(57)【要約】      （修正有）【課題】粘着剤を用いることなく半導体ウエハを固定してダイシングにより分割しＩＣチップとし、該ＩＣチップをピックアップする方法を提供する。【解決手段】下記の工程を含む半導体ウエハダイシング方法。工程（１）半導体ウエハを、多孔質フィルムを介して真空吸引可能なダイシングテーブルに設置する工程工程（２）真空吸引可能なダイシングテーブルより真空吸引して半導体ウエハを多孔質フィルムに固定する工程工程（３）多孔質フィルムに固定された半導体ウエハをダイシングにより分割とする工程工程（４）真空吸引しながら、多孔質フィルムの半導体ウエハ非接触面の空孔を塞ぎ多孔質シートの空孔を減圧状態とする工程工程（５）ＩＣチップを多孔質フィルムに固定した状態で、多孔質フィルムを搬送する工程工程（６）多孔質フィルムの空孔を常圧にする工程工程（７）：ＩＣチップをピックアップして多孔質フィルムから剥離する工程【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の工程（１）から（７）を含む半導体ウエハダイシング方法およびＩＣチップ剥離方法。
工程（１）：半導体ウエハを、独立気泡率が８０％以下の多孔質フィルムを介して真空吸引可能なダイシングテーブルに設置する工程
工程（２）：真空吸引可能なダイシングテーブルより真空吸引して半導体ウエハを多孔質フィルムに固定する工程
工程（３）：多孔質フィルムに固定された半導体ウエハをダイシングにより分割してＩＣチップとする工程
工程（４）：真空吸引しながら、多孔質フィルムの半導体ウエハ非接触面の空孔を塞ぎ多孔質シートの空孔を減圧状態とする工程
工程（５）：ＩＣチップを多孔質フィルムに固定した状態で、多孔質フィルムを搬送する工程
工程（６）：多孔質フィルムの空孔を常圧にする工程
工程（７）：ＩＣチップをピックアップして多孔質フィルムから剥離する工程
【請求項２】
多孔質フィルムが熱可塑性樹脂から形成されてなる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（４）において、多孔質フィルムの半導体ウエハ非接触面を加熱して空孔を塞ぐ請求項２に記載の方法。
【請求項４】
多孔質フィルムが、片面に電子線照射または放射線照射して架橋されてなる多孔質フィルムであって、前記多孔質フィルムの電子線または放射線照射された面を半導体ウエハ接触面とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
多孔質フィルムが２層以上の多層多孔質フィルムであって、各層が融点の異なる熱可塑性樹脂から構成されてなり、最も融点の高い熱可塑性樹脂から構成される層が半導体ウエハ接触面である請求項２〜４のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウエハダイシング方法およびＩＣチップ剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップはＩＣ回路が形成された半導体ウエハをダイシングにより分割して得られるが、近年ＩＣチップの大型化に伴い、半導体ウエハ自体も大口径のものが求められている。またＩＣカード等での薄い製品への使用や、ＩＣチップを薄くして多層化し高密度化する手法に対応するため、薄い半導体ウエハの需要が増大しつつある。しかしながら大口径、あるいは薄い半導体ウエハは強度が低下してしまうのため、製造工程において割れや欠けといったトラブルが発生し易くなっている。
【０００３】
前記のようなトラブルが発生し易い工程として、ダイシング工程が挙げられる。ダイシング工程とは、ＩＣ回路を形成した半導体ウエハを個々のＩＣチップに分割する工程である。この工程では塩化ビニルやポリエステル等のベースシートに粘着剤が塗布されたダイシングシート上に半導体ウエハを固定し、ダイシングソウにより切断した後、各ＩＣチップをコレットと呼ばれる吸引治具によりピックアップしてダイシングシートから剥離し次工程へ搬送する。ダイシングシートには、切断時にはダイシングソウによる回転で各ＩＣチップが飛散しないように十分な粘着力が必要である一方、ピックアップ時には各ＩＣチップに負荷がかからない程度の低い粘着力であるといった相反する性能が求められる。
【０００４】
このような性能を満たすものとして、ＵＶタイプと呼ばれるダイシングシートが知られている。ＵＶタイプのダイシングシートとは、切断時には高粘着力であるが、ピックアップする前に紫外線（ＵＶ）を照射することで粘着力をＵＶ照射前の数分の一から十分の一以下に低下させることができるダイシングシートである。しかしながらＵＶ照射による粘着力低下にバラツキがあるという問題や、ＵＶ照射後も数ｇ程度の粘着力は残るため、ピックアップ時に下からピンで突上げる必要があり、突上げピンによるＩＣチップのダメージは皆無ではなかった。近年ではＩＣチップの大型化、薄型化が進んでおり、突上げピンによるダメージが一層問題となっている。
【０００５】
切断時には半導体ウエハおよびＩＣチップを固定し、ピックアップ時にはＩＣチップにできるだけ負荷がかからないようにする他の方法として、特許文献１には、半導体ウエハおよびＩＣチップを減圧により固定して分割するダイシング工程において、減圧可能なダイシングテーブルと半導体ウエハとの間に、焼結法で形成された多孔質フィルムに剥離力が50ｇｆ以下となる粘着層を設けた高分子多孔質膜を介在させる方法が開示されている。しかしながらこの方法においても粘着層を必要とするため、ＩＣチップに負荷がかかることがあった。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−６８６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、粘着剤を用いることなく半導体ウエハを固定してダイシングにより分割しＩＣチップとし、該ＩＣチップをピックアップする方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち本発明は、下記の工程（１）から（７）を含む半導体ウエハダイシング方法およびＩＣチップ剥離方法である。
工程（１）：半導体ウエハを、独立気泡率が８０％以下の多孔質フィルムを介して真空吸引可能なダイシングテーブルに設置する工程
工程（２）：真空吸引可能なダイシングテーブルより真空吸引して半導体ウエハを多孔質フィルムに固定する工程
工程（３）：多孔質フィルムに固定された半導体ウエハをダイシングにより分割してＩＣチップとする工程
工程（４）：真空吸引しながら、多孔質フィルムの半導体ウエハ非接触面の空孔を塞ぎ多孔質シートの空孔を減圧状態とする工程
工程（５）：ＩＣチップを多孔質フィルムに固定した状態で、多孔質フィルムを搬送する工程
工程（６）：多孔質フィルムの空孔を常圧にする工程
工程（７）：ＩＣチップをピックアップして多孔質フィルムから剥離する工程
【発明の効果】
【０００９】
本発明の方法によれば、粘着剤を用いることなく半導体ウエハを固定してダイシングにより分割しＩＣチップとし、負荷をかけることなく該ＩＣチップをピックアップすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態を具体的に説明する。本発明の工程（１）は、半導体ウエハを、独立気泡率が８０％以下の多孔質フィルムを介して真空吸引可能なダイシングテーブルに設置する工程である。真空吸引する装置としては、水封ポンプやツールポンプあるいは油回転ホンプといった各種真空ポンプを用いることができる。
【００１１】
多孔質フィルムとしては、独立気泡率が８０％以下、好ましくは５０％以下、さらに好ましくは０％のフィルムを用いる。このように独立気泡率が低い、すなわち連続気泡率が高い多孔質フィルムを用いることにより、ダイシングテーブルから真空吸引した場合に半導体ウエハおよびICチップを多孔質フィルムに強固に固定することができる。また後述する多孔質フィルムの空孔を常圧にする工程（６）において、多孔質フィルムの一部を破壊することにより多孔質フィルムのほぼ全ての空孔内の圧力を常圧に戻すことができるという利点もある。多孔質フィルムの独立気泡率Ｆｃは、ＪＩＳ  Ｋ７１１２に従い、エアピクノメーターにより求められるサンプル密度ρ１、水中置換法により求められるサンプル密度ρ２、サンプル構成材料の密度ρ０より以下の式を用いて求めることができる。
Ｆｃ＝１００×（（ρ０／ρ１）−１）／（（ρ０／ρ２）−１）
【００１２】
本発明で用いられる多孔質フィルムは、真空吸引により半導体ウエハを固定しやすいことから通気度が０．１秒以上であることが好ましく、１秒以上であることがさらに好ましい。フィルム強度の観点から、通気度は１００秒以下であることが好ましく、５０秒以下であることがより好ましい。ここで通気度とは、ＪＩＳ Ｐ８１１７に従って測定される値である。また多孔質フィルムの厚みは、フィルム強度の観点から１０μｍ以上であることが好ましい。また工程（５）において減圧状態を維持しやすいことから、フィルム厚みは３００μｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
本発明で用いられる多孔質フィルムとしては、れんが、陶磁器、ゼオライト、カーボンランダム、各種金属の焼結フォーム等の無機化合物からなる多孔質フィルム、黒鉛、活性炭等の炭素製品、ウレタン、ポリスチレン等のプラスチックのフォームやスポンジ、透過膜や分離膜、不織布等、合成高分子をベースに製造された多孔質シートが挙げられる。合成高分子をベースに製造された多孔質フィルムとして具体的には、ポリ四フッ化エチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等の樹脂パウダーを焼結により製膜したもの、ポリ四フッ化エチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等の部分結晶化樹脂フィルムを冷延伸・熱処理により製膜したもの、ポリカーボネート、ポリエステル等を電子線照射しエッチングし製膜したもの、セルロースエステル、ポリアミド、ポリスルホン等を相転換（ミクロ相分離）法で製膜したものポリスチレン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル等の熱可塑性樹脂及びポリウレタン、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性ポリマーのフォーム、ポリエチレンやポリプロピレン等の熱可塑性樹脂と、炭酸カルシウム粒子などの充填剤を含む熱可塑性樹脂組成物をカレンダー成形や、インフレーション加工やＴダイ加工等の押出成形によって熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムを製造した後該熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムを用いて延伸工程を経て得られる多孔質フィルムが挙げられる。また、非多孔質フィルムに針等を用いて機械的に孔あけ加工したものを使用してもよい。
【００１４】
本発明で用いられる多孔質フィルムは、製造が容易であり安価で製造できること、また後述する工程（４）において多孔質フィルムの半導体ウエハ非接触面の空孔を塞ぐ際に、加熱という簡便な方法で空孔を塞ぐことができることから、熱可塑性樹脂から形成されてなることが好ましい。熱可塑性樹脂としては公知の樹脂を用いることができ、具体的には、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセン等のオレフィンの単独重合体または２種類以上のオレフィンの共重合体、１種類以上のオレフィンと該オレフィンと重合可能な１種類以上の重合性モノマーとの共重合体、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、エチレン−エチルアクリレート共重合体等のアクリル系樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリスチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体等のスチレン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン等のフッ化ビニル系樹脂、６−ナイロン、６，６−ナイロン、１２−ナイロン等のアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等の飽和エステル系樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリフェニレンスルフィド、シリコーン樹脂、熱可塑性ウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、各種熱可塑性エラストマーやこれらの架橋物等が挙げられる。またこれらの熱可塑性樹脂を２種類以上用いてもよい。
【００１５】
フィルム強度と加工性の点から、本発明で用いる多孔質フィルムを構成する樹脂は、ポリオレフィン系樹脂であることが好ましい。ポリオレフィン系樹脂としては、低密度ポリエチレン、線状ポリエチレン（エチレン−α−オレフィン共重合体）、高密度ポリエチレン等のポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体等のポリプロピレン系樹脂、ポリ（４−メチルペンテン−１）、ポリ（ブテン−１）、エチレン−酢酸ビニル共重合体などが挙げられる。フィルム強度の観点から、ポリオレフィン系樹脂が分子鎖長２８５０ｎｍ以上の樹脂を含むことが好ましい。分子鎖長２８５０ｎｍ以上の樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上である。
【００１６】
本発明におけるポリオレフィン系樹脂の分子鎖長とは、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）測定によるポリスチレン換算の分子鎖長であり、具体的には以下の手順で求められる値である。ＧＰＣ測定の移動相には、測定するポリオレフィン系樹脂および分子量既知の標準ポリスチレンのいずれも溶解することができる溶媒を用いればよく、通常オルトジクロロベンゼンが使用される。測定温度は、測定する樹脂が溶媒に溶解する温度であればよいが、通常１４０℃で測定を行なう。
【００１７】
まず、分子量が異なる複数種の標準ポリスチレンのＧＰＣ測定を行い、各標準ポリスチレンの保持時間を求める。ポリスチレンのＱファクターを用いて各標準ポリスチレンの分子鎖長を求め、これにより、各標準ポリスチレンの分子鎖長とそれに対応する保持時間を知る。尚、標準ポリスチレンの分子量、分子鎖長およびＱファクターは下記の関係にある。
分子量＝分子鎖長×Ｑファクター
次に標準ポリスチレンの測定条件と同じ条件で、分子鎖長を求めるポリオレフィン系樹脂のＧＰＣ測定を行い、保持時間−溶出成分量曲線を得る。標準ポリスチレンのＧＰＣ測定において、保持時間Ｔであった標準ポリスチレンの分子鎖長をＬとするとき、ポリオレフィン系樹脂のＧＰＣ測定結果において保持時間Ｔであった成分の分子鎖長を、ポリスチレン換算の分子鎖長Ｌとする。この関係を用いて、ポリオレフィン系樹脂の保持時間−溶出成分量曲線を、ポリオレフィン系樹脂のポリスチレン換算の分子鎖長−溶出成分量曲線に変換することができ、これにより当該ポリオレフィン系樹脂のポリスチレン換算の分子鎖長分布が明らかになる。
【００１８】
本発明において、ポリオレフィン系樹脂中の分子鎖長が２８５０ｎｍ以上の樹脂量は、上記の方法で求めた分子鎖長−溶出成分量曲線を全範囲について積分した値に対する、分子鎖長２８５０ｎｍ以上に該当する範囲について積分した値の割合として求めることができる。
【００１９】
本発明で用いる多孔質フィルムは、熱可塑性樹脂と、炭酸カルシウム粒子などの充填剤を含む熱可塑性樹脂組成物をカレンダー成形や、インフレーション加工やＴダイ加工等の押出成形によって熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムを製造した後該熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムを用いて延伸工程を経て得られる多孔質フィルムであることが好ましい。
【００２０】
前記した方法で多孔質フィルムを製造する際に用いる充填剤は、無機充填剤でも有機充填剤でもよい。充填剤は１種類または２種類以上の充填剤を使用してもよく、無機充填剤と有機充填剤とを混合して使用してもよい。使用される無機充填剤の例としては、炭酸カルシウム、タルク、クレー、カオリン、シリカ、ハイドロタルサイト、珪酸、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、アルミナ、マイカ、ゼオライト、ガラス粉、酸化亜鉛などが挙げられる。
【００２１】
有機充填剤としては、種々の樹脂粒子を使用することができ、例としてスチレン、ビニルケトン、アクリロニトリル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート、アクリル酸メチル等の単独あるいは２種類以上の重合体、メラミン、尿素などの重縮合樹脂などの粒子が挙げられる。本発明において、多孔質フィルムとして、熱可塑性樹脂組成物を成形したシートから充填剤を除去したフィルムを用いる場合には、充填剤として炭酸カルシウムまたは珪酸を使用することが好ましい。使用する充填剤の平均粒子径は、好ましくは５μｍ以下であり、より好ましくは０．０５〜３μｍであり、特に好ましくは０．１〜０．２μｍである。
【００２２】
多孔質フィルムを製造するための熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂１００重量部と、前記熱可塑性樹脂１００重量部に対し充填剤を１００〜４００重量部含有する組成物であることが好ましい。また多孔質フィルムを製造するために用いられる熱可塑性樹脂組成物は、前記した熱可塑性樹脂や充填剤以外に、本発明の効果が著しく損われない限り脂肪酸エステルや低分子量ポリオレフィン樹脂等の延伸助剤、安定化剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、非イオン性界面活性剤等の添加剤を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂組成物の製造方法は特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂と充填剤、および必要に応じて非イオン性界面活性剤などの所望の添加剤を、混合装置、例えばロール、バンバリーミキサー、一軸押出機、二軸押出機などを用いて混合することにより製造することができる。
【００２３】
熱可塑性樹脂が分子鎖長２８５０ｎｍ以上の樹脂を含むポリオレフィン系樹脂である場合には、例えば以下のような方法により熱可塑性樹脂組成物を調整することができる。分子鎖長が２８５０ｎｍ以上のポリオレフィン［Ａ］と、重量平均分子量７００〜６０００のポリオレフィンワックス［Ｂ］とを、［Ａ］／［Ｂ］＝９０／１０〜５０／５０の重量比にて配合し、更に所定量の充填剤を添加し、混合物を得る。強混練が可能なように少なくともフルフライトスクリューとニーディングブロックの二種類のセグメントを組み合わせて構成したスクリューをバレル中に備えた混練装置を用いて前記混合物を混練することにより、熱可塑性樹脂組成物を得ることができる。混練装置としては、スクリューの全長をＬ（ｍｍ）、バレルの内径をＤ（ｍｍ）、フルフライトスクリューの合計長さをＬf（ｍｍ）、ニーディングブロックの合計長さをＬn（ｍｍ）としたときに、Ｌ／Ｄが３０以上、Ｌf／Ｄが３以上、かつ、Ｌn／Ｄが５以上である混練装置を使用することが好ましい。更には、フルフライトスクリューのフライト角をα（度）、フルフライトスクリューのスクリュー溝の深さをＭ（ｍｍ）としたときに、αが３５以上６０以下であり、Ｍ／Ｄの値が０．１５以上、０．２５以下である装置を使用することが好ましい。
【００２４】
熱可塑性樹脂組成物を用いてフィルムを製造する方法も特に限定されるものではなく、インフレーション加工やＴダイ加工等の押出成形やカレンダー成形によって充填剤を含む熱可塑性樹脂フィルムを製造することができる。熱可塑性樹脂組成物が、分子鎖長２８５０ｎｍ以上の樹脂を含むポリオレフィン系樹脂と充填剤を含む組成物である場合には、圧延ロールやカレンダーロールを用いる方法や、スカイフ法（切削）などによってフィルム成形することができる。略同周速度で回転する一対の圧延ロールを有する圧延ロール装置を用いる方法によりフィルム成形することが、得られるフィルムの表面平滑性や膜厚精度の観点から好ましい。
【００２５】
次に前記したような方法により得られる熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムを延伸し、充填剤と樹脂との界面に空孔を形成させることにより、本発明で用いる多孔質フィルムを得ることができる。延伸はロール延伸機やテンター延伸機等により一軸方向または二軸方向に行なわれる。延伸温度は熱可塑性樹脂の融点あるいは軟化点以下の温度が好ましい。例えば、熱可塑性樹脂がポリオレフィン系樹脂である場合には、そのポリオレフィン系樹脂の融点以下の温度で延伸することが好ましく、特に５０〜１５０℃の範囲が好ましい。延伸倍率は２〜１０倍が好ましく、より好ましくは３〜８倍である。延伸倍率を前記範囲とすることにより、均一な径の空孔を有し、厚さが均一な多孔質フィルムを得ることができる。このような方法で得られる多孔質フィルムは、安価に製造することができ、また強度に優れるものである。
【００２６】
また本発明で用いる多孔質フィルムは、熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムから充填剤を除去した後、延伸して得られる多孔質フィルムであってもよく、熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムを延伸した後、充填剤を除去して得られる多孔質フィルムであってもよい。製造が容易であることから、充填剤を除去した後、延伸して得られる多孔質フィルムを用いることが好ましい。このような多孔質フィルムの製造方法は安価であり、かつ得られる多孔質フィルムは強度に優れるものである。
【００２７】
本発明で用いられる多孔質フィルムが熱可塑性樹脂から構成される場合、多孔質フィルムの空隙率は、半導体ウエハおよびＩＣチップを強固に固定することができ、かつフィルム強度に優れることから５０〜９５％であることが好ましく、６０％〜９０％であることがより好ましい。空隙率は以下の（１）、（２）式で算出される。
空隙率＝（空孔容積÷膜全容積）×１００    ・・・・・（１）
空孔容積＝膜全容積−（膜重量÷樹脂密度）  ・・・・・（２）
【００２８】
本発明で用いられる多孔質フィルムが熱可塑性樹脂から構成される場合は、平均孔径が０．０１〜５μｍであることが好ましく、０．０５〜３μｍであることがより好ましく、０．１〜０．２μｍであることがとりわけ好ましい。平均孔径とは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて多孔質フィルム表面を観察し、１０μｍ×１０μｍの大きさの視野内に認められる全ての孔について測定した孔の直径の平均値である。平均孔径が０．０１μｍ未満では、本発明の範囲の通気度を得ることが困難であり、また、５μｍを超える場合はフィルムの平滑性に劣る。
【００２９】
本発明の方法において、強度を補強する目的で多孔質フィルムとダイシングテーブルとの間に、高強度の多孔質支持体を使用してもよい。高強度の多孔質支持体としては、れんが、陶磁器、ゼオライト、カーボンランダム、各種金属の焼結フォーム等の無機化合物からなる多孔質材無機化合物の多孔質材、金属、セラミック、硬質プラスチック等の非多孔質材を針やドリルで孔あけ加工したものが挙げられる。
【００３０】
本発明の工程（２）は、真空吸引可能なダイシングテーブルより真空吸引して半導体ウエハを多孔質フィルムに固定する工程である。次に多孔質フィルムに固定された半導体ウエハをダイシングにより分割してＩＣチップとする。引き続き真空吸引しながら多孔質フィルムの半導体ウエハ非接触面の空孔を塞ぎ、多孔質フィルムの空孔を減圧状態とする。これによりＩＣチップが多孔質フィルムに固定された状態を維持できる。また前記した工程（２）の後、真空吸引しながら多孔質フィルムの半導体ウエハ非接触面の空孔を塞いで多孔質フィルムの空孔を減圧状態とした後で、多孔質フィルムに固定された半導体ウエハをダイシングにより分割してＩＣチップとすることもできる。
【００３１】
多孔質フィルムの半導体ウエハ非接触面の空孔を塞ぎ多孔質フィルムの空孔を減圧状態とする方法としては特に制限はなく、他の部材により空孔を塞いでもよいが、本発明の多孔質フィルムが熱可塑性樹脂からなる場合は、該多孔質フィルムの半導体ウエハ非接触面を加熱して空孔を塞ぐ方法が簡便であり好ましい。熱可塑性樹脂から形成されてなる多孔質フィルムは、熱可塑性樹脂の融点あるいは軟化温度以上に加熱することにより、空孔部近傍の樹脂が溶融あるいは収縮して空孔が閉じる。加熱方法は特に制限されるものではないが、ダイシングテーブルや多孔質支持体として、電気ヒーターや電磁誘導などにより任意のタイミングで加熱可能な装置を用いることにより、容易に加熱することができる。ただし加熱して空孔を塞ぐ際には、空孔が減圧状態となり、半導体ウエハやＩＣチップを固定できる程度に空孔を塞ぐことが必要である。
【００３２】
多孔質フィルムとして片面に電子線照射または放射線照射して架橋されてなる多孔質フィルムを用い、前記多孔質フィルムの電子線または放射線照射された面を半導体ウエハ接触面とすることにより、該多孔質フィルムを加熱して空孔を塞ぐ場合に、空孔を全て塞ぐことなく、空孔が減圧状態となり、半導体ウエハやＩＣチップを固定できる程度に空孔を塞ぐことが容易となる。また２層以上の多層多孔質フィルムであって、各層が融点の異なる熱可塑性樹脂から構成されてなる多層多孔質フィルムを用い、最も融点の高い熱可塑性樹脂から構成される層を半導体ウエハ接触面とすることによっても同様の効果が得られる。
【００３３】
多孔質フィルムの表面積と半導体ウエハの接触面積が同一でなく、多孔質フィルムの表面積の方が広い場合は、上述の通り多孔質フィルムの半導体ウエハ非接触面の空孔を塞いだだけでは多孔質フィルムの空孔が減圧状態にはならないため、半導体ウエハと接触していない部分の多孔質フィルムの空孔を塞ぐ必要がある。半導体ウエハと接触していない部分を塞ぐ方法としては特に制限はなく、他の部材を用いてもよいが、該部分を加熱、あるいは加熱圧着して空孔を塞ぐ方法が簡便である。また、簡便に減圧状態とするため、多孔質フィルムの片面が全て半導体ウエハと接触する大きさとなるように多孔質フィルムを断裁、打ち抜き加工する際に、同時にフィルムの端面に熱をかけ、端面の空孔を塞いでおく手法を用いることができる。
【００３４】
半導体ウエハのダイシング時に多孔質フィルムを傷つけてしまい、多孔質フィルムの空孔の減圧状態が解除されることが懸念される。これに対しては、ダイシングソウを極力薄くしておくことで多孔質フィルムの表面露出を極力小さくすることや、ダイシングソウを加熱しておき、ダイシングソウが多孔質フィルムに接触して傷つけた場合に熱により傷を修復する方法が有効である。
【００３５】
半導体ウエハを前記した工程により分割してＩＣチップとした後、該ＩＣチップを多孔質フィルムに固定した状態で、次の工程へ搬送する。その後多孔質フィルムの空孔を常圧とすることにより、ＩＣチップをピックアップして多孔質フィルムから剥離することができる。多孔質フィルムの空孔を減圧状態から常圧にする手段としては特に制限はないが、多孔質フィルムの一部を破壊する手法が簡便で好ましい。本発明では独立気泡率の低い多孔質フィルムを用いるため、多孔質フィルムの一部を破壊することにより多孔質フィルムのほぼ全ての空孔内の圧力を常圧に戻すことができる。多孔質フィルムの空孔内が、搬送時にはＩＣチップが固定され、かつピックアップ時にはＩＣチップに負荷がかからない程度の減圧状態である場合には、多孔質フィルムを破壊しなくてもよい。