(57)【要約】【課題】内蔵する電子部品から発生する熱を放熱することができるようにする。【解決手段】電子回路基板５１は、上から順に、回路基板６１、スペーサ基板６３−１および６３−２、並びに、電子部品６４が配置される回路基板６２が積層されて構成される。回路基板６２の最上面６２ａには、左から順に、スペーサ基板６３−１、電子回路６４、およびスペーサ基板６３−２が配置、接続されている。回路基板６１には、回路基板６２に配置、接続されている電子部品６４の略真上に、回路基板６１の最上面６１ａから、最下面６１ｂまでを貫通する貫通孔６５が形成されている。そして、貫通孔６５の内部、および貫通孔６５と電子部品６４の間には、電子部品６４の上面６４ａを覆うように、放熱樹脂６６が充填されている。本発明は、２以上の回路基板の間に電子部品が内蔵される電子回路基板に適用できる。【選択図】図３
2006054274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が配置される２以上の回路基板により構成される電子回路装置であって、
第１の回路基板と第２の回路基板との間において、前記第１の回路基板および前記第２の回路基板を相互に接続させるスペーサ基板と、
前記第１の回路基板と第２の回路基板との間において、前記第１の回路基板に、活性面側で接続される電子部品と、
前記第１の回路基板に対向する前記第２の回路基板に形成された、前記電子部品が接続される前記第１の回路基板に対向する一方の面から他方の面までを貫通する１以上の貫通孔と
を備えることを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
前記電子部品は、半導体チップ、または、チップ型電子部品である
ことを特徴とする請求項１に記載の電子回路装置。
【請求項３】
前記貫通孔の内部、および、前記貫通孔と前記電子部品の前記第２の回路基板に対向する面との間は、熱導電性の高い樹脂で充填されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子回路装置。
【請求項４】
前記貫通孔と前記電子部品の前記第２の回路基板に対向する面との間に充填された前記樹脂に接し、かつ、前記貫通孔の内壁に接するようにメッキで形成された導電部を
さらに備えることを特徴とする請求項３に記載の電子回路装置。
【請求項５】
前記第２の回路基板の前記他方の面に、前記導電部と接するファンを
さらに備えることを特徴とする請求項４に記載の電子回路装置。
【請求項６】
前記第２の回路基板の前記一方の面と、前記第２の回路基板の前記他方の面を電気的に接続するように、前記第２の回路基板の前記一方の面から前記貫通孔の内壁に接するようにメッキで形成された導電部を
さらに備え、
少なくとも前記第２の回路基板の前記一方の面に形成された前記導電部と、前記電子部品の前記第２の回路基板に対向する面との間は、熱導電性の高い樹脂で充填されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子回路装置。
【請求項７】
前記第２の回路基板の前記他方の面に、前記導電部と接するファンを
さらに備えることを特徴とする請求項６に記載の電子回路装置。
【請求項８】
前記電子部品の前記第２の回路基板に対向する面に接し、前記第２の回路基板に形成された前記貫通孔を通過し、前記第２の回路基板の前記他方の面から突出する金属板と、
前記金属板に接するファンとを
さらに備えることを特徴とする請求項１に記載の電子回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路装置に関し、特に、内蔵する電子部品から発生する熱を放熱することができるようにした電子回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体チップなどの電子部品の高密度、高集積化を図るために電子部品が内蔵される多層基板が製造されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
従来の電子部品が内蔵される多層基板の製造方法について、図１および図２の工程図を参照して、順を追って簡単に説明する。
【０００４】
図１Ａは、基板１を示している。基板１は、その一方の面（図中上方の面）が銅箔２により配線されて、その結果、回路が形成されている。
【０００５】
回路が形成された基板１上に、図１Ｂに示されるように、図示せぬ電極部にバンプ４が形成された半導体チップ３が活性面（デバイス面）を下にして配置され、はんだや導電ペーストなどの接合材料により固定され、銅箔２で形成された回路と電気的に接続される。さらに、この基板１においては、半導体チップ３と基板１の接続強度を高め、湿気などの進入を防ぐため、半導体チップ３と基板１の間には、封止樹脂５が充填されている。
【０００６】
次に、図１Ｃに示されるように、半導体チップ３が固定された基板１上が、樹脂６を塗布することにより平坦化され、樹脂６により平坦化された基板１上に、銅箔７により配線され、回路が形成され、さらに、基板８が積層される。
【０００７】
そして、図２Ｄにおいては、基板８が積層された基板１（半導体チップ３がない位置）に、一方の面から他方の面までを貫通する貫通孔が形成され、形成された貫通孔が、銅などの導電性の材料により一括してメッキされることにより、スルーホール９が形成されるとともに、基板８の上面には、スルーホール９と電気的に接続される回路が銅箔１０により形成され、基板１の下面には、スルーホール９と電気的に接続される回路が銅箔１１により形成され、多層基板２１が製造される。
【０００８】
以上のように、従来は、多層基板２１の一部として、半導体チップ３が多層基板２１に内蔵され、多層基板２１が製造されていた。
【０００９】
一方、近年、携帯端末や情報家電分野においては、小型軽量化や高機能化に対する要求が強く、内蔵される電子部品の高性能化が求められており、内蔵される電子部品に、高発熱を発生するものが多くなってきている。
【００１０】
【特許文献１】特表平７−１０７９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述した従来の多層基板２１においては、内蔵される半導体チップ３は、樹脂６により平坦化されていたり、基板１や基板８により囲まれているため、半導体チップ３自身が発熱した熱を、外へ逃がすことが困難である課題があった。
【００１２】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、内蔵する電子部品から発生する熱を放熱することができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の電子回路装置は、第１の回路基板と第２の回路基板との間において、第１の回路基板および第２の回路基板を相互に接続させるスペーサ基板と、第１の回路基板と第２の回路基板との間において、第１の回路基板に、活性面側で接続される電子部品と、第１の回路基板に対向する第２の回路基板に形成された、電子部品が接続される第１の回路基板に対向する一方の面から他方の面までを貫通する１以上の貫通孔とを備えることを特徴とする。
【００１４】
電子部品は、半導体チップ、または、チップ型電子部品であるようにすることができる。
【００１５】
貫通孔の内部、および、貫通孔と電子部品の第２の回路基板に対向する面との間は、熱導電性の高い樹脂で充填されているようにすることができる。
【００１６】
貫通孔と電子部品の第２の回路基板に対向する面との間に充填された樹脂に接し、かつ、貫通孔の内壁に接するようにメッキで形成された導電部をさらに備えるようにすることができる。
【００１７】
第２の回路基板の他方の面に、導電部と接するファンをさらに備えるようにすることができる。
【００１８】
第２の回路基板の一方の面と、第２の回路基板の他方の面を電気的に接続するように、第２の回路基板の一方の面から貫通孔の内壁に接するようにメッキで形成された導電部をさらに備え、少なくとも第２の回路基板の一方の面に形成された導電部と、電子部品の第２の回路基板に対向する面との間は、熱導電性の高い樹脂で充填されているようにすることができる。
【００１９】
第２の回路基板の他方の面に、導電部と接するファンをさらに備えるようにすることができる。
【００２０】
電子部品の第２の回路基板に対向する面に接し、第２の回路基板に形成された貫通孔を通過し、第２の回路基板の他方の面から突出する金属板と、金属板に接するファンとをさらに備えるようにすることができる。
【００２１】
本発明においては、第１の回路基板と第２の回路基板との間において、スペーサ基板が、第１の回路基板および第２の回路基板を相互に接続させ、電子部品が、第１の回路基板に活性面で接続される。そして、電子部品が接続される第１の回路基板に対向する第２の回路基板に、第１の回路基板に対向する一方の面から他方の面までを貫通する１以上の貫通孔が形成される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、内蔵する電子部品から発生する熱を放熱することができる。また、本発明によれば、自身が発熱する熱による電子部品の異常な動作を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に本発明の実施の形態を説明するが、請求項に記載の構成要件と、発明の実施の形態における具体例との対応関係を例示すると、次のようになる。この記載は、請求項に記載されている発明をサポートする具体例が、発明の実施の形態に記載されていることを確認するためのものである。したがって、発明の実施の形態中には記載されているが、構成要件に対応するものとして、ここには記載されていない具体例があったとしても、そのことは、その具体例が、その構成要件に対応するものではないことを意味するものではない。逆に、具体例が構成要件に対応するものとしてここに記載されていたとしても、そのことは、その具体例が、その構成要件以外の構成要件には対応しないものであることを意味するものでもない。
【００２４】
さらに、この記載は、発明の実施の形態に記載されている具体例に対応する発明が、請求項に全て記載されていることを意味するものではない。換言すれば、この記載は、発明の実施の形態に記載されている具体例に対応する発明であって、この出願の請求項には記載されていない発明の存在、すなわち、将来、分割出願されたり、補正により追加される発明の存在を否定するものではない。
【００２５】
請求項１に記載の電子回路装置（例えば、図３の電子回路装置５１）は、第１の回路基板（例えば、図３の回路基板６２）と第２の回路基板（例えば、図３の回路基板６１）との間において、第１の回路基板および第２の回路基板を相互に接続させるスペーサ基板（例えば、図３のスペーサ基板６３−１）と、第１の回路基板と第２の回路基板との間において、第１の回路基板に、活性面側で接続される電子部品（例えば、図３の電子部品６４）と、第１の回路基板に対向する第２の回路基板に形成された、電子部品が接続される第１の回路基板に対向する一方の面（例えば、図３の最下面６１ｂ）から他方の面（例えば、図３の最上面６１ａ）までを貫通する１以上の貫通孔（例えば、図３の貫通孔６５）とを備えることを特徴とする。
【００２６】
請求項３に記載の電子回路装置は、貫通孔の内部、および、貫通孔と電子部品の第２の回路基板に対向する面（例えば、図３の上面６４ａ）との間は、熱導電性の高い樹脂（例えば、図３の放熱樹脂６６）で充填されていることを特徴とする。
【００２７】
請求項４に記載の電子回路装置（例えば、図６の電子回路装置１３１）は、貫通孔と電子部品の第２の回路基板に対向する面との間に充填された樹脂に接し、かつ、貫通孔の内壁に接するようにメッキで形成された導電部（例えば、図６のスルーホール１４１）をさらに備えることを特徴とする。
【００２８】
請求項６に記載の電子回路装置（例えば、図７の電子回路装置１７１）は、第２の回路基板の一方の面（例えば、図７の最下面６１ｂ）と、第２の回路基板の他方の面（例えば、図７の最上面６１ａ）を電気的に接続するように、第２の回路基板の一方の面から貫通孔（例えば、図７の貫通孔１８１）の内壁に接するようにメッキで形成された導電部（例えば、図７の放熱ビア１８２）をさらに備え、少なくとも第２の回路基板の一方の面に形成された導電部（例えば、図７の金属薄膜１８２ｂ）と、電子部品の第２の回路基板に対向する面（例えば、図３の上面６４ａ）との間は、熱導電性の高い樹脂（例えば、図７の放熱樹脂１８３）で充填されていることを特徴とする。
【００２９】
請求項８に記載の電子回路装置（例えば、図８の電子回路装置２０１）は、電子部品の第２の回路基板に対向する面に接し、第２の回路基板に形成された貫通孔（例えば、図８の貫通孔２１１）を通過し、第２の回路基板（例えば、図８の回路基板６１）の他方の面（例えば、図８の最上面６１ａ）から突出する金属板（例えば、図８のヒートシンク２１２）と、金属板に接するファン（例えば、図８のファン２１３）とをさらに備えることを特徴とする。
【００３０】
以下、図を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００３１】
図３は、本発明の電子回路基板の構成を示す側断面図である。
【００３２】
電子回路基板５１は、上から順に、回路基板６１、スペーサ基板６３−１および６３−２、並びに、電子部品６４が配置される回路基板６２が積層されて構成される。以下、スペーサ基板６３−１および６３−２を個々に区別する必要がない場合、まとめてスペーサ基板６３と称する。
【００３３】
回路基板６１および６２は、ガラスエポキシなどの電気絶縁体を素材とした絶縁板に銅箔の電気回路（図示せず）が形成されたリジット基板などが３層に積層されて構成されている。なお、回路基板６１および６２を構成するリジット基板は、１層であってもよいし、３層以上で形成されていてもよく、リジット基板に形成される電気回路は、積層されるすべてのリジット基板に形成されていなくてもよい。
【００３４】
回路基板６２の最上面６２ａ（回路基板６１と対向する面）には、図中、左から順に、スペーサ基板６３−１、電子回路６４、およびスペーサ基板６３−２が配置されている。具体的には、回路基板６２の最上面６２ａには、スペーサ基板６３−１、電子部品６４、およびスペーサ基板６３−２の下面（回路基板６２と対向する面）に形成される図示せぬランドと対応して、図示せぬランドが形成されており、回路基板６２の最上面６２ａに形成されるランドと、スペーサ基板６３−１、電子部品６４、およびスペーサ基板６３−２の下面に形成されるランドは、それぞれ、接合部材７１−１、接合部材７３、および接合部材７１−２により電気的、かつ機械的（物理的）に相互に接続されている。
【００３５】
回路基板６１の最下面６１ｂ（回路基板６２と対向する面）には、スペーサ基板６３−１，６３−２の上面（回路基板６１と対向する面）に形成される図示せぬランドと対応して、図示せぬランドが形成されており、回路基板６１の最下面６１ｂに形成されるランドと、スペーサ基板６３−１および６３−２の上面に形成されるランドは、それぞれ、はんだなどの接合部材７２−１および７２−２により電気的、かつ機械的に相互に接続されている。
【００３６】
また、回路基板６１には、回路基板６２に配置、接続されている電子部品６４の略真上に、回路基板６１の最上面６１ａから、最下面６１ｂまでを貫通する貫通孔６５が形成されている。そして、貫通孔６５の内部、および貫通孔６５と電子部品６４の間には、電子部品６４の上面（回路基板６１と対向する面）６４ａを覆うように、放熱樹脂６６が充填されている。貫通孔６５は、放熱樹脂６６を充填することができる大きさであればよく、例えば、１乃至２ｍｍの大きさで形成される。放熱樹脂６６は、加熱などにより電子回路基板５１から剥がすことが可能な樹脂で構成される。
【００３７】
スペーサ基板６３は、回路基板６１および６２と同様に、リジット基板などからなり、回路基板６１および６２を電気的に接続する機能と、回路基板６１および６２の間を一定の厚さで構成する機能を有している。すなわち、スペーサ基板６３の厚さに応じて、回路基板６１と回路基板６２間は、０．４乃至１．６ｍｍの厚さにすることができ、これにより、回路基板６１と回路基板６２間に、その厚さよりも薄い電子部品６４を内蔵させることができる。また、スペーサ基板６３の上下面には、回路基板６１および６２と電気的、かつ機械的に接続するために必要な金属薄膜からなるランド（図示せぬ）が形成されている。
【００３８】
電子部品６４は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、メモリ、またはＤＳＰ（Digital Signal Processor）などの高熱性の半導体チップを、活性面を下にして基板にパッケージングされたチップ型電子部品などで構成されており、電子部品６４の下面（回路基板６２と対向する面）には、金属薄膜からなるランド（図示せぬ）が形成されている。
【００３９】
以上のように、電子回路基板５１においては、積層される回路基板６１および６２の間に、スペーサ基板６３を配置して、高熱性の電子部品６４を内蔵し、内蔵した電子部品６４の活性面とは反対の面側の回路基板６１に貫通孔６５を形成し、さらに、電子部品６４の上面（活性面とは反対側の面）６４ａを覆うように、貫通孔６５の内部と、貫通孔６５および電子部品６４の間に、放熱樹脂６６を充填するようにしたので、電子部品６４が発生する熱は、放熱樹脂６６、および貫通孔６５を介して、回路基板６１に銅箔などで形成される電気回路に拡散される。このとき、回路基板６１に形成される電気回路は、接地ともなる。
【００４０】
これにより、積層される回路基板６１および６２の間に、高熱性の電子部品６４を内蔵したとしても、積極的に熱を逃がすことができるので、熱による電子部品６４の異常な動作などを抑制することが可能である。
【００４１】
さらに、放熱樹脂６６の充填により貫通孔６５が封鎖されるので、埃やチリなどの異物が混入されるのを防ぐことが可能である。
【００４２】
なお、図３の電子回路基板５１においては、電子部品６４の略真上の回路基板６１に貫通孔６５を形成するようにしたが、貫通孔６５の形成位置は、電子部品６４の略真上に限らず、貫通孔６５および電子部品６４の間に放熱樹脂６６が充填可能な位置であればよい。放熱樹脂６６も、少なくとも、貫通孔６５の内壁と、電子回路６４の上面６４ａに接していればよく、例えば、回路基板６１および６２間すべてに放熱樹脂６６を充填するようにしてもよい。
【００４３】
ただし、電子部品６４の略真上の回路基板６１に貫通孔６５を形成し、電子回路６４の上面６４ａを覆うように、貫通孔６５内部と、貫通孔６５と電子部品６４の間に放熱樹脂６６を充填した場合には、放熱効率が向上し、さらに、放熱樹脂６６の量が必要最小限となるため、コストの低減を推進することができる。
【００４４】
また、図３の電子回路５１においては、放熱樹脂６６が貫通孔６５に擦り切れに充填されているが、回路基板６１の最上面６１ａに少しあふれるように充填してもよい。
【００４５】
図４は、図３の電子回路基板５１の水平方向の断面図を示している。すなわち、スペーサ基板６３および電子回路６４が配置、接続される回路基板６２の最上面６２ａを上から見た図である。なお、図４の例においては、放熱樹脂６６の図示は省略されている。
【００４６】
図４の例の場合、回路基板６２の最上面６２ａに、スペーサ基板６３−１乃至６３−３、並びに電子部品６４−１および６４−２が配置され、接続されている。すなわち、図３の例においては、スペーサ基板６３−３は、スペーサ基板６３−１の奥に配置されているため図示されておらず、同様に、電子部品６４−２は、電子部品６４（６４−１）の奥に配置されているため図示されていないだけである。
【００４７】
このように、スペーサ基板６３は、回路基板６２の端３箇所、あるいは、４隅の配置されることが多く、回路基板６２の最上面６２ａのスペーサ基板６３以外の位置には、電子回路６４を配置することができる。
【００４８】
なお、図４の例において、スペーサ基板６３に示される丸は、図３を参照して上述したランドを表している。
【００４９】
次に、図５を参照して、図３の回路基板６１および６２へのスペーサ基板６３の接続例を説明する。
【００５０】
図５の例においては、回路基板６１の最下面６１ｂに銅箔などで３個のランド(金属薄膜)９１が形成されており、ランド９１と対応して、回路基板６２の最上面６２ａに銅箔などで３個のランド９２が形成されている。また、スペーサ基板６３には、ランド９１に対応するランド９３ａ、およびランド９２に対応するランド９３ｂと一体化したスルーホール９３が形成されており、ランド９１とランド９３ａ（スルーホール９３）がはんだ９４−１により接続され、ランド９２とランド９３ｂ（スルーホール９３）がはんだ９４−２により接続されることにより、回路基板６１およびスペーサ基板６３、並びに回路基板６２およびスペーサ基板６３が、電気的かつ機械的に接続される。これにより、回路基板６１および６２は、電気的に接続される。
【００５１】
なお、スルーホール９３は、スペーサ基板６３において、ランド９１および９２に対応する位置に、一方の面（上面）から他方の面（下面）までを貫通する貫通孔が形成され、銅などによりメッキされて、貫通孔の内部の周壁に接して金属薄膜９３ｃが形成され、かつ、上面のランド９３ａおよび下面のランド９３ｂが、貫通孔の金属薄膜９３ｃと一体的にメッキされて形成されることにより、形成される。
【００５２】
図５Ｂの例においては、回路基板６１の最下面６１ｂに銅箔などで３個のランド９１が形成されており、ランド９１と対応して、回路基板６２の最上面６２ａに銅箔などで３個のランド９２が形成されている。また、スペーサ基板６３には、ランド９１に対応するランド９３ａ、およびランド９２に対応するランド９３ｂと一体化したスルーホール９３が形成されており、ランド９１とランド９３ａ（スルーホール９３）が、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）などの金属ペースト１０１−１により接続され、ランド９２とランド９３ｂ（スルーホール９３）が金属ペースト１０１−２により接続されることにより、回路基板６１およびスペーサ基板６３、並びに回路基板６２およびスペーサ基板６３が、電気的かつ機械的に接続される。これにより、回路基板６１および６２は、電気的に接続される。
【００５３】
さらに、図５Ｂの例の場合、回路基板６１および回路基板６２とスペーサ基板６３との接続強度を高め、湿気などの進入を防ぐため、回路基板６１の最下面６１ｂとスペーサ基板６３との間、および回路基板６２の最上面６２ａとスペーサ基板６３との間には、それぞれ封止樹脂１０２−１および１０２−２（ハッチング部分）が充填されている。
【００５４】
図５Ｃの例においては、回路基板６１の最下面６１ｂに銅箔などで３個のランド９１が形成されており、ランド９１と対応して、回路基板６２の最上面６２ａに銅箔などで３個のランド９２が形成されている。また、スペーサ基板６３には、ランド９１に対応するランド９３ａ、およびランド９２に対応するランド９３ｂと一体化したスルーホール９３が形成されており、ランド９１とランド９３ａ（スルーホール９３）に、バインダ（絶縁性樹脂）１１１−１および導電粒子１１２−１で構成される異方性導電フィルム（ＡＣＦ;Anisotropic Con-ductive Film）が圧着され、ランド９２とランド９３ｂ（スルーホール９３）に、バインダ１１１−２および導電粒子１１２−２で構成される異方性導電フィルムが圧着されることにより、回路基板６１およびスペーサ基板６３、並びに回路基板６２およびスペーサ基板６３が、電気的かつ機械的に接続される。これにより、回路基板６１および６２は、電気的に接続される。
【００５５】
この場合、ランド９１とランド９３ａは、その間に存在する導電粒子１０２−１により電気的に接続され、ランド９２とランド９３ｂは、その間に存在する導電粒子１０２−２により電気的に接続されている。
【００５６】
これらのはんだ、金属ペースト、および異方性導電フィルムは、加熱または加圧処理により取り外しが可能な材料で生成されている。
【００５７】
以上の接続方法を比較すると、図５Ａのはんだ９４−１および９４−２の場合、接続のための専用の設備が必要なく、金属ペーストや異方性導電フィルムよりも接続抵抗が低く、接続ピッチが広い特徴がある。図５Ｂの金属ペースト１０１−１および１０１−２の場合、はんだよりも接続コスト、接続抵抗が高く、接続ピッチが狭いという特徴がある。図５Ｃの異方性導電フィルムの場合、はんだよりも接続コストが高く、接続ピッチが狭い特徴があり、さらに、圧着専用の設備が必要とされる。
【００５８】
なお、基板回路６１および６２とスペーサ基板６３は、上述した接続方法に限らず、これら以外の接続方法で接続されるようにしてもよい。
【００５９】
図６は、本発明の電子回路基板の他の構成を示す側断面図である。なお、図６の電子回路基板１３１は、貫通孔６５にスルーホール１４１が形成されている点を除いて、その他の構成は、上述した図３の電子回路基板５１と同様の構成である。
【００６０】
すなわち、電子回路基板１３１においては、回路基板６１の貫通孔６５には、最上面６１ａの金属薄膜１４１ａ、および最下面６１ｂの金属薄膜１４１ｂと一体化したスルーホール１４１が形成されている。そして、スルーホール１４１が形成されている貫通孔６５の内部、および貫通孔６５（金属薄膜１４１ｂ）と、電子部品６４の間には、電子部品６４の上面６４ａを覆うように、放熱樹脂６６が充填されている。
【００６１】
このスルーホール１４４は、銅などによりメッキされて、貫通孔６５の内部の周壁に接して、金属薄膜１４１ｃが形成され、回路基板６１の最上面６１ａに金属薄膜１４１ａが貫通孔６５の金属薄膜１４１ｃと一体的にメッキされて形成され、最下面６１ｂに金属薄膜１４１ｂが、貫通孔６５の金属薄膜１４１ｃと一体的にメッキされて形成されることで、形成される。なお、図６の例の場合、最下面６１ｂの金属薄膜１４１ｂは、電子部品６４と略同じ大きさに形成されている。
【００６２】
以上のように、電子回路基板１３１においては、スルーホール１４４が形成されている貫通孔６５の内部、および金属薄膜１４１ｂ（最下面６１ｂにおける貫通孔６５の開口部）と電子部品６４の間に、電子部品６４の上面６４ａを覆うように、放熱樹脂６６を充填するようにしたので、電子部品６４が発生する熱は、放熱樹脂６６、およびスルーホール１４１を介して、回路基板６１に銅箔などで形成される電気回路に拡散される。
【００６３】
すなわち、電子回路基板１３１においては、金属薄膜１４１ａ乃至１４１ｃからなるスルーホール１４１が形成されることで、放熱樹脂６６だけの電子回路基板５１よりも熱伝導率が向上され、電子部品６４から発生される熱を効率よく放熱させることができる。
【００６４】
さらに、電子回路基板１３１において、回路基板６１上に、最上面６１ａに形成される金属薄膜１４１ａ上に接するように、図８を参照して後述する放熱用のファンを配置、固定するようにしてもよい。これにより、電子部品６４により発生され、放熱樹脂６６、およびスルーホール１４１に拡散された熱を、ファンにより急速に冷却させることができる。
【００６５】
なお、図６の例においては、放熱樹脂６６との接触を多くし、放熱効果を大きくするために、下面６１ｂの金属薄膜１４１ｂを、電子部品６４と略同じ大きさに形成するようにしたが、放熱樹脂６６と接する大きさであれば、電子部品６４と略同じ大きさに限定されない。
【００６６】
図７は、本発明の電子回路基板の他の構成を示す側断面図である。なお、図７の電子回路基板１７１は、貫通孔６５の代わりに、貫通孔１８１が形成され、貫通孔１８１に放熱ビア１８２が形成されている点を除いて、その他の構成は、上述した図３の電子回路基板５１と同様の構成である。
【００６７】
すなわち、電子回路基板１７１の回路基板６１には、回路基板６２に配置、接続されている電子部品６４の略真上に、回路基板６１の最上面６１ａから、最下面６１ｂまでを貫通する３つの貫通孔１８１が形成されており、貫通孔１８１には、最上面６１ａの金属薄膜１８２ａ、貫通孔１８１内の金属薄膜１８２ｃ、および最下面６１ｂの金属薄膜１８２ｂからなる放熱ビア１８２が形成されている。
【００６８】
貫通孔１８１は、例えば、０．３ｍｍの大きさで形成される。放熱ビア１８２は、貫通孔１８１の内部を充填するように、銅などによりメッキされて、金属薄膜１８２ｃが形成され、回路基板６１の最上面６１ａに、金属薄膜１８２ａが貫通孔１８１の金属薄膜１８２ｃと一体的にメッキされて形成され、最下面６１ｂに金属薄膜１８２ｂが、貫通孔１８１の金属薄膜１８２ｃと一体的にメッキされて形成されることで、形成される。なお、図６の例の場合、最下面６１ｂの金属薄膜１８２ｂは、電子部品６４と略同じ大きさに形成されている。
【００６９】
そして、電子回路基板１７１においては、回路基板６１の最下面６１ｂの金属薄膜１８２ｂと電子部品６４が放熱樹脂１８３を介して接続するように、放熱樹脂１８３が、回路基板６１および６２の間に充填されている。この放熱樹脂１８３は、例えば、電子回路基板１７１の側面の、回路基板６１と回路基板６２の間から充填される。
【００７０】
以上のように、電子回路基板１７１においては、回路基板６１に形成される放熱ビア１８２（金属薄膜１８２ｂ）と電子部品６４の間に、放熱樹脂１８３を充填するようにしたので、電子部品６４が発生する熱は、放熱樹脂１８３、および放熱ビア１８２を介して、回路基板６１に銅箔などで形成される電気回路に拡散される。
【００７１】
すなわち、電子回路基板１７１においては、回路基板６１に金属薄膜１８２ａ乃至１８２ｃからなる放熱ビア１８２が形成されることで、放熱樹脂６６だけの電子回路基板５１よりも熱伝導率が向上され、電子部品６４から発生される熱を効率よく放熱させることができる。
【００７２】
さらに、電子回路基板１７１においても、回路基板６１上に、最上面６１ａに形成される金属薄膜１８２ａ上に接するように、図８を参照して後述する放熱用のファンを配置、固定するようにしてもよい。これにより、電子部品６４により発生され、放熱樹脂１８３、および放熱ビア１８２に拡散された熱を、ファンにより急速に冷却させることができる。
【００７３】
なお、図７の例においては、放熱樹脂１８３との接触を多くし、放熱効果を大きくするために、下面６１ｂの金属薄膜１８２ｂを、電子部品６４と略同じ大きさに形成するようにしたが、放熱樹脂１８３と接する大きさであれば、電子部品６４と略同じ大きさに限定されない。
【００７４】
また、図７の電子回路基板１７１においては、電子部品６４の略真上の回路基板６１に放熱ビア１８２を形成するようにしたが、放熱ビア１８２の形成位置は、放熱ビア１８２の金属薄膜１８２ｂが、電子部品６４と接している放熱樹脂１８２と接することが可能な位置であれば、略真上に限らない。
【００７５】
図８は、本発明の電子回路基板の他の構成を示す側断面図である。なお、図８の電子回路基板２０１は、貫通孔６５の代わりに、貫通孔２１１が形成されている点、および、ヒートシンク２１２およびファン２１３が追加されている点を除いて、その他の構成は、上述した図３の電子回路基板５１と同様の構成である。
【００７６】
すなわち、電子回路基板２０１の回路基板６１には、回路基板６２に配置、接続されている電子部品６４の略真上に、回路基板６１の最上面６１ａから、最下面６１ｂまでを貫通する貫通孔２１１が形成されている。貫通孔２１１は、回路基板６１の最上面６１ａから、最下面６１ｂまでヒートシンク２１２を通過させるために、ヒートシンク２１２の縦横の大きさよりも大きく形成される。
【００７７】
電子部品６４の上面（活性面とは反対の面）６４ａには、放熱用の金属板であるヒートシンク２１２が貫通孔２１１を通過して、回路基板６１の最上面６１ａから突出するように配置され、はんだなどの接合部材により接続されている。ヒートシンク２１２の縦横の大きさは、電子部品６４と略同じ大きさで構成される。ヒートシンク２１２の高さ（図中上下方向）は、電子部品６４に接続されたときに、回路基板６１に形成される貫通孔２１１を通過して、回路基板６１から突出する高さであればよい。
【００７８】
電子部品６４に接続され、貫通孔２１１から突出するヒートシンク２１２には、放熱用のファン２１３が、はんだなどの接合部材により接続されている。ファン２１３は、図示せぬネジなどの接続用部材により、例えば、回路基板６１に機械的に固定されている。
【００７９】
以上のように、電子回路基板２０１においては、回路基板６２の電子部品６４の上面６４ａに接するように、ヒートシンク２１２を接続し、さらに、ヒートシンク２１２に接するように、放熱用のファン２１３を接続するようにしたので、電子部品６４が発生する熱は、ヒートシンク２１２に拡散され、さらに、ファン２１３で急速に冷却させることができる。
【００８０】
なお、図８の例においては、電子部品６４との接触を多くし、放熱効果を大きくするために、ヒートシンク２１２を電子部品６４と略同じ大きさに形成するようにしたが、ヒートシンク２１２の大きさは、電子部品６４と略同じ大きさではなくてもよい。
【００８１】
図９は、本発明の電子回路基板の他の構成を示す側断面図である。なお、図９の電子回路基板２３１は、スペーサ基板６３−１および６３−２の代わりに、スペーサ基板２４１−１および２４１−２が配置され、接続されている点、および放熱樹脂６６が充填されていない点を除いて、その他の構成は、上述した図３の電子回路基板５１と同様の構成である。以下、スペーサ基板２４１−１および２４１−２を個々に区別する必要がない場合、まとめてスペーサ基板２４１と称する。
【００８２】
すなわち、スペーサ基板２４１は、スペーサ基板６３と、その厚さ以外は同様に構成されており、スペーサ基板２４１の厚さは、スペーサ基板６３の厚さよりも厚く、例えば、１．６ｍｍで構成されている。
【００８３】
したがって、電子回路基板２３１においては、回路基板６１および回路基板６２の間、すなわち、回路基板６２に配置され、接続される電子部品６４の上面６４ａの上に、大きな空間２４２が形成される。これにより、図４の電子回路基板５１の場合よりも、回路基板６１および回路基板６２の間の空気流量が増えるので、電子部品６４が発生する熱は、矢印Ｐ１に示されるように、回路基板６１に形成された貫通孔６５を介して、空気とともに流出されることにより、放熱させることができる。
【００８４】
すなわち、電子回路基板２３１の場合は、空気による放熱であるので、放熱樹脂６６を用いない分、図４の電子回路基板５１の場合よりも、コストを低減させることが可能であるが、放熱樹脂６６を用いない分、放熱効果は、薄くなる。
【００８５】
図１０は、本発明の電子回路基板の他の構成を示す側断面図である。なお、図１０の電子回路基板２７１は、電子部品６４の代わりに、半導体チップ２８１が配置され、接続されている点、および放熱樹脂６６が充填されていない点を除いて、その他の構成は、上述した図３の電子回路基板５１と同様の構成である。
【００８６】
すなわち、電子回路基板２７１においては、回路基板６２には、ＣＰＵ、メモリ、またはＤＳＰなどの高熱性の半導体チップ２８１が、活性面を下（回路基板６２側）にして、直接配置されている。半導体チップ２８１は、図示せぬ電極部にバンプ２８２が形成されており、バンプ２８２と、回路基板６２の最上面６２ａに形成されるランドが、はんだなどの接合部材により接続されることにより、半導体チップ２８１と回路基板６２は、電気的、かつ機械的に接続されている。
【００８７】
また、電子回路基板２７１においては、半導体チップ２８１と回路基板６２の接続強度を高め、湿気などの進入を防ぐため、半導体チップ２８１と回路基板６２の間には、封止樹脂２８３が充填されている。
【００８８】
以上のように、電子回路基板２７１においては、半導体チップ２８１がパッケージ化されず、回路基板６２に、直接配置され、接続されるので、図４の電子部品６４よりも高さ（図中上下方向）が低いため、図４の場合よりも、回路基板６１および回路基板６２の間、すなわち、回路基板６２に配置され、接続される半導体チップ２８１の上面２８１ａの上に、図４の電子回路基板５１の場合よりも、大きな空間２８４が形成される。
【００８９】
したがって、図４の電子回路基板５１の場合よりも、回路基板６１および回路基板６２の間の空気流量が増えるので、半導体チップ２８１が発生する熱は、矢印Ｐ２に示されるように、回路基板６１に形成された貫通孔６５を介して、空気とともに流出されることにより、放熱させることができる。
【００９０】
すなわち、半導体チップ２８１を直接配置し、接続するようにした場合、パッケージされた電子部品６４の場合よりも、電子回路基板の厚さを薄く形成することが可能である。
【００９１】
なお、図４の電子回路基板５１、図６の電子回路基板１３１、図７の電子回路基板１７１、および図８の電子回路基板２０１においても、電子部品６４の代わりに、半導体チップ２８１を回路基板６２に直接配置し、接続するように構成しても、図４の電子回路基板５１、図６の電子回路基板１３１、図７の電子回路基板１７１、および図８の電子回路基板２０１と同様の効果が得られる。
【００９２】
図１１は、本発明の電子回路基板の実装処理装置の構成例を示すブロック図である。この実装処理装置は、貫通孔形成部３０１、基板配置部３０２、スペーサ基板配置部３０３、部品配置部３０４、検査部３０５、部品分解部３０６、および放熱機構付加部３０７により構成される。
【００９３】
貫通孔形成部３０１は、回路基板６１を用意し、所定の位置に貫通孔を形成する。また、貫通孔形成部３０１は、必要に応じて、貫通孔に対して、スルーホールや放熱ビアを形成する。
【００９４】
基板配置部３０２は、電子部品を配置する回路基板６２および貫通孔の形成された回路基板６１を用意し、所定の位置に配置する。また、基板配置部３０２は、回路基板６２に回路基板６１を積層したり、または、部品配置部３０４が回路基板６２の最下面６２ｂや回路基板６１の最上面６１ａに電子部品を配置（接続）するために、電子回路基板を反転させる。
【００９５】
スペーサ基板配置部３０３は、所定数のスペーサ基板６３を用意し、用意したスペーサ基板６３を、スペーサ基板６３の下面に形成されたランドを、回路基板６１の最下面６１ａに形成されたランドに合わせるように配置し、はんだ、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材により電気的、かつ機械的に接続する。
【００９６】
部品配置部３０４は、回路基板６２の最上面６２ａ、回路基板６２の最下面６２ｂ、または、回路基板６２に積層される回路基板６１の最上面６１ａの所定の位置に、半導体チップ、チップ型電子部品、抵抗、またはコンデンサなどの電子部品を配置し、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材により電気的、かつ機械的に接続する。
【００９７】
検査部３０５は、回路基板６２の最上面６２ａの所定の位置に、電子部品が配置、接続され、回路基板６２に回路基板６１が積層された電子回路基板の検査を行う。すなわち、検査部３０５は、回路基板、スペーサ基板、または電子部品の異常、もしくは、それらの接続不良などがあるか否かを、電子回路基板を動作させて検査を行う。
【００９８】
部品分解部３０６は、検査部３０５の検査結果に異常があった場合、電子回路基板を、熱や力を加えて分解し、電子回路基板から、不良とみなされた回路基板、スペーサ基板、または電子部品を取り外す。
【００９９】
放熱機構付加部３０７は、必要に応じて、図示せぬディスペンサなどを用いて、貫通孔、または、電子回路基板の側面から、放熱樹脂を充填したり、電子部品にヒートシンクを接続したり、または、ヒートシンクや放熱ビア、スルーホールに、ファンを接続させる。
【０１００】
次に、図１２のフローチャート、並びに、図１３乃至図１５の工程図を参照して、本発明の電子回路基板の実装処理を説明する。図１２の例の場合、図４の電子回路基板５１と同様の放熱機構（すなわち、貫通孔６５および放熱樹脂６６）を備える電子回路基板の実装処理を説明する。
【０１０１】
なお、図１３乃至図１５において、図４における場合と対応する部分には対応する符号を付してあり、その説明は繰り返しになるので、適宜省略する。
【０１０２】
ステップＳ１において、貫通孔形成部３０１は、一方の回路基板６１を用意し、所定の位置に貫通孔６５を形成する。すなわち、貫通孔形成部３０１は、回路基板６１の、積層する際に対向する回路基板６２に電子部品が配置される位置に対応する位置に、最上面６１ａから、最下面６１ｂまでを貫通する貫通孔６５を形成する。
【０１０３】
ステップＳ２において、基板配置部３０２は、貫通孔形成部３０１により貫通孔６５が形成された回路基板６１を所定の位置に配置し、スペーサ基板配置部３０３は、所定数のスペーサ基板６３を用意し、用意したスペーサ基板６３を、スペーサ基板６３の下面に形成されたランドを、回路基板６１の最下面６１ａに形成されたランドに合わせるように、最下面６１ａに配置し、はんだ、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材により電気的、かつ機械的に接続する。
【０１０４】
すなわち、スペーサ基板配置部３０３は、図１３Ａに示されるように、図中左から順に、スペーサ基板６３−２およびスペーサ基板６３−１の下面に形成されたランド（図示せぬ）を、回路基板６２の最上面６２ａに形成されたランドに合わせるように配置し、図５を参照して上述したように、はんだ、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材７２−２および７２−１により電気的、かつ機械的に接続する。
【０１０５】
ステップＳ３において、基板配置部３０２は、他方の回路基板６２を用意し、所定の位置に配置する。
【０１０６】
所定の位置に回路基板６２が配置されると、部品配置部３０４は、ステップＳ４において、図１３Ｂに示されるように、回路基板６１および６２の間に内蔵する電子部品６４、抵抗３２１、および抵抗３２２を用意し、回路基板６２の最上面６２ａの所定の位置に、用意した電子部品６４、抵抗３２１、および抵抗３２２を配置し、はんだ、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材により電気的、かつ機械的に接続する。
【０１０７】
すなわち、部品配置部３０４は、電子部品６４の下面（回路基板６２に対向する面）に形成されたランドを、回路基板６２の最上面６２ａに形成されたランドに合わせるように、電子部品６４を最上面６２ａに配置し、スペーサ基板６３の接続方法と同様に、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材７３により電気的、かつ機械的に接続する。
【０１０８】
また、部品配置部３０４は、最上面６２ａの、電子部品６４の左側の位置に形成されたランドと、抵抗３２１の図示せぬ電極部とを合わせるように、抵抗３２１を最上面６２ａに配置し、はんだなどにより電気的かつ機械的に接続して、回路基板６２上に、抵抗３２１を固定し、部品配置部３０４は、最上面６２ａの、電子部品６４の右側の位置に形成されたランドと、抵抗３２２の図示せぬ電極部とを合わせるように、抵抗３２２を最上面６２ａに配置し、はんだなどにより電気的かつ機械的に接続して、回路基板６２上に、抵抗３２２を固定する。
【０１０９】
回路基板６２の最上面６２ａに内蔵する電子部品が配置、接続された後、基板配置部３０２は、ステップＳ５において、スペーサ基板配置部３０３によりスペーサ基板６３が配置された回路基板６１（図１３Ａ）を用意し、反転し、図１３Ｃに示されるように、反転した回路基板６１を、回路基板６２上を積層する。
【０１１０】
具体的には、基板配置部３０２は、ステップＳ５において、スペーサ基板配置部３０３によりスペーサ基板６３が配置された回路基板６１を用意し、反転し、回路基板６１に接続されたスペーサ基板６３−１および６３−２の下面（回路基板６２と対向する面）に形成されたランドを、回路基板６２の最上面６２ａに形成されたランドと合わせるように、反転した回路基板６１を配置して、はんだ、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材７１−１および７１−２により電気的、かつ、機械的に接続して、回路基板６１と回路基板６２を積層する。
【０１１１】
回路基板６２に回路基板６１が積層されると、検査部３０５は、ステップＳ６において、回路基板６２に回路基板６１が積層された状態の電子回路装置を動作させて、回路基板、スペーサ基板、または電子部品の異常、もしくは、それらの接続不良などがあるか否かの検査を行い、検査結果が異常あるか否かを判定する。
【０１１２】
ステップＳ６において、検査結果が異常あると判定された場合、部品分解部３０６は、ステップＳ７に進み、電子回路基板に、熱や力を加えることにより分解し、電子回路基板から、不良とみなされた回路基板、スペーサ基板、または電子部品を取り外す。
【０１１３】
図１６を参照して具体的に説明する。なお、図１６においては、抵抗３２１および３２２の図示は省略されている。
【０１１４】
例えば、検査部３０５の検査により電子部品６４が異常を示し、電子部品６４の不良が判明した場合、部品分解部３０６は、矢印Ｒ１に示されるように、電子回路基板を構成する、回路基板６１、スペーサ基板６３、電子部品６４、および回路基板６２などに熱や力を加える。
【０１１５】
ここで、回路基板６１とスペーサ基板６３を接続している、はんだ、金属ペースト、および異方性導電フィルムなどの接合部材７２−１および７２−２は、図５を参照して上述したように、加熱または加圧処理により取り外し可能である。同様に、回路基板６２と電子部品６４を接続している、はんだ、金属ペースト、および異方性導電フィルムなどの接合部材７３も、加熱または加圧処理により取り外し可能である。
【０１１６】
したがって、部品分解部３０６は、図１２のステップＳ７において、加熱または加圧処理により、回路基板６１を電子回路装置から取り外し、さらに、不良であると判明した電子部品６４を、電子回路装置（回路基板６２）から取り外し、ステップＳ４に戻り、それ以降の処理を繰り返す。
【０１１７】
すなわち、部品配置部３０４は、ステップＳ４において、電子部品６４と交換する電子部品３５１を用意し、電子部品３５１の下面（回路基板６２に対向する面）に形成されたランドを、回路基板６２の最上面６２ａに形成されたランドに合わせるように、電子部品３５１を最上面６２ａに配置し、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材３５２により電気的、かつ機械的に接続し、それ以降の処理を繰り返す。
【０１１８】
以上のように、積層する回路基板と回路基板の間に、加熱または加圧処理により取り外し可能な接合部材により電子部品が配置、接続されるので、回路基板の一部として、電子部品が回路基板に内蔵されてしまう図１および図２を参照して上述した従来の多層基板２１とは異なり、電子部品が内蔵され、回路基板が積層された後に検査を行い、電子回路基板を構成する部品や、その接続などに不備や不良が生じても、簡単に取り外すことが可能である。したがって、本発明の電子回路基板においては、例えば、再度、良品の部品を接続したり、接続に不備があった部品を、再接続することができ、電子回路基板すべて、すばわち、良品である部品などまでもが廃棄されることが抑制される。
【０１１９】
一方、図１２のステップＳ６において、検査結果が異常ないと判定された場合、放熱機構付加部３０７は、ステップＳ８に進み、図示せぬディスペンサを用いて、図１４Ｄに示されるように、貫通孔６５から、電子回路装置に放熱樹脂６６を充填する。すなわち、放熱機構付加部３０７は、貫通孔６５の内部、および貫通孔６５と電子部品６４の間に、電子部品６４の上面６４ａを覆うように放熱樹脂６６を充填する。
【０１２０】
貫通孔６５から、電子回路装置に放熱樹脂６６が充填された後、部品配置部３０４は、ステップＳ９において、回路基板６１および回路基板６２の外側（すなわち、最上面６１ａおよび最下面６２ｂ）に、半導体チップ、チップ型電子部品、抵抗、またはコンデンサなどの電子部品を配置し、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材により電気的、かつ機械的に接続する。
【０１２１】
ステップＳ９の処理を具体的に説明する。部品配置部３０４は、まず、図１４Ｅに示されるように、回路基板６１の最上面６１ａに、所定の電子部品を配置、接続する。すなわち、部品配置部３０４は、図中左側から、回路基板６１の最上面６１ａに形成されたランドと、抵抗３３１の図示せぬ電極部とを合わせるように、抵抗３３１を最上面６１ａに配置し、はんだなどにより電気的かつ機械的に接続して、回路基板６１上に、抵抗３１１を固定し、回路基板６１の最上面６１ａにおいて、抵抗３３１の右側に形成されたランドと、チップ型電子部品３３２の図示せぬランドとを合わせるように、チップ型電子部品３３２を最上面６１ａに配置し、はんだ、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材３３３により電気的かつ機械的に接続して、回路基板６１上に、チップ型電子部品３３２を固定する。
【０１２２】
また、部品配置部３０４は、回路基板６１の最上面６１ａにおいて、チップ型電子部品３３２の右側に形成されたランドと、チップ型電子部品３３４の図示せぬランドとを合わせるように、チップ型電子部品３３４を最上面６１ａに配置し、はんだ、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材３３５により電気的かつ機械的に接続して、回路基板６１上に、チップ型電子部品３３４を固定し、回路基板６１の最上面６１ａにおいて、チップ型電子部品３３４の右側に形成されたランドと、抵抗３３６の図示せぬ電極部とを合わせるように、抵抗３３６を最上面６１ａに配置し、はんだなどにより電気的かつ機械的に接続して、回路基板６１上に、抵抗３３６を固定する。
【０１２３】
部品配置部３０４による回路基板６１の最上面６１ａへの電子部品の配置が終了すると、基板配置部３０２は、回路基板６２の最下面６２ｂに電子部品を配置（接続）するために、電子回路基板を反転させる。
【０１２４】
電子回路基板が反転されると、次に、部品配置部３０４は、図１５Ｆ示されるように、図中左側から、回路基板６２の最下面６２ｂに所定の電子部品を配置する。すなわち、部品配置部３０４は、回路基板６２の最下面６２ｂに形成されたランドと、半導体チップ３４１の図示せぬ電極部とを合わせるように、半導体チップ３４１を最下面６２ｂに配置し、はんだ、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材３４２により電気的かつ機械的に接続して、回路基板６２上に、半導体チップ３４１を固定し、回路基板６２の最下面６２ｂにおいて、半導体チップ３４１の右側に形成されたランドと、コンデンサ３４３の図示せぬ電極部とを合わせるように、コンデンサ３４３を最下面６２ｂに配置し、はんだなどにより電気的かつ機械的に接続して、回路基板６２上に、コンデンサ３４３を固定する。
【０１２５】
また、部品配置部３０４は、回路基板６２の最下面６２ｂにおいて、コンデンサ３４３の右側に形成されたランドと、チップ型電子部品３４４の図示せぬランドとを合わせるように、チップ型電子部品３４４を最下面６２ｂに配置し、はんだ、金属ペースト、または異方性導電フィルムなどの接合部材３４５により電気的かつ機械的に接続して、回路基板６２上に、チップ型電子部品３４４を固定し、回路基板６２の最下面６２ｂにおいて、チップ型電子部品３４４の右側に形成されたランドと、抵抗３４６の図示せぬ電極部とを合わせるように、抵抗３４６を最下面６２ｂに配置し、はんだなどにより電気的かつ機械的に接続して、回路基板６２上に、抵抗３４６を固定する。
【０１２６】
以上により、図１５Ｆに示されるように、回路基板６１および回路基板６２の間に、電子部品６４が配置、接続され、電子部品６４の活性面とは反対の面側の回路基板６１に貫通孔６５が形成され、さらに、電子部品６４の活性面とは反対側の面６４ａを覆うように、貫通孔６５の内部と、貫通孔６５および電子部品６４の間に、放熱樹脂６６が充填された回路基板装置が形成されて、回路基板装置の実装処理は終了する。
【０１２７】
以上のように、回路基板６１および６２の間に、スペーサ基板６３を配置することにより、高熱性の電子部品６４を内蔵し、さらに、電子部品６４が発生する熱を放熱するような放熱機構（例えば、図４の貫通孔６５および放熱樹脂６６など）を設けるようにしたので、電子部品６４が自身で発生する熱が積層される回路基板の間にこもってしまい、その熱により電子部品６４が異常に動作するのを抑制することができる。
【０１２８】
なお、上記説明においては、回路基板装置は、２つの回路基板を積層して構成されているが、積層する回路基板は、２層に限らず、回路基板６１や回路基板６２の上にもさらに回路基板を積層させるように回路基板装置を構成してもよい。
【０１２９】
なお、本明細書において、フローチャートに示されるステップは、記載された順序に従って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】従来の多層基板の製造工程を説明する図である。
【図２】従来の多層基板の製造工程を説明する図である。
【図３】本発明の電子回路基板の構成例を示す側断面図である。
【図４】図３の電子回路基板の水平方向の断面図である。
【図５】回路基板へのスペーサ基板の接続方法を説明する図である。
【図６】図３の電子回路基板の他の構成例を示す側断面図である。
【図７】本発明の電子回路基板の他の構成例を示す側断面図である。
【図８】本発明の電子回路基板のさらに他の構成例を示す側断面図である。
【図９】本発明の電子回路基板の他の構成例を示す側断面図である。
【図１０】本発明の電子回路基板のさらに他の構成例を示す側断面図である。
【図１１】本発明の電子回路基板の実装処理装置の構成例を示すブロック図である。
【図１２】本発明の電子回路基板の実装処理を説明するフローチャートである。
【図１３】本発明の電子回路基板の実装工程を説明する図である。
【図１４】本発明の電子回路基板の実装工程を説明する図である。
【図１５】本発明の電子回路基板の実装工程を説明する図である。
【図１６】図１２のステップＳ６における処理を説明する図である。
【符号の説明】
【０１３１】
５１  電子回路装置，６１，６２  回路基板，６３−１，６３−２  スペーサ基板，６４  電子部品，６５  貫通孔，６６  放熱樹脂，１３１  電気回路装置，１４１  スルーホール，１７１  電子回路装置，１８１  貫通孔，１８２  放熱ビア，２０１  電子回路装置，２１１  貫通孔，２１２  ヒートシンク，２１３  ファン，２３１  電子回路装置， ２４１−１，２４１−２  スペーサ基板，２７１  電子回路装置，２８１  半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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