(57)【要約】【課題】  バックグラインディング加工時の研削痕を改善してストレスリリーフ処理を軽減できるようにする。【解決手段】  半導体ウエハの裏面を回転する研削具により研削しバックグラインディング加工するのに、研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはおよびパターンが２種以上複合するように接触条件を複数に変化、またはおよび、並行させて研削することにより、上記の目的を達することができる。【選択図】図３
2006294855.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの裏面を回転する研削具により研削する半導体ウエハのバックグラインディング加工方法であって、
研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが２種以上複合するように接触条件を複数に変化、またはおよび、並行させて研削することを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング加工方法。
【請求項２】
回転する研削具を回転する半導体ウエハの片側に接触して半導体ウエハの中心から外周へ延びる円弧状で半導体ウエハの回転方向に対し同じ向きとなる研削痕を発生させる研削と、この研削痕の向きが半導体ウエハの回転方向に対して反転する接触条件に変化させての研削と、の２通りの研削を異時にあるいは並行して行い、半導体ウエハの回転方向に対して向きが反転した２種類の研削痕が複合するようにした請求項１に記載の半導体ウエハのバックグラインディング加工方法。
【請求項３】
２通りの研削は、１つの研削具の半導体ウエハへの接触位置が、半導体ウエハの一方の片側から他方の片側へシフトすることで異時に行う請求項２に記載の半導体ウエハのバックグラインディング加工方法。
【請求項４】
２通りの研削は、２つの研削具を半導体ウエハの異なった位置で、それぞれで半導体ウエハの回転方向に対して向きが反転した円弧状の研削痕を形成するように接触させて同時に行う請求項２に記載の半導体ウエハのバックグラインディング加工方法。
【請求項５】
半導体ウエハに異なった向きまたはパターンの研削痕を形成するように接触して研削を行う研削具を複数同時または異時に接触させて研削し、向きまたはパターンの異なる複数の研削痕を複合して形成する半導体ウエハのバックグラインディング加工方法。
【請求項６】
半導体ウエハを表面側で保持して回転させ裏面側の研削加工に供する研削加工ステーションと、この研削加工ステーションにて回転される半導体ウエハの裏面に回転する研削具を接触させて研削しバックグラインディング加工する研削手段とを備えた半導体ウエハのバックグラインディング加工装置であって、
研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが２種以上複合するように、半導体ウエハと研削具との接触条件を複数に変化させる制御手段を備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング装置。
【請求項７】
半導体ウエハを表面側で保持して回転させ裏面側の研削加工に供する研削加工ステーションと、この研削加工ステーションにて回転される半導体ウエハの裏面に回転する研削具を接触させて研削しバックグラインディング加工する研削手段とを備えた半導体ウエハのバックグラインディング加工装置であって、
研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが２種以上複合するように、半導体ウエハと研削具との接触条件が異なる研削加工ステーションと研削手段との組を、同一の半導体ウエハにつき順次にバックグラインディング加工を行うように備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング装置。
【請求項８】
半導体ウエハを表面側で保持して回転させ裏面側の研削加工に供する研削加工ステーションと、この研削加工ステーションにて回転される半導体ウエハの裏面に回転する研削具を接触させて研削しバックグラインディング加工する研削手段とを備えた半導体ウエハのバックグラインディング加工装置であって、
研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが２種以上複合するように、１つの研削加工ステーションに、この研削加工ステーションにおける半導体ウエハに対する接触条件が異なる研削具を複数異時または並行して働かせるように組合せ備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハの裏面を研削して薄化を図るバックグラインディング加工方法と装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータや携帯電話などに搭載されるパッケージの小型化、高密度化に伴って、パッケージ内のデバイスにも小型化、薄型化が求められ、厚みが１００μｍ以下の半導体ウエハが用いられるようになっており、機械加工によって回路形成面の反対面を除去して薄化する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１はウェハの回路形成面の反対側の面すなわち裏面を研削することにより、ウェハの厚みを減少させるバックグラインディング加工と、高速回転する刃物によるダイシング加工とによって、所定の厚みの半導体固片を得る技術を開示している。
【０００３】
通常プロセスでは、バックグラインディング加工はダイシング前の半導体ウエハに対してなされ、バックグラインディング加工後の半導体ウエハに表面からフルカットダイシングを行って半導体固片に分割している。これに対してＤＧＢプロセスでは、表面からハーフカットダイシングされた半導体ウエハに対し、裏面からハーフカットダイシングによる溝まで達するまで研削するバックグラインディング加工を施して薄化するのと同時に、半導体固片に分割している。
【０００４】
また、特許文献１は、機械加工によるダイシング工程においては、切断時にダメージを受けやすく、加工歩留まりの低下が避けられないことに対し、バックグラインディング工程とダイシング工程との双方をエッチングにより行う場合、薄化に時間が掛かるので、まず、機械加工によって回路形成面の反対面を除去してある程度薄化した状態の半導体ウエハの機械加工面をプラズマ処理することにより、機械加工で生じたマイクロクラック層を除去するいわゆるストレスリリーフ処理を行う技術を開示している。
【０００５】
また、プラズマダイシングを行うのに、そのためのマスクの形成、プラズマダイシング、マスクの除去、マイクロクラックの除去のそれぞれを１つのプラズマ処理装置で行い、設備コストの低減、生産効率の向上、ウエハ移載によるダメージの回避を図る技術も知られている（例えば、特許文献２、３参照。）。
【０００６】
さらに、バックグラインディングプロセスにストレスリリーフ処理、例えばドライポリッシング、メカニカルポリッシング、ウエットエッチング、ドライエッチングなどの工程を追加することにより、グラインディングによる研削ダメージが除去され、さらなる抗折強度の向上が可能となり、裏面の鏡面化、反り量の低減、抗折強度の向上、を図れることがネット上で公表されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−９３７５２号公報
【特許文献２】特開２００４−１７２３６４号公報
【特許文献３】特開２００４−１７２３６５号公報
【非特許文献１】ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：ｗｗｗ．ｄｉｓｃｏ．ｃｏ．ｊｐ／ｓｏｌｕｔｉｏｎ／ｌｉｂｒａｒｙ／ｓｔｒｅｌｉｅｆ．ｈｔｍｌ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、半導体ウエハのバックグラインディングをプラズマ処理に依存するのはやはり処理時間が長く生産性を高めにくいので、非特許文献１が開示するようにダイシングを機械加工にて行って十分な抗折強度を得ることが望まれる。
【０００８】
しかし、カード筐体内に半導体チップなどを実装した回路基板を収容した電子カード類には、パーソナルコンピュータの機能拡張用などに用いられるやや大型のＰＣカードのほか、それより小型かつ薄型で、携帯電話、メモリ型の携帯音楽プレーヤー、ハイビジョンビデオカメラ、３Ｄゲーム器などのメモリに用いられるＳＤカード（例えば、特許文献７、８）などが知られ、さらに小型化かつ薄型化したｍｉｎｉＳＤカードなども提供されていて、そのサイズは例えば２１．５ｍｍ×２０ｍｍ×１．４ｍｍとなっている（特開２００３−７６４４０号公報、特開２００４−２１９６４号公報）。このような背景のなか半導体チップは５０μｍ程度とますます薄化して破損しやすく、非特許文献１に記載されているような仕上げ加工をしたものではなお強度不足になっている。このため、ストレスリリーフ処理をさらに十分に行う必要があり、処理時間が長くなる傾向にある。
【０００９】
そこで、本発明者は非特許文献１にストレスリリーフ操作の説明に合わせて図示された半導体ウエハに中央部から周辺へ放射状に延びる円弧状の研削痕が表わされているように、半導体ウエハのバックグラインディング加工面には比較的深く明瞭な、しかも向きの揃った長い研削痕が残ることに着目し、種々に実験をし検討を重ねた。その結果、このような研削痕には応力が集中しやすく、破損原因になることが知見され、十分なストレスリリーフ処理にはこのような研削痕を消去する程度の除去量を満足する必要があり、処理時間が長くなる原因の１つであることが判明した。
【００１０】
本発明の目的は、このような新たな知見に基づき、バックグラインディング加工時の研削痕を改善してバックグラインディング後の半導体ウエハの強度アップが図れる半導体ウエハのバックグラインディング加工方法と装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記のような目的を達成するために、本発明の半導体ウエハのバックグライディング加工方法は、半導体ウエハの裏面を回転する研削具により研削する半導体ウエハのバックグラインディング加工方法であって、
研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはおよびパターンが２種以上複合するように接触条件を複数に変化、またはおよび、並行させて研削することを特徴としている。
【００１２】
このような構成では、回転する研削具を回転する半導体ウエハの裏面に接触させて半導体ウエハの裏面を研削するのに、その裏面には研削加工時の接触条件に応じた向きやパターンの研削痕ができる関係を利用して、研削具の半導体ウエハ裏面に対する接触条件を複数に変化、またはおよび、複合させて研削することにより、異なった向きまたはおよびパターンが２種以上複合するように研削痕を生じさせて、本来長い筋状にできる研削痕どうしが向きやパターンの異なりに応じて各所で重なり合って分断し合い、研削根が独立して長く延びるような形態になるのを解消することができる。
【００１３】
それには、１つの方法として、回転する研削具を回転する半導体ウエハの一方の片側に接触して半導体ウエハの中心から外周へ延びる円弧状で半導体ウエハの回転方向に対して同じ向きとなる研削痕を発生させる研削と、半導体ウエハの回転方向に対する向きが反転する研削痕が発生する接触条件に変化させての研削と、の２通りの研削を異時にあるいは並行して行うことによって、半導体ウエハの回転方向にたいして向きが反転した２種類の研削痕が複合するようにすればよく、従来通りの接触条件での加工を、研削痕の向きが反転するように、異時あるいは並行して行うだけで、互いの向きが反転した円弧状の研削痕どうしが多くの箇所で重なり合って細かな網目状に分断し合うパターンが得られる。
【００１４】
このような異時での２通りの研削は、１つの研削具の半導体ウエハへの接触位置が、半導体ウエハの一方の片側から他方の片側へシフトすることで行うことができる。
【００１５】
また、並行した２通りの研削は、２つの研削具を半導体ウエハの異なった位置で、それぞれで半導体ウエハの回転方向に対する向きの反転した円弧状の研削痕を形成するように接触させて行うことができる。
【００１６】
半導体ウエハに異なった向きまたはおよびパターンの研削痕を形成するように接触して研削を行う研削具を複数同時または異時に接触させて研削し、向きまたはおよびパターンの異なる複数の研削痕を複合して形成する、さらなる構成では、種類数分の研削痕が複合したより細かなパターンが得やすい。
【００１７】
上記のような方法を達成するには、次のような幾つかの装置が好適である。
【００１８】
その１つとして、半導体ウエハを表面側で保持して回転させ裏面側の研削加工に供する研削加工ステーションと、この研削加工ステーションにて回転される半導体ウエハの裏面に回転する研削具を接触させて研削しバックグラインディング加工する研削手段とを備えた半導体ウエハのバックグラインディング加工装置であって、研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが２種以上複合するように、半導体ウエハと研削具との接触条件を複数に変化させる制御手段を備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング装置がある。
【００１９】
また、別の装置として、半導体ウエハを表面側で保持して回転させ裏面側の研削加工に供する研削加工ステーションと、この研削加工ステーションにて回転される半導体ウエハの裏面に回転する研削具を接触させて研削しバックグラインディング加工する研削手段とを備えた半導体ウエハのバックグラインディング加工装置であって、研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが２種以上複合するように、半導体ウエハと研削具との接触条件が異なる研削加工ステーションと研削手段との組を、同一の半導体ウエハにつき順次にバックグラインディング加工を行うように備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング装置がある。
【００２０】
また、他の装置として、半導体ウエハを表面側で保持して回転させ裏面側の研削加工に供する研削加工ステーションと、この研削加工ステーションにて回転される半導体ウエハの裏面に回転する研削具を接触させて研削しバックグラインディング加工する研削手段とを備えた半導体ウエハのバックグラインディング加工装置であって、研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが２種以上複合するように、１つの研削加工ステーションに、この研削加工ステーションにおける半導体ウエハに対する接触条件が異なる研削具を複数異時または並行して働かせるように組合せ備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング装置がある。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体ウエハのバックグラインディング加工方法と装置によれば、複数の向きまたはおよびパターンで重なり合い分断し合った細かな研削痕を残して研削し、独立して長く延びる研削痕の場合のように応力が集中しなくなるので、半導体ウエハの強度が向上し、ストレスリリーフ処理を軽減して強度低下なく生産性を高めることができる。また、上記装置によれば、そのような方法をプログラムに従い自動的に安定して達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施の形態に係る半導体ウエハのバックグラインディング加工方法と装置につき、以下に図を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。しかし、以下の説明は本発明の具体例であって特許請求の範囲を限定するものではない。
【００２３】
本実施の形態は、図１に示すようにバックグラインディグ保護シート９上の、表面３からダイシングラインに沿ったハーフカットダイシングによる溝１が縦横に形成された半導体ウエハ４、またはダイシングされていない図示しない半導体ウエハを対象として、その裏面２側に研削具としてのグラインダ７を当てがって研削し薄化を図るバックグラインディング加工を行う。これによってハーフカットダイシング済みのものでは薄化と同時に半導体固片に分割できる。また、未ダイシングのものではバックグラインディング加工による薄化した後にフルカットダイシングすることによって半導体固片に分割される。このようなバックグラインディング加工には図５に示すような研削装置８が用いられる。この研削装置８は図１に示すように表面３にバックグラインディング保護シート９が貼り合わされた半導体ウエハ４をカセット４１から搬出入機構４３によって搬出してバックグラインディング加工に供し、バックグラインディング加工後の半導体ウエハ４をカセット４２へ収納する。バックグラインディング加工はターンテーブル５１に設けられた４つのチャックテーブル４７〜５０の上に吸着した状態で行われる。
【００２４】
４つのチャックテーブル４７〜５０はターンテーブル５１の周方向等間隔に設置されて、ターンテーブル５１のまわりに設定された、カセット４１に対向したウエハ受入れ位置、粗研削用のグラインダ６１に対向する粗研削位置、仕上げ研削用のグラインダ７に対向する仕上げ研削位置、カセット４２に対向したウエハ取出し位置へ順次に１ステップずつ間欠回転され、それぞれの位置に停止している間に芯合わせをした半導体ウエハ４を受け入れ、粗研削、仕上げ研削、取出しを順次に行い、これを繰り返す。
【００２５】
このために、ウエハ受入れ位置では、カセット４１から搬出入機構４３によって芯合わせテーブル４４上へ取り出され芯合わせされている半導体ウエハ４を、搬送機構４５によってウエハ受入れ位置に順次停止されるチャックテーブル４７〜５０に搬送し吸着支持されるようにしている。また、ウエハ取出し位置では、そこに順次停止するチャックテーブル４７〜５０上の研磨済みの半導体ウエハ４を、搬送機構４６によって洗浄部５４に搬送して洗浄に供し、洗浄部５４で洗浄された研磨済みの半導体ウエハ４が搬出入機構４３によりカセット４２に収納されるようにしている。
【００２６】
さらに、粗研削位置では、粗研削用のグラインダ６１が粗研削機構５２のスピンドル５９の下端にマウンタ６０を介し支持して回転駆動され、チャックテーブル４７〜５０によって吸着支持され回転される半導体ウエハ４の裏面２に上方から摺接して粗研削を行う。また、仕上げ研削位置では、仕上げ研削用のグラインダ７が仕上げ研削機構５３のスピンドル６６の下端にマウンタ６７を介し支持して回転駆動され、チャックテーブル４７〜５０によって吸着支持され回転される粗研削後の半導体ウエハ４の裏面２に上方から摺接して仕上げ研削を行う研削加工ステーション１０１を構成しており、粗研削位置にてバックグラインディング加工を開始して、仕上げ研削位置にて半導体ウエハ４に対するバックグラインディング加工を終える。
【００２７】
なお、カセット４２に収納された仕上げ研削後の半導体ウエハ４は、バックグラインディング保護シート９を貼り付けたままの状態で搬送装置７０によりプラズマエッチング装置１６に搬送し、裏面２側からのプラズマエッチング処理により加工歪み層を除去するストレスリリーフ処理が行われるようにする。
【００２８】
もっとも、ダイシング前の半導体ウエハが対象である場合は、フルカットダイシングに供した後、ストレスリリーフ処理を行うことになる。以上のような一連のバックグラインディング加工の動作は図５に示す研削装置８に装備した制御手段１００単独、または他の装置の制御手段との連携をも含めてプログラムに従い自動的に安定して行われる。
【００２９】
ここで、粗研削用のグラインダ６１、仕上げ研削用のグラインダ７はいずれも、図１、図２に示すように矢印Ａで示す方向に回転する半導体ウエハ４の裏面２の片側部分に対し、例えば矢印Ｂで示す方向に回転しながら接触させられ、しかも、研削屑の排出などを図ったり、広域接触による過負荷防止を図るなどのために、半導体ウエハ４の裏面に対して図１に示すように若干傾けられて、半導体ウエハ４の片側半径線上の周辺からやや中央部を越えた位置まで臨んで軽いエッジ当りをなして研削を行っている。このときの傾きの向きは例えば、図１に示すように半導体ウエハ４の回転方向Ａに対し前傾または後傾する逃げ角をもって接触させられている。
【００３０】
粗研削はバックグラインディング加工の時間短縮のために、粗目の砥石によって大きな切り込みのもとに行われるのに対し、仕上げ研削は細かめの砥石によって小さな切込みのもとに行われて粗研削時の表面粗度を所定の範囲まで細かく仕上るので、粗研削時の研削痕は無くなっているか、あるいは残っていても仕上げ研削レベルのものとなっている。しかし、粗研削は特に必須とはならない。いずれにしても、以上のような従来のバックグラインディング加工後の半導体ウエハ４の裏面２には、図２に示すような研削痕７１が残る。これを消去するまでストレスリリーフによる除去量を高めるには時間が掛かる。
【００３１】
そこで、本実施の形態では、特に、バックグラインディング加工での仕上げ研削につき、次のように行う。研削時の回転する研削具であるグラインダ７と回転する半導体ウエハ４の裏面２との接触条件に対応して生じる研削痕７１が、異なった向きまたはおよびパターンで２種以上複合するように接触条件を複数に変化、またはおよび、複合させて研削する。このような接触条件の変化、複合は様々な態様で実施することができる。このように、回転する仕上げ研削グラインダ６１を回転する半導体ウエハ４の裏面２に接触させて研削するのに、その裏面２には研削加工時の接触条件に応じた向きやパターンとなる図２に例示するような研削痕７１などができる関係を利用して、グラインダ７の半導体ウエハ４の裏面２に対する接触条件を複数に変化、またはおよび、複合させて研削することにより、図２に示すような研削痕７１の向きが図３に示すように半導体ウエハ４の回転方向Ａで互いに反転し合うといった、異なった向き、またはおよび、異なったパターンが２種以上複合するように研削痕７１を生じさせられる。従って、本来筋状にできる研削痕７１どうしが向きやパターンの異なりに応じて各所で重なり合って分断し合い、研削痕７１が図２に示すように独立して長く延びるような形態になるのを解消することができる。この結果、独立して長く延びる図２に示すような研削痕７１の場合のように応力が集中するようなことがなくなるので、強度が向上する。従って、ストレスリリーフ処理を軽減して強度低下なく生産性を高めることができる。
【００３２】
例えば、図３に示す例では、Ｂ方向に回転するグラインダ７をＡ方向に回転する半導体ウエハ４の片側半径上に仮想線で示すように接触させて半導体ウエハ４の中心から外周へ延びる円弧状の研削痕７１を同じ向きで発生させる研削と、研削痕７１の向きが半導体ウエハ４の回転方向Ａに対して反転する実線で示す今一方の片側半径上に接触させる接触条件に変化させた研削と、の２通りの研削を、図５に示す研削機構移動台１０２の移動、あるいは仕上げ研削機構５３単独の移動を利用するなどして、グラインダ７の直径線方向での距離Ｓのシフトを伴って、あるいは個別な２つの位置でのチャックテーブルおよびグラインダ７の組にて、異時に行うかする場合を示している。これにより、従来通りの接触条件での加工を、研削痕７１の向きが半導体ウエハ４の回転方向Ａに対して反転するように、異時あるいは並行して行うだけで、互いの向きが反転した円弧状の研削痕７１どうしが多くの箇所で重なり合って図３に示すような細かな網目状に分断し合うパターンが得られる。
【００３３】
これに対して、図４に示す例では、前記２つの研削を、仕上げ研削機構５３を２つ併設して１つのチャックテーブル上で２つのグラインダ７により並行して行うようにしている。これによっても、図３に示すような細かな網目状のパターンの研削痕７１が得られる。
【００３４】
さらには、図３、図４に示す例において、半導体ウエハ４またはおよびグラインダ７のＡ、Ｂ方向の回転に、その回転中心をＣ、Ｄ方向に旋回させるいわゆる遊星運動機構を採用することにより遊星動作を複合させながら研磨するとか、直径線方向Ｅの往復移動を複合させながら研磨するとかすることもでき、このような複合動作で研削痕７１の形成位置がその複合動作方向に連続して変位するので、向きが互いに反転した研削痕７１の複合状態が複雑に変化したより細かで分布の均等度の高い複合パターンが得られ、強度がより高まるし、強度が高まる分だけストレスリリーフ処理をより軽減でき時間の短縮となる。また、半導体ウエハ４の回転速度に対する仕上げ研削グラインダ６１の回転速度を上げるほど研削痕７１のピッチがより細かになり強度を高めるのに好適である。さらに、これら以外の半導体ウエハ４とグラインダ７との回転向きの変化や回転中心の位置関係、つまり同軸上、あるいはどの方向にどの程度偏位させるかなども含めた種々な相対移動条件による接触条件の違いを利用することもできる。
【００３５】
要するに、半導体ウエハ４に異なった向きまたはおよびパターンの研削痕７１を形成するように接触して研削を行うグラインダ７などの研削具を複数併設して同時に接触させて研削し、または粗研削機構５２と仕上げ研削機構５３とに振り分けて異時に接触させて研削することにより、向きまたはおよびパターンの異なる複数の研削痕７１を複合して形成するようにすることで、種類数分の研削痕７１が複合したパターンが得られ、種類数を多くするほどより細かなパターンでより均等なパターンの研削痕７１を得やすく、より強度を高めてストレスリリーフ処理をより軽減することができる。
【００３６】
なお、向きやパターンのことなる研削痕７１を形成する複数の研削を異時に行うには、それらによって形成される研削痕７１の深さなどを均等にするには、仕上げの最終段階でほぼ同じ時間ずつ順次に研削するといった配慮をする必要がある。もっとも、仕上げ研削の全工程中で順次に行っていくこともできる。しかし、同時に並行して研削を行う場合はこれらの配慮は不要であるし、仕上げ研削位置も１つで足りる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明のバックグラインディング加工方法、装置は、半導体ウエハを薄化するのに実用でき、研削痕による強度低下に対応できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態に係るバックグラインディング加工方法での半導体ウエハの片側半径線上を研磨する１つの加工状態を示す断面図である。
【図２】図１の加工状態を示す平面図である。
【図３】図１の１つの加工状態から加工位置を半導体ウエハの今一方の片側半径線上にシフトして研磨する今１つの加工状態を示す平面図である。
【図４】図１、図２での１つの加工状態と図３での今１つの加工状態とを同時に行う加工状態を示す平面図である。
【図５】本実施の形態のバックグラインディング加工に用いる研削装置の斜視図である。
【符号の説明】
【００３９】
２  裏面
３  表面
４  半導体ウエハ
７  グラインダ
１００  制御手段
１０１  研削加工ステーション
１０２  研削機構移動台
【図１】
2006294855.tif 000003
【図２】
2006294855.tif 000004
【図３】
2006294855.tif 000005
【図４】
2006294855.tif 000006
【図５】
2006294855.tif 000007