【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  統計的プロセス制御分析を使用してコントローラの性能を監視するための方法であって、
製造モデルを規定するステップと、
前記製造モデルによって規定されプロセスコントローラによって実現されるように半導体装置の処理実行を行なうステップと、
前記製造モデルにおける偏りを減じるために前記プロセスコントローラの障害検出分析を行なうステップとを含み、前記障害検出分析を行なうステップは、結果対予測分析を行なう前に前記統計的プロセス制御分析を行なうステップを含み、前記方法はさらに、
前記障害検出分析に応答して、前記プロセスコントローラによって生成された少なくとも１つの制御入力信号を更新するステップを含む、方法。
【請求項２】  製造モデルを規定するステップはさらに、半導体装置のための写真製版プロセスを説明する製造モデルを規定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  製造モデルを規定するステップはさらに、半導体装置のためのエッチングプロセスを説明する製造モデルを規定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  製造モデルを規定するステップはさらに、半導体装置のための成長プロセスを説明する製造モデルを規定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  製造モデルを規定するステップはさらに、半導体装置のための注入プロセスを説明する製造モデルを規定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  製造モデルを規定するステップはさらに、半導体装置のための化学機械研磨プロセスを説明する製造モデルを規定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記プロセスコントローラの障害検出分析を行なうステップは、
生産データを獲得するステップと、
前記生産データを使用してプロセスコントローラの性能監視を行なうステップと、
前記プロセスコントローラの性能監視に応答して前記製造モデルを変更するステップと、
前記プロセスコントローラにおいて前記変更された製造モデルを実現するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  該生産データを獲得するステップは、測定ツールを使用して測定データを獲得するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記生産データを使用してプロセスコントローラの性能監視を行なうステップは、
製造パラメータを測定するステップと、
前記製造パラメータに基づいて変更データを計算するステップと、
統計的プロセス制御分析を行なうステップと、
前記統計的プロセス制御分析に基づいて結果対予測分析を行なうステップと、
前記計算された変更データおよび前記結果対予測分析に基づいて前記製造モデルを変更するステップとをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  製造パラメータを測定するステップはさらに、測定ツールを使用して測定データを測定するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  測定データを測定するステップはさらに、半導体ウェハ上の位置合せ不良の誤差を測定するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  測定データを測定するステップはさらに、半導体ウェハ上の見当不良を測定するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】  測定データを測定するステップはさらに、半導体ウェハ上の研磨厚さの誤差を測定するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】  該結果対予測分析を行なうステップは、予測された製造プロセス作用と測定された製造プロセスの結果とを比較するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】  統計的プロセス制御分析を使用してコントローラの性能を監視するための装置であって、該装置は、
処理コントローラを含み、前記処理コントローラは、製造モデルにおける偏りを減じるために障害検出分析を行なうよう適合され、前記障害検出分析は、結果対予測分析を行なう前に前記統計的プロセス制御分析を行なうステップを含み、前記装置はさらに、
前記処理コントローラに結合された処理ツールと、
前記処理ツールとインターフェイスを取られた測定ツールと、
前記測定ツールとインターフェイスを取られかつ前記処理コントローラにフィードバック式に接続された制御変更データ計算ユニットと、
前記処理コントローラとインターフェイスを取られた予測関数と、
前記予測関数および前記処理ツールとインターフェイスを取られた統計的プロセス制御分析ユニットと、
前記統計的プロセス制御分析ユニットとインターフェイスを取られかつ前記処理コントローラにフィードバック式に接続された結果対予測分析ユニットとを含む、装置。
【請求項１６】  前記処理コントローラは、ランツーランコントローラである、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】  前記処理コントローラは、自動プロセス制御（ＡＰＣ）システムである、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】  前記制御変更データ計算ユニットは、前記処理コントローラ内に統合されたコンピュータソフトウェアプログラムである、請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】  前記予測関数は、製造モデル内に統合されたコンピュータソフトウェアプログラムである、請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】  前記統計的プロセス制御分析ユニットは、コンピュータソフトウェアプログラムである、請求項１５に記載の装置。
【請求項２１】  前記結果対予測分析ユニットは、コンピュータソフトウェアプログラムである、請求項１５に記載の装置。
【請求項２２】  統計的プロセス制御分析を使用してコントローラの性能を監視するための装置であって、
製造モデルを規定するための手段と、
前記製造モデルによって規定されプロセスコントローラによって実現されるように半導体装置の処理実行を行なうための手段と、
前記製造モデルにおける偏りを減じるために前記プロセスコントローラの障害検出分析を行なうための手段とを含み、前記障害検出分析を行なうステップは、結果対予測分析を行なう前に前記統計的プロセス制御分析を行なうステップを含み、前記装置はさらに、
前記障害検出分析に応答して、前記プロセスコントローラによって生成された少なくとも１つの制御入力信号を更新するための手段を含む、装置。
【請求項２３】  コンピュータによって実行された場合、統計的プロセス制御分析を使用してコントローラの性能を監視するための方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置であって、前記方法は、
製造モデルを規定するステップと、
前記製造モデルによって規定されプロセスコントローラによって実現されるように半導体装置の処理実行を行なうステップと、
前記製造モデルにおける偏りを減じるために前記プロセスコントローラの障害検出分析を行なうステップとを含み、前記障害検出分析を行なうステップは、結果対予測分析を行なう前に前記統計的プロセス制御分析を行なうステップを含み、前記方法はさらに、
前記障害検出分析に応答して、前記プロセスコントローラによって生成された少なくとも１つの制御入力信号を更新するステップを含む、コンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項２４】  製造モデルを規定するステップはさらに、半導体装置のための写真製版プロセスを説明する製造モデルを規定するステップを含む、コンピュータによって実行された場合、請求項２３に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項２５】  製造モデルを規定するステップはさらに、半導体装置のためのエッチングプロセスを説明する製造モデルを規定するステップを含む、コンピュータによって実行された場合、請求項２３に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項２６】  製造モデルを規定するステップはさらに、半導体装置のための成長プロセスを説明する製造モデルを規定するステップを含む、コンピュータによって実行された場合、請求項２３に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項２７】  製造モデルを規定するステップはさらに、半導体装置のための注入プロセスを説明する製造モデルを規定するステップを含む、コンピュータによって実行された場合、請求項２３に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項２８】  製造モデルを規定するステップはさらに、半導体装置のための化学機械研磨プロセスを説明する製造モデルを規定するステップを含む、コンピュータによって実行された場合、請求項２３に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項２９】  前記プロセスコントローラの障害検出分析を行なうステップは、
生産データを獲得するステップと、
前記生産データを使用してプロセスコントローラの性能監視を行なうステップと、
前記プロセスコントローラの性能監視に応答して前記製造モデルを変更するステップと、
前記プロセスコントローラにおいて前記変更された製造モデルを実現するステップとをさらに含む、コンピュータによって実行された場合、請求項２３に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項３０】  該生産データを獲得するステップは、測定ツールを使用して測定データを獲得するステップをさらに含む、コンピュータによって実行された場合、請求項２９に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項３１】  前記生産データを使用してプロセスコントローラの性能監視を行な
うステップは、
製造パラメータを測定するステップと、
前記製造パラメータに基づいて変更データを計算するステップと、
統計的プロセス制御分析を行なうステップと、
前記統計的プロセス制御分析に基づいて結果対予測分析を行なうステップと、
前記計算された変更データおよび前記結果対予測分析に基づいて前記製造モデルを変更するステップとをさらに含む、コンピュータによって実行された場合、請求項２９に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項３２】  製造パラメータを測定するステップはさらに、測定ツールを使用して測定データを測定するステップを含む、コンピュータによって実行された場合、請求項３１に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項３３】  測定データを測定するステップはさらに、半導体ウェハ上の位置合せ不良の誤差を測定するステップを含む、コンピュータによって実行された場合、請求項３１に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項３４】  測定データを測定するステップはさらに、半導体ウェハ上の見当不良を測定するステップを含む、コンピュータによって実行された場合、請求項３１に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項３５】  測定データを測定するステップはさらに、半導体ウェハ上の研磨厚さの誤差を測定するステップを含む、コンピュータによって実行された場合、請求項３１に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項３６】  該結果対予測分析を行なうステップは、予測された製造プロセス作用と測定された製造プロセスの結果とを比較するステップをさらに含む、コンピュータによって実行された場合、請求項３１に記載の方法を実行する、命令で符号化されたコンピュータ読取可能プログラム記憶装置。