【手続補正書】
【提出日】平成19年7月13日(2007.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極と有機活性層とを備えた有機電子デバイスであって、
前記第１の電極が、前記第２の電極と比較して前記有機活性層の反対側に配置され、
前記第１の電極、前記第２の電極と正孔輸送層と電子輸送層と前記有機活性層とから選択される少なくとも１つの層が、小さいＬバックグラウンドを達成するように構成されている
ことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極と正孔輸送層と電子輸送層と有機活性層とから選択される少なくとも１つの層を形成するステップを含んでなる有機電子デバイスの作製方法であって、
前記第１の電極が、前記第２の電極と比較して前記有機活性層の反対側に形成され、
前記少なくとも１つの層が、小さいＬバックグラウンドを達成するように形成される
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
有機活性層と
前記有機活性層の対向側に１つの側面を有する第１の電極と
を備えた有機電子デバイスであって、
前記第１の電極が、前記有機活性層の対向側の該側面に位置する第１の電極層を備えており、
前記第１の電極層が、小さいＬバックグラウンドを達成するように構成されている
ことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項４】
有機活性層を形成するステップと、
前記有機活性層の対向側に１つの側面を有する第１の電極を形成するステップと
を含んでなる有機電子デバイスの作製方法であって、
前記第１の電極が、前記有機活性層の対向側の該側面に位置する第１の電極層を含んでなり、
前記第１の電極層が、小さいＬバックグラウンドを達成するように形成される
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
反射された周囲放射線の特定の波長を決定するステップと、
特定の波長で第１の材料のηを決定するステップと、
前記第１の材料の第１の層の厚さの範囲を決定するステップと
を含んでなる有機電子デバイスの作製方法であって、
前記厚さの範囲がｄ１〜ｄ２であって、ｄ１およびｄ２が、
２ηｄ１ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋１／４）／λ  （式１）
２ηｄ２ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋３／４）／λ  （式２）
によって決定され、式中、
ηは、特定の波長（λ）での前記第１の層の前記第１の材料の屈折率であり、
ｄ１は、前記第１の層の第１の厚さであり、
ｄ２は、前記第１の層の第２の厚さであり、
θは、入射光の角度であり、
φは、λのとき理想的な反射物によって反射される放射線の全位相変化であり、
ｍは、整数であり、
λは、特定の波長である
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
特定の波長で第１の層の第１の材料のηｘを決定するステップと、
特定の波長で前記第１の層に直接隣接する第２の層の第２の材料のηｙを決定するステップと
を含んでなる有機電子デバイスの作製方法であって、
前記第１と第２の層での界面反射率が約３０パーセント以下であって、前記界面反射率が、
【数１】
2007505469.tif 000001
によって決定されることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
利点、他の長所、および問題の解決策は、特定の実施形態に関して上記してきた。しかし、利点、長所、問題の解決策、並びに、利点、長所、または見出される解決策を生じ得るか、あるいはより顕著になり得るあらゆる構成要素は、特許請求の範囲のいずれかもしくは全ての必須の特徴、必要な特徴、または本質的な特徴、あるいは構成要素と解釈されるべきではない。  
以下に、本発明の好ましい態様を示す。  
１．  第１の電極と第２の電極と有機活性層とを備えた有機電子デバイスであって、
前記第１の電極が、前記第２の電極と比較して前記有機活性層の反対側に配置され、
前記第１の電極、前記第２の電極と正孔輸送層と電子輸送層と前記有機活性層とから選択される少なくとも１つの層が、小さいＬバックグラウンドを達成するように構成されている
ことを特徴とする有機電子デバイス。  
２．  前記少なくとも１つの層がｄ１〜ｄ２の範囲の厚さを有しており、ｄ１およびｄ２が、
２ηｄ１ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋１／４）／λ  （式１）
２ηｄ２ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋３／４）／λ  （式２）
によって決定され、式中、
ηは、特定の波長（λ）での前記少なくとも１つの層の材料の屈折率であり、
ｄ１は、前記少なくとも１つの層の第１の厚さであり、
ｄ２は、前記少なくとも１つの層の第２の厚さであり、
θは、入射光の角度であり、
φは、λのとき理想的な反射物によって反射される放射線の全位相変化であり、
ｍは、整数であり、
λは、特定の波長である
ことを特徴とする１に記載の有機電子デバイス。  
３．  界面反射率が約３０パーセント以下であって、前記界面反射率が、
【数２】
2007505469.tif 000002
によって決定され、式中、
ηｘは、前記少なくとも１つの層の屈折率であり、
ηｙは、前記少なくとも１つの層に直接隣接して位置する異なる層の屈折率である
ことを特徴とする１に記載の有機電子デバイス。  
４．  第１の電極と第２の電極と正孔輸送層と電子輸送層と有機活性層とから選択される少なくとも１つの層を形成するステップを含んでなる有機電子デバイスの作製方法であって、
前記第１の電極が、前記第２の電極と比較して前記有機活性層の反対側に形成され、
前記少なくとも１つの層が、小さいＬバックグラウンドを達成するように形成される
ことを特徴とする方法。  
５．  前記少なくとも１つの層がｄ１〜ｄ２の範囲の厚さを有しており、ｄ１およびｄ２が、
２ηｄ１ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋１／４）／λ  （式１）
２ηｄ２ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋３／４）／λ  （式２）
によって決定され、式中、
ηは、特定の波長（λ）での前記少なくとも１つの層の材料の屈折率であり、
ｄ１は、前記少なくとも１つの層の第１の厚さであり、
ｄ２は、前記少なくとも１つの層の第２の厚さであり、
θは、入射光の角度であり、
φは、λのとき理想的な反射物によって反射される放射線の全位相変化であり、
ｍは、整数であり、
λは、特定の波長である
ことを特徴とする４に記載の方法。  
６．  界面反射率が約３０パーセント以下であって、前記界面反射率が、
【数３】
2007505469.tif 000003
によって決定され、式中、
ηｘは、前記少なくとも１つの層の屈折率であり、
ηｙは、前記少なくとも１つの層に直接隣接して位置する異なる層の屈折率である
ことを特徴とする４に記載の方法。  
７．  有機活性層と
前記有機活性層の対向側に１つの側面を有する第１の電極と
を備えた有機電子デバイスであって、
前記第１の電極が、前記有機活性層の対向側の該側面に位置する第１の電極層を備えており、
前記第１の電極層が、小さいＬバックグラウンドを達成するように構成されている
ことを特徴とする有機電子デバイス。  
８．  第２の電極をさらに備えた有機電子デバイスであって、
前記有機活性層が、前記第１の電極と前記第２の電極の間に配置され、
第２の電極が、前記有機活性層の対向側に１つの側面を有し、
前記第２の電極が、前記有機活性層の対向側の該側面に位置する第２の電極層を備えており、
前記第２の電極層が、小さいＬバックグラウンドを達成するように構成されている
ことを特徴とする７に記載の有機電子デバイス。  
９．  前記第１の電極層がｄ１〜ｄ２の範囲の厚さを有しており、ｄ１およびｄ２が、
２ηｄ１ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋１／４）／λ  （式１）
２ηｄ２ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋３／４）／λ  （式２）
によって決定され、式中、
ηは、特定の波長（λ）での前記第１の電極層の材料の屈折率であり、
ｄ１は、前記第１の電極層の第１の厚さであり、
ｄ２は、前記第１の電極層の第２の厚さであり、
θは、入射光の角度であり、
φは、λのとき理想的な反射物によって反射される放射線の全位相変化であり、
ｍは、整数であり、
λは、特定の波長である
ことを特徴とする７に記載の有機電子デバイス。  
１０．  界面反射率が約３０パーセント以下であって、前記界面反射率が、
【数４】
2007505469.tif 000004
によって決定され、式中、
ηｘは、前記第１の電極層の屈折率であり、
ηｙは、前記第１の電極層に直接隣接して位置する材料の屈折率である
ことを特徴とする７に記載の有機電子デバイス。  
１１．  前記第１の電極層が、遷移金属および元素金属から選択される金属を含んでなることを特徴とする７に記載の有機電子デバイス。  
１２．  前記金属が、Ａｕ、Ｃｒ、Ｓｉ、およびＴａよりなる群から選択されることを特徴とする１１に記載の有機電子デバイス。  
１３．  前記第１の電極層が、前記金属の酸化物をさらに含んでなることを特徴とする１１に記載の有機電子デバイス。  
１４．  前記有機電子デバイスが、発光ディスプレイと放射線感受性デバイスと光伝導セルとフォトレジスタと光スイッチと光検出器とフォトトランジスタと光電管の群から選択されることを特徴とする１又は７に記載の有機電子デバイス。  
１５．  有機活性層を形成するステップと、
前記有機活性層の対向側に１つの側面を有する第１の電極を形成するステップと
を含んでなる有機電子デバイスの作製方法であって、
前記第１の電極が、前記有機活性層の対向側の該側面に位置する第１の電極層を含んでなり、
前記第１の電極層が、小さいＬバックグラウンドを達成するように形成される
ことを特徴とする方法。  
１６．  第２の電極を形成するステップをさらに含んでなる方法であって、
前記有機活性層が、前記第１の電極と前記第２の電極の間に位置し、
第２の電極が、前記有機活性層の対向側に１つの側面を有し、
前記第２の電極が、前記有機活性層の対向側の該側面に位置する第２の電極層を含んでなり、
前記第２の電極層が、小さいＬバックグラウンドを達成するように形成される
ことを特徴とする１５に記載の方法。  
１７．  前記第１の電極層がｄ１〜ｄ２の範囲の厚さを有しており、ｄ１およびｄ２が、
２ηｄ１ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋１／４）／λ  （式１）
２ηｄ２ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋３／４）／λ  （式２）
によって決定され、式中、
ηは、特定の波長（λ）での前記第１の電極層の材料の屈折率であり、
ｄ１は、前記第１の電極層の第１の厚さであり、
ｄ２は、前記第１の電極層の第２の厚さであり、
θは、入射光の角度であり、
φは、λのとき理想的な反射物によって反射される放射線の全位相変化であり、
ｍは、整数であり、
λは、特定の波長である
ことを特徴とする１５に記載の方法。  
１８．  界面反射率が約３０パーセント以下であって、前記界面反射率が、
【数５】
2007505469.tif 000005
によって決定され、式中、
ηｘは、前記第１の電極層の屈折率であり、
ηｙは、前記第１の電極層に直接隣接して位置する材料の屈折率である
ことを特徴とする１５に記載の方法。  
１９．  前記第１の電極層が、遷移金属および元素金属から選択される金属を含んでなることを特徴とする１５に記載の方法。  
２０．  前記金属が、Ａｕ、Ｃｒ、Ｓｉ、およびＴａよりなる群から選択されることを特徴とする１９に記載の方法。  
２１．  前記第１の電極層が、前記金属の酸化物をさらに含んでなることを特徴とする１９に記載の方法。  
２２．  反射された周囲放射線の特定の波長を決定するステップと、
特定の波長で第１の材料のηを決定するステップと、
前記第１の材料の第１の層の厚さの範囲を決定するステップと
を含んでなる有機電子デバイスの作製方法であって、
前記厚さの範囲がｄ１〜ｄ２であって、ｄ１およびｄ２が、
２ηｄ１ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋１／４）／λ  （式１）
２ηｄ２ｃｏｓ（θ）＋φ＝（ｍ＋３／４）／λ  （式２）
によって決定され、式中、
ηは、特定の波長（λ）での前記第１の層の前記第１の材料の屈折率であり、
ｄ１は、前記第１の層の第１の厚さであり、
ｄ２は、前記第１の層の第２の厚さであり、
θは、入射光の角度であり、
φは、λのとき理想的な反射物によって反射される放射線の全位相変化であり、
ｍは、整数であり、
λは、特定の波長である
ことを特徴とする方法。  
２３．  前記第１の層が、有機活性層と正孔輸送層と電子輸送層とよりなる群から選択されることを特徴とする２２に記載の方法。  
２４．  前記第１の層が複数の電極層のうちの１つであり、
前記電極が、前記有機活性層に対向する１つの側面を有するように形成され、
前記第１の層が、有機活性層の対向側の電極の該側面に位置するように形成される
ことを特徴とする２２に記載の方法。  
２５．  前記方法が、
特定の波長で第２の層の第２の材料のηｘを決定するステップと、
特定の波長で前記第２の層に直接隣接する第３の層の第３の材料のηｙを決定するステップと
をさらに含んでなり、
第２と第３の層での界面反射率が約３０パーセント以下であって、前記界面反射率が、
【数６】
2007505469.tif 000006
によって決定されることを特徴とする２２に記載の方法。  
２６．  特定の波長で第１の層の第１の材料のηｘを決定するステップと、
特定の波長で前記第１の層に直接隣接する第２の層の第２の材料のηｙを決定するステップと
を含んでなる有機電子デバイスの作製方法であって、
前記第１と第２の層での界面反射率が約３０パーセント以下であって、前記界面反射率が、
【数７】
2007505469.tif 000007
によって決定されることを特徴とする方法。  
２７．  前記有機電子デバイスが、発光ディスプレイと放射線感受性デバイスと光伝導セルとフォトレジスタと光スイッチと光検出器とフォトトランジスタと光電管の群から選択されることを特徴とする４、１５、２２又は２６に記載の方法。