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【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最終的に水が浸透可能である抄紙機用布を設ける工程；及び
レーザーでエッチングされた複数の貫通していない空所を布の表面に形成し、布の脱水能力を高める工程；
から成る、布を修正する方法。
【請求項２】
空所は水を受け入れるために利用可能である最小圧力の貯蔵所である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
修正される布は抄紙機用プレス布である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
表面は布の裏側である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
布の裏側及び表側の両方は形成された空所を有している、請求項１記載の方法。
【請求項６】
空所の幅及び深さは両方とも約０．３０から１．５０ｍｍの範囲にある、請求項１記載の方法。
【請求項７】
布の表面の品質に悪影響を与えることなく微小な空所を作り出すために、布の表側又はシートと接触する側において選択的に材料を蒸発させるためにレーザーが使用される、請求項１記載の方法。
【請求項８】
修正された布は抄紙機のプレス部において使用されるためのものである、請求項１記載の方法。
【請求項９】
空所とその配列パターンにおいて非常に柔軟で且つ高速に、各々の空所の形及び空所のパターンをコントロールするために通常のレーザーが使用される、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
各々の空所は円形／半球形、正方形／角錐形、長方形／立方形、六辺形、長円形、環状形／半ドーナツ形、及び溝状のものから成る群より選択された幅／深さの形を有している、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
空所は正方形、六辺形、擬似乱数、三角形、及び線形／螺旋形から成る群より選択された配列パターンを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
繊維の除去及び気体蒸発による副生成物を処理する工程から更に成る、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
最終的に水が浸透可能である抄紙機用布を設ける工程；及び
レーザーでエッチングされた複数の貫通していない空所を布の表面に形成し、布の脱水能力を高める工程；
から成る方法で作られた修正された布。
【請求項１４】
空所は水を受け入れるために利用可能である最小圧力の貯蔵所である、請求項１３記載の布。
【請求項１５】
修正される布は抄紙機用プレス布である、請求項１３記載の布。
【請求項１６】
表面は布の裏側である、請求項１３記載の布。
【請求項１７】
布の裏側及び表側の両方は形成された空所を有している、請求項１３記載の布。
【請求項１８】
空所の幅及び深さは両方とも約０．３０から１．５０ｍｍの範囲にある、請求項１３記載の布。
【請求項１９】
布の表面の品質に悪影響を与えることなく微小な空所を作り出すために、布の表側又はシートと接触する側において選択的に材料を蒸発させるためにレーザーが使用される、請求項１３記載の布。
【請求項２０】
修正された布は抄紙機のプレス部において使用されるためのものである、請求項１３記載の布。
【請求項２１】
空所とその配列パターンにおいて非常に柔軟で且つ高速に、各々の空所の形及び空所のパターンをコントロールするために通常のレーザーが使用される、請求項１３記載の布。
【請求項２２】
各々の空所は円形／半球形、正方形／角錐形、長方形／立方形、六辺形、長円形、環状形／半ドーナツ形、及び溝状のものから成る群より選択された幅／深さの形を有している、請求項１３記載の布。
【請求項２３】
空所は正方形、六辺形、擬似乱数、三角形、及び線形／螺旋形から成る群より選択された配列パターンを形成する、請求項１３記載の布。
【請求項２４】
繊維の除去及び気体蒸発による副生成物を処理する工程から更に成る、請求項１３記載の布。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一ニューブラスチンポリペプチドおよび第二ニューブラスチンポリペプチドを含む二量体であって、ここで：（ａ）少なくとも一つの該ポリペプチドはグリコシル化されており；（ｂ）少なくとも一つの該ポリペプチドはそのＮ末端にて、水溶性の合成ポリマーが結合しており；そして（ｃ）どちらの該ポリペプチドも、Ｎ末端以外の位置に水溶性の合成ポリマーが結合していない、二量体。
【請求項２】
前記第一ニューブラスチンポリペプチドが、ＮＢＮ１１３（配列番号２）、ＮＢＮ１４０（配列番号６）、ＮＢＮ１１６（配列番号７）、ＮＢＮ１１２（配列番号８）、ＮＢＮ１１１（配列番号９）、ＮＢＮ１１０（配列番号１０）、ＮＢＮ１０９（配列番号１１）、ＮＢＮ１０８（配列番号１２）、ＮＢＮ１０７（配列番号１３）、ＮＢＮ１０６（配列番号１４）、ＮＢＮ１０５（配列番号１５）、ＮＢＮ１０４（配列番号１６）、ＮＢＮ１０３（配列番号１７）、ＮＢＮ１０２（配列番号１８）、ＮＢＮ１０１（配列番号１９）、ＮＢＮ１００（配列番号２０）およびＮＢＮ９９（配列番号２１）からなる群から選択される、請求項１に記載の二量体。
【請求項３】
前記第一ニューブラスチンポリペプチドのアミノ酸配列および前記第二ニューブラスチンポリペプチドのアミノ酸配列が同一である、請求項１に記載の二量体。
【請求項４】
前記水溶性の合成ポリマーがポリアルキレングリコールである、請求項１に記載の二量体。
【請求項５】
前記第一ニューブラスチンポリペプチドのＮ末端のアミノ酸および前記第二ニューブラスチンポリペプチドのＮ末端のアミノ酸が、それぞれ、ポリアルキレングリコールに結合している、請求項４に記載の二量体。
【請求項６】
前記第一ニューブラスチンポリペプチドのアミノ酸配列がＮＢＮ１０４（配列番号１６）である、請求項３に記載の二量体。
【請求項７】
前記二量体に結合した前記ポリアルキレングリコール部分の総分子量の平均が、１０ｋＤａ〜５０ｋＤａである、請求項１に記載の二量体。
【請求項８】
前記二量体に結合した前記ポリアルキレングリコール部分の総分子量の平均が、１５ｋＤａ〜４５ｋＤａである、請求項７に記載の二量体。
【請求項９】
前記二量体に結合した前記ポリアルキレングリコール部分の総分子量の平均が、２０ｋＤａ〜４０ｋＤａである、請求項８に記載の二量体。
【請求項１０】
前記ポリアルキレングリコールが直鎖状である、請求項１に記載の二量体。
【請求項１１】
前記ポリアルキレングリコールが分枝状である、請求項１に記載の二量体。
【請求項１２】
前記ポリアルキレングリコール部分がポリエチレングリコール（ＰＥＧ）部分である、請求項１に記載の二量体。
【請求項１３】
請求項１に記載の二量体および薬学的に受容可能なキャリアを含む、組成物。
【請求項１４】
哺乳動物において神経障害性疼痛を処置するための組成物であって、治療的に有効な量の請求項１に記載の二量体を含む、組成物。
【請求項１５】
哺乳動物において触覚性異痛症を処置するための組成物であって、治療的に有効な量の請求項１に記載の二量体を含む、組成物。
【請求項１６】
哺乳動物において温熱性痛覚過敏を処置するための組成物であって、治療的に有効な量の請求項１に記載の二量体を含む、組成物。
【請求項１７】
前記哺乳動物がヒトである、請求項１４、請求項１５または請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
前記治療的に有効な量が、０．１μｇ／ｋｇ〜１０００μｇ／ｋｇである、請求項１４、請求項１５または請求項１６に記載の組成物。
【請求項１９】
前記治療的に有効な量が、１μｇ／ｋｇ〜１００μｇ／ｋｇである、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
前記治療的に有効な量が、１μｇ／ｋｇ〜３０μｇ／ｋｇである、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】
前記治療的に有効な量が、３μｇ／ｋｇ〜１０μｇ／ｋｇである、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
静脈内、筋肉内または皮下での投与に適切である、請求項１６、請求項１７または請求項１８に記載の組成物。
【請求項２３】
哺乳動物のＲＥＴレセプターを活性化するための組成物であって、有効な量の請求項１に記載の二量体を含む、組成物。
【請求項２４】
哺乳動物において神経障害性疼痛、触覚性異痛症、または温熱性痛覚過敏を処置するための組成物であって、有効な量の請求項１に記載の二量体、および鎮痛薬を含む、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月3日(2007.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳動物におけるＡβペプチドの上昇したレベルに関連する疾患、障害または状態の処置のための医薬の調製における、可溶性Ｎｏｇｏレセプター−１（ＮｇＲ１）ポリペプチドの使用。
【請求項２】
哺乳動物におけるＡβペプチド斑の沈着に関連する疾患、障害または状態の処置のための医薬の調製における、可溶性Ｎｏｇｏレセプター−１（ＮｇＲ１）ポリペプチドの使用。
【請求項３】
請求項１または２に記載の使用であって、ここで、前記疾患、障害または状態が、アルツハイマー病である、使用。
【請求項４】
請求項１〜３に記載の使用であって、ここで、前記医薬が、静脈内に投与される、使用。
【請求項５】
請求項１〜３に記載の使用であって、ここで、前記医薬が、皮下投与される、使用。
【請求項６】
請求項１〜５に記載の使用であって、ここで、前記可溶性ＮｇＲ１ポリペプチドが、哺乳類ＮｇＲ１の可溶性形態である、使用。
【請求項７】
請求項６に記載の使用であって、ここで、前記哺乳類ＮｇＲ１の可溶性形態が、以下：
（ａ）１０までの保存的アミノ酸置換を有するヒトＮｇＲ１のアミノ酸２６〜３１０（配列番号３）;
（ｂ）１０までの保存的アミノ酸置換を有するヒトＮｇＲ１のアミノ酸２６〜３４４（配列番号４）；
（ｃ）１０までの保存的アミノ酸置換を有するラットＮｇＲ１のアミノ酸２７〜３１０（配列番号５）；および
（ｄ）１０までの保存的アミノ酸置換を有するラットＮｇＲ１のアミノ酸２７〜３４４（配列番号６）
からなる群より選択されるペプチドを含む、使用。
【請求項８】
請求項７に記載の使用であって、ここで、前記哺乳類ＮｇＲ１の可溶性形態が、以下：
（ａ）ヒトＮｇＲ１のアミノ酸２６〜３１０（配列番号３）;
（ｂ）ヒトＮｇＲ１のアミノ酸２６〜３４４（配列番号４）；
（ｃ）ラットＮｇＲ１のアミノ酸２７〜３１０（配列番号５）；および
（ｄ）ラットＮｇＲ１のアミノ酸２７〜３４４（配列番号６）
からなる群より選択されるペプチドを含む、使用。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載の使用であって、ここで、前記哺乳類ＮｇＲ１の可溶性形態が、融合部分をさらに含む、使用。
【請求項１０】
請求項９に記載の使用であって、ここで、前記融合部分が、免疫グロブリン部分である、使用。
【請求項１１】
請求項１０に記載の使用であって、ここで、前記免疫グロブリン部分が、Ｆｃ部分である、使用。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の使用であって、ここで、前記医薬が、可溶性ＮｇＲ１ポリペプチドについて０．００１ｍｇ／ｋｇ〜１０ｍｇ／ｋｇの用量での哺乳動物への投与に適切である、使用。
【請求項１３】
請求項１２に記載の使用であって、ここで、前記用量が、可溶性ＮｇＲ１ポリペプチドについて０．０１ｍｇ／ｋｇ〜１．０ｍｇ／ｋｇである、使用。
【請求項１４】
請求項１３に記載の使用であって、ここで、前記用量が、可溶性ＮｇＲ１ポリペプチドについて０．０５ｍｇ／ｋｇ〜０．５ｍｇ／ｋｇである、使用。
【請求項１５】
哺乳動物におけるＡβペプチドの上昇したレベルに関連する疾患、障害または状態の処置のための組成物であって、可溶性Ｎｏｇｏレセプター−１（ＮｇＲ１）ポリペプチドを含む、組成物。
【請求項１６】
哺乳動物におけるＡβペプチド斑の沈着に関連する疾患、障害または状態の処置のための組成物であって、可溶性Ｎｏｇｏレセプター−１（ＮｇＲ１）ポリペプチドを含む、組成物。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の組成物であって、ここで、前記疾患、障害または状態が、アルツハイマー病である、組成物。
【請求項１８】
請求項１５〜１７に記載の組成物であって、ここで、該組成物が、静脈内投与に適している、組成物。
【請求項１９】
請求項１５〜１７に記載の組成物であって、ここで、該組成物が、皮下投与に適している、組成物。
【請求項２０】
請求項１５〜１９に記載の組成物であって、ここで、前記可溶性ＮｇＲ１ポリペプチドが、哺乳類ＮｇＲ１の可溶性形態である、組成物。
【請求項２１】
請求項２０に記載の組成物であって、ここで、前記哺乳類ＮｇＲ１の可溶性形態が、以下：
（ａ）１０までの保存的アミノ酸置換を有するヒトＮｇＲ１のアミノ酸２６〜３１０（配列番号３）;
（ｂ）１０までの保存的アミノ酸置換を有するヒトＮｇＲ１のアミノ酸２６〜３４４（配列番号４）；
（ｃ）１０までの保存的アミノ酸置換を有するラットＮｇＲ１のアミノ酸２７〜３１０（配列番号５）；および
（ｄ）１０までの保存的アミノ酸置換を有するラットＮｇＲ１のアミノ酸２７〜３４４（配列番号６）
からなる群より選択されるペプチドを含む、組成物。
【請求項２２】
請求項２１に記載の組成物であって、ここで、前記哺乳類ＮｇＲ１の可溶性形態が、以下：
（ａ）ヒトＮｇＲ１のアミノ酸２６〜３１０（配列番号３）;
（ｂ）ヒトＮｇＲ１のアミノ酸２６〜３４４（配列番号４）；
（ｃ）ラットＮｇＲ１のアミノ酸２７〜３１０（配列番号５）；および
（ｄ）ラットＮｇＲ１のアミノ酸２７〜３４４（配列番号６）
からなる群より選択されるペプチドを含む、組成物。
【請求項２３】
請求項２０〜２２のいずれか１項に記載の組成物であって、ここで、前記哺乳類ＮｇＲ１の可溶性形態が、融合部分をさらに含む、組成物。
【請求項２４】
請求項２３に記載の組成物であって、ここで、前記融合部分が、免疫グロブリン部分である、組成物。
【請求項２５】
請求項２４に記載の組成物であって、ここで、前記免疫グロブリン部分が、Ｆｃ部分である、組成物。
【請求項２６】
請求項１５〜２５のいずれか１項に記載の組成物であって、ここで、該組成物が、可溶性ＮｇＲ１ポリペプチドについて０．００１ｍｇ／ｋｇ〜１０ｍｇ／ｋｇの用量での哺乳動物への投与に適切である、組成物。
【請求項２７】
請求項２６に記載の組成物であって、ここで、前記用量が、可溶性ＮｇＲ１ポリペプチドについて０．０１ｍｇ／ｋｇ〜１．０ｍｇ／ｋｇである、組成物。
【請求項２８】
請求項２７に記載の組成物であって、ここで、前記用量が、可溶性ＮｇＲ１ポリペプチドについて０．０５ｍｇ／ｋｇ〜０．５ｍｇ／ｋｇである、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月21日(2007.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともメタロセン化合物を含む触媒系の存在下、重合条件下で、プロピレンと、任意に１以上のα−オレフィンを重合させる工程を備え、
ａ）触媒系が、有機多孔質ポリマーに担持され、ｂ）重合反応の少なくとも一部が水素の存在下で実行されることを特徴とする、
式ＣＨ2＝ＣＨＺ（式中、Ｚは、Ｈ又はＣ2−Ｃ10アルキル基である。）の１以上のα−オレフィンの誘導単位を１０モル％までで任意に含む多孔質プロピレンポリマーを得る方法。
【請求項２】
次の工程：
ａ）有機多孔質ポリマーに担持された触媒系の存在下で、プロピレンと、任意に式ＣＨ2＝ＣＨＺ（式中、Ｚは、Ｈ又はＣ2−Ｃ10アルキル基である。）の１以上のα−オレフィンを予備重合させ、前記触媒は、メタロセン化合物を含み、重合媒体は、液体プロピレンであり、
ｂ）水素及び工程ａ）で得られる予備重合された触媒系の存在下、重合条件下で、プロピレンと、任意に式ＣＨ2＝ＣＨＺ（式中、Ｚは、Ｈ又はＣ2−Ｃ10アルキル基である。）の１以上のα−オレフィンを接触させる、
を備える、式ＣＨ2＝ＣＨＺ（式中、Ｚは、Ｈ又はＣ2−Ｃ10アルキル基である。）の１以上のα−オレフィンの誘導単位を１０モル％までで任意に含む多孔質プロピレンポリマーを得る方法。
【請求項３】
式ＣＨ2＝ＣＨＺ（式中、Ｚは、Ｈ又はＣ2−Ｃ10アルキル基である。）の１以上のα−オレフィンの誘導単位を１０モル％までで任意に含み、次の特徴：
−融点＞１００℃；
−空隙の百分率で表現された全多孔度、％Ｖ／Ｖ1＞１５；及び
−分子量分布Ｍｗ／Ｍｎ＜４
を有するプロピレンポリマー。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月12日(2007.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト胚性幹（ｈＥＳ）細胞の心筋細胞分化を誘導する方法であって、ｈＥＳ細胞を、少なくとも１つの心筋細胞分化誘導因子を排出する細胞と、またはそれから得られる細胞外培地と、分化を誘導する条件下で共培養するステップを含む方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの心筋細胞分化誘導因子を排出する細胞が、マウスＶＥ様細胞がもたらすものと少なくとも実質的に同様のタンパク質排出プロファイルをもたらす、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ｈＥＳ細胞が患者自身の組織に由来する、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つの心筋細胞分化誘導因子を排出する細胞、胚細胞またはそれから得られる細胞外培地へのばく露前、ばく露中またはばく露後に分化状態を制御する遺伝子を導入することによって、前記ｈＥＳ細胞が、その使用に先立ち遺伝子改変されている、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
幹細胞特異的プロモーターの制御下で選択可能マーカーを発現させるベクターを導入することによって、前記ｈＥＳ細胞が遺伝子改変されている、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記幹細胞特異的プロモーターがＯｃｔ−４である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ｈＥＳ細胞が、マーカーにより、前記マーカーが培養を通じて伝達されるように遺伝子改変されている、請求項４〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記マーカーが、分化ｈＥＳ細胞の集団または未分化ｈＥＳ細胞の集団を培養中に精製するために用いられる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの心筋細胞分化誘導因子を排出する細胞が、胚から単離された臓側内胚葉組織または臓側内胚葉様組織由来の胚細胞である、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記臓側内胚葉組織が、初期原腸形成後胚から単離される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記初期原腸形成後胚が、マウス胚（Ｅ７．５）である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記胚細胞が、胚性癌腫細胞である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記胚性癌腫細胞が臓側内胚葉特性を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの心筋細胞分化誘導因子を排出する細胞が、マウスＶＥ様細胞またはそれに由来する細胞である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記細胞がＥＮＤ−２細胞である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記胚細胞が、細胞株または培養細胞に由来する、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
前記胚細胞が胚細胞株に由来する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記胚細胞株が、臓側内胚葉の特徴を有する細胞株である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記胚細胞株がＥＮＤ−２細胞株である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの心筋細胞分化誘導因子を排出する細胞が、肝実質細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記肝実質細胞がＨｅｐＧ２である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ｈＥＳ細胞が、胚に直接由来するか、または胚性幹細胞の培養物に由来する、請求項１〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記ｈＥＳ細胞が、胚細胞株または胚組織に由来する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記ｈＥＳ細胞が、培養され未分化状態で維持されている、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ｈＥＳ細胞が、自発的には心発生を起こさない、請求項１〜２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
前記心筋細胞分化誘導因子が分泌タンパク質である、請求項１〜２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記分泌タンパク質が、分化を調節しトリガーする成長因子またはサイトカインである、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記ｈＥＳ細胞と、前記分化因子を提供する細胞とが、インビトロで共培養される、請求項１〜２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
培養胚細胞の増殖によって生成された胚細胞の単層に前記ｈＥＳ細胞を導入するステップを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記胚細胞の単層が実質上コンフルエントに成長しており、前記胚細胞の細胞外培地の存在下で、前記ｈＥＳ細胞の特定の細胞タイプへの分化を誘導するのに十分な時間、前記ｈＥＳ細胞を成長させる、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
胚細胞の細胞外培地を含有するが、胚細胞は存在しない培養物中で、前記ｈＥＳ細胞を成長させる、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記胚細胞と前記ｈＥＳ細胞とが、フィルターにより、または寒天などの非細胞マトリックスにより、互いに分離されている、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
分化ｈＥＳ細胞を取得するための条件が、幹細胞の再生は許容しないが、幹細胞を殺すことも、幹細胞をもっぱら胚外系統に分化させることもないような条件である、請求項１〜３２のいずれかに記載の方法。
【請求項３４】
ｈＥＳ細胞成長に最適な条件からの漸進的離脱が、ｈＥＳ細胞の特定の細胞タイプへの分化に有利に働く、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
好適な培養条件が、分化速度および／または分化効率を増加させうるＤＭＳＯ、レチノイン酸、ＦＧＦまたはＢＭＰの共培養への添加を含む、請求項３４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
核酸の増幅、定性的検出および定量的検出を行う装置であって、
ａ）温度制御および／または調整ユニットと、
ｂ）室担体とマイクロアレイとの間に形成される反応室であって、該マイクロアレイは、核酸プローブがアレイ要素上に固定化された基板を備え、反応室内の温度が、該温度制御および調整ユニットを用いて制御および／または調整されることができることとを備え、
室担体とマイクロアレイとの距離が２００μｍ未満である状態で核酸の検出が行われるように構成されている装置。
【請求項２】
前記反応室が前記室担体と前記マイクロアレイとの間の毛細管ギャップであり、毛細管ギャップの厚さが５０μｍ〜１００μｍの範囲内である請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置が検出システムを備える請求項１又は請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記検出システムが、光学系、好ましくは蛍光光学系である請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記蛍光光学系が、前記反応室の全容積を再現するシステムである請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記室担体又は前記基板が、１５〜５００Ｗｍ−１Ｋ−１の熱伝導率を有する材料からなる請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記基板が実質的にセラミック材料、好ましくは酸化アルミニウムセラミックからなる請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記装置が、前記反応室に接続された少なくとも１つの流体容器と、任意で前記反応室への流体の装荷および除荷を制御するユニットとを更に備える請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記装置が、前記光学システムにより記録された前記信号を処理するために、前記光学システムに接続されたユニットを備える請求項３から請求項８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置が、外部コンピュータ用のインターフェイスを更に備える請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記反応室が、物質ライブラリおよび／または、増幅および／または検出反応の誘導に関する情報を含むデータマトリクスを備える請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
試料中の核酸の増幅、定性的検出および定量的検出を行う方法であって、
ａ）室担体とマイクロアレイとの間に形成された反応室内に該試料を配置する工程であって、該マイクロアレイは、核酸プローブがアレイ要素上に固定化された基板を備えることと、
ｂ）循環増幅反応を用いて該反応室内で該検出される核酸を増幅する工程と、
ｃ）該基板上に固定化された核酸プローブとハイブリッドを形成しない分子を該反応室から除去することなく、該検出される核酸と該基板上に固定化された該核酸プローブとの間のハイブリッド形成を検出する工程とを備える方法。
【請求項１３】
前記反応室が前記室担体と前記マイクロアレイとの間の毛細管ギャップであり、毛細管ギャップの厚さが５０μｍ〜１００μｍの範囲内である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記検出が、前記循環増幅反応の実行中および／または前記循環増幅反応の完了後に行われる請求項１２または請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記検出される核酸が検出可能マーカー、好ましくは蛍光マーカーで標識される請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記蛍光マーカーの検出が、前記反応室の全容積を再現する蛍光光学系を用いて行われる請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記試料中で検出される核酸の初期濃度が、検出される前記核酸と検出可能な前記基板上に固定化された核酸プローブとの間にハイブリッドを形成させるために必要な増幅サイクル数との相関関係を用いて決定される請求項１２から請求項１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記試料が、周知の濃度の、前記マイクロアレイの核酸プローブとハイブリッドを形成する核酸を含む請求項１２から請求項１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記検出される核酸の増幅がＰＣＲを用いて行われる請求項１２から請求項１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板が実質的にセラミック材料、好ましくは酸化アルミニウムセラミックからなる請求項１２から請求項１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
ＰＣＲの実行、および／またはマイクロアレイベースの検定を行うための、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の装置の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未補正復調信号を生成するように、受信した信号を復調する手段と、
補正信号用の出力を有する直流オフセット電圧補正回路と、
前記出力に結合されたデータ再生回路とを備え、
前記直流オフセット電圧補正回路が、
前記未補正復調信号用の入力と、
受信したデータを検出するためのビットスライサと、
ノイズ及び直流オフセットを差し引いた前記復調信号を再生成するためのフィルタリング手段と、
直流オフセット電圧を生成するように、前記未補正復調信号から前記再生成復調信号を差し引く減算手段と、
前記直流オフセット電圧を前記ビットスライサにフィードバックするためのフィードバック回路とを備える受信機。
【請求項２】
前記フィルタリング手段が、少なくとも全受信チェーンの伝達関数と実質的に同一の特性を有するローパスフィルタであることを特徴とする請求項１に記載の受信機。
【請求項３】
前記未補正復調信号を少なくとも、前記フィルタリング手段を介した信号の伝送による時間遅延の持続時間だけ遅延させる遅延手段を備えることを特徴とする請求項２に記載の受信機。
【請求項４】
前記フィードバック回路が、ローパスフィルタを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の受信機。
【請求項５】
前記フィードバック回路が、推定ドリフト速度によって制御される可変帯域幅フィルタを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の受信機。
【請求項６】
前記未補正復調信号用の第１入力と、
前記直流オフセット電圧用の第２入力と、
前記ビットスライサと前記データ再生回路とに結合された出力とを有する、もう１つの減算段を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の受信機。
【請求項７】
復調信号中の直流オフセット電圧の補正の方法であって、
前記復調信号の直流フリー推定値を得る段階と、
直流オフセット電圧を得るために、前記復調信号の実質的に同時的なバージョンから前記復調信号の前記直流フリー推定値を差し引く段階と、
前記復調信号から前記直流オフセット電圧を差し引く段階とを備える方法。
【請求項８】
前記復調信号の推定値を提供するために、前記復調信号から前記オフセット電圧を差し引くことによって形成される差分信号をビットスライスする段階と、
前記復調信号の直流フリー推定値を得るために、前記復調信号の前記推定値を濾波する段階とを備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記オフセット電圧を濾波する段階を備えることを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記復調信号の前記直流フリー推定値を差し引く前に前記復調信号を遅延させる段階を備えることを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記アイドルギャップ（４０１）を識別する工程は、ＷＣＤＭＡを基礎とした第１の無線接続技術を用いたデバイス（１０１）のトランシーバ・アクティビティ間で実行され、
前記実行信号はＧＳＭを基礎とした第２の無線接続技術を用いたデバイス（１０２）に送信されて、前記ギャップ期間に実行される前記ＧＳＭを基礎とした第２の無線接続技術を用いたデバイス（１０１）のデバイス間無線接続技術の測定を開始することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記第１の無線接続技術を用いたデバイスはＷＣＤＭＡを基礎とした無線接続技術を用いたデバイスであり、
前記第２の無線接続技術を用いたデバイスはＧＳＭを基礎とした無線接続技術を用いたデバイスであることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の携帯型無線通信装置（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池の製造において、半導体ウェーハの表面内のドープ領域へ金属コンタクトを製造する方法であって、
ａ）前記半導体ウェーハの表面の上に酸化ケイ素層を形成する段階と、
ｂ）前記酸化ケイ素層を覆い且つ前記酸化物層を介して前記半導体ウェーハのドープ領域に接触するシード金属層を形成する段階であって、該シード金属層は前記酸化ケイ素層と協同して太陽電池における赤外線反射体として機能する第１の層を含む、前記段階と、
ｃ）メッキ用マスクを前記シード金属層の上に形成し、これによって金属コンタクトの幾何学形状を定める段階と、
ｄ）前記シード層の上に導電層をメッキする段階と、
ｅ）前記メッキ用マスクを除去する段階と、
ｆ）前記メッキ用マスクの下にあった前記シード金属層を選択的にエッチングする段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記シード金属層の第１の層が、前記酸化ケイ素層と共に赤外線反射体として機能するアルミニウムの層、該第１の層の上にある第２の拡散障壁層、及び該第２の拡散障壁層の上にある第３の導電層を備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の拡散障壁層が、チタン・タングステンを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第３の導電層が、メッキを開始させるストライク層として機能する銅を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
段階ａ）は、段階ｂ）において前記シード金属層が前記ドープ領域に接触できるように、前記酸化ケイ素を貫通する穴をエッチングする段階を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
段階ａ）は化学ペーストを前記酸化ケイ素層に適用する段階を含み、前記酸化ケイ素を貫通する穴がエッチングされる請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記化学ペーストが印刷により適用される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
段階ｃ）が、コンタクト及びグリッドパターンを定める段階を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
段階ｄ）の後に、前記導電層の上にキャップ層を塗布する段階を更に含み、もって前記導電層を段階ｆ）の間エッチング剤から保護する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャップ層が、電気メッキされた錫を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記キャップ層が、化学メッキされた金属を含む請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記流体除去システムは、前記第一表面における圧力が前記第二表面における圧力より低くなるように前記第一表面における圧力を制御する請求項１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月27日(2007.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板上をエッチングマスクを通して誘電体層中に形状をエッチングする方法であって、
ガス変調サイクリックプロセスを３サイクルより多く実行すること
を含み、それぞれのサイクルは、
堆積ガス化学物質を持つ第１ガス化学物質を用いて保護層形成フェーズを実行することを含み、前記保護層形成フェーズはそれぞれのフェーズについて約０．００５５から７秒のあいだ実行され、前記保護層形成フェーズを実行することは、
前記堆積ガスを提供すること、および
前記堆積ガスからプラズマを形成すること
を含み、
前記エッチングマスクを通して第２ガス化学物質を用いて反応性エッチングガス化学反応を用いて前記誘電体層中に前記形状をエッチングするためのエッチングフェーズを実行することであって、前記第１ガス化学物質は前記第２ガス化学物質とは異なり、前記エッチングフェーズはそれぞれのフェーズについて約０．００５から１４秒のあいだ実行され、前記エッチングフェーズを実行することは、
反応性エッチングガスを提供すること、および
前記反応性エッチングガスからプラズマを形成すること
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の入力／出力（Ｉ／Ｏ）セルを含む集積回路（ＩＣ）チップであって、その複数のＩ／Ｏセルの各Ｉ／Ｏセルは、
ＩＣチップの基板に位置する能動Ｉ／Ｏ回路と、
前記基板の上に形成されるとともに、第１電源導体、第２電源導体、及び信号導体を備える複数の金属相互接続層と、
前記複数の金属相互接続層の上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成されるとともに、前記信号導体に接続される第１パッドと、
前記絶縁層の上に形成されるとともに、複数の金属相互接続層の内の最上部に位置する金属層の少なくとも２つの金属構造の直上に位置する第２パッドとを備え、該第２パッドは、前記絶縁層の少なくとも一つの開口を通して、少なくとも２つの金属構造の内の一つの金属構造に選択的に接続される、ＩＣチップ。
【請求項２】
前記少なくとも２つの金属構造のうちの第１の金属構造は前記第１電源導体に結合され、前記第１電源導体は第１の電源電位を供給するように構成され、前記少なくとも２つの金属構造のうちの第２の金属構造は前記第２電源導体に結合され、前記第２電源導体は第２の電源電位を供給するように構成される、請求項１に記載のＩＣチップ。
【請求項３】
前記絶縁層は、絶縁層マスクを用いてパターニングされ、前記少なくとも２つの金属構造の内の一つの金属構造の直上の所定位置における前記絶縁層の少なくとも一つの開口を通して、前記第２パッドを前記少なくとも２つの金属構造の内の一つの金属構造に選択的に結合させるようにマスクをプログラム化する、請求項１に記載のＩＣチップ。
【請求項４】
入力／出力（Ｉ／Ｏ）セルを含む集積回路（ＩＣ）チップであって、Ｉ／Ｏセルは、
ＩＣチップの基板に位置する能動Ｉ／Ｏ回路と、
前記基板の上に形成される複数の金属相互接続層と、
前記複数の金属相互接続層の上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成されるとともに、該絶縁層の少なくとも一つの開口を通して前記複数の金属相互接続層の内の第１金属構造に接続される第１パッドと、
前記絶縁層の上に形成されるとともに、複数の金属相互接続層の内の最上部に位置する
金属層の少なくとも２つの金属構造の直上に位置する第２パッドとを備え、第２パッドは、少なくとも２つの前記金属構造の内の一つの金属構造に対して、当該少なくとも２つの金属構造の内の一つの金属構造の直上に位置する前記絶縁層の少なくとも一つの開口を通して、選択的に接続される、ＩＣチップ。
【請求項５】
半導体チップのＩ／Ｏセルの標準化された設計ブロックを設ける工程であって、前記Ｉ／Ｏセルは、金属相互接続層と、金属相互接続層の上に形成される絶縁層と、信号を伝送する第１パッドと、電源電位を供給する第２パッドとを備え、前記第２パッドは金属相互接続層の少なくとも２つの金属構造の直上に形成されており、前記絶縁層は複数の位置を有し、少なくとも２つの金属構造の各金属構造は複数の位置の内の一つの位置に対応し、少なくとも２つの金属構造の内の第１金属構造は第１電源電位を供給する導体であり、少なくとも２つの金属構造の内の第２金属構造は第２電源電位を供給する導体である、工程と、
第２パッドを、少なくとも２つの金属構造の一つの金属構造に対して、当該少なくとも２つの金属構造の内の一つの金属構造に対応する複数の位置の内の一つの位置にある少なくとも一つの開口を通して選択的に接続するように、マスクをプログラム化する工程と、
前記マスクを使用して前記絶縁層をパターニングする工程とを備える、ＩＣチップの形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュアルメタルゲート構造を形成するためのプロセスであって、
第１領域と第２領域とを有し、前記第１領域は第１導電型を有し、前記第２領域は前記第１導電型と異なる第２導電型を有する半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板の第１領域と第２領域とを覆う誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層上に設けられ、前記半導体基板の第１領域を覆う第１メタル含有層を形成するステップと、
前記第１メタル含有層と前記誘電体層とを覆うと共に、前記半導体基板の第２領域上に設けられた前記誘電体層の一部と直接接する第２メタル含有層を形成するステップと、
前記第２メタル含有層上にパターン化されたマスキング層を形成し、第１ゲート層と第２ゲート層とを画定するステップと、
前記パターン化されたマスキング層を用いて前記第２メタル含有層をドライエッチングし、前記第１ゲート層のゲート電極を形成すると共に前記第１メタル含有層上の第２メタル含有層の第１部分の側壁を画定するステップであって、前記第２メタル含有層の第１部分は、前記第２ゲート層の上部をなしているステップと、
前記第２メタル含有層の第１部分をマスクとして用いて前記第１メタル含有層の少なくとも一部をウェットエッチングし、前記第１部分の下部に前記第２ゲート層のゲート電極を形成するステップと
を備えるプロセス。
【請求項２】
デュアルメタルゲート構造を形成するためのプロセスであって、
第１領域と第２領域とを有し、前記第１及び第２領域の一方はＰ領域であり、他方はＮ領域である半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板の第１領域と第２領域とを覆うゲート誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層上に設けられ、前記半導体基板の第１領域を覆う第１メタル含有層を形成するステップと、
前記第１メタル含有層と前記誘電体層とを覆うように設けられ、前記半導体基板の第２領域を覆う前記誘電体層の一部と直接接する第２メタル含有層を形成するステップであって、前記第１及び第２メタル含有層の一方は窒化チタン（ＴｉＮ）からなり、他方は窒化タンタルシリコン（ＴａＳｉＮ）からなるステップと、
前記第２メタル含有層上にパターン化されたマスキング層を形成し、第１ゲート層と第２ゲート層とを画定するステップと、
前記パターン化されたマスキング層を用いて前記第２メタル含有層をドライエッチングし、前記第１ゲート層のゲート電極を形成するステップと、
前記パターン化されたマスキング層を用いて前記第１メタル含有層の少なくとも一部をウェットエッチングし、前記第２ゲート層のゲート電極を形成するステップと
を備えるプロセス。
【請求項３】
デュアルメタルゲート構造を形成するためのプロセスであって、
第１領域と第２領域とを有し、前記第１領域は第１導電型を有し、前記第２領域は前記第１導電型と異なる第２導電型を有する半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板を覆う誘電体層を形成するステップと、
前記第１領域上に設けられ、前記誘電体層を覆うと共に前記誘電体層と物理的に接する第１メタル含有ゲート電極を有する第１ゲート層を形成するためのステップであって、前記第１メタル含有層を覆う第２メタル含有層をドライエッチングした後に前記第１メタル含有層をウェットエッチングして前記第１メタル含有ゲート電極を形成することを含むステップと、
前記第２領域上に設けられ、前記誘電体層を覆う共に前記誘電体層と物理的に接する第２メタル含有ゲート電極を有する第２ゲート層を形成するためのステップであって、第２メタル含有層をドライエッチングして前記第２メタル含有ゲート電極を形成することを含み、前記第１メタル含有ゲート電極は第１仕事関数を有し、前記第２メタル含有ゲート電極は前記第１仕事関数と異なる第２仕事関数を有するステップと
を備えるプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月11日(2007.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸上に配列された複数の巻線と、
外力の掛かる前記軸に沿う前記巻線に沿って動くように配列された少なくとも一つの電磁式電機子と、
移動の方向を逆転させその動作を促進するための磁力電機子に力を加えるための前記軸の端末に備えられる少なくとも一つの促進材料と、
を備え、
前記磁石電機子は少なくとも二つの磁気極構造で構成された磁性体を含み、前記磁気極構造の各々が一対の双極磁石を備え、前記磁気極構造が、直列に配列されたＮＳ交互極性の少なくとも二つのＮ極（Ｎ）および二つのＳ極（Ｓ）を形成するために相互に結合されているリニア発電機。
【請求項２】
前記磁極構造の各々が、二つの端末と側面を有する一対の平行六面体形状双極磁石と、相互に向き合うような前記側面平面で相互に結合された前記一対の双極磁石と、前記磁性体を形成するための前記個々の双極性磁石の前記端部で相互に組み合わさる前記一対とを備える、請求項１に記載のリニア発電機。
【請求項３】
前記個々の双極磁石が接着剤、溶接、半田付け、焼結、又はボンド付けにより接合される、請求項２に記載のリニア発電機。
【請求項４】
各々が一対の端面および一対の側面を有する少なくとも一つの一対の個々の平行六面体形双極磁石を提供するステップと、
同極が相互に対面して接着させて、前記一対を形成するように前記個々の双極磁石の側面を結合させるステップと、
少なくとも二つのＮＳ交互極性の逆の極性を含む直列接続磁石配列を形成するように前記磁石の端面を結合させるステップと、
を備える、請求項１のリニア発電機に使用するための磁石組立方法。
【請求項５】
少なくとも一つの固定式磁石構造と、
外力の掛かる構造の軸に平行する磁石構造に関連して動作するように配列された複数の巻線と、
巻線移動の方向を逆転させ、その動作を促進させるように、巻線に力を加えるために前記軸の端末に備えられる少なくとも一つの促進材料と、
を備え、
前記磁石電機子は少なくとも二つの磁気極構造で構成された磁性体を含み、前記磁気極構造の各々が一対の双極磁石を備え、前記磁気極構造が、直列に配列されたＮＳ交互極性の少なくとも二つのＮ極（Ｎ）および二つのＳ極（Ｓ）を形成するために相互に結合されているリニア発電機。
【請求項６】
前記磁石構造が前記巻線を通過する前記軸に沿って延びる第一多極磁石を含む、請求項５に記載のリニア発電機。
【請求項７】
前記磁石構造が前記巻線の外側の前記第一多極磁石に平行に延びる少なくとも一つの付加的多極磁石を含む、請求項６に記載のリニア発電機。
【請求項８】
前記第一多極磁石が連結された二つの半円筒形構造から構成され、前記少なくとも一つの付加的多極磁石は互いに結合した二つのアーチ型構造を有するへこんだ円筒形構造であり、前記第一多極磁石と同軸である、請求項７に記載のリニア発電機。
【請求項９】
直列に配列された交互極性の極性を有する少なくとも一つの磁極構造と、前記磁極構造が、二つの端末と側面を有する一対の平行六面体形状双極磁石と、同極が相互に向き合うような前記側面平面で相互に結合された前記一対の双極磁石と、前記磁極構造を形成するための前記個々の双極性磁石の前記端部で相互に組み合わさる前記一対とを備える、請求項１〜８のいずれかに記載のリニア発電機のための磁石構造。
【請求項１０】
各巻線は多層積み重ね配列の少なくとも一つの層の中に形成される少なくとも一つの巻線を有する複数の巻線であって、前記巻線は少なくとも一つの第１の時計回り巻線と少なくとも一つの第２の反時計回り巻線を含む前記巻線を備えるリニア発電機巻き構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月11日(2007.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折矯正手術により生じる誘導収差を抑制するシステムであって、
ターゲット光学表面形状を受け入れる入力と、
前記ターゲット光学表面形状と一組の屈折矯正手術システム・パラメータに基づいてモデルの光学表面形状を決定するモジュールと、
前記モデルの光学表面形状における収差を抑制するように前記一組の屈折矯正手術システム・パラメータを調節するモジュールとを備えるシステム。
【請求項２】
前記一組の屈折矯正手術システム・パラメータは、波面デバイス変数、レーザ切除輪郭変数、レーザ位置合わせと追跡システム変数、微小角膜切開刀変数、治療効果変数からなる群から選択した少なくとも１つの要素を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記屈折矯正手術システム・パラメータを調節するモジュールは、精度変数、加熱変数、治療時間変数からなる群から選択した測定基準を含む請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記精度変数は２乗平均平方根誤差係数に基づく請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記加熱変数は温度係数に基づく請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記治療時間変数は切除時間係数に基づく請求項３に記載のシステム。
【請求項７】
前記収差は高次収差を含む請求項１乃至６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記ターゲット光学表面形状は低次収差に対応するように構成されている請求項１乃至７のいずれかに記載のシステム。
【請求項９】
前記波面デバイス変数は、点識別係数、眼調節係数、復元係数からなる群から選択した要素を含む請求項２乃至８のいずれかに記載のシステム。
【請求項１０】
前記復元係数は、補償されない残余誤差部、測定誤差部、残りの誤差部からなる群から選択した要素を含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記レーザ切除輪郭変数は、パルス寸法係数、点寸法可変性係数、ビーム均一性係数、レーザ・パルス繰返し率係数からなる群から選択した要素を含む請求項２乃至１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１２】
前記微小角膜切開刀変数は、中心平坦化と周面厚み付け効果係数、ヒンジ効果係数からなる群から選択した要素を含む請求項２乃至１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１３】
前記レーザ位置合わせと追跡システム変数は、位置合わせ係数、直線追跡係数、回し運動追跡係数からなる群から選択した要素を含む請求項２乃至１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１４】
前記波面デバイス変数は、高次収差に対応するように構成されている請求項２乃至１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１５】
屈折矯正手術により生じる誘導収差を抑制する方法であって、
ターゲット光学表面形状を入力するステップと、
前記ターゲット光学表面形状と一組の屈折矯正手術システム・パラメータに基づいてモデルの光学表面形状を決定するステップと、
前記一組の屈折矯正手術システム・パラメータによって誘導される収差を測定するように、前記ターゲット光学表面形状と前記モデルの光学表面形状を比較するステップと、
誘導収差を抑制するように前記一組の屈折矯正手術システム・パラメータを調節するステップとを含む方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、重ね合わせて配置された、
寸法安定性の支持体、及び、
０．０５〜７ｍｍの厚さを有し、少なくとも１種のバインダー（ａ１）、レーザー照射を吸収する物質（ａ２）、及び架橋用の成分（ａ３）を含む層を架橋することにより得られる、少なくとも１種の、レリーフを形成する架橋されたエラストマー性の層（Ａ）、
を含み、
前記レーザー照射を吸収する物質が、少なくとも１５０ｍ2／ｇの比表面積及び少なくとも１５０ｍｌ／１００ｇのＤＢＰ数を有する伝導性カーボンブラックである、レーザー彫刻によるフレキソ印刷版製造用のフレキソ印刷要素。
【請求項２】
前記物質が、少なくとも５００ｍ2／ｇの比表面積及び少なくとも２５０ｍｌ／１００ｇのＤＢＰ数を有する伝導性カーボンブラックである、請求項１に記載のフレキソ印刷要素。
【請求項３】
少なくとも、更に、支持体と層（Ａ）との間に位置し、少なくとも１種のバインダー（ｂ１）及び架橋用の成分（ｂ３）を含む層を架橋することにより得られる、レリーフを形成する、架橋されたエラストマー性の層（Ｂ）を含む請求項１又は請求項２に記載のフレキソ印刷要素。
【請求項４】
バインダー（ｂ１）が、熱可塑性のエラストマー性のバインダーである請求項３に記載のフレキソ印刷要素。
【請求項５】
層（Ｂ）が更にレーザー照射を吸収する物質（ｂ２）を含む請求項３又は請求項４に記載のフレキソ印刷要素。
【請求項６】
層（Ａ）中のバインダー（ａ１）が天然又は合成ゴムである請求項３〜５の何れかに記載のフレキソ印刷要素。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかに記載のフレキソ印刷要素が使用され、印刷レリーフが層（Ａ）及び適宜、層（Ｂ）内にレーザー装置によって彫刻され、レーザーによりレリーフ要素に彫刻される深さが少なくとも０．０３ｍｍである、フレキソ印刷版の製造方法。
【請求項８】
前記レーザー装置が、２本以上のレーザービームを有するレーザー装置である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
レーザービームの少なくとも１本が粗構造物の製造用に使用され、そして少なくとも１本が微細構造物の製造用に使用される請求項８に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
従って、レーザー彫刻によるフレキソ印刷版の製造用のフレキソ印刷要素が、少なくとも、重ね合わせて配置された、
寸法安定性の支持体、
０．０５〜７ｍｍの厚さを有し、少なくとも１種のエラストマー性バインダー（ａ１）、レーザー照射を吸収する物質（ａ２）及び、架橋用の成分（ａ３）を含む層を架橋することにより得られる、少なくとも１種のレリーフを形成する、架橋された、エラストマー性の層（Ａ）、
を含み、
上記レーザー照射を吸収する物質が、少なくとも１５０ｍ2／ｇの比表面積及び少なくとも１５０ｍｌ／１００ｇのＤＢＰ数を有する伝導性カーボンブラックであることが分かった。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
新しいフレキソ印刷要素がレリーフ形成層として単層（Ａ）のみを含んで良い。それは、重ね合わせて位置される２種以上の層でも良く、これらの層が同じ組成(composition)又は異なる組成であり得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
この新しいフレキソ印刷要素は、例えば、全ての成分を適当な溶媒に溶かし、又は分散させ、そして支持体の上で型にとることにより製造され得る。多層要素の場合、原則として知られた方法で、複数の層が重ね合わせた状態で型にとられ(cast)得る。型にとった後、所望により開始材料(starting material)を損傷から保護するカバーシートを施すことが可能である。逆に、カバーシートの上に型をとり、最終的に、それで支持体を層板にする(laminate)ことが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本発明による容器の例は、実質的に円筒形の袋１、たとえば、任意の手段、例えば熱溶接により閉じた縦方向端部３３，３４を備えた合成樹脂、アルミニウムあるいは紙の材料の袋（図１）と、前述のものと似ているがその両端の一方においてネジキャップ７を備えた袋２（図２）と、両端に突き出た突起部８を備えた、正方形の前面型式と実質的に長円形の側面型式の袋３（図３）と、図３のものと似ているがその両端の一方においてネジキャップ７を備えた袋４（図４）である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
容器１，２，３，４の出口は、出口連結手段により分配システム５の固定された部分に完全に連結する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2006523554.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2006523554.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2006523554.tif 000003