【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード・フレーム上の半導体発光ダイオードであって、
半導体基板と、
第１導電型を有し、前記半導体基板上にあるIII族窒化物の第１エピタキシャル領域と、
前記第１導電型とは反対の第２導電型を有し、前記第１エピタキシャル領域上にあるIII族窒化物の第２エピタキシャル領域であって、前記第１エピタキシャル領域と共にｐｎ接合部を形成する第２エピタキシャル領域と、
前記第２エピタキシャル領域と前記リード・フレームとの間に配置されたオーミック・コンタクトであって、前記リード・フレームと前記第２エピタキシャル領域とを電気的に接続するオーミック・コンタクトと、
前記第１エピタキシャル領域上にあり、前記第２エピタキシャル領域に隣接するIII族窒化物の隔離領域であって、前記ｐｎ接合部を前記リード・フレームから電気的に隔離するために前記第２エピタキシャル領域と比較して固有抵抗が増大されているIII族窒化物の隔離領域と
を備えていることを特徴とする半導体発光ダイオード。
【請求項２】
請求項１記載の発光ダイオードにおいて、前記隔離領域は、約２０００Ω−ｃｍよりも高い固有抵抗を有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３】
請求項１記載の発光ダイオードにおいて、前記隔離領域は、半絶縁性であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項４】
請求項１記載の発光ダイオードにおいて、該発光ダイオードは更に、前記第２エピタキシャル領域の上面上に金属接点層を備えており、該金属接点層はオーミック・コンタクト、反射層、及び接合層から選択されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項５】
請求項１記載の発光ダイオードにおいて、前記半導体基板は、炭化珪素、サファイア、ＺｎＯ、ＭｇＯ、スピネル、シリコン、窒化ガリウム、及び窒化アルミニウムから選択された材料で構成されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項６】
請求項１記載の発光ダイオードにおいて、前記半導体基板は、導電性基板及び半絶縁性基板から選択されることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項７】
請求項１記載の発光ダイオードにおいて、該発光ダイオードは更に、窒化シリコン、二酸化シリコン、及び絶縁性ポリマから選択されたパシベーション層を、前記第１及び第２エピタキシャル層上に備えていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項８】
請求項１記載の半導体発光ダイオードにおいて、
前記半導体基板上の、該基板と前記第１エピタキシャル領域との間にバッファ層を備えており、
前記第１及び第２エピタキシャル領域は、電流を注入し通過させたときに発光するように、前記バッファ層上に半導体活性構造の少なくとも一部を形成し、
前記発光ダイオードは、前記活性構造上にIII族窒化物のｐ型エピタキシャル層を備えており、
前記隔離領域は、前記活性構造の一部を電気的に隔離するために、前記活性構造上にあって前記ｐ型エピタキシャル層を包囲する、高抵抗窒化ガリウムで構成され、
前記発光ダイオードは、電流を注入し該発光ダイオード及び前記活性構造を通過させて所望の発光を得るように、前記発光ダイオードに対する第２オーミック・コンタクトを備えている
ことを特徴とする半導体発光ダイオード。
【請求項９】
請求項８記載の発光ダイオードにおいて、前記高抵抗境界は、前記境界が金属と接触しているときに、ショットキー挙動を排除するのに十分な固有抵抗を有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１０】
請求項１記載の発光ダイオードにおいて、
前記半導体基板は、ｎ型導電性の炭化シリコン基板であり、
前記第１エピタキシャル領域は、ｎ型であり、
前記第２エピタキシャル領域は、ｐ型である
ことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１１】
請求項８記載の発光ダイオードにおいて、前記第２オーミック・コンタクトは、プラチナ、ニッケル、金、チタン、アルミニウム、銀、及びその組み合わせから選択されることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１２】
半導体ダイオードを製造する方法であって、
基板上に第１導電型を有する第１エピタキシャル領域を形成するステップと、
前記第１エピタキシャル領域上に第２導電型を有する第２エピタキシャル領域を形成して、前記第１及び第２エピタキシャル領域によりｐｎ接合を形成するステップと、
前記第２エピタキシャル領域の中央部に金属接点層を、前記第２エピタキシャル領域の表面の周囲部分が露呈するように形成するステップと、
前記周囲部分を通じて前記第２エピタキシャル領域にイオンをインプラントして、注入イオンで高濃度にドープされたインプラント周囲部分を画定し、前記ｐｎ接合と前記周囲部分とを隔離するステップと、
オーミック・コンタクトでリード・フレーム上にダイオードを配置し、前記第２エピタキシャル領域の高抵抗部分により、前記ｐｎ接合を前記リード・フレームから隔離するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、該方法は更に、
前記金属接点層にフォトレジストを被着するステップと、
前記フォトレジストをパターニングするステップと、
前記第２エピタキシャル領域の表面の一部を露呈させるために、前記金属接点層の一部を選択的にエッチングするステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、該方法は更に、前記第２エピタキシャル領域にイオンをインプラントする前に、前記フォトレジストを除去するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１３記載の方法において、該方法は更に、前記フォトレジストを除去する前に、前記第２エピタキシャル領域にイオンをインプラントするステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１３記載の方法において、該方法は更に、二酸化シリコン、窒化シリコン、絶縁性ポリマ、及びそれらの組み合わせから選択されたパシベーション層を、前記第２エピタキシャル層の露出部分上に形成するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１２記載の方法において、該方法は、窒素、燐、アルミニウム、ヘリウム、水素、及びＮ２から成る群から選択されたイオンをインプラントするステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１２記載の方法において、該方法は、、窒化ガリウムのｐ型エピタキシャル層に向けてイオンを出射するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１２記載の方法において、該方法は、前記イオンをインプラントするステップの前に、前記第１エピタキシャル層の表面上にマスクを被着するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の方法において、前記マスクを被着するステップは、前記第１エピタキシャル層へのオーミック・コンタクトを設けることができる、パターニングされた金属層を被着するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１２記載の方法において、前記イオンを出射するステップは、イオン・エネルギ、イオン投与量、及びその組み合わせから選択された要因が互いに異なる２つのインプラント・ステップから成ることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１２記載の方法において、該方法は、約２×１０１３ｃｍ−２までの投与量、ならびに約１００〜２００ｋｅＶの間のエネルギで、約１×１０１７ｃｍ−３のｐ型キャリア濃度を有するエピタキシャル層にイオンをインプラントするステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１２記載の方法において、該方法は、
少なくともｐ型エピタキシャル層、前記ｐ型層上のオーミック・コンタクト層、及び前記オーミック・コンタクト層上の接合パッドを含む素子又はその先駆体をパッシベーションするステップと、
前記オーミック・コンタクト層の一部及び前記接合パッドの全てにマスキングするステップと、
前記エピタキシャル層から、残留している露出金属接点層を除去するステップと、
前記露出部分を高抵抗にするのに十分なイオンを、前記エピタキシャル層の露出部分にインプラントするステップと、
前記オーミック・コンタクト及び前記接合パッドから前記マスクを除去することによって、前記ｐ型層のパッシベーションされた部分を生成するステップと
からなることを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の方法において、該方法は、前記マスキング・ステップの前に、前記オーミック・コンタクト及び前記接合パッドを被着することを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２３記載の方法において、該方法は、フォトレジストによって、前記オーミック・コンタクト層にマスキングを施すステップを含むことを特徴とする方法。