【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個のアルキルヒドラジン官能基で置換されたシラン化合物またはジシラン
化合物であって、
前記化合物が、式ＲＲ’ＮＮＨ−を有するヒドラジドで１置換されたシラン化合物である場合、
ＲとＲ’は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、ＲとＲ’は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよいが、
ヒドラジドでない置換基が、すべてメチルであるとき、前記ヒドラジド置換基は、メチルヒドラジドおよびジメチルヒドラジドのいずれでもなく；
前記化合物が、式ＲＲ’ＮＮＨ−を有するヒドラジドで２置換されたシラン化合物である場合、
ＲとＲ’は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、ＲとＲ’は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよいが、
ヒドラジドでない置換基が、Ｈおよびメチルであるとき、前記ヒドラジド置換基が、共にジメチルヒドラジドであること、および、共にジエチルヒドラジドであることはなく、
ヒドラジドでない置換基が、Ｈおよびエチルであるとき、前記ヒドラジド置換基が、共にジメチルヒドラジドであることはなく；
前記化合物が、次の式で表される場合、
【化１】
2007508307.tif 000001
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１およびＹ２がすべてメチルであることはなく、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、Ｒ１とＲ２は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、または、Ｒ３とＲ４は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１およびＹ２は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アルキルアミノ、ジアルキルアミノおよび、Ｒ１とＲ２は上記に説明したものである式Ｒ１Ｒ２ＮＮＨ−を有するヒドラジドからなる群から独立して選択され；
前記化合物が、それぞれ式ＲＲ’ＮＮＨ−を有するヒドラジドで４置換されたシラン化合物である場合、
ＲとＲ’は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、ＲとＲ’は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、
すべてのヒドラジド置換基が、ジメチルヒドラジドおよびジエチルヒドラジドのいずれでもない；
シラン化合物又はジシラン化合物。
【請求項２】
ハロゲン官能基がない、請求項１に記載のシラン化合物またはジシラン化合物。
【請求項３】
（Ａ）式（Ｉ）
【化２】
2007508307.tif 000002
（式中、Ｒ１とＲ２は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、ア
リールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、
Ｒ１とＲ２は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、Ｘ、ＹおよびＺは
互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アルキルアミノ、ジアル
キルアミノおよび、Ｒ１とＲ２は上記に説明したものである式Ｒ１Ｒ２ＮＮＨ−を有する
ヒドラジドからなる群から独立して選択され、
Ｘ、ＹおよびＺが、それぞれ、メチルである場合、前記ヒドラジド置換基は、メチルヒドラジドおよびジメチルヒドラジドのいずれでもなく、
Ｘ、ＹおよびＺが、Ｈ、メチル、およびヒドラジドである場合、前記ヒドラジド置換基が、共にジメチルヒドラジドであること、および、共にジエチルヒドラジドであることはなく、
Ｘ、ＹおよびＺが、Ｈ、エチル、およびヒドラジドである場合、前記ヒドラジド置換基が、共にジメチルヒドラジドであることはない）で表されるシラン化合物
および、
（Ｂ）式（ＩＩ）
【化３】
2007508307.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−
Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択さ
れるか、または、Ｒ１とＲ２は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、
または、Ｒ３とＲ４は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、Ｘ１、Ｘ
２、Ｙ１およびＹ２は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、ア
ルキルアミノ、ジアルキルアミノおよび、Ｒ１とＲ２は上記に説明したものである式Ｒ１
Ｒ２ＮＮＨ−を有するヒドラジドからなる群から独立して選択され、
前記化合物が、それぞれ式ＲＲ’ＮＮＨ−（式中、ＲとＲ’は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、ＲとＲ’は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよい）を有するヒドラジドで４置換されたシラン化合物である場合、すべてのヒドラジド置換基が、ジメチルヒドラジドおよびジエチルヒドラジドのいずれでもない）で表されるジシラン化合物、
からなる群から選択される、請求項１に記載のシラン化合物またはジシラン化合物。
【請求項４】
１００℃未満の溶融温度を特徴とする、請求項１に記載のシラン化合物またはジシラン
化合物。
【請求項５】
３００℃未満の気化温度を特徴とする、請求項１に記載のシラン化合物またはジシラン
化合物。
【請求項６】
式（Ｉ）
【化４】
2007508307.tif 000004
（式中、Ｒ１とＲ２は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、ア
リールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、
Ｒ１とＲ２は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、Ｘ、ＹおよびＺは
互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アルキルアミノ、ジアル
キルアミノおよび、Ｒ１とＲ２は上記に説明したものである式Ｒ１Ｒ２ＮＮＨ−で表され
るヒドラジドからなる群から独立して選択され；
Ｘ、ＹおよびＺが、それぞれ、メチルである場合、前記ヒドラジド置換基は、メチルヒドラジドおよびジメチルヒドラジドのいずれでもなく；
Ｘ、ＹおよびＺが、Ｈ、メチル、およびヒドラジドである場合、前記ヒドラジド置換基が、共にジメチルヒドラジドであること、および、共にジエチルヒドラジドであることはなく；
Ｘ、ＹおよびＺが、Ｈ、エチル、およびヒドラジドである場合、前記ヒドラジド置換基が、共にジメチルヒドラジドであることはなく；
前記化合物が、それぞれ式ＲＲ’ＮＮＨ−（式中、ＲとＲ’は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、ＲとＲ’は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよい）を有するヒドラジドで４置換されたシラン化合物である場合、すべてのヒドラジド置換基が、ジメチルヒドラジドおよびジエチルヒドラジドのいずれでもなく；
Ｘ、ＹおよびＺが、それぞれ、ヒドラジドである場合、Ｒ１、Ｒ２、および、Ｘ、ＹおよびＺのすべてのアルキル置換基は、いずれもエチルでない）
で表されるシラン化合物。
【請求項７】
Ｘ、ＹおよびＺはすべてＣ１−Ｃ７アルキルである、請求項６に記載のシラン化合物。
【請求項８】
Ｘ、ＹおよびＺはすべてメチルまたはエチルである、請求項６に記載のシラン化合物。
【請求項９】
Ｘ、ＹおよびＺはすべてヒドラジドである、請求項６に記載のシラン化合物。
【請求項１０】
Ｘ、ＹおよびＺはすべてＮ，Ｎ'−ジメチルヒドラジドまたはＮ，Ｎ'−ジエチルヒドラ
ジドである、請求項６に記載のシラン化合物。
【請求項１１】
１００℃未満の溶融温度を特徴とする、請求項６に記載のケイ素化合物。
【請求項１２】
３００℃未満の気化温度を特徴とする、請求項６に記載のケイ素化合物。
【請求項１３】
式（ＩＩ）
【化５】
2007508307.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−
Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択さ
れるか、または、Ｒ１とＲ２は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、
または、Ｒ３とＲ４は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、Ｘ１、Ｘ
２、Ｙ１およびＹ２は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、ア
ルキルアミノ、ジアルキルアミノおよび、Ｒ１とＲ２は上記に説明したものである式Ｒ１
Ｒ２ＮＮＨ−を有するヒドラジドからなる群から独立して選択され、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１およびＹ２が、すべてメチルであることはない）で表されるジシラン化合物。
【請求項１４】
Ｓｉ−Ｓｉ結合に対して実質的に対称な構造を特徴とする、請求項１３に記載のジシラ
ン化合物。
【請求項１５】
Ｓｉ−Ｓｉ結合に対して対称に分布した官能基を有する、請求項１３に記載のジシラン
化合物。
【請求項１６】
Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１およびＹ２はすべてＣ１−Ｃ７アルキルである、請求項１３に記載の
ジシラン化合物。
【請求項１７】
Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１およびＹ２はすべてメチルまたはエチルである、請求項１３に記載の
ジシラン化合物。
【請求項１８】
１００℃未満の溶融温度を特徴とする、請求項１３に記載のジシラン化合物。
【請求項１９】
３００℃未満の気化温度を特徴とする、請求項１３に記載のジシラン化合物。
【請求項２０】
（ＨＮＢｕｔ）２（ＨＮＮＭｅ２）Ｓｉ−Ｓｉ（ＨＮＮＭｅ２）（ＨＮＢｕｔ）２で表されるされるケイ素化合物。
【請求項２１】
以下の反応
【化６】
2007508307.tif 000006
を含む、請求項２０に記載のケイ素化合物を形成する方法。
【請求項２２】
基材を、化学蒸着条件下で請求項１に記載のシラン化合物またはジシラン化合物の気相
に接触させることを含む、基材上にシリコン含有膜を形成する方法。
【請求項２３】
基材を、化学蒸着条件下で請求項６に記載のシラン化合物の気相に接触させることを含
む、基材上にシリコン含有膜を形成する方法。
【請求項２４】
基材を、化学蒸着条件下で請求項１３に記載のジシラン化合物の気相に接触させること
を含む、基材上にシリコン含有膜を形成する方法。
【請求項２５】
請求項１に記載の化合物を用いる膜形成方法により形成されたシリコン含有膜を含むマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項２６】
前記シリコン含有膜が、窒化ケイ素膜、酸窒化ケイ素膜、二酸化ケイ素膜、シリコン含有低誘電率膜、高誘電率ゲートシリケート膜、および、低温シリコンエピタキシャル膜からなる群から選択される請求項２５に記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項２７】
前記シリコン含有膜が、５５０℃未満で形成されたものである請求項２５に記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のシラン誘導体は、以下の一般式
【化１】
2007508307.tif 000007
（式中、Ｒ１とＲ２は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、Ｒ１とＲ２は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、Ｘ、ＹおよびＺは互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アルキルアミノ、ジアルキルアミノおよびヒドラジド（例えば、Ｒ１Ｒ２ＮＮＨ−（式中、Ｒ１とＲ２は上記に説明したものと同一））からなる群から独立して選択される）によって表すことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
好ましくは、Ｘ、ＹおよびＺはすべて同一の官能基である。さらに好ましくは、Ｘ、ＹおよびＺはすべて、メチルまたはエチルなどのＣ１−Ｃ７アルキルである。あるいはまた、同様に好ましくは、Ｘ、ＹおよびＺはすべて、Ｎ，Ｎ’−ジメチルヒドラジドまたはＮ，Ｎ’−ジエチルヒドラジドなどのヒドラジド（例えば、Ｒ１Ｒ２ＮＮＨ−（式中、Ｒ１とＲ２は上記に説明したものと同一））である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のジシラン誘導体は、以下の一般式
【化２】
2007508307.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、Ｒ１とＲ２は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、または、Ｒ３とＲ４は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１およびＹ２は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アルキルアミノ、ジアルキルアミノおよびヒドラジド（例えば、Ｒ１Ｒ２ＮＮＨ−（式中、Ｒ１とＲ２は上記に説明したものと同一））からなる群から独立して選択される。）によって表すことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の好適なシラン誘導体は以下の一般式
【化７】
2007508307.tif 000009
（式中、Ｒ１とＲ２は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、Ｒ１とＲ２は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、Ｘ、ＹおよびＺは互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アルキルアミノ、ジアルキルアミノおよびヒドラジド（例えば、Ｒ１Ｒ２ＮＮＨ−（式中、Ｒ１とＲ２は上記に説明したものと同一である））からなる群から独立して選択される。）で表すことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の好適なジシラン誘導体は以下の一般式
【化８】
2007508307.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アリールおよびＣ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から独立して選択されるか、または、Ｒ１とＲ２は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、または、Ｒ３とＲ４は共にＮとのＣ３−Ｃ６複素環式官能基を形成してもよく、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１およびＹ２は互いに同一または異なっていてよく、Ｈ、Ｃ１−Ｃ７アルキル、アルキルアミノ、ジアルキルアミノおよびヒドラジド（例えば、Ｒ１Ｒ２ＮＮＨ−（式中、Ｒ１とＲ２は上記に説明したものと同一））からなる群から独立して選択される。）で表すことができる。