【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ダイアモンドおよびダイアモンド含有材料の上の被膜であって、０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの層を含んで成る被膜。
【請求項２】  ダイアモンドおよびダイアモンド含有材料の上の被膜であって、０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成している一炭化タングステンＷＣの層を含んで成る被膜。
【請求項３】  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの層が前記一炭化タングステン層の上部に付着していることを特徴とする請求項２記載の被膜。
【請求項４】  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成している半炭化タングステンＷ2Ｃの層が前記一炭化タングステン層の上部に付着していることを特徴とする請求項２記載の被膜。
【請求項５】  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの外側層を有することを特徴とする請求項４記載の被膜。
【請求項６】  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているサブ炭化タングステンＷ3Ｃの層が前記半炭化タングステン層の上部に付着していることを特徴とする請求項４記載の被膜。
【請求項７】  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの外側層を有することを特徴とする請求項６記載の被膜。
【請求項８】  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているサブ炭化タングステンＷ12Ｃの層が前記サブ炭化タングステンＷ3Ｃ層の上部に付着していることを特徴とする請求項６記載の被膜。
【請求項９】  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの外側層を有することを特徴とする請求項８記載の被膜。
【請求項１０】  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているサブ炭化タングステンＷ12Ｃの層が前記半炭化タングステンＷ2Ｃ層の上部に付着していることを特徴とする請求項４記載の被膜。
【請求項１１】  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの外側層を有することを特徴とする請求項１０記載の被膜。
【請求項１２】  前記内側の炭化タングステン層が０．１−１０μｍの厚みを有しそして前記外側のタングステン層が０．１−１０μｍの厚みを有していて内側層と外側層の比率が１：１から１：１００であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項記載の被膜。
【請求項１３】  ダイアモンドまたはダイアモンド含有材料で構成されている基質に被膜を付着させる方法であって、粉末状のタングステンを含有しかつフッ素を不活性充填材の重量の０．００３−５重量％の量で含有する仕込み物の媒体の中に前記基質を入れて７００−１２００℃に加熱することを含んで成る方法。
【請求項１４】  ダイアモンドまたはダイアモンド含有材料で構成されている基質に被膜を付着させる方法であって、下記の段階：
ａ）前記ダイアモンド基質をミキサーが備わっている化学蒸着反応槽に入れ、
ｂ）前記反応槽に真空排気を１０Ｐａになるまで受けさせ、
ｃ）前記基質を加熱し、
ｄ）前記反応槽に六フッ化タングステンと水素を供給し、
ｅ）前記基質をこの基質の上にタングステン層が生じるに必要な時間保持し、
ｆ）前記六フッ化タングステンと水素の供給を止め、
ｇ）前記反応槽に真空排気を０．０１Ｐａになるまで受けさせ、
ｈ）前記基質の再加熱（アニーリング）を炭化タングステンが生じるに必要な温度になるまで行い、そして
ｉ）前記基質を炭化タングステンが生じるに必要な時間保持する、
段階を含んで成る方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
単結晶工具（ｓｉｎｇｌｅ−ｃｒｙｓｔａｌ  ｔｏｏｌ）の製造でタングステンと炭化タングステンで覆われているダイアモンドを用いることは将来性があると思われる。炭化タングステンで被覆しておいた合成ダイアモンドまたはこれの焼結凝集物を用いて切削用工具を製造することを推奨する。例えば、この提案する発明に従う被覆を受けさせておいた合成ダイアモンドグリットを用いたダイアモンド製ノコギリが示した耐久性は被覆を受けさせていないそれの２倍であった。
本発明の好適な実施の態様は次のとおりである。
１．  ダイアモンドおよびダイアモンド含有材料の上の被膜であって、０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの層を含んで成る被膜。
２．  ダイアモンドおよびダイアモンド含有材料の上の被膜であって、０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成している一炭化タングステンＷＣの層を含んで成る被膜。
３．  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの層が前記一炭化タングステン層の上部に付着していることを特徴とする上記２記載の被膜。
４．  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成している半炭化タングステンＷ2Ｃの層が前記一炭化タングステン層の上部に付着していることを特徴とする上記２記載の被膜。
５．  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの外側層を有することを特徴とする上記４記載の被膜。
６．  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているサブ炭化タングステンＷ3Ｃの層が前記半炭化タングステン層の上部に付着していることを特徴とする上記４記載の被膜。
７．  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの外側層を有することを特徴とする上記６記載の被膜。
８．  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているサブ炭化タングステンＷ12Ｃの層が前記サブ炭化タングステンＷ3Ｃ層の上部に付着していることを特徴とする上記６記載の被膜。
９．  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの外側層を有することを特徴とする上記８記載の被膜。
１０．  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているサブ炭化タングステンＷ12Ｃの層が前記半炭化タングステンＷ2Ｃ層の上部に付着していることを特徴とする上記４記載の被膜。
１１．  ０．０００４から０．３重量％の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの外側層を有することを特徴とする上記１０記載の被膜。
１２．  前記内側の炭化タングステン層が０．１−１０μｍの厚みを有しそして前記外側のタングステン層が０．１−１０μｍの厚みを有していて内側層と外側層の比率が１：１から１：１００であることを特徴とする上記１から１１のいずれか１項記載の被膜。
１３．  ダイアモンドまたはダイアモンド含有材料で構成されている基質に被膜を付着させる方法であって、粉末状のタングステンを含有しかつフッ素を不活性充填材の重量の０．００３−５重量％の量で含有する仕込み物の媒体の中に前記基質を入れて７００−１２００℃に加熱することを含んで成る方法。
１４．  前記方法をフッ素含有量が０．００３−０．７重量％の仕込み物中で７００−８００℃の温度で実施することでフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの被膜を生じさせることを特徴とする上記１３記載の方法。
１５．  前記方法をフッ素含有量が０．０５−３重量％の仕込み物中で９５０−１２００℃において１０分間実施することでフッ素と一緒に合金を形成している一炭化タングステンＷＣで構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記１３記載の方法。
１６．  前記方法をフッ素含有量が０．０５−３重量％の仕込み物中で９５０−１２００℃において１０分を超える時間実施することで一炭化タングステンＷＣの内側層とタングステンの外側層で構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記１３記載の方法。
１７．  前記方法をフッ素含有量が０．０１−２．５重量％の仕込み物中で９２０−１１５０℃において１２分間実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃの被膜を生じさせることを特徴とする上記１３記載の方法。
１８．  前記方法をフッ素含有量が０．０１−２．５重量％の仕込み物中で９２０−１１５０℃において１２分を超える時間実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃを含有する内側層と外側のタングステン層で構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記１３記載の方法。
１９．  前記方法をフッ素含有量が０．００８−２．０重量％の仕込み物中で９００−１１００℃において１５分間実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃとサブ炭化タングステンＷ3Ｃを含有する被膜を生じさせることを特徴とする上記１３記載の方法。
２０．  前記方法をフッ素含有量が０．００８−２．０重量％の仕込み物中で９００−１１００℃において１５分を超える時間実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃとサブ炭化タングステンＷ3Ｃを含有する内側層と外側のタングステン層で構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記１３記載の方法。
２１．  前記方法をフッ素含有量が０．００５−１．５重量％の仕込み物中で８５０−１０５０℃において１７分間実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃとサブ炭化タングステンであるＷ3ＣとＷ12Ｃの混合物を含有する被膜を生じさせることを特徴とする上記１３記載の方法。
２２．  前記方法をフッ素含有量が０．００５−１．５重量％の仕込み物中で８５０−１０５０℃において１７分を超える時間実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃとサブ炭化タングステンであるＷ3ＣとＷ12Ｃの混合物を含有する内側層と外側のタングステン層で構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記１３記載の方法。
２３．  前記方法をフッ素含有量が０．００４−１．０重量％の仕込み物中で８００−１０００℃において２０分間実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃとサブ炭化タングステンＷ12Ｃを含有する被膜層を生じさせることを特徴とする上記１３記載の方法。
２４．  前記方法をフッ素含有量が０．００４−１．０重量％の仕込み物中で８００−１０００℃において２０分を超える時間実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃとサブ炭化タングステンＷ12Ｃを含有する内側層と外側のタングステン層で構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記１４記載の方法。
２５．  ダイアモンドまたはダイアモンド含有材料で構成されている基質に被膜を付着させる方法であって、下記の段階：
ａ）前記ダイアモンド基質をミキサーが備わっている化学蒸着反応槽に入れ、
ｂ）前記反応槽に真空排気を１０Ｐａになるまで受けさせ、
ｃ）前記基質を加熱し、
ｄ）前記反応槽に六フッ化タングステンと水素を供給し、
ｅ）前記基質をこの基質の上にタングステン層が生じるに必要な時間保持し、
ｆ）前記六フッ化タングステンと水素の供給を止め、
ｇ）前記反応槽に真空排気を０．０１Ｐａになるまで受けさせ、
ｈ）前記基質の再加熱（アニーリング）を炭化タングステンが生じるに必要な温度になるまで行い、そして
ｉ）前記基質を炭化タングステンが生じるに必要な時間保持する、
段階を含んで成る方法。
２６．  前記方法を２−１５０ｋＰａの反応槽圧力下で４００−８００℃の基質温度で実施し、水素に対する六フッ化タングステンの比率を０．０１−０．３にしそして前記基質にアニーリングを０．０１Ｐａ以下の真空下において８００−１２００℃で受けさせることを特徴とする上記２５記載の方法。
２７．  前記基質のアニーリングを１１００−１２００℃で実施することで一炭化タングステンＷＣの内側層と外側のタングステン層で構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記２６記載の方法。
２８．  前記基質のアニーリングを１０００−１１００℃で実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃの内側層と外側のタングステン層で構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記２６記載の方法。
２９．  前記基質のアニーリングを９５０−１０００℃で実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃとサブ炭化タングステンＷ3Ｃの内側層と外側のタングステン層で構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記２６記載の方法。
３０．  前記基質のアニーリングを８５０−９５０℃で実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃとサブ炭化タングステンであるＷ3ＣとＷ12Ｃの混合物の内側層と外側のタングステン層で構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記２６記載の方法。
３１．  前記基質のアニーリングを８００−８５０℃で実施することで一炭化タングステンＷＣと半炭化タングステンＷ2Ｃとサブ炭化タングステンＷ12Ｃの内側層と外側のタングステン層で構成されている被膜を生じさせることを特徴とする上記２６記載の方法。