(57)【要約】加工基板は、太陽電池の成長のために第１の半導体材料から作られたシード層と、ベース及び上記ベースの第１の面にエピタキシャル成長させた表面層を備える支持基板であって、上記ベース及び上記表面層が第２の半導体材料から作られている、支持基板と、上記シード層と上記表面層との間の直接ボンディング界面とを具備し、上記表面層のドーピング濃度は、上記直接ボンディング界面のところでの電気抵抗率が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低く、好ましくは１ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低くなるように所定の値よりも高く、上記ベースのドーピング濃度並びに上記加工基板の厚さは、上記加工基板の吸収が２０％未満、好ましくは１０％未満であり、総計の上記加工基板の面積で規格化した直列抵抗が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満、好ましくはｍＯｈｍ・ｃｍ２未満であるようなものである。１【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池の成長のために第１の半導体材料から作られたシード層（３）と、
ベース（５）及び前記ベース（５）の第１の面にエピタキシャル成長させた表面層（７）を備える支持基板であって、前記ベース（５）及び前記表面層（７）が第２の半導体材料から作られている、支持基板と、
前記シード層（３）と前記表面層（７）との間の直接ボンディング界面（９）と、
を備える加工基板（１０１、１０３）であって、
前記表面層（７）のドーピング濃度は、前記直接ボンディング界面（９）のところでの電気抵抗率が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低く、好ましくは１ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低くなるように所定の値よりも高く、
前記ベース（５）のドーピング濃度及び前記加工基板（１０１、１０３）の厚さは、前記加工基板（１０１、１０３）の吸収が２０％未満、好ましくは１０％未満であり、前記加工基板（１０１、１０３）の総計の面積で規格化した直列抵抗が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満、好ましくは５ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満であるようなものである、加工基板（１０１、１０３）。
【請求項２】
前記第１の面とは反対側を向いた前記ベース（５）の第２の面に設けられ、ミラーとして働く裏面金属コンタクト（１１）をさらに備える、請求項１に記載の加工基板（１０１、１０３）。
【請求項３】
前記所定の値が１０１８ａｔ／ｃｍ３である、請求項１又は２に記載の加工基板（１０１、１０３）。
【請求項４】
前記シード層（３）が前記所定の値よりも高いドーピング濃度を有している、請求項１〜３のうちの少なくとも一項に記載の加工基板（１０１、１０３）。
【請求項５】
前記シード層（３）及び／又は前記表面層（７）の厚さが１５０ｎｍ〜１μｍに至るまでの範囲内である、請求項１〜４のうちの少なくとも一項に記載の加工基板（１０１、１０３）。
【請求項６】
前記ベース（５）の厚さが１００μｍ〜５００μｍに至るまでの範囲であり、前記ベース（５）の前記ドーピング濃度が１×１０１４〜５×１０１７ａｔ／ｃｍ３の範囲である、請求項１〜５のうちの少なくとも一項に記載の加工基板（１０１、１０３）。
【請求項７】
前記第１の半導体材料が５．８〜６Å（０．５８ｎｍ〜０．６ｎｍ）の範囲内の格子定数を有している、請求項１〜６のうちの少なくとも一項に記載の加工基板（１０１、１０３）。
【請求項８】
前記第１の半導体材料がＩｎＰである又は前記第１の半導体材料が三元系若しくは四元系若しくは五元系ＩＩＩ−Ｖ材料、例えば、ＩｎＧａＡｓ若しくはＩｎＧａＡｓＰであり、前記第２の半導体材料がＧａＡｓ又はＧｅである、請求項１〜７のうちの少なくとも一項に記載の加工基板（１０１、１０３）。
【請求項９】
請求項１〜８のうちの少なくとも一項に記載の加工基板（１０１、１０３）を備える太陽電池。
【請求項１０】
加工基板（１０１、１０３）を製造する方法であって、
第１の基板（１）を用意するステップと、
前記第１の基板（１）にシード層（３）を設けるステップであり、前記シード層（３）が第１の半導体材料から作られている、ステップと、
ベース（５）を用意するステップと、
エピタキシャル成長により、前記ベース（５）の第１の面に表面層（７）を形成するステップであり、前記ベース（５）及び前記表面層（７）が第２の半導体材料から作られている、ステップと、
前記表面層（７）に前記シード層（３）を直接ボンディングし、以て直接ボンディング界面（９）を形成するステップと、次いで
前記第１の基板（１）を除去するステップと、
を含み、
前記表面層（７）のドーピング濃度は、前記直接ボンディング界面（９）のところでの電気抵抗率が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低く、好ましくは１ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低くなるように所定の値よりも高く、
前記ベース（５）のドーピング濃度並びに前記加工基板（１０１、１０３）の厚さは、前記加工基板（１０１、１０３）の吸収が２０％未満、好ましくは１０％未満であり、並びに前記加工基板（１０１、１０３）の総計の面積で規格化した直列抵抗が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満、好ましくは５ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満であるようなものである、方法。
【請求項１１】
前記ベース（５）の第２の面に、前記ベース（５）の下でミラーとして働く裏面金属コンタクト（１１）を設けるステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記表面層（７）に前記シード層（３）を直接ボンディングするステップの前に、前記第１の基板（１）及び／又は前記シード層（３）の一部に注入層（２）を作るためのイオン注入ステップをさらに含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工基板並びに加工基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光起電力電池又は太陽電池は、太陽放射を電流へと変換するために設計されている。集光器太陽光起電力用途では、入射太陽光が太陽電池へと向けられる前に、入射太陽光が光学的に集光される。例えば、入射太陽光は一次ミラーによって受けられ、一次ミラーは受光した放射を二次ミラーに向けて反射し、二次ミラーは順に放射を太陽電池に向けて反射し、太陽電池は、例えばＩＩＩ−Ｖ半導体又は単結晶シリコン内に電子−正孔対を発生させることにより集光した放射を電流へと変換する。集光器光起電力装置は、代わりに又は加えて、入射太陽放射の集光用のフレネルレンズ光学系を備えることができる。
【０００３】
異なる半導体材料組成が入射太陽放射の異なる波長に対して最適な吸収を示すので、例えば、異なる波長範囲の最適な吸収を示す３つのセルを備えるＭＪ（多接合）セルが提案されてきている。
【０００４】
最近、光電子工学用途、例えば、ＣＰＶ（集光器光起電力）セル、ＩＲ（赤外線）検出器、等の分野では、フォトンをリサイクルすること、フォトンの損失を減少させること及び抵抗率を低下させることに関心が集中されている。
【０００５】
これらの課題に関係する問題のうちの１つは、セルの効率である。例えば、ＧａＡｓ基板などの一般に使用される基板は、ドープされることが必要であり、低い接触抵抗を確実にする。しかし、上記のドーピングは、フォトンの吸収の増加を引き起こしている。
【０００６】
ＷＯ２０１３１４３８５１は、最終基板へのシード層の移動を含め、ＭＪ太陽電池デバイスを製造するプロセスを開示している。
【０００７】
例えば、少なくとも２つのサブセルの直接ボンディングを当然ともなう、すなわちサブセルの各々が１つの基板に成長されるが、２つの基板が異なる格子定数を有するＷＯ２０１３１４３８５１に記述されたようなＭＪ（多接合）太陽電池の製造方法のために適しているＭＪ太陽電池、又はより一般的に≪光検出器≫に関して、適正な基板が、係る基板に基づく太陽電池の効率を高める必要性がある。
【０００８】
上述の問題の観点から、ＭＪ太陽電池に関して、効率の向上をともない、十分に透明でありさらに電導性の基板を提供することが本発明の目的である。
【発明の概要】
【０００９】
本発明では、上述の必要性を扱い、そしてしたがって、下記が提供される。
【００１０】
加工基板は、太陽電池の成長のために第１の半導体材料から作られたシード層と、ベース及び上記ベースにエピタキシャル成長させた表面層を備える支持基板であって、上記ベース及び上記表面層が第２の半導体材料から作られている、支持基板と、上記シード層と上記表面層との間の直接ボンディング界面とを具備し、上記表面層のドーピング濃度は、上記直接ボンディング界面のところでの電気抵抗率が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低く、好ましくは１ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低くなるように所定の値よりも高く、上記ベースのドーピング濃度並びに上記加工基板の厚さは、上記加工基板の吸収が２０％未満、好ましくは１０％未満であり、そして上記加工基板の総計の面積で規格化した直列抵抗が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満、好ましくは５ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満であるようなものである。
【００１１】
上に規定した加工基板では、ベースという用語は、ベース基板の短縮形であり、２つの用語は同義的に使用されている。ベース及び表面層は、支持層ともやはり呼ばれることがある支持基板を形成する。支持基板は、レシーバ基板ともやはり呼ばれることがある。ベースは、低い吸収に適しており同時に基板のハンドリングのために十分な機械的安定性を与えている低ドープの下部部分に対応する。支持基板の最上部部分は、表面層に対応する。表面層は、ベース層上に高ドープの層、すなわちヘテロエピタキシャル層のエピタキシャル成長によって形成される。以て、シード層、例えば、ＧａＡｓ又はＧｅのベース基板に形成されたＧａＡｓ表面層上のＩｎＰシード層との低い界面抵抗が保証されることが可能である。
【００１２】
上に述べた加工基板に関して、基板は、２つの格子が一致しない材料、例えば、最上部薄層、すなわちシード層用のＩｎＰ及び下部レシーバ基板、すなわち支持基板用のＧａＡｓ又はＧｅから成る。第１の材料のシード層の薄層は、第２の材料へのボンディングを含めいくつかの手法により得られることが可能であり、第１の材料及び第２の材料の両者は、低い界面抵抗率を確実にするためにボンディング界面のところで好ましくは両者とも高ドープである。
【００１３】
加工基板が入射光の２０％未満しか吸収すべきではなく、それに対して入射光の８０％以上が加工基板を通り透過されるべきであるので、２０％未満の吸収が、理解されるはずである。
【００１４】
電気抵抗率は、所与の材料が電流の流れにどれだけ強く抗するかを定量化する内在的な特性である。低抵抗率は、電荷の移動を容易に可能にする材料を示している。抵抗率は、ギリシア文字ρ（ロー）によって一般に表示される。電気抵抗率の単位は、それぞれ、太陽電池又は加工基板の表面積又は断面積Ａと抵抗Ｒとの積から導き出す。式として、上記は、Ｒ・Ａ＝ロー・ｌであり、ここでは、ｌは長さ又は面積Ａに実質的に垂直である厚さを表している。電気抵抗率の単位は、したがってオーム・メートル（Ω・ｍ）である、但し、オーム・センチメートル（Ω・ｃｍ）のような他の単位が上記から導き出されることがある。
【００１５】
直列抵抗は、太陽電池での主要な抵抗効果のうちの１つを表している。高い直列抵抗は、フィルファクタ、したがって最終的に太陽電池の効率を低下させることがある。値を比較できるようにするために、値は、抵抗を面積で掛け算するために面積で規格化され、上記はオームの法則において電流の代わりに電流密度を使用することと同じであり、以てＯｈｍ・ｃｍ２という単位を得ている。
【００１６】
加工基板は、上記第１の面とは反対側を向いた上記ベースの第２の面に設けられたミラーとして働く裏面金属コンタクトをさらに備えることができる。
【００１７】
裏面金属コンタクトは、裏面ミラーとして働くことができる。ベースに向けてフォトンを反射して戻すこと及びさらに太陽電池の活性層に少なくとも部分的に反射することによりフォトンの損失を防止する又は少なくとも最小にするために、裏面金属コンタクトは、ベースの直下に置かれることが典型的である。フォトンは、ミラーによりこのようにリサイクルされることがあり、フォトンの損失が減少される。加工基板の上に述べた面積で規格化した直列抵抗は、裏面金属コンタクトへのセルの電気的接続部を形成するというさらなる効果を有し、発生した電子を集める。裏面金属コンタクトは、ベースの下に、すなわちベースの第１の面とは反対のベースの第２の面に典型的には設けられる。言い換えると、ベースの一方の側又は一方の表面は、上に設けられた表面層を有する、ところがベースの他方の自由な側又は表面は、上に裏面金属コンタクトを有することがある。
【００１８】
加工基板に関して、所定の値は、典型的には１０１８ａｔ／ｃｍ３であってもよい。
【００１９】
１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のドーピング濃度の所定の値は、低抵抗率を有する界面を形成する。
【００２０】
加工基板では、上記シード層は、上記所定の値よりも高いドーピング濃度をやはり有することがある。
【００２１】
シード層についてもやはり、１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のドーピング濃度の所定の値が、低抵抗率を有する界面を与える。
【００２２】
加工基板では、上記シード層及び／又は上記表面層の上記厚さは、１５０ｎｍ〜１μｍに至るまでの範囲内であってもよい。
【００２３】
加工基板では、上記ベースの厚さは、１００μｍ〜５００μｍに至るまでの範囲であってもよく、上記ベースの上記ドーピング濃度は、１×１０１４〜５×１０１７ａｔ／ｃｍ３の範囲であってもよい。
【００２４】
加工基板では、上記第１の半導体材料が、５．８〜６Å（０．５８ｎｍ〜０．６ｎｍ）の範囲内の格子定数を有することがある。
【００２５】
上記の値は、ＩｎＰの格子定数に典型的には対応する。支持基板は、典型的には最終基板である。直接ボンディングしたＭＪセルのケースに関して、上記基板に成長させたサブセルは、ＩｎＰの格子定数付近の格子定数を有している材料を用いてのみ実現することが可能な最小のエネルギーギャップを有するはずである。
【００２６】
加工基板では、上記第１の半導体材料がＩｎＰである又は上記第１の半導体材料が三元系若しくは四元系若しくは五元系ＩＩＩ−Ｖ材料、例えば、ＩｎＧａＡｓ若しくはＩｎＧａＡｓＰであってもよく、上記第２の半導体材料がＧａＡｓ又はＧｅであってもよい。
【００２７】
発明は、上に説明したような加工基板を備える太陽電池をさらに提供する。
【００２８】
発明は、加工基板を製造する方法をさらに提供し、第１の基板を用意するステップと、上記第１の基板上にシード層を設けるステップであって、上記シード層が第１の半導体材料から作られている、ステップと、ベースを用意するステップと、エピタキシャル成長により、上記ベースの第１の面に表面層を形成するステップであって、上記ベース及び上記表面層が第２の半導体材料から作られている、ステップと、上記表面層に上記シード層を直接ボンディングし、以て直接ボンディング界面を形成するステップと、次いで上記第１の基板を除去するステップとを含み、上記表面層のドーピング濃度は、上記直接ボンディング界面のところでの電気抵抗率が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低く、好ましくは１ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低くなるように所定の値よりも高く、上記ベースのドーピング濃度並びに上記加工基板の厚さは、上記加工基板の吸収が２０％未満、好ましくは１０％未満であり、並びに上記加工基板の総計の面積で規格化した直列抵抗が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満、好ましくは５ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満であるようなものである。
【００２９】
上に詳細に説明したような加工基板は、ＣＰＶセル、ＭＪセル又は任意の光検出デバイスを製造するために使用されることがある。
【００３０】
上記加工基板を製造するための方法は、上記第１の面とは反対の上記ベースの第２の面にミラーとして働く裏面金属コンタクトを設けるステップをさらに含むことができる。
【００３１】
上記ミラーは、ＭＪセルの製造後にやはり形成されてもよい。
【００３２】
加工基板を製造するための方法は、上記シード層を上記表面層へ直接ボンディングするステップの前に、上記第１の基板及び／又は上記シード層の一部に注入層を作るためのイオン注入ステップをさらに含むことができる。
【００３３】
裏面ミラーは、ベースの直ぐ下方に配置されて、フォトンをベースへ反射して戻す及びさらに太陽電池の活性層に向けて反射することにより損失を防止する。ベースは、低い吸収、ハンドリングのための機械的安定性を与えること、及び発生した電子を集めるために裏面金属コンタクトへのセルの電気的接続部を形成するために十分に高い導電率のために適した低ドープの下部部分を備える。裏面金属コンタクトは前に指摘したようにミラーとして働く。レシーバ基板の最上部部分は、高ドープのエピタキシャル成長、すなわち、エピタキシャルシード層、例えば、下部ＧａＡｓ又はＧｅ基板に形成させたＧａＡｓ最上部層上のＩｎＰシード層との低い界面抵抗を保証するために必要なヘテロエピタキシャル層により形成される。
【００３４】
開示した加工基板は、ＣＰＶセル又は任意の光検出デバイスの製造のために使用されることが可能である。
【００３５】
加工基板は、２つの格子が一致しない材料、例えば、最上部薄層用のＩｎＰ及び下部レシーバ基板用のＧａＡｓ又はＧｅから成る。第１の材料のエピタキシャルシード層の薄層は、第２の材料へのボンディングを含めいくつかの手法により得られることが可能であり、第１の材料及び第２の材料の両者は、低い界面抵抗率を確実にするためにボンディング界面のところで高ドープであることが必要である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】１つの実施形態の概略図である。
【図２】図１に示した実施形態の変更形態の図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
図１は、本発明による加工基板を製造する方法の例を示している。
【００３８】
第１のステップでは、図１の一番左の部分に、ベース基板５、以降ベースと呼ぶ、が用意されることが示されている。さらにその上、第１の基板１が用意される。第１の基板１は、補助基板として働き、しかしながら補助基板は最終加工基板の準備が整う前に除去される又は犠牲にされる。
【００３９】
次のステップでは、矢印Ａにより示したように、シード層３が第１の基板１上に形成される。シード層３は、第１の半導体材料から成ることがある。第１の半導体材料は、例えば、ＩｎＰであってもよい、又は三元系若しくは四元系若しくは五元系ＩＩＩ−Ｖ材料、例えばＩｎＧａＡｓ若しくはＩｎＧａＡｓＰであってもよい。
【００４０】
さらにその上、表面層７がベース５上に形成される。表面層７は、ベース５の第１の面にエピタキシャル成長される。ベース５及び表面層７は、第２の半導体材料から作られる。第２の半導体材料は、ＧａＡｓ又はＧｅであることが典型的である。ベース５及び表面層７は一緒に支持基板６を形成する。
【００４１】
２つの部分又は構造、すなわち、第１の基板に形成されたシード層を備える部分とエピタキシャル成長によりベース５に設けられる表面層７を備える部分とを形成することの間の時間の関係性は、両方が矢印Ｂにより示されている次のステップの始まりのところで利用可能であること以外には必要ない。
【００４２】
図１に図示したように、Ｂにより示した次のステップでは、２つの基板が一緒にボンディングされる。すなわち、第１の基板１及びシード層３を備える構造が、ベース５及び表面層７を備える第２の構造、すなわち支持基板と一緒にボンディングされる。シード層３及び表面層７は、シード層３と表面層７との間に直接ボンディング界面９をそのときには形成する。ボンディングは、２つの構造の直接ボンディングにより実行されることが典型的である。直接ボンディングは、何らかのさらなるボンディング層を使用せずに、関係する２つの表面間の分子接着を典型的には表している。分子接着は、部分真空下で典型的には実行される。
【００４３】
引き続いて、ステップＣでは、第１の基板１が第１の基板１から除去され／切り離され、加工基板１０１を得る。第１の基板の除去は、様々な方法で実行されることある。とりわけ、グラインディング及び／又はバックエッチングが第１の基板１を除去するために使用されることがあり、以て結局はシード層３を露出させる。上記処理が選択される場合には、前のステップで実行されるボンディングプロセスは、高温で、例えば、４００℃〜６００℃の範囲内の温度で、又はより好ましくは４５０℃〜５５０℃の間の温度で行われることがある。もう１つの可能性は、ボンディングに先立ち第２の構造上へと第１の構造の移動をスマートカット（Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ）（商標）、すなわちボンディングの前のイオン注入ステップ及び次いで分離すること／切り離すことによって実行することであってもよい、図２参照。この可能性に関して、ボンディングプロセスは、より低い温度で、好ましくは２００℃未満で実行されるべきである。
【００４４】
引き続いて、ステップＤでは、追加の裏面金属コンタクト１１が、第１の面とは反対のベース５の第２の面に設けられることがあり、以て加工基板１０３を得る。加工基板１０３は、追加の裏面金属コンタクトを有することを除いて、加工基板１０１と実質的に同じであってもよい。ステップＤ及びしたがって追加の裏面金属コンタクト１１を設けることは、任意選択的であるが、加工基板１０３、そして最終的に加工基板を含んでいる太陽電池の効率をさらに向上させることができる。裏面金属コンタクト１１は、ミラーとして働くことができる、すなわち、裏面金属コンタクトの目的は、未だ変換されていない係るフォトンを太陽電池の活性層に向かって反射して戻すことである。裏面金属コンタクト１１は、太陽電池の裏面への電気的コンタクトを形成するために、例えば、複雑なワイアリングを回避するために導電性プレートと接触させるためにやはり働くことができる。
【００４５】
図２は、図１の実施形態の変更形態を示しているが、同じ主要なステップＡ、Ｂ、Ｃ及び任意選択的なステップＤを共有している。同じ要素が、同じ参照番号により記されており、再び説明されない。図２では、第１のベース基板は、第１の基板１の表面のところに設けられているジッパー層２を備えており、シード層３へのコンタクトを表している。例えば、ジッパー層２は、イオン種の注入により形成された弱化層の形態に設けられることがある。イオン種は、例えば、水素イオン又はヘリウムイオンであってもよい。このケースでは、第１の基板１が、ＩｎＰ基板などのバルク基板として用意されることが可能であり、次いでバルク基板の最上面を通る注入が弱化層２を形成する。弱化層又はジッパー層２は、このように、それぞれバルク基板の最上部部分と下部部分とにあるシード層３と第１の基板１とを分離する。引き続いて、第１の基板１が、ジッパー層２によりシード層３から切り離される、例えば、第１の加工基板が、シード層３からの第１の基板１の切り離しを可能にするジッパー層２のところでへき開される。次いで、第１の基板１の切り離しのさらなるプロセスが、機械的な力を加えることによって仲立ちされることがあり、水素イオン又はヘリウムイオンによって形成された弱化層のところで剥離する。
【００４６】
得られた加工基板１０１及び１０３、後者が裏面金属コンタクトを含む、は、実質的に図１と同じである。直接ボンディングされたＩｎＰとＧａＡｓとの間の界面抵抗は、ドーピング濃度に依存し、高いドーピング濃度が、係る抵抗率を低く保つためには必要である。高いドーピング濃度は、しかしながらＧａＡｓに関して、光の強い吸収にやはりつながる。したがって、ＧａＡｓ基板だけが十分に透明のままであるべきである。図１並びに図２のいずれかの実施形態の２つの加工基板１０１及び１０３に関して、表面層７のドーピング濃度は、直接ボンディング界面９のところでの電気抵抗率が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低く、好ましくは１ｍＯｈｍ・ｃｍ２よりも低くなるように所定の値よりも高い。同様に、ベース５のドーピング濃度並びに加工基板１０１及び１０３の厚さは、加工基板１０１、１０３の吸収が２０％未満、好ましくは１０％未満であり、加工基板１０１、１０３の総計の面積で規格化した直列抵抗が１０ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満、好ましくは５ｍＯｈｍ・ｃｍ２未満であるようなものである。ドーピング濃度に関する所定の値は、典型的には１０１８ａｔ／ｃｍ３である。図１及び図２に示した実施形態のシード層３は、所定の値よりも高いドーピング濃度を有する。シード層３及び／又は表面層７の厚さは、典型的には１５０ｎｍ〜１μｍに至るまでの範囲内である。さらにその上、ベース５の厚さは、１００μｍ〜５００μｍに至るまでの範囲であってもよい。ベース５のドーピング濃度は、典型的には１×１０１４〜５×１０１７ａｔ／ｃｍ３の範囲である。第１の半導体材料は、典型的には５．８〜６Å（０．５８ｎｍ〜０．６ｎｍ）の範囲内の格子定数を有している。
【００４７】
加工基板１０１及び１０３の各々は、ＭＪ太陽電池を形成する際に使用されてもよい。利点は、様々な接合の材料が太陽光スペクトルとより良くマッチングするように調整され得ることである。
【図１】
2019505991.tif 000003
【図２】
2019505991.tif 000004
【国際調査報告】
2019505991.tif 000005
2019505991.tif 000006
2019505991.tif 000007