(57)【要約】【課題】  封止樹脂を用いて半導体装置を封止成型する際に、リードフレームに樹脂経路であるランナーが密着し、それを除去する際にリードフレームが変形して、後工程での搬送等に支障をきたすことがなく、信頼性の高い強密着性樹脂を用いることを可能とする。【解決手段】  リードフレーム１３の内部領域に封止樹脂を供給するポット１６が位置する封止金型１５、及びポット１６に対応する位置にポット径より大きな開口部１４を設けたリードフレーム１３を用いることで、樹脂供給経路の樹脂からなるランナー部がリードフレーム１３に密着することなく半導体装置を封止成型する。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドの周囲にリードを配置し、封止金型を用いて樹脂封止するリードフレームであって、リードの近傍に開口部を形成してなり、この開口部が、封止金型のリードフレーム領域内に配置したポットに対応するとともに、ポットよりも大きい形状をなすことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
【請求項２】
ダイパッドの周囲にリードを配置し、リードの近傍に開口部を形成してなるリードフレームを樹脂封止する封止金型であって、リードフレーム領域内で前記開口部に対応する位置に開口部よりも小さなポットを配置したことを特徴とする封止金型。
【請求項３】
ダイパッドの周囲にリードを配置し、リードの近傍にポットよりも大きな開口部を形成してなるリードフレームと、リードフレーム領域内に配置したポットが前記開口部に対応する封止金型を使用し、開口部に対応したポットから供給する封止樹脂によりダイパッドに配置した半導体素子を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ダイパッドの周囲にリードを配置し、封止金型を用いて樹脂封止するリードフレームであって、縦横にダイパッドを配列し、相互に隣接する４個のダイパッドの中間に開口部を形成してなり、この開口部が、封止金型のリードフレーム領域内に配置したポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーに対応し、ポットよりも大きい形状をなすことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
【請求項５】
縦横に配列したダイパッドの周囲にリードを配置し、相互に隣接する４個のダイパッドの中間に開口部を形成してなるリードフレームを樹脂封止する封止金型であって、リードフレーム領域内で前記開口部に対応する位置にポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーを配置したことを特徴とする封止金型。
【請求項６】
縦横に配列したダイパッドの周囲にリードを配置し、相互に隣接する４個のダイパッドの中間に開口部を形成してなるリードフレームと、リードフレーム領域内に配置したポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーが前記開口部に対応する封止金型を使用し、開口部に対応したポットからカルおよび各ランナーを通して供給する封止樹脂により各ダイパッドに配置した半導体素子を同時に封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ダイパッドの周囲にリードを配置し、封止金型を用いて樹脂封止するリードフレームであって、相互に隣接する２個のダイパッドから等距離の位置に開口部を形成してなり、この開口部が、封止金型のリードフレーム領域内に配置したポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーに対応し、ポットよりも大きい形状をなすことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
【請求項８】
ダイパッドの周囲にリードを配置し、相互に隣接する２個のダイパッドから等距離の位置に開口部を形成してなるリードフレームを樹脂封止する封止金型であって、リードフレーム領域内で前記開口部に対応する位置にポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーを配置したことを特徴とする封止金型。
【請求項９】
ダイパッドの周囲にリードを配置し、相互に隣接する２個のダイパッドから等距離の位置に開口部を形成してなるリードフレームと、リードフレーム領域内に配置したポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーが前記開口部に対応する封止金型を使用し、開口部に対応したポットからカルおよび各ランナーを通して供給する封止樹脂により各ダイパッドに配置した半導体素子を同時に封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止成型により半導体装置を製造するための半導体装置用リードフレームと、このリードフレームを樹脂封止成型する封止金型と、これらのリードフレームと封止金型を用いた半導体製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、樹脂封止型の半導体装置に使用されるリードフレームには、封止樹脂との界面から湿気の侵入を防止する為に封止樹脂との密着性が要求される。以下に、従来の樹脂封止型の半導体装置用リードフレームの構造について、図１３を参照しながら説明する。
【０００３】
図１３は従来の樹脂封止型の半導体装置用リードフレームを示す平面図であり、図１４は樹脂封止型の半導体装置用リードフレームを樹脂封止した状態を示すものである。図１３に示すように、従来の半導体装置用リードフレーム１３は、ダイパッド１を支持する吊りリード２と、内部リード３と、封止金型内において樹脂封止中に内部リード３の間から封止樹脂が漏れるのを防止するために内部リード３の相互間を接続してなるダムバー４と、ダムバー４を介して内部リード３に接続されてなり樹脂封止後に半導体装置外に露出する外部リード５と、上記各部分を外側から支持するフレーム枠６とからなる。
【０００４】
この様な樹脂封止型の半導体装置用リードフレーム１３を用いて半導体装置を製造する場合に、通常は以下の工程が行われる。
まず、半導体装置用リードフレーム１３のダイパッド１に半導体素子１０を搭載（以下ダイスボンドと言う）し、半導体素子１０とリードフレームの内部リード３とを金属細線１１により接続（以下ワイヤボンドと言う）した後、半導体素子１０、ダイパッド１、内部リード３、吊りリード２、金属細線１１を含む領域を樹脂封止して半導体装置の樹脂封止部２３を形成する。
【０００５】
この樹脂封止型の半導体装置用リードフレーム１３を樹脂封止する場合には、封止金型内に半導体装置用リードフレーム１３を配置し、半導体素子１０、ダイパッド１、内部リード３、吊りリード２、金属細線１１を封止金型に形成した樹脂封止領域をなすキャビティーで覆い、封止樹脂を注入口のゲートからキャビティーに充填する。封止金型における封止樹脂の供給は、リードフレーム領域の外に設けたカルからゲートまでランナーを通して行う。
【０００６】
図１４に示すように、樹脂封止した状態の半導体装置用リードフレーム１３では、封止金型の樹脂供給経路をなすカルおよびランナーに残留した封止樹脂からなるランナー２１およびカル２０が半導体装置の樹脂封止部２３に一体的に接続しており、ランナー２１は半導体装置用リードフレーム１３に密着している。
【０００７】
その後、半導体装置用リードフレーム１３に残留したランナー２１とカル２０はパンチングを行うことにより半導体装置用リードフレーム１３から除去され、次工程以降でダムバーカット、リードカット、リード曲げが行われる。
【特許文献１】特開平１０−８４０６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、図１３に示した従来のリードフレームを用いて樹脂封止を行うと、半導体装置用リードフレーム１３が封止樹脂に対して密着性が高いことで、半導体装置用リードフレーム１３と封止樹脂との界面から半導体装置１２に湿気が侵入することを防止できるが、封止樹脂を封止金型のポットからキャビティーまで流動させる樹脂供給経路であるランナーが半導体装置用リードフレーム１３の上を通過するために、図１４に示したように、樹脂供給経路に残留した樹脂からなるランナー２１と半導体装置用リードフレーム１３が強固に密着することになる。このランナー２１と半導体装置用リードフレーム１３の密着が強固であると、図１５に示すように、ランナー２１の除去操作時にランナー２１に対応する半導体装置用リードフレーム１３の部位が変形する弊害が発生する。
【０００９】
本発明は上記した課題を解決するものであり、リードフレームとの密着性が高い封止樹脂を用いて半導体装置の信頼性を高めることができ、かつ樹脂封止工程以降の工程での取り扱いの容易性を変えることなく、高信頼性の半導体装置を容易に製造することができる半導体装置用リードフレームおよび封止金型ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置用リードフレームは、ダイパッドの周囲にリードを配置し、封止金型を用いて樹脂封止するリードフレームであって、リードの近傍に開口部を形成してなり、この開口部が、封止金型のリードフレーム領域内に配置したポットに対応するとともに、ポットよりも大きい形状をなすことを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の封止金型は、ダイパッドの周囲にリードを配置し、リードの近傍に開口部を形成してなるリードフレームを樹脂封止する封止金型であって、リードフレーム領域内で前記開口部に対応する位置に開口部よりも小さなポットを配置したことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法は、ダイパッドの周囲にリードを配置し、リードの近傍にポットよりも大きな開口部を形成してなるリードフレームと、リードフレーム領域内配置したポットが前記開口部に対応する封止金型を使用し、開口部に対応したポットから供給する封止樹脂によりダイパッドに配置した半導体素子を封止することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、リードフレームに形成した開口部に、封止金型のリードフレーム領域内に配置したポットを対応させることで、ポットからキャビティーのゲートまでの樹脂供給経路をなすカルおよびランナーを開口部に配置することが可能となる。このため、樹脂封止後にカルおよびランナーに残留する封止樹脂によって形成されるカルおよびランナーは、樹脂封止後のリードフレームにおいて開口部に存在し、リードフレームに密着しないので、ランナーとカルをパンチングによってリードフレームから除去する際に、リードフレームの変形を伴うことなく容易にランナーとカルを除去できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の第１の構成に係る半導体装置用リードフレームは、ダイパッドの周囲にリードを配置し、封止金型を用いて樹脂封止するリードフレームであって、リードの近傍に開口部を形成しており、この開口部が、封止金型のリードフレーム領域内に配置したポットに対応するとともに、ポットよりも大きい形状をなすものである。
【００１５】
上記した構成により、封止樹脂タブレットを挿入するポットおよびポット内に配置して溶融した封止樹脂を射出するプランジャを封止金型のリードフレーム領域内でリードフレームの開口部に位置させることで、樹脂封止後に残るカルおよびランナーが開口部において形成されるので、カルおよびランナーをリードフレームに密着させることなく半導体装置を封止成型することが可能となる。
【００１６】
半導体装置の封止成型に用いる封止樹脂は、半導体装置の一部となるリードフレームとの密着が強い方が、半導体装置を基板へ半田付けする時の熱ストレスに対する信頼性や、リードフレームと樹脂界面から湿気が侵入することを防ぐ事により信頼性も高くなる。しかし、ランナーをリードフレームから除去する際のリードフレーム変形を考慮すると封止樹脂とリードフレームの密着性をコントロールする必要性がある。
【００１７】
従来においてはランナーがリードフレーム上を通る構成であることから、半導体装置の信頼性を上げるために密着性の高い樹脂を使用すると、樹脂封止後に残るランナーがリードフレームに密着し、ランナーとそれにつながるカルを除去する際にリードフレームの変形等の障害があった。
【００１８】
しかし、本発明の半導体装置用リードフレームを用いれば、リードフレームとランナーおよびカルとの密着部が無くなるので、半導体装置の信頼性を高めるためにリードフレームとの密着性の高い樹脂を用いても、従来と同等の工程において半導体装置として不要となるランナーおよびカルをリードフレームの変形を防ぎつつ容易に除去でき、半導体装置の樹脂封止以降の工程での扱いを容易にすることができる。また、リードフレームの変形を考慮することなく強固な密着性を樹脂に求めることが可能になり、信頼性の高い半導体装置を得ることが可能になる。
【００１９】
封止金型のポット、金型カルキャビティーおよび金型ランナーキャビティーをリードフレーム領域内のリードフレームの開口部に位置させることでランナーを短くすることができ、その分だけ必要な樹脂使用量を減らすことができると同時に、樹脂減量した分だけポット内での樹脂溶融の為の樹脂加熱を短時間で行うことができ、生産タクトを上げることが可能になる。
【００２０】
本発明の第２の構成に係る封止金型は、ダイパッドの周囲にリードを配置し、リードの近傍に開口部を形成してなるリードフレームを樹脂封止する封止金型であって、リードフレーム領域内で前記開口部に対応する位置に開口部よりも小さなポットを配置したものである。
【００２１】
本発明の第３の構成に係る半導体装置の製造方法は、ダイパッドの周囲にリードを配置し、リードの近傍にポットよりも大きな開口部を形成してなるリードフレームと、リードフレーム領域内に配置したポットが前記開口部に対応する封止金型を使用し、開口部に対応したポットから供給する封止樹脂によりダイパッドに配置した半導体素子を封止するものである。
【００２２】
本発明の第４の構成に係る半導体装置用リードフレームは、ダイパッドの周囲にリードを配置し、封止金型を用いて樹脂封止するリードフレームであって、縦横にダイパッドを配列し、相互に隣接する４個のダイパッドの中間に開口部を形成してなり、この開口部が、封止金型のリードフレーム領域内に配置したポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーに対応し、ポットよりも大きい形状をなすものである。
【００２３】
上記した構成により、封止樹脂タブレットを挿入するポットおよびポット内に配置して溶融した封止樹脂を射出するプランジャを封止金型のリードフレーム領域内でリードフレームの開口部に位置させることで、樹脂封止後に残るカルおよびランナーがリードフレームの開口部において形成されるので、カルおよびランナーをリードフレームに密着させることなく半導体装置を封止成型することが可能となる。
【００２４】
さらに、１個のポットのプランジャによって複数の半導体装置を封止成型する際に、各半導体装置に対応するキャビティーへのランナーによる樹脂供給経路長を等しく出来るので、樹脂粘度が溶融後の時間の経過に伴って変化して流動性が変化する熱硬化性樹脂を使用して封止成型工程を行う場合にあっても、各半導体装置に樹脂流入するタイミングが一致し、均等な流動特性の封止樹脂を各半導体装置に対応するキャビティーに注入することが可能になる。このため、各半導体装置内でのボイドやワイヤ変形状態も同じにすることができ、それらを防止するための工程条件を容易に求める事が可能となる。
【００２５】
本発明の第５の構成に係る封止金型は、縦横に配列したダイパッドの周囲にリードを配置し、相互に隣接する４個のダイパッドの中間に開口部を形成してなるリードフレームを樹脂封止する封止金型であって、リードフレーム領域内で前記開口部に対応する位置にポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーを配置したものである。
【００２６】
上記した構成により、封止金型にリードフレームをセットした際に、リードフレームの枠に挟まれたリードフレーム領域内において、縦横に２個ずつ並んで相互に隣接する４個のダイパッドの中心部にポットが位置することで、１個のポットによって同形状の樹脂供給経路をなす４つのランナーを通して４個の半導体装置を封止成型することができるので、封止金型において構造の複雑なポット数を減らす事ができる。
【００２７】
本発明の第６の構成に係る半導体装置の製造方法は、縦横に配列したダイパッドの周囲にリードを配置し、相互に隣接する４個のダイパッドの中間に開口部を形成してなるリードフレームと、リードフレーム領域内に配置したポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーが前記開口部に対応する封止金型を使用し、開口部に対応したポットからカルおよび各ランナーを通して供給する封止樹脂により各ダイパッドに配置した半導体素子を同時に封止するものである。
【００２８】
本発明の第７の構成に係る半導体装置用リードフレームは、ダイパッドの周囲にリードを配置し、封止金型を用いて樹脂封止するリードフレームであって、相互に隣接する２個のダイパッドから等距離の位置に開口部を形成してなり、この開口部が、封止金型のリードフレーム領域内に配置したポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーに対応し、ポットよりも大きい形状をなすものである。
【００２９】
本発明の第８の構成に係る封止金型は、ダイパッドの周囲にリードを配置し、相互に隣接する２個のダイパッドから等距離の位置に開口部を形成してなるリードフレームを樹脂封止する封止金型であって、リードフレーム領域内で前記開口部に対応する位置にポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーを配置したものである。
【００３０】
上記した構成により、１個のポットで２個の半導体装置を封止成型することができるため、封止金型において構造の複雑なポット数を減らす事ができる。また、縦横にダイパッドを配置するリードフレーム以外においても、少なくとも２個の相互に隣接するダイパッドを配置するリードフレームであれば対応することができる。
【００３１】
本発明の第９の構成に係る半導体装置の製造方法は、ダイパッドの周囲にリードを配置し、相互に隣接する２個のダイパッドから等距離の位置に開口部を形成してなるリードフレームと、リードフレーム領域内に配置したポットおよびポットに対応する１つのカルならびにカルから各ダイパッド上の封止樹脂充填領域に至るランナーが前記開口部に対応する封止金型を使用し、開口部に対応したポットからカルおよび各ランナーを通して供給する封止樹脂により各ダイパッドに配置した半導体素子を同時に封止するものである。
【００３２】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳しく説明する。
【実施例１】
【００３３】
本発明の実施例１を図１〜図９を用いて説明する。図１は本実施例１における半導体装置用リードフレームの一例を示す図である。先に図１３から図１５において説明したものと同様の構成要素については同符号を用いる。図１において、半導体装置用リードフレーム１３は、半導体素子１０をダイスボンドするダイパッド１を縦横（マトリックス）に配置しており、本実施例１では二段に配置している。
【００３４】
さらに、半導体装置用リードフレーム１３は、ダイパッド１を支持する吊りリード２と、内部リード３と、封止金型内において樹脂封止中に内部リード３の間から封止樹脂が漏れるのを防止するために内部リード３の相互間を接続してなるダムバー４と、ダムバー４を介して内部リード３に接続されてなり樹脂封止後に樹脂封止部外に露出する外部リード５と、上記各部分を外側から支持するフレーム枠６とからなる。
【００３５】
この半導体装置用リードフレーム１３は、フレーム枠６に挟まれたリードフレーム領域内において、相互に隣接する４個のダイパッド１に対して等距離の中間の位置に開口部１４を形成している。
【００３６】
図４に示すように、封止金型１５は、半導体素子１０をダイスボンドする各ダイパッド１に対応した位置に封止樹脂充填領域をなすキャビティー（図示省略）と、リードフレーム領域内で半導体装置用リードフレーム１３の各開口部１４に対応する位置に配置したポット１６と、各ポット１６に対応して１ずつ設ける金型カルキャビティー１７と、各金型カルキャビティー１７ごとに４個ずつ設けられてそれぞれが各キャビティーのゲートに至る樹脂供給経路をなす金型ランナーキャビティー１８と、ポット１６に配置するプランジャ１９とを備えており、開口部１４はポット１６よりも大きい形状をなし、ポット１６と金型カルキャビティー１７と金型ランナーキャビティー１８を開口部１４に対応する領域内に配置している。
【００３７】
この樹脂封止型の半導体装置用リードフレーム１３を用いて半導体装置を製造する工程を以下に説明する。
まず、図２に示すように、半導体装置用リードフレーム１３のダイパッド１に半導体素子１０をダイスボンドし、その後に図３に示すように、半導体素子１０とリードフレームの内部リード３とを金属細線１１によりワイヤボンドする。
【００３８】
次に、この半導体装置用リードフレーム１３を封止金型１５に配置し、ポット１６をリードフレームの開口部１４に合わせ、開口部１４を通してポット１６に樹脂タブレットを投入する。そして、半導体素子１０、ダイパッド１、内部リード３、吊りリード２、金属細線１１を樹脂封止領域をなすキャビティーで覆う状態で、ポット１６の底にあるプランジャ１９を押し上げることで、封止金型１５の熱で溶融した封止樹脂がポット１６から金型カルキャビティー１７と金型ランナーキャビティー１８を通じてゲートからパッケージの各キャビティーに充填される。
【００３９】
封止樹脂は熱硬化性樹脂を用いるので、硬化反応後に封止金型１５を開けると、図５に示すように、半導体素子１０、ダイパッド１、内部リード３、吊りリード２、金属細線１１を含む領域が樹脂封止されて半導体装置の樹脂封止部２３が封止成型されたリードフレーム状態となる。この時点において、樹脂封止部２３には、金型カルキャビティー１７と金型ランナーキャビティー１８に残留した封止樹脂からなるカル２０とランナー２１が同様のゲート部２２を通じて一体的に付着している。
【００４０】
このカル２０とランナー２１は半導体装置用リードフレーム１３の開口部１４の領域内に収まっているので、半導体装置用リードフレーム１３とは密着しておらず、ゲート部２２をパンチングするだけで容易に半導体装置用リードフレーム１３から除去することが出来る。
【００４１】
従来では、半導体装置の信頼性を上げるために密着性の高い樹脂を使用すると、ランナーがリードフレーム上を通っていたので、密着してランナーとそれにつながるカルを除去することはリードフレームに変形等の障害を生じさせることがあった。しかし、本発明の半導体装置用リードフレーム１３ではカル２０およびランナー２１との密着部が無いので、半導体装置１２の信頼性を上げるために密着性の高い樹脂を使用しても容易にこれらを除去でき、半導体装置用リードフレーム１３に変形等の障害を生じさせることがない。
【００４２】
また、従来のリードフレームを使用した半導体装置の封止成型では、ランナーの長さが樹脂供給対象の半導体装置の位置ごとに異なることから半導体装置に注入されるまでの時間に差があり、この時間差に起因してキャビティーに注入する熱硬化性樹脂の溶融状態も異なってしまう。このため、封止樹脂を異なる溶融状態で各キャビティーに注入してもボイド等の成型不良が発生しない成型条件や樹脂特性を求める必要があった。
【００４３】
しかし、本発明では、ポット１６が４個のダイパッド１の中心部に位置することで、ポット１６から注入対象の半導体装置に対応するキャビティーまでの樹脂供給経路であるランナー１８の流路長や形状を均等にすることができるので、各キャビティーに注入される熱硬化性樹脂である封止樹脂の溶融状態も均一にすることができ、ボイド等の成型不良が発生しない成型条件や樹脂特性を従来よりも容易に見出すことが可能となる。
【００４４】
図６は樹脂封止後に、カル２０およびランナー２１を除去した後のリードフレーム状態を示す図である。この状態で半導体装置用リードフレーム１３は以降の工程へ送られる。図７はダムバー４を除去したリードフレーム状態を示す図である。図８は外部リード５の先端を除去したリードフレーム状態を示す図であり、ダムバー４の除去と外部リード５の先端除去でリードフレームを通じてのリード間の電気的導通を無くした状態である。
【００４５】
この状態において、図９に示すように、外部リード５を曲げ加工して基板に半田実装できる形状に加工された後に、図１０に示すように、吊りリードを切断して個々の半導体装置に分割される。
【００４６】
これらの外部リード５に対する加工は全て金型加工で行われるので、半導体装置用リードフレーム１３に対してカル２０およびランナー２１の密着性が高くてその除去時にリードフレームに変形が生じると金型加工精度の低下や、加工金型を破損すると言った弊害が発生するが、本発明においてはカル２０およびランナー２１を容易に除去でき、半導体装置用リードフレーム１３に変形等の障害を生じさせないので、金型加工精度の低下や、加工金型の破損等の弊害が発生しない。
【００４７】
この様に、半導体装置用リードフレーム１３として、フレーム枠６に挟まれたリードフレーム領域内で、かつ相互に隣接する４個のダイパッド１に対して等距離の中間の位置に開口部１４を形成したものを使用し、封止金型１５として、開口部１４に対応する領域内にポット１６と金型カルキャビティー１７と金型ランナーキャビティー１８を配置したものを使用することで、半導体装置の信頼性を高めるリードフレームとの密着性の高い樹脂を用いても従来工程と同等の容易性で製造することが可能になる。
【実施例２】
【００４８】
以下に、本発明の実施例２を図１１を参照して説明する。先の実施例１において説明したものと同様の構成要素については同符号を用いる。図１１において、半導体装置用リードフレーム１３は、１個のダイパッド１に対応して１個の開口部１４を形成しており、開口部１４はリードフレーム領域内で内部リード３および外部リード５の近傍に位置している。
【００４９】
この構成では、封止金型１５の１個のポット１６で１個の半導体装置の封止成型を行う。樹脂封止工程は先の実施例１と同様であり、説明を省略する。この実施例２においても、図１１に示すように、樹脂封止後において、カル２０とランナー２１は半導体装置用リードフレーム１３の開口部１４の領域内に収まっているので、半導体装置用リードフレーム１３とは密着しておらず、ゲート部２２をパンチングするだけで容易に半導体装置用リードフレーム１３から除去することが出来る。他の作用効果は先の実施例１と同様であり、説明を省略する。
【実施例３】
【００５０】
以下に、本発明の実施例３を図１２を参照して説明する。先の実施例１において説明したものと同様の構成要素については同符号を用いる。図１２において、半導体装置用リードフレーム１３は、２個のダイパッド１に対応した等距離の位置に１個の開口部１４を形成しており、開口部１４はリードフレーム領域内で内部リード３および外部リード５の近傍に位置している。
【００５１】
この構成では、封止金型１５の１個のポット１６で２個の半導体装置の封止成型を行う。樹脂封止工程は先の実施例１と同様であり、説明を省略する。この実施例２においても、図１１に示すように、樹脂封止後において、カル２０とランナー２１は半導体装置用リードフレーム１３の開口部１４の領域内に収まっているので、半導体装置用リードフレーム１３とは密着しておらず、ゲート部２２をパンチングするだけで容易に半導体装置用リードフレーム１３から除去することが出来る。他の作用効果は先の実施例１と同様であり、説明を省略する。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明にかかる半導体装置用リードフレームは、それを利用して半導体装置を封止成型する際に製造の容易性を保ったままで、密着性の高い封止樹脂を用いて信頼性の高い半導体装置を製造するのに効果があり、半導体装置組立部材用のリードフレームとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（ａ）は本発明の実施例１における半導体装置用リードフレームを示す平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図
【図２】同実施例１における半導体装置用リードフレームのダイスボンド後のリードフレーム状態を示す平面図
【図３】同実施例１における半導体装置用リードフレームのワイヤボンド後のリードフレーム状態を示す平面図
【図４】同実施例１における半導体装置用リードフレームに対応する封止金型を示す模式図
【図５】（ａ）は同実施例１における半導体装置用リードフレームの樹脂封止後のカル、ランナーが付いているリードフレーム状態を示す平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図
【図６】（ａ）は同実施例１における半導体装置用リードフレームの樹脂封止後にカル、ランナーを除去したリードフレーム状態を示す平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図
【図７】（ａ）は同実施例１における半導体装置用リードフレームの樹脂封止後にダムバーを除去したリードフレーム状態を示す平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ’断面図
【図８】（ａ）は同実施例１における半導体装置用リードフレームの樹脂封止後に外部リード先端を除去したリードフレーム状態を示す平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ’断面図
【図９】（ａ）は同実施例１における半導体装置用リードフレームの外部リードを曲げ加工したリードフレーム状態を示す平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ’断面図
【図１０】同実施例１における半導体装置用リードフレームから切り離され個別の半導体装置を示す図
【図１１】本発明の実施例２における半導体装置用リードフレームにより半導体装置を封止成型したリードフレーム状態を示す平面図
【図１２】本発明の実施例３における半導体装置用リードフレームにより半導体装置を封止成型したリードフレーム状態を示す平面図
【図１３】従来のリードフレームを示す平面図
【図１４】（ａ）は従来のリードフレームの樹脂封止後でカル、ランナーが付いているリードフレーム状態を示す平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図
【図１５】従来のリードフレームの樹脂封止後でカル、ランナーを除去したリードフレーム状態を示す平面図
【符号の説明】
【００５４】
１    ダイパッド
２    吊りリード
３    内部リード
４    ダムバー
５    外部リード
６    フレーム枠
１０    半導体素子
１１    金属細線
１３    半導体装置用リードフレーム
１４    開口部
１５    封止金型
１６    ポット
１７    金型カルキャビティー
１８    金型ランナーキャビティー
１９    プランジャ
２０    カル
２１    ランナー
２２    ゲート部
２３    樹脂封止部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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