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【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィットネス目標、体重目標及びエネルギー消費目標のうちの少なくとも一つである個人の目標に対してフィードバックを与えるシステムであって、
個人の生理学的パラメータ及びコンテキストパラメータのうちの少なくとも一つであるデータを検知するセンサーと、
センサーと電子通信関係にある処理ユニットとより成り、処理ユニットは、
（i）検知したデータを用いて個人の目標に対する進捗状況に関するデータを発生させ、
（ii）個人の目標に対する進捗状況に関するフィードバックを発生させ、
（iii）フィードバックを与える結果を評価し、
（iv）前記結果の評価に基づき前記フィードバックを適用するように構成されているシステム。
【請求項２】
処理ユニットは、検知したデータからエネルギーバランスを導出するように構成されている請求項１のシステム。
【請求項３】
エネルギーバランスは毎日のカロリー摂取量及びエネルギー消費量から導出される請求項２のシステム。
【請求項４】
処理ユニットは、人間の生理学的パラメータを追跡しその変化を予測するためにエネルギーバランスを使用するように構成されている請求項２のシステム。
【請求項５】
フィードバックは、毎日のカロリー摂取量及びエネルギー消費量相互間の影響より成る請求項３のシステム。
【請求項６】
処理ユニットは、検知したデータから行動パターンを同定し、前記パターンがユーザーの進捗状況に影響を与えるか否かをチェックし、同定した行動パターンに基づいてフィードバックを適用するように構成されており、前記パターンは負、正及び中性の生理学的状態パラメータのうちの１つより成る請求項１のシステム。
【請求項７】
前記パターンは将来的に検討するために記録される請求項６のシステム。
【請求項８】
処理ユニットはさらに、記録されたパターンを分析して、負、正及び中性の生理学的状態パラメータの（ｉ）現在のシーケンス及び（ｉｉ）将来のシーケンスのうちの１つを検知するように構成されている請求項７のシステム。
【請求項９】
記録されたパターンの分析は（ｉ）個人の個人的な履歴から出たデータ及び（ｉｉ）他の個人の集団データのうちの一つに基づく請求項８のシステム。
【請求項１０】
データベースをさらに含む請求項１のシステム。
【請求項１１】
前記データベースは生理学的データのパターンを含む請求項１０のシステム。
【請求項１２】
前記データベースはコンテキストデータのパターンを含む請求項１０のシステム。
【請求項１３】
前記データベースは検知したデータから導出される活動データのパターンを含む請求項１０のシステム。
【請求項１４】
処理ユニットはさらに、データベースのデータを分析してデータパターンを確立するように構成されている請求項１０のシステム。
【請求項１５】
処理ユニットはさらに、システムに対して前記データパターンを記憶するように指示するように構成されている請求項１４のシステム。
【請求項１６】
処理ユニットはさらに、記憶させたデータパターンを検知したデータと比較して検知したデータを同定し別のデータパターンに分類するように構成されている請求項１５のシステム。
【請求項１７】
処理ユニットはさらに、記憶させたデータを検知したデータと比較してかかる検知したデータを記憶させたデータパターンのうちの少なくとも１つに類似するものとして同定し、将来の検知されるデータを予測するように構成されている請求項１５のシステム。
【請求項１８】
処理ユニットはさらに、前記将来検知されるデータの予測に基づき出力を発生するように構成されている請求項１７のシステム。
【請求項１９】
前記出力はアラームである請求項１８のシステム。
【請求項２０】
前記出力はレポートである請求項１８のシステム。
【請求項２１】
出力は他の装置により入力として利用される請求項１８のシステム。
【請求項２２】
処理ユニットはさらに、健康修正プランの初期評価を確立する目的で前記フィードバックを利用するように構成されている請求項１のシステム。
【請求項２３】
処理ユニットはさらに、前記健康修正プランへ向けての進展の中間的状態を評価するために前記フィードバックを利用するように構成されている請求項２２のシステム。
【請求項２４】
前記フィードバックは１つのプランより成る請求項１のシステム。
【請求項２５】
処理ユニットはさらに、前記検知したデータを追跡することにより前記フィードバックを与えた結果を評価するように構成されている請求項１のシステム。
【請求項２６】
処理ユニットはさらに、前記検知したデータからエネルギー消費データを導出するように構成されている請求項１のシステム。
【請求項２７】
処理ユニットはさらに、個人の生理学的パラメータを追跡しその変化を予測するためにエネルギー消費データを使用するように構成されている請求項２６のシステム。
【請求項２８】
睡眠、妊娠、糖尿病、心臓血管病、フィットネス及びストレスのうちの少なくとも一つを管理するために使用する請求項１のシステム。
【請求項２９】
前記センサーは体重計及びブドウ糖計のうちの少なくとも一つより成る請求項１のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
請求項１５の方法において、前記収益における拡大による効果およびリスクにおける縮小による効果の少なくとも１つの予測値を算出するステップは、さらに、ポートフォリオ投資における投資家の収益およびリスクの目標について、少なくとも１の識別された代替資産分類の非流動性の程度によって課される投資における制限に基づき前記予測値を算出するステップ、を備えたこと、
を特徴とするもの。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）前壁（４１０）を有するヘッダ本体（４０２）であって、前記前壁（４１０）が内面（４２２）と外面（４２４）との間に配置される複数の第１の通路および第２の通路（４１６、４１８）を有するヘッダ本体（４０２）と、
（ｂ）前記第１の通路（４１６）に挿入するために構成される複数の導電性ピン（４０４）であって、各導電性ピン（４０４）が前記内面（４２２）から延在する第１の端部（４５２）、前記第１の通路（４１６）に配置される中間部分および前記前壁（４１０）の前記外面（４２４）から延在する第２の端部（４５４）を有する複数の導電性ピン（４０４）と、
（ｃ）前記第２の通路（４１８）に挿入するために構成される複数のシールドブレード（４２８）であって、各シールドブレード（４２８）が前記内面（４２２）から延在する第１の端部（４６２）、前記第２の通路（４１８）に配置される中間部分および前記前壁（４１０）の前記外面（４２４）から延在する第２の端部（４６４）を有する複数のシールドブレード（４２８）と、を備えるヘッダコネクタ（４００）であって、
各導電性ピン（４０４）の前記第２の端部（４５４）は、先端が切り取られており、
前記導電性ピン（４０４）は、前記第１の通路（４１６）に完全に挿入されていないことと、
前記導電性ピン（４０４）は前記ヘッダ本体（４０２）にある間は実質的に静止したままであり、前記ヘッダコネクタ（４００）がプリント回路基板（３４）に組み付けられるとき、前記ヘッダコネクタ（４００）の各導電性ピン（４０４）は、前記第１の通路（４１６）の中で長手方向に可動であることと、を特徴とするヘッダコネクタ（４００）。
【請求項２】
（ａ）複数の表面実装パッド（３６）および複数の導電性バイア（３８）を備えるプリント回路基板（３４）と、
（ｂ）請求項１に記載のヘッダコネクタ（４００）と、
（ｃ）前記ヘッダコネクタ（４００）を前記プリント回路基板（３４）に保持するための手段と、を備え、
前記ヘッダコネクタ（４００）が前記プリント回路基板（３４）に組み付けられるとき、前記ヘッダコネクタ（４００）の各導電性ピン（４０４）は、前記ヘッダ本体（４０２）の前記前壁（４１０）に対して、前記第１の通路（４１６）において長手方向に移動して前記表面実装パッド（３６）に接触し、前記ヘッダコネクタ（４００）の前記シールドブレード（４２８）の前記第２の端部（４６４）は前記プリント回路基板（３４）の前記導電性バイア（３８）と嵌合する相互接続システム。
【請求項３】
（ａ）複数の表面実装パッド（３６）および複数の導電性バイア（３８）を備えるプリント回路基板（３４）を提供するステップと、
（ｂ）請求項１に記載のヘッダコネクタ（４００）を提供するステップと、
（ｃ）前記プリント回路基板（３４）に前記ヘッダコネクタ（４００）を組み付け、前記ヘッダ本体（４０２）の前記シールドブレード（４２８）が前記プリント回路基板（３４）の前記導電性バイア（３８）と嵌合し、前記ヘッダ本体（４０２）の前記導電性ピン（４０４）が前記プリント回路基板（３４）上の前記表面実装パッド（３６）と接触するように長手方向に移動するステップと、を含む相互接続システムの組み付け方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月26日(2007.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルコゲナイド・デバイスであって、
累積状態とグレー・スケール状態とを含む複数の構造状態を有するカルコゲナイド材料と、
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第一端子と、
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第二端子と、
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第三端子と、
を含み、
前記カルコゲナイド材料は、第一構造状態にある第一部分と第二構造状態にある第二部分とを含み、且つ前記第一及び第二構造状態は前記累積状態又は前記グレー・スケール状態の中から選ばれていることを特徴とする、
デバイス。
【請求項２】
カルコゲナイド・デバイスであって、
累積状態とグレー・スケール状態とを含む複数の構造状態を有するカルコゲナイド材料と、
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第一端子と、
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第二端子と、
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第三端子と、
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第四端子と
を含み、
前記カルコゲナイド材料は、第一構造状態にある第一部分と第二構造状態にある第二部分とを含み、且つ前記第一及び第二構造状態は前記累積状態又は前記グレー・スケール状態の中から選ばれていることを特徴とする、
デバイス。
【請求項３】
前記カルコゲナイド材料は、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記カルコゲナイド材料は、更にＧｅ、又はＳｂを含むことを特徴とする、請求項３のデバイス。
【請求項５】
前記カルコゲナイド材料は、更にＡｓ、又はＳｉを含むことを特徴とする、請求項３または４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記カルコゲナイド材料は、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｐ、及びＯから成る群から選ばれた元素を更に含むことを特徴とする、請求項３〜５の何れか一項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記カルコゲナイド材料は、更に遷移金属を含むことを特徴とする、請求項３〜６の何れか一項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記カルコゲナイド材料の前記第一部分の組成が、前記カルコゲナイド材料の前記第二部分の組成と異なることを特徴とする、請求項１〜７の何れか一項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第一構造状態の抵抗が、前記第二構造状態の抵抗と異なることを特徴とする、請求項１〜８の何れか一項に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第一及び第二構造状態は、前記グレー・スケール状態の中から選ばれることを特徴とする、請求項１〜９の何れか一項に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記デバイスは、２ビット又はそれ以上の情報を記憶することを特徴とする、請求項１〜１０の何れか一項に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記ビットは、非２進法ビットであることを特徴とする、請求項１１のデバイス。
【請求項１３】
前記カルコゲナイド材料は、一様でない断面を有する形状を持っていることを特徴とする、請求項１〜１２の何れか一項に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している、一つ又はそれ以上の端子を更に含むことを特徴とする、請求項１〜１３の何れか一項に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記カルコゲナイド材料は、第三構造状態にある第三部分を更に含み、且つ前記第三構造状態は前記累積状態又は前記グレー・スケール状態の中から選ばれていることを特徴とする、請求項１４のデバイス。
【請求項１６】
情報を記憶する方法であって、
カルコゲナイド・デバイスを用意する段階と、
前記カルコゲナイド・デバイスは、
累積状態とグレー・スケール状態とを含む複数の構造状態を有するカルコゲナイド材料と、
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第一端子と、
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第二端子と、
前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第三端子と、
を含み、
前記第一端子と前記第二端子の間に電気エネルギーを供給し、前記電気エネルギーは、前記カルコゲナイド材料の第一部分に、前記第一構造状態から前記第二構造状態のへの構造転移をもたらす段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記カルコゲナイド・デバイスが、前記カルコゲナイド材料と電気的に接続している第四端子を更に含むことを特徴とする、請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記電気エネルギーは、電流パルス又は電圧パルスの形で供給されることを特徴とする、請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第一構造状態と前記第二構造状態は、前記グレー・スケール状態の中から選ばれることを特徴とする、請求項１６〜１８の何れか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記第一構造状態又は前記第二構造状態は、前記カルコゲナイド材料のセット状態であることを特徴とする、請求項１６〜１８何れか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記第一構造状態又は前記第二構造状態は、前記カルコゲナイド材料のリセット状態であることを特徴とする、請求項１６〜１８の何れか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記カルコゲナイド材料の前記第一部分は、前記第三端子と物理的に接触していないことを特徴とする、請求項１６〜２１の何れか一項に記載の方法。
【請求項２３】
構造転移をもたらす前記段階は、カルコゲナイド材料の前記第一部分における導電性フィラメントの生成を含むことを特徴とする、請求項１６〜２２の何れか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記導電性フィラメントは、前記第一端子から前記第二端子まで達していることを特徴とする、請求項２３の方法。
【請求項２５】
前記導電性フィラメントは、前記第三端子まで達していないことを特徴とする、請求項２４の方法。
【請求項２６】
前記第二端子と前記第三端子の間に電気エネルギーを供給する段階を更に含み、前記電気エネルギーは、前記第一構造状態から前記第二構造状態へと、前記カルコゲナイド材料の第二部分の構造転移をもたらすことを特徴とする、請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項２７】
前記カルコゲナイド材料の前記第二部分に構造転移をもたらす前記段階は、前記カルコゲナイド材料の前記第二部分における導電性フィラメントの生成を含むことを特徴とする、請求項２６の方法。
【請求項２８】
前記導電性フィラメントは、前記第二端子から前記第三端子まで達していることを特徴とする、請求項２７の方法。
【請求項２９】
前記導電性フィラメントは、前記第一端子まで達していないことを特徴とする、請求項２８の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月31日(2007.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路のトランジスタにおける金属ゲート構造（１０００）であって、  実質的に金属および金属化合物の少なくとも一方から成る第１の層（７００）であって、基板（２４０）の半導体領域に形成されたトランジスタ・チャネル領域に接触しているゲート誘電体（７５０）に接触し、カルボニルを含有する前駆物質を用いて堆積される、第１の層（７００）と、  前記第１の層（７００）の上にある拡散バリア層（８００）と、  実質的に金属および金属化合物の少なくとも一方から成り、フッ素を含有する前駆物質を用いて堆積され、前記拡散バリア層（８００）の上にある第２の層（９００）と、を含み、前記第１の層および第２の層（７００、９００）ならびに前記拡散バリア層（８００）が、１対の誘電体スペーサ（４００）間の開口（６００）内に配置されている、金属ゲート構造。    
【請求項２】
前記第１の層（７００）が、イリジウム（Ｉｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、白金（Ｐｔ）、レニウム（Ｒｅ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタル・シリコン窒化物（ＴａＳｉＮ）、タングステン（Ｗ）、およびバナジウム（Ｖ）から成る群から選択された少なくとも１つの材料から成り、前記第２の層（９００）が、イリジウム（Ｉｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、白金（Ｐｔ）、レニウム（Ｒｅ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタル・シリコン窒化物（ＴａＳｉＮ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）、Ｎｉシリサイド、Ｃｏシリサイド、およびＴｉシリサイドから成る群から選択された少なくとも１つの材料から成る、請求項１に記載の金属ゲート構造。    
【請求項３】
前記第１および第２の層（７００、９００）が実質的にタングステンから成る、請求項１に記載の金属ゲート構造。    
【請求項４】
前記第１の層（７００）および前記第２の層（９００）の少なくとも一方が、前記金属ゲート構造を所望の仕事関数に調整するための不純物濃度を有する、請求項１に記載の金属ゲート構造。    
【請求項５】
前記第１の層（７００）が前記第２の層（９００）よりも薄く、前記第１の層（７００）が２ｎｍから２０ｎｍの間の厚さを有する、請求項１に記載の金属ゲート構造。    
【請求項６】
前記拡散バリア層（８００）が、チタンの窒化物、ハフニウムの窒化物、およびジルコニウムの窒化物の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の金属ゲート構造。    
【請求項７】
前記拡散バリア層（８００）が実質的に窒化チタンから成る、請求項７に記載の金属ゲート構造。    
【請求項８】
前記ゲート誘電体（７５０）が酸化物からなる、請求項１に記載の金属ゲート構造。    
【請求項９】
前記ゲート誘電体（７５０）が前記半導体領域の半導体材料の酸化物からなる、請求項８に記載の金属ゲート構造。    
【請求項１０】
前記半導体領域がシリコンを含む単結晶領域であり、前記ゲート誘電体が二酸化シリコンから成る、請求項９に記載の金属ゲート構造。    
【請求項１１】
前記基板（２４０）が、バルク半導体基板、セミコンダクタ・オン・インシュレータ基板、シリコン・オン・インシュレータ基板、シリコン−ゲルマニウム基板、およびゲルマニウム基板から成る群から選択される、請求項１に記載の金属ゲート構造。    
【請求項１２】
前記半導体領域が、多結晶シリコンおよびアモルファス・シリコンから成る群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１に記載の金属ゲート構造。    
【請求項１３】
前記誘電体スペーサ（４００）が、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、金属酸化物、シリケート、およびこれらの混合物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１に記載の金属ゲート構造。    
【請求項１４】
請求項１に記載の金属ゲートを形成する方法であって、  基板（２４０）の半導体領域上にエッチ・ストップ層（２５０）を形成するステップと、  前記エッチ・ストップ層（２５０）上に犠牲ゲート（２６０）を形成し、これによって犠牲ゲート構造（３００）を形成するステップと、  前記犠牲ゲート構造（３００）の側壁上に１対の誘電体スペーサ（４００）を設けるステップと、  前記基板（２４０）上に、前記犠牲ゲート（２６０）の上部に対してほぼ平面的な上面を有する誘電体層（５００）を形成するステップと、  前記犠牲ゲート（２６０）を除去して前記スペーサ（４００）間に開口（６００）を形成するステップと、  前記開口（６００）の下部から前記エッチ・ストップ層（２５０）を除去するステップと、  前記開口（６００）内で前記半導体領域上にゲート誘電体（７５０）を形成するステップと、  前記開口（６００）内に、前記ゲート誘電体（７５０）および前記スペーサ（４００）の側壁に接触させて、金属および金属化合物の少なくとも一方から成る第１の層（７００）を堆積するステップと、  前記開口（６００）内で前記第１の層（７００）上に拡散バリア層（８００）を形成するステップと、  前記開口（６００）内で前記拡散バリア層（８０）上に金属および金属化合物の少なくとも一方から成る第２の層（９００）を堆積するステップと、を含み、前記第１の層（７００）がカルボニルを含有する前駆物質を用いて堆積され、前記第２の層（９００）がフッ素を含有する前駆物質を用いて堆積される、方法。        
【請求項１５】
前記ゲート誘電体（７５０）が熱成長によって形成される、請求項１４に記載の方法。    
【請求項１６】
前記第１の層（７００）がＷ（ＣＯ）６前駆物質を用いて堆積され、前記第２の層（９００）がＷＦ６前駆物質を用いて堆積される、請求項１４に記載の方法。    
【請求項１７】
前記犠牲ゲート（２６０）がポリシリコンを含み、前記エッチ・ストップ層（２５０）が実質的に酸化物層から成る、請求項１４に記載の方法。    
【請求項１８】
前記拡散バリア層（８００）を形成する前に、接着材料層を堆積するステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。    
【請求項１９】
前記拡散バリア層（８００）が実質的に窒化チタン（ＴｉＮ）から成り、前記接着材料層が実質的にチタン（Ｔｉ）から成る、請求項１８に記載の方法。    
【請求項２０】
前記犠牲ゲート（２６０）および前記エッチ・ストップ層（２５０）がエッチングによって除去される、請求項１４に記載の方法。  
【請求項２１】
前記第１の層（７００）が化学的気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス、および物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスのうちのいずれかを用いて堆積される、請求項１４に記載の方法。    
【請求項２２】
前記第２の層（９００）が化学的気相堆積（ＣＶＤ）プロセスを用いて堆積され、前記第２の層を形成する前に、前記拡散バリア層（８００）を４００℃から６００℃の間の範囲の温度でアニーリングするステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。    
【請求項２３】
前記金属ゲート（１０００）を前記誘電体層（５００）のレベルまで化学機械的研磨によって平坦化するステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月31日(2007.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の色の光を放出する安定化型OLEDデバイスであって：
a)  金属アノード、及び該金属アノードから間隔を置いて配置された金属カソードと、
b)  該アノードと該カソードとの間に配置された、ホストと、該特定の色の光を含むスペクトルを有する光を生成するように選択されたドーパントとを含む発光層と、
c)  該発光層の発光スペクトルとは異なる発光スペクトルを有する、該OLEDデバイスの有効寿命を改善する、該デバイス層のうちの1つに設けられた安定剤と、
を含み、
d)  電極層のうちの一方が半透明であり、他方が実質的に不透明且つ反射性であって、該安定化型OLEDデバイスが、該特定の色を有する狭帯域光を放出するマイクロキャビティを形成するようになっている、
安定化型OLEDデバイス。
【請求項２】
該半透明の電極層のための材料が、AgもしくはAu又はこれらの合金を含む、請求項1に記載のOLEDデバイス。
【請求項３】
色変換型OLEDデバイスであって：
a)  金属アノード、及び該金属アノードから間隔を置いて配置された金属カソードと、
b)  該アノードと該カソードとの間に配置された、ホストと、青色光を生成するように選択されたドーパントとを含む発光層と、
c)  該発光層の発光スペクトルとは異なる発光スペクトルを有する、該OLEDデバイスの有効寿命を改善する、該デバイス層のうちの1つに設けられた安定剤と； 
d)  該青色光に応答することにより異なる色の光を再放出する蛍光材料を含む色変換層と
を含む、色変換型OLEDデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月9日(2007.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスに１つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成する方法であって、反射防止材のエッチング中に、造形部分の少なくとも１つの微小寸法を縮小するステップを含み、前記反射防止材は、Ｍが金属、Ｘが無機成分からなるものとして、Ｍ：炭素：水素：Ｘという構造式を持つ、方法。
【請求項２】
前記反射防止材のエッチングが、プラズマによるポリマーの堆積を伴う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反射防止材が、１つまたはそれ以上の無機部分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｍが、シリコン、チタン、ゲルマニウム、鉄、ホウ素、スズ、及び、前記金属の少なくとも１つを有する組合せにより構成される群から選択された金属からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｘが、酸素、水素、窒素、及び、前記無機成分の少なくとも１つを有する組合せにより構成される群から選択された無機成分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記反射防止材が、シリコン：炭素：水素：酸素という構造式を持つ、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記反射防止材が、調整可能な耐エッチング性反射防止膜を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記反射防止材がスピン塗布処理を用いて基板の上に堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記反射防止材がプラズマ助長化学気相成長法を用いて基板の上に堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
１つまたはそれ以上の前記無機部分の量を変えることにより、前記造形部分の所望の縮小された微小寸法が得られるようにする、請求項３に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポリマーの堆積が、１つまたはそれ以上のポリマー層の堆積を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
前記各造形部分が、コンタクト・ホール、バイア・パターン、線、スペース、楕円、及び、前記造形部分の少なくとも１つを有する組合せにより構成される群から選択された造形部分からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
特定の前記造形部分のいずれについても、造形部分の微小寸法が５０ナノメートルまで縮小される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも１種類のフッ化炭素ガスと、アルゴンガスと、酸素ガスと、窒素ガスと、を含むプラズマ・エッチングを用いて前記反射防止材がエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
フッ化炭素ガス、アルゴンガス、酸素ガス、及び窒素ガスのうちの１つまたはそれ以上の量を変えることにより、１つまたはそれ以上の前記造形部分の所望の縮小された微小寸法が得られるようにする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ポリマーの堆積が、１０ナノメートルから５００ナノメートルまでの厚さを有する１つまたはそれ以上のポリマー層の堆積を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１７】
前記反射防止材の上に放射線感応性画像形成層を形成するステップをさらに含み、前記放射線感応性画像形成層が前記反射防止材とは異なる組成を持つ、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記放射線感応性画像形成層が１つまたはそれ以上の有機部分を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
基板の上に反射防止材を堆積するステップと、
基板のエッチング中に、１つまたはそれ以上の造形部分の少なくとも１つの微小寸法を縮小するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記反射防止材が、誘電体材料からなる基板の上に堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
フルオロケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス及びホウリンケイ酸塩ガラスの少なくとも１つを有する組合せにより構成される群から選択された酸化物材料を含む基板の上に、反射防止材が堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
リソグラフィ構造であって、パターン形成された造形部分を有する反射防止材を含み、前記反射防止材は、Ｍが金属、Ｘが無機成分からなるものとして、Ｍ：炭素：水素：Ｘという構造式を持ち、前記造形部分が少なくとも１つの減少された微小寸法を有するリソグラフィ構造。
【請求項２３】
前記反射防止材が基板の上に堆積され、前記基板がパターン形成された造形部分を有し、前記造形部分が少なくとも１つの縮小された微小寸法を有する、請求項２２に記載のリソグラフィ構造。
【請求項２４】
半導体デバイスに１つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成する方法であって、反射防止材のエッチング中に、１つまたはそれ以上の造形部分の少なくとも１つまたはそれ以上の微小寸法を縮小するステップを含み、前記反射防止材は、Ｍが金属、Ｘが無機成分からなるものとして、Ｍ：炭素：水素：Ｘという構造式を持ち、１つまたはそれ以上の前記微小寸法が、パターン形成の際に得られる１つまたはそれ以上の造形部分特有の寸法からなる方法。
【請求項２５】
前記無機成分の量を変えることにより、１つまたはそれ以上の前記造形部分の所望の縮小された微小寸法が得られるようにする、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の各種実施形態に用いてもよい発光装置１５０、封入剤１６０およびレンズ１７０の実施形態は、本願と同時出願であって、本願の譲受人に譲渡されたNegleyらへの米国特許出願第１０/６５９，２４０号、名称「Transmissive Optical Elements Including Transparent Plastic Shell Having a Phosphor Dispersed Therein, and Methods of Fabricating Same」、（代理人番号５３０８−３１０）に記述されており、その開示は充分に説明されるように、全体として参照により本明細書に組み込まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムのための方法であって、
ＢＣＭＣＳが、セクタにおいて使用可能でないこと、
ＢＣＭＣＳは、前記セクタにおいて使用可能であり、移動局が前記セクタにおいて使用可能なＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤに関する情報を判断する周波数およびページングチャネルを示すこと、
前記セクタにおいて使用可能なＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤのリストを与え、特定のＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤに関する情報が得られる周波数およびページングチャネルを示すこと、および、
前記セクタにおいて使用可能なＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤのリストを与え、移動局が特定のＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤを監視することを可能にする情報を与えることの中の少なくとも１つを示すことによって、各ページングチャネル上の各周波数上で、セクタにおけるＢＣＭＣＳの使用可能性に関する情報を伝送することを含む方法。
【請求項２】
セクタにおけるＢＣＭＣＳに関する使用可能性に関する情報が、ＢＳＰＭに含まれていないＢＣＭＣＳ ＩＮＤを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
ＢＣＭＣＳ ＩＮＤが、２ビットから成る請求項２記載の方法。
【請求項４】
使用可能なＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤのリストが、ＢＳＰＭに含まれている請求項１記載の方法。
【請求項５】
ＢＳＰＭが、前記セクタにおいて使用可能な全ＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤをリストしているかどうかを示すＢＳＰＭ ＢＣＭＣＳ ＩＮＤを含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
ＢＳＰＭ ＢＣＭＣＳ ＩＮＤが、１ビットから成る請求項２記載の方法。
【請求項７】
放送通信システムにおける信号送信方法であって、各ページングチャネル上の各周波数上で、セクタにおけるＢＣＭＣＳの使用可能性を示すＢＣＭＣＳ ＩＮＤを伝送することを含み、ＢＣＭＣＳ ＩＮＤがＢＳＰＭに含まれていない信号送信方法。
【請求項８】
ＢＣＭＣＳ ＩＮＤが、
ＢＣＭＣＳが、セクタにおいて使用可能でないこと、
ＢＣＭＣＳが、セクタにおいて使用可能であり、移動局が、前記セクタにおいて使用可能なＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤに関する情報のためにＢＣＭＣＳ ＦＲＥＱ／ＢＣＭＣＳ ＰＡＧＥＣＨに行かなければならないこと、および、
ＢＣＭＣＳが、セクタにおいて使用可能であり、ＢＳＰＭが、各周波数の各ページングチャネル上で伝送されることの少なくとも１つを示す請求項７記載の信号送信方法。
【請求項９】
ＢＳＰＭが、セクタにおいて使用可能なＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤのリストを含み、ＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤを得るための情報をもつ周波数およびページングチャネルを示す請求項８記載の信号送信方法。
【請求項１０】
ＢＳＰＭが、前記セクタにおいて使用可能なＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤのリストと、移動局が特定のＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤを監視することを可能にする情報とを含む請求項８記載の信号送信方法。
【請求項１１】
ＢＳＰＭが、前記セクタにおいて使用可能な全ＢＣＭＣＳ ＦＬＯＷ ＩＤをリストしているかどうかを示すＢＳＰＭ ＢＣＭＣＳ ＩＮＤを含む請求項８記載の信号送信方法。
【請求項１２】
ＢＳＰＭ ＢＣＭＣＳ ＩＮＤが、１ビットから成る請求項１１記載の信号送信方法。
【請求項１３】
ＢＣＭＣＳ ＩＮＤが、２ビットから成る請求項７記載の信号送信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数の活性半導体層と、
前記複数の活性層との電気的コンタクトで形成されたソースコンタクトと、
前記複数の活性層との電気的コンタクトで同様に形成されたドレインコンタクトであって、前記複数の活性層の最上部の上の前記ソースコンタクトと前記ドレインコンタクトとの間にスペースがあるドレインコンタクトと、
前記ソースコンタクトと前記ドレインコンタクトとの間の前記複数の活性層の前記最上部との電気的コンタクトで形成されたゲートと、
前記ゲートと前記ドレインコンタクトとの間の前記複数の活性層の最上部の少なくとも一部の表面に形成されたスペーサ層と、
前記スペーサ層の上に形成され、前記ゲートと電気的に接続されているフィールドプレートと
を備えることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
前記スペーサ層は前記ゲートを少なくとも部分的に覆い、前記フィールドプレートは少なくとも部分的に前記ゲートとオーバーラップし、前記スペーサ層の上を前記ドレインコンタクトに向かって延びていることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記ゲートとフィールドプレートとの間をスペーサ層を通って走っている１つまたは複数の導電性ビアをさらに備え、前記ビアは前記フィールドプレートに前記ゲートとの電気的接続を提供することを特徴とする請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記フィールドプレートと前記ゲートとの間の１つまたは複数の導電性経路をさらに備え、前記経路のそれぞれは前記スペーサ層の外を走り、前記フィールドプレートに前記ゲートとの電気的接続を提供することを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記フィールドプレートは、前記ゲートの一部として前記スペーサ層の上に形成され、前記スペーサ層の上を前記ドレインコンタクトに向かって延びていることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記スペーサ層は、前記ゲートと前記ドレインコンタクトとの間にステップ配置の複数のスペーサ層を備えることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記フィールドプレートは、前記スペーサ層ステップ配置の上に形成されて複数のフィールドプレートの部分を形成し、各部分は各部分と前記複数の活性層の最上部との間の距離が異なることを特徴とする請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項８】
ガリウム窒化物ベースの高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を備えることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
シリコンカーバイドベースの金属半導体接合ＦＥＴ（ＭＥＳＦＥＴ）を備え、前記複数の活性層は、少なくとも前記基板の上のバッファ層および前記バッファ層の上のチャネル層を備え、前期チャネル層は前記複数の活性層の最上部であることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
前記ゲートはガンマ型であることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2007505501.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月4日(2007.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＧｅオンインシュレータ基板材料を製作する方法であって、
正孔を多く含む領域が中に形成されたＳｉ含有基板、および前記Ｓｉ含有基板の上のＧｅ含有層を備える構造を提供するステップであって、当該ステップは、
（i）初期Ｓｉ含有基板上でｐ型を多く含むエピタキシャル層を成長させ、前記ｐ型を多く含むエピタキシャル層の上に単結晶Ｓｉ含有層を形成し、前記単結晶Ｓｉ含有層上に前記Ｇｅ含有層を形成すること、
（ii）初期単結晶Ｓｉ含有基板にｐ型ドーパントをイオン注入し、次いで、前記基板上に前記Ｇｅ含有層を形成すること、および
（iii）初期単結晶Ｓｉ含有基板上に前記Ｇｅ含有層を形成し、次いで、前記基板にｐ型ドーパントを注入して正孔を多く含む前記領域を形成すること、のいずれか１つを含み、
さらに、正孔を多く含む前記領域を多孔質領域に転換するステップと、
実質的に緩和したＳｉＧｅオンインシュレータ材料を提供するために、酸素含有環境で前記多孔質領域を含む前記構造をアニールするステップを含む、方法。
【請求項２】
前記ｐ型ドーパントは、Ｇａ、Ａｌ、Ｂ、またはＢＦ２である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ｐ型ドーパントはＢ（ボロン）であり、前記Ｂは、１００ｋｅＶ〜５００ｋｅＶのエネルギー、かつ、５×１０１５原子／ｃｍ２〜５×１０１６原子／ｃｍ２のドーズで注入される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ｐ型ドーパントはＢＦ２であり、前記ＢＦ２は、５００ｋｅＶ〜２５００ｋｅＶのエネルギー、かつ、５×１０１５原子／ｃｍ２〜５×１０１６原子／ｃｍ２のドーズで注入される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
正孔を多く含む前記領域のｐ型ドーパント濃度は、１×１０１９原子／ｃｍ３であるか、またはそれよりも高い、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
正孔を多く含む前記領域のｐ型ドーパント濃度は、１×１０２０原子／ｃｍ３〜５×１０２０原子／ｃｍ３である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記転換するステップの前に、活性化のためのアニール・ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記アニール・ステップは、熱処理炉によるアニール、急速熱アニール、およびスパイク・アニールからなる群から選択される、請求項１または７に記載の方法。
【請求項９】
前記アニール・ステップは熱処理炉によるアニール・ステップであり、前記熱処理炉によるアニール・ステップは、不活性ガス雰囲気または酸化環境あるいはその組合せの存在下で、６００℃またはそれよりも高い温度で１５分またはそれよりも長く実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記アニール・ステップは急速熱アニール（ＲＴＡ）ステップであり、前記ＲＴＡステップは、不活性ガス雰囲気または酸化雰囲気あるいはその組合せの存在下で、８００℃またはそれよりも高い温度で５分またはそれよりも短く実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記アニール・ステップはスパイク・アニール・ステップであり、前記スパイク・アニール・ステップは、不活性ガス雰囲気または酸化雰囲気あるいはその組合せの存在下で、９００℃またはそれよりも高い温度で１秒またはそれよりも短く実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記転換ステップは、電解陽極化プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記陽極化プロセスは、ＨＦ含有溶液の存在下で実施される、請求項１２に記載の方法
【請求項１４】
前記陽極化プロセスは、０．０５〜５０ミリアンペア／ｃｍ２の電流密度で動作する定電流源を使用して実施される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記多孔質領域の多孔率は１％であるか、またはそれよりも高い、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記転換ステップの後、前記アニール・ステップの前に、前記Ｇｅ含有層の上にキャップ層を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記キャップ層はＳｉ材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記酸素含有環境はさらに、不活性ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記酸素含有環境は、Ｏ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、オゾン、および空気からなる群から選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記アニールは、６５０℃〜１３５０℃の温度で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記アニールにより、前記実質的に緩和したＳｉＧｅオンインシュレータ材料の上に表面酸化物が形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記ＳｉＧｅオンインシュレータ材料は熱酸化物である、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記実質的に緩和したＳｉＧｅオンインシュレータ材料の上にＳｉ層を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
正孔を多く含む前記領域は離散アイランドを含み、前記実質的に緩和したＳｉＧｅオンインシュレータ材料は、熱酸化物の離散アイランドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記提供するステップ、転換するステップ、およびアニール・ステップを任意の回数繰り返して、多層ＳｉＧｅオンインシュレータ材料を提供することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
ＳｉＧｅオンインシュレータ基板材料を製作する方法であって、
高濃度のｐ型ドーパントの領域が中に形成されたＳｉ含有基板、および前記Ｓｉ含有基板の上のＧｅ含有層を備える構造を提供するステップと、
ＨＦ含有溶液を使用する陽極化プロセスを利用して、前記ｐ型ドーパントの領域を多孔質領域に転換するステップと、
実質的に緩和したＳｉＧｅオンインシュレータ材料を提供するために、前記多孔質領域を含む前記構造を酸化するステップとを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変フィルタのカットオフ周波数が固定されているとき、制御信号に応答してＱが制御される、入力信号を受信して出力信号を出力する可変フィルタと、
選択した帯域における入力信号レベルを表す上記出力信号の信号レベルを検出し、その検出した信号レベルに応答して上記制御信号を発生するように構成され、上記制御信号の大きさは選択された上記帯域内での上記出力信号の振幅の関数である制御回路と
を備えるオーディオ処理装置。
【請求項２】
上記制御回路は、上記可変フィルタのＱと上記検出した信号レベルとの間に反比例関係を作り出すように構成されている請求項１に記載のオーディオ処理装置。
【請求項３】
上記可変フィルタが、入力データストリームを受信して、フィルタリングした出力データストリームを出力するデジタルフィルタを含み、上記制御信号が制御変数を含む請求項１に記載のオーディオ処理装置。
【請求項４】
上記制御回路が、上記選択した帯域を通過するように構成されたローパスフィルタを含む請求項１に記載のオーディオ処理装置。
【請求項５】
上記制御回路が、上記選択した帯域における信号レベルを検出して、上記制御信号の時定数を決めるように構成された検出器を更に含む請求項１に記載のオーディオ処理装置。
【請求項６】
入力信号を受信して、フィルタリングした出力信号を出力し、可変フィルタのカットオフ周波数が固定されているとき、制御信号に応答して制御されるＱを有する可変フィルタと、
上記出力信号の帯域を選択するためのローパスフィルタと、
上記ローパスフィルタによって選択された帯域における信号レベルを検出して、その検出した信号レベルに応答して上記制御信号を発生するための検出器とを備え、
上記可変フィルタは、制御信号に応じ、上記入力信号の低域周波数帯域を増幅するように構成されている可変利得素子をさらに備え、
上記制御信号の大きさは選択された上記帯域内での上記出力信号の振幅の関数である
オーディオ処理装置。
【請求項７】
上記可変フィルタが、制御されたバンドパス信号を供給するために上記制御信号に応答する可変利得素子と直列の固定バンドパスフィルタと、その制御されたバンドパス信号と上記入力信号とを組み合わせて、フィルタリングした出力信号を出力するための加算器とを含む請求項６に記載のオーディオ処理装置。
【請求項８】
上記可変フィルタが、入力データストリームを受信して、フィルタリングした出力データストリームを供給するデジタルフィルタを含み、
上記デジタルフィルタが、上記デジタルフィルタのＱと上記検出した信号レベルとの間に所望の関係を作り出すためにルックアップテーブルを有する請求項６に記載のオーディオ処理装置。
【請求項９】
入力信号を可変フィルタでフィルタリングして、フィルタリングした出力信号を供給し、ここで、上記可変フィルタは、可変フィルタのカットオフ周波数が固定されているとき、制御信号に応答して制御されるQを有し、
選択した帯域における入力信号レベルを表す信号レベルを検出して、その検出した信号レベルを供給し、
上記検出した信号レベルに応答して上記入力信号の低域周波数帯域を増幅する
ことを含むオーディオ処理方法。
【請求項１０】
上記入力信号のフィルタリングが、デジタル状態可変ハイパスフィルタを用いて入力データストリームをフィルタリングし、そのフィルタリングした出力データストリームを供給することを含み、
上記可変フィルタのＱの制御が、上記検出した信号レベルに応答してルックアップテーブルの制御値にアクセスすることを含む請求項９に記載のオーディオ処理方法。
【請求項１１】
可変フィルタのカットオフ周波数が固定されているとき、制御信号に応答してＱが制御される、入力データストリームを受信して、フィルタリングした出力データストリームを出力する状態可変デジタルハイパスフィルタと、
上記出力データストリームの帯域を選択するためのデジタル帯域選択フィルタと、
上記デジタル帯域選択フィルタによって選択された上記帯域における信号レベルを検出し、その検出した信号レベルに応答して制御変数を発生する検出器アルゴリズムとを備え、
上記状態可変デジタルハイパスフィルタは、当該状態可変デジタルハイパスフィルタのＱと上記検出した信号レベルとの間に所望の関係を作り出すためのルックアップテーブルを有するオーディオ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定動作領域の外にある装置上では動作できないアプリケーションを無許可操作されないように保護する保護システムを操作する方法であって、
前記所定動作領域を識別する地理的識別子と前記アプリケーションとを関連付けることと、
前記の関連付けの後に、前記アプリケーション及び前記地理的識別子を前記装置にダウンロードすることと、
前記装置上で前記アプリケーションを実行する、前記地理的識別子を含んだリクエストを受け取ることと、
装置位置を決定することと、
前記装置位置と前記地理的識別子により識別された前記所定動作領域とを比較することと、
前記デバイスが前記所定動作領域内にあれば、前記アプリケーションの実行を可能とする許可コード送ることと、
前記装置が前記所定動作領域の外にある時に前記アプリケーションを実行しないように防ぐことと、
を備え、
前記保護システムは前記地理的識別子についてのデジタル署名を生成する、
保護システムを操作する方法。
【請求項２】
前記の防ぐステップは、前記アプリケーションがサーバー上の情報にアクセスしないように防ぐことを備える、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記装置は無線装置である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
所定動作領域の外にある装置上では動作できないアプリケーションを無許可操作されないように保護するように動作する機器であって、
前記アプリケーションと前記所定動作領域を識別する地理的インジケータとを関連付けるように動作する地理的データベースと、なお、前記地理的データベースの中に含まれるロジックは前記地理的インジケータについてのデジタル署名を生成する；
前記装置が前記所定動作領域の外にあるかどうかを決定するために装置位置を前記地理的インジケータによって識別された前記所定動作領域と照合するように動作する処理ロジックと、なお、前記装置が前記所定動作領域の外にあれば前記アプリケーションは動作しないように防止され、更に、前記デバイスが前記所定動作領域内にあれば、許可コードが、前記アプリケーションが動作することを可能とするように生成される；
を備える機器。
【請求項５】
前記アプリケーションと前記地理的インジケータとを前記装置に伝送する伝送ロジックを更に備える、請求項４記載の機器。
【請求項６】
前記地理的識別子を含む前記アプリケーションから通信を受信する受信ロジックを更に備える、請求項４記載の機器。
【請求項７】
前記装置は無線装置である、請求項４記載の機器。
【請求項８】
所定動作領域の外にある装置上では動作できないアプリケーションを無許可操作されないように保護するように動作する機器であって、
前記アプリケーションと前記所定動作領域を識別する地理的インジケータとを関連付ける手段と、
装置位置を前記地理的インジケータによって識別された前記所定動作領域と照合する手段と、
前記装置が前記所定動作領域の外にあるかどうかを決定する手段と、
前記デバイスが前記所定動作領域内にあれば、前記アプリケーションの実行を可能とする許可コードを送る手段と、
前記装置が前記所定動作領域の外にあれば前記アプリケーションが動作しないように防止する手段と、
を備え、
デジタル署名が前記地理的インジケータについて生成される、
機器。
【請求項９】
前記アプリケーションと前記地理的インジケータとを前記装置に伝送する手段を更に備える、請求項８記載の機器。
【請求項１０】
前記地理的識別子を含む前記アプリケーションから通信を受信する手段を更に備える、請求項８記載の機器。
【請求項１１】
前記装置は無線装置である、請求項８に記載の機器。
【請求項１２】
保護システムにおけるプロセッサによって実行される時に、所定動作領域の外にある装置上では動作できないアプリケーションを無許可操作されないように保護するように動作する、インストラクションを備えるコンピュータ可読媒体であって、
前記アプリケーションと前記所定動作領域を識別する地理的インジケータとを関連付けるためのインストラクションと、
装置位置を前記地理的インジケータによって識別された前記所定動作領域と照合するためのインストラクションと、
前記装置が前記所定動作領域の外にあるかどうかを決定するためのインストラクションと、
前記デバイスが前記所定動作領域内にあれば、前記アプリケーションの実行を可能とする許可コードを送るためのインストラクションと、
前記装置が前記所定動作領域の外にある場合は前記アプリケーションが動作しないように防止するためのインストラクションと、
を備え、
デジタル署名が前記地理的インジケータについて生成される、
コンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
前記アプリケーションと前記地理的インジケータとを前記装置に伝送するためのインストラクションを更に備える、請求項１２記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
前記地理的識別子を含む前記アプリケーションから通信を受信するためのインストラクションを更に備える、請求項１２記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
前記装置は無線装置である、請求項１２記載のコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月27日(2007.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサ内の光センシング領域から電荷結合デバイスへ電荷を転送する方法であって、
（ａ）光生成電荷を収集する光センシング領域と、電荷結合デバイス領域と、それらの間にある転送領域とを含む複数の画素を提供するステップと、
（ｂ）前記電荷結合デバイスにバリアを提供して、前記電荷の前記電荷結合デバイスを通った前記転送を生じさせるステップと、
（ｃ）前記電荷結合デバイスよりも低いバリアを有する前記転送領域を提供して、前記電荷結合デバイス内の過剰な電荷を前記光センシング領域に流すステップと、
を包含する、方法。
【請求項２】
（ｄ）第１のイメージを読み出すステップ、をさらに包含し、
ステップ（ｄ）が、
（ｄ１）前記転送領域の前記バリアを下げて、前記光センシング領域から前記電荷結合デバイスへの電荷の前記転送を生じさせるステップと、
（ｄ２）前記転送領域の前記バリアを上げて、前記電荷結合デバイスの過剰な電荷が前記光センシング領域に流れることを許容するステップと、
（ｄ３）前記電荷結合デバイス内の前記バリアと一つ又はそれ以上の付加的なバリアとを交互に上下して、前記イメージを読み出すステップと、
をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
イメージセンサ内の光センシング領域から電荷結合デバイスへ電荷を転送するカメラであって、
（ａ）光生成電荷を収集する光センシング領域と、電荷結合デバイス領域と、それらの間にある転送領域とを含む複数の画素と、
（ｂ）前記電荷の前記電荷結合デバイスを通った前記転送を生じさせる前記電荷結合デバイス内のバリアと、
を備えており、
前記転送領域は、前記電荷結合デバイスよりも低いバリアを含み、前記電荷結合デバイス内の過剰な電荷を前記光センシング領域に流す、カメラ。