(57)【要約】      （修正有）【課題】  表示領域の液晶へのシール材の浸入を抑制し、液晶動作不具合を低減して歩留、品質向上を実現することができる電気光学表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  ＴＦＴ基板１と、ＴＦＴ基板と所定の液晶ギャップを介して液晶注入口無しパターンのシール材３により貼り合わせられた対向基板と、ＴＦＴ基板及び対向基板の間隙に保持された液晶５と、表示領域を囲繞する第1の周辺枠２ｂと、第1の周辺枠を囲繞する第２の周辺枠２ａとを備える電気光学表示装置であって、シール材を第２の周辺枠の外側に塗布すると共に、液晶を第１の周辺枠の内側に保持する。【選択図】図３（Ａ）
2006235010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と周辺領域とを有する駆動基板と、
該駆動基板と所定の間隙を介して液晶注入口無しパターンのシール材により貼り合わせられた対向基板と、
前記駆動基板及び対向基板の間隙に保持された液晶と、
前記少なくとも表示領域を囲繞する第１の周辺枠と、
該第１の周辺枠を囲繞する第２の周辺枠とを備える電気光学表示装置であって、
前記シール材が前記第２の周辺枠の外側領域に塗布され、
前記液晶が前記第１の周辺枠の内側領域に保持された
電気光学表示装置。
【請求項２】
前記第１の周辺枠若しくは前記第２の周辺枠の少なくとも一方は、液晶ギャップ高さを有する
請求項１に記載の電気光学表示装置。
【請求項３】
前記第１の周辺枠と前記第２の周辺枠の間に、液晶とシール材の混在層、液晶若しくはシール材のオーバーフロー層あるいは真空層が形成された
請求項１に記載の電気光学表示装置。
【請求項４】
基体に複数の駆動基板を形成し、各駆動基板の少なくとも表示領域を囲繞する第１の周辺枠及び該第１の周辺枠を囲繞する第２の周辺枠を形成する工程と、
各駆動基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理を行う工程と、
各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理を行う工程と、
基体に形成された駆動基板の第２の周辺枠の外側のシール領域に液晶注入口無しパターンのシール材を塗布すると共に、前記第１の周辺枠の内側領域に所定量の液晶を滴下した後に、前記駆動基板と前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された対向基板を相対して位置調整を行い、所定の間隙で所定の真空度の真空装置内で重ね合わせる工程と、
前記真空装置内を大気圧に戻して大気圧の均一加圧により貼り合せを行い、シール材の硬化を行って所定の液晶ギャップのＬＣＤパネルを形成する工程と、
前記駆動基板が形成された基体及び前記対向基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程とを備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ＬＣＤパネルを形成した後に、少なくとも前記対向基板の裏面光学研磨若しくは少なくとも前記駆動基板が形成された基体の裏面光学研磨を行う工程を備える
ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の周辺枠の内側領域に所定量の液晶を滴下した直後に、前記駆動基板が形成された基体或いは前記対向基板が形成された基体は移動させずに光センサーをステップアンドリピート方式で移動させ、または光センサーは移動させずに前記駆動基板が形成された基体或いは前記対向基板が形成された基体をステップアンドリピート方式で移動させ、前記光センサーによって第１の周辺枠の内側領域に滴下された液晶の滴下有無及び液晶滴下量の適正化を判定する工程を備える
ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の周辺枠の内側領域に所定量の液晶を滴下した直後に、前記駆動基板が形成された基体或いは前記対向基板が形成された基体は移動させずに液晶ディスペンサーと光センサーを同期してステップアンドリピート方式で移動させ、または光センサー及び液晶ディスペンサーは移動させずに前記駆動基板が形成された基体或いは前記対向基板が形成された基体をステップアンドリピート方式で移動させ、所定量の液晶滴下に同期した光センサーによって第１の周辺枠の内側領域に滴下された液晶の滴下有無及び液晶滴下量の適正化を判定する工程を備える
ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記駆動基板の外部取り出し電極部の形成領域と外部取り出し電極部の非形成領域の境界領域に対応する対向基体の領域に有底の凹部を形成し、前記駆動基板が形成された基体のスクライブラインに沿って前記対向基体側から前記駆動基板が形成された基体に所定深さの切り込み凹部形成するまで対向基体のフルカットダイシングを行った後に前記凹部を形成した領域に衝撃を与えることにより駆動基板の外部取り出し電極部に対応する対向基体の領域を除去することによって対向基板が形成された基体を対向基板毎に分断する工程を備える
ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記駆動基板の表面または裏面側から前記切り込みの凹部形成領域をダイシングすることによって、駆動基板が形成された基体を駆動基板毎に分断する工程を備える
ことを特徴とする請求項８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１０】
駆動基板が形成された基体内の各駆動基板のシール領域、コモン領域及び外部取り出し電極部上に形成された無機系配向膜または有機系配向膜、及び対向基板が形成された基体内の各対向基板のシール領域及びコモン領域上に形成された無機系配向膜または有機系配向膜をレーザーエッチングする工程を備える
ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１１】
基体に複数の対向基板を形成し、駆動基板の少なくとも表示領域を囲繞する領域に対応する各対向基板の領域に第１の周辺枠及び該第１の周辺枠を囲繞する第２の周辺枠を形成する工程と、
各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理を行う工程と、
各駆動基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理を行う工程と、
基体に形成された対向基板の第２の周辺枠の外側のシール領域に液晶注入口無しパターンのシール材を塗布すると共に、前記第１の周辺枠の内側領域に所定量の液晶を滴下した後に、前記駆動基板と前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された駆動基板を相対して位置調整を行い、所定の間隙で所定の真空度の真空装置内で重ね合わせる工程と、
前記真空装置内を大気圧に戻して大気圧の均一加圧により貼り合せを行い、シール材の硬化を行って所定の液晶ギャップのＬＣＤパネルを形成する工程と、
前記駆動基板が形成された基体及び前記対向基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程とを備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ＬＣＤパネルを形成した後に、少なくとも前記対向基板の裏面光学研磨若しくは少なくとも前記駆動基板が形成された基体の裏面光学研磨を行う工程を備える
ことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の周辺枠の内側領域に所定量の液晶を滴下した直後に、前記対向基板が形成された基体は移動させずに光センサーをステップアンドリピート方式で移動させ、または光センサーは移動させずに前記対向基板が形成された基体をステップアンドリピート方式で移動させ、前記光センサーによって第１の周辺枠の内側領域に滴下された液晶の滴下有無及び液晶滴下量の適正化を判定する工程を備える
ことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の周辺枠の内側領域に所定量の液晶を滴下した直後に、前記対向基板が形成された基体は移動させずに液晶ディスペンサーと光センサーを同期してステップアンドリピート方式で移動させ、または光センサー及び液晶ディスペンサーは移動させずに前記対向基板が形成された基体をステップアンドリピート方式で移動させ、所定量の液晶滴下に同期した光センサーによって第１の周辺枠の内側領域に滴下された液晶の滴下有無及び液晶滴下量の適正化を判定する工程を備える
ことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記駆動基板の外部取り出し電極部の形成領域と外部取り出し電極部の非形成領域の境界領域に対応する対向基体の領域に有底の凹部を形成し、前記駆動基板が形成された基体のスクライブラインに沿って前記対向基体側から前記駆動基板が形成された基体に所定深さの切り込み凹部形成するまで対向基体のフルカットダイシングを行った後に前記凹部を形成した領域に衝撃を与えることにより駆動基板の外部取り出し電極部に対応する対向基体の領域を除去することによって対向基板が形成された基体を対向基板毎に分断する工程を備える
ことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記駆動基板の表面または裏面側から前記切り込みの凹部形成領域をダイシングすることによって、駆動基板が形成された基体を駆動基板毎に分断する工程を備える
ことを特徴とする請求項１５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１７】
駆動基板が形成された基体内の各駆動基板のシール領域、コモン領域及び外部取り出し電極部上に形成された無機系配向膜または有機系配向膜、及び対向基板が形成された基体内の各対向基板のシール領域及びコモン領域上に形成された無機系配向膜または有機系配向膜をレーザーエッチングする工程を備える
ことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学表示装置及びその製造方法に関する。詳しくは、シール領域の内側に複数の周辺枠を形成し、最も内側に位置する周辺枠の内側領域に液晶を滴下すると共に、最も外側に位置する周辺枠の外側にシール材及びコモン材を塗布することによって、液晶領域へのシール材の浸入を抑制しようとした電気光学表示装置及びその製造方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の透過型液晶表示装置の製造方法には、図１２のフローチャートで示す様に、ガラス系基体に複数の駆動基板（以後、ＴＦＴ基板と称する）を形成し、このＴＦＴ基板の形成時にガラス系基体の裏面に成膜されたＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜を裏面光学研磨によって除去した後に、例えばポリイミド配向膜形成、ラビング処理、所定の洗浄、コモン材塗布したものと、ガラス系基体に複数のカラーフィルタ、マイクロレンズアレイ、ブラックマスクなどの対向基板が複数形成された対向基体に、例えばポリイミド配向膜形成、ラビング処理、所定の洗浄、シール材塗布を行ったものとを面で重ね合わせて空セルを形成した後にスクライブブレークを行い液晶注入封止する、いわゆる面面液晶組立て方法と、図１３のフローチャートで示す様に、ガラス系基体に複数のＴＦＴ基板を形成し、このＴＦＴ基板の形成時にガラス系基体の裏面に成膜されたＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜を裏面光学研磨によって除去した後に、ダイシング、洗浄して単個状態のＴＦＴ基板を作成し、ガラス系基体に複数のカラーフィルタ、マイクロレンズアレイ、ブラックマスクなどの対向基板が複数形成された対向基体をダイシング、洗浄して単個状態の対向基板を作成し、個々の良品のＴＦＴ基板と対向基板とに例えばポリイミド配向膜形成、ラビング処理、所定の洗浄、コモン材塗布（ＴＦＴ基板）、シール材塗布（対向基板）を行い、その後重ね合わせて空セル形成を行い液晶注入封止する、いわゆる単個液晶組立て方法とがある。
【０００３】
ところが、上記した面面液晶組立て方法では、重ね合わせ精度の低下、液晶ギャップむら、重ね合わせ後のスクライブブレークによるダメージ（シール部分の信頼性低下など）、基板欠けや割れ等の問題があると共に、ＴＦＴ基板を形成したガラス系基体と対向基板を形成したガラス系基体との重ね合わせになり、各々の歩留りの掛け合わせとなるため片方のみに不良がある場合でも全体として不良品となってしまい歩留りの向上を図るのは困難である。
【０００４】
また、裏面光学研磨すると、ＴＦＴ基板が形成されたガラス系基体表面の膜の圧縮応力により凹状に反りが発生しており、また、対向基板が形成されたガラス系基体も表面にＩＴＯ（インジウム−錫系透明導電膜）等の透明導電膜が形成されると、膜の圧縮応力により凹状に反りが発生しており、面で重ね合わせを行う面面液晶組立て方法では、双方の凹状反りにより重ね合わせた液晶ギャップが凸状となり易く、液晶ギャップ均一性に問題がある。
【０００５】
更に、ＴＦＴ基板が形成されたガラス系基体が石英ガラス、ネオセラム材の場合には、ダイヤモンドカッター或いは超硬カッター切断が困難であり、ブレードダイシングすると切削水が空セルの液晶注入口から浸入してしまう問題がある。
【０００６】
一方、上記した単個液晶組立て方法では、各々良品のＴＦＴ基板と対向基板との重ね合わせ時点での不良発生は防げるものの、各ガラス系基体をブレードダイシングした後に例えばポリイミド配向膜形成やラビング処理を施すため、ブレードダイシングに起因するごみの付着不良、ＴＦＴ基板及び対向基板端のガラスチッピング付着不良、作業性の悪化や配向膜のむら、配向性のばらつきを生じさせることとなる。
【０００７】
そこで、図１４のフローチャートで示す様に、ガラス系基体に複数のＴＦＴ基板を形成し、このＴＦＴ基板の形成時にガラス系基体の裏面に成膜されたＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜を裏面光学研磨によって除去した後に、例えばポリイミド配向膜形成、ラビング処理、ブレードダイシング、洗浄して単個状態のＴＦＴ基板を作成し、複数のカラーフィルタ、マイクロレンズアレイ、ブラックマスクなどの対向基板を複数形成したガラス系基体に例えばポリイミド配向膜形成、ラビング処理、ブレードダイシング、洗浄して単個状態の対向基板を作成し、個々の良品のＴＦＴ基板にコモン材塗布を行うと共に個々の良品の対向基板にシール材塗布を行い、その後に重ね合わせを行って空セル形成して液晶注入封止する、いわゆる面単液晶組立て方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
この方法は、ガラス系基体でのポリイミド配向膜形成、ラビング処理なので均一な配向特性が生産性良く得られ、しかも良品同士のＴＦＴ基板と対向基板の重ね合わせで空セルを形成するので液晶ギャップ制御がし易く、歩留り、品質が向上する。
【０００９】
更には、特許文献２に示す様に、ガラス系基体に複数のＴＦＴ基板を形成し、単体に分断した対向基板をそのＴＦＴ基板に貼り合せるいわゆるチップマウント液晶組立て方法が採用されることがある。このチップマウント方式は高い生産性、高度なセル厚制御及び高い貼り合わせ精度を得やすいとしている。
【００１０】
しかし、上記した様に、裏面光学研磨をするとＴＦＴ基板が形成されたガラス系基体表面の膜の圧縮応力により凹状に反りが発生しており、また、対向基板が形成されたガラス系基体も表面にＩＴＯ等の透明導電膜やマイクロレンズアレイ、ブラックマスクなどが形成されると膜の圧縮応力により凹状に反りが発生しており、更にはＴＦＴ基板が形成されたガラス系基体及び対向基板が形成されたガラス系基体の裏面がポリイミドコーティング装置やバフラビング装置などで擦られ、特に基体中央部に擦りキズ、異物付着するので、ＬＣＤパネルクリーニングやＬＣＤパネル裏面光学研磨加工が必要になっている。
【００１１】
また、ＬＣＤパネルに防塵ガラスを貼り合わせる場合には、単体のＬＣＤパネルに防塵ガラスを貼り合わせるので、防塵ガラスのキズ、ゴミ付着やパネルクリーニング工数増加の問題がある。
【００１２】
更に、特に生産性向上を目的として、重ね合わせからＬＣＤパネルを金属枠へ取り付けるモールド樹脂固着までインライン自動液晶組立装置が導入されている場合には、（１）単個状態のＴＦＴ基板及び対向基板の作業（洗浄、重ね合わせ等）、単個状態のＬＣＤパネルの作業（液晶注入封止、防塵ガラス貼り合わせ、金属枠取り付け等）なので、インライン自動液晶組立装置のハンドリング機構が複雑であり、装置故障が発生し易く生産性を低下させている（２）単個状態のＴＦＴ基板、対向基板及びＬＣＤパネルのハンドリングなので、真空吸着パッドによる表面キズ発生、異物付着の不良があり、歩留り及び品質を低下させている（３）多くの複雑な機構から構成されているインライン自動液晶組立装置は比較的故障率が高く、メンテナンス工数が大であり生産性が低い等の問題が生じている。
【００１３】
また、チップマウント液晶組立て方法では、ガラス系基体をステージに保持固定すると共に、ステージ加熱してガラス系基体に発生する応力を低減し、アライメント時の反りを抑制する手段を採っているために、ガラス系基体のＴＦＴ基板に熱併用型紫外線照射硬化型シール材を塗布していると、ステージ加熱によるシール材の硬化促進により液晶ギャップムラが発生しやすい。このために単体状態の対向基板側にシール材を塗布する必要があり、ハンドリング問題、低生産性の問題などが発生する。更に、複数の開孔による真空吸着の石英ヘッドで対向基板はハンドリングされ、ＴＦＴ基板に重ね合わせるが、この時に対向基板裏面にキズが発生し易く画質欠陥となり易い。
【００１４】
なお、上記した面面液晶組立て方法、単個液晶組立て方法、面単液晶組立て方法及びチップマウント液晶組立て方法は、いずれもＴＦＴ基板と対向基板を重ね合わせて空セルを形成した後に、液晶注入口から液晶注入を行なう方法である。
【００１５】
これに対して、最近、液晶ギャップ精度向上や生産性向上などのために、液晶滴下・真空貼り合わせ方法（ＯＤＦ：Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）が注目されている。これは、スペーサ散布、あるいは汎用のフォトリソグラフィ技術を用いて柱状のスペーサを形成したＴＦＴ基板上に直接液晶を滴下し、対向基板には熱併用型紫外線照射硬化型シール材及びコモン材を塗布し、静電吸着で基板を保持する静電チャックで両基板を保持して真空貼り合わせ装置に送り、貼り合わせ装置内を真空排気してチャンバー内が一定の真空圧になった状態で上下に配置したＴＦＴ基板及び対向基板の位置決めを行なって重ね合わせを行い、重ね合わせを行った基板を貼り合わせ装置内で位置ズレが生じない様にＵＶ照射してシール材及びコモン材を仮止め硬化した後に大気圧まで戻して搬出し、大気圧加圧で散布したスペーサ径または柱状のスペーサ及び滴下した液晶量で決まるセルギャップまで均一に加圧し、その後に硬化炉でシール材及びコモン材を本硬化するというものであり、いわゆる面面液晶組立て方法のひとつを採用するものである。
【００１６】
しかし、かかる方法では、真空重ね合わせを行う際に、未硬化のシール材が液晶と接触するために液晶がシール材で汚染されやすく液晶動作不具合発生という問題がある。特にシール材中に液晶ギャップ相当のファイバーやコモン材にミクロパールを混合すると、このファイバーやミクロパールでの液晶汚染にも注意が必要となる。
【００１７】
この様な問題に対して、反射型ＬＣＤの駆動基板に画素が形成される表示領域及び駆動回路領域を囲むように単一の周辺枠を形成し、更に、表示領域を含む周辺枠内に複数のＯＣＳ（On Chip Spacer；柱状のスペーサ）を設け、液晶を周辺枠内部に滴下して対向基板を貼り合わせることで、周辺枠内に液晶組成物を保持し、周辺枠外側に等しい幅でシール材を充填するという技術が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【００１８】
また、周辺枠材料として同材料と液晶の液滴のなす接触角が３５°以上であり、液晶に不溶のシリコン樹脂またはフッ素系樹脂混合物からなる有機物質を用い、周辺枠内部に液晶滴下し、周辺枠外に光硬化型接着剤のシール材を介在させて対向基板を対向させ、光照射して硬化させて両基板を貼り合せる技術が提案されている（例えば、特許文献４参照。）。
【００１９】
【特許文献１】特許第３２５０４１１号明細書
【特許文献２】特開２００３−６６４０１号公報
【特許文献３】特開２００３−１７７３８８号公報
【特許文献４】特許第３０２００６８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、上記した特許文献３に記載の周辺枠はシール材のストッパーとなって未硬化のシール材が液晶と接触して液晶がシール材で汚染されるのを抑制することを期待できるかもしれないが、対向基板貼り合わせ時の加圧で液晶及びシール材が周辺枠を介して互いに接触混合する場合があり汚染防止は完全であるとは言えない。また、表示領域に形成したＯＣＳの配向膜形成及び配向処理は不充分であり、光漏れなどの液晶動作不具合を引き起こしやすく、画質低下をもたらしてしまう。
【００２１】
また、上記した特許文献４に記載の技術では、液晶と周辺枠材料が混ざることを抑制しているものの、周辺枠材料は事前に硬化していないので、対向基板貼り合わせ時の加圧でシール材が周辺枠材料を介して液晶と接触する場合があり汚染防止は完全であるとは言えない。
【００２２】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、表示領域の液晶へのシール材の浸入を抑制し、液晶動作不具合を低減して品質向上を実現することができる電気光学表示装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記の目的を達成するために、本発明に係る電気光学表示装置は、表示領域と液晶駆動回路、映像信号制御及び処理回路等を含む周辺領域とを有するＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して液晶注入口無しパターンのシール材若しくはシール材及びコモン材により貼り合わせられた対向基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板の間隙に保持された液晶と、前記少なくとも表示領域を囲繞する第１の周辺枠と、該第１の周辺枠を囲繞する第２の周辺枠とを備える電気光学表示装置であって、前記シール材若しくはシール材及びコモン材が前記第２の周辺枠の外側領域に塗布され、前記液晶が前記第１の周辺枠の内側領域に保持されている。
【００２４】
ここで、少なくとも表示領域を囲繞する第１の周辺枠の内側領域に液晶が保持されると共に、第１の周辺枠を囲繞する第２の周辺枠の外側領域にシール材若しくはシール材及びコモン材が塗布されたことによって、即ち、シール材若しくはシール材及びコモン材の塗布領域と液晶の保持領域との間に少なくとも２重の周辺枠が形成されたことによって、第２の周辺枠の外側領域に塗布されたシール材若しくはシール材及びコモン材が第２の周辺枠及び第１の周辺枠を介して第１の周辺枠の内側に保持された液晶と接触することは非常に困難になり、シール材若しくはシール材及びコモン材による液晶汚染の悪影響が第１の周辺枠の内側領域の液晶に及ぶことを抑制することができる。
【００２５】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、基体に複数のＴＦＴ基板を形成し、各ＴＦＴ基板の少なくとも表示領域を囲繞する第１の周辺枠及び該第１の周辺枠を囲繞する第２の周辺枠を形成する工程と、各ＴＦＴ基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理を行う工程と、各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理を行う工程と、基体に形成されたＴＦＴ基板の第２の周辺枠の外側のシール領域或いはシール領域及びコモン領域に液晶注入口無しパターンのシール材或いはシール材及びコモン材を塗布すると共に、前記第１の周辺枠の内側領域に所定量の液晶を滴下した後に、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された対向基板を相対して位置調整を行い、所定の間隙で所定の真空度の真空装置（例えば、真空貼り合わせ装置）内で重ね合わせる工程と、必要に応じて所定量のＵＶ照射で仮止めシール硬化を行なう工程と、前記真空装置内を大気圧に戻して大気圧の均一加圧により貼り合わせを行い、シール材及びコモン材の硬化を行って所定の液晶ギャップのＬＣＤパネルを形成する工程と、前記ＴＦＴ基板が形成された基体及び前記対向基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程とを備える。
【００２６】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、基体に複数の対向基板を形成し、ＴＦＴ基板の少なくとも表示領域を囲繞する領域に対応する各対向基板の領域に第１の周辺枠及び該第１の周辺枠を囲繞する第２の周辺枠を形成する工程と、各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理を行う工程と、各ＴＦＴ基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理を行う工程と、基体に形成された対向基板の第２の周辺枠の外側のシール領域或いはシール領域及びコモン領域に液晶注入口無しパターンのシール材或いはシール材及びコモン材を塗布すると共に、前記第１の周辺枠の内側領域に所定量の液晶を滴下した後に、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成されたＴＦＴ基板を相対して位置調整を行い、所定の間隙で所定の真空度の真空装置内で重ね合わせる工程と、必要に応じて所定量のＵＶ照射で仮止めシール硬化を行なう工程と、前記真空装置内を大気圧に戻して大気圧の均一加圧により貼り合わせを行い、シール材及びコモン材の硬化を行って所定の液晶ギャップのＬＣＤパネルを形成する工程と、前記ＴＦＴ基板が形成された基体及び前記対向基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程とを備える。
【００２７】
ここで、基体に形成されたＴＦＴ基板の第２の周辺枠の外側のシール領域及びコモン領域に液晶注入口無しパターンのシール材及びコモン材を塗布すると共に、第１の周辺枠の内側領域に所定量の液晶を滴下した後に、ＴＦＴ基板と対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された対向基板を相対して位置調整して所定の間隙で所定の真空度の真空装置内で重ね合わせ、或いは、基体に複数の対向基板を形成し、ＴＦＴ基板の少なくとも表示領域を囲繞する領域に対応する各対向基板の領域に第１の周辺枠及び第１の周辺枠を囲繞する第２の周辺枠を形成し、対向基板のシール領域及びコモン領域に液晶注入口無しパターンのシール材及びコモン材を塗布すると共に、第１の周辺枠の内側領域に所定量の液晶を滴下した後に、ＴＦＴ基板と対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成されたＴＦＴ基板を相対して位置調整して所定の間隙で所定の真空度の真空装置内で重ね合わせることによって、即ち、シール領域の内側に少なくとも２重の周辺枠を形成すると共に、内側の周辺枠の内側領域に液晶を滴下することによって、第２の周辺枠の外側領域に塗布されたシール材若しくはシール材及びコモン材が第２の周辺枠及び第１の周辺枠を介して第１の周辺枠の内側に滴下された液晶と接触することは非常に困難になり、シール材若しくはシール材及びコモン材による液晶汚染の悪影響が第１の周辺枠の内側領域の液晶に及ぶことを抑制することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明を適用した電気光学表示装置及びその製造方法では、少なくとも周辺枠を２重に形成することで、基板同士の真空重ね合わせ及び大気圧の貼り合わせなどの加圧等によってシール材及びコモン材が外側の周辺枠を超えたとしても、外側の周辺枠と内側の周辺枠の間にシール材層若しくは内側の周辺枠からオーバーフローした液晶とシール材の混合層が形成されることはあったとしても、シール材及びコモン材が内側の周辺枠を超えることがなく表示領域の液晶へのシール材及びコモン材の浸入汚染が阻止できるので、点欠陥、焼き付き、光抜け、応答性低下等の液晶動作不具合が防止されて電気光学表示装置の品質向上を図ることができる。
【００２９】
また、周辺枠を４重とすることによって、最も外側の周辺枠と外側から２番目に位置する周辺枠の間にオーバーフローしたシール材層が形成され、最も内側の周辺枠と内側から２番目に位置する周辺枠の間にオーバーフローした液晶層が形成され、外側から２番目に位置する周辺枠と内側から２番目に位置する周辺枠の間に略真空層、オーバーフローした液晶層、オーバーフローしたシール材層若しくはオーバーフローした液晶とオーバーフローしたシール材の混合層が形成された場合には、シール材の悪影響が最も内側に位置する周辺枠の内側領域の液晶に及ばないことに加えて、ＴＦＴ基板と対向基板の間に多重のストッパーとして機能する周辺枠を形成しているので、点欠陥、焼き付き、光抜け、応答性低下等の液晶動作不具合防止のみならず、外部からの水分浸入を十分に抑制することができ、電気光学表示装置の機密性（シール性）向上を図ることができる。
この様に、周辺枠を４重、６重、８重などの多重とすることで、液晶へのシール材の混在防止、液晶への汚染物質及び水分浸入防止ができるために電気光学表示装置の品質、信頼性が向上する。
この時に、本発明の多重の周辺枠がある為に大気圧開放時のシールパス症状を防止できるので、ＴＦＴ基体または対向基体の最外周のダミーシール材塗布が不要となり、生産性向上とコストダウンを図ることが出来る。
【００３０】
また、内側の周辺枠で囲まれた領域内にディスペンサーで所定量の液晶を滴下した直後に、滴下量の適正化、滴下有無の判定を例えばレーザー照射して反射光の変動でセンシングするレーザーセンサーなどの光センサーをディスペンサーに同期してステップアンドリピート方式で移動させて判定を行なった場合には、液晶滴下無しや液晶滴下量不足を防止し、歩留、品質及び生産性を向上することができる。
【００３１】
更に、ＴＦＴ基板の外部取り出し電極部に対応する対向基板が形成された基体（以後、対向基体と称する）を例えばブレードダイシングまたはＵＶパルスレーザーダイシングにより５０〜１００μｍ残してディープカットダイシングを行い、スクライブラインをＴＦＴ基板が形成された基体（以後、ＴＦＴ基体と称する）まで例えば２００〜３００μｍ切り込む凹部形成の対向基体のフルカットダイシングを行なった後に、ディープカットダイシングを行った部分をブレークして対向基体を対向基板毎に分断を行なうことによって、歩留り及び品質が向上する。
【００３２】
また、メタルマスクを用いてＳｉＯｘ斜方蒸着膜等の無機系配向膜を形成する場合には、メタルマスクの位置ズレ、ゴミ及びキズ付着、メタルマスク洗浄等の問題があるために、メタルマスクを用いることなく全面にＳｉＯｘ斜方蒸着膜等の無機系配向膜を形成し、ＴＦＴ基体内の各ＴＦＴ基板のシール部、コモン部及び外部取り出し電極部などの上部及び対向基体内の各対向基板のシール部、コモン部などの上部に形成された３０〜５０ｎｍ厚程度のＳｉＯｘ斜方蒸着膜を、例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調による波長３５５ｎｍＵＶパルスレーザーでエッチングすることによって、シール性及びコモン部の電気導通性が向上すると共に、メタルマスク代が不要、メタルマスク洗浄の不要となって電気光学表示装置の製造コストの低減が実現する。
【００３３】
また、液晶の滴下を行い、真空貼り合せを行って裏面光学研磨した後に、例えばＵＶ接着剤をスピンコートまたはディスペンス塗布した対向基体裏面に低反射膜付き保護ガラス大板を重ね合わせ、所定の真空度で脱泡した後に大気圧に戻す直前または直後にＵＶ照射硬化して貼り合わせた後に、低反射膜付き保護ガラス大板と対向基体、更に低反射膜付き保護ガラス大板と対向基体及びＴＦＴ基体を固体レーザーまたはガスレーザーまたは固体及びガスレーザーを組み合わせたレーザーダイシングまたはブレードダイシングすると、生産性が向上して製造コストの低減が実現する。
【００３４】
また、例えば対向基体１．０ｍｍ厚と低反射膜付き保護ガラス大板１．０ｍｍ厚とを足し合わせた例えば２．０ｍｍ厚みの対向基体を用い、この対向基体の片面にＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜を形成し、他の面に低反射膜を形成しておき、透明導電膜を形成した側に液晶配向膜を形成することで、低反射膜付き保護ガラスの貼り合わせ作業を廃止することができ、生産性が向上して製造コストの低減が実現する。
【００３５】
また、ＴＦＴ基体及び対向基体単位での液晶滴下・真空貼り合せ、入射及び出射側保護ガラス大板貼り合わせ、液晶ギャップ検査及び画像検査、更にシール材及びコモン材のＵＶ照射硬化と固着アニール、液晶配向熱処理、光学裏面研磨などの一連の作業を行うことで、ハンドリングし易く生産性が良い。
【００３６】
また、ＴＦＴ基体裏面のＴＦＴ形成膜除去、更には対向基体裏面のキズ、汚れなどを光学研磨除去することによって、ＬＣＤパネルを構成するＴＦＴ基板及び対向基板裏面のクリーニング作業が不要となり、歩留り及び品質の向上、大幅な工数削減、生産性向上による製造コストの低減が実現する。
【００３７】
また、両面光学研磨後にＬＣＤパネル単位でのステップアンドリピート方式での液晶ギャップ検査及び画像検査を行い、合格したＬＣＤパネルのみに入射及び出射側保護ガラスチップを透明接着剤で貼り合せることで、保護ガラスゴミ挟み込み不良、気泡不良がなくなりクリーニング作業が不要となり、歩留り及び品質の向上、大幅な工数削減、生産性向上による製造コストの低減が実現する。
【００３８】
また、対向基板に保護ガラスチップを貼り合せた状態のＴＦＴ基体のフルカットブレードダイシングを行う場合には、対向基板の保護ガラスチップにダイシングテープを貼ると、保護ガラスチップの高さがあたかもＶカットまたはＵカット溝に相当することとなり、ＴＦＴ基体の裏面ＶカットまたはＵカットダイシングが不要であり、しかもテープカットレスのフルカットブレードダイシングとなり、ダイシング時のテープ糊起因の付着ゴミ、汚れ不良が低減して歩留り及び品質が向上する。
【００３９】
また、ＴＦＴ基体のＴＦＴ基板及び対向基板にＵＶテープ保護の保護ガラスチップを貼り合せると、ＴＦＴ基体のブレードダイシング時のテープ糊起因の付着ゴミ、汚れ不良が皆無となり、歩留り及び品質が向上する。更に、ＵＶテープ保護の保護ガラスチップが貼合されたＬＣＤパネルにフレキシブル基板を取り付け作業時の保護ガラスのキズ、ゴミ付着が皆無となり、歩留り及び品質が向上する。
【００４０】
また、ＴＦＴ基体または対向基体単位でのハンドリングなので、ハンドリング機構が簡略化できて安価な製造装置（例えば、液晶滴下・真空貼り合せ装置、保護ガラス大板貼り合わせ装置、画像検査装置、液晶ギャップ検査装置、画質検査装置など）が実現できる。更に、ハンドリング起因のＴＦＴ基板、対向基板及び保護ガラスチップなどの欠け、キズ、ゴミ付着などの問題が解消するので、歩留り及び品質が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参酌しながら説明し、本発明の理解に供する。
【００４２】
［Ａ］ＴＦＴ基板及び対向基板が石英ガラス材であるプロジェクタ用透過型ＬＣＤの場合
図１は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法の工程フローである。
以下、図１に示す工程フローに沿ってプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【００４３】
本発明を適用したプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法では、先ず、１２インチφ、１．２ｍｍ厚の石英ガラス材からなるＴＦＴ基体に複数のＴＦＴ基板を形成し、このＴＦＴ基板形成時にＴＦＴ基体の裏面に成膜されたＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、遮光用の遷移金属シリサイド膜（タングステンシリサイド；ＷＳｉ２、モリブデンシリサイド；ＭｏＳｉ２，チタンシリサイド；ＴｉＳｉ２等）などを残して高い平坦性を維持したＴＦＴ基体に、図３（Ａ）の（ａ）で示す様に、ＴＦＴ基体１０内の各ＴＦＴ基板１に汎用のリソグラフィ技術を用いて、感光性樹脂のパターニングを行なって少なくとも２重の周辺枠２、例えば周辺枠幅が５０μｍ、周辺枠間の距離が１００μｍ、高さが液晶ギャップ２．５μｍ相当の２重の周辺枠を形成し、外側に形成された周辺枠を第１の周辺枠２ａ、内側に形成された周辺枠を第２の周辺枠２ｂとする。
【００４４】
また、必要に応じて周辺枠形成と同時に、同じ感光性樹脂によりＴＦＴ基板の表示領域６と第２の周辺枠との間に液晶ギャップ相当の高さを有する複数のＯＣＳ７（例えば２〜３μｍφ、液晶ギャップ２．５μｍ相当の高さ）を形成する。
尚、この時に、画質に悪影響を与えない範囲で、表示領域６内の複数の画素開口部周囲に液晶ギャップ相当の高さを有するＯＣＳ７を形成し、液晶ギャップ制御を高めてもよい。
このＴＦＴ基体の全面またはＴＦＴ基板毎に、ポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜（以下、配向膜とも称す）を形成して所定の角度でバフラビング配向または直線偏光紫外線照射の光配向またはイオンビーム配向またはレーザー配向等の液晶配向処理（以下、配向処理とも称す）を行なったり、或いはＳｉＯｘ等の所定の蒸着角での斜方蒸着膜形成またはＳｉＯｘ等の所定のスパッタリング角での指向性スパッタリング膜形成または所定の角度でアルゴン等でのイオンビーム配向処理したＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）膜形成等の無機系液晶配向膜を形成した後に、必要に応じてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等を用いた有機洗浄を行なう。
尚、ＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜の場合には、ＵＶ照射洗浄、大気圧プラズマ洗浄を単独または有機洗浄と組み合わせで洗浄を行ってもよい。
【００４５】
ここで、ＴＦＴ基体は複数のＴＦＴ基板及びスクライブラインから構成される石英ガラス系基体であり、ＴＦＴ基板は表示部、液晶駆動回路や映像信号制御及び処理回路などの周辺回路部、シール部（コモン部を含む）、外部取り出し電極部などからなり、ＴＦＴなどのスイッチング素子、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ；酸化インジウムと酸化錫の混合透明導電膜）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ；酸化インジウムと酸化亜鉛の混合透明導電膜）などの透明導電体からなる透明画素電極、配線、外部取り出し電極などが形成されている。
【００４６】
ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を形成する場合には、ＴＦＴ基体全面にポリイミド、ポリアミド等の溶液をスピンコーティング、バーコーティング、ディップコーティング等により塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは３０〜５０ｎｍ程度形成する。この時に、ＴＦＴ基板のコモン領域にもポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜が形成されているが、コモン剤中の金メッキ樹脂のミクロパールが重ね合わせ時の加圧でポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を突き破って対向基板の透明導電膜とＴＦＴ基板の透明導電膜を電気的に導通させる。更に、ＴＦＴ基板の外部取り出し電極部にもポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜が形成されているが、フレキシブル基板の異方性導電膜中のフィラーが熱圧着でポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を突き破って外部取り出し電極部とフレキシブル基板を電気的に導通させる。
この時に、画像検査での測定端子及びフレキシブル基板との電気抵抗低減の為に、シール及びコモン部、外部取り出し電極部の上記有機系配向膜をエキシマレーザーなどでのレーザーエッチングで除去してもよい。
更に、ＬＣＤパネルの状態で、外部取り出し電極部の上記有機系配向膜を大気圧プラズマエッチングで除去してもよい。
【００４７】
または、ＴＦＴ基体内のＴＦＴ基板毎に印刷版によるロールコーティングにより塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは３０〜５０ｎｍ程度形成する。この時には、シール領域、コモン領域及び外部電極取り出し部にはポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜は形成されていないので、電気的な導通は容易である。
【００４８】
なお、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によってはコモン剤中の金メッキ樹脂のミクロパールの圧着によるＳｉＯｘ等の無機系配向膜の貫通が難しいので、図２に示すように、ＴＦＴ基体内の各ＴＦＴ基板のシール部及びコモン部の上部のＳｉＯｘ等の無機系配向膜を例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍのＵＶパルスレーザーでレーザーエッチングにより除去するのが好ましい。同様に、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によってはフレキシブル基板の異方性導電膜の熱圧着による電気的接続は難しいので、フレキシブル基板との電気的導通のために外部電極取り出し部の上部のＳｉＯｘ等の無機系配向膜を例えば上記同様の波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍのＵＶパルスレーザーでレーザーエッチングにより除去するのが好ましい。この時は、例えばビームスポットサイズ５０〜２００μｍΦでレーザーパワー１０〜１００Ｗ（１０ＫＨｚ）の上記ＵＶパルスレーザーをＸ−Ｙ方向（図２中レーザービームＡはＸ方向のスキャンニング照射を示し、図２中レーザービームＢはＹ方向のスキャンニング照射を示している。）に複数回の往復スキャニング照射をして、ＴＦＴ基板のシール部、コモン部及び外部取り出し電極部の上部の３０〜５０ｎｍ厚のＳｉＯｘ等の無機系配向膜除去を行なう。なお、外部取り出し電極部上のエッチングでは、ＵＶパルスレーザーパワー及び往復スキャニング回数などを調整して、外部取り出し電極部がエッチングされない様に注意する必要がある。
この時に、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜エッチングと同時に、ＴＦＴ基板のシール領域のガラスも少しエッチングされて表面凹凸となるが、シール材との密着性が向上し、シール性が高まる。
尚、必要に応じて、このレーザー溶融したＳｉＯｘ等の無機成分が付着してダスト起因不良とならないように、例えばレーザー照射と同期して真空吸引口を追従させてレーザー溶融したＳｉＯｘ等の無機成分除去するなどのダスト対策が必要である。
尚、コモン部及び外部取り出し電極部の上部のＳｉＯｘ等の無機系配向膜のみを選択的なスポットレーザー照射によりエッチングしてもよい。
【００４９】
なお、ＴＦＴ基板のシール材及びコモン材塗布領域及びＴＦＴ基板の外部取り出し電極部をマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系配向膜が形成されない様にしても良いが、マスキングの場合には、メタルマスクの位置ズレ、ゴミ及びキズ付着、メタルマスク洗浄等の課題がある。
【００５０】
また、１２インチ□、１．１ｍｍ厚の石英ガラス材や結晶化ガラス材の複数の対向基板からなる対向基体を形成し、上記ＴＦＴ基体同様にポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜を形成して所定の角度でバフラビング配向または直線偏光紫外線照射の光配向またはイオンビーム配向またはレーザー配向等の液晶配向を行なったり、或いはＳｉＯｘ等の所定の蒸着角での斜方蒸着膜形成またはＳｉＯｘ等の所定のスパッタリング角での指向性スパッタリング膜形成または所定の角度でアルゴン等でのイオンビーム配向処理したＤＬＣ膜形成等の無機系液晶配向膜を形成した後に、必要に応じてＩＰＡ等を用いた有機洗浄を行なう。
尚、ＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜の場合には、ＵＶ照射洗浄、大気圧プラズマ洗浄を単独または有機洗浄と組み合わせで洗浄を行ってもよい。
【００５１】
ここで、対向基体は複数の対向基板及びスクライブラインから構成される石英ガラスまたは結晶化ガラス系基体であり、対向基板はマイクロレンズアレイ基板或いはブラックマスク基板（画素開口部以外に遮光膜形成し、その全面にパターン無しのＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜形成）或いはベタ透明導電膜基板（パターン無しのＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜体）などが形成されている。
【００５２】
ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を形成する場合には、対向基体全面にポリイミド、ポリアミド等の溶剤をスピンコーティング、バーコーティング、ディップコーティング等により塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは３０〜５０ｎｍ程度形成する。この時に、対向基板のコモン領域にもポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜が形成されているが、コモン剤中の金メッキ樹脂したミクロパールが重ね合わせ時の加圧でポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を突き破って対向基板の透明導電膜とＴＦＴ基板の透明導電膜を電気的に導通させる。
この時に、コモン部の電気抵抗低減の為に、コモン領域の有機系配向膜をエキシマレーザーなどでのレーザーエッチングで除去してもよい。
【００５３】
または、対向基体内の対向基板毎に印刷版によるロールコーティングによりポリイミド、ポリアミド等の溶剤を塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは３０〜５０ｎｍ程度形成する。この時には、コモン領域にはポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜は形成されていないので、電気的導通は容易である。
【００５４】
なお、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によってはコモン材中の金メッキ樹脂したミクロパールの圧着によるＳｉＯｘ等の無機系配向膜の貫通が難しいので、図２に示すように、上記ＴＦＴ基板と同様に対向基体内の各対向基板のシール部及びコモン部の上部のＳｉＯｘ等の無機系配向膜を例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍのＵＶパルスレーザーでレーザーエッチングにより除去するのが好ましい。
尚、ＴＦＴ基板及び対向基板に形成したＳｉＯｘ斜方蒸着膜はガラス系基体に比べ粗な粒径で低密度であり気密性が低いので、上記のＵＶパルスレーザーなどでコモン部のみならずシール部の上部のＳｉＯｘ斜方蒸着膜も同時にレーザーエッチングすると、シール性が高まり、品質及び信頼性が向上するので好ましい。
尚、必要に応じて、このレーザー溶融したＳｉＯｘ等の無機成分が付着してダスト起因不良とならないように、例えばレーザー照射と同期して真空吸引口を追従させてレーザー溶融したＳｉＯｘ等の無機成分除去するなどのダスト対策が必要である。
尚、コモン部の上部のＳｉＯｘ等の無機系配向膜のみを選択的なスポットレーザー照射によりエッチングしてもよい。
【００５５】
なお、対向基板のシール材及びコモン剤塗布領域にマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系配向膜が形成されない様にしても良いが、マスキングの場合には、メタルマスクの位置ズレ、ゴミ及びキズ付着、メタルマスク洗浄等の課題がある。
【００５６】
次に、図３（Ａ）の（ｂ）で示す様に、ＴＦＴ基板の外側に形成された周辺枠２ａの外側に例えば熱併用型紫外線照射硬化型接着剤のシール材（以後  シール材とも呼ぶ）３をシール幅５００μｍ内にディスペンス塗布し、同時に熱併用型紫外線照射硬化型接着剤のコモン材（以後  コモン材とも呼ぶ）４を約２００μｍの塗布径でディスペンス塗布し、内側に形成された周辺枠２ｂの内側に所定量の液晶５をディスペンス滴下する。
この時に、ＴＦＴ基板の周辺枠２ａの外側に例えばシール材３をシール幅５００μｍ内にディスペンス塗布し、対向基板のコモン部相当領域にコモン材４を約２００μｍの塗布径で少なくとも２箇所以上をディスペンス塗布してもよい。
【００５７】
ここで、滴下する液晶量は例えば０．７９型用ＴＦＴ基板の表示領域中心付近に約０．１ｍｇを８回繰り返えして約０．８ｍｇ程度をディスペンス塗布し、その高さが第２の周辺枠２ｂよりも表面張力で少し盛り上がる程度の液晶量として液晶不足とならない様にする必要がある。そして、シール材はシール部のセンター付近に１５００〜１６００μｍ２程度をディスペンス塗布し、コモン材は少なくとも２個所以上に約２００μｍの塗布径でディスペンス塗布し、第１の周辺枠２ａを飛び越えて第２の周辺枠２ｂ内部に流動しない様にする必要がある。
【００５８】
また、図３（Ａ）の（ｂ）で示す様に、ＴＦＴ基体は移動させずに液晶ディスペンサー８とレーザーセンサー９をステップアンドリピート方式で移動させ、所定量の液晶滴下の直後に同期してレーザー照射して反射光の変動でセンシングし、または、レーザーセンサー９及び液晶ディスペンサー８は移動させずに、ＴＦＴ基体をステップアンドリピート方式で移動させて所定量の液晶滴下の直後に同期してレーザー照射して反射光の変動でセンシングして、第２の周辺枠内の液晶滴下有無及び液晶滴下量の適正化を行う方が望ましい。
なお、ＣＣＤで画像を取り込み、液晶の滴下有無及び液晶の滴下量の適正化を判断する方法であっても良い。
このように、例えば液晶ディスペンサーの不具合により液晶滴下無しまたは不足が発生した時に、直後にその不具合を検出して液晶滴下量を最適化させるので、液晶不足による液晶未充填不具合を防止できる。
尚、ここではＴＦＴ基板側にシール材及びコモン材塗布と液晶滴下を行ったが、ＴＦＴ基板側にシール材塗布と液晶滴下を行い、対向基板側にコモン材塗布をしてもよい。
【００５９】
ところで、シール材塗布にはスクリーン印刷方式とディスペンサー方式があるが、前者のスクリーン印刷方式はスクリーンの生地が配向膜面に接触することで配向力ばらつきとなりメッシュ跡が発生し易いので後者のディスペンサー方式が望ましい。なお、ディスペンサー方式は圧縮空気によりシリンジ中のシール材を押し出しつつ、シール材を塗布するものである。
【００６０】
また、ＴＦＴ基板と対向基板間の電気的導通をとるために、ＴＦＴ基板の少なくとも２箇所のコモンパッド部に圧縮空気によりシリンジ中の金メッキ樹脂のミクロパールを混入したコモン材をディスペンサーで塗布する。
【００６１】
ここで、シール材とコモン材は、可視光照射硬化型接着剤、熱硬化併用の可視光照射硬化接着剤、若しくは紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化併用の紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化型接着剤のいずれでも良いが、特性及び作業面から同じタイプとするのが好ましい。
【００６２】
具体的なシール材及びコモン材は、例えばシール材及びコモン材の主成分で硬化後の基本特性を出現する変性アクリレートオリゴマー、液の粘度調整するアクリレートモノマー、可視光硬化またはＵＶ硬化部分を硬化する光開始剤、シール材及びコモン材の主成分で硬化後の基本特性を出現するエポキシ樹脂、エポキシ樹脂を硬化させる硬化剤などから構成され、シール材中には外気からの水分浸入を防ぐ充填フィラー（シリカ真球など）、液晶ギャップ相当のファイバー（ギャップ剤）などが含まれている。
【００６３】
また、ＴＦＴ基板内のコモンパッド部に塗布されるコモン材中には液晶ギャップより若干大きい（例えば、液晶ギャップが２μｍとすると、液晶ギャップより約１μｍ大きい約３μｍφ）金メッキ樹脂のミクロパールを混入することで、ＴＦＴ基板と対向基板の重ね合わせ時の加圧でミクロパールが破砕されて、破砕された金メッキ樹脂が双方の透明導電膜を電気的に導通させることができる。なお、シール領域にポリイミド、ポリアミド等の液晶配向膜がある場合には、その膜を破砕された金メッキ樹脂が貫通して双方の透明導電膜を電気的に導通させるように、ミクロパールの材料、大きさなどを工夫する必要がある。
【００６４】
更に、スピンコーティングなどでＴＦＴ基板または／及び対向基板のシール領域にポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜が形成されている場合は、シール材中への外気からの水分浸入を防ぐフィラーの充填は重要で、ＬＣＤパネルサイズによりフィラー充填率の最適化が必要であり、例えば１インチサイズ程度のプロジェクタ用ＬＣＤパネルでは１０〜３０％程度のフィラー充填率が好ましいが、ディスペンス塗布し易さと水分浸入率との兼ね合いで決定するのが好ましい。
【００６５】
次に、図３（Ｂ）の（ｃ）で示す様に、所定の真空度（例えば、１〜３Ｐａ）を有する真空貼り合せ装置内で、セラミック型またはポリマー型静電チャックステージ４３で静電チャック保持したＴＦＴ基体１０と、同じくセラミック型またはポリマー型静電チャック保持した対向基体１１のＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の位置決めを行い所定の間隙で所定の加圧により重ね合わせた後に、必要に応じて両基板の位置ずれ防止の為に例えば仮止め遮光治具１２を介して所定量のＵＶ照射で仮止めシール硬化を行い、大気圧に戻した直後の均一な大気圧印加で貼り合わせを行うことで、シール材中の液晶ギャップ相当のファイバー及び滴下された液晶量、更に本発明の２重の周辺枠２ａ及び２ｂとＯＣＳ７の作用により高精度に制御された液晶ギャップのＬＣＤパネルを得ることができる。
この時に、本発明の２重の周辺枠がある為に大気圧開放時のシールパス症状がなくなり、ＴＦＴ基体または対向基体の最外周のダミーシール材塗布が不要となる。
またこの時に、ＴＦＴ基体の裏面に成膜された遷移金属シリサイド膜（ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２、ＴｉＳｉ２等）を残したままの状態のために、静電チャックを行なったとしてもＴＦＴ素子が静電気ダメージを受けることは無く、高い平坦性を維持したＴＦＴ基体での貼り合せなので液晶ギャップムラ低減が可能となる。
そして、この大気圧または剛体プレス及び大気圧の均一加圧によりコモン材中のミクロパールが押し潰されて対向基板の透明電極とＴＦＴ基板の透明電極が電気的導通する。
【００６６】
次に、図３（Ｂ）の（ｄ）で示す様に、液晶ギャップ（ニュートンリング；ＮＲとも称する）検査用真空吸着ステージ１３でＴＦＴ基体を保持し、対向基体側からナトリウムランプ照射を行い、ＮＲ検査用真空吸着ステージは移動させずにＮＲ検査機１４をステップアンドリピート方式で移動し、または、ＮＲ検査機は移動させずにＴＦＴ基体を保持しているＮＲ検査用真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動し、ＣＣＤカメラ搭載のＮＲ検査機で各ＬＣＤパネルの液晶ギャップ検査（ニュートンリングの本数及び形状検査）を行い液晶ギャップの良否の選別を行なう。
【００６７】
例えば、ナトリウムランプ（ＮａＤ線；５８９．３ｎｍ波長）照射下でＬＣＤパネルを見ると、液晶ギャップが異なる部分で明るさ、コントラストに差が生じて光学的干渉縞のリング状の色ムラが発生する。このニュートンリングの本数及び形状をＣＣＤカメラにより非接触でカウントして液晶ギャップの適正可否の判断を行い、不具合のＬＣＤパネル部は加圧修正を行なう。
従って、加圧修正可能の為に、予め真空貼り合せ直後の液晶ギャップは規格内で規格センターよりも少し広目に設定しておくのが好ましい。
尚、シール材中のファイバーに加え、多重の周辺枠及びＯＣＳの作用により高精度の液晶ギャップ制御が可能になるので、必要に応じて仮硬化と本硬化を一緒にして一括ＵＶ照射硬化とし、更に抜き取りのニュートンリング（干渉縞）の液晶ギャップ検査を行ってもよい。
【００６８】
次に、必要に応じてＴＦＴダメージ低減の為にシール領域以外をマスクした状態で、全体を一括してＵＶ照射してシール材及びコモン材を本硬化させた後に、液晶のＮＩ点（Ｎｅｍａｔｉｃ  Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ；相転移温度）以上である約１１５℃で約１時間の加熱でシール材及びコモン材の完全固着を行い、液晶のＮＩ点以下例えば約９５℃まで急冷却することによって液晶分子を液晶配向膜に完全配向させる熱処理を行う。
【００６９】
ここで、透過型ＬＣＤの時には、配向膜と配向処理及び液晶の関係は下記のような組み合わせが好ましい。
［１］５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、バフラビング処理して正の誘電異方性のＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード液晶を用いる。
［２］５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の垂直配向剤添加した有機系配向膜の場合は、バフラビング処理が不要で負の誘電異方性のＴＮモード液晶{いわゆるＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード液晶；垂直配向モード液晶}を用いる。
［３］５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、アルゴンイオンビームを基板に対して１５〜２０°の角度から３００〜４００ｅＶの加速電圧でイオンビーム照射処理してイオンビーム配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
［４］５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリビニルシンナメート等の有機系配向膜の場合は、２５７ｎｍの直線偏光した紫外線を基板に対して垂直に照射する光配向処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
［５］５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、２６６ｎｍのＹＡＧレーザーを基板に対して任意の角度（例えば４５°）で照射するレーザー配向処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
［６］シリコン原子と酸素原子が錯体を形成したアルキル基がシリコン原子に結合しているシラン系配向膜の場合は、配向処理が不要であり、負の誘電異方性のＴＮモード（ＶＡモード）液晶を用いる。
［７］アミノシラン系配向膜の場合は、ラビング処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
［８］１０〜３０ｎｍ厚のＳｉＯｘの斜方蒸着膜などの無機系配向膜の場合は、基板の垂直方向からの蒸着角を調整して配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
［９］蒸着或いはスパッタによる１０〜３０ｎｍ厚のＳｉＯｘ等の無機系配向膜の場合は、アルゴンイオンビームを基板に対して１５〜２０°の角度から３００〜４００ｅＶの加速電圧でイオンビーム照射処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１０]ミラートロンスパッタリング（指向性スパッタリング）による１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘなどの無機系配向膜の場合は、基板に対するスパッタリング角度を調整して配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１１]ＣＶＤ法による５〜２０ｎｍ厚のＤＬＣ（Diamond  Like  Carbon）膜の無機系配向膜の場合は、基板に対して例えば４５°の方向から３００〜４００ｅＶの加速電圧でアルゴンイオンビーム照射してイオンビーム配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１２]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）膜の第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１３]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍのＰＥ（ポリエチレン）膜の第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１４]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍビフェニルー４，４'−ジメタクリレートのポリマー化した第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１５]ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、バフラビング配向或いは２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射の光配向或いはアルゴンイオンビーム照射のイオンビーム配向或いは２６６ｎｍのＹＡＧレーザー照射のレーザー配向処理などをして強誘電性（ＦＬＣ）液晶を用いる。
[１６]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、バフラビング配向或いは２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射の光配向或いはアルゴンイオンビーム照射のイオンビーム配向或いは２６６ｎｍのＹＡＧレーザー照射のレーザー配向処理などをして電界効果複屈折型（ＥＣＢ）型液晶を用いる。
【００７０】
また反射型ＬＣＤの場合には、バフラビング等により水平配向（ホモジニアス配列）処理または傾斜配向処理したポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜には正の誘電異方性のＴＮモード液晶、垂直配向剤添加した垂直配向（ホメオトロピック配列）処理のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜には負の誘電異方性のＴＮモードいわゆるＶＡモード液晶、クロム錯体の配向膜にはＶＡモード液晶の組み合わせが好ましい。
特にプロジェクタ用反射型ＬＣＤの配向膜は、例えばＳｉＯｘの斜方蒸着膜或いは指向性スパッタリングにより形成した耐光性の無機系配向膜とし、ＶＡモード液晶の組み合わせで使用するのが好ましい。
尚、ＰＤＬＣ（高分子分散型液晶）、ＧＨ（ゲストホスト型液晶）を反射型ＬＣＤに使用する場合は、配向膜及び配向処理は不要である。
【００７１】
次に、図３（Ｂ）の（ｅ）で示す様に、支持ステージ１５でＴＦＴ基体を真空吸着支持し、ブレードダイシングでＴＦＴ基板の外部取り出し電極部の形成領域と外部取り出し電極部の非形成領域の境界領域に対応する対向基板の領域（図中符合Ａで示す領域）を５０〜１００μｍが残存する対向基体のディープカットダイシングを行い、それ以外のＴＦＴ基板のスクライブライン領域（図中符合Ｂ、Ｃで示す領域）はＴＦＴ基体に２００〜３００μｍの切込み凹部形成するように対向基体のフルカットダイシングを行なった後に、対向基体のディープカットダイシングを行った部分に衝撃を与えて端材除去を行い、対向基体を対向基板４５毎に分断する。
ここで、対向基体が石英ガラスや結晶化ガラスであり、ＴＦＴ基体が石英ガラスであるために、レーザーダイシングを行なうことは困難であるが、ブレードダイシングを行なうことが可能であり、また、液晶を既に封止済みであるためにブレードダイシングを行なう際の切削水が内部に浸入して悪影響を及ぼすことも無い。
【００７２】
続いて、図３（Ｃ）の（ｆ）で示す様に、図中Ｄで示す酸化セリウムなどの超微粉末を含む研磨液を供給しながら、研磨バフ材１６を擦りつけることによって対向基板の裏面及びＴＦＴ基体の裏面を例えば１０μｍ程度を光学研磨し、ＴＦＴ基板の形成時にＴＦＴ基体の裏面に成膜されたＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、遷移金属シリサイド（ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２、ＴｉＳｉ２等）のＴＦＴ形成膜１７、更に配向膜形成及び配向処理時のキズ、汚れ、更には重ね合わせ時のハンドリングキズを除去する。ここで、対向基板の裏面及びＴＦＴ基体の裏面の光学研磨は、バフ研磨に限らずＣＭＰ等で行なっても良い。なお、この光学研磨の際には液晶ギャップに悪影響を及ぼさない様に、加圧調整する必要がある。
【００７３】
なお、裏面光学研磨には、上記のように研磨水に酸化セリウム等の超微粉末を含むスラリー（研磨剤）を適量分散させた研磨液を適時供給して研磨バフを擦りつけるウェット光学研磨法と、酸化セリウム等の超微粉末を含む研磨布を擦りつけるドライ研磨法があるが、この場合にはいずれの光学研磨法でも良い。
【００７４】
次に、図３（Ｃ）の（ｇ）で示す様に、画像検査用基体支持治具１８でＴＦＴ基体を保持し、画像検査用基体支持治具は移動させずに照明筒１９及び画像検査機２０をステップアンドリピート方式で移動し、または、照明筒及び画像検査機は移動させずにＴＦＴ基体を保持している画像検査用基体支持治具をステップアンドリピート方式で移動し、ＬＣＤパネル単位毎に、その外部取り出し電極部に押し付ける電気信号入力端子付きの照明筒を対向基板側にセットし、照明筒からの入射光２１をＬＣＤパネルに照射し、出射光２２を画像検査機で検出して画像を表示し、画像検査（ＤＴ；Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｔｅｓｔ）を行い、ＴＦＴ基体内のＬＣＤパネルの良否を判別する。
【００７５】
ところで、プロジェクタ用透過型ＬＣＤの場合は、対向基板及びＴＦＴ基板裏面のキズや付着したゴミが画質欠陥となるので、対向基板及びＴＦＴ基板裏面に例えば１．１ｍｍ厚の保護ガラス（防塵ガラスとも言う）を貼り合わせて光学的焦点をぼかすことでキズ及びゴミの影響を防止している。更に、特に入射側の対向基板の保護ガラスとして高熱伝導性ガラスを用いることで、ＬＣＤパネルの熱放散を促進し、高輝度化、超寿命化を図っている。なお、入射光及び出射光の損失低減のために、この保護ガラスには少なくとも一方の表面に反射防止膜または反射防止膜及び紫外線カット膜が形成されている。
【００７６】
例えば、プロジェクタ用透過型ＬＣＤの場合は、保護ガラス材として光学特性を満足する熱伝導率が１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、更に高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛透光性酸化物結晶体の電融ＭｇＯ（立方晶、等軸六方晶）、焼結ＭｇＯ（立方晶）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、単結晶サファイア（六方晶）、ＢｅＯ（ベリリア）、ＺｒＯ２（ジルコニア）、多結晶サファイアなど、または透光性複酸化物結晶体の単結晶又は多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶又は多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、ＺｒＳｉＯ４など｝、フッ化物単結晶体｛フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）など｝、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体及び透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性の透明接着剤で対向基板及びＴＦＴ基板に貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めることができる。
【００７７】
尚、たとえば、入射側より反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラスと単結晶サファイアの対向基板と液晶層と石英ガラスのＴＦＴ基板と反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラスの構造とし、相互を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、更に高い熱放散効果を期待できる。
【００７８】
これらの保護ガラスの少なくとも一方の表面には、ＳｉＯ２膜、ＴｉＯ２膜、ＺｒＯ２膜、ＭｇＦ２膜等の屈折率の異なる薄膜を１／４波長厚（０．１〜０．３μｍ）の厚みとして積層することにより反射防止膜を形成し、この反射防止膜の反射率は０．８％以下（波長４５０〜６３０ｎｍ範囲）が好ましい。
【００７９】
更に、保護ガラスチップ貼り合わせ時の真空吸着コレットでのキズ防止、ダイシング時のキズ、ゴミ付着防止のために、図４（ａ）で示す様に、透明保護テープ２３付き保護ガラスチップ２４としても良い。なお、透明保護テープとして紫外線を照射することによって粘着力が低下するテープが貼り合わせられた保護ガラスチップを採用すると、貼り合わせ時の真空吸着コレットによるゴミ、キズ付着の恐れがないと共に、真空脱泡作業時のゴミ、キズ付着の恐れも無い。
【００８０】
しかも、保護ガラスチップ貼り合わせ時の中空型真空吸着コレットの真空吸着では剥れない程度の粘着力に予めＵＶ照射により粘着力を低下させているので、保護ガラスチップ貼り合わせ作業上の問題はなく、更に金属枠取り付け前のＴＦＴ基板側保護ガラスチップのＵＶテープ剥離作業や見切り板取り付け前の対向基板側保護ガラスのＵＶテープ剥離作業には問題は無い。
【００８１】
さて、保護ガラスチップの具体的な貼り合わせ方法は、図３（Ｃ）の（ｈ）、図３（Ｃ）の（ｉ）で示す様に、防塵ガラスチップ貼り合わせ装置用の基体支持ステージ（図示せず）でＴＦＴ基体を保持し、この基体支持ステージは移動させずに中空型真空吸着コレット２６を基体支持ステージとの間で相対移動自在に移動させる構成の製造装置において、中空型真空吸着コレットで保護ガラスチップ周辺部または端部を真空吸着させて、ＴＦＴ基体内の上記した画像検査で合格となった良品のＬＣＤパネルの対向基板裏面及びＴＦＴ基板裏面に透明接着剤（紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線及び熱硬化型接着剤、可視光硬化型接着剤など）例えば紫外線照射硬化型接着剤を必要量（例えば、０．７型ＬＣＤパネルで５ｍｇ）だけディスペンス塗布し、中空型真空吸着コレットで真空吸着保持した保護ガラスチップ（例えば、石英ガラス材の反射防止膜付き保護ガラスチップ）の位置合わせ及び重ね合わせを行った後に真空装置内に配置し、この真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）として透明接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻す時の均一な圧力で接着剤の厚みを均一化して貼り合わせを行う。その後、外観検査及び／または画像検査して判明した透明接着層欠陥（例えば、透明接着剤中の挟み込みゴミ、光るゴミ、透明接着剤の広がり不足等の不良）を検出し、これら透明接着欠陥を有する保護ガラスチップに遮光性テープ（例えば、黒テープ）を貼り、ＴＦＴ基板及び対向基板の両面から紫外線照射して各保護ガラスチップの透明接着剤を完全に硬化させる。
ここで、透明接着層欠陥の保護ガラスは黒色テープによりＵＶ硬化させないことで、保護ガラスチップを剥がして再生することができる。
【００８２】
次に、図３（Ｄ）の（ｊ）で示す様に、ＬＣＤパネルのＴＦＴ基板裏面に貼り合わせられた保護ガラスチップ表面を、紫外線を照射することによって粘着力が低下するダイシングテープ（以下、ダイシング用ＵＶテープと言う。）２７で固定した状態でＴＦＴ基体の表面からスクライブラインの凹部をテープカットレスのフルカットブレードダイシング加工を行う。
ここで、ＴＦＴ基板裏面に貼り合せた保護ガラスチップの高さが、あたかもＴＦＴ基体裏面のＶまたは凹部形成のダイシングに相当するので、テープカットレスダイシングが実現し、ダイシングテープ起因の異物付着及び汚れ防止、ダイシングブレードの長寿命化が実現する。また、凹部をブレードダイシングするために、チッピングを低減することができる。更に、ダイシングテープとしては必ずしもダイシング用ＵＶテープを使用する必要は無く、低粘着性テープとすれば繰り返しの使用が可能である。なお、ダイシングブレードは従来よりも刃先が長いタイプを使用する必要がある。
また、ＬＣＤパネルの対向基板裏面に貼り合わせられた保護ガラスチップ表面を、ダイシング用ＵＶテープ或いは低粘着性テープで固定した状態でＴＦＴ基体裏面からスクライブラインの凹部をテープカットレスのフルカットブレードダイシング加工を行っても良い。
【００８３】
ここで、ＴＦＴ基板及び対向基板に貼り合せる保護ガラスチップとして、保護用ＵＶテープが貼り合わせられた保護ガラスチップを採用している場合には、図４（ｂ）で示す様に、ＬＣＤパネルの対向基板裏面に貼り合わせられたＵＶテープ付き保護ガラスチップ表面をダイシング用真空吸着治具２８で固定した状態で、ＴＦＴ基体の裏面からスクライブラインの凹部のフルカットブレードダイシング加工を行う。
ここで、保護用ＵＶテープが貼り合わせられた保護ガラスチップを採用する場合には、ガラス切削屑付着がないので歩留り、品質が向上し、更にテープレスダイシングができるのでテープコストの削減ができる。また、スクライブラインの凹部を反対面からフルカットダイシングを行なうので、チッピングを低減することが可能である。
【００８４】
続いて、ＬＣＤパネルのＴＦＴ基板及び対向基板に貼り合せる保護ガラスチップとして、保護用ＵＶテープが貼り合わせられた保護ガラスチップを採用している場合には、保護用ＵＶテープを貼り合せた状態でＴＦＴ基板の外部取り出し電極部にフレキシブル基板２９を取り付け、ＴＦＴ基板側の保護ガラスチップに貼り合わせられた保護用ＵＶテープを剥離してＴＦＴ基板及び対向基板を金属枠３０に取り付け、ＴＦＴ基板及び対向基板と金属枠との間を、高熱伝導性モールド樹脂３１で固着する。その後、対向基板側の保護ガラスチップに貼り合わせられた保護用ＵＶテープを剥離して見切り板３２の取り付け、画質検査を行なうことによって図３（Ｄ）の（ｋ）で示す様なプロジェクタ用透過型液晶表示装置を得ることができる。
【００８５】
ところで、上記の本実施例では、個片化した保護ガラスチップをＴＦＴ基板及び対向基板裏面に貼り合わせるＬＣＤパネルの場合を例に挙げて説明を行ったが、ＴＦＴ基体及び対向基板裏面の光学裏面研磨を行った後に、図４（ｃ）で示す様に全ての対向基板裏面に所定量のＵＶ接着剤をディスペンス塗布して保護ガラス大板（１）５０を重ね合わせると共に、ＴＦＴ基体の裏面に所定量のＵＶ接着剤をディスペンスまたはスピンコート塗布して保護ガラス大板（２）５１を重ね合わせ、ＵＶ接着剤を真空脱泡した後に大気圧に戻す直前または直後の均一の加圧状態でＵＶ照射硬化して貼り合わせを行い、その後に保護ガラス大板（１）をブレードダイシングして保護ガラスチップが貼り合わせられた対向基板と、保護ガラス大板（２）及びＴＦＴ基体をブレードダイシングして保護ガラスチップが貼り合わせられたＴＦＴ基板からなるＬＣＤパネルを形成しても良い。
具体的には、対向基板と同じ寸法に保護ガラス大板（１）の領域（図中符合ＸとＹとＺで示す領域）をフルカットのブレードダイシングを行って保護ガラスチップを貼り合せた対向基板を形成し、連続してＴＦＴ基体及び保護ガラス大板（２）のスクライブライン領域（図中符合ＹとＺで示す領域）をフルカットのブレードダイシングを行ない、保護ガラスチップが貼り合わせられたＴＦＴ基板からなるＬＣＤパネルを形成しても良い。
【００８６】
［Ｂ］ＴＦＴ基板が石英ガラス材、対向基板が低歪点ガラス材であるＥＶＦ用透過型ＬＣＤの場合
図５は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の他の一例であるＥＶＦ（Electric View Finder）用透過型ＬＣＤの製造方法の工程フローである。
以下、図５に示す工程フローに沿ってＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【００８７】
本発明を適用したＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法では、先ず、８インチφで厚みが０．８ｍｍの石英ガラス材からなるＴＦＴ基体に複数のＴＦＴ基板を形成し、このＴＦＴ基板の形成時にＴＦＴ基体の裏面に成膜されたＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、遷移金属シリサイド（ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２、ＴｉＳｉ２等）等の膜を残したままの状態で、上記プロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様に、ＴＦＴ基体１０内の各ＴＦＴ基板１に汎用のリソグラフィ技術を用いて、感光性樹脂のパターニングを行なって少なくとも２重の周辺枠２、例えば周辺枠幅が５０μｍ、周辺枠間の距離が１００μｍ、液晶ギャップ２．５μｍ相当の高さの２重の周辺枠を形成し、外側に形成された周辺枠を第１の周辺枠２ａ、内側に形成された周辺枠を第２の周辺枠２ｂとする。
その後に、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様に、ポリイミド、ポリアミドなどの有機系配向膜の形成、液晶配向処理及び必要に応じてＩＰＡ等を用いた洗浄を行なう。
【００８８】
なお、このＴＦＴ基板は各画素に赤、青、緑の色フィルタ層が形成されたＯＣＣＦ（Ｏｎ  Ｃｈｉｐ  Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）構造とし、対向基体に形成された対向基板はパターン無しのベタＩＴＯ膜の構造とする。これは、ＴＦＴ基板内の各画素に対応した色フィルタ層形成の対向基板が形成された対向基体を用いても良いが、重ね合わせ位置精度ばらつきによる色ムラ及び輝度低下、生産性低下などの問題があるために、ＯＣＣＦ構造のＴＦＴ基板が好ましい。
【００８９】
また、８インチφで厚みが０．７ｍｍの低歪点ガラス材（ほうけい酸ガラス、アルミノけい酸ガラスなど）からなる対向基体の全面にＩＴＯ、ＩＺＯ等のパターン無しのベタ透明導電膜を形成し、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様に、ポリイミド、ポリアミドなどの有機系配向膜の形成、液晶配向処理及び必要に応じてＩＰＡ等を用いた洗浄を行なう。
【００９０】
なお、対向基体には必要に応じてブラックマスク基板（画素開口部以外に遮光膜形成した全面ベタ透明導電膜の基板）からなる対向基板（対向ブラックマスク基板とも言う）を用いても良い。
【００９１】
例えば０．５型ＴＦＴ基板に形成された第１の周辺枠２ａの外側に例えばシール幅５００μｍ内に１２００〜１３００μｍ２のシール材３及び少なくとも２箇所以上で約２００μｍの塗布径のコモン材４を塗布し、第２の周辺枠２ｂの内側に所定量の液晶５例えばＴＦＴ基板の表示領域中心に約０．１ｍｇを５回繰り返して約０．５ｍｇ程度の液晶をディスペンス滴下する（図６（ａ）参照。）。
この時に、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様に、図３（Ａ）の（ｂ）で示す様に、ＴＦＴ基体は移動させずに液晶ディスペンサー８とレーザーセンサー９をステップアンドリピート方式で移動させ、所定量の液晶滴下の直後にレーザー照射して反射光の変動でセンシングする、または、レーザーセンサー９及び液晶ディスペンサー８は移動させずに、ＴＦＴ基体をステップアンドリピート方式で移動させて所定量の液晶滴下の直後にレーザー照射して反射光の変動でセンシングして、第２の周辺枠内の液晶滴下有無及び液晶滴下量の適正化を行う方が望ましい。
なお、ＣＣＤで画像を取り込み、液晶の滴下有無及び液晶の滴下量の適正化を判断する方法であっても良い。
このように、例えば液晶ディスペンサーの不具合により液晶滴下無しまたは不足が発生した時に、直後にその不具合を検出して再度液晶滴下して液晶量を最適化させるので、液晶不足による未充填不具合を防止できる。
尚、ここではＴＦＴ基板側にシール材及びコモン材塗布と液晶滴下を行ったが、ＴＦＴ基板側にシール材塗布と液晶滴下を行い、対向基板側にコモン材塗布をしてもよい。
【００９２】
続いて、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様に、所定の真空度（例えば、１〜３Ｐａ）を有する真空貼り合せ装置内でセラミック型またはポリマー型静電チャックステージで静電チャック保持したＴＦＴ基体１０と、同じくセラミック型またはポリマー型静電チャック保持した対向基体１１のＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の位置決めを行って所定の間隙で所定の加圧により重ね合わせた後に、必要に応じて両基板の位置ずれ防止の為に必要に応じて仮止め遮光治具１２を介して所定量のＵＶ照射で仮止めシール硬化を行い、大気圧に戻した直後の均一な大気圧の加圧で貼り合わせを行うことで、シール材中の液晶ギャップ相当のファイバー及び滴下された液晶量、更に本発明の２重の周辺枠及びＯＣＳの作用により高精度に制御された液晶ギャップのＬＣＤパネルを得ることができる。
この時に、本発明の２重の周辺枠がある為に大気圧開放時のシールパス症状がなくなり、ＴＦＴ基体または対向基体の最外周のダミーシール材塗布が不要となる。
またこの時に、ＴＦＴ基体の裏面に成膜された遷移金属シリサイド（ＷＳｉ２、ＭｏＳｉ２、ＴｉＳｉ２等）などの膜を残したままの状態のために、静電チャックを行なったとしてもＴＦＴ素子が静電気ダメージを受けることは無く、高い平坦性を維持したＴＦＴ基体での貼り合せなので液晶ギャップムラ低減が可能となる。
そして、この大気圧または剛体プレス及び大気圧の均一加圧によりコモン材中のミクロパールが押し潰されて対向基板の透明電極とＴＦＴ基板の透明電極が電気的導通する。
更に、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様に、ナトリウムランプを照射してＬＣＤパネルのニュートンリング（干渉縞）による液晶ギャップ検査を行なった後に、必要に応じて加圧修正して所定量のＵＶ照射による本硬化及びベーキングを行ってシール材及びコモン材を完全固着し、熱処理の急冷却で液晶配向させる。
従って、加圧修正可能の為に、予め真空貼り合せ直後の液晶ギャップは規格内で規格センターよりも少し広目に設定しておくのが好ましい。
尚、シール材中のファイバーに加え、多重の周辺枠及びＯＣＳの作用により高精度の液晶ギャップ制御が可能になるので、必要に応じて仮硬化と本硬化を一緒にして一括ＵＶ照射硬化とし、更に抜き取りのニュートンリング（干渉縞）の液晶ギャップ検査を行ってもよい。
【００９３】
次に、図６（ｂ）及び図７で示す様に、レーザー切断用真空吸着治具３３でＴＦＴ基体を固定し、ＴＦＴ基板の外部取り出し電極部の形成領域と外部電極取り出し部の非形成領域の境界領域に対応する領域（図中符合Ａで示す領域）と、対向基体を透過して見えるＴＦＴ基体のスクライブライン領域（図中符合Ｂ、Ｃ示す領域）に沿ってレーザーダイシング、例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍのＵＶパルスレーザー等の固体レーザーまたはＣＯ２レーザー等のガスレーザーまたは前記固体レーザー及び前記ガスレーザーを組み合わせた複合レーザーなどによって対向基体を切断して単個状態の対向基板にしてもよい。この時に、ＴＦＴ基板の外部取り出し電極部の配線にダメージを与えないようにレーザー切り込み条件を適正化する必要がある。
【００９４】
次に、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法と同様にして対向基板及びＴＦＴ基体の裏面光学研磨、画像検査を行った後に、ＬＣＤパネルの対向基板裏面をダイシング用ＵＶテープで固定した状態で石英ガラスからなるＴＦＴ基体の裏面からテープカットレスのブレードダイシング加工を行う。
【００９５】
ここで、対向基板の高さが、あたかもＴＦＴ基体表面のＶカット溝または凹部のダイシングに相当するので、ＴＦＴ基板表面のチッピングの少ないテープカットレスブレードダイシングが実現できる。なお、より一層ＴＦＴ基板表面のチッピングを抑制するためには、ＴＦＴ基体表面のスクライブラインにＶカット溝または凹部を形成し、対向基板裏面をダイシング用ＵＶテープで固定した状態でＴＦＴ基体の裏面からテープカットレスのフルカットダイシング加工を行うと良い。
【００９６】
その後、ＬＣＤパネルのＴＴＦ基板の外部取り出し電極部にフレキシブル基板を異方性導電膜の熱圧着で取り付け、ＴＦＴ基板及び対向基板裏面に偏光板３５を貼り合せると共に、ＴＦＴ基板及び対向基板を樹脂枠３６に取り付け、ＴＦＴ基板及び対向基板と樹脂枠との間をモールド樹脂３７で固着し、画質検査することによって図６（ｃ）で示す様なＥＶＦ用の透過型液晶表示装置を得ることができる。
なお、偏光板の異物欠陥、ゴミ付着等による画質低下を防止するために、ＴＦＴ基板及び対向基板から離れた位置の別の透明支持体に偏光板を貼り合わせてフォーカスをぼかすモジュール構造としても良い。
【００９７】
また、裏面光学研磨した後に画像検査を行い、ＴＦＴ基体内の良品のＬＣＤパネルのＴＦＴ基板及び対向基板裏面のみに保護フィルム付き偏光板を貼り合せた後にＴＦＴ基体をＬＣＤパネル毎にブレードダイシングで分断し、異方性導電膜の熱圧着でＴＦＴ基板にフレキシブル基板を取り付け、ＴＦＴ基板及び対向基板と樹脂枠との間をモールド樹脂で固着し、偏光板の保護フィルムを剥離して画質検査を行なってもよい。
この時に、偏光板に保護フィルムがあるので、ブレードダイシングでの切削水での偏光板ダメージがなく、フレキシブル基板及び樹脂枠取り付け時の偏光板のキズ、汚れ付着防止ができるので、歩留、品質及び生産性が向上する。
【００９８】
［Ｃ］ＴＦＴ基体がシリコン材、対向基板が低歪点ガラス材であるプロジェクタ用反射型ＬＣＤの場合
図８は本発明を適用した電気光学表示装置の更に他の一例であるＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）タイプのプロジェクタ用反射型ＬＣＤの製造方法の工程フローである。
以下、図８に示す工程フローに沿ってＬＣＯＳタイプのプロジェクタ用反射型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【００９９】
本発明を適用したＬＣＯＳタイプのプロジェクタ用反射型ＬＣＤの製造方法では、先ず、８インチφで厚みが０．８ｍｍのシリコンからなるＴＦＴ基体４４に液晶駆動回路、映像信号制御及び処理回路などの周辺回路部及び表示部６などを有するＢＰ（Ｂａｃｋ  Ｐｌａｎｅ）基板とスクライブラインを複数形成し、このＢＰ基板の形成時にＴＦＴ基体の裏面に成膜されたＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等の膜を残したままの状態で、上記プロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法と同様に、ＴＦＴ基体内の各ＢＰ基板３８に汎用のリソグラフィ技術を用いて、感光性樹脂のパターニングを行なって少なくとも２重の周辺枠２、例えば周辺枠幅が５０μｍ、周辺枠間の距離が１００μｍ、液晶ギャップ２．５μｍ相当の高さの２重の周辺枠を形成し、外側に形成された周辺枠を第１の周辺枠２ａ、内側に形成された周辺枠を第２の周辺枠２ｂとする。
また、必要に応じて周辺枠形成と同時に、同じ感光性樹脂によりＢＰ基板の表示領域６と第２の周辺枠との間に複数の液晶ギャップ相当の高さのＯＣＳ７（２〜３μｍφ、液晶ギャップ２．５μｍ相当の高さ）を形成する。
尚、この時に、画質に悪影響を与えない範囲で、表示領域６内の複数の画素開口部周囲に液晶ギャップ相当の高さを有するＯＣＳ７を形成し、液晶ギャップ制御を高めてもよい。
その後に、ＳｉＯｘ等の所定の蒸着角での斜方蒸着膜形成またはＳｉＯｘ等の所定のスパッタリング角での指向性スパッタリング膜形成または所定の角度でアルゴン等でのイオンビーム配向処理したＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）膜形成等の無機系液晶配向膜を形成した後に、必要に応じてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等を用いた有機洗浄を行なう。
尚、ＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜の場合には、ＵＶ照射洗浄、大気圧プラズマ洗浄を単独または有機洗浄と組み合わせの洗浄を行ってもよい。
【０１００】
尚、シリコンのＴＦＴ基体は複数のＢＰ基板及びスクライブラインから構成され、ＢＰ基板は液晶駆動回路、映像信号制御及び処理回路などの周辺回路部、表示部、シール部（コモン部を含む）、外部取り出し電極部などからなり、複数のＴＦＴ素子などのスイッチング素子、アルミニウム、アルミニウムーシリコン合金、銀、銀―ビスマス合金、銀―ビスマスーネオジウム合金などからなる反射画素電極、多層配線、外部取り出し電極部などが形成されている。
【０１０１】
ここで、上記プロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法と同様に、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によってはコモン材中の金メッキ樹脂のミクロパールの圧着によるＳｉＯｘ等の無機系配向膜の貫通が難しいので、ＴＦＴ基体内の各ＢＰ基板のシール部及びコモン部の上部のＳｉＯｘ等の無機系配向膜を例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍのＵＶパルスレーザー或いはエキシマレーザーなどのレーザーエッチングにより除去するのが好ましい。同様に、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によっては、フレキシブル基板の異方性導電膜の熱圧着による電気的接続は難しいので、フレキシブル基板との電気的導通のために外部取り出し電極部の上部のＳｉＯｘ等の無機系配向膜を例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍＵＶパルスレーザー或いはエキシマレーザーのレーザーエッチングにより除去するのが好ましい。
この時は上記プロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法と同様に、図２に示すように、例えばビームスポットサイズ５０〜２００μｍΦでレーザーパワー１０〜１００Ｗ（１０ＫＨｚ）の上記ＵＶパルスレーザーをＸ−Ｙ方向に複数回の往復スキャニング照射して、ＢＰ基板のシール部、コモン部及び外部取り出し電極部の上部の３０〜５０ｎｍ厚のＳｉＯｘ等の無機系配向膜除去を行なう。なお、外部取り出し電極部上のエッチングでは、上記ＵＶパルスレーザーパワー及び往復スキャニング回数などを調整して、外部取り出し電極部がエッチングされない様に注意する必要がある。
しかし、光透過する石英ガラスに比べてシリコンはいろいろな種類のレーザーに対して熱吸収での発熱作用が大きいので、比較的少ないレーザーパワーまたは少ない往復スキャニング回数でＳｉＯｘ等の無機系配向膜のエッチングが出来る。
この時に、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜エッチングと同時に、ＢＰ基板のシール領域のシリコンも少しエッチングされて表面凹凸となるが、シール材との密着性が向上し、シール性が高まる。
尚、必要に応じて、このレーザー溶融したＳｉＯｘ等の無機成分が付着してダスト起因不良とならないように、例えばレーザー照射と同期して真空吸引口を追従させてレーザー溶融したＳｉＯｘ等の無機成分除去するなどのダスト対策が必要である。
尚、コモン部及び外部取り出し電極部の上部のＳｉＯｘ等の無機系配向膜のみを選択的なスポットレーザー照射によりエッチングしてもよい。
【０１０２】
なお、ＢＰ基板のシール材及びコモン材塗布領域及びＢＰ基板の外部取り出し電極部をマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系配向膜が形成されない様にしても良いが、マスキングの場合には、メタルマスクの位置ズレ、ゴミ及びキズ付着、メタルマスク洗浄等の課題がある。
【０１０３】
また、８インチφで厚みが１．１ｍｍのシリコンに近い熱膨張係数を有する低歪点光学ガラス、例えばほうけい酸ガラス、アルミノけい酸ガラスなどからなる対向基体に複数の対向基板及びスクライブラインを形成し、ＳｉＯｘ等の所定の蒸着角での斜方蒸着膜形成またはＳｉＯｘ等の所定のスパッタリング角での指向性スパッタリング膜形成または所定の角度でアルゴン等でのイオンビーム配向処理したＤＬＣ膜形成等の無機系液晶配向膜を形成した後に、必要に応じてＩＰＡ等を用いた有機洗浄を行なう。
尚、ＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜の場合には、ＵＶ照射洗浄、大気圧プラズマ洗浄を単独または有機洗浄と組み合わせの洗浄を行ってもよい。
【０１０４】
なお、対向基体には複数の対向基板及びスクライブラインから構成され、対向基板にはＢＰ基板に対応する全面にＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜が形成されている。
【０１０５】
ここで、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によってはコモン剤中の金メッキ樹脂したミクロパールの圧着によるＳｉＯｘ等の無機系配向膜の貫通が難しいので、対向基体内の各対向基板のシール部及びコモン部の上部のＳｉＯｘ等の無機系配向膜を例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍＵＶパルスレーザーのレーザーエッチングにより除去するのが好ましい。
この時も上記プロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法と同様に、図２のように例えばビームスポットサイズ５０〜２００μｍΦでレーザーパワー１０〜１００Ｗ（１０ＫＨｚ）のＵＶパルスレーザーをＸ−Ｙ方向に複数回のスキャニング照射して、対向基板のＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜のシール部、コモン部の上部の例えば３０〜５０ｎｍ厚のＳｉＯｘ等の無機系配向膜のエッチング除去を行なう。
尚、ＢＰ基板及び対向基板に形成したＳｉＯｘ斜方蒸着膜はガラス系基体に比べ粗な粒径で低密度であり気密性が低いので、上記のＵＶパルスレーザーなどでコモン部のみならずシール部の上部のＳｉＯｘ斜方蒸着膜も同時にレーザーエッチングすると、シール性が高まり、品質及び信頼性が向上するので好ましい。
尚、コモン部の上部のＳｉＯｘ等の無機系配向膜のみを選択的なスポットレーザー照射によりエッチングしてもよい。
【０１０６】
なお、対向基板のシール及びコモン材塗布領域にマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系配向膜が形成されない様にしても良いが、マスキングの場合には、メタルマスクの位置ズレ、ゴミ及びキズ付着、メタルマスク洗浄等の課題がある。
【０１０７】
次に、例えば０．７９型ＢＰ基板に形成された第１の周辺枠２ａの外側のシール幅５００μｍ内にシール材３及びコモン材４をディスペンス塗布し、その内側に形成された第２の周辺枠２ｂの内側に所定量の液晶５をディスペンス滴下する（図９（Ａ）の（ａ）参照。）。
ここで、滴下する液晶量はＢＰ基板内の表示領域中心付近に約０．１ｍｇを８回繰り返えして約０．８ｍｇ程度の液晶をディスペンス滴下させ、その高さが第２の周辺枠２ｂよりも表面張力で少し盛り上がる程度の液晶量として液晶不足とならない様にする必要がある。
同様に、塗布するシール材はシール幅５００μｍ内のセンター付近に１５００〜１６００μｍ２程度をディスペンス塗布し，塗布するコモン材は少なくとも２箇所以上で約２００μｍの塗布径をディスペンス塗布するが、いずれも第１の周辺枠２ａを飛び越えて第２の周辺枠２ｂ内部に流動しない様にする必要がある。
また、図３（Ａ）の（ｂ）で示す様に、ＴＦＴ基体は移動させずに液晶ディスペンサー８とレーザーセンサー９をステップアンドリピート方式で移動させ、所定量の液晶滴下の直後にレーザー照射して反射光の変動でセンシングする、または、レーザーセンサー９及び液晶ディスペンサー８は移動させずに、ＴＦＴ基体をステップアンドリピート方式で移動させて所定量の液晶滴下の直後にレーザー照射して反射光の変動でセンシングして、第２の周辺枠内の液晶滴下有無及び液晶滴下量の適正化を行う方が望ましい。
尚、ＣＣＤで画像を取り込み、液晶の滴下有無及び液晶の滴下量の適正化を判断する方法であっても良い。
このように、例えば液晶ディスペンサーの不具合により液晶滴下無しまたは不足が発生した時に、直後にその不具合を検出して再度液晶滴下して液晶量を最適化させるので、液晶不足による未充填不具合を防止できる。
尚、ここではＴＦＴ基板側にシール材及びコモン材塗布と液晶滴下を行ったが、ＴＦＴ基板側にシール材塗布と液晶滴下を行い、対向基板側にコモン材塗布をしてもよい。
【０１０８】
続いて、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様に、所定の真空度（例えば、１〜３Ｐａ）を有する真空貼り合せ装置内でセラミック型またはポリマー型静電チャックステージで静電チャック保持したＴＦＴ基体と、同じくセラミック型またはポリマー型静電チャック保持した対向基体のＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の位置決めを行って所定の間隙で所定の加圧により重ね合わせた後に、必要に応じて両基板の位置ずれ防止の為に、必要に応じて仮止め遮光治具１２を介して所定量のＵＶ照射で仮止めシール硬化を行い、大気圧に戻した直後の均一な大気圧の加圧で貼り合わせを行うことで、シール材中の液晶ギャップ相当のファイバー及び滴下された液晶量、更に本発明の２重の周辺枠及びＯＣＳの作用により高精度に制御された液晶ギャップのＬＣＤパネルを得ることができる。
この時に、本発明の２重の周辺枠がある為に大気圧開放時のシールパス症状がなくなり、ＴＦＴ基体または対向基体の最外周のダミーシール材塗布が不要となる。
またこの時に、ＴＦＴ基体裏面にＢＰ基板形成時に成膜されたＳｉＯ２、ＳｉＮx等の膜を残したままの状態で重ね合わせするために、静電チャックを行なったとしてもシリコンからなるＢＰ基板のＴＦＴ素子が静電気ダメージを受けることは無く、高い平坦性を維持した状態のＴＦＴ基体での貼り合せなので液晶ギャップムラ低減が可能となる。
そして、この大気圧または剛体プレス及び大気圧の加圧によりコモン材中のミクロパールが押し潰されて対向基板の透明電極とＢＰ基板の電極が電気的導通する。
更に、ナトリウムランプを照射してＬＣＤパネルのニュートンリング（干渉縞）で液晶ギャップ検査を行ない、必要に応じて加圧修正を行った後に所定量のＵＶ照射でシール材及びコモン材の本硬化を行い、更にベーキングを行ってシール材及びコモン材を完全固着し、熱処理で液晶配向させる。
従って、加圧修正可能の為に、予め真空貼り合せ直後の液晶ギャップは規格内で規格センターよりも少し広目に設定しておくのが好ましい。
尚、シール材中のファイバー及び滴下された液晶量に加え、多重の周辺枠及びＯＣＳの作用により高精度な液晶ギャップ制御が可能になるので、その品質仕様に応じて仮硬化と本硬化を一緒にして一括ＵＶ照射硬化とし、更に抜き取りのニュートンリング（干渉縞）の液晶ギャップ検査を行ってもよい。
【０１０９】
次に、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様に、支持ステージ１５でＴＦＴ基体を真空吸着支持し、外部取り出し電極部の配線をキズつけないように、ブレードダイシングでＢＰ基板の外部取り出し電極部の形成領域と外部取り出し電極部の非形成領域の境界領域に対応する領域（図中符合Ａで示す領域）を５０〜１００μｍが残存する対向基体のディープカットダイシングを行い、それ以外のＢＰ基板のスクライブライン領域（図中符合Ｂ、Ｃで示す領域）はＴＦＴ基体に２００〜３００μｍの切り込み凹部形成する対向基体のフルカットダイシングを行なった後に、ディープカットダイシングを行った部分に衝撃を与えて端材除去を行い、対向基体を対向基板毎に分断する（図９（Ａ）の（ｂ）参照。）。
【０１１０】
或いは、図１０（ａ）で示す様に、ダイシング用真空吸着治具でＴＦＴ基体を固定した状態で、外部取り出し電極部の配線をキズつけないように、例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍのＵＶパルスレーザーでＢＰ基板の外部取り出し電極部の形成領域と外部取り出し電極部の非形成領域の境界領域に対応する領域（図中符合Ａで示す領域）を５０〜１００μｍが残存する対向基体のディープカットダイシングを行い、それ以外のＢＰ基板のスクライブライン領域（図中符合Ｂ、Ｃ示す領域）はＴＦＴ基体に２００〜３００μｍの切込み凹部形成の対向基体のフルカットダイシングを行なった後に、ディープカットダイシングを行った部分に衝撃を与えて端材除去を行い、対向基体を対向基板毎に分断する。
【０１１１】
尚、上記のＥＶＦ用透過型ＬＣＤの図６（ｂ）及び図７で示す様に、レーザー切断用真空吸着治具でＴＦＴ基体を固定し、ＢＰ基板の外部取り出し電極部の形成領域と外部電極取り出し部の非形成領域の境界領域に対応する領域（図中符合Ａで示す領域）と、対向基体を透過して見えるＴＦＴ基体のスクライブライン領域（図中符合Ｂ、Ｃ示す領域）に沿って、ＹＡＧレーザー等の固体レーザーまたはＣＯ２レーザー等のガスレーザーまたは固体レーザー及びガスレーザーを組み合わせた複合レーザーなどによって対向基体を切断して単個状態の対向基板にしてもよい。この時に、外部取り出し電極部の配線にダメージを与えないようにレーザー切り込み条件を適正化する必要がある。
【０１１２】
続いて、図９（Ｂ）の（ｃ）で示す様に、図中Ｄで示す酸化セリウムなどの超微粉末を含む研磨剤を供給しながら、研磨バフ材１６によって少なくとも対向基板の裏面を例えば１０μｍ程度を光学研磨し、配向膜形成及び配向処理時のキズ、汚れ、ダイシング時のキズ、汚れ、更にはハンドリングキズを除去する。
尚、透過型ＬＣＤと違って反射型ＬＣＤでは、ＢＰ基板形成時のＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等の膜、配向膜形成及び配向処理のキズ、汚れ、更にハンドリングキズは存在しても画像、画質には無関係なので、ＴＦＴ基体裏面の光学研磨は必ずしも必要ではない。
【０１１３】
ここで、光学裏面研磨の際には液晶ギャップに悪影響を及ぼさない様に、加圧調整する必要がある。また、対向基体の裏面に保護テープを貼り合わせた状態で液晶滴下・真空貼り合せを行うなどのキズ、ゴミ対策を行なった場合には、対向基板裏面の光学研磨は不要である。
【０１１４】
続いて、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様にして、画像検査、保護ガラスチップ貼り合わせ（対向基板側のみ）、ＴＦＴ基体の切断を行なった後に、ＢＰ基板及び対向基板を金属枠に取り付け、ＢＰ基板及び対向基板と金属枠との間を、高熱伝導性モールド樹脂で固着する。その後、見切り板の取り付け、画質検査を行なうことによって図９（Ｂ）の（ｄ）で示す様なＬＣＯＳタイプのプロジェクタ用反射型液晶表示装置を得ることができる。
【０１１５】
プロジェクタ用反射型ＬＣＤの場合は、入射側の反射防止膜形成の防塵ガラス材として、光学特性を満足する熱伝導率が１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、ほうけい酸／アルミノけい酸ガラス（例えばコーニング製＃１７３７及びイーグル２０００、ＨＯＹＡ製ＮＡ−３５及びＮＡ−３２など）、更に高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛透光性酸化物結晶体の電融ＭｇＯ（立方晶、等軸六方晶）、焼結ＭｇＯ（立方晶）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、単結晶サファイア（六方晶）、ＢｅＯ（ベリリア）、ＺｒＯ２（ジルコニア）、多結晶サファイアなど、或いは透光性複酸化物結晶体の単結晶又は多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶又は多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、ＺｒＳｉＯ４など｝、フッ化物単結晶体｛フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）など｝、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体及び透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めることが出来る。
尚、反射型ＬＣＤには複屈折のない防塵ガラスが好ましい。
【０１１６】
たとえば、入射側より反射防止膜形成した単結晶又は多結晶ＹＡＧの防塵ガラスとシリコンの熱膨張係数に近い低歪み光学ガラス例えば上記のほうけい酸／アルミノけい酸ガラスの対向基板と液晶層とシリコンのＢＰ基板と金属枠の構造とし、反射防止膜形成した単結晶又は多結晶ＹＡＧの防塵ガラスとほうけい酸／アルミノけい酸ガラスの対向基板を耐光性の低歪み透明接着剤で貼り合わせ、且つシリコンのＢＰ基板と金属枠を低歪み高熱伝導性及び導電性接着剤で貼り合わせることで高い熱放散効果を期待できる。
尚、これらの防塵ガラスの少なくとも一方の表面には、ＳｉＯ２膜、ＴｉＯ２膜、ＺｒＯ２膜、ＭｇＦ２膜等の屈折率の異なる薄膜を１／４波長厚（０．１〜０．３μｍ）の厚みとして積層することにより反射防止膜を形成し、この反射防止膜の反射率は０．８％以下（波長４５０〜６３０ｎｍ範囲）が好ましい。
【０１１７】
ところで、上記の本実施例では、個片化した保護ガラスチップを対向基板に貼り合せる場合を例に挙げて説明を行ったが、図１０（ｂ）のように、対向基板の分断または裏面光学研磨を行った後に、所定量のＵＶ接着剤をディスペンス塗布した対向基板裏面に保護ガラス大板（１）５０を重ね合わせ、所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）でＵＶ接着剤を脱泡した後に大気圧に戻す直前または直後に均一な大気圧の加圧を加えてＵＶ照射硬化して貼り合わせを行い、その後に保護ガラス大板（１）５０をレーザーダイシングして保護ガラスチップが貼り合わせられた対向基板と、更にＴＦＴ基体をレーザーダイシングして形成したＢＰ基板からなるＬＣＯＳの反射型ＬＣＤパネルを形成しても良い。
具体的には、対向基板と同じ寸法に保護ガラス大板（１）の領域（図中符合ＸとＹとＺで示す領域）を例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍのＵＶパルスレーザーでフルカットダイシングを行って保護ガラスチップを貼り合せた対向基板を形成し、連続してＴＦＴ基体のスクライブライン領域（図中符合ＹとＺで示す領域）を上記のレーザーでフルカットダイシングを行なってＢＰ基板を形成し、保護ガラスチップが貼り合わせられた対向基板とＢＰ基板からなるＬＣＯＳの反射型ＬＣＤパネルを形成しても良い。
【０１１８】
更に、上記の実施例では対向基板に保護ガラス大板を貼り合せたが、対向基体の厚さ１．０ｍｍと保護ガラスの厚さ１．０ｍｍを加算した２．０ｍｍ厚さの対向基体を用いることによって、対向基板の保護ガラスの貼り合わせ作業は不要となる。この場合には、対向基体の片面にはＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜を形成し、他方の面に低反射膜を形成しておき、透明導電膜を形成した側の面にＳｉＯｘ等の無機系配向膜を形成することとなる。
この場合には対向基体裏面に低反射膜形成されているので対向基板の裏面研磨は不可であり、キズ、汚れ防止の為に低反射膜形成面に保護テープを貼り合せて液晶滴下・真空重ね合わせ及び分断するのが好ましい。
この場合にはＢＰ基板の外部取り出し電極部の形成領域と外部電極取り出し部の非形成領域の境界領域に対応する領域の対向基体を、例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍＵＶパルスレーザーダイシングで５０〜１００μｍ残しのディープカットダイシングを行い、更に対向基体を透過して見えるＢＰ基板のスクライブライン領域に沿って、例えば波長１０６４ｎｍＹＡＧレーザーの第３高調波変調である波長３５５ｎｍＵＶパルスレーザーで対向基体とＴＦＴ基体をフルカットダイシングし、ディープカットダイシングを行った部分に衝撃を与えて端材除去を行い、対向基体を対向基板毎に分断して保護ガラス兼対向基板とＢＰ基板からなるＬＣＯＳのＬＣＤパネルを形成してもよい。
【０１１９】
上記した［Ａ］、［Ｂ］及び［Ｃ］に記載の本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法では、周辺枠を２重にすることで、図１１（ａ）で示す様に、第１の周辺枠と第２の周辺枠の間にはオーバーフローした液晶とオーバーフローしたシール材の混在部３９が形成され、シール材及びコモン材３の液晶汚染の悪影響が第２の周辺枠の内側の液晶５に及ばないので、光抜けなどの液晶動作不具合が発生しない。
【０１２０】
なお、上記した実施例では２重の周辺枠を形成する場合を例に挙げて説明を行ったが、例えば図１１（ｂ）で示す様に４重の周辺枠を形成し（例えば、周辺枠幅が５０μｍ、周辺枠間の距離が５０μｍ、液晶ギャップ２．５μｍ相当の周辺枠高さの４重の周辺枠を形成し）、最も外側に形成された第１の周辺枠２ａの外側に例えばシール幅５００μｍ内にシール材及びコモン材３を塗布し、最も内側に形成された第２の周辺枠２ｂの内側に所定量の液晶をディスペンス滴下した場合には、第１の周辺枠と外側から２番目の第３の周辺枠２ｃの間にはオーバーフローしたシール材層４０が形成され、第２の周辺枠と内側から２番目の第４の周辺枠２ｄの間にはオーバーフローした液晶層４１が形成され、第３の周辺枠と第４の周辺枠の間には真空層または液晶とシール材の混合層４２が形成されることになるので、上記の２重の周辺枠に比べてシール材及びコモン材３の液晶汚染の悪影響が第２の周辺枠の内側の液晶に更に及ばないので、２重の周辺枠を形成した場合よりも点欠陥、焼き付き、光抜け、応答性低下等の液晶動作不具合が発生しない。
ここで、ＴＦＴ基板或いはＢＰ基板と対向基板の間をシール材のみならずストッパーである多重の周辺枠を形成しているので、外部からの水分浸入や液晶汚染等の問題を抑制することができる。この時に、周辺枠を６重、８重、１０重と多重にすればするほど液晶とシール材の混合を抑制でき、外部からの水分浸入や液晶汚染等の問題を抑制することができる。
尚、上記した実施例ではＴＦＴ基板或いはＢＰ基板側に多重の周辺枠形成し、その最も外側の周辺枠の外側にシール材及びコモン材塗布と最も内側の周辺枠の内側に液晶滴下を行い、またはＴＦＴ基板或いはＢＰ基板側に多重の周辺枠形成し、その最も外側の周辺枠の外側にシール材塗布と最も内側の周辺枠の内側に液晶滴下を行い対向基板側にコモン材塗布し、真空貼り合せ装置内でＴＦＴ基板或いはＢＰ基板側と対向基板側を貼り合せする方法であるが、逆に、対向基板側に多重の周辺枠形成し、その最も外側の周辺枠の外側にシール材及びコモン材塗布と最も内側の周辺枠の内側に液晶滴下を行い、または対向基板側に多重の周辺枠形成し、その最も外側の周辺枠の外側にシール材塗布と最も内側の周辺枠の内側に液晶滴下を行いＴＦＴ基板或いはＢＰ基板側にコモン材塗布し、真空貼り合せ装置内で対向基板側とＴＦＴ基板或いはＢＰ基板側を貼り合せする方法でもよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法の工程フローである。
【図２】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるＳｉＯｘ等の無機系配向膜のレーザーエッチングを説明するための模式図である。
【図３（Ａ）】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法を説明するための模式図（１）である。
【図３（Ｂ）】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法を説明するための模式図（２）である。
【図３（Ｃ）】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法を説明するための模式図（３）である。
【図３（Ｄ）】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法を説明するための模式図（４）である。
【図４】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法の変形例を説明するための模式的な断面図である。
【図５】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の他の一例であるＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法の工程フローである。
【図６】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の他の一例であるＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法を説明するための模式図である。
【図７】レーザー切断を説明するための模式図である。
【図８】本発明を適用した電気光学表示装置の更に他の一例であるＬＣＯＳタイプのプロジェクタ用反射型ＬＣＤの製造方法の工程フローである。
【図９（Ａ）】本発明を適用した電気光学表示装置の更に他の一例であるＬＣＯＳタイプのプロジェクタ用反射型ＬＣＤの製造方法を説明するための模式図（１）である。
【図９（Ｂ）】本発明を適用した電気光学表示装置の更に他の一例であるＬＣＯＳタイプのプロジェクタ用反射型ＬＣＤの製造方法を説明するための模式図（２）である。
【図１０】レーザー切断を説明するための模式図である。
【図１１】本発明を適用した電気光学表示装置の多重の周辺枠効果を説明するための模式的な断面図である。
【図１２】面面液晶組立ての例を順に説明するフローチャートである。
【図１３】単個液晶組立ての例を順に説明するフローチャートである。
【図１４】面単液晶組立ての例を順に説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【０１２２】
１    ＴＦＴ基板（石英）
２    周辺枠
２ａ    第１の周辺枠
２ｂ    第２の周辺枠
２ｃ    第３の周辺枠
２ｄ    第４の周辺枠
３    シール材
４    コモン材
５    液晶
６    表示領域
７    ＯＣＳ
８    液晶ディスペンサー
９    レーザーセンサー
１０    ＴＦＴ基体（石英）
１１    対向基体（石英）
１２    仮止め遮光治具
１３    液晶ギャップ検査用真空吸着ステージ
１４    ＮＲ検査機
１５    真空吸着支持ステージ
１６    研磨バフ材
１７    ＴＦＴ形成膜（またはＢＰ形成膜）
１８    画像検査用基体支持治具
１９    照明筒
２０    画像検査機
２１    入射光
２２    出射光
２３    透明保護テープ
２４    保護ガラスチップ
２６    中空型真空吸着コレット
２７    ダイシングテープ
２８    ダイシング用真空吸着治具
２９    フレキシブル基板
３０    金属枠
３１    高熱伝導性モールド樹脂
３２    見切り板
３３    レーザー切断用真空吸着治具
３５    偏光板
３６    樹脂枠
３７    モールド樹脂
３８    ＢＰ基板（シリコン）
３９    オーバーフローした液晶とオーバーフローしたシール材の混在部
４０    オーバーフローしたシール材層
４１    オーバーフローした液晶層
４２    真空層または液晶とシール材の混合層
４３    静電チャックステージ
４４    ＴＦＴ基体（シリコン）
４５    対向基体（低歪点ガラス）
５０    保護ガラス大板（１）
５１    保護ガラス大板（２）
【図１】
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【図２】
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【図３（Ａ）】
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【図３（Ｂ）】
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【図３（Ｃ）】
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【図３（Ｄ）】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９（Ａ）】
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【図９（Ｂ）】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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