Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイヤの表面に固定するための、着脱可能なモジュール（２、３、４）と固定ベース（１）とからなる組立体であって、
固定ベース（１）は、タイヤの表面に永久的に連結するための取付け面（１０１）および支持面（１０２）を備えたソールプレート（１００）と、モジュールを所定位置に保持する手段とを有し、
モジュール（２、３、４）は、少なくとも１つのコンポーネントと、該コンポーネントの少なくとも一部が係合するケーシング（２００、３００、４００）とを有する構成の組立体において、
前記所定位置に保持する手段は、弾性ストラップ（１１０）を有し、該弾性ストラップ（１１０）はソールプレートの支持面（１０２）に対向して配置されかつその両端の連結部（１３０、１３１）によりソールプレート（１００）に連結され、前記ケーシング（２００、３００、４００）、ソールプレート（１００）およびストラップ（１１０）の形状および寸法は、ケーシング（２００、３００、４００）を、該ケーシングが、タイヤの通常の作動条件下で、弾性ストラップ（１１０）により発生される弾性復元力により弾性ストラップと前記支持面（１０２）との間の所定位置に保持される少なくとも１つの保持位置に位置決めできるように定められることを特徴とする組立体。
【請求項２】
前記ケーシング（２００、３００、４００）が所定位置に配置されたときに弾性ストラップ（１１０）により発生される弾性復元力は、タイヤが通常の作動条件で使用されるときに、ケーシング（２００、３００、４００）を、弾性ストラップ（１１０）およびソールプレート（１００）の支持面（１０２）と常時接触させておくことができる大きさであることを特徴とする請求項１記載の組立体。
【請求項３】
前記ベース（１）およびケーシング（２００、３００、４００）は、モジュール（２、３、４）を弾性ストラップ（１１０）とソールプレートの支持面（１０２）との間に挿入することにより所定位置に配置できることを特徴とする請求項１および２記載の組立体。
【請求項４】
前記モジュール（２、３、４）のケーシング（２００）は、該ケーシングが保持位置にあるときに弾性ストラップ（１１０）と接触するための背面（２０３）と、肩部（２０４、２０５）とを有し、該肩部（２０４、２０５）は、これらの間に弾性ストラップ（１１０）が配置されるように、モジュールのケーシング（２００）の背面（２０３）上で互いに対面するようにして、かつ弾性ストラップ（１１０）とモジュールのケーシング（２００）の背面（２０３）との接触ゾーンにおける弾性ストラップ（１１０）の幅に実質的に等しい間隔で配置されていることを特徴とする請求項３記載の組立体。
【請求項５】
前記ベースの弾性ストラップは、互いに対面するように配置された２つのサブパーツ（１１５、１１６）に分割されており、各サブパーツは、ストラップ（１１５、１１６）の復元力がモジュールのケーシング（３００）に伝達されるように、その一端（１３０、１３１）がソールプレート（１００）に連結されかつその他端（１１７、１１７）がモジュールのケーシング（３００）に係止されることを特徴とする請求項１または２記載の組立体。
【請求項６】
前記モジュールのケーシング（３００）へのストラップ（１１５、１１６）の係止は、両サブパーツの端部に配置された保持ロッド（１１７、１１８）を、モジュールのケーシング（３００）の溝（３０３、３０４）内に導入することにより確保されることを特徴とする請求項５記載の組立体。
【請求項７】
前記ベース（１）の弾性ストラップ（１１０）は、モジュールのケーシングの輪郭（４０３、４０４）を留めることができる開口（１２１）を有していることを特徴とする請求項１または２記載の組立体。
【請求項８】
前記モジュールのケーシングは、その一方の端部に、弾性ストラップ（１１０）に形成された開口（１２１）の縁部を受入れるための溝（４０３）を有していることを特徴とする請求項７記載の組立体。
【請求項９】
前記モジュールのケーシング（３００）は、ソールプレート（１００）の支持面（１０２）と接触するための支持足（３０１）を有し、前記ソールプレートの支持面（１０２）には、モジュールのケーシングの下面に配置された支持足（３０１）と協働するための１つ以上の僅かに隆起した部分（１０５）が設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の組立体。
【請求項１０】
前記モジュール（１）のケーシング（２００、３００、４００）の下面の前記支持足（２０１、２０２、３０１、３０２、４０２）は、緩やかな曲率をもつ凸状面を有していることを特徴とする請求項９記載の組立体。
【請求項１１】
前記ベースの弾性ストラップ（１１０）の或る部分の幅は、ソールプレート（１００）の幅よりも小さいことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の組立体。
【請求項１２】
前記固定ベース（１）は、モジュールのケーシング（２００、３００、４００）の背面上で弾性ストラップが移動しないようにする不動化手段（２０６、２０７、２０８、２０９、３０５、３０６）を有していることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項記載の組立体。
【請求項１３】
前記不動化手段は、螺子（２０８、２０９、３０５、３０６）の形態をなしていることを特徴とする請求項１２記載の組立体。
【請求項１４】
前記ソールプレート（１００）および弾性ストラップ（１１０、１１５、１１６）は、５ｍｍより小さい厚さの一片のエラストマ材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項記載の組立体。
【請求項１５】
前記ソールプレート（１００）および弾性ストラップ（１１０、１１５、１１６）は、２ｍｍより小さい厚さの一片のエラストマ材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項記載の組立体。
【請求項１６】
前記ベースの少なくとも弾性ストラップを形成するエラストマ材料は、ＥＰＤＭ、ＳＢＲ、ポリブタジエンまたはブチルからなる群から選択された少なくとも1つの合成エラストマを含むゴム配合物であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項記載の組立体。
【請求項１７】
前記ソールプレート（１００）の外形は波打ち状であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項記載の組立体。
【請求項１８】
前記ソールプレート（１００）の外形はジグザグ状であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項記載の組立体。
【請求項１９】
固定ベース（１）とともに、請求項１〜１８のいずれか１項記載の組立体を形成することを特徴とするモジュール（２、３、４）。
【請求項２０】
モジュール（２、３、４）とともに、請求項１〜１８のいずれか１項記載の組立体を形成することを特徴とする固定ベース（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膨張式車両乗員保護システムにおいて用いるためのインフレータであって、
第１端および第２端、およびその中の開口部を有する、圧力容器；
前記圧力容器の開口部を密封するように配置された、破裂可能なシール；
前記圧力容器に貯蔵された、ある量の実質的に非反応性の加圧ガス；
前記圧力容器に固定され、圧力容器の内部と流体連通する、点火装置；
前記圧力容器の内部に配置された有孔のガス発生剤用筐体であって、前記筐体は、ある長さ、第３端、第４端を有し、そして内部空洞を規定しており、第３端は、前記点火装置と前記内部空洞との間の流体連通を可能にするように配置され、第４端は前記シールと隣接しており、前記有孔筐体は前記加圧ガスと前記内部空洞との間の流体連通を可能にしている、前記筐体；および
前記内部空洞内に収納され、前記筐体の長さ方向に沿って延びている、ある量のガス発生剤組成物；
を含む、前記インフレータ。
【請求項２】
少なくとも部分的にガス発生剤を囲むフィルターをさらに含み、ガス発生剤の燃焼によって生成されるガスをフィルタリングする、請求項１に記載のインフレータ。
【請求項３】
フィルターが、筐体の内部空洞内の、ガス発生剤と筐体の間に配置され、ガス発生剤の燃焼によって生成されるガスをフィルタリングする、請求項２に記載のインフレータ。
【請求項４】
フィルターが、筐体外部の、筐体と少なくとも一部の加圧ガスの間に配置され、ガス発生剤の燃焼によって生成されるガスをフィルタリングする、請求項３に記載のインフレータ。
【請求項５】
フィルターが、筐体の外表面に配置された、請求項４に記載のインフレータ。
【請求項６】
ガス発生剤が、ガス発生剤第１端およびガス発生剤第２端を有する細長いストランドの形状をしており、点火装置が、該ストランドの燃焼を開始するために、該ガス発生剤ストランドの第１端との流体連通を可能にするように配置された、請求項１に記載のインフレータ。
【請求項７】
加圧ガスが、実質的に酸素を含有しない、請求項１に記載のインフレータ。
【請求項８】
加圧ガスが、単一の成分を含む、請求項１に記載のインフレータ。
【請求項９】
加圧ガスがＮ２を含む、請求項８に記載のインフレータ。
【請求項１０】
加圧ガスが、少なくとも２種の成分から形成されるガスを含む、請求項１に記載のインフレータ。
【請求項１１】
膨張式車両乗員保護システムにおいて用いるためのインフレータであって、
その中に開口部を含む、圧力容器；
前記圧力容器の開口部を密封するように配置された、破裂可能なシール；
前記圧力容器に貯蔵された、ある量の実質的に非反応性の加圧ガス；
前記圧力容器に固定され、圧力容器の内部と連通する、点火装置；
前記圧力容器の内部に圧力容器の中心軸に沿って配置されたガス発生剤用筐体であって、前記筐体は内部空洞およびその長さ方向に沿った複数の開口を規定して、加圧ガスと内部空洞との間の流体連通を可能にする、前記筐体；および
前記筐体の内部空洞内に収納され、前記筐体の長さ方向に沿って延びている、ある量のガス発生剤組成物であって、燃料としてのシリコーンと、金属および非金属の過塩素酸塩からなる群から選択される酸化剤とを含む、前記ガス発生剤組成物；
を含む、前記インフレータ。
【請求項１２】
ガス発生システムであって、
ガスを発生するためのガス発生器；
前記ガス発生器内の圧力容器；
前記圧力容器内の、実質的に非反応性の加圧ガス；
前記加圧ガスを流出させるための、前記圧力容器に形成されたオリフィス；
前記圧力容器のオリフィスを密封するための破裂可能なシール；
前記ガス発生器内の、前記シールに隣接したガス発生剤用筐体；および
前記ガス発生剤用筐体内のガス発生剤であって、燃焼して、前記加圧ガスと連通する燃焼生成物を生成する、前記ガス発生剤；
を含む、前記ガス発生システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月7日(2007.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレベータが、望ましくは機械室なしエレベータであり、該エレベータにおいて巻上機は、駆動綱車を介して巻上ロープへ連結されており、該ロープによってエレベータかごは動かされ、前記巻上機は少なくとも、エレベータシャフトの取付場所へ固定された固定子フレームと、固定アセンブリを形成している駆動綱車および回転子フレームとを含み、該アセンブリは、前記固定子フレームに対して回転可能であるように、軸受によって取り付けられ、前記巻上機は、該固定子フレームを補強する補強材へ固定されているエレベータ用懸垂装置において、該補強材は、軸受取付け用の支持体を含み、該支持体は、望ましくは前記駆動綱車の下に配置され、前記巻上機に向かう方向に延びており、前記支持体には、自由に回転する補助方向転換プーリが軸受によって取り付けられていることを特徴とするエレベータ用懸垂装置。
【請求項２】
請求項１に記載の懸垂装置において、前記駆動綱車の軸を成している該駆動綱車の軸受取付け用の支持体と、前記補助方向転換プーリの軸を成している軸受取付け用の支持体の双方が、前記補強材と恒久的に一体化されていることを特徴とする懸垂装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の懸垂装置において、前記駆動綱車の軸を成している該駆動綱車の軸受取付け用支持体の軸受面と、前記補助方向転換プーリの軸を成している軸受取付け用支持体の双方は、前記補強材の製造中にあらかじめ機械加工されていることを特徴とする懸垂装置。
【請求項４】
請求項１、２または３に記載の懸垂装置において、前記駆動綱車用の軸受面と、前記補助方向転換プーリ用の軸受面は機械加工されて、該駆動綱車の回転面が該補助方向転換プーリの回転面と異なるように、互いに対する角度にあり、該駆動綱車と該補助方向転換プーリとの間の巻上ロープが、互いの間を運転に関してできる限り有利に通過することを特徴とする懸垂装置。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれかに記載の懸垂装置において、前記巻上機は、ガイドレールへ直接、または別個の取付部を介して１つ以上のガイドレールへ、またはエレベータシャフトの他の適切な場所へ固定されていることを特徴とする懸垂装置。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれかに記載の懸垂装置において、前記補強材は一体鋳物であることを特徴とする懸垂装置。
【請求項７】
少なくとも固定子フレームと、駆動綱車および回転子フレームの固定アセンブリとを含み、該アセンブリは、前記固定子フレームに関して回転可能であるように軸受に取り付けられ、該固定子フレームを補強する補強材へ固定されているエレベータ巻上機において、該補強材は軸受用の支持体を含み、該支持体は、望ましくは前記駆動綱車の下に配置され、該巻上機へ向かう方向に延び、該支持体には、自由に回転可能な補助方向転換プーリが軸受によって取り付けられていることを特徴とするエレベータ巻上機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図３は、巻上機４の縦断面を示し、図４は、固定子フレームと一部一体化している補強材22の縦断面を示す。図３において、巻上機の縦断面は、中心線を直接通る平面に沿って取ったものではない。図３はさらに、補強材22へ固定された固定子フレーム26を示す。駆動綱車５は断面の形状で示し、これは、補強材22の駆動綱車軸軸受31用支持体の軸受面に回転可能に取り付けられている。支持体は、円筒状突起体であることが好ましい。駆動綱車軸軸受31用支持体は、補強材22と一体であり、補強材から巻上機に向かって延びて、駆動綱車５の軸を成している。駆動綱車５の下の補助方向転換プーリ７は、補強材22と恒久的に一体化されている円筒状支持体23に機械加工された軸受面28に軸受によって据え付けられており、軸受面は、対応する駆動綱車５用軸受面27に対して所望の角度であらかじめ機械加工されており、この軸受面は、同様に補強材22と一体化され、そこで機械加工されている。すなわち、両軸受面は、補強材22の製造中にすでに互いに対して所望の角度で機械加工されている。したがって、駆動綱車５と補助方向転換プーリ７の双方を、設置中に互いに対して正しい角度で自動的に取り付けることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボンナノチューブ材料を精製するための方法において、カーボンナノチューブ、マグネシア担体及び触媒金属を含有するカーボンナノチューブ材料を、二酸化炭素と水とを含有する混合物に接触させる工程であって、該マグネシア担体の少なくとも幾らかは、水溶性化合物を形成するように反応させる該工程を含む、上記方法。
【請求項２】
前記水溶性化合物を前記カーボンナノチューブから分離する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記混合物は、錯化剤を更に含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記触媒金属の少なくとも幾らかは、反応して水溶性化合物を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記接触工程は、２回以上行う、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記接触工程は、約０℃〜約４０℃の間の温度で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記カーボンナノチューブ材料を、塩酸、硝酸、硫酸及びそれらの組み合わせから成る群から選ばれる酸で処理する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記混合物は、水溶性アミンを更に含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記混合物は、キレート化剤を更に含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記触媒金属の少なくとも幾らかは、水溶性化合物を形成するように反応させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記混合物は、還元剤を更に含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記混合物は、ヒドロ亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム又はそれらの両方を更に含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記接触工程を、二酸化炭素及び水を含有する前記混合物の連続フローの中で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記カーボンナノチューブ材料を、酸化雰囲気中、約１００℃〜約４００℃の範囲の温度で加熱する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記接触工程は２回以上行い、しかも、最初の接触工程の後、前記混合物は、還元剤、キレート化剤、錯化剤、水溶性アミン、ヒドロ亜硫酸ナトリウム、および亜硫酸水素ナトリウムからなる群から選択されるものを更に含有する、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
前記ブラックベリーは、前記被験者内の炎症のバイオマーカーの合成を低減する、請求項１に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
併用療法が、アジュバント、生物学的に指定される形式の治療を含むことを特徴とする、前記請求項２１〜２２に記載の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＣＨＰ−ゲムシタビン複合剤および抗腫瘍剤、特に抗転移剤としてのその使用
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
好ましい様式では、前記ＧＳＴ阻害の二次過程はコラーゲンＩＶ阻害の他の化学的二次過程と関連している。特に、コラーゲンＩＶ阻害の二次過程は、この糖タンパク質の主要コラーゲンドメインを介して腫瘍細胞がドッキングし、そして細胞に浸潤および侵入する事実に起因して生じる。しかし、コラーゲン阻害は、腫瘍疾患における転移および浸潤および侵襲を減少させるだけでなく、正常組織が結合組織に再構築されているすべての炎症性疾患、例えば肺線維症、肝硬変、膵線維症および／または糸球体硬化症において治療効果を示す。さらにまた、コラーゲンＩＶ阻害は、例えば、強皮症／マルファン症候群、血管疾患、代謝性疾患、自己免疫疾患、およびアルツハイマー病の場合のような神経組織が結合組織に変化している神経系疾患、いわゆるグリオーシスに対して良好な影響を示す。ＣＨＰによるコラーゲンＩＶの阻害に加えて、特に最後に述べた疾患において、支援的／追加的治療の形式で、線維化を阻害する並行薬物、例えばブレオマイシン／ブスルファンを投与することが当然可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（ｉ）本発明の意義での炎症とは、外部または内部的に誘発された炎症性刺激に対する、結合組織および血管によって媒介される生物の反応であり、この反応の目的は、該刺激を排除または不活性化し、該刺激に起因する組織損傷を修復することである。誘発作用は、機械的刺激（異物、圧力、傷害）および他の物理的要因（電離放射線、紫外光、熱、寒冷）、化学物質（アルカリ性溶液、酸、重金属、細菌毒素、アレルゲン、および免疫複合体）、および病原体（微生物、寄生虫（worms）、昆虫）、または異常代謝産物（pathologic metabolites）、脱線（derailed）酵素、悪性腫瘍に起因して生じる。この過程は、短時間の細動脈の狭窄（アドレナリン作用に起因）から開始され、不適切な循環および組織変化を伴い、その後、典型的な局所炎症性の徴候（GALENおよびCELSUSに基づく主徴）、すなわち発赤（reddening）（＝潮紅（rubor）；ヒスタミンに起因する血管拡張）、熱感（heat）（＝熱（colar）；代謝の局所増加に起因）、腫脹（＝トルゴール（turgor）；ヒスタミンによって変化した血管壁からのタンパク質に富む体液の分泌に起因し、これは前充血から静止までの意味で減速した血液循環によって特に支援される）、痛み（pain）（＝疼痛（dolor）；組織間緊張の増加および発痛性（algogenic）炎症産物、例えばブラジキニンに起因）、および機能障害（functional disorders）（＝functio laesa）由来の徴候が発症する。この過程は、電解質代謝の障害（鉱質移動）、血管壁を通過する好中性顆粒球および単球の浸潤（invasion）（白血球遊走を参照）を伴い、その目的は炎症性刺激および損傷〜壊死細胞を排除すること（食作用）であり；さらにまた、リンパ球エフェクター細胞の浸潤を伴い、これにより炎症性刺激に対する特異的抗体の形成を生じ（免疫反応）、ならびに好酸球の浸潤（治癒期またはアレルギー−ヒペルエルギー過程（の非常に初期））を伴う。反応中に発生する補体系の活性化に起因して、該系の断片（Ｃ３ａおよびＣ５ａ）が遊離し、これらは−ヒスタミンおよびブラジキニンと同様に−炎症メディエーターとして、すなわち前述の血液細胞の走化性を刺激する意味で作用し；さらにまた、血液凝固が活性化される。結果的に、関連器官実質の損傷（異栄養症および凝固壊死）が生じる。炎症の強度および種類に依存して、生体全体は、発熱、ストレス（環境適応症候群を参照）、白血球増加および血漿タンパク質組成の変化（急性期反応）で反応し、赤血球沈降の加速が生じる。本発明の意義での好ましい炎症は、化膿性、滲出性、線維素性、壊疽性（gangrenescent）、肉芽腫性、出血性、カタル性、壊死性、繁殖性または増殖性、偽膜性、漿液性、特異性および／または潰瘍性炎症である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
別の好ましい実施態様では、処置または予防的阻止、または再発予防対象の癌性疾患または腫瘍は、癌性疾患または腫瘍疾患の群から選択される：耳−鼻−咽頭領域の腫瘍、例えば内鼻（inner nose）、副鼻腔、上咽頭、唇、口腔、中咽頭、喉頭、下咽頭、耳、唾液腺の腫瘍、および傍神経節腫、肺の腫瘍、例えば非小細胞性気管支癌、小細胞性気管支癌、縦隔の腫瘍、消化管の腫瘍、例えば食道、胃、膵臓、肝臓、胆嚢および胆道、小腸の腫瘍、結腸および直腸癌および肛門癌、泌尿生殖器の腫瘍、例えば腎臓、尿管、膀胱、前立腺、尿道、陰茎および精巣の腫瘍、婦人科学的腫瘍、例えば子宮頸部、膣、外陰の腫瘍、子宮癌、悪性栄養膜疾患、卵巣癌、卵管の腫瘍（Tuba Faloppii）、腹腔の腫瘍、乳癌、内分泌器官の腫瘍、例えば甲状腺、副甲状腺、副腎皮質の腫瘍、内分泌膵臓腫瘍、カルチノイド腫瘍およびカルチノイド症候群、多発性内分泌腫瘍、骨および軟組織肉腫、中皮腫、皮膚腫瘍、黒色腫、例えば皮膚および眼内黒色腫、中枢神経系の腫瘍、乳児期の腫瘍、例えば網膜芽細胞腫、ウィルムス腫瘍、神経線維腫症、神経芽細胞腫、ユーイング肉腫腫瘍ファミリー、横紋筋肉腫、リンパ腫、例えば非ホジキンリンパ腫、皮膚Ｔ細胞リンパ腫、中枢神経系の原発性リンパ腫、ホジキン病（morbus Hodgkin）、白血病、例えば急性白血病、慢性骨髄球性およびリンパ性白血病、形質細胞新生物、脊髄形成異常症候群、腫瘍随伴症候群、未知の原発腫瘍を伴う転移（ＣＵＰ症候群）、腹膜癌症、免疫抑制関連悪性腫瘍、例えばエイズ関連悪性腫瘍、例えばカポジ肉腫、エイズ関連リンパ腫、中枢神経系のエイズ関連リンパ腫、エイズ関連ホジキン病およびエイズ関連肛門性器腫瘍、移植関連悪性腫瘍、転移型腫瘍、例えば脳転移、肺転移、肝転移、骨転移、胸膜および心膜転移、および悪性腹水。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基層を形成するステップと、
前記基層上に半導体層を形成するステップと、
アクティブデバイスについての前記半導体層中に歪みを引き起こすように、前記基層中に複数のピラーを形成するステップと、を含む、
歪み層を含んだ集積回路基板を製造する方法。
【請求項２】
前記ピラーに関連するアパーチャ中に圧縮材料を提供するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記基層に到達するまで前記圧縮材料をプレーナ化するステップをさらに含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ピラーは、２０００Åから３０００Åの幅を有している、請求項１ないし３のいずれかの項記載の方法。
【請求項５】
前記圧縮材料は、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によりたい積される窒化物を含む、請求項１ないし３のいずれかの項記載の方法。
【請求項６】
歪み層と、
アクティブデバイスについての前記歪み層の下の基層であって、前記歪み層中に応力を引き起こすトレンチを、前記歪み層と反対側に有する、基層と、を含む、
基板。
【請求項７】
前記歪み層は、歪みシリコンである、請求項６記載の基板。
【請求項８】
前記トレンチ中に配置される圧縮材料をさらに含む、請求項６または７記載の基板。
【請求項９】
前記基層と前記歪み層の間の埋込酸化膜をさらに含む、請求項６または８記載の基板。
【請求項１０】
基層中に複数のトレンチをエッチングするステップと、
アクティブデバイスについての半導体層中に歪みを引き起こすように、前記トレンチ中に圧縮材料を提供するステップと、を含む方法によって製造される、
基層上に歪み半導体層を含んだ基板。
【請求項１１】
基層を形成するステップと、
前記基層上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上に半導体層を形成するステップと、
前記基層中に複数のピラーを形成するステップと、を含み、前記ピラーは、前記基層に対して平行な方向よりも前記基層に対して垂直に近い方向に伸び、前記ピラーの高さは幅よりも大きく、前記半導体層は、前記基層と反対側にあり、かつ、アクティブコンポーネントを含むための上面を含む、
歪み層を含んだ集積回路基板を製造する方法。
【請求項１２】
基層中に複数のトレンチをエッチングするステップと、
前記トレンチ中に圧縮材料を提供するステップと、を含み、前記トレンチは、前記基層に対してほぼ垂直に伸び、前記歪み半導体層は前記基層と反対側にあり、アクティブデバイスのための上面を有する、基層上に歪み半導体層を形成する方法。
【請求項１３】
アクティブデバイスのための上面を有する基板を提供するステップと、
歪み層を形成するために、前記基板中に応力を引き起こすトレンチを、前記上面と反対側に形成する、歪み基板を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の結晶半導体層の表面の上に歪んだ第二の結晶半導体層を形成させる工程であって、前記第一の結晶半導体層は、あらかじめ形成された絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）基板の絶縁層の上に配置されるものとする工程と、前記第二の結晶半導体層を含む前記あらかじめ形成されたＳＯＩ基板を、前記第二の結晶半導体層中の前記歪みを緩和させるのに十分な第一の温度で、第一のアニーリング工程に付す工程と、前記第一の結晶半導体層全体および前記第二の結晶半導体層の下部を含む埋め込み非晶質化領域を作り出すために、非晶質化イオン注入を実行する工程と、前記第二の結晶半導体層および前記埋め込み非晶質化領域を含む前記あらかじめ形成されたＳＯＩ基板を、前記埋め込み非晶質化領域を再結晶化させるのに十分な第二の温度で、第二のアニーリング工程に付し、その結果前記第一の結晶半導体層を歪んだ状態で再結晶化させる工程、前記第二の結晶半導体層を選択的に除去して、絶縁体上歪み半導体（ＳＳＯＩ）基板を提供する工程とを含む、絶縁体上歪み半導体を作製する方法。
【請求項２】
前記形成させる工程と第一のアニーリング工程との間に、前記第一の結晶半導体層の内部または近傍に欠陥を発生させるために、欠陥発生イオン注入を実行する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記欠陥は、前記第二の結晶半導体層をより効率的に緩和させる効率的な転位核形成部位として働かせることができる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第一の結晶半導体層の表面の上に歪んだ第二の結晶半導体層を形成させる工程であって、前記第一の結晶半導体層は、あらかじめ形成された絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）基板の絶縁層の上に配置されるものとする工程と、前記第一の結晶半導体層の内部または近傍に欠陥を発生させるために、欠陥発生イオン注入を実行する工程と、前記第二の結晶半導体層および前記欠陥を含有する前記あらかじめ形成されたＳＯＩ基板を、前記第二の結晶半導体層中の前記歪みを緩和させるのに十分な第一の温度で、第一のアニーリング工程に付す工程、前記第一の結晶半導体層全体および前記第二の結晶半導体層の下部を含む埋め込み非晶質化領域を作り出すために、非晶質化イオン注入を実行する工程と、前記第二の結晶半導体層および前記埋め込み非晶質化領域を含有する前記あらかじめ形成されたＳＯＩ基板を、前記埋め込み非晶質化領域を再結晶化させるのに十分な第二の温度で、第二のアニーリング工程とに付し、その結果前記第一の結晶半導体層を歪んだ状態で再結晶化させる工程、および前記第二の結晶半導体層を選択的に除去して、絶縁体上の歪んだ半導体基板を提供する工程とを含む、絶縁体上歪み半導体（ＳＳＯＩ）を作製する方法。
【請求項５】
Ｓｉ含有層の表面の上に歪んだＧｅ含有層を形成させる工程であって、前記Ｓｉ含有層は、あらかじめ形成された絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）基板の絶縁層の上に配置されるものとする工程と、前記Ｇｅ含有を含有するあらかじめ形成されたＳＯＩ基板を、前記Ｇｅ含有層中の前記歪みを緩和させるのに十分な第一の温度で、第一のアニーリング工程に付す工程と、前記Ｓｉ含有層全体および前記Ｇｅ含有層の下部を含む埋め込み非晶質化領域を発生させるために、非晶質化イオン注入を実行する工程と、前記Ｇｅ含有層および前記埋め込み非晶質化領域を含有する前記あらかじめ形成されたＳＯＩ基板を、前記埋め込み非晶質化領域を再結晶化させるのに十分な第二の温度で、第二のアニーリング工程に付し、その結果前記第一の結晶半導体層を歪んだ状態で再結晶化させる工程と、および選択的にＧｅ含有層を除去して基板上歪みＳｉ（ＳＳＯＩ）を提供する工程とを含む、絶縁体上歪みＳｉを作製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と複数のＬＥＤダイを含んで成る照明組立体であって、前記基板は、当該基板の第１の側にある電気絶縁層と当該基板の第２の側にある導電層を含み、前記電気絶縁層は多層光学フィルムを含み、そして各ＬＥＤダイが、前記基板の第１の側にある前記電気絶縁層を貫通して前記基板の第２の側の前記導電層に延びるビアの中に配置され、さらに、各ＬＥＤダイが、ビアを貫通して前記基板の第２の側の前記導電層に作動的に結合された複数のＬＥＤダイと、
を含む照明組立体。
【請求項２】
前記多層光学フィルムが、少なくとも部分反射する多層光学フィルムを含む、請求項１に記載の照明組立体。
【請求項３】
少なくとも部分反射する多層光学フィルムを含む、電気絶縁材料のフレキシブルな層と、
前記絶縁材料の第１面に配置された導電材料のフレキシブルな層であって、この伝導性材料がパターン化されていて複数の隣接する熱拡散要素を形成しており、各熱拡散要素が第１電気接続パッドおよび第２電気接続パッドを有するフレキシブルな層と、
前記絶縁材料を貫通して延びる複数の取り付け用ビアであって、各取り付け用ビアが、関連する熱拡散要素の前記第１電気接続パッドを露出させている複数の取り付け用ビアと、
を含むフレキシブル回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板上にゲート絶縁層を形成するステップと、
前記ゲート絶縁層上にゲートを形成するステップと、
前記ゲートおよび前記ゲート絶縁層に隣接する前記半導体基板上に、側壁スペーサを形成するステップと、
前記側壁スペーサに隣接する前記半導体基板上に、選択エピタキシャル成長により、厚くした層を形成するステップと、
前記厚くした層の少なくとも一部分に、隆起したソース／ドレインドーパント注入領域を形成するステップと、
前記隆起したソース／ドレインドーパント注入領域の少なくとも一部分に、シリサイド層を形成し、このシリサイド層の下に、シリサイド層からのドーパントでリッチ化されたソース／ドレイン領域を形成するステップと、
シリサイド層の上に絶縁層たい積するステップと、
前記絶縁層において前記シリサイド層へのコンタクトを形成するステップと、
を含む、デバイスを形成する方法。
【請求項２】
前記隆起したソース／ドレインドーパント注入領域を形成するステップは、前記厚くした層および前記半導体基板の隣接する上面中に、ドーパントを注入するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記隆起したソース／ドレインドーパント注入領域にシリサイド層を形成するステップは、
前記隆起したソース／ドレインドーパント注入領域上に金属層を形成するステップと、
前記金属層の熱シリサイド化によって、前記隆起したソース／ドレインドーパント注入領域の材料中にシリサイド層を形成するステップと、をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記隆起したソース／ドレインドーパント注入領域の少なくとも一部分に、シリサイド層を形成し、このシリサイド層の下に、シリサイド層からのドーパントでリッチ化されたソース／ドレイン領域を形成するステップは、
注入当初のドーパントのプロファイルよりも急峻なドーパントプロファイルでリッチ化されたソース／ドレイン領域を形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記隆起したソース／ドレインドーパント注入領域を形成するステップは、ヒ素、リン、アンチモン、ホウ素、インジウムおよびこれらの組み合わせからなる群から選択されるドーパントで前記領域をインプラントするステップをさらに含み、
前記シリサイド層を形成するステップは、コバルト、ニッケル、チタン、ハフニウム、プラチナおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属層をたい積するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
半導体基板と、
前記半導体基板上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲートと、
前記ゲートおよび前記ゲート絶縁層に隣接する前記半導体基板上の側壁スペーサと、
前記側壁スペーサに隣接する前記半導体基板上のエピタキシャル成長により厚くした層と、
前記エピタキシャル成長により厚くした層の少なくとも一部分中シリサイド層と、
前記シリサイド層からのドーパントでリッチ化された、前記シリサイド層の下のソース／ドレイン領域と、
前記シリサイド層上の絶縁層と、
前記絶縁層における前記シリサイド層へのコンタクトと、
を含む、デバイス。
【請求項７】
前記エピタキシャル成長により厚くした層および前記半導体基板の隣接する上面は、ドーパント注入領域である、請求項６記載のデバイス。
【請求項８】
前記エピタキシャル成長により厚くした層中の前記シリサイド層は、
たい積された前記金属層の熱シリサイド化によって、ドーパントが注入されたエピタキシャル成長により厚くした層中に形成されるシリサイド層をさらに含む、請求項６記載のデバイス。
【請求項９】
前記シリサイド層からのドーパントでリッチ化された前記ソース／ドレイン領域は、前記シリサイド層からのリッチ化のないドーパントのプロファイルよりも急峻であるドーパントプロファイルを有する、請求項６記載のデバイス。
【請求項１０】
前記ドーパントは、ヒ素、リン、アンチモン、ホウ素、インジウムおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される材料であり、
前記シリサイド層は、コバルト、ニッケル、チタン、ハフニウム、プラチナおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属のシリサイドである、請求項６記載のデバイス。
【請求項１１】
半導体基板と、
前記半導体基板上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲートと、
前記ゲートおよび前記ゲート絶縁層に隣接する前記半導体基板上の側壁スペーサと、
前記側壁スペーサおよび前記ゲートに隣接する前記半導体基板の表面上のエピタキシャル成長により厚くしたシリコン層と、を含み、前記エピタキシャル成長により厚くした層および前記半導体基板の隣接する上面はドーパント注入領域であって、
前記エピタキシャル成長により厚くしたシリコン層の少なくとも一部分内のシリサイド層と、
前記シリサイド層からのドーパントでリッチ化された前記シリサイド層の前記ソース／ドレイン領域と、を含み、前記ソース／ドレイン領域は、前記シリサイド層からのリッチ化のないドーパントのプロファイルよりも急峻であるドーパントプロファイルを有しており、
前記ドーパントは、ヒ素、リン、アンチモン、ホウ素、インジウムおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される材料であって、
前記ゲート上のシリサイド層と、を含み、
前記シリサイド層は、コバルト、ニッケル、チタン、ハフニウム、プラチナおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属のシリサイドであって、
前記シリサイド層上の絶縁層と、
前記絶縁層における前記シリサイド層へのコンタクト、とを含む、デバイス。
【請求項１２】
前記エピタキシャル成長により厚くしたシリサイド層中の前記シリサイド層は、たい積された金属層の熱シリサイド化によって、ドーパントが注入されたエピタキシャル成長により厚くしたシリサイド層中に形成されるシリサイド層をさらに含む、請求項１１記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて、少なくとも動作チャネルを有するアクセスポイント（ＡＰ）によって使用される最適なチャネルを少なくとも選択する方法であって、
（ａ）複数の隣接する基本サービスセット（ＢＳＳ）のそれぞれの平均負荷を計算し、
（ｂ）前記ＡＰによって使用される許容チャネルセット（ＡＣＳ）中のチャネルの中から、候補チャネルを決定し、
（ｃ）以下を実行することによって、前記候補チャネルから、新たな動作チャネルに使用されるチャネルを選択する、
（ｃ１）すべての候補チャネルに対する予測チャネル利用率を計算し、
（ｃ２）最低のチャネル利用率をもつチャネルを選択し、
（ｃ３）前記選択されたチャネルが現動作チャネルと異なるかどうかを判定し、
（ｃ４）前記選択されたチャネルが前記現動作チャネルと異なる場合、前記現動作チャネルのチャネル利用率が、前記選択されたチャネルのチャネル利用率よりも、少なくとも事前定義されたしきい値だけ大きいかどうかを判定する、
各ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
（ｄ）平均負荷がしきい値より大きい前記ＢＳＳの情報を記録するステップ
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ｃ）は、
（ｃ５）前記選択されたチャネルが、ステップ（ｃ３）の前記現動作チャネルと同じである場合、この最適化チャネル選択処理を終了するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｃ）は、
（ｃ６）前記現動作チャネルのチャネル利用率が、前記選択されたチャネルのチャネル利用率よりも、ステップ（ｃ４）の事前定義されたしきい値ほど大きくはない場合、この最適化チャネル選択処理を終了するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
（ｄ）前記現動作チャネルのチャネル利用率が、前記選択されたチャネルのチャネル利用率よりも、少なくともステップ（ｃ４）の事前定義されたしきい値だけ大きい場合、前記現動作チャネルを介して前記ＡＰと関連する無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）があるかどうかを判定し、
（ｅ）ステップ（ｄ）で判定された前記関連するＷＴＲＵのすべてを関連解除する、各ステップをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ｄ）で判定された関連するＷＴＲＵがない場合に、あるいはステップ（ｅ）の実行後に、ステップ（ｃ）が実行されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
アクセスポイント（ＡＰ）が使用する最適なチャネルを少なくとも選択する無線通信システムであって、前記アクセスポイント（ＡＰ）は、少なくとも動作チャネルを有し、
前記システムは、
（ａ）複数の隣接する基本サービスセット（ＢＳＳ）のそれぞれの平均負荷を計算する手段と、
（ｂ）前記ＡＰによって使用される許容チャネルセット（ＡＣＳ）中のチャネルの中から、候補チャネルを決定する手段と、
（ｃ）前記候補チャネルから、新たな動作チャネルに使用されるチャネルを選択する手段を含み、
前記選択する手段は、さらに、
（ｃ１）すべての候補チャネルに対する予測チャネル利用率を計算する手段と、
（ｃ２）最低のチャネル利用率をもつチャネルを選択する手段と、
（ｃ３）前記選択されたチャネルが現動作チャネルと異なるかどうかを判定する手段と、
（ｃ４）前記選択されたチャネルが前記現動作チャネルと異なる場合、前記現動作チャネルのチャネル利用率が、前記選択されたチャネルのチャネル利用率よりも、少なくとも事前定義されたしきい値だけ大きいかどうかを判定する手段と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項８】
（ｄ）平均負荷がしきい値より大きい前記ＢＳＳの情報を記録する手段
をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記選択されたチャネルが、前記現動作チャネルと同じである場合、この最適化チャネル選択処理を終了することを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記現動作チャネルのチャネル利用率が、前記選択されたチャネルのチャネル利用率よりも、少なくとも事前定義されたしきい値ほど大きくはない場合、この最適化チャネル選択処理を終了することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
（ｄ）前記現動作チャネルのチャネル利用率が、前記選択されたチャネルのチャネル利用率よりも、少なくともステップ（ｃ４）の事前定義されたしきい値だけ大きい場合、前記現動作チャネルを介して前記ＡＰと関連する無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）があるかどうかを判定する手段と、
（ｅ）ステップ（ｄ）で判定された前記関連するＷＴＲＵのすべてを関連解除する手段と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月1日(2007.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクチャエレメントがそれぞれ色値によって表現される、デジタルでコード化された画像を処理する方法であって、複数の前記ピクチャエレメントのそれぞれについて、
（ａ）複数の比較を実行し、各比較が、検討中の前記ピクチャエレメントとその近傍の少なくとも１つの追加のピクチャエレメントとを備える第１のピクチャエレメントグループを、ベースピクチャエレメントと少なくとも１つの追加のピクチャエレメントとを備える第２のピクチャエレメントグループと比較することを備え、前記第２のグループの中のピクチャエレメントの数は前記第１のグループのピクチャエレメントの数と同じであり、前記第２のグループの前記ベースピクチャエレメントを基準にした、前記第２のグループの前記又は各追加のエレメントの位置は、検討中の前記ピクチャエレメントを基準にした、前記第１のグループの前記又はそれぞれの追加のエレメントの位置と同じであり、各比較が、前記２つのグループがそれらが類似性の基準を満たすという意味で一致するかどうかを判断することと、
（ｂ）少なくとも１つの比較が一致を生じさせるときに、検討中の前記ピクチャエレメントの置換色値を計算し、前記置換色値が、一致が取得された前記又は各第２のグループの前記ベースピクチャエレメントに関する前記色値の関数であることと、
を備える、方法。
【請求項２】
弁別性の基準を満たすピクチャエレメントを識別することと、前記弁別性の基準を満たさないピクチャエレメントについてだけ置換色値を計算することとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
弁別性の基準を満たすピクチャエレメントを識別するステップが事前に実行され、前記比較が前記弁別性の基準を満たさないピクチャエレメントだけに実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ピクチャエレメントの弁別性の前記基準は、このピクチャエレメントに関して取得される一致の数が閾値を超えることである、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のグループの前記又は各追加のピクチャエレメントの選択は、無作為に又は擬似乱数的に選択される、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のグループの前記又は各追加のピクチャエレメントの選択は、前記検討中のエレメントの所定の距離範囲内にあるピクチャエレメントから、無作為に又は擬似乱数的に選択される、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記追加のエレメントは一致後に新たに選択される、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のグループの前記ベースピクチャエレメントの選択は、無作為に又は擬似乱数的に選択される、請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のグループの前記ベースピクチャエレメントの選択は、前記検討中のエレメントの所定の距離範囲内にあるピクチャエレメントから、無作為に又は擬似乱数的に選択される、請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２のグループの前記ベースピクチャエレメントは、比較ごとに新たに選択される、請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記画像は色画像であり、前記色値は３つの成分を有する、請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ピクセルの前記置換色値は、その既存の色値の関数でもある、請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記置換色値は、前記検討中のピクチャエレメントの前記色値と、一致が取得された前記又は各第２のグループの前記ベースピクチャエレメントの前記色値の平均である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記置換色値は、前記検討中のピクチャエレメントの前記色値と、一致が取得された前記又は各第２のグループの前記ベースピクチャエレメントの前記色値との平均に、最も近い色値の所定の集合の置換色値である、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感情障害を処置するための薬剤の調製のためのピパンペロンの使用であって、該ピパンペロンが活性成分５〜１５mgの範囲の１日投薬量で患者に投与され、第二の化合物が、該ピパンペロンと同時に、該ピパンペロンとは別に、または該ピパンペロンに続いて投与され、該第二の化合物は、選択的セロトニン再取り込みインヒビターであるピパンペロンの使用。
【請求項２】
該ピパンペロンが該第二の化合物を投与する少なくとも１日前に毎日投与される、請求項１記載の使用。
【請求項３】
該選択的セロトニン再取り込みインヒビターが、シタロプラム、フルオキセチン、ベンラファキシン、フルボキサミン、パロキセチン、セルトラリン、ミルナシプラン及びデュロキセチン又はそのプロドラッグ若しくは薬学的に許容され得る塩を含む群から選択される請求項１又は２記載の使用。
【請求項４】
該選択的セロトニン再取り込みインヒビターが、シタロプラムであり、活性成分の１０〜４０mgの範囲の一日用量にて投与される請求項３記載の使用。
【請求項５】
ピパンペロンが活性成分５〜１５mgの範囲の１日投薬量で患者に投与され、該第二の化合物は第一の化合物と同時に、該第一の化合物とは別に、または該第一の化合物に続いて投与され、該第一の化合物が該第二の化合物の治療効果を増大する、ピパンペロンまたはその医薬的に許容可能な塩、及び感情障害を処置するための薬剤の調製のための選択的セロトニン再取り込みインヒビターの使用。
【請求項６】
第一の化合物が活性成分５〜１５mgの範囲の単位投薬量で提供されるピパンペロンであり、第二の化合物が選択的セロトニン再取り込みインヒビターである、２つの化合物を含む医薬的組成物。
【請求項７】
該選択的セロトニン再取り込みインヒビターが、シタロプラム、フルオキセチン、ベンラファキシン、フルボキサミン、パロキセチン、セルトラリン、ミルナシプラン及びデュロキセチン又はそのプロドラッグ若しくは薬学的に許容され得る塩を含む群から選択される請求項６記載の医薬的組成物。
【請求項８】
該選択的セロトニン再取り込みインヒビターがシタロプラムであり、活性成分の１０〜４０mgの範囲の単位投薬量で提供される請求項７記載の医薬的組成物。
【請求項９】
ピパンペロンが活性成分５〜１５mgの範囲の単位投薬量で提供する１日投薬量で調製され、第二の化合物が、該ピパンペロンと同時に、該ピパンペロンとは別に、または該ピパンペロンに続いて投与され、該第二の化合物は選択的セロトニン再取り込みインヒビターである、感情障害を処置するための薬剤の調製のためのピパンペロンの使用。
【請求項１０】
該選択的セロトニン再取り込みインヒビターがシタロプラム、フルオキセチン、ベンラファキシン、フルボキサミン、パロキセチン、セルトラリン、ミルナシプラン及びデュロキセチン又はそのプロドラッグ若しくは薬学的に許容され得る塩を含む群から選択される請求項９記載の使用。
【請求項１１】
該選択的セロトニン再取り込みインヒビターがシタロプラムであり、活性成分の１０〜４０mgの範囲の単位投薬量で投与される請求項１０記載の使用。
【請求項１２】
ピパンペロンを含む錠剤又はカプセルであって、該ピパンペロンが活性成分５〜１５mgからなることを特徴とする錠剤又はカプセル。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記加熱する工程は、前記少なくとも１基の反応器を９０°から９５℃の間の温度に加熱する工程を含むことを特徴とする、請求項１７の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記形成ヘッド（１３）は、前記ヘッド（１３）を前記回転ドラム運搬手段（６）自体の回転（Ｘ）軸に平行な方向で、それぞれのポケット（７）を覆う、前記回転ドラム運搬手段（６）に向かっておよび、前記回転ドラム運搬手段から離れて動かす、第一カム駆動手段（１７）によって作用され、第二カム手段（１９）は、前記ポケット（７）自体に対して、半径方向に前記回転ドラム運搬手段（６）上の前記それぞれのポケット（７）に向かってまたは、前記それぞれのポケット（７）から離れて動くことを、特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。