(57)【要約】  本発明は、有機半導体デバイス（１２０）のパッケージング方法を提供する。該方法は、フレキシブル基板（１１０）上に有機半導体デバイス（１２０）を形成するステップと、フレキシブル基板（１１０）上において、有機半導体デバイス（１２０）の両側にそれぞれ位置し且つ有機半導体デバイス（１２０）と所定の間隔を維持するフォトレジストブロック（１３０ａ）を形成するステップと、フォトレジストブロック（１３０ａ）、有機半導体デバイス（１２０）、及びフレキシブル基板（１１０）上に無機層（１４０）を堆積するステップと、フォトレジストブロック（１３０ａ）及びその上の無機層（１４０）を除去するステップと、有機半導体デバイス（１２０）及びフレキシブル基板（１１０）上の無機層（１４０）上に有機層（１５０）を堆積するステップと、を含む。本発明の有機半導体デバイス（１２０）のパッケージング方法において、無機／有機構造のフレキシブルＯＬＥＤ薄膜パッケージング構造が形成される。このようなパッケージング構造は、従来の薄膜パッケージングプロセスにおける無機層の堆積に必要とされる堆積マスクを省略するだけでなく、ＯＬＥＤデバイスの水分及び酸素に対するバリア性を効果的に向上させ、それにより、ＯＬＥＤデバイスの寿命を延長する。
2019536245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体デバイスのパッケージング方法であって、
フレキシブル基板上に有機半導体デバイスを形成するステップと、
フレキシブル基板上において、有機半導体デバイスの両側にそれぞれ位置し且つ有機半導体デバイスと所定の間隔を維持するフォトレジストブロックを形成するステップと、
フォトレジストブロック、有機半導体デバイス、及びフレキシブル基板上に無機層を堆積するステップと、
フォトレジストブロック及びその上の無機層を除去するステップと、
有機半導体デバイス及びフレキシブル基板上の無機層上に有機層を堆積するステップと、を含むことを特徴とする有機半導体デバイスのパッケージング方法。
【請求項２】
有機層上に無機層と有機層を交互に作製するステップと、
最後の有機層上に無機層を堆積するステップと、を更に含む、ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージング方法。
【請求項３】
前記フォトレジストブロックを作製する方法は、
フレキシブル基板及び有機半導体デバイス上にフォトレジスト層を塗布するステップと、
所定のフォトマスクブランクスでフォトレジスト層を露光するステップと、ここで、前記フォトマスクブランクスは遮光部とそれぞれ前記遮光部の両側に位置する光透過部とを含み、前記遮光部は前記有機半導体デバイスと対向し、前記遮光部の両側はそれぞれ前記有機半導体デバイスの両側を超えており、
露光されたフォトレジスト層を現像して、前記遮光部に対応するフォトレジスト層を除去することによって、前記フォトレジストブロックを形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載のパッケージング方法。
【請求項４】
前記フォトレジストブロックを作製する方法は、
フレキシブル基板及び有機半導体デバイス上にフォトレジスト層を塗布するステップと、
所定のフォトマスクブランクスでフォトレジスト層を露光するステップと、ここで、前記フォトマスクブランクスは遮光部とそれぞれ前記遮光部の両側に位置する光透過部とを含み、前記遮光部は前記有機半導体デバイスと対向し、前記遮光部の両側はそれぞれ前記有機半導体デバイスの両側を超えており、
露光されたフォトレジスト層を現像して、前記遮光部に対応するフォトレジスト層を除去することによって、前記フォトレジストブロックを形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項２に記載のパッケージング方法。
【請求項５】
プラズマ強化化学気相成長法、パルスレーザ堆積法又はスパッタリング体積法によって前記無機層を堆積する、ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージング方法。
【請求項６】
プラズマ強化化学気相成長法、パルスレーザ堆積法又はスパッタリング体積法によって前記無機層を堆積する、ことを特徴とする請求項２に記載のパッケージング方法。
【請求項７】
前記無機層は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＣＮｘ、ＳｉＯｘ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージング方法。
【請求項８】
前記無機層は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＣＮｘ、ＳｉＯｘ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項２に記載のパッケージング方法。
【請求項９】
インクジエツト印刷成形方法、プラズマ強化化学気相成長法、又はスロット押出塗布法によって前記有機層を作製する、ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージング方法。
【請求項１０】
インクジエツト印刷成形方法、プラズマ強化化学気相成長法、又はスロット押出塗布法によって前記有機層を作製する、ことを特徴とする請求項２に記載のパッケージング方法。
【請求項１１】
前記有機層は、アクリル酸エステル、ヘキサメチルジシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリカーボネート、及びポリスチレンのうちの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージング方法。
【請求項１２】
前記有機層は、アクリル酸エステル、ヘキサメチルジシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリカーボネート、及びポリスチレンのうちの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項２に記載のパッケージング方法。
【請求項１３】
フォトレジストブロック及びその上の無機層の除去の具体的な方法では、フォトレジストブロックをフレキシブル基板から離脱させるように有機溶媒で所定の時間浸漬する、ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージング方法。
【請求項１４】
フォトレジストブロック及びその上の無機層の除去の具体的な方法では、フォトレジストブロックをフレキシブル基板から離脱させるように有機溶媒で所定の時間浸漬する、ことを特徴とする請求項２に記載のパッケージング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明は、デバイスパッケージング技術の分野に属し、具体的に、有機半導体デバイスのパッケージング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）は、国内外で非常に人気のある新たな平面ディスプレイ製品となっている。これは、ＯＬＥＤディスプレイが自発光、広い視野角（１７５°以上）、短い反応時間（１μｓ）、高い発光効率、広い色域、低い動作電圧（３〜１０Ｖ）、薄い厚さ（１ｍｍより薄いことが可能）、それにより大型で柔軟なパネルを製造することができ且つプロセスが簡単であるなどの特徴を有し、低コストの可能性も有するためである。
【０００３】
フレキシブルＯＬＥＤディスプレイにとって、現在その開発を制限している主なボトルネックはフレキシブルＯＬＥＤディスプレイのパッケージングにある。ＯＥＬＤからなる材料は水分及び酸素に対して非常に敏感であることはよく知られている。ＯＥＬＤ材料から外部の水分及び酸素を効果的に遮断することができない場合、長寿命のＯＬＥＤデバイスを実現することができない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記技術的課題を解決するために、本発明は、外部からの水分や酸素を効果的に遮断することができる有機半導体デバイスのパッケージング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、有機半導体デバイスのパッケージング方法が提供される。その方法は、フレキシブル基板上に有機半導体デバイスを形成するステップと、フレキシブル基板上において、有機半導体デバイスの両側にそれぞれ位置し且つ有機半導体デバイスと所定の間隔を維持するフォトレジストブロックを形成するステップと、フォトレジストブロック、有機半導体デバイス、及びフレキシブル基板上に無機層を堆積するステップと、フォトレジストブロック及びその上の無機層を除去するステップと、有機半導体デバイス及びフレキシブル基板上の無機層上に有機層を堆積するステップとを含む。
【０００６】
オプションで、前記パッケージング方法は、有機層上に無機層と有機層を交互に作製するステップと、最後の有機層上に無機層を堆積するステップとを更に含む。
【０００７】
オプションで、前記フォトレジストブロックを作製する方法は、フレキシブル基板及び有機半導体デバイス上にフォトレジスト層を塗布するステップと、所定のフォトマスクブランクスでフォトレジスト層を露光するステップと、ここで、前記フォトマスクブランクスは遮光部とそれぞれ前記遮光部の両側に位置する光透過部とを含み、前記遮光部は前記有機半導体デバイスと対向し、前記遮光部の両側はそれぞれ前記有機半導体デバイスの両側を超えており、露光されたフォトレジスト層を現像して、前記遮光部に対応するフォトレジスト層を除去することによって、前記フォトレジストブロックを形成するステップと、を含む。
【０００８】
オプションで、前記無機層は、プラズマ強化化学気相成長法、パルスレーザ堆積法、又はスパッタリング堆積法によって堆積される。
【０００９】
オプションで、前記無機層は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＣＮｘ、ＳｉＯｘ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１つを含む。
【００１０】
オプションで、前記有機層は、インクジエツト印刷成形方法、プラズマ強化化学気相成長法、又はスロット押出塗布法によって作製される。
【００１１】
オプションで、前記有機層は、アクリル酸エステル、ヘキサメチルジシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリカーボネート、及びポリスチレンのうちの少なくとも１つを含む。
【００１２】
オプションで、フォトレジストブロック及びその上の無機層の除去の具体的な方法では、フォトレジストブロックをフレキシブル基板から離脱させるように有機溶媒で所定の時間浸漬する、ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージング方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の有益な効果は以下の通りである。本発明の有機半導体デバイスのパッケージング方法において、無機／有機構造のフレキシブルＯＬＥＤ薄膜パッケージング構造が形成される。このようなパッケージング構造は、従来の薄膜パッケージングプロセスにおける無機層の堆積に必要とされる堆積マスクを省略するだけでなく、ＯＬＥＤデバイスの水分及び酸素に対するバリア性を効果的に向上させ、それにより、ＯＬＥＤデバイスの寿命を延長する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
本発明の実施例の上記及び他の態様、特徴及び利点は、添付の図面と併せて以下の説明からより明らかになる。
【図１Ａ−１Ｇ】本発明の実施例に係る有機半導体デバイスのパッケージング方法のパッケージングフローチャートである。
【図２Ａ−２Ｃ】本発明の他の実施例に係る有機半導体デバイスのパッケージング方法のパッケージングフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付の図面を参照しながら本発明の実施例を詳細に説明する。しかしながら、本発明は多くの異なる形態で実現することができ、本発明は本明細書に記載の特定の実施例に限定されると解釈されるべきではない。これらの実施形態は、本発明の原理及び本発明の実際の用途を説明するために提供され、投御者が本発明の様々な実施例及び特定の意図された用途に適した様々な修正を理解することを可能にするために提供される。
【００１６】
図面においては、デバイスを明確にするために、層及び領域の厚さが誇張されている。明細書及び図面全体を通して、同じ参照番号が同じデバイスを表す。
【００１７】
図１Ａ〜図１Ｇは、本発明の実施例に係る有機半導体デバイスのパッケージング方法のパッケージングフローチャートである。
【００１８】
図１Ａを参照すると、フレキシブル基板１１０上に有機半導体デバイス１２０が形成される。フレキシブル基板１１０は、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのフレキシブル材料を使用して製造することができる。有機半導体デバイス１２０は、例えば、ＯＬＥＤデバイスであってもよいが、本発明はそれに限定されない。
【００１９】
図１Ｂを参照すると、フレキシブル基板１１０と有機半導体デバイス１２０上にフォトレジスト層１３０が塗布される。具体的には、スピンコータ（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｅｒ）によりフレキシブル基板１１０及び有機半導体デバイス１２０上にフッ素含有のポリマーフォトレジストの層が塗布され、８０℃の温度で１０分乾燥して、フォトレジスト層１３０が形成される。
【００２０】
図１Ｃを参照すると、所定のフォトマスクブランクス２００でフォトレジスト層１３０が露光される。フォトマスクブランクス２００は、遮光部２１０とそれぞれ遮光部２１０の両側に位置する光透過部２２０とを含む。遮光部２１０は有機半導体デバイス１２０と対向する。遮光部２１０の両側はそれぞれ有機半導体デバイス１２０の両側を超えている。即ち、有機半導体デバイス１２０の遮光部２１０への投影は完全に遮光部２１０内にある。
【００２１】
図１Ｄを参照すると、露光されたフォトレジスト層１３０が現像されて、前記遮光部２１０に対応するフォトレジスト層１３０が除去され、それによりフォトレジストブロック１３０ａが形成される。
【００２２】
以上の図１Ｂ〜図１Ｄの方法ステップによって、フレキシブル基板１１０上において、有機半導体デバイス１２０の両側にそれぞれ位置し且つ有機半導体デバイス１２０と所定の間隔を維持するフォトレジストブロック１３０ａが形成される。
【００２３】
図１Ｅを参照すると、フォトレジストブロック１３０ａ、有機半導体デバイス１２０、及びフレキシブル基板１１０上に無機層１４０が堆積される。具体的には、プラズマ強化化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）、又はスパッタリング堆積法（Ｓｐｕｔｔｅｒ）によって、フォトレジストブロック１３０ａ、有機半導体デバイス１２０及びフレキシブル基板１１０を覆う無機層１４０が堆積される。本実施例では、無機層１４０は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＣＮｘ、ＳｉＯｘ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１つを用いて作製されてもよいが、本発明はそれに限定されない。例えば、無機層１４０はさらに、高い水分及び酸素を防止する効果を有する他の無機材料を用いて作製されてもよい。
【００２４】
図１Ｆを参照すると、フォトレジストブロック１３０ａ及びその上の無機層１４０が除去される。具体的には、有機溶媒中に１〜３０分浸漬すると、その時点でフォトレジストブロック１３０ａはフレキシブル基板１１０から離脱し、他の部材（例えば、有機半導体デバイス１２０及びその上の無機層１４０、フレキシブル基板１１０上の無機層１４０など）は残り、それによりフォトレジストブロック１３０ａ及びその上の無機層１４０は除去される。
【００２５】
図１Ｇを参照すると、有機半導体デバイス１２０上の無機層１４０上に有機層１５０が堆積される。具体的には、有機層１５０は、インクジェット印刷成形方法（ＩＪＰ）、プラズマ強化化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、又はスロット押出塗布法（Ｓｌｏｔ  Ｃｏａｔｉｎｇ）によって作製される。本実施例では、有機層１５０は、アクリル酸エステル、ヘキサメチルジシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリカーボネート、及びポリスチレンのうちの少なくとも１つを用いて作製されてもよいが、本発明はこれに限定されない。例えば、有機層１５０はまた、デバイスが折り曲げられたり折り畳まれたりするときの応力を緩衝し、粒子状汚染物質の被覆を回避する有機材料を用いて作製されてもよい。
【００２６】
以上のようにして、本発明の実施例に係る有機半導体デバイスのパッケージング方法によれば、無機／有機構造のフレキシブルＯＬＥＤ薄膜パッケージング構造が形成される。このようなパッケージング構造は、従来の薄膜パッケージングプロセスにおける無機層の堆積に必要とされる堆積マスクを省略するだけでなく、ＯＬＥＤデバイスの水分及び酸素に対するバリア性を効果的に向上させ、それにより、ＯＬＥＤデバイスの寿命を延長する。
【００２７】
図２Ａ〜図２Ｃは、本発明の他の実施例に係る有機半導体デバイスのパッケージング方法のパッケージングフローチャートである。
【００２８】
図１Ａ〜図１Ｇに示す有機半導体デバイスのパッケージング方法の後、図２Ａ〜図２Ｃのパッケージング方法がさらに含まれる。
【００２９】
図２Ａを参照すると、有機層１５０上に無機層１４０ａが堆積される。具体的には、プラズマ強化化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）、又はスパッタリング堆積法（Ｓｐｕｔｔｅｒ）によって、有機層１５０を覆う無機層１４０ａが堆積される。本実施例では、無機層１４０ａは、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＣＮｘ、ＳｉＯｘ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１つを用いて作製されてもよいが、本発明はそれに限定されない。例えば、無機層１４０ａはさらに、高い水分及び酸素を防止する効果を有する他の無機材料を用いて作製されてもよい。
【００３０】
図２Ｂを参照すると、無機層１４０ａ上には有機層１５０ａが堆積される。具体的には、有機層１５０ａは、インクジェット印刷成形方法（ＩＪＰ）、プラズマ強化化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、又はスロット押出塗布法（Ｓｌｏｔ  Ｃｏａｔｉｎｇ）によって作製される。本実施例では、有機層１５０ａは、アクリル酸エステル、ヘキサメチルジシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリカーボネート、及びポリスチレンのうちの少なくとも１つを用いて作製されてもよいが、本発明はこれに限定されない。例えば、有機層１５０ａはまた、デバイスが折り曲げられたり折り畳まれたりするときの応力を緩衝し、粒子状汚染物質の被覆を回避する有機材料を用いて作製されてもよい。
【００３１】
図２Ｃを参照すると、有機層１５０ａ上に無機層１４０ｂが堆積される。具体的には、プラズマ強化化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）、又はスパッタリング堆積法（Ｓｐｕｔｔｅｒ）によって、有機層１５０ａを覆う無機層１４０ｂが堆積される。本実施例では、無機層１４０ｂは、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＣＮｘ、ＳｉＯｘ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１つを用いて作製されてもよいが、本発明はそれに限定されない。例えば、無機層ｂはさらに、高い水分及び酸素を防止する効果を有する他の無機材料を用いて作製されてもよい。
【００３２】
なお、図２Ｃに示すステップを行う前に、必要に応じて図２Ａ及び図２Ｂに示すステップを繰り返して、有機層１５０上に無機層と有機層とを交互に形成してもよい。
【００３３】
特定の実施例を参照しながら本発明を説明したが、当業者であれば、添付の特許請求の範囲及びその等価物によって定義される本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、形式や詳細に様々な変更を加えることができることを理解するであろう。
【図１Ａ】
2019536245.tif 000003
【図１Ｂ】
2019536245.tif 000004
【図１Ｃ】
2019536245.tif 000005
【図１Ｄ】
2019536245.tif 000006
【図１Ｅ】
2019536245.tif 000007
【図１Ｆ】
2019536245.tif 000008
【図１Ｇ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【国際調査報告】
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