(57)【要約】  本発明は、半導体ボディ（１０）に関する。半導体ボディ（１０）は、ｎ型ドープ領域（２０）と、ｐ型ドープ領域（７０）と、ｎ型ドープ領域（２０）とｐ型ドープ領域（７０）との間に配置されている活性領域（６０）と、を有する。ｎ型ドープ領域（２０）は、対をなして交互に積層された層を有する第１積層体（３０）と、第１積層体（３０）と活性領域（６０）との間に配置され、対をなして交互に積層された層を有する第２積層体（５０）とを有する。各対の第１層（３１）および第２層（３２）は、ドーピング濃度が異なっている。各対の第１層（３１）および第２層（３２）の材料組成は、ドーピング以外は同一である。各対の第１層（５１）および第２層（５２）は、材料組成が異なっている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ドープ領域（２０）と、
ｐ型ドープ領域（７０）と、
前記ｎ型ドープ領域（２０）と前記ｐ型ドープ領域（７０）との間に配置されている活性領域（６０）と、
を備え、
前記ｎ型ドープ領域（２０）は、
対をなして交互に積層された層（３１，３２）を含む第１積層体（３０）と、
前記第１積層体（３０）と前記活性領域（６０）との間に配置され、対をなして交互に積層された層（５１，５２）を含む第２積層体（５０）と、
を有し、
各対の第１層（３１）および第２層（３２）は、ドーピング濃度が異なっており、かつ、ドーピング以外、同一の材料で形成され、
各対の第１層（５１）および第２層（５２）は、異なる材料で形成されている、
半導体ボディ（１０）。
【請求項２】
前記第１積層体（３０）における対の数は、少なくとも３つ、かつ、最大で５つである、
請求項１に記載の半導体ボディ（１０）。
【請求項３】
前記第１積層体（３０）における各対の前記第１層（３１）は、ドープされており、
前記第１積層体（３０）における各対の前記第２層（３２）は、公称的にはドープされていない、
請求項１または２に記載の半導体ボディ（１０）。
【請求項４】
前記ｎ型ドープ領域（２０）および前記ｐ型ドープ領域（７０）は、窒化物化合物半導体材料をベースにしており、
前記ｎ型ドープ領域（２０）の前記第１積層体（３０）には、公称的にはインジウムが存在しない、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体ボディ（１０）。
【請求項５】
前記活性領域（６０）は、電磁放射、特に光を発生または検出するように設計されている、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体ボディ（１０）。
【請求項６】
前記第１積層体（３０）と前記第２積層体（５０）との間には、ドーパント濃度が少なくとも１×１０１８［１／ｃｍ３］である中間層（４０）が配置されている、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体ボディ（１０）。
【請求項７】
前記中間層（４０）の形状は、平坦である、
請求項６に記載の半導体ボディ（１０）。
【請求項８】
前記第１層（３１）の層厚は、少なくとも１ｎｍ、かつ、最大で３０ｎｍであり、
前記第２層（３２）の層厚は、少なくとも３０ｎｍ、かつ、最大で１００ｎｍである、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体ボディ（１０）。
【請求項９】
前記第１積層体（３０）の対の数は、少なくとも１つ、かつ、最大で１０個である、
請求項１，３〜８のいずれか一項に記載の半導体ボディ（１０）。
【請求項１０】
前記第１層（３１）のドーパント濃度は、最大で１×１０１８［１／ｃｍ３］である、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体ボディ（１０）。
【請求項１１】
前記第２積層体（５０）の層厚は、５０ｎｍ以下である、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体ボディ（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ボディに関する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
効率的に動作させることができる半導体ボディを特定することが解決すべき課題の１つである。
【０００３】
本半導体ボディの少なくとも一実施の形態によれば、半導体ボディは、ｎ型ドープ領域を備えている。ｎ型ドープ領域は、少なくとも１種類のｎ型ドーパントでドープされている。ｎ型ドープ領域は、１層以上のｎ型ドープ半導体層を備えていてもよい。ｎ型ドープ領域は、成長基板上に成長し、横方向に成長基板の全体に亘って伸長していてもよい。
【０００４】
「横方向」とは、半導体ボディの主面と平行な方向である。横方向は、例えば、半導体ボディの積層方向および／または成長方向と平行な垂直方向に直交している。
【０００５】
成長基板をｎ型ドープ領域から除去することもできる。また、ｎ型ドープ領域は、三次元ボディを形成することができる。例えば、三次元ボディを直方体または円柱形とすることができる。ｎ型ドープ領域のドーピング濃度が均質でなくてもよい。これは、ｎ型ドープ領域のいくつかの領域において、ドーピング濃度がｎ型ドープ領域の他の領域のドーピング濃度より大きくてもよいことを意味する。
【０００６】
少なくとも一実施の形態によれば、半導体ボディは、活性領域を備える。活性領域において、半導体ボディの機能が動作時に看取される。例えば、活性領域は、電磁放射を出射または検出するように設計されてもよい。この場合、半導体ボディは、オプトエレクトロニクス部品の一部である。この場合、活性領域は、例えば、交互に配置された多くの量子井戸層およびバリア層を備えることができる。
【０００７】
また、半導体ボディを、ダイオード、トランジスタ、または集積回路等の電子部品の一部とすることができる。この場合、活性領域は、適切に設計される。
【０００８】
活性領域は、ｎ型ドープ領域上に成長し、ｎ型ドープ領域上で横方向に伸長していてもよい。
【０００９】
少なくとも一実施の形態によれば、半導体ボディは、ｐ型ドープ領域を備え、活性領域は、ｎ型ドープ領域とｐ型ドープ領域との間に配置されている。ｐ型ドープ領域は、少なくとも１種類のｐ型ドーパントでドープされている。活性領域がｎ型ドープ領域とｐ型ドープ領域との間に配置されていることは、ｎ型ドープ領域、活性領域、およびｐ型ドープ領域が垂直方向に重ねられていることを意味する。したがって、ｐ型ドープ領域は、活性領域上に成長し、活性領域上で横方向に伸長することができる。ｐ型ドープ領域を、ｐ型ドープ半導体層によって形成することができる。
【００１０】
本半導体ボディの少なくとも一実施の形態によれば、ｎ型ドープ領域は、対をなして交互に積層された層を含む第１積層体を有し、各対の第１層および第２層は、ドーピング濃度が異なっており、各対の第１層および第２層の材料組成は、ドーピング以外は同一である。したがって、第１積層体は、第１積層体の交互に積層された複数の第１層と第２層とからなる。第１積層体の第１層および第２層は、垂直方向において互いの上方に配置されている。
【００１１】
第１層のドーパント濃度が第２層のドーパント濃度より大きいか、あるいは、第２層のドーパント濃度が第１層のドーパント濃度より大きい。これは、例えば、第１層がドープされており、第２層が公称的にはドープされていないことを意味することができる。ここで「公称的にはドープされていない」とは、ドーパントが第２層の成長中に供給されないことを意味する。ただし、この場合、第２層は、第１層から第２層へのドーパントの拡散によるドーパント濃度を有していてもよい。
【００１２】
本半導体ボディの少なくとも一実施の形態によれば、ｎ型ドープ領域は、対をなして交互に積層された層を含む第２積層体を有し、各対の第１層および第２層は、材料組成が異なっている。したがって、第２積層体は、交互に積層された複数の第１層と第２層とからなる。これらの第１層および第２層は、垂直方向において一方が他方の上方に配置されている。材料組成が異なっていることは、第１層の材料組成と第２層の材料組成との相違が、これらの層のドーパント濃度だけでなく、これらの層が形成された、ドーパント以外の材料によっても生じることを意味する。第２積層体における各対の少なくとも一方の層を、ｎ導電型としてドープすることができる。また、第２積層体のいずれの層もｎ型にドープすることができる。
【００１３】
本半導体ボディの少なくとも一実施の形態によれば、第２積層体は、第１積層体と活性領域との間に配置されている。これは、第１積層体、第２積層体、および活性領域が、それぞれ、垂直方向において一方が他方の上方に配置されていることを意味する。したがって、第２積層体は、第１積層体上に成長することができ、活性層は、第２積層体上に成長することができる。
【００１４】
半導体ボディは、基板上に成長することができる。半導体ボディは、有機金属気相エピタキシーによって基板上にエピタキシャルに成長することができる。また、半導体ボディは、成長基板を有さず、成長後に半導体ボディに後から取り付けられるキャリア要素上に位置していることもできる。したがって、半導体ボディを、薄膜半導体ボディとすることができる。
【００１５】
本半導体ボディの少なくとも一実施の形態によれば、半導体ボディは、ｎ型ドープ領域、活性領域、およびｐ型ドープ領域を備える。活性領域は、ｎ型ドープ領域とｐ型ドープ領域との間に位置する。ｎ型ドープ領域は、対をなして交互に積層された層を含む第１積層体を有し、各対の第１層および第２層は、ドーパント濃度が異なっており、各対の第１層および第２層の材料組成は、ドーピング以外は同一である。ｎ型ドープ領域は、対をなして交互に積層された層を含む第２積層体をさらに有し、各対の第１層および第２層は、材料組成が異なっている。第２積層体は、第１積層体と活性領域との間に配置されている。
【００１６】
本明細書に記載の半導体ボディは、特に、半導体ボディの第１積層体が静電放電からの保護部を形成するという理解に基づく。半導体ボディが第１積層体を備える場合、半導体ボディの静電放電による故障率は、驚くほど大幅に低下する。半導体ボディが第２積層体を有する場合、活性領域へのドーパントおよび他の不純物の拡散を防止または低減することもできる。また、第２積層体は、活性領域が第２積層体上に成長する前に、下層の形状の凹凸を補償している。半導体ボディは、活性領域へのドーパントおよび他の不純物を回避すること、および活性領域の成長の前に形状の凸凹を回避することにより効率的に動作することができる。
【００１７】
少なくとも一実施の形態によれば、第１積層体の各対の第１層はドープされており、第１積層体の各対の第２層は公称的にはドープされていない。ドープ層と非ドープ層とを備えた第１積層体を有する半導体ボディは、連続的にドープされた積層体を有する半導体ボディに比して、静電放電に対してより高い安定性を有する。これにより、静電放電時の故障率を大幅に低減することができる。
【００１８】
少なくとも一実施の形態によれば、半導体ボディは、窒化物化合物半導体材料をベースとしている。これは、具体的には、半導体ボディの部分の少なくともいくつかの領域が、好ましくは、ＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＮ（０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１）である窒化物化合物半導体材料を有するか、またはそのような窒化物化合物半導体材料からなることを意味する。この材料は、上記の化学式に従った数学的に正確な組成を必ずしも有しなければならないわけではない。むしろ、この材料は、例えば、１種類以上のドーパントおよび追加成分を含んでいてもよい。しかしながら、簡潔にするために、上記の化学式は、結晶格子の必須成分（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｎ）を他の少量の物質によって部分的に置換および／または補足することができるとしても、結晶格子の必須成分のみを含む。
【００１９】
半導体ボディのｎ型ドープ領域は、ｎ型にドープされた窒化ガリウム（ＧａＮ）で部分的に形成可能である。具体的には、ケイ素がｎ型ドーパントとして使用される。
【００２０】
活性領域は、例えば、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）およびＧａＮ、または、窒化インジウムガリウムアルミニウム（ＩｎＧａＡｌＮ）および窒化アルミニウムガリウム（ＧａＡｌＮ）で形成可能である。活性領域のいくつかの層は、ｎ型にドープされていてもよい。ｐ型ドープ領域は、特に、ｐ型にドープされたＧａＮで形成されていてもよい。
【００２１】
第１積層体の第１層および第２層は、ＧａＮで形成可能である。第１積層体の第１層および第２層は、各層のドーパント濃度は別にして、いずれも同一の材料で形成されている。
【００２２】
第２積層体の第１層をＩｎＧａＮで形成することができ、第２積層体の第２層をＧａＮで形成することができる。また、第２積層体の第１層をＧａＮで形成し、第２積層体の第２層をＩｎＧａＮで形成することもできる。何れの場合も、第２積層体の第１層と第２層とは異なる材料で形成されている。例えば、半導体ボディの成長基板をサファイアまたはケイ素で形成することができる。
【００２３】
少なくとも一実施の形態によれば、ｎ型ドープ領域およびｐ型ドープ領域は、窒化物化合物半導体材料をベースにしており、第１積層体には、公称的にはインジウムが存在しない。これは、第１積層体のドープされた第１層を特にＧａＮで形成することができることを意味する。第１積層体には公称的にインジウムが存在しないことは、第１積層体の成長時にインジウムが意図的に導入されないことを意味する。しかしながら、半導体ボディの他の領域からのインジウムが第１積層体に部分的に拡散し、非常に低い濃度で第１積層体に存在する場合がある。例えば、第１積層体の半導体材料におけるインジウムの割合は、最大で１％、特に最大で５％である。
【００２４】
少なくとも一実施の形態によれば、活性領域は、電磁放射、特に光を発生または検出するように設計されている。半導体ボディは、例えば、発光ダイオードとすることができる。例えば、発光ダイオードは、紫外線スペクトル領域、青色スペクトル領域、緑色スペクトル領域の電磁放射を出射することができる。また、発光ダイオードは、上記のスペクトル領域のいくつかの電磁放射を出射することもできる。
【００２５】
少なくとも一実施の形態によれば、ドーパント濃度が少なくとも１×１０１８／ｃｍ３である中間層が、第１積層体と第２積層体との間に配置されている。例えば、ドーパントをケイ素とすることができる。中間層のドーパント濃度が第１積層体のドーパント濃度より高い場合、または、第１積層体のｎ型ドープ層のドーパント濃度と少なくとも同程度の高さである場合、活性領域は、下層の上により良好に成長することができる。これは、第２積層体が第１積層体と機械的および電気的により良好に接触しており、活性領域が第２積層体と機械的および電気的により良好に接触していることを意味する。換言すれば、中間層は、第１積層体と第２積層体との間の電気接触抵抗を小さくすることができ、また、中間層は、２つの積層体の間の機械的接続層としても役立つ。
【００２６】
少なくとも一実施形態によれば、中間層の形状は平坦である。これは、中間層の粗さが特に低く、この粗さは中間層が無い場合の粗さより低いことを意味する。中間層の形状が平坦であるため、第２積層体上に成長する活性領域も、形状が平坦な表面上に成長することができる。これにより、半導体ボディは、より効率的に動作することができる。
【００２７】
少なくとも一実施の形態によれば、第１積層体の第１層の層厚は、少なくとも１ｎｍであり、かつ３０ｎｍ以下であり、第１積層体の第２層の層厚は、少なくとも３０ｎｍであり、かつ１００ｎｍ以下である。これは、各層が垂直方向において特定の層厚を有することを意味する。第１積層体の第１層の好ましい層厚は、少なくとも１０ｎｍであり、かつ最大で１５ｎｍである。第１積層体の第２層の好ましい層厚は、少なくとも４０ｎｍであり、かつ最大で６０ｎｍである。層厚の大きさにより、ドープ層から非ドープ層へのドーパントの拡散は減少される。これにより、ドーパントが実質的に拡散する領域を、非ドープ層の、ドープ層との境界を成す境界領域のみとすることができる。
【００２８】
少なくとも一実施の形態によれば、第１積層体の対の数は、少なくとも１つであり、かつ最大で１０個である。これは、第１積層体が第１層を少なくとも１層〜最大１０層有し、かつ第１層と同数の第２層を有していることを意味する。好ましくは、第１積層体における対の数は、少なくとも３つであり、かつ最大で５つである。このように少ない対の数の第１積層体によって、既に有利に、静電放電に対する安定性を明らかに高めることができる。したがって、半導体ボディの厚さを著しく大きくせずに、静電放電に対する安定性を改良することができる。
【００２９】
少なくとも一実施の形態によれば、第１積層体の第１層の最大のドーパント濃度は、１×１０１８／ｃｍ３である。例えば、第１積層体の第１層をケイ素でドープすることができる。
【００３０】
少なくとも一実施の形態によれば、第２積層体の層厚は、５０ｎｍ以下である。例えば、第２積層体の第１層および第２層の層厚を、最大５ｎｍとすることができる。好ましくは、第２積層体の第１層および第２層の層厚を、少なくとも０．５ｎｍ、最大で２ｎｍとすることができる。第２積層体の層厚が５０ｎｍ以下であることによって、半導体ボディの順電圧を低くすることができる。
【００３１】
以下、本明細書に記載の半導体ボディについて、実施例および対応する図と関連付けてより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】半導体ボディの概略断面図である。
【図２】例示的な実施の形態に係る半導体ボディの概略断面図である。
【図３】２つの半導体ボディの静電荷による故障率を示す図である。
【図４】半導体ボディの様々な層のドーパント濃度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
各図において、同一の要素、類似の要素、または外見上類似した要素には同一の引用符号を付す。図、および図において表現された要素の大きさは、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、個々の要素は、より良好に表現できるように、および／またはよりわかりやすくなるように誇張した大きさである場合がある。
【００３４】
図１は、半導体ボディ１０の概略断面図である。半導体ボディ１０は、ｎ型ドープ領域２０を有する。ｎ型ドープ領域２０は、成長基板またはキャリア要素の上に位置していてもよい。ｎ型ドープ領域２０は、ｎ型コンタクト層２１を有する。垂直方向ｚにおいて、ｎ型ドープ中間層２２は、ｎ型コンタクト層２１の上に配置されている。ｎ型ドープ中間層２２およびｎ型コンタクト層２１は、ｎ型にドープされたＧａＮによって形成されていてもよい。
【００３５】
第２積層体５０は、中間層２２の上に配置されている。第２積層体５０は、対をなして交互に配置された第１層５１および第２層５２からなる。図１では、第２積層体５０の代表の第１層５１および代表の第２層５２のみが示されている。第２積層体５０は、交互に配置される複数の第１層５１と第２層５２とを有していてもよい。第２積層体５０の第１層５１をＩｎＧａＮで形成することができ、第２積層体５０の第２層５２をＧａＮで形成することができる。活性領域６０は、第２積層体５０の上に配置されている。ｐ型ドープ領域７０は、活性領域６０の上に配置されている。
【００３６】
図１に示される半導体ボディ１０では、第２積層体５０は、活性領域６０へのドーパントおよび他の外来原子の拡散を防止している。したがって、半導体ボディ１０は、より効率的に動作することができる。
【００３７】
図２は、例示的な実施の形態に係る半導体ボディ１０の概略断面図である。半導体ボディ１０は、ｎ型ドープ領域２０およびｐ型ドープ領域７０を有する。ｎ型ドープ領域２０は、ｎ型コンタクト層２１を有する。
【００３８】
垂直方向ｚにおいて、第１積層体３０は、ｎ型コンタクト層２１の上に配置されている。第１積層体３０は、対をなして交互に積層された第１層３１および第２層３２を含む。ここで、第１層３１は、ケイ素でｎ型にドープされており、第２層３２は、公称的にはドープされていない。これは、第２層３２が意図的にはドープされていないが、第１層３１からのドーパントが第２層３２に拡散し得ることを意味する。第１積層体３０の第１層３１のドーパント濃度は、最大で１×１０１８［１／ｃｍ３］である。したがって、各対の第１層３１および第２層３２は、ドーピング濃度が異なっており、各対の第１層３１および第２層３２の材料組成は、ドーピング以外は同一である。ｎ型コンタクト層２１および第１積層体３０は、ＧａＮで形成することができる。この例では、第１積層体３０は、第１層３１と第２層３２との対を３つ含む。
【００３９】
垂直方向ｚにおいて、中間層４０は、第１積層体３０の上に配置されている。中間層４０は、ＧａＮで形成することができ、少なくとも１×１０１８／ｃｍ３のドーパント濃度でケイ素を用いてｎ型にドープすることができる。中間層４０のドーパント濃度が高いことにより、活性領域６０が高い品質で成長することができ、また、半導体ボディ１０の静電放電に対する安定性が高められる。
【００４０】
第２積層体５０は、中間層４０の上に配置されている。第２積層体５０は、対をなして交互に積層された第１層５１および第２層５２を含む。第２積層体５０の第１層５１はＩｎＧａＮで形成することができ、第２積層体５０の第２層５２はＧａＮで形成することができる。したがって、各対の第１層５１および第２層５２は、材料組成が異なっている。図２では、第２積層体５０の代表の第１層５１および第２層５２のみが示されている。第２積層体５０は、交互に配置される複数の第１層５１と第２層５２とを有していてもよい。第２積層体５０の層厚は、５０ｎｍ以下である。
【００４１】
活性領域６０は、第２積層体５０に設けられている。したがって、第２積層体５０は、第１積層体３０と活性領域６０との間に配置されている。例えば、活性領域６０は、交互に配置された複数の量子井戸層およびバリア層を含む多重量子井戸構造を備えていてもよい。バリア層はＧａＡｌＮまたはＧａＮで形成することができ、量子井戸層はＩｎＡｌＧａＮまたはＩｎＧａＮで形成することができる。ｐ型ドープ領域７０は、活性領域６０の上に配置されている。したがって、活性領域６０は、ｎ型ドープ領域２０とｐ型ドープ領域７０との間に配置されている。
【００４２】
第１積層体３０を半導体ボディ１０に導入することによって、半導体ボディ１０の静電放電に対する安定性を高めることができる。また、第２積層体５０を半導体ボディ１０に導入することによって、ドーパントおよび他の不純物の活性領域６０への拡散が第２積層体５０によって防止されるまたは減少するため、半導体ボディ１０は、より効率的に動作することができる。
【００４３】
図３は、図１に示された半導体ボディ１０、および図２に示された半導体ボディ１０の静電荷故障率を示す。２ｋＶの人体モデル（ＨＢＭ：Human Body Model）試験（すなわち、２ｋＶの放電の場合）での故障率を、ｙ軸にプロットしている。Ｘ軸においては、図１に示された半導体ボディ１０の故障率を左側に示し、図２に示された半導体ボディ１０の故障率を右側に示している。図１の半導体ボディ１０については、故障率は約９０パーセントである。対照的に、図２の半導体ボディ１０の故障率は、１０パーセント未満である。図１の半導体ボディ１０と図２の半導体ボディ１０との差異は、図２の半導体ボディ１０が第２積層体５０に加えて第１積層体３０を有していることである。これにより、第１積層体３０の導入によって、静電放電時の故障率を驚くほど大幅に低減することができる。
【００４４】
図４は、図２に示される半導体ボディ１０のサンプルの様々な層のドーパント濃度を示す。ドーパント濃度は、二次イオン質量分析法によって測定されている。ｙ軸には、ｃｍ３あたりのドーパント濃度をプロットし、Ｘ軸には、二次イオンが検出される深さをｎｍ単位でプロットしている。０ｎｍの深さが半導体ボディ１０の表面に対応する。２５０ｎｍ付近のピークが、中間層４０を指す。当該中間層４０のドーパント濃度は、約１×１０１９［１／ｃｍ３］である。約２９０ｎｍ〜４３０ｎｍの深さの間に、第１積層体３０が位置している。第１積層体３０の第１層３１および第２層３２の層厚が小さいため、これらの層をスペクトルにおいて割り当てることができない。第１積層体３０のドーパント濃度が中間層４０のドーパント濃度より低いことを理解することができる。
【００４５】
本発明は、例示的な実施の形態を用いた説明によって実施の形態に限定されない。むしろ、本発明は、任意の新規な特徴および特徴の組合せ（特に特許請求項中の特徴の任意の組合せを含む）を、当該特徴または特徴の当該組合せそれ自体が特許請求項または実施例において明示的に言及されていないとしても包含するものである。
【００４６】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１６１２０４１９．６号の優先権を主張し、その開示内容は参照によって本明細書に援用される。
【符号の説明】
【００４７】
１０  半導体ボディ
２０  ｎ型ドープ領域
２１  ｎ型コンタクト層
２２  中間層
３０  第１積層体
３１  第１層
３２  第２層
４０  中間層
５０  第２積層体
５１  第１層
５２  第２層
６０  活性領域
７０  ｐ型ドープ領域
ｚ  垂直方向
【図１】
2019532515.tif 000003
【図２】
2019532515.tif 000004
【図３】
2019532515.tif 000005
【図４】
2019532515.tif 000006
【国際調査報告】
2019532515.tif 000007
2019532515.tif 000008
2019532515.tif 000009
2019532515.tif 000010
2019532515.tif 000011
2019532515.tif 000012