(57)【要約】  基板（ＳＴ）の基板表面（ＳＴ１）上に物質（ＳＢ）を蒸着させるための蒸着アレンジメント（１）が提供される。蒸着アレンジメントは、蒸着ソース（２０）と、蒸着ソース（２０）および蒸着表面との間に配置された蒸着マスク（３０）と、を備える。蒸着マスク（３０）は、蒸着ソースに対向する第１のマスク表面（３８）および基板表面（ＳＴ１）に対向する第２のマスク表面（３９）を有する。蒸着マスク（３０）には、少なくとも１つの閉領域（３４）と複数のスルーホール（３７）により画定される少なくとも１つの有孔領域（３６）とにより画定される空間パターンが設けられ、第２のマスク表面（３９）から距離（Ｄ）に基板表面（ＳＴ１）を有する基板を搬送する基板キャリア（１０）が設けられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（ＳＴ）の基板表面（ＳＴ１）上に物質（ＳＢ）を蒸着する蒸着アレンジメント（１）であって、
蒸着ソース（２０）と、
前記蒸着ソース（２０）と前記蒸着表面との間に配置された蒸着マスク（３０）であって、前記蒸着ソースに対向する第１のマスク表面（３８）と前記基板表面（ＳＴ１）に対向する第２のマスク表面（３９）とを有し、少なくとも１つの閉領域（３４）と複数のスルーホール（３７）により画定される少なくとも１つの有孔領域（３６）とにより画定される空間パターンが設けられる、蒸着マスク（３０）と、
を備え、
前記少なくとも１つの閉領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第１の領域に対応すると共に、前記少なくとも１つの有孔領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの有孔領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第２の領域に対応するという点において、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域および前記少なくとも１つの有孔領域により画定される前記空間パターンに対応する空間パターンに従って、前記アレンジメントの動作中に、物質が蒸着されるように、前記第２のマスク表面（３９）から距離（Ｄ）に前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板を搬送する基板キャリア（１０，７０，７２）が設けられ、
前記少なくとも第２の領域における蒸着された層は実質的に均質である、
蒸着アレンジメント。
【請求項２】
前記基板キャリア（１０，７０，７２）に沿って、前記基板（ＳＴ）を搬送する基板搬送設備（４２，４８，５２，５４）、
を備える請求項１に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項３】
前記蒸着マスク（３０）には、湾曲形状が設けられ、前記基板キャリア（１０）は、前記第２のマスク表面（３９）と共形な前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板（ＳＴ）を搬送する、
請求項２に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項４】
前記蒸着マスク（３０）は、円筒体として提供され、前記蒸着ソース（２０）は前記円筒体の内側に配置される、
ことを特徴とする請求項３に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項５】
前記円筒体をある角速度で回転させるアクチュエータ（５６）を、備え、
前記搬送設備（４２，４８，５２，５４）は、前記第２のマスク表面（３９）に対して少なくとも実質的に同軸な円筒形軌跡に沿って、前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板（ＳＴ）を搬送するように配置され、
前記円筒形軌跡に沿って搬送されるとき、前記基板は、前記蒸着表面に沿って、同じ角速度で移動する、
請求項４に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項６】
前記基板キャリアは、前記蒸着マスクの側面それぞれに配置された１対のサポートロール（７０，７２）により形成され、前記サポートロールは、前記蒸着マスクの外径よりも大きい外径を有する、
請求項３〜５のいずれか１項に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項７】
前記基板キャリアは、１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）をさらに備え、前記基板（ＳＴ）は、前記サポートロール（７０）および関連する前記相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）の間で、その側面の一方上でガイドされる、
請求項６に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項８】
前記１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）の少なくとも１つは、前記サポートロール（７０）に向かって基板（ＳＴ）に圧力を加える、
請求項７に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項９】
前記サポートロール（７０； ７２）それぞれは、前記１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ；７２ａ，・・・，７２ｎ）のセットそれぞれを有する、
請求項７または８に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１０】
前記サポートロール（７０； ７２）は、前記１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）のセットを共有する、
請求項７または８に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１１】
前記基板キャリアは、相補的サポートベルト（７０ａ，・・・，７０ｎ）を備え、前記基板（ＳＴ）は、前記サポートロール（７０，７２）および関連する前記相補的サポートベルト（７６，７７）の間で、その側面の一方上でガイドされる、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１２】
前記相補的サポートベルト（７６，７７）は、前記サポートロール（７０，７２）に向かって前記基板（ＳＴ）に圧力を加える、
請求項１１に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１３】
前記サポートロール（７０； ７２）それぞれは、相補的サポートベルト（７６，７７）それぞれを有する、
請求項１１または１２に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１４】
前記サポートロール（７０；７２）は、相補的サポートベルト（７６）を共有する、
請求項１１または１２に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１５】
前記サポートロール（７０，７２）は、方向が前記蒸着マスク（３０）の回転軸からずれた回転軸を有し、搬送方向において対向するとき、前記基板の左側面の前記サポートロール（７０）のずれは、反時計回りであり、前記搬送方向において対向するとき、前記基板の右側面の前記サポートロール（７２）のずれは、時計回りである、
請求項７〜１４のいずれか１項に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１６】
前記スルーホール（３７）は、前記第２のマスク表面（３９）から前記第１のマスク表面（３８）に向かう方向に広がる、
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１７】
前記スルーホール（３７）は、前記第１のマスク表面（３８）から前記第２のマスク表面（３９）に向かう方向に広がる、
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１８】
前記蒸着マスク（３０）は、無端ベルト（３７０）の中央領域として形成され、
前記蒸着ソース（２０）は、前記無端ベルト（３７０）により形成されたループの内側に配置され、
前記無端ベルト（３７０）は、ベルトガイドロール（３７２）および相補的なベルトガイドロール（３７４ａ、３７４ｂ、３７４ｃ、…、３７４ｎ）により互いに対向する側面上でガイドされ、
前記基板（ＳＴ）は、前記蒸着マスクの第２の表面（３９）から予め決められた距離Ｄにある基板キャリアロール（４９）により搬送される、
請求項２に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１９】
基板（ＳＴ）の基板表面（ＳＴ１）上に物質（ＳＢ）を蒸着する方法であって、
前記物質（ＳＢ）を提供することと、
蒸着マスク（３０）の第１のマスク表面（３８）から、前記蒸着マスク（３０）の第２のマスク表面（３９）に向かう方向に前記物質を前記蒸着マスク（３０）を介して通過させて、前記第２マスク表面（３９）に対向する前記基板表面（ＳＴ１）上に蒸着されるようにすることと、
を備え、
前記蒸着マスク（３０）には少なくとも１つの閉領域（３４）と複数のスルーホール（３７）により画定される少なくとも１つの有孔領域（３６）とにより画定される空間パターンが設けられることを特徴とし、
当該方法は、前記少なくとも１つの閉領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第１の領域に対応すると共に、前記少なくとも１つの有孔領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの有孔領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第２の領域に対応するという点において、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域および前記少なくとも１つの有孔領域により画定される前記空間パターンに対応する空間パターンに従って、前記基板表面上に前記物質が蒸着されるように、前記第２のマスク表面（３９）からある距離に前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板を搬送することを備え、
前記少なくとも第２の領域における蒸着された層は実質的に均質である、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、蒸着アレンジメント（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）に関する。本出願は、さらに蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、連続するロールツーロール気相蒸着プロセス（ｃｏｎｔｅｉｎｏｕｓ  ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ  ｖａｐｏｒ  ｃｏａｔｉｎｇ  ｂａｓｅｄ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ）において、ＯＬＥＤ基板にパターン化されたコーティングを付す装置に関する。装置は、蒸着ソース、処理ドラム、駆動ローラおよびシャドーマスクを備え、シャドーマスクは、基板上へのコーティングの蒸着を選択的に防ぐマスクライン機構（ｍａｓｋ  ｌｉｎｅ  ｆｅａｔｕｒｅ）を備える。マスクライン機構は、ＯＬＥＤ基板の移動方向に対して平行に配置される。シャドーマスクはまた、１つ以上のビーム機構を備える。ビーム機構は、ＯＬＥＤ基板の移動方向に対して垂直に位置決めされ、ライン機構に機械的サポートを提供する。これらのビーム機構は、熱的または機械的ストレスに関連したマスクライン機構の変形を防ぐ役割を果たす。既知の装置は、基板の長手方向に延び、相互に間隔が空けられたコーティングバンド（ｃｏａｔｉｎｇ  ｂａｎｄｓ）を蒸着するために適する。短所は、この装置が、長手方向に境界がある形状への蒸着に適さないことである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１１／００６５２８２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、シャドーマスクの適切なサポートを提供しつつ、より幅広い種類のパターンでの蒸着を可能とするという点において改良された蒸着アレンジメントおよび蒸着方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様によれば、請求項１に記載のとおりの蒸着アレンジメントが提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様によれば、請求項１７に記載のとおりの蒸着方法が提供される。
【０００７】
とりわけ、蒸着アレンジメントにおける蒸着マスクおよび蒸着方法において用いられる蒸着マスクには、少なくとも１つの閉領域（ｃｌｏｓｅｄ  ａｒｅａ）により画定される空間パターン、および、複数のスルーホールにより画定される少なくとも１つの有孔領域（ｐｅｒｆｏｒｍａｔｅｄ  ａｒｅａ）が設けられる。さらに、第２のマスク表面からある距離に基板表面を有する基板を、搬送する基板キャリアが設けられる。
【０００８】
この蒸着アレンジメントおよび蒸着方法において、それ以前には、蒸着マスクとしての単一の金属板によってでは達成され得なかったパターンの蒸着が可能となる。例えば、文字「ｅ」のなかで、蒸着された物質が存在しない状態に保たれる基板領域は、蒸着マスクにおいて対応する閉領域を必要とする。この基板領域を囲む基板表面の領域は、蒸着されようとする物質に対して透過性があるべきである。このことは、しかしながら、蒸着マスクの閉領域が、マスクの残りの部分（ｒｅｍｉｎｄｅｒ）にもはや接続されないことを必要とするであろう。本発明にかかる蒸着アレンジメントおよび蒸着方法において、物質に対して透過性がある領域が、有孔領域として設けられる。一方、これは、蒸着物質が基板表面に向かって通過することを可能とする。同時に、これは、中に含まれる閉領域をサポートする。第２のマスク表面からある距離に基板表面を有する基板を、搬送する基板キャリアが設けられるので、有孔領域における個々のスルーホールから生じる蒸着パターンは互いに重なり合い、個々のスルーホールのパターンは、基板表面上に蒸着された物質により形成されたパターンにおいて（または限定された程度に）可視でない。
【０００９】
基板キャリアが、第２のマスク表面からある距離に基板表面を有する基板を、運ぶので、蒸着マスクの少なくとも１つの閉領域および少なくとも１つの有孔領域により画定される空間パターンに対応する空間パターンに従った物質の蒸着が達成される。つまり、少なくとも１つの閉領域は、第１の基板表面上の少なくとも第１の領域に対応し、第１の領域は、蒸着マスクの少なくとも１つの閉領域と同形（ｉｓｏｍｏｒｐｈｉｃ）であり、少なくとも１つの有孔領域は、第１の基板表面上の少なくとも第２の領域に対応し、第２の領域は、蒸着マスクの少なくとも１つの有孔領域と同形である。
【００１０】
ここで、少なくとも第１の領域には、蒸着された物質は実質的に存在せず、少なくとも第２の領域には物質の層が設けられる。基板キャリアが第２のマスク表面からある距離に第１の基板表面を有する基板を搬送するという事実に起因して、少なくとも第２の領域における蒸着された層を実質的に均質とすることが達成される。実質的に均質な層は、蒸着された層の厚さの平均の変動よりも厚さの変動が実質的に少ない層であると理解される。より特に、最小の厚さと最大の厚さとの間の差は、平均の厚さの５０％未満である。好ましくは、最小の厚さと最大の厚さとの間の差は、平均の厚さの２０％未満、さらには、平均の厚さの１０％未満である。
【００１１】
１つの実施形態において、蒸着マスクには、湾曲形状（ｃｕｒｖｅ  ｓｈａｐｅｄ  ｆｏｒｍ）が設けられ、基板キャリアは、第２のマスク表面と共形な基板表面を有する基板を搬送する。これとともに、蒸着マスクは、向上した構造的完全性を有し得る。
【００１２】
特に、蒸着マスクは円筒体として提供されてよく、蒸着ソースは円筒体の内側に配置されてよい。これは、ロールツーロールアレンジメントにおける非常に効率的な実装（ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎ）を可能とする。この実装におけるロールツーロールアレンジメントは、例えば、円筒体をある角速度で回転させるアクチュエータを備えてよく、搬送設備は、第２のマスク表面に対して少なくとも実質的に同軸になるように円筒形軌跡に沿って、基板表面を有する基板を搬送するように配置されてよく、前記円筒形軌跡に沿って搬送されるとき、基板は蒸着表面（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｓｕｒｆａｃｅ）に沿って同じ角速度で移動する。この実施形態において、連続的な蒸着プロセスが可能となる。
【００１３】
１つの実施形態において、基板キャリアは、蒸着マスクの側面それぞれに配置された１対のサポートロールにより形成され、サポートロールは、蒸着マスクの外径よりも大きい外径を有する。ほとんどの場合において、これは、基板を、蒸着マスクと適切に位置合わせし、位置決めするために十分である。必要ならば、サポートロールは、相補的（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）サポートロールまたは相補的サポートベルトといった相補的サポート手段と組み合わされてよい。
【００１４】
これらおよび他の態様は、図面を参照してより詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１，図１Ａ，図１Ｂは、第１の態様にかかる蒸着アレンジメントの実施形態を概略的に示す。ここで、図１は、実施形態の概要を示し、図１Ａはこの実施形態の詳細を示し、図１Ｂは、図１ＡにおけるＩＢ−ＩＢに従った断面図を示す。
【図１Ａ】図１，図１Ａ，図１Ｂは、第１の態様にかかる蒸着アレンジメントの実施形態を概略的に示す。ここで、図１は、実施形態の概要を示し、図１Ａはこの実施形態の詳細を示し、図１Ｂは、図１ＡにおけるＩＢ−ＩＢに従った断面図を示す。
【図１Ｂ】図１，図１Ａ，図１Ｂは、第１の態様にかかる蒸着アレンジメントの実施形態を概略的に示す。ここで、図１は、実施形態の概要を示し、図１Ａはこの実施形態の詳細を示し、図１Ｂは、図１ＡにおけるＩＢ−ＩＢに従った断面図を示す。
【図２Ａ】図２Ａは、蒸着アレンジメントの１つの実施形態における蒸着マスクを、より詳細に示し、図２Ｂは、図２ＡにおけるＩＩＢ−ＩＩＢに従った断面図であり、図２Ｃは、代替案を示す。
【図２Ｂ】図２Ａは、蒸着アレンジメントの１つの実施形態における蒸着マスクを、より詳細に示し、図２Ｂは、図２ＡにおけるＩＩＢ−ＩＩＢに従った断面図であり、図２Ｃは、代替案を示す。
【図２Ｃ】図２Ａは、蒸着アレンジメントの１つの実施形態における蒸着マスクを、より詳細に示し、図２Ｂは、図２ＡにおけるＩＩＢ−ＩＩＢに従った断面図であり、図２Ｃは、代替案を示す。
【図３Ａ】図３Ａ，図３Ｂは、第１の態様にかかるアレンジメントの１つの実施形態で得られる実験結果を図示する。
【図３Ｂ】図３Ａ，図３Ｂは、第１の態様にかかるアレンジメントの１つの実施形態で得られる実験結果を図示する。
【図４Ａ】図４Ａ〜図４Ｃは、さらなる実施形態を示す。ここで、図４Ａは、このアレンジメントにおける様々な構成要素の概略図であり、図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢに従った上面図であり、図４Ｃは、図４ＡのＩＶＣに従った底面図である。
【図４Ｂ】図４Ａ〜図４Ｃは、さらなる実施形態を示す。ここで、図４Ａは、このアレンジメントにおける様々な構成要素の概略図であり、図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢに従った上面図であり、図４Ｃは、図４ＡのＩＶＣに従った底面図である。
【図４Ｃ】図４Ａ〜図４Ｃは、さらなる実施形態を示す。ここで、図４Ａは、このアレンジメントにおける様々な構成要素の概略図であり、図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢに従った上面図であり、図４Ｃは、図４ＡのＩＶＣに従った底面図である。
【図５Ａ】図５Ａ〜５Ｃは、さらなる実施形態を図示する。ここで、図５Ａは、このアレンジメントにおける様々な構成要素の概略図であり、図５Ｂは、図５ＡのＶＢに従った上面図であり、図５Ｃは、このさらなる実施形態の異なるバージョンの図５ＡにおけるＶＣに従った平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａ〜５Ｃは、さらなる実施形態を図示する。ここで、図５Ａは、このアレンジメントにおける様々な構成要素の概略図であり、図５Ｂは、図５ＡのＶＢに従った上面図であり、図５Ｃは、このさらなる実施形態の異なるバージョンの図５ＡにおけるＶＣに従った平面図である。
【図５Ｃ】図５Ａ〜５Ｃは、さらなる実施形態を図示する。ここで、図５Ａは、このアレンジメントにおける様々な構成要素の概略図であり、図５Ｂは、図５ＡのＶＢに従った上面図であり、図５Ｃは、このさらなる実施形態の異なるバージョンの図５ＡにおけるＶＣに従った平面図である。
【図６Ａ】図６Ａ〜図６Ｃは、さらなる実施形態を示す。ここで、図６Ａは、このアレンジメントにおける様々な構成要素の概略図であり、図６Ｂは、図６ＡにおけるＶＩＢ―ＶＩＢに従った階段状（ｓｔｅｐ  ｗｉｓｅ）の断面図であり、図６Ｃは、図６Ａの実施形態の異なるバージョンの図５ＡにおけるＶＩＣ−ＶＩＣに従った階段状の対応する断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａ〜図６Ｃは、さらなる実施形態を示す。ここで、図６Ａは、このアレンジメントにおける様々な構成要素の概略図であり、図６Ｂは、図６ＡにおけるＶＩＢ―ＶＩＢに従った階段状（ｓｔｅｐ  ｗｉｓｅ）の断面図であり、図６Ｃは、図６Ａの実施形態の異なるバージョンの図５ＡにおけるＶＩＣ−ＶＩＣに従った階段状の対応する断面図である。
【図６Ｃ】図６Ａ〜図６Ｃは、さらなる実施形態を示す。ここで、図６Ａは、このアレンジメントにおける様々な構成要素の概略図であり、図６Ｂは、図６ＡにおけるＶＩＢ―ＶＩＢに従った階段状（ｓｔｅｐ  ｗｉｓｅ）の断面図であり、図６Ｃは、図６Ａの実施形態の異なるバージョンの図５ＡにおけるＶＩＣ−ＶＩＣに従った階段状の対応する断面図である。
【図７】図７は、図５Ｂの実施形態の変形例を図示する。
【図８Ａ】図８Ａ，図８Ｂは、第１の態様にかかる蒸着アレンジメントのさらなる実施形態を示す。ここで、図８Ｂは、図８ＡのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢに沿った断面を示す。
【図８Ｂ】図８Ａ，図８Ｂは、第１の態様にかかる蒸着アレンジメントのさらなる実施形態を示す。ここで、図８Ｂは、図８ＡのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢに沿った断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
特に示されない限り、様々な図面における同様な参照記号は、同様な構成要素を示す。
【００１７】
図１は、基板ＳＴの基板表面ＳＴ１上に物質ＳＢを蒸着する蒸着アレンジメント１を概略的に示す。蒸着アレンジメントは、蒸着ソース２０および蒸着マスク３０を備える。後者は、図１Ａ，図１Ｂにおいて、より詳細に示される。ここで、図１Ａは、図１にかかる蒸着マスク３０の上面図を示し、図１Ｂは、図１ＡにおけるＩＢ−ＩＢに沿った蒸着マスクの断面図を示す。蒸着マスク３０は、蒸着ソース２０および基板ＳＴの蒸着表面ＳＴ１の間に配置される。蒸着マスク３０は、蒸着ソース２０に対向する第１のマスク表面３８および基板表面ＳＴ１に対向する第２のマスク表面３９を有する。図１Ａ，図１Ｂに最もよく見られるように、蒸着マスク３０には空間パターンが設けられ、空間パターンは、少なくとも１つの閉領域３４および少なくとも１つの有孔領域３６により画定され、有孔領域３６は、複数のスルーホール３７により画定される。基板キャリア１０が設けられ、第２のマスク表面３９からある距離に基板表面ＳＴ１を有する基板を搬送する。
【００１８】
１つの実施形態において、蒸着マスク３０は、約２ミクロンから約５００ミクロンの範囲の厚さΔＤを有する。厚さΔＤが、２ミクロンより実質的に小さいこと、例えば、１ミクロンまたは０．５ミクロンであることは、不十分な蒸着マスクの剛性（ｒｉｇｉｄｉｔｙ）につながると予想される。厚さΔＤが、５００ミクロンより実質的に大きい場合、例えば１ｍｍまたは２ｍｍである場合、このことは、スルーホール３７の壁面上に、比較的多量の蒸発物質が蒸着するという効果を有するであろう。
【００１９】
好ましくは、蒸着マスク３０の厚さΔＤは、スルーホールの直径と同桁程度の大きさである。例えば、厚さは、スルーホールの直径の０．２から５倍の範囲であってよい。
【００２０】
１つの実施形態において、スルーホール３７は、１０〜１００ミクロンの範囲の直径を有する。従って、より低い範囲の直径を有するスルーホールを有する蒸着マスクは、好ましくは２〜１００ミクロンの範囲の厚さを有し、一方、より高い範囲の直径を有するスルーホールを有する蒸着マスクは、好ましくは２０から５００ミクロンの範囲の厚さを有する。
【００２１】
いくつかの用途において、スルーホール３７は、テーパー（ｔａｐｅｒ）にされてよい。例えば、スルーホールは、図１Ｂに示されるように、蒸着ソース２０に向かう方向αに向かって外側にテーパーになってよく、角度αは、第１（または第２）のマスク表面の法線に対して０〜７０°の範囲である。実用的な目的のために、製造可能性の点で、典型的には０〜４５°の範囲において角度が選択されるであろう。あるいは、スルーホールは、蒸着ソースから離れる方向αに、場合により第１（または第２）マスク表面の法線に対して０〜７０°の範囲、製造性に関してといった実際の目的のために、好ましくは０〜４５°といった範囲の角度αで外側にテーパーになってよい。
【００２２】
透過率は、有孔領域においてスルーホールにより占められる割合として定義される。１０％から約５０％の範囲の透過率が最適であることが見いだされた。透過率が実質的に１０％未満、例えば、実際において０．５％の場合には、達成される蒸着の均質性が不十分になる。透過率が実質的に５０％より大きく、例えば７０％より大きい場合、蒸着マスク３０の構造的完全性が危うくなる。最も実用的な実装において、透過率は１５〜３０％の範囲内、例えば、２０〜２５％の範囲内であり、例えば２１％であってよい。スルーホールがテーパーにされている場合、スルーホールにより占められる割合は、スルーホールが外側にテーパーにされる蒸着マスクの側で、より大きい。この場合、スルーホールが外側にテーパーにされる側の透過率は、透過率についてここに示されているように、好ましくは、例えば、５０％、３０％または２５％の上限を満たすべきである。蒸着マスクの反対側の透過率は、好ましくは、例えば１０％、２０％または３０％の下限を満たすべきである。
【００２３】
ほとんどの状況において、基板キャリア１０は、第２のマスク表面３９からある距離Ｄ（連続する（ｓｕｂｓｅｑｕｅｎｔ）スルーホール間の平均距離ｄｈの０．５〜５倍の範囲であるような距離）に表面ＳＴ１を有する基板ＳＴを搬送してよい。状況によっては、距離Ｄはさらに大きくてよい。例えば、基板表面ＳＴ１上の蒸着パターンにおける形状間の急激な遷移が必要とされない場合、または、滑らかな遷移が望まれる場合には、距離Ｄは平均距離ｄｈの１０倍または２０倍であってさえよい。これは、蒸着マスクの厚さΔＤが、スルーホールの直径と比較して比較的大きい場合、例えば、蒸着マスクの厚さΔＤが、スルーホールの直径×５よりも大きい場合も同様である。他の場合には、距離Ｄは、上記最小値よりも小さくてもよい。例えば、蒸着ソース２０が比較的大きな面積を有する場合、距離Ｄは、いくらか小さく、例えば、それに続くスルーホールの間の平均距離ｄｈの０．２倍であってもよい。
【００２４】
ここで用いられるように、用語「基板」は、処理、この場合には層蒸着が行われる表面を含む物体としての材料科学におけるその通常の意味を有する。これに関連して、例えば、フレキシブルエレクトロニクスの製造に関連して、基板は、典型的にはホイル（ｆｏｉｌ）を備える。「ホイル」という用語は、１つまたは複数の材料層を備えるシートを指す。マスクもまた位置合わせされるかもしれない構造が、ホイルの上にあり得る。ホイルは、それが、ロールツーロール（Ｒ２Ｒ）製造工程で用いられ得るように可撓である。このような目的のために、ホイルは、それが、５０ｃｍ以下、例えば１２ｃｍの曲率半径にわたって巻かれ得るか、曲げられ得れば、可撓であると考えられてよい。あるいは、または、または併せて、ホイルは、それが、５００Ｐａ・ｍ３未満の曲げ剛性を有する場合、可撓であると考えられてよい。ホイルとして、または、ホイルの層として適した材料は、例えば、ＰＥＴ、ＰＥＮまたはＰＩなどのポリマーである。また、薄いガラスは、適切な基板材料となり得る。あるいは、アルミニウム、鋼鉄または銅といった金属が、この目的に用いられてよい。ホイルは、必要とされる強度および可撓性に応じて、例えば、１ミクロンから１ｍｍの範囲の厚さを有してよい。他の目的のために、より剛性の高い基板、例えば、ガラス板も考えられてよい。
【００２５】
閉領域３４および有孔領域３６を有する空間パターンを有する蒸着マスクで実験が行われた。有孔領域は、複数のスルーホール３７により画定される。有孔領域３６は、蒸着された物質の実質的に連続な層が設けられる基板表面ＳＴ１の領域を画定し、閉領域は、基板表面ＳＴ１の領域を、物質が存在しない状態に保たれるように画定する。図２Ａ，図２Ｂには、蒸着マスク３０の有孔領域３６の一部が図示される。図２Ｃは、様々な代替案を図示する。図２Ａは、蒸着マスク３０の有孔領域の上面図であり、図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢに沿った断面図を示す。
【００２６】
ここで用いられるような蒸着マスクは、４０ミクロンの直径Φｍｉｎを有し、六方格子に沿って約１００ミクロンの距離で隔てられたスルーホール３７が開けられた、６０ミクロンの厚さを有するステンレス鋼のホイルである。スルーホールの存在は、２１％の透過率を提供する。図２Ｂに最もよく見られるように、スルーホール３７は、約２０°の角度で外側に向かってテーパーになる。しかしながら、あるいは、図２Ｃに示されるように、スルーホール３７は反対の方向にテーパーになってよく、または、円筒形になってよい。これは、蒸着ソース２０の性質に依存してよい。蒸着ソース２０が、点ソースである場合、スルーホール３７を基板ＳＴの方向に、外側にテーパーにすることが好適かもしれない。
【００２７】
図２Ａ，図２Ｂに示されるような有孔領域３６を有する蒸着マスクは、ＰＥＴホイルの基板表面から約２００ミクロンの距離Ｄで配置された。この蒸着マスクを用い、１ｎｍ／分Ａｌの能力を有するカスタム熱（ｃｕｓｔｏｍ  ｔｈｅｒｍａｌ）物理気相蒸着（ｐｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＶＤ）装置を用いてアルミニウムが蒸着された。例えば、電子ビームＰＶＤ、化学気相成長（ＣＶＤ）技術およびスパッタ技術などの他の熱物理気相蒸着技術といった他の蒸着技術もまた適切である。
【００２８】
１つの例として、第１の空間パターンは、階段状に減少する１組の線の形態で適用された。このパターンの第１の線は１０００ミクロンの幅、２番目の線は５００ミクロンの幅、３番目の線は２００ミクロンの幅などを有する。第１の線における有孔領域３６は、線の幅の方向に約１０個の隣接する孔を有し、第２の線における有孔領域３６は約５個などの隣接する穴を有する。
【００２９】
処理された基板ＳＴａが、こうして得られ、図３Ａに示される。１０００ミクロンの幅を有する線が、明確に可視であることが見られ得る。また、５００ミクロンの幅を有する線は、まだ可視である。結果的に、隣接するスルーホールの間隔の約５倍以上の最小サイズを有するパターン要素には、良好な蒸着結果が得られる。
【００３０】
図３Ｂは他の例を示し、この例では、図１，図１Ａ，図１Ｂの参照により記載される、図２Ａ，図２Ｂの蒸着マスクを有する蒸着アレンジメントは、基板ＳＴｂ上に文字のパターンとしてアルミニウムを蒸着させるために用いられた。
【００３１】
この蒸着マスクを有する蒸着アレンジメントは、これまで、蒸着マスクとして単一の金属板では達成されなかったパターンを蒸着することを可能にする。例えば、文字「ｅ」において蒸着物質が存在しないように保たれる基板領域は、蒸着マスクに、対応する閉領域を必要とする。この基板領域を囲む基板表面の領域は、蒸着されようとする物質に対して透過性があるべきである。しかしながら、これは、蒸着マスクの閉領域が、もはやマスクの残りの部分に接続されないことを必要とするであろう。本発明による蒸着アレンジメントにおいて、物質に対して透過性がある領域は、有孔領域として提供され、この領域は、一方で、蒸着物質が基板表面に向かって通過することを可能にし、他方で、内側に含まれる閉領域をサポートする。
【００３２】
実施形態では、蒸着マスクは、閉領域および有孔領域に加え、完全な開領域を備えてよい。例えば、図３Ｂに図示されるパターンの蒸着のために、文字「ｔ」に対応する蒸着マスク上のパターンは、完全な開領域として形成されてよい。
【００３３】
図４Ａ〜４Ｃは、ホイルの上の製品のＲ２Ｒ製造を可能にする本発明のアレンジメントの実施形態を示す。ホイルは、例えば、ＰＥＴまたはＰＥＮホイルであってよく、例えば、１００〜２００ミクロンの範囲の厚さを有する。
【００３４】
アレンジメントの概略図が図４Ａに示される。図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢに従ったアレンジメントの上面図である。図４Ｂはまた、視点（ＩＶＡ）を示し、この視点から、図４Ｂにおいて可視なアレンジメントの部分（例えば、ＳＴ，４４，４６，７０）が、図４Ａにおいて可視である。図４Ｃは、図４ＡのアレンジメントのＩＶＣに従った上面図である。明確性のために、図４Ｂ，図４Ｃは、基板ＳＴ、蒸着マスク３０、ガイドロール４４，４６およびサポートロール７０，７２のみを示す。
【００３５】
図４Ａ〜図４Ｃに示された蒸着アレンジメントは、基板キャリア１０に沿って基板ＳＴを搬送する基板搬送設備４２，４８，５２，５４を備える。図示された実施形態において、基板搬送設備は、巻出ロール４２、第１のガイドロール４４、第２のガイドロール４６および巻取ロール４８を含む。参照番号５２，５４は、それぞれ巻出ロール４２および巻取ロール４４の回転を誘導するアクチュエータを示す。図４Ａ〜４Ｃの蒸着アレンジメントは、巻出ロール４２から巻取ロール４８への経路に配置された他の同様な蒸着アレンジメントまたは異なるタイプの蒸着アレンジメントと組合わされてよいことが理解されよう。
【００３６】
図４Ａ〜図４Ｃの実施形態において、蒸着マスク３０には湾曲形状が備えられる。基板キャリアは、蒸着マスクの側面それぞれに配置された１対のサポートロール７０，７２により形成される。１対のサポートロールは、第２のマスク表面への距離Ｄで、第２のマスク表面３９と共形な基板表面ＳＴ１を有する基板ＳＴを搬送する。サポートロールは、それとともに搬送される基板ＳＴに対応する速度を、それらの円周が有するような回転速度で、能動的または受動的に回転してよい。
【００３７】
第２のマスク表面３９と共形な基板表面ＳＴ１を、第２のマスク表面に対して距離Ｄに保つため、サポートロール７０，７２は、蒸着マスクの外径よりも２Ｄ大きい外径を有する。蒸着ソースといったアレンジメントの内部部分が、例えばサービス目的のために容易にアクセス可能となるように、サポートロールの一方または両方は、中央開口部（ｃｅｎｔｒａｌ  ｏｐｅｎｉｎｇ）を有してよく、例えば中空円筒として形成されてよく、外側軸受（ｏｕｔｅｒ  ｂｅａｒｉｎｇ）を有してよい。蒸着マスクにおける完全な開領域の代わりとして有孔領域が存在することによりもたらされる機械的安定性に加え、湾曲形状としての蒸着マスク３０の配置は、機械的安定性をさらに向上させる。特に、蒸着マスク３０が円筒体として提供されるということにおいて、非常に安定した機械的構造が得られる。蒸着ソース２０は、円筒体の内側に配置される。
【００３８】
図４Ａの蒸着アレンジメントの実施形態は、ある角速度で円筒体を回転させるアクチュエータ５６を備える。アクチュエータ５２，５４，５６の全ては、コントローラ６０により制御される。コントローラ６０は、基板における張力を測定する１つ以上の張力センサ、基板の搬送速度を測定する速度センサ、蒸着マスク３０の回転速度を測定する速度センサ、蒸着マスク３０のマスク表面３９（ｏｕｔｅｒ  ｓｕｒｆａｃｅ）と基板表面ＳＴ１との間の距離を感知する距離センサといった、様々なセンサおよび／または検出器からの入力をさらに受けてよい。搬送設備４２，４８，５２，５４は、第２のマスク表面３９に対して少なくとも実質的に同軸に、円筒形の軌跡に沿って、基板表面ＳＴ１を有する基板ＳＴを搬送するように配置される。それとともに、円筒形の軌跡に沿って搬送されるとき、基板ＳＴは、蒸着表面に沿って、同じ角速度で移動する。この場合、円筒形の軌跡は、基板をガイドするサポートロール７０，７２の外面（ｏｕｔｅｒ  ｓｕｒｆａｃｅ）により画定される。
【００３９】
比較的薄い基板にとって、蒸着マスク３０と適切に位置合わせされた基板を維持するためには、サポートロール７０，７２のみによるサポートは不十分であるかもしれない。
【００４０】
図５Ａ〜図５Ｃは、追加のサポートを提供する代替の実施形態のバージョンを示す。これらにおいて、図４Ａ〜図４Ｃの構成要素に対応する構成要素は、同じ符号を有する。図５Ｂは、上面図ＶＢに沿った１つのバージョンの断面図を示す。図５Ｃは、上面図ＶＣに従った別のバージョンの断面図を示す。図５Ａ〜５Ｃに示される実施形態において、基板キャリアは、サポートロール７０，７２に加えて、相補的サポートロール７０ａ，・・・，７０ｎを備える。図５Ｂに示される実施形態において、サポートロールそれぞれは、相補的サポートロールそれぞれを有する。つまり、サポートロール７０は、相補的サポートロール７０ａ，・・・，７０ｎを有し、サポートロール７２は、相補的サポートロール７２ａ，・・・，７２ｎを有する。サポートロール７０および相補的サポートロール７０ａ，・・・，７０ｎとの間で、基板ＳＴが一方の側面上でガイドされるということにおいて、相補的サポートロール７０ａ，・・・，７０ｎ及び７２ａ，・・・，７２ｎはさらなるサポートを提供し、一方、基板ＳＴは、サポートロール７２およびこれに関連する相補的サポートロール７２ａ，・・・，７２ｎとの間で、その対向する側面上でガイドされる。相補的サポートロールは、基板ＳＴの側面を、これらが関連するサポートロールに向かって押すかもしれない。図５Ｃに示される実施形態において、サポートロール７０，７２は、１組の相補的サポートロール７０ａ，・・・，７０ｎを共有する。つまり、相補的サポートロール７０ａ，・・・，７０ｎは、基板ＳＴの全幅にわたって延びる。
【００４１】
１つの実施形態において、代替的または追加的に、テンターフレーム技術（ｔｅｎｔｅｒ  ｆｒａｍｅ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が使われてよい。ここで、基板保持クリップを有する２つの無端チェーンが、近い間隔をおいて設けられ、基板を、蒸着マスクから制御された距離に保つ。基板保持クリップは、基板の貫通孔と協働してよい。その例は、米国特許第６５０３８５号明細書，同第２５８４５５３号明細書，同第４４０３３７９号明細書に記載される。
【００４２】
さらなる実施形態が、図６Ａ〜図６Ｃに示される。図６Ｂは、図６ＡにおけるＶＩＢ−ＶＩＢに従った１つのバージョンの階段状の断面図を示す。図６Ｃは、上面図ＶＩＣ−ＶＩＣに従った別のバージョンの階段状の断面図を示す。図６Ａ〜図６Ｃに示される実施形態において、基板キャリアは、サポートロール７０，７２に加え、それぞれの相補的サポートベルト（図６Ｂ）または共有される相補的サポートベルト（図６Ｃ）を備える。
【００４３】
図６Ｂの実施形態において、サポートロール７０，７２それぞれは、相補的サポートベルト７６，７７それぞれを有する。図６Ａに最もよく見られ得るように、相補的サポートベルト７６は、１組のサポートベルトガイドロール７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，・・・，７４ｎの周りに、無端ループを形成する。同様に、サポートベルト７７は、１組のサポートベルトガイドロールの周りに、無端ループとして形成され、その１つのサポートベルトガイドロール７８ｃは、図６Ｂにおいて見られ得る。アレンジメントの動作中、基板ＳＴは、サポートロール７０およびこれと関連する相補的サポートベルト７６との間の一方の側面上でガイドされる。その対向する側面上で、基板ＳＴは、サポートロール７２およびこれに関連する相補的サポートベルト７７との間でガイドされる。それとともに、相補的サポートベルト７６，７７は、基板の関連する面に、関連するサポートロールの方向の圧力を加えてよい。それとともに、基板ＳＴは、サポートロール７０および関連する相補的サポートベルト７６との間の一方の側面上と、および、サポートロール７２および関連する相補的サポートベルト７７の間の他方の側面上とにクランプされる。相補的サポートベルト７６により加えられる圧力は、サポートベルトガイドロール７４ｃ，７８ｃなどを用いて誘導されてよい。
【００４４】
図６Ｃのバージョンにおいて、サポートロール７０，７２は、基板ＳＴの全幅にわたって延びる、共有される相補的サポートベルト７６と協働する。図６Ａにおいて最もよく見られ得るように、相補的サポートベルト７６は、１組のサポートベルトガイドロール７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，・・・，７４ｎの周りに無端ループを形成し、この場合もまた、典型的には、これらは基板ＳＴの全幅にわたって延びる。図６Ｂの実施形態においても、相補的サポートベルト７６，７７を、共有の１組のサポートベルトガイドロール７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，・・・，７４ｎの周りにガイドすることが期待されてよく、この場合もまた、典型的には、これらは基板ＳＴの全幅にわたって延びる。相補的サポートベルト７６，７７は、例えば、バネ鋼のような弾性材料で形成されてよいだけでなく、ニッケル、スズ、亜鉛を含む銅合金、またはポリマーといった他の材料も適するかもしれない。使用される材料に応じて、無端ベルトの厚さは、０．０１〜０．５ｍｍの範囲、例えば０．０５ｍｍから０．１ｍｍまでであってよい。
【００４５】
図７は、図５Ｂの実施形態の代替のバージョンを示す。この実施形態では、サポートロール７０，７２は、蒸着マスク３０の回転軸からずれる方向に回転軸を有する。搬送方向に対向するとき、基板の左の側面でのサポートロール７０のずれは、反時計回りである。搬送方向に対向するとき、基板の右の側面上でのサポートロール７２のずれは、時計回りである。
【００４６】
特に、サポートロール７０が、蒸着マスク３０の回転軸と反時計回りに角度α１だけずれた回転軸７０ｘを有することが、図７の上面図から見られ得る。サポートロール７２は、蒸着マスク３０の回転軸と時計回りに角度α２だけずれた回転軸７２ｘを有する。典型的には、角度α１，α２は、基板ＳＴの横方向の変位を回避するように、同じ大きさを有する。
【００４７】
好ましくは、相補的サポートロール７０ａ，・・・，７０ｎは、これらに関連するサポートロール７０と位置合わせされる。同様に、好ましくは、相補的サポートロール７２ａ，・・・，７２ｎは、これらに関連するサポートロール７２と位置合わせされる。図７のアレンジメントにおいて、基板ＳＴは、サポートロールおよびその関連する相補的サポートロールの間で、その側端でクランプされる。ここで特定される回転角のずれのために、横方向の張力が基板ＳＴに加えられる。これは、基板ＳＴの表面ＳＴ１と、蒸着マスク３０のマスク外表面３９との位置合わせを、さらに改善するかもしれない。図示のために、ずれは、明確に可視な大きさ（３°）を有することが留意される。実際には、この大きさは、実質的により小さくてよく、基板の損傷を防ぎつつ、基板の適切な位置合わせを達成する穏やかな張力のみが加えられることを達成する。あるいは、基板ＳＴを、サポートロールおよびその対向する相補的サポートロールとの間で滑らせるようにしつつ、より大きなずれを有することが期待されてよい。
【００４８】
同じ原理が、図６Ａ，図６Ｂに示される実施形態に適用され得ることが留意される。また、ここで、サポートロール７０，７２は、上に特定されたように、ずれた回転角度で配置されてよい。この場合、相補的サポートベルト７６は、その軌跡が基板ＳＴの軌跡と反時計回りの方向に角度α１だけずれように、サポートロール７０と位置合わせされ得る。同様に、この場合、相補的サポートベルト７７は、その軌跡が基板の軌跡と時計回りの方向に角度α１だけずれるように、サポートロール７２と位置合わせされ得る。
【００４９】
図８Ａ，８Ｂは、本発明にかかるさらなる蒸着アレンジメントを示す。ここで、図８Ｂは、図８ＡにおけるＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢに従った断面図を示す。この実施形態において、蒸着マスク３０は、無端ベルト３７０の中央領域として形成される。無端ベルト３７０は、例えば、バネ鋼のような弾性材料から形成されてよいだけでなく、ニッケル、スズおよび亜鉛との銅合金またはポリマーといった他の材料も適するかもしれない。用いられる材料に応じて、無端ベルトの厚さは、０．０１〜０．５ｍｍの範囲、例えば、０．０５ｍｍから０．１ｍｍまでであり得る。
【００５０】
このアレンジメントにおいて、蒸着ソース２０は、無端ベルト３７０により形成されたループの内側に配置される。無端ベルト３７０は、ベルトガイドロール３７２および相補的なベルトガイドロール３７４ａ，３７４ｂ，３７４ｃ，・・・，３７４ｎそれぞれにより、互いに対向する側面上でガイドされる。基板ＳＴは、蒸着マスクの第２の表面３９から予め決められた距離Ｄをおいて、基板キャリアロール４９により搬送される。ガイドロール３７２および相補的ベルトガイドロール３７４ａ，３７４ｂ，３７４ｃ，・・・，３７４ｎは、物質ＳＢが蒸着マスクを介して基板の第１の表面ＳＴ１に達し得るように、蒸着マスク３０を、無端ベルト３７０の中央領域において自由に動ける（ｆｒｅｅ）ままとする。蒸着アレンジメントにおいて、蒸着マスク３０には空間パターンが設けられ、空間パターンは、少なくとも１つの閉領域および少なくとも１つの有孔領域により画定され、少なくとも１つの有孔領域は複数のスルーホールにより画定される。基板キャリアロール４９が、第２のマスク表面３９からある距離に基板表面を有する基板を搬送するので、空間パターンに従った物質ＳＢの蒸着が達成され、この空間パターンは、蒸着マスクの少なくとも１つの閉領域および少なくとも１つの有孔領域により画定される空間パターンに対応する。つまり、少なくとも１つの閉領域は、第１の基板表面上の少なくとも第１の領域に対応し、この第１の領域は、蒸着マスクの少なくとも１つの閉領域と同形である。少なくとも１つの有孔領域は、第１の基板表面上の少なくとも第２の領域に対応し、この第２の領域は、蒸着マスクの少なくとも１つの有孔領域と同形である。
【００５１】
ここで、少なくとも第１の領域には、蒸着された物質が実質的に存在せず、少なくとも第２の領域には物質の層が設けられる。基板キャリアロール４９が、第２のマスク表面３９から距離Ｄに第１の基板表面ＳＴ１を有する基板ＳＴを搬送するという事実に起因して、少なくとも第２の領域において蒸着された層を実質的に均質にすることが達成される。実質的に均質な層は、厚さの変動が、蒸着された層の厚さの平均的な変動よりも実質的に少ない層であると理解される。より特に、最小の厚さと最大の厚さとの間の差は、平均の厚さの５０％未満である。好ましくは、最小の厚さと最大の厚さとの間の差は、平均の厚さの２０％未満、さらには、平均の厚さの１０％未満である。
【００５２】
処理中の基板ＳＴの機械的負荷が最小であることが、この実施形態の長所である。これは、例えば、１〜１０ミクロンの範囲の厚さを有する非常に薄い物質にとって、特別な長所である。
【００５３】
（付記）
（付記１）
基板（ＳＴ）の基板表面（ＳＴ１）上に物質（ＳＢ）を蒸着する蒸着アレンジメント（１）であって、
蒸着ソース（２０）と、
前記蒸着ソース（２０）と前記蒸着表面との間に配置された蒸着マスク（３０）であって、前記蒸着ソースに対向する第１のマスク表面（３８）と前記基板表面（ＳＴ１）に対向する第２のマスク表面（３９）とを有し、少なくとも１つの閉領域（３４）と複数のスルーホール（３７）により画定される少なくとも１つの有孔領域（３６）とにより画定される空間パターンが設けられる、蒸着マスク（３０）と、
を備え、
前記少なくとも１つの閉領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第１の領域に対応すると共に、前記少なくとも１つの有孔領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの有孔領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第２の領域に対応するという点において、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域および前記少なくとも１つの有孔領域により画定される前記空間パターンに対応する空間パターンに従って、前記アレンジメントの動作中に、物質が蒸着されるように、前記第２のマスク表面（３９）から距離（Ｄ）に前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板を搬送する基板キャリア（１０，７０，７２）が設けられ、
前記少なくとも第２の領域における蒸着された層は実質的に均質である、
蒸着アレンジメント。
【００５４】
（付記２）
前記基板キャリア（１０，７０，７２）に沿って、前記基板（ＳＴ）を搬送する基板搬送設備（４２，４８，５２，５４）、
を備える付記１に記載の蒸着アレンジメント。
【００５５】
（付記３）
前記蒸着マスク（３０）には、湾曲形状が設けられ、前記基板キャリア（１０）は、前記第２のマスク表面（３９）と共形な前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板（ＳＴ）を搬送する、
付記２に記載の蒸着アレンジメント。
【００５６】
（付記４）
前記蒸着マスク（３０）は、円筒体として提供され、前記蒸着ソース（２０）は前記円筒体の内側に配置される、
ことを特徴とする付記３に記載の蒸着アレンジメント。
【００５７】
（付記５）
前記円筒体をある角速度で回転させるアクチュエータ（５６）を、備え、
前記搬送設備（４２，４８，５２，５４）は、前記第２のマスク表面（３９）に対して少なくとも実質的に同軸な円筒形軌跡に沿って、前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板（ＳＴ）を搬送するように配置され、
前記円筒形軌跡に沿って搬送されるとき、前記基板は、前記蒸着表面に沿って、同じ角速度で移動する、
付記４に記載の蒸着アレンジメント。
【００５８】
（付記６）
前記基板キャリアは、前記蒸着マスクの側面それぞれに配置された１対のサポートロール（７０，７２）により形成され、前記サポートロールは、前記蒸着マスクの外径よりも大きい外径を有する、
付記３〜５のいずれか１つに記載の蒸着アレンジメント。
【００５９】
（付記７）
前記基板キャリアは、１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）をさらに備え、前記基板（ＳＴ）は、前記サポートロール（７０）および関連する前記相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）の間で、その側面の一方上でガイドされる、
付記６に記載の蒸着アレンジメント。
【００６０】
（付記８）
前記１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）の少なくとも１つは、前記サポートロール（７０）に向かって基板（ＳＴ）に圧力を加える、
付記７に記載の蒸着アレンジメント。
【００６１】
（付記９）
前記サポートロール（７０； ７２）それぞれは、前記１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ；７２ａ，・・・，７２ｎ）のセットそれぞれを有する、
付記７または８に記載の蒸着アレンジメント。
【００６２】
（付記１０）
前記サポートロール（７０； ７２）は、前記１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）のセットを共有する、
付記７または８に記載の蒸着アレンジメント。
【００６３】
（付記１１）
前記基板キャリアは、相補的サポートベルト（７０ａ，・・・，７０ｎ）を備え、前記基板（ＳＴ）は、前記サポートロール（７０，７２）および関連する前記相補的サポートベルト（７６，７７）の間で、その側面の一方上でガイドされる、
付記１〜１０のいずれか１つに記載の蒸着アレンジメント。
【００６４】
（付記１２）
前記相補的サポートベルト（７６，７７）は、前記サポートロール（７０，７２）に向かって前記基板（ＳＴ）に圧力を加える、
付記１１に記載の蒸着アレンジメント。
【００６５】
（付記１３）
前記サポートロール（７０； ７２）それぞれは、相補的サポートベルト（７６，７７）それぞれを有する、
付記１１または１２に記載の蒸着アレンジメント。
【００６６】
（付記１４）
前記サポートロール（７０；７２）は、相補的サポートベルト（７６）を共有する、
付記１１または１２に記載の蒸着アレンジメント。
【００６７】
（付記１５）
前記サポートロール（７０，７２）は、方向が前記蒸着マスク（３０）の回転軸からずれた回転軸を有し、搬送方向において対向するとき、前記基板の左側面の前記サポートロール（７０）のずれは、反時計回りであり、前記搬送方向において対向するとき、前記基板の右側面の前記サポートロール（７２）のずれは、時計回りである、
付記７〜１４のいずれか１つに記載の蒸着アレンジメント。
【００６８】
（付記１６）
前記スルーホール（３７）は、前記第２のマスク表面（３９）から前記第１のマスク表面（３８）に向かう方向に広がる、
付記１〜１５のいずれか１つに記載の蒸着アレンジメント。
【００６９】
（付記１７）
前記スルーホール（３７）は、前記第１のマスク表面（３８）から前記第２のマスク表面（３９）に向かう方向に広がる、
付記１〜１６のいずれか１つに記載の蒸着アレンジメント。
【００７０】
（付記１８）
前記蒸着マスク（３０）は、無端ベルト（３７０）の中央領域として形成され、
前記蒸着ソース（２０）は、前記無端ベルト（３７０）により形成されたループの内側に配置され、
前記無端ベルト（３７０）は、ベルトガイドロール（３７２）および相補的なベルトガイドロール（３７４ａ、３７４ｂ、３７４ｃ、…、３７４ｎ）により互いに対向する側面上でガイドされ、
前記基板（ＳＴ）は、前記蒸着マスクの第２の表面（３９）から予め決められた距離Ｄにある基板キャリアロール（４９）により搬送される、
付記２に記載の蒸着アレンジメント。
【００７１】
（付記１９）
基板（ＳＴ）の基板表面（ＳＴ１）上に物質（ＳＢ）を蒸着する方法であって、
前記物質（ＳＢ）を提供することと、
蒸着マスク（３０）の第１のマスク表面（３８）から、前記蒸着マスク（３０）の第２のマスク表面（３９）に向かう方向に前記物質を前記蒸着マスク（３０）を介して通過させて、前記第２マスク表面（３９）に対向する前記基板表面（ＳＴ１）上に蒸着されるようにすることと、
を備え、
前記蒸着マスク（３０）には少なくとも１つの閉領域（３４）と複数のスルーホール（３７）により画定される少なくとも１つの有孔領域（３６）とにより画定される空間パターンが設けられることを特徴とし、
当該方法は、前記少なくとも１つの閉領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第１の領域に対応すると共に、前記少なくとも１つの有孔領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの有孔領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第２の領域に対応するという点において、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域および前記少なくとも１つの有孔領域により画定される前記空間パターンに対応する空間パターンに従って、前記基板表面上に前記物質が蒸着されるように、前記第２のマスク表面（３９）からある距離に前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板を搬送することを備え、
前記少なくとも第２の領域における蒸着された層は実質的に均質である、
方法。
【図１】
2019524998.tif 000003
【図１Ａ】
2019524998.tif 000004
【図１Ｂ】
2019524998.tif 000005
【図２Ａ】
2019524998.tif 000006
【図２Ｂ】
2019524998.tif 000007
【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
2019524998.tif 000009
【図３Ｂ】
2019524998.tif 000010
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ−６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８Ａ−８Ｂ】
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【手続補正書】
【提出日】平成31年4月10日(2019.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（ＳＴ）の基板表面（ＳＴ１）上に物質（ＳＢ）を蒸着する蒸着アレンジメント（１）であって、
当該蒸着アレンジメントは、
蒸着ソース（２０）と、
前記蒸着ソース（２０）と前記蒸着表面との間に配置された蒸着マスク（３０）であって、前記蒸着ソースに対向する第１のマスク表面（３８）と前記基板表面（ＳＴ１）に対向する第２のマスク表面（３９）とを有し、少なくとも１つの閉領域（３４）と複数のスルーホール（３７）により画定される少なくとも１つの有孔領域（３６）とにより画定される空間パターンが設けられる、蒸着マスク（３０）と、
を備え、
前記蒸着マスク（３０）は円筒体として提供され、前記蒸着ソース（２０）は前記円筒体の内側に配置されることを特徴とし、
前記少なくとも１つの閉領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第１の領域に対応すると共に、前記少なくとも１つの有孔領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの有孔領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第２の領域に対応するという点において、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域および前記少なくとも１つの有孔領域により画定される前記空間パターンに対応する空間パターンに従って、前記アレンジメントの動作中に、物質が蒸着されるように、前記第２のマスク表面（３９）から距離（Ｄ）に前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板を搬送する基板キャリア（１０，７０，７２）が設けられ、
前記少なくとも第２の領域における蒸着された層は実質的に均質であり、
当該蒸着アレンジメントは、
前記基板キャリア（１０，７０，７２）に沿って、前記基板（ＳＴ）を搬送する基板搬送設備（４２，４８，５２，５４）と、
前記円筒体をある角速度で回転させるアクチュエータ（５６）と、
を備え、
前記搬送設備（４２，４８，５２，５４）は、前記第２のマスク表面（３９）に対して少なくとも実質的に同軸になるように円筒形軌跡に沿って、前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板（ＳＴ）を搬送するように配置され、
前記基板は、前記円筒形軌跡に沿って搬送されるとき、前記蒸着表面に沿って同じ角速度で移動する、
蒸着アレンジメント。
【請求項２】
前記基板キャリアは、前記蒸着マスクの側面それぞれに配置された１対のサポートロール（７０，７２）により形成され、前記サポートロールは、前記蒸着マスクの外径よりも大きい外径を有する、
請求項１に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項３】
前記基板キャリアは、１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）をさらに備え、前記基板（ＳＴ）は、前記サポートロール（７０）および関連する前記相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）の間で、その側面の一方上でガイドされる、
請求項２に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項４】
前記１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）の少なくとも１つは、前記サポートロール（７０）に向かって基板（ＳＴ）に圧力を加える、
請求項３に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項５】
前記サポートロール（７０； ７２）それぞれは、前記１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ；７２ａ，・・・，７２ｎ）のセットそれぞれを有する、
請求項３または４に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項６】
前記サポートロール（７０； ７２）は、前記１つ以上の相補的サポートロール（７０ａ，・・・，７０ｎ）のセットを共有する、
請求項３または４に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項７】
前記基板キャリアは、相補的サポートベルト（７０ａ，・・・，７０ｎ）を備え、前記基板（ＳＴ）は、前記サポートロール（７０，７２）および関連する前記相補的サポートベルト（７６，７７）の間で、その側面の一方上でガイドされる、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項８】
前記相補的サポートベルト（７６，７７）は、前記サポートロール（７０，７２）に向かって前記基板（ＳＴ）に圧力を加える、
請求項７に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項９】
前記サポートロール（７０； ７２）それぞれは、相補的サポートベルト（７６，７７）それぞれを有する、
請求項７または８に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１０】
前記サポートロール（７０；７２）は、相補的サポートベルト（７６）を共有する、
請求項７または８に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１１】
前記サポートロール（７０，７２）は、方向が前記蒸着マスク（３０）の回転軸からずれた回転軸を有し、搬送方向において対向するとき、前記基板の左側面の前記サポートロール（７０）のずれは、反時計回りであり、前記搬送方向において対向するとき、前記基板の右側面の前記サポートロール（７２）のずれは、時計回りである、
請求項３〜１０のいずれか１項に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１２】
前記スルーホール（３７）は、前記第２のマスク表面（３９）から前記第１のマスク表面（３８）に向かう方向に広がる、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１３】
前記スルーホール（３７）は、前記第１のマスク表面（３８）から前記第２のマスク表面（３９）に向かう方向に広がる、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の蒸着アレンジメント。
【請求項１４】
基板（ＳＴ）の基板表面（ＳＴ１）上に物質（ＳＢ）を蒸着する方法であって、
当該方法は、
前記物質（ＳＢ）を提供することと、
蒸着マスク（３０）であって、当該蒸着マスク（３０）には少なくとも１つの閉領域（３４）と複数のスルーホール（３７）により画定される少なくとも１つの有孔領域（３６）とにより画定される空間パターンが設けられる、蒸着マスク（３０）の第１のマスク表面（３８）から、前記蒸着マスク（３０）の第２のマスク表面（３９）に向かう方向に前記物質を前記蒸着マスク（３０）を介して通過させて、前記第２マスク表面（３９）に対向する前記基板表面（ＳＴ１）上に蒸着されるようにすることと、
前記少なくとも１つの閉領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第１の領域に対応すると共に、前記少なくとも１つの有孔領域が、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの有孔領域と同形である、前記第１の基板表面上の少なくとも第２の領域に対応するという点において、前記蒸着マスクの前記少なくとも１つの閉領域および前記少なくとも１つの有孔領域により画定される前記空間パターンに対応する空間パターンに従って、前記基板表面上に前記物質が蒸着されるように、前記第２のマスク表面（３９）からある距離に前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板を搬送することと、
を備え、
前記少なくとも第２の領域における蒸着された層は実質的に均質であり、
当該方法は、
基板キャリア（１０，７０，７２）に沿って前記基板（ＳＴ）を搬送することを備え、
前記蒸着マスク（３０）は円筒体として提供され、前記蒸着ソース（２０）は前記円筒体の内側に配置されることを特徴とし、
当該方法は、
前記円筒体をある角速度で回転させると共に、前記第２のマスク表面（３９）に対して少なくとも実質的に同軸になるように円筒形軌跡に沿って、前記基板表面（ＳＴ１）を有する前記基板（ＳＴ）を搬送することを備え、
前記基板は、前記円筒形軌跡に沿って搬送されるとき、前記蒸着表面に沿って同じ角速度で移動する、
方法。
【国際調査報告】
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