(57)【要約】  基板を支持するように構成された支持テーブルから基板をアンロードする方法であって、方法は、支持テーブルのベース面と基板の間のギャップに、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを供給することを含み、アンロードの初期段階において、ガスの供給が、支持テーブルの外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、外側領域の半径方向内側にある支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、アンロードの後期段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる方法。【選択図】  図５
2019505841.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持するように構成された支持テーブルから前記基板をアンロードする方法であって、
前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップに、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを供給することを含み、
アンロードの初期段階において、前記ガスの供給が、前記支持テーブルの外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記外側領域の半径方向内側にある前記支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、  アンロードの後期段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる、方法。
【請求項２】
前記アンロードの初期段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記中心領域のガス流開口、及び前記外側領域の半径方向内側にあり、かつ前記中心領域の半径方向外側にある前記支持テーブルの中間領域のガス流開口から行われず、
アンロードの中間段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記中心領域のガス流開口から行われず、  前記アンロードの後期段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アンロードの中間段階において、ガスの供給が、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から周囲圧力より大きい第１の圧力で行われ、その後、ガスの供給が、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から前記第１の圧力より小さい第２の圧力で行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
基板を支持するように構成された支持テーブル上に前記基板をロードする方法であって、
前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップから、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、
ロードの第１の段階において、前記ガスの抽出が、前記支持テーブルの中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記中心領域の半径方向外側にある前記支持テーブルの中間領域のガス流開口及び前記中間領域の半径方向外側にある前記支持テーブルの外側領域のガス流開口から行われず、
ロードの第２の段階において、前記ガスの抽出が、前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記外側領域のガス流開口から行われず、  ロードの第３の段階において、前記ガスの抽出が、前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる方法。
【請求項５】
前記ロードの第１の段階において、周囲圧力より大きい圧力のガスの供給が、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口及び／又は前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させるとき、前記ガスの抽出が、前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、  前記基板が前記支持テーブルより上の所定距離に達すると、前記ガスの抽出が、前記中心領域のガス流開口、前記中間領域のガス流開口、及び前記外側領域のガス流開口のいずれからも行われず、
前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記ロードの第１の段階、前記ロードの第２の段階、及び前記ロードの第３の段階が行われる、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記中間領域は前記中心領域を取り囲む、又は
前記中間領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない中間サブ領域を含む、及び／又は、
前記外側領域は前記中間領域を取り囲む、請求項２から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記外側領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない外側サブ領域を含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
基板を支持するように構成された支持テーブル上に前記基板をロードする方法であって、
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させること、
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させるときに、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップからガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加すること、
前記基板が前記支持テーブルより上の所定距離に達したときに、前記支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する前記負圧源を制御して負圧を印加することを停止すること、及び
前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記ガスを抽出するために、前記負圧源を制御して負圧を印加することを再開させること、を含む方法。
【請求項１０】
前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記負圧源を制御して、前記複数のガス流開口を介して前記ギャップから抽出されるガスの流量が徐々に増加するように、前記負圧を複数の段階で徐々に増大させる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
基板を支持するように構成された支持テーブル上に前記基板をロードする方法であって、
前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップから、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、
ロードの第１の段階において、前記ガスの抽出が、前記支持テーブルの外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記外側領域の半径方向内側にある前記支持テーブルの中間領域のガス流開口及び前記中間領域の半径方向内側にある前記支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、
ロードの第２の段階において、前記ガスの抽出が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記中心領域のガス流開口から行われず、  ロードの第３の段階において、前記ガスの抽出が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる、方法。
【請求項１２】
ガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、前記支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
前記中心領域の半径方向外側にある外側領域と、
前記ガス流システムが前記ベース面と前記基板の間のギャップにガスを供給するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
前記基板が前記支持テーブルからアンロードされるとき、
アンロードの初期段階において、前記コントローラが、前記ガスの供給を前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、前記中心領域のガス流開口から行わないように前記ガス流システムを制御するように構成され、  アンロードの後期段階において、前記コントローラが、前記ガスの供給を前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行うように前記ガス流システムを制御するように構成される、リソグラフィ装置。
【請求項１３】
ガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、前記支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
前記中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
前記中間領域の半径方向外側にある外側領域と、
前記ガス流システムが前記ベース面と前記基板の間のギャップからガスを抽出するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
前記基板が前記支持テーブル上にロードされるとき、
ロードの第１の段階において、前記コントローラが、前記ガスの抽出を前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、前記中間領域のガス流開口及び前記外側領域のガス流開口から行わないように前記ガス流システムを制御するように構成され、
ロードの第２の段階において、前記コントローラが、前記ガスの抽出を前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、前記外側領域のガス流開口から行わないように前記ガス流システムを制御するように構成され、  ロードの第３の段階において、前記コントローラが、前記ガスの抽出を前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行うように前記ガス流システムを制御するように構成される、リソグラフィ装置。
【請求項１４】
負圧源を備えたガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させるときに、前記コントローラが、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記支持テーブルと前記基板の間のギャップからガスを抽出するために、前記負圧源を制御して負圧を印加するように構成され、
前記基板が前記支持テーブルより上の所定距離に達したときに、前記コントローラが、前記支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する前記負圧源を制御して負圧を印加することを停止するように構成され、  前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記コントローラが、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記ガスを抽出するために、前記負圧源を制御して負圧を印加することを再開させるように構成される、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
ガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、前記支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
前記中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
前記中間領域の半径方向外側にある外側領域と、
前記ガス流システムが前記ベース面と前記基板の間のギャップからガスを抽出するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
各領域は、
その領域の前記ガス流開口と流体連通する流路と、
その領域に関する圧力を感知するように構成された圧力センサと、が設けられ、  前記基板が前記支持テーブル上にロードされるとき、前記コントローラが、前記感知した各領域の圧力に基づいて、各領域の前記ガス流開口からガスを抽出するタイミングを制御するように構成される、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  この文献は、２０１６年２月８日及び２０１６年６月２日出願の欧州特許出願第１６１５４５９９．１号及び欧州特許出願第１６１７２６７８．１号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置、基板をアンロードする方法、及び基板を特にリソグラフィ装置の支持テーブル上にロードする方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は超純水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。    
【０００５】
[0005]  基板又は基板と支持テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又は更に強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。    
【０００６】
[0006]  液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを形成することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本パラグラフで流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  液浸装置又はドライ装置の両方において、基板が露光プロセス中に支持テーブルにクランプされる。クランピングは、周囲圧力と比べて低い圧力の基板と支持テーブルの間のギャップが存在することによって支援されてよい。周囲圧力は、基板及び支持テーブルを取り囲む圧力である。支持テーブル及び基板で囲まれる領域は、基板が支持テーブルに真空クランプされるような近真空圧であってよい。
【０００８】
[0008]  支持テーブルは、その中に形成された１つ以上の穴を含む。穴は、基板のクランピングを容易にする。ガスは、基板及び支持テーブルに囲まれたギャップから穴を通じて抽出され、それによって基板をクランプするためにこのギャップ内の圧力を低下させ得る。
【０００９】
[0009]  基板は支持テーブル上にロードされる。基板のロード中、基板は重力により変形する可能性がある。基板は変形した状態でクランプされ、これによりオーバーレイが増加する可能性がある。
【００１０】
[00010]  基板には、アンロード中に近真空圧の印加が行われるエリアと行われないエリアとがあり得る。近真空圧が印加されない（例えば解除される）場合、基板は支持テーブルから離れることができる。近真空圧がまだ印加されている他のエリアでは、基板は滑る可能性がある。これによって、基板が滑る場所に支持テーブルの摩耗が発生する可能性がある。支持テーブルの上面の周辺部は特に摩耗しやすい。
【００１１】
[0010]  例えば、クランプされる基板の平坦性を向上させる、及び／又は支持テーブルの摩耗を低減させる、リソグラフィ装置、基板をアンロードする方法、及び基板をロードする方法を提供することが望ましい。    
【００１２】
[0011]  本発明のある態様によれば、基板を支持するように構成された支持テーブルから基板をアンロードする方法であって、方法は、支持テーブルのベース面と基板の間のギャップに、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを供給することを含み、アンロードの初期段階において、ガスの供給が、支持テーブルの外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、外側領域の半径方向内側にある支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、アンロードの後期段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる方法が提供される。
【００１３】
[0012]  本発明のある態様によれば、基板を支持するように構成された支持テーブル上に基板をロードする方法であって、方法は、支持テーブルのベース面と基板の間のギャップから、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、ロードの第１の段階において、ガスの抽出が、支持テーブルの中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、中心領域の半径方向外側にある支持テーブルの中間領域のガス流開口及び中間領域の半径方向外側にある支持テーブルの外側領域のガス流開口から行われず、ロードの第２の段階において、ガスの抽出が、中心領域の少なくとも１つのガス流開口及び中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、外側領域のガス流開口から行われず、ロードの第３の段階において、ガスの抽出が、中心領域の少なくとも１つのガス流開口、中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる方法が提供される。
【００１４】
[0013]  本発明のある態様によれば、基板を支持するように構成された支持テーブル上に基板をロードする方法であって、方法は、基板を支持テーブルに向かって下降させること、基板を支持テーブルに向かって下降させるときに、支持テーブルの複数のガス流開口を介して、支持テーブルのベース面と基板の間のギャップからガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加すること、基板が支持テーブルより上の所定距離に達したときに、支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する負圧源を制御して負圧を印加することを停止すること、及び基板が支持テーブルに着地したときに、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加することを再開させることを含む方法が提供される。
【００１５】
[0014]  本発明のある態様によれば、基板を支持するように構成された支持テーブル上に基板をロードする方法であって、方法は、支持テーブルのベース面と基板の間のギャップから、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、ロードの第１の段階において、ガスの抽出が、支持テーブルの外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、外側領域の半径方向内側にある支持テーブルの中間領域のガス流開口及び中間領域の半径方向内側にある支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、ロードの第２の段階において、ガスの抽出が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、中心領域のガス流開口から行われず、ロードの第３の段階において、ガスの抽出が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口、中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる方法が提供される。
【００１６】
[0015]  本発明のある態様によれば、ガス流システムと、ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、支持テーブルは、ベース面と、中心領域と、中心領域の半径方向外側にある外側領域と、ガス流システムがベース面と基板の間のギャップにガスを供給するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、基板が支持テーブルからアンロードされるとき、アンロードの初期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、中心領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、アンロードの後期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成されるリソグラフィ装置が提供される。
【００１７】
[0016]  本発明のある態様によれば、ガス流システムと、ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、支持テーブルは、ベース面と、中心領域と、中心領域の半径方向外側にある中間領域と、中間領域の半径方向外側にある外側領域と、ガス流システムがベース面と基板の間のギャップからガスを抽出するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、基板が支持テーブル上にロードされるとき、ロードの第１の段階において、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、中間領域のガス流開口及び外側領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、ロードの第２の段階において、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも１つのガス流開口及び中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、外側領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、ロードの第３の段階において、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも１つのガス流開口、中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成されるリソグラフィ装置が提供される。
【００１８】
[0017]  本発明のある態様によれば、負圧源を備えたガス流システムと、ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、基板を支持テーブルに向かって下降させるときに、コントローラが、支持テーブルの複数のガス流開口を介して、支持テーブルと基板の間のギャップからガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加するように構成され、基板が支持テーブルより上の所定距離に達したときに、コントローラが、支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する負圧源を制御して負圧を印加することを停止するように構成され、基板が支持テーブルに着地したときに、コントローラが、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加することを再開させるように構成されるリソグラフィ装置が提供される。
【００１９】
[0018]  本発明のある態様によれば、ガス流システムと、ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、支持テーブルは、ベース面と、中心領域と、中心領域の半径方向外側にある中間領域と、中間領域の半径方向外側にある外側領域と、ガス流システムがベース面と基板の間のギャップからガスを抽出するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、各領域は、その領域のガス流開口と流体連通する流路と、その領域に関する圧力を感知するように構成された圧力センサと、が設けられ、基板が支持テーブル上にロードされるとき、コントローラが、感知した各領域の圧力に基づいて、各領域のガス流開口からガスを抽出するタイミングを制御するように構成されるリソグラフィ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
[0019]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００２１】
【図１】[0020]  本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0021]  リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す。
【図３】[0022]  ある実施形態に係る別の液体供給システムを示す側断面図である。
【図４】[0023]  本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置の支持テーブルを断面図で示す。
【図５】[0024]  本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置の支持テーブルを平面図で示す。
【図６】[0025]  本発明の別の実施形態に係るリソグラフィ装置の支持テーブルを平面図で示す。
【図７】[0026]  本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置の支持テーブル及びガス流システムの一部を概略的に示す。
【図８】[0027]  本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置の支持テーブル及びガス流システムを概略的に示す。
【図９】[0028]  本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置の支持テーブル及びガス流システムを概略的に示す。
【図１０】[0029]  基板を支持テーブルへ下降させるときの経時的な基板の垂直高さを示す。
【図１１】[0030]  基板を支持テーブルへ下降させるときのリソグラフィ装置の異なる部分の圧力を示す。
【図１２】[0031]  本発明のある実施形態に係る基板を支持テーブルに下降させる様子を概略的に示す。
【図１３】[0032]  本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置の支持テーブルを平面図で示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
[0033]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
ａ．放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
ｂ．パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
ｃ．基板（例えば、レジストコート基板）Ｗを保持するように構築され、一定のパラメータに従ってテーブル、例えば基板Ｗの表面を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された支持テーブル、例えば、１つ以上のセンサを支持するためのセンサテーブル、又は支持テーブルＷＴと、
ｄ．パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００２３】
[0034]  照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２４】
[0035]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２５】
[0036]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２６】
[0037]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２７】
[0038]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２８】
[0039]  リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又はステージもしくはサポート）、例えば、２つ以上の支持テーブル又は１つ以上の支持テーブルと１つ以上のクリーニング、センサもしくは測定テーブルの組み合わせを有するタイプのものであってよい。例えば、ある実施形態では、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に配置された２つ以上のテーブルを含むマルチステージ装置であり、各テーブルは１つ以上の物体を含む、及び/又は保持する。ある実施形態では、１つ以上のテーブルは、放射感応性基板を保持してよい。ある実施形態では、１つ以上のテーブルは、投影システムからの放射を測定するためのセンサを保持してよい。ある実施形態では、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１のテーブル（すなわち、支持テーブル）と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第２のテーブル（以下、総称して、測定、センサ及び/又はクリーニングテーブルと呼ぶが、これに限定されない）とを備える。第２のテーブルは、放射感応性基板以外に、１つ以上の物体を含んでよい、及び/又は保持してよい。そのような１つ以上の物体は、以下から選択された１つ以上を含んでよい：投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ以上のアライメントマーク、及び/又は（例えば、液体閉じ込め構造を洗浄する）クリーニングデバイス。
【００２９】
[0040]  そのような「マルチプルステージ」（又は「マルチステージ」）機械においては、複数のテーブルを併用することができる、又は予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置は、基板、クリーニング、センサ及び/又は測定テーブルと同様の方法で併用できる２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージもしくはサポート）を有してよい。
【００３０】
[0041]  図１を参照すると、照明システムＩＬは放射源ＳＯ又は放射から放射ビームを受ける。放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置は、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯから照明システムＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及び照明システムＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。
【００３１】
[0042]  照明システムＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えていてもよい。一般に、照明システムＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明システムＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。照明システムＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、照明システムＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、照明システムＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、照明システムＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、照明システムＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
【００３２】
[0043]  放射ビームＢは、支持構造ＭＴ上に保持されたパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のようなパターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２は、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３３】
[0044]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導パターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、マイクロスケール、更にはナノスケールのフィーチャを備えたコンポーネントの製造における他の用途があり得ることを理解されたい。
【００３４】
[0045]  投影システムＰＳの最終要素と基板の間に液体を提供するための構成は、３つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは浴式構成、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。浴式構成では、基板Ｗの実質的に全体及び任意選択的に支持テーブルＷＴの一部が液体浴に沈められる。
【００３５】
[0046]  局所液浸システムは、基板の局所領域にのみ液体が供給される液体供給システムを使用する。液体が充填される空間は、平面視で基板の上面より小さく、また、液体が充填される領域は、投影システムＰＳに対して実質的に静止状態を維持し、一方、基板Ｗはその領域の下方を移動する。図２及び図３は、このようなシステムに使用することができる異なる供給デバイスを示す。液体を局所領域に封止するために封止フィーチャが存在する。これを構成するために提案された１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。
【００３６】
[0047]  提案されている構成は、投影システムの最終要素と支持テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造を液体供給システムに提供することである。そのような構成を図２に示している。
【００３７】
[0048]  図２は、局所液体供給システム、すなわち流体ハンドリングシステムを概略的に示す。液体供給システムは、投影システムＰＳの最終要素と支持テーブルＷＴ又は基板Ｗの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延びる流体ハンドリング構造ＩＨ（又は液体閉じ込め構造）を備える。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、追加的又は代替的に支持テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。）流体ハンドリング構造ＩＨは、ＸＹ平面では投影システムＰＳに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向に（光軸の方向に）いくらかの相対的移動があってよい。ある実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨと基板Ｗの表面の間にシールが形成され、シールは、ガスシール（ガスシールを備えたそのようなシステムは、欧州特許出願公開ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの非接触シールとすることができる。
【００３８】
[0049]  流体ハンドリング構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に閉じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素の間の空間１１内に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対する非接触シールを、投影システムＰＳのイメージフィールドの周りに形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され、かつそれを取り囲む流体ハンドリング構造ＩＨによって少なくとも一部が形成される。液体が、投影システムＰＳの下方、かつ流体ハンドリング構造ＩＨの内側にある空間１１に、液体開口１３の１つによって引き入れられる。液体は、液体開口１３のもう１つによって除去することができる。液体は少なくとも２つの液体開口１３から空間１１に引き入れられてよい。液体を供給するためにどちらの液体開口１３が使用されるか、及び任意選択で液体を除去するためにどちらが使用されるかは、支持テーブルＷＴの動きの方向に依存し得る。流体ハンドリング構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素よりわずかに上方に延在してよい。液体のバッファが供給されるように、液面が最終要素より上方に上昇する。ある実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨは、上端部で投影システムＰＳ又はその最終要素の形状に密に共形になり、例えば円形の場合もある内周を有する。底部では、内周は、例えば矩形であるイメージフィールドの形状に密に共形になるが、そうである必要はない。
【００３９】
[0050]  液体は、使用中に流体ハンドリング構造ＩＨの底部と基板Ｗの表面の間に形成されるガスシール１６によって空間１１に閉じ込めることができる。ガスシール１６はガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは、加圧下で、入口１５を介して流体ハンドリング構造ＩＨと基板Ｗの間のギャップに供給される。ガスは、出口１４を介して抽出される。ガス入口１５にかかる過剰圧力、出口１４に対する真空レベル、及びギャップのジオメトリは、内向きに高速ガス流があり、それが液体を閉じ込めるように構成される。流体ハンドリング構造ＩＨと基板Ｗの間にある液体にかかるガスの力は、液体を空間１１に閉じ込める。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状溝とすることができる。環状溝は、連続でも不連続でもよい。ガス流は、液体を空間１１に閉じ込める効果がある。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されており、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。ある実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨにガスシール１６がない。
【００４０】
[0051]  図３は、ある実施形態に係る別の液体供給システム、すなわち流体ハンドリングシステムを示す側断面図である。以下に説明する図３に示す構成は、図１に示す上記のリソグラフィ装置に適用することができる。液体供給システムは、投影システムＰＳの最終要素と支持テーブルＷＴ又は基板Ｗの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延びる流体ハンドリング構造ＩＨ（すなわち液体閉じ込め構造）を備える。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、追加的又は代替的に支持テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。）
【００４１】
[0052]  流体ハンドリング構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に閉じ込める。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され、かつこれを取り囲む流体ハンドリング構造ＩＨによって少なくとも一部が形成される。ある実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨは、本体部材５３及び多孔質部材３３を備える。多孔質部材３３は、プレート形状であって複数の孔（すなわち、開口又は細孔）を有する。ある実施形態では、多孔質部材３３は、多数の小さい孔８４がメッシュ状に形成されたメッシュプレートである。そのようなシステムは、米国特許出願公開ＵＳ２０１０/００４５９４９Ａ１号に開示されており、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【００４２】
[0053]  本体部材５３は、液体を空間１１に供給することができる供給ポート７２と、液体を空間１１から回収することができる回収ポート７３とを備える。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、液体を供給ポート７２に供給することができる。液体供給装置７５から供給された液体は、対応する通路７４を通じて各供給ポート７２に供給される。供給ポート７２は、光路の近くの、本体部材５３の光路に面した所定の位置に配置される。回収ポート７３は液体を空間１１から回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続される。液体回収装置８０は、真空システムを備え、かつ回収ポート７３を介して液体を吸引することによって液体を回収することができる。液体回収装置８０は、回収ポート７３を介し通路７９を通じて回収された液体を回収する。多孔質部材３３は回収ポート７３に配置される。
【００４３】
[0054]  ある実施形態では、投影システムＰＳと一方側の流体ハンドリング構造ＩＨ及び他方側の基板Ｗの間に液体を有する空間１１を形成するために、液体は供給ポート７２から空間１１に供給され、流体ハンドリング構造ＩＨ内の回収チャンバ３１内の圧力は、多孔質部材３３の孔８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液体を回収するように負圧に調整される。供給ポート７２を使用して液体供給動作を行い、多孔質部材３３を使用して液体回収動作を行うことによって、投影システムＰＳと一方側の流体ハンドリング構造ＩＨ及び他方側の基板Ｗの間に空間１１が形成される。
【００４４】
[0055]  図に示すように、装置は液浸タイプであってよい。代替的に、装置は基板が液体に浸漬されないドライタイプであってもよい。
【００４５】
[0056]  図４は、本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置の支持テーブルＷＴを断面図で示す。支持テーブルＷＴは基板Ｗを支持するように構成される。リソグラフィ装置はまた、支持テーブルＷＴと相互作用するガス流システムを備える。
【００４６】
[0057]  支持テーブルＷＴはベース面６１を含む。ある実施形態では、ベース面６１は、支持テーブルＷＴに支持される基板Ｗの下面と実質的に平行となるように構成される。ある実施形態では、支持テーブルＷＴは複数のバール６２を含む。バール６２はベース面６１より上に突出する。複数のバール６２のそれぞれは、個々のバール遠位端６３を有する。バール遠位端６３は、基板Ｗを支持するように支持平面に配置される。基板Ｗが支持テーブルＷＴによって支持される場合、基板Ｗは、複数のバール６２のそれぞれの個々のバール遠位端６３によって支持される。
【００４７】
[0058]  使用中、基板Ｗは、支持テーブルＷＴによって支持される。基板Ｗが支持テーブルＷＴによって支持されるとき、基板Ｗは、各バール６２の個々のバール遠位端６３によって支持される。
【００４８】
[0059]  支持テーブルＷＴのベース面６１と基板Ｗの間にギャップが画定される。ギャップの幅は、バール遠位端６３のベース面６１からの高さに相当する。
【００４９】
[0060]  図７は、本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置の支持テーブルＷＴ及びガス流システム９７の一部を断面図で概略的に示す。リソグラフィ装置はガス流システム９７を備える。ガス流システム９７は支持テーブルＷＴと相互作用する。図７に示すように、ある実施形態では、支持テーブルＷＴは複数のガス流開口６９を備える。ガス流開口６９は基板Ｗのクランピングを容易にする。ガスは、基板Ｗ及び支持テーブルＷＴによって囲われたギャップからガス流開口６９を通って抽出されることにより、基板Ｗのクランピングのためにこのギャップ内の圧力を低下させることができる。ある実施形態では、基板Ｗと支持テーブルＷＴの間からガス及び液体の泡を抽出するために、追加の二相抽出器（図７に示さず）が外側シール６７の半径方向外側にある。
【００５０】
[0061]  ある実施形態では、ガス流システム９７は、ガスをガス流開口６９からベース面６１と基板Ｗの間のギャップに供給するように構成される。ある実施形態では、ガス流システム９７は、ガス流開口６９を介してベース面６１と基板Ｗの間のギャップからガスを抽出するように構成される。ある実施形態では、ガス流システム９７は、ガス流開口６９を通じてガスをギャップに供給し、ガスをギャップから抽出するように構成される。
【００５１】
[0062]  支持テーブルＷＴから基板Ｗをアンロードする方法において、支持テーブルＷＴのガス流開口６９を介してベース面６１と基板Ｗの間のギャップにガスを供給する。ある実施形態では、基板Ｗをアンロードする方法は、ベース面６１と基板Ｗの間のギャップに異なる圧力プロファイルが適用されるアンロードの異なる段階を含む。
【００５２】
[0063]  アンロードの２つの異なる段階が存在し得る。ある実施形態では、方法はアンロードの初期段階とアンロードの後期段階とを含む。アンロードの後期段階はアンロードの初期段階の後である。ある実施形態では、アンロードの後期段階はアンロードの初期段階のすぐ後に続く。代替的な実施形態では、アンロードの３つの段階が存在する。ある実施形態では、アンロードの中間段階が、アンロードの初期段階の後で、かつアンロードの後期段階の前である。ある実施形態では、アンロードの４つ以上の段階が存在する。
【００５３】
[0064]  ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、図４に示すように中心領域８１と外側領域８３とを備える。外側領域８３は中心領域８１の半径方向外側にある。
【００５４】
[0065]  アンロードの初期段階において、ガスは外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９から供給され、中心領域８１のガス流開口から供給されない。アンロードの後期段階において、ガスは外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９から、そして更に中心領域８１の少なくとも１つのガス流開口から供給される。
【００５５】
[0066]  基板Ｗが支持テーブルＷＴにクランプされるとき、中心領域８１及び外側領域８３に真空（又は近真空圧）が印加される。基板Ｗがアンロードされるとき、中心領域８１で真空が解除される前に外側領域８３で真空が解除される。最初に外側領域８３の真空を解除し、その後で中心領域８１の真空を解除することによって、基板Ｗは縁部から中心に向かって解放される（すなわち離れる）ことが期待される。本発明のある実施形態は、基板Ｗが支持テーブルＷＴの外側領域８３（例えば周辺部）のバール６２上で滑ることを抑制することが期待される。したがって、本発明のある実施形態は、支持テーブルＷＴの外周部におけるバール６２の摩耗の減少を達成することが期待される。
【００５６】
[0067]  ある実施形態では、中心領域８１は外側領域８３と境を接する。しかしながら、これは必ずしも当てはまらない。例えば、図４に示すように、ある実施形態では、支持テーブルは中間領域８２を備える。
【００５７】
[0068]  上述のように、ある実施形態では、方法はアンロードの中間段階を含む。特にこれは、支持テーブルＷＴが中間領域８２を備える場合に当てはまり得る。中間領域８２は中心領域８１の半径方向外側にある。中間領域８２は外側領域８３の半径方向内側にある。ある実施形態では、中間領域８２は中心領域８１と境を接する。ある実施形態では、中間領域８２は外側領域８３と境を接する。
【００５８】
[0069]  ある実施形態では、アンロードの初期段階において、ガスは外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９から供給され、中心領域８１及び中間領域８２のガス流開口から供給されない。アンロードの中間段階において、ガスは外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９及び中間領域８２の少なくとも１つのガス流開口６９から供給され、中心領域８１のガス流開口６９から供給されない。（アンロードの中間段階の後の）アンロードの後期段階において、ガスは外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９、中間領域８２の少なくとも１つのガス流開口６９、及び中心領域８１の少なくとも１つのガス流開口６９から供給される。
【００５９】
[0070]  したがって、ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、異なるタイミングで真空の印加及び解除を行うことができる３つの異なるセグメント又はクランプエリアを備える。追加の中間領域８２を設け、外側領域８３の真空を解除した後に、中間領域８２の真空を解除し、続いて中心領域８１の真空を解除することによって、本発明のある実施形態は、バール６２の摩耗を減少させることが期待される。これは、外周部から始まり中心領域８１で終わる真空の解除を連続して行うことによって、基板Ｗがバール６２上を滑る可能性が低くなる、すなわち滑り力が低下することが期待されるためである。ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、外周部から始まり中心領域８１で終わる真空の解除を異なるタイミングで行うことができる４つ以上の異なるセグメント又はクランプエリアを備える。
【００６０】
[0071]  ある実施形態では、ガス流システム９７は、真空を解除する前にガス流開口６９からガス（例えば空気）噴射を行うように構成される。ガス噴射は、滑りの可能性が低下するように、基板Ｗがバール６２から離れることを促すためのものである。ある実施形態では、アンロードの初期段階において、ガスは外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９から周囲圧力より大きい第１の圧力で供給される。周囲圧力より大きい第１の圧力で供給されたガスは、基板Ｗがバール６２から離れることを促すガス噴射である。このガス噴射の後、ガスは外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９から第１の圧力より小さい第２の圧力で供給される。ある実施形態では、第２の圧力は周囲圧力より大きい。したがって、第２の圧力が印加される場合に、基板Ｗは支持テーブルＷＴに再付着しない。代替的な実施形態では、第２の圧力は周囲圧力より小さいため、初めのガス噴射後に真空は解除される。周囲圧力より小さい第２の圧力でガスを供給することによって、外側領域８３において真空が徐々に解除される。したがって、外側領域８３の真空の解除に先立ってガス噴射を行うことができる。周囲圧力より大きい第１の圧力でガスを供給することによって、反った基板Ｗがアンロードプロセス中に不必要にバール６２と接触する可能性が低下する。一般的に基板Ｗが反る場合はその縁部が反る。したがって、基板Ｗは、アンロードプロセス中に外側領域８３において不必要にバール６２と接触する危険性が最も大きい。
【００６１】
[0072]  ある実施形態では、ガスは外側領域８３、中間領域８２、及び中心領域８１のいずれにも周囲圧力より大きい第１の圧力で供給することができる。例えばある実施形態では、アンロードの中間段階において、ガスは中間領域８２の少なくとも１つのガス流開口６９から周囲圧力より大きい第１の圧力で供給され、その後ガスは中間領域８２の少なくとも１つのガス流開口６９から第１の圧力より小さい第２の圧力で供給される。
【００６２】
[0073]  ある実施形態では、アンロードの後期段階において、ガスは中心領域８１の少なくとも１つのガス流開口６９から周囲圧力より大きい第１の圧力で供給され、その後ガスは中心領域８１の少なくとも１つのガス流開口６９から第１の圧力より小さい第２の圧力で供給される。したがって、各領域に対し、真空を解除する前に噴射を加えることができる。これによって、基板Ｗがバール６２上を滑る力が低下する、すなわち基板Ｗがバール６２上を滑る可能性が低下し、結果としてバール６２における摩耗が減少する。
【００６３】
[0074]  本発明は、以上において基板Ｗを支持テーブルＷＴからアンロードする方法という観点から説明してきた。本発明は、基板Ｗを支持テーブルＷＴ上にロードする方法に同様に適用可能である。
【００６４】
[0075]  基板Ｗを支持テーブルＷＴ上にロードする方法によれば、方法は、支持テーブルＷＴの複数のガス流開口６９を介してガスをギャップから抽出することを含む。基板Ｗをロードする方法は少なくとも３つのロードする段階を含む。４つ以上の段階が存在してもよい。
【００６５】
[0076]  ロードの第１の段階において、ガスは中心領域８１の少なくとも１つのガス流開口６９から抽出され、中間領域８２及び外側領域８３のガス流開口６９から抽出されない。次にロードの第２の段階において、ガスは中心領域８１の少なくとも１つのガス流開口６９及び中間領域８２の少なくとも１つのガス流開口６９から抽出され、外側領域８３のガス流開口６９から抽出されない。次にロードの第３の段階において、ガスは中心領域８１の少なくとも１つのガス流開口６９、中間領域８２の少なくとも１つのガス流開口６９、及び外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９から抽出される。
【００６６】
[0077]  したがって、真空は最初に中心領域８１、次に中間領域、その後に外側領域８３に印加することができる。本発明のある実施形態は、基板Ｗのロード後に残る格子変形の低減を達成することが期待される。基板Ｗが変形するとオーバーレイエラーが大きくなる可能性がある。例えば基板Ｗの変形によって、基板Ｗへの放射の入射精度が低下する可能性がある。基板Ｗの表面の湾曲によって、放射と基板Ｗの接触がわずかに的外れになるかもしれない。特に、基板Ｗが最初に支持テーブルＷＴの外周部にあるバール６２にクランプされる場合は、基板Ｗのいかなる変形も基板Ｗがクランプされるときに残る可能性がある。真空を初めに中心領域８１に、そして最後に外側領域８３に印加することによって、基板Ｗのバール６２へのクランプが中心領域８１から始まることが期待される。これによって基板Ｗが支持テーブルＷＴ上にロードされるときの基板Ｗの変形が低減することが期待される。ある実施形態では、支持テーブルＷＴは４つ以上の領域を備える。ロード中、真空は最初に最も中心にある領域に、そして最後に最も外側の領域に印加される。
【００６７】
[0078]  以上で説明したように、ガスはアンロードの異なる段階にわたって同じ領域に供給されてよい。例えばガスは、アンロードの初期段階、アンロードの中間段階、及びアンロードの後期段階において中心領域８１に供給される。ガスを異なる段階において供給するのに使用されるガス流開口６９は、同一のガス流開口６９であるかもしれない。代替的に、異なるガス流開口６９は異なる段階において特定の領域内で使用されてもよい。
【００６８】
[0079]  同様に、ロードプロセス中、ガスはロードプロセスの異なる段階において１つの領域に抽出されてよい。例えばガスは、ロードの第１の段階、第２の段階、及び第３の段階の各段階において中心領域８１で抽出される。異なる段階において特定の領域に使用されるガス流開口６９は、同一のガス流開口６９であるかもしれない。代替的に、異なるガス流開口は異なる段階において特定の領域に使用されてもよい。
【００６９】
[0080]  ある実施形態では、ガスはロードプロセス中、ガス流開口６９から供給されてよい。これは、反った基板Ｗが、特に支持テーブルＷＴの外周部にあるバール６２に不必要に触れることを防止するためである。ある実施形態では、ロードの第１の段階において、周囲圧力より大きい圧力のガスが、中間領域８２の少なくとも１つのガス流開口６９、及び／又は外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９から供給される。したがって、中心領域８１で真空が形成されている間は、中間領域８２及び外側領域８３にガス噴射が供給されている。これは、基板Ｗが中心領域８１のバール６２に接触する前に、基板Ｗが中間領域８２又は外側領域８３のバール６２に不必要に触れることを防止する。
【００７０】
[0081]  ある実施形態では、ロードの第２の段階において、ガスは外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９から周囲圧力より大きい圧力で供給される。したがって、中間領域８２で真空が形成されているときでも、外側領域８３にガス噴射を提供することができる。
【００７１】
[0082]  上記のように、ある実施形態では、真空はまず中心領域８１に、次に中間領域８２に、そして外側領域８３に印加される。しかしながら、代替的な実施形態では、ロードシーケンスが逆転する。ある実施形態では、ロードの第１の段階において、ガスは支持テーブルＷＴの外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９から抽出され、支持テーブルＷＴの中間領域８２のガス流開口６９及び支持テーブルＷＴの中心領域８１のガス流開口６９から抽出されない。ロードの第２の段階において、ガスは外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９及び中間領域８２の少なくとも１つのガス流開口６９から抽出され、中心領域８１のガス流開口６９から抽出されない。ロードの第３の段階において、ガスは外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口６９、中間領域８２の少なくとも１つのガス流開口６９、及び中心領域８１の少なくとも１つのガス流開口６９から抽出される。
【００７２】
[0083]  本発明のこの実施形態は、ボウル形状を有する（すなわち基板Ｗの外周部が基板Ｗの中心部分より高い）反った基板Ｗをクランプすることに有利であることが期待される。
【００７３】
[0084]  ある実施形態では、中心領域８１と中間領域８２の間のガス流が制限される。中心領域８１と中間領域８２の間のガス流を制限することによって、中心領域８１及び中間領域８２のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又は供給を実質的に独立に行うことができる。
【００７４】
[0085]  例えば図４は、中心領域壁６４を示す。中心領域壁６４は、ベース面６１より上に突出する。中心領域壁６４は中間領域８２と中心領域８１の間のガス流を制限する。ある実施形態では、中心領域壁６４は、中心領域８１と中間領域８２の間のガス流を制限するように構成される。中心領域壁６４の最上部は、基板Ｗが支持テーブルＷＴにクランプされるときに基板Ｗと接触しない。中心領域壁６４はシールとして機能する。中心領域壁６４はバール６２ほど高くない。基板Ｗと中心領域壁６４の最上部の間に小さいギャップが存在する。
【００７５】
[0086]  図５は、図４に示す支持テーブルＷＴを平面図で示す。バール６２は、簡単にするために図５から省略されている。ある実施形態では、中心領域壁６４は連続している。中心領域壁６４には中間領域８２と中心領域８１の間でガスの流出入が生じ得る切れ目がない。図５に示すように、ある実施形態では中心領域壁６４は平面視で円形を成す。しかしながら、他の形状も可能である。例えば中心領域壁６４は、正方形又は長方形を成し得る。
【００７６】
[0087]  図５に示すように、ある実施形態では中間領域８２は中心領域８１を取り囲む。中間領域８２は平面視で中心領域８１を取り囲む。図５に示すように、ある実施形態では中間領域８２は、その半径方向の外周が中間領域壁６５によって画定される。中間領域壁６５はベース面６１より上に突出する。中間領域壁６５は、中間領域８２と外側領域８３の間のガス流を制限するように構成される。これによって、中間領域８２及び外側領域８３のそれぞれのギャップに対するガスの供給又は抽出を実質的に独立に行うことができる。中間領域壁６５はシールとして機能する。中間領域壁６５はバール６２ほど高くない。基板Ｗと中間領域壁６５の最上部の間に小さいギャップが存在する。
【００７７】
[0088]  各領域に対する実質的に独立したガス流を可能にすることによって、ロードプロセス及びアンロードプロセスをより正確に制御することができる。図５に示すように、ある実施形態では、外側領域８３は中間領域８２を取り囲む。外側領域８３は平面視で中間領域８２を取り囲む。
【００７８】
[0089]  図５に示すように、ある実施形態では外側領域８３は、その半径方向の外周が外側領域壁６６によって画定される。外側領域壁６６はベース面６１より上に突出する。外側領域壁６６は、外側領域８３と外側領域８３の半径方向外側にある領域の間のガス流を制限するように構成される。外側領域壁６６はシールとして機能する。外側領域壁６６はバール６２ほど高くない。基板Ｗと外側領域壁６６の最上部の間に小さいギャップが存在する。
【００７９】
[0090]  ある実施形態では、支持テーブルＷＴは１つ以上の外側シール６７を備える。外側領域壁６６と外側シール６７は二重シールを形成してよい。二重シールは水抽出システム用であってよい。例えば、外側領域壁６６と外側シール６７の間の空間から液体（さらにガス）を抽出するための流体抽出開口８８（図７参照）を設けてよい。
【００８０】
[0091]  ある実施形態では、各領域は独自の吸気路を有する。これは各領域のガス圧を個別に制御できることを意味する。ある実施形態では、ガス流システム９７は各領域のための流路９８を備える。例えばある実施形態では、ガス流システム９７は、中心領域８１の少なくとも１つのガス流開口６９と接続された中心流路と、中間領域８２の少なくとも１つのガス流開口６９と接続された中間流路と、外側領域８３の少なくとも１つのガス流開口と接続された外側流路とを備える。中心流路、中間流路、及び外側流路は、互いに独立している。中心流路、中間流路、及び外側流路は、図７に両方向矢印として描かれている。
【００８１】
[0092]  図６は、図５に示す支持テーブルＷＴの代替案である支持テーブルＷＴを平面図で示す。しかしながら、図６に示す実施形態における本発明の機能性は、図５に示す実施形態におけるものと実質的に同じである。バール６２は、簡単にするために図６から省略されている。
【００８２】
[0093]  図６に示すように、ある実施形態では、中心領域８１は複数の重ならない中心サブ領域９１を含む。各中心サブ領域９１は中心サブ領域壁９４によって画定される。各中心サブ領域壁９４は、ベース面６１より上に突出する。各中心サブ領域壁９４は、中心領域８１と任意の他の領域（例えば外側領域８３又は中間領域８２）の間のガス流を制限するように構成される。これによって、中心領域８１のギャップに対するガスの供給又は抽出を他の領域から実質的に独立に行うことができる。各中心サブ領域壁９４はシールとして機能する。各中心サブ領域壁９４はバール６２ほど高くない。基板Ｗと各中心サブ領域壁９４の最上部の間に小さいギャップが存在する。
【００８３】
[0094]  図６に示すように、ある実施形態では中心サブ領域９１は互いに離間する。隣り合う中心サブ領域９１の中心サブ領域壁９４は離れており、互いに接触することはない。これは、中心サブ領域９１の間（すなわち中心サブ領域壁９４の外側）に、中心領域８１、中間領域８２、又は外側領域８３のいずれにも属さない空間が存在することを意味する。したがって、中間領域８２又は外側領域８３が中心領域８１を完全に取り囲む必要がない。
【００８４】
[0095]  代替的に、隣り合う中心サブ領域９１は互いに境を接してもよい。中心サブ領域壁９４は、隣り合う中心サブ領域９１によって共有され得る。これは、中心サブ領域壁９４が隣り合う中心サブ領域９１間を分ける境界線であってよいことを意味する。１つの中心サブ領域９１は中心サブ領域壁９４の一方の側にあり、もう１つの中心サブ領域９１は中心サブ領域壁９４の他方の側にあってよい。
【００８５】
[0096]  図６に示すように、中間領域８２及び外側領域８３は、中心領域８１と同様に配置されてよい。特に、本発明は、（サブ領域壁によって形成される）シールの島を使用することによって実施することができる。サブ領域は、平面視で縁部がシール（すなわちサブ領域壁）によって画定された島のように見えるためにシールの島と呼ばれることがある。特に、ある実施形態では、中間領域８２は複数の重ならない中間サブ領域９２を含む。各中間サブ領域９２は中間サブ領域壁９５によって画定される。各中間サブ領域壁９５は、ベース面６１より上に突出する。各中間サブ領域壁９５は、中間領域８２と任意の他の領域の間のガス流を制限するように構成される。そしてこれは、中間領域８２のギャップに対するガスの供給又は抽出を他の領域から実質的に独立に行うことができることを意味する。各中間サブ領域壁９５はシールとして機能する。各中間サブ領域壁９５はバール６２ほど高くない。基板Ｗと各中間サブ領域壁９５の最上部の間に小さいギャップが存在する。
【００８６】
[0097]  図６に示すように、ある実施形態では、中間サブ領域９２は互いに離間する。しかしながら、これは必ずしも当てはまらない。ある実施形態では、中間サブ領域９２は隙間なく互いに直接隣接している。例えば１つの中間サブ領域９２の中間サブ領域壁９５は、隣り合う中間サブ領域９２の間に隙間が生じないように、隣り合う中間サブ領域９２の中間サブ領域壁９５と結合されてよい。
【００８７】
[0098]  図６に示すように、ある実施形態では、外側領域８３はその間のガス流を制限する複数の重ならない外側サブ領域９３を含む。各外側サブ領域９３は外側サブ領域壁９６によって画定される。各サブ領域壁９６は、ベース面６１より上に突出する。外側領域８３は外側サブ領域９３から構成される。（ガスが自由に流れることができる）外側サブ領域９３の間の空間は、外側領域８３の一部を形成しない。各外側サブ領域壁９６は、外側領域８３と任意の他の領域の間のガス流を制限するように構成される。これは、外側領域８３に対するガスの供給又は抽出を任意の他の領域から実質的に独立に行うことができることを意味する。各外側サブ領域壁９６はシールとして機能する。各外側サブ領域壁９６はバール６２ほど高くない。基板Ｗと各外側サブ領域壁９６の最上部の間に小さいギャップが存在する。
【００８８】
[0099]  図６に示すように、ある実施形態では、外側サブ領域９３は互いに離間する。しかしながら、これは必ずしも当てはまらない。代替的な実施形態では、外側サブ領域９３は隙間なく互いに直接隣接している。
【００８９】
[0100]  図５は支持テーブルＷＴの同心領域を示す。これに対して図６は、（サブ領域壁によって形成される）シールの島を使用することによって形成される領域を示す。ある実施形態では、領域の少なくとも１つは図５に示すように形成されてよく、領域の少なくとも１つは図６に示すように形成されてよい。例えば、ある実施形態では、中心領域８１は図６に示すように中心サブ領域９１から形成される一方、外側領域８３は中間領域壁６５及び外側領域壁６６によって画定される。図５及び図６に示す実施形態の別の組み合わせも可能である。
【００９０】
[0101]  例えば図５から図７に示し、以上に記載したように、ある実施形態では、支持テーブルＷＴの異なる領域は壁によって互いに分離される。しかしながら、壁を設けることは不可欠ではない。代替的な実施形態では、壁は設けられない。
【００９１】
[0102]  図１３は、本発明のある実施形態に係る支持テーブルを平面図で概略的に示す。ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、それぞれが支持テーブルＷＴの異なる領域のガス流開口６９と接続された複数の独立に制御可能な流路９８（図９参照）を備える。図１３は３セットのガス流開口６９を示す。ガス流開口６９の各セットは流路９８と流体連通している。流路９８は互いに独立に制御可能である。これによって、ガス流開口６９の各セットの圧力を互いに独立に制御することが可能になる。
【００９２】
[0103]  ガス流開口６９の各セットは複数のガス流開口６９を含む。図１３に示すように、ある実施形態では、１セットのガス流開口６９はリング状に設けられる。例えば正方形又は菱形などの他の配置も可能である。図１３に示すように、ある実施形態では、各セットは１２個のガス流開口６９を有する。しかしながら、各セットのガス流開口６９の数は特に限定されず、例えば６、１０、又は１６であってもよい。
【００９３】
[0104]  ガス流開口６９の各セットは、支持テーブルＷＴの中心から異なる半径距離に設けられる。図１３は、ガス流開口６９の第１のセットが支持テーブルＷＴの中心から半径距離ｒ１に配置された構成を示す。ガス流開口６９の第２のセットは、支持テーブルＷＴの中心から半径距離ｒ２に配置される。ガス流開口６９の第３のセットは、支持テーブルＷＴの中心から半径距離ｒ３に配置される。図１３において、１つの破線は支持テーブルの中心領域８１と中間領域８２の間の境界を表す。もう１つの破線は、支持テーブルの中間領域８２と外側領域８３の間の境界を表す。図１３に示すように、ガス流開口６９の第１のセットは支持テーブルＷＴの中心領域８１に設けられる。ガス流開口６９の第２のセットは支持テーブルＷＴの中間領域８２に設けられる。ガス流開口６９の第３のセットは支持テーブルＷＴの外側領域８３に設けられる。
【００９４】
[0105]  ガス流開口６９の各セットの流れを制御して、上記のロード又はアンロードシーケンスを提供することができる。例えば、ある実施形態では、ガスの抽出は、最初にガス流開口６９の第１のセットを通じて、そして追加的にガス流開口６９の第２のセットを通じて、そして追加的にガス流開口６９の第３のセットを通じて行われる。ガス流開口６９のセットの数は特に限定されず、例えば、２、４、又はそれ以上であってもよい。
【００９５】
[0106]  図１３は、主に支持テーブルＷＴのバールプレート２１を示す（支持テーブルＷＴのバールプレート２１とチャック２２の違いについては図５及び図６参照）。図１３に示すように、バールプレート２１は半径ｒ０を有する。ある実施形態では、ガス流開口６９の第１のセットは、ｒ１：ｒ０が少なくとも０．２になるように配置される。ある実施形態では、ガス流開口６９の第１のセットは、ｒ１：ｒ０が最大でも０．５になるように配置される。ある実施形態では、ガス流開口６９の第１のセットは、ｒ１：ｒ０が０．４くらいになるように配置される。
【００９６】
[0107]  ある実施形態では、ガス流開口６９の第２のセットは、ｒ２：ｒ０が少なくとも０．５になるように配置される。ある実施形態では、ガス流開口６９の第２のセットは、ｒ２：ｒ０が最大でも０．８になるように配置される。ある実施形態では、ガス流開口６９の第２のセットは、ｒ２：ｒ０が０．６くらいになるように配置される。
【００９７】
[0108]  ある実施形態では、ガス流開口６９の第３のセットは、ｒ３：ｒ０が少なくとも０．５になるように配置される。ある実施形態では、ガス流開口６９の第３のセットは、ｒ３：ｒ０が最大でも０．９５になるように配置される。ある実施形態では、ガス流開口６９の第３のセットは、ｒ３：ｒ０が０．９くらいになるように配置される。
【００９８】
[0109]  以上に示したように、例えば正方形又は菱形などの、ガス流開口６９の他の配置も可能である。上記のいずれの壁も、例えば非放射状の開口形態などの他の形態に提供することができる。これは、基板Ｗが対称的、すなわち回転対称的に反る可能性がなく、例えば基板Ｗが鞍形に反る可能性があるために有用である。
【００９９】
[0110]  図１３に示すように、図５に描かれた壁はガス流開口６９のセット間に設けられていないが、ある実施形態では、支持テーブルは外側シール６７を備える。
【０１００】
[0111]  図１３に示すように、ある実施形態では、支持テーブルＷＴは複数のピンホール７１を備える。図１３には６個のピンホール７１が描かれているが、適切な任意の数のピンホール７１が使用されてよく、すなわちピンホール７１の数は６に限定されない。ピンホール７１によって、（図１２に示され、後述される）ピン７０は、支持テーブルＷＴを通って垂直に延びることが可能になる。ある実施形態では、ガス流開口ＷＴのセットのうちの１つが、支持テーブルＷＴの中心からピンホール７１と実質的に同じ半径距離に設けられる。図１３に示す構成では、ガス流開口６９の第２のセット及びピンホール７１が支持テーブルＷＴの中心からの半径距離ｒ２に設けられる。
【０１０１】
[0112]  図８は、本発明のある実施形態に係る支持テーブルＷＴ及びガス流システム９７を概略的に示す。図８は、ガス流システム９７の流路９８を示す。流路９８は、支持テーブルＷＴのガス流開口６９と流体連通している。図８は、単なる例として、１つの流路９８のみを示している。ガス流システム９７は、支持テーブルＷＴの各領域に対する真空の印加及び解除を独立に制御するために複数の流路９８を備える。
【０１０２】
[0113]  図８に示すように、ある実施形態では、ガス流システム９７は少なくとも１つの圧電バルブ９９を備える。圧電バルブ９９は、中心流路、中間流路、又は外側流路であってよい流路９８の通過流量を変化させるように構成される。しかしながら、圧電バルブを使用する必要はない。流量を変化させるために他のバルブを使用することもできる。例えばソレノイドバルブが使用されることもある。
【０１０３】
[0114]  ある実施形態では、圧電バルブ９９は、基板ロードシーケンス及び／又は基板アンロードシーケンス中に圧力及び流れを制御するために使用される。圧電バルブ９９の使用によって、様々な用途のためにロード／アンロードシーケンスを作成することがより簡単になることが期待される。例えばシーケンスは、露光動作中に基板Ｗに形成される層のタイプに依存してよい。これによって、基板ロードプロセスにおける基板Ｗの格子エラーの低減が可能になる。
【０１０４】
[0115]  圧電バルブ９９などの可変バルブを設けることによって、閉ループフィードバック制御を用いて、基板Ｗの任意の形状に対するロードシーケンスを改善することができる。例えば、ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、少なくとも１つの圧力センサ８５を備える。圧力センサ８５は、基板Ｗ付近の圧力を感知するように構成される。例えば圧力センサ８５は、図８に示すように流路９８の圧力を感知するように構成される。代替的に、圧力センサは他の場所に配置されてよい。圧力センサ８５は、支持テーブルＷＴと基板Ｗの間の圧力を感知するように構成されてよい。ある実施形態では、ガス流システム９７のコントローラは、圧力センサ８５によって感知された圧力に基づいて流路９８の流量を変化させるように構成される。
【０１０５】
[0116]  ある実施形態では、ガス流システム９７はバルブ圧力センサ８６を備える。バルブ圧力センサ８６は、圧電バルブ９９の近くの流路９８内の圧力を感知するように構成される。ある実施形態では、ガス流システム９７は負圧源８７を備える。負圧源８７は、例えば真空発生器であってよい。
【０１０６】
[0117]  ある実施形態では、圧力センサ８５は基板Ｗのできるだけ近くにある。例えば圧力センサ８５は、支持テーブルＷＴの一部である。ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、チャック２２とバールプレート２１とを備える（例えば図５及び図６参照）。バールプレート２１は、ベース面６１とバール６２とを備える。バールプレート２１はチャック２２に取り付けられる。ある実施形態では、圧力センサ８５は、基板Ｗにできるだけ近くなるようにバールプレート２１上に設けられる。これは基板Ｗで起こっていることをより良好に測定するのに役立つ。バルブ圧力センサ８６は、圧電バルブ９９の出口の近くに設けられる。バルブ圧力センサ８６は、制御を安定に保つために使用することができる。
【０１０７】
[0118]  圧電バルブ９９の設定と基板Ｗの圧力反応の関係は、圧力センサ８５によって測定することができる。この測定は、特に変形（例えば反り）を一群の基板の全ての基板について比較できる場合に、次の基板Ｗのフィードフォワード補正として使用することができる。
【０１０８】
[0119]  圧電バルブ９９（又は任意の他のタイプのバルブ）は、圧力センサ８５からの出力に基づいて制御することができる。圧力センサ８５は、フィードバックを与えるように支持テーブルＷＴの各領域に設けてよい。圧力センサ８５を圧電バルブ９９（又は任意の他のタイプのバルブ）と組み合わせて使用することによって、ロード／アンロードシーケンスは、よりロバストになるように形成することができる。
【０１０９】
[0120]  ある実施形態では、ガス流システム９７は、支持テーブルＷＴの各領域のためのマスフローコントローラを備える。各マスフローコントローラは、中心領域８１、中間領域８２、及び外側領域８３のうちの１つと関連する流路９８を通るガス流を測定して制御するように構成される。
【０１１０】
[0121]  ある実施形態では、各領域は流路９８と圧力センサ８５とを備える。流路９８はその領域のガス流開口６９と流体連通する。圧力センサ８５は、その領域、すなわち中心領域８１、中間領域８２、又は外側領域８３に関する圧力を感知するように構成される。これは、基板Ｗとその領域の支持テーブルＷＴの間の圧力を感知すること、及び／又は流路９８の圧力を感知することを含んでよい。これによって、時間的に最適な圧力プロファイルが領域ごとに適用され得るように、各領域の吸引流を独立に決定することが可能になる。基板Ｗと支持テーブルＷＴの間の圧力を測定することは、基板Ｗに影響を及ぼす圧力がより正確になる可能性があり、クランピングをより正確に制御するパラメータとして使用できるという点で有益であり得る。
【０１１１】
[0122]  ある実施形態では、基板Ｗが支持テーブルＷＴ上へロードされるとき、コントローラ５００は、感知した各流路９８の圧力に基づいて、各領域のガス流開口６９からガスを抽出するタイミングを制御するように構成される。
【０１１２】
[0123]  本発明のある実施形態は、基板Ｗの反りを予め知る必要なく、改善されたロードシーケンスを達成することが期待される。各領域の吸引流を決定することによって、コントローラ５００は、最適なロードシーケンスを自動的に決定することができる。例えばコントローラ５００は、真空を中心領域８１から、あるいは外側領域８３からオンにするシーケンスを決定することができる。
【０１１３】
[0124]  図９は、本発明のある実施形態に係る支持テーブルＷＴの領域の配置をガス流システム９７と共に概略的に示す。図９に示す領域の配置は、図５の同心円配置と図６の島状シール配置の複合型の一例である。図９の配置では、中心領域８１は、上記の図５に示した方法と同様に中心領域壁６４によって画定される。一方、中間領域８２は、上記の図６に示した配置と同様に、中間サブ領域壁９５によって画定された複数の中間サブ領域９２を含む。外側領域８３は、上記の図６に示した配置と同様に、外側サブ領域壁９６によって画定された複数の外側サブ領域９３を含む。
【０１１４】
[0125]  図９は、円形でないシール島（すなわちサブ領域）の一例である。中間サブ領域９２及び外側サブ領域９３は、円形ではなく環帯の一部分の形状を有する。図９に示す配置では、各中間サブ領域９２は、環帯の四分の一区分に相当する。４つの中間サブ領域９２が存在する。しかしながら、中間サブ領域９２の数は、４より小さくても４より大きくてもよい。図９に示すように、ある実施形態では、支持テーブルＷＴは、それぞれが環帯の四分の一区分の半分に相当する８つの外側サブ領域９３を備える。しかしながら、外側サブ領域９３の数は、８より小さくても８より大きくてもよい。
【０１１５】
[0126]  以上で説明したように、ある実施形態では、真空圧は、異なる半径方向位置（すなわち、支持テーブルＷＴの中心からの異なる距離）にある領域に対して、実質的に独立に制御することができる。支持テーブルＷＴは、クランプ圧を制御するための半径方向自由度を有する。
【０１１６】
[0127]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、クランプ圧を制御するための接線方向（又は回転）自由度を有する。特に、ある実施形態では、同じ領域の（異なる接線方向位置にある）異なるサブ領域のクランプ圧は独立に制御することができる。例えば、ある実施形態では、中間サブ領域９２間のガス流は、中間サブ領域９２のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又は供給を実質的に独立に行えるように制限される。
【０１１７】
[0128]  図９に示すように、ある実施形態では、領域の少なくとも１つは、複数の接線方向に分布させたサブ領域を含む。各サブ領域は、流路９８と圧力センサ８５とを備える。流路９８は、そのサブ領域のガス流開口６９と流体連通する。圧力センサ８５は、サブ領域に関する圧力を感知するように構成され、例えば、圧力センサ８５は、そのサブ領域の支持テーブルＷＴと基板Ｗの間の圧力、又は流路９８の圧力を感知するように構成されてよい。
【０１１８】
[0129]  基板Ｗが支持テーブルＷＴ上にロードされるとき、コントローラ５００は、感知した各流路９８の圧力に基づいて、各サブ領域のガス流開口６９からガスを抽出するタイミングを制御するように構成される。コントローラ５００は、異なる接線方向位置にあるサブ領域を独立に制御する最適なロードシーケンスを決定することができる。これは、接線方向に変化するように反る基板Ｗをクランプするときに特に有益な可能性がある。
【０１１９】
[0130]  ある実施形態では、中間サブ領域９２間のガス流は、中間サブ領域壁９５によって制限される。ある実施形態では、ガス流は、外側サブ領域９３のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又は供給を実質的に独立に行えるように外側サブ領域９３間で制限される。例えば外側サブ領域間のガス流は、外側サブ領域壁９６によって制限することができる。
【０１２０】
[0131]  中心領域８１が複数の重ならない中心サブ領域９１を含む実施形態では、中心サブ領域９１間のガス流は、中心サブ領域９１のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又は供給を実質的に独立に行えるように制限することができる。例えば、ガス流は中心サブ領域壁９４によって制限することができる。
【０１２１】
[0132]  ある実施形態では、ガス流システム９７は、支持テーブルＷＴの一領域内の各サブ領域ごとに別個の流路９８を備える。図９は、１つの外側サブ領域９３の少なくとも１つのガス流開口６９に接続された流路９８を概略的に示す。これは１つのサブ領域の１つの流路９８を表しているに過ぎない。外側サブ領域９３のそれぞれに別個の流路９８を設けてよい。同様に、中間サブ領域９２のそれぞれに別個の流路９８を設けてよい。中心領域８１が複数の中心サブ領域９１を備える場合は、中心サブ領域９１のそれぞれに別個の流路９８を設けてよい。流路９８は互いに独立している。
【０１２２】
[0133]  図９に示すように、ある実施形態では、圧力センサ８５は外側サブ領域９３と関連付けられる。圧力センサ８５は、外側サブ領域９３内の圧力を感知するように構成される。したがって、圧力センサ８５は、外側サブ領域９３内のベース面６１と基板Ｗの間のギャップ内のクランプ圧の測度を提供する。
【０１２３】
[0134]  ある実施形態では、ガス流システム９７は、外側サブ領域９３に印加される圧力を制御するように構成された圧電バルブ９９（又はソレノイドバルブなどの別のタイプのバルブ）を備える。圧電バルブ９９は、圧力センサ８５からの情報に基づいて制御されてよい。ある実施形態では、コントローラ５００は、圧力センサ８５からの情報に基づいて圧電バルブ９９を制御する。したがって、コントローラ５００は、外側サブ領域９３のそれぞれの圧力を実質的に独立に制御することができる。同様に、ある実施形態では、コントローラ５００は、各中間サブ領域９２の圧力を実質的に独立に制御することができる。ある実施形態では、コントローラ５００は、中心サブ領域９１のそれぞれの圧力を実質的に独立に制御することができる。
【０１２４】
[0135]  したがって、支持テーブルＷＴの異なる接線方向位置に異なる圧力を印加することができる。これは、支持テーブルＷＴがクランプ圧を制御するための接線方向自由度を有することを意味する。ある実施形態では、圧力のセットポイントは接線方向位置の違いによって異ならない。ある実施形態では、各サブ領域は独自の圧力制御ループを有する。これは接線方向に反った、すなわち曲がった基板を処理するのに役立つ。これによって、例えば基板Ｗの曲率が異なる接線方向位置で異なっていても、異なる接線方向（すなわち回転）位置に同じ圧力を印加することが可能になる。
【０１２５】
[0136]  本発明の実施形態は、非円対称の反り（例えば鞍形の反り）を有するクランプされた基板Ｗの平坦性を向上させることが期待される。これはクランプ対象の基板Ｗの反りを予め知っていることを要求しない。
【０１２６】
[0137]  以上で説明したように、ガス流システム９７は、特定領域に周囲圧力より高い圧力（すなわちガス噴射）を供給することが可能である。ある実施形態では、ガス流システム９７は、各サブ領域に周囲圧力より高い圧力のガスを独立に加えるように構成される。したがって、ガス噴射の供給は、支持テーブルＷＴ内の接線方向位置に依存して制御することができる。接線方向位置は接線（方位）方向に沿った位置を意味する。
【０１２７】
[0138]  代替的な実施形態では、ガス抽出システム９７は、基板Ｗが支持テーブルＷＴより上の所定距離にあるときにガスの抽出を停止するように制御される。所定距離はリソグラフィ装置によって変化し得る。所定距離は特定のリソグラフィ装置のために較正することができる。より詳細には、ある実施形態では、基板Ｗを支持テーブルＷＴ上にロードする方法は、基板Ｗを支持テーブルＷＴに向かって下降させることを含む。ある実施形態では、例えば基板Ｗは、基板Ｗの下面に接触する（図１２に示す）複数のピン７０によって支持される。ピン７０は、支持テーブルＷＴを通って垂直に延びる。コントローラ５００は、ピン７０が下方に垂直に移動するように、ピン７０を（例えばアクチュエータを介して）制御するように構成される。ピン７０が下方に垂直に移動するとき、基板Ｗは支持テーブルＷＴに向かって下降する。
【０１２８】
[0139]  ある実施形態では、基板Ｗが支持[0140]テーブルＷＴに向かって下降しているとき、負圧源８７を制御して、（図８及び図９に示す）支持テーブルＷＴの複数のガス流開口６９を介して支持テーブルＷＴのベース面６１と基板Ｗの間のギャップからガスを抽出するように負圧を印加する。例えば真空供給部であってもよい負圧源８７は、基板Ｗが支持テーブルＷＴに向かって下降しているときにオンになる。
【０１２９】
[0141]  ある実施形態では、コントローラ５００は、ピン７０が垂直に下降していると判定するときに負圧源８７をオンにするように構成される。ある実施形態では、ピン７０が基板Ｗと共に支持テーブルＷＴに向かって下に移動するとすぐに、可能な限り高いガス抽出流量がオンになる。これは、基板Ｗが支持テーブルＷＴに向かって移動する間の基板Ｗと支持テーブルＷＴの間の空気抵抗を減らすためである。これによってスループットも速くなる。
【０１３０】
[0142]  ある実施形態では、基板Ｗが支持テーブルＷＴより上の所定距離に達すると、支持テーブルＷＴのガス流開口６９と流体連通する負圧源８７は、負圧を印加することを停止するように制御される。ピン７０が支持テーブルＷＴの高さのすぐ上にあるとき、真空がオフになる。
【０１３１】
[0143]  ある実施形態では、コントローラ５００は、基板Ｗを支持するピン７０の垂直高さをモニタするように構成される。図１２に示すように、ある実施形態では、リソグラフィ装置は高さセンサ６０を備える。高さセンサ６０は、ピン７０の垂直位置を測定するように構成される。高さセンサ６０は、基板Ｗの支持テーブルＷＴからの高さを表す値を出力するように構成される。高さセンサ６０はコントローラ５００に接続される。高さセンサ６０は、ピン７０の高さを示す信号をコントローラ５００に出力するように構成される。具体的には、高さセンサ６０は、ピン７０の最上部の支持テーブルＷＴからの高さを示す信号をコントローラ５００に出力するように構成される。コントローラ５００は、高さセンサ６０から受信した信号に基づいて負圧源８７を制御するように構成される。ある実施形態では、コントローラ５００は、（図８及び図９に示す）圧電バルブ９９を制御することによって負圧源８７を制御するように構成される。
【０１３２】
[0144]  ある実施形態では、高さセンサ６０は支持テーブルＷＴの近くに位置する。ある実施形態では、高さセンサ６０は、支持テーブルＷＴに接続されるか、支持テーブルＷＴの中にあるか上にある。代替的な実施形態では、図１２に示すように、高さセンサ６０は支持テーブルＷＴから離れている。
【０１３３】
[0145]  実施形態によれば、基板Ｗは、真空が印加されない状態で支持テーブルＷＴに着地する。これは、基板Ｗの支持テーブルＷＴ上へのクランプを可能にする位置精度を向上させる。
【０１３４】
[0146]  ある実施形態では、基板Ｗが支持テーブルＷＴに着地したときに、負圧源８７は、支持テーブルＷＴの複数のガス流開口６９を介してギャップからガスを抽出するために負圧を印加することを再開させるように制御される。真空が形成されない状態で基板Ｗが支持テーブルＷＴに着地した後、真空を再び印加する。
【０１３５】
[0147]  ある実施形態では、真空を低流量から高流量へと段階的に徐々に増大させる。特に、ある実施形態では、基板Ｗが支持テーブルＷＴに着地したときに、負圧源８７は、複数のガス流開口６９を介してギャップから抽出されるガスの流量が徐々に増加するように、負圧を複数の段階で徐々に増大させるように制御される。
【０１３６】
[0148]  図１０は、基板Ｗをロードする際の基板Ｗの支持テーブルＷＴからの垂直高さを示す。Ｙ軸はＺ方向の垂直高さを表す。Ｘ軸は基板Ｗをロードする際の時間を表す。
【０１３７】
[0149]  図１１は、基板Ｗをロードする同じ期間にわたりリソグラフィ装置の異なる部分で測定された圧力を示す。実線はピン７０にかかる圧力を表す。ピン７０が基板Ｗを支持しているとき、ピン７０には基板Ｗの重量により負圧（すなわち下向きの力）が加わる。（基板Ｗがピン７０の代わりに支持テーブルＷＴによって完全に支持されるために）ピン７０が基板Ｗをもはや支持しなくなると、負圧は消滅する。これは実線がグラフのＹ軸のゼロ圧力値まで上昇する図１１の右側に見ることができる。これは基板Ｗが支持テーブルＷＴによって完全に支持される時間に対応する。これは基板Ｗが支持テーブルＷＴによって完全に支持されると、もはや基板Ｗの重量がピン７０を押し下げないためである。
【０１３８】
[0150]  図１１の破線は、支持テーブルＷＴの周辺部にある（図７に示す）流体抽出開口８８にかかる圧力を表す。基板Ｗが支持テーブルＷＴによって完全に支持されると、流体抽出開口８８に対して真空がオンになる。図１０及び図１１では、時間ｔ０はピン７０が基板Ｗと共に下方への移動を開始する時間を表す。時間ｔ１は、基板Ｗが支持テーブルＷＴに着地した時間を表す。時間ｔ２は、基板Ｗが支持テーブルＷＴによって完全に支持された時間を表す。
【０１３９】
[0151]  図１１の一点鎖線は、支持テーブルＷＴのガス流開口６９に対する負圧を表す。負圧の大きさは、基板Ｗが支持テーブルＷＴに着地した後に徐々に増大する。
【０１４０】
[0152]  本発明の実施形態は、基板Ｗのクランプ精度を向上させると同時にスループットも向上させることが期待される。本発明の実施形態は、幅広い種類の基板Ｗのクランプを可能にすることが期待される。例えば、平坦な基板Ｗもあれば、より反った（すなわち平坦性が低い）ものもある。上述のように、基板Ｗが支持テーブルＷＴに着地した後、真空を低流量から高流量へと段階的に徐々に増大させる。平坦な及び反りが小さい／中程度の基板Ｗは、可能な限り低い流量でクランプすることができるため、基板Ｗの支持テーブルＷＴに対する位置精度が向上する。最低流量でクランプすることができない、反りが大きい基板Ｗは、流量が上昇する後の時点でクランプすることができる。
【０１４１】
[0153]  本発明の実施形態は、特に新しい基板Ｗ（すなわち、まだ使用されていない基板Ｗ）について、基板Ｗを支持テーブルＷＴ上にクランプする位置精度を向上させることが期待される。よく使用される基板Ｗは、クランプ時の位置の不正確さに対して幾分感受性が低いことが分かっている。
【０１４２】
[0154]  本発明のある実施形態は、いくつかの異なるプリクランプ流れを利用する基板Ｗのためのロードシーケンスを含む。これは、異なるタイプの基板Ｗをクランプ可能にするだけでなく、位置精度及びスループットを最適化する可能性を与える動的な基板ロードをもたらす。ピン７０の一定の垂直位置においてプリクランプされた真空をオンオフすることが可能である。代替的な実施形態では、コントローラ５００は、負圧源８７を制御して、一定の圧力レベルに基づ  BR>「て負圧を変化させるように構成される。例えば圧力レベルは、（図８に示す）圧力センサ８５によって測定することができる。
【０１４３】
[0155]  ピン７０が支持テーブルＷＴの高さのすぐ上にあるときに真空をオフにするロードシーケンスは、ロードの異なる段階において異なる領域のガス流開口６９からガスを抽出する前述のロードシーケンスと組み合わせることができる。特に、ある実施形態では、前述のロードの第１の段階、ロードの第２の段階、及びロードの第３の段階は、基板Ｗが支持テーブルＷＴに着地したときに行われる。このようにして、流量は基板Ｗが支持テーブルＷＴに着地したときに徐々に増大する。しかしながら、基板Ｗが支持テーブルＷＴに着地する前に、基板Ｗの下降中にガスが抽出され、そして基板Ｗが支持テーブルＷＴより上の所定距離に達したときに真空をオフにする。
【０１４４】
[0156]  ピン７０が支持テーブルＷＴの高さのすぐ上にあるときに真空をオフにするロードシーケンスは、どんなタイプの支持テーブルＷＴでも実行可能である。３つの個別の真空エリアを有する上記の図５に示す支持テーブルは、使用可能な支持テーブルＷＴのタイプの一例に過ぎない。使用可能な他の支持テーブルＷＴは、例えば１つ又は２つの真空エリアのみを有してよい。
【０１４５】
[0157]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、ガス流システム９７を制御するように構成されたコントローラ５００を備える。コントローラ５００は、上述の印加された圧力のシーケンスを実行することができる。
【０１４６】
[0158]  上記の例の多くは、液浸リソグラフィ装置との関連で説明してきた。しかしながら、本発明は同様にドライリソグラフィ装置に適用可能である。理解されるように、上記特徴はいずれもその他の特徴と共に用いることができ、本出願がカバーするのは明記された組み合わせだけではない。
【０１４７】
[0159]  本発明に係るリソグラフィの代替的な構成を表す条項を以下に記載する。
条項１．  基板を支持するように構成された支持テーブルから基板をアンロードする方法であって、方法は、
支持テーブルのベース面と基板の間のギャップに、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを供給することを含み、
アンロードの初期段階において、ガスの供給が、支持テーブルの外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、外側領域の半径方向内側にある支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、
アンロードの後期段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる方法。
条項２．  アンロードの初期段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、中心領域のガス流開口、及び外側領域の半径方向内側にあり、中心領域の半径方向外側にある支持テーブルの中間領域のガス流開口から行われず、
アンロードの中間段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、中心領域のガス流開口から行われず、
アンロードの後期段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口、中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる、条項１に記載の方法。
条項３．  アンロードの中間段階において、ガスの供給が、中間領域の少なくとも１つのガス流開口から周囲圧力より大きい第１の圧力で行われ、その後、ガスの供給が、中間領域の少なくとも１つのガス流開口から第１の圧力より小さい第２の圧力で行われる、条項２に記載の方法。
条項４．  アンロードの初期段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口から周囲圧力より大きい第１の圧力で行われ、その後、ガスの供給が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口から第１の圧力より小さい第２の圧力で行われる、条項１から３のいずれかに記載の方法。
条項５．  アンロードの後期段階において、ガスの供給が、中心領域の少なくとも１つのガス流開口から周囲圧力より大きい第１の圧力で行われ、その後、ガスの供給が、中心領域の少なくとも１つのガス流開口から第１の圧力より小さい第２の圧力で行われる、条項１から４のいずれかに記載の方法。
条項６．  基板を支持するように構成された支持テーブル上に基板をロードする方法であって、方法は、
支持テーブルのベース面と基板の間のギャップから、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、
ロードの第１の段階において、ガスの抽出が、支持テーブルの中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、中心領域の半径方向外側にある支持テーブルの中間領域のガス流開口、及び中間領域の半径方向外側にある支持テーブルの外側領域のガス流開口から行われず、
ロードの第２の段階において、ガスの抽出が、中心領域の少なくとも１つのガス流開口及び中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、外側領域のガス流開口から行われず、
ロードの第３の段階において、ガスの抽出が、中心領域の少なくとも１つのガス流開口、中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる方法。
条項７．  ロードの第１の段階において、周囲圧力より大きい圧力のガスの供給が、中間領域の少なくとも１つのガス流開口及び／又は外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる、条項６に記載の方法。
条項８．  ロードの第２の段階において、ガスの供給が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口から、周囲圧力より大きい圧力で行われる、条項６又は７に記載の方法。
条項９．  基板を支持テーブルに向かって下降させるとき、ガスの抽出が、中心領域の少なくとも１つのガス流開口、中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、
基板が支持テーブルより上の所定距離に達すると、ガスの抽出が、中心領域のガス流開口、中間領域のガス流開口、及び外側領域のガス流開口のいずれからも行われず、
基板が支持テーブルに着地したときに、ロードの第１の段階、ロードの第２の段階、及びロードの第３の段階が行われる、条項６から８のいずれかに記載の方法。
条項１０．  中心領域及び中間領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又は供給を実質的に独立に行えるように、中心領域と中間領域の間のガス流を制限することを含む、条項２から９のいずれかに記載の方法。
条項１１．  中間領域は中心領域を取り囲む、条項２から１０のいずれかに記載の方法。
条項１２．  中間領域は、その半径方向の外周を、ベース面より上に突出し中間領域と外側領域の間のガス流を制限する中間領域壁によって画定される、条項２から１１のいずれかに記載の方法。
条項１３．  中間領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない中間サブ領域を含む、条項２から１１のいずれかに記載の方法。
条項１４．  各中間サブ領域は、ベース面より上に突出し、中間領域と中心領域又は外側領域の間のガス流を制限する中間サブ領域壁によって画定される、条項１３に記載の方法。
条項１５．  中間サブ領域は互いに離間する、条項１３又は１４に記載の方法。
条項１６．  ガスを中間サブ領域のそれぞれのギャップに対して実質的に互いに独立に抽出又は供給することができる、条項１３から１５に記載の方法。
条項１７．  中間領域及び外側領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又は供給を実質的に独立に行えるように、中間領域と外側領域の間のガス流を制限することを含む、条項２から１６のいずれかに記載の方法。
条項１８．  外側領域は中間領域を取り囲む、条項２から１７のいずれかに記載の方法。
条項１９．  中心領域及び外側領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又は供給を実質的に独立に行えるように、中心領域と外側領域の間のガス流を制限することを含む、条項１から１８のいずれかに記載の方法。
条項２０．  中心領域は、支持テーブルのベース面より上に突出し、中心領域と外側領域の間のガス流を制限する中心領域壁によって画定される、条項１から１９のいずれかに記載の方法。
条項２１．  中心領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない中心サブ領域を含む、条項１から１９のいずれかに記載の方法。
条項２２．  各中心サブ領域は、ベース面より上に突出し、中心領域と外側領域の間のガス流を制限する中心サブ領域壁によって画定される、条項２１に記載の方法。
条項２３．  中心サブ領域は互いに離間する、条項２１又は２２に記載の方法。
条項２４．  ガスを中心サブ領域のそれぞれのギャップに対して実質的に互いに独立に抽出又は供給することができる、条項２１から２３に記載の方法。
条項２５．  外側領域は、その半径方向の外周を、ベース面より上に突出し、外側領域と外側領域の半径方向外側にある領域の間のガス流を制限する外側領域壁によって画定される、条項１から２４のいずれかに記載の方法。
条項２６．  外側領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない外側サブ領域を含む、条項１から２４のいずれかに記載の方法。
条項２７．  各外側サブ領域は、ベース面より上に突出し、外側領域と外側領域の半径方向外側にある領域の間のガス流を制限する外側サブ領域壁によって画定される、条項２６に記載の方法。
条項２８．  外側サブ領域は互いに離間する、条項２６又は２７に記載の方法。
条項２９．  ガスを外側サブ領域のそれぞれのギャップに対して実質的に互いに独立に抽出又は供給することができる、条項２６から２８に記載の方法。
条項３０．  ガス流システムと、
ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、
支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
中心領域の半径方向外側にある外側領域と、
ガス流システムがベース面と基板の間のギャップにガスを供給するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
基板が支持テーブルからアンロードされるとき、
アンロードの初期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、中心領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
アンロードの後期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成されるリソグラフィ装置。
条項３１．  支持テーブルは中心領域の半径方向外側かつ外側領域の半径方向内側にある中間領域を備え、
基板が支持テーブルからアンロードされるとき、
アンロードの初期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、中心領域のガス流開口及び中間領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
アンロードの中間段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、中心領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
アンロードの後期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも１つのガス流開口、中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項３０に記載のリソグラフィ装置。
条項３２．  アンロードの中間段階において、コントローラが、ガスの供給を中間領域の少なくとも１つのガス流開口から周囲圧力より大きい第１の圧力で行った後、ガスの供給を中間領域の少なくとも１つのガス流開口から第１の圧力より小さい第２の圧力で行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項３１に記載のリソグラフィ装置。
条項３３．  アンロードの初期段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも１つのガス流開口から周囲圧力より大きい第１の圧力で行った後、ガスの供給を外側領域の少なくとも１つのガス流開口から第１の圧力より小さい第２の圧力で行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項３０から３２のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項３４．  アンロードの後期段階において、コントローラが、ガスの供給を中心領域の少なくとも１つのガス流開口から周囲圧力より大きい第１の圧力で行った後、ガスの供給を中心領域の少なくとも１つのガス流開口から第１の圧力より小さい第２の圧力で行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項３０から３３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項３５．  ガス流システムと、
ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
中間領域の半径方向外側にある外側領域と、
ガス流システムがベース面と基板の間のギャップからのガスの抽出に用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
基板が支持テーブル上にロードされるとき、
ロードの第１の段階において、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、中間領域のガス流開口及び外側領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
ロードの第２の段階において、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも１つのガス流開口及び中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、外側領域のガス流開口から行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
ロードの第３の段階において、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも１つのガス流開口、中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成されるリソグラフィ装置。
条項３６．  ロードの第１の段階において、コントローラが、周囲圧力より大きい圧力のガスの供給を中間領域の少なくとも１つのガス流開口及び／又は外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項３５に記載のリソグラフィ装置。
条項３７．  ロードの第２の段階において、コントローラが、ガスの供給を外側領域の少なくとも１つのガス流開口から周囲圧力より大きい圧力で行うようにガス流システムを制御するように構成される、条項３５又は３６に記載のリソグラフィ装置。
条項３８．  基板を支持テーブルに向かって下降させるとき、コントローラが、ガスの抽出を中心領域の少なくとも１つのガス流開口、中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行うようにガス流システムを制御するように構成され、
基板が支持テーブルより上の所定距離に達すると、コントローラが、ガスの抽出を中心領域のガス流開口、中間領域のガス流開口、及び外側領域のガス流開口のいずれからも行わないようにガス流システムを制御するように構成され、
基板が支持テーブルに着地したとき、コントローラが、ロードの第１の段階、ロードの第２の段階、及びロードの第３の段階を実行するようにガス流システムを制御するように構成される、条項３５から３７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項３９．  中心領域は、ベース面より上に突出し、中心領域及び中間領域のそれぞれのギャップに対するガスの供給又は抽出を実質的に独立に行えるように中心領域と中間領域の間のガス流を制限するように構成された中心領域壁によって画定される、条項３１又は３７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項４０．  中間領域は中心領域を取り囲む、条項３１から３９のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項４１．  中間領域は、その半径方向の外周を、ベース面より上に突出し、中間領域と外側領域の間のガス流を制限する中間領域壁によって画定される、条項３１から４０のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項４２．  中間領域は複数の重ならない中間サブ領域を含み、各中間サブ領域は、ベース面より上に突出し、中間領域及び外側領域のそれぞれのギャップに対するガスの供給又は抽出を実質的に独立に行えるように中間領域と外側領域の間のガス流を制限する中間サブ領域壁によって画定される、条項３１から４０のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項４３．  中間サブ領域は互いに離間する、条項４２に記載のリソグラフィ装置。
条項４４．  ガス流システムが、中間サブ領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又はガスの供給を実質的に互いに独立に行うように構成される、条項４２又は４３に記載のリソグラフィ装置。
条項４５．  外側領域は中間領域を取り囲む、条項３１から４４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項４６．  ガス流システムが、
中心領域の少なくとも１つのガス流開口に接続された中心流路と、
外側領域の少なくとも１つのガス流開口に接続された外側流路と、を備え、
中心流路が外側流路から独立している、条項３０から４５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項４７．  ガス流システムが、
中心領域の少なくとも１つのガス流開口に接続された中心流路と、
中間領域の少なくとも１つのガス流開口に接続された中間流路と、
外側領域の少なくとも１つのガス流開口に接続された外側流路と、を備え、
中心流路、中間流路、及び外側流路が互いに独立している、条項３１から４５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項４８．  ガス流システムが、中心流路、中間流路、及び／又は外側流路の流量を変化させるように構成された少なくとも１つの圧電バルブを備える、条項４６又は４７に記載のリソグラフィ装置。
条項４９．  中心流路、中間流路、及び／又は外側流路の圧力を感知するように構成された少なくとも１つの圧力センサを備え、
コントローラが、圧力センサによって感知された圧力に基づいて、中心流路、中間流路、及び／又は外側流路の流量を変化させるように構成される、条項４６から４８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項５０．  中心領域は、ベース面より上に突出し、中心領域及び外側領域のそれぞれのギャップに対するガスの供給又は抽出を実質的に独立に行えるように、中心領域と外側領域の間のガス流を制限するように構成された中心領域壁によって画定される、条項３０から４９のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項５１．  中心領域は複数の重ならない中心サブ領域を含み、各中心サブ領域は、ベース面より上に突出し、中心領域及び外側領域のそれぞれのギャップに対するガスの供給又は抽出を実質的に独立に行えるように中心領域と外側領域の間のガス流を制限する中心サブ領域壁によって画定される、条項３０から４９のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項５２．  中心サブ領域は互いに離間している、条項５１に記載のリソグラフィ装置。
条項５３．  ガス流システムが、中心サブ領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又はガスの供給を実質的に互いに独立に行うように構成される、条項５１又は５２に記載のリソグラフィ装置。
条項５４．  外側領域は、その半径方向の外周を、ベース面より上に突出し、外側領域と外側領域の半径方向外側にある領域の間のガス流を制限する外側領域壁によって画定される、条項３０から５３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項５５．  外側領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない外側サブ領域を含み、各外側サブ領域は、ベース面より上に突出し、中心領域及び外側領域の間のガス流を制限する外側サブ領域壁によって画定される、条項３０から５４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
条項５６．  外側サブ領域は互いに離間している、条項５５に記載のリソグラフィ装置。
条項５７．  ガス流システムが、外側サブ領域のそれぞれのギャップに対するガスの抽出又はガスの供給を実質的に互いに独立に行うように構成される、条項５５又は５６に記載のリソグラフィ装置。
条項５８．  基板を支持するように構成された支持テーブル上に基板をロードする方法であって、方法は、
基板を支持テーブルに向かって下降させること、
基板を支持テーブルに向かって下降させるときに、支持テーブルの複数のガス流開口を介して、支持テーブルのベース面と基板の間のギャップからガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加すること、
基板が支持テーブルより上の所定距離に達したときに、支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する負圧源を制御して、負圧を印加することを停止すること、及び
基板が支持テーブルに着地したときに、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加することを再開させること、を含む方法。
条項５９．  基板が支持テーブルに着地したときに、複数のガス流開口を介してギャップから抽出されるガス流が徐々に増加するように、負圧源を制御して、負圧を複数の段階で徐々に増大させる、条項５８に記載の方法。
条項６０．  負圧源を備えたガス流システムと、
ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、
基板を支持テーブルに向かって下降させるときに、コントローラが、支持テーブルの複数のガス流開口を介して、支持テーブルと基板の間のギャップからガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加するように構成され、
基板が支持テーブルより上の所定距離に達したときに、コントローラが、支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する負圧源を制御して、負圧を印加することを停止するように構成され、
基板が支持テーブルに着地したときに、コントローラが、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加することを再開させるように構成されるリソグラフィ装置。
条項６１．  基板を支持するように構成された支持テーブル上に基板をロードする方法であって、方法は、
支持テーブルのベース面と基板の間のギャップから、支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、
ロードの第１の段階において、ガスの抽出が、支持テーブルの外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、外側領域の半径方向内側にある支持テーブルの中間領域のガス流開口及び中間領域の半径方向内側にある支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、
ロードの第２の段階において、ガスの抽出が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、中心領域のガス流開口から行われず、
ロードの第３の段階において、ガスの抽出が、外側領域の少なくとも１つのガス流開口、中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる方法。
条項６２．  ガス流システムと、
ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
中間領域の半径方向外側にある外側領域と、
ガス流システムがベース面と基板の間のギャップからのガスの抽出に用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
各領域は
その領域のガス流開口と流体連通する流路と、
流路の圧力を感知するように構成された圧力センサと、を備え、
基板が支持テーブル上にロードされるとき、コントローラが、感知した各流路の圧力に基づいて、各領域のガス流開口からガスを抽出するタイミングを制御するように構成されるリソグラフィ装置。
条項６３．  領域の少なくとも１つが、複数の接線方向に分布させたサブ領域を含み、各サブ領域は、
そのサブ領域のガス流開口と流体連通する流路と、
流路の圧力を感知するように構成された圧力センサと、を備え、
基板が支持テーブル上にロードされるとき、コントローラが、感知した各流路の圧力に基づいて、各サブ領域のガス流開口からガスを抽出するタイミングを制御するように構成される、条項６２に記載のリソグラフィ装置。
【０１４８】
[0160]  理解されるように、上記特徴はいずれもその他の特徴と共に用いることができ、本出願がカバーするのは明記された組み合わせだけではない。本発明のある実施形態は、例えば図３の実施形態に適用し得る。また、本発明の実施形態は、便宜上、液浸リソグラフィ装置との関連で説明してきたが、本発明の実施形態は、任意の形態のリソグラフィ装置と共に使用できることが理解されよう。    
【０１４９】
[0161]  こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１５０】
[0162]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
【０１５１】
[0163]  以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明したものとは別の方法で実施することができることが理解されよう。上記の説明は例示的なものであり、限定するものではない。したがって、以下に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に対して変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年9月6日(2018.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持するように構成された支持テーブルから前記基板をアンロードする方法であって、
前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップに、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを供給することを含み、
アンロードの初期段階において、前記ガスの供給が、前記支持テーブルの外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記外側領域の半径方向内側にある前記支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、前記中心領域は、前記支持テーブルのベース面より上に突出し、前記中心領域と前記外側領域の間のガス流を制限する中心領域壁によって画定され、
アンロードの後期段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる、方法。
【請求項２】
前記アンロードの初期段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記中心領域のガス流開口、及び前記外側領域の半径方向内側にあり、かつ前記中心領域の半径方向外側にある前記支持テーブルの中間領域のガス流開口から行われず、
アンロードの中間段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記中心領域のガス流開口から行われず、
前記アンロードの後期段階において、前記ガスの供給が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アンロードの中間段階において、ガスの供給が、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から周囲圧力より大きい第１の圧力で行われ、その後、ガスの供給が、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から前記第１の圧力より小さい第２の圧力で行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
基板を支持するように構成された支持テーブル上に前記基板をロードする方法であって、
前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップから、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、
ロードの第１の段階において、前記ガスの抽出が、前記支持テーブルの中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記中心領域の半径方向外側にある前記支持テーブルの中間領域のガス流開口及び前記中間領域の半径方向外側にある前記支持テーブルの外側領域のガス流開口から行われず、前記中心領域は、前記支持テーブルのベース面より上に突出し、前記中心領域と前記外側領域の間のガス流を制限する中心領域壁によって画定され、
ロードの第２の段階において、前記ガスの抽出が、前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記外側領域のガス流開口から行われず、
ロードの第３の段階において、前記ガスの抽出が、前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる方法。
【請求項５】
前記ロードの第１の段階において、周囲圧力より大きい圧力のガスの供給が、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口及び／又は前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させるとき、前記ガスの抽出が、前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、
前記基板が前記支持テーブルより上の所定距離に達すると、前記ガスの抽出が、前記中心領域のガス流開口、前記中間領域のガス流開口、及び前記外側領域のガス流開口のいずれからも行われず、
前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記ロードの第１の段階、前記ロードの第２の段階、及び前記ロードの第３の段階が行われる、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記中間領域は前記中心領域を取り囲む、又は
前記中間領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない中間サブ領域を含む、及び／又は、
前記外側領域は前記中間領域を取り囲む、請求項２から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記外側領域は、その間のガス流を制限する複数の重ならない外側サブ領域を含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
基板を支持するように構成された支持テーブル上に前記基板をロードする方法であって、
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させること、
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させるときに、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップからガスを抽出するために、負圧源を制御して負圧を印加すること、
前記基板が前記支持テーブルより上の所定距離に達したときに、前記支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する前記負圧源を制御して負圧を印加することを停止すること、及び
前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記ガスを抽出するために、前記負圧源を制御して負圧を印加することを再開させること、を含む方法。
【請求項１０】
前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記負圧源を制御して、前記複数のガス流開口を介して前記ギャップから抽出されるガスの流量が徐々に増加するように、前記負圧を複数の段階で徐々に増大させる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
基板を支持するように構成された支持テーブル上に前記基板をロードする方法であって、
前記支持テーブルのベース面と前記基板の間のギャップから、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介してガスを抽出することを含み、
ロードの第１の段階において、前記ガスの抽出が、前記支持テーブルの外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記外側領域の半径方向内側にある前記支持テーブルの中間領域のガス流開口及び前記中間領域の半径方向内側にある前記支持テーブルの中心領域のガス流開口から行われず、前記中心領域は、前記支持テーブルのベース面より上に突出し、前記中心領域と前記外側領域の間のガス流を制限する中心領域壁によって画定され、
ロードの第２の段階において、前記ガスの抽出が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行われ、前記中心領域のガス流開口から行われず、
ロードの第３の段階において、前記ガスの抽出が、前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行われる、方法。
【請求項１２】
ガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、前記支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
前記中心領域の半径方向外側にある外側領域であって、前記中心領域は、前記支持テーブルのベース面より上に突出し、前記中心領域と前記外側領域の間のガス流を制限する中心領域壁によって画定される、外側領域と、
前記ガス流システムが前記ベース面と前記基板の間のギャップにガスを供給するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
前記基板が前記支持テーブルからアンロードされるとき、
アンロードの初期段階において、前記コントローラが、前記ガスの供給を前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、前記中心領域のガス流開口から行わないように前記ガス流システムを制御するように構成され、
アンロードの後期段階において、前記コントローラが、前記ガスの供給を前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行うように前記ガス流システムを制御するように構成される、リソグラフィ装置。
【請求項１３】
ガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、前記支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
前記中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
前記中間領域の半径方向外側にある外側領域であって、前記中心領域は、前記支持テーブルのベース面より上に突出し、前記中心領域と前記外側領域の間のガス流を制限する中心領域壁によって画定される、外側領域と、
前記ガス流システムが前記ベース面と前記基板の間のギャップからガスを抽出するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
前記基板が前記支持テーブル上にロードされるとき、
ロードの第１の段階において、前記コントローラが、前記ガスの抽出を前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、前記中間領域のガス流開口及び前記外側領域のガス流開口から行わないように前記ガス流システムを制御するように構成され、
ロードの第２の段階において、前記コントローラが、前記ガスの抽出を前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口及び前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口から行い、前記外側領域のガス流開口から行わないように前記ガス流システムを制御するように構成され、
ロードの第３の段階において、前記コントローラが、前記ガスの抽出を前記中心領域の少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域の少なくとも１つのガス流開口、及び前記外側領域の少なくとも１つのガス流開口から行うように前記ガス流システムを制御するように構成される、リソグラフィ装置。
【請求項１４】
負圧源を備えたガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、
前記基板を前記支持テーブルに向かって下降させるときに、前記コントローラが、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記支持テーブルと前記基板の間のギャップからガスを抽出するために、前記負圧源を制御して負圧を印加するように構成され、
前記基板が前記支持テーブルより上の所定距離に達したときに、前記コントローラが、前記支持テーブルのガス流開口のいずれかと流体連通する前記負圧源を制御して負圧を印加することを停止するように構成され、
前記基板が前記支持テーブルに着地したときに、前記コントローラが、前記支持テーブルの複数のガス流開口を介して前記ガスを抽出するために、前記負圧源を制御して負圧を印加することを再開させるように構成される、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
ガス流システムと、
前記ガス流システムを制御するように構成されたコントローラと、
基板を支持するように構成された支持テーブルと、を備えたリソグラフィ装置であって、前記支持テーブルは、
ベース面と、
中心領域と、
前記中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
前記中間領域の半径方向外側にある外側領域であって、前記中心領域は、前記支持テーブルのベース面より上に突出し、前記中心領域と前記外側領域の間のガス流を制限する中心領域壁によって画定される、外側領域と、
前記ガス流システムが前記ベース面と前記基板の間のギャップからガスを抽出するのに用いるように構成された複数のガス流開口と、を備え、
各領域は、
その領域の前記ガス流開口と流体連通する流路と、
その領域に関する圧力を感知するように構成された圧力センサと、が設けられ、
前記基板が前記支持テーブル上にロードされるとき、前記コントローラが、前記感知した各領域の圧力に基づいて、各領域の前記ガス流開口からガスを抽出するタイミングを制御するように構成される、リソグラフィ装置。
【国際調査報告】
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