(57)【要約】  本発明は、イオン注入によって中間色反射防止ガラス基板を製造する方法であって、Ｎ２供給源ガスをイオン化して、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物を形成すること、２０ｋＶ〜２５ｋＶの範囲の加速電圧Ａで加速し、かつ６×１０１６イオン／ｃｍ２〜−５．００×１０１５×Ａ／ｋＶ＋２．００×１０１７イオン／ｃｍ２の範囲の値にイオン線量を設定することにより、Ｎの単電荷および多電荷イオンのビームを形成することを含む方法に関する。本発明は、この方法による単電荷および多電荷イオンの混合物でのイオン注入によって処理された領域を含む中間色反射防止ガラス基板にさらに関する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
中間色反射防止ガラス基板を製造する方法であって、以下の操作：
ａ）Ｎ２供給源ガスを提供すること、
ｂ）前記Ｎ２供給源ガスをイオン化して、Ｎの単電荷イオンおよび多電荷イオンの混合物を形成すること、
ｃ）前記Ｎの単電荷イオンおよび多電荷イオンの混合物を加速電圧で加速して、単電荷イオンおよび多電荷イオンのビームを形成すること、ただし前記加速電圧Ａは、２０ｋＶ〜２５ｋＶであり、線量Ｄは、６×１０１６イオン／ｃｍ２〜−５．００×１０１５×Ａ／ｋＶ＋２．００×１０１７イオン／ｃｍ２である、
ｄ）ガラス基板を提供すること、
ｅ）前記Ｎの単電荷および多電荷イオンのビームの軌道に前記ガラス基板を配置すること
を含む方法。
【請求項２】
前記提供されたガラス基板は、ガラスの全重量の重量パーセントとして表される以下の組成範囲：
ＳｉＯ２  ３５〜８５％、
Ａｌ２Ｏ３  ０〜３０％、
Ｐ２Ｏ５  ０〜２０％、
Ｂ２Ｏ３  ０〜２０％、
Ｎａ２Ｏ  ０〜２５％、
ＣａＯ  ０〜２０％、
ＭｇＯ  ０〜２０％、
Ｋ２Ｏ  ０〜２０％、および
ＢａＯ  ０〜２０％
を有する、請求項１に記載の中間色反射防止ガラス基板を製造する方法。
【請求項３】
前記ガラス基板は、ソーダライムガラスシート、ボロシリケートガラスシートまたはアルミノシリケートガラスシートから選択される、請求項２に記載の中間色反射防止ガラス基板を製造する方法。
【請求項４】
ガラス基板の反射率を減少させ、かつ同時に反射における色を中間に保持するための、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物の使用であって、前記単電荷および多電荷イオンの混合物は、前記ガラス基板の前記反射率を低減し、かつ同時に前記反射における色を中間に保持するために有効なイオン線量および加速電圧で前記ガラス基板中に注入される、使用。
【請求項５】
前記単電荷および多電荷イオンの混合物は、前記ガラス基板の前記反射率を最大で６．５％まで低減し、かつ同時に−１≦ａ＊≦１および−１≦ｂ＊≦１であるように前記反射における色を中間に保持するために有効なイオン線量および加速電圧で前記ガラス基板中に注入される、請求項４に記載のガラス基板の反射率を減少させ、かつ同時に反射における色を中間に保持するための、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物の使用。
【請求項６】
前記単電荷および多電荷イオンの混合物は、前記ガラス基板の前記反射率を最大で６．５％まで低減し、かつ同時に−０．３≦ａ＊≦０．３および−０．３≦ｂ＊≦０．３であるように前記反射における色を中間に保持するために有効なイオン線量および加速電圧で前記ガラス基板中に注入される、請求項５に記載のガラス基板の反射率を減少させ、かつ同時に反射における色を中間に保持するための、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物の使用。
【請求項７】
前記加速電圧Ａは、２０ｋＶ〜２５ｋＶであり、前記線量Ｄは、６×１０１６イオン／ｃｍ２〜−５．００×１０１５×Ａ／ｋＶ＋２．００×１０１７イオン／ｃｍ２である、請求項４〜６のいずれか一項に記載のガラス基板の反射率を減少させ、かつ同時に反射における色を中間に保持するための、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物の使用。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法によって製造された中間色反射防止ガラス基板。
【請求項９】
請求項８に記載の中間色反射防止ガラス基板を含む、モノリシックグレイジング、ラミネーテッドグレイジング、またはガス層が挿入されたマルチプルグレイジング。
【請求項１０】
サンシールド、熱吸収、反紫外線、帯電防止、低放出性、加熱、反汚染、セキュリティー、盗難防止、防音、防火、反ミスト、防水、抗菌またはミラー手段をさらに含む、請求項９に記載のグレイジング。
【請求項１１】
前記反射防止ガラス基板は、フロスティング、印刷またはスクリーンプロセス印刷されている、請求項９または１０に記載のグレイジング。
【請求項１２】
前記基板は、着色されるか、焼戻しされるか、強化されるか、曲げられるか、畳まれるか、または紫外線フィルタリングである、請求項９〜１１のいずれか一項に記載のグレイジング。
【請求項１３】
ポリマーアセンブリシートから離れて面するイオン注入処理面を有する本発明の反射防止ガラス基板と、別のガラス基板との間に挿入されたポリマー型アセンブリシートを含むラミネーテッド構造を有する、請求項９〜１２のいずれか一項に記載のグレイジング。
【請求項１４】
自動車用ウインドシールドである、請求項１３に記載のグレイジング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中間色反射防止ガラス基板およびそれを製造する方法に関する。本発明は、特にグレイジングとしての中間色反射防止ガラス基板の使用にも関する。
【背景技術】
【０００２】
ほとんどの反射防止ガラス基板は、ガラス表面上でのコーティングの析出によって得られる。光反射率の低減は、ガラス基板の屈折率より低いか、または屈折率勾配を有する屈折率を有する単層によって得られる。高性能反射防止ガラス基板は、全可視域上の光反射率の有意な低減を得るために干渉効果を利用する多層スタックによって得られる。基板の両面に適用されたそのような高性能反射防止層スタックは、約８％から４％またはさらに低く典型的なガラス基板の光反射率を低減することが可能である。しかしながら、それらは、高い組成および層厚制御による多層析出ステップを必要とするため、困難かつ費用のかかるプロセスとなる。さらに、単一中間色反射防止層および特に通常、物理的蒸着によって析出される多層スタックは、ガラス自体よりも機械的および／または化学的攻撃に対して感応性である。単層反射防止層は、多くの場合、反射において中間でない色を示し、および中間色多層反射防止コーティングは、さらに多数の層を必要とするため、得られる層スタックがさらにより感応性となる。
【０００３】
仏国特許第１３００３３６号明細書には、別の反射防止ガラス基板が開示されている。その反射防止効果は、ガラス基板の表面中へ１００ｎｍまたは２００ｎｍの深さまで１０原子％の濃度で希ガスの重イオンを注入することによって得られる。しかしながら、希ガスは比較的高価であり、ガラス基板中において、注入された希ガスイオンのそのような高濃度に到達する必要性は、ガラスネットワークに重大な損傷を生じる危険性を増加させる。さらに、これらのガラス基板は、反射において中間ではない。
【０００４】
したがって、当該技術分野において、中間色反射防止ガラス基板を製造する単純で安価な方法を提供することが必要とされている。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の一態様によれば、本発明の主題は、中間色反射防止ガラス基板を製造する方法を提供することである。
【０００６】
本発明の別の態様によれば、本発明の主題は、中間色反射防止ガラス基板を提供することである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明は、中間色反射防止ガラス基板を製造する方法であって、以下の操作：
・Ｎ２供給源ガスを提供すること、
・Ｎ２供給源ガスをイオン化して、Ｎの単電荷イオンおよび多電荷イオンの混合物を形成すること、
・Ｎの単電荷イオンおよび多電荷イオンの混合物を加速電圧で加速して、Ｎの単電荷イオンおよび多電荷イオンのビームを形成すること、ただし加速電圧Ａは、２０ｋＶ〜２５ｋＶであり、線量Ｄは、６×１０１６イオン／ｃｍ２〜−５．００×１０１５×Ａ／ｋＶ＋２．００×１０１７イオン／ｃｍ２である、
・ガラス基板を提供すること、
・Ｎの単電荷および多電荷イオンのビームの軌道にガラス基板を配置すること
を含む方法に関する。
【０００８】
本発明者らは、驚くべきことに、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物を含み、同一の特定の加速電圧でかつそのような特定の線量において加速され、ガラス基板に適用されるイオンビームを提供する本発明の方法が、低減された反射率をもたらすことを見出した。有利には、結果として生じるガラス基板の反射率は、約８％から最大で６．５％、好ましくは最大で６％、より好ましくは最大で５．５％まで減少する。最も驚くべきことに、注入されたＮの濃度が注入深さを通して２原子％未満であり、さらに、反射におけるａ＊およびｂ＊の色座標によって表される反射における色が中間、すなわち−１≦ａ＊≦１および−１≦ｂ＊≦１であるか、または非常に中間、すなわち−０．３≦ａ＊≦０．３および−０．３≦ｂ＊≦０．３であるにもかかわらず、この低いレベルの反射率が達成される。
【０００９】
本発明によると、Ｎ２供給源ガスがイオン化されて、Ｎの単電荷イオンおよび多電荷イオンの混合物を形成する。加速された単電荷イオンおよび多電荷イオンのビームは、種々の量の異なるＮイオンを含み得る。好ましくは、加速された単電荷および多電荷イオンのビームは、Ｎ＋、Ｎ２＋およびＮ３＋を含む。
【００１０】
それぞれのイオンの電流例を以下の表１に示す（ミリアンペアで測定される）。
【００１１】
2019513676.tif 000002
【００１２】
本発明によると、重要なイオン注入パラメーターは、イオン加速電圧およびイオン線量である。
【００１３】
表面積またはイオン線量あたり一定量のイオンが得られるように、ガラス基板の配置は、単電荷および多電荷イオンのビームの軌道において選択される。イオン線量または線量は、平方センチメートルあたりのイオン数として表される。本発明の目的に関して、イオン線量は、単電荷イオンおよび多電荷イオンの全線量である。イオンビームは、好ましくは、単電荷および多電荷イオンの連続流を提供する。イオン線量は、イオンビームへの基板の曝露時間を制御することによって制御される。本発明によれば、多電荷イオンは、１正電荷より多くを伴うイオンである。単電荷イオンは、１正電荷を有するイオンである。
【００１４】
本発明の一実施形態において、配置は、ガラス基板の特定の表面積を段階的に処理するように、ガラス基板およびイオン注入ビームを互いに対して移動させることを含む。好ましくは、それらは、０．１ｍｍ／秒〜１０００ｍｍ／秒の範囲の速度で、互いに対して移動される。イオン注入ビームに対するガラスの移動速度は、処理される領域のイオン線量に影響を与えるビームにおける試料の滞留時間を制御する適切な様式で選択される。
【００１５】
本発明の方法は、例えば、本発明のイオンビームによって基板表面を連続的に走査することにより、または例えば単回通過もしくは複数回通過で、全幅において、移動基板を処理する複数のイオン供給源の配列を形成することにより、１ｍ２より大きい大型基板を処理するように容易に拡大され得る。
【００１６】
本発明者らは、単電荷および多電荷イオンの混合物を含み、同一の加速電圧で加速されるイオンビームを提供するイオン供給源が、それらが単電荷イオンのものよりも低い多電荷イオンの線量を提供し得るため、特に有用であることを見出した。そのようなビームで提供される、より高い線量およびより低い注入エネルギーを有する単電荷イオンと、より低い線量およびより高い注入エネルギーを有する多電荷イオンとの混合物により、中間色反射防止ガラス基板が得られ得るように思われる。電子ボルト（ｅＶ）で表される注入エネルギーは、単電荷イオンまたは多電荷イオンの電荷を加速電圧で掛けることによって計算される。
【００１７】
本発明の好ましい実施形態において、処理される領域下に位置する、処理されるガラス基板の領域の温度は、ガラス基板のガラス転移温度以下である。この温度は、例えば、ビームのイオン電流、ビームにおいて処理された領域の滞留時間、および基板の任意の冷却手段によって影響される。
【００１８】
本発明の一実施形態において、いくつかのイオン注入ビームは、同時にまたは連続してガラス基板を処理するために使用される。
【００１９】
本発明の一実施形態において、ガラス基板の表面単位面積あたりのイオンの全線量は、イオン注入ビームによる単一処理によって得られる。
【００２０】
本発明の別の実施形態において、ガラス基板の表面単位面積あたりのイオンの全線量は、１種以上のイオン注入ビームのいくつかの連続処理によって得られる。
【００２１】
好ましい実施形態において、ガラス基板は、低い反射率効果を最大化するように、本発明による方法によってその両表面上で処理される。
【００２２】
本発明の方法は、好ましくは、１０−２ｍｂａｒ〜１０−７ｍｂａｒの範囲の圧力、より好ましくは１０−５ｍｂａｒ〜１０−６ｍｂａｒの範囲の圧力において減圧チャンバー中で実行される。
【００２３】
本発明の方法を実行するためのイオン供給源の一例は、Ｑｕｅｒｔｅｃｈ  Ｉｎｇｅｎｉｅｒｉｅ  Ｓ．Ａ．からのＨａｒｄｉｏｎ＋ＲＣＥイオン供給源である。
【００２４】
反射率は、光源Ｄ６５および２°の観測装置角度を使用して、本発明のイオン注入法で処理された基板の側面上で可視光範囲において測定される。反射における色は、１０°の観測装置角度を使用して、光源Ｄ６５下でのＣＩＥＬＡＢ色座標ａ＊およびｂ＊によって表され、かつ本発明の方法で処理された基板の側面上で測定される。ＣＩＥ  Ｌ＊ａ＊ｂ＊またはＣＩＥＬＡＢは、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ  ｏｎ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎによって明示された色空間である。
【００２５】
本発明は、ガラス基板の反射率を減少させ、かつ同時に反射における色を中間に保持するための、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物の使用であって、単電荷および多電荷イオンの混合物は、ガラス基板の反射率を低減し、かつ同時に反射における色を中間に保持するために有効なイオン線量および加速電圧でガラス基板中に注入される、使用にも関する。
【００２６】
有利には、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物は、ガラス基板の反射率を最大で６．５％、好ましくは最大で６％、より好ましくは最大で５．５％まで低減するために有効なイオン線量および加速電圧でガラス基板中に注入される。同時に、反射における色は、中間、すなわち−１≦ａ＊≦１および−１≦ｂ＊≦１に保持される。
【００２７】
処理前のガラス基板の反射率は、約８％である。
【００２８】
より有利には、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物は、ガラス基板の反射率を最大で６．５％、好ましくは最大で６％、より好ましくは最大で５．５％まで低減するために使用される。同時に、反射における色は、非常に中間、すなわち−０．３≦ａ＊≦０．３および−０．３≦ｂ＊≦０．３に保持される。
【００２９】
本発明によれば、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物は、好ましくは、Ｎ＋、Ｎ２＋およびＮ３＋を含む。
【００３０】
本発明によれば、ガラス基板の反射率を低減し、かつ同時に反射における色を中間に保持するために有効な加速電圧およびイオン線量は、好ましくは、以下の範囲に含まれる。
【００３１】
2019513676.tif 000003
【００３２】
本発明は、低減された反射率を有するイオン注入されたガラス基板であって、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物は、本発明の方法に従って注入されている、ガラス基板にも関する。
【００３３】
有利には、本発明のイオン注入されたガラス基板は、最大で６．５％、好ましくは最大で６％、より好ましくは最大で５．５％の反射率を有する。それらは、反射における中間色、すなわち−１≦ａ＊≦１および−１≦ｂ＊≦１、好ましくは−０．３≦ａ＊≦０．３および−０．３≦ｂ＊≦０．３も有する。
【００３４】
本発明の好ましい実施形態において、本発明のガラス基板中に注入されるイオンは、Ｎの単電荷または多電荷イオンである。
【００３５】
本発明の別の好ましい実施形態によれば、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物は、Ｎ＋およびＮ２＋のそれぞれよりも少ない量のＮ３＋を含む。本発明のより好ましい実施形態によれば、Ｎの単電荷および多電荷イオンの混合物は、４０〜７０％のＮ＋、２０〜４０％のＮ２＋および２〜２０％のＮ３＋を含む。
【００３６】
有利には、イオンの注入深さは、０．１μｍ〜１μｍ、好ましくは０．１μｍ〜０．５μｍの範囲であることができる。
【００３７】
本発明で使用されるガラス基板は、通常、２つの対面する主要表面を有するガラス基板などのシートである。本発明のイオン注入は、これらの表面の片方または両方で実行され得る。本発明のイオン注入は、ガラス基板の表面の一部においてまたは全表面で実行され得る。
【００３８】
別の実施形態において、本発明は、それらがモノリシックであるか、ラミネーテッドであるか、またはガス層が挿入されたマルチプルであるかどうかにかかわらず、本発明の反射防止ガラス基板を含むグレイジングにも関する。
【００３９】
これらのグレイジングは、内外建築物グレイジングとして、およびパネル、ディスプレイウィンドウ、ガラス家具、例えばカウンター、冷蔵ディスプレイケースなどの対象のための保護ガラスとして、また自動車用グレイジング、例えばラミネーテッドウインドシールド、ミラー、コンピュータ用の反光沢スクリーン、ディスプレイおよび装飾用ガラスとしても使用され得る。
【００４０】
本発明による反射防止ガラス基板を含むグレイジングは、興味深い追加的な特性を有し得る。したがって、それは、セキュリティー機能を有するグレイジング、例えばラミネーテッドグレイジングであり得る。それは、盗難防止、防音、防火または抗菌機能を有するグレイジングでもあり得る。
【００４１】
グレイジングは、本発明による方法によってその片面において処理された基板が、他の面上で析出された層スタックを含むような様式でも選択され得る。層のスタックは、特定の機能、例えばサンシールド性もしくは熱吸収性を有し得るか、または抗紫外線性、帯電防止性（例えば、わずかに伝導性のドープされた金属酸化物層）および低放出性、例えば銀ベース層もしくはドープされた酸化スズ層を有し得る。それは、微細ＴｉＯ２層などの抗汚染性を有する層、または撥水性を有する疎水性有機層もしくは抗凝縮性を有する親水性層でもあり得る。
【００４２】
層スタックは、ミラー機能を有する銀を含むコーティングであり得、かつ全ての構造が可能である。したがって、ミラー機能を有するモノリシックグレイジングの場合、面１（すなわち観察者が位置する側面）として処理された面および面２（すなわちミラーが壁部に取り付けられる側面）上の銀コーティングを有する本発明の反射防止ガラス基板を配置することが興味深く、したがって、本発明による反射防止スタックは反射像の分割を防ぐ。
【００４３】
（ガラス基板の面が最も外側の面から開始して番号付けられる規約に従って）二重グレイジングの場合、面１としての反射防止処理面、ならびに抗紫外線またはサンシールドのための面２上の他の機能層および低放出性層のための３を使用することが可能である。したがって、二重グレイジングにおいて、基板の１つの面の１つとしての反射防止面と、補足的な機能性を提供する少なくとも１つの層または層のスタックとを有することが可能である。二重グレイジングは、特に少なくとも面２、３または４においていくつかの反射防止処理面も有し得る。モノリシックグレイジング１に関して、反射防止面と関連する帯電防止機能層を析出することが可能である。
【００４４】
基板は、表面処理、特に酸エッチング（フロスティング）を受け得、イオン注入処理は、エッチング面または反対面上で行われ得る。
【００４５】
基板またはそれが関連するものの１つは、印刷された装飾用ガラス型であり得、またはスクリーンプロセス印刷され得る。
【００４６】
本発明による反射防止ガラス基板を含む特に興味深いグレイジングは、ポリマーアセンブリシートから離れてイオン注入処理面を有する本発明の反射防止ガラス基板と、別のガラス基板との間にポリマー型アセンブリシートを含む、２つのガラス基板によるラミネーテッド構造を有するグレイジングである。ポリマーアセンブリシートは、ポリビニルブチラル（ＰＶＢ）型、ポリ酢酸ビニル（ＥＶＡ）型またはポリシクロヘキサン（ＣＯＰ）型であり得る。好ましくは、別のガラス基板は、本発明による反射防止ガラス基板である。
【００４７】
特に２つの加熱処理された、すなわち曲げおよび／または焼戻しされた基板を有するこの構造により、自動車用グレイジング、特に非常に有利な性質のウインドシールドを得ることが可能となる。基準によると、自動車は、直入射において少なくとも７５％の高い光透過率を有するウインドシールドを有する必要がある。従来のウインドシールドのラミネーテッド構造中の熱処理された反射防止ガラス基板の組み込みにより、グレイジングの光透過率が特に向上し、そのエネルギー透過率は、他の手段によってわずかに低減され得るが、なお光透過率基準の範囲内に残る。したがって、ウインドシールドのサンシールド効果は、例えば、ガラス基板の吸収によって改善され得る。基準的なラミネーテッドウインドシールドの光反射値は、８％から５％未満され得る。
【００４８】
本発明によるガラス基板は、ガラスの全重量の重量パーセントとして表される以下の組成範囲：
ＳｉＯ２  ３５〜８５％、
Ａｌ２Ｏ３  ０〜３０％、
Ｐ２Ｏ５  ０〜２０％、
Ｂ２Ｏ３  ０〜２０％、
Ｎａ２Ｏ  ０〜２５％、
ＣａＯ  ０〜２０％、
ＭｇＯ  ０〜２０％、
Ｋ２Ｏ  ０〜２０％、および
ＢａＯ  ０〜２０％
を有する、いずれの厚さのガラスシートでもあり得る。
【００４９】
本発明によるガラス基板は、好ましくは、ソーダライムガラスシート、ボロシリケートガラスシートまたはアルミノシリケートガラスシートから選択されるガラスシートである。特に好ましい実施形態において、ガラスシートは、透明ガラスシートである。
【００５０】
本発明によるガラス基板は、好ましくは、イオン注入を受ける側面上にコーティングを有さない。
【００５１】
本発明によるガラス基板は、ガラス注入処理後にその最終寸法へと切断される大型ガラスシートであり得、または既に最終サイズに切断されたガラスシートであり得る。
【００５２】
有利には、本発明のガラス基板は、フロートガラス基板であり得る。本発明のイオン注入法は、フロートガラス基板の空気側面上および／またはフロートガラス基板のスズ側面上で行われ得る。好ましくは、本発明のイオン注入法は、フロートガラス基板の空気側面上で行われる。
【００５３】
本発明の実施形態において、ガラス基板は、あらかじめ化学強化されたガラス基板であり得る。
【００５４】
光学的特性は、Ｈｕｎｔｅｒｌａｂ  Ｕｌｔｒａｓｃａｎ  Ｐｒｏ分光光度計を使用して測定された。
【実施例】
【００５５】
特定の実施形態の詳細な説明
以下の表中に詳述された種々のパラメーターに従って、単電荷および多電荷イオンのビームを発生するためにＲＣＥイオン供給源を使用してイオン注入実施例を調製した。使用されたイオン供給源は、Ｑｕｅｒｔｅｃｈ  Ｉｎｇｅｎｉｅｒｉｅ  Ｓ．Ａ．からのＨａｒｄｉｏｎ＋ＲＣＥイオン供給源であった。
【００５６】
全ての試料は、１０×１０ｃｍ２のサイズを有し、かつ２０〜３０ｍｍ／秒の速度でイオンビームを通るようにガラス基板を置き換えることにより、全表面上で処理された。
【００５７】
処理されているガラス基板の領域の温度は、ガラス基板のガラス転移温度以下の温度に保持された。
【００５８】
全ての実施例に関して、注入は、１０−６ｍｂａｒの圧力において減圧チャンバー中で行われた。
【００５９】
Ｎのイオンを４ｍｍの通常の透明ソーダライムガラスおよびアルミノシリケートガラス基板中に注入した。本発明のイオン注入法によって注入される前、ガラス基板の反射率は約８％であった。重要な注入パラメーターおよび光学的測定値は、以下の表に見ることができる。
【００６０】
2019513676.tif 000004
【００６１】
本発明の実施例Ｅ１〜Ｅ６から見ることができるように、加速電圧Ａが２０ｋＶ〜２５ｋＶであり、線量が６×１０１６イオン／ｃｍ２〜−５．００×１０１５×Ａ／ｋＶ＋２．００×１０１７イオン／ｃｍ２であるイオン注入のために使用される、選択された重要なパラメーターは、一方では、最大で６．５％、最大で６．０％または最大で５．５％の低減された反射率をもたらし、かつ他方では、これらの実施例の反射における色は、中間、すなわち−１≦ａ＊≦１および−１≦ｂ＊≦１である。実施例Ｅ３、Ｅ４およびＥ５に関して選択された重要な注入パラメーターは、反射において非常に中間の色、すなわち−０．３≦ａ＊≦０．３および−０．３≦ｂ＊≦０．３をもたらす。
【００６２】
さらに、本発明の実施例Ｅ１〜Ｅ６においてＸＰＳ測定を行い、Ｎの注入イオンの原子濃度が注入深さを通して８原子％未満であることが見出された。
【国際調査報告】
2019513676.tif 000005
2019513676.tif 000006