【手続補正書】
【提出日】平成19年2月21日(2007.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基体を設ける工程と、
磁気的に透過可能な薄膜を前記基体の上に付与する工程と、
視覚的に特定されるタイミングベースギャップパターンを定める工程と、
極細イオンビームを用いて前記磁気的に透過可能な薄膜を貫通する前記ギャップパターンをミリングする工程と、
を含み、
前記極細イオンビームにより形成される前記ギャップパターンは、前記視覚的に特定されるギャップパターンに適合し、
前記極細イオンビームは、前記磁気的に透過可能な薄膜を貫通した、結果として得られるギャップ深さと平行な方向に向けられる、ことを特徴とするタイミングベース磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】  磁束が前記基体および前記薄膜を通る磁束を流すように制御するコイルに対して前記基体を結合する工程、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】  前記基体を設ける工程は、
セラミック部材に２つのフェライトブロックを接合させる工程と、
接合された前記ブロックおよび前記セラミック部材の上部表面をポリッシングする工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】  湾曲を生じさせるために、前記ポリッシングする工程の前に、前記上部表面に対してグラインドを施す工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】  前記薄膜を付与する工程は、
前記薄膜を形成するために前記基体の上に材料をスパッタリングする工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】  スパッタリングされる前記材料は、高磁気モーメント密度を有することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】  スパッタリングされる前記材料は、窒化鉄族の合金から選択されることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項８】  前記材料がＦｅＸＮであることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項９】  前記材料がＦｅＡｌＮであることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項１０】  前記材料がＦｅＴａＮであることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項１１】  前記材料は、１〜５μｍの厚さを有する薄膜を形成するようにスパッタリングされることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項１２】  前記ギャップパターンは、前記薄膜の上に前記パターンの視覚的な印を設けることにより定められる、ことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１３】  前記定められたギャップパターンは、タイミングベースサーボパターンであることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】  前記視覚的な印は、
前記薄膜の少なくとも一部の上にフォトレジスト層を付与する工程と、
前記フォトレジストをマスキングする工程と、
既知の化学処理を用いて前記フォトレジストの一部を除去する工程と、
により設けられることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１５】  前記定められたギャップパターンは、タイミングベースサーボパターンであることを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】  前記ギャップパターンを定める工程は、
前記ギャップパターンの数値座標を前記極細イオンビームの制御システムに入力する工程と、
をさらに含み、
前記視覚的に特定されるパターンは、数値座標によって基準とされる参照点を与える、
ことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１７】  前記定められたギャップパターンは、タイミングベースサーボパターンであることを特徴とする請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】  前記極細イオンビームは、ミリングする工程の間、前記薄膜の上部主表面に対してほぼ垂直となっていることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１９】  前記ギャップは、ほぼ垂直な側壁を有することを特徴とする請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２０】  前記ギャップは、ほぼ垂直な側壁を有することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項２１】  中央に配置したセラミック部材に対して２つのフェライトブロックをグラスボンディングすることにより、磁気的に透過可能な基体を設ける工程と、
前記基体の１つの表面の上に、磁気的に透過可能な薄膜をスパッタリングすることにより、主表面を設ける工程と、
視覚的に特定されるタイミングベースギャップパターンを定める工程と、
前記薄膜の主表面の平面に直交し、かつ、ギャップ深さに平行な平面において極細イオンビームを走査させて、前記定められたギャップパターンにある前記薄膜をミリングする工程と、
を含み、
前記極細イオンビームにより形成される前記ギャップパターンは、前記視覚的に特定されるパターンに適合し、
さらに、前記基体および前記薄膜を通る磁束を流すように制御するコイルに対して、前記基体を結合させる工程と、
を含むことを特徴とする、タイミングベースサーボトラック用の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項２２】  前記薄膜はＦｅＸＮであることを特徴とする請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２３】  前記薄膜はＦｅＡｌＮであることを特徴とする請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２４】  前記薄膜はＦｅＴａＮであることを特徴とする請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２５】  前記ギャップパターンは、
前記薄膜の少なくとも一部の上にフォトレジスト層を付与する工程と、
前記フォトレジスト層をマスキングする工程と、
写真石版術を用いて前記フォトレジストの一部を除去する工程と、
により定められることを特徴とする請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２６】  前記ギャップパターンは、前記薄膜の上に前記パターンの視覚的な印を設ける工程により定められることを特徴とする請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２７】  前記パターンは、極細イオンビームの制御システム内で定められることを特徴とする請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２８】  前記パターンは、ミリングすべき前記ギャップの数値座標を入力することにより、前記制御システム内で定められ、
前記視覚的に特定されるパターンは、数値座標によって基準とされる参照点を与える、ことを特徴とする請求項２３に記載の製造方法。
【請求項２９】  前記ギャップはほぼ垂直な側壁を有することを特徴とする請求項２１に記載の製造方法。
【請求項３０】  基体と、
該基体の上に付与された磁気的に透過可能な薄膜と、
該磁気的に透過可能な薄膜におけるギャップパターンと、
を具備し、
前記薄膜が、窒化鉄族の合金から選択された材料を含む、ことを特徴とするタイミングベース磁気記録ヘッド。
【請求項３１】  前記材料がＦｅＸＮであることを特徴とする請求項３０に記載の記録ヘッド。
【請求項３２】  前記材料がＦｅＡｌＮであることを特徴とする請求項３０に記載の記録ヘッド。
【請求項３３】  前記材料がＦｅＴａＮであることを特徴とする請求項３０に記載の記録ヘッド。
【請求項３４】  前記薄膜が約１μｍと約５μｍとの間の厚さを有することを特徴とする請求項３に記載の記録ヘッド。
【請求項３５】  前記ギャップパターンがタイミングベースサーボパターンであることを特徴とする請求項３０に記載の記録ヘッド。
【請求項３６】  前記ギャップパターンの側壁が前記薄膜の上部主表面にほぼ垂直であることを特徴とする請求項３０に記載の記録ヘッド。
【請求項３７】  前記基体に結合され、該基体及び前記薄膜を通る磁束を流すコイルをさらに具備することを特徴とする請求項３０に記載の記録ヘッド。
【請求項３８】  前記基体が、セラミック部材に接合させた１対のフェライトブロックを具備し、この接合させたブロック及びセラミック部材が、ポリッシングされている、ことを特徴とする請求項３０に記載の記録ヘッド。
【請求項３９】  前記上部表面が湾曲を有していることを特徴とする請求項３８に記載の記録ヘッド。
【請求項４０】  前記材料が高磁気モーメント密度を有することを特徴とする請求項３０に記載の記録ヘッド。
【請求項４１】  タイミングベースサーボトラックに対する書き込みのための磁気記録ヘッドであって、
中央に配置したセラミック部材に対してグラスボンディングさせた２つのフェライトブロックを有する磁気的に透過可能な基体と、
該基体の少なくとも１つの表面の上に付与された磁気的に透過可能な薄膜であって、これにより主表面を与える薄膜と、
上記薄膜に形成されたギャップパターンと、
前記基体に結合され、該基体及び前記薄膜を通る磁束を流すコイルと、
を具備し、
前記薄膜がＦｅＸＮであることを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項４２】  前記薄膜がＦｅＡｌＮであることを特徴とする請求項４１に記載の記録ヘッド。
【請求項４３】  前記薄膜がＦｅＴａＮであることを特徴とする請求項４１に記載の記録ヘッド。
【請求項４４】  前記ギャップがほぼ垂直な側壁を有することを特徴とする請求項４１に記載の記録ヘッド。
【請求項４５】  前記薄膜が約１μｍと約５μｍとの間の厚さを有することを特徴とする請求項４１に記載の記録ヘッド。
【請求項４６】  前記主表面が湾曲を有することを特徴とする請求項４１に記載の記録ヘッド。
【請求項４７】  前記薄膜が高磁気モーメント密度を有することを特徴とする請求項４１に記載の記録ヘッド。