Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オン。
【請求項２】
（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オン及び一以上の他の匂い物質又は芳香剤を含む匂い物質又は芳香剤混合物。
【請求項３】
（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オン及び（Ｅ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンを含む、請求項２に記載の匂い物質又は芳香剤混合物。
【請求項４】
（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンに対する（Ｅ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンの質量割合が、６：１から１：２、好ましくは４：１から１：１の範囲である、請求項３に記載の匂い物質又は芳香剤混合物。
【請求項５】
（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オン、
（Ｅ）−７−シクロヘキサデセン−１−オン、
（Ｚ）−８−シクロヘキサデセン−１−オン、及び
（Ｅ）−８−シクロヘキサデセン−１−オンを含む、請求項３又は４に記載の匂い物質若しくは芳香剤混合物。
【請求項６】
（Ｅ，Ｚ）−８−シクロヘキサデセン−１−オンに対する（Ｅ，Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンの質量割合が、１０：１から１：１０、好ましくは５：１から１：５、さらに好ましくは２：１から１：４の範囲である、請求項５に記載の匂い物質又は芳香剤混合物。
【請求項７】
ジャコウ匂い物質若しくは芳香剤として又はジャコウ匂い物質若しくは芳香剤混合物としての、請求項２から６のいずれか１項に記載する（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オン又は（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンを含む匂い物質若しくは芳香剤混合物の使用。
【請求項８】
請求項２から６のいずれか１項に記載する（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オン又は（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンを含む匂い物質若しくは芳香剤混合物の感覚活性量を製品に接触させ又は混合する、ジャコウの匂いを放出、強化又は変調する方法。
【請求項９】
請求項２から６のいずれか１項に記載する（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オン又は（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンを含む匂い物質若しくは芳香剤混合物を含む芳香を発する製品。
【請求項１０】
該製品が洗剤、トイレタリー用品又はケア調合物である、請求項９に記載の芳香を発する製品。
【請求項１１】
請求項２から６のいずれか１項に記載する（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オン又は（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンを含む匂い物質若しくは芳香剤混合物の、固定剤としての使用。
【請求項１２】
請求項２から６のいずれか１項に記載する（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オン又は（Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンを含む匂い物質又は芳香剤混合物の、匂い物質又は匂い物質組成物の嗅覚促進の手段としての使用。
【請求項１３】
以下の処理を有する（Ｅ／Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンの調製方法：
−  １，８−シクロヘキサデカンジオンの対応するヒドロキシケトンへの部分的な還元、及び
−  該ヒドロキシケトンの（Ｅ／Ｚ）−７−シクロヘキサデセン−１−オンへの脱水。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二価陽イオンおよびペプチドを含む抗菌性組成物であって、前記ペプチドが、非グリコシル化形態の約１００個未満のアミノ酸であり、下記配列：
【化１】
2007519622.tif 000001
およびこれらの配列の保存的置換からなる群から選択されるアミノ酸配列を含む、組成物。
【請求項２】
前記ペプチドが、約７０個未満のアミノ酸である、請求項１に記載の抗菌性組成物。
【請求項３】
前記ペプチドが、下記配列：
【化２】
2007519622.tif 000002
からなる群から選択されるアミノ酸配列を含む、請求項１または２に記載の抗菌性組成物。
【請求項４】
前記ペプチドが、下記配列：
【化３】
2007519622.tif 000003
およびこれらの配列の保存的置換からなる群から選択されるアミノ酸配列を含む、請求項１または２に記載の抗菌性組成物。
【請求項５】
前記二価陽イオンが、Ｚｎ２＋、Ｃａ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｃｏ２＋、Ｆｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｍｎ２＋、ＳｎＦ＋およびＣｕＦ＋を含む群から選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載の抗菌性組成物。
【請求項６】
前記二価陽イオンがＣａ２＋またはＺｎ２＋である、請求項５に記載の抗菌性組成物。
【請求項７】
前記組成物における、前記二価陽イオンの前記ペプチドに対するモル比が０．５から１５．０：１．０の範囲である、請求項１から６のいずれか一項に記載の抗菌性組成物。
【請求項８】
前記二価陽イオンの前記ペプチドに対する前記モル比が０．５：１．０から４．０：１．０の範囲である、請求項７に記載の抗菌性組成物。
【請求項９】
前記二価陽イオンの前記ペプチドに対する前記モル比が１．０：１．０から４．０：１．０の範囲である、請求項８に記載の抗菌性組成物。
【請求項１０】
前記二価陽イオンの前記ペプチドに対する前記モル比が１．０：１．０から２．０：１．０の範囲である、請求項９に記載の抗菌性組成物。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の組成物および製薬上許容できる担体を含む医薬組成物。
【請求項１２】
被験者の齲触または歯周病を治療または予防するための医薬の調製における、請求項１から１１のいずれか一項に記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月8日(2007.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１で記載した式（Ｉ）の化合物（式中：
Ｒ１は水素であり；
Ｒ２はＲ４−Ｃ（Ｒ５ａＲ５ｂ）−およびＲ４＝Ｃ（Ｒ６）−から選択され；
Ｒ３−Ｘ−はメチルおよびメトキシメチルから選択され；
Ｒ４はフェニルおよびＣ３〜６シクロアルキルから選択され、ここでＲ４は場合によりＲ７から独立して選択される１または２種の置換基によって置換され；
Ｒ５ａおよびＲ５ｂは水素およびフルオロから独立して選択され；
Ｒ６は水素であり；
Ｒ７はＣ１〜３アルキル、Ｃ１〜３アルコキシ、フルオロおよびクロロから独立して選択され；
ただし：
（ｉｉｉ）少なくともＲ５ａおよびＲ５ｂの１種はフルオロであり；そして
（ｉｖ）Ｒ２がＲ４＝Ｃ（Ｒ６）−の場合、Ｒ４はＣ３〜６シクロアルキルである）、またはその塩、プロドラッグもしくは溶媒和物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理システム内の仮想マシンを操作するための方法であって、
前記データ処理システム内の装置において稼動する仮想マシンによって管理されるメモリにオブジェクトを保存するステップと、
前記オブジェクトをオブジェクト・グループ内の複数のオブジェクトと関連付けるステップと、
前記オブジェクト・グループを前記仮想マシンと関連付けるステップであって、前記仮想マシンが仮想マシン・クラスタにおける他の仮想マシンと相互協調するための機能を取り込み、前記仮想マシン・クラスタにおける各仮想マシンが前記仮想マシン・クラスタ内のノードとして作用する、ステップと、
前記仮想マシン・クラスタの各仮想マシン内の複数のオブジェクト・グループを管理するステップと、
前記オブジェクト・グループが前記仮想マシンから前記仮想マシン・クラスタにおける異なる仮想マシンに移動することを可能にするステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記オブジェクト・グループを前記仮想マシンから関連解除するステップと、
前記オブジェクト・グループを前記仮想マシン・クラスタにおける前記異なる仮想マシンに移動させるステップと、
前記オブジェクト・グループを前記異なる仮想マシンに移動させることに応答して、前記オブジェクト・グループを前記異なる仮想マシンと関連付けるステップと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数のオブジェクト・グループのロケーションに関する情報を前記仮想マシン・クラスタにおける各仮想マシンと共有するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記オブジェクト・グループおよび異なるオブジェクト・グループを、前記仮想マシンによって管理されたスレッドと関連付けるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記オブジェクト・グループおよび前記異なるオブジェクト・グループを前記スレッドと関連したスレッド・ローカル・ヒープに保存するステップを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記オブジェクト・グループを前記スレッドと関連した第１スレッド・ローカル・ヒープに保存するステップと、
前記異なるオブジェクト・グループを前記スレッドと関連した第２スレッド・ローカル・ヒープに保存するステップと
を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記オブジェクト・グループを前記スレッドから関連解除するステップと、
前記スレッドを終了させるステップと、
前記スレッドの終了に応答して、前記オブジェクト・グループと前記仮想マシンによって管理されたスレッドとの間の関連なしで前記オブジェクト・グループを管理するステップと
を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記オブジェクトのロケーションとは無関係の前記オブジェクトに対するオブジェクト・ハンドルを作成するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記オブジェクトに対するオブジェクト・ハンドルを作成するステップと、
前記オブジェクトが関連するオブジェクト・グループに対するグループ識別子を前記オブジェクト・ハンドルに保存するステップであって、前記グループ識別子が前記仮想マシン・クラスタにおいて一意的である、ステップと、
前記オブジェクトに対するオブジェクト識別子を前記オブジェクト・ハンドルに保存するステップであって、前記オブジェクト識別子が、前記オブジェクトと関連するオブジェクト・グループにおいて一意的である、ステップと、
を更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記オブジェクトのロケーションに無関係であり、前記オブジェクトが関連する前記オブジェクト・グループのロケーションに無関係である前記オブジェクトに対するオブジェクト参照を作成するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記オブジェクトが前記仮想マシンにあるとき、前記オブジェクトに対する第１オブジェクト参照を作成するステップと、
前記オブジェクトが関連するオブジェクト・グループを異なる仮想マシンに移動させるステップと、
前記オブジェクトが前記異なる仮想マシンにあるとき、前記オブジェクトに対する第２オブジェクト参照を作成するステップであって、前記第１オブジェクト参照および前記第２オブジェクト参照が同じである、ステップと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
仮想マシンを操作するためにデータ処理システムにおいて使用するためのコンピュータ・プログラムであって、コンピュータを
前記データ処理システム内の装置において稼動する仮想マシンによって管理されるメモリにオブジェクトを保存するための手段と、
前記オブジェクトをオブジェクト・グループ内の複数のオブジェクトと関連付けるための手段と、
前記オブジェクト・グループを前記仮想マシンと関連付けるための手段であって、前記仮想マシンが仮想マシン・クラスタにおける他の仮想マシンと相互協調するための機能を取り込み、前記仮想マシン・クラスタにおける各仮想マシンが前記仮想マシン・クラスタ内のノードとして作用する、手段と、
前記仮想マシン・クラスタの各仮想マシン内の複数のオブジェクト・グループを管理するための手段と、
前記オブジェクト・グループが前記仮想マシンから前記仮想マシン・クラスタにおける異なる仮想マシンに移動することを可能にするための手段と
して機能させるための、コンピュータ・プログラム。
【請求項１３】
仮想マシンを操作するためのデータ処理システムにおける装置であって、
前記データ処理システム内の装置において稼動する仮想マシンによって管理されるメモリにオブジェクトを保存するための手段と、
前記オブジェクトをオブジェクト・グループ内の複数のオブジェクトと関連付けるための手段と、
前記オブジェクト・グループを前記仮想マシンと関連付けるための手段であって、前記仮想マシンが仮想マシン・クラスタにおける他の仮想マシンと相互協調するための機能を取り込み、前記仮想マシン・クラスタにおける各仮想マシンが前記仮想マシン・クラスタ内のノードとして作用する、手段と、
前記仮想マシン・クラスタの各仮想マシン内の複数のオブジェクト・グループを管理するための手段と、
前記オブジェクト・グループが前記仮想マシンから前記仮想マシン・クラスタにおける異なる仮想マシンに移動することを可能にするための手段と
を含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ワイヤーであって、その絶縁材が非発泡で、前記ワイヤー上に押出コーティングされ、前記絶縁材が、ヒドロフルオロカーボンポリマーと前記ワイヤー上の組成物のコーティングの耐掻取り磨耗性を改善させるための有効量の窒化ホウ素との組成物を含み、押出量を増加させて前記コーティングを形成するには前記量は効果がないことを特徴とする、絶縁ワイヤー。
【請求項２】
ヒドロフルオロカーボンポリマーコポリマーと前記物品の耐掻取り磨耗性を改善させるための有効量の窒化ホウ素とから構成され、押出によって形成される場合、押出量を増加させて前記物品を形成するには前記量は効果がないことを特徴とする、非発泡溶融加工物品。
【請求項３】
ヒドロフルオロカーボンポリマーと前記物品の耐掻取り磨耗性を改善させるための有効量の窒化ホウ素とを含む物品を溶融加工する方法を含み、前記溶融加工が押出であるとき、前記押出量を増加させて前記物品を形成するには前記窒化ホウ素の量が有効ではないことを条件とすることを特徴とする、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ヒドロフルオロカーボンポリマー／窒化ホウ素組成物がそれから作製されたワイヤー絶縁材に与える改善された耐掻取り磨耗性は、改善された耐掻取り磨耗性が望ましい、押出、射出成形、または圧縮成形などによってヒドロフルオロカーボンポリマー＋窒化ホウ素の組成物から溶融加工されたどんな非発泡物品においても有用であることは理解されよう。ホースおよびプッシュプルケーブルまたはオフショア管として用いられる管材料が実施例である。組成物を押出して絶縁ワイヤーを作製する場合のように、溶融加工が押出であるとき、組成物中に存在する窒化ホウ素の量は、押出量を増加させて物品を作製するには効果がない。
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
（１）  絶縁ワイヤーであって、その絶縁材が非発泡で、前記ワイヤー上に押出コーティングされ、前記絶縁材が、ヒドロフルオロカーボンポリマーと前記ワイヤー上の組成物のコーティングの耐掻取り磨耗性を改善させるための有効量の窒化ホウ素との組成物を含み、押出量を増加させて前記コーティングを形成するには前記量は効果がないことを特徴とする、絶縁ワイヤー。
（２）  前記絶縁材中の前記窒化ホウ素の量が、前記ポリマーと前記窒化ホウ素との全重量を基準にして約０．０１〜１．０重量％であることを特徴とする、（１）に記載の絶縁ワイヤー。
（３）  前記ヒドロフルオロカーボンポリマーが、約２５ｇ／１０分〜約３５ｇ／１０分の溶融流量を有するエチレン／テトラフルオロエチレンコポリマーであることを特徴とする、（１）に記載の絶縁ワイヤー。
（４）  ヒドロフルオロカーボンポリマーコポリマーと前記物品の耐掻取り磨耗性を改善させるための有効量の窒化ホウ素とから構成され、押出によって形成される場合、押出量を増加させて前記物品を形成するには前記量は効果がないことを特徴とする、非発泡溶融加工物品。
（５）  前記物品中の前記窒化ホウ素の量が、前記ポリマーと前記窒化ホウ素との全重量を基準にして約０．０１〜１重量％であることを特徴とする、（４）に記載の物品。
（６）  ヒドロフルオロカーボンポリマーと前記物品の耐掻取り磨耗性を改善させるための有効量の窒化ホウ素とを含む物品を溶融加工する方法を含み、前記溶融加工が押出であるとき、前記押出量を増加させて前記物品を形成するには前記窒化ホウ素の量が有効ではないことを条件とすることを特徴とする、方法。
（７）  前記溶融加工が押出であることを特徴とする、（６）に記載の方法。
（８）  前記ヒドロフルオロカーボンポリマーが、約２５ｇ／１０分〜約３５ｇ／１０分の溶融流量を有するエチレン／テトラフルオロエチレンコポリマーであることを特徴とする、（６）に記載の方法。
（９）  前記絶縁材が０．１５ｍｍ以下の厚さであることを特徴とする、（１）に記載の絶縁ワイヤー。
（１０）  耐掻取り磨耗性の改善が、７Ｎの負荷においてＩＳＯ  ６７２２掻取り磨耗試験を行なう時に少なくとも２００回の掻取り磨耗サイクルに耐えることを特徴とする、（１）に記載の絶縁ワイヤー。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラットトップレーザービームを形成するレーザーシステムであって、
各々のレーザーが出力ビームを生成する複数のレーザーと、
前記複数のレーザーからの前記出力ビームを混成してフラットトップ強度プロファイルを有する混成ビームを形成するように配置された複数の光学素子と、
各々の前記出力ビームの周波数をロックして、前記複数のレーザーの各々を異なる周波数にロックする周波数ロック手段とを備えるレーザーシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザーシステムにおいて、各レーザーの出力周波数の間の差は少なくとも１ＭＨｚであるレーザーシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のレーザーシステムにおいて、前記周波数ロック手段は各レーザーのキャビティミラーに関連するＰＺＴ素子を含み、このＰＺＴ素子はレーザーキャビティの長さを安定化するように構成されているレーザーシステム。
【請求項４】
請求項１に記載のレーザーシステムにおいて、局所的共振器として構成された付加的なガスレーザーを更に含み、この局所的共振器は利得曲線の中心線に周波数ロックされ、この局所的共振器の出力は、前記システムにおける少なくとも二つの他のレーザーの出力周波数を制御するフィードバックループにおける参照周波数として用いられるレーザーシステム。
【請求項５】
請求項１に記載のレーザーシステムにおいて、前記複数の光学素子が、前記ビームを平行な光路に沿って指向させ、回折によるビームの拡散が１ビーム半径又はそれ未満の面におけるビーム分離をもたらすレーザーシステム。
【請求項６】
請求項１に記載のレーザーシステムにおいて、前記複数のレーザーが、導波管炭酸ガスレーザーであるレーザーシステム。
【請求項７】
請求項１に記載のレーザーシステムにおいて、前記混成ビームのスポットが線形状であるレーザーシステム。
【請求項８】
請求項１に記載のレーザーシステムにおいて、各々の前記レーザーの出力パワーを選択的に制御する手段を更に備えるレーザーシステム。
【請求項９】
請求項１に記載のレーザーシステムにおいて、前記複数のレーザーの各々の相対的位置が交互にずらされて、前記面と前記レーザーとの間の距離が同じになるようにされているレーザーシステム。
【請求項１０】
請求項１に記載のレーザーシステムにおいて、各レーザーから前記出力ビームに直交する面までの光路長を同一にさせる調整自在な光学的遅延ラインを更に備えるレーザーシステム。
【請求項１１】
ワークピースを複数のレーザービームで処理する方法であって、その各々のレーザービームは別々のガスレーザーから生成され、各レーザーは非均一な強度プロファイルを有する出力ビームを生成し、前記方法は、
前記レーザーから離間した面においてビームが部分的に重畳して、前記面において実質的にフラットトップ強度プロファイルを有する混成ビームスポットが形成されるように複数の前記ビームの伝播軸を指向させる段階と、
各々のレーザーの周波数をロックして、各々のレーザーに異なる固定周波数出力ビームを生成させると共に、各々の周波数の間の分離を、ビーティングに起因する混成ビームにおける振幅変動が前記ワークピースの処理に実質的な影響を及ぼさないことに充分な量になるように、前記振幅変動の周波数を増大させるべく各々の前記周波数の間の分離を選択する段階とを含む方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、各レーザーの出力周波数の間の差は少なくとも１ＭＨｚである方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法において、前記周波数をロックする段階は、参照周波数との比較に基いて、フィードバックループにおける少なくとも幾つかのレーザーのキャビティ長を調整することを含む方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法において、各々のレーザーの出力パワーを制御して、前記混成ビームスポットの強度分布の均一性を向上させる段階を更に含む方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法において、前記混成ビームスポットが線形状である方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体接触部領域を介して下地のＳｉ含有基板と接触する複数のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）デバイスが上に配置された上部Ｓｉ含有層を備えるＳＯＩ基板材料と、前記ＳＯＩデバイスの一つに隣接し、前記Ｓｉ含有基板と接触するＤＣノード拡散領域と
を含むシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造。
【請求項２】
前記複数のＳＯＩデバイスは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含む、請求項１に記載の選択的ＳＯＩ構造。
【請求項３】
前記ＤＣノード拡散領域は、ソース電圧を受けることができる第一の領域、基準電圧を受けることができる第二の領域、第三の接地領域または前記第一、第二および第三の領域の少なくとも二つを含む任意の組み合わせを備える、請求項１に記載の選択的ＳＯＩ構造。
【請求項４】
前記ＤＣノード拡散領域は、下に酸化物を備えずにバルクＳｉ中に配置される、請求項１に記載の選択的ＳＯＩ構造。
【請求項５】
前記ＳＯＩ基板は、前記ＤＣノード拡散領域を形成させるための差別化領域を有する加法ＳＯＩ基板である、請求項１に記載の選択的ＳＯＩ構造。
【請求項６】
少なくとも一つの選択的シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造を含む集積回路であって、前記少なくとも一つのＳＯＩ構造は、本体接触部領域を介して下地のＳｉ含有基板と接触する複数のＳＯＩデバイスが上に配置された上部Ｓｉ含有層を備えるシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板材料と、前記ＳＯＩデバイスの一つに隣接し、前記Ｓｉ含有基板と接触するＤＣノード拡散領域とを備える集積回路。
【請求項７】
ＳＯＩ基板、前記ＳＯＩ基板中のＤＣノード拡散領域、および前記ＳＯＩ基板中の埋め込み酸化物材料を含む半導体基板であって、前記ＤＣノード拡散領域は、前記ＳＯＩ基板の下地のＳｉ含有基板と接触する半導体基板。
【請求項８】
前記ＳＯＩ基板は、上部Ｓｉ含有層を含む、請求項７に記載の半導体基板。
【請求項９】
前記埋め込み酸化物材料は結晶性である、請求項７に記載の半導体基板。
【請求項１０】
前記埋め込み酸化物材料は非結晶性である、請求項７に記載の半導体基板。
【請求項１１】
前記埋め込み酸化物材料と接触する少なくとも一つのトレンチ分離領域をさらに含む、請求項７に記載の半導体基板。
【請求項１２】
前記ＤＣノード拡散領域は、ソース電圧を受けることができる第一の領域、基準電圧を受けることができる第二の領域、第三の接地領域または前記第一、第二および第三の領域の少なくとも二つを含む任意の組み合わせを備える、請求項７に記載の半導体基板。
【請求項１３】
前記ＤＣノード拡散領域は、下に酸化物を備えずにバルクＳｉ中に配置される、請求項７に記載の半導体基板。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自身のフェースに少なくとも２ｃｍ２の大面積を有し、かつ前記フェースの成長表面積のｃｍ２当たり３×１０６転位を超えない均一な低転位密度を有する非切断単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料。
【請求項２】
ｃ軸に沿ってバルク成長方向だけに成長された単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料であって、少なくともインチの直径を有し、かつ成長表面積のｃｍ２当たり３×１０６転位を超えない均一な低表面転位密度を有する材料。
【請求項３】
ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＮからなる群から選択される、請求項１または２に記載の材料。
【請求項４】
請求項１または２に記載のＧａＮ材料。
【請求項５】
ドーパント種でドープされた、請求項１〜４のいずれか一項に記載の材料。
【請求項６】
ｐ型にドープされたか、ｎ型にドープされたか、または半絶縁にドープされた特性の、請求項５に記載の材料。
【請求項７】
前記ドーパント種が、酸素およびシリコンからなる群から選択されるドーパントを含む、請求項５に記載の材料。
【請求項８】
１５ｃｍ２を超える大面積を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項９】
少なくとも０．１ｍｍの厚さを有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の材料。
【請求項１０】
２×１０６ｃｍ−２を超えないＡＤＤを有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の材料。
【請求項１１】
１×１０６ｃｍ−２を超えないＡＤＤを有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の材料。
【請求項１２】
５×１０５ｃｍ−２を超えないＡＤＤを有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の材料。
【請求項１３】
５０％未満のＤＤＳＤＲを有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の材料。
【請求項１４】
２５％未満のＤＤＳＤＲを有する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の材料。
【請求項１５】
２インチを超える直径と、少なくとも０．１ｍｍの厚さと、１×１０６ｃｍ−２を超えないＡＤＤと、２５％未満のＤＤＳＤＲと、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶窒化ガリウム。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の材料を含む物品。
【請求項１７】
前記材料がヘテロエピタキシャル基板上にある、請求項１６に記載の物品。
【請求項１８】
前記ヘテロエピタキシャル基板が、サファイア、炭化ケイ素、ガリウム砒素、シリコン、没食子酸リチウム、アルミン酸リチウム、没食子酸リチウムアルミニウム、酸化亜鉛、ダイヤモンド、スピネルおよび酸化マグネシウムからなる群から選択される材料を含む、請求項１７に記載の物品。
【請求項１９】
前記材料が、ＧａＮである、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の物品。
【請求項２０】
少なくとも５０μｍの厚さを有する結晶形状である、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の物品。
【請求項２１】
前記結晶の厚さが、５００μｍを超える、請求項２０に記載の物品。
【請求項２２】
前記結晶の厚さが、２ｍｍを超える、請求項２０に記載の物品。
【請求項２３】
前記結晶の厚さが、１０ｍｍを超える、請求項２０に記載の物品。
【請求項２４】
前記大面積を含む表面を有する請求項２０に記載の物品であって、前記表面の直径が少なくとも２インチである物品。
【請求項２５】
請求項１または２に記載の材料を含むウエハ。
【請求項２６】
２〜８インチの直径を有する、請求項２５に記載のウエハ。
【請求項２７】
前記材料が窒化ガリウムを含む、請求項２５または２６に記載のウエハ。
【請求項２８】
長方形または正方形形状のフェースを有する請求項２５に記載のウエハであって、前記フェースの各側部のサイズが少なくとも１５ｍｍであるウエハ。
【請求項２９】
前記単結晶窒化ガリウム材料における結晶面のｃ面と平行なフェースを有する、請求項２７に記載のウエハ。
【請求項３０】
請求項２に記載の材料を含むウエハであって、前記ウエハが、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物の前記ｃ面に対して角度をなして配置された表面を有し、前記角度が、約０．１〜約１０度の範囲にあるウエハ。
【請求項３１】
自身の少なくとも１つのフェースが鏡面仕上げに研磨された、請求項２５〜３０のいずれか一項に記載のウエハ。
【請求項３２】
化学機械的に研磨されたガリウム終端フェースを含む、請求項２７に記載のウエハ。
【請求項３３】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料が単結晶窒化ガリウムを含み、前記ウエハが、前記単結晶窒化ガリウム材料のｃ面から１１−２０または１０−１０方向に約０．２〜約８度の範囲の角度でオフカットされた表面を含む、請求項２に記載の材料を含むウエハ。
【請求項３４】
ラッピング、研磨およびＣＭＰの少なくとも１つを含むプロセスによって仕上げられた、請求項２５〜３３のいずれか一項に記載のウエハ。
【請求項３５】
ＣＭＰを含むプロセスによって仕上げられた、請求項２５〜３３のいずれか一項に記載のウエハ。
【請求項３６】
前記１つの表面が、５０％未満のＤＤＳＤＲを有する、請求項２５〜３５のいずれか一項に記載のウエハ。
【請求項３７】
前記１つの表面が、２５％未満のＤＤＳＤＲを有する、請求項２５〜３５のいずれか一項に記載のウエハ。
【請求項３８】
前記１つの表面が、１０％未満のＤＤＳＤＲを有する、請求項２５〜３５のいずれか一項に記載のウエハ。
【請求項３９】
少なくとも１つのエピタキシャル層を自身の上に有する、請求項２５〜３８のいずれか一項に記載のウエハ。
【請求項４０】
前記少なくとも１つのエピタキシャル層が、ヘテロエピタキシャル層を含む、請求項３９に記載のウエハ。
【請求項４１】
前記少なくとも１つのエピタキシャル層が、ホモエピタキシャル層を含む、請求項３９に記載のウエハ。
【請求項４２】
請求項２５〜４１のいずれか一項に記載のウエハと、前記ウエハ上に製作されたエレクトロニクスデバイス構造と、を含むエレクトロニクスデバイス物品。
【請求項４３】
前記エレクトロニクスデバイス構造がレーザダイオードを含む、請求項４２に記載のエレクトロニクスデバイス物品。
【請求項４４】
前記エレクトロニクスデバイス構造が発光ダイオードを含む、請求項４２に記載のエレクトロニクスデバイス物品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、順に、
ａ）可融性高分子粒子とバインダーを含む可融性多孔質インク受容層、および
ｂ）可融性高分子粒子と皮膜形成性の疎水性バインダーを含む可融性多孔質インク輸送層を有してなり、
前記インク受容層と前記支持体の間には、インクキャリヤ液が前記インク受容層を通過した後に相当な量のインクキャリヤ液を受容することができる多孔質のインクキャリヤ液受容層は存在しないことを特徴とするインクジェット記録要素。
【請求項２】
前記インク受容層および／または前記支持体が、少なくとも１０ｃｃ／ｍ2 の前記インクキャリヤ液を受容することができる、請求項１に記載の要素。
【請求項３】
Ａ）デジタルデータ信号に応答するインクジェットプリンターを用意し、
Ｂ）前記インクジェットプリンターに、支持体上に、順に、
ａ）可融性高分子粒子とバインダーを含む可融性多孔質インク受容層、および
ｂ）可融性高分子粒子と皮膜形成性の疎水性バインダーを含む可融性多孔質インク輸送層を有してなり、
前記インク受容層と前記支持体の間には、インクキャリヤ液が前記多孔質インク受容層を通過した後に相当な量のインクキャリヤ液を受容することができる多孔質のインクキャリヤ液受容層は存在しないことを特徴とするインクジェット記録要素を装填し、
Ｃ）前記インクジェットプリンターにインクジェットインク組成物を装填し、
Ｄ）前記デジタルデータ信号に応じて前記インクジェットインク組成物を使用して前記インクジェット記録要素に対して印刷を行い、
Ｅ）前記インク受容層およびインク輸送層の両方を融着させること、
を含むインクジェット印刷方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月25日(2007.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
グローバルサプライチェーン１００は、構成部品から消費者が消費するまでの商品を扱う国際的サプライヤ、メーカー、ディストリビュータ、および他の事業体のネットワークにより用いられる。従って、ネスト化され、および／または近接するコンテナ１８５、および他の貨物は、ネットワークポイント、チェックポイント、港等を通過する。荷送人１０５ａ、および荷受人１０５ｅは、直接的または間接的パートナ事業体でも、貿易ルートを通じてコンテナ１８５を交換する単一事業体内のユニットでもよい。例えば、メーカーは、コンピュータ構成部品をトラック貨物で組立工場に送り、次いで、組立てたコンピュータを倉庫に出荷する。出荷港１０５ｂおよび仕向港１０５ｄは、船積ドック、空港、通関業者、ＮＶＯＣＣ（Ｎｏｎ−Ｖｅｓｓｅｌ  Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  Ｃｏｍｍｏｎ  Ｃａｒｒｉｅｒ：非船舶運行業者）、または貿易ルート上で商品を発送および／または荷受けする任意の他の事業体でもよい。内部サプライチェーンは、単一事業体、または密接に関連する事業体が運営する類似のネットワークであり、本発明の原理は、このような内部サプライネットワークにも応用できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
層は異なるが識別装置２２０、２３２、２３６は、それぞれ独立して統合型リーダ装置２２５と通信できる。従って、識別装置２２０、２３２は、統合型リーダ装置２２５が何れかのソースから情報を収集できるので、ラダー上に情報をデージーチェーン化する必要がない。一実施の形態では、識別装置２２０、２３２は、中央システムからダウンロードし、可視アイテムと比較することにより、自動的にＡＭＲ（自動積荷目録規約）情報を確認する。その結果、識別装置２２０、２３２は、中央安全管理システムにＡＭＲを確認でき、オペレータまたは代行業者に商品が正しく積載されているか否か等に関して通報できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図３Ｃは、本発明の一実施の形態によるセンサーコプロセッサーユニット３５０をより詳細に説明するブロック図である。上記のように、センサーコプロセッサーユニット３５０は、主プロセッサーユニット３４０とインターフェースし、パッシブ型識別装置３０５からの信号を受信する。従って、センサーコプロセッサーユニット３５０は、パッシブ型識別情報に特化したプロセッサと考えることができる。センサーコプロセッサーユニット３５０の基本構造には、送受信器３７０、メモリ３７５、コプロセッサ３８０、および各種のセンサ３８５が含まれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
アイテム層４１０ａは、例えば、シリアル番号が付いたコンピュータ等のアイテムまたは商品を備える。アイテムはシリアル番号またはパッシブ型タグを持つことができる。パッケージ層４１０ｂは、例えば、アイテムおよびそのアクセサリを収容するために用いる箱を備える。パッケージはバーコード、ＵＰＣコード、パッシブ型タグ等を持つことができる。カートン層４１０ｃは、例えば、パレット上を共に動き回る１つ以上のパッケージを備える。ユニットロード層４１０ｄは、アクティブまたはパッシブ型タグを持つことができる。コンテナ層４１０ｅは、例えば、１つ以上のパレットからなる４０'・８'・８'の金属箱を備える。コンテナは、内部または外部に取り付けたアクティブまたはパッシブ型タグを持つことができる。車両層４１０ｆは、例えば、１つ以上のコンテナを備える。車両はアクティブまたはパッシブ型タグを持つことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
第２ＵＨＦ送受信器（パッシブ）７１５は、アンテナ７１８を介して、例えば、パッシブ型識別装置３０５に対して識別情報、層情報等を送受信するのに必要な物理的、論理的、アナログおよび／またはデジタル通信チャンネルを備える。第２ＵＨＦ送受信器（パッシブ）７１５は、カリフォルニア州オークランドに在るＳｙｍｂｏｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ等、様々なベンダーから入手して購入できる。一実施の形態では、第２ＵＨＦ送受信器７１５は、最長３０フィート離れたパッシブ型識別装置３０５からの信号を送受信するよう構成される。他の実施の形態では、その距離範囲が更に広い。一実施の形態では、第２ＵＨＦ送受信器７１５は、９００ＭＨｚの信号を送受信する。「送受信器」という用語は、パッシブ型ＵＨＦ送受信器７１５が、通常はパッシブ型識別装置３０５にデータを送信せずに、データを受信するだけなので、本明細書では広義に用いられている。データインターフェース７２２は、第２ＵＨＦ送受信器７１５をプロセッサーユニット７２０に接続する。更に、第２ＵＨＦ送受信器７１５には、プロセッサーユニット７２０が情報を受けられる状態にあれば、情報をプロセッサーユニット７２０に送る際に必要なバッファおよび／または待ち行列が含まれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2007519583.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2007519583.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2007519764.tif 000001
［式中、
Ａはポリイソシアネートの基を示し、
Ｂは
【化２】
2007519764.tif 000002
（式中、Ｒ６〜Ｒ８は、同一又は異なり、互いに独立してＣ１〜Ｃ６−アルキルおよび／またはＣ１〜Ｃ６−シクロアルキルを示し、Ｒ９は水素原子またはＣ３〜Ｃ６−アルキルもしくはＣ３〜Ｃ６−シクロアルキルを示す。）
で表される基であり、
Ｄはカチオン性、アニオン性および／または非イオン性親水化剤の基を示し、
Ｒ１〜Ｒ４は、同一又は異なり、互いに独立して水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルまたはＣ３〜Ｃ６−シクロアルキルを示し、
Ｒ５はＣ１〜Ｃ１０−アルキルまたはＣ３〜Ｃ１０−シクロアルキルを示し、
ｙは１〜８の数を示し、
ｚは０．１〜４、好ましくは０．２〜２の数を示し、
ここでｙ対ｚの比は２０：１〜１：１、好ましくは１０：３〜３：１、特に好ましくは８：１〜４：１である。］
で表されるブロックトポリイソシアネート。
【請求項２】
ブロックトポリイソシアネート基および遊離ヒドロキシル基の両方が１つの分子内に存在することを特徴とする、請求項１に記載のブロックトポリイソシアネート。
【請求項３】
請求項１または２に記載のブロックトポリイソシアネートを含んでなるコーティング組成物。
【請求項４】
水性分散液であることを特徴とする、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
一般式（ＩＩ）：
【化３】
2007519764.tif 000003
［式中、Ａ、ｙおよびｚは請求項１において式Ｉで示した意味を有する。］
で表されるポリイソシアネートを、一般式（ＩＩＩ）：
【化４】
2007519764.tif 000004
［式中、Ｒ１〜Ｒ５およびＢは請求項１において式（Ｉ）で示した意味を有する。］
で表される第二級アミンおよび親水化剤Ｄ−Ｈ［式中、Ｄは請求項１において式（Ｉ）で示した意味を有する。］
と反応させることを特徴とする、請求項１に記載の式（Ｉ）で表されるブロックトポリイソシアネートの製造方法。
【請求項６】
ａ）１００当量％のポリイソシアネート（ＩＩ）、
ｂ）４０〜９０当量％の封鎖剤（ＩＩＩ）、
ｃ）１０〜４０当量％の親水化剤Ｄ−Ｈ、および
ｄ）場合により、０〜４０当量％の、ヒドロキシルおよび／またはアミノ基を有し且つ６２〜３，０００、好ましくは６２〜１，５００の平均分子量を有する好ましくは二官能性の化合物の反応により得られ、反応体の量比は、成分ａ）のＮＣＯ基対イソシアネートに対して反応性である成分ｂ）、ｃ）およびｄ）の基の当量比が１：０．８〜１：１．２であるように選択される請求項１に記載のブロックトポリイソシアネート、並びに
場合により添加剤および助剤物質を含んでなる、親水化された水性および／または水希釈性組成物。
【請求項７】
ラッカー、ペイント、接着剤およびエラストマーの製造のための、請求項１または２に記載のブロックトポリイソシアネートの使用。
【請求項８】
請求項１または２に記載のブロックトポリイソシアネートを含んでなるコーティング組成物を基材に適用し、次に、コーティングを９０〜１６０℃の温度または１３０〜３００℃のピーク温度において焼付けることを特徴とする、基材の被覆方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）スチレン、メチルスチレン、ビニルまたはそれらの組み合わせから誘導された単位および１種以上のアクリレート、メタクリレート、アクリロニトリルまたはそれらの組み合わせから誘導された単位を含むインターポリマー化単位を有するポリマー、
（ｂ）隠蔽顔料、
（ｃ）非セルロース増粘剤ならびに
（ｄ）（１）ヘプタフルオロプロパンスルホンアミド部分、ノナフルオロブタンスルホンアミド部分、ウンデカフルオロペンタンスルホンアミド部分およびトリデカフルオロヘキサンスルホンアミド部分からなる群から選択された少なくとも１個のパーフルオロアルキル部分、（２）少なくとも１個の（ａ）アルキレンオキシ部分または（ｂ）カルボキシエステル部分によって中断されたアルキレン基を含む少なくとも１個のポリオキシアルキレンブロックおよび（３）少なくとも１個の水溶性極性基を含む少なくとも０．０１重量／体積％のフルオロケミカルアクリルポリマー添加剤
を含むラテックスペイント組成物であって、前記フルオロケミカルアクリルポリマー添加剤が、前記フルオロケミカルアクリルポリマーの全重量を基準にして５〜３０重量％の炭素結合フッ素を含み、前記ラテックスペイント組成物が、少なくとも２０％且つ前記組成物の臨界顔料体積濃度以上の顔料体積濃度を有する、ラテックスペイント組成物。
【請求項２】
前記フルオロケミカルアクリルポリマー添加剤は、次の一般式：
【化１】
2007519777.tif 000001
（式中、
【化２】
2007519777.tif 000002
は、重合性鎖またはポリマー鎖中の結合を表し、
Ｒ、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して水素または炭素原子数１〜４のアルキルであり、
Ｒ3は２〜６個の炭素原子を有する合わせて連結された少なくとも１個以上の直鎖または分岐のアルキレンオキシ基あるいは１２〜２０個の炭素原子を有する直鎖または分岐のアルキレン基であり、
ｎは２〜１０の整数であり、
ｘ、ｙおよびｚは少なくとも１の整数である）
によって表されるものから選択される、請求項１に記載のペイント組成物。
【請求項３】
少なくとも１つの表面の一部が請求項１に記載のペイント組成物で被覆されている物品。
【請求項４】
前記フルオロケミカルアクリルポリマー添加剤は、次の一般式：
【化３】
2007519777.tif 000003
（式中、
【化４】
2007519777.tif 000004
は、重合性鎖またはポリマー鎖中の結合を表し、
Ｒ、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して水素または炭素原子数１〜４のアルキルであり、
Ｒ3は２〜６個の炭素原子を有する合わせて連結された少なくとも１個以上の直鎖または分岐のアルキレンオキシ基あるいは１２〜２０個の炭素原子を有する直鎖または分岐のアルキレン基であり、
ｎは２〜１０の整数であり、
ｘ、ｙおよびｚは少なくとも１の整数である）
によって表されるものから選択される、請求項３に記載の物品。
【請求項５】
ラテックスペイントコーティングに耐染み性および耐汚れ性を付与する方法であって、（ａ）（１）スチレン、メチルスチレン、ビニルまたはそれらの組み合わせから誘導された単位および１種以上のアクリレート、メタクリレート、アクリロニトリルまたはそれらの組み合わせから誘導された単位を含むインターポリマー化単位を有するポリマー、（２）隠蔽顔料および（３）非セルロース増粘剤を含むラテックスペイント組成物であって、前記ラテックスペイントが少なくとも２０％且つ前記ペイントの臨界顔料体積濃度以上の顔料体積濃度を有するラテックスペイント組成物を提供する工程、
（ｂ）（１）ヘプタフルオロプロパンスルホンアミド部分、ノナフルオロブタンスルホンアミド部分、ウンデカフルオロペンタンスルホンアミド部分およびトリデカフルオロヘキサンスルホンアミド部分からなる群から選択された少なくとも１個のパーフルオロアルキル部分、（２）少なくとも１個の（ａ）アルキレンオキシ部分または（ｂ）カルボキシエステル部分によって中断されたアルキレン基を含む少なくとも１個のポリオキシアルキレンブロックおよび（３）少なくとも１個の水溶性極性基を含み、かつ前記フルオロケミカルアクリルポリマーの全重量を基準にして５〜３０重量％の炭素結合フッ素を含む少なくとも０．０１重量／体積％のフルオロケミカルアクリルポリマー添加剤を添加する工程、
（ｃ）基材表面に（ｂ）で得られた組成物を被着させる工程および
（ｄ）フッ素に富む表面を有するコーティングが前記基材表面上に形成されるように、前記得られた組成物を乾燥させる工程
を含む方法。
【請求項６】
前記フルオロケミカルアクリルポリマー添加剤は、次の一般式：
【化５】
2007519777.tif 000005
（式中、
【化６】
2007519777.tif 000006
は、重合性鎖またはポリマー鎖中の結合を表し、
Ｒ、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して水素または炭素原子数１〜４のアルキルであり、
Ｒ3は２〜６個の炭素原子を有する合わせて連結された少なくとも１個以上の直鎖または分岐のアルキレンオキシ基あるいは１２〜２０個の炭素原子を有する直鎖または分岐のアルキレン基であり、
ｎは２〜１０の整数であり、
ｘ、ｙおよびｚは少なくとも１の整数である）
によって表されるものから選択される、請求項５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
従って、本発明の艶無しペイントは少なくとも２０％且つペイントのＣＰＶＣ以上のＰＶＣを有するが、好ましくは艶消し剤を含む。ＰＶＣは好ましくは約５４％未満であり、より好ましくは約５２％未満である。適する艶消し剤には、例えば「ノバサイト（Ｎｏｖａｃｉｔｅ）」（登録商標）シリカ（アリゾナ州ホットスプリングナショナルパークのマルバーン・ミネラルズ（Ｍａｌｖｅｒｎ  Ｍｉｎｅｒａｌｓ（Ｈｏｔ  Ｓｐｒｉｎｇｓ  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｐａｒｋ，ＡＲ））から入手できる）などの種々のタイプのシリカが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療有効量の活性医薬成分、β-シクロデキストリン、医薬として許容される防腐剤、医薬として許容されるビヒクル、及び任意の医薬として許容される賦形剤を含む改善された注射部位寛容性を有する医薬組成物であって、当該防腐剤が、医薬として許容される抗菌性防腐効果を有し、そして当該活性医薬成分が以下の式Ｉ：    
【化１】
2007519703.tif 000001
[式中、Ｒ2は、メチル、エチル、イソプロピル、ｓｅｃ-ブチル、及びｔｅｒｔ-ブチルからなる群から選ばれる]  で表される化合物、又は医薬として許容される塩である、前記医薬組成物。    
【請求項２】
前記β-シクロデキストリンが、２-ヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリン又はスルホブチル・エーテル-β-シクロデキストリンである、請求項１に記載の医薬組成物。    
【請求項３】
前記防腐剤が、チメロサール、プロピレン・グリコール、フェノール、又はメタ-クレゾールから選ばれるか、又はその組合せから選ばれる、請求項１又は２に記載の医薬組成物。    
【請求項４】
前記防腐剤が、前記活性医薬生物のシクロデキストリンへの結合値より小さいシクロデキストリンへの結合値を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬組成物。    
【請求項５】
約１ｍｇ/ｍｌ〜５ｍｇ/ｍｌの防腐剤が、シクロデキストリン中に隔離されていない、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬組成物。    
【請求項６】
前記活性医薬成分のシクロデキストリンへの結合値が、５００Ｍ-1〜１０，０００Ｍ-1である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物。    
【請求項７】
医薬として使用するための、請求項１〜６のいずれか一項に記載の医薬組成物。    
【請求項８】
ニューロキニン受容体アンタゴニストを適応する疾患の治療用医薬の製造における、請求項２〜６のいずれか一項に記載の組成物の使用。    
【請求項９】
ニューロキニン受容体アンタゴニストを適応する疾患の治療のための請求項１〜６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）液体キャリア、
（ｂ）５０％以上の分岐度を有するポリマー、及び
（ｃ）研磨パッド、研磨材、又はこれらの組み合わせを含む研磨システム。
【請求項２】
分岐度が６０％以上である、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項３】
分岐度が７０％以上である、請求項２に記載の研磨システム。
【請求項４】
前記ポリマーが、デンドリマー、櫛型ポリマー、ボトルブラシポリマー、直鎖−デンドリマー・ジブロック・コポリマー、直鎖−デンドリマー・トリブロック・コポリマー、不規則に分岐したポリマー及びこれらのコポリマー、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項５】
前記ポリマーが直鎖−デンドリマー・ジブロック・コポリマーである、請求項４に記載の研磨システム。
【請求項６】
前記直鎖−デンドリマー・ジブロック・コポリマーが、ポリエチレンオキサイド−ポリアミドアミン（ＰＥＯ−ＰＡＭＡＭ）・ジブロック・コポリマーである、請求項５に記載の研磨システム。
【請求項７】
前記ポリマーが直鎖−デンドリマー・トリブロック・コポリマーである、請求項４に記載の研磨システム。
【請求項８】
前記直鎖−デンドリマー・トリブロック・コポリマーが、ポリエチレンオキサイド−ポリプロピレンオキサイド−ポリアミドアミン・トリブロック・コポリマーである、請求項７に記載の研磨システム。
【請求項９】
前記ポリマーがデンドリマーである、請求項４に記載の研磨システム。
【請求項１０】
前記デンドリマーが、Ｃ1-8複素環、Ｃ1-8炭素環、Ｃ1-8アルカン及びＣ1-8アミノアルカンからなる群から選択されるコアモノマーを含む、請求項９に記載の研磨システム。
【請求項１１】
前記デンドリマーが窒素原子から分岐している、請求項９に記載の研磨システム。
【請求項１２】
前記デンドリマーが２〜１０世代のものを含む、請求項９に記載の研磨システム。
【請求項１３】
前記ポリマーがポリアミドアミン（ＰＡＭＡＭ）ポリマーである、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項１４】
前記ポリマーがポリグリセロールである、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項１５】
前記ポリマーが、アミン、アミド、カルボン酸、スルホン酸、ホスホン酸、ヒドロキシル基及びこれらの塩、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される表面官能基を含む、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項１６】
前記ポリマーの分子量が１，０００〜１，０００，０００ｇ／ｍｏｌである、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項１７】
前記分子量が２，０００〜５００，０００ｇ／ｍｏｌである、請求項１６に記載の研磨システム。
【請求項１８】
前記ポリマーが、モノマーを含む高度に分岐したコアを含み、該高度に分岐したコアの中の該モノマーの５０％以上が分岐している、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項１９】
前記ポリマーの粘度が、同条件下において、同じモノマー組成及び分子量の直線状ポリマーの粘度の７０％以下である、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項２０】
前記システムが、前記液体キャリア中に懸濁した研磨材を含む、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項２１】
前記システムが、研磨パッドに固定された研磨材を含む、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項２２】
キレート剤又は錯形成剤、酸化剤、界面活性剤、消泡剤、殺生剤及びこれらの組み合わせからなる群から選択される１種以上の研磨添加剤をさらに含む、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項２３】
（ｉ）基板を請求項１に記載の研磨システムと接触させ、及び
（ｉｉ）該基板を研磨するために、該基板の少なくとも一部を薄く削ることを含む、基板を研磨する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
高度に分岐したポリマーは、任意の適当なポリマー又はコポリマーであってよい。高度に分岐したポリマーには二つの一般的な種類がある：明確な構造を有する設計通りに作られた高分子（例えばデンドリマー、櫛型ポリマー、グラフトポリマー、ボトルブラシポリマー（bottle brush polymer））、及び不規則に（統計的に）分岐したポリマーである。ポリマーは、デンドリマー（例えばスターバーストデンドリマー）、櫛型ポリマー又は櫛型コポリマー（例えばカーテン型ポリマー）、ボトルブラシポリマー又はボトルブラシコポリマー、スターデンドリマーハイブリッドポリマー、直鎖−デンドリマー・ジブロック・コポリマー（a linear-dendrimer diblock copolymer）、直鎖−デンドリマー・トリブロック・コポリマー（a linear-dendrimer triblock copolymer）、不規則に分岐したポリマー又はこれらの組み合わせであってよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
高度に分岐したポリマー（特にデンドリマー）は、必要に応じて、１以上のポリマー鎖（例えば直線状ポリマー鎖）により官能基化して、ハイブリッドポリマー構造を形成してもよい。例えば、デンドリマーは１以上の直線状ポリマーにより官能基化でき、ＰＡＭＡＭ−ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）・ジブロック・コポリマーのような直鎖−デンドリマー・ジブロック・コポリマー、ポリエチレンオキサイド−ポリプロピレンオキサイド−ポリアミドアミン（ＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＡＭＡＭ）・トリブロック・コポリマーのような直鎖−デンドリマー・トリブロック・コポリマー、又はスターデンドリマーハイブリッドコポリマーを形成する。