(57)【要約】【課題】  突沸を生じることなく基板の主面に形成された薄膜を迅速に乾燥することが可能な減圧乾燥装置および減圧乾燥方法を提供することを目的とする。【解決手段】  支持ピン２１を支持板２２とともに上昇させて基板Ｗの主面とチャンバ１０の上面１４との距離を小さくした状態で少量の排気量で排気を行った後、支持ピン２１を支持板２２とともに下降させて基板Ｗの主面とチャンバ１０の上面１４との距離を大きくした状態で多量の排気量で排気を行う。【選択図】        図２
2006105524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、
基板の周囲を覆うチャンバと、
その主面を上方に向けた基板を水平に支持する支持部材と、
前記支持部材を昇降させる昇降手段と、
前記チャンバにおける前記支持手段により支持された基板の主面とは対向しない位置に形成された排気口と、
前記排気口を介して排気を行う排気手段と、
前記排気手段による排気量を少なくとも二段階に制御する排気量制御手段とを備え、
前記昇降手段により基板を支持した支持部材を上昇させ、基板の主面と前記チャンバの上面との距離を小さくした状態で、前記排気制御手段により少量の排気量で排気を行った後、前記昇降手段により基板を支持した支持部材を下降させ、基板の主面と前記チャンバの上面との距離を大きくした状態で、前記排気制御手段により多量の排気量で排気を行うことを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の減圧乾燥装置において、
前記排気口は、前記チャンバの底面に形成される減圧乾燥装置。
【請求項３】
基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、
基板の周囲を覆うチャンバと、
その主面を上方に向けた基板を水平に支持する支持部材と、
前記支持部材により支持された基板の主面と対向する位置に配設された板状部材と、
前記板状部材を昇降させる昇降手段と、
前記板状部材に対し、前記基板とは逆側に配設された排気口と、
前記排気口を介して排気を行う排気手段と、
前記排気手段による排気量を少なくとも二段階に制御する排気量制御手段とを備え、
前記昇降手段により板状部材を下降させ、基板の主面と前記板状部材との距離を小さくした状態で、前記排気制御手段により少量の排気量で排気を行った後、前記昇降手段により前記板状部材を上昇させ、基板の主面と前記板状部材との距離を大きくした状態で、前記排気制御手段により多量の排気量で排気を行うことを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項４】
基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、
基板の周囲を覆うチャンバと、
その主面を上方に向けた基板を水平に支持する支持部材と、
前記チャンバにおける前記支持手段により支持された基板の主面とは対向しない位置に形成された排気口と、
前記排気口を介して排気を行う排気手段と、
前記排気手段による排気量を少なくとも二段階に制御する排気量制御手段とを備え、
前記チャンバにおける前記支持部材により支持された基板の主面と対向する位置には、前記基板の主面中央部において基板の主面より最も離隔し、前記基板の主面端縁に近づくにつれて基板の主面に近接する形状の凹部が形成されており、
前記排気制御手段により少量の排気量で排気を行った後、多量の排気量で排気を行うことを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項５】
請求項４に記載の減圧乾燥装置において、
前記排気口は、前記チャンバの底面に形成される減圧乾燥装置。
【請求項６】
基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥方法において、
基板をチャンバ内に搬入して支持部材上に載置する搬入工程と、
基板の主面と前記チャンバの上面との距離を小さくした状態で、前記チャンバにおける前記支持手段により支持された基板の主面とは対向しない位置に形成された排気口より少量の排気量で排気を行う第１乾燥工程と、
基板の主面と前記チャンバの上面との距離を大きくした状態で、前記排気口より多量の排気量で排気を行う第２乾燥工程と、
を備えることを特徴とする減圧乾燥方法。
【請求項７】
基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥方法において、
基板をチャンバ内に搬入して、基板の主面がチャンバ内に配設された板状部材と対向する状態で基板を支持部材上に載置する搬入工程と、
基板の主面と前記板状部材との距離を小さくした状態で、前記板状部材に対し前記基板とは逆側に配設された排気口より少量の排気量で排気を行う第１乾燥工程と、
基板の主面と前記板状部材との距離を大きくした状態で、前記排気口より多量の排気量で排気を行う第２乾燥工程と、
を備えることを特徴とする減圧乾燥方法。
【請求項８】
基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥方法において、
前記基板の主面中央部において基板の主面より最も離隔し、前記基板の主面端縁に近づくにつれて基板の主面に近接する形状の凹部が形成された上面を有するチャンバ内に基板を搬入して支持部材上に載置する搬入工程と、
前記チャンバにおける前記支持手段により支持された基板の主面とは対向しない位置に形成された排気口より少量の排気量で排気を行う第１乾燥工程と、
前記排気口より多量の排気量で排気を行う第２乾燥工程と、
を備えることを特徴とする減圧乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、減圧乾燥装置および減圧乾燥方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板に塗布されたフォトレジスト等の薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置は、特許文献１に開示されている。この特許文献１に記載の減圧乾燥装置においては、基板を搬入したチャンバ内を真空ポンプにより減圧することで、レジスト液の成分の中心である溶剤の蒸発を促進し、フォトレジストを迅速に乾燥させるようにしている。このような減圧乾燥装置を使用してフォトレジストを乾燥させた場合には、風や熱等の外的要因の影響を防止して、フォトレジストをムラなく乾燥させることが可能となる。
【特許文献１】特開平７−２８３１０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような減圧乾燥装置を使用した場合、減圧乾燥処理を開始した直後に突沸と呼ばれる現象が発生する場合がある。これは、基板表面に塗布されたフォトレジスト中の溶剤成分が急激に蒸発して突然沸騰することにより生ずる現象である。このような突沸が発生した場合には、脱泡と呼ばれるフォトレジストの表面に小さな泡が形成される現象が生じ、その基板の使用が不可能となる。
【０００４】
このため、減圧乾燥処理の初期段階においては、チャンバ内より低速で排気を行って、脱泡の発生を防止する必要がある。従って、フォトレジストの乾燥までに、長い時間を要するという問題がある。
【０００５】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、突沸を生じることなく基板の主面に形成された薄膜を迅速に乾燥することが可能な減圧乾燥装置および減圧乾燥方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、基板の周囲を覆うチャンバと、その主面を上方に向けた基板を水平に支持する支持部材と、支持部材を昇降させる昇降手段と、チャンバにおける支持手段により支持された基板の主面とは対向しない位置に形成された排気口と、排気口を介して排気を行う排気手段と、排気手段による排気量を少なくとも二段階に制御する排気量制御手段とを備え、昇降手段により基板を支持した支持部材を上昇させ、基板の主面とチャンバの上面との距離を小さくした状態で、排気制御手段により少量の排気量で排気を行った後、昇降手段により基板を支持した支持部材を下降させ、基板の主面とチャンバの上面との距離を大きくした状態で、排気制御手段により多量の排気量で排気を行うことを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、排気口は、チャンバの底面に形成される。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、基板の周囲を覆うチャンバと、その主面を上方に向けた基板を水平に支持する支持部材と、支持部材により支持された基板の主面と対向する位置に配設された板状部材と、板状部材を昇降させる昇降手段と、板状部材に対し、基板とは逆側に配設された排気口と、排気口を介して排気を行う排気手段と、排気手段による排気量を少なくとも二段階に制御する排気量制御手段とを備え、昇降手段により板状部材を下降させ、基板の主面と板状部材との距離を小さくした状態で、排気制御手段により少量の排気量で排気を行った後、昇降手段により板状部材を上昇させ、基板の主面と板状部材との距離を大きくした状態で、排気制御手段により多量の排気量で排気を行うことを特徴とする。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、基板の周囲を覆うチャンバと、その主面を上方に向けた基板を水平に支持する支持部材と、チャンバにおける支持手段により支持された基板の主面とは対向しない位置に形成された排気口と、排気口を介して排気を行う排気手段と、排気手段による排気量を少なくとも二段階に制御する排気量制御手段とを備え、チャンバにおける支持部材により支持された基板の主面と対向する位置には、基板の主面中央部において基板の主面より最も離隔し、基板の主面端縁に近づくにつれて基板の主面に近接する形状の凹部が形成されており、排気制御手段により少量の排気量で排気を行った後、多量の排気量で排気を行うことを特徴とする。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、排気口は、チャンバの底面に形成される。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥方法において、基板をチャンバ内に搬入して支持部材上に載置する搬入工程と、基板の主面とチャンバの上面との距離を小さくした状態で、チャンバにおける支持手段により支持された基板の主面とは対向しない位置に形成された排気口より少量の排気量で排気を行う第１乾燥工程と、基板の主面とチャンバの上面との距離を大きくした状態で、排気口より多量の排気量で排気を行う第２乾燥工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥方法において、基板をチャンバ内に搬入して、基板の主面がチャンバ内に配設された板状部材と対向する状態で基板を支持部材上に載置する搬入工程と、基板の主面と板状部材との距離を小さくした状態で、板状部材に対し基板とは逆側に配設された排気口より少量の排気量で排気を行う第１乾燥工程と、基板の主面と板状部材との距離を大きくした状態で、排気口より多量の排気量で排気を行う第２乾燥工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項８に記載の発明は、基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥方法において、基板の主面中央部において基板の主面より最も離隔し、基板の主面端縁に近づくにつれて基板の主面に近接する形状の凹部が形成された上面を有するチャンバ内に基板を搬入して支持部材上に載置する搬入工程と、チャンバにおける支持手段により支持された基板の主面とは対向しない位置に形成された排気口より少量の排気量で排気を行う第１乾燥工程と、排気口より多量の排気量で排気を行う第２乾燥工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１乃至請求項８に記載の発明によれば、突沸を生じることなく基板の主面に形成された薄膜を迅速に乾燥することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１乃至図３はこの発明の第１実施形態に係る減圧乾燥装置の概要図である。
【００１６】
この減圧乾燥装置は、蓋部１１と、パッキング１２と、基部１３とから成るチャンバ１０と、基板Ｗを支持する支持ピン２１が立設された支持板２２とを備える。基板Ｗは、チャンバ１０内において、その主面を上方に向けた水平姿勢で支持ピン２１により支持される。
【００１７】
チャンバ１０における基部１３には、排気口３１が形成されている。この排気口３１は、管路３２により、真空ポンプ３４と接続されている。そして、排気口３１と真空ポンプ３４との間には、排気口３１からの排気量を二段階に制御可能なダンパ３３が配設されている。なお、真空ポンプ３４に変えて排気ファン等を使用してもよい。また、ダンパ３３に変えて流量可変弁等を使用してもよい。
【００１８】
また、支持板２２は、支持棒２４を介して昇降機構２５と連結されている。支持ピン２１は支持板２２とともに、昇降機構２５の作用により、図示しない搬送アームとの間で基板Ｗを受け渡す基板Ｗの受け渡し位置と、各々高さが異なる第１、第２の乾燥位置との３箇所の高さ位置の間を昇降可能となっている。
【００１９】
次に、この減圧乾燥装置により基板の主面に形成された薄膜を乾燥する乾燥動作について説明する。図４および図５は、この発明の第１実施形態に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。
【００２０】
基板Ｗの主面に形成された薄膜を乾燥する場合には、最初に、図１に示すようにチャンバ１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により上昇させて、チャンバ１０を開放する（ステップＳ１１）。次に、基板Ｗを支持した図示しない搬送アームがチャンバ１０内に進入する（ステップＳ１２）。
【００２１】
次に、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに図１に示す基板Ｗの受け渡し位置まで上昇する（ステップＳ１３）。これにより、搬送アームに支持されていた基板Ｗが、支持ピン２１により支持される。そして、搬送アームがチャンバ１０内より退出する（ステップＳ１４）。
【００２２】
次に、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに図２に示す第１の乾燥位置まで下降する（ステップＳ１５）。そして、図２に示すように、チャンバ１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により下降させて、チャンバ１０を閉止する（ステップＳ１６）。この状態においては、基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離は、小さくなっている。
【００２３】
この状態において、真空ポンプ３４とダンパ３３の作用により、少量の排気量で排気を行う（ステップＳ１７）。このとき、この減圧乾燥装置においては、排気口３１がチャンバ１０の底部に形成されている。このため、この排気口３１から排気を行った場合には、基板Ｗの主面において、その中央から端縁に向かう空気流が発生する。
【００２４】
なお、この排気口３１をチャンバ１０の底部に形成するかわりに、チャンバ１０の側面など、支持ピン２１に支持された基板Ｗの主面とは対向しないその他の位置に配設してもよい。また、この実施形態においては、排気口３１を支持板２２の下方の位置に配置している。このため、支持板２２を排気口３１に過度に接近させると、排気口３１からの排気動作に支障を来す。装置のサイズを小さくするために支持板２２と排気口３１とを接近させる必要がある場合には、排気口３１を平面視において支持板２２の外側に形成するようにすればよい。
【００２５】
図２に示す状態においては、基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離が小さく設定されている。これは、この距離を大きくとった場合には、減圧乾燥処理を開始した直後の活発な乾燥動作により突沸と呼ばれる現象が発生するためである。基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離を小さく設定した場合には、このような活発な乾燥動作を防止することができ、突沸による脱泡の発生を防止することができる。
【００２６】
このときの、基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離は、１５ｍｍ以下とすることが好ましく、２ｍｍ乃至１０ｍｍとすることが特に好ましい。
【００２７】
このように基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離を小さく設定した上で、少量の排気量により減圧乾燥を行った場合には、基板Ｗの主面における中央から端縁に向かう緩やかな空気流により、突沸による脱泡を防止した状態で、適切な減圧乾燥を実行することが可能となる。但し、基板Ｗの主面中央部の薄膜部分については、十分な乾燥は行い得ない。
【００２８】
上述した第１乾燥工程を開始して一定の時間が経過すれば（ステップＳ１８）、真空ポンプ３４とダンパ３３の作用により、多量の排気量で排気を行う（ステップＳ１９）。このときには、基板Ｗの主面において、その中央から端縁に向かう比較的大きな空気流が発生する。そして、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに図３に示す第２の乾燥位置まで下降する（ステップＳ２０）。
【００２９】
このように基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離を大きく設定した上で、多量の排気量により減圧乾燥を行った場合には、基板Ｗの主面全域にわたり、迅速に乾燥が行われる。しかしながら、上述した第１乾燥工程において薄膜はある程度乾燥していることから、突沸による脱泡が発生することはない。
【００３０】
このときの、基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離は、２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下とすることが好ましい。この距離は、チャンバー１０内の体積、すなわち、排気を行うべき雰囲気の量によって制約されることから、５０ｍｍよりも大きな値とすることは好ましくない。
【００３１】
上述した第２乾燥工程において、図示しないセンサによりチャンバー１０内の真空度が予め設定した値に到達すれば（ステップＳ２１）、チャンバー内に窒素ガスをパージする（ステップＳ２２）。そして、チャンバー１０内が大気圧となれば、チャンバ１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により上昇させて、チャンバ１０を開放する（ステップＳ２３）。次に、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに図１に示す基板Ｗの受け渡し位置まで上昇する（ステップＳ２４）。
【００３２】
この状態において、図示しない搬送アームがチャンバ１０内に進入する（ステップＳ２５）。そして、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに図２に示す第１の乾燥位置まで下降する（ステップＳ２６）。これにより、支持ピン２１に支持されていた基板Ｗが搬送アームにより支持される。そして、基板Ｗを支持した搬送アームがチャンバ１０内より退出する（ステップＳ２７）。
【００３３】
図６は、上述した減圧乾燥動作時のチャンバ１０内の真空度の変化を示す説明図である。
【００３４】
この図においては、縦軸は時間（秒）を表示しており、縦軸は真空度（Torr）を対数で表示している。領域Ａは上述した第１乾燥工程を、領域Ｂ第２乾燥工程を、また、領域Ｃは窒素ガスによるパージ工程を示している。また、符号Ｐは大気圧を示している。
【００３５】
以上のように、この発明の第１実施形態における減圧乾燥装置によれば、基板Ｗの主面とチャンバ１０の上面１４との距離を小さくした状態で少量の排気量で排気を行った後、基板Ｗの主面とチャンバ１０の上面１４との距離を大きくした状態で多量の排気量で排気を行うことから、突沸を生じることなく基板Ｗの主面に形成された薄膜を迅速に乾燥することが可能となる。
【００３６】
次に、この発明の他の実施形態について説明する。図７は、この発明の第２実施形態に係る減圧乾燥装置の概要図である。
【００３７】
上述した第１実施形態に係る減圧乾燥装置においては、基板Ｗを昇降させることで、基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離を変更しており、また、排気口３５がチャンバ１０の底部に形成されている。一方、この第２実施形態においては、チャンバ１０内に配置された板状部材４１を昇降させることで、基板Ｗの主面と板状部材４１との距離を変更しており、また、排気口３１がチャンバ１０の上面１４に形成されている。その他の構成については、上述した第１実施形態と同様である。
【００３８】
この第２実施形態においては、板状部材４１は、一対のエアシリンダ４３のシリンダロッド４２に連結されており、一対のエアシリンダ４３の駆動により昇降する構成となっている。また、この第２実施形態においても、チャンバ１０の上面１４に形成された排気口３５から排気を行った場合には、基板Ｗの主面において、その中央から端縁に向かう空気流が発生する。
【００３９】
次に、第２実施形態に係る減圧乾燥装置により基板の主面に形成された薄膜を乾燥する乾燥動作について説明する。図８および図９は、この発明の第２実施形態に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。なお、上述した第１実施形態と同様の部分については、説明を簡略化している。
【００４０】
最初に、チャンバ１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により上昇させて、チャンバ１０を開放する（ステップＳ３１）。次に、基板Ｗを支持した図示しない搬送アームがチャンバ１０内に進入する（ステップＳ３２）。
【００４１】
次に、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに基板Ｗの受け渡し位置まで上昇する（ステップＳ３３）。これにより、搬送アームに支持されていた基板Ｗが、支持ピン２１により支持される。そして、搬送アームがチャンバ１０内より退出する（ステップＳ３４）。
【００４２】
次に、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに図７に示す乾燥位置まで下降する（ステップＳ３５）。そして、図７に示すように、チャンバ１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により下降させて、チャンバ１０を閉止する（ステップＳ３６）。この状態においては、基板Ｗの主面と板状部材４１との距離は、小さくなっている。
【００４３】
この状態において、真空ポンプ３４とダンパ３３の作用により、少量の排気量で排気を行う（ステップＳ３７）。このとき、この減圧乾燥装置においては、排気口３５がチャンバ１０の上面１４に形成されている。このため、この排気口３５から排気を行った場合には、基板Ｗの主面において、その中央から端縁に向かう空気流が発生する。
【００４４】
図７に示す状態においては、基板Ｗの主面と板状部材４１との距離が小さく設定されている。このため、第１実施形態の場合と同様に、突沸による脱泡の発生を防止することができる。
【００４５】
このように基板Ｗの主面と板状部材４１との距離を小さく設定した上で、少量の排気量により減圧乾燥を行った場合には、基板Ｗの主面における中央から端縁に向かう緩やかな空気流により、突沸による脱泡を防止した状態で、適切な減圧乾燥を実行することが可能となる。但し、基板Ｗの主面中央部の薄膜部分については、十分な乾燥は行い得ない。
【００４６】
上述した第１乾燥工程を開始して一定の時間が経過すれば（ステップＳ３８）、真空ポンプ３４とダンパ３３の作用により、多量の排気量で排気を行う（ステップＳ３９）。このときには、基板Ｗの主面において、その中央から端縁に向かう比較的大きな空気流が発生する。そして、一対のエアシリンダ４３の駆動により、板状部材４１が上昇する（ステップＳ４０）。
【００４７】
このように基板Ｗの主面と板状部材４１との距離を大きく設定した上で、多量の排気量により減圧乾燥を行った場合には、第１実施形態の場合と同様、基板Ｗの主面全域にわたり、迅速に乾燥が行われる。しかしながら、上述した第１乾燥工程において薄膜はある程度乾燥していることから、突沸による脱泡が発生することはない。
【００４８】
上述した第２乾燥工程において、図示しないセンサによりチャンバー１０内の真空度が予め設定した値に到達すれば（ステップＳ４１）、チャンバー内に窒素ガスをパージする（ステップＳ４２）。そして、チャンバー１０内が大気圧となれば、チャンバ１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により上昇させて、チャンバ１０を開放する（ステップＳ４３）。次に、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに基板Ｗの受け渡し位置まで上昇する（ステップＳ４４）。
【００４９】
この状態において、図示しない搬送アームがチャンバ１０内に進入する（ステップＳ４５）。そして、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに乾燥位置まで下降する（ステップＳ４６）。これにより、支持ピン２１に支持されていた基板Ｗが搬送アームにより支持される。そして、基板Ｗを支持した搬送アームがチャンバ１０内より退出する（ステップＳ４７）。
【００５０】
以上のように、この発明の第２実施形態における減圧乾燥装置によれば、基板Ｗの主面と板状部材４１との距離を小さくした状態で少量の排気量で排気を行った後、基板Ｗの主面と板状部材４１との距離を大きくした状態で多量の排気量で排気を行うことから、第１実施形態の場合と同様、突沸を生じることなく基板Ｗの主面に形成された薄膜を迅速に乾燥することが可能となる。
【００５１】
なお、この第２実施形態における基板Ｗの主面と板状部材４１との距離は、上述した第１実施形態における基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離と同様に設定することができる。
【００５２】
次に、この発明のさらに他の実施形態について説明する。図１０は、この発明の第３実施形態に係る減圧乾燥装置の概要図である。
【００５３】
上述した第１実施形態に係る減圧乾燥装置においては、基板Ｗを昇降させることで、基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離を変更しているが、この第３実施形態においては、基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離を変更するかわりに、チャンバ１０の蓋部１１における支持ピン２１により支持された基板Ｗの主面と対向する位置に、基板Ｗの主面中央部において基板Ｗの主面より最も離隔し、基板Ｗの主面端縁に近づくにつれて基板Ｗの主面に近接する形状の凹部１５を形成している。その他の構成については、上述した第１実施形態と同様である。
【００５４】
次に、第３実施形態に係る減圧乾燥装置により基板の主面に形成された薄膜を乾燥する乾燥動作について説明する。図１１および図１２は、この発明の第３実施形態に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。なお、上述した第１実施形態と同様の部分については、説明を簡略化している。
【００５５】
最初に、チャンバ１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により上昇させて、チャンバ１０を開放する（ステップＳ５１）。次に、基板Ｗを支持した図示しない搬送アームがチャンバ１０内に進入する（ステップＳ５２）。
【００５６】
次に、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに基板Ｗの受け渡し位置まで上昇する（ステップＳ５３）。これにより、搬送アームに支持されていた基板Ｗが、支持ピン２１により支持される。そして、搬送アームがチャンバ１０内より退出する（ステップＳ５４）。
【００５７】
次に、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに乾燥位置まで下降する（ステップＳ５５）。そして、チャンバ１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により下降させて、チャンバ１０を閉止する（ステップＳ５６）。
【００５８】
この状態において、真空ポンプ３４とダンパ３３の作用により、少量の排気量で排気を行う（ステップＳ５７）。このとき、この減圧乾燥装置においては、排気口３１がチャンバ１０の底部に形成されている。このため、この排気口３１から排気を行った場合には、基板Ｗの主面において、その中央から端縁に向かう空気流が発生する。
【００５９】
この状態においては、基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離が比較的小さく設定されている。これは、この距離を大きくとった場合には、減圧乾燥処理を開始した直後の活発な乾燥動作により突沸と呼ばれる現象が発生するためである。基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離を小さく設定した場合には、このような活発な乾燥動作を防止することができ、突沸による脱泡の発生を防止することができる。
【００６０】
このように基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離を小さく設定した上で、少量の排気量により減圧乾燥を行った場合には、基板Ｗの主面における中央から端縁に向かう緩やかな空気流により、突沸による脱泡を防止した状態で、適切な減圧乾燥を実行することが可能となる。そして、この実施形態においては、チャンバ１０の蓋部１１における支持ピン２１により支持された基板Ｗの主面と対向する位置に、基板Ｗの主面中央部において基板Ｗの主面より最も離隔し、基板Ｗの主面端縁に近づくにつれて基板Ｗの主面に近接する形状の凹部１５が形成されている。従って、基板Ｗの主面中央部の薄膜部分についても、乾燥が促進される。
【００６１】
上述した第１乾燥工程を開始して一定の時間が経過すれば（ステップＳ５８）、真空ポンプ３４とダンパ３３の作用により、多量の排気量で排気を行う（ステップＳ５９）。このときには、基板Ｗの主面において、その中央から端縁に向かう比較的大きな空気流が発生する。
【００６２】
このように基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離を大きく設定した上で、多量の排気量により減圧乾燥を行った場合には、基板Ｗの主面全域にわたり、迅速に乾燥が行われる。特に、この実施形態においては、チャンバ１０の蓋部１１に形成された凹部１５の作用により、通常乾燥が促進されにくい基板Ｗの中央付近においても、迅速な乾燥が実行される。このとき、上述した第１乾燥工程において薄膜はある程度乾燥していることから、突沸による脱泡が発生することはない。
【００６３】
なお、この第３実施形態における基板Ｗの主面とチャンバ１０における蓋部１１の上面１４との距離は、最も大きな値をとる基板Ｗの中央部において１０ｍｍ乃至２０ｍｍとすることが好ましく、最も小さな値をとる基板Ｗの端縁付近において２ｍｍ乃至１０ｍｍとすることが好ましい。
【００６４】
上述した第２乾燥工程において、図示しないセンサによりチャンバー１０内の真空度が予め設定した値に到達すれば（ステップＳ６０）、チャンバー内に窒素ガスをパージする（ステップＳ６１）。そして、チャンバー１０内が大気圧となれば、チャンバ１０における蓋部１１を図示しない昇降機構により上昇させて、チャンバ１０を開放する（ステップＳ６２）。次に、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに基板Ｗの受け渡し位置まで上昇する（ステップＳ６３）。
【００６５】
この状態において、図示しない搬送アームがチャンバ１０内に進入する（ステップ６４）。そして、昇降機構２５の駆動により、支持ピン２１が支持板２２とともに乾燥位置まで下降する（ステップＳ６５）。これにより、支持ピン２１に支持されていた基板Ｗが搬送アームにより支持される。そして、基板Ｗを支持した搬送アームがチャンバ１０内より退出する（ステップＳ６６）。
【００６６】
以上のように、この発明の第３実施形態における減圧乾燥装置によれば、チャンバ１０の蓋部１１に形成された凹部１５の作用により、突沸を生じることなく基板Ｗの主面に形成された薄膜を迅速に乾燥することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】この発明の第１実施形態に係る減圧乾燥装置の概要図である。
【図２】この発明の第１実施形態に係る減圧乾燥装置の概要図である。
【図３】この発明の第１実施形態に係る減圧乾燥装置の概要図である。
【図４】この発明の第１実施形態に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。
【図５】この発明の第１実施形態に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。
【図６】減圧乾燥動作時のチャンバ１０内の真空度の変化を示す説明図である。
【図７】この発明の第２実施形態に係る減圧乾燥装置の概要図である。
【図８】この発明の第２実施形態に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。
【図９】この発明の第２実施形態に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。
【図１０】この発明の第３実施形態に係る減圧乾燥装置の概要図である。
【図１１】この発明の第３実施形態に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。
【図１２】この発明の第３実施形態に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６８】
１０      チャンバ
１１      蓋部
１２      パッキング
１３      基部
１４      上面
１５      凹部
２１      支持ピン
２２      支持板
３１      排気口
３２      管路
３３      ダンパ
３４      真空ポンプ
４１      板状部材
４３      エアシリンダ
Ｗ        基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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