(57)【要約】  アレイ基板及びその製作方法に関する。当該製作方法は、基板上に導電層を堆積し、第１のフォトマスクを用いて導電層をエッチングして、薄膜トランジスタの３極、及び、第一信号線（２０４）、第二信号線（２０５）を形成するステップであって、第一信号線は、第二信号線を挟む両側に分離された第一部分（２０４ａ）及び第二部分（２０４ｂ）を含むステップと、中間層（２０７）を順次に堆積し、第２のフォトマスクを用いて中間層をエッチングして、第一部分と第二部分とを接続する第一接続ブリッジ（２０８）を形成するステップと、導電電極を堆積し、第３のフォトマスクを用いて導電電極をエッチングして、画素電極、及び、第一部分と第二部分とを電気的に接続する接続線（２１２）を形成するステップと、を含む。これにより、アレイ基板の製作時間を短縮し、生産コストを削減することができる。【選択図】図１
2019508739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電層を堆積し、第１のフォトマスクを用いて前記導電層をエッチングして、薄膜トランジスタの３極、及び、第一信号線、第二信号線を形成するステップであって、前記第一信号線は、前記第二信号線を挟む両側に分離された第一部分及び第二部分を含むステップと、
中間層を順次に堆積し、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップと、
導電電極を堆積し、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップと、を含む
アレイ基板の製作方法。
【請求項２】
前記第一信号線の第一部分は、前記薄膜トランジスタの第一極に電気的に接続され、前記第二信号線は、前記薄膜トランジスタの第二極に電気的に接続され、前記中間層は、積層された絶縁層、アクティブ層、オーミックコンタクト層及び保護層を含み、
前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップは、
第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第二極と前記薄膜トランジスタの第三極とを接続する第二接続ブリッジを形成するステップを更に含み、
前記の、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップは、
第３のフォトマスクを用いて、前記第二接続ブリッジ上の前記導電電極、前記保護層及び前記オーミックコンタクト層を、前記第二極及び前記第三極に対応するようにエッチングして切り離すステップを更に含む
請求項１に記載の製作方法。
【請求項３】
前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第二極と前記薄膜トランジスタの第三極とを接続する第二接続ブリッジを形成するステップは、
フッ化水素酸を用いて前記第二接続ブリッジにおける保護層及び絶縁層の縁をエッチングして、前記第二接続ブリッジにおけるアクティブ層及びオーミックコンタクト層を外へ凸出させてコンタクトリングを形成するステップを更に含む
請求項２に記載の製作方法。
【請求項４】
前記導電電極が、前記コンタクトリングと、前記第二極または第三極とに電気的に接続されるように、前記第二接続ブリッジ上の導電電極は、前記コンタクトリング上に設けられている
請求項３に記載の製作方法。
【請求項５】
前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップは、
第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分の上に位置する容量絶縁構造を形成するステップを更に含み、
前記の、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップは、
第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、前記容量絶縁構造の上に位置する蓄積容量電極を形成するステップを更に含む
請求項１に記載の製作方法。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ、ゲート、ソース、ドレインであり、前記第一信号線は走査線であり、前記第二信号線はデータ線である
請求項１に記載の製作方法。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ、ゲート、ソース、ドレインであり、前記第一信号線は走査線であり、前記第二信号線はデータ線である
請求項４に記載の製作方法。
【請求項８】
アレイ基板であって、
基板と、
基板上に設けられた薄膜トランジスタの３極、第一信号線及び第二信号線と、
第一部分と第二部分との間に設けられた第一接続ブリッジと、
画素電極、及び、前記第一接続ブリッジの上に設けられた接続線と、を含み、
前記第一信号線は、前記第二信号線を挟む両側に分離された第一部分及び第二部分を含み、
前記第二接続ブリッジは、前記第二信号線と絶縁されており、
前記接続線は、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続するためのものである
アレイ基板。
【請求項９】
前記第一信号線の第一部分は、前記薄膜トランジスタの第一極に電気的に接続されており、
前記アレイ基板は、前記薄膜トランジスタの第二極と第三極との間に設けられた第二接続ブリッジと、前記第二接続ブリッジ上に設けられた第一導電電極及び第二導電電極とを更に含み、前記第二接続ブリッジは、絶縁層、アクティブ層、オーミックコンタクト層及び保護層を含み、且つ前記第二接続ブリッジの保護層及びオーミックコンタクト層のいずれも、前記第二極及び前記第三極に対応するように切り離して設けられており、前記第一導電電極は、前記第二極、前記アクティブ層及び前記第二信号線に電気的に接続されており、前記導電電極は、前記第三極、前記アクティブ層及び前記画素電極に電気的に接続されている
請求項８に記載のアレイ基板。
【請求項１０】
前記第二接続ブリッジにおけるアクティブ層及びオーミックコンタクト層が外へ凸出して形成されたコンタクトリングを更に含む
請求項９に記載のアレイ基板。
【請求項１１】
前記導電電極が、前記コンタクトリングと、前記第二極または第三極とに電気的に接続されるように、前記第二接続ブリッジ上の導電電極は、前記コンタクトリング上に設けられている
請求項１０に記載のアレイ基板。
【請求項１２】
前記第一部分の上に順次に設けられた容量絶縁構造及び蓄積容量電極を更に含む
請求項８に記載のアレイ基板。
【請求項１３】
前記薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ、ゲート、ソース、ドレインであり、前記第一信号線は走査線であり、前記第二信号線はデータ線である
請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ、ゲート、ソース、ドレインであり、前記第一信号線は走査線であり、前記第二信号線はデータ線である
請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
アレイ基板であって、前記アレイ基板の製作方法は、
基板上に導電層を堆積し、第１のフォトマスクを用いて前記導電層をエッチングして、薄膜トランジスタの３極、及び、第一信号線、第二信号線を形成するステップであって、前記第一信号線は、前記第二信号線を挟む両側に分離された第一部分及び第二部分を含むステップと、
中間層を順次に堆積し、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップと、
導電電極を堆積し、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップと、を含む
アレイ基板。
【請求項１６】
前記第一信号線の第一部分は、前記薄膜トランジスタの第一極に電気的に接続され、前記第二信号線は、前記薄膜トランジスタの第二極に電気的に接続され、前記中間層は、積層された絶縁層、アクティブ層、オーミックコンタクト層及び保護層を含み、
前記アレイ基板の製作方法において、前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップは、
第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第二極と前記薄膜トランジスタの第三極とを接続する第二接続ブリッジを形成するステップを更に含み、
前記の、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップは、
第３のフォトマスクを用いて、前記第二接続ブリッジ上の前記導電電極、前記保護層及び前記オーミックコンタクト層を、前記第二極及び前記第三極に対応するようにエッチングして切り離すステップを更に含む
請求項１５に記載のアレイ基板。
【請求項１７】
前記アレイ基板の製作方法において、前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第二極と前記薄膜トランジスタの第三極とを接続する第二接続ブリッジを形成するステップは、
フッ化水素酸を用いて前記第二接続ブリッジにおける保護層及び絶縁層の縁をエッチングして、前記第二接続ブリッジにおけるアクティブ層及びオーミックコンタクト層を外へ凸出させてコンタクトリングを形成するステップを更に含む
請求項１６に記載のアレイ基板。
【請求項１８】
前記導電電極が、前記コンタクトリングと、前記第二極または第三極とに電気的に接続されるように、前記第二接続ブリッジ上の導電電極は、前記コンタクトリング上に設けられている
請求項１７に記載のアレイ基板。
【請求項１９】
前記アレイ基板の製作方法において、前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップは、
第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分の上に位置する容量絶縁構造を形成するステップを更に含み、
前記の、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップは、
第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、前記容量絶縁構造の上に位置する蓄積容量電極を形成するステップを更に含む
請求項１５に記載のアレイ基板。
【請求項２０】
前記薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ、ゲート、ソース、ドレインであり、前記第一信号線は走査線であり、前記第二信号線はデータ線である
請求項１５に記載のアレイ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、表示技術分野に関し、特に、アレイ基板及びその製作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ、略称：ＴＦＴ−ＬＣＤ）は、広く使用される主流ディスプレイになっている。ＴＦＴ−ＬＣＤは、アレイ基板上のＴＦＴを介して、画素電極の対応する電圧のオン／オフを制御することによって、液晶の配向を制御し、対応する表示を実現している。従来のアレイ基板の製作プロセスでは、アレイ基板の構造が比較的複雑であるため、アレイ基板を得るには、通常、５回または４回のフォトマスクを用いてエッチングする必要がある。
【０００３】
しかしながら、従来のアレイ基板のプロセスには、フォトマスクによるエッチング工程が多く必要とされるため、製作に長時間が掛かり、生産コストも増えてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願は、アレイ基板の製作時間を短縮し、生産コストを削減することができるアレイ基板及びその製作方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願の第一局面は、基板上に導電層を堆積し、第１のフォトマスクを用いて前記導電層をエッチングして、薄膜トランジスタの３極、及び、第一信号線、第二信号線を形成するステップであって、前記第一信号線は、前記第二信号線を挟む両側に分離された第一部分及び第二部分を含むステップと、中間層を順次に堆積し、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップと、導電電極を堆積し、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップと、を含むアレイ基板の製作方法を提供する。
【０００６】
また、前記第一信号線の第一部分は、前記薄膜トランジスタの第一極に電気的に接続され、前記第二信号線は、前記薄膜トランジスタの第二極に電気的に接続され、前記中間層は、積層された絶縁層、アクティブ層、オーミックコンタクト層及び保護層を含み、前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップは、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第二極と前記薄膜トランジスタの第三極とを接続する第二接続ブリッジを形成するステップを更に含み、前記の、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップは、第３のフォトマスクを用いて、前記第二接続ブリッジ上の前記導電電極、前記保護層及び前記オーミックコンタクト層を、前記第二極及び前記第三極に対応するようにエッチングして切り離すステップを更に含むようにしてもよい。
【０００７】
また、前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第二極と前記薄膜トランジスタの第三極とを接続する第二接続ブリッジを形成するステップは、フッ化水素酸を用いて前記第二接続ブリッジにおける保護層及び絶縁層の縁をエッチングして、前記第二接続ブリッジにおけるアクティブ層及びオーミックコンタクト層を外へ凸出させてコンタクトリングを形成するステップを更に含むようにしてもよい。
【０００８】
また、前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップは、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分の上に位置する容量絶縁構造を形成するステップを更に含み、前記の、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップは、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、前記容量絶縁構造の上に位置する蓄積容量電極を形成するステップを更に含むようにしてもよい。
【０００９】
また、前記第一接続ブリッジの幅は、前記第一部分及び前記第二部分の幅よりも広くてもよい。
【００１０】
また、前記導電電極が、前記コンタクトリングと、前記第二極または第三極とに電気的に接続されるように、前記第二接続ブリッジ上の導電電極は、前記コンタクトリング上に設けられているようにしてもよい。
【００１１】
また、前記薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ、ゲート、ソース、ドレインであり、前記第一信号線は走査線であり、前記第二信号線はデータ線であるようにしてもよい。
【００１２】
本願第二局面は、アレイ基板であって、基板と、基板上に設けられた薄膜トランジスタの３極、第一信号線及び第二信号線と、前記第一部分と前記第二部分との間に設けられた第一接続ブリッジと、画素電極、及び、前記第一接続ブリッジの上に設けられた接続線と、を含み、前記第一信号線は、前記第二信号線を挟む両側に分離された第一部分及び第二部分を含み、前記第二接続ブリッジは、前記第二信号線と絶縁されており、前記接続線は、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続するためのものである、アレイ基板を提供する。
【００１３】
また、前記第一信号線の第一部分は、前記薄膜トランジスタの第一極に電気的に接続されており、前記アレイ基板は、前記薄膜トランジスタの第二極と第三極との間に設けられた第二接続ブリッジと、前記第二接続ブリッジ上に設けられた第一導電電極及び第二導電電極とを更に含み、前記第二接続ブリッジは、絶縁層、アクティブ層、オーミックコンタクト層及び保護層を含み、且つ前記第二接続ブリッジの保護層及びオーミックコンタクト層のいずれも、前記第二極及び前記第三極に対応するように切り離して設けられており、前記第一導電電極は、前記第二極、前記アクティブ層及び前記第二信号線に電気的に接続されており、前記導電電極は、前記第三極、前記アクティブ層及び前記画素電極に電気的に接続されているようにしてもよい。
【００１４】
また、前記第二接続ブリッジにおけるアクティブ層及びオーミックコンタクト層が外へ凸出して形成されたコンタクトリングを更に含むようにしてもよい。
【００１５】
また、前記導電電極が、前記コンタクトリングと、前記第二極または第三極とに電気的に接続されるように、前記第二接続ブリッジ上の導電電極は、前記コンタクトリング上に設けられているようにしてもよい。
【００１６】
また、前記第一部分の上に順次に設けられた容量絶縁構造及び蓄積容量電極を更に含むようにしてもよい。
【００１７】
また、前記薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ、ゲート、ソース、ドレインであり、前記第一信号線は走査線であり、前記第二信号線はデータ線であるようにしてもよい。
【００１８】
本願第三局面は、アレイ基板であって、前記アレイ基板の製作方法は、基板上に導電層を堆積し、第１のフォトマスクを用いて前記導電層をエッチングして、薄膜トランジスタの３極、及び、第一信号線、第二信号線を形成するステップであって、前記第一信号線は、前記第二信号線を挟む両側に分離された第一部分及び第二部分を含むステップと、中間層を順次に堆積し、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップと、導電電極を堆積し、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップと、を含む、アレイ基板を提供する。
【００１９】
また、前記第一信号線の第一部分は、前記薄膜トランジスタの第一極に電気的に接続され、前記第二信号線は、前記薄膜トランジスタの第二極に電気的に接続され、前記中間層は、積層された絶縁層、アクティブ層、オーミックコンタクト層及び保護層を含み、前記アレイ基板の製作方法において、前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップは、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第二極と前記薄膜トランジスタの第三極とを接続する第二接続ブリッジを形成するステップを更に含み、前記の、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップは、第３のフォトマスクを用いて、前記第二接続ブリッジ上の前記導電電極、前記保護層及び前記オーミックコンタクト層を、前記第二極及び前記第三極に対応するようにエッチングして切り離すステップを更に含むようにしてもよい。
【００２０】
また、前記アレイ基板の製作方法において、前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第二極と前記薄膜トランジスタの第三極とを接続する第二接続ブリッジを形成するステップは、フッ化水素酸を用いて前記第二接続ブリッジにおける保護層及び絶縁層の縁をエッチングして、前記第二接続ブリッジにおけるアクティブ層及びオーミックコンタクト層を外へ凸出させてコンタクトリングを形成するステップを更に含むようにしてもよい。
【００２１】
また、前記導電電極が、前記コンタクトリングと、前記第二極または第三極とに電気的に接続されるように、前記第二接続ブリッジ上の導電電極は、前記コンタクトリング上に設けられているようにしてもよい。
【００２２】
また、前記アレイ基板の製作方法において、前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップは、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分の上に位置する容量絶縁構造を形成するステップを更に含み、前記の、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップは、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、前記容量絶縁構造の上に位置する蓄積容量電極を形成するステップを更に含むようにしてもよい。
【００２３】
また、前記薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ、ゲート、ソース、ドレインであり、前記第一信号線は走査線であり、前記第二信号線はデータ線であるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２４】
上記の解決手段では、アレイ基板の第一信号線を、第二信号線に対応してその両側に分割して設け、後続のフォトマスクにおいて、該第一信号線と接続される接続線を形成することによって、第一信号線の通常の配線を実現できるとともに、２回のフォトマスクに分けることなく、１回のフォトマスクで第一及び第二信号線を形成できるので、アレイ基板の製作過程におけるフォトマスクの回数を減らし、アレイ基板の製作時間を短縮し、生産コストを削減した。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本願に係るアレイ基板の製作方法の一実施形態のフローチャートである。
【図２】図２は、図１に示すステップＳ１１を経て得られたアレイ基板の平面構造模式図である。
【図３】図３は、図１に示すステップＳ１２を経て得られたアレイ基板の平面構造模式図である。
【図４】図４は、図３に示す、エッチングを経ずにコンタクトリングが得られたアレイ基板のＡＡ方向に沿った断面図である。
【図５】図５は、図３に示す、エッチングを経てコンタクトリングが得られたアレイ基板のＡＡ方向に沿った断面図である。
【図６】図６は、図１に示すステップＳ１３の処理を実行して得られたアレイ基板の第一平面構造模式図である。
【図７】図７は、図１に示すステップＳ１３を経て得られたアレイ基板の第二平面構造模式図である。
【図８】図８は、図７に示すアレイ基板のＡＡ方向に沿った一実施形態の断面図である。
【図９】図９は、図７に示すアレイ基板のＡＡ方向に沿った他の実施形態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
下記では、本願を徹底的に理解するために、特定のシステム構造、インタフェースや技術などの具体的な詳細を挙げる場合があるが、それらは、本願を説明するためのものであり、本願を限定するものではない。一方、当業者であれば、それらの具体的な詳細がなくても、他の実施形態で本願を実現できることを理解すべきである。不要な詳細によって本出願の説明が妨害されることを避けるために、それ以外の場合、周知の装置、回路及び方法に対する詳しい説明を省略する。
【００２７】
図１を参照して、図１は、本願に係るアレイ基板の一実施形態のフローチャートである。本実施例における方法は、以下のステップＳ１１〜Ｓ１３を含む。
【００２８】
Ｓ１１は、基板上に導電層を堆積し、第１のフォトマスクを用いて前記導電層をエッチングして、薄膜トランジスタの３極、及び、第一信号線、第二信号線を形成する。
【００２９】
該基板は、ガラス基板、または、他の透明絶縁材料で形成された基板であってもよい。  該導電層は、金属層、または、他の導電性の非金属材料であってもよい。
【００３０】
例えば、図２を合わせて参照して、基板２０６上に、物理気相堆積（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、略称：ＰＶＤ）によって導電層を堆積し、パターンが設けられている第１のフォトマスクを用いて、まず導電層をフォトリソグラフィー（Ｐｈｏｔｏ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）することにより、導電層上に、薄膜トランジスタの３極及び第一信号線、第二信号線のパターンが規定されるようにし、続いて、ウェットエッチングによって、薄膜トランジスタの第一極２０１、第二極２０２、第三極２０３、及び、第一信号線２０４、第二信号線２０５を形成する。
【００３１】
該第一信号線２０４と、該第二信号線２０５とは、交差するように設けられ、例えば、垂直になるように設けられている。該第一信号線２０４は、前記第二信号線２０５を挟む両側に分離された第一部分２０４ａ及び第二部分２０４ｂを含み、且つ該第一部分２０４ａ及び第二部分２０４ｂのいずれも、第二信号２０５に電気的に接続されていない。
【００３２】
本実施例において、前記第一信号線２０４の第一部分２０４ａは、前記薄膜トランジスタの第一極２０１に電気的に接続され、前記第二信号線２０５は、前記薄膜トランジスタの第二極２０２に電気的に接続されている。
【００３３】
Ｓ１２は、中間層を順次に堆積し、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、第一接続ブリッジ、第二接続ブリッジ及び容量絶縁構造を形成する。
【００３４】
例えば、該中間層２０７は、絶縁層（ゲート絶縁層とも呼ばれ、Ｇａｔｅ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ、略称：ＧＩ）２０７ａ、アクティブ層２０７ｂ、オーミックコンタクト層２０７ｃ、及び、保護層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）２０７ｄを含む。図３を合わせて参照して、図２に示すような基板上に、プラズマ強化化学気相堆積法（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、略称：ＰＥＣＶＤ）によって、絶縁層２０７ａ、アクティブ層２０７ｂ、オーミックコンタクト層２０７ｃ、及び、保護層２０７ｄを順次に堆積してもよい。該アクティブ層２０７ｂは、ａ−Ｓｉ及び／またはｐ−Ｓｉなどを含み、該オーミックコンタクト層２０７ｃは、例えばｎ＋ａ−Ｓｉである。
【００３５】
次に、パターンが設けられている第２のフォトマスクを用いて、まず中間層２０７をフォトリソグラフィーすることにより、中間層２０７上に、前記第一部分２０４ａと前記第二部分２０４ｂとを接続する第一接続ブリッジ２０８、第二極２０２と第三極２０３とを接続する第二接続ブリッジ２０９、及び、前記第一部分２０４ａの上に位置する容量絶縁構造２１０のパターンが規定されるようにし、続いて、ドライエッチングプロセスによって、上記の導電層までエッチングすることにより、該第一接続ブリッジ２０８、第二接続ブリッジ２０９（シリコン導体とも呼ばれる）、及び、容量絶縁構造２１０を形成する。
【００３６】
上記の導電層が後述の導電電極の対応する位置から絶縁されていることを保証するためには、該第一接続ブリッジ２０８及び容量絶縁構造２１０は、その幅として、該第一信号線を完全に覆っていることが好ましい。例えば、第一接続ブリッジ２０８の幅は、第一信号線の第一部分２０４ａ及び第二部分２０４ｂよりも広く、容量絶縁構造２１０の幅は、第一部分２０４ａよりも広い。
【００３７】
さらに、アクティブ層及びオーミックコンタクト層と、下の導電層及び後述する導電電極との良好なコンタクトを保証するためには、本ステップによって上記の第二接続ブリッジ２０９が形成された後に、フッ化水素酸（ＨＦ）を用いて前記第二接続ブリッジ２０９における保護層及び絶縁層の縁をエッチングして、前記第二接続ブリッジにおけるアクティブ層２０７ｂ及びオーミックコンタクト層２０７ｃを外へ凸出させてコンタクトリング２０９ａを形成するステップを更に含む。例えば、図４〜図５を合わせて参照して、図４は、上記のドライエッチングを経て得られた図３に示すＡ−Ａ方向の断面図を示しており、ＨＦエッチングプロセス（ＨＦは、Ｓｉ及びＳｉＯｘによるエッチングに対して選択的であるため）を用いて、前記第二接続ブリッジ２０９における保護層２０９及び絶縁層２０６のエッジをエッチングすることにより、第二接続ブリッジ２０９におけるアクティブ層２０７ｂ及びオーミックコンタクト層２０７ｃの縁が残されるようにして、周囲が半Ｏリングとなるコンタクトリング２０９ａを形成する。
【００３８】
理解できるように、他の実際応用では、第二接続ブリッジを形成した後に、エッチングせずにコンタクトリングを形成してもよい。こうした場合、アクティブ層及びオーミックコンタクト層は、保護層及び絶縁層に対して凸出する部分がない。
【００３９】
Ｓ１３は、導電電極を堆積し、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、接続線及び蓄積容量電極を形成し、前記第二接続ブリッジ上の前記導電電極、前記保護層及び前記オーミックコンタクト層を、前記第二極及び前記第三極に対応するようにエッチングして切り離す。
【００４０】
例えば、図６〜図８を合わせて参照して、Ｓ１２を経た基板に、ＰＶＤによって、例えばインジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、略称：ＩＴＯ）からなる半導体透明導電膜のような透明導電電極を堆積し、パターンが設けられている第３のフォトマスクを用いて、まず該透明導電電極をフォトリソグラフィーすることにより、透明導電電極上に、前記画素電極２１１と接続され、該第一部分２０４ａと第二部分２０４ｂとを電気的に接続するための接続線２１２、容量絶縁構造２１０の上に位置する蓄積容量電極２１３、及び、第二接続ブリッジ上における第二極と第三極との間に位置する切れ目２１４のパターンが規定されるようにし、続いて、ウェットエッチングプロセスによって、上記の透明導電電極までエッチングすることにより、図６に示すように、該画素電極２１１、接続線２１２及び蓄積容量電極２１３を形成する。
【００４１】
次に、更なるドライエッチングプロセスによって、切れ目２１４における透明導電電極、保護層２０９及びオーミックコンタクト層２０７ｂをエッチングして除去することにより、図７及び図８に示すように、第二極及び第三極にそれぞれ対応する透明導電電極と、保護層２０９と、オーミックコンタクト層２０７ｃとが接続されないようにする。他の実施例において、図９に示すように、切れ目２１４におけるアクティブ層２０７ｂの上部もエッチングして切り離してもよい。
【００４２】
理解できるように、上記のフォトリソグラフィーを行った際に切れ目２１４のパターンを一旦規定せず、ウェットエッチングにより上記の導電構造が得られた後に２回目のフォトリソグラフィーを行って切れ目２１４を得て、更にドライエッチングして該切れ目２１４を得るようにしてもよい。
【００４３】
また、前記導電電極が、前記コンタクトリング２０９ａと、前記第二極２０２または第三極２０３とに電気的に接続されるように、前記第二接続ブリッジ上の導電電極は、前記コンタクトリング２０９ａ上に設けられていてもよい。具体的に、例えば、該第二接続ブリッジ上における第二極２０２の位置に対応する導電電極は、第一導電電極２１５であり、該第一導電電極２１５は、該第二接続ブリッジの側面におけるコンタクトリングを覆うことにより、アクティブ層と第二極２０２とを接続して通路を形成する。該第二接続ブリッジ上における第三極２０３の位置に対応する導電電極は、第二導電電極２１６であり、該第二導電電極２１６は、該第二接続ブリッジの側面におけるコンタクトリングを覆うことにより、アクティブ層と第三極２０３とを接続して通路を形成する。該第一導電電極２１５が第二信号線２０５と電気的にコンタクトされていることにより、第二信号線２０５と薄膜トランジスタの第二極２０２とが電気的に接続されることが保証されている。該第二導電電極２１６が画素電極２１１と電気的にコンタクトされていることにより、画素電極２１１と薄膜トランジスタの第三極２０３とが電気的に接続されることが実現されている。
【００４４】
本実施例において、接続線２１２が第二信号線２０４と絶縁され、且つ第一部分２０４ａ及び第二部分２０４ｂと電気的に接続できることを保証するために、該接続線２１２は、該第一接続ブリッジ２０８よりも長く、且つ該第一接続ブリッジ２０８よりも狭くなっているが、勿論、接続線を用いて第一接続ブリッジ２０８の貫通孔を介して第一部分２０４ａ及び第二部分２０４ｂに電気的に接続されてもよく、こうした場合、接続線２１２の長さは、第一接続ブリッジ２０８よりも長くなくてもよい。該蓄積容量電極２１３は、容量絶縁構造２１０を介して、下の対応する第一部分２０４ａと蓄積容量を形成可能である。
【００４５】
一実施例において、該薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ薄膜トランジスタのゲート、ソース及びドレインであり、該第一信号線は走査線であり、該第二信号線はデータ線である。勿論、他の実施例において、該第二極及び第三極は、それぞれドレイン及びソースであってもよいし、または、第一信号線はデータ線であり、第二信号線は走査線であってもよく、これに対応して、該第一極はソースまたはドレインとなり、該第二極はゲートとなる。
【００４６】
上記の第１、第２、第３のフォトマスクは、一般的な普通フォトマスク、または、ハーフトーンフォトマスクである。
【００４７】
図７及び図８を参照して、図７は、本願に係るアレイ基板の一実施形態の平面構造模式図であり、図８は、図７に示すアレイ基板のＡ−Ａ方向に沿った断面図である。本実施例において、このアレイ基板は、
基板２０６、
基板２０６上に設けられた薄膜トランジスタの第一極２０１、第二極２０２及び第三極２０３、並びに、第一信号線２０４、第二信号線２０５と、
前記第一部分２０４ａと第二部分２０４ｂとの間に設けられた第一接続ブリッジ２０８と、
画素電極２１１、及び、前記第一接続ブリッジ２０８の上に設けられた接続線２１２と、を含み、
前記第一信号線２０４は、前記第二信号線２０５を挟む両側に分離された第一部分２０４ａ及び第二部分２０４ｂを含み、
前記接続線２１２は、前記第一部分２０４ａと前記第二部分２０４ｂとを電気的に接続するためのものである。
【００４８】
また、該基板は、ガラス基板、または、他の透明絶縁材料で形成された基板であってもよい。該導電層は、金属層、または、他の導電性の非金属材料であってもよい。該導電電極は、ＩＴＯ等のような透明導電電極であってもよい。
【００４９】
また、該第一接続ブリッジ２０８は、その第一部分２０４ａを覆う領域及びその第二部分２０４ｂを覆う領域よりも幅広くてもよい。更に、該接続線２１２は、該第一接続ブリッジ２０８よりも長く、且つ該第一接続ブリッジ２０８よりも狭くてもよいが、勿論、接続線を用いて第一接続ブリッジ２０８の貫通孔を介して第一部分２０４ａ及び第二部分２０４ｂに電気的に接続されてもよく、こうした場合、接続線２１２の長さは、第一接続ブリッジ２０８よりも長くなくてもよい。
【００５０】
また、該第一接続ブリッジ２０８は、基板２０６に近い側から順次に、絶縁層２０７ａ、アクティブ層２０７ｂ、オーミックコンタクト層２０７ｃ及び保護層２０７ｄを含んでもよいが、上記の四層の詳細は、上述した実施例の関連説明を参照されたい。
【００５１】
また、前記第一信号線の第一部分２０４ａは、前記薄膜トランジスタの第一極２０１に電気的に接続され、前記第二信号線２０５は、前記薄膜トランジスタの第二極２０２に電気的に接続されていてもよい。
【００５２】
該アレイ基板は、前記薄膜トランジスタの第二極２０２と第三極２０３との間に設けられた第二接続ブリッジ２０９と、前記第二接続ブリッジ２０９上に設けられた第一導電電極２１５及び第二導電電極２１６を更に含む。該第二接続ブリッジ２０９は、上記のような絶縁層２０７ａ、アクティブ層２０７ｂ、オーミックコンタクト層２０７ｃ及び保護層２０７ｄを含み、且つ前記第二接続ブリッジ２０９の保護層２０７ｄ及びオーミックコンタクト層２０７ｃのいずれも、前記第二極及び前記第三極に対応するように切り離して設けられており、即ち、該切れ目２１４によって切り離されている。勿論、該アクティブ層２０７ｂの上部分も、図９に示すように、該切れ目２１４によって切り離されていてもよい。
【００５３】
該第一導電電極２１５は、前記第二極２０２及びアクティブ層２０７ｂに電気的に接続され、且つ第二信号線２０５に電気的に接続されており、前記導電電極は、前記第三極２０３及び前記アクティブ層２０７ｂに電気的に接続され、且つ画素電極２１１に電気的に接続されている。
【００５４】
更に、該第二接続ブリッジ２０９のアクティブ層２０７ｂ及びオーミックコンタクト層２０７ｃの縁は、絶縁層２０７ａ及び保護層２０７ｄに対して凸出して、コンタクトリング２０９ａを形成している。該第一導電電極２１５及び第二導電電極２１６は、アクティブ層と電気的に接続されるように、いずれも該コンタクトリング２０９ａ上に覆われている。
【００５５】
また、該アレイ基板は、蓄積容量電極２１３、及び、蓄積容量電極２１３と第一部分２０４との間に設けられた容量絶縁構造２１０を更に含んでもよい。具体的に、該容量絶縁構造は、上記のような絶縁層２０７ａ、アクティブ層２０７ｂ、オーミックコンタクト層２０７ｃ及び保護層２０７ｄを含んでもよい。
【００５６】
本実施例において、該第一信号線２０４と、該第二信号線２０５とは、交差するように設けられ、例えば、垂直になるように設けられている。そして、該薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ薄膜トランジスタのゲート、ソース及びドレインであり、該第一信号線は走査線であり、該第二信号線はデータ線である。勿論、他の実施例において、該第二極及び第三極は、それぞれドレイン及びソースであってもよいし、または、第一信号線は、データ線であり、第二信号線は走査線であってもよい、これに対応して、該第一極はソースまたはドレインとなり、該第二極はゲートとなる。
【００５７】
本願は、上記の製作方法によって製作されたアレイ基板を更に提供している。
【００５８】
上記の解決手段におけるアレイ基板は、液晶ディスプレイにおけるアレイ基板であってもよい。
【００５９】
本願は、アレイ基板と、カラーフィルタ基板と、これらの両基板の間に挟持された液晶とを含む表示パネルを更に提供する。
【００６０】
上記の解決手段では、アレイ基板の第一信号線を、第二信号線に対応してその両側に分割して設け、後続のフォトマスクにおいて、該第一信号線と接続される接続線を形成することによって、第一信号線の通常の配線を実現できるとともに、２回のフォトマスクに分けることなく、１回のフォトマスクで第一及び第二信号線を形成できるので、アレイ基板の製作過程におけるフォトマスクの回数を減らし、アレイ基板の製作時間を短縮し、生産コストを削減した。
【００６１】
上述したのは、本発明の実施形態に過ぎず、本発明の特許の範囲を限定するものではなく、本発明の明細書及び図面を用いた等価な構造や等価なフロー変換、他の関連技術分野への直接的または間接的な適用は、すべて本発明の特許保護の範囲に含まれる。
【図１】
2019508739.tif 000003
【図２】
2019508739.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年8月16日(2018.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電層を堆積し、第１のフォトマスクを用いて前記導電層をエッチングして、薄膜トランジスタの３極、及び、第一信号線、第二信号線を形成するステップであって、前記第一信号線は、前記第二信号線を挟む両側に分離された第一部分及び第二部分を含むステップと、
中間層を順次に堆積し、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップと、
導電電極を堆積し、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップと、を含む
アレイ基板の製作方法。
【請求項２】
前記第一信号線の第一部分は、前記薄膜トランジスタの第一極に電気的に接続され、前記第二信号線は、前記薄膜トランジスタの第二極に電気的に接続され、前記中間層は、積層された絶縁層、アクティブ層、オーミックコンタクト層及び保護層を含み、
前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップは、
第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第二極と前記薄膜トランジスタの第三極とを接続する第二接続ブリッジを形成するステップを更に含み、
前記の、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップは、
第３のフォトマスクを用いて、前記第二接続ブリッジ上の前記導電電極、前記保護層及び前記オーミックコンタクト層を、前記第二極及び前記第三極に対応するようにエッチングして切り離すステップを更に含む
請求項１に記載の製作方法。
【請求項３】
前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第二極と前記薄膜トランジスタの第三極とを接続する第二接続ブリッジを形成するステップは、
フッ化水素酸を用いて前記第二接続ブリッジにおける保護層及び絶縁層の縁をエッチングして、前記第二接続ブリッジにおけるアクティブ層及びオーミックコンタクト層を外へ凸出させてコンタクトリングを形成するステップを更に含む
請求項２に記載の製作方法。
【請求項４】
前記導電電極が、前記コンタクトリングと、前記第二極または第三極とに電気的に接続されるように、前記第二接続ブリッジ上の導電電極は、前記コンタクトリング上に設けられている
請求項３に記載の製作方法。
【請求項５】
前記の、第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分と前記第二部分とを接続する第一接続ブリッジを形成するステップは、
第２のフォトマスクを用いて前記中間層をエッチングして、前記第一部分の上に位置する容量絶縁構造を形成するステップを更に含み、
前記の、第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、画素電極、及び、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続する接続線を形成するステップは、
第３のフォトマスクを用いて前記導電電極をエッチングして、前記容量絶縁構造の上に位置する蓄積容量電極を形成するステップを更に含む
請求項１に記載の製作方法。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ、ゲート、ソース、ドレインであり、前記第一信号線は走査線であり、前記第二信号線はデータ線である
請求項１−５のいずれか一項に記載の製作方法。
【請求項７】
アレイ基板であって、
基板と、
基板上に設けられた薄膜トランジスタの３極、第一信号線及び第二信号線と、
第一部分と第二部分との間に設けられた第一接続ブリッジと、
画素電極、及び、前記第一接続ブリッジの上に設けられた接続線と、を含み、
前記第一信号線は、前記第二信号線を挟む両側に分離された第一部分及び第二部分を含み、
前記接続線は、前記第二信号線と絶縁されており、
前記接続線は、前記第一部分と前記第二部分とを電気的に接続するためのものである
アレイ基板。
【請求項８】
前記第一信号線の第一部分は、前記薄膜トランジスタの第一極に電気的に接続されており、
前記アレイ基板は、前記薄膜トランジスタの第二極と第三極との間に設けられた第二接続ブリッジと、前記第二接続ブリッジ上に設けられた第一導電電極及び第二導電電極とを更に含み、前記第二接続ブリッジは、絶縁層、アクティブ層、オーミックコンタクト層及び保護層を含み、且つ前記第二接続ブリッジの保護層及びオーミックコンタクト層のいずれも、前記第二極及び前記第三極に対応するように切り離して設けられており、前記第一導電電極は、前記第二極、前記アクティブ層及び前記第二信号線に電気的に接続されており、前記第二導電電極は、前記第三極、前記アクティブ層及び前記画素電極に電気的に接続されている
請求項７に記載のアレイ基板。
【請求項９】
前記第二接続ブリッジにおけるアクティブ層及びオーミックコンタクト層が外へ凸出して形成されたコンタクトリングを更に含む
請求項８に記載のアレイ基板。
【請求項１０】
前記導電電極が、前記コンタクトリングと、前記第二極または第三極とに電気的に接続されるように、前記第二接続ブリッジ上の導電電極は、前記コンタクトリング上に設けられている
請求項９に記載のアレイ基板。
【請求項１１】
前記第一部分の上に順次に設けられた容量絶縁構造及び蓄積容量電極を更に含む
請求項７に記載のアレイ基板。
【請求項１２】
前記薄膜トランジスタの第一極、第二極、第三極は、それぞれ、ゲート、ソース、ドレインであり、前記第一信号線は走査線であり、前記第二信号線はデータ線である
請求項７−１１のいずれか一項に記載のアレイ基板。
【国際調査報告】
2019508739.tif 000012
2019508739.tif 000013
2019508739.tif 000014
2019508739.tif 000015