【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロプロセッサを動作させる方法であって、
前記マイクロプロセッサのための所望の動作周波数を決定するステップと、
前記マイクロプロセッサに特化された情報を入手するステップであって、前記情報は、前記所望の動作周波数で前記マイクロプロセッサを動作させるための最適電圧を決定するために使用され、前記最適電圧は、前記マイクロプロセッサの特性に基づいているところのステップと、
前記最適電圧で前記マイクロプロセッサを動作させるステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記情報が、前記マイクロプロセッサを備えた集積回路パッケージ内で符号化され、そして／または、前記マイクロプロセッサの前記特性が、前記マイクロプロセッサの温度測定を含み、そして／または、前記温度測定を、情報を入手する前記ステップを行う位置の最も近くで実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記最適電圧で動作している間、前記マイクロプロセッサを前記所望の動作周波数で動作させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記情報が、周波数−電圧動作点の複数組のうちの１つへのマッピングを含み、または、前記情報が、１組の周波数−電圧動作点を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
マイクロプロセッサの製造方法であって、
指定周波数における電力制限に合致するために、前記マイクロプロセッサに必要な電圧を決定するステップと、
前記電圧の情報をコンピュータ可読媒体に記憶するステップと
を含む方法。
【請求項６】
マイクロプロセッサの製造方法であって、
複数の指定周波数の各々で動作させるために、前記マイクロプロセッサに必要な最適電圧を決定して、電圧−周波数の複数の関係を生成するステップと、
前記複数の関係の情報をコンピュータ可読媒体に記憶するステップと
を含む方法。
【請求項７】
前記情報が、前記マイクロプロセッサの共通パッケージ内に記憶され、または、前記情報が、前記マイクロプロセッサのパッケージの外部に記憶され、または、前記情報が、前記マイクロプロセッサの共通パッケージ内には記憶されない、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記電圧が前記指定周波数下において決定される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
電圧を決定する前記ステップが複数の温度下で実行される、請求項５または６に記載の方法。
【請求項１０】
前記情報が、周波数−電圧特性の複数の関係のうちの１つへのマッピングを含み、そして／または、前記情報が、前記マイクロプロセッサに特化された、周波数−電圧の関係を含む、請求項５または６に記載の方法。
【請求項１１】
電圧を決定する前記ステップが、前記マイクロプロセッサのパッケージング後に実行され、そして、情報を記憶する前記ステップが、前記マイクロプロセッサのパッケージング後に実行される、請求項５または６に記載の方法。
【請求項１２】
マイクロプロセッサと、
前記マイクロプロセッサに結合された不揮発性記憶装置の少なくとも１つのビットとを備え、
前記不揮発性記憶装置が、前記マイクロプロセッサの周波数−電圧特性の情報を含む集積回路モジュール。
【請求項１３】
前記情報が、周波数−電圧特性の複数のグループのうちの１つへのマッピングを含み、そして／または、前記情報が、１組の周波数−電圧特性を含む、請求項１２に記載の集積回路モジュール。
【請求項１４】
前記マイクロプロセッサが、前記マイクロプロセッサの動作状態を示す値を提供し、前記値が、前記マイクロプロセッサの温度を含む、請求項１２に記載の集積回路モジュール。
【請求項１５】
前記値が、前記マイクロプロセッサの所望の動作周波数を含み、そして／または、不揮発性記憶装置の前記少なくとも１つのビットが、リセット不能であり、そして／または、前記情報が、メモリ集積回路に記憶される、請求項１２に記載の集積回路モジュール。
【請求項１６】
１組の周波数−電圧特性を備えた、コンピュータ可読メモリ内のデータ構造であって、
前記１組の周波数−電圧特性が、マイクロプロセッサが所望の周波数で動作するために必要な最低動作電圧を指定し、更に、
前記組の個々の周波数−電圧特性が、前記マイクロプロセッサに特化されている
ところのデータ構造。
【請求項１７】
前記データ構造が、前記マイクロプロセッサの外部に存在し、そして／または、温度依存動作電圧情報を更に含む、請求項１６に記載のデータ構造。
【請求項１８】
マイクロプロセッサと、
前記マイクロプロセッサに結合され、前記マイクロプロセッサの集積回路に選択可能電圧を供給するための電圧源と、
前記マイクロプロセッサに結合され、前記マイクロプロセッサの動作電圧を最適化する方法を実施するための命令を含むメモリ空間と
を備えたコンピュータであって、前記方法が、
前記マイクロプロセッサのための所望の動作周波数を決定するステップと、
前記マイクロプロセッサに特化された情報を入手するステップであって、前記情報は、前記所望の動作周波数で前記マイクロプロセッサを動作させるための最適電圧を決定するために使用され、前記最適電圧は、前記マイクロプロセッサの特性に基づいているところのステップと、
前記電圧源に、前記最適電圧を前記マイクロプロセッサに供給させるステップとを含むコンピュータ。
【請求項１９】
１組の周波数−電圧特性を含むメモリ空間を更に備え、
前記１組の周波数−電圧特性が、マイクロプロセッサが所望の周波数で動作するために必要な最低動作電圧を指定し、更に、
前記組の個々の周波数−電圧特性が、前記マイクロプロセッサに特化されている、請求項１８に記載のコンピュータ。
【請求項２０】
前記情報が、前記周波数−電圧動作点の複数組のうちの１つへのマッピングを含み、そして／または、前記メモリ空間が、前記マイクロプロセッサの外部に存在する、請求項１８に記載のコンピュータ。
【請求項２１】
前記メモリ空間が、温度依存動作電圧情報を更に含み、前記コンピュータが、前記マイクロプロセッサの温度を測定するための手段を更に備えた、請求項１８に記載のコンピュータ。
【請求項２２】
前記マイクロプロセッサの集積回路の動作電圧を最適化する前記方法が、
前記マイクロプロセッサの温度を入手するステップと、
前記温度依存動作電圧情報を入手して、前記所望の動作周波数および前記マイクロプロセッサの前記温度で前記マイクロプロセッサを動作させるための最適電圧を決定するステップと
を更に含む、請求項２１に記載のコンピュータ。
【請求項２３】
複数の電圧での動作が可能であり、更に、複数の周波数での動作が可能であるマイクロプロセッサと、
特別に測定された前記マイクロプロセッサの電圧−周波数の関係を記憶するメモリであって、前記電圧−周波数の関係が電圧−周波数の複数の対からなり、各対が、関連する周波数に対する最適電圧を指示するところのメモリと、
前記メモリを使用して対応する電圧を決定し、更に、所望の動作周波数および前記対応する電圧で前記マイクロプロセッサを動作させるために、所望の動作周波数を入手するための論理と
を備えた電子デバイス。
【請求項２４】
前記論理が、前記メモリに結合され、そして、前記マイクロプロセッサに結合され、そして／または、前記メモリが、前記マイクロプロセッサとは別個のデバイスであり、そして／または、前記メモリが不揮発性メモリであり、そして／または、電圧−周波数の前記関係が、前記マイクロプロセッサのパッケージング後に測定される、請求項２３に記載のデバイス。