【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原子層堆積（ＡＬＤ）型プロセスによって基体上に金属窒化物薄膜を成長させる方法であって、
金属原料物質、
該金属原料物質を還元し得る還元剤、および
該還元された該金属原料物質と反応し得る窒素原料物質の各気相パルスを交互かつ順次に反応空間内に供給して該基体と接触させ、各パルスの後に該反応空間を不活性ガスでパージする方法において、
該還元剤として、該基体の表面に結合している該金属原料物質と反応する際に気体状反応副生物を生成し得るホウ素化合物を使用することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記パルスサイクルが実質的に、
金属原料化学品の気相パルスを不活性キャリアガスを用いて前記反応空間内に供給する工程；
不活性ガスで前記反応空間をパージする工程；
ホウ素原料化学品の気相パルスを不活性キャリアガスを用いて前記反応空間内に供給する工程；
不活性ガスで前記反応空間をパージする工程；
窒素原料化学品の気相パルスを前記反応空間内に供給する工程；および
不活性ガスで前記反応空間をパージする工程からなる請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記金属原料物質中の金属が、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、ＺｒおよびＴｉからなる群より選ばれたものである請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  前記金属原料物質中の金属化合物が、ハロゲン化物、好ましくはフッ化物、塩化物、臭化物またはヨウ化物、および有機金属化合物、好ましくはアルキルアミノ、シクロペンタジエニル、ジチオカルバメートまたはベータジケトネートからなる群より選ばれたものである請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記金属原料物質が、
ハロゲン化タングステン、好ましくはＷＦｘ、ＷＣｌｙ、ＷＢｒｍまたはＷＩｎ（式中、ｘ、ｙ、ｍおよびｎは１〜６の整数である）、特にＷＦ６；
タングステンカルボニル、好ましくはタングステンヘキサカルボニルＷ（ＣＯ）６またはトリカルボニル（メシチレン）タングステン；
タングステンシクロペンタジエニル、例えばビス（シクロペンタジエニル）タングステンジハイドライド、ビス（シクロペンタジエニル）タングステンジクロライドまたはビス（シクロペンタジエニル）ジタングステンヘキサカルボニル；および
タングステンβ−ジケトネートからなる群より選ばれたタングステン化合物である請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】  前記ホウ素化合物が、式（Ｉ）：
ＢｎＨｎ＋ｘ                                            （Ｉ）
（式中、ｎは１〜１０、好ましくは２〜６の整数であり、ｘは偶数である整数、好ましくは４、６または８である）で表されるボラン、および式（ＩＩ）：
ＢｎＨｍ                                              （ＩＩ）
（式中、ｎは１〜１０、好ましくは２〜６の整数であり、ｍは１〜１０、好ましくは２〜６の、ｎとは異なる整数である）で表されるボランおよびそれらの錯体からなる群より選ばれたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】  前記ボランが、式ＢｎＨｎ＋４のｎｉｄｏ−ボラン、式ＢｎＨｎ＋６のａｒａｃｈｎｏ−ボラン、式ＢｎＨｎ＋８のｈｙｐｈｏ−ボランおよびｃｏｎｊｕｎｃｔｏ−ボランＢｎＨｍ（式中、ｎおよびｍは請求項５に定義したものと同様である）からなる群より選ばれたものである請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記ホウ素化合物が、式（ＩＶ）：
Ｃ２ＢｎＨｎ＋ｘ                                      （ＩＶ）
（式中、ｎは１〜１０、好ましくは２〜６の整数であり、ｘは偶数である整数、好ましくは２、４または６である）で表されるカルボラン類からなる群より選ばれたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】  前記カルボランが、ｃｌｏｓｏ−カルボラン（Ｃ２ＢｎＨｎ＋２）、ｎｉｄｏ−カルボラン（Ｃ２ＢｎＨｎ＋４）およびａｒａｃｈｎｏ−カルボラン（Ｃ２ＢｎＨｎ＋６）（式中、ｎは請求項８で定義したものと同様である）からなる群より選ばれたものである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記ホウ素化合物が、式（Ｖ）：
Ｒ３ＮＢＸ３                                          （Ｖ）
（式中、Ｒは直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１０、好ましくはＣ１〜Ｃ４のアルキルまたはＨであり、Ｘは直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１０、好ましくはＣ１〜Ｃ４のアルキル、Ｈまたはハロゲンである）のアミン−ボラン付加物からなる群より選ばれたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】  前記ホウ素化合物が、Ｂ上の置換基の１個以上が式（ＶＩ）：
Ｒ２Ｘ                                              （ＶＩ）
（式中、Ｒは直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１０、好ましくはＣ１〜Ｃ４のアルキル基または置換もしくは非置換アリール基である）で表されるアミノ基であるアミノボラン類からなる群より選ばれたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】  前記ホウ素化合物が、アルキルが、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル、好ましくはＣ２〜Ｃ４のアルキルであるアルキルホウ素およびアルキルボランからなる群より選ばれたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】  前記ホウ素化合物が、高いホウ素／ハロゲン化物比を有するハロゲン化ホウ素、好ましくはＢ２Ｆ４、Ｂ２Ｃｌ４およびＢ２Ｂｒ４からなる群より選ばれたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】  前記ホウ素化合物が、式（ＩＩＩ）：
ＢｎＸｎ                                        （ＩＩＩ）
（式中、ＸはＣｌまたはＢｒであり、かつＸがＣｌである場合、ｎは４または８〜１２であり、ＸがＢｒである場合、ｎは７〜１０である）のハロゲノボラン類からなる群より選ばれたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】  前記ホウ素化合物が、環状ボラジン（−ＢＨ−ＮＨ−）３およびその揮発性誘導体からなる群より選ばれたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】  前記ホウ素化合物が、ハロゲン化ボランおよびその錯体からなる群より選ばれたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】  前記窒素原料物質が、
アンモニア（ＮＨ３）およびその塩、好ましくはハロゲン化物塩、特にフッ化アンモニウムまたは塩化アンモニウム；
アジ化水素（ＨＮ３）およびそのアルキル誘導体、好ましくはＣＨ３Ｎ３；
ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）および塩酸ヒドラジンのようなヒドラジンンの塩；
ヒドラジンのアルキル誘導体、好ましくはジメチルヒドラジン；
フッ化窒素ＮＦ３；
ヒドロキシルアミン（ＮＨ２ＯＨ）およびその塩、好ましくは塩酸ヒドロキシルアミン；
第一級アミン、第二級アミンおよび第三級アミン、好ましくはメチルアミン、ジエチルアミンおよびトリエチルアミン；および
ＮＨ２＊、ＮＨ＊＊およびＮ＊＊＊のような窒素ラジカルならびに励起状態の窒素（Ｎ２＊）（各式中＊は結合可能な自由電子である）からなる群より選ばれたものである請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】  前記基体が、シリコン、シリカ、被覆シリコン、金属銅、および窒化物からなる群より選ばれたものである請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】  集積回路中の拡散バリヤの作製方法であって、該集積回路の製造中に、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法によって、金属窒化物薄膜を該集積回路の誘電体表面または金属表面上に堆積させることを特徴とする方法。
【請求項２０】  請求項１に記載のＡＬＤ型プロセスによって遷移金属窒化物薄膜を成長させるための還元剤として、請求項６〜１６のいずれか一項に記載のホウ素化合物を使用する方法。