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【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つ以上の固体の誘電体物質からなる本体を設け、前記本体へエネルギーを供給する供給部を設け、最大電界点を有する基準共振モードで共振する一つ以上の周波数でエネルギーを供給するエネルギー供給源を設け、前記供給部は最大電界点ではないところに配置して設け、前記本体からのエネルギーの少なくとも一部を受け取るように配置し、前記本体からエネルギーを受け取った場合に発光プラズマを生成する充填物を含有するバルブを設けたことを特徴とするプラズマランプ。
【請求項２】
一つ以上の固体の誘電体物質からなる本体を設け、前記本体へエネルギーを供給する供給部を設け、前記本体内において一つ以上の共振モードで共振する一つ以上の周波数でエネルギーを供給するエネルギー供給源を設け、前記供給部は、プラズマ生成前にエネルギーが前記本体と過結合するように配置して設け、エネルギーの少なくとも一部を受け取るように配置し、前記本体からエネルギーを受け取った場合に発光プラズマを生成する充填物を含有するバルブを設けたことを特徴とするプラズマランプ。
【請求項３】
前記供給部は第１供給部であり、前記プラズマランプは、さらに前記本体からのフィードバックを得る第２供給部を有しており、この第２供給部は、最大電界点ではないところに位置していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマランプ。
【請求項４】
さらに、前記第１供給部と前記第２供給部との間の電気的経路に位相器を設けたことを特徴とする請求項３に記載のプラズマランプ。
【請求項５】
前記第１供給部は、最小電界点ではないところに位置しており、前記第２供給部は、最小電界点ではないところに位置していることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のプラズマランプ。
【請求項６】
一つ以上の固体の誘電体物質からなる本体を設け、前記本体へエネルギーを供給する第１供給部を設け、前記本体内において一つ以上の共振モードで共振する周波数でエネルギーを供給するエネルギー供給源を設け、エネルギーの少なくとも一部を受け取るように配置し、前記本体からエネルギーを受け取った場合に発光プラズマを生成する充填物を含有するバルブを設け、最小電界点ではないところに位置しており前記本体からフィードバックを得る第２供給部を設け、第１供給部と第２供給部との間の電気的経路に位相器を設けたことを特徴とするプラズマランプ。
【請求項７】
一つ以上の固体の誘電体物質からなる本体を設け、エネルギーを供給するエネルギー供給源を設け、前記本体へエネルギーを供給するように配置した第１供給部を設け、最小電界点ではないところに位置しており前記本体からフィードバックを得るように配置した第２供給部を設け、フィードバックから信号を発生するとともに前記本体内で共振する周波数で信号を第１供給部に与えて前記本体にエネルギーを提供する回路であって、前記第１供給部に与えられる信号のエネルギーレベルを制御する制御回路を有する前記回路を設け、前記プラズマランプの作動状態を検出する検出器を設け、前記制御回路は前記検出器に反応して前記第１供給部に与えられる信号のエネルギーレベルを制御することを特徴とするプラズマランプ。
【請求項８】
前記第１供給部は、プローブからバルブへの結合効率が最大となるよう、最大電界点に位置するプローブに必要とされる長さよりも長く構成されていることを特徴とする請求項３〜７のいずれかに記載のプラズマランプ。
【請求項９】
前記第１供給部と前記第２供給部との間の電気的経路に位相器を設けたことを特徴とする請求項６または請求項７に記載のプラズマランプ。
【請求項１０】
前記第１供給部は、前記本体内において、プラズマ生成前にエネルギー供給源が前記本体と過結合するように配置して設けたことを特徴とする請求項６または請求項７に記載のプラズマランプ。
【請求項１１】
前記第１供給部は、前記本体内において、プラズマ生成後の安定状態時にエネルギーが前記本体と臨界結合するように配置して設けたことを特徴とする請求項３〜請求項１０のいずれかに記載のプラズマランプ。
【請求項１２】
前記本体の外面は、エネルギーが前記本体に供給される領域およびエネルギーが前記本体からバルブに供給される領域を除き、電導材料で被覆されていることを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれかに記載のプラズマランプ。
【請求項１３】
前記エネルギーによって前記本体が基準共振モードで共振することを特徴とする請求項２、６、７、９および１０に記載のプラズマランプ。
【請求項１４】
前記基準共振モードは、横断方向磁界（ＴＭ）モードであることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマランプ。
【請求項１５】
前記本体の幅および高さを有しており、その幅は高さよりも長いことを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれかに記載のプラズマランプ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、一つ以上の固体の誘電体物質からなる本体を設け、前記本体へエネルギーを供給する供給部を設け、最大電界点を有する基準共振モードで共振する一つ以上の周波数でエネルギーを供給するエネルギー供給源を設け、前記供給部は最大電界点ではないところに配置して設け、前記本体からのエネルギーの少なくとも一部を受け取るように配置し、前記本体からエネルギーを受け取った場合に発光プラズマを生成する充填物を含有するバルブを設けたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月14日(2006.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチキャスト無線ネットワークで競合衝突を低減する方法であって、
持続時間を計算することにより、無競合通信を調整するステップと、
通信ストリームが前記持続時間の間に中断されないように、分散フレーム間隔（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ｉｎｔｅｒ−ｆｒａｍｅ  ｓｐａｃｅ  ｉｎｔｅｒｖａｌ）で前記持続時間を通信するステップと
を有し、
前記持続時間は、所定の期間の間の送信の試行を妨げるようにカウンタを制御するために使用される方法。
【請求項２】
マルチキャスト無線ネットワークで競合衝突を低減する方法であって、
複数のマルチキャストフレームの送信に必要な期間である分散フレーム間隔（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ｉｎｔｅｒ−ｆｒａｍｅ  ｓｐａｃｅ  ｉｎｔｅｒｖａｌ）で計算持続時間を受信するステップと、
前記受信した計算持続時間に応じてカウンタを制御するステップと、
前記カウンタの状態に応じて、前記持続時間の間に中断されない前記複数のマルチキャストフレームの前記送信を受信するステップと
を有する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
中断のない複数のマルチキャストフレームの送信のため、ＩＥＥＥ８０２．１１準拠のデータパケットに前記持続時間を埋め込んで送信するステップを更に有する方法。
【請求項４】
複数のマルチキャストフレームの伝送の持続時間を計算し、前記持続時間は、無線ネットワークに関連する複数の装置のカウンタを制御する手段と、
分散フレーム間隔（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ｉｎｔｅｒ−ｆｒａｍｅ  ｓｐａｃｅ  ｉｎｔｅｒｖａｌ）で前記持続時間を通信する手段と
を有するアクセスポイント。
【請求項５】
請求項４に記載のアクセスポイントであって、
デジタルパケットを受信する手段を更に有するアクセスポイント。
【請求項６】
請求項４に記載のアクセスポイントであって、
ＩＥＥＥ８０２．１１準拠のデータパケットに前記持続時間を埋め込んで送信する手段を更に有し、
前記持続時間はネットワーク割り当てベクトル情報であるアクセスポイント。
【請求項７】
伝送ストリームに埋め込まれたデジタルパケットを受信するアクセスポイントであって、
ネットワーク割り当てカウンタと、
中断のない複数のマルチキャストフレームをダウンリンクするために、ビデオフレーム伝送の複数のブロードキャスト／マルチキャストフレームの送信の持続時間を受信する手段と、
前記持続時間に応じて前記ネットワーク割り当てカウンタを制御し、前記ネットワーク割り当てカウンタに応じてネットワークにアクセスする試行を制御する手段と
を有するアクセスポイント。
【請求項８】
伝送ストリームに埋め込まれたデジタルパケットを受信するアクセスポイントであって、
持続時間フィールドを固定することにより、媒体の制御を保持するノードを有し、
それによって、前記ノードは、前記持続時間フィールドを調整して、前記媒体を解放し得るアクセスポイント。
【請求項９】
マルチキャスト無線伝送で競合衝突を低減する方法であって、
無競合セッションを第１のセルで調整するステップを有し、
前記各無競合セッションは、セッション中の単一の持続時間が単一の通信ストリームでのマルチキャスト情報を配信するような十分な持続時間のフレーム間隔を使用して、前記第１のセルの他のメンバ局との複数の伝送を有し、
ブロードキャスト／マルチキャスト伝送毎に媒体を競合する要件を除去する方法。
【請求項１０】
複数のマルチキャストフレームの送信の計算持続時間を受信する手段を有する移動体端末であって、
前記計算持続時間は、前記移動体端末を有する無線ネットワークに関連する複数の装置のカウンタを制御する移動体端末。
【請求項１１】
請求項１０に記載の移動体端末であって、
前記カウンタは、前記無線ネットワークに関連する前記複数の装置のうち１つを除く全てが所定の期間の間に送信しようとすることを妨げる移動体端末。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト信号に補助データを埋め込む方法であって、
埋め込み率及び歪を持つデータ埋め込み方法を使用して複合信号を生成するステップと、
前記ホスト信号を復元する復元データを収容するために前記埋め込み率の第１の部分を使用し、前記補助データを埋め込むために前記埋め込み率の第２の部分を使用するステップと、
を有する方法において、
前記方法が、前記復元データ及び／又は前記補助データ内の誤差を補正する誤差補正データを埋め込むために前記埋め込み率の第３の部分を使用するステップを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
ホスト信号に補助データを埋め込む方法であって、
前記ホスト信号をセグメント化するステップと、
所定の埋め込み率及び歪を持つ所定のデータ埋め込み方法を使用してホスト信号セグメントにデータを埋め込み、それぞれの複合信号セグメントを生成するステップと、
前記複合信号セグメントを条件として前記ホスト信号セグメントを識別する復元データを決定するステップと、
前記埋め込み率の一部を使用して前記復元データを次のホスト信号セグメントに埋め込むステップと、
を有する方法において、前記方法が、
前記複合信号セグメント内の誤差を補正する誤差補正データを生成するステップと、
前記埋め込み率の他の部分を使用して前記誤差補正データを前記次のホスト信号セグメントに埋め込むステップと、
前記埋め込み率の残りの部分を使用して前記ホスト信号セグメントに前記補助データを埋め込むステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項３】
各セグメントが、前記補助データ並びに前のセグメントに対する前記復元データ及び前記誤差補正データを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記セグメントが等しい長さを持つ、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
（ａ）所定の長さを持つ第１のホスト信号セグメントのみに補助データを埋め込むステップと、
（ｂ）次のセグメントに前のセグメントに対する前記復元データ及び前記誤差補正データを埋め込むステップと、
（ｃ）前記次のセグメントの長さを前記復元データ及び前記誤差補正データの量に適合するステップと、
（ｄ）前記次のセグメントの長さが所定の閾値より小さくなるまで前記ステップ（ｂ）及び（ｃ）を繰り返すステップと、
を有する請求項２に記載の方法。
【請求項６】
ホスト信号に補助データを埋め込む装置であって、
前記ホスト信号をセグメント化するセグメント化手段と、
ホスト信号セグメントにデータを埋め込んでそれぞれの複合信号セグメントを生成する所定の埋め込み率及び歪を有する所定のデータ埋め込み器と、
前記複合信号セグメントを条件として前記ホスト信号セグメントを識別する復元データを決定する手段と、
を有し、
前記データ埋め込み器が、前記埋め込み率の一部を使用して前記復元データを次のセグメントに埋め込むように構成される、
当該装置において、
前記装置が更に、前記複合信号セグメント内の誤差を補正する誤差補正データを生成する手段を有し、前記データ埋め込み器が更に、前記埋め込み率の他の部分を使用して前記誤差補正データを前記次のホスト信号セグメントに埋め込み、前記埋め込み率の残りの部分を使用して前記ホスト信号セグメントに前記補助データを埋め込むように構成されることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項２ないし５のいずれか一項に記載の方法により生成された複合信号からホスト信号を再構成する方法において、
前記複合信号をセグメント化するステップと、
複合信号セグメントから埋め込まれた誤差補正データを取り出すステップと、
前記誤差補正データを前の複合信号セグメント内の誤差を補正するために使用するステップと、
前記複合信号セグメントから埋め込まれた復元データを取り出すステップと、
前記前の複合信号セグメントを鑑みて前のホスト信号セグメントを再構成するために前記復元データを使用するステップと、
を有する方法。
【請求項８】
請求項２ないし５のいずれか一項に記載の方法により生成された複合信号からホスト信号を再構成する装置において、
前記複合信号をセグメント化するセグメント化手段と、
複合信号セグメントから埋め込まれた誤差補正データを取り出す手段と、
前記誤差補正データを使用して前の複合信号セグメント内の誤差を補正する誤差補正手段と、
前記複合信号セグメントから埋め込まれた復元データを取り出す手段と、
前記復元データを使用して前記前の複合信号セグメントを鑑みて前のホスト信号セグメントを再構成する手段と、
を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光を放出するＬＥＤと、
該励起光を透過しかつ可視光を反射する第１の高分子多層リフレクターと、
該高分子リフレクターに隣接しかつ前記励起光を受け取るように位置決めされた蛍燐光体材料層であって、該蛍燐光体材料は、該励起光が照射されたときに可視光を放出する蛍燐光体材料層と、
を備える、光源。
【請求項２】
前記第１の高分子多層リフレクターは、該ＬＥＤと該蛍燐光体材料層との間に位置決めされている、請求項１に記載の光源。
【請求項３】
前記第１の高分子多層リフレクターが非平面である、請求項１に記載の光源。
【請求項４】
前記励起光がＵＶ光を含む、請求項１に記載の光源。
【請求項５】
前記蛍燐光体材料層が不連続である、請求項１に記載の光源。
【請求項６】
第２の多層干渉リフレクターをさらに備え、前記蛍燐光体材料層が前記第１の高分子多層リフレクターおよび第２の多層干渉リフレクターの間に配置される、請求項１に記載の光源。
【請求項７】
前記第２の干渉リフレクターが、第１と第２の高分子の交互層を含む、請求項６に記載の光源。
【請求項８】
前記第２の高分子干渉リフレクターが非平面である、請求項６に記載の光源。
【請求項９】
前記第１の高分子多層リフレクターが、青色光、紫色光または紫外光に曝されたときに、分解に耐える高分子材料を含む、請求項１に記載の光源。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１結晶質材料及び複数の表面を含むフィンを含み、前記フィン幅は約１０ｎｍから１５ｎｍまでの範囲であり、
前記複数の表面の少なくとも一部分に形成された第１層とを有し、前記第１層は第２結晶質材料を含み、前記第１結晶質材料は前記第１層内に引っ張り歪みを導入するように前記第２結晶質材料とは相異なる格子定数を有し、
前記第１結晶質材料は、前記第２結晶質材料の格子定数より大きな格子定数を有する結晶質材料を含む、
半導体デバイス。
【請求項２】
前記フィンは、矩形の断面形状を有する、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第２結晶質材料は、シリコンを含む、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記第１結晶質材料は、シリコンより大きな格子定数を有する結晶質材料を含む、
請求項３記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１結晶質材料は、ＳｉxＧｅ(1-x)を含む、
請求項４記載の半導体デバイス。
【請求項６】
ｘは、略０．７に等しい、
請求項５記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記第１層の少なくとも一部分に形成された第２層を含み、前記第２層は誘電体を含む、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第２層の少なくとも一部分に形成されたゲート電極を含み、前記ゲート電極は、ポリシリコンを含む、
請求項７記載の半導体デバイス。
【請求項９】
第１格子定数を有する第１結晶質材料を含むフィンを有し、前記フィンは第１と第２末端部、及び幅を更に含み、
前記フィンの前記第１及び第２末端部に隣接して形成されたソース及びドレイン領域を有し、
前記フィンの少なくとも一部分に形成された第２結晶質材料の第１層を有し、前記第２結晶質材料は第２格子定数を有し、前記第１格子定数は前記第２格子定数より大きな数であり、前記第１層の膜厚は、前記フィン幅の約２分の１から３分の１であり、
前記第１層の少なくとも一部分に形成された誘電層を有し、かつ、
前記誘電層の少なくとも一部分に形成されたゲート電極を有する、
トランジスタ。
【請求項１０】
前記ゲート電極は、第３結晶質材料を含む、
請求項９記載のトランジスタ。
【請求項１１】
前記第３結晶質材料はポリシリコンを含む、
請求項１０記載のトランジスタ。
【請求項１２】
前記第１結晶質材料は、ＳｉxＧｅ(1-x)を含む、
請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１３】
前記第２結晶質材料はシリコンを含む、
請求項１２記載のトランジスタ。
【請求項１４】
ｘは、略０．７に等しい、
請求項１２記載のトランジスタ。
【請求項１５】
前記第１格子定数は前記第１層に引っ張り歪みを導入するように第２格子定数より大きい、
請求項９記載のトランジスタ。
【請求項１６】
前記引っ張り歪みが前記第１層においてキャリア移動度を増大させる、
請求項１５記載のトランジスタ。
【請求項１７】
第１結晶質材料、複数の表面、及び幅を含むフィンを形成し、
前記複数の表面の少なくとも一部分に第１層を形成し、前記第１層は第２結晶質材料を含み、前記第１結晶質材料は、前記第１層内に引っ張り歪みを導入するために前記第２結晶質材料とは格子定数が異るものとなっており、かつ、前記第１層の膜厚は、前記フィン幅の約２分の１から３分の１である、
半導体デバイスを形成する方法。
【請求項１８】
第２結晶質材料の格子定数より大きな格子定数を有するように前記第１結晶質材料を選択する、
請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記第１層を形成するように前記第２結晶質材料としてシリコンを選択する、
請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
前記第１結晶質材料がシリコンよりも大きな格子定数を有するように前記第１結晶質材料を選択する、
請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記延ばされたフィンを形成するために前記第１結晶質材料としてＳｉxＧｅ(1-x)を選択する、
請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
ｘが略０．７に等しくなるようにｘを選択する、
請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記第１層上に第２層を形成し、前記第２層は誘電体を含む、
請求項１７記載の方法。
【請求項２４】
前記第２層上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極は、ポリシリコンを含む、
請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記第１層の膜厚は前記フィン幅の約２分の１から３分の１である、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項２６】
前記第１層の膜厚は１５ｎｍである、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項２７】
前記幅は約１０ｎｍから１５ｎｍの範囲である、
請求項９記載のトランジスタ。
【請求項２８】
前記第１層の膜厚は５ｎｍである、
請求項９記載のトランジスタ。
【請求項２９】
前記幅は約１０ｎｍから１５ｎｍの範囲である、請求項１７記載の方法。
【請求項３０】
前記第１層の膜厚は５ｎｍである、請求項１７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記基板上の金属層と、
前記金属層上の反射防止膜（ＡＲＣ）とを備え、前記反射防止膜（ＡＲＣ）は金属層に隣接する底部と、中間部とを有し、前記中間部は底部と比較して高いケイ素含有率を有する半導体デバイス。
【請求項２】
前記ＡＲＣ層上のフォトレジスト層を更に備え、ＡＲＣ層はフォトレジスト層に隣接する頂部を更に有し、前記中間部は、頂部と比較して高いケイ素含有率を有する請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
半導体デバイスを製造する方法であって、
半導体基板上に金属層を形成する工程と、
第一の窒素／ケイ素比において、窒素含有ガスとケイ素含有ガスとを金属層上で混合する工程と、
前記第一の比で混合した後、第二の窒素／ケイ素比において、窒素含有ガスとケイ素含有ガスとを金属層上で混合する工程と、前記第一の比は、第二の比と比較して大きいことと、を含む方法によって前記金属層上にＡＲＣ層を蒸着する工程とを含む方法。
【請求項４】
前記ＡＲＣ層を蒸着する工程は、第二の比で混合した後、第三の窒素／ケイ素比において、窒素含有ガスとケイ素含有ガスとを金属層上で混合する工程を更に含み、前記第三の比は、第二の比と比較して大きい請求項３に記載の方法。
【請求項５】
半導体デバイスを製造する方法であって、
半導体基板上に金属層を形成する工程と、
ケイ素／ケイ素反応物の第一の比を有するＡＲＣ層の第一の部分を形成する工程と、前記ケイ素反応物は、酸素及び窒素の少なくとも一方からなることと、
前記第一の部分を形成した後、ケイ素／ケイ素反応物の第二の比を有するＡＲＣ層の第二の部分を形成する工程と、前記第二の比は、第一の比と比較して大きいことと、
を含む方法によって前記金属層上にＡＲＣ層を蒸着する工程とを含む方法。
【請求項６】
前記第二の部分を形成した後、ケイ素／ケイ素反応物の第三の比を有するＡＲＣ層の第三の部分を形成する工程を更に含み、前記第二の比は、第三の比と比較して大きい請求項５に記載の方法。
【請求項７】
半導体デバイスを製造する方法であって、
半導体基板上に金属層を形成する工程と、
ケイ素を第一の比において有するＡＲＣ層の第一の部分を形成する工程と、
前記第一の部分を形成した後、ケイ素を第二の比において有するＡＲＣ層の第二の部分を形成する工程と、前記ケイ素の第二の比は、ケイ素の第一の比と比較して大きいことと、
を含む方法によって前記金属層上にＡＲＣ層を蒸着する工程とを含む方法。
【請求項８】
前記ＡＲＣ層を蒸着する工程は、
前記第二の部分を形成した後、ケイ素を第三の比において有するＡＲＣ層の第三の部分を形成する工程を更に含み、前記第二の比は、第三の比と比較して大きい請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の高分子多層干渉リフレクターに対して固定状態で蛍燐光体材料を含む第１の光学素子を形成する工程と、
該蛍燐光体材料を励起する光を放出することのできるＬＥＤを含む第２の光学素子を提供する工程と、
該第２の光学素子からの放出光を受け取るように該第１の光学素子を位置決めする工程と、
を含む、光源の作製方法。
【請求項２】
前記形成工程が、蛍燐光体−リフレクターアセンブリーを形成すべく前記蛍燐光体材料を前記第１の高分子多層干渉リフレクターにラミネートすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記形成工程が、蛍燐光体−リフレクターアセンブリーを形成すべく前記蛍燐光体材料を前記第１の高分子多層干渉リフレクター上にコーティングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記形成工程が、第１の高分子多層ロングパスリフレクターおよび第２の高分子多層ショートパスリフレクターを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
光透過体と、
該光透過体上またはその内部に配設された第１の高分子多層干渉リフレクターと、
該光透過体上またはその内部に配設された蛍燐光体材料と、
を備える、ＬＥＤ素子。
【請求項６】
前記光透過体上またはその内部に配設された第２の多層干渉リフレクターをさらに備える、請求項５に記載のＬＥＤ素子。
【請求項７】
前記蛍燐光体材料が層形態であり、かつ前記第２の多層干渉リフレクターが、前記第１の多層干渉リフレクターとは反対側で前記蛍燐光体材料層に隣接する、請求項６に記載のＬＥＤ素子。
【請求項８】
前記光透過体が、発光ダイオードの発光表面に光結合されるように構成された第１の表面を有する、請求項５に記載のＬＥＤ素子。
【請求項９】
前記蛍燐光体材料が、蛍燐光体材料の複数のドットである、請求項５に記載のＬＥＤ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ダイの形成方法において、
ウエハを設ける工程と、前記ウエハは基板と、同基板の上に位置し、かつ相互接続金属を有する複数の層から成るスタック層とを有し、前記スタック層は複数のダイを分割するスクライブ領域の内部のソー・パス表面の一部分において露出する金属を有し、前記露出する金属のうち一部は前記複数の層の中に延びていることと、
前記スタック層の上に選択的に位置する誘電体パッシベーション層を形成する形成工程と、
前記スクライブ領域のソー・パス内にリセス領域を形成するために、前記ソー・パス内で少なくとも第１の深さまで露出する金属を除去する除去工程とから成る方法。
【請求項２】
半導体ウエハにおいて、
基板と、
前記基板の上に位置する複数の層から成り相互接続金属を含むスタック層と、前記半導体ウエハはスクライブ領域によって分割される第１のダイ領域および第２のダイ領域を含むことと、
前記スタック層の上に選択的に位置する誘電体パッシベーション層と、
前記スクライブ領域の内部のソー・パスと、前記ソー・パスは金属が除去されて形成された少なくとも１つのリセス領域を前記スタック層内に有することとを有する半導体ウエハ。
【請求項３】
半導体ダイの形成方法において、
各々ソー・パスを有する複数のスクライブ領域によって物理的に分割されている複数のダイ領域を有するウエハ上に基板を設ける工程と、
前記基板の上に位置し、かつ誘電体材料と相互接続金属とを有するスタック層を形成する形成工程と、前記スタック層は前記複数のスクライブ領域のうち１つのスクライブ領域のソー・パス表面の一部分において露出する金属を含むことと、
前記スクライブ領域の内部のソー・パス内にリセス領域を形成するために少なくとも第１の深さまで前記露出する金属をエッチングすることによって前記ソー・パスを処理する処理工程とから成る方法。
【請求項４】
前記ウエハの上に連続した導電性バリア層を形成する工程と、
連続した導電性バリア層の上に連続した金属層を形成する工程と、
前記ウエハの上方のフォトレジストをパターン形成して、外部接続の必要な領域を露出する工程と、
外部接点の必要な領域に接続スタッドを形成する工程と、
外部接点の必要な領域の接続スタッドの上にソルダを形成する工程と、
フォトレジストを除去する工程と、
接続スタッドの存在しない領域の連続した金属層を除去する工程と、
接続スタッドの存在しない領域の連続した導電性バリア層を除去する工程と、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記スタック層は頂部層を含むことと、
少なくとも第１の深さまで露出する金属をエッチングすることは、スクライブ領域のソー・パスにおいて頂部層の露出する金属を除去する工程を含むことと、を含む請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転子軸と、
回転子軸の外側で周方向に配置される複数の永久磁石と、
回転子軸の外側で周方向に配置されかつ永久磁石と交互に配置される複数の磁極片と、
複数の永久磁石に磁気結合される固定子とを備え、
各永久磁石は、回転子軸に隣接する第１の端部と、回転子軸とは反対側の第２の端部と、第１の端部と第２の端部との間の少なくとも２つの側端部とを備え、第１の端部は、第２の端部の長さより少なくとも２５%長いことを特徴とする永久磁石型同期機。
【請求項２】
各磁極片は、複数の永久磁石が係合する溝を回転子軸とは反対側の端部に形成する請求項１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項３】
複数の永久磁石と複数の磁極片との係合により、同期機の回転運動時に永久磁石を回転子軸に保持する請求項２に記載の永久磁石型同期機。
【請求項４】
隣接する永久磁石間の円弧長さ(τp)に対する磁極片の円弧長さ(α)の比(α/τp)は、０.６から０.７の間である請求項１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項５】
回転子磁極片側の固定子と回転子磁極片の間の距離(L)と、回転子磁極片の中心上の固定子と回転子磁極片との間の距離(H)との比(k)は、１.５から２.０の間である請求項１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項６】
複数の磁極片は、固定手段により回転子に固定される請求項１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項７】
複数の各磁極片の底部の水平幅は、固定手段の水平幅に基づき最小化される請求項６に記載の永久磁石型同期機。
【請求項８】
永久磁石型同期機は、電動機である請求項１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項９】
永久磁石型同期機は、発電機である請求項１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項１０】
回転子軸と、複数の磁極片と、複数の永久磁石とを組み合わせて、回転子組立体を形成し、更に、複数の各永久磁石の上面は、回転子の外面である請求項１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項１１】
回転子軸と、
回転子軸の外側で周方向に配置される複数の永久磁石と、
回転子軸の外側で周方向に配置されかつ永久磁石と交互に配置される複数の磁極片と、
複数の永久磁石に磁気結合される固定子とを備え、
各永久磁石は、回転子軸に隣接する第１の端部と、回転子軸とは反対側の第２の端部と、第１の端部と第２の端部との間の少なくとも２つの側端部とを備え、第１の端部は、第２の端部の長さより少なくとも２５%長く、
複数の永久磁石の第２の端部は、固定子に直接隣り合うことを特徴とする永久磁石型同期機。
【請求項１２】
各磁極片は、複数の永久磁石が係合する溝を回転子軸の反対側の端部に形成する請求項１１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項１３】
複数の永久磁石と複数の磁極片との係合により、同期機の回転運動時に永久磁石を回転子軸に保持する請求項１２に記載の永久磁石型同期機。
【請求項１４】
隣接する永久磁石間の円弧長さ(τp)に対する磁極片の円弧長さ(α)の比(α/τp)は、０.６から０.７の間である請求項１１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項１５】
回転子磁極片側の固定子と回転子磁極片の間の距離(L)と、回転子磁極片の中心上の固定子と回転子磁極片との間の距離(H)との比(k)は、１.５から２.０の間である請求項１１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項１６】
回転子軸と、
回転子軸の外側で周方向に配置される複数の永久磁石と、
回転子軸の外側で周方向に配置されかつ永久磁石と交互に配置される複数の磁極片と、
複数の永久磁石に磁気結合される固定子とを備え、
永久磁石は、背の高い台形状に形成されかつ回転子軸とは反対側の永久磁石の外面により特徴付けられ、外面は、回転子軸に隣接する永久磁石の内面より面積が小さく、
同期機が径方向に運動するとき、磁極片により永久磁石を回転子軸に固定する形状を磁極片に設け、
複数の永久磁石の上面は、固定子に直接隣り合うことを特徴とする永久磁石型同期機。
【請求項１７】
複数の永久磁石の各々は、少なくとも４つの側端部を含む請求項１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項１８】
複数の永久磁石の各々は、少なくとも４つの側端部を含む請求項１１に記載の永久磁石型同期機。
【請求項１９】
複数の永久磁石の各々は、少なくとも４つの側端部を含む請求項１６に記載の永久磁石型同期機。
【請求項２０】
回転子軸と、
回転子軸の外側で周方向に配置される複数の永久磁石と、
回転子軸の外側で周方向に配置されかつ永久磁石と交互に配置される複数の磁極片と、
複数の永久磁石に磁気結合される固定子とを備え、
各永久磁石は、回転子軸に隣接する第１の端部と、回転子軸とは反対側の第２の端部と、第１の端部と第２の端部との間の少なくとも２つの側端部とを備え、第１の端部は、第２の端部の長さより少なくとも２５%長く、
隣接する永久磁石間の円弧長さ(τp)に対する磁極片の円弧長さ(α)の比(α/τp)は、０.６から０.７の間であることを特徴とする永久磁石型同期機。
【請求項２１】
回転子軸と、
回転子軸の外側で周方向に配置される複数の永久磁石と、
回転子軸の外側で周方向に配置されかつ永久磁石と交互に配置される複数の磁極片と、
複数の永久磁石に磁気結合される固定子とを備え、
各永久磁石は、回転子軸に隣接する第１の端部と、回転子軸とは反対側の第２の端部と、第１の端部と第２の端部との間の少なくとも２つの側端部とを備え、第１の端部は、第２の端部の長さより少なくとも２５%長く、
回転子磁極片側の固定子と回転子磁極片の間の距離(L)と、回転子磁極片の中心上の固定子と回転子磁極片との間の距離(H)との比(k)は、１.５から２.０の間であることを特徴とする永久磁石型同期機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
永久磁石型同期機の回転子内に設けられる鉄製の回転子磁極は、理論的に一点に向かうテーパ断面形状でもよいが、大部分の応用例では、回転子軸に磁極を固定する水平幅を必要とする。固定子側の長さより少なくとも２５%大きい回転子側の長さで台形状永久磁石を形成すると、事実上より強力な磁場を空隙内に形成できる効果を生ずることが分析により判明した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月5日(2007.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記サンプルが、生物学的液体、それの画分、生物学的組織、それの抽出物、そのような抽出物の画分、イン  ビトロ(in vitro)若しくはイン  ビボ(in vivo)で成長する細胞、組織又は有機体によってコンディションされた培養培地、そのような培養培地の抽出物、及びそのような培養培地の画分からなる群から選択される、請求項１又は２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記プロテアーゼが、アグリカナーゼ(ADAM TS4)、ADAM TS1、TACE、BACE、BACE 1、BACE 2、HIVプロテアーゼ及びC型肝炎プロテアーゼから成る群から選択される、請求項４に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
アッセイされるべきプロテアーゼは任意のプロテアーゼであることができるが、好ましくは、プロテアーゼは、セリンプロテアーゼ、システインプロテアーゼ、アスパルチルプロテアーゼ及びメタロプロテアーゼから成る群から選択され、そしてより好ましくは、それは、アグリカナーゼ(ADAM TS4)、ADAM TS1、TACE(ADAM-17)、BACE、BACE 1、BACE2、HIVプロテアーゼ及びC型肝炎プロテアーゼから成る群から選択される。測定することが恐らく興味深くありうるプロテアーゼの完全でない一覧が、表２で見つけられうる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
方法：
成熟、分裂中期ＩＩ卵細胞および８細胞胚を、Human Gaemte and Embryo 研究室から得て、４％パラホルムアルデヒド中２０分間室温で固定した。次いで、卵細胞を洗浄し、０.５％ Triton X-100において２０分間室温で浸透性にし、洗浄し、１％ＢＳＡおよび５％ヤギ血清を含有するＰＢＳで３０分間ブロックした。次いで、卵細胞および胚を洗浄し、２０μg/mlの精製抗-ｅＰＡＤＩｇＧ抗体か前免疫ＩｇＧのいずれかを用いて、２時間室温でインキュベートした。次いで、卵細胞および胚を洗浄し、１：３００希釈のＴexas Red標識ヤギ抗モルモットＩｇＧと共に１時間インキュベートした。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
実施例２
ｅＰＡＤはパラホルムアルデヒド固定化ヒト卵巣断面試片に存在する
方法：
正常ヒト卵巣のパラホルムアルデヒドで固定化した１０ミクロンの断面試片(Innogenex, San Ramon, CA 94583)を、間接的免疫蛍光のために処理した。スライドをキシレン/エタノールの連続希釈物に浸し、リン酸緩衝生理食塩水(ＰＢＳ)で洗浄した。スライドを、１：１０希釈の正常ヤギ血清を含有する３％牛血清アルブミン(ＢＳＡ)/ＰＢＳの１００ulの液滴で、６０分間室温でブロックした。１：５０倍希釈の一次抗血清(モルモット抗-ｅＰＡＤ血清か前免疫血清のいずれか)の３％ＢＳＡ／ＰＢＳ溶液を、１００ul 小滴中の各卵巣断面に添加し、次いで４℃で一晩インキュベートした。スライドをＰＢＳ−Tween 20の後にＰＢＳで洗浄した。次いで、１００ulのヤギ抗-モルモットＩｇＧ−ＦＩＴＣ (３％のＢＳＡ／ＰＢＳで１：２００希釈)を各卵巣断面上におき、暗所室温で９０分間インキュベートした。スライドをＰＢＳで洗浄し、次いでSlo Fade マウント媒体(Molecular Probes, EugeneOR)で固定し、視覚化するまで４℃で貯蔵した。スライドを、Zeiss 倒立型蛍光位相差顕微鏡を用いて観察した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単離されたポリヌクレオチドであって、以下：
ａ）伸長されたメチル化なしのＣｐＧ島；
ｂ）該伸長されたメチル化なしのＣｐＧ島に作動可能に連結された、発現可能なオープンリーディングフレーム；
ｃ）該オープンリーディングフレームに作動可能に連結されたプロモーターであって、ここで該プロモーターは、該ＣｐＧ島に天然には連結されていない、プロモーター；
を含み、該ＣｐＧ島は、サイズが２ｋｂ以下であり、ここで該オープンリーディングフレームの再現可能な発現は、２種以上の組織型において得られることを特徴とする、
単離されたポリヌクレオチド。
【請求項２】
請求項１に記載のポリヌクレオチドであって、前記ＣｐＧ島は、ＨＰ−１／ｈｎＲＮＰＡ２遺伝子座のフラグメントを含む、ポリヌクレオチド。
【請求項３】
請求項２に記載のポリヌクレオチドであって、前記フラグメントは、ヒトＨＰ−１／ｈｎＲＮＰＡ２遺伝子座のフラグメントである、ポリヌクレオチド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のポリヌクレオチドであって、該ポリヌクレオチドは、ＨＰ−１／ｈｎＲＮＰ  Ａ２遺伝子座の１．６ｋｂ未満のフラグメントを含む、ポリヌクレオチド。
【請求項５】
Ｅｓｐ３Ｉ制限フラグメントを含む、請求項４に記載のポリヌクレオチド。
【請求項６】
図２の配列、ヌクレオチド９７７〜２５２２（配列番号１）またはそれらの機能的ホモログを含む、請求項５に記載のポリヌクレオチド。
【請求項７】
１ｋｂ未満のＨＰ−１／ｈｎＲＮＰ  Ａ２遺伝子座のフラグメントを含む、請求項１〜６のいずれかに記載のポリヌクレオチド。
【請求項８】
ＢｓｐＥ１〜Ｅｓｐ３Ｉ制限フラグメントを含む、請求項７に記載のポリヌクレオチド。
【請求項９】
図２の配列、ヌクレオチド１５３６〜２５２２（配列番号２）、またはそれらの機能的ホモログを含む、請求項８に記載のポリヌクレオチド。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のポリヌクレオチドを含む、ベクター。
【請求項１１】
前記ベクターはエピソームベクターである、請求項１０に記載のベクター。
【請求項１２】
前記ベクターは組み込みベクターである。請求項１０に記載のベクター。
【請求項１３】
前記ベクターはプラスミドである、請求項１０〜１２のいずれかに記載のベクター。
【請求項１４】
作動可能に連結される遺伝子は、治療用核酸である、請求項１０〜１３のいずれかに記載のベクター。
【請求項１５】
配列番号１もしくは配列番号２のいずれか、ＣＭＶプロモーター、マルチクローニング部位、ポリアデニル化配列および適切な制御エレメントの下にある選択マーカーをコードする遺伝子を含む、請求項１０〜１４のいずれかに記載のベクター。
【請求項１６】
請求項１〜９のいずれかに記載のポリヌクレオチド、または請求項１０〜１５のいずれかに記載のベクターを含む、宿主細胞。
【請求項１７】
遺伝子治療において使用するための、請求項１〜９のいずれかに記載の単離されたポリヌクレオチド、請求項１０〜１５のいずれかに記載のベクター、または請求項１６に記載の宿主細胞。
【請求項１８】
遺伝子治療における使用のための医薬品の製造における、請求項１〜９のいずれかに記載のポリヌクレオチド、請求項１０〜１５のいずれかに記載のベクター、または請求項１６に記載の宿主細胞の使用。
【請求項１９】
請求項１〜９のいずれかに記載のポリヌクレオチド、請求項１０〜１５のいずれかに記載のベクター、または請求項１６に記載の宿主細胞を、薬学的に受容可能な賦形剤と組み合わせて含む、薬学的組成物。
【請求項２０】
望ましい遺伝子生成物を得るための、細胞培養系における請求項１〜９のいずれかに記載のポリヌクレオチド、請求項１０〜１５のいずれかに記載のベクター、または請求項１６に記載の宿主細胞の使用。
【請求項２１】
内因性遺伝子の発現を増大させるための、配列番号１または配列番号２のいずれかのポリヌクレオチドの使用であって、該内因性遺伝子と作動可能に連結された位置で、細胞のゲノムに該ポリヌクレオチドを挿入し、それにより、該遺伝子の発現のレベルを増大させることを包含する、使用。
【請求項２２】
請求項１〜９のいずれかに記載のポリヌクレオチドを含むポリヌクレオチドまたは請求項１０〜１５のいずれかに記載のベクターを含む細胞を含むトランスジェニック非ヒト動物であって、ここで該ポリヌクレオチドは、人工的に導入されている、トランスジェニック非ヒト動物。
【請求項２３】
アンチセンス遺伝子配列の発現を得て、その対応する遺伝子配列の発現を不活性化させる、請求項１〜９のいずれかに記載のポリヌクレオチド、請求項１０〜１５のいずれかに記載のベクター、または請求項１６に記載の宿主細胞の使用。
【請求項２４】
発現ライブラリーの調製における、請求項１〜９のいずれかに記載のポリヌクレオチド、請求項１０〜１５のいずれかに記載のベクターの使用。
【請求項２５】
非ヒト動物において発現可能な遺伝子を同定するための方法における配列番号１または配列番号２のいずれかに従うポリヌクレオチドの使用であって、該ポリヌクレオチドを含む構築物を、該非ヒト動物の胚性幹細胞に挿入することを包含し、ここで該構築物は、発現される遺伝子への挿入の後に、薬物選択を可能にする、使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロースを含む材料を含む基材；および
基材上の層に蒸着された無機材料の多数の薄膜活性層を含み、ここに少なくとも１つの活性層は、基材および基礎をなす活性層の一方に印刷され、ここに少なくとも１つの活性層は、ナノ結晶シリコン粉末およびバイオポリマーを含む担体を含むことを特徴とする薄膜半導体デバイス。
【請求項２】
該基材が、紙シートを含む請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
【請求項３】
該担体が、酢酸酪酸セルロースを含む請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
【請求項４】
少なくとも１つの活性層が、ナノ結晶シリコン粉末、酢酸酪酸セルロースを含む担体および溶媒を含むインクを用いて印刷される請求項３記載の薄膜半導体デバイス。
【請求項５】
該溶媒が、エーテルまたはラッカーシンナーを含む請求項４記載の薄膜半導体デバイス。
【請求項６】
透明な耐水性の蓋を含む請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
【請求項７】
該耐水性の蓋が、デバイス上に印刷される透明なニスまたはラッカーである請求項４記載の薄層半導体デバイス。
【請求項８】
該活性層が、オフセット印刷、木版印刷、スタンプ印刷、凸版印刷、グラビア印刷、活版印刷およびコロイドインクを用いるスクリーン印刷よりなる群から選択される転写印刷プロセスを用いて印刷される請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項９】
各活性層が、基礎をなす活性層および基材の一方に印刷される請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
光電池の形態である請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
該光電池が、該基材の主な表面に印刷される金属コンタクトの形態の第１の層、ナノ結晶シリコンを含み、前記コンタクトに適用される第２の活性層、および該活性層に印刷される透明コンタクトを定める第３の層を含む請求項１０記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
該第２の活性層が固有半導体を含み、該第３の層がｐ型半導体を含む請求項１１記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
該第２の活性層がｎ−ｉ−ｐ配列の半導体構造を含む請求項１１記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
誘電材料の透明保護コーティングを含み、該第３の層に印刷される第４の層を含む請求項１１記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
該保護コーティングが透明ラッカーを含む請求項１４記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
直列にて連結された複数の光電池を含み、各光電池は、少なくとも１つの他の光電池に隣接して形成され、少なくとも１つの電池の第３の層がその透明コンタクトを定め、隣接する電池の第１の層を重ねて、その金属コンタクトを定め、それによって隣接する電池を電気的に直列に連結する請求項１１記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
請求項１６の半導体デバイスを少なくとも１つ含む電力供給。
【請求項１８】
電界効果トランジスタの形態である請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
該電解効果トランジスタが、基材上に印刷され、金属のソースおよびドレインコンタクトを定める第１の層、ナノ結晶シリコンを含み、該第１の層に適用される第２の層、および該第２の層上に印刷され、金属のゲートコンタクトを定める第３の層を含む請求項１８記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
第１の層であるソースおよびドレインコンタクトおよび第３の層であるゲートコンタクトが相互に対して直角に延びる「交差」幾何学を定める請求項１９記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
該電解効果トランジスタが、該基材に印刷され、ゲートコンタクトを定める第１の層、該第１の層に適用され、ナノ結晶シリコンを含む第２の層、および該第２の層に印刷され、金属のソースおよびドレインコンタクトを定める第３の層を含む請求項１８記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
第１の層であるゲートコンタクトおよび第３の層であるソースおよびドレインコンタクトが相互に対して直角に延びる「交差」幾何学を定める請求項２１記載の半導体デバイス。
【請求項２３】
セルロースを含む材料を含む基材に無機材料の多数の薄膜活性層を蒸着することを含み、ここに少なくとも１つの活性層が、基材および基礎をなす活性層の一方に印刷され、ここに少なくとも１つの活性層が、ナノ結晶シリコン粉末およびバイオポリマーを含む担体を含むことを特徴とする薄膜半導体デバイスの製法。
【請求項２４】
該少なくとも１つの活性層が、オフセット印刷、木版印刷、スタンプ印刷、凸版印刷、グラビア印刷、活版印刷およびコロイドインクを用いるスクリーン印刷よりなる群から選択される転写印刷プロセスを用いて印刷される請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
各活性層が、基材および基礎をなす活性層の一方に印刷される請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
各活性層が三色または四色リソグラフ印刷プロセスに適用される請求項２３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳＦＥＴデバイスであって、
絶縁層上に形成されたソース及びドレイン構造と、
前記ソース及び前記ドレイン間の前記絶縁層上に形成されたフィン構造とを有し、前記フィン構造は前記フィン構造のチャンネル領域に形成された細型化された領域を有するものであり、
前記フィン構造の少なくとも前記細型化された領域上に形成された保護層を有し、この保護層は、前記細型化された領域の幅よりも広い幅を有するものであり、
前記フィン構造の少なくともチャンネル部分の周囲に形成された誘電層を有し、
前記誘電層及び前記フィン構造の周囲の前記絶縁層上に形成されたゲートを有するデバイス。
【請求項２】
前記細型化された領域は、約３ｎｍ〜約６ｎｍの範囲の幅を有する、
請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記保護層は、酸化層、及び、
前記酸化層上に形成された窒化層を含む、
請求項１記載のデバイス。
【請求項４】
前記酸化層は深さ約１５ｎｍまでデポジットされ、前記窒化層は、深さ約５０ｎｍ〜約７５ｎｍの範囲までデポジットされる、
請求項３記載のデバイス。
【請求項５】
前記誘電層の厚さは約０．６ｎｍ〜約１．２ｎｍの範囲である、
請求項１記載のデバイス。
【請求項６】
前記ゲートは、ポリシリコンを含む、
請求項１記載のデバイス。
【請求項７】
前記ＭＯＳＦＥＴデバイスは、フィンＦＥＴである、
請求項１記載のデバイス。
【請求項８】
前記ゲートは、小ゲート長さを含むように形成される、
請求項１記載のデバイス。
【請求項９】
ＭＯＳＦＥＴデバイスを形成する方法であって、
絶縁層上にソース、ドレイン、及びフィン構造を形成し、前記フィン構造部分はＭＯＳＦＥＴ用のチャネルとして動作し、
前記フィン構造上に保護層を形成し、
前記保護層を実質的にトリミングすることなく、前記フィン構造を幅約３ｎｍ〜約６ｎｍの範囲までトリミングし、
前記フィン構造の周囲に誘電層を形成し、
前記誘電層の周囲にポリシリコン層をデポジットし、前記ポリシリコン層は、前記ＭＯＳＦＥＴ用のゲート領域として動作する、
方法。
【請求項１０】
前記フィン構造をＮＨ４ＯＨに晒すことによって、前記フィン構造がトリミングされる、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記保護層を形成するステップは、
深さ約１５ｎｍまで酸化層をデポジットし、
深さ約５０〜約７５ｎｍまで窒化層をデポジットする、
請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記フィン構造をトリミングする前に、前記ＭＯＳＦＥＴデバイス上にＴＥＯＳ(tetraethylorthosilicate： テトラエチルオルトシリケイト)保護層をデポジットする、
請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記フィン構造をトリミングする前に、前記フィン構造上に前記ＴＥＯＳ保護層をエッチングする、
請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記ＴＥＯＳ保護層上に深さ５０〜７０ｎｍまで前記ポリシリコン層をデポジットする、
請求項１２記載の方法。