(57)【要約】【課題】  マスクを使用し気相堆積法により原料膜をパターン化して堆積する際、マスクの歪み、伸縮等によるパターンズレを防止し、堆積膜面内品質不均一を防止した気相堆積装置及び気相堆積方法の提供。【解決手段】  気相堆積法によって基材上に少なくとも１層の原料膜を堆積させる、減圧手段で減圧される蒸着室と、基材の基材配置手段と、原料を蒸発させる原料蒸発手段と、基材に対して堆積膜の形成領域を規制するマスクのマスク配置手段とを有する気相堆積装置において、少なくとも前記基材上に前記原料膜を堆積させる間、前記マスクを温度制御機構により前記基材の温度履歴に合わせて温度制御することが可能であることを特徴とする気相堆積装置。【選択図】        図１
2006336037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相堆積法によって基材上に少なくとも１層の原料膜を堆積させる、減圧手段で減圧される蒸着室と、基材の基材配置手段と、原料を蒸発させる原料蒸発手段と、基材に対して堆積膜の形成領域を規制するマスクのマスク配置手段とを有する気相堆積装置において、
少なくとも前記基材上に前記原料膜を堆積させる間、前記マスクを温度制御機構により前記基材の温度履歴に合わせて温度制御することが可能であることを特徴とする気相堆積装置。
【請求項２】
前記温度制御機構は加熱・冷却が可能な媒体の温度制御手段と、該媒体を基材配置手段及びマスク配置手段へ循環させる循環手段と、該媒体の循環量の循環量制御手段とを有していることを特徴とする請求項１に記載の気相堆積装置。
【請求項３】
前記マスクは基材に接触する状態で配設されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の気相堆積装置。
【請求項４】
前記マスクは基材と、非接触の状態で配設されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の気相堆積装置。
【請求項５】
前記マスクは基材と同じ材質であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の気相堆積装置。
【請求項６】
気相堆積装置を使用し、基材上に少なくとも１層の原料膜を堆積させる気相堆積方法において、前記気相堆積装置が請求項１〜５の何れか１項に記載の気相堆積装置であることを特徴とする気相堆積方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空中にて原料を蒸発し、基材に堆積させて膜を得る気相堆積装置及び気相堆積方法に関する。更に詳しくは、基材に対する堆積膜の形成領域を制限するマスク制限物を使用した気相堆積装置及び気相堆積方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基材に原料膜を堆積させる方法としては（真空）蒸着法、スパッタ法、化学蒸着法（ＣＶＤ）、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相堆積）法等の気相堆積法が広く知られている。これら気相堆積法を使用した技術としては、例えば、半導体デバイスに用いられるタングステンの成膜技術、光で通信を行う光インタ−コネクションの分野で使用されるシリコンベ−スの発光材料、液晶表示装置においてスイッチング素子として使用される液晶表示用薄膜トランジスタ、発光素子、受光素子、圧電素子、透明導電電極、能動素子に用いられる酸化亜鉛結晶膜、アクティブマトリックス液晶ディスプレイや超ＬＳＩ等に適応される薄膜半導体、放射線像変換パネルの蛍光体層等が挙げられ幅広い分野で使用されている。
【０００３】
これら、気相堆積法により薄膜を形成する際、放射線像変換パネルの蛍光体層の形成の様に広い面積で薄膜を形成する場合と、アクティブマトリックス液晶ディスプレイの様に高精細化でパターン化された薄膜を形成する場合とがある。
【０００４】
パターン化された薄膜を気相堆積法により形成する際、基材に対して必要とする箇所のみに原料膜を堆積させる領域を制御する技術は各種あり、マスクと呼ばれる所望の開口部を有した部材を使用して行っている。必要とする箇所にのみ薄膜を形成する手段にマスクを使用することは、非常に有効な方法であるが、基板上に原料膜を堆積する際、堆積パターンのズレが発生し品質に悪影響を及ぼすことが知られている。この様に、堆積パターンのズレ等による品質への影響を避けるため、これまでに対応が取られてきた。例えば、マスクに張力を付与し、基材へのマスクの密着性を向上させる方法が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。特許文献１に記載の技術では、マスクに張力を付与し、基材へのマスクの密着性を向上させるため、マスク保持装置が複雑となっており、取り扱いが煩雑である。又、マスクを温度制御することで、マスクの歪み、伸縮等を防止する技術が知られている（例えば、特許文献２を参照。）。特許文献２に記載の技術では、マスクの歪み、伸縮等を防止することが出来、マスクのパターンズレを防止することは出来るが別の問題として、マスクのみの温度制御を行っても基材温度との差異に伴い、マスク近傍と薄膜面の中心とで品質差が生じ堆積膜面内品質不均一問題の回避には不十分である。
【０００５】
この様な状況から、マスクを使用し気相堆積法により原料膜をパターン化して堆積する際、パターンズレを防止し、堆積膜面内品質不均一を防止した気相堆積装置及び気相堆積方法の開発が望まれている。
【特許文献１】特開２００４−３０３０号公報
【特許文献２】特開２００１−３２３３６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は、マスクを使用し気相堆積法により原料膜をパターン化して堆積する際、パターンズレを防止し、堆積膜面内品質不均一を防止した気相堆積装置及び気相堆積方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成された。
【０００８】
（請求項１）
気相堆積法によって基材上に少なくとも１層の原料膜を堆積させる、減圧手段で減圧される蒸着室と、基材の基材配置手段と、原料を蒸発させる原料蒸発手段と、基材に対して堆積膜の形成領域を規制するマスクのマスク配置手段とを有する気相堆積装置において、
少なくとも前記基材上に前記原料膜を堆積させる間、前記マスクを温度制御機構により前記基材の温度履歴に合わせて温度制御することが可能であることを特徴とする気相堆積装置。
【０００９】
（請求項２）
前記温度制御機構は加熱・冷却が可能な媒体の温度制御手段と、該媒体を基材配置手段及びマスク配置手段へ循環させる循環手段と、該媒体の循環量の循環量制御手段とを有していることを特徴とする請求項１に記載の気相堆積装置。
【００１０】
（請求項３）
前記マスクは基材に接触する状態で配設されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の気相堆積装置。
【００１１】
（請求項４）
前記マスクは基材と、非接触の状態で配設されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の気相堆積装置。
【００１２】
（請求項５）
前記マスクは基材と同じ材質であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の気相堆積装置。
【００１３】
（請求項６）
気相堆積装置を使用し、基材上に少なくとも１層の原料膜を堆積させる気相堆積方法において、前記気相堆積装置が請求項１〜５の何れか１項に記載の気相堆積装置であることを特徴とする気相堆積方法。
【発明の効果】
【００１４】
マスクを使用し気相堆積法により原料膜をパターン化して堆積する際、パターンズレを防止し、堆積膜面内品質不均一を防止した気相堆積装置及び気相堆積方法を提供することが出来、安定した堆積膜面品質の製品を作製することが可能となり、生産効率の向上が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明に係る実施の形態を図１〜図５を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１６】
図１は蒸着室と、基材配置手段と、マスク配置手段と、原料蒸発手段とを有する気相堆積装置の模式図である。図１の（ａ）は蒸着室と、基材配置手段及びマスク配置手段の温度制御手段と、原料蒸発手段とを有する気相堆積装置の模式図である。図１の（ｂ）は図１の（ａ）に示す気相堆積装置を構成している各部、各手段の関係を示す概略ブロック図である。
【００１７】
図中、１ａは気相堆積装置を示す。気相堆積装置１ａは蒸着室１０１と、基材配置手段１０２と、マスク配置手段１０３と、温度制御機構１０４ａと、原料蒸発手段１０５、制御手段２とを有している。
【００１８】
１０１ａは蒸着室１０１に配設された排気口を示し減圧手段である排気手段（不図示）に繋がっており、メインバルブ１０１ｂを介して蒸着室１０１を設定した真空度にするようになっている。蒸着室１０１の真空度は、必要に応じて適宜設定することが可能となっている。１０１ｃは蒸着室１０１の真空度を測定する測定手段である真空度測定計を示す。真空度測定計としては特に限定はなく、例えば電離真空計、ピラニ真空計が挙げられる。１０１ｄは不活性ガス導入口を示し、必要に応じてガス導入バルブ１０１ｅを介してＮ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活性ガスが雰囲気ガスとして導入される。
【００１９】
基材配置手段１０２は、基材配置部材１０２ａと、温度測定手段１０２ｂとを有し、温度制御機構１０４ａにより温度制御が可能となっている。基材配置部材１０２ａに配置された基材３は複数枚配置してもよく、基材配置部材１０２ａのいかなる位置に配置することも可能となっている。基材配置部材１０２ａとしては、基材の平面性を保持し配置出来れば特に限定はなく、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等が挙げられる。
【００２０】
温度測定手段１０２ｂは基材配置部材１０２ａに配置された基材３の温度を測定し、結果を制御手段２にフィードバックする様になっている。フィードバックされた情報に従って、基材配置部材１０２ａに熱媒体を循環させる温度制御機構１０４ａを制御することで、基材上へ原料を堆積中に、基材の温度を一定に保持すること等が可能となっている。温度測定手段１０２ｂとしては特に限定はなく、例えば熱電対、温度センサー等が挙げられる。
【００２１】
１０２ｄは基材配置部材１０２ａを回転させる回転手段を示す。回転手段は特に限定はなく、例えば回転モーターでもよいし、プーリーを介してベルトであってもよい。本図は回転モーターの場合を示している。又、基材配置部材１０２ａは回転させてもよいし、固定であってもよい。本図は回転させる場合を示している。
【００２２】
マスク配置手段１０３は、マスク配置部材１０３ａを有し、温度制御機構１０４ａにより温度制御が可能となっている。４はマスク配置部材１０３ａに配置されたマスクを示す。マスク配置部材１０３ａとしては、マスクの平面性を保持し配置出来れば特に限定はなく、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム、銅等が挙げられる。マスク配置部材１０３ａは基材配置部材１０２ａに取り付けられている。本図はマスク４と基材３とは密着している場合を示している。
【００２３】
マスク配置手段１０３の下側に、基材３への原料の堆積を制御する原料堆積制御手段の遮蔽板（不図示）を配設してもかまわない。遮蔽板（不図示）はどのような形式でもかまわないが、機能としては完全に閉じることで基材３の蒸気堆積を完全に防止出来る形式のものが好ましい。
【００２４】
温度制御機構１０４ａは、加熱・冷却が可能な媒体の温度制御手段（不図示）と、加熱・冷却が可能な媒体を基材配置手段１０２の基材配置部材１０２ａ及びマスク配置手段１０３のマスク配置部材１０３ａへ循環させる循環手段（不図示）と、媒体の循環量の循環量制御手段（不図示）とを有している。温度制御機構１０４ａにより、基材配置部材１０２ａ、マスク配置部材１０３ａへ所定温度に制御された媒体を循環させることで、基材配置部材１０２ａに配置された基材３、及びマスク配置部材１０３ａに配置されたマスク４を所定温度とすることが可能となっている。
【００２５】
温度制御機構１０４ａにより、基材配置部材１０２ａ及びマスク配置部材１０３ａへ媒体を循環させる方法は、同一媒体を基材配置部材１０２ａ及びマスク配置部材１０３ａへ循環させてもよいし、それぞれ個別に循環させてもよい。本図は同一媒体を基材配置部材１０２ａ及びマスク配置部材１０３ａへ循環させる場合を示している。同一の所定温度に制御された媒体を基材配置部材１０２ａ及びマスク配置部材１０３ａへ循環させるためマスク４の温度履歴は基材３の温度履歴と同じように制御することが可能となっている。
【００２６】
媒体としては、例えば、合成系有機熱媒体油等が挙げられる。媒体の温度制御手段としては、例えば、ヒーターとチラーの組合せ等が挙げられる。循環量制御手段としては、例えば、フローメーターとポンプの組合せ等が挙げられる。
【００２７】
１０５は蒸着室１０１の下部に設けられた原料蒸発手段を示す。原料蒸発手段１０５は、加熱手段（不図示）を有する原料容器１０５ａと、原料容器１０５ａの加熱用の電流供給部１０５ｄとを有している。原料容器１０５ａの加熱手段としては特に限定はなく、例えばスパッタ方式、抵抗加熱方式等が挙げられる。本図では抵抗加熱方式の場合を示している。原料容器１０５ａの開口部には原料１０５ｂが設定した温度に達する迄は、安定した堆積膜面を得るために、制御可能な可動式の蓋（付図示）を配設することが好ましい。尚、原料蒸発手段１０５は、原料容器１０５ａ内の原料１０５ｂの温度を測定するための、熱電対、温度センサー等の測定手段１０５ｃを配設し、測定手段１０５ｃの結果を制御手段２にフィードバックし、予め制御手段２に入力してある設定温度に対し、演算処理し設定温度を維持する様に制御することが好ましい。本図は原料容器１０５ａの温度を制御する場合を示している。これらの制御と可動式の蓋（付図示）の制御と組合せ、設定温度に達したのに合わせ蓋を開ける様な制御も可能である。
【００２８】
気相堆積装置１ａを構成している各部、各手段の関係を図１の（ｂ）に示す概略ブロック図により説明する。基材の温度測定手段１０２ｂにより測定された基材配置部材１０２ａに保持された基材３の温度に関する情報は制御手段２のＣＰＵに入力される。制御手段２に入力された情報はメモリーに予め入力されている設定温度と演算処理を行い、基材配置部材１０２ａ及びマスク配置部材１０３ａに所定の温度に調整された熱媒体を循環させる温度制御機構１０４ａを制御し、媒体の循環量と媒体の温度とを制御することが可能となっている。この制御により、基材３とマスク４との温度を同じ温度履歴で同じ温度にすることが可能となっている。測定手段１０５ｃにより測定された原料容器１０５ａ内の原料１０５ｂの温度の結果を制御手段２にフィードバックし、予め制御手段２に入力してある設定温度に対し、演算処理し、原料容器１０５ａに配設された加熱手段（不図示）の電流供給部１０５ｄの電流調整を行うことで原料１０５ｂの温度を一定に制御することが可能となっている。これらの原料１０５ｂの温度の結果を、温度制御機構１０４ａにフィードバックして、基材３とマスク４との加熱開始のタイミングを決めるのに使用することも勿論可能である。
【００２９】
図２は蒸着室と、基材配置手段と、マスク配置手段と、原料蒸発手段とを有する他の気相堆積装置の模式図である。図２の（ａ）は蒸着室と、基材配置手段の温度制御手段と、マスク配置手段の温度制御手段と、原料蒸発手段とを有する気相堆積装置の模式図である。図２の（ｂ）は図２の（ａ）に示す気相堆積装置を構成している各部、各手段の関係を示す概略ブロック図である。
【００３０】
図中、１ｂは気相堆積装置を示す。１０４ａ′は基材配置部材１０２ａの温度を制御するための温度制御機構を示し、１０３ｃはマスク配置部材１０３ａの温度を制御するための温度制御機構を示す。図１に示す気相堆積装置との違いは、図１に示す気相堆積装置は基材配置部材１０２ａとマスク配置部材１０３ａとの温度制御を一緒に行う方式に対し本図で示す気相堆積装置は基材配置部材１０２ａとマスク配置部材１０３ａとの温度制御をそれぞれ単独に行う方式となっている点である。１０３ｂはマスク配置部材１０３ａの温度測定手段を示す。温度測定手段１０３ｂとしては特に限定はなく、温度測定手段１０２ｂと同じであることが好ましい。その他の符号は図１と同義である。
【００３１】
基材配置手段１０２は、基材配置部材１０２ａと、温度測定手段１０２ｂとを有し、温度制御機構１０４ａ′により温度制御が可能となっている。温度制御機構１０４ａ′は、加熱・冷却が可能な媒体の温度制御手段（不図示）と、加熱・冷却が可能な媒体を基材配置手段１０２の基材配置部材１０２ａ及びマスク配置手段１０３のマスク配置部材１０３ａへ循環させる循環手段（不図示）と、媒体の循環量の循環量制御手段（不図示）とを有している。温度制御機構１０４ａ′は基材配置部材１０２ａへ所定温度に制御された媒体を循環させる様になっており、これにより基材配置部材１０２ａに配置された基材３を所定温度とすることが可能となっている。
【００３２】
温度測定手段１０２ｂは基材配置部材１０２ａに配置された基材３の温度を測定し、結果を制御手段２にフィードバックする様になっている。フィードバックされた情報に従って、温度制御機構１０４ａ′を制御することで、基材上へ原料を堆積中に、基材の温度を一定に保持すること等が可能となっている。
【００３３】
マスク配置手段１０３は、マスク配置部材１０３ａと、温度測定手段１０３ｂとを有している。マスク配置部材１０３ａは温度制御機構１０３ｃからの所定温度に制御された媒体の循環が可能となっている。本図はマスク４と基材３とは密着している場合を示している。
【００３４】
温度測定手段１０３ｂはマスク配置部材１０３ａに配置されたマスク４の温度を測定し、結果を制御手段２にフィードバックする様になっている。フィードバックされた情報に従って、マスク配置部材１０３ａに所定温度に制御された媒体を循環させている温度制御機構１０３ｃを制御し、媒体の温度及び媒体の循環量を制御することで、基材上へ原料を堆積中にマスク４温度を基材３の温度履歴に合わせ制御することが可能となっている。
【００３５】
気相堆積装置１ｂを構成している各部、各手段の関係を図２の（ｂ）に示す概略ブロック図により説明する。基材の温度測定手段１０２ｂにより測定された基材配置部材１０２ａに保持された基材３の温度に関する情報は制御手段２のＣＰＵに入力される。制御手段２に入力された情報はメモリーに予め入力されている設定温度と演算処理を行い、基材配置部材１０２ａに配設された、所定の温度に調整された熱媒体を循環させる温度制御機構１０４ａ′を制御し、媒体の循環量と媒体の温度とを制御することが可能となっている。
【００３６】
マスクの温度測定手段１０３ｂにより測定されたマスク配置部材１０３ａに保持されたマスク４の温度に関する情報は制御手段２のＣＰＵに入力される。制御手段２に入力された情報はメモリーに予め入力されている設定温度と演算処理を行い、マスク配置部材１０３ａに配設された、所定の温度に調整された媒体を循環させる温度制御機構１０３ｃを制御し、熱媒体の循環量と料熱媒体の温度とを制御することが可能となっている。この時、温度制御機構１０３ｃによる媒体の循環量と媒体の温度は、基材３の温度履歴に合わせマスク４の温度を制御する方式となっている。測定手段１０５ｃにより測定された原料容器１０５ａ内の原料１０５ｂの温度の結果を制御手段２にフィードバックし、予め制御手段２に入力してある設定温度に対し、演算処理し、原料容器１０５ａに配設された加熱手段（不図示）の電流供給部１０４ｄの電流調整を行うことで原料１０５ｂの温度を一定に制御することが可能となっている。これらの原料１０５ｂの温度の結果を、基材３の温度制御機構１０４ａ′及びマスク４の温度制御機構１０３ｃにフィードバックして、基材３及びマスク４の加熱開始のタイミングを決めるのに使用することも勿論可能である。
【００３７】
図１、図２に示す様に、基材の温度を一定に保持するように制御しながら基材上にマスクを使用し、気相堆積法によって少なくとも１層の原料膜を堆積させる時、基材の温度調整の履歴に合わせ、マスクの温度を制御することで次の効果が得られる。
【００３８】
基材の温度にマスクの温度を合わせる際、基材の温度との差の変動を少なくすることが可能になるため、基材温度との差異に伴う、マスク近傍と堆積膜面の中心との品質差が生じることを抑え堆積膜面内品質不均一がなくなり安定品質の堆積膜面を得ることが可能となった。
【００３９】
図３は図１に示す気相堆積装置で、基材とマスクとを非接触に配置した場合の気相堆積装置の模式図である。
【００４０】
図中、１ｃは気相堆積装置を示す。Ｘはマスク４と基材配置部材１０２ａに配置された基材３との間隙を示す。間隙Ｘは、非堆積領域への堆積膜形成等を考慮し、堆積厚みの１／３〜２倍が好ましい。他の符号は図１と同義である。基材３及びマスク４の温度制御の方式も図１に示す温度制御の方式と同じである。
【００４１】
図４は図２に示す気相堆積装置で、基材とマスクとを非接触に配置した場合の気相堆積装置の模式図である。
【００４２】
図中、１ｄは気相堆積装置を示す。他の符号は図２と同義である。基材３及びマスク４の温度制御の方式も図２に示す温度制御の方式と同じである。
【００４３】
図３、図４に示す様に、マスクを基材と間隙を持って配置することで、図１及び図２に示すマスクを基材と密着する方式に対して更に次ぎの効果が得られる。
１）堆積膜自体のマスク近傍での欠損、膜厚減少等のダメージを防止することが可能となり、更に高品質の堆積膜面を得ることが可能となった。
【００４４】
図５は基材の温度制御の履歴と、マスクの温度制御の温度制御の関係を示す概略履歴曲線である。
【００４５】
図中、Ａは基材の温度を５０℃から１００℃にする場合の履歴曲線である。この場合、基材の温度は段階的に上昇する制御を行っている。Ｂはマスクの温度を基材の温度に合わせるため、基材の温度履歴曲線と同じような制御を行い５０℃から１００℃にした場合の履歴曲線である。Ｃはマスクの温度を基材の温度に合わせるため、基材の温度制御とは異なる二次関数で示される様な曲線で表される制御を行い５０℃から１００℃にした場合の履歴曲線である。本発明において、基材の温度履歴に合わせてマスクの温度制御するとは、本図に示されるＡ、Ｂの関係で制御することをいう。
【００４６】
図１〜図４に示されるマスクに使用する材質としては、基材と同じ材質を使用することが好ましい。本発明に係わる蒸発源に使用する材料は特に限定はなく、例えば半導体デバイスに用いられるタングステンの成膜技術、光で通信を行う光インタ−コネクションの分野で使用されるシリコンベ−スの発光材料、液晶表示装置においてスイッチング素子として使用される液晶表示用薄膜トランジスタ、発光素子、受光素子、圧電素子、透明導電電極、能動素子に用いられる酸化亜鉛結晶膜、アクティブマトリックス液晶ディスプレイや超ＬＳＩ等に適応される薄膜半導体、放射線像変換パネルの蛍光体層等に使用する蒸発源が挙げられる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれらに限定されるものではない。
【００４８】
実施例１
（基材の準備）
基材は大きさ３００ｍｍ×３００ｍｍの２ｍｍ厚のアルミニウム板を使用した。
【００４９】
（蒸発原料）
原料には臭化セシウムを使用した。
【００５０】
（マスクの準備）
材料として厚さ２ｍｍのアルミニウムを使用し、基材の周囲を５０ｍｍマスクするような、開口部が２５０ｍｍ×２５０ｍｍであるマスク作製した。
（堆積膜の形成）
図１に示される気相堆積装置を使用し、堆積膜の形成時の基材の温度制御とマスクの温度制御を図５に示す様に、基材の温度制御の履歴曲線に合わせた場合と、履歴曲線に合わせずに行い、堆積膜を形成し試料Ｎｏ．１０１〜１０４とした。尚、図１に示される気相堆積装置で基材及びマスクの温度制御を行わない他は全て同じ条件で堆積膜の形成を行い比較試料としＮｏ．１０５とした。図３に示される気相堆積装置で基材及びマスクの温度制御を行わない他は全て同じ条件で堆積膜の形成を行い比較試料としＮｏ．１０６とした。
【００５１】
堆積膜の形成条件として、原料容器としてモリブデン製の直方体状容器を使用し、加熱は抵抗加熱方式とした。原料容器には準備した臭化セシウムを８００ｇ充填した。
気相堆積装置の蒸着室内は真空ポンプを使用して０．１Ｐａに調整し、原料容器内の温度が８００℃に保持する様に制御しながら通電加熱して基材への蒸着を実施した。基材へは原料膜厚が３００μｍとなったところで原料の蒸発を終了させた。堆積膜の形成時の基材の温度は１００℃になるように制御した。図３に示される気相堆積装置の場合、マスクと基材間の間隙は２００μｍとした。
【００５２】
評価
得られた試料Ｎｏ．１０１〜１０６につき堆積領域内の膜密度、堆積膜のマスク境界端部の安定性につき、以下に示す方法で計測し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表１に示す。
【００５３】
堆積領域内の膜密度の計測方法
堆積膜の形成領域において中央部と端部の膜密度を、試料より１ｃｍ角に切り出し、質量を測定し、以下の計算式に従って指標値算出した。
【００５４】
絶対値（ＭＣ−ＭＥ）／ＭＣ
式中、ＭＣは中央部の膜密度、ＭＥは端部の膜密度を示す。
【００５５】
評価ランク
◎：０．０１未満
○：０．０１以上、０．０５未満
△：０．０５以上、０．１未満
×：０．１以上、０．１５未満
××：０．１５以上
堆積膜の端部の安定性の評価方法
光学顕微鏡を使用し１００倍で目視による観察を行った。
【００５６】
評価ランク
○：端部に欠損、凹みがない
△：端部に実技上問題とならない程度の僅かな欠損、凹みが確認される
×：端部に性能に影響を与える欠損、凹みの発生が確認される
【００５７】
【表１】
2006336037.tif 000003
【００５８】
本発明の有効性が確認された。
【００５９】
実施例２
実施例１の試料Ｎｏ．１０３を作製する際、基材とマスクとの間隙を表２に示す様に変えた他は全て同じ条件で堆積膜の形成を行い試料を作製しＮｏ．２０１〜２０５とした。
【００６０】
評価
得られた試料Ｎｏ．１０１〜１０６につき実施例１と同じ項目を同じ方法で評価し、同じ評価ランクに従って評価した結果を表２に示す。
【００６１】
【表２】
2006336037.tif 000004
【００６２】
試料Ｎｏ．２０５は、マスクと基材間の間隙が広くなることで、蒸気がマスクと基材間の間隙を回り込み、本来は必要としない箇所に迄堆積膜が形成されてしまい、マスクとしての機能を果たせなくなることを確認した。本発明の有効性が確認された。
【００６３】
実施例３
実施例１の試料Ｎｏ．１０３を作製する際、マスクに使用する材質を表３に示す様に変えた他は全て同じ条件で堆積膜の形成を行い試料を作製しＮｏ．３０１〜３０５とした。
【００６４】
評価
得られた試料Ｎｏ．３０１〜３０３につき実施例１と同じ項目を同じ方法で評価し、同じ評価ランクに従って評価した結果を表３に示す。
【００６５】
【表３】
2006336037.tif 000005
【００６６】
本発明の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】蒸着室と、基材配置手段と、マスク配置手段と、原料蒸発手段とを有する気相堆積装置の模式図である。
【図２】蒸着室と、基材配置手段と、マスク配置手段と、原料蒸発手段とを有する他の気相堆積装置の模式図である。
【図３】図１に示す気相堆積装置で、基材とマスクとを非接触に配置した場合の気相堆積装置の模式図である。
【図４】図２に示す気相堆積装置で、基材とマスクとを非接触に配置した場合の気相堆積装置の模式図である。
【図５】基材の温度制御の履歴と、マスクの温度制御の温度制御の関係を示す概略履歴曲線である。
【符号の説明】
【００６８】
１ａ〜１ｄ  気相堆積装置
１０１  蒸着室
１０１ａ  排気口
１０１ｃ  真空度測定計
１０１ｄ  不活性ガス導入口
１０２  基材配置手段
１０２ａ  基材配置部材
１０２ｂ、１０３ｂ  温度測定手段
１０２ｃ  電流供給部
１０２ｄ  回転手段
１０３ａ  マスク配置部材
１０４ａ、１０４ａ′、１０３ｃ  温度制御機構
１０５  原料蒸発手段
１０５ａ  原料容器
１０５ｂ  原料
１０５ｃ  測定手段
２  制御手段
３  基材
４  マスク
Ｘ  間隙
【図１】
2006336037.tif 000006
【図２】
2006336037.tif 000007
【図３】
2006336037.tif 000008
【図４】
2006336037.tif 000009
【図５】
2006336037.tif 000010