Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月11日(2007.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
低級アルキン、アルキニルまたはアルキニルオキシ基は分岐しているかまたは分岐していないで、そして２から７個の炭素原子、好ましくは２−４個の炭素原子を含有し、そして少なくとも１個の炭素−炭素三重結合を含有する。低級アルキンまたはアルキニルは例えばエチニル、プロプ−１−イニル、プロパルギル、ブチニル、イソプロピニルまたはイソブチニルおよびそのオキシ均等物を表す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
シクロアルキルは場合によっては低級アルキルにより置換されていてよい飽和環状炭化水素を表し、これは３から１０個の環炭素を含有し、そして有利には場合によっては低級アルキルにより置換されていてよいシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルまたはシクロオクチルである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
サイクリン依存性キナーゼ阻害剤（例えばロスコビチン、オロムシン（olomucine）およびプリン類似体）；ＭＡＰキナーゼ阻害剤（ＣＮＩ−１４９３）；カスタノスペルミン；セクロピンＢ；セトロレリクス；クロルンズ（chlorlns）；クロロキノキサリンスルホンアミド；シカプロスト；シス−ポルフィリン；クラドリビン；クロミフェン類似体；クロトリマゾール；コリスマイシン（collismycin）Ａ；コリスマイシンＢ；コンブレタスタチンＡ４；コンブレタスタチン類似体；コナゲニン；クランベシジン８１６；クリスナトール；クリプトフィシン（cryptophycin）８；クリプトフィシンＡ誘導体；キュラシンＡ；シクロペントアントラキノン；シクロプラタム（cycloplatam）；シペマイシン（cypemycin）；シタラビンオクホスファート；細胞溶解因子；サイトスタチン；ダクリキシマブ（dacliximab）；デシタビン；デヒドロジデムニンＢ；デスロレリン；デキサメタゾン；デキシホスファミド（dexifosfamide）；デクスラゾキサン；デクスベラパミル；ジアジコン；ジデムニンＢ；ジドックス（didox）；ジエチルノルスペルミン；ジヒドロ−５−アザシチジン；ジヒドロタクソール、９−；ジオキサマイシン（dioxamycin）；ジフェニルスピロムスチン；ドセタキセル；ドコサノール；ドラセトロン；ドキシフルリジン；ドロロキシフェン；ドロナビノール；デュオカルマイシンＳＡ；エブセレン；エコムスチン；エデルホシン；エドレコロマブ；エフロルニチン；エレメン；エミテフル；エピルビシン；エプリステリド；エストラムスチン類似体；エストロゲンアゴニスト；エストロゲンアンタゴニスト；エタニダゾール；リン酸エトポシド；エキセメスタン；ファドロゾール；ファザラビン；フェンレチニド；フィルグラスチム；フィナステリド；フラボピリドール；フレゼラスチン；フルアステロン；フルダラビン；塩酸フルオロダウノルニシン（fluorodaunorunicin）；ホルフェニメクス；ホルメスタン；ホストリエシン；フォテムスチン；ガドリニウムテキサフィリン；硝酸ガリウム；ガロシタビン；ガニレリックス；ゼラチナーゼ阻害剤；ゲムシタビン；グルタチオン阻害剤；ヘプスルファム（hepsulfam）；ヘレグリン；ヘキサメチレンビスアセトアミド；ヒペリシン；イバンドロン酸；イダルビシン；イドキシフェン；イドラマントン；イルモホシン；イロマスタット；イミダゾアクリドン；イミキモド；免疫刺激ペプチド；インスリン様成長因子−１受容体阻害剤；インターフェロンアゴニスト；インターフェロン；インターロイキン；イオベングアン；ヨードドキソルビシン；イポメアノール、４−；イロプラクト（iroplact）；イルソグラジン；イソベンガゾール（isobengazole）；イソホモハリコンドリンＢ；イタセトロン；ジャスプラキノリド；カハラライドＦ；三酢酸ラメラリン−Ｎ；ランレオチド；レイナマイシン；レノグラスチム；硫酸レンチナン；レプトルスタチン（leptolstatin）；レトロゾール；白血病阻止因子；白血球アルファインターフェロン；ロイプロリド＋エストロゲン＋プロゲステロン；ロイプロレリン；レバミゾール；リアロゾール；直鎖ポリアミン類似体；親油性二糖ペプチド；親油性白金化合物；リソクリナミド（lissoclinamide）７；ロバプラチン；ロンブリシン；ロメトレキソール；ロニダミン；ロソキサントロン；ロバスタチン；ロキソリビン；ルルトテカン（lurtotecan）；ルテチウムテキサフィリン；リゾフィリン；細胞溶解性ペプチド；マイタンシン；マンノスタチンＡ；マリマスタット；マソプロコール；マスピン；マトリリシン阻害剤；マトリックスメタロプロテイナーゼ阻害剤；メノガリル；メルバロン（merbarone）；メテレリン；メチオニナーゼ；メトクロプラミド；ＭＩＦ阻害剤；ミフェプリストン；ミルテホシン；ミリモスチム；誤対合二重鎖ＲＮＡ；ミトグアゾン；ミトラクトール；マイトマイシン類似体；ミトナフィド（mitonafide）；マイトトキシン繊維芽細胞成長因子−サポリン；ミトキサントロン；モファロテン；モルグラモスチム；モノクローナル抗体、ヒト絨毛ゴナドトロピン；モノホスホリルリピドＡ＋ミオバクテリウム（myobacterium）細胞壁ｓｋ；モピダモール；多剤耐性遺伝子阻害剤；多発性腫瘍サプレッサー１−基盤治療；マスタード抗癌剤；ミカペルオキシド（mycaperoxide）Ｂ；ミコバクテリア細胞壁抽出物；ミリアポロン（myriaporone）；Ｎ−アセチルジナリン；Ｎ−置換ベンズアミド；ナファレリン；ナグレスチップ（nagrestip）；ナロキソン＋ペンタゾシン；ナパビン（napavin）；ナフテルピン；ナルトグラスチム；ネダプラチン；ネモルビシン（nemorubicin）；ネリドロン酸；中性エンドペプチダーゼ；ニルタミド；ニサマイシン（nisamycin）；一酸化窒素モジュレーター；窒素酸化物抗酸化剤；ニトルリン（nitrullyn）；Ｏ６−ベンジルグアニン；オクトレオチド；オキセノン（okicenone）；オリゴヌクレオチド；オナプリストン；オンダンセトロン；
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
アリールカルボニルアミノにおいて、アリールは好ましくは前段落で定義のアリールであり、とりわけベンゾイルアミノである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
Ｓ６Ｋ１活性の阻害剤としての式(Ｉ)の化合物の効果は、下記の通り証明できる：ヒトＳ６Ｋ１のＯＲＦをコードするＤＮＡフラグメント(+28-1605, Genbank NM_003161)を、ヒト筋肉ｃＤＮＡライブラリーから増幅し、ＰＣＲで修飾して、Ｔ４１２Ｅに活性化変異を伴うＣ−末端がトランケートされた形態(アミノ酸領域１−４２１)(以後Ｓ６Ｋ１δＣＴ／Ｔ４１２Ｅ)を産生する。Ｓ６Ｋ１δＣＴ／Ｔ４１２ＥをコードするＤＮＡをバキュロウイルスドナーベクターpFastBacHT Aにサブクローン化して、Ｓ６Ｋ１δＣＴ／Ｔ４１２Ｅを発現する組み換えバキュロウイルスを産生する。Ｓ６Ｋ１δＣＴ／Ｔ４１２Ｅのための移入ベクターを、DH10Bac細胞系(GIBCO)にトランスフェクトする。白色コロニーの選択後、それらをウイルスＤＮＡ(bacmid)調製に使用する。Ｓｆ９細胞(American Type Culture Collection)細胞を、次いで、ウイルスＤＮＡでCellfectin試薬を使用してトランスフェクトする。ウイルス含有培地をトランスフェクトした細胞培養から回収し、その力価を高めるための感染に使用する。大規模タンパク質発現のために、Ｓｆ９細胞を、各々２.２５および１のＭＯＩのＳ６Ｋ１δＣＴ／Ｔ４１２ＥおよびＧＳＴ−ＰＤＫ１ウイルス含有培地と共感染させる。３日後、組み換え酵素を発現する細胞を、滅菌細胞スクレーパーで培養培地に再懸濁させ、遠心により回収する。該細胞を細胞ペレットの５容量の抽出緩衝液(３００mM  ＮａＣｌ、０.０５％Ｔｗｅｅｎ−２０、１０mM  ピロリン酸ナトリウム、５０mM  β−グリセロホスフェート、０.２mM  カンタリジン酸および１×完全ＥＤＴＡプロテアーゼ阻害剤カクテル含有、５０mM  ＭＯＰＳ  ｐＨ７.０)に再懸濁させ、Dounceホモジナイザーの１５ストローク、続く氷上の超音波処理により粉砕する。ホモジネートを４℃で６０分、４８,０００×ｇで遠心させる。上清を５μmフィルターで浄化させ、TALON Superflow Resin(Clontech)での精製に付す。第一に、５mLの上清あたり１mLのＴＡＬＯＮ樹脂を、抽出緩衝液で平衡化し、上清に再懸濁し、次いで２０分、ＲＴで穏やかに撹拌する。７００×ｇで５分後、上清を除去する。該樹脂を、１０床容量の抽出緩衝液を添加し、１０分、ＲＴで撹拌し、７００×ｇで５分遠心し、上清を廃棄することにより２回洗浄する。該樹脂を、次いで同容量の抽出緩衝液に再懸濁し、使い捨てクロマトグラフィーカラムに移す。パックされたカラムを、次いで１０床容量の抽出緩衝液で１回、さらに洗浄緩衝液(抽出緩衝液中５mM  イミダゾール)で１回洗浄する。次いで、Ｈｉｓ標識Ｓ６Ｋ１δＣＴ／Ｔ４１２Ｅを、４床容量の溶出緩衝液(抽出緩衝液中１５０mM  イミダゾール)で溶出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
式(IX)は既知であり、当分野で既知の方法にしたがって合成できおよび／または市販されている。例えば、それは、式(Ｘ)
【化７】
2007511575.tif 000001
〔式中、該部分および記号は式(Ｉ)の化合物について定義の意味を有する(ｘは好ましくは０である)。〕
の化合物と硝酸(水性)を、５０℃から１００℃の間の好ましい温度、例えば、８５℃で反応させることにより合成できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
遊離形の新規化合物と、中間体として、例えば、新規化合物の精製またはその同定に使用される塩を含むその塩の形の密接な関係の観点から、前記および後記において、遊離化合物に関する言及は、適当であり、予測されるとき、対応する塩もまた含むと理解されるべきである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
とりわけ好ましいのは、温血動物、とりわけヒトの治療的または診断的処置に使用するための、新規な式(Ｉ)、(Ｉａ)または(Ｉｂ)の化合物、または薬学的に許容されるそれらの塩；または、タンパク質キナーゼ依存性疾患の処置における、または該疾患の処置用医薬製剤の製造のための、このような新規な式(Ｉ)、(Ｉａ)または(Ｉｂ)の化合物、または薬学的に許容されるそれらの塩の使用である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
本発明の医薬組成物は、温血動物(とりわけヒト)に経腸、例えば、経鼻、直腸または経口、または非経腸、例えば、筋肉内または静脈内投与するものであり、有効量の薬理学的活性成分を単独で、または、相当量の薬学的に許容される担体と共に含む。活性成分の投与量は、温血動物種、体重、年齢および個々の状態、個々の薬物動態データ、処置すべき疾患および投与の形態に依存する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
本明細書で使用する“白金化合物”なる用語は、カルボプラチン、シスプラチン、シスプラスチンおよびオキサリプラチンを含むが、これらに限定されない。カルボプラチンは、例えば、商品名CARBOPLATで市販されている形で、例えば、投与できる。オキサリプラチンは、例えば、商品名ELOXATINで市販されている形で、例えば、投与できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１０】
“組み合わせ”により、１つの投与単位形として固定された組み合わせ、または、式(Ｉ)の化合物と組み合わせパートナーを独立して同時に、または、特に別々に組み合わせパートナーが協調、例えば、相乗効果を示すことを可能にする間隔で投与し得るものである組み合わせ投与用の複数部分のキット、または、それらの任意の組み合わせのいずれかを意味する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３６４】
実施例１５０ａ
５−(８−ブロモ−２−メチル−イミダゾ[４,５−ｃ]キノリン−１−イル)−２−(シアノ−ジメチル−メチル)−ベンゾニトリル
８３０mg(２.０６mmol)の５−(８−ブロモ−２−メチル−イミダゾ[４,５−ｃ]キノリン−１−イル)−２−シアノメチル−ベンゾニトリル(実施例１４９の中間体；ＥＳ−ＭＳ：４０２、４０４(Ｍ＋Ｈ)＋、Ｂｒパターン)の２０mlのＤＭＦ溶液を、Ａｒ下、油中の１９８mg(２.２７mmol)の５５％ＮａＨで処理する。反応混合物を１時間、ＲＴで撹拌し、次いで氷浴で冷却し、１４２μl(２.２７mmol)ヨードメタン(Fluka, Buchs, CH)を添加する。反応混合物を１時間、ＲＴで撹拌し、次いで油中の１９８mg(２.２７mmol)５５％ＮａＨを添加する。反応混合物を１時間、ＲＴで撹拌し、次いで氷浴で冷却し、１４２μl(２.２７mmol)ヨードメタンを添加し、反応混合物を１時間、ＲＴで撹拌する。この後、反応混合物を塩水でクエンチし、ＥｔＯＡｃで抽出する。有機層を塩水で洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥させ、濾過し、真空で濃縮する。残渣を中速液体クロマトグラフィーで精製して、表題化合物を得る：ＥＳ−ＭＳ：４３０、４３２(Ｍ＋Ｈ)＋；分析的ＨＰＬＣ：ｔｒｅｔ＝３.０９分(Ｇｒａｄ  ２)。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月27日(2007.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の主ピーク
【表１】
2007511580.tif 000001
を有するＸ線回折スペクトルを示すことを特徴とする塩酸モキシフロキサシンＡ形。
【請求項２】
図１に示したＸ線回折スペクトルを示すことを特徴とする塩酸モキシフロキサシンＡ形。
【請求項３】
図２に示した固体状態１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示すことを特徴とする塩酸モキシフロキサシンＡ形。
【請求項４】
図３に示したＩＲスペクトルを示すことを特徴とする塩酸モキシフロキサシンＡ形。
【請求項５】
図４に示したＤＳＣグラフを示すことを特徴とする塩酸モキシフロキサシンＡ形。
【請求項６】
塩酸モキシフロキサシンＡ形を調製する方法であって、
ａ）塩酸モキシフロキサシンをアルコールおよびポリオールまたはその混合物から選択される溶媒に懸濁するステップであって、得られる混合物が２．５重量％から０．０１重量％の総水分含量を有するステップと、
ｂ）混合物を還流下で加熱するステップと、
ｃ）冷却するステップと、
ｄ）生成物を単離するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
ステップａ）における塩酸モキシフロキサシンが無水または一水和物結晶の形態であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
塩酸モキシフロキサシンが０．３％未満の水分含量を有する無水形であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
溶媒がＣ１〜Ｃ６アルコールまたはポリオール、好ましくは、エタノールまたはイソプロパノールであることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
溶媒が１％から０．０１％、好ましくは０．３％から０．０１％、より好ましくは０．１％から０．０１％の水分含量を有することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
混合物を室温に冷却することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
溶媒を、塩酸モキシフロキサシン１ｇ当たりの溶媒のｍｌで表した５０：１から２：１、好ましくは３０：１から５：１、より好ましくは約１０：１の比率で用いることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
混合物を少なくとも１時間、好ましくは約４時間にわたり還流下で加熱することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から５に記載の塩酸モキシフロキサシンＡ形をそのような治療を必要とする患者に投与することを含むことを特徴とする細菌感染症を治療する方法。
【請求項１５】
薬剤として使用することを特徴とする請求項１から５に記載の塩酸モキシフロキサシンＡ形。
【請求項１６】
細菌感染症の治療用の薬剤を製造するためのものであることを特徴とする請求項１から５に記載の塩酸モキシフロキサシンＡ形の使用。
【請求項１７】
請求項１から５に記載の塩酸モキシフロキサシンＡ形および少なくとも１つの薬剤として許容される賦形剤を含むことを特徴とする薬剤組成物。
【請求項１８】
以下の主ピーク
【表２】
2007511580.tif 000002
を有するＸ線回折スペクトルを示すことを特徴とする塩酸モキシフロキサシンＢ形。
【請求項１９】
図６に示したＸ線回折スペクトルを示すことを特徴とする塩酸モキシフロキサシンＢ形。
【請求項２０】
図７に示したＩＲスペクトルを示すことを特徴とする塩酸モキシフロキサシンＢ形。
【請求項２１】
図８に示したＤＳＣグラフを示すことを特徴とする塩酸モキシフロキサシンＢ形。
【請求項２２】
塩酸モキシフロキサシンＢ形を調製する方法であって、
ａ）塩酸モキシフロキサシンをアルコールおよびポリオールまたはその混合物から選択される溶媒に懸濁するステップであって、得られる混合物が２．５重量％から０．０１重量％の総水分含量を有するステップと、
ｂ）混合物を還流下で加熱するステップと、
ｃ）冷却するステップと、
ｄ）生成物を単離するステップと、
ｅ）固体をアルコールおよびポリオールまたはその混合物から選択される溶媒で還流状態で再びスラリーにするステップであって、得られる混合物が２．５重量％から０．０１重量％の総水分含量を有するステップと、
ｆ）生成物を単離するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
ステップａ）における塩酸モキシフロキサシンが無水または一水和物結晶の形態であることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
塩酸モキシフロキサシンが０．３％未満の水分含量を有する無水形であることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
ステップａ）およびｅ）の溶媒がＣ１〜Ｃ６アルコールまたはポリオール、好ましくは、エタノールまたはイソプロパノールであることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
ステップａ）およびｅ）の溶媒が１％から０．０１％、好ましくは０．３％から０．０１％、より好ましくは０．１％から０．０１％の水分含量を有することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
混合物を室温に冷却することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
溶媒を、塩酸モキシフロキサシン１ｇ当たりの溶媒のｍｌで表した５０：１から２：１、好ましくは３０：１から５：１、より好ましくは約１０：１の比率で用いることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
ステップｅ）が混合物を１から４時間、好ましくは約２時間にわたり還流下で加熱することによって実施されることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項３０】
請求項１８から２１に記載の塩酸モキシフロキサシンＢ形をそのような治療を必要とする患者に投与することを含むことを特徴とする細菌感染症を治療する方法。
【請求項３１】
薬剤として使用することを特徴とする請求項１８から２１に記載の塩酸モキシフロキサシンＢ形。
【請求項３２】
細菌感染症の治療用の薬剤を製造するためのものであることを特徴とする請求項１８から２１に記載の塩酸モキシフロキサシンＢ形の使用。
【請求項３３】
請求項１８から２１に記載の塩酸モキシフロキサシンＢ形および少なくとも１つの薬剤として許容される賦形剤を含むことを特徴とする薬剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下肢静止不能症候群の処置のための医薬の製造における、（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノールまたはその塩もしくは溶媒和物またはそれらの医薬組成物の使用。
【請求項２】
（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノールまたはその塩もしくは溶媒和物がエナンチオマー的に純粋である、請求項１記載の使用。
【請求項３】
塩が（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノール・塩酸塩である、請求項１または請求項２記載の使用。
【請求項４】
哺乳類において下肢静止不能症候群（ＲＬＳ）を処置するための医薬組成物であって、（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノールまたはその塩もしくは溶媒和物を含有する、医薬組成物。
【請求項５】
（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノールまたはその塩もしくは溶媒和物がエナンチオマー的に純粋である、請求項４記載の医薬組成物。
【請求項６】
塩が（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノール・塩酸塩である、請求項４または請求項５記載の医薬組成物。
【請求項７】
周期性四肢運動障害の処置のための医薬の製造における、（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノールまたはその塩もしくは溶媒和物またはそれらの医薬組成物の使用。
【請求項８】
（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノールまたはその塩もしくは溶媒和物がエナンチオマー的に純粋である、請求項７記載の使用。
【請求項９】
塩が（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノール・塩酸塩である、請求項７または請求項８記載の使用。
【請求項１０】
哺乳類において周期性四肢運動障害（ＰＬＭＤ）を処置するための医薬組成物であって、（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノールまたはその塩もしくは溶媒和物を含有する、医薬組成物。
【請求項１１】
（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノールまたはその塩もしくは溶媒和物がエナンチオマー的に純粋である、請求項１０記載の医薬組成物。
【請求項１２】
塩が（＋）−（２Ｓ，３Ｓ）−２−（３−クロロフェニル）−３，５，５−トリメチル−２−モルホリノール・塩酸塩である、請求項１０または請求項１１記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月5日(2007.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己免疫性疾患の治療および／または予防処置のための経口もしくは経粘膜投与薬剤の製造における抗CD3抗体の使用。
【請求項２】
前記薬剤が、肺内、頬粘膜、経鼻、鼻内、舌下、経肛門または経膣投与用であることを特徴とする請求項１記載の使用。
【請求項３】
自己免疫性疾患が、多発性硬化症、I型糖尿病、移植片対宿主疾患、リウマチ様関節炎、乾癬、炎症性腸疾患、ブドウ膜炎および甲状腺炎より成る群から選択されることを特徴とする請求項１または２記載の使用。
【請求項４】
経口もしくは経粘膜投与に適していることを特徴とする、抗CD3抗体を含む医薬組成物。
【請求項５】
肺内、頬粘膜、経鼻、鼻内、舌下、経肛門または経膣投与に適していることを特徴とする請求項４記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記抗CD3抗体は、マウスモノクローナル抗体、ヒト化抗体、ヒト抗体、キメラ抗体およびそれらの活性フラグメントより成る群から選択されることを特徴とする請求項４または５記載の医薬組成物。
【請求項７】
賦形剤をさらに含むことを特徴とする請求項４から６いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項８】
経口投与に適しており、液体経口投与剤形および固体経口投与剤形から選択される剤形であることを特徴とする請求項４記載の医薬組成物。
【請求項９】
固体経口投与剤形であり、錠剤、カプセル、カプレット、粉末、ペレット、顆粒、分包粉末、腸溶錠剤、腸溶ビーズ、カプセル封入粉末、カプセル封入ペレット、カプセル封入顆粒および腸溶ソフトゲルカプセルより成る群から選択されることを特徴とする請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１０】
1種もしくはそれ以上の賦形剤およびアジュバントをさらに含むことを特徴とする請求項８または９記載の医薬組成物。
【請求項１１】
液体経口投与剤形であり、キャリヤーをさらに含むことを特徴とする請求項８記載の医薬組成物。
法。
【請求項１２】
対象内での移植片拒絶を防ぐための組成物であることを特徴とする請求項４から１１いずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項１３】
細胞、組織もしくは臓器の対象への移植前、移植中および／または移植後に投与されることを特徴とする請求項１２記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記移植片は、膵島、肝臓、腎臓、心臓、肺、皮膚、筋肉、神経組織、胃および腸の全てまたは一部を含むことを特徴とする請求項１３記載の医薬組成物。
【請求項１５】
自己免疫性疾患を治療または予防し、あるいはその発症を遅延させるための組成物であることを特徴とする請求項４から１１いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１６】
自己免疫性疾患が、多発性硬化症、I型糖尿病、移植片対宿主疾患、リューマチ性関節炎、乾癬、炎症性腸疾患、ブドウ膜炎および甲状腺炎より成る群から選択されることを特徴とする請求項１５記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
20-HETEアンタゴニストを、組織中における血管新生を減少させるのに十分な量で、ヒト又は非ヒト哺乳類に投与する工程
を含む、ヒト又は非ヒト哺乳類の組織中の血管新生を減少させる方法。
【請求項２】
前記方法が、ヒト又は非ヒト哺乳類における異常かつ過剰な血管の発達を伴う疾病又は症状を、治療又は予防するために用いられる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記方法が、眼中の血管新生を減少させるものである、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記方法が、がん又は腫瘍細胞によって誘導される血管新生を減少させるものである、請求項１記載の方法。
【請求項５】
20-HETE合成阻害剤（但し、該20-HETE合成阻害剤はミコナゾールではない。）を、眼中における血管新生を減少させるのに十分な量で、ヒト又は非ヒト哺乳類に投与する工程
を含む、ヒト又は非ヒト哺乳類の眼中の血管新生を減少させる方法。
【請求項６】
前記20-HETE合成阻害剤が、N-ヒドロキシ-N'-(4-ブチル-2-メチルフェノール)-ホルムアミジン（HET0016）、ジブロモドデセニル  メチルスルホンイミド（DDMS）、N-(3-クロロ-4-モルホリン-4-イル)フェニル-N'-ヒドロキシイミドホルムアミド（TS-011）、1-アミノベンゾトリアゾール（ABT）、17-オクタデシン酸（17-ODYA）、ケトコナゾール、フルコナゾール、及び10  ウンデシニルサルフェート（10-SUYS）から選ばれる、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記20-HETE合成阻害剤がHET0016又はヒドロキシホルムアミジン誘導体である、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記20-HETE合成阻害剤がHET0016、TS-011又はDDMSである、請求項５記載の方法。
【請求項９】
前記方法が、ヒト又は非ヒト哺乳類の眼における異常かつ過剰な血管の発達を伴う疾病又は症状を、治療又は予防するために用いられる、請求項５記載の方法。
【請求項１０】
20-HETE合成阻害剤（但し、該20-HETE合成阻害剤はミコナゾールではない。）を、がん又は腫瘍細胞によって誘導される血管新生を減少させるのに十分な量で、ヒト又は非ヒト哺乳類に投与する工程
を含む、ヒト又は非ヒト哺乳類におけるがん又は腫瘍細胞によって誘導される血管新生を減少させる方法。
【請求項１１】
前記薬剤が、N-ヒドロキシ-N'-(4-ブチル-2-メチルフェノール)-ホルムアミジン（HET0016）、ジブロモドデセニル  メチルスルホンイミド（DDMS）、N-(3-クロロ-4-モルホリン-4-イル)フェニル-N'-ヒドロキシイミドホルムアミド（TS-011）、1-アミノベンゾトリアゾール（ABT）、17-オクタデシン酸（17-ODYA）、ケトコナゾール、フルコナゾール、及び10  ウンデシニルサルフェート（10-SUYS）から選ばれる20-HETE合成阻害剤である、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記20-HETE合成阻害剤がHET0016又はヒドロキシホルムアミジン誘導体である、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記20-HETE合成阻害剤がHET0016、TS-011又はDDMSである、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記方法が、がんを治療又は予防するために用いられる、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
20-HETE又は20-HETEアゴニストから選ばれる薬剤を、組織中で血管新生を促進するのに十分な量でヒト又は非ヒト哺乳類に投与する工程
を含む、ヒト又は非ヒト哺乳類の組織中における血管新生を誘導又は促進する方法。
【請求項１６】
前記薬剤が20-HETEアゴニストである、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記方法が、非筋肉組織中における血管新生を促進するために用いられる、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記方法が、ヒト又は非ヒト哺乳類における不十分な血管の発達又は血管の退行を伴う疾病又は症状を、治療又は予防するために用いられる、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記薬剤が、20  ヒドロキシエイコサ-6(Z)、15(Z)-ジエン酸である、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
ヒト又は非ヒト哺乳類におけるがん細胞の増殖を阻止するのに十分な量の、20-HETE合成阻害剤および20-HETEアンタゴニストから選ばれた薬剤にがん細胞を接触させる工程
を含む、ヒト又は非ヒト哺乳類におけるがん細胞を治療する方法。
【請求項２１】
前記薬剤が20-HETE合成阻害剤である、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記20-HETE合成阻害剤が、N-ヒドロキシ-N'-(4-ブチル-2-メチルフェノール)-ホルムアミジン（HET0016）、ジブロモドデセニル  メチルスルホンイミド（DDMS）、N-(3-クロロ-4-モルホリン-4-イル)フェニル-N'-ヒドロキシイミドホルムアミド（TS-011）、1-アミノベンゾトリアゾール（ABT）、17-オクタデシン酸（17-ODYA）、ケトコナゾール、フルコナゾール、及び10  ウンデシニルサルフェート（10-SUYS）から選ばれる、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記20-HETE合成阻害剤がHET0016又はヒドロキシホルムアミジン誘導体である、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
前記20-HETE合成阻害剤がHET0016、TS-011又はDDMSである、請求項２１記載の方法。
【請求項２５】
前記薬剤が20-HETEアンタゴニストである、請求項２０記載の方法。
【請求項２６】
前記がんが、グリオーマ（神経膠腫）、アストロサイトーマ、腸がん、乳がん、皮膚がん、肺がん、胃がん、前立腺がん、甲状腺がん、肝がん、膵臓がん、腎がん、大腸がん、及び卵巣がんから選ばれる、請求項２０記載の方法。
【請求項２７】
前記がんが、グリオーマ（神経膠腫）、乳がん、皮膚がん、前立腺がん、膵臓がん、又は大腸がんから選ばれる、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記がんがヒト又はラットのグリオーマである、請求項２７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１のペイロード・バッファを２次記憶制御機構で事前割り振りすることと、
少なくとも第１のデータ・バッファを前記２次記憶制御機構で事前割り振りすることと、
１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構への第１のデータ・ブロックの転送に関する第１の書き込みコマンドを発行することと、
書き込み制御情報をファイバ・チャネル・プロトコル（ＦＣＰ）コマンドと共に第１の拡張コマンド記述子ブロック（ＣＤＢ）内にパッケージングすることと、
前記第１の拡張ＣＤＢを前記１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構へと伝送することと、
前記第１のデータ・ブロックを前記１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構へと伝送することと、
を含む、ＰＰＲＣ環境でデータを転送するための方法。 
【請求項２】
前記第１の書き込みコマンドの発行に先立って、「転送可能」コマンドを使用不可にすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。 
【請求項３】
第１のペイロード・バッファ内で前記第１の拡張ＣＤＢを受信することと、
第１のデータ・バッファ内で前記第１のデータ・ブロックを受信することと、
第１の書き込みオペレーションを完了することと、
前記第１の書き込みオペレーションの完了を確認する第１のステータス・インジケータを、前記２次記憶制御機構から前記１次記憶制御機構へと伝送することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。 
【請求項４】
前記１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構への第２のデータ・ブロックの転送に関する第２の書き込みコマンドを発行することと、
書き込み制御情報をＦＣＰコマンドと共に第２の拡張ＣＤＢ内にパッケージングすることと、
前記第２の拡張ＣＤＢを前記１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構へと伝送することと、
前記第２のデータ・ブロックを前記１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構へと伝送することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。 
【請求項５】
第２のペイロード・バッファ内で前記第２の拡張ＣＤＢを受信することと、
第２のデータ・バッファ内で前記第２のデータ・ブロックを受信することと、
第２の書き込みオペレーションを完了することと、
前記第２の書き込みオペレーションの完了を確認する第２のステータス・インジケータを、前記２次記憶制御機構から前記１次記憶制御機構へと伝送することと、
をさらに含む、請求項４に記載の方法。 
【請求項６】
前記第２のペイロード・バッファおよび前記第２のデータ・バッファが事前割り振りされる、請求項５に記載の方法。 
【請求項７】
前記第２のペイロード・バッファおよび前記第２のデータ・バッファが、前記２次記憶制御機構による前記第１の拡張ＣＤＢおよび前記第１のデータ・ブロックの受信後に割り振りされる、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の拡張ＣＤＢを伝送することと前記第２のデータ・ブロックを伝送することとが、前記１次記憶制御機構による前記第１のステータス・インジケータが受信される前に開始される、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のデータ・ブロックをストレージ・ドライブに伝送することと、
前記第１のペイロード・バッファおよび前記第１のデータ・バッファを解放することであって、これにより後続の拡張ＣＤＢおよびデータ・ブロックが前記第１のペイロード・バッファおよび第１のデータ・バッファ内でそれぞれ受信可能となる、前記解放することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。 
【請求項１０】
１次記憶制御機構と、
２次記憶制御機構と、
前記２次記憶制御機構内の第１の事前割り振りされたペイロード・バッファと、
前記２次記憶制御機構内の第１の事前割り振りされたデータ・バッファと、
前記１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構への第１のデータ・ブロックの転送に関する第１の書き込みコマンドを発行するための手段と、
書き込み制御情報をファイバ・チャネル・プロトコル（ＦＣＰ）コマンドと共に第１の拡張コマンド記述子ブロック（ＣＤＢ）内にパッケージングするための手段と、
前記第１の拡張ＣＤＢを前記１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構へと伝送するための手段と、
前記第１のデータ・ブロックを前記１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構へと伝送するための手段と、
を含む、ピアツーピア・リモート・コピー記憶システム。 
【請求項１１】
第１のペイロード・バッファを２次記憶制御機構内で事前割り振りするように指示するための手段と、
第１のデータ・バッファを前記２次記憶制御機構内で事前割り振りするように指示するための手段と、
前記２次記憶制御機構への第１のデータ・ブロックの転送に関する第１の書き込みコマンドを発行するための手段と、
書き込み制御情報をファイバ・チャネル・プロトコル（ＦＣＰ）コマンドと共に第１の拡張コマンド記述子ブロック（ＣＤＢ）内にパッケージングするための手段と、
前記第１の拡張ＣＤＢを前記２次記憶制御機構へと伝送するための手段と、
前記第１のデータ・ブロックを前記第１のデータ・バッファへと伝送するための手段と、
を含む、ピアツーピア・リモート・コピー１次記憶制御機構。 
【請求項１２】
ＰＰＲＣ環境でデータを転送するためのコンピュータ・プログラムであって、
コンピュータに、
少なくとも第１のペイロード・バッファを２次記憶制御機構で事前割り振りすることと、
少なくとも第１のデータ・バッファを前記２次記憶制御機構で事前割り振りすることと、
１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構への第１のデータ・ブロックの転送に関する第１の書き込みコマンドを発行することと、
書き込み制御情報をファイバ・チャネル・プロトコル（ＦＣＰ）コマンドと共に第１の拡張コマンド記述子ブロック（ＣＤＢ）内にパッケージングすることと、
前記第１の拡張ＣＤＢを前記１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構へと伝送することと、
前記第１のデータ・ブロックを前記１次記憶制御機構から前記２次記憶制御機構へと伝送することと、
を実行させるための、コンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月25日(2007.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信機がＰＣＩ  Ｅｘｐｒｅｓｓリンク上に存在するかどうかを判別する方法であって、
１つまたは複数の送信機出力ノードに電流を注入することにより同相電圧を調整するステップと、
電圧変化率に基づいて受信機が前記ＰＣＩ  Ｅｘｐｒｅｓｓリンク上に存在するかどうかを検出するステップとを備える方法。
【請求項２】
前記調整された同相電圧を測定し、前記測定された同相電圧を１つまたは複数のあらかじめ定められた電圧と比較するステップをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記調整された同相電圧を測定し、前記測定された同相電圧を２つのあらかじめ定められた電圧の間で保持するステップをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
電流を注入する前記ステップは電荷ポンプによって実行される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＰＣＩ  Ｅｘｐｒｅｓｓリンクに接続された送信機に使用する受信機検出器であって、１つまたは複数の送信機出力ノードへの電流の注入を開始することにより同相電圧を調整する振幅制御回路と、
電圧変化率に基づいて受信機が前記ＰＣＩ  Ｅｘｐｒｅｓｓリンク上に存在するかどうかを検出するためのタイマーとを備える検出器。
【請求項６】
前記調整された同相電圧を測定する同相検出器をさらに備える請求項５に記載の受信機検出器。
【請求項７】
前記同相検出器は前記調整された同相電圧を測定し、前記測定された同相電圧を１つまたは複数のあらかじめ定められた電圧と比較する請求項６に記載の受信機検出器。
【請求項８】
前記同相検出器は前記調整された同相電圧を測定し、前記測定された同相電圧を２つのあらかじめ定められた電圧の間で保持する請求項６に記載の受信機検出器。
【請求項９】
前記調整された同相電圧の変化率を測定し、受信機が存在するかどうかを判別するタイマーをさらに備える請求項５に記載の受信機検出器。
【請求項１０】
電流の前記注入は電荷ポンプによって実行される請求項５に記載の受信機検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月15日(2007.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
次いで、ジブロモカルバゾール誘導体をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）中で水素化リチウムと混合し、１０℃未満で１時間保持する。メチル基を１：１の比でゆっくり添加し、温度を２時間かけて５０℃まで上昇させると、メチル化ジブロモカルバゾール誘導体生成物（すなわち、試薬Ｃ）が生成され、これを、水およびエーテルで洗浄することによって精製し、硫酸ナトリウムで乾燥する。好ましくは、ヨウ化メチル（ＭｅＩ）をメチル化剤として使用する。試薬ＢとＣを混合すると、ＥＤＯＴ環がジブロモカルバゾール誘導体に付加する。ＢＥＤＯＴ−ＮＭｅＣｚを生成するには、ＢとＣの間の反応を、ニッケル触媒で促進させ、これらの試薬を共に１２時間にわたって５０℃に保持することが必要である。次いで、このＢＥＤＯＴ−ＮＭｅＣｚモノマーを重合して、ＥＣデバイスの陽極性層として使用されるＰＢＥＤＯＴ−ＮＭｅＣｚポリマーを得ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本明細書記載の電解重合技法の例示的な実施では、ＰｒｏＤＯＰおよびＰｒｏＤＯＰ−Ｍｅ２モノマーを調製するための従来の方法を使用した。このモノマーを調製するための有用な技法は、以下の刊行物、すなわち（１）非特許文献１、（２）非特許文献２、および（３）非特許文献３に記載されている。これらの刊行物または他の関連の刊行物に記載されている任意の技法を使用して、図２０のブロック２０２に示すのと同様にして、モノマーを調製することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ＥＣデバイスでは、電解質層は、イオン導電性だが、電気絶縁性でなければならない。過塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ４）を含む、ポリ（塩化ビニル）（ＰＶＣ）ベースおよびポリメチルメタクリラート（ＰＭＭＡ）ベースのゲル電解質は、ともに固体電解質層４６として使用することができる。好ましくは、固体電解質層４６は、ＰＶＣ（またはＰＭＭＡ）、プロピレンカーボネート（ＰＣ）、エチレンカーボネート（ＥＣ）、およびＬｉＣｌＯ４から作製される。このＰＶＣ（またはＰＭＭＡ）電解質混合物はテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解される。ＰＶＣまたはＰＭＭＡベースのゲル電解質のいずれも、室温で高い導電率（２ｍＳ／ｃｍ）をもたらす。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
実験結果
図４Ａおよび４Ｂに示す第２の構造に相当する作業サンプルについて電気化学的実験検討を実施した。陰極性ＥＣポリマーとしてＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２を使用し、対向電極として白金ワイヤを使用した。この検討は、参照電極として銀（Ａｇ／Ａｇ＋）、作用電極としてＩＴＯが塗布された単一ガラススライド、および対向電極として白金（Ｐｔ）ワイヤを用い、ＣＨ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔのポテンシオスタット／ガルバノスタット電気化学分析装置ＣＨ１６０５Ａを使用して行った。使用した電解質（この場合は、液体電解質）は０．１Ｎ ＴＢＡＰ／ＡＣＮであった。Ｖａｒｉａｎ Ｃｏｒｐ．のＵＶ−Ｖｉｓ−ＮＩＲ分光光度計で分光電気化学分析を実施した。図９Ａおよび９Ｂは、上記のＥＣデバイスそれぞれの速く再現性のある動作を示すグラフである。具体的には、図９Ａは、ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２陰極性層、電解質層、および対向電極層を有するＥＣデバイスのスイッチングデータを提供し、一方、図９Ｂは、ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２陰極性層、電解質層、およびＰＢＥＤＯＴ−ＮＭｅＣｚ陽極性層を有するＥＣデバイスのスイッチングデータを提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
一対のＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２および対向電極の機能性の概略
ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２は、陰極性着色ポリマーとして使用されることができる。ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２は、完全に還元された形では暗青色であり、完全に酸化された形では非常に透過性の淡青色である。この陰極性着色ポリマーは、ｐ−ドーピング形の電荷の中和（すなわち、還元）につれて淡色から濃色状態へ変化する。このπ−π＊遷移は、可視領域外の遷移の損失で消耗される。したがって、この色の主波長は、ドーピングプロセスを通して同じである。ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２陰極性層、過塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ４）を含有するゲル電解質、および金ベースの対向電極を利用したＥＣデバイスのＥＣプロセスを図１８に示す。この図では、金の層が、以下に説明する一対の層のプロセスに必要な第２の層の役割を果たしている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０Ａ】
2007511804.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０Ｂ】
2007511804.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
ユーザーインターフェース記述を生成するためにプロセッサによって実行され、コンピュータ可読媒体に保存されているコンピュータプログラムであって：
作成されるべきグラフィックユーザーインターフェース（GUI）を表す諸オブジェクトの手書き素描を調べて前記オブジェクトの素描バージョンを同定するための命令のシーケンスと、
同定された素描バージョンをそれぞれの参照画像に似るよう適合させるための命令のシーケンスと、
前記適合されたバージョンから、該適合されたバージョンどうしの間の相対的な包含の階層構造を決定するための命令のシーケンスと、
前記階層構造から前記GUIを作成するためのユーザーインターフェース記述を生成するための命令のシーケンス、
とを有することを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
水平方向の向きに配された１０気圧よりも高い高圧ランプに対して行われ、約１５００ないし２０００Ｋのオーダーの幅を有する範囲にわたって色温度が変えられる請求項２１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
垂直方向の向きに配された１０気圧よりも高い高圧ランプに対して行われ、約２５００ないし３０００Ｋのオーダーの幅を有する範囲にわたって色温度が変えられる請求項２１記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】
対称形のランプを駆動するために設計され、ＤＤ＝１００％−ＤＵである請求項３１記載の駆動装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３８】
対称形のランプを駆動するために設計され、ＤＤ＝１００％−ＤＵである請求項３７記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む緩和(relaxed)シリコンゲルマニウム構造：
約１Ｔｏｒｒより高い操作圧力での化学気相成長法を用いて製造されたシリコンバッファ層；及び
該シリコンバッファ層上に堆積されたシリコンゲルマニウム層（該シリコンゲルマニウム層は１平方センチメートル当たり約１０７未満の貫通転位を有する）。
【請求項２】
前記シリコンゲルマニウム層がクロスハッチフリー（crosshatch free）層である、請求項１に記載の緩和シリコンゲルマニウム構造。
【請求項３】
前記シリコンバッファ層が約２ｎｍ未満の厚さを有する、請求項１に記載の緩和シリコンゲルマニウム構造。
【請求項４】
前記シリコンバッファ層が約１ｎｍ〜約２ｎｍの間の厚さを有する、請求項１に記載の緩和シリコンゲルマニウム構造。
【請求項５】
前記シリコンゲルマニウム層が約２ｎｍ  ｒｍｓ未満の表面粗さを有する、請求項１に記載の緩和シリコンゲルマニウム構造。
【請求項６】
前記シリコンゲルマニウム層が約１．５ｎｍ  ｒｍｓ未満の表面粗さを有する、請求項１に記載の緩和シリコンゲルマニウム構造。
【請求項７】
前記シリコンゲルマニウム層の上に直接重なるストレインド(strained)シリコン層をさらに含む、請求項１に記載の緩和シリコンゲルマニウム構造。
【請求項８】
以下を含む半導体構造を製造する方法：
約１ｔｏｒｒより高い操作圧力での化学気相成長法を用いて第一のシリコン含有層をエピタキシャリーに堆積すること；及び
該第一層上に第二のシリコン含有層をヘテロエピタキシャリーに堆積すること（該第二シリコン含有層が１平方センチメートル当り約１０７未満の貫通転位を有する）。
【請求項９】
前記第一シリコン含有層をエピタキシャリーに堆積することが、前記第二シリコン含有層が平方センチメートル当り約１０７未満の貫通転位を有するようにさせるために、十分な量の点欠陥を形成することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第二シリコン含有層にクロスハッチフリー表面トポロジーを付与するように、プロセスパラメータを調整することをさらに含み、ここで、該プロセスパラメータが、キャリアフローレート、第一シリコン含有層堆積速度、第一シリコン含有層堆積温度、及び第一シリコン含有層点欠陥密度からなる群より選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第二シリコン含有層がクロスハッチフリー層である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第二層にクロスハッチフリー表面トポロジーを付与するようにプロセスパラメータを調整することをさらに含み、ここで、該プロセスパラメータが、キャリアフローレート、第一シリコン含有層堆積速度及び第一シリコン含有層堆積温度からなる群より選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記第二層がクロスハッチフリー層である、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記第一シリコン含有層が約５００℃より高い温度で堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記第一シリコン含有層が約５５０℃〜約７００℃の間の温度で堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記第一シリコン含有層が約６００℃〜約７００℃の間の温度で堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
前記第一シリコン含有層の堆積が、化学気相成長チャンバに、シリコン前駆物質を、約２００ｓｃｃｍ〜約３００ｓｃｃｍの間で提供することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１８】
前記第一シリコン含有層の堆積が、化学気相成長チャンバに、気化した液体シリコン前駆物質を提供することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１９】
前記化学気相成長法が、シングルウエハチャンバにおいて実施され、そして前記第一シリコン含有層の堆積が、該チャンバに、約５０ｓｃｃｍより多いシリコン前駆物質を提供することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第一シリコン含有層が約０．２ｎｍ  ｍｉｎ−１未満の速度で堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項２１】
前記第一シリコン含有層が約５．０ｎｍ  ｍｉｎ−１〜約１０．０ｎｍ  ｍｉｎ−１の間の速度で堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項２２】
前記第一シリコン含有層が、約７．０ｎｍ  ｍｉｎ−１〜約８．０ｎｍ  ｍｉｎ−１の間の堆積速度で堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項２３】
前記第一シリコン含有層がシリコンバッファ層を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項２４】
前記第二シリコン含有層がシリコンゲルマニウム層を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項２５】
前記第二シリコン含有層上に第三シリコン含有層を形成することを更に含み（該第三シリコン含有層はストレインドである）、請求項８に記載の方法。
【請求項２６】
前記第二及び第三シリコン含有層が、シングルプロセスチャンバ内でインサイチュで連続的に形成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記第一、第二及び第三シリコン含有層がシングルプロセスチャンバ内でインサイチュで連続的に形成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記第一及び第二シリコン含有層がシングルプロセスチャンバ内でインサイチュで連続的に形成される、請求項８に記載の方法。