【手続補正書】
【提出日】平成19年4月17日(2007.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のポンピングレベルにおいて飽和パワー特性を有するレーザーファイバー増幅器の増幅器出力を制御する方法であって、前記飽和パワー特性が、前記注入レーザー出力と前記増幅器出力との間の特性の相関関係を歪ませることなしに前記レーザーファイバー増幅器内に結合可能な注入レーザー出力の量を制限するレーザーファイバー増幅器出力の制御方法において、この方法が、
ビーム位置決め装置に、関連するリンク構造を有する選択した導電性の冗長メモリーまたは集積回路リンクの１つ以上の位置を表わすビーム位置決めデータを提供するステップであって、前記リンクの各々は、リンク幅を有し、基板上、あるいは前記導電リンクと前記基板との間に配置された随意的な下部パシベーション層上のいずれかに製造された回路内の関連する一対の導電接点間に配置され、前記ビーム位置決め装置は、前記ビーム位置決めデータに応答して、レーザースポット位置の前記基板に対する相対移動を行うステップと；
前記レーザーファイバー増幅器を随意的に、所定のポンピングレベルに光学的にポンピングして、前記レーザーファイバー増幅器内に注入される前記注入レーザー出力に与えられるゲインを制御するステップと；
それぞれが第１及び第２駆動電流特性を有する少なくとも第１及び第２駆動電流パルスの組を注入レーザーに与えて、それぞれが前記第１及び第２駆動電流特性に関連するそれぞれ第１及び第２注入レーザー出力特性を有する少なくとも第１及び第２注入レーザーパルスの注入レーザー組を発生するステップであって、前記第２駆動電流特性が前記第１駆動電流特性とは異なる特性を有するステップと；
前記第１注入レーザーパルスを前記レーザーファイバー増幅器内に結合させて、前記第１駆動電流特性に関連する第１増幅器出力特性を有する第１増幅器出力パルスを供給し、前記第１駆動電流特性は、前記レーザーファイバー増幅器の飽和パワー特性以下のパワー特性を有する第１注入レーザーパルスの発生を行わせ、これにより、前記レーザーファイバー増幅器は、前記第２注入レーザーパルスの前記レーザーファイバー増幅器内への結合に応答して、前記第２駆動電流パルスの前記第２駆動電流特性に関連する第２増幅器出力特性を有する少なくとも第２増幅器出力パルスを供給するステップと；
前記レーザー増幅器出力パルスの各々を、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有するそれぞれのレーザースポットによって特徴付けられるレーザー系出力パルスのレーザー系出力組に光学的に変換するステップと；
前記レーザー系出力パルスと前記ビーム位置決め装置によって与えられる前記相対移動とを、前記レーザー系出力組内の前記レーザー系出力パルスが選択した前記リンク構造に連続的に当たる間に前記相対移動がほぼ連続的であるように協働させて、これにより、前記レーザー系出力組内の各レーザー出力パルスのスポットが前記リンク幅を覆い、前記レーザー系出力組が、前記関連する一対の導電接点間にある前記導電リンクを切断するステップと
を具えていることを特徴とするレーザーファイバー増幅器出力の制御方法。
【請求項２】
前記レーザー出力パルスの少なくとも１つが、立上り及び立下りエッジ、平均パワー、及びパルス持続時間を有するレーザーパルスの時間的パワー特性、及びパワースパイクによって特徴付けられ、前記パワースパイクが、前記パルス持続時間より実質的に短いパワースパイク持続時間、前記レーザー出力パルスの平均パワーより大きい最大パワー、及び前記立上りエッジと前記立下りエッジとの間の発生時刻を有し、前記パワースパイクの前記最大パワー、前記スパイク持続時間、及び前記発生時刻が協働して、前記レーザー出力パルスに特別に整形されたパワー特性を確立させ、前記特別に整形されたパワー特性は、前記基板またはこれに隣接するパシベーション構造材料に対する操作上の損傷のない選択したリンク構造の切断に寄与することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パワースパイクが、前記レーザーパルスの時間的パワー特性における前記立上りエッジと一致し、前記レーザー出力パルスの平均パワーを約10%上回るパワーピーク値を有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記パワースパイクが、約5nsより短い立上り時間を有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記立上り時間が約2nsより短いことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記スパイク持続時間が、約1nsから前記レーザーパルスの時間的パワー特性における前記パルス持続時間の約50%までであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記パワースパイクの発生後の前記レーザーパルスの時間的パワー特性が、前記立下りエッジの前に時間と共にほぼ直線的に減少するように整形されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記パワースパイクの発生後のパワーの減少全体が、前記レーザー出力パルスの平均パワーの約10%以上であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記パワースパイクの発生後の前記レーザーパルスの時間的パワー特性が、前記レーザーパルスの時間的パワー特性における前記立下りエッジの前に比較的平坦であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記レーザーパルスの時間的パワー特性が、前記立上りエッジと一致する第１パワースパイクと、前記第１パワースパイク後に発生する追加的パワースパイクとを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１１】
前記追加的パワースパイクが、前記平均パワーの5%以上のパワー値、及び約1nsから前記レーザーパルスの時間的パワー特性における前記パルス持続時間の約30%までのスパイク持続時間を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１２】
前記パワースパイクが、前記レーザー出力パルスの平均パワーの約10%以上のパワー変動を有する振動波の形態であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記振動波が、前記レーザーパルスの時間的パワー特性のパルス期間内に、振動の半サイクルから３サイクルまで継続し、前記振動のサイクルの周期が約1ns〜約15nsであることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記パワースパイクが、前記立上りエッジから前記レーザーパルスの時間的パワー特性におけるパルス持続時間の約70%まで測定した時間間隔内の時点で発生することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記パワースパイク前後の前記レーザーパルスの時間的パワー特性が比較的平坦であることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記パワースパイク前後の前記レーザーパルスの時間的パワー特性が平坦でないことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記パワースパイクが、前記レーザー出力パルスの平均パワーを約10%上回るピークパワー値を有し、かつ1nsから前記レーザーパルスの時間的パワー特性の50%までのスパイク持続時間を有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記隣接するパシベーション構造材料及び／または前記下部パシベーション層が、次の材料：ＳiＯ2、Ｓi3Ｎ4、ＳiＯＮ、低Ｋ材料、低Ｋ絶縁材料、低Ｋ酸化物ベースの絶縁材料、オルト珪酸ガラス、フルオロ珪酸ガラス、有機珪酸ガラス、珪酸テトラエチルベースの酸化物、メチルトリエトキシオルト珪酸、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、珪酸エステル、水素シルセスキオキサン、メチルシルセスキオキサン、ポリエチレンエーテル、ベンゾシクロブテン、ＳiＣＯＨまたはＳiＣＯＨ誘導のフィルム、またはスピンオンベースの低Ｋ絶縁ポリマー、の１つ以上から形成されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１９】
前記選択した導電リンク構造が、アルミニウム、クロミド、銅、ポリシリコン、二珪化物、金、ニッケル、クロム化ニッケル、プラチナ、ポリサイド、窒化タンタル、チタニウム、窒化チタニウム、タングステン、または珪化タングステンを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記レーザーパルスの各々が、約0.001マイクロジュール〜約10マイクロジュールのレーザーエネルギーを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記下部パシベーション層が、次の材料：ＳiＯ2、Ｓi3Ｎ4、ＳiＯＮ、低Ｋ材料、低Ｋ絶縁材料、低Ｋ酸化物ベースの絶縁材料、オルト珪酸ガラス、フルオロ珪酸ガラス、有機珪酸ガラス、珪酸テトラエチルベースの酸化物、メチルトリエトキシオルト珪酸、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、珪酸エステル、水素シルセスキオキサン、メチルシルセスキオキサン、ポリエチレンエーテル、ベンゾシクロブテン、ＳiＣＯＨまたはＳiＣＯＨ誘導のフィルム、またはスピンオンベースの低Ｋ絶縁ポリマー、の１つ以上から形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも２つの前記レーザー出力パルスを約10kHzより大きい反復度で発生して、選択した前記導電リンク構造のそれぞれ位置に位置合わせされた目標材料を除去することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記レーザー系出力パルスが、次の波長付近または波長範囲内：1.54μm、1.3μm、1.1〜1.06μm、1.05μm、1.047μm、1.03〜0.75μm、0.65μm、0.53μm、0.5μm、0.43μm、0.35μmまたは0.27μm、のうちの１つの波長を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記リンクが1μm以上の厚さを有することを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記リンクが1μm以上の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記レーザー系出力パルスが具える波長に対して、前記隣接するパシベーション構造材料、前記下部パシベーション層、及び／または前記基板が高度に吸収性であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記波長がＵＶ波長を含むことを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記リンクが1μm以上の厚さを有することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
所定のポンピグレベルにおいて飽和パワー特性を有するレーザーファイバー増幅器の増幅器出力を制御する方法であって、前記飽和パワー特性が、前記注入レーザー出力と前記増幅器出力との間の特性の相関関係を歪ませることなしに前記レーザーファイバー増幅器内に結合可能な注入レーザー出力の量を制限するレーザーファイバー増幅器出力の制御方法において、この方法が、
ビーム位置決め装置に、関連するリンク構造を有する選択した導電性の冗長メモリーまたは集積回路リンクの１つ以上の位置を表わすビーム位置決めデータを提供するステップであって、前記リンクの各々は、リンク幅を有し、基板上、あるいは前記導電リンクと前記基板との間に配置された随意的な下部パシベーション層上のいずれかに製造された回路内の関連する一対の導電接点間に配置され、前記ビーム位置決め装置は、前記ビーム位置決めデータに応答して、レーザースポット位置の前記基板に対する相対移動を行うステップと；
前記レーザーファイバー増幅器を随意的に、所定のポンピングレベルに光学的にポンピングして、前記レーザーファイバー増幅器内に注入される前記注入レーザー出力に与えられるゲインを制御するステップと；
それぞれが第１及び第２駆動電流特性を有する少なくとも第１及び第２駆動電流パルスの組を注入レーザーに与えて、それぞれが前記第１及び第２駆動電流特性に関連するそれぞれ第１及び第２注入レーザー出力特性を有する少なくとも第１及び第２注入レーザーパルスの注入レーザー組を発生するステップであって、前記第１または第２駆動電流特性の少なくとも一方が立上り及び立下りエッジ、平均パワー、及びパルス持続時間を有し、パワースパイクによって特徴付けられ、前記パワースパイクが、前記パルス持続時間より実質的に短いパワースパイク持続時間、前記レーザー出力パルスの平均パワーより大きい最大パワー、及び前記立上りエッジと前記立下りエッジとの間の発生時刻を有するステップと；
前記第１注入レーザーパルスを前記レーザーファイバー増幅器内に結合させて、前記第１駆動電流特性に関連する第１増幅器出力特性を有する第１増幅器出力パルスを供給し、前記第１駆動電流特性は、前記レーザーファイバー増幅器の飽和パワー特性以下のパワー特性を有する第１注入レーザーパルスの発生を行わせ、これにより、前記レーザーファイバー増幅器は、前記第２注入レーザーパルスの前記レーザーファイバー増幅器内への結合に応答して、前記第２駆動電流パルスの前記第２駆動電流特性に関連する第２増幅器出力特性を有する少なくとも第２増幅器出力パルスを供給するステップと；
前記レーザー増幅器出力パルスの各々を、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有するそれぞれのスポットサイズによって特徴付けられるレーザー系出力パルスのレーザー系出力組に光学的に変換するステップであって、特別に整形された駆動電流波形が、関連する最大パワー、スパイク持続時間、及びパワースパイクの発生時刻を有する前記レーザー出力パルスの１つを生じさせ、前記最大パワー、前記スパイク持続時間、及び前記発生時刻は協働して、前記レーザー出力パルスに特別に整形されたパワー特性を確立させ、前記特別に整形されたパワー特性は、前記基板またはこれに隣接するパシベーション構造材料に対する操作上の損傷のない選択したリンク構造の切断に寄与するステップと；
前記レーザー系出力パルスと前記ビーム位置決め装置によって与えられる前記相対移動とを、前記レーザー系出力組内の前記レーザー系出力パルスが選択した前記リンク構造に連続的に当たる間に前記相対移動がほぼ連続的であるように協働させて、これにより、前記レーザー系出力組内の各レーザー出力パルスのスポットが前記リンク幅を覆い、前記レーザー系出力組が、前記関連する一対の導電接点間にある前記導電リンクを切断するステップと
を具えていることを特徴とするレーザーファイバー増幅器出力の制御方法。
【請求項３０】
前記パワースパイクが、前記レーザーパルスの時間的パワー特性における前記立上りエッジと一致し、前記レーザー出力パルスの平均パワーを約10%上回るパワーピーク値を有することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記パワースパイクが、約5nsより短い立上り時間を有することを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記立上り時間が約2nsより短いことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記スパイク持続時間が、約1nsから前記レーザーパルスの時間的パワー特性における前記パルス持続時間の約50%までであることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
前記パワースパイクの発生後のパワーの減少全体が、前記レーザー出力パルスの平均パワーの約10%以上であることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３５】
前記パワースパイクの発生後のパワーの減少全体が、前記レーザー出力パルスの平均パワーの約10%以上であることを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記パワースパイクの発生後の前記レーザーパルスの時間的パワー特性が、前記レーザーパルスの時間的パワー特性における前記立下りエッジの前に比較的平坦であることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３７】
前記レーザーパルスの時間的パワー特性が、前記パワースパイク後に発生する追加的パワースパイクを含み、前記追加的パワースパイクの発生が、前記立下りエッジと一致することを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３８】
前記追加的パワースパイクが、前記平均パワーの5%以上のパワー値、及び約1nsから前記レーザーパルスの時間的パワー特性における前記パルス持続時間の約30%までのスパイク持続時間を有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記パワースパイクが、前記レーザー出力パルスの平均パワーの約10%以上のパワー変動を有する振動波の形態であることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項４０】
前記振動波が、前記レーザーパルスの時間的パワー特性のパルス期間内に、振動の半サイクルから３サイクルまで継続し、前記振動のサイクルの周期が約1ns〜約15nsであることを特徴とする請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記パワースパイクが、前記立上りエッジから前記レーザーパルスの時間的パワー特性におけるパルス持続時間の約70%まで測定した時間間隔内の時点で発生することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項４２】
前記パワースパイク前後の前記レーザーパルスの時間的パワー特性が比較的平坦であることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記パワースパイク前後の前記レーザーパルスの時間的パワー特性が平坦でないことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記パワースパイクが、前記レーザー出力パルスの平均パワーを約10%上回るピークパワー値を有し、かつ1nsから前記レーザーパルスの時間的パワー特性の50%までのスパイク持続時間を有することを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
前記隣接するパシベーション構造材料及び／または前記下部パシベーション層が、次の材料：ＳiＯ2、Ｓi3Ｎ4、ＳiＯＮ、低Ｋ材料、低Ｋ絶縁材料、低Ｋ酸化物ベースの絶縁材料、オルト珪酸ガラス、フルオロ珪酸ガラス、有機珪酸ガラス、珪酸テトラエチルベースの酸化物、メチルトリエトキシオルト珪酸、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、珪酸エステル、水素シルセスキオキサン、メチルシルセスキオキサン、ポリエチレンエーテル、ベンゾシクロブテン、ＳiＣＯＨまたはＳiＣＯＨ誘導のフィルム、またはスピンオンベースの低Ｋ絶縁ポリマー、の１つ以上から形成されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項４６】
前記選択した導電リンク構造が、アルミニウム、クロミド、銅、ポリシリコン、二珪化物、金、ニッケル、クロム化ニッケル、プラチナ、ポリサイド、窒化タンタル、チタニウム、窒化チタニウム、タングステン、または珪化タングステンを含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項４７】
前記レーザーパルスの各々が、約0.001マイクロジュール〜約10マイクロジュールのレーザーエネルギーを有することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項４８】
少なくとも２つの前記レーザー出力パルスを約10kHzより大きい反復度で発生して、選択した前記導電リンク構造のそれぞれ位置に位置合わせされた目標材料を除去することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項４９】
レーザーパルス・ゲーティングデバイスを、レーザーファイバー増幅器から前記基板上の前記レーザースポット位置までの経路に沿って配置し、前記レーザーパルス・ゲーティングデバイスが、制御コマンドに応答して、前記レーザー出力パルスの出力組が前記レーザースポット位置に向かって伝播することを可能にする出力透過状態、及び前記レーザー出力パルスの前記出力組が前記レーザースポット位置に向かって伝播することを阻止する出力ブロック状態を提供し、
さらに、
駆動パルスの駆動組をほぼ一定の反復度で発生するステップであって、互いに隣接する前記駆動組が、略均一の駆動間隔によって互いに分離され、これにより、レーザー増幅器出力パルスの増幅器組がほぼ一定の増幅器出力反復度で発生され、互いに隣接する前記増幅器組が、略均一の増幅器出力間隔によって互いに分離されるステップと；
前記増幅器組を選択的にゲート処理して、前記レーザースポット位置が選択した前記リンク構造の所にある際には常に、前記出力組の前記レーザースポット位置への透過を可能にする出力透過状態を提供し、前記レーザースポット位置が選択した前記リンク構造の所にない際には常に、前記レーザーパルス・ゲーティングデバイスが、前記出力組が前記ビーム経路に沿って伝播することを防止する比較的不透過の状態を提供するステップと
を具えていることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項５０】
前記レーザー系出力パルスが、次の波長付近または波長範囲内：1.54μm、1.3μm、1.1〜1.06μm、1.05μm、1.047μm、1.03〜0.75μm、0.65μm、0.53μm、0.5μm、0.43μm、0.35μmまたは0.27μm、のうちの１つの波長を有することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項５１】
前記リンクが1μm以上の厚さを有することを特徴とする請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記リンクが1μm以上の厚さを有することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項５３】
前記レーザー系出力パルスが具える波長に対して、前記隣接するパシベーション構造材料、前記下部パシベーション層、及び／または前記基板が高度に吸収性であることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項５４】
前記波長がＵＶ波長を含むことを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
前記リンクが1μm以上の厚さを有することを特徴とする請求項５４に記載の方法。
【請求項５６】
レーザーパルス・ゲーティングデバイスを、レーザーファイバー増幅器から前記基板上の前記レーザースポット位置までの経路に沿って配置し、前記レーザーパルス・ゲーティングデバイスが、制御コマンドに応答して、前記レーザー出力パルスの出力組が前記レーザースポット位置に向かって伝播することを可能にする出力透過状態、及び前記レーザー出力パルスの前記出力組が前記レーザースポット位置に向かって伝播することを阻止する出力ブロック状態を提供し、
さらに、
駆動パルスの駆動組をほぼ一定の反復度で発生するステップであって、互いに隣接する前記駆動組が、略均一の駆動間隔によって互いに分離され、これにより、レーザー増幅器出力パルスの増幅器組がほぼ一定の増幅器出力反復度で発生され、互いに隣接する前記増幅器組が、略均一の増幅器出力間隔によって互いに分離されるステップと；
前記増幅器組を選択的にゲート処理して、前記レーザースポット位置が選択した前記リンク構造の所にある際には常に、前記出力組の前記レーザースポット位置への透過を可能にする出力透過状態を提供し、前記レーザースポット位置が選択した前記リンク構造の所にない際には常に、前記レーザーパルス・ゲーティングデバイスが、前記出力組が前記ビーム経路に沿って伝播することを防止する比較的不透過の状態を提供するステップと
を具えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５７】
前記基板、及び前記リンク構造に関連する前記随意的な下部パシベーション層が、それぞれのレーザー損傷しきい値によって特徴付けられ、前記レーザー系出力パルスが、レーザースポット位置におけるエネルギー特性を有するそれぞれのレーザースポットによって特徴付けられ、前記エネルギー特性は、前記下層パシベーション層及び前記基板のそれぞれのレーザー損傷しきい値より小さく、前記レーザー系出力組が、前記下部パシベーション層及び前記基板に操作上の損傷を生じさせる恐れを低減して、前記関連する一対の導電接点間にある前記導電リンクを切断することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５８】
前記基板がレーザー損傷しきい値によって特徴付けられ、前記レーザー系出力組内の各レーザー系出力パルスが、前記基板についての前記損傷しきい値より小さいパルス当りのエネルギーまたはピークパワーを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５９】
前記基板及び前記リンク構造に関連する前記随意的な下部パシベーション層が、それぞれのレーザー損傷しきい値によって特徴付けられ、前記レーザー系出力パルスが、レーザースポット位置におけるエネルギー特性を有するそれぞれのレーザースポットによって特徴付けられ、前記エネルギー特性は、前記下層パシベーション層及び前記基板のそれぞれのレーザー損傷しきい値より小さく、前記レーザー系出力組が、前記下部パシベーション層及び前記基板に操作上の損傷を生じさせる恐れを低減して、前記関連する一対の導電接点間にある前記導電リンクを切断することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項６０】
前記基板がレーザー損傷しきい値によって特徴付けられ、前記レーザー系出力組内の各レーザー系出力パルスが、前記基板についての前記損傷しきい値より小さいパルス当りのエネルギーまたはピークパワーを有することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前記パルス組内の各動作レーザーパルスは、リンク構造３６を支持する（シリコン）基板４２の損傷しきい値未満のパルス当りのエネルギーまたはピークパワーを有する。さらに、前記基板、及び前記リンク構造に関連する前記随意的な下部パシベーション層が、それぞれのレーザー損傷しきい値によって特徴付けられ、前記レーザー系出力パルスが、レーザースポット位置におけるスポットサイズ及びエネルギー特性を有するそれぞれのレーザースポットによって特徴付けられ、前記スポットサイズは前記リンク幅より大きく、前記エネルギー特性は、前記下層パシベーション層及び前記基板のそれぞれのレーザー損傷しきい値より小さく、前記レーザー系出力組は、前記下部パシベーション層及び前記基板に操作上の損傷を生じさせる恐れを低減して、前記関連する一対の導電接点間にある前記導電リンクを切断する。前記パルス組内の動作レーザーパルスの数は、最終パルスがリンク２２の底部を取り去り、かつ下部パシベーション層４６及び基板４２が無損傷、完全無欠で残るように制御される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
レーザーパルス５２の組５０のうちでは、各レーザーパルス５２は、リンク２２を完全に切断するか、あるいはその下にある基板４２を損傷させるには熱、エネルギー、またはピークパワーが不十分であり、使用するレーザー波長が1.3μmより短く、可視範囲であるか、あるいはＵＶ範囲内であっても、リンク２２及び／またはあらゆる上部パシベーション層４４の一部しか除去しない。約150nmから約2000nmまでの好適な波長では、レーザーパルス５２の集束したスポットサイズ４０の好適なアブレーション（瞬間的除去）パラメータは、次のものを含む：1Hzより大きい周波数、好適には10kHz〜50kHzまたはそれ以上における各レーザーパルスのレーザーエネルギー約0.001μJ〜約10μJ（中間的なエネルギーは0.01μJ〜約0.1μJの範囲をとる）、及び各組のレーザーエネルギー0.01μJ〜約10μJ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
再び図８Ｃを参照すれば、レーザーパルス５２d1の特別に整形されたレーザーパルス５２d1のパワー特性は、レーザーパルスの先頭に出現する大きなスパイク６２を提供する。スパイク６２のピークパワーはＰmaxであり、レーザーパルス５２d1の平均パワーはＰminである。スパイク６２の振幅はＰmax−Ｐminとして定義される。スパイク６２の幅Δtsは、ＰmaxとＰminとの間のパワー中点ＰSにおける全体持続時間として定義される。スパイク６２のピークパワーＰmaxは、レーザーパルス５２d1の平均パワーＰminを約10%〜約50%上回ることが好ましい。スパイク６２の幅Δtsは、レーザーパルス５２d1の持続時間の10%〜50%であることが好ましい。パワースパイク６２の発生後のレーザーパルス５２d1のパワーの時間特性は、下降端の前に時間と共にほぼ直線的に下降するように調整することができる。また、パワースパイク６２の発生後のパワー下降全体は、レーザー出力パルスの平均パワーの約10%以上とすることができる。スパイク６２の立上り時間は一般に約5nsより短く、約2nsより短いことが好ましい。パワースパイク６２の好適なタイミングは、レーザーパルスのパワー特性の立上りエッジからレーザーパルスのパワー特性の持続時間の70%まで測定した時間間隔内である。便宜上の目的で、本明細書の以降では「スパイク」とは、そのレーザーパルス中の発生時点にかかわらず、レーザーパワーにおける過渡的な大きい増加を表わすために用いる。組５０d内の１つ、一部、あるいはすべてのパルスが、特別に整形されたレーザーパルス特性を有することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図１１に、レーザーパルス５２の組５０によってリンク２２を除去した後のパシベーション層の状態を示す。リンク２２の上面７０上にあるパシベーション層４４は開口７２を有し、開口７２はリンク２２の幅２８を比較的小量、例えばおよそ上部パシベーション層４４の厚さ分だけ上回る大きさに広がる。リンク２２の側面に隣接して配置された中間パシベーション層４８の材料、リンク２２の底面７４の下にあるパシベーション層４６、及び基板４２は、図に示すように、より狭くより均一なクレーター（すりばち状の孔）壁７８によって、その衝撃は無視できる程度であり、そして操作上の損傷の恐れは全くない。従って、パシベーション構造内に及ぶ一般的な損傷よりもずっと小さい損傷しか存在せず、パシベーション構造内の一般的なクラックは完全に解消されなくとも減少する。このリスクが大幅に小さいリンク処理方法はリンク２２を処理するために特に有用であり、特に、例えば繊細な低Ｋまたは他の材料上にある厚い、あるいは複合のリンク２２をＵＶ波長で処理するために有用である。ことも、当業者にとって明らかである。また、隣接するパシベーション層構造の材料、下層パシベーション層、及び／または基板は、レーザー系出力パルスの波長に対する吸収性を大きくすることができることも当業者にとって明らかである。