【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学的な欠陥を検出するための半導体ウェハ走査システムを含むインライン半導体ウェハ処理システムを提供するステップと、
表面を有する半導体ウェハを提供するステップと、
前記半導体ウェア走査システムのウェハステージに該半導体ウェハを固定するステップと、
非振動接触電位差センサを提供するステップと、
該非振動接触電位差センサとの接続状態に位置決め機構をおくことにより、該位置決め機構によって前記ウェハステージに対して該前記非振動接触電位差センサを位置決めできるようにし、前記インライン半導体ウェハ処理システム内に前記非振動接触電位差センサを配置するステップと、
前記半導体ウェハの周縁トラックの周りで、前記非振動接触電位差を連続して放射状に走査するステップと、
前記非振動接触電位差センサから接触電位差トラックデータを、少なくとも前記半導体ウェハの放射状の走査中に発生するステップであって、前記トラックデータが、前記周縁トラックに沿った前記非振動接触電位差センサに対する前記半導体ウェハの接触電位差の変化を表すものである、接触電位差トラックデータを発生するステップと、
前記トラックが最後のトラックであるかどうかを判断するために、前記トラック用の前記トラックデータをコンピュータシステムに出力するステップと、
前記各半導体ウェハ表面の各接触電位差トラックデータを作成するために、走査された各トラックに対する前記接触電位差トラックデータを集めるステップと、
前記ウェハ表面上の化学的な欠陥または化学的な非均一性を表すパターンを自動的に検出するために、前記非振動接触電位差トラックデータを処理するステップと、
前記半導体ウェハ表面上の化学的な欠陥または化学的な非均一性を示し、少なくとも６０ミクロンの解像度を有する、前記半導体ウェハ表面の大面積の空間画像を出力するステップと
を含んでなる、製造用クリーンルームにおいて処理される半導体ウェハの表面上にある化学的欠陥を特定するインライン解析方法。
【請求項２】
特徴を示すウェハ画像を生成するために、前記接触電位差データをディスプレイに表示するステップと、
前記半導体ウェハの現在の表面の非均一性の前記化学的な欠陥のカテゴリを識別するために、前記特有のウェハ画像を、化学的な欠陥または化学的な非均一性の標準的な画像と比較するステップと
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記トラックデータを集めるステップは、ユーザが評価するためにユーザに表示される画像へと前記トラックデータを集めることをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記トラックデータを集めるステップは、検出された欠陥または非均一性の前記カテゴリを識別するために、前記トラックデータを自動的に処理することを含むものである請求項１に記載の方法。
【請求項５】
化学的な欠陥または化学的な非均一性の前記標準的な画像は、金属により汚染したウェハ画像と、アルコールにより汚染したウェハ画像と、真空ピックアップダメージウェハ画像と、ラテックスにより汚染したウェハ画像と、指紋により汚染したウェハ画像とからなるグループから選択される請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体ウェハを連続して放射状に走査するステップは、前記ウェハを回転させることを含むものである請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記半導体ウェハは、基礎となすシリコンウェハ上に設けられた少なくとも１つの追加の層を含むものである請求項１に記載の方法。
【請求項８】
半導体ウェハ走査システムを含むインライン半導体ウェハ処理システムを提供するステップと、
表面を有する半導体ウェハを提供するステップと、
前記半導体ウェハ走査システム内に前記半導体ウェハを配置するステップと、
該半導体ウェハに対して作動可能な関係に非振動接触電位差センサを位置決めするステップと、
前記非振動接触電位差センサと前記半導体ウェハを走査するように相互の関係において移動させるステップと、
前記非振動接触電位差センサのプローブに対する前記半導体ウェハの動きから、相対運動の発生とともに前記非振動接触電位差センサと前記半導体ウェハとの間の接触電位の変化を表す信号出力を発生し、前記非振動接触電位差センサに対する前記半導体の接触電位差の変化を表すデータを出力するステップと、
前記半導体ウェハの化学的状態の変化の特徴を示す高接触電位差変動性のエリアの場所を特定するために前記データを処理するステップと、
前記半導体ウェハが任意の化学汚染物質を含有するかを決定するために、前記データを既知の接触電位差データセットと比較するステップと
を含んでなる、前記半導体ウェハのインライン処理中に半導体ウェハ表面の清浄度を検出する方法。
【請求項９】
前記処理するステップは、前記化学汚染物質を決めるためにパターン認識手法を実行することを含むものである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
識別された前記化学汚染物質のカテゴリを改良する処理とともに、前記化学汚染物質前記ウェハを処理するステップをさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
追加の解析を実行するステップをさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記追加の解析を実行するステップは、化学汚染物質を分析することを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
コンピュータ化された判断手法を利用して、前記化学汚染物質のうちの選択されたものを有する前記半導体ウェハのうちの選択されたものを拒否するステップをさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
ウェハ走査システムを含み、半導体ウェハ上の化学汚染物質または化学的な非均一性を識別する半導体ウェハ処理システムと、
半導体ウェハと、
該半導体ウェハを受けるための、前記走査システムの半導体ウェハステージと、ここで、前記半導体ウェハステージは、前記半導体ウェハと回転できるように係合することができるものであり、
非振動接触電位差プローブと、該半導体ウェハステージのチャック上に前記半導体ウェハを固定する機構と、該非振動接触電位差プローブと接続状態にあって、該非振動接触電位差プローブを前記半導体ウェハステージ上に固定された前記半導体ウェハに対して位置決め可能な位置決めアセンブリとを有する非振動接触電位差の半導体センサシステムと、ここで、前記非振動接触電位差プローブは、前記非振動接触電位差プローブと前記半導体ウェハとを相対的に動かすことによって発生する接触電位差の変化に応答して、前記半導体ウェハ上の前記化学汚染物質の特有な信号を生成するように構成されており、
前記走査システムの前記非振動接触電位差プローブと接続状態にあって、相対接触電位差データが前記プローブによってコンピュータに出力されるものであるコンピュータシステムと、
該コンピュータシステムによって発生され、前記接触電位差データを表し、前記半導体ウェハ上の前記化学汚染物質およびその空間的な分布状態を特徴付ける画像と
を含んでなる、インライン半導体ウェハ処理システム。
【請求項１５】
標準的な欠陥の像のデータベースをさらに含み、現在の前記ウェハの表面上にある欠陥および前記空間的な分布状態のタイプに関する識別情報を発生するため、前記コンピュータが、関連する前記接触電位差データを分析して前記標準的な欠陥の接触電位差データの像と比較できるコンピュータソフトウェアを含む請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記カテゴリの欠陥が修復可能なものである場合には、前記半導体ウェハの選択されたあるものを次の処理システムに移動させる運搬装置をさらに含む請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
複数のセンサをさらに含み、前記センサの１つが、複数の洗浄システムの各々からすぐ下流に配置されることにより、前記洗浄システムの各々において処理された後に前記半導体ウェハを監視することができる請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
ウェハの清浄度を自動的に決定し、前記清浄プロセスを高めるために清浄パラメータを修正するための機構をさらに含む請求項１４に記載のシステム。