【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板（２１０）上にトレンチ・アイソレーション領域（２８０）を形成する方法であって、
ウェーハ・パッシベーション誘電体層（２２０）、ハード・マスク層（２３０）、および少なくとも一つの垂直側壁の形成を改善するプロファイル誘電体層（２４０）を含む誘電体スタック（２６０）を画定するステップと、
前記誘電体スタックをフォトレジスト（２５０）でマスクして前記フォトレジストを光で露光するステップと、
前記誘電体スタックを第１のエッチングでエッチングし、前記シリコン基板が露出されるまで前記誘電体スタックのマスクされていない領域にトレンチ領域（２８０）を形成するステップと、
前記フォトレジストを除去するステップと、
第２のエッチングに切り換えて、十分な深さのトレンチ領域が画定されるまで前記トレンチ領域のエッチングを再続行するステップと
を備える、シリコン基板上にトレンチ・アイソレーション領域を形成する方法。
【請求項２】
前記誘電体スタックを画定するステップは、前記シリコンウェーハ上に前記ウェーハ・パッシベーション誘電体層を堆積するステップと、前記ウェーハ・パッシベーション誘電体層上に前記ハード・マスク層を堆積するステップと、前記ウェーハ・パッシベーション誘電体層上に前記プロファイル誘電体層を堆積するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ウェーハ・パッシベーション誘電体層は二酸化シリコンであり、前記ハード・マスク層は窒化シリコン層であり、前記プロファイル誘電体層はオキシ窒化シリコン層である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記トレンチ領域のエッチングは、前記オキシ窒化シリコン層のほぼすべてが除去されるまで継続される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記二酸化シリコン層は約５０Åから３００Åの範囲の厚みを持っており、前記窒化シリコン層は約１５００Åから約３０００Åの範囲の厚みを持っており、前記オキシ窒化シリコン層は約２００Åから約２５００Åの範囲の厚みを持っている、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記トレンチ領域の深さは約２０００Åから５０００Åの範囲にある、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記トレンチ領域の深さは約２５００Åから３５００Åの範囲にある、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のエッチングはＡｒと、Ｏ２と、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、およびＣＨＦ３の中から選択された少なくとも一つのフッ素含有ガスとからなるガスを用いて行われ、前記第２のエッチングはＣｌ２とＨＢｒとＨｅＯ２とＮ２とからなるガスを用いて行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のエッチングは、体積流量が約０sccmから１０００sccmの範囲にあるＡｒと、体積流量が約１０sccmから１０００sccmの範囲にあるＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＨＦ３の中から選択された少なくとも一つのフッ素含有ガスと、体積流量が約１sccmから５００sccmの範囲にあるＯ２とからなる第１のプロセス・ガスを前記基板上に導入するステップと、プラズマを発生させて前記プロセス・ガスから第１のエッチング・ガスを形成するステップと、前記第１のエッチング・ガスで前記誘電体スタックをエッチングして前記基板上で停止するステップとからなり、また前記第２のエッチングは、体積流量が約１０sccmから２００sccmの範囲にあるＣｌ２と、体積流量が約５０sccmから５００sccmの範囲にあるＨＢｒと、体積流量が約３sccmから５０sccmの範囲にあるＨｅＯ２と，体積流量が約５sccmから２００sccmの範囲にあるＮ２とからなる第２のプロセス・ガスを前記基板上に導入するステップと、プラズマを発生させて前記第２のプロセス・ガスから第２のエッチング・ガスを形成するステップと、前記第２のエッチング・ガスで前記トレンチ・パターンをエッチングするステップとからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のエッチングは、体積流量が約１２５sccmから１７５sccmの範囲にあるＡｒと、体積流量が約８５sccmから１３０sccmの範囲にあるＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＨＦ３の中から選択された少なくとも一つのフッ素含有ガスと、体積流量が約１８sccmから２７sccmの範囲にあるＯ２とからなる第１のプロセス・ガスを前記基板上に導入するステップと、プラズマを発生させて前記プロセス・ガスから第１のエッチング・ガスを形成するステップと、前記第１のエッチング・ガスで前記誘電体スタックをエッチングして前記基板上で停止するステップとからなり、また
前記第２のエッチングは、体積流量が約２５sccmから４５sccmの範囲にあるＣｌ２と、体積流量が約１０５sccmから１９５sccmの範囲にあるＨＢｒと、体積流量が約７sccmから１３sccmの範囲にあるＨｅＯ２と，体積流量が約１５sccmから２５sccmの範囲にあるＮ２とからなる第２のプロセス・ガスを前記基板上に導入するステップと、プラズマを発生させて前記第２のプロセス・ガスから第２のエッチング・ガスを形成するステップと、前記第２のエッチング・ガスで前記トレンチ・パターンをエッチングするステップとからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のエッチングは、体積流量が約１２５sccmから１７５sccmの範囲にあるＡｒと、体積流量が約８５sccmから１３０sccmの範囲にあるＣＦ４と、体積流量が約１８sccmから２７sccmの範囲にあるＯ２とからなる第１のプロセス・ガスを前記基板上に導入するステップと、プラズマを発生させて前記プロセス・ガスから第１のエッチング・ガスを形成するステップと、前記第１のエッチング・ガスで前記誘電体スタックをエッチングして前記二酸化シリコン層上で停止するステップと、前記Ｏ２流を停止することによって前記第１のプロセス・ガスを修正するステップと、前記修正された第１のプロセス・ガスから第１のエッチング・ガスの他のプラズマを発生させるステップと、前記第１のエッチング・ガスによって前記二酸化シリコン層上の前記誘電体スタックのエッチングを再続行して前記基板上で停止するステップとからなり、また
前記第２のエッチングは、体積流量が約２５sccmから４５sccmの範囲にあるＣｌ２と、体積流量が約１０５sccmから１９５sccmの範囲にあるＨＢｒと、体積流量が約７sccmから１３sccmの範囲にあるＨｅＯ２と，体積流量が約１５sccmから２５sccmの範囲にあるＮ２とからなる第３のプロセス・ガスを前記基板上に導入するステップと、プラズマを発生させて前記第３のプロセス・ガスから第３のエッチング・ガスを形成するステップと、前記第３のエッチング・ガスで前記トレンチ・パターンをエッチングするステップとからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のエッチングは、体積流量が約１２５sccmから１７５sccmの範囲にあるＡｒと、体積流量が約８５sccmから１３０sccmの範囲にあるＣＦ４と、体積流量が約１８sccmから２７sccmの範囲にあるＯ２とからなる第１のプロセス・ガスを前記基板上に導入するステップと、プラズマを発生させて前記プロセス・ガスから第１のエッチング・ガスを形成するステップと、前記第１のエッチング・ガスで前記誘電体スタックをエッチングして前記二酸化シリコン層上で停止するステップと、第２のエッチング・ガスが前記第１のエッチング・ガスのＯ２を含まないガスからなる第２のプロセス・ガスに切り換えるステップと、他のプラズマを発生させて前記第２のプロセス・ガスから第２のエッチング・ガスを形成するステップと、前記第２のエッチング・ガスによって前記二酸化シリコン層上の前記誘電体スタックのエッチングを再続行して前記基板上で停止するステップとからなり、また
前記第２のエッチングは、体積流量が約２５sccmから４５sccmの範囲にあるＣｌ２と、体積流量が約１０５sccmから１９５sccmの範囲にあるＨＢｒと、体積流量が約７sccmから１３sccmの範囲にあるＨｅＯ２と、体積流量が約１５sccmから２５sccmの範囲にあるＮ２とからなる第３のプロセス・ガスを前記基板上に導入するステップと、プラズマを発生させて前記第３のプロセス・ガスから第３のエッチング・ガスを形成するステップと、前記第３のエッチング・ガスで前記トレンチ・パターンをエッチングするステップとからなる、請求項１に記載の方法。