【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性ガスフローを供給する活性ガス源と希釈用ガスフローを供給する希釈用ガス源とに結合され、活性ガス消費プロセス設備に対して希釈活性ガス混合物を制御可能なフローとして送出するように構成されたガス混合システムであって、
前記活性ガスを分配するためのガスフロー計測装置と、
前記活性ガスフローを前記希釈用ガスフローと混合して、希釈活性ガス混合物を形成するように構成された混合装置と、
前記希釈活性ガス混合物における活性ガス濃度を測定するように構成された監視装置と、
活性ガス濃度に相関する信号を前記監視装置から受信し、それに応答して、前記ガスフロー計測装置を調整して前記活性ガスの分配レートを制御し、かつ前記希釈活性ガス混合物における所定の活性ガス濃度を維持するように構成された制御要素と、を備え、
前記活性ガスフロー及び前記希釈用ガスフローの少なくとも１つが、マスフローコントローラを通過せずに、かつ、フロー制限要素を通過せずに、前記混合装置に供給される、ガス混合システム。
【請求項２】
前記制御要素が、中央処理装置を備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項３】
前記制御要素が、前記監視装置と一体的に構成される、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項４】
前記ガスフロー計測装置が、マスフローコントローラを備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項５】
前記活性ガス源と前記混合装置との間に連通可能に結合されるガスフローラインをさらに備え、前記マスフローコントローラが前記ガスフローラインに配置される、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項６】
前記監視装置が、インラインガス分析器を備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項７】
バイパスガスフローループをさらに備え、前記監視装置が、前記バイパスガスフローループに配置された第一の監視装置を備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項８】
前記ガスフロー計測装置が、マイクロバルブを備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項９】
前記混合装置が、ベンチュリを備え、前記ガスフロー計測装置が、バルブ及び前記バルブと前記ベンチュリとの間の制限されたフローオリフィスを備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項１０】
前記活性ガス源が、前記活性ガスを保持するガス貯蔵及び分配容器を備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項１１】
前記ガス貯蔵及び分配容器が、活性ガスを収着的に保持する吸着媒体を含み、前記容器から活性ガスを分配するために、活性ガスが前記吸着媒体から脱着される、請求項１０に記載のガス混合システム。
【請求項１２】
前記吸着媒体が、固体である、請求項１１に記載のガス混合システム。
【請求項１３】
前記ガス貯蔵及び分配容器が、内部に配置されたレギュレータであって、当該レギュレータのセットポイントによって決定された圧力で前記容器から活性ガスを分配するためのレギュレータを備える、請求項１０に記載のガス混合システム。
【請求項１４】
前記混合装置が、ベンチュリ、スタティックミキサ、ポンプ、コンプレッサ、ロータリーミキサ、エジェクタ、エダクタ及び対向するジェットを備える混合チャンバのうちのいずれかを備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項１５】
前記混合装置が、ベンチュリを備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項１６】
前記監視装置が、分光計ガス監視装置、クロマトグラフィガス監視装置、比色計ガス監視装置、表面音波（ＳＡＷ）ガス監視装置、光子ガス監視装置及び炎イオン化装置ガス監視装置のうちのいずれかを含むガス監視デバイスを備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項１７】
前記監視装置が、フーリエ変換赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）ガス分析器を備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項１８】
前記監視装置が、ＩＲ光度計を備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項１９】
前記監視装置が、フーリエ変換赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）ガス分析器及びＩＲ光度計を備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項２０】
前記監視装置が、複数のガス監視デバイスを備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項２１】
前記複数のガス監視デバイスが、異なるガス濃度検知形式を有するガス監視デバイスを備える、請求項２０に記載のガス混合システム。
【請求項２２】
前記活性ガス消費プロセス設備が、半導体製造プラントを備える、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項２３】
前記半導体製造プラントが、イオン注入ユニット及び化学蒸着プロセスユニットのいずれかを備える、請求項２２に記載のガス混合システム。
【請求項２４】
前記希釈用ガスが、窒素、アルゴン、ヘリウム、空気、クリプトン、キセノン、キセノンハロゲン化物、水素、酸素、アンモニア及びガス状有機金属化合物のうちのいずれかを含む、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項２５】
前記活性ガスが、アルシン、ホスフィン、ゲルマン、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＦ４及びＳｉＨ２Ｃｌ２のうちのいずれかを含む、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項２６】
前記活性ガスが、アルシン、ホスフィン及びゲルマンからなる群から選択される水素化物を含む、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項２７】
前記監視装置が、前記希釈活性ガス混合物中の活性ガス濃度を継続的に測定するように構成された、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項２８】
前記監視装置の下流に配置される放出管であって、前記ガス消費プロセス設備との間の液体の連通のための放出管をさらに備え、前記ガス混合システムは、前記活性ガスフローの全てを含む前記希釈活性ガス混合物を前記放出管へと送出するように構成される、請求項１に記載のガス混合システム。
【請求項２９】
活性ガス源から活性ガスフローを受領し、希釈用ガス源から希釈用ガスフローを受領するように構成され、活性ガス消費プロセス設備に対して希釈活性ガス混合物を制御可能なフローとして送出するように構成されたガス混合システムであって、
前記活性ガス及び前記希釈用ガスの少なくとも一つを分配するように構成されたガスフロー計測装置と、
前記活性ガスフローを前記希釈用ガスフローと混合して、希釈活性ガス混合物を形成するように構成された混合装置と、
活性ガス濃度と相関する信号を前記監視装置から受信し、それに応答して、前記ガスフロー計測装置を調整して前記活性ガスの分配レートを制御し、前記希釈活性ガス混合物における所定の活性ガス濃度を維持するように構成された中央処理装置と、を備え、
前記活性ガスフロー及び前記希釈用ガスフローの少なくとも一つが、マスフローコントローラを通過せずに、かつ、フロー制限要素を通過せずに、前記混合装置に供給される、ガス混合システム。
【請求項３０】
前記ガスフロー計測装置が、前記活性ガスを分配するように構成された、請求項２９に記載のガス混合システム。
【請求項３１】
前記監視装置が、前記希釈活性ガス混合物における活性ガス濃度を継続的に測定するように構成された、請求項２９に記載のガス混合システム。
【請求項３２】
前記監視装置が、複数のガス監視デバイスを備える、請求項２９に記載のガス混合システム。
【請求項３３】
前記複数のガス監視デバイスが、異なるガス濃度検知形式を有するガス監視デバイスを備える、請求項３２に記載のガス混合システム。
【請求項３４】
前記活性ガス消費プロセス設備が、半導体製造プラントを備える、請求項２９に記載のガス混合システム。
【請求項３５】
前記監視装置の下流に配置される放出管であって、前記ガス消費プロセス設備との間の液体の連通のための放出管をさらに備え、前記ガス混合システムは、前記活性ガスフローの全てを含む前記希釈活性ガス混合物を前記放出管へと送出するように構成される、請求項２９に記載のガス混合システム。