【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】異方性結晶膜を得る方法
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異方性結晶膜を製造する方法であって、
異方性粒子を含むコロイド系の層を基板上に塗布する工程、
前記コロイド系に外部衝撃を加えて、前記コロイド系を塗布した層の粘度を下げる工程、
前記コロイド系に外部配向処理を行って、前記コロイド系の粒子に優性配向を与える工程、
前記粒子が優性配向している堆積コロイド系が、少なくともその初期粘度値に戻るようにする工程、及び
前記堆積層を乾燥する工程を含むことを特徴とする前記方法。
【請求項２】
コロイド系に外部衝撃を加える工程と、該系に外部配向処理を行う工程とを、同時に行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コロイド系に加える外部衝撃が、更に前記配向処理を行う前にコロイド系を加熱して粘度を下げることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記系に加える外部衝撃を、前記コロイド系の層を基板に塗布するときに前記コロイド系の層に機械的作用を及ぼすことにより加えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
堆積層の表面からの溶媒蒸気に対する耐久性を有するように形成された有限容積の中で処理を行うことにより乾燥速度を強制的に下げて、前記堆積層を、温度範囲０℃から５０℃、湿度範囲６０から９０％で乾燥する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
堆積層の乾燥処理の間、湿度勾配を、層表面上方で接線方向及び／又は法線方向に作り出すことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
有限容積が、シェルにより形成され、少なくともその一部が、口径４ｎｍから２ｍｍの範囲で気孔率が５％以上の多孔膜により形成されていることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記乾燥作業を、コロイド系の堆積時又は配向時の温度より低い温度で且つコロイド系の堆積時又は配向時の湿度より高い湿度で行うことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記乾燥を、膜中の溶媒分が２−１５％になるまで行うことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記乾燥処理の終了後、結晶膜を、温度６０℃乃至１５０℃、かつ通常の湿度で熟成することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
堆積層を、層に沿って温度域を少なくとも一方向に通過させることにより熱処理する工程を含むことを特徴とする請求項１又は５に記載の方法。
【請求項１２】
前記温度域を、基板の、堆積層が形成されるのとは反対の側を局所的に加熱することにより作り出すことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記温度域の局所加熱と同時に、基板の残り部分を冷却することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記加熱域の温度を、基板温度よりも１０℃以上高く且つ結晶膜の分解温度よりも少なくとも１０℃以上低くなるように選択することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記温度域の通過方向を、配向の方向と一致するように選択することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記温度域を多数回通過させるが、各回の通過の方向をその前の回の通過の方向に対して０から１８０°の角度範囲から選択することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
異方性結晶膜を形成する間の少なくとも一定期間中、堆積層が、一定の電界及び／又は磁界下にあることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
異方性結晶膜を製造する方法であって、
リザーバに入れた異方性粒子を含むコロイド系に外部衝撃を加えて、粘度を下げる工程、
加圧下でスッロト・ダイを通すことにより前記コロイド系に外部配向処理を行って、前記コロイド系の粒子に優性配向を与える工程、
前記外部衝撃を停止するか又は更に外部衝撃を加えることにより、スロット・ダイから出るときには粘度を高めた膜を形成し、前記コロイド系の少なくとも初期粘度値に戻す工程、
前記膜を基板に塗布する工程、
前記堆積層を乾燥する工程を含むことを特徴とする前記方法。
【請求項１９】
前記リザーバ内に入れたコロイド系を加熱することにより前記系への外部配向処理を行うことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
内壁に配向用の起伏が設けられたスロット・ダイを使って前記外部配向処理を行うことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
リオトロピック液晶を前記コロイド系として使用することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記外部処理を、前記コロイド系の相転移を確実に行うよう選択することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
ゾル又はゲルを、前記コロイド系として使用することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記コロイド系内の異方性粒子が結晶であることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
コロイド系を使用し、前記コロイド系の分散相の濃度を、前記系のチキソトロピーを提供するように選択することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】
前記系内の異方性粒子が電荷を帯びていることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
（発明の属する技術分野）
本発明は、基板上に異方性膜を形成する方法、より詳細には、液晶表示装置用に液晶材料から結晶膜を形成する方法に関する。
（発明の背景）
各種材料から結晶膜を形成する方法は様々なものが知られている。例えば、多結晶シリコンの膜を得るには、低圧でシランガス混合物から周知の折出プロセスを利用して膜を得る。このプロセスは労働集約的で、等方性多結晶膜の形成に高価な設備を必要とする。
単結晶膜のエピタキシャル成長法も各種知られており、気体エピタキシー、分子線エピタキシー、液体エピタキシーなどが挙げられる。これらのプロセスは、技術的に労働集約的で電力消費が高く、高価な設備を必要とする上に、異方性結晶膜を得ることが未解決の課題となっている材料も数多くある。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
有機染料の液晶（ＬＣ）溶液から異方性膜を得る方法は知られている。それらの方法は、液晶染料溶液を基板上に塗布し、外部配向処理及び乾燥を用いて、膜に光学的異方性を持たせることを包含している。
各種薄膜装置のパラメータ、従ってそれらに使用される膜の特性及び品質を改善する要求が高まっている。このように、偏光被覆、配向、移相、反射、光輝、及び他の光学要素として機能する膜、並びにこの他の目的の異方性膜において、異方性及び一様性の程度に対する要求が高まっている。異方性の程度が高く、構造がより完全で、且つ夾雑物又は構造的欠陥を含まない異方性膜を土台にして、装置要素を作る必要がある。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
（発明の概要）
本発明の概括的な目的は、１）各種物質のコロイド系（コロイド溶液）から異方性結晶膜を得ることができる改良された結晶化方法、及び２）上記方法で得られる結晶膜を提供することである。
本発明の技術的成果は、各種物質のコロイド系から、液体分散媒体内に分散した分散相（運動単位群）の異方性要素により形成される異方性結晶膜を作り出すという結晶化の新しい方法の設計であり、確実に、得られる膜の異方性と結晶性の程度を高め、任意の形状（曲線形状を含む）の結晶膜が形成できるようにし、プロセスを生態学的に（ｅｃｏｌｏｇｉｃａｌ）清浄にし、労働集約性と電力消費を低減する、単純で経済的な方法である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
（好ましい態様の詳細な説明）
第１の態様の技術的成果は、以下の工程、即ちａ）異方性粒子（分散相の要素）を持つコロイド系の層を基板に塗布する工程、ｂ）コロイド系に外部処理を加え、その粘度を下げる工程、ｃ）コロイド系に外部配向処理を行って、コロイド系の粒子の優性配向を形成する工程、ｄ）外部配向処理を停止するか又は更に外部処理を行って、コロイド系の少なくとも初期粘度値を復元する工程、及びｅ）制御条件下で乾燥する工程、により実現される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
当該系への外部処理は、基板に塗布されたコロイド系の層へ機械的作用、例えば剪断を施すことにより実行することもできる。コロイド系を塗布した層の表面に対して、少なくとも１つの配向工具を位置づけ、工具としては、配向用のナイフ状及び／又は筒状のロッド及び／又は平板を、塗布層に対して平行に及び／又は塗布層の表面に対して角度をつけて使用することができるが、このとき同時に基板表面から配向工具の先端部又は面部までの距離は所望の膜厚が得られるように設定する。配向工具の表面には起伏を設けてもよい。更には、配向工具は加熱してもよい。
当該系の粘度を少なくとも初期値へ戻すことについては、外部配向処理の完了直後又は外部配向処理中に、当該系への外部処理を停止することにより行う。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本方法を使用して得た異方性結晶膜は、厚さが０．３−０．４ミクロンで、透過率Ｔ＝４０％で二色率がＫｄ＝２８（従来の製造法では、Ｋｄは２０以下）という高度の異方性パラメータを備え、皮膜の表面全体に亘って、且つバッチ間でパラメータの再現性が良好なものであった。光学的方法及びＸ線回折法により、得られた膜の結晶構造を評価した。
本発明の第２の態様は、以下の工程、即ちａ）リザーバ内に入れた異方性粒子を持つコロイド系に外部処理を行い、その粘度を低下させる工程、ｂ）当該系に外部処理を行い、膜を基板に塗布するときに加圧下でスロット・ダイを通すことによりコロイド系内の粒子に優性配向を与える工程と、ｃ）外部処理の停止又は更に外部処理を加えることにより、スロット・ダイからの出口において粘度を高めた膜を形成し、コロイド系の少なくとも初期の粘度値に戻す工程、及びｄ）乾燥する工程により達成する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
当該系への外部処理は、リザーバ内に入れたコロイド系を加熱することにより行うことができる。同時に、加熱は、電磁放射及び／又は抵抗加熱器を使って、及び／又は交番電界又は磁界を使って、及び／又は加熱液体流及び／又は気体流を使って行うことができる。膜を塗布する際に、スロット・ダイの内壁上で外部配向処理を行う。
コロイド系の層を基板に塗布後、主要配向処理の工程におけるのと同じ方向に、スロット・ダイの内壁表面の起伏（ｒｅｌｉｅｆ）により作り出される、配向処理を当該系に対して更に実施してもよい。結晶膜を形成する工程では、元の粘度を再現するために基板は冷却してもよい。乾燥は湿度５０％以上の室温下で行われるのが望ましい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本件において有限容積（ｆｉｎｉｔｅ ｖｏｌｕｍｅ）という用語は、形成中の膜の表面上方の容積を意味しており、シェル又は蓋部により制限されるが、開口（スロット、多孔膜、シェルのスライドパネルなど）がある場合には、この寸法は、乾燥速度が、処理が有限容積内で行われた場合の乾燥速度よりも遅くなるような寸法である。有限容積という用語は、形成中の膜の表面上方のこの容積が増減しても、乾燥速度に影響しない程度に大きいことを意味する。
従って、開示した方法の乾燥処理の工程を限定するものは、基板の表面からの乾燥速度と方向である。このプロセスは拡散運動に従って起こるが、これが、結晶構造を形成するためのより「静穏な」条件を作り出す。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
有限容積という用語を使用しているが、容積を変えると任意の材料（本件では溶媒）の分子除去速度、即ち乾燥速度に影響する。乾燥処理を行うシェル又はチャンバの容積が十分に大きい場合は、容積に変化があっても乾燥速度には顕著に反映されることはない。上記技術的成果は、コロイド系の基板への塗布、現時及び／又は次工程での配向影響及び乾燥を含む、異方性粒子を持つコロイド系から結晶異方性膜を形成する工程において、乾燥操作を、温度範囲０℃から５０℃、湿度範囲６０から９０％で、形成膜表面からの乾燥を拘束する条件により選択された有限容積内で乾燥処理を行うことによって乾燥速度を強制的に下げて行うという事によって実現されることが実験的に立証された。
更には、形成膜表面上方の有限容積は、湿潤膜の表面の少なくとも一部を覆うシェル内で乾燥処理を行うことにより作り出される。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
乾燥は、空気媒体中又は不活性媒体中で、又は形成膜の特性を変化させる化学的に活性な媒体中で行ってもよい。必要媒体を作る場合、乾燥速度を制限する装置（スロット又は膜付きシェル）と共に、形成膜を載せた基板ホルダを、追加のケーシングまたは反応器に入れる。
通常、乾燥は、形成膜内の溶媒成分が５％から１５％になるまで続ける。更に、乾燥処理終了後、形成された膜を、温度範囲６０℃乃至１５０℃、かつ通常の湿度で熟成してもよい。その後、当該膜上に保護層を形成してもよい。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
結果として、次の特性、即ちＴ０＝４５％、及び追加的な熱処理を加えない従来の方法により得られる膜のＤ⊥／Ｄ‖＝１６．５に対してＤ⊥／Ｄ‖＝２２、を有する異方性膜を得た。
ここに開示する発明を実施するのに、他の方法を用いてもよい。例えば、外部整列影響の工程に、加熱したメイヤーロッドを使用してもよいし、基板の下で加熱ワイヤを並進移動させてもよい。
開示した本発明の方法を実施する間は、処理の技術的パラメータ全てを制御することが望ましい。また、作業の操作を自動化してもよい。有機染料の液晶溶液を使用してもよいが、その場合、溶液濃度によって異方性粒子即ち溶液中の超分子錯体の存在が決まる。ＬＬＣでは、リオトロピック（ｌｙｏｔｒｏｐｉｃ）液晶相を形成するために、極性溶媒への溶解度を決める少なくとも１つの無機基を構造式内に含有する、及び／又は少なくとも１つのアンチイオンをその構造式に含む、少なくとも１つの有機染料を使用するが、両者とも光学異方性膜形成処理では、分子構造に残る場合も残らない場合もある。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
コロイド系としては、オキソ水酸化鉄又はバナジウム酸化物など、無機リオトロピック液晶から作り出されたコロイド系類を使用してもよい。
以上、薄い異方性結晶膜を得る方法は、結晶化前の状態で存在する分子をある種の方法で群化または配向化することにより基板上に形成される、異方性粒子、マクロ分子、又は超分子錯体を含んだコロイド系を塗布することを含んでいると説明してきた。コロイド系の運動単位群の異方性の程度（長さ対厚さの比）は、１０以上であるのが望ましい。また、コロイド系は、チキソトロピーを呈するのがよい。そのためには、コロイド系は、ある温度で存在し、分散相はある濃度を持っていなければならない。コロイド系（又はペースト）は、何らかの外部処理を介して流動性が高い状態にされ、即ち当該系の粘度を下げた状態にされる。これは、加熱、変形などである。外部処理は、次の配向処理全体を通して継続させてもよいし、又は配向時に粘度が高くなった状態に戻ってしまわないように必要な時間掛けてもよい。