(57)【要約】【課題】耐食性、耐久性といった磁気記録媒体の信頼性を損ねることなく、より一層の潤滑層の薄膜化を実現するとともに、耐摩耗性の要求により一層適応した磁気記録媒体を提供する。【解決手段】（１）基体と、前記基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、カーボンを含む保護層を形成する工程と、（２）前記保護層の上に、潤滑層を形成する工程と、（３）前記潤滑層をフッ素プラズマ処理する工程と、を含む、磁気記録媒体の製造方法が提供される。【選択図】図１
2019508834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）基体と、前記基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、カーボンを含む保護層を形成する工程と、
（２）前記保護層の上に、潤滑層を形成する工程と、
（３）前記潤滑層をフッ素プラズマ処理する工程と、
を含む、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記潤滑層が、０．１〜１．８ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記潤滑層が、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）、ハイドロカーボン、および環状ホスファゼン化合物からなる群から選択された潤滑剤から形成されている、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記フッ素プラズマ処理の処理時間が、５秒〜５分である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
工程（１）と工程（２）との間に、前記保護層を窒化処理する工程を更に含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
基体と、前記基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、カーボンを含む保護層が形成されており、
前記保護層の上に、潤滑層が形成されており、
前記潤滑層と前記保護層の界面に、前記潤滑層と前記保護層の反応生成物であってＣ−Ｆ結合を有する反応生成物が形成されている、磁気記録媒体。
【請求項７】
前記潤滑層が、０．１〜１．８ｎｍの厚さを有する、請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記保護層が窒化処理されている、請求項６に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。典型的には、本発明は、ハードディスク磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）の記録密度を向上させるためには、磁気記録層の改良と同時に、情報の読み書きをする磁気ヘッドと磁気記録層との距離（すなわち磁気スペーシング）をできるだけ小さくする必要がある。このため、磁気ヘッドの浮上高さの低減、磁気ヘッドの素子部を突き出させて実効的な浮上高さを小さくする技術ＦＯＤ（フライング・オン・デマンド）などの様々な技術が用いられてきている。特に、磁気記録層の上に形成されている保護層の薄膜化、および保護層の上に形成されている潤滑層の薄膜化が行われている。
【０００３】
現在、潤滑層は、薄膜化の要求と同時に、耐摩耗性の観点から保護層との結合性を良好にすることが求められている。
【０００４】
結合性を向上する方法として、窒素などの不活性ガスのプラズマに潤滑層が形成されたディスクをさらす技術が提案されている（特許文献１、２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−５５６８０号公報
【特許文献２】米国特許第４，９６０，６０９号明細書
【特許文献３】国際公開第２００４／０８３２９５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
耐摩耗性の観点から、潤滑層と保護層との間のより一層良好な結合性を有する磁気記録媒体が求められている。
【０００７】
本発明の目的の１つは、耐食性、耐久性といった磁気記録媒体の信頼性を損ねることなく、耐摩耗性の要求を満たした磁気記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の課題を解決するための手段の一例は、
（１）基体と、前記基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、カーボンを含む保護層を形成する工程と、
（２）前記保護層の上に、潤滑層を形成する工程と、
（３）前記潤滑層をフッ素プラズマ処理する工程と、
を含む、磁気記録媒体の製造方法である。
【０００９】
好ましくは、前記潤滑層が、０．１〜１．８ｎｍの厚さを有する。好ましくは、前記潤滑層が、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）、ハイドロカーボン、および環状ホスファゼン化合物からなる群から選択された潤滑剤から形成されている。好ましくは、前記フッ素プラズマ処理の処理時間が、５秒〜５分である。好ましくは、工程（１）と工程（２）との間に、前記保護層を窒化処理する工程を更に含む。
【００１０】
本発明の課題を解決するための手段の別の例は、
基体と、前記基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、カーボンを含む保護層が形成されており、
前記保護層の上に、潤滑層が形成されており、
前記潤滑層と前記保護層の界面に、前記潤滑層と前記保護層の反応生成物であってＣ−Ｆ結合を有する反応生成物が形成されている、磁気記録媒体である。
【００１１】
好ましくは、前記潤滑層が、０．１〜１．８ｎｍの厚さを有する。好ましくは、前記保護層が窒化処理されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、潤滑性、耐久性を高めた磁気記録媒体を提供できる。具体的には、潤滑層形成後にフッ素プラズマ処理を行うことにより、潤滑層を備えた保護層の潤滑性、耐久性を高めることができる。
【００１３】
本発明の更なる特徴は、添付の図面を参照して、以下の例示的な態様の説明から、明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、潤滑層無しディスク（保護層表面）のＥＳＣＡによるＦ１ｓスペクトルを示す。
【図２】図２は、潤滑層無しディスク（保護層表面）のＥＳＣＡによるＣ１ｓスペクトルを示す。
【図３】図３は、潤滑層有りディスクのＥＳＣＡによるＦ１ｓスペクトルを示す。
【図４】図４は、潤滑層有りディスクのＥＳＣＡによるＣ１ｓスペクトルを示す。
【図５】図５は、プラズマ処理の有無についての表面エネルギーの比較を示す。
【図６】図６は、プラズマ処理の有無についてのドラッグ試験を示す。
【図７】図７は、プラズマ処理の有無についてのＰＯＤ試験を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明を実施するための形態の一例は、
（１）基体と、前記基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、カーボンを含む保護層を形成する工程と、
（２）前記保護層の上に、潤滑層を形成する工程と、
（３）前記潤滑層をフッ素プラズマ処理する工程と、
を含む、磁気記録媒体の製造方法である。
【００１６】
＜基体＞
好ましくは、基体は、非磁性であり、磁気記録媒体の製造に従来から用いられている任意の材料を用いて形成され得る。たとえば、Ｎｉ−Ｐめっきを施されたアルミニウム合金、ガラス、セラミック、プラスチック、シリコンなどの材料を用いて基体を作製することができる。
【００１７】
＜金属膜層＞
本願において、金属膜層は、一般的な構成、方法で作製できる。基体上に形成される金属膜層は、少なくとも磁気記録層を含む。金属膜層は、任意で、磁気記録層と基体との間に、非磁性下地層、軟磁性層、シード層、中間層などの層をさらに含んでもよい。
【００１８】
例えば、磁気記録層は、ＣｏとＰｔを含む合金の強磁性材料を用いて形成することができる。強磁性材料の磁化容易軸は、磁気記録を行う方向に向かって配向していることが必要である。垂直磁気記録を行うためには、磁気記録層の材料の磁化容易軸、例えば六方最密充填（ｈｃｐ）構造のｃ軸が、記録媒体表面、すなわち基体の主平面に垂直方向に配向していることが必要である。磁気記録層は、たとえばＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどの合金材料を用いて形成することができる。磁気記録層の厚さは、特に限定されるものではない。しかしながら、生産性および記録密度向上の観点から、磁気記録層は、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以下の厚さを有する。
【００１９】
任意で、非磁性下地層が設けられてよい。非磁性下地層は、Ｔｉ、またはＣｒＴｉ合金のようなＣｒを含む非磁性材料を用いて形成することができる。
【００２０】
任意で、軟磁性層が設けられてよい。軟磁性層は、ＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などの結晶性材料；ＦｅＴａＣ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＰなどの微結晶性材料；またはＣｏＺｒＮｄ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏ合金を含む非晶質材料を用いて形成することができる。軟磁性層は、垂直磁気記録媒体において、磁気ヘッドの発生する垂直方向磁界を磁気記録層に集中させる機能を有する。軟磁性層の厚さは、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化し得る。好ましくは、軟磁性層の厚さは、その生産性を考慮して、おおむね１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度である。
【００２１】
任意で、シード層が設けられてよい。シード層は、ＮｉＦｅＡｌ、ＮｉＦｅＳｉ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＢ、ＮｉＦｅＮｂＢ、ＮｉＦｅＭｏ、ＮｉＦｅＣｒなどのようなパーマロイ系材料；ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅＳｉ、ＣｏＮｉＦｅＢ、ＣｏＮｉＦｅＮｂなどのようなパーマロイ系材料にＣｏをさらに添加した材料；Ｃｏ；あるいはＣｏＢ，ＣｏＳｉ，ＣｏＮｉ，ＣｏＦｅなどのＣｏ基合金を用いて形成することができる。シード層は、磁気記録層の結晶構造を制御するのに充分な厚さを有することが望ましい。好ましくは、シード層は、３〜５０ｎｍの厚さを有する。
【００２２】
任意で、中間層が設けられてよい。中間層は、Ｒｕ、もしくはＲｕを主成分とする合金を用いて形成することができる。好ましくは、中間層は、０．１〜２０ｎｍの厚さを有する。このような範囲内の厚さとすることによって、磁気記録層の磁気特性や電磁変換特性を劣化させることなしに、高密度記録に必要な特性を磁気記録層に付与することが可能となる。
【００２３】
非磁性下地層、軟磁性層、シード層、中間層および磁気記録層の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。
【００２４】
＜保護層＞
以下に保護層の形成方法について説明する。
保護層は、カーボンを含む保護層であり、例えば一般的に用いられるカーボンを主材料にしたＤＬＣなどが可能である。より好ましくは、カーボンが主成分であって８５原子％以上であることが好ましい。この範囲において、保護層と潤滑層との間の更なる密着性および耐久性を満たすことができる。保護層は、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＩＢＤ法、ＦＣＶＡ法などで形成され得る。
【００２５】
以下にＣＶＤ法の例を示す。
保護層は、炭化水素ガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学蒸着）法を用いて形成することができる。この方法において、原料ガスをプラズマ状態にし、活性なラジカルやイオンを発生させて保護層である非晶質炭素薄層を形成することが好ましい。好ましくは、非晶質炭素は、表面平滑性と硬質性の観点から、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ、Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）である。
【００２６】
プラズマ発生のための電力供給は、容量結合式で実施してもよく、誘導結合式で実施してもよい。電力供給のために、例えば直流電力、ＨＦ電力（周波数：数十〜数百ｋＨｚ）、ＲＦ電力（周波数：１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚなど）、マイクロ波（周波数：２．４５ＧＨｚ）などを用いることができる。
【００２７】
プラズマを発生させるために、例えば平行平板型装置、フィラメント型装置、ＥＣＲプラズマ発生装置、ヘリコン波プラズマ発生装置などを用いることができる。好ましくは、本願においては、フィラメント型プラズマＣＶＤ装置が用いられる。
【００２８】
好ましくは、前記原料ガスとして、低級飽和炭化水素ガス及び低級不飽和炭化水素ガスを含む混合ガスを用いることができる。一般的には、低級飽和炭化水素ガスによる成膜速度は比較的小さいのに対し、低級不飽和炭化水素ガスの成膜速度は比較的大きい。この両者の混合ガスを用い、その混合比を調節することにより成膜速度を制御することができる。
【００２９】
低級飽和炭化水素ガスは、メタン、エタン、プロパン、ブタン及びこれらの２種以上の混合物からなる群から選択され得る。低級不飽和炭化水素ガスはエチレン、プロピレン、ブチレン、ブタジエン及びこれらの２種以上の混合物からなる群から選択され得る。この中でも、低級飽和炭化水素ガスとしてエタン、低級不飽和炭化水素ガスとしてエチレンを用いることが、良好な耐食性の点で好ましい。
【００３０】
本発明の効果を損なわない限りにおいて、前記原料ガスには、他の炭化水素ガス、たとえばアセチレンやベンゼン等が１０モル％未満の少量含まれていてもよい。
【００３１】
保護層の厚さは、良好な耐食性を得る観点からは１．２ｎｍ以上が好ましい。保護層の厚さは、磁気ヘッドとの磁気スペーシングロスを低減し良好な磁気記録特性を得る観点からは耐食性を満足する限り薄くてよく、例えば２．５ｎｍ以下が好ましい。
【００３２】
得られた保護層の表面に対して、さらに窒化処理する工程を含んでもよい。この工程により、保護層表面に潤滑層との結合性を促進するＮ（窒素）成分を導入して、磁気ヘッドの浮上特性をさらに向上させることができる。
【００３３】
Ｎ（窒素）成分の導入は、たとえばプラズマ源に窒素ガスを導入して、カーボン層表面を窒素プラズマ処理することにより行なうことができる。
【００３４】
＜潤滑層＞
次に潤滑層について説明する。
潤滑層は、例えばディップコート法等によって形成され得る。典型的には、潤滑層は、溶媒と潤滑剤とを含有する溶液中にディスクを浸漬することにより、カーボン保護層の表面に形成される。しかし、潤滑層を薄くした場合、磁気ヘッドに対する摺動耐久性が低下する。また、ディスク表面に磁気ヘッドが接触すると、潤滑層が変形し、接触した部分は薄くなり、その周囲は厚くなったりする。このような潤滑層の厚さの不均一性によっても、摺動耐久性は低下する。
【００３５】
潤滑剤は、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）、ハイドロカーボン、および環状ホスファゼン化合物からなる群から選択され得る。環状ホスファゼン化合物の典型例は、特許文献３に記載の環状ホスファゼン化合物である。潤滑剤は、一般的に用いられるｓｏｌｖａｙ，Ｍｏｒｅｓｃｏ，Ｄｕｐｏｎ、ＡＧＣなどが提供するパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を用いることが好ましい。溶媒は、パーフロロカーボン、ハイドロフロロカーボン、ハイドロフロロエーテルなど、潤滑剤を溶解できる物質を用いることができる。
【００３６】
良好な耐久性の観点から、潤滑層の厚さは０．１ｎｍ以上が好ましい。磁気ヘッドとの磁気スペーシングロスを低減し良好な磁気記録特性を得る観点から、潤滑層の厚さは１．８ｎｍ以下が好ましい。後述するように、フッ素プラズマ処理による効果をより効果的に生じさせるためには、潤滑層は、０．８〜１．５ｎｍの厚さを有することがさらに好ましい。上記範囲内であれば、フッ素プラズマの作用が保護層まで及び、保護層表面もフッ化することができると考えられる。ここで、本願において特に限定がない限り、開示される全ての範囲は、両端の値を含み、組合せることができる。例えば、「好ましくは０．１〜１．８ｎｍ、さらに好ましくは０．８〜１．５ｎｍ」という範囲は、その範囲の両端の値及び中間にある全ての値、例えば、「０．１ｎｍ、１．８ｎｍ、０．１〜１．５ｎｍ、０．８〜１．８ｎｍ」などを含む。
【００３７】
潤滑層は、ディップコート法あるいはスピンコート法などにより、１ｎｍ程度の厚さで塗布できる。なお、潤滑層の膜厚はフーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定した。測定領域は大凡９７０〜１５００ｃｍ-1であり、Ｃ−Ｆ結合の吸収強度から算出された。
【００３８】
＜フッ素プラズマ処理＞
次に、フッ素プラズマ処理について説明する。
潤滑層を形成した後、その表面にフッ素プラズマ処理を行う。フッ素プラズマは、フッ素ガスまたはフッ化物を含むガスに高電圧をかけて形成したプラズマであり、フッ素イオンまたはフッ素ラジカルを含む。このフッ素プラズマを、潤滑層や保護層に照射するとその表面がフッ化する。このように、フッ素プラズマを照射することをフッ素プラズマ処理という。フッ素プラズマ処理は、潤滑層の表面を処理するプロセスであり、全く新たな化合物等を潤滑層表面に積層させるものではない。
【００３９】
フッ化物のガスは、典型的には、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8などの炭化フッ素ガスである。好ましくは、炭化フッ素ガスは、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6である。これらのフッ素ガスのように分子量が小さい方が、プラズマの作用が保護膜表面に及ぶという結果を得た。フッ素ガスまたはフッ化物のガスと、窒素やアルゴンなどの不活性ガスとを混合したものを用いても良い。
【００４０】
プラズマ発生装置は、直流アーク放電や、誘導結合型放電による高周波プラズマや、マイクロ波放電などを用いることができる。
【００４１】
以下に高周波プラズマを用いた場合の処理条件の例を記す。
・ガス圧：１〜１００Ｐａ
・高周波：２．４５ＧＨｚ程度
・高周波電圧：１ｋＶから３ｋＶ
【００４２】
この場合のフッ素プラズマ処理の処理時間は、好ましくは５秒〜５分、より好ましくは３０秒〜２分である。処理時間が３０秒以上であると表面がより均一に処理されるため好ましい。処理時間が２分以下であるとプラズマによる表面ダメージの影響がより少ないため好ましい。
【００４３】
フッ素プラズマ処理の高周波電圧は、好ましくは１ｋＶから３ｋＶ、より好ましくは１．５ｋＶから２．５ｋＶである。高周波電圧が１ｋＶ以上であると表面がより均一に処理されるため好ましい。高周波電圧が３ｋＶ以下であるとプラズマによる表面ダメージの影響がより少ないため好ましい。
【実施例】
【００４４】
磁気記録媒体の製造
（１）金属膜層を有する基体の提供
まず、外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７ｍｍの円環状でＮｉ−Ｐめっきを施されたアルミニウム製ディスクを用いて、以下の手順で金属膜層を有する基板を準備した。
【００４５】
すなわち、まず前記アルミニウム製ディスクの表面に、１２μｍの厚さを有するＮｉ−Ｐめっきを施し、非磁性基板を調製した。得られた非磁性基板に対して、平滑化加工および洗浄を施した。
【００４６】
次いで、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、洗浄済みの非磁性基板上に順次、複数の金属層を含む金属膜層（非磁性下地層、軟磁性層、シード層、中間層、第１磁性層、結合制御層、第２磁性層及び第３磁性層）を形成した。具体的には、
・非磁性基板上にＣｒ50Ｔｉ50層を積層して、６．０ｎｍの厚さを有する非磁性下地層を形成、
・非磁性下地層の上にＣｏＺｒＮｂ層を積層して、２０ｎｍの厚さを有する軟磁性層を形成、
・軟磁性層の上にＣｏＮｉＦｅ層を積層して、８．０ｎｍの厚さを有するシード層を形成、
・シード層の上にＲｕ層を積層して、１０ｎｍの厚さを有する中間層を形成、
・中間層の上にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層を積層して、１０ｎｍの厚さを有する第１磁性層を形成、
・第１磁性層の上にＲｕ層を積層して、０．２ｎｍの厚さを有する結合制御層を形成、
・結合制御層の上にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層を積層して、３．０ｎｍの厚さを有する第２磁性層を形成、及び
・第２磁性層の上にＣｏＣｒＰｔ−Ｂ層を積層して、６．０ｎｍの厚さを有する第３磁性層を形成した。
【００４７】
なお、上記基板において磁気記録層は、第１磁性層、結合制御層、第２磁性層及び第３磁性層の４層構造となっている。
【００４８】
（２）保護層の形成
次に、得られた金属膜層上にプラズマＣＶＤ法を用いて保護層を形成した。フィラメント型のプラズマＣＶＤ装置を用いた。カソードフィラメントに所定の電流を供給して熱電子を放出させながら、装置内に原料ガスとしての炭化水素ガスを導入して炭化水素ガスのプラズマを生成させた。
【００４９】
原料ガスとして、エタン（Ｃ2Ｈ6）ガスとエチレン（Ｃ2Ｈ4）ガスとの混合ガスを用いた。まず、エタン（Ｃ2Ｈ6）ガス流量を４５ｓｃｃｍ、エチレン（Ｃ2Ｈ4）ガス流量を１５ｓｃｃｍ、アノード電位を＋４０Ｖ、バイアス電位を−６０Ｖ（即ち、イオン加速電位差は１００Ｖ）、基板温度を約１８０℃に設定し、成膜時間を調整して、厚さ２．０ｎｍの保護層（ＤＬＣ層）を金属膜層上に形成した。
【００５０】
さらに、窒素（Ｎ2）ガス流量を５０ｓｃｃｍ、基板温度約１８０℃、処理時間を１．０ｓとして保護層の表面を窒化処理した。なお、ここで用いられている、「ｓｃｃｍ」は標準状態（１ａｔｍ／０℃）での１分間当たりの流量（単位ｃｍ3）を指す。
【００５１】
（３）潤滑層の形成
このようにして形成した保護層の上に、パーフルオロポリエーテル（ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−ＯＣＨ2ＣＦ2Ｏ−（ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）n−（ＣＦ2Ｏ）m−ＣＦ2ＣＨ2Ｏ−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＨ、分子量は２０００〜４０００）を主に含有する液体潤滑剤をディップ法により塗布し、厚さ１．０ｎｍの潤滑層を形成した。
【００５２】
（４）フッ素プラズマ処理
このようにして形成した潤滑層に対し、ＣＦ4を原料ガスに用いて２．４５ＧＨｚのマイクロ波励起プラズマでフッ素プラズマ処理を行った。
【００５３】
表面スペクトル分析
潤滑層のない保護層表面にフッ素プラズマ処理した保護層表面をＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  ｆｏｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）で分析した。図１、３は、６８０ｅＶから７００ｅＶの結合エネルギーのスペクトルを示し、主に、Ｆ１ｓのスペクトルを示す。図２、４は、２７８ｅＶから２９８ｅＶの結合エネルギーのスペクトルを示し、Ｃ１ｓ等のスペクトルを示す。更に、保護層および潤滑層を形成した後にフッ素プラズマ処理した表面をＥＳＣＡで分析した。なお、Ｆ１ｓとはＦ（フッ素）の１ｓのピークを示し、Ｃ１ｓとはＣ（カーボン）の１ｓのピークを示す。
【００５４】
図１において保護層上にフッ素プラズマ処理を施した場合、Ｆ１ｓのピークが新たに観察された。また、図２において，Ｃ１ｓのピークは減少し、Ｃ−Ｆ結合を示すピークが新たに出現した。より具体的には、図２中の（ＣＨ2Ｃ＊Ｆ2）、Ｃ6Ｆ6は、保護層の表面に生じたフッ素化合物であり、Ｃ−Ｆ結合を有することを示すピークと考えられる。他方で、Ｃ１ｓはＣ−Ｃ結合およびＣ−Ｈ結合を示している。つまり、保護層のＣ−Ｈ結合等がフッ素化されてＣ−Ｆ結合に変化する為であると考えられる。
【００５５】
一方、潤滑層を形成した後にフッ素プラズマ処理した表面では、図３より、Ｆ１ｓピークが増大した。これは，もともとあるフッ素系潤滑剤由来のフッ素に加えて，フッ素プラズマ処理によって表面がフッ素化していることを示している．そして、図４に示すように、保護層上にできたＣ-Ｆ結合のピークと同じ位置にピークが形成された。図４中の（ＣＦＨＣ＊Ｆ2）、Ｃ6Ｆ6は、保護膜の表面に生じたフッ素化合物であり、Ｃ−Ｆ結合を有することを示すピークと考えられる。
【００５６】
以上のことから、潤滑層を形成した後にフッ素プラズマ処理すると、保護層上に、Ｃ−Ｆ結合などが形成され、フッ化し、フッ素化合物が形成されることが確認された。これは、潤滑層を通して、保護層表面がフッ化したか、部分的に潤滑層の薄い個所などで、保護層表面がフッ化したためであると考えられる。
【００５７】
また、図２のフッ素化合物の（ＣＨ2Ｃ＊Ｆ2）と、図４中の（ＣＦＨＣ＊Ｆ2）は相違している。フッ素プラズマ処理によって保護層の表面上に生じるフッ素化合物とは異なるフッ素化合物も形成されている。つまり、潤滑層の上からフッ素プラズマ処理をすると、潤滑層と保護層の反応生成物も形成されると考えられる。なお、前記反応生成物はＣ−Ｆ結合を有する。保護層にフッ素プラズマ処理した後に潤滑層を形成した場合は、（ＣＦＨＣ＊Ｆ2）のピークで示されるようなフッ素化合物は形成されないと考えられる。従って、潤滑層の上からのフッ素プラズマ処理が、潤滑層と保護層の反応生成物の形成をもたらすと考えられる。なお、かかる説明は、本発明の理解のための考察に過ぎず、本発明は上記の特定の理論に限定されるものではない。
【００５８】
このように、保護層表面がフッ化し、フッ素化合物が形成されることにより、潤滑性が向上し、さらに保護層と潤滑層の密着性が向上し、耐久性が向上すると考えられる。
【００５９】
表面エネルギーの比較
また、接触角計により、潤滑層を形成した後の表面の表面エネルギーを、フッ素プラズマ処理の有り無しについて測定した。表面エネルギーは、非極性の分散成分と極性成分とに分けて測定した。図５に示すように、主に、極性成分が減少し、表面エネルギーが減少していることがわかる。このことは、フッ素プラズマ処理により、潤滑層表面が不活性になっていることを示している。潤滑層表面が不活性であると、水分やガスなどを吸着しにくいので、耐久性には好ましい。
【００６０】
また、保護層にフッ素プラズマ処理し、潤滑層を形成した場合は、耐久性が劣化した。これは、カーボン保護層と潤滑層の結合を悪化させるため、好ましくないことに対応している。
【００６１】
ドラッグ試験（ａｌｔｉｔｕｄｅ  ｄｒａｇ  ｔｅｓｔ）
磁気記録媒体と磁気ヘッドの摩擦耐久性は次のようにして評価した。磁気記録媒体を回転させ、磁気ヘッドを接触させて、摩擦係数を計測し、摩擦係数が上昇するまでのサイクル数を測定した。このサイクル数が大きいことは、耐摩耗性が高いことを意味する。図６に示すように、フッ素プラズマ処理することにより、耐摩耗性は、４倍以上増加した。
【００６２】
摺動耐久性評価（ＰＯＤ（Ｐｉｎ  ｏｎ  Ｄｉｓｋ）試験）
磁気記録媒体の表面の摺動耐久性を評価するために、以下の試験を行った。
磁気記録媒体サンプルに、直径２ｍｍのアルティックボールを、荷重３０ｇｆ、線速度２５ｃｍ／ｓで摺動させて、保護層が破断するまでの摺動回数を測定した。図７に示すように、フッ素プラズマ処理することにより、摺動回数は、７６５回と多く、１．８倍に増加し、良好であった。
【００６３】
上記の結果から明らかなように、フッ素プラズマ処理により、良好な摺動耐久性を示した。
【００６４】
本発明が例示的な態様を参照して説明されたが、本発明は開示された例示的な態様に限定されないことが理解される。以下の請求の範囲は、その全ての修正および等価な構造および機能を包含すべきものである。
【図１】
2019508834.tif 000003
【図２】
2019508834.tif 000004
【図３】
2019508834.tif 000005
【図４】
2019508834.tif 000006
【図５】
2019508834.tif 000007
【図６】
2019508834.tif 000008
【図７】
2019508834.tif 000009
【国際調査報告】
2019508834.tif 000010