【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロプロセッサを動作させる方法であって、
前記マイクロプロセッサのための所望の動作周波数を決定するステップと、
前記マイクロプロセッサ内に記憶され、そして、前記マイクロプロセッサに特化された情報にアクセスするステップであって、前記情報を使用して、前記所望の動作周波数で前記マイクロプロセッサを動作させるための、前記マイクロプロセッサの特性に基づく最適電圧を決定するステップと、
前記最適電圧で前記マイクロプロセッサを動作させるステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記情報が、前記マイクロプロセッサのパッケージングに先立って、前記マイクロプロセッサ内で符号化され、そして／または、前記最適電圧で動作している間、前記マイクロプロセッサを前記所望の動作周波数で動作させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マイクロプロセッサの前記特性が、前記マイクロプロセッサの温度測定を含み、前記温度測定が、アクセスする前記ステップを行う位置の最も近くで実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記情報が、複数組の周波数−電圧動作点のうちの１組へのマッピングを含み、前記複数組の周波数−電圧動作点が、前記マイクロプロセッサ内に記憶されない、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
マイクロプロセッサの製造方法であって、
複数の未パッケージのマイクロプロセッサにアクセスするステップと、
前記複数の未パッケージのマイクロプロセッサのうちの１つのマイクロプロセッサに必要な、指定周波数における電力制限に合致するための電圧を決定するステップと、
前記電圧の情報を前記１つのマイクロプロセッサの中に符号化するステップと
を含む方法。
【請求項６】
前記決定ステップが、前記１つのマイクロプロセッサのパッケージングに先立って実行され、決定する前記ステップがウェハレベルで実行され、そして、符号化する前記ステップが、前記ウェハレベルで実行される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記電圧が、前記１つのマイクロプロセッサのキャパシタンスを測定することによって決定され、そして／または、前記電圧が、前記１つのマイクロプロセッサのアイドル電流を測定することによって決定される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
決定する前記ステップが複数の温度で実行され、そして／または、前記情報が、周波数−電圧特性の複数の関係のうちの１つへのマッピングを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
集積回路であって、
マイクロプロセッサ回路と、
前記マイクロプロセッサ回路に結合された不揮発性記憶装置の少なくとも１つのビットとを備え、
前記不揮発性記憶装置が、前記集積回路の周波数−電圧特性の情報を含んでいる集積回路。
【請求項１０】
前記情報が、周波数−電圧特性の複数のグループのうちの１つへのマッピングを含む、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
前記マイクロプロセッサ回路が、前記集積回路の動作状態を示す値を提供する、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１２】
前記値が前記集積回路の温度を含み、そして／または、前記値が前記集積回路の所望の動作周波数を含む、請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１３】
不揮発性記憶装置の前記少なくとも１つのビットがリセット不能であり、そして／または、前記情報が前記集積回路のパッケージングに先立って記憶される、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１４】
２組の周波数−電圧動作点を備えた、コンピュータ可読メモリ内のデータ構造であって、
前記組の個々の周波数−電圧動作点が、マイクロプロセッサ集積回路を所望の周波数で動作させるために必要な最低動作電圧を指定し、更に、
周波数−電圧動作点の組の各々が、複数のマイクロプロセッサ集積回路の１つのクラスを表し、複数のマイクロプロセッサ集積回路の前記クラスの各々が異なる周波数−電圧特性を有しているところのデータ構造。
【請求項１５】
前記データ構造がマイクロプロセッサ集積回路の外部に存在し、そして／または、マイクロプロセッサ集積回路に記憶されている情報によって前記組の周波数−電圧動作点の各々を指示することができる、請求項１４に記載のデータ構造。
【請求項１６】
温度依存動作電圧情報を更に含む、請求項１４に記載のデータ構造。
【請求項１７】
マイクロプロセッサ集積回路と、
前記マイクロプロセッサ集積回路に結合されて、前記マイクロプロセッサ集積回路に選択可能電圧を供給するための電圧源と、
前記マイクロプロセッサ集積回路に結合されて、前記マイクロプロセッサ集積回路の動作電圧を最適化する方法を実施するための命令を含むメモリ空間と
を備えたコンピュータであって、前記方法が、
前記マイクロプロセッサ集積回路のための所望の動作周波数を決定するステップと、
前記マイクロプロセッサ集積回路内に記憶されている情報にアクセスして、前記マイクロプロセッサを前記所望の動作周波数で動作させるための最適電圧を決定するステップであって、前記最適電圧が、前記マイクロプロセッサ集積回路の特性に基づいているところのステップと、
前記電圧源に前記最適電圧を前記マイクロプロセッサ集積回路に供給させるステップとを含んでいる
ところのコンピュータ。
【請求項１８】
少なくとも２組の周波数−電圧動作点を備えた第２のメモリ空間を更に備え、
前記組の個々の周波数−電圧動作点が、マイクロプロセッサ集積回路を所望の周波数で動作させるために必要な最低動作電圧を指定し、更に、
少なくとも２組の周波数−電圧動作点の各々が、複数のマイクロプロセッサ集積回路の１つのクラスを表し、複数のマイクロプロセッサ集積回路の各々のクラスが異なる周波数−電圧特性を有する、請求項１７に記載のコンピュータ。
【請求項１９】
前記情報が、前記少なくとも２組の周波数−電圧動作点のうちの１つへのマッピングを含み、そして／または、前記第２のメモリ空間が前記マイクロプロセッサ集積回路内に包含されない、請求項１８に記載のコンピュータ。
【請求項２０】
前記第２のメモリ空間が温度依存動作電圧情報を更に含み、
前記マイクロプロセッサ集積回路の温度を測定するための手段を更に備え、
前記方法が、
前記マイクロプロセッサ集積回路の温度にアクセスするステップと、
前記温度依存動作電圧情報にアクセスして、前記所望の動作周波数および前記マイクロプロセッサ集積回路の前記温度で、前記マイクロプロセッサを動作させるための最適電圧を決定するステップとを更に含む、
請求項１８に記載のコンピュータ。
【請求項２１】
マイクロプロセッサのクラスに関連する、電圧−周波数の複数の関係を記憶するメモリと、
前記クラスの複数のマイクロプロセッサのうちの１つのマイクロプロセッサと
を備えた電子デバイスであって、前記マイクロプロセッサが、前記マイクロプロセッサ上に記憶され、前記複数の電圧−周波数の関係のうちの特定の電圧−周波数の関係を示す情報を含み、前記特定の電圧−周波数の関係が前記マイクロプロセッサに特化され、そして、前記特定の電圧−周波数の関係を使用して、前記マイクロプロセッサに印加すべき、前記マイクロプロセッサの所望の動作周波数に基づく最適電圧が選択されるところの電子デバイス。
【請求項２２】
前記最適電圧を印加し、そして、前記マイクロプロセッサを前記所望の動作周波数で動作させるための論理を更に備え、前記論理は、前記メモリおよび前記マイクロプロセッサに結合されている、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記メモリが前記マイクロプロセッサから分離しており、そして／または、前記情報が、前記マイクロプロセッサ上に組み込まれたプログラマブルヒューズに記憶されており、そして／または、前記情報が、前記マイクロプロセッサ上に組み込まれたプログラマブルメモリに記憶される、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記情報が、前記マイクロプロセッサの特性表示後に獲得され、前記情報が、ウェハレベルの前記マイクロプロセッサにプログラムされる、請求項２１に記載のデバイス。