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【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高粘性液体担体材料（HVLCM）；
網目形成成分；
レオロジー調整剤；
溶媒；および
薬物；
を含む製剤を含んでなる経口投与剤形。
【請求項２】
HVLCMがイソ酪酸酢酸スクロース（SAIB)である、請求項１に記載の剤形。
【請求項３】
HVLCMが剤形重量の約20%から99%までの量、含まれている、請求項１または２に記載の剤形。
【請求項４】
HVLCMが剤形重量の約30%から90%までの量、含まれている、請求項３に記載の剤形。
【請求項５】
網目形成成分が重合体を含んでなる、請求項１〜４のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項６】
網目形成成分が酢酸酪酸セルロース（CAB）を含んでなる、請求項５に記載の剤形。
【請求項７】
網目形成成分が、約17%から約38%までのブチリル含量、約13%から約30%までのアセチル含量、約0.8%から約1.7%までのヒドロキシル含量、またはそれらの組み合わせを有するCABである、請求項６に記載の剤形。
【請求項８】
網目形成成分が重量として、剤形の約20%未満の量、含まれている、請求項１〜７のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項９】
網目形成成分が重量として、剤形の1%〜8.6%の量、含まれている、請求項８に記載の剤形。
【請求項１０】
レオロジー調整剤が−７から＋１５の間のオクタノールー水分配係数の対数を有する、請求項１〜９のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項１１】
レオロジー調整剤がミリスチン酸イソプロピルを含む、請求項１〜１０のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項１２】
レオロジー調整剤が剤形の重量として約0.1%から10%までの量、含まれている、請求項１〜１１のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項１３】
溶媒がアルコール、有機酸、有機酸誘導体、有機酸エステル、またはアルコールおよび有機酸残基を含んでなる、請求項１〜１２のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項１４】
溶媒が剤形の重量の約60%未満の量、含まれている、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項１５】
溶媒が剤形の重量の約60%未満の量、含まれている、請求項１４に記載の剤形。
【請求項１６】
製剤が安定剤を含んでなる、請求項１〜１５のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項１７】
安定剤が抗酸化剤である、請求項１６に記載の剤形。
【請求項１８】
薬物がオピオイド、CNS抑制薬または興奮薬である、請求項１〜１７のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項１９】
薬物が、
(a) モルヒネ、メタドン、エトルフィン、レボルファノール、フェンタニル、スフェンタニル、フェンタニル関連薬物、DAMGO、ブトルファノール、ブプレノルフィン、ナロキソン、ナルトレキソン、CTOP、ディプレノルフィン（diprenorphine）、β-フナルトレキサミン、ナロキソナジン、ナロルフィン、ペンタゾシン、ナルブフィン、ナロキソン・ベンゾイルヒドラゾン、ブレマゾシン、エチルケトシクラゾシン、U50,488、U69,593、スピラドリン、ノル-ビナルトルフィミン、ナルトリンドール、DPDPE、[D-Ala2,Glu4]デルトルフィン、DSLET、Met-エンケファリン、Leu-エンケファリン、β-エンドルフィン、ダイノルフィンA、ダイノルフィンB、α-ネオエンドルフィン、ヘロイン、ヒドロモルホン、オキシモルホン、レバロルファン、コデイン、ヒドロコドン、オキシコドン、およびナルメフェンからなる一群から選択されるオピオイド；
(b) バルビツレートおよびベンゾジアゼピン類から選択されるCNS抑制薬；または
(c)デキストロアンフェタミンおよびメチルフェニデートから選択される興奮薬；
である請求項１８に記載の剤形。
【請求項２０】
薬物がオキシコドン、ヒドロコドンおよびヒドロモルホンから選択される請求項１９に記載の剤形。
【請求項２１】
薬物が、免疫抑制薬、抗感染薬、抗酸化薬、麻酔薬、化学療法薬、ステロイド（レチノイドを含む）、ホルモン、抗生物質、サルファ剤、抗アレルギー薬、減感作薬、ワクチン、抗ウイルス薬、抗真菌薬、抗増殖薬、抗ヒスタミン薬、鬱血除去薬、抗凝固薬、光老化防止薬、メラノトロピンペプチド、非ステロイド系およびステロイド系抗炎症性化合物、抗精神病薬、放射吸収剤、縮瞳および抗コリンエステラーゼ薬、副交感神経遮断薬、交感神経遮断薬、精神安定薬、アンドロゲンステロイド、プロゲステロン剤、液性作用物質、化学療法薬、解熱薬、鎮痙薬、抗マラリア薬、嘔吐抑制薬、心臓作用薬、栄養物質、ならびに天然および合成生理活性ペプチドおよびタンパク質からなる一群から選択される、請求項１〜１７のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項２２】
薬物が約0.1mgから1000mgまでの量として存在する、請求項１〜２１のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項２３】
製剤がカプセル中に含まれている、請求項１〜２２のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項２４】
カプセルがゼラチンカプセルである、請求項２３に記載の剤形
【請求項２５】
製剤が８時間より長い間、剤形から薬物の放出を提供する、請求項１〜２４のいずれか一つに記載の剤形。
【請求項２６】
製剤が２０時間より長い間、剤形から薬物の放出を提供する、請求項２５に記載の剤形。
【請求項２７】
剤形がSAIB、CAB、ミリスチン酸イソプロピル、およびオピオイド薬物を含んでなる、請求項１記載の剤形。
【請求項２８】
請求項１〜２７のいずれか一つに定義された製剤を含んでなるドラッグデリバリーデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月8日(2007.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的に反射する層と、ディスプレイデバイスを有する表示用偏光ミラーとを有するミラー。
【請求項２】
反射層を有する第一の部分と、前記偏光ミラーからの光を少なくとも部分的に透過させる第二の部分とを有する請求項１に記載のミラー。
【請求項３】
前記偏光ミラーは第一の種類の偏光の光を表示側に反射する第一の面を有し、前記ミラーは第二の種類の偏光の光を透過させると共に自身の非表示側でディスプレイデバイスを備え、当該ディスプレイデバイスは使用の間、前記第二の種類の偏光の光をもたらす請求項１又は２に記載のミラー。
【請求項４】
前記ディスプレイデバイスの領域において前記反射層におけるアパーチャを有する請求項２に記載のミラー。
【請求項５】
前記アパーチャ内に半透過層を有する請求項４に記載のミラー。
【請求項６】
前記アパーチャの端部における反射層の反射率は、前記アパーチャから外へ向けられた方向に見て増加させられる請求項４又は５に記載のミラー。
【請求項７】
自身の表示側で更なる半透明ミラーを有する請求項２に記載のミラー。
【請求項８】
前記アパーチャの端部が隠される請求項４に記載のミラー。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチメディアメッセージに含まれるコンテンツアイテムの再送信を制御する方法であって、
送信者からの前記コンテンツアイテムを含むメッセージを、前記メッセージの意図された受信者の識別子と共に受信するステップと、
前記コンテンツアイテムについての識別子を得るステップと、
前記コンテンツアイテムについての識別子を利用して、前記コンテンツアイテムの元のプロバイダについての識別子を取得し、認可情報を取得するため前記プロバイダに連絡をとるステップと、
前記取得された認可情報に基づいて、前記コンテンツアイテムを含むメッセージの前記意図された受信者への再送信を制御するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記再送信を制御するステップは、前記コンテンツアイテムを含むメッセージの前記意図された受信者への再送信を許可するステップと、前記送信者又は前記意図された受信者に割増料金を請求するステップとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記再送信を制御するステップは、前記コンテンツアイテムを含むメッセージの前記意図された受信者への再送信を許可するステップと、前記再送信に関する詳細を記録するステップとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記再送信を制御するステップは、前記メッセージの再送信を制限するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記再送信を制限するステップは、前記メッセージの再送信を許可しないステップを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記再送信を制限するステップは、前記メッセージの再送信を許可するが、前記コンテンツアイテムの再送信を許可しないステップを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記プロバイダについての識別子が、前記得られた前記コンテンツアイテムについての識別子に基づいてデータベースから取得される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プロバイダについての識別子が前記データベースから取得されなかった場合に、前記得られた前記コンテンツアイテムについての識別子が、前記送信者についての識別子と関連付けられて前記データベースに保存される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
複数のプロバイダについての複数の識別子が取得され、再送信が前記複数のプロバイダのいずれかから取得された認可情報を条件とされる、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
マルチメディアメッセージに含まれるコンテンツアイテムの再送信を制御するように構成されたシステムであって、送信者からの前記コンテンツアイテムを含むメッセージを、前記メッセージの意図された受信者の識別子と共に受信する受信手段と、前記コンテンツアイテムについての識別子を得て前記コンテンツアイテムについての識別子を利用して、前記コンテンツアイテムの元のプロバイダについての識別子を取得する識別手段と、認可情報を取得するため前記プロバイダに連絡をとり、前記認可情報を条件付き再送信手段に信号送信する検索手段とを有し、前記条件付き再送信手段は、前記認可情報に基づいて、前記コンテンツアイテムを含むメッセージの前記意図された受信者への再送信を制御するように構成されたシステム。
【請求項１１】
意図された受信者にとって適切なフォーマットにマルチメディアメッセージ中のコンテンツアイテムをコード変換するように構成され、請求項１０に記載のシステムを有する、メディアコード変換システム。
【請求項１２】
プロセッサに請求項１に記載の方法を実行させるように構成されたコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端部を有する管と、コネクタ要素を有する流体導管と、コレットとを備えるコネクタ組立て体であって、前記コネクタ要素は外面、前記流体導管の一端に形成された先端部、前記先端部に隣接して半径方向に刻設された窪みおよび前記先端部の方向に向く取り付け面を備え、前記コレットは開口を有する構造要素および前記開口が貫通する接合面を備えると共に、熱接合ポリマーで構成されており、ここで、前記管の端部が前記先端部に向かって前記コネクタ要素の縁端を超えて延在し、前記コレットの開口が前記コネクタ要素に接して前記管を覆って配置されており、前記コネクタ要素に密着して前記管を保持し、かつ前記コレットの接合面が前記コネクタ要素の取り付け面に恒久的に接合されるコネクタ組立て体。
【請求項２】
前記コネクタ要素が前記流体導管と同心に穿たれた中心孔を有するフェルールと、管端と、コネクタ端とを備え、前記先端部が前記管端に配置されており、前記管が前記管端を超えて延在する請求項１記載のコネクタ組立て体。
【請求項３】
さらに、端部を有する第２の管と、第２のコネクタ要素を有する第２の流体導管とを有し、前記第２のコネクタ要素は外面および先端部を備え、ここで、前記第２の管は前記第２のコネクタ要素の先端部に向かって前記第２のコネクタ要素の縁端を超えて延在し、前記コレットがさらに前記第２のコネクタ要素に接して前記第２の管を覆って配置された第２の開口を備え、前記第２のコネクタ要素に密着して前記第２の管を保持する請求項１記載のコネクタ組立て体。
【請求項４】
それぞれ末端側端部、基部側端部および中空管腔を有する、一対のプラスチック管にプラスチック管継手を同時に形成する方法であって、コネクタ組立て体が、前記各管に変形力の適用によって前記管の一部を前記空間内に強制的に配置し、前記各管に軟化熱を伝達し、フェルールとコレットとにより協働して形成されるネック部によって前記管の一部を前記空間に拘束し、前記コレットとコネクタ本体とを間隔をおいて配置した前記一対の管の同時接合に適合するように形成し、前記コレットを前記コネクタ本体に恒久的に接合することを含む方法。
【請求項５】
前記それぞれの中空管腔内に配置されるフェルールによって前記各管の基部側端部に近い前記各管にフレア部を形成し、前記空間を前記それぞれの管の前記フレア部と前記基部側端部との間に形成することを含む請求項４記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
プスチック管１００は基部側端部１３０と、末端側端部１４５とによって形が定まる。プラスチック管１００は管壁１５０と、中空管腔１６０とを備える。プスチック管１００は、好ましくは曲げやすい、弾性プラスチック材料から製作される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
コレット１１５ｂの軸方向孔１２１は凹部１４１を備える。コレット１１５ｂがフェルール１１０と組み合うとき、凹部１４１はフェルール１１０の円筒部１１６に隣接するフレア部１１４に全体的に向き合う。凹部１４１とフレア部１１４と円筒部１１６との間の空間はプラスチック管１００がそこを通り抜けるときに全体的に拡張し、後に収縮する経路を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
コレット１１５ｂはコレット１１５ｂの外縁の一部を形成する一対の六角形外縁１４２を有する。各々六角形外縁１４２はコレット１１５ｂに形成されるそれぞれの孔１２１と同心である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
組立てでは、コレット１１５ｂがコネクタ本体１２０と組み合うとき、コレット１１５ｂの六角形外縁１４２はコネクタ本体１２０の六角形孔部１３６ａ内にぴったり収まる。この方法では、コレット１１５ｂのコネクタ本体１２０との心出しを確実に保つことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006522909.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６Ａ】
2006522909.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６Ｂ】
2006522909.tif 000003
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６Ｃ】
2006522909.tif 000004
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2006522909.tif 000005
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2006522909.tif 000006
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2006522909.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トロイダルレース転がり牽引形式の変動器であって、
回転自在に装着された入力ディスクと；
入力ディスクと同軸に回転自在に装着された出力ディスクと；
入力ディスクと出力ディスクとの間で回転を伝達する複数のローラと；
ローラの対応する１つに各々作用する複数のアクチュエータと；
ローラの対応する１つ及びそれに関連するアクチュエータに各々接続された複数のレバーと；
を有することを特徴とする変動器。
【請求項２】
各ローラ及びこれに関連するアクチュエータが対応するレバーに接続されることを特徴とする請求項１の変動器。
【請求項３】
第１の軸線のまわりに枢着された複数のレバーを有することを特徴とする請求項１又は２の変動器。
【請求項４】
第２の軸線のまわりに枢着されたレバーを有することを特徴とする請求項３の変動器。
【請求項５】
第１の軸線が第１の軸線に対して傾斜することを特徴とする請求項４の変動器。
【請求項６】
各アクチュエータが、変動器のディスクの回転軸線に整合しかつこの回転軸線を通る面の同じ側に装着されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかの変動器。
【請求項７】
各アクチュエータが、変動器のディスクの回転軸線に整合しかつこの回転軸線を通る水平面の下方に装着されることを特徴とする請求項６の変動器。
【請求項８】
各アクチュエータが、入力及び出力ディスクの回転軸線に平行に延びかつ入力ディスク及び出力ディスクのうちの大きい方の周辺に対して接線方向に延びる共通面の半径方向外方に位置することを特徴とする請求項１ないし７のいずれかの変動器。
【請求項９】
前記共通面が実質上水平に延びることを特徴とする請求項８の変動器。
【請求項１０】
前記共通面が入力ディスク及び出力ディスクのうちの大きい方の最下方の地点に対して接線方向であることを特徴とする請求項９の変動器。
【請求項１１】
アクチュエータの変位の方向が実質上平行であることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれかの変動器。
【請求項１２】
アクチュエータの変位の方向が共通面に対して垂直であることを特徴とする請求項１１の変動器。
【請求項１３】
各アクチュエータがシリンダ内で往復運動自在に位置するピストンを有することを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかの変動器。
【請求項１４】
前記シリンダの長手軸線が実質上平行であることを特徴とする請求項１３の変動器。
【請求項１５】
前記ピストンが液圧圧力により変位できることを特徴とする請求項１３又は１４の変動器。
【請求項１６】
前記シリンダが共通のシリンダブロック内に位置することを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれかの変動器。
【請求項１７】
アクチュエータが複動のものであることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれかの変動器。
【請求項１８】
トロイダルレース転がり牽引形式の変動器であって、
回転自在に装着された入力ディスクと；
入力ディスクと同軸に回転自在に装着された出力ディスクと；
入力ディスクと出力ディスクとの間で回転を伝達する複数のローラと；
ローラの対応する１つに各々作用する複数のアクチュエータと；
を有し、
各アクチュエータが、入力及び出力ディスクの回転軸線に平行に延びかつ入力ディスク及び出力ディスクのうちの大きい方の周辺に対して接線方向に延びる共通面の半径方向外方に位置することを特徴とする変動器。
【請求項１９】
前記共通面が実質上水平に延びることを特徴とする請求項１８の変動器。
【請求項２０】
前記共通面が入力ディスク及び出力ディスクのうちの大きい方の最下方の地点に対して接線方向であることを特徴とする請求項１９の変動器。
【請求項２１】
アクチュエータの変位の方向が平行であることを特徴とする請求項１８ないし２０のいずれかの変動器。
【請求項２２】
アクチュエータの変位の方向が前記共通面に対して垂直であることを特徴とする請求項１８ないし２１のいずれかの変動器。
【請求項２３】
各アクチュエータがシリンダ内で往復運動自在に位置するピストンを有することを特徴とする請求項１８ないし２２のいずれかの変動器。
【請求項２４】
前記シリンダの長手軸線が実質上平行であることを特徴とする請求項２３の変動器。
【請求項２５】
前記ピストンが液圧圧力により変位できることを特徴とする請求項２３又は２４の変動器。
【請求項２６】
前記シリンダが共通のシリンダブロック内に位置することを特徴とする請求項２３ないし２５のいずれかの変動器。
【請求項２７】
アクチュエータが複動のものであることを特徴とする請求項１８ないし２６のいずれかの変動器。
【請求項２８】
ローラの対応する１つ及びこれに関連するアクチュエータに各々接続された複数のレバーを更に有することを特徴とする請求項１８ないし２７のいずれかの変動器。
【請求項２９】
各ローラ及びこれに関連するアクチュエータが対応するレバーに接続されることを特徴とする請求項２８の変動器。
【請求項３０】
第１の軸線のまわりに枢着された複数のレバーを有することを特徴とする請求項２８又は２９の変動器。
【請求項３１】
第２の軸線のまわりに枢着されたレバーを有することを特徴とする請求項２８ないし３０のいずれかの変動器。
【請求項３２】
第１の軸線が第１の軸線に対して傾斜することを特徴とする請求項３１の変動器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の分離順序を有する光ファイバリボンであって、
第１のサブユニットを有し、該第１のサブユニットは、全体として平らな形態に配置され、第１の１次マトリックスによって互いに連結された複数本の光ファイバを有し、該第１の１次マトリックスは第１の端部及び中間部を有し、該第１の端部は、前記第１の端部は全体として球根の形状を有し、該全体として球根の形状は厚さを有し、前記中間部は厚さを有し、前記第１の端部の厚さは前記中間部の厚さよりも大きく、前記第１のサブユニットは、第１のリボンユニットの一部であり、前記光ファイバリボンはさらに、
第２のサブユニットを有し、第２のサブユニットは、全体として平らな形態に配置され第２の１次マトリックスによって互いに連結された複数本の光ファイバを有し、前記第２のサブユニットは、複数のサブユニットを有する第２のリボンユニットの一部であり、前記光ファイバリボンはさらに、
２次マトリックスを有し、該２次マトリックスは、前記第１のリボンユニットと第２のリボンユニットを互いに連結し、前記２次マトリックスは、前記第１のリボンユニットと第２のリボンユニットの間に形成されたリボンユニットインタフェースに隣接して設けられた優先的引き裂き部分を有する、
ことを特徴とする光ファイバリボン。
【請求項２】
前記第２のサブユニットの１次マトリックスは第１の端部及び中間部を有し、
前記第１の端部は、全体として球根の形状をし、該全体として球根の形状は厚さを有し、
前記中間部は厚さを有し、前記第１の端部の厚さは前記中間部の厚さよりも大きい、
請求項１に記載の光ファイバリボン。
【請求項３】
全体として球根の形状は、第１のサブユニットの端の光ファイバの周りに設けられている、
請求項１に記載の光ファイバリボン。
【請求項４】
前記第１のサブユニットの１次マトリックスは、厚さを備えた第２の端部を有し、
該第２の端部の厚さは前記中間部の厚さよりも大きい、
請求項１に記載の光ファイバリボン。
【請求項５】
前記第１の端部の厚さは、前記中間部の厚さよりも約５μｍ以上大きい、
請求項２に記載の光ファイバリボン。
【請求項６】
前記２次マトリックスは少なくとも１つの局所的最小厚さ部分を有し、
前記少なくとも１つの局所的最小厚さ部分はリボンインタフェースに隣接して位置している、
請求項１に記載の光ファイバリボン。
【請求項７】
前記少なくとも１つの局所的最小厚さ部分は約０〜約５μｍである、
請求項６に記載の光ファイバリボン。
【請求項８】
光ファイバリボンであって、
第１のサブユニットを有し、該第１のサブユニットは第１の複数本の光ファイバを有し、前記第１の複数本の光ファイバは第１の１次マトリックスと接触し、前記第１のサブユニットは、第１のリボンユニットの一部であり、前記光ファイバリボンはさらに、
第２のサブユニットを有し、該第２のサブユニットは、第２の複数本の光ファイバを有し、前記第２の複数本の光ファイバは第２の１次マトリックスと接触し、前記第２のサブユニットは、少なくとも２つのサブユニットを有する第２のリボンユニットの一部であり、
前記第１のリボンユニットと第２のリボンユニットは、平面に沿ってほぼ整列し、
前記第１及び第２のサブユニットの部分に接触する２次マトリックスを有し、該２次マトリックスは断面の厚さが一様ではなく、前記２次マトリックスは優先的引き裂き部分の少なくとも一部を構成する少なくとも１つの凹み部分を有し、該少なくとも１つの凹み部分は、前記第１のリボンユニットと第２のリボンユニットとの間に形成されたリボンユニットインタフェースに隣接して位置している、
ことを特徴とする光ファイバリボン。
【請求項９】
前記凹み部分の幅は約２００μｍ以上である、
請求項８に記載の光ファイバリボン。
【請求項１０】
前記第１のサブユニットは、所定厚さを備えた第１の端部と、所定厚さを備えた中間部を有し、
前記第１の端部の厚さは、前記中間部の厚さよりも大きい、
請求項８に記載の光ファイバリボン。
【請求項１１】
前記第１の端部の厚さは前記中間部の厚さよりも約５μｍ以上大きい、
請求項１０に記載の光ファイバリボン。
【請求項１２】
前記第１のサブユニットは断面の厚さが一様ではなく、
前記第２のサブユニットは厚さが一様ではない、
請求項８に記載の光ファイバリボン。
【請求項１３】
前記凹み部分は、全体としてリボンユニットインタフェースからオフセットしている、
請求項８に記載の光ファイバリボン。
【請求項１４】
前記オフセットは約１２５μｍ〜約３００μｍである、
請求項１３に記載の光ファイバリボン。
【請求項１５】
所定の分離順序を有する光ファイバリボンであって、
第１の２次マトリックスを有し、該第１の２次マトリックスは、少なくとも第１のサブユニットと第２のサブユニットを互いに連結し、それにより第１のリボンユニットを形成し、前記第１のサブユニットと第２のサブユニットとはそれぞれ、全体として平らな形態に配置され、それぞれの１次マトリックスにより互いに連結された複数本の光ファイバを有し、前記光ファイバリボンはさらに、
第２の２次マトリックスを有し、該第２の２次マトリックスは、少なくとも第３のサブユニットと第４のサブユニットを互いに連結し、それにより第２のリボンユニットを形成し、第３及び第４のサブユニットはそれぞれ、全体として平らな形態に配置されていて、それぞれの１次マトリックスにより互いに連結された複数本の光ファイバを有し、前記光ファイバリボンはさらに、
３次マトリックスを有し、該３次マトリックスは前記第１のリボンユニットと前記第２のリボンユニットを互いに連結し、前記３次マトリックスは、前記第１のリボンユニットと前記第２のリボンユニットとの間のインタフェースのところに優先的引き裂き部分を有する、
ことを特徴とする光ファイバリボン。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マンハッタン矩形格子システムを使用して非マンハッタン曲線形状要素について集積回路レイアウトを画定する方法であって、
ａ）特定のマンハッタン・レイアウトおよびマスク作成システムの最小格子分解能を決定する工程と、
ｂ）多角形の隣接頂点間の最小間隔を１対の選択された格子点間の距離として画定する工程と、
ｃ）前記マンハッタン格子システムの上に非マンハッタン曲線形状要素を重ね合わせる工程と、
ｄ）各正多角形の少なくとも１つの頂点を前記非マンハッタン曲線形状要素の周上に配置することによって、前記非マンハッタン曲線形状要素の画定された空間内に複数の正多角形をはめ込む工程とを含む、方法。
【請求項２】
工程ｂ）の実施において、格子点の前記選択対が、隣接格子点である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記非マンハッタン曲線形状要素が、湾曲線であり、複数の内接矩形が、前記曲線を画定するために使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
マンハッタン形状の矩形電気要素が、前記非マンハッタン曲線形状光学要素と同じ格子上に含まれ、光学要素および電気要素の両方が同じ格子上に同時に配置されることを見込む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記非マンハッタン曲線形状要素のジオメトリが、所定の幾何形状の方程式を入力として使用することによって決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
工程ｄ）の実施において、少なくとも１つの正多角形の複数の頂点が、前記非マンハッタン曲線形状要素の周上に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの非マンハッタン曲線形状光学要素および少なくとも１つのマンハッタン矩形電気要素の集積回路レイアウトを生成する方法であって、
少なくとも１つの非マンハッタン曲線形状光学要素の物理的レイアウトを生成するために、１セットの所定の光学機能をシミュレーションする工程と、
前記少なくとも１つの非マンハッタン曲線形状光学要素の前記物理的レイアウトをマンハッタン格子システムと共存可能なレイアウトに変換する工程であって、
ａ）特定のマンハッタン・レイアウトおよびマスク作成システムの最小格子分解能を決定する工程と、
ｂ）多角形の隣接頂点間の最小間隔を１対の選択された格子点間の距離として画定する工程と、
ｃ）前記マンハッタン格子システムの上に非マンハッタン曲線形状要素を重ね合わせる工程と、
ｄ）各多角形の少なくとも１つの頂点を前記非マンハッタン曲線形状要素の周上に配置することによって、前記非マンハッタン曲線形状要素の画定空間内に複数の多角形をはめ込む工程とを必要とする、工程と、
少なくとも１つのマンハッタン矩形電子要素の物理的レイアウトを生成するために、１セットの所定の電気特徴をシミュレーションする工程と、
前記少なくとも１つの電子要素の少なくとも１つのマンハッタン・レイアウトおよび前記少なくとも１つの光学要素の前記変換マンハッタン・レイアウトを入力としてマスク作成システムに提供する工程と、
前記光学要素および前記電子要素の両方のレイアウトをマンハッタン格子システム上に含むマスクを生成する工程とを含む、方法。
【請求項８】
マンハッタン格子システムを使用して非マンハッタン曲線形状要素について集積回路レイアウトを画定するシステムであって、
ａ）特定のマンハッタン・レイアウトおよびマスク作成システムの最小格子分解能を決定する動作と、
ｂ）多角形の隣接頂点間の最小間隔を１対の選択格子点間の距離として画定する動作と、
ｃ）前記マンハッタン格子システムの上に非マンハッタン曲線形状要素を重ね合わせる動作と、
ｄ）各多角形の少なくとも１つの頂点を前記非マンハッタン曲線形状要素の周上に配置することによって、前記非マンハッタン曲線形状要素の画定空間内に複数の多角形をはめ込む動作とを実施することができるプロセッサを含む、システム。
【請求項９】
マンハッタン要素のレイアウトを提供するための電子ＩＣレイアウト・ツールをさらに備え、前記電子ＩＣレイアウト・ツールの出力が、光学構成要素および電子構成要素の両方を含む単一マスクを開発するために、入力として前記システム・プロセッサに提供される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
非マンハッタン曲線形状ジオメトリを有する少なくとも１つの光学構成要素の物理的レイアウトを解明するための光学シミュレータと、
非マンハッタン曲線形状ジオメトリを有する前記少なくとも１つの光学構成要素の前記物理的レイアウトをマンハッタン格子システムと共に使用されるレイアウトに変換するためのレイアウト変換モジュールであって、
ａ）特定のマンハッタン・レイアウトおよびマスク作成システムの最小格子分解能を決定する動作と、
ｂ）多角形の隣接頂点間の最小間隔を１対の選択格子点間の距離として画定する動作と、
ｃ）非マンハッタン曲線形状要素を前記マンハッタン格子システムの上に重ね合わせる動作と、
ｄ）各多角形の少なくとも１つの頂点を前記非マンハッタン曲線形状要素の周上に配置することによって、前記非マンハッタン曲線形状要素の前記画定空間内に複数の多角形をはめ込む動作とを実施することができるプロセッサを備えるレイアウト変換モジュールと、
マンハッタン矩形エレメントを有する少なくとも１つの電子構成要素の物理的レイアウトを解明するための電子シミュレータと、
前記光学構成要素および前記電気光学構成要素の両方のレイアウトを生成するために前記電子シミュレータおよび前記レイアウト変換モジュールの出力に結合されたマスク・レイアウト・モジュールとを備える、マスク・レイアウト・ソフトウエア・ツール。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月3日(2007.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過偏極サンプルに対して核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトロスコピーを実行する方法であって、
ＮＭＲ活性の原子核が過偏極並びに液体状態へのサンプルの変換を受け取るようにＤＮＰを用いてサンプルを過偏極する工程と、
ＲＦパルスのシーケンスを使用して前記サンプルに対してＮＭＲスペクトロスコピーを実行する工程であって、該パルスシーケンスは同じ原子核に対するか異なる原子核に対するかのいずれかとした少なくとも２つのＲＦパルスを含み、かつ該パルスシーケンスは過偏極サンプル向けに適応させており、これにより少なくとも１つの多次元ＮＭＲスペクトルを生成させている実行工程と、
前記サンプルの特性決定を得るために前記少なくとも１つの多次元ＮＭＲスペクトルを解析する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記パルスシーケンスは、先頭の１つの９０°パルスの後に複数のスピンエコー・パルスが続くようなシングルスキャン・パルスシーケンスを用いることによって過偏極サンプルに対して適応させている、請求項１に記載のＮＭＲスペクトロスコピー法。
【請求項３】
前記パルスシーケンスは、先頭の励起パルスの後で過偏極の少なくとも一部分を維持するために小さいフリップ角で反復式の励起パルスを用いることによって過偏極サンプルに対して適応させている、請求項１に記載のＮＭＲスペクトロスコピー法。
【請求項４】
前記フリップ角αを、等しい量の横方向磁化が生成されるようにかつ最後の励起パルスが９０°パルスとなるようにして各反復において増加させている、請求項１に記載のＮＭＲスペクトロスコピー法。
【請求項５】
励起パルスの前記フリップ角αはパルスシーケンスの間に一定である、請求項１に記載のＮＭＲスペクトロスコピー法。
【請求項６】
時間パラメータが異なるカップリング定数によって変調を受ける期間である多次元時空グリッドのマッピングを可能とするエボリューション期間を従えたＲＦパルスを含んだパルスシーケンスと、
時間領域データの周波数領域データへの変換を含んだ、多次元時間領域データに対する後続の解析と、
を含む請求項１に記載のＮＭＲスペクトロスコピー法。
【請求項７】
前記多次元時空が２次元である、請求項６に記載のＮＭＲスペクトロスコピー法。
【請求項８】
前記パルスシーケンスが過偏極サンプル向けに適応させた拡散強調シーケンスである、請求項１乃至７のいずれかに記載のＮＭＲスペクトロスコピー法。
【請求項９】
前記パルスシーケンスはハミルトニアン（Ｈ  ＝  ＨS＋ＨIS＋ＨI）に基づいた第１の核スピン種（Ｉ）及び第２の核スピン種（Ｓ）を含む過偏極サンプルに対して実行され、該パルスシーケンスは、２次元エボリューション時空（ｔS，ｔIS）の軌道となるＩ及びＩＳのＲＦパルスを含んでいると共に、該パルスシーケンスは、
Ｓに対する９０°パルスで点（０，０）から開始し、点（Ｎ，Ｎ）までＮ＋１個の点（ｉ，ｉ）を観測する工程（３００）と、
（Ｎ，−Ｎ）に至るまでパルスＩ（すなわち、Ｉに対する１８０°）を実行する工程（３０５）と、
（Ｎ＋１，−Ｎ＋１）に至るまで１時間単位だけ待機する工程（３１０）と、
（−Ｎ−１，−Ｎ＋１）に至るまでパルスＩＳ（ＩとＳの両者に対する１８０°パルス）を実行する工程（３１５）と、
（Ｎ−２，Ｎ）までの点を観測する工程（３２０）と、
（Ｎ−２，Ｎ）までパルスＩを実行する工程（３２５）と、
（Ｎ＋１，−Ｎ＋３）までの点を観測する工程（３３０）と、
を含んでいる、請求項１乃至８のいずれかに記載のＮＭＲスペクトロスコピー法。
【請求項１０】
前記パルスシーケンスはハミルトニアン（Ｈ  ＝  ＨS＋ＨIS＋ＨI）に基づいた第１の核スピン種（Ｉ）及び第２の核スピン種（Ｓ）を含む過偏極サンプルに対して実行され、該パルスシーケンスは、２次元エボリューション時空（ｔS，ｔIS）の軌道となるＩ及びＩＳのＲＦパルスを含んでいると共に、該パルスシーケンスは、
Ｓに対する９０°パルスで点（０，０）から開始し、点（Ｎ，Ｎ）までＮ＋１個の点（ｉ，ｉ）を観測する工程（３００ｂ）と、
（Ｎ，−Ｎ）に至るまでパルスＩ（すなわち、Ｉに対する１８０°）を実行する工程（３０５ｂ）と、
（Ｎ＋１，−Ｎ＋１）に至るまで１時間単位だけ待機する工程（３１０ｂ）と、
（−Ｎ−１，−Ｎ＋１）に至るまでパルスＩＳ（ＩとＳの両者に対する１８０°パルス）を実行する工程（３１５ｂ）と、
（Ｎ−２，Ｎ）までの点を観測する工程（３２０ｂ）と、
両時間符号を反転させると共に（−Ｎ＋２，−Ｎ）に至るまでパルスＳを実行する工程（３４０ｂ）と、
（Ｎ，Ｎ−２）までの点を観測する工程（３４５ｂ）と、
（Ｎ，−Ｎ＋２）までパルスＩを実行する工程（３５０ｂ）と、
（Ｎ＋１，−Ｎ＋３）までの点を観測する工程（３５５ｂ）と、
を含んでいる、請求項１乃至８のいずれかに記載のＮＭＲスペクトロスコピー法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレームと、
少なくとも１つのセンサと、
該センサに連結された長尺状の伝達素子と、
該伝達素子を長手方向の少なくとも一方向に動かして前記センサをドリル穴内で動かす少なくとも１つの移送装置とを含む携帯式ドリル穴測定装置において、
該測定装置は長尺状の保護要素を含み、該保護要素は下部および上部を有し、
該保護要素の下部は、部分的に前記ドリル穴に挿入可能に設計され、
前記センサは、前記移送装置によって動かされて前記保護要素内へ入れられることを特徴とする測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の測定装置において、前記保護要素の第１の端部には円錐部分が設けられ、該部分は少なくとも一部が前記ドリル穴に挿入可能であることを特徴とする測定装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の測定装置において、前記保護要素の第１の端部には少なくとも１つの支持部品が設けられ、該部品は前記保護要素を所望の位置に保持することを特徴とする測定装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の測定装置において、前記保護要素の少なくとも第１の端部は、前記保護要素が少なくとも部分的に前記ドリル穴へ挿入可能となるように設計されていることを特徴とする測定装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の測定装置において、前記保護要素は管状部品であることを特徴とする測定装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の測定装置において、前記伝達素子は可撓性の長尺状の部品であり、前記移送装置はリールを含み、該リールの周囲に前記伝達素子を巻き取ることが可能であることを特徴とする測定装置。
【請求項７】
請求項６に記載の測定装置において、前記リールには、該リールを手動回転させるハンドルが設けられていることを特徴とする測定装置。
【請求項８】
請求項６に記載の測定装置において、前記移送装置は、前記リールを回転させるモータを含むことを特徴とする測定装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の測定装置において、該測定装置は、前記保護要素を部分的に前記ドリル穴の中へ押し込む少なくとも１つのアクチュエータを含むことを特徴とする測定装置。
【請求項１０】
請求項１ないし５のいずれかに記載の測定装置において、
前記伝達素子は可撓性の長尺状の部品であり、
該測定装置は容器を有し、該容器は、該測定装置のフレームに対して動かないように配設され、前記伝達素子を格納し、
前記移送装置は少なくとも１つのロールを含み、該ロールは前記伝達素子を摩擦力によって長手方向に移動させ、
前記伝達素子は、前記容器の内面によって仕切られている空間内に設置されることを特徴とする測定装置。
【請求項１１】
請求項１ないし10のいずれかに記載の測定装置において、
前記伝達素子は可撓性の長尺状の部品であり、
該測定装置は容器を有し、該容器は、該測定装置のフレームに対して動かないように配設され、前記伝達素子を格納し、
前記移送装置は少なくとも１つのロールを含み、該ロールは前記伝達素子を摩擦力によって長手方向に移動させ、
前記移送装置は、前記保護要素の長手方向の軸を周回するように配設され、
前記伝達素子は、前記容器の内面によって仕切られている空間内に設置されることを特徴とする測定装置。
【請求項１２】
請求項１ないし11のいずれかに記載の測定装置において、該測定装置は削岩装置内に配設されていることを特徴とする測定装置。
【請求項１３】
請求項１ないし12のいずれかに記載の測定装置において、該測定装置は装薬装置内に配設されていることを特徴とする測定装置。
【請求項１４】
少なくとも１つの送りビームと、
該送りビームに関連して移動可能な少なくとも１つの削岩機と、
ドリル穴を測定する少なくとも１つの測定装置とを含む削岩装置であって、該測定装置はフレームと、ドリル穴内に配設可能な少なくとも１つのセンサと、該センサに接続された長尺状の伝達素子と、該伝達素子を長手方向に動かしこれによって前記センサを前記ドリル穴内で動かす少なくとも１つの移送装置とを有する削岩装置において、前記測定装置は長尺状の保護要素を有し、前記センサは、前記移送装置によって動かされて前記保護要素内へ入れられることを特徴とする削岩装置。
【請求項１５】
請求項14に記載の削岩装置において、
前記送りビームの第１の端部は、前記測定装置を取り付ける第１のホルダを有し、
前記送りビームの第２の端部は、前記測定装置の少なくともセンサを取り付ける第２のホルダを有し、
前記測定装置は第１のホルダに搭載可能であり、これによって前記センサによるドリル穴の測定が行なわれ、
前記測定装置の少なくともセンサは、第２のホルダに取り付けられ、これによって、前記センサにより該削岩装置を位置決めされ、整列されることを特徴とする削岩装置。
【請求項１６】
請求項14または15に記載の削岩装置において、
該削岩装置は少なくとも１つのアクチュエータを有し、これによって前記測定装置の保護要素を長手方向に動かされ、
前記保護要素はドリル穴へ挿入可能であり、
前記センサは、前記保護要素の内側において前記ドリル穴へ挿入可能であることを特徴とする削岩装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料を含んでおり、第１側面および第２側面を含む第１フィン構造と、
単結晶シリコン材料を含んでおり、前記第１フィン構造の第１側面に隣接して形成される第２フィン構造と、
単結晶シリコン材料を含んでおり、前記第１フィン構造の第２側面に隣接して形成される第３フィン構造と、
前記第１フィン構造、第２フィン構造および第３フィン構造の一端に形成されるソース領域と、
前記第１フィン構造、第２フィン構造および第３フィン構造の他端に形成されるドレイン領域と、
少なくとも１つのゲートと、
を含む、半導体デバイス。
【請求項２】
前記第１フィン構造の幅は、約２００Åから約１０００Åの間である、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記絶縁材料は、酸化物または窒化物のいずれか一方を含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記第２フィン構造および前記第３フィン構造のそれぞれの幅は、約１００Åから約１０００Åの間である、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１フィン構造、前記第２フィン構造、および前記第３フィン構造は、半導体の基板の上面に形成される、請求項１ないし４のいずれかの項記載の半導体デバイス。
【請求項６】
第１フィン構造を形成すべく絶縁層をエッチングするステップと、
アモルファスシリコン層をたい積するステップと、
前記第１フィン構造の第１側面に隣接する第２フィン構造と、前記第１フィン構造の逆側の第２側面に隣接する第３フィン構造を形成すべく、前記アモルファスシリコン層をエッチングするステップと、
前記第２フィン構造および前記第３フィン構造の少なくとも上面にメタル層をたい積するステップと、
前記第２フィン構造と前記第３フィン構造中のアモルファスシリコンを単結晶シリコン材料に変換すべく、金属誘起結晶化処理を実行するステップと、
ソース領域およびドレイン領域を形成するステップと、
前記第１フィン構造、第２フィン構造ないし第３フィン構造上にゲート材料をたい積するステップと、
少なくとも１つのゲート電極を形成すべく、ゲート材料をパターン化しエッチングするステップと、
を有する、基板と、この基板上に形成される絶縁層とを含んだ半導体デバイスを製造する方法。
【請求項７】
前記絶縁層は、酸化物および窒化物の少なくとも一方を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
単結晶シリコン材料を含む第１フィン構造と、
前記単結晶シリコン材料を含む第２フィン構造と、
前記第１フィン構造と前記第２フィン構造の間に位置し、絶縁材料を含む第３フィン構造と、含み、
前記第３フィン構造は、前記第１フィン構造および前記第２フィン構造の前記単結晶シリコン材料に応力を誘起する、
半導体デバイス。
【請求項９】
前記第１フィン構造および前記第２フィン構造のそれぞれの幅は、約１００Åから約１０００Åの間である、請求項８記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記第３フィン構造の幅は、約１００Åから約１０００Åの間である、請求項９記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記絶縁材料は、酸化物および窒化物の少なくとも一方を含む、請求項１０記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第１フィン構造、第２フィン構造および第３フィン構造の一端に位置するソース領域と、
前記第１フィン構造、第２フィン構造および第３フィン構造の他端に位置するドレイン領域と、
少なくとも１つのゲートと、
をさらに含む、請求項８記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＳＤ保護デバイス（２０）の製造方法であって、
第１の導電型（Ｎ）のコレクタ層（２１）を用意することと、
前記コレクタ層（２１）内に第１のベース領域（２２１）を形成することであって、前記第１のベース領域（２２１）は第２の導電型（Ｐ）を有することと、
前記第１のベース領域（２２１）内に第２のベース領域（２２２）を形成することであって、前記第２のベース領域（２２２）は第２の導電型（Ｐ＋）を有することと、
を含み、
前記第１のベース領域（２２１）が前記第２のベース領域（２２２）よりも深くなるように、且つ、前記第２のベース領域（２２２）が前記第１のベース領域（２２１）よりも高濃度にドープされるように、前記第１のベース領域（２２１）及び前記第２のベース領域（２２２）は形成され、
前記第２のベース領域（２２２）を形成するためには、
単一のマスク層（６２）を用いて、フォトレジストを前記第１のベース領域（２２１）上に、所定の横方向の寸法（Ｓ）を有するように露出した中心領域が残るようにパターニングすることと、
前記第１のベース領域（２２１）よりも浅く、且つ前記第１のベース領域（２２１）よりもドーパント濃度（Ｐ＋）の大きな前記第２のベース領域（２２２）を、前記中心領域への注入によって形成することと
によって行なわれることを特徴とする、ＥＳＤ保護デバイス（２０）の製造方法。
【請求項２】
前記第１の導電型（Ｎ）はＮ型であり、前記第２の導電型（Ｐ）はＰ型であることを特徴とする、請求項１に記載のＥＳＤ保護デバイス（２０）の製造方法。
【請求項３】
前記第１のベース領域（５２１）が部分的にのみ前記第２のベース領域（５２２）を取り囲むように、前記第１のベース領域（５２１）及び前記第２のベース領域（５２２）は形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のＥＳＤ保護デバイス（２０）の製造方法。
【請求項４】
前記バターニングは、ＥＳＤ応答を引き起こすのに有効な所定の横方向寸法（Ｓ）を確立し、前記ＥＳＤ応答において前記コレクタ層（２１）と前記第１のベース領域（２２１
）の間における垂直方向の絶縁破壊は、前記コレクタ層（２１）と前記第２のベース領域（２２２）の間における垂直方向の絶縁破壊よりも支配的であることを特徴とする、請求項１に記載のＥＳＤ保護デバイス（２０）の製造方法。
【請求項５】
前記バターニングは、ＥＳＤ応答を引き起こすのに有効な所定の横方向寸法（Ｓ）を確立し、前記ＥＳＤ応答において前記コレクタ層（２１）と前記第２のベース領域（２２２）の間における垂直方向の絶縁破壊は、前記コレクタ層（２１）と前記第１のベース領域（２２１）の間における垂直方向の絶縁破壊よりも支配的であることを特徴とする、請求項１に記載のＥＳＤ保護デバイス（２０）の製造方法。