【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極性溶媒を含むクリーニング溶液であって、前記クリーニング溶液が、以下の成分（I）又は（II）の少なくとも一つを含み、
（I）約１１．５を超えるｐＨを前記溶液にもたらす塩基であって、前記溶液の約３．５重量％以下と、フォトレジスト残留物を含む塩基、または
（II）約１１．５を超えるｐＨを前記溶液にもたらす塩基と、アミン−Ｎ−オキシド、過ホウ酸塩、過硫酸塩、過炭酸塩およびそれらの組み合わせからなる群から選択される酸化剤、
前記溶液が、フォトレジスト残留物を有する半導体基板からフォトレジスト残留物を除去するのに有用である、クリーニング溶液。
【請求項２】
前記極性溶媒が、水、アルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、それらのグリコールエーテル類、アミドおよび炭酸塩からなる群から選択される極性種を含む、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項３】
前記塩基が、式（ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４）+ＯＨ-の窒素含有化合物であって、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、各々、水素、アルキル基または置換アリール基である、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項４】
前記極性溶媒が、前記溶液の約２０重量％から約９５重量％を構成する、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項５】
前記塩基が、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウムおよびそれらの組み合わせの一つを含む、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項６】
成分（I）を含み、前記塩基が、前記溶液の約１０重量％から約３０重量％を構成する、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項７】
成分（I）を含み、前記溶液が、酸化剤をさらに含む、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項８】
前記酸化剤が、前記溶液の約１重量％から約３０重量％を構成する、請求項７に記載のクリーニング溶液。
【請求項９】
前記酸化剤が、アミン−Ｎ−オキシド、過ホウ酸塩、過炭酸塩、過硫酸塩およびそれらの組み合わせの一つである、請求項７に記載のクリーニング溶液。
【請求項１０】
成分（II）を含み、前記酸化剤が、前記溶液の約１重量％から約３０重量％を構成する、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項１１】
共溶媒、キレート剤、界面活性剤およびそれらの組み合わせからなる群から選択される種をさらに含む、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項１２】
成分（II）を含み、前記酸化剤が、下記式
【化１】
2006515933.tif 000001
式中、Ｒ１およびＲ２が、水素、メチル、置換若しくは無置換アルキル基、またはアルキル鎖の二つ末端を形成し、Ｒ３が、メチル、置換若しくは無置換アルキル基を示す、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項１３】
成分（ＩＩ）を含み、前記酸化剤が、Ｎ−メチルモルホリン−Ｎ−オキシドを含む、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項１４】
前記酸化剤が、下記式
【化２】
2006515933.tif 000002
のアミン−Ｎ−オキシドを含み、式中、Ｒ１およびＲ２が、水素、メチル、置換若しくは無置換アルキル基、またはアルキル鎖の二つ末端を形成し、Ｒ３が、メチル、置換若しくは無置換アルキル基を示す、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項１５】
前記酸化剤が、Ｎ−メチルモルホリン−Ｎ−オキシドを含む、請求項７に記載のクリーニング溶液。
【請求項１６】
前記共溶媒が、前記溶液の約５０重量％までを構成する、請求項１１に記載のクリーニング溶液。
【請求項１７】
前記共溶媒が、アルキルアミン、アルカノールアミンおよびグリコールの一つである、請求項１１に記載のクリーニング溶液。
【請求項１８】
前記界面活性剤が、前記溶液の約２０重量％までを構成する、請求項１１に記載のクリーニング溶液。
【請求項１９】
前記界面活性剤が、フルオロアルキル、グリコール、カルボン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、シリコーンポリマー、ポリアクリレートポリマー、アセチレンジオール、アルキルアンモニウムおよびアルキルアンモニウム塩のう
ちの１つである、請求項１１に記載のクリーニング溶液。
【請求項２０】
前記キレート剤が、前記溶液の約１０重量％までを構成する、請求項１１に記載のクリーニング溶液。
【請求項２１】
前記キレート剤が、トリアゾール、チアゾール、テトラゾール、イミジゾール、リン酸塩、チオール、アジン、グリセロール、アミノ酸、カルボン酸、アルコール、アミド、およびキノリンのうちの１つである、請求項１１に記載のクリーニング溶液。
【請求項２２】
成分（ＩＩ）を含み、フォトレジストをさらに含む、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項２３】
前記溶液は、過酸化水素が欠乏している、請求項１に記載のクリーニング溶液。
【請求項２４】
半導体基板からフォトレジスト残留物を除去する方法であって、
半導体基板上のフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをエッチングし、
前記半導体基板からフォトレジスト残留物を除去するのに十分な時間、クリーニング溶液で前記半導体基板を前記クリーニング溶液と接触させ、フォトレジスト残留物を含有するクリーニング溶液を生成させ、
半導体基板の実質的な洗浄を達成させるのに十分な量の時間、フォトレジスト残留物を含有するクリーニング溶液と前記半導体基板を連続的に接触させることを含み、
前記クリーニング溶液が、極性溶媒を含み、以下の成分（I）又は（II）：
（I）約１１．５を超えるｐＨを前記溶液にもたらす塩基であって、前記溶液の約３．５重量％以下と、フォトレジスト残留物を含む塩基、または
（II）約１１．５を超えるｐＨを前記溶液にもたらす塩基と、アミン−Ｎ−オキシド、過ホウ酸塩、過硫酸塩、過炭酸塩およびそれらの組み合わせからなる群から選択される酸化剤、
の少なくとも一つをさらに含む、方法。
【請求項２５】
前記クリーニング溶液が、共溶媒、界面活性剤、キレート剤およびそれらの組み合わせの一つ以上をさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
成分（Ｉ）を含み、酸化剤をさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記極性溶媒が、水、アルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、それらのグリコールエーテル類、アミドおよび炭酸塩からなる群から選択される極性種を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記塩基が、式（ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４）+ＯＨ-の窒素含有化合物であって、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、各々、水素、アルキル基または置換アリール基である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２９】
前記酸化剤が、アミン−Ｎ−オキシド、過ホウ酸塩、過炭酸塩、過硫酸塩、およびそれらの組み合わせの一つである、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
成分（II）を含み、前記酸化剤が、下記式
【化３】
2006515933.tif 000003
式中、Ｒ１およびＲ２が、水素、メチル、置換若しくは無置換アルキル基、またはアルキル鎖の二つ末端を形成し、Ｒ３が、メチル、置換若しくは無置換アルキル基を示す、請求項２４に記載の方法。
【請求項３１】
前記酸化剤が、下記式
【化４】
2006515933.tif 000004
のアミン−Ｎ−オキシドを含み、式中、Ｒ１およびＲ２が、水素、メチル、置換若しくは無置換アルキル基、またはアルキル鎖の二つ末端を形成し、Ｒ３が、メチル、置換若しくは無置換アルキル基を示す、請求項２６に記載の方法。