(57)【要約】  デバイスは、超伝導体量子デバイスを含む基板であって、超伝導体量子デバイスは、超伝導体材料を含み、超伝導体材料は、対応する臨界温度以下において超伝導特性を示す、基板と、基板に結合されている封鎖層と、封鎖層と基板との間のシールされたキャビティーとを含む。
2019532520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子回路デバイスを含む基板を提供するステップであって、前記量子回路デバイスは、超伝導体材料を含み、前記超伝導体材料は、対応する臨界温度以下において超伝導特性を示す、ステップと、
封鎖層と前記基板との間にシールされたキャビティーを形成するために前記封鎖層を前記基板に結合するステップであって、前記シールされたキャビティーは、真空を含む、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記シールされたキャビティーの中の圧力は、約１０−６Ｔｏｒｒ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シールされたキャビティーの中の前記圧力は、約１０−９Ｔｏｒｒ以下である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記封鎖層を前記基板に結合するステップは、室温において実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記封鎖層の表面は、前記基板の表面に直接的に結合され、前記シールされたキャビティーを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記封鎖層は、第１の超伝導体層を含み、前記基板は、第２の超伝導体層を含み、前記封鎖層を前記基板に結合するステップは、前記第１の超伝導体層を前記第２の超伝導体層に結合することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の超伝導体層および前記第２の超伝導体層のそれぞれは、アルミニウムを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記封鎖層を前記基板に結合するステップの前に、前記基板の表面のイオンミリングを実施するステップであって、イオンミリングされた前記表面は、前記シールされたキャビティーの中の前記真空に露出される、ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記封鎖層を前記基板に結合するステップの前に、ＸｅＦ２ガスによって前記基板の表面をエッチングするステップであって、前記表面は、前記シールされたキャビティーの中の前記真空に露出される、ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記量子デバイスは、前記シールされたキャビティーの中にある、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記量子デバイスは、キュービット、コプレーナ導波路、インダクター、またはインターディジテイティッドキャパシターを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記シールされたキャビティーに面する前記封鎖層の表面は、ゲッター層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ゲッター層は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、またはジルコニウムバナジウムチタン（ＺｒＶＴｉ）を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
超伝導体量子デバイスを含む基板であって、前記超伝導体量子デバイスは、超伝導体材料を含み、前記超伝導体材料は、対応する臨界温度以下において超伝導特性を示す、基板と、
前記基板に結合されている封鎖層と、
前記封鎖層と前記基板との間のシールされたキャビティーと
を含む、デバイス。
【請求項１５】
前記シールされたキャビティーの中の圧力は、約１０−６Ｔｏｒｒ以下である、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記シールされたキャビティーの中の前記圧力は、約１０−９Ｔｏｒｒ以下である、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記封鎖層は、前記基板に直接的に結合されている、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記封鎖層は、第１の超伝導体層を含み、前記基板は、第２の超伝導体層を含み、前記第１の超伝導体層は、前記第２の超伝導体層に直接的に結合されている、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記第１の超伝導体層および前記第２の超伝導体層のそれぞれは、アルミニウムを含む、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記シールされたキャビティーに面する前記基板の表面と前記シールされたキャビティーに面する前記封鎖層の表面との間の距離は、約５０ミクロンよりも大きくなっている、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記シールされたキャビティーに面する前記基板の前記表面と前記シールされたキャビティーに面する前記封鎖層の前記表面との間の前記距離は、約２００ミクロンよりも大きくなっている、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記超伝導体量子デバイスは、キュービット、コプレーナ導波路、インダクター、またはインターディジテイティッドキャパシターを含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記シールされたキャビティーに面する前記封鎖層の表面は、ゲッター層を含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記ゲッター層は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、またはジルコニウムバナジウムチタン（ＺｒＶＴｉ）を含む、請求項２３に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ローカル真空キャビティーを使用して量子デバイスの中の散逸および周波数ノイズを低減させることに関する。
【背景技術】
【０００２】
量子コンピューティングは、比較的に新しいコンピューティング方法であり、それは、基礎状態の重ね合わせおよびもつれなどのような、量子効果を利用し、古典デジタルコンピューターよりも効率的に特定の計算を実施する。デジタルコンピューターとは対照的に（デジタルコンピューターは、ビット（たとえば、「１」または「０」）の形態の情報を記憶および操作する）、量子コンピューティングシステムは、キュービットを使用して情報を操作することが可能である。キュービットは、複数の状態の重ね合わせを可能にする量子デバイスを表すことが可能であり（たとえば、「０」状態および「１」状態の両方にあるデータ）、および／または、複数の状態の中のデータ自身の重ね合わせを表すことが可能である。従来の専門用語によれば、量子系における「０」状態および「１」状態の重ね合わせは、たとえば、α│０＞＋β│１＞として表され得る。デジタルコンピューターの「０」状態および「１」状態は、それぞれ、キュービットの│０＞および│１＞基礎状態と同様である。値│α│２は、キュービットが│０＞状態にある確率を表しており、一方、値│β│２は、キュービットが│１＞基礎状態にある確率を表している。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
一般的に、第１の態様では、本開示の主題は、量子回路デバイスを含む基板を提供するステップであって、量子回路デバイスは、超伝導体材料を含み、超伝導体材料は、対応する臨界温度以下において超伝導特性を示す、ステップと、封鎖層と基板との間にシールされたキャビティーを形成するために封鎖層を基板に結合するステップであって、シールされたキャビティーは、真空を含む、ステップとを含む、方法において具現化され得る。
【０００４】
方法の実装形態は、以下の特徴のうちの１つまたは複数を含むことが可能である。たとえば、いくつかの実装形態では、シールされたキャビティーの中の圧力は、約１０−６Ｔｏｒｒ以下であることが可能である。シールされたキャビティーの中の圧力は、約１０−９Ｔｏｒｒ以下であることが可能である。
【０００５】
いくつかの実装形態では、封鎖層を基板に結合するステップは、室温において実施されることが可能である。
【０００６】
いくつかの実装形態では、封鎖層の表面は、基板の表面に直接的に結合され、シールされたキャビティーを形成することが可能である。
【０００７】
いくつかの実装形態では、封鎖層は第１の超伝導体層を備え、基板は第２の超伝導体層を備え、封鎖層を基板に結合するステップは第１の超伝導体層を第２の超伝導体層に結合するステップを含む。第１の超伝導体層および第２の超伝導体層のそれぞれは、アルミニウムを含むことが可能である。
【０００８】
いくつかの実装形態では、方法は、封鎖層を基板に結合するステップの前に、基板の表面のイオンミリングを実施するステップであって、イオンミリングされた表面は、シールされたキャビティーの中の真空に露出される、ステップをさらに含む。
【０００９】
いくつかの実装形態では、方法は、封鎖層を基板に結合するステップの前に、ＸｅＦ２ガスによって基板の表面をエッチングするステップであって、表面は、シールされたキャビティーの中の真空に露出される、ステップをさらに含む。
【００１０】
いくつかの実装形態では、量子デバイスは、シールされたキャビティーの中にあることが可能である。
【００１１】
いくつかの実装形態では、量子デバイスは、キュービット、コプレーナ導波路、インダクター、またはインターディジテイティッドキャパシターを含む。
【００１２】
いくつかの実装形態では、シールされたキャビティーに面する封鎖層の表面は、ゲッター層を含む。ゲッター層は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、またはジルコニウムバナジウムチタン（ＺｒＶＴｉ）を含むことが可能である。
【００１３】
一般的に、別の態様では、本開示の主題は、超伝導体量子デバイスを含む基板であって、超伝導体量子デバイスは、超伝導体材料を含み、超伝導体材料は、対応する臨界温度以下において超伝導特性を示す、基板と、基板に結合されている封鎖層と、封鎖層と基板との間のシールされたキャビティーとを含む、デバイスにおいて具現化され得る。
【００１４】
デバイスの実装形態は、以下の特徴のうちの１つまたは複数を含むことが可能である。たとえば、いくつかの実装形態では、シールされたキャビティーの中の圧力は、約１０−６Ｔｏｒｒ以下であることが可能である。
【００１５】
いくつかの実装形態では、シールされたキャビティーの中の圧力は、約１０−９Ｔｏｒｒ以下であることが可能である。
【００１６】
いくつかの実装形態では、封鎖層は、基板に直接的に結合され得る。
【００１７】
いくつかの実装形態では、封鎖層は、第１の超伝導体層を含み、基板は、第２の超伝導体層を含み、第１の超伝導体層は、第２の超伝導体層に直接的に結合され得る。第１の超伝導体層および第２の超伝導体層のそれぞれは、アルミニウムを含むことが可能である。
【００１８】
いくつかの実装形態では、シールされたキャビティーに面する基板の表面とシールされたキャビティーに面する封鎖層の表面との間の距離は、約５０ミクロンよりも大きくなっていることが可能である。シールされたキャビティーに面する基板の表面とシールされたキャビティーに面する封鎖層の表面との間の距離は、約２００ミクロンよりも大きくなっていることが可能である。
【００１９】
いくつかの実装形態では、超伝導体量子デバイスは、キュービット、コプレーナ導波路、インダクター、またはインターディジテイティッドキャパシターを含む。
【００２０】
いくつかの実装形態では、シールされたキャビティーに面する封鎖層の表面は、ゲッター層を含む。ゲッター層は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、またはジルコニウムバナジウムチタン（ＺｒＶＴｉ）を含むことが可能である。
【００２１】
実装形態は、以下の利点のうちの１つまたは複数を含むことが可能である。たとえば、いくつかの実装形態では、自然酸化物および／または汚染物質の除去は、損失の多い誘電体および／または周波数ノイズの供給源の存在を低減させることが可能である。自然酸化物および他の残留物を除去するためにイオンミリングを使用することは、いくつかの実装形態では、デバイスの結合特性を改善することが可能である。真空下でキャビティー領域を形成することは、特定の実装形態では、損失の多い自然酸化物の再形成を低減させることが可能である。追加的に、いくつかの実装形態では、キャビティーの中の露出された超伝導材料は、ゲッターとして作用することが可能であり、ゲッターは、汚染物質を優先的に吸着させ、したがって、汚染物質は、露出された誘電体表面に結合せず、したがって、デバイスに関連付けられる損失をさらに低減させる。
【００２２】
本開示の目的のために、超伝導体（代替的に、超伝導）材料は、超伝導臨界温度以下において超伝導特性を示す材料として理解され得る。超伝導体材料の例は、アルミニウム（１．２ケルビンの超伝導臨界温度）およびニオブ（９．３ケルビンの超伝導臨界温度）を含む。
【００２３】
本開示の目的のために、真空は、圧力が大気圧力よりも低いスペースを表している。
【００２４】
本開示の目的のために、ゲッターは、たとえば、化学的な結合を通してまたは吸収によって、ガス分子と組み合わせることによって、真空スペースからガス分子を除去する、真空の中の材料を表している。
【００２５】
１つまたは複数の実装形態の詳細は、添付の図面および下記の説明に記述されている。他の特徴および利点は、詳細な説明、図面、および特許請求の範囲から明らかになることとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】超伝導量子回路エレメントを有する例示的なチップの断面図を図示する概略図である。
【図２Ａ】量子回路エレメントを含有するチップのためのローカル真空環境を確立する例を図示する概略図である。
【図２Ｂ】量子回路エレメントを含有するチップのためのローカル真空環境を確立する例を図示する概略図である。
【図３】量子回路エレメントを含有するチップのためのローカル真空環境を確立する例を図示する概略図である。
【図４】量子回路エレメントを含有するチップのためのローカル真空環境を確立する例を図示する概略図である。
【図５Ａ】量子回路エレメントを含有するチップのためのローカル真空環境を確立する例を図示する概略図である。
【図５Ｂ】量子回路エレメントを含有するチップのためのローカル真空環境を確立する例を図示する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
量子コンピューティングは、量子コンピューターの量子ビット（キュービット）の中に記憶された量子情報をコヒーレントに処理することを伴う。量子アニーラーなどのような、特定のタイプの量子コンピューティングプロセッサーにおいて、量子プロセッサーのキュービットは、制御可能な様式で一緒に連結されており、それぞれのキュービットの量子状態が、それが連結されている他のキュービットの対応する量子状態に影響を与えるようになっている。超伝導量子コンピューティングは、量子回路エレメントが部分的に超伝導材料から形成されている量子コンピューティング技術の前途有望な実装形態である。超伝導量子コンピューターは、典型的にマルチレベルシステムであり、最初の２つのレベルのみが計算基礎として使用される。そのような量子コンピューティングデバイスは、非常に低い温度で動作させられる必要があり、超伝導性が実現され得るようになっており、また、熱変動がエネルギーレベル同士の間の移行を引き起こさないようになっている。追加的に、量子回路エレメントが、低いエネルギー損失／散逸によって動作させられ、量子デコヒーレンスを回避することが好ましい可能性がある。エネルギー損失および／またはデコヒーレンスにつながる可能性のある要因は、たとえば、材料欠陥、電子システム励起、および望ましくない放射連結を含む。
【００２８】
超伝導コンポーネントを備えた集積量子回路エレメントの製作は、典型的に、超伝導体材料、誘電体、および金属層を堆積およびパターニングすることを必要とする。超伝導量子回路エレメント（量子回路デバイスとも称される）、なかでも、たとえば、キュービット、インダクタンスベースの光子検出器、および共振器などは、低い損失のリアクティブマイクロ波コンポーネント（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）に依存し、高いクオリティーファクターＱを実現する。しかし、インターフェースにおいて位置付けされている損失の多い誘電体は、システムの中の散逸に著しく影響することが多く、したがって、量子回路エレメントの性能を制限する。また、露出された表面の上の吸着質（たとえば、Ｈ２ＯおよびＯ２）は、散逸につながる可能性がある。量子回路エレメントの動作を抑制する可能性がある別の問題は、吸着質によって引き起こされる周波数ノイズである。たとえば、超伝導温度において、分子Ｈ２ＯおよびＯ２は、量子回路エレメントに隣接しているかまたは量子回路エレメントの一部である、アモルファス誘電体および自然酸化物の露出された表面に弱く結合され得る。わずかな温度変化が、それらの弱く結合された分子のスピンが変動することを引き起こし、量子回路エレメント（たとえば、キュービット）と相互作用する磁界を生じさせる可能性がある。可変の磁界は、小さい程度に回路エレメントを制御し、キュービット周波数の中に望ましくない変動を引き起こす可能性がある。この周波数ジッターは、「１／ｆノイズ」とも称される。
【００２９】
本開示は、量子回路エレメントの露出された表面をローカル真空環境の中に囲むことによって、損失の多いインターフェースおよび表面吸着質から結果として生じる散逸および周波数ノイズを低減させることに関する。真空環境は、デバイスの露出された表面に弱く結合されている分子の数を低減させることが可能であり、たとえば、周波数ジッターの減少につながる。そのうえ、量子回路エレメントが真空環境の中に維持されることとなるので、潜在的に損失の多い材料（たとえば、自然酸化物）を除去する事前処理オプションが、製作プロセスに導入され得る。いくつかの実装形態では、真空環境は、損失の多い材料の再形成を防止し、そうでなければ損失の多い材料の存在によって引き起こされることとなる散逸をさらに低減させる。追加的に、真空環境の中の特定の表面は、残りの吸着質が強力に結合することができる「ゲッター」として作用する材料によってコーティングされ得、したがって、周波数ノイズを引き起こす際の吸着質の役割をさらに制限する。
【００３０】
図１は、超伝導量子回路エレメント１００を有する例示的なチップの断面図を図示する概略図であり、それは、超伝導量子コンピューターシステムの中で使用され得る。本例では、構造体１００は、超伝導コプレーナ導波路であることが可能である。超伝導コプレーナ導波路は、たとえばとりわけ、回路量子電磁力学（回路ＱＥＤ）のための共振デバイス（たとえば、測定共振器）として使用され得、量子計算のためのエレメントとして使用され得、量子光子状態を生成させてデコヒーレンスを起こすために使用され得る。本開示の実装形態は、コプレーナ導波路構造体１００を参照してさらに詳細に説明されることとなる。しかし、他の超伝導量子回路エレメント、たとえば、キュービット、インターディジテイティッドキャパシター、またはリニアインダクターなどが、コプレーナ導波路１００の代わりに、または、コプレーナ導波路１００に加えて使用され得る。
【００３１】
コプレーナ導波路構造体１００は、信号を搬送する中心線１０２を含み、中心線１０２は、２つのグランドプレーン１０４が横に配置されており、２つのグランドプレーン１０４のそれぞれは、アルミニウム（Ａｌ）またはニオブ（Ｎｂ）などのような、超伝導体材料から形成されている。図１が構造体１００の断面図を提示しているので、グランドプレーン１０４および中心線１０２が、ページの中へおよび／またはページから外へ（たとえば、ｙ−方向に沿って）延在しているということが理解される。超伝導体材料は、約数ナノメートルから約数ミクロンの範囲にある厚さを有することが可能である。平面的な超伝導構造体が、典型的に、材料堆積およびフォトリソグラフィックパターニングプロセスによって、誘電体基板１０６（たとえば、シリコン（Ｓｉ）またはサファイヤ（Ａｌ２Ｏ３））の表面１０１の上に配置され得る。他の回路エレメントが、材料堆積およびパターニングの同じ一般的なプロセスを使用して形成され得る。中心線１０２は、それぞれの側において、距離ｇのギャップによってグランドプレーン１０４から分離され得る。いくつかの実装形態では、スルービア接続１０８が、基板１０６の背面表面から基板１０６を通して表面１０１へ延在しており、量子回路エレメントへの電気的な接続（たとえば、グランド接続または制御ライン）を提供する。スルービア接続１０８は、たとえば、フォトリソグラフィーおよびディープ反応性イオンエッチングを使用して形成され得、基板１０６の中のビアを形成し、それに続いて、（たとえば、メッキプロセスまたは堆積プロセスを使用して）接続材料によってビアを充填する。いくつかの実装形態では、スルービア接続１０６は、基板１０６の中にまたは背面表面の上に形成されている他の量子回路エレメントに連結することも可能である。基板自身は、たとえば、約数ミクロンから数百ミクロンの範囲にある厚さを有することが可能である。
【００３２】
コプレーナ導波路構造体１００などのような超伝導量子回路エレメントを使用する量子コンピューティングシステムの動作の間に、回路エレメントは、超伝導体材料が超伝導特性を示すことを可能にする温度までクライオスタットの中で冷却される。たとえば、アルミニウムを使用して形成されている超伝導量子回路エレメントに関して、超伝導臨界温度は約１．２ケルビンであり、一方、ニオブを使用して形成されている超伝導量子回路エレメントに関して、超伝導臨界温度は約９．３ケルビンである。量子回路エレメントが冷却されるときに、Ｏ２および／またはＨ２Ｏなどのような分子は、アモルファス表面誘電体および自然酸化物（たとえば、ＡｌＯｘ）と弱く結合すると考えられる。本明細書で説明されているように、これらの弱く結合された吸着質は、散逸を増加させる可能性があり、また、周波数ノイズの増加につながる可能性がある。弱く結合された吸着質からの有害な影響を回避するために、吸着質の多くが、真空下で量子回路エレメントを動作させることによって除去され得る。しかし、超伝導共振器およびキュービットの中の損失を増加させる可能性のある迷光を回避するための遮光構成によってシステムが動作するということを所与として、クライオスタットの中に十分な真空を取得することは困難である可能性がある。代替例は、クライオスタットの中の別々のローカルボックスの中に、量子回路エレメントを含有するチップを設置するということであり、ローカルボックスが、真空までポンプダウンされる。ローカル真空ボックスの使用は、入力接続および出力接続を提供することを必要とし、より多くの量子回路エレメントおよびキュービットがチップに追加されるにつれて、入力接続および出力接続の数は手に負えなくなる可能性がある。
【００３３】
図２Ａ〜図２Ｂは、量子回路エレメントのためのローカル真空環境を確立する例を図示する概略図である。それらの図に示されているように、図１に関連して説明されている回路エレメント１００などのような、超伝導量子回路エレメントを含有するチップ２００は、真空下で、封鎖層２０２に結合され、封鎖層２０２とチップ２００との間にシールされたキャビティー２５０を形成する。図２Ａ〜図２Ｂは断面のみを示しているが、封鎖層２０２およびチップ２００は、ｙ軸に沿った領域において（たとえば、ページの中およびページの外にある領域において）も同様に互いに結合し、密封シールを提供すると理解され得る。結合されたチップ−封鎖層構造体が大気圧力などのようなより高い圧力環境へ移動させられても、真空がキャビティー２５０の中に維持され得る。封鎖層２０２が真空下においてチップ２００に結合されているので、通常は大気圧力下で存在することとなる吸着質は、量子回路エレメント１００の露出された表面に弱く結合するために利用することができない。そのうえ、封鎖層２０２をチップ２００に密封して結合することによって、キャビティー２５０は、吸着質が進入できないようにシールされる。
【００３４】
封鎖層２０２は、基板２０６と、基板２０６の表面の上の結合層２０４とを含む。基板２０６は、たとえば、シリコンまたはサファイヤのウエハーまたはウエハーの一部分を含むことが可能である。結合層２０４は、たとえば、チップ２００の上の対応する位置決めされた材料に結合する超伝導材料、たとえば、アルミニウムまたはニオブなどを含むことが可能である。また、インジウムまたはスズなどのような他の材料も使用され得る。改善された結合のために、結合層２０４の材料は、チップ２００の中でそれが結合することとなる材料と同じであるべきである。たとえば、両方の材料は、同じ超伝導体を含むことが可能である。層２０４が結合するチップ２００の材料は、回路エレメント１００の一部分を含むことが可能である。たとえば、層２０４は、グランドプレーンに結合することが可能である。代替的に、層２０４が結合するチップ２００の上の材料は、回路エレメント１００から分離され得る（たとえば、物理的におよび電気的に分離される）。たとえば、層２０４が結合するチップ２００の上の材料は、別々の結合層であることが可能である。
【００３５】
図２Ａ〜図２Ｂに示されているように、シールされたキャビティー２５０は、凹形領域２０８、ならびに、チップ２００からの超伝導量子回路エレメント１００および基板１０６の露出された表面の一部分によって画定され／境界を定められ得る。凹形領域２０８は、フォトリソグラフィーおよびエッチングの組み合わせによって、封鎖層２０２の中に形成され得る。たとえば、フォトリソグラフィーは、エッチングのための基板２０６の領域を画定するために使用され得る。次いで、基板２０６の画定された領域は、ドライエッチング（たとえば、反応性イオンエッチング）技法またはウェットエッチング（たとえば、ＫＯＨ）技法のいずれかを使用して、部分的にエッチングされ得る。エッチング時間は、凹形領域の高さを変化させるために調節され得、したがって、また、キャビティー２５０の高さｄを画定する。量子回路エレメントに面するチップ層の表面との間の距離は、たとえば、少なくとも１ミクロン、少なくとも５ミクロン、少なくとも１０ミクロン、少なくとも２０ミクロン、少なくとも５０ミクロン、少なくとも１００ミクロン、少なくとも２５０ミクロン、少なくとも５００ミクロンであることが可能である。同様に、他の距離も可能である。
【００３６】
代替的に、または、加えて、いくつかの実装形態では、量子回路エレメントは、チップの凹形領域の中に形成され得る。たとえば、図３は、図１に示されている回路エレメント１００などのような、量子回路エレメントを含有するチップ３００のためのローカル真空キャビティーを確立する例を図示する概略図であり、そこでは、量子回路エレメント１００が、チップ３００の凹形領域３０８の中に形成され得る。凹形領域３０８は、上記に説明されているように、領域２０８と同様の様式で製作され得る。図３には示されていないが、封鎖層３０２は、結合したときにチップ３００の凹形領域３０８の上方に整合およびそれと整合する凹形領域を含むことも可能である。結合層３０４は、封鎖層３０２およびチップ３００のそれぞれの上に提供され得る。結合層３０４は、たとえば、対応する臨界温度の下方に冷却されるときに超伝導特性を示す材料、たとえば、アルミニウム、ニオブ、または窒化チタンなどを含むことが可能である。封鎖層３０２をチップ３００に接合するときに、層３０４は、互いに結合し、キャビティーの密封シールを形成する。
【００３７】
代替的に、いくつかの実装形態では、シールされたキャビティーを形成する領域は、チップまたは封鎖層のいずれかの中に凹形領域をエッチングする必要なしに画定され得る。たとえば、材料の１つまたは複数の層は、封鎖層および／またはチップに追加され、キャビティー領域の壁部を形成することが可能である。そのような構造体の例示的な断面が、図４に示されており、図４は、図１に示されている回路１００などのような、量子回路エレメントを含有するチップ４００のためのローカル真空キャビティーを確立する例を図示する概略図である。図４に示されているように、結合層４０４の厚さは、構造体１００とチップ４００に面する基板４０６の表面との間にスペース／キャビティー領域を生成させるために増加させられ得る。たとえば、結合層４０４は、約数ミクロンから数十ミクロンの厚さを有することが可能である。キャビティー領域を生成させるために結合層４０４の厚さを増加させる代わりに、代替的なアプローチは、基板４０６の表面におよび／またはチップ４００に、（たとえば、堆積または結合を通して）材料の１つまたは複数の層を追加すること、キャビティー壁部およびキャビティー領域を形成するために、それらの追加された層をパターニングすること、ならびに、次いで、壁部の上に結合層を形成することを含む。
【００３８】
図２Ａ〜図２Ｂを参照すると、量子回路エレメント１００を含有するチップ２００に封鎖層２０２を結合するプロセスが、ここで説明されることとなる。量子回路エレメント１００および結合層２０４を形成した後に、封鎖層２０２の露出された表面（たとえば、結合層２０４）、および、チップ２００の露出された表面（たとえば、量子回路エレメント１００の関連のグランドライン）が、接合のために準備される。いくつかの実装形態では、露出された表面の準備は、結合層２０４、および、結合層２０４が接着するチップ２００の上の対応する材料にイオンミリングを実施することを含む。イオンミリングは、露出された層の表面に鋭角または鈍角でイオン（たとえば、アルゴンイオン）を方向付けすること、および、表面から材料をスパッタリングすることを含む。たとえば、いくつかの実装形態では、イオンミリングは、（たとえば、デバイスがその中で製作されている製造設備の室温の下で）熱が追加されることなく、３．７＊１０−４ｍＢａｒの圧力において、約３．６ｓｃｃｍでＡｒガスを流すことによって、イオンミリングマシンの中で実施され得る。イオンミリングが超伝導体に適用されるときに、イオンミリングが、超伝導体の表面構造体を活性化させ、改善した結合特性を提供するということが考えられる。すなわち、イオンミリングは、自然酸化物および／または汚染物質（たとえば、フォトレジスト残留物）を超伝導体材料の表面から除去し、（たとえば、デバイスがその中で製作されている製造設備のおおよそ室温において）室温またはほぼ室温のウエハー結合が実現され得るようになっている。また、自然酸化物および／または汚染物質の除去は、いくつかの実装形態では、システムの中の散逸／エネルギー損失につながる、損失の多い誘電体の存在を低減させ、回路エレメントに関するクオリティーファクターの改善を結果として生じさせるという追加的な利点を提供することが可能である。
【００３９】
チップ２００および封鎖層２０２の表面のイオンミル活性化に続いて、チップ２００および封鎖層２０２が、一緒に接合される。チップ２００を封鎖層２０２に接合することは、たとえば、チップ２００を封鎖層２０２に結合することを含むことが可能である。結合することは、封鎖層２０２の上の結合層２０４とチップ２００の上の対応する結合材料との直接結合を含むことが可能である。結合プロセスは、直接結合プロセスであることが可能であり、直接結合プロセスでは、結合層２０４とチップ２００の上の対応する結合材料との間に介在層が存在しない。結合プロセスは、冷間圧接プロセスであることが可能であり、冷間圧接プロセスでは、結合層２０４が、印加される圧力によって２つのコンポーネントを一緒に押し付けることによって、熱の使用なしに、チップ２００の上の対応する結合材料と接合される。結合プロセスは、間接結合プロセスであることが可能であり、間接結合プロセスでは、接着剤が、結合層２０４に、および／または、チップ２００の上の対応する結合材料に塗布される。接着剤は、たとえば、ポリマーを含むことが可能であり、ポリマーは、チップ２００を封鎖層２０４に接触させた後に硬化される。
【００４０】
図２Ａ〜図２Ｂの例では、結合層２０４（それは、超伝導体材料であることが可能である）を、量子回路エレメント１００のグランドプレーン（それは、また、同じまたは異なる超伝導体材料を含むことが可能である）と直接接触した状態に持っていくことによって、封鎖層２０２がチップ２００に接合される。好ましくは、封鎖層２０２およびチップ２００の両方は、結合ステップを通したイオンミリングに続いて、真空の下で維持される。真空のための圧力の範囲は、おおよそ１０−７Ｔｏｒｒからおおよそ１０−９Ｔｏｒｒの間にあることが可能である。結合の後に、シールされたキャビティーの中の圧力は、結合の間の真空環境の圧力と実質的に同じになることとなる。
【００４１】
チップ２００を封鎖層２０２に接合することは、比較的に小さい圧力を必要とすることが可能である。たとえば、２〜３ポンドの圧力（おおよそ３インチ直径のウエハーに関して、たとえば、約数ｋＰａ）が、冷間圧接プロセスと同様に、チップ２００と封鎖層２０２との間の十分な結合を取得するのに十分である可能性がある。たとえば、十分な結合を実現するために、印加される圧力（たとえば、結合されている表面に対して直交する方向に印加される）は、非ゼロ圧力であることが可能であり、非ゼロ圧力は、他の圧力の中でも、１ｋＰａ以下、２ｋＰａ以下、３ｋＰａ以下、４ｋＰａ以下、５ｋＰａ以下、６ｋＰａ以下、７ｋＰａ以下、８ｋＰａ以下、または９ｋＰａ以下である。しかし、いくつかの実装形態では、より大きい圧力も印加され得る。
【００４２】
また、チップ２００および封鎖層２０４の接合は、デバイスがその中で構築される製造設備の室温（たとえば、おおよそ１８℃からおおよそ３０℃の範囲にある）において実施され得る。熱を加えることなく封鎖層２０２およびチップ２００を接合する（たとえば、結合する）ことの利点は、ヒルロックおよびボイドの形成、ならびに、そうでなければ起こる可能性がある拡散が、デバイス材料の中になく、回路コンポーネントが低い損失を維持することができるようになっているということである可能性がある。加えて、結合プロセスの間に加えられる熱が存在しないことは、また、いくつかの実装形態では、封鎖層２０２とチップ２００との間の結合インターフェースにおいて起こることとなる損失の増加を防止することが可能である。いくつかの実装形態では、望まれる場合には、追加的な熱が、結合プロセスの間に加えられ得る。しかし、温度は、好ましくは、おおよそ１５０℃を下回って維持されるべきであり、おおよそ１５０℃は、ヒルロックおよび／またはボイドが形成し始める典型的な温度であり、インターフェースを横切る拡散は、誘電体と超伝導体との間のインターフェース、および、超伝導体同士の間のインターフェースにおいて、著しい損失を発生させるのに十分に増加する。たとえば、結合プロセスは、おおよそ１８℃からおおよそ１５０℃の間において実施され得、たとえば、おおよそ１００℃からおおよそ１５０℃の間、おおよそ１８℃からおおよそ１００℃の間、または、おおよそ１８℃からおおよそ３０℃の間などにおいて実施され得る。おおよその温度値は、述べられている温度のプラスまたはマイナス１度以内の測定不確かさを有することが可能である。比較的に低い温度結合は、たとえば、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ  Ｈｅａｖｙ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，  Ｌｔｄ．から入手可能なＢｏｎｄ  Ｍｅｉｓｔｅｒを使用して実施され得る。
【００４３】
結合を強化するためにおよび自然酸化物を除去するために使用されるイオンミリングプロセスは、特定の場合には、自然酸化物とは異なり、チップ２００の中の量子回路エレメントまたは他のコンポーネントの一部を形成することが意図されている材料の表面に、実際に損傷を与える可能性がある。これらの材料は、たとえば、基板１０６（たとえば、Ｓｉまたはサファイヤ基板）を含むことが可能である。損傷を受けた誘電体部分を和らげるかまたは除去するために、追加的なＸｅＦ２エッチングが、イオンミリングの後におよび結合の前に導入され得る。たとえば、いくつかの実装形態では、チップ２００および／または封鎖層２０２は、イオンミリングを実施した後に、ＸｅＦ２エッチングシステムに伝送され得る。ＸｅＦ２エッチングシステムにおいて、デバイスは、ＸｅＦ２ガスに露出され、ＸｅＦ２ガスは、誘電体表面に吸着する。誘電体としてのＳｉのケースでは、ＸｅＦ２は、次いで、ＸｅおよびＦへと解離し、それは、順に、高度に揮発性のＳｉＦ４を形成し、ＳｉＦ４は、低い圧力下で除去され得、したがって、損傷を受けたシリコンを除去する。いくつかの実装形態では、ＸｅＦ２は、超伝導体表面の反応性をも改善することが可能であり、より強力な結合につながる。ＸｅＦ２エッチングは、たとえば、ｍＴｏｒｒ〜Ｔｏｒｒレジメ（ｒｅｇｉｍｅ）の中の真空圧力の下で実行され得る。また、エッチングは、おおよそ室温（たとえば、約２５℃）から約１００℃の間で実行され得る。
【００４４】
チップ２００および／または封鎖層２０２の超伝導体および／または金属層から自然酸化物を除去する別の利点は、いくつかの実装形態では、自然酸化物がそこから除去された表面に、吸着質が強力に結合する傾向にあるということである可能性がある。したがって、結合の前に真空環境によって除去されなかった、シールされたキャビティーの中の吸着質は、誘電体に弱く結合しようとするよりも、超伝導体および／または金属材料の表面に強力に結合しようとし、周波数ノイズをさらに低減させる。すなわち、自然酸化物がそこから除去された超伝導体および／または金属の表面は、吸着質のためのゲッターとしての役割を果たす。
【００４５】
ゲッターとしての超伝導体および／または金属表面（そこから、自然酸化物は除去されている）の使用は、シールされたキャビティーの中のそのような材料の表面積を増加させることによって活用され得る。すなわち、超伝導体および／または金属層の追加的な層は、キャビティーに面する封鎖層２０２および／またはチップ２００の未使用の領域の上に形成され得る。ゲッターとして作用する超伝導体および／または金属材料の表面積を増加させることによって、より多くの吸着質が、（たとえば、追加的なゲッター材料に強力に結合することによって）キャビティーから除去され得、周波数ノイズをさらに低減させる。
【００４６】
たとえば、封鎖層表面の上の結合層は、図５Ａに示されているように、ゲッターとして使用可能な表面積を増加させるために拡張させられ得る。図５Ａは、図１に示されている回路エレメント１００などのような、量子回路エレメントを含有するチップ５００のためのローカル真空キャビティーを確立する例を図示する概略図であり、そこでは、回路エレメント１００が、チップ５００の基板５０６の上に形成されている。チップ５００は、対応する基板５０６および結合層５０４を含む封鎖層５０２に結合され得る。図２Ａの結合層２０４とは対照的に、結合層５０４の表面被覆率は、追加的なエリア５１０を提供するように増加させられ得、追加的なエリア５１０は、チップ５００と接合することが意図されている領域のみに限定されずむしろ、チップ５００に面する基板５０６の表面全体を覆って延在している。いくつかの実装形態では、シールされたキャビティーの中に残っている吸着質は、結合層５０４の増加した表面積５１０に優先的に結合し、チップ５００の上に形成された回路エレメントのクオリティーファクターの改善につながる。
【００４７】
図５Ａに示されているように、追加的なゲッター材料が結合層に一体的に接続されているということは必要ではない。たとえば、いくつかの実装形態では、ゲッター層として使用されることとなる追加的な材料は、結合層５０４から分離して形成され得る。図５Ｂは、図１に示されている回路エレメント１００などのような、量子回路エレメントを含有するチップ５００のためのローカル真空キャビティーを確立する例を図示する概略図であり、そこでは、追加的なゲッター層５１２が、封鎖層５０２の表面の上に形成されている。追加的なゲッター層５１２は、再び、吸着質が優先的に結合することとなる表面を提供する機能を果たす。ゲッター層５１２は、結合層５０４と同じ材料から形成され得るか、または、結合層５０４を形成する材料よりも強力に吸着質に結合する材料などのような、異なる材料から形成され得る。たとえば、ゲッター層５１２は、チタンまたはジルコニウムバナジウムチタン合金から形成され得る。同様に、アルミニウム、チタン、ニオブ、またはシリコンなどのような、他の材料も使用され得る。ゲッター層５１２は、図５Ｂに示されているように、封鎖層５０２の上に形成され得、および／または、ゲッター層５１２は、シールされたキャビティーに面し、回路エレメントによって利用されていない、チップ５００表面の領域の上に形成され得る。
【００４８】
いくつかの実装形態では、シールされたキャビティーの中にある吸着質に結合するゲッター層５１２（または、図５Ａに示されているような結合層５０４）の能力は、ゲッター層５１２の表面を粗面化することによって改善され得る。ゲッター層５１２の表面を粗面化することによって、吸着質が結合することができる表面積が増加し、ゲッター層５１２に結合する吸着質のより大きい濃度を結果として生じさせる。さまざまな異なる技法が、ゲッター層５１２の表面を粗面化するために利用可能である。たとえば、いくつかの実装形態では、ゲッター層５１２の表面は、イオンミリングまたはＸｅＦ２エッチングなどのような、エッチングプロセスを使用して粗面化され得る。たとえば、シリコンのＸｅＦ２エッチングは、非常に粗い表面を残すことが可能であり、非常に粗い表面の上にゲッターが堆積され得る。粗さは、エッチングが分子レベルにおいて起こることによって引き起こされ、それは、さまざまな異なる長さスケールにおける粗さを提供し、したがって、はるかに大きい表面積を提供し、次いで、そうでなければ直接的に製造業者から取得され得るＳｉウエハーの上の原子的に滑らかなＳｉ表面を提供する。
【００４９】
本明細書で開示されている実装形態では、誘電体、超伝導体、および／または金属の堆積は、たとえば、スパッタリング、熱蒸着、またはｅ−ビーム堆積などのような、物理蒸着プロセスを使用して実施され得る。その代わりに、他の堆積プロセスも使用され得る。堆積される超伝導体層の厚さは、超伝導体に関する所望の最終使用（たとえば、層が、グランドプレーンの一部、キャパシターのプレート、ルーティングワイヤー、マイクロストリップ、共振器、または他のコンポーネントになることとなるかどうか）に基づいて選択され得る。例として、超伝導体層の厚さは、他の厚さも可能であるが、約１ｎｍから約１ミクロンの範囲にあることが可能である。
【００５０】
本明細書で説明されているプロセスは、超伝導体、誘電体、および／または金属などのような、１つまたは複数の材料の堆積を伴う可能性がある。選択される材料に応じて、これらの材料は、他の堆積プロセスの中でもとりわけ、化学蒸着、物理蒸着（たとえば、蒸着もしくはスパッタリング）などのような堆積プロセス、または、エピタキシャル技法を使用して堆積され得る。また、本明細書で説明されているプロセスは、製作の間に１つまたは複数の材料をデバイスから除去することを伴う可能性がある。除去されることとなる材料に応じて、除去プロセスは、たとえば、ウェットエッチング技法、ドライエッチング技法、またはリフトオフプロセスを含むことが可能である。
【００５１】
本明細書において説明されている量子主題および量子動作の実装形態は、適切な量子回路の中に、または、より一般的には、本明細書に開示されている構造体およびそれらの構造的な均等物を含む、量子計算システムの中に、または、それらのうちの１つもしくは複数の組み合わせの中に実装され得る。「量子計算システム」という用語は、それに限定されないが、量子コンピューター、量子情報処理システム、量子暗号システム、または量子シミュレーターを含むことが可能である。
【００５２】
量子情報および量子データという用語は、量子系の中に担持されるか、保持されるか、または記憶される情報またはデータを表しており、ここで、最小の非自明システムは、キュービットであり、たとえば、量子情報の単位を画定するシステムである。「キュービット」という用語は、対応する文脈の中で２レベルシステムとして適切に近似され得るすべての量子系を包含するということが理解される。そのような量子系は、たとえば、２つ以上のレベルを伴うマルチレベルシステムを含むことが可能である。例として、そのようなシステムは、原子、電子、光子、イオン、または超伝導キュービットを含むことが可能である。多くの実装形態において、計算基礎状態は、グランドおよび第１の励起状態によって識別されるが、しかし、計算状態がより高いレベル励起状態によって識別される他のセットアップも可能であるということが理解される。量子メモリーは、高い忠実度および効率によって長期間にわたって量子データを記憶することができるデバイスであり、たとえば、光が伝送のために使用され、ならびに、物質が重ね合わせまたは量子コヒーレンスなどのような、量子データの量子特徴を記憶および保存するためのものである、光−物質インターフェースである、ということが理解される。
【００５３】
量子回路エレメントは、量子処理動作を実施するために使用され得る。すなわち、量子回路エレメントは、重ね合わせおよびもつれなどのような、量子力学的な現象を使用し、非決定論的な様式でデータの上の動作を実施するように構成され得る。キュービットなどのような、特定の量子回路エレメントは、同時に２つ以上の状態の情報を表し、その情報に基づいて動作するように構成され得る。本明細書で開示されているプロセスによって形成され得る超伝導量子回路エレメントの例は、なかでも、コプレーナ導波路、量子ＬＣ発振器、キュービット（たとえば、磁束キュービットまたは電荷キュービット）、超伝導量子干渉デバイス（ＳＱＵＩＤ）（たとえば、ＲＦ−ＳＱＵＩＤまたはＤＣ−ＳＱＵＩＤ）、インダクター、キャパシター、伝送ライン、グランドプレーンなどのような、回路エレメントを含む。
【００５４】
それとは対照的に、古典回路エレメントは、一般的に、決定論的な様式でデータを処理する。古典回路エレメントは、データについて基礎的な算術演算、論理演算、および／または入力／出力操作を実施することによって、コンピュータープログラムの命令を集合的に実施するように構成され得、ここで、データは、アナログ形態またはデジタル形態で表されている。いくつかの実装形態では、古典回路エレメントは、電気的なまたは電磁的な接続を通して、量子回路エレメントへデータを送信するために、および／または、量子回路エレメントからデータを受信するために使用され得る。本明細書で開示されているプロセスによって形成され得る古典回路エレメントの例は、ラピッド単一磁束量子（ＲＳＦＱ）デバイス、レシプロカル量子論理（ＲＱＬ）デバイス、およびＥＲＳＦＱデバイスを含み、ＥＲＳＦＱデバイスは、バイアス抵抗器を使用しないＲＳＦＱのエネルギー効率的なバージョンである。同様に、本明細書で開示されているプロセスによって、他の古典回路エレメントも形成され得る。
【００５５】
本明細書で説明されている回路エレメントなどのような、超伝導量子回路エレメントおよび／または超伝導古典回路エレメントを使用する量子計算システムの動作の間に、超伝導回路エレメントは、超伝導体材料が超伝導特性を示すことを可能にする温度までクライオスタットの中で冷却される。
【００５６】
本明細書は、多くの特定の実装形態の詳細を含有しているが、これらは、特許請求されている可能性のあるものの範囲についての限定として解釈されるべきではなく、むしろ、特定の実装形態に特有である可能性がある特徴の説明として解釈されるべきである。別々の実装形態の文脈において本明細書の中で説明されている特定の特徴は、また、単一の実装形態の中に組み合わせて実装され得る。逆に、単一の実装形態の文脈において説明されているさまざまな特徴は、また、別々にまたは任意の適切なサブコンビネーションで、複数の実装形態の中に実装され得る。そのうえ、特徴は、特定の組み合わせで作用するものとして上記に説明されており、最初からそのように特許請求されている可能性もあるが、特許請求されている組み合わせからの１つまたは複数の特徴は、いくつかのケースでは、組み合わせから切除され得、特許請求されている組み合わせは、サブコンビネーション、または、サブコンビネーションのバリエーションに向けられる可能性がある。
【００５７】
同様に、動作は、特定の順序で図面の中に示されているが、これは、示されている特定の順序で、もしくは、シーケンシャルな順序で、そのような動作が実施されることを必要とするものとして理解されるべきではなく、または、望ましい結果を実現するために、すべての図示されている動作が実施されることを必要とするものとして理解されるべきではない。たとえば、特許請求の範囲に記載されているアクションは、異なる順序で実施され得、依然として、望ましい結果を実現する。特定の環境において、マルチタスキングおよび並列処理が有利であり得る。そのうえ、上記に説明されている実装形態の中のさまざまなコンポーネントの分離は、すべての実装形態の中にそのような分離を必要とするものとして理解されるべきではない。
【００５８】
複数の実装形態が説明されてきた。それにもかかわらず、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、さまざまな修正が行われ得るということが理解されることとなる。したがって、他の実装形態も以下の特許請求の範囲の中にある。
【符号の説明】
【００５９】
１００  超伝導量子回路エレメント、コプレーナ導波路構造体
１０１  表面
１０２  中心線
１０４  グランドプレーン
１０６  誘電体基板
１０８  スルービア接続
２００  チップ
２０２  封鎖層
２０４  結合層
２０６  基板
２０８  凹形領域
２５０  キャビティー
３００  チップ
３０２  封鎖層
３０４  結合層
３０８  凹形領域
４００  チップ
４０４  結合層
４０６  基板
５００  チップ
５０２  封鎖層
５０４  結合層
５０６  基板
５１０  追加的なエリア
５１２  ゲッター層
ｄ  高さ
ｇ  距離
【図１】
2019532520.tif 000003
【図２Ａ−２Ｂ】
2019532520.tif 000004
【図３】
2019532520.tif 000005
【図４】
2019532520.tif 000006
【図５Ａ】
2019532520.tif 000007
【図５Ｂ】
2019532520.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月3日(2019.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子回路デバイスを含む基板を提供するステップであって、前記量子回路デバイスは、超伝導体材料を含み、前記超伝導体材料は、対応する臨界温度以下において超伝導特性を示す、ステップと、
封鎖層と前記基板との間にシールされたキャビティーを形成するために前記封鎖層を前記基板に結合するステップであって、前記シールされたキャビティーは、真空を含む、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記シールされたキャビティーの中の圧力は、１０−６Ｔｏｒｒ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シールされたキャビティーの中の前記圧力は、１０−９Ｔｏｒｒ以下である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記封鎖層を前記基板に結合するステップは、室温において実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記封鎖層の表面は、前記基板の表面に直接的に結合され、前記シールされたキャビティーを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記封鎖層は、第１の超伝導体層を含み、前記基板は、第２の超伝導体層を含み、前記封鎖層を前記基板に結合するステップは、前記第１の超伝導体層を前記第２の超伝導体層に結合することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の超伝導体層および前記第２の超伝導体層のそれぞれは、アルミニウムを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記封鎖層を前記基板に結合するステップの前に、前記基板の表面のイオンミリングを実施するステップであって、イオンミリングされた前記表面は、前記シールされたキャビティーの中の前記真空に露出される、ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記封鎖層を前記基板に結合するステップの前に、ＸｅＦ２ガスによって前記基板の表面をエッチングするステップであって、前記表面は、前記シールされたキャビティーの中の前記真空に露出される、ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記量子デバイスは、前記シールされたキャビティーの中にある、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記量子デバイスは、キュービット、コプレーナ導波路、インダクター、またはインターディジテイティッドキャパシターを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記シールされたキャビティーに面する前記封鎖層の表面は、ゲッター層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ゲッター層は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、またはジルコニウムバナジウムチタン（ＺｒＶＴｉ）を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
超伝導体量子デバイスを含む基板であって、前記超伝導体量子デバイスは、超伝導体材料を含み、前記超伝導体材料は、対応する臨界温度以下において超伝導特性を示す、基板と、
前記基板に結合されている封鎖層と、
前記封鎖層と前記基板との間のシールされたキャビティーと
を含む、デバイス。
【請求項１５】
前記シールされたキャビティーの中の圧力は、１０−６Ｔｏｒｒ以下である、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記シールされたキャビティーの中の前記圧力は、１０−９Ｔｏｒｒ以下である、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記封鎖層は、前記基板に直接的に結合されている、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記封鎖層は、第１の超伝導体層を含み、前記基板は、第２の超伝導体層を含み、前記第１の超伝導体層は、前記第２の超伝導体層に直接的に結合されている、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記第１の超伝導体層および前記第２の超伝導体層のそれぞれは、アルミニウムを含む、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記シールされたキャビティーに面する前記基板の表面と前記シールされたキャビティーに面する前記封鎖層の表面との間の距離は、５０ミクロンよりも大きくなっている、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記シールされたキャビティーに面する前記基板の前記表面と前記シールされたキャビティーに面する前記封鎖層の前記表面との間の前記距離は、２００ミクロンよりも大きくなっている、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記超伝導体量子デバイスは、キュービット、コプレーナ導波路、インダクター、またはインターディジテイティッドキャパシターを含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記シールされたキャビティーに面する前記封鎖層の表面は、ゲッター層を含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記ゲッター層は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、またはジルコニウムバナジウムチタン（ＺｒＶＴｉ）を含む、請求項２３に記載のデバイス。
【国際調査報告】
2019532520.tif 000009
2019532520.tif 000010