【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学気相成長により、基体上に炭化ケイ素を堆積する方法であって、
（ａ）反応チャンバ中に少なくとも１つの基体を配置する工程；
（ｂ）該反応チャンバに、所定の固定流速でケイ素前駆体を供給する工程；
（ｃ）該反応チャンバに、所定の固定流速で炭素前駆体を供給する工程；および
（ｄ）該反応チャンバ中の圧力を制御することにより、該堆積された炭化ケイ素膜中の応力を制御する工程、
を包含する、方法。
【請求項２】
前記基体が、ケイ素である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基体が、二酸化ケイ素または炭化ケイ素である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記炭化ケイ素が、多結晶炭化ケイ素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ケイ素前駆体の所定の流速が、毎分約５４立方センチメートル（標準状態換算）である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ケイ素前駆体が、シラン、ハロシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ビストリメチルシリルメタン、メチルトリクロロシラン、シラン、テトラエチルシラン、およびシラシクロブタンからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ハロシランが、ジクロロシラン、トリクロロシラン、およびテトラクロロシランからなる群より選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ケイ素前駆体が、ジクロロシランである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記反応チャンバ中の圧力が、約０．４２ｔｏｒｒと約５ｔｏｒｒとの間に制御される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記反応チャンバ中の圧力が、約２．６５ｔｏｒｒに制御される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記反応チャンバ中の圧力が、前記堆積された炭化ケイ素膜中の残存応力を最小にするように制御される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記堆積された炭化ケイ素膜中の残存応力が、約７００ＭＰａと約−１００ＭＰａとの間にある、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記反応チャンバ中の圧力が、約２．６５ｔｏｒｒに制御される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記反応チャンバを、固定された温度に維持する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記固定された温度が、約９００℃である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記炭素前駆体の所定の流速が、毎分約１８０立方センチメートル（標準状態換算）である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記炭素前駆体を供給する工程が、水素中のアセチレンを毎分約１８０立方センチメートル（標準状態換算）の流速で前記反応チャンバに供給する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記炭化ケイ素の電気抵抗率を制御する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記堆積された炭化ケイ素の電気抵抗率が、約１０Ω・ｃｍ未満である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記電気抵抗率を制御する工程が、前記反応チャンバ中の圧力を制御する工程を包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
化学気相成長により、基体上に炭化ケイ素膜を堆積する方法であって、
（ａ）反応チャンバ中に少なくとも１つの基体を配置する工程；
（ｂ）該反応チャンバを所定の圧力に維持する工程；
（ｃ）該反応チャンバに、所定の固定流速で炭素前駆体を供給する工程；
（ｄ）該反応チャンバに、ある流速でケイ素前駆体を供給する工程；および
（ｅ）該ケイ素前駆体の流速を制御して、該堆積された炭化ケイ素膜中の応力を制御する工程、
を包含する、方法。
【請求項２２】
前記基体が、ケイ素である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基体が、二酸化ケイ素または炭化ケイ素である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記炭化ケイ素が、多結晶炭化ケイ素を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記所定の圧力が、約２．０ｔｏｒｒである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記ケイ素前駆体が、シラン、ハロシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ビストリメチルシリルメタン、メチルトリクロロシラン、シラン、テトラエチルシラン、およびシラシクロブタンからなる群より選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記ハロシランが、ジクロロシラン、トリクロロシラン、およびテトラクロロシランからなる群より選択される、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記ケイ素前駆体が、ジクロロシランである、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記ケイ素前駆体の流速が、毎分約１８立方センチメートル（標準状態換算）と毎分約５４立方センチメートル（標準状態換算）との間で制御される、請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
前記ケイ素前駆体の流速が、毎分約３６立方センチメートル（標準状態換算）に制御される、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記ケイ素前駆体の流速が、前記堆積された炭化ケイ素膜中の残存応力を最小にするように制御される、請求項２１に記載の方法。
【請求項３２】
前記堆積された炭化ケイ素膜中の残存応力が、約７００ＭＰａと約−１００ＭＰａとの間にある、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記ケイ素前駆体の流速が、毎分約３６立方センチメートル（標準状態換算）に制御される、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記反応チャンバを、固定された温度に維持する工程をさらに包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項３５】
前記固定された温度が、約９００℃である、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記炭素前駆体の所定の流速が、毎分約１８０立方センチメートル（標準状態換算）である、請求項２１に記載の方法。
【請求項３７】
前記炭素前駆体を供給する工程が、水素中のアセチレンを毎分約１８０立方センチメートル（標準状態換算）の流速で前記反応チャンバに供給する工程を包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項３８】
前記炭化ケイ素の電気抵抗率を制御する工程をさらに包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項３９】
前記堆積された炭化ケイ素の電気抵抗率が、約１０Ω・ｃｍ未満である、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記電気抵抗率を制御する工程が、前記ケイ素前駆体の流速を制御する工程を包含する、請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
基体上への炭化ケイ素膜の堆積の間の該炭化ケイ素膜の応力を制御して、所望の応力値を達成する方法であって、
（ａ）反応チャンバ中に少なくとも１つの基体を配置する工程；
（ｂ）該反応チャンバに、所定の固定流速でケイ素前駆体を供給する工程；
（ｃ）該反応チャンバに、所定の固定流速で炭素前駆体を供給する工程；および
（ｄ）該反応チャンバ中の圧力を制御して、該所望の応力値を達成する工程、
を包含する、方法。
【請求項４２】
基体上への炭化ケイ素膜の堆積の間の該炭化ケイ素膜の応力を制御して、所望の応力値を達成する方法であって、
（ａ）反応チャンバ中に少なくとも１つの基体を配置する工程；
（ｂ）該反応チャンバを、所定の圧力に維持する工程；
（ｃ）該反応チャンバに、所定の固定流速で炭素前駆体を供給する工程；および
（ｄ）該チャンバに提供されるケイ素前駆体の流速を制御して、該所望の応力値を達成する工程、
を包含する、方法。
【請求項４３】
基体であって、該基体はその上に堆積された炭化ケイ素膜を有し、ここで該炭化ケイ素膜は、約１００ＭＰａと約−１００ＭＰａとの間の残存応力を有する、基体。
【請求項４４】
前記炭化ケイ素膜の電気抵抗率が、約５Ω・ｃｍ未満である、請求項４３に記載の基体。
【請求項４５】
前記残存応力が、約０ＭＰａである、請求項４３に記載の基体。
【請求項４６】
前記基体が、シリコンウェーハまたはシリコンチップである、請求項４３に記載の基体。
【請求項４７】
ミクロ機械デバイス、ミクロ電気機械デバイス、ナノ機械デバイスまたはナノ電気機械デバイスであって、該ミクロ機械デバイス、ミクロ電気機械デバイス、ナノ機械デバイスまたはナノ電気機械デバイスは、その上に堆積された炭化ケイ素膜を有する基体を含み、該炭化ケイ素膜は、約１００ＭＰａと約−１００ＭＰａとの間の残存応力、および約５Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、ミクロ機械デバイス、ミクロ電気機械デバイス、ナノ機械デバイスまたはナノ電気機械デバイス。
【請求項４８】
ミクロ機械デバイス、ミクロ電気機械デバイス、ナノ機械デバイスまたはナノ電気機械デバイスであって、請求項１に記載の方法によりその上に堆積された炭化ケイ素膜を有する基体を含む、ミクロ機械デバイス、ミクロ電気機械デバイス、ナノ機械デバイスまたはナノ電気機械デバイス。
【請求項４９】
ミクロ機械デバイス、ミクロ電気機械デバイス、ナノ機械デバイスまたはナノ電気機械デバイスであって、請求項２１に記載の方法によりその上に堆積された炭化ケイ素膜を有する基体を含む、ミクロ機械デバイス、ミクロ電気機械デバイス、ナノ機械デバイスまたはナノ電気機械デバイス。
【請求項５０】
セラミック膜中の所望の応力値を達成するように、基体上へ該セラミック膜を堆積する方法であって、
（ａ）反応チャンバ中に少なくとも１つの基体を配置する工程；
（ｂ）該反応チャンバを、所定の固定温度に維持する工程；
（ｃ）該反応チャンバに、所定の固定流速で金属元素前駆体を供給する工程；
（ｄ）該反応チャンバに、所定の固定流速で非金属元素前駆体を供給する工程；および
（ｅ）該反応チャンバ中の圧力を制御することにより、該堆積されたセラミック膜中の応力を制御する工程、
を包含する、方法。
【請求項５１】
前記膜が、化合物半導体膜である、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
セラミック膜中の所望の応力値を達成するように、基体上へ該セラミック膜を堆積する方法であって、
（ａ）反応チャンバ中に少なくとも１つの基体を配置する工程；
（ｂ）該反応チャンバを、所定の固定温度に維持する工程；
（ｃ）該反応チャンバを、所定の固定圧力に維持する工程；
（ｄ）該反応チャンバに、所定の固定流速で非金属元素前駆体を供給する工程；
（ｅ）該反応チャンバに、ある流速で金属元素前駆体を供給する工程；および
（ｆ）該金属元素前駆体の流速を制御して、該堆積されたセラミック膜中の所望の残存応力を達成する工程、
を包含する、方法。
【請求項５３】
前記膜が、化合物半導体膜である、請求項５２に記載の方法。