【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互接続アセンブリの接触要素であって、
基板に付着されるように適合された基部部分と、
前記基部部分に接続されて、前記基部部分から延びるビーム部分であって、前記ビーム部分の形は、三角形であり、自立型であるように適合されている、ビーム部分と
を含む、接触要素。
【請求項２】
前記接触要素の前記ビーム部分が、弾性であるように適合され、前記ビーム部分の厚さが、前記ビーム部分の上面にわたる横方向の寸法より小さい、請求項１の接触要素。
【請求項３】
前記接触要素が、
導電性である第１の層と、
機械的に弾性である第２の層と
を更に含む、請求項１の接触要素。
【請求項４】
前記ビーム部分が、前記基板の表面に対して斜めの角度で前記基部部分から延びる、請求項１の接触要素。
【請求項５】
前記基部部分と前記ビーム部分とがリソグラフィにより形成される、請求項１の接触要素。
【請求項６】
前記ビーム部分が細長くて弾性であり、前記基板が半導体材料中に集積回路を含む、請求項１の接触要素。
【請求項７】
前記ビーム部分に接続された先端部分を更に含む、請求項１の接触要素。
【請求項８】
前記先端部分が、前記ビーム部分と一体的に形成される、請求項７の接触要素。
【請求項９】
前記基部部分と前記ビーム部分とが一体的に形成される、請求項８の接触要素。
【請求項１０】
前記相互接続アセンブリは、複数の接触要素を更に含み、
前記複数の接触要素の各々が、
前記基板に付着されるように適合されたそれぞれの基部部分と、
前記それぞれの基部部分に接続され、前記それぞれの基部部分から延びるそれぞれのビーム部分であって、前記それぞれのビーム部分の形が三角形であり、自立型であるように適合されている、それぞれのビーム部分と
を有し、
前記複数の接触要素の隣接する接触要素が、前記基板上で、約２．５から２０００μｍの範囲のピッチで間隔をおいて配列されている、請求項１の接触要素。
【請求項１１】
前記ピッチが、約５００μｍ未満である、請求項１０の接触要素。
【請求項１２】
前記基板が半導体材料中に集積回路を含む、請求項１０の接触要素。
【請求項１３】
前記ビーム部分が、前記基板の表面に対して斜めの角度で前記基部部分の端部から延びており、前記基部部分が前記表面に平行である、請求項１の接触要素。
【請求項１４】
前記ビーム部分とは別個に製作され、前記ビーム部分の上へ取り付けられた先端構造体を更に含む、請求項１の接触要素。
【請求項１５】
接触要素を形成する方法であって、
電気アセンブリの基板に付着させるための基部部分を形成することと、
前記基部部分に接続されたビーム部分を形成することであって、前記ビーム部分は、前記基部部分から延び、形状が三角形であり、自立型であるように適合されている、ことと
を含む、方法。
【請求項１６】
前記ビーム部分が弾性であり、細長い、請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記基部部分と前記ビーム部分とがリソグラフィにより形成される、請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記基部部分と前記ビーム部分とが、１つの工程で一体的に形成される、請求項１７の方法。
【請求項１９】
前記基部部分と前記ビーム部分とが、
第１のマスク層を塗布することと、
前記第１のマスク層に第１の開口を形成することであって、前記第１の開口が第１の領域と第２の領域とを有し、前記第２の領域が傾斜した壁を有する、ことと、
導電性材料を前記第１の開口へと堆積させることと
によって、形成される、請求項１７の方法。
【請求項２０】
前記第１の開口を形成した後に、第２のマスク層を塗布することと、
前記三角形の形状を画定する第２の開口を、前記第２のマスク層に形成することと
を更に含む、請求項１９の方法。
【請求項２１】
前記導電性材料を堆積させることが、
前記第１の開口内に、前記第２の開口を介して前記導電性材料をめっきすることを含む、請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記第１の領域に堆積された前記導電性材料が、前記基部部分を形成し、前記第２の領域に堆積された前記導電性材料が、前記ビーム部分を形成し、前記ビーム部分が、前記基板の表面に対して斜めの角度で前記基部部分の端部から延びている、請求項１９の方法。
【請求項２３】
相互接続アセンブリの接触要素であって、
基板に付着されるように適合された基部部分と、
前記基部部分に接続されて、前記基部部分から延びるビーム部分であって、前記ビーム部分は自立型であるように適合され、曲げられる場合にビーム全体にわたって均一に応力を分散させるビームの幾何学的形状を有する、ビーム部分と
を含む、接触要素。
【請求項２４】
前記接触要素の前記ビーム部分が、弾性であるように適合され、前記ビーム部分の厚さが、前記ビーム部分の上面にわたる横方向の寸法より小さい、請求項２３の接触要素。
【請求項２５】
前記接触要素が、
導電性である第１の層と、
機械的に弾性である第２の層と
を更に含む、請求項２３の接触要素。
【請求項２６】
前記ビーム部分は、前記基板の表面に対して斜めの角度で前記基部部分から延び、三角形の形状を有する、請求項２３の接触要素。
【請求項２７】
前記基部部分と前記ビーム部分とがリソグラフィにより形成される、請求項２３の接触要素。
【請求項２８】
前記ビーム部分が細長くて弾性であり、前記基板が半導体材料中に集積回路を含む、請求項２３の接触要素。
【請求項２９】
前記ビーム部分に接続された先端部分を更に含む、請求項２３の接触要素。
【請求項３０】
前記先端部分が、前記ビーム部分と一体的に形成される、請求項２９の接触要素。
【請求項３１】
前記基部部分と前記ビーム部分とが一体的に形成される、請求項３０の接触要素。
【請求項３２】
前記相互接続アセンブリは、複数の接触要素を更に含み、
前記複数の接触要素の各々が、
前記基板に付着されるように適合されたそれぞれの基部部分と、
前記それぞれの基部部分に接続され、前記それぞれの基部部分から延びるそれぞれのビーム部分であって、前記それぞれのビーム部分は前記ビームの幾何学的形状を有し、自立型であるように適合されている、それぞれのビーム部分と
を有し、
前記複数の接触要素の隣接する接触要素が、前記基板上で、約２．５から２０００μｍの範囲のピッチで間隔をおいて配列されている、請求項２３の接触要素。
【請求項３３】
前記ピッチが、約５００μｍ未満である、請求項３２の接触要素。
【請求項３４】
前記基板が半導体材料中に集積回路を含む、請求項３２の接触要素。
【請求項３５】
前記ビーム部分が、前記基板の表面に対して斜めの角度で前記基部部分の端部から延びており、前記基部部分が前記表面に平行である、請求項２３の接触要素。
【請求項３６】
前記ビーム部分とは別個に製作され、前記ビーム部分の上へ取り付けられた先端構造体を更に含む、請求項２３の接触要素。
【請求項３７】
接触要素を形成する方法であって、
電気アセンブリの基板に付着させるための基部部分を形成することと、
前記基部部分に接続されたビーム部分を形成することであって、前記ビーム部分は前記基部部分から延び、自立型であるように適合され、曲げられた際にビーム全体にわたって均一に応力を分散させるビームの幾何学的形状を有する、ことと
を含む、方法。
【請求項３８】
前記ビーム部分が弾性であり、細長く、三角形の形状を有する、請求項３７の方法。
【請求項３９】
前記基部部分と前記ビーム部分とがリソグラフィにより形成される、請求項３８の方法。
【請求項４０】
前記基部部分と前記ビーム部分とが、１つの工程で一体的に形成される、請求項３９の方法。
【請求項４１】
前記基部部分と前記ビーム部分が、
第１のマスク層を塗布することと、
前記第１のマスク層に第１の開口を形成することであって、前記第１の開口が第１の領域と第２の領域とを有し、前記第２の領域が傾斜した壁を有することと、
導電性材料を前記第１の開口へと堆積させることと
により、形成される、請求項３９の方法。
【請求項４２】
前記第１の開口を形成した後に、第２のマスク層を塗布することと、
前記三角形の形状を画定する第２の開口を、前記第２のマスク層に形成することと
を更に含む、請求項４１の方法。
【請求項４３】
前記導電性材料を堆積させることが、
前記第１の開口内に、前記第２の開口を介して前記導電性材料をめっきすることを含む、請求項４２の方法。
【請求項４４】
前記第１の領域に堆積された前記導電性材料が、前記基部部分を形成し、前記第２の領域に堆積された前記導電性材料が、前記ビーム部分を形成し、前記ビーム部分が、前記基板の表面に対して斜めの角度で前記基部部分の端部から延びている、請求項４１の方法。
【請求項４５】
相互接続アセンブリの接触要素であって、
基板に付着されるように適合された基部部分と、
前記基部部分に接続されて、前記基部部分から延び、自立型であるように適合されたビーム部分であって、前記ビームの幾何学的形状が、前記ビーム部分に関する任意の所望のサイズ制約と、前記接触要素に対する所望のバネ定数とに最適化された応力パラメータを生じるように設計されている、ビーム部分と
を含む、接触要素。
【請求項４６】
前記接触要素の前記ビーム部分が、弾性であるように適合され、前記ビーム部分の厚さが、前記ビーム部分の上面にわたる横方向の寸法より小さい、請求項４５の接触要素。
【請求項４７】
前記接触要素が、
導電性である第１の層と、
機械的に弾性である第２の層と
を更に含む、請求項４５の接触要素。
【請求項４８】
前記ビーム部分は、前記基板の表面に対して斜めの角度で前記基部部分から延び、三角形の形状を有する、請求項４５の接触要素。
【請求項４９】
前記接触要素が弾性であり、前記基部部分と前記ビーム部分とがリソグラフィにより別個に形成され、前記幾何学的形状が、一定の断面積を有するカンチレバービームよりまさって性能を改善するように選択されている、請求項４５の接触要素。
【請求項５０】
前記ビーム部分が細長くて弾性であり、前記基板が半導体材料中に集積回路を含む、請求項４５の接触要素。
【請求項５１】
前記ビーム部分に接続された先端部分を更に含む、請求項４５の接触要素。
【請求項５２】
前記先端部分が、前記ビーム部分と一体的に形成される、請求項５１の接触要素。
【請求項５３】
前記基部部分と前記ビーム部分とが一体的に形成される、請求項５２の接触要素。
【請求項５４】
前記相互接続アセンブリは、複数の接触要素を更に含み、
前記複数の接触要素の各々が、
前記基板に付着されるように適合されたそれぞれの基部部分と、
前記それぞれの基部部分に接続され、前記それぞれの基部部分から延びるそれぞれのビーム部分であって、前記それぞれのビーム部分は前記ビームの幾何学的形状を有し、自立型であるように適合されている、それぞれのビーム部分と
を有し、
前記複数の接触要素の隣接する接触要素が、前記基板上で、約２．５から２０００μｍの範囲のピッチで間隔をおいて配列されている、請求項４５の接触要素。
【請求項５５】
前記ピッチが、約５００μｍ未満である、請求項５４の接触要素。
【請求項５６】
前記基板が半導体材料中に集積回路を含む、請求項５４の接触要素。
【請求項５７】
前記ビーム部分が、前記基板の表面に対して斜めの角度で前記基部部分の端部から延びており、前記基部部分が前記表面に平行である、請求項４５の接触要素。
【請求項５８】
前記ビーム部分とは別個に製作され、前記ビーム部分の上へ取り付けられた先端構造体を更に含む、請求項４５の接触要素。