【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のクラッド層と、コア又はガイド層と、第２のクラッド層が形成される基板であって、前記ガイド層は活性レーザ光放出材を有する前記基板と、
横方向の光閉じ込めを備え、半導体レーザ装置の第１の端から前記第１の端と前記装置の第２の端との間の途中の位置へ縦方向に延伸する光導波路と、
前記導波路の下及び／又は内の前記コア又はガイド層内に設けられた光学上活性領域と、
前記コア又はガイド層内に設けられ、前記途中の位置から前記装置の前記第２の端に延伸する第１の光学上不活性領域であって、前記導波路からの光出力が、使用中、前記第１の光学上不活性領域を横切りながら回折するように前記導波路よりも幅広い第１の光学上不活性領域と、
前記導波路の上に配置され、前記導波路の接触無し部が設けられるように前記導波路の前記縦方向の延伸よりも短い接触部を規定し、前記接触無し部は前記半導体レーザ装置の前記コア又はガイド層内に第２の光学上不活性領域を備える電気接触材料と、
を有する半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第２の光学上不活性領域は前記装置の前記第１の端に形成され、さらに前記途中の位置に隣接して形成された第３の光学上不活性領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記活性半導体レーザ光放出材の層は、成長により量子井戸構造を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１の光学上不活性領域は、前記途中の位置から又は前記途中の位置に隣接する位置から前記装置の前記第２の端に設けられる組成上無秩序な又は量子井戸混合領域を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記光学上活性領域に横方向に境を接する第２の組成上無秩序な領域が設けられることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記装置は一体構造であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記装置は基板層を含み、前記基板層上に前記第１のクラッド層、前記コア層及び前記第２のクラッド層がそれぞれ設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記第２の端は、前記半導体レーザ装置の出力部を有し、前記第１の量子井戸混合領域は、使用中、前記レーザ装置の出力部で回折領域として働き、前記第２の端の切開面に衝突する光放射の強度を前記光放射を広げることによって減少させることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記切開面は劈開された半導体上の反射防止コーティングを含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記第１の及び第２の組成上無秩序な領域は実質的に同じバンドギャップを有することを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記基板の表面に接触する電気接触材料の層を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１２】
前記第２の光学上不活性領域は、前記装置の、第１の光学上不活性領域とは反対の端にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１３】
前記途中の位置から前記装置の前記第２の端までの長さは、前記装置の前記第１の端と前記第２の端との間の長さよりも３桁小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１４】
前記半導体レーザ装置は、およそ１μｍ〜５μｍの導波路の幅と、前記導波路の幅のおよそ少なくとも３倍の装置幅と、前記第１及び第２の端間のおよそ１〜２ｍｍの間隔と、前記第１の端と前記中途の位置との間のおよそ１．５ｍｍの間隔と、前記途中の位置と前記第２の端との間のおよそ０．５ｍｍの間隔を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１５】
前記半導体レーザ装置はIII―Ｖ族の半導体材料系で製造されていることを特徴とする
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１６】
前記III―Ｖ族の半導体材料系は、実質的に６００ｎｍから１３００ｎｍまでの波長で
半導体レーザ光を放出する系に基づくガリウム-砒素（ＧａＡｓ）であることを特徴とす
る請求項１５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１７】
前記第１の及び第２の組成上無秩序な材料は実質的にインジウム-ガリウム-砒素（ＩｎＧａＡｓ）から構成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１８】
前記III―Ｖ族の半導体材料系は、実質的に１２００ｎｍから１７００ｎｍまでの間の波長で半導体レーザ光を放出する系に基づくインジウム-燐（ＩｎＰ）材料系であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１９】
前記光導波路は少なくとも第２クラッド層に形成されたリッジ導波路であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項２０】
前記電気接触材料が前記リッジの表面に接触していることを特徴とする請求項１９に記載の半導体レーザ装置。
【請求項２１】
（１）第１の光クラッド荷電キャリア閉じ込め層と、
レーザ光放出材料を有するコア又はガイド層と、
第２の光クラッド荷電キャリア閉じ込め層とを、
順に基板上に形成する工程と、
（２）横方向の光閉じ込めを備え、前記装置の第１の端から前記第１の端と前記装置の第２の端との間の途中の位置へ縦方向に延伸し、光導波路構造を規定する光導波路を形成する工程と、
（３）前記途中の位置から前記装置の前記第２の端に延伸する第１の光学上不活性領域であって、使用中、前記第１の光学上不活性領域を横切りながら前記導波路の光出力が回折するように前記導波路よりも幅広い前記第１の光学上不活性領域を前記コア又はガイド層内に形成する工程と、
（４）前記導波路の接触無し部が設けられるように前記導波路の前記縦方向の延伸よりも短い接触部を規定し、前記接触無し部が前記半導体レーザ装置の前記コア又はガイド層内に第２の光学上不活性領域を設ける電気接触材料を前記導波路の上に形成する工程と、
（５）前記導波路の下及び／又は内の前記コア又はガイド層内に光学上活性領域を少なくとも上記工程(１)〜(４)のいくつかの間に形成する工程と
を有する半導体レーザ装置を製造する方法。
【請求項２２】
工程（１）は、分子ビームエピタクシ及び金属有機化学気相成長法から選ばれる成長技術によってなされることを特徴とする請求項２１に記載の半導体レーザ装置を製造する方法。
【請求項２３】
前記第１の不活性領域は、前記第１の不活性領域内に空隙を生み出すことを有する量子井戸混合技術によって形成され、前記量子井戸構造よりも大きな禁制帯幅を有する前記コア層の組成上無秩序領域を作り出すためにアニールすることを特徴とする請求項２１に記載の半導体レーザ装置を製造する方法。
【請求項２４】
前記量子井戸技術は、
実質的にアルゴンガス雰囲気内でダイオードスパッタリング装置の使用によって、半導体装置材料の表面の少なくとも一部に誘電体層を、前記誘電体層に隣接する前記材料の一部に少なくとも点構造欠陥を持ち込むように、堆積する工程と、
非スパッタリング技術によって、前記材料の表面の少なくとも他の一部に更なる誘電体層を随意に堆積する工程と、
前記材料をアニールし、それ
よって、前記材料から前記誘電体層にイオン又は原子を移す工程と、
を有することを特徴とする請求項２３に記載の半導体レーザ装置を製造する方法。
【請求項２５】
前記装置の前記第１の端に隣接する前記導波路の前記第２の光学上不活性領域を形成する工程を更に含む請求項２１に記載の半導体レーザ装置を製造する方法。
【請求項２６】
前記装置の前記第１の端に隣接する前記導波路の前記第２の光学上不活性領域を形成する工程と、前記途中の位置に隣接する前記導波路の第３の光学上不活性領域を形成する工程と、を更に含む請求項２１に記載の半導体レーザ装置を製造する方法。
【請求項２７】
少なくとも前記第２のクラッド層において、前記光導波路がリッジ導波路として形成されることを特徴とする請求項２１に記載の半導体レーザ装置を製造する方法。
【請求項２８】
前記電気接触材が前記リッジの表面に形成されることを特徴とする請求項２７に記載の半導体レーザ装置を製造する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
１つの利得領域において不純物無しの技術を用いて量子井戸混合によって形成される不活性領域を組み入れることによって、レーザ装置のビームの向き操り特性が、例えばビーム操縦への傾向を低減することによって改良され得る半導体レーザ装置を与えることが、本発明の少なくとも１つの局面の少なくとも１つの実施例の更なる他の目的である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の第１の側面によれば、第１のクラッド層と、コア又はガイド層と、第２のクラッド層が形成される基板であって、前記ガイド層は活性レーザ光放出材を有する前記基板と、
横方向の光閉じ込めを備え、半導体レーザ装置の第１の端から前記第１の端と前記装置の第２の端との間の途中の位置へ縦方向に延伸する光導波路と、
前記導波路の下及び／又は内の前記コア又はガイド層内に設けられた光学上活性領域と、
前記コア又はガイド層内に設けられ、前記途中の位置から前記装置の前記第２の端に延伸する第１の光学上不活性領域であって、前記導波路からの光出力が、使用中、前記第１の光学上不活性領域を横切りながら回折するように前記導波路よりも幅広い第１の光学上不活性領域と、
前記導波路の上に配置され、前記導波路の接触無し部が設けられるように前記導波路の前記縦方向の延伸よりも短い接触部を規定し、前記接触無し部は前記半導体レーザ装置の前記コア又はガイド層内に第２の光学上不活性領域を備える電気接触材料と、
を有する半導体レーザ装置が提供される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
前記第１の不活性領域は、組成上無秩序な又は量子井戸混合（ＱＷＩ）半導体（レーザ光放出）材料領域を備えてもよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
光学上活性領域に横方向に境を接する第２の組成上無秩序な（レーザ光を放出する）領域が設けられてもよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
峰部の上方面に接触する材料は、峰部の接触無し部分が存在するように峰部の上面の面積よりも小さな面積を有する。この接触無し部分は半導体レーザ装置のコア層内に第２の不活性領域を設ける。第２の不活性領域は、活性領域よりも大きな禁制帯幅エネルギー及びより低い吸収作用を有するようにしてもよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
第２の不活性領域は峰部の下及び／又は中に設ける。好ましくは、また、第２の不活性領域の端は前述の位置に与えられ、第２の不活性領域はこのレーザ装置の有効な"出力端"にある。第２の不活性領域はビームの向き操りを修正するのを助けてもよい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
好ましくは、位置からこの装置の第２の端までの長さは、この装置の第１の端と第２の端との間の長さよりもおよそ３桁短くてもよい。好ましくは、また、第２の不活性領域は長さにおいて第不活性領域よりも実質的に短くてもよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
本発明の一実施形態では、半導体レーザ装置は、およそ１μｍ〜５μｍの峰部の幅と、峰部の幅のおよそ少なくとも３倍の幅と、両端間のおよそ１〜２ｍｍの間隔と、第１の端と中途の位置との間のおよそ１．５ｍｍの間隔と、およそ０．５ｍｍの長さを有する不活性領域とを有してもよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
別の側面によれば、
（１）第１の光クラッド荷電キャリア閉じ込め層と、
レーザ光放出材料を有するコア又はガイド層と、
第２の光クラッド荷電キャリア閉じ込め層とを、
順に基板上に形成する工程と、
（２）横方向の光閉じ込めを備え、前記装置の第１の端から前記第１の端と前記装置の第２の端との間の途中の位置へ縦方向に延伸し、光導波路構造を規定する光導波路を形成する工程と、
（３）前記途中の位置から前記装置の前記第２の端に延伸する第１の光学上不活性領域であって、使用中、前記第１の光学上不活性領域を横切りながら前記導波路の光出力が回折するように前記導波路よりも幅広い前記第１の光学上不活性領域を前記コア又はガイド層内に形成する工程と、
（４）前記導波路の接触無し部が設けられるように前記導波路の前記縦方向の延伸よりも短い接触部を規定し、前記接触無し部が前記半導体レーザ装置の前記コア又はガイド層内に第２の光学上不活性領域を設ける電気接触材料を前記導波路の上に形成する工程と、
（５）前記導波路の下及び／又は内の前記コア又はガイド層内に光学上活性領域を少なくとも上記工程(１)〜(４)のいくつかの間に形成する工程と
を有する半導体レーザ装置を製造する方法を本発明は提供する。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
好ましくは、前記第１の不活性領域は、好ましくは前記不活性領域内に空隙を生み出すことから成ってもよい量子井戸混合（ＱＷＩ）技術によって形成されてもよく、或いは、選択的に、前記不活性領域内にイオンを打ち込み又は拡散することから成ってもよく、次いで、量子井戸構造部よりも大きな禁制帯幅を有するコア層の組成上無秩序領域を作り出すためにアニールする。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
好ましくは、前記第１の光学上不活性領域は、量子井戸構造よりも大きな禁制帯幅を有するレーザ光放出層の組成上無秩序領域を作り出すために、ＱＷＩによって形成されてもよい。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
好ましくは、前記第１の不活性領域の長さは前記装置の長さよりも短い。この配置は、利得領域に隣接する不活性領域を提供する。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
前記第１の不活性領域は峰部よりも幅広い。それ故、前記第１の光学上不活性領域はＱＷ構造内に光ビームを閉じ込める峰部に隣接する回折領域を設ける。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
好ましくは、前記第１の光学上不活性領域は、不純物無し間隙を生み出すことによって形成されてもよく、より好ましくは、量子井戸混合を達成するためにダメージを高める技術を使用してもよい。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
本実施形態では、接触部２０を有するリッジ導波路１５の一部はエッチングを施された部分３２及び３５に横方向で境を接している。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
装置１０は、光導波路１５を含む光学的に活性な又は利得の領域４０と、光導波路１５の一端に与えられる光学上不活性領域（optically passive region，光学上受動領域）４５とを更に備え、光学上不活性領域４５は、光導波路１５よりも幅広く、それで、使用中に、光導波路１５の光出力は、それが光学上不活性領域４５を横切るときに回折する。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
光学上活性領域４０及び光学上不活性領域４５は、第１及び第２の（上方及び下方）光クラッド閉じ込め層６０および６５の間であって１つの光ガイド又はコア層５５内に与えられる。第１のクラッド層６０、ガイド層５５及び第２のクラッド層６５はそれぞれ３．０〜３．５の屈折率を有し、ガイド層５５はクラッド層６０及び６５よりも高い屈折率を有する。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
光学上不活性領域４５は、前述の位置７５から又は位置７５に隣接し、装置１０の第２の端７６までガイド層５５内に与えられる１つの組成上無秩序半導体層７８を含む。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
切開面５０は、光学的には、劈開された半導体上に反射防止コーティング８１を含む。反射防止コーティング８１は１％〜１０％の反射率である。回折不活性領域４５と反射防止コーティング８１との組み合わせは、切開面５０のＣＯＭＤレベルを更に上げる非吸収鏡（ＮＡＭ）を与え、結果的に、レーザ装置１０の出力を上げ得る。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
組成上無秩序レーザ光放出層７８は、以下に詳細に述べられるように、量子井戸混合（ＱＷＩ）を介して達成されるであろう。量子井戸混合はガイド層５５、例えば半導体レーザ層内で量子井戸構造部７７の量子井戸閉じ込めを消し去る。より好ましくは、量子井戸混合は実質的に不純物が無い。量子井戸混合不活性領域４５は“青色へシフト”される。すなわち、典型的には、キャリアが注入された場合の光利得領域４０と量子井戸混合不活性領域４５との間に１００ｍｅＶ以上の違いが存在する。それ故、高次のモードが組成上無秩序レーザ光放出層７８を通って伝播するとき高次のモードが基本モードよりも大きな回折損失を被るので、組成上無秩序レーザ光放出層７８は空間モードフィルタとして働く。このように、基本モードは活性領域４０とより大きな重なりを有する。それ故、半導体レーザ装置１０を実質的に単一モードの出力を与えるように適合させることが可能である。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
半導体レーザ装置１０は、峰部７0の上方面９０及び基板８０の下方面９５にそれぞれ接触する金属の接触材料の層２０及び８５を更に備える。接触層２０及び８５は電流を光利得領域４０に送り込むために与えられる。“上方”及び“下方”への参照は参照の容易さのために使用され、使用中、装置１０はさまざまな配置のいずれかに向けられるだろうことは理解できるであろう。峰部７０の上方面９０に接触する材料の接触部２０は峰部７０の上方面９０の全領域よりも小さな領域を有する。本実施形態では、峰部７０の接触しない部分１０５が存在する。この接触しない部分１０５は、半導体レーザ装置１０の光学上活性領域４０の一端に更なる不活性領域１１０を与える。第２の不活性領域１１０は、光学的に活性な又は利得の領域４０よりも大きな禁制帯幅エネルギー及びより低い吸収作用を有する。更なる不活性領域１１０は量子井戸混合によって形成されるであろう。
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から分かるように、更なる不活性領域１１０は峰部７０と同じように横方向に広い。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
好ましい配置では、位置７５から装置１０の第２の端７６までの長さは、装置１０の第１の端７１と第２の端７６との間の長さよりも、およそ３桁小さい。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
半導体レーザ装置１０のそのような実施形態で、半導体レーザ装置１０は、およそ１μｍ〜５μｍの峰幅と、少なくともおよそ１５μｍの幅と、両端７１及び７６間のおよそ１〜２ｍｍの間隔と、第１の端７１と位置７５間のおよそ１．５ｍｍの間隔と、およそ０．５ｍｍの長さを有する不活性領域４５とを有する。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
半導体レーザ装置１０を製造する方法は、
（１）板８０上の第１の光クラッド荷電キャリア閉じ込め層６０と、
量子井戸構造部７７が形成されたガイド（レーザ光放出材料）層５５と、
第２の光クラッド閉じ込め層６５とを順に形成し、
（２）レーザ光放出材料層５５内に不活性領域４５を形成し、
（３）上方クラッド層６５の少なくとも一部から峰部７０を形成する、
工程から構成される。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
この実施形態では、不活性領域４５は、不活性領域４５内に空隙を生み出す工程を有する量子井戸混合（ＱＷＩ）技術によって形成される。また、前記量子井戸混合技術は、イオンを不活性領域４５内に打ち込み又は拡散し、次いで量子井戸構造よりも大きな禁制帯幅を有するガイド層の複数の組成上無秩序領域を作り出すためにアニールする工程を有するものであってもよい。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
工程（２）で、不活性領域４５は、量子井戸構造部７７よりも大きな禁制帯幅及びより低い吸収作用を有するレーザ光放出材料層５５の組成上無秩序層７８を作るために、都合のよいように、ＱＷＩによって、領域４５内に形成される。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
図１〜図３から分かるように、不活性層４５の長さは、本実施形態では、装置１０の長さよりも短い。この配置で、光利得領域４０に隣接する不活性層４５が与えられる。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
図２から分かるように、不活性領域４５の少なくとも一部は峰部７０よりも幅広い。それ故、不活性領域４５は、量子井戸構造部７７内で光ビームを閉じ込める峰部７０に隣接する回折領域を与える。この実施形態では、峰部７０は不活性領域４５を越えて延伸しない。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
この製造方法は、接触層８５及び２０を基板８０の下方面９５及び峰部７０の上方面９０にそれぞれつける工程を含む。接触層２０は峰部７０の一部につけられ、それで半導体レーザ装置１０は活性層４０及び峰部７０の下方の少なくとも１つの第２の不活性領域１１０を有する。第２の不活性領域１１０がレーザ装置１０の第１の端７１に又は近くに与えられるように、峰部７０の一部は装置１０の一端に隣接する。量子井戸混合（ＱＷＩ）技術によって第２の不活性領域１１０が不活性領域４５に同様に形成されてもよい。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
それぞれ半導体レーザ装置１０の後方反射体及び出力結合器を形成するコーティング部７１及び８１が
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に示される。コーティング部７１及び８１は装置１０の第１及び第２の端を少なくとも部分的に覆う。コーティング部７１は、高い反射作用のコーティングで、例えば、典型的には９０％よりも高く、光学上不活性ＱＷＩ領域１１０と共に非吸収鏡（ＮＡＭ）を与える。光学上不活性領域１１０は利得領域４０の出力側に位置し、回折領域として働く。回折領域は光放射（光）を広げることによって第２の端７６に衝突する光放射の強度を減少させる。反射防止コーティング部８１は、レーザ装置１０に戻る１％と１０％との間のパーセンテージの光放射を、残りの光放射をレーザ装置出力として送波しながら、反射する。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
組成上無秩序レーザ光放出材料領域４５，７８及び１１０は、後述するように、量子井戸混合（ＱＷＩ）を介して達成される。量子井戸混合（ＱＷＩ）は半導体レーザ光放出材料層又はガイド層５５内で井戸の量子井戸閉じ込めを消し去る。本実施形態では、量子井戸混合（ＱＷＩ）は不純物が無く“青色へシフト”され、すなわち、典型的には、２０〜３０ｍｅＶより大きく、より典型的には、キャリアが注入された場合の光活性領域４０と量子井戸混合（ＱＷＩ）不活性領域４５及び１１０との間におよそ１００ｍｅＶ以上の違いが存在する。高次のモードが領域４５を通って伝播するとき高次のモードが基本モードよりも大きな回折損失を被るので、不活性領域４５は空間モードフィルタとして働く。このように、基本モードは活性領域４０とより大きな重なりを有し、選択的に増幅される。それ故、半導体レーザ装置１０は単一モードの出力を奨励する。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
第２の装置１０ａと第１の装置１０との違いは、まだその上に更なる量子井戸混合（ＱＷＩ）不活性領域１５０ａが、峰部７０ａの下で、かつ接触部２０ａの一端１５５ａと位置７５ａとの間で、装置１０ａに与えられることであり、すなわち、接触部２０ａは位置７５ａにまでは到らない。
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から分かるように、まだその上に更なる量子井戸混合（ＱＷＩ）不活性領域１５０ａは、本実施形態では、不活性領域４５ａよりも長さにおいて実質的に短い。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
まだその上に更なる量子井戸混合（ＱＷＩ）不活性領域１５０ａの一端１６０ａが、まだその上に更なる領域１５０ａが使用中に出力ビームの向き操りを防ぐことを手伝うように、位置７５ａに与えられる。領域１５０ａは回折不活性領域４５ａよりも識別力がある空間モードフィルターとして働く。すなわち、導波路１５ａは単一モードにおけるように設計されているので、更なる不活性領域１５０ａは、電流が注入されないとき、使用中、単一モードのままである。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
動作されたとき、接触無し更なる不活性領域１５０ａは入力キャリアにより実質的に非線形の効果のいずれも有さず、電気的な駆動電流が変化するとき出力ビームの向き操りを避け、ビームの向き操りを修正する。同様の配置が非吸収鏡（ＮＡＭ）が動作する装置１０ａの第１の端７１ａに存在する。
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
また、この実施形態は、第１の実施形態を参照して記述されたように、回折不活性領域４５に帰する利点を有する。
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８９】
選択的なＱＷＩマスク（図示せず）はＱＷＩになっていない装置１０ａの複数部分に渡って置かれる。量子井戸構造部７７ａに及び周囲に量子井戸混合を作り出すために好ましく用いられる技術は、この実施形態では、間隙を用いるダメージ誘発技術である。しかしながら、量子井戸構造部７７ａと量子井戸混合不活性領域４５ａ及び１０５ａとの間での禁制帯幅エネルギーでの違いを達成する如何なる他の量子井戸混合技術も本発明の範囲内で用いることができることは理解されるであろう。好ましいダメージ誘発技術は、装置１０ａ上に堆積されるべきスパッタリングされる酸化シリコン（ＳｉＯ2）キャップを必要とする。堆積されるＳｉＯ2の薄い層に引き続き、装置は、それをアニールするために、高められた（高い）温度に実質的に加熱される。
【誤訳訂正３８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
ＱＷＩマスクの寸法を変えることにより、又装置１０ａ上で一度以上量子井戸混合（ＱＷＩ）を実行することにより、多数の量子井戸混合（ＱＷＩ）不活性領域４５ａ，１１０ａ及び１５０ａを作り出すことが可能である。追加的に、ＱＷＩマスクが回折不活性領域４５ａで量子井戸混合（ＱＷＩ）のためにだけ与えられてもよく、このように、導波路１５ａが上方の峰部７０ａのみによって定められた装置１０ａを作り出す。
【誤訳訂正３９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
前述の両実施形態は、不活性であるときに回折作用を有し装置１０又は１０ａの横方向幅を横切って延伸する５５又は５５ａ内に１つの部分４５又は４５ａを含む。このように、半導体レーザ装置１０又は１０ａは単一モード屈折率（インデックス）結合半導体導波路レーザの一端に１つの回折領域４５又は４５ａを有する。回折領域４５又は４５ａは、光放射が回折するのを許す不活性スラブ導波路領域に効果的になる。
【誤訳訂正４０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
回折領域４５又は４５ａは装置１０又は１０ａの出力又は明るさを減少させることなく１つの出力端８１又は８１ａ上での光強度を効果的に低めるが、その理由は、回折角度はリッジ導波路７０又は７０ａと装置１０又は１０ａの他の領域のそれぞれとの間の相対屈折率差によって制御されるからである。また、不活性スラブ導波路回折領域４５及び４５ａのそれぞれは、それらがレーザ空隙内で本質的に回折領域であるために、空間モードフィルターとして使用され得る。このことは、高次の導波路モードが回折領域４５又は４５ａを横切って伝播するとき高次の導波路モードは基本モードよりも大きな回折損失を被るという、利点を有する。このように、基本モードは利得領域４０とより大きな重なりを有し、選択的に増幅される。従って、本発明のため、回折領域４５又は４５ａが装置１０又は１０ａの光活性領域４０又は４０ａよりも大きな禁制帯幅エネルギーを有することは有益である。
【誤訳訂正４１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
本発明の更なる利点は、装置出力での不活性量子井戸混合領域で利得領域を去る光放射を回折することである。ビーム寸法が装置１０又は１０ａの両端で増加するので、それぞれの切開面でのカタストロフィ光学鏡ダメージ（ＣＯＭＤ）レベルが増加し、結果的に、より大きな出力を達成できる。回折領域が無い装置と比較して、屈折率変化を注意深く選択することにより、出力ビームのモードは横方向に広がった基本モードとして保持される。
【誤訳訂正４２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９８】
本発明の更なる利点は、高次のモードが伝播するというリスク無しで、大きな駆動電流を接触部２０及び８５、又は２０ａ及び８５ａ間で使用し得ることである。半導体レーザ装置で駆動電流が増加するにつれて、利得領域の周囲の部分の屈折率が非線形になるということは知られている。屈折率が変化すると、高次のモードは、“キンク電流”に至るとき、維持される。本発明では、このことは、これらの高次モードが量子井戸混合（ＱＷＩ）領域内でより大きな広がり角度を被るので、除去される。さらに、更なる不活性領域１５０ａにより、ビーム・ステアリング及び特別のモード識別が得られる。