(57)【要約】【課題】  本発明は、小型化を図ると共に、生産性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】  モールド樹脂３３上に樹脂層３５を形成し、樹脂層３５上にグラウンド端子１７と電気的に接続される金属層３８を設け、金属層３８により外部からの電磁波を遮断する。【選択図】  図２
2006294701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板に設けられたグラウンド端子と、該基板に実装された電子部品とを備えた半導体装置において、
前記グラウンド端子が露出された状態で前記電子部品を覆うモールド樹脂と、
前記モールド樹脂上に設けられた樹脂層と、
前記樹脂層上に設けられた金属層と、
前記金属層とグラウンド端子との間を電気的に接続する導電部材とを設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板にグラウンド端子を形成するグラウンド端子形成工程と、該基板に電子部品を実装する電子部品実装工程とを備えた半導体装置の製造方法において、
前記基板に設けられたグラウンド端子を露出した状態で前記電子部品を覆うようモールド樹脂を形成するモールド樹脂形成工程と、
前記モールド樹脂の上面に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層上に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層とグラウンド端子との間を電気的に接続する導電部材を形成する導電部材形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記モールド樹脂形成工程と樹脂層形成工程との間に、前記モールド樹脂の表面を粗化するモールド樹脂粗化工程を設けたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に基板に実装された電子部品を電磁波から保護することのできる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、基板に実装された電子部品を電磁波から保護するためのシールドケースを備えたものがある。図１は、シールドケースを備えた従来の半導体装置の断面図である。
【０００３】
図１に示すように、半導体装置１００は、基板１０１と、接続パッド１０３，１０４と、グラウンド端子１０５と、個別部品１０７と、半導体チップ１０８と、シールドケース１１０とを有する。接続パッド１０３，１０４及びグラウンド端子１０５は、基板１０１に設けられている。個別部品１０７は、接続パッド１０３と電気的に接続されている。半導体チップ１０８は、ワイヤを介して接続パッド１０４と電気的に接続されている。
【０００４】
シールドケース１１０は、グラウンド電位とされたグラウンド端子１０５と電気的に接続されている。シールドケース１１０は、基板１０１上に実装された個別部品１０７及び半導体チップ１０８を外部から遮断するように設けられている。
【０００５】
このようなシールドケース１１０を設けることで、外部からの電磁波が遮断され、個別部品１０７及び半導体チップ１０８を電磁波から保護することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−２６７６２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このようなシールドケース１１０は、個別部品１０７及び半導体チップ１０８を外力から保護する役割も果たしており、外力を受けた際に変形しない程度の厚さを有する。そのため、シールドケース１１０を用いて電磁波を遮断する場合には、半導体装置１００を小型化できないという問題があった。
【０００７】
また、シールドケース１１０を適用した場合には、半導体装置１００毎にシールドケース１１０を用意し、半導体装置１００に設けられたグラウンド端子１０５とシールドケース１１０との間をはんだにより電気的に接続するため、半導体装置１００の生産性が低下してしまうという問題があった。
【０００８】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、小型化を図ると共に、生産性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の一観点によれば、基板と、該基板に設けられたグラウンド端子と、該基板に実装された電子部品とを備えた半導体装置において、前記グラウンド端子が露出された状態で前記電子部品を覆うモールド樹脂と、前記モールド樹脂上に設けられた樹脂層と、前記樹脂層上に設けられた金属層と、前記金属層とグラウンド端子との間を電気的に接続する導電部材とを設けたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１１】
本発明によれば、金属層を形成することが困難なモールド樹脂層上に樹脂層を設けると共に、樹脂層上に金属層と、金属層とグラウンド端子との間を電気的に接続する導電部材とを設けることにより、シールドケースを用いた従来の半導体装置よりも半導体装置を小型化することができる。
【００１２】
本発明の他の観点によれば、基板にグラウンド端子を形成するグラウンド端子形成工程と、該基板に電子部品を実装する電子部品実装工程とを備えた半導体装置の製造方法において、前記基板に設けられたグラウンド端子を露出した状態で前記電子部品を覆うようモールド樹脂を形成するモールド樹脂形成工程と、前記モールド樹脂の上面に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層上に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層とグラウンド端子との間を電気的に接続する導電部材を形成する導電部材形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明によれば、金属層を形成することが困難なモールド樹脂の上面に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層上に金属層を形成する金属層形成工程と、金属層とグラウンド端子との間を電気的に接続する導電部材を形成する導電部材形成工程とを設けることにより、樹脂層上に金属層を形成することが可能となり、金属層により外部からの電磁波を遮断することができる。また、シールドケースを適用した従来の半導体装置で行なっていた、はんだによるシールドケースとグラウンド端子との接続工程が不要となり、製造工程を簡略化して、半導体装置の生産性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、小型化を図ると共に、生産性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態）
図２は、本発明の実施の形態による半導体装置の断面図であり、図３は、図２に示した領域Ａに対応する半導体装置の拡大図である。なお、図２において、Ｈ１は導電枠体３２の高さ（以下、「高さＨ１」とする）、Ｍ１は樹脂層３５の厚さ（以下、「厚さＭ１」とする）、Ｍ２は金属層３８の厚さ（以下、「厚さＭ２」とする）をそれぞれ示している。また、図３において、Ｄ１は貫通ビア３７の直径（以下、「直径Ｄ１」とする）を示している。
【００１６】
始めに、図２及び図３を参照して、本発明の実施の形態による半導体装置１０について説明する。半導体装置１０は、プリント配線板１１と、個別部品２４と、半導体チップ２５と、導電部材３１と、モールド樹脂３３と、樹脂層３５と、金属層３８とを有する。
【００１７】
プリント配線板１１は、個別部品２４及び半導体チップ２５とマザーボード（図示せず）との間を電気的に接続するためのものである。プリント配線板１１は、基板１２と、貫通ビア１３と、上部配線１４と、グラウンド端子１７と、下部配線１８と、拡散防止膜２０と、ソルダーレジスト２１，２２とを有する。
【００１８】
貫通ビア１３は、基板１２を貫通するように設けられている。貫通ビア１３は、上部配線１４と下部配線１８とを電気的に接続する。
【００１９】
上部配線１４は、個別部品２４と接続される接続パッド１５と、半導体チップ２５と接続される接続パッド１６とを有しており、基板１２の面１２Ａに設けられている。接続パッド１５，１６には、拡散防止膜２０が設けられている。拡散防止膜２０としては、例えば、Ｎｉ／Ａｕ層を用いることができる。
【００２０】
グラウンド端子１７は、グラウンド電位とされた導体であり、基板１２の面１２Ａの外周付近に設けられている。グラウンド端子１７の上面は、導電枠体３２と電気的に接続されている。
【００２１】
下部配線１８は、接続パッド１９を有しており、基板１２の面１２Ｂに設けられている。接続パッド１９は、マザーボード等の他の基板と接続するためのものである。
【００２２】
ソルダーレジスト２１は、接続パッド１５，１６以外の上部配線１４を覆うように基板１２の面１２Ａに設けられている。ソルダーレジスト２２は、接続パッド１９以外の下部配線１８を覆うように基板１２の面１２Ｂに設けられている。ソルダーレジスト２１，２２は、配線１４，１８を保護するためのものである。
【００２３】
電子部品である個別部品２４は、拡散防止膜２０を介して接続パッド１６と電気的に接続されている。個別部品２４は、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の基本となる電気的素子の１つの機能が１つの部品となっているもののことである（「ディスクリート部品」ともいう）。
【００２４】
電子部品である半導体チップ２５は、電極パッド２６を有している。半導体チップ２５は、電極パッド２６に設けられたスタッドバンプ２７と、拡散防止膜２０とを介して接続パッド１５と電気的に接続されている。また、半導体チップ２５とプリント配線板１１との間には、半導体チップ２５とプリント配線板１１との間の熱膨張係数の差を小さくするためのアンダーフィル樹脂２９が設けられている。
【００２５】
導電部材３１は、導電枠体３２と、貫通ビア３７とから構成されており、金属層３８とグラウンド端子１７との間を電気的に接続するためのものである。導電枠体３２は、枠形状とされており、グラウンド端子１７及び貫通ビア３７と電気的に接続されると共に、個別部品２４及び半導体チップ２５を囲むよう基板１２の面１２Ａの外周付近に設けられている。導電枠体３２は、貫通ビア３７を介して金属層３８とグラウンド端子１７とを電気的に接続する。
【００２６】
また、導電枠体３２の高さＨ１は、導電枠体３２の上面３２Ａが個別部品２４及び半導体チップ２５の上面よりも高い位置となるように設定されている。導電枠体３２の高さＨ１は、例えば、１ｍｍとすることができる。また、導電枠体３２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００２７】
貫通ビア３７は、樹脂層３５に形成された貫通孔３６に設けられている。貫通ビア３７は、樹脂層３５上に形成された金属層３８と導電枠体３２との間を電気的に接続する。貫通ビア３７の直径Ｄ１は、例えば、１００μｍとすることができる。また、貫通ビア３７の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００２８】
モールド樹脂３３は、個別部品２４及び半導体チップ２５を覆うと共に、枠形状とされた導電枠体３２の内部を充填するように設けられている。また、モールド樹脂３３の上面と導電枠体３２の上面３２Ａとは面一とされている。モールド樹脂３３は、プリント配線板１１に実装された個別部品２４及び半導体チップ２５を外部の衝撃から保護するためのものであり、耐久性に優れ、その表面は平滑な面とされている。そのため、金属層３８を形成可能な程度までモールド樹脂３３の表面を粗化して、モールド樹脂３３上に直接金属層３８を形成することは困難である。モールド樹脂３３としては、例えば、トランスファーモールド法により形成されたエポキシ系モールド樹脂を用いることができる。
【００２９】
樹脂層３５は、一般的な樹脂であり、金属層３８を形成できる程度まで粗化することの可能な樹脂である。樹脂層３５は、導電枠体３２の上面３２Ａとモールド樹脂３３の上面とを覆うように設けられている。また、導電枠体３２と対向する樹脂層３５には、貫通ビア３７を配設するための貫通孔３６が樹脂層３５を貫通するように複数形成されている。貫通孔３６の直径は、貫通ビア３７の直径Ｄ１と略等しく設定されている。貫通孔３６の直径は、例えば、１００μｍとすることができる。樹脂層３５としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。また、樹脂層３５の厚さＭ１は、例えば、５０μｍとすることができる。
【００３０】
このように、モールド樹脂３３上に樹脂層３５を設けることにより、モールド樹脂３３が設けられた半導体装置１０に金属層３８を形成することが可能となる。
【００３１】
金属層３８は、樹脂層３５の上面に設けられており、貫通ビア３７と電気的に接続されている。金属層３８は、導電部材３１を介して、グラウンド端子１７と電気的に接続されている。金属層３８は、外部からの電磁波を遮断するためのものである。
【００３２】
金属層３８は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、めっき法等により形成することができる。スパッタ法または真空蒸着法を用いる場合、金属層３８の材料として、例えば、Ａｌを用いることができる。また、めっき法を用いる場合には、金属層３８の材料として、例えば、Ｃｕを用いることができる。金属層３８の厚さＭ２は、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度とすることができる。
【００３３】
このように、シールドケース１１０よりも厚さＭ２が薄く、外部からの電磁波を遮断する金属層３８を設けることにより、シールドケース１１０を備えた従来の半導体装置１００と比較して、半導体装置１０を小型化することができる。
【００３４】
本実施の形態の半導体装置１０によれば、金属層３８を形成することが困難なモールド樹脂３３上に樹脂層３５を設け、樹脂層３５上にグラウンド端子１７と電気的に接続される金属層３８を設けたことにより、外部からの電磁波を遮断する半導体装置１０の小型化を図ることができる。
【００３５】
図４は、半導体装置が形成される基板の平面図である。図４において、Ｃは半導体装置１０が形成される領域（以下、「半導体装置形成領域Ｃ」とする）、Ｅはモールド樹脂３３が形成される領域（以下、「モールド樹脂形成領域Ｅ」とする）、Ｆは導電枠体３２が形成される領域（以下、「導電枠体形成領域Ｆ」とする）、Ｇはダイシングブレードが切削する位置（以下、「ダイシング位置」とする）、Ｗ１，Ｗ２は隣り合う半導体装置形成領域Ｃ間の幅（以下、「幅Ｗ１，Ｗ２」とする）をそれぞれ示している。
【００３６】
次に、図４を参照して、半導体装置１０が形成される基板１２について説明する。基板１２は、複数の半導体装置形成領域Ｃ（本実施の形態の場合は９つ）を有している。半導体装置形成領域Ｃは、個別部品２４及び半導体チップ２５を封止するモールド樹脂３３が形成されるモールド樹脂形成領域Ｅと、モールド樹脂３３の側面を囲む導電枠体３２が形成される導電枠体形成領域Ｆとよりなる。また、複数の半導体装置形成領域Ｃは、例えば、幅Ｗ１，Ｗ２が３ｍｍとなるように配置することができる。基板１２としては、例えば、ガラスエポキシ基板を用いることができる。
【００３７】
図５〜図１５は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図である。なお、図５〜図１５において、図２及び図４に示した構造体と同一構成部分には同一の符号を付す。
【００３８】
次に、図５〜図１５を参照して、図４に示した基板１２に半導体装置１０を製造する場合を例に挙げて、本実施の形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。
【００３９】
図５に示すように、公知の技術を用いて、貫通ビア１３、接続パッド１５，１６を有する上部配線１４、グラウンド端子１７、接続パッド１９を有する下部配線１８、ソルダーレジスト２１，２２を形成する。
【００４０】
次に、図６に示すように、グラウンド端子１７を覆うようにレジスト層４３を形成し、続いて、接続パッド１５，１６上に拡散防止膜２０を形成する。拡散防止膜２０としては、例えば、Ｎｉ／Ａｕ層を用いることができる。Ｎｉ／Ａｕ層は、例えば、接続パッド１５，１６を給電層とする電解めっき法により形成することができる。レジスト層４３は、拡散防止膜２０を形成後、レジスト剥離液により除去される。これにより、半導体装置形成領域Ｃにプリント配線板１１の構成に対応する構造体が形成される。
【００４１】
次に、図７に示すように、ソルダーレジスト２１及び拡散防止膜２０を覆うと共に、導電枠体形成領域Ｆに設けられたグラウンド端子１７を露出させるようレジスト層４４を形成し、続いて、レジスト層４４に露出されたグラウンド端子１７上に枠形状の導電金属４６を形成する。導電金属４６は、後述するダイシングにより切断されて、枠形状とされた導電枠体３２となる。導電金属４６の高さＨ１は、例えば、１ｍｍとすることができる。
【００４２】
続いて、図８に示すように、レジスト層４４をレジスト剥離液により除去する。次に、図９に示すように、拡散防止膜２０を介して個別部品２４を接続パッド１６に接続し、半導体チップ２５をスタッドバンプ２７及び拡散防止膜２０を介して接続パッド１５に接続する（電子部品実装工程）。この際、半導体チップ２５と対向するソルダーレジスト２１及び拡散防止膜２０と半導体チップ２５との間に、アンダーフィル樹脂２９を充填させる。
【００４３】
次に、図１０に示すように、個別部品２４及び半導体チップ２５を封止するモールド樹脂３３を形成する（モールド樹脂形成工程）。モールド樹脂３３としては、例えば、トランスファーモールド法により形成されたエポキシ系モールド樹脂を用いることができる。トランスファーモールド法とは、封止したい部材（本実施の形態の場合、個別部品２４及び半導体チップ２５が実装された基板１２）を金型成型機にセットし、温度を上げて流動性を持たせたモールド樹脂に圧力をかけて、金型内に流し込んで（圧送）、金型の形に樹脂を成型する方法である。
【００４４】
モールド樹脂３３は、導電金属４６の上面４６Ａを覆うような厚さにするとよい。このように、導電金属４６の上面４６Ａを覆うようモールド樹脂３３を形成することにより、例えば、トランスファーモールド法を適用した場合、金型に導電金属４６が接触して、金型に導電金属４６の形状が転写されることを防止できる。
【００４５】
次に、図１１に示すように、モールド樹脂３３の面３３Ａと導電金属４６の上面４６Ａとが面一となるようにモールド樹脂３３の研磨を行ない、その後、モールド樹脂３３の面３３Ａをデスミア処理により粗化させる（モールド樹脂粗化工程）。
【００４６】
このように、モールド樹脂３３の面３３Ａをデスミア処理により粗化させることで、モールド樹脂３３上に形成される樹脂層３５とモールド樹脂３３との間の密着性を向上させることができる。研磨としては、例えば、バフ研磨を用いることができる。図１６として、図１１に示した構造体を平面視した図を示す。
【００４７】
次に、図１２に示すように、モールド樹脂３３の面３３Ａと導電金属４６の上面４６Ａとを覆うように樹脂層３５を形成する（樹脂層形成工程）。樹脂層３５は、一般的な樹脂であり、金属層３８を形成可能な程度まで粗化することのできる樹脂である。樹脂層３５としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。樹脂層３５の厚さＭ１は、例えば、５０μｍとすることができる。
【００４８】
このように、モールド樹脂３３上に樹脂層３５を設けることにより、モールド樹脂３３形成後に金属層３８を形成することができる。
【００４９】
次に、図１３に示すように、導電枠体形成領域Ｆに対応する樹脂層３５に複数の貫通孔３６を形成し、その後、デスミア処理により貫通孔３６が形成された樹脂層３５の表面を粗化する。図１７として、図１３に示した構造体を平面視した図を示す。また、図１８は、貫通孔の形成位置を説明するための図である。なお、図１８において、Ｊはダイシングブレード５０により切削される領域（以下、「切削領域Ｊ」とする）を示している。
【００５０】
ここで、図１８を参照して、貫通孔３６の形成位置について説明する。図１８に示すように、貫通孔３６は、切削領域Ｊの両側の導電枠体形成領域Ｆに対応する樹脂層３５に形成されている。このように、切削領域Ｊの両側の導電枠体形成領域Ｆに対応する樹脂層３５に貫通孔３６を形成することにより、半導体装置１０を個片化する際、貫通孔３６に設けられた貫通ビア３７がダイシングにより切削されることを防止できる。なお、貫通孔３６は、例えば、レーザ加工により形成することができる。貫通孔３６の直径は、例えば、１００μｍとすることができる。
【００５１】
次に、図１４に示すように、貫通孔３６を充填すると共に、樹脂層３５を覆うように導電材料を形成する。これにより、貫通孔３６に貫通ビア３７と、樹脂層３５上に金属層３８とが一度に形成される（金属層形成工程）。
【００５２】
導電材料は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、めっき法等により形成することができる。スパッタ法または真空蒸着法を用いる場合、導電材料として、例えば、Ａｌを用いることができる。めっき法を用いる場合には、導電材料として、例えば、Ｃｕを用いることができる。金属層３８の厚さＭ２は、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度とすることができる。
【００５３】
次に、図１５に示すように、ダイシング位置Ｇに沿ってダイシングを行なうことにより、半導体装置１０が個片化され、半導体装置１０が製造される。この際、導電金属４６は、ダイシングにより切断されて、枠形状とされた導電枠体３２となる。
【００５４】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、モールド樹脂３３の上面３３Ａに樹脂層３５を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層３５上に金属層３８を形成する金属層形成工程と、金属層３８とグラウンド端子１７との間を電気的に接続する導電部材３１を形成する導電部材形成工程とを設けることにより、樹脂層３５上に金属層３８を形成することが可能となり、グラウンド端子１７と電気的に接続された金属層３８により外部からの電磁波を遮断することができる。また、シールドケース１１０を適用した従来の半導体装置１００で行なっていた、はんだによるシールドケース１１０とグラウンド端子１０５との接続工程が不要となり、製造工程を簡略化して、半導体装置１０の生産性を向上させることができる。
【００５５】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。なお、本発明は、基板１２の内部に複数の配線やビアを備えた半導体装置にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明によれば、小型化を図ると共に、生産性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】シールドケースを備えた従来の半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態による半導体装置の断面図である。
【図３】図２に示した領域Ａに対応する半導体装置の拡大図である。
【図４】半導体装置が形成される基板の平面図である。
【図５】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その１）である。
【図６】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その２）である。
【図７】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その３）である。
【図８】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その４）である。
【図９】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その５）である。
【図１０】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その６）である。
【図１１】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その７）である。
【図１２】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その８）である。
【図１３】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その９）である。
【図１４】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その１０）である。
【図１５】本実施の形態の半導体装置の製造工程を示した図（その１１）である。
【図１６】図１１に示した構造体を平面視した図である。
【図１７】図１３に示した構造体を平面視した図である。
【図１８】貫通孔の形成位置を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  半導体装置
１１  プリント配線板
１２  基板
１２Ａ，１２Ｂ，３３Ａ  面
１３，３７  貫通ビア
１４  上部配線
１５，１６，１９  接続パッド
１７  グラウンド端子
１８  下部配線
２０  拡散防止膜
２１，２２  ソルダーレジスト
２４  個別部品
２５  半導体チップ
２６  電極パッド
２７  スタッドバンプ
２９  アンダーフィル樹脂
３１  導電部材
３２  導電枠体
３２Ａ，４６Ａ  上面
３３  モールド樹脂
３５  樹脂層
３６  貫通孔
３８  金属層
４３，４４  レジスト層
４６  導電金属
５０  ダイシングブレード
Ｃ  半導体装置形成領域
Ｄ１  直径
Ｅ  モールド樹脂形成領域
Ｆ  導電枠体形成領域
Ｇ  ダイシング位置
Ｈ１  高さ
Ｊ  切削領域
Ｍ１，Ｍ２  厚さ
Ｗ１，Ｗ２  幅
【図１】
2006294701.tif 000003
【図２】
2006294701.tif 000004
【図３】
2006294701.tif 000005
【図４】
2006294701.tif 000006
【図５】
2006294701.tif 000007
【図６】
2006294701.tif 000008
【図７】
2006294701.tif 000009
【図８】
2006294701.tif 000010
【図９】
2006294701.tif 000011
【図１０】
2006294701.tif 000012
【図１１】
2006294701.tif 000013
【図１２】
2006294701.tif 000014
【図１３】
2006294701.tif 000015
【図１４】
2006294701.tif 000016
【図１５】
2006294701.tif 000017
【図１６】
2006294701.tif 000018
【図１７】
2006294701.tif 000019
【図１８】
2006294701.tif 000020