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【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクト領域（９）の多次元イメージング方法であって、
ａ）オブジェクト領域（９）に光線を透過させて透過光線（３６）を生成するステップと、
ｂ）背面焦点面を有する少なくとも１つの光学素子（１３）によって前記透過光線（３６）を捕えるステップと、
ｃ）前記少なくとも１つの光学素子（１３）の背面焦点面に位置する少なくとも１つの検出器（１２）を使用して、二次元フーリエ変換のパワースペクトルを捕えるステップと、
ｄ）前記オブジェクト領域（９）を少なくとも部分的に囲む円弧の周囲の２つ以上の視座でステップａ）〜ｃ）を反復して、複数の二次元フーリエ変換を獲得するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記複数の二次元フーリエ変換の１つまたは複数から少なくとも１つの関心の対象である特徴（２１、２２、２３）を抽出するために、画像分析コンピュータ・アルゴリズム（５２）を使用するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光学素子（１３）はレンズと反射面とからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
光源（１１）と前記オブジェクト領域（９）との間の光路内に配置された空間フィルタ（４２）を通して光線を透過させるステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの光学素子（１３）によって捕らえられる前記透過光線（３６）は前記少なくとも１つの光学素子（１３）を透過する前に前記オブジェクト領域（９）を通して透過される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記光線（３６）は前記少なくとも１つの光学素子（１３）を透過した後に前記オブジェクト領域（９）を通過する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
三次元フーリエ変換を作成するために複数の二次元フーリエ変換（４８、５２）を再構成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記三次元フーリエ変換から少なくとも１つの関心の対象である特徴（２１、２２、２３）を抽出するために、画像分析コンピュータ・アルゴリズム（５２）を使用するステップをさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記オブジェクト領域（９）と以前に検査されたオブジェクト領域（９）との相互相関関数を構成するためにマスクと画像分析アルゴリズム（５２）とを使用するステップをさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記オブジェクト領域（９）の自己相関関数を構成するために画像分析アルゴリズム（５２）を使用するステップをさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記以前に検査されたオブジェクト領域（９）は細胞（１）を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記以前に検査されたオブジェクト領域（９）は人工的に生成された幻像を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
オブジェクト領域（９）の多次元イメージングのためのシステムであって、
光源（１１）と、
少なくとも１つの関心の対象である特徴（２１、２２、２３）を含む、前記光源（１１）によって照射される光路内に配置された前記オブジェクト領域（９）と、
前記オブジェクト領域（９）を通過する光線を受けるために前記光路内に配置された少なくとも１つの検出器（１２）と、
レンズの背面焦点面内にフーリエ面が作成されるように、前記オブジェクト領域（９）と前記フーリエ面内に配置された少なくとも１つの検出器（１２）との間の光路内に配置された少なくとも１つのレンズ（１３）と、を備え、
前記光源（１１）、前記少なくとも１つの検出器（１２）、および前記少なくとも１つのレンズ（１３）は、（ｎ＋１）次元データセット（ただしｎは１以上）を構成するために使用される複数の空間周波数分布を備えることによってｎ次元フーリエ変換を（ｎ＋１）次元フーリエ変換として再構成できるように、各ビューで前記少なくとも１つの関心の対象である特徴（２１、２２、２３）の少なくとも１つのｎ次元空間周波数分布をマッピングするための前記オブジェクト領域（９）の複数のビューを提供するように配置されているシステム。
【請求項１４】
前記光源（１１）はレーザーを含む請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記光源（１１）と前記オブジェクト領域（９）との間の光路内に配置された空間フィルタ（４２）をさらに備える請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
前記光源（１１）と前記オブジェクト領域（９）との間の光路内に配置されたアパーチャ（１４）をさらに備える請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの検出器（１２）はＣＣＤ、ＣＭＯＳ、ソリッドステート画像センサおよびソリッドステート画像センサ検出器アレイを備える請求項１３に記載のシステム。
【請求項１８】
少なくとも１つの関心の対象である特徴（２１、２２、２３）を有する関心の対象であるオブジェクトをイメージングするための平行ビーム光学トモグラフィー・システムであって、
光路に沿って光の円柱を投射するための光源（１１）と、
前記光路内に位置し、前記関心の対象であるオブジェクト（１）が内部に保持されるオブジェクト収容管（２）と、
前記関心の対象であるオブジェクト（１）から発する放射線を受けるように配置された少なくとも１つの検出器（１２）と、
レンズの背面焦点面内にフーリエ面が作成されるように、前記関心の対象であるオブジェクト（１）と前記フーリエ面内に配置された前記少なくとも１つの検出器（１２）との間の光路内に配置された少なくとも１つのレンズ（１３）と、を備え、
前記光源（１１）、前記少なくとも１つの検出器（１２）、および前記少なくとも１つのレンズは、（ｎ＋１）次元データセット（ただしｎは１以上）を構成するために使用される複数の空間周波数分布を備えることによってｎ次元フーリエ変換を（ｎ＋１）次元フーリエ変換として再構成できるように、各ビューで前記少なくとも１つの関心の対象である特徴（２１、２２、２３）の少なくとも１つのｎ次元（ｎ＞１）空間周波数分布をマッピングするための前記オブジェクト領域（９）の複数のビューを提供するように配置されているシステム。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの検出器（１２）はＣＣＤ、ＣＭＯＳ、ソリッドステート画像センサおよびソリッドステート画像センサ検出器アレイからなる群から選択される検出器を備える請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記関心の対象であるオブジェクト（１）は細胞（１）を含む請求項１８に記載の平行ビーム光学トモグラフィー・システム。
【請求項２１】
前記光源（１１）はレーザーを含む請求項１８に記載のシステム。
【請求項２２】
前記光源（１１）と前記オブジェクト領域（９）との間の前記光路内に配置された空間フィルタ（４２）をさらに含む請求項１８に記載のシステム。
【請求項２３】
前記平行化された光源（１１）と前記オブジェクト領域（９）との間の前記光路内に配置されたアパーチャ（１４）をさらに含む請求項１８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性試料の電気化学分析で使用するための電位差計参照電極であって、
電気導体と；
該導体上にあって、電極領域を画定する貫通開口を有する絶縁層と；
該電極領域の該絶縁層上にあって、該試料と直接接触しかつ該開口を介して該導体と電気接触する不均一膜層とを備え、該不均一膜層が、少なくとも１つの親水性イオン伝導性区画と、少なくとも１つの疎水性ガス透過性区画とを有し、該不均一膜層が実質的に乾燥した不活性状態にあり、水にさらされると、該疎水性区画を介した水蒸気の移動によって湿潤した活性状態に変化することができ、該疎水性区画が、該親水性イオン伝導性電解質区画の水性電解質拡散係数よりも高い水蒸気拡散係数を有する、電位差計参照電極。
【請求項２】
前記導体がｎ個の金属導体の配列の１つであり、前記絶縁層がｎ個の貫通開口を有し、各開口が電極領域を画定し、該金属導体の１つの上に位置する、請求項１に記載の電位差計参照電極。
【請求項３】
前記不均一膜層が、前記ｎ個の金属導体の１つとそれぞれ接触するｎ個の膜層の１つである、請求項２に記載の電位差計参照電極。
【請求項４】
前記不均一膜層が、均質混合された複数の疎水性及び親水性区画を含む、請求項１に記載の電位差計参照電極。
【請求項５】
前記膜の親水性区画が、試薬を含み、活性状態で水性試料流体にさらされると、該試薬を膜層から該試料流体に拡散させることができるよう構成された、請求項１に記載の電位差計参照電極。
【請求項６】
前記活性状態の膜が、汚染物質の膜層への拡散をさらに可能とする、請求項５に記載の電位差計参照電極。
【請求項７】
前記不均一膜の疎水性区画が、ポリ−シロキサン、ポリ−オルガノ−ホスファゼン、ポリ−１トリメチル−シリル−１−プロピン、ポリ−４−メチル−２−ペンチン、及びそれらの混合物の群から選択されたポリマーを含む、請求項１に記載の電位差計参照電極。
【請求項８】
前記不均一膜が、ノズルを介した分配による印刷、ピン転写印刷、スピンコーティング、ディップコーティング、スクリーン印刷、及び型紙捺染の群から選択される方法によって揮発性流体から流延された、請求項１に記載の電位差計参照電極。
【請求項９】
前記不均一膜が乾燥したエマルジョンの形態である、請求項１に記載の電位差計参照電極。
【請求項１０】
前記親水性区画が、前記電極で電位決定反応を受けるレドックス試薬を含有する、請求項１に記載の電位差計参照電極。
【請求項１１】
前記親水性区画が、親水性ポリマーバインダー、界面活性剤、乳化剤、及びｐＨ緩衝剤のうち少なくとも１つをさらに含む、請求項１０に記載の電位差計参照電極。
【請求項１２】
水性試料の電気化学分析で使用するための塩橋参照電極であって、
金属導体と；
該試料と接触させるための不均一膜であって、該導体と電気接触させるために該導体上に配置され、少なくとも１つの水蒸気透過性疎水性区画と、少なくとも１つの親水性イオン伝導性電解質区画とを含み、該親水性イオン伝導性電解質区画が、ほぼ等しいイオン移動度のイオンを有する塩成分と、該金属導体で電位決定反応を受けるレドックス成分とを含有し、該疎水性区画が、該親水性イオン伝導性電解質区画の水性電解質拡散係数よりも高い水蒸気拡散係数を有する、不均一膜と
を備えた、塩橋参照電極。
【請求項１３】
前記不均一膜が、実質的に乾燥した不活性状態にあり、水にさらされると前記疎水性区画を介した水蒸気の移動によって湿潤した活性状態に変化し、該膜が活性状態で水性試料流体にさらされると、膜層の少なくとも１つの可溶性成分を該試料流体に拡散させることができる、請求項１２に記載の塩橋参照電極。
【請求項１４】
前記膜層を乾燥した不活性状態から湿潤した活性状態に変化させるために前記電極を水にさらす工程と、該膜層を前記試料流体にさらす工程と、該試料流体への拡散により電解質相の塩濃度が減少するが、前記参照電極の応答勾配が予め選択された閾値を超える閾値濃度よりも該塩濃度が依然として高い間に前記導体での電位を測定する測定工程とを含む、請求項１３に記載の電極の使用。
【請求項１５】
前記膜層中の前記レドックス成分の濃度が、前記試料流体への該レドックス成分の拡散と該試料流体から該膜層への汚染物質の拡散により減少する間であるが、該レドックス成分が電位決定種のままである間にのみ前記測定工程が実施される、請求項１４に記載の使用。
【請求項１６】
塩橋が、疎水性水蒸気透過性区画と、塩を含有する親水性イオン伝導性電解質区画とを有する不均一膜を備え、該疎水性区画が、該親水性イオン伝導性電解質区画の水性電解質拡散係数よりも高い水蒸気拡散係数を有する、塩橋参照電極。
【請求項１７】
前記膜が導体と電気接触している、請求項１６に記載の塩橋参照電極。
【請求項１８】
塩橋参照電極で使用するための不均一膜であって、
第１の疎水性ガス透過性区画と、
第２の親水性イオン伝導性電解質区画と
を含み、該疎水性区画が、該親水性イオン伝導性電解質区画の水性電解質拡散係数よりも高い水蒸気拡散係数を有する、不均一膜。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ひだ折り目袋又は平坦袋（２００，２０１，２１２，２１４，２１７）であって、
前記袋は、ＦＦＳ機械によって製造され充填され、
前記袋は、袋の少なくともひとつの角部の領域に、引き裂きミシン目（２０７，２０８，２１６）を備え、
前記ひだ折り目袋又は平坦袋は、
少なくともひとつの角部の領域に、横断溶接シール（２０６）を備えた、ひだ折り目袋又は平坦袋において、
袋（２００，２１２，２１４，２１７）の縁部（２０９）と、角部の溶接シール（２０６）との間の部分に設けられるミシン目（２０７）が、角部の溶接シール（２０６）と、袋（２００）の中心線（Ｍ）との間に設けられるミシン目（２０８）と比較して異なるように、少なくとも１つの角部に設けられる引き裂きミシン目（２０７，２０８，２１６）の形状を変化させるように構成した、
ことを特徴とする袋。
【請求項２】
請求項１に記載のひだ折り目袋又は平坦袋において、
袋（２００，２１２，２１４，２１７）の縁部（２０９）と、角部の溶接シール（２０６）との間の部分に設けられるミシン目（２０７）が、角部の溶接シール（２０６）と、袋（２００）の中心線（Ｍ）との間に設けられるミシン目（２０８）と比較して異なるように、上部の角部の領域、および、底部の角部の領域のうちの少なくとも一方において、引き裂きミシン目（２０７，２０８，２１６）の形状を変化させるように構成した、
ことを特徴とする袋。
【請求項３】
請求項１に記載のひだ折り目袋又は平坦袋において、
袋（２００）の縁部と角部の溶接シール（２０６）との間の部分におけるミシン目切開（２０７）の長さ又は周縁は、角部の溶接シール（２０６）と袋（２００，２１４，２１７）の中心線（Ｍ）との間におけるミシン目切開（２０８）の長さに比べて長くなっている、
ことを特徴とする袋。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のひだ折り目袋又は平坦袋において、
少なくとも角部の溶接シール（２０６）と袋（２００，２１４，２１７）の中心線（Ｍ）との間に設けられるミシン目切れ目（２０８）の長さ又は周縁は、袋（２００，２１４，２１７）を充填する品物の粒子の周縁に比べて小さくなっている、
ことを特徴とする袋。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のひだ折り目袋又は平坦袋において、
少なくとも角部の溶接シール（２０６）と袋（２００，２１４，２１７）の中心線（Ｍ）との間に設けられるミシン目切れ目（２０８）の長さ又は周縁は、袋（２００）を充填する品物の粒子の直径に比べて小さくなっている、
ことを特徴とする袋。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のひだ折り目袋又は平坦袋において、
前記角部の溶接シール（２０６）が通路（２２９）を構成している、
ことを特徴とする袋。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載のひだ折り目袋又は平坦袋において、
少なくともひとつの角部の領域に設けられる引き裂きミシン目（２０７，２０８，２１６）は、袋の縁部（２０９）と角部の溶接シール（２０６）との間の部分だけに設けられている、
ことを特徴とする袋。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載のひだ折り目袋又は平坦袋において、
ミシン目切れ目（２０７，２０８，２１６）は、少なくともひとつの角部においては、１本の線に整列されている、
ことを特徴とする袋。
【請求項９】
ＦＦＳ機械の助けによって、ひだ折り目袋を生産して充填する方法であって、
ひだ折り目袋（２００，２０１，２１２，２１４，２１７）は、引き裂きミシン目を備え、
袋（２００，２０１，２１２，２１４，２１７）は、角部に溶接シール（２０６）が設けられている方法において、
引き裂きミシン目（２０７，２０８，２１６）は、ＦＦＳ機械による処理中に穿刺され、
袋（２００，２１２，２１４，２１７）の縁部（２０９）と角部の溶接シール（２０６）との間の部分に設けられるミシン目（２０７）は、角部の溶接シール（２０６）と袋（２００）の中心線（Ｍ）との間に設けられるミシン目（２０８）と比較して異なっている、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
ひだ折り目袋又は平坦袋（２００，２０１，２１２，２１４，２１７）を生産して充填するためのＦＦＳ機械であって、前記ＦＦＳ機械は、
引き裂きミシン目（２２０，２４０）を適用するための手段を備え、
ひだ折り目袋（２００，２０１，２１２，２１４，２１７）を構成する要素が、ＦＦＳ機械を通り抜ける間に、前記構成要素に、引き裂きミシン目（２２０，２４０）が設けられ、
さらに、引き裂きミシン目（２２０，２４０）を適用する手段が備えられ、袋（２００，２０１，２１２，２１４，２１７）には、前記手段を用いて、ミシン目切れ目（２０７，２０８，２１６）が形成され、前記ミシン目切れ目の長さ又は周縁は、袋（２００，２０１，２１２，２１４，２１７）の幅にわたって変化するようになっている、
ことを特徴とするＦＦＳ機械。
【請求項１１】
前記引き裂きミシン目を適用する手段は、穿孔ナイフ又はパンチ（２５２，２５３）を備え、その能動的な切断面又はパンチ面は、処理すべき袋（２００，２０１，２１２，２１４，２１７）の幅にわたって変化するようになっていることを特徴とする、請求項１０に記載のＦＦＳ機械。
【請求項１２】
それぞれの袋に１つだけの穿刺切断を施すために、穿刺ナイフ（２５２，２５３）が設けられることを特徴とする、請求項１０又は１１に記載のＦＦＳ機械。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システム・バスに結合されたホスト・プロセッサを有する処理システムにおいて、前記ホスト・プロセッサに関して、メモリ・マップされてないデバイス・メモリを動作させる方法であって、
前記ホスト・プロセッサに前記メモリ・マップされてないデバイス・メモリと共に動作するよう命令するステップと、
データ・ストリームに埋め込まれているコマンド及びアドレスの両方を備える情報を前記システム・バス上に置くステップと、
前記情報をメモリ・マップ制御器インターフェースを用いて検索するステップであって、前記情報に応答して、前記メモリ制御器インターフェースが、
（ｉ）２以上のものがある場合メモリ・アクセスのため前記メモリ・マップされてないデバイス・メモリを選択し、
（ｉｉ）前記の選択されたメモリ・マップされてないデバイス・メモリの適切なアクセス・プロトコル・テンプレートをダウンロードし、且つ一連のトランザクションを実行して、前記の選択されたメモリ・マップされてないデバイス・メモリとの通信をセットアップし、そこにおいて、前記適切なアクセス・プロトコル・テンプレートが、各特定のアクセス・タイプに関して前にプログラムされたテンプレートを備え、
（ｉｉｉ）前記情報及び前記テンプレートに従った前記メモリ・マップされてないデバイス・メモリへの転送のため、デバイス情報を外部インターフェース・バス上のメッセージ構造の適切なフィールドの中に挿入する、
前記検索するステップと、
前記デバイス情報に従って前記メモリ・マップされてないデバイス・メモリを用いて実際のデータ転送を動作させるステップであって、前記デバイス情報が動作モード、チップ選択、アクセスのタイプ及びアドレスを備える、前記動作させるステップと
を備える方法。
【請求項２】
前記メモリ・マップされてないデバイス・メモリが、ＬＣＤ制御器、コプロセッサ、周辺装置、グラフィック・アクセラレータ、イメージング装置、及びアドレス可能なレジスタ又はメモリを有するいかなる周辺装置のうちのいずれかのメモリを備える請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記システム・バスが、アドレス・バスを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記情報が、前記デバイスの動作方法を備える請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記動作方法が、読み出し及び書き込みから成るグループから選択される請求項４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各ノードが、情報を受信し送信する手段と、情報を処理する手段とを有し、各ノードがネットワークの選択された他のノードに接続されている、複数のノードを備えるネットワーク内で適用される、システムの状態を推定するための方法であって、各ノードにおいて、
（ｉ）前記システム状態の推定値を表す粒子と関連する重みの集合を維持することと、
（ｉｉ）ガウス分布の混合物として前記推定されたシステム状態を表現し、前記混合物を近接ノードに通信することと、
（ｉｉｉ）近接ノードから前記混合物を受信することに応じて、前記ノードで維持される前記システム状態の推定値を更新することと、
を備える、方法。
【請求項２】
前記ノード内の前記既存の粒子集合から形成されるガウス分布の前記混合物で除算される、近接ノードから受信されるガウス分布の前記混合物を備える、粒子ごとの新しい重みを提供することを備える、各ノードでの前記更新が前記粒子を再サンプリングすることによって実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記混合物の各ガウス分布が、前記分散の平均及び共分散を表現する信号として送信される、請求項１乃至請求項２に記載の方法。
【請求項４】
各粒子の更新された重みが決定される、各ノードの各ポートにチャネルフィルタを備えることを含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
システムの状態を推定するためのネットワークであって、前記ネットワークは、各ノードが、情報を受信し送信する手段と、情報を処理する手段とを有し、各ノードが前記ネットワークの選択された他のノードに接続されている、複数のノードを備え、各ノードは、
前記システム状態の推定値を表す、粒子と関連する重みの集合を維持するための粒子フィルタ手段と、新しい情報が入手できるときに前記集合を更新するための手段と、
ガウス分布の混合物として前記推定されたシステム状態を表現するための手段と、前記混合物を近接ノードに通信するための手段と、を含み、
前記更新するための手段は、前記システム状態の推定値を更新するために、近接ノードから前記混合物を受信することに応答する、
ネットワーク。
【請求項６】
各ノードの通信ポートがチャネルフィルタを含む、請求項５に記載のネットワーク。
【請求項７】
前記チャネルフィルタは再サンプリング動作で粒子ごとの新しい重みを計算するように動作し、前記新しい重みは、前記ノードに通信され、前記ノードでの前記既存の粒子集合を表現するガウス分布の前記混合物で除算される、ガウス分布の前記混合物を備える、請求項６に記載のネットワーク。
【請求項８】
通信するための前記手段は、前記分布の平均と共分散を表現する信号として、前記混合物の各ガウス分布を送信するように動作する、請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載のネットワーク。
【請求項９】
各ノードが航空機を追跡調査するためのセンサである、請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載のネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型電界効果トランジスタ（ｐＦＥＴ）チャネルおよびｎ型電界効果トランジスタ（ｎＦＥＴ）チャネルを基板内に形成するステップと、
前記ｐＦＥＴチャネルにｐＦＥＴスタックを、前記ｎＦＥＴチャネルにｎＦＥＴスタックを形成するステップと、
前記ｐＦＥＴスタックに関連するソース／ドレイン領域に、前記基板の基礎格子定数と異なる格子定数を有する第１の材料層を準備して、前記ｐＦＥＴチャネル内で圧縮状態を生成するステップと、
前記ｎＦＥＴスタックに関連するソース／ドレイン領域に、前記基板の基礎格子定数と異なる格子定数を有する第２の材料層を準備して、前記ｎＦＥＴチャネルで、引張状態を生成するステップとを含む、半導体構造の製造方法。
【請求項２】
前記第１の材料層は、ＳｉＧｅであり、前記第２の材料層は、Ｓｉ：Ｃである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｓｉ：Ｃは、４％以下のＣ含有量を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の材料層は、非緩和ＳｉＧｅであり、前記第２の材料層は、非緩和Ｓｉ：Ｃであり、１０〜１００ｎｍの厚みに形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の材料層は、前記ｎＦＥＴチャネル上にマスクを配置し、前記ｐＦＥＴスタックの領域をエッチングし、前記ｐＦＥＴチャネルの領域内の前記第１の材料層を選択的に成長させることにより形成され、
前記第２の材料層は、前記ｐＦＥＴチャネル上にマスクを配置し、前記ｎＦＥＴスタッ
クの領域をエッチングし、前記ｎＦＥＴチャネルの領域内の前記第２の材料層を選択的に
成長させることによって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ｐＦＥＴスタックの領域のエッチングに先立って、前記マスク下で前記ｐＦＥＴスタックを覆って保護層を準備し、前記第１の材料層を選択的に成長させるステップと、
前記ｐＦＥＴスタックの領域のエッチングに先立って、前記マスク下で前記ｎＦＥＴスタックを覆って保護層を準備し、前記第２の材料層を選択的に成長させるステップとをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の材料層および前記第２の材料層は、厚さ１０〜１００ｎｍに成長されている、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の材料層および前記第２の材料層は、前記基板に埋め込まれている、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ｐ型電界効果トランジスタ（ｐＦＥＴ）チャネルおよびｎ型電界効果トランジスタ（ｎＦＥＴ）チャネルを基板内に形成するステップと、
前記ｐＦＥＴチャネルおよび前記ｎＦＥＴチャネルのそれぞれに関連して、前記ｐＦＥＴ構造およびｎＦＥＴ構造を基板上に形成するステップと、
前記ｐＦＥＴ構造および前記ｎＦＥＴ構造の領域をエッチングするステップと、
前記ｐＦＥＴ構造の領域内に、前記基板の基礎格子定数と異なる格子定数を有する第１の材料を形成して、前記ｐＦＥＴチャネルに圧縮応力を付与するステップと、
前記ｎＦＥＴ構造の領域内に、前記基板の基礎格子定数と異なる格子定数を有する第２の材料を形成して、前記ｎＦＥＴチャネルに引張応力を付与するステップと、
前記ｎＦＥＴおよびｐＦＥＴ構造のソースおよびドレイン領域をドーピングするステップとを含む、半導体構造の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の材料は、ＳｉＧｅであり、前記第２の材料は、Ｓｉ：Ｃである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の材料は、前記ｐＦＥＴチャネル内に圧縮応力を生成し、前記第２の材料は、ｎＦＥＴチャネル内に引張応力を生成する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の材料は、前記ｎＦＥＴ構造および前記ｐＦＥＴ構造を覆って保護層を配置し、前記ｐＦＥＴチャネルのソースおよびドレイン領域内に、前記第１の材料を成長させることにより形成され、
前記第２の材料は、前記ｐＦＥＴ構造および前記ｎＦＥＴ構造のソースおよびドレイン領域を覆って保護層を配置し、前記ｎＦＥＴチャネルのソースおよびドレイン領域内に、前記第２の材料を成長させることにより形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の材料および前記第２の材料は、前記基板に埋め込まれている、請求項９に記
載の方法。
【請求項１４】
前記第１の材料および前記第２の材料は、前記基板の表面上に隆起される、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の材料は、非緩和ＳｉＧｅである、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の材料をｐ型ドーピングで、前記第２の材料をｎ型ドーピングでそのままでドープして、それぞれｐＦＥＴおよびｎＦＥＴのソースおよびドレイン領域を形成する、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
基板内に形成されたｐ型電界効果トランジスタ（ｐＦＥＴ）チャネルと、
前記基板内に形成されたｎ型電界効果トランジスタ（ｎＦＥＴ）チャネルと、
前記基板の格子定数と異なる格子定数を有するｐＦＥＴチャネルのソースおよびドレイン領域内の第１の材料層と、
前記基板の格子定数と異なる格子定数を有するｎＦＥＴチャネルのソースおよびドレイン領域内の第２の材料層とを含む、半導体構造。
【請求項１８】
前記第１の材料層は、ＳｉＧｅであり、前記第２の材料層は、Ｓｉ：Ｃである、請求項１７に記載の構造。
【請求項１９】
前記第１の材料層および前記第２の材料層は、前記ｐＦＥＴチャネルおよび前記ｎＦＥＴチャネルで、異なる種類の応力をそれぞれ生成する、請求項１７に記載の構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月6日(2007.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
その結果、メモリセルアレイの寸法を縮小するということが一般産業において必要とされることから、メモリセル構造が特に求められており、そのために、上述した難点を被ることなく、アレイ内のメモリセルを更にコンパクトに配置するという、製造プロセスが特に求められている。
米国特許４,２８１,３９７号には、仮想接地型のメモリセルの行と列のアレイが開示されている。このアレイは、アースに余分なラインを必要とせずに、１列あたり１つの列ラインを有するセルレイアウトを採用している。列ラインの半分は出力として、もう半分は接地として使用する。改良されたデコード回路によって、１出力ラインと１アースラインが選択される。このセルアレイは、４つの隣接するセルが、金属とシリコンとの接点を共有する、連続ウェブ型セルアレイである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検定化合物が対象の特定のタンパク質／タンパク質相互作用を調節するか否かを測定するための方法であって、以下でトランスフォーム又はトランスフェクトされた細胞に、前記化合物を接触させる工程、
（ａ）下記を含む核酸分子、
（ｉ）第１検定タンパク質をコードするヌクレオチド配列、
（ｉｉ）プロテアーゼ又はプロテアーゼの一部に対する開裂部位をコードするヌクレオチド配列、及び
（ｉｉｉ）前記細胞内においてレポーター遺伝子を活性化するタンパク質をコードするヌクレオチド配列、そして、
（ｂ）下記を含む核酸分子、
（ｉ）前記検定化合物の存在下における、前記第１検定タンパク質との相互作用が測定される第２検定タンパク質をコードするヌクレオチド配列、及び、
（ｉｉ）前記開裂部位に対して特異的なプロテアーゼ又はプロテアーゼの一部をコードするヌクレオチド配列、
及び、前記化合物が前記タンパク質／タンパク質相互作用を調節するか否かの測定として、前記レポーター遺伝子の活性を測定する工程、とを含む、
検定化合物が対象の特定のタンパク質／タンパク質相互作用を調節するか否かを測定するための方法。
【請求項２】
前記第１検定タンパク質が、膜結合タンパク質である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記膜結合タンパク質が、膜貫通レセプターである請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記膜貫通レセプターが、ＧＰＣＲである請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記プロテアーゼ又はプロテアーゼの一部が、タバコエッチ病ウイルス核内封入Ａプロテアーゼである請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記レポーター遺伝子を活性化する前記タンパク質が、転写因子である請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記転写因子が、ｔＴＡ又はＧＡＬ４である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２検定タンパク質が、抑制型タンパク質である請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記抑制型タンパク質がアレスチンであり、前記第１検定タンパク質は膜貫通レセプターである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記細胞が、真核細胞である請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記レポーター遺伝子が、外来性遺伝子である請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記外来性遺伝子が、β−ガラクトシダーゼ又はルシフェラーゼをコードする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
検定化合物が単数又は複数の対象のタンパク質相互作用を調節するか否かを測定する方法であって、前記検定化合物を複数の細胞サンプルに接触させる工程であって、前記細胞サンプルのそれぞれが、
（ａ）以下を含む第１核酸分子、
（ｉ）第１検定タンパク質をコードするヌクレオチド配列、
（ｉｉ）プロテアーゼのための開裂部位をコードするヌクレオチド配列、及び、
（ｉｉｉ）前記細胞内においてレポーター遺伝子を活性化するタンパク質をコードするヌクレオチド配列、
（ｂ）以下を含む第２核酸分子、
（ｉ）前記対象検定化合物の存在下における前記第１検定タンパク質との相互作用が測定される第２検定タンパク質をコードするヌクレオチド配列、
（ｉｉ）前記開裂部位に対して特異的なプロテアーゼ又はプロテアーゼをコードするヌクレオチド配列、
によってトランスフォーム又はトランスフェクトされており、
ここで、前記第１検定タンパク質は前記複数のサンプルのそれぞれにおいて他の第１検定タンパク質と異なる、工程、及び、
前記複数のサンプルのうちの１つ又は複数における前記レポーター遺伝子の活性を、単数又は複数の対象タンパク質の相互作用の調節の測定として測定する工程、を含む、
検定化合物が単数又は複数の対象のタンパク質相互作用を調節するか否かを測定する方法。
【請求項１４】
前記第２検定タンパク質が、各サンプルにおいて異なる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２検定タンパク質が、各サンプルにおいて同じである請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記サンプルのすべてが共通の容器内で組み合わせられ、そして、各サンプルが異なる対の第１検定タンパク質と第２検定タンパク質を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記各サンプルが、異なる容器内で検定される請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ストリップ（５）を平坦化するための無張力レベラー（１）であって、
入り口と出口を有し、ｎ＋１個の電動ロール（４、４’）を含み、互いにオフセットしてストリップ（５）の経路の上下に交互に配置された、各々一定半径Ｒの少なくともｎ／２個のロール（４、４’）を支持する２個の重なり合うカセット（２、３）を含むタイプであり、一方のカセット（２、３）の各ロール（４、４’）の軸が他方のカセットの直後のロール（４、４’）の軸から心間距離Ｅｋで離間され、
ｋが２から４のとき、Ｒ／Ｅｋ＝Ｒ／Ｅ１であり、
ｋがｎ−３からｎのとき、Ｒ／Ｅｋ＝Ｒ／ＥｎおよびＲ／Ｅｎ＜Ｒ／Ｅ１であり、
ｋが５からｎ−１のとき、Ｒ／Ｅｎ≦Ｒ／Ｅｋ≦Ｒ／Ｅ１、およびＲ／Ｅｋ≦Ｒ／Ｅｋ＋１であり、
前記レベラー（１）が、心間距離Ｅｋを調節する手段を任意に含む、無張力レベラー（１）。
【請求項２】
ｎ≧８である、請求項１に記載のレベラー（１）。
【請求項３】
平坦化すべきストリップ（５）の厚さが０．５ｍｍから３ｍｍのとき、１４≦ｎ≦２２である、請求項１または２に記載のレベラー（１）。
【請求項４】
ストリップ（５）の厚さが３ｍｍから１５ｍｍのとき、１０≦ｎ≦１６である、請求項１または２に記載のレベラー（１）。
【請求項５】
ｋが１からｘのとき、０．９０≦Ｒ／Ｅｋ≦０．９５であり、
ｋがｘ＋１からｎのとき、０．７０≦Ｒ／Ｅｋ≦０．８０である、請求項１から４のいずれか一項に記載のレベラー（１）。
【請求項６】
ｋが１からｘのとき、０．９０≦Ｒ／Ｅｋ≦０．９５であり、
５≦ｘ≦ｎ−４で心間距離Ｅｘの１つが、０．８０≦Ｒ／Ｅｘ≦０．９０であり、
ｋがｘ＋１からｎのとき、０．７０≦Ｒ／Ｅｋ≦０．８０である、
請求項１から４のいずれか一項に記載のレベラー（１）。
【請求項７】
ｋが１からｘのとき、０．９０≦Ｒ／Ｅｋ≦０．９５であり、
５≦ｘ≦ｎ−４で心間距離Ｅｘの１つが、０．８０≦Ｒ／Ｅｘ≦０．９０、および０．７５≦Ｒ／Ｅｘ＋１≦０．８５であり、
ｋがｘ＋２からｎのとき、０．７０≦Ｒ／Ｅｋ≦０．８０である、
請求項１から４のいずれか一項に記載のレベラー（１）。
【請求項８】
塑性変形の程度が少なくとも６０％および最大９０％である、請求項１から７のいずれか一項に記載のレベラー（１）が用いられる、金属ストリップ（５）を平坦化する方法。
【請求項９】
金属ストリップ（５）が鋼ストリップである、請求項８に記載の平坦化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２の半導体領域を覆った状態のまま、第１の半導体領域の一部分を露出する第１のエピタキシャル成長マスクを形成するステップと、
前記第１の半導体領域の前記露出部分に、第１の隆起した半導体領域をエピタキシャル成長させるステップと、
前記第２の半導体領域の一部分を露出する第２のエピタキシャル成長マスクを形成するステップと、
前記第２の半導体領域の前記露出部分に、第２の隆起した半導体領域をエピタキシャル成長させるステップとを含み、
前記エピタキシャル成長させた第１の半導体領域および第２の半導体領域が異なる高さを有する、方法。
【請求項２】
第１のエピタキシャル成長マスクを形成するステップが、前記第１および第２の半導体領域にわたってスペーサ層を堆積するステップと、前記第２の半導体領域の上方の前記スペーサ層を覆いながら、前記第１の半導体領域の上方の前記スペーサ層をパターニングするステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２のエピタキシャル成長マスクを形成するステップが、前記第１の半導体領域の上方にカバー層を形成するステップと、前記第２の半導体領域の上方の前記スペーサ層をパターニングするステップとを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１および第２の半導体領域が、ゲート電極構造を備え、前記第１のエピタキシャル成長マスクをパターニングするステップが、前記スペーサ層を異方性エッチングするステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１および第２の隆起した半導体領域を形成した後、前記第１および第２のエピタキシャル成長マスクを除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１および第２の半導体領域の少なくとも１つが、ゲート電極構造を備え、前記第１および第２のエピタキシャル成長マスクの除去後に、前記ゲート電極構造に隣接してドレインおよびソース領域を形成するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１および第２のエピタキシャル成長マスクを除去することによって、前記第１および第２の半導体領域の部分上にゲート電極構造を形成するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
第１および第２の半導体領域の上方にそれぞれ、第１および第２の隆起した半導体領域をエピタキシャル成長させるステップと、
前記第１の隆起した半導体領域の上方に酸化マスクを形成するステップと、
前記第２の隆起した半導体領域の上方に酸化部分を形成するために、前記第２の隆起した半導体領域を選択的に酸化するステップと、
前記第２の隆起した半導体領域の前記酸化部分を選択的に除去するステップとを含む、方法。
【請求項９】
前記第１および第２の半導体領域はそれぞれ前記前記第１および第２の半導体領域の表面から上方にのびるゲート電極構造を有し、前記酸化マスクの形成は、マスク層を堆積し、前記第２の半導体領域のうえから前記マスク層を選択的に取り除くことを含み、前記第２の隆起した半導体領域の前記酸化部分を選択的に除去するステップによって前記第１および第２の隆起した半導体領域が異なった高さを有するようになる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記第１および第２の半導体領域はそれぞれ前記前記第１および第２の半導体領域の表面から上方にのびるゲート電極構造を有し、前記酸化マスクの形成は、マスク層を堆積し、前記第２の半導体領域のうえから前記マスク層を選択的に取り除くことを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記第１および第２の隆起した半導体領域をエピタキシャル成長させるステップの前に、前記ゲート電極構造に近接する使い捨てサイドウォールスペーサを形成するステップをさらに含む、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記第１および第２の半導体領域のうち少なくとも一つは前記前記第１または第２の半導体領域の表面から上方にのびる構造物を有し、前記構造物はゲート電極構造を含み、前記酸化マスクの形成は、マスク層を堆積し、前記第２の半導体領域のうえから前記マスク層を選択的に取り除くことを含み、前記第２の隆起した半導体領域の前記酸化部分を選択的に除去するステップによって前記第１および第２の隆起した半導体領域が異なった高さを有するようになる、請求項８記載の方法。
【請求項１３】
第１の半導体領域の上方に形成され、第１のゲート絶縁層によって前記第１の半導体領域から分離された第１のゲート電極と、
前記第１のゲート絶縁層の上方に延在し、第１の高さを有する第１の隆起したドレインおよびソース領域と、
第２の半導体領域の上方に形成され、第２のゲート絶縁層によって前記第２の半導体領域から分離された第２のゲート電極と、
前記第２のゲート絶縁層の上方に延在し、前記第１の高さと異なる第２の高さを有する第２の隆起したドレインおよびソース領域とを備え、
前記第１および第２の半導体領域が、絶縁層上に形成された半導体層に位置する、半導体デバイス。
【請求項１４】
前記第１の高さが、前記第２の高さより低く、前記第１のゲート電極および前記第１の隆起したドレインおよびソース領域が、ｐチャネルトランジスタを表す、請求項１３に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
「酸性薬学的活性物質」の用語は、それらの分子構造中に、ルイス酸として化学的に反応することができる少なくとも１個の基を有する医薬活性物質を意味するものと理解する。好ましくは、このような基は、酸性カルボニル官能性基を有する。例には、カルボン酸類、アセチルサリチル酸、デヒドロコリン酸、ケトプロフェン（ketoprofene）、ロバスタチン（lovastatine）およびフルオロビプロフェン（fluorobiprofene）がある。
しかしながら、酸性または塩基性活性物質とは別に、経皮投与に適する別種の活性物質を、本発明による医療用感圧接着剤に配合し、経皮治療系用の活性物質マトリックスを生成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  前方端及び後方端及び該前方端と後方端を貫通する長軸を有する工具用シャンクであって、細長い孔が該工具用シャンクの前方端から軸方向に延在し、該工具用シャンクの前方端近傍に細長い孔が円錐形部分を有し、その後方端近傍に第１の結合部材を有する工具用シャンクと、
前方端及び後方端と共に、その前方端から後方に軸方向に延在するネジ切りされた内腔を有する細長い支持棒であって、該細長い支持棒は、その前方端後方に円錐形部分を有し、その後方端近傍に第２の結合部材を有し、第２の結合部材と結合される第１の結合部材及び少なくとも細長い孔の円錐形部分と当接状態にある細長い支持棒の円錐形部分の区間とにより、工具用シャンクの細長い孔に取り外し可能に保持される細長い支持棒と、
前方の切削部分及び後方のネジ切りされた部分を有する切削ヘッドであって、該切削ヘッドの後方のネジ切りされた部分が細長い支持棒の前方端のネジ切りされた内腔とネジ係合する切削ヘッドと、
を備えることを特徴とする切削工具アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浴槽であって、
底壁と上部の縁まで延在する側壁を有する、入浴用水ため槽と、
前記上部の縁から流れ落ちる水を集水するよう、前記水ため槽の周囲の少なくとも大部分の周りに放射状に外側に向かって配置され、前記水ため槽の前記上部の縁の下方及び前記水ため槽の前記底壁の上方において間隔をあけられて配置された底壁を有する越流水槽と、
前記越流水槽と前記水ため槽との間に流体連通を提供する導管と、及び
前記越流水槽から前記水ため槽に水を流すための前記導管に関連するポンプと、
を有する、
浴槽。
【請求項２】
浴槽であって、
底壁と上部の縁まで延在する側壁とを有する、入浴用水ため槽と、
前記上部の縁から流れ落ちる水を集水するよう、前記水ため槽の周囲の少なくとも大部分の周りに放射状に外側に向かって配置される越流水槽と、
前記越流水槽と前記水ため槽との間で流体連通を提供する導管と、
前記越流水槽から前記水ため槽に水を流すよう前記導管に関連するポンプと、
前記水ため槽の下側に取り付けられた調節可能な水平足と、
を有し、
少なくとも１つの前記水平足は、
クリアランス開口部を有し、前記水ため槽の下側に取り付けた据え付けブロックと、
前記据え付けブロックの前記クリアランス開口部と連携するネジ孔を有し、前記据え付けブロックに設置されたプレートと、
前記ネジ孔と噛み合うサイズのネジ棒を延在させる基部を有するヒールと、
を有し、
前記水平足の前記ヒールは前記プレートに関して垂直に移動され得る、
浴槽。
【請求項３】
浴槽であって、
底壁と上部の縁まで延在する側壁とを有する、入浴用水ため槽と、
前記上部の縁から流れ落ちる水を集水するよう、前記水ため槽の周囲の少なくとも大部分の周りに放射状に外側に向かって配置される越流水槽と、
前記越流水槽と前記水ため槽との間で流体連通を提供する導管と、
前記越流水槽から前記水ため槽に水を流すよう前記導管に関連するポンプと、
前記水ため槽の前記底壁の排水開口部に配置される排水プラグを操作する排水制御と、
を有し、
前記排水制御は前記越流水槽の内部の側壁に設置される、
浴槽。
【請求項４】
浴槽であって、
底壁と上部の縁まで延在する側壁とを有する、入浴用水ため槽と、
前記上部の縁から流れ落ちる水を集水するよう、前記水ため槽の周囲の少なくとも大部分の周りに放射状に外側に向かって配置される越流水槽と、
前記越流水槽と前記水ため槽との間で流れを提供する導管と、
前記越流水槽から前記水ため槽に水を流すよう前記導管に関連するポンプと、
前記水ため槽内の前記水位が選択された第1のレベルを下回るか、あるいは前記越流水槽の前記水位が選択された第２のレベルを下回る場合に前記ポンプが作動しないよう、前記ポンプに電気的に接続される水位感知システムと
を有する、
浴槽。
【請求項５】
浴槽であって、
底壁と上部の縁まで延在する側壁とを有する、入浴用水ため槽と、
前記上部の縁から流れ落ちる水を集水するよう、前記水ため槽の周囲の少なくとも大部分の周りに放射状に外側に向かって配置される越流水槽と、
前記越流水槽と前記水ため槽との間で流体連通を提供する導管と、
前記越流水槽から前記水ため槽に水を流すよう前記導管に関連するポンプと、
前記水ため槽内の水を有色光で照射するクロマセラピーシステムと、
を有し、
前記クロマセラピーシステムは多色であり、回転式カラーホイール形状のスペクトルフィルタを有する、
浴槽。
【請求項６】
浴槽であって、
底壁と上部の縁まで延在する側壁とを有する、入浴用水ため槽と、
前記上部の縁から流れ落ちる水を集水するよう、前記水ため槽の周囲の少なくとも大部分の周りに放射状に外側に向かって配置される越流水槽と、
前記越流水槽と前記水ため槽との間で流れを提供する導管と、
前記越流水槽から前記水ため槽に水を流すよう前記導管に関連するポンプと、
前記水ため槽内の水を有色光で照射するクロマセラピーシステムと、
を有し、
前記クロマセラピーシステムは、前記水ため槽内の水が一対の水ため槽センサーと電気的に接する際に、前記水ため槽のみを照射する、
浴槽。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４７】
上記の方法に従って、本発明の化合物は、ラジオイムノアッセイ（ＥＣＥ阻害に対するＥ）において、約５ｎＭ〜約１０００μＭというＩＣ５０値を示す。好ましい化合物は、５ｎＭ〜１０００ｎＭの値を示す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年5月10日(2007.5.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
一般式Ｉ：
【化１】
2004504324.tif 000001
（式中、
Ｒ1は、酸素、ヒドロキシ、低級アルコキシまたは２，２，２−トリフルオロエトキシを表し、
Ｒ2は、ニトロまたはシアノを表し、
Ｒ3は、水素、低級アルキル、酸素、低級アルコキシ、アミノ、低級アルキル−アミノまたはヒドロキシ−低級アルキル−アミノを表し、
Ｒ4は、水素、低級アルキルまたは低級アルケニルを表すか、あるいは、隣接する窒素原子が既に−Ｎ＝または＝Ｎ−として三つの結合の起点である場合には、存在せず、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ9およびＲ10は、互いに独立に、水素または低級アルキルを表し、
【化２】
2004504324.tif 000002
は、式IIａ、式IIｂ、式IIｃまたは式IIｄ：
【化３】
2004504324.tif 000003
を表し、
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ11またはＲ12は、互いに独立に、水素、低級アルキルまたはヒドロキシを表し、
Ｒ13およびＲ14は、互いに独立に、水素または低級アルキルを表し、
Ｒ15およびＲ16は、互いに独立に、水素または低級アルキルを表し、
Ｒ17は、水素、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシまたはアミノを表し、
Ｒ18は、水素またはヒドロキシを表し、
Ｒ19は、水素、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシまたはアミノを表し、
Ｖは、ＮＨ、ＳまたはＯを表し、および
点線は結合であってもよい）の化合物、およびそれらの薬学的に許容しうる塩。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
請求項１〜８のいずれか一項記載の化合物並びにそれらの薬学的に許容しうる塩の製造方法であって、
ａ）式III：
【化４】
2004504324.tif 000004
の化合物を、式IV：
【化５】
2004504324.tif 000005
の化合物と反応させて、式Ｉ−１：
【化６】
2004504324.tif 000006
の化合物とすること（式中、Ｒ3およびＲ5〜Ｒ12は上記の意味を有する）、
ｂ）式Ｉ−２：
【化７】
2004504324.tif 000007
の化合物を反応させて、式Ｉ−３：
【化８】
2004504324.tif 000008
の化合物、または式Ｉ−４：
【化９】
2004504324.tif 000009
の化合物とすること（式中、Ｒ2、Ｒ3およびＲ5〜Ｒ12は上記の意味を有し、Ｒは水素または低級アルキルを表す）、
ｃ）式Ｖ：
【化１０】
2004504324.tif 000010
の化合物を、式VIａ：
【化１１】
2004504324.tif 000011
の化合物と反応させて、式Ｉ−３：
【化１２】
2004504324.tif 000012
の化合物とすること（式中、置換基は上記の意味を有する）、および、
所望により、式Ｉの化合物中の官能基を他の官能基に変換すること、および、
所望により、式Ｉの化合物を薬学的に許容しうる塩に変換すること、
を含む方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
【化１３】
2004504324.tif 000013
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
【化１６】
2004504324.tif 000014
の化合物を、式IV：
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
【化１８】
2004504324.tif 000015
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
【化２５】
2004504324.tif 000016
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
【化２６】
2004504324.tif 000017
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
【化２８】
2004504324.tif 000018
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
【化２９】
2004504324.tif 000019
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月3日(2007.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
フェイズＡ内では、目標値関数の振幅変化の絶対値が、コレクタ電流の経時変化の形態の電力回路の負荷電流，フリーホイールダイオードの温度及び／又はフリーホイールダイオードの電流若しくは電圧の遮断の挙動に適合される請求項２１に記載のゲートドライバ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月1日(2007.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）洗浄液体源に結合されるインレット・ポートと血管カテーテルに連通するアウトレット・ポートとを有するハウジングと、
（ｂ）前記インレット・ポート及びアウトレット・ポートの各々に連通し、且つ選択的に互いに連通するインレット導管及びアウトレット導管と、
（ｃ）閉位置へ不勢され、且つ開位置へ移動可能な手動操作部材と、
（ｄ）前記閉位置で、前記インレット導管とアウトレット導管を互いに封止し、且つ前記開位置で、前記インレット導管とアウトレット導管を互いに連通するように、前記手動操作部材と協働するシール部材と、
を備えた血管カテーテルの洗浄装置であって、
（ｅ）前記シール部材は、該シール部材の密閉位置への移動が実質的におそくなり、それにより、前記手動操作部材が前記開位置へ移動されると、血管カテーテルを一定時間洗浄するように構成及び配置された、血管カテーテルの洗浄装置。