Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも基層ホイル(２)及び前記基層ホイル(２)の一方の面上に配された反射層(３)を含み、前記基層ホイル(２)に形成された構造をもつ装飾ホイル(１)において：
造形により得られた前記構造が複数の群(３０)をなして配された複数のくぼみ及び／または複数の突起を有し、前記複数のくぼみ及び／または突起は、円柱、プリズム、切頂円錐、または切頂ピラミッドとして造形されており、さらに上表面が複数の要素面（９；１０；１１）を有するように造形されており；前記複数の要素面(９；１０；１１)のそれぞれの寸法(Ａ)が２５０ｎｍから３００μｍの範囲にある； 
前記複数の群(３０)の内の１つに占められる群面(１９)が前記複数の要素面(９；１０；１１)及び複数の残余面(１３)からなり、前記群面(１９)の幅が３０μｍから３００μｍである；
前記複数の群(３０)のそれぞれの前記複数の要素面(９；１０；１１)が造形面(７)に対して距離ｄだけ変位した平行平面(８)にあり、前記複数の残余面(１３)が前記造形面(７)の平面にある；及び
前記複数の群(３０)のそれぞれが、前記造形面(７)の平面にある、バックグラウンドエリア(３１)の複数の領域により互いに隔てられている；
ことを特徴とする装飾ホイル(１)。
【請求項２】  保護層(４)が、反射層(３)を備えた前記基層ホイル(２)の造形された側の面を、前記基層ホイル(２)にある前記複数のくぼみが充填されかつ前記反射層(３)が前記基層ホイル(２)と前記保護層(４)との間に封入されるような態様で、覆っていることを特徴とする請求項１に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項３】  前記複数の群(３０)の内の少なくとも１つの前記複数の要素面(９；１０；１１)が、文字及び／または記号の輪郭で境界が定められ、かつ拡大鏡(３２)を用いずには認識できないマイクロマーキングを前記群面（１９）内で表していることを特徴とする請求項１または２に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項４】  前記マイクロマーキングが複数のテキストバンド（３３）に配され、前記複数のテキストバンド（３３）が縄編みパターンを形成していることを特徴とする請求項３に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項５】  前記バックグラウンドエリア(３１)にある前記複数の群(３０)が規則的に繰り返されるパターンをなして配されていることを特徴とする請求項１または２に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項６】  光学可変回折パターンの表面部分が前記複数の群(３０)及び前記バックグラウンドエリア(３１)からなるパターンを有することを特徴とする請求項５に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項７】  前記平行平面(８)のそれぞれと前記造形面(７)の平面との間の前記距離ｄの値が０.０５μｍから１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項８】  前記複数の群(３０)の内の少なくとも１つの前記複数の要素面(９；１０；１１)が鏡面の形態にあることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の装飾ホイル(１)。
【請求項９】  前記複数の群(３０)の内の少なくとも１つの前記複数の要素面(９；１０；１１)が極微細レリーフ構造(３８)を有し、前記レリーフ構造(３８)の平均高ｈが前記平行平面(８)の位置を定めていることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の装飾ホイル(１)。
【請求項１０】  前記複数の群(３０)の内の少なくとも２つが存在する場合において、前記レリーフ構造(３８)のそれぞれが、前記レリーフ構造(３８)の方位選択方向に関して異なっていることを特徴とする請求項９に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項１１】  前記複数の群(３０)の内の少なくとも１つが存在する場合において、前記複数の要素面(９；１０；１１)の前記レリーフ構造(３８)が等方性艶消し構造であることを特徴とする請求項９に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項１２】  前記複数の群(３０)の内の少なくとも２つが存在する場合において、前記レリーフ構造(３８)のそれぞれが異方性艶消し構造であること、及び前記少なくとも２つの群(３０)の内の１つの群(３０)の前記異方性艶消し構造の前記方位方向が別の群(３０)の前記異方性艶消し構造の前記方位方向と異なっていることを特徴とする請求項９または１０に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項１３】  前記複数の要素面(９；１０；１１)を取り囲むバックグラウンドエリア(３１)が複数のラスター面(４４)に分割されること、及び前記複数のラスター面(４４)の内の少なくとも１つがキノフォームの前記レリーフ構造(３９)を有することを特徴とする請求項８から１２のいずれかに記載の装飾ホイル(１)。
【請求項１４】  前記複数の要素面(９；１０；１１)を取り囲むバックグラウンドエリア(３１)が鏡面であることを特徴とする請求項８から１２のいずれかに記載の装飾ホイル(１)。
【請求項１５】  前記反射層(３)が金属のＡｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｔｉの内の１つまたは透明誘電体を含むことを特徴とする請求項２に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項１６】  前記基層ホイル(２)が少なくとも基層(５)及び造形層(６)から構成されるラミネート(１２)であること、及び前記造形層(６)が前記反射層(３)と前記基層(５)との間に配されていることを特徴とする請求項１に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項１７】  前記基層ホイル(２)が透明であることを特徴とする請求項１または１６に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項１８】  前記基層ホイル(２)が少なくとも一方の面に印刷プロセスにより施された表示(３７)を有することを特徴とする請求項１に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項１９】  前記基層ホイル(２)が少なくとも基層(５)及び造形層(６)から構成されるラミネート(１２)であり、前記造形層(６)が前記反射層(３)と前記基層(５)との間に配され、前記基層(５)が紙であり、保護層(４)が透明であることを特徴とする請求項２に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項２０】  前記保護層(４)または前記保護層(４)の前記反射層(３)から遠い側の面に配された接着層(２５)が基材(２４)への接合に適合されていることを特徴とする請求項２に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項２１】  前記基層ホイル(２)の前記反射層(３)から遠い側の面が分離層（２９）により転写バンド（２８）に接合されていることを特徴とする請求項２０に記載の装飾ホイル(１)。
【請求項２２】  請求項２０及び２１の内の１つに記載の装飾ホイル(１)を有する印刷物において、前記装飾ホイル(１)が前記基材(２４)の一部を覆い、前記接着層(４；２５)により前記基材(２４)に接合されていることを特徴とすることを特徴とする印刷物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明のワイパ装置の側面図である。
【図２】
図１に示したワイパ装置の平面図である。
【図３】
ワイパアーム側の連結片の拡大側面図である。
【図４】
図３に示した連結片の平面図である。
【図５】
図３に示した連結片の別の側面図である。
【図６】
ワイパブレード側の連結部材の拡大側面図である。
【図７】
図６に示した連結部材の平面図である。
【図８】
図７の断面線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿った連結部材の部分的断面図である。
【図９】
図７の断面線ＩＸ−ＩＸに沿った連結部材の９０゜転回断面図である。
【図１０】
図７の断面線Ｘ−Ｘに沿った連結部材の９０゜転回断面図である。
【図１１】
図３のワイパアーム側の連結片と図６のワイパブレード側の連結部材との組付け状態の構成を示した図４の断面線ＸＩ−ＸＩに沿った拡大断面図である。
【図１２】
図１３の断面線ＸＩＩ−ＸＩＩに沿った図１１の構成の部分断面図である。
【図１３】
図１１の断面線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った図１１の構成の断面図である。
【図１４】
ワイパアームとワイパブレードとの組付け位置を示す側面図である。
【符号の説明】
１０  ワイパブレード、  １２  支持エレメント、  １４  接続装置、  １６  ワイパブレード側連結部材、  １８  ワイパアーム、  ２０  自由端部、  ２２  ワイパアーム側連結片、  ２４  ワイパストリップ、  ２６  負荷方向を示す矢印、  ２８  板ガラス、  ３０  払拭すべきガラス表面を示す一点鎖線、  ３２  ワイパリップ、  ３４  基板、  ３６，３８  案内壁、  ４０  爪状突起、  ４２  受容フォーク又は支承フォーク、  ４４，４６  支持肩、  ４８  基体、  ５０  Ｕ−脚片、  ５２  支承ピン、  ５４  ジョイント軸線、  ５６  スリット、  ５８  ばね舌片、  ６０  支持条片、  ６２  受け肩、  ６４  摺動斜面、  ６６  フォーク叉、  ６８  支持肩の支持面、  ７０  曲率半径、  ７２  曲率中心、  ７４  支承面又は案内面、  ７６  曲率半径、  ７８  シフト方向を示す矢印、  ８０  振れ方向を示す矢印、  ８２  受け肩の有効幅、  ８４  旋回運動方向を示す二重矢印、  ８６  払拭運動方向又は振子運動方向を表わす二重矢印、  ８８  振子軸線
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)ATCC受託番号PTA-5433で寄託されている6E6 HMGB1 mAb、
(b)ATCC受託番号PTA-5434で寄託されている6H9 HMGB1 mAb、
(c)ATCC受託番号PTA-5432で寄託されている2G7 HMGB1 mAb、
(d)ATCC受託番号PTA-5435で寄託されている10D4 HMGB1 mAbおよび
(e)ATCC受託番号PTA-5431で寄託されている2E11 HMGB1 mAb
からなる群より選択されるマウスハイブリドーマにより産生される抗体、またはその抗原結合断片。
【請求項２】
(a)ATCC受託番号PTA-5433で寄託されている6E6 HMGB1 mAb、
(b)ATCC受託番号PTA-5434で寄託されている6H9 HMGB1 mAb、
(c)ATCC受託番号PTA-5432で寄託されている2G7 HMGB1 mAb、
(d)ATCC受託番号PTA-5435で寄託されている10D4 HMGB1 mAbおよび
(e)ATCC受託番号PTA-5431で寄託されている2E11 HMGB1 mAb
からなる群より選択されるマウスハイブリドーマ。
【請求項３】
配列番号１のアミノ酸残基61〜78または67〜78からなるペプチドと結合する、単離されたモノクローナル抗体または抗原結合断片。
【請求項４】
配列番号１のアミノ酸残基61〜78または67〜78からなるペプチドへの結合が6E6 HMGB1 mAbおよび6H9 HMGB1 mAbからなる群より選択される抗体によって阻害され得る、単離されたモノクローナル抗体または抗原結合断片。
【請求項５】
請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体の軽鎖CDR (CDR1、CDR2およびCDR3)ならびに重鎖CDR (CDR1、CDR2およびCDR3)を含有する、単離されたモノクローナル抗体またはその抗原結合断片。
【請求項６】
ヒトフレームワーク領域をさらに含有する、請求項１、３、４もしくは５記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項７】
請求項６記載の抗体または抗原結合断片および薬学的に許容され得る賦形剤を含有してなる組成物。
【請求項８】
請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生されるモノクローナル抗体またはその抗原結合断片および薬学的に許容され得る賦形剤を含有してなる組成物。
【請求項９】
i)請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体；
ii）請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体のエピトープ特異性を有する抗体；
iii）請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体と、脊椎動物高移動度グループボックス(HMGB)ポリペプチドへの結合に関して競合し得る抗体；または
iv）i)、ii)もしくはiii)の抗原結合断片
である、単離されたモノクローナル抗体またはその抗原結合断片。
【請求項１０】
ヒト抗体、ヒト化抗体、キメラ抗体および前記いずれかの抗原結合断片からなる群より選択される、請求項９記載の抗体または抗原結合断片。
【請求項１１】
i) HMGBに結合するモノクローナル抗体またはその抗原結合断片；
ii) 試験薬剤；および
iii) 脊椎動物HMGBポリペプチドを含有してなる組成物
を合わせる工程；
ならびに前記抗体または抗原結合断片と前記HMGBポリペプチドとの複合体の形成を検出または測定する工程を含み、ここで、適当な対照と比べた前記複合体の形成の減少は、前記試験薬剤が前記HMGBポリペプチドに結合することを示し、
前記モノクローナル抗体またはその抗原結合断片が、
i)請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体；
ii）請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体のエピトープ特異性を有する抗体；
iii）請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体と、脊椎動物高移動度グループボックス(HMGB)ポリペプチドへの結合に関して競合し得る抗体；または
iv）i)、ii)もしくはiii)の抗原結合断片
である、脊椎動物高移動度グループボックス(HMGB)ポリペプチドに結合する薬剤の検出および／または同定方法。
【請求項１２】
被験体において、炎症性サイトカインカスケードの活性化を特徴とする状態の処置、または敗血症、関節炎もしくは狼瘡を有する被験体の処置のための医薬の製造のための、
i)請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体；
ii）請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体のエピトープ特異性を有する抗体；
iii）請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体と、脊椎動物高移動度グループボックス(HMGB)ポリペプチドへの結合に関して競合し得る抗体；または
iv）i)、ii)もしくはiii)の抗原結合断片の使用。
【請求項１３】
前記状態が、敗血症、同種移植拒絶、関節炎、喘息、狼瘡、成人呼吸促進症候群、慢性閉塞性肺疾患、乾癬、膵臓炎、腹膜炎、熱傷、虚血、ベーチェット病、対宿主性移植片病、炎症性腸疾患、多発性硬化症および悪液質からなる群より選択される、請求項１２記載の使用。
【請求項１４】
被験体において、炎症性サイトカインカスケードの活性化を特徴とする状態の処置の、または敗血症、関節炎もしくは狼瘡の処置における使用のための、
i)請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体；
ii）請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体のエピトープ特異性を有する抗体；
iii）請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生される抗体と、脊椎動物高移動度グループボックス(HMGB)ポリペプチドへの結合に関して競合し得る抗体；または
iv）i)、ii)もしくはiii)の抗原結合断片。
【請求項１５】
a) 試料を、請求項９記載の抗体または抗原結合断片と、前記試料中に存在する前記HMGBポリペプチドへの前記抗体または抗原結合断片の結合に適した条件下で接触させる工程；および
b) 抗体-HMGB複合体または抗原結合断片-HMGB複合体を検出する工程
を含み、
ここで、前記抗体-HMGB複合体または抗原結合断片-HMGB複合体の検出は、前記試料中のHMGBポリペプチドの存在を示す、
試料中の脊椎動物高移動度グループボックス(HMGB)ポリペプチドの検出方法。
【請求項１６】
前記抗体または抗原結合断片が、請求項２記載のマウスハイブリドーマにより産生されるか、または前記いずれかの抗原結合断片である、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記抗体または抗原結合断片が検出可能な標識を含有する、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記抗体-HMGB複合体または抗原結合断片-HMGB複合体の検出が、イムノアッセイによるものである、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記イムノアッセイがELISAである、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
a) 請求項９記載の抗体または抗原結合断片；および
b) 前記抗体または抗原結合断片と前記HMGBポリペプチドまたはその部分との複合体の存在の検出に適した１種類以上の補助試薬
を含む、試料中の脊椎動物高移動度グループボックス(HMGB)ポリペプチドまたはその部分の存在の検出における使用のための試験キット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月6日(2007.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性化されているカルボキシル基と反応することのできる少なくとも1種の官能基を含むエナンチオピュアな化合物の、前記化合物のエナンチオマーの混合物から出発する製造方法であって、
（a）前記エナンチオマーの混合物及びエナンチオピュアなアミノ酸に基づく試薬を含む反応媒体であって、当該試薬における前記アミノ酸の少なくとも1つのアミノ基が保護基によって保護されており、且つ当該試薬における前記アミノ酸の少なくとも1つのカルボキシル基が活性化されている反応媒体を、前記活性化されているカルボキシル基と反応することのできる官能基と、前記活性化されているカルボキシル基との反応を引き起こすのに適切な条件に付して、カルボニル結合を形成し；
（b）得られたジアステレオマーの混合物を分離操作に付し、本質的にジアステレオマーからなる少なくとも1つのフラクションを得て；
（c）前記フラクションの少なくとも一部を、前記保護基が本質的に安定な条件下で前記カルボニル結合の開裂段階に付し；及び
（d）前記エナンチオピュアな化合物及び少なくとも1つのアミノ基が前記保護基によって保護されている前記アミノ酸のエナンチオピュアな誘導体が回収される、
方法。
【請求項２】
前記活性化されているカルボキシル基が、酸ハロゲン化物又は無水物である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記カルボキシル基が、現場で活性化される、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記保護基が、スルホニル基である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記試薬が、アラニン、バリン、ノルバリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシン、セリン、イソセリン、ホモセリン、トレオニン、アロトレオニン、メチオニン、エチオニン、グルタミン酸、ピログルタミン酸、アスパラギン酸、アスパラギン、システイン、シスチン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトファン、リシン、アルギニン、ヒスチジン、オルニチン、グルタミン、シトルリン、(1-ナフチル)アラニン、(2-ナフチル)アラニン、ホモフェニルアラニン、(4-クロロフェニル)アラニン、(4-フルオロフェニル)アラニン、(3-ピリジル)アラニン、フェニルグリシン、ジアミノピメリン酸(2,6-ジアミノヘプタン-1,7-ジオン酸)、2-アミノ酪酸、2-アミノテトラリン-2-カルボン酸、エリスロ-β-メチルフェニルアラニン、トレオ-β-メチルフェニルアラニン、(2-メトキシフェニル)アラニン、1-アミノ-5-ヒドロキシインダン-2-カルボン酸、2-アミノヘプタン-1,7-ジオン酸、(2,6-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)アラニン、エリスロ-β-メチルチロシン及びトレオ-β-メチルチロシンからなる群から選択されるエナンチオピュアなアミノ酸に基づく、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記試薬が、(2S)-ピログルタミン酸に基づく、請求項５記載の方法。
【請求項７】
段階（a）が、塩基の存在下且つ-30〜+50℃の温度で行われる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
段階（b）が、結晶化操作又はクロマトグラフィー操作である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記活性化されているカルボキシル基と反応することのできる官能基が、モノアルキル化されていてもよいアミノ基、ヒドロキシル基又はチオール基から選択される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記カルボニル結合がアミド結合であり、且つ前記開裂反応が酸性媒体で行われる、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
用いられるのが、1〜8Nの規定度を示す無機酸の水溶液である、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記開裂反応が、60〜150℃の温度で行われる、請求項１０又は１１記載の方法。
【請求項１３】
前記活性化されているカルボキシル基と反応することのできる官能基を含む化合物が、アミノ酸である、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記アミノ酸がβ-アミノ酸である、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記カルボニル結合がエステル又はチオエステル結合であり、且つ前記開裂反応がアルカリ性媒体で行われる、請求項９記載の方法。
【請求項１６】
前記開裂反応が、8〜12のpHで行われる、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記開裂反応が、60〜120℃の温度で行われる、請求項１５又は１６記載の方法。
【請求項１８】
前記活性化されているカルボキシル基と反応することのできる官能基を含む化合物が、アルコールである、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
段階（b）によって、少なくとも1種の他のジアステレオマーを含む少なくとも1種の第二のフラクションがさらに回収され、当該フラクションを段階（c）に従った開裂操作に付し、前記アミノ酸のエナンチオピュアな誘導体の追加量、及び任意に、前記活性化されているカルボキシル基と反応することのできる官能基を含む化合物の他のエナンチオマーに富むフラクションがさらに回収される、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
試薬が、前記回収されたアミノ酸のエナンチオピュアな誘導体から出発して再生される、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
エナンチオピュアなグルタミン酸又はピログルタミン酸に基づく試薬の使用であって、当該試薬における前記アミノ酸の少なくとも1つのアミノ基がスルホニル保護基によって保護されており、且つ当該試薬における前記アミノ酸の少なくとも1つのカルボキシル基が活性化されていて、前記活性化されているカルボキシル基と反応することのできる少なくとも1種の官能基を含むエナンチオピュアな化合物を製造するための、使用。
【請求項２２】
前記活性化されているカルボキシル基が、酸塩化物である、請求項２記載の方法。
【請求項２３】
前記保護基が、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基である、請求項４記載の方法。
【請求項２４】
前記無機酸が、塩酸である、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月23日(2007.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の複素環式アミンと、アミン窒素１モルあたり約２．８モル〜約３．２モルの無水フッ化水素との反応により形成される、約１００℃未満の融点を有するイオン液体。
【請求項２】
複素環式アミンが、５〜７個の環員を含有し、１〜３個の環員がヘテロ原子である、単環式化合物であるか、又は、８〜１４個の環員を含有し、１〜３個の環員がヘテロ原子である、多環縮合環構造であり、その際、前記ヘテロ原子が、窒素、酸素及び硫黄からなる群から選択され、前記ヘテロ原子の少なくとも１個が窒素である、請求項１記載のイオン液体。
【請求項３】
正極及び負極を含み、その両方が、請求項１記載のイオン液体を含む非水電解液と導電接触している、電気化学デバイス。
【請求項４】
少なくとも１種の無水溶媒中に溶解された有効量の請求項１記載のイオン液体を含む、酸化ケイ素を除去するための無水エッチング溶液。
【請求項５】
半導体基板から酸化ケイ素層を除去するための方法であって、請求項４記載の無水エッチング溶液を半導体基板の表面上の酸化ケイ素層と該酸化ケイ素層の一部が除去されるまで接触させることを含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトまたは動物で生じ、アミロイド原線維形成の一因となる前原線維凝集物の配座エピトープと結合する単離されたモノクローナル抗体を含む組成物であって、前記モノクローナル抗体が、Aβおよび他のアミロイドのオリゴマー配座によって優先的に表示される配座依存エピトープに対して特異的である前記組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭酸水素ナトリウム、
ナトリウムと水と反応して水和結晶を形成する、オルトリン酸塩、ピロリン酸塩、ポリリン酸塩、メタリン酸塩、ホウ酸塩、チオ硫酸塩およびグリセロールリン酸からなる群から選択されるアニオン成分、
歯磨き剤または歯磨き剤相の重量に対して少なくとも５重量％の含水量、
前記歯磨き剤または歯磨き剤相中、少なくとも１０重量％の量の湿潤剤、および
増粘剤または研磨剤の少なくとも１つ
からなり、約０．６０未満の水分活性を有する歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項２】
前記含水量が、歯磨き剤または歯磨き剤相の重量に対して少なくとも７重量％である請求項１の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項３】
前記アニオン成分が、ピロリン酸塩またはポリリン酸塩抗歯石剤である請求項１の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項４】
前記アニオン成分がオルトリン酸塩であり、前記歯磨き剤または歯磨き剤相がさらに前記オルトリン酸塩から分離されたままである水溶性もしくは部分的水溶性のカルシウム塩を含む請求項１の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項５】
前記炭酸水素ナトリウムが、前記歯磨き剤または歯磨き剤相中、約７〜６５重量％の量で存在する請求項１の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項６】
前記歯磨き剤または歯磨き剤相中、さらに約０．１〜１０重量％の量で増粘剤を含む請求項１の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項７】
さらにフッ化物塩を含む請求項１の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項８】
少なくとも７重量％の水からなる請求項６の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項９】
さらにフッ化物塩を含む請求項８の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項１０】
さらに界面活性剤を含む請求項１の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項１１】
練り歯磨きの形態である請求項１の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項１２】
デンタルクリームまたはゲルの形態である請求項１の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項１３】
前記ピロリン酸塩が、ピロリン酸モノ、ジ、トリまたはテトラ−アルカリ金属塩である請求項３の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項１４】
前記オルトリン酸塩が、オルトリン酸のアルカリ金属塩およびアンモニウム塩から選択される請求項４の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項１５】
前記ピロリン酸塩が、前記歯磨き剤または歯磨き剤相中、約１．５〜１５重量％の量で存在する請求項３の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項１６】
前記炭酸水素ナトリウムが、前記歯磨き剤または歯磨き剤相中、約７〜６５重量％の量で存在する請求項３の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項１７】
前記炭酸水素ナトリウムが、前記歯磨き剤または歯磨き剤相中、約７〜６５重量％の量で存在する請求項４の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項１８】
約７〜６５重量％の炭酸水素ナトリウム、
ナトリウムと水と反応して水和結晶を形成する、オルトリン酸塩、ピロリン酸塩、ポリリン酸塩、メタリン酸塩、ホウ酸塩、チオ硫酸塩およびグリセロールリン酸からなる群から選択されるアニオン成分、
歯磨き剤または歯磨き剤相の重量に対して少なくとも５重量％の含水量、および
湿潤剤、増粘剤または研磨剤の少なくとも１つ
からなり、約０．６０未満の水分活性を有する歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項１９】
さらにフッ化物塩を含む請求項１８の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項２０】
前記アニオン成分が、ピロリン酸塩またはポリリン酸塩抗歯石剤である請求項１８の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項２１】
前記アニオン成分がオルトリン酸塩であり、前記歯磨き剤または歯磨き剤相がさらに前記オルトリン酸塩から分離されたままである水溶性もしくは部分的水溶性のカルシウム塩を含む請求項１８の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【請求項２２】
さらに界面活性剤を含む請求項１８の歯磨き剤または歯磨き剤相。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーケンシャルフォーマットストレージ媒体上への保存のためにフォーマットされたデータをバックアップ／復旧アプリケーションから受け取る段階と、
前記データを、ランダムアクセスストレージ媒体上への保存及びランダムアクセスストレージ媒体からの検索に適合したフォーマットを有するバックアップデータに変換する段階と、
前記バックアップデータを前記ランダムアクセスストレージ媒体上に保存する段階と、
データボリュームをホストコンピュータ上にマウントする段階であって、該データボリュームが前記バックアップデータの少なくとも一部に対応するマウント済みデータを含んでいる段階と、
前記バックアップデータを修正することなく前記マウント済みデータに変更を加えることを許可する段階と
を含む方法。
【請求項２】
前記ホストコンピュータのオペレータのアクセス権限を認証する段階を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オペレータの前記アクセス権限に基づいて、前記マウント済みデータへのアクセスを制限する段階を更に含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記マウント済みデータに加えられた変更を前記ホストコンピュータ上に保存する段階を更に含む請求項１〜３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
前記マウント済みデータを前記ホストコンピュータ上にダウンロードする段階を更に含む請求項１〜４の何れかに記載の方法。
【請求項６】
少なくとも一つのランダムアクセスディスクアレイを含むバックアップストレージ媒体と、
バックアップ／復旧アプリケーションからシーケンシャルフォーマットデータを受け取り、該シーケンシャルフォーマットデータを、前記バックアップストレージ媒体上への保存に適合したフォーマットを有するバックアップデータに変換する手段であって、該フォーマットは、前記バックアップデータへの非シーケンシャルアクセスを可能にするフォーマットである、手段と、
前記バックアップデータへのアクセスを提供するように構成されたユーザインターフェースと
を含むシステム。
【請求項７】
前記バックアップデータは複数のファイルを含み、
前記ユーザインターフェースは、前記複数のファイルの階層的ディレクトリ構造を提供するように構成されている、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記バックアップデータは、少なくとも一つのバックアップデータファイルを含み、
前記ユーザインターフェースは、前記バックアップデータを保存している間、前記少なくとも一つのバックアップデータファイルの修正されたバージョンに対応する新規書き込みデータを受け入れるように構成されている、請求項６又は７に記載のシステム。
【請求項９】
第２のストレージ媒体を更に含み、
前記新規書き込みデータが前記第２のストレージ媒体に保存される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記新規書き込みデータは、該新規書き込みデータと前記少なくとも一つのバックアップデータファイルとの関係を記述するメタデータを含んでいる、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
検索可能なデータの集合を含む論理メタデータキャッシュを更に含み、
前記ユーザインターフェースは、前記検索可能なデータの集合へのアクセスを提供して、前記バックアップデータの一部を成す個々のバックアップファイルの位置を特定することをオペレータに許可するように構成されている、請求項６〜１０の何れかに記載のシステム。
【請求項１２】
バックアップストレージシステムからデータボリュームを復旧する方法であって、
現在のフルバックアップデータセットが利用可能でないことを判定する段階と、
前記現在のフルバックアップデータセットに対応する合成フルバックアップデータセットを生成する段階と、
前記合成フルバックアップデータセットを、要求されたボリュームマウントとしてエクスポートすることによって、前記データボリュームをホストコンピュータに復旧する段階と
を含む方法。
【請求項１３】
前記バックアップストレージシステム上には、第１の複数のデータファイルを含む既存フルバックアップデータセットと、第２の複数のデータファイルを含むインクリメンタルフルバックアップデータセットとが保存されており、
前記合成フルバックアップデータセットを生成する段階は、
前記第１及び第２の複数のデータファイルに含まれる各データファイルの最新のコピーを決定する段階と、
一組のインジケータを記憶する段階であって、該一組のインジケータは、前記既存フルバックアップデータセット及び前記インクリメンタルフルバックアップデータセットの一方における前記各データファイルの最新のコピーの記憶場所をそれぞれ示す、段階と、
前記一組のインジケータに基づいて、前記各データファイルの最新のコピーに対応する前記合成フルバックアップデータセットを生成する段階と
を含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
椎間板を補強するための輪増強装具であって、
“Ｃ”字形状を有する縦軸と、第１の端部及び第２の端部を有する細長い横軸と、複数の互いに連結された可撓性の曲線状部材とを有するメッシュ状のフレームを備える、支持部材と、
前記メッシュ状のフレームの少なくとも一部を覆う膜と、
前記支持部材の両端部と連結され、前記支持部材の前記縦軸に対して約３０度から１５０度の角度で延びる安定化のための弓型前方突起部と、
を備え、
前記複数の互いに連結された可撓性の曲線状部材は、前記メッシュ状のフレームに可撓性及び弾性を与えるように構成されている、輪増強装具。
【請求項２】
前記複数の互いに連結された可撓性の曲線状部材は、鋼、ニッケルチタン及びコバルトクロムのうちの一つ以上からなる群から選択される合金を備える、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項３】
前記複数の互いに連結された可撓性の曲線状部材は、ナイロン、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、ポリウレタン、ポリプロピレン、ポリカプロラクトン、ポリアクリレート、エチレン酢酸ビニル、ポリスチレン、ポリビニルオキシド、ポリフッ化ビニル、ポリビニルイミダゾール、クロロスフホン化ポリオレフィン、ポリエチレンオキシド、ポリテトラフルオロエチレン、アセタール、ポリ（ｐ−フェニレンテレフタルアミド）（ケブラー(登録商標)）（KevlarTM）、ポリカーボネート、カーボン及びグラファイトのうちの一つ以上からなる群から選択される材料を備える、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項４】
前記膜は、ポリマー、エラストマー及びゲルのうちの一つ以上からなる群から選択される材料を備える、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項５】
前記膜は、エラスチン、アルブミン、コラーゲン、フィブリン及びケラチンのうちの一つ以上からなる群から選択される材料を備える、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項６】
前記膜は、抗体、殺菌剤、遺伝子ベクター、骨形成タンパク質、ステロイド、コルチゾン及び成長因子のうちの一つ以上からなる群から選択される材料を備える、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項７】
前記膜は、コーティング材である、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項８】
前記複数の互いに連結された曲線状部材の少なくとも一部は、水平な部材又は中央の支柱を形成する、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項９】
前記複数の互いに連結された曲線状部材は、平行に配置されている、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項１０】
前記メッシュ状のフレームは、前記メッシュ状のフレームの少なくとも一つの軸の少なくとも一部に沿って凹状である、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項１１】
前記メッシュ状のフレームは、約０．５ｃｍから約５ｃｍの範囲の長さを有する、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項１２】
前記メッシュ状のフレームは、輪層板の内面の少なくとも一部を覆う大きさである、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項１３】
前記メッシュ状のフレームは、輪層板の全面の周囲に沿って延びるように構成されている、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項１４】
前記メッシュ状のフレームから放射状に延びる少なくとも一つの突起部をさらに備える、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項１５】
前記メッシュ状のフレームは、平面状、凹状、凸状及び曲線状のうちの一つ以上からなる群から選択される縦断面形状を有する、請求項１に記載の輪増強装具。
【請求項１６】
前記メッシュ状のフレームは、凹状、凸状、平面状及びインゲン豆形のうちの一つ以上からなる群から選択される横断面形状を有する、請求項１に記載の輪増強装具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
＜１１０＞結晶配向を有するシリコン含有層を備え、前記シリコン含有層は０．２％より大きい二軸圧縮歪み状態にある半導体材料。
【請求項２】
前記シリコン含有層は、基板の表面または前記基板上の酸化物層の表面上に配置される、ＳｉまたはＳｉＧｅを含む結晶性Ｓｉ含有層である、請求項１に記載の半導体材料。
【請求項３】
前記基板は、Ｓｉの熱膨張係数より大きな熱膨張係数を有する、サファイヤ、ゲルマニウムまたはフッ化カルシウムである、請求項２に記載の半導体材料。
【請求項４】
前記シリコン含有層は、少なくとも一つの多重接続トレンチ分離領域を備える基板であって、前記基板の表面に圧縮ライナーをさらに備える、請求項１に記載の半導体材料。
【請求項５】
前記シリコン含有層は、表面上に圧縮ライナーを備える基板である、請求項１に記載の半導体材料。
【請求項６】
前記圧縮ライナーは窒化物含有材料を含み、前記基板上に配置される金属酸化物半導体の露出表面上に配置される、請求項４および５のいずれかに記載の半導体材料。
【請求項７】
シリコン含有＜１１０＞層を準備する工程、および
前記シリコン含有＜１１０＞層中に二軸圧縮歪みを発生させる工程
を含む、シリコン含有半導体材料を形成するための方法。
【請求項８】
前記二軸圧縮歪みを発生させる工程は、
最上部表面を有する少なくとも一つの多孔質Ｓｉ層を前記＜１１０＞Ｓｉ含有層中に形成する工程と、
前記最上部表面をアニールして非多孔質表面層を生成する工程と、
前記非多孔質表面層上に＜１１０＞配向を有する結晶性エピタキシャルＳｉ含有層を形成し、それによって、転写構造体を形成する工程と、
Ｓｉより高い熱膨張係数を有する材料に最高デバイス動作温度より高い温度で前記転写構造体をボンディングしてボンディング構造体を準備する工程と、
前記少なくとも一つの多孔質Ｓｉ層に機械的に弱い界面が形成されるように前記ボンディング構造体を冷却し、それによって、前記ボンディング構造体を前記界面で劈開させる工程と
前記劈開された構造体から前記少なくとも一つの多孔質Ｓｉ層の残存部分を除去する工程と、を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも一つの多孔質Ｓｉ層の形成は、電気分解による陽極酸化プロセスを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記陽極酸化プロセスは、ＨＦ含有溶液を用いることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記結晶性エピタキシャルＳｉ含有層の形成は、ＵＨＶＣＶＤプロセスを含むエピタキシャル成長プロセスを用いる、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
ボンディングする前に前記結晶Ｓｉ含有層上に酸化物層を形成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記ボンディングは、前記転写構造体と前記材料とを合わせる工程と、任意選択で外力を加える工程と、加熱する工程とを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
Ｈ２含有雰囲気中で８５０°から１１００℃の温度でアニールすることによって、二軸圧縮歪み状態の前記結晶性エピタキシャルＳｉ含有層を滑らかにすることをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記二軸圧縮歪みを発生させる工程は、
前記Ｓｉ含有層の表面中に少なくとも一つの多重接続トレンチ分離領域を形成する工程と、
前記少なくとも一つの多重接続トレンチ分離領域で囲まれる前記Ｓｉ含有層の露出部分上に少なくとも一つのＣＭＯＳデバイスを形成する工程と、を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも一つの多重接続トレンチ分離領域の形成は、リソグラフィー、トレンチのエッチング、およびトレンチ誘電体材料による前記トレンチの充填を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
各ＣＭＯＳデバイスおよび前記Ｓｉ含有層の少なくとも露出表面上に圧縮ライナーを形成する工程をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記二軸圧縮歪みを発生させる工程は、
前記Ｓｉ含有層上に少なくとも一つのＣＭＯＳデバイスを形成する工程と、
前記ＣＭＯＳデバイスおよび前記Ｓｉ含有層の露出表面上に圧縮ライナーを形成する工程と、を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１９】
シリコン含有半導体材料を形成する方法であって、
最上部表面を有する少なくとも一つの多孔質Ｓｉ層を＜１１０＞Ｓｉ含有基板中に形成する工程と、
前記最上部表面をアニールして非多孔質表面層を形成する工程と、
＜１１０＞配向を有する結晶性エピタキシャルＳｉ含有層を前記非多孔質表面層上に形成し、それによって、転写構造体を形成する工程と、
Ｓｉより高い熱膨張係数を有する材料に最終デバイス動作温度より高い温度で前記転写構造体をボンディングしてボンディング構造体を準備する工程と、
前記少なくとも一つの多孔質Ｓｉ層に機械的に弱い界面が形成されるように前記ボンディング構造体を冷却し、それによって、前記ボンディング構造体を前記界面で劈開させる工程と、
前記劈開された構造体から前記少なくとも一つの多孔質Ｓｉ層の残存部分を除去し、これによって、前記材料の上に＜１１０＞配向を有する前記結晶性エピタキシャルＳｉ含有層を少なくとも備え、前記結晶性エピタキシャルＳｉ含有層は二軸圧縮歪み状態の半導体材料を提供する工程と、
を含む方法。
【請求項２０】
シリコン含有半導体材料を形成するための方法であって、
＜１１０＞結晶配向を有するＳｉ含有層の表面中に少なくとも一つの多重接続トレンチ分離領域を形成する工程と、
前記少なくとも一つの多重接続トレンチ分離領域で囲まれる前記Ｓｉ含有層の露出部分上に少なくとも一つのＣＭＯＳデバイスを形成する工程と、
を含み、前記少なくとも一つの多重接続トレンチ分離領域は、前記Ｓｉ含有層中に二軸圧縮歪みを発生させる方法。
【請求項２１】
シリコン含有半導体材料を形成するための方法であって、
＜１１０＞結晶配向を有するＳｉ含有層を備える構造体を準備する工程であって、前記Ｓｉ含有層はその上に少なくとも一つのＣＭＯＳデバイスを有する工程と、
前記構造体上に圧縮ライナーを形成する工程と、
を含み、前記圧縮ライナーによって、前記Ｓｉ含有層が二軸圧縮歪み状態にされる方法。
【請求項２２】
シリコン含有半導体材料を形成するための方法であって、
＜１１０＞結晶配向を有するＳｉ含有層の表面中に少なくとも一つの多重接続トレンチ分離領域を形成する工程と、
前記少なくとも一つの多重接続トレンチ分離領域で囲まれる前記Ｓｉ含有層の露出部分上に少なくとも一つのＣＭＯＳデバイスを形成する工程と、
前記Ｓｉ含有層上に圧縮ライナーを形成する工程と、
を含み、前記圧縮ライナーおよび前記少なくとも一つの多重接続トレンチ分離領域によって、前記Ｓｉ含有層が二軸圧縮歪み状態にされる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月19日(2007.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのフルオロポリマーを含む表面を有するフルオロポリマー基材を提供するステップと；
前記表面の少なくとも一部を、
【化１】
2007527333.tif 000001
（式中、
Ｒは、水素か、あるいは１〜１８個の炭素原子を有するアルキル基またはシクロアルキル基または６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、アルカリール基、またはアラルキル基を表し；
Ｘは、ＯまたはＮＨを表し；
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4は、それぞれ独立して、Ｈ、１〜１８個の炭素原子を有するアルキル基、１〜１８個の炭素原子を有するアルケニル基、６〜１０個の炭素原子を有するアリール基を表すか、またはＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4のいずれか２つは一緒になって、２〜６個の炭素原子を有するアルキレン基を表すが、ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも１つまたはＲ3およびＲ4の少なくとも１つは、Ｈでない）
からなる群から選択される少なくとも１つの種を含む変性組成物と接触させるステップと；
前記変性組成物に接触させた前記表面の少なくとも一部を化学線に暴露するステップと；
前記暴露表面を第２の基材に結合するステップと；
を含む、複合品を作製する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法に従って変性された表面を有するフルオロポリマー基材。
【請求項３】
少なくとも１つのフルオロポリマーを含む表面を有するフルオロポリマー基材を提供するステップと；
前記表面の少なくとも一部を、
【化２】
2007527333.tif 000002
（式中、
Ｒは、水素か、あるいは１〜１８個の炭素原子を有するアルキル基またはシクロアルキル基または６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、アルカリール基、またはアラルキル基を表し；
Ｘは、ＯまたはＮＨを表し；
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4は、それぞれ独立して、Ｈ、１〜１８個の炭素原子を有するアルキル基、１〜１８個の炭素原子を有するアルケニル基、６〜１０個の炭素原子を有するアリール基を表すか、またはＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4のいずれか２つは一緒になって、２〜６個の炭素原子を有するアルキレン基を表すが、ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも１つまたはＲ3およびＲ4の少なくとも１つは、Ｈでない）
からなる群から選択される少なくとも１つの種を含む変性組成物と接触させるステップと；
前記変性組成物に接触させた前記表面の少なくとも一部を化学線に暴露するステップであって、前記化学線は、前記変性組成物を接触させる前に、前記基材の少なくとも一部を通過する、ステップと；
を含む、フルオロポリマー基材の表面を変性する方法。
【請求項４】
少なくとも１つのフルオロポリマーを含む表面を有するフルオロポリマー基材を提供するステップと；
前記表面の少なくとも一部を、
【化３】
2007527333.tif 000003
（Ｒは、水素か、あるいは１〜１８個の炭素原子を有するアルキル基またはシクロアルキル基または６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、アルカリール基、またはアラルキル基を表し；
Ｘは、ＯまたはＮＨを表し；
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4は、それぞれ独立して、Ｈ、１〜１８個の炭素原子を有するアルキル基、１〜１８個の炭素原子を有するアルケニル基、６〜１０個の炭素原子を有するアリール基を表すか、またはＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4のいずれか２つは一緒になって、２〜６個の炭素原子を有するアルキレン基を表すが、ただしＲ1およびＲ2の少なくとも１つまたはＲ3およびＲ4の少なくとも１つは、Ｈでない）
からなる群から選択される少なくとも１つの種を含む変性組成物と接触させるステップと；
前記変性組成物に接触させた前記表面の少なくとも一部を化学線に暴露するステップと；
を含む、フルオロポリマー粒子の表面を変性する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス材料からなる複合コアであって、
マトリックス材料は、さらに、少なくとも１つの樹脂からなる化学薬品、少なくとも１つの硬化剤及び１つまたは複数の促進剤を備え、前記化学薬品はガラス繊維伸び特性を越える伸び特性を有し、
前記マトリックス材料は、繊維／樹脂マトリックスを形成するため、マトリックス材料中に埋設された１つまたは複数の繊維タイプの縦方向に延びる複数の繊維を備え、
前記繊維／樹脂マトリックスは、複合コアを形成するために硬化される複合コア。
【請求項２】
前記複合コアは２つまたはそれ以上の繊維タイプを有する請求項１に記載の複合コア。
【請求項３】
１つの繊維タイプはガラスである請求項２に記載の複合コア。
【請求項４】
１つの繊維タイプは炭素である請求項２に記載の複合コア。
【請求項５】
前記複合コアはガラス繊維によって包囲された炭素繊維からなり、前記複合コアは、所定の機械的性質を有する複合コアを生成する所定の炭素／ガラス繊維比を有する請求項２に記載の複合コア。
【請求項６】
前記炭素／ガラス繊維比は複合コアの機械的特性を変更するために調節される請求項５に記載の複合コア。
【請求項７】
１つまたは複数の繊維タイプの内の少なくとも１つはガラス繊維を越える弾性率を有する請求項１に記載の複合コア。
【請求項８】
前記複合コアは約６から約１５Ｍｓｉの範囲の弾性率を有する１つの繊維タイプからなる請求項１に記載の複合コア。
【請求項９】
前記繊維タイプはＳ−ガラスである請求項８に記載の複合コア。
【請求項１０】
１つまたは複数の繊維タイプの内の少なくとも１つはガラス繊維を越える弾性率を有し、１つまたは複数の繊維タイプの内の少なくとも１つはガラスである請求項１に記載の複合コア。
【請求項１１】
前記複合コアを包囲する保護コーティングをさらに備える請求項１に記載の複合コア。
【請求項１２】
前記複合コアを包囲する１つまたは複数の導電材料の層をさらに備える請求項１１に記載の複合コア。
【請求項１３】
前記複合コアを包囲する１つまたは複数の導電材料の層をさらに備える請求項１に記載の複合コア。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フィルタ本体と、該フィルタ本体を加熱するための加熱手段とを備えてなり、該加熱手段は、少なくとも１つのホット・スポット・セラミック製点火装置（３）を備えてなり、且つ、
(a)前記フィルタ本体は、互いに接着し且つ多数の通路が貫通したブロックから構成され、
(b)前記フィルタ本体は、ブロック間に接着領域を備え、
(c)前記点火装置は、通路を遮断することなく接着領域と並んでいるか、または、通路を遮断することなく接着領域に挿入される
ことを特徴とする内燃エンジンの排気ガスを純化するための内燃エンジン用微粒子フィルタ。
【請求項２】  
(d)前記フィルタは金属ケーシングを備え、且つ、
(e)前記点火装置は金属ケーシングを貫通することなく金属ケーシングに配置される
ことを特徴とする請求項１記載の内燃エンジン用微粒子フィルタ。
【請求項３】  複数の点火装置を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の内燃エンジン用微粒子フィルタ。
【請求項４】  少なくとも１つの点火装置のホット・スポットがフィルタ本体またはフィルタ本体に蒸着した煤に直接接触していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の内燃エンジン用微粒子フィルタ。
【請求項５】  点火装置を、フィルタ本体の上流側表面の近傍に配置したことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の内燃エンジン用微粒子フィルタ。
【請求項６】  点火装置を、フィルタ本体の下流側表面の近傍に配置したことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の内燃エンジン用微粒子フィルタ。
【請求項７】  点火装置のホット・スポットがフィルタ本体の内部に配設されたことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の内燃エンジン用微粒子フィルタ。
【請求項８】  点火装置がフィルタ本体における通路に対して垂直に配設されていることを特徴とする請求項６記載の内燃エンジン用微粒子フィルタ。
【請求項９】  点火装置がフィルタ本体の通路の内部に配設されていることを特徴とする請求項６記載の内燃エンジン用微粒子フィルタ。
【請求項１０】  前記フィルタ本体（１）が少なくとも１つの接着領域（６）において互いに組み合わせた複数のフィルタ・ブロック（７）を含み、前記点火装置（３）の少なくとも１つを前記領域の厚みの内部に配設してあることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の内燃エンジン用微粒子フィルタ。
【請求項１１】  前記フィルタの比較的低温の領域が選択的に加熱され、熱加工応力を引き起こす温度の勾配を減少させることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の内燃エンジン用微粒子フィルタにおける熱加工応力を緩和する方法。
【請求項１２】  前記領域のうちの少なくとも１つを加熱するように構成された点火装置（３ａ、３ｂ、３ｃ）と、該点火装置（３ａ、３ｂ、３ｃ）を制御するコンピュータ（１８）を備え、該コンピュータ（１８）に情報を提供するように構成された前記応力を評価する手段（２２）と、前記コンピュータ（１８）は、前記応力が特定の閾値を超えると前記点火装置（３ａ，３ｂ，３ｃ）の選択的な点火を制御するようにプログラムが組まれていることを特徴とする請求項１１記載の方法を実施するための装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年5月1日(2007.5.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】
pHが約10.5〜14の範囲で、温度が周囲温度よりも高いめっき浴であって、(a)ニッケルイオン（ニッケル濃度：めっき浴１リットルあたり約4.76〜約5g）、(b)有効量の安定剤、(c)めっき浴からの該金属イオンの沈殿を抑制するのに有効な量の金属イオン錯化剤、(d)有効量のホウ化水素還元剤、および(e)めっき浴１リットルあたり0.25モルまでの所望によるコバルトを含有する該めっき浴において、該めっき浴が、約0.05〜約0.1μSの導電率を有する脱イオン水を含有することを特徴とする該めっき浴。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１７】
ニッケルの含有量が約93〜約97重量％で、ホウ素の含有量が約3〜約7重量％であるニッケル／ホウ素合金中に分散されたホウ化ニッケルを含有する耐摩耗性の無定形被膜であって、請求項１から８いずれかに記載の方法によって被覆される該被膜を有する物品。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１８】
耐摩耗性の無定形被膜が、約1μm〜約250μm（好ましくは約25μm〜約50μm）の厚さを有する請求項１７記載の物品。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
この場合、以下の周知の関係式
ＥＮＶ ＝ √Ｑ２ ＋Ｉ２
を用いることにより、直角信号シーケンスＱ、Ｉが、上述のディジタル包絡線ＥＮＶを生成するために −すなわち振幅情報を得るために− 利用されることも可能である。