Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微粒子固形物、有機媒体および／または水、および式１、式（２）または式２ａの化合物をそれらの塩を含めて含有する、組成物：
【化１】
2007523966.tif 000001
【化７】
2007523966.tif 000002
【化８】
2007523966.tif 000003
ここで、
Ｒは、Ｃ１〜５０−必要に応じて置換したヒドロカルビルである；
Ｙは、Ｃ２〜４−アルキレンオキシである；
Ｔは、Ｃ２〜４−アルキレンである；
Ａは、二塩基酸またはそれらの無水物の残基であり、ここで、Ａは、脂肪族炭素−炭素二重結合を有することを特徴とする二塩基酸または無水物の残基ではない；
Ｚは、ポリアミンおよび／またはポリイミンの残基である；
Ｗは、オキシド、尿素または二塩基酸またはそれらの無水物の残基である；
ｘは、２〜６０である；そして
下付き文字０−Ｖは、下付き文字０〜Ｖであり；
ｖは、ＲＯ−（Ｙ）ｘ−Ｔ−ＮＨ−Ａ−基を持っていないＺ中のアミノおよび／またはイミノ基の利用可能な最大数を表わす；
Ｘ−＊−＊−Ｘは、ポリアミンおよび／またはポリイミンを表わす；
Ｑは、ＲＯ−（Ｙ）ｘ−Ｔ−ＮＨ−Ａ−鎖である；
式２において、ｑは、２〜２０００である、
Ｑ１は、式Ｒ１−Ｇ−（Ｂ）ｓ−のポリエステルおよび／またはポリアミド鎖を表わす；
Ｒ１は、水素またはＣ１〜５０−必要に応じて置換したヒドロカルビルである；
Ｇは、二価結合またはカルボニルである；
Ｂは、１個またはそれ以上のアミノカルボン酸および／または１個またはそれ以上のヒドロキシカルボン酸またはそれらのラクトンの残基である；
式２ａにおいて、ｑおよびｓは、ｑ＋ｓが２〜２０００であるような、０より大きい正の整数である、
組成物。
【請求項２】
微粒子固形物、有機媒体および式（１ａ）の化合物およびそれらの塩を含有する、請求項１に記載の組成物：
【化２】
2007523966.tif 000004
ここで：
ＡおよびＡＩは、別個に、二塩基酸の残基であり、これは、同一または異なり得る；そして
ｐは、０〜２００である、
組成物。
【請求項３】
Ｙが、Ｃ３〜４−アルキレンオキシであり、そして（Ｙ）ｘで表わされる鎖が、７５％までの数のエチレンオキシ繰り返し単位を含有し得る、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
ＡおよびＡＩが、マロン酸、コハク酸およびフタル酸からなる群から別個に誘導される残基である、請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
前記Ｚで表わされる基が、ポリエチレンイミンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記有機媒体が、有機液体である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記有機媒体が、プラスチック材料である、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記有機液体が、全有機液体を基準にして、少なくとも０．１重量％の極性有機液体を含有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記微粒子固形物が、顔料である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
ミルベースとして使用するための、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
塗料またはインクとして使用するための、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
式１の化合物、およびそれらの塩：
【化５】
2007523966.tif 000005
ここで、
Ｒは、Ｃ１〜５０−必要に応じて置換したヒドロカルビルである；
Ｙは、Ｃ２〜４−アルキレンオキシである；
Ｔは、Ｃ２〜４−アルキレンである；
Ａは、二塩基酸またはそれらの無水物の残基であり、ここで、Ａは、脂肪族炭素−炭素二重結合を有することを特徴とする二塩基酸または無水物の残基ではない；
Ｚは、ポリアミンおよび／またはポリイミンの残基である；
Ｗは、オキシド、尿素または二塩基酸またはそれらの無水物の残基である；
ｘは、２〜６０である；そして
ｖは、ＲＯ−（Ｙ）ｘ−Ｔ−ＮＨ−Ａ−基を持っていないＺ中のアミノおよび／またはイミノ基の利用可能な最大数を表わす、
化合物。
【請求項１３】
式１、式（２）または式２ａの化合物、およびそれらの塩：
【化６】
2007523966.tif 000006
【化７】
2007523966.tif 000007
【化８】
2007523966.tif 000008
ここで、
Ｒは、Ｃ１〜５０−必要に応じて置換したヒドロカルビルである；
Ｙは、Ｃ２〜４−アルキレンオキシである；
Ｔは、Ｃ２〜４−アルキレンである；
Ａは、二塩基酸またはそれらの無水物の残基であり、ここで、Ａは、脂肪族炭素−炭素二重結合を有することを特徴とする二塩基酸または無水物の残基ではない；
Ｚは、ポリアミンおよび／またはポリイミンの残基であり、該残基は、１，５００以上の数平均分子量を有する；そして
ｘは、２〜６０である；
Ｘ−＊−＊−Ｘは、ポリアミンおよび／またはポリイミンを表わす；
Ｑは、ＲＯ−（Ｙ）ｘ−Ｔ−ＮＨ−Ａ−鎖である；
式２において、ｑは、２〜２０００である、
Ｑ１は、式Ｒ１−Ｇ−（Ｂ）ｓ−のポリエステルおよび／またはポリアミド鎖を表わす；
Ｒ１は、水素またはＣ１〜５０−必要に応じて置換したヒドロカルビルである；
Ｇは、二価結合またはカルボニルである；
Ｂは、１個またはそれ以上のアミノカルボン酸および／または１個またはそれ以上のヒドロキシカルボン酸またはそれらのラクトンの残基である；
式２ａにおいて、ｑおよびｓは、ｑ＋ｓが２〜２０００であるような、０より大きい正の整数である、
化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面活性剤および一般式：
Ｘ−ＭfnＭhmＭar−Ｇ      （Ｉ）
（式中、Ｘは開始剤の残基または水素を表し、
Ｍfは１種以上の弗素化モノマーから誘導された単位を表し、
Ｍhは１種以上の非弗素化モノマーから誘導された単位を表し、
Ｍaは式：
【化１】
2007523970.tif 000001
（式中、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6はそれぞれ独立してアルキル基、アリール基を表し、
Ｙ4、Ｙ5およびＹ6の少なくとも１個は、ハロゲン、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシル基およびアリールオキシ基からなる群から選択された加水分解性基を表す）
によって表されるシリル基を有する単位を表し、
Ｇは連鎖移動剤の残基を含む１価の有機基であり、
ｎは１〜１００の値を表し、
ｍは０〜１００の値を表し、
ｒは０〜１００の値を表し、
ｎ＋ｍ＋ｒは少なくとも２であり、
但し、（ａ）Ｇが式：
【化２】
2007523970.tif 000002
（式中、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3はそれぞれ独立してアルキル基、アリール基または加水分解性基を表し、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3の少なくとも１個は、ハロゲン、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシル基およびアリールオキシ基からなる群から選択された加水分解性基を表す）
のシリル基を含むか、または（ｂ）ｒが少なくとも１である、の条件の少なくとも一方が満たされることを条件とする）
によるフルオロシランを含む水性組成物。
【請求項２】
光学エレメントを処理する方法であって、請求項１に記載の水性組成物に接触させることを含む方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法により得ることができる表面処理された光学エレメント。
【請求項４】
請求項３に記載の表面処理された光学エレメントを含む液体組成物。
【請求項５】
請求項３に記載の表面処理された光学エレメントを含む再帰反射物品。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
図１〜３はそれぞれ車両のドライブトレインの原理回路図を示しており、
図４は、車速が一定の場合の駆動トルクの要求総量（グラフＩ）を走行高度曲線（グラフＩＩ）に関連させて表示する２つのグラフを示している。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
以下では、上記方法を図４に基づいてより詳細に説明する。グラフＩは、電気機械により供給されるトルクＭＥ、内燃機関により供給されるトルクＭＢ及び個々のトルクから構成された所望／所要の全駆動トルクを、グラフＩＩに示されている走行高度曲線に関連させて示している。車速を一定に保つために、過度に高い速度は回生ブレーキ（蓄電池（バッテリ）の充電）により補正され、その一方で、過度に低い車速は電気機械による正のトルクの出力により補正される。蓄電池の比較的長い充電又は放電期間（ｔ＞Ｔｍａｘ）のときにはじめて、内燃機関のトルクは積分器を介して増減調整され、全駆動トルクにおける電気機械の成分が相応してゼロの方向に戻される。つまり、ｔ０からｔ６までの時間、内燃機関のトルクは一定であり、時点ｔ６以降になってようやく上昇し始める。というのも、この時点において、バッテリの放電期間がＴｍａｘよりも長くなり、電気機械のトルクがゼロに向かって戻されるからである。電気機械の補助トルクが、車両のターゲット速度（目標速度）を維持するのに十分でない場合には、内燃機関のトルクか又は変速比が適応調整される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図面の簡単な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
車両のドライブトレインの原理回路図を示す。
【図２】
車両のドライブトレインの原理回路図を示す。
【図３】
車両のドライブトレインの原理回路図を示す。
【図４】
車速が一定の場合の駆動トルクの要求総量（グラフＩ）を走行高度曲線（グラフＩＩ）に関連させて表示する２つのグラフを示す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶剤と、
（ａ）１種以上のジカルボン酸またはその１種以上の誘導体と、１種以上の三官能性以上のアルコールとの反応物、または
（ｂ）１種以上のトリカルボン酸またはトリより高いポリカルボン酸またはその１種以上の誘導体と、１種以上のジオールとの反応物、または
（ｃ）１種以上のトリカルボン酸またはトリより高いポリカルボン酸またはその１種以上の誘導体と、１種以上の三官能性以上のアルコールとの反応物、または
（ｄ）１種以上のジ−またはポリヒドロキシカルボン酸、または
（ｅ）１種以上のヒドロキシジ−またはヒドロキシポリカルボン酸、
とを含む反応溶液または該２種以上の反応溶液の混合物を、酵素としてのリパーゼまたはエステラーゼの存在下に６２〜７５℃の温度および５００ミリバールを超える圧力の条件下で反応させることを特徴とする極めて高い分岐度の高官能性ポリエステルの製造方法。
【請求項２】
反応中に形成する水を除去する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
酵素がリパーゼである請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
リパーゼがCandida antarcticaリパーゼＢである請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
酵素を固定状態で使用する請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
ジ−、トリ−またはポリカルボン酸の誘導体がそれぞれメチルまたはエチルエステルである請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の方法により製造される極めて高い分岐度の高官能性ポリエステル。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の方法により得られる極めて高い分岐度の高官能性ポリエステルを重付加物または重縮合物の製造に使用する方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載の方法により得られる極めて高い分岐度の高官能性ポリエステルまたは請求項８に記載の極めて高い分岐度の高官能性ポリエステルから製造される重付加物または重縮合物を、接着剤、被膜、フォーム、塗料またはカバーに使用する方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法により得られた接着剤、被膜、フォーム、塗料またはカバー。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
本発明の方法は、６２〜７５℃の範囲の温度で行われ、６５〜７５℃の範囲の温度がさらに好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
［実施例３］
１００ｍＬの丸底フラスコにおいて、２５．１ｇ（１４４ミリモル）のジメチルアジペートおよび１１．１ｇ（１２０ミリモル）のグリセロールを、大気圧下に、Ｎｏｖｏｚｙｍ（登録商標）４３５（５ｇ）および分子篩（３０ｇ、０．４ｎｍ）を添加して無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）中で７０℃にて反応させた。５日後、反応混合物を室温に冷却し、酵素をろ過し、そして溶剤を減圧下に蒸留除去した。これにより、２０．５ｇの無色油が得られ、これはＴＨＦに容易に溶解した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨＭＧで処理された脊椎動物細胞からの前炎症性サイトカインの放出を阻害し得る、脊椎動物の高移動度群タンパク質（ＨＭＧ）Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントに特異的に結合するがＨＭＧの非Ｂボックスエピトープには特異的に結合しないモノクローナル抗体。
【請求項２】
請求項１記載のモノクローナル抗体を含有してなる、哺乳動物細胞からの前炎症性サイトカインの放出を阻害するための医薬組成物。
【請求項３】
請求項１記載のモノクローナル抗体を含有してなる、炎症性サイトカインカスケードの活性化に特徴を有する患者における状態を処置するための医薬組成物。
【請求項４】
該HMG  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントが哺乳動物のHMG  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントである、請求項１記載のモノクローナル抗体。
【請求項５】
該哺乳動物のHMG  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントがヒトのHMGＢボックスまたはその生物学的活性フラグメントである、請求項４記載のモノクローナル抗体。
【請求項６】
該哺乳動物のHMG  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントがHMG1  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントである、請求項４記載のモノクローナル抗体。
【請求項７】
該HMG1  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントが、配列番号：５、配列番号：２０、配列番号：１６および配列番号：２３からなる群より選択されるアミノ酸配列を含有してなる、請求項６記載のモノクローナル抗体。
【請求項８】
該脊椎動物細胞がマクロファージ、単球および好中球からなる群より選択される、請求項１記載のモノクローナル抗体。
【請求項９】
該前炎症性サイトカインがTNF、IL-1βおよびIL-6からなる群より選択される、請求項１記載のモノクローナル抗体。
【請求項１０】
該抗体が、キメラ抗体、単鎖抗体またはFab抗体フラグメントである、請求項１記載のモノクローナル抗体。
【請求項１１】
ＨＭＧで処理された脊椎動物細胞からの前炎症性サイトカインの放出を阻害し得るヒト化抗体である、脊椎動物の高移動度群タンパク質（ＨＭＧ）Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントに特異的に結合するがＨＭＧの非Ｂボックスエピトープには特異的に結合しない単離された抗体。
【請求項１２】
該HMG  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントが哺乳動物のHMG  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントである、請求項１１記載の抗体。
【請求項１３】
該哺乳動物のHMG  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントがヒトのHMGＢボックスまたはその生物学的活性フラグメントである、請求項１２記載の抗体。
【請求項１４】
該哺乳動物のHMG  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントがHMG1  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントである、請求項１２記載の抗体。
【請求項１５】
該HMG1  Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントが、配列番号：５、配列番号：２０、配列番号：１６および配列番号：２３からなる群より選択されるアミノ酸配列を含有してなる、請求項１４記載の抗体。
【請求項１６】
i)HMG  Bボックスまたはその生物学的活性フラグメントが配列番号：５または配列番号：２０の配列に対して少なくとも９０％同一であるアミノ酸配列を含有する、脊椎動物の高移動度群タンパク質（ＨＭＧ）Ｂボックスまたはその生物学的活性フラグメントに特異的に結合する；
ii) ＨＭＧの非Ｂボックスエピトープには特異的に結合しない；および
iii) ＨＭＧで処理された脊椎動物細胞からの前炎症性サイトカインの放出を阻害する、
モノクローナル抗体。
【請求項１７】
薬学的に許容され得る賦形剤中に請求項１、４〜１６いずれか記載の抗体を含有してなる組成物。
【請求項１８】
早期セプシスメディエイタのアンタゴニストをさらに含有してなる、請求項１７記載の組成物。
【請求項１９】
該HMG  Bボックスまたはその生物学的活性フラグメントが配列番号：５または配列番号：２０の配列に対して少なくとも９０％同一であるアミノ酸配列を含有してなる、請求項１１記載の抗体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月10日(2007.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コーティングを備える抗微生物性物品であって、前記コーティングは脂肪酸モノエステルおよびエンハンサーを含み、前記エンハンサーはキレート剤または有機酸であり、前記脂肪酸モノエステルおよび前記エンハンサーは、微生物の少なくとも９９．９％を殺傷するのに有効量で存在する、抗微生物性物品。
【請求項２】  抗微生物性物品を作成する方法であって、物品を０．００１重量％〜３０重量％の脂肪酸モノエステルと０．００１重量％〜８５重量％のエンハンサーを含む抗微生物組成物で処理することと、前記処理された物品を乾燥させることとを含み、前記エンハンサーはキレート剤または有機酸であり、前記抗微生物性物品は微生物の少なくとも９９．９％を殺傷するのに有効である、方法。
【請求項３】  抗微生物性物品を作成する方法であって、物品を０．００１重量％〜３０重量％の脂肪酸モノエステルを含む第１の組成物で処理することと、前記物品を０．００１重量％〜８５重量％のエンハンサーを含む第２の組成物で処理することと、前記処理された物品を乾燥させることとを含み、前記エンハンサーはキレート剤または有機酸であり、前記抗微生物性物品は微生物の少なくとも９９．９％を殺傷するのに有効である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）Ｃ８〜Ｃ１６脂肪酸モノグリセリドまたは１種以上のＣ８〜Ｃ１６脂肪酸モノグリセリドを少なくとも８０重量％含むグリセリド類の混合物と、（ｂ）親水性促進材料とが、中に組み込まれたポリプロピレン繊維。
【請求項２】  （ａ）繊維が親水性であるように、有効量のＣ８〜Ｃ１６脂肪酸モノグリセリドが中に組み込まれた親水性ポリプロピレン繊維を含む吸収層と、
（ｂ）前記吸収層の外面に接着された液体不透過性で且つ水蒸気透過性である裏材シートであって、前記吸収層と実質的に同じ広がりをもつ裏材シートと、
（ｃ）前記裏材シートが接着される表面の反対側に、前記吸収層の表面と実質的に同じ広がりをもち且つ吸収層の表面に接着された液体透過性シートと、
を含む、創傷用包帯。
【請求項３】  繊維が親水性であるように、有効量のＣ８〜Ｃ１２脂肪酸モノグリセリドが中に組み込まれたポリプロピレン繊維と、有効量の抗菌性促進材料とを含む吸収層を含み、前記繊維がグラム陽性菌およびグラム陰性菌に対して抗菌性である、医用物品。
【請求項４】  （ａ）溶融ポリプロピレンおよび十分な量の（ｉ）少なくとも１つのＣ８〜Ｃ１６脂肪酸モノグリセリドおよび（ｉｉ）繊維に親水性を与えるのに有効な親水性促進材料を含むホットメルト混合物を調製するステップと、
（ｂ）前記混合物を押出して繊維にするステップと
を含む、親水性繊維を製造する方法。
【請求項５】  親水性であり、かつグラム陽性菌およびグラム陰性菌に対して抗菌性である繊維を製造する方法であって、
（ａ）溶融ポリプロピレンと、親水性およびグラム陽性菌に対する抗菌活性の両者を前記繊維の表面に与えるのに有効量の少なくとも１種のＣ８〜Ｃ１２脂肪酸モノグリセリドとを含むホットメルト混合物を調製するステップと、
（ｂ）前記混合物を押出して繊維にするステップと、
（ｃ）前記繊維を、少なくとも１種の抗菌性促進材料を含む液体組成物と接触させ、その結果、前記繊維を冷却し、少なくとも部分的に凝固させて、前記繊維表面がグラム陰性菌に対して抗菌性であるように、十分な濃度で且つ一様性な前記抗菌性強化材料の本質的に乾燥した被膜を前記繊維の表面上に生成するステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  方向性電磁ケイ素薄鋼板の磁気特性をレーザー処理によって改善する方法であって、既に二次再結晶焼なましを受け、通常の上塗りが付与された方向性ケイ素鋼帯を、移動している該鋼帯の移動方向に対してほぼ横方向に該鋼帯を連続的に走査するように10.46μｍの波長を有する連続放出レーザーで処理することを含み、該レーザービーム処理の前後に連続的に測定される磁気歪み、磁気誘導および鉄損から選択される該鋼帯の磁気特性の少なくとも１つの改善を最適化し、前記上塗りに損傷を与えないように、以下の予め選択されたプロセスパラメーター：比放射エネルギー、滞留時間、および該薄鋼板上にある２つの連続したレーザービームのトレース間の距離を、同時かつ常にそれぞれ0.1〜25mJ/mm2、1×10-6〜1×10-2sおよび２〜12mmの範囲内になるように調節することを特徴とする、前記方法。
【請求項２】  比放射エネルギーが好ましくは２〜８mJ/mm2であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  比放射エネルギーが３〜５mJ/mm2である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  滞留時間が1×10-5〜1×10-3sであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  滞留時間が1×10-4〜８×10-4sである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  ２つの連続した線間の距離が3.5〜８mmの範囲に維持されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  ２つの連続した線間の距離が平均結晶粒径よりも10〜20％低い値に維持される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  レーザビームの走査速度が800〜10000m/分、レーザビームスポットの横方向のサイズが1〜60mm、レーザ光学系のポリゴンミラーの回転速度が100〜10000回転/分であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  レーザビームの走査速度が1500〜6000m/分であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  レーザビームスポットの横方向のサイズが5〜50mmであることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】  レーザビームスポットの横方向のサイズが7〜40mmであることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  レーザ光学系のポリゴンミラーの回転速度が600〜6000回転/分であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このことに関して、図７および９（および本文中のそれに関連する説明）には、磁区を微細化することによって得られる改善をレーザー処理後の磁気ひずみ状態と関連付けることができると述べられている。なぜなら、磁気ひずみの変化は、レーザー処理に付される領域内に誘導される非180°磁壁部分の定量的尺度であり、磁区の最良の微細化結果は磁気ひずみの増大とともに得られるからである。この状況はその他の文献にも見られ、例えば、ヨーロッパ特許第87587号(優先日1980年１月25日)には、レーザービームによる電磁薄鋼板の照射方法が記載されている。この発明は、レーザー処理後に薄鋼板に液体被覆剤を塗布し、この被覆を600℃以下の温度で焼なましすることにある。このような温度の限定は、レーザー型処理による損失の改善が500〜600℃よりも高い温度では完全に消失するという事実によるものである。かかる特許は、レーザー処理による効果を、損失を低減するためだけでなく、磁気ひずみを改善するためにも使用することを表明するものである。しかしながら、この態様において、得られる結果についての説得力のある説明はなされていない。実際、表１(これは磁気ひずみの評価がなされている唯一のものである)は、磁気ひずみに関する尺度が17kgの機械負荷に基づくサイズ変化として表されるということを示している。したがって、これに関しては、よく知られているように、機械的牽引が磁気ひずみを改善するということを指摘しなければならない。さらに、報告されたデータから、この発明による結果は、磁気ひずみに関する限り、レーザー処理を行なうことなく単に仕上げ絶縁被覆を塗布することによって得られる結果よりも低いということが分かる。したがって、レーザー処理の唯一の利点は、総鉄損の値を改善することである。
ヨーロッパ特許出願第8385号及び第100638号、並びにイギリス特許出願第2128639A号は、いくつかのプロセスパラメータを選択することによって、特定の放射線エネルギーのための正確な値が、レーザ処理プロセスを通じて使用されるために選択される、電気鋼帯のレーザ処理プロセスを記載している。上記特定の文献によれば、鉄損の改善が一貫して得られ、同時に透磁率は依然として変わらず、低くさえある。他の最終的な特性、例えば、磁気歪みにおける変化について利用できる情報はない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月8日(2007.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも以下の段階：
１、シクロデキストリンを用いたモノマー化合物の錯体化、及び
２、化学酸化剤を使用した錯体化合物の重合
を含んでなるπ−共役ポリマーの製造方法。
【請求項２】  モノマー化合物のシクロデキストリン錯体の溶液又はエマルションを用いた処理及び続く又は同時の酸処理によりπ−共役ポリマーの伝導層が穿孔壁の上に形成され、そして金属がこの層の上に電気メッキにより付着されることを特徴とする貫通接触回路板及び多層体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰イオン系界面活性剤をカルボキシル化アルキルポリグリコシドと組み合わせることを含む、陰イオン系界面活性剤の発泡増加方法。
【請求項２】
前記カルボキシル化アルキルポリグリコシドが、アルキルポリグリコシドとα−又は２−ハロカルボン酸との反応生成物，アルキルポリグリコシドとα−β−不飽和カルボン酸との反応生成物，アルキルポリグリコシドと環状カルボン酸無水物との反応生成物，又はこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記カルボン酸アルキルポリグリコシドが、化学式（Ｉ）：
Ｒ1Ｏ（Ｒ2０）b（Ｚ）aＯＣＨ2０００-Ｘ+    （Ｉ）
からなり、
式中  Ｒ1は６〜３０の炭素原子を有する一価有機基、Ｒ2は２〜４炭素原子を有する二価アルキレン基、Ｚは５〜６炭素原子を有する糖類残基、ｂは０〜１２の数、ａは１〜６の数、Ｘはアルカリ金属イオンである請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記化学式（Ｉ）において、Ｒ1が８〜１６の炭素原子を有する一価有機基、ｂが０、Ｚがグルコース残基、ａが１〜２である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記化学式（Ｉ）において、Ｒ1が８〜１０炭素原子を有する一価有機基、ｂが０、Ｚがグルコース残基、ａが１．７である請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記化学式（Ｉ）において、Ｒ1が８〜１６の炭素原子を有する一価有機基、ｂが０、Ｚがグルコース残基、ａが１．５５である請求項３又は４に記載の方法。
【請求項７】
前記化学式（Ｉ）において、Ｒ1が１２〜１６の炭素原子を有する一価有機基、ｂが０、Ｚがグルコース残基、ａが１．６である請求項３又は４に記載の方法。
【請求項８】
前記化学式（Ｉ）において、Ｒ1が９〜１１炭素原子を有する一価有機基、ｂが０、Ｚがグルコース残基、ａが１．６である請求項３又は４に記載の方法。
【請求項９】
前記化学式（Ｉ）において、Ｒ1が１２〜１６炭素原子を有する一価有機基、ｂが０、Ｚがグルコース残基、ａが１．４である請求項３又は４に記載の方法。
【請求項１０】
前記化学式（Ｉ）において、Ｒ1が８〜１６炭素原子を有する一価有機基、ｂが０、Ｚがグルコース残基、ａが１．５である請求項３又は４に記載の方法。
【請求項１１】
前記陰イオン系界面活性剤が、アルカリ金属，アルカリ土類金属，アンモニウム，アルキル置換アンモニウム，アルカノールアンモニウムのＣ８〜Ｃ２２アルキル脂肪酸塩；牛脂脂肪酸，ココナツ脂肪酸のナトリウム塩；その分子構造内に８〜２２炭素原子を含むアルキル基と、スルホン酸と硫酸エステル基からなる群から選択される遊離基とを有する有機硫黄反応生成物のアルカリ金属塩；有機リン酸エステル及びその混合物からなる群から選択される、請求項３〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記陰イオン系界面活性剤が、アルカリ金属，アルカリ土金属，アンモニウム，アルキル置換アンモニウム，アルカノールアンモニウムのＣ８〜Ｃ２２アルキル脂肪酸塩；牛脂脂肪酸，ココナツ脂肪酸のナトリウム塩；その分子構造内に８から２２炭素原子を含むアルキル基と、スルホン酸と硫酸エステル基からなる群から選択される遊離基とを有する有機硫黄反応生成物のアルカリ金属塩；有機リン酸エステル及びその混合物からなる群から選択される、請求項４〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
発泡増強性組成物であり、前記組成物が化学式（Ｉ）：
Ｒ1Ｏ（Ｒ2０）b（Ｚ）aＯＣＨ2０００-Ｘ+    （Ｉ）
（式中  Ｒ1は６〜３０炭素原子を有する一価有機基、Ｒ２は２〜４炭素原子を有する二価アルキレン基、Ｚは５〜６炭素原子を有する糖類残基、ｂは０〜１２の数、ａは１〜６の数、及びＸはアルカリ金属イオンである）
で表わされる界面活性剤である陰イオン性界面活性剤を含む発泡増強性組成物。
【請求項１４】
請求項１の方法によって製造された生成物。
【請求項１５】
陰イオン系界面活性剤とカルボキシル化アルキルポリグリコシドの混合物を１：４〜４：１の重量比で含んでなる洗浄組成物。
【請求項１６】
混合物が組成物中に２０〜３５重量％含まれてなる請求項１５の洗浄組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】  前記ポリマーはターポリマーであり、前記少なくとも一個のモノマー単位Ａは、
【化２１】
2003500522.tif 000001
（式中、Ｒ10は、ＨまたはＣＨ3であり、Ｒ11は、結合または
【化２２】
2003500522.tif 000002
であり、Ｒ12およびＲ13は、−ＣＨ3または−Ｃ2Ｈ5である）
から成る群から選択され、前記モノマーはモノマー単位Ｃを含む、請求項１１に記載のポリマー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  モノマー単位Ａ：モノマー単位Ｂ：モノマー単位Ｃの前記モル比は、それぞれ１〜９：１〜９：１〜３の範囲である請求項１２に記載のポリマー。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月22日(2007.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ０．２重量％〜５重量％のフッ化物含有材料；
０．０５重量％〜１重量％の少なくとも１つのジカルボン酸、その塩類又は混合物；
０．２重量％〜５重量％の少なくとも１つのヒドロキシカルボン酸、その塩類又は混合物；任意選択的に界面活性剤および残りが実質的に水からなり、そして３．０〜５．７のｐＨを有することを特徴とする水性組成物。
【請求項２】  前記フッ化物含有化合物は、フッ化アンモニウム、フッ化水素酸、フッ化アンチモン（ＩＩＩ／ＶＩ）、フッ化バリウム、フッ化スズ（ＩＩ），フッ化アルミニウム（ＩＩＩ）、フルオロホウ酸塩、フッ化テトラメチルアンモニウム，及び次式
【化１】
2003500527.tif 000001
（式中のＲ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれＨ又は炭素原子数が１２又は１２以下のアルキル基を表する）を有する脂肪族の第一級、第二級及び第三級アミンのフッ化物塩類からなる群から選択されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３】  前記フッ化物含有化合物は、フッ化アンモニウム又はフッ化水素酸から選択されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項４】  前記フッ化物含有化合物が、フッ化アンモニウムであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項５】  前記ジカルボン酸又はその塩類が２〜６の炭素原子数を有することを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項６】  前記ジカルボン酸は、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸及びフマル酸からなる群から選択されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項７】  前記ジカルボン酸は、マロン酸であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項８】  前記ヒドロキシカルボン酸は、マレイン酸、酒石酸及びクエン酸からなる群から選択されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項９】  該ヒドロキシカルボン酸またはその塩が、クエン酸又はクエン酸アンモニウムであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１０】  該ヒドロキシカルボン酸が、 クエン酸であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１１】  該塩が、クエン酸アンモニウムであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１２】  該フッ化物材料が、フッ化アンモニウムであり、該ヒドロキシ酸が、マロン酸及びクエン酸であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１３】  ３．５〜５．４のｐＨを有することを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１４】  フッ化物含有材料の量が、０．２〜１．３重量％であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１５】  ジカルボン酸の量が、０．０５〜０．２重量％であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１６】  ヒドロキシジカルボン酸の量が、０．２〜２重量％であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１７】  さらに、界面活性剤からなることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１８】  前記界面活性剤の量が、５０ｐｐｍ〜３０００ｐｐｍであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１９】  化学−機械研磨によって平滑化されている銅表面に、フッ化物含有材料；少なくとも１つのジカルボン酸、その塩類又は混合物；及び少なくとも１つのヒドロキシカルボン酸、その塩類又は混合物からなり、そして３．０〜５．７のｐＨを有する水性組成物を接触させることからなることを特徴とする化学−機械研磨後の銅表面からの微粒汚染物質の除去法。
【請求項２０】  写真平板法によって半導体ウェ−ハの表面に銅又は銅合金から成る回路を形成する工程；
前記ウェ−ハの表面を化学−機械研磨によって平滑にさせる工程；及び 前記表面にフッ化物含有材料；少なくとも１つのジカルボン酸、その塩類又は混合物；及び少なくとも１つのヒドロキシカルボン酸、その塩類又は混合物からなり、そして３．０〜５．７のｐＨを有する水性組成物を接触させることによって該表面から微粒汚染物質を除去する工程、から成ることを特徴とする半導体集積回路の製造法。
【請求項２１】  前記銅又は銅合金が誘電材料に埋め込まれ、該誘電材料と銅又は銅合金の間に障壁層が存在することを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２２】  前記誘電材料が二酸化ケイ素であり、前記障壁層がタンタル、チタン、及びそれらの窒化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料であることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２３】  １〜２０重量％のフッ化物含有材料；
１〜１０重量％のジカルボン酸、その塩類又は混合物；
１〜３０重量％のヒドロキシカルボン酸、その塩類又は混合物；及び ３０〜５０重量％の水からなることを特徴とする水性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩を含有するかまたはアルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩からなる被覆を備えたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる構造部材を製造する方法において、純粋なアルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩またはアルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩と使用されるアルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩に対してフルオロアルミン酸塩最大５質量％との混合物を使用し、アルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩を乾式フラックス化法または湿式フラックス化法により、所望の場合には結合剤または被膜形成剤と一緒に構造部材上に施こすことを特徴とする、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる構造部材を製造する方法。
【請求項２】  アルミニウム−珪素合金を有する被覆を備えたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる構造部材を製造する方法において、純粋なアルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩、またはアルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩と使用されるアルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩に対してフルオロアルミン酸塩最大５質量％との混合物を使用し、アルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩を乾式フラックス化法または湿式フラックス化法により、所望の場合には結合剤または被膜形成剤と一緒に構造部材上に施こし、この構造部材をアルミニウム−珪素合金が形成されるまで加熱することを特徴とする、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる構造部材を製造する方法。
【請求項３】  ヘキサフルオロ珪酸カリウム、ヘキサフルオロ珪酸セシウムまたはこれらの混合物を使用する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  ３０〜６０ｇ／ｍ2の単位面積当りの質量を有するアルカリ金属フルオロ珪酸塩を施こす、請求項１、２または３記載の方法。
【請求項５】  アルミニウム−珪素合金を形成させるために、アルミニウムまたはアルミニウム合金を５４０〜６１０℃の範囲内の温度に加熱する、請求項２記載の方法。
【請求項６】  弗化アルミニウムまたはアルカリ金属フルオロアルミン酸塩の添加なしに合金を形成させる、請求項２記載の方法。
【請求項７】  請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法により被覆された、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる構造部材。
【請求項８】  アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる構造部材を結合させる方法において、構造部材を請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法により被覆し、場合によってはロウ付けフラックスを添加しながらロウ付けすることを特徴とする、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる構造部材を結合させる方法。
【請求項９】  フラックスの添加、殊に弗化アルミニウムまたはアルカリ金属フルオロアルミン酸塩の添加なしにロウ付けする、請求項８記載の方法。
【請求項１０】  アルカリ金属フルオロ珪酸塩とこのアルカリ金属ヘキサフルオロ珪酸塩に対してアルカリ金属フルオロアルミン酸塩最大５質量％を含む混合物。
【請求項１１】  アルカリ金属がＫまたはＣｓを表わす、請求項１０記載の混合物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月15日(2007.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】  相（ｔ2）の第１の区間（ｔ21) が、ＮＯｘ吸収触媒（１６）内に貯蔵された酸素質量の６０〜９９％をこの時間内に脱離するように、定められることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のカシミール力生成境界と第二のカシミール力生成境界の間のカシミール力に影響を与える物理因子を、第一の値から第二の値に変更するステップと、
前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界の間の間隔を、第一の距離から第二の距離に変えるステップと、
前記物理因子を前記第二の値から第三の値に変更するステップと、
前記間隔を前記第二の距離から第三の距離に変えるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第三の値が前記第一の値に等しい請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第三の距離が前記第一の距離に等しい請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記変更するステップが、前記第一のカシミール力生成境界及び前記第二のカシミール力生成境界の少なくとも一方の自由荷電担体の濃度を変更することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第一の値から第二の値へ変更する前記ステップが、前記少なくとも一方のカシミール力生成境界に光を照射することを含み、
前記第二の値から第三の値へ変更する前記ステップが、前記照射を減少させることを含む、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
間隔を変える前記ステップが、前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界の間の距離を減少させることを含み、
前記間隔を変える前記ステップが、前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界の間の距離を増加させることを含む、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記変更するステップが、前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界の少なくとも一方の温度を変更することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界を介して取得したエネルギーを貯蔵するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界の少なくとも一方が可動であり、前記変えるステップが、前記少なくとも一方のカシミール力生成境界に有効に結合されているミクロメカニカル機器の要素を動かすことを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界を介して取得したエネルギーを、電気機器に配送するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
可変である距離によって互いに隔てられている第一のカシミール力生成境界及び第二のカシミール力生成境界と、
前記第一のカシミール力生成境界及び前記第二のカシミール力生成境界の少なくとも一方に作用するエネルギー転換システムと、
を含む装置であって、前記エネルギー転換システムは、
前記第一のカシミール力生成境界及び前記第二のカシミール力生成境界の少なくとも一方の物理因子を変更するように作用する第一の機器と、
前記第一の機器が前記物理因子を変更する間、前記距離を変えるもしくは前記距離を変えることを妨げるように作用する第二の機器と、
を含む、装置。
【請求項１２】
前記第一の機器が、前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界の少なくとも一方に光を照射するように作用する照射源を含む請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第一の機器が、前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界の少なくとも一方を加熱するように作用する熱輻射源を含む請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記第一の機器が電磁輻射源である請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記第一のカシミール力生成境界の第二の側面が導電性であり、
前記第二のカシミール力生成境界の第二の側面が導電性であり、
前記第二の機器が、前記第一のカシミール力生成境界の前記第二の側面及び前記第二のカシミール力生成境界の前記第二の側面に電気的に結合された電源である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記第一のカシミール力生成境界の前記第二の側面と間隔をおいてかつ近接して配置された第一の導電性板と、
前記第二のカシミール力生成境界の前記第二の側面と間隔をおいてかつ近接して配置された第二の導電性板と、
を更に含む請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記電源が前記第一の導電性板及び前記第二の導電性板に電気的に結合されている請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記第一のカシミール力生成境界の前記第二の側面及び前記第二のカシミール力生成境界の前記第二の側面が両方共第一の電位にあり、
前記第一の導電性板と前記第二の導電性板が両方共第二の電位にある、
請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界の少なくとも一方が、半導体及び化合物半導体から成る群から選ばれる物質を含む請求項１１に記載の装置。
【請求項２０】
前記物質が、不純物を、該不純物が無い前記物質と較べて、輻射線に晒されたときに自由荷電担体の濃度が増加するようにドープされている請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記第一のカシミール力生成境界と前記第二のカシミール力生成境界の少なくとも一方がミクロメカニカル機器に有効に結合されている請求項１１に記載の装置。
【請求項２２】
電気を消費する機器に電気的に結合されている請求項１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月13日(2006.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  差動入力信号から選択された周波数をフィルタリングするフィルタであって、差動入力信号は正の入力信号、負の入力信号を有し、フィルタは、効果的に第２の周波数を通過しつつ、差動入力信号から第１の周波数を効果的に除去し、フィルタは、差動入力信号の正の入力信号を受信するための正の入力端子、差動の入力信号の負の入力信号を受信するための負の入力端子を有することを特徴とし、
正の入力信号、負の入力信号を比較するための入力を有し、正の入力信号および負の入力信号の間の差に相当する制御信号を提供する比較手段と、
制御信号を受信し、一つ以上のオフセット信号をフィルタの正の入力端子、負の入力端子に提供するオフセットオフセット手段であって、１つ以上のオフセット信号は、差動入力信号の正の入力信号と負の入力信号の間の差を効果的に除去し、第２の周波数で差動入力信号の正の入力信号と負の入力信号の間の差を実質的に変化させない、オフセット手段と、
いう改良を含む、フィルタ。
【請求項２】  差動入力信号から選択された周波数をフィルタリングするフィルタであって、差動入力信号は正の入力信号、負の入力信号を有し、フィルタは、効果的に第２の周波数を通過しつつ、差動入力信号から第１の周波数を効果的に除去し、フィルタは、差動入力信号の正の入力信号を受信するための正の入力端子、差動の入力信号の負の入力信号を受信するための負の入力端子を有することを特徴とし、フィルタは、
差動入力信号の正の入力信号、負の入力信号を比較するための入力を有し、正の入力信号および負の入力信号の間の差に相当する制御信号を提供する比較手段と、
制御信号をフィルタリングするためのフィルタ手段であって、制御信号が第２の周波数で正の入力信号および負の入力信号感の差をトラッキングすることを実質的に防ぎつつ、第１の周波数で制御信号が正の入力信号と負の入力信号の間の差をトラッキングすることを可能とする、フィルタ手段と、
制御信号を受信し、一つ以上のオフセット信号をフィルタの正の入力端子、負の入力端子に提供するオフセットオフセット手段であって、１つ以上のオフセット信号は、差動入力信号の正の入力信号と負の入力信号の間の差を効果的に除去し、第２の周波数で差動入力信号の正の入力信号と負の入力信号の間の差を実質的に変化させない、オフセット手段と、
いう改良を含む、フィルタ。
【請求項３】  入力信号から選択された周波数をフィルタリングするフィルタであって、前記フィルタは、入力信号から第１の周波数を効果的に除去しつつ、第２の周波数を効果的に通過させ、フィルタは、入力信号を受信するための入力端子を有し、
入力信号と基準信号の間の差に関する制御信号を提供するための制御手段と、
第１の周波数で効果的に入力信号を除去しつつ、第２の周波数で入力信号を変化させないために、制御信号を受信し、オフセット信号を提供するためのオフセット手段と、
を含むことを特徴とするフィルタ。
【請求項４】  入力信号から第１周波数をフィルタリングさせ、第２の周波数を比較的自由に通過させる方法であって、
入力信号と基準信号の間の差に関する制御信号を提供するステップと、
制御信号が実質的に第１の周波数で入力信号、基準信号間の差をトラッキングすることを可能としつつ、実質的に、第２の周波数で入力信号、基準信号間の差をトラッキングするのを妨げるために制御信号をフィルターリングするステップと、
入力信号を効果的に除去するために、制御信号によって制御されるオフセット信号を提供するステップであって、オフセット信号は、制御信号が実質的に入力信号と基準信号との間の差をトラッキングする時のみ、効果的に入力信号をキャンセルする、ステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月9日(2007.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  選択された回路ノードの電圧が供給電圧に依存し、供給電圧が時間の経過とともに変動する、多数の回路ノードを介して所定の方法で接続されている多数のデバイスを備える増幅器（２０）であって、
供給電圧の変動に相対的に独立した基準電圧を発生する基準電圧発生回路（１５２）と、
基準電圧と選択された回路ノードの電圧とを比較する前記基準電圧発生回路に結合されている比較回路（１５０）と、
選択された回路ノードの電圧が基準電圧に関して所定の値をとるように増幅器に対し補償を行う前記比較回路に結合されている補償回路（１６０）を備える改良を特徴とする増幅器。
【請求項２】  増幅器が、それぞれ入力を有するトランジスタの差動対（２０４、２０６）を備え、選択された回路ノードの電圧が基準電圧に関して所定の値をとるように前記補償回路によりトランジスタの差動対のそれぞれの入力の電圧を変更することを特徴とする請求項１に記載の改良。
【請求項３】  増幅器がそれぞれ第１の抵抗器と第２の抵抗器を介して供給電圧に接続されているドレインを有するトランジスタの差動対（１０４、１０６）を備え、前記補償回路は十分なバイパス電流を供給電圧からトランジスタの差動対のそれぞれのドレインに供給するバイパス手段を備え、それにより第１の抵抗器と第２の抵抗器をバイパスし、選択された回路ノードの電圧が基準電圧に関して所定の値をとるようにすることを特徴とする請求項１に記載の改良。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この後者の実施形態では、バイパストランジスタは、各負荷抵抗と並列に設置されることが望ましい。バイパストランジスタはコンパレータによって制御されるゲート端子を有することが好ましく、そこではコンパレータはトランジスタ差動対のドレイン（またはソース）のような動作回路の選択回路ノードの電圧を基準電圧と比較する。しかしながら、この実施形態のバイパストランジスタはトランジスタ差動対のゲート端子のバイアスレベルを調節するよりもむしろ、制御可能な抵抗を負荷抵抗器と並列に供給することによってトランジスタ差動対のソース電圧を調節する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
使用において、トランジスタ差動対のドレイン（またはソース）の電圧が所定の基準電圧よりも高い場合、コンパレータはバイパストランジスタのゲート端子の電圧を上昇させる。これがトランジスタ差動対のソースと電源供給電圧との間の抵抗を増大させ、所定のソース／ドレイン電流において、トランジスタ差動対のドレイン（またはソース）のバイアスレベルを低下させる。同じようにして、トランジスタ差動対のドレイン（またはソース）の電圧が基準電圧よりも低い場合、コンパレータはバイパストランジスタのゲート電圧を低下させる。これがトランジスタ差動対のソースと電源供給電圧との間の抵抗を減少させ、所与のソース／ドレイン電流において、トランジスタ差動対のドレイン（またはソース）のバイアスレベルを上昇させる。その結果供給されるものが、動作回路（例えば、増幅器）内で選択されたバイアスレベルをダイナミック動作で補償し、比較的広い電源供給電圧範囲にわたって動作および性能を維持することのできる補償回路である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図１は本発明を取り入れた集積型ダイレクトダウンコンバージョン狭帯域ＦＳＫトランシーバ１０のブロック図である。この狭帯域ＦＳＫトランシーバ１０は送信と受信の機能の両方を含み、好ましくは単一の基板上で最少限の外部構成要素で構成される。使用においては、狭帯域ＦＳＫトランシーバ１０は統計的周波数拡散伝送に使用可能な半二重トランシーバ無線データリンクを供給する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
入力段２０２は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）またはバイポーラ接合型トランジスタ（ＢＪＴ）などの増幅デバイスを含む。増幅デバイス２３０のゲートはアースに接続されている。増幅デバイス２３０のゲートはＲＦ入力信号２３２に接続されている。カスコードトランジスタ２３３は、増幅デバイス２３０のドレインと共通の入力端子２２４との間に接続されている。カスコードトランジスタ２３３は、ＲＦ入力信号２３２から見られるようなミラー−キャパシタンス効果を低減させることによって入力段の速度（帯域幅）を増大させる。カスコードトランジスタ２３３および増幅デバイス２３０のゲートに適切なバイアスをかけるために、トランジスタ２４１、トランジスタ２４３、トランジスタ２４５、トランジスタ２４７、トランジスタ２４９およびトランジスタ２５１が使用される。最終的に、プルアップ抵抗器２３４は共通の入力端子２２４と供給電圧２１４との間に接続されている。