(57)【要約】  酸性ｐＨ調整剤、及び四級化芳香族複素環を含むカチオン性研磨抑制剤を含む、化学機械研磨に使用するための酸性スラリー組成物。四級化芳香族複素環は、結晶性シリコンに対するシリカの少なくとも１００の研磨選択性を付与する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
セリア、アルミナ、ジルコニア、シリカ、チタニア及びこれらの組み合わせからなる群から選択される研磨粒子と、
スラリーのｐＨを５未満にする十分な量のｐＨ調整剤と、
四級化芳香族複素環を含むカチオン性研磨抑制剤と、
を含む酸性水性スラリー組成物。
【請求項２】
前記ｐＨ調整剤は、硝酸、塩酸、硫酸、酢酸、臭化水素酸、ギ酸、プロピオン酸、乳酸、グリコール酸及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項３】
前記四級化芳香族複素環は４〜８個の原子を含む、請求項１に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項４】
前記四級化芳香族複素環は窒素及びリンからなる群から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含む、請求項１に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項５】
前記四級化芳香族複素環は、少なくとも１つの飽和又は不飽和の、１〜１００個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素残基をさらに含み、前記炭化水素残基は複素環の少なくとも１つの原子に結合されている、請求項１に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項６】
前記炭化水素残基は１〜２４個の炭素原子を有する、請求項５に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項７】
前記四級化芳香族複素環はイオン液体の一部である、請求項１に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項８】
少なくとも１つのアニオンが前記四級化芳香族複素環に関連付けられ、前記組成物を電気的中性にし、
前記アニオンは、水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項９】
前記四級化芳香族複素環前記四級化芳香族複素環は、少なくとも２つの環構造を含む複数の複素環である、請求項１に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項１０】
前記複数の複素環は、縮合された少なくとも２つの環構造を含み、
前記少なくとも２つの環構造のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの四級化原子を含む、請求項９に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項１１】
前記複数の複素環は、少なくとも１つの原子によって連結された少なくとも２つの環構造を含み、
前記少なくとも１つの原子は前記少なくとも２つの環構造の一部ではなく、
前記少なくとも２つの環構造のうちの１つ又は複数は少なくとも１つの四級化原子を含む、請求項９に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項１２】
前記四級化芳香族複素環は、セチルピリジニウムクロリド、１−ブチル−３−メチルピリジニウムブロミド、１−ブチルピリジニウムクロリド、１−メチル−３−ヘキシルイミダゾリウムクロリド、１−メチル−３−オクチルイミダゾリウムクロリド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，４−ジメチル−１，２，４−トリアゾリウムクロリド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムアセテート、３−（２−ヒドロキシエチル）チアゾリウムブロミド、２，３，３−トリメチル−１−プロピル−３Ｈ−インドリウムヨージド、１，２，３，３−テトラメチル−３Ｈ−インドリウムヨージド、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の酸性水性スラリー組成物。
【請求項１３】
多結晶性シリコンに優先して二酸化ケイ素フィルムを研磨する方法であって、
研磨パッドと基材とを押し付けて互いに接触させ、互いに対して相対的に動かすときに、前記研磨パッドと前記基材との間に酸性水性スラリー組成物を導入する工程を含み、
前記酸性水性スラリー組成物が、
セリア、アルミナ、ジルコニア、シリカ、チタニア及びこれらの組み合わせからなる群から選択される研磨粒子と、
スラリーのｐＨを５未満にする量のｐＨ調整剤と、
四級化芳香族複素環を含むカチオン性研磨抑制剤と、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記ｐＨ調整剤は、硝酸、塩酸、硫酸、酢酸、臭化水素酸、ギ酸、プロピオン酸、乳酸、グリコール酸及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記四級化芳香族複素環は４〜８個の原子を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記四級化芳香族複素環は窒素及びリンからなる群から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記四級化芳香族複素環は、少なくとも１つの飽和又は不飽和の、１〜１００個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素残基をさらに含み、前記炭化水素残基は複素環の少なくとも１つの原子に結合されている、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記炭化水素残基は１〜２４個の炭素原子を有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記四級化芳香族複素環はイオン液体の一部である、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも１つのアニオンが前記四級化芳香族複素環に関連付けられ、前記組成物を電気的中性にし、
前記アニオンは、水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記四級化芳香族複素環は、少なくとも２つの環構造を含む複数の複素環である、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記複数の複素環は、縮合された少なくとも２つの環構造を含み、
前記少なくとも２つの環構造のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの四級化原子を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記複数の複素環は、少なくとも１つの原子によって連結された少なくとも２つの環構造を含み、
前記少なくとも１つの原子は前記少なくとも２つの環構造の一部ではなく、
前記少なくとも２つの環構造のうちの１つ又は複数は少なくとも１つの四級化原子を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記四級化芳香族複素環は、セチルピリジニウムクロリド、１−ブチル−３−メチルピリジニウムブロミド、１−ブチルピリジニウムクロリド、１−メチル−３−ヘキシルイミダゾリウムクロリド、１−メチル−３−オクチルイミダゾリウムクロリド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，４−ジメチル−１，２，４−トリアゾリウムクロリド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムアセテート、３−（２−ヒドロキシエチル）チアゾリウムブロミド、２，３，３−トリメチル−１−プロピル−３Ｈ−インドリウムヨージド、１，２，３，３−テトラメチル−３Ｈ−インドリウムヨージド、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリカ及び結晶性シリコンを含有する基材の化学機械研磨に使用するスラリー組成物、並びにスラリー組成物を使用する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術の化学機械研磨スラリーは、シリカ（二酸化ケイ素）とポリシリコン（結晶性シリコン）との間の低い選択性を示していた。
【０００３】
産業界は、費用効果を高めるために生産高の改善を求め続けているので、高い表面品質を実現しながらも、種々の研磨材を使用してポリシリコンに対するシリカのより高い研磨選択性を強く望むようになった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ポリシリコンに優先してシリカ（二酸化ケイ素）の研磨速度の選択性を高める方法を提供する。当該方法は、カチオン性有機化合物を含む研磨抑制剤を含有する酸性水性スラリー（acidic aqueous slurry）を伴う。特に、カチオン性有機化合物は、四級化芳香族複素環（quaternized aromatic heterocycle）であるか、又は四級化芳香複素環を含む。
【０００５】
本発明によるスラリー組成物は酸性である。ポリシリコンは、中性及びアルカリ性の水性環境（aqueous environments）にさらされると、加水分解によって分解することが当業界に知られている。これらの環境は、７以上のｐＨ値を有する水溶液として定義することができる。この挙動は、７よりもわずかに低いｐＨレベルにおいても示されることがある。ｐＨ７以上の水性環境において、ポリシリコンは加水分解によって分解し、水酸化ケイ素（silicon hydroxide）を形成する。ｐＨ７以上の同じ水性環境において、シリカも水酸化ケイ素を形成する。したがって、５０を超える選択性を有する、ポリシリコンに優先するシリカの選択的研磨は、ｐＨ７以上の水性環境において困難となる。これは、シリカ及びポリシリコンの両方が分解を開始し、実質的に同じ材料−水酸化ケイ素−に変化するためである。
【０００６】
本発明によるスラリー組成物は、少なくとも５０、少なくとも７５、少なくとも１００、少なくとも１２５、少なくとも１５０、又は少なくとも１７５とすることができる、ポリシリコンに対するシリカの優位性（選択性）でもって、シリカ及びポリシリコンを含む異種基材表面（heterogeneous substrate surfaces）を研磨するために使用することができる。前述の数値よりも高い数値、又は前述の数値間の数値も想定される。
【０００７】
本発明は、スラリー組成物を使用して異種基材表面を研磨する方法も提供する。
【０００８】
本発明の前述及び他の特徴は、以下に、より完全に記載されると共に、特に特許請求の範囲において指し示され、以下の説明は、本発明の特定の例示的実施形態を詳細に述べるが、しかしながら、これらは、本発明の原理を使用可能な種々の方法のうちのいくつかの表示にすぎない。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明は、ポリシリコンに優先してシリカの研磨速度の選択性を高める方法を提供する。当該方法は、カチオン性有機化合物を含む研磨抑制剤（polishing suppressant）を含む水性スラリーを伴う。特に、カチオン性有機化合物は、四級化芳香族複素環であるか、又は四級化芳香複素環を含む。
【００１０】
本発明は、水（好ましくは脱イオン水）、セリア粒子、ｐＨ調整剤、及びシリカに優先してポリシリコンの研磨速度を抑制する薬剤を含む酸性水性研磨スラリー組成物を提供する。ポリシリコンよりもシリカの研磨選択性を改善する薬剤は、シリカの研磨速度を大きく変えずに、１００倍のオーダーでポリシリコンに対するシリカの研磨選択性を高めることによって、ポリシリコンの絶対的研磨速度を低下させる抑制剤である。ｐＨ調整剤は、５．５以下、好ましくは５以下、より好ましくは４．５以下、さらにより好ましくは４以下にｐＨを下げるのに必要とされる範囲でスラリー中に存在する。
【００１１】
四級化芳香族複素環は、複素環芳香環構造、又は縮合された複数の環構造、もしくは環構造のいずれかの部分ではない少なくとも１つの原子によって互いに分離された複数の環構造を含む。
【００１２】
四級化芳香族複素環は、第四級状態を示すことができる少なくとも１つの原子を含む。そのような原子の非限定的な例には、窒素（アンモニウム）及びリン（ホスホニウム）が含まれる。化合物の分子量に限定はない。化合物は、本質的にポリマーもしくはオリゴマーとすることができ、又は低分子量種を含むことができる。化合物は、限定なしで、１つの第四級部位又は複数部位を含むことができる。ペンダント基の長さ又は構造に限定はない。第四級（正に帯電した−カチオン性）原子は、負に帯電したアニオンとバランスをとる。負に帯電したアニオンに限定はない。限定はされないが、一般的なアニオンは、水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、及びリン酸塩を含む。
【００１３】
本発明によるスラリー組成物は、少なくとも５０、少なくとも７５、少なくとも１００、少なくとも１２５、少なくとも１５０、又は少なくとも１７５とすることができる、ポリシリコンに対するシリカの優位性でもって、シリカ及びポリシリコンを含む異種基材表面を研磨するために使用することができる。前述の数値よりも高い数値、又は前述の数値間の数値も想定される。
【００１４】
本発明は、スラリー組成物を使用して異種基材表面を研磨する方法も提供する。
【００１５】
スラリー組成物の各成分について以下に個別に論じる。
【００１６】
［研磨粒子］
スラリー組成物は、好ましくは、約０．０５質量％〜約３０質量％、好ましくは約０．０５質量％〜約２０質量％、より好ましくは約０．１質量％〜約７質量％の研磨粒子を含む。
【００１７】
好適な研磨粒子の非限定的な例には、セリア、アルミナ、ジルコニア、シリカ、及び／又はチタニアが含まれる。
【００１８】
本発明によるスラリー組成物に使用される研磨粒子は、好ましくは、約０．００１μｍ〜約３．０μｍの平均粒子径（Ｄｍｅａｎ）を有する。より好ましくは、粒子は、約０．０５μｍ〜約１．０μｍの範囲内の平均粒子径（Ｄｍｅａｎ）を有する。
【００１９】
［研磨抑制剤］
スラリー組成物は、好ましくは、スラリー組成物中に存在する全固体の約０．１〜約３０質量％、好ましくは約０．２５〜２５質量％、より好ましくは約０．５〜約２０質量％の範囲内の量の１つ又は複数の抑制剤を含む。
【００２０】
ポリシリコンに対するシリカの研磨選択性の改善に使用される好適な抑制剤は、概して、カチオン性有機化合物である。本発明において関心のあるカチオン性有機化合物は、四級化芳香族複素環である。
【００２１】
四級化芳香族複素環は、４〜８個の原子、好ましくは５又は６個の原子、最も好ましくは６個の原子を含むことができる。四級化芳香族複素環は、第四級状態を達成可能な少なくとも１つのヘテロ原子を含む。第四級状態を達成可能な原子の非限定的な例には、窒素及びリンが含まれる。
【００２２】
四級化芳香族複素環は、複素環の少なくとも１つの原子に結合された少なくとも１つの飽和又は不飽和の、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１００の炭化水素残基をさらに含むことができる。種々の実施形態において、炭化水素残基は、１〜７５、１〜５０、又は１〜２５個の炭素原子を有することができる。好ましくは、炭化水素残基は、１〜２４個の炭素原子、又は１〜１８もしくは１〜１２もしくは１〜６個の炭素原子を有する。
【００２３】
四級化芳香族複素環は、イオン液体の一部とすることができる。イオン液体は、イオンが不完全に配位結合された塩であり、これらの溶媒は、結果として、１００℃未満で液体、又は室温でさえ液体（室温イオン液体ＲＴＩＬｓ（room temperature ionic liquids））となる。
【００２４】
化合物の分子量に制限はない。化合物は、本質的にポリマーもしくはオリゴマーとすることができ、又は低分子量種を含むことができる。化合物は、限定なく、１つの第四級部位又は複数部位を含むことができる。ペンダント基の長さ又は構造に限定はない。第四級（カチオン性）原子は、負電荷を有するアニオンとバランスをとる。負電荷を有するアニオンに限定はない。非限定的な一般的なアニオンには、水酸化物、塩化物、フッ化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、及びリン酸塩が含まれる。
【００２５】
四級化芳香族複素環は、少なくとも２つの環構造を含む複数の複素環とすることができる。複数の環構造は縮合することができ、少なくとも２つの環構造のうちの１つ又は複数が少なくとも１つの四級化原子を含む。あるいは、複数の複素環は、少なくとも２つの環構造の一部である少なくとも１つの原子によって連結された少なくとも２つの環構造を含むことができ、又は、少なくとも２つの環構造の一部ではない少なくとも１つの原子によって連結された少なくとも２つの環構造を含むことができる。少なくとも２つの環構造のうちの１つ又は複数は、少なくとも１つの四級化原子を含む。
【００２６】
一般的に、ここで有用な抑制剤は、ピリジン、ピロリジン、イミダゾリン、ピラゾリン、オキサゾリン、イソキサゾリン、トリアゾリン、オキサジアゾリン、チアジアゾリン、ジチアゾリン、ジアジン、オキサジン、チアジン、トリアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、インダゾール、ベンゾイソオキサゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、アクリジン、ピリミジン、キナゾリン、シンノリン、及びフタラジン等の複素環芳香族化合物に基づくことができる。
【００２７】
抑制剤の非限定的な例には、セチルピリジニウムクロリド、１−ブチル−３−メチルピリジニウムブロミド、１−ブチルピリジニウムクロリド、１−メチル−３−ヘキシルイミダゾリウムクロリド、１−メチル−３−オクチルイミダゾリウムクロリド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，４−ジメチル−１，２，４−トリアゾリウムクロリド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムアセテート、３−（２−ヒドロキシエチル）チアゾリウムブロミド、２，３，３−トリメチル−１−プロピル−３Ｈ−インドリウムヨージド、１，２，３，３−テトラメチル−３Ｈ−インドリウムヨージドからなる群から選択される四級化芳香族複素環が含まれる。前述の組み合わせも使用可能である。
【００２８】
［方法］
本発明による方法は、押し付けて接触させ、互いに対して相対的に動かす研磨パッドと基材との間にスラリー組成物を導入することを含み、スラリー組成物は、水（好ましくは脱イオン水）、研磨粒子、及び上記の１つ又は複数の研磨抑制剤を含む。本発明の方法は、集積回路製造用の半導体基板表面を平坦化するために使用することができる。特に、関連する基材表面はシリカ及びポリシリコンを含有する。方法に使用されるスラリー組成物は、本書に開示されたいずれであってもよい。
【実施例】
【００２９】
本発明は、限定されないが、以下の例によって例示される。
【００３０】
実施例１：表１は、０．０１質量％セチルピリジニウムクロリドが存在する場合と存在しない場合とで、硝酸又は水酸化ナトリウムでｐＨ調製された、２質量％セリア粒子を含有する水性スラリーを使用する８インチ直径シリカ／ポリシリコンウェハの研磨速度及び選択性を示す。両スラリー組成物におけるセリア粒子の粒子径Ｄｍｅａｎは０．１２５ミクロンである。研磨は、１５４ｒｐｍトッププラテンスピード（top platen speed）及び１．５ｐｓｉ研磨圧で動作するミラポリッシャ（Mirra polisher）を使用して行われる。研磨パッドはＩＣ１０００パッドである。
【００３１】
酸性ｐＨ（４未満）を有するスラリー１及び２においては、セチルピリジニウムクロリドの存在は、セチルピリジニウムクロリド無しのスラリーに対して、ポリシリコンに対するシリカの研磨速度の選択性をほぼ１８倍と著しく高める。一方、塩基性ｐＨ（１０．５）を有するスラリー３及び４においては、選択性は、セチルピリジニウムクロリドの存在によって著しく高まらず、５０よりもかなり低かった。加えて、研磨速度は、望ましくないレベルまで大きく低下した。
【００３２】
［表１］
０．０１質量％セチルピリジニウムクロリドが存在する場合と存在しない場合とで、硝酸又は水酸化ナトリウムでｐＨ調製された、２質量％セリア粒子を含有する水性スラリーを使用する８インチ直径シリカ／ポリシリコンウェハの研磨速度及び選択性データ。
【００３３】
【表１】
2019532133.tif 000002
【００３４】
上記表における除去速度は、オングストローム／秒（Å／秒）で表現される。本発明は、以下の項を参照してさらに説明される。「項１〜３」のような複数従属項又は請求項は請求項１〜３のいずれかを指すことを明記する。
【００３５】
［項１］
セリア、アルミナ、ジルコニア、シリカ、チタニア及びこれらの組み合わせからなる群から選択される研磨粒子と、
スラリーのｐＨを４．５未満にする十分な量のｐＨ調整剤と、
四級化芳香族複素環を含むカチオン性研磨抑制剤と、
を含む酸性水性スラリー組成物。
【００３６】
［項２］
前記ｐＨ調整剤は、硝酸、塩酸、硫酸、酢酸、臭化水素酸、ギ酸、プロピオン酸、乳酸、グリコール酸及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、項１の酸性水性スラリー組成物。
【００３７】
［項３］
前記四級化芳香族複素環は４〜８個の原子、好ましくは５又は６個の原子を含む、項１の酸性水性スラリー組成物。
【００３８】
［項４］
前記四級化芳香族複素環は四級状態を達成可能な少なくとも１つのヘテロ原子を含む、項１〜３の酸性水性スラリー組成物。
【００３９】
［項５］
前記少なくとも１つのヘテロ原子は、窒素又はリン、好ましくは窒素である、項１〜４の酸性水性スラリー組成物。
【００４０】
［項６］
前記四級化芳香族複素環は、前記複素環の少なくとも１つの原子に結合された、少なくとも１つの飽和又は不飽和の任意に置換されたＣ１〜Ｃ１００の炭化水素残基をさらに含む、項１〜５の酸性水性スラリー組成物。
【００４１】
［項７］
前記炭化水素残基は１〜２４個の炭素原子を有する、項１〜６の酸性水性スラリー組成物。
【００４２】
［項８］
前記四級化芳香族複素環はイオン液体の一部である、項１〜７の酸性水性スラリー組成物。
【００４３】
［項９］
少なくとも１つのアニオンが前記四級化芳香族複素環に関連付けられ、前記組成物を電気的中性にし、
前記アニオンは、水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、項１〜８に記載の酸性水性スラリー組成物。
【００４４】
［項１０］
前記四級化芳香族複素環前記四級化芳香族複素環は、少なくとも２つの環構造を含む複数の複素環である、項１〜９の酸性水性スラリー組成物。
【００４５】
［項１１］
前記複数の複素環は、縮合された少なくとも２つの環構造を含み、
前記少なくとも２つの環構造のうちの１つ又は複数は、少なくとも１つの四級化原子を含む、項１〜１０の酸性水性スラリー組成物。
【００４６】
［項１２］
前記複数の複素環は、少なくとも１つの原子によって連結された少なくとも２つの環構造を含み、
前記少なくとも１つの原子は前記少なくとも２つの環構造の一部ではなく、
前記少なくとも２つの環構造のうちの１つ又は複数は少なくとも１つの四級化原子を含む、項１〜１０の酸性水性スラリー組成物。
【００４７】
［項１３］
前記四級化芳香族複素環は、セチルピリジニウムクロリド、１−ブチル−３−メチルピリジニウムブロミド、１−ブチルピリジニウムクロリド、１−メチル−３−ヘキシルイミダゾリウムクロリド、１−メチル−３−オクチルイミダゾリウムクロリド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，４−ジメチル−１，２，４−トリアゾリウムクロリド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムアセテート、３−（２−ヒドロキシエチル）チアゾリウムブロミド、２，３，３−トリメチル−１−プロピル−３Ｈ−インドリウムヨージド、１，２，３，３−テトラメチル−３Ｈ−インドリウムヨージド、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、項１〜１２の酸性水性スラリー組成物。
【００４８】
［項１４］
ポリシリコン（多結晶性シリコン）に優先して二酸化ケイ素フィルムを研磨する方法であって、
研磨パッドと基材とを押し付けて互いに接触させ、互いに対して相対的に動かすときに、前記研磨パッドと前記基材との間に酸性水性スラリー組成物を導入する工程を含み、
前記酸性水性スラリー組成物が、
セリア、アルミナ、ジルコニア、シリカ、チタニア及びこれらの組み合わせからなる群から選択される研磨粒子と、
スラリーのｐＨを４．５未満にする十分な量のｐＨ調整剤と、
四級化芳香族複素環を含むカチオン性研磨抑制剤と、
を含む、方法。
【００４９】
［項１５］
前記ｐＨ調整剤は、硝酸、塩酸、硫酸、酢酸、臭化水素酸、ギ酸、プロピオン酸、乳酸、及びグリコール酸からなる群から選択される少なくとも１つである、項１４の方法。
【００５０】
［項１６］
前記四級化芳香族複素環は４〜８個の原子、好ましくは５又は６個の原子を含む、項１４〜１５の方法。
【００５１】
［項１７］
前記四級化芳香族複素環は四級状態を達成可能な少なくとも１つのヘテロ原子を含む、項１４〜１６の方法。
【００５２】
［項１８］
前記少なくとも１つのヘテロ原子は、窒素又はリン、好ましくは窒素である、項１４〜１７の方法。
【００５３】
［項１９］
前記四級化芳香族複素環は、前記複素環の少なくとも１つの原子に結合された、少なくとも１つの飽和又は不飽和の任意に置換されたＣ１〜Ｃ１００の炭化水素残基をさらに含む、項１４〜１８の方法。
【００５４】
［項２０］
前記炭化水素残基は１〜２４個の炭素原子を有する、項１４〜１９の方法。
【００５５】
［項２１］
前記四級化芳香族複素環はイオン液体の一部である、項１４〜２０の方法。
【００５６】
［項２２］
少なくとも１つのアニオンが前記四級化芳香族複素環に関連付けられ、前記組成物を電気的中性にし、
前記アニオンは、水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、項１４〜２１の方法。
【００５７】
［項２３］
前記四級化芳香族複素環は、少なくとも２つの環構造を含む複数の複素環である、項１４〜２２の方法。
【００５８】
［項２４］
前記複数の複素環は、縮合された少なくとも２つの環構造を含み、
前記少なくとも２つの環構造のうちの１つ又は複数は、少なくとも１つの四級化原子を含む、項１４〜２３の方法。
【００５９】
［項２５］
前記複数の複素環は、少なくとも１つの原子によって連結された少なくとも２つの環構造を含み、
前記少なくとも１つの原子は前記少なくとも２つの環構造の一部ではなく、
前記少なくとも２つの環構造のうちの１つ又は複数は少なくとも１つの四級化原子を含む、項１４〜２４の方法。
【００６０】
［項２６］
前記四級化芳香族複素環は、セチルピリジニウムクロリド、１−ブチル−３−メチルピリジニウムブロミド、１−ブチルピリジニウムクロリド、１−メチル−３−ヘキシルイミダゾリウムクロリド、１−メチル−３−オクチルイミダゾリウムクロリド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，４−ジメチル−１，２，４−トリアゾリウムクロリド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムアセテート、３−（２−ヒドロキシエチル）チアゾリウムブロミド、２，３，３−トリメチル−１−プロピル−３Ｈ−インドリウムヨージド、１，２，３，３−テトラメチル−３Ｈ−インドリウムヨージド、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、項１４〜２５の方法。
【００６１】
［項２７］
前記基材表面はシリカ及び結晶性シリコンを含み、
結晶性シリコンに対するシリカの研磨選択比は、少なくとも少なくとも５０、好ましくは少なくとも７５、より好ましくは少なくとも１００、さらにより好ましくは少なくとも１５０、さらにより好ましくは少なくとも１７５である、項１４〜２６の方法。
【００６２】
付加的な利点及び変更は当業者に容易に想到されるだろう。このため、その広範な視点における本発明は、本書に示しかつ記載した特定の詳細及び例示的実施例に限定されない。したがって、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物によって規定された全体的な発明概念の精神又は範囲から逸脱することなく様々な変更を行うことができる。
【国際調査報告】
2019532133.tif 000003