【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスの目標設定に基づいて、バッチ中の加工物に処理ステップを実行する段階であって、前記プロセスの目標設定は前記第１加工物の目標特性に関連する少なくとも１つのパラメータを含む段階と、
前記第１加工物の処理に関連する製造データを取得する段階であって、前記製造データは処理された前記第１加工物に関連する計測データと、処理装置の装置状態に関連する装置状態データのうちの少なくとも１つを含む段階と、
前記バッチ中の他の加工物がプロセス制御下にある時間期間中に、処理された前記加工物に関連する電気的データを少なくとも部分的に取得する段階と、
前記電気的データと前記製造データとの相関に基づいて前記プロセス目標設定を動的に調整する段階とを含む方法。
【請求項２】
前記加工物に前記処理ステップを実行する段階は、半導体ウェハに前記処理ステップを実行する段階を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記プロセスの目標設定に基づいて、少なくとも１つの加工物に処理ステップを実行する段階は、前記半導体ウェハ上に形成された構造に関連する目標の限界寸法に基づいて、前記半導体ウェハに処理ステップを実行する段階をさらに含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記プロセスの目標設定に基づいて、少なくとも１つの加工物に処理ステップを実行する段階は、前記半導体ウェハ上に形成された層に関連する目標の厚みに基づいて、前記半導体ウェハに処理ステップを実行する段階をさらに含む、請求項２記載の方法。
【請求項５】
処理された前記加工物に関連する前記計測データを取得する段階は、計測装置を使用して計測データを取得する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
処理された前記加工物に関連する前記装置状態データを取得する段階は、温度データ、湿度データ、圧力データおよび気体流量データのうちの少なくとも一つを取得する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
処理された前記加工物に関連する電気的データを動的に取得する段階は、処理された前記加工物に関連する電気的データを動的に取得するために監視制御を採用する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
処理された前記加工物に関連する電気的データを動的に取得する段階は、電圧レベルデータ、電流レベルデータ、抵抗率データのうちの少なくとも一つを取得する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記抵抗率データを取得する段階は、前記加工物の層の厚みに関連する抵抗率データを取得する段階を更に含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記電流レベルデータを取得する段階は、前記加工物に形成される構造の極限寸法に関連する駆動電流レベルを取得する段階を更に含む、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記プロセス目標設定を動的に調整する段階は、前記プロセス目標を、前記電気的データと、前記計測データおよび前記装置状態データの少なくとも１つとの相関関係に基づいて、実時間での監視で更新する段階を更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
半導体ウェハの処理を動的に調整する方法であって、
半導体ウェハを、バッチの前記半導体ウェハの歩留まり、品質および性能のうちの少なくとも一つに関連するプロセス目標設定に基づいて処理する段階と、
予定された間隔またはきっかけとなる事象の少なくとも一つに基づいて処理された前記半導体ウェハに関連する計測データを取得する段階と、
バッチの処理中におおよそ実時間で前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを取得する段階と、
前記電気的データおよび前記計測データの分析に基づいて、前記プロセス目標設定を動的に調整する段階とを含む、方法。
【請求項１３】
前記半導体ウェハの前記処理に関連する装置状態データを取得する段階と、
前記電気的データ、前記計測データ、および前記装置状態データの分析に基づいて、前記プロセス目標設定を動的に調整する段階を更に含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
半導体ウェハを処理するための目標設定システムを動的に調整する方法であって、
処理目標に基づいてバッチの半導体ウェハを処理する段階と、
前記処理された半導体ウェハに関連する製造データを取得する段階と、
前記バッチの処理中に前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを取得する段階と、
前記製造データおよび前記電気的データに基づいて前記目標システムを動的に調整する段階とを含み、
前記製造データは、前記処理された加工物に関連する計測データまたは処理装置の装置状態に関連する装置状態データのうちの少なくとも１つを含むものである、方法。
【請求項１５】
前記目標設定システムによって提供された処理目標に基づいて半導体ウェハを処理する方法は、前記半導体ウェハに関連する目標イールド、目標品質および目標性能のうちの少なくとも一つに基づいて前記半導体ウェハを処理する段階を更に含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記目標システムを動的に調整する方法は、前記半導体ウェハに関連する前記目標イールド、目標品質、および目標性能のうちの少なくとも１つに基づいて実時間で調整する段階を更に含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると次の方法を実行するもの。
プロセスの目標設定に基づいて、バッチ中の加工物に処理ステップを実行する段階であって、前記プロセスの目標設定は前記第１加工物の目標特性に関連する少なくとも１つのパラメータを含む段階と、
前記第１加工物の処理に関連する製造データを取得する段階であって、前記製造データは、処理された前記第１加工物に関連する計測データまたは処理装置の装置状態に関連する装置状態データのうちの少なくとも１つを含む段階と、
前記バッチ中の他の加工物がプロセス制御下にある時間期間中に、処理された前記加工物に関連する電気的データを少なくとも部分的に取得する段階と、
前記電気的データと前記製造データとの相関に基づいて前記プロセス目標設定を動的に調整する段階とを含む方法。
【請求項１８】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１７記載の方法を実行し、前記第１および第２加工物に処理ステップを実行する段階は、前記半導体ウェハに処理ステップを実行する段階をさらに含むもの。
【請求項１９】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１８記載の方法を実行し、前記プロセスの目標設定に基づいて、少なくとも１つの加工物に処理ステップを実行する段階は、前記半導体ウェハ上に形成された構造に関連する目標の極限寸法に基づいて、前記半導体ウェハに処理ステップを実行する段階を更に含むもの。
【請求項２０】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１８記載の方法を実行し、前記プロセスの目標設定に基づいて、少なくとも１つの加工物に処理ステップを実行する段階は、前記半導体ウェハ上に形成された層に関連する目標の厚みに基づいて、前記半導体ウェハに処理ステップを実行する段階を更に含むもの。
【請求項２１】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１７記載の方法を実行し、
前記処理された前記加工物に関連する前記計測データを取得する段階は、計測装置を使用して計測データを取得する段階を更に含むもの。
【請求項２２】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１７記載の方法を実行し、
前記処理された前記加工物に関連する前記装置状態データを取得する段階は、温度データ、湿度データ、圧力データ、及び気体流量データのうちの少なくとも１つを取得する段階を更に含むもの。
【請求項２３】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１７記載の方法を実行し、
前記処理された前記加工物に関連する電気的データを動的に取得する段階は、処理された前記加工物に関連する電気的データを動的に取得するために制御監視を採用する段階を更に含むもの。
【請求項２４】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項２３記載の方法を実行し、
前記処理された前記加工物に関連する電気的データを動的に取得する段階は、電圧レベルデータ、電流レベルデータ、および抵抗率データのうちの少なくとも１つを取得する段階を更に含むもの。
【請求項２５】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項２４記載の方法を実行し、
前記抵抗率データを取得する段階は、前記加工物の層の厚みに関連する抵抗を取得する段階を更に含むもの。
【請求項２６】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項２４記載の方法を実行し、
前記電流レベルデータを取得する段階は、前記加工物に形成される特性の極限寸法に関連する駆動電流レベルを取得する段階を更に含むもの。
【請求項２７】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１７記載の方法を実行し、
前記プロセス目標設定を動的に調整する段階は、前記プロセス目標を、前記電気的データと、前記計測データまたは前記装置状態データのうちの少なくとも１つとの相関関係に基づいて、実時間での監視でアップデートする段階を更に含むもの。
【請求項２８】
プロセス制御システムのための動的目標設定を行うシステムであって、
加工物を処理する処理装置と、
前記処理装置に動作可能に結合され、前記加工物の処理に関連する一以上のパラメータを目標設定するために、前記処理された加工物に関連する電気的データおよび前記処理された加工物に関連する計測データの分析に基づく、前記一以上のパラメータに関連するプロセス目標設定の動的調整が含まれる動的目標設定分析を実行するプロセス制御装置とを備えるシステム。
【請求項２９】
前記プロセス制御装置および前記処理装置に動作可能に結合され、前記処理装置によって実行される処理に関連する装置状態データを取得する装置状態データセンサユニットと、
前記プロセス制御装置および前記処理装置に動作可能に結合され、前記処理された加工物に関連する計測データを取得する計測装置と、
前記プロセス制御装置に動作可能に結合され、前記処理された加工物に関連する電気的試験データを動的に取得する電気試験ユニットと、
前記プロセス制御装置に動作可能に結合され、前記装置状態データ、前記計測データ、および前記電気的データを分析して、前記目標設定に対して動的な調整を実行する動的目標設定ユニットと、
前記動的目標設定ユニットを前記プロセス制御装置に動作可能に結合し、前記目標設定に対する前記調整に応答して、前記加工物に対して実行する処理を変更するプロセス制御モデルとをさらに備える、請求項２８記載のシステム。