【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】
階層システムを用いて製造プロセスを制御するための方法であって、
第１のセットの制御入力パラメータを用いて半導体デバイスの第１のロットをプロセスするステップと、
複数の階層レベルの１つに前記第１のセットの制御入力パラメータを記憶するステップとを含み、前記第１のセットの制御入力パラメータは半導体デバイスの第２のロットのプロセスに利用可能であり、さらに
半導体デバイスの前記第１のロットのプロセスの前記ステップからプロセスデータを獲得するステップと、
前記獲得されたプロセスデータに基づいて半導体デバイスのその後のロットのために第２のセットの制御入力パラメータを決定するステップと、
複数の階層レベルの１つに前記第２のセットの制御入力パラメータを記憶するステップとを含み、前記第１および第２のセットの制御入力設定は、半導体デバイスの第３のロットのプロセスに利用可能である、方法。
【請求項２】
前記制御入力パラメータのセットに基づいて前記半導体デバイスのロットをプロセスするステップは、半導体ウェハをプロセスするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
半導体ウェハをプロセスするステップは、露光ツールを用いるステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記露光ツールを用いて半導体ウェハをプロセスするステップは、高度プロセス制御フレームワークを用いるステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記制御入力パラメータのセットに基づいて前記半導体デバイスのロットをプロセスするステップは、制御スレッドによって規定される制御入力パラメータに基づいて半導体デバイスをプロセスするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記制御入力パラメータのセットに基づいて前記半導体デバイスのロットをプロセスす
るステップは、ｘ平行移動信号、ｙ平行移動信号、ｘ拡大ウェハスケール信号、ｙ拡大ウェハスケール信号、レチクル増倍信号およびレチクル回転信号を含む制御入力パラメータに基づいて半導体ツールをプロセスするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
複数の階層レベルの１つに前記制御入力パラメータのセットを記憶するステップは、プロセスツールのタイプによって規定される階層レベルに前記第１のセットの制御入力パラメータを記憶するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
複数の階層レベルの１つに前記制御入力パラメータのセットを記憶するステップは、半導体ウェハの特定のロットによって規定される階層レベルに前記第１のセットの制御入力パラメータを記憶するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
複数の階層レベルの１つに前記制御入力パラメータのセットを記憶するステップは、特定の製造プロセスによって規定される階層レベルに前記第１のセットの制御入力パラメータを記憶するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
半導体デバイスの前記第１のロットのプロセスの前記ステップからプロセスデータを獲得するステップは、半導体デバイスの前記第１のロットのプロセスに関する計測にアクセスするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
半導体デバイスのその後のロットのために第２のセットの制御入力パラメータを決定するステップは、前記複数の階層レベルに記憶されたデータを用いて前記第２のセットの制御入力パラメータを決定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
半導体デバイスのその後のロットのために第２のセットの制御入力パラメータを決定するステップは、
最も低い関連の階層レベルを決定するステップと、
前記最も低い関連の階層レベルが見出されないという決定に応答してデフォルト制御パラメータのセットを用いるステップと、
前記最も低い関連の階層レベルからデータを獲得するステップと、
前記最も低い関連の階層レベルから獲得されたデータを用いて新たな制御入力パラメータのセットを決定するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
最も低い関連の階層レベルを決定するステップは、現時のプロセスと同様の以前のプロセスのデータを含む階層レベルを決定するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
階層システムを用いて製造プロセスを制御するための装置であって、
第１のセットの制御入力パラメータを用いて半導体デバイスの第１のロットをプロセスするための手段と、
複数の階層レベルの１つに前記第１のセットの制御入力パラメータを記憶するための手段とを含み、前記第１のセットの制御入力パラメータは、半導体デバイスの第２のロットをプロセスするのに利用可能であり、さらに前記装置は
半導体デバイスの前記第１のロットの前記プロセスからプロセスデータを獲得するための手段と、
前記獲得されたプロセスデータに基づいて半導体デバイスのその後のロットのために第２のセットの制御入力パラメータを決定するための手段と、
複数の階層レベルの１つに前記第２のセットの制御入力パラメータを記憶するための手段とを含み、前記第１および第２のセットの制御入力設定は、半導体デバイスの第３のロットのプロセスのために利用可能である、装置。
【請求項１５】
コンピュータによって実行されると、階層システムを用いて製造プロセスを制御するための方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイスであって、
第１のセットの制御入力パラメータを用いて半導体デバイスの第１のロットをプロセスすることと、
複数の階層レベルの１つに前記第１のセットの制御入力パラメータを記憶することとを含み、前記第１のセットの制御入力パラメータは、半導体デバイスの第２のロットのプロセスに利用可能であり、さらに
半導体デバイスの前記第１のロットの前記プロセスからプロセスデータを獲得することと、
前記獲得されたプロセスデータに基づいて半導体デバイスのその後のロットのために第２のセットの制御入力パラメータを決定することと、
複数の階層レベルの１つに前記第２のセットの制御入力パラメータを記憶することとを含み、前記第１および第２のセットの制御入力設定は、半導体デバイスの第３のロットのプロセスに利用可能である、コンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項１６】
前記制御入力パラメータのセットに基づいて前記半導体デバイスのロットをプロセスすることは、半導体ウェハをプロセスすることをさらに含む、請求項１５に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項１７】
半導体ウェハをプロセスすることは、露光ツールを用いることをさらに含む、請求項１６に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項１８】
前記露光ツールを用いて半導体ウェハをプロセスすることは、高度プロセス制御フレームワークを用いることをさらに含む、請求項１７に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項１９】
前記制御入力パラメータのセットに基づいて前記半導体デバイスのロットをプロセスすることは、制御スレッドによって規定される制御入力パラメータに基づいて半導体デバイスをプロセスすることをさらに含む、請求項１５に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２０】
前記制御入力パラメータのセットに基づいて前記半導体デバイスのロットをプロセスすることは、ｘ平行移動信号、ｙ平行移動信号、ｘ拡大ウェハスケール信号、ｙ拡大ウェハスケール信号、レチクル増倍信号およびレチクル回転信号を含む制御入力パラメータに基づいて半導体ツールをプロセスすることをさらに含む、請求項１５に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２１】
複数の階層レベルの１つに前記制御入力パラメータのセットを記憶することは、プロセスツールのタイプによって規定される階層レベルに前記第１のセットの制御入力パラメータを記憶することをさらに含む、請求項１５に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２２】
複数の階層レベルの１つに前記制御入力パラメータのセットを記憶することは、半導体ウェハの特定のロットによって規定される階層レベルに前記第１のセットの制御入力パラメータを記憶することをさらに含む、請求項１５に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２３】
複数の階層レベルの１つに前記制御入力パラメータのセットを記憶することは、特定の製造プロセスによって規定される階層レベルに前記第１のセットの制御入力パラメータを記憶することをさらに含む、請求項１５に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２４】
半導体デバイスの前記第１のロットの前記プロセスからプロセスデータを獲得することは、半導体デバイスの前記第１のロットのプロセスに関する計測にアクセスすることをさらに含む、請求項１５に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２５】
半導体デバイスのその後のロットのための第２のセットの制御入力パラメータの決定は、前記複数の階層レベルに記憶されたデータを用いて前記第２のセットの制御入力パラメータを決定することをさらに含む、請求項１５に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２６】
半導体デバイスのその後のロットのための第２のセットの制御入力パラメータの決定は、
最も低い関連の階層レベルを決定することと、
前記最も低い関連の階層レベルが見出されないという決定に応答してデフォルト制御パラメータのセットを用いることと、
前記最も低い関連の階層レベルからデータを獲得することと、
前記最も低い関連の階層レベルから獲得されたデータを用いて新たな制御入力パラメータのセットを決定することとをさらに含む、請求項１５に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２７】
最も低い関連の階層レベルの決定は、現時のプロセスと同様の以前のプロセスのデータを含む階層レベルを決定することをさらに含む、請求項２６に記載の、コンピュータによって実行されると、方法を行なう、命令でエンコードされたコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。