【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に少なくとも１つ形成されていて、該回路基板内に埋め込んだ信号トレースに接続されているメッキ孔の少なくとも一部が、前記信号トレースを超えて伸長してスタブ部分を形成するように、メッキ孔をバックドリル加工する方法において、
回路基板内に埋め込まれ、メッキ孔のスタブ部分に隣接して位置づけられ、該スタブ部分から電気的に絶縁されているコンタクトパッドに、フィードバック信号を付与する工程と、
回路基板のメッキ孔に穿孔加工を行なって、メッキ孔のスタブ部分からメッキを除去し、メッキ孔に隣接した絶縁材料を除去する工程と、
工作物に穿孔加工されている孔がコンタクトパッドに達したときに、フィードバック信号からフィードバックを受け取る工程と、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記穿孔工程は、更に、メッキ孔内へ切削デバイスを移送させて該メッキ孔の一部を除去する工程と、該切削デバイスの移動を停止させる工程と、メッキ孔内への切削デバイスの移動を再開してメッキ孔をもっと多く除去する工程として限定され、そして、前記フィードバックを受け取る工程は、更に、切削デバイスがコンタクトパッドに達したのに応答してフィードバックを受け取る工程として限定されることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
前記コンタクトパッドはグラウンド層の一部であることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項４】
前記コンタクトパッドはパワー層の一部であることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項５】
前記コンタクトパッドは、別体のネットワークとして形成されたフィードバック層の一部であることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項６】
前記コンタクトパッドは信号層の一部であることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項７】
前記回路基板には、コンタクトパッドに電気的に接続された第２のメッキ孔が備えられていることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項８】
前記方法は、更に、前記孔の少なくとも一部に非電導性充填材料を充填する工程を含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項９】
前記コンタクトパッドは実質的に前記メッキ孔を取り囲んでいることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１０】
前記メッキ孔には少なくとも第１部分と第２部分が備えられ、該第２部分の横断面積が該第１部分の横断面積よりも小さくしてあることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１１】
メッキ孔からスタブ部分が除去されるというようになる工作物であって、除去されるスタブ部分の量は、工作物内から受け取った電気的フィードバックから測定されるようになる工作物が、
前記工作物にフィードバック層を設ける工程と、
穿孔デバイスで前記工作物に孔を穿ち、該穿孔デバイスがフィードバック層と係合するまでメッキ孔の少なくとも一部を除去する工程と、
前記フィードバック層との係合を示している、前記穿孔デバイスからの電気フィードバック信号を受け取る工程と、
から成る方法によって製造されることを特徴とする工作物。
【請求項１２】
前記穿孔工程は、更に、穿孔デバイスの切削デバイスをメッキ孔内へ移動させてメッキ孔の一部を除去する工程と、切削デバイスの移動を停止させる工程と、メッキ孔内への切削デバイスの移動を再開してメッキ孔をもっと多く除去する工程として限定され、そして、フィードバックを受け取る工程は、更に、切削デバイスのフィードバック層との係合に応答してフィードバックを受け取る工程として限定されることを特徴とする請求項１１の工作物。
【請求項１３】
前記フィードバック層はグラウンド層であることを特徴とする請求項１１の工作物。
【請求項１４】
前記フィードバック層はパワー層であることを特徴とする請求項１１の工作物。
【請求項１５】
前記フィードバック層は信号層であることを特徴とする請求項１１の工作物。
【請求項１６】
前記フィードバック層は別体のネットワークであることを特徴とする請求項１１の工作物。
【請求項１７】
多層回路基板であって、前記多層回路基板が、
信号層と、
コンタクトパッドを有するフィードバック層と、
前記信号層とフ前記ィードバック層との間に位置づけられた誘電層と、
前記信号層に接続され、コンタクトパッドに隣接して位置づけられたメッキ孔と、から成り、
前記コンタクトパッドは前記メッキ孔から電気的に絶縁されていて、該メッキ孔の一部がスタブ部分を形成しており、該スタブ部分が、前記信号層から少し離れる方向に延在し且つ前記フィードバック層のコンタクトパッドから少し離れる方向に延在していることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１８】
フィードバック層がグラウンド層であることを特徴とする請求項１７の工作物。
【請求項１９】
前記フィードバック層はパワー層であることを特徴とする請求項１７の工作物。
【請求項２０】
前記フィードバック層は別体のネットワークであることを特徴とする請求項１７の工作物。
【請求項２１】
前記多層回路基板は、更に、前記コンタクトパッドに電気的に接続した第２のメッキ孔を含むことを特徴とする請求項１７の多層回路基板。
【請求項２２】
前記コンタクトパッドは実質的にメッキ孔を取り囲んでいることを特徴とする請求項１７の多層回路基板。
【請求項２３】
前記メッキ孔には、第１部分と第２部分とが備えられており、該第２部分が横断面積が該第１部分の横断面積よりも小さくしてあることを特徴とする請求項１７の多層回路基板。
【請求項２４】
回路基板の或る領域を除去する方法であって、前記方法が、
前記回路基板内に埋め込まれたコンタクトパッドにフィードバック信号を付与する工程と、
切削デバイスがコンタクトパッドと接触するまでコンタクトパッドに隣接して位置付けられた切削デバイスで、前記回路基板に穿孔する工程と、
切削デバイスを並進移動させて前記回路基板の領域を除去する工程と、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２５】
回路基板の或る領域を除去する方法であって、前記方法が、
前記回路基板内に埋め込んまれたコンタクトパッドにフィードバック信号を付与する工程と、
切削デバイスがコンタクトパッドと接触するまで、コンタクトパッドに隣接して位置付けられた切削デバイスで前記回路基板に穿孔する工程と、
切削デバイスがコンタクトパッドとの接触を失うまで該切削デバイスを並進移動させて、前記回路基板の領域を除去する工程と、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２６】
多層回路基板にあるメッキ孔のスタブ部分をバックドリル加工する方法であって、前記方法が、
スタブ部分に隣接するメッキの一部を切削デバイスで除去してメッキ孔からフィードバック層を分離するように、メッキ孔に向けて切削デバイスを移動させる工程と、
フィードバック層がメッキ孔から分離したかどうかを測定する工程と、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２７】
前記方法は、更に、切削デバイスの導電率がメッキ孔からフィードバック層が分離されたか否かの測定を妨害しないように、切削デバイスを引っ込めてメッキ孔から離すようにする工程を含むことを特徴とする請求項２６の方法。
【請求項２８】
多層回路基板にあるメッキ孔のスタブ部分をバックドリル加工する方法であって、前記方法が、
スタブ部分に隣接するメッキの一部を切削デバイスで除去するようにメッキ孔に向けて切削デバイスを移動させる工程と、
メッキ孔に信号を通し、該信号の物理的性質を判定して前記メッキ孔の残りのスタブ部分の量を決定する工程と、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２９】
閉ループ・バックドリル加工システムが、
信号層、及び、メッキ孔に接続されたフィードバック層を有する回路基板と、
穿孔デバイスと、から構成され、
前記穿孔デバイスが、
メッキ孔およびフィードバック層に接続され、該メッキ孔及びフィードバック層間の電気的切断を示す信号を出力する測定ユニットと、
切削デバイスを支持している主軸ユニットと、
前記測定ユニットに出力された信号に基づいて前記主軸ユニットを制御するサーボ制御ユニットと、から成る、
ことを特徴とする閉ループ・バックドリル加工システム。
【請求項３０】
閉ループ・バックドリル加工システムが、
メッキ孔に接続された信号層を有する回路基板と、
穿孔デバイスと、から構成され、
前記穿孔デバイスが、
メッキ孔および信号層に接続されていてこれらに信号を与えると共に、前記信号の物理的性質を判定してメッキ孔の残りのスタブ部分の量を決定する信号発生器兼測定ユニットと
切削デバイスを支持している主軸ユニットと、
前記信号発生器兼測定ユニットの行なった測定に基づいて前記主軸ユニットを制御するサーボ制御ユニットと、から成る、
ことを特徴とする閉ループ・バックドリル加工システム。