【手続補正書】
【提出日】平成19年8月3日(2007.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】複数の電子回路を結合する材料を切断することにより前記複数の電子回路をシンギュレートするための方法であって、
次の特性即ち、４００ｎｍ未満の波長、及び、１００Ｊ／ｃｍ2最小エネルギー密度または１ＧＷ／ｃｍ2の最小ピークパワー密度を有するパルスレーザビームを生成する過程と、
切断すべき前記材料の特徴または基準に関してレーザビームを合わせる過程と、
切断が終わるまで前記レーザビームを前記材料に向けて送る過程とからなる方法。
【請求項２】前記レーザビームを送る過程が、連続パルスが空間的にオーバラップするように前記レーザビームを動かす過程からなり、そのオーバラップが５％乃至９５％の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記オーバラップが３０％乃至５０％の範囲内であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】前記レーザビームを送る過程が前記レーザビームを前記材料上に複数のパスで動かす過程からなることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】前記レーザビームを５より多くのパスで動かすことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】前記レーザビームを生成する過程が、１ｋＨｚより大きいパルス繰返し数でレーザビームを生成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】前記レーザビームを生成する過程が、少なくとも切断すべき前記材料の厚さに等しい焦点深度で前記レーザビームを生成する過程からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】前記材料が半導体であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】単一の電子回路をシンギュレートすることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】前記材料が積層材料であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】前記積層材料が、ＰＴエポキシ、ガラス繊維、銅、金、ポリイミド、接着剤、オーバーモールド材料、アンダーフィル、導体、誘電体、硬化剤、安定剤、プロテクタまたは他の電子パッケージに使用される材料から選択される２つまたはそれ以上の層を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】前記積層材料の個々の前記層が、異なるアブレーション及びイオン化速度、並びに異なる非線形吸収及び非イオン化係数を有することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】前記レーザを生成する過程が、切断されている前記材料から光学的フィードバックを得て、前記フィードバックに従って前記レーザビームのパラメータを変化させる追加の過程からなることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】前記光学的フィードバックを得る過程が、前記材料が完全に切断されたときを決定するべく、切断されている前記材料の表面から光が反射されるかどうかを検出する過程からなることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】前記光学的フィードバックを得る過程が、前記切断処理によって発生するプルームからの発光を検出する過程からなることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】前記光学的フィードバックを得る過程が、前記プルームの分光内容を決定して、切断されている前記材料の情報を提供する過程からなることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】前記レーザビームのパラメータを変化させる過程が、連続するパス間でパラメータを変化させる過程からなることを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】前記レーザビームのパラメータを変化させる過程が、或るパスにおいて連続するパルス間でパラメータを変化させる過程からなることを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】前記レーザビームが、特定の繰返し数でピークの特性平均出力を有する固体レーザから生成されることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】前記レーザビームが、前記繰返し数が増加しまたは減少するにつれて平均出力が低下するように制御され、かつ最大平均出力の前記繰返し数以外の繰返し数において個々のパルスエネルギーが増加するにもかかわらず、他のレーザ切断パラメータによりこれら繰返し数のいずれか以外の繰返し数で最大切断速度が達成されることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】前記レーザビームの平均出力が３Ｗより大きく、パルス幅が１００ナノ秒未満、連続パルスの空間的オーバラップが１０−７０％かつビーム径が１／ｅ2点の空間的強度プロフィルにおいて７０ミクロン未満であることを特徴とする請求項１乃至２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】前記レーザビームが、９００乃至１６００ｎｍ波長範囲内の基本発光を有し、かつレーザキャビティ内またはレーザキャビティ外に適当な結晶を配置することにより得られるこの波長の１／２、１／３、１／４、１／５次の第２、第３、第４または第５次高調波生成を有するダイオードレーザ励起利得媒体デバイスにより生成されることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】前記レーザデバイスが、Ｎｄ：ＹＡＧ、ＮＤ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＶＯ４または要求される範囲内で耐久性を有しかつ４００ｎｍ未満の動作波長への高調波生成を有する他の組合せの不純物：母体利得媒体からなることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】前記レーザビームが、１または複数のスキャニングガルバノメータに取り付けられた１つまたは複数のミラーを用いて、切断すべき前記材料のワーク表面に送られ、かつ要求されたスポットサイズが、前記ガルバノメータのミラーより前の段において及び前記ガルバノメータのミラーより後の段において平坦な視野レンズからなるレンズにより軸上（ｏｎ−ａｘｉｓ）レンズ位置調整を用いることによって、またはこれらのレンズの組合せを用いることによって達成されることを特徴とする請求項１乃至２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】前記レーザビームが、１つまたは複数の平行移動ステージに取り付けられた１つまたは複数のミラーを用いて送られ、かつ焦点合わせが、サンプル表面より前に取り付けられかつ集束ビームがサンプル表面に送られるようにビーム伝送ミラーと共に動く可動ミラーまたはレンズより前の望遠鏡または軸上レンズを用いることによって達成されることを特徴とする請求項１乃至２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】前記レーザビームを短くしかつ集束させて、前記レーザビームが送られる範囲にわたって最適のスポットサイズの特定の割合の範囲内に前記ビームウェストが有るように選択されるテレスコープまたはスキャンレンズで切断平面における所望のスポットサイズを達成し、かつ前記範囲が切断すべき前記材料の厚さより大きいことを特徴とする請求項１乃至２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】アシストガスを用いて切断過程を補助し、残渣が材料表面に付着するのを防止しかつ、前記アシストガスが連続レーザ光パルスの散乱または吸収を生じないように切断過程で生成される材料を除去することを特徴とする請求項１乃至２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】前記アシストガスを用いて不活性雰囲気を提供し、切断時に好ましくない特定の光化学及び光物理的反応の形成が起こるのを防止することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】真空吸引過程を用いて、切断面で生成されるヒューム及び固体残渣を取り出すことを特徴とする請求項１乃至２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】前記レーザビームの前記材料の特徴又は基準に関して位置合わせする過程が、それに沿って切断がおこる座標を提供するイメージ処理手段及びセンサを用いる過程からなり、かつビーム位置決め機構が、所望の切断経路に前記レーザビームが確実に追従するように制御されることを特徴とする請求項１乃至２９のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】材料により相互結合された複数の電子回路を支持するための手段と、
４００ｎｍ未満の波長、及び、１００Ｊ／ｃｍ2の最小エネルギー密度または１ＧＷ／ｃｍ2のピークパワー密度を有するレーザビームを生成するための手段からなるレーザビーム源と、
前記材料にレーザビームを向けるためおよび前記レーザビームを切断線に沿って向け、前記複数の電子回路の少なくとも１つをシンギュレートするための手段からなるビーム位置決め機構とを備える回路シンギュレーションシステム。
【請求項３２】  前記ビーム位置決めシステムが、少なくともそのいくつかが前記レーザビームを向けるために可動である一連のミラーと収束レンズとからなることを特徴とする請求項３１に記載の回路シンギュレーションシステム。
【請求項３３】  前記ミラーが直線的に可動であることを特徴とする請求項３２に記載の回路シンギュレーションシステム。
【請求項３４】  前記ミラーが回転可能であることを特徴とする請求項３２に記載の回路シンギュレーションシステム。