(57)【要約】【課題】  製造工程を単純化すると同時に、良好な画質を確保できる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。また、本発明の他の目的は、画素の開口率を向上することができる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。    【解決手段】  本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、ゲート線、ゲート線と交差するデータ線、ゲート線及びデータ線と分離されている蓄積電極、それぞれのゲート線及びデータ線に接続され、ドレイン電極を備える薄膜トランジスタ、ドレイン電極に接続されている画素電極、薄膜トランジスタを覆い、画素電極下部に配置されている第１絶縁膜、下部絶縁膜上部に形成され、蓄積電極に対応する部分で下部絶縁膜を露出させる開口部を有する第２絶縁膜を備える。【選択図】  図２
2006235635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート線と、
前記ゲート線と交差するデータ線と、
前記ゲート線及び前記データ線と分離されている蓄積電極と、
それぞれの前記ゲート線及び前記データ線に接続され、ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、
前記ドレイン電極に接続されている画素電極と、
前記薄膜トランジスタを覆い、前記画素電極下部に配置されている第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上部に形成され、前記蓄積電極に対応する部分で前記第１絶縁膜を露出させる開口部を有する第２絶縁膜とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記第１絶縁膜は無機絶縁物質からなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記第２絶縁膜は有機絶縁物質からなることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記第２絶縁膜はカラーフィルタを有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記蓄積電極は前記ゲート線と同一層からなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記画素電極と前記ドレイン電極を接続するコンタクトホールは前記開口部内に位置することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
前記画素電極と同一層からなる遮蔽電極をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記遮蔽電極と前記画素電極は、前記第１及び第２絶縁膜上部に位置することを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記蓄積電極は前記遮蔽電極と同一層であり、前記遮蔽電極から突出していることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
前記蓄積電極は前記ドレイン電極と重なることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１１】
前記遮蔽電極は前記データ線に沿って延びていることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１２】
前記遮蔽電極は前記データ線の境界線を完全に覆うことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１３】
前記遮蔽電極は前記ゲート線と少なくとも一部分重なることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１４】
前記遮蔽電極は前記ゲート線と前記データ線に沿って延びていることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１５】
前記遮蔽電極は前記ゲート線よりも狭く、前記データ線よりも広ことを特徴とするい請求項１４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１６】
前記画素電極は切開部を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１７】
前記画素電極は、第１画素電極と、前記第１画素電極と容量性結合する第２画素電極を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１８】
前記ドレイン電極に接続され、前記第２画素電極と重なる容量性結合電極をさらに備え、
前記第２画素電極と前記容量性結合電極は、前記第１絶縁膜のみを介在して重なることを特徴とする請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１９】
基板上に形成されているゲート線と、
前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている第１半導体と、
少なくとも一部分前記第１半導体上に形成されているデータ線及びドレイン電極と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている蓄積導電体と、
前記データ線、前記ドレイン電極及び前記蓄積導電体上に形成されている第１保護膜と、
前記第１保護膜上に形成され、前記蓄積導電体上に位置した開口部を有する第２保護膜と、
前記第２保護膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続され、前記開口部で前記蓄積導電体と重なる画素電極とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２０】
前記第１保護膜は、前記第２保護膜よりも薄いことを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２１】
前記第１保護膜は無機絶縁物質を含み、前記第２保護膜は有機絶縁物質を含むことを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２２】
前記蓄積導電体下に位置した第２半導体をさらに備えることを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２３】
前記第１半導体は、前記データ線と前記ドレイン電極との間に位置した部分を除く、前記データ線及び前記ドレイン電極と実質的に同一の平面形状を有することを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２４】
前記第１半導体が非晶質シリコンを含むことを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２５】
前記第２保護膜上に形成され、前記データ線及び前記ゲート線のうちの少なくとも一つと重なる遮蔽電極をさらに備えることを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２６】
前記第１及び第２保護膜は、前記蓄積導電体を露出させるコンタクトホールを有し、前記蓄積導電体は、前記コンタクトホールを介して前記遮蔽電極に接続されていることを特徴とする請求項２５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２７】
基板上にゲート線を形成し、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記半導体の上にオーミック接触部材を形成し、
前記オーミック接触部材上に少なくとも一部分位置し、互いに分離されているデータ線、ドレイン電極及び蓄積導電体を形成し、
前記データ線、ドレイン電極及び蓄積導電体上に第１及び第２保護膜を積層し、
前記第２及び第１保護膜をパターニングして前記ドレイン電極の一部を露出させるコンタクトホールと、前記蓄積導電体上に位置し前記第１保護膜表面を露出させる開口部を形成し、
前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、前記開口部で前記蓄積導電体と重なる画素電極を形成する段階とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２８】
前記半導体と前記データ線、前記ドレイン電極、前記蓄積導電体、前記オーミック接触部材は、一つのフォト工程で形成することを特徴とする請求項２７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関し、液晶表示装置の一基板として用いる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在最も広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極などの電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に介在される液晶層とからなり、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これによって液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することで画像を表示する。
【０００３】
現在、主に使用されている液晶表示装置は、電界生成電極が二つの表示板に各々備えられているものである。特に、一つの表示板には複数の画素電極が行列状に配列され、もう一つの表示板には一つの共通電極が表示板全面を覆う構造を有する液晶表示装置が主流である。この液晶表示装置における画像表示は、各画素電極に別途の電圧を印加することによって行われる。そのために、画素電極に印加される電圧をスイッチングするための三端子素子である薄膜トランジスタを各画素電極に接続し、この薄膜トランジスタを制御するための信号を伝達するゲート線と、画素電極に印加される電圧を伝達するデータ線を表示板に設ける。さらに、表示板は、画素電極と重なって蓄積容量を形成する蓄積電極を備えている。
【０００４】
このような表示板は、マスクを用いたフォトエッチング工程で製造し、生産コストを削減するためにマスクの数を減らすことが望まれ、そのために中間の厚さを有する感光膜パターンを形成し、これをエッチングマスクとして用いてデータ線と半導体を共にパターニングする技術が開発されている。
【０００５】
しかし、このような製造方法は、蓄積電極と重なって蓄積容量を形成するところの画素電極に接続されている導電体の下部にも半導体が残留し、その結果、フリッカー（ｆｌｉｃｋｅｒ）現象または残像を起こして画質低下をもたらし、画素の開口率を低下させる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記のような従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、製造工程を単純化すると同時に、良好な画質を確保できる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。また、本発明の他の目的は、画素の開口率を向上することができる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した目的を達成するために、本発明に係る実施形態では、エッチングマスクとして用いる感光膜のうち、他の部分より薄い部分をソース電極とドレイン電極との間及び蓄積電極上部に形成することにより、必要に応じて、或る膜をエッチングするときは下部膜がエッチングされないようにし、他の膜をエッチングするときは共にエッチングする。このとき、蓄積容量が形成される部分でドレイン電極の占める面積を最少化し、無機絶縁膜のみを残し有機絶縁膜を除去する。
【０００８】
本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、ゲート線、ゲート線と交差するデータ線、ゲート線及びデータ線と分離されている蓄積電極、それぞれのゲート線及びデータ線に接続され、ドレイン電極を備える薄膜トランジスタ、ドレイン電極に接続されている画素電極、薄膜トランジスタを覆い、画素電極下部に配置されている第１絶縁膜、下部絶縁膜上部に形成され、蓄積電極に対応する部分で下部絶縁膜を露出させる開口部を有する第２絶縁膜を備える。
【０００９】
第１絶縁膜は無機絶縁物質からなり、第２絶縁膜は有機絶縁物質からなることが好ましく、第２絶縁膜はカラーフィルタを有することができる。
蓄積電極はゲート線と同一層からなることが好ましい。
画素電極とドレイン電極を接続するコンタクトホール（接触孔）は、開口部内に位置することが好ましい。
【００１０】
本実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、画素電極と同一層からなる遮蔽電極をさらに備えることができ、遮蔽電極と画素電極は、第１及び第２絶縁膜上部に位置することが好ましい。
【００１１】
蓄積電極は遮蔽電極と同一層であり、遮蔽電極から突出することができ、このとき、蓄積電極はドレイン電極と重なることが好ましい。
【００１２】
遮蔽電極はデータ線に沿って延びることが好ましく、データ線の境界線を完全に覆ってもよい。
【００１３】
遮蔽電極はゲート線と少なくとも一部分重なることが好ましく、遮蔽電極はゲート線とデータ線に沿って延び、ゲート線よりも狭く、データ線よりも広いことが好ましい。
【００１４】
画素電極は切開部を有することが好ましく、第１画素電極及び第１画素電極と容量性結合する第２画素電極を有してもよい。また、ドレイン電極に接続され、第２画素電極と重なる容量性結合電極をさらに備え、第２画素電極と容量性結合電極は、第１絶縁膜のみを介在して重なることが好ましい。
【００１５】
本発明の実施形態による他の薄膜トランジスタ表示板は、基板上に形成されているゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されている第１半導体、第１半導体上に少なくとも一部分形成されているデータ線及びドレイン電極、ゲート絶縁膜上に形成されている蓄積導電体、データ線、ドレイン電極及び蓄積導電体上に形成されている第１保護膜、第１保護膜上に形成され、蓄積導電体上に位置した開口部を有する第２保護膜、並びに第２保護膜上に形成され、ドレイン電極に接続され、開口部で蓄積導電体と重なる画素電極を備える。
【００１６】
第１保護膜は第２保護膜よりも薄いのが好ましく、第１保護膜は無機絶縁物質を含み、前記第２保護膜は有機絶縁物質を含んでもよい。
【００１７】
また、蓄積導電体下に位置した第２半導体をさらに有してもよい。
【００１８】
第１半導体は、データ線とドレイン電極との間に位置した部分を除く、データ線、ドレイン電極及び蓄積導電体と実質的に同一の平面形状を有してもよい。
【００１９】
また、半導体は非晶質シリコンであってもよい。
【００２０】
第２保護膜上に形成され、データ線及びゲート線のうちの少なくとも一つと重なる遮蔽電極をさらに備えることが好ましい。
【００２１】
第１及び第２保護膜は、蓄積導電体を露出させるコンタクトホールを有することができ、蓄積導電体はコンタクトホールを介して遮蔽電極に接続されることが好ましい。
【００２２】
本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階、ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階、半導体上にオーミック接触部材を形成する段階、オーミック接触部材上に少なくとも一部分位置し互いに分離されているデータ線、ドレイン電極及び蓄積導電体を形成する段階、データ線、ドレイン電極及び蓄積導電体上に第１及び第２保護膜を積層する段階、第２及び第１保護膜をパターニングしてドレイン電極の一部を露出させるコンタクトホールと蓄積導電体上に位置し、第１保護膜表面を露出させる開口部を形成する段階、コンタクトホールを介してドレイン電極に接続され、開口部で蓄積導電体と重なる画素電極を形成する段階を含む。
【００２３】
半導体とデータ線、ドレイン電極、蓄積導電体、オーミック接触部材は、一つの光マスクを用いてフォト工程で形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
このように、本発明によれば、中間の厚さを有する感光膜パターンで互いに異なる薄膜を一つのフォトエッチング工程でパターニングすることで、製造工程を単純化し、製造コストを最少化することができる。
【００２５】
また、ストレージキャパシタをなす画素電極と蓄積電極線との間に半導体が残留することを最少化し、無機絶縁物質の絶縁膜のみで誘電体を配置することによってストレージキャパシタの蓄積容量を安定的に充分確保でき、その結果、表示特性を安定的に確保でき、画素の開口率を極大化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
添付した図面を参照して、本発明の実施形態を本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２７】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の「上に」あるというとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２８】
以下、本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の構造について図１〜３を参照して詳細に説明する。
【００２９】
本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板１１０上にゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１及び蓄積電極線１３１が形成されている。
【００３０】
ゲート線１２１は、主に横方向に延びて互いに分離され、各ゲート線１２１の一部は複数のゲート電極１２４をなし、他の層または外部装置と接続するために広い面積の端部１２９を有する。
【００３１】
それぞれの蓄積電極線１３１は、主に横方向に延びてゲート線１２１と電気的に分離されている。蓄積電極線１３１は、蓄積電極をなす突出部を有することができ、蓄積電極線１３１には他の表示板の共通電極に印加される共通電圧など所定の電圧が印加される。
【００３２】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕなどの金属、またはこれらを含む合金などで形成される。図２に示すように、本実施形態において、ゲート線１２１は物理的性質が異なる二つの膜、つまり、下部膜１２１ｐとその上の上部膜１２１ｑを有する。下部膜１２１ｐは、ゲート信号の遅延や電圧降下を減らすために、低い比抵抗の金属、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属からなり、１０００〜３００ｎｍ範囲の厚さを有する。これに対し、上部膜１２１ｑは、他の物質、特にＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性が優れた物質、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金（例：モリブデン-タングステン（ＭｏＷ）合金）、クロム（Ｃｒ）などからなり、１００〜１００ｎｍ範囲の厚さを有する。下部膜１２１ｐと上部膜１２１ｑの組み合わせの例としては、純アルミニウムまたはアルミニウム-ネオジム（Ｎｄ）合金/モリブデンがあり、位置が互いに入れ替わることも可能である。図２で、ゲート電極１２４の下部膜と上部膜には各々図面符号１２４ｐ、１２４ｑ、ゲート線１２１端部１２９の下部膜と上部膜には各々図面符号１２９ｐ、１２９ｑ、蓄積電極線１３１の下部膜と上部膜には各々図面符号１３１ｐ、１３１ｑを付けた。ゲート線１２１端部１２９の上部膜１２９ｑの一部は除去され、その下の下部膜１２９ｐの一部を露出させてもよい。
【００３３】
下部膜１２１ｐ、１２４ｐ、１２９ｐ、１３１ｐと上部膜１２１ｑ、１２４ｑ、１２９ｑ、１３１ｑの側面はそれぞれ傾斜しており、その側壁の傾斜角は基板１１０表面に対して約３０〜８０°である。
【００３４】
ゲート線１２１と蓄積電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００３５】
ゲート絶縁膜１４０上部には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはアモルファスシリコンとも呼ばれ、ａ-Ｓｉと略称する。）または多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。各々の線状半導体１５１は、主に縦方向に延び、各々はゲート電極１２４に向けて延びた複数の突出部１５４を有する。
【００３６】
線状半導体１５１上部には、シリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成された複数の線状及び島状オーミック接触部材１６１、１６５が形成されている。線状オーミック接触部材１６１それぞれは複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３と島状オーミック接触部材１６５は対をなして半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。
【００３７】
線状半導体１５１とオーミック接触部材１６１、１６５の側面も基板１１０表面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０〜８０°であることが好ましい。
【００３８】
抵抗接触部材１６１、１６５上には、各々複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５が形成されている。
【００３９】
データ線１７１は、主に縦方向に延びてゲート線１２１及び蓄積電極線１３１と交差し、データ電圧を伝達し、他の層または外部装置と接続するために広い面積の端部１７９を有する。
【００４０】
それぞれのドレイン電極１７５は、蓄積電極線１３１上部まで延び蓄積電極線１３１の一部と重なる。
【００４１】
また、各データ線１７１は、各ドレイン電極１７５に向けて複数の分枝を形成し、データ線１７１から拡張されたソース電極１７３を有する。一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。
【００４２】
データ線１７１、ドレイン電極１７５もゲート線１２１と同様に、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕなどの金属、またはこれらを含む合金などで形成され、単一膜または多層膜からなり、多層膜の例として、ゲート線１２１の上部膜と下部膜の組み合わせからなる２層膜、またはＭｏまたはＭｏ合金/ＡｌまたはＡｌ合金/ＭｏまたはＭｏ合金からなる３層膜がある。
【００４３】
このとき、半導体１５１は、薄膜トランジスタが位置するチャネル部１５４を除く、データ線１７１、ドレイン電極１７５及びその下部のオーミック接触部材１６１、１６５と実質的に同一の平面形状を有する。具体的には、線状半導体１５１は、データ線１７１及びドレイン電極１７５とその下部のオーミック接触部材１６１、１６５下に存在する部分以外にも、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間にこれらで覆われず露出する部分を有する。
【００４４】
データ線１７１及びドレイン電極１７５と、これらで覆われず露出する半導体１５１部分上には、平坦化特性が優れ、かつ感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ、ａ-Ｓｉ:Ｏ:Ｆなどの低誘電率絶縁物質、または無機物質である窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなる保護膜１８０が形成されている。本実施形態において、保護膜１８０は、下部に位置し半導体１５１のチャネル部が有機物と直接接触しないように保護し、窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる下部絶縁膜１８０ｐと、平坦化特性を有し有機絶縁物質からなる上部絶縁膜１８０ｑの二重膜構造を有する。このとき、上部絶縁膜１８０ｑは、赤色、緑色及び青色などの原色のうちの一つを表示することができるカラーフィルタであってもよい。
【００４５】
保護膜１８０には、ドレイン電極１７５の少なくとも一部とデータ線１７１の端部１７９をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８５ｑ、１８２が備えられ、ゲート絶縁膜１４０と共にゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１が形成されている。ここで、ドレイン電極１７５の端部を露出させるコンタクトホール１８５ｐは、下部絶縁膜１８０ｐのみが有し、上部絶縁膜１８０ｑは、蓄積電極線１３１上部の大部分の下部絶縁膜１８０ｐを露出させる開口部１８５ｑを有する。開口部１８５ｑ内には、ドレイン電極１７５の端部を露出させるコンタクトホール１８５ｐが位置し、ドレイン電極１７５の縦境界線は開口部１８５ｑ内に位置する。このとき、ドレイン電極１７５下部に残留する非晶質シリコン層を最少化するために、ドレイン電極１７５が占める面積を最少化することが好ましく、特に、蓄積電極線１３１上部に位置するドレイン電極１７５端部の面積を最少化することが好ましい。
【００４６】
保護膜１８０上には、ＩＺＯまたはＩＴＯなどの透明な導電物質からなる複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
【００４７】
画素電極１９０は、コンタクトホール１８５ｐを介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続されドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９０は、共通電圧の印加を受ける他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって液晶層の液晶分子を再配列する。
【００４８】
また、前述したように、画素電極１９０と共通電極は、キャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”と言う。）をなして薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を保持しており、電圧保持能力を強化するために、液晶キャパシタと並列に接続された他のキャパシタを設ける。これをストレージキャパシタと言う。ストレージキャパシタは、画素電極１９０とこれと隣接するゲート線１２１（これを前段ゲート線と言う。）または蓄積電極線１３１の重なりなどで形成される。
【００４９】
本発明において、画素電極１９０と蓄積電極線１３１は、上部絶縁膜１８０ｑの開口部１８５ｑによってゲート絶縁膜１４０及び下部絶縁膜１８０ｑのみを介在し重なってストレージキャパシタをなしているので、蓄積容量を安定的に確保でき、狭い面積でも十分な蓄積容量を形成することができる。その結果、蓄積容量による画面のフリッカー現象または残像を防止することができ、良好な表示特性を確保でき、高い開口率を得ることができる。
【００５０】
本実施形態と異なって、別途の蓄積電極線１３１を配置せず、画素電極１９０と前段ゲート線１２１の重なりでストレージキャパシタを形成するときは、ゲート絶縁膜１４０を露出させる上部絶縁膜１８０ｑの開口部１８５ｑを前段ゲート線１２１上部に配置することもでき、その場合、画素電極１９０と重なる前段ゲート線１２１の一部を拡張することが好ましい。
【００５１】
また、上部絶縁膜１８０ｑがカラーフィルタを有する実施形態では、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９が位置するパッド領域にカラーフィルタが残留しない。
【００５２】
また、画素電極１９０は、隣接するゲート線１２１及びデータ線１７１と重なって開口率を高めているが、重ならなくてもよい。
【００５３】
接触補助部材８１、８２は、コンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線及びデータ線の端部１２９、１７９にそれぞれ接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の各終端部１２９、１７９と駆動集積回路のような外部装置との接着性を補完し、これらを保護する役割を果たすものであって、これらの適用は選択的である。
【００５４】
本発明の他の実施形態によれば、画素電極１９０の材料として透明な導電性ポリマーなどを使用し、反射型液晶表示装置の場合、不透明な反射性金属を使用しても良い。このとき、接触補助部材８１、８２は、画素電極１９０と異なる物質、特にＩＺＯまたはＩＴＯで形成することができる。
【００５５】
以下、図１乃至図３に示す構造を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態に従って製造する方法について、図４乃至図１１Ｂ及び図１乃至図３を参照して詳細に説明する。
【００５６】
図４は、本発明の一実施形態に従って製造する第１工程の薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図５Ａ及び図５Ｂは、各々図４のＶａ-Ｖａ線及びＶｂ-Ｖｂ線に沿った断面図であり、図６Ａ及び図６Ｂは、各々図４のＶａ-Ｖａ線及びＶｂ-Ｖｂ線に沿った断面図であり、図５Ａ及び図５Ｂに続く工程における断面図であり、図７Ａ及び図７Ｂは、各々図４のＶａ-Ｖａ線及びＶｂ-Ｖｂ線に沿った断面図であり、図６Ａ及び図６Ｂに続く工程における断面図であり、図８は、図７Ａ及び図７Ｂに続く工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図９Ａ及び図９Ｂは、各々図８のＩＸａ-ＩＸａ線及びＩＸｂ-ＩＸｂ線に沿った断面図であり、図１０は、図９Ａ及び図９Ｂに続く工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図１１Ａ及び図１１Ｂは、各々図１０のＸＩａ-ＸＩａ線及びＸＩｂ-ＸＩｂ線に沿った断面図である。
【００５７】
まず、透明なガラスなどからなる絶縁基板１１０上に二層の金属膜、つまり、純アルミニウムまたはアルミニウム合金（Ａｌ-Ｎｄ ａｌｌｏｙ）の下部金属膜と、モリブデンまたはモリブデン合金の上部金属膜をスパッタリングなどで順次に積層する。ここで、下部金属膜は１０００〜３００ｎｍ程度の厚さを有することが好ましく、上部金属膜は５００〜１００ｎｍ程度の厚さを有することが好ましい。
【００５８】
次に、図４、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、感光膜パターンを用いたフォトエッチング工程で上部金属膜と下部金属膜を順次にパターニングして、複数のゲート電極１２４を有するゲート線１２１と蓄積電極線１３１を形成する。
【００５９】
上部膜１２１ｑ、１３１ｑ及び下部膜１２１ｐ、１３１ｐのパターニングは、アルミニウム及びモリブデンに対し全て側面傾斜を与えながらエッチングできるアルミニウムエッチング液であるＣＨ３ＣＯＯＨ（酢酸）/ＨＮＯ３（硝酸）/Ｈ３ＰＯ４（リン酸）/Ｈ２Ｏを用いたウエットエッチングで行なうことが好ましい。
【００６０】
次に、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層１５０、不純物非晶質シリコン層１６０を化学気相蒸着法で各々約１５０ｎｍ乃至約５００ｎｍ、約５０ｎｍ乃至約２００ｎｍ、約３０ｎｍ乃至約６０ｎｍの厚さに連続蒸着する。次いで、スパッタリングなどの方法でデータ用導電物質を積層して導電体層１７０を形成した後、その上に感光膜を１μｍ乃至２μｍの厚さに塗布する。その後、光マスクによって感光膜に光を照射した後、現像して感光膜パターン５２、５４を形成する。
【００６１】
このように現象された感光膜の厚さは位置によって異なり、感光膜は厚さが次第に薄くなる第１乃至第３部分からなる。Ａ領域に位置した第１部分と、Ｃ領域に位置した第２部分は、各々図面符号５２と５４を付け、Ｂ領域に位置した第３部分に対する図面符号は付けない。これは第３部分が０の厚さを有しており、下の導電体層１７０が露出しているためである。第１部分５２と第２部分５４の厚さの比は後続工程の工程条件によって異なるようにし、第２部分５４の厚さを第１部分５２の厚さの１／２以下とすることが好ましく、例えば、４００ｎｍ以下であることが好適である。ここで、Ａ領域はデータ線１７１及びドレイン電極１７５に対応する配線領域に対応し、Ｃ領域はソース電極１７３とドレイン電極１７５との間のチャネル領域に対応し、Ｂ領域はＡ領域とＣ領域を除くその他の領域に対応する。
【００６２】
このとき、一つのマスクを用いたフォト工程で位置によって感光膜の厚さを異なるようにする方法は様々であり、第２部分５４に対応する部分の光透過量を調節するために、主にスリットや格子形態のパターンを形成したり、半透過膜を用いる。
【００６３】
ここで、スリット間に位置したパターンの線幅やパターン間の間隔、つまり、スリットの幅は露光時使用する露光器の分解能より小さいことが好ましく、半透過膜を使用する場合には、マスクの製作時に透過率を調節するために、異なる透過率を有する薄膜を利用したり、異なる厚さを有する薄膜を使用することができる。
【００６４】
その後、感光膜パターン５２、５４をエッチングマスクとして用いた一連のエッチング工程により、図８、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、複数のソース電極１７３をそれぞれ有する複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５を形成し、複数の突出部１６３をそれぞれ有する複数の線状オーミック接触部材１６１及び複数の島状オーミック接触部材１６５、並びに複数のチャネル部１５４を有する複数の線状半導体１５１を形成する。
【００６５】
説明上、Ａ領域に位置した導電体層１７０、不純物非晶質シリコン層１６０、真性非晶質シリコン層１５０の部分を第１部分とし、Ｃ領域に位置した導電体層１７０、不純物非晶質シリコン層１６０、真性非晶質シリコン層１５０の部分を第２部分とし、Ｂ領域に位置した導電体層１７０、不純物非晶質シリコン層１６０、真性非晶質シリコン層１５０の部分を第３部分とする。
【００６６】
次に、このような構造を形成する順序の一例を示す。
（１）Ｂ領域に位置した導電体層１７０、不純物非晶質シリコン層１６０及び非晶質シリコン層１５０の第３部分除去、
（２）Ｃ領域に位置した感光膜の第２部分５４除去、
（３）Ｃ領域に位置した導電体層１７０及び不純物非晶質シリコン層１６０の第２部分除去、
（４）Ａ領域に位置した感光膜の第１部分５２除去。
次に、このような順序の他の例を示す。
（１）Ｂ領域に位置した導電体層１７０の第３部分除去、
（２）Ｃ領域に位置した感光膜の第２部分５４除去、
（３）Ｂ領域に位置した不純物非晶質シリコン層１６０及び非晶質シリコン層１５０の第３部分除去、
（４）Ｃ領域に位置した導電体層１７０の第２部分除去、
（５）Ａ領域に位置した感光膜の第１部分５２除去、
（６）Ｃ領域に位置した不純物非晶質シリコン層１６０の第２部分除去。
【００６７】
ここでは、前記第２例について説明する。
【００６８】
まず、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、Ｂ領域に露出している導電体層１７０をウエットまたは乾式エッチングで除去し、下部の不純物非晶質シリコン層１６０の第３部分を露出させる。アルミニウム系導電膜は主にウエットエッチングを施し、モリブデン系導電膜はウエット及び乾式エッチングを選択的に施すことができ、多重膜の場合には、ウエット及び乾式エッチングを選択的に施すことができる。また、二重膜がアルミニウムとモリブデンを含む場合には、一つのウエットエッチング条件でパターニングしてもよい。乾式エッチングを行なう場合、感光膜５２、５４上の部分の厚さがある程度エッチングされることができる。
【００６９】
次に、Ｂ領域に位置した不純物非晶質シリコン層１６０及びその下部の真性非晶質シリコン層１５０の第３部分を除去すると共に、Ｃ領域の感光膜第２部分５４を除去して下の導電体１７４の第２部分を露出させる。感光膜の第２部分５４の除去は、不純物非晶質シリコン層１６０及び真性非晶質シリコン層１５０の第３部分の除去と同時にまたは個別に行う。このとき、Ｃ領域に残っている第２部分５４の残渣をアッシング（ａｓｈｉｎｇ）処理で除去する。
【００７０】
この段階で線状真性半導体１５１が完成する。なお、図面符号１６４は線状オーミック接触部材１６１と島状オーミック接触部材１６５がまだ連結している状態の不純物非晶質シリコン層１６０を指し、以下、不純物半導体と言う。
【００７１】
図面符号１７４は、データ線１７１とドレイン電極１７５がまだ連結している状態の導電体である。このとき、導電体１７４は、感光膜５２、５４の下部までエッチングされて導電体１７４及び感光膜５２、５４はアンダーカット構造を有する。
【００７２】
次に、図８、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、Ｃ領域に位置した残りの導電体１７４及び不純物半導体１６４の第２部分をエッチングして除去する。また、残っている感光膜の第１部分５２も除去する。
【００７３】
このとき、図９Ｂに示すように、Ｃ領域に位置した線状真性半導体１５１のチャネル部１５４上の部分が除去されて厚さが薄くなることもあり、感光膜の第１部分５２もこのときある程度の厚さがエッチングされる。
【００７４】
このようにすれば、導電体１７４それぞれが一つのデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５に分離されて完成し、不純物半導体１６４それぞれが一つの線状オーミック接触部材１６１と複数の島状オーミック接触部材１６５に分離されて完成する。
【００７５】
次に、図１０、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、基板１１０上部に窒化ケイ素と有機絶縁物質を順次に形成して下部絶縁膜１８０ｐと上部絶縁膜１８０ｑを有する保護膜１８０を形成した後、マスクを用いたフォトエッチング工程でパターニングして複数のコンタクトホール１８５ｐ、１８２及び複数の開口部１８５ｑを形成する。このとき、ゲート線１２１と同一層を露出させるコンタクトホールを形成するために、ゲート絶縁膜１４０も同時にエッチングして、ゲート線１２１の端部１２９を露出させるコンタクトホール１８１を共に形成する。この際にも、位置によって厚さを異なるようにする感光膜パターンをエッチングマスクとして、互いに異なる形状を有する下部絶縁膜１８０ｐと上部絶縁膜１８０ｑを一つのフォトエッチング工程でパターニングすることができ、上部絶縁膜１８０ｑがカラーフィルタを有する実施形態ではカラーフィルタを別途のフォト工程で形成し、このとき、蓄積電極線１３１上部の下部絶縁膜１８０ｐを露出させる開口部１８５ｑを共に形成する。
【００７６】
最後に、図１乃至図３に示すように、５０ｎｍ乃至１５０ｎｍ厚さのＩＺＯまたはＩＴＯ層をスパッタリング法で蒸着しフォトエッチングして、複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。ＩＺＯ層を用いる場合のエッチングは、（ＨＮＯ３/（ＮＨ４）２Ｃｅ（ＮＯ３）６/Ｈ２Ｏ）などのクロム用エッチング液を使用するウエットエッチングであることが好ましく、このエッチング液はアルミニウムを腐蝕させないので、データ線１７１、ドレイン電極１７５、ゲート線１２１の導電膜が腐食することを防ぐことができる。
【００７７】
本実施形態において、データ線１７１及びドレイン電極１７５とその下部のオーミック接触部材１６１、１６５及び半導体１５１を一つの感光膜パターンをエッチングマスクとして用いるフォトエッチング工程で形成するので、製造工程を単純化することができる。
【００７８】
また、本実施形態による薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法において、蓄積電極線１３１上部に開口部１８５ｑを配置し、画素電極１９０と蓄積電極線１３１との間のゲート絶縁膜１４０及び下部絶縁膜１８０ｐのみを誘電体とするストレージキャパシタを形成する。従って、ドレイン電極１７５下部に残留する非晶質シリコンの面積を減少することによって、安定した蓄積容量を形成することができ、狭い面積でも十分な蓄積容量を形成することができる。その結果、蓄積容量による画面のフリッカー（ｆｌｉｃｋｅｒ）現象または残像を防止することができ、良好な表示特性が実現され、高い開口率を得ることができる。
【００７９】
一方、広視野角を実現するための手段として、電界生成電極は切開部を有したり、電界生成電極上に突起を形成する方法などがある。切開部と突起で液晶分子が傾斜する方向を決定できるので、液晶分子の傾斜方向を様々な方向に分散することによって広視野角を実現することができる。
【００８０】
図１２は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図であり、図１３は、本発明の一実施形態による液晶表示装置用共通電極表示板の構造を示した配置図であり、図１４は、図１２の薄膜トランジスタ表示板と、図１３の共通電極表示板からなる液晶表示装置の構造を示した配置図であり、図１５は、図１４の液晶表示装置のＸＶ-ＸＶ´線に沿った断面図である。
【００８１】
本発明の実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３を備える。
【００８２】
本実施形態による薄膜トランジスタ表示板１００の層状構造は、図１乃至図３と略同様である。
【００８３】
まず、薄膜トランジスタ表示板１００は、ゲート電極１２４を有する複数のゲート線１２１及び複数の蓄積電極線１３１が基板１１０上に形成され、その上にゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を有する線状半導体１５１、及び突出部１６３を有する複数の線状オーミック接触部材１６１及び複数の島状オーミック接触部材１６５が順次に形成されている。ソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５がオーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上に形成され、下部絶縁膜１８０ｐがその上に形成され、下部絶縁膜１８０ｐ及びゲート絶縁膜１４０には、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８５が形成されている。下部絶縁膜１８０ｐ上には、複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
【００８４】
図１乃至図３と異なって、複数のゲート電極１２４は、ゲート線１２１で複数の突出部をなし、それぞれの蓄積電極線１３１は蓄積電極１３５をなす複数の突出部をそれぞれ有する。
【００８５】
それぞれのドレイン電極１７５は、それぞれの蓄積電極１３５と重なる拡張部を有し、ドレイン電極１７５の拡張部は、蓄積電極１３５よりも小さい面積を有する。
【００８６】
ソース電極１７３は、半導体１５１の突出部１５４上部に位置するドレイン電極１７５の一端部を一部取り囲むように折れ曲がっている。
【００８７】
また、下部絶縁膜１８０ｐ上部には赤色、緑色及び青色などの原色のうちの一つを表示できるカラーフィルタ２３０を有する上部絶縁膜が形成され保護膜をなす。このとき、カラーフィルタ２３０は、蓄積電極１３５上部に位置する大部分の下部絶縁膜１８０ｐを露出させる開口部２３５を有する。カラーフィルタ２３０は、画素電極１９０に沿って縦方向に長く延び、データ線１７１を中心に互いに隣接する領域に位置するカラーフィルタ２３０は互いに異なる色を表示し、赤色、緑色及び青色を順次に表示することが好ましい。
【００８８】
この際にも、前記実施形態と同様に、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５に接続されている画素電極１９０は、カラーフィルタ２３０の開口部２３５によってゲート絶縁膜１４０及び下部絶縁膜１８０ｐのみを介在して蓄積電極１３５と重なってストレージキャパシタをなす。
【００８９】
画素電極１９０は、その外側境界の左角が面取りされた略四角形状で、中央切開部９１、下部切開部９２ａ及び上部切開部９２ｂを有し、画素電極１９０は、この切開部９１、９２ａ、９２ｂによって複数の領域に分割される。切開部９１、９２ａ、９２ｂは、画素電極１９０をゲート線１２１と平行に二等分する横中心線に対し略反転対称をなす。
【００９０】
下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂは、略画素電極１９０の右辺から左辺に斜めに延び、画素電極１９０の横中心線に対して下半面と上半面にそれぞれ位置している。下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂはゲート線１２１に対して約４５度をなし、互いに垂直に延びている。
【００９１】
中央切開部９１は、画素電極１９０の中央に配置され、右側に入口を有する。中央切開部９１の入口は、下部切開部９２ａと上部切開部９２ｂに各々略平行である一対の斜辺を有する。
【００９２】
これにより、画素電極１９０の下半面は下部切開部９２ａによって２領域に分割され、上半面も上部切開部９２ｂによって２領域に分割される。このとき、領域の数または切開部の数は画素の大きさ、画素電極の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性など設計要素によって変化し、傾斜する方向も変化することができる。
【００９３】
次に、図１３乃至図１５を参照して、共通電極表示板２００について説明する。
【００９４】
透明なガラスなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、画素電極１９０と対向し画素電極１９０と略同一の形状を有する複数の開口部を有し、ゲート線１２１及びデータ線１７１に対応する部分と、薄膜トランジスタに対応する部分とからなることが好ましい。
【００９５】
遮光部材２２０上部にはカバー膜２５０が形成され、その上部にはＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる共通電極２７０が形成されている。このとき、カバー膜２５０は省略することができる。
【００９６】
共通電極２７０は、複数組の切開部７１、７２ａ、７２ｂ群を有する。
【００９７】
一組の切開部７１、７２ａ、７２ｂは、一つの画素電極１９０と対向し、中央切開部７１、下部切開部７２ａ及び上部切開部７２ｂを有する。切開部７１、７２ａ、７２ｂそれぞれは画素電極１９０の隣接切開部９１、９２ａ、９２ｂの間または切開部９２ａ、９２ｂと画素電極１９０の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部７１、７２ａ、７２ｂは、画素電極１９０の下部切開部９２ａまたは上部切開部９２ｂと平行に延びた少なくとも一つの斜線部を有する。
【００９８】
下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂそれぞれは、略画素電極１９０の左辺から上辺または下辺に向けて延びた斜線部、並びに斜線部の各終端から画素電極１９０の辺に沿って辺と重なって延び、斜線部と鈍角をなす横部及び縦部を有する。
【００９９】
中央切開部７１は、略画素電極の左辺から横方向に延びた中央横部、この中央横部の終端から中央横部と斜角をなし、画素電極１９０の右辺に向けて延びた一対の斜線部、並びに斜線部の各終端から画素電極の右辺に沿って右辺と重なって延び、斜線部と鈍角をなす縦断縦部を有する。
【０１００】
切開部７１、７２ａ、７２ｂの数及び方向も設計要素によって変化することが可能であり、遮光部材２２０が切開部７１、７２ａ、７２ｂと重なって切開部７１、７２ａ、７２ｂ付近の光漏れを遮断することができる。
【０１０１】
表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布され、垂直配向膜であることができる。外側面には偏光板１２、２２が備えられている。二つの偏光板の透過軸は直交し、このうちの一つの透過軸はゲート線１２１に対して平行であることが好ましい。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光板１２、２２のうちの一つが省略可能である。
【０１０２】
表示板１００、２００と偏光子１２、２２との間にはそれぞれ液晶層３の遅延値を補償するための位相遅延フィルムが介在されることができる。位相遅延フィルムは複屈折性を有し、液晶層３の複屈折性を逆に補償する役割を果たす。遅延フィルムとしては、一軸性または二軸性光学フィルムを使用し、特に、ネガティブの一軸性光学フィルムを使用することができる。
【０１０３】
また、液晶表示装置は、偏光子１２、２２、位相遅延フィルム、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部を備えることができる。
【０１０４】
液晶層３は、マイナスの誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子３１０は電界がない状態でその長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。従って、入射光は、直交偏光子１２、２２を通過できず遮断される。
【０１０５】
共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９０にデータ電圧を印加すると、表示板表面に略垂直である電界が生成される。液晶分子３１０は、電界に応答してその長軸が電界の方向に垂直をなすように方向を変えようとする。
【０１０６】
一方、共通電極２７０及び画素電極１９０の切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂと、これらと平行である画素電極１９０の斜辺は、電界を歪曲して液晶分子の傾斜方向を決定する水平成分を形成する。電界の水平成分は、切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂの辺と画素電極１９０の斜辺に垂直である。一つの切開部群７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂは、画素電極１９０をそれぞれ二つの主辺を有する複数の副領域（ｓｕｂ-ａｒｅａ）に分離し、各副領域の液晶分子の傾斜方向は、電界の水平成分によって定められる方向となり、傾斜方向は略４つの方向である。このように、液晶分子が様々な方向に傾斜するようにすると、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【０１０７】
少なくとも一つの切開部９１、９２ａ、９２ｂ、７１、７２ａ、７２ｂは、突起（図示せず）や陥没部（図示せず）に代えることができる。突起は、有機物または無機物で形成され、電界生成電極１９０、２７０の上または下に配置することができる。
【０１０８】
一方、液晶分子３１０の傾斜方向と偏光子１２、２２の透過軸が４５度をなすとき最高の輝度を得られるが、本実施形態では、全ドメインにおいて液晶分子３１０の傾斜方向がゲート線１２１と４５°をなし、ゲート線１２１は、表示板１００、２００の周縁と垂直または水平である。その結果、本実施形態において、偏光子１２、２２の透過軸を表示板１００、２００の周縁に対して垂直または平行に付着すると最高の輝度を得られると同時に、偏光子１２、２２を安価に製造することができる。
【０１０９】
切開部９１、９２ａ、９２ｂ、７１、７２ａ、７２ｂの形状及び配置は変更することができる。
【０１１０】
前記実施形態で説明した薄膜トランジスタ表示板の多くの特徴は、図１２乃至図１５に示した薄膜トランジスタ表示板にも適用できる。
【０１１１】
図１６は、本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図１７は、本発明の他の実施形態による共通電極表示板の配置図であり、図１８は、図１６及び図１７の二つの表示板を備える液晶表示装置の配置図であり、図１９及び図２０は、図１８の液晶表示装置のＸＩＸａ-ＸＩＸａ線及びＸＸ-ＸＸｂ線に沿った断面図である。
【０１１２】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置も薄膜トランジスタ表示板１００と、共通電極表示板２００と、これら二つの表示板１００、２００の間に介在される液晶層３とを備える。
【０１１３】
本実施形態による薄膜トランジスタ表示板１００の層状構造は、図１２乃至図１５と略同様である。
【０１１４】
薄膜トランジスタ表示板１００は、ゲート電極１２４を有する複数のゲート線１２１が基板１１０上に形成され、その上にゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を有する線状半導体１５１、及び突出部１６３を有する複数の線状オーミック接触部材１６１及び複数の島状オーミック接触部材１６５が順次に形成されている。ソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５がオーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上に形成され、保護膜１８０がその上に形成され、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８５が形成されている。保護膜１８０上には、複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
【０１１５】
前記実施形態と異なって別途の蓄積電極線を有しない。
【０１１６】
線状半導体１５１と同一層からなり、隣接した二つのゲート線１２１の略中間部に位置する複数の島状半導体１５７が形成され、その上に島状オーミック接触部材１６７が形成されている。
【０１１７】
ソース電極１７３は、Ｕ字状で、一字状のドレイン電極１７５の一端を一部取り囲み、オーミック接触部材１６７上には、蓄積導電体１７７がデータ線１７１として形成されている。
【０１１８】
保護膜１８０には、蓄積導電体１７７の一部を露出させる複数のコンタクトホール１８９が形成され、上部保護膜１８０ｑには、下部保護膜１８０ｐを露出させ、蓄積導電体１７７上部に位置する開口部１８７が形成されている。コンタクトホール１８１、１８２、１８５、１８９と開口部１８７は、緩慢な角度の側壁を有し、特に、上部保護膜１８０ｑからなるコンタクトホール１８１、１８２、１８５、１８９と開口部１８７側壁の上部は、基板１１０表面と約３０〜８５°をなしている。
【０１１９】
画素電極１９０は、開口部１８７で蓄積導電体１７７と重なり、４つの角が面取りされて斜辺をなす。
【０１２０】
画素電極１９０は、中央切開部９１、９２、下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａ及び上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂを有し、画素電極１９０は、この切開部によって複数の領域に分割される。切開部９１〜９５ｂは、画素電極１９０を２等分する横中心線に対して略反転対称をなしている。
【０１２１】
下部及び上部切開部９３ａ〜９５ｂは、略画素電極１９０の左辺、左角、下辺または上辺から右辺に斜めに延び、画素電極１９０横中心線に対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部及び上部切開部９３ａ〜９５ｂは、ゲート線１２１に対して約４５°をなし、互いに垂直に延びている。
【０１２２】
中央切開部９１は、画素電極１９０の中央に配置され、左辺に位置した入口を有する。中央切開部９１の入口は、下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａと上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂにそれぞれ略平行である一対の斜辺を有し、入口付近にコンタクトホール１８９が位置する。中央切開部９２は、画素電極１９０の横中心線に沿って短く延びた横部と、横部から画素電極１９０の左側に向けて斜めに延びた一対の斜線部を有する。斜線部は、ゲート線１２１と略４５°をなす。
【０１２３】
切開部９１〜９５ｂによって分割される領域の数または切開部の数は、画素の大きさ、画素電極１９０の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性などの設計要素によって変化し、傾斜方向も変化することが可能である。
【０１２４】
遮蔽電極８８は、データ線１７１に沿って延びている縦部と、ゲート線１２１に沿って延びている横部を有し、縦部はデータ線１７１を完全に覆い、横部はゲート線１２１の境界線の内側に位置する。遮蔽電極８８の縦部は、コンタクトホール１８９を介して蓄積導電体１７７に接続される突出部８９を有する。
【０１２５】
遮蔽電極８８は、共通電圧の印加を受け、データ線１７１と画素電極１９０との間及びデータ線１７１と共通電極２７０との間で形成される電界を遮断し、画素電極１９０の電圧歪曲及びデータ線１７１が伝達するデータ電圧の信号遅延が減少する。
【０１２６】
また、画素電極１９０と遮蔽電極８８の短絡を防止するために、これらの間に距離を設ける必要があるので、画素電極１９０がデータ線１７１から一層離れた所に配置され、これらの間の寄生容量が減少する。さらに、液晶層３の誘電率が保護膜１８０の誘電率よりも高いので、データ線１７１と遮蔽電極８８との間の寄生容量は、遮蔽電極８８がないときデータ線１７１と共通電極２７０との間の寄生容量よりも小さい。
【０１２７】
遮蔽電極８８から共通電圧の供給を受ける蓄積導電体１７７は、主に開口部１８７で下部保護膜１８０ｐのみを介在して画素電極１９０と重なることで、液晶キャパシタと並列に接続されて電圧保持能力を強化するストレージキャパシタをなす。
【０１２８】
このように、無機絶縁物からなる下部保護膜１８０ｐのみを介在して画素電極１９０と蓄積導電体１７７が重なるので、ゲート線１２１と同一層に蓄積電極を別に設けなくても蓄積容量を確保できる。これにより、中間に介在される非晶質シリコンがないため、ストレージキャパシタが安定的に動作することができる。その結果、画面のフリッカー現象または残像を防止でき、良好な表示特性を実現できる。
【０１２９】
次に、共通電極表示板２００について図１７乃至図１９を参照して説明する。
【０１３０】
共通電極表示板２００は、前記実施形態と同様に、遮光部材２２０、カバー膜２５０、共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
【０１３１】
遮光部材２２０は、データ線１７１に対応する線状部分２２１と薄膜トランジスタに対応する辺状部分２２３を有する。
【０１３２】
また、基板２１０上には複数のカラーフィルタ２３０が形成され、画素電極１９０に沿って縦方向に長く延びている。カラーフィルタ２３０は、基本色、例えば、赤色、緑色及び青色の三原色のうちの一つを表示することができる。
【０１３３】
カラーフィルタ２３０上には、カバー膜２５０が形成されている。カバー膜２５０は、カラーフィルタ２３に含まれた色素が出て液晶層３を汚染することを防止し、平坦面を提供する。
【０１３４】
共通電極２７０は、複数の切開部７１、７２、７３ａ、７４ａ、７５ａ、７３ｂ、７４ｂ、７５ｂ群を有する。
【０１３５】
一つの切開部７１〜７５ｂ群は、一つの画素電極１９０と対向し、中央切開部７１、７２、下部切開部７３ａ、７４ａ、７５ａ及び上部切開部７３ｂ、７４ｂ、７５ｂを有する。切開部７１〜７５ｂそれぞれは、画素電極１９０の隣接切開部９１〜９５ｂの間または切開部９３ａ〜９５ｂと画素電極１９０の面取りされた斜辺の間に配置されている。また、各切開部７１〜７５ｂは、画素電極１９０の下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａまたは上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂと平行に延びた少なくとも一つの斜線部を有する。
【０１３６】
下部及び上部切開部７４ａ、７５ａ、７４ｂ、７５ｂそれぞれは斜線部と横部及び縦部を有する。斜線部は、略画素電極１９０の上辺または下辺から右辺に延びている。横部及び縦部は、斜線部の各終端から画素電極１９０の辺に沿って重なって延び、斜線部と鈍角をなす。
【０１３７】
下部及び上部切開部７３ａ、７３ｂそれぞれは、斜線部と一対の縦部を有する。斜線部は、略画素電極１９０の左辺から右辺に延びている。縦部は、斜線部の各終端から画素電極１９０の辺に沿って重なって延び、斜線部と鈍角をなす。
【０１３８】
中央切開部７１、７２は、中央横部、一対の斜線部及び一対の縦断縦部を有する。中央横部は、画素電極１９０の右辺または中央から画素電極１９０の横中心線に沿って左に延び、斜線部は中央横部の終端から中央横部と斜角をなし、画素電極１９０の左辺に向けて延びている。縦断縦部は、斜線部の各終端から画素電極１９０の辺に沿って重なって延び、斜線部と鈍角をなす。
【０１３９】
図２１は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２２は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図２３は、図２１に示す薄膜トランジスタ表示板と、図２２に示す共通電極表示板を備える液晶表示装置の配置図であり、図２４は、図２３の液晶表示装置のＸＸＩＶ-ＸＸＩＶ´線に沿った断面図である。
【０１４０】
図２１乃至図２４に示すように、本実施形態による液晶表示装置も薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に介在される液晶層３、及び二つの表示板１００、２００の外側面に付着されている一対の偏光子１２、２２を備える。
【０１４１】
本実施形態による表示板１００、２００の層状構造は、図１２乃至図１５に示した表示板１００、２００の層状構造と略同様である。
【０１４２】
薄膜トランジスタ表示板１００は、ゲート電極１２４を有する複数のゲート線１２１が基板１１０上に形成され、その上にゲート絶縁膜１４０上に突出部１５４を有する複数の線状半導体１５１及び突出部１６３を有する複数の線状オーミック接触部材１６１及び島状オーミック接触部材１６５が順次に形成されている。ソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５がオーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上に形成され、下部絶縁膜１８０ｐ及びカラーフィルタ２３０が順次に形成されて保護膜をなし、下部絶縁膜１８０ｐ及びゲート絶縁膜１４０には、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８５が形成されている。カラーフィルタ２３０は、下部絶縁膜１８０ｐ及びコンタクトホール１８５を露出させる開口部２３５を有し、保護膜１８０ｐ、２３０上には、複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成され、その上に配向膜１１が形成されている。
【０１４３】
共通電極表示板２００は、遮光部材２２０、カバー膜２５０、共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
【０１４４】
しかし、図１２乃至図１５と異なって、ドレイン電極１７５は、画素電極１９０の中央部まで延びて横方向に拡張された拡張部を有し、カラーフィルタ２３０の開口部２３５は、ドレイン電極１７５の拡張部を露出させる。開口部２３５は、画素電極１９０とドレイン電極１７５を接続するコンタクトホール１８５まで延びているが、そうでないことも可能である。
【０１４５】
画素電極１９０の４つの角が面取りされて斜辺をなし、これらと同一層には遮蔽電極８８が形成されている。
【０１４６】
また、遮蔽電極８８は、横方向に延びて画素電極１９０の凹部に位置し、カラーフィルタ２３０の開口部２３５によってドレイン電極１７５と重なる蓄積電極部８５を有する。画素電圧が伝達されるドレイン電極１７５と共通電圧が伝達される蓄積電極部８５は、互いに重なってストレージキャパシタをなす。このように、遮蔽電極８８を拡張しドレイン電極１７５と重ならせてストレージキャパシタを形成することで、本実施形態では、前記実施形態のような別途の蓄積電極線が不要である。このとき、下部絶縁膜１８０ｐのみを介在しドレイン電極１７５と蓄積電極部８５が重なることによって狭い面積で蓄積容量を十分確保できるので、不透明なドレイン電極１７５の面積を最少化することができ、その結果、画素の開口率を極大化することができる。このとき、遮蔽電極８８の蓄積電極部８５、カラーフィルタ２３０の開口部、及びドレイン電極１７５の拡張部は、液晶表示装置の表示特性を向上するために様々な形態に変形可能である。
【０１４７】
前記実施形態で説明した液晶表示装置の多くの特徴は、図２１乃至図２４に示した液晶表示装置にも適用できる。
【０１４８】
図２５は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図であり、図２６は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置用共通電極表示板の構造を示した配置図であり、図２７は、図２５の薄膜トランジスタ表示板と、図２６の薄膜トランジスタ表示板からなる液晶表示装置の構造を示した配置図であり、図２８及び図２９は、図２６に示す液晶表示装置のＸＸＶＩＩＩ-ＸＸＶＩＩＩ´線及びＸＸＩＸ-ＸＸＩＸ´線に沿った断面図であり、図３０は、本発明の実施形態による液晶表示装置の一つの画素の構成を示した回路図である。
【０１４９】
本実施形態による液晶表示装置も、薄膜トランジスタ表示板１００、これと対向する共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に介在される液晶層３を備える。
【０１５０】
本実施形態による表示板１００、２００の層状構造は、図２１乃至図２４と略同様である。
【０１５１】
薄膜トランジスタ表示板１００は、ゲート電極１２４を有する複数のゲート線１２１が基板１１０上に形成され、その上にゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を有する複数の線状半導体１５１及び突出部１６３を有する複数の線状オーミック接触部材１６１及び島状オーミック接触部材１６５が順次に形成されている。ソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５がオーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上に形成され、下部絶縁膜１８０ｐ及びカラーフィルタ２３０が順次に形成され、下部絶縁膜１８０ｐ及びゲート絶縁膜１４０には、複数のコンタクトホール１８１、１８２が形成されている。保護膜１８０ｐ、２３０上には、複数の第１、第２画素電極１９０ａ、１９０ｂ、及び複数の接触補助部材８１、８２が形成され、その上には配向膜１１が形成されている。
【０１５２】
共通電極表示板２００は、遮光部材２２０、カバー膜２５０、共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
【０１５３】
図２１乃至図２４の液晶表示装置と異なって、ゲート線１２１と同一層に複数の蓄積電極線１３１ａ、１３１ｂが形成されている。
【０１５４】
それぞれの蓄積電極線１３１ａ、１３１ｂは主に横方向に延び、互いに隣接するゲート線１２１の間にそれぞれ対をなして配置されている。それぞれの蓄積電極線１３１ａ、１３１ｂは、互いに隣接するゲート線１２１付近に位置し、蓄積電極１３５ａ、１３５ｂをなす複数の突出部をそれぞれ有する。二つの蓄積電極１３５ａ、１３５ｂは、他の部分よりも広い幅に拡張され、二つの蓄積電極線１３１ａ、１３１ｂは、ゲート線１２１と平行である第１、第２画素電極１９０ａ、１９０ｂの中心線に対して対称構造を有する。
【０１５５】
それぞれのドレイン電極１７５は、それぞれの蓄積電極１３５ａ、１３５ｂとそれぞれ重なる長方形の拡張部１７５ａ、１７５ｂを有する。ドレイン電極１７５のそれぞれの拡張部１７５ａ、１７５ｂは、蓄積電極１３５ａ、１３５ｂよりも小さい面積を有していて、拡張部１７５ａ、１７５ｂで覆われない蓄積電極１３５ａ、１３５ｂの面積を極大化することが好ましく、ゲート線１２１と平行である第１、第２画素電極１９０ａ、１９０ｂの中心線に対して対称構造を有することが好ましい。
【０１５６】
また、ドレイン電極１７５は、ゲート線１２１とデータ線１７１で取り囲まれた領域の中央に位置する容量性結合電極１７６を有する。
【０１５７】
また、ドレイン電極１７５は、二つの拡張部１７５ａ、１７５ｂと容量性結合電極１７６を互いにそれぞれ接続する連結部１７７ａ、１７７ｂを有する。
【０１５８】
下部絶縁膜１８０には、一対のドレイン電極１７５の拡張部１７５ａ、１７５ｂをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂが形成されている。
【０１５９】
上部絶縁膜であるカラーフィルタ２３０には、対をなす蓄積電極１３５ａ、１３５ｂ及びコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂが位置するドレイン電極の拡張部１７５ａ、１７５ｂ上部の下部絶縁膜１８０ｐをそれぞれ露出させる対をなす開口部２３５ａ、２３５ｂと容量性結合電極１７６上部の下部絶縁膜１８０ｐを露出させる開口部２３６が形成されている。
【０１６０】
ここで、第１、第２画素電極１９０ａ、１９０ｂは、切開部９３ａ、９３ｂからなるギャップによって互いに分離されているが、第１画素電極１９０ａは、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介してドレイン電極１７５の拡張部１７５ａ、１７５ｂと物理的・電気的に接続されドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。第２画素電極１９０ｂは、ドレイン電極１７５の容量性結合電極１７６と重なる。これにより、第２画素電極１９０ｂは、第１画素電極１９０ａに電磁気的に結合（容量性）して間接的にデータ電圧の印加を受ける。このとき、容量性結合電極１７６は、下部絶縁膜１８０ｐのみを介在しカラーフィルタ２３０の開口部２３６によって第２画素電極１９０ｂと重なっているので、狭い面積で充分な結合容量を確保でき、その結果、開口率を向上することができる。また、ドレイン電極１７５よりも広いカラーフィルタ２３０の開口部２３５ａ、２３５ｂによって第１画素電極１９０ａと蓄積電極１３５ａ、１３５ｂが下部絶縁膜１８０ｐとゲート絶縁膜１４０のみを介在して重なっているので、狭い面積で充分な蓄積容量を形成でき、開口率の低下を防止することができる。
【０１６１】
一対の第１、第２画素電極１９０ａ、１９０ｂは、データ線１７１とゲート線１２１で取り囲まれた領域内に殆ど存在し、境界の大部分はゲート線１２１及びデータ線１７１と平行で長方形をなす。
【０１６２】
このとき、第１画素電極１９０ａは、互いに分離され第２画素電極１９０ｂを中心に上部及び下部に位置する２部分からなる。第１画素電極１９０ａの２部分と第２画素電極１９０ｂを分離するギャップ９３ａ、９３ｂは、ゲート線１２１に対して±４５°傾斜された辺を有しており、第２画素電極１９０ｂが第１画素電極１９０ａの２部分の間に介在した形態であり、第１、第２画素電極１９０ａ、１９０ｂは、ゲート線１２１と平行である第１、第２画素電極１９０ａ、１９０ｂの中心線に対して対称構造を有する。
【０１６３】
このような本発明の実施形態による液晶表示装置は、前述したように、第２画素電極１９０ｂは、第１画素電極１９０ａに電磁気的に結合（容量性結合）している。図３０に示すように、第１画素電極１９０ａの二部分は、ドレイン電極１７５を介して薄膜トランジスタＱに直接接続されて薄膜トランジスタＱを介してデータ線１７１によって伝達される画像信号電圧の印加を受けるのに対し、第２画素電極１９０ｂの電圧は、第１画素電極１９０ａとの容量性結合に変わる。本実施形態において、第２画素電極１９０ｂの電圧は、第１画素電極１９０ａの電圧よりも絶対値が常に低い。以下、その理由を具体的に説明する。
【０１６４】
図３０で、Ｃｌｃａは第１画素電極１９０ａと共通電極２７０との間で形成される液晶容量を示し、Ｃｓｔａは第１画素電極１９０ａと蓄積電極線１３１との間で形成される蓄積容量を示す。Ｃｌｃｂは第２画素電極１９０ｂと共通電極２７０との間で形成される液晶容量を示し、Ｃｓｔｂは第２画素電極１９０ｂと蓄積電極線１３１との間で形成される蓄積容量を示し、Ｃｃｐは第２画素電極１９０ｂと第１画素電極１９０ａとの間で形成される結合容量を示す。
【０１６５】
共通電極２７０電圧に対する第１画素電極１９０ａの電圧をＶａとし、第２画素電極１９０ｂの電圧をＶｂとするとき、電圧法則に従って、
Ｖｂ＝Ｖａ×［Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｂ＋Ｃｓｔｂ）］であり、
Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｂ＋Ｃｓｔｂ）は、常に１より大きくなることができず、ＶｂはＶａよりも常に小さい。このとき、Ｃｌｃａ及びＣｌｃｂに対する共通電極２７０電圧と、Ｃｓｔａ及びＣｓｔｂに対する蓄積電極線１３１ａ、１３１ｂ電圧が異なることもあるが、その場合にも、ＣｌｃａとＣｌｃｂに印加される共通電極２７０電圧が同一であるため、Ｃｌｃａに印加される画像信号電圧（Ｖａ）の絶対値は、Ｃｌｃｂに印加される画像信号電圧（Ｖｂ）の絶対値よりも常に大きい値を有することになる。このように、一つの画素内に電圧が異なる二つの画素電極を配置すると、液晶分子は、互いに異なる電圧で駆動されて互いに異なる傾斜角（ｔｉｌｔ  ａｎｇｌｅ）で傾斜され、その結果、側面視認性を向上することができる。
【０１６６】
Ｃｃｐを調節することでＶａに対するＶｂの比率を調整することができる。Ｃｃｐの調節は、容量性結合電極１７６と第２画素電極１９０ｂの重なり面積と距離を調整することによって可能である。重なり面積は、容量性結合電極１７６の幅を変化することで容易に調整でき、距離は、容量性結合電極１７６の形成位置を変化することで調整できる。即ち、本発明の実施形態では、容量性結合電極１７６をデータ線１７１と同一層に形成したが、ゲート線１２１と同一層に形成することで、容量性結合電極１７６と第２画素電極１９０ｂとの間の距離を増加することができる。このとき、ＶｂはＶａに対して０．６乃至０．８倍であることが好ましい。
【０１６７】
一方、他の実施形態において、第２画素電極１９０ｂに第１画素電極１９０ａの電圧よりも絶対値が常に高い電圧を印加することができるが、これは、第２画素電極１９０ｂに共通電圧などのように任意電圧を印加した状態で第１画素電極１９０ａと容量性結合することによって行われる。
【０１６８】
画像信号が直接伝達される第１画素電極１９０ａに対する、高いか、低い画素電圧が伝達される第２画素電極１９０ｂの面積比は１：０．８５〜１：１．１５範囲であることが好ましく、第１画素電極１９０ａと容量性結合する第２画素電極１９０ｂは、二つ以上を配置することができる。
【０１６９】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【産業上の利用可能性】
【０１７０】
本発明は、薄膜トランジスタ表示板の製造に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７１】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】図１に示した薄膜トランジスタ表示板のＩＩ-ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図１に示した薄膜トランジスタ表示板のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に従って製造する第１工程の薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図５Ａ】図４のＶａ-Ｖａ線に沿った断面図である。
【図５Ｂ】図４のＶｂ-Ｖｂ線に沿った断面図である。
【図６Ａ】図４のＶａ-Ｖａ線に沿った断面図で、図５Ａに続く工程を示す。
【図６Ｂ】図４のＶｂ-Ｖｂ線に沿った断面図で、図５Ｂに続く工程を示す。
【図７Ａ】図４のＶａ-Ｖａ線に沿った断面図で、図６Ａに続く工程を示す。
【図７Ｂ】図４のＶｂ-Ｖｂ線に沿った断面図で、図６Ｂに続く工程を示す。
【図８】図７Ａ及び図７Ｂに続く工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図９Ａ】図８のＩＸａ-ＩＸａ線に沿った断面図である。
【図９Ｂ】図８のＩＸｂ-ＩＸｂ線に沿った断面図である。
【図１０】図９Ａ及び図９Ｂに続く工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１１Ａ】図１０のＸＩａ-ＸＩａ線に沿った断面図である。
【図１１Ｂ】図１０のＸＩｂ-ＸＩｂ線に沿った断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。
【図１３】本発明の一実施形態による共通電極表示板の構造を示した配置図である。
【図１４】図１２及び図１３に示す二つの表示板を備える液晶表示装置の構造を示した配置図である。
【図１５】図１４の液晶表示装置のＸＶ-ＸＶ線に沿った断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１７】本発明の他の実施形態による共通電極表示板の配置図である。
【図１８】図１６及び図１７に示す二つの表示板を備える液晶表示装置の配置図である。
【図１９】図１８の液晶表示装置のＸＩＸ-ＸＩＸ線に沿った断面図である。
【図２０】図１８の液晶表示装置のＸＸ-ＸＸ線に沿った断面図である。
【図２１】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。
【図２２】本発明の他の実施形態による共通電極表示板の構造を示した配置図である。
【図２３】図２１及び図２２の二つの表示板を備える液晶表示装置の構造を示した配置図である。
【図２４】図２３の液晶表示装置のＸＸＩＶ-ＸＸＩＶ線に沿った断面図である。
【図２５】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。
【図２６】本発明の他の実施形態による共通電極表示板の構造を示した配置図である。
【図２７】図２５及び図２６に示す二つの表示板を備える液晶表示装置の構造を示した配置図である。
【図２８】図２７の液晶表示装置のＸＸＶＩＩＩ-ＸＸＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図２９】図２７の液晶表示装置のＸＸＩＸ-ＸＸＩＸ線に沿った断面図である。
【図３０】図２５乃至図２９に示す液晶表示装置の単位画素を示した回路図である。
【符号の説明】
【０１７２】
１１０  基板
１２１、１２９  ゲート線
１２４  ゲート電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５１、１５４  半導体
１６１、１６３、１６５  オーミック接触部材
１７１、１７９  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１８０  保護膜
１８１、１８２、１８５、１８５ａ、１８５ｂ  コンタクトホール
１９０、１９０ａ、１９０ｂ  画素電極
８１、８２  接触補助部材
８８  遮蔽電極
８５  蓄積電極部
２７０  共通電極
２２０  遮光部材
２３０  カラーフィルタ
２３５、２３６  開口部
【図１】
2006235635.tif 000003
【図２】
2006235635.tif 000004
【図３】
2006235635.tif 000005
【図４】
2006235635.tif 000006
【図５Ａ】
2006235635.tif 000007
【図５Ｂ】
2006235635.tif 000008
【図６Ａ】
2006235635.tif 000009
【図６Ｂ】
2006235635.tif 000010
【図７Ａ】
2006235635.tif 000011
【図７Ｂ】
2006235635.tif 000012
【図８】
2006235635.tif 000013
【図９Ａ】
2006235635.tif 000014
【図９Ｂ】
2006235635.tif 000015
【図１０】
2006235635.tif 000016
【図１１Ａ】
2006235635.tif 000017
【図１１Ｂ】
2006235635.tif 000018
【図１２】
2006235635.tif 000019
【図１３】
2006235635.tif 000020
【図１４】
2006235635.tif 000021
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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