【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の有機フォトレジストをエッチングする方法であって、
プラズマ反応器のプラズマ処理チャンバ内に基板を配置する工程であって、前記基板は無機層と前記無機層の上に位置する有機フォトレジストとを含み、前記フォトレジストはバルクフォトレジストの上に位置する炭素リッチ層を含む工程と、
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給する工程であって、前記処理ガスは、CH3Fと、酸素含有ガスと、を含み、前記処理ガスは、前記CH3Fとは異なる水素含有ガスを含まない工程と、
前記処理ガスからプラズマを生成する工程と、
前記無機層に対して前記炭素リッチ層を選択的にエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記処理ガスは、体積当たり（i）約５％から約３０％の前記CH3Fと、（ii）約９５％から約７０％の前記酸素含有ガスと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記炭素リッチ層のエッチング速度は、約4000Å/minから約6000Å/minであり、
前記炭素リッチ層のエッチングの間に、前記無機層の厚さは、約５Å未満又は約２Å未満だけ減少されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸素含有ガスは、O2であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記炭素リッチ層のエッチングの間に、前記基板に外部RFバイアスを印加する工程を更に含み、イオンエネルギ及びイオンフラックスを独立制御するように前記印加された外部RFバイアス及び前記プラズマの生成が独立制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記炭素リッチ層のエッチングの間に、前記基板を約１５０℃未満又は約２０℃から約７５℃の温度に維持する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
光放出を用いて前記炭素リッチ層の除去のエンドポイントを検出する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記炭素リッチ層は、イオン注入層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記無機層は、シリコン含有層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記炭素リッチ層をエッチングした後に、前記プラズマ処理チャンバから前記基板を取り除き、アッシングチャンバ内に前記基板を配置する工程と、
前記アッシングチャンバに酸素を含むアッシングガスを供給する工程と、
前記アッシングガスからプラズマを生成する工程と、
前記バルクフォトレジストをエッチングする工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記アッシングガスはO2又はH2O蒸気を含み、前記基板は前記バルクフォトレジストのエッチングの間に、約２００℃から約２８０℃の温度に維持されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記プラズマ反応器は、誘導結合プラズマ反応器であり、
平面アンテナが、誘電部材を通して前記プラズマ処理チャンバ内にRFエネルギを誘導結合し、
前記基板が、前記誘電部材に面して前記プラズマ処理チャンバ内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
基板上の有機フォトレジストをエッチングする方法であって、
プラズマ反応器のプラズマ処理チャンバ内に基板を配置する工程であって、前記基板は無機層と前記無機層の上に位置する有機フォトレジストとを含み、前記フォトレジストはバルクフォトレジストの上に位置する炭素リッチ層を含む工程と、
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給する工程であって、前記処理ガスは、CH3Fと、（i）酸素含有ガス及び（ii）前記CH3Fとは異なる水素含有ガスの少なくとも１つと、を含む工程と、
前記処理ガスからプラズマを生成する工程と、
前記基板に外部RFバイアスを印加する間に、前記無機層に対して前記炭素リッチ層を選択的にエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記処理ガスは、体積当たり（i）約９５％から約７０％の前記酸素含有ガスと、（ii）約５％から約３０％の前記CH3Fと、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記炭素リッチ層のエッチング速度は、約4000Å/minから約6000Å/minであり、
前記炭素リッチ層のエッチングの間に、前記無機層の厚さは、約５Å未満又は約２Å未満だけ減少されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記酸素含有ガスは、O2又はH2O蒸気であり、前記水素含有ガスはH2であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記炭素リッチ層のエッチングの間に、前記基板を約１５０℃未満又は約２０℃から約７５℃の温度に維持する工程を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
光放出を用いて前記炭素リッチ層の除去のエンドポイントを検出する工程を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記炭素リッチ層は、イオン注入層であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記無機層は、シリコン含有層であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記炭素リッチ層をエッチングした後に、随意的に、前記プラズマ処理チャンバから前記基板を取り除き、アッシングチャンバ内に前記基板を配置する工程と、
その中に前記基板が配置される（i）前記プラズマ処理チャンバ又は（ii）前記アッシングチャンバに酸素を含むアッシングガスを供給する工程と、
前記アッシングガスからプラズマを生成する工程と、
前記バルクフォトレジストをエッチングする工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記炭素リッチ層及び前記バルクフォトレジストは、前記プラズマ処理チャンバ内でエッチングされることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記炭素リッチ層は前記プラズマ処理チャンバ内でエッチングされ、前記バルクフォトレジストは前記アッシングチャンバ内でエッチングされることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記アッシングガスはO2又はH2O蒸気を含み、前記基板は前記バルクフォトレジストのエッチングの間に、約２００℃から約２８０℃の温度に維持されることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記プラズマ反応器は、誘導結合プラズマ反応器であり、
平面アンテナが、誘電部材を通して前記プラズマ処理チャンバ内にRFエネルギを誘導結合し、
前記基板が、前記誘電部材に面して前記プラズマ処理チャンバ内に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２６】
基板上の有機フォトレジストをエッチングする方法であって、
プラズマ反応器のプラズマ処理チャンバ内に基板を配置する工程であって、前記基板はシリコン含有層と前記シリコン含有層の上に位置する有機フォトレジストとを含み、前記フォトレジストはバルクフォトレジストの上に位置する炭素リッチ層を含む工程と、
CH3F及び酸素含有ガスを含む処理ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給する工程と、
前記処理ガスからプラズマを生成する工程と、
前記基板に外部RFバイアスを印加する間に、前記シリコン含有層に対して前記炭素リッチ層を選択的にエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２７】
（i）前記炭素リッチ層のエッチング速度は、約4000Å/minから約6000Å/minであり、
（ii）前記炭素リッチ層のエッチングの間に、前記無機層の厚さは、約５Å未満又は約２Å未満だけ減少されることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記炭素リッチ層は、イオン注入層であることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
基板上の有機フォトレジストをエッチングする方法であって、
プラズマ反応器のプラズマ処理チャンバ内に基板を配置する工程であって、前記基板は無機層と前記無機層の上に位置する有機フォトレジストとを含み、前記フォトレジストはバルクフォトレジストの上に位置する炭素リッチ層を含む工程と、
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給する工程と、
前記処理ガスから前記プラズマ処理チャンバ内にプラズマを生成する工程と、
前記基板に外部RFバイアスを随意的に印加する間に、前記無機層に対して前記炭素リッチ層を選択的にエッチングする工程と、
前記炭素リッチ層をエッチングした後に、随意的に、前記プラズマ処理チャンバから前記基板を取り除き、アッシングチャンバ内に前記基板を配置する工程と、
その中に前記基板が配置される（i）前記プラズマ処理チャンバ又は（ii）前記アッシングチャンバに酸素を含むアッシングガスを供給する工程と、
前記基板の上流の前記アッシングガスからプラズマを生成する工程と、
前記バルクフォトレジストをエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３０】
前記プラズマ反応器は、誘導結合プラズマ反応器であり、前記基板は容量的にRFバイアスされることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
イオンフラックス及びイオンエネルギを独立制御する工程を更に含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記プラズマ反応器は、誘導結合プラズマ反応器であり、
平面アンテナが、誘電部材を通して前記プラズマ処理チャンバ内にRFエネルギを誘導結合し、
前記基板が、前記誘電部材に面して前記プラズマ処理チャンバ内に配置されていることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
前記炭素リッチ層及び前記バルクフォトレジストは、前記プラズマ処理チャンバ内でエッチングされることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】
前記炭素リッチ層は前記プラズマ処理チャンバ内でエッチングされ、前記バルクフォトレジストは前記アッシングチャンバ内でエッチングされることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
前記処理ガスは、CxHyFz（ただし、yはx以上、zは０以上である）と、（i）酸素含有ガス及び（ii）前記CxHyFzとは異なる水素含有ガスの少なくとも１つと、を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３６】
前記処理ガスは、（i）約１０％から約３０％の前記CH3Fと、（ii）約９０％から約７０％の前記酸素含有ガスと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３７】
前記酸素含有ガスは、O2であることを特徴とする請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記無機層は、シリコン含有層であり、前記シリコン含有層は、約5Å/min未満のエッチング速度でエッチングされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３９】
前記無機層は、シリコン含有層であり、前記シリコン含有層は、約2Å/min未満のエッチング速度でエッチングされることを特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記処理ガスは、前記CH3Fとは異なる水素含有ガスを含まないことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項４１】
前記処理ガスは、前記CH3Fとは異なる水素含有ガスを含まないことを特徴とする請求項２６に記載の方法。