(57)【要約】【課題】  微細パターンを精度よく形成することのできる樹脂板およびその形成方法を提供する。【解決手段】  本発明にかかる樹脂板１００の形成方法は、インク転写部を有する樹脂板の形成方法であって、（ａ）シロキサン結合を有するケイ素樹脂膜に高エネルギー線を照射することにより、前記ケイ素樹脂膜１２を酸化ケイ素膜１４にかえる工程を含む。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク転写部を有する樹脂板の形成方法であって、
（ａ）シロキサン結合を有するケイ素樹脂膜に高エネルギー線を照射することにより、前記ケイ素樹脂膜を酸化ケイ素膜にかえる工程を含む、樹脂板の形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記工程（ａ）の前に、
（ｂ）基体上に前記ケイ素樹脂膜を形成する工程をさらに含む、樹脂板の形成方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記高エネルギー線は、紫外線、電子線、およびＸ線から選択される少なくとも１種である、樹脂板の形成方法。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記工程（ｂ）では、オルガノシロキサン結合を有するモノマーおよびオリゴマーの少なくとも一方をプラズマ重合することによって前記ケイ素樹脂膜を形成する、樹脂板の形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記工程（ａ）では、所望の領域に前記高エネルギー線を照射することにより、当該所望の領域の前記ケイ素樹脂膜を酸化ケイ素膜にかえる、樹脂板の形成方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記工程（ａ）では、前記所望の領域以外の領域にマスクを設けることにより、当該所望の領域に前記高エネルギー線を照射する、樹脂板の形成方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記工程（ａ）では、レーザ光またはシンクロトロン放射光の少なくとも一方を所望の領域に照射することにより、当該所望の領域の前記ケイ素樹脂膜を酸化ケイ素膜にかえる、樹脂板の形成方法。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれかにおいて、
前記工程（ａ）では、前記所望の領域の前記ケイ素樹脂膜を酸化ケイ素膜にかえることにより、当該所望の領域に凹部を形成する、樹脂板の形成方法。
【請求項９】
請求項５ないし８のいずれかにおいて、
前記工程（ａ）の後に、前記酸化ケイ素膜を除去する工程をさらに含む、樹脂板の形成方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、
所望の凹部の深さに応じて、前記高エネルギー線の照射量を変化させる、樹脂板の形成方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の形成方法によって形成された樹脂板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂板およびその製造方法に関する。特に本発明は、電子デバイスまたは光デバイスあるいはそれらの製造プロセス等に利用される微細パターンを形成するための樹脂板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＴＦＴや有機ＥＬディスプレイ等の有機薄膜を用いた電子デバイス等の製造プロセスにおいて、ドライエッチング等により微細なパターニングを施しているが、エッチングの際、有機薄膜にダメージを与えてしまうことがある。そこで、特許文献１は、有機薄膜の微細パターン形成技術として、マイクロコンタクトプリンティング法（μＣＰ法）を開示している。μＣＰ法は、所望の凹凸パターンを形成した樹脂板にインクを付着した後に、樹脂板と転写体とを接触させて転写体にインクを転写し、転写体上に所望のパターンを形成する方法である。
【０００３】
μＣＰ法に用いられる樹脂板の一例として、特許文献２は、金属等の母型に形成された凹凸を樹脂に転写することにより樹脂板を形成する方法を開示している。しかし、この方法では、母型の凹凸が正確に転写されないことがあり、また樹脂板を形成する前に母型を形成するため手間がかかっていた。
【特許文献１】米国特許  第６０６０１２１号
【特許文献２】特開２００４−７４６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、微細パターンを精度よく形成することのできる樹脂板およびその形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明にかかる樹脂板の形成方法は、
インク転写部を有する樹脂板の形成方法であって、
（ａ）シロキサン結合を有するケイ素樹脂膜に高エネルギー線を照射することにより、前記ケイ素樹脂膜を酸化ケイ素膜にかえる工程を含む。
【０００６】
このように形成された樹脂板は、母型を形成する必要がないため、母型の不正確な転写のおそれがなく、また手間を簡略化することができる。
【０００７】
本発明にかかる樹脂板の形成方法において、
前記工程（ａ）の前に、
（ｂ）基体上に前記ケイ素樹脂膜を形成する工程をさらに含むことができる。
【０００８】
本発明にかかる樹脂板の形成方法において、
前記高エネルギー線は、紫外線、電子線、およびＸ線から選択される少なくとも１種であることができる。
【０００９】
本発明にかかる樹脂板の形成方法において、
前記工程（ｂ）では、オルガノシロキサン結合を有するモノマーおよびオリゴマーの少なくとも一方をプラズマ重合することによって前記ケイ素樹脂膜を形成することができる。
【００１０】
本発明にかかる樹脂板の形成方法において、
前記工程（ａ）では、所望の領域に前記高エネルギー線を照射することにより、当該所望の領域の前記ケイ素樹脂膜を酸化ケイ素膜にかえることができる。
【００１１】
本発明にかかる樹脂板の形成方法において、
前記工程（ａ）では、前記所望の領域以外の領域にマスクを設けることにより、当該所望の領域に前記高エネルギー線を照射することができる。
【００１２】
本発明にかかる樹脂板の形成方法において、
前記工程（ａ）では、レーザ光またはシンクロトロン放射光の少なくとも一方を所望の領域に照射することにより、当該所望の領域の前記ケイ素樹脂膜を酸化ケイ素膜にかえることができる。
【００１３】
本発明にかかる樹脂板の形成方法において、
前記工程（ａ）では、前記所望の領域の前記ケイ素樹脂膜を酸化ケイ素膜にかえることにより、当該所望の領域に凹部が形成されることができる。
【００１４】
本発明にかかる樹脂板の形成方法において、
前記工程（ａ）の後に、前記酸化ケイ素膜を除去する工程をさらに含むことができる。
【００１５】
本発明にかかる樹脂板の形成方法において、
所望の凹部の深さに応じて、前記高エネルギー線の照射量を変化させることができる。
【００１６】
本発明にかかる樹脂板は、上述した形成方法のいずれかによって形成されたものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
図１および図３〜図５は、本発明の実施の形態にかかる樹脂板１００の形成方法を模式的に示す断面図である。図２は、後述するケイ素樹脂膜１２の成膜装置を模式的に示す図である。図６は、本発明の実施の形態にかかる樹脂板１００を模式的に示す断面図である。
【００１９】
１．樹脂板の形成方法
（１）まず、基板１０を用意する。基板１０の材質としては特に限定されないが、たとえばシリコン基板を用いることができる。
【００２０】
ついで、図１に示すように、基板１０上にケイ素樹脂膜１２を成膜する。ケイ素樹脂膜１２としては、オルガノシロキサン結合を有するシリコーンモノマーおよびシリコーンオリゴマー（以下、これらを「シリコーン原料」という）の少なくとも一方をプラズマ重合したケイ素樹脂膜であることが好ましい。なお、ケイ素樹脂膜１２としては、これに限定されず、シリコーンゴムやシリコーンレジン等のその他のケイ素を含む樹脂を用いてもよい。
【００２１】
シリコーンモノマーおよびシリコーンオリゴマーは、常温で液体であることが好ましい。かかる液体のシリコーンモノマーおよびシリコーンオリゴマーは、プラズマ重合を用いて重合する際に取り扱いが容易である。
【００２２】
本発明にかかる形成方法において、シリコーンモノマーおよびシリコーンオリゴマーは、下記一般式（１）および下記一般式（２）で示される化合物から選択される少なくとも１種であることができる。
【００２３】
【化１】
2006235491.tif 000003
（一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ１０は同一または異なり、それぞれ１価の有機基または水素原子、ｍおよびｎは同一または異なり、０〜１００の整数を示す。）
【００２４】
【化２】
2006235491.tif 000004
（一般式（２）において、Ｒ１〜Ｒ８は同一または異なり、それぞれ１価の有機基または水素原子、ｍおよびｎは同一または異なり、０〜１００の整数を示す。）
【００２５】
前記一般式（１）、（２）において、Ｒ１〜Ｒ１０としては、例えば、メチル基，エチル基などのアルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基などを挙げることができる。
【００２６】
前記一般式（１）で示される化合物としては、オクタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルトリシロキサン、デカメチルペンタシロキサン、デカメチルテトラシロキサンなどを例示できる。
【００２７】
前記一般式（２）で示される化合物としては、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロヘキサシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサンなどを例示できる。
【００２８】
ケイ素樹脂膜１２の成膜は、たとえば図２に示す成膜装置によって行われる。成膜装置４０は、真空ポンプ５２を備える真空チャンバ４２を有する。真空チャンバ４２の内部には、その下部に基板１０を載置する処理ステージ５０が備えられている。処理ステージ５０は、温度調節可能に形成されることが好ましい。また、真空チャンバ４２の上部には絶縁体４４を介して高周波電極４６が備えられている。高周波電極４６は、高周波電源４８に接続されている。
【００２９】
さらに、真空チャンバ４２には、前述したシリコーン原料を供給する原料ガス供給手段７０と、例えばアルゴンガスなどの不活性ガスを供給するキャリアガス供給手段５４とが接続されている。原料ガス供給手段７０は、原料５８を収納する容器５６と、容器５６を加熱するヒータ６０とを有している。容器５６は、流量制御弁６２を介して原料供給経路６６により真空チャンバ４２に接続されている。また、キャリアガス供給手段５４は、流量制御弁６２を介してキャリアガス供給経路６４により真空チャンバ４２に接続されている。真空チャンバ４２は、アース部６８によって接地されている。
【００３０】
このような成膜装置４０による成膜処理は、まず基板１０を処理ステージ５０の上に配置する。このとき処理ステージ５０の温度調節が可能であれば、基板１０を常温以上（例えば２５〜５００℃、好ましくは２５〜２５０℃）に保持するようにして、プラズマ重合を促進させることもできる。次に、重合反応を良好に促進させ、かつ重合反応以外の反応を抑制させるために真空チャンバ４２の内部を負圧にする。真空チャンバ４２の圧力は、例えば０．１〜０．２Ｐａとすることができる。
【００３１】
上記のような条件に設定された成膜装置４０を用いて、プラズマ重合反応によりケイ素樹脂膜１２の成膜を行う。シリコーン原料５８として常温で液体として存在するもの、例えば前述したオクタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルトリシロキサンなどを使用することができる。シリコーン原料５８をヒータ６０で加熱することによりガス化させ、原料供給経路６６を介して、負圧となった真空チャンバ４２に導入させる。ガス化した原料を真空チャンバ４２に導入させる際、原料供給経路６６に図示しないヒータを設け、原料ガスを加熱した後に導入させるようにしても良い。同時にアルゴンガスもキャリアガス供給経路６４を介して、真空チャンバ４２へ導入させる。
【００３２】
その後、高周波電極４６により真空チャンバ４２の内部に高周波電圧を印加させることにより、シリコーン原料のガスが電離してプラズマ化され、基板１０の表面で重合することで、ケイ素樹脂膜１２が形成される。このようにプラズマ重合によりケイ素樹脂を形成することで、基体５０上にケイ素樹脂膜１２を形成することができる。
【００３３】
ケイ素樹脂膜１２を形成した後に、該ケイ素樹脂膜１２が分解する温度より低い温度で熱処理することができる。具体的には、上記のようにして形成されたケイ素樹脂膜１２は、大気または窒素などの不活性ガス雰囲気中にて２５〜４００℃でアニール処理を行うことにより、成膜されたケイ素樹脂の内部に含まれる原料等が蒸発して、ケイ素樹脂膜１２の不純物を低減し、該ケイ素樹脂膜１２をより硬化させることができる。
【００３４】
（２）次に、図３に示すように、ケイ素樹脂膜１２上の所望の位置にマスク層１４を設ける。具体的には、インク転写部の形成領域にマスク層１４が設けられる。マスク層１４の材質としては、高エネルギー線を透過し、かつ高エネルギー線によって変質しないものであれば特に限定されないが、たとえば、銅などの金属や半導体を用いることができる。
【００３５】
（３）次に、図４に示すように、ケイ素樹脂膜１２上のマスク層１４で覆われていない領域に酸化ケイ素膜１６を形成する。酸化ケイ素膜１６は、ケイ素樹脂膜１２に高エネルギー線を照射し、照射されたケイ素樹脂が酸化ケイ素にかわることにより得られる。
【００３６】
具体的には、ケイ素樹脂膜１２に、含酸素雰囲気において、高エネルギー線、例えばエキシマランプ等を用いて紫外線を照射することにより、酸化ケイ素膜１６を形成する。
【００３７】
高エネルギー線は、紫外線、電子線、およびＸ線から選択される少なくとも１種であり、特に真空紫外光（波長１０ｎｍ〜２００ｎｍ）であることが好ましい。
【００３８】
含酸素雰囲気は、０．１Ｐａ以上の酸素分圧があればよく、大気圧下、加圧下あるいは減圧下でもよい。このような含酸素雰囲気は、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスに酸素および／または酸素化合物が含まれる。すなわち、含酸素雰囲気は、酸素または酸素化合物を含むことができ、あるいは酸素と酸素化合物の両者を含んでもよい。酸素化合物としては、水，オゾンなどを用いることができる。酸素化合物を用いる場合には、酸素化合物を酸素に換算したときの分圧を酸素分圧として採用することができる。酸素化合物として水を用いる場合には、例えば水の露点が−８０℃以上の雰囲気を用いることができる。
【００３９】
ケイ素樹脂膜１２が酸化ケイ素膜１６に変わるメカニズムは、以下のようであると考えられる。すなわち、含酸素雰囲気および膜中に存在する酸素分子が、高エネルギー線によってＯラジカルやＯＨラジカルなどの活性種に変化する。これらの活性種がケイ素樹脂膜１２の有機基（例えばシリコーン原料が有するアルキル基などの有機基）をシラノール基に置換し、そのシラノール基同士が脱水反応によりシロキサン結合を形成して架橋することによって酸化ケイ素となる。
【００４０】
含酸素雰囲気において高エネルギー線を照射した後に、熱処理を行うことにより、酸化ケイ素膜１６に残留する水分やシラノール基をより確実に除去できる。熱処理の温度は、たとえば５００℃以下、好ましくは３００〜５００℃で行うことができる。３００℃程度で、膜中に残留する水を脱離させることができ、５００℃程度で、膜中のシラノール基を除去できる。このような脱水処理を行うことにより、水分やシラノール等の酸化ケイ素膜１６内に存在する親水成分を低減することができるので、酸化ケイ素膜１６の表面に付着した水分が酸化ケイ素膜１６の内部に吸収されることが抑制され、その結果、酸化ケイ素膜１６に耐吸湿性を付与することができる。
【００４１】
ついで、図５に示すように、マスク層１４を除去する。
【００４２】
（４）次に、図６に示すように、酸化ケイ素膜１６を除去する。酸化ケイ素膜１６は、アルカリ溶液やフッ化水素溶液等を用いてウェットエッチング法により除去することができる。
【００４３】
以上の工程により図６に示すように、本実施の形態にかかる樹脂板１００を形成することができる。
【００４４】
２．樹脂板の構造
樹脂板１００は、基板１０の上方に形成されたケイ素樹脂膜１２を含む。ケイ素樹脂膜１２は、図６に示すように凸状領域１２ａを有する。凸状領域１２ａに、たとえば有機溶液からなるインク（被転写層）を塗布した後に、樹脂板１００のケイ素樹脂膜１２側の面を転写体（図示せず）に接触させることにより、塗布したインクを転写体に転写する。
【００４５】
ケイ素樹脂膜１２としては、オルガノシロキサン結合を有するシリコーンモノマーおよびシリコーンオリゴマー（以下、これらを「シリコーン原料」という）の少なくとも一方をプラズマ重合したケイ素樹脂膜であることが好ましい。このようなケイ素樹脂膜は、プラズマ重合により重合していないシリコーンゴムやシリコーンレジンと比べて硬度が高いため、樹脂板１００を転写体に接触させる際に変形し難い。よって、樹脂板１００を用いることでより高精細に印刷することができる。また、プラズマ重合は、例えば複雑な配管や温度制御装置を必要とするＣＶＤ成膜装置に比べて構成が簡易なプラズマ重合装置を用いることができるので、設備に要するコストを低減できる。
【００４６】
また、樹脂板１００の製造工程において、当該ケイ素樹脂膜１２の一部を酸化ケイ素膜１６にかえることができる。すなわち、ケイ素樹脂膜１２に照射する高エネルギー線の種類、強度、時間などを制御することにより、用途に応じて、酸化ケイ素膜１６の厚さをかえることができ、また樹脂板１００の凹部の深さをかえることができる。
【００４７】
また、樹脂板１００を形成する際に、当該樹脂板１００に直接パターニングすることができるため、母型を作製する必要がない。よって、母型から樹脂への不正確な転写のおそれがなく、また母型の形成工程を簡略することができ、環境負荷を低減することができる。
【００４８】
また、樹脂板１００は、酸化ケイ素膜１６を除去して形成されているため、より深い凹部を形成することができる。よって、樹脂板１００は、印刷の転写精度を向上させることができる。
【００４９】
３．変形例
３．１．第１の変形例
図７は、第１の変形例にかかる樹脂板２００の断面を示す図である。樹脂板２００は、凹凸形状がほとんど形成されていない点、および酸化ケイ素膜１８が除去されていない点で、図６に示す樹脂板１００と異なる。
【００５０】
上述した樹脂板の形成方法の（３）において照射する高エネルギー線の種類、強度、時間などを制御することにより、凹凸形状のほとんどない樹脂板２００が形成される。即ち、高エネルギー線の照射量を小さくすることにより、酸化ケイ素膜１８を薄く形成することができ、その結果、酸化ケイ素領域１２ｂの凹みが小さい樹脂板を形成することができる。
【００５１】
樹脂板２００は、酸化ケイ素領域１２ｂの表面が親水性であり、ケイ素樹脂領域１２ｃの表面が疎水性であるため、いわゆるオフセット印刷を行うことができる。すなわち、酸化ケイ素領域１２ｂの表面に水性のインクを塗布して、当該インクを転写体に転写することができる。疎水性のケイ素樹脂領域１２ｃには、水性のインクは広がらないため、樹脂板２００は、高精度な印刷行うことができる。この場合、樹脂板２００の形成工程において、上述したマスク層１４は、インク転写部の形成領域以外の領域に形成される。
【００５２】
また、酸化ケイ素領域１２ｂの表面には、水性のインクを塗布し、ケイ素樹脂領域１２ｃの表面には、有機溶液からなるインクを塗布し、双方のインクを転写体に転写することもできる。また、高エネルギー線を照射することにより形成された酸化ケイ素膜１８は、数ミクロン程度の厚みを有し、親水化効果を長時間発揮することができるため、精度の安定した樹脂板２００を提供することができる。
【００５３】
その他の樹脂板２００の形成方法および構成については、樹脂板１００と同様であるので、説明を省略する。
【００５４】
３．２．第２の変形例
図８は、第２の変形例にかかる樹脂板３００の断面を示す図である。樹脂板３００は、酸化ケイ素膜１６が除去されていない点で、図６に示す樹脂板１００と異なる。樹脂板３００は、上述した樹脂板１００の形成方法の（１）〜（３）の工程で作製することができる。ケイ素樹脂膜１２に高エネルギー線を照射することにより酸化ケイ素膜１６にかえると、酸化ケイ素膜１６部分の体積がケイ素樹脂であったときより小さくなる。その結果、酸化ケイ素膜１６が形成されている領域に凹部領域が形成される。したがって樹脂板３００は、インク転写部の凸状領域１２ｄにインクを塗布して、転写させることにより印刷を行うことができる。このように酸化ケイ素膜１６を除去しないことにより、形成方法を簡便化することができる。また、高エネルギー線の照射時間等に応じて凹部の深さを調節することができるため、高精細な印刷を行うことができる。また、高エネルギー線を照射することにより形成された酸化ケイ素膜１６は、数ミクロン程度の厚みを有し、親水化効果を長時間発揮することができるため、精度の安定した樹脂板３００を提供することができる。また、凸状領域１２ｄの周囲には、親水性の酸化ケイ素膜１６が形成されているため、有機溶液からなるインクが広がることはなく、樹脂板３００は高精細な印刷を行うことができる。
【００５５】
その他の樹脂板３００の構成については、樹脂板１００と同様であるので、説明を省略する。
【００５６】
３．３．第３の変形例
第３の変形例にかかる樹脂板は、形成工程においてマスク層１４を用いない点で、上述した樹脂板１００と異なる。具体的には、上述した樹脂板１００の形成方法の（１）の後に、高エネルギー線として指向性のよいレーザ光やシンクロトロン放射光を所望の領域に局所的に照射することにより酸化ケイ素膜１６を形成する。これにより、マスク層１４を除去する必要がなくなるため、形成方法を簡便化することができる。その他の形成方法については、上述した樹脂板１００と同様であるので、説明を省略する。
【００５７】
４．実験例
４．１．実験例１
市販のシリコーンゴムシートの上に銅からなるメタルマスクをのせ、エキシマランプ（ウシオ電機製  ＵＥＲ２０−１７２Ｂ）から放出される波長１７２ｎｍの真空紫外光を照射光量１０ｍＷ／ｃｍ２で大気中にて９０分間照射した。以上の工程により形成された樹脂板の凹凸形状を走査電子顕微鏡（カールツアイス製ＵＬＴＲＡ５５）により測定した。測定結果を図９に示す。図９によれば、高エネルギー線の照射部（露光部）が未照射部（未露光部）より１μｍ程度凹んでおり、照射部には、厚さ６μｍ程度の酸化ケイ素膜が形成されていることが確認された。
【００５８】
４．２．実験例２
市販のシリコーンゴムシートの上に銅からなるメタルマスクをのせ、エキシマランプ（ウシオ電機製  ＵＥＲ２０−１７２Ｂ）から放出される波長１７２ｎｍの真空紫外光を照射光量１０ｍＷ／ｃｍ２で大気中にて９０分間照射した。その後、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で３分間、酸化ケイ素膜をウェットエッチングした。以上の工程により形成された樹脂板の凹凸形状を走査電子顕微鏡（カールツアイス製ＵＬＴＲＡ５５）により測定した。測定結果を図１０に示す。図１０によれば、酸化ケイ素膜が除去されているため、高エネルギー線の照射部（露光部）が未照射部（未露光部）より７μｍ程度凹んでいることが確認された。
【００５９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態にかかる樹脂板の形成方法を模式的に示す断面図。
【図２】ケイ素樹脂膜の成膜装置の一例を模式的に示す図。
【図３】本発明の実施の形態にかかる樹脂板の形成方法を模式的に示す断面図。
【図４】本発明の実施の形態にかかる樹脂板の形成方法を模式的に示す断面図。
【図５】本発明の実施の形態にかかる樹脂板の形成方法を模式的に示す断面図。
【図６】本発明の実施の形態にかかる樹脂板を模式的に示す断面図。
【図７】第１の変形例にかかる樹脂板を模式的に示す断面図。
【図８】第２の変形例にかかる樹脂板を模式的に示す断面図。
【図９】実験例１における樹脂板の凹凸形状の測定結果を示す図。
【図１０】実験例２における樹脂板の凹凸形状の測定結果を示す図。
【符号の説明】
【００６１】
１０  基板、１２  ケイ素樹脂膜、１２ａ、１２ｄ  凸状領域、１２ｂ  酸化ケイ素領域、１２ｃ  ケイ素樹脂領域、１４  マスク層、１６、１８  酸化ケイ素膜
【図１】
2006235491.tif 000005
【図２】
2006235491.tif 000006
【図３】
2006235491.tif 000007
【図４】
2006235491.tif 000008
【図５】
2006235491.tif 000009
【図６】
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【図７】
2006235491.tif 000011
【図８】
2006235491.tif 000012
【図９】
2006235491.tif 000013
【図１０】
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