(57)【要約】【課題】リソグラフィーのマージン不足を解消して、接続孔が密に形成された領域での接続孔を確実に形成し、接続孔と配線溝との位置ズレを解消して、デバイスの微細化に対応することを可能とする。【解決手段】絶縁膜２０上に配線溝パターン３２を有するように第１マスク３１を形成する工程と、前記第１マスク３１上に接続孔パターン３４を有するように第２マスク３３を形成する工程と、前記第１マスク３１と前記第２マスク３３とを用いて前記絶縁膜２０に配線溝２６と接続孔２５とを形成する工程とを備え、前記第１マスク３１と前記第２マスク３３とを用いて前記絶縁膜２０に配線溝２６と接続孔２５とを形成する工程で前記絶縁膜２０に接続孔２５を先に形成する半導体装置の製造方法であって、前記接続孔パターン３４は前記配線溝パターン３２の配設方向に対して交差する方向に形成されるとともに、前記接続孔パターン３４の端部は前記第１マスク３１の一部上に形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に配線溝パターンを有するように第１マスクを形成する工程と、
前記第１マスク上に接続孔パターンを有するように第２マスクを形成する工程と、
前記第１マスクと前記第２マスクとを用いて前記絶縁膜に配線溝と接続孔とを形成する工程とを備え、
前記第１マスクと前記第２マスクとを用いて前記絶縁膜に配線溝と接続孔とを形成する工程で前記絶縁膜に接続孔を先に形成する
半導体装置の製造方法であって、
前記接続孔パターンは、前記配線溝パターンの配設方向に対して交差する方向に形成されるとともに、前記接続孔パターンの端部は前記第１マスクの一部上に形成される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記配線溝パターンは複数列に形成され、
前記接続孔パターンは前記配線溝パターン間の第１マスク上の一部を横切るように形成される
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記配線溝パターンは前記接続孔パターンの径よりも幅広く形成され、
前記配線溝パターンの側壁側に形成される前記接続孔パターンは前記配線溝パターンの当該側壁側の前記第１マスクの一部上に延長形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接続孔パターンは長円形状に形成される
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜は有機低誘電率膜を含む
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの微細化への適用が容易な半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁膜に配線溝とこの配線溝底部に接続孔とを形成した後、配線溝および接続孔に導電性材料を埋め込んで、溝配線とコンタクト部とを同時に形成する技術として、いわゆるデュアルダマシン法が知られている。この方法には、先に配線溝パターンを形成したハードマスク上にリソグラフィー技術により接続孔パターンの形成を行い、その後、エッチングにより接続孔と配線溝とを形成する、いわゆる先トレンチ方式が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
従来の先トレンチ方式によるデュアルダマシン法の一例としては、絶縁膜上にハードマスクを形成した後、通常のリソグラフィー技術とエッチング技術とによってハードマスクに配線溝パターンを形成する。次に配線溝パターンが形成されたハードマスク上に、リソグラフィー技術により接続孔パターンが形成されたレジストマスクを形成した後、このレジストマスクを用い、必要に応じてハードマスクに接続孔パターンを延長形成する。この接続孔パターンは後に形成しようとする接続孔と同形状の孔パターンに形成されている。そして、レジストマスクおよびハードマスクを用いて、絶縁膜をエッチングする。このとき、絶縁膜には先に接続孔が形成されることになる。その後、ハードマスクおよび先に絶縁膜に形成した接続孔を利用して、絶縁膜に配線溝を形成していくとともに、接続孔を深さ方向に延長形成していく。このようにして、絶縁膜に配線溝と接続孔とが形成される。
【０００４】
デバイスの微細化が進むと、接続孔と配線溝との位置ズレによるショート、および接続孔が密に形成された領域での接続孔の未開口、リソグラフィーのマージン不足等が問題となる。一般的に露光装置の高ＮＡ（ＮＡ＝開口数：Numerical Apertureの略）化、デバイス段差の低減、デバイスパターン制限等により回避する方策（例えば、特許文献２、３参照。）が講じられてきているが、それらの方策にも現状では技術的に限界がある。このため、更なる微細化を行うためには、他の技術開発が望まれている。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１５０５１９号公報
【特許文献２】特開２００５−４５０８４号公報
【特許文献３】特開２０００−２１６２４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
解決しようとする問題点は、デバイスの微細化が進むと、接続孔と配線溝との位置ズレによるショートが発生する点、接続孔が密に形成された領域での接続孔が未開口となる点、リソグラフィーのマージンが不足してきている点である。
【０００７】
本発明は、リソグラフィーのマージン不足を解消して、接続孔が密に形成された領域での接続孔を確実に形成し、接続孔と配線溝との位置ズレを解消して、デバイスの微細化に対応することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に配線溝パターンを有するように第１マスクを形成する工程と、前記第１マスク上に接続孔パターンを有するように第２マスクを形成する工程と、前記第１マスクと前記第２マスクとを用いて前記絶縁膜に配線溝と接続孔とを形成する工程とを備え、前記第１マスクと前記第２マスクとを用いて前記絶縁膜に配線溝と接続孔とを形成する工程で前記絶縁膜に接続孔を先に形成する半導体装置の製造方法であって、前記接続孔パターンは、前記配線溝パターンの配設方向に対して交差する方向に形成されるとともに、前記接続孔パターンの端部は前記第１マスクの一部上に形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、前記接続孔パターンを前記配線溝パターンの配設方向に対して交差する方向に形成するとともに、前記接続孔パターンの端部を前記第１マスクの一部上に形成するため、接続孔パターンのリソグラフィーのマージンが確保され、配線溝パターンが形成された第１マスクが自己整合的に配線溝の配列方向の位置決めを行うので位置ずれを起こすことがなくなり、配線溝の配列方向に接続孔パターンを密に形成することができるので、デバイスの微細化に対応することができる。それにともなって、デバイス性能の向上、歩留りの向上が図れるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の一例を、図１〜図３の製造工程図によって説明する。図１〜図３では、（１）〜（３）および（５）〜（９）に断面図を示し、（４）に平面レイアウト図を示す。また図１〜図３では、一例として、多層配線構造を形成するためプロセスの一つである、いわゆるデュアルダマシン方法による配線形成方法に適用した例を示す。特に、配線絶縁膜として低誘電率膜を用い、先に配線溝のマスクパターンニングを行い、その後、接続孔のパターンニングを形成し、順次、加工する工程を経て、配線溝と接続孔とを形成する製造方法を示す。
【００１１】
まず、図２によって、図示はしないトランジスタ等の素子、配線が形成された基盤１１上に絶縁膜２０、ハードマスクとなる第１マスク３１を形成する方法を説明する。
【００１２】
図２（１）に示すように、基盤１１上に、絶縁膜２０を形成する。上記基盤１１には、例えば半導体基板としてシリコン基板を用いる。上記絶縁膜２０は、例えば、接続孔が形成される第１絶縁膜２１および第２絶縁膜２２を形成した後、配線が形成される第３絶縁膜２３および第４絶縁膜２４を順次成膜することにより形成される。
【００１３】
上記第１絶縁膜２１は、例えば炭化シリコン（ＳｉＣ）膜で形成し、その膜厚は例えば５０ｎｍとした。このＳｉＣ膜は、例えばトリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ3）8）とヘリウム（Ｈｅ）との混合ガスを原料ガスに用いたＣＶＤ法により成膜することができる。
【００１４】
上記第２絶縁膜２２は、例えば炭化酸化シリコン（ＳｉＯＣ）膜で形成し、その膜厚は例えば１００ｎｍとした。このＳｉＯＣ膜は、例えばトリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ3）8）と酸素（Ｏ2）との混合ガスを原料ガスに用いたＣＶＤ法により成膜することができる。
【００１５】
上記第３絶縁膜２３は、例えば有機低誘電率膜で形成し、その膜厚は例えば１００ｎｍとした。この有機低誘電率膜は以下のようにして形成することができる。例えば、回転塗布装置を用いて溶媒に溶かした芳香族含有有機塗布材料、例えばポリテトラフルオロエチレン溶液を第２絶縁膜２２表面に塗布する。その後、不活性なガス（例えば窒素（Ｎ2）もしくは希ガス）を用い、１００℃、大気圧の雰囲気でベーキングを行い、溶媒を蒸発させる。次に不活性なガス（例えば窒素（Ｎ2）もしくは希ガス）雰囲気において３００℃で熱処理を行って塗布膜を固化することによって、有機低誘電率膜が形成される。上記有機低誘電率膜とは、例えば誘電率が３．０以下の有機絶縁膜をいう。
【００１６】
上記第４絶縁膜２４は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜で形成し、その膜厚は例えば１００ｎｍとした。このＳｉＯ2膜は、例えばモノシラン（ＳｉＨ4）と一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）との混合ガスを原料ガスに用いたＣＶＤ法により成膜することができる。
【００１７】
次に、第４絶縁膜２４上に第１マスク３１を形成する。この第１マスク３１は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）膜で形成し、その膜厚は例えば５０ｎｍとした。このＳｉＮ膜は、例えばモノシラン（ＳｉＨ4）と窒素（Ｎ2）との混合ガスを原料ガスに用いたＣＶＤ法により成膜することができる。
【００１８】
次に、第１マスク３１上にレジストマスク３５を形成する。このレジストマスク３５は、第１マスク３１上にレジスト塗布技術によりレジスト膜を形成した後、リソグラフィー技術により配線溝パターン３６を形成することにより形成される。
【００１９】
次に、上記レジストマスク３５をエッチングマスクに用いて第１マスク３１をエッチングし、図２（２）に示すように、第１マスク３１に配線溝パターン３２を形成する。このエッチングには、例えば一般的な高周波方式のプラズマエッチング装置を用いることができる。このプラズマエッチング装置は、例えば、ＲＦプラズマ電力を５００Ｗで基盤１１上に印加し、ジフロロシラン（ＣＨ2Ｆ2）とアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）との混合ガスを用い、それらの流量をそれぞれ２０ｃｍ3／ｍｉｎ、４００ｃｍ3／ｍｉｎ、２００ｃｍ3／ｍｉｎに設定した。また、エッチング雰囲気の圧力を６．７Ｐａとした。
【００２０】
その後、レジストマスク３５〔前記図２（１）参照〕を除去する。この除去加工は、例えば酸素（Ｏ2）ガスを用いたプラズマアッシングにより行うことができる。
【００２１】
次に、図１（３）の該略構成断面図および（４）の平面レイアウト図に示すように、上記第１マスク３１を被覆するように、上記第４絶縁膜２４上に第２マスク３３を形成する。なお、（３）図は（４）図中のＡ−Ａ’線断面を示す。
【００２２】
この第２マスク３３は、レジスト塗布技術によりレジスト膜を形成した後、リソグラフィー技術により接続孔パターン３４を形成することにより形成される。上記接続孔パターン３４は以下のように形成される。すなわち、上記配線溝パターン３２と交差する方向にかつ上記接続孔パターン３４の少なくとも一部が上記配線溝パターン３２にかかるように形成する。
【００２３】
例えば、図１（４）の２点鎖線で示す位置に接続孔を形成しようとする場合を説明する。例えば、２個以上の接続孔が配線溝パターン３２の配設方向と交差する方向に配列されている場合には、上記配線溝パターン３２と交差する方向に連続して接続孔パターン３４を開口し、かつ、その接続孔パターン３４の端部は、接続孔パターン３４側から見て配線溝パターン３２の外側に形成されている第１マスク３１上にかかるように形成する。
【００２４】
例えば、接続孔が密に形成される領域では、配線溝パターン３２が形成される最少ハーフピッチをａ、配線溝パターンに対する接続孔パターンの最大位置ずれ量をｂ、その他のずれ要因によるずれ量をｃとすれば、マージンＸは、Ｘ＝ａ−（ｂ＋ｃ）で表される。なお、マージンＸはａよりも大きくなることはない。つまりａ以上になると、接続孔パターンが接続されなくともよい隣接する配線溝パターンと繋がる可能性が生じ、ショートの原因となるからである。
【００２５】
したがって、接続孔パターン３４は配線溝パターンの配設方向に対して交差する方向（例えば直角方向）にマージンＸだけ広げて形成することが好ましい。また、配線溝パターン３２に一つの接続孔パターン３４を形成する場合には、接続孔パターン３４は配線溝パターンの両側方向にＸだけ広げて形成することが好ましい。このように接続孔パターン３４を形成することにより、従来は露光マージン不足から形成が困難であった配線溝パターン３２の配設方向と直角方向に接続孔パターン３４を配設することが可能になり、接続孔パターン３４の高集積化が可能になる。
【００２６】
次に、図１（５）に示すように、上記第１マスク３１、第２マスク３３をエッチングマスクに用いて第４絶縁膜２４から順にエッチングを行う。まず、第４絶縁膜２４をエッチングし、接続孔２５を形成する。この第４絶縁膜２４は酸化シリコン膜で形成されているので、通常の酸化膜ドライエッチングの技術を用いることができる。そして、第４絶縁膜２４の下地の第３絶縁膜２３が有機低誘電率膜で形成されていることから、上記第４絶縁膜２４のエッチングは第３絶縁膜２３上で停止される。
【００２７】
上記第１マスク３１に対して酸化シリコンからなる第４絶縁膜２４を高選択的にエッチングする条件の一例を挙げると、ＲＦプラズマ電力を１５００Ｗとし、エッチングガスとしてオクタフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）と酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用い、それらの流量をそれぞれ２０ｃｍ3／ｍｉｎ、１０ｃｍ3／ｍｉｎ、５００ｃｍ3／ｍｉｎに設定した。また、エッチング雰囲気の圧力を６．７Ｐａとした。
【００２８】
次に、図１（６）に示すように、上記第２マスク３３〔前記図１（５）参照〕、第１マスク３１および第４絶縁膜２４をエッチングマスクに用いたエッチング技術により、第３絶縁膜２３をエッチングし、第３絶縁膜２３に接続孔２５を延長形成する。このエッチングでは、上記第３絶縁膜２３が有機低誘電率膜で形成されていることから、レジストで形成されている第２マスク３３も同時にエッチングされて除去されるが、酸化シリコン膜からなる第４絶縁膜２４がエッチングマスクとして機能するので、第３絶縁膜２３には第４絶縁膜に形成された接続孔２５が延長形成されることになる。そして、表面には第１マスク３１および第４絶縁膜２４が露出され、ＳｉＯＣ膜で形成されている第２絶縁膜２２上で上記接続孔２５のエッチングは停止される。
【００２９】
上記第１マスク３１および第４絶縁膜２４に対して有機低誘電率膜からなる第３絶縁膜２３を高選択的にエッチングする条件の一例を挙げると、ＲＦプラズマ電力を５００Ｗとし、エッチングガスとして窒素（Ｎ2）と水素（Ｈ2）との混合ガスを用い、それらの流量をそれぞれ５０ｃｍ3／ｍｉｎ、５０ｃｍ3／ｍｉｎに設定した。また、エッチング雰囲気の圧力を６．７Ｐａとした。
【００３０】
次に、図１（７）に示すように、第１マスク３１をエッチングマスクに用いたエッチング技術により、ＳｉＯＣ膜からなる第２絶縁膜２２に接続孔２５を延長形成するとともに、酸化シリコン膜からなる第４絶縁膜２４に上記第１マスク３１に形成された配線溝パターン３２を転写する配線溝２６を形成する。なお、第２絶縁膜２２に接続孔２５が形成される際には第４絶縁膜２４および第３絶縁膜２３がエッチングマスクとなっている。
【００３１】
上記第２絶縁膜２２および第４絶縁膜２４のエッチングでは、例えば、一般的なドライエッチング装置を用いる。そしてエッチング条件の一例を挙げると、ＲＦプラズマ電力を１５００Ｗとし、エッチングガスとしてオクタフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）と酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用い、それらの流量をそれぞれ２０ｃｍ3／ｍｉｎ、１０ｃｍ3／ｍｉｎ、５００ｃｍ3／ｍｉｎに設定した。また、エッチング雰囲気の圧力を６．７Ｐａとした。
【００３２】
さらに、第１マスク３１をエッチングマスクに用いたエッチングにより、有機低誘電率膜からなる第３絶縁膜２３をエッチングして、上記配線溝２６を延長形成する。この配線溝２６のエッチングでは、第３絶縁膜２３を加工する際にエッチング選択比が取れるＳｉＯＣ膜からなる第２絶縁膜２２がエッチングストッパとなるので、配線溝２６は第２絶縁膜２２上に形成されることになる。上記エッチングでは、各エッチングマスクとして機能する膜に対して被エッチング膜を高選択的にエッチングすることができるので、配線溝２６と接続孔２５とを位置ズレ補正するセルフアライン効果がある。
【００３３】
上記第３絶縁膜２３のエッチングでは、例えば、一般的なドライエッチング装置を用いる。そしてエッチング条件の一例を挙げると、ＲＦプラズマ電力を５００Ｗとし、エッチングガスとして窒素（Ｎ2）と水素（Ｈ2）との混合ガスを用い、それらの流量をそれぞれ５０ｃｍ3／ｍｉｎ、５０ｃｍ3／ｍｉｎに設定した。また、エッチング雰囲気の圧力を６．７Ｐａとした。
【００３４】
次に、図３（８）に示すように、第４絶縁膜２４および第２絶縁膜２２をエッチングマスクに用いたエッチング技術により、第１絶縁膜２１に配線溝２６を延長形成する。このエッチングでは、第１マスク３１〔前記図１（７）参照〕も同時にエッチング除去される。これにより、絶縁膜２０に配線溝２６と接続孔２５とが形成された。
【００３５】
このエッチングでは、窒化シリコン膜からなる第１マスク３１とＳｉＣ膜からなる第１絶縁膜２１とを同時にエッチングするので、例えば、一般的なドライエッチング装置を用い、以下のようなエッチング条件とした。このエッチング条件の一例を挙げると、ＲＦプラズマ電力を５００Ｗとし、ジフロロシラン（ＣＨ2Ｆ2）とアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）との混合ガスを用い、それらの流量をそれぞれ２０ｃｍ3／ｍｉｎ、４００ｃｍ3／ｍｉｎ、２０ｃｍ3／ｍｉｎに設定した。また、エッチング雰囲気の圧力を６．７Ｐａとした。
【００３６】
次に、図３（９）に示すように、スパッタリング法により、上記接続孔２５および配線溝２６の内面に図示はしないが、密着層、バリア層を形成した後、めっきシード層を形成する。次いで銅めっき法により、上記接続孔２５および配線溝２６の内部を銅で埋め込むとともに第４絶縁膜２４上に銅膜２７を形成する。次に、第４絶縁膜２４上の余剰な銅膜２７を除去して、図３（１０）に示すように、上記接続孔２５の内部にプラグ２８を形成するとともに上記配線溝２６の内部に配線２９を形成する。上記〜上な銅膜２７の除去は、例えば化学的機械研磨法による。
【００３７】
次に、各種の接続孔パターンの一例を、図４〜図９により説明する。各図面では、図面左側の（１）図は従来の配線溝パターンに対する接続孔パターンの形成位置を示す概略構成断面図であり、（２）図は従来の配線溝パターンに対する接続孔パターンの形成位置を示す平面レイアウト図であり、右側の（３）図は本発明の配線溝パターンに対する接続孔パターンの形成位置を示す概略構成断面図であり、（４）図は本発明の配線溝パターンに対する接続孔パターンの形成位置を示す平面レイアウト図である。なお、（１）図に示す断面図は（２）図に示す平面レイアウト図中のＢ−Ｂ’線断面を示し、（３）図に示す断面図は（４）図に示す平面レイアウト図中のＣ−Ｃ’線断面を示している。
【００３８】
例えば、図４（１）、（２）に示すように、従来では、配線溝パターン３２が複数列に形成されていて、各配線溝パターン３２の配設方向と交差する方向（例えば直角方向）に各配線溝パターン３２に対応して配列されるように接続孔パターン３４を形成する場合には、図４（３）、（４）に示すように、本発明では、各配線溝パターン３２の配設方向と交差する方向（例えば直角方向）に溝パターン形状の接続孔パターン３４を形成する。なお、通常、上記複数列に形成される配線溝パターン３２は等間隔に形成されている。
【００３９】
また、図４（１）、（２）に示すように、従来では、隣接する配線溝パターン３２の配設方向と交差する方向（例えば直角方向）に接続孔パターン３４を配設する場合には、図４（３）、（４）に示すように、接続孔パターン３４は、上記配線溝パターン３２と交差する方向に連続して開口され、かつ、その接続孔パターン３４の端部は、接続孔パターン３４側から見て配線溝パターン３２の外側に形成されている第１マスク３１上にかかるように形成する。例えば、接続孔が密に形成される領域では、先に説明したように、接続孔パターン３４は配線溝パターンの配設方向に対して交差する方向（例えば直角方向）にマージンＸだけ広げて形成する。
【００４０】
また、図４（１）、（２）に示すように、従来では、配線溝パターン３２に一つの接続孔パターン１３４を形成する場合には、図４（３）、（４）に示すように、接続孔パターン３４は配線溝パターン３２の両側方向にマージンＸだけ広げて形成することが好ましい。
【００４１】
次に、露光装置のマスク合わせずれ等により前記図４によって説明した配線溝パターンに対して接続孔パターンがずれて形成されるような場合についての効果を図５によって説明する。
【００４２】
例えば、図５（１）、（２）に示すように、配線溝パターン３２に対して接続孔パターン１３４ａが図面右方向にずれた場合では、図５（３）、（４）に示すように、溝パターン形状に形成されている接続孔パターン３４ａは設計された位置に接続孔が形成されるように形成される。この結果、配線溝と接着孔との間隔（ショートマージン）を変えずに、配線溝の底部に所望の開口面積を有する接続孔が形成されるようになる。
【００４３】
例えば、図５（１）、（２）に示すように、配線溝パターン３２に対して接続孔パターン１３４ｂ、１３４ｃが図面右方向にずれた場合では、図５（３）、（４）に示すように、マージンＸだけ大きく形成されている接続孔パターン３４ｂ、３４ｃは設計された位置に接続孔が形成されるように形成される。この結果、配線溝の底部に所望の開口面積を有する接続孔が形成されるようになる。上記図５では、図面右方向にずれた場合を説明したが、図面左方向にずれた場合も上記説明したのと同様なことがいえる。
【００４４】
次に、図６（１）、（２）に示すように、従来では、隣接する幅広の配線溝パターン３２の配設方向と交差する方向（例えば直角方向）で、かつ配線溝パターン３２間の第１マスク３１を挟む位置に接続孔パターン３４を配設する場合には、図６（３）、（４）に示すように、接続孔パターン３４は、従来形成されていた位置を開口するとともに上記隣接する配線溝パターン３２間の第１マスク３１上も開口して、長円形状の接続孔パターンに形成される。そして、先に説明したように、接続孔パターン３４は配線溝パターンの配設方向に対して交差する方向（例えば直角方向）にマージンＸだけ広げて形成することが好ましい。ここでいう幅広の配線溝パターン３２は、例えば接続孔パターン１３４の径よりも広い幅の配線溝パターンをいう。
【００４５】
次に、露光装置のマスク合わせずれ等により前記図６によって説明した配線溝パターン３２に対して接続孔パターン３４がずれて形成されるような場合についての効果を図７によって説明する。
【００４６】
例えば、図７（１）、（２）に示すように、露光装置のマスク合わせ精度等により配線溝パターン３２に対して接続孔パターン１３４、１３４が図面右方向にずれた場合では、図７（３）、（４）に示すように、マージンＸだけ大きく形成されている接続孔パターン３４は設計された位置に接続孔が形成されるように形成される。この結果、配線溝の底部に所望の開口面積を有する接続孔が形成されるようになる。上記図７では、図面右方向にずれた場合を説明したが、図面左方向にずれた場合も上記説明したのと同様なことがいえる。なお、図示はしないが、幅広の配線溝パターン中に孤立して形成される接続孔パターンについては、本発明の如くマージンＸを考慮した接続孔パターンに形成してもしなくともどちらでもよい。
【００４７】
次に、図８（１）、（２）に示すように、従来では、広い領域に一本の配線溝パターン３２に接続孔パターン１３４を配設する場合には、図８（３）、（４）に示すように、接続孔パターン３４は、従来形成されていた位置を開口するとともに上記配線溝パターン３２の両側に形成されている第１マスク３１上の一部も開口して、長円形状の接続孔パターンに形成される。そして、先に説明したように、接続孔パターン３４は配線溝パターンの配設方向に対して交差する方向（例えば直角方向）にマージンＸだけ広げて形成することが好ましい。
【００４８】
次に、露光装置のマスク合わせずれ等により前記図８によって説明した配線溝パターン３２に対して接続孔パターン３４がずれて形成されるような場合についての効果を図９によって説明する。
【００４９】
例えば、図９（１）、（２）に示すように、露光装置のマスク合わせ精度等により配線溝パターン３２に対して接続孔パターン１３４が図面右方向にずれた場合では、図９（３）、（４）に示すように、マージンＸだけ大きく形成されていた接続孔パターン３４は配線溝パターン３２に対して設計された位置に接続孔が形成されるように形成される。この結果、配線溝の底部に所望の開口面積を有する接続孔が形成されるようになる。
【００５０】
上記各説明では、最大のずれ量を考慮して、マージンＸとずれ量が一致しているように図示されているが、マージンＸよりもずれ量が小さければ、配線溝の底部に所望の開口面積を有する接続孔が形成される。また、上記マージンＸの値は、露光装置のマスク合わせ精度、レジストパターンの寸法精度、エッチング加工精度等を考慮して、先に示したマージンＸの関係式によって適宜設定される。
【００５１】
このように、本発明の接続孔パターン３４を形成することにより、従来は露光マージン不足から形成が困難であった配線溝パターン３２の配設方向と直角方向に接続孔パターン３４を配設することが可能になり、接続孔パターン３４の高集積化が可能になる。なお、配線溝パターン３２の配設方向に形成される接続孔パターン３４は、リソグラフィー技術の解像限界を最小間隔として形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の一例を示した製造工程図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の一例を示した製造工程図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の一例を示した製造工程図である。
【図４】接続孔パターンの形成位置の一例を示した概略構成断面図および平面レイアウト図である。
【図５】図４に示した接続孔パターンが位置ずれした状態を示した概略構成断面図および平面レイアウト図である。
【図６】接続孔パターンの形成位置の一例を示した概略構成断面図および平面レイアウト図である。
【図７】図６に示した接続孔パターンが位置ずれした状態を示した概略構成断面図および平面レイアウト図である。
【図８】接続孔パターンの形成位置の一例を示した概略構成断面図および平面レイアウト図である。
【図９】図８に示した接続孔パターンが位置ずれした状態を示した概略構成断面図および平面レイアウト図である。
【符号の説明】
【００５３】
２０…絶縁膜、２５…接続孔、２６…配線溝、３１…第１マスク、３２…配線溝パターン、３３…第２マスク、３４…接続孔パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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