【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相エピタキシャル成長法により形成した窒化物の層を備え、窒化物基板の両主面が実質的にそれぞれ非Ｎ極性面とＮ極性面からなり、基板の欠陥密度が５×１０５／cm2以下である、オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。
【請求項２】
前記窒化物基板の直径は１インチ以上であることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。
【請求項３】
窒化物基板の欠陥密度が１０５／cm2以下、より好ましくは１０４／cm2以下であることを特徴とする請求項２記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。
【請求項４】
気相エピタキシャル成長法で形成した窒化物の層Ｂ）が一般式ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。
【請求項５】
窒化物の層Ｂ）が一般式ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表されることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。
【請求項６】
少なくとも１種のアルカリ金属（族番号Ｉ、ＩＵＰＡＣ１９８９）を含有する窒化物バルク単結晶の層Ａ）、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法で形成される窒化物の層Ｂ１）及びＨＶＰＥ法で形成されるガリウム含有窒化物の層Ｂ２）の組み合わせの層Ｂ２）の一部から切り出され、１００μｍ以上、好ましくは１５０μｍ以上の厚さである基板を有することを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。
【請求項７】
少なくとも１種のアルカリ金属（族番号Ｉ、ＩＵＰＡＣ１９８９）を含有する窒化物バルク単結晶の層Ａ１）、気相エピタキシャル成長法により形成した窒化物の層Ｂ）、少なくとも１種のアルカリ金属（族番号Ｉ、ＩＵＰＡＣ１９８９）を含有する窒化物バルク単結晶の層Ａ２）、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法で形成される窒化物の層Ｃ１）、及びＨＶＰＥ法で形成されるガリウム含有窒化物の層Ｃ２）の組み合わせの層Ｃ２）の一部から切り出され、１００μｍ以上、好ましくは１５０μｍ以上の厚さである基板有することを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。
【請求項８】
基板がドナー添加物としてシリコン（Ｓｉ）または酸素（Ｏ）を含有するガリウム含有窒化物であることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。
【請求項９】
基板アクセプター添加物としてマグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）を含有するガリウム含有窒化物であることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。
【請求項１０】
添加物の濃度が１０１６／ｃｍ３から１０２１／ｃｍ３の範囲であることを特徴とする請求項８または９に記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。
【請求項１１】
オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法であって、
（ａ）超臨界アンモニア含有溶液からシード上にガリウムまたはアルミニウム含有窒化物を結晶させて、アルカリ金属（Ｉ族元素、IUPAC 1989）の少なくとも１種を含有する窒化物バルク単結晶の層Ａ）を、基板のための膜厚をもたせて形成し、
（ｂ）気相エピタキシャル成長法により、層Ａ）のＡｌまたはＧａ極性面上に窒化物の層Ｂ）またはＣ）を形成し、
（ｃ）基板Ａ）から層Ｂ）またはＣ）を切り出し、基板に１００μｍ以上の膜厚をもたせ、主面が実質的にＡｌまたはＧａ極性面を有する基板を形成する工程を備えることを特徴とする製造方法。
【請求項１２】
オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法であって、前記工程（ｂ）において、（ｂ１）窒化物の層Ｂ１）またはＣ１）を気相エピタキシャル成長法により、層Ａ）のＡｌまたはＧａ極性面上に形成し、（ｂ２）窒化物の層Ｂ２）またはＣ２）を気相エピタキシャル成長法により、層Ｂ１）またはＣ１）上に形成し、
（ｃ）基板Ａ）から層Ｂ２）またはＣ２）を切り出し、１００μｍ以上の膜厚をもたせ、主面が実質的にＡｌまたはＧａ極性面を有する基板を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法であって、（ｄ）層Ｂ）、Ｃ）、Ｂ２）またはＣ２）のＡｌまたはＧａ極性面上に気相エピタキシャル成長法により形成した窒化物の層Ｄ）を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１１または１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法であって、（ｄ）層Ｂ）、Ｃ）、Ｂ２）またはＣ２）のＡｌまたはＧａ極性面上に気相エピタキシャル成長法により形成した窒化物の層Ｄ）を形成し、
（ｅ）基板Ｂ）、Ｃ）、Ｂ２）またはＣ２）から層Ｄ）を切り出し、１００μｍ以上の膜厚をもたせ、主面が実質的にＡｌまたはＧａ極性面を有する基板を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１１または１２に記載の製造方法。
【請求項１５】
層Ｂ）、Ｂ１）、Ｃ）またはＣ１）がＭＯＣＶＤ法により形成され、膜厚が０．１から３μｍであることを特徴とする請求項１１から１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法。
【請求項１６】
層Ｂ）、Ｂ２）、Ｃ）またはＣ２）の１つの表面を研磨し、気相エピタキシャル成長用の基板を得る工程をさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法。
【請求項１７】
水素を含有しない空気中で、約６００℃から１０５０℃の温度で基板Ｂ）、Ｂ２）、Ｃ）またはＣ２）をアニーリング処理し、アニーリング処理前よりもより良好な結晶性を有する材料を製造する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１１から１６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法。
【請求項１８】
アニーリング工程を１０から３０Ｖｏｌ．％の酸素を添加した不活性ガスの空気中で行うことを特徴とする請求項１７に記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法。
【請求項１９】
不純物（水素および／またはアンモニアまたは結晶および／またはアニーリング処理中に生じた不純物から形成されたイオン）が望ましいレベルに達するまで、アニーリング工程を単一工程または複数の工程で行うことを特徴とする請求項１７に記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法。
【請求項２０】
アンモニア含有溶媒、水または二酸化炭素の超臨界環境下に浸漬、またはガス状水素、窒素またはアンモニアの作用下に付し、窒化物バルク単結晶から不純物を除去する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１１から１９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法。
【請求項２１】
洗浄工程で超音波または電子ビーム照射を補助的に用いることを特徴とする請求項２０に記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器のための基板の製造方法。