(57)【要約】  本開示の実施例は、ＯＬＥＤデバイスと作製方法、表示パネル及び表示装置を提供する。ＯＬＥＤデバイスは、第１電極層と、発光層と、第２電極層と、を順に備える。ＯＬＥＤデバイスは、絶縁層と補助電極層をさらに備える。絶縁層は、第２電極層の上に設けられる。補助電極層は、絶縁層の上に設けられ、第１電極層と電気的に接続される。本開示の実施例により、不均一な発光の問題が改善されるとともに、補助電極層がＯＬＥＤデバイスから発せられた光線を遮らなくなる。さらに、当該補助電極層を形成する時、エッチング工程を必要としない。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層と、発光層と、第２電極層と、を順に備えるＯＬＥＤデバイスであって、
前記ＯＬＥＤデバイスは、さらに、絶縁層と、補助電極層とを備え、
前記絶縁層が、前記第２電極層の上に設けられ、
前記補助電極層が、前記絶縁層の上に設けられ、前記第１電極層と電気的に接続される、
ＯＬＥＤデバイス。
【請求項２】
前記ＯＬＥＤデバイスは、画素定義層をさらに備え、
前記画素定義層が、前記第１電極層の上に設けられ、かつ、画素定義領域を画定し、
前記発光層と、前記第２電極層と、前記絶縁層とが、前記画素定義領域に設けられ、
前記画素定義層がビアを有し、前記補助電極層が、前記画素定義層のビアを介して前記第１電極層と電気的に接続されている、
請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項３】
前記ＯＬＥＤデバイスは、画素定義層をさらに備え、
前記画素定義層が、前記第１電極層の上に設けられ、かつ、画素定義領域を画定し、
前記発光層と、前記第２電極層とが、前記画素定義領域に設けられ、
前記絶縁層が、前記画素定義領域及び前記画素定義層の上に設けられ、
前記画素定義層及び前記絶縁層がビアを有し、前記絶縁層のビアが前記画素定義層のビアの上方に設置され、前記補助電極層が、前記絶縁層のビア及び前記画素定義層のビアを介して前記第１電極層と電気的に接続されている、
請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項４】
前記第１電極層はアノード層であり、前記第２電極層はカソード層である、
請求項１ないし３のいずれか一項に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項５】
前記第１電極層は透明電極層であり、前記第２電極層は反射電極層である、
請求項１ないし３のいずれか一項に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項６】
第１電極層を形成すること、
前記第１電極層の上に、画素定義領域を画定しかつビアを備える、画素定義層を形成すること、
前記第１電極層の上に、前記画素定義領域において、発光層と第２電極層を形成すること、
前記第２電極層の上に、前記画素定義領域において、絶縁層を形成すること、
前記絶縁層の上に、前記画素定義層のビアを介して第１電極層と電気的に接続される、補助電極層を形成すること、を含む、
ＯＬＥＤデバイスの作製方法。
【請求項７】
画素定義層の上に、前記画素定義層のビアの上方に位置するビアを備える、絶縁層を形成すること、をさらに含み、
前記補助電極層を形成するステップにおいて、前記絶縁層のビアと前記画素定義層のビアを介して、前記補助電極層と前記第１電極層を電気的に接続させる、
請求項６に記載のＯＬＥＤデバイスの作製方法。
【請求項８】
開口マスクを採用した化学気相堆積法を利用して前記絶縁層を形成する、
請求項６または７に記載のＯＬＥＤデバイスの作製方法。
【請求項９】
蒸着法を利用して前記補助電極層を形成する、
請求項６または７に記載のＯＬＥＤデバイスの作製方法。
【請求項１０】
開口マスクまたはファインメタルマスクを採用した蒸着法を利用して前記補助電極層を形成する、
請求項９に記載のＯＬＥＤデバイスの作製方法。
【請求項１１】
基板と、基板の上に設けられた複数の請求項１ないし５のいずれか一項に記載のＯＬＥＤデバイスと、を備える表示パネル。
【請求項１２】
請求項１１に記載の表示パネルを備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１６年８月２６日に出願された中国特許出願第２０１６１０７４３２１０．９号の優先権を主張し、上記の中国特許出願に開示されている全ての内容を引用して本出願の一部とする。
【０００２】
本開示は、有機エレクトロルミネッセンス照明及び表示の技術に関し、特に、ＯＬＥＤデバイスと作製方法、表示パネル及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機エレクトロルミネッセンスダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスは、照明及び表示分野のホットスポットであり、ますます注目が高まっている。ＯＬＥＤデバイスにおいては、デバイスのサイズの増加に伴い、デバイスの異なる部位に電極材料の抵抗差による電圧降下が発生し、当該電圧降下がＯＬＥＤデバイスの輝度を不均一にしてしまう、という問題がある。
ＯＬＥＤデバイスには、改善の余地がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の実施例は、ＯＬＥＤデバイスと作製方法、表示パネル及び表示装置を提供する。
本開示の第１発明は、第１電極層と、発光層と、第２電極層と、を順に備える、ＯＬＥＤデバイスを提供する。ＯＬＥＤデバイスは、さらに、絶縁層と、補助電極層とを備える。絶縁層は、第２電極層の上に設けられる。補助電極層は、絶縁層の上に設けられ、第１電極層と電気的に接続される。
【０００５】
本開示の実施例において、ＯＬＥＤデバイスは、さらに、画素定義層を備える。画素定義層は、前記第１電極層の上に設けられ、かつ、画素定義領域を画定する。発光層と、第２電極層と、絶縁層とは、画素定義領域に設けられる。画素定義層はビアを有し、補助電極層は、画素定義層のビアを介して第１電極層と電気的に接続される。
【０００６】
本開示の実施例において、ＯＬＥＤデバイスは、さらに、画素定義層を備える。画素定義層は、第１電極層の上に設けられ、かつ、画素定義領域を画定する。発光層と、第２電極層とは、画素定義領域に設けられる。絶縁層は、画素定義領域且つ画素定義層の上に設けられ、画素定義層と絶縁層はビアを有し、絶縁層のビアが画素定義層のビアの上方に設置され、補助電極層は、絶縁層のビア及び画素定義層のビアを介して第１電極層と電気的に接続される。
【０００７】
本開示の実施例において、第１電極層はアノード層であり、第２電極層はカソード層である。
本開示の実施例において、第１電極層は透明電極層であり、第２電極層は反射電極層である。
【０００８】
本開示の第２発明は、上記のＯＬＥＤデバイスの作製に用いるＯＬＥＤデバイスの作製方法を提供し、該当作製方法は、第１電極層を形成すること、第１電極層の上に、画素定義領域を画定しかつビアを備える、画素定義層を形成すること、第１電極層の上に、画素定義領域において、発光層と第２電極層を形成すること、第２電極層の上に、画素定義領域において、絶縁層を形成すること、絶縁層の上に、前記画素定義層のビアを介して第１電極層と電気的に接続される、補助電極層を形成すること、を含む。
【０００９】
本開示の実施例において、ＯＬＥＤデバイスの作製方法は、さらに、画素定義層の上に、絶縁層を形成することを含む。絶縁層は、前記画素定義層のビアの上方に位置するビアを備える。補助電極層を形成するステップにおいて、絶縁層のビアと画素定義層のビアを介して、補助電極層と第１電極層を電気的に接続させる。
【００１０】
本開示の実施例において、開口マスクを採用した化学気相堆積法を利用して絶縁層を形成する。
本開示の実施例において、蒸着法を利用して補助電極層を形成する。
本開示の実施例において、開口マスクまたはファインメタルマスクを採用した蒸着法を利用して補助電極層を形成する。
【００１１】
本開示の第３発明は、基板と、基板の上に設けられた複数の上記のＯＬＥＤデバイスとを備える表示パネルを提供する。
本開示の第４発明は、上記の表示パネルを備える表示装置を提供する。
【００１２】
本開示の実施例におけるＯＬＥＤデバイスと作製方法、表示パネル及び表示装置によって、不均一な発光の問題が改善されるとともに、補助電極層がＯＬＥＤデバイスから発せられた光線を遮らなくなる。さらに、当該補助電極層を形成する時、エッチング工程を必要としない。
【００１３】
以下、本開示の実施例の態様をより明確に説明するために、実施例の図面に対して簡単に説明する。以下で説明している図面は本開示の一部の実施例に係るものであり、本開示を制限するものではないことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ＯＬＥＤデバイスの模式的な層構成図である。
【図２】ＯＬＥＤデバイスの作製方法の模式的なフロー図である。
【図３】本開示の実施例１によるＯＬＥＤデバイスの模式的な層構成図である。
【図４】本開示の実施例２によるＯＬＥＤデバイスの模式的な層構成図である。
【図５】本開示の実施例３によるＯＬＥＤ表示パネルの模式的な層構成図である。
【図６】本開示の実施例４によるＯＬＥＤデバイスの作成方法の模式的なフロー図である。
【図７】図６に示す方法において基板の上に透明電極層を形成してからのＯＬＥＤ表示パネルの模式的な平面図である。
【図８】図６に示す方法において画素定義層を形成した後のＯＬＥＤ表示パネルの模式的な平面図である。
【図９】図６に示す方法において発光層と反射電極層を形成した後のＯＬＥＤ表示パネルの模式的な平面図である。
【図１０】図６に示す方法において発光層と反射電極層を形成した後のＯＬＥＤ表示パネルにおけるＯＬＥＤデバイスの模式的な層構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示の実施例の態様と利点をより明確にするように、図面を参照しながら、本開示の実施例の態様を明確かつ完全に説明する。説明している実施例が本開示の実施例の一部であり、全ての実施例ではないことは明らかである。本開示の実施例の説明に基づいて、当業者の進歩的な労働を必要としない前提で得られる全ての他の実施例は、いずれも本開示の保護の範囲に属する。
【００１６】
図１は、ＯＬＥＤデバイスの模式的な層構成図である。図１に示すように、ＯＬＥＤデバイスは、順次に積層された、補助電極層６と、絶縁層４と、透明電極層１と、発光層２と、反射電極層３とを備え、絶縁層４を穿孔して透明電極層１と補助電極層６を接続させる。一般的に、ＯＬＥＤデバイスは、透明電極層１が導電性ＩＴＯ材料を使用する場合、導電性の高い金属をめっきして補助電極層６を形成することによって、透明電極層１の導電均一性を向上させ、ＯＬＥＤデバイス、特にサイズが大きいＯＬＥＤデバイスの輝度不均一性の問題を解決する。補助電極層６の材料は、導電性が高く、シート抵抗の小さいＣｒ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ａｇなどであればよい。補助電極層６が存在するため、ＯＬＥＤ表示パネルの輝度均一性が大幅に改善され、当該形態は白色有機エレクトロルミネッセンスダイオード（ＷＯＬＥＤ）パネルに適用してもよい。
【００１７】
しかし、通常、補助電極層６は不透明の金属材料からなり、光が通過できない。補助電極層６は互いに連通する網状構成で透明電極層１を被覆する必要があり、これはＯＬＥＤデバイスの発光を遮る。よって、補助電極層６を追加した後に同程度の輝度を維持するために、より大きな駆動電流を必要とし、これは消費電力とコストを増加させる。なお、ＯＬＥＤデバイスを使用している表示パネルの開口率も低下させることになる。
【００１８】
図２は、ＯＬＥＤデバイスの作製方法の模式的なフロー図である。図２に示すように、ＯＬＥＤデバイスの作製方法は、一回目のフォトリソグラフィーで補助電極層を作製すること、二回目のフォトリソグラフィーで絶縁層を作成すること、三回目のフォトリソグラフィーでアノード層を作製すること、発光層を蒸着すること、カソード層を蒸着すること、を含むことよって、図１に示す構成を得る。互いに連通する網状構成を得ることで光の通過性をできる限り増加させるために、補助電極層６を形成する時、フォトリソグラフィー方法を利用し、その中でエッチング工程を使用する必要があり、コストを増加させている。
【００１９】
本開示の実施例は、第１電極層１と、発光層２と、第２電極層３と、絶縁層４と、を順に備える、ＯＬＥＤデバイスを提供する。ＯＬＥＤデバイスは、さらに、補助電極層６を備え、補助電極層６は、絶縁層４の上に設けられ、透明電極層１と電気的に接続される。以下では、いずれも、第１電極層１が透明電極層であり、第２電極層３が反射電極層であるものを例に説明する。これらが本発明を制限するものではないことは明らかである。
【００２０】
ＯＬＥＤデバイスから発せられた光線は、発光層２から透明電極層１の方向に出射するが、補助電極層６が反対方向に位置するため、補助電極層５がＯＬＥＤデバイスから発せられた光線を遮らない。本開示の実施例により、ＯＬＥＤ表示パネルの輝度均一性を向上させる時、その輝度を変化させない。透明電極層１はアノード層であってもよく、この場合、反射電極層３はカソード層である。透明電極層１はカソード層であってもよく、この場合、反射電極層３はアノード層である。
【００２１】
図３は、本開示の実施例１によるＯＬＥＤデバイスの模式的な層構成図である。図３に示すように、本開示の実施例において、ＯＬＥＤデバイスは、透明電極層１と、画素定義層５と、発光層２と、反射電極層３と、絶縁層４とを備える。画素定義層５は、透明電極層１の上に設けられ、かつ、画素定義領域を画定する。発光層２と、反射電極層３と、絶縁層４とは、透明電極層１の上に順次に設置され、画素定義領域に設けられる。ＯＬＥＤデバイスは、さらに、補助電極層６を備え、補助電極層６は、絶縁層４の上に設けられ、画素定義層５のビア７を介して透明電極層１と接続される。
【００２２】
ＯＬＥＤデバイスから発せられた光線は、発光層２から透明電極層１の方向に出射するが、補助電極層６が反対方向に位置するため、補助電極層６がＯＬＥＤデバイスから発せられた光線を遮らない。本開示の実施例により、ＯＬＥＤ表示パネルの輝度均一性を向上させる時、その輝度を変化させない。
【００２３】
なお、図３に示すように、絶縁層４は、画素定義領域に設けられ、発光層２及び反射電極層３と同一または類似なマスクを利用して形成されてもよく、作製プロセスを簡略化している。
【００２４】
図４は、本開示の実施例２によるＯＬＥＤデバイスの模式的な層構成図である。本開示の実施例において、絶縁層４は、画素定義領域及び画素定義層５の上に設けられ、ビア８を有する。絶縁層４は、ＯＬＥＤデバイスを封止するように延伸してもよく、この場合、ビア７の上方に位置するビア８を有し、ビア７とビア８によって、補助電極層６と透明電極層１が電気的に接続される。
【００２５】
図５は、本開示の実施例３によるＯＬＥＤ表示パネルの模式的な層構成図である。本開示の実施例において、ＯＬＥＤ表示パネルは、基板９と、基板９の上に設けられた複数の上記のＯＬＥＤデバイスとを備える。図５は、複数の図３に示すＯＬＥＤデバイスを示しているが、図５におけるＯＬＥＤデバイスが、図４に示すＯＬＥＤデバイスであってもよい。
【００２６】
補助電極層がＯＬＥＤデバイスから発せられた光線を遮らないため、ＯＬＥＤ表示パネルを作製する時、パネル全体の補助電極層を、メッシュ状の構成に限らず、任意のパターンに形成してもよい。このように、シート抵抗をさらに低減させ、輝度均一性を向上させるだけではなく、エッチング工程を省略し、作製方法を簡略化している。
【００２７】
図６は、本開示の実施例４によるＯＬＥＤデバイスの作製方法の模式的なフロー図である。図７は、図６に示す方法において基板の上に透明電極層を形成した後のＯＬＥＤ表示パネルの模式的な平面図である。図８は、図６に示す方法において画素定義層を形成した後のＯＬＥＤ表示パネルの模式的な平面図である。図９は、図６に示す方法において発光層と反射電極層を形成した後のＯＬＥＤ表示パネルの模式的な平面図である。図１０は、図６に示す方法において発光層と反射電極層を形成した後のＯＬＥＤ表示パネルにおけるＯＬＥＤデバイスの模式的な層構成図である。
【００２８】
図６に示すように、本開示の実施例において、ＯＬＥＤデバイスの作製方法は、上記のＯＬＥＤデバイスの作製に用いられ、該当方法は、透明電極層１を形成すること、透明電極層１の上に、画素定義領域を画定しかつビア７を備える、画素定義層５を形成すること、透明電極層１の上に、画素定義領域において、発光層２と反射電極層３を形成すること、反射電極層３の上に、画素定義領域において、絶縁層４を形成すること、絶縁層４の上に、画素定義層５のビア７を介して透明電極層１と電気的に接続される、補助電極層６を形成すること、を含む。
【００２９】
本開示の実施例において、絶縁層４は、画素定義領域に設けられ、発光層２及び反射電極層３と同一または類似なマスクを利用して形成されてもよく、作製プロセスを簡略化している。
【００３０】
本開示の実施例において、絶縁層４を形成する時、絶縁層４は、画素定義領域及び画素定義層５の上に設けられ、ビア７の上方に位置するビア８を備えてもよい。補助電極層６を形成する時、補助電極層６と透明電極層１が、絶縁層４のビアと画素定義層５のビアを介して電気的に接続される。このように、絶縁層４は、ＯＬＥＤデバイスを封止するように延伸してもよく、この場合、絶縁層４は、ビア８を有し、ビア７とビア８によって、補助電極層６と透明電極層１が接続される。
【００３１】
本開示の実施例において、蒸着法、特に開口マスク（Ｏｐｅｎ Ｍａｓｋ）を採用した蒸着法を利用して、補助電極層６を形成してもよい。なお、ファインメタルマスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を利用してもよい。
【００３２】
マスクを利用した蒸着法は、以下のステップを含んでもよい。まず、被蒸着面の上に開口領域を有するマスクを被覆する。次に、被蒸着面に対して蒸着を行い、この時、被蒸着面において、マスクの開口領域に対応する位置に材料を蒸着すればよく、その他の位置は遮られているため、材料が蒸着されない。このように、エッチングを行う必要なく、一回の蒸着により所定のパターンの補助電極層６を得ることができる。
当然、必要に応じて、直接蒸着することによって、全体面積の補助電極層６を得ることもできる。
【００３３】
図７に示すように、本開示の実施例において、ＯＬＥＤデバイスの透明電極層１は、ＩＴＯ材料を使用し、フォトリソグラフィーによってパターン化され、ＯＬＥＤ表示パネルにおいて複数のＯＬＥＤデバイスの透明電極層１を得ることができる。
【００３４】
図８に示すように、ＯＬＥＤデバイスの画素定義層５を形成し、画素定義層５は、複数のＯＬＥＤデバイスを形成するために、複数のＯＬＥＤデバイスの透明電極層１に対応する複数の領域を画定している。当該画素定義層５はさらに、補助電極層６と透明電極層１を接続させるために、ビア７を残している。
【００３５】
図９と図１０に示すように、本開示の実施例において、開口マスクを採用した蒸着法を利用して、透明電極層の上に発光層２と反射電極層３を順次に蒸着する。なお、反射電極層３の材料はＡｌを使用してもよい。透明電極層１と反射電極層３の間には、さらに、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層など（図示なし）のような発光機能層を備えてもよい。
【００３６】
最後に、図３と図４に戻って、本開示の実施例において、反射電極層３と補助電極層６を分離させるために、化学気相堆積法（ＣＶＤ）を利用して絶縁層４を堆積してもよい。図４に示すように、絶縁層４はＯＬＥＤデバイスを封止する役割も果たすことができる。絶縁層４は、ＳｉＮｘまたはＳｉＯ２などのセラミックス膜である。なお、絶縁層４を堆積する時も、開口マスクを利用し、絶縁層４が画素定義層の上に設けられている時、開口マスクのパターンがビア７とビア８に対応する位置を被覆するようにして、ビア８を形成するとともに、ビア７を保留することができ、これによって補助電極層６を絶縁層４のビア８及び画素定義層５のビア７を介して透明電極層１に接続させることができる。
【００３７】
本開示の実施例において、作製中には、補助電極層６と透明電極層１の接続を保証するために、画素定義領域における蒸着された層または堆積された層（発光層２と、反射電極層３と、絶縁層４とを含む）が、いずれも画素定義層５における予め設置されたビア７を被覆しないように保証している。
【００３８】
本開示の実施例によるＯＬＥＤデバイスとＯＬＥＤ表示パネルは、ＯＬＥＤ表示装置に適用することができる。前記ＯＬＥＤ表示装置は、携帯電話、タブレット、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、カーナビなどの、表示機能を有する任意の製品または部品であってもよい。
【００３９】
本開示の実施例において、反射電極層３の蒸着が完了すると、絶縁層４を堆積し、絶縁層４の上に補助電極層６を蒸着し、補助電極層６をビア７を介して透明電極層１と接続させ、透明電極層１の電圧降下を低下させることができ、発光に影響を与えない。補助電極層６はメッシュ状の構成にエッチングする必要がなく、全体面積に蒸着することができ、エッチング工程を省略し、ＯＬＥＤデバイスの作製プロセスをさらに簡略化し、ＯＬＥＤデバイスの生産効率を向上させることができる。
【００４０】
上記した実施形態は、単に本発明の原理を説明するために採用した例示的な実施形態であり、本開示がこれらに限定されているのではない。当業者にとって、本開示の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変形や改善を行うことができ、これらの変形や改善も、本開示の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００４１】
１  透明電極層
２  発光層
３  反射電極層
４  絶縁層
５  画素定義層
６  補助電極層
７  ビア
８  ビア
９  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019531572.tif 000009
【図８】
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【図９】
2019531572.tif 000011
【図１０】
2019531572.tif 000012
【国際調査報告】
2019531572.tif 000013
2019531572.tif 000014
2019531572.tif 000015
2019531572.tif 000016