【手続補正書】
【提出日】平成18年12月14日(2006.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域を有する基板と、
前記発光領域上に形成されたオーミック層と、
前記オーミック層上に形成された反射層と、
前記反射層上に形成されたタングステンを含むバリア層と、
前記バリア層上に形成された接着層と、
前記接着層上に形成されたボンディング層と
を具えたことを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記発光領域は、前記基板の片面上のエピタキシャル領域として形成されたことを特徴とする請求項１記載の発光デバイス。
【請求項３】
サブマウントと、前記ボンディング層と前記サブマウントとの間のボンドとをさらに具えたことを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記ボンドは、熱圧着ボンドであることを特徴とする請求項３記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記ボンドは、はんだを含むことを特徴とする請求項３記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記はんだは、スズおよび／または金を含むことを特徴とする請求項５記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記基板は炭化ケイ素を含み、前記エピタキシャル領域は窒化ガリウムを含むことを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記オーミック層は、白金、パラジウム、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／白金、チタン、および／またはチタン／金を含み、
前記反射層は、アルミニウムおよび／または銀を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記バリア層は、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記バリア層は、タングステン約９５％とチタン約５％を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記バリア層は、タングステンを含む第１の層と、ニッケルを含む第２の層とを含むことを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記第１の層は、チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項１１記載の発光デバイス。
【請求項１３】
前記はんだのリフロー温度は、約２１０℃未満であり、
前記バリア層は、厚み約５００Åから厚み約５０，０００Åのチタン／タングステンの層を含むことを特徴とする請求項５記載の発光デバイス。
【請求項１４】
前記はんだのリフロー温度は、約２１０℃より高く、
前記バリア層は、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、該第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層とを含むことを特徴とする請求項５記載の発光デバイス。
【請求項１５】
前記はんだのリフロー温度は、約２５０℃より高く、
前記バリア層は、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、該第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層とを含むことを特徴とする請求項５記載の発光デバイス。
【請求項１６】
前記エピタキシャル領域は、前記第１の面より小さい表面積を有し、
前記バリア層、前記反射層、および前記オーミック層は、前記エピタキシャル領域の表面積より小さい同一の表面積を有し、
前記接着層および前記ボンディング層は、前記バリア層、前記反射層、および前記オーミック層表面積より小さい同一の表面積を有することを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項１７】
前記エピタキシャル領域、前記オーミック層、前記反射層、前記バリア層、前記接着層、および前記ボンディング層は、それぞれ側壁を含み、
前記発光ダイオードは、前記エピタキシャル領域、前記オーミック層、前記反射層、前記バリア層、前記接着層、および前記ボンディング層の側壁上にパッシベーション層をさらに有することを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項１８】
前記エピタキシャル領域、前記オーミック層、前記反射層、前記バリア層、前記接着層、および前記ボンディング層は、それぞれ側壁を含み、
前記発光ダイオードは、前記エピタキシャル領域、前記オーミック層、前記反射層、前記バリア層、前記接着層、および前記ボンディング層の側壁上にパッシベーション層をさらに有することを特徴とする請求項１６記載の発光デバイス。
【請求項１９】
前記パッシベーション層は、前記基板の前記第１の面上にあることを特徴とする請求項１８記載の発光デバイス。
【請求項２０】
サブマウントと、前記ボンディング層と前記サブマウントとの間のはんだ層とをさらに有し、
前記パッシベーション層は、前記はんだ層に対して濡れ性がないことを特徴とする請求項１８記載の発光デバイス。
【請求項２１】
前記接着層と前記ボンディング層との間に、はんだ湿潤層をさらに有することを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項２２】
前記接着層と前記ボンディング層との間に、剪断強さ強化層をさらに有することを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項２３】
複数の発光デバイスを製造する方法であって、
基板上に、デバイス領域を含む複数の間隙を介したメサ領域をエピタキシャル形成する工程と、
前記メサ領域上に、第１の狭小領域を画定する工程と、
前記メサ領域の前記第１の狭小領域上に、タングステンを含むバリア層を含む多層導電性スタックを形成する工程と、
前記メサ領域間の前記基板上、前記メサ領域の露出部分上、および前記多層導電性スタックの露出部分上であって、前記多層導電性スタック上に第２の狭小領域を画定するパッシベーション層を形成する工程と、
前記多層導電性スタック上の前記第２の狭小領域上に、ボンディング層を形成する工程と、
前記メサ間の前記基板をダイシングする工程と
を具え、前記複数の発光デバイスを製造することを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記ダイシングの後に、前記ボンディング層をサブマウントにボンディングすることを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記ボンディングは、前記ボンディング層を前記サブマウントに熱圧着する工程を含むことを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記ボンディングは、前記ボンディング層を前記サブマウントにはんだ付けする工程を含むことを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
前記パッシベーション層は、前記ボンディング層を前記サブマウントにはんだ付けするときに使用するはんだに対して、濡れ性がないことを特徴とする請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記多層導電性スタックは、多層導電性スタックの側壁を含み、
前記エピタキシャル領域は、エピタキシャル領域の側壁を含み、
パッシベーション層の形成は、前記多層導電性スタックの側壁および前記エピタキシャル領域の側壁上への前記パッシベーション層の形成である
ことを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２９】
前記パッシベーション層の形成と、前記ボンディング層の形成との間に、
前記多層導電性スタックの前記第２の狭小領域上に接着層を形成することを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項３０】
前記パッシベーション層の形成と、前記ボンディング層の形成との間に、
前記多層導電性スタックの前記第２の狭小領域上にはんだ湿潤層を形成することを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項３１】
前記パッシベーション層の形成と、前記ボンディング層の形成との間に、
前記多層導電性スタックの前記第２の狭小領域上に剪断強さ強化層を形成することを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項３２】
前記基板は、前記メサ領域に隣接する第１の面と、前記メサ領域と反対側の第２の面とを含み、
前記ダイシングは、前記メサ領域間の前記基板をダイシングして、前記第１の面より表面積は小さい前記第２の面を形成することを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項３３】
前記基板は、炭化ケイ素を含み、
前記エピタキシャル領域は、窒化ガリウムを含むことを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項３４】
前記多層導電性スタックは、オーミック層、反射層、およびタングステンを含む前記バリア層を含むことを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項３５】
前記オーミック層は、白金、パラジウム、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／白金、チタン、および／またはチタン／金を含み、
前記反射層は、アルミニウムおよび／または銀を含むことを特徴とする請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
前記バリア層は、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項３７】
前記バリア層は、タングステンを含む第１の層と、ニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項３８】
前記ボンディングは、前記ボンディング層を前記サブマウントに約２１０℃未満で行うはんだ付けであり、
前記バリア層は、厚み約５００Åから厚み約５０，０００Åのチタン／タングステンの層を含むことを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項３９】
前記ボンディングは、前記ボンディング層を前記サブマウントに約２１０℃未満で行うはんだ付けであり、
前記バリア層は、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、該第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層とを含むことを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項４０】
前記ボンディングは、前記ボンディング層を前記サブマウントに約２５０℃未満で行うはんだ付けであり、
前記バリア層は、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、該第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項２３記載の方法。