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【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗ＣＤ３  ｍＡｂおよび抗ＣＤ２８  ｍＡｂで活性化され、宿主免疫を活性化させるサイトカインおよび表面分子の発現を引き起こす同種異系Ｔ細胞の組成物。
【請求項２】
前記活性化されたＴ細胞が、静脈内注入に適した培地中に懸濁される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記活性化されたＴ細胞が、１０７細胞／ｍｌ以上の細胞密度で懸濁される、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記活性化されたＴ細胞が、１０７細胞／ｍｌ以上の細胞密度で、可撓性容器またはシリンジ中に懸濁される、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物が、凍結保存される、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
処置有効量の同種異系細胞の集団およびモノクローナル抗体に対して反応性の、架橋有効量の薬剤を含有する組成物であって、該細胞の少なくとも一部は、Ｔ細胞であって、該Ｔ細胞は、活性化有効量の一種以上の該モノクローナル抗体またはその一部で標識されており、該薬剤によって、該Ｔ細胞を、宿主免疫を活性化させるサイトカインおよび表面分子の発現を引き起こすように活性化する、組成物。
【請求項７】
前記Ｔ細胞が、抗ＣＤ３  ｍＡｂおよび抗ＣＤ２８  ｍＡｂで標識される、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記ｍＡｂに対して反応性の薬剤が、生分解性のミクロスフェアにコーティングされる、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
前記Ｔ細胞および結合した生分解性ミクロスフェアが、静脈内注入に適した培地中に懸濁される、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記Ｔ細胞および結合した生分解性ミクロスフェアが、１０７細胞／ｍｌ以上の細胞密度で懸濁される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記Ｔ細胞および結合した生分解性ミクロスフェアが、１０７細胞／ｍｌ以上の細胞密度で、可撓性容器またはシリンジ中に懸濁される、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記組成物が、凍結保存される、請求項６に記載の組成物。
【請求項１３】
患者に注入される前に、増強されたサイトカインおよび表面分子の発現のために、抗ＣＤ３  ｍＡｂおよび抗ＣＤ２８  ｍＡｂで活性化された同種異系Ｔ細胞の組成物。
【請求項１４】
前記標識されたＴ細胞が、静脈内注入に適した培地中に懸濁される、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記標識されたＴ細胞が、１０７細胞／ｍｌ以上の細胞密度で懸濁される、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記標識されたＴ細胞が、１０７細胞／ｍｌ以上の細胞密度で、可撓性容器またはシリンジ中に懸濁される、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記組成物が、凍結保存される、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１８】
処置有効量の同種異系細胞の集団およびモノクローナル抗体に対して反応性の、架橋有効量の薬剤を含有する組成物であって、該細胞の少なくとも一部は、Ｔ細胞であって、該Ｔ細胞は、活性化有効量の一種以上の該モノクローナル抗体またはその一部で標識されており、該Ｔ細胞は、患者に注入される前に、増強されたサイトカインおよび表面分子の発現のために活性化されている、組成物。
【請求項１９】
前記Ｔ細胞が、抗ＣＤ３  ｍＡｂおよび抗ＣＤ２８  ｍＡｂで標識される、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
前記ｍＡｂに対して反応性の薬剤が、生分解性のミクロスフェアにコーティングされる、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２１】
前記Ｔ細胞および結合した生分解性ミクロスフェアが、静脈内注入に適した培地中に懸濁される、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
前記Ｔ細胞および結合した生分解性ミクロスフェアが、１０７細胞／ｍｌ以上の細胞密度で懸濁される、請求項９に記載の組成物。
【請求項２３】
前記Ｔ細胞および結合した生分解性ミクロスフェアが、１０７細胞／ｍｌ以上の細胞密度で、可撓性容器またはシリンジ中に懸濁される、請求項１１に記載の組成物。
【請求項２４】
前記組成物が、凍結保存される、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２５】
ドナーから単離された単核細胞を含む、宿主免疫系を刺激するための組成物であって、ここで該単核細胞の中でＴ細胞がエキソビボで活性化され、該活性化されたＴ細胞はｍ宿主免疫系を有する宿主に投与するのに適しており、それによって、該活性化されたＴ細胞
は、該宿主免疫系により拒絶されるが、該宿主免疫系を刺激して有効な免疫応答を媒介する、組成物。
【請求項２６】
前記宿主は癌を有する、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２７】
前記ドナーは、前記宿主に対する組織適合性を考慮せずに選択される、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２８】
前記宿主は、以前に骨髄移植手順を受けていない、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２９】
前記宿主は、同種ドナー細胞注入の定着を可能にするために設計された、免疫抑制的化学療法および／または照射コンディショニングレジメを受けていない、請求項２５に記載の組成物。
【請求項３０】
前記Ｔ細胞が、ＣＤ４＋Ｔ細胞である、請求項２５に記載の組成物。
【請求項３１】
前記ＣＤ４＋Ｔ細胞の大部分が、エキソビボでの活性化後に、ＣＤ４５ＲＡ＋，ＣＤ６２Ｌｈｉ未処理細胞から、ＣＤ４５ＲＯ＋，ＣＤ６２Ｌｌｏ記憶細胞に分化する、請求項３０に記載の組成物。
【請求項３２】
前記Ｔ細胞は、該Ｔ細胞の細胞表面に適用された抗ＣＤ３  ｍＡｂおよび抗ＣＤ２８  ｍＡｂの架橋によって活性化される、請求項２５に記載の組成物。
【請求項３３】
前記Ｔ細胞は、少なくとも６日間活性化刺激に連続的にさらされる、請求項２５に記載の組成物。
【請求項３４】
前記Ｔ細胞は、該Ｔ細胞の細胞表面に適用される抗ＣＤ３  ｍＡｂおよび抗ＣＤ２８  ｍＡｂとともに投与されるのに適しており、該ｍＡｂは、該ｍＡｂに対して反応性の薬剤がコーディングされた生分解性ミクロスフェアとの会合および含有によって架橋される、請求項２５に記載の組成物。
【請求項３５】
前記活性化されたＴ細胞の投与および続く該活性化されたＴ細胞の拒絶は、宿主の内在する疾患に対する免疫反応を刺激する、請求項２５に記載の組成物。
【請求項３６】
前記エキソビボで活性化されたＴ細胞は、宿主への投与の前に低温保存される、請求項２５に記載の組成物。
【請求項３７】
腫瘍を保有する宿主免疫系と接触する場合に、対宿主性移植片応答を誘発せずに、対腫瘍性宿主応答および対移植片性宿主応答を誘発する同種異系細胞物質。
【請求項３８】
腫瘍を保有する宿主に投与される場合、腫瘍のアポトーシスを引き起こす同種異系細胞物質。
【請求項３９】
前記活性化されたＴ細胞が、ＣＤ４５ＲＯおよびＣＤ６２Ｌｌｏを発現する記憶細胞に分化する、請求項３３に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図３は、本発明の実施例による、半導体ウエハを流体で処理するための超臨界処理システム３００の概略図である。図３に示すように、１つの実施例では、半導体ウエハを流体で処理するための超臨界処理システム３００は、高圧処理チャンバ３０１に連結される循環器（サーキュレーション）３０３を有する。１つの実施例では、超臨界処理システム３００は、循環ループ３０３内へ流体を導入するための注入口手段３０５を有する。ある実施例では、注入口手段３０５は、循環ループ３０３内の注入口ポート３１０と、注入口ポート３１０に連結される背圧レギュレータ３３０と、を有する。本発明の１つの実施例では、注入口手段３０５は、圧縮された流体を形成するように流体を圧縮するためのポンプ３４０と、圧縮された流体をポンプ３４０から背圧レギュレータ３３０に送るための第１のライン３１７’と、流体源３２１からポンプ３４０へある量の流体を送るための第２のライン３１７とを有する。１つの実施例では、第１のライン３１７’は、ポンプから背圧レギュレータへの圧縮された流体の一方向のフロー３３５を維持するように構成されている。１つの実施例では、第２のライン３１７は、流体源３２１からバルブ３２３を通してポンプ３４０への流体の一方向のフローを維持するように構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明のある好適な実施例によれば、処理チャンバ４０１内へプロセスストリームを導入するための手段は、処理チャンバ４０１内を一定圧力に維持するように動作する。１つの実施例では、装置は処理チャンバ内を一定圧力に維持するための背圧レギュレータを有する。好ましくは、本発明による装置は、ポンプ及び弁のような一連の減圧サイクルを実行するための手段を有する。好ましくは、本発明による装置は、バルブ４０７、４１５、４１５’、４１９、４２５、及び４２７、ポンプ４１１、ヒータ４３１、又は他のデバイス（図示せず）のいくつかを制御するために組み合わされたプロセス制御コンピュータ４５０を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ａ】
2007500940.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月10日(2007.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタの電荷蓄積場所から放電するための方法であって、
第１の電圧をトランジスタの制御ゲートに印加することであって、前記制御ゲートが、前記トランジスタの選択ゲートに隣接する一部を少なくとも有し、前記トランジスタが、前記制御ゲートの下に位置する前記トランジスタの構造の誘電体内に配置されたナノクラスタを含む電荷蓄積場所を含む、前記第１の電圧をトランジスタの制御ゲートに印加すること、
第２の電圧を前記制御ゲートの下に位置するウェル領域に印加すること、を備え、
前記第１の電圧の印加および前記第２の電圧の印加により、前記電荷蓄積場所の前記ナノクラスタから電子を放出するために前記構造の両端に電圧差が発生する、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記トランジスタがさらに、前記制御ゲートからみて前記選択ゲートの反対側に位置する第２の制御ゲートと、トランジスタの第２の構造の誘電体内に配置されたナノクラスタを含む第２の電荷蓄積場所と、前記第２の制御ゲートと前記選択ゲートとの間に位置する誘電体とを含み、
前記第２の電荷蓄積場所に蓄積された電荷を放電することは、
前記第２の制御ゲートに第３の電圧を印加すること、
前記第２の制御ゲートの下に位置するウェル領域に第４の電圧を印加することを含み、
前記第３の電圧の印加および前記第４の電圧の印加により、前記第２の電荷蓄積場所の前記ナノクラスタから電子を放出するために前記第２の構造の両端に電圧差が発生する、方法。
【請求項３】
複数のメモリ・セルを含むメモリ・アレイであって、
各メモリ・セルが、
基板上に位置する制御ゲートと、
前記基板上に位置する選択ゲートであって、前記制御ゲートが前記選択ゲートに隣接する一部を少なくとも含む、前記選択ゲートと、
前記制御ゲートと前記基板との間に位置する誘電体内に配置されたナノクラスタを含む電荷蓄積場所と、
前記制御ゲートと選択ゲートとの間に位置する誘電体と、
前記基板内の第１の電流端子領域と、
前記基板内の第２の電流端子領域と、
前記第１の電流端子領域と前記第２の電流端子領域との間に位置する前記基板内のチャネル領域とを備えているトランジスタを含み、
前記制御ゲートが、前記チャネル領域の少なくとも第１の部分の上に位置し、前記選択ゲートが、前記チャネル領域の少なくとも第２の部分の上に位置する、メモリ・アレイ。
【請求項４】
請求項３に記載のメモリ・アレイにおいて、
前記複数の各メモリ・セルの前記トランジスタがさらに、
前記制御ゲートからみて前記選択ゲートの反対側の前記基板上に位置する第２の制御ゲートと、
前記第２の制御ゲートと前記基板との間に位置する誘電体内に配置されたナノクラスタを含む第２の電荷蓄積場所と、
前記第２の制御ゲートと前記選択ゲートとの間に位置する誘電体とを含み、
前記第２の制御ゲートが、前記チャネル領域の少なくとも第３の部分の上に位置する、メモリ・アレイ。
【請求項５】
メモリ・アレイの行内に位置する複数のメモリ・セルのトランジスタの電荷蓄積場所から放電するための方法であって、
ワード線に第１の電圧を印加することであって、メモリ・アレイの行内に位置する複数のメモリ・セルの各メモリ・セルが、前記トランジスタの制御ゲートと基板との間に位置する誘電体内に配置されたナノクラスタを含む電荷蓄積場所を有するトランジスタを含み、前記複数の各メモリ・セルの前記トランジスタの前記制御ゲートが、前記ワード線と接続されるとともに前記基板上に位置し、前記複数の各メモリ・セルの前記トランジスタの前記制御ゲートの少なくとも一部が、前記制御ゲートと前記選択ゲートとの間に位置する誘電体を含む前記トランジスタの選択ゲートに隣接して位置する、前記ワード線に前記第１の電圧を印加すること、
前記基板内のウェル領域に第２の電圧を印加すること、を備え、
前記複数の各メモリ・セルの前記トランジスタに対して、前記第１の電圧の印加および前記第２の電圧の印加により、前記電荷蓄積場所の前記ナノクラスタから電子を放出するためにその中に配置された前記電荷蓄積場所の前記ナノクラスタを有する前記誘電体の両端に電圧差が発生する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）ハロゲンを含むレーザガスを収容するレーザチャンバと、
Ｂ）カソード及びアノードを形成する２つの細長い電極要素と、
を含み、
前記カソード及びアノードの各々は、前記レーザガス内の前記電極要素間の電気放電の幅を定める放電受容領域幅を有する細長い放電受容領域を有し、該放電受容領域は、２つの縦方向縁部を形成し、
前記アノードは、
ａ）前記アノードの前記放電受容領域内に全体が位置して第１のアノード材料侵食速度を定める第１のアノード材料を含む第１の細長いアノード部分と、
ｂ）前記第１のアノード部分の各側及び少なくとも部分的に前記放電受容領域内にそれぞれ位置して、第２のアノード材料侵食速度を定める第２のアノード材料を含む一対の第２の細長いアノード部分と、
ｃ）前記第１の細長いアノード部分と一体を成す細長い電極中心基部部分と、
を含み、
前記第２の細長いアノード部分のそれぞれの対の各々は、前記中心基部部分に機械的に接合されている、
ことを特徴とするガス放電レーザ。
【請求項２】
前記第１のアノード材料は、第１の黄銅合金を含み、前記第２のアノード材料は、第２の黄銅合金を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のアノード材料は、少なくとも１パーセントの鉛を含有する黄銅合金を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のアノード材料は、少なくとも３パーセントの鉛を含有する黄銅を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のアノード材料は、Ｃ３６０００黄銅を含み、前記第２のアノード材料は、Ｃ２６０００黄銅を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記アノードは、前記第１のアノード部分の縦方向中心軸線に沿って約３．５ｍｍの放電受容領域を含み、該放電受容領域の両側で電界の鋭い減少がある、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
Ａ）ハロゲンを含むレーザガスを収容するレーザチャンバと、
Ｂ）カソード及びアノードを形成する２つの細長い電極要素と、
を含み、
前記カソード及びアノードの各々は、前記レーザガス内の前記電極要素間の電気放電の幅を定める放電受容領域幅を有する細長い放電受容領域を有し、該放電領域は、２つの縦方向縁部を形成し、
前記カソードは、
１）前記アノードの前記放電受容領域内に全体が位置して第１のカソード材料侵食速度を定める第１のカソード材料を含む第１の細長いカソード部分と、
２）前記第１のカソード部分の各側及び少なくとも部分的に前記放電受容領域内にそれぞれ位置して、第２のカソード材料侵食速度を定める第２のカソード材料を含む一対の第２の細長いカソード部分と、
３）前記第１の細長いカソード部分と一体を成す細長い電極中心基部部分と、
を含み、
前記第２の細長いカソード部分のそれぞれの対の各々は、前記中心基部部分に機械的に接合されている、
ことを特徴とするガス放電レーザ。
【請求項８】
前記第１のカソード材料は、第２の黄銅合金を含み、前記第２のカソード材料は、第１の黄銅合金を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第２のカソード材料は、少なくとも１パーセントの鉛を含有する黄銅合金を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第２のカソード材料は、少なくとも３パーセントの鉛を含有する黄銅を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１のカソード材料は、Ｃ２６０００黄銅を含み、前記第２のカソード材料は、Ｃ３６０００黄銅を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記カソードは、前記第１のカソード部分の縦方向中心軸線に沿って約３．５ｍｍの放電領域を含み、該放電領域の両側で電界の鋭い減少がある、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のカソード材料は、前記第２のカソード材料よりも広範囲に焼き鈍しされている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１のカソード材料の侵食速度は、前記第２のカソード材料の侵食速度の少なくとも４倍である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２のアノード材料の侵食速度は、前記第１のアノード材料の侵食速度の少なくとも１０倍である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリデバイスであって、
基板と、
該基板上にある半導体構造であって、第１の電流領域と第２の電流領域との間にあるチャネル領域を含み、第１の側壁と第２の側壁とを有し、該第２の側壁は該第１の側壁に対向する、半導体構造と、
前記第１の側壁に隣接するゲート構造であって、前記チャネル領域は該ゲート構造に隣接する前記第１の側壁に沿って配置される部分を含む、ゲート構造と、
前記第１の側壁と前記ゲート構造との間に少なくともその一部が配置される、電荷蓄積場所とを備える、メモリデバイス。
【請求項２】
前記電荷蓄積場所は、離散した電荷蓄積材料を含む構造内に実装される、請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項３】
メモリであって、
それぞれが第１のゲート構造と、第２のゲート構造と、第１のドープされた領域と、第２のドープされた領域と、前記第１のゲート構造及び前記第２のゲート構造に隣接し、且つ前記第１のドープされた領域と前記第２のドープされた領域との間にあるチャネル領域とを有する複数のメモリセルであって、それぞれ４つの蓄積場所を備える、複数のメモリセルと、
第１のワード線に結合される前記第１のゲート構造と、第２のワード線に結合される前記第２のゲート構造とを有する前記複数のメモリセルから成る第１の行と、
第３のワード線に結合される前記第１のゲート構造と、第４のワード線に結合される前記第２のゲート構造とを有する前記複数のメモリセルから成る第２の行と、
前記第１の行及び前記第２の行の第１の部分を含み、第１のビット線に結合される前記第１のドープされた領域と、第２のビット線に結合される前記第２のドープされた領域とを有する、前記複数のメモリセルから成る第１の列と、
前記第１の行及び前記第２の行の第２の部分を含み、前記第２のビット線に結合される前記第１のドープされた領域と、第３のビット線に結合される前記第２のドープされた領域とを有する、前記複数のメモリセルから成る第２の列とを備える、メモリ。
【請求項４】
半導体デバイスを形成する方法であって、
基板を配設するステップと、
該基板上に半導体構造を配設するステップであって、該半導体構造は第１の側壁と、第２の側壁と、上側表面とを有する、半導体構造を配設するステップと、
第１の導電型を有する前記半導体構造内の第１の領域を形成するステップと、
前記第１の導電型を有する前記半導体構造内の第２の領域を形成するステップと、
前記第１の領域と前記第２の領域との間に第２の導電型を有する前記半導体構造内のチャネル領域を形成するステップと、
前記第１の側壁に隣接する第１のゲート構造を形成するステップと、
前記第１の側壁と前記第１のゲート構造との間に少なくともその一部が配置される、第１の電荷蓄積場所を形成するステップとを備える、半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部分及び周辺部分を備えた基板層と、該基板層の中央部分に装着された吊下プローブ組立体とを有し、第１の平面において実質的に延びるそれぞれのプローブ先端を備えた複数のプローブ要素と前記基板層の上からアクセス可能であり且つ前記プローブ要素への電気的接続を可能にするためにそれぞれのプローブ要素と電気的に結合されたコンタクト要素のアレイとを更に有するプローブカード並びにウェーハプローブに使用するための装置であって、
前記装置が、
第２の平面を定める特徴部を有し、前記基板層の中央部分に剛性を付加するために前記基板層の中央部分の上に装着するよう適合された補強部材と、
前記ウェーハプローブに装着するよう適合され且つ第３の平面を定める特徴部を備えた下面を有する基準部材と、
を含み、
前記第２の平面を定める前記補強部材の特徴部が前記第３の平面を定める前記基準部材の特徴部に対して押しつけられた時に、前記第１の平面が前記第３の平面に対して実質的に平行に延びて、前記プローブ先端が前記ウェーハプローブに対して実質的に平坦化されるようになり、
前記装置がさらに、
前記基準部材に装着されたラッチング機構部
を含み、
前記ラッチング機構部が、ラッチプレート、前記ラッチプレートに機械的に結合された昇降プレート、及び前記昇降プレート及び前記ラッチプレートを水平方向及び上方向に動かすために前記昇降プレートに機械的に結合されたアクチュエータを含む
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
天盤を有するウェーハプローブとともに使用し、前記基準部材が前記天盤の上を橋かけするよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
第３の平面を定める前記基準部材の特徴部が、前記第３の平面において実質的に延びる底面であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第３の平面を定める前記基準部材の特徴部が、前記第３の平面を実質的に定めるそれぞれの端面を有する、少なくとも３つである複数の離間して下方に延びるアライメント要素であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
第２の平面を定める前記補強部材の特徴部が、前記第２の平面を実質的に定めるそれぞれの端面を有する、少なくとも３つである複数の離間して上方に延びるアライメント要素であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記端面が第３の平面を定める前記基準部材の特徴部に係合するように前記アライメント要素に係合して該アライメント要素を移動させるため、及び前記アライメント要素の端面を前記基準部材の特徴部に対して維持するために前記基準部材によって担持される把持組立体を更に含む請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記該アライメント要素が三角形状に離間されていることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項８】
第２の平面を定める前記補強部材の特徴部を第３の平面を定める前記基準部材の特徴部に対して押しつけるための手段を更に含む請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記押しつけ手段が前記基準部材によって担持されることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記基板層がプリント回路基板であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記第２の平面が前記第１の平面に対して実質的に平行になるように前記補強部材を調節する手段を更に含む請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記ラッチプレートが少なくとも３つの孔を含み、該孔の各々がアライメント要素の少なくとも一部を受け入れることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記基準部材と前記補強部材との間に間隙が設けられ、前記基準部材と前記プローブカードとの間の熱的絶縁が強化されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子ビームレットを使用する荷電粒子ビーム露光装置であり、この装置は、
第一の絞り手段を備えており、これは、複数の第一の実質的に丸い絞りを備えていて、荷電粒子ビームレットを部分的に遮断し、
レンズ系を備えており、これは、複数のレンズを備えていて、前記粒子ビームレット、これは前記第一の絞りから生じている、を前記レンズの結像焦点面内またはその近くに集束させ、
偏向手段を備えており、これは、前記結像焦点面内に実質的に配置されており、複数のビームレット偏向器を備えており、これらは、制御信号の受信と同時に前記偏向器を通過する前記荷電粒子ビームレットの偏向のためのものであり、
第二の絞り手段を備えており、これは、第一の絞りの共役平面内に位置する複数の第二の実質的に丸い絞りを備えていて、前記第二の絞り手段は前記第一の絞り手段および前記ビームレット偏向器と提携し、前記ビームレット偏向器による偏向と同時に前記荷電粒子ビームレットを遮断し、さもなければそれを透過し、前記第一および第二の絞り手段は、前記ビームレットの上流方向に見たときに、ビームレットの開口角を制限するために位置している。
【請求項２】
請求項１の荷電粒子ビーム露光装置であり、前記複数の前記第一の絞りは絞りアレイを形成しており、これは各ビームレットに一つの絞りを有しており、前記複数の前記レンズはレンズのアレイを形成しており、各レンズは第一の絞り手段からの複数の荷電粒子ビームレットの一つを集束させるように位置しており、前記複数の前記第二の絞りは絞りアレイを形成している。
【請求項３】
請求項１または２に記載のシステムにおいて、前記レンズが静電レンズから構成されている。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記ビームレット偏向器が静電偏向器から構成されている。
【請求項５】
請求項４に記載のシステムにおいて、前記静電偏向器が少なくとも二つの偏向電極を備えている。
【請求項６】
請求項２に記載のシステムにおいて、第二のレンズ系をさらに備えており、これは、前記第一の絞り手段の前に配置されていて、複数のレンズを備えており、これらはレンズのアレイを形成しており、前記レンズは前記ビームレットを集束するために配置されている。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムにおいて、第三のレンズ系をさらに備えており、これは、前記第一の絞り手段の前に配置されていて、複数のレンズを備えており、これらは前記第二のレンズ系の主要な平面内に荷電粒子ビーム露光装置の源の像を投影するように配置されており、荷電粒子光学システムはさらに第三の絞りアレイを備えており、第二のレンズアレイは前記第三の絞りアレイの像を前記第一の絞りアレイ上に投影するように配置されている。
【請求項８】
上記請求項のいずれか一つの装置において、前記荷電粒子ビームまたは荷電粒子ビームレットが電子ビームである。
【請求項９】
上記請求項のいずれか一つの装置において、前記荷電粒子ビームまたは荷電粒子ビームレットが電子ビームである。
【請求項１０】
上記請求項のいずれか一つの装置を備えている荷電粒子ビームリソグラフィシステム。
【請求項１１】
上記請求項のいずれか一つの装置を備えている荷電粒子ビーム検鏡システム。
【請求項１２】
上記請求項のいずれか一つの装置において、少なくとも一つのさらなる絞りアレイと少なくとも一つのさらなるレンズアレイとを備えており、レンズアレイは各絞りアレイ間に位置していて、先の絞りアレイを次の絞りアレイに結像させるように配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーク受信機においてマルチパス干渉を含む受信信号からデータを抽出する方法であって、
前記受信信号をサンプリングし、フィルタリングする工程と、
フィルタリングされたサンプルΨ（τ）のパス間の時間遅延
【数１】
2007500970.tif 000001
を推定する工程と、
フィルタリングされた前記サンプルΨ（τ）のチャネル複合係数
【数２】
2007500970.tif 000002
を推定する工程と、
フィルタリングされたサンプルΨ（τ）の式
【数３】
2007500970.tif 000003
の連立方程式の解によって、パスｌ毎にフィルタリングされた前記サンプルΨ（τ）から送信データｘ（τｌ）を抽出する工程であって、ｋは特定のパス、Ｎｐは可視パスの数、
【数４】
2007500970.tif 000004
はフィルタリング・プロセスの二重畳込み行列、
【数５】
2007500970.tif 000005
はその疑似逆関数、Λｓｓ（τｌ）は拡散行列とスクランブル行列との積、
【数６】
2007500970.tif 000006
はその逆関数、
【数７】
2007500970.tif 000007
は雑音である工程とを含む方法。
【請求項２】
前記方法は、前記受信機の１チップ以下の期間の推定時間遅延
【数８】
2007500970.tif 000008
について選択的に実行される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
雑音
【数９】
2007500970.tif 000009
のない前記フィルタリングされたサンプルΨ（τ）式が解かれる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
解の数は、前記受信機の１チップ当たりのオーバーサンプルの数以下である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記連立方程式の解は、前記受信機に記憶され、前記方法はソフトウェアで実行される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
記憶される解の数は前記受信機の１チップ当たりのオーバーサンプルの数以下である請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおけるハンドオーバー決定をサポートする方法であって、
少なくとも４つの伝送しているソースから、加入者ステーションについての少なくとも４つの到達測定時間を取得することと、なお、前記少なくとも４つの伝送しているソースは知られた場所を有している；
前記加入者ステーションについての最初のｘ１、ｙ１、およびｚ１座標とネットワーク時間ｔ１を計算することと；
前記加入者ステーションについての次のｘ２、ｙ２、およびｚ２座標とネットワーク時間ｔ２を計算することと；
（ｘ２−ｘ１）／（ｔ２−ｔ１）によってｘ成分、（ｙ２−ｙ１）／（ｔ２−ｔ１）によってｙ成分、（ｚ２−ｚ１）／（ｔ２−ｔ１）によってｚ成分、の速度ベクトルを取得することと；
（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２）の平方根によって前記ベクトルの大きさを取得することと；
前記次のｘ２、ｙ２、およびｚ２座標から前記加入者ステーションの位置、前記の取得された前記ベクトルの大きさから前記加入者ステーションの速度、および、前記ベクトルの方向から前記加入者ステーションの移動の方向、の推定値を取得することと；
前記ハンドオーバー決定をサポートするために、前記推定値又はそこから引き出された情報を使用することと；
を備える方法。
【請求項２】
前記取得するステップは、
保存された推定値を取り出し、正確であるために十分カレントである場合は、前記取り出された推定値を戻すことと、
前記取り出された推定値が正確であるためには十分にカレントではない場合は、アップデートされた推定値を引き出し、この同じものを戻すことと、
を備える、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記取得するステップは、トリガー事象に応じて実行される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記トリガー事象は、前記加入者ステーションがアンブレラセルのサービスエリア内にある間に前記加入者ステーションのハンドオーバーレートが閾値を超える、という決定を備える、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記トリガー事象は、前記加入者ステーションがアンブレラセルのサービスエリア内にある間に発生するタイムアウト状態である、請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記タイムアウト状態が、前記加入者ステーションが所定期間内にハンドオーバーを経験していないことを示す、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記トリガー事象は規定された再試行状態である、請求項３記載の方法。
【請求項８】
前記取得するステップは、前記加入者ステーションに関連する１以上の推定値を取得することを備える、請求項１記載の方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法を実行するように構成された１以上のエンティティを備えるシステム。
【請求項１０】
無線通信システムにおけるハンドオーバー決定をサポートするシステムであって、
加入者ステーションについての少なくとも４つの到達測定時間を取得するための少なくとも４つの伝送しているソースと、なお、前記少なくとも４つの伝送しているソースは知られた場所を有している；
前記加入者ステーションについての最初のｘ１、ｙ１、およびｚ１座標とネットワーク時間ｔ１を計算するための手段と；
前記加入者ステーションについての次のｘ２、ｙ２、およびｚ２座標とネットワーク時間ｔ２を計算するための手段と；
（ｘ２−ｘ１）／（ｔ２−ｔ１）によってｘ成分、（ｙ２−ｙ１）／（ｔ２−ｔ１）によってｙ成分、（ｚ２−ｚ１）／（ｔ２−ｔ１）によってｚ成分、の速度ベクトルを取得するための手段と；
（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２）の平方根によって前記ベクトルの大きさを取得するための手段と；
前記次のｘ２、ｙ２、およびｚ２座標から前記加入者ステーションの位置、前記の取得された前記ベクトルの大きさから前記加入者ステーションの速度、および、前記ベクトルの方向から前記加入者ステーションの移動の方向、の推定値を取得するための手段と；
を備え、
加入者ステーションの、位置、速度、又は移動の方向、の前記推定値を取得し、そして、前記ハンドオーバー決定をサポートするため、前記推定値またはそこから引き出された情報を使用するように構成された、１以上のエンティティを備える、
システム。
【請求項１１】
保存された推定値を取り出し、正確であるために十分カレントである場合は、この同じものを戻すことにより、又、前記取り出された推定値が正確であるためには十分にはカレントではない場合は、アップデートされた推定値を引き出し、この同じものを戻すことにより、前記加入者ステーションの、位置、速度、又は移動の方向、の前記推定値を取得するように、前記１以上のエンティティが構成されている、請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記１以上のエンティティは、トリガー事象に応じ、加入者ステーションの、位置、速度、又は移動の方向、の前記推定値を取得するように構成されている、請求項１０記載のシステム。
【請求項１３】
前記トリガー事象は、前記加入者ステーションがアンブレラセルのサービスエリア内にある間に前記加入者ステーションの前記ハンドオーバーレートが閾値を超える、という決定を備える、請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
前記トリガー事象は、前記加入者ステーションがアンブレラセルのサービスエリア内にある間に前記加入者ステーションは所定期間内にハンドオーバーを経験していない、ことを示すタイムアウト状態を備える、請求項１２記載のシステム。
【請求項１５】
前記トリガー事象は規定された再試行状態である、請求項１２記載のシステム。
【請求項１６】
前記１以上のエンティティは、前記トリガー事象に応答する前記加入者ステーションを関連づける１以上の推定値を取得する、請求項１２記載のシステム。
【請求項１７】
前記１以上のエンティティは、基地局コントローラとサービングモバイル場所センターとを備える、請求項１０記載のシステム。
【請求項１８】
前記１以上のエンティティは、モバイル交換局とサービングモバイル場所センターとを備える、請求項１０記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
元のディジタル画像から所望のアスペクト比の新しい画像を生成させる方法であって、
（a）所望のアスペクト比のトリミング・ウインドウおよび元のディジタル画像のサイズに関して予め決められたサイズを決定するステップと；
（b）元のディジタル画像中の主要対象物の位置および相対的重要度を示す信頼値のアレイを含む主要対象信頼度マップを取得するステップと；
（c）その主要対象信頼度マップを使用し、予め決められた一群の基準を満たす、元のディジタル画像中におけるトリミング・ウインドウの位置を決定するステップと；
（d）所望のアスペクト比のトリミングされた画像を生成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
上記予め決められた一群の基準が、
最大シーンコンテント指数値（ここで、シーンコンテント指数は、トリミング・ウインドウ内の信頼値の和として定義する）、
それら全体としての最高信頼値の領域、
元のディジタル画像の最上部の画像境界と最高主要対象信頼値の領域との間に予め決められた量のスペースを維持すること、
元のディジタル画像の最上部の画像境界のところで、予め決められた量のオープン・スペースを保持すること、及び
元のディジタル画像の中心に対してトリミング・ウインドウの相対位置に対応した重みを割り当てること
の一つを含む請求項1に記載の方法。
【請求項３】
元のディジタル画像から所望のアスペクト比の新しい画像を生成させる方法であって、前記方法は、
（a）所望のアスペクト比のトリミング・ウインドウおよび元のディジタル画像のサイズに関して予め決められたサイズを決定するステップと；
（b）元のディジタル画像中の主要対象物の位置および相対的重要度を示す信頼値のアレイを含む主要対象信頼度マップを取得するステップと；
（c）その主要対象信頼度マップを使用し、予め決められた一群の基準を満たす、元のディジタル画像中におけるトリミング・ウインドウの位置を決定するステップと；
（d）所望のアスペクト比のトリミングされた画像を生成するステップと
を含んで成り、
前記トリミング・ウインドウの位置を決定するステップが、トリミング・ウインドウのすべての可能な位置を決定するステップをさらに含み、
上記予め決められた一群の基準が、最大シーンコンテント指数値を含み（ここで、シーンコンテント指数は、それぞれの前記位置のトリミング・ウインドウ内の信頼値の和として定義する）、そして
位置を決定するステップ(c)が、
（i）主要対象信頼度マップから統合画像を計算するステップと；
（ii）トリミング・ウインドウの前記シーンコンテント指数を計算するステップと；
（iii）最大対象コンテント指数値を生成するトリミング・ウインドウの位置を選択するステップとを含む。
【請求項４】
（a）所望のアスペクト比のトリミング・ウインドウおよび予め決められたサイズを決定するステップと；
（b）元のディジタル画像中の主要対象物の位置および相対的重要度を示す信頼値のアレイを含む主要対象信頼度マップを取得するステップと；
（c）その主要対象信頼度マップを使用し、予め決められた一群の基準を満たす、元のディジタル画像中におけるトリミング・ウインドウの位置を決定するステップと；
（d）所望のアスペクト比のトリミングされた画像を生成するステップと
を実行するために保存されたコンピュータ・プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を含んで成る、元のディジタル画像から所望のアスペクト比の新しい画像を生成させるためのコンピュータ・プログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラウンと、ソールと、開口部を備えた前壁と、前記開口部と反対の位置に外部凹み部を備えたリボンとを備え、重ねられたプリプレグから成るボディと、
前記開口部内に位置され、金属材料から成り、４０乃至８０グラムの範囲の重量を有する打撃板インサートと、
前記リボンの凹み部内に位置され、３０乃至６０グラムの範囲の重量を有し、金属材料から成る重量部材と、を含むゴルフクラブヘッドであって、
当該ゴルフクラブヘッドは、打撃板の内部表面から１．２７インチ未満に位置する重心を有し、
当該ゴルフクラブヘッドの前記重心を通ってＩｙｙ軸についての慣性モーメントは、２４００グラム−平方センチメートルよりも大きいことを特徴とするゴルフクラブヘッド。
【請求項２】
クラウンと、ソールと、打撃板とを含むゴルフクラブヘッドであって、
当該ゴルフクラブヘッドは、打撃板の内部表面から１．２７インチ未満に位置する重心を有し、
当該ゴルフクラブヘッドの前記重心を通ってＩｙｙ軸についての慣性モーメントは、２４００グラム−平方センチメートルよりも大きいことを特徴とするゴルフクラブヘッド。
【請求項３】
クラウンと、ソールと、開口部を備えた前壁と、前記開口部と反対の位置に外部凹み部を備えたリボンとを備え、重ねられたプリプレグから成るボディと、
前記開口部内に位置され、金属材料から成り、０．０４０乃至０．２５０インチの範囲の均一な厚さを備え、鋼鉄合金材料から成り、４０乃至８０グラムの範囲の重量を有する打撃板インサートと、
前記リボンの凹み部内に位置され、３０乃至６０グラムの範囲の重量を有し、タングステン合金材料から成る重量部材と、を含むゴルフクラブヘッドであって、
当該ゴルフクラブヘッドは、０．８２乃至０．８９の反発係数を有し、
当該ゴルフクラブヘッドは、３６０乃至４５０立方センチメートルの範囲の容積を有し、
当該ゴルフクラブヘッドは、１９０乃至２２５グラムの範囲の重量を有し、
当該ゴルフクラブヘッドの前記重心を通ってＩｚｚ軸についての慣性モーメントは、３０００グラム−平方センチメートルよりも大きく、
当該ゴルフクラブヘッドは、打撃板の内部表面から１．２７インチ未満に位置する重心を有し、
当該ゴルフクラブヘッドの前記重心を通ってＩｙｙ軸についての慣性モーメントは、２５００グラム−平方センチメートルよりも大きいことを特徴とするゴルフクラブヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月6日(2007.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記バルブ要素は前記流路に配置された可撓性ディスクからなる請求項１５に記載のコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記第１のスリットの終点において配置される第２のスリットをさらに備える請求項１５に記載のコネクタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
前記バルブは可撓性部材からなり、該可撓性部材を貫通するスリットにより離間される複数の可動要素を備える請求項２６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の段階を含む、固定組織試料からRNAを単離するための方法：
(a)固定組織試料を、溶解産物を作製するために、タンパク質を消化する時間の間、ポリアニオンおよびプロテアーゼを含む消化緩衝液と接触させる段階；
(b)最大2Mのグアニジニウム濃度を得るために溶解産物にグアニジニウムを添加する段階；ならびに
(c)グアニジニウムを含む溶解産物からRNAを抽出する段階。
【請求項２】
ポリアニオンがポリカルボキシレートを含む、請求項1記載の方法。
【請求項３】
ポリカルボキシレートが、クエン酸ナトリウム、1,4-シクロヘキサンジカルボン酸、1,3,5-シクロヘキサンヘキサカルボン酸、イソクエン酸、およびコハク酸からなる群より選択される、請求項1記載の方法。
【請求項４】
消化緩衝液が、約500 μg/mlのプロテイナーゼKと共に、約5%までのSDS、約200 mM TrisCl、pH 7.5、約200 mM NaCl、および約100 mMまでのクエン酸ナトリウムを含む、請求項1記載の方法。
【請求項５】
消化緩衝液におけるポリアニオンの濃度が約1 mMと約100 mMの間である、請求項1記載の方法。
【請求項６】
消化緩衝液がNaCl、LiCl、またはKClをさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項７】
消化緩衝液におけるプロテアーゼがプロテイナーゼKを含む、請求項1記載の方法。
【請求項８】
消化緩衝液のpHが約7.0と約9.5の間である、請求項1記載の方法。
【請求項９】
固定組織試料および消化緩衝液の比率が、約1グラムの組織/5 ml 消化緩衝液から約1グラムの組織/25 ml 消化緩衝液までである、請求項1記載の方法。
【請求項１０】
接触させる段階が約40℃と約55℃の間の温度である、請求項1記載の方法。
【請求項１１】
グアニジニウムを含む溶解産物からRNAを抽出する段階が以下の段階を含む、請求項1記載の方法：
(d)グアニジニウムを含む溶解産物へアルコール溶液を添加する段階；
(e)アルコールを含む溶解産物を無機物支持体に適用する段階；および
(f)RNAを無機物支持体から溶出溶液で溶出する段階。
【請求項１２】
溶解産物が適用された後、無機物支持体を洗浄する段階をさらに含む、請求項11記載の方法。
【請求項１３】
無機物支持体がガラス繊維フィルターまたはガラス繊維カラムを含む、請求項11記載の方法。
【請求項１４】
溶出溶液がEDTAを含む、請求項11記載の方法。
【請求項１５】
溶出溶液が約80℃と約100℃の間の温度である、請求項11記載の方法。
【請求項１６】
アルコールを含む溶解産物へ1つまたは複数の塩を添加する段階をさらに含む、請求項11記載の方法。
【請求項１７】
ナトリウム塩をグアニジニウムを含む溶解産物へ添加する段階をさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項１８】
RNAが、フェノールを含む溶液を用いて溶解産物から抽出される、請求項1記載の方法。
【請求項１９】
増幅反応を用いて溶解産物から抽出されたRNAの量を定量化する段階をさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項２０】
抽出されたRNAからcDNA分子を生成する段階をさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項２１】
固定組織試料がパラフィンに包埋される、請求項1記載の方法。
【請求項２２】
試料からパラフィンを抽出する段階をさらに含む、請求項21記載の方法。
【請求項２３】
以下の段階を含む、固定組織試料由来の完全長RNAの量を測定するための方法：
(a1)固定組織試料を、溶解産物を作製するために、タンパク質を消化する時間の間、ポリカルボキシレートおよびプロテアーゼを含む消化緩衝液と接触させる段階；
(a2)最大2Mのグアニジニウム濃度を得るために溶解産物にグアニジニウムを添加する段階；ならびに
(b)グアニジニウムを含む溶解産物へアルコール溶液を添加する段階；
(c)アルコールを含む溶解産物を無機物支持体に適用する段階；
(d)完全長RNAを無機物支持体から溶出溶液で溶出する段階；ならびに
(e)溶出されたRNAを増幅する段階。
【請求項２４】
以下のものを含む、固定組織試料から完全長RNAを単離するためのキット：
(a)溶解産物を作製するためのポリカルボキシレートおよびプロテアーゼを含む消化緩衝液；ならびに
(b)ガラス繊維フィルターまたはガラス繊維カラム。
【請求項２５】
消化緩衝液が以下のものを含む、請求項24記載のキット：約5%までのSDS、約200 mM TrisCl、pH 7.5、約200 mM NaCl、約100 mMまでのクエン酸ナトリウム、および約500 μg/mlのプロテイナーゼK。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ロスバスタチンによる処置を必要とするものとして確認されたヒトからの生物学的サンプルを使用し(ここで、該サンプルはＯＡＴＰ−Ｃをコード化する核酸を含む)、
（ｂ）少なくとも１個の対立遺伝子における、配列番号１の１７４位に対応する位置にあるアラニンをコード化するコドンの存在について核酸を試験し、そして
（ｃ）（ｂ）が少なくとも１個の対立遺伝子から見出される場合、細胞へ治療剤を輸送する能力が低下した可能性があるものとしてヒトを診断する
ことを含む診断方法。
【請求項２】
ヒトが一用量レベルのロスバスタチンで処置されており、さらに段階（ｃ）が、細胞へのスタチン輸送能力の低下に起因する利益−危険比の減少についてのモニターを含む別のスタチン高用量レベルへのタイトレーションに適切なものとしてヒトを診断することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ヒトを１日当たり少なくとも５ｍｇのロスバスタチンにより処置している、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ヒトを１日当たり少なくとも１０ｍｇのロスバスタチンにより処置している、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
ヒトを１日当たり少なくとも２０ｍｇのロスバスタチンにより処置している、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
ヒトを１日当たり少なくとも４０ｍｇのロスバスタチンにより処置している、請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
（ａ）ロスバスタチンによる処置を必要とするものとして確認されたヒトからの生物学的サンプルを使用し(ここで、該サンプルはＯＡＴＰ−Ｃポリペプチドを含む)、
（ｂ）配列番号１の１７４位に対応するＯＡＴＰ−Ｃのアミノ酸がバリンであるか否かを測定し、そして
（ｃ）アミノ酸がバリンではない場合、細胞へ治療剤を輸送する能力が低下した可能性があるものとしてヒトを診断する
ことを含む診断方法。
【請求項８】
ヒトが一用量レベルのロスバスタチンで処置されており、さらに段階（ｃ）が、細胞へのスタチン輸送能力の低下に起因する利益−危険比の減少についてのモニターを含む別のスタチン高用量レベルへのタイトレーションに適切なものとしてヒトを診断することを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
１７４位のアミノ酸がアラニンであると決定されている、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
ヒトを１日当たり少なくとも５ｍｇのロスバスタチンにより処置している、請求項７から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ヒトを１日当たり少なくとも１０ｍｇのロスバスタチンにより処置している、請求項７から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ヒトを１日当たり少なくとも２０ｍｇのロスバスタチンにより処置している、請求項７から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
ヒトを１日当たり少なくとも４０ｍｇのロスバスタチンにより処置している、請求項７から９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の一側面によると、最低推奨用量レベルを越えるスタチン用量レベルを必要とする可能性がある患者を同定するかまたは最低推奨用量レベルを超えるスタチン用量レベルへのタイトレーションをモニターするべき患者を同定するインビトロ診断方法であって、ＯＡＴＰ−Ｃポリペプチドおよび／またはそれと連鎖不平衡である多型の１７４位におけるアラニンの存在について患者からの生物学的サンプルを試験することを含む方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
本発明の別の側面によると、スタチンによる処置を必要とする患者の処置方法であって、
ｉ）最低推奨用量レベルを越えるスタチン用量レベルを必要とする可能性がある患者を同定するかまたは最低推奨用量レベルを超えるスタチン用量レベルへのタイトレーションをモニターするべき患者を同定するインビトロ診断方法であって、ＯＡＴＰ−Ｃポリペプチドおよび／またはそれと連鎖不平衡である多型の１７４位におけるアラニンの存在について患者からの生物学的サンプルを試験することを含む方法を使用し、そして
ii）薬剤の有効量を投与する
ことを含む方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
本発明の別の側面は、血管疾患またはその素因を有する患者を処置するための医薬の製造におけるスタチンの使用に関するものであり、最低推奨用量レベルを越えるスタチン用量レベルを必要とする可能性がある患者を同定するかまたは最低推奨用量レベルを超えるスタチン用量レベルへのタイトレーションをモニターするべき患者を同定するインビトロ診断方法であって、ＯＡＴＰ−Ｃポリペプチドおよび／またはそれと連鎖不平衡である多型の１７４位におけるアラニンの存在について患者からの生物学的サンプルを試験することを含む方法により患者を同定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
本発明の別の側面によると、ヒトにおけるＯＡＴＰ−Ｃ遺伝子の評価方法であって、
（ａ）クライアントから、ＯＡＴＰ−Ｃにより輸送され得る治療剤による処置を必要とするヒトのハプロタイプ解析の実施要求を受け、
（ｂ）ヒトの核酸サンプルを受入れ、
（ｃ）サンプルを試験することにより本明細書記載の変異型の存在を測定し、そして
（ｄ）当事者に試験結果を提供し、それによりＯＡＴＰ−Ｃ遺伝子を評価する
ことを含む方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
サンプルの完全コホート（ｎ＝２６７）とＶ１７４単独を考えたとき、Ｖ１７４Ａヘテロ接合体と比べてＶ１７４Ａ ＷＴは、ｐ＝０.０５５のｔ検定値を有する。しかしながら、Ｖ１７４Ｖ ＷＴ対Ｖ１７４Ａ＆ＮＦ１（ａｚ０００５５３７）複合ヘテロ接合体を考える場合、ｔ検定値はｐ＝０.０３２であり、統計的に有意である。これは、ＯＡＴＰＣ ＮＦ１ ＳＮＰがまたロスバスタチンの薬物動態傾向の決定因子であり得ることを示唆している。予備インビトロ機能データは、変異型Ｃ ａｚ０００５５３７対立遺伝子が発現増加と関連しているという仮説を裏付けている。プロモーター多型は、特異な対立遺伝子発現を駆動し得、機能低下ＯＡＴＰＣ対立遺伝子の多大な発現を伴う。