【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子供給源（１０）と、
前記電子供給源上に配置され、ＳｉＣ、ＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、Ｆｙ−ＳｉＯｘおよびＣｙ−ＳｉＯｘからなるグループから選択されるシリコンベースの誘電体層（２０）と、および
前記シリコンベースの誘電体層上に配置されている陰極層（１４）とを含む放出器（５０、１００）を製造する製造方法において、
前記放出器（５０、１００）が、製作後に、約４００℃〜約６００℃の温度でアニーリング（１２０、１２２）される、製造方法。
【請求項２】
前記放出器が、平方センチメートル当たり１×１０−２アンペアより高い放出電流を有する、放出エネルギーを与えるように動作可能である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記シリコンベースの誘電体層（２０）が、約２５ｎｍ〜約５００ｎｍ（２５０〜５０００オングストローム）の範囲内の厚みを有する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
集積回路（５２）であって、
基板（１０）と、
前記基板上に配置されている、請求項１に記載の製造方法により形成された放出器（５０、１００）と、および
前記放出器を有する前記基板上に形成されている前記放出器を動作させるための回路（７２）とを含む、集積回路（５２）。
【請求項５】
電子装置（９０）であって、
エネルギー（２２）を放出することができる、請求項１に記載の製造方法により形成された放出器（５０、１００）と、および
前記放出エネルギーを受け取ることができ、前記放出エネルギーを受け取ることに応じて少なくとも第１の作用を生じさせ、前記放出エネルギーを受け取らないことに応じて第２の作用を生じさせることができる陽極構造（７６、４２、５８）とを含む、電子装置（９０）。
【請求項６】
前記電子装置が大容量記憶素子（図７）であり、前記陽極構造（５８）が記憶媒体であり、前記電子装置が、前記陽極構造上に生じた前記作用を検出するための読出し回路（６２）をさらに含む、請求項５に記載の電子装置（９０）。
【請求項７】
前記電子装置がディスプレイ装置（４４）であり、前記陽極構造（７６、４２）が、前記放出エネルギー（２２）を受け取ることに応じて視認可能な作用を生じさせるディスプレイ画面（４０）である、請求項５に記載の電子装置（９０）。
【請求項８】
前記ディスプレイ画面（４０）が、前記放出エネルギー（２２）を受け取ることに応じて、光子（１８）を放出するために動作可能な１つまたは複数の燐光体（４２）を含む、請求項７に記載の電子装置（９０）。
【請求項９】
電子供給層（１０）と、
前記電子供給層上に形成され、その中に画定された開口部を有する絶縁体層（７８）と、
前記開口部において前記電子供給層上に形成され、さらに前記絶縁体層上にも配置されている、ＳｉＣ、ＳｉＮｘ、ＳｉｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｆｙ−ＳｉＯｘおよびＣｙ−ＳｉＯｘからなるグループから選択されるシリコンベースの誘電体層（２０）と、および
前記シリコンベースの誘電体層上に形成されている陰極層（１４）とを含む放出器（５０、１００）を製造する製造方法において、
前記放出器が、製作後に、約４００℃〜約６００℃の温度でアニーリング（１２０、１２２）されて、エネルギー放出（２２）のために前記電子供給層から前記陰極層まで突き抜ける電子の供給量が増加されている、製造方法。
【請求項１０】
前記放出器が、前記電子放出物（２２）に加えて光子（１８）を放出することができる、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記陰極層（１４）が、平方センチメートル当たり約０．０１アンペアより高い放出率を有する、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記シリコンベースの誘電体層（２０）が、約２５ｎｍ〜約５００ｎｍ（２５０オングストローム〜約５０００オングストローム）の厚みを有する、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の製造方法により形成された放出器を含む集積回路（５２）と、および
前記放出器からの放出物を集束するための集束装置（３８、２８）とを含む、電子装置（５０、１００）。
【請求項１４】
電子供給源（１０）上に放出器（５０、１００）を形成するための方法であって、
前記電子供給源上に、半導体薄膜層（５２）を用いて、シリコンベースの誘電体放出器を形成するステップであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１つが、５０ｎｍ（５００オングストローム）未満の厚みを有するシリコンベースの誘電体層（２０）であり、前記シリコンベースの誘電体層（２０）が、ＳｉＣ、ＳｉＮｘ、ＳｉｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｆｙ−ＳｉＯｘおよびＣｙ−ＳｉＯｘからなるグループから選択される、ステップと、および
トンネル放出器のトンネル電流を増加させるために、処理された放出器（１２０、１２２）を約４００℃〜約６００℃の温度でアニールするステップとを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の工程によって形成される、放出器（５０、１００）。
【請求項１６】
電子供給源（１０）上に放出器（５０、１００）を形成するための方法であって、
前記電子供給源（１０）上に配置されている絶縁体層（７８）上にシリコンベースの誘電体層（２０）を付着するステップであって、前記絶縁体層が前記電子供給源への開口部を画定し、前記シリコンベースの誘電体層（２０）が、ＳｉＣ、ＳｉＮｘ、ＳｉｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｆｙ−ＳｉＯｘおよびＣｙ−ＳｉＯｘからなるグループから選択される、ステップと、
前記シリコンベースの誘電体層に接着するために導電層（８０、８２）を付着するステップと、
前記導電層上にパターニング層（１０４）を付着するステップと、
前記パターニング層および前記導電層内に、前記電子供給源への開口部（１０８）を形成するステップと、
前記導電層からリフトオフすることにより前記パターニング層（１０４）を除去するために、前記パターニング層（１０４）をエッチングするステップと、
前記シリコンベースの誘電体層上に陰極層（１４）を付着するステップと、
トンネル電流を増加させるために、処理された放出器を約４００℃〜約６００℃の温度でアニールするステップ（１２０、１２２）を含む、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
図１は、電子源１０を含む、電子放出および光子放出のための放出器素子５０、好ましくはフラット放出器の例示的な図である。電子源１０の上には、シリコンベースの誘電体層２０がある。シリコンベースの誘電体層２０は、ＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４（ＲＩ〜２．０）、ＳｉｘＮｙ（ｘ：ｙ＞３／４、ＲＩ〜２．３）およびＳｉＣのようなシリコンベースの誘電体から形成されることが好ましい。また、シリコンベースの誘電体層２０として、Ｆｙ−ＳｉＯｘおよびＣｙ−ＳｉＯｘが利用できるものと考えられる。シリコンベースの誘電体層は約５０ｎｍ（５００オングストローム）の厚みを有することが好ましく、その厚みは、約２５ｎｍ〜約５００ｎｍ（２５０〜５０００オングストローム）の範囲内にあり、たとえば５０ｎｍ（５００オングストローム）またはそれ未満であることが好ましい。選択される厚みは、シリコンベースの誘電体層が耐えることができなければならない電界強度と、所望の放出器の放出電流とを決定する。シリコンベースの誘電体層２０の上に配置されるのは、陰極層１４であり、その陰極層１４は、プラチナ、金、モリブデン、イリジウム、ルテニウム、タンタル、クロムあるいは他の耐火金属またはその合金のような薄膜導体であることが好ましい。他の陰極層を用いることもでき、当業者には知られている。陰極層の厚みは３ｎｍ〜１５ｎｍ（３０〜１５０オングストローム）であることが好ましい。放出器電圧Ｖｅ（約３〜１０Ｖ）を有する電圧源２４が陰極層１４およびコンタクト１２を介して電子源１０に印加されるとき、基板１０（電子供給源）から陰極層１４まで電子が突き抜ける。シリコンベースの誘電体層２０内の欠陥のために、電子が通り抜ける電界は種々のギャップで中断されており、陰極層１４の表面からの電子放出物１６は従来の設計よりも大きくなる。また、電子放出物１６とともに光子放出物１８も生じ、放出器５０からのエネルギー放出物２２が形成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
図５は、集積放出器１００およびレンズアレイ４８を含む集積回路５２の例示的な実施形態である。集積回路５２は、薄膜導電層のような、好ましくは高濃度にドープされたシリコンまたは導電性材料である導電性基板１０上に形成されており、その基板は電子源を提供する。基板１０の上には、シリコンベースの誘電体層２０が配置され、その層は、約２５ｎｍ〜約５００ｎｍ（２５０オングストローム〜５０００オングストローム）の厚み、好ましくは約５０ｎｍ（５００オングストローム）の厚みを有するが、応用形態によっては約２５ｎｍ〜約７５ｎｍ（２５０オングストローム〜７５０オングストローム）の厚みがさらに好ましい場合もある。半導体薄膜材料からなる種々の層が、基板１０上に付着され、エッチングされて、集積放出器１００が形成される。シリコンベースの誘電体層２０上に配置されるのは、陰極層１４であり、その陰極層は好ましくは、プラチナ、金、モリブデン、イリジウム、ルテニウム、タンタル、クロムあるいは他の耐火金属またはその合金からなる薄膜導電層である。陰極層１４は陰極表面を形成し、その表面から、電子および光子の形のエネルギーが放出される。従来の薄膜処理を用いてレンズアレイ４８が付着され、そのアレイは、導電層内に画定され、かつ集積放出器１００と位置合わせされ、そのエネルギーを集積放出器１００から陽極構造７６の表面上に集束するためのレンズ２８を含む。陽極構造７６は、集積回路５２からの目標とする距離７４に配置される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図１１Ｊは、処理された基板１０の表面上に陰極層１４を付着したことを示す。陰極層１４はプラチナのような薄膜金属層であることが好ましく、約５ｎｍ〜約２５ｎｍ（５０〜２５０オングストローム）の厚みを有することが好ましい。陰極層１４のために、数例を挙げると、金、モリブデン、イリジウム、ルテニウム、タンタル、クロムあるいは他の耐火金属またはその合金などの他の金属を用いることができる。シリコンベースの誘電体層２０上に配置された陰極層１４は、放出器チャンバ１１４内に放出器表面８６を形成する。