(57)【要約】  本発明の一実施例は、平均粒度が５〜４００ｎｍの炭素族非酸化物ナノ粒子を含む抗菌剤およびその製造方法を提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒度が５〜４００ｎｍの炭素族非酸化物ナノ粒子を含む、抗菌剤。
【請求項２】
前記炭素族非酸化物ナノ粒子の表面に形成された第１酸化物層をさらに含む、請求項１に記載の抗菌剤。
【請求項３】
前記炭素族非酸化物ナノ粒子は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ、ＣおよびＳｎよりなる群から選ばれた一つ、または二つ以上の合金または化合物である、請求項１に記載の抗菌剤。
【請求項４】
前記炭素族非酸化物ナノ粒子の表面に形成された炭素層をさらに含む、請求項１に記載の抗菌剤。
【請求項５】
前記炭素層の厚さは、１００ｎｍ以下である、請求項４に記載の抗菌剤。
【請求項６】
前記第１酸化物層の表面にカルボキシル基、ヒドロキシル基およびアルコキシ基よりなる群から選ばれた一つ以上の官能基が結合した、請求項２に記載の抗菌剤。
【請求項７】
前記第１酸化物層の表面に形成されたホウ素酸化物からなる第２酸化物層をさらに含む、請求項２に記載の抗菌剤。
【請求項８】
（ａ）第１酸化物層が形成された炭素族非酸化物ナノ粒子を製造する段階と；
（ｂ１）前記炭素族非酸化物ナノ粒子をアルコール、カルボン酸、ホウ酸水溶液および水よりなる群から選ばれた一つと混合して、混合液を製造する段階と；
（ｃ１）前記混合液に超音波を印加する段階と；を含む抗菌剤の製造方法。
【請求項９】
（ａ）第１酸化物層が形成された炭素族非酸化物ナノ粒子を製造する段階と；
（ｂ２）前記炭素族非酸化物ナノ粒子をホウ酸および有機溶媒を含む第１溶液と混合して、第１混合液を製造する段階と；
（ｃ２）前記第１混合液に超音波を印加して、前記第１酸化物層上にホウ素酸化物からなる第２酸化物層が形成された炭素族非酸化物ナノ粒子を収得する段階と；
（ｄ）前記炭素族非酸化物ナノ粒子をアルコール、カルボン酸、ホウ酸水溶液および水よりなる群から選ばれた一つと混合して、第２混合液を製造する段階と；
（ｅ）前記第２混合液に超音波を印加する段階と；を含む抗菌剤の製造方法。
【請求項１０】
前記段階（ａ）は、炭素族元素を含む一つ以上の原料ガスと触媒ガスを含む混合ガスにレーザーを照射して行われる、請求項８または９に記載の抗菌剤の製造方法。
【請求項１１】
前記触媒ガスは、六フッ化硫黄である、請求項１０に記載の抗菌剤の製造方法。
【請求項１２】
前記段階（ａ）後に、前記炭素族非酸化物ナノ粒子および炭素系ガスを含む混合物にレーザーを照射して、前記炭素族非酸化物ナノ粒子の表面に炭素層を形成する段階をさらに含む、請求項８または９に記載の抗菌剤の製造方法。
【請求項１３】
前記段階（ｂ２）で前記有機溶媒は、非極性である、請求項９に記載の抗菌剤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭素族非酸化物ナノ粒子を含む抗菌剤およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭素族（４Ａ族または１４族）元素ナノ粒子は、次世代シリコン基盤光電子素子（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）としての応用とナノ素子開発の核心要素として多くの研究者に高い関心の対象になっているが、炭素族ナノ粒子は、ディスプレイの電界効果トランジスター（ＴＦＴ）、ＰＮ接合を用いた太陽電池、ダイオードおよび生体の標識剤などにその応用範囲が非常に広い。
【０００３】
従来、炭素族の一つであるシリコンナノ粒子を製造する最も一般的な方法として、シリコンテトラクロライド、トリエチルオルトシリケートのようなシリコンソースを化学的な方法で還元する方法が用いられたが、この方法は、シリコンナノ粒子の過度なキャッピング、シリコンナノ粒子の酸化および焼結過程後の炭素などの不純物が残存する問題がある。
【０００４】
このような問題点を解決するために、ｖａｐｏｒ−ｌｉｑｕｉｄ−ｓｏｌｉｄ（ＶＬＳ）またはｓｏｌｉｄ−ｌｉｑｕｉｄ−ｓｏｌｉｄ（ＳＬＳ）によりシリコンソースを蒸着する方法が用いられているが、この方法も、シリコンソースが高い圧力、高い温度で蒸着されて、反応条件が苛酷であると共に、ハンドリングが難しく、高価の装備が必要であり、シリコンナノ粒子の収率も低いという問題がある。
【０００５】
一方、従来、シリコンのような炭素族ナノ粒子は、主に電子製品などに適用され、炭素族ナノ粒子の表面を改質して抗菌剤として使用した例はなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１２−００１０９０１号公報（２０１２．０２．０６）
【特許文献２】韓国公開特許第１０−２０１４−００７２６６３号公報（２０１４．０６．１３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前述した従来技術の問題点を解決するためのもので、本発明の目的は、少量でも優れた抗菌効果を示し、製造工程が簡素で、製造コストが安い炭素族非酸化物ナノ粒子を含む抗菌剤およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、平均粒度が５〜４００ｎｍの炭素族非酸化物ナノ粒子を含む抗菌剤を提供する。
【０００９】
本発明の炭素族非酸化物ナノ粒子は、従来、有機抗菌剤に次ぐ顕著に優れた抗菌効果を示すことを知見し、本発明を完成した。
【００１０】
本明細書に使用される用語「炭素族非酸化物ナノ粒子」は、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのうち少なくとも一つの炭素族（１４族）元素を含み、必要に応じて、Ｂをさらに含む粒子を意味し、異種の炭素族元素が合金されるか、少なくとも一つの炭素族元素にホウ素（Ｂ）が合金された粒子、異種の炭素族元素からなる化合物、および炭素族元素とホウ素からなる化合物を含む概念として理解され得る。
【００１１】
例えば、前記炭素族非酸化物ナノ粒子は、Ｓｉナノ粒子、Ｓｉ／Ｂ合金ナノ粒子、ＳｉＢｘナノ粒子、Ｓｉ／Ｃ合金ナノ粒子、Ｓｉ／Ｇｅ合金ナノ粒子、Ｓｉ／Ｇｅ／Ｂ合金ナノ粒子、Ｓｉ／Ｇｅ／Ｃ合金ナノ粒子、Ｇｅナノ粒子、Ｇｅ／Ｂ合金ナノ粒子、ＧｅＢｘナノ粒子、Ｇｅ／Ｃ合金ナノ粒子、Ｃ／Ｂ合金ナノ粒子、ＣＢ４ナノ粒子、Ｓｎナノ粒子であってもよい。
【００１２】
本明細書に使用される用語「非酸化物ナノ粒子」は、実質的に酸素元素（Ｏ）を含まない粒子を意味し、自然的に発生した酸化反応により非酸化物ナノ粒子の表面に生成された酸化物層（ｏｘｉｄｅ  ｌａｙｅｒ、第１酸化物層）を含む概念として理解され得る。
【００１３】
前記第１酸化物層の厚さは、好ましくは１ｎｍであってもよい。前記第１酸化物層が１ｎｍ以下の厚さで形成された炭素族非酸化物ナノ粒子は、アルコール、カルボン酸、水などとの反応性が高いので、表面がアルコキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基で改質される効率性が向上し、粒子間の電気的反発力による分散性に優れている。
【００１４】
前記炭素族非酸化物ナノ粒子の抗菌効果は、次のようなメカニズムにより具現され得る。まず、細菌の表面には、抗原物質が存在するが、シリコンナノ粒子などの炭素族非酸化物ナノ粒子がこのような細菌に接触、吸着すると、抗原物質が凝集源として作用してそれらに対する抗体である凝集素と結合して群集を成すことになる。細菌表面に吸着した炭素族非酸化物ナノ粒子は、細菌のリン脂質運動（収縮、膨張）により細菌内部に浸透して細菌の死滅が生じ得る。また、前記炭素族非酸化物ナノ粒子は、細菌の生存に必要な栄養素として作用することができる。細菌は、無機栄養素を摂取するために、細菌が群集されたリン脂質は、収縮と膨張を繰り返しながら炭素族非酸化物ナノ粒子を吸収しようとするが、ナノ粒子のサイズに起因してリン脂質の間にひっかかることになる。これにより、リン脂質間の間隙が徐々に増加して、細菌内部の電解質などが外部に排出されて、細菌の死滅が生じ得る。
【００１５】
前記炭素族非酸化物ナノ粒子の平均粒度は、５〜４００ｎｍであってもよい。前記炭素族非酸化物ナノ粒子の平均粒度が５ｎｍ未満なら、ナノ粒子の製造時に任意的な粒子凝集が発生することがあり、４００ｎｍ超なら、前記メカニズムによる細胞死滅効果を具現することができない。
【００１６】
図１〜図４は、本発明の一実施例によるシリコン非酸化物ナノ粒子からなる抗菌剤を５０ｐｐｍの黄色ブドウ球菌と接触させる前、接触直後、抗菌処理２４時間後のＳＥＭイメージである。
【００１７】
図２から黄色ブドウ球菌に抗菌処理直後にシリコン非酸化物ナノ粒子が細菌に接触、吸着する様子を確認することができ、図３から抗菌処理後に黄色ブドウ球菌が死滅した様子を確認することができる。また、図４を参照して抗菌処理前と２４時間後の結果を比較してみると、抗菌処理前に、黄色ブドウ球菌は５００ｎｍの球形を有するが、抗菌処理後に、シリコン非酸化物ナノ粒子が接触、吸着することにより、球形がゆがんでいて、細菌が死滅した。
【００１８】
また、前記炭素族非酸化物ナノ粒子は、粒子の表面に一定の厚さ、例えば、１００ｎｍ以下、好ましくは１〜１００ｎｍ、より好ましくは１〜１０ｎｍの炭素層が形成されたナノ粒子であってもよい。前記炭素層は、炭素族非酸化物ナノ粒子と空気の接触による過酸化およびそれによる前記第１酸化物層の厚膜化を防止して、炭素族非酸化物ナノ粒子の抗菌性能が安定して具現されるようにする。前記炭素層の厚さが１ｎｍ未満なら、ナノ粒子と空気の接触を適切に遮断しにくく、１００ｎｍ超過なら、ナノ粒子が過度に肥大化して、前記メカニズムによる細胞死滅効果を具現することができない。
【００１９】
一方、前記第１酸化物層の表面に結合したカルボキシル基、ヒドロキシル基およびアルコキシ基よりなる群から選ばれた一つ以上の官能基をさらに含むことができる。
【００２０】
前記カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基は、前記炭素族非酸化物ナノ粒子をアルコール、カルボン酸、ホウ酸水溶液、水などで処理することにより、前記炭素族非酸化物ナノ粒子の表面、具体的に、前記第１酸化物層の表面に結合することができる。
【００２１】
前記官能基が表面に結合した炭素族非酸化物ナノ粒子は、優れた抗菌効果を示すと共に、製造工程が簡素化され、少量の使用でも優れた抗菌効果を示すので、各種電子製品、衣類、カバンおよび靴などのような多様な製品に対して優れた塗布力を有するので、汎用性、安定性に優れている。
【００２２】
前記第１酸化物層の表面に形成されたホウ素酸化物からなる第２酸化物層をさらに含むことができる。前記第２酸化物層は、炭素族非酸化物ナノ粒子と空気の接触による過酸化およびそれによる前記第１酸化物層の厚膜化を防止して、炭素族非酸化物ナノ粒子の抗菌性能が安定して具現されるようにする。
【００２３】
必要に応じて、前記抗菌剤は、水などにより一定の濃度、例えば、１〜１，０００ｐｐｍの濃度で希釈された溶液の形態で提供され得るが、前記抗菌剤が希釈され得る媒質の種類は、特に制限されない。
【００２４】
図５を参照すると、本発明の他の態様は、（ａ）第１酸化物層が形成された炭素族非酸化物ナノ粒子を製造する段階と；（ｂ１）前記炭素族非酸化物ナノ粒子をアルコール、カルボン酸、ホウ酸水溶液および水よりなる群から選ばれた一つと混合して、混合液を製造する段階と；（ｃ１）前記混合液に超音波を印加する段階と；を含む抗菌剤の製造方法を提供する。
【００２５】
図６を参照すると、本発明のさらに他の態様は、（ａ）第１酸化物層が形成された炭素族非酸化物ナノ粒子を製造する段階と；（ｂ２）前記炭素族非酸化物ナノ粒子をホウ酸および有機溶媒を含む第１溶液と混合して、第１混合液を製造する段階と；（ｃ２）前記第１混合液に超音波を印加して、前記第１酸化物層上にホウ素酸化物からなる第２酸化物層が形成された炭素族非酸化物ナノ粒子を収得する段階と；（ｄ）前記炭素族非酸化物ナノ粒子をアルコール、カルボン酸、ホウ酸水溶液および水よりなる群から選ばれた一つと混合して、第２混合液を製造する段階と；（ｅ）前記第２混合液に超音波を印加する段階と；を含む抗菌剤の製造方法を提供する。
【００２６】
前記段階（ａ）は、炭素族元素を含む一つ以上の原料ガスと六フッ化硫黄触媒ガスを含む混合ガスにレーザーを照射して行われ得る。
【００２７】
前記段階（ｂ）で使用可能なアルコール、カルボン酸は、１，１０−テカンジオール、１，２−プロパンジオール、１，２−ヘキサンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，８−オクタンジオール、１−デカノール、２，２，４−トリメチルペンタンジオール、２−ブトキシエタノール、２−ブロモペンタン酸、２−ブロモヘキサデカン酸、２−ブロモヘキサン酸、２−エチルヘキサン酸、２−クロロブタン酸、２−プロパンジオール、２−プロペン酸、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、ＤＨＡ、ガレナミン、ガラクトース、ガランタミン、クエン酸、グリシン、グルコネート、グルコース、グルタル酸、グルタミン、グリセロール、グリシレチン酸、グリシリジン酸ジカリウム、グリシン、ナトリウムグルコネート、ナトリウムカルボキシメチルセルロース、ネオマイシンサルフェート、ネオペンチルグリコール、ドキソルビシン、ジグリセリド、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ラノリン、乳酸、レチノール、リノール酸、マレイン酸、メタクリル酸、メタノール、メトキシプロパノール、メトホルミン、メチレンクロライド、メントール、モノグリセリド、ミネラルオイル、ワセリン、β-フェニルエチルアルコール、安息香酸、ベンジルアルコール、ブタノール、ブチルフェノール、酪酸、ブチルヒドロキシアニソール（ＢＨＡ）、ブロメライン、ビスフェノールＡ、ビタミンＣ、ビタミンＤ、シクロピロクス、生理食塩水、セラペプターゼ、セテアリルアルコール、セチルアルコール、セルロース、クエン酸ナトリウム、ソルビトール、ソファルコン、ステアリン酸、ステアリルアルコール、アジピン酸、アリルアルコール、アミノレブリン酸、アミノアルコール、アセクロフェナク、酢酸、アセトアミノフェン、アセチルサリチル酸、アズレン、アルギン酸、イライト、アレンドロン酸、エルゴステロール、エタノール、エチレングリコール、エチレンビニルアルコール、オクタノール、オイゲノール、イブプロフェン、イソペンチルジオール、イソプロピルアルコール、イソフタル酸、イタコン酸、キシリトール、カルバゾクロム、カルシトリオール、クロチルアルコール、クロロキシレノール、プロピオン酸クロベタゾール、タンニン酸、テレフタル酸、トラネキサム酸、トリアムシノロンアセトニド、チモール、パルミトオレイン酸、フェノキシエタノール、ペクチン、ペンタエリスリトール、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリエステルポリオール、ポリエチレングリコール、フシジン酸、プレドニゾロン、プロパノール、プロポリス、プロピオン酸、プロピレングリコール、フィブロイン、ヘパリン、ヘキサンジオール、フルベンダゾール、ヒノキチオール、およびヒアルロン酸よりなる群から選ばれた一つ以上であってもよいが、これらに限定されるものではない。
【００２８】
前記段階（ａ）後に、前記炭素族非酸化物ナノ粒子および炭素系ガス、例えば、アセチレンガスまたはエチレンガスを含む混合物にレーザーを照射して前記炭素族非酸化物ナノ粒子の表面に炭素層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００２９】
前記段階（ｂ２）で、前記有機溶媒は、非極性であってもよい。前記有機溶媒が非極性である場合、下記反応式Ａによって前記段階（ｃ２）で前記第１酸化物層の上にホウ素酸化物からなる第２酸化物層が生成され得る。他方で、前記段階（ｂ２）で、水のような極性溶媒に溶解したホウ酸溶液を処理する場合、ホウ素酸化物からなる更なる酸化物層が生成されるものではなく、ホウ酸由来のヒドロキシル基が前記第１酸化物層の表面に結合することになる。
【００３０】
【化１】
2019524869.tif 000003
【００３１】
前記段階（ｃ１）または（ｃ２）で、一定時間、例えば、４〜６分間超音波を印加することにより、前記炭素族非酸化物ナノ粒子の表面に官能基を結合させることができる。
【００３２】
前記超音波により前記炭素族非酸化物ナノ粒子の表面がアルコキシ基で改質される過程は、下記反応式Ｂの通りである。
【００３３】
【化２】
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【００３４】
（Ｒは、アルキル基またはアルキルケトン基、芳香族または芳香族ケトン基である）。
【００３５】
前記超音波の照射時間が４分未満なら、炭素族非酸化物ナノ粒子の表面に対する官能基の結合効率が低下し得、６分超過なら、必要以上の超音波が印加されるので、エネルギー効率が低下し得る。
【００３６】
前記超音波の周波数は、特に限定されず、通常使用される超音波の周波数であれば、いずれのものでも使用可能であるが、２０〜１００ｋＨｚの周波数範囲の超音波を使用することが好ましい。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の一態様による抗菌剤およびその製造方法は、優れた抗菌効果を示す抗菌剤組成物を提供し、酸化層が薄く形成された炭素族非酸化物ナノ粒子が使用されて、分散剤や別途の添加剤を使用する必要がないので、製造コストが安く、製造工程が簡素化される顕著な効果を示す。
【００３８】
また、少量でも優れた抗菌効果を示す官能基置換された炭素族非酸化物ナノ粒子を含有する抗菌剤は、表面張力が低く、塗布力に優れているので、各種電子製品、衣類、カバンおよび靴などのような多様な製品に適用され得、新薬の開発や樹脂、化粧品などにも使用され得る。
【００３９】
本発明の効果は、上記した効果に限定されるものではなく、本発明の詳細な説明または請求範囲に記載された発明の構成から推論可能なすべての効果を含むものと理解されなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、本発明の一実施例による抗菌剤と黄色ブドウ球菌を接触させる前のＳＥＭイメージである。
【図２】図２は、本発明の一実施例による抗菌剤と黄色ブドウ球菌を接触させた直後のＳＥＭイメージである。
【図３】図３は、本発明の一実施例による抗菌剤と黄色ブドウ球菌を接触させた後に２４時間経過後のＳＥＭイメージである。
【図４】図４は、本発明の一実施例による抗菌剤と黄色ブドウ球菌の接触前および２４時間接触後を対比したＳＥＭイメージである。
【図５】図５は、本発明の一実施例による抗菌剤の製造方法を図式化したものである。
【図６】図６は、本発明の他の一実施例による抗菌剤の製造方法を図式化したものである。
【図７】図７は、本発明の一実施例によるシリコンナノ粒子のＴＥＭイメージである。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下では、添付の図面を参照して本発明を説明することとする。しかしながら、本発明は、様々な異なる形態で具現され得、したがって、ここで説明する実施例に限定されるものではない。そして、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略した。
【００４２】
明細書全般において、任意の部分が他の部分と「連結」されているというとき、これは、「直接に連結」されている場合だけでなく、その中間に他の部材を介して「間接に連結」されている場合も含む。また、任意の部分が或る構成要素を「含む」というとき、これは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに備えることができることを意味する。
【００４３】
以下、本発明の実施例について詳細に説明することとする。
【００４４】
製造例１
シリコンナノ粒子は、下記反応式１のうち（１）または（２）によって製造され得る。
【００４５】
【化３】
2019524869.tif 000005
【００４６】
原料ガス供給ノズルを介して原料ガスであるモノシラン（ＳｉＨ４）１００体積部、制御ガスである窒素（Ｎ２）４００体積部、および六フッ化硫黄（ＳＦ６）触媒ガス４０体積部を混合した混合ガスを、内部圧力が５００ｔｏｒｒの反応チャンバーの内部に供給し、反応チャンバーの内部に供給された混合ガスにＣＯ２レーザー発生器で発生させたレーザーを、レーザー照射部を用いて波長が１０．６μｍの連続波のラインビーム形態で３時間の間照射して、酸化層が形成されたシリコンナノ粒子（Ｓｉ−ＮＰｓ）を製造した。
【００４７】
図７を参照すると、製造された酸化層が形成されたシリコンナノ粒子の平均粒度は、５〜４００ｎｍであり、酸化層の厚さは、０．３２ｎｍであり、生成収率は、９７．１％である。
【００４８】
製造例２
シリコン−ホウ素合金ナノ粒子またはホウ化ケイ素ナノ粒子は、下記反応式２によって製造され得る。
【００４９】
【化４】
2019524869.tif 000006
【００５０】
モノシラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、窒素を混合して、反応チャンバーの内部に注入して、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、ジボランは、触媒ガスおよび原料ガスとして作用し、１０．６μｍの波長で吸収したエネルギーが効率的にモノシランに伝達され、モノシランのＳｉ−Ｈ結合がよく切れるようにして、シリコン−ホウ素合金ナノ粒子（ＳｉＢｘ−ＮＰｓ）を生成させる。
【００５１】
また、ジボランは、ホウ素と水素原子とに分解して、ホウ素は、シリコンナノ粒子と合金を成し、シリコンの酸化を防止する。原料ガスであるモノシランは、全体体積（原料ガスおよび触媒ガスを合わせた体積）の９０％以上であり、触媒ガスは、全体体積の１０％以下の範囲で調節する。また、キャリアガスである窒素は、原料ガスであるモノシランに対して４００体積部を超えないようにする。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応チャンバーの内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲で平均粒度が５〜４００ｎｍであり、酸化層の厚さが０．５７ｎｍであるシリコン−ホウ素合金ナノ粒子（ＳｉＢｘ−ＮＰｓ）が製造される。
【００５２】
製造例３
シリコン−炭素合金ナノ粒子または炭化ケイ素ナノ粒子は、下記反応式３のうち（１）または（２）によって製造され得る。
【００５３】
【化５】
2019524869.tif 000007
【００５４】
モノシラン（ＳｉＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、窒素を混合して、反応チャンバーの内部に注入して、ＣＯ２レーザービームを照射する。アセチレンは、炭素と水素原子とに分解して、炭素は、シリコンナノ粒子と合金を成し、シリコンの酸化を防止する。原料ガスであるモノシランおよびアセチレンは、それぞれ２：１の体積比で注入される。また、キャリアガスである窒素は、原料ガスであるモノシランに対して４００体積部を超えないようにする。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応チャンバーの内部の工程圧力は、１００〜５００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲で平均粒度が５〜４００ｎｍであり、酸化層の厚さが０．５３ｎｍであるシリコン−炭素合金ナノ粒子（ＳｉＣ−ＮＰｓ）が製造される。
【００５５】
製造例４
シリコン−ゲルマニウム合金ナノ粒子は、下記反応式４のうち（１）または（２）によって製造され得る。
【００５６】
【化６】
2019524869.tif 000008
【００５７】
原料ガス供給ノズルを介して原料ガスであるゲルマン（ＧｅＨ４）１００体積部（原料ガス１）、モノシラン（ＳｉＨ４）１００体積部（原料ガス２）、およびキャリアガスである窒素（Ｎ２）４００体積部を混合した混合ガスを、内部圧力が１００〜５００ｔｏｒｒである反応チャンバーの内部に供給し、反応チャンバーの内部に供給された混合ガスにＣＯ２レーザー発生器で発生させたレーザーを、照射部を用いて波長が１０．６μｍである連続波のラインビーム形態で３時間の間照射して、シリコン−ゲルマニウム合金ナノ粒子（ＳｉＧｅ−ＮＰｓ）を製造した。ＳｉＧｅ−ＮＰｓの平均粒度は、５〜４００ｎｍであり、その表面に形成された酸化層の厚さは、０．４７ｎｍである。
【００５８】
製造例５
シリコン−ゲルマニウム−ホウ素合金ナノ粒子は、下記反応式５によって製造され得る。
【００５９】
【化７】
2019524869.tif 000009
【００６０】
原料ガス供給ノズルを介して原料ガスであるモノシラン（ＳｉＨ４）１００体積部、ゲルマン（ＧｅＨ４）１００体積部、およびジボラン（Ｂ２Ｈ６）４０〜８０体積部とキャリアガスである窒素（Ｎ２）４００体積部を混合した混合ガスを、内部圧力が８０〜４００ｔｏｒｒである反応チャンバーの内部に供給し、反応チャンバーの内部に供給された混合ガスにＣＯ２レーザー発生器で発生させたレーザーを、照射部を用いて波長が１０．６μｍである連続波のラインビーム形態で３時間の間照射して、シリコン−ゲルマニウム−ホウ素合金ナノ粒子（ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ）を製造した。ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓの平均粒度は、５〜４００ｎｍであり、その表面に形成された酸化層の厚さは、０．７５ｎｍである。
【００６１】
製造例６
シリコン−ゲルマニウム−炭素合金ナノ粒子は、下記反応式６によって製造され得る。
【００６２】
【化８】
2019524869.tif 000010
【００６３】
原料ガス供給ノズルを介して原料ガスであるモノシラン（ＳｉＨ４）１００体積部、ゲルマン（ＧｅＨ４）１００体積部、およびアセチレン（Ｃ２Ｈ２）４０〜８０体積部とキャリアガスである窒素（Ｎ２）４００体積部を混合した混合ガスを、内部圧力が８０〜４００ｔｏｒｒである反応チャンバーの内部に供給し、反応チャンバーの内部に供給された混合ガスにＣＯ２レーザー発生器で発生させたレーザーを、照射部を用いて波長が１０．６μｍである連続波のラインビーム形態で３時間の間照射して、シリコン−ゲルマニウム−炭素合金ナノ粒子（ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ）を製造した。ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓの平均粒度は、５〜４００ｎｍであり、その表面に形成された酸化層の厚さは、０．６８ｎｍである。
【００６４】
製造例７
ゲルマニウムナノ粒子は、下記反応式７のうち（１）または（２）によって製造され得る。
【００６５】
【化９】
2019524869.tif 000011
【００６６】
原料ガス供給ノズルを介して原料ガスであるゲルマン（ＧｅＨ４）１００体積部、制御ガスである水素（Ｈ２）４００体積部、および六フッ化硫黄（ＳＦ６）触媒ガス４０体積部を混合した混合ガスを、内部圧力が５００ｔｏｒｒである反応チャンバーの内部に供給し、反応チャンバーの内部に供給された混合ガスにＣＯ２レーザー発生器で発生させたレーザーを、レーザー照射部を用いて波長が１０．６μｍである連続波のラインビーム形態で３時間の間照射して、酸化層が形成されたゲルマニウムナノ粒子（Ｇｅ−ＮＰｓ）を製造した。
【００６７】
製造された酸化層が形成されたゲルマニウムナノ粒子の平均粒度は、５〜４００ｎｍであり、酸化層の厚さは、０．４７ｎｍであり、生成収率は、９８．７％である。
【００６８】
製造例８
ゲルマニウム−ホウ素合金ナノ粒子またはホウ化ゲルマニウムナノ粒子は、下記反応式８によって製造され得る。
【００６９】
【化１０】
2019524869.tif 000012
【００７０】
原料ガス供給ノズルを介して原料ガスであるゲルマン（ＧｅＨ４）１００体積部、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）４０〜８０体積部、およびキャリアガスである窒素（Ｎ２）４００体積部を混合した混合ガスを、内部圧力が１００〜４００ｔｏｒｒである反応チャンバーの内部に供給し、反応チャンバーの内部に供給された混合ガスにＣＯ２レーザー発生器で発生させたレーザーを、照射部を用いて波長が１０．６μｍである連続波のラインビーム形態で３時間の間照射して、ゲルマニウム−ホウ素合金ナノ粒子（ＧｅＢｘ−ＮＰｓ）を製造した。ＧｅＢｘ−ＮＰｓの粒度は、５〜４００ｎｍであり、その表面に形成された酸化層の厚さは、０．５２ｎｍである。
【００７１】
製造例９
ゲルマニウム−炭素合金ナノ粒子または炭化ゲルマニウムナノ粒子は、下記反応式９のうち（１）または（２）によって製造され得る。
【００７２】
【化１１】
2019524869.tif 000013
【００７３】
ゲルマン（ＧｅＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、窒素を混合して、反応チャンバーの内部に注入して、ＣＯ２レーザービームを照射する。アセチレンは、炭素と水素原子とに分解して、炭素は、シリコンナノ粒子と合金を成し、シリコンの酸化を防止する。原料ガスであるゲルマンおよびアセチレンは、それぞれ２：１の体積比で注入される。また、キャリアガスである窒素は、原料ガスであるシランガスに対して４００体積部を超えないようにする。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応チャンバーの内部の工程圧力は、１００〜５００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲で平均粒度が５〜４００ｎｍであり、酸化層の厚さが０．５８ｎｍであるゲルマニウム−炭素合金ナノ粒子（ＧｅＣ−ＮＰｓ）が製造される。
【００７４】
製造例１０
炭素−ホウ素合金ナノ粒子または炭化ホウ素ナノ粒子は、下記反応式１０によって製造され得る。
【００７５】
【化１２】
2019524869.tif 000014
【００７６】
原料ガス供給ノズルを介して原料ガスであるアセチレン（Ｃ２Ｈ２）１００体積部、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）４００体積部、およびキャリアガスである窒素（Ｎ２）４００体積部を混合した混合ガスを、内部圧力が１００〜４００ｔｏｒｒである反応チャンバーの内部に供給し、反応チャンバーの内部に供給された混合ガスにＣＯ２レーザー発生器で発生させたレーザーを、照射部を用いて波長が１０．６μｍである連続波のラインビーム形態で３時間の間照射して、炭素−ホウ素合金ナノ粒子（ＣＢｘ−ＮＰｓ）を製造した。ＣＢｘ−ＮＰｓの粒度は、５〜４００ｎｍであり、その表面に形成された酸化層の厚さは、０．４６ｎｍである。
【００７７】
製造例１１
アセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）および窒素を混合して、反応器チャンバーの内部に注入し、反応器チャンバーの内部に製造例１の５〜４００ｎｍのＳｉ−ＮＰｓを流した後、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、アセチレンガスのＣ−Ｈ結合がＳｉ−ＮＰｓの表面に炭素層を生成させることができる。窒素ガスは、Ｓｉ−ＮＰｓの酸化を防止する。
【００７８】
原料ガスであるアセチレンガスは、全体体積部（アセチレンガスおよび窒素ガスを合わせた体積部）の６０以上を含有し、窒素ガスは、全体体積部の４０以上を超えない範囲に調節する。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応器チャンバー内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲でＳｉ−ＮＰｓに炭素をコートすると（Ｃ＠Ｓｉ−ＮＰｓ）、内部コアは、５〜４００ｎｍのサイズを有するＳｉ−ＮＰｓであり、表面に１〜１００ｎｍの範囲の炭素層が形成される。
【００７９】
アセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）および窒素を混合して、反応器チャンバーの内部に注入し、反応器チャンバーの内部に製造例２の５〜４００ｎｍの製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓを流した後、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、アセチレンガスのＣ−Ｈ結合がＳｉＢ４−ＮＰｓの表面に炭素層を生成させることができる。窒素ガスは、ＳｉＢ４−ＮＰｓの酸化を防止する。
【００８０】
原料ガスであるアセチレンガスは、全体体積部（アセチレンガスおよび窒素ガスを合わせた体積部）の６０以上を含有し、窒素ガスは、全体体積部の４０以上を超えない範囲に調節する。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応器チャンバー内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲でＳｉＢ４−ＮＰｓに炭素をコートすると（Ｃ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓ）、内部コアは、５〜４００ｎｍのサイズを有するＳｉＢ４−ＮＰｓであり、表面に１〜１００ｎｍの範囲の炭素層が形成される。
【００８１】
製造例１３
アセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）および窒素を混合して、反応器チャンバーの内部に注入し、反応器チャンバーの内部に製造例３の５〜４００ｎｍの製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓを流した後、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、アセチレンガスのＣ−Ｈ結合がＳｉＣ−ＮＰｓの表面に炭素層を生成させることができる。窒素ガスは、ＳｉＣ−ＮＰｓの酸化を防止する。
【００８２】
原料ガスであるアセチレンガスは、全体体積部（アセチレンガスおよび窒素ガスを合わせた体積部）の６０以上を含有し、窒素ガスは、全体体積部の４０以上を超えない範囲に調節する。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応器チャンバー内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲でＳｉＣ−ＮＰｓに炭素をコートすると（Ｃ＠ＳｉＣ−ＮＰｓ）、内部コアは、５〜４００ｎｍのサイズを有するＳｉＣ−ＮＰｓであり、表面に１〜１００ｎｍの範囲の炭素層が形成される。
【００８３】
製造例１４
アセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）および窒素を混合して、反応器チャンバーの内部に注入し、反応器チャンバーの内部に製造例４の５〜４００ｎｍのＳｉＧｅ−ＮＰｓを流した後、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、アセチレンガスのＣ−Ｈ結合がＳｉＧｅ−ＮＰｓの表面に炭素層を生成させることができる。窒素ガスは、ＳｉＧｅ−ＮＰｓの酸化を防止する。
【００８４】
原料ガスであるアセチレンガスは、全体体積部（アセチレンガスおよび窒素ガスを合わせた体積部）の６０以上を含有し、窒素ガスは、全体体積部の４０以上を超えない範囲に調節する。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応器チャンバー内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲でＳｉＧｅ−ＮＰｓに炭素をコートすると（Ｃ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓ）、内部コアは、５〜４００ｎｍのサイズを有するＳｉＧｅ−ＮＰｓであり、表面に１〜１００ｎｍの範囲の炭素層が形成される。
【００８５】
製造例１５
アセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）および窒素を混合して、反応器チャンバーの内部に注入し、反応器チャンバーの内部に製造例５の５〜４００ｎｍのＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを流した後、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、アセチレンガスのＣ−Ｈ結合がＳｉＧｅＢ−ＮＰｓの表面に炭素層を生成させることができる。窒素ガスは、ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓの酸化を防止する。
【００８６】
原料ガスであるアセチレンガスは、全体体積部（アセチレンガスおよび窒素ガスを合わせた体積部）の６０以上を含有し、窒素ガスは、全体体積部の４０以上を超えない範囲に調節する。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応器チャンバー内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲でＳｉＧｅＢ−ＮＰｓに炭素をコートすると（Ｃ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ）、内部コアは、５〜４００ｎｍのサイズを有するＳｉＧｅＢ−ＮＰｓであり、表面に１〜１００ｎｍの範囲の炭素層が形成される。
【００８７】
製造例１６
アセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）および窒素を混合して、反応器チャンバーの内部に注入し、反応器チャンバーの内部に製造例６の５〜４００ｎｍのＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを流した後、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、アセチレンガスのＣ−Ｈ結合がＳｉＧｅＣ−ＮＰｓの表面に炭素層を生成させることができる。窒素ガスは、ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓの酸化を防止する。
【００８８】
原料ガスであるアセチレンガスは、全体体積部（アセチレンガスおよび窒素ガスを合わせた体積部）の６０以上を含有し、窒素ガスは、全体体積部の４０以上を超えない範囲に調節する。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応器チャンバー内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲でＳｉＧｅＣ−ＮＰｓに炭素をコートすると（Ｃ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ）、内部コアは、５〜４００ｎｍのサイズを有するＳｉＧｅＣ−ＮＰｓであり、表面に１〜１００ｎｍの範囲の炭素層が形成される。
【００８９】
製造例１７
アセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）および窒素を混合して、反応器チャンバーの内部に注入し、反応器チャンバーの内部に製造例７の５〜４００ｎｍのＧｅ−ＮＰｓを流した後、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、アセチレンガスのＣ−Ｈ結合がＧｅ−ＮＰｓの表面に炭素層を生成させることができる。窒素ガスは、Ｇｅ−ＮＰｓの酸化を防止する。
【００９０】
原料ガスであるアセチレンガスは、全体体積部（アセチレンガスおよび窒素ガスを合わせた体積部）の６０以上を含有し、窒素ガスは、全体体積部の４０以上を超えない範囲に調節する。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応器チャンバー内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲でＧｅ−ＮＰｓに炭素をコートすると（Ｃ＠Ｇｅ−ＮＰｓ）、内部コアは、５〜４００ｎｍのサイズを有するＧｅ−ＮＰｓであり、表面に１〜１００ｎｍの範囲の炭素層が形成される。
【００９１】
製造例１８
アセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）および窒素を混合して、反応器チャンバーの内部に注入し、反応器チャンバーの内部に製造例８の５〜４００ｎｍのＧｅＢ４−ＮＰｓを流した後、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、アセチレンガスのＣ−Ｈ結合がＧｅＢ４−ＮＰｓの表面に炭素層を生成させることができる。窒素ガスは、ＧｅＢ４−ＮＰｓの酸化を防止する。
【００９２】
原料ガスであるアセチレンガスは、全体体積部（アセチレンガスおよび窒素ガスを合わせた体積部）の６０以上を含有し、窒素ガスは、全体体積部の４０以上を超えない範囲に調節する。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応器チャンバー内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲でＧｅＢ４−ＮＰｓに炭素をコートすると（Ｃ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓ）、内部コアは、５〜４００ｎｍのサイズを有するＧｅＢ４−ＮＰｓであり、表面に１〜１００ｎｍの範囲の炭素層が形成される。
【００９３】
製造例１９
アセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）および窒素を混合して、反応器チャンバーの内部に注入し、反応器チャンバーの内部に製造例９の５〜４００ｎｍのＧｅＣ−ＮＰｓを流した後、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、アセチレンガスのＣ−Ｈ結合がＧｅＣ−ＮＰｓの表面に炭素層を生成させることができる。窒素ガスは、ＧｅＣ−ＮＰｓの酸化を防止する。
【００９４】
原料ガスであるアセチレンガスは、全体体積部（アセチレンガスおよび窒素ガスを合わせた体積部）の６０以上を含有し、窒素ガスは、全体体積部の４０以上を超えない範囲に調節する。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応器チャンバー内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲でＧｅＣ−ＮＰｓに炭素をコートすると（Ｃ＠ＧｅＣ−ＮＰｓ）、内部コアは、５〜４００ｎｍのサイズを有するＧｅＣ−ＮＰｓであり、表面に１〜１００ｎｍの範囲の炭素層が形成される。
【００９５】
製造例２０
アセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）および窒素を混合して、反応器チャンバーの内部に注入し、反応器チャンバーの内部に製造例１０の５〜４００ｎｍのＣＢ４−ＮＰｓを流した後、ＣＯ２レーザービームを照射する。この際、アセチレンガスのＣ−Ｈ結合がＣＢ４−ＮＰｓの表面に炭素層を生成させることができる。窒素ガスは、ＣＢ４−ＮＰｓの酸化を防止する。
【００９６】
原料ガスであるアセチレンガスは、全体体積部（アセチレンガスおよび窒素ガスを合わせた体積部）の６０以上を含有し、窒素ガスは、全体体積部の４０以上を超えない範囲に調節する。ガスの流量は、ｓｃｃｍ単位を使用する。反応器チャンバー内部の工程圧力は、１００〜４００ｔｏｒｒの範囲に設定して製造する。この範囲でＣＢ４−ＮＰｓに炭素をコートすると（Ｃ＠ＣＢ４−ＮＰｓ）、内部コアは、５〜４００ｎｍのサイズを有するＣＢ４−ＮＰｓであり、表面に１〜１００ｎｍの範囲の炭素層が形成される。
【００９７】
実施例１
製造例１のＳｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＳｉ−ＮＰｓを製造した。
【００９８】
実施例２
製造例１のＳｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＳｉ−ＮＰｓを製造した。
【００９９】
実施例３
製造例１のＳｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇをイソプロピルアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、イソプロポキシ基で表面改質されたＳｉ−ＮＰｓを製造した。
【０１００】
実施例４
製造例１のＳｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＳｉ−ＮＰｓを製造した。
【０１０１】
実施例５
製造例１のＳｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇをブチルフェノール０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ブチルフェノキシ基で表面改質されたＳｉ−ＮＰｓを製造した。
【０１０２】
実施例６
製造例１のＳｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＳｉ−ＮＰｓを製造した。
【０１０３】
実施例７
製造例１のＳｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇをステアリン酸０．５ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ステアリン酸基で表面改質されたＳｉ−ＮＰｓを製造した。
【０１０４】
実施例８
製造例１のＳｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇをアセチルサリチル酸０．１ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、アセチルサリチル酸基で表面改質されたＳｉ−ＮＰｓを製造した。
【０１０５】
実施例９
製造例１のＳｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＳｉ−ＮＰｓを製造した。
【０１０６】
実施例１０
製造例１のＳｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇを有機溶媒水溶液（水とメチレンクロライドが１：１重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、水の水酸化基で表面改質されたＳｉ−ＮＰｓを製造した。
【０１０７】
実施例１１
製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１０８】
実施例１２
製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１０９】
実施例１３
製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをイソプロピルアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、イソプロポキシ基で表面改質されたＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１１０】
実施例１４
製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１１１】
実施例１５
製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをブチルフェノール０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ブチルフェノキシ基で表面改質されたＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１１２】
実施例１６
製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１１３】
実施例１７
製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをステアリン酸０．５ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ステアリン酸基で表面改質されたＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１１４】
実施例１８
製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをアセチルサリチル酸０．１ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、アセチルサリチル酸基で表面改質されたＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１１５】
実施例１９
製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１１６】
実施例２０
製造例２のＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを有機溶媒水溶液（水とメチレンクロライドが１：１重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、水の水酸化基で表面改質されたＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１１７】
実施例２１
製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１１８】
実施例２２
製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１１９】
実施例２３
製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをイソプロピルアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、イソプロポキシ基で表面改質されたＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１２０】
実施例２４
製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１２１】
実施例２５
製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをブチルフェノール０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ブチルフェノキシ基で表面改質されたＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１２２】
実施例２６
製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１２３】
実施例２７
製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをステアリン酸０．５ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ステアリン酸基で表面改質されたＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１２４】
実施例２８
製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをアセチルサリチル酸０．１ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、アセチルサリチル酸基で表面改質されたＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１２５】
実施例２９
製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１２６】
実施例３０
製造例３のＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを有機溶媒水溶液（水とメチレンクロライドが１：１重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、水の水酸化基で表面改質されたＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１２７】
実施例３１
製造例４のＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１２８】
実施例３２
製造例４のＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１２９】
実施例３３
製造例４のＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをイソプロピルアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、イソプロポキシ基で表面改質されたＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１３０】
実施例３４
製造例４のＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１３１】
実施例３５
製造例４のＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをブチルフェノール０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ブチルフェノキシ基で表面改質されたＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１３２】
実施例３６
製造例４のＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１３３】
実施例３７
製造例４のＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをステアリン酸０．５ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ステアリン酸基で表面改質されたＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１３４】
実施例３８
製造例４のＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをアセチルサリチル酸０．１ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、アセチルサリチル酸基で表面改質されたＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１３５】
実施例３９
製造例４のＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１３６】
実施例４０
製造例４のＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇを有機溶媒水溶液（水とメチレンクロライドが１：１重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、水の水酸化基で表面改質されたＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１３７】
実施例４１
製造例５のＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０１３８】
実施例４２
製造例５のＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０１３９】
実施例４３
製造例５のＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇをイソプロピルアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、イソプロポキシ基で表面改質されたＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０１４０】
実施例４４
製造例５のＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０１４１】
実施例４５
製造例５のＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇをブチルフェノール０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ブチルフェノキシ基で表面改質されたＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０１４２】
実施例４６
製造例５のＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０１４３】
実施例４７
製造例５のＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇをステアリン酸０．５ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ステアリン酸基で表面改質されたＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０１４４】
実施例４８
製造例５のＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇをアセチルサリチル酸０．１ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、アセチルサリチル酸基で表面改質されたＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０１４５】
実施例４９
製造例５のＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０１４６】
実施例５０
製造例５のＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇを有機溶媒水溶液（水とメチレンクロライドが１：１重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、水の水酸化基で表面改質されたＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０１４７】
実施例５１
製造例６のＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１４８】
実施例５２
製造例６のＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１４９】
実施例５３
製造例６のＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをイソプロピルアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、イソプロポキシ基で表面改質されたＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１５０】
実施例５４
製造例６のＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１５１】
実施例５５
製造例６のＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをブチルフェノール０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ブチルフェノキシ基で表面改質されたＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１５２】
実施例５６
製造例６のＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１５３】
実施例５７
製造例６のＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをステアリン酸０．５ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ステアリン酸基で表面改質されたＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１５４】
実施例５８
製造例６のＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをアセチルサリチル酸０．１ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、アセチルサリチル酸基で表面改質されたＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１５５】
実施例５９
製造例６のＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１５６】
実施例６０
製造例６のＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを有機溶媒水溶液（水とメチレンクロライドが１：１重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、水の水酸化基で表面改質されたＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１５７】
実施例６１
製造例７のＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１５８】
実施例６２
製造例７のＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１５９】
実施例６３
製造例７のＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをイソプロピルアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、イソプロポキシ基で表面改質されたＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１６０】
実施例６４
製造例７のＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１６１】
実施例６５
製造例７のＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをブチルフェノール０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ブチルフェノキシ基で表面改質されたＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１６２】
実施例６６
製造例７のＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１６３】
実施例６７
製造例７のＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをステアリン酸０．５ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ステアリン酸基で表面改質されたＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１６４】
実施例６８
製造例７のＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをアセチルサリチル酸０．１ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、アセチルサリチル酸基で表面改質されたＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１６５】
実施例６９
製造例７のＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１６６】
実施例７０
製造例７のＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇを有機溶媒水溶液（水とメチレンクロライドが１：１重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、水の水酸化基で表面改質されたＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０１６７】
実施例７１
製造例８のＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１６８】
実施例７２
製造例８のＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１６９】
実施例７３
製造例８のＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをイソプロピルアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、イソプロポキシ基で表面改質されたＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１７０】
実施例７４
製造例８のＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１７１】
実施例７５
製造例８のＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをブチルフェノール０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ブチルフェノキシ基で表面改質されたＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１７２】
実施例７６
製造例８のＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１７３】
実施例７７
製造例８のＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをステアリン酸０．５ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ステアリン酸基で表面改質されたＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１７４】
実施例７８
製造例８のＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをアセチルサリチル酸０．１ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、アセチルサリチル酸基で表面改質されたＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１７５】
実施例７９
製造例８のＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１７６】
実施例８０
製造例８のＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを有機溶媒水溶液（水とメチレンクロライドが１：１重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、水の水酸化基で表面改質されたＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１７７】
実施例８１
製造例９のＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１７８】
実施例８２
製造例９のＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１７９】
実施例８３
製造例９のＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをイソプロピルアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、イソプロポキシ基で表面改質されたＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１８０】
実施例８４
製造例９のＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１８１】
実施例８５
製造例９のＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをブチルフェノール０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ブチルフェノキシ基で表面改質されたＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１８２】
実施例８６
製造例９のＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１８３】
実施例８７
製造例９のＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをステアリン酸０．５ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ステアリン酸基で表面改質されたＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１８４】
実施例８８
製造例９のＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをアセチルサリチル酸０．１ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、アセチルサリチル酸基で表面改質されたＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１８５】
実施例８９
製造例９のＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１８６】
実施例９０
製造例９のＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを有機溶媒水溶液（水とメチレンクロライドが１：１重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、水の水酸化基で表面改質されたＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０１８７】
実施例９１
製造例１０のＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１８８】
実施例９２
製造例１０のＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１８９】
実施例９３
製造例１０のＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをイソプロピルアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、イソプロポキシ基で表面改質されたＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１９０】
実施例９４
製造例１０のＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１９１】
実施例９５
製造例１０のＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをブチルフェノール０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ブチルフェノキシ基で表面改質されたＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１９２】
実施例９６
製造例１０のＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸０．５ｍｌとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１９３】
実施例９７
製造例１０のＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをステアリン酸０．５ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、ステアリン酸基で表面改質されたＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１９４】
実施例９８
製造例１０のＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをアセチルサリチル酸０．１ｇとジクロロメタン２５ｍｌからなる混合物に分散させ、超音波を５分間照射して、アセチルサリチル酸基で表面改質されたＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１９５】
実施例９９
製造例１０のＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１９６】
実施例１００
製造例１０のＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを有機溶媒水溶液（水とメチレンクロライドが１：１重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、水の水酸化基で表面改質されたＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０１９７】
実施例１０１
製造例１１のＣ＠Ｓｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣ＠Ｓｉ−ＮＰｓを製造した。
【０１９８】
実施例１０２
製造例１１のＣ＠Ｓｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣ＠Ｓｉ−ＮＰｓを製造した。
【０１９９】
実施例１０３
製造例１１のＣ＠Ｓｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣ＠Ｓｉ−ＮＰｓを製造した。
【０２００】
実施例１０４
製造例１１のＣ＠Ｓｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣ＠Ｓｉ−ＮＰｓを製造した。
【０２０１】
実施例１０５
製造例１１のＣ＠Ｓｉ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣ＠Ｓｉ−ＮＰｓを製造した。
【０２０２】
実施例１０６
製造例１２のＣ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２０３】
実施例１０７
製造例１２のＣ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２０４】
実施例１０８
製造例１２のＣ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２０５】
実施例１０９
製造例１２のＣ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２０６】
実施例１１０
製造例１２のＣ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣ＠ＳｉＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２０７】
実施例１１１
製造例１３のＣ＠ＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２０８】
実施例１１２
製造例１３のＣ＠ＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２０９】
実施例１１３
製造例１３のＣ＠ＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２１０】
実施例１１４
製造例１３のＣ＠ＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣ＠ＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２１１】
実施例１１５
製造例１３のＣ＠ＳｉＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣ＠ＳｉＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２１２】
実施例１１６
製造例１４のＣ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０２１３】
実施例１１７
製造例１４のＣ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０２１４】
実施例１１８
製造例１４のＣ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０２１５】
実施例１１９
製造例１４のＣ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０２１６】
実施例１２０
製造例１４のＣ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅ−ＮＰｓを製造した。
【０２１７】
実施例１２１
製造例１５のＣ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０２１８】
実施例１２２
製造例１５のＣ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０２１９】
実施例１２３
製造例１５のＣ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０２２０】
実施例１２４
製造例１５のＣ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０２２１】
実施例１２５
製造例１５のＣ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅＢ−ＮＰｓを製造した。
【０２２２】
実施例１２６
製造例１６のＣ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２２３】
実施例１２７
製造例１６のＣ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２２４】
実施例１２８
製造例１６のＣ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２２５】
実施例１２９
製造例１６のＣ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２２６】
実施例１３０
製造例１６のＣ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣ＠ＳｉＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２２７】
実施例１３１
製造例１７のＣ＠Ｇｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣ＠Ｇｅ−ＮＰｓを製造した。
【０２２８】
実施例１３２
製造例１７のＣ＠Ｇｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣ＠Ｇｅ−ＮＰｓを製造した。
【０２２９】
実施例１３３
製造例１７のＣ＠Ｇｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣ＠Ｇｅ−ＮＰｓを製造した。
【０２３０】
実施例１３４
製造例１７のＣ＠Ｇｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣ＠Ｇｅ−ＮＰｓを製造した。
【０２３１】
実施例１３５
製造例１７のＣ＠Ｇｅ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣ＠Ｇｅ−ＮＰｓを製造した。
【０２３２】
実施例１３６
製造例１８のＣ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２３３】
実施例１３７
製造例１８のＣ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２３４】
実施例１３８
製造例１８のＣ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２３５】
実施例１３９
製造例１８のＣ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２３６】
実施例１４０
製造例１８のＣ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣ＠ＧｅＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２３７】
実施例１４１
製造例１９のＣ＠ＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣ＠ＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２３８】
実施例１４２
製造例１９のＣ＠ＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣ＠ＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２３９】
実施例１４３
製造例１９のＣ＠ＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣ＠ＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２４０】
実施例１４４
製造例１９のＣ＠ＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣ＠ＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２４１】
実施例１４５
製造例１９のＣ＠ＧｅＣ−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣ＠ＧｅＣ−ＮＰｓを製造した。
【０２４２】
実施例１４６
製造例２０のＣ＠ＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをメタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、メトキシ基で表面改質されたＣ＠ＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２４３】
実施例１４７
製造例２０のＣ＠ＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをエタノール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、エトキシ基で表面改質されたＣ＠ＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２４４】
実施例１４８
製造例２０のＣ＠ＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを２−アミノアルコール２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、２−アミノアルコキシ基で表面改質されたＣ＠ＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２４５】
実施例１４９
製造例２０のＣ＠ＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇを酢酸２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、酢酸基で表面改質されたＣ＠ＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２４６】
実施例１５０
製造例２０のＣ＠ＣＢ４−ＮＰｓ  １００ｍｇをホウ酸水溶液（ホウ酸と蒸留水が５：９５の重量部で混合）２５ｍｌに分散させ、超音波を５分間照射して、ホウ酸の水酸化基で表面改質されたＣ＠ＣＢ４−ＮＰｓを製造した。
【０２４７】
実験例
前記製造例および実施例により製造された炭素族非酸化物ナノ粒子を水で希釈して、炭素族非酸化物ナノ粒子の濃度が２ｍＭ／Ｌである抗菌剤組成物を製造した。前記抗菌剤組成物を靴の中敷き（なかじき）にスプレーコートし、６時間の間温風乾燥した後、抗菌試験であるＫＳ  Ｋ  ０６９３：２０１１の試験方法によって細菌Ａ（Ｓｔａｐｈｙｌｏｃｏｃｃｕｓ  ａｕｒｅｕｓ  ＡＴＣＣ  ６５３８）および細菌Ｂ（Ｋｌｅｂｓｉｅｌｌａ  ｐｎｅｕｍｏｎｉａｅ  ＡＴＣＣ  ４３５２）に対する抗菌性能を測定して、下記表１〜表４に示した。
【０２４８】
表１〜表４において比較例１は、シリカ（ＳｉＯ２、アルドリッチ）ナノ粒子を用いた抗菌試験結果である。具体的に、シリカナノ粒子を１０ｐｐｍの溶液で製造して、靴の中敷きに噴霧して乾燥した後、抗菌試験を実施した結果である。また、比較例２は、酸化亜鉛（ＺｎＯ、アルドリッチ）ナノ粒子を用いた抗菌試験結果である。具体的に、酸化亜鉛ナノ粒子を１０ｐｐｍ溶液で製造して、靴の中敷きに噴霧して乾燥した後、抗菌試験を実施した結果である。
【０２４９】
【表１】
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【０２５０】
【表２】
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【０２５１】
【表３】
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【０２５２】
【表４】
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【０２５３】
表１〜表４から明らかなように、本発明の製造例および実施例によるナノ粒子を用いた抗菌実験結果、最初９５．８％、最大９９．９％の抗菌効果が示され、これは、比較例１および比較例２による抗菌実験結果に比べて顕著に高い数値であることが分かった。
【０２５４】
前述した本発明の説明は、例示のためのものであり、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更することなく、他の具体的な形態で容易に変形可能であることを理解することができる。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面において例示的なものであり、限定的でないものと理解しなければならない。例えば、単一型と説明されている各構成要素は、分散して実施されることもでき、同様に、分散したものと説明されている構成要素も、結合した形態で実施され得る。
【０２５５】
本発明の範囲は、後述する請求範囲により示され、請求範囲の意味および範囲そしてその均等概念から導き出されるすべての変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれるものと解すべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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