(57)【要約】【課題】  暗電流の増加を抑制することが可能な電子検出装置を提供する。【解決手段】  電子検出装置１は、光電面１１を有する光電面板１０と、光電面１１から放出された電子の進路を制限する電子遮蔽部材６０と、電子の入射に応じて信号を出力する電子検出器４０と、を備える。電子遮蔽部材６０は開口部６２を有しており、かかる開口部６２は電子検出器４０のｐ＋層４５上に位置している。よって、光電面板１０の光電面１１から放出された電子を、電子入射面であるｐ＋層４５の表面に入射させることができる。また、電子遮蔽部材６０は電子検出器４０に極めて近接して配置され、かつ開口部６２の周縁はｐ＋層４５の周縁よりも内側に位置している。よって、ｐｎ接合領域５１の上面、すなわちｐｎ接合領域の露出面は電子遮蔽部材６０により覆われることとなるため、ｐｎ接合領域５１の露出面への電子及びＸ線の入射を防止することができる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一方の面に設けられた第２導電型の不純物層とを有し、前記半導体基板と前記不純物層との間にｐｎ接合領域が形成された電子検出器と、
電子源から前記半導体基板の一方の面に向けて放出された電子を遮蔽する電子遮蔽部材と、
を備え、
前記電子遮蔽部材は、前記ｐｎ接合領域の露出面を覆うように設けられるとともに、前記電子を前記不純物層に入射させるための開口部を有することを特徴とする電子検出装置。
【請求項２】
前記電子遮蔽部材は、前記電子が前記ｐｎ接合領域の露出面に入射するのを防ぐよう、前記ｐｎ接合領域の露出面に近接して設けられることを特徴とする請求項１記載の電子検出装置。
【請求項３】
前記電子遮蔽部材は、絶縁性を有することを特徴とする請求項１又は２記載の電子検出装置。
【請求項４】
前記電子検出器は、前記不純物層の露出面に第１の電極を有し、
前記電子遮蔽部材は、導電性バンプを介して前記第１の電極と接続される電極を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の電子検出装置。
【請求項５】
前記電子検出器は、前記不純物層の露出面に第１の電極を有し、
前記第１の電極は、ワイヤを介して外部回路に接続されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の電子検出装置。
【請求項６】
前記電子源は、入射した光を電子に変換し、該電子を前記電子検出器に向けて放出する光電面を更に備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の電子検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子検出器の一種として、例えば非特許文献１に記載されているように、光電面より放出された電子を検出するものが知られている。この電子検出器は、ｎ型である半導体基板の一方の面に、電子の入射領域となるｐ型の不純物領域を形成したものであって、半導体基板とｐ型の不純物領域との間にはｐｎ接合領域が形成されている。このｐｎ接合領域は、半導体基板表面に露出しており、半導体基板表面上に形成された絶縁膜によって被覆されている。
【非特許文献１】G.A. Johansen, C.B. Johnson, Nuclear Instruments and Methods inPhysics Research A326, pp.295-298(1993)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述の電子線検出器では、光電面より放出された電子が半導体基板表面に露出したｐｎ接合領域に入射すると、かかる領域で結晶欠陥が発生し、その結果、暗電流が増加してしまうという問題が生じることがある。暗電流の増加は、電子検出器の特性悪化につながる。そこで、この問題を回避するために、光電面と電子検出器との間に、電子の進路を制限する遮蔽板を設ける場合がある。この場合の遮蔽板は、ｐ型の不純物領域の上部に開口部を有しており、光電面より放出された電子がｐ型の不純物領域に入射するようになっている。
【０００４】
しかしながら、このような遮蔽板を設けた場合でも、上述した暗電流の増加は生じていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、暗電流が増加するのは以下の理由によるものではないかと考えた。すなわち、光電面から電子検出器に対して非垂直な方向に放出された電子のなかには、開口部を斜めに通過するものがある。開口部を斜めに通過した電子は、遮蔽板と電子検出器との間を進み、遮蔽板の下に位置する半導体基板表面に露出したｐｎ接合領域に入射してしまう可能性があることを見出した。
【０００６】
本発明者らはこれらの知見に基づいて更に研究を進め、以下の発明により上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明に係る電子検出装置は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の面に設けられた第２導電型の不純物層とを有し、半導体基板と不純物層との間にｐｎ接合領域が形成された電子検出器と、電子源から半導体基板の一方の面に向けて放出された電子を遮蔽する電子遮蔽部材と、を備え、電子遮蔽部材は、ｐｎ接合領域の露出面を覆うように設けられるとともに、電子を不純物層に入射させるための開口部を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る電子検出装置では、電子遮蔽部材は開口部を有しているので、電子源から放出された電子は開口部を通過して電子検出器に入射することとなる。これにより、例えば電子検出器側で電子を検出して種々の計測を行うことが可能となる。電子遮蔽部材がｐｎ接合領域の露出面を覆うので、ｐｎ接合領域は電子遮蔽部材によって保護されることとなる。したがって、例えば電子源から放出された電子が開口部を斜めに通過した場合にも、この電子がｐｎ接合領域の露出面に入射するといったことがなくなる。その結果、暗電流の増加を抑制することができる。
【０００９】
ところで、電子が遮蔽部材に衝突すると、制動放射によりＸ線が各方位に放射される。放射されたＸ線の一部が開口部を通過してｐｎ接合領域の露出面に入射してしまうと、やはり暗電流が増加してしまう。本発明に係る電子検出装置では、電子遮蔽部材がｐｎ接合領域の露出面を覆っているため、電子のみならずこのようなＸ線についても、ｐｎ接合領域の露出面への入射を防止する。よって、暗電流の増加を一層確実に抑制することができる。
【００１０】
また、電子遮蔽部材は、電子と、電子がｐｎ接合領域の露出面に入射するのを防ぐよう、ｐｎ接合領域の露出面に近接して設けられることが好ましい。このように電子遮蔽部材をｐｎ接合領域の露出面に近接して設ければ、電子が電子遮蔽部材と電子検出器との間に入り込むことをより確実に防げる。また、先に述べたように、Ｘ線が電子遮蔽部材と電子検出器との間に入り込むことも、より確実に防ぐことができる。
【００１１】
また、電子遮蔽部材は、絶縁性を有することが好ましい。このようにすれば、例えば電子検出器として、高電圧が印加されるＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）を用いた場合であっても、電圧印加時において電子遮蔽部材と電子検出器との間で放電が発生する可能性を抑制できる。よって、電子検出器の放電破壊を防止することができる。
【００１２】
また、電子検出器は、不純物層の露出面に第１の電極を有し、電子遮蔽部材は、導電性バンプを介して第１の電極と接続される電極を有することが好ましい。このように、バンプを介して不純物層の露出面と電極とを電気的に接続するので、不純物層の露出面、すなわち電子検出器の表面に電子が入射した場合に発生し得る帯電（チャージアップ）を、確実に防止することができる。特に、この電極を接地した場合には、チャージアップをより確実に回避することができる。
【００１３】
また、電子検出器は、不純物層の露出面に第１の電極を有し、第１の電極は、ワイヤを介して外部回路に接続されることが好ましい。このようにすれば、不純物層を外部回路の電位に確実に接続することができる。その結果、電子検出器の表面に電子が入射した場合に発生し得る帯電（チャージアップ）を確実に防止することができる。特に、この第１の電極を外部回路において接地した場合には、チャージアップをより確実に回避することができる。
【００１４】
また、電子源は、入射した光を電子に変換し、該電子を電子検出器に向けて放出する光電面を更に備えることが好ましい。このようにすれば、本発明の電子検出装置を光電管として用いることができる。
【００１５】
ところで、電子検出装置を光電管として用いる場合には、電子の放出を容易にさせる目的で、光電面にアルカリ金属等を蒸着させることがある。例えば、電子検出装置が光電面及び電子検出器をバルブ内に封入させたものである場合には、かかる蒸着はこのバルブ内にアルカリ金属を導入することにより行われる。蒸着を行う際に、光電面だけでなく、電子検出器のｐｎ接合領域の露出面付近に設けられた電極にもアルカリ金属が付着すると、暗電流が増加してしまうことがある。本発明に係る電子検出装置では、電子検出器のｐｎ接合領域の露出面は電子遮蔽部材により覆われているため、当該露出面付近に設けられた電極にアルカリ金属が付着する可能性を抑制できる。よって、暗電流を増加させることなく、電子の放出が容易な光電面を得ることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、暗電流の増加を抑制することが可能な電子検出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１８】
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は、本発明に係る電子検出装置の第１実施形態を示す構成図である。電子検出装置１は光電管である。電子検出装置１は筒状のバルブ１２を有しており、このバルブ１２の一端側の開口部は、光電面板（電子源）１０により封止されている。光電面板１０のバルブ１２側表面には、光の入射に応じて電子（光電子）を放出する光電面１１が設けられている。一方、バルブ１２の他端側の開口部は、ステム１４により封止されている。ステム１４は複数の貫通孔１６を有しており、各貫通孔１６内にはリードピン１８，１８ａがガラス等の部材２０により固定されている。
【００１９】
バルブ１２内の中間部には、第１グリッド２２及び第２グリッド２４と、電子遮蔽部材６０と、電子検出器４０とが設けられている。第１グリッド２２及び第２グリッド２４は、光電面１１から放出された電子を絞り込む役目を有している。
【００２０】
第２グリッド２４とステム１４との間には、電子検出器４０及び電子遮蔽部材６０が設けられている。図２は、電子検出器４０及び電子遮蔽部材６０の上面図である。図３は、図２に示す電子検出器４０及び電子遮蔽部材６０のI−I線に沿った断面図である。図４は、電子検出器４０及び電子遮蔽部材６０の側面図である。図１〜４に示されるように、電子遮蔽部材６０は電子検出器４０の上面に配置されている。
【００２１】
電子検出器４０は電子増倍型の半導体電子センサであって、電子の入射に応じて信号を出力するものである。より具体的には、電子検出器４０は、ＡＰＤ（アバランシェ・フォトダイオード）と同等の構造を有している。図３に示されるように、電子検出器４０は、ｎ型（第１導電型）のＳｉ基板４１の一方の面上に、Ｓｉ基板４１と比べて低濃度のｎ型半導体層であるｎ−層４２、及びｐ型（第２導電型）の不純物層であるｐ−層４３を順次形成し、積層させたものである。ｐ−層４３の周縁には、ｎ−層４２と比べて高濃度であるｎ＋層４４が、拡散によって形成されている。このようなｎ＋層４４及びｎ−層４２とｐ−層４３との間には、ｐｎ接合領域５１が形成されることとなる。
【００２２】
ｐ−層４３上には、ｐ−層４３と比べて高濃度であるｐ＋層４５が拡散によって部分的に形成されている。このｐ＋層４５の露出面が、電子検出器４０における電子入射面となる。ｎ＋層４４上及びｐ＋層４５上には、ＳｉＯ２膜４６が形成されている。ＳｉＯ２膜４６には開口部（コンタクトホール）５０が形成されており、この開口部５０からはｐ＋層４５が露出している。ＳｉＯ２膜４６の上には、入射面電極（第１の電極）４７がアルミ蒸着により形成されている。入射面電極４７は、上述の開口部５０を充填するように設けられている。これにより、入射面電極４７は開口部５０を通してｐ＋層４５の露出面と接することとなる。
【００２３】
入射面電極４７上には、パッシベーション酸化膜４８が形成されている。パッシベーション酸化膜４８には開口部５２が形成されており、この開口部５２から入射面電極４７が露出している。また、パッシベーション酸化膜４８の一部を覆うようにパッシベーション窒化膜４９が形成されている。
【００２４】
図１〜４に示されるように、このような電子検出器４０の上面は、電子遮蔽部材６０で覆われている。電子遮蔽部材６０は、第１グリッド２２及び第２グリッド２４を通過した電子の進路を制限するものである。電子遮蔽部材６０は、例えばセラミック等の絶縁材料からなる板であって、電子を遮蔽するのに十分な厚さ（例えば約３００μｍ）を有している。
【００２５】
図２に示されるように、電子遮蔽部材６０には開口部６２が形成されている。開口部６２の縁は、図３に示されるように、ｐ＋層４５の外縁４５ａよりも十分内側に位置している。これにより、開口部６２からｐ＋層４５の表面の一部が露出することとなる。開口部６２とその周囲には導電部（電極）６４が設けられており、この導電部６４は、開口部６２とその周囲を導電性メッキで被覆することにより形成される。図４に示されるように、導電部６４は、外部回路に接続されたリードピン１８ａと、ワイヤ６６を介して接続されている。
【００２６】
導電部６４の下面には、導電性のバンプ６８が設けられている。バンプ６８は、電子検出器４０の入射面電極４７と接しているため、外部回路に接続された導電部６４と電子検出器４０とは電気的に接続されることとなる。よって、電子の入射により電子検出器４０で発生し得るチャージアップを防止することができる。また、バンプ６８の高さＨは３０μｍ程度であるため、電子遮蔽部材６０は電子検出器４０に極めて近接して配置されることとなる。
【００２７】
上述の電子検出装置１の動作について、図１を参照しつつ説明する。
【００２８】
電子検出装置１の電子検出器４０に対して、逆バイアス電圧をリードピン１８を介して印加する。なお、図示していないが、逆バイアス電圧は電子検出器４０のＳｉ基板４１側からリードピン１８を介して印加される。印加する逆バイアス電圧は、例えば３〜４００Ｖである。一方、光電面板１０に対しては光を照射する。光電面板１０の光電面１１は、光の照射を受けてバルブ１２内に電子を放出する。放出された電子は、第１グリッド２２及び第２グリッド２４を通過し、更に電子遮蔽部材６０の開口部６２を通過して、図3に示す電子検出器４０のｐ＋層４５の表面に衝突する。電子が衝突すると、電子検出器４０中には、衝突により電子が失ったエネルギ３．６ｅＶ当たりにつき１対の電子及び正孔が生成される。生成された電子・正孔対は、逆バイアス電圧が印加された電子検出器４０内でドリフトし、ｎ−層４２とｐ−層４３との間にあるｐｎ接合領域５１において、先に述べた逆バイアス電圧に応じたアバランシェ増倍率でアバランシェ増倍される。
【００２９】
ここで、例えば、１０ｋｅＶのエネルギを有する電子がｐ＋層４５に衝突し、全てのエネルギを放出した場合には、電子検出器４０中で約２８００個の電子正孔対が生成される。このとき、アバランシェ増倍率が５０倍であるならば、この電子検出器４０で約１０５倍のゲインが得られることとなる。
【００３０】
一方、図５に示されるように、光電面１１から放出された電子の中には、本来の軌道Ｒ１（すなわち電子遮蔽部材６０の開口部６２を通過して電子検出器４０のｐ＋層４５に向かう軌道）から外れ、電子検出器４０のｐｎ接合領域５１の露出面に向かって進むものが生じることがある。このような電子Ｐ１は、電子遮蔽部材６０の、ｎ＋層４４とｐ−層４３との間にあるｐｎ接合領域５１を覆っている部分に衝突する。電子遮蔽部材６０は絶縁板であり、かつ十分な厚さを有するため、電子Ｐ１は電子遮蔽部材６０を貫通することはできず、その進路を遮られることとなる。
【００３１】
また、本来の軌道Ｒ１から外れた電子の中には、電子遮蔽部材６０の開口部６２に斜め方向から入射するものが生じることもある。このような電子Ｐ２は、電子検出器４０の上面と電子遮蔽部材６０の下面との間に入り込む可能性がある。しかしながら、電子遮蔽部材６０が十分な厚さを有している上に電子検出器４０の上面と電子遮蔽部材６０の下面との間の距離は約３０μｍと極めて狭いため、電子Ｐ２は電子遮蔽部材６０の上面、あるいは導電部６４が形成された内壁に衝突することとなり、その進行を阻まれる。
【００３２】
また、電子Ｐ２は、電子遮蔽部材６０の内壁と衝突する際に、Ｘ線を放射する。かかるＸ線のうち、電子検出器４０のｐｎ接合領域５１の方向に放射されたＸ線７０は、電子検出器４０の上面と電子遮蔽部材６０の下面との間に進入することが考えられるが、十分な厚さを有している上に電子遮蔽部材６０に極めて近接配置された電子遮蔽部材６０によって、やはりその進行を阻まれることとなる。
【００３３】
以上のように、本実施形態においては、電子遮蔽部材６０が開口部６２を有しており、かかる開口部６２は電子検出器４０のｐ＋層４５上に位置している。したがって、光電面板１０の光電面１１から放出された電子を、ｐ＋層４５に入射させることができる。また、電子遮蔽部材６０は、電子検出器４０に極めて近接して配置されるとともに、電子検出器４０のｎ＋層４４とｐ−層４３との間のｐｎ接合領域５１の上面を覆っている。つまり、ｐｎ接合領域５１の上面、すなわちｐｎ接合領域の露出面を電子遮蔽部材６０が保護することとなるので、ｐｎ接合領域５１の露出面への電子及びＸ線の入射を防止することができる。その結果、暗電流の増加を抑制することができる。
【００３４】
なお、図１に示すような電子検出装置では、光電面１１にアルカリ金属等を蒸着させることがある。光電面１１にアルカリ金属を蒸着させると、仕事関数が低下するため、電子の放出が容易となる。アルカリ金属の蒸着は、バルブ１２内にアルカリ金属を導入することにより行われる。従来の電子検出装置では、バルブ中にアルカリ金属を導入すると、光電面だけでなく、電子検出器のｐｎ接合領域の上面に設けられた電極にもアルカリ金属が付着する可能性があり、この場合には暗電流が増加してしまうことがあった。このような暗電流の増加を抑制するには、バルブ内に導入するアルカリ金属の量を制限しなければならず、その結果、最適な感度を有する光電面を得ることが困難となっていた。本実施形態の電子検出装置１では、電子遮蔽部材６０を電子検出器４０に極めて近接して配置しているため、バルブ１２内にアルカリ金属を導入した際でも、ｐｎ接合領域５１の上面に設けられた電極へのアルカリ金属の付着を防止することができる。よって、暗電流を抑制するためにアルカリ金属の量を制限する必要がなくなるので、最適な感度を有する光電面１１を得ることが可能となる。
【００３５】
次に、本発明に係る電子検出装置の第２実施形態について説明する。図６は、本発明に係る電子検出装置の第２実施形態における、電子検出器及び電子遮蔽部材の側面図である。図７は、第２実施形態における電子検出器及び電子遮蔽部材の拡大断面図である。先の実施形態における電子検出装置では、電子検出器４０は導電性のバンプと接していたのに対して、電子検出装置１００では、電子検出器４０は導電性のワイヤ１０８と接している。
【００３６】
図６，７に示されるように、電子検出装置１００の電子遮蔽部材１０２は、電子検出器４０のパッシベーション窒化膜４９に非導電性の樹脂１０４を介して接着固定されている。また、電子遮蔽部材１０２の開口部１０６は、先に述べた実施形態の電子遮蔽部材６０における開口部６２と比べて、径が大きくなっている。より具体的には、開口部１０６の径は、電子検出器４０の入射面電極４７が露出する程度の大きさとなっている。ただし、本実施形態においても、開口部１０６は、ｐ＋層４５の外縁４５ａよりも十分内側に位置している。
【００３７】
図７に示されるように、電子検出器４０の入射面電極４７は、開口部１０６に挿通された導電性のワイヤ１０８の一端と接続されている。かかるワイヤ１０８の他端は、図６に示されるように、接地電位に固定されたリードピン１８ａに接続されている。入射面電極４７にワイヤ１０８を直接つなげることで、入射面電極４７を確実に外部回路の電位に接続することができる。その結果、電子の入射により発生する電子検出器４０表面のチャージアップを確実に防止することができる。また、電子検出装置１００をこのような構成とすることで、先の実施形態で用いた導電部を電子遮蔽部材に備える必要がなくなり、また、バンプも不要となる。
【００３８】
次に、本発明に係る電子検出装置の第３実施形態について説明する。図８は、本発明に係る電子検出装置の第３実施形態における、電子検出器及びパッケージの上面図である。図９は、第３実施形態における電子検出器及びパッケージのII−II線に沿った断面図である。先の実施形態における電子検出装置１では、電子検出器４０はその上面が電子遮蔽部材により覆われていたのに対して、電子検出装置２００では、電子検出器４０は電子遮蔽部材であるパッケージ２０２に入れられる構成となっている。
【００３９】
パッケージ２０２は、実装用基板２０６に固定されており、セラミック等の絶縁材料からなっている。パッケージ２０２の表面全体のうち、後述する金属配線２１４，２２０の付設箇所と付設箇所の周辺とを除く部分は、導電性のメッキ２０３で覆われている。かかるメッキ２０３は、金属配線（図示せず）を介して、外部回路により設定される電位に接続されている。パッケージ２０２の上面には、開口部２０４が形成されている。この開口部２０４は、上述した電子遮蔽部材６０の開口部６２と同様に、電子検出器４０のｐ＋層４５の外縁よりも十分内側に位置するように形成されている。また、パッケージ２０２は、電子検出器４０の上面と極めて近接して配置されている。
【００４０】
パッケージ２０２と電子検出器４０との間には、金属製のバンプ２０８，２１２が設けられている。バンプ２０８は、ｐ＋層４５と金属配線２１４とを電気的に接続している。金属配線２１４は、パッケージ２０２内に設けられた孔に挿通され、かつ、実装用基板２０６上に形成された導電パタ−ン２１６とソルダ２１８を介して接続されている。バンプ２１２は、ｎ＋層４４と金属配線２２０とを電気的に接続している。金属配線２２０は、パッケージ２０２内に設けられた孔に挿通され、かつ、実装用基板２０６上に形成された導電パターン２２２とソルダ２２４を介して接続されている。
【００４１】
このように、電子検出装置２００では、パッケージ２０２によって電子検出器４０のｐｎ接合領域５１の上面、すなわちｐｎ接合領域の露出面を保護している。したがって、ｐｎ接合領域５１の露出面への電子及びＸ線の入射を防止することができる。その結果、暗電流の増加を抑制することができる。また、電子検出器４０をパッケージ２０２に入れられる構成としたことにより、電子検出装置２００を実装用基板２０６に実装することが可能となる。
【００４２】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。
【００４３】
例えば、上記実施形態において、電子検出装置は光電管であるとしたが、電子検出装置はＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にも適用可能である。その場合には、電子検出器をＳＥＭ用検出器として用いることができる。
【００４４】
また、電子検出器はＡＰＤであるとしたが、電子検出器はＡＰＤと比べて低い電圧が印加されるＰＤであるとしてもよい。この場合には、電子遮蔽部材は絶縁材料ではなく、金属材料からなっていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る電子検出装置の第１実施形態を示す構成図である。
【図２】電子検出器及び電子遮蔽部材の上面図である。
【図３】電子検出器及び電子遮蔽部材の断面図である。
【図４】電子検出器及び電子遮蔽部材の側面図である。
【図５】電子の動作を説明するための図である。
【図６】本発明に係る電子検出装置の第２実施形態における、電子検出器及び電子遮蔽部材の側面図である。
【図７】電子検出器及び電子遮蔽部材の断面図である。
【図８】本発明に係る電子検出装置の第３実施形態における、電子検出器及びパッケージの上面図である。
【図９】電子検出器及び電子遮蔽部材の断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１，１００，２００…電子検出装置、１０…光電面板、１１…光電面、４０…電子検出器、４１…半導体基板、４２…ｎ−層、４３…ｐ−層、４４…ｎ＋層、４５…ｐ＋層、５１…ｐｎ接合領域、６０，１０２…電子遮蔽部材、６２，１０６，２０４…開口部、６４…導電部、６８，２０８，２１２…バンプ、１０８…ワイヤ、２０２…パッケージ、２０６…実装用基板。
【図１】
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【図２】
2006294563.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006294563.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006294563.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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