Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月14日(2007.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  溶剤に溶解したブロックトポリイソシアネート架橋剤であって、
当該架橋剤は、
脂肪族および／または脂環式ポリイソシアネートのNCO基  100当量％
CH酸エステルブロッキング剤  80〜95当量％
脂肪族／脂環式ジアミンのNH2基  5〜20当量％、および
組込み形態のホルムアルデヒド  5〜40 mol％
を含むことを特徴とする架橋剤。
【請求項２】  請求項1記載の架橋剤についての、溶剤含有相および水性相の両相から塗料を製造するための使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、溶剤（又は溶剤混合物）に溶解した、ブロックトイソシアネート基含有量5〜20％、好適には8〜14％を有するブロックトポリイソシアネート架橋剤であって、
当該架橋剤は、
脂肪族および／または脂環式ポリイソシアネートのNCO基  100当量％
CH酸エステルブロッキング剤  80〜95当量％
脂肪族／脂環式ジアミンのNH2基  5〜20当量％、および
組込み形態のホルムアルデヒド  5〜50 mol％
を含むことを特徴とする架橋剤を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のブロックトポリイソシアネート架橋剤は、次のような特性を有することができる。
・非結晶性で、透明な生成物であって、貯蔵安定性を示すことができる。
・80〜120℃の温度において、それ自体およびOH成分と反応しうる硬化成分である。
・溶剤系および水系の両系のOH成分と反応しうる共反応体である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のブロックトポリイソシアネート架橋剤の構成成分であるポリイソシアネートは、脂肪族的および／または脂環式的に結合したイソシアネート基を有し、そのイソシアネート含有量は、7〜30重量％、好適には12〜25重量％である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次のような他のイソシアネートをベースとするポリイソシアネートも本発明に使用することができる。
ジイソシアナトブタン-1,4
2,4-または2,6-ジイソシアナト-1-メチルシクロヘキサン
2,5-および／または2,6-ビス（イソシアナト）ノルボルナン
3-および／または4-イソシアナトメチル-1-メチル-シクロヘキサン
1,4-ビス（2-イソシアナトプロプ-2-イル）ベンゼン
1,3-ジイソシアナトメチルベンゼン
1,3-または1,4-ビス（イソシアナトメチル）シクロヘキサン
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
最も好適なポリイソシアネート成分は、イソシアヌレート基含有1-6 ジイソシアナトヘキサンをベースとするポリイソシアネートである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
安定化剤
付加的な安定化成分として、EP-A-0 829 500に開示された安定化剤を使用することができる。本発明に好適な安定化剤は、以下の式（Ia）の組込み可能なヒドラジドである。
【化１】
2003508562.tif 000001
（分子量236）
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（実施例）
実施例1（本発明）：ブロックトポリイソシアネート架橋剤
この実施例に開示した、本発明のブロックトポリイソシアネート架橋剤は、IPDA含有量2.32重量％およびホルムアルデヒド含有量2.46重量％（固体を基準）を有していた。
成分
1,6-ジイソシアナトヘキサン（HDI）をベースとするイソシアネート含有塗料用ポリイソシアネート（NCO含有量＝21.4重量％、粘度（23℃）＝約3,000 mPas）  196.0 g（1.0 g 当量）
マロン酸ジエチル  152.0 g（0.95 mol）
メタノール中30％ Naメチレート溶液  3.0 g
3,3,5-トリメチル-5-アミノメチルシクロヘキシルアミン（IPDA）  8.5 g（0.10 g 当量）
パラホルムアルデヒド  9.0g（0.30 mol）
メタノール中30％ Naメチレート溶液   0.9 g
N-メチルピロリドン（NMP）  40.6 g
イソブタノール（IB）  40.6 g
ブチルグリコール（BG）  40.6 g
ジブチルホスフェート  4.8 g                  
ブロックNCO基  496.0 g（0.95 g当量）
固形分：75重量％
ブロックNCO含有量：8.0重量％
粘度（23℃）：約7,200 mPas
ハーゼンカラーインデックス：＜100
NCO当量：525 g
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この塗料を、1.4 mmのノズルを介し空気圧3 barで、プラスチックタイル（Bayblend T 65 MN）に対し吹付け、80℃で45分間および100℃で45分間乾燥した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
空気圧スプレイガン（ノズル1.4 mm、スプレイ圧2.5 bar）を用いて、ガラス板上に吹付け、室温で3分間風乾し、100℃で30分間焼付けして、クリヤーワニスのフィルム（乾燥フィルムの膜厚：40〜50 μm）を製造した。フィルムのb値（黄色度、イエロー・バリュー）を、CieLab法によって測定した。次いで、クリヤーワニスのフィルムを、160℃で30分間超過焼付けし、b値を再測定した。これらb値間の差であるΔb値は、超過焼付け処理に対する塗膜耐性の尺度である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月2日(2007.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ポリカーボネート、５００−２５００ｇ／モルの分子量を有するシアンアクリル酸エステル化合物及びフェニルホスファイト安定剤を含むポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項２】  ヒンダートフェノール安定剤をさらに含む請求項１のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項３】  ラクトン安定剤をさらに含む請求項２のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項４】  ０．０５−１５重量％のシアンアクリル酸エステル化合物、２０−１５００ｐｐｍのホスファイト安定剤、１０−７５０ｐｐｍのヒンダートフェノール安定剤及び５−４００ｐｐｍのラクトン安定剤から本質的になる請求項３のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項５】  ポリカーボネートの重量に基づいて少なくとも２重量％のシアンアクリル酸エステル化合物を含む請求項３のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項６】  以下の式
【化１】
2003508568.tif 000001
（式中、Ｒ１及びＲ２置換基は、それぞれ水素、または少なくとも１つのイソ−またはヘテロ芳香族核を有するイソ−または複素環式環系を有する基であり、そして基Ｒ１またはＲ２の少なくとも１つは、水素とは異なり；ｐは、少なくとも３の平均値を有し；Ｘは、３−２０個の炭素原子及び少なくともｐ個のヒドロキシ基を有する脂肪族または脂環族のポリオールの基、任意に１または２個のヘテロ原子を含んでもよい脂環族基、及び任意に８個までの非隣接酸素原子、硫黄原子、イミノ基またはＣ１−Ｃ４アルキルイミノ基を間にはさんでもよい脂肪族基である）
によるシアンアクリル酸エステル化合物を含む請求項３のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項７】  請求項１の樹脂組成物からつくられた物品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  硬質物質を破砕する回転可能な工具であって、引き伸ばされた工具ボディーと、硬質金属から形成され長手軸を規定する切削キャップとを含む工具において、
前記切削キャップは、
第一の最大直径（ｄ）を有するほぼ円錐形の先端チップと、
第二の最大直径（Ｄ）を規定する外縁面と工具ボディーの前方端に結合される後方に向いた面とを有する後方基体部分と、
前記チップから前記基体まで延伸し且つ前記チップからの急激な遷移を規定する中間部分であって、少なくとも一部は凹の外縁面を有する前記中間部分と、
を含み、
前記キャップの長手方向の拡がり（Ｈ）は前記チップの前方端から前記基体の第２の最大直径を有し後方に向いた接触面の交点まで延伸し、
ｄ／Ｄ≧０．７  かつ  Ｈ／Ｄ≧１．０
であることを特徴とする工具。
【請求項２】  前記中間部分が、さらに前記チップと凹面を連結する円筒状部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の工具。
【請求項３】  硬質物質を破砕するための回転可能な工具ボディーに取り付けられる切削キャップであって、硬質金属から形成され長手軸を規定する切削キャップにおいて、
前記切削キャップは、
第一の最大直径（ｄ）を有するほぼ円錐形の先端チップと、
第二の最大直径（Ｄ）を規定する外縁面と工具ボディーの前方端に結合されるのに適した後方に向いた面とを有する後方基体部分と、
前記チップから前記基体まで延伸し且つ前記チップからの急激な遷移を規定する中間部分であって、少なくとも一部は凹の外縁面を有する前記中間部分と、
を含み、
前記キャップの長手方向の拡がり（Ｈ）は前記チップの前方端から前記基体の第２の最大直径を有し後方に向いた接触面の交点まで延伸し、
ｄ／Ｄ≧０．７  かつ  Ｈ／Ｄ≧１．０
であることを特徴とする切削キャップ。
【請求項４】  前記中間部分が、さらに前記チップと凹面を連結する円筒状部分を含むことを特徴とする請求項３に記載の切削キャップ。
【請求項５】  前記凹面が、一定の曲率半径を有することを特徴とする請求項３に記載の切削キャップ。
【請求項６】  前記後方に向いた接触面の交点と最大第２直径との間の前記交点が、前記外縁面の円筒状部分の後方端に存在することを特徴とする請求項１に記載の工具。
【請求項７】  前記後方に向いた接触面が、前記切削キャップの長手軸に対して同軸に第２の最大直径から後方に向かって突出する突起に配置され、且つ前記後方に向いた接触面が、後方に向かって次第に細くなることを特徴とする請求項１に記載の工具。
【請求項８】  前記後方に向いた接触面が、前記切削キャップの長手軸に対して直角に配置されることを特徴とする請求項１に記載の工具。
【請求項９】  前記後方に向いた接触面の交点と最大第２直径との間の前記交点が、前記外縁面の円筒状部分の後方端に存在することを特徴とする請求項３に記載の切削キャップ。
【請求項１０】  前記後方に向いた接触面が、前記切削キャップの長手軸に対して同軸に第２の最大直径から後方に向かって突出する突起に配置され、且つ前記後方に向いた接触面が、後方に向かって次第に細くなることを特徴とする請求項３に記載の切削キャップ。
【請求項１１】  前記後方に向いた接触面が、前記切削キャップの長手軸に対して直角に配置されることを特徴とする請求項１に記載の工具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの均一性を制御するための方法であって、
ウェハ上でプロセス層を処理するステップと、
複数の検出位置にわたってプロセス層の表面の均一性を判断するためにプロセス層の処理中に複数の検出位置でプロセス層の厚みを測定するステップと、
プロセス層を処理するレートに少なくとも１つの検出位置で影響を与えるために、判断された表面の均一性に基づいてプロセス制御装置のプロセス制御変数を自律的に変えるステップとを含む、方法。
【請求項２】
プロセス制御装置は複数の制御領域を有し、各制御領域は検出領域のうちの１つと関連しかつ関連のプロセス制御変数を有し、プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、制御領域のうちの１つのプロセス制御変数を自律的に変えるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
プロセス制御装置は加熱素子を含み、プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、プロセス層の判断された表面の均一性に基づいて加熱素子の選択された制御領域と関連する温度を自律的に変えるステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、制御領域のうちの別のものと関連するプロセス層の測定された厚みより小さい選択された制御領域と関連するプロセス層の測定された厚みに応答して、選択された制御領域の温度を自律的に上げるステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、制御領域のうちの別のものと関連するプロセス層の測定された厚みより大きい選択された制御領域と関連するプロセス層の測定された厚みに応答して、選択された制御領域の温度を自律的に下げるステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
プロセス制御装置は複数のガスヘッダを有するガスマニホールドを含み、各制御領域は関連のガスヘッダを有し、プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、プロセス層の
判断された表面の均一性に基づいて、選択されたガスヘッダと関連するガス流量を自律的に変えるステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、制御領域のうちの別のものと関連するプロセス層の測定された厚みより小さい選択された制御領域と関連するプロセス層の測定された厚みに応答して、選択されたガスヘッダのガス流量を自律的に上げるステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、制御領域のうちの別のものと関連するプロセス層の測定された厚みより大きい選択された制御領域と関連するプロセス層の測定された厚みに応答して、選択されたガスヘッダのガス流量を自律的に下げるステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
プロセス制御装置はプラズマ発生器を含み、プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、判断された表面の均一性に基づいてプラズマ発生器のパワーを自律的に変えるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、検出領域のうちの別のものと関連するプロセス層の測定された厚みより大きい検出領域のうちの１つと関連するプロセス層の測定された厚みに応答して、プラズマ発生器のパワーを自律的に上げるステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、検出領域のうちの別のものと関連するプロセス層の測定された厚みより小さい検出領域のうちの１つと関連するプロセス層の測定された厚みに応答して、プラズマ発生器のパワーを自律的に下げるステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
厚みを測定するステップは、光学干渉計および光学発光分光器のうちの少なくとも１つを使用して厚みを測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
プロセス層特性を測定するステップは、ウェハの中央近くでプロセス層特性を測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
プロセス層特性を測定するステップは、ウェハの周辺近くでプロセス層特性を測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
プロセス層特性を測定するステップは、ウェハの中央近くで、ウェハの周辺近くで、およびウェハの中央と周辺との中間でプロセス層特性を測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
プロセス層を処理するステップはウェハ上でプロセス層を堆積するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
プロセス層を処理するステップはウェハ上でプロセス層をエッチングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、処理ツールによって処理されている現在のウェハに対してプロセス制御変数を自律的に調整するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
プロセス制御変数を自律的に変えるステップは、処理ツールによって処理されるべき後続のウェハに対してプロセス制御変数を自律的に調整するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
処理ツールであって、
ウェハ上のプロセス層を処理するための手段と、
複数の検出位置にわたってプロセス層の表面の均一性を判断するためにプロセス層の処理中に複数の検出位置でプロセス層の厚みを測定するための手段と、
プロセス層を処理するレートに少なくとも１つの検出位置で影響を与えるためにプロセス層の判断された表面の均一性に基づいてプロセス制御装置のプロセス制御変数を自律的に変えるための手段とを含む、処理ツール。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式：
［（（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓｉ）５−ｎＣ６Ｈｎ）ｍ（Ｃ６Ｈ５）３−ｍＣ］＋［Ａ］−
で表され、式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の各々は独立に置換又は置換されていないＣ１乃至Ｃ３２のヒドロカルビル基で、ｎ＝１−４、ｍ＝１−３、及び［Ａ］−は非配位又は弱配位アニオンである、物質の組成物。
【請求項２】
前記［Ａ］−はハロゲン化、テトラアリル置換された第１０−１５族の非炭素元素系のアニオンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記アニオンのアリル基又はそれらのアリル基のアルキル置換体の水素がフッ素基で置換された、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
前記アニオンが中心元素として硼素又はアルミニウムを含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記アニオンが、ボラン、カルボラン、硼素塩、炭酸塩、メタロボラン又はメタロカルボランである、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の各々は独立にＣ１乃至Ｃ３２ヒドロカルビル基である、請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
オレフィン重合用触媒の調製又は重合方法それ自体における有機金属触媒化合物を安定化する際の、トリアルキルシリル置換カルベニウムカチオン及び、ホウ素またはアルミニウム系の非配位又は弱配位アニオンからなる錯体の使用。
【請求項８】
オレフィンを、ｉ）有機金属触媒化合物、及びｉｉ）トリアルキルシリル置換カルベニウムカチオン及び適切な非配位又は弱配位アニオンを含む助触媒を組み合わせる生成物と、重合条件下で組み合わせることを含む、1以上のオレフィン性モノマーからのポリオレフィンの製造方法。
【請求項９】
前記助触媒錯体が以下の式：
［（（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓｉ）５−ｎＣ６Ｈｎ）ｍ（Ｃ６Ｈ５）３−ｍＣ］＋［Ａ］−
で表され、式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の各々は、独立に、置換又は置換されていないＣ１乃至Ｃ３２のヒドロカルビル基で、ｎ＝１−４、ｍ＝１−３、及び［Ａ］−は非配位又は弱配位アニオンである、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記有機金属触媒化合物が、前記非配位又は弱配位アニオンによる触媒的に活性なカチオンへ、配位子引抜によって転化され得る第３−１１族金属の化合物である、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記遷移金属有機金属触媒化合物が、以下の式：
ＬＡＬＢＬＣｉＭＤＥ
を有する第４−６族のメタロセン化合物であり、式中、ＬＡは、置換又は置換されていない、Ｍにπ結合したシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニル補助配位子で、ＬＢはＬＡについて定義される補助配位子からなる群の要素又はＭにσ結合したヘテロ原子補助配位子であるＪであり、ＬＡとＬＢ配位子は１以上の第１３−１６元素を含む連結基を通じて共有的に架橋してもよく、ＬＣｉ（ｉは０乃至３）はＭへの配位結合を有する任意の中性、非酸化性配位子であり、Ｍは第４−６族の遷移金属であり、ＤとＥは、独立に、不安定な一価アニオン配位子で、各々はＭへのο結合を有し、所望により互いに又はＬＡ又はＬＢに架橋しており、前記助触媒錯体により引抜目的で破壊され得、そこへ重合性モノマー又はマクロモノマーが配位重合のために挿入され得る、請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記オレフィン重合条件が、３０℃以上から３００℃以上の範囲の反応温度、０バール以上から２０００バール以上の圧力で行われる、溶液、臨界圧力、バルク、スラリー又は気相法を含む、請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記方法が、４０℃以上から２５０℃以上の反応温度で行われる断熱溶液法である、請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記有機金属触媒前駆体化合物は、トリアルキルシリル置換カルベニウムカチオン及び非配位アニオンを含む前記触媒錯体と別々にかつその後に、反応器に添加される、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
１以上のオレフィンモノマーを重合してポリオレフィンを製造する際の触媒としての使用に適する反応生成物であって、前記反応生成物は、ｉ）有機金属触媒化合物をｉｉ）トリアルキルシリル置換カルベニウムカチオン及び第１３族元素の非配位又は弱配位アニオンを含む助触媒錯体と反応させることにより得られる、反応生成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の核燃料アセンブリのそれぞれが面状に分布している燃料棒を受入れる互いに平行な位置を画定するスケルトン構造を含む、複数の核燃料アセンブリの装荷設備であって、
スケルトン構造を水平な状態で受入れる剛構造のスケルトン受入れ構造（２２）と、
前記核燃料アセンブリ内の前記燃料棒の配置に対応した配置で装荷するために前記燃料棒を受入れる燃料棒受入れマガジン（１６）と、
複数の前記燃料棒を同時に前記マガジンから前記スケルトン構造内に滑り込ませることが可能な引張り要素または押出し要素のブロックを含む、引張りベンチまたは押出しベンチ（２６）と、
を含む、核燃料アセンブリ装荷設備において、
前記スケルトン受入れ構造が、それぞれがある特定のタイプの前記核燃料アセンブリに対応する複数の組から選択された一組のクランプ装置をアクチュエータによって閉じられる迅速な連結および分離手段によって取外し可能に固定することが可能なベンチを含むことと、
前記引張りベンチ（２６）が、それぞれがある特定のガイドの分布に対応する使用される引張り要素または押出し要素の配置を有する複数の前記ブロックから選択された前記引張り要素または押出し要素を選択するためのブロックを受入れるようにされていることと、
を特徴とする核燃料アセンブリの装荷設備。
【請求項２】  前記スケルトン構造は、支持グリッドを相互接続する管を有するスケルトンによって構成されている、燃料アセンブリのための設備であって、各クランプ装置は少なくとも２つの部分によって構成され、該部分の少なくとも１つが、前記核燃料アセンブリのグリッドが前記スケルトン構造に対してロックされるようにアクチュエータによって制御可能であり、複数の前記アクチュエータが同時に動作可能であることを特徴とする請求項１に記載の設備。
【請求項３】  前記複数のクランプは互いに独立に動作可能であり、前記スケルトン構造の前記グリッドを所定位置にロックするためのシューを有していることを特徴とする請求項１に記載の設備。
【請求項４】  前記燃料棒受入れマガジン（１６）は、支持キャリッジによって移動され、該支持キャリッジの上面に支持されたＵ字形断面の生体防護フードによって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の設備。
【請求項５】  前記スケルトン受入れ構造は、複数の部品（８４、８６、９０）を含む生体防護フードを受入れるようにされており、該部品が、並んで配置されて前記スケルトン構造の全体を覆う配置と、長手方向のスペースが縮小された同心配置との間で互いに相対的に滑動可能であることを特徴とする請求項１に記載の設備。
【請求項６】  前記スケルトン受入れ構造は、一体型のビーム（６６）であって水平位置と垂直位置の間で該ビームを転動させるための軸の位置から先細り断面となっている一体型のビーム（６６）に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の設備。
【請求項７】  各引張り要素は、長手方向に変位するアクチュエータと力センサとを備えた引張り棒または押出し棒であることを特徴とする請求項１に記載の設備。
【請求項８】  調整可能な位置にクランプ支持材を固定するための長手方向のスライドウェイが、前記スケルトン受入れ構造上に設けられていることを特徴とする請求項２または３に記載の設備。
【請求項９】  各クランプ装置は、アクチュエータからの駆動により、前記スケルトン構造の前記グリッドを固定するシューが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の設備。
【請求項１０】  前記引張りベンチまたは押出しベンチは、引張り要素または押出し要素を選択するための複数組の要素の１組を随意に受入れるようにされており、各組は、
装荷される前記核燃料アセンブリのために面状に前記燃料棒を受入れるための凹部の数に等しい数のアクチュエータおよびセンサを備えた引張りブロックであって、電気接続および空気接続を形成するためのターミナル・コネクタを有するケーブルと、該アクチュエータおよび該センサに関連付けられた導体の全てを含むブロックと、
前記ベンチ上に取り付けるための一組の管状ガイドと、
支持構造に面した前記ベンチ上に配置され、装荷されるスケルトン構造の前記燃料棒を受入れる凹部の配列を再現する穴を有する選択ブロックと、
を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の設備。
【請求項１１】  前記燃料棒受入れマガジン（１６）は、それぞれの組が前記燃料アセンブリの配列を再現する特定の配列に対応した複数組のガイド板のいずれか１つを受入れるための手段を備えたハウジングを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の設備。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  上下流側のパイプと選択的に整列可能な流体の弁通過を許容する孔を具えたプラグであって、かつ上下流側いずれかのパイプと選択的に整列可能な流体の弁通過を許容または遮断する少なくとも１個のスリップを具えたプラグを有するプラグ弁に用いるスリップであって、
前記スリップは前記スリップの整列時における流体の漏洩を防止するシール（１８）を有しており、
かつ前記スリップは少なくとも一部が前記シール（１８）と同材料で形成されている試験片（２０）を含んでいる
ことを特徴とするスリップ。
【請求項２】  前記シール（１８）が前記スリップ内の第１の凹部（２２）内に配置されており、前記スリップ内の第２の凹部（２４）が前記試験片（２０）を収受してその試験片の材料特性をテストすることを特徴とする請求項１に記載のスリップ。
【請求項３】  前記試験片（２０）が同じ材料バッチを用いて前記シールと同時に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のスリップ。
【請求項４】  各前記シール（１８）と前記試験片（２０）とが前記第１および第２の凹部のそれぞれ中に接着剤により固定されていることを特徴とする請求項２に記載のスリップ。
【請求項５】  前記各凹部中の接着剤が同じであることを特徴とする請求項４に記載のスリップ。
【請求項６】  前記各凹部中の接着剤が同じ材料バッチから発していることを特徴とする請求項５に記載のスリップ。
【請求項７】  前記各凹部内の接着剤が両前記凹部に同時に塗布されて、かつ同じ時間に亘り実質的に同じ温度で硬化されていることを特徴とする請求項６に記載のスリップ。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれかに記載のスリップを含んだことを特徴とするプラグ弁。
【請求項９】  装置周囲の流体漏洩を防止する装置に使用されるシールの材料特性をテストする方法であって、
（ａ）実質的に同じ凹部サイズと接着剤とを用いて前記シールのテストサンプルを前記装置内に埋設し、
（ｂ）前記シールと同じ材料バッチから前記テストサンプルを選択し、
（ｃ）前記シールの接着剤と同じ材料バッチから前記テストサンプルの接着剤を選択し、
（ｄ）前記各テストサンプルの接着剤と前記シールの接着剤とを同時に同じ時間に亘り実質的に同じ温度で硬化し、
（ｅ）前記シールの機械的特性の測定として前記テストサンプルを機械的特性テストに供する
ことを特徴とするテスト方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１のボディと、前記第１のボディに対して第１の方向に往復運動する第２のボディとを連結するスプリングを含むリニアコンプレッサであって、
前記スプリングは、
前記第１のボディに取付けられた少なくとも１つの第１の取付け個所と、
前記第２のボディに取付けられた少なくとも１つの第２の取付け個所と、
前記第１の取付け個所と前記第２の取付け個所との間を連結する第１のスプリングアームと、を有し、
前記第１のスプリングアームは、前記往復運動方向とほぼ直交して延びる径方向部分と、曲率がほぼ一定の大径湾曲部と、前記径方向部分と前記大径湾曲部との間の前記大径湾曲部よりも小さな半径の湾曲部と、を含み、
前記スプリングは、前記第１の取付け個所と前記第２の取付け個所との間を連結する第２のスプリングアームを有し、
前記第２のスプリングアームは、前記往復運動の軸線とほぼ直交して延びる径方向部分と、曲率がほぼ一定の大径湾曲部と、前記径方向部分と前記大径湾曲部との間の前記大径湾曲部よりも小さな半径の湾曲部と、を含み、
前記第１のスプリングアームと前記第２のスプリングアームの各々が、前記スプリングアームのそれぞれについて、その形状が前記往復運動の方向と垂直で且つ前記径方向部分を含む平面上に突き出ているとき、前記径方向部分が、前記第１の取付け個所と前記第２の取付け個所の少なくとも１つで、前記大径湾曲部に対してほぼ径方向に延び、それぞれの前記取付け個所を中心にあるいは中心の近くに有するように形づくられている、
ことを特徴とするリニアコンプレッサ。
【請求項２】  前記大径湾曲部の少なくとも１つは、２７０度より大きな角度で曲がる、
請求項１に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項３】  前記各スプリングアームの前記大径湾曲部は、ほぼ螺旋状である、
請求項１または２に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項４】  前記各第１の取付け個所は、第１の平面内に位置し、前記各第２の取付け個所は、少なくとも前記第１の平面とほぼ平行な第２の平面内に位置する、
請求項３に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項５】  前記第１のスプリングアームの径方向部分と前記第２のスプリングアームの径方向部分が、整列され、結合されて前記スプリングの直径部分となり、単一の前記第２の取付け個所が、前記スプリングの前記直径部分にある、
請求項４に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項６】  前記第２の平面の前記直径部分のき向きは、前記第１の平面の前記半径方向に延びる部分の向きに直交している、
請求項４に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項７】  前記スプリングは、ほぼ一定断面の１本の高疲労強度ワイヤからなる、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項８】  前記各スプリングアームは、前記径方向部分と、前記大径湾曲部と、前記小さな半径の湾曲部だけからなる、
請求項１乃至７に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項９】  前記各スプリングアームは、順番に配置された、前記径方向部分と、前記小さな半径の湾曲部と、前記大径湾曲部と、前記小さな半径の湾曲部と、前記径方向部分から構成されている、
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項１０】  シリンダ部分と、
ピストン部分と、
前記シリンダ部分と前記ピストン部分とを連結し前記シリンダ部分に対する前記ピストン部分の往復運動の方向に作動する主スプリングと、
シールされたハウジングと、
前記シリンダ部分と前記ピストン部分との間で作動するよう配置されたリニア電気モータと、
前記シリンダ部分と前記ハウジングとを連結し前記往復運動の方向に作動するシリンダ部分スプリング手段と、
前記ピストン部分と前記ハウジングとを連結し前記往復運動の方向に弾性的に作動するピストン部分スプリング手段と、を含み、
前記ピストン部分スプリング手段が、前記ピストン部分の質量と前記シリンダ部分の質量との比と、前記往復運動の方向に作用する前記シリンダ部分スプリング手段の実際のばね定数との積であるばね定数を有している、
ことを特徴とするリニアコンプレッサ。
【請求項１１】  前記シリンダ部分スプリング手段は、前記シリンダ部分から前記ハウジングへの全ての連結部を含み、前記シリンダ部分から前記ハウジングへの前記連結部が全て弾性変形可能であり、低い剛性を有するように形成されている、
請求項１０に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項１２】  前記連結部は前記シールされたハウジングの外の前記コンプレッサから圧縮された冷媒を運ぶ排出導管と、前記リニア電気モータのステータへのいかなる電気接続部と、を有している、
請求項１１に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項１３】  リニアコンプレッサであって、
ヘッドと、シリンダと、前記シリンダ内部のシリンダライナライナと、を含み、前記シリンダライナが、前記シリンダライナを通るボアと前記シリンダライナの外側表面から前記ボアまで前記シリンダライナに通じる開口とを含む、シリンダ部分と、
ピストン部分と、
前記ピストン部分と前記シリンダ部分との間で作動するよう構成されたリニアモータと、
前記シリンダ部分と前記ピストン部分とを連結し、前記シリンダ部分に対する前記ピストン部分の往復運動の方向に作動する主スプリングと、を含み、
前記ピストン部分は、半径方向には柔らかいが軸線方向には剛性である連結部と、ピストンと、を含み、前記連結部は、前記ピストンと前記主スプリングとを連結し、前記ピストンは、前記シリンダライナの前記ボア内で運動し、
前記リニアコンプレッサは、前記コンプレッサーにより圧縮されたガスの供給を受取るようになっている気体軸受マニホルドを含み、
前記シリンダライナの外側表面は、前記シリンダの内側表面と噛み合い、前記表面の一方は、前記気体軸受マニホルドから前記シリンダライナを通って前記開口の各々まで曲がりくねった経路で延びる１または２以上の溝を有し、前記溝は、前記表面の他方によって囲まれて通路を構成する、
ことを特徴とするリニアコンプレッサ。
【請求項１４】  前記各溝は、前記ライナの端部から前記各開口までの螺旋状経路をたどり、前記螺旋状経路は、同一ピッチで角度方向に間隔をあけ、間にはさまれた巻き部分を有する、
請求項１３に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項１５】  各溝は、前記ライナの一端部から前記開口までの蛇行経路をたどり、前記各蛇行経路は、前記ライナの表面のある角度のセクタを占める、
請求項１３に記載のリニアコンプレッサ。
【請求項１６】  前記溝は、前記シリンダライナの前記外側表面にある、
請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載のリニアコンプレッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）電機子と、コイル駆動の印加によって電流を第一の通電方向に導通させる第一の駆動方向に作動可能であって、それによって前記電機子を第一の端位置へと駆動するコイルとを含む、アクチュエータと、
Ｂ）前記電機子が前記第一の端位置に到達したことを検出し、それを示す検出出力を発生することによってこれに応答する終点検出器と、及び
Ｃ）通常の第一方向駆動レベルにおいて前記第一の方向における前記コイルに対するコイル駆動の印加を開始し、その後前記検出出力が所定の第一の駆動期間内に前記電機子が前記第一の端位置に到達したことを示さない場合に、前記通常の第一方向駆動レベルよりも高い増大された第一方向駆動レベルにおいて前記第一の方向における前記コイルに対するコイル駆動の印加を行うよう作動可能な制御回路
からなるアクチュエータシステム。
【請求項２】
前記コイルが電流を第二の通電方向に導通させる第二の駆動方向におけるコイル駆動の印加によって作動可能であって、それによって前記電機子を第二の端位置へと駆動し、
前記終点検出器が、前記電機子が前記第二の端位置に到達したことに対し、それを示す検出出力を発生することによって応答し、及び
前記制御回路が、通常の第二方向駆動レベルにおいて前記第二の駆動方向における前記コイルに対するコイル駆動の印加を開始し、その後前記検出出力が所定の第二の駆動期間内に前記電機子が前記第二の端位置に到達したことを示さない場合に、前記通常の第二方向駆動レベルよりも高い増大された第二方向駆動レベルにおいて前記第二の方向における前記コイルに対するコイル駆動の印加を行うよう作動可能である、請求項１のアクチュエータシステム。
【請求項３】
前記第一の駆動期間と前記第二の駆動期間が同じである、請求項２のアクチュエータシステム。
【請求項４】
前記第一の駆動期間と前記第二の駆動期間が異なる、請求項２のアクチュエータシステム。
【請求項５】
前記制御回路が、前記所定の通常の第一方向駆動期間の後、増大された第一方向駆動レベルにおいて前記コイルを駆動する前に、前記第一の方向におけるコイル駆動の印加を停止するように構成されている、請求項１のアクチュエータシステム。
【請求項６】
Ａ）前記コイルが電流を第二の通電方向に導通させる第二の駆動方向におけるコイル駆動の印加によって作動可能であり、それによって前記電機子を第二の端位置へと駆動し、
Ｂ）前記終点検出器が、前記電機子が前記第二の端位置に到達したことに対し、それを示す検出出力を発生することによって応答し、及び
Ｃ）前記制御回路が、通常の第二方向駆動レベルにおいて前記第二の駆動方向における前記コイルに対するコイル駆動の印加を開始し、その後前記検出出力が所定の第二の駆動期間内に前記電機子が前記第二の端位置に到達したことを示さない場合に、前記通常の第二方向駆動レベルよりも高い増大された第二方向駆動レベルにおいて前記第二の方向における前記コイルに対するコイル駆動の印加を行うよう作動可能である、請求項５のアクチュエータシステム。
【請求項７】
前記制御回路が、前記所定の通常の第二方向駆動期間の後、前記コイルを前記高いレベルで駆動する前に、前記第二の方向におけるコイル駆動の印加を停止する、請求項６のアクチュエータシステム。
【請求項８】
前記検出器が音響センサを含む、請求項１のアクチュエータシステム。
【請求項９】
前記音響センサが圧電トランスデューサを含む、請求項８のアクチュエータシステム。
【請求項１０】
前記アクチュエータが、ラッチ用磁石を含むラッチ式アクチュエータである、請求項１、２、５、８、９のいずれか１項のアクチュエータシステム。
【請求項１１】
流れ制御システム内の開状態と閉状態の間で弁の動作を制御するように配列されている、請求項１、２、５、８、９のいずれか１項のアクチュエータシステム。
【請求項１２】
物体センサ出力を生成する物体センサに結合され、前記制御回路が、当該物体センサ出力に依存している前記コイルに対するコイル駆動を印加するように構成されている、請求項１１のアクチュエータシステム。
【請求項１３】
前記制御回路がマイクロコントローラを含む、請求項１、２、５、８、９のいずれか１項のアクチュエータシステム。
【請求項１４】
前記マイクロコントローラからの信号を受容すると、前記コイル駆動をもたらすように構成されている弁駆動回路をさらに含む、請求項１３のアクチュエータシステム。
【請求項１５】
前記弁駆動回路に電圧信号を供給するように構成され、コンデンサを含む電力制御回路と、
前記マイクロコントローラによって設定された信号レベルに対して前記電圧信号のレベルを比較するように構成されている比較器とをさらに含む、請求項１４のアクチュエータシステム。
【請求項１６】
電機子と、コイル駆動の印加によって電流を第一の通電方向に導通させる第一の駆動方向に作動可能であって、それによって前記電機子を第一の端位置へと駆動するコイルとを含むアクチュエータを制御するための方法であって、
Ａ）前記第一の駆動方向において前記コイルに対してコイル駆動を印加し、
Ｂ）前記電機子が前記第一の端位置に到達したか否かを判定し、及び、所定の第一の駆動期間内に前記電機子が前記第一の端位置に到達していない場合に、前記通常の第一方向駆動レベルよりも高い増大された第一方向駆動レベルで前記第一の方向において前記コイルに対しコイル駆動の印加を行うことからなる方法。
【請求項１７】
前記コイル駆動を第二の駆動方向で印加し、第二の通電方向で電流を導通させ、それによって前記電機子を第二の端位置に駆動し、
終点検出器によって、前記電機子が前記第二の端位置に到達したことを検出し、それを示す検出出力を発生し、
通常の第二方向駆動レベルにおいて前記第二の駆動方向における前記コイルに対するコイル駆動を印加し、その後前記検出出力が所定の第二の駆動期間内に前記電機子が前記第二の端位置に到達したことを示さない場合に、前記通常の第二方向駆動レベルよりも高い増大された第二方向駆動レベルにおいて前記第二の方向における前記コイルに対するコイル駆動を印加することを含む、請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記第一の駆動期間と前記第二の駆動期間が異なる、請求項１７の方法。
【請求項１９】
前記第一の駆動期間と前記第二の駆動期間が同じである、請求項１７の方法。
【請求項２０】
前記所定の通常の第二方向駆動期間の後、前記増大された第二方向駆動レベルにおいて前記コイルを駆動する前に、前記第二の方向におけるコイル駆動の印加を停止することを含む、請求項１７の方法。
【請求項２１】
前記検出することが音波を検出することを含む、請求項１７の方法。
【請求項２２】
圧電トランスデューサにより音波を検出することを含む、請求項２１の方法。
【請求項２３】
流れ制御システム内の開状態と閉状態の間で弁の動作を制御するための、請求項１７から２１のいずれか１項の方法。
【請求項２４】
物体センサからの物体センサ出力を受容し、その物体センサ出力に依存している前記コイルに対するコイル駆動を印加することを含む、請求項２３の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１パイプ（３）の端部に配置された雄型要素（１）と、第２パイプ（４）の端部に配置された雌型要素（２）と中央シール手段（９）とを備え、該中央シール手段が雄型ベアリング面（１０）及び雌型ベアリング面（１１）によって形成され、該ベアリング面はコネクタの接続位置において互いに押し合うことができ、前記雄型要素（１）が外側のテーパ−処理された雄ねじ部分（７）を備え、前記雌型要素が前記雄ねじ部分（７）に対応する内側のテーパー処理された雌ねじ部分（８）を備え、さらに、停止手段（１２，１３，２１）を設けて該コネクタの接続状態において前記雄型要素（１）を前記雌型要素（２）に組み入れることを設定位置において停止することができるようにするねじ付きパイプコネクタであって、
前記雄ねじ部分（７）が、単一の円錐体上に配置される雄ねじ領域を備え、前記雌ねじ部分も雌ねじ領域を備え、
前記中央シール手段の前記雄型及び雌型ベアリング面が、該雄型ベアリング面（１０）のための雄ねじ領域及び雌型ベアリング面（１１）のための雌ねじ領域の全体的に中央の領域に配置され、それらの内ではそれぞれの雄ねじ部分及び雌ねじ部分が中断している、ねじ付きパイプコネクタ。
【請求項２】
請求項１のコネクタにおいて、前記雄ねじ領域及び前記雌ねじ領域は完全なねじと、不完全な、消滅する又は不十分な端部を持つねじとを含むコネクタ。
【請求項３】 
請求項１又は２のコネクタにおいて、前記中央シール手段は、前記雄ねじ領域又は雌ねじ領域の中央位置から、前記中央位置の両側に向かって、最大で前記ねじ領域の１／４の長さと等しい長さまで延在する領域内に配置することができるコネクタ。
【請求項４】 
請求項１乃至３のいずれかのコネクタにおいて、該コネクタの接続状態において前記雄型要素を前記雌型要素に組み入れることを前記設定位置において停止することができる前記停止手段は、前記ねじ部分に直接に接続された手段（１２，１３）によって構成されているコネクタ。
【請求項５】 
請求項１乃至３のいずれかのコネクタにおいて、該コネクタの接続状態において前記雄型要素を前記雌型要素に組み入れることを前記設定位置において停止することができる前記停止手段は、前記ねじ部分とは別の手段によって構成されているコネクタ。
【請求項６】
請求項５のコネクタにおいて、前記ねじ部分とは別の手段はアバットメントであるコネクタ。
【請求項７】 
請求項１乃至６のいずれかのコネクタにおいて、前記中央シール手段の前記ベアリング面、前記雄型ベアリング面又は前記雌型ベアリング面の少なくとも１つは、テーパー処理された面によって構成されており、そのテーパーは前記ねじ部分のテーパーと同一の方向にあり、さらに、前記コネクタの軸線に関する角度はこの軸線に関する前記ねじ部分のテーパーの角度よりも大であるコネクタ。
【請求項８】
請求項７のコネクタにおいて、前記コネクタの軸線に対する前記テーパー処理されたベアリング面の角度は、その軸線に対する前記ねじ部分のテーパーの角度よりも最大２０°の値まで大きいコネクタ。
【請求項９】 
請求項１乃至８のいずれかのコネクタにおいて、前記中央シール手段の前記雄型及び雌型ベアリング面の最大空間要求は、前記ねじ部分の空間的要求の限界を画定する要素（Ｇ１−Ｇ２）の間に存在する空間によって画定されるコネクタ。
【請求項１０】 
請求項１乃至９のいずれかのコネクタにおいて、前記中央シール手段の前記雄型ベアリング面及び前記雌型ベアリング面は、２つのテーパー処理された面で、そのテーパーは前記ねじ部分のテーパーよりも高いコネクタ。
【請求項１１】 
請求項１乃至１０のいずれかのコネクタにおいて、前記中央シール手段の一方の側に設けられた前記ねじ部分の空間的要求の限界を画定する要素（Ｇ１−Ｇ２）の部分は、前記ねじ部分、前記雄型又は雌型のねじ部分の１つのために、前記中央シール手段の他方の側に設けられた同一の要素の部分の軸線に関して僅かに半径方向にオフセットされているコネクタ。
【請求項１２】 
請求項１乃至１１のいずれかのコネクタにおいて、第２シール手段を備えるコネクタ。
【請求項１３】 
請求項１２のコネクタにおいて、前記第２のシール手段は、前記雄型要素の自由端部の近くに設けられた雄型ベアリング面と前記雌型要素の対応する位置に設けられた雌型ベアリング面とによって設けられ、前記雄型及び雌型ベアリング面が該コネクタの組立の間に互いにベアリング接触を行うようになるコネクタ。
【請求項１４】 
請求項１乃至１３のいずれかのコネクタにおいて、前記中央シール手段の前記雄型及び前記雌型ベアリング面における干渉は前記雄ねじ部分と前記雌ねじ部分との間の干渉よりも大きいコネクタ。
【請求項１５】 
２つのパイプのための組立タイプのねじ接続において、請求項１乃至１４のいずれかによるコネクタによって形成され、前記コネクタの前記雄型要素は第１パイプの端部に形成され、前記雌型要素は前記第２パイプの端部に形成される接続。
【請求項１６】 
請求項１５の接続において、前記雌型要素は延長されたパイプの一方の端部に形成され、前記雄型要素は選択的に厚くされたパイプの一方の端部に形成される接続。
【請求項１７】 
結合されたタイプ（５１）の２つのパイプ（４９、５０）のためのねじ付き接続において、請求項１乃至１４のいずれかによる前記２つのコネクタによって形成され、１つの雄型要素（５３，５４）がパイプ（４９，５０）の各端部に形成され、雌型要素（５５、５６）がカップリング（５１）の各端部に形成され、各パイプの１つの雄型要素が前記カップリングの一方の端部の各雌型要素内に結合される接続。
【請求項１８】 
請求項１７の接続において、接続状態において、各雄型要素（４９、５０）の自由端部は、中央停止ラグ（５２）を形成するカップリング（５１）の部分とベアリング接触を行い、それにより、２つのアバットメント（６１、６２）を形成する接続。
【請求項１９】 
請求項１７の接続において、接続状態において、前記雄型要素（６６、６８）の２つの自由端部（７１，７２）は互いにベアリング接触を行い、それにより、共通のアバットメント（７０、８９）を形成する接続。
【請求項２０】 
請求項１９の接続において、ショルダーを形成するステップ（７７、７８、９０、９１）が各雄型要素（６６、６８）及び前記カップリングの前記中央部分に近い各雌型要素（６７、６９）内に形成され、前記ショルダーによって前記共通のアバットメント（７０、８９）は正確に配置される接続。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月3日(2007.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板に用いる改良スパッタリングシステムであって、
ａ．プラズマが内部に確立されるチャンバと、
ｂ．該プラズマに電力を供給する交流電源と、
ｃ．第一の巻線および第二の巻線を有する変圧器と、
ｄ．該変圧器の該第二の巻線に応答する第二のタップと、
ｅ．該チャンバ内に配置され、スパッタリングプロセス用の材料を有するターゲットと、
ｆ．該ターゲットからの該材料によって影響を受けるように、該チャンバ内に配置された基板であって、カソードとしての機能を果たす基板と
を含む、システム。
【請求項２】  前記ターゲットはカソードを含み、前記チャンバ内に配置されたアノードをさらに含む、請求項１に記載の基板に用いる改良スパッタリングシステム。
【請求項３】  前記変圧器の前記第二の巻線に応答する前記第二のタップは、カソードの接続を有する、請求項１に記載の基板に用いる改良スパッタリングシステム。
【請求項４】  前記第二の巻線は電気端部を有し、前記アノードは、少なくとも二つのアノードを含み、該第二の巻線の該電気端部はそれぞれ、該アノードのうちの一つに接続された、請求項３に記載の基板に用いる改良スパッタリングシステム。
【請求項５】  前記変圧器の前記第二の巻線に応答する前記第二のタップは、中央のタップを含む、請求項４に記載の基板に用いる改良スパッタリングシステム。
【請求項６】  前記変圧器の前記第二の巻線に応答する前記第二のタップは、基板の接続を含む、請求項１に記載の基板に用いる改良スパッタリングシステム。
【請求項７】  前記変圧器の前記第二の巻線に応答する前記第二のタップは、中央のタップを含む、請求項６に記載の基板に用いる改良スパッタリングシステム。
【請求項８】  前記ターゲットは、少なくとも二つのターゲットを含み、前記第二の巻線は電気端部を有し、該第二の巻線の該電気端部はそれぞれ、該ターゲットのうちの一つに接続された、請求項６に記載の基板に用いる改良スパッタリングシステム。
【請求項９】  前記変圧器の前記第二の巻線に応答する前記第二のタップは、基板の接続をさらに含む、請求項３に記載の基板に用いる改良スパッタリングシステム。
【請求項１０】  前記変圧器の前記第二の巻線に応答する前記第二のタップは、中央のタップを含む、請求項９に記載の基板に用いる改良スパッタリングシステム。
【請求項１１】  前記ターゲットは、少なくとも二つのターゲットを含み、前記第二の巻線は電気端部を有し、該第二の巻線の該電気端部はそれぞれ、該ターゲットのうちの一つに接続される、請求項１０に記載の基板に用いる改良スパッタリングシステム。
【請求項１２】  基板の改良されたスパッタリング方法であって、
ａ．チャンバ内にプラズマを確立する工程と、
ｂ．該チャンバに電力を印加する際に、第一の巻線および第二の巻線を有する変圧器を利用する工程と、
ｃ．該変圧器の該第二の巻線のタップにスパッタリングに関連した表面を接続する工程と、
ｄ．該チャンバ内の材料をスパッタリングする工程と
を包含し、該変圧器の該第二の巻線のタップにスパッタリングに関連した表面を接続する工程は、該変圧器の該第二の巻線のタップにカソードを接続する工程を包含する、方法。
【請求項１３】  前記変圧器の前記第二の巻線のタップにカソードを接続する工程は、該変圧器の該第二の巻線のタップに基板を接続する工程を包含する、請求項１２に記載の基板の改良されたスパッタリング方法。