【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上に電界効果トランジスタを形成する方法であって、
ａ）前記トランジスタの活性領域の周囲のまわりに絶縁トレンチをエッチングして前記基板上の他の構造から活性領域を分離するステップと、
ｂ）絶縁トレンチの下部に絶縁アンダーカットをエッチングして基板から活性領域の下表面の少なくとも一部を分離するステップと、
ｃ）活性領域の部分をドープして中央チャネル領域の対向する側にあるソース領域およびドレイン領域の各々を形成するステップとを含み、絶縁アンダーカットは、半導体基板からソース領域およびドレイン領域の両方の少なくとも一部を分離し、
アンダーカットは半導体基板から中央チャネル領域の少なくとも一部を分離し、アンダーカットは中央チャネル領域の下でソース領域からドレイン領域の方向に延在し、
アンダーカットをエッチングするステップとドープするステップとは中央チャネル領域と基板との間に導電性ブリッジを形成する、方法。
【請求項２】  アンダーカットをエッチングするステップは、
ａ）トレンチの側壁および下部の上に保護層を形成するステップと、
ｂ）前記層の垂直異方性エッチを行なってそのような層を除去しトレンチの下部の半導体基板を露出するステップと、
ｃ）半導体基板の等方性エッチを行なって前記アンダーカットを形成するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  保護層は二酸化シリコンである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  等方性エッチはＫＯＨウェットエッチにより行なわれる、請求項２に記載の方法。
【請求項５】  絶縁体を形成するステップは、ＴＥＯＳまたはＳｉＨ４の少なくとも一方を用いて化学気相成長プロセスにより前記アンダーカットおよび前記トレンチの少なくとも一部を充填するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】  導電性ブリッジは中央チャネル領域よりも小さい断面積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  導電性ブリッジはすべての対応する方向において中央チャネル領域よりも狭い、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  アンダーカットをエッチングするステップとドープするステップとは中央チャネル領域と基板との間に導電性ブリッジを形成し、導電性ブリッジは活性領域よ
りもかなり小さい断面積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  ドープするステップの前に、活性領域上にゲートを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  ゲートはドープのためにマスクとしての役割を果たし、これにより、中央チャネル領域を規定し、ソース領域およびゲート領域をゲートと整合させる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  絶縁トレンチをエッチングするステップは、窒化シリコン層を形成し、窒化シリコン層を選択的にエッチングし、絶縁トレンチのエッチングのために窒化シリコン層をエッチマスクとして用いるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  半導体基板の等方性エッチを実行するステップは、１，０００〜２，０００オングストロームの深さでアンダーカットを形成するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】  半導体基板の等方性エッチを実行するステップは、活性部分の下に１，０００〜２，０００オングストロームの距離にわたって延在するようにアンダーカットを形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  半導体基板上に電界効果トランジスタを形成する方法であって、
ａ）前記トランジスタの活性領域の周囲のまわりに絶縁トレンチをエッチングして前記基板上の他の構造から活性領域を分離するステップと、
ｂ）絶縁トレンチの下部に絶縁アンダーカットをエッチングして基板から活性領域の下表面の少なくとも一部を分離するステップとを含み、このステップは、
ｉ）トレンチの側壁および下部の上に保護層を形成するステップと、
ｉｉ）前記層の垂直異方性エッチを行なってそのような層を除去しトレンチの下部の半導体基板を露出するステップと、
ｉｉｉ）半導体基板の等方性エッチを行なって前記アンダーカットを形成するステップとを含み、前記方法はさらに、
ｃ）活性領域上にゲートを形成するステップと、
ｄ）活性領域の部分をドープして中央チャネル領域の対向する側にあるソース領域およびドレイン領域の各々を形成するステップとを含み、ゲートはドープのためにマスクとしての役割を果たし、これにより、中央チャネル領域を規定し、ソース領域およびゲート領域をゲートと整合させ、絶縁アンダーカットは半導体基板からソース領域およびドレイン領域の両方の少なくとも一部を分離し、アンダーカットは半導体基板から中央チャネル領域の少なくとも一部を分離し、アンダーカットは中央チャネル領域の下でソース領域からドレイン領域の方向に延在し、
アンダーカットをエッチングするステップとドープするステップとは中央チャネル領域と基板との間に導電性ブリッジを形成する、方法。
【請求項１５】  導電性ブリッジは中央チャネル領域よりも小さい断面積を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  導電性ブリッジはすべての対応する方向において中央チャネル領域よりも狭い、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  アンダーカットをエッチングするステップとドープするステップとは中央チャネル領域と基板との間に導電性ブリッジを形成し、導電性ブリッジは活性領域よりもかなり小さい断面積を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】  半導体基板の等方性エッチを実行するステップは、１，０００〜２，０００オングストロームの深さでアンダーカットを形成するステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】  半導体基板の等方性エッチを実行するステップは、活性部分の下に１，０００〜２，０００オングストロームの距離にわたって延在するようにアンダーカットを形成するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  電界効果トランジスタを形成する方法であって、
ａ）半導体基板に絶縁トレンチをエッチングしてそこに活性領域を規定するステップと
、
ｂ）絶縁トレンチの下部に絶縁アンダーカットを形成して、基板の残りの部分から活性領域の下表面の一部を分離するステップとを含み、このステップは、
ｉ）トレンチの側壁および下部の上に保護層を形成するステップと、
ｉｉ）前記層の垂直異方性エッチを行なってそのような層を除去しトレンチの下部の半導体基板を露出するステップと、
ｉｉｉ）半導体基板の等方性エッチを行なってアンダーカットを形成するステップとを含み、前記方法はさらに、
ｃ）活性領域上にゲートを形成するステップと、
ｄ）活性領域の部分をドープして中央チャネル領域の対向する側にあるソース領域およびドレイン領域の各々を形成するステップとを含み、ゲートはドープのためにマスクとしての役割を果たし、これにより、中央チャネル領域を規定し、ソース領域およびゲート領域をゲートと整合させ、絶縁アンダーカットは半導体基板からソース領域およびドレイン領域の両方の少なくとも一部を分離し、アンダーカットは半導体基板から中央チャネル領域の少なくとも一部を分離し、アンダーカットは中央チャネル領域の下でソース領域からドレイン領域の方向に延在し、
アンダーカットをエッチングするステップとドープするステップとは中央チャネル領域と基板の残りの部分との間に半導体材料の導電性ブリッジを形成し、これにより、導電性ブリッジを介して中央チャネル領域と基板の残りの部分との間に電気コネクタを残し、
導電性ブリッジは中央チャネル領域よりも小さい断面積を有する、方法。
【請求項２１】  導電性ブリッジはすべての対応する方向において中央チャネル領域よりも狭い、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】  半導体基板の等方性エッチを実行するステップは、１，０００〜２，０００オングストロームの深さでアンダーカットを形成するステップを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】  半導体基板の等方性エッチを実行するステップは、活性部分の下に１，０００〜２，０００オングストロームの距離にわたって延在するようにアンダーカットを形成するステップを含む、請求項２２に記載の方法。