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【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パルス電界を適用することによる、レジオネラ菌によりコロニー化された水流束の処理方法。
【請求項２】  適用された電界の強度が約１kV／cm未満であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  細胞に適用されるパルス数がおよそ１〜２００であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】  水流束が天然、家庭又は工業水流束であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  流束が連続的又は逐次的であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】  流束が連続的であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  電界がフローに対してほぼ垂直であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】  電界がフローに対してほぼ平行であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】  パルスが４０〜６０Hzの周波数により送り出されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】  パルスが１〜２０ms、好ましくは約１０msの持続時間をもつことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】  パルスが方形波、三角波、台形パルス、指数関数減衰パルス又は正弦形パルスであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】  パルスが方形波パルスであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】  パルス電界が均一であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】  適用された電界が１００v／cmを上回る値を有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】  パルスが単極性又は両極性パルスであることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】  パルスが単極性であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】  コロニー化された水流束中のレジオネラ菌破壊方法において、レジオネラ菌によりコロニー化された水流束をパルス電界に付すことを特徴とする方法。
【請求項１８】  適用された電界の強度が約１kV／cm未満であることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  パルス数がおよそ１〜２００であることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】  水流束が天然、家庭又は工業水流束であることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】  水流束が連続的又は逐次的であることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】  レジオネラ菌除去に対する請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法の応用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月16日(2007.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｃ2〜Ｃ4炭化水素、酸素、希釈物質、およびイオウ含有化合物を含む原料混合物に、混合金属酸化物触媒を接触させることを含む、炭化水素からカルボン酸と脱水素生成物への変換のためのガス相方法であって、該接触は、１５０℃〜４００℃の温度で、ガス相酸化のための条件下で行われ、該触媒は、以下よりなる群から選択される上記方法：
（i）ＭｏaＶbＮｂcＸdを含んでなる焼成組成物（ここで、Ｘは、Ｐ、Ｂ、Ｈｆ、Ｔｅ、Ａｓ、またはこれらの混合物であり、
ａは、１〜５、
ｂは、＞０〜０．１、
ｃは、０．０１〜０．５、
ｄは、＞０〜０．１であり、
数値ａ、ｂ、ｃ、およびｄは、触媒中のそれぞれ元素Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、およびＸの相対的グラム原子比である）、
（ii）ＭｏaＶbＮｂcＰｄdを含んでなる焼成組成物（ここで、
ａは、１〜５、
ｂは、０〜０．５、
ｃは、０．０１〜０．５、
ｄは、０〜０．０４５であり、
数値ａ、ｂ、ｃ、およびｄは、触媒中のそれぞれ元素Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、およびＰｄの相対的グラム原子比である）、
（iii）ＭｏaＶbＬａcＰｄdＮｂeＸfを含んでなる焼成組成物（ここで、Ｘは、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｉの少なくとも１つの元素であり、
ａは、１、
ｂは、０．０１〜０．９、
ｃは、０＞〜０．２、
ｄは、０＞〜０．２、
ｅは、０＞〜０．２、
ｆは、０＞〜０．３であり、
数値ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、触媒中のそれぞれ元素Ｍｏ、Ｖ、Ｌａ、Ｐｄ、Ｎｂ、およびＸの相対的グラム原子比である）、
（iv）ＭｏaＶbＰｄcＬａdを含んでなる焼成組成物（ここで
ａは、１〜５、
ｂは、０．０１〜０．９、
ｃは、０＞〜０．５、
ｄは、０＞〜０．０４５である）、
（v）ＭｏaＶbＧａcＰｄdＮｂeＸfを含んでなる焼成組成物（ここで、Ｘは、Ｌａ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｗ、Ｂｉ、Ｗ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂの少なくとも１つであり、
ａは、１、
ｂは、０．０１〜０．９、
ｃは、０＞〜０．２、
ｄは、０＞〜０．２、
ｅは、０＞〜０．２、
ｆは、０＞〜０．５であり、
数値ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、触媒中のそれぞれ元素Ｍｏ、Ｖ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｎｂ、およびＸの相対的グラム原子比であり、元素は、酸化物の形で酸素と組合わさって存在する）、
（vi）ＭｏaＶbＬａcＰｄdＮｂeＸfを含んでなる焼成組成物（ここで、Ｘは、ＣｕまたはＣｒまたはその両方であり、
ａは、１、
ｂは、０．０１〜０．９、
ｃは、０＞〜０．２、
ｄは、０．００００００１〜０．２、
ｅは、０〜０．２、
ｆは、０〜０．２であり、
数値ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、触媒中のそれぞれ元素Ｍｏ、Ｖ、Ｌａ、Ｐｄ、Ｎｂ、およびＸの相対的グラム原子比である）。
【請求項２】  触媒中の元素は、酸化物の形で酸素と組合わさって存在する、請求項１の方法。
【請求項３】  触媒は、モレキュラーシーブ、ＳｉＣ、ＭｏＣ、チタニア、ジルコニア、シリカまたはアルミナを含む多孔性物質上に支持される、請求項１の方法。
【請求項４】  原料混合物は、分子状酸素を、原料混合物の０．１〜５０容量％の量で含む、請求項１の方法。
【請求項５】  原料混合物希釈物質は、Ｎ2、ＨｅまたはＡｒを含む不活性ガスを５〜９０容量％の量で含む、請求項１の方法。
【請求項６】  原料混合物希釈物質は、蒸気を４０容量％までの量で含む、請求項１の方法。
【請求項７】  原料混合物は、助触媒としてのイオウ含有化合物を、原料混合物の０．０５〜５容量％の量で含む、請求項１の方法。
【請求項８】  イオウ含有化合物は、ＳＯ2、ＳＯ3、Ｈ2Ｓ、ＣＯＳ、亜硫酸、およびスルホン酸よりなる群から選択される、請求項７の方法。
【請求項９】  原料混合物は、５〜９５容量％の、エタン、エチレン、プロパン、プロピレン、ブタン、ブチレン、およびこれらの混合物よりなる群から選択される低級炭化水素を含む、請求項１の方法。
【請求項１０】  ガス相酸化のための条件は、３．４５バール〜３４．４７バール（１５〜５００psi）の圧力、および原料混合物と触媒との０．１秒〜６０秒の接触時間を含む、請求項１の方法。
【請求項１１】  方法は、一段階、多段階、または中間段階を含む多段階の反応ゾーンで行われ、酸化剤は、反応ゾーンの一段階、多段階、または中間段階で反応ゾーンに供給される、請求項１の方法。
【請求項１２】  請求項１の方法であって、エタンを、蒸気、イオウ含有化合物および酸素、または酸素を与えることができる化合物に、第１のゾーンで混合金属酸化物触媒の存在下で反応させて、エチレン、酸素、蒸気および酢酸を含む化学量論的な第１の生成混合物を生成させ、第１の生成混合物を第２の反応ゾーンに加え、ここでエチレンと酢酸は、酢酸ビニルモノマー生成触媒の存在下で反応して、酢酸ビニルを生成する、上記方法。
【請求項１３】  第１の生成混合物は、追加の成分を加えることなく、直接第２の反応ゾーン中に供給される、請求項１２の方法。
【請求項１４】  第１の生成混合物は、エチレン、酢酸または酸素を加えてまたは量を調整して、第２の反応ゾーンに供給される、請求項１２の方法。
【請求項１５】  混合物は、第２の反応ゾーンに供給される前に、温度および／または圧力の調整を受ける、請求項１２の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月26日(2007.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】  当該時間が約10分から約45分の範囲内にある、請求項１４記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
頭髪淡色化剤による処理時間は、希望する淡色化の程度により異なる。この時間は、一般に１分（淡色化度が非常に低い場合）から60分以上（淡色化度が非常に高い場合）に及んでいる。サロンにおいては、技師がタイミングを綿密に監視し、希望する結果を達成する。事実、このタイミングに関しては、定期的に目視評価（即ち目視評価用のストランド試験）を実施しているところもある。通常、この時間は約10分から約45分の範囲内にある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月25日(2007.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回路素子を製造する方法であって、
基板の上に絶縁膜を形成するステップと、
絶縁膜の上にアモルファスシリコンとアモルファスタングステンとの組合せの膜を形成するステップと、
アモルファスシリコンとアモルファスタングステンとの組合せの膜の上に多結晶タングステンの膜を形成するステップと、
基板をアニールしてアモルファスシリコンをアモルファスタングステンと反応させ、絶縁膜の上にタングステンシリサイドを形成し、多結晶タングステン膜の結晶粒組織を増加させるステップとを含む、方法。
【請求項２】  絶縁膜は酸化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  アモルファスシリコンとアモルファスタングステンとの組合せの膜は絶縁膜をＷＦ6およびＳｉＨ4の雰囲気に露出させることにより堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  ＷＦ6に対するＳｉＨ4の比率は約２より大きい、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  多結晶タングステンの膜は、アモルファスシリコンとアモルファスタングステンとの組合せの膜を、ＷＦ6に対するＳｉＨ4の比率が多結晶タングステンを堆積させるため十分に低くなっているＷＦ6およびＳｉＨ4の雰囲気に露出させることにより堆積される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】  タングステンシリサイドおよび多結晶タングステンの膜を予め選択されたパターンにパターニングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】 基板の上にゲート電極スタックを製造する方法であって、
基板の上に絶縁膜を形成するステップと、
アモルファスシリコンとアモルファスタングステンとの組合せの膜を最初に堆積させることにより、絶縁膜の上に導電膜を形成し、その後、アモルファスシリコンとアモルファスタングステンとの組合せの膜の上に多結晶タングステンの膜を堆積させ、基板をアニールしてアモルファスシリコンをアモルファスタングステンと反応させ、絶縁膜の上にタングステンシリサイドを形成し、多結晶タングステン膜の結晶粒組織を増加させるステップと、
タングステンシリサイド膜および多結晶タングステン膜をパターニングしてゲート電極
スタックを規定するステップとを含む、方法。
【請求項８】  絶縁膜は酸化物を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  アモルファスシリコンとアモルファスタングステンとの組合せの膜は絶縁膜をＷＦ6およびＳｉＨ4の雰囲気に露出させることにより堆積される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  ＷＦ6に対するＳｉＨ4の比率は約２より大きい、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  多結晶タングステンの膜は、アモルファスシリコンとアモルファスタングステンとの組合せの膜を、ＷＦ6に対するＳｉＨ4の比率が多結晶タングステンを堆積させるため十分に低くなっているＷＦ6およびＳｉＨ4の雰囲気に露出させることにより堆積される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  タングステンシリサイド膜および多結晶タングステン膜のパターニングは異方性エッチングによる、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】  基板と、
基板上の絶縁膜と、
絶縁膜上のタングステンシリサイド膜とを含む回路素子であって、タングステンシリサイド膜は、タングステンシリサイド膜を絶縁膜に結合させるために結合していないシリコンを十分な量有しており、前記回路素子はさらに、
タングステンシリサイド膜上の多結晶タングステン膜を含む、回路素子。
【請求項１４】  絶縁膜は酸化物を含む、請求項１３に記載の回路素子。
【請求項１５】  タングステンシリサイド膜はＷ5Ｓｉ3およびＷＳｉ2を含む、請求項１３に記載の回路素子。
【請求項１６】  タングステンシリサイド膜とタングステン膜とはゲート電極を構成する、請求項１３に記載の回路素子。
【請求項１７】  絶縁膜はゲート電極とほぼ同じ横寸法でパターニングされる、請求項１６に記載の回路素子。
【請求項１８】  回路素子を製造する方法であって、
基板の上に絶縁膜を形成するステップと、
絶縁膜をＷＦ6およびＳｉＨ4の雰囲気に露出させることにより、絶縁膜の上にアモルファスシリコンとアモルファスタングステンの膜を形成するステップと、
アモルファスシリコンとアモルファスタングステンの膜の上に多結晶タングステンの膜を形成するステップと、
基板をアニールしてアモルファスシリコンをアモルファスタングステンと反応させ、絶縁膜の上にタングステンシリサイドを形成し、多結晶タングステン膜の結晶粒組織を増加させるステップとを含む、方法。
【請求項１９】  絶縁膜は酸化物を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  ＷＦ6に対するＳｉＨ4の比率は約２より大きい、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】  多結晶タングステンの膜は、アモルファスシリコンとアモルファスタングステンの膜を、ＷＦ6に対するＳｉＨ4の比率が多結晶タングステンを堆積させるため十分に低くなっているＷＦ6およびＳｉＨ4の雰囲気に露出させることにより堆積される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】  タングステンシリサイドおよび多結晶タングステンの膜を予め選択されたパターンにパターニングするステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】集積回路に拡散障壁及び種層を形成する方法であって、 
平坦な表面にある多数の第１レベルのビアに開口する多数の溝を絶縁層に画定するために絶縁材料をパターン形成し、 
低エネルギーイオン注入により多数の溝に障壁／接着層を付着させ、
低エネルギーイオン注入により多数の溝の障壁／接着層上に種層を付着させるステップより成る拡散障壁及び種層の形成方法。
【請求項２】低エネルギーイオン注入によるステップは、１００乃至８００電子ボルト（ｅＶ）でイオン注入を行う請求項１の方法。
【請求項３】絶縁材料をパターン形成するステップは、ポリイミドをパターン形成する請求項１の方法。
【請求項４】障壁／接着層を付着させるステップは、チタン、ジルコニウム及びハフニウムより成る群から選択した障壁／接着層を付着させる請求項１の方法。
【請求項５】障壁／接着層を付着させるステップは、厚さが５乃至１００オングストロームの範囲にある障壁／接着層を付着させる請求項４の方法。
【請求項６】アルミニウム、銅、銀及び金より成る群から選択した金属導体を多数の溝の種層上に付着させるステップをさらに含む請求項１の方法。
【請求項７】種層上に金属導体を付着させるステップは、無電解メッキにより金属導体を付着させる請求項６の方法。
【請求項８】障壁／接着層上に種層を付着させるステップは、アルミニウム、銅、銀及び金より成る群から選択した種層を付着させる請求項１の方法。
【請求項９】パターン形成するステップはさらに、
フォトレジストのマスクを用いて絶縁層をエッチングすることにより該絶縁層に多数の溝を画定し、
多数の溝の外側の多数の領域の絶縁層上にフォトレジスト層を残し、
金属導体を種層上に付着させる前に、フォトレジストのストリップにより多数の溝の外側の多数の領域から障壁／接着層と種層とを除去するステップを含む請求項１の方法。
【請求項１０】多数の溝に障壁／接着層を付着させるステップは、ジルコニウムの障壁／接着層を、約１００電子ボルトの低エネルギーイオン注入により、注入角度を平坦な表面に鉛直の方向から約１５°ずれた方向に変化させて、付着させるステップを含む請求項１の方法。
【請求項１１】ジルコニウムの障壁／接着層を付着させるステップは、厚さが約５０オングストロームのジルコニウムの障壁／接着層を付着させるステップを含む請求項１０の方法。
【請求項１２】パターン形成の前に、第１レベルの金属インターコネクトに好適な厚さの絶縁層を付着させるステップを含み、絶縁層を付着させるこのステップは厚さが約５０００オングストロームのポリイミド層を付着させる層を付着させるステップを含む請求項１の方法。
【請求項１３】多数の溝の障壁／接着層上に種層を付着させるステップは、平坦な表面に鉛直の方向に、約１００電子ボルトの低エネルギーイオン注入により、銅層を付着させるステップを含む請求項１の方法。
【請求項１４】銅層を付着させるステップは、厚さが約１００オングストロームの銅層を付着させる請求項１３の方法。
【請求項１５】平坦な表面に鉛直の方向の約１００電子ボルトの低エネルギーイオン注入により、銅層上に厚さが約５０オングストロームのアルミニウム層を付着させるステップをさらに含む請求項１４の方法。
【請求項１６】パターン形成するステップはさらに、酸化物の絶縁層を付着させるステップを含む請求項１の方法。
【請求項１７】酸化物の絶縁層を付着させるステップは、フッ化けい素酸化物を付着させる請求項１６の方法。
【請求項１８】多数の溝に障壁／接着層を付着させるステップは、約１００電子ボルトの低エネルギーイオン注入により、厚さが約５０オングストロームのチタンまたはジルコニウムの障壁／接着層を付着させるステップを含む請求項１の方法。
【請求項１９】多数の溝の障壁／接着層上に種層を付着させるステップは、 
約１００電子ボルトの低エネルギーイオン注入により、厚さが約５０オングストロームの第１のアルミニウム層を障壁／接着層上に付着させ、
約１００電子ボルトの低エネルギーイオン注入により、厚さが約１０オングストロームの銅層を第１のアルミニウム層上に付着させ、
約１００電子ボルトの低エネルギーイオン注入により、厚さが約５０オングストロームの第２のアルミニウム層を銅層上に付着させるステップを含む請求項１の方法。
【請求項２０】障壁／接着層を付着させるステップは、約１００電子ボルトの低エネルギーイオン注入により、タンタル層を付着させるステップを含み、タンタル層を付着させるこのステップは、注入角度が平坦な表面に鉛直の方向から１５°ずれた方向に変化するように注入角度を変化させる請求項１の方法。
【請求項２１】約７００電子ボルトの低エネルギーイオン注入によりタンタル層上に窒素の層を付着させるステップをさらに含み、窒素の層を付着させるステップは、角度が平坦な表面に鉛直の方向から１５°ずれた方向に変化するように注入角度を変化させる請求項２０の方法。
【請求項２２】集積回路であって、
１またはそれ以上のトランジスタを含む基板と、 
基板の１またはそれ以上のトランジスタに接続された１またはそれ以上の第１レベルのビアを備え、基板の上層を形成する絶縁層と、 
１またはそれ以上の第１レベルのビアの上方に形成されそれらと接続された１またはそれ以上の導電構造を有し、絶縁層の上層を形成するポリイミド層とより成り、 
１またはそれ以上の導電構造はそれぞれ、 
多数の第１レベルの金属ラインと、 
多数の第１レベルの金属ライン上に形成され、厚さが５乃至１５０オングストロームの範囲にある障壁／接着層と、 
少なくとも、障壁／接着層の一部と、多数の第１レベルの金属ラインとの間に形成され、厚さが５乃至１５０オングストロームの範囲にある種層とより成る集積回路。
【請求項２３】障壁／接着層は、チタン、ジルコニウム及びハフニウムより成る群から選択した障壁／接着層を含む請求項２２の集積回路。
【請求項２４】銅の種層が少なくとも、障壁／接着層の一部と、多数の第１レベルの金属ラインとの間に形成され、多数の第１レベルの金属ラインは銅の多数の金属ラインを含む請求項２２の集積回路。
【請求項２５】各導電構造は、その頂面が酸化物層の頂面と同一レベルとなるように形成された窒化タンタル層をさらに含む請求項２２の集積回路。
【請求項２６】各導電構造は、
厚さが約１５オングストロームのジルコニウム層と、 
ジルコニウム層上の厚さが約５０オングストロームの銅の種層と、 
銅の種層上に形成された銅の金属ラインとより成る請求項２２の集積回路。
【請求項２７】各導電構造はさらに、銅の種層と、銅の金属ラインとの間に形成された厚さが約５０オングストロームのアルミニウム層を含む請求項２６の集積回路。
【請求項２８】多数の導電構造を取り囲むポリマー層をさらに含む請求項２６の集積回路。
【請求項２９】 ポリマー層は発泡ポリマー層を含む請求項２８の集積回路。
【請求項３０】障壁／接着層は、窒化タンタル、チタン、ジルコニウム及びハフニウムより成る群から選択した第１及び第２の障壁／接着層を含む請求項２２の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  物品を処理するように適合された処理ツールと、
選択された物品の特性をある測定頻度で測定するように適合された測定ツールと、
前記処理ツールの用途特性に基づいて前記測定頻度を変更するように適合された自動処理コントローラとを含む、処理ライン。
【請求項２】  自動処理コントローラは、第１の期間中、測定頻度を第１の頻度に設定し、第２の期間中、測定頻度を第２の頻度に設定するように適合されている、請求項１に記載の処理ライン。
【請求項３】  第１および第２の頻度の一方はデフォルト値の頻度であり、第１および第２の頻度の他方はデフォルト値の頻度よりも高い頻度である、請求項２に記載の処理ライン。
【請求項４】  自動処理コントローラは、所定時間に基づいて、第１の期間から第２の期間へ移行するように適合されている、請求項２に記載の処理ライン。
【請求項５】  自動処理コントローラは、測定ツールにより測定された特性に基づいて、第１の期間から第２の期間へ移行するように適合されている、請求項２に記載の処理ライン。
【請求項６】  物品は半導体ウェハを含む、請求項１に記載の処理ライン。
【請求項７】  処理ツールはウェハ上に材料層を形成するように適合され、特性は材料層の厚さ、材料層の抵抗率、および材料層に関連する欠陥数の少なくとも１つを含む、請求項６に記載の処理ライン。
【請求項８】  用途特性は、予防保守作業が処理ツールに対して行なわれてから経過した時間を含む、請求項１に記載の処理ライン。
【請求項９】  用途特性は、処理ツールの特定の部品が交換されてから経過した時間を含む、請求項１に記載の処理ライン。
【請求項１０】  処理ツールをモニタするための方法であって、
複数の物品を前記処理ツールにおいて処理するステップと、
選択された物品の特性をある測定頻度で測定するステップと、
前記処理ツールの用途特性に基づいて測定頻度を変更するステップとを含む、方法。
【請求項１１】  測定頻度を変更するステップは、第１の期間中、測定頻度を第１の頻度に設定するステップと、第２の期間中、測定頻度を第２の頻度に設定するステップとを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  測定頻度を第１および第２の頻度の一方に設定するステップは、第１および第２の頻度の一方をデフォルト値の頻度に設定するステップと、第１および第２の頻度の他方をデフォルト値の頻度よりも高い頻度に設定するステップとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  測定頻度を第２の頻度に設定するステップは、所定期間の後で測定頻度を第２の頻度に設定するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】  測定頻度を第２の頻度に設定するステップは、測定された特性に基づいて、測定頻度を第２の頻度に設定するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】  複数の物品を処理するステップは複数の半導体ウェハを処理するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】  処理ツールはウェハ上に材料層を形成するように適合され、特性を測定するステップは材料層の厚さ、材料層の抵抗率、および材料層に関連する欠陥数の少なくとも１つを測定するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  処理ツールの用途特性に基づいて測定頻度を変更するステップは、予防保守作業が処理ツールに対して行われてから経過した時間に基づいて測定頻度を変更するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】  処理ツールの用途特性に基づいて測定頻度を変更するステップは、処理ツールの特定の部品が交換されてから経過した時間に基づいて測定頻度を変更するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】  複数の物品を処理するように適合された処理ツールをモニタするための装置であって、
選択された物品の特性をある測定頻度で測定するための手段と、
前記処理ツールの用途特性に基づいて測定頻度を変更するための手段とを含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の基板表面上に形成された導体トレース(62)を備えた誘電体基板(60)を含むエアライン回路とこのエアライン回路からある分離距離だけ垂直方向に隔てられたＲＦ回路との間のＲＦ相互接続装置において、
分離距離より長い圧縮されていない状態における長さを有する圧縮可能な導体構造(86)と、
圧縮可能な導体構造の圧縮されていない長さの少なくとも一部分を囲む誘電体スリーブ構造(88)とを備え、
前記ＲＦ相互接続装置は、前記圧縮可能な導体が圧力を加えられて前記基板と前記ＲＦ回路との間に位置されるように基板と前記ＲＦ回路との間に配置されることを特徴とするＲＦ相互接続装置。
【請求項２】  前記ＲＦ回路は、同軸中心導体(82)を含む同軸伝送ライン(80)であり、前記中心導体はエアライン基板に対して垂直方向に延在し、前記圧縮可能な導体が前記同軸中心導体と前記基板との間において圧力を加えられる請求項１記載のＲＦ相互接続装置。
【請求項３】  第１の基板表面上に形成された導体トレース(62)を備えた誘電体基板(60)を含むエアライン回路と、このエアライン回路から所定の分離距離だけ垂直方向に隔てられたＲＦ回路との間のＲＦ相互接続装置の形成方法において、
分離距離より長い圧縮されていない状態の長さを有する圧縮可能な導体構造(86)を、この圧縮可能な導体構造の圧縮されていない長さの少なくとも一部分を囲んでいる誘電体スリーブ構造(88)中に配置し、
圧縮可能な導体が圧力を加えられて基板とＲＦ回路との間に位置されるように前記基板と前記ＲＦ回路との間にＲＦ相互接続装置を配置するステップを含んでいることを特徴とするＲＦ相互接続装置の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無水もしくはほぼ無水のギ酸を製造するために、
ｉ）ギ酸メチルを加水分解し、
ｉｉ）得られる加水分解混合物からメタノールならびに過剰のギ酸メチルを留去し、
ｉｉｉ）ギ酸および水を含有する、蒸留（ｉｉ）の塔底生成物を、液-液抽出で、主としてギ酸を吸収する抽出剤を用いて抽出し、かつその際、抽出剤として一般式Ｉ
【化１】
2003520834.tif 000001
［式中、基Ｒ１およびＲ２はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基もしくはアラルキル基を表すか、またはＲ１およびＲ２はＮ原子と一緒になってヘテロ環式の５員もしくは６員環を形成し、かつこの中で基の１つのみがアリール基であり、かつＲ３は水素もしくはＣ１〜Ｃ４−アルキル基を表す］のカルボン酸アミドを使用し、
ｉｖ）その際に得られるギ酸、抽出剤および水の部分量を含有する抽出相を蒸留し、
ｖ）この蒸留の際に得られる水およびギ酸の部分量を含有する塔頂生成物を工程ｉｉ）の蒸留装置の下方部分に返送し、
ｖｉ）主として抽出剤およびギ酸を含有する蒸留工程ｉｖ）の塔底生成物を蒸留によって無水もしくはほぼ無水のギ酸と抽出剤とに分離し、かつ
ｖｉｉ）工程ｖｉ）を離れる抽出剤をプロセスに返送する
方法において、使用される抽出剤の部分流をプロセスから取り出し、かつ工程ｉｉ）を実施するために備えられた蒸留装置に該部分流を供給し、その際、抽出剤の部分流のための相応する供給箇所が、蒸留装置中で加水分解混合物の供給箇所の上方かつメタノールのための取り出し箇所の下方に存在することを特徴とする、無水もしくはほぼ無水のギ酸の製造方法。
【請求項２】  抽出剤としてＮ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアセトアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−２−ヘプチルホルムアミド、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−２−エチルヘキシルホルムアミド、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−シクロヘキシルホルムアミドおよび／またはＮ−エチルホルムアニリドを使用する、請求項１記載の方法。
【請求項３】  使用される抽出剤の部分流を、工程ｖｉ）を離れる抽出剤から取り出す、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  蒸留工程ｉｉ）およびｉｖ）を単一の蒸留装置中で実施する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  請求項１から４までのいずれか１項記載の方法で蒸留によりギ酸メチル、水、ギ酸およびメタノールを含有する加水分解混合物を分離する際に泡の形成を防止し、ならびにギ酸を液-液抽出で抽出するための方法において、一般式Ｉ
【化２】
2003520834.tif 000002
［式中、基Ｒ１およびＲ２はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基もしくはアラルキル基を表すか、またはＲ１およびＲ２はＮ原子と一緒になってヘテロ環式の５員もしくは６員環を形成し、かつこの中で基の１つのみがアリール基であり、かつＲ３は水素もしくはＣ１〜Ｃ４−アルキル基を表す］のカルボン酸アミドを使用する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法で蒸留によりギ酸メチル、水、ギ酸およびメタノールを含有する加水分解混合物を分離する際に泡の形成を防止し、ならびにギ酸を液-液抽出で抽出するための方法。
【請求項６】  α）合成反応器（６）、
β）加水分解反応器（１）、
χ）工程ｉｉ）を実施するための蒸留装置（２）、
δ）工程ｉｖ）を実施するための蒸留装置（４）、
ε）抽出装置（３）、
ψ）工程ｖｉ）を実施するための蒸留装置（５）、
γ）抽出剤の部分流を、工程ｉｉ）の実施のために備えられた蒸留塔（２）へ供給するための接続導管（８）
を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法を実施するための装置。
【請求項７】  工程ｉｉ）を実施するための蒸留装置（２）および工程ｉｖ）を実施するための蒸留装置（４）が、単一の蒸留装置中に配置されている、請求項６記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
背景技術
抗トロンビンIII(ＡＴ−III)は、凝固カスケードにおいてセリンプロテアーゼを阻害する血漿グリコプロテインであり、そのため、血液凝固の制御において主要な役割をする。抗トロンビンIIIは、ファクターＩＸａ、Ｘａ、ＸＩ、ＸIIａ、およびトロンビンのインヒビターである。そのため、ＡＴ−IIIは、凝固カスケードの異なる段階で凝固形成を制御する。血液中のＡＴ−III含有の僅かな減少により、血栓塞栓症の危険性は高くなる。ＡＴ−III濃縮は、獲得性または遺伝性抗トロンビン欠損の患者における血栓塞栓症異常の予防および処置に使用される。更に、ＡＴ−IIIは、多くの他の生物学的応答、例えば、脈管形成および炎症応答に含まれると報告されている。これら機構におけるＡＴ−IIIの機能はまだ完全に理解されていない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ヒト血漿において、抗トロンビンIIIは、アミノ酸組成物では相同ではあるが、炭化水素含有率およびヘパリン結合の挙動が異なる、少なくとも２つの分子実在物として存在する。ＡＴ−IIIβとして名付けられた抗トロンビン変異体は、高イオン強度でヘパリン−セファロースマトリクスに強固に結合する効果により、優勢抗トロンビン種(ＡＴ−IIIαとして名付けられた)から独立してヒト血漿から単離された(Peterson, C.B. & Blackburn, M.N. (1985) J. Biol. Chem. 260, 610-615)。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月5日(2007.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】卵巣経路を閉塞するためのシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  女性の体の卵巣経路を閉塞するためのシステムであって、前記卵巣経路はその内面に上皮層を備え、
前記女性の体の卵巣経路に子宮頸を通過して挿入されるように構成された末端を有するカテーテルと、
カテーテルに取り付けられる加熱要素の形態の創傷要素であって、前記カテーテルの末端に配置され、かつ前記卵巣経路に挿入される寸法を有する創傷要素と、
前記創傷要素に動作可能に接続され、前記卵巣経路の一部の前記上皮層に傷を形成するのに充分な電力を供給するように構成された電源と、
前記卵巣経路に挿入される寸法を有し、血管化組織の成長を許可する孔寸法を有し、前記カテーテルの前記末端に配置されたフォームプラグと
を備える、女性の体の卵巣経路を閉塞するためのシステム。
【請求項２】  前記カテーテルの前記加熱要素近傍に配置されてカテーテルに取り付けられた温度センサをさらに備え、
前記電源は前記卵巣経路を４０℃から８０℃の温度範囲に加熱するように前記創傷要素に電力供給可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】  前記電源は前記創傷要素に少なくとも５秒間電力供給可能である、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】  前記電源は前記創傷要素に５秒から６０秒間電力供給可能である、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】  前記加熱要素はＲＦ電極アレイを備え、前記電源は前記卵巣経路を少なくとも５秒間４０℃から８０℃の温度範囲に加熱するように前記ＲＦ電力アレイにＲＦ電力を供給可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】  前記電源は０．１から５ワットの範囲に制限された電力を前記創傷要素に電力供給可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】  前記電源は少なくとも５秒間前記創傷要素に電力供給可能である、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】  前記電源は５秒から６０秒間前記創傷要素に電力供給可能である、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】  前記加熱要素はＲＦ電極アレイを備え、前記電源は少なくとも５秒間０．１から５ワットのＲＦ電力を前記ＲＦ電極アレイに供給可能である、請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】  前記加熱要素はＲＦ電極アレイを備え、前記電源は前記卵巣経路を４０秒から６０秒間５２℃から５８℃の温度範囲に加熱するように前記ＲＦ電極アレイにＲＦ電力を供給可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】  前記加熱要素はＲＦ電極アレイを備え、前記電源は少なくとも約７秒間約７０℃に前記卵巣経路を加熱するように前記ＲＦ電極アレイにＲＦ電力を供給可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】  前記フォームプラグは４０ミクロンから２００ミクロンの孔寸法のフォームを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】  前記フォームプラグは１ミクロンから２０ミクロンの孔寸法のフォームを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】  前記加熱要素は少なくとも２つのＲＦ電極を備え、前記電源は前記ＲＦ電極に二極のＲＦエネルギを印加するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】  前記加熱要素は少なくとも１つの抵抗加熱要素を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】  前記加熱要素は少なくとも１つのマイクロ波加熱要素を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】  前記加熱要素は少なくとも１つの超音波加熱要素を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】  前記加熱要素は少なくも１つのレーザ加熱要素を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】  前記フォームプラグは２０から１００ショアＡのデュロメータ値を有するシリコンフォームを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項２０】  前記フォームプラグは約６０ショアＡのデュロメータ値を有するシリコンフォームを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項２１】  前記フォームプラグはｅＰＴＦＥのプラグを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項２２】  前記フォームプラグはアクリル共重合体のプラグを備える、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  ウェブと前記ウェブの長手方向の縁に沿った弓形アームとを有する長手方向長さを有する第一の引き出しスライドと、
ウェブと前記ウェブの長手方向の縁に沿った弓形アームとを有し、長手方向長さを有し、第一の引き出しスライドの弓形アーム内に入れ子式に重ねられている、前記第一の引き出しスライドに滑動可能に連結された第二の引き出しスライドと、
中にアームが維持されている帯状部材を構成する本体を有し、第二の引き出しスライドのウェブに連結された移動止め機構とを備え、前記第二の引き出しスライドの長手方向長さに対する前記アームの相対位置は、前記帯状部材による移動止め力を選択することができる、調整可能な調整可能な移動止めを有する入れ子式引き出しスライド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図５を見ればわかるように、移動止め機構の勾配付き表面１９は、片側に沿ってカット部分４４を有する。調節可能なアームを所定の位置に保持するため、カット部分４４内に位置決めされた表面４６に対し、テーパー付き表面４８が当接されている。このアームの保持は、表面４６に当接している表面４８と、アーム２５の反対側にある内側スライド部材のウェブ又は内側表面とによって達成される。したがって、カット部分は、内側スライド部材のウェブに対する移動止め機構の設置によってその中でテーパー付き表面の動程が制約される一つのガイドとして役立つ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コイル状に巻いて自己的に結合した連続ポリアミドフィラメント、結合剤樹脂、研磨粒子およびサイズ樹脂の複数の層から成る、１７グラム／２４ｉｎ２〜２８グラム／２４ｉｎ２の範囲内のコイル重量を有する多孔性のかさ高いウェブを含有する研磨製品であって、該製品が１．５２ｃｍ撓む時に３．２０ｋｇを超える測定荷重を有し、該連続フィラメントが１４〜２０ｍｉｌの直径を有する、研磨製品。
【請求項２】  １７グラム／２４ｉｎ２〜２８グラム／２４ｉｎ２の範囲内のコイル重量を有し、有機熱可塑性材料から形成された直径１４〜２０ｍｉｌの多数の連続３次元波形フィラメントから成る粗く多孔性のかさ高いウェブを含有する研磨製品であって、隣接フィラメントが互いに係合し、互いに接触して自己的に結合し、多数の研磨顆粒が全体的に分散して、強靱な付着性結合剤により前記ウェブの該フィラメントに接着しており、１．５２ｃｍ撓む時に３．２０ｋｇを超える測定荷重を有する、研磨製品。
【請求項３】  １７グラム／２４ｉｎ２〜２８グラム／２４ｉｎ２の範囲内のコイル重量を有するコイル状に巻いて自己的に結合したポリアミド連続フィラメント、結合剤樹脂、研磨顆粒およびサイズ樹脂の複数の層から成る、多孔性のかさ高いウェブを含有する研磨製品であって、該連続フィラメントが１４〜２０ｍｉｌの直径を有する、研磨製品。
【請求項４】  １７グラム／２４ｉｎ２〜２８グラム／２４ｉｎ２の範囲内コイル重量を有し、有機熱可塑性材料から形成された直径１４〜２０ｍｉｌの多数の連続３次元波形フィラメントから成る粗く多孔性のかさ高いウェブを含有する研磨製品であって、隣接フィラメントが互いに係合し、互いに接触して自己的に結合し、多数の研磨顆粒が全体的に分散して、強靱な付着性結合剤により前記ウェブの該フィラメントに接着している、研磨製品。
【請求項５】  １０〜２０ｍｍの斑周期を有するコイル状に巻いて自己的に結合した連続ポリアミドフィラメント、結合剤樹脂、研磨顆粒およびサイズ樹脂の複数の層から成る、１７グラム／２４ｉｎ２〜２８グラム／２４ｉｎ２の範囲内のコイル重量を有する、斑で多孔性のかさ高いウェブを含有する研磨製品であって、該連続ポリアミドフィラメントが１４〜２０ｍｉｌの直径を有する、研磨製品。
【請求項６】  １７グラム／２４ｉｎ２〜２８グラム／２４ｉｎ２の範囲内のコイル重量および１０〜２０ｍｍの斑周期を有し、有機熱可塑性材料から形成された直径１４〜２０ｍｉｌの多数の連続３次元波形フィラメントから成る斑で粗く多孔性のかさ高いウェブを含有する研磨製品であって、隣接フィラメントが互いに係合し、互いに接触して自己的に結合し、多数の研磨顆粒が全体に分散して、強靱な付着性結合剤により前記ウェブの該フィラメントに接着している、研磨製品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月13日(2006.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３５】  アッセイの前に該ホールセルを洗浄する、請求項３４記載のアッセイ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  親真菌クチナーゼの変異体であって、
ａ）前記親クチナーゼが、ヒュミコラ・インソレンス（Humicola insolens）DSM 1800株のクチナーゼに対して少なくとも70％相同であるアミノ酸配列を有する；
ｂ）前記変異体が、前記親クチナーゼに比べて１〜20の変更を有する；
ｃ）前記変異体が、親クチナーゼの位置E6、E10、E30、E47、D63、E82及び/又はE179に対応する位置の陰性アミノ酸の、中性又は陽性アミノ酸による置換あるいはA14又はR51に対応する位置におけるProによる置換を有する；
ｄ）前記変異体が、前記親クチナーゼに比べて熱安定性である；
ことを特徴とする、親クチナーゼの変異体。
【請求項２】  E6N/Q、E10N/Q、E47K/R及び/又はE179N/Q（H. ヒュミコラクチナーゼの番号付け）に対応する置換を含む、請求項１に記載の変異体。
【請求項３】  ヒュミコラ・インソレンス（Humicola insolens）DSM 1800株のクチナーゼにおけるA14P又はR51Pに対応する置換を含む、請求項１又は２に記載の変異体。
【請求項４】  １個、２個、３個、４個、５個又は６個の前記置換を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の変異体。
【請求項５】  ヒュミコラ・インソレンスDSM1800株のクチナーゼ中の：
ａ）R51P
ｂ）E6N/Q＋L138I
ｃ）A14P＋E47K
ｄ）E47K
ｅ）E179N/Q
ｆ）E6N/Q＋E47K＋R51P
ｇ）A14P＋E47K＋E179N/Q
ｈ）E47K＋E179N/Q
ｉ）E47K＋D63N
ｊ）E6N/Q＋A14P＋E47K＋R51P＋E179N/Q
ｋ）E6N/Q＋E10N/Q＋A14P＋E47K＋R51P＋E17N/Q、又は
ｌ）Q1P＋L2V＋S11C＋N15T＋F24Y＋L46I＋E47K
のうちの１つに対応する置換を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の変異体。
【請求項６】  テレフタル酸エステルに対して、特に環式トリ（エチレンテレフタレート）及び／又はテレフタル酸ビス（２−ヒドロキシエチル）エステルジベンゾエート（BETEB）に対して加水分解活性を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の変異体。
【請求項７】  pH 8.5で測定して、親クチナーゼより少なくとも５°高い変性温度を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の変異体。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれか１項に記載の変異体をコードするDNA。
【請求項９】  請求項８に記載のDNA配列を含むベクター。
【請求項１０】  請求項８に記載のDNA又は請求項９に記載のベクターを有する形質転換された宿主細胞。
【請求項１１】  請求項１〜７のいずれか１項に記載の変異体を生産する方法であって、
ａ）前記変異体を発現し、そして好ましくは分泌するように、請求項10に記載の細胞を培養し、そして
ｂ）該変異体を回収すること
を含む方法。
【請求項１２】  ポリ（エチレンテレフタレート）の環式オリゴマーの酵素的加水分解のための方法であって、該環式オリゴマーを請求項１〜７のいずれか１項に記載のクチナーゼ変異体で処理することを含む方法。
【請求項１３】  前記環式オリゴマーが環式トリ（エチレンテレフタレート）である請求項12に記載の方法。
【請求項１４】  前記処理が60〜80℃で、好ましくは65〜75℃で行われる請求項12又は13に記載の方法。
【請求項１５】  前記環式オリゴマーが、ポリエステル含有布帛又はヤーンの繊維中又はそれ上に存在する請求項12〜14のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】  続いて、前記布帛又はヤーンをゆすぐ、好ましくは約pH７〜約pH11の範囲のpHを有する水溶液でゆすぐことを更に含む請求項12〜15のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】  ポリエステル布帛又はヤーンを染色するための方法であって、
ａ）該布帛又はヤーンを、請求項１〜７のいずれか１項に記載のクチナーゼ変異体で処理し；そして
ｂ）該処理した布帛を反応性染料又は分散染料で染色する；
ことを含む方法。
【請求項１８】  界面活性剤及び請求項１〜７のいずれか１項に記載の変異体を含む洗剤組成物。
【請求項１９】  PET含有ヤーン又は布帛の機能的仕上げを改良するための方法であって、
ａ）該ヤーン又は布帛を請求項１〜７のいずれか１項に記載の変異体で処理し、そして
ｂ）次に、該ヤーン又は布帛を、軟化剤、防しわ樹脂、静電防止剤、抗汚染（anti-soiling）剤からなる群から選択される仕上げ剤で処理する、
ことを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像ルーメンを形成する、遠方の細長い音響窓を含む細長い管体と、
撮像ルーメン中に配置された撮像コアであって、撮像コアは駆動ケーブルおよび遠方に配置された超音波トランスジューサを含み、トランスジューサは音響窓に配置され、かつ音響窓に対して回転方向および縦方向に移動可能である撮像コアと、を備え、
前記細長い管体は、引上ワイヤールーメンをさらに形成し、
引上ワイヤールーメンに配置された引上ワイヤーがあって、
該引上ワイヤーは、音響窓の決定を可能とするために音響窓に機械的に結合されているとともに、音響窓を既知の曲線幾何学的形状に操作できるように構成されていることを特徴とする撮像デバイス。
【請求項２】
撮像ルーメン及び引上ワイヤールーメンは別個であることを特徴とする、請求項１に記載の撮像デバイス。
【請求項３】
細長い管体はカテーテル本体であることを特徴とする、請求項１に記載の撮像デバイス。
【請求項４】
更に音響窓に沿って配置された補強部材を有することを特徴とする、請求項１に記載の撮像デバイス。
【請求項５】
補強部材は音響窓を直線幾何学的形状にさせるように構成されていることを特徴とする、請求項４に記載の撮像デバイス。
【請求項６】
音響窓は引上ワイヤーが相当の縦方向の距離に転置されたときに、既知の実質的な円弧を形成するように構成されていることを特徴とする、請求項５に記載の撮像デバイス。
【請求項７】
補強部材は引上ワイヤールーメン中に配置され、引上ワイヤーは補強部材中に配置されていることを特徴とする、請求項４に記載の撮像デバイス。
【請求項８】
引上ワイヤーは音響窓の遠方先端部に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の撮像デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無線電話機を保持しそれと接触するための装置であって、前記無線電話機は、一つのハウジング端に位置付けられ、接触及び／又は接続要素を有する接触ユニットを備えた長形立方ハウジングを有し、前記無線電話機の前記接触ユニットは、前記無線電話機用のホルダに設けられた回転可能な嵌め合い接触ユニットと相互に作用し、前記無線電話機を、その接触ユニットを介して、前記ホルダの前記嵌め合い接触ユニット上に位置付け及び／又は差し込むことが可能であると共に、前記無線電話機を、前記嵌め合い接触ユニットと共に、ある回転角だけ回転させることが可能である装置において、
前記嵌め合い接触ユニット（２９、２９'）の前記ホルダ（２０）内における長手方向変位によって、及び／又は前記ホルダ（２０）内に据え付けられた長手方向スライド部によって、前記ホルダ（２０）が、前記無線電話機（１、１'、１''）の前記ハウジングの縦寸法（Ｌ）に適合可能であることを特徴とする装置。
【請求項２】  異なるハウジング幅（Ｃ'、Ｃ''）及び／又は異なるハウジング厚さ（Ｄ１、Ｄ１'、Ｄ１''）の無線電話機（１、１'、１''）のために、前記嵌め合い接触ユニット（２９、２９'）が、接触手段（３０、３０'）領域にスペースを有することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記無線電話機（１、１'、１''）の収容／解放位置（４７）において、前記嵌め合い接触ユニット（２９、２９'）が、接触手段（３０、３０'）を介して、前記ホルダ（２０）の主平面（Ｅ）に対して、約４５°〜１３５°回転した状態に置かれている、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】  前記無線電話機（１、１'、１''）が、前記ホルダ（２０）内での回転運動、それに続く回転／摺動運動、及び最後の後方摺動運動を介して、前記収容位置（４７）から作動位置に移動可能であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】  前記嵌め合い接触ユニット（２９、２９'）が、本質的に、基体（３１、３１'）を備え、該基体（３１、３１'）が、その回転軸（３２、３２'）に対して垂直に配列された接触手段（３０、３０'）を有することを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】  前記嵌め合い接触ユニット（２９、２９'）の回転運動及び摺動運動と反対に作用するバネ（４０）によって、前記嵌め合い接触ユニット（２９、２９'）が、前記収容及び／又は解放位置（４７）に保たれることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】  前記嵌め合い接触ユニット（２９、２９'）の運動が、ブレーキ（４８）によって、少なくともある一定の領域において制動されることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】  前記作動位置において、制限要素（３４）が、前記接触ユニット（１２、１２'、１２''）の反対側に位置する前記無線電話機（１、１'、１''）のハウジング端（８）上を覆うようにして係合することを特徴とする、請求項１ないし７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】  前記作動位置において、前記無線電話機（１、１'、１''）の裏面（４）に、少なくとも一つの高さ補償要素（３６）が作用することを特徴とする、請求項１ないし８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】  前記作動位置において、エジェクタ（３８）が、前記無線電話機（１、１'、１''）によって、プレストレスが与えられた位置に保たれることを特徴とする、請求項１ないし９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】  前記嵌め合い接触ユニット（２９、２９'）の前記接触手段（３０、３０'）が、浮動状態で、好ましくは、少なくとも前記嵌め合い接触ユニット（２９、２９'）の平坦部（５）に対して平行に位置する平面に据え付けられたことを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】  前記制限要素（３４）の解除に伴って、前記バネ要素（４０）が、前記無線電話機（１、１'、１''）を、前記作動位置から前記収容／解放位置（４７）へと変位させることを特徴とする、請求項１ないし１１のいずれかに記載の装置。