(57)【要約】  基板上に高解像度の材料のパターンを形成する直接堆積システムが開示されている。蒸発源からの気化原子は、シャドーマスクの貫通孔のパターンを通過して、基板上に所望のパターンで堆積する。シャドーマスクと基板とが１０ミクロン未満の距離で分離できるように、シャドーマスクは、マスクチャックに保持されている。シャドーマスクに到達する前に、気化原子は、基板表面に対してほぼ垂直な方向に沿って移動しないあらゆる原子を遮る空間フィルタとして機能するコリメータを通過する。シャドーマスクを通過する気化原子は、貫通孔を通過した後に横方向の広がりがほとんど又は全くなく、材料は、シャドーマスクの貫通孔パターンと非常に忠実なパターンで基板上に堆積する。
2019517623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の堆積領域の複数の堆積部位に第１の材料を堆積させるためのシステムであって、
前記複数の堆積部位が、第１の配置で配置され、前記基板が、前記堆積領域を含む第１の主面及び第２の主面を含み、
前記システムが、
前記第１の材料の第１の複数の気化原子を供給するための供給源であって、その第１の複数の気化原子の各々が、前記基板によって画定される第１の平面に対して垂直である第１の方向に対する伝搬角度によって特徴付けられる伝搬方向に沿って伝搬し、前記第１の複数の気化原子の伝播角度の範囲が、前記第１の角度範囲に及ぶ、供給源と、
前記第１の配置で配置された複数の貫通孔を含むシャドーマスクであって、前記貫通孔を含む第３の主面及び第４の主面を含むシャドーマスクと、
前記基板を保持するための第１のチャックであって、前記第１の主面に第１の引力を選択的に与えるように寸法決めされて配置されている第１のチャックと、
前記シャドーマスクを保持するための第２のチャックであって、前記材料が前記第２のチャックを介して貫通孔まで通過することを可能にする第１の開口部を囲むフレームを備え、前記第３の主面に第２の引力を選択的に与えるように寸法決めされて配置されている、第２のチャックと、
複数のチャネルを含み、前記供給源と前記シャドーマスクとの間にあるコリメータであって、その複数のチャネルの各々が、前記第１の角度範囲より小さい第２の角度範囲内の伝播角度を有する気化原子のみを通過させるように寸法決めされて配置されている、コリメータと、
前記シャドーマスクと前記基板とを位置合わせするために、前記第１のチャックと前記第２のチャックとの相対位置を制御するための位置決めシステムと、
を備えるシステム。
【請求項２】
前記第１の材料が有機材料である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１の材料が、発光するように作用する有機材料である、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記複数の堆積部位と前記複数の貫通孔とが共同で許容角度範囲を画定し、前記第２の角度範囲が、前記許容角度範囲以下である、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記複数のチャネルの各々が、約３：１以上の縦横アスペクト比によって特徴づけられる、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記複数のチャネルの各々が、８：１以上の縦横アスペクト比によって特徴づけられる、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記位置決めシステムが、前記基板と前記コリメータとの間に相対運動を与えるように動作可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記第１のチャック、第２のチャック及び位置決めシステムが共同で、前記基板とシャドーマスクとの間の間隔が約１０ミクロン以下であるように前記基板とシャドーマスクとの位置合わせを可能にする、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１のチャック、第２のチャック及び位置決めシステムが共同で、前記基板とシャドーマスクとの間の間隔が０ミクロンより大きく約１０ミクロン以下であるように前記基板とシャドーマスクとの位置合わせを可能にする、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１のチャック、第２のチャック及び位置決めシステムが共同で、前記基板とシャドーマスクとの間の間隔が約２ミクロンから約５ミクロンの範囲内であるように前記基板とシャドーマスクとの位置合わせを可能にする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第２の引力が静電力である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第２の引力が、真空発生力及び磁力からなる群から選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２のチャックが、前記シャドーマスクの重力によって生じる垂れ下がりを軽減するように寸法決めされて配置されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記フレームが、前記第１の開口部に近接する第１の縁部と前記第１の開口部の遠位側にある第２の縁部との間に延びる装着面を画定する断面を有し、前記シャドーマスクが前記第２のチャックに保持されるとき、前記装着面が、前記第３の主面に接触し、前記装着面と前記第１の縁部とが第１の平面内の一点で交わり、前記装着面と前記第２の縁部とが第２の平面内の一点で交わり、前記シャドーマスクと基板とが位置合わせされたとき、前記第１の平面が、前記第２の平面よりも基板に近い、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記装着面が非線形である、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記第２のチャックが、前記第１の開口部内に支持格子をさらに含み、前記支持格子が、前記シャドーマスクの重力によって生じる垂れ下がりを軽減するように寸法決めされて配置されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記第１の引力及び前記第２の引力の各々が、静電力である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記シャドーマスクが窒化ケイ素を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記シャドーマスクが、１ミクロン以下の厚さを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項２０】
基板の堆積領域の複数の堆積部位に第１の材料を堆積し、前記複数の堆積部位が、第１の配置で配置され、前記基板が、第１の横方向の長さを有する第１の主面及び第２の主面を含むシステムであって、
第１の複数の気化原子を供給する供給源であって、その第１の複数の気化原子の各々が、前記第１の複数の気化原子が第１の角度範囲に及ぶ第１の複数の伝搬角度によって特徴づけられるような伝搬角度を画定する伝搬方向に沿って移動する、供給源と、
前記第１の配置で配置された複数の貫通孔を含むシャドーマスクであって、前記シャドーマスクが、前記貫通孔を含む第３の主面及び第４の主面を含み、前記シャドーマスク及び前記複数の堆積部位が共同で、前記第１の角度範囲より小さい許容角度範囲を画定する、シャドーマスクと、
前記基板を保持するための第１のチャックと、
前記シャドーマスクを保持するための第２のチャックであって、前記材料が前記貫通孔まで前記第２のチャックを通過することを可能にする第１の開口部を囲むフレームを備え、前記シャドーマスクと基板とが位置合わせされるとき、前記シャドーマスクと基板とが共同で第１の領域を画定し、前記第１の領域が、（１）前記第１の横方向の長さ以上の第２の横方向の長さを有し、（２）前記基板と前記シャドーマスクとの間の間隔に等しい厚さを有し、（３）前記第１のチャック及び前記第２のチャックを除外し、前記第１のチャック及び第２のチャックが、その厚さが１０ミクロン未満になることを可能にするように寸法決めされて配置されている、第２のチャックと、
前記供給源と前記シャドーマスクとの間に位置するコリメータであって、前記コリメータが、第２の複数の気化原子を選択的に通過させる複数のチャネルを備え、前記第１の複数の気化原子が、前記第２の複数の気化原子を含み、その複数のチャネルの各々が、前記許容角度範囲以下であるフィルタリング角度範囲を画定する縦横アスペクト比を有し、前記第２の複数の気化原子が、前記フィルタリング角度範囲以下である第２の複数の伝搬角度によって特徴づけられている、コリメータと、
を備える、システム。
【請求項２１】
前記基板が、第１の平面と、前記第１の平面に垂直な第１の方向とを画定し、前記供給源が、前記複数の気化原子を放出するための複数のノズルを含み、前記複数のノズルが、前記第１の平面と実質的に平行である第２の平面内の第２の方向に沿った第１の長さを有する第２の配置で配置され、さらに前記供給源が、前記第２の平面内の経路に沿って移動可能であり、前記経路が、前記第２の方向と整列しない、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記堆積領域が、前記第１の平面に第１の面積を有し、前記供給源が、前記複数の気化原子を放出するための第１のノズルを含み、さらに前記供給源が、前記第１の平面に実質的に平行な第２の平面内で移動可能である、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２３】
位置決めシステムをさらに含み、前記位置決めシステムが、前記コリメータと前記基板との間に相対運動を与えるように動作可能である、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２４】
前記第１のチャック及び前記第２のチャックが、前記基板と前記シャドーマスクとが接触するように、厚さが０ミクロンになることを可能にするように寸法決めされて配置されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２５】
前記第１のチャック及び第２のチャックが、厚さが０ミクロンより大きく１０ミクロン以下であることを可能にするように寸法決めされて配置されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２６】
前記第２のチャックが、前記第３の主面のみに第１の引力を与えるように動作可能である、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２７】
前記第１の引力が静電力である、請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
前記第１の引力が、真空発生力及び磁力からなる群から選択される、請求項２６に記載のシステム。
【請求項２９】
前記第１のチャックが、前記第１の主面にのみ第２の引力を与えるように動作可能である、請求項２６に記載のシステム。
【請求項３０】
前記第１の引力及び前記第２の引力の各々が、静電力である、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３１】
前記第２のシャドーマスクが前記第２のチャックに保持されているとき、前記第２のチャックが、前記シャドーマスクの重力によって生じる垂れ下がりを軽減するように寸法決めされて配置されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３２】
前記第２のチャックが、前記第４の主面に引張応力を生じさせることによって前記重力によって生じる垂れ下がり軽減するように寸法決めされて配置されている、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３３】
前記第２のチャックが、前記シャドーマスクの湾曲をもたらすように寸法決めされて配置されている、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３４】
前記第２のチャックが、前記第１の開口部内に位置する支持格子を含み、前記支持格子が、前記シャドーマスクを物理的に支持するように寸法決めされて配置されている、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３５】
前記シャドーマスクが窒化ケイ素を含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３６】
前記シャドーマスクが、１ミクロン以下の厚さを有する、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３７】
基板の第１の配置で配置された複数の堆積部位に第１の材料を堆積させるための方法であって、前記基板が、第１の横方向の長さを有する第１の主面及び第２の主面を含み、前記第２の主面が、前記第１の領域を含み、
前記方法が、
複数の貫通孔を含むシャドーマスクを提供する段階であって、前記シャドーマスクが、前記複数の貫通孔を含む第３の主面及び第４の主面を有する段階と、
前記第１の主面に選択的に第１の引力を与える第１のチャックに前記基板を保持する段階と、
前記第３の主面に選択的に第２の引力を与える第２のチャックに前記シャドーマスクを保持する段階であって、前記第２のチャックが、前記第２のチャックを介して前記複数の貫通孔まで前記材料の気化原子の移動を可能にする、段階と、
前記第２の主面と前記第４の主面とが１０ミクロン以下の距離だけ離れるように、前記基板と前記シャドーマスクとを位置決めする段階と、
供給源と前記シャドーマスクとの間に位置するコリメータで第１の複数の気化原子を受け取る段階であって、前記第１の複数の気化原子が、第１の範囲の伝播角度によって特徴付けられる、段階と、
前記コリメータを介して前記シャドーマスクまで第２の複数の気化原子を選択的に通過させる段階であって、前記第１の複数の気化原子が、前記第２の複数の気化原子を含み、
前記第２の複数の気化原子が、前記第１の範囲の伝搬角度より狭い第２の範囲の伝搬角度によって特徴付けられる、段階と、
前記第２の複数の気化原子の少なくとも一部が、前記第２のチャック及び前記複数の貫通孔を通過して前記基板上に堆積することを可能にする段階と、
を含む、方法。
【請求項３８】
前記コリメータを複数のチャネルを含むように提供する段階をさらに含み、その複数のチャネルの各々が、前記第２の範囲の伝播角度を決定する縦横アスペクト比を有する、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記縦横アスペクト比が、許容可能な角度範囲に基づくものであり、前記許容可能な角度範囲が、前記基板と前記シャドーマスクとによって画定される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記縦横アスペクト比が、前記許容角度範囲以下であるフィルタリング角度範囲を画定する、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記第１の複数の気化原子を供給源で発生させる段階と、
前記基板に対して前記供給源を移動する段階と、
をさらに含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４２】
前記供給源をノズルの線形配置として提供する段階をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記供給源をノズルの二次元配置として提供する段階をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記コリメータと前記基板との間に相対運動を与える段階をさらに含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４５】
前記第２の主面と前記第４の主面とが０ミクロンより大きく１０ミクロン以下の距離だけ離れるように、前記基板とシャドーマスクとが位置合わせされる、請求項３７に記載の方法。
【請求項４６】
前記第２の主面と前記第４の主面とが約２ミクロンから約５ミクロンの範囲内の距離だけ離れるように、前記基板とシャドーマスクとが位置合わせされる、請求項３７に記載の方法。
【請求項４７】
静電力として前記第２の引力を発生させる段階をさらに含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４８】
静電力として前記第１の引力を発生させる段階をさらに含む、請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
前記シャドーマスクの重力によって生じる垂れ下がりを軽減する段階をさらに含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項５０】
前記重力によって生じる垂れ下がりが、前記第４の主面に引張歪みを生じさせることによって軽減される、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記引張歪みが、前記シャドーマスクの湾曲を生じさせることによって前記第４の主面に生じる、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記貫通孔を含む前記シャドーマスクの領域に前記シャドーマスクを機械的に支持することによって、前記重力によって生じる垂れ下がりが軽減される、請求項４９に記載の方法。
【請求項５３】
前記材料を含む粒子を前記第２のチャックを介して前記貫通孔に通過させることを可能にするように動作可能である第１の開口部を囲むフレームと、
前記第１の開口部に配置され、前記シャドーマスクを物理的に支持するように寸法決めされて配置されている支持格子と、
を含むように前記第２のチャックを設ける段階をさらに含む、請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
前記シャドーマスクが窒化ケイ素を含む、請求項３７に記載のシステム。
【請求項５５】
前記シャドーマスクが、１ミクロン以下の厚さを有する、請求項３７に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願）
本件は、２０１６年５月２４日に出願された米国仮特許出願第６２／３４０，７９３号（代理人整理番号：６４９４−２０８ＰＲ１）に優先権を主張し、それは、参照により本明細書に組み込まれる。それはまた、２０１７年５月１７日に出願された米国仮特許出願第１５／５９７，６３５号（代理人整理番号：６４９４−２０８ＵＳ１）、及び、２０１７年５月２３日に出願された米国仮特許出願第１５／６０２，９３９号（代理人整理番号：６４９４−２０９ＵＳ１）に優先権を主張し、それらは共に、参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、一般的には薄膜堆積に関し、より詳細には蒸着ベースの薄膜堆積に関する。
【背景技術】
【０００３】
シャドーマスクベースの堆積は、堆積プロセス自体の間に層の所望のパターンが画定されるように、材料の層が基板の表面上に堆積されるプロセスである。これは、「直接パターニング」とも呼ばれる成膜技術である。
【０００４】
典型的なシャドーマスク堆積プロセスでは、所望の材料は、シャドーマスクがそれらの間に配置された状態で、基板から離れたところにある供給源で気化される。材料の気化原子が基板に向かって移動すると、それらは、基板表面の直前に位置する、シャドーマスクの一組の貫通孔を通過する。貫通孔（すなわち、開口部）は、基板上の材料に適したパターンで配置される。その結果、シャドーマスクは、貫通孔を通過する気化原子以外の全ての気化原子の通過を阻止し、貫通孔を通過する原子は、所望のパターンで基板表面に堆積する。シャドーマスクベースの堆積は、アートワークの開発に使用される衣料品やステンシル製品にパターン（例えば、背番号など）を形成するために使用されるシルクスクリーン技術に似ている。
【０００５】
シャドーマスクベースの堆積は、部分的には、材料層を堆積した後に材料層をパターニングする必要性を回避するという事実により、基板上に材料のパターンを堆積するために長年にわたって集積回路（ＩＣ）産業で使用されてきた。その結果、それを使用すると、堆積した材料をパターニングするために過酷な化学物質（例えば、酸ベースのエッチング剤、腐食性のフォトリソグラフィ現像化学物質など）に晒す必要がなくなる。さらに、シャドーマスクベースの堆積では、基板の取り扱いや処理が少なくて済むため、基板が破損するリスクが減少し、製造歩留まりが向上する。さらに、有機材料のような多くの材料は、それらを損傷することなしにフォトリソグラフィ化学薬品に晒されることができず、それは、シャドーマスクによってそのような材料を堆積することを必要とする。
【０００６】
残念なことに、従来のシャドーマスク堆積によって得られる特徴分解能は、シャドーマスクを通過した後に堆積した材料が横方向に広がる傾向があるために減少し、それは、「フェザリング」と呼ばれる。フェザリングは、基板とシャドーマスクとの間隔が大きくなるにつれて大きくなる。フェザリングを軽減するために、基板及びシャドーマスクを保持するチャックの完全性を損なうことなく、この間隔をできるだけ小さくする。さらに、堆積領域全体にわたるこの分離の不均一性は、フェザリング量の変動を引き起こす。このような不均一性は、例えば、基板とシャドーマスクとの間の平行性の欠如、基板及びシャドーマスクの一方又は両方の湾曲又は垂れ下がり等から生じ得る。
【０００７】
残念ながら、かなりの量のフェザリングが発生しないようにシャドーマスク及び基板を十分に近づけて配置することは困難である。さらに、シャドーマスクは、気化原子が貫通孔パターンに通過するのを妨げないように、その周辺部でのみ支持されなければならない。その結果、シャドーマスクの中心が重力によって垂れ下がる可能性があり、それが、さらにフェザリングの問題を悪化させる。
【０００８】
したがって、実際には、従来技術のシャドーマスクベースの堆積技術によって形成された重要な表面形状は、フェザリングに対応するために、通常、比較的広い面積の解放空間によって分離され、得られるデバイス密度が制限される。例えば、アクティブマトリクス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイの各画素は、通常、それぞれ異なる色の光を発する有機発光材料の複数の領域を含む。フェザリングの問題のために、従来技術のＡＭＯＬＥＤディスプレイは、典型的には、約６００ピクセル／インチ（ｐｐｉ）以下に制限されており、これは、目に近い拡張現実及び仮想現実用途などの多くの用途にとって不十分である。さらに、画素内及び画素間に大きな隙間が必要なため、画素フィルファクタが低下し、ディスプレイの輝度が低下する。結果として、有機層を通る電流密度は、ディスプレイの寿命に悪影響を及ぼす可能性がある所望の輝度を提供するために増加されなければならない。
【０００９】
別の方法は、ディスプレイ自体の活性領域と同じ大きさの開口を有するシャドーマスクを使用して、ディスプレイ全体にわたってモノクロの白色発光有機層を堆積し、次いで、ＯＬＥＤの上に赤、緑及び青のカラーフィルタをパターニング又は堆積することである。これらのカラーフィルタは、（カラーフィルタに応じて）スペクトルの赤、緑又は青の部分を除いて、放出された白色光をすべて吸収し、フルカラー画像を作成することができる。しかし、これらのカラーフィルタは、放出された光の最大８０％を吸収するため、ディスプレイの輝度を著しく低下させ、ここでも望ましい駆動電流よりも高い動作電流で動作させる必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
高解像度の直接パターニングを可能にするプロセスの必要性は、従来技術において満たされていないままである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、先行技術のいくらかのコスト及び不利益なしに、基板上にパターニングされた材料の層を高解像度で直接堆積することを可能にする。本発明の実施形態は、気化原子の伝播角度を基板の表面に垂直な方向の周りの狭い範囲にフィルタリングする。その結果、シャドーマスクの表面形状の横方向寸法の外側に堆積した材料のフェザリングが軽減される。本発明の実施形態は、有機発光材料などの感光性材料の堆積における使用に特によく適している。実施形態はまた、包装用途、集積回路加工用途などにおける他の薄膜層及び厚膜層の堆積にもよく適している。
【００１２】
本発明はさらに、わずか数ミクロンだけ接触又は分離することができるシャドーマスクと基板との高精度位置合わせを可能にする。本発明はまた、その周縁部でのみ支持されているシャドーマスクの重力によって生じる垂れ下がりの軽減をもたらす。本発明の実施形態は、高密度画素ディスプレイ（ＤＰＤ）、高精細ディスプレイなどの、基板上に高密度パターンの材料を必要とする用途に特によく適している。
【００１３】
本発明の例示的な実施形態は、シャドーマスクの開口パターンを通過した後に材料が基板の表面上に堆積するように材料が供給源で気化される直接パターニング堆積システムである。シャドーマスクに到達する前に、気化原子は、コリメータを通過し、コリメータは、基板表面の法線方向に近い伝播角度を有するもの以外のすべての気化原子を妨げる。結果として、開口部とそれらのそれぞれの堆積材料領域との間の横方向のずれは、従来技術と比較して減少する。
【００１４】
コリメータは、縦横アスペクト比が高い複数のチャネルを含み、チャネルの縦軸は、法線方向と実質的に整列している。その結果、法線に近い方向以外の方向に沿って移動するこれらの気化原子は、チャネルの内壁によって遮蔽される。
【００１５】
いくつかの実施形態では、供給源は、基板表面全体が同時に気化した材料を受け取るように、気化原子の円錐形の蒸気プルームを提供するように寸法決めされて配置されている。これらの実施形態のいくつかにおいて、堆積材料の厚さの均一性が基板表面の二次元領域にわたって改善されるように、供給源は経路に沿って移動される。
【００１６】
いくつかの実施形態では、供給源は、扇形の蒸気プルームを放出する線状供給源であり、線状供給源は、その長手方向軸と整列していない方向に沿って移動する。これらの実施形態のいくつかにおいて、供給源は、供給源の長手方向軸と法線方向の両方に実質的に直交する方向に沿って移動される。これらの実施形態のうちのいくつかにおいて、供給源は、非線形経路に沿って移動する。
【００１７】
いくつかの実施形態では、供給源は、複数の個々のノズルを含み、各ノズルは、基板表面の領域にわたって実質的に均一な気化原子の流れを集合的に提供するようにそれぞれ円錐形の蒸気プルームを放出する。
【００１８】
いくつかの実施形態では、供給源は、加熱されたときに有機材料が供給源の平面全体にわたって均一に気化するように、基板と平行に対向して配置された二次元平面供給源である。いくつかの実施形態では、基板表面の二次元領域にわたる堆積材料の厚さ均一性を改善するために、供給源とシャドーマスクとの間の相対運動が提供される。
【００１９】
本発明の別の例示的な実施形態は、基板を保持するための第１の装着面を有する第１のチャックと、貫通孔のパターンを含むシャドーマスクを保持するための第２の装着面を有する第２のチャックとを含む直接パターニング堆積システムである。第２のチャックは、シャドーマスクの貫通孔のパターンを露出させる中央開口部を囲むフレームを含む。その結果、堆積中に、材料の気化原子が第２のチャック及び貫通孔を通過して、基板の前面の堆積領域上に所望のパターンで堆積する可能性がある。
【００２０】
第１のチャックは、基板の背面に選択的に加えられる第１の静電力を発生させる。第１のチャックはまた、基板の前面から突き出ないように寸法決めされて配置されている。同様に、第２のチャックは、シャドーマスクの背面に選択的に加えられる第２の静電力を生成する。第２のチャックはまた、シャドーマスクの前面から突き出ないように寸法決めされて配置されている。シャドーマスクと基板とが堆積のために整列しているとき、第１及び第２のチャックのどちらの部分も、基板とシャドーマスクとの間の三次元空間に侵入することはない。結果として、基板及びシャドーマスクを堆積中に非常に接近させて、あるいは接触させても配置することができ、それによってフェザリングを軽減することができる。
【００２１】
いくつかの実施形態では、第１の引力及び第２の引力のうちの少なくとも１つは、真空発生力、磁力などの静電気以外の力である。
【００２２】
いくつかの実施形態では、第２の装着面は、シャドーマスクの前面に引張応力を生じさせてその中央領域の重力による垂れ下がりを軽減するように寸法決めされて配置されている。いくつかのそのような実施形態において、第２のチャックのフレームは、その装着面がフレームの内周の上端から離れるように傾斜するように形作られる。その結果、シャドーマスクを第２のチャックに装着すると、シャドーマスクがわずかに曲がり、シャドーマスクの前面に引張応力が発生する。これらの実施形態のいくつかにおいて、装着面は、フレームの内周の上端から下方に湾曲している。
【００２３】
本発明の一実施形態は、基板の堆積領域の複数の堆積部位に第１の材料を堆積させるためのシステムであって、前記複数の堆積部位が、第１の配置で配置され、前記基板が、前記堆積領域を含む第１の主面及び第２の主面を含み、前記システムが、前記第１の材料の第１の複数の気化原子を供給するための供給源であって、その第１の複数の気化原子の各々が、前記基板によって画定される第１の平面に対して垂直である第１の方向に対する伝搬角度によって特徴付けられる伝搬方向に沿って伝搬し、前記第１の複数の気化原子の伝播角度の範囲が、前記第１の角度範囲に及ぶ、供給源と、前記第１の配置で配置された複数の貫通孔を含むシャドーマスクであって、前記貫通孔を含む第３の主面及び第４の主面を含むシャドーマスクと、前記基板を保持するための第１のチャックであって、前記第１の主面に第１の引力を選択的に与えるように寸法決めされて配置されている第１のチャックと、前記シャドーマスクを保持するための第２のチャックであって、前記材料が前記第２のチャックを介して貫通孔まで通過することを可能にする第１の開口部を囲むフレームを備え、前記第３の主面に第２の引力を選択的に与えるように寸法決めされて配置されている、第２のチャックと、複数のチャネルを含み、前記供給源と前記シャドーマスクとの間にあるコリメータであって、その複数のチャネルの各々が、前記第１の角度範囲より小さい第２の角度範囲内の伝播角度を有する気化原子のみを通過させるように寸法決めされて配置されている、コリメータと、前記シャドーマスクと前記基板とを位置合わせするために、前記第１のチャックと前記第２のチャックとの相対位置を制御するための位置決めシステムと、を備えるシステムである。
【００２４】
本発明の別の実施形態は、基板の堆積領域の複数の堆積部位に第１の材料を堆積し、前記複数の堆積部位が、第１の配置で配置され、前記基板が、第１の横方向の長さを有する第１の主面及び第２の主面を含むシステムであって、第１の複数の気化原子を供給する供給源であって、その第１の複数の気化原子の各々が、伝搬角度を画定する伝搬方向に沿って移動し、前記複数の伝搬角度が、第１の角度範囲に及ぶ、供給源と、前記第１の配置で配置された複数の貫通孔を含むシャドーマスクであって、前記シャドーマスクが、前記貫通孔を含む第３の主面及び第４の主面を含み、前記シャドーマスク及び前記複数の堆積部位が共同で、前記第１の角度範囲より小さい許容角度範囲を画定する、シャドーマスクと、前記基板を保持するための第１のチャックと、前記シャドーマスクを保持するための第２のチャックであって、前記材料が前記貫通孔まで前記第２のチャックを通過することを可能にする第１の開口部を囲むフレームを備え、前記シャドーマスクと基板とが位置合わせされるとき、前記シャドーマスクと基板とが共同で第１の領域を画定し、前記第１の領域が、（１）前記第１の横方向の長さ以上の第２の横方向の長さを有し、（２）前記基板と前記シャドーマスクとの間の間隔に等しい厚さを有し、（３）前記第１のチャック及び前記第２のチャックを除外し、前記第１のチャック及び第２のチャックが、その厚さが１０ミクロン未満になることを可能にするように寸法決めされて配置されている、第２のチャックと、複数のチャネルを含む前記コリメータであって、その複数のチャネルの各々が、前記許容角度範囲以下であるフィルタリング角度範囲を画定する縦横アスペクト比を有する、コリメータと、を備える、システムである。
【００２５】
本発明のさらに別の実施形態は、基板の第１の配置で配置された複数の堆積部位に第１の材料を堆積させるための方法であって、前記基板が、第１の横方向の長さを有する第１の主面及び第２の主面を含み、前記第２の主面が、前記第１の領域を含み、前記方法が、供給源と、前記第１の配置で配置された複数の貫通孔を有する前記シャドーマスクとの間に位置するコリメータで第１の複数の気化原子を受け取る段階であって、前記シャドーマスクが、前記貫通孔を含む第３の主面及び第４の主面を含み、前記第１の複数の気化原子が、第１の範囲の伝播角度によって特徴付けられる、段階と、前記第１の主面に選択的に第１の引力を与える第１のチャックに前記基板を保持する段階と、前記第３の主面に選択的に第２の引力を与える第２のチャックに前記シャドーマスクを保持する段階であって、前記第２のチャックが、前記第２のチャックを介して前記複数の貫通孔まで前記材料の粒子の移動を可能にする、段階と、前記コリメータを介して前記シャドーマスクまで第２の複数の気化原子を選択的に通過させる段階であって、前記第２の複数の気化原子が、前記第１の範囲の伝搬角度より狭い第２の範囲の伝搬角度によって特徴付けられる、段階と、前記第２の主面と前記第４の主面とが１０ミクロン以下の距離だけ離れるように、前記基板と前記シャドーマスクとを位置決めする段階と、前記第２の複数の気化原子の少なくとも一部が、前記第２のチャック及び前記複数の貫通孔を通過して前記基板上に堆積することを可能にする段階と、を含む、方法である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来技術による直接パターニング堆積システムの顕著な特徴部の断面の概略図である。
【図２】本発明の例示的な実施形態による、高精度直接パターニング堆積システムの顕著な特徴部の断面の概略図を示す。
【図３】例示的な実施形態による、基板上に直接パターニングされた材料の層を堆積するための方法の操作を示す。
【図４Ａ】例示的な実施形態によるマスクチャックの上面図の概略図を示す。
【図４Ｂ】例示的な実施形態によるマスクチャックの断面図の概略図を示す。
【図５】マスクチャック２０６に装着されたシャドーマスク１０６の断面図を示す。
【図６Ａ】本発明の第１の代替的な実施形態によるマスクチャック２０６の一部の断面図の概略図を示す。
【図６Ｂ】本発明の第２の代替的な実施形態によるマスクチャック２０６の一部の断面図の概略図を示す。
【図７Ａ】本発明の第３の代替的な実施形態によるマスクチャックの上面図の概略図を示す。
【図７Ｂ】本発明の第３の代替的な実施形態によるマスクチャックの断面図の概略図を示す。
【図８Ａ】例示的な実施形態によるマスクチャックの断面図の概略図を示す。
【図８Ｂ】基板１０２を保持している間の基板チャック２０４の断面図の概略図を示す。
【図９】材料１１６の堆積に対して位置合わせされた基板１０２及びシャドーマスク１０６を有するシステム１００の一部の断面図の概略図を示す。
【図１０】基板１０２の画素領域及びシャドーマスク１０６の対応する開口部１２０の拡大図の概略図を示す。
【図１１Ａ】例示的な実施形態によるコリメータの断面図の概略図を示す。
【図１１Ｂ】コリメータ２０８の領域の上面図の概略図を示す。
【図１１Ｃ】コリメータ２０８の領域の断面図の概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１は、従来技術による直接パターニング堆積システムの顕著な特徴部の断面の概略図を示す。システム１００は、基板の前に配置されたシャドーマスクを通して材料を蒸発させることによって基板上に材料の所望のパターンを堆積させる従来の蒸着システムである。システム１００は、低圧真空チャンバ（図示せず）内に配置された供給源１０４及びシャドーマスク１０６を含む。
【００２８】
基板１０２は、アクティブマトリクス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイの形成に適したガラス基板である。基板１０２は、平面１０８及び法線軸１１０を画定する表面１１４を含む。法線軸１１０は、平面１０８と直交する。表面１１４は、緑色光を放出する材料を受容するための複数の堆積部位Ｇ、青色光を放出する材料を受容するための複数の堆積部位Ｂ、及び、赤色光を放出する材料を受容するための複数の堆積部位Ｒを含む。堆積部位は、各画素領域が各色の発光材料のための１つの堆積部位を含むように、複数の画素領域１１２に配置される。
【００２９】
供給源１０４は、材料１１６を気化させるための坩堝であり、これは、所望の波長の光を放射する有機材料である。図示の例では、材料１１６は、赤色光を放射する有機発光材料である。図示の例では、供給源１０４は、基板１０２に対して中心にある単室坩堝である。しかしながら、いくつかの実施形態では、供給源１０４は、一次元及び／又は二次元の配置で配置された複数のチャンバを備える。材料１１６が真空チャンバ１１０の低圧雰囲気内で溶融又は昇華すると、材料１１６の気化原子１２２が供給源から放出され、実質的に弾道的に基板１０２に向かって伝播する。供給源１０４から放出された気化原子は、集合的に蒸気プルーム１２４を画定する。
【００３０】
シャドーマスク１０６は、開口部１２０を含む構造材料のプレートである。シャドーマスクは、ほぼ平らで、平面１１８を画定する。シャドーマスクは、それがその開口部を通過するものを除く全ての気化原子の通過を妨げるように、供給源１０４と基板１０２との間に配置される。シャドーマスク及び基板は、分離距離ｓ（典型的には数十又は数百ミクロン）によって分離され、平面１０８及び１１８は、実質的に平行であり、開口部１２０は、堆積部位Ｒと整列している。
【００３１】
理想的には、赤色発光材料１１６を堆積するとき、気化原子は、堆積部位Ｒにのみ入射する。残念なことに、蒸気プルーム１２４は、多くの異なる伝播方向１２６に沿って移動する気化原子を含み、それらの多くは、法線軸１１０の方向と整列していない。結果として、開口部１２０を通過する気化原子の大部分は、大きな横方向成分を有する伝播方向に沿って移動している。各気化原子が表面１１４に入射する点は、その伝播角度及び基板とシャドーマスクとの間の空間的関係、具体的には間隔ｓ及び開口部１２０と堆積部位Ｒとの位置関係によって幾何学的に決定される。添付の特許請求の範囲を含む本明細書の目的のために、用語「伝播角度」は、基板１０２の平面１０８に垂直な方向（すなわち、法線方向１２８であり、これは、法線軸１１０と一致する）に関して気化原子の伝播方向によって形成される角度として定義される。例えば、気化原子１２２は、伝播方向１２６に沿って移動し、法線方向１２８に対して伝播角度θｐを生成する。
【００３２】
蒸気プルーム１２４の気化原子の伝播角度は、−θｍから＋θｍの比較的広い角度範囲に及び、これは、従来技術の直接堆積システムにとって重大な不都合を引き起こす。特に、それは、開口部１２０の周囲の外側の前面１１４上に材料１１８の堆積をもたらし、これは、典型的には「フェザリング」と呼ばれる。さらに、開口部でのフェザリングの量は、基板１０２の中心からのその開口部の距離とともに増加する。
【００３３】
蒸気プルーム１２４の中心の付近に配置された開口部の場合、シャドーマスク１０６に到達する気化原子１２２は、比較的小さい角度範囲内の伝播角度を有する。言い換えれば、それらは、法線軸１１０とわずかにずれた方向に沿って移動している。その結果、これらの開口部を通過する気化原子は、シャドーマスクを通過した後に最小の横方向ドリフト（フェザリング）のみを示す。したがって、この領域では、堆積材料１１６の横方向の長さは、通常、開口部１２０の縁部とほぼ一直線に並ぶ（すなわち、それは、主に目標堆積部位Ｒに堆積する）。
【００３４】
しかしながら、蒸気プルーム１２４の中心からさらに離れた開口部については、シャドーマスク１０６に到達する気化原子は、比較的広い角度範囲に広がり、｜θｍ｜に近い伝播角度を含む。その結果、これらの領域では、シャドーマスクを通過した後に気化原子が移動する横方向の距離が長くなり、堆積した材料が開口部の横方向の長さを遥かに超えてフェザリングすることになる。これにより、開口部開口の縁部と材料１１６が堆積する領域の周囲との間に横方向のオフセットΔｆが生じる。したがって、堆積した材料は、ターゲット堆積領域の範囲を超えて広がる。場合によっては、そのようなフェザリングは、異なる発光材料を意図した隣接する堆積部位（すなわち、堆積部位、Ｂ及び／又はＧ）上への材料の堆積をもたらし、それによって混色を引き起こす可能性がある。
【００３５】
面１０８及び１１８の平行度からのずれ（すなわち、マスクと基板との間の相対的なピッチ及び／又は偏揺れ）、シャドーマスク及び／又は基板の非平坦度、及びシャドーマスクと基板との間の並進及び／又は回転のずれなど、シャドーマスクと基板との間のあらゆる追加の不整合によってフェザリングが悪化することに留意されたい。さらに、多くの従来技術の堆積システム（例えば、複数の材料を堆積するためのシステムなど）では、供給源１０４は、基板から中心を外れて配置され、それは、さらに大きなフェザリング問題をもたらす。
【００３６】
当業者は、堆積中にシャドーマスク１０６を基板１０２と接触するように配置することがフェザリングの問題を軽減するか、又は完全に排除することさえあることを認識するであろう。残念ながら、これは、望ましくないか、いくつかの理由で不可能な場合が多くある。第一に、従来技術の基板及びシャドーマスクチャックは、通常、それぞれ基板及びシャドーマスクの上方に突出する特徴部を含む。結果として、これらの特徴部は、基板及びシャドーマスクをどれだけ近くに配置できるかを制限する遮蔽要素として機能する。第二に、シャドーマスクと接触すると、基板表面の既存の構造に損傷を与える可能性がある。第三に、シャドーマスクの損傷は、基板との接触によって発生する可能性がある。第四に、基板との接触から除去する際にシャドーマスク表面に残渣が残る可能性がある。シャドーマスクの頻繁な洗浄が必要になるため、処理時間及び全体的なコストが増加し、同時に洗浄作業中にマスクが損傷する可能性がある。その結果、従来技術のシャドーマスク堆積は、フェザリングが重大な悪影響を及ぼす非接触構成に実質的に限定されてきた。第五に、従来のシャドーマスクは、通常金属製であるため、必然的にかなり厚くなる。基板と接触して配置されると、厚いシャドーマスクは、各開口部領域内に陰影を生じさせ、その結果、堆積された特徴部の縁が薄くなる。従来技術で一般的に使用されているようなより厚いシャドーマスクの場合、開口部の壁及びサブ画素の縁部がより薄くなるために、より多くの材料が失われる。
【００３７】
しかしながら、本発明は、先行技術のいくつかの不利益なしに直接堆積を可能にする。本発明の第１の態様は、基板の表面に対してほぼ垂直な方向に沿って伝搬する気化原子のみをシャドーマスクに到達させることによってフェザリングを大幅に低減し、それによって、シャドーマスクの開口パターンに対してより高い解像度及び忠実性を有する堆積材料のパターンを可能にすることである。
【００３８】
本発明の他の態様は、シャドーマスクに窒化ケイ素のような非金属材料を使用すると、それを極めて薄く（≦１ミクロン）することができ、それによって、従来技術のシャドーマスクの陰影が著しく少なくなることである。
【００３９】
本発明のさらに別の態様は、シャドーマスクの重力によって生じる垂れ下がりを、シャドーマスクに対する重力の影響に対抗するように寸法決めされて配置されたシャドーマスクチャックを使用することによって低減又は排除できることである。
【００４０】
本発明の別の態様は、基板及びシャドーマスクの上面より上に突出する構造を持たない基板及びシャドーマスクチャックが、基板とシャドーマスクとの間の極めて小さな分離、さらには接触さえも可能にし、それによって、フェザリングを軽減することである。基板／シャドーマスクの接触はまた、堆積中のそれらの安定性を増加させ、無駄を減らすことによって材料利用を改善し、より速い堆積及びより高いスループットを可能にし、より低い温度での堆積を可能にする。
【００４１】
図２は、本発明の例示的な実施形態による、高精度直接パターニング堆積システムの顕著な特徴部の断面の概略図を示す。システム２００は、真空チャンバ２０２、基板チャック２０４、供給源１０４、シャドーマスク１０６、マスクチャック２０６、コリメータ２０８及び位置決めシステム２１２を含む。システム２００は、フォトリソグラフィ及びエッチングなどの後続の減法パターニング作業を必要とせずに、基板表面上に所望の材料パターンを蒸着させるように動作する。
【００４２】
システム２００は、本明細書では、ＡＭＯＬＥＤディスプレイの製造の一部としてのガラス基板上への発光材料のパターンの堆積に関して説明される。しかしながら、本明細書を読んだ後、本発明は、半導体基板（例えば、シリコン、シリコンカーバイド、ゲルマニウムなど）、セラミック基板、金属基板、プラスチック基板などの多様な基板のいずれかの上における、実質的に任意の薄膜及び厚膜材料（有機又は無機）の直接パターニングされた層の形成に向けられ得ることは当業者にとって明らかであろう。さらに、例示的な実施形態は熱蒸着システムであるが、当業者は、本明細書を読んだ後、本発明が電子ビーム蒸着、スパッタリング及びスパッタリングなどの実質的にあらゆる材料堆積プロセスに向けられ得ることを認識する。さらにまた、図示の例は、単一基板平面処理での使用に適した堆積システムであるが、本発明は、クラスタツール処理、トラック処理、ロールツーロール処理、リールツーリール処理などの他の製造方法での使用にも適している。結果として、本発明は、限定はしないが、パッケージング用途、ＩＣ製造、ＭＥＭＳ製造、ナノテクノロジーデバイス製造、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）製造などを含む無数の用途での使用に適している。
【００４３】
図示の例では、シャドーマスク１０６は、操作基板２２４と膜２２６とを含む高精度シャドーマスクであり、膜２２６は、操作基板に形成された中央開口部の上に懸架されている。膜２２６は、貫通孔パターン２２８を含む。シャドーマスク１０６は、２つの主面、すなわち前面２３０と背面２３２とを含む。前面２３０は、膜２２６の上面であり（すなわち、操作基板２２４に対して遠位の膜面）、これは、平面１１８を画定する。背面２３２は、操作基板２２４の表面である（すなわち、膜２２６に対して遠位の基板表面）。シャドーマスク１０６は、高精度の膜ベースのシャドーマスクであるが、本発明によるマスクチャックは、事実上あらゆるタイプのシャドーマスクを保持するために使用できることに留意されたい。好ましくは、膜２２６は、窒化ケイ素を含む。しかしながら、本発明の範囲から逸脱することなく他の材料を使用することができる。好ましくは、膜２２６は、１ミクロン以下の厚さを有する。しかしながら、本発明の範囲から逸脱することなく、他の厚さを膜に使用することができる。
【００４４】
上述のように、１ミクロン以下の厚さを有するシャドーマスク膜を使用することにより、従来技術のシャドーマスクと比較して直接堆積中の陰影効果を減少させることができる。
【００４５】
真空チャンバ２０２は、材料１１６の蒸着に必要な低圧環境を収容するための従来の圧力容器である。図示の例では、真空チャンバ１１０は、独立型ユニットである。しかしながら、それは、本発明の範囲から逸脱することなく、複数の蒸着チャンバが直線状に配置されているクラスタ堆積システム又はトラック堆積システムの一部として実現することもできる。いくつかの実施形態では、真空チャンバ１１０は、例えば異なる色（例えば、赤、緑及び青）で発光する複数の発光サブ画素など、基板１０２上に異なる材料の異なるパターンの形成を可能にするいくつかの蒸発源／シャドーマスクの組合せを含む。
【００４６】
コントローラ２４０は、とりわけ制御信号２３６及び２３８を基板チャック２０４及びマスクチャック２０６にそれぞれ提供する従来の機器コントローラである。
【００４７】
図３は、例示的な実施形態による、基板上に直接パターニングされた材料の層を堆積するための方法の動作を示す。方法３００は、引き続き図２を参照しながら、同様に図４Ａ及び図４Ｂ、図５、図６Ａ及び図６Ｂ、図７Ａ及び図７Ｂ、図８Ａ及び図８Ｂ、図９、図１０並びに図１１Ａから図１１Ｃを参照して本明細書で説明される。方法３００は、コリメータ２０８がコリメータチャック２１０に装着される操作３０１から始まる。
【００４８】
コリメータ２０８は、以下により詳細に説明されるように、また図１１Ａから図１１Ｃに関して説明されるように、薄い壁によって分離された複数のチャネルを含む機械的に頑丈なプレートである。コリメータ２０８は、平面１０８にほぼ垂直な方向に沿って伝播する（すなわち、非常に小さい伝播角度を有する）気化原子を選択的に通過させる空間フィルタとして機能するように寸法決めされて配置されている。したがって、コリメータ２０２は、基板１０２の全体にわたるフェザリングを軽減する。
【００４９】
コリメータチャック２１０は、シャドーマスク１０６に対してコリメータを保持し位置決めするための環状クランプ機構である。
【００５０】
操作３０２では、シャドーマスク１０６がマスクチャック２０６に装着される。
【００５１】
マスクチャック２０６は、その背面のみに与えられる吸引力を介してシャドーマスク１０６を保持するための固定具である。図示の例では、マスクチャック２０６は、静電力を用いてシャドーマスク１０６を保持する。いくつかの実施形態では、マスクチャック２０６は、真空発生力、磁力などのような種々の吸引力を用いてシャドーマスクを保持する。他の実施形態では、マスクチャック２０６は、機械的クランプである。
【００５２】
図４Ａ及び図４Ｂはそれぞれ、例示的な実施形態によるマスクチャックの上面図及び断面図の概略図を示す。図４Ｂで示される断面は、図４Ａで示される線ａ−ａから見た図である。マスクチャック２０６は、フレーム４０２、電極４０４−１及び４０４−２並びにパッド４０６を含む。
【００５３】
フレーム４０２は、電気的に絶縁性の材料の構造的に剛性のある円形リングである。フレーム４０２は、貫通孔パターン２２８全体を露出させるのに十分な大きさの開口部４０８を囲む。いくつかの実施形態では、フレーム４０２は、正方形、長方形、不規則形状など、円形以外の形状を有する。いくつかの実施形態において、フレーム４０２は、電気絶縁体で被覆されている導電性材料を含む。
【００５４】
電極４０４−１及び４０４−２は、フレーム４０２の表面に形成された導電要素である。電極４０４−１及び４０４−２は、コントローラ２４０と電気的に結合されている。
【００５５】
パッド４０６は、電極４０４−１及び４０４−２上に配置された電気絶縁材料の構造的に剛性のプレートである。パッド４０６の各々は、マスクチャックに装着されたときにシャドーマスク１０６が保持される装着面４１０を含む。
【００５６】
図５は、マスクチャック２０６に装着されたシャドーマスク１０６の断面図を示す。
【００５７】
シャドーマスク１０６は、装着面４１０と背面２３２との間に加えられる静電力によってマスクチャック２０６に保持される。静電力は、制御信号２３８によって生成される電極４０１−１と４０４−２との間の電位に応じて発生する。背面２３２が装着面４１０と接触すると、図示のように、共鳴電荷領域が操作基板２２４内に発生する。結果として、静電力は、背面２３２と装着面４１０との間に選択的に与えられる。
【００５８】
通常、シャドーマスク１０６は、その周囲でのみ支持される。その結果、従来技術のシャドーマスクは、重力下で垂れ下がる傾向がある。いくつかの実施形態では、本発明によるマスクチャックは、シャドーマスクが装着されたときにシャドーマスクの重力によって生じる垂れ下がりを軽減又は排除する１つ又は複数の特徴を含む。上記に詳細に説明したように、シャドーマスクは、それ自体の質量及び重力の影響のために中心で数ミクロン垂れ下がることがある。この重力によって生じる垂れさがりは、フェザリングを悪化させるいくつかの重要な問題を引き起こす。第一に、それは、シャドーマスクと、通常シャドーマスクを中心とした堆積領域の中央部にある基板との間隔を広げる。上述のように、フェザリングは、基板／シャドーマスクの分離距離と共に増加する。第二に、それは、基板とシャドーマスクとの間の不均一な分離をもたらし、それは、基板表面を横切って生じるフェザリングの程度における変動を生じさせる。不均一性のため、独創的なマスク配置でフェザリングを補正することは、不可能ではないにしても困難である。
【００５９】
本発明のさらに別の態様は、マスクチャックがシャドーマスクの重力によって生じる垂れ下がりを軽減する特徴を含むことができることである。
【００６０】
いくつかの実施形態では、マスクチャック２０６は、シャドーマスクを上方にバイアスさせて重力によるシャドーマスクの垂れ下がりを打ち消すような僅かな湾曲（例えば、上向きの傾斜）を含む。いくつかの実施形態では、微細支持構造がマスクチャック２０６の開口部を横切って延びてマスクを支持し、重力による垂れ下がりを減少させることができる。これらの特徴は、以下で、図６Ａ及び図６Ｂ並びに図７Ａ及び図７Ｂに関してより詳細に説明される。
【００６１】
本発明の第１の代替的な実施形態によるマスクチャックの一部の断面図の概略図を示す。図６Ａに示される断面は、図４Ａに示される線ａ−ａから見た図である。マスクチャック６００は、フレーム４０２、電極４０４−１及び４０４−２並びにパッド７０２を含む。
【００６２】
パッド６０２は、上述のパッド４０６に類似している。しかしながら、各パッド６０２は、それがマスクチャックに装着されたときにシャドーマスクに引張歪みを誘起又は増大させるように設計された装着面を有する。パッド６０２は、装着面６０４を有し、この装着面６０４は、内縁部６０６（すなわち、開口部４０８に近い側の縁部）から外縁部６０８まで下方に直線的に先細りになっている。言い換えれば、装着面６０４は、図示のように、点６１４から点６１６（すなわち、それが、平面６１０で内縁部６０６と交わるところから平面６１２で外縁部６０８と交わるところ）まで、負のｚ方向で先細りになっている。したがって、内縁部６０６が平面６１０に対して垂直である実施形態では、内縁部６０６と装着面６０４とが、鋭角であるように内角θを生成する。
【００６３】
シャドーマスク１０６がマスクチャック６００内に保持されると、背面２３２が装着面６０４に引き寄せられ、それによって、シャドーマスクの前面２３０の横方向の張力を増大させるシャドーマスクの湾曲を生じさせる。その結果、膜がより強く引っ張られ、重力によって生じる垂れ下がりが減少又は解消される。
【００６４】
図６Ｂは、本発明の第２の代替的な実施形態によるマスクチャックの一部の断面図の概略図を示す。図６Ｂに示される断面は、図４Ａに示される線ａ−ａから見た図である。マスクチャック６１８は、フレーム４０２、電極４０４−１及び４０４−２並びにパッド７２０を含む。
【００６５】
パッド６２０は、上述のパッド４０６に類似している。しかしながら、パッド６０２と同様に、各パッド６２０は、シャドーマスクがマスクチャックに装着されたときにシャドーマスクに引張歪みを生じさせるか又は増加させるように設計された装着面を有する。パッド６２０は、装着面６２２を有し、装着面６２２は、内縁部６０６から外縁部６０８まで下方に（すなわち、図示のように負のｚ方向に）湾曲する。言い換えれば、装着面６２２は、図示のように、点６１４から点６１６まで負のｚ方向に先細りになっている。
【００６６】
シャドーマスク１０６がマスクチャック６１８に保持されると、背面２３２が装着面６２２に引き寄せられ、それによって、シャドーマスクの前面２３０の横方向の張力を増加させるシャドーマスク内の湾曲が引き起こされる。その結果、膜がより強く引っ張られ、重力によって生じる垂れ下がりが減少又は解消される。いくつかの実施形態では、前面２３０に生じる追加の張力の量は、電極４０４−１及び４０４−２に印加される電圧差の大きさを制御することによって制御することができる。
【００６７】
本明細書を読んだ後、当業者には明らかなように、マスクが、図１に示されるその配向と比較して逆さまに装着された堆積システムでは、装着面６０４及び６２２の傾斜（又は湾曲）の方向が逆になる。さらに、そのような構成では、通常、基板チャック２０４は、基板１０２が開口部４０８内に存在し、１０ミクロン以下の基板／シャドーマスク分離を可能にするように設計されることが必要であろう。
【００６８】
図７Ａ及び図７Ｂはそれぞれ、本発明の第３の代替的な実施形態によるマスクチャックの上面図及び断面図の概略図を示す。マスクチャック７００は、マスクチャック２０６と支持格子７０２を含む。
【００６９】
支持格子７０２は、プレート７０４及び支持リブ７０６を備える。
【００７０】
プレート７０４は、支持リブ７０６が延びる剛性プレートである。いくつかの実施形態において、プレート７０４及び支持リブ７０６は、構造材料の中実体から機械加工される。プレート７０４及び支持リブ７０６での使用に適した材料には、これらに限定されないが、金属、プラスチック、セラミック、複合材料、ガラスなどが含まれる。プレート７０４は、シャドーマスク１０６がマスクチャック７００に装着されたときに膜２２６を機械的に支持するように、開口部４０８内に支持格子７０２を配置するようにフレーム４０２に装着されるように設計されている。
【００７１】
支持リブ７０６は、貫通孔配置２２８の貫通孔の間にある領域においてシャドーマスク１０６を支持するように配置されている。通常、シャドーマスクの貫通孔は、基板上の異なるダイ領域に対応するクラスタに配置される。これらのダイ領域は通常、ダイシングソーによる除去を目的とした「レーン」によって分離されているので、支持リブ７０６は、これらのレーンの配置と一致するように配置されることが好ましい。しかしながら、支持格子７０２には支持リブの任意の適切な配置を使用できることに留意されたい。
【００７２】
支持格子７０２は、それらの上面７０８が同一平面上にあり、平面７１０を画定するように形成される。平面７１０は、フレーム２２４の厚さに等しい距離で装着面４１０の上にある。結果として、フレーム２２４が装着面４１０と接触すると、支持リブ７０６は、膜２２６と接触する。
【００７３】
いくつかの実施形態において、シャドーマスク１０６は、膜２２６が装着面４１０と接触するように、マスクチャック７００内で上下逆さまに保持される。そのような実施形態では、支持格子７０２は、平面７１０が装着面４１０と同一平面上にあるように開口部４０８内に嵌合するように設計されている。結果として、膜２２６は、それが開口部４０８を横切って完全に水平になるように支持格子７０２によって支持される。
【００７４】
操作３０３において、基板１０２は、基板チャック２０４に装着される。
【００７５】
基板チャック２０４は、その背面にのみに与えられる引力を用いて基板１０２を保持するためのプラテンである。図示の例では、基板チャック２０４は、基板を保持するために静電力を発生させる。しかしながら、いくつかの実施形態では、基板チャック２０４は、真空発生力、磁力などのような種々の引力を用いて基板を保持する。添付の特許請求の範囲を含む本明細書の目的のために、用語「磁力」は、永久磁石及び／又は電磁石の使用から生じるあらゆる力を含む。基板チャック２０４については、以下で図８Ａ及び図８Ｂに関してより詳細に説明する。
【００７６】
いくつかの実施形態では、基板チャック２０４は、基板の反対側への材料の堆積との干渉を軽減するために、前面のみから基板１０２に接触するように寸法決めされて配置されている。いくつかの実施形態では、基板チャック２０４は、基板の両側から、真空、機械的クランプなどの種々の手段を用いて基板を固定する。いくつかの実施形態において、基板チャック２０４は、基板１０２とシャドーマスク１０６との間の間隔及び平行度を制御する位置決めシステム２１２と共に動作するインサイチュギャップセンサを含む。
【００７７】
図示の例では、基板１０２は、アクティブマトリクス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイに使用するのに適したガラス基板である。基板１０２は、背面１１５と前面１１４の２つの主面を含み、その上に表示要素が画定される。前面１１４が平面１０８を画定する。
【００７８】
図８Ａは、例示的な実施形態による基板チャックの断面図の概略図を示す。基板チャック２０４は、プラテン８０２と電極８０４−１及び８０４−２を備える。
【００７９】
プラテン８２０は、基板８０６及び誘電体層８０８を含む構造的に剛性のあるプラットフォームである。基板８０６及び誘電体層８０８の各々は、基板が基板チャックに装着されると、電極８０４−１及び８０４−２を互いに、及び基板１０２から電気的に絶縁する、ガラス、セラミック、陽極酸化アルミニウム、複合材料、ベークライトなどの電気絶縁材料を含む。
【００８０】
電極８０４−１及び８０４−２は、基板８０６の表面に形成され、それらをプラテン８０２内に埋め込むために誘電体層８０８によってオーバーコートされた導電性要素である。電極８０４−１及び８０４−２は、コントローラ２４０と電気的に結合されている。電極８０４−１及び８０４−２は、単純なプレートとして描かれていることに留意されたい。しかしながら、実際には、基板チャック２０４は、インターデジタルな櫛形フィンガー、同心円状リング、不規則形状などのような任意の形状の電極を有することができる。
【００８１】
誘電体層８０８は、装着面８１０を生じさせるために電極８０４−１及び８０４−２を覆って配置された構造的に硬質のガラス層である。
【００８２】
図８Ｂは、基板１０２を保持している間の基板チャック２０４の断面図の概略図を示す。
【００８３】
基板１０２を基板チャック２０４に保持するために、制御信号２３６は、電極８０４−１と８０４−２との間に電位を発生させる。背面１１５が装着面８１０（すなわち、誘電体層８０８の上面）と接触すると、図示のように、共鳴電荷領域が基板１０２内に発生する。その結果、静電力が背面１１５に選択的に付えられ、それによって、それを装着面６１０に引き付ける。
【００８４】
例示的な実施形態は、静電力を用いて基板１１４を保持する基板チャックを含むが、本明細書を読んだ後、真空発生力、磁力などの静電力以外の引力を用いて基板が基板チャックに保持される代替的な実施形態を特定、作成及び使用する方法は当業者には明らかであろう。
【００８５】
操作３０４において、基板１０２、供給源１０４、シャドーマスク１０６及びコリメータ２０８の相対位置は、位置決めシステム２１２によって制御される。
【００８６】
位置決めシステム２１２は、基板チャック２０４の位置を制御することによって基板１０２とシャドーマスク１０６とを位置合わせする。いくつかの実施形態では、位置決めシステムは、マスクチャック２０６の位置を制御することによって基板とシャドーマスクとを位置合わせする。いくつかの実施形態では、両方のチャックの位置は、基板とシャドーマスクとを整列させるように制御される。操作３０４及び測位システム２１２は、以下により詳細に、図１、図２、図９、図１０及び図１１Ａから図１１Ｃに関して説明される。
【００８７】
位置決めシステムは、３つの６軸マニピュレータと、基板１０２とシャドーマスク１０６との間の位置合わせを制御するための光学位置合わせシステムを備えている。６軸マニピュレータの各々は、基板チャック２０４、マスクチャック２０６及びコリメータチャック２１０の各々と動作可能に接続されて、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸の各々に沿ったその位置及びその周りの回転を制御する。いくつかの実施形態では、マスクチャック２０６及びコリメータチャック２１０の少なくとも一方の位置は、６軸ポジショナーによって制御されない。いくつかの実施形態では、位置決めシステム２１２はまた、基板１０２とシャドーマスク１０６との相対回転位置合わせを制御するための回転ステージを含む。
【００８８】
操作３０４において、堆積領域２１６の堆積部位Ｒが開口部１２０と位置合わせされ、平面１０８及び１１８が平行であり、基板とシャドーマスクとの間の間隔ｓがゼロに近く（すなわち、接触している）、可能であれば数ミクロン以内（例えば、１から５ミクロン）になるように、位置決めシステム２１２は、基板およびシャドーマスクを配置する。いくつかの実施形態では、ｓは、他の適切な分離距離である。明確にするために、間隔ｓは、典型的なものよりも大きく描かれていることに注意すべきである。
【００８９】
いくつかの実施形態において、基板チャック２０４もマスクチャック２０６もそのそれぞれの装着面を越えて突出するいかなる構造要素も含まないことが本発明の一態様である。その結果、基板及びシャドーマスクは、堆積時のフェザリングを軽減するためにそれらの間をほとんど又は全く分離することなく整列させることができる。当業者は、従来の直接堆積システムでは、基板とシャドーマスクとの間の間隔が少なくとも数十ミクロン、さらには数百ミクロンでなければならないことを理解するであろう。
【００９０】
図９は、材料１１６の堆積に対して位置合わせされた基板１０２及びシャドーマスク１０６を有するシステム１００の一部の断面図の概略図を示す。
【００９１】
基板とシャドーマスクとが位置合わせされると、それらは共同で、それらの間の領域９０２を画定する。領域９０２は、横方向の長さＬ１を有し、これは、前面１１４の長さと等しい。領域９０２はまた、平面１０８と１１８との間の間隔ｓ１（すなわち、基板とシャドーマスクとの間の間隔）に等しい厚さを有する。
【００９２】
基板チャック２０４のどの部分も平面１０８を越えて領域９０２内に延びていないので、基板とシャドーマスクとの間に障害物はない。その結果、基板１０２とシャドーマスク１０６との間の間隔ｓ１は、極めて小さくなり得る（≦１０ミクロン）。実際、必要に応じて、基板及びシャドーマスクを互いに接触させることができる。１０ミクロン以下の基板／シャドーマスク間隔で直接パターニングを行うことができることは、本発明の実施形態においてそれがフェザリングを著しく減少させるか、さらには無くすことさえも可能にするので、従来技術の直接パターニング堆積システムよりも特に有利である。いくつかの実施形態では、フェザリングを完全に排除するために、基板とシャドーマスクとの間に間隔がない、又は隙間がゼロである。
【００９３】
操作３０５において、供給源１０４は、蒸気プルーム１２４を生成する。上で説明したように、図１に関して、蒸気プルーム１２４の気化原子の伝播角θｐは、−θｍから＋θｍの比較的広い角度範囲に及ぶ。従来技術では、この大きな角度範囲は、フェザリングを悪化させ、それは、基板１０２とシャドーマスク１０６との間の横方向及び回転方向の位置合わせ、それらの間の間隔ｓ、及び、シャドーマスクに入射した気化原子の伝播角度の範囲の関数である。
【００９４】
しかしながら、本発明では、基板表面に到達する気化原子の伝播角度の範囲は、供給源１０４からシャドーマスク１０６へのそれらの経路に空間フィルタ（すなわち、コリメータ２０８）を配置することによって減少する。したがって、システム２００にコリメータ２０８を含めることにより、直接堆積中のフェザリングが大幅に減少する。
【００９５】
図１０は、基板１０２の画素領域１１２及びシャドーマスク１０６の対応する開口部１２０の拡大図の概略図を示す。図に示すように、開口部１２０と堆積部位Ｒへの材料の堆積との間の完全な忠実度のために、シャドーマスク１０６を通過した気化原子の伝播角度は、−θａから＋θａの許容範囲内でなければならない。添付の特許請求の範囲を含む本明細書の目的のために、用語「許容角度範囲」は、シャドーマスクが通過することが望まれる伝播角度の範囲として定義され、これは、−θａから＋θａの角度範囲に及ぶ。通常、許容角度範囲は、開口部１２０を通過した後に材料１１６が堆積部位Ｒにのみ堆積することを可能にする角度の範囲である。いくつかの実施形態では、許容角度範囲は、最も近い堆積部位間の間隔の半分未満であるフェザリングを可能にするために堆積部位の周りの小さな保護帯を含む。この範囲外の伝播角度を有するシャドーマスクに入射する気化原子は、堆積部位Ｒの横方向の長さを超えて表面１１４上に堆積する。
【００９６】
操作３０６において、蒸気プルーム１２４は、コリメータ２０８によってフィルタリングされて蒸気柱２１４を生じさせる。
【００９７】
図１１Ａは、例示的な実施形態によるコリメータの断面図の概略図を示す。コリメータ２０８は、本体１１０２を含み、本体１１０２は、複数のチャネル１１０４を形成するようにパターニングされており、各チャネルは、本体１１０２の厚さに亘って延びている。
【００９８】
本体１１０２は、平面加工に適したガラス板である。図示の例では、本体１１０２は、約２５ミリメートル（ｍｍ）の厚さを有する。しかしながら、本発明の範囲から逸脱することなく、任意の実用的な厚さを使用することができる。いくつかの実施形態では、本体１１０２は、著しい変形なしに熱及び／又は電子ビーム蒸着に関連する温度に耐えるのに適した種々の構造的に剛性の材料を含む。本体１１０２での使用に適した材料は、これらに限定されないが、半導体（例えば、シリコン、シリコンカーバイドなど）、セラミック（例えば、アルミナなど）、複合材料（例えば、炭素繊維など）、ガラス繊維、プリント回路基板、金属、ポリマー（例：ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）など）などを含む。
【００９９】
チャネル１１０４は、金属成形、穿孔、電子放電加工、深堀り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）などの従来の加工作業を使用して本体１１０２に形成された貫通孔である。図示の例では、チャネル１１０４は、直径約３ｍｍの円形断面を有する。したがって、チャネル１１０４の縦横アスペクト比は、約８：１である。縦横アスペクト比は、少なくとも３：１であることが好ましい。さらに、縦横アスペクト比が１００：１を超えると、コリメータを通過する気化原子の流れが望ましくないレベルまで減少し始める。しかしながら、１００：１を超える高さ縦横アスペクト比は、本発明の範囲内である。いくつかの実施形態において、チャネル１１０４は、円形以外の断面形状（例えば、正方形、長方形、六角形、八角形、不規則など）を有する。
【０１００】
チャネル１１０４の形成は、チャネル間に存在する複数の壁１１０６を生じさせる。好ましくは、高い処理能力を可能にするために、本体１１０２の構造的完全性を犠牲にすることなく、壁１１０６は、可能な限り薄い。図示の例では、壁５０６は、約５００ミクロンの平均厚さを有する。しかしながら、壁１１０６には任意の実用的な厚さを使用できる。
【０１０１】
図１１Ｂ及び図１１Ｃは、それぞれコリメータ２０８の領域の上面図及び断面図の概略図を示す。チャネル１１０６は、列が周期的であり、隣接する列がそれらの隣の列から半周期ずれているハニカム配置で配置されている。いくつかの実施形態では、チャネルは、二次元周期的、六方最密充填、ランダムなど、種々の配置で配置される。
【０１０２】
図１１Ｃに示されるように、チャネル１１０４のアスペクト比は、フィルタリング角度範囲を定義する。添付の特許請求の範囲を含む本明細書の目的のために、用語「フィルタリング角度範囲」は、コリメータ２０８を通過するであろう伝播角度の範囲として定義され、それは−θｃから＋θｃの角度範囲に及ぶ。その結果、｜θｃ｜よりも大きい伝播角度を有する気化原子は、コリメータで遮られる。
【０１０３】
当業者は、本体１１０２、チャネル１１０４及び壁１１０６について上で提供された寸法が単なる例示であり、本発明の範囲から逸脱することなく他の寸法が使用され得ることを認識するであろう。
【０１０４】
操作３０７において、開口部１２０は、堆積領域２１６の堆積部位Ｒに堆積するように、蒸気柱２１４の気化原子を通過させる。
【０１０５】
任意の操作３０８において、位置決めシステム２１２は、コリメータ２０８に運動を与えて、蒸気柱２１４の横方向の長さにわたる気化原子密度の均一性を改善し、それによって、基板１０２上の堆積部位にわたる堆積均一性を改善する。いくつかの実施形態では、位置決めシステム２１２は、コリメータ２０８に振動運動を与えるように動作する。
【０１０６】
例示的な実施形態では、その坩堝の開口面積が基板１０２の面積よりもかなり小さいので、供給源１０４は、実質的に材料１１６の点供給源であることに留意されたい。
【０１０７】
任意の操作３０９において、位置決めシステム２１２は、堆積の均一性を向上させるために、基板に対してｘ−ｙ平面内で供給源１０２を移動させる。
【０１０８】
いくつかの実施形態では、供給源１０４は、気化原子の扇形の蒸気プルームを放出する複数のノズルを含む線形蒸着源である。いくつかの実施形態では、位置決めシステム２１２は、基板１０２上に堆積された材料の均一性を向上させるために、ｘ−ｙ平面内でその長手方向軸と整列していない方向に沿って線形供給源を移動させる。いくつかの実施形態では、この経路は、ノズルの線形配置と法線軸１１０の両方に実質的に直交する線である。いくつかの実施形態では、線形供給源は、ｘ−ｙ平面内の非線形経路に沿って移動する。
【０１０９】
いくつかの実施形態では、供給源１０４は、二次元配置のノズルを含み、二次元配置のノズルの各々は、複数のノズルが共同で基板表面の領域にわたって実質的に均一な気化原子の流れをもたらすように円錐形の蒸気プルームをそれぞれ放出する。いくつかの実施形態では、位置決めシステム２１２は、堆積の均一性を促進するために二次元配置のノズルを移動させる。いくつかの実施形態では、堆積の均一性を促進するために、二次元配置のノズルが面内で回転される。
【０１１０】
いくつかの実施形態では、供給源１０４は、その上面にわたって分布している材料の層１１６を含む二次元平面供給源である。供給源は、この上面が基板１０２と平行で対面するように配置されている。加熱すると、材料１１６は、平面全体で均一に気化する。本発明の実施形態で使用するのに適した例示的な平面蒸着源は、Ｔｕｎｇらによる「新規な平面蒸着技術を使用することによるＯＬＥＤ製造」（Ｉｎｔ．  Ｊ．  ｏｆ  Ｐｈｏｔｏｅｎｅｒｇｙ，  Ｖｏｌ．  ２０１４（１８），  ｐｐ．  １−８  （２０１４））に開示され、これは、参照により本明細書に組み込まれる。
【０１１１】
いくつかの実施形態では、材料１１６が表面１１４の二次元領域にわたって堆積する均一性を向上させるために、位置決めシステム２１２は、基板／マスクの組合せ及び供給源の少なくとも１つを動かすことによって、供給源１０４と基板１０２及びシャドーマスク１０６の組合せとの間に相対移動を与える。
【０１１２】
本明細書は、本発明によるいくつかの実施形態を教示しているだけであり、本明細書を読んだ後に当業者によって本発明の多くの変形例が容易に考案され得ること、及び本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定されることが理解されるべきである。
【符号の説明】
【０１１３】
１００  システム
１０２  基板
１０４  供給源
１０６  シャドーマスク
１０８  平面
１１０  法線軸
１１２  画素領域
１１４  表面
１１５  背面
１１６  材料
１１８  平面
１２０  開口部
１２２  気化原子
１２４  蒸気プルーム
１２６  伝播方向
１２８  法線方向
２００  システム
２０２  真空チャンバ
２０４  基板チャック
２０６  マスクチャック
２０８  コリメータ
２１０  コリメータチャック
２１２  位置決めシステム
２１４  蒸気柱
２１６  堆積領域
２２４  操作基板
２２６  膜
２２８  貫通孔パターン
２３０  前面
２３２  背面
２３６  制御信号
２３８  制御信号
２４０  コントローラ
４０２  フレーム
４０４−１  電極
４０４−２  電極
４０６  パッド
４０８  開口部
４１０  装着面
６００  マスクチャック
６０２  パッド
６０４  装着面
６０６  内縁部
６０８  外縁部
６１０  平面
６１２  平面
６１４  点
６１６  点
６１８  マスクチャック
６２０  パッド
６２２  装着面
７００  マスクチャック
７０２  支持格子
７０４  プレート
７０６  支持リブ
７０８  上面
７１０  平面
８０２  プラテン
８０４−１  電極
８０４−２  電極
８０６  基板
８０８  誘電体層
８１０  装着面
９０２  領域
１１０２  本体
１１０４  チャネル
１１０６  壁
【図１】
2019517623.tif 000003
【図２】
2019517623.tif 000004
【図３】
2019517623.tif 000005
【図４Ａ】
2019517623.tif 000006
【図４Ｂ】
2019517623.tif 000007
【図５】
2019517623.tif 000008
【図６Ａ】
2019517623.tif 000009
【図６Ｂ】
2019517623.tif 000010
【図７Ａ】
2019517623.tif 000011
【図７Ｂ】
2019517623.tif 000012
【図８Ａ】
2019517623.tif 000013
【図８Ｂ】
2019517623.tif 000014
【図９】
2019517623.tif 000015
【図１０】
2019517623.tif 000016
【図１１Ａ】
2019517623.tif 000017
【図１１Ｂ】
2019517623.tif 000018
【図１１Ｃ】
2019517623.tif 000019
【国際調査報告】
2019517623.tif 000020
2019517623.tif 000021
2019517623.tif 000022