(57)【要約】【課題】半導体加速度センサのチップ本体に電極を設ける場合に、小型化を図ることができ、かつ感度よく加速度を測定する手段を提供する。【解決手段】重錘部と、重錘体を支持し測定素子Ｐを有する可撓部と、測定素子と電気的に接続するチップ電極を有するおもて面を有し可撓部を支持するチップ本体とを備えた半導体加速度センサの重錘部のおもて面に接合部を囲み接合部に向かって縮小する傾斜面を有する付加錘を接合する。【選択図】        図１
2006105798.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面を有する重錘部と、該重錘部を支持し測定素子を有する可撓部と、前記測定素子と電気的に接続するチップ電極を有する第２の面を有し前記可撓部を支持するチップ本体とを備えた半導体加速度センサであって、
前記重錘部の第１の面に設けられた接合部と、該接合部を囲み該接合部に向かって縮小する傾斜面を有する付加錘とを有することを特徴とする半導体加速度センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体加速度センサにおいて、
前記重錘部を、前記付加錘の接合部に外接する略四角柱としたことを特徴とする半導体加速度センサ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体加速度センサにおいて、
前記重錘部の第１の面の反対側の第３の面と、
前記チップ本体の前記第２の面の反対側の第４の面と、
前記第４の面に設けられ前記重錘部の下方まで延在する裏板とを有し、
該裏板と前記重錘部の第３の面との間に隙間が設けられていることを特徴とする半導体加速度センサ。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体加速度センサにおいて、
端子を有し前記チップ本体を搭載する基板と、
前記チップ電極と前記端子とを電気的に接続するボンディングワイヤとを有することを特徴とする半導体加速度センサ。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体加速度センサにおいて、
前記チップ電極を、前記付加錘の傾斜面に接近させて配置したことを特徴とする半導体加速度センサ。
【請求項６】
ウエハに、第１の面を有する重錘部と、該重錘部を支持し測定素子を有する可撓部と、チップ本体の第２の面に前記測定素子と電気的に接続するチップ電極とを設ける工程と、
前記ウエハの裏面に裏板を接合する工程と、
前記裏板を接合したウエハのおもて面を、切断案内スリットを形成した保護板で覆い、前記切断案内スリットに沿って前記裏板を接合したウエハを個片に分割する工程とを備えることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
【請求項７】
ウエハに、第１の面を有する重錘部と、該重錘部を支持し測定素子を有する可撓部と、チップ本体の第２の面に前記測定素子と電気的に接続するチップ電極とを設ける工程と、
前記ウエハの裏面に切断線に沿った切断案内溝を形成する工程と
前記切断案内溝を形成したウエハの裏面に裏板を接合する工程と、
前記裏板を接合したウエハのおもて面を、切断案内スリットを形成した保護板で覆い、前記切断案内スリットに沿って前記ウエハに第１の切刃により前記切断案内溝に到る切込溝を形成する工程と、
第２の切刃により前記切込溝に沿って前記裏板を切り離し、前記裏板を接合したウエハを個片に分割する工程とを備えることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の半導体加速度センサの製造方法において、
前記個片の裏板を、端子を設けた基板に接合して搭載する工程と、
前記チップ電極と前記端子とをボンディングワイヤで接続して配線する工程と、
該配線の後に、前記重錘部の第１の面に接合部に向かって縮小する傾斜面を有する付加錘を接合する工程とを備えることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
【請求項９】
請求項６ないし請求項８のいずれかに記載の半導体加速度センサの製造方法において、
前記保護板の切断案内スリットのウエハ側に、切削液の飛散を防止する切欠部を形成したことを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車や航空機等の輸送機器等に搭載されてその加速度や衝突等の測定に用いられる半導体加速度センサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体加速度センサは、シリコン板に形成した可撓部に支持された作用部に半田を半球状に融着させた錘部を設け、可撓部に形成したピエゾ抵抗の変化をアルミニウム配線により取出して加速度の測定を行っている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平５−２６４５７５号公報（第２頁段落０００６、０００７および第３頁段落００１７−００２０、第１図、第８図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
一般に、半導体加速度センサからの信号を外部に取出すためには加速度の測定素子に接続する電極を設け、外部に接続する端子との間をボンディングワイヤにより配線する必要がある。
しかしながら、上述した従来の技術においては、ピエゾ抵抗の変化をアルミニウム配線により取出してその信号を外部に取出すには、シリコン板上に電極を設けることが必要になるが、錘部の形状を半球形としてその最大面積部を作用部に接合しているため、電極を設ける領域を確保すると半導体加速度センサが大型化するという問題がある。
【０００４】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、半導体加速度センサのチップ本体に電極を設ける場合に、小型化を図ることができ、かつ感度よく加速度を測定する手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、第１の面を有する重錘部と、該重錘部を支持し測定素子を有する可撓部と、前記測定素子と電気的に接続するチップ電極を有する第２の面を有し前記可撓部を支持するチップ本体とを備えた半導体加速度センサであって、前記重錘部の第１の面に設けられた接合部と、該接合部を囲み該接合部に向かって縮小する傾斜面を有する付加錘とを有することを特徴とする。
【０００６】
また、半導体加速度センサの製造方法が、ウエハに、第１の面を有する重錘部と、該重錘部を支持し測定素子を有する可撓部と、チップ本体の第２の面に前記測定素子と電気的に接続するチップ電極とを設ける工程と、前記ウエハの裏面に裏板を接合する工程と、前記裏板を接合したウエハのおもて面を切断案内スリットを形成した保護板で覆い、前記切断案内スリットに沿って前記裏板を接合したウエハを個片に分割する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
このように、本発明は、チップ本体の重錘部のおもて面（第１の面）に接合部に向かって縮小する傾斜面を形成した付加錘を接合するようにしたことによって、重錘部のおもて面の接合部の面積を小さくすることができ、半導体加速度センサのチップ本体にチップ電極を設ける場合においても感度よく加速度を測定することができる小型化された半導体加速度センサを得ることができるという効果が得られる。
【０００８】
また、ウエハを個片に分割する工程で、ウエハのおもて面を切断案内スリットを形成した保護板で覆って分割するようにしたことによって、切削液による可撓部への外力の印加を防止して製造時の可撓部の破損を防止することができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、図面を参照して本発明による半導体加速度センサの実施例について説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は実施例１の半導体加速度センサを示す上面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は実施例１の保護板を示す断面図である。なお、図１は図２のＢ−Ｂ断面図において付加錘を２点鎖線で示してこれを除いた状態で示してある。
図１、図２において、１は半導体加速度センサである。
２は基板であり、セラミックス板等で製作されており、その両端部に外部に信号を取出すための複数の端子３が設けられている。
【００１１】
４はチップ本体であり、後述するウエハ２４を個片に分割して形成され、その中央領域に異方性エッチング等により略正方形の４辺の中央部を残して貫通させたスリット５ａが形成され、残された中央部の裏側を掘込んだ掘込部５ｂにより可撓性を持たせた可撓部６が形成されており、スリット５ａおよび可撓部６の裏側の掘込部５ｂに囲まれた部分が重錘部７として形成されている。
【００１２】
シリコンで形成されている可撓部６には、そこに不純物を添加拡散させて形成したピエゾ抵抗素子によりブリッジ回路を構成した可撓部６の変位を電気特性の変化を用いて加速度として測定するための測定素子Ｐが形成されている。
８はチップ電極であり、アルミニウム等でチップ本体４のおもて面（第２の面）の後述する付加錘１５の傾斜面１７に接近した位置の両側にそれぞれ複数形成されており、可撓部６の測定素子Ｐとの間はオーミックコンタクト等により電気的に内部接続され、基板２に設けた端子３との間は金属製のボンディングワイヤ９により電気的に接続されている。
【００１３】
１１は裏板としてのガラス板であり、チップ本体４の裏面（第４の面）に陽極接合等により接合されて重錘部７の下方まで延在する板部材であって、ガラス板１１のおもて面と重錘部７の裏面（第３の面）との間に図２にＳで示す隙間を形成すると共に、ガラス板１１の裏面が接着剤１２により基板２に接合される。これによりチップ本体４がガラス板１１を介して基板２に固定されて搭載される。
【００１４】
隙間Ｓは可撓部６が撓みにより破損しない程度の間隔に設定されており、可撓部６の加速度による振幅を制限して可撓部６の破損を防止している。
なお、ガラス板１１は重錘部７の裏面の全部を覆うものであっても、その一部を覆うものであってもよい。
１５は付加錘であり、金、白金、銀、タングステン、鉛等の比較的密度の大きい金属で製作された錘部材であって、チップ本体４の重錘部７のおもて面（第１の面）に接着剤１６により接合されて固定される。
【００１５】
また、付加錘１５は、円柱の一方の端部に重錘部７との接合部の周囲を囲い、接合部に向かって縮小する円錐面状の傾斜面１７を設けた円柱部と円錐台部とを組合せた形状、つまり重錘部７との接合部が最小面積となる形状に成形され、その最小面積部である付加錘１５の底面により重錘部７のおもて面に接合される。これにより付加錘１５の底面と重錘部７のおもて面との接合部は、可撓部６に接近した状態で接合される。
【００１６】
１９はカバー体であり、セラミックスや金属、樹脂材料等の薄板で製作された無底の箱状部材であって、その４つの側板の底面が基板２に接合されており、これにより形成される空間に上記のチップ本体４や付加錘１５等を収容して外部からの塵埃等の侵入や外力による可撓部６の破損等を防止する。
図３において、２１は保護板であり、金属または樹脂材料等の板材に切刃２２の厚さよりも大きい幅の切断案内スリット２３を形成した板状部材であって、後述する製造工程でシリコンの単結晶体を薄板にしたウエハ２４を切断するときにウエハ２４に形成された可撓部４を切屑の除去や冷却のために噴射される水等の切削液による外力から保護する機能を有している。
【００１７】
２５は切欠部であり、切断案内スリット２３のウエハ２４側の長手方向の両方の角部を略台形状の断面形状で溝状に切欠いて設けられ、ウエハ２４を切断するときの切削液の飛散を防止する。
なお、保護板２１は切断案内スリット２３等を形成した１枚板であってもよく、切断案内スリット２３を長手方向に切断した１対の板部材を組合せるようにしてもよい。
【００１８】
上記の構成の作用について説明する。
以下に図４〜図９を用い、本実施例の半導体加速度センサ１の製造工程について説明する。
工程Ａ、図４に示すようにウエハ２４の各チップ本体４となる複数の部位に、異方性エッチング等により上記のスリット５ａを形成し、残された中央部の裏側を掘込んだ掘込部５ｂにより可撓部６を形成し、スリット５ａおよび掘込部５ｂにより重錘部７を形成し、可撓部６に不純物を添加拡散させて所定の位置に加速度を測定するための測定素子Ｐを形成し、この測定素子Ｐに内部接続するチップ電極８をウエハ２４のおもて面に設け、複数のチップ本体４を形成したウエハ２４を製造する。そして複数のチップ本体４を形成したウエハ２４の裏面にガラス板１１を陽極接合等により接合する。
【００１９】
工程Ｂ、図５に示すようにガラス板１１を接合したウエハ２４のおもて面を切断案内スリット２３を形成した保護板２１で覆い、その切断案内スリット２３に切削液を噴射しながら切断案内スリット２３に沿ってガラス板１１を接合したウエハ２４を高速回転する切刃２２により切断して個片に分割し、裏面にガラス板１１を接合したチップ本体４を切り出す。
【００２０】
この場合に、ウエハ２４は、Ｘ−Ｙ方向および回転方向の割出しが可能な割出装置に固定し、Ｘ方向に所定の距離を間欠的に移動させて切刃２２により複数の短冊状に切断した後に９０度回転移動させ、前記と同様に所定の距離を間欠的に移動させながら個片に分割する。
また、切断時の切削液や切屑は、切刃２２によるこれらの巻上げを保護板２１の切欠部２５により受止めて排出するので、切削液や切屑の飛散を抑制すると共に少ない切削液で切刃２２を有効に冷却することができる他、保護板２１で切断箇所以外の部位を覆っているので飛散した切屑等が他の部位に付着することも防止できる。
【００２１】
更に、保護板２１がウエハ２４の切断部以外の部位を覆ってウエハ２４に形成されている可撓部６に噴射された切削液が当って外力が印加されることを防止するので、可撓部６の破損を防止することができる。
工程Ｃ、図６に示すように個片に分割されたガラス板１１を接合したチップ本体４を、複数の端子３を設けた基板２の略中央部に接着剤１２により接合する。
【００２２】
工程Ｄ、図７に示すように基板２にガラス板１１を介して接合されたチップ本体４のおもて面に設けられたチップ電極８と、基板２の端子３とをワイヤボンダ等を用いてボンディングワイヤ９により接続して配線する。
工程Ｅ、図８に示すように基板２の端子３とチップ電極８とを接続した後に、チップ本体４の重錘部７のおもて面に付加錘１５の傾斜面１７の先端の底面、つまり最小面積部を接着剤１６により接合する。
【００２３】
この場合に、付加錘１５は傾斜面１７による最小面積部で重錘部７に接合して可撓部６接近した状態とすることができるので、チップ本体４に形成した可撓部６間の間隔、つまり付加錘１５を接合する重錘部７のおもて面の面積を小さくしてチップ本体４の両側に設けたチップ電極８間の距離を短くすることができ、チップ本体４の小型化を図ることができると共に次工程で接合するカバー体１９の小型化を図ることができる。
【００２４】
工程Ｆ、そしてカバー体１９の側板の底面を基板２に接合し、カバー体１９と基板２により形成された空間にチップ本体４や付加錘１５等を収容して図２に示す半導体加速度センサ１を製造する。
このようにして製造された半導体加速度センサ１は、重錘部７のおもて面に比較的密度の大きい付加錘１５が接合されているので、加速度や衝撃等を感度よく測定することができる。
【００２５】
なお、付加錘１５の形状は円柱の一方の端部に円錐面の傾斜面を形成した形状として説明したが、付加錘１５の形状は前記に限らず、正四角柱や正六角柱等の正多角柱の各側面を接合部に向かって縮小する傾斜面１７とした形状としてもよく、正多角柱の一方の端部に円錐面の傾斜面１７を形成した形状としてもよい。
このようにすれば、半球形で形成した付加錘１５に較べて同じ重さの付加錘１５を得る場合に接合部の面積が小さく、かつ小型化した付加錘１５を得ることができる他、単に円柱や正多角柱で製作した付加錘１５に較べて接合部の面積を小さくしてチップ本体４の小型化を図ることができる。
【００２６】
以上説明したように、本実施例では、チップ本体の重錘部のおもて面に、接合部に向かって縮小する傾斜面を形成した付加錘を接合するようにしたことによって、重錘部のおもて面の接合部の面積を小さくすることができ、半導体加速度センサのチップ本体にチップ電極を設ける場合においても、感度よく加速度を測定することができる小型化された半導体加速度センサを得ることができる。
【００２７】
また、チップ本体の裏面にガラス板を接合し、ガラス板と重錘部の裏面との間に隙間Ｓを形成するようにしたことによって、可撓部の撓み量を制限することができ、可撓部の加速度測定に伴う破損を防止することができる。
更に、付加錘に設けた傾斜面に接近させてチップ電極を配置し、チップ電極と基板の端子とをボンディングワイヤで接続するようにしたことによって、チップ本体の小型化と共に半導体加速度センサの小型化を図ることができる。
【００２８】
更に、ウエハを個片に分割する工程で、ウエハのおもて面を切断案内スリットを形成した保護板で覆って分割するようにしたことによって、切削液による可撓部への外力の印加を防止して製造時の可撓部の破損を防止することができる。
更に、保護板の切断案内スリットのウエハ側に切欠部を形成するようにしたことによって、切刃による切削液や切屑の巻上げを切欠部２５で受止めながら排出することができ、切削液等の飛散を抑制することができると共に少ない切削液で切刃を有効に冷却することができる。
【００２９】
更に、チップ本体のチップ電極と基板の端子とをボンディングワイヤにより接続して配線する工程の後に、付加錘の最小面積部を重錘部のおもて面に接合するようにしたことによって、ボンディングワイヤによる配線を容易に行うことができる。
【実施例２】
【００３０】
図９は実施例２の半導体加速度センサを示す上面図、図１０は図９のＣ−Ｃ断面図である。
なお、図９は実施例１の図１と同様の断面図において付加錘を２点鎖線で示してこれを除いた状態で示してある。また上記実施例１と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３１】
本実施例のチップ本体４には、実施例１でスリット５ａにより形成された大きい正方形の４隅を、異方性エッチング等により小さい正方形の１つ隅を付加錘１５と重錘部７との接合部、つまり付加錘１５の接合部としての底面の外径に外接する斜めに切欠いた斜辺を有する形状に切取った切取部３１を形成して大きい正方形の４辺の中央部を残し、残された中央部に実施例１と同様に掘込部５ｂを設けて可撓部６を形成し、切取部３１の斜辺および可撓部６の裏側の掘込部５ｂに囲まれた接合部に外接する略正方形の断面を有する略四角柱の部分が重錘部７として形成される。これにより可撓部６の幅に較べて重錘部７とチップ本体４との距離を長くした比較的広い面積を有する切取部３１を切取って重錘部７を形成することが可能になる。
【００３２】
上記の構成の作用について説明する。
本実施例の製造工程は、上記実施例１の製造工程と同様であるので、その説明を省略する。この場合に工程Ａおいてスリット５ａを形成に替えて切取部３１が形成される。
このように、本実施例では、上記実施例１と同様の効果に加えて、比較的細いスリットの形成に替えて比較的広い面積を有する切取部により重錘部を接合部に外接する略正方形として形成するようにしたことによって、重錘部を形成するエッチング工程において重錘部と可撓部とをチップ本体に容易に形成することができ、エッチング残りに伴う可撓性のバラツキを低減して可撓部の可撓性の均一化を図ることができる。
【実施例３】
【００３３】
図１１は実施例３のウエハを示す断面図である。
なお、図１１は実施例１の図２と同様の断面図として示してある。また上記実施例１と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施例のウエハ２４の裏面には、異方性エッチング等によりウエハ２４を個片に分割してチップ本体４を切り出すときの切断線に沿って切断案内溝４１が形成されている。
【００３４】
また、本実施例のチップ本体４の構成は上記実施例１と同様である。
上記の構成の作用について説明する。
以下に図１２〜図１８を用い、本実施例の半導体加速度センサ１の製造工程について説明する。
工程ＡＡ、図１２に示すように上記実施例１の工程Ａと同様にして複数のチップ本体４を形成したウエハ２４を製造し、ウエハ２４の裏面にガラス板１１を接合する。この場合に異方性エッチング等によりスリット５ａや可撓部６を形成して重錘部７を形成するときに上記の切断案内溝４１をウエハ２４の裏面に形成する。
【００３５】
工程ＢＡ、図１３に示すようにガラス板１１を接合したウエハ２４のおもて面を、切断案内スリット２３を形成した保護板２１で覆い、その切断案内スリット２３に切削液を噴射しながら切断案内スリット２３に沿ってウエハ２４を高速回転する２０００番〜４０００番程度の第１の切刃４２により切込んで切断案内溝４１に到る切込溝４３を形成する。
工程ＣＡ、切込溝４３を形成後に図１４に示すようにウエハ２４のおもて面から切込溝４３に沿って第１の切刃４２より薄い厚さの６００番〜１０００番程度の第２の切刃４４によりガラス板１１を切断して裏面にガラス板１１を接合したチップ本体４を個片に分割する。
【００３６】
上記の工程ＢＡおよび工程ＣＡによる切断工程のウエハ２４は、実施例１の工程Ｂと同様に間欠移動、回転移動させながら個片に分割される。
この場合に、切断案内溝４１を形成してウエハ２４およびガラス板１１を同一の切刃で切断しないで、第１の切刃４２および第２の切刃４４により別に切断するので、異種材で形成される界面を加工する必要がなくなり、ウエハ２４のガラス板１１からの剥れを防止することができる。
【００３７】
なお、保護板２１および切欠部２５による作用は、実施例１と同様である。
その後の図１５〜図１７に示す工程ＤＡ〜工程ＦＡの作動は、実施例１の工程Ｃ〜工程Ｅの作動と同様であるのでその説明を省略する。
工程ＧＡ、チップ本体４の重錘部７のおもて面に付加錘１５を接合した後に、カバー体１９の側板の底面を基板２に接合し、カバー体１９と基板２により形成された空間にチップ本体４や付加錘１５等を収容して図１８に示す半導体加速度センサ１を製造する。
【００３８】
なお、本実施例では第１の切刃４２と第２の切刃４４についてその粗さを示したが、粗さ以外の材料や第１および第２の切刃の大きさは適宜設定すればよい。
以上説明したように、本実施例では、上記実施例１と同様の効果に加えて、ウエハの裏面に切断案内溝を形成してウエハおよびガラス板を第１の切刃４２および第２の切刃４４のより別の工程で切断するようにしたことによって、異種材で形成される界面を切削する必要がなくなり、ウエハのガラス板からの剥れを防止することができる。
【００３９】
上記各実施例においては、付加錘を接合する工程をチップ電極と端子とをボンディングワイヤにより配線する工程の後に行うとして説明したが、付加錘を接合する工程を先の工程とし、その後にボンディングワイヤにより配線する工程としてもよい。
また、チップ本体の裏面にガラス板からなる裏板を接合するとして説明したが、チップ本体の裏面に接合する裏板は前記に限らず、シリコンや金属等の薄板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施例１の半導体加速度センサを示す上面図
【図２】図１のＡ−Ａ断面図
【図３】実施例１の保護板を示す上面図
【図４】実施例１の半導体加速度センサの製造工程Ａを示す説明図
【図５】実施例１の半導体加速度センサの製造工程Ｂを示す説明図
【図６】実施例１の半導体加速度センサの製造工程Ｃを示す説明図
【図７】実施例１の半導体加速度センサの製造工程Ｄを示す説明図
【図８】実施例１の半導体加速度センサの製造工程Ｅを示す説明図
【図９】実施例２の半導体加速度センサを示す上面図
【図１０】図９のＣ−Ｃ断面図
【図１１】実施例３のウエハを示す部分断面図
【図１２】実施例３の半導体加速度センサの製造工程ＡＡを示す説明図
【図１３】実施例３の半導体加速度センサの製造工程ＢＡを示す説明図
【図１４】実施例３の半導体加速度センサの製造工程ＣＡを示す説明図
【図１５】実施例３の半導体加速度センサの製造工程ＤＡを示す説明図
【図１６】実施例３の半導体加速度センサの製造工程ＥＡを示す説明図
【図１７】実施例３の半導体加速度センサの製造工程ＦＡを示す説明図
【図１８】実施例３の半導体加速度センサの製造工程ＧＡを示す説明図
【符号の説明】
【００４１】
１    半導体加速度センサ
２    基板
３    端子
４    チップ本体
５ａ  スリット
５ｂ  掘込部
６    可撓部
７    重錘部
８    チップ電極
９    ボンディングワイヤ
１１  ガラス板
１２、１６  接着剤
１５  付加錘
１７  傾斜面
１９  カバー体
２１  保護板
２２  切刃
２３  切断案内スリット
２４  ウエハ
２５  切欠部
３１  切取部
４１  切断案内溝
４２  第１の切刃
４３  切込溝
４４  第２の切刃
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2006105798.tif 000011
【図１０】
2006105798.tif 000012
【図１１】
2006105798.tif 000013
【図１２】
2006105798.tif 000014
【図１３】
2006105798.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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