(57)【要約】【課題】  基板上に塗布された化学増幅型レジストに対する電子線露光によって、光記録媒体製造用のスタンパー原盤を、凹凸パターンの幅寸法の均一性を確保して製造する。【解決手段】  局所真空電子線露光装置１において、電子線露光の照射電流量を例えば一定として製造したスタンパー原盤に形成されるピット及びグルーブ等の凹凸パターンに関して、アミンによって生じる寸法例えば幅の変動及び不均一性を予め検討し、この検討結果に基づいて、スタンパー原盤を構成する基板４上に塗布された化学増幅型レジストに対する露光の開始位置と終了位置の電子線露光の照射電流量及びその変化を選定する。【選択図】        図１ 
2006010864.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学増幅型レジストに対する局所真空電子線露光方法であって、
少なくとも、露光開始位置と露光終了位置とに対する電子線露光の照射電流量を変化させることを特徴とする局所真空電子線露光方法。
【請求項２】
上記電子線露光の照射電流量を、上記露光開始位置から上記露光終了位置に向かうにしたがって徐々に変化させることを特徴とする請求項１に記載の局所真空電子線露光方法。
【請求項３】
上記電子線露光の結像距離を一定に維持することを特徴とする請求項１または２に記載の局所真空電子線露光方法。
【請求項４】
上記電子線露光の照射電流量を、先になされた電子線露光の結果に基づいて選定することを特徴とする請求項１または２に記載の局所真空電子線露光方法。
【請求項５】
局所真空電子線露光装置を用いた、光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法であって、
基板上に化学増幅型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、上記基板上に塗布された化学増幅型レジストに対する電子線による露光を行うレジスト露光工程とを有し、
該レジスト露光工程において、少なくとも、露光開始位置と露光終了位置とに対する電子線露光の照射電流量を変化させることを特徴とする光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法。
【請求項６】
上記電子線露光の照射電流量を、上記露光開始位置から上記露光終了位置に向かうにしたがって徐々に変化させることを特徴とする請求項５に記載の光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法。
【請求項７】
上記電子線露光の結像距離を一定に維持することを特徴とする請求項５または６に記載の光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法。
【請求項８】
上記電子線露光の照射電流量を、先になされた電子線露光の結果に基づいて選定することを特徴とする請求項５または６に記載の光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法。
【請求項９】
化学増幅型レジストに対する電子線露光を行う局所真空電子線露光装置であって、
化学増幅型レジストの露光開始位置と露光終了位置とに対する電子線露光の照射電流量を変化させることが可能とされたことを特徴とする局所真空電子線露光装置。
【請求項１０】
上記電子線露光の照射電流量を、上記露光開始位置から上記露光終了位置に向かうにしたがって徐々に変化させることが可能とされたことを特徴とする請求項９に記載の局所真空電子線露光装置。
【請求項１１】
上記電子線露光の結像距離を一定に維持することが可能とされたことを特徴とする請求項９または１０に記載の局所真空電子線露光装置。
【請求項１２】
上記電子線露光の照射電流量を、先になされた電子線露光の結果に基づいて選定することが可能とされたことを特徴とする請求項９または１０に記載の局所真空電子線露光装置。
【請求項１３】
上記電子線露光の照射電流量の変化を、先になされた電子線露光の結果に基づいて自動的に制御する制御手段が設けられたことを特徴とする請求項９または１０に記載の局所真空電子線露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、局所真空電子線露光方法と、この露光方法によって行うことのできる光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法、及びこれら露光方法と製造方法とを実施するのに好適な局所真空電子線露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
記録媒体、例えば図６に概略上面図を示すようなディスク状の光記録媒体１０１の製造においては、この光記録媒体上に形成されるトラッキング用グルーブや情報ピット等の凹凸パターン１０２に対応する反転凹凸パターンを有するスタンパーが用いられる。
このスタンパーを、例えばディスク状記録媒体の基板の射出成型時に成型スタンパーに用いるとか、予めディスク状の記録媒体基板を用意し、この基板上に例えば紫外線硬化樹脂等の樹脂を塗布して押圧成型する所謂２Ｐ（Photo Polymerization）法の押圧スタンパーとして用いるなどの手法によって、ディスク状光記録媒体の製造を行うことができる。
【０００３】
このスタンパーは、最終的に得る光記録媒体の凹凸パターン、もしくはこの凹凸パターンに対応する反転凹凸パターンを有するスタンパー原盤を製造し、この原盤に形成された凹凸パターンを、例えばＮｉ（ニッケル）によるメッキを用いて、転写するとか、転写を繰り返すことによって作製することができる。
近年、スタンパー原盤の製造においては、原盤を構成する基板に凹凸を形成するエッチングのマスクとして化学増幅型レジストが使用される傾向が強まっている（例えば非特許文献１参照）。
【０００４】
例えばポジ型の化学増幅型レジストは、電子線照射等の露光によって被照射部で酸を発生させる性質を有し、露光後ベークいわゆるＰＥＢ（Post Exposure Bake）による加熱によって、被照射部で発生した酸による酸触媒連鎖反応が進行する。
電子線照射等の露光による酸触媒連鎖反応によって、レジストの現像液に対する溶解性が変化することから、これを利用してスタンパー原盤のパターン形成を行うことができる。
【０００５】
このスタンパー原盤の製造における電子線照射は、通常、電子の平均自由行程が圧力に依存していることや、電子線の発生を電子光学的に安定に維持する必要性から、電子線通路を例えば１０−３Ｐａ以下の圧力による高真空条件を安定的に形成することが求められる。
【０００６】
通常、この高真空条件維持の要求に対して、図７に概略構成を示すような、露光電子ビームを得る電子銃（電子源）や、レンズ系を有する電子線露光装置本体１１２と、この電子線露光装置本体１１２から出射された電子ビーム露光がなされる被露光体が配置される被露光体配置部１１３とが全体として高真空の閉空間とされた全真空型の電子線露光装置１１１が用いられている。
【０００７】
この全真空型の電子線露光装置は、上述したように、閉空間で高真空条件を維持する構成を有するため、上述の酸触媒連鎖反応の阻害要因となる空気中の窒素由来成分例えばアミン成分を十分に低減した状態を安定的に維持することができる。したがって、露光に長時間を要する場合にも、空気中のアミン成分等による酸触媒連鎖反応の阻害によって凹凸パターンの寸法が不均一になるなどの不都合を回避することができる。
【０００８】
しかし、全真空型の電子線露光装置は、製造できるスタンパー原盤のサイズ、すなわちスタンパー原盤を構成する基板のサイズに制限があることや、製造したスタンパー原盤を取り出して次の基板の製造を開始するまでの基板交換時間の短縮に限界があることが問題とされていた。特に基板交換時間は、露光後のベークまでの時間と化学増幅型レジストにおける難溶化層の発生との間の相関関係からも、量産を行う上で特に深刻な問題となる。
【０００９】
この問題に対し、図８に概略構成を示すような局所真空型の電子線露光装置の提案がなされている（例えば特許文献１参照）。
この局所真空型の電子線露光装置１２１は、高真空とされた電子線露光装置本体１２１からの電子線通路のみをその周囲の減圧によって、局所的に高真空に保持し、このようにすることによって被露光体配置部１２３を開放する構成とする。
【００１０】
局所真空型の電子線露光装置は、被露光体基板のサイズに制約されることなく露光や観察を行うことができるとか、製造したスタンパー原盤を取り出して次の基板の製造を開始するまでの基板交換時間を全真空型の電子線露光装置に比べて格段に短くすることができるなどの利点を有することから、量産に適した電子線露光装置として特に注目されている。
【非特許文献１】Jpn.J.appl.Phys.Vol.31(1992)pp.4294-4300 Part1,No.12B,December 1992
【特許文献１】特開2001-242300号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、局所真空型の電子線露光装を用いてスタンパー原盤製造を行う場合、露光の照射電流量を一定としても、スタンパー原盤を構成する基板に対する露光から露光後ベーク（ＰＥＢ）までのタイムラグや、酸触媒連鎖反応の阻害要因となる空気中のアミン成分の存在等によって、ディスク状原盤の内周側と外周側とで凹凸パターンの寸法が不均一になるという問題が発生してしまう。
【００１２】
また、局所真空型の電子線露光装置では、基板を支持する回転ステージの回転及び移動等の動作方向を、圧力を利用して高精度に制御することができるが、局所的に高真空化がなされた装置内で安定的かつ円滑な動作を行うための基板の浮上には、不活性ガスとして通常窒素ガスが用いられる。しかし、この窒素ガスは酸触媒連鎖反応の阻害要因となるアミン成分の発生原因ともなることから、凹凸パターンの寸法を均一にすることは更に困難になる。
【００１３】
スタンパー原盤における凹凸パターン寸法の不均一は、例えばBlu-ray Disc（BD）などの微細パターンにおける光記録媒体規格に対する不適合や、光記録媒体の再生信号におけるアシンメトリや変調度等の信号特性の変動を来すことから、可能な限り低減することが望ましい。
【００１４】
本発明は、光記録媒体のスタンパー原盤の製造と、この製造に適用することのできる局所真空電子線露光における上述の諸問題の解決を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明による局所真空電子線露光方法は、化学増幅型レジストに対する局所真空電子線露光方法であって、少なくとも、露光開始位置と露光終了位置とに対する電子線露光の照射電流量を変化させることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、上記局所真空電子線露光方法において、上記電子線露光の照射電流量を、上記露光開始位置から上記露光終了位置に向かうにしたがって徐々に変化させることを特徴とする。
また、本発明は、上記局所真空電子線露光方法において、上記電子線露光の結像距離を一定に維持することを特徴とする。
また、本発明は、上記局所真空電子線露光方法において、上記電子線露光の照射電流量を、先になされた電子線露光の結果に基づいて選定することを特徴とする。
【００１７】
本発明による光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法は、局所真空電子線露光装置を用いた、光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法であって、基板上に化学増幅型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、上記基板上に塗布された化学増幅型レジストに対する電子線による露光を行うレジスト露光工程とを有し、該レジスト露光工程において、少なくとも、露光開始位置と露光終了位置とに対する電子線露光の照射電流量を変化させることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、上記光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法において、上記電子線露光の照射電流量を、上記露光開始位置から上記露光終了位置に向かうにしたがって徐々に変化させることを特徴とする。
また、本発明は、上記光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法において、上記電子線露光の結像距離を一定に維持することを特徴とする。
また、本発明は、上記光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法において、上記電子線露光の照射電流量を、先になされた電子線露光の結果に基づいて選定することを特徴とする。
【００１９】
本発明による局所真空電子線露光装置は、化学増幅型レジストに対する電子線露光を行う局所真空電子線露光装置であって、化学増幅型レジストの露光開始位置と露光終了位置とに対する電子線露光の照射電流量を変化させることが可能とされたことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明は、上記局所真空電子線露光装置において、上記電子線露光の照射電流量を、上記露光開始位置から上記露光終了位置に向かうにしたがって徐々に変化させることが可能とされたことを特徴とする。
また、本発明は、上記局所真空電子線露光装置において、上記電子線露光の結像距離を一定に維持することが可能とされたことを特徴とする。
また、本発明は、上記局所真空電子線露光装置において、上記電子線露光の照射電流量を、先になされた電子線露光の結果に基づいて選定することが可能とされたことを特徴とする。
また、本発明は、上記局所真空電子線露光装置において、上記電子線露光の照射電流量の変化を、先になされた電子線露光の結果に基づいて自動的に制御する制御手段が設けられたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
上述したように、本発明による局所真空電子線露光方法、及び光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法において、その化学増幅型レジストに対する電子線による露光にあたり、電子線露光の照射量の選定はもとより、露光開始位置と露光終了位置とに対するその露光量を変化させるものであることから、現像後における凹凸パターンの幅寸法の均一性を確保することができるものである。
【００２２】
すなわち、本発明方法では、例えば電子線露光の照射電流量を例えば一定として製造した光記録媒体製造用のスタンパー原盤に形成されるピット及びグルーブ等の凹凸パターンにおいて窒素由来の塩基性物質、例えばアミンによって生じる寸法例えば幅の変動及び不均一性を予め検討しておき、この検討結果に基づいて、スタンパー原盤を構成する基板上に塗布された化学増幅型レジストに対する電子線露光を行うレジスト露光工程における、露光開始位置と露光終了位置とに対する電子線露光の照射電流量及びその変化を選定する。
【００２３】
つまり、照射電流量とピット及びグルーブ等の凹凸寸法との関係を把握して、露光開始位置と露光終了位置とに対する電子線露光の照射電流量を、例えば内周側から外周側に向かう電子線走査露光を行う際の各半径位置における照射電流量とともに徐々に変化させて最適化することができるものであり、これにより、電子線走査すなわち描画やその後のＰＥＢ（Post Exposure Bake）までに時間がかかる場合にも、これによる凹凸パターンの幅変動を予め補正して、凹凸パターンの幅寸法の均一性を確保することができるものである。
【００２４】
また、本発明による局所真空電子線露光装置は、これによって化学増幅型レジストに対する露光を行うことによって現像後における凹凸パターンの幅寸法の均一性を確保できる。
すなわち、電流量の変化とともに、局所真空電子線露光装置におけるコンデンサレンズの励磁の変化とともに、対物レンズの調整によってこれを通過する電子線のフォーカス位置を調整し、電子線露光の結像距離を、例えば光記録媒体製造用のスタンパー原盤に対して一定に維持することにより、Blu-ray Disc（ＢＤ）等の記録媒体規格に記録面全面が適合する記録媒体製造用のスタンパー原盤を製造することができるものである。
【００２５】
更に、上述の露光方法と製造方法とを実施するのに好適な本発明による局所真空電子線露光装置において、電子線露光の照射電流量の変化を、先になされた電子線露光の結果に基づいて自動的に制御する制御手段が設けられた構成をとることによって、例えばＢＤ等の記録媒体の規格に適合して良好な記録再生特性を有する光記録媒体を歩留まり良く量産することができるなど、本発明構成によれば、重要かつ多くの効果をもたらすことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明による局所真空電子線露光方法、光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法、及び局所真空電子線露光方法の実施の形態を説明するが、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
【００２７】
図１は、本発明による局所真空電子線露光方法及び光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法を実施するのに好適な局所真空電子線露光装置の一例の構成図で、図２は、その要部の構成図である。
この実施の形態例における局所真空電子線露光装置１は、主として電子線露光装置本体照射部２と、その制御部８と、電子線の被露光体の支持体３、この例では、光記録媒体製造用のスタンパー原盤を構成する基板４と、差動浮上ヘッド５とを有して成る。
【００２８】
図２は、その局所真空電子線露光装置１の電極構成を例示する概略構成図である。
基板４は、例えばスピンコートによって表面に化学増幅型レジストが塗布された被電子照射体すなわち光記録媒体製造用のスタンパー原盤を構成する例えばガラス基板より成る。支持体４は、電子線光軸と直交する面に沿って直交する２軸方向に移動する移動ステージ上に配置されて、電子線露光装置本体２からの電子線をレジスト上に走査描画することができるようになされている。
【００２９】
電子線露光装置本体２は、電子線を得る電極が内部に形成されたいわゆるＥＢカラム１２を有して成る。
図３にその電極構成の一例の模式的構成図を示、し、電子を出射する電子源１２ａと、例えば第１及び第２のコンデンサレンズ１２ｂ１及び１２ｂ２と、アパーチャ１２ｂと、対物絞り１２ｃと、中間レンズ１２ｄと、ブランキングプレート１２ｅと、ブランキング絞り１２ｆと、ブランキングプレート１２ｇと、対物レンズ１２ｈ等を有し，ＥＢカラム１２の先端にカラム１２の軸心上に形成された電子ビーム出射孔５１から電子線を出射するようになされている。
【００３０】
電子源１２ａから出射された電子は、コンデンサレンズ１２ｂ１及び１２ｂ２によって集束されて第１のクロスオーバーポイントを形成する。電子線の強度は電子の密度で決まることから、コンデンサレンズ１２ｂの開き角を調整することによって、対物絞り１２ｃを利用して電子量の調整を行うことができる。
【００３１】
コンデンサレンズ１２ｂ１及び１２ｂ２は集束レンズであり、電子銃すなわち電子源１２ａの下に位置し、観察する二次電子像などの明るさを調整するためのビーム電流制御と電子源の縮小率を調整するためのレンズである。対物レンズ１２ｈで試料上に電子プローブを集束するために適切な位置に電子ビームのクロスオーバーを結像させるとともに、レンズの強度の調整によって電子源の縮小率を調整し、ビーム電流を制御することに利用されている。
【００３２】
続いて、対物絞り１２ｃを通過した電子線は、中間レンズ１２ｄによってブランキング絞り１２ｆで第２のクロスオーバーポイントを形成するようになされる。クロスオーバーポイントの周囲には、ブランキングプレート１２ｅとブランキングプレート１２ｇとに挟まれて配置されたブランキング絞り１２ｆが配置されており、このブランキング絞り１２ｆに対して電子線を振らせることによって電子線のオン・オフを行うことができる。
【００３３】
そして、対物レンズ１２ｈによって例えば電子源１２ａが、厳密には点光源でないことから、上述のコンデンサレンズ１２ｂの開き角が変化すると基板２上の結像点にズレが生ずることを抑止する補正を行って、デフォーカスを防止する。
【００３４】
差動排気浮上ヘッド５は、ベローズ等の伸縮結合機構６によってＥＢカラム１２との気密性が保持されると共に、ＥＢカラム１２の軸心に沿って、上下に微小移動できるようになされる。
【００３５】
また、排気浮上ヘッド５には、例えば、図２に示すように、ＥＢカラム１２の軸心上に配置された電子ビーム出射孔５１と対向する電子ビーム透過孔５２を有する。そして、その外周の、支持体７に配置された基板２すなわち被電子ビーム照射体との対向面に開口する第１及び第２の気体吸引口５３及び５４と、通気パッド５５を有する気体供給口５６とが、それぞれ差動排気浮上ヘッド５の中心軸を中心とするそれぞれの同心円周上に、それぞれ間歇的に配置される。
【００３６】
これら第１及び第２の気体吸引口５３及び５４は、差動排気浮上ヘッド７内を通ずる通気孔を通じてそれぞれ高い真空度が得られる、例えばクライオポンプ、ターボ分子ポンプ、イオンスパッタポンプ等の１０−８Ｐａの真空能力を有する排気手段に結合されて、それぞれ排気がなされ、電子ビーム通路を１×１０−４Ｐａ程度に真空引きする。
【００３７】
これら気体吸引口５３及び５４における真空度は、電子ビーム透過孔５２の近くに配置される側の吸引口ほど高真空度排気がなされる。例えば図示の例では、第１の気体吸引口５３の真空度を１×１００Ｐａ程度、第２の気体吸引口５４の真空度を１×１０２Ｐａ程度の真空度が得られる排気手段を連結させる。
【００３８】
一方、静圧浮上手段としての通気パッド５５が設けられた気体供給口５６に対しては、差動排気浮上ヘッド５内を通ずる通気孔を通じて圧縮気体供給源が連結される。この圧縮気体は、例えば５×１０５Ｐａで供給する。
この気体は、窒素、もしくは不活性ガスで軽量のヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）を用いることが望ましい。
【００３９】
この構成において、第１及び第２の気体吸引口５３及び５４からの吸引と、気体供給口５６からの気体供給の選定によって、つまりこれらの差圧によって、差動排気浮上ヘッド７が、これに対向して配置される基板４すなわち被電子ビーム照射体の面から数μｍ、例えば５μｍの間隔をもって浮上するように、すなわち被接触的に対向するようになされる。
【００４０】
また、同時に、第１及び第２の気体吸引口５３及び５４による差動排気浮上ヘッド５と被電子線照射体すなわち基板２との間の間隙空間からの吸気すなわち排気によって、真空シールがなされ、これら吸気口５３及び５４の配置部より内側の電子ビーム透過口５２の近傍の破線ｃで囲む領域の電子線通路の真空化がなされる。
【００４１】
以上のような局所真空電子線描画装置１を用いることによって、基板４上のフォトレジスト層に対して所要のパターンの露光を行い、これによって光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造、すなわちマスタリングを行う。
【００４２】
この構成による局所真空電子線露光装置１を用いて、まず、露光条件をえるためのマニュアルデータを得る。
描画に使用される照射電流値範囲を、第１及び第２のコンデンサレンズ１２ｂ１及び１２ｂ２を制御する電圧の値を変化させて、所望の値をＰＣＤ(probe current detector)にて測定し、コンデンサレンズ１２ｂ１及び１２ｂ２を制御する電圧値の変化を、例えばＧＵＩ（Graphical User Interface）を搭載したコンピュータ等による制御部８に、ＥＯＳ(Electron Optical System)サーバを経由してマニュアルデータとして登録（input）する。
【００４３】
その後、ＰＣＤを外し、様々なパターンが刻まれたアライメントパターンを観察できる状態にし、上記で測定した、コンデンサレンズの電圧値を再度入力し、その各電圧値に対応して、アライメントパターンが明瞭に観察できるよう、対物レンズ１２ｈに関しフォーカス動作させる電流値を、同様に制御部８に登録する。
【００４４】
次に、得られた複数のマニュアルデータから、例えば照射電流値と対物レンズ１２ｈのフォーカス電流値との相関関係を、例えば検量線を得ることによって求める。
そして、この相関関係すなわち検量線をもとに、別のスタンパー原盤の基板４に対してプレスキャンを行って、先に得た相関関係とアラインメントパターンの確認とを行う。
【００４５】
これは電流値を調整してコンデンサレンズの励磁を変化させた際に中間レンズの結像点が変化するためで、クロスオーバーポイントがブランキング絞り上にくるように調整位置を選定する。
また、対物レンズの結像点も電流によって変化するので、この対応関係と条件も把握しておくことが望ましい。
【００４６】
その後、露光開始位置と露光終了位置に対する所望の照射電流値と、露光の開始から終了までの描画時間またはディスク半径等の露光範囲とを入力する。
この入力データによって、先に得た検量線から自動的に、照射電流値に対するコンデンサレンズ制御の電圧値を算出し、同時に描画時間やディスク半径等の露光範囲をＣＬ制御電圧及びＯＬ制御電流がＡ／Ｄ変換されているビット数に応じて分割して、スタンパー原盤を製造するための走査露光すなわち描画が開始される。
これらの機能を自動で行うことによって、露光開始位置から露光終了位置まで、スタンパー原盤に形成される凹凸パターンの幅寸法の均一性を確保することが可能とされ、露光終了までのＣＬ制御電圧値とＯＬ制御電流値を、ＧＵＩ上で確認することもできる。
【００４７】
このような構成によって、スタンパー原盤に形成されるピット及びグルーブ等の凹凸パターンにおいて、窒素由来の塩基性物質、例えばアミンによって生じる寸法例えば幅の変動及び不均一性に関する検討を予め行っておき、この検討結果に基づいて、スタンパー原盤を構成する基板４上に塗布された化学増幅型レジストに対する電子線露光によるレジスト露光工程において、その露光開始位置と露光終了位置とに対する電子線露光の照射電流量及びその変化を選定することができる。
【００４８】
したがって、照射電流量とピット及びグルーブ等の凹凸寸法との関係を把握して、露光開始位置と露光終了位置とに対する電子線露光の照射電流量を、例えば内周側から外周側に向かう電子線走査露光を行う際の各半径位置における照射電流量とともに徐々に変化させて最適化することができることから、電子線走査すなわち描画やその後のＰＥＢ（Post Exposure Bake）までに時間がかかる場合にも、これによる凹凸パターンの幅変動を予め補正して、凹凸パターンの幅寸法の均一性を確保することができる。
【００４９】
そして、電流量の変化とともに、すなわち本発明による局所真空電子線露光装置におけるコンデンサレンズの励磁の変化とともに、対物レンズを通過する電子線のフォーカス位置の調整を行うことによって、電子線露光の結像距離を、例えば光記録媒体製造用のスタンパー原盤に対して一定に維持することができるものである。  
【００５０】
本発明による局所真空電子線露光方法、光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法、及び局所真空電子線装置によって製造した光記録媒体製造用のスタンパー原盤を用いて作製した光記録媒体と、従来の光記録媒体との特性の比較検討結果について説明する。
【００５１】
まず、この比較検討に用いた、本発明製造方法によって製造したスタンパー原盤について説明する。直径８インチ、厚さ０．７２５ｍｍのＳｉ基板を用意し、このＳｉ基板の表面に電子線化学増幅型レジスト（富士フィルムアーチ社製  ＥＥＰ１７１）を厚さ７０ｎｍで塗布し、本発明による局所真空電子線露光装置を用いて加速電圧１５ｋＶで露光を施した後、１１０℃で９０秒間ＰＥＢ処理し、有機アルカリ現像液（東京応化製  ＮＭＤ−３）にて１５秒間現像を行ってＳｉ基板上に凹凸パターンを形成した。
【００５２】
本発明装置による露光は、トラックピッチ３２０ｎｍの凹凸パターンを描画線速１．７８８ｍ／ｓで形成し、ディスク状基板４の半径２４ｍｍと半径６０ｍｍの位置をそれぞれ露光開始位置と露光終了位置とし、開始から終了までにプローブ電流を１２．５ｎＡから１１．４ｎＡに減少させ、Blu-ray Disc変調方式１７ＰＰで記録容量２５ＧＢ相当の光記録媒体用のスタンパー原盤を製造した。
【００５３】
このスタンパー原盤を用いて、射出成型或いは２Ｐ法による押圧成型で凹凸パターンの転写を行って光記録媒体を作製し、従来の光記録媒体との特性比較を行った。
図４に、本発明製造方法によって製造したスタンパー原盤による光記録媒体と従来の光記録媒体とにおける、描画時間と凹凸パターンの幅との関係を示す。
２Ｔ（規格内最短ピット）及び８Ｔ（規格内最長ピット）のいずれのピットにおいても、本発明製造方法によって得た光記録媒体（補償あり）は、描画時間すなわち露光開始からの時間経過によるピット幅の変動が、従来の光記録媒体に比して略半分に低減されていることがわかる。
【００５４】
図５に、本発明製造方法によって製造したスタンパー原盤による光記録媒体と従来の光記録媒体とにおける、ディスク状光記録媒体の半径距離と信号再生特性との関係を示す。
ジッター（jitter）及びアシンメトリ（asymmetry）のいずれの特性においても、本発明製造方法によって製造したスタンパー原盤による光記録媒体は、従来の光記録媒体に比して、ディスク全面に渡り安定した値を示すことが確認できた。
【００５５】
以上、本発明による局所真空電子線露光方法、光記録媒体製造用のスタンパー原盤の製造方法、及び局所真空電子線装置の実施の形態例について説明したが、本発明は、これに限られるものではない。
【００５６】
例えば、上述の実施の形態例では、電子線露光の照射電流量の変化を、別の光記録媒体製造用のスタンパー原盤に対する露光結果に基づいて、ＧＵＩによる制御手段によって自動的に制御する例を説明したが、同一のスタンパー原盤の基板に対する照射電流量において、照射開始位置をはじめとする電子線露光をより早くなされる露光対象の露光結果に基づいて電子線露光の照射電流量の変化を制御する構成をとることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明による局所真空電子線露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本発明による局所真空電子線露光装置の一例を示す拡大構成図である。
【図３】本発明による局所真空電子線露光装置の照射部の一例の構成を示す概略構成図である。
【図４】本発明による局所真空電子線露光方法と、従来の電子線露光方法とにおける凹凸パターンの幅変動を示す模式図である。
【図５】本発明による局所真空電子線露光方法と、従来の電子線露光方法とにおける信号再生特性の測定結果を示す模式図である。
【図６】ディスク状光記録媒体の構成を示す概略上面図である。
【図７】従来の全真空型電子線露光装置の構成を示す概略構成図である。
【図８】従来の局所真空型電子線露光装置の構成を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００５８】
１・・・局所真空電子線露光装置、２・・・電子線露光装置本体、３・・・支持体、４・・・光記録媒体スタンパー原盤の基板、５・・・差動排気浮上ヘッド、６・・・伸縮結合機構、８・・・制御部、１２・・・ＥＢカラム、５１・・・電子ビーム出射孔、５２・・・電子ビーム透過孔、５３・・・第１の気体吸引口、５４・・・第２の気体吸引口、５５・・・通気パッド、５６・・・気体供給口、１０１・・・光記録媒体、１０２・・・凹凸パターン、１１１・・・全真空型電子線露光装置、１１２・・・電子線露光装置本体、１１３・・・被露光体配置部、１２１・・・局所真空型電子線露光装置、１２２・・・電子線露光装置本体、１２３・・・被露光体配置部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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