【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置であって、
パターニング構造を支持するための支持構造とを備え、前記パターニング構造は、所望のパターンに従って放射ビームをパターン化するように構成され、
前記リソグラフィ装置は、さらに、
基板を支持するための基板支持体と、
前記基板の標的部分上に前記パターン化したビームを投影するための投影システムとを備え、前記投影システムは、ビーム入口エリアを有する光学要素及びビーム出口エリアを有する光学要素を含み、前記光学要素のそれぞれを前記パターン化したビームが使用時に通過し、
前記リソグラフィ装置は、さらに、
前記投影システムに結合し、複数の核形成部位が上に設けられる被核形成表面とを備え、
前記表面は、前記ビーム入口エリア、又は前記ビーム出口エリア、又は前記ビーム入口エリア及びビーム出口エリアの両方から離れて配設されるリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記被核形成表面は、前記光学要素の少なくとも一方と同じ材料で作られる請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
前記被核形成表面は石英である請求項１又は２に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
前記被核形成表面は粗いテクスチャである請求項１又は２に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項５】
前記被核形成表面は、表面上に配設された少なくとも１つのチューブを含み、前記少なくとも１つのチューブは、前記チューブが、前記パターン化したビームの伝搬方向において前記ビーム入口又は出口エリアから変位し、かつ、前記ビーム入口エリアか、前記ビーム出口エリアのいずれかに隣接するように前記表面上に配列される請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項６】
前記被核形成表面は、少なくとも前記出口又は入口エリアの上に嵌合する保護キャップの一部を形成する請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項７】
前記キャップは、前記保護キャップを前記投影システム上に取り付ける取付要素を備える請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項８】
パージ・フードは、前記保護キャップと、少なくとも前記入口又は出口エリアとの間に配設される請求項６又は７に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項９】
前記被核形成表面は、気体清浄化システム内に配設される請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１０】
リソグラフィ投影装置であって、
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
所望のパターンに従って前記放射ビームをパターン化するように構成されたパターニング構造を支持するための支持構造と、
基板を支持するための基板支持体と、
前記基板の標的部分上に前記パターン化したビームを投影するための投影システムとを備え、前記投影システムは、ビーム入口エリアを有する光学要素及びビーム出口エリアを有する光学要素を含み、前記光学要素のそれぞれを、前記パターン化したビームが使用時に通過し、
前記リソグラフィ装置は、さらに、
少なくとも一つの前記光学要素の部分が配設される領域内に導入される流体を清浄化するための流体清浄化システムを備え、
前記流体清浄化システムは、
清浄化される流体を受け取るための流体入口及び清浄化された流体を前記装置の前記領域に供給するための流体出口と、
前記受け取った流体を清浄化するための清浄化ゾーンであって、前記入口と前記出口との間に配設され、複数の核形成部位が設けられる被核形成表面を含み、放射を受け取り、前記清浄化ゾーンの前記流体内に存在する汚染物質の解離を引き起こすように構成された清浄化ゾーンとを備えるリソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
前記清浄化ゾーンは、前記ビーム出口エリア又は前記ビーム入口エリアから離れて配設される請求項１０に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１２】
使用時に前記放射は前記被核形成表面上に入射する請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１３】
前記清浄化ゾーンはチャンバを備える請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１４】
前記チャンバは、前記放射に対して透明な複数の壁を含み、前記壁は、前記流体が前記流体入口から前記流体出口まで通過できる流体経路を画定するように配設される請求項１３に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１５】
前記壁は、前記流体経路が、前記放射の伝搬方向において、前記チャンバの寸法より長い長さを有する構成される請求項１４に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１６】
前記壁は交互に配置される請求項１４に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１７】
前記被核形成表面は、発泡ウール又はガラス・ウールの表面を備える請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１８】
前記発泡ウール又はガラス・ウールは前記清浄化ゾーン内に配設される請求項１７に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１９】
前記清浄化ゾーンは、使用時に前記流体が前記入口から前記出口まで通過するのにかかる時間が、前記清浄化ゾーン内の汚染物質の解離を達成するのに十分であるように構築される請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項２０】
前記被核形成表面は、使用時に前記流体が前記入口から前記出口まで通過するのにかかる時間が、解離した汚染物質の前記被核形成表面との結合を達成するのに十分であるように構築される請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項２１】
前記被核形成表面の表面積は、前記投影システム内で構成されるレンズの表面積より大きい請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項２２】
前記核形成部位は、解離した汚染物質の前記被核形成表面との結合を達成するのに十分な塩類結晶成長核であり、前記結合は、前記核形成部位のところか、又は、前記核形成部位の近傍における塩類結晶の形成を含む請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項２３】
前記汚染物質は、前記被核形成表面上で塩類結晶として保持される請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項２４】
前記放射ビームと、前記清浄化ゾーンによって受け取られる前記放射とを供給するための放射システムを備える請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項２５】
前記放射ビームを供給するための第１放射システムと、前記清浄化ゾーンによって受け取られる前記放射を供給するための、前記第１放射システムとは独立の第２放射システムとを備える請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項２６】
前記第１及び第２放射システムは、実質的に同じ波長を有する放射を供給するように構成されている請求項２５に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項２７】
前記表面は交換可能である請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項２８】
装置で使用するための流体清浄化システムであって、
清浄化される流体を受け取るための流体入口及び清浄化された流体を装置に供給するための流体出口と、
前記入口と前記出口の間に配設される清浄化ゾーンと、
前記清浄化ゾーンの前記流体内に存在する汚染物質の解離を引き起こすために、前記清浄化ゾーンに入射される放射ビームを供給するための放射源と、
前記清浄化ゾーン内に配設され、複数の核形成部位が上に設けられる被核形成表面とを備える流体清浄化システム。
【請求項２９】
前記清浄化される流体は、空気、窒素、アルゴン、ヘリウム、水、又は油のグループから選ばれる少なくとも１つである請求項２８に記載の流体清浄化システム。
【請求項３０】
装置で使用するための流体清浄化方法であって、
清浄化される流体を入口において受け取り、清浄化された流体を出口において装置に供給することと、
前記入口と前記出口の間に配設される清浄化ゾーンにおいて前記流体を清浄化することと、
放射源を使用して、前記清浄化ゾーンの前記流体内に存在する汚染物質の解離を引き起こすことと、
複数の核形成部位が上に設けられる被核形表面を、前記清浄化ゾーン内に設けることとを含む流体清浄化方法。
【請求項３１】
請求項３０の方法に従って清浄化される、リソグラフィ投影装置内の流体を使用することを含む方法。
【請求項３２】
放射ビームをパターン化することと、
光学要素のそれぞれを前記パターン化したビームが通過する、ビーム入口エリアを有する光学要素及びビーム出口エリアを有する光学要素を使用して、放射に敏感な材料の層の標的部分上に前記パターン化した放射ビームを投影することと、
前記ビーム入口エリア、又は前記ビーム出口エリア、又は前記ビーム入口エリア及び前記ビーム出口エリアから離間して配置された複数の核形成部位によって汚染物質を捕捉することとを含むデバイス製造方法。
【請求項３３】
流体内の汚染物質を検出する汚染検出器であって、
前記流体が流れることのできる流体経路と、
前記流体経路内に配設された検出ゾーンと、
前記検出ゾーン上に入射する放射を供給する放射源であって、前記検出ゾーンの前記流体内に存在する汚染物質の解離を引き起こすように構成された放射源と、
前記検出ゾーン内に配設され、複数の核形成部位が上に設けられる被核形成表面と、
前記被核形成表面の光学特性を求め、前記求めた光学特性から、前記流体内の汚染物質の濃度が求められる光学測定装置とを備える汚染検出器。
【請求項３４】
前記特性は透過率又は反射率である請求項３３に記載の汚染検出器。
【請求項３５】
前記領域は、前記基板支持体と前記ビーム出口エリアを有する前記光学要素の少なくとも部分との間の空間である請求項１０に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３６】
前記流体は液体である請求項３５に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３７】
前記流体はオイルである請求項３５に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３８】
前記受け取られた液体は事前に前記領域に導入され、前記パターン化された放射に曝される請求項１０，３５，３６，３７のうち何れかに記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３９】
前記パターン化されたビームを、放射に敏感な材料の層と前記ビーム出口エリアを有する光学要素の少なくとも部分との間の領域に存在する流体を介して前記標的部分上に投影することと、
前記流体が捕捉された汚染物質によって前記領域に導入される前に前記流体を洗浄することと、
を含む請求項３２に記載のデバイス製造方法。
【請求項４０】
前記流体は液体である請求項３９に記載のデバイス製造方法。
【請求項４１】
前記洗浄することは、放射を用いて、前記流体内に存在する汚染物質の解離をすることを更に含む請求項３９又は４０に記載のデバイス製造方法。
【請求項４２】
前記洗浄される流体は、事前に前記領域に導入され、前記パターン化された放射ビームに曝される請求項３２，３９，４０又は４１に記載のデバイス製造方法。