【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚染されているプロセス流れから汚染物を除去する方法であって、
（ａ）多数の網状要素をプロセス装置の中に供給し、
（ｂ）前記多数の網状要素の表面で起こる汚染物濾過作用が向上して実質的に浄化されたプロセス流れがもたらされるようにする目的で前記多数の網状要素を前記プロセス装置の中に相当数の前記網状要素の間に隙間が存在するように無作為に詰め込み、そして
（ｃ）前記実質的に浄化されたプロセス流れが前記多数の網状要素の中を妨げられないで通ることを可能にしながら前記汚染されているプロセス流れから汚染物が取り除かれるように前記汚染されているプロセス流れを前記多数の網状要素と接触させる、
段階を含んで成る方法。
【請求項２】
前記汚染されているプロセス流れが非有機物が基になった汚染されているプロセス流れである請求項１記載の方法。
【請求項３】
プロセス装置の中で垂直流れ分配を起こさせる方法であって、
（ａ）垂直流れ分配を助長する流路を限定している多数のウエブ材を有するプロセス装置の中に多数の網状要素を供給し、そして
（ｂ）プロセス流れを前記網状要素の領域に接触させ、そして
（ｃ）前記プロセス流れを前記多数の網状要素のウエブ材が限定している前記多数の流路の中に通すことで前記プロセス流れを垂直方向に有意に分散させることによって前記プロセス流れを多数のより小さい流体流れに細分する、
段階を含んで成る方法。
【請求項４】
更に、下記の段階：
（ａ）前記多数の網状要素の表面で起こる汚染物濾過作用を向上させる目的で前記多数の網状要素を前記プロセス装置の中に各網状要素の間に隙間が存在するように無作為に位置させることで前記汚染されているプロセス流れから汚染物を除去し、そして
（ｂ）浄化されかつ均一に広がったプロセス流れにさらなる処理を下流のプロセス装置の中で受けさせる、
段階も含んで成る方法。
【請求項５】
プロセス装置の中に生じた沈澱物を濾過で除去する方法であって、
（ａ）多数の網状要素を前記プロセス装置の中に供給し、
（ｂ）相当数の前記網状要素の表面で起こる汚染物除去作用が向上して実質的に沈澱物を含有しないプロセス流れがもたらされるようにする目的で前記多数の網状要素を前記プロセス装置の中に相当数の前記網状要素の間に隙間が存在するように無作為に詰め込み、
（ｃ）前記沈澱物を含有するプロセス流れを相当数の前記網状要素と接触させ、
（ｄ）前記沈澱物が前記プロセス流れから除去され、そして
（ｅ）実質的に沈澱物を含有しないプロセス流れにさらなる処理を受けさせる、
段階を含んで成る方法。
【請求項６】
反応槽を含んで成る反応槽組み立て品であって、前記反応槽が
（ａ）相当数の網状要素の表面で起こる汚染物濾過作用が向上して実質的に浄化されたプロセス流れがもたらされるようにする目的で相当数の網状要素の間に隙間が存在するように前記反応槽の中に無作為に詰め込んでおいた多数の網状要素、および
（ｂ）前記多数の網状要素の下流に位置していて触媒を触媒活性が１５％から２０％の範囲で向上するに有効な規模で含有する触媒床、
を含有する反応槽組み立て品。
【請求項７】
多数の網状要素がプロセス装置の長さ全体に渡って設けられている請求項１記載の方法。
【請求項８】
プロセス装置が非触媒反応プロセス装置を含んでなる請求項１記載の方法。
【請求項９】
多数の網状要素がプロセス装置の長さの全体に渡って設けられている請求項３記載の方法。
【請求項１０】
プロセス装置が非触媒反応プロセス装置を含んでなる請求項３記載の方法。
【請求項１１】
プロセス流れが非有機物が基になった汚染されているプロセス流れである請求項３記載の方法。
【請求項１２】
多数の網状要素がプロセス装置の長さ全体に渡って設けられている請求項５記載の方法。
【請求項１３】
プロセス装置が非触媒反応プロセス装置を含んでなる請求項５記載の方法。
【請求項１４】
プロセス流れが非有機物が基になった汚染されているプロセス流れである請求項５記載の方法。
【請求項１５】
多数の網状要素がプロセス装置の長さの全体に渡って設けられている請求項６記載の反応槽組み立て品。
【請求項１６】
プロセス装置が非触媒反応プロセス装置を含んでなる請求項６記載の反応槽組み立て品。
【請求項１７】
プロセス流れが非有機物が基になった汚染されているプロセス流れである請求項６記載の反応槽組み立て品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
本分野の技術者に明確な修飾形および相当物が思い浮かぶであろうことから本発明を示しかつ記述した構成、操作、正確な材料または態様の正確な詳細に限定するものでないと理解されるべきである。例えば、液体がプロセス装置全体に広がるのを助長する目的で網状要素を特殊な液体分配装置または通常の液体分配装置に用いることができるであろう。逆に、単に粒状物を除去する目的で網状要素を用いることも可能である。従って、それに応じて、本発明が限定されるのは添付請求の範囲によってのみである。
本発明の好適な実施の態様は次のとおりである。
１．  汚染されているプロセス流れから汚染物を除去する方法であって、
（ａ）多数の網状要素をプロセス装置の中に供給し、
（ｂ）前記多数の網状要素の表面で起こる汚染物濾過作用が向上して実質的に浄化されたプロセス流れがもたらされるようにする目的で前記多数の網状要素を前記プロセス装置の中に相当数の前記網状要素の間に隙間が存在するように無作為に詰め込み、そして
（ｃ）前記実質的に浄化されたプロセス流れが前記多数の網状要素の中を妨げられないで通ることを可能にしながら前記汚染されているプロセス流れから汚染物が取り除かれるように前記汚染されているプロセス流れを前記多数の網状要素と接触させる、
段階を含んで成る方法。
２．  前記多数の網状要素がいろいろな大きさの汚染物を濾過で除去し得るように前記多数の網状要素にいろいろな孔径を持たせる上記１記載の方法。
３．  前記汚染されているプロセス流れが有機物が基になった汚染されているプロセス流れである上記１記載の方法。
４．  更に、前記汚染されているプロセス流れと接触させる前に前記多数の網状要素の上に触媒を付着させておくことも包含する上記３記載の方法。
５．  前記網状要素がセラミック材料、金属材料および化学蒸着材料から成る群から選択した材料を含んで成る上記１記載の方法。
６．  相当数の前記多数の網状要素が多数のウエブ材で限定されている多数の孔を有することで前記多数の網状要素の中を貫く多数の流路が形成されておりそして前記孔の平均孔径が約６ミリメートルから約１００ミクロンである上記１記載の方法。
７．  前記多数の網状要素が示す間隙率が長さ１インチ当たり約４から８００個の孔である上記１記載の方法。
８．  前記網状要素が網状発泡材料から生じさせた網状要素である上記１記載の方法。
９．  前記網状要素に実質的に球形の球、ラシッヒリング、サドル形状の片、モノリス、正方形、単一シート、中空円柱、固形円柱および単一盤から成る群から選択した形状を持たせる上記１記載の方法。
１０．  前記網状要素が穴を有するように生じさせた網状要素である上記９記載の方法。
１１．  前記プロセス装置が内部断面形態を有しそして前記多数の網状要素を構築する時にそれを前記プロセス装置の内部断面形態に特別に適合する組み立てシートに成形しておく上記１記載の方法。
１２．  前記プロセス装置が内部断面形態を有しそして前記多数の網状要素を構築する時にそれを前記プロセス装置の内部断面形態に特別に適合する組み立て盤を形成する多数の断片に成形しておく上記１記載の方法。
１３．  前記プロセス装置を蒸留塔、排ガス処理装置、焼却炉およびスクラバーから成る群から選択する上記１記載の方法。
１４．  前記網状要素がＶＩ−Ｂ族の１種の金属を伴う多孔質アルミナ被膜を包含する選択した触媒の実質的に均一な被膜を有する網状要素の基材を含んで成る上記１記載の方法。
１５．  前記ＶＩ−Ｂ族の金属がモリブデンである上記１４記載の方法。
１６．  前記網状要素がＶＩＩＩ族の１種の金属を伴う多孔質アルミナ被膜を包含する選択した触媒の実質的に均一な被膜を有する網状要素の基材を含んで成る上記１記載の方法。
１７．  ＶＩＩＩ族の金属がニッケルまたはコバルトである上記１６記載の方法。
１８．  ＶＩ−Ｂ族の金属を前記網状要素の中に含浸させておく上記１記載の方法。
１９．  ＶＩＩＩ族の金属を前記網状要素の中に含浸させておく上記１記載の方法。
２０．  前記網状要素がアルミナ、シリカ、シリカ−アルミナ、マグネシア、シリカ−マグネシアおよびチタニアから成る群から選択した多孔質無機酸化物を含んで成る上記１記載の方法。
２１．  前記網状要素がチタン、錫、鉛、ジルコニウム、ルテニウム、タングステン、イットリウム、ニッケル、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、ケイ素またはホウ素から成る群から選択した金属の酸化物を含んで成る上記１記載の方法。
２２．  前記網状要素がチタン、ジルコニウム、タングステン、ケイ素またはホウ素から成る群から選択した金属の窒化物を含んで成る上記１記載の方法。
２３．  前記網状要素がチタン、ジルコニウム、タングステン、ケイ素またはホウ素から成る群から選択した金属の炭化物を含んで成る上記１記載の方法。
２４．  前記網状要素がチタン、ジルコニウムまたはタングステンから成る群から選択した金属のホウ化物を含んで成る上記１記載の方法。
２５．  前記網状要素がゼオライトＬ、ゼオライトＸおよびゼオライトＹから成る群から選択したゼオライトを含んで成る上記１記載の方法。
２６．  プロセス装置の中で垂直流れ分配を起こさせる方法であって、
（ａ）垂直流れ分配を助長する流路を限定している多数のウエブ材を有するプロセス装置の中に多数の網状要素を供給し、そして
（ｂ）プロセス流れを前記網状要素の領域に接触させ、そして
（ｃ）前記プロセス流れを前記多数の網状要素のウエブ材が限定している前記多数の流路の中に通すことで前記プロセス流れを垂直方向に有意に分散させることによって前記プロセス流れを多数のより小さい流体流れに細分する、
段階を含んで成る方法。
２７．  更に、下記の段階：
（ａ）前記多数の網状要素の表面で起こる汚染物濾過作用を向上させる目的で前記多数の網状要素を前記プロセス装置の中に各網状要素の間に隙間が存在するように無作為に位置させることで前記汚染されているプロセス流れから汚染物を除去し、そして
（ｂ）浄化されかつ均一に広がったプロセス流れにさらなる処理を下流のプロセス装置の中で受けさせる、
段階も含んで成る方法。
２８．  前記多数の網状要素を供給する段階に前記多数の網状要素をプロセス装置の入り口、プロセス装置の内部、プロセス装置の出口およびこれらの組み合わせから成る群から選択した場所に供給することを含める上記２６記載の方法。
２９．  前記プロセス装置が内部断面形態を有しそして前記多数の網状要素を構築する時にそれを前記プロセス装置の内部断面形態に特別に適合する組み立てシートに成形しておく上記２６記載の方法。
３０．  プロセス装置の中に生じた沈澱物を濾過で除去する方法であって、
（ａ）多数の網状要素を前記プロセス装置の中に供給し、
（ｂ）相当数の前記網状要素の表面で起こる汚染物除去作用が向上して実質的に沈澱物を含有しないプロセス流れがもたらされるようにする目的で前記多数の網状要素を前記プロセス装置の中に相当数の前記網状要素の間に隙間が存在するように無作為に詰め込み、
（ｃ）前記沈澱物を含有するプロセス流れを相当数の前記網状要素と接触させ、
（ｄ）前記沈澱物が前記プロセス流れから除去され、そして
（ｅ）実質的に沈澱物を含有しないプロセス流れにさらなる処理を受けさせる、
段階を含んで成る方法。
３１．  反応槽を含んで成る反応槽組み立て品であって、前記反応槽が
（ａ）相当数の網状要素の表面で起こる汚染物濾過作用が向上して実質的に浄化されたプロセス流れがもたらされるようにする目的で相当数の網状要素の間に隙間が存在するように前記反応槽の中に無作為に詰め込んでおいた多数の網状要素、および
（ｂ）前記多数の網状要素の下流に位置していて触媒を触媒活性が約１５％から約２０％の範囲で向上するに有効な規模で含有する触媒床、
を含有する反応槽組み立て品。
３２．  前記多数の網状要素がプロセス装置の長さ全体に渡って無作為に詰め込まれている上記３１記載の反応槽組み立て品。
３３．  前記多数の網状要素がプロセス装置の長さ全体に渡って触媒と混ざり合っている上記３２記載の反応槽組み立て品。
３４．  汚染されているプロセス流れから汚染物を除去する方法であって、
（ａ）多数のセラミック製モノリスを化学反応槽の中に供給し、
（ｂ）相当数の前記セラミック製モノリスの表面で起こる汚染物濾過作用が向上して実質的に浄化されたプロセス流れがもたらされるようにする目的で前記多数のセラミック製モノリスを前記化学反応槽の中に相当数の前記セラミック製モノリスの間に隙間が存在するように無作為に詰め込み、そして
（ｃ）前記実質的に浄化されたプロセス流れが前記多数のセラミック製モノリスの中を妨げられないで通ることを可能にしながら前記汚染されているプロセス流れから汚染物が取り除かれるように前記汚染されているプロセス流れを相当数の前記セラミック製モノリスと接触させる、
段階を含んで成る方法。