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【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光に対して透過性である中央に位置されたレンズ素子と、前記レンズ素子の周囲に配置され、光に対して反射性である反射器とを規定する複合光学表面を有しているモノリシック体。
【請求項２】
赤外線（ＩＲ）に対して透過性である中央に位置された屈折レンズ素子と、前記レンズ素子の周囲に配置され、赤外線に対して反射性である反射器とを規定する複合光学表面を有しているモノリシック体。
【請求項３】
前記モノリシック体は、屈折レンズ素子を製造するために選択された材料から構成されており、前記複合光学表面は、ほぼ環状の表面領域によって囲まれた前記レンズ素子を規定する中央に位置された凸状部分を有しており、この環状の表面領域が前記反射器を規定する反射被覆を有している請求項２記載のモノリシック体。
【請求項４】
前記複合光学表面は、ダイヤモンドポイントターニング処理を使用して形成されている請求項２記載のモノリシック体。
【請求項５】
さらに、情景からの赤外線を通過させる入口開口を有する赤外線画像化システム内に前記モノリシック体を取付ける手段を備えており、この画像化システムは画像平面に配置された冷却された赤外線検出器を格納するコールドシールドを備えたデュワーを有しており、前記デュワーはデュワーウインドウと、前記デュワーウインドウおよび前記画像平面を通過する前記赤外線画像化システムの光軸とを有しており、複数の冷却されていない光学素子が前記入口開口と前記デュワーウインドウとの間において前記光軸に沿って配置され、複数のほぼ環状の反射器セグメントが前記デュワーウインドウと前記入口開口との間において前記光軸の周囲に配置され、前記反射器セグメントのそれぞれが前記デュワーウインドウに対面した反射表面を有しており、前記デュワーウインドウから最も遠い最も外側の反射器セグメントを通った１つの開口が前記赤外線画像化システムの実効冷却開口絞りを規定し、また、赤外線に対して透過性である前記レンズ素子と前記レンズ素子の周囲に位置された前記反射器は、前記実効冷却開口絞りと前記デュワーウインドウとの間に配置されるように取付けられている請求項２記載のモノリシック体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理システム内で待機リソースの未返還リソース使用率を確定するための方法であって、前記待機リソースは指定されたアクティビティ期間を有し、前記方法は、
前記指定されたアクティビティ期間内で動作している前記待機リソースの予想使用データを確定するステップと、
測定可能な課金事象が検出されると、前記指定されたアクティビティ期間外で動作している前記待機リソースの未返還使用データを確定するステップと、
前記待機リソースの前記予想使用データとは別個に、測定可能な単位ごとの課金可能コストの関数として、前記待機リソースの前記未返還使用データを処理するステップと、
前記処理した未返還使用データを出力するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記未返還使用データを確定するステップが、前記指定されたアクティビティ期間外で動作している前記待機リソースに応答して、前記未返還使用データに関連したカウントを開始するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。    
【請求項３】
測定可能な課金事象の検出に応答して前記カウントを増分（インクリメント）するステップを更に含む、請求項２に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項４】
前記測定可能な課金事象の検出が、時間単位、１日、プロセッサ・サイクル、ソフトウエア・プロンプト、およびリソース使用率から成る群から選択される少なくとも１つのイベントの検出である、請求項３に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項５】
前記未返還使用データを確定するステップが、前記待機リソースに関連したアクティビティ・レコードを含むメモリをサンプリングするステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項６】
前記未返還使用データを確定するステップが、最小リソース要求、オペレーティング・システム設定、およびプログラム設定から成る群から選択される少なくとも１つの設定の前記データ処理システム内の指定に基づいて、前記待機リソースが回収不可能であることを判定するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項７】
前記未返還使用データを確定するステップが、前記未返還リソース使用率を確定することに応答して第２の待機リソースのアクティビティを制限するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項８】
前記未返還使用データを確定するステップが、前記待機リソースを回収するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項９】
前記未返還使用データを確定するステップが、定期的に前記待機リソースの動作を中断することなく前記未返還リソース使用率データを確定するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項１０】
前記指定されたアクティビティ期間外で動作している前記待機リソースのレコードを格納するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項１１】
測定可能な課金事象の検出に応答して、前記予想使用データに関連したカウントを減分（デクリメント）するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項１２】
前記待機リソースの前記未返還使用データを処理するステップが、前記予想使用データとは別個に前記未返還使用データを格納するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項１３】
前記待機リソースの前記未返還使用データを処理するステップが、前記未返還使用データを、前記未返還使用データとは別個に格納された冗長データと比較するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項１４】
前記処理した未返還使用データを出力するステップが、メモリ内に前記処理した未返還使用データを格納するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項１５】
前記処理した未返還使用データを出力するステップが、前記処理した未返還使用データを符号化して課金コンピュータに送信するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項１６】
前記処理した未返還使用データを出力するステップが、前記処理した未返還使用データを認証するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項１７】
前記待機リソースの活性化を開始する要求を生成するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項１８】
予め構成した待機リソース要求オプションを生成するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項１９】
前記待機リソースを回収不可能として指定するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項２０】
前記待機リソースを前記データ処理システムに手動もしくは自動で割り当てるステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項２１】
返還する前記待機リソースを指定するステップを更に含む、請求項１に記載の未返還リソース使用率を確定する方法。
【請求項２２】
指定されたアクティビティ期間を有する待機リソースを含むコンピュータに、
前記指定されたアクティビティ期間内で動作している前記待機リソースの予想使用データを確定する手順と、
前記指定されたアクティビティ期間外で動作している前記待機リソースの測定可能な課金事象が検出されると未返還使用データを確定する手順と、
前記待機リソースの前記予想使用データとは別個に前記待機リソースの測定可能な単位ごとの課金可能コストの関数として前記未返還使用データを処理する手順と、
前記処理した未返還使用データを出力する手順と、
を実行させるためのプログラム。
【請求項２３】
前記コンピュータに
前記指定されたアクティビティ期間外で動作している前記待機リソースに応答して、前記未返還使用データに関連したカウントを開始する手順と、
測定可能な課金事象の検出に応答して前記カウントを増分する手順と、
をさらに実行させる、請求項２２に記載のプログラム。
【請求項２４】
前記測定可能な課金事象が、時間単位、１日、プロセッサ・サイクル、ソフトウエア・プロンプト、およびリソース使用率から成る群から選択される少なくとも１つのイベントを含む、請求項２３に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物位置の周りで離間していると共に線源間隔で互いに離間している複数の線源位置から、Ｘ線を発生するように配置されるＸ線発生手段と、
該線源位置から放射されて該対象物の位置を通過するＸ線を検出するように、該対象物位置の周りで離間して配置される複数のＸ線センサと、
１つの放射期間のアクティブな線源位置と次の期間のアクティブな線源位置との間の平均最小変位が該線源間隔よりも大きくなるように、該線源位置がアクティブになる順序を制御するように配置される制御手段と、を備えることを特徴とするＸ線画像形成装置。
【請求項２】
該平均最小変位は、該線源間隔の少なくとも２倍であることを特徴とする請求項１記載のＸ線画像形成装置。
【請求項３】
該制御手段は、任意の１つの放射期間中にアクティブな線源位置が次の放射期間中にアクティブな線源位置に隣接しないように配置されることを特徴とする請求項１又は２記載のＸ線画像形成装置。
【請求項４】
該制御手段は、各放射期間中に、１つの線源位置のみがアクティブになるように配置されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一記載のＸ線画像形成装置。
【請求項５】
該制御手段は、各放射期間中に、複数の線源位置が同時にアクティブになるように配置されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一記載のＸ線画像形成装置。
【請求項６】
該線源位置はそれぞれ、対応するセンサ群により検出されるＸ線を発生するように配置され、該制御手段は、各放射期間中に、該複数の線源位置に関して該センサ群間で重複がないように配置されることを特徴とする請求項５記載のＸ線画像形成装置。
【請求項７】
各放射期間中に、該センサの少なくとも半分が、該アクティブな線源位置からＸ線を受け取るように配置されることを特徴とする請求項５又は６記載のＸ線画像形成装置。
【請求項８】
各放射期間中に、該センサの略全てが、該アクティブな線源位置からＸ線を受け取るように配置されることを特徴とする請求項７記載のＸ線画像形成装置。
【請求項９】
それぞれが複数の該線源位置を提供する複数のＸ線管を備えることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一記載のＸ線画像形成装置。
【請求項１０】
該制御手段は、各放射期間中に、該アクティブな線源位置が前の放射期間中の該アクティブな線源位置とは異なる管にあるように配置されることを特徴とする請求項９記載のＸ線画像形成装置。
【請求項１１】
各放射期間中に、１つの線源位置のみがアクティブであり、該アクティブな線源位置は、該管それぞれに順に設けられることを特徴とする請求項１０記載のＸ線画像形成装置。
【請求項１２】
各管内で該線源位置がアクティブになる順序は、各放射期間中の該アクティブな線源位置が前の放射期間中の該アクティブな線源位置に隣接しないように設定されることを特徴とする請求項９乃至１１の何れか一記載のＸ線画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月11日(2007.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その文字盤（10）に開口部（15）が設けられているタイムピースのムーブメントに装着するための日付と曜日とを表示する機構であって、
−１から31の一連の日付を有する日付表示手段（17）と、
−各日曜日の午前０時頃に、該日付表示手段を７日分動かす第１手段と、
−１から６の一連の日付を有しており、前記日付表示手段と部分的に重なるように配置される日付修正手段（34）と、
−日数が31日よりも少ない月の最後に、該日付修正手段を、自動的に不正確な日付を隠して代わりに日付修正手段自身の日付が表示されるように動かす第２手段と
を有し、前記開口部が七日分の日付を表示するような大きさになっており、該日付に面して一週の七曜日の表示が刻印されていることを特徴とする機構。
【請求項２】
曜日に対応する日付を示す針（16）をさらに有し、前記第１手段が、毎晩午前０時頃にこの針を一曜日分ずつ動かすように調整されていることを特徴とする、請求項１に記載の機構。
【請求項３】
その文字盤（10）に開口部（15）が設けられているタイムピースのムーブメントに装着するための日付と曜日とを表示する機構であって、
−１から31の一連の日付を有する日付表示手段（17）と、
−該日付表示手段の側に配置されると共に一週の七曜日の表示を有する曜日表示手段と、
−毎晩午前０時頃にこれら２つの表示手段を、その表示位置が１つずつ動くように駆動する第１手段と、
−１から６の一連の日付を有しており、前記日付表示手段と部分的に重なるように配置される日付修正手段（34）と、
−日数が31日よりも少ない月の最後に、該日付修正手段を、自動的に不正確な日付を隠して代わりに日付修正手段自身の日付が表示されるように動かす第２手段と
を有し、前記開口部が七日分の日付と一週の七曜日とを表示するような大きさになっていることを特徴とする機構。
【請求項４】
前記手段が純粋に機械式であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の機構。
【請求項５】
前記手段が電気機械式であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
より具体的には、第一の態様によると、本発明は、その文字盤に開口部が設けられているタイムピースのムーブメントに装着するための日付と曜日とを表示する機構に関する。該機構は
−１から31の一連の日付を有する日付表示手段と、
−各日曜日の午前０時頃に、該日付表示手段を７日分動かす第１手段と、
−１から６の一連の日付を有しており、前記日付表示手段と部分的に重なるように配置される日付修正手段と、
−日数が31日よりも少ない月の最後に、該日付修正手段を、自動的に不正確な日付を隠して代わりに日付修正手段自身の日付が表示されるように動かす第２手段と
を有し、前記開口部が七日分の日付を表示するような大きさになっており、該日付に面して一週の七曜日の表示が刻印されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この態様において、前記機構は、曜日に対応する日付を示す針（16）をさらに有し、前記第１手段が、毎晩午前０時頃にこの針を一曜日分ずつ動かすように調整されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第二の態様によると、本発明は、その文字盤に開口部が設けられているタイムピースのムーブメントに装着するための日付と曜日とを表示する機構に関する。該機構は、
−１から31の一連の日付を有する日付表示手段と、
−該日付表示手段の側に配置されると共に一週の七曜日の表示を有する曜日表示手段と、
−毎晩午前０時頃にこれら２つの表示手段を、その表示位置が１つずつ動くように駆動する第１手段と、
−１から６の一連の日付を有しており、前記日付表示手段と部分的に重なるように配置される日付修正手段と、
−日数が31日よりも少ない月の最後に、該日付修正手段を、自動的に不正確な日付を隠して代わりに日付修正手段自身の日付が表示されるように動かす第２手段と
を有し、前記開口部が七日分の日付と一週の七曜日とを表示するような大きさになっていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
混合物内の複数の物質の動きをリアルタイムにモニタするための装置であって、
或るモニタ時間にわたって該混合物を複数回走査して複数の走査データセットを生成するＸ線スキャナと、
該データセットを解析して、各物質の体積を特定し、該物質の動きを測定する制御手段と、を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
走査する度に、該混合物の層に関連する１つのデータセットを生成することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
該層内の複数の体積要素を画定し、該体積要素それぞれのＸ線減衰の指標を用いて、該データセットを生成することを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
該制御手段は、該データセットを用いて、該層内の該物質のうちの少なくとも１つの量を決定することを特徴とする請求項２又は３記載の装置。
【請求項５】
該制御手段は、該走査毎の該データセットを用いて、該少なくとも１つの物質の該量の時間平均値を決定することを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
該スキャナは、該混合物の複数の層に関連するデータセットを生成するように構成され、該複数の層は互いに異なる位置にあることを特徴とする請求項２乃至５の何れか一記載の装置。
【請求項７】
該制御手段は、該複数の層に関連する該データセットを用いて、該物質のうちの少なくとも１つの動きを測定することを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
該制御手段は、該複数の層を通して該物質の領域の動きを追跡し、該物質の流速を決定することを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項９】
該制御手段は、該物質のうちの第１の物質の領域の動きを測定し、少なくとも１つの他の物質に対する該領域の浮力の指標を決定し、該領域の動き及び該浮力を用いて、該少なくとも１つの他の物質の動きを測定することを特徴とする請求項１乃至８の何れか一記載の装置。
【請求項１０】
該制御手段は、複数の変数に基づいて該物質の動きのパラメータを計算するためのモデルを定義し、該走査データセットから該パラメータの測定値を生成し、該測定値及び該モデルから該変数のうちの少なくとも１つを決定することを特徴とする請求項１乃至９の何れか一記載の装置。
【請求項１１】
該制御手段は、該物質のうちの少なくとも１つの流量を決定するように構成され、該流量は、所定の時間内に所定の領域を通って流れる該物質の量と定義されることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一記載の装置。
【請求項１２】
該制御手段は２つのステージにおいて走査データセットを解析するように構成され、該ステージのうちの一方は他方よりも低い空間分解能及び高いコントラスト分解能を提供することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか一記載の装置。
【請求項１３】
該制御手段は、高い方の空間分解能解析を用いて、該物質のうちの第１の物質の体積を特定し、高い方のコントラスト分解能解析を用いて、２つのさらに別の物質の体積を区別することを特徴とする請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
該制御手段は、高い空間分解能解析を用いて、低い空間分解能解析において規定される体積要素のＸ線減衰の指標を調整し、該第１の物質の該体積要素内の存在を明らかにすることを特徴とする請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
該スキャナはパイプの周囲に配置され、該パイプの中の該物質の動きを測定することを特徴とする請求項１乃至１４の何れか一記載の装置。
【請求項１６】
該制御手段によって制御される該混合物の画像を表示する表示手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか一記載の装置。
【請求項１７】
該表示手段は該混合物のビデオ画像を表示することを特徴とする請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
混合物内の複数の物質の動きをリアルタイムにモニタする方法であって、
或るモニタ時間にわたって該混合物の複数のＸ線走査を実施し、複数の走査データセットを生成する工程と、
該データセットを解析して、各物質の体積を特定し、該物質の動きを測定する工程と、を備えることを特徴とする方法。
【請求項１９】
走査毎に、該混合物の１つの層に関連する１つのデータセットが生成されることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
該層内の複数の体積要素を定義する工程と、該体積要素のそれぞれのＸ線減衰の指標を用いて該データセットを形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
該データセットを用いて、該層内の該物質のうちの少なくとも１つの量が決定されることを特徴とする請求項１９又は２０記載の方法。
【請求項２２】
該走査それぞれからの該データセットを用いて、該少なくとも１つの物質の該量の時間平均値が決定されることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
該混合物の複数の層に関連するデータセットが生成され、該層は互いに異なる位置にあることを特徴とする請求項１９乃至２２の何れか一記載の方法。
【請求項２４】
該複数の層に関連する該データセットを用いて、該物質のうちの少なくとも１つの動きが測定されることを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
該複数の層を通る該物質の領域の動きを追跡して、該物質の流速を決定することを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
該物質のうちの第１の物質の１つの領域の動きが測定され、少なくとも１つの他の物質に対する該領域の浮力の指標が決定され、該少なくとも１つの他の物質の動きが該領域の動き及び該浮力を用いて測定されることを特徴とする請求項１８乃至２５の何れか一記載の方法。
【請求項２７】
複数の変数に基づいて該物質の動きのパラメータを計算するためのモデルが定義され、該パラメータの測定値が該走査データセットから生成され、該変数のうちの少なくとも１つが該測定値及び該モデルから決定されることを特徴とする請求項１８乃至２６の何れか一記載の方法。
【請求項２８】
該物質のうちの少なくとも１つの流量が決定され、該流量は所定の時間内に所定の領域の中を流れる該物質の量と定義されることを特徴とする請求項１８乃至２７の何れか一記載の方法。
【請求項２９】
走査データセットが２つのステージにおいて解析され、一方のステージは他方のステージよりも低い空間分解能及び高いコントラスト分解能を提供することを特徴とする請求項１８乃至２８の何れか一記載の方法。
【請求項３０】
高い方の空間分解能解析を用いて、該物質のうちの第１の物質の体積が特定され、高い方のコントラスト分解能解析を用いて、２つのさらに別の物質の体積が区別されることを特徴とする請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
高い空間分解能解析を用いて、低い空間分解能解析において規定される体積要素のＸ線減衰の指標を調整し、該第１の物質の該体積要素内の存在を明らかにすることを特徴とする請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
パイプの周囲に配置されるスキャナを用いて、該パイプの中の該物質の動きを測定するために実行されることを特徴とする請求項１８乃至３１の何れか一記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子が入射するとＸ線を生成するように構成されるターゲットを備えるＸ線管用の陽極であって、該陽極は、前記ターゲットからの前記Ｘ線が通過することによって少なくとも部分的に該陽極によってコリメーションされるように構成されるＸ線開口を画成し、該Ｘ線開口は、複数のＸ線開口のうちの１つであり、それぞれのＸ線開口は、前記ターゲット領域のそれぞれの１つからのＸ線が通過することができるように構成されるＸ線管用の陽極。
【請求項２】
２つの部分で形成され、前記Ｘ線開口は前記２つの部分の間に画成される、請求項１に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項３】
前記２つの部分は、共通電位に保持されるように構成される、請求項２に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項４】
複数のターゲット領域が画定され、それによって、電子が前記ターゲット領域のそれぞれに入射されるようにすることによって、Ｘ線を前記ターゲット領域のそれぞれから独立に生成することができる、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項５】
電子が通過して前記ターゲットに到達することができる電子開口をさらに画定する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項６】
電子が入射するとＸ線を生成するように構成されるターゲットを備えるＸ線管用の陽極であって、電子が通過して前記ターゲットに到達することができる電子開口を画定するＸ線管用の陽極。
【請求項７】
前記電子開口を画定する該陽極の部分は、実質的に等しい電位であるように構成される、請求項５又は６に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項８】
前記電子が該陽極に近づく時に、前記電子の進行方向に垂直に存在する電界成分がほぼゼロであるように形作られる、請求項５〜７のいずれか１項に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項９】
到来する電子の方向に面し、且つ前記電子開口が形成される表面を有し、該表面は、前記方向に垂直になるように構成される、請求項８に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項１０】
前記電子開口は、該陽極に近づく前記電子の進行方向にほぼ平行であるように構成される側面を有する、請求項５〜９のいずれか１項に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項１１】
前記電子開口は、電子ビームが進行して前記ターゲットに到達することができる電子ビーム方向を画定し、前記ターゲットは、前記ビーム内の電子によって衝当されるように構成されるターゲット表面を有し、前記電子ビーム方向は、前記ターゲット表面に対して１０°以下の角度である、請求項７から１０のいずれか１項に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項１２】
前記電子ビーム方向は、前記ターゲット表面に対して５°以下の角度である、請求項１１に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項１３】
該陽極を冷却するように構成される冷却手段をさらに備える、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項１４】
前記冷却手段は、該陽極を通して冷却液を運ぶように構成される冷却液導管を備える、請求項１３に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項１５】
２つの部分を備え、前記冷却液導管は、前記２つの部分の間に画定されるチャネル内に設けられる、請求項１４に記載のＸ線管用の陽極。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の陽極を含むＸ線管。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード集電面及びアノード集電面と、その間で反応物質を移送する少なくとも1つの流路とを有する導電体を備えた集電板であって、前記導電体は少なくとも部分的にバルク凝固アモルファス合金で構成されていることを特徴とする集電板。
【請求項２】
前記集電板が、導電体のカソード集電面に隣接して配置されたカソードと導電体のアノード集電面に隣接するアノードとを備えた燃料電池体の一部であることを特徴とする請求項１に記載の集電板。
【請求項３】
前記集電板が、アノードとカソードとの間の液体や気体の浸透を防止するために、燃料電池内に密着したシールを形成することを特徴とする請求項２に記載の集電板。
【請求項４】
さらに、カソード集電面とアノード集電面との間に多数の熱交換路を備えることを特徴とする請求項１に記載の集電板。
【請求項５】
前記燃料電池が、さらに、燃料電池ユニットのカソードとアノードとの間に境界面を備え、前記境界面が複数の熱交換流路を有することを特徴とする請求項２に記載の集電板。
【請求項６】
前記集電板の表面の特徴が、深さ／幅のアスペクト比０．１〜５を有することを特徴とする請求項1に記載の集電板。
【請求項７】
前記機能表面が集電板全体の面積の５０％超に及ぶことを特徴とする請求項１に記載の集電板。
【請求項８】
前記少なくとも１つの流路の幅が、１００μmから２０００μmの間にあることを特徴とする請求項１に記載の集電板。
【請求項９】
前記バルク凝固アモルファス合金が、１．８％以上の弾性ひずみ限界を有することを特徴とする請求項1に記載の集電板。
【請求項１０】
前記バルク凝固アモルファス合金が、下記の分子式：（Ｚｒ，Ｔｉ）ａ（Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ）ｂ（Ｂｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ）ｃで表され、但し、原子パーセントで、ａは３０〜７５、ｂは５〜６０，ｃは０〜５０の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の集電板。
【請求項１１】
前記バルク凝固アモルファス合金が、分子式：（Ｚｒ，Ｔｉ）ａ（Ｎｉ，Ｃｕ）ｂ（Ｂｅ）ｃで表され、但し、原子パーセントで、ａは４０〜７５、ｂは５〜５０，ｃは５〜５０の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の集電板。
【請求項１２】
前記バルク凝固アモルファス合金が、永久変形または破断することなく、１．５％以上の歪に耐えることを特徴とする請求項1に記載の集電板。
【請求項１３】
前記バルク凝固アモルファス合金が、６９５Ｍｐａ−ｍｍ０．５以上の高い破壊靱性を有することを特徴とする請求項１に記載の集電板。
【請求項１４】
前記バルク凝固アモルファス合金が、６０℃以上のΔＴを有することを特徴とする請求項１に記載の集電板。
【請求項１５】
前記バルク凝固アモルファス合金が、鉄基金属であり、アモルファス合金の弾性限界が１．２％以上であり、かつアモルファス合金の硬さが７．５ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項1に記載の集電板。
【請求項１６】
バルク凝固アモルファス合金から集電板を製造する方法であって以下の工程：
バルク凝固アモルファス合金の実質的にアモルファス原料を準備する工程；
原料をガラス転移温度近傍に加熱する工程；
加熱したこの原料から集電板に成形する工程；および、
成形した集電板をガラス転移温度よりずっと低い温度に冷却する工程；
を有すること特徴とするバルク凝固アモルファス合金から集電板を製造する方法。
【請求項１７】
前記バルク凝固アモルファス合金が、１．５％以上の弾性ひずみ限界および、３０℃以上のΔＴを有することを特徴とする請求項1６に記載の方法。
【請求項１８】
前記バルク凝固アモルファス合金が、６０℃より大きいΔＴを有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記バルク凝固アモルファス合金が、９０℃より大きいΔＴを有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
さらに、表面の酸化物を除去するための集電板の表面処理工程を有することを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
バルク凝固アモルファス合金から集電板を製造する方法であって以下の工程：
バルク凝固アモルファス合金の均質な合金原料を準備する工程；
原料をバルク凝固アモルファス合金の溶融温度を超える鋳造温度に加熱する工程；
溶融合金を集電板形状成形鋳型に導入する工程；および、
溶融合金を、バルク凝固アモルファス合金が実質的にアモルファス相を有すことを確実にする十分な冷却速度で、ガラス転移より低い温度に急冷する工程；
を有することを特徴とするバルク凝固アモルファス合金から集電板を製造する方法。
【請求項２２】
前記バルク凝固アモルファス合金が、１．５％以上の弾性ひずみ限界および、３０℃以上のΔＴを有することを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記バルク凝固アモルファス合金が、１００℃／ｓｅｃ未満の臨界冷却速度を有することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記バルク凝固アモルファス合金が、１０℃／ｓｅｃ未満の臨界冷却速度を有することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記バルク凝固アモルファス合金が、９０℃より大きいΔＴを有することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
さらに、表面の酸化物を除去するための集電板の表面処理工程を有することを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月11日(2007.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜電極サブアセンブリを製造するための方法であって、
ａ）対向する第1 の面及び第2 の面を有し、膜電極アセンブリへの使用に適合された膜を配設する工程と、
ｂ）直接書込みツールを用いて前記膜の第１の面上に電極触媒を含む第１のインク組成物を堆積する工程であって、それによって第１の材料層を形成する工程とを含む、方法。
【請求項２】
前記膜がイオン交換膜である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記膜がポリマー膜である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ポリマー膜がプロトン交換膜である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマー膜はポリベンズイミダゾール（ＰＢＩ）を含む請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記膜は約２００μｍ以下の厚みを有する、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
第１のインク組成物を堆積する前記工程は、インクジェット装置を用いて前記第１のインク組成物を堆積することを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
第１のインク組成物を堆積する前記工程は、所定のパターンで前記第１のインク組成物を堆積することを含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記第１のインク組成物は凝集電極触媒粒子を含む、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のインク組成物はさらにプロトン伝導性ポリマーを含む、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のインク組成物はさらに疎水性材料を含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記疎水性材料はフッ素化炭化水素である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記インク組成物はさらに親水性材料を含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記第1 のインク組成物はさらに導電性材料を含む、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記導電性材料は導電性炭素を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の材料層を堆積した後に前記第１の材料層の少なくとも一部の上に第２のインク組成物を堆積する工程をさらに含む、請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
直接書込みツールを用いて、前記イオン交換膜の前記第２の面上に第２のインク組成物を堆積する工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
直接書込みツールを用いて、前記イオン交換膜の前記第２の面上に第２のインク組成物を同時に堆積する工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の材料層上に流体分配層を付着させる工程をさらに含む、請求項１〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記付着させる工程は、直接書込み堆積によって、流体分配層を付着させることを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記流体分配層は液体拡散層であり、前記膜電極サブアセンブリは直接メタノール燃料電池への使用に適合されている請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の材料層は約１０μｍ以下の平均厚を有する、請求項１〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記堆積工程後に、前記第１のインク組成物を約２００℃以下の温度まで加熱する工程をさらに含む、請求項１〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
前記第１のインク組成物を堆積する工程は、前記膜の少なくとも第１の領域上に第１のインク組成物を堆積する工程であって、それにより第１の材料層を形成し、前記第１のインク組成物は、電極触媒粒子、プロトン伝導性ポリマー、疎水性材料及び粒状炭素のうちから選択される少なくとも第１の材料を含む工程からなり、前記方法はさらに、
ｂ）前記第１の材料層の少なくとも前記第１の領域に隣接して第２のインク組成物を堆積する工程であって、該第２のインク組成物は電極触媒粒子、プロトン伝導性ポリマー、疎水性材料及び粒状炭素のうちから選択される少なくとも第２の材料を含み、該第２のインク組成物は前記第１のインク組成物とは異なる工程を含む、請求項１６〜２３のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ流体アセンブリ内の流体中の陽電子放射物質の濃度を量定するための検出器組立体であって、
基部と、
基部に形成した窓と、
基部を介して流体が流れるように基部に設けたマイクロ流体チャンネルと、
基部により支持される固体帯電粒子検出器とより成り、
窓は帯電粒子検出器とマイクロ流体チャンネルの間に介在し、
窓は固体帯電検出器が検出するためにマイクロ流体チャンネル内の陽電子放射物質からのベータ粒子が透過できるような十分な厚さを有し、
固体帯電粒子検出器の第１の電極は基部の第１の側に位置し、固体帯電粒子検出器の第２の電極は基部の第２の側にあって基部の第１の側とは離隔している検出器組立体。
【請求項２】
窓に隣接し、固体帯電粒子検出器を支持する基部の一部はベータ粒子の透過を実質的に減衰させるに十分な厚さを有するため、固体帯電粒子検出器の線形分解能が増加する請求項１の検出器組立体。
【請求項３】
基部に選択した深さのコリメーションウェルをさらに備えた請求項１の検出器組立体。
【請求項４】
コリメーションウェルは窓と固体帯電粒子検出器の間に位置する請求項３の検出器組立体。
【請求項５】
コリメーションウェルはさらに、基部により画定される連続した側壁を有する請求項４の検出器組立体。
【請求項６】
コリメーションウェルはさらに、マイクロチャンネル内の流体から放出されるベータ粒子をコリメートするに十分な深さを有するため、検出器が窓を通過する粒子と基部により減衰される粒子を区別できる請求項５の検出器組立体。
【請求項７】
基部と固体帯電粒子検出器は互いに一体的である請求項１の検出器組立体。
【請求項８】
マイクロ流体チャンネルは第１及び第２の電極の少なくとも一方に隣接している請求項１の検出器組立体。
【請求項９】
基部はガラス、ポリマー、シリコンまたはこれらの派生物より成る材料群から選択される材料で少なくとも一部が作られている請求項１、２、３、４、５、６、７または８の検出器組立体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年5月9日(2007.5.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属被覆構造、特に、少なくとも１つのシリコン層と、少なくとも１つのタングステン層とを含んだゲート構造の選択的酸化方法であって、
水を含まない水素を含んだ物質により上記金属被覆構造を処理する第１処理工程において、上記第１処理工程中に熱が上記金属被覆構造に供給され、
水素と水との混合物により上記金属被覆構造を処理する第２処理工程において、上記第２処理工程中に熱が上記金属被覆構造に供給され、
上記第２処理工程中の一部で、上記金属被覆構造の温度が規定温度（Ｔ２）からプロセス温度（Ｔ３）に上昇するように、熱供給が設定され、
上記規定温度（Ｔ２）は、７００℃〜９００℃の範囲内であり、
上記プロセス温度（Ｔ３）は、９００℃〜１１００℃の範囲内であることを特徴とする方法。
【請求項２】
上記第１処理工程中の一部で、上記金属被覆構造の温度が第１温度（Ｔ１）から上記規定温度（Ｔ２）に上昇するように、該金属被覆構造に熱が供給されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記水素を含んだ物質により上記金属被覆構造を処理する第３処理工程において、上記第３処理工程中に、上記金属被覆構造の温度がプロセス温度（Ｔ３）からそれよりも低い温度に継続的に低減するように、該金属被覆構造に熱が供給されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
上記第１温度（Ｔ１）が室温よりも高く、２００℃よりも低いことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
上記金属被覆構造は、上記第１処理工程の前に不活性ガスで処理されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
上記金属被覆構造は、上記第３処理工程の後に不活性ガスで処理されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項７】
上記第２処理工程の間に、１対の反応方程式
【化１】
2004526327.tif 000001
において、反応方程式
【化２】
2004526327.tif 000002
の反応速度がより速いように、水の割合および温度を選択することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
入口開口部および出口開口部を有する反応室で実施し、
上記反応室において、プロセスガスが入口開口部から出口開口部まで通過できるように、上記金属被覆構造を備えた基板を配置することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
上記方法を、熱処理装置において実施することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
上記熱処理装置は、ランプを用いて加熱する急速熱処理（ＲＴＰまたはＲＴＡ）装置であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
特に多結晶の形状をした少なくとも１つのシリコン層と、少なくとも１つのタングステン層とを有する金属被覆構造、特にＭＯＳ構成素子のゲート構造の製造方法であって、製造工程中に請求項１〜１０のいずれか１つまたは複数に記載の選択的酸化方法を実施する製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
また、本発明は、少なくとも１つの多結晶シリコン層および少なくとも１つのタングステン層を含んだ金属被覆構造の選択的酸化に関する、改善されたプロセスについて記載する。熱処理工程（Behandlungsschritt unter Warmezufuhr）では、この金属被覆構造に水素と水との混合物を供給し、この工程の間に選択的に酸化することが知られている。本発明のプロセスの基本的観点は、処理工程の前、および、場合によっては後に、金属被覆構造に、水を含まない水素を含んだ物質、特に純粋な水素または水素と不活性ガスとの混合物を供給する点にある。こうすることによって、実験結果から、酸化タングステン蒸着を著しく低減でき、場合によっては全く蒸着しないようにできる。処理工程後も水素、または、水素と不活性ガスとの混合物を供給することが必ず必要なわけではないが、そうすることは有効である。水素と不活性ガスとの混合物は、例えば、水素と窒素との混合物であってもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機顔料の水性懸濁液を蝋質添加剤の水性乳濁液と混合し、次いでこの水性乳濁液を凝固させ、このようにして得られた水性分散液をスプレードライすることを含むことを特徴とする、容易に分散可能な顆粒状顔料の製造方法。
【請求項２】
有機顔料が、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、ナフトール顔料および金属錯体顔料からなる群から選択されるアゾ顔料、またはイソインドリノン顔料、イソインドリン顔料、アンサンスロン顔料、チオインジゴ顔料、キノフタロン顔料、アントラキノン顔料、ジオキサジン顔料、フタロシアニン顔料、キナクリドン顔料、ペリレン顔料、ペリノン顔料、ジケトピロロピロール顔料およびアゾメチン顔料からなる群から選択される多環式顔料であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
有機顔料がレーキ化アゾ顔料であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
蝋質添加剤が蝋または蝋質特性をもつ熱可塑性ポリマーであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
蝋質添加剤が天然の蝋、部分合成蝋または完全合成蝋であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
蝋質添加剤がポリオレフィンワックスであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
有機顔料の水性懸濁液が、有機顔料を３〜２０重量％の量で含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
蝋質添加剤の水性乳濁液が、蝋質添加剤を５〜４０重量％の量で含み、かつ乳化剤を０〜４０重量％の量で含み、それぞれの比率が水性乳濁液の重量に対するものであることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
５０〜９８重量部の水性顔料懸濁液を、５０〜２重量部の蝋質添加剤の水性乳濁液と混合することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
２０〜９５℃の温度で水性顔料懸濁液を蝋質添加剤の水性乳濁液と混合することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
ｐＨの変更、塩の添加および／または凝固助剤の添加によって凝固させることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記水性分散液は前記水性乳濁液を凝固させることにより得られる懸濁液をろ過し、得られたプレスケーキを分散させ均質化したものである請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
有用な有機顔料にはたとえば、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、ナフトール顔料および金属錯体顔料などのアゾ顔料があり、また、イソインドリノン顔料およびイソインドリン顔料、アンサンスロン顔料、チオインジゴ顔料、キノフタロン顔料、アントラキノン顔料、ジオキサジン顔料、フタロシアニン顔料、キナクリドン顔料、ペリレン顔料、ペリノン顔料、ジケトピロロピロール顔料およびアゾメチン顔料などの多環式顔料もある。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年2月19日(2007.2.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
圧縮着火内燃機関にて用いる燃料であって、主要成分としての有機物留出物と、燃料の酸素含量が０．２％〜１０％酸素の範囲にあるような量の１種以上の酸素含有有機化合物と、を含み、酸素の少なくとも１０％は、
【化１】
2004526011.tif 000001
（式中、Ｒは、水素又は１〜約１０個の炭素原子を含む炭化水素ラジカルである、但しtype  I、V及びVIIにおいてＲは水素ではない）
により表されるアリールオキシジェネート中に含まれ、
該燃料は、ＡＳＴＭ  Ｄ９３で測定した場合に少なくとも３８℃の適切な引火点を示し、１５ｐｐｍ未満の硫黄を含有する、燃料。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
少なくとも１つの上記スクリーン手段は、一対のスクリーン手段を具備し、当該一対のスクリーン手段が、上記スクリーン手段の各々の開孔が相互に対面する配置で整列されるように、対抗して対面配置で取り付けられ、上記一対の上記スクリーングリッド手段の間の実効開孔寸法が変化するようにした請求項１の多項質防波堤。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
第２の面の外部層材料がメタロセン触媒超低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ）（ダウ・ケミカル（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ）よりエンゲージ８２００（ＥＮＧＡＧＥ  ８２００）として入手可能）であったことを除けば、実施例１の試料Ａと同様の方法で試料Ａを作製した。複数のゾーンを有し、ゾーン温度が１６０℃〜２１６℃に上昇するように操作した一軸スクリュー押出機（キリオン・モデルＫＬＢ０７５（Ｋｉｌｌｉｏｎ  Ｍｏｄｅｌ  ＫＬＢ０７５））を使用してこのＶＬＤＰＥを供給した。この材料を、３層フィードブロックのＣチャネルに通した。ライン速度は７．７７ｍ／分であり、全体の厚さを測定すると９１μｍであった。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
ジアリールカーボネートとジヒドロキシアリール化合物とのエステル交換による本発明のポリカーボネートの連続製造方法は、好ましくは、残渣をほとんど残さずに分解可能な触媒を用いて、形成されるモノヒドロキシアリール化合物を分離することなく、予備縮合した後、および温度が徐々に上がりかつ圧力が徐々に低下する複数の後続のフラッシュ／エバポレータ段階において製造されるオリゴカーボネートを、その後、縮合して、１以上の連続したバスケット型反応容器内で、使用した前記触媒または新しい別の触媒をそれ以上添加せずに、温度を更に上げかつ圧力を更に低下させながら完成ポリカーボネートを形成することを特徴とする。選択される反応条件下では、触媒は、残渣を実質上残さずに分解する。「残渣を実質上残さずに」とは、触媒残渣、例えばリン化合物が完成ポリカーボネート中に検出できず、しかも分裂生成物が実際量的に前記方法からの縮合物中に見出されることを意味すると考えられる。完成ポリカーボネート中のリンの検出限界は１ｐｐｍである。