Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の材料から成り、かつ光発生領域と、光発生領域によって支持される第１層と、を含む多層積層体を備え、
第１層の表面は、光発生領域が生成する光を、発光素子から第１層の表面を通して放出することができるように構成され、
第１層の表面は、パターンに従って空間的に変化する誘電関数を有し、
パターンは、光発生領域によって生成され、かつ発光素子から第１層の表面を通して放出される光が、ランバート分布を示す光よりも平行度が高くなるように構成される、発光素子。
【請求項２】
光発生領域によって生成される光が発光素子から第１層の表面を通して放出されるときに、第１層の表面を通して放出される光の少なくとも約４０％の光は、第１層の表面の法線に対して最大約３０°の角度の範囲内で放出される、請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
発光素子の充填率は少なくとも約１０％である、請求項１記載の発光素子。
【請求項４】
発光素子の充填率は最大約７５％である、請求項１記載の発光素子。
【請求項５】
更に、複数の材料から成る多層積層体を支持する支持体を備える、請求項１記載の発光素子。
【請求項６】
更に、反射材料層を備え、この反射材料層は、光発生領域が生成する光の少なくとも約５０％の光であって、反射材料層に衝突する光を反射する機能を有し、反射材料層は、支持体と複数の材料から成る多層積層体との間に位置する、請求項５記載の発光素子。
【請求項７】
反射材料はヒートシンク材料である、請求項６記載の発光素子。
【請求項８】
ヒートシンク材料は、ヒートシンク材料が発光素子の使用の間に垂直方向の熱勾配を有するように構成される、請求項７記載の発光素子。
【請求項９】
更に、第１層と光発生領域との間に電流拡散層を含む、請求項１記載の発光素子。
【請求項１０】
更に、電流を発光素子に注入するように構成される電気コンタクトを備える、請求項１記載の発光素子。
【請求項１１】
発光素子は発光ダイオードを含む、請求項１記載の発光素子。
【請求項１２】
パターンは、理想格子定数及びゼロよりも大きい値を有する微調整パラメータを有する、請求項１記載の発光素子。
【請求項１３】
パターンは光発生領域の中まで延在することがない、請求項１記載の発光素子。
【請求項１４】
パターンは第１層を超えて延在することがない、請求項１記載の発光素子。
【請求項１５】
パターンは、第１層を超えて延在する、請求項１記載の発光素子。
【請求項１６】
更に、反射材料層を備え、この反射材料層は、光発生領域が生成する光の少なくとも約５０％の光であって、反射材料層に衝突する光を反射する機能を有し、
光発生領域は、反射材料層と第１層との間に位置する、請求項１記載の発光素子。
【請求項１７】
更に、反射材料層を備え、この反射材料層は、光発生領域が生成する光の少なくとも約５０％の光であって、反射材料層に衝突する光を反射する機能を有し、光発生領域は反射材料層と第１層との間に位置する、請求項１記載の発光素子。
【請求項１８】
パターンは、非周期パターンまたは複素周期パターンである、請求項１記載の発光素子。
【請求項１９】
複数の発光素子を備えるウェハであって、これらの発光素子の内の少なくとも幾つかの発光素子は、
複数の材料から成り、かつ光発生領域と、光発生領域によって支持される第１層と、を含む多層積層体を備え、第１層の表面は、光発生領域が生成する光を、発光素子から第１層の表面を通して放出することができるように構成され、第１層の表面は、パターンに従って空間的に変化する誘電関数を有し、パターンは、光発生領域によって生成され、かつ発光素子から第１層の表面を通して放出される光がランバート分布を示す光よりも平行度が高くなるように構成され、
ウェハは１平方センチメートル当たり少なくとも約５個の発光素子を含む、ウェハ。
【請求項２０】
ウェハは１平方センチメートル当たり少なくとも約２５個の発光素子を含む、請求項１９記載のウェハ。
【請求項２１】
λが光発生領域が生成することができ、かつ発光素子から第１層の表面を通して放出することができる光の波長である場合、第１層の表面は約λ／５未満のサイズの形状を有する、請求項１記載の発光素子。
【請求項２２】
λが光発生領域が生成することができ、かつ発光素子から第１層の表面を通して放出することができる光の波長である場合、第１層の表面は約λ／５未満のサイズの形状を有する、請求項１９記載のウェハ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を形成する方法であって、
反射材料層をｐ型材料層に接着させる工程を備え、
前記発光素子は複数の材料から成り、かつｐ型材料層、光発生領域、及び第１層を含む多層積層体を備え、
前記第１層はパターンに従って空間的に変化する誘電関数を有する表面を有し、及び
前記反射材料は、前記光発生領域によって生成される光の少なくとも５０％の光であって、反射材料層に衝突する光を反射する機能を備える、方法。
【請求項２】
前記反射材料層をｐ型材料層に接着させる前に、前記第１層を基板に接着させ、複数の材料から成る多層積層体は前記基板と前記反射材料層との間に位置する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１層と前記基板との間に接着層を形成する工程をさらに備える、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記基板を取り外す工程をさらに備える、請求項２記載の方法。
【請求項５】
基板を取り外す工程は、前記第１層と前記基板との間に配置される接着層を加熱する工程を含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記接着層を加熱する工程は前記接着層の少なくとも一部を分解する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記接着層を加熱する工程は、接着層をレーザが放出する光に曝露する工程を含む、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記パターンを前記第１層の表面に形成する工程をさらに備える、請求項４記載の方法。
【請求項９】
前記パターンを形成する工程においてナノリソグラフィを用いる、請求項８記載の方法
。
【請求項１０】
前記発光素子は発光ダイオードからなる、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記発光素子は、ＯＬＥＤ，面発光ＬＥＤ，ＨＢＬＥＤ、及びこれらの組合せから成るグループから選択される、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
発光素子を形成する方法であって、
第１層に接着している基板を取り外す工程を備え、
前記第１層は、複数の材料から成り、かつ光発生領域を含む多層積層体の一部を形成し、及びこの方法によって第１層の表面がパターンに従って空間的に変化する誘電関数を有する表面を有する構成の発光素子が形成される、方法。
【請求項１３】
基板を取り外す工程は、前記第１層と前記基板との間に配置される接着層を加熱する工程を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記接着層を加熱する工程は、前記接着層の少なくとも一部を分解する、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記接着層を加熱する工程は、前記接着層をレーザが放出する光に曝露する工程を含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
λが前記光発生領域が生成することができ、かつ発光素子から第１層の表面を通して放出することができる光の波長である場合、前記第１層の表面は約λ／５未満のサイズの形状を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記変化のパターンは、非周期パターン、複素周期パターン、及び理想的な格子定数及びゼロよりも大きい値の微調整パラメータを有するパターンからなるグループから選択される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのトークン・アビータを有し、ラウンド・ロビン・トークン・アービトレーションを実現する装置であって、
或る第１のトークン・アービタは２つ又はそれ以上のリクエスタと他の少なくとも１つのトークン・アービタに直接に接続していることを特徴とする装置。
【請求項２】
各トークン・アービタが、サブツリーを受け取るように設計された３つのコネクタを有
し、各アービタが、リクエスタを受け取るように設計された１つのローカル接続を有する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
各アービタが、ローカル接続、右接続、左接続を含み、要求の優先順位が、ローカル、右、左である請求項１に記載の装置。
【請求項４】
各アービタは、
サブツリーを受け取るように設計された各コネクタへのＧｒａｎｔ信号の出力と、
前記サブツリーの現状態を示す、各サブツリーからの一対の信号Ｇｅｎｒａｔｅ（Ｇ）とＰｒｏｐａｇａｔｅ（Ｐ）の入力とを有し；
各非ルート・アービタは、
トークンがアービタに付与されたことを示すルートｇｒａｎｔ信号の入力と、
前記アービタの現状態を示す一対の信号Ｇ、Ｐの出力アップストリームと
をさらに有する請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記一対の信号によって示される状態が、
前記サブツリーがトークンを有さず、前記トークンを必要としていないことを示すＮｏＴｏｋｅｎ状態と、
前記サブツリーが前記トークンを必要としていることを示すＷａｎｔＴｏｋｅｎ状態と、
前記サブツリーが前記トークンを有することを示すＧｅｎＴｏｋｅｎ状態と
を含む請求項４に記載の装置。
【請求項６】
リクエスタは、
有限状態マシン・リクエスタがトークンを有さず、前記トークンを必要としていないことを示すＮｏＴｏｋｅｎ状態と、
前記有限状態マシン・リクエスタが前記トークンを必要としていることを示すＷａｎｔＴｏｋｅｎ状態と、
前記有限状態マシン・リクエスタが前記トークンを有することを示すＧｅｎＴｏｋｅｎ状態
との３つの状態を有する有限状態マシン・リクエスタを具備すると共に
前記有限状態マシン・リクエスタは、
前記有限状態マシン・リクエスタが前記トークンを有することを示すが、前記ラウンド・ロビン・アービトレーションがより高い優先順位アービトレーションによって優先使用されたことを示す優先使用状態という追加の状態を有する請求項１に記載の装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置を表すデータが格納された機械可読媒体。
【請求項８】
システム・オン・チップ（ＳＯＣ）用のアービタであって、
サブツリーを受け取るための少なくとも２つのダウンストリーム・コネクタを有する第１トークン・アービタと、
前記ルート・トークン・アービタに第１サブツリーを介して結合され、サブツリーを受け取るための少なくとも２つのダウンストリーム・コネクタを有するトークン・アービタとを有し、
第１トークン・アービタが２つまたはそれ以上のリクエスタおよび少なくとも１つの他のトークン・アービタに直接接続するアービタ。
【請求項９】
各ダウンストリーム・コネクタが、
前記コネクタに結合された前記サブツリーに前記トークンが付与されたことを示す出力信号Ｇｒａｎｔと、
前記トークンに結合された前記サブツリーのステータスを示す一対の入力信号Ｇｅｎｒａｔｅ（Ｇ）とＰｒｏｐａｇａｔｅ（Ｐ）と
を含む請求項８に記載のアービタ。
【請求項１０】
前記アップストリーム・コネクタは、
前記トークン・アービタ・アップストリームのステータスを示す一対の入力信号Ｇｅｎｒａｔｅ（Ｇ）とＰｒｏｐａｇａｔｅ（Ｐ）と、
前記トークン・アービタに前記トークンが付与されたことを示す入力信号ＲｏｏｔＧｒａｎｔと、
を有し、
バッファリング信号は、前記トークン・アービタに結合された前記サブツリーに出力さ
れ、更に前記バッファリング信号は、前記トークン・アービタの出力を駆動する高出力バッファまたはインバータを使用してバッファリングされる請求項８に記載のアービタ。
【請求項１１】
ローカル・リクエスタと少なくとも第２のトークン・アービタを受け取る第１トークン・アービタと、
前記第１トークン・アービタに結合され、少なくとも２つのリクエスタおよび少なくとも１つの他のトークン・アービタを受け取る第２トークン・アービタと
を備えるアービタ。
【請求項１２】
少なくとも２つのリクエスタの１つはリモート・リクエスタであり、
前記リモート・リクエスタは、第３トークン・アービタを介して前記第２トークン・アービタに結合される請求項１１に記載のアービタ。
【請求項１３】
複数の論理装置と、
前記複数の論理装置によってアクセスされる共有資源と、
前記共有資源を求めるアービトレーション論理装置と、
から構成され、
前記アービトレーション論理回路は、複数の論理装置の夫々と協働し、共有資源に対する要求を発生すると共に共有資源を何時利用できるかを論理装置に提示する有限状態マシンを具備し、
前記有限状態マシンはトークン・アービタを用いたツリー構造で互に結合しており、第１のトークン・アービタは２つ又はそれ以上の有限状態マシンと少くとも１個の他のトークン・アービタに接続していることを特徴とするシステム・オン・チップ（ＳＯＣ）。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置を表すデータが格納された機械可読媒体。
【請求項１５】
ツリー構造アービタの葉ノードを含む複数の有限状態マシンであって、各有限状態マシンがリクエスタと関連付けられ、２線接続で状態を上流に渡す有限状態マシンと；
ルート・ノードとブランチ・ノードを含む複数のトークン・アービタであって、有限状態マシンからの２線接続を受け、前記トークンを前記有限状態マシンにいつ付与するかを決定するトークン・アービタと；
２つまたはそれ以上の状態機械および少くとも１つの他のトークン・アービタに接続する第１トークン・アービタと；
を備えるツリー構造アービタ。
【請求項１６】
トークン・アービタはこのアービタに結合した有限状態マシンを有しており且つこのアービタはトークンに結合したドータートークン・アービタを有し、このドータートークン・アービタはこのアービタのサブ・ツリーの状態を示す上記トークン・アービタに２線接続をしている請求項１５に記載のツリー構造アービタ。
【請求項１７】
非ローカル・サブツリーに接続する第１リクエスタを含む請求項１６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀とビスマスを含み、この合金における銀とビスマスの量の間の関係はＡｇxＢｉwによって定義され、ここで０.９５０
０＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
【請求項２】
０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項１に記載の光蓄積媒体。
【請求項３】
下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀とイットリウムを含み、この合金における銀とイットリウムの量の間の関係はＡｇxＹwによって定義され、ここで０.
９５００＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
【請求項４】
０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項３に記載の光蓄積媒体。
【請求項５】
下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀とスカンジウムを含み、この合金における銀とスカンジウムの量の間の関係はＡｇxＳｃwによって定義され、ここで０.９５００＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
【請求項６】
０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項５に記載の光蓄積媒体。
【請求項７】
下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀と銅と元素Ａを含み、元素Ａはイットリウム、スカンジウムおよびビスマスからなる元素の群から選択され、この合金における銀と銅と元素Ａの量の間の関係はＡｇxＣｕzＡwによって定義され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｚ＜０.１０および０.０００１＜ｗ＜０.０５であ
る、光蓄積媒体。
【請求項８】
０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項７に記載の光蓄積媒体。
【請求項９】
下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀と銅とマグネシウムを含み、この合金における銀と銅とマグネシウムの量の間の関係はＡｇxＣｕzＭｇwによって定義
され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｚ＜０.１０および０.０００１
＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
【請求項１０】
０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項９に記載の光蓄積媒体。
【請求項１１】
下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀と亜鉛とマグネシウムを含み、この合金における銀と亜鉛とマグネシウムの量の間の関係はＡｇxＺｎyＭｇwによって
定義され、ここで０.８０００＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｙ＜０.１５および０.
０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
【請求項１２】
０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項１１に記載の光蓄積媒体。
【請求項１３】
下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀と亜鉛とコバルトを含み、この合金における銀と亜鉛とコバルトの量の間の関係はＡｇxＺｎyＣｏwによって定義され
、ここで０.８０００＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｙ＜０.１５および０.０００１
＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
【請求項１４】
０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項１３に記載の光蓄積媒体。
【請求項１５】
下記の要素を含む光蓄積媒体であって、
少なくとも一つの主表面において特徴のあるパターンを有する第一の層、および
前記特徴のあるパターンに隣接する第一の反射性層、
ここで、前記第一の反射性層は合金を含み、前記合金は銀と銅とコバルトを含み、この合金における銀と銅とコバルトの量の間の関係はＡｇxＣｕzＣｏwによって定義され、こ
こで０.８５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｚ＜０.１０および０.０００１＜ｗ＜０.０５である、光蓄積媒体。
【請求項１６】
０.００１＜ｗ＜０.０３である、請求項１５に記載の光蓄積媒体。
【請求項１７】
前記第一の反射性層は高反射性の層である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の光蓄積媒体。
【請求項１８】
少なくとも一つの主表面において第二の特徴のあるパターンを有する第二の層と第二の反射性層をさらに有し、前記第一の反射性層は半反射性の層であり、前記第二の反射性層は高反射性の層である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の光蓄積媒体。
【請求項１９】
前記第二の反射性層は前記合金を含む、請求項１８に記載の光蓄積媒体。
【請求項２０】
第一の特徴のあるパターンは螺旋溝を含む、請求項１８または１９に記載の光蓄積媒体。
【請求項２１】
前記第一の反射性層に隣接する第三の層であって誘電体材料を含む層と、光学的に再記録可能な材料を含む第四の層と、誘電体材料を含む第五の層とをさらに有する、請求項１８〜２０のいずれか１項にに記載の光蓄積媒体。
【請求項２２】
前記光学的に再記録可能な材料は相変化可能な材料である、請求項２１に記載の光蓄積媒体。
【請求項２３】
前記光学的に再記録可能な材料はＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｒ-Ｇｅ-
Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ｏ、Ｔｅ-Ｓｅ、Ｓｎ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｔｅ-Ｇｅ-Ｓｎ-Ａｕ、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｂ-Ｔｅ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ、Ｉｎ-Ｓｂ、Ｉｎ-Ｓｂ-Ｓｅ、Ｉｎ-Ｓｅ-Ｔｌ-Ｃｏ、Ｂｉ-Ｇｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ、Ｂｉ-Ｇｅ-ＴｅおよびＳｉ-Ｔｅ-Ｓｎからなる群から選択される相変化可能な材料をさらに含む
、請求項２２に記載の光蓄積媒体。
【請求項２４】
前記光学的に再記録可能な材料は磁気光材料である、請求項２１に記載の光蓄積媒体。
【請求項２５】
前記光学的に再記録可能な材料はＴｂ-Ｆｅ-ＣｏおよびＧｄ-Ｔｂ-Ｆｅからなる群から選択される磁気光材料をさらに含む、請求項２４に記載の光蓄積媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を形成する方法であって、
回路を有する半導体基板（１）であって、前記回路が複数の離散回路手段を含み、前記離散回路手段のそれぞれが、前記離散回路手段の少なくとも１つの縁端部に前記回路に電気接続するための端子手段（３’）を含む、半導体基板（１）を提供する段階と、
前記半導体素子のさらなる層を形成するための、少なくとも１つの溝（５）を含む薄板（４）を提供する段階と、
前記半導体基板（１）及び前記薄板（４）のうちの少なくとも１つに接着剤を塗布する段階と、
前記少なくとも１つの溝（５）が前記端子手段（３’）に対向する位置に、前記半導体基板（１）及び前記薄板（４）を位置合わせする段階と、
前記接着剤を用いて前記位置で前記半導体基板（１）と前記薄板（４）とを接着する段階と、
前記半導体基板（１）及び前記薄板（４）を、前記少なくとも１つの溝（５）のところで前記薄板を分断することによって個別化して、前記回路手段のうちの１つをそれぞれ含む複数の半導体素子を形成する段階とを含む、半導体素子を形成する方法において、
各回路手段が、各回路手段の１つの縁端部のみに端子手段（３’）を有し、
前記薄板（４）を、前記半導体基板（１）のみが分断される線からずれた線に沿って分断し、前記半導体基板（１）の前記線及び前記薄板の前記線を、前記溝（５）に位置合わせするが、前記溝の幅の分互いに間隔をあけることを特徴とする半導体素子を形成する方法。
【請求項２】
前記接着剤を前記薄板（４）にのみ塗布する請求項１に記載された半導体素子を形成する方法。
【請求項３】
前記端子手段（３’）が、複数の接合パッドを含む請求項１又は請求項２に記載された半導体素子を形成する方法。
【請求項４】
前記半導体基板（１）が、少なくとも１つの有機発光ダイオードの配列（２）を含む請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載された半導体素子を形成する方法。
【請求項５】
前記さらなる層（４）が、透光層を含む請求項４に記載された半導体素子を形成する方法。
【請求項６】
前記透光層（４）が、ガラスでできている請求項５に記載された半導体素子を形成する方法。
【請求項７】
透光層（４）が、色フィルタを有する請求項５又は請求項６に記載された半導体素子を形成する方法。
【請求項８】
前記薄板（４）が、複数の互いに平行な溝（５）と、前記複数の平行な溝に直交する別の１組の互いに平行な溝（５）とを含み、前記薄板（４）および前記半導体基板（１）を接着したときに、交差する４つの溝（５）の部分によって区切られる前記半導体基板（１）の方形部分に半導体素子が含まれる請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載された半導体素子を形成する方法。
【請求項９】
前記接着剤を、前記半導体基板（１）に接着される前記薄板（４）の表面全体に塗布する請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載された半導体素子を形成する方法。
【請求項１０】
前記接着剤を、前記薄板（４）の一部分にのみ塗布する請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載された半導体素子を形成する方法。
【請求項１１】
前記接着剤を、前記溝（５）に平行な線状に前記薄板（４）に塗布する請求項１０に記載された半導体素子を形成する方法。
【請求項１２】
回路を含む半導体基板（１）であって、前記回路が、複数の離散回路手段を含み、前記離散回路手段のそれぞれが、前記離散回路手段の少なくとも１つの縁端部に前記回路に電気接続するための端子手段（３’）を含む、半導体基板（１）と、
接着剤により前記半導体基板（１）に接着され、半導体素子のさらなる層を形成する薄板（４）であって、前記薄板が、前記端子手段（３’）に対向して位置合わせされた少なくとも１つの溝（５）を含む薄板（４）とを含む半導体素子組立体において、
各回路手段が、各回路手段の１つの縁端部にのみ端子手段（３’）を有し、
前記薄板（４）が、前記半導体基板（１）のみが分断される基板チャネル（７）からずれた、前記薄板を分断するための薄板チャネル（６）を含み、前記半導体基板（１）の前記基板チャネル（７）及び前記薄板（４）の前記薄板チャネル（６）が、前記溝（５）に位置合わせされるが、前記溝の幅の分互いに間隔がおかれていることを特徴とする半導体素子組立体。
【請求項１３】
前記端子手段（３’）が、複数の接合パッドを含む請求項１２に記載された半導体素子組立体。
【請求項１４】
前記半導体基板（１）が、少なくとも１つの有機発光ダイオードの配列（２）を含む請求項１２又は請求項１３に記載された半導体素子組立体。
【請求項１５】
前記さらなる層（４）が、透光層を含む請求項１４に記載された半導体素子組立体。
【請求項１６】
前記透光層（４）が、ガラスでできている請求項１５に記載された半導体素子組立体。
【請求項１７】
前記透光層（４）が、色フィルタを有する請求項１５又は請求項１６に記載された半導体素子組立体。
【請求項１８】
前記薄板（４）が、複数の互いに平行な溝（５）と、前記複数の平行な溝に直交する別の１組の互いに平行な溝（５）とを含み、前記薄板（４）および前記半導体基板（１）が接着されたときに交差する４つの溝（５）の部分によって区切られる方形部分に各離散回路手段が含まれる請求項１２から請求項１７までのいずれか１項に記載された半導体素子組立体。
【請求項１９】
請求項１から請求項及び１１までのいずれか１項に記載された方法に従って作製される光電素子であって、前記光電素子が、
回路、発光素子（２）および該回路に電気接続するための端子手段（３’）を含む半導体基板（１）と、
接着剤を用いて前記半導体基板（１）に接着され、前記光電素子のさらなる層を形成する薄板（４）とを含む光電素子において、
前記薄板（４）が、前記半導体基板（１）を越えて延びる部分を有し、該部分が、前記半導体基板（１）の分断される線からずれた線に沿って前記薄板（４）の分断される工程中に形成されるようになっている、光電素子。
【請求項２０】
前記端子手段（３’）が、複数の接合パッドを含む請求項１９に記載された光電素子。
【請求項２１】
前記半導体基板（１）が、少なくとも１つの有機発光ダイオードの配列（２）を含む請求項２０に記載された光電素子。
【請求項２２】
前記さらなる層（４）が、透光層を含む請求項２１に記載された光電素子。
【請求項２３】
前記透光層（４）が、ガラスでできている請求項２２に記載された光電素子。
【請求項２４】
前記透光層（４）が、色フィルタを有する請求項２２又は請求項２３に記載された光電素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光スクリーンアセンブリであって：
複数のフィールドの集合を規定するパターニングされた光吸収マトリクスを有するフェースプレートパネル；
前記の複数のフィールドの集合の１つにおいて形成された顔料層；
前記顔料層上に形成されたキャップ層；及び
前記キャップ層上に形成された蛍光体層；
を有することを特徴とする発光スクリーンアセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の発光スクリーンアセンブリであって、前記顔料層は、青色顔料、赤色顔料及び緑色顔料を有する群から選択される、ことを特徴とする発光スクリーンアセンブリ。
【請求項３】
請求項１に記載の発光スクリーンアセンブリであって、前記キャップ層は光増感剤及び高分子の水溶液から形成される、ことを特徴とする発光スクリーンアセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載の発光スクリーンアセンブリであって、前記高分子は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）及びポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）を有する群から選択された１つ又はそれ以上の材料を有する、ことを特徴とする発光スクリーンアセンブリ。
【請求項５】
請求項１に記載の発光スクリーンアセンブリであって、前記キャップ層は約０．５μｍ乃至２．０μｍの範囲内の厚さを有する、ことを特徴とする発光スクリーンアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動回路を含む第１の表面および該第１の表面に対向する第２の表面を有する回路デバイスと、
第１の表面、該第１の表面に対向する第２の表面および少なくとも１つの開口を有する導電性層であって、
該少なくとも１つの開口が、該回路デバイスを少なくとも部分的に囲み、
該回路デバイスの第１の表面が、該導電性層の第１の表面と実質的に同一平面上であり、該導電性層が第１の基準電圧面からなり、同第１の基準電圧面に電気接続された電気接点によって同第１の基準電圧面になることと、
該回路デバイスと該導電性層の間の少なくとも１つの開口内のギャップを少なくとも部分的に充填するカプセル材料層であって、前記導電性層は、電気的に互いに絶縁された少なくとも２つの部分を含む、
少なくとも部分的にパッケージされたデバイス。
【請求項２】
能動回路を含む第１の表面および該第１の表面に対向する第２の表面を有する回路デバイスと、
第１の表面、該第１の表面に対向する第２の表面、および少なくとも１つの開口を有する導電性フレームであって、
該回路デバイスが、該少なくとも１つの開口内にあり、
該回路デバイスの第１の表面が、該導電性フレームの第１の表面と実質的に同一平面上であり、基準電圧面を含む導電性フレームと、
前記第１の基準電圧面に電気接続されて同第１の基準電圧面になる電気接点と、
該回路デバイスの第２の表面および該導電性フレームの第２の表面の上に重なった、導電材料からなるカプセル材料と、
からなる少なくとも部分的にパッケージされたデバイス。
【請求項３】
第１の表面、該第１の表面に対向する第２の表面および少なくとも１つの開口を有する導電性層を設ける工程と、
該少なくとも１つの開口内の接着層上に回路デバイスを配置する工程であって、
該回路デバイスの能動表面が、該導電性層の第１の表面と実質的に同一平面上であり、
該導電性層が基準電圧面からなる、工程と
前記基準電圧面に電気接続された電気接点を作製する工程と、
カプセル材料層を形成して、該回路デバイスと該導電性層の間の、該少なくとも１つの
開口内のギャップを少なくとも部分的に充填する工程と、
からなる少なくとも部分的にパッケージされたデバイスを形成するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ装置の製造方法であって、
第１トランジスタ及び第２トランジスタが形成された半導体基板を提供するステップと、
前記第１トランジスタと電気的に接触する磁気トンネル接合動作素子デバイスを形成するステップと、
前記第２トランジスタと電気的に接続された磁気トンネル接合仮想素子デバイスの少なくとも一部を形成するステップと、
前記磁気トンネル接合仮想素子デバイスの少なくとも一部と前記磁気トンネル接合動作素子デバイスとを覆う第１誘電体層を蒸着するステップと、
前記磁気トンネル接合仮想素子デバイスの少なくとも一部に対する第１ビアと、前記磁気トンネル接合動作素子デバイスに対する第２ビアとを同時に形成するように、前記第１誘電体層をパターニングすると共にエッチングするステップと、
前記磁気トンネル接合仮想素子デバイスの一部から前記磁気トンネル接合動作素子デバイスに向かって延びるように導電配線層を蒸着するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記磁気トンネル接合仮想素子デバイスの少なくとも一部を形成するステップは、第１導電層、磁気トンネル接合素子層、及び第２導電層を備える磁気トンネル接合仮想素子デバイスを形成するステップからなる方法。
【請求項３】
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ装置であって、
第１トランジスタ及び第２トランジスタが設けられた半導体基板と、
前記第１トランジスタと電気的に接続された磁気トンネル接合動作素子デバイスと、
前記第２トランジスタと電気的に接続された磁気トンネル接合仮想素子デバイスの少なくとも一部と、
前記磁気トンネル接合仮想素子デバイスの少なくとも一部から前記磁気トンネル接合動作素子デバイスに向かって延びるメタル配線層と、
を備える装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置において、
前記磁気トンネル接合動作素子デバイスは、第１導電層、磁気トンネル接合素子、及び第２導電層を備える装置。
【請求項５】
電気的に接続された複数の磁気メモリ素子アレイを有する磁気抵抗ランダムアクセスメモリ装置であって、
各アレイは、
一つの第１トランジスタ及び複数の第２トランジスタが設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、前記第１トランジスタの端子に接続された第１配線スタックと、
前記半導体基板上に設けられ、前記各第２トランジスタの端子にそれぞれ接続された複数の第２配線スタックと、
前記各第２配線スタックと電気的にそれぞれ接触する複数の磁気トンネル接合動作素子デバイスと、
前記第１配線スタックと電気的に接続された磁気トンネル接合仮想素子デバイスの少なくとも一部と、
前記磁気トンネル接合仮想素子デバイスの少なくとも一部から前記各磁気トンネル接合動作素子デバイスに向かってそれぞれ延びるメタル配線層とを備え、
前記磁気トンネル接合仮想素子デバイスの少なくとも一部は第１導電層であり、前記メタル配線層は、前記第１導電層から前記各磁気トンネル接合動作素子デバイスに向かって延びている装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を準備し、
ソースを含むこととなるソース領域とドレインを含むこととなるドレイン領域とを含む活性領域を規定し、前記ソース、ドレイン領域は本体領域によって分離され、
前記活性領域の少なくとも２つの側部上に隔離誘電体を形成し、前記隔離誘電体は前記本体領域と、前記ソース領域および前記ドレイン領域の少なくとも一部分とに接しており、
前記活性領域の対向した側部上の２つの保護帯域に漏洩抑制ドーパントをドープし、前記２つの保護帯域は前記活性領域のエッジから前記本体中にドーパント本体距離だけ内方に向けて延在し、本体領域によって分離され、
ゲート絶縁体と、前記トランジスタのゲートとソースおよびドレインとを形成するステップを含んでいる電界効果トランジスタを形成する方法。
【請求項２】
前記ドープするステップは前記隔離誘電体を形成する前記ステップの後に行われ、それによって前記２つの保護帯域は前記活性領域の１つのエッジから前記隔離誘電体にドーパントフィールド距離だけ外方に向けて延在している請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ドープするステップは、前記隔離誘電体を形成する前記ステップの前に行われる請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記２つの保護帯域は、前記トランジスタの前記ゲートに垂直な第１の軸に沿って前記トランジスタの前記ソース内の開始地点から前記トランジスタの前記ドレイン内の終了地点に水平に延在している請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記２つの保護帯域は、前記ソースおよびドレインの底面の下方に垂直に垂直許容誤差距離だけ延在している請求項１記載の方法。
【請求項６】
半導体基板に形成された活性領域と、
前記活性領域において形成されたトランジスタ本体によって分離されているソースおよびドレインと、
前記活性領域の少なくとも２つの側部上に配置された隔離誘電体と、
ゲート絶縁体上に配置され、ゲート軸に沿って延在し、前記ソースおよびドレインの間に配置されているゲートと、
前記活性領域の両側において漏洩抑制ドーパントをドープされ、前記ゲート軸に垂直な軸を有し、前記活性領域のエッジからドーパント本体距離だけ内方に向けて延在し、前記漏洩抑制ドーパントをドープされていない前記トランジスタ本体の１つの領域によって分離されている２つの保護帯域とを備えている電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記２つの保護帯域は、前記活性領域の１つのエッジから前記隔離誘電体中にドーパントフィールド距離だけ外方に向けて延在している請求項６記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記２つの保護帯域は、前記ゲート軸に垂直な前記軸に沿って前記トランジスタのソース内の開始地点から前記トランジスタのドレイン内の終了地点に水平に延在している請求項６記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記ドーパントは、前記ソースおよびドレインの底面の下方に垂直に垂直許容誤差距離だけ延在している請求項６記載のトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
3次元コンピュータグラフィクスシステムでの使用のためのバンプマップデータを実質的にリアルタイムで生成するための方法であって、
テクスチャを加えるべき領域を定めるデータを受け取り、
表面の高さデータを含むテクスチャデータを受け取って前記領域に加え、
前記テクスチャデータの部分的に重なっているサンプルのセットの各々をフィルタし、
前記フィルタされたサンプルから表面接ベクトルを導出し、及び、
前記表面接ベクトルからバンプマップ表面法線を導出し、そこでは前記フィルタが双二次B-スプラインを使って前記表面の高さから高面をモデル化することを含む、ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記接ベクトルを局所接ベクトル空間で定める、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記フィルタするステップが、前記3Dグラフィクスシステムの色チャネルにおいて、既存のハードウェアを使用して前記テクスチャデータの重なっているサンプルをフィルタするステップを含む、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
【請求項４】
前記フィルタするステップが混合係数によって変更される、ことを特徴とする請求項1、2、又は3に記載の方法。
【請求項５】
3次元コンピュータグラフィクスシステムでの使用のためのバンプマップデータを実質的にリアルタイムで生成するための装置であって、
テクスチャを加えるべき領域を定めるデータを受け取るための手段、
高さデータを含むテクスチャデータを受け取って前記領域に加えるための手段、
前記テクスチャデータの部分的に重なっているサンプルのセットの各々をフィルタリングするための手段、
前記フィルタされたサンプルから表面接ベクトルを導出するための手段、及び、
前記表面接ベクトルからバンプマップ表面法線を導出するための手段であって、そこでは前記接ベクトルを局所接ベクトル空間で定め、そして前記フィルタが双二次B-スプラインを使って前記表面の高さから高面をモデル化することを含むそのようなバンプマップ表面法線を導出するための手段、を備えることを特徴とする装置。
【請求項６】
前記フィルタリング手段が、前記3Dグラフィクスシステムの色チャネルにおいて、既存のハードウェアを使用して前記テクスチャデータの重なっているサンプルをフィルタする手段を含む、ことを特徴とする請求項5に記載の装置。
【請求項７】
前記フィルタリングは混合係数によって該フィルタリングを変更する、ことを特徴とする請求項5又は6に記載の装置。
【請求項８】
実質的に本出願で説明するような3次元コンピュータグラフィクスシステムでの使用のためのバンプマップデータを実質的にリアルタイムで生成するための方法。
【請求項９】
実質的に、本図面の図7を参照して本出願で説明するようにバンプマップデータを生成するための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の候補輸送手段を順序付ける方法であって、前記複数の候補輸送手段の中のそれぞれの候補輸送手段は、第一の輸送手段の後順序の中の次の順位を割り当てられる候補であり、前記第一の輸送手段は前記順序の中の順位を最も最近に割り当てられた輸送手段であり、
（１）前記候補輸送手段の内の１つに関する情報を受信するステップと、
（２）前記受信される情報と、前記順序の中の順位を最も最近割り当てられた候補輸送手段から受信される情報と、に基づいて、前記候補輸送手段に起因する値を計算するステップと、
（３）前記候補輸送手段の他のそれぞれに関してステップ（１）と（２）を実行するステップと、
（４）前記起因する値に基づいて、前記候補輸送手段の内の１を選択するステップと、
（５）前記順序の中の次の順位を、前記選択された候補輸送手段に割り当てるステップと、を含み、
前記候補輸送手段の内の１を選択する前記ステップは、前記候補輸送手段の各々に関して相対的なコストを計算することであって、候補輸送手段に関する前記相対的なコストは、前記候補輸送手段の各々に起因した値の既定の関数に相対的な該候補輸送手段に起因した値に依存しているものと、前記相対的なコストに依存して候補輸送手段を選択することとを備える、方法。
【請求項２】
前記輸送手段は航空機である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記順序は前記着陸順序である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記受信される情報は、前記受信される情報が関連する前記候補輸送手段から受信される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記受信される情報は、前記情報が関連する前記候補輸送手段のサイズに関係する情報を含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記値は、前記候補輸送手段が前記順序の中の次の順位を割り当てられたならば、前記候補輸送手段と、前記順序の中の順位を最も最近に割り当てられた輸送手段の間で、維持されなければならないであろう間隔を表す、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
候補輸送手段に関する該相対的なコストは、より低い間隔が該候補輸送手段に関するより低い相対的なコストの計算を生じるような方法で計算される請求項６に記載された方法。
【請求項８】
前記値は、前記候補輸送手段が前記順序の中の次の順位を割り当てられたならば、前記候補輸送手段によって経験されるであろう遅延を表す、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
候補輸送手段に関する該相対的なコストは、より高い遅延が該候補輸送手段に関するより低い相対的なコストの計算を生じるような方法で計算される請求項８に記載された方法。
【請求項１０】
候補輸送手段に関する該相対的なコストはコスト関数
【数１】
2006523874.tif 000001
に従って計算され、
Iは、前記候補輸送手段が該順序の中の次の順位を割り当てられたならば、該候補輸送手段と、前記順序の中で最も最近に順位を割り当てられた輸送手段との間で維持されなければならないであろう間隔を表し、
Dは、該候補輸送手段が該順序の中で次の順位を割り当てられたならば、該候補輸送手段によって経験されるであろう遅延を表し、
αとβは正の値である、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
候補輸送手段を選択する前記ステップは、選択されているある特定の候補輸送手段の確率が該候補輸送手段に関して計算された相対的なコストに依存するように構成された方法で見込みに基づいた方式で実行される請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
複数の候補輸送手段を順序付ける順序付け装置を動作する方法であって、前記複数の候補輸送手段の中のそれぞれの候補輸送手段は、第１の輸送手段の後順序の中の次の順位を割り当てられる候補であり、前記第一の輸送手段は前記順序の中の順位を最も最近に割り当てられた輸送手段であり、該方法は、
（１）前記候補輸送手段の内の１つに関連する情報を受信するステップと、
（２）前記受信される情報と、前記順序の中の順位を最も最近割り当てられた前記候補輸送手段から受信される情報とに基づいて、前記候補輸送手段に起因する値を計算するステップと、
（３）前記候補輸送手段の他のそれぞれに関してステップ（１）と（２）を実行するステップと、
（４）前記起因する値に基づいて前記候補輸送手段の内の１つを選択するステップと、
（５）前記順序の中の次の順位を、前記選択された候補輸送手段に割り当てるステップと、を含み、
前記候補輸送手段の内の１を選択する前記ステップは、前記候補輸送手段の各々に関して相対的なコストを計算することであって、候補輸送手段に関する前記相対的なコストは、前記候補輸送手段の各々に起因した値の既定の関数に相対的な該候補輸送手段に起因した値に依存しているものと、前記相対的なコストに依存して候補輸送手段を選択することとを備える、方法。
【請求項１３】
（６）前記選択された候補輸送手段に、前記順序の中の次の順位の詳細を送信するステップ、をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記輸送手段は航空機である、請求項１２又は請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記順序は着陸順序である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
複数の候補輸送手段を順序付けるよう動作するように構成された順序付け装置であって、前記複数の候補輸送手段の中のそれぞれの候補輸送手段は、第一の輸送手段の後順序の中の次の順位を割り当てられる候補であり、前記第一の輸送手段は前記順序の中の順位を最も最近に割り当てられた輸送手段であり、前記装置は、
前記候補輸送手段の内の１つに関連する情報を受信するよう動作するように構成された受信機と、
前記情報と、前記順序の中の順位を最も最近割り当てられた該候補輸送手段から受信された情報に基づいて、前記候補輸送手段の各々に起因すべき値を計算するよう動作するように構成された計算機と、
前記起因する値に基づいて、前記候補輸送手段の内の１つを選択するよう動作するように構成されたセレクタと、
前記順序の中の次の順位を、前記選択された候補輸送手段に割り当てるよう動作するように構成されたアロケータと、を含み、
前記セレクタは、前記候補輸送手段の各々に関して相対的なコストを計算し、候補輸送手段に関する前記相対的なコストは、前記候補輸送手段の各々に起因した値の既定の関数に相対的な該候補輸送手段に起因した値に依存しており、また前記相対的なコストに依存して候補輸送手段を選択するよう動作するように構成されている、装置。
【請求項１７】
前記輸送手段は航空機である、請求項１６に記載の順序付け装置。
【請求項１８】
前記順序は着陸順序である、請求項１７に記載の順序付け装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の方法のステップを実行するために、処理装置によって実行可能な命令のプログラムを伝搬する、デジタルデータキャリヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサに結合されたメモリと、
前記少なくとも１つのプロセッサに結合された少なくとも１つのリソースであって、装置のユーザによって要求されたときに一時キャパシティを提供する少なくとも１つのリソースと、
前記メモリ内に常駐し、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行されるキャパシティ・マネージャであって、前記ユーザによって要求されたときに、前記少なくとも１つのリソースへのアクセスを管理し、前記少なくとも１つのリソースの実使用分を測定し、前記実使用分を請求するキャパシティ・マネージャと、
を有する装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つのリソースの実使用分を表す測定リソース時間分の請求書を生成することにより、前記キャパシティ・マネージャが前記実使用分を請求する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前払いしたリソース時間から測定リソース時間を差し引くことにより、前記キャパシティ・マネージャが前記実使用分を請求する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサに結合されたメモリと、
装置上で定義された複数のロジカル・パーティションと、
前記装置のユーザによって要求されたときに一時キャパシティを提供する少なくとも１つのリソースと、
前記メモリ内に常駐し、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行されるキャパシティ・マネージャであって、前記複数のロジカル・パーティションによる前記少なくとも１つのリソースへのアクセスを管理し、各ロジカル・パーティションによる前記少なくとも１つのリソースの実使用分を測定し、各ロジカル・パーティションによる前記実使用分を請求するキャパシティ・マネージャと、
を有する装置。
【請求項５】
前記ロジカル・パーティションによる前記少なくとも１つのリソースの実使用分を表す各ロジカル・パーティションに関する測定リソース時間分の請求書を生成することにより、前記キャパシティ・マネージャが各ロジカル・パーティションによる前記実使用分を請求する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
各ロジカル・パーティションに関する前払いしたリソース時間から各ロジカル・パーティションに関する測定リソース時間を差し引くことにより、前記キャパシティ・マネージャが各ロジカル・パーティションによる前記実使用分を請求する、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
使用可能化コードを評価して、前記コードが有効であるかどうかを判別する使用可能化コード・メカニズムであって、前記使用可能化コードが指定のリソース時間を含む使用可能化コード・メカニズムをさらに有する、請求項１または４に記載の装置。
【請求項８】
前記キャパシティ・マネージャが前記少なくとも１つのリソースの前記実使用分を測定する前に前記少なくとも１つのリソースを使用可能にするリソース・アロケータをさらに有する、請求項１または４に記載の装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つのリソースの前記キャパシティ・マネージャの測定実使用分が指定のリソース時間を超えたときに前記リソース・アロケータが前記少なくとも１つのリソースを使用不可にする、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
リソースが共用されるかどうかを前記キャパシティ・マネージャが判別し、前記リソースが共用される場合に、所定の非ゼロのしきい値を上回る共用リソースの使用量を前記キャパシティ・マネージャが測定する、請求項１または４に記載の装置。
【請求項１１】
少なくとも１つの一時リソース・オンデマンドの測定キャパシティを提供するための方法であって、
測定動作のために前記少なくとも１つのリソースを使用可能にするステップと、
前記少なくとも１つのリソースの実際の使用量を測定するステップと、
前記少なくとも１つのリソースの前記実際の使用量分を請求するステップと、
を有する方法。
【請求項１２】
複数のロジカル・パーティションを含むコンピュータ・システム内で少なくとも１つの一時リソース・オンデマンドの測定キャパシティを提供するための方法であって、
選択されたロジカル・パーティションによる測定動作のために前記少なくとも１つのリソースを使用可能にするステップと、
前記選択されたロジカル・パーティションによる前記少なくとも１つのリソースの実際の使用量を測定するステップと、
前記選択されたロジカル・パーティションによる前記少なくとも１つのリソースの前記実際の使用量分を請求するステップと、
を有する方法。
【請求項１３】
前記実際の使用量分を請求する前記ステップが、前記少なくとも１つのリソースの実使用分を表す測定リソース時間分の請求書を生成するステップを有する、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記実際の使用量分を請求する前記ステップが、前払いしたリソース時間から測定リソース時間を差し引くステップを有する、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１５】
使用可能化コードが有効であるかどうかを判別するステップであって、前記使用可能化コードが指定のリソース時間を含むステップをさらに有する、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのリソースの前記測定した実際の使用量が指定のリソース時間を超えたときに前記少なくとも１つのリソースを使用不可にするステップをさらに有する、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１７】
リソースが共用されるかどうかを判別し、前記リソースが共用される場合に、所定の非ゼロのしきい値を上回る共用リソースの使用量を測定するステップをさらに有する、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１８】
（１）顧客にコンピュータ・システムを提供するステップであって、前記コンピュータ・システムが測定キャパシティ・オンデマンドを提供する少なくとも１つのリソースを含むステップと、
（２）前記顧客の要求により、前記少なくとも１つのリソースを使用可能にするステップと、
（３）前記少なくとも１つのリソースの実際の使用量を測定するステップと、
（４）前記少なくとも１つのリソースの前記実際の使用量分を前記顧客に請求するステップと、
を有する、ビジネスを実行するための方法。
【請求項１９】
（１）顧客にコンピュータ・システムを提供するステップであって、前記コンピュータ・システムが測定キャパシティ・オンデマンドを提供する少なくとも１つのリソースを含むステップと、
（２）前記少なくとも１つのリソースの指定のリソース時間について前記顧客による前払いを受け取るステップと、
（３）前記少なくとも１つのリソースを使用可能にするステップと、
（４）前記少なくとも１つのリソースの実際の使用量を測定するステップと、
（５）前記前払いした指定のリソース時間から前記実際の使用量を差し引くステップと、
を有する、ビジネスを実行するための方法。
【請求項２０】
前記実際の使用量が前記前払いした指定のリソース時間未満ではないときに前記少なくとも１つのリソースを使用不可にするステップをさらに有する、請求項１９に記載の方法。