(57)【要約】【課題】半導体装置の温度評価に際し、より精度の高い温度制御を実施する。【解決手段】サーモストリーマ１０２を用いた、半導体装置１０４の温度評価を実施するに際し、その半導体装置１０４自体に温度検出回路１０３を内蔵させ、評価対象回路１０５の温度を正確に検出し、その検出温度をＬＳＩテスタ１０１にて常にモニタして、評価対象回路１０５の温度を所望の温度に一致させる。また、サーモストリーマ１０２に設定する温度と実際のモニタ温度との温度差（オフセット）を事前に測定し、温度評価の開始時において、そのオフセットを加味してサーモストリーマ１０２における目標温度を校正し、サーモストリーマ１０２による温度調整を加速させる。【選択図】  図１
2006125865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーモストリーマの暖気または冷気中に置いた温度検出手段を内蔵する半導体装置の温度をモニタし、モニタ温度が前記半導体装置の温度評価のための設定温度と一致するように前記サーモストリーマにおける温度調整を実施する第１のステップと、
前記モニタ温度が前記設定温度になった後、前記半導体装置の電気的特性の測定および評価を実施する第２のステップと、
を含む半導体装置の温度評価方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の温度評価方法であって、
前記第1のステップは、前記モニタ温度が前記設定温度になったときの前記サーモストリーマの温度と前記設定温度との温度差を記憶する校正用温度情報を参照して前記設定温度に対して前記温度差を上乗せまたは差し引いて得られる校正温度を前記目標温度として前記サーモストリーマにおける温度調整を実施する半導体装置の温度評価方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体装置の温度評価方法による評価対象である前記温度検出手段を内蔵する半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記温度検出手段によって検出された温度を、デジタル値として出力する手段を備える半導体装置。
【請求項５】
温度評価の対象となる半導体装置をサーモヘッドにより覆って閉じた空間を形成し、暖気または冷気により前記半導体装置を加熱または冷却すると共に、その加熱または冷却の程度を外部から制御可能なサーモストリーマと、
前記半導体装置に内蔵された温度検出手段により検出された温度をモニタすると共に、そのモニタ温度に基づいて前記サーモストリーマを制御し、前記モニタ温度が所望の設定温度に収束するように負帰還制御を実施させ、かつ、前記モニタ温度が前記設定温度に収束した後、前記半導体装置の電気的特性の測定および評価を実施するＬＳＩテスタと、
を備える半導体装置の温度評価システム。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の温度評価システムであって、
前記サーモストリーマの暖気または冷気の温度調整を開始する際に、前記ＬＳＩテスタは、前記モニタ温度が前記設定温度に収束したときの前記サーモストリーマの実際の温度と前記設定温度との温度差の情報を校正用温度情報として前記ＬＳＩテスタ内の記憶手段に記憶した前記校正用温度情報を参照して、前記設定温度に対して前記温度差を上乗せしまたは差し引いて得られる校正温度を前記サーモストリーマの目標温度とし、その目標温度を前記サーモストリーマに設定することによって、前記サーモストリーマによる温度制御を加速させる半導体装置の温度評価システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の温度評価方法、半導体装置および温度評価システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の特性は、周囲温度に依存して変化する。したがって、半導体の電気的特性を測定し、評価を実施するときは、所望の温度環境を強制的に実現し、評価対象の半導体装置をその温度環境下に置いた状態で、電気的特性を測定し、所定の評価を行なう（本明細書では、このような評価方法を「温度評価方法」、あるいは、単に「温度評価」と称する）。半導体装置の温度評価は、いろいろな局面で行われ、例えば、半導体装置の温度評価は、パッケージが完成した後のバーインテスト等として実施される場合がある。また、ウエハ状態における温度評価は、ウエハの特性分布や測定安定性の評価のために実施される場合もあり、また、半導体チップの良品／不良品の選別のためにも実施される場合もある。
【０００３】
いずれの場合も、半導体装置の温度を正確に制御した上で、電気的な特性を測定しないと、正確なデータを取得できず、正しい評価ができない。したがって、通常は、半導体装置の周囲温度を測定し、その周囲温度を所望の値に保つようにしている。例えば、特許文献１に記載される半導体集積回路装置の試験装置では、サーモヘッドにより半導体集積回路装置を覆い、そのサーモヘッドの内部温度を発熱素子ならびに吸熱素子により制御した上で、所定の試験を開始するようになっており、その際、サーモヘッド（のカバー部）の温度を温度検出素子により検出し、その検出温度が所望の温度となるように、温度制御が実施される。
【特許文献１】特開平１１−１４２４７０号公報（特に、発明の詳細な説明中の段落番号（００１６）の内容ならびに図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の方法では、評価対象の半導体装置の温度（より厳密にいえば、半導体装置内の評価対象となる回路の温度）を直接に検出しているわけではなく、その周辺の雰囲気（およびカバー部の温度）をモニタしているにすぎない。また、半導体パッケージに半導体チップが内蔵されている状態における検査（バーインテスト等）では、半導体パッケージが、周囲の大気から半導体チップへの熱伝導を阻害することから、半導体装置の外部（パッケージの周辺）と内部（半導体チップの所定回路）とでは温度差が生じる。例えば、加熱雰囲気中では、内部の温度の方が低くなるのが通常である。したがって、従来技術では、厳密にいえば、指定された温度での温度評価が実施されていないことになる。また、半導体装置の周囲の大気を高温化／低温化し、その大気の熱伝導により半導体装置を高温化／低温化する方式（以下、サーモストリーマ方式という）では、一般に、暖気／冷気の温度を所望の温度付近まで変化させるのに時間がかかる。温度制御に時間がかかれば、その分だけ、半導体装置の電気的特性の測定と評価の開始が遅れる。
【０００５】
本発明の目的は、半導体装置の温度評価に際し、より精度の高い温度制御を実施することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置の温度評価方法の一態様は、サーモストリーマの暖気または冷気中に置いた温度検出手段を内蔵する半導体装置の温度をモニタし、モニタ温度が前記半導体装置の温度評価のための設定温度と一致するように前記サーモストリーマにおける温度調整を実施する第１のステップと、前記モニタ温度が前記設定温度になった後、前記半導体装置の電気的特性の測定および評価を実施する第２のステップとを含む。
【０００７】
半導体装置の温度評価のために、サーモストリーマ方式の温度制御を実施し、その半導体装置の温度を所望の温度（設定温度）にする場合に、評価対象の半導体装置自体に温度検出手段を内蔵させておき、評価対象回路の温度を正確にモニタし、そのモニタ温度を用いて温度制御を実施するものである。評価対象回路の温度を直接的に正確にモニタしているため、評価対象回路自体の温度を、所望の評価温度（設定値）に正確に一致させることができる。よって、より正確な温度評価が可能となる。
【０００８】
また、本発明の半導体装置の温度評価方法の他の態様では、前記第1のステップは、前記モニタ温度が前記設定温度になったときの前記サーモストリーマの温度と前記設定温度との温度差を記憶する校正用温度情報を参照して前記設定温度に対して前記温度差を上乗せまたは差し引いて得られる校正温度を前記目標温度として前記サーモストリーマにおける温度調整を実施する。
【０００９】
評価温度を決定し、その決定した評価温度（設定温度）をサーモストリーマに設定しても、通常は、大気の熱伝導に起因する損失や、半導体パッケージによる損失等の影響で、半導体装置内部における評価対象回路の温度が上記の設定温度になることはなく、実際は、サーモストリーマの実際の温度を、設定温度よりも高くしていく（あるいは低くしていく）ことによって、やがて、評価対象回路の温度が設定温度に収束する。この点に着目し、予め、その実際のサーモストリーマの温度と設定温度との温度差（オフセット）を実測しておき、温度評価開始時に設定温度が入力されると、ＬＳＩテスタの内部にて上記の温度差（オフセット）の加減算を実施して設定温度を自動的に校正し、その校正後の温度を、サーモストリーマの目標温度とする。当初からオフセットを考慮した温度設定とすることにより、モニタ温度が設定温度に収束するまでの時間を短縮することが可能となる。よって、半導体装置の温度評価に要する時間が短縮される。従来のような、モニタ温度がかなりの誤差を含む可能性がある状況下において本方法を使用すると、かえって誤差が拡大される危険性があるが、上記のとおり、本発明では、正確な温度モニタが可能であるため、本方法を心配なく利用することができる。
【００１０】
また、本発明の半導体装置は、本発明の温度評価方法による評価対象となる、温度検出手段を内蔵する半導体装置である。この半導体装置は、量産される製品であってもよく、また、温度評価のために使用される特別な半導体装置であってもよい。この半導体装置を利用することにより、正確なモニタ温度を簡単に取得することができ、温度評価システムの構成を複雑化させることなく、半導体装置の正確な温度評価を実現することができる。
【００１１】
本発明の半導体装置の一態様では、前記温度検出手段は、半導体基板に設けられたＰＮ接合の電気的特性の温度依存性を利用して周囲温度を検出する。温度検出のためにＰＮ接合の温度依存性を利用することにより、温度検出手段を評価対象回路の近傍に無理なく配置することができ、簡単な構成の回路でもって、精度の良い温度検出を行なうことができる。
【００１２】
また、本発明の半導体装置の他の態様では、半導体チップを保護するパッケージ体を有し、前記温度検出手段は、前記パッケージの内部に設けられた空隙部分に設けられる。パッケージ内に必然的に生じる空隙部分、あるいは、意図的に作成した空隙部分を利用して温度検出手段（熱電対等）を内蔵させることにより、評価対象回路の近傍の温度を精度良く検出することができる。
【００１３】
また、本発明の半導体装置の他の態様では、前記温度検出手段によって検出された温度を、デジタル値として出力する手段を備える。検出温度を数値化し、デジタル値として出力することにより、ＬＳＩテスタは、そのデジタル値をそのまま取り込んで、直ちにデジタル処理をすることが可能となる。ＬＳＩテスタの信号処理の負担も軽減される。
【００１４】
本発明の温度評価システムの一態様では、温度評価の対象となる半導体装置をサーモヘッドにより覆って閉じた空間を形成し、暖気または冷気により前記半導体装置を加熱または冷却すると共に、その加熱または冷却の程度を外部から制御可能なサーモストリーマと、前記半導体装置に内蔵された温度検出手段により検出された温度をモニタすると共に、そのモニタ温度に基づいて前記サーモストリーマを制御し、前記モニタ温度が所望の設定温度に収束するように負帰還制御を実施させ、かつ、前記モニタ温度が前記設定温度に収束した後、前記半導体装置の電気的特性の測定および評価を実施するＬＳＩテスタとを備える。この温度評価システムにより、装置構成を複雑化させることなく、温度制御の精度（信頼性）を向上させることができる。よって、半導体装置の評価（検査）の精度（信頼性）が向上する。
【００１５】
また、本発明の温度評価システムの他の態様では、前記サーモストリーマの暖気または冷気の温度調整を開始する際に、前記ＬＳＩテスタは、前記モニタ温度が前記設定温度に収束したときの前記サーモストリーマの実際の温度と前記設定温度との温度差の情報を校正用温度情報として前記ＬＳＩテスタ内の記憶手段に記憶した前記校正用温度情報を参照して、前記設定温度に対して前記温度差を上乗せしまたは差し引いて得られる校正温度を前記サーモストリーマの目標温度とし、その目標温度を前記サーモストリーマに設定することによって、前記サーモストリーマによる温度制御を加速させる。事前に測定したオフセットを、ＬＳＩテスタ内部にて自動的に上乗せする（あるいは差し引く）ことによって設定温度を校正し、当初から、その校正された温度を目標値として温度制御を実施することにより、モニタ温度が設定温度に収束するまでの時間を短縮することができる。よって、半導体装置の温度評価の効率化が実現される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、評価対象の半導体装置に温度検出手段を内蔵させ、評価対象回路自体の温度を直接的にモニタすることにより、より正確な温度コントロールができ、したがって、高精度な温度評価が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の半導体装置の温度評価システムの全体構成の概要を示す図である。図示されるように、この温度評価システムは、ＬＳＩテスタ１０１と、サーモヘッド１０７を備えるサーモストリーマ１０２と、により構成される。
【００１８】
サーモヘッド１０７は、評価用治具１０６に収められた半導体装置１０４（評価対象回路１０５と、その近傍に設けられた温度検出回路１０３とを備える）を上側から覆うことによって、閉じた空間を形成する。そして、この状態で、ＬＳＩテスタ１０１の制御の下、サーモストリーマ（本体）１０２から、高温または低温の気流を流し、サーモヘッド１０７内の半導体装置１０４を加熱あるいは冷却する。サーモストリーマ１０２は、ファンを用いて気流を流すタイプのものに限定されない。例えば、サーモヘッド１０７内に、加熱素子や冷却素子を設けて、これらの素子を駆動して半導体装置１０４の加熱／冷却を実施してもよい。
【００１９】
ＬＳＩテスタ１０１は、半導体装置１０４の評価の実施者によって評価温度が設定されると、その設定温度に基づいて、サーモストリーマ１０２に温度管理に必要な情報を与え、制御信号によって、その動作を統括的に制御する。サーモストリーマ１０２は、ＬＳＩテスタ１０１からの指示に従って、サーモヘッド１０２に供給する暖気／冷気の温度管理を実施する。ＬＳＩテスタ１０１は、半導体装置１０４の内部の、評価対象回路１０５の近傍に設けられた温度検出回路１０３から出力される検出温度を常にモニタする。この検出温度は、実質的に、評価対象回路１０５自体の温度であり、したがって、非常に正確な温度モニタが可能である。ＬＳＩテスタ１０１は、そのモニタ温度が、設定された評価温度（設定温度）に一致するようにサーモストリーマ１０２の温度を制御し、これにより、半導体装置１０４の検査対象回路１０５の温度についての負帰還制御が実施される。ＬＳＩテスタ１０１は、その内部に、温度校正テーブル１１０を有している。
【００２０】
温度校正テーブル１１０は、事前に取得されたオフセットデータが、例えば、設定温度に１：１に対応して記憶されている形式のテーブルである。すなわち、評価温度を設定し、その設定温度をそのままサーモストリーマ１０２の目標値として採用したとしても、通常は、大気の熱伝導に起因する損失や、半導体パッケージによる損失等の影響で、半導体装置１０４の内部における評価対象回路１０５の温度が上記の設定温度になることはなく、実際は、サーモストリーマ１０２の温度を、設定温度よりも高くしていく（あるいは低くしていく）ことによって、やがて、評価対象回路１０５の温度が設定温度に収束する。
【００２１】
この点に着目し、予め、その実際のサーモストリーマの温度と設定温度との温度差（オフセット）を実測しておき、温度評価開始時に評価温度が入力されると、ＬＳＩテスタ１０１の内部にて上記の温度差（オフセット）の加減算を実施して設定温度を自動的に校正し、その校正後の温度を、サーモストリーマの目標温度とするものである。評価開始の当初からオフセットを考慮した温度設定とすることにより、モニタ温度が設定温度に収束するまでの時間を短縮することが可能となる。よって、半導体装置の温度評価に要する時間が短縮される。従来のような、モニタ温度がかなりの誤差を含む可能性がある状況下において本方法を使用すると、かえって誤差が拡大される危険性があるが、上記のとおり、本発明では、正確な温度モニタが可能であるため、本方法を心配なく利用することができる。モニタ温度が設定温度（評価温度）に収束すると、ＬＳＩテスタ１０１は、半導体装置１０４に所定のテストパターンを供給し、半導体装置１０４内の検査対象回路１０５の電気的特性を測定し、評価する。
【００２２】
図２は、評価対象の半導体装置をサーモヘッドによって覆って閉じた空間を形成した状態を示す、装置の要部の断面図である。図示されるように、半導体装置１０４が収められた評価用治具１０６が評価用トレイ１０８上に載置されている。サーモヘッド１０７は、半導体装置１０４が収められた評価用治具１０６を、上から覆っており、これにより、閉じた空間が形成されている。
【００２３】
サーモヘッド１０７の中央には、サーモストリーマ（本体）１０２からの冷気あるいは暖気をサーモヘッド１０７内の閉じた空間内に導入するための通気口１０９が設けられている。冷気または暖気は、ＬＳＩテスタ１０１の制御の下で、温度管理がなされており、その冷気または暖気によって、半導体装置１０４の内部の評価対象回路１０５の温度が所定温度（設定温度）になるように、負帰還制御が実施される。
【００２４】
評価対象回路１０５の温度をそのままモニタし、正確な温度環境下で電気的特性の測定を実施するため、温度評価の精度が向上し、また、温度評価の効率化が達成される。また、半導体装置１０４自体に温度検出回路１０３が内蔵されているため、サーモヘッド１０７の内部の空間に、温度センサを別途設ける必要がなく、装置の簡素化にも寄与する。
【００２５】
（第２の実施形態）
本実施形態では、温度検出手段（温度検出回路や熱電対等のセンサ等）を内蔵した半導体装置の具体例について説明する。図３は、ＰＮ接合の特性の温度依存性を利用して、評価対象回路の温度を検出する温度検出回路の一例を示す回路図である。図３において、図１と同じ部分には、同じ参照符号を付してある。
【００２６】
図示されるように、評価対象回路１０４は、ＣＭＯＳ系の回路（ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２等で構成される）であり、この評価対象回路１０４に隣接して、温度検出回路１０３が配置されている。温度検出回路１０３は、電源電圧（ＶＤＤ）を分圧する抵抗（Ｒ１，Ｒ３）と、電源電圧（ＶＤＤ）とグランド間に直列接続された３個のＰＮ接合ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）ならびに抵抗（Ｒ４）と、コンパレータ（Ｃ１）と、ウインドウコンパレータ（Ｃ２）と、このウインドウコンパレータ（Ｃ２）からの３ビットの信号（Ｑ）を外部に出力するための端子（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３）と、を有する。
【００２７】
コンパレータ（Ｃ１）の非反転端子には、電源電圧を抵抗（Ｒ１，Ｒ３）で分圧して得られる電圧が入力される。一方、コンパレータ（Ｃ１）の反転端子には、ダイオード（Ｄ１）のアノードと抵抗（Ｒ２）の共通接続点の電圧（例えば、ＶＤＤ／２）が入力される。ここで、抵抗（Ｒ１〜Ｒ３）の抵抗値の温度による変化は、ＰＮ接合ダイオード（Ｄ１〜Ｄ３）の順方向電圧（ＶＦ）の温度による変化に比べてはるかに小さいため、無視することができる。
【００２８】
ＰＮ接合ダイオード（Ｄ１〜Ｄ３）は、温度に対して負の温度係数をもつため、温度の上昇と共に、順方向電圧が低下する。したがって、コンパレータ（Ｃ１）の反転端子の電圧は、温度の上昇と共に低下していく。一方、非反転端子の電圧は、ほとんど変化しない。これにより、温度上昇と共に、コンパレータ（Ｃ１）の反転端子と非反転端子との電圧差が小さくなり、等しくなり、そして、電圧の高低関係が逆転することになる。これに伴って、コンパレータ（Ｃ１）の出力が、例えば、“Ｌ”，“中点電位”，“Ｈ”と変化する。
【００２９】
ウインドウコンパレータ（Ｃ２）は、コンパレータ（Ｃ１）の出力信号のレベルをウオッチングし、その出力信号のレベルが中点電圧付近のウインドウ内にある場合と、そのウインドウ未満の場合と、そのウインドウを越える場合とに応じて、それぞれ、（０１０），（１００），（００１）の３ビットの信号（Ｑ）を出力端子（Ｐ１〜Ｐ３）を介して出力する。
【００３０】
このようにして、評価対象回路１０４の現実の温度を検出し、その検出した温度を、数値化してデジタル値として出力することができる。検出温度をデジタル値で出力できれば、ＬＳＩテスタ（図１の参照符号１０１）は、そのデータをそのまま取り込むことができ、ＬＳＩテスタにおける信号処理負担が軽減される。また、温度検出のためにＰＮ接合の温度依存性を利用することにより、温度検出手段を評価対象回路の近傍に無理なく配置することができ、簡単な構成の回路でもって、精度の良い温度検出を行なうことができる。
【００３１】
図４は、半導体パッケージの内部に設けられた空隙部分に温度検出手段を設けた構成の半導体装置を示すデバイス本体の断面図である。図４において、ＩＣチップ２２０は、ＩＣパッケージ２００の底部において、マウント材２０２を介して固定されている。ＩＣパッケージ２００における、マウント材２０２の直下には、そのＩＣパッケージを左右に貫く空洞部２０６が設けられており、その空洞部２０６に、温度検出手段としての熱電対２１０が挿入され、ＩＣチップ２２０の近傍の温度を検出する。これにより、ＩＣチップ２２０（すなわち、評価対象回路）の温度を正確に検出し、ＬＳＩテスタに向けて導出することができる。図４において、参照符号２０４はボンディングワイヤであり、参照符号２０８はＩＣのピン（外部接続端子）である。このように、半導体パッケージの構造を利用することによっても、評価対象回路の近傍の温度を精度良く検出することができる。
【００３２】
（第３の実施形態）
本実施形態では、図１の温度評価システムの動作手順（つまり、本発明の温度評価方法）について説明する。図５は、図１の温度評価システムにおける、評価準備から温度評価終了に至るまでの動作手順を示すフロー図である。なお、以下の説明では、図１を適宜、参照する。
【００３３】
まず、評価の準備手続として、半導体装置１０４を評価用治具（ソケット）２０２内に入れ、サーモヘッド２０５を下ろして閉じた空間を作成し、サーモストリーマ１０２からの冷気または暖気の温度を、ＬＳＩテスタ１０１によって制御できる状態とする。次に、ＬＳＩテスタ１０１に評価温度を設定し（Ｓ３００）、サーモストリーマ１０２がその温度まで温度を上昇（あるいは低下）させていく（Ｓ３１０）。この時、ＬＳＩテスタ１０１は、温度検出回路１０３から温度情報を読み取り（Ｓ３２０）、ＬＳＩテスタ１０１で指定した温度と読み取った温度の比較を行なう（Ｓ３３０）。温度検出回路からの情報は単なる数値だけとは限らない。例えば、デジタル信号（０，１の２進数）であったり、電流値、電圧値でも良い。
【００３４】
サーモストリーマ１０２における暖気や冷気の温度が設定温度まで上がっても、半導体装置１０４から得られるモニタ温度が設定温度に達しない場合は、そのまま温度を上げ続け、あるいは、下げ続ける。設定温度と半導体装置１０４からのモニタ温度が一致したところで（Ｓ３３０）、ＬＳＩテスタ１０１は、半導体装置１０４に所定のテストパターン信号を供給し、評価対象回路１０５についての所定の電気的特性の測定と評価を自動的に開始する。同時に、加熱や冷却をストップさせる（Ｓ３６０）。また、設定温度と半導体装置１０４からのモニタ温度が一致した時点で（Ｓ３３０）、評価温度（設定温度）と、サーモストリーマ１０２の暖気または冷気の温度との温度差（オフセット）を、校正テーブル１１０に保存する。そして、次回の評価時に、その校正テーブル１１０に保存されている情報を反映させるようにする。
【００３５】
図６は、校正テーブルを利用して温度評価を実施する場合の、要部の処理手順を示すフロー図である。図示されるように、ＬＳＩテスタ１０１は、評価温度が設定されると（Ｓ３００）、サーモストリーマ１０２による加熱または冷却工程（Ｓ３１０）において、校正テーブル１１０として保存されている温度差（オフセット）データを用いた加算、減算を実施し、サーモストリーマ１０２の目標温度を補正する（Ｓ３１２）。そして、サーモストリーマ１０２は、その補正された温度を目標値として、暖気または冷気の制御を実施する（Ｓ３１３）。
【００３６】
例えば、サーモストリーマ１０２の温度が１１５℃になった時点で、半導体装置１０４の温度が指定した温度１０５℃に達した場合、１０℃の温度差（オフセット）がある。この１０℃を校正テーブル１１０に記憶しておき、次回の温度評価時に、設定温度が１０５℃にセットされた場合に、ＬＳＩテスタ１０１が、目標値を１１５℃に校正し、その校正した温度を、サーモストリーマ１０２に目標値として通知する。当初から、より高い目標値の下に温度調整が行われるため、温度がより早く上昇し、モニタ温度が設定温度に早く一致する。したがって、評価にかかる時間を短縮することができる。このように、本発明によれば、サーモストリーマ方式の温度調整を採用する場合でも、高精度な温度制御がむずかしく、また、所望の温度環境を形成するまでの時間が長いという、従来技術の弱点を克服することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明の半導体装置の温度評価方法、半導体装置および温度評価システムは、半導体装置の温度評価の精度向上と効率化を実現するという効果を有し、サーモストリーマを用いた半導体装置の温度評価技術として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の半導体装置の温度評価システムの全体構成の概要を示す図
【図２】評価対象の半導体装置をサーモヘッドによって覆って閉じた空間を形成した状態を示す、装置の要部の断面図
【図３】ＰＮ接合の特性の温度依存性を利用して、評価対象回路の温度を検出する温度検出回路の一例を示す回路図
【図４】半導体パッケージの内部に設けられた空隙部分に温度検出手段を設けた構成の半導体装置を示すデバイス本体の断面図
【図５】図１の温度評価システムにおける、評価準備から温度評価終了に至るまでの動作手順を示すフロー図
【図６】校正テーブルを利用して温度評価を実施する場合の、要部の処理手順を示すフロー図
【符号の説明】
【００３９】
１０１  ＬＳＩテスタ
１０２  サーモストリーマ（温度制御装置）
１０３  温度検出回路
１０４  半導体装置
１０５  評価対象回路
１０６  評価用治具（ソケット）
１０７  サーモヘッド
１０８  トレイ
【図１】
2006125865.tif 000003
【図２】
2006125865.tif 000004
【図３】
2006125865.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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