【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  異なる波長を有する少なくとも２つのビームを生成するソースと、
長さが変動し得る測定経路と第１の動作モードと第２の動作モードとを有する分散干渉計手段であって、該第１の動作モードでは、該分散干渉計手段が、逆分散力Γおよびその均等物の初期値および更新された値を計算することを可能にする情報を提供し、該第２の動作モードでは、該分散干渉計手段が、該異なる波長の両方の波長における該測定経路内の空気の短期の屈折率の変動に関する情報を提供し、該第１の動作モードで決定されたΓの現在の値を用いて該測定経路の長さを測定する、分散干渉計手段と、
該測定経路の近くにある屈折計手段であって、該分散干渉計手段が該測定経路において測定を行なっている間に、少なくとも第１の波長に対して、該測定経路の外部の空気の長期の屈折率の変動を直接的に測定する屈折計手段と、
（１）該測定経路が少なくとも２つの位置の間で変動する該第１の動作モードに該分散干渉計を置き、該測定経路の近くの空気の屈折率の長期の変動に関する測定を該屈折計手段から受け取り、該分散干渉計が第１の動作モードにある間に、所定の時間にわたって該長期の屈折率の変動を平均化し、該屈折計手段が該第２の動作モードにある場合には、該長期の屈折率の平均値が該測定経路における屈折率と実質的に同じであるという仮定の下で、該長期の屈折率の平均値を用いてΓの初期値を計算し、以後の計算に用いるためにΓの該初期値を格納し、
（２）該分散干渉計手段が該測定経路における屈折率の短期の変動に関する測定を生成する該第２の動作モードに該分散干渉計を置き、該短期の測定を平均化し、該短期の屈折率値の瞬間値とその平均値との間の差を決定し、該差と該長期の屈折率の平均値とを連続的に比較し、比較の限界が超えられているか否かを決定し、もし超えられているなら、該分散干渉計手段の該第１のモードに再び入ることによってΓの現在の値を更新し、もし超えられていないなら、該分散干渉計手段の該第２の動作モードを継続し、Γの現在の値を用いて該測定経路の物理的な長さを計算する
手段と
を備える、干渉計装置。
【請求項２】  前記ソースは、レーザと、該レーザの出力の周波数を２倍にすることにより、前記２つのビームを生成する第２の高調波生成手段とを備える、請求項１に記載の干渉計装置。
【請求項３】  前記分散干渉計手段は、前記ビームのうちの１つを受け取り、前記測定経路に関する分散情報を生成するための第３の波長において別のビームを生成する第２の高調波生成手段をさらに含む、請求項１に記載の干渉計装置。
【請求項４】  前記屈折計手段は、２つの異なる波長で動作することにより、前記逆分散力に関する情報を生成する２つの屈折計を備える、請求項１に記載の干渉計装置。
【請求項５】  空気の長期の屈折率を測定する前記屈折計手段は、それらの間に既知の物理的な長さを有する一対の基準マークを変換ステージ上に備え、該基準マークの間の距離に対応する光路長に関連する情報を生成し、該物理的な経路の長さに対する該光路長の比に基づいて該屈折率を決定する、請求項１に記載の干渉計装置。
【請求項６】  前記干渉計装置と動作的に関連付けられたマイクロリソグラフィ手段であって、ウェハを製造するマイクロリソグラフィ手段をさらに備え、
該マイクロリソグラフィ手段は、
ウェハを支持する少なくとも１つのステージと、
空間的にパターニングされた放射を該ウェハ上に投影する照射システムと、
該投影された放射に対する該少なくとも１つのステージの位置を調整する位置決めシステムと
を備え、
該干渉計装置は、該投影された放射に対する該ウェハの位置を測定するように構成されている、請求項１に記載の干渉計装置。
【請求項７】  前記干渉計装置と動作的に関連付けられたマイクロリソグラフィ手段であって、ウェハ上に集積回路を製造する際に用いられるマイクロリソグラフィ手段をさらに備え、
該マイクロリソグラフィ手段は、
ウェハを支持する少なくとも１つのステージと、
放射ソースと、マスクと、位置決めシステムと、レンズアセンブリと、該干渉計装置の所定の部分を含む照射システムと
を備え、
該マイクロリソグラフィ手段は、該ソースが該マスクを介して放射を配向することにより空間的にパターニングされた放射を生成し、該位置決めシステムが該ソースからの放射に対する該マスクの位置を調整し、該レンズアセンブリが該空間的にパターニングされた放射を該ウェハ上に投影し、該干渉計装置が該ソースからの放射に対する該マスクの位置を測定するように動作する、請求項１に記載の干渉計装置。
【請求項８】  該干渉計装置と動作的に関連付けられたマイクロリソグラフィ装置であって、第１および第２のコンポーネントを備える集積回路を製造するマイクロリソグラフィ装置をさらに備え、
該第１および第２のコンポーネントは、互いに対して、および、該干渉計装置に対して移動することが可能であり、該第１および第２のコンポーネントは、第１および第２の測定レグにそれぞれ接続され、該干渉計装置が該第２のコンポーネントに対する該第１のコンポーネントの位置を測定するように共に移動する、請求項１に記載の干渉計装置。
【請求項９】  前記干渉計装置と動作的に関連付けられたビーム書き込みシステムであって、リソグラフィマスクを製造する際に用いられるビーム書き込みシステムをさらに備え、
該ビーム書き込みシステムは、
基板をパターニングする書き込みビームを提供するソースと、
基板を支持する少なくとも１つのステージと、
該書き込みビームを該基板に伝達するビーム配向アセンブリと、
該少なくとも１つのステージと該ビーム配向アセンブリとを互いに対して位置決めする位置決めシステムと
を備え、
該干渉計装置は、該ビーム配向アセンブリに対する該少なくとも１つのステージの位置を測定するように構成されている、請求項１に記載の干渉計装置。
【請求項１０】  異なる波長を有する少なくとも２つのビームを生成するステップと、
分散干渉計手段において該ビームを受けるステップであって、該分散干渉計手段は、長さが変動し得る測定経路と、第１の動作モードと、第２の動作モードとを有し、該第１の動作モードでは、該分散干渉計手段が、逆分散力Γおよびその均等物の初期値および更新された値を計算するための情報を提供するように構成されており、該第２の動作モードでは、該分散干渉計手段が、該異なる波長の両方における該測定経路内の空気の短期の屈折率の変動に関する情報を提供し、該第１の動作モードで決定されたΓの現在の値を用いて該測定経路の長さを測定する、ステップと、
該測定経路における測定が該分散干渉計手段によって行なわれている間に、少なくとも第１の波長に対して、該測定経路の外部かつ近くの空気の長期の屈折率の変動を直接的に測定するステップと、
該測定経路が少なくとも２つの位置の間で変動する該第１の動作モードに該分散干渉計を置き、該測定経路の近くの空気の屈折率の長期の変動に関する測定を該屈折計手段から受け取り、該分散干渉計が第１の動作モードにある間に、所定の時間にわたって該長期の屈折率の変動を平均化し、該屈折計手段が該第２の動作モードにある場合には、該長期の屈折率の平均値が該測定経路における屈折率と実質的に同じであるという仮定の下で、該長期の屈折率の該平均値を用いてΓの初期値を計算し、以後の計算に用いるためにΓの該初期値を格納するステップと、
該分散干渉計手段が該測定経路における短期の屈折率の変動に関する測定を生成する該第２の動作モードに該分散干渉計を置き、該短期の測定を平均化し、該短期の屈折率値の瞬間値とその平均値との間の差を決定し、該差と該長期の屈折率の平均値とを連続的に比較し、比較の限界が超えられているか否かを決定し、もし超えられているなら、該分散干渉計手段の該第１のモードに再び入ることによってΓの現在の値を更新し、もし超えられていないなら、該分散干渉計手段の該第２の動作モードを継続し、Γの現在の値を用いて該測定経路の長さを計算するステップと
を包含する、干渉計方法。
【請求項１１】  前記ビームは、レーザと、該レーザの出力の周波数を２倍にすることにより前記２つのビームを生成する第２の高調波生成手段とによって提供される、請求項１０に記載の干渉計方法。
【請求項１２】  前記分散干渉計手段は、前記ビームのうちの１つを受け取り、前記測定経路に関する分散情報を生成するための第３の波長において別のビームを生成する第２の高調波生成手段をさらに含む、請求項１０に記載の干渉計方法。
【請求項１３】  空気の長期の屈折率を測定するステップは、屈折計を利用する、請求項１０に記載の屈折計方法。
【請求項１４】  前記屈折計は、２つの異なる波長で動作することにより、前記逆分散力に関する情報を生成する２つの屈折計を備える、請求項１３に記載の干渉計方法。
【請求項１５】  空気の長期の屈折率を測定するステップは、それらの間に既知の物理的な長さを有する、変換ステージ上の一対の基準マークを利用し、該基準マークの間の距離に対応する光路長に関連する情報を生成し、該物理的な経路の長さに対する該光路長の比に基づいて該屈折率を決定する、請求項１０に記載の干渉計方法。
【請求項１６】  ウェハを製造するマイクロリソグラフィステップをさらに包含し、
該マイクロリソグラフィステップは、
少なくとも１つのウェハステージ上でウェハを支持する少なくとも１つのステージと、
空間的にパターニングされた放射を該ウェハ上に投影するステップと、
該投影された放射に対する該少なくとも１つのステージの位置を調整するステップと
を包含し、
前記干渉計方法は、該投影された放射に対する該ウェハの位置を測定する、請求項１０に記載の干渉計方法。
【請求項１７】  ウェハ上に集積回路を製造する際に用いられるマイクロリソグラフィステップをさらに包含し、
該マイクロリソグラフィステップは、
少なくとも１つのステージ上でウェハを支持するステップと、
放射ソースと、マスクと、位置決めシステムと、レンズアセンブリとを含む照射システムを提供するステップであって、該照射システムは、該マスクを介して放射を配向し、空間的にパターニングされた放射を生成し、該ソースからの放射に対する該マスクの位置を調整し、該レンズアセンブリは、該空間的にパターニングされた放射を該ウェハ上に投影し、該ソースからの放射に対する該マスクの位置を測定する、ステップと
を包含する、請求項１０に記載の干渉計方法。
【請求項１８】  第１および第２のコンポーネントを備える集積回路を製造するマイクロリソグラフィステップをさらに包含し、
該第１および第２のコンポーネントは、互いに対して、および、干渉計装置に対して移動することが可能であり、該第１および第２のコンポーネントは、第１および第２の測定レグにそれぞれ接続され、該干渉計装置が該第２のコンポーネントに対する該第１のコンポーネントの位置を測定するように共に移動する、請求項１０に記載の干渉計方法。
【請求項１９】  リソグラフィマスクを製造する際に用いられるビーム書き込みプロセスをさらに包含し、
該ビーム書き込みプロセスは、
基板をパターニングする書き込みビームを提供するステップと、
少なくとも１つのステージ上に基板を支持するステップと、
該書き込みビームを該基板に伝達するステップと、
該少なくとも１つのステージと該ビームとを互いに対して位置決めするステップと
を包含し、
該干渉計プロセスは、該ビーム配向アセンブリに対する該少なくとも１つのステージの位置を測定するように構成されている、請求項１０に記載の干渉計方法。
【請求項２０】  測定経路の近くにある屈折計を用いて、少なくとも１つの波長λ１に対する長期の屈折率を測定するステップと、
特性時間Ｔにわたり、該測定経路の近くの該長期の屈折率の時間平均を決定するステップと、
２つの位置の間で干渉計ステージを移動させることにより、該測定経路の長さを変動させるステップと、
分散干渉法と該長期の屈折率の平均値とを用いて、２つの波長λ１，２に対する該測定経路の光路長の変化を測定するステップと、
該長期の屈折率の該平均値を用いて、逆分散力Γを計算するステップと、
Γの該値を現在の値として格納するステップと、
測定経路の近くに配置された屈折計を用いて、λ１のに対する長期の屈折率を連続的に測定するステップと、
特性時間にわたって生成された屈折率の時間平均を連続的に決定するステップと、
波長λ１，２に対する該測定経路の光路長を測定するステップと、
分散干渉法と該逆分散力Γの該格納された現在の値とを用いて、該測定経路における局所的な屈折率Ｎ１２λを計算するステップと、
該局所的な屈折率を時間平均するステップと、
瞬間値と時間平均値との間の差として、該局所的な屈折率の変動を連続的に計算するステップと、
該屈折計において、該局所的な屈折率の該時間平均値と該長期の屈折率の該時間平均値との間の差を連続的にテストするステップと、
（１）該差が所定の限界を超えて変化する場合には、λを較正して、その値を更新する、または、
（２）該差が該所定の限界を超えない場合には、該測定経路の物理的な長さを計算するステップと
を包含する、干渉計方法。