【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前記水を収容し流体入口（１３０）および流体出口（１４０）に連結された処理チャンバ（１１０）と、
前記流体を放射に露出し、アノード（８１０）、カソード（８３０）、および前記アノードと前記カソードとを隔てかつ前記カソードの一部の表面を覆う誘電体（８２０）を有するよう構成される少なくとも１つのマイクロ放電・エキシマガス放電光源（１２０）と、
を有する流体処理システムであって、
前記誘電体は前記カソードの覆われていない領域を形成する開口を備え、前記覆われていない領域は前記誘電体の厚さより大きい最長の寸法を有し、その状況で、前記カソードと前記アノードとの間を流れる電流が前記カソードの覆われていない実質的に全ての領域に拡張プラズマ層を形成する
ことを特徴とする流体処理システム。
【請求項２】
前記誘電体（８２０）における前記開口の最も長い寸法の、前記誘電体（８２０）の厚さに対する比率が少なくとも１０対１であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記放電光源が、前記カソードを貫通する１つまたは複数の微細空洞（８５０）を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記アノードが、前記誘電体における前記開口に実質的に一致する開口を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記複数の微細空洞が前記カソードの前記覆われていない領域を貫通し、前記開口内に前記誘電体と前記アノードとを合わせることを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記誘電体（８２０）における前記開口の最も長い寸法の、前記誘電体（８２０）の厚さに対する比率が少なくとも１０対１であるか、
少なくとも１つの微細空洞（８５０）が前記カソード（８３０）の覆われていない部分を完全に貫通するか、または、
前記誘電体（８２０）の厚さが前記微細空洞（８５０）の少なくとも１つの幅とほぼ等しい
ことを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
ａ）前記カソード（８３０）の覆われていない部分がスリットを備え、好ましくは前記アノード（８１０）が前記スリットの１つの面に沿って延在し、あるいは前記アノードの第１の部分が前記スリットの一端から延在して前記アノードの第２の部分が前記スリットの他端から延在するか、または、
ｂ）前記カソード（８３０）の覆われていない部分が実質的に円形である
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
ａ）前記アノード（８１０）と前記カソード（８３０）とは直流電源に連結されるか、
ｂ）前記アノード（８１０）と前記カソード（８３０）とは交流電源に連結されるか、または、
ｃ）前記アノード（８１０）と前記カソード（８３０）とはパルス電流電源に連結される
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記ガスが１０Ｔｏｒｒから１５００Ｔｏｒｒまでの範囲の圧力であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ガス放電光源（１２０）が、
アノード（８１０）およびカソード（８３０）を囲むハウジングと、
前記ハウジングの一部を覆う窓（２０６）と、
をさらに有し、好ましくは、
ガス入口およびガス出口
をさらに有する
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
ａ）前記ガスが希ガスを含むか、
ｂ）前記ガスが、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、およびそれらの混合物から成る群から選択されるか、
ｃ）前記ガスが、希ガスと電気陰性ガスとを含む混合物であるか、または、
ｄ）前記ガスが空気を含む
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
ａ）カソード（１０３０）が耐熱金属を含むか、または、
ｂ）カソード（１０３０）が、モリブデン、チタニウム、およびタングステンから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含む
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
誘電体（１０２０）が耐熱誘電体を含むか、
誘電体（１０２０）が、アルミナおよびジルコニアから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むか、
誘電体（１０２０）が１０マイクロメートルから２００マイクロメートルの厚さ持つか、または、
誘電体（１０２０）がカソード（１０３０）に塗布された被覆を含む
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
アノード（１０１０）が耐熱金属を含むか、
アノード（１０１０）が、モリブデン、チタニウム、およびタングステンから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むか、
アノード（１０１０）が少なくとも１つのプレートを含むか、または、
アノード（１０１０）が誘電体（１０２０）の少なくとも一部を覆う金属層を含む
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
アノード（１０１０）およびカソード（１０３０）の少なくとも１つが、ヒートシンクに熱的に連結されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ガス放電光源（１２０）が、前記アノード（８１０）および前記カソード（８３０）に交差する気密性通路と、各通路に連結されたガス流入ポート（２０８）と、各通路に連結されたガス流出ポート（２０７）と、をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記カソード（８３０）および前記アノード（８１０）の少なくとも１つが、エキシマ形成ガスにさらされる内側表面と、目標流体にさらされる外側表面と、を備えた光透過性窓（２０６）を通して光を放つように配置されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記窓の前記内側表面が、エキシマガスとその励起された構成成分にさらされることに耐えうるか、
前記外側表面が、高純度水との接触に耐えうるか、
デバイスの前記アノード（８１０）および前記カソード（８３０）の両方の側に近接した光透過性窓（２０６）が存在するか、または、
透過光が、約１５０〜４００ｎｍの範囲に支配的な波長を持っている
ことを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記カソードは第１の電極（２７０２）を有し、前記アノードは第２の電極（２７０３）を有し、前記第１の電極はベース電極材料を含み；前記第２の電極（２７０３）はベース電極材料を含み、その状況で、前記微細空洞の少なくとも１つにおける電極表面（２７０５，２７０６）材料がベース電極材料とは異なる材料であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項２０】
ａ）前記表面材料が耐熱金属を含むか、
ｂ）前記表面材料が、タングステン、モリブデン、およびチタニウムから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むか、
ｃ）前記表面材料が、少なくとも１つの低仕事関数の材料を含むか、
ｄ）前記表面材料が、バリウムおよびセシウムから成る群から選択された材料を含むか、または、
ｅ）前記表面材料が、ディスペンサ・カソード材料を含み、好ましくは前記ディスペンサ・カソード材料が低仕事関数の材料と耐熱金属ベースとの混合物を含む
ことを特徴とする請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
少なくとも１つの電極（２７０２，２７０３）が、ヒュージブル・リンクであって、前記ヒュージブル・リンクを通る電流が特定の時間内に特定のレベルを超えた場合に電流の導通を止めるよう構成されたヒュージブル・リンクを有することを特徴とする請求項１９のシステム。
【請求項２２】
前記微細空洞（２７０１）の少なくとも１つが、少なくとも１つの電極（２７０２，２７０３）の一部を電極のある厚さまで貫く周囲のギャップ（２７０７，２７０８）によって囲まれ、前記厚さ（２７１０，２７１１）がヒュージブル・リンクを形成するように選択されることを特徴とする請求項１９のシステム。