【手続補正書】
【提出日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  真空処理室（１）を有しかつ該真空処理室にプラズマ放電装置ならびにガス供給装置を備えた真空処理装置であって、該プラズマ放電装置が、本質的に平行で相並んだジェット軸（Ａ）を有する少なくとも２つのプラズマ放電路（５，９）を有しており、かつ、堆積用の配置が面（１３）に沿って置かれており、該面が、前もって決められた距離をもって該ジェット軸（Ａ）の横に並んでかつ放電の縦方向の本質的な部分に沿って広がっており、さらにガス吸引装置を備えた真空処理装置において、該プラズマ放電路がプラズマジェット放電路であり、該ガス供給装置（１５）および該吸引装置（１７）が真空室（１）に、ジェット軸（Ａ）に対して本質的に平行なガス流（Ｇ）が該室（１）の中を通って発生するように配置されていることを特徴とする、真空処理装置。
【請求項２】  少なくとも１つの堆積用の配置が１つもしくは複数の加工品（１３ａ）のための加工品基体の配置によって形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  少なくとも１つの堆積用の配置が本質的に隙間のない平面状の配置によって粉末捕集面として形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記プラズマジェット放電ギャップ（５，９）が、有利に冷陰極を有する、しかし殊に有利に熱陰極（５）を有する、有利に相互に無関係に操作可能な低電圧−大電流−アーク放電ギャップとして形成されていることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】  ガス供給装置（１５）がガスタンク装置と結合されており、このガスタンク装置の中に炭素−、ホウ素−、窒素−、水素−および／または、この場合には有利に、ケイ素含有のガスが入れられていることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】  ２つより多くのプラズマジェット放電路が存在しかつ該堆積用の配置が該放電路の一部の間を通り抜けて広がっていることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】  ジェット軸の脇に並んで堆積用の配置が１つずつ存在することを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】  準安定の材料、殊にｃＢＮ、α−Ａｌ２Ｏ３、Ｃ３Ｎ４または殊にダイヤモンド材料あるいは有利に微晶質のケイ素化合物、殊にμＣ−Ｓｉ：Ｈ、の堆積のた
めの、請求項１から７のいずれかに記載の装置の使用。
【請求項９】  真空法によって堆積させる材料の製造のための方法であって、真空雰囲気下で本質的に平行で相並んだジェット軸を有する少なくとも２つのプラズマ放電を発生させ、かつ、該材料のための堆積面を真空雰囲気下で、該ジェット軸の横に並んで配置し、かつ、反応性ガスを該真空雰囲気中に注入し、かつ、ガスを該真空雰囲気から吸引する方法において、
該プラズマ放電路をプラズマジェット放電路として発生させ、かつ真空雰囲気下でジェット軸に対して本質的に平行に方向づけられたガス流を発生させることを特徴とする方法。
【請求項１０】  堆積面として１つ以上の加工品の表面を使用し、かつ前記材料を膜として堆積させることを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１１】  前記材料として粉末を堆積面に堆積させることを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１２】  ケイ素化合物、有利に微晶質のケイ素μＣ−Ｓｉ：Ｈ、を前記堆積面の上に堆積しかつこの場合、有利に反応性ガスとしてシランを使用することを特徴とする、請求項９から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】  前記堆積面の上に準安定の材料、有利にｃＢＮ、α−Ａｌ２Ｏ３、Ｃ３Ｎ４または有利にダイヤモンドを堆積することを特徴とする、請求項９から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】  前記プラズマジェットを低電圧アーク放電として、さらに有利に冷陰極放電を用いて、この場合、殊に有利に熱陰極放電を用いて、実施することを特徴とする、請求項９から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】  前記堆積面を、該面に沿って前もって決められた最小のプラズマ密度−変動が現われるように真空雰囲気下でかつプラズマジェットに対して配置することを特徴とする、請求項９から１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】  前記ジェット軸の両側に１つずつの堆積面を配置することを特徴とする、請求項９から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】  ２つより多くのプラズマジェットを生じさせかつ前記堆積面を該ジェットの一部の間に広げて配置することを特徴とする、請求項９から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】  それぞれにプラズマジェットのすぐそばにある範囲内ですぐそばにあるプラズマジェットのプラズマ密度最大値に対して、前記堆積面に沿って最大で２０％、有利に最大で１０％、有利にそれどころか最大で５％のプラズマ密度が現われることを特徴とする、請求項９から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】  前記プラズマジェット放電が相互に無関係に操作可能であることを特徴とする、請求項９から１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】  前記堆積面の配置の際に、該堆積面のプラズマ密度最大値がそれぞれにすぐそばにある放射プラズマ密度最大値の２０％となるように、有利に最大で５００℃の堆積面の温度で該堆積面における堆積速度を少なくとも４００ｎｍ／分に調整することを特徴とする、請求項９から１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】  前記プラズマ密度分布をジェット軸に平行な少なくとも１つの磁場によって調整することを特徴とする、請求項９から２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】  複数の加工品を前記面に沿って配置し、かつ、有利に回転軸を中心に回転させるか、および／または直線的に前記ジェット軸に対して少なくとも近似的に平行に動かす、有利に往復して動かすことを特徴とする、請求項１０または請求項１０に従属する限りで請求項１２〜２１のいずれかに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）で示された一次の距離依存関係を採用しかつ（ｂ）で示された二次の距離依存関係を採用した場合のモデル計算による、半径方向距離の増加にともなう原子状水素の局所的な濃度の減少を示す。
【図２】  概略的に、側面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置を示す。
【図３】  同様に概略的に、平面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置でのプラズマジェットと堆積面の、本発明による配置を示す。
【図４】  同様に概略的に、平面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置でのプラズマジェットと堆積面の、本発明による配置を示す。
【図５】  同様に概略的に、平面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置でのプラズマジェットと堆積面の、本発明による配置を示す。
【図６】  同様に概略的に、平面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置でのプラズマジェットと堆積面の、本発明による配置を示す。
【図７】  距離尺度に対して、２つのプラズマジェットのジェット軸を通りかつ該ジェット軸に対して垂直な直線に沿う形でかつ熱陰極-低電圧放電の加熱電流Ｉとともにパラメーター表示することによって、プラズマ密度分布ならびに（ｄ）ジェット軸に平行な平面状の堆積面において得られるプラズマ密度分布を示す。
【図８】  図１と同様の表示で、２つの用意されたプラズマジェット軸に対して平行でありかつ該プラズマジェット軸から離れている平面状の堆積面に沿った、モデル化された、本発明によるプラズマ密度分布を示す。