(57)【要約】【課題】  ヘリカルテープスキャンシステムに用いる薄膜磁気ヘッドにおいて、隣接トラックの記録パターン乱れの発生を低減する。【解決手段】  ヘリカルテープスキャン方式のアジマス記録用の薄膜磁気ヘッドであって、上層磁気コア３３及び下層磁気コア３６を有し、上層磁気コア３６の磁極端部３６Ａの片側３７が、記録トラックの幅方向の端縁に平行にもしくは記録トラック内に入り込むように、斜めカットされて成る【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘリカルテープスキャン方式のアジマス記録用の薄膜磁気ヘッドであって、
上層磁気コア及び下層磁気コアを有し、
前記上層磁気コアの磁極端部の片側が、記録トラックの幅方向の端縁に平行にもしくは記録トラック内に入り込むように、斜めカットされて成る
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記上層磁気コアが、前記下層磁気コアに対して、磁気記録媒体へのトラック走査方向であるヘッド走行方向のリーディング側に配置され、
前記上層磁気コアの磁極端部の片側が、記録ギャップからアジマス角度以上となるように斜めカットされて成る
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記上層磁気コアの磁極端部の片側と同じように、前記下層磁気コアの磁極端部の片側が斜めカットされて成る
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記磁極端部の片側が、前記上層磁気コアの膜厚の全てと前記下層磁気コアの膜厚の半分以下まで除去されて成る
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
ヘリカルテープキャン方式のアジマス記録用の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
下層磁気コア、記録ギャップ膜、コイル導体及び上層磁気コアを順次形成する工程と、
前記上層磁気コアの磁極端部の片側を、記録トラックの幅方向の端縁に平行にもしくは記録トラック内に入り込むように斜め除去するエッチング工程を有する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記エッチング工程において、  前記上層磁気コアの磁極端部の片側を、記録ギャップからアジマス角度以上となるように斜めにエッチング除去する
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記エッチング工程前の前記上層磁気コアの磁極端部の幅を、最終的な磁気トラック幅より大に設定する
ことを特徴とする請求項５又は６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記エッチング工程において、前記上層磁気コアのエッチング範囲をＤｐＴとし、前記上層磁気コアの厚みをｔ１として、
記録ギャップが拡大し始めるデプスゼロラインよりデプス深さ方向に２×ｔ１μｍ以内（０μｍを含む）までエッチングする
ことを特徴とする請求項５又は６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記エッチング工程において、前記上層磁気コアの膜厚全てと、前記下層磁気コアの膜厚の半分以下までエッチングする
ことを特徴とする請求項５又は６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記エッチング工程前の前記下層磁気コアの磁極端部の幅を、最終的な磁気トラック幅より大に設定する
ことを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記エッチング工程において、最終的に形成される記録ギャップ膜のエッジよりも記録ギャップ幅中心から離れた位置にフォトレジストマスクのパターンエッジが存するように、前記フォトレジストマスクを形成する
ことを特徴とする請求項５又は６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記エッチング工程において、前記フォトレジストマスクを熱処理して傾斜したエッジ端面を形成し、
該フォトレジストマスクを介してエッチングし、前記磁極端部の片側をアジマス角度以上の角度で除去する
ことを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録に対応したヘリカルテープスキャンシステムなどに用いられる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ヘッドを備えた磁気記録再生装置は、図３１に示すヘリカルテープスキャンシステムを用いたカメラ一体型ビデオレコーダや、データ保存用テープストリーマー、リニアテープシステムを用いたテープストリーマー、ハードディスクドライブとして、各種用途に応じて多数の製品が実用化されている。
【０００３】
近年は、映像や画像そして音声情報の高精細化により、取り扱われている情報の総量が飛躍的に増大している。これらの情報を保存する方法としてハードディスクドライブや光ディスクシステムそして磁気テープ記録システムがあり、アーカイバルなどでは大容量の情報を安価かつ高速に保存できる磁気テープシステムが多用されている。この磁気テープ記録システムで更に安価かつ高速に情報を保存するためには、テープ走行方向（トラック方向）の記録ピッチ及びそのトラック間隔（トラックピッチ）を短縮し、面記録密度を向上させることが要求されている。
【０００４】
図３１に示すヘリカルテープスキャンシステム、すなわち磁気記録再生装置１は、磁気テープに情報を記録しかつ再生するための薄膜磁気ヘッド２を搭載した回転ドラム３を備え、磁気テープ４を薄膜磁気ヘッド２が走行する回転ドラム３の周方向に対して傾斜して走行させて、情報の記録及び再生を行うように構成されている。すなわち、磁気記録再生装置１では、回転ドラム３が所要の間隙を挟んで配置された対の上ドラム５及び下ドラム６を有して構成され、磁気ヘッド２が例えば上ドラム５と一体に回転駆動するように配置される。薄膜磁気ヘッド２は、略１８０°の間隔をもって配置した２つの薄膜磁気ヘッド２〔２Ａ，２Ｂ〕から成る。２つの磁気ヘッド２Ａ，２Ｂは、それぞれテープ走行方向に対して記録ギャップｇ１、ｇ２がおよそθ、−θの角度で傾斜して形成されている。図３２に、１つの薄膜磁気へッド２を示す。この薄膜磁気ヘッド２は、対の薄膜磁気コア８とコイル導体９を有してなるヘッド素子がテープ摺動面１０を有する非磁性ブロック１１に挟持されるように配置され、その記録キャップｇが磁気テープの走行方向Ｄに対してθの角度で形成されて成る。
【０００５】
図３３に、従来のインダクティブ型の薄膜磁気ヘッド２の概略を示す。薄膜磁気ヘッド２は、非磁性基板７上に記録ギャップｇを形成する下層磁気コア８Ａ及び上層磁気コア８Ｂと、下層及び上層の磁気コア８Ａ，８Ｂ間にあって磁気コア８を巻回するコイル導体９とを積層して構成される。
【０００６】
このヘリカルテープスキャンシステムでは、磁気テープ４上の磁気記録パターンがテープ走行方向に対してθあるいは−θの角度で傾斜して記録されており、図３４に示すように、隣接トラック１２で異なる角度の関係を持つ所謂アジマス記録技術を用いて、隣接トラックの情報をマスクし、トラック情報を安定に読み出している。
【０００７】
薄膜磁気ヘッドの他の例として、図３５に示すように、下層磁気コア８Ａの幅を上層磁気コア８Ｂの先端磁極端部の幅（トラック幅Ｔｗに相当）より大きくして構成した薄膜磁気ヘッド２も知られている。
【０００８】
一方、磁気ディスクに用いられる垂直磁気記録用単磁極ヘッドとして、トラックエッジでの記録磁界の減少を防止するために、主磁極を構成する２つの部分のうち、第１の部分を、その幅が磁気ディスクの移動方向のリーディング側からトレーリング側に向けて連続的に増加するように左右両側を対称的に斜めにカットした垂直磁気記録用単磁極ヘッドが提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３ー２４２６０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
一般に、図３４に示すように、記録トラック１２と記録トラック１２の間にサイドイレースと呼ぶ磁化パターンの乱れた領域１４が存在する。これは、図３６に示すように磁気コア２の記録ギャップｇ端部と磁気コア２の側面からトラック方向以外に放出される磁束の影響によって生じるものである。また、ヘリカルテープスキャンシステムで高密度記録に適している蒸着記録媒体への磁化情報の書き込みには、図３７に示すように、磁気テープの磁化容易磁区が磁気テープと磁気ヘッドの相対走査方向に対して傾斜しており、このことからヘッド走行方向（相対的に記録媒体上走行方向、すなわち磁気テープ上走行方向）のトレーリング側からの磁気テープ磁化容易軸方向の磁場強度Mが記録レベルを支配している。なお、図37において、２は記録ギャップｇを挟んで磁気コア８A,8Bからなる記録磁気コア、Mは記録に寄与するヘッド磁場、４は蒸着磁気テープ、４Aは磁化領域、４Bは磁化遷移領域を示す。すなわち、図３５の磁気ヘッド２の模式図で示すように、下層磁気コア８Ａに対して上層磁気コア８Ｂの幅が狭く、上層磁気コア８Ｂ側の磁束密度が高くなり上層磁気コア８Ｂを先行させた方が記録レベルが高くなる。
【００１０】
従って、図３３及び図３５に示すような従来の薄膜磁気ヘッド２の磁気コア形状、特に上層磁気コア８Ｂのテープ対接面が四角形状では、トレーリング側の磁気ギャップ以外のヘッド走行方向（相対的に磁気テープ上走行方向）のリーディング側に傾斜している磁気コア側面からの磁場により、特に顕著なサイドイレースが起こる。この様なサイドイレースされた領域が多い状態で、面記録密度を向上させるためにトラックピッチを短縮すると、サイドイレースされた領域が面記録密度の低い状態よりもテープ表面上のデータ領域に相対的に多く存在する。サイドイレースを無視してトラックピッチを短縮すると、本来情報が記録されているトラックが消失し、磁場感度の高い磁気抵抗効果を用いた再生ヘッドを用いた磁気記録再生システムが機能しなくなる。
【００１１】
本発明は、上述の点に鑑み、隣接トラックの記録パターン乱れ（いわゆるサイドイレース）を低減、もしくは無くすことができる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、ヘリカルテープスキャン方式のアジマス記録用の薄膜磁気ヘッドであって、上層磁気コア及び下層磁気コアを有し、上層磁気コアの磁極端部の片側が、記録トラックの幅方向の端縁に平行にもしくは記録トラック内に入り込むように、斜めカットされて成ることを特徴とする。
【００１３】
本発明は、上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上層磁気コアが下層磁気コアに対して、磁気記録媒体へのトラック走査方向であるヘッド走行方向のリーディング側に配置され、上層磁気コアの磁極端部の片側が記録ギャップからアジマス角度以上となるように斜めカットされた構成とする。
本発明は、上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上層磁気コアの磁極端部の片側と同じように、下層磁気コアの磁極端部の片側が斜めカットされた構成とする。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁極端部の片側が、上層磁気コアの膜厚の全てと下層磁気コアの膜厚の半分以下まで除去された構成とする。
【００１４】
本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの製造方法は、ヘリカルテープキャン方式のアジマス記録用の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、下層磁気コア、記録ギャップ膜、コイル導体及び上層磁気コアを順次形成する工程と、上層磁気コアの磁極端部の片側を、記録トラックの幅方向の端縁に平行にもしくは記録トラック内に入り込むように斜め除去するエッチング工程を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明は、上記エッチング工程において、上層磁気コアの磁極端部の片側を、記録ギャップからアジマス角度以上となるように斜めにエッチング除去することを特徴とする。
【００１６】
本発明は、好ましくは上記エッチング工程前の上層磁気コアの磁極端部の幅を、最終的な磁気トラック幅より大に設定する。
本発明は、好ましくは上記エッチング工程において、上層磁気コアのエッチング範囲をＤｐＴとし、前記上層磁気コアの厚みをｔ１として、記録ギャップが拡大し始めるデプスゼロラインよりデプス深さ方向に２×ｔ１μｍ以内（０μｍを含む）までエッチングする。
【００１７】
本発明は、上記エッチング工程において、上層磁気コアの膜厚全てと、下層磁気コアの膜厚の半分以下までエッチングすることができる。
本発明は、好ましくは上記エッチング工程前の下層磁気コアの磁極端部の幅を、最終的な磁気トラック幅より大に設定する。
【００１８】
本発明は、好ましくは上記エッチング工程において、最終的に形成される記録ギャップ膜のエッジよりも記録ギャップ幅中心から離れた位置にフォトレジストマスクのパターンエッジが存するように、前記フォトレジストマスクを形成する。
本発明は、上記エッチング工程において、フォトレジストマスクを熱処理して傾斜したエッジ端面を形成し、該フォトレジストマスクを介してエッチングし、磁極端部の片側をアジマス角度以上の角度で除去する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、ヘリカルテープスキャン方式のアジマス記録用の薄膜磁気ヘッドにおいて、上層磁気コアの磁極端部の片側を、記録トラックの幅方向の端縁に平行もしくは記録トラク内に入り込むように、斜めカットして構成することにより、上層磁気コア端部から影響を受ける隣接トラックの記録パターンの乱れが無くなる。従って、薄膜磁気ヘッドを用いて磁気記録を行ってもパターン乱れによる出力の低下を防止することができ、高密度かつ安定したヘリカルテープスキャン方式のアジマス記録を可能にする。
【００２０】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、下層磁気コアに対してヘッド走行方向のリーディング側に配置された上層磁気コアの磁極端部の片側を、記録ギャップからアジマス角度以上となるように斜めカットして構成することにより、隣接トラックの記録パターンの乱れを無くし、高密度かつ安定したヘリカルテープスキャン方式のアジマス記録を可能にする。
【００２１】
上層磁気コアの磁極端部の片側と同じように、下層磁気コアの磁極端部の片側を斜めカットするときも、隣接トラックの記録パターンの乱れを無くし、高密度かつ安定したヘリカルテープスキャン方式のアジマス記録を可能にする。上下層の磁気コアの傾斜トラックエッジが一致すうことで、上下層の磁気コアのサブミクロンのずれによる記録にじみが解消され、上下層の磁気コアトラックエッジの微妙なずれが存在する場合よりも記録パターン品質が向上する。
【００２２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、下層磁気コア、記録ギャップ膜、コイル導体及び上層磁気コアを順次形成した後、エッチング工程で上層磁気コアの磁極端部の片側を、記録トラックの幅方向の端縁に平行にもしくは記録トラックに入り込むように斜めにエッチング除去している。この工程を有することにより、隣接トラックの記録パターンを乱すことの無い、高密度かつ安定したヘリカルテープスキャン方式のアジマス記録を可能にする薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００２３】
本発明は、上記エッチング工程において、上層磁気コアの磁極端部の片側を、記録ギャップからアジマス角度以上となる角度で斜めにエッチング除去することにより、隣接トラックの記録パターンを乱すことの無い、高密度かつ安定したヘリカルテープスキャン方式のアジマス記録を可能にする薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００２４】
上記エッチング工程前の上層磁気コアの磁極端部の幅を、最終的な磁気トラック幅より大に設定することにより、上層磁気コアの磁極端部の片側のエッチング除去を良好に行うことができる。
上記エッチング工程において、記録ギャップが拡大し始めるデプスゼロラインよりデプス深さ方向に２×ｔ１μｍ以内（０μｍを含む）までエッチングすることにより、上層磁気コアのデプスゼロ付近の磁気的な飽和が緩和された上記薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００２５】
上記エッチング工程において、上層磁気コアの膜厚全てと、下層磁気コアの膜厚の半分以下までエッチングすることができる。この場合、エッチング工程前の下層磁気コアの磁極端部の幅を、最終的な磁気トラック幅より大に設定することにより、下層磁気コアの磁極端部の片側のエッチング除去を良好に行うことができる。
【００２６】
エッチング工程でのフォトレジストマスクとしては、最終的に形成される記録ギャップ膜のエッジよりも記録ギャップ幅の中心から離れた位置にフォトレジストマスクのパターンエッジが存するように、フォトレジストマスクを形成することにより、磁気コアの磁極端部に対するエッチングが良好に行える。
フォトレジストマスクをパターニングした後に、フォトレジストマスクを熱処理することにより、該マスクにおける傾斜したエッジ端面を成形することができる。このフォトレジストマスクを介して磁極端部をエッチングすることにより、磁極端部の片側をアジマス角度以上の角度でエッチング除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２８】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施の形態は、ヘリカルテープスキャン方式のアジマス磁気記録システムに用いられる磁気ヘッドであって、下層磁気コア薄膜、記録ギャップ薄膜、薄膜コイル導体及び上層磁気コア薄膜からなり、ヘッド走行方向（相対的に磁気記録媒体上走行方向、すなわち磁気テープ上走行方向）のリーディング側に上層磁気コアを有して成る。そして、上層磁気コアの先端磁極端部がアジマス角度以上に傾斜し、記録ギャップの磁気テープ上に描く軌跡、すなわち磁気記録パターンより外側に隣接するアジマス角度が異なる磁気記録パターン上に上層磁気コア薄膜が存在しないように、上層磁気コア薄膜の先端磁極端部を、その片側のみが記録ギャップからアジマス角度以上となるように斜めカットされた形状に形成して構成される。
【００２９】
この構成により、薄膜磁気ヘッドを磁気テープに対して相対的に走行させたとき、上層磁気コア薄膜の先端磁極端部がガードバンドを超えて隣接トラックに跨がることがなく、記録ギャップ以外の磁束漏洩箇所を無くすことができ、サイドイレース領域が減少する。
【００３０】
図１〜図３に、本発明に係る薄膜磁気ヘッド、すなわちヘリカルテープスキャン方式の磁気記録システムに用いる薄膜磁気ヘッド（記録ヘッド）の実施の形態の一例を示す。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１は、非磁性基板３２上にそれぞれ薄膜で形成した下層磁気コア３３と記録ギャップｇを形成する記録ギャップ膜３４とコイル導体３５と上層磁気コア３６とを積層してなる薄膜磁気ヘッド素子４１を有し、その上層磁気コア３６の先端磁極端部３６Ａの片側の面３７のみを斜めカットして構成される。
【００３１】
下層磁気コア３３は、先端磁極端部３３Ａとデプスゼロラインより後方に先端磁極端部３３Ａより幅が漸次広くなり途中から一定幅になる幅広部３３Ｂとから成る。上層磁気コア３６は、先端磁極端部３６Ａとデプスゼロラインより後方に先端磁極端部３３Ａより幅が漸次広くなり途中から一定幅になる幅広部３６Ｂとから成る。下層磁気コア３３と上層磁気コア３６とは、その先端磁極端部３３Ａ及び先端磁極端部３６Ａが同じトラック幅Ｔｗを有し、かつ下層磁気コア３３の幅広部３３Ｂが上層磁気コア３６の幅広部３６Ｂより面積が大きく形成されて、体積的には下層磁気コア３３の方が上層磁気コア３６より大きくなるように形成される。
【００３２】
この薄膜磁気ヘッド素子４１は、前述の図１５と同様に、図２及び図３に示すように絶縁層４２を介して非磁性ブロック（一部は基板３２を兼ねる）４３及び４４に挟まれて配置される。なお、薄膜磁気ヘッド素子４１の下層磁気ヘッドコア３３に下層には、薄膜磁気ヘッド素子のデプスを決定するための研磨可能な抵抗センサ４６が配置される。
【００３３】
ここで、上層磁気コア３６の先端磁極端部３６Ａでは、記録ギャップ膜３４を挟んで下層磁気コア３３の先端磁極端部３３Ａと対向する側の幅が、トラック幅Ｔｗ（図２、図９Ｂ参照）となり、この磁極端部３６Ａの下面の幅エッジから膜厚方向に所要角度で傾斜した面３７が形成される。この上層磁気コア３６の先端磁極端部３６Ａの傾斜面３７は、自身の薄膜磁気ヘッドで記録したときに、その記録トラックの幅方向の端縁に平行に、もしくは記録トラック内に入り込むように形成される（図５の例を参照）。換言すれば、記録ギャップｇからアジマス角度以上となるように形成される。
【００３４】
この上層磁気コア３６の先端磁極端部３６Ａの片側の傾斜面３７はエッチング工程で形成されるが、このとき先端磁極端部３６Ａから幅広部３６Ｂ側もエッチングされることになる。しかし、そのエッチングされる範囲ＤｐＴ（後述の図９Ａ参照）は、上層磁気コア３６の膜厚をｔ１としたとき、２×ｔ１μｍ以内（０μｍを含む）とすることができる。２×ｔ１μｍを超えると、上層磁気コア３６のデプスゼロ付近の磁気的な飽和が顕著に現れる。薄膜磁気ヘッド３１では、上層磁気コア３６が下層磁気コア３３に対してヘッド走行方向（相対的に磁気テープ上走行方向）のリーディング側に配置される。
【００３５】
図４に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの模式的な他の例を示す。本例はアジマス角度を異にした一対の薄膜ヘッド素子を有した薄膜磁気ヘッド装置である。第１のアジマスヘッド素子５１は、同図ａ（テープ摺動面に臨む断面図）に示すように、非磁性基板５２上に下層磁気コア５３Ａと記録ギャップｇ１を挟んで配置された上層磁気コア５４Ａとから成る。この場合、下層磁気コア５３Ａの幅は上層磁気コア５４Ａの記録ギャップ部の幅より大きく、上層磁気コア５４Ａの幅でトラック幅Ｔｗが決定される。そして、上層磁気コア５４Ａが記録ギャップｇ１から膜厚方向に向って幅が狭くなるように、上層磁気コア５４Ａの片側、図では左側の端面５５が上述した所要の角度で傾斜して形成される。
【００３６】
一方、第２のアジマスヘッド素子５６は、同図ｂ（テープ摺動面に臨む断面図）に示すように、非磁性基板５２上に下層磁気コア５３Ｂと記録ギャップｇ２を挟んで配置された上層磁気コア５４Ｂとから成る。この場合、下層磁気コア５３Ｂの幅は上層磁気コア５４Ｂの記録ギャップ部の幅より大きく、上層磁気コア５４Ｂの幅でトラック幅Ｔｗが決定される。そして、上層磁気コア５４Ｂが記録ギャップｇ２から膜厚方向に向って幅が狭くなるように、上層磁気コア５４Ｂの片側、図では第１のアジマスヘッド素子５１の上層磁気コア５４Ａの端面５５と逆側である左側の端面５７が上述した所要の角度で傾斜して形成される。これら第１及び第２のアジマスヘッド素子５１及び５６は、記録ギャップｇ１，ｇ２が互いにアジマス角を異にして構成される（図６参照）。
【００３７】
次に、図５を用いて、図４のアジマス記録用の薄膜磁気ヘッドにより記録された記録パターン（いわゆる記録トラック）を説明する。第１のアジマスヘッド素子５１により記録パターン６１が記録されるが、このとき上層磁気コア５４Ａの片側の傾斜した端面５５は、記録パターン６１の幅方向の端縁に沿って走行され、隣接する記録パターン６２との間のガードバンド６３を超えて隣接する記録パターン６２に入り込むことがない。また、第２のアジマスヘッド素子５６により記録パターン６２が記録されるが、このとき上層磁気コア５４Ｂの片側の傾斜した端面５７は、記録パターン６２の幅方向の端縁に沿って走行され、隣接する記録パターン６１との間のガードバンド６３を超えて隣接する記録パターン６１に入り込むことがない。従って、相互の記録パターン６１、６２が、それぞれのアジマスヘッド素子５６及び５１の上層磁気コア５４Ｂ，５４Ａの端部からの漏洩磁束の影響を受けず、磁気テープ上に記録された記録パターン６１、６２にダイドイレースと呼ぶ磁化パターンの乱れた領域が形成されない。
【００３８】
この記録パターンの形成状態は、図１の構成を採るアジマス記録用の薄膜磁気ヘッド３１においても、同様である。
【００３９】
従って、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドによれば、磁気テープ上に磁気記録を行っても記録パターンの乱れによる出力の低下を防止することができ、高密度かつ安定したヘリカルテープシュキャンシステムを構築することが可能になる。
【００４０】
次に、図１４〜図３０及び図６〜図１０を用いて、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第１実施の形態をその製造方法と共に説明する。なお、本実施の形態における薄膜の加工はフォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジストを所定の形状に成形した後、そのフォトレジスト形状を用いて薄膜を成形する。
【００４１】
先ず、図１４に示すように、薄膜磁気ヘッドを作製する所定の大きさの基板１０１を用意する。代表的に直径１００ｍｍ、厚み２ｍｍに非磁性基板あるいは磁性基板１０１を設ける。
次に、図１５に示すように、この基板１０１の表面を平滑に研磨し、その基板１０１の研磨面上に絶縁膜、本例ではアルミナ膜１０２をスパッタリング等で０．５μｍ程度の膜厚で成膜する。
【００４２】
次に、図１６に示すように、この基板１０１のアルミナ膜１０２上に、薄膜磁気ヘッドのデプスを砥粒付きテープによって決定するための抵抗センサとなる例えばＴｉ等の金属膜を１００ｎｍ程度の膜厚に成膜し、所定形状に成形したフォトレジストでエッチング成形して、金属膜による抵抗体１０３を形成する。この抵抗体１０３の両端に接続する引き出し導体１０４〔１０４Ａ，１０４Ｂ〕を電界めっき法で形成して抵抗センサによるデプス研磨センサ１０５を形成する。
【００４３】
次に、図１７に示すように、デプス研磨センサ１０５を形成した基板１０１の表面上に、デプス研磨センサ１０５を被覆するように所要の膜厚の絶縁膜、本例ではアルミナ膜１０６を５００ｎｍ程度の膜厚に成膜する。その後、アルミナ膜１０６の表面上に下層磁気コアを電界めっき法で形成するための、めっき下地膜１１１を例えば１００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００４４】
次に、図１８に示すように、基板１０１のめっき下地膜１１１上の所定の位置に、下層磁気コアを電解めっきで形成するためのめっきフレーム１０７を形成する。このめっきフレーム１０７は、下層磁気コアの摺動面に露出する磁極幅が所定のトラック幅Ｔｗとなるように下層磁気コアの形状に、フォトレジストを用いて形成される。
【００４５】
次に、めっきフレーム１０７の内側及び外側を含む基板表面全面に強磁性薄膜を電解めっきにより成膜する。その後、図１９に示すように、めっきフレーム１０７の内側の強磁性薄膜１０９′を残して、他のめっきフレーム１０７の外側の強磁性薄膜１０９′を選択的に除去する。
【００４６】
次に、図２０に示すように、めっきフレーム１０７を除去し、さらに残った強磁性薄膜１０９′をマスクにして露出しているめっき下地膜１１１をエッチング除去し、下層磁気コア１０９を形成する。このとき、下層磁気コア１０９の一部が後に形成される薄膜コイルの引き出し導体の接続部分１１２Ａ及び１１２Ｂになる。
【００４７】
次に、図２１に示すように、下層磁気コア１０９を被覆するように、例えばアルミナ等による記録ギャップ膜１１０を成膜する。本例では膜厚２００ｎｍ程度のアルミナ膜をスパッタリング等で成膜して記録ギャップ１１０を形成する。
【００４８】
次に、図２２に示すように、記録ギャップとなるアルミナ膜１１０の一部をエッチングによりパターニングして、下層磁気コア１０９の一部の接続部分１１２Ａ，１１２Ｂが露出する開口１１３Ａ，１１３Ｂを形成する。その後、記録ギャップ膜１１０が所定の膜厚、例えば膜厚１８０ｎｍ程度となるように、記録ギャップ膜１１０の表面を研磨して平坦化する。
【００４９】
次に、図２３に示すように、基板表面上に電磁変換を行う薄膜コイル１１４を形成する。すなわち、記録ギャップ膜１１０上に例えばＣｕめっき下地膜（図示せず）を膜厚１００ｎｍ程度成膜した後、コイル状に開口を有するように膜厚３μｍのフォトレジストマスクを介して電解めっき法で膜厚２．７μｍのＣｕ膜を成膜する。その後、フォトレジストマスクを除去し、めっき下地膜を例えばイオンミリングで除去して、Ｃｕ膜による薄膜コイル１１４を形成する。このとき、薄膜コイル１１４の一部が開口１１３Ａ，１１３Ｂを通して下層磁気コア１０９側の接続部分１１２Ａ，１１２Ｂに接続される。薄膜コイルの電流パスは、薄膜コイル１１４（直線状）−開口１１３A−下層磁気コア１０９−開口１１３B−薄膜コイル１１４（渦巻き）である。下層磁気コア１０９は電流路の一部となるり、薄膜コイル１１４と下層磁気コア１０９との接点が開口１１３A,13Bとなる。
【００５０】
次に、図２４に示すように、下層磁気コア１０９及び薄膜コイル１１４に対応する表面に、上層磁気コアを形成するための絶縁膜による上層コア平坦化膜１１５を形成する。この上層コア平坦化膜１１５は、薄膜コイル１１４の上部に形成する上層磁気コアを平坦化するための下地膜であり、かつ薄膜コイル１１４と上層磁気コアとを絶縁するための膜である。上層コア平坦化膜１１５は、薄膜コイル１１４の厚み以上になるように、例えば４μｍ厚のフォトレジストを薄膜コイル１１４上に塗布し、熱硬化させて形成する。
【００５１】
次に、粗形状の上層磁気コアを電解めっき法で形成するための、めっき下地膜を例えばスパッタリングで成膜する。
次に、図２５に示すように、粗形状の上層磁気コア形状を成膜するための、めっきフレーム１１７を形成する。このめっきフレーム１１７は、その上層磁気コアの先端磁極端部に対応する部分の幅が、下層磁気コア１０９の先端側のトラック幅と同じ磁極端部の幅より大きくなるように形成する。すなわち、上層磁気コアは、粗形状に形成した後の片側のみエッチングによりトリミング成形するので、めっきフレーム１１７の上層磁気コア先端の磁極端部に対応する部分の幅を、トラック幅Ｔｗより所要の幅ＲＰＷだけ大きく形成する（図６及び図９Ａ，Ｂ参照）。めっきフレーム１１７は、前述の下層磁気コア形成用のめっきフレーム１０７と同様に、例えば膜厚４μｍのフォトレジストで形成される。但し、上記幅ＲＰＷは、後述するトリミング用のマスク開口の幅、より詳しくはトラック幅Ｔｗの一方のエッジと上記マスク開口の遠端エッジ間の距離Ｄｆ２（図８Ａ参照）よりも小さい。
【００５２】
次に、図２６に示すように、めっきフレーム１１７に規制された上層磁気コア１１８を形成する。すなわち、めっきフレーム１１７を有するめっき下地膜上に所要の膜厚、例えば膜厚３．５μｍの上層磁気コア薄膜１１８〔１１８Ａ，１１８Ｂ〕を電解めっきにより形成した（図６Ｃ参照）後、めっきフレーム１１７の内側の上層磁気コア薄膜１１８Ａをフォトレジストで保護し、めっきフレーム１１７の外側の不要な上層磁気コア薄膜１１８Ｂをエッチング除去する。その後、フォトレジストを除去し、不要なめっき下地膜を除去し、さらにめっきフレーム１１７を除去して上層磁気コア１１８を形成する。上層磁気コア１１８は、開口１１３Bを介して下層磁気コア１０９に接続される。上下両磁気コア１１８及び１０９が磁気コアとして一体化されることにより、磁場出力効率を向上させることができる。
【００５３】
ここで、上面からみた磁気コアの面積をみると、下層磁気コア１０９の面積の方が上層磁気コア１１８の面積より大きく形成される。
【００５４】
次に、図２７に示すように、上層磁気コア１１８を含む全面に、粗形状の上層磁気コア１１８の先端の磁極端部の片側を傾斜状にトリミングとるための開口１１９を有するフォトレジストマスク１２０を形成する。フォトレジストマスク１２０は、その開口１１９の内面が粗形状の上層磁気コア１１８の磁極端面が基板（ウェハ）面法線方向よりアジマス角度以上傾斜し、かつ所定のトラック幅Ｔｗとなるようにフォトレジスト後退量を考慮して下層磁気コア１０９の磁極端部より距離Ｄｆだけトラック幅Ｔｗ方向にずれた位置にフォトレジストマスクの開口１１９の下端が来るように形成される（図７Ａ，Ｂ及び図８Ｂ参照）。開口１１９の内面１１９ａを傾斜させるには、開口１１９をパターニングした後、熱処理することにより得られる。
【００５５】
次に、このフォトレジストマスク１２０を介して例えばＡｒガスなどによるプラズマイオンエッチングにより、上層磁気コア１１８の磁極端部の片側の面を、フォトレジストマスク１２０の開口１１９の傾斜した面に沿うように加工して、図２８及び図９Ａ，Ｂに示すように、最終的な形状の上層磁気コア、すなわち先端磁極端部１２１Ａの片側に傾斜面１２６を有する上層磁気コア１２１を形成する。
【００５６】
このエッチング工程により、デプス深さ方向に０≦ＤｐＴ≦（２×ｔ１）μｍだけ上層磁気コア１２１の厚み方向の最上部がデプス深さ方向にエッチングされる（図９Ａ、Ｂ参照）。但しｔ１は上層磁気コア１２１の厚みである。ＤｐＴが２×ｔ１μｍを超えてエッチングされると、上層磁気コア１２１のデプスゼロ付近の磁気的な飽和が顕著に現れる。
【００５７】
次に、図２９に示すように、全面に平坦化絶縁膜、例えばアルミナ膜１２３を形成する。すなわち、基板上最大の高低差と平坦化研磨の研磨代を含む厚みにアルミナ膜を基板上に成膜し、本例では膜厚３０μｍのアルミナ膜をスパッタリングで成膜し、平坦化研磨を行い、保護基板を貼り合せるために必要となる平坦化アルミナ膜１２３を形成する。
【００５８】
次に、図示しないが、薄膜コイル１１４及びデプス研磨センサ１０５の外部接続用端子の形成のため、それぞれの引き出し導体の外部接続用端子を形成すべき場所に存在する平坦化あるみな膜１２３をエッチング除去する。次いで、外部接続用端子をめっき法により形成するため、めっき下地膜を成膜し、フォトレジストを外部接続用端子形状に成形した後、例えば１００μｍの厚さにめっき膜を形成し、フォトレジストを除去して薄膜磁気ヘッドウェハを形成する。
【００５９】
次に、この薄膜磁気ヘッドウェハを、図３０に示すように、所定の形状に切断して薄膜磁気ヘッドブロック１２４を形成する。この後、薄膜磁気ヘッドブロック１２４と略基板を接着剤で貼り合わせ、摺動面形状に倣うように円筒研磨を行い、各薄膜ヘッドチップに分断する。分断後、回転ドラムにマウントするためのベースプレートに薄膜ヘッドチップを接着剤で貼り、デプス研磨センサ１０５を用いて所定のデプスになるように抵抗体１０３の抵抗を測定しながらテープ研磨を行い、図１０に示すような薄膜磁気ヘッドを完成する。
【００６０】
次に、図１４〜図３０及び図１１〜図１３を用いて、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第２実施の形態をその製造方法と共に説明する。本実施の形態は、上層磁気コアと共に下層磁気コアも同時に先端磁極端部の片側をエッチング形成して薄膜磁気ヘッドを得ている。
【００６１】
先ず、図１４に示すように、薄膜磁気ヘッドを作製する所定の大きさの基板１０１を用意する。代表的に直径１００ｍｍ、厚み２ｍｍに非磁性基板あるいは磁性基板１０１を設ける。
次に、図１５に示すように、この基板１０１の表面を平滑に研磨し、その基板１０１の研磨面上に絶縁膜、本例ではアルミナ膜１０２をスパッタリング等で０．５μｍ程度の膜厚で成膜する。
【００６２】
次に、図１６に示すように、この基板１０１のアルミナ膜１０２上に、薄膜磁気ヘッドのデプスを砥粒付きテープによって決定するための抵抗センサとなる例えばＴｉ等の金属膜を１００ｎｍ程度の膜厚に成膜し、所定形状に成形したフォトレジストでエッチング成形して、金属膜による抵抗体１０３を形成する。この抵抗体１０３の両端に接続する引き出し導体１０４〔１０４Ａ，１０４Ｂ〕を電界めっき法で形成して抵抗センサによるデプス研磨センサ１０５を形成する。
【００６３】
次に、図１７に示すように、デプス研磨センサ１０５を形成した基板１０１の表面上に、デプス研磨センサ１０５を被覆するように所要の膜厚の絶縁膜、本例ではアルミナ膜１０６を５００ｎｍ程度の膜厚に成膜する。その後、アルミナ膜１０６の表面上に下層磁気コアを電界めっき法で形成するための、めっき下地膜１１１を例えば１００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００６４】
次に、図１８に示すように、基板１０１のめっき下地膜１１１上の所定の位置に、下層磁気コアを電解めっきで形成するためのめっきフレーム１０７を形成する。このめっきフレーム１０７は、下層磁気コアの摺動面に露出する磁極幅が所定のトラック幅Ｔｗよりも幅ＲＰＷＵだけ大きくなるような下層磁気コアの形状（図１２参照）となるように、フォトレジストを用いて形成される。
【００６５】
次に、めっきフレーム１０７の内側及び外側を含む基板表面全面に強磁性薄膜を電解めっきにより成膜する。その後、図１９に示すように、めっきフレーム１０７の内側の強磁性薄膜１０９′を残して、他のめっきフレーム１０７の外側の強磁性薄膜１０９′を選択的に除去する。
【００６６】
次に、図２０に示すように、めっきフレーム１０７を除去し、さらに残った強磁性薄膜１０９′をマスクにして露出しているめっき下地膜１１１をエッチング除去し、粗形状の下層磁気コア３０９を形成する。このとき、粗形状の下層磁気コア３０９の一部が後に形成される薄膜コイルの引き出し導体の接続部分３１２Ａ及び３１２Ｂになる。
【００６７】
ここで、図１１Ａ，Ｂを用いて幅ＲＰＷＵについて説明する。粗形状の下層磁気コアの幅ＲＰＷＵは、先端磁極端部のエッチングレジストのトラック幅Ｔｗより最も離れた位置であるＤｆ２を指標に取り、上層磁気コア厚みｔ１、下層磁気コア厚みｔ２、記録ギャップ膜厚みｇ、アジマス角度をθとして、Ｄｆ２−（ｔ１＋ｇ）×ｔａｎ（θ）≧ＲＰＷＵ≧０、かつ、（０．５×ｔ２＋ｇ）×ｔａｎ（θ）≧ＲＰＷＵ≧０をみたしていれば任意の値を取れる。
【００６８】
次に、図２１に示すように、粗形状の下層磁気コア３０９を被覆するように、例えばアルミナ等による記録ギャップ膜１１０を成膜する。本例では膜厚２００ｎｍ程度のアルミナ膜をスパッタリング等で成膜して記録ギャップ１１０を形成する。
【００６９】
次に、図２２に示すように、記録ギャップとなるアルミナ膜１１０の一部をエッチングによりパターニングして、粗形状の下層磁気コア３０９の一部の接続部分３１２Ａ，３１２Ｂが露出する開口１１３Ａ，１１３Ｂを形成する。その後、記録ギャップ膜１１０が所定の膜厚、例えば膜厚１８０ｎｍ程度となるように、記録ギャップ膜１１０の表面を研磨して平坦化する。
【００７０】
次に、図２３に示すように、基板表面上に電磁変換を行う薄膜コイル１１４を形成する。すなわち、記録ギャップ膜１１０上に例えばＣｕめっき下地膜（図示せず）を膜厚１００ｎｍ程度成膜した後、コイル状に開口を有するように膜厚３μｍのフォトレジストマスクを介して電解めっき法で膜厚２．７μｍのＣｕ膜を成膜する。その後、フォトレジストマスクを除去し、めっき下地膜を例えばイオンミリングで除去して、Ｃｕ膜による薄膜コイル１１４を形成する。このとき、薄膜コイル１１４の一部が開口１１３Ａ，１１３Ｂを通して粗形状の下層磁気コア３０９側の接続部分３１２Ａ，３１２Ｂに接続される。
【００７１】
次に、図２４に示すように、粗形状の下層磁気コア３０９及び薄膜コイル１１４に対応する表面に、上層磁気コアを形成するための絶縁膜による上層コア平坦化膜１１５を形成する。この上層コア平坦化膜１１５は、薄膜コイル１１４の上部に形成する上層磁気コアを平坦化するための下地膜であり、かつ薄膜コイル１１４と上層磁気コアとを絶縁するための膜である。上層コア平坦化膜１１５は、薄膜コイル１１４の厚み以上になるように、例えば４μｍ厚のフォトレジストを薄膜コイル１１４上に塗布し、熱硬化させて形成する。
【００７２】
次に、粗形状の上層磁気コアを電解めっき法で形成するための、めっき下地膜を例えばスパッタリングで成膜する。
次に、図２５に示すように、粗形状の上層磁気コア形状を成膜するための、めっきフレーム１１７を形成する。このめっきフレーム１１７は、その上層磁気コアの先端磁極端部に対応する部分の幅が、粗形状の下層磁気コア３０９の先端磁極端部の幅より大きくなるように形成する。すなわち、上層磁気コアは、粗形状に形成した後の片側のみエッチングによりトリミング成形するので、めっきフレーム１１７の上層磁気コア先端の磁極端部に対応する部分の幅を、粗形状の下層磁気コア３０９の先端磁極端部よりも大きくなるように最終的に決定されるトラック幅Ｔｗより大きく形成する。このとき、エッチングにより除去される幅ＲＰＷＴより大きくなるように形成する（図１１参照）。めっきフレーム１１７は、前述の下層磁気コア形成用のめっきフレーム１０７と同様に、例えば膜厚４μｍのフォトレジストで形成される。
【００７３】
次に、図２６に示すように、めっきフレーム１１７に規制された粗形状の上層磁気コア１１８を形成する。すなわち、めっきフレーム１１７を有するめっき下地膜上に所要の膜厚、例えば膜厚３．５μｍの上層磁気コア薄膜１１８〔１１８Ａ，１１８Ｂ〕を電解めっきにより形成した（前述の図６Ｃと同様）後、めっきフレーム１１７の内側の上層磁気コア薄膜１１８Ａをフォトレジストで保護し、めっきフレーム１１７の外側の不要な上層磁気コア薄膜１１８Ｂをエッチング除去する。その後、フォトレジストを除去し、不要なめっき下地膜を除去し、さらにめっきフレーム１１７を除去して上層磁気コア１１８を形成する。上層磁気コア１１８は、開口１１３Bを介して下層磁気コア３０９に接続される。
【００７４】
ここで、上面からみた磁気コアの面積をみると、下層磁気コア３０９の面積の方が上層磁気コア１１８の面積より大きく形成される。
【００７５】
次に、図２７に示すように、上層磁気コア１１８を含む全面に、粗形状の上層磁気コア１１８の先端の磁極端部の片側を傾斜状にトリミングとるための開口１１９を有するフォトレジストマスク１２０を形成する。フォトレジストマスク１２０は、その開口１１９の内面が粗形状の上層磁気コア１１８の磁極端面が基板（ウェハ）面に垂直な法線方向よりアジマス角度以上傾斜し、かつ所定のトラック幅Ｔｗとなるようにフォトレジスト後退量を考慮して下層磁気コア１０９のエッチングしない磁極端部より距離Ｄｆだけトラック幅Ｔｗ方向にずれた位置にフォトレジストマスクの開口１１９の下端が来るように形成される（前述と同様の図７及び図８参照）。開口１１９の内面を傾斜させるには、開口１１９をパターニングした後、熱処理することにより得られる。
【００７６】
次に、図２８に示すように、このフォトレジストマスク１２０を介して例えばＡｒガスなどによるプラズマイオンエッチングにより、上層磁気コア１１８と下層磁気コア３０９の磁極端部の片側の面を、フォトレジストマスク１２０の開口１１９の傾斜した面に沿うように加工して最終的な形状の上層磁気コア及び下層磁気コア、すなわち先端磁極端部１２１Ａ，３１９Ａの片側に傾斜面１２６及び３２６を有する上層磁気コア１２１と下層磁気コア３１９を形成する。このとき、上層磁気コア１１８の摺動面に面し、記録ギャップと平行な幅がＴｗ幅と等しくなるようにエッチング時間の調整を行う。
【００７７】
このエッチング工程により、デプス深さ方向に０≦ＤｐＴ≦（２×ｔ１）μｍだけ上層磁気コア１２１の厚み方向の最上部がデプス深さ方向にエッチングされる（図１２Ａ，Ｂ参照）。ＤｐＴが２×ｔ１μｍを超えてエッチングされると、上層磁気コア１２１のデプスゼロ付近の磁気的な飽和が顕著に現れる。
【００７８】
次に、図２９に示すように、全面に平坦化絶縁膜、例えばアルミナ膜１２３を形成する。すなわち、基板上最大の高低差と平坦化研磨の研磨代を含む厚みにアルミナ膜を基板上に成膜し、本例では膜厚３０μｍのアルミナ膜をスパッタリングで成膜し、平坦化研磨を行い、保護基板を貼り合せるために必要となる平坦化アルミナ膜１２３を形成する。
【００７９】
次に、図示しないが、薄膜コイル１１４及びデプス研磨センサ１０５の外部接続用端子の形成のため、それぞれの引き出し導体の外部接続用端子を形成すべき場所に存在する平坦化あるみな膜１２３をエッチング除去する。次いで、外部接続用端子をめっき法により形成するため、めっき下地膜を成膜し、フォトレジストを外部接続用端子形状に成形した後、例えば１００μｍの厚さにめっき膜を形成し、フォトレジストを除去して薄膜磁気ヘッドウェハを形成する。
【００８０】
次に、この薄膜磁気ヘッドウェハを、図３０に示すように、所定の形状に切断して薄膜磁気ヘッドブロック１２４を形成する。この後、薄膜磁気ヘッドブロック１２４と略基板を接着剤で貼り合わせ、摺動面形状に倣うように円筒研磨を行い、各薄膜ヘッドチップに分断する。分断後、回転ドラムにマウントするためのベースプレートに薄膜ヘッドチップを接着剤で貼り、デプス研磨センサ１０５を用いて所定のデプスになるように抵抗体１０３の抵抗を測定しながらテープ研磨を行い、図１３に示すような薄膜磁気ヘッドを完成する。
【００８１】
上述の第１及び第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドによれば、上層磁気コア端部からの漏洩磁束の影響を受ける隣接トラックにおける記録パターンの乱れがなくなり、記録パターン乱れによる出力低下を防止することができる。従って、高密度かつ安定したヘリカルテープスキャン方式の薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
第2の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッドにおいて、図12、図13に示すように、磁極端部１２１A,３１９Aの片側を、上層磁気コアの膜厚の全てと、下層磁気コアの厚みの半分以下まで、連続して斜めカットして傾斜面１２６及び３２６を形成するときは、上下磁気コア１２１A、３１９Aの傾斜部トラックエッジを一致させるころができる。これにより、上下磁気コアのサブミクロンのずれによる記録にじみが解消され、上下磁気コアトラクエッジの微妙なずれが存在する場合よりも記録パターン品質が向上する。
また、第１及び第２の実施の形態に係る製造方法によれば、かかる記録パターン乱れが生じることなく、高密度かつ安定したヘリカルテープスキャン方式の薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施の形態の一例を示す概略構成図である。
【図２】図１の磁気コアの先端磁極端部を通る横断面図である。
【図３】図１の磁気コアを通る縦断面図である。
【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施の形態の他の例を示す概略構成図である。
【図５】図４の薄膜磁気ヘッドを用いて記録した記録パターンの説明図である。
【図６】Ａ〜Ｃ  本実施の形態に係る製造工程の要部を示す工程図（その１）である。
【図７】Ａ〜Ｂ  本実施の形態に係る製造工程の要部を示す工程図（その２）である。
【図８】Ａ、Ｂ  第１実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の工程途中の平面図及びテープ摺動面側から見た正面図である。
【図９】Ａ，Ｂ  第１実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図及びテープ摺動面側から見た正面図である。
【図１０】第１実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図１１】Ａ、Ｂ  第２実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の工程途中の平面図及びテープ摺動面側から見た正面図である。
【図１２】Ａ，Ｂ  第２実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図及びテープ摺動面側から見た正面図である。
【図１３】第２実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図１４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その１）である。
【図１５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その２）である。
【図１６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その３）である。
【図１７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その４）である。
【図１８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その５）である。
【図１９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その６）である。
【図２０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その７）である。
【図２１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その８）である。
【図２２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その９）である。
【図２３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その１０）である。
【図２４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その１１）である。
【図２５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その１２）である。
【図２６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その１３）である。
【図２７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その１４）である。
【図２８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その１５）である。
【図２９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その１６）である。
【図３０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程図（その１７）である。
【図３１】ヘリカルテープスキャンシステムを説明する構成図である。
【図３２】ヘリカルスキャンシステムに用いる薄膜磁気ヘッドの概略構成図である。
【図３３】従来の薄膜磁気ヘッドの一例の斜視図である。
【図３４】図３３の薄膜磁気ヘッドを用いて記録した記録パターンの説明図である。
【図３５】従来の薄膜磁気ヘッドの他の例の斜視図である。
【図３６】図３５の薄膜磁気ヘッドを用いて記録した記録パターンの説明図である。
【図３７】磁気ヘッドの走査方向と磁気テープの磁化容易磁区の説明図である。
【符号の説明】
【００８３】
３１・・薄膜磁気ヘッド、３２・・非磁性基板、３３・・下層磁気コア、３４・・記録ギャップ膜、３５・・コイル導体、３６・・上層磁気コア、３３Ａ，３６Ａ・・先端磁極端部、３７・・斜めカット面、４１・・薄膜磁気ヘッド素子、４３、４４・・非磁性ブロック、４６・・抵抗センサ、５１、５６・・アジマスヘッド素子、５２・・非磁性基板、５３Ａ，５３Ｂ・・下層磁気コア、５４Ａ，５４Ｂ・・上層磁気コア、５７・・傾斜面、６１、６２・・記録パターン（記録トラック）、６３・・ガードバンド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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