(57)【要約】  本発明はＯＬＥＤ基板及びその製造方法を提供する。本発明のＯＬＥＤ基板の製造方法は、無機物材料を用いて画素定義層を製造することにより、フォトレジスト剥離プロセスにおける画素定義層が誤って剥離されるリスクを低減することができるとともに、蒸着プロセス中のファインメタルマスク板が汚染されるリスクを低減し、ファインメタルマスク板の使用効率を向上させる。本発明のＯＬＥＤ基板は、上記ＯＬＥＤ基板の製造方法で製造され、画素定義層構造が完全であり、下方陽極及び基板を効果的に保護することができ、装置の性能が高い。
2019533884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地基板を用意し、前記下地基板上に間隔をおいて設けられた、複数の陽極を形成し、前記下地基板および前記複数の陽極に無機膜層を堆積させたるステップ１と、
ハーフトーンマスクを用いて前記無機膜層をパターン化処理して、画素定義層と、前記画素定義層に設けられる複数のスペーサと、前記画素定義層上に設けられてそれぞれ前記複数の陽極に対応する複数の開口部と、を得て、各開口部が対応する陽極の少なくとも一部を露出し、第１の基板を製造するステップ２と、
前記第１の基板にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層が前記画素定義層、前記複数のスペーサ、及び前記陽極を覆う；前記フォトレジスト層を塗布した前記第１の基板を切断し、複数の第２の基板を得るステップ３と、
前記第２の基板上の前記フォトレジスト層を剥離し、第３の基板を得るステップ４と、
前記第３の基板上の前記複数の開口部において下から上の順に正孔注入層と、正孔輸送層と、有機発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極とを形成し、ＯＬＥＤ基板を得るステップ５と、
を含む、ＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項２】
前記下地基板がＴＦＴ基板である請求項１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項３】
前記無機膜層の材料が窒化ケイ素及び酸化ケイ素のうちの少なくとも一つを含む、請求項１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項４】
前記陽極の材料が透明導電性金属酸化物であり、前記陰極の材料が金属である、請求項１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項５】
前記ステップ３において、カッターホイールを用いて前記フォトレジスト層を塗布した前記第１の基板を切断し、
前記ステップ４において、フォトレジスト剥離液を用いて前記第２の基板における前記フォトレジスト層を剥離し、
前記ステップ５において、ファインメタルマスク板を用いて蒸着の方法により前記第３の基板の前記複数の開口部において下から上の順に前記正孔注入層と、前記正孔輸送層と、前記有機発光層と、前記電子輸送層と、前記電子注入層と、前記陰極とを形成する、
請求項１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項６】
下地基板と、前記下地基板に間隔をおいて設けられた複数の陽極と、前記下地基板及び前記複数の陽極に設けられた画素定義層と、前記画素定義層に設けられた複数のスペーサと、前記画素定義層に設けられてそれぞれ前記複数の陽極に対応する複数の開口部と、前記複数の開口部において設けられて前記陽極に下から上の順に積層して設けられた正孔注入層と、正孔輸送層と、有機発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極と、を含み、
前記画素定義層と前記複数のスペーサの材質はそれぞれ無機物である、
ＯＬＥＤ基板。
【請求項７】
前記下地基板がＴＦＴ基板である、請求項６に記載のＯＬＥＤ基板。
【請求項８】
前記無機物は窒化ケイ素及び酸化ケイ素のうちの少なくとも一つを含む、請求項６に記載のＯＬＥＤ基板。
【請求項９】
前記陽極の材料が透明導電性金属酸化物であり、前記陰極の材料が金属である、請求項６に記載のＯＬＥＤ基板。
【請求項１０】
下地基板を提供し、前記下地基板に間隔を置いて設けられた複数の陽極を形成し、前記下地基板及び前記複数の陽極に無機膜層を堆積するステップ１と、
ハーフトーンマスクを用いて前記無機膜層をパターン化処理して、画素定義層と、前記画素定義層に設けられる複数のスペーサと、前記画素定義層上に設けられてそれぞれ前記複数の陽極に対応する複数の開口部と、を得て、各開口部が対応する陽極の少なくとも一部を露出し、第１の基板を製造するステップ２と、
前記第１の基板にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層が前記画素定義層と、前記複数のスペーサと、前記陽極とを覆う；前記フォトレジスト層を塗布した前記第１の基板を切断し、複数の第２の基板を得るステップ３と、
前記第２の基板上の前記フォトレジスト層を剥離し、第３の基板を得るステップ４と、
前記第３の基板上の前記複数の開口部において下から上の順に正孔注入層と、正孔輸送層と、有機発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極と、を形成し、ＯＬＥＤ基板を得るステップ５と、
を含み、
前記下地基板がＴＦＴ基板であり、
前記無機膜層の材料が窒化ケイ素及び酸化ケイ素のうちの少なくとも一つを含む、
ＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記陽極の材料が透明導電金属酸化物であり、前記陰極の材料が金属である、請求項１０に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ステップ３において、カッターホイールを用いて前記フォトレジスト層を塗布した前記第１の基板を切断し、
前記ステップ４において、フォトレジスト剥離液を用いて前記第２の基板における前記フォトレジスト層を剥離し、
前記ステップ５において、ファインメタルマスク板を用いて蒸着の方法により前記第３の基板の前記複数の開口部において下から上の順に前記正孔注入層と、前記正孔輸送層と、前記有機発光層と、前記電子輸送層と、前記電子注入層と、前記陰極と、を形成する、
請求項１０に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示の技術分野に関し、特にＯＬＥＤ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）ディスプレイは、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとも呼ばれ、新しいフラットパネル表示装置であり、それは自発光、駆動電圧が低く、発光効率が高く、応答時間が短く、解像度およびコントラストが高く、約１８０°の視野角を有し、使用温度範囲が広く、フレキシブル表示と大面積のフルカラー表示を実現することができるなどの多くの利点を有するため、業界で最も発展潜在力がある表示装置であると認められる。
【０００３】
ＯＬＥＤは駆動方式に応じてパッシブマトリクス型ＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ，ＰＭＯＬＥＤ）とアクティブマトリクス型ＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ，ＡＭＯＬＥＤ）の二つのタイプに分けられることができる。ここで、ＡＭＯＬＥＤはアレイ状に配列された画素を有し、アクティブ表示タイプに属する。その発光効率が高く、一般に高精細な大型表示装置として使用されている。
【０００４】
図１は従来のＯＬＥＤ表示装置の概略構造図である。図１に示されるように、ＯＬＥＤ表示装置は、ＯＬＥＤ基板６００と、ＯＬＥＤ基板６００の上部に設けられたパッケージカバー７００とを含む。ＯＬＥＤ基板６００は、一般に、下地基板１００と、下地基板１００に互いに離間して設けられた複数の陽極２００と、下地基板１００および複数の陽極２００上に設けられた画素定義層（ＰＤＬ）３００と、画素定義膜３００に設けられた複数のスペーサ５００と、画素定義膜３００に設けられ、複数の陽極電極２００に対応する複数の開口部３１０と、複数の開口部３１０内に設けられ、陽極２００上に下から上の順次積層されている正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、有機発光層４３０、電子輸送層４４０、電子注入層４５０、および陰極４６０と、ＯＬＥＤ基板６００複数のスペーサ５００と接触しているパッケージカバー７００と、を含む。
【０００５】
具体的には、下から上の順に積層された陽極２００、正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、有機発光層４３０、電子輸送層４４０、電子注入層４５０、および陰極４６０は、ＯＬＥＤデバイスを構成する。ＯＬＥＤデバイスは一般に、それぞれデバイスの陽極２００および陰極４６０としてのＩＴＯおよび金属を使用する。電子および正孔は、一定の電圧下で、それぞれ陰極４６０および陽極２００から電子輸送層４４０および正孔輸送層４２０に注入される。電子および正孔は、それぞれ電子輸送層４４０および正孔輸送層４２０を通って有機発光層４３０に移動し、有機発光層４３０内で会合して励起子を形成し、発光分子を励起する。発光分子は放射緩和を通して可視光を放出する。
【０００６】
具体的には、ＯＬＥＤ基板６００のプロセスにおいて、下地基板１００、陽極２００、及び画素定義膜３００のプロセスは、一般的にＴＦＴプロセスと呼ばれる。後続の正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、有機発光層４３０、電子輸送層４４０、電子注入層４５０、および陰極４６０の製造プロセスは、ＯＬＥＤプロセスと呼ばれる。ＯＬＥＤプロセスの基板サイズは一般にＴＦＴプロセスの基板サイズより小さいため、ＯＬＥＤプロセスを実行する前にＴＦＴプロセスを完了するための基板（下地は通常ガラスである）を切断する必要がある。切断は通常カッターホイールを使用して行われる。切断によって発生したガラス片はＯＬＥＤデバイスに損傷を与える可能性があるため、切断前に、通常ＴＦＴプロセスが完了した基板の表面上にフォトレジスト（ＰＲ）層８００がコーティングされ（図２に示される）。切断後、フォトレジスト層８００を剥離する。画素定義膜３００も一般的にフォトレジスト物質、すなわちフォトレジスト層８００と同じ物質を用いて形成されるため、画素定義膜３００はフォトレジスト層８００の剥離過程において誤って剥離されやすい。それによって、後続の正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、有機発光層４３０、電子輸送層４４０、電子注入層４５０、及び陰極４６０が成膜された後、画素定義層３００の保護が失われる複数の陽極２００間の短絡を生じさせ、ＯＬＥＤデバイスを故障させる。
【０００７】
一方、図３に示されるように、ＯＬＥＤプロセスにおいて、正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、有機発光層４３０、電子輸送層４４０、電子注入層４５０、及び陰極４６０などの構成層の蒸着プロセスはファインメタルマスク（ＦＭＭ，Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）９００の使用を必要とする。画素定義膜３００に使用されるフォトレジスト材料は安定性が高くないため、蒸着工程においてファインメタルマスク９００に揮発しやすい。それによって、ファインメタルマスク板９００の汚染を引き起こす。ファインメタルマスク９００の洗浄頻度が高くなり、利用効率が悪くなり、製造コストが高くなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、フォトレジスト剥離工程において画素定義膜が誤って剥離される危険性を減少させ、蒸着プロセスにおいてファインメタルマスク板が汚染される危険性を減少させることができるＯＬＥＤ基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、画素定義膜が完全な構造を有し、下部陽極および下地基板を効果的に保護することができ、かつ良好な素子性能を有することができる、ＯＬＥＤ基板の製造方法によって製造されたＯＬＥＤ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明はまず以下のステップ
上に間隔を置いて複数の陽極を形成し、下地基板と複数の陽極に無機膜層を堆積する基板を用意するステップ１と、
ハーフトーンマスクを用いて無機膜層をパターニングして画素定義膜と、画素定義膜に設けられ、画素定義膜に設けられる複数のスペーサと、画素定義膜に設けられ、複数の陽極にそれぞれ対応する開口部とが得られ、対応する陽極の少なくとも一部を各開口部に露出させることによって第１の基板を形成するステップ２と、
第１の基板上にフォトレジスト層を塗布し、フォトレジスト層が画素画定層、複数のスペーサ、および陽極を覆い、フォトレジスト層で塗布された第１の基板を切断して複数の第２の基板を得るステップ３と、
第２の基板上のフォトレジスト層を剥離して第３の基板を得るステップ４と、
第３の基板の複数の開口部に、下から順に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を順に形成してＯＬＥＤ基板を得る基板ステップ５と、
を含むＯＬＥＤ基板の製造方法を提供する。
【００１１】
下地基板はＴＦＴ基板である。
【００１２】
無機膜層の材料は、窒化シリコンおよび酸化シリコンの少なくとも一方を含む。
【００１３】
陽極の材料は透明導電性金属酸化物であり、陰極の材料は金属である。
【００１４】
ステップ３においては、フォトレジスト層で塗布された第１の基板をカッターホイールで切断する。
【００１５】
ステップ４においては、第２の基板上のフォトレジスト層をフォトレジスト剥離液を用いて剥離する。
【００１６】
ステップ５においては、微細メタルマスクを用いた蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層および陰極を第３の基板の複数の開口部内に下から上の順に順次形成する。
【００１７】
また、本発明はＯＬＥＤ基板を提供する。ＯＬＥＤ基板は、下地基板と、下地基板上に互いに離間して設けられた複数の陽極と、下地基板および複数の陽極に設けられた画素定義層と、画素定義層に設けられた複数のスペーサと、画素定義層上に設けられ、それぞれ複数の陽極に対応する複数の開口部と、複数の開口部内に設けられ、陽極の上から下の順に積層されている正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極と、を含み、画素定義膜及び複数のスペーサの材料は全て無機材料である。
【００１８】
下地基板はＴＦＴ基板である。
【００１９】
無機膜層の材料は、窒化シリコンおよび酸化シリコンの少なくとも一方を含む。
【００２０】
陽極の材料は透明導電性金属酸化物であり、陰極の材料は金属である。
【００２１】
また、本発明は、ＯＬＥＤ基板の製造方法を提供する。この製造方法以下のステップ
下地基板を提供し、前記下地基板に間隔を置いて設けられた複数の陽極を形成し、前記下地基板及び複数の陽極に無機膜層を堆積するステップ１と、
ハーフトーンマスクを用いて前記無機膜層をパターン化処理して、前記画素定義層に設けられる複数のスペーサ、および前記画素定義層上に設けられてそれぞれ前記複数の陽極に対応する複数の開口部を得て、各開口部が対応する陽極の少なくとも一部を露出し、第１の基板を製造するステップ２と、
前記第１の基板にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層が前記画素定義層、前記複数のスペーサ、及び前記陽極を覆う；前記フォトレジスト層を塗布した前記第１の基板を切断し、複数の第２の基板を得るステップ３と、
前記第２の基板上のフォトレジスト層を剥離し、第３の基板を得るステップ４と、
前記第３の基板上の複数の開口部において下から上の順に正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極を形成し、ＯＬＥＤ基板を得るステップ５と、
を含む。
【００２２】
下地基板がＴＦＴ基板である。
【００２３】
無機膜層の材料が窒化ケイ素及び酸化ケイ素のうちの少なくとも一つである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のＯＬＥＤ基板の製造方法は、無機物を用いて画素定義膜をとすることで、フォトレジスト剥離過程で誤って画素定義膜が剥離される危険性を減らすことができるとともに、本発明によって提供されるＯＬＥＤ基板を製造する方法は、無機材料を用いて画素定義層を形成することによって、フォトレジスト剥離工程において画素定義層が誤って剥離される危険性を減らすことができる。同時に、蒸発プロセスにおけるファインメタルマスク板の汚染の危険性が減少する。その結果、メタルマスクの洗浄頻度が少なくなり、メタルマスクの利用効率が向上する。本発明によって提供されるＯＬＥＤ基板は、上記のＯＬＥＤ基板製造方法を用いて調製され、画素定義層は下部陽極および基板を効果的に保護することができる完全な構造を有し、デバイス性能は良好である。
【００２５】
本発明の特徴及び技術内容をさらに理解するために、本発明の以下の詳細な説明および図面を参照されたい。ただし、図面は参考または説明のために提供され、本発明を限定することを意図するものでない。
【００２６】
本発明の技術的手段および効果をさらに説明するために、本発明の好ましい実施例およびその図面に合わせて以下に詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】従来のＯＬＥＤ表示装置の概略構成図である。
【図２】従来のＯＬＥＤ表示装置におけるＯＬＥＤ基板のＯＬＥＤプロセス前のフォトレジスの被覆の概略図である。
【図３】従来のＯＬＥＤ表示装置におけるＯＬＥＤ基板の蒸着プロセスの概略図である。
【図４】本発明のＯＬＥＤ基板を製造する方法のフローチャートである。
【図５】本発明のＯＬＥＤ基板を製造する方法のステップ１を示す概略図である。
【図６】本発明のＯＬＥＤ基板を製造する方法のステップ１を示す概略図である。
【図７】本発明のＯＬＥＤ基板を製造する方法のステップ２を示す概略図である。
【図８】本発明のＯＬＥＤ基板を製造する方法のステップ３を示す概略図である。
【図９】本発明のＯＬＥＤ基板を製造する方法のステップ３を示す概略図である。
【図１０】本発明のＯＬＥＤ基板を製造する方法の工程４を示す概略図である。
【図１１】本発明のＯＬＥＤ基板を製造する方法のステップ５を示す概略図である
【図１２】本発明のＯＬＥＤ基板を製造する方法のステップ５を示す概略図であり、本発明のＯＬＥＤ基板の構造を示す図である。
【図１３】本発明のＯＬＥＤ表示装置を製造する方法のステップ２０の概略図および本発明のＯＬＥＤ表示装置の構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の技術的手段および効果をさらに説明するために、本発明の好ましい実施例と併せて以下詳細に説明する。
【００２９】
図４に示されるように、本発明は、まず以下のステップを含むＯＬＥＤ基板の製造方法を提供する。
ステップ１：図５に示されるように、基板１０を提供し、基板１０上には間隔をおいて設けられた複数の陽極２０が形成される。
【００３０】
図６に示されるように、下地基板１０および複数の陽極２０に無機膜層８０を堆積する。
【００３１】
好ましくは、下地基板１０はＴＦＴ基板であり、その後の製造されるＯＬＥＤ基板はＡＭＯＬＥＤ表示装置に適用される。
【００３２】
具体的には、無機膜層８０の材料は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の少なくとも一つを含む。
【００３３】
具体的には、陽極２０の材料は、透明導電性金属酸化物であり、好ましくは、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）である。
【００３４】
ステップ２：図７に示されるように、ハーフトーンマスク８５を用いて無機膜層８０をパターニングして、画素定義膜３０と、画素定義膜３０上に設けられた複数のスペーサ５０と、画素定義膜３０上に設けられ、複数の陽極２０に対応する複数の開口部３１とが得られる。各開口部３１は、対応する陽極２０の少なくとも一部を露出させて、第１の基板９１を製造する。
【００３５】
具体的には、複数のスペーサ５０の高さは同じであり、好ましくは、複数のスペーサ５０はそれぞれ円柱状である。
【００３６】
ステップ３：図８に示されるように、フォトレジスト層９５が第１の基板９１上に塗布され、フォトレジスト層９５が画素定義層３０、複数のスペーサ５０、および陽極２０を覆う。
【００３７】
図９に示されるように、フォトレジスト層９５が塗布された第１の基板９１を切断して、複数の第２の基板９２を得る。
【００３８】
具体的には、ステップ３において、フォトレジスト層９５の第１の基板９１をカッターホイールで切断する。
【００３９】
ステップ４では、図１０に示されるように、第２の基板９２上のフォトレジスト層９５を剥離して、第３の基板９３を得る。
【００４０】
具体的には、ステップ４では、フォトレジスト剥離液を用いて、第２の基板９２上のフォトレジスト層９５を剥離する。フォトレジスト剥離工程では、画素定義膜３０の材質が無機物であるため、フォトレジスト剥離液が画素定義膜３０を損傷することなく、画素定義膜３を下部陽極２０および下地基板１０効果的に保護することができる。
【００４１】
ステップ５：図１１〜図１２に示されるように、第３の基板９３の複数の開口部３１において下から上の順に、正孔注入層４１、正孔輸送層４２、有機発光層４３、電子輸送層４４、電子注入層４５、および陰極４６を形成して、ＯＬＥＤ基板６０を製造する。
【００４２】
具体的には、工程５では、ファインメタルマスク板６５を用いた蒸着法により、第３の基板９３の複数の開口部３１内において、正孔注入層４１、正孔輸送層４２、有機発光層４３、電子輸送層４４、電子注入層４５、及び陰極４６を下から上の順に形成する。
【００４３】
画素定義膜３０の材質は無機物であるため、その特性が安定しており、蒸着プロセスでファインメタルマスク板６５に揮発されてファインメタルマスク板６５が汚染されることがない。それによって、ファインメタルマスク板６５の洗浄頻度が減少され、ファインメタルマスク板６５の利用効率を向上させる。
【００４４】
具体的には、陰極４６の材料は金属であり、好ましくは、マグネシウム、銀、およびアルミニウムのうちの少なくとも１つを含む。
【００４５】
上記ＯＬＥＤ基板の製造方法において、無機物の材料を用いて画素定義膜３０を形成することによって、フォトレジスト剥離工程で誤って画素定義膜３０を剥離するリスクを減らすことができるとともに、蒸着工程でファインメタルマスク板６５が汚染されることを減らすことができる。これにより、メタルマスク６５の洗浄頻度が少なくなり、メタルマスク６５の使用効率が向上する。
【００４６】
上記ＯＬＥＤ基板の製造方法に基づき、本発明はまた、以下のステップを含む、ＯＬＥＤディスプレイデバイスを製造するための方法を提供する。
【００４７】
ステップ１０：図５〜１２に示されるように、上記のＯＬＥＤ基板製造方法を用いてＯＬＥＤ基板６０を製造する；
【００４８】
ステップ２０：図１３に示されるように、パッケージカバー７０を用意し、パッケージカバー７０をＯＬＥＤ基板６０と位置合わせしてハーメチック接続する。パッケージカバー７０は、ＯＬＥＤ基板６０における複数のスペーサ５０と接触して、ＯＬＥＤ表示装置を製造する。
【００４９】
具体的には、パッケージカバー７０の材質はガラスである。
【００５０】
具体的には、有機発光表示装置において、スペーサ５０はパッケージカバー７０をサポートする役割を果たす。
【００５１】
上記ＯＬＥＤ表示装置の製造方法では、ＯＬＥＤ基板６０の製造方法を用いてＯＬＥＤ基板６０を製造するため、フォトレジスト剥離工程で画素定義膜３０が誤って剥がれて、蒸発工程でファインメタルマスク板６５の汚染されるリスクが減少する。それによってファインメタルマスク板６５の洗浄頻度が減少し、ファインメタルマスク板６５の使用効率が向上する。
【００５２】
図１２に示されるように、本発明はさらに、上記ＯＬＥＤ基板を製造する方法に基づくＯＬＥＤ基板６０を提供する。このＯＬＥＤ基板６０は、下地基板１０と、下地基板１０に互いに離隔して設けられた複数の陽極２０と、画素定義膜３０上に設けられ、複数の陽極２０に対応する複数の開口部３１と、複数の開口部３１内に設けられ、陽極２０に下から上の順次積層されている正孔注入層４１と、正孔輸送層４２と、有機発光層４３と、電子輸送層４４と、電子注入層４５および陰極４６とを含む。画素定義膜３０及び複数のスペーサ５０の材質は全て無機物である。
【００５３】
好ましくは、下地基板１０はＴＦＴ基板であり、ＯＬＥＤ基板はＡＭＯＬＥＤ表示装置に適用される。
【００５４】
具体的には、無機物は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）および酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の少なくとも一つを含む。
【００５５】
具体的には、陽極２０の材料は、透明導電性金属酸化物であり、好ましくは、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）である。
【００５６】
具体的には、陰極４６の材料は金属であり、好ましくは、マグネシウム、銀、およびアルミニウムのうちの少なくとも１つを含む。
【００５７】
具体的には、複数のスペーサ５０の高さは同じであり、好ましくは、複数のスペーサ５０はそれぞれ円柱状である。
【００５８】
上記ＬＥＤ基板において、無機材料を用いて画素定義層３０が形成されることで、製造プロセス中に画素定義層３０が偶然に剥がれるリスクを減らすことができる。画素定義層３０の構造が完全であり、陽極２０およびその下の基板１０を効果的に保護することができ、装置の性能が優れる。
【００５９】
図１３に示されるように、本発明はまた、上記ＯＬＥＤ表示装置の製造方法に基づいて、対向設けられ且つハーメチック接続されたＯＬＥＤ基板６０とパッケージカバー７０とを含む。
【００６０】
ＯＬＥＤ基板６０は、前記ＯＬＥＤ基板６０であり、パッケージカバー７０は、前記ＯＬＥＤ基板６０上の複数のスペーサ５０と相接触している。
【００６１】
具体的には、パッケージカバー７０の材質はガラスである。
【００６２】
具体的には、ＯＬＥＤ表示装置において、スペーサ５０は、パッケージカバー７０をサポートするように作用する。
【００６３】
上記ＯＬＥＤ表示装置は、上記ＯＬＥＤ基板を含み、装置の性能が良好である。
【００６４】
上記述べるように、本発明は、ＯＬＥＤ基板およびその製造方法を提供する。フォトレジスト剥離法における画素定義層が誤って剥離されるリスクを低減させることができるとともに、蒸着プロセス中のファインメタルマスク板が汚染されるリスクを低減させる。それによって、ファインメタルマスク板の洗浄頻度を減らす。ファインメタルマスク板の使用効率を高める。本発明のＯＬＥＤ基板は、上記ＯＬＥＤ基板の作製方法を用いて製造される。画素定義層の構造が完成であり、陽極及び下地基板を効果的に保護することができる。装置の性能が優れる。
【００６５】
上記記載は、当業者にとっては、本発明の技術案および技術思想に基づいて、他のいろいろの変更および変形を行うことができ、それらのすべての変更および変形が本発明の特許の請求の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６６】
１００  下地基板
２００  陽極
３００  画素定義層（ＰＤＬ）
３１０  開口部
４１０  正孔注入層
４２０  正孔輸送層
４３０  有機発光層
４４０  電子輸送層
４５０  電子注入層
４６０  陰極
５００  スペーサ
６００  ＯＬＥＤ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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