【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体および第２の半導体の合金を含む濃度勾配量子ドットであって、第１の半導体の濃度が、該量子ドットのコアから該量子ドットの表面まで徐々に増大し、第２の半導体の濃度が、該量子ドットのコアから該量子ドットの表面まで徐々に減少する、濃度勾配量子ドット。
【請求項２】
少なくとも約１５%の量子収率を有する、請求項１に記載の濃度勾配量子ドット。
【請求項３】
前記第１の半導体および第２の半導体のうち少なくとも１つが、II族−VI族の半導体またはIII族−V族の半導体である、請求項１に記載の濃度勾配量子ドット。
【請求項４】
CdSeTe、CdSSe、CdSTe、ZnSeTe、ZnCdTe、CdHgS、HgCdTe、InGaAs、GaAlAsおよびInGaNからなる群より選択される合金を含む、請求項３に記載の濃度勾配量子ドット。
【請求項５】
前記合金が、CdSeTeを含みかつ分子式CdSe1-xTexを有するか、CdSSeを含みかつ分子式CdS1-xSexを有するか、CdSTeを含みかつ分子式CdS1-xTexを有するか、ZnSeTeを含みかつ分子式ZnSe1-xTexを有するか、ZnCdTeを含みかつ分子式Zn1-xCdxTeを有するか、CdHgSを含みかつ分子式Cd1-xHgxSを有するか、HgCdTeを含みかつ分子式HgCdTeを有するか、InGaAsを含みかつ分子式InGaAsを有するか、GaAlAsを含みかつ分子式GaAlAsを有するか、あるいは、InGaNを含みかつ分子式InGaNを有し、式中、ｘは０と１との間の任意の分率である、請求項４記載の濃度勾配量子ドット。
【請求項６】
前記合金がCdSeおよびCdTeを含む、請求項１に記載の濃度勾配量子ドット。
【請求項７】
生物学的因子にコンジュゲート化されている、請求項１に記載の濃度勾配量子ドット。
【請求項８】
ポリマービーズ内にカプセル化されている、請求項１に記載の濃度勾配量子ドット。
【請求項９】
濃度勾配量子ドットのシリーズであって、
各量子ドットが第１の半導体および第２の半導体の合金を含み、
各量子ドットについて、第１の半導体の濃度が、該量子ドットのコアから該量子ドットの表面まで徐々に増大し、第２の半導体の濃度が、該量子ドットのコアから該量子ドットの表面まで徐々に減少し、
該量子ドットのコアから該量子ドットの表面まで第１の半導体の濃度が増大する勾配および該量子ドットのコアから該量子ドットの表面まで第２の半導体の濃度が減少する勾配は、該シリーズの量子ドット間で変動し、
各量子ドットのサイズが平均サイズの量子ドットのサイズの約５％以内であり、かつ
各量子ドットが同じ半導体を含む、
濃度勾配量子ドットのシリーズ。
【請求項１０】
量子ドットの各々が少なくとも約１５％の量子収率を有する、請求項９に記載の濃度勾配量子ドットのシリーズ。
【請求項１１】
前記第１の半導体および第２の半導体のうち少なくとも１つが、II族−VI族の半導体またはIII族−V族の半導体である、請求項９に記載の濃度勾配量子ドットのシリーズ。
【請求項１２】
前記合金が、CdSeTeを含みかつ分子式CdSe1-xTexを有するか、CdSSeを含みかつ分子式CdS1-xSexを有するか、CdSTeを含みかつ分子式CdS1-xTexを有するか、ZnSeTeを含みかつ分子式ZnSe1-xTexを有するか、ZnCdTeを含みかつ分子式Zn1-xCdxTeを有するか、CdHgSを含みかつ分子式Cd1-xHgxSを有するか、HgCdTeを含みかつ分子式HgCdTeを有するか、InGaAsを含みかつ分子式InGaAsを有するか、GaAlAsを含みかつ分子式GaAlAsを有するか、あるいは、InGaNを含みかつ分子式InGaNを有し、式中、ｘは０と１との間の任意の分率である、請求項１１に記載の濃度勾配量子ドットのシリーズ。
【請求項１３】
前記半導体ドットの各々が生物学的因子にコンジュゲート化されている、請求項９に記載の濃度勾配量子ドットのシリーズ。
【請求項１４】
量子ドットの各々が異なる生物学的因子にコンジュゲート化されており、その結果、該異なる生物学的因子の各々が、第１の半導体および第２の半導体の独自の勾配を有する量子ドットに対応する、請求項１３に記載の濃度勾配量子ドットのシリーズ。
【請求項１５】
前記半導体ドットの各々が生物学的因子にコンジュゲート化されている、請求項１１に記載の濃度勾配量子ドットのシリーズ。
【請求項１６】
前記量子ドットの各々がポリマービーズ内にカプセル化されている、請求項９に記載の濃度勾配量子ドットのシリーズ。
【請求項１７】
サンプル中の標的を検出する方法であって、
(i)サンプルを請求項７に記載の濃度勾配量子ドットと接触させる工程であって、生物学的因子がサンプル中の標的と特異的に結合する、工程、
(ii)該生物学的因子を標的と特異的に結合させる工程、および
(iii)分光法を介してサンプルを分析することによってサンプルの分光シグネチャーを得る工程であって、該分光シグネチャーがサンプル中の標的の存在または非存在を示す、工程、
を含む、方法。
【請求項１８】
サンプル中の１つより多い標的を検出する方法であって、
(i)サンプルを請求項１３に記載の濃度勾配量子ドットのシリーズと接触させる工程であって、生物学的因子の各々がサンプル中の異なる標的と特異的に結合する、工程、
(ii)該生物学的因子を標的と特異的に結合させる工程、
(iii)分光法を介してサンプルを分析することによってサンプルの分光シグネチャーを得る工程であって、該分光シグネチャーがサンプル中の１つより多い標的の存在または非存在を示す、工程、
を含む、方法。
【請求項１９】
第１の半導体ABおよび第２の半導体ACを含む、三元濃度勾配量子ドットを作製する方法であって、Aは、第１の半導体および第２の半導体に共通する種であり、BおよびCは各々、第１の半導体および第２の半導体のうち１つのみにおいて見出される種であり、該方法は、
(i)ナノ結晶の形成を引き起こす条件下に第１の溶液を提供する工程、
(ii)ナノ結晶の形成を引き起こさない条件下に、A、BおよびCを一定のモル比で含む第２の溶液を提供する工程であって、BおよびCの各々は、反応を限定する濃度で第２の溶液中に存在する、工程、
(iii)第２の溶液を第１の溶液に添加することによってナノ結晶の形成を引き起こす工程、および
(iv)該条件をナノ結晶の成長および形成を停止させる条件に変更する工程、
を含む、方法。
【請求項２０】
三元濃度勾配量子ドットのシリーズを作製する方法であって、各量子ドットは第１の半導体ABおよび第２の半導体ACを含み、Aは第１の半導体および第２の半導体に共通する種であり、BおよびCは各々、第１の半導体および第２の半導体のうち１つのみにおいて見出される種であり、該方法は、
(i)ナノ結晶の形成を引き起こす条件下に第１の溶液を提供する工程、
(ii)ナノ結晶の形成を引き起こさない条件下に、A、BおよびCを一定のモル比で含む第２の溶液を提供する工程であって、BおよびCの各々は、反応を限定する濃度で第２の溶液中に存在する、工程、
(iii)第２の溶液を第１の溶液に添加することによってナノ結晶の形成を引き起こす工程、
(iv)該条件をナノ結晶の成長および形成を停止させる条件に変更する工程、および
(v)工程(i)〜(iv)を少なくとも１回反復することによって、該シリーズの少なくとも１つの他の量子ドットを作製する工程であって、各回において、A、BおよびCのモル比は、該シリーズの他の量子ドットのA、BおよびCのモル比とは異なる、工程、
を含む、方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の合金化された半導体量子ドットを有する、光電子デバイス。
【請求項２２】
当該デバイスが、発光ダイオードまたは太陽電池である、請求項２１に記載の光電子デバイス。
【請求項２３】
上記量子ドットがバルク半導体材料の代わりに使用されている、請求項２１に記載の光電子デバイス。
【請求項２４】
請求項９に記載の合金化された半導体量子ドットを有する、光電子デバイス。
【請求項２５】
当該デバイスが、発光ダイオードまたは太陽電池である、請求項２４に記載の光電子デバイス。
【請求項２６】
上記量子ドットがバルク半導体材料の代わりに使用されている、請求項２４に記載の光電子デバイス。