(57)【要約】【課題】各端子に高電圧が印加され、各端子間における電圧差が大きくなっても、固体絶縁破壊が発生することを抑制できるコネクタ及び液晶表示装置を提供する。【解決手段】コネクタ１７は、雌雄関係を有する第１コネクタ１８と第２コネクタ１９とを備えており、両コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６は、誘電正接と誘電率との積が１．５以下となる絶縁性の樹脂にて形成されている。したがって、交流電圧の印加時には、各ハウジング２０，２６における各ピンコンタクト２５（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）間のハウジング形成部ＩＲでの熱エネルギの増加が抑制され、その部分での固体絶縁破壊が抑制される。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
雌雄関係を有する第１コネクタと第２コネクタとを備え、前記第１コネクタは前記第２コネクタを挿抜自在とする開口部が形成されたハウジングを有し、該ハウジングには前記第２コネクタの挿抜方向と交差する方向へ複数の第１端子が並設される一方、前記第２コネクタのハウジングには前記第１コネクタに対する挿抜時に前記第１コネクタの各第１端子と接離する複数の第２端子が並設されてなるコネクタにおいて、
前記第１コネクタのハウジングにおける前記各第１端子間のハウジング形成部及び前記第２コネクタのハウジングにおける前記各第２端子間のハウジング形成部は、誘電正接と誘電率との積が１．５以下となる材料にてそれぞれ形成されているコネクタ。
【請求項２】
前記両コネクタの各ハウジングにおける前記各ハウジング形成部は、誘電正接が０．２以下となる材料にてそれぞれ形成されている請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
前記両コネクタの各ハウジングにおける前記各ハウジング形成部は、吸水率が２．０％以下となる材料にてそれぞれ形成されている請求項１又は請求項２に記載のコネクタ。
【請求項４】
前記両コネクタのうち少なくとも一方のコネクタは、前記各端子間のハウジング形成部を含むハウジング全体が耐熱性樹脂にて形成されている請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載のコネクタ。
【請求項５】
前記両コネクタのうち少なくとも一方のコネクタは、前記各端子間のハウジング形成部を含むハウジング全体が非耐熱性樹脂にて形成されている請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載のコネクタ。
【請求項６】
液晶ディスプレイと、該液晶ディスプレイの裏面側に配置される光源と、該光源に電力を供給するインバータが実装された基板とを備える液晶表示装置であって、
前記光源と基板とは、請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載のコネクタを介して電気的に接続されており、前記両コネクタのうち一方のコネクタは該コネクタのハウジングに並設された各端子を介して前記基板に電気的に接続されると共に、前記両コネクタのうち他方のコネクタは該コネクタのハウジングに並設された各端子を介して前記光源から延設された電線に接続されている液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器の高電圧化に対応可能なコネクタ、及び、該コネクタを液晶ディスプレイの光源とインバータが実装された基板とを電気的に接続するために用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶テレビ（液晶表示装置）には、液晶ディスプレイの裏側に複数本のバックライト（光源）が並設されており、各バックライトにはインバータが実装された基板から交流電圧がそれぞれ印加される。すなわち、基板からは、周波数が３０〜６０ｋＨｚであって且つ８００〜１５００Ｖの交流電圧が各バックライトに向けてそれぞれ出力されるようになっている。各バックライトに基板から交流電圧を出力する方式としては、同位相印加方式と逆位相印加方式とが広く知られている。
【０００３】
同位相印加方式とは、各バックライトから延設される各電線に対して、同位相の交流電圧をそれぞれ印加する方式である。そのため、各電線間における電圧差は、ほぼ「０（零）」となる。一方、逆位相印加方式とは、バックライトから延設される２本の電線に対して、一方の電線には他方の電線に印加される交流電圧とは逆位相の交流電圧を印加する方式である。そのため、バックライトに供給される電力量を、同位相印加方式の場合に比して約半分に抑えることができる。
【０００４】
ところで、バックライトは、例えば特許文献１に記載されるようなコネクタを介して前記基板に電気的に接続されている。特許文献１のコネクタは、雌雄関係を有する第１コネクタと第２コネクタとを備えている。第１コネクタは絶縁材料からなるハウジングを備え、そのハウジングの前面側には第２コネクタを挿脱自在とする開口部が形成されている。第１コネクタのハウジング内には前後方向に延びる複数本（２本）の第１端子（特許文献１ではピンコンタクト）が並設され、これら各第１端子を介して第１コネクタは前記基板に電気的に接続されている。また、前記第１コネクタのハウジング内には、各第１端子間の空間距離及び沿面距離を長くするための隔壁が各第１端子間に位置するようにして前後方向に延設されている。
【０００５】
一方、前記第２コネクタのハウジング内には、前記バックライトから延設された２本の電線の先端側が挿入されている。ちなみに、各電線の先端には、第２コネクタを第１コネクタの開口部内に挿入した場合に第１コネクタの各第１端子と接触する複数（２つ）の第２端子（特許文献１ではソケットコンタクト）がそれぞれ装着されている。そして、第２コネクタを第１コネクタのハウジングにおける開口部内に挿入した状態で、前記基板から交流電圧を出力させることにより、バックライトを発光させるようになっている。この際に、前記第１コネクタ内において各第１端子間には前記隔壁が設けられているため、基板から交流電圧が出力されている際に、前記第１コネクタのハウジング内では各第１端子間での空間絶縁破壊の発生が抑制されるようになっている。
【特許文献１】特開平１０−１７２６４９号公報（請求項１、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近時では、液晶テレビ（液晶ディスプレイ）の大型化が望まれると共に、バックライトの長尺化が強く望まれている。そのため、バックライトに出力する交流電圧を、より高電圧化する必要がある。
【０００７】
ところが、特許文献１のコネクタでは、交流電圧の印加時において、そのような高電圧が印加され、各端子間の電圧差が大きくなると、各端子間には非常に大きな負担がかかり、コネクタのハウジングにおいて各端子間のハウジング形成部における熱エネルギが徐々に大きくなるという虞があった。そして、その熱エネルギが所定値を超えた場合には、ハウジング内に前記隔壁を設けて各端子間の空間距離及び沿面距離を長くすることで空間絶縁破壊は抑制できたとしても、各端子間のハウジング形成部において固体絶縁破壊が発生してしまうことがあった。すなわち、特許文献１のコネクタでは、その第１コネクタ及び第２コネクタの双方において、各端子間のハウジング形成部を介して各端子間が電気的に導通してしまい、その結果、前記バックライトを発光させることができなくなるという問題があった。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものである。その目的は、ハウジングに並設された各端子に高電圧が印加され、各端子間における電圧差が大きくなっても、各端子間のハウジング形成部で固体絶縁破壊が発生することを抑制できるコネクタ及び液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目標を達成するために、コネクタに係る請求項１に記載の発明は、雌雄関係を有する第１コネクタと第２コネクタとを備え、前記第１コネクタは前記第２コネクタを挿抜自在とする挿入口が形成されたハウジングを有し、該ハウジングには前記第２コネクタの挿抜方向と交差する方向へ複数の第１端子が並設される一方、前記第２コネクタのハウジングには前記第１コネクタに対する挿抜時に前記第１コネクタの各第１端子と接離する複数の第２端子が並設されてなるコネクタにおいて、前記第１コネクタのハウジングにおける前記各第１端子間のハウジング形成部及び前記第２コネクタのハウジングにおける前記各第２端子間のハウジング形成部は、誘電正接と誘電率との積が１．５以下となる材料にてそれぞれ形成されていることを特徴とする。
【００１０】
一般に、コネクタの各端子に電圧が印加された場合、そのコネクタのハウジングにおける各端子間のハウジング形成部には、下記の条件式を満たす熱エネルギが発生する。
Ｐ＝ tanδ×２πｆ×Ｕ2 ×ε×Ｓ／ｄ
ただし、Ｐ：熱エネルギ， tanδ：誘電正接，ｆ：周波数，Ｕ：印加電圧，ε：誘電率，Ｓ：コネクタのハウジング内で隣り合う端子同士の互いに向き合う部位の表面積，ｄ：コネクタのハウジング内における各端子間の距離
この点、請求項１に記載の発明では、各端子間のハウジング形成部が、誘電正接と誘電率との積が１．５以下となる材料にて形成されており、各端子に電圧が印加された場合において、各端子間のハウジング形成部での熱エネルギの増大が抑制される。そのため、ハウジングに並設された各端子に高電圧が印加され、各端子間における電圧差が大きくなっても、各端子間のハウジング形成部で固体絶縁破壊が発生することを抑制できる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のコネクタにおいて、前記両コネクタの各ハウジングにおける前記各ハウジング形成部は、誘電正接が０．２以下となる材料にてそれぞれ形成されていることを特徴とする。
【００１２】
この請求項２に記載の発明では、各端子間のハウジング形成部が、誘電正接が０．２以下となる材料にて形成されているため、各端子に電圧が印加された場合において、各端子間のハウジング形成部での熱エネルギの増大を良好に抑制できる。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載のコネクタにおいて、前記両コネクタの各ハウジングにおける前記各ハウジング形成部は、吸水率が２．０％以下となる材料にてそれぞれ形成されていることを特徴とする。
【００１４】
この請求項３に記載の発明では、前記各ハウジング形成部が、吸水率が２．０％以下となる材料にて形成されているため、吸水率の上昇に伴い誘電正接や誘電率の値が大きくなることを抑制できる。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載のコネクタにおいて、前記両コネクタのうち少なくとも一方のコネクタは、前記各端子間のハウジング形成部を含むハウジング全体が耐熱性樹脂にて形成されていることを特徴とする。
【００１６】
一般に、コネクタを基板上に半田付け処理する際には、コネクタが仮止めされた基板を溶融した半田の中に浸漬させて半田付けを行うディップ方式と、コネクタを基板上に半田を介在させて載置した状態で基板ごと加熱炉内を通過させることで半田付けを行うリフロー方式がある。生産効率の面から見ると、ディップ方式よりもリフロー方式の方が優れているが、リフロー方式の場合はコネクタのハウジングが加熱炉内を通過する際に熱変形等する虞がある。この点、請求項４に記載の発明では、ハウジング全体が耐熱性樹脂にて形成されたコネクタについてはリフロー方式で基板に対する半田付け処理が可能となるため、この点において生産効率の向上に寄与することができる。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載のコネクタにおいて、前記両コネクタのうち少なくとも一方のコネクタは、前記各端子間のハウジング形成部を含むハウジング全体が非耐熱性樹脂にて形成されていることを特徴とする。
【００１８】
請求項５に記載の発明では、雌雄関係を有する両コネクタのうち少なくとも一方のコネクタのハウジングが非耐熱性樹脂にて形成されているため、耐熱性樹脂を使用した場合に比してコストの低減を良好に図ることができる。
【００１９】
一方、液晶表示装置に係る請求項６に記載の発明は、液晶ディスプレイと、該液晶ディスプレイの裏面側に配置される光源と、該光源に電力を供給するインバータが実装された基板とを備える液晶表示装置であって、前記光源と基板とは、請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載のコネクタを介して電気的に接続されており、前記両コネクタのうち一方のコネクタは該コネクタのハウジングに並設された各端子を介して前記基板に電気的に接続されると共に、前記両コネクタのうち他方のコネクタは該コネクタのハウジングに並設された各端子を介して前記光源から延設された電線に接続されていることを特徴とする。
【００２０】
この請求項６に記載の発明では、各光源を発光させるべく、基板側から電圧を光源に供給した場合に、該光源と基板とを電気的に接続させるコネクタでは、各端子間のハウジング形成部での固体絶縁破壊の発生を抑制できるため、各端子間が電気的に導通することを抑制できる。したがって、光源を所要の光量で好適に発光させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ハウジングに並設された各端子に高電圧が印加され、各端子間における電圧差が大きくなっても、各端子間のハウジング形成部で固体絶縁破壊が発生することを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を、液晶表示装置の一種である液晶ディスプレイを有するテレビ（いわゆる液晶テレビ）、及び該液晶テレビに用いられるコネクタに具体化した一実施形態を図１〜図６に従って説明する。
【００２３】
図１に示すように、本実施形態の液晶テレビ１０は、四角枠状をなす本体フレーム１１と、液晶ディスプレイ１２とを備えており、該液晶ディスプレイ１２の裏面側には複数本（図１では２本のみ図示）のバックライト（光源）１３が並設されている。また、液晶テレビ１０には、各バックライト１３に交流電圧を供給するためのインバータ１４ａを実装した基板１４が設けられている。インバータ１４ａは、図示しない電源からの電圧を、周波数が３０〜６０ｋＨｚであって且つ印加電圧が８００〜１５００Ｖの交流電圧に変換し、この交流電圧を各バックライト１３に印加するようになっている。
【００２４】
前記各バックライト１３は長尺状のものを略Ｕ字状に曲げ形成されたものであり、その両端部１３ａから延設された各電線１５の先端には金属端子（第２端子）１６Ａ，１６Ｂ（図５参照）がそれぞれ圧着された状態で取り付けられている。そして、これらの金属端子１６Ａ，１６Ｂが取り付けられた各電線１５は、コネクタ１７を介して基板１４側に電気的に接続されている。すなわち、各バックライト１３には、コネクタ１７を介して基板１４側から交流電圧が印加されるようになっている。
【００２５】
ここで、本実施形態の場合は、図２（ａ）に示すように、バックライト１３の両端部１３ａから延設された各電線１５に対して、逆位相印加方式により、前記基板１４側から交流電圧が印加されるようになっている。すなわち、各電線１５に取り付けられた各金属端子１６Ａ，１６Ｂのうち一方の金属端子１６Ａには、他方の金属端子１６Ｂに印加される交流電圧とは逆位相の交流電圧が印加されるようになっている。したがって、本実施形態の場合、各金属端子１６Ａ，１６Ｂ（及び後述する各ピンコンタクト２５）の電圧差は、図２（ｂ）に示すように、１６００〜３０００Ｖ（１．６〜３．０ｋＶ）となる。
【００２６】
次に、前記コネクタ１７について図３〜図６に基づき以下詳述する。なお、以下における本明細書中の説明において、「前後方向」、「左右方向」は、図１における左右方向が「前後方向」、図１における上下方向が「左右方向」をそれぞれ示すものとする。
【００２７】
図３及び図４に示すように、本実施形態のコネクタ１７は、雌雄関係を有する第１コネクタ１８と第２コネクタ１９とを備えており、第１コネクタ１８は前記基板１４側に取り付けられると共に、第２コネクタ１９はバックライト１３側に取り付けられている（図１参照）。前記第１コネクタ１８は、絶縁材料（具体的には、耐熱性樹脂の一種であるポリアミド９Ｔ）からなる有底箱状のハウジング２０を備えており、この第１コネクタ１８のハウジング２０の形成材料とされるポリアミド９Ｔは、以下のような材料特性を有している。
【００２８】
すなわち、ポリアミド９Ｔは、ノナンジアミンとテレフタル酸との共縮重合反応で合成されたものであり、耐熱性（融点が約３０６℃）、低吸水性及び耐薬品性などの優れた特性を有している。そして、ポリアミド９Ｔは、その比較トラッキング指数（以下、「ＣＴＩ値」と略記する。）が６００以上の樹脂材料であり、その材料グループ「I 」に規定されている。また、「トラッキング」とは、絶縁物の表面での微小放電が繰り返されることによって絶縁物の表面に導電性の経路が生成され、絶縁破壊に至る現象であり、ＣＴＩ値は絶縁物のトラッキングの起こしにくさを示す値である。なお、本実施形態におけるＣＴＩ値は、ＩＥＣ  ６０１１２の「固体絶縁材料の保証及び比較トラッキング指数の測定方法」に規定される値を示す。
【００２９】
また、ポリアミド９Ｔは、同じく耐熱性樹脂の一種であるポリアミド６Ｔと比較した場合、常温（２５℃前後）での強度や剛性ではポリアミド６Ｔに劣るものの、高温での強度や剛性ではポリアミド６Ｔに優っている。特に、ポリアミド６Ｔは、ガラス転位温度が略７０℃であるため、１００℃以上に温度が上昇した場合には強度や剛性が急速に低下するのに対して、ポリアミド９Ｔは、ガラス転位温度が略１２０℃であるため、１００℃以上に温度が上昇した場合でも強度や剛性が急速に低下することはない。
【００３０】
図５及び図６に示すように、前記第１コネクタ１８におけるハウジング２０の前側には前記第２コネクタ１９を挿抜自在とする開口部２１が形成されている。また、前記ハウジング２０の左側壁２０ａ及び右側壁２０ｂの各内側において前記開口部２１の近傍には、凸状をなす係止部２２がそれぞれ形成されている。そして、第１コネクタ１８のハウジング２０内に前記開口部２１を介して第２コネクタ１９が挿入された場合には、その第２コネクタ１９を前記各係止部２２が移動不能にロック係止するようになっている。
【００３１】
また、前記第１コネクタ１８のハウジング２０内には、図５及び図６に示すように、その後壁（底壁）２３から前方側に向けて延びる複数（本実施形態では２つ）の隔壁２４がハウジング２０内を略３等分するように突設されている。また、前記ハウジング２０の後壁２３には、金属材料からなる複数本（本実施形態では２本）のピンコンタクト（第１端子）２５が、前記開口部２１に対する第２コネクタ１９の挿抜方向と直交（交差）する方向へ並設状態となるように固定されている。具体的には、各ピンコンタクト２５のうち、一方側（左側）のピンコンタクト２５は、ハウジング２０における左側壁２０ａと一方側（左側）の隔壁２４との間に配置され、他方側（右側）のピンコンタクト２５は、ハウジング２０における右側壁２０ｂと他方側（右側）の隔壁２４との間に配置されている。そして、このように両ピンコンタクト２５間に一対の隔壁２４を突設したことにより、第１コネクタ１８のハウジング２０内では、各ピンコンタクト２５間の沿面距離及び空間距離が空間絶縁破壊を抑制するのに十分となる長さに確保されている。
【００３２】
各ピンコンタクト２５は、図５及び図６に示すように、後壁２３からハウジング２０内の前方に向けて先端側が突出する接触ピン部２５ａと、該接触ピン部２５ａの基端側に連続形成されたリード部２５ｂとを備えている。各ピンコンタクト２５のリード部２５ｂは、後壁２３からハウジング２０外に突出した部分が前記基板１４側となる下方に向けて曲げ形成されている。そして、第１コネクタ１８における各ピンコンタクト２５は、それらの各リード部２５ｂが前記基板１４上のリード線（図示略）に半田付け処理されることにより基板１４上のインバータ１４ａに電気的に接続されている。
【００３３】
一方、前記第２コネクタ１９は、図３及び図４に示すように、絶縁材料（具体的には、非耐熱性樹脂の一種であるポリブチレンテレフタレート）からなるハウジング２６を備えている。この第２コネクタ１９のハウジング２６の形成材料とされるポリブチレンテレフタレートは、以下のような材料特性を有している。すなわち、ポリブチレンテレフタレートは、強度、剛性、耐衝撃性及び耐薬品性などの優れた特性を有すると共に、環境温度による電気抵抗や誘電率の変化が少なく、吸水率も小さいという特徴を有している。なお、ポリブチレンテレフタレートも、ポリアミド９Ｔの場合と同様に、そのＣＴＩ値が６００以上の樹脂材料であり、その材料グループ「I 」に規定されるものである。
【００３４】
図５及び図６に示すように、前記第２コネクタ１９のハウジング２６内には前記バックライト１３から延設された各電線１５の先端が金属端子１６Ａ，１６Ｂをそれぞれ取り付けられた状態で嵌入されている。そして、第２コネクタ１９におけるハウジング２６の左右両側には、各電線１５の先端（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）を収容するための端子収容部２７がそれぞれ形成されている。なお、各端子収容部２７は、各電線１５の先端（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）が各端子収容部２７内に嵌入された場合、各電線１５の先端（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）が略平行となるようにそれぞれ形成されている。
【００３５】
また、第２コネクタ１９のハウジング２６において各端子収容部２７の後端部２８には前記第１コネクタ１８の各ピンコンタクト２５を挿通可能とする挿通孔２８ａがそれぞれ形成されている。そして、第２コネクタ１９（ハウジング２６）が第１コネクタ１８のハウジング２０内に前記開口部２１から挿入された場合には、各挿通孔２８ａを前記各ピンコンタクト２５の接触ピン部２５ａが挿通することにより、各ピンコンタクト２５と各電線１５（金属端子１６Ａ，１６Ｂ）とが電気的に接続されるようになっている。なお、第２コネクタ１９のハウジング２６における各端子収容部２７の間には、前記第１コネクタ１８側の各隔壁２４に対応した凹部２９がそれぞれ凹み形成されている。
【００３６】
そこで次に、上記のように構成された本実施形態のコネクタ１７（第１コネクタ１８、第２コネクタ１９）及び該コネクタ１７を介してバックライト１３側と基板１４側とが電気的に接続された液晶テレビ１０の作用について説明する。
【００３７】
さて、前記液晶テレビ１０において、基板１４側からコネクタ１７を介してバックライト１３側に３０〜６０ｋＨｚの周波数を有する交流電圧が逆位相印加方式で印加された場合、第１コネクタ１８における各ピンコンタクト２５間及び第２コネクタ１９における各金属端子１６Ａ，１６Ｂ間には、それぞれ非常に大きな負担がかかることになる。すなわち、第１コネクタ１８のハウジング２０においては、前記各ピンコンタクト２５間の絶縁抵抗（insulation resistance ）部位となるハウジング形成部（図５及び図６にて二点鎖線で囲んだ領域）ＩＲに熱エネルギが発生する。また、第２コネクタ１９のハウジング２６においては、前記各金属端子１６Ａ，１６Ｂ間の絶縁抵抗（insulation resistance ）部位となるハウジング形成部（図５及び図６にて二点鎖線で囲んだ領域）ＩＲに熱エネルギが発生する。
【００３８】
ここで、前記交流電圧の印加に基づく熱エネルギの発生状況は、第１コネクタ１８のハウジング２０における前記各ピンコンタクト２５間のハウジング形成部ＩＲにおいても、第２コネクタ１９のハウジング２６における前記各金属端子１６Ａ，１６Ｂ間のハウジング形成部ＩＲにおいても、両者間に大差はない。そこで、以下では、第１コネクタ１８のハウジング２０における前記各ピンコンタクト２５間のハウジング形成部ＩＲにおける熱エネルギの発生状況を代表例として説明する。
【００３９】
さて、前記交流電圧の印加に伴い、第１コネクタ１８のハウジング２０における前記各ピンコンタクト２５間のハウジング形成部ＩＲにおいては、下記の条件式を満たす熱エネルギが発生する。
【００４０】
Ｐ＝ tanδ×２πｆ×Ｕ2 ×ε×Ｓ／ｄ…（１）
ただし、Ｐ：熱エネルギ， tanδ：誘電正接，ｆ：周波数，Ｕ：印加電圧，ε：誘電率，Ｓ：第１コネクタ１８のハウジング２０内で各ピンコンタクト２５（特に接触ピン部２５ａ）同士の互いに向き合う部位の表面積，ｄ：第１コネクタ１８のハウジング２０内における各ピンコンタクト２５（特に接触ピン部２５ａ）間の距離
なお、「誘電正接（ tanδ）」とは、物質を交流電界の中に置いた場合に、その交流電界の変化に従って、電子やイオンが激しく向きを変える際の分子レベルでの摩擦抵抗により発生する発熱の大小を示している。すなわち、各ピンコンタクト２５に交流電圧が印加された場合、前記ハウジング形成部ＩＲ内では、電子やイオンなどの荷電体の移動により分極が生じ、交流電界の変化に応じて正負の極性双極子が交流電界の方向に向きを揃えようとする。そのため、この際の極性双極子の激しい運動による摩擦が前記ハウジング形成部ＩＲにおける発熱を生み出すことになる。ちなみに、この誘電正接（ tanδ）は、測定に用いる交流電圧の周波数や環境温度により変化する値である。また、「誘電率（ε）」とは、物質内で電荷と該電荷によって与えられる力との関係を示す係数のことであり、各物質は固有の誘電率を持っている。なお、一般の物質（誘電体）では、その誘電率（ε）が「１」よりも大きな値となる。
【００４１】
上記の条件式（１）からも理解できるように、前記交流電圧の印加に伴って前記ハウジング形成部ＩＲに発生する熱エネルギＰの値は、誘電正接（ tanδ）と誘電率（ε）との積の大きさが小さくなるほど小さくなる。また、同様に、前記交流電圧の印加に伴って前記ハウジング形成部ＩＲに発生する熱エネルギＰの値は、誘電正接（ tanδ）の大きさが小さくなるほど小さくなる。したがって、前記交流電圧の印加時に前記ハウジング形成部ＩＲに発生する熱エネルギＰの値を小さくするためには、前記誘電正接（ tanδ）と誘電率（ε）との積の大きさ、及び、前記誘電正接（ tanδ）の大きさを小さくすることが好ましいことになる。
【００４２】
この点、本実施形態における第１コネクタ１８は、そのハウジング２０全体がポリアミド９Ｔにて形成されていることから、前記各ピンコンタクト２５間のハウジング形成部ＩＲもポリアミド９Ｔにて形成されていることになる。そして、このポリアミド９Ｔは、後述する表１〜表３の各実施例に示すように、誘電正接（ tanδ）と誘電率（ε）との積が１．５以下であり、また、誘電正接（ tanδ）が０．２以下の樹脂材料である。そのため、前記交流電圧の印加時においても、前記各ピンコンタクト２５間のハウジング形成部ＩＲにおける熱エネルギＰの値が増大せず、その熱エネルギＰにより前記ハウジング形成部ＩＲが固定絶縁破壊されることもない。
【００４３】
また、前記コネクタ１７（第１コネクタ１８、第２コネクタ１９）は、その使用環境が高湿度雰囲気であると、それらのハウジング２０，２６が吸湿してしまい、前記誘電正接（ tanδ）を大きくしてしまう虞がある。この点、本実施形態における第１コネクタ１８のハウジング２０（及び、各ピンコンタクト２５間のハウジング形成部ＩＲ）を形成するポリアミド９Ｔは、後述する表１〜表３の各実施例に示すように、その吸水率が２．０％以下の樹脂材料である。そのため、例えコネクタ１７（第１コネクタ１８、第２コネクタ１９）の使用環境が高湿度雰囲気であったとしても、前記ハウジング形成部ＩＲの固定絶縁破壊につながる誘電正接（ tanδ）の増大が抑制される。
【００４４】
なお、以上のことは、第２コネクタ１９のハウジング２６における前記各金属端子１６Ａ，１６Ｂ間のハウジング形成部ＩＲについても同様のことがいえる。すなわち、第２コネクタ１９は、そのハウジング２６全体がポリブチレンテレフタレートにて形成されていることから、前記各金属端子１６Ａ，１６Ｂ間のハウジング形成部ＩＲもポリブチレンテレフタレートにて形成されていることになる。そして、ポリブチレンテレフタレートも、その誘電正接（ tanδ）と誘電率（ε）との積は１．５以下であり、また、誘電正接（ tanδ）は０．２以下の樹脂材料である。したがって、前記交流電圧の印加時においても、前記各金属端子１６Ａ，１６Ｂ間のハウジング形成部ＩＲにおける熱エネルギＰの値は増大せず、その熱エネルギＰにより前記ハウジング形成部ＩＲが固定絶縁破壊されることもない。
【００４５】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）第１コネクタ１８のハウジング２０（各ピンコンタクト２５間のハウジング形成部ＩＲ）及び第２コネクタ１９のハウジング２６（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ間のハウジング形成部ＩＲ）は、誘電正接（ tanδ）と誘電率（ε）との積が１．５以下となる材料にて形成されている。そのため、各ピンコンタクト２５（及び各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）に交流電圧が印加された場合において、各ハウジング形成部ＩＲでは、熱エネルギ（Ｐ）の増大を抑制できる。そのため、例えば逆位相印加方式で各ピンコンタクト２５（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）に交流電圧を印加されて各ピンコンタクト２５（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）間における電圧差が大きくなっても、各コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６において絶縁抵抗部位となる各ハウジング形成部ＩＲに固体絶縁破壊が発生することを抑制できる。
【００４６】
（２）各コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６において絶縁抵抗部位となる各ハウジング形成部ＩＲは、誘電正接（ tanδ）が０．２以下となる材料にて形成されている。そのため、前記交流電圧の印加時において、前記ハウジング２０，２６の各ハウジング形成部ＩＲでは、熱エネルギ（Ｐ）の増大を良好に抑制できる。
【００４７】
（３）各コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６において絶縁抵抗部位となる各ハウジング形成部ＩＲは、吸水率が２．０％以下となる材料にて形成されている。そのため、コネクタ１７（第１コネクタ１８、第２コネクタ１９）の使用環境が高湿度の雰囲気環境であったとしても、前記各ハウジング形成部ＩＲの誘電正接（ tanδ）や誘電率（ε）の値が大きくなることを抑制でき、固体絶縁破壊の将来を好適に抑制できる。
【００４８】
（４）第１コネクタ１８のハウジング２０は、耐熱性樹脂材料であるポリアミド９Ｔにて形成されている。そのため、第１コネクタ１８を基板１４上に半田付け処理する際には、加熱炉を利用したリフロー方式での半田付け処理が可能となり、生産効率を向上することができる。
【００４９】
（５）第２コネクタ１９のハウジング２６は、非耐熱性樹脂材料のポリブチレンテレフタレートにて形成されている。そのため、ハウジング２６を耐熱性樹脂（例えばポリアミド９Ｔ）にて形成した場合に比して、良好にコストを低減することができる。
【００５０】
（６）各バックライト（光源）１３を発光させるべく、基板１４側から交流電圧をバックライト１３に供給した場合に、該バックライト１３と基板１４とを電気的に接続させるコネクタ１７（第１コネクタ１８、第２コネクタ１９）では、各ピンコンタクト２５（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）間が電気的に導通することを抑制できる。したがって、各バックライト１３を所要の光量で好適に発光させることができる。
【実施例】
【００５１】
以下、前記実施形態をさらに具体化した実施例及び比較例について説明する。
（試料の作成）
第１の試料として、第１コネクタ１８のハウジング２０全体をポリアミド９Ｔにて形成し、各ピンコンタクト２５（各接触ピン部２５ａ）の間の距離（ｄ）を略１３ｍｍに設定した。また、第２コネクタ１９のハウジング２６全体をポリブチレンテレフタレートにて形成した。
【００５２】
一方、第２の試料として、第１コネクタ１８のハウジング２０全体をポリアミド６Ｔにて形成し、それ以外は第１の試料と同一の条件で形成した。
（測定及び考察）
上記第１、第２の試料の各コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６を、ＭＩＬ−ＳＴＤ−２０２  ＭＥＴＨＯＤ  １０３Ｂの「耐湿試験」に従い、温度が４０℃、湿度が９５％に設定された恒温恒湿槽内に放置し、表１〜表３に示す所定の放置時間経過後に前記各コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６を恒温恒湿槽内から取り出した。表１〜表３に示すように、これらを実施例１〜８及び比較例１〜５とした。
【００５３】
そして、所定の雰囲気温度で、前記各ハウジング２０，２６の吸水率、誘電正接、誘電率及び耐電圧を測定した。このとき、実施例１〜３及び比較例１，２を、２３℃の雰囲気温度で上記測定を行い、その測定結果を表１に示す。実施例４及び比較例３〜５を、５０℃の雰囲気温度で上記測定を行い、その測定結果を表２に示す。また、実施例６〜実施例８を、８０℃の雰囲気温度で上記測定を行い、その測定結果を表３に示す。なお、耐電圧を測定する際の各ピンコンタクト２５（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）に個別に印加される交流電圧は、その周波数が５０ｋＨｚにそれぞれ設定される。
【００５４】
【表１】
2006294424.tif 000003
表１の結果より、第１の試料からなる実施例１，２の各コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６においては、恒温恒湿槽内での放置時間が０，９６時間であっても、吸水率は２．０％以下、誘電正接は０．２以下、誘電正接と誘電率との積は１．５以下である。そして、耐電圧は６ｋＶを超えている。そのため、前記交流電圧の印加時にも、前記各ハウジング２０，２６における各ピンコンタクト２５（金属端子１６Ａ，１６Ｂ）間のハウジング形成部ＩＲに固体絶縁破壊が発生することはない。一方、第２の試料からなる比較例１，２の各コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６においては、恒温恒湿槽内での放置時間が９６，１０００時間であった場合、吸水率が２．０％よりも高く、誘電正接が０．２よりも高くなっている。その結果、恒温恒湿槽内での放置時間が１０００時間であった場合には、耐電圧が６ｋＶ未満となり、前記交流電圧の印加時には、各ピンコンタクト２５（金属端子１６Ａ，１６Ｂ）間のハウジング形成部ＩＲに固体絶縁破壊が発生する可能性がある。なお、表１において、誘電正接が０．０９以上、誘電率が５．２以上、及び誘電正接と誘電率との積が３以上と記載されている部分は、測定することができなかった部分である。
【００５５】
【表２】
2006294424.tif 000004
表２の結果より、第２の試料からなる比較例３〜５の各コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６においては、恒温恒湿槽内での放置時間が９６，１６８，２４０時間であった場合、吸水率が２．０％よりも高くなり、その結果、耐電圧が６ｋＶ未満となる。そのため、前記交流電圧の印加時には、各ピンコンタクト２５（金属端子１６Ａ，１６Ｂ）間のハウジング形成部ＩＲに固体絶縁破壊が発生する可能性がある。なお、表２において、誘電正接が０．０９以上、誘電率が５．２以上、及び誘電正接と誘電率との積が３以上と記載されている部分は、測定することができなかった部分である。
【００５６】
【表３】
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表３の結果より、第１の試料からなる実施例６〜８の各コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６においては、恒温恒湿槽内での放置時間が０，９６，１６８，時間であっても、吸水率が２．０％以下、誘電正接が０．２以下、誘電正接と誘電率との積が１．５以下である。そして、耐電圧は６ｋＶを超えている。そのため、前記交流電圧の印加時にも、前記各ハウジング２０，２６における各ピンコンタクト２５（金属端子１６Ａ，１６Ｂ）間のハウジング形成部ＩＲに固体絶縁破壊が発生することはない。
【００５７】
以上説明したように、第１の試料である各コネクタ１８，１９のハウジング２０，２６は、恒温恒湿（温度が４０℃であって且つ湿度が９５％）の雰囲気内に長時間放置された場合においても、吸水率を２．０％以下、誘電正接を０．２以下、及び誘電正接と誘電率との積を１．５以下に維持することができる。すなわち、コネクタ１７（第１コネクタ１８，第２コネクタ１９）が船舶などで高湿度雰囲気の船室内に保管されて輸送された場合においても、そのハウジング２０，２６は、耐電圧が低下することも無く、前記ハウジング形成部ＩＲにて固体絶縁破壊が発生することが良好に抑制される。一方、第２の試料である第１コネクタ１８のハウジング２０は、恒温恒湿の雰囲気内に長時間放置された場合、吸水率、誘電正接及び誘電正接と誘電率との積の増大に伴い、耐電圧が低下してしまう。そのため、第１コネクタ１８のハウジング形成部ＩＲでは、固体絶縁破壊が発生する可能性がある。
【００５８】
なお、前記実施形態は以下のような別の実施形態（別例）に変更してもよい。
・前記実施形態において、第２コネクタ１９のハウジング２６は、耐熱性樹脂（例えばポリアミド９Ｔ）にて形成されたものであってもよい。すなわち、第１コネクタ１８のハウジング２０及び第２コネクタ１９のハウジング２６の双方が耐熱性樹脂（ポリアミド９Ｔ）にて形成されたものであってよい。このように構成した場合、各ピンコンタクト２５（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）への電圧の印加に基づき各ピンコンタクト２５（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）間のハウジング形成部ＩＲに固体絶縁破壊が発生することを抑制できる。
【００５９】
・前記実施形態において、第１コネクタ１８のハウジング２０は、非耐熱性樹脂（ポリブチレンテレフタレート）にて形成されたものであってもよい。すなわち、第１コネクタ１８のハウジング２０及び第２コネクタ１９のハウジング２６の双方が非耐熱性樹脂（例えばポリブチレンテレフタレート）にて形成されたものであってもよい。このように構成した場合も、各ピンコンタクト２５（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）への電圧の印加に基づき各ピンコンタクト２５（各金属端子１６Ａ，１６Ｂ）間のハウジング形成部ＩＲに固体絶縁破壊が発生することを抑制できる。
【００６０】
・前記実施形態において、第１コネクタ１８のハウジング２０は、耐熱製樹脂であれば任意の材料（例えば液晶ポリマやポリフェニレンサルファイド）にて形成したものであってもよい。「液晶ポリマ」は、強度や剛性などに優れており、その分子構造により、全芳香族系と半芳香族系とに分類される。ちなみに、全芳香族系の液晶ポリマは、耐熱性に特に優れている。また、「ポリフェニレンサルファイド」は、耐熱性や耐薬品性に非常に優れている。
【００６１】
・前記実施形態において、第１コネクタ１８のハウジング２０は、前記ハウジング形成部ＩＲと該ハウジング形成部ＩＲ以外の部分とを別体構成してもよい。また、第２コネクタ１９のハウジング２６は、前記ハウジング形成部ＩＲと該ハウジング形成部ＩＲ以外の部分とを別体構成してもよい。ただし、この場合、各ハウジング形成部ＩＲはポリアミド９Ｔ又はポリブチレンテレフタレートにて形成することが好ましい。
【００６２】
・前記実施形態において、第１コネクタ１８のコンタクト（ピンコンタクト２５）は、該コンタクトの一部が湾曲してベローズ（蛇腹）状をなすコンタクト（いわゆるベローズコンタクト）であってもよい。
【００６３】
・前記実施形態において、液晶テレビ１０は、いわゆる同位相印加方式を採用したものに具体化してもよい。「同位相印加方式」とは、各電線１５に取り付けられた各金属端子１６Ａ，１６Ｂに同位相の交流電圧を印加する方式のことである。
【００６４】
・前記実施形態において、液晶テレビ１０以外の他の液晶表示装置（例えば、液晶ディスプレイを有するパソコン）に具体化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本実施形態における液晶テレビの内部を模式的に示す概念図。
【図２】（ａ）は各金属端子に印加される交流電圧を示すグラフ、（ｂ）は各金属端子間の電圧差を示すグラフ。
【図３】本実施形態におけるコネクタの斜視図。
【図４】本実施形態のコネクタにおいて第２コネクタが第１コネクタ内に挿入された状態を示す斜視図。
【図５】本実施形態におけるコネクタの断面図。
【図６】本実施形態のコネクタにおいて第２コネクタが第１コネクタ内に挿入された状態を示す断面図。
【符号の説明】
【００６６】
１０…液晶テレビ（液晶表示装置）、１２…液晶ディスプレイ、１３…バックライト（光源）、１４…基板、１４ａ…インバータ、１５…電線、１６Ａ，１６Ｂ…金属端子（第２端子）、１７…コネクタ、１８…第１コネクタ、１９…第２コネクタ、２０，２６…ハウジング、２１…開口部、２５…ピンコンタクト（第１端子）、ＩＲ…ハウジング形成部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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