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【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層と炭素含有層とを反応させることによって得られる炭化金属ゲート電極を有する少なくとも１つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む半導体構造。
【請求項２】
前記炭化金属がＭｏまたはＭｏ−Ｒｕ合金の炭化物を含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
前記半導体構造が、ゲート金属から形成されたゲートを有する少なくとも１つのＦＥＴと、金属の炭化物から形成されたゲートを有する少なくとも１つのＦＥＴとを含む二重仕事関数のＣＭＯＳを含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項４】
前記炭化物の前記金属が前記ゲート金属とは異なり、ＭｏまたはＭｏ−Ｒｕ合金を含む、請求項３に記載の半導体構造。
【請求項５】
第１のゲート金属から形成されたゲートを有する少なくとも１つのＦＥＴと、  前記第１のゲート金属の炭化物から形成されたゲートを有する少なくとも１つのＦＥＴと、を含む、二重仕事関数のＣＭＯＳデバイス。
【請求項６】
前記第１の金属が、Ａｌ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｄ、Ｉｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌａ、Ｏｓ、Ｐｒ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎ、およびＺｒと、これらの金属またはその合金の導電窒化物、シリサイド、ゲルマニウム化物、窒化シリコンと、追加の非金属元素の有無を問わず、これらの金属の導電合金および化合物からなるグループから選択される、請求項５に記載のＣＭＯＳデバイス。
【請求項７】
前記第１の金属がＭｏまたはＭｏ−Ｒｕ合金を含む、請求項５に記載のＣＭＯＳデバイス。
【請求項８】
第１の金属と少なくとも１つの追加元素から形成されたゲート電極を有する少なくとも１つのＦＥＴと、  前記第１の金属の炭化物から形成されたゲート電極を有する少なくとも１つのＦＥＴと、を含む、二重仕事関数のＣＭＯＳ回路。
【請求項９】
基板を準備するステップと、前記基板の上に金属と炭素含有層とを付着させ、前記金属と炭素含有層とを反応させてゲート電極を設けるための炭化金属を形成するステップと、を含み、前記金属がＭｏまたはＭｏ−Ｒｕ合金である、ＦＥＴ用のゲートを形成する方法。
【請求項１０】
基板上に二重仕事関数のＣＭＯＳデバイスを形成する方法であって、  第１および第２のセットのゲート領域上に金属の層を付着させるステップと、  前記第１および第２のセットのゲート領域のうちの一方に接触し、前記第１および第２のセットのゲート領域のうちのもう一方には接触せず、前記第１および第２のセットのゲート領域のうちの前記一方の上の前記金属層に直接接触する炭素含有層を設けるステップと、  前記第１および第２のセットのゲート領域のうちの前記一方の上の前記炭素含有層と、前記第１および第２のセットのゲート領域のうちの前記一方の上の前記金属とを反応させて、炭化金属を形成するステップと、を含む、方法。
【請求項１１】
前記炭素含有層を設けるステップが、炭素含有層を付着させるステップと、前記第１および第２のセットのゲート領域のうちの一方から前記炭素含有層を選択的に除去することにより前記炭素含有層にパターン形成し、さらに、前記第１および第２のセットのゲート領域のもう一方の上に残存している前記炭素含有層を残す、ステップとを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記炭素含有層を設けるステップが、フォトレジスト層を付着させてパターン形成するステップと、前記フォトレジスト層上に前記炭素含有層を付着させ、次に、前記フォトレジストの上に位置していない前記炭素含有層を残しながら、前記フォトレジストの上に位置する前記炭素含有層とともに前記フォトレジストを除去するステップとを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属と前記炭素含有層とを反応させた後で前記金属層にパターン形成する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記炭素含有層を付着させてパターン形成した後で前記金属層にパターン形成してゲート形構造を形成する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属層が、少なくとも１つの追加元素をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属が、Ａｌ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｄ、Ｉｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌａ、Ｏｓ、Ｐｒ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎ、およびＺｒと、これらの金属またはその合金の導電窒化物、シリサイド、ゲルマニウム化物、窒化シリコンと、追加の非金属元素の有無を問わず、これらの金属の導電合金および化合物からなるグループから選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記炭素含有層の材料が、ダイヤモンド、グラファイトと、最小Ｈ含有量の非晶質炭素と、非晶質水素添加炭素と、炭素含有ポリマーと、有機フォトレジストと、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、またはＨあるいはこれらの組み合わせなどのその他の元素を含む非晶質炭素含有層と、からなるグループから選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
基板上に二重仕事関数のＣＭＯＳデバイスを形成する方法であって、  第１および第２のセットのゲート領域のうちの一方に接触し、前記第１および第２のセットのゲート領域のうちのもう一方には接触していない炭素含有層を設けるステップと、  前記第１および第２のセットのゲート領域上に、前記第１および第２のセットのゲート領域のうちの前記一方の上の前記炭素含有層に直接接触する金属の層を付着させるステップと、  前記第１および第２のセットのゲート領域のうちの前記一方の上の前記炭素含有層と、前記第１および第２のセットのゲート領域のうちの前記一方の上の前記金属とを反応させて、炭化金属を形成するステップと、を含む、方法。
【請求項１９】
前記炭素含有層を設けるステップが、炭素含有層を付着させるステップと、前記第１および第２のセットのゲート領域のもう一方の上に残存している前記炭素含有層を残しながら、前記第１および第２のセットのゲート領域のうちの一方から前記炭素含有層を選択的に除去するステップとを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記炭素含有層を設けるステップが、フォトレジスト層を付着させてパターン形成するステップと、前記フォトレジスト層上に前記炭素含有層を付着させ、次に、前記フォトレジストの上に位置していない前記炭素含有層を残しながら、前記フォトレジストの上に位置する前記炭素含有層とともに前記フォトレジストを除去するステップとを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記金属と前記炭素含有層とを反応させた後で前記金属層にパターン形成する、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体部品を製造する方法であって、
表面及び第一導電型を有する半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板の表面に溝を形成して、その溝により互いに分離される複数の活性化領域を形成するステップと、
前記溝の一部の下方の前記半導体基板に埋め込み層を形成するステップであって、第二導電型を有する前記埋め込み層は前記溝と少なくとも部分的に接するステップと、
前記埋め込み層の形成後に、前記溝に絶縁材料を析出させるステップと、
複数の活性化領域のうちの一つに第二導電型のコレクタ領域を形成するステップと、
複数の活性化領域のうちの一つを覆う第一導電型のベース構造を形成するステップと、
複数の活性化領域のうちの一つを覆う第二導電型のエミッタ領域を形成するステップとを含み、
前記コレクタ領域は前記埋め込み層との接触部を形成する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記コレクタ領域は第一抵抗率を有し、前記埋め込み層は第二抵抗率を有し、第一抵抗率は第二抵抗率よりも大きい方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法は、更に、前記溝にスペーサ構造を形成するステップと、前記埋め込み層の形成後に前記スペーサ構造を除去するステップとを含む方法。
【請求項４】
半導体部品を製造する方法であって、
表面及び第一導電型を有する半導体基板を提供するステップであって、その半導体基板は複数の第一種の半導体領域及び複数の第二種の半導体領域を備えるステップと、
前記半導体基板の表面に溝を形成して、その溝により互いに分離される複数の活性化領域を形成するステップとを含み、
埋め込み層モジュールを機能させるステップは、
前記溝に複数のスペーサ構造を形成するステップと、
複数の第二種の半導体領域上に埋め込みマスクを形成するステップと、
複数の埋め込み層を形成するステップであって、複数の埋め込み層はそれぞれ複数の第一種の半導体領域の溝の少なくとも一部の下方に配置され、第二導電型を有する複数の埋め込み層は前記溝と少なくとも部分的に接し、複数のスペーサ構造の一つが複数の埋め込み層の一つを溝に自己整列させるために用いられるステップと、
複数の埋め込み層の形成後に、前記溝に絶縁材料を析出させるステップと、
複数の第一種の各半導体領域に第二導電型のコレクタ領域を形成するステップと、
複数の第一種の各半導体領域上に第二導電型のエミッタ領域を形成するステップとを含み、
複数の第一種の半導体領域にそれぞれ設けられたコレクタ領域は、複数の第一種の半導体領域の一つの埋め込み層との接触部を形成する半導体部品の製造方法。
【請求項５】
半導体部品を製造する方法であって、
表面及び第一導電型を有する半導体基板を提供するステップであって、その半導体基板が複数のバイポーラ半導体領域及び複数のＣＭＯＳ領域を備えるステップと、
複数のバイポーラ半導体領域及び複数のＣＭＯＳ領域の半導体基板の表面に溝を形成して、その溝により互いに分離される複数の活性化領域を形成するステップと、
複数のバイポーラ半導体領域の溝の一部の下方にある半導体基板に埋め込み層を形成するステップであって、第二導電型である埋め込み層は前記溝と少なくとも部分的に接するステップと、
埋め込み層の形成後に、前記溝に絶縁材料を析出させるステップと、
複数のバイポーラ半導体領域のそれぞれに第二導電型のコレクタ領域を形成するステップと、
複数のバイポーラ半導体領域をそれぞれ覆う第一導電型のベース構造を形成するステップと、
複数のバイポーラ半導体領域をそれぞれ覆う第二導電型のエミッタを形成するステップと、
複数のＣＭＯＳ領域をそれぞれ覆うソース／ドレイン領域を形成するステップと、
複数のＣＭＯＳ領域をそれぞれ覆うゲート領域を形成するステップとを含み、
前記コレクタ領域は埋め込み層との接触部を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導電性トレースにワイヤボンディングするための半導体ダイ（４２）を備える集積回路（４０００）であって、
第一端及び第二端を有する第一基板トレース（４８）と、
第一端を有し、前記基板トレースの側面に沿って整列される第二基板トレース（１４０）と、
前記半導体ダイ上に位置し、第一ワイヤを用いて前記第二基板トレースの第一端に接続される第一ボンディングパッド（４４）と、
前記第一ボンディングパッドの側面に沿って整列され、前記半導体ダイ上に位置し、第二ワイヤを用いて前記第一基板トレースの第一端に接続される第二ボンディングパッド（４６）と、
第一端を有し、その第一端が第三ワイヤを用いて前記第一基板トレースの第二端に接続される第三基板トレースとを備え、
前記第三ワイヤが前記第二基板トレースを越える集積回路。
【請求項２】
請求項１記載の集積回路において、
前記第三ワイヤは、前記第三ワイヤの第一端及び第二端間の略中間位置と、前記第二基板トレースの第一端及び第二端間の略中間位置とで前記第二基板トレースを越える集積回路。
【請求項３】
請求項１記載の集積回路において、
前記第一基板トレース及び第三基板トレースはほぼ等しい表面積を有する集積回路。
【請求項４】
請求項１記載の集積回路において、
少なくとも一つの攻撃信号は干渉磁場を生成し、前記干渉磁場は、前記第一基板トレースと前記第二基板トレースとの間に第一磁束を生成し、前記干渉磁場は、前記第二基板トレースと前記第三基板トレースとの間に第二磁束を生成し、前記第一磁束は、前記第二磁束の大部分と互いに打ち消し合う集積回路。
【請求項５】
請求項１記載の集積回路において、
前記第一基板トレース、前記第二基板トレース及び前記第三基板トレースの少なくとも一つは銅又はタングステンからなる集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項１〜９のうちの１つに従った方法を実行するための装置であって、位置依存性のモデリング値を有する仮想無線ネットワークモデルを記憶するデータベース（３２）と、測定位置でのモデル化された実際の無線ネットワークの位置依存性の測定データ（１８）の生成のための測定装置（２８）とを有し、
モデリング値を測定値に適合させることによる数学演算により、モデリング値の各々を測定データ（１８）に従って直接修正するよう適合されたデータ処理手段（３６）によって特徴付けられる、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リニアバスネットワークトポロジを有するネットワークを介してデータを通信するように適合されたノード（１０６、１０８）であって、リニアバスネットワークトポロジを有するネットワークを介して通信するように適合された物理層インタフェースと複数のチャネルとを含む前記ノードと、
前記ノードの物理層インタフェースを複数のリング（１１２）から成るリングネットワークトポロジを有するネットワークに、前記物理層で直接結合するためのリングインタフェースユニット（１２０）とを備える装置。
【請求項２】
前記ノードが複数のリングインタフェースユニットから成り、該リングインタフェースユニットが各々、前記ノードを前記複数のリングのそれぞれに前記物理層で直接結合する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ノードがデータを送信するとき、前記複数のリングインタフェースユニットが、前記複数のリングを介して前記データを通信する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
それぞれが、リニアバスネットワークトポロジを有するネットワークを介してデータを通信するように適合された複数のノード（１０６、１０８）であって、夫々がリニアバスネットワークトポロジを有するネットワークを介して通信するように適合された物理層インタフェースを含む前記複数のノードと、
複数のリング（１１２）を含みリングネットワークトポロジを有するネットワークにそれぞれのノードの物理層インタフェースをそれぞれが前記物理層で直接結合する複数のリングインタフェースユニット（１２０）とを備えるネットワーク（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月2日(2007.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアント側通信プロトコルスタックを構成する方法で、前記方法が、サーバー側プロトコルスタックインスタンスのプロトコルスタックコンポーネントセットに対応するクライアント側プロトコルスタックコンポーネントセットを判別するためにマッピングを調べるステップと、前記判別したクライアント側プロトコルスタックコンポーネントセットのリスティングを作成するステップと、外部に設けられたクライアントコンピューティングプロセスのアクセスのために、前記リスティングを発行するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記調べるステップがさらに、クライアント側プロトコルスタックが前記サーバー側プロトコルスタックインスタンスと相互運用することを可能にされているとき、前記クライアント側プロトコルスタックコンポーネントの少なくとも１つに適用される少なくとも１つの属性を判別するステップを含む請求項１に記載の方法。 
【請求項３】
前記作成するステップがさらに、前記作成したリスティングの順番を逆にするステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
クライアント側通信プロトコルスタックを構成する方法で、前記方法が、サーバー側プロトコルスタックインスタンスにまとめられるプロトコルスタックコンポーネントに対応する必要なクライアント側プロトコルスタックコンポーネントのリスティングにアクセスするステップと、前記リスティングから、前記必要なクライアント側プロトコルスタックコンポーネントを含むクライアント側プロトコルスタックインスタンスがすでに存在しているかどうかを判別するステップと、前記クライアント側プロトコルスタックインスタンスがすでに存在している場合、前記クライアント側プロトコルスタックインスタンスを再利用して前記サーバー側プロトコルスタックと通信し、そうでなければ前記必要なクライアント側プロトコルスタックコンポーネントを使ってクライアント側プロトコルスタックの新たなインスタンスを作成するステップとを含む方法。
【請求項５】
前記アクセスするステップが、ネイティブディレクトリインターフェースから前記リスティングにアクセスするステップを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
さらに、前記必要なクライアント側プロトコルスタックコンポーネントに適用される属性を識別するステップと、前記識別した属性を前記新たなインスタンスの前記クライアント側プロトコルスタックコンポーネントに適用するステップとを含む請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記再利用するステップが、前記クライアント側プロトコルスタックインスタンスが前記識別した属性を含む場合にのみ、前記クライアント側プロトコルスタックインスタンスを再利用して、前記サーバー側プロトコルスタックと通信するステップと、そうでなければ、前記必要なクライアント側プロトコルスタックコンポーネントを使用し、前記識別した属性を含むクライアント側プロトコルスタックの新たなインスタンスを作成するステップとを含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
プロセス間通信プロトコル構成システムが、サーバー側プロトコルスタックにおいてサーバー側プロトコルスタックコンポーネントをクライアント側プロトコルスタックコンポーネントにマッピングする手段と、前記マッピングに基づいて、前記サーバー側プロトコルスタックの前記サーバー側プロトコルスタックコンポーネントの従属するものをリスティングする手段と、前記リスティングに発行可能インターフェースを提供する手段とを含むシステム。
【請求項９】
前記マッピング手段が、前記サーバー側プロトコルスタックのプロトコルスタックコンポーネントと、関連するクライアント側プロトコルスタックに存在するために必要な対応するプロトコルスタックコンポーネントとのリンケージセットと、前記対応するプロトコルスタックコンポーネントのうち選択したものの属性のセットとを含む請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記リスティングが、前記マッピングに基づいて、前記サーバー側プロトコルスタックの前記サーバー側プロトコルスタックコンポーネントのうち前記従属するものの逆順のリストを有する逆リスティングであることを含む請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記発行可能インターフェースが、前記リスティングを内蔵する少なくとも１つのオブジェクトへのネイティブディレクトリインターフェースであることを含む請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
請求項１から７のいずれかの方法の各ステップをコンピューターに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式１、即ち、
ｘＣａＡ（１−ｘ）［ｙＭｇＡ＋（１−ｙ）ＭｇＯ］                    （１）
に従い、式中、
Ａが＝（ＯＨ）2又は＝ＣＯ3基であり、
ｘ及びｙがモル分率（０＜ｘ≦１及び０≦ｙ≦１）である
カルシウム／マグネシウム化合物に基づく粉末組成物であって、
蛭石、パーライト、珪藻土及びシリカからなる群より選択される無機物の固体流動化剤を、９０μｍよりも大きなサイズを有する粒子の形態において、該組成物の５ｗｔ％未満の量で含有する、カルシウム／マグネシウム化合物に基づく粉末組成物。
【請求項２】
前記流動化剤を３ｗｔ％以下の量で含有することを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記無機物の固体流動化剤が、１２５μｍよりも大きな粒子サイズを有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記無機物の固体流動化剤が砂であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記無機物の固体流動化剤がアタパルガイトであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
前記無機物の固体流動化剤が未処理の蛭石であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
前記無機物の固体流動化剤が膨張蛭石であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
前記無機物の固体流動化剤が膨張パーライトであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
前記カルシウム／マグネシウム化合物が、前記組成物の９０ｗｔ％を超える純度であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記カルシウム／マグネシウム化合物が、２０μｍ未満の粒子サイズを有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
鋳造ピン２００（図６〜図７）は、ピン２００がピン１００の外側コーティング１１６とはわずかに異なる外側保護コーティング２１６を含む以外はピン１００と類似している。コーティング２１６は中間コーティング１１４の露出された部分すべてを覆うのではなく、端部１２０を含むその端部部分のみを覆い、芯１１２の端部１１８も覆う。したがって、外側コーティング２１６は主に、端部１１８を介する芯１１２の酸化に対する保護をもたらす。コーティング２１６は、中間コーティング１１４の中央部分を露出されたままにするので、ピン１００のコーティング１１６がもたらす程度の追加のバリアをもたらさない。コーティング２１６は、たとえばピン２００の長さに沿って延在することなく端部１２０のみを覆ってもよい。コーティング２１６は典型的には、コーティング１１６に関して上述されたのと同一の材料から形成される。十分に加熱されたときの、中間コーティング１１４の、外側コーティング２１６の中への拡散が、ピン１００に関して上述されたのと同様に利用される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は２以上の段積みされたカップのセット（９）を収容するためのターレット（７）と、
前記ターレット（７）と組み合わされ、前記ターレット（７）内で前記カップセット（９）を支持するために前記カップセットの各１組の最初のカップ（１０）と係合する支持手段（１３）と、
第１の開放位置と第２の把握位置との間を移動し、互いに相対的に動くことができる第１のあご部（１６ａ）と第２のあご部（１６ｂ）とを備えたアーム（１４）と、
前記カップセット（９）から取り出した１又は２以上のカップを収容するための１又は２以上の区画（１２）を有する容器（１１）と、
を備えた飲料自動販売機（１）において、
前記第１のあご部（１６ａ）と第２のあご部（１６ｂ）のうちの少なくも一つが、前記段積みカップセット（９）の一つから最初のカップ（１０）が取り出されるべく、前記支持手段（１３）と協同して動作する作動手段（１７）を備え、
また、前記アーム（１４）がその前記第２の把握位置にあるときに、前記一つの段積みカップセット（９）にある前記最初のカップ（１０）の上端縁部（１９）と、その同じカップセット（９）にある前記最初のカップ（１０）に続く次のカップ（１０’）の上端縁部（２０）との間に係合するようになっている、少なくとも一つの可動フック（１８）を備えている、
ことを特徴とする飲料自動販売機。
【請求項２】
前記作動手段（１７）が突起部品によって構成されている、請求項１に記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項３】
前記少なくとも一つのフック（１８）が、そのフック（１８）を駆動して移動させるために、前記ターレット（７）の少なくとも一つの表面（２２）上を摺動するようになっているシュー（２１）を備えている、請求項１に記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項４】
前記少なくとも一つの表面（２２）が、前記ターレット（７）の長手方向の軸に対して傾斜している少なくとも一つの平面（２４）を有するフォーク状構造物（２７）によって形成されている、請求項３に記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項５】
前記少なくとも一つの表面（２２）が、軸周りに揺動するような形態で前記ターレット（７）に結合されている、請求項３又は４に記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項６】
前記フォーク状構造物（２７）が薄い可撓性を有する帯状体で構成されている、請求項４に記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項７】
前記少なくとも一つのフック（１８）が、フック状に曲げられている第１端部と、前記あご部（１６ａ，１６ｂ）の内の一つに軸周りに揺動する形態で結合される第２端部とを有する小さな平板によって構成されている、請求項１〜６のいずれかに記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項８】
前記少なくとも一つのフック（１８）が、弾性手段の作用に対抗して移動することができる、請求項１〜７のいずれかに記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項９】
前記少なくとも一つのフック（１８）が、可撓性を有する部材によって構成されている、請求項１〜７のいずれかに記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項１０】
前記支持手段（１３）が、軸周りに揺動する形態で前記ターレット（７）に結合されているとともに、最初のカップ（１０）の上端縁部（１９）と係合するようになっている保持部（２５）を有し、該保持部には、前記作動部材（１７）がその上を摺動することができるカム状輪郭（２６）が設けられている、請求項１〜９のいずれかに記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項１１】
前記カム状輪郭（２６）の上を摺動する前記作動手段（１７）が、前記保持部（２５）を前記最初のカップ（１０）の上端縁部（１９）から離脱させる、請求項１０に記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項１２】
前記支持手段（１３）が、弾性手段の作用に対抗して移動することができる、請求項１０又は１１に記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項１３】
前記把握位置にあるときに、前記第１及び第２のあご部（１６ａ，１６ｂ）が、前記一つのカップセット（９）にある最初のカップ（１０）の上端縁部（１９）を受け止める受け止め表面（２３）を画定していることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項１４】
前記受け止め表面（２３）が、上端縁部（１９，２０）の寸法が異なるカップを支持するように、前記あご部（１６ａ，１６ｂ）の互いの相対的な位置を調整するための装置をさらに備えている、請求項１３に記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項１５】
前記容器（１１）が、前記カップセット（９）から取り出された前記１又は２以上のカップを、１又は２以上の商品供給個所（５）内へ運ぶために移動することができる、請求項１〜１４のいずれかに記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項１６】
前記アーム（１４）が、前記第１のカップ開放位置が前記容器（１１）の近傍に配置され、前記第２のカップ把握位置が、各カップセット（９）の前記最初のカップ（１０）の近くに来るように設けられたランナー（１５）に、摺動可能に取り付けられている、請求項１〜１５のいずれかに記載の飲料自動販売機（１）。
【請求項１７】
前記ターレット（７）が、種々のサイズのカップを有する複数の段積みカップセット（９）を収容するようになっている、請求項１〜１６のいずれかに記載の飲料自動販売機（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データベース内に回復可能ユニットを生成する方法であって、
前記データベースを第１のユニットおよび第２のユニットにパーティション分割するステップと、
前記ユニットの論理要素のメタデータを含み、前記ユニットを参照する１次カタログを作成するステップと、
任意の１つのユニットが１つのログのみに関連付けられるように複数のログを作成するステップと、
それぞれのユニットに対応し、前記それぞれのユニットの物理要素のメタデータをそれぞれ含む２つの２次カタログを作成するステップと、
前記１次カタログを前記２次カタログにリンクするステップと、
前記第１のユニットが前記第２のユニットとは無関係に回復可能であるように前記２次カタログを維持するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
２つの２次カタログを作成するステップは、各カタログが前記それぞれのユニットに対応するログストリームを含む２つの２次カタログを作成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
リンクするステップは、前記第２のユニットがアクセスされている間に第１のユニットが前記第２のユニットとは無関係に回復可能であるように前記１次カタログを前記２次カタログにリンクするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
１次カタログを作成するステップは、前記データベース、テーブル、インデックス、データ型、制約、ストアドプロシージャ、トリガ、およびファイルグループの中の少なくとも１つのメタデータを含むカタログを作成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
２つの２次カタログを作成するステップは、ページ、ファイル、Ｂツリー、ヒープ、およびログデータのうちの少なくとも１つのメタデータを含むカタログを作成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
維持するステップは、前記それぞれのユニットへの更新を前記それぞれの２次カタログに別々に記録するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
データベースを有するシステムであって、当該システムは、メモリと、当該メモリにアクセスできるプロセッサとを含み、前記メモリは、
前記データベースを第１のユニットおよび第２のユニットにパーティション分割するステップと、
前記ユニットの論理要素のメタデータを含み、前記ユニットを参照する１次カタログを作成するステップと、
任意の１つのユニットが１つのログのみに関連付けられるように複数のログを作成するステップと、
それぞれのユニットに対応し、前記それぞれのユニットの物理要素のメタデータをそれぞれ含む２つの２次カタログを作成するステップと、
前記１次カタログを前記２次カタログにリンクするステップと、
前記第１のユニットが前記第２のユニットとは無関係に回復可能であるように前記２次カタログを維持するステップと
を前記プロセッサに実行させるプログラムを格納したことを特徴とするシステム。
【請求項８】
前記２つの２次カタログを作成するステップは、各カタログが前記それぞれのユニットに対応するログストリームを含む２つの２次カタログを作成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記リンクするステップは、前記第２のユニットがアクセスされている間に第１のユニットが前記第２のユニットとは無関係に回復可能であるように前記１次カタログを前記２次カタログにリンクするステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記維持するステップは、前記それぞれのユニットへの更新を前記それぞれの２次カタログに別々に記録するステップを含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項１１】
前記維持するステップは、前記それぞれのユニットへの更新を前記それぞれの２次カタログに別々に記録するステップを含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項１２】
データベースを第１のユニットおよび第２のユニットにパーティション分割するステップと、
前記ユニットの論理要素のメタデータを含み、前記ユニットを参照する１次カタログを作成するステップと、
任意の１つのユニットが１つのログのみに関連付けられるように複数のログを作成するステップと、
それぞれのユニットに対応し、前記それぞれのユニットの物理要素のメタデータをそれぞれ含む２つの２次カタログを作成するステップと、
前記１次カタログを前記２次カタログにリンクするステップと、
前記第１のユニットが前記第２のユニットとは無関係に回復可能であるように前記２次カタログを維持するステップと
をコンピュータに実行させるプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１３】
前記２つの２次カタログを作成するステップは、各カタログが前記それぞれのユニットに対応するログストリームを含む２つの２次カタログを作成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１４】
前記リンクするステップは、前記第２のユニットがアクセスされている間に第１のユニットが前記第２のユニットとは無関係に回復可能であるように前記１次カタログを前記２次カタログにリンクするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１５】
前記１次カタログを作成するステップは、前記データベース、テーブル、インデックス、データ型、制約、ストアドプロシージャ、トリガ、およびファイルグループの中の少なくとも１つのメタデータを含むカタログを作成するステップを含むことを特徴とする請求項１２に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１６】
前記２つの２次カタログを作成するステップは、ページ、ファイル、Ｂツリー、ヒープ、およびログデータのうちの少なくとも１つのメタデータを含むカタログを作成するステップを含むことを特徴とする請求項１２に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１７】
前記維持するステップは、前記それぞれのユニットへの更新を前記それぞれの２次カタログに別々に記録するステップを含むことを特徴とする請求項１２に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合コアを有するケーブル用の取付具であって、
円錐台形状を形成する１つ又は複数の部分からなるコレットと、該コレットの形状は、第１の端部から第２の端部に向かって外径が増大して、コレットハウジング内で摺動するように外側の勾配を形成することと、前記コレットはさらに、同心状に配向される管腔を備え、該管腔は、複合コアの断面形状及び長さに適合する断面形状及び長さを有することと、
前記コレットをコレットハウジングに嵌入可能にする第１の開口端部と、該第１の開口端部よりも小さな内径を有する第２の開口端部とを有するコレットハウジングと、該コレットハウジングは、前記コレットの外側の勾配に鏡像的に合致する漏斗状をなす内面を有し、コレットハウジングの第２の開口端部を介してコレットが強制的に引き抜かれることなく、コレットがコレットハウジング内へ摺動可能であることと
を備える取付具。
【請求項２】
前記第２の開口端部の方向に向かって複合コアに張力を付与すると、前記コレットは前記コレットハウジング内に引き込まれ、これにより前記コレットに対して圧縮力が付与され、前記管腔の長さに沿って前記複合コアを圧縮する、請求項１に記載の取付具。
【請求項３】
前記コレットハウジングの第１の開口端部と係合して第２のコレットハウジングとの連結を可能にする圧縮具をさらに備える、請求項１に記載の取付具。
【請求項４】
前記圧縮具は、前記コレットハウジングの第１の開口端部と係合すると、前記コレットを前記コレットハウジング内へ駆動し、かつ前記コレットを前記複合コアに対して圧縮し始める、請求項３に記載の取付具。
【請求項５】
前記コレットハウジングが、前記コレットが圧縮されたときにコレットハウジングの形状を保持する剛性材料からなる、請求項１に記載の取付具。
【請求項６】
前記コレットは少なくとも２つの部分を備え、該部分が組み合わされて前記コレットを形成する、請求項１に記載の取付具。
【請求項７】
前記コレットが、圧縮中に前記コアの周囲に圧縮力を付与するように機能する半展性の材料からなる、請求項１に記載の取付具。
【請求項８】
接続部材を形成するように２つ以上の取付具を連結する連結要素をさらに備える、請求項１に記載の取付具。
【請求項９】
終端部を形成する構造体に対して前記取付具を連結するコネクタをさらに備える、請求項１に記載の取付具。
【請求項１０】
１つ以上の取付具を連結し、かつ第１のケーブルの導体を第２のケーブルの導体に電気的に接続するアルミニウムハウジングをさらに備える、請求項８に記載の取付具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007525796.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ホスホリル誘導体を含むポリマーセグメントが下記に示す一般式（２）および（３）から選ばれる少なくとも一つの重合単位を含むことを特徴とする請求項1に記載の共重合体。
【化２】
2007525563.tif 000001
Rは、各々独立に、炭化水素，芳香環，水素，金属イオン，またはオニウムイオンを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
式(II)
【化２】
2007525489.tif 000001
（式中、
M、X、p、L、R1、R2、R3、R4、R5、R6およびR7は請求項1〜3に記載の意味を有し；
R10は、水素原子または元素周期律表の13〜17族に属するヘテロ原子を任意に含んでいてもよいC1-C40の炭化水素基であり；
R11、R12、R13およびR14は互いに同一または異なって、水素原子または元素周期律表の13〜17族に属するヘテロ原子を任意に含んでいてもよいC1-C40の炭化水素基であり；隣接する二つのR11、R12、R13およびR14基は結合して、元素周期律表の13〜16族に属するヘテロ原子を任意に含んでいてもよい3〜7員環を形成することもでき、該環は1〜20の炭素原子を有する1以上の炭化水素置換基を有することができる）
を有する、請求項1〜3のいずれか一つに記載のメタロセン化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
式(IIa)、(IIIa)および(IVa)
【化７】
2007525489.tif 000002
（式中、L、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15およ
びR16は、請求項1〜8に記載されたとおりである）
を有する、請求項10に記載のリガンド、および／またはそれらの2重結合異性体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
プロピレン、エチレンまたは1-ブテンが(共)重合させられる、請求項15に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
R11、R12、R13およびR14は互いに同一または異なって、水素原子、または元素周期律表の13〜17族に属するヘテロ原子を任意に含んでいてもよいC1-C40の炭化水素基であり；好ましくはR11、R12、R13およびR14は互いに同一または異なって、水素原子、または元素周期律表の13〜17族に属するヘテロ原子を任意に含んでいてもよい、直鎖状または分枝鎖状の、環式または非環式の、C1-C40アルキル、C2-C40アルケニル、C2-C40アルキニル、C6-C40アリール、C7-C40アルキルアリールもしくはC7-C40アリールアルキル基であり；隣接する二つのR11、R12、R13およびR14基は結合して、元素周期律表の13〜16族に属するヘテロ原子を任意に含んでいてもよい3〜7員環を形成することもでき；該環は1〜20の炭素原子を有する1以上の炭化水素置換基を有することができ；より好ましくはR11はC6-C40アリール、C7-C40アルキルアリールもしくはC7-C40アリールアルキル基であるか、またはR12と一緒になって、1〜20の炭素原子を有する炭化水素基で置換され得るフェニルを形成し；
より好ましくはR12は水素原子であるか、またはR11と一緒になって上記のような3〜7員環を形成し；
より好ましくはR14およびR13は水素原子またはC1-C20アルキル基である）
の化合物である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
神経変性疾患治療用の薬剤組成物を調製するための、ＧＰＲ４９相互作用分子の使用。
【請求項２】
ＧＰＲ４９相互作用分子がＧＰＲ４９阻害剤、好ましくは当該阻害剤剤が、抗体、アンチセンス・オリゴヌクレオチド、ｓｉＲＮＡ、低分子量分子（ＬＭＷ）、結合性ペプチド、アプタマー、リボザイムおよびペプチド模倣体からなる群より選択される、請求項１の使用。
【請求項３】
ＧＰＲ４９が細胞内タンパク質複合体の一部である、請求項１または２の使用。
【請求項４】
相互作用分子または阻害剤が、ガンマ−セクレターゼおよび／またはベータ−セクレターゼの活性を調節する、請求項１〜３のいずれかの使用。
【請求項５】
神経変性疾患がアルツハイマー病である、請求項１〜４のいずれかの使用。
【請求項６】
ガンマ−セクレターゼおよび／またはベータ−セクレターゼの調節剤を同定する方法であって：
ａ．既定の試験化合物がＧＰＲ４９相互作用分子であるかどうか決定することによって、ＧＰＲ４９相互作用分子を同定し、
ｂ．工程ａ）のＧＰＲ４９相互作用分子がガンマ−セクレターゼおよび／またはベータ−セクレターゼの活性を調節可能であるかどうか決定する
工程を含む、前記方法。
【請求項７】
工程ａ）において、試験化合物をＧＰＲ４９と接触させ、そして試験化合物とＧＰＲ４９の相互作用を決定し、好ましくはＧＰＲ４９と試験化合物の相互作用がＧＰＲ４９活性の阻害を生じる、請求項６の方法。
【請求項８】
工程ｂ）において、ガンマ−セクレターゼおよび／またはベータ−セクレターゼがＡＰＰを切断する能力を測定する、好ましくはＡベータ４２を産生する能力を測定する、請求項６または７の方法。
【請求項９】
神経変性疾患治療用の薬剤組成物を調製するための方法であって：
ａ．請求項６〜８にしたがって、ガンマ−セクレターゼおよび／またはベータ−セクレターゼの調節剤を同定し、そして
ｂ．ガンマ−セクレターゼおよび／またはベータ−セクレターゼの調節剤を薬剤組成物に配合する
工程を含む、前記方法。
【請求項１０】
同定された分子と薬学的に許容しうるキャリアーを混合する工程をさらに含む、請求項９の方法。
【請求項１１】
請求項１〜５のいずれかに定義されるようなＧＰＲ４９阻害剤を含む、薬剤組成物。
【請求項１２】
請求項９または１０のいずれかに記載の方法によって得られうる、薬剤組成物。
【請求項１３】
神経変性疾患を治療するかまたは予防する方法であって、請求項１〜５のいずれかにおいて定義される、または請求項９または１０に記載の方法により取得可能なＧＰＲ４９阻害剤を含む、前記方法。
【請求項１４】
アルツハイマー病を治療するかまたは予防する方法であって、請求項１〜５のいずれかにおいて定義される、または請求項９または１０に記載の方法により得られうるＧＰＲ４９阻害剤を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＲＡＭ用の第１部分と、ＭＲＡＭとは異なる第１回路種用の第２部分とを有する半導体基板と、
前記基板の前記第１部分上にある、前記ＭＲＡＭ用の第１フロントエンド回路と、
前記基板の前記第２部分内にあり、前記第１回路種用の第２フロントエンド回路と、
前記第１フロントエンド回路上にあり、第１金属層を第１プログラム線に用いるＭＲＡＭセルと、
前記第２フロントエンド回路上にあり、前記第１金属層を用いて前記第１回路種のための相互接続を提供する金属相互接続部と、
前記第１および第２金属層上にある第３金属層と、前記第３金属層上にある第４金属層とを備え、前記第３および第４金属層の両方が前記第１および第２金属層よりも厚く、
前記ＭＲＡＭセルが第２金属層を第２プログラム線に用いるものであることを特徴とし、前記金属相互接続部が前記第２金属層を用いて前記第１回路種のための相互接続を提供するものである半導体装置。
【請求項２】
ＭＲＡＭ用の第１部分と、ＭＲＡＭとは異なる第１回路種用の第２部分とを有する半導体基板と、
前記基板の前記第１部分上にある、前記ＭＲＡＭ用の第１フロントエンド回路と、
前記基板の前記第２部分内にあり、前記第１回路種用の第２フロントエンド回路と、
前記第１フロントエンド回路上にあり、第１金属層を第１プログラム線に用いるＭＲＡＭセルと、
前記第２フロントエンド回路上にあり、前記第１金属層を用いて前記第１回路種のための相互接続を提供する金属相互接続部と、
前記基板の第１部分上にある第１部分と、前記基板の第２部分上にある第２部分とを有する第３金属層とを備え、前記第３金属層の第１部分は、前記第２金属層のすぐ上にあり、前記第３金属層の第２部分は前記第３金属層のすぐ上にある半導体装置。
【請求項３】
ＭＲＡＭ用の第１部分と、ＭＲＡＭとは異なる第１回路種用の第２部分とを有する半導体基板と、
前記基板の前記第１部分上にある、前記ＭＲＡＭ用の第１フロントエンド回路と、
前記基板の前記第２部分内にあり、前記第１回路種用の第２フロントエンド回路と、
前記第１フロントエンド回路上にあり、第１金属層を第１プログラム線に用いるＭＲＡＭセルと、
前記第２フロントエンド回路上にあり、前記第１金属層を用いて前記第１回路種のための相互接続を提供する金属相互接続部と、
前記第２金属層上にある第３金属とを備え、前記第３金属層は、前記基板の第１部分上にある第１部分と、前記基板の第２部分上にある第２部分であって、前記第２層と実質的に隣接し、複数のビアによって前記第２層に接続されている前記第２部分とを有する、半導体装置。
【請求項４】
ＭＲＡＭ用の第１部分と、ＭＲＡＭとは異なる種類の回路用の第２部分とを有する半導体基板と、
前記基板の第１部分上にあり、前記ＭＲＡＭのための第１プログラム線として用いる第１部分と、前記基板の第２部分上にあり、前記回路の相互接続のために用いる第２部分とを有する第１金属層と、
前記第１金属層上にある第２金属層であって、前記第２金属層は、前記基板の第１部分上に第１部分と、前記基板の第２部分上に第２部分とを有し、前記第２金属層の第１部分は前記ＭＲＡＭの第２プログラム線のために用いられ、前記第２金属層の第２部分は前記回路の相互接続のために用いられており、
前記基板の第１部分上にある第１部分と、前記基板の第２部分上にある第２部分とを有する第３金属層とを備え、
前記第３金属層の第２部分は、第１の長さを有する第１ビアによって、前記第２層の第２部分に接続されており、
前記第２金属層の第２部分は、前記第１の長さよりも大きい第２の長さを有する第２ビアによって、前記第１金属層の第２部分に接続されている半導体装置。
【請求項５】
ＭＲＡＭ用の第１部分と、ＭＲＡＭとは異なる種類の回路用の第２部分とを有する半導体基板と、
前記基板の第１部分上にあり、前記ＭＲＡＭのための第１プログラム線として用いる第１部分と、前記基板の第２部分上にあり、前記回路の相互接続のために用いる第２部分とを有する第１金属層と、
前記ＭＲＡＭの第２プログラム線に用いられ、前記基板の第１部分上にある前記第１金属層の上にある第２金属層と、
前記基板の第１部分上にあり、前記第２金属層のすぐ上にある第１部分と、前記基板の第２部分上にあり、前記第１金属層のすぐ上にある第２部分とを有する第３金属層とを備える半導体装置。
【請求項６】
半導体基板を用意する工程と、
前記基板の第１部分上および第１部分内にＭＲＡＭ回路を形成する工程と、
前記基板の第２部分上および第２部分内に、ＭＲＡＭとは異なる種類の第１回路を形成する工程と、
前記基板の第１部分の上に第１部分と、前記基板の第２部分の上に前記第１回路の相互接続のための第２部分とを有する第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層の第１部分を、前記ＭＲＡＭセルの第１プログラム線として用いて、前記第１金属層の第１部分上に、ＭＲＡＭセルの一部を形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。