【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子アセンブリを構成する方法であって、
パッケージ基板と半導体チップを有し、前記パッケージ基板上に集積回路を搭載し、少なくとも伝導部材の一部分が前記半導体チップの前記と反対側に配置され、前記物質が前記半導体チップと前記伝導部材の部分との間に配置されるよう、熱的な伝導部材とインジウムを含む物質とを互いに対して選択された方向に配置するステップと、
前記熱的な伝導部材と前記物質と前記半導体パッケージが互いに対して選択された方向に配置されている一方で、前記物質を溶解点まで加熱するステップと、
前記物質が前記半導体チップと前記前記物質の熱結合を提供した後、前記物質が凝固するように溶解点より低い温度まで冷却するステップと、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】  前記物質が、前記物質の一方の側で前記半導体チップと接触することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記物質が、前記物質の反対側で前記伝導部材の部分と接触することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記物質が、２つの部品間で短絡を引き起こすことなく、前記半導体パッケージの２つの部品を接触することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記物質１５０℃より低い溶融点を有し、その溶融点より高いが、前記集積回路の破壊を引き起こす温度より低い温度まで加熱されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記伝導部材が凹部を有する蓋を有し、前記物質が、前記凹部に配置される材料の第１のシートであり、前記方法が、前記第１のシートを溶融させるために、前記凹部の前記第１のシートを加熱することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記蓋が、前記合金が溶融されるために加熱されたとき、前記合金と反応する熱的な導電材料であり、前記合金と前記蓋の材料との間で反応し、前記合金内にボイドを結果として生じ、
前記方法が、前記物質の部分から少なくともいくつかのボイドを取り除くことをさらに含み、前記物質の一部分が、前記蓋および前記半導体パッケージが選択された方向に配置されたとき、前記半導体チップと前記蓋の部分との間に位置することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記蓋の前記材料と反応したときの前記合金が、前記蓋の前記材料と反応したときの純粋なインジウムによって作られるボイドよりも少ないボイドを作ることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記蓋の前記熱的な伝導材料が銅であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  前記ボイドが、前記物質の部分から外にもみ動かされることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】  前記ボイドが、前記物質の部分の外に前記ボイドを動かす力を作る流体のジェットによって外にもみ動かされることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  前記物質を覆って材料の第２のシートを配置すること、および
前記物質を前記物質の溶融点を超える温度に加熱することをさらに含み、前記物質を溶融させるが、前記物質の第２のシートの溶融点より低い温度で、前記材料の第２のシートは変わらないままで前記物質を溶融し、流体のジェットを前記第２のシート上に当て、前記第２のシートが、前記流体のジェットによって前記溶融した物質がはねることを防ぐことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記第２のシートの材料がインジウムを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記ボイドが外にもみ動かされた後に前記物質を冷却し、前記物質が前記物質の溶融点より低い温度に冷却されること、
前記半導体チップに隣接して前記物質を配置すること、および
前記物質を前記物質の溶融点より高く加熱し、前記半導体チップを覆って前記物質のリフローを引き起こすことをさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  インジウムを含む第３のシートを、前記半導体チップを覆って配置することをさらに含み、前記第３のシートおよび前記物質が、それらの溶融点より高い温度に同時に加熱され、前記第３のシートが、前記半導体チップに適切に熱的に結合するための濡れ層として作用することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  （ｉ）パッケージ基板、および集積回路が形成され、前記パッケージ基板に搭載された半導体チップを含む半導体パッケージと、
（ii）凹部を有する、熱的な伝導材料の蓋と、
（iii)第１の合金の第１のシートと
から、電子アセンブリを構成する方法であって、
前記凹部内に前記第１のシートを配置すること、
前記第１のシートを、前記第１の合金を柔らかくするために、その溶融点より高い温度に加熱し、前記第１の合金を前記蓋の材料と反応させ、前記第１の合金内にボイドを生じさせること、
インジウムを含みかつ前記第１の合金より高い溶融点を有する材料の第２のシートを前記第１の合金上に配置すること、
前記第２のシートと前記第１の合金が、第１の合金の溶融点と前記第２の合金の溶融点との間の温度にある状態で流体のジェットを前記第２のシートへ向け、、前記第２のシートが前記流体のジェットによる前記第１の合金がはねることを防ぎ、前記流体のジェットが前記第１の合金の少なくとも一部へボイドをもみ出すこと、
前記半導体チップが前記凹部に隣接させるように、前記蓋と前記半導体パッケージを選択された方向に配置しすること、
前記第２のシートと前記第１の合金を前記第２のシートの溶融点より高い温度に加熱させ、前記半導体チップの上で前記第２のシートと前記第１の合金のリフローさせること
を含み、前記第２のシートと前記第１の合金が、前記半導体チップと前記蓋との間に配置された前記第１の合金の部分によって前記蓋と前記半導体チップとの間の熱的結合を行うことを特徴とする方法。
【請求項１７】  前記合金がインジウムを含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  電子アセンブリを構成する方法であって、
インジウムを含む第１の合金を熱的伝導性のある蓋の凹部に挿入するステップと、
前記第１の合金が溶解点まで加熱される、熱的伝導性のある前記蓋が第１の合金と反応を起こして前記合金と蓋の物質との間にボイドを発生する、第１凹部にある前記第１の合金を溶解するために加熱するステップと、
前記物質の一部から少なくともある程度のボイドを取り除くステップと、
パッケージ基板上に搭載された集積回路を有し、前記第１の合金が前記半導体チップにの隣接し、半導体チップと前記蓋の間に配置されが状態に配置するステップと、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項１９】  前記合金が、純粋なインジウムと反応して発生させるボイドより少ないボイドを前記蓋の部材と反応して発生させることを特徴とする前記請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  前記蓋の熱的な伝導部材は銅であることを特徴とする前記請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】  前記ボイドは、前記物質部分の外にもみ動かされることを特徴とする前記請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】  前記ボイドは、前記物質部分の外にボイドを動かす力を持ったジェット流動体によって外にもみ動かされることを特徴とする前記請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】  前記請求項１８に記載の方法はさらに、
前記物質上に第２のシート部材を配置するステップと、
前記第２のシートを維持したまま前記物質を溶解するため、前記第２のシートの溶解点よりは低い温度で且つ前記物質が溶解するまで加熱するステップとを有し、前記ジェット流動体の力が第２のシートに伝達され、前記ジェット流動体により溶解した前記物質がはねることを防ぐことを特徴とする方法。
【請求項２４】  前記第２のシート部材はインジウムを含むことを特徴とする前記請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】  また、前記請求項１８に記載の方法はさらに、
前記ボイドが外にもみ動かされた後、溶解点より低い温度まで前記物質を冷却するステップと、
前記物質を前記半導体チップと隣接するように配置するステップと、
前記物質を前記半導体チップよりリフローさせるために、前記物質を溶解点より高い温度に加熱するステップと
から構成される方法。