(57)【要約】【課題】  厚みムラが少なく、正面レターデーション変化の小さいセルロースアシレートフィルム、及びそれを用いた偏光板を提供すること、並びにこのような偏光板を用いた表示ムラのない高品位の液晶表示装置を提供すること。【解決手段】  フィルム表面におけるセルロースアシレート分子鎖の配向度Ｐoと、フィルム全厚みでのセルロースアシレート分子鎖の平均配向度Ｐtが、下記数式（１）の関係を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。  数式（１）：２≦Ｐo／Ｐt≦５【選択図】図１
2006235483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム表面におけるセルロースアシレート分子鎖の配向度Ｐoと、フィルム全厚みでのセルロースアシレート分子鎖の平均配向度Ｐtが、下記数式（１）の関係を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
数式（１）：２≦Ｐo／Ｐt≦５
【請求項２】
波長５９０ｎｍにおけるＲｅ、及びＲｔｈが、下記数式（２）〜（４）の関係を満たす請求項１のセルロースアシレートフィルム。
数式（２）：２０≦Ｒｅ≦２００
数式（３）：７０≦Ｒｔｈ≦４００
数式（４）：１≦Ｒｔｈ／Ｒｅ≦１０
【請求項３】
セルロースアシレート、及び有機溶媒を含むドープ液を、バンド又はドラム上に流延後、剥離されたセルロースアシレートフィルムを搬送する工程（１）、幅手の端部把持する工程（２）、幅手方向に引き延ばす工程（３）を有するセルロースアシレートフィルムの製造において、残留溶媒含量が１質量％以上１００質量％以下で、残留溶媒のＩ／Ｏ比が０．６５以上６以下のセルロースアシレートフィルムを、下記数式（５）の条件でフィルムの搬送方向、及び／又はこれと垂直な方向に１％以上１００％以下延伸することを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
数式（５）：１％／分≦延伸速度≦５０％／分
【請求項４】
下記数式（６）の条件を満たす請求項３記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
数式（６）：５≦搬送速度／延伸速度≦３００
【請求項５】
請求項３又は４の方法により製造された請求項１又は２に記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項６】
偏光子の両側に保護フィルムが貼り合わされてなる偏光板において、該保護フィルムの少なくとも１枚が請求項１、２又は５に記載のセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする偏光板。
【請求項７】
少なくとも一方の保護フィルムの上に光学異方性層を有する請求項６記載の偏光板。
【請求項８】
液晶セル及びその両側に配置された２枚の偏光板を有し、その少なくとも一方の偏光板が請求項６又は７に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセルロースアシレートフィルム、楕円偏光板及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイは大型化が進むとともに、テレビなどの新たな用途でも使用され始めており、画質向上の要求が一段と高まっている。中でもコントラスト及び色味の視野角依存性は液晶表示装置特有の問題であり、改良の必要性の得に高い性能である。
【０００３】
このため、従来のＴＮ型のみならず、ＩＰＳ、ＶＡ、ＯＣＢ等の新たな液晶モードが提案されている。しかし、これらいずれの液晶モードにおいても、液晶セル単独で十分なコントラスト及び視野角依存性は得ることは難しく、何らかの位相差膜で液晶セルの有する複屈折を補償することが一般的である。
【０００４】
セルロースアシレートフィルムは、従来から偏光板保護フィルムとして使用されてきたが、近年、このセルロースアシレートフィルムに積極的に位相差を付与し、光学補償フィルムとして使用する方法が提案されており、例えば、特許文献１にはテンター延伸したセルロースアシレートフィルムを、ＶＡ型液晶モードの位相差膜として使用する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１７０４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、これら延伸セルロースアシレートフィルムは、製膜時に発生する厚みムラが大きいため、これを偏光板保護フィルム及び／又は位相差フィルムとして用いた液晶表示装置は、表示ムラが発生してしまうという問題を抱えており、強く改善が望まれていた。
【０００６】
本発明の目的は、厚みムラが少なく、正面レターデーション変化の小さいセルロースアシレートフィルム、偏光板を提供することである。また、本発明の別の目的は表示ムラのない高品位の液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、鋭意検討した結果、セルロースアシレートフィルムの厚みムラはバンド上での乾燥時に発生するものが主要因であること、前記厚みムラは剥ぎ取り後の軟膜状態でフィルム表面の弾性率をフィルム内部の弾性率よりも高くすることで軽減されること、前記厚みムラは幅方向の延伸速度と搬送速度をバランスさせつつ乾燥させることによりさらに軽減されること、を見出した。前記フィルム表面の弾性率の高い領域の厚みは０．１μ〜２０μの範囲が好ましく、またフィルム表面から内部に向けて連続的に弾性率が変化することが好ましい。さらに、フィルム表面に弾性率の高い領域を形成させる方法として、残留溶媒のＩ／Ｏ比、残留溶媒含量、及び延伸速度をコントロールしつつ延伸することによりフィルム表面にフィルム内部よりもセルロースアシレート主鎖の配向度の高い領域を形成させる方法が有効であることを見出し、本発明を完成させるにいたった。
【０００８】
すなわち、本発明の上記目的は下記の構成１）〜８）により達成された。
１）  フィルム表面におけるセルロースアシレート分子鎖の配向度Ｐoと、フィルム全厚みでのセルロースアシレート分子鎖の平均配向度Ｐtが、下記数式（１）の関係を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
数式（１）：２≦Ｐo／Ｐt≦５
２）  波長５９０ｎｍにおけるＲｅ、及びＲｔｈが、下記数式（２）〜（４）の関係を満たす上記１）に記載のセルロースアシレートフィルム。
数式（２）：２０≦Ｒｅ≦２００
数式（３）：７０≦Ｒｔｈ≦４００
数式（４）：１≦Ｒｔｈ／Ｒｅ≦１０
【０００９】
３）  セルロースアシレート、及び有機溶媒を含むドープ液を、バンド又はドラム上に流延後、剥離されたセルロースアシレートフィルムを搬送する工程（１）、幅手の端部把持する工程（２）、幅手方向に引き延ばす工程（３）を有するセルロースアシレートフィルムの製造において、残留溶媒含量が１質量％以上１００質量％以下で、残留溶媒のＩ／Ｏ比が０．６５以上６以下のセルロースアシレートフィルムを、下記数式（５）の条件でフィルムの搬送方向、及び／又はこれと垂直な方向に１％以上１００％以下延伸することを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
数式（５）：１％／分≦延伸速度≦５０％／分
４）  下記数式（６）の条件を満たす上記３）に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
数式（６）：５≦搬送速度／延伸速度≦３００
【００１０】
５）  上記３）又は４）の方法により製造された上記１）又は２）に記載のセルロースアシレートフィルム。
６）  セルロースアシレートの置換度が２．０以上２．８５以下であり、フィルム中の添加剤含量がセルロースアシレートに対して１２質量％以上である上記１）、２）又は５）に記載のセルロースアシレートフィルム。
【００１１】
７）  偏光子の両側に保護フィルムが貼り合わされてなる偏光板において、該保護フィルムの少なくとも１枚が上記１）、２）、５）又は５）に記載のセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする偏光板。
８）  少なくとも一方の保護フィルムの上に光学異方性層を有する上記７）に記載の偏光板。
【００１２】
９）  液晶セル及びその両側に配置された２枚の偏光板を有し、その少なくとも一方の偏光板が上記７）又は８）に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、厚みムラが少なく、正面レターデーション変化の小さいセルロースアシレートフィルム、偏光板が提供され、該セルロースアシレートフィルム、偏光板を用いた液晶表示装置は、表示ムラがなく高品位である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を詳細に説明する。
＜セルロースアシレートフィルム＞
本発明のセルロースアシレートフィルムは、フィルム表面の配向度が内部の配向度よりも高いことを特徴とする。フィルム表面におけるセルロースアシレート分子鎖の配向度Ｐoと、フィルム全厚みでのセルロースアシレート分子鎖の平均配向度Ｐtの関係は、下記数式（１）の関係を満たすことが必要であり、下記数式（１−２）の関係を満たすことが好ましい。
数式（１）：２≦Ｐo／Ｐt≦５
数式（１−２）：２．５≦Ｐo／Ｐt≦４
Ｐo／Ｐtの値が小さすぎると厚みムラ低減効果が不十分となる。また、Ｐo／Ｐtの値が
大きすぎるとフィルムのカールが大きくなる。
【００１５】
フィルム表面の配向度（配向オーダーパラメーター）Ｐoは、簿膜Ｘ線Ｉｎ−Ｐｌａｉｎ法測定を用いて、Ｘ線の検出器と試料を２θχとΦの角度で回転させて検出した２θχ／Φ＝６〜１１°のピーク強度から、下記数式（７）により算出できる。
数式（７）：Ｐo＝（３ｃｏｓ2β−１）／２
ここで、
【００１６】
【数１】
2006235483.tif 000003
【００１７】
また、フィルム全厚みでの平均配向度Ｐtは、透過２次元Ｘ線測定における２θ＝６〜１１°のピーク強度の平均値から上記式を用いて求めることができる。
【００１８】
本発明のセルロースアシレートフィルムの、主鎖配向度の内部／表面の相対関係は、延伸速度及び延伸時の残留溶媒のセルロースアシレートに対する親和性を適度にコントロールすることにより調節することができる。以下に本発明のセルロースアシレートフィルムについて詳しく説明する。
【００１９】
〔セルロースアシレート〕
まず、本発明に用いられるセルロースアシレートについて説明する。
セルロースアシレートの置換度は、セルロースの構成単位（β１→４グリコシド結合しているグルコース）に存在している３つの水酸基がアシル化されている割合を意味する。置換度は、セルロースの構成単位重量当りの結合脂肪酸量を測定して算出することができる。測定方法は、ＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９１に準じて実施する。
【００２０】
本発明に用いられるセルロースアシレートは、アセチル化度が２．０以上２．８５以下のセルロースアセテートが好ましい。アセチル化度は２．５以上２．８３以下がさらに好ましい。
【００２１】
また下記数式（８）で表される、６位の置換比率が０．３１以上であり、全置換度が２．８５以下であるセルロースアセテートを使用することがより好ましい。
数式（８）：６位の置換比率＝６位の置換度／（２位の置換度＋３位の置換度＋６位の置換度）
【００２２】
さらに、本発明に用いることができるもう１つの好ましいセルロースアシレートは、アシル化度が２．０以上２．８５以下であり、２種類以上のアシル基を有するものである。アシル基の炭素原子数は２〜６であることが好ましく、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基を用いることがさらに好ましい。また本発明のセルロースアシレートフィルムが、アセチル基とそれ以外のアシル基を有する場合、アセチル基の置換度は２.５未満が好ましく、２．３未満がさらに好ましい。
【００２３】
本発明に用いられるセルロースアシレートは、重量平均重合度２５０〜８００を有することが好ましく、３００〜６００を有することがさらに好ましい。また本発明に用いられるセルロースアシレートは、数平均分子量（Ｍｎ）７００００〜２３００００を有することが好ましく、７５０００〜２３００００を有することがさらに好ましく、７８０００〜１２００００を有することが最も好ましい。
【００２４】
本発明に用いられるセルロースアシレートは、アシル化剤として酸無水物や酸塩化物を用いて合成できる。アシル化剤が酸無水物である場合は、反応溶媒として有機酸（例えば酢酸）や塩化メチレンが使用される。触媒としては、硫酸のようなプロトン性触媒が用い
られる。アシル化剤が酸塩化物である場合は、触媒として塩基性化合物が用いられる。
【００２５】
工業的に最も一般的な合成方法では、セルロースを、アセチル基及び他のアシル基に対応する有機酸（酢酸、プロピオン酸、酪酸など）、又はそれらの酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸など）を含む混合有機酸成分でエステル化してセルロースエステルを合成する。この方法において、綿花リンターや木材パルプのようなセルロースは、酢酸のような有機酸で活性化処理した後、硫酸触媒の存在下で、上記のような有機酸成分の混合液を用いてエステル化する場合が多い。有機酸無水物成分は、一般にセルロース中に存在する水酸基の量に対して過剰量で使用する。このエステル化処理では、エステル化反応に加えてセルロース主鎖β１→４グリコシド結合）の加水分解反応（解重合反応）が進行する。主鎖の加水分解反応が進むとセルロースエステルの重合度が低下し、製造するセルロースエステルフイルムの物性が低下する。そのため、反応温度のような反応条件は、得られるセルロースエステルの重合度や分子量を考慮して決定することが好ましい。
【００２６】
重合度の高い（分子量の大きい）セルロースエステルを得るためには、エステル化反応工程における最高温度を５０℃以下に調節することが重要である。最高温度は、好ましくは３５〜５０℃、さらに好ましくは３７〜４７℃に調節する。反応温度が３５℃以上であれば、エステル化反応が円滑に進行するので好ましい。反応温度が５０℃以下であれば、セルロースエステルの重合度が低下するなどの問題が生じないので好ましい。
【００２７】
エステル化反応の後、温度上昇を抑制しながら反応を停止すると、さらに重合度の低下を抑制でき、高い重合度のセルロースエステルを合成できる。すなわち、反応終了後に反応停止剤（例えば、水、酢酸など）を添加すると、エステル化反応に関与しなかった過剰の酸無水物は、加水分解して対応する有機酸を副成する。この加水分解反応は激しい発熱を伴い、反応装置内の温度が上昇する。反応停止剤の添加速度が大きすぎると、反応装置の冷却能力を超えて急激に発熱するして、セルロース主鎖の加水分解反応が著しく進行し、得られるセルロースエステルの重合度が低下することがある。また、エステル化の反応中に触媒の一部はセルロースと結合しており、その大部分は反応停止剤の添加中にセルロースから解離する。しかし、反応停止剤の添加速度が大きすぎると、触媒が解離するために充分な反応時間がなく、触媒の一部がセルロースに結合した状態で残ることがある。強酸の触媒が一部結合しているセルロースエステルは安定性が非常に悪く、製品の乾燥時の熱などで容易に分解して重合度が低下する原因となる。これらの理由により、エステル化反応の後、好ましくは４分以上、さらに好ましくは４〜３０分の時間をかけて反応停止剤を添加して、反応を停止することが望ましい。なお、反応停止剤の添加時間が３０分以下であれば、工業的な生産性が低下するなどの問題は生じない。
【００２８】
反応停止剤としては、一般に酸無水物を分解する水やアルコールが用いられている。ただし、本発明では、各種有機溶媒への溶解性が低いトリエステルを析出させないために、水と有機酸との混合物が、反応停止剤として好ましく用いられる。以上のような条件でエステル化反応を実施すると、重量平均重合度が５００以上である高分子量セルロースエステルを容易に合成することができる。
【００２９】
本発明のセルロースアシレートフィルムは、フィルムを構成するポリマー成分が実質的に上記の定義を有するセルロースアシレートからなることが好ましい。ここで『実質的に』とは、ポリマー成分の５５質量％以上（好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上）を意味する。フィルム製造の原料としては、セルロースアシレート粒子を使用することが好ましい。使用する粒子の９０質量％以上は０．５〜５ｍｍの粒子径を有することが好ましい。また、使用する粒子の５０質量％以上が１〜４ｍｍの粒子径を有することが好ましい。セルロースアシレート粒子は、なるべく球形に近い形状を有することが好ましい。
【００３０】
［レターデーション上昇剤］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、レターデーション上昇剤を含有することが好ましい。
本発明で用いられるレターデーション上昇剤としては、下記一般式（１）で表される化合物が特に好ましい。以下にこれらの化合物に関して詳細に説明する。
一般式（１）：
【００３１】
【化１】
2006235483.tif 000004
【００３２】
一般式（１）中、Ｒ11〜Ｒ17、Ｒ19及びＲ20は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、置換基は後述の置換基Ｔが適用できる。
【００３３】
Ｒ18は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基又はハロゲン原子を表し、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。
【００３４】
Ｒ11〜Ｒ15のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ11、Ｒ13又はＲ15のうちの１つが電子供与性基であることが好ましくり、Ｒ13が電子供与性基であることがより好ましい。
【００３５】
電子供与性基とは、Ｈａｍｍｅｔのσp値が０以下のものを指し、“Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．”，９１巻，ｐ．１６５（１９９１年）．記載のＨａｍｍｅｔのσp値が０以下のものが好ましく適用でき、より好ましくは−０．８５〜０のものが用いられる。このような電子供与性基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基などが挙げられ、好ましくはアルキル基、アルコキシ基であり、より好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）である。
【００３６】
Ｒ11として好ましくは、水素原子又は電子供与性基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、最も好ましくはメトキシ基である。
【００３７】
Ｒ12として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００３８】
Ｒ13として好ましくは、水素原子又は電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。最も好ましくはｎ−プロポキシ基、エトキシ基、メトキシ基である
【００３９】
Ｒ14として好ましくは、水素原子又は電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００４０】
Ｒ15として好ましい基は、Ｒ12で挙げた基と同じである。
Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19及びＲ20として好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子である。
【００４１】
Ｒ18として好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基であり、より好ましくは、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基であり、更に好ましくは、炭素数２〜７のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７のアシルアミノ基、シアノ基であり、特に好ましくは、フェニルエチニル基、フェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ベンゾイルアミノ基、ｎ−プロポキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、シアノ基である。
【００４２】
一般式（１）のうち、下記一般式（１−１）で表される化合物がより好ましい。
一般式（１−１）：
【００４３】
【化２】
2006235483.tif 000005
【００４４】
一般式（１−１）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20は、それぞれ一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００４５】
一般式（１−１）中、Ｒ111はアルキル基を表し、直鎖でも分岐があってもよく、また更に置換基を有してもよい。好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜８のアルキル基、更に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基など）を表す。
【００４６】
一般式（１）のうち、下記一般式（１−２）で表される化合物がさらに好ましい。
一般式（１−２）：
【００４７】
【化３】
2006235483.tif 000006
【００４８】
一般式（１−２）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19及びＲ20は一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。またＲ111は、一般式（１−１）におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００４９】
一般式（１−２）中、Ｒ112は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、カルボニル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
【００５０】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15がすべて水素原子の場合には、Ｒ112として好ましくは、アルキル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、より好ましくは、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）であり、特に好ましくは、メトキシ基、メトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
【００５１】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15のうち少なくとも１つが置換基の場合には、Ｒ112として好ましくは、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基であり、更に好ましくは、炭素数２〜７のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７のアシルアミノ基、シアノ基であり、特に好ましくは、フェニルエチニル基、フェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ベンゾイルアミノ基、ｎ−プロポキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、シアノ基である。
【００５２】
一般式（１）のうち、下記一般式（１−３）で表される化合物がよりさらに好ましい。一般式（１−３）：
【００５３】
【化４】
2006235483.tif 000007
【００５４】
一般式（１−３）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ111及びＲ112は、一般式（１−２）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００５５】
一般式（１）で表される化合物の中で特に好ましいものは、下記一般式（１−４）で表される化合物である。
一般式（１−４）：
【００５６】
【化５】
2006235483.tif 000008
【００５７】
一般式（１−４）中、Ｒ12、Ｒ14及びＲ15は、一般式（１−３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。より好ましくは、Ｒ12、Ｒ14及びＲ15のうち、いずれか１つは−ＯＲ113で表される基であり、好ましくはＲ14、Ｒ15が−ＯＲ113で表される基であり、より好ましくはＲ14が−ＯＲ113で表される基である。Ｒ121、Ｒ122はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ123は、炭素数２〜７のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７のアシルアミノ基、又はシアノ基を表す。Ｒ113は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
【００５８】
Ｒ121は、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基である。Ｒ122は、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
Ｒ123は、好ましくは、フェニルエチニル基、フェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ベンゾイルアミノ基、ｎ−プロポキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、シアノ基である。
【００５９】
以下に前述の置換基Ｔについて説明する。
置換基Ｔとしては、例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭
素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル等）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ等）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシ等）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル等）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例
えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には、例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル等）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリル等）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００６０】
また、置換基が２つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００６１】
以下に一般式（１）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【００６２】
【化６】
2006235483.tif 000009
【００６３】
【化７】
2006235483.tif 000010
【００６４】
【化８】
2006235483.tif 000011
【００６５】
【化９】
2006235483.tif 000012
【００６６】
【化１０】
2006235483.tif 000013
【００６７】
【化１１】
2006235483.tif 000014
【００６８】
本発明に用いられる一般式（１）で表される化合物は、置換安息香酸とフェノール誘導体の一般的なエステル反応によって合成でき、エステル結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法、縮合剤又は触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体を脱水縮合する方法などがあげられる。
製造プロセス等を考慮すると、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法が好ましい。
【００６９】
反応溶媒として炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレン等）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は、単独でも数種を混合して用いてもよく、反応溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。
【００７０】
反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
【００７１】
本反応には塩基を用いないのが好ましく、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミン等）である。
【００７２】
本発明のセルロースアシレートフィルムには、レターデーション上昇剤として、下記一般式（２）で表される化合物もまた好ましく用いることができる。
一般式（２）：Ａｒ21−Ｌ21−Ｘ21−Ｌ22−Ａｒ22
式中、Ａｒ21、Ａｒ22はアリール基又は芳香族ヘテロ環を表す。Ｌ21、Ｌ22は、−Ｃ（
＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ02−を表す（Ｒ02は水素原子又はアルキル基を表す）。Ｘ21は下記一般式（２ａ）又は一般式（２ｂ）を表す。
【００７３】
一般式（２ａ）：
【００７４】
【化１２】
2006235483.tif 000015
【００７５】
一般式（２ａ）中、Ｒ21a、Ｒ22a、Ｒ23a、Ｒ24a、Ｒ25a、Ｒ26a、Ｒ27a及びＲ28aは水素原子又は置換基を表す。
【００７６】
一般式（２ｂ）：
【００７７】
【化１３】
2006235483.tif 000016
【００７８】
一般式（２ｂ）中、Ｒ21b、Ｒ22b、Ｒ23b、Ｒ24b、Ｒ25b、Ｒ26b、Ｒ27b及びＲ28bは、水素原子又は置換基を表す。
【００７９】
上記一般式（２）中、Ａｒ21、Ａｒ22は、上記のとおりアリール基又は芳香族ヘテロ環を表し、好ましくは炭素数６〜３０のアリール基であり、単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては前記の置換基Ｔが適用できる。
【００８０】
一般式（２）中、Ａｒ21、Ａｒ22で表されるアリール基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。
またＡｒ21、Ａｒ22で表される芳香族ヘテロ環としては、酸素原子、窒素原子又は硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環であれば何でもよいが、好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子のうち少なくとも１つを含む５〜６員環の芳香族ヘテロ環である。また、可能な場合には更に置換基を有してもよい。置換基としては後述の置換基Tが適用できる。
【００８１】
上記Ａｒ21、Ａｒ22で表される芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、ピロロトリアゾール、ピラゾロトリアゾールなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾールである。
【００８２】
一般式（２）中、Ｌ21、Ｌ22は、上記のとおり−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ02−を表し、どちらも同様に好ましい。Ｒ02は水素原子又はアルキル基を表し、好ましくは水素原子又は、炭素数１〜６アルキル基であり、より好ましくは水素原子、又は炭素数１〜４のアルキル基であり、更に好ましくは水素原子、メチル基であり、特に好ましくは水素原子である。
【００８３】
上記一般式（２ａ）中、Ｒ21a、Ｒ22a、Ｒ23a、Ｒ24a、Ｒ25a、Ｒ26a、Ｒ27a及びＲ28aは、上記のとおり、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、置換基としては前記の
置換基Ｔが適用できる。Ｒ21a、Ｒ22a、Ｒ23a、Ｒ24a、Ｒ25a、Ｒ26a、Ｒ27a及びＲ28aとして、好ましくは、水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、フッ素原子であり、特に好ましくは水素原子、フッ素原子であり、最も好ましくは水素原子である。
【００８４】
上記一般式（２ｂ）中、Ｒ21b、Ｒ22b、Ｒ23b、Ｒ24b、Ｒ25b、Ｒ26b、Ｒ27b及びＲ28bは、上記のとおり、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、置換基としては前記の置換基Ｔが適用できる。Ｒ21b、Ｒ22b、Ｒ23b、Ｒ24b、Ｒ25b、Ｒ26b、Ｒ27b及びＲ28bとして、好ましくは、水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、フッ素原子であり、特に好ましくは水素原子、フッ素原子であり、最も好ましくは水素原子である。
【００８５】
一般式（２）の化合物のうち、好ましくは一般式（２−２）で表される化合物である。
一般式（２−１）：
【００８６】
【化１４】
2006235483.tif 000017
【００８７】
式中、Ｒ211、Ｒ212、Ｒ213、Ｒ214、Ｒ215、Ｒ216、Ｒ217、Ｒ218、Ｒ219及びＲ220は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｌ21、Ｌ22及びＸ21は、前記一般式（２）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００８８】
Ｒ211、Ｒ216は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基であり、更に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくはメトキシ基である。
【００８９】
Ｒ212、Ｒ217は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００９０】
Ｒ213、Ｒ218は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。最も好ましくはｎ−プロポキシ基、エトキシ基、メトキシ基である。
【００９１】
Ｒ214、Ｒ219は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００９２】
Ｒ215、Ｒ220は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００９３】
一般式（２）の化合物のうち、より好ましくは一般式（２−２）で表される化合物である。
一般式（２−２）：
【００９４】
【化１５】
2006235483.tif 000018
【００９５】
式中、Ｒ211、Ｒ212、Ｒ214、Ｒ215、Ｒ216、Ｒ217、Ｒ218、Ｒ219、Ｒ220、Ｌ21、Ｌ22及びＸ21は、上記一般式（２−１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００９６】
一般式（２−２）中、Ｒ221は、炭素数１〜１２のアルキル基を表し、アルキル基は直鎖でも分岐があってもよく、また更に置換基を有してもよいが、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜８アルキル基、更に好ましくは炭素数１〜６アルキル基、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられる）を表す。
【００９７】
一般式（２）の化合物のうち、更に好ましくは一般式（２−３）で表される化合物である。
一般式（２−３）：
【００９８】
【化１６】
2006235483.tif 000019
【００９９】
式中、Ｒ212、Ｒ214、Ｒ215、Ｒ216、Ｒ217、Ｒ218、Ｒ219、Ｒ220、Ｒ221、Ｌ21、Ｌ22及びＸ21は、上記一般式（２−２）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０１００】
Ｒ222は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、エチル基であり、更に好ましくは水素原子又はメチル基であり、特に好ましくはメチル基である。
【０１０１】
一般式（２）の化合物のうち、特に好ましくは一般式（２−４）で表される化合物である。
一般式（２−４）：
【０１０２】
【化１７】
2006235483.tif 000020
【０１０３】
式中、Ｒ212、Ｒ215、Ｒ216、Ｒ217、Ｒ218、Ｒ219、Ｒ220、Ｒ221、Ｒ222、Ｌ21、Ｌ22及びＸ21は、上記一般式（２−３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０１０４】
Ｒ223は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３の
アルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
【０１０５】
以下に、一般式（２）で表される化合物に関して、具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【０１０６】
【化１８】
2006235483.tif 000021
【０１０７】
【化１９】
2006235483.tif 000022
【０１０８】
【化２０】
2006235483.tif 000023
【０１０９】
【化２１】
2006235483.tif 000024
【０１１０】
前記一般式（１）〜（１−４）で表される化合物は、置換安息香酸とフェノール、又はアニリン誘導体の一般的なエステル化反応、アミド化反応によって合成でき、エステル結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール、又はアニリン誘導体と縮合する方法、縮合剤又は触媒を用いて置換安息香酸とフェノール、又はアニリン誘導体を脱水縮合する方法などがあげられる。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール、又はアニリン誘導体と縮合する方法が好ましい。
【０１１１】
反応溶媒としては、炭化水素系溶媒（好ましくは、トルエン、キシレン等）、エーテル系溶媒（好ましくは、ジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は、単独でも数種を混合して用いてもよく、反応溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。
【０１１２】
反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
【０１１３】
本反応には塩基を用いない方が好ましいが、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミン等）である。
【０１１４】
また、一般式（３）、（３−１）及び（３−２）で表される化合物も、本発明におけるレターデーション上昇剤として好ましく用いることができる。
一般式（３）：
【０１１５】
【化２２】
2006235483.tif 000025
【０１１６】
一般式（３−１）
【０１１７】
【化２３】
2006235483.tif 000026
【０１１８】
一般式（３）中、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族環又は複素環を表すが、それらはそれぞれ異なる芳香族環又は複素環であってもよく、またＲ31とＲ33とが同一で、オルト位、メタ位及び／又はパラ位に置換基を有する芳香族
環又は複素環を表し、Ｒ32が置換基を有する芳香族環又は複素環を表してもよい。但し、Ｒ31及びＲ33がオルト位、メタ位及び／又はパラ位に置換基を有する芳香族環を表し、Ｒ32が置換基を有する芳香族環を表すときには、Ｒ31及びＲ33とＲ32とが同一となることはない。
【０１１９】
なお「異なる芳香族環又は複素環」とは、置換基を含めて芳香族環及び複素環が同一でないことを意味する。例えば同一の芳香族環又は複素環であっても、置換基が異なる場合、また置換基が同一であっても置換位置が異なる場合は、「異なる芳香族環又は複素環」に含まれる。さらに「同一でない」とは、置換基を含めて同一でないことを意味し、例えば同一の芳香族環であっても置換基が異なる場合、さらに置換基が同一であっても置換位置が異なる場合は、「同一でない」場合に含まれる。
【０１２０】
Ｘ31は単結合又は−ＮＲ33−を表し、Ｘ32は単結合又は−ＮＲ34−を表し、Ｘ33は単結合又は−ＮＲ35−を表す。Ｒ33、Ｒ34及びＲ35は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基を表す。
【０１２１】
更に詳しく説明すると、Ｒ31〜Ｒ33がそれぞれ表す芳香族環は、フェニル又はナフチルであることが好ましく、フェニルであることが特に好ましい。Ｒ31及びＲ33が表す芳香族環は、少なくともオルト位、メタ位及び／又はパラ位に置換基を有していることが好ましく、またそれ以外の位置にも置換基を有していてもよい。Ｒ32が表す芳香族環は、いずれかの置換位置に少なくとも１つの置換基を有することが好ましい。該置換基の例には、ハロゲン原子、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、カルボキシル、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アルキル置換スルファモイル基、アルケニル置換スルファモイル基、アリール置換スルファモイル基、スルオンアミド基、カルバモイル、アルキル置換カルバモイル基、アルケニル置換カルバモイル基、アリール置換カルバモイル基、アミド基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アリールチオ基及びアシル基が含まれる。
【０１２２】
Ｒ31〜Ｒ33がそれぞれ表す複素環基は、芳香族性を有することが好ましい。芳香族性を有する複素環は、一般に不飽和複素環であり、好ましくは最多の二重結合を有する複素環である。複素環は５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましく、６員環であることが最も好ましい。複素環のヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子又は酸素原子であることが好ましく、窒素原子であることが特に好ましい。芳香族性を有する複素環としては、ピリジン環（複素環基としては、２−ピリジル又は４−ピリジル）が特に好ましい。複素環基は、置換基を有していてもよい。複素環基の置換基の例は、上記アリール部分の置換基の例と同様である。
【０１２３】
Ｘ31、Ｘ32及びＸ33がそれぞれ単結合である場合の複素環基は、窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基であることが好ましい。窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基は、５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましく、５員環であることが最も好ましい。複素環基は、複数の窒素原子を有していてもよい。また、複素環基は、窒素原子以外のヘテロ原子（例えば、酸素原子、硫黄原子）を有していてもよい。以下に、窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基の例を示す。
【０１２４】
【化２４】
2006235483.tif 000027
【０１２５】
一般式（３）において、前記のとおり、Ｘ31は単結合又は−ＮＲ33−を表し、Ｘ32は単結合又は−ＮＲ34−を表し、Ｘ33は単結合又は−ＮＲ35−を表す。Ｒ33、Ｒ34及びＲ35は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、ア
リール基又は複素環基を表す。Ｒ33、Ｒ34及びＲ35がそれぞれ表すアルキル基は、環状アルキル基であっても鎖状アルキル基であってもよいが、鎖状アルキル基を表すのが好ましく、分岐を有する鎖状アルキル基よりも、直鎖状アルキル基を表すのがより好ましい。アルキル基の炭素原子数は、１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましく、１〜８がさらにまた好ましく、１〜６であることが最も好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えばメトキシ、エトキシ）及びアシルオキシ基（例えば、アクリロイルオキシ、メタクリロイルオキシ）が含まれる。
【０１２６】
Ｒ33、Ｒ34及びＲ35がそれぞれ表すアルケニル基は、環状アルケニル基であっても鎖状アルケニル基であってもよいが、鎖状アルケニル基を表すのが好ましく、分岐を有する鎖状アルケニル基よりも、直鎖状アルケニル基を表すのがより好ましい。アルケニル基の炭素原子数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜８であることがさらにまた好ましく、２〜６であることが最も好ましい。アルケニル基は置換基を有していてもよい。置換基の例には、前述のアルキル基の置換基と同様である。
【０１２７】
Ｒ33、Ｒ34及びＲ35がそれぞれ表す芳香族環基及び複素環基は、Ｒ31及びＲ32がそれぞれ表す芳香族環及び複素環と同様であり、好ましい範囲も同様である。芳香族環基及び複素環基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例にはＲ31及びＲ32の芳香族環及び複素環の置換基と同様である。
【０１２８】
次に前記一般式（３−１）の化合物について詳しく説明する。
一般式（３−１）中、Ｒ312はオルト位及び／又はメタ位に置換基を有する芳香族環又は複素環を表す。Ｒ312が表す芳香族環及び複素環については、前記一般式（３）中のＲ31及びＲ32がそれぞれ表す芳香族環及び複素環と同義であり、好ましい範囲も同様である。また、置換基についても、Ｒ31及びＲ32がそれぞれ表す芳香族環及び複素環有する置換基として例示したものと同様のものが挙げられる。Ｒ312が表す芳香族環は、オルト位及び／又はメタ位に少なくとも置換基を有し、他の位置にも置換基を有していてもよい。
【０１２９】
Ｘ311は単結合又は−ＮＲ313−を表し、Ｘ312は単結合又は−ＮＲ314−を表し、Ｘ313は単結合又は−ＮＲ315−を表す。Ｒ313、Ｒ314及びＲ315は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基を表す。Ｒ313、Ｒ314及びＲ315がそれぞれ表す置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基については、前記一般式（３）中のＲ33、Ｒ34及びＲ35がそれぞれ表す各基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０１３０】
以下に本発明で好ましくに用いられるレターデーション上昇剤として、前記一般式（３）及び（３−１）で表される化合物である１，３，５−トリアジン環を有する化合物の具体例を示すが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【０１３１】
【化２５】
2006235483.tif 000028
【０１３２】
【化２６】
2006235483.tif 000029
【０１３３】
【化２７】
2006235483.tif 000030
【０１３４】
【化２８】
2006235483.tif 000031
【０１３５】
【化２９】
2006235483.tif 000032
【０１３６】
【化３０】
2006235483.tif 000033
【０１３７】
【化３１】
2006235483.tif 000034
【０１３８】
【化３２】
2006235483.tif 000035
【０１３９】
【化３３】
2006235483.tif 000036
【０１４０】
本発明で用いられるレターデーション上昇剤の分子量は、２００以上１，０００以下であることが好ましく、３００以上８５０以下が好ましい。この範囲であれば、溶媒への溶解性と製膜時の保留性を両立することができる。
レターデーション上昇剤の沸点は、２６０℃以上であることが好ましい。沸点は、市販の測定装置、例えば“ＴＧ／ＤＴＡ１００”｛セイコー電子工業（株）製｝を用いて測定できる。
【０１４１】
本発明におけるレターデーション上昇剤は、単独又は２種類以上混合して用いることができる。レターデーション上昇剤の添加量はセルロースアシレート１００質量部に対して、２〜３０質量部が好ましく、３〜２５質量部がさらに好ましい。この範囲で前記化合物を用いることにより、ブリードアウトを生じることなくレターデーションを上昇させることができる。
【０１４２】
本発明におけるレターデーション上昇剤の添加方法は、アルコールやメチレンクロライド、ジオキソランの有機溶媒に溶解してから、セルロースアシレート溶液（ドープ）に添加するか、又は直接ドープ組成中に添加してもよい。
【０１４３】
〔セルロースアシレートフィルムの製造〕
本発明のセルロースアシレートフィルムの製造方法では、セルロースアシレート、及び有機溶媒を含むドープ液を、バンド又はドラム上に流延後、剥離されたセルロースアシレートフィルムを搬送する工程（１）、幅手の端部把持する工程（２）、幅手方向に引き延ばす工程（３）を有するセルロースアシレートフィルムの製造において、残留溶媒含量が１質量％以上１００質量％以下で、残留溶媒のＩ／Ｏ比が０．６５以上６以下のセルロースアシレートフィルムを、下記数式（５）の条件で延伸することを特徴とする。
数式（５）：１％／分≦延伸速度≦５０％／分
以下、本発明の製造方法を詳細に説明する。
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ソルベントキャスト法により製造する。ソルベントキャスト法では、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムを製造する。
【０１４４】
有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエーテル、炭素原子数が３〜１２のケトン、炭素原子数が３〜１２のエステル及び炭素原子数が１〜６のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒を含むことが好ましい。
エーテル、ケトン及びエステルは、環状構造を有していてもよい。エーテル、ケトン及びエステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−及び−ＣＯＯ−）のいずれかを２つ以上有する化合物も、有機溶媒として用いることができる。有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。２種類以上の官能基を有する有機溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する溶媒の上記した好ましい炭素原子数範囲内であることが好ましい。
【０１４５】
炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメ
タン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソール及びフェネトールが含まれる。
炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン及びメチルシクロヘキサノンが含まれる。
炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート及びペンチルアセテートが含まれる。
【０１４６】
２種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノール及び２−ブトキシエタノールが含まれる。
ハロゲン化炭化水素の炭素原子数は、１又は２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている割合は、２５〜７５モル％であることが好ましく、３０〜７０モル％であることがより好ましく、３５〜６５モル％であることがさらに好ましく、４０〜６０モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリドが、代表的なハロゲン化炭化水素である。
【０１４７】
本発明において有機溶媒はメチレンクロリドとアルコールを混合して用いることが好ましく、メチレンクロリドに対するアルコールの比率は１質量％以上５０質量％以下が好ましく、１０質量％以上４０質量％以下が好ましく、１２質量％以上３０質量％以下が最も好ましい。アルコールとしてはメタノール、エタノール、ｎ−ブタノールが好ましく、２種類以上のアルコールを混合して使用してもよい。
【０１４８】
０℃以上の温度（常温又は高温）で処理することからなる一般的な方法で、セルロースアシレート溶液を調製することができる。溶液の調製は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調製方法及び装置を用いて実施することができる。なお、一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化炭化水素（特にメチレンクロリド）を用いることが好ましい。
【０１４９】
セルロースアシレートの量は、得られる溶液中に１０〜４０質量％含まれるように調整する。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中には、後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。
【０１５０】
セルロースアシレート溶液は、常温（０〜４０℃）でセルロースアシレートと有機溶媒とを攪拌することにより調製することができる。高濃度の溶液は、加圧及び加熱条件下で攪拌してもよい。具体的には、セルロースアシレートと有機溶媒とを加圧容器に入れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以上、かつ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら攪拌する。
加熱温度は、通常は４０℃以上であり、好ましくは６０〜２００℃であり、さらに好ましくは８０〜１１０℃である。
【０１５１】
各成分は予め粗混合してから容器に入れてもよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は攪拌できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の不活性気体を注入して容器を加圧することができる。また、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加してもよい。
【０１５２】
加熱する場合、容器の外部より加熱することが好ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いることができる。また、容器の外部にプレートヒーターを設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を加熱することもできる。
【０１５３】
容器内部に攪拌翼を設けて、これを用いて攪拌することが好ましい。攪拌翼は、容器の壁付近に達する長さのものが好ましい。攪拌翼の末端には、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けることが好ましい。
【０１５４】
容器には、圧力計、温度計等の計器類を設置してもよい。容器内で各成分を溶媒中に溶解する。調製したドープは冷却後容器から取り出すか、又は取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。
【０１５５】
冷却溶解法により、溶液を調製することもできる。冷却溶解法では、通常の溶解方法では溶解させることが困難な有機溶媒中にも、セルロースアシレートを溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセルロースアシレートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果がある。
【０１５６】
冷却溶解法では最初に、室温で有機溶媒中にセルロースアシレートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロースアシレートの量は、この混合物中に１０〜４０質量％含まれるように調整することが好ましい。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。さらに、混合物中には後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。
【０１５７】
次に、混合物を−１００〜−１０℃（好ましくは−８０〜−１０℃、さらに好ましくは−５０〜−２０℃、最も好ましくは−５０〜−３０℃）に冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール浴（−７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液（−３０〜−２０℃）中で実施できる。冷却によりセルロースアシレートと有機溶媒の混合物は固化する。
【０１５８】
冷却速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、冷却速度は、冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を、冷却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間で割った値である。
【０１５９】
さらに、これを０〜２００℃（好ましくは０〜１５０℃、さらに好ましくは０〜１２０℃、最も好ましくは０〜５０℃）に加温すると、有機溶媒中にセルロースアシレートが溶解する。昇温は、室温中に放置するだけでもよく、温浴中で加温してもよい。
【０１６０】
加温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始する時の温度と最終的な加温温度との差を、加温を開始してから最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値である。
【０１６１】
以上のようにして、均一な溶液が得られる。なお、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視により溶液の外観を観察するだけで判断することができる。
【０１６２】
冷却溶解法においては、冷却時の結露による水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ましい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、加温時に減圧すると、
溶解時間を短縮することができる。加圧及び減圧を実施するためには、耐圧性容器を用いることが望ましい。
【０１６３】
なお、例えばセルロースアセテート（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０質量％の溶液は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）での測定によると、３３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移温度プラス１０℃程度の温度で保する必要がある。ただし、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの酢化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒により異なる。
【０１６４】
調製したセルロースアシレート溶液（ドープ）から、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造する。ドープにはレターデーション上昇剤を添加することが好ましい。
【０１６５】
ドープは、ドラム又はバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１８〜３５％となるように濃度を調整することが好ましい。ドラム又はバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。ドープは、表面温度が１０℃以下のドラム又はバンド上に流延することが好ましい。
【０１６６】
ソルベントキャスト法における乾燥方法については、米国特許第２３３６３１０号、同第２３６７６０３号、同第２４９２０７８号、同第２４９２９７７号、同第２４９２９７８号、同第２６０７７０４号、同第２７３９０６９号及び同第２７３９０７０号の各明細書、英国特許第６４０７３１号及び同第７３６８９２号の各明細書、並びに特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０号及び同６２−１１５０３５号の各公報に記載がある。バンド又はドラム上での乾燥は空気、窒素などの不活性ガスを送風することにより行うことができる。
【０１６７】
得られたセルロースアシレートフィルムはドラム又はバンドから剥ぎ取り、テンターに搬送後、幅方向の端部を把持して延伸することが好ましい。剥ぎ取り時の残留溶媒含量は２０％以上１５０％以下が好ましく、３０％以上１００％以下がさらに好ましい。剥ぎ取り後、テンター工程までの間に、高温風等によりさらに乾燥させることもできる。
また、１００℃から１６０℃まで逐次温度を変えた高温風で乾燥して、残留溶媒を蒸発させることもできる。以上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載がある。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を短縮することが可能である。この方法を実施するためには、流延時のドラム又はバンドの表面温度においてドープがゲル化することが必要である。
【０１６８】
調整したセルロースアシレート溶液（ドープ）を用いて二層以上の流延を行いフィルム化することもできる。この場合、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを作製することが好ましい。ドープは、ドラム又はバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１０〜４０％の範囲となるように濃度を調整することが好ましい。ドラム又はバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。
【０１６９】
二層以上の複数のセルロースアシレート液を流延する場合、複数のセルロースアシレート溶液を流延することが可能で、支持体の進行方向に間隔をおいて設けられた複数の流延口からセルロースアシレートを含む溶液をそれぞれ流延させて積層させながらフィルムを作製してもよい。例えば、特開昭６１−１５８４１４号、特開平１−１２２４１９号、及び特開平１１−１９８２８５号の各公報に記載の方法を用いることができる。また、２つ
の流延口からセルロースアシレート溶液を流延することによってもフィルム化することもできる。例えば、特公昭６０−２７５６２号、特開昭６１−９４７２４号、特開昭６１−９４７２４５号、特開昭６１−１０４８１３号、特開昭６１−１５８４１３号、及び特開平６−１３４９３３号の各公報に記載の方法を用いることができる。さらに特開昭５６−１６２６１７号公報に記載の、高粘度セルロースアシレート溶液の流れを低粘度のセルロースアシレート溶液で包み込み、その高・低粘度のセルロースアシレート溶液を同時に押し出すセルロースアシレートフィルムの流延方法を用いることもできる。
【０１７０】
また、２個の流延口を用いて、第一の流延口により支持体に成形したフィルムを剥ぎ取った後、そのフィルムの支持体面に接していた側に第二の流延を行うことにより、フィルムを作製することもできる。例えば、特公昭４４−２０２３５号公報に記載の方法を挙げることができる。
【０１７１】
流延するセルロースアシレート溶液は同一の溶液を用いてもよいし、異なるセルロースアシレート溶液を用いてもよい。複数のセルロースアシレート層に機能をもたせるために、その機能に応じたセルロースアシレート溶液を、それぞれの流延口から押し出せばよい。さらに本発明に用いられるセルロースアシレート溶液は、他の機能層（例えば、接着層、染料層、帯電防止層、アンチハレーション層、紫外線吸収層、偏光層など）と同時に流延することもできる。
【０１７２】
従来の単層液では、必要なフィルムの厚さにするためには、高濃度で高粘度のセルロースアシレート溶液を押し出すことが必要である。その場合セルロースアシレート溶液の安定性が悪くて固形物が発生し、ブツ故障となったり、平面性が不良となったりして問題となることが多かった。この問題の解決方法として、複数のセルロースアシレート溶液を流延口から流延することにより、高粘度の溶液を同時に支持体上に押し出すことができ、平面性も良化し優れた面状のフィルムが作製できるばかりでなく、濃厚なセルロースアシレート溶液を用いることで乾燥負荷の低減化が達成でき、フィルムの生産スピードを高めることができる。
【０１７３】
［延伸処理］
本発明のセルロースアシレートフィルムの製造方法において、セルロースアシレートフィルムは延伸処理される。延伸処理によりセルロースアシレートフィルムに所望のレターデーションを付与することが可能であり、かつバンド上での乾燥時に発生した厚みムラを解消することができる。本発明の製造方法において、セルロースアシレートフィルムの延伸方向は幅方向である。
【０１７４】
幅方向に延伸する方法は、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号、同４−２９８３１０号、同１１−４８２７１号などの各公報に記載されている。フィルムの延伸は、常温又は加熱条件下で実施する。加熱温度は、フィルムのガラス転移温度±３０℃の範囲であることが好ましい。幅方向の延伸の場合、フィルムの巾をテンターで保持しながら搬送して、テンターの巾を徐々に広げることによってもフィルムを延伸できる。フィルムの乾燥後に、延伸機を用いて延伸すること（好ましくはロング延伸機を用いる一軸延伸）もできる。
【０１７５】
本発明のセルロースアシレートフィルムは、一定の残留溶媒を含んだ状態で一定の延伸速度で延伸することが好ましい。延伸開始時の残留溶媒含量は１質量％以上１００質量％以下であり、５質量％以上１００質量％以下が好ましく、１０質量％以上５０質量％以下がさらに好ましい。延伸終了時の残留溶媒含量は０．１質量％以上５０質量％以下が好ましく、１質量％以上３０質量％以下がさらに好ましい。
上記範囲で延伸を開始することにより、延伸時の残留溶剤量がフィルム表面＞フィルム
内部となり、さらにはフィルム表面のＴｇ＞フィルム内部のＴｇとなり、フィルム表面の方がフィルム内部よりも、セルロース分子鎖が配向しやすくすることが可能となる。
【０１７６】
また、本発明のセルロースアシレートフィルムの延伸時の残留溶媒は、一定のＩ／Ｏ比の範囲であることが好ましい。残留溶媒のＩ／Ｏ比は０．６５以上６以下であることが好ましく、０．７５以上５以下であることがさらに好ましい。Ｉ／Ｏ比は、三共出版刊、甲田善男、有機概念図に記載された計算方法により計算することができる。
上記範囲で延伸を行うことにより、前記フィルム表面と内部のＴｇ差をさらに増幅することができる。
【０１７７】
本発明においては、溶媒ＡをＭ質量％と溶媒Ｂを（１００−Ｍ）質量％含有する混合溶媒のＩ／Ｏ比は、溶媒ＡのＩ／Ｏ比をＲａ、溶媒ＢのＩ／Ｏ比をＲｂとした場合、下記数式（９）により算出するものとする。
数式（９）：Ｒａ×Ｍ／１００＋Ｒｂ×（１００−Ｍ）／１００
【０１７８】
また本発明のセルロースアシレートフィルムの製造方法においては、下記数式（５）の条件で延伸することが好ましく、下記数式（５−１）の条件で延伸することがさらに好ましい。
数式（５）：１％／分≦延伸速度≦５０％／分
数式（５−１）：５％／分≦延伸速度≦４０％／分
延伸速度を上記範囲に設定することにより、フィルム内部／表面の弾性率差を効果的に利用でき、延伸によるフィルム厚みの均一化効果を最大にすることが可能となる。
延伸速度、残留溶媒含量、及び残留溶媒のＩ／Ｏ比を上記範囲に設定することにより、フィルムの表面にフィルム内部よりもセルロースアシレートの主鎖の配向度の高い領域を形成せしめることが可能となる。
【０１７９】
さらに、延伸速度とフィルムの搬送速度は、下記数式（６）の関係を満たすことが好ましく、さらに好ましくは下記数式（６−１）の関係を満たすことである。
数式（６）：５≦搬送速度／延伸速度≦３００
数式（６−１）：１０≦搬送速度／延伸速度≦２００
フィルムの延伸速度と搬送速度が上記範囲を満たすことにより、バンド上で発生した厚みムラの延伸工程における解消効果を大きくすることが可能である。これにより、フィルムの表面と内部の配向度差を十分に生成させることができ、厚みムラ解消効果を十分に発揮させることができる。
【０１８０】
また延伸時の雰囲気温度は、１００℃以上１６０℃以下が好ましく、１２０℃以上１５０℃以下がさらに好ましい。
【０１８１】
フィルムの延伸倍率は、１％〜１００％が好ましく、５％〜９０％がさらに好ましい。なお本発明においてフィルムの延伸倍率とは、下記数式（１０）で求められる数値を指すものとする。
数式（１０）：｛（延伸後の寸法／延伸前の寸法）−１｝×１００（％）
【０１８２】
［添加剤］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、レターデーション上昇剤の他に、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を含有することが好ましい。
【０１８３】
（紫外線吸収剤）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、紫外線吸収剤を含有してもよい。
紫外線吸収剤としては、例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール
系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物等を挙げることができるが、着色の少ないベンゾトリアゾール系化合物が好ましい。また、特開平１０−１８２６２１号公報、特開平８−３３７５７４号公報記載の紫外線吸収剤、特開平６−１４８４３０号公報記載の高分子紫外線吸収剤も好ましく用いられる。本発明のセルロースアシレートフィルムを、偏光板の保護フィルムとして用いる場合、紫外線吸収剤としては、偏光子や液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れており、且つ、液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。
紫外線吸収剤の添加量は、セルロースアシレートの量の０．０１質量％以上２０質量％以下が好ましく、０．１質量％以上１０質量％以下がさらに好ましい。
【０１８４】
本発明に有用なベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の具体例として、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−３’−（３”，４”，５”，６”−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール、オクチル−３−［３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル］プロピオネートと２−エチルヘキシル−３−［３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル］プロピオネートの混合物等を挙げることができるが、これらに限定されない。
【０１８５】
また、市販品として、「チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１０９」、「チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１７１」、「チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）３２６」、「チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）３２８」｛何れもチバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製｝を好ましく使用できる。
【０１８６】
（可塑剤）
セルロースアシレートフィルムには、機械的物性を改良するために、以下の可塑剤を用いることができる。
可塑剤としては、リン酸エステル又はカルボン酸エステルが用いられる。リン酸エステルの例には、トリフェニルホスフェート（ＴＰＰ）及びトリクレジルホスフェート（ＴＣＰ）が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル酸エステル及びクエン酸エステルが代表的である。フタル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフタレート（ＤＰＰ）及びジエチルヘキシルフタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステルの例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）及びＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例には、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれる。フタル酸エステル系可塑剤（ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＰＰ、ＤＥＨＰ）が好ましく用いられる。ＤＥＰ及びＤＰＰが特に好ましい。
【０１８７】
可塑剤の添加量は、セルロースアシレートの量の０．１〜２５質量％であることが好ましく、１〜２０質量％であることがさらに好ましく、３〜１５質量％であることが最も好
ましい。
【０１８８】
（劣化防止剤）
また、セルロースアシレートフィルムには、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加してもよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製する溶液（ドープ）の０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．０１〜０．２質量％であることがさらに好ましい。添加量が０．０１質量％以上であれば、劣化防止剤の効果が発現するので好ましい。添加量が１質量％以下であれば、フィルム表面への劣化防止剤のブリードアウト（滲み出し）が生じないので好ましい。特に好ましい劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げることができる。
【０１８９】
これら流延から後乾燥までの工程は、空気雰囲気下でもよいし、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下でもよい。本発明のセルロースアシレートフィルムの製造に用いられる巻き取り機は、一般的に使用されているものでよく、定テンション法、定トルク法、テーパーテンション法、内部応力一定のプログラムテンションコントロール法などの巻き取り方法で巻き取ることができる。
【０１９０】
［セルロースアシレートフィルムの諸特性］
（セルロースアシレートフィルムの厚み）
本発明のセルロースアシレートフィルムの厚みは１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上１５０μｍ以下がさらに好ましく、３０μｍ以上１００μｍ以下が最も好ましい。
【０１９１】
（カール）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、湿度によるカール変化が小さいことが好ましい。カール度の測定は、該フィルムを幅手方向５０ｍｍ、長手方向２ｍｍに切断し、所定の湿度で２４時間調湿し、曲率スケールを用いて該フィルムのカール値を測定することにより求めることができる。カール値は１／Ｒで表され、Ｒは曲率半径で単位はｍを用いる。
本発明のセルロースアシレートフィルムの湿度１％ＲＨ当たりのカール値変化は０．０２以下が好ましく、０．０１５以下がさらに好ましい。湿度１％ＲＨ当たりのカール値変化を該範囲にすることにより、偏光板加工後に使用環境湿度変化による変形が小さくなり、液晶表示装置の使用環境の変化に伴う光漏れが防止することができる。
【０１９２】
（高温高湿下での寸度変化）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、高温恒湿下での寸度変化が小さいことが好ましい。４０℃、９５％ＲＨで２４時間処理前後での寸度変化率は、０．２０％以下が好ましく、０．１５％以下がさらに好ましい。高温恒湿下での寸度変化を該範囲にすることにより、偏光板加工後に使用環境湿度変化による変形が小さくなり、液晶表示装置の使用環境の変化に伴う光漏れが防止することができる。
【０１９３】
（透湿度）
透湿度は、ＪＩＳ  Ｚ−０２０８に記載の方法に則り、各試料の透湿度を測定し、面積１ｍ2当たり２４時間で蒸発する水分量（ｇ）として算出する。透湿度は偏光板の耐久性と密接に関係したフィルム物性であり、透湿度を下げることにより偏光板耐久性を向上させることができる。本発明のセルロースアシレートフィルムは、６０℃、９５％ＲＨ、２４時間における透湿度が２００ｇ／ｍ2以上１７００ｇ／ｍ2以下であることが好ましい。
より好ましくは５００ｇ／ｍ2以上１４００ｇ／ｍ2以下である。
【０１９４】
（含水率）
セルロースアシレートフィルムの含水率は、一定温湿度における平衡含水率を測定することにより評価することができる。平衡含水率は、上記温湿度に２４時間放置した後、平衡に達した試料の水分量をカールフィッシャー法で測定し、水分量（g）を試料質量（g）で除して算出したものである。
本発明のセルロースアシレートフィルムの２５℃、８０％ＲＨにおける含水率は４．５質量％以下であることが好ましく、４．０質量％以下であることがさらに好ましく、３．５質量％以下であることが最も好ましい。
【０１９５】
（フィルムのレターデーション）
本明細書において、Ｒｅλ、Ｒｔｈλはそれぞれ、波長λにおける正面レターデーション及び厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅλは“ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ”｛王子計測機器（株）製｝を用いて、波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。ＲｔｈλはこのＲｅλ、面内の遅相軸（“ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ”により判断される）を傾斜軸（回転軸）として、フィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、及び面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、“ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ”が算出する。
【０１９６】
ここで平均屈折率の仮定値は、「ポリマーハンドブック」（ＪＯＨＮ  ＷＩＬＥＹ  ＆
ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについては、アッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：
セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）。
これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、“ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ”はｎx、ｎy、ｎzを算出する。
【０１９７】
本発明のセルロースアシレートフィルムのＲｅ590は２０〜２００ｎｍが好ましく、３０〜１５０ｎｍがさらに好ましく、６０〜１２０ｎｍが最も好ましい。Ｒｔｈ590は７０〜４００ｎｍが好ましく、５０〜４００ｎｍがより好ましく、１００〜３００ｎｍがさらに好ましく、１５０〜２５０ｎｍが最も好ましい。
また、Ｒｔｈ590／Ｒｅ590比は１以上１０以下が好ましく、２以上８以下がさらに好ましい。
【０１９８】
ＯＣＢ用モード及びＴＮ用モードでは前記レターデーション値を有するセルロースアシレートフィルム上に光学異方性層を塗布して光学補償フィルムとして使用できる。
【０１９９】
（光弾性）
本発明のセルロースアシレートの光弾性係数は６０×１０-8ｃｍ2／Ｎ以下が好ましく、２０×１０-8ｃｍ2がさらに好ましい。光弾性係数はエリプソメーターにより求めることができる。
【０２００】
（ガラス転移温度）
本発明のセルロースアシレートのガラス転移温度は１２０℃以上が好ましく、更に１４０℃以上が好ましい。ガラス転移温度は、示差走査型熱量計（ＤＳＣ）を用いて昇温速度
１０℃／分で測定したときにフィルムのガラス転移に由来するベースラインが変化しはじめる温度と再びベースラインに戻る温度との平均値として求めたものである。
【０２０１】
［鹸化処理］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、アルカリ鹸化処理することによりポリビニルアルコールとの密着性を付与し、偏光板保護フィルムとして用いることができる。
【０２０２】
セルロースアシレートフィルムのアルカリ鹸化処理は、フィルム表面をアルカリ溶液に浸漬した後、酸性溶液で中和し、水洗して乾燥するサイクルで行われることが好ましい。アルカリ溶液としては、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液が挙げられ、水酸化イオンの規定濃度は０．１〜５．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましく、０．５〜４．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液温度は、室温〜９０℃の範囲にあることが好ましく、４０〜７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。
【０２０３】
＜偏光板＞
次に本発明の偏光板について詳しく説明する。
【０２０４】
〔偏光板の構成〕
本発明の偏光板は、偏光子や保護フィルム以外にも、粘着剤層、セパレートフィルム、保護フィルムを構成要素として有していても構わない。
【０２０５】
（１）保護フィルム
本発明の偏光板は偏光子の両側に１ずつ合計２枚の保護フィルムを有し、少なくとも１枚は本発明のセルロースアシレートフィルムである。また、２枚の保護フィルムのうち、少なくとも一枚は位相差フィルムとしての機能を合わせてもつことが好ましい。液晶表示装置に本発明の偏光板を用いる場合、液晶セルの両側に配置される二枚の偏光板の少なくとも一方が、本発明の偏光板であることが好ましい。
【０２０６】
本発明において用いられる保護フィルムは、ノルボルネン樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアリレート、ポリスルフォン、セルロースアシレートなどから製造されたポリマーフィルムであることが好ましく、セルロースアシレートフィルムであることが最も好ましい。
【０２０７】
（２）偏光子
本発明に用いられる偏光子は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）と二色性分子から構成することが好ましいが、特開平１１−２４８９３７号公報に記載されているように、ＰＶＡやポリ塩化ビニルを脱水又は脱塩素することによりポリエン構造を生成させ、これを配向させたポリビニレン系偏光子も使用することができる。
【０２０８】
ＰＶＡは、ポリ酢酸ビニルをケン化したポリマー素材であるが、例えば不飽和カルボン酸、不飽和スルホン酸、オレフィン類、ビニルエーテル類のような酢酸ビニルと共重合可能な成分を含有しても構わない。また、アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等を含有する変性ＰＶＡも用いることができる。
【０２０９】
ＰＶＡのケン化度は特に限定されないが、溶解性等の観点から８０〜１００ｍｏｌ％が好ましく、９０〜１００ｍｏｌ％が特に好ましい。またＰＶＡの重合度は特に限定されないが、１０００〜１００００が好ましく、１５００〜５０００が特に好ましい。
【０２１０】
ＰＶＡのシンジオタクティシティーは、特許２９７８２１９号公報に記載されているように、耐久性を改良するため５５％以上であることが好ましいが、特許第３３１７４９４
号公報に記載されている４５〜５２．５％のものも好ましく用いることができる。
【０２１１】
ＰＶＡはフィルム化した後、二色性分子を導入して偏光子を構成することが好ましい。ＰＶＡフィルムの製造方法は、ＰＶＡ系樹脂を、水又は有機溶媒に溶解した原液を流延して成膜する方法が、一般に好ましく用いられる。原液中のポリビニルアルコール系樹脂の濃度は、通常５〜２０質量％であり、この原液を流延法により製膜することによって、膜厚１０〜２００μｍのＰＶＡフィルムを製造できる。ＰＶＡフィルムの製造は、特許第３３４２５１６号公報、特開平０９−３２８５９３号公報、特開２００１−３０２８１７号公報、特開２００２−１４４４０１号公報を参考にして行うことができる。
【０２１２】
ＰＶＡフィルムの結晶化度は、特に限定されないが、特許第３２５１０７３号公報に記載されている平均結晶化度（Ｘｃ）５０〜７５質量％や、面内の色相バラツキを低減させるため、特開２００２−２３６２１４号公報に記載されている結晶化度３８％以下のＰＶＡフィルムを用いることができる。
【０２１３】
ＰＶＡフィルムの複屈折（△ｎ）は、小さいことが好ましく、特許第３３４２５１６号公報に記載されている、複屈折が１．０×１０-3以下のＰＶＡフィルムを好ましく用いることができる。但し、特開２００２−２２８８３５号公報に記載されているように、ＰＶＡフィルムの延伸時の切断を回避しながら高偏光度を得るため、ＰＶＡフィルムの複屈折を０.０２以上０.０１以下としてもよいし、特開２００２−０６０５０５号公報に記載されているように（ｎx＋ｎy）／２−ｎzの値を０．０００３以上０．０１以下としてもよい。
【０２１４】
ＰＶＡフィルムのレターデーションＲｅ（正面）は、０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、０ｎｍ以上５０ｎｍ以下がさらに好ましい。また、ＰＶＡフィルムのレターデーションＲｔｈ（膜厚方向）は、０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、０ｎｍ以上３００ｎｍ以下がさらに好ましい。
【０２１５】
この他、本発明の偏光板には、特許３０２１４９４号公報に記載されている１、２−グリコール結合量が１.５モル％以下のＰＶＡフィルム、特開２００１−３１６４９２号公報に記載されている５μｍ以上の光学的異物が１００ｃｍ2当たり５００個以下であるＰＶＡフィルム、特開２００２−０３０１６３号公報に記載されているフィルムのＴＤ方向の熱水切断温度斑が１．５℃以下であるＰＶＡフィルム、さらにグリセリンなどの３〜６価の多価アルコ−ルを１〜１００質量部混合したり、特開平０６−２８９２２５号公報に記載されている可塑剤を１５質量％以上混合したりした溶液から製膜したＰＶＡフィルムを好ましく用いることができる。
【０２１６】
ＰＶＡフィルムの延伸前のフィルム膜厚は特に限定されないが、フィルム保持の安定性、延伸の均質性の観点から、１μｍ〜１ｍｍが好ましく、２０〜２００μｍが特に好ましい。特開２００２−２３６２１２号に記載されているように水中において４倍から６倍の延伸を行った時に発生する応力が１０Ｎ以下となるような薄いＰＶＡフィルムを使用してもよい。
【０２１７】
二色性分子は、I3-やI5-などの高次のヨウ素イオン又は二色性染料を好ましく使用することができる。本発明では高次のヨウ素イオンが特に好ましく使用される。高次のヨウ素イオンは、「偏光板の応用」永田良編、ＣＭＣ出版や「工業材料」、第２８巻、第７号、p．３９〜ｐ．４５に記載されているように、ヨウ素をヨウ化カリウム水溶液に溶解した液及び／又はホウ酸水溶液にＰＶＡを浸漬し、ＰＶＡに吸着・配向した状態で生成することができる。
【０２１８】
二色性分子として二色性染料を用いる場合は、アゾ系色素が好ましく、特にビスアゾ系とトリスアゾ系色素が好ましい。二色性染料は水溶性のものが好ましく、このため二色性分子にスルホン酸基、アミノ基、水酸基などの親水性置換基が導入され、遊離酸として、又はアルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミン類の塩として好ましく用いられる。
【０２１９】
このような二色性染料の具体例としては、例えば、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ３７、  Ｃｏｎｇｏ  Ｒｅｄ（Ｃ．Ｉ．  Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２８）、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  １２、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ９０、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ２２、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  １、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  １５１、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｇｒｅｅｎ  １等のベンジジン系；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ４４、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２３、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ７９等のジフェニル尿素系；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １２等のスチルベン系；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ３１等のジナフチルアミン系；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ８１、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  ９、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ７８等のＪ酸系などを挙げることができる。
【０２２０】
これ以外にも、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ２８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ８６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ
Ｙｅｌｌｏｗ  ８７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １４２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ２６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ３９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ７２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  １０６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  １０７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ３９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ８３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ８９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２４０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ
Ｒｅｄ  ２４２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２４７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  ４８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  ５１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ
Ｖｉｏｌｅｔ  ９８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  １５、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ
Ｂｌｕｅ  ６７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ７１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ９８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  １６８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ２０２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ２３６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ２４９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ２７０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｇｒｅｅｎ  ５９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｇｒｅｅｎ  ８５、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  ４４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  １０６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  １９５、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  ２１０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ
Ｂｒｏｗｎ  ２２３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  ２２４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌａｃｋ  １、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌａｃｋ  １７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌａｃｋ  １９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌａｃｋ  ５４等が、さらに特開昭６２−７０８０２号、特開平１−１６１２０２号、特開平１−１７２９０６号、特開平１−１７２９０７号、特開平１−１８３６０２号、特開平１−２４８１０５号、特開平１−２６５２０５号、特開平７−２６１０２４号の各公報記載の二色性染料等も好ましく使用することができる。各種の色相を有する二色性分子を製造するため、これらの二色性染料は２種以上を配合してもかまわない。二色性染料を用いる場合、特開２００２−０８２２２２号公報に記載されているように吸着厚みが４μｍ以上であってもよい。
【０２２１】
フィルムのマトリックスを構成するポリビニルアルコール系重合体に対する上記二色性分子の含有量は、一般に０．０１質量％から５質量％の範囲に調整される。二色性分子の含有量が該下限値以上であれば、良好な偏光度が発現し、また該上限値以下であれば、単板透過率が低下するなどの問題が生じないので好ましい。
【０２２２】
偏光子の好ましい膜厚としては、５μｍ〜４０μｍが好ましく、さらに好ましくは１０μｍ〜３０μｍである。偏光子の厚さと後述する保護フィルムの厚さの比を、特開２００２−１７４７２７号公報に記載されている０．０１≦ＤA（偏光子膜厚）／ＤB（保護フィルム膜厚）≦０．１６の範囲とすることも好ましい。
【０２２３】
保護フィルムの遅相軸と偏光子の吸収軸の交差角は、任意の値でよいが、平行もしくは４５±２０゜の方位角であることが好ましい。
【０２２４】
〔偏光板の製造工程〕
次に、本発明の偏光板の製造工程について説明する。
本発明における偏光板の製造工程は、ＰＶＡフィルムの膨潤工程、染色工程、硬膜工程、延伸工程、乾燥工程、保護フィルムの貼り合わせ工程、貼り合わせ後乾燥工程から構成されることが好ましい。染色工程、硬膜工程、延伸工程の順序を任意に変えること、また、いくつかの工程を組み合わせて同時に行っても構わない。さらに特許第３３３１６１５号公報に記載されているように、硬膜工程の後に水洗することも好ましく行うことができる。
【０２２５】
本発明では、ＰＶＡフィルムの膨潤工程、染色工程、硬膜工程、延伸工程、乾燥工程、保護フィルム貼り合わせ工程、貼り合わせ後乾燥工程を記載の順序で遂次行うことが特に好ましい。また、上記工程中又は工程後にオンライン面状検査工程を設けても構わない。
【０２２６】
ＰＶＡフィルムの膨潤工程は、水のみで行うことが好ましいが、特開平１０−１５３７０９号公報に記載されているように、光学性能の安定化及び、製造ラインでの偏光板基材のシワ発生回避のために、偏光板基材をホウ酸水溶液により膨潤させて、偏光板基材の膨潤度を管理することもできる。
また膨潤工程の温度、時間は、任意に定めることができるが、１０℃以上６０℃以下、５秒以上２０００秒以下が好ましい。
【０２２７】
ＰＶＡフィルムの染色工程は、特開２００２−８６５５４号公報に記載の方法を用いることができる。また染色方法としては、浸漬だけでなく、ヨウ素又は染料溶液の塗布又は噴霧等、任意の手段が可能である。また、特開２００２−２９００２５号公報に記載されているように、ヨウ素の濃度、染色浴温度、浴中の延伸倍率、及び浴中の浴液を撹拌させながら染色させる方法を用いてもよい。
【０２２８】
二色性分子として高次のヨウ素イオンを用いる場合、高コントラストな偏光板を得るためには、染色工程はヨウ素をヨウ化カリウム水溶液に溶解した液を用いることが好ましい。この場合のヨウ素−ヨウ化カリウム水溶液のヨウ素は、０．０５〜２０ｇ／Ｌ、さらには０．５〜２ｇ／Ｌ；ヨウ化カリウムは３〜２００ｇ／Ｌ、さらには３０〜１２０ｇ／Ｌ；ヨウ素：ヨウ化カリウムの質量比は１：１〜２０００、さらには１：３０〜１２０が好ましい範囲である。染色時間は１０〜１２００秒、さらには３０〜６００秒が好ましく、液温度は１０〜６０℃、さらには２０〜５０℃が好ましい。
【０２２９】
また、特許第３１４５７４７号公報に記載されているように、染色液にホウ酸、ホウ砂等のホウ素系化合物を添加してもよい。
【０２３０】
ＰＶＡフィルムの硬膜工程は、ＰＶＡフィルムを架橋剤溶液に浸漬、又は該フィルムに架橋剤溶液を塗布して架橋剤を含ませるのが好ましい。また、特開平１１−５２１３０号公報に記載されているように、硬膜工程を数回に分けて行うこともできる。
【０２３１】
架橋剤としては米国再発行特許第２３２８９７号明細書に記載のものが使用でき、特許
第３３５７１０９号公報に記載されているように、寸法安定性を向上させるため、架橋剤として多価アルデヒドを使用することもできるが、ホウ酸類が最も好ましく用いられる。硬膜工程に用いる架橋剤としてホウ酸を用いる場合には、ホウ酸−ヨウ化カリウム水溶液に金属イオンを添加してもよい。金属イオンとしては塩化亜鉛が好ましいが、特開２０００−３５５１２号公報に記載されているように、塩化亜鉛の代わりに、ヨウ化亜鉛などのハロゲン化亜鉛、硫酸亜鉛、酢酸亜鉛などの亜鉛塩を用いることもできる。
【０２３２】
本発明では、塩化亜鉛を添加したホウ酸−ヨウ化カリウム水溶液を作製し、ＰＶＡフィルムを浸漬して硬膜を行うことが好ましく行われる。ホウ酸は１〜１００ｇ／Ｌ、さらには１０〜８０ｇ／Ｌ；ヨウ化カリウムは１〜１２０ｇ／Ｌ、さらには５〜１００ｇ／Ｌ；塩化亜鉛は０．０１〜１０ｇ／Ｌ、さらには０．０２〜８ｇ／Ｌ；硬膜時間は１０〜１２００秒、さらには３０〜６００秒；液温度は１０〜６０℃、さらには２０〜５０℃が好ましい。
【０２３３】
ＰＶＡフィルムの延伸工程は、米国特許２４５４５１５号明細書などに記載されているような、縦一軸延伸方式、又は特開２００２−８６５５４号公報に記載されているようなテンター方式を好ましく用いることができる。好ましい延伸倍率は２倍以上１２倍以下であり、さらに好ましくは３倍以上１０倍以下である。また延伸倍率と原反厚さと偏光子厚さの関係は、特開２００２−０４０２５６号公報に記載されている：
（保護フィルム貼合後の偏光子膜厚／原反膜厚）×（全延伸倍率）＞０．１７
としたり、最終浴を出た時の偏光子の幅と保護フィルム貼合時の偏光子幅の関係を特開２００２−０４０２４７号公報に記載されている：
０．８０≦（保護フィルム貼合時の偏光子幅／最終浴を出た時の偏光子の幅）≦０．９５
としたりすることも好ましく行うことができる。
【０２３４】
ＰＶＡフィルムの乾燥工程は、特開２００２−８６５５４号公報で公知の方法を使用できるが、好ましい温度範囲は３０℃〜１００℃であり、好ましい乾燥時間は３０秒〜６０分である。また、特許第３１４８５１３号公報に記載されているように、水中退色温度を５０℃以上とするような熱処理を行ったり、特開平０７−３２５２１５号公報や特開平０７−３２５２１８号公報に記載されているように、温湿度管理した雰囲気でエージングしたりすることも好ましく採用することができる。
【０２３５】
保護フィルム貼り合わせ工程は、乾燥工程を出た前述の偏光子の両面を、２枚の保護フィルムで貼合する工程である。貼合直前に接着液を供給し、偏光子と保護フィルムを重ね合わせるように、一対のロールで貼り合わせる方法が好ましく使用される。また、特開２００１−２９６４２６号公報及び特開２００２−８６５５４号公報に記載されているように、偏光子の延伸に起因するレコードの溝状の凹凸を抑制するため、貼り合わせ時の偏光子の水分率を調整することが好ましい。本発明では０．１〜３０質量％の水分率が好ましく用いられる。
【０２３６】
偏光子と保護フィルムとの接着剤は、特に限定されないが、ＰＶＡ系樹脂（アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等の変性ＰＶＡを含む）やホウ素化合物水溶液等が挙げられ、中でもＰＶＡ系樹脂が好ましい。接着剤層厚みは、乾燥後に０．０１〜５μｍが好ましく、０．０５〜３μｍが特に好ましい。
【０２３７】
また、偏光子と保護フィルムの接着力を向上させるために、保護フィルムを表面処理して、親水化してから接着することが好ましく行われる。表面処理の方法には、特に制限は無いが、アルカリ溶液を用いて鹸化する方法、コロナ処理法など公知の方法を用いることができる。さらに表面処理後にゼラチン下塗層等の易接着層を設けてもよい。特開２００
２−２６７８３９号公報に記載されているように保護フィルム表面の水との接触角は５０°以下が好ましい。
【０２３８】
貼り合わせ後乾燥条件は、特開２００２−８６５５４号公報に記載の方法に従うが、好ましい温度範囲は３０℃〜１００℃であり、好ましい乾燥時間は３０秒〜６０分である。また、特開平０７−３２５２２０号公報に記載されているように温湿度管理をした雰囲気でエージングすることも好ましい。
【０２３９】
偏光子中の元素含有量は、ヨウ素０．１〜３．０ｇ／ｍ2、ホウ素０．１〜５．０ｇ／ｍ2、カリウム０．１〜２．００ｇ／ｍ2、亜鉛０〜２．００ｇ／ｍ2であることが好ましい。また、カリウム含有量は特開２００１−１６６１４３号公報に記載されているように０．２質量％以下であってもよいし、偏光子中の亜鉛含有量を特開２０００−０３５５１２号公報に記載されている０．０４〜０．５質量％としてもよい。
【０２４０】
特許第３３２３２５５号公報に記載されているように、偏光板の寸法安定性をあげるために、染色工程、延伸工程及び硬膜工程のいずれかの工程において、有機チタン化合物及び／又は有機ジルコニウム化合物を添加使用し、有機チタン化合物及び有機ジルコニウム化合物から選ばれた、少なくとも一種の化合物を含有することもできる。また、偏光板の色相を調整するために二色性染料を添加してもよい。
【０２４１】
〔偏光板の特性〕
（１）透過率及び偏光度
本発明の偏光板の、下記数式（１０）で定義される好ましい単板透過率は、４２．５％以上４９．５％以下であるが、さらに好ましくは４２．８％以上４９．０％以下である。下記数式（１１）で定義される偏光度の好ましい範囲は、９９．９００％以上９９．９９９％以下であり、さらに好ましくは９９．９４０％以上９９．９９５％以下である。平行透過率の好ましい範囲は３６％以上４２％以下であり、直交透過率の好ましい範囲は、０．００１％以上０．０５％以下である。下記数式（１２）で定義される二色性比の好ましい範囲は４８以上、１２１５以下であるが、さらに好ましくは５３以上５２５以下である。
【０２４２】
上記の透過率は、ＪＩＳ  Ｚ−８７０１に基づいて、下記数式（１０）により定義される。
数式（１０）：
【０２４３】
【数２】
2006235483.tif 000037
【０２４４】
ここで、Ｋ、Ｓ（λ）、ｙ（λ）、τ（λ）は以下の通りである。
【０２４５】
【数３】
2006235483.tif 000038
【０２４６】
Ｓ（λ）：色の表示に用いる標準光の分光分布
ｙ（λ）：ＸＹＺ表色系（ＣＩＥ１９３１表色系）における等色関数
τ（λ）：分光透過率
【０２４７】
数式（１１）：
【０２４８】
【数４】
2006235483.tif 000039
【０２４９】
数式（１２）：
【０２５０】
【数５】
2006235483.tif 000040
【０２５１】
ヨウ素濃度と単板透過率は、特開２００２−２５８０５１号公報に記載されている範囲であってもよい。
【０２５２】
平行透過率は、特開２００１−０８３３２８号公報や特開２００２−０２２９５０号公報に記載されているように波長依存性が小さくてもよい。偏光板をクロスニコルに配置した場合の光学特性は、特開２００１−０９１７３６号公報に記載されている範囲であってもよく、平行透過率と直交透過率の関係は、特開２００２−１７４７２８号公報に記載されている範囲内であってもよい。
【０２５３】
特開２００２−２２１６１８号公報に記載されているように、光の波長が４２０〜７００ｎｍの間での、１０ｎｍ毎の平行透過率の標準偏差が３以下で、且つ、光の波長が４２０〜７００ｎｍの間での１０ｎｍ毎の（平行透過率／直交透過率）の最小値が３００以上であってもよい。
【０２５４】
偏光板の、波長４４０ｎｍにおける平行透過率と直交透過率、平行透過率、波長５５０ｎｍにおける平行透過率と直交透過率、波長６１０ｎｍにおける平行透過率と直交透過率が、特開２００２−２５８０４２号公報や特開２００２−２５８０４３号公報に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
【０２５５】
（２）色相
本発明の偏光板の色相は、ＣＩＥ均等知覚空間として推奨されているＬ*ａ*ｂ*表色系において、明度指数Ｌ*及びクロマティクネス指数ａ*とｂ*を用いて好ましく評価される。
Ｌ*、ａ*、ｂ*は、前記表ＸＹＺ色系におけるＸ、Ｙ、Ｚを用いて数式（１３）で定義される。
数式（１３）：
【０２５６】
【数６】
2006235483.tif 000041
【０２５７】
ここでＸ0、Ｙ0、Ｚ0は照明光源の三刺激値を表し、標準光Ｃの場合、Ｘ0＝９８．０７２、Ｙ0＝１００、Ｚ0＝１１８．２２５であり、標準光Ｄ65の場合、Ｘ0＝９５．０４５、Ｙ0＝１００、Ｚ0＝１０８．８９２である。
【０２５８】
偏光板単枚の好ましいａ*の範囲は−２．５以上０．２以下であり、さらに好ましくは−２．０以上０以下である。偏光板単枚の好ましいｂ*の範囲は１．５以上５以下であり、さらに好ましくは２以上４．５以下である。２枚の偏光板の平行透過光のａ*の好ましい範囲は−４．０以上０以下であり、さらに好ましくは−３．５以上−０．５以下である。２枚の偏光板の平行透過光のｂ*の好ましい範囲は２．０以上８以下であり、さらに好ましくは２．５以上７以下である。２枚の偏光板の直交透過光のａ*の好ましい範囲は−０．５以上１．０以下であり、さらに好ましくは０以上２以下である。２枚の偏光板の直交透過光のｂ*の好ましい範囲は−２．０以上２以下であり、さらに好ましくは−１．５以上０．５以下である。
【０２５９】
色相は、前記Ｘ、Ｙ、Ｚから算出される色度座標（ｘ，ｙ）で評価してもよく、例えば、２枚の偏光板の平行透過光の色度（ｘp、ｙp）と直交透過光の色度（ｘc、ｙc）は、特開２００２−２１４４３６号公報、特開２００１−１６６１３６号公報及び特開２００２−１６９０２４号公報に記載されている範囲にしたり、色相と吸光度の関係を特開２００
１−３１１８２７号公報に記載されている範囲内にしたりすることも好ましく行うことができる。
【０２６０】
（３）視野角特性
偏光板をクロスニコルに配置して波長５５０ｎｍの光を入射させる時、垂直光を入射させた場合と、偏光軸に対して４５゜の方位から法線に対し４０゜の角度で入射させた場合の、透過率比やｘｙ色度差を特開２００１−１６６１３５号公報や特開２００１−１６６１３７号公報に記載された範囲とすることも好ましい。また特開平１０−０６８８１７号公報に記載されているように、クロスニコル配置した偏光板積層体の、垂直方向の光透過率（Ｔ0）と、積層体の法線から６０°傾斜方向の光透過率（Ｔ60）との比（Ｔ60／Ｔ0）を１００００以下としたり、特開２００２−１３９６２５号公報に記載されているように、偏光板に法線から仰角８０゜までの任意な角度で自然光を入射させた場合に、その透過スペクトルの５２０〜６４０ｎｍの波長範囲について、波長域２０ｎｍ以内における透過光の透過率差を６％以下としたり、特開平０８−２４８２０１号公報に記載されている、フィルム上の任意の１ｃｍ離れた場所における透過光の輝度差が３０％以内とすることも好ましい。
【０２６１】
（４）耐久性
（４−１）湿熱耐久性
６０℃、９０％ＲＨの雰囲気に５００時間放置した場合の、その前後における光透過率及び偏光度の変化率が、絶対値に基づいて３％以下であることが好ましい。特に光透過率の変化率は２％以下、また、偏光度の変化率は絶対値に基づいて１．０％以下、更には０．１％以下であることが好ましい。また特開平０７−０７７６０８号公報に記載されているように、８０℃、９０％ＲＨで５００時間放置後の偏光度が９５％以上、単体透過率が３８％以上であることも好ましい。
【０２６２】
（４−２）ドライ耐久性
８０℃、ドライ雰囲気下に５００時間放置した場合の、その前後における光透過率及び偏光度の変化率が、絶対値に基づいて３％以下であることもまた好ましい。特に光透過率の変化率は２％以下、また偏光度の変化率は、絶対値に基づいて１．０％以下、更には０．１％以下であることが好ましい。
【０２６３】
（４−３）その他の耐久性
さらに、特開平０６−１６７６１１号公報に記載されているように、８０℃で２時間放置した後の収縮率が０．５％以下としたり、ガラス板の両面にクロスニコル配置した偏光板積層体を、６９℃の雰囲気中で７５０時間放置した後のｘ値及びｙ値が、特開平１０−０６８８１８号公報に記載されている範囲内としたり、８０℃、９０％ＲＨの雰囲気中で２００時間放置処理後の、ラマン分光法による１０５ｃｍ-1及び１５７ｃｍ-1のスペクトル強度比の変化を、特開平０８−０９４８３４号公報や特開平０９−１９７１２７号公報に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
【０２６４】
（５）配向度
ＰＶＡの配向度は高い程良好な偏光性能が得られるが、偏光ラマン散乱や偏光ＦＴ−ＩＲ等の手段によって算出されるオーダーパラメーター値として０．２〜１．０が好ましい範囲である。また、特開昭５９−１３３５０９号公報に記載されているように、偏光子の全非晶領域の高分子セグメントの配向係数と占領分子の配向係数（０．７５以上）との差を少なくとも０．１５としたり、特開平０４−２０４９０７号公報に記載されているように、偏光子の非晶領域の配向係数が０．６５〜０．８５としたり、Ｉ3-やＩ5-の高次ヨウ素イオンの配向度を、オーダーパラメーター値として０．８〜１．０とすることも好ましく行うことができる。
【０２６５】
（６）その他の特性
特開２００２−００６１３３号公報に記載されているように、８０℃、３０分加熱したときの、単位幅当たりの吸収軸方向の収縮力が４．０Ｎ／ｃｍ以下としたり、特開２００２−２３６２１３号公報に記載されているように、偏光板を７０℃の加熱条件下に１２０時間置いた場合に、偏光板の吸収軸方向の寸法変化率及び偏光軸方向の寸法変化率を、共に±０．６％以内としたり、特開２００２−０９０５４６号公報に記載されているように偏光板の水分率を３質量％以下とすることも好ましく行うことができる。さらに、特開２０００−２４９８３２号公報に記載されているように、延伸軸に垂直な方向の表面粗さが中心線平均粗さに基づいて０．０４μｍ以下としたり、特開平１０−２６８２９４号公報に記載されているように、透過軸方向の屈折率ｎ0を１．６より大きくしたり、偏光板の厚みと保護フィルムの厚みの関係を特開平１０−１１１４１１号公報に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
【０２６６】
〔偏光板の機能化〕
本発明の偏光板は、ＬＣＤの視野角拡大フィルム、反射型ＬＣＤに適用するためのλ／４板等の位相差フィルム、ディスプレイの視認性向上のための反射防止フィルム、輝度向上フィルムや、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層等の機能層を有する光学フィルムと複合した機能化偏光板として好ましく使用される。
【０２６７】
本発明の偏光板と、上記の機能性光学フィルムを複合した構成例を図１に示した。
偏光板５の片側の保護フィルムとして、機能性光学フィルム３を偏光子２に粘着層を介して接着してもよいし｛図１（Ａ）｝、偏光子２の両面に保護フィルム１ａ、１ｂを設けた偏光板５に、粘着層４を介して機能性光学フィルム３を接着してもよい｛図１（Ｂ）｝。前者の場合、もう一方の保護フィルム１には任意の透明保護フィルムを使用してもよい。また本発明の偏光板においては、保護フィルムに光学機能層を、粘着層を介して貼り合わせ、機能性光学フィルム３として、図１（Ａ）の構成とすることも好ましい。機能層や保護フィルム等の各層間の剥離強度は、特開２００２−３１１２３８号公報に記載されている４．０Ｎ／２５ｍｍ以上とすることも好ましい。機能性光学フィルムは、目的とする機能に応じて、液晶モジュール側に配置したり、液晶モジュールとは反対側、すなわち表示側又はバックライト側に配置したりすることが好ましく実施できる。
【０２６８】
以下に本発明の偏光板と複合して使用される機能性光学フィルムについて説明する。
【０２６９】
（１）視野角拡大フィルム
本発明の偏光板は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ
Ｂｅｎｄ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）のような表示モードに提案されている視野角拡大フィルムと組み合わせて使用することができる。
【０２７０】
ＴＮモード用の視野角拡大フィルムとしては、「日本印刷学会誌」第３６巻第３号（１９９９年）ｐ．４０〜４４、「月刊ディスプレイ」８月号（２００２年）ｐ．２０〜２４、特開平４−２２９８２８号公報、特開平６−７５１１５号公報、特開平６−２１４１１６号公報、特開平８−５０２０６号公報等に記載された「ＷＶフィルム」｛富士写真フイルム（株）製｝を好ましく組み合わせて使用される。
【０２７１】
ＴＮモード用の視野角拡大フィルムの好ましい構成は、本発明のセルロースアシレートフィルム上に、配向層と光学異方性層をこの順に有したものである。視野角拡大フィルムは、粘着剤を介して偏光板と貼合されて用いられてもよいが、“ＳＩＤ’００  Ｄｉｇ．
”，ｐ．５５１（２０００年）に記載されているように、前記偏光子の保護フィルムの一方をも兼ねて使用されることが薄手化の観点から特に好ましい。
【０２７２】
配向層は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログループを有する層の形成のような手段で設けることができる。さらに電場の付与、磁場の付与又は光照射により配向機能が生じる配向層も知られているが、ポリマーのラビング処理により形成する配向層が特に好ましい。ラビング処理はポリマー層の表面を紙や布で一定方向に数回こすることにより好ましく実施される。偏光子の吸収軸方向とラビング方向は実質的に平行であることが好ましい。配向層に使用するポリマーの種類は、ポリイミド、ポリビニルアルコール、特開平９−１５２５０９号公報に記載された重合性基を有するポリマー等を好ましく使用することができる。配向層の厚さは０．０１〜５μｍであることが好ましく、０．０５〜２μｍであることがさらに好ましい。
【０２７３】
光学異方性層は液晶性化合物を含有していることが好ましい。本発明に使用される液晶性化合物は、ディスコティック化合物（ディスコティック液晶）を有していることが特に好ましい。ディスコティック液晶分子は、トリフェニレン誘導体のように円盤状のコア部を有し、そこから放射状に側鎖が伸びた構造を有している。また、経時安定性を付与するため、熱、光等で反応する基をさらに導入することも好ましく行われる。上記ディスコティック液晶の好ましい例は特開平８−５０２０６号公報に記載されている。
以下にディスコティック液晶分子の例を示す。
【０２７４】
【化３４】
2006235483.tif 000042
【０２７５】
ディスコティック液晶分子は、配向層付近ではラビング方向にプレチルト角を持ってほぼフィルム平面に平行に配向しており、反対の空気面側ではディスコティック液晶分子が面に垂直に近い形で立って配向している。ディスコティック液晶層全体としては、ハイブリッド配向を取っており、この層構造によってＴＮモードのＴＦＴ−ＬＣＤの視野角拡大を実現することができる。
【０２７６】
上記光学異方性層は、一般にディスコティック化合物及び他の化合物（更に、例えば重合性モノマー、光重合開始剤など）を、溶媒に溶解した溶液を配向層上に塗布し、乾燥し、次いでディスコティックネマチック相形成温度まで加熱した後、ＵＶ光の照射等により重合させ、さらに冷却することにより得られる。本発明に用いるディスコティック液晶性化合物のディスコティックネマチック液晶相−固相転移温度としては、７０〜３００℃が好ましく、特に７０〜１７０℃が好ましい。
【０２７７】
また、上記光学異方性層に添加するディスコティック化合物以外の化合物としては、ディスコティック化合物と相溶性を有し、液晶性ディスコティック化合物に好ましい傾斜角の変化を与えられるか、又は配向を阻害しない限り、どのような化合物も使用することができる。これらの中で、重合性モノマー（例えば、ビニル基、ビニルオキシ基、アクリロイル基及びメタクリロイル基を有する化合物）、含フッ素トリアジン化合物等の空気界面側の配向制御用添加剤、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、ヒドロキシプロピルセルロース及びセルロースアセテートブチレート等のポリマーを挙げることができる。これらの化合物は、ディスコティック化合物に対して一般に０．１〜５０質量％、好ましくは０．１〜３０質量％の添加量にて使用される。
【０２７８】
光学異方性層の厚さは、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．５〜５μｍであることがさらに好ましい。
【０２７９】
視野角拡大フィルムの好ましい態様は、透明基材フィルムとしてのセルロースアシレー
トフィルム、その上に設けられた配向層、及び該配向層上に形成されたディスコティック液晶からなる光学異方性層から構成され、且つ光学異方性層がＵＶ光照射により架橋されているものである。
【０２８０】
また上記以外にも、視野角拡大フィルムと本発明の偏光板を組み合わせる場合、例えば特開平０７−１９８９４２号公報に記載されているように、板面に対し交差する方向に光軸を有して複屈折に異方性を示す位相差板と積層したり、特開２００２−２５８０５２号公報に記載されているように、保護フィルムと光学異方性層の寸法変化率が実質的に同等となるようにしたりすることも好ましく行うことができる。また特開平１２−２５８６３２号公報に記載されているように、視野角拡大フィルムと貼合される偏光板の水分率を２．４％以下としたり、特開２００２−２６７８３９号公報に記載されているように、視野角拡大フィルム表面の水との接触角を７０°以下としたりすることも好ましく行うことができる。
【０２８１】
ＩＰＳモード液晶セル用視野角拡大フィルムは、電界無印状態の黒表示時において、基板面に平行配向した液晶分子の光学補償及び偏光板の直交透過率の視野角特性向上に用いる。ＩＰＳモードは電界無印加状態で黒表示となり、上下一対の偏光板の透過軸は直交している。しかし斜めから観察した場合は、透過軸の交差角が９０°ではなくなり、漏れ光が生じてコントラストが低下する。本発明の偏光板をＩＰＳモード液晶セルに用いる場合は、漏れ光を低下させるため特開平１０−５４９８２号公報に記載されているような、面内の位相差が０に近く、且つ厚さ方向に位相差を有する視野角拡大フィルムと好ましく組み合わせて用いられる。
【０２８２】
ＯＣＢモードの液晶セル用視野角拡大フィルムは、電界印加により液晶層中央部で垂直配向し、基板界面付近で傾斜配向した液晶層の光学補償を行い、黒表示の視野角特性を改善するために使用される。本発明の偏光板をＯＣＢモード液晶セルに用いる場合は、米国特許５８０５２５３号明細書に記載されたような円盤状の液晶性化合物を、ハイブリット配向させた視野角拡大フィルムと好ましく組み合わせて用いられる。
【０２８３】
ＶＡモードの液晶セル用視野角拡大フィルムは、電界無印加状態で液晶分子が基板面に対して垂直配向した状態の黒表示の視野角特性を改善する。このような視野角拡大フィルムしては、特許第２８６６３７２号公報に記載されているような、面内の位相差が０に近く、且つ厚さ方向に位相差を有するフィルムや、円盤状の化合物が基板に平行に配列したフィルムや、同じ正面レターデーション値を有する延伸フィルムを、遅相軸が直交になるように積層配置したフィルムや、偏光板の斜め方向の直交透過率悪化防止のため、液晶分子のような棒状化合物からなるフィルムを積層したものと好ましく組み合わせて用いられる。
【０２８４】
（２）位相差フィルム
本発明の偏光板は、位相差層を有することが好ましい。本発明における位相差層としてはλ／４板が好ましく、本発明の偏光板とλ／４板とを積層させることで、円偏光板として使用することができる。円偏光板は入射した光を円偏光に変換する機能を有しており、反射型液晶表示装置やＥＣＢモードなどの半透過型液晶表示装置、又は有機ＥＬ素子等に好ましく利用されている。
【０２８５】
本発明に用いるλ／４板は、可視光の波長の範囲においてほぼ完全な円偏光を得るため、可視光の波長の範囲において概ね波長の１／４のレターデーション（Ｒｅ）を有する位相差フィルムであることが好ましい。「可視光の波長の範囲において概ね１／４のレターデーション」とは、波長４００から７００ｎｍにおいて、長波長ほどレターデーションが大きく、波長４５０ｎｍで測定したレターデーション値（Ｒｅ450）が８０〜１２５ｎｍ
であり、且つ波長５９０ｎｍで測定したレターデーション値（Ｒｅ590）が１２０〜１６０ｎｍである関係を満足する範囲を示す。Ｒｅ590−Ｒｅ450≧５ｎｍであることがさらに好ましく、Ｒｅ590−Ｒｅ450≧１０ｎｍであることが特に好ましい。
【０２８６】
本発明で用いるλ／４板は、上記の条件を満たしていれば特に制限はないが、例えば特開平５−２７１１８号公報、特開平１０−６８８１６号公報、特開平１０−９０５２１号公報に記載された、複数のポリマーフィルムを積層したλ／４板、国際公開第００／６５３８４号パンフレット、国際公開第００／２６７０５号パンフレットに記載された、１枚のポリマーフィルムを延伸したλ／４板、特開２０００−２８４１２６号公報、特開２００２−３１７１７号公報に記載された、ポリマーフィルム上に少なくとも１層以上の光学異方性層を設けたλ／４板など公知のλ／４板を用いることができる。また、ポリマーフィルムの遅相軸の方向や光学異方性層の配向方向は液晶セルに合わせて任意の方向に配置することができる。
【０２８７】
円偏光板において、λ／４板の遅相軸と前記偏光子の透過軸は、任意の角度で交差できるが、４５゜±２０°の範囲で交差されることが好ましい。但し、λ／４板の遅相軸と上記偏光子の透過軸は上記以外の範囲で交差されても構わない。
【０２８８】
λ／４板をλ／４板及びλ／２板を積層して構成する場合は、特許第３２３６３０４号公報や特開平１０−６８８１６号公報に記載されているように、λ／４板及びλ／２板の面内の遅相軸と偏光板の透過軸とのなす角度が、実質的に７５°及び１５゜となるように貼り合わせることが好ましい。
λ／４板をλ／４板及びλ／２板を積層して構成する場合は、特許番号第３２３６３０４号公報や特開平１０−６８８１６号公報に記載されているように、λ／４板及びλ／２板の面内の遅相軸と偏光板の透過軸とがなす角度が実質的に７５°及び１５゜となるように貼り合わせることが好ましい。
【０２８９】
（３）反射防止フィルム
本発明の偏光板は反射防止フィルムと組み合わせて使用することができる。反射防止フィルムは、フッ素系ポリマー等の低屈折率素材を単層付与しただけの反射率１．５％程度のフィルム、又は薄膜の多層干渉を利用した反射率１％以下のフィルムのいずれも使用できる。
【０２９０】
本発明では、透明支持体上に、低屈折率層及び、低屈折率層より高い屈折率を有する少なくとも一層の層（すなわち、高屈折率層、中屈折率層）を積層した構成が好ましく使用される。また「日東技報」第３８巻、第１号（５月号）（２０００年）２６頁〜２８頁や、特開２００２−３０１７８３号公報などに記載された反射防止フィルムも好ましく使用できる。
【０２９１】
各層の屈折率は次ぎの関係を満足する。
高屈折率層の屈折率＞中屈折率層の屈折率＞透明支持体の屈折率＞低屈折率層の屈折率
【０２９２】
反射防止フィルムに用いる透明支持体は、前記偏光子の保護フィルムに使用する透明ポリマーフィルムを好ましく使用することができる。
【０２９３】
（低屈折率層）
低屈折率層の屈折率は１．２０〜１．５５であり、好ましくは１．３０〜１．５０である。低屈折率層は、耐擦傷性、防汚性を有する最外層として使用することが好ましい。耐擦傷性向上のため、シリコーン基や、フッ素の含有する素材を用い表面への滑り性付与することも好ましく行われる。
【０２９４】
含フッ素化合物としては、例えば、特開平９−２２２５０３号公報段落番号［００１８］〜［００２６］、同１１−３８２０２号公報段落番号［００１９］〜［００３０］、特開２００１−４０２８４号公報段落番号［００２７］〜［００２８］、特開２０００−２８４１０２号公報等に記載の化合物を好ましく使用することができる。
【０２９５】
含シリコーン化合物はポリシロキサン構造を有する化合物が好ましいが、反応性シリコーン［例えば、「サイラプレーン」｛チッソ（株）製｝］や両末端にシラノール基含有のポリシロキサン（特開平１１−２５８４０３号公報）等を使用することもできる。シランカップリング剤等の、有機金属化合物と特定のフッ素含有炭化水素基含有のシランカップリング剤とを、触媒共存下に縮合反応で硬化させてもよい（特開昭５８−１４２９５８号公報、同５８−１４７４８３号公報、同５８−１４７４８４号公報、特開平９−１５７５８２号公報、同１１−１０６７０４号公報、特開２０００−１１７９０２号公報、同２００１−４８５９０号公報、同２００２−５３８０４号公報記載の化合物等）。
【０２９６】
低屈折率層には、上記以外の添加剤として、充填剤（例えば、二酸化珪素（シリカ）、含フッ素粒子（フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム）等の、一次粒子平均径が１〜１５０ｎｍの低屈折率無機化合物（特開平１１−３８２０号公報の段落番号［００２０］〜［００３８］に記載の有機微粒子等）、シランカップリング剤、滑り剤、界面活性剤等を含有させることも好ましく行うことができる。
【０２９７】
低屈折率層は、気相法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等）により形成されてもよいが、安価に製造できる点で、塗布法で形成することが好ましい。塗布法としては、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート、マイクログラビア法を好ましく使用することができる。
【０２９８】
低屈折率層の膜厚は、３０〜２００ｎｍであることが好ましく、５０〜１５０ｎｍであることがさらに好ましく、６０〜１２０ｎｍであることが最も好ましい。
【０２９９】
（中屈折率層及び高屈折率層）
中屈折率層及び高屈折率層は、平均粒径１００ｎｍ以下の高屈折率の無機化合物超微粒子を、マトリックス用材料に分散した構成とすることが好ましい。高屈折率の無機化合物微粒子としては、屈折率１．６５以上の無機化合物、例えば、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｌａ、Ｉｎ等の酸化物、これらの金属原子を含む複合酸化物等を好ましく使用できる。
【０３００】
このような超微粒子は、粒子表面を表面処理剤で処理したり（シランカップリング剤等：特開平１１−２９５５０３号公報、同１１−１５３７０３号公報、特開２０００−９９０８号公報、アニオン性化合物又は有機金属カップリング剤：特開２００１−３１０４３２号公報等）、高屈折率粒子をコアとしたコアシェル構造としたり（特開２００１−１６６１０４号公報等）、特定の分散剤を併用したりする（例えば、特開平１１−１５３７０３号公報、米国特許第６２１０８５８号明細書、特開２００２−２７７６０６９号公報等）等の態様で使用することができる。
【０３０１】
マトリックス用材料としては、従来公知の熱可塑性樹脂、硬化性樹脂皮膜等を使用できるが、特開２０００−４７００４号公報、同２００１−３１５２４２号公報、同２００１−３１８７１号公報、同２００１−２９６４０１号公報等に記載の多官能性材料や、特開２００１−２９３８１８号公報等に記載の金属アルコキシド組成物から得られる硬化性膜を使用することもできる。
【０３０２】
高屈折率層の屈折率は、１．７０〜２．２０であることが好ましい。高屈折率層の厚さは、５ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍであることがさらに好ましい。
【０３０３】
中屈折率層の屈折率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との間の値となるように調整する。中屈折率層の屈折率は、１．５０〜１．７０であることが好ましい。
【０３０４】
反射防止フィルムのヘイズは、５％以下あることが好ましく、３％以下がさらに好ましい。また膜の硬度は、ＪＩＳ  Ｋ−５４００に従う鉛筆硬度試験でＨ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。
【０３０５】
（４）輝度向上フィルム
本発明の偏光板は、輝度向上フィルムと組み合わせて使用することができる。輝度向上フィルムは、円偏光又は直線偏光の分離機能を有しており、偏光板とバックライトの間に配置され、一方の円偏光又は直線偏光をバックライト側に後方反射又は後方散乱する。バックライト部からの再反射光は、部分的に偏光状態を変化させ、輝度向上フィルム及び偏光板に再入射する際、部分的に透過するため、この過程を繰り返すことにより光利用率が向上し、正面輝度が１．４倍程度に向上する。輝度向上フィルムとしては、異方性反射方式及び異方性散乱方式が知られており、いずれも本発明の偏光板と組み合わせることができる。
【０３０６】
異方性反射方式では、一軸延伸フィルムと未延伸フィルムを多重に積層して、延伸方向の屈折率差を大きくすることにより、反射率及び透過率の異方性を有する輝度向上フィルムが知られており、誘電体ミラーの原理を用いた多層膜方式（国際公開第９５／１７６９１号、同第９５／１７６９２号、同第９５／１７６９９号の各パンフレット記載）や、コレステリック液晶方式（欧州特許第６０６９４０Ａ２号明細書、特開平８−２７１７３１号公報記載）が知られている。誘電体ミラーの原理を用いた多層方式の輝度向上フィルムとしては、“ＤＢＥＦ−Ｅ”、“ＤＢＥＦ−Ｄ”、“ＤＢＥＦ−Ｍ”（いずれも３Ｍ社製）、コレステリック液晶方式の輝度向上フィルムとしては、“ＮＩＰＯＣＳ”｛日東電工（株）製｝が本発明で好ましく使用される。“ＮＩＰＯＣＳ”については「日東技報」第３８巻、第１号（５月号）、２０００年、１９頁〜２１頁などを参考にすることができる。
【０３０７】
また、本発明では国際公開第９７／３２２２３号、同第９７／３２２２４号、同第９７／３２２２５号、同第９７／３２２２６号の各パンフレット及び特開平９−２７４１０８号、同１１−１７４２３１号の各公報に記載された、正の固有複屈折性ポリマーと負の固有複屈折性ポリマーをブレンドして一軸延伸した、異方性散乱方式の輝度向上フィルムと、組み合わせて使用することも好ましい。異方性散乱方式輝度向上フィルムとしては、“ＤＲＰＦ−Ｈ”（３Ｍ社製）が好ましい。
【０３０８】
本発明の偏光板と輝度向上フィルムは、粘着剤を介して貼合された形態、もしくは偏光板の保護フィルムの一方を輝度向上フィルムとした一体型として使用することが好ましい。
【０３０９】
（５）他の機能性光学フィルム
本発明の偏光板は、さらに、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層、ガスバリア層、滑り層、帯電防止層、下塗層や保護層等を設けた機能性光学フィルムと組み合わせて使用することも好ましい。また、これらの機能層は、前記の反射防止フィルムにおける反射防止層、又は視野角補償フィルムにおける光学異方性層等と、同一層内で相
互に複合して使用することも好ましい。これらの機能層は、これら反射防止フィルム又は視野角補償フィルム等の、偏光子側又は偏光子と反対面（より空気側の面）のどちらか片面、又は両面に設けて使用することができる。
【０３１０】
（５−１）ハードコート層
本発明の偏光板は、耐擦傷性等の力学的強度を付与するため、ハードコート層を透明支持体の表面に設けた機能性光学フィルムと組み合わせることが好ましく行われる。ハードコート層を、前記の反射防止フィルムに適用して用いる場合は、特に透明支持体と高屈折率層の間に設けることが好ましい。
【０３１１】
ハードコート層は、光及び／もしくは熱による硬化性化合物の架橋反応、又は重合反応により形成されることが好ましい。硬化性官能基としては、光重合性官能基が好ましく、また加水分解性官能基含有の有機金属化合物は、有機アルコキシシリル化合物が好ましい。ハードコート層の具体的な構成組成物としては、例えば、特開２００２−１４４９１３号公報、同２０００−９９０８号公報、国際公開第００／４６６１７号パンフレット等記載のものを好ましく使用することができる。
【０３１２】
ハードコート層の膜厚は、０．２〜１００μｍであることが好ましい。
ハードコート層の硬度は、ＪＩＳ  Ｋ−５４００に従う鉛筆硬度試験で、Ｈ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。またＪＩＳ  Ｋ−５４００に従うテーバー試験で、試験前後の試験片の摩耗量が少ないほど好ましい。
【０３１３】
ハードコート層を形成する材料は、エチレン性不飽和基を含む化合物、開環重合性基を含む化合物を用いることができ、これらの化合物は単独又は組み合わせて用いることができる。エチレン性不飽和基を含む化合物の好ましい例としては、エチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等のポリオールのポリアクリレート類；ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのジアクリレート、ヘキサンジオールジグリシジルエーテルのジアクリレート等のエポキシアクリレート類；ポリイソシナネートとヒドロキシエチルアクリレート等の水酸基含有アクリレートの反応によって得られるウレタンアクリレート等を好ましい化合物として挙げることができる。
【０３１４】
また市販の化合物としては、“ＥＢ−６００”、“ＥＢ−４０”、“ＥＢ−１４０”、“ＥＢ−１１５０”、“ＥＢ−１２９０Ｋ”、“ＩＲＲ２１４”、“ＥＢ−２２２０”、“ＴＭＰＴＡ”、“ＴＭＰＴＭＡ”｛以上、ダイセル・ユーシービー（株）製｝、“ＵＶ−６３００”、“ＵＶ−１７００Ｂ”｛以上、日本合成化学工業（株）製｝等が挙げられる。
【０３１５】
また、開環重合性基を含む化合物の好ましい例としては、グリシジルエーテル類としてエチレングリコールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセロールトリグリシジルエーテル、トリグリシジルトリスヒドロキシエチルイソシアヌレート、ソルビトールテトラグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のポリグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のポリグリシジルエーテルなど；脂環式エポキシ類として、「セロキサイド２０２１Ｐ」、「セロキサイド２０８１」、「エポリードＧＴ−３０１」、「エポリードＧＴ−４０１」、“ＥＨＰＥ３１５０ＣＥ”｛以上、ダイセル化学工業（株）製｝、フ
ェノールノボラック樹脂のポリシクロヘキシルエポキシメチルエーテルなど；オキセタン類として、“ＯＸＴ−１２１”、“ＯＸＴ−２２１”、“ＯＸ−ＳＱ”、“ＰＮＯＸ−１００９”｛以上、東亞合成（株）製｝などが挙げられる。その他に、グリシジル（メタ）アクリレートの重合体又はグリシジル（メタ）アクリレートと、それらと共重合できるモノマーとの共重合体をハードコート層に使用することもできる。
【０３１６】
ハードコート層には、ハードコート層の硬化収縮の低減、基材との密着性の向上、本発明の偏光板のカールを低減するため、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム等の酸化物微粒子やポリエチレン、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル酸エステル類、ポリジメチルシロキサン等の架橋粒子、ＳＢＲ、ＮＢＲなどの架橋ゴム微粒子等の有機微粒子等の架橋微粒子を添加することも好ましく行われる。これらの架橋微粒子の平均粒径は、１ｎｍ〜２００００ｎｍであることが好ましい。また、架橋微粒子の形状は、球状、棒状、針状、板状など特に制限無く使用できる。微粒子の添加量は硬化後のハードコート層の６０体積％以下であることが好ましく、４０体積％以下がより好ましい。
【０３１７】
上記で記載した無機微粒子を添加する場合、これらの無機微粒子は、一般にバインダーポリマーとの親和性が悪いため、これら無機微粒子を、ケイ素、アルミニウム、チタニウム等の金属を含有し、且つアルコキシド基、カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基等の官能基を有する表面処理剤を用いて表面処理することも好ましく行われる。
【０３１８】
ハードコート層は、熱又は活性エネルギー線を用いて硬化することが好ましく、その中でも放射線、ガンマー線、アルファー線、電子線、紫外線等の活性エネルギー線を用いることがより好ましく、安全性、生産性を考えると電子線、紫外線を用いることが特に好ましい。熱で硬化させる場合は、プラスチック自身の耐熱性を考えて、加熱温度は１４０℃以下が好ましく、より好ましくは１００℃以下である。
【０３１９】
（５−２）前方散乱層
前方散乱層は、本発明の偏光板を液晶表示装置に適用した際の、上下左右方向の視野角特性（色相と輝度分布）を改良するために使用される。本発明では、屈折率の異なる微粒子をバインダー分散した構成が好ましく、例えば、前方散乱係数を特定化した特開１１−３８２０８号公報、透明樹脂と微粒子の相対屈折率を特定範囲とした特開２０００−１９９８０９号公報、ヘイズ値を４０％以上と規定した特開２００２−１０７５１２号公報等の構成を使用することができる。また、本発明の偏光板をヘイズの視野角特性を制御するため、住友化学の技術レポート「光機能性フィルム」３１頁〜３９頁に記載された「ルミスティ」と組み合わせて使用することも好ましく行うことができる。
【０３２０】
（５−３）アンチグレア層
アンチグレア（防眩）層は、反射光を散乱させて映り込みを防止するために使用される。アンチグレア機能は、液晶表示装置の最表面（表示側）に凹凸を形成することにより得られる。アンチグレア機能を有する光学フィルムのヘイズは、３〜３０％であることが好ましく、５〜２０％であることがさらに好ましく、７〜２０％であることが最も好ましい。
【０３２１】
フィルム表面に凹凸を形成する方法は、例えば、微粒子を添加して膜表面に凹凸を形成する方法（例えば、特開２０００−２７１８７８号公報等）、比較的大きな粒子（粒径０．０５〜２μｍ）を少量（０．１〜５０質量％）添加して表面凹凸膜を形成する方法（例えば、特開２０００−２８１４１０号公報、同２０００−９５８９３号公報、同２００１−１００００４号公報、同２００１−２８１４０７号公報等）、フィルム表面に物理的に凹凸形状を転写する方法（例えば、エンボス加工方法として、特開昭６３−２７８８３９号公報、特開平１１−１８３７１０号公報、特開２０００−２７５４０１号公報等記載）
等を好ましく使用することができる。
【０３２２】
〔偏光板を使用する液晶表示装置〕
次に本発明の偏光板が使用される液晶表示装置について説明する。
図２は、本発明の偏光板が使用される液晶表示装置の一例である。
【０３２３】
図２に示す本発明の液晶表示装置は、液晶セル（１０〜１３）、及び該液晶セル（１０〜１３）を挟持して配置された上側偏光板６と下側偏光板１７とを有する。偏光板は偏光子及び一対の透明保護フィルムによって挟持されているが、図２中では一体化された偏光板として示し、詳細構造は省略する。液晶セルは、上側電極基板１０及び下側電極基板１３と、これらに挟持される液晶分子１２から形成される液晶層からなる。液晶セルは、ＯＮ・ＯＦＦ表示を行う液晶分子の配向状態の違いで、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ  Ｂｅｎｄ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）のような表示モードに分類されるが、本発明の偏光板は透過及び反射型によらず、いずれの表示モードにも使用できる。
【０３２４】
電極基板１０及び１３の液晶分子１２に接触する表面（以下、「内面」という場合がある）には、配向膜（図示せず）が形成されていて、配向膜上に施されたラビング処理等により、電界無印加状態もしくは低印加状態における液晶分子１２の配向が制御されている。また、基板１０及び１３の内面には、液晶分子１２からなる液晶層に電界を印加可能な透明電極（図示せず）が形成されている。
【０３２５】
ＴＮモードのラビング方向は上下基板で互いに直交する方向に施し、その強さとラビング回数などでチルト角の大きさが制御できる。配向膜はポリイミド膜を塗布後焼成して形成する。液晶層のねじれ角（ツイスト角）の大きさは、上下基板のラビング方向の交差角と液晶材料に添加するカイラル剤により決まる。ここではツイスト角が９０°になるようにするためピッチ６０μｍ程度のカイラル剤を添加する。
【０３２６】
なお、ツイスト角は、ノートパソコンやパソコンモニタ、テレビ用の液晶表示装置の場合は９０°近傍（８５から９５°）に、携帯電話などの反射型表示装置として使用する場合は０から７０°に設定する。またＩＰＳモードやＥＣＢモードでは、ツイスト角が０°となる。ＩＰＳモードでは電極が下側基板８のみに配置され、基板面に平行な電界が印加される。また、ＯＣＢモードでは、ツイスト角がなく、チルト角を大きくされ、ＶＡモードでは液晶分子１２が上下基板に垂直に配向する。
【０３２７】
ここで液晶層の厚さｄと屈折率異方性Δｎの積Δｎｄの大きさは、白表示時の明るさを変化させる。このため最大の明るさを得るために表示モード毎にその範囲を設定する。
【０３２８】
上側偏光板６の吸収軸７と下側偏光板１７の吸収軸１８の交差角は、一般に概略直交するように積層することで高コントラストが得られる。液晶セルの上側偏光板６の吸収軸７と上側基板１０のラビング方向の交差角は、液晶表示モードによってことなるが、ＴＮ、ＩＰＳモードでは一般に平行か垂直に設定する。ＯＣＢ、ＥＣＢモードでは４５°に設定することが多い。ただし、表示色の色調や視野角の調整のために各表示モードで最適値が異なり、この範囲に限定されるわけではない。
【０３２９】
本発明の偏光板が使用される液晶表示装置は、図２の構成に限定されず、他の部材を含んでいてもよい。例えば、液晶セルと偏光子との間にカラーフィルターを配置してもよい。また、液晶セルと偏光板との間に、別途、前述した視野角拡大フィルムを配置すること
もできる。偏光板６、１７と光学異方性層（視野角拡大フィルム）８、１５は粘着剤で貼合した積層形態で配置されてもよいし、液晶セル側保護フィルムの一方を視野角拡大に使用した、いわゆる一体型楕円偏光板として配置されてもよい。
【０３３０】
また、本発明の偏光板が使用される液晶表示装置を透過型として使用する場合は、冷陰極もしくは熱陰極蛍光管、又は発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置できる。また、本発明の偏光板が使用される液晶表示装置は、反射型であってもよく、かかる場合は、偏光板は観察側に１枚配置したのみでよく、液晶セル背面又は液晶セルの下側基板の内面に反射膜を設置する。もちろん前記光源を用いたフロントライトを液晶セル観察側に設けてもよい。
【実施例】
【０３３１】
以下、本発明を実施例及び合成例に基づき具体的に記載するが、本発明はこれら具体例によって何ら限定されることはない。
【０３３２】
〔レターデーション上昇剤の合成〕
合成例１：例示化合物（１０１）の合成
攪拌機、原材料添加装置、還流冷却管及び温度計を装備した反応容器に、３，４，５−トリメトキシ安息香酸２４．６ｇ（０．１１６モル）、トルエン１００ｍＬ及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．２ｇ（０．１２７モル）をゆっくりと滴下し、２時間６０℃で加熱した。その後、予め４−シアノフェノール１５．１ｇ（０．１２７モル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、６０℃で３時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、得られた固形物に、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。アセトニトリル溶液を室温まで冷却し、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．０ｇ（収率１１％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルで行った。
【０３３３】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．５０（ｂｒ，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
【０３３４】
合成例２：例示化合物（１０２）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，５−トリメトキシ安息香酸１０６．１ｇ（０．５モル）、トルエン３４０ｍＬ及びジメチルホルムアミド１ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル６５．４ｇ（０．５５モル）をゆっくりと滴下し、２時間６５〜７０℃で加熱した。その後、予め４−シアノフェノール７１．５ｇ（０．６モル）をアセトニトリル１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル（１Ｌ）、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸マグネシウムで水分を除去した後、約５００ｍＬの溶媒を減圧留去し、メタノール１Ｌを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２５．４ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルで行った。
【０３３５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９８（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．３５（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ），７．７４（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１１６℃であった。
【０３３６】
合成例３：例示化合物（１０３）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，３，４−トリメトキシ安息香酸１０．１ｇ（４７．５ミリモル）、トルエン４０ｍＬ及びジメチルホルムアミド０．５ｍＬを充填して８０℃に加熱した後、塩化チオニル６．２２ｇ（５２．３ミリモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で２時間加熱撹拌した。その後、予め４−シアノフェノール６．２ｇ（５２．３ミリモル）をアセトニトリル２０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５０ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．９ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルで行った。
【０３３７】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．５０（ｂｒ，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
【０３３８】
合成例４：例示化合物（１０４）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，６−トリメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１１８ミリモル）、トルエン１００ｍＬ及びジメチルホルムアミド１ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．４ｇ（１２９ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、予め４−シアノフェノール１５．４ｇ（１２９ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で４．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５００ｍＬ、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を１０．０ｇ（収率２７％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
【０３３９】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
【０３４０】
合成例５：例示化合物（１０５）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，３−ジメトキシ安息香酸１５．０ｇ（８２．３ミリモル）、トルエン６０ｍＬ及びジメチルホルムアミド０．５ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル１０．７（９０．５ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、予め４−シアノフェノール１０．８ｇ（９０．５ミリモル）をアセトニトリル３０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、イソプロピルアルコール９０ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２．３ｇ（収率５３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
【０３４１】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０４℃であった。
【０３４２】
合成例６：例示化合物（１０６）の合成
合成例５において、２，３−ジメトキシ安息香酸を用いる代わりに、２，４−ジメトキシ安息香酸を用いる以外は合成例５と同様の方法で、例示化合物（１０６）を合成した。
また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３４〜１３６℃であった。
【０３４３】
合成例７：例示化合物（１０７）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，５−ジメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１３７ミリモル）、トルエン１００ｍＬ及びジメチルホルムアミド１．０ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル１８．０（１５１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、予め４−シアノフェノール１８．０ｇ（１５１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、飽和食塩水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル（９／１、Ｖ／Ｖ））で精製操作を行い、白色の結晶として目的化合物を１８．８ｇ（収率４８％）得た。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
【０３４４】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は７９〜８０℃であった。
【０３４５】
合成例８：例示化合物（１０８）の合成
合成例５において、２，３−ジメトキシ安息香酸を用いる代わりに、２，６−ジメトキシ安息香酸を用いる以外は合成例５と同様の方法で、例示化合物（１０８）を合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３０〜１３１℃であった。
【０３４６】
合成例９：例示化合物（１１１）の合成
合成例２において、４−シアノフェノール７１．５ｇを用いる代わりに、４−クロロフェノール７６．９ｇを用いる以外は合成例２と同様の方法で、例示化合物（１１１）を得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルで行った。
【０３４７】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．９０（ｓ，３Ｈ），３．９４（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１５（ｄ，２Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．５６（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３２３（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２７〜１２９℃であった。
【０３４８】
合成例１０：例示化合物（１１２）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，５−トリメトキシ安息香酸４５．０ｇ（２１２ミリモル）、トルエン１８０ｍＬ及びジメチルホルムアミド１．８ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル２７．８ｇ（２３３ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２．５時間加熱撹拌した。その後、予め４−ヒドロキシ安息香酸メチル３５．４ｇ（２３３ミリモル）をジメチルホルムアミド２７ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２７０ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を６４．５ｇ（収率８８％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルにより行った。
【０３４９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．９５（ｍ，９Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５７（ｓ，１Ｈ），７．２８（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｓ，１Ｈ）８．１１（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３４７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２１〜１２３℃であった。
【０３５０】
合成例１１：例示化合物（１１３）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，５−トリメトキシ安息香酸２０．０ｇ（９４．３ミリモル）、トルエン１００ｍＬ及びジメチルホルムアミド１ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル１２．３ｇ（１０４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、予め４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をトルエン１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２５０ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．２ｇ（収率６２％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルにより行った。
【０３５１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９６（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．２６−７．７５（ｍ，１０Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３６５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３１−１３２℃であった。
【０３５２】
合成例１２：例示化合物（１１４）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，５−トリメトキシ安息香酸１２．９ｇ（６１ミリモル）、トルエン５０ｍＬ及びジメチルホルムアミド０．６ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル８．０ｇ（６７ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、予め４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をアセトニトリル２５ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．６ｇ（収率９３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
【０３５３】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３８１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は９１〜９２℃であった。
【０３５４】
合成例１３：例示化合物（１１５）の合成
合成例２において、４−シアノフェノール７１．５ｇを用いる代わりに、フェノール５６．４ｇを用いる以外は合成例２と同様の方法で例示化合物（１１５）を得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ及びマススペクトルにより行った。
【０３５５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１９−７．２７（ｍ，３Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３６５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０５〜１０８℃であった。
【０３５６】
合成例１４：例示化合物（１１６）の合成
合成例２において、４−シアノフェノール７１．５ｇを用いる代わりに、４−メトキシフェノール７４．４ｇを用いる以外は合成例２と同様の方法で例示化合物（１１６）を得ることができた。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ及びマススペクトルにより行った。
【０３５７】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．８４（ｓ，３Ｈ），３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），６．９２（ｄ，２Ｈ），７．１２（ｄ，２Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１９（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
【０３５８】
合成例１５：例示化合物（１１７）の合成
合成例２において、４−シアノフェノール７１．５ｇを用いる代わりに、４−エチルフェノール７３．３ｇを用いる以外は合成例２と同様の方法で例示化合物（１１７）を得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は７０〜７１℃であった。
【０３５９】
合成例１６：例示化合物（１２４）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、４−エトキシ安息香酸２７．３ｇ（１６４ミリモル）、トルエン１０８ｍＬ及びジメチルホルムアミド１ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．５ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、予め４−エトキシフェノール２５．０ｇ（１８１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を３０．６ｇ（収率６５％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルにより行った。
【０３６０】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ１．４８−１．５９（ｍ，６Ｈ），４．０５（ｑ，２Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１１３〜１１４℃であった。
【０３６１】
合成例１７：例示化合物（１２５）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、４−エトキシ安息香酸２４．７ｇ（１４９ミリモル）、トルエン１００ｍＬ及びジメチルホルムアミド１ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル１９．５ｇ（１６４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、予め４−プロポキシフェノール２５．０ｇ（１６５ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、得られた固体にメタノール１００ｍＬを加えて再結晶操作を行い、得られた結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を３３．９ｇ（収率７６％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルにより行った。
【０３６２】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ１．０４（ｔ，３Ｈ），１．４５（ｔ，３Ｈ），１．８２（ｑ，２Ｈ），３．９３（ｑ，２Ｈ），４．０４（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３０１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０７℃であった。
【０３６３】
合成例１８：例示化合物（１２７）の合成
合成例１６において、４−エトキシ安息香酸２７．３ｇを用いる代わりに、４−プロポキシ安息香酸２９．５ｇを用いる以外は合成例１６と同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３０１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は８８〜８９℃であった。
【０３６４】
合成例１９：例示化合物（１２８）の合成
合成例１７において、４−エトキシ安息香酸２４．７ｇを用いる代わりに、４−プロポキシ安息香酸２６．８ｇを用いる以外は合成例１７と同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は９２℃であった。
【０３６５】
合成例２０：例示化合物（１４０）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４−ジメトキシ安息香酸２０．０ｇ（１０９ミリモル）、トルエン８０ｍＬ及びジメチルホルムアミド０．８ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル１４．４ｇ（１２１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、予め４−フェニルフェノール２０．５ｇ（１２１ミリモル）をジメチルホルムアミド５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を３１．７ｇ（収率８６％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３３５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１６１〜１６２℃であった。
【０３６６】
合成例２１：例示化合物（１４２）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４−ジメトキシ安息香酸３０．０ｇ（１６５ミリモル）、トルエン１２０ｍＬ及びジメチルホルムアミド１．２ｍＬを充填して６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．６ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、予め４−フヒドロキシ安息香酸メチル２７．６ｇ（１８１ミリモル）をジメチルホルムアミド４０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１４０ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を２４．４ｇ（収率４７％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルにより行った。
【０３６７】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．９２（ｍ，９Ｈ），６．５６（ｍ，２Ｈ），７．２７（ｍ，２Ｈ），８．０９（ｍ，３Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２２〜１２３℃であった。
【０３６８】
合成例２２：例示化合物（２０１）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，５−トリメトキシ安息香酸４０.１ｇ（１８９ミリモル）、４、４’−ジヒドロキシビフェニル１６．７５ｇ（９０ミリモル）、トルエン２００ｍＬ及びジメチルホルムアミド２ｍＬを充填して７０℃に加熱した後、塩化チオニル２３．６ｇ（１９８ミリモル）をゆっくりと滴下し、７０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール３００ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を４８．４ｇ（収率９４％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
【０３６９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．９３（ｓ，６Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ），３．９９（ｓ，６Ｈ），６．５８（ｓ，２Ｈ），７．２８（ｄ，４Ｈ），７．６２（ｍ，６Ｈ）得られた化合物の融点は２２７〜２２９℃であった。
【０３７０】
合成例２３：例示化合物（２０２）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，５−トリメトキシ安息香酸３４ｇ（１６０ミリモル）、４、４’−ジヒドロキシ−３−フルオロビフェニル１５ｇ（７３ミリモル）、トルエン１１０ｍＬ及びジメチルホルムアミド１．６ｍＬを充填して７０℃に加熱した後、塩化チオニル２０．９ｇ（１７６ミリモル）をゆっくりと滴下し、７０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール３００ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を３７ｇ（収率８６％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
【０３７１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．９３（ｓ，６Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ），４．００（ｓ，６Ｈ），６．５９（ｓ，２Ｈ），７．２６−７．４５（ｍ，５Ｈ），７．６３（ｍ，４Ｈ）
得られた化合物の融点は１９７〜１９９℃であった。
【０３７２】
合成例２４：例示化合物（２０３）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，５−トリメトキシ安息香酸２３．３ｇ（１１０ミリモル）、４、４’−ジヒドロキシ−３−クロロビフェニル１５ｇ（５０ミリモル）、トルエン７５ｍＬ及びジメチルホルムアミド１．１ｍＬを充填して７０℃に加熱した後、塩化チオニル１４．４ｇ（１２１ミリモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２５０ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を２６ｇ（収率８５％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
【０３７３】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．９０−４．００（ｍ，１８Ｈ），６．５９（ｓ，２Ｈ），７．２６−７．７０（ｍ，９Ｈ）
得られた化合物の融点は１６８〜１７０℃であった。
【０３７４】
合成例２５：例示化合物（２０４）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，５−トリメトキシ安息香酸３０．３ｇ（１４３ミリモル）、４、４’−ジヒドロキシ−３−メチルビフェニル１５ｇ（６５ミリモル）、トルエン１００ｍＬ及びジメチルホルムアミド１．４ｍＬを充填して７０℃に加熱した後、塩化チオニル１８．７ｇ（１５７ミリモル）をゆっくりと滴下し、７０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール３００ｍＬを加え、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を２７.４ｇ（収率７２％）得た。なお化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルにより行った。
【０３７５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ２．３１（ｓ，３Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ），４．００（ｓ，６Ｈ），６．６０（ｓ，２Ｈ），７．１０（ｍ，２Ｈ），７．２７（ｍ，３Ｈ），７．４０（ｍ，２Ｈ），７．６３（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ５８９（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１８８〜１８９℃であった。
【０３７６】
合成例２６：例示化合物（２０５）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，５−トリメトキシ安息香酸５．７２ｇ（２６．９ミリモル）、ジイソプロピルエチルアミン３．５ｇ（２７ミリモル）及びテトラヒドロフラン２０ｍＬを充填して氷水で冷却した後、メタンスルホニルクロリド３．１ｇ（２７ミリモル）をゆっくりと滴下し、滴下後２時間室温で攪拌した。その後、氷水に冷却し、予めビス（４−ヒドロキシフェニル）アセチレン２．９ｇ（１３．７ミリモル）、ジイソプロピルエチルアミン３．５ｇ（２７ミリモル）をテトラヒドロフラン４０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、滴下後、室温で３時間、50℃１時間攪拌した。その
後水１６０ｍＬを添加し、得られた結晶を濾過回収し、メタノール１００ｍＬを加え、再結晶操作を行い、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を３．０ｇ（収率１９％）得た。なお化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びマススペクトルにより行った。
【０３７７】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．９３（ｓ，６Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ），３．９９（ｓ，６Ｈ）,６．５７（ｓ，２Ｈ），７．２４（ｍ，４Ｈ），７．５８（ｍ，６Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ５９９（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は２０１〜２０３℃であった。
【０３７８】
合成例２７：例示化合物（２０６）の合成
（１）２，４，５−トリメトキシ安息香酸−４−エチニルアニリドの合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、２，４，５−トリメトキシ安息香酸２１．２ｇ（１００ミリモル）、ジイソプロピルエチルアミン１２．９ｇ（１００ミリモル）及びテトラヒドロフラン１２６ｍＬを充填して氷水で冷却した後、メタンスルホニルクロリド１１．４ｇ（１００ミリモル）をゆっくりと滴下し、滴下後２時間室温で攪拌した。その後、氷水に冷却し、予め４−エチルアニリン１１．７ｇ（１００ミリモル）、ジイソプロピルエチルアミン１２．９ｇ（１００ミリモル）をテトラヒドロフラン４２ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、滴下後、室温で６時間攪拌した。その後酢酸エチル２００ｍＬを添加し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、０．５モル／Ｌ塩酸水、飽和食塩水の順で有機相を洗浄した。有機相に硫酸ナトリウムを添加し、脱水操作を行い、濾過により硫酸ナトリウムを濾別し、有機溶媒を減圧留去した。次ぎにこれにメタノール３５０ｍＬを加え、再結晶操作を行い、析出した結晶を濾過回収し、白色の結晶として目的化合物を１５．０ｇ（収率４８％）得た。
【０３７９】
（２）例示化合物（２０６）の合成
合成例１で用いたと同様の反応容器に、上記で得られた２，４，５−トリメトキシ安息香酸−４−エチニルアニリド３．１ｇ（１０ミリモル）、２，４，５−トリメトキシ安息香酸−４−ヨードフェニル４．１ｇ（１０ミリモル）、トリエチルアミン５．５６ｍＬ（４０ミルモル）及びテトラヒドロフラン１５ｍＬを充填して、窒素雰囲気下、室温で攪拌し、塩化第一銅２２．８ｍｇ（０．１２ミリモル）、トリフェニルホスフィン１３１ｍｇ（０．５ミリモル）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド７０ｍｇ（０．１ミリモル）を添加し、６０℃で３時間加熱攪拌した。その後反応液を室温まで冷却し、水２００ｍＬを添加した。得られた結晶を濾過し、メタノール１００ｍＬで再結晶操作を行い、黄白色の結晶として目的化合物を５．６ｇ（収率９４％）得た。
なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）及びにより行った。
【０３８０】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），４．０５（ｍ，９Ｈ）４．１５（ｓ，３Ｈ）６．９６（ｂｒ，２Ｈ），７．４６（ｄ，２Ｈ），７．５５（ｓ，１Ｈ）, ７．６２（ｓ，１Ｈ）,７．６９（ｄ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．９８（ｄ，２Ｈ），１０．３０（ｓ，１Ｈ）
得られた化合物の融点は２１６〜２１８℃であった。
【０３８１】
合成例２８：例示化合物（２２３）の合成
下記スキームに従い、例示化合物（２２３）を合成した。
【０３８２】
【化３５】
2006235483.tif 000043
【０３８３】
（１）中間体（Ｃ）の合成
２，４，５−トリメトキシ安息香酸３００ｇ、トルエン１２００ｍｌ、ジメチルホルム
アミド１２ｍｌを８０℃に加熱した後、塩化チオニル１１２．１ｍｌをゆっくりと４５分かけて滴下し、滴下後８０℃で１時間加熱攪拌した。その後、反応液に４‐ヒドロキシ安息香酸２１４．８ｇをジメチルホルムアミド８００ｍｌに溶解させた溶液を加え、さらに８０℃で２時間反応させた。反応後、トルエンを留去した後、室温まで冷却した。次いでメタノール２５００ｍｌを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として中間体（Ｃ）を２６３．８g（収率５６．３％）得た。
【０３８４】
（２）例示化合物（２２３）の合成
中間体（Ｃ）１０８．４ｇ、ジメチルアミノピリジン７．２４ｇ、化合物（Ｄ）３２．６７ｇ、塩化メチレン５００ｍｌを加熱還流させた後、ジシクロヘキシルカルボジイミド６７．３１gの塩化メチレン２００ｍｌ溶液をゆっくりと３０分かけて滴下し、さらに２時間加熱還流させた。その後、反応液を室温まで冷却し、析出した結晶（ジシクロヘキシルウレア）をろ別し、ろ液を減圧濃縮した。残さをメタノールにて３回再結晶を行い、白色の結晶として例示化合物（１）を９１．４２ｇ（収率７５．８％）得た。また化合物の同定は1Ｈ―ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
【０３８５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９３（ｓ，６Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ），４．００（ｓ，６Ｈ），６．６１（ｓ，２Ｈ），７．３２（ｄ，４Ｈ），７．３８（ｄ，４Ｈ），７．６１（ｓ，２Ｈ），７．６８（ｄ，４Ｈ），８．２９（ｄ，４Ｈ）
得られた化合物の融点は１９９〜２００℃であった。
【０３８６】
〔セルロースアシレートフィルムの作製〕
実施例１−１：セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ１）の作製
［セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−１）の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート原液（ＣＡＬ−１）を調製した。
【０３８７】
｛セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−１）の組成｝
セルロースアシレート                            １００．０質量部
アセチル化度２．７９
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                  ８．０質量部
ビフェニルホスフェート（可塑剤）                    ４．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                    ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                            ６０．０質量部
【０３８８】
［マット剤溶液（Ｍａ−１）の調製］
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液（Ｍａ−１）を調製した。
【０３８９】
｛マット剤溶液（Ｍａ−１）組成｝
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子                        ２．０質量部
“ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ９７２”日本アエロジル（株）製
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ７５．０質量部
メタノール（第２溶媒）                            １２．７質量部
セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−１）            １０．３質量部
【０３９０】
［レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−１）の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−１）を調製した。
【０３９１】
｛レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−１）の組成｝
レターデーション上昇剤（３０２）                  ２０．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）                              ８．７質量部
セルロースアシレート溶液原液（ＣＡＬ−１）        １２．８質量部
【０３９２】
［セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ１）の作製］
上記セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−１）９４．５質量部、マット剤溶液（Ｍａ−１）１．３質量部及びレターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−１）４．２質量部をそれぞれ濾過した後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。残留溶媒含量４３質量％で得られたフィルムをバンドから剥離し、１４０℃の雰囲気温度下、３０ｍ／分の速度でフィルムを搬送しながらテンターを用いて、延伸速度４８％／分で、１２０％まで横延伸したのち１４０℃で３０秒間保持した。延伸開始時の残留溶媒含量は２５質量％、残留溶媒のＩ／Ｏ比が０．９だった。その後、クリップを外して１３０℃で４０分間乾燥させ、セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ１）を製造した。できあがったセルロースアシレートフィルムの残留溶媒量は０．２質量％であった。
【０３９３】
実施例１−２及び１−３：セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ２）及び（ＣＡＦ３）の作製
［セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−２）及び（ＣＡＬ−３）の調製］
セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−１）の調製において、アセチル化度２．７９のセルロースアシレートを用いる代わりに、アセチル化度２．７５又はアセチル化度２．８３のセルロースアシレートをそれぞれ用いる以外は同様にして、セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−２）及び（ＣＡＬ−３）を調製した。
【０３９４】
［マット剤溶液（Ｍａ−２）及び（Ｍａ−３）の調製］
マット剤溶液（Ｍａ−１）の調製において、セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−１）を用いる代わりに、セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−２）又は（ＣＡＬ−２）をそれぞれ用いる以外は同様にして、マット剤溶液（Ｍａ−２）及び（Ｍａ−３）を調製した。
【０３９５】
［レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−２）の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−２）を調製した。
【０３９６】
｛レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−２）の組成｝
レターデーション上昇剤（１１２）                    １４．９質量部
レターデーション上昇剤（３０２）                      ２．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）                              ８．７質量部
セルロースアシレート溶液原液（ＣＡＬ−１）        １２．８質量部
【０３９７】
［レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−３）の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−３）を調製した。
【０３９８】
｛レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−３）の組成｝
レターデーション上昇剤（２２３）                    １１．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）                              ８．７質量部
セルロースアシレート溶液原液（ＣＡＬ−１）        １２．８質量部
【０３９９】
［セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ２）及び（ＣＡＦ３）の作製］
セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ１）の作製において、セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−１）、マット剤溶液（Ｍａ−１）及びレターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−１）を用いる代わりに、セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−２）、マット剤溶液（Ｍａ−２）及びレターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−２）、又はセルロースアシレート原液（ＣＡＬ−３）、マット剤溶液（Ｍａ−３）及びレターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−３）を用い、またフィルムの作製に際して、その搬送速度、延伸倍率、延伸速度、延伸開始時の残留溶媒含量及びＩ／Ｏ比を表２の内容に変更した以外は、実施例１−１と同様にしてセルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ２）及び（ＣＡＦ３）を作製した。
なお、セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ２）及び（ＣＡＦ３）の作製に用いたセルロースアシレートの種類、並びにレターデーション上昇剤の種類及びその添加量は表１に示す。
【０４００】
実施例１−４：セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ４）の作製
［セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−４）の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート原液（ＣＡＬ−４）を調製した。
【０４０１】
｛セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−４）の組成｝
セルロースアシレート                            １００．０質量部
アセチル化度１．８０、プロピオニル化度０．９０
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                  ９．０質量部
エチルフタリルエチルグリコレート（可塑剤）          ３．５質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                    ３６２．０質量部
エタノール（第２溶媒）                          １００．０質量部
【０４０２】
［マット剤溶液（Ｍａ−４）の調製］
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液（Ｍａ−４）を調製した。
【０４０３】
｛マット剤溶液（Ｍａ−４）組成｝
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子                        ２．０質量部
“ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ９７２”日本アエロジル（株）製
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ７５．０質量部
エタノール（第２溶媒）                            １２．７質量部
セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−４）            １０．３質量部
【０４０４】
［レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−４）の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−４）を調製した。
【０４０５】
｛レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−４）の組成｝
レターデーション上昇剤（３０２）                  ２０．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ５８．４質量部
エタノール（第２溶媒）                              ８．７質量部
セルロースアシレート溶液原液（ＣＡＬ−４）        １２．８質量部
【０４０６】
［セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ４）の作製］
上記セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−４）９４．５質量部、マット剤溶液（Ｍａ−
４）１．３質量部及びレターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−４）３．４質量部をそれぞれ濾過した後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。残留溶媒含量４５質量％で得られたフィルムをバンドから剥離し、１４０℃の雰囲気温度下、１０ｍ／分の速度でフィルムを搬送しながらテンターを用いて、延伸速度３６％／分で、１３０％まで横延伸したのち、１４０℃で３０秒間保持した。延伸開始時の残留溶媒含量は２７質量％、残留溶媒のＩ／Ｏ比が２．２だった。その後、クリップを外して１３０℃で４０分間乾燥させ、セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ４）を製造した。できあがったセルロースアシレートフィルムの残留溶媒量は０．２質量％であった。
【０４０７】
実施例１−５及び１−６：セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ５）及び（ＣＡＦ６）の作製
［セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−５）及び（ＣＡＬ−６）の調製］
セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−４）の調製において、アセチル化度１．８０及びプロピオニル化度０．９０のセルロースアシレートを用いる代わりに、アセチル化度１．７０及びプロピオニル化度０．９５のセルロースアシレート、又はアセチル化度１．８３及びプロピオニル化度０．９１のセルロースアシレートをそれぞれ用いる以外は同様にして、セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−５）及び（ＣＡＬ−６）を調製した。
【０４０８】
［マット剤溶液（Ｍａ−５）及び（Ｍａ−６）の調製］
マット剤溶液（Ｍａ−４）の調製において、セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−４）を用いる代わりに、セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−５）又は（ＣＡＬ−６）をそれぞれ用いる以外は同様にして、マット剤溶液（Ｍａ−５）及び（Ｍａ−６）を調製した。
【０４０９】
［レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−５）の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−５）を調製した。
【０４１０】
｛レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−５）の組成｝
レターデーション上昇剤（１１２）                  ２６．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ５３．２質量部
エタノール（第２溶媒）                              ７．９質量部
セルロースアシレート溶液原液（ＣＡＬ−４）        １２．８質量部
【０４１１】
［レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−６）の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−６）を調製した。
【０４１２】
｛レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−６）の組成｝
レターデーション上昇剤（２２３）                  １１．２質量部
レターデーション上昇剤（２０６）                  １７．６質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ５０．８質量部
エタノール（第２溶媒）                              ７．６質量部
セルロースアシレート溶液原液（ＣＡＬ−４）        １２．８質量部
【０４１３】
［セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ５）及び（ＣＡＦ６）の作製］
セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ４）の作製において、セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−４）、マット剤溶液（Ｍａ−４）及びレターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−４）を用いる代わりに、セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−５）、マット剤溶液（Ｍａ−５）及びレターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−５）、又はセルロースアシレート原液（ＣＡＬ−６）、マット剤溶液（Ｍａ−６）及びレターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−６）
を用い、またフィルムの作製に際して、その搬送速度、延伸倍率、延伸速度、延伸開始時の残留溶媒含量及びＩ／Ｏ比を表２の内容に変更した以外は、実施例１−４と同様にしてセルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ５）及び（ＣＡＦ６）を作製した。
なお、セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ５）及び（ＣＡＦ６）の作製に用いたセルロースアシレートの種類、並びにレターデーション上昇剤の種類及びその添加量は表１に示す。
【０４１４】
実施例１−７：セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ７）の作製
実施例１−４において、フィルムの作製に際しての搬送速度、延伸倍率、延伸速度、延伸開始時の残留溶媒含量及びＩ／Ｏ比を表２の内容に変更した以外は、実施例１−４と同様にしてセルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ７）を作製した。
【０４１５】
比較例１−１：セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ８）の作製
［セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−７）の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート原液（ＣＡＬ−７）を調製した。
【０４１６】
｛セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−７）の組成｝
セルロースアシレート                            １００．０質量部
アセチル化度２．７９
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                  ８．０質量部
ビフェニルホスフェート（可塑剤）                    ４．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                    ４５７．０質量部
メタノール（第２溶媒）                              ５．０質量部
【０４１７】
［マット剤溶液（Ｍａ−７）の調製］
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液（Ｍａ−７）を調製した。
【０４１８】
｛マット剤溶液（Ｍａ−７）組成｝
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子                        ２．０質量部
“ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ９７２”日本アエロジル（株）製
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ８２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                              ５．７質量部
セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−７）            １０．３質量部
【０４１９】
［レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−７）の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−７）を調製した。
【０４２０】
｛レターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−７）の組成｝
レターデーション上昇剤（３０２）                  ２０．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ６３．４質量部
メタノール（第２溶媒）                              ３．７質量部
セルロースアシレート溶液（ＣＡＬ−７）            １２．８質量部
【０４２１】
［セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ８）の作製］
上記セルロースアシレート原液（ＣＡＬ−７）９４．５質量部、マット剤溶液（Ｍａ−７）１．３質量部及びレターデーション上昇剤溶液（Ｒｅ−７）４．２質量部をそれぞれ濾過した後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。残留溶媒含量１５質量％で得られ
たフィルムをバンドから剥離し、１７０℃の雰囲気温度下、２０ｍ／分の速度でフィルムを搬送しながらテンターを用いて、延伸速度４８％／分で、１２０％まで横延伸したのち、１４０℃で３０秒間保持した。延伸開始時の残留溶媒含量は５質量％、残留溶媒のＩ／Ｏ比が０．２１だった。その後、クリップを外して１３０℃で４０分間乾燥させ、セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ８）を製造した。できあがったセルロースアシレートフィルムの残留溶媒量は０．１質量％であった。
【０４２２】
比較例１−２：セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ９）の作製
実施例１−４において、フィルムの作製に際しての搬送速度、延伸倍率、延伸速度、延伸開始時の残留溶媒含量及びＩ／Ｏ比を表２の内容に変更した以外は、実施例１−４と同様にしてセルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ９）を作製した。
【０４２３】
【表１】
2006235483.tif 000044
【０４２４】
【表２】
2006235483.tif 000045
【０４２５】
〔フィルム特性値の測定〕
［厚み分布及びＲｅ分布の測定］
セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ１）〜（ＣＡＦ９）について、それぞれ１０ｃｍごとに長手方向１ｍ、幅方向１ｍの合計１００箇所についてフィルム厚み及びＲｅ590、Ｒｔｈ590を測定し、平均値及び標準偏差を求めた。
なお、Ｒｅ及びＲｔｈは自動複屈折率計“ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ”｛王子計測機器（株）製｝により２５℃、６０％ＲＨの温湿度下で測定した。
【０４２６】
［Ｘ線測定］
理学電機（株）製“ＲＩＮＴ  ＲＡＰＩＤ”により、Ｘ線源にはＣｕ管球を用い、４０ｋＶ−３６ｍＡでＸ線を発生させた。コリメーターは０．８ｍｍφ、フィルム試料は透過試料台を用いて固定した。また、露光時間は６００秒とした。このようにして、フィルム表面の配向度（配向オーダーパラメーター）Ｐo及びフィルム全厚みでの平均配向度Ｐtを測定し、Ｐo／Ｐtを求めた。
結果を表３に示す。
【０４２７】
【表３】
2006235483.tif 000046
【０４２８】
表３の結果から、本発明のセルロースアシレートフィルムは比較試料に比べ厚みムラが解消されていることがわかる。
【０４２９】
〔偏光板の作製〕
実施例１１−１〜１１−７及び比較例１１−１〜１１−２
［セルロースアシレートフィルムの鹸化処理］
前記実施例１−１〜１−７及び比較例１−１〜１−２で作製されたセルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ１）〜（ＣＡＦ９）を、それぞれ１．４ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬し、次いで室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸を用いて中和した。次ぎに再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１１０℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ１）〜（ＣＡＦ９）の表面をそれぞれ鹸化した。
【０４３０】
また市販のセルローストリアセテートフィルム「フジタックＴＤ８０ＵＦ」｛富士写真フイルム（株）製｝を同条件で鹸化し、以下の偏光板試料作製に供した。
【０４３１】
［偏光子の作製］
延伸したＰＶＡフィルムに、ヨウ素を吸着させて偏光子を作製し、ＰＶＡ系接着剤を用いて、実施例１−１で作製したセルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ１）を偏光子の片側に貼り付けた。偏光子の透過軸とセルロースアシレートフィルムの遅相軸とは平行になるように配置した。
【０４３２】
さらに上記で鹸化処理した「フジタックＴＤ８０ＵＦ」を、ＰＶＡ系接着剤を用いて、偏光子の反対側に貼り付けた。このようにして偏光板（Ｐ１−１）を作製した。
【０４３３】
セルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ２〜９）についても、同様にして偏光板（Ｐ１−２）〜（Ｐ１−７）及び（ＰＲ１−１）〜（ＰＲ１−２）を作製した。得られた偏光板の構成を表４に示す。
【０４３４】
【表４】
2006235483.tif 000047
【０４３５】
実施例２１−１及び比較例２１−１
〔ＶＡモード液晶表示装置の作製と評価１〕
図３に示す液晶表示装置を作製した。
すなわち、観察方向（上）から、上側偏光板、ＶＡモード液晶セル（上基板、液晶層、下基板）、下側偏光板を積層し、さらにバックライト光源を配置した。
以下の例では、上側偏光板に市販品の偏光板“ＨＬＣ２−５６１８”｛（株）サンリッツ製｝を用い、下側偏光板に本発明の偏光板を使用している。
【０４３６】
［液晶セルの作製］
液晶セルは、基板間のセルギャップを３．６μｍとし、負の誘電率異方性を有する液晶材料（“ＭＬＣ６６０８”メルク社製）を基板間に滴下注入して封入し、基板間に液晶層を形成して作製した。液晶層のリターデーション｛すなわち、記液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄ｝を３００ｎｍとした。なお、液晶材料は垂直配向するように配向させた。
【０４３７】
上記で得た垂直配向型液晶セルを使用した液晶表示装置（図３）の上側偏光板には、市販品の上記スーパーハイコントラスト品“ＨＬＣ２−５６１８”を、下側偏光板には、実施例１１−３で作製した偏光板（Ｐ１−３）を、その一方の保護フィルムである本発明のセルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ３）が液晶セル側となるように、粘着剤を介してそれぞれ液晶セルに貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配置とした。
【０４３８】
次ぎに、比較例２で作製したセルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ９）を用い、比較例１２で作製した偏光板（ＰＲ１−２）についても、それを下側偏光板に用い上記と同様にして液晶表示装置を作製した。
【０４３９】
本発明の偏光板（Ｐ１−３）を使用した液晶表示装置は、比較例の偏光板（ＰＲ１−２）を使用した液晶表示装置と比較して、表示ムラがなく、好ましいことがわかった。
【０４４０】
実施例３１−１
〔ＶＡモード液晶表示装置の作製と評価２〕
［液晶セルの作製］
ＰＶＡ３質量％水溶液１００質量部に、オクタデシルジメチルアンモニウムクロリド（カップリング剤）を１質量部添加した。これを、ＩＴＯ電極付のガラス基板上にスピンコートし、１６０℃で熱処理した後、ラビング処理を施して、垂直配向膜を形成した。ラビ
ング処理は、２枚のガラス基板において反対方向となるようにした。セルギャップ（ｄ）が５μｍとなるように２枚のガラス基板を向かい合わせた。セルギャップに、エステル系とエタン系を主成分とする液晶性化合物（Δｎ：０．０８）を注入し、垂直配向液晶セルを作製した。Δｎとｄとの積（すなわち液晶層のリターデーション）は４００ｎｍであった。
【０４４１】
実施例１１−２で作製した偏光板（Ｐ１−２）を、２５℃、６０％ＲＨの温湿度条件で予め調湿した後、防湿処理を施した袋に包装し、３日間放置した。袋はポリエチレンテレフタレート／アルミ／ポリエチレンの積層構造からなる包装材であり、透湿度は１×１０-5ｇ／ｍ2・日以下であった。
【０４４２】
２５℃、６０％ＲＨの環境下で、偏光板（Ｐ１−２）を取り出して、上記で作製した垂直配向液晶セルの両面に、粘着シートを用いて貼り付けて、液晶表示装置を作製した。
【０４４３】
本発明の偏光板を用いた液晶表示装置は、表示ムラがなく好ましいことがわかった。
【０４４４】
実施例１２
〔偏光板の作製〕
［光学補償シートの作製］
（セルロースアシレートフィルムの鹸化処理）
実施例１−１で作製したセルロースアシレートフィルム（ＣＡＦ１）上に、下記組成の液を６．０ｍＬ／ｍ2塗布し、６０℃で１０秒間乾燥させた。フィルムの表面を流水で１０秒洗浄し、２５℃の空気を吹き付けることでフィルム表面を乾燥させた。
【０４４５】
（鹸化液の組成）
イソプロピルアルコール                                ８１８質量部
水                                                    １６７質量部
プロピレングリコール                                  １８７質量部
日本エマルジョン（株）製“ＥＭＡＬＥＸ”                １２質量部
水酸化カリウム                                          ６７質量部
【０４４６】
（配向膜の形成）
鹸化処理したセルロースアシレート（ＣＡＦ１）の上に、下記の組成の塗布液を＃１４のワイヤーバーコーターで２４ｍＬ／ｍ2塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥した。
次に、セルロースアシレート（ＣＡＦ１）上（透明支持体）の延伸方向（遅相軸とほぼ一致）と４５゜の方向に、形成した膜にラビング処理を実施した。
【０４４７】
（配向膜塗布液の組成）
下記構造の変性ポリビニルアルコール                      ２０質量部
水                                                    ３６０質量部
メタノール                                            １２０質量部
グルタルアルデヒド（架橋剤）                          １．０質量部
【０４４８】
【化３６】
2006235483.tif 000048
【０４４９】
（光学異方性層の形成）
配向膜上に、下記構造のディスコティック化合物９１質量部、エチレンオキシド変成トリメチロールプロパントリアクリレート“Ｖ＃３６０”｛大阪有機化学（株）製｝９質量部、セルロースアセテートブチレート“ＣＡＢ５３１−１”（イーストマン・ケミカル社
製）１．５質量部、光重合開始剤「イルガキュア９０７」（チバガイギー社製）３質量部、増感剤「カヤキュアーＤＥＴＸ」｛日本化薬（株）製｝１質量部を、メチルエチルケトン２１４．２質量部に溶解した塗布液を、＃３のワイヤーバーコーターで５．２ｍＬ／ｍ2塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、１３０℃の恒温槽中で２分間加熱し、ディスコティック化合物を配向させた。次に、９０℃で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、１分間ＵＶ照射しディスコティック化合物を重合させた。その後、室温まで放冷した。このようにして、光学異方性層を形成し、光学補償シート（ＷＶ−１）を得た。
【０４５０】
【化３７】
2006235483.tif 000049
【０４５１】
（光学補償シートの鹸化処理）
光学補償シート（ＷＶ−１）を、実施例１１−１と同様にして鹸化処理を行った。
【０４５２】
［偏光板の作製］
延伸したポリビニルアルコールフイルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製した。
次に、上記で鹸化処理した光学補償シート（ＷＶ−１）の透明支持体側を、ＰＶＡ系接着剤を用いて、得られた偏光子の片側に貼り付けた。透明支持体の遅相軸及び偏光子の透過軸が平行になるように配置した。
【０４５３】
市販のセルローストリアセテートフィルム「フジタックＴＤ８０ＵＦ」｛富士写真フイルム（株）製｝を実施例１１−１と同様に鹸化処理し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の反対側（光学補償シートを貼り付けなかった側）に貼り付けた。このようにして、楕円偏光板（Ｐ２−１）を作製した。
【０４５４】
実施例２２
〔液晶表示装置の作製〕
［ベンド配向液晶セルの作製］
ＩＴＯ電極付きのガラス基板に、ポリイミド膜を配向膜として設け、配向膜にラビング処理を行った。得られた２枚のガラス基板を、ラビング方向が平行となる配置で向かい合わせ、セルギャップを５．７μｍに設定した。セルギャップにΔｎが０．１３９６の液晶性化合物“ＺＬＩ１１３２”（メルク社製）を注入し、ベンド配向液晶セルを作製した。
【０４５５】
［液晶表示装置の作製］
作製したベンド配向セルを挟むように、楕円偏光板（Ｐ２−１）を２枚貼り付けた。偏光板の光学異方性層がセル基板に対面し、液晶セルのラビング方向とそれに対面する光学異方性層のラビング方向とが反平行となるように配置した。
【０４５６】
得られた液晶表示装置を用いて、２５℃、８０％ＲＨの環境下で１０００時間連続点灯した場合の、黒表示での光漏れを観察したところ、本発明の偏光板（Ｐ２−１）を用いた液晶表示装置は、表示ムラがなく好ましいものであることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【０４５７】
【図１】図１は、本発明の偏光板と機能性光学フィルムとを複合した構成の一例である。
【図２】図２は、本発明の偏光板が使用された液晶表示装置の一例である。
【図３】図３は、本発明の偏光板が使用されたＶＡモード液晶表示装置の一例である。
【符号の説明】
【０４５８】
１、１ａ、１ｂ：保護フィルム
２：偏光子
３：機能性光学フィルム
４：粘着層
５：偏光板
【０４５９】
６：上偏光板
７：上偏光板吸収軸
８：上光学異方性層
９：上光学異方性層配向制御方向
１０：液晶セル上電極基板
１１：上基板配向制御方向
１２：液晶分子
１３：液晶セル下電極基板
１４：下基板配向制御方向
１５：下光学異方性層
１６：下光学異方性層配向制御方向
１７：下偏光板
１８：下偏光板吸収軸
【０４６０】
３０：上側偏光板
３１：ＶＡモード液晶セル
３２：下側偏光板
３３：セルロースアシレートフィルム
３４：偏光子
【図１】
2006235483.tif 000050
【図２】
2006235483.tif 000051
【図３】
2006235483.tif 000052