前記データラインと前記第１ノードの間の接続が遮断されるように制御すると共に、前記開始電圧出力端と前記第３ノードの間の接続が遮断されるように制御し、前記発光制御信号の制御下で、発光制御モジュールは前記第２ノードが前記ハイレベル出力端に接続されるように制御し、第２スキャンラインの出力する第２スキャン信号の制御下で、補償制御モジュールは前記第１ノードが前記第３ノードに接続されるように制御することにより、前記駆動トランジスタがオンされて発光素子を駆動して発光させ、前記駆動トランジスタのゲート-ソース間の電圧が前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償できるようにし、指紋検出モジュールはタッチされた指紋情報を対応する指紋電流信号に変換させ、前記第２スキャン信号の制御下で、オン制御モジュールは前記指紋検出モジュールが前記指紋電流信号を指紋電流信号読出しラインに出力するように制御する発光ステップと、
を含む。
【００１５】
選択可能に、前記指紋検出モジュールが指紋検出電極と、指紋情報検出サブモジュールとを含む場合、前記指紋検出モジュールがタッチされた指紋情報を対応する指紋電流信号に変換させるステップは、
前記指紋検出電極は、前記タッチされた指紋情報を対応する指紋容量に変換させるステップと、
前記指紋情報検出サブモジュールは、前記指紋容量を前記指紋電流信号に変換させるステップと、
を含む。
【００１６】
本開示は、上記の画素駆動回路を含む表示基板を更に提供する。
【００１７】
選択可能に、本開示に記載される表示基板は、前記画素駆動回路が設置されているシリコン基板を更に含む。
【００１８】
選択可能に、本開示に記載される表示基板は、ｎ×Ｎ行ｍ×Ｍ列の画素ユニットを更に含み、
前記表示基板は、Ｎ行Ｍ列の前記画素駆動回路を含み、
第ａ行第ｂ列の画素駆動回路は、第ｎ×ａ行第ｍ×ｂ列の画素ユニットに設置され、
ｎ、Ｎ、ｍ及びＭはいずれも正整数であり、ａはＮより小さい又は等しい正整数であり、ｂはＭより小さい又は等しい正整数である。
【００１９】
本開示は、上記の表示基板を含むことを特徴とする表示装置を更に提供する。
【００２０】
関連技術に比べ、本開示に記載される画素駆動回路とその駆動方法、表示基板及び表示装置は、第１スキャンライン、第２スキャンライン及び発光制御ラインの多重化を画素補償駆動及び指紋認識に利用して、制御ラインの個数を減少でき、更には、指紋認識機能及び画素補償駆動の機能を統合が可能になり、関連技術における１フレームの時間が表示時間帯と指紋認識時間帯とに分かれることにより時間を分けて表示駆動及び指紋認識を行うべきであることに比べ、本開示は、画素補償駆動と同時に指紋認識を行うことができ、指紋認識のために表示駆動の時間を分け出す必要がなく、１フレーム全体の時間を使って画素駆動補償を行うことができ、指紋認識の時間を増やし、指紋認識の精度を向上させ、且つ表示駆動及び指紋認識を同時に行うことができるので、一つの表示周期が持続する時間を減らすのに有利であり、表示速度を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本開示の一実施例の画素駆動回路の構造図である。
【図２】本開示の一実施例の画素駆動回路の構造図である。
【図３Ａ】本開示の一実施例の画素駆動回路の構造図である。
【図３Ｂ】本開示の図３Ａが示すような画素駆動回路に含まれる指紋検出モジュールが動作する時、指紋検出モジュールに含まれる指紋検出電極ｄと指の間のカップリング容量の模式図である。
【図４】本開示の一実施例の画素駆動回路の回路図である。
【図５】本開示の図４が示す画素駆動回路の動作タイムシーケンス図である。
【図６Ａ】本開示の図４が示す画素駆動回路がリセット段階ｔ１にある場合の電流の流れ方向の模式図である。
【図６Ｂ】本開示の図４が示す画素駆動回路が補償段階ｔ２にある場合の電流の流れ方向の模式図である。
【図６Ｃ】本開示の図４が示す画素駆動回路が発光段階ｔ３にある場合の電流の流れ方向の模式図である。
【図７Ａ】本開示の一実施例の画素駆動回路の回路図である。
【図７Ｂ】本開示の図７Ａが示す画素駆動回路の動作タイムシーケンス図である。
【図８】本開示の一実施例の画素駆動回路が表示基板に応用される構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本開示の実施例における図面を結合して、本開示の実施例における技術案をより明確で完全に記載する。記載される実施例は、本開示の一部分の実施例に過ぎず、すべての実施例ではないことは明らかである。本開示の実施例に基づき、当業者により創造的な労働をせずに得られる全ての他の実施例は、全部が本開示の保護範囲に属するものである。
【００２３】
図１に示すように、本開示の一実施例の画素駆動回路は、表示駆動ユニット１１と、指紋認識ユニット１２とを含み、
前記表示駆動ユニット１１は、
ゲート電極が第１ノードｃに接続され、第１電極が第２ノードａに接続され、第２電極が発光素子ＥＬに接続される駆動トランジスタＤＴＦＴと、
第１端が第３ノードｂに接続され、第２端が前記第２ノードａに接続される表示記憶モジュール１１１と、
第１スキャンラインＳｃａｎ１、前記第１ノードｃ、前記第３ノードｂ、データラインDａｔａ及び出力開始電圧Ｖｉｎｉの開始電圧出力端にそれぞれ接続されるデータ書込みモジュール１１２と、
発光制御ラインＥＭ、ハイレベルＶｄｄを出力するハイレベル出力端及び前記第２ノードａにそれぞれ接続される発光制御モジュール１１３と、
前記第１スキャンラインＳｃａｎ１、第２スキャンラインＳｃａｎ２、前記第１ノードｃ、前記第３ノードｂ、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの第２電極及びローレベルＶｓｓを出力するローレベル出力端にそれぞれ接続される補償制御モジュール１１４であって、補償段階において、前記第１スキャンラインＳｃａｎ１の出力する第１スキャン信号の制御下で、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの第２電極が前記ローレベル出力端に接続されるように制御することにより、前記表示記憶モジュール１１１は前記駆動トランジスタＤＴＦＴが遮断されるまで前記駆動トランジスタＤＴＦＴを通じて前記ローレベル出力端へ放電し、発光段階において、前記第２スキャンラインＳｃａｎ２の出力する第２スキャン信号の制御下で、前記第１ノードｃが前記第３ノードｂに接続されるように制御することにより、前記駆動トランジスタＤＴＦＴがオンされて前記発光素子ＥＬを駆動発光させ、前記駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート−ソース間の電圧は、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの閾値電圧を補償できる補償制御モジュール１１４と、を含み、
前記指紋認識ユニット１２は、タッチされた指紋情報を対応する指紋電流信号に変換する指紋検出モジュール１２１と、オン制御モジュール１２２とを含み，
前記オン制御モジュール１２２は、前記第２スキャンラインＳｃａｎ２、指紋電流信号読出しラインＹ−Ｒｅａｄ  Ｌｉｎｅ及び前記指紋検出モジュール１２１にそれぞれ接続され、発光段階において、第２スキャン信号の制御下で、前記指紋検出モジュール１２１が前記指紋電流信号読出しラインＹ−Ｒｅａｄ  Ｌｉｎｅに接続されるように制御して、前記指紋検出モジュール１２１により検出された指紋電流信号を指紋電流信号読出しラインＹ−Ｒｅａｄ  Ｌｉｎｅを通じて出力する。
【００２４】
本開示の実施例の画素駆動回路は、第１スキャンラインＳｃａｎ１、第２スキャンラインＳｃａｎ２及び発光制御ラインＥＭの多重化を画素補償駆動及び指紋認識に利用して制御ラインの個数を減少でき、更には、指紋認識機能及び画素補償駆動の機能の統合が可能になり、関連技術における１フレームの時間が表示時間帯と指紋認識時間帯とに分かれることにより時間を分けて表示駆動及び指紋認識を行うべきであることに比べ、本開示の実施例の画素駆動回路は、画素補償駆動と同時に指紋認識を行うことができ、指紋認識のために表示駆動の時間を分け出す必要がなく、１フレーム全体の時間を使って画素駆動補償を行うことができ、指紋認識の時間を増やし、指紋認識の精度を向上させ、且つ表示駆動及び指紋認識を同時に行うことができるので、一つの表示周期が持続する時間を減らすのに有利であり、表示速度を向上させる。
【００２５】
図１において、ＤＴＦＴはｐ型トランジスタであるが、実際に操作する時、ＤＴＦＴはｎ型トランジスタであってもよいし、ここではＤＴＦＴの類型は限定しない。
【００２６】
本開示の一実施例において、図１に示すように、実際的にＳｃａｎ２は指紋認識スキャンラインであり、Ｙ−Ｒｅａｄ  Ｌｉｎｅは指紋認識センシングラインである。
【００２７】
具体的には、図２に示すように、前記指紋検出モジュール１２１は、指紋検出電極ｄと、指紋情報検出サブモジュール１２１１とを含み、
前記指紋検出電極ｄは、タッチされた指紋情報を対応する指紋静電容量に変換し、
前記指紋情報検出サブモジュール１２１１は、前記指紋検出電極ｄに接続されて当該指紋静電容量を対応する指紋電流信号に変換する。
【００２８】
前記指紋検出モジュール１２１が動作する時、指によってスクリーンをタッチし、指の面の凸凹の縞と検出電極の間のカップリング容量の大きさによって、端末から信号を採集して指の凹凸情報を確定することで、指の指紋データを取得する。
【００２９】
実際に操作する時、前記指紋検出電極はシリコンセンサーの検出電極であってもよいし、当該指紋検出電極はコンデンサの一つの極板になり、指はコンデンサのもう一つの極板として、指紋線の凹凸の縞のシリコンセンサーの検出電極に対しての容量の差を利用して、カップリング容量の差値によって、指紋情報検出サブモジュールに含まれるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート電極の電位（当該ＴＦＴのゲート電極は当該指紋検出電極に接続される）を確定し、当該ＴＦＴは、そのゲート電極の電位を対応する指紋電流信号に変換し、端末により模擬算定して指紋グレースケール画像を取得する。
【００３０】
具体的に実施する時、前記指紋検出電極は、他の類型の指の凸部又は凹部によりタッチされて指との間で異なるカップリング容量を発生できる導電電極であってもよいし、ここでは指紋検出電極の類型は限定しない。
【００３１】
具体的には、前記指紋検出電極は第４ノードに接続され、
前記指紋情報検出サブモジュールは、
前記第１スキャンライン、リセット信号出力端及び前記第４ノードにそれぞれ接続され、前記第１スキャン信号の制御下で、前記第４ノードが前記リセット信号出力端に接続されるか否か制御するリセットサブモジュールと、
第１端が前記第１スキャンライン又は前記第２スキャンラインに接続され、第２端が前記第４ノードに接続される基準コンデンサと、
ゲート電極が前記第４ノードに接続され、第１電極が前記オン制御モジュールに接続され、第２電極が前記リセット信号出力端に接続される指紋情報検出トランジスタと、を含む。
【００３２】
具体的な実施方式によれば、図３Ａに示すように、
前記オン制御モジュール１２２はオン制御トランジスタＭ３を含み、
Ｍ３のゲート電極はＳｃａｎ２に接続され、Ｍ３の第１電極はＹ−Ｒｅａｄ  Ｌｉｎｅに接続され、
前記指紋情報検出サブモジュールは、
ゲート電極が前記第１スキャンラインＳｃａｎ１に接続され、第１電極がリセット電圧Ｖｃｏｍを出力するリセット信号出力端に接続され、第２電極が前記指紋検出電極ｄに接続されるリセットトランジスタＭ１と、
第１端が前記第１スキャンラインＳｃａｎ１に接続され、第２端が前記第４ノードに接続される基準コンデンサＣｓと、
ゲート電極が前記指紋検出電極ｄに接続され、第１電極が前記オン制御トランジスタＭ２の第２電極に接続され、第２電極が前記リセット信号出力端に接続される指紋情報検出トランジスタＭ２と、を含む。
【００３３】
本開示の一実施例において、図３Ａに示すように、Ｍ１、Ｍ２及びＭ３は、いずれもｐ型ＴＦＴであり、第１電極はソース電極であってもよいし、第２電極はドレイン電極であってもよいし、実際に操作する時、Ｍ１、Ｍ２及びＭ３は、ｎ型トランジスタであってもよい。ここでは、Ｍ１、Ｍ２及びＭ３のトランジスタの類型は限定しないが、Ｍ２は増幅ＴＦＴであり、Ｍ２が増幅開始状態にある時、Ｍ２の電流増幅倍数は高い。
【００３４】
図３Ｂに示すように、本開示の図３Ａに示すような画素駆動回路に含まれる指紋検出モジュールが動作する時、指紋検出モジュールには、基準コンデンサＣｓのほかに、指と指紋検出電極ｄとで形成されるカップリング容量Ｃｆを更に含み、且つＭ２（Ｍ２は増幅ＴＦＴである）自身にも浮遊容量Ｃｔがあるので、指がスクリーンをタッチする時、現在の画素の指紋検出電極ｄ及び現在の画素上方にある指の凹凸部位はカップリング容量Ｃｆを形成し、Ｃｆの大きさの差異によって、Ｍ２のゲート電極の電位（ゲート電極の電位の大きさはＣｆとＣｓ及びＣｔとの占有比により決定され、Ｃｆが大きいほどゲート電極の電位は小さく、逆に、Ｃｆが小さいほどゲート電極の電位は大きい）が変化し、Ｍ２のドレイン電極電流に変化を発生させることによって、凹凸情報を確定する。
【００３５】
具体的には、指紋検出電極ｄの上方にある指が凹部である場合、指の凹部及び指紋検出電極ｄが形成する容量はＣ１（Ｃ１の容量値は小さい）であり、Ｃ１はＣｓ及びＣｔに対して十分小さく、Ｃ１が電荷を吸収する能力には限界がある。この場合、Ｍ２のゲート電極の電位の下がる数値はかなり小さく、Ｍ２のゲート電極の電位はＭ２がオンされる程まで下がっておらず、Ｍ２はｐ型トランジスタであるので、Ｍ２は遮断状態にあり、Ｙ−Ｒｅａｄ  Ｌｉｎｅにより採集されたのは初期電流信号（即ち、Ｍ２を流れるドレイン電流）であり、この場合、端末により算出された結果は当該指紋検出電極ｄをタッチしたのが指の凹部であることを示す。
指紋検出電極ｄの上方にある指が凸部である場合、指の凸部及び指紋検出電極ｄが形成する容量はＣ２であり（容量が大きい）、Ｃ１の容量値はＣｓ及びＣｔに対して十分大きく、大きい容量値を有するＣ１の電荷を吸収する能力は強い。この場合、Ｍ２ゲート電極の電位は大幅に下がって、Ｍ２は増幅開始状態になり、Ｙ−Ｒｅａｄ  Ｌｉｎｅにより採集されたのは増幅された電流信号であり、これにより、端末により算出された結果は、当該指紋検出電極ｄをタッチしたのが指の凸部であることを示す。
【００３６】
具体的には、前記リセットサブモジュールは、ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記第４ノードに接続され、第２電極が前記リセット信号出力端に接続されるリセットトランジスタを含むことができ、
前記オン制御モジュールは、ゲート電極が前記第２スキャンラインに接続され、第１電極が前記指紋電流信号読出しラインに接続され、第２電極が前記指紋情報検出トランジスタの第１電極に接続されるオン制御トランジスタを含むことができる。
【００３７】
具体的には、前記データ書込みモジュールは、前記第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号の制御下で、データライン上のデータ電圧を前記第１ノードに書込むか否か制御し、前記開始電圧出力端の出力する開始電圧を前記第３ノード書込むか否か制御するし、
前記発光制御モジュールは、前記発光制御ラインの出力する発光制御信号の制御下で、前記第２ノードを前記ハイレベル出力端に接続するか否か制御する。
【００３８】
具体的には、前記補償制御モジュールは、
ゲート電極が前記第２スキャンラインに接続され、第１電極が前記第３ノードに接続され、第２電極が前記第１ノードに接続される第１補償制御トランジスタと、
ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記駆動トランジスタの第２電極に接続され、第２電極が前記ローレベル出力端に接続される第２補償制御トランジスタと、を含むことができる。
【００３９】
具体的には、前記表示記憶モジュールは記憶コンデンサを含み、
前記データ書込みモジュールは、
ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記データラインに接続され、第２電極が前記第１ノードに接続されるデータ電圧書込みトランジスタと、
ゲート電極が前記第１スキャンラインに接続され、第１電極が前記開始電圧出力端に接続され、第２電極が前記第３ノードに接続される開始電圧書込みトランジスタと、を含み、
前記発光制御モジュールは、ゲート電極が前記発光制御ラインに接続され、第１電極が前記ハイレベル出力端に接続され、第２電極が前記第２ノードに接続される発光制御トランジスタを含む。
【００４０】
具体的には、前記指紋情報検出サブモジュールはリセットトランジスタを含むリセットサブモジュールを含み、前記オン制御モジュールはオン制御トランジスタを含む場合、
前記駆動トランジスタ、前記リセットトランジスタ、前記オン制御トランジスタ、前記第１補償制御トランジスタ、前記第２補償制御トランジスタ、前記データ電圧書込みトランジスタ、前記開始電圧書込みトランジスタ及び前記発光制御トランジスタは、いずれもｐ型トランジスタであり、
前記第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号と、前記第２スキャンラインの出力する第２スキャン信号とは、逆方向であり、
画素駆動回路におけるトランジスタを全部ｐ型に設計することにより、モジュールプロセスの製造過程を減らすことができる。
【００４１】
実際に操作する時、前記第１スキャンライン及び前記第２スキャンラインは、同一のスキャンラインで可能である。
【００４２】
前記第１スキャンライン及び前記第２スキャンラインが同一のスキャンラインであり、前記オン制御モジュールがオン制御トランジスタを含む場合、
前記第１補償制御トランジスタ及び前記オン制御トランジスタはｎ型トランジスタであり、前記開始電圧書込みトランジスタ、前記データ電圧書込みトランジスタ及び前記第２補償制御トランジスタはｐ型トランジスタであり、或いは、前記第１補償制御トランジスタ及び前記オン制御トランジスタはｐ型トランジスタであり、前記開始電圧書込みトランジスタ、前記データ電圧書込みトランジスタ及び前記第２補償制御トランジスタはｎ型トランジスタである。
【００４３】
以下、本開示の一実施例により本開示に記載される画素駆動回路を説明する。
【００４４】
図４に示すように、本開示の一実施例の画素駆動回路は、表示駆動ユニットと、指紋認識ユニットとを含み、
前記表示駆動ユニットは、駆動トランジスタＤＴＦＴと、表示記憶モジュールと、データ書込みモジュールと、発光制御モジュールと、補償制御モジュールとを含み、
前記指紋認識ユニットは、指紋検出モジュールとオン制御モジュールとを含み、
前記指紋検出モジュールは、指紋検出電極ｄと指紋情報検出サブモジュールとを含み、
前記指紋検出電極は第４ノードに接続され、
前記指紋情報検出サブモジュールは、
ゲート電極が前記第１スキャンラインＳｃａｎ１に接続され、ソース電極が前記第４ノードに接続され、ドレイン電極がリセット電圧Ｖｃｏｍを出力するリセット信号出力端に接続されるリセットトランジスタＭ１と、
第１端が前記第２スキャンラインＳｃａｎ２に接続され、第２端が前記第４ノードに接続される基準コンデンサＣｓと、
ゲート電極が前記第４ノードに接続され、ドレイン電極がリセット電圧Ｖｃｏｍを出力するリセット信号出力端に接続される指紋情報検出トランジスタＭ２と、を含む。
【００４５】
前記オン制御モジュールは、ゲート電極が前記第２スキャンラインＳｃａｎ２に接続され、ソース電極が指紋電流信号読出しラインＹ−Ｒｅａｄ  Ｌｉｎｅに接続され、ドレイン電極が前記指紋情報検出トランジスタのソース電極に接続されるオン制御トランジスタＭ３を含み、
前記補償制御モジュールは、
ゲート電極が前記第２スキャンラインＳｃａｎ２に接続され、ソース電極が前記第３ノードｂに接続され、ドレイン電極が前記第１ノードｃに接続される第１補償制御トランジスタＴ３と、
ゲート電極が前記第１スキャンラインＳｃａｎ１に接続され、ソース電極が前記駆動トランジスタＤＴＦＴのソース電極に接続され、ドレイン電極が接地端子ＧＮＤに接続される第２補償制御トランジスタＴ５と、を含み、
前記表示記憶モジュールは、第１端が第３ノードに接続され、第２端が第２ノードａに接続される記憶コンデンサＣｍを含み、
前記データ書込みモジュールは、
ゲート電極が前記第１スキャンラインＳｃａｎ１に接続され、ソース電極が出力データ電圧Ｖｄａｔａのデータラインに接続され、ドレイン電極が前記第１ノードｃに接続されるデータ電圧書込みトランジスタＴ４と、
ゲート電極が前記第１スキャンラインＳｃａｎ１に接続され、ソース電極が接地端子ＧＮＤに接続され、ドレイン電極が前記第３ノードｂに接続される開始電圧書込みトランジスタＴ２と、を含み、
前記発光制御モジュールは、ゲート電極が前記発光制御ラインＥＭに接続され、ソース電極がハイレベルＶｄｄを出力するハイレベル出力端に接続され、ドレイン電極が前記第２ノードａに接続される発光制御トランジスタＴ１を含み、
駆動トランジスタＤＴＦＴのゲート電極は第１ノードｃに接続され、駆動トランジスタＤＴＦＴのソース電極は第２ノードａに接続され、駆動トランジスタＤＴＦＴのドレイン電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードに接続され、
ＯＬＥＤのカソードは接地端子ＧＮＤに接続される。
【００４６】
本開示の一実施例において、図４に示すように、指紋認識ユニットにおいてＭ１は信号リセットＴＦＴであり、Ｍ２は信号増幅用のＴＦＴであり、Ｍ３はスイッチＴＦＴであり、これ以外、当該指紋認識ユニットは指紋検出電極ｄと基準コンデンサＣｓとを更に含む。
【００４７】
本開示の一実施例において、図４に示すように、表示駆動ユニットにおいてＴ１〜Ｔ５はスイッチＴＦＴであり、ＤＴＦＴは駆動ＴＦＴであり、当該表示駆動ユニットは、記憶コンデンサＣｍを更に含む。
【００４８】
図４において、Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２及びＥＭはいずれも入力信号回路であり、両ユニット内のスイッチＴＦＴのオフ又はオンを制御し、Ｓｃａｎ２は指紋認識スキャンラインとして兼用され、Ｓｃａｎ１は指紋認識のリセット線路として兼用される。
【００４９】
指の指紋は、若干の画素ポイントの指紋検出電極がフィードバックする信号により確定されるため、現在の指によりタッチされる画素ポイントの位置を確定するにはＳｃａｎ２によりＸ方向座標を確定し、Ｙ−Ｒｅａｄ  ＬｉｎｅによりＹ方向座標を確定する。
【００５０】
本開示の一実施例において、図４に示すように、すべてのトランジスタはｐ型トランジスタであり、モジュールプロセスの製造過程を大幅に減らす。但し、実際に操作する時、ＤＴＦＴ以外に、図４における他のトランジスタはいずれもｎ型トランジスタに切り替えることができる。
【００５１】
本開示の図４が示すような画素駆動回路が動作する時、表示駆動及び指紋認識は同時に行われる。
【００５２】
図５及び図６Ａに示すように、リセット段階ｔ１において、Ｓｃａｎ１は、ローレベルを出力して、Ｍ１をオンし、Ｖｃｏｍは初期リセット信号を提供し、指紋検出電極ｄの電位はＶｃｏｍである。この場合、Ｍ２はオンの条件を満足しないので、Ｍ２はずっとオフ状態にある。この場合、Ｓｃａｎ２はハイレベルを出力するので、Ｍ３はオフされ、
Ｓｃａｎ１及びＥＭはいずれもローレベルを出力し、Ｓｃａｎ２はハイレベルを出力し、Ｔ３はオフされ、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ４及びＴ５はオンされ、第３ノードｂは接地し、第３ノードｂの電位は０Ｖとなり、第２ノードａはＶｄｄにアクセスし、第１ノードｃはＤａｔａ上のＶｄａｔａにアクセスし、第１ノードｃの電位はＶｄａｔａである。
【００５３】
図５及び図６Ｂに示すように、補償段階ｔ２において、Ｓｃａｎ１はローレベルを継続して出力し、Ｓｃａｎ２はハイレベルを継続して出力するので、指紋認識ユニットに含まれる各トランジスタの状態は変わらなく、
Ｓｃａｎ１はローレベルを出力し、ＥＭ及びＳｃａｎ２はハイレベルを出力し、Ｔ２、Ｔ４及び５はオンされ、Ｔ１及びＴ３はオフされる。この場合、Ｃｍは図６Ｂにおける経路に沿って第２ノードａの電位がＶｄａｔａ−Ｖｔｈｄになるまで放電し、ＶｔｈｄはＤＴＦＴの閾値電圧であり、この放電過程において、電流は依然としてＯＬＥＤを通過せず、第１ノードｃはＶｄａｔａにアクセスする。
【００５４】
図５及び図６Ｃに示すように、発光段階ｔ３（当該発光段階ｔ３は指紋認識信号採集段階でもある）において、Ｓｃａｎ２及びＥＭはローレベルを出力し、Ｓｃａｎ１はハイレベルを出力し、Ｍ１はオフされ、Ｍ３はオンされる。指紋認識ユニットには、基準コンデンサＣｓの他に、指及び指紋検出電極ｄが形成する検出容量Ｃｆを更に含み、且つＭ２自身にも浮遊容量Ｃｔがあるので、指がスクリーンをタッチする時、現在の画素の指紋検出電極ｄ及び現在の画素の上方にある指の凹凸部位はカップリング容量Ｃｆを形成し、Ｃｆの大きさの差異によって、Ｍ２のゲート電極の電位（ゲート電極の電位の大きさは、ＣｆとＣｓ及びＣｔとの占有比により決定され、Ｃｆが大きいほどゲート電極の電位は小さく、逆に、Ｃｆが小さいほどゲート電極の電位は大きい）が変化し、Ｍ２のドレイン電極の電流が変化して、凹凸情報が確定する。
【００５５】
Ｍ２の動作電流はＭ３を流れ、Ｙ−Ｒｅａｄ  Ｌｉｎｅを経て端末信号受信部品に伝送される。
【００５６】
発光段階ｔ３において、Ｓｃａｎ１はハイレベルを出力し、Ｓｃａｎ２及びＥＭはローレベルを出力し、Ｔ２、Ｔ４及びＴ５はオフされ、Ｔ３及びＴ１はオンされ、Ｃｍの第２端（即ち、第２ノードａ）はＶｄｄにアクセスし、Ｃｍの第１端（即ち、第３ノードｂ）はフローティング接続され、Ｃｍの両端の電圧の差値は急変しないので、Ｃｍの第１端（即ち、第３ノードｂ）の電位は、Ｖｄｄ−Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈｄにジャンピングし、ＶｔｈｄはＤＴＦＴの閾値電圧であり、ＤＴＦＴはｐ型トランジスタであるので、Ｖｔｈｄは負の値であり、この場合、Ｔ３はオンされるため、ＤＴＦＴのゲート電極の電位も、Ｖｄｄ−Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈｄにジャンピングする。
【００５７】
飽和電流公式により、ＯＬＥＤを流れる電流ＩＯＬＥＤは、
【数１】
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ＶＧＳは、ＤＴＦＴの発光段階ｔ３におけるゲート-ソース間の電圧であり、
上記の式から、ＯＬＥＤの動作電流ＩＯＬＥＤはＶｔｈｄの影響を受けなく、Ｖｄａｔａだけに関係することが分かる。よって、駆動トランジスタのプロセス製造過程及び長時間の操作により閾値電圧がドリフトする問題を徹底的に解決し、ＩＯＬＥＤに対する影響を消去し、ＯＬＥＤの正常動作を保証する。
【００５８】
本開示は、画素補償及び指紋認識機能を統合することにより、指紋認識機能を表示器スクリーン内部に組み込み、指によりスクリーンをタッチするだけで便利で効率の高い指紋認識を実現する。このような設計は、従来のすべての部品と部品の間の機能を累積する組み合わせ方式を転覆し、本開示は、製品の付加価値を大幅に向上する。
【００５９】
具体的には、他の駆動画素表示ユニットが同じであることを保証する機能の下で、図７Ａに示すように、図４におけるＭ３及びＴ３のトランジスタの類型を変更することができる。即ち、Ｍ３及びＴ３をｎ型トランジスタに設計し、Ｍ３のゲート電極及びＴ３のゲート電極が第１スキャンラインＳｃａｎ１に接続され、Ｃｓの第１端がＳｃａｎ１に接続されるように変更すると、指紋認識情報の採集及び制御を完了するとともに、一本のスキャンライン（第２スキャンライン）を減らすことができる。図７Ａにおいて、Ｓｃａｎ１は指紋認識リセット制御ライン、指紋認識スキャンライン及び表示スキャンラインとして兼用される。本開示の図７Ａが示すような画素駆動回路の動作タイムシーケンス図は、図７Ｂに示す通りである。
【００６０】
本開示の実施例の画素駆動回路の駆動方法は、上記の画素駆動回路を駆動させるためであり、各表示周期において、
リセット段階において、第１スキャンラインの出力する第１スキャン信号の制御下で、データ書込みユニットはデータライン上のデータ電圧が第１ノードに書込まれるように制御すると共に、開始電圧出力端の出力する開始電圧が第３ノードに書込まれるように制御し、発光制御ラインの出力する発光制御信号の制御下で、発光制御モジュールは第２ノードがハイレベル出力端に接続されるように制御するリセットステップと、
前記発光制御信号の制御下で、発光制御モジュールは前記第２ノードと前記ハイレベル出力端の間の接続がオフされるように制御し、前記第１スキャン信号の制御下で、補償制御モジュールは駆動トランジスタの第２電極がローレベル出力端に接続されるように制御することにより、表示記憶モジュールは前記駆動トランジスタを通じて前記第２ノードの電位が前記データ電圧と前記駆動トランジスタの閾値電圧の差値になるまで前記ローレベル出力端へ放電して、前記駆動トランジスタが遮断される補償ステップと、
発光段階において、前記第１スキャン信号の制御下で、データ書込みモジュールは前記データラインと前記第１ノードの間の接続が遮断されるように制御すると共に、前記開始電圧出力端と前記第３ノードの間の接続が遮断されるように制御し、前記発光制御信号の制御下で、発光制御モジュールは前記第２ノードが前記ハイレベル出力端に接続されるように制御し、第２スキャンラインの出力する第２スキャン信号の制御下で、補償制御モジュールは前記第１ノードが前記第３ノードに接続されるように制御することにより、前記駆動トランジスタがオンされて発光素子を駆動して発光させ、前記駆動トランジスタのゲート-ソース間の電圧が前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償できるようにし、指紋検出モジュールはタッチされた指紋情報を対応する指紋電流信号に変換させ、前記第２スキャン信号の制御下で、オン制御モジュールは前記指紋検出モジュールが前記指紋電流信号を指紋電流信号読出しラインに出力するように制御する発光ステップと、
を含む。
【００６１】
具体的には、前記指紋検出モジュールが指紋検出電極と指紋情報検出サブモジュールとを含む場合、前記指紋検出モジュールがタッチされた指紋情報を対応する指紋電流信号に変換するステップは、
前記指紋検出電極は、タッチされた指紋情報を対応する指紋容量に変換するステップと、
前記指紋情報検出サブモジュールは、当該指紋容量を対応する指紋電流信号に変換するステップと、を含む。
【００６２】
本開示の実施例の表示基板は、請求項に記載される画素駆動回路を含む。
【００６３】
選択可能に、本開示の一実施例的表示基板は、前記画素駆動回路が設置されているシリコン基板を更に含む。
【００６４】
本開示の実施例は、単結晶シリコン基板をベースとして適用し、画素駆動回路を含むアレイ層における幾つかのトランジスタの活性層領域が単結晶シリコン基板に形成される。単結晶シリコンのキャリアの搬送率が大きいので、画素駆動回路内部のトランジスタは十分高い性能を持つことができ、性能を保障するとともに、関連技術に基づいてサイズを縮めることにより、画素駆動回路は大きい基板面積を占用しない。
【００６５】
実際に操作する時、本開示の一実施例の表示基板は、ｎ×Ｎ行ｍ×Ｍ列の画素ユニットを更に含み、
前記表示基板は、Ｎ行Ｍ列の前記画素駆動回路を含み、
第ａ行第ｂ列の画素駆動回路は、第ｎ×ａ行第ｍ×ｂ列の画素ユニットに設置され、
ｎ、Ｎ、ｍ及びＭはいずれも正整数であり、ａはＮより小さい又は等しい正整数であり、ｂはＭより小さい又は等しい正整数である。
【００６６】
実際に操作する時、画素ユニット毎に指紋認識ユニットを設置しなくとも、スクリーン自身の設計パラメータ（サイズの大きさ又はＰＰＩ）によって、適切な画素周期分布を選んで指紋認識ユニットを組み込めば良い。
【００６７】
図８に示すように、第１行第３列画素ユニットに第１の指紋認識機能のある画素駆動ユニット８１を設置し、第１行第６列画素ユニットに第２の指紋認識機能のある画素駆動ユニット８２を設置し、第３行第３列画素ユニットに第３の指紋認識機能のある画素駆動ユニット８３を設置し、第３行第６列画素ユニットに第４の指紋認識機能のある画素駆動ユニット８４を設置し、第１の指紋認識機能のある画素駆動ユニット８１、第２の指紋認識機能のある画素駆動ユニット８２、第３の指紋認識機能のある画素駆動ユニット８３及び第４の指紋認識機能のある画素駆動ユニット８４は、本開示の一実施例の指紋認識機能を統合した画素駆動ユニットである。図８において、縦方向に配列された信号ラインはデータラインであり、横方向に配列された信号ラインはゲートラインである。
【００６８】
本開示の実施例の表示装置は、上記の表示基板を含む。
【００６９】
上記は、本開示の好ましい実施形態であり、指摘すべきことは、当業者にとって本開示に記載される原理を逸脱せずに若干の改良及び修正を行うことができ、これらの改良及び修正も本開示の保護範囲に含まれると見なすべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【国際調査報告】
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