(57)【要約】  トレンチゲート構造、およびその製造方法。トレンチゲート構造は、基板１０と、基板１０の表面上のトレンチと、基板１０上の絶縁スペーサ２０と、トレンチの内部表面上のゲート酸化物層４１と、ゲート酸化物層４１上のポリシリコンゲート４０とを備える。絶縁スペーサ２０は、絶縁スペーサの傾斜構造２１によってトレンチと当接し、ポリシリコンゲート４０は、トレンチ内で傾斜構造２１に沿って絶縁スペーサ２０上へ延び、絶縁スペーサ２０は、絶縁スペーサ２０の他の部分に対して下方で凹形であるポリシリコンゲートのプルアップ領域２２を備え、トレンチから外に延びるポリシリコンゲート４０は、ポリシリコンゲートのプルアップ領域２２に載っている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレンチゲート構造を製造する方法であって、
基板の表面上に絶縁パッドを形成するステップであって、前記絶縁パッドはその端部で傾斜構造を有する、ステップと、
前記基板および前記絶縁パッドの表面上にハードマスクを形成するステップと、
ポリシリコンゲートの開口部を形成するためにフォトレジストを用いてリソグラフィを実行するステップと、
前記開口部によって露出したハードマスクをエッチングするステップであって、前記絶縁パッドは、前記ハードマスクのオーバーエッチングにより前記開口部に対応するポリシリコンゲートのプルアップ領域となり、前記ポリシリコンゲートのプルアップ領域は、前記絶縁パッドの他の部分に対して凹んでいる、エッチングするステップと、
前記開口部によって露出した基板をエッチングしてトレンチを形成するステップであって、前記絶縁パッドは前記傾斜構造によって前記トレンチに隣接している、ステップと、
ゲート酸化物の酸化を実行し、前記トレンチの内部表面上にゲート酸化物層を形成するステップと、
前記トレンチ内にポリシリコンを堆積させてポリシリコンゲートを形成するステップであって、前記ポリシリコンゲートは、前記トレンチの内部から前記ポリシリコンゲートのプルアップ領域上へ延び、コンタクトホールに接触する領域として働く、ステップと、
前記ハードマスクを剥離するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ハードマスクを剥離する前記ステップの後に、
ポリシリコンの酸化を実行するステップと、
ウェルインプランテーションおよびドライブインを実行するステップと、
活性領域のリソグラフィおよびインプランテーションを実行するステップと、
前記基板上に誘電体層を形成するステップと、
前記コンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールに金属を充填して、金属プラグを形成するステップであって、前記金属プラグは、前記ポリシリコンゲートのプルアップ領域上方の前記ポリシリコンゲートに挿入される、ステップと、
前記金属プラグに接続される前記誘電体層上に金属配線を形成するステップと
をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記基板の表面上に絶縁パッドを形成するステップは、フィールド酸化物層を成長させた後に、活性領域のリソグラフィおよびウェットエッチングを実行するステップであることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記トレンチを形成するステップの後、および前記ゲート酸化物の酸化を実行するステップの前に、
犠牲的な酸化物層を形成するためにトレンチの犠牲酸化を実行するステップと、
前記犠牲的な酸化物層を剥離するステップと
をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記トレンチ内にポリシリコンを堆積させる前記ステップの後に、前記ポリシリコンゲートが、ポリシリコンのエッチングバックによって形成されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記ポリシリコンゲートの開口部は、前記ポリシリコンゲートが金属プラグに接触する部分を形成するように構成された金属プラグに接触する開口部と、前記ポリシリコンゲートの本体を形成するように構成された本体開口部と、前記金属プラグに接触する開口部と前記本体開口部とを接続する接続開口部とを備え、前記接続開口部は長方形であることを特徴とする方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板の表面上に位置するトレンチと、
前記トレンチの内部表面上に位置するゲート酸化物層と、
前記基板上に位置する絶縁パッドであって、その傾斜構造によって前記トレンチに隣接しており、前記絶縁パッドの他の部分に対して凹んでいるポリシリコンゲートのプルアップ領域を備える、絶縁パッドと、
前記ゲート酸化物層上に位置するポリシリコンゲートであって、前記ポリシリコンゲートは、前記トレンチの内部から前記絶縁パッド上へ前記傾斜構造に沿って延び、前記ポリシリコンゲートは、前記トレンチから外へ延びるとともに、前記ポリシリコンゲートのプルアップ領域に接触する、ポリシリコンゲートと
を備えることを特徴とするトレンチゲート構造。
【請求項８】
請求項７に記載のトレンチゲート構造であって、前記ポリシリコンゲートのプルアップ領域の前記傾斜構造の幅は前記トレンチの幅に等しく、両幅の方向は前記ポリシリコンゲートの延びる方向に直交することを特徴とするトレンチゲート構造。
【請求項９】
請求項７に記載のトレンチゲート構造であって、前記絶縁パッドは、フィールド酸化物層であることを特徴とするトレンチゲート構造。
【請求項１０】
請求項７に記載のトレンチゲート構造であって、縦型二重拡散式の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、または横型二重拡散式の金属酸化物半導体電界効果トランジスタのトレンチゲート構造であることを特徴とするトレンチゲート構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体を製造する技術に関し、トレンチゲート構造に特に関し、トレンチゲート構造を製造する方法にさらに関する。
【背景技術】
【０００２】
コスト上の理由により、従来の縦型二重拡散式の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＶＤＭＯＳ）の製品は、拡大されたリードアウトトレンチを伴う端部サイズを有し、トレンチゲートは、そこにコンタクトホールを開けることによって導き出されている。この解決策の利点は、製品プロセスの既存のマスク層を使用でき、マスク層のコストを増大させないことである。しかしながら、欠点は、この解決策がトレンチの深さ、ポリシリコンの厚さ、およびコンタクトホールの深さのプロセスによって制限され、したがって、この従来の解決策の応用は限定されることである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、比較的高い設計の柔軟性を有するトレンチゲート構造、およびその製造方法を提供することが必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
トレンチゲート構造を製造する方法は、基板の表面上に絶縁パッドを形成するステップであって、絶縁パッドはその端部で傾斜構造を有する、ステップと、基板および絶縁パッドの表面上にハードマスクを形成するステップと、ポリシリコンゲートの開口部を形成するためにフォトレジストを用いてリソグラフィを実行するステップと、開口部によって露出したハードマスクをエッチングするステップであって、絶縁パッドは、ハードマスクのオーバーエッチングにより開口部に対応するポリシリコンゲートのプルアップ領域となり、ポリシリコンゲートのプルアップ領域は、絶縁パッドの他の部分に対して凹んでいる、エッチングするステップと、開口部によって露出した基板をエッチングしてトレンチを形成するステップであって、絶縁パッドはその傾斜構造によってトレンチに隣接している、ステップと、ゲート酸化物の酸化を実行し、トレンチの内部表面上にゲート酸化物層を形成するステップと、トレンチ内にポリシリコンを堆積させてポリシリコンゲートを形成するステップであって、ポリシリコンゲートは、トレンチの内部からポリシリコンゲートのプルアップ領域上へ延び、コンタクトホールに接触する領域として働く、ステップと、ハードマスクを剥離するステップとを含む。
【０００５】
前述のトレンチゲート構造を製造する方法において、絶縁パッド上に位置するポリシリコンゲートの一部は、コンタクトホールに接触する位置として働き（すなわち、トレンチゲートのリードアウト構造として働き）、したがって、コンタクトホールの下方の絶縁パッドは、コンタクトホールのエッチングのための障壁層として働くことができ、それによって、ポリシリコンを貫くコンタクトホールによって引き起こされる漏れを防ぐためにプロセスの開口部のサイズを減少させる問題が解消される。トレンチ内のポリシリコンゲートと、絶縁パッドまで延びるポリシリコンゲートとは、互いに独立しており、したがって、トレンチの深さもコンタクトホールの深さも互いを限定せず、トレンチ内のポリシリコンの厚さもフィールド酸化物に接触したポリシリコンの厚さも互いを制限せず、トレンチゲートの設計をより柔軟にさせ、オンライン制御を容易にする。他方、デバイスのポリシリコンゲートのリソグラフィおよびポリシリコンのリソグラフィは、同じステップで実行され、余分なリソグラフィマスクまたはリソグラフィ層が必要とされず、したがってこの面からコストが増加しない。
【０００６】
本開示のさらなる目的、特徴、および利点は、添付図面に示された好ましい実施形態の詳細な説明から明らかになろう。図面中の異なる例における同じ参照番号の使用は、同じ項目を示し得るものであり、図面は、原寸に比例することは意図されておらず、本開示の主題を示すことを強調している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態によるトレンチゲート構造の斜視図である。
【図２】一実施形態によるトレンチゲート構造を製造する方法の流れ図である。
【図３ａ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｂ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｃ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｄ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｅ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｆ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｇ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｈ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｉ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｊ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｋ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｌ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｍ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｎ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図３ｏ】図２のトレンチゲート構造を製造する方法による製造プロセス中のデバイスの概略図である。
【図４】ステップＳ１８０の後のデバイスの製造用の流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本開示の実施形態は、添付図面を参照して以下により十分に説明される。好ましい実施形態は、添付図面に説明されている。しかしながら、本発明の様々な実施形態は、多くの異なる形態で具体化されてもよく、本明細書中に記載された実施形態に限定されると解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が徹底的で完全になるように与えられ、本発明の範囲を当業者に十分に伝えることになる。
【０００９】
他に定めがない限り、本明細書中で使用される（科学技術用語を含む）全ての用語は、本発明の属する技術分野における当業者によって通常理解されるものと同じ意味を有する。本明細書中に使用される用語は、特定の実施形態を説明するためのものにすぎず、本開示を限定することが意図されていない。本明細書中に使用されるとき、用語「および／または」は、関連して挙げられた項目のうち１つ以上からなるいずれかの組み合わせおよび全部の組み合わせを含む。
【００１０】
ある要素が別の要素に「固定される」と呼ばれるとき、それは、他方の要素に直接的に固定されてもよく、または介在要素が存在してもよいことが理解されよう。また、ある要素が別の要素に「接続される」または「結合される」と呼ばれるとき、それは、他方の要素に直接的に接続または結合されてもよく、または介在要素が存在してもよい。本明細書中に使用されるとき、用語「垂直（縦）」、「水平」、「上」、「下」、「左」、「右」などは、例示のためのものにすぎない。
【００１１】
図２は、一実施形態によるトレンチゲート構造を製造する方法の流れ図であり、この方法は、以下のステップを含む。
【００１２】
Ｓ１１０において、絶縁パッドが、基板の表面上に形成される。
【００１３】
図３ｂを参照すると、トレンチに隣接した絶縁パッド２０の端部は、傾斜構造２１であり、ポリシリコンゲートが、トレンチの内部から絶縁パッド２０の上へ引っ張り上げられるようになっている。例示した実施形態では、絶縁パッド２０は、フィールド酸化物層である。図３ａを参照すると、フィールド酸化物層を基板１０上に成長させた後、絶縁パッド２０が、フォトレジスト１１を用いて活性領域のリソグラフィおよびウェットエッチングを実行することにより形成される。
【００１４】
Ｓ１２０において、ハードマスクが、基板および絶縁パッドの表面上に形成される。
【００１５】
ハードマスク３０は、堆積により形成される。例示した実施形態では、ハードマスク３０は窒化ケイ素で作製され、当業界で知られている他のハードマスクが他の実施形態において使用されることも可能である。
【００１６】
Ｓ１３０において、ポリシリコンゲートの開口部を形成するために、リソグラフィがフォトレジストを用いて実行される。
【００１７】
図３ｃは、ステップＳ１３０後のデバイスの平面図であり、図３ｄは、図３ｃのＡＡに沿ったデバイスの断面図である。フォトレジスト１３は、フォトエッチングされた後に、ポリシリコンゲートの開口部を形成し、ポリシリコンゲートの開口部の下方のハードマスク３０が露出される。線ＡＡに垂直な破線は、フォトレジスト１３の下方のハードマスク３０のアウトラインを表す。
【００１８】
例示した実施形態では、ポリシリコンゲートの開口部は、ポリシリコンゲートが金属プラグに接触する部分を形成するために使用される金属プラグに接触する開口部３１と、ポリシリコンゲートの本体を形成するために使用される本体開口部３５と、金属プラグに接触する開口部３１および本体開口部３５を接続する接続開口部３３とを備える。例示した実施形態では、接続開口部３３は、長方形であり、本体開口部３５に直交している。本体開口部３５は、ＤＭＯＳのセル領域のポリシリコンゲート間の相互接続を実現するように、網状または他の形状になっていてもよい。デバイスの一部のみが添付図面に示されているので、本体開口部３５の部分的な領域のみが図３ｃに示されていることを理解されたい。
【００１９】
Ｓ１４０において、露出したハードマスクはエッチングされ、凹んでいるポリシリコンゲートのプルアップ領域が、オーバーエッチングにより絶縁パッド上に形成される。
【００２０】
図３ｅを参照すると、エッチングを実行しフォトレジストを除去するステップにおいて、絶縁パッド２０の一部も、ハードマスクのエッチング中にエッチングされ、したがって、凹んだポリシリコンゲートのプルアップ領域２２が、ポリシリコンゲートの開口部の下方の絶縁パッド２０上に形成され、その後、形成されたポリシリコンゲートは、トレンチの内部からポリシリコンゲートのプルアップ領域２２に沿って絶縁パッド２０の上へ延びることができる。
【００２１】
Ｓ１５０において、露出した基板は、エッチングされてトレンチを形成する。
【００２２】
ポリシリコンゲートの開口部の下方の基板は、トレンチ１２を形成するためにエッチングされる。エッチングに対する絶縁パッド２０のブロック効果により、トレンチ１２は、絶縁パッド２０の傾斜構造２１に隣接する。
【００２３】
Ｓ１６０において、ゲート酸化物の酸化が実行され、ゲート酸化物層がトレンチの内部表面上に形成される。
【００２４】
図３ｆを参照すると、トレンチ１２の内部表面上のシリコンは、ゲート酸化物層４１を形成するために酸化される。
【００２５】
Ｓ１７０において、ポリシリコンが、ポリシリコンゲートを形成するためにトレンチ内に堆積される。
【００２６】
図３ｇ、図３ｈ、および図３ｉを参照すると、例示した実施形態では、ポリシリコンは、堆積後にエッチングバックされ、余っているポリシリコンが除去され、ポリシリコンゲート４０が形成される。図３ｈは、ステップＳ１７０後のデバイスの平面図であり、図３ｉは図３ｈの線ＡＡに沿った断面図である。ポリシリコンゲート４０は、トレンチの内部から傾斜構造２１に沿ってポリシリコンゲートのプルアップ領域２２上へ延び、ポリシリコンゲートのプルアップ領域２２の一部（すなわち、ゲートのリードアウト構造）が、コンタクトホールを開けるための領域として働く。
【００２７】
Ｓ１８０において、ハードマスクが剥離される。
【００２８】
ハードマスク３０が剥離される。図３ｊは、ステップＳ１８０後のデバイスの平面図であり、図３ｋは図３ｊの線ＡＡに沿った断面図である。下に横たわる絶縁パッド２０は、ハードマスク３０が剥離されるときに露出される。
【００２９】
前述のトレンチゲート構造を製造する方法において、絶縁パッド２０上に位置するポリシリコンゲート４０の一部は、コンタクトホールに接触する位置として働き（すなわち、トレンチゲートのリードアウト構造として働き）、したがって、コンタクトホールの下方の絶縁パッド２０は、コンタクトホールのエッチングのための障壁層として働くことができ、プロセスの開口部の問題が対処されるようになっている。トレンチ内のポリシリコンゲート４０の一部と、絶縁パッド２０まで延びるポリシリコンゲート４０の一部とは、互いに独立しており、したがって、トレンチの深さおよびコンタクトホールの深さ（およびポリシリコンの対応する厚さ）は、互いを限定せず、それによってトレンチゲートの設計をより柔軟にさせ、オンライン制御を容易にする。
【００３０】
他方、ポリシリコンゲート４０のリソグラフィ（すなわち、ステップＳ１３０）、およびポリシリコンのリソグラフィは、同じステップで実行され、余分なリソグラフィマスクまたはリソグラフィ層が必要とされず、したがってこの面からコストが増加しない。
【００３１】
ステップＳ１８０後、活性領域のプロセス、誘電体層のプロセス、コンタクトホールのプロセス、金属相互接続のプロセスなどが、先行技術の技術に従って実施可能である。図４に示された特定の実施形態が、以下与えられる。
【００３２】
Ｓ２１０において、ポリシリコンの酸化が、実行される。
【００３３】
酸化物層が、ポリシリコンの表面に形成される。
【００３４】
Ｓ２２０において、ウェルインプランテーションおよびドライブインが実行される。
【００３５】
絶縁パッド２０などの障壁層が、ウェルインプランテーションが必要とされない場所をブロックしており、したがって、インプランテーションは、リソグラフィなしで直接的に実行することができる。
【００３６】
Ｓ２３０において、活性領域のリソグラフィおよびインプランテーションが実行される。
【００３７】
リソグラフィ後に形成されるフォトレジスト１５が、図３ｌに示される。
【００３８】
Ｓ２４０において、誘電体層が、基板上に形成される。
【００３９】
ステップＳ２４０後のデバイスの断面図が、図３ｍに示される。誘電体層５０は層間絶縁膜（ＩＬＤ）であり、このＩＬＤは、二酸化ケイ素、りんけい酸ガラス（ＰＳＧ）／ホウ素をドープしたりんけい酸ガラス（ＢＰＳＧ）、シリコン酸窒化ケイ素、窒化ケイ素など、あるいはこれらの材料を含有する多層構造で作製することができる。
【００４０】
Ｓ２５０において、コンタクトホールが形成され、金属を充填することによって金属プラグが形成される。
【００４１】
リソグラフィ後にフォトレジストをエッチングすることによってコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールは金属で充填される。金属プラグ６０が、ポリシリコンゲートのプルアップ領域２２上のポリシリコンゲート４０に挿入されて、電気接続を形成する。ステップＳ２５０後のデバイスの断面図が、図３ｎに示される。例示した実施形態では、金属プラグ６０は、タングステンのプラグである。他の実施形態において、当技術分野における他の金属が、コンタクトホールを充填するために使用されてもよい。
【００４２】
Ｓ２６０において、金属プラグに接続される金属配線が、誘電体層上に形成される。
【００４３】
金属が誘電体層上に堆積され、次いで、フォトレジストがフォトエッチングおよびエッチングされ、その後に、金属が合金にされる。ステップＳ２６０後のデバイスの断面図が、図３ｏに示される。例示した実施形態では、金属配線７０はアルミニウムで作製され、他の実施形態では、良好な電導性を有する他の金属を使用することもできる。
【００４４】
実施形態の１つでは、Ｓ１５０後およびステップＳ１６０前に、この方法は、トレンチの犠牲酸化を実行し、トレンチの内部表面内に犠牲的な酸化物層を形成するステップと、犠牲的な酸化物層を剥離するステップとをさらに含む。犠牲酸化の目的は、ステップＳ１５０におけるトレンチのドライエッチング中に形成された欠陥を修復するとともに、トレンチのエッチング後の表面汚染を改善することである。したがって、ステップＳ１６０前のトレンチの表面状態は改善され、ゲート酸化中により良い酸化の品質を得るようになる。
【００４５】
前述のトレンチゲート構造を製造する方法は、（ＶＤＭＯＳおよびＬＤＭＯＳを含む）ＤＭＯＳデバイスに特に適している。この製造方法は、他の半導体デバイスにも適していることも理解されるべきである。
【００４６】
一実施形態によるトレンチゲート構造では、図３ｏおよび図１を参照すると、トレンチゲートの内部構造を示すために、断面図が図１の点鎖線１１１に沿って得られる。トレンチゲート構造は、基板１０と、この基板１０の表面上のトレンチと、このトレンチの内部表面上のゲート酸化物層４１と、このゲート酸化物層４１上のポリシリコンゲート４０とを備える。絶縁パッド２０は、その傾斜構造によってトレンチに隣接しており、ポリシリコンゲート４０は、トレンチから傾斜構造２１に沿って絶縁パッド２０上へ延び、絶縁パッド２０は、パッドの他の部分に対して凹んでいるポリシリコンゲートのプルアップ領域２２を備え、トレンチから外へ延びるポリシリコンゲート４０の一部は、ポリシリコンゲートのプルアップ領域２２と接触している。
【００４７】
実施形態の１つでは、ポリシリコンゲートのプルアップ領域２２の傾斜構造２１の幅は、トレンチの幅に等しい。この幅の方向は、ポリシリコンゲート４０の延びる方向に直交する。
【００４８】
実施形態の１つでは、絶縁パッド２０はフィールド酸化物層である。他の実施形態では、絶縁パッド２０は、当技術分野における他の絶縁材料で作製することもできる。絶縁パッド２０のフィールド酸化物は、コンタクトホールと基板１０の分離を形成し、基板の表面上の薄いゲート酸化物層によって実行される、図１に示される従来の分離と比較して、分離の効果は、より信頼できる。
【００４９】
前述のトレンチゲート構造は、（ＶＤＭＯＳおよびＬＤＭＯＳを含む）ＤＭＯＳデバイスに特に適している。このトレンチゲート構造は、トレンチゲート構造を有する他の半導体デバイスにも適していることが理解されるべきである。
【００５０】
上記の実施形態の技術的特徴は、任意に組み合わされてもよい。簡潔に説明を行うために、前述の実施形態における様々な技術的特徴の全ての可能な組み合わせについて説明することはない。この説明の範囲とみなされるべきこれらの技術的特徴の組み合わせにおける矛盾はないことを理解されたい。
【００５１】
本開示は、特定の実施形態を参照して本明細書中に例示および説明されているが、本開示は、図示の詳細に限定されることは意図していない。特許請求の範囲内およびその均等の範囲内で、本開示から逸脱することなく、様々な変形が詳細になされてもよいことに留意されたい。したがって、本開示の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲によって決まるものとする。
【図１】
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【図２】
2019503084.tif 000004
【図３ａ】
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【図３ｂ】
2019503084.tif 000006
【図３ｃ】
2019503084.tif 000007
【図３ｄ】
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【図３ｅ】
2019503084.tif 000009
【図３ｆ】
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【図３ｇ】
2019503084.tif 000011
【図３ｈ】
2019503084.tif 000012
【図３ｉ】
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【図３ｊ】
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【図３ｋ】
2019503084.tif 000015
【図３ｌ】
2019503084.tif 000016
【図３ｍ】
2019503084.tif 000017
【図３ｎ】
2019503084.tif 000018
【図３ｏ】
2019503084.tif 000019
【図４】
2019503084.tif 000020
【国際調査報告】
2019503084.tif 000021
2019503084.tif 000022
2019503084.tif 000023
2019503084.tif 000024