【手続補正書】
【提出日】平成19年9月6日(2007.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハの表面上に材料を成長させるための方法であって、
メッキ反応を容易に生じない温度に維持されている無電解メッキ液を、前記ウエハの表面に付ける工程と、
前記ウエハの表面に放射エネルギを浴びせる工程であって、前記放射エネルギは、前記ウエハの表面と前記無電解メッキ液との間の境界でメッキ反応を生じる状態まで、前記ウエハの表面の温度を上昇させる工程と、
前記ウエハの表面に存在する材料が前記放射エネルギによって選択的に加熱されるように、前記放射エネルギの波長領域を制御する工程と
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の、ウエハの表面上に材料を成長させるための方法であって、更に、
メッキ反応を生じる温度を充分に下回るように、前記無電解メッキ液の温度を制御する工程を備える方法。
【請求項３】
請求項１に記載の、ウエハの表面上に材料を成長させるための方法であって、
前記ウエハの表面に放射エネルギを浴びせる前記工程は、前記放射エネルギをパルス照射することによって実施される方法。
【請求項４】
請求項１に記載の、ウエハの表面上に材料を成長させるための方法であって、
前記ウエハの表面に放射エネルギを浴びせる前記工程は、前記ウエハを通して前記放射エネルギを伝達し、前記ウエハの表面に到達させることを含む、方法。
【請求項５】
ウエハの表面上に材料を成長させるための装置であって、
囲いとなる壁と、底部とによって定められ、無電解メッキ液を収容するように構成されたタンクと、
前記タンク内に設けられ、前記タンクに収容される前記無電解メッキ液に沈められた位置でウエハをサポートするように構成されたウエハサポート構造と、
前記ウエハサポート構造の上方に設けられ、前記無電解メッキ液に沈められた位置でサポートされる前記ウエハに放射エネルギを向かわせるように方向付けられた放射エネルギ源と
を備え、前記放射エネルギ源は、放射エネルギの入射先である前記ウエハの表面に存在する特定の材料を選択的に加熱可能である波長領域を有する放射エネルギを生成するように構成される装置。
【請求項６】
請求項５に記載の、ウエハの表面上に材料を成長させるための装置であって、
前記放射エネルギ源は、前記放射エネルギを平行化するように構成され、更に、前記ウエハの表面を走査するように構成される装置。
【請求項７】
請求項５に記載の、ウエハの表面上に材料を成長させるための装置であって、
前記ウエハサポート構造は、前記ウエハを往復動させるように構成される装置。
【請求項８】
ウエハの表面上に材料を成長させるための装置であって、
囲いとなる壁と、底部とによって定められ、無電解メッキ液を収容するように構成されたタンクと、
前記タンクに収容される前記無電解メッキ液にウエハを挿入するように構成され、更に、前記タンクに収容される前記無電解メッキ液から前記ウエハを出すように構成されたウエハホルダと、
前記タンクに収容される前記無電解メッキ液の上方に設けられ、前記タンクに収容される前記無電解メッキ液から前記ウエハが出される際に前記ウエハに放射エネルギを向かわせるように方向付けられた放射エネルギ源と
を備える装置。
【請求項９】
請求項８に記載の、ウエハの表面上に材料を成長させるための装置であって、
前記放射エネルギ源は、放射エネルギの入射先である前記ウエハの表面に存在する材料を選択的に加熱可能である波長領域を有する放射エネルギを生成するように構成される装置。
【請求項１０】
ウエハの表面上に材料を成長させるための装置であって、
囲いとなる壁と、底部とによって定められ、無電解メッキ液を収容するように構成されたタンクと、
前記タンク内に設けられ、前記タンクに収容される前記無電解メッキ液に沈められた位置でウエハをサポートするように構成されたウエハサポート構造と、
前記ウエハサポート構造内に設けられ、前記無電解メッキ液に沈められた位置でサポートされる前記ウエハの底面に放射エネルギを向かわせるように方向付けられた放射エネルギ源であって、前記放射エネルギは、前記ウエハの上面に存在する材料を加熱するために前記ウエハを通り抜けることができる放射エネルギ源と
を備え、前記放射エネルギ源は、放射エネルギの入射先である前記ウエハの表面に存在する特定の材料を選択的に加熱可能である波長領域を有する放射エネルギを生成するように構成される装置。
【請求項１１】
ウエハの上に平坦化層を成長させるための装置であって、
囲いとなる壁と、底部とによって定められ、無電解メッキ液を収容するように構成されたタンクと、
前記タンク内に設けられ、前記タンクに収容される前記無電解メッキ液に沈められた位置でウエハをサポートするように構成されたウエハサポート構造と、
前記ウエハサポート構造の上方に、且つ前記ウエハサポート構造にほぼ平行に設けられ、前記ウエハサポート構造に近づく方向および前記ウエハサポート構造から遠ざかる方向に移動することができ、前記ウエハサポート構造によってサポートされる前記ウエハに近接する位置に配することができる平面部材と、
前記平面部材の上方に、且つ前記ウエハサポート構造の上方に設けられた放射エネルギ源であって、放射エネルギに前記平面部材を通り抜けさせ、前記ウエハサポート構造によってサポートされる前記ウエハに向かわせるように方向付けられた放射エネルギ源と
を備える装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の、ウエハの上に平坦化層を成長させるための装置であって、
前記放射エネルギ源は、放射エネルギの入射先である前記ウエハの表面に存在する材料を選択的に加熱可能である波長領域を有する放射エネルギを生成するように構成される装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の、ウエハの上に平坦化層を成長させるための装置であって、
前記平面部材は、前記放射エネルギ源から放出された放射エネルギを前記ウエハサポート構造に向けて伝達可能である材料で構成される装置。
【請求項１４】
請求項１１に記載の、ウエハの上に平坦化層を成長させるための装置であって、更に、
前記ウエハサポート構造に面さない側である前記平面部材の裏面にあてがわれ、前記平面部材の平面性を制御するように構成された裏当て部材を備える装置。
【請求項１５】
ウエハの表面上に平坦化層を施すための方法であって、
メッキ反応を容易に生じない温度に維持されている無電解メッキ液を、前記ウエハの表面に付ける工程と、
前記ウエハ表面の上部に近接する上方の位置に、前記ウエハ表面との間に介在する無電解メッキ液の一部を追い出す働きをする平面部材を配する工程と、
前記ウエハの表面に放射エネルギを浴びせる工程であって、前記放射エネルギは、前記平面部材を通り抜け、前記無電解メッキ液と前記ウエハ表面との間の境界でメッキ反応を生じる状態まで前記ウエハ表面の温度を上昇させることができ、前記メッキ反応は、前記ウエハ表面と前記平面部材との間に平坦化層を形成する工程と
を備える方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の、ウエハの表面上に平坦化層を施すための方法であって、更に、
前記ウエハの表面に存在する材料が前記放射エネルギによって選択的に加熱されるように、前記放射エネルギの波長領域を制御する工程を備える方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の、ウエハの表面上に平坦化層を施すための方法であって、更に、
前記放射エネルギの波長領域を、前記ウエハ表面に存在する材料を選択的に加熱する波長領域に確実に設定できるように、前記ウエハ表面の状態を監視する工程を備える方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の、ウエハの表面上に平坦化層を施すための方法であって、更に、
前記ウエハ表面に放射エネルギを浴びせる前記工程を中止する工程と、
前記ウエハ表面の上部に近接する前記位置から前記平面部材を取り除く工程であって、前記平面部材の該除去は、前記ウエハ表面を冷却すると共に前記ウエハ表面の近傍に存在する反応物質を補充する働きをする未使用の無電解メッキ液を前記ウエハ表面の上に流れさせる工程と、
前記平面部材を前記ウエハ表面の上部に近接する上方の位置に配する前記工程と、前記ウエハ表面に放射エネルギを浴びせる前記工程とを繰り返す工程と
を備える方法。