【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2007511532.tif 000001
（式中、
Ｘ1は、カルボキシ、ハロカルボニル、ハロカルボニルオキシ、シアノ、ヒドロキシ、メルカプト、イソシアナト、ハロシリル、アルコキシシリル、アシロキシシリル、アジド、アジリジニル、第三級アミノ、第一級芳香族アミノ、第二級芳香族アミノ、ジスルフィド、アルキルジスルフィド、ベンゾトリアゾリル、ホスホノ、ホスホロアミド、またはホスファトから選択される基材反応性官能基であり；
Ｙ1は、アルキレン、ヘテロアルキレン、または、それの組合せから選択される二価の基、および場合により、さらに、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲa−もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒaは、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｚ1は、アルキル、アリールまたは−（ＣＯ）Ｒaであって、Ｒaは、Ｒ1およびそれらが結合している基と一緒になって、任意の芳香族基、任意の飽和もしくは不飽和環式基、または任意の飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な、窒素ヘテロ原子および硫黄ヘテロ原子を有する４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｒ1は、アルキル、フルオロアルキル、クロロアルキル、アリール、ＮＲbＲcであって、ＲbおよびＲcは、それぞれアルキル基であるか、またはそれらが結合している窒素原子と一緒になって４員〜８員の環式基を形成するか、あるいはＲ1は、Ｒaおよびそれらが結合している基と一緒になって、任意の芳香族基、任意の飽和もしくは不飽和環式基、または任意の飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｘ1が一価の基である場合、ｒは１に等しく、またはＸ1が二価の基である場合、ｒは２に等しい）の化合物であって、
未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている化合物。
【請求項２】
式Ｉａ
【化１３】
2007511532.tif 000002
（式中、
Ｚ1は、アルキル、アリールまたは−（ＣＯ）Ｒaであって、Ｒaは、Ｒ1およびそれらが結合している基と一緒になって、任意の芳香族基、任意の飽和もしくは不飽和環式基、または任意の飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な、窒素ヘテロ原子および硫黄ヘテロ原子を有する４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｒ1は、フルオロアルキル、クロロアルキル、ＮＲbＲcであって、ＲbおよびＲcは、それぞれアルキル基であるか、またはそれらが結合している窒素原子と一緒になって４員〜８員の環式基を形成するか、あるいはＲ1は、Ｒaおよびそれらが結合している基と一緒になって、任意の芳香族基、任意の飽和もしくは不飽和環式基、または任意の飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｒ5は、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｌ1は、オキシ、−ＮＲ4−または−Ｃ（Ｒ4）2−であって、Ｒ4は、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｙ2は、単結合、またはアルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲ4−もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒ4は、水素、アルキルまたはアリールである）の化合物であって、未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
基材と、
基材に結合されたテザリング基と、
を含む物品であって、該テザリング基が、基材表面上の相補的な官能基Ｇと、式Ｉ
【化１７】
2007511532.tif 000003
（式中、
Ｘ1は、カルボキシ、ハロカルボニル、ハロカルボニルオキシ、シアノ、ヒドロキシ、メルカプト、イソシアナト、ハロシリル、アルコキシシリル、アシロキシシリル、アジド、アジリジニル、ハロアルキル、第三級アミノ、第一級芳香族アミノ、第二級芳香族アミノ、ジスルフィド、アルキルジスルフィド、ベンゾトリアゾリル、ホスホノ、ホスホロアミド、ホスファトまたはエチレン性不飽和基から選択される基材反応性官能基であり；
Ｙ1は、単結合、またはアルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲ4−もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒ4は、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｚ1は、アルキル、アリールまたは−（ＣＯ）Ｒaであって、Ｒaは、Ｒ1およびそれらが結合している基と一緒になって、任意の芳香族基、任意の飽和もしくは不飽和環式基、または任意の飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な、窒素ヘテロ原子および硫黄ヘテロ原子を有する４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｒ1は、アルキル、フルオロアルキル、クロロアルキル、アリール、ＮＲbＲcであって、ＲbおよびＲcは、それぞれアルキル基であるか、またはそれらが結合している窒素原子と一緒になって４員〜８員の環式基を形成するか、あるいはＲ1は、Ｒaおよびそれらが結合している基と一緒になって、任意の芳香族基、任意の飽和もしくは不飽和環式基、または任意の飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｘ1が一価の基である場合、ｒは１に等しく、またはＸ1が二価の基である場合、ｒは２に等しい）の化合物との反応生成物を含み；
Ｇは、Ｘ1と反応して、イオン結合、共有結合またはそれらの組み合わせを形成可能な相補的な官能基であり；そして
前記テザリング基が、未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている物品。
【請求項４】
アミン含有材料を基材に固定化する方法であって、
式Ｉ
【化２０】
2007511532.tif 000004
（式中、
Ｘ1は、カルボキシ、ハロカルボニル、ハロカルボニルオキシ、シアノ、ヒドロキシ、メルカプト、イソシアナト、ハロシリル、アルコキシシリル、アシロキシシリル、アジド、アジリジニル、ハロアルキル、第三級アミノ、第一級芳香族アミノ、第二級芳香族アミノ、ジスルフィド、アルキルジスルフィド、ベンゾトリアゾリル、ホスホノ、ホスホロアミドまたはホスファトから選択される基材反応性官能基であり；
Ｙ1は、単結合、またはアルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲ4−もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒ4は、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｚ1は、アルキル、アリールまたは−（ＣＯ）Ｒaであって、Ｒaは、Ｒ1と一緒になってそれらが結合している基と一緒に、任意の芳香族基、任意の飽和もしくは不飽和環式基、または任意の飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な、窒素ヘテロ原子および硫黄ヘテロ原子を有する４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｒ1は、アルキル、フルオロアルキル、クロロアルキル、アリール、ＮＲbＲcであって、ＲbおよびＲcは、それぞれアルキル基であるか、またはそれらが結合している基と一緒になって４員〜８員の環式基を形成するか、あるいはＲ1は、Ｒaおよびそれらが結合している基と一緒になって、任意の芳香族基、任意の飽和もしくは不飽和環式基、または任意の飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｘ1が一価の基である場合、ｒは１に等しく、またはＸ1が二価の基である場合、ｒは２に等しい）の化合物であって、
未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている化合物を選択する工程と；
Ｘ1と反応可能な相補的な官能基を有する基材を提供する工程と；
Ｘ1と、前記基材上の相補的な官能基とを反応させて、イオン結合、共有結合またはそれらの組み合わせを生じることによって、基材に結合されたテザリング基を調製する工程と、
アミン含有材料と、前記基材に結合されたテザリング基のＮ−スルホニルアミノカルボニル基とを反応させて、前記基材と前記アミン含有材料との間にカルボニルイミノ含有コネクター基を形成する工程と、
を含む方法。
【請求項５】
ポリマー層と；
ダイヤモンド様ガラス層と；
前記ポリマー層と前記ダイヤモンド様ガラス層との間に位置するダイヤモンド様炭素層と；
を含む多層基材を含む物品。