【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  前面電極と背面電極との間に挟まれた一又は二以上蛍光体層を含むタイプのエレクトロルミネセンス積層体を形成する方法であって、蛍光体層が厚膜誘電体層によって背面電極から離隔している方法において、
（a）堅固な背面基板を準備する段階と；、
（b）前記背面基板上に前記背面電極を形成する段階と；
（c）10μｍから300μｍの層厚を有する厚膜誘電体層を形成する厚膜技術によって前記背面電極上に一又は二以上の層の第１のセラミック材料を堆積する段階と；
（d）乾燥後、前記厚膜誘電体層に接触する非付着性材料のシートを用いて前記厚膜誘電体層と前記背面電極と前記背面基板とをプレス成形する段階と；
（e）プレス成形後、厚膜誘電体層と前記背面電極と前記背面基板とを焼結して、成形焼結誘電体層を形成する段階と；
（f）前記成形焼結厚膜誘電体層上にゾル・ゲル技術を用いて第２のセラミック材料を堆積し、次いで、加熱してゾル・ゲル誘電体層を形成して前記厚膜誘電体層の表面を滑らかにする段階と；
（g）前記ゾル・ゲル誘電体層上に一又は二以上の蛍光体層を形成する段階と；
（h）前記一又は二以上の蛍光体層上に前記前面電極を形成する段階とを備え、
こうして作製されたエレクトロルミネセンス積層体は同じ組成であるがプレス成形段階なしで作製されたエレクトロルミネセンス積層体と比較して自己発光度の均一性に優れているものであるところの方法。
【請求項２】  プレス成形が静水圧プレス成形である請求項１に記載の方法。
【請求項３】  プレス成形が最大350,000kPaの冷静水圧プレス成形である請求項１に記載の方法。
【請求項４】  第１のセラミック材料が一又は二以上の層にスクリーン印刷によって堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項５】  セラミック材料がプレス成形され、焼結後に層厚が約20％から40％だけ低減される請求項４に記載の方法。
【請求項６】  第２のセラミック材料が、ペロブスカイト結晶構造を有する強誘電体セラミック材料である請求項４に記載の方法。
【請求項７】  第１のセラミック材料が、焼結後に10μｍから20μｍの厚さまでプレス成形される請求項６に記載の方法。
【請求項８】  誘電体材料が、焼結後に20μｍから50μｍの厚さまでプレス成形される請求項７に記載の方法。
【請求項９】  第１のセラミック材料が、500より大きい誘電定数を有する強誘電体セラミック材料である請求項６に記載の方法。
【請求項１０】  第１のセラミック材料がペロブスカイト結晶構造を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  第１のセラミック材料が、BaTiO3、PbTiO3、PMN、及び、PMN-PTのうちの一又は二以上から成る群から選択されたものである請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  第１のセラミック材料が、BaTiO3、PbTiO3、PMN、及び、PMN-PTから成る群から選択されたものである請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】  第１のセラミック材料がPMN-PTである請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  第２のセラミック材料が、少なくとも20の誘電定数と、少なくとも約1μｍの厚さとを有する請求項６に記載のＥＬ積層体。
【請求項１５】  第２のセラミック材料が、少なくとも100の誘電定数を有する請求項１４に記載のＥＬ積層体。
【請求項１６】  第２のセラミック材料が、少なくとも約1μｍから3μｍの厚さを有する請求項１５に記載のＥＬ積層体。
【請求項１７】  第２のセラミック材料が、スピン堆積あるいは浸漬から選択されたゾル・ゲル技術によって堆積され、その後に加熱されて前記ゾル・ゲル誘電体層に転換される請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  第２のセラミック材料が、チタン酸ジルコン酸鉛あるいはチタン酸ジルコン酸ランタン鉛である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  基板及び背面電極が、約850℃に耐えることができる材料から成る請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  基板がアルミナシートである請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記ゾル・ゲル誘電体層上に拡散バリア層を堆積することを備え、該拡散バリア層が、隣接層に化学的に適合しかつ0.1原子％以下しか厳密な化学量論的組成から異ならない金属含有の電気的絶縁性二元化合物から成る請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】  前記ゾル・ゲル誘電体層上に拡散バリア層を堆積することを備え、該拡散バリア層が、隣接層に化学的に適合しかつ0.1原子％以下しか厳密な化学量論的組成から異ならない金属含有の電気的絶縁性二元化合物から成る請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】  拡散バリア層が、アルミナ、シリカ、あるいは硫化亜鉛から成る請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】  拡散バリア層がアルミナから成る請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  拡散バリア層が、100Åから1000Åの範囲の層厚を有する請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】  前記ゾル・ゲル誘電体層上あるいは拡散バリア層上に蛍光体界面を提供する注入層を備え、組成が非化学量論的であり、かつ、一又は二層以上の蛍光体層へ注入用のエネルギー幅にあるエネルギーの電子を有する二元誘電体材料から成る請求項１７又は請求項２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】  注入層が、化学量論的組成からのずれが0.5原子％より大きい組成を有する材料から成る請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】  注入層がハフニアあるいはイットリアから成る請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】  注入層が、100Åから1000Åの範囲の層厚を有する請求項２８に記載の方法体。
【請求項３０】  注入層は、蛍光体が硫化亜鉛蛍光体のときにハフニアであり、前記蛍光体が硫化ストロンチウム蛍光体のときには硫化亜鉛の拡散バリア層が用いられる請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】  前記成形焼結厚膜誘電層は、焼結後に、式ｄ２＝Ｖ／Ｓ（ここで、ｄ２は厚膜誘電層の厚さ、Ｖは最大印加電圧、Ｓは第１のセラミック材料の絶縁耐力）により規定され、作動中に誘電破壊を防止するのに充分な厚さを有する請求項１に記載の方法。
【請求項３２】  前記ｄ２は10μm以上である請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】  前記非付着性材料は、前記厚膜誘電体層と接するアルミニウム蒸着面を有するアルミニウム蒸着ポリエステルである請求項３に記載の方法。
【請求項３４】  前記エレクトロルミネセンス積層体がエレクトロルミネセンスディスプレイ用のものであり、前記背面電極は導電性金属アドレスラインの行として形成され、前記前面電極は前記アドレスライン行に対して直交して配置された透明アドレスラインの列として形成されたものである請求項１７に記載の方法。
【請求項３５】  前記成形焼結厚膜誘電層は、同じ組成の成形されていない焼結誘電体層に比較して、５．０×１０６Ｖ／ｍよりも大きい絶縁耐力を有し、エレクトロルミネセンス積層体において約10μmのスケールにわたって均一な自己発光度を有する請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】  ＥＬ積層体で使用する基板と誘電体層コンポーネントとの結合体であって、
背面電極を備えた堅固な基板と；
前記背面電極を備えた前記堅固な基板上に厚膜技術によりセラミック材料が堆積され、続いて乾燥され、次いで、厚さ及び多孔性が低減された成形誘電体層となるようにプレス成形され、その後焼結が行われれ、このようにして形成された厚膜誘電層であって、乾燥及び焼結を行うがその間のプレス成形を行わないで同じ層厚で形成された同じ組成の誘電体層と比較して、層厚が20％から50％低減され、多孔性が低減され、ＥＬ積層体において約10μmのスケールにわたって均一な自己発光度を有する、５．０×１０６Ｖ／ｍよりも大きい絶縁耐力を有する厚膜誘電層とを備えた基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項３７】  背面電極を上に備えた堅固な基板上に形成された請求項３６に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項３８】  前記誘電体層が、冷静水圧プレス成形によって成形された請求項３７に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項３９】  前記誘電体層が、焼結後に厚さが約30％から40％減少したものである請求項３８に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項４０】  前記誘電体層が、焼結後に10μｍから50μｍの厚さを有する請求項３８に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項４１】  前記誘電体層が、焼結後に10μｍから20μｍの厚さを有する請求項３８に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項４２】  セラミック材料が、500より大きい誘電定数を有する強誘電体セラミック材料である請求項３８に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項４３】  セラミック材料がペロブスカイト結晶構造を有する請求項４２に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項４４】  セラミック材料が、BaTiO3、PbTiO3、PMN、及び、PMN-PTのうちの一又は二以上から成る群から選択されたものである請求項４３に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項４５】  セラミック材料が、BaTiO3、PbTiO3、PMN、及び、PMN-PTから成る群から選択されたものである請求項４３に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項４６】  セラミック材料がPMN-PTである請求項４３に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項４７】  第２のセラミック材料が表面をより滑らかにするために前記成形焼結誘電体層上に形成されている請求項４４に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項４８】  第２のセラミック材料が、ゾル・ゲル技術によって堆積され、その後に加熱されてセラミック材料に転換された強誘電体セラミック材料である請求項４７に記載のＥＬ積層体。
【請求項４９】  第２のセラミック材料が、少なくとも20の誘電定数と、少なくとも約1μｍの厚さとを有する請求項４８に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項５０】  第２のセラミック材料が、少なくとも100の誘電定数を有する請求項４９に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項５１】  第２のセラミック材料が、少なくとも約1〜3μｍの厚さを有する請求項５０に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項５２】  第２のセラミック材料が、ペロブスカイト結晶構造を有する強誘電体セラミック材料である請求項５１に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項５３】  第２のセラミック材料が、チタン酸ジルコン酸鉛あるいはチタン酸ジルコン酸ランタン鉛である請求項５２に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項５４】  基板及び背面電極が、約850℃に耐えることができる材料から成る請求項３８に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項５５】  基板がアルミナシートである請求項５４に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項５６】  前記第２の誘電体層上に拡散バリア層を備え、該拡散バリア層は、隣接層に化学的に適合しかつ0.1原子％以下しか厳密な化学量論組成から異ならない金属含有の電気的絶縁性二元化合物から成る請求項５３に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項５７】  拡散バリア層が、アルミナ、シリカ、あるいは硫化亜鉛から成る請求項５６に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項５８】  拡散バリア層がアルミナから成る請求項５６に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項５９】  拡散バリア層が、100Åから1000Åの範囲の層厚を有する請求項５８に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項６０】  前記第２の誘電体層あるいは拡散バリア層の上方に蛍光体界面を提供する注入層を備え、組成が非化学量論的であり、かつ、蛍光体層へ注入用のエネルギー幅にあるエネルギーの電子を有する二元誘電体材料から成る請求項１６０、請求項５３又は請求項５６のいずれかに記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項６１】  注入層が、化学量論的組成からのずれが0.5原子％より大きい組成を有する材料から成る請求項６０に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項６２】  注入層がハフニアあるいはイットリアから成る請求項６１に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項６３】  注入層が、100Åから1000Åの範囲の層厚を有する請求項６２に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項６４】  注入層が硫化亜鉛蛍光体を有するハフニアであり、硫化亜鉛の拡散バリア層が硫化ストロンチウム蛍光体と共に用いられている請求項６３に記載の基板と誘電体層コンポーネントとの結合体。
【請求項６５】  前記誘電層は、焼結後に、式ｄ２＝Ｖ／Ｓ（ここで、ｄ２は誘電体層の厚さ、Ｖは最大印加電圧、Ｓはセラミック材料の絶縁耐力）により規定され作動中に誘電破壊を防止するのに充分な厚さを有する請求項３８に記載の方法。
【請求項６６】  前記ｄ２は10μm以上である請求項６５に記載の方法。
【請求項６７】  ＥＬ積層体であって、
平坦な蛍光体層と；
前記蛍光体層の一方の側に平坦な前面電極及び他方の側に平坦な背面電極と；
積層体を支持するのに十分な堅固さを有する、背面電極を備えた背面基板と；
前記背面電極を有する前記堅固な基板上に形成された厚膜誘電層であって、該厚膜誘電層は厚膜技術により堆積され、続いて乾燥され、次いで、厚さ及び多孔性が低減された成形誘電体層となるようにプレス成形され、その後焼結が行われ、このように形成された厚膜誘電層であって、乾燥及び焼結を行うがその間にプレス成形を行わないで同じ層厚で形成された同じ組成の誘電体層と比較して、層厚が20％から50％低減され、多孔性が低減され、ＥＬ積層体において約10μmのスケールにわたって均一な自己発光度を有する、５．０×１０６Ｖ／ｍよりも大きい絶縁耐力を有する厚膜誘電層とを備えたＥＬ積層体。
【請求項６８】  背面電極を上に備える堅固な基板上に形成された請求項６７に記載のＥＬ積層体。
【請求項６９】  前記誘電体層が、冷静水圧プレス成形によって成形された請求項６８に記載のＥＬ積層体。
【請求項７０】  プレス成形されたセラミック材料が、焼結後に厚さが約30％から40％減少したものである請求項６９に記載のＥＬ積層体。
【請求項７１】  プレス成形されたセラミック材料が、焼結後に10μｍから50μｍの厚さを有する請求項６９に記載のＥＬ積層体。
【請求項７２】  プレス成形されたセラミック材料が、焼結後に10μｍから20μｍの厚さを有する請求項６９に記載のＥＬ積層体。
【請求項７３】  セラミック材料が、500より大きい誘電定数を有する強誘電体セラミック材料である請求項６９に記載のＥＬ積層体。
【請求項７４】  セラミック材料がペロブスカイト結晶構造を有する請求項７３に記載のＥＬ積層体。
【請求項７５】  セラミック材料が、BaTiO3、PbTiO3、PMN、及び、PMN-PTのうちの一又は二以上から成る群から選択されたものである請求項７４に記載のＥＬ積層体。
【請求項７６】  セラミック材料が、BaTiO3、PbTiO3、PMN、及び、PMN-PTから成る群から選択されたものである請求項７４に記載のＥＬ積層体。
【請求項７７】  セラミック材料がPMN-PTである請求項７４に記載のＥＬ積層体。
【請求項７８】  第２のセラミック材料がプレス成形された焼結誘電体層上に形成されて表面が滑らかにされている請求項７５に記載のＥＬ積層体。
【請求項７９】  第２のセラミック材料が、ゾル・ゲル技術によって堆積され、その後に加熱されてセラミック材料に転換された強誘電体セラミック材料である請求項７８に記載のＥＬ積層体。
【請求項８０】  第２のセラミック材料が、少なくとも20の誘電定数と、少なくとも約1μｍの厚さとを有する請求項７９に記載のＥＬ積層体。
【請求項８１】  第２のセラミック材料が、少なくとも100の誘電定数を有する請求項８０に記載のＥＬ積層体。
【請求項８２】  第２のセラミック材料が、少なくとも約1〜3μｍの厚さを有する請求項８１に記載のＥＬ積層体。
【請求項８３】  第２のセラミック材料が、ペロブスカイト結晶構造を有する強誘電体セラミック材料である請求項８２に記載のＥＬ積層体。
【請求項８４】  第２のセラミック材料が、チタン酸ジルコン酸鉛あるいはチタン酸ジルコン酸ランタン鉛である請求項８３に記載のＥＬ積層体。
【請求項８５】  基板及び背面電極が、約850℃に耐えることができる材料から成る請求項８４に記載のＥＬ積層体。
【請求項８６】  基板がアルミナシートである請求項８５に記載のＥＬ積層体。
【請求項８７】  前記第２の誘電体層上に拡散バリア層を備え、該拡散バリア層は、隣接層に化学的に適合しかつ0.1原子％以下しか厳密な化学量論組成から異ならない金属含有の電気的絶縁性二元化合物から成る請求項８４に記載のＥＬ積層体。
【請求項８８】  拡散バリア層が、アルミナ、シリカ、あるいは硫化亜鉛から成る請求項８７に記載のＥＬ積層体。
【請求項８９】  拡散バリア層がアルミナから成る請求項８７に記載のＥＬ積層体。
【請求項９０】  拡散バリア層が、100Åから1000Åの範囲の層厚を有する請求項８９に記載のＥＬ積層体。
【請求項９１】  前記第２の誘電体層上あるいは拡散バリア層上に蛍光体界面を提供する注入層を備え、組成が非化学量論的であり、かつ、蛍光体層へ注入用のエネルギー幅にあるエネルギーの電子を有する二元誘電体材料から成る請求項８４、又は請求項８７のいずれかに記載のＥＬ積層体。
【請求項９２】  注入層が、化学量論的組成からのずれが0.5原子％より大きい組成を有する材料から成る請求項９１に記載のＥＬ積層体。
【請求項９３】  注入層がハフニアあるいはイットリアから成る請求項９２に記載のＥＬ積層体。
【請求項９４】  注入層が、100Åから1000Åの範囲の層厚を有する請求項９３に記載のＥＬ積層体。
【請求項９５】  注入層が硫化亜鉛蛍光体を有するハフニアであり、硫化亜鉛の拡散バリア層が硫化ストロンチウム蛍光体と共に用いられている請求項９４に記載のＥＬ積層体。
【請求項９６】  前記誘電層は、焼結後に、式ｄ２＝Ｖ／Ｓ（ここで、ｄ２は誘電体層の厚さ、Ｖは最大印加電圧、Ｓは誘電体層の絶縁耐力）により規定され、作動中に誘電破壊を防止するのに充分な厚さを有する請求項６９に記載の方法。
【請求項９７】  前記ｄ２は10μm以上である請求項９６に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
また、別な実施形態では、本発明は、 平面蛍光体層と； 蛍光体層の片側上に備えた前面及び背面電極と； 背面電極を備える背面基板であって、積層を支持するための十分な機械的強度と剛性を有する（堅固な）背面基板と； 背面電極を備える基板上に備えた厚膜誘電体層層であって、 同じ組成の押圧されていない焼結誘電体層と比較して、ＥＬ積層体において改善された絶縁耐力、低減された間隙率、及び、一様な自己発光度を有する押圧された焼結セラミック材料から形成された厚膜誘電体層層と；を備えたものである。 
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０４】
例
例１−等静圧圧縮厚膜誘電体層 
ヘレウスCL90-7329（ヘレウス・セルマアロイ社製、コンショホッケン（Conshohocken）、ペンシルバニア州）の高誘電定数ペーストの第１層は、1.6μｍワイヤ直径を有する98本ワイヤ／cm（250メッシュ）スクリーンを用いてスクリーン印刷（プリント）を行った。ペーストにおける高誘電定数材料はPMN-PTだった。印刷されたペーストは、150℃で30分間から60分間、負荷が大きいオーブンについては長めの時間、乾燥した。同じ材料の第２層をベークした第１層上で印刷して、次いで、30分間300℃でベークした。この点で結合された層の厚さは約26μｍだった。全構造は次いで、350,000kPa（50,000psi）で冷却等静圧プレスを用いて、冷却等静圧で圧縮成形した（CIPped）。適当な圧縮成形を保証し、誘電体層上に比較的滑らかな面にするために、誘電体層に接触するアルミニウム処理した面を有する１シートのアルミニウム蒸着ポリエステルを誘電体面上に形成した。シールバッグが引き裂かれるのを防止するために、外側コンプライアントシール（封止）バッグからその部分を孤立するように、さらに２シートのプラスチック袋掛け材料をその部分のまわりに曲げた。シールバッグは空気を抜き、熱的にシールした。バッグは示した圧力で等静圧圧縮し、60秒以下の間その圧力で保持した。圧縮の後、その部分をバッグから除去し、850℃のピーク温度の通常の厚膜温度プロファイルを用いてベルト炉で焼成した。圧縮・焼成後、誘電体層は実質的に多孔性ではなかった。この点では、誘電体層の厚さは15-20μｍの範囲で、典型的には16μｍだった。