【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
向き合う面を有する柔軟な絶縁基板；
上記柔軟な絶縁基板に埋め込まれたほぼ球形の誘電粒子の配列であって、該粒子の各々が、上記向き合う面の一方から突き出た第１部分と、上記向き合う面の他方から突き出た第２部分とを有する、上記球形誘電粒子の配列；
各球形誘電粒子の第１部分に堆積させたエレクトロルミネセンス蛍光体層；
エレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面と、エレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面同士の間に位置する上記柔軟な絶縁基板の領域とに設置した連続的導電性の実質的に透明な電極層；
上記球形誘電粒子の第２部分と、球形誘電粒子の第２部分同士の間に位置する柔軟な絶縁基板の領域とを被覆する連続的導電性電極層、ならびに、前記連続的導電性の実質的に透明な電極層と、前記連続的導電性電極層との間に電圧を印加する手段；
を含むエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記ほぼ球形の誘電粒子が、約100〜約25,000の相対誘電率を有する、請求項１に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記ほぼ球形の誘電粒子が、約1,000〜約10,000の相対誘電率を有する、請求項１または２に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
前記ほぼ球形の誘電粒子がBaTiO3粒子である、請求項１、２もしくは３に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
前記BaTiO3粒子が約40〜70ミクロンの範囲の直径を有する、請求項４に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
前記エレクトロルミネセンス蛍光体層と前記導電性の実質的に透明な電極との間に挟まれたSrTiO3の層を含む、請求項１、２、３、４もしくは５に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
前記エレクトロルミネセンス蛍光体層と前記導電性の実質的に透明な電極との間に挟まれた誘電材料の層を含むエレクトロルミネセンス表示装置であって、その際、上記誘電材料が、SrTiO3、Ta2O5およびY2O3からなる群より選択される、請求項１に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項８】
前記誘電材料の層が、約0.2〜約1.5マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項７に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項９】
前記柔軟な絶縁基板が、約20〜約50マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項１、２、３、４、５、６、７もしくは８に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１０】
前記柔軟な絶縁基板がポリマーである、請求項１〜９のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１１】
前記ポリマーがポリプロピレンである、請求項１０に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１２】
前記ポリプロピレンが、約20〜約50マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項１１に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１３】
前記連続的導電性の実質的に透明な電極層と前記連続的導電性電極層が、各々約0.1〜約0.5マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１４】
前記エレクトロルミネセンス蛍光体層が、約0.2〜約1.5マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１５】
前記エレクトロルミネセンス蛍光体層が、Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn、Zn2SiO4:Mn、もしくはGa2O3:EuおよびCaAl2O4:Euからなる群より選択される発光酸化物蛍光体である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１６】
上記導電性の実質的に透明な電極層が酸化インジウムスズ（ITO）である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１７】
上記連続的導電性電極層が、金、銀、ニッケルおよび銅からなる群より選択される金属で製造される、請求項１〜１６のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１８】
前記ほぼ球形の誘電粒子が、チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）およびチタン酸ジルコン酸鉛（Pb(Zr,Ti)O3）からなる群より選択される、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１９】
前記ポリマーが、ポリエチレン、ポリスチレンおよびポリエステルからなる群より選択される、請求項１０に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２０】
前記エレクトロルミネセンス蛍光体層が硫化物蛍光体である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２１】
前記硫化物蛍光体が、ZnS:MnまたはBaAl2S4:Eu、およびBaAl4S7:Euからなる群より選択される、請求項２０に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２２】
前記向き合う面の一方から突き出た第１部分と、前記向き合う面の他方から突き出た第２部分が、異なる表面積を有する、請求項１〜２１のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２３】
エレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面と、エレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面同士の間に位置する上記柔軟な絶縁基板の領域とに設置した連続的導電性の実質的に透明な電極層が第１電極層であり、かつ、ほぼ球形の誘電粒子の各々が、エレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面と、ほぼ球形の誘電粒子部分の半球面を覆う第１電極層との間に位置する第２の導電性の実質的に透明な電極層を含む第２電極層を有し、これによって、上記ほぼ球形の誘電粒子を柔軟な絶縁基板に埋め込むと、第２電極層が柔軟な絶縁基板の表面より下のその内部に延びる、請求項１〜２２のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２４】
向き合う面を有する柔軟な絶縁基板；
上記柔軟な絶縁基板に埋め込まれたほぼ球形の誘電粒子の配列であって、該粒子の各々が、上記向き合う面の一方から突き出た第１部分と、上記向き合う面の他方から突き出た第２部分とを有する、上記球形誘電粒子の配列；
上記球形誘電粒子の第１部分と、該球形誘電粒子の第１部分同士の間に位置する上記柔軟な絶縁基板の領域とを被覆する第１連続的導電層；ならびに
上記球形誘電粒子の第２部分と、該球形誘電粒子の第２部分同士の間に位置する上記柔軟な絶縁基板の領域とを被覆する第２連続的導電性電極層、ならびに、前記第１および第２連続的導電性電極層の間に電圧を印加する手段；
を含むコンデンサー。
【請求項２５】
前記ほぼ球形の誘電粒子が球形BaTiO3粒子である、請求項２４に記載のコンデンサー。
【請求項２６】
前記BaTiO3粒子が約40〜70ミクロンの範囲の直径を有する、請求項２５に記載のコンデンサー。
【請求項２７】
向き合う面を有する柔軟な絶縁基板；
上記柔軟な絶縁基板に埋め込まれたｎ型半導体からなるほぼ球形の半導体粒子の配列であって、該粒子の各々が、上記向き合う面の一方から突き出た第１部分と、上記向き合う面の他方から突き出た第２部分とを有する、上記球形半導体粒子の配列；
各球形半導体粒子の第１部分に堆積させたｐ型半導体層；
ｐ型半導体層の上部面と、ｐ型半導体層の上部面同士の間に位置する上記柔軟な絶縁基板の領域とに設置した第１連続的導電性電極層；ならびに
上記球形半導体粒子の第２部分と、球形半導体粒子の第２部分同士の間に位置する柔軟な絶縁基板の領域とを被覆する第２連続的導電性電極層、ならびに、前記第１および第２連続的導電性電極層の間に電圧を印加する手段；
を含むp-n半導体素子。
【請求項２８】
前記半導体がGaxIn(1-x)Nである、請求項２７に記載のp-n半導体素子。
【請求項２９】
向き合う面を有する柔軟な絶縁基板；
上記柔軟な絶縁基板に埋め込まれたほぼ球形の誘電粒子の配列であって、該粒子の各々が、上記向き合う面の一方から突き出た第１部分と、上記向き合う面の他方から突き出た第２部分とを有する、上記球形誘電粒子の配列；
各球形誘電粒子の第１部分に堆積させたエレクトロルミネセンス蛍光体層；
エレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面に位置し、互いにほぼ平行な行として延在する、導電性の実質的に透明な行電極層；ならびに
上記行電極と垂直の列として球形誘電粒子の第２部分を被覆する導電性列電極層であって、これにより配列中の各球形誘電粒子が上記行列電極の１つによりアドレス可能になる上記電極層、ならびに、前記行列電極間に電圧を印加する手段；
を含む、アドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３０】
ほぼ球形の誘電粒子が、約100〜約25,000の相対誘電率を有する、請求項２９に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３１】
ほぼ球形の誘電粒子が、約1,000〜約10,000の相対誘電率を有する、請求項２９または３０に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３２】
ほぼ球形の誘電粒子がBaTiO3粒子である、請求項２９、３０または３１に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３３】
BaTiO3粒子が約40〜70ミクロンの範囲の直径を有する、請求項３２に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３４】
エレクトロルミネセンス蛍光体層と導電性の実質的に透明な行電極層との間に挟まれたSrTiO3の層を含む、請求項２９〜３３のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３５】
エレクトロルミネセンス蛍光体層と導電性の実質的に透明な行電極層との間に挟まれた誘電材料の層を含む請求項２９に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置であって、上記誘電材料が、SrTiO3、Ta2O5およびY2O3からなる群より選択される、アドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３６】
誘電材料の層が、約0.2〜約1.5マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項３５に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３７】
柔軟な絶縁基板が、約20〜約50マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項２９〜３６のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３８】
柔軟な絶縁基板がポリマーである、請求項２９〜３７のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３９】
ポリマーがポリプロピレンである、請求項３８に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４０】
ポリプロピレンが、約20〜約50マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項３９に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４１】
導電性の実質的に透明な行電極層と導電性列電極層が、各々約0.1〜約0.5マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項２９〜４０のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４２】
エレクトロルミネセンス蛍光体層が、約0.2〜約1.5マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項２９〜４１のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４３】
エレクトロルミネセンス蛍光体層が、Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn、Zn2SiO4:Mn、もしくはGa2O3:EuおよびCaAl2O4:Euからなる群より選択される発光酸化物蛍光体である、請求項２９〜４２のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４４】
導電性の実質的に透明な行電極層が酸化インジウムスズ（ITO）である、請求項２９〜４３のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４５】
導電性列電極層が、金、銀、ニッケルおよび銅からなる群より選択される金属で製造される、請求項２９〜４４のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４６】
ほぼ球形の誘電粒子が、チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）およびチタン酸ジルコン酸鉛（Pb(Zr,Ti)O3）からなる群より選択される、請求項２９〜４５のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４７】
ポリマーが、ポリエチレン、ポリスチレンおよびポリエステルからなる群より選択される、請求項３８に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４８】
向き合う面を有する柔軟な絶縁基板；
上記柔軟な絶縁基板に埋め込まれたほぼ球形の誘電粒子の配列であって、該粒子の各々が、上記向き合う面の一方から突き出た第１部分と、上記向き合う面の他方から突き出た第２部分とを有する、上記球形誘電粒子の配列；
各球形誘電粒子の外面に堆積させたエレクトロルミネセンス蛍光体層；
球形誘電粒子の第１部分を被覆するエレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面と、エレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面同士の間に位置する上記柔軟な絶縁基板の領域とに設置した連続的導電性の実質的に透明な電極層；
上記球形誘電粒子の第２部分を被覆するエレクトロルミネセンス蛍光体層の下部面と、球形誘電粒子の第２部分同士の間に位置する柔軟な絶縁基板の領域とを被覆する連続的導電性電極層、ならびに、前記連続的導電性の実質的に透明な電極層と、前記連続的導電性電極層との間に電圧を印加する手段；
を含むエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４９】
エレクトロルミネセンス蛍光体層を被覆する誘電材料の層を含む請求項４８に記載のエレクトロルミネセンス表示装置であって、上記誘電材料が、SrTiO3、Ta2O5およびY2O3からなる群より選択される、エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５０】
ほぼ球形の誘電粒子が、チタン酸バリウム（BaTiO3）、チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）およびチタン酸ジルコン酸鉛（Pb(Zr,Ti)O3）からなる群より選択される、請求項４８または４９に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５１】
柔軟な絶縁基板がポリマーである、請求項４８、４９または５０に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５２】
エレクトロルミネセンス蛍光体層が酸化物蛍光体である、請求項４８〜５１のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５３】
エレクトロルミネセンス蛍光体層が硫化物蛍光体である、請求項４８〜５１のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５４】
導電性の実質的に透明な電極層が酸化インジウムスズ（ITO）である、請求項４８〜５３のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５５】
連続的導電性電極層が、金、銀、ニッケルおよび銅からなる群より選択される金属で製造される、請求項４８〜５４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５６】
向き合う面を有する柔軟な絶縁基板；
上記柔軟な絶縁基板に埋め込まれたほぼ球形の誘電粒子の配列であって、該粒子の各々が、上記向き合う面の一方から突き出た第１部分と、上記向き合う面の他方から突き出た第２部分とを有する、上記球形誘電粒子の配列；
各球形誘電粒子の外面に堆積させたエレクトロルミネセンス蛍光体層；
球形誘電粒子の第１部分を被覆するエレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面に位置し、互いにほぼ平行な行として延在する、導電性の実質的に透明な行電極層；ならびに
上記行電極と垂直の列として球形誘電粒子の第２部分を被覆するエレクトロルミネセンス蛍光体層の下部面を被覆する導電性列電極層であって、これにより配列中の各球形誘電粒子が上記行列電極の１つによりアドレス可能になる上記電極層、ならびに、前記行列電極間に電圧を印加する手段；
を含むアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５７】
エレクトロルミネセンス蛍光体層を被覆する誘電材料の層を含む請求項５６に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置であって、上記誘電材料が、SrTiO3、Ta2O5およびY2O3からなる群より選択される、アドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５８】
ほぼ球形の誘電粒子が、チタン酸バリウム（BaTiO3）、チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）およびチタン酸ジルコン酸鉛（Pb(Zr,Ti)O3）からなる群より選択される、請求項５６または５７に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５９】
柔軟な絶縁基板がポリマーである、請求項５６、５７または５８に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６０】
エレクトロルミネセンス蛍光体層が酸化物蛍光体である、請求項５６〜５９のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６１】
エレクトロルミネセンス蛍光体層が硫化物蛍光体である、請求項５６〜５９のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６２】
導電性の実質的に透明な電極層が酸化インジウムスズ（ITO）である、請求項５６〜６１のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６３】
連続的導電性電極層が、金、銀、ニッケルおよび銅からなる群より選択される金属で製造される、請求項５６〜６２のいずれか１項に記載のアドレス可能なエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６４】
以下の工程：
ａ）複数のほぼ球形の誘電粒子の各々の外面の少なくとも一部分を、エレクトロルミネセンス蛍光体層で被覆する；
ｂ）向き合う面を有する柔軟な絶縁基板を準備し、ほぼ球形の誘電粒子の各々の外面の少なくとも第１部分が向き合う面の一方から突き出、ほぼ球形の誘電粒子の各々の第２部分が向き合う面の他方から突き出るように、被覆したほぼ球形の誘電粒子を柔軟な絶縁基板に配列して埋め込む；
ｃ）連続的導電性の実質的に透明な電極層を、球形の誘電粒子の各々の第１部分を被覆するエレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面およびエレクトロルミネセンス蛍光体層の上部面同士の間に位置する柔軟な絶縁基板の領域とに堆積させる；および
ｄ）連続的導電性電極層を、球形の誘電粒子の各々の第２部分の上部面および突き出た第２部分同士の間に位置する柔軟な絶縁基板の領域とに堆積させる；
を含む、エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項６５】
上記ほぼ球形の誘電粒子の各々の外面の少なくとも第１部分が球の外面全体であり、ほぼ球形の誘電粒子の各々の外面全体をエレクトロルミネセンス蛍光体層で被覆する、請求項６４に記載の方法。
【請求項６６】
ほぼ球形の誘電粒子を柔軟な絶縁基板に埋め込んだ時点で、連続的導電性電極層を球形の誘電粒子の各々の第２部分の上部面に堆積させる工程の前に、球形の誘電粒子の各々の第２部分上のエレクトロルミネセンス蛍光体層を除去する工程を含む、請求項６５に記載の方法。
【請求項６７】
誘電材料の層をエレクトロルミネセンス蛍光体層上に堆積させる工程を含む請求項６４に記載の方法であって、上記誘電材料が、SrTiO3、Ta2O5およびY2O3からなる群より選択される、方法。
【請求項６８】
上記ほぼ球形の誘電粒子の各々の外面の少なくとも第１部分が球の外面全体であり、ほぼ球形の誘電粒子の各々の外面全体をエレクトロルミネセンス蛍光体層で被覆し、ほぼ球形の誘電粒子全体のエレクトロルミネセンス蛍光体層上を誘電材料で被覆する、請求項６７に記載の方法。
【請求項６９】
ほぼ球形の誘電粒子を柔軟な絶縁基板に埋め込んだ時点で、連続的導電性電極層をほぼ球形の誘電粒子の各々の第２部分の上部面に堆積させる工程の前に、球形の誘電粒子の各々の第２部分上の誘電材料の層およびエレクトロルミネセンス蛍光体層を除去する工程を含む、請求項６８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６ｂ】
2007504615.tif 000001