【手続補正書】
【提出日】平成19年2月19日(2007.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）エポキシ樹脂と、
ｂ）前記エポキシ樹脂用硬化剤と、
ｃ）前記エポキシ樹脂と前記硬化剤の反応を促進させる触媒とを含み、
前記触媒がエチルトリフェニルホスホニウム酢酸塩を含む半導体用の成型組成物。
【請求項２】
前記エポキシ樹脂が、組成物の全重量に対して約１〜約２５重量％の量で存在する請求項１に記載の成型組成物。
【請求項３】
前記硬化剤が、組成物の全重量に対して約１〜約１０重量％の量で存在する請求項１に記載の成型組成物。
【請求項４】
前記触媒が、組成物が少なくとも１３５℃の温度に加熱されたときにエポキシ樹脂と硬化剤の架橋結合を触媒的にもたらすのに少なくとも十分な量で存在する請求項１に記載の成型組成物。
【請求項５】
前記触媒が、さらに第三級アミンを含む請求項１に記載の成型組成物。
【請求項６】
前記触媒が、さらに１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）を含む請求項１に記載の成型組成物。
【請求項７】
さらに難燃剤化合物を含む請求項１に記載の成型組成物。
【請求項８】
前記難燃剤化合物が、シアヌレート官能基を有する化合物である請求項７に記載の成型組成物。
【請求項９】
前記シアヌレート官能基を有する化合物がシアヌル酸メラミンである請求項８に記載の成型組成物。
【請求項１０】
前記シアヌル酸メラミンが、組成物の全重量に対して約３．０重量％未満の量で存在する請求項９に記載の成型組成物。
【請求項１１】
さらに無機充填剤成分を含む請求項１に記載の成型組成物。
【請求項１２】
前記無機充填剤成分が、シリカ、アルミナ、アルミノケイ酸塩、アルミニウム三水和物、窒化ケイ素、粘土、タルク、マイカ、カオリン、炭酸カルシウム、ウォラストナイト、モンモリロナイト、スメクタイト、およびこれらの組合せからなる群から選択される請求項１１に記載の成型組成物。
【請求項１３】
前記エポキシ樹脂が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、グリシジル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、シクロペンタジエン含有エポキシ樹脂、多官能性エポキシ樹脂、およびこれらの組合せからなる群から選択される請求項１に記載の成型組成物。
【請求項１４】
前記硬化剤が、フェノールノボラック型硬化剤、クレゾールノボラック型硬化剤、ジシクロペンタジエンフェノール型硬化剤、リモネン型硬化剤、柔軟性硬化剤、酸無水物、およびこれらの組合せからなる群から選択される請求項１に記載の成型組成物。
【請求項１５】
前記硬化剤が、約１５０より大きいヒドロキシル当量を有する柔軟性硬化剤を含む請求項１に記載の成型組成物。
【請求項１６】
前記エポキシ樹脂が、フェノールから誘導される少なくとも３の分岐度を有する多官能性エポキシ樹脂であり、架橋剤が、フェノールから誘導される少なくとも３の分岐度を有する請求項１に記載の組成物。
【請求項１７】
前記エポキシ樹脂が、トリフェニロールメタントリグリシジルエーテルエポキシ樹脂を含み、前記架橋剤が、トリスフェノールメタンから誘導されるフェノール系硬化剤を含む請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
ａ）エポキシ樹脂と、
ｂ）前記エポキシ樹脂用硬化剤と、
ｃ）第四級有機ホスホニウム塩と、
ｄ）シアヌレート官能性化合物を含む難燃剤化合物と
を含む組成物。
【請求項１９】
前記化合物（ｃ）が、組成物を少なくとも１３５℃の温度に加熱したときに成分（ａ）と（ｂ）の架橋結合を触媒的にもたらすのに少なくとも十分な量で存在する請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
前記第四級有機ホスホニウム塩（ｃ）が、エチルトリフェニルホスホニウム酢酸塩である請求項１８に記載の組成物。
【請求項２１】
前記シアヌレート官能性化合物が、シアヌル酸メラミンである請求項１８に記載の組成物。
【請求項２２】
前記シアヌル酸メラミンが、組成物全重量に対して約３．０重量％未満の量で存在する請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
さらに無機充填剤成分を含む請求項１８に記載の組成物。
【請求項２４】
前記エポキシ樹脂（ａ）が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、グリシジル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、シクロペンタジエン含有エポキシ樹脂、多官能性エポキシ樹脂、およびこれらの組合せからなる群から選択される請求項１８に記載の組成物。
【請求項２５】
前記硬化剤（ｂ）が、フェノールノボラック型硬化剤、クレゾールノボラック型硬化剤、ジシクロペンタジエンフェノール型硬化剤、リモネン型硬化剤、柔軟性硬化剤、酸無水物、およびこれらの組合せからなる群から選択される請求項１８に記載の組成物。
【請求項２６】
前記第四級有機ホスホニウム塩（ｃ）が、硬化後の組成物に、第四級有機ホスホニウム塩を含まない同様の組成物と比べて、改善された難燃性をもたらすのに少なくとも十分な量で存在する請求項１８に記載の組成物。
【請求項２７】
前記硬化剤（ｂ）が、約１５０より大きいヒドロキシル当量を有する柔軟性硬化剤を含む請求項１８に記載の組成物。
【請求項２８】
請求項１８に記載の組成物の反応生成物を含む半導体デバイス用封止剤。
【請求項２９】
ａ）組成物の全重量に対して約２０％〜約９０％の無機充填剤成分と、
ｂ）組成物の全重量に対して約１重量％〜約２５重量％のエポキシド官能基含有樹脂と、
ｃ）組成物の全重量に対して約１重量％〜約１０重量％の、エポキシド基に対して反応性のある官能基を含む架橋剤と、
ｄ）組成物の全重量に対して約０．１重量％〜約１重量％の第四級有機ホスホニウム塩と、
ｅ）組成物の全重量に対して約３重量％未満のシアヌレート官能性化合物と
を含む成型組成物。
【請求項３０】
前記第四級有機ホスホニウム塩が、エチルトリフェニルホスホニウム酢酸塩である請求項２９に記載の成型組成物。
【請求項３１】
前記シアヌレート官能性化合物が、シアヌル酸メラミンである請求項２９に記載の成型組成物。
【請求項３２】
ａ）組成物の全重量に対して約２０％〜約９０％の無機充填剤成分と、
ｂ）組成物の全重量に対して約１重量％〜約２５重量％の、フェノールから誘導され少なくとも３の分岐度を有する多官能性エポキシ樹脂と、
ｃ）組成物の全重量に対して約１重量％〜約１０重量％の、フェノールから誘導され少なくとも３の分岐度を有する多官能性フェノール系硬化剤と、
ｄ）組成物の全重量に対して約０．１重量％〜約１重量％の第四級有機ホスホニウム塩と
を含む成型組成物。
【請求項３３】
前記第四級有機ホスホニウム塩が、エチルトリフェニルホスホニウム酢酸塩である請求項３２に記載の成型組成物。
【請求項３４】
さらに難燃成分を含む請求項３２に記載の成型組成物。
【請求項３５】
前記難燃剤が、シアヌル酸メラミンである請求項３４に記載の成型組成物。
【請求項３６】
さらにエポキシ樹脂ｂ）と硬化剤ｃ）の反応を促進させる触媒化合物を含み、この触媒化合物が前記第四級有機ホスホニウム塩ｄ）とは異なる請求項３２に記載の成型組成物。
【請求項３７】
前記触媒化合物が、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）を含む請求項３６に記載の成型組成物。
【請求項３８】
エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の架橋剤と、シアヌレート官能基を有する化合物と、第四級有機ホスホニウム塩とを含むエポキシ成型組成物を準備すること、ならびに
ホスホニウム官能基を有する酢酸エステル化合物がエポキシ樹脂と架橋剤との架橋反応を触媒的にもたらす温度までこのエポキシ成型組成物を加熱すること
を含む難燃性ポリマー組成物を提供する方法。
【請求項３９】
前記シアヌレート官能基を有する化合物がシアヌル酸メラミンである請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記第四級有機ホスホニウム塩が、エチルトリフェニルホスホニウム酢酸塩である請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
前記第四級有機ホスホニウム塩が、組成物の全重量に対して約０．１〜約１重量％の量で成型組成物中に加えられる請求項３８に記載の方法。
【請求項４２】
前記温度が、約１３５℃〜約１９５℃の範囲である請求項３８に記載の方法。
【請求項４３】
エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の架橋剤と、第四級有機ホスホニウム塩を含む触媒とを含む成型組成物でデバイスを封止する工程を含む、電気または電子デバイス中のゲートリークを減少させる方法。
【請求項４４】
前記第四級有機ホスホニウム塩が、エチルトリフェニルホスホニウム酢酸塩である請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記触媒が、さらに第三級アミンを含む請求項４３に記載の方法。
【請求項４６】
前記触媒が、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）を含む請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
封止工程が、
ａ）成型組成物を準備するステップと、
ｂ）デバイスの表面を成型組成物で被覆するステップと、
ｃ）成型組成物を硬化させてデバイスの表面にポリマーを形成させるのに十分な温度まで成型組成物を加熱するステップを含む請求項４３に記載の方法。