(57)【要約】    【課題】  論理シミュレーション及び故障シミュレーションを行わず、半導体集積回路の良品／不良品の判定を簡易に行うことを可能にする。    【解決手段】  抵抗ユニット３の抵抗器の各々を、ＤＵＴ１の出力端子と電圧印加回路５との間にそれぞれ選択的に接続し、ＤＵＴ１の入力端子に所定の動作パターン信号を入力する。この入力によって、前記接続された各抵抗器にそれぞれ流れる電流量の総和を、電流測定回路４で所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する。ＬＳＩテスタ８は、この電流測定回路４で測定された電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されているＤＵＴ１と同一機能を持った良品サンプルをＤＵＴ１の代わりにして、電流測定回路４で測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する。【選択図】      図１
2006105738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、
前記複数の抵抗器の各一端に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
前記複数の抵抗器の各他端と、半導体集積回路の複数の出力端子のそれぞれとを選択的に接続または遮断する接続遮断手段と、
前記半導体集積回路の複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックを含む所定の動作パターン信号を入力する入力手段と、
前記入力手段による所定の動作パターン信号の入力によって、前記接続遮断手段によって接続された各抵抗器にそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する測定手段と、
前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較手段と
を有することを特徴とする半導体集積回路検査装置。
【請求項２】
前記接続遮断手段によって前記複数の抵抗器のすべてが接続された状態で前記測定手段及び前記比較手段を動作させる第１の制御手段と、
前記接続遮断手段によって前記複数の抵抗器の各１つが順次接続された各状態で、前記測定手段および前記比較手段を動作させる第２の制御手段と
を更に有することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路検査装置。
【請求項３】
前記接続遮断手段によって前記複数の抵抗器のすべてが前記半導体集積回路に接続された状態で前記測定手段及び前記比較手段を動作させ、該比較手段によって前記電流量の総和が前記電流量の総和の正常値に一致しないと判定されたときの動作ブロックを検出する動作ブロック検出手段と、
前記接続遮断手段によって前記複数の抵抗器の各１つが前記半導体集積回路に順次接続された各状態で、前記動作ブロック検出手段によって検出された動作ブロックにおいて前記測定手段および前記比較手段を動作させ、該比較手段によって前記電流量の総和が前記電流量の総和の正常値に一致しないと判定されたときの抵抗器を検出する抵抗器検出手段と、
前記抵抗器検出手段によって検出された抵抗器に接続された前記半導体集積回路の端子に異常が存在すると判定する判定手段と
を更に有することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路検査装置。
【請求項４】
所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、
前記複数の抵抗器の各一端に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
極性を揃えて並列に接続された複数のダイオードを備え、該複数のダイオードの各一方側が前記複数の抵抗器の各他端にそれぞれ接続されるとともに、各他方側が論理回路を含む半導体集積回路の複数の出力端子にそれぞれ接続されるダイオードユニットと、
前記半導体集積回路の複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックを含む所定の動作パターン信号を入力する入力手段と、
前記入力手段による所定の動作パターン信号の入力によって、前記複数の抵抗器のいずれかにそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する測定手段と、
前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較手段と
を有することを特徴とする半導体集積回路検査装置。
【請求項５】
前記複数のダイオードの各一方側と前記複数の抵抗器の各他端とをそれぞれ選択的に接続または遮断する接続遮断手段を更に有することを特徴とする請求項４記載の半導体集積回路検査装置。
【請求項６】
前記ダイオードユニットは、各カソード側が前記複数の抵抗器の各他端にそれぞれ接続されるとともに、各アノード側が前記半導体集積回路の複数の出力端子にそれぞれ接続される複数のダイオードから構成されることを特徴とする請求項４記載の半導体集積回路検査装置。
【請求項７】
前記ダイオードユニットは、各アノード側が前記複数の抵抗器の各他端にそれぞれ接続されるとともに、各カソード側が前記半導体集積回路の複数の出力端子にそれぞれ接続される複数のダイオードから構成されることを特徴とする請求項４記載の半導体集積回路検査装置。
【請求項８】
前記ダイオードユニットは、前記複数の抵抗器の数の２倍の数のダイオードを備え、２つのダイオードが互いに異なる向きで並列に接続されて１組となり、各組の一方端が前記複数の抵抗器の各他端にそれぞれ接続されるとともに、各組の他方端が前記半導体集積回路の少なくとも複数の出力端子にそれぞれ接続されることを特徴とする請求項４記載の半導体集積回路検査装置。
【請求項９】
各一方端が半導体集積回路の複数の出力端子にそれぞれ接続されることが可能な所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、
前記複数の抵抗器の各他方端に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
前記電圧印加手段が出力する前記所定の電圧を監視し、該所定の電圧が一定になるように前記電圧印加手段を制御する制御手段と、
前記半導体集積回路の少なくとも複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックから構成される所定の動作パターン信号を入力する入力手段と、
前記入力手段による所定の動作パターン信号の入力によって、前記複数の抵抗器のいずれかにそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する、前記電圧印加手段内に含まれる測定手段と、
前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較手段と
を有することを特徴とする半導体集積回路検査装置。
【請求項１０】
極性を揃えて並列に接続された複数のダイオードを備え、該複数のダイオードの各一方側が前記複数の抵抗器の前記各一方端にそれぞれ接続されるとともに、各他方側が前記半導体集積回路の少なくとも複数の出力端子にそれぞれ接続されるダイオードユニットを更に有することを特徴とする請求項９記載の半導体集積回路検査装置。
【請求項１１】
前記複数の抵抗器の各一端と、前記半導体集積回路の複数の出力端子のそれぞれとを選択的に接続または遮断する接続遮断手段を更に有することを特徴とする請求項９記載の半導体集積回路検査装置。
【請求項１２】
所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、前記複数の抵抗器の各一端に所定の電圧を印加する電圧印加手段とを備えた半導体集積回路検査装置に適用される半導体集積回路検査方法において、
前記複数の抵抗器の各他端と、半導体集積回路の複数の出力端子のそれぞれとを選択的に接続または遮断する接続遮断ステップと、
前記半導体集積回路の複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックを含む所定の動作パターン信号を入力する入力ステップと、
前記入力ステップによって所定の動作パターン信号が入力されることによって、前記接続遮断ステップによって接続された各抵抗器にそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する測定ステップと、
前記測定ステップによって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定ステップによって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較ステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路検査方法。
【請求項１３】
前記接続遮断ステップによって前記複数の抵抗器のすべてが接続された状態で前記測定ステップ及び前記比較ステップを実行させる第１の制御ステップと、
前記接続遮断手段によって前記複数の抵抗器の各１つが順次接続された各状態で前記測定ステップおよび前記比較ステップを実行させる第２の制御ステップと
を更に有することを特徴とする請求項１２記載の半導体集積回路検査方法。
【請求項１４】
前記接続遮断ステップによって前記複数の抵抗器のすべてが前記半導体集積回路に接続された状態で前記測定ステップ及び前記比較ステップを実行させ、該比較ステップによって前記電流量の総和が前記電流量の総和の正常値に一致しないと判定されたときの動作ブロックを検出する動作ブロック検出ステップと、
前記接続遮断ステップによって前記複数の抵抗器の各１つが前記半導体集積回路に順次接続された各状態で、前記動作ブロック検出ステップによって検出された動作ブロックにおいて前記測定ステップおよび前記比較ステップを実行させ、該比較ステップによって前記電流量の総和が前記電流量の総和の正常値に一致しないと判定されたときの抵抗器を検出する抵抗器検出ステップと、
前記抵抗器検出ステップによって検出された抵抗器に接続された前記半導体集積回路の端子に異常が存在すると判定する判定ステップと
を更に有することを特徴とする請求項１２記載の半導体集積回路検査方法。
【請求項１５】
所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、前記複数の抵抗器の各他端に所定の電圧を印加する電圧印加手段とを備えた半導体集積回路検査装置に適用される半導体集積回路検査方法を、コンピュータに実行させるためのプログラムにおいて、
前記複数の抵抗器の各他端と、半導体集積回路の複数の出力端子のそれぞれとを選択的に接続または遮断する接続遮断ステップと、
前記半導体集積回路の複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックを含む所定の動作パターン信号を入力する入力ステップと、
前記入力ステップによって所定の動作パターン信号が入力されることによって、前記接続遮断ステップによって接続された各抵抗器にそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する測定ステップと、
前記測定ステップによって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定ステップによって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較ステップと
を有することを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路検査装置、半導体集積回路検査方法、及びプログラムに関し、特に、論理回路を含む半導体集積回路の機能検査を行う半導体集積回路検査装置、該半導体集積回路検査装置に適用される半導体集積回路検査方法、及び該半導体集積回路検査方法をコンピュータに実行させるためのプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、論理回路を含む半導体集積回路の機能検査では、該半導体集積回路の機能を検査するための所定のテストパターンを半導体集積回路に入力し、該半導体集積回路から出力された出力パターンを出力パターン期待値と比較することによって、良品／不良品の判定を行う方法が用いられている（例えば、非特許文献１参照）。この所定のテストパターンは、該テストパターンを半導体集積回路に入力したときに該半導体集積回路から出力されるべき出力パターンの期待値が、論理シミュレーション等によって予め判明しているようなテストパターンである。
【０００３】
ところで、こうした出力パターンの期待値が判明しているテストパターンによる検査方法では、測定対象となる半導体集積回路の規模が増大するにつれて、全ての論理状態をシミュレーションしたテストパターンを作成することが困難となり、テストパターンでの未検出領域が存在することになってしまう。その結果、半導体集積回路を構成部品の１つとする機械装置等において、上記の未検出領域で該機械装置が使用されたときに、正常動作しないという不具合が発生する虞があった。
【０００４】
そうした不具合が発生した場合、機械装置の不良現象に基づき論理シミュレーション及び故障シミュレーションを行い、その不良現象を検出可能なテストパターンを作成し、そのテストパターンを当初のテストパターンに追加する方法がとられていた。
【非特許文献１】「ＶＬＳＩ試験／故障解析技術」、株式会社トリケップス、１９９２年、ｐ．１１９〜１２０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のように、論理シミュレーション及び故障シミュレーションを行い、不良現象を検出可能なテストパターンを作成し、そのテストパターンを当初のテストパターンに追加する従来の方法では、機械装置内での使用において半導体集積回路の論理状態を確認することが困難な場合も多く、またシミュレーションによる方法は膨大な量のデータを処理しなければならず、もっと簡易な方法が求められていた。
【０００６】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、論理シミュレーション及び故障シミュレーションを行わず、半導体集積回路の良品／不良品の判定を簡易に行うことを可能にした半導体集積回路検査装置、半導体集積回路検査方法、及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明によれば、所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、前記複数の抵抗器の各一端に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、前記複数の抵抗器の各他端と、半導体集積回路の複数の出力端子のそれぞれとを選択的に接続または遮断する接続遮断手段と、前記半導体集積回路の複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックを含む所定の動作パターン信号を入力する入力手段と、前記入力手段による所定の動作パターン信号の入力によって、前記接続遮断手段によって接続された各抵抗器にそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する測定手段と、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較手段とを有することを特徴とする半導体集積回路検査装置が提供される。
【０００８】
また、請求項４記載の発明によれば、所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、前記複数の抵抗器の各一端に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、極性を揃えて並列に接続された複数のダイオードを備え、該複数のダイオードの各一方側が前記複数の抵抗器の各他端にそれぞれ接続されるとともに、各他方側が論理回路を含む半導体集積回路の複数の出力端子にそれぞれ接続されるダイオードユニットと、前記半導体集積回路の複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックを含む所定の動作パターン信号を入力する入力手段と、前記入力手段による所定の動作パターン信号の入力によって、前記複数の抵抗器のいずれかにそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する測定手段と、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較手段とを有することを特徴とする半導体集積回路検査装置が提供される。
【０００９】
また、請求項９記載の発明によれば、各一方端が半導体集積回路の複数の出力端子にそれぞれ接続されることが可能な所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、前記複数の抵抗器の各他方端に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、前記電圧印加手段が出力する前記所定の電圧を監視し、該所定の電圧が一定になるように前記電圧印加手段を制御する制御手段と、前記半導体集積回路の少なくとも複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックから構成される所定の動作パターン信号を入力する入力手段と、前記入力手段による所定の動作パターン信号の入力によって、前記複数の抵抗器のいずれかにそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する、前記電圧印加手段内に含まれる測定手段と、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較手段とを有することを特徴とする半導体集積回路検査装置が提供される。
【００１０】
また、請求項１２記載の発明によれば、所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、前記複数の抵抗器の各一端に所定の電圧を印加する電圧印加手段とを備えた半導体集積回路検査装置に適用される半導体集積回路検査方法において、前記複数の抵抗器の各他端と、半導体集積回路の複数の出力端子のそれぞれとを選択的に接続または遮断する接続遮断ステップと、前記半導体集積回路の複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックを含む所定の動作パターン信号を入力する入力ステップと、前記入力ステップによって所定の動作パターン信号が入力されることによって、前記接続遮断ステップによって接続された各抵抗器にそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する測定ステップと、前記測定ステップによって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定ステップによって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較ステップとを有することを特徴とする半導体集積回路検査方法が提供される。
【００１１】
さらに、上記半導体集積回路検査方法をコンピュータに実行させるためのプログラムが提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、該複数の抵抗器の各一端に所定の電圧を印加する電圧印加手段とを備えた半導体集積回路検査装置において、前記複数の抵抗器の各他端と、半導体集積回路の複数の出力端子のそれぞれとを選択的に接続または遮断する。また、前記半導体集積回路の複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックを含む所定の動作パターン信号を入力する。この所定の動作パターン信号が入力されることによって、前記半導体集積回路と前記電圧印加手段との間にそれぞれ接続された各抵抗器にそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定し、この測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する。
【００１３】
これによって、論理シミュレーション及び故障シミュレーションを行わず、半導体集積回路の良品／不良品の判定を簡易に行うことができる。
【００１４】
また、本発明によれば、所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、前記複数の抵抗器の各一端に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、極性を揃えて並列に接続された複数のダイオードを備え、該複数のダイオードの各一方側が前記複数の抵抗器の各他端にそれぞれ接続されるとともに、各他方側が論理回路を含む半導体集積回路の複数の出力端子にそれぞれ接続されるダイオードユニットと、前記半導体集積回路の複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックを含む所定の動作パターン信号を入力する入力手段と、前記入力手段による所定の動作パターン信号の入力によって、前記複数の抵抗器のいずれかにそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する測定手段と、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較手段とを有する。
【００１５】
これによって、半導体集積回路の端子からの漏れ電流を防止でき、測定手段によって本来測定されるべき電流が測定手段で正確に測定され、半導体集積回路の良品／不良品の正確な判定が可能となる。
【００１６】
また、半導体集積回路の出力端子電圧のバラツキの影響を受けずに、測定手段で正確な測定が可能となり、半導体集積回路の良品／不良品の正確な判定ができる。
【００１７】
また、複数の抵抗器に流れる電流量を、電圧印加手段の内部抵抗に拘わらず適切な電流値にすることができる。
【００１８】
さらに、本発明によれば、各一方端が半導体集積回路の複数の出力端子にそれぞれ接続されることが可能な所定の抵抗値を持った複数の抵抗器と、前記複数の抵抗器の各他方端に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、前記電圧印加手段が出力する前記所定の電圧を監視し、該所定の電圧が一定になるように前記電圧印加手段を制御する制御手段と、前記半導体集積回路の少なくとも複数の入力端子に、該半導体集積回路の機能を検査するための複数の動作ブロックから構成される所定の動作パターン信号を入力する入力手段と、前記入力手段による所定の動作パターン信号の入力によって、前記複数の抵抗器のいずれかにそれぞれ流れる電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の動作ブロックごとに測定する、前記電圧印加手段内に含まれる測定手段と、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和を、前記所定の動作パターン信号の入力で正常に動作することが予め確認されている前記半導体集積回路と同一機能を持った良品サンプルを前記半導体集積回路の代わりにして、前記測定手段によって測定された動作ブロックごとの電流量の総和の正常値と比較する比較手段とを有する。
【００１９】
これにより、測定手段に内部抵抗があり、かつ測定手段を流れる電流量が多くとも、電圧印加手段が出力する所定の電圧が一定に保持され、測定手段における測定精度を落とさずに測定手段が電流測定を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照して説明する。
【００２１】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。
【００２２】
図中１は、検査対象となる論理回路を含む半導体集積回路（ＤＵＴ）であり、該ＤＵＴ１の出力端子（ＯＵＴ）及び入出力端子（Ｉ／Ｏ）の全てが、スイッチユニット２及び抵抗ユニット３を介して電圧印加回路５に接続される。スイッチユニット２は、並列に接続されたリレーなどで構成される複数のスイッチを含み、抵抗ユニット３は、並列に接続された同じ抵抗値の複数の抵抗器を含む。抵抗ユニット３を構成する複数の抵抗器のうち各一端は、短絡して電圧印加回路５に接続され、各他端は、スイッチユニット２を構成する複数のスイッチの各一端にそれぞれ接続される。スイッチユニット２を構成する複数のスイッチの各他端は、ＤＵＴ１の出力端子及び入出力端子にそれぞれ接続される。スイッチユニット２にはスイッチコントロール信号発生器９が接続され、スイッチユニット２を構成する各スイッチは、スイッチコントロール信号発生器９から発生されるコントロール信号に応じてＯＮ／ＯＦＦされる。
【００２３】
電圧印加回路５は、マイナス端が接地された直流電源７と、該直流電源７のプラス端と抵抗ユニット３との間に設けられた電流測定回路４とからなり、電圧印加回路５は、ＤＵＴ１の電源電圧ＶＤＤ端子の電位と同電位を出力する。
【００２４】
６は動作パターン発生器であり、ＤＵＴ１を構成部品の１つとする機械装置での使用に基づいて決まる、ＤＵＴ１の機能を検査するための所定の動作パターン（論理信号０，１）を発生し、ＤＵＴ１の入力端子（ＩＮ）及び入力状態の入出力端子（Ｉ／Ｏ）に出力する。この結果、所定の動作パターンの動作ステップ(動作ブロック)毎の静止状態（過渡状態から安定状態に遷移した後の状態）において、ＤＵＴ１の各出力端子（ＯＵＴ）から出力論理信号（０，１）が出力され、この状態で、スイッチユニット２を介して出力端子（ＯＵＴ）及び入出力端子（Ｉ／Ｏ）にそれぞれ接続された抵抗ユニット３の各抵抗器に流れる電流の総和を、電流測定回路４が測定する。なお、電流測定回路４を含む電圧印加回路５、動作パターン発生器６、及びスイッチコントロール信号発生器９はＬＳＩテスタ８で構成され、ＬＳＩテスタ８は、後述の測定結果の保存や比較等の情報処理機能を備えている。
【００２５】
一方、上記の所定の動作パターンの入力で正常に動作することが確認されている、ＤＵＴ１と同一機能の半導体集積回路（以下「良品サンプル」という）をＤＵＴ１に代わって用いて、図１に示す構成において所定の動作パターンの動作ステップ毎に抵抗ユニット３の各抵抗器にそれぞれ流れる電流の総和を電流測定回路４によって予め測定しておき、この測定結果をＬＳＩテスタ８に保存しておく。そしてＬＳＩテスタ８が、この良品サンプルを用いて予め得られた測定結果と、ＤＵＴ１によって得られた測定結果とを動作ステップ毎に比較する。
【００２６】
なお、ＤＵＴ１や良品サンプルに入力される所定の動作パターンは、論理シミュレーションにより出力期待値が予め求められているものである必要はない。また、電流測定回路４は、電圧印加回路５から出力される電圧値と、抵抗ユニット３を構成する１つの抵抗器の値とで計算される、該１つの抵抗器を流れる電流値の測定分解能を有するとともに、該１つの抵抗器を流れる電流値に、抵抗ユニット３を構成する全抵抗器の数を乗算して得られる電流値をカバーできる測定レンジを有する。
【００２７】
図２は、第１の実施の形態におけるＬＳＩテスタ８において実行されるＤＵＴ１に対する検査処理の手順を示すフローチャートである。
【００２８】
まず、図１に示す半導体集積回路検査装置におけるＤＵＴ１に代えて良品サンプルを接続する。そして、スイッチコントロール信号発生器９が、スイッチユニット２を構成する全てのスイッチをＯＮにするためのコントロール信号を発生し、良品サンプルの出力端子及び入出力端子のすべてを抵抗ユニット３の各抵抗器に接続する（ステップＳ１）。
【００２９】
その後、動作パターン発生器６が、複数の動作ステップから構成される所定の動作パターンを良品サンプルの入力端子及び入出力端子に入力する。そして、良品サンプルの静止状態において、電流測定回路４が、動作ステップ毎に、抵抗ユニット３を流れる電流の総和を測定し、基準データとして保存する（ステップＳ２）。
【００３０】
次に、半導体集積回路検査装置において良品サンプルに代えてＤＵＴ１を接続する。そして、スイッチコントロール信号発生器９が、スイッチユニット２を構成する全てのスイッチをＯＮにするためのコントロール信号を発生し、ＤＵＴ１の出力端子及び入出力端子のすべてを抵抗ユニット３の各抵抗器に接続する（ステップＳ３）。
【００３１】
その後、動作パターン発生器６が、所定の動作パターンをＤＵＴ１の入力端子及び入出力端子に入力する。そして、ＤＵＴ１の静止状態において、電流測定回路４が、動作ステップ毎に、抵抗ユニット３を流れる電流の総和を測定する（ステップＳ４）。
【００３２】
ステップＳ４で得られた電流値と、ステップＳ２で保存された基準データとを、動作ステップ毎に比較する（ステップＳ５）。この比較を、図３を参照して詳述する。
【００３３】
図３は、動作パターン発生器６から発生される所定の動作パターンと、電流測定回路４で測定される電流値の一例とを示すタイミングチャートである。
【００３４】
図３において（Ａ）は、動作パターン発生器６で発生される複数の動作ステップから構成される所定の動作パターンを示し、（Ｂ）は、抵抗ユニット３を流れ、電流測定回路４で測定される電流の総和のパターン（以下「電流パターン」という）を示し、（Ｃ）は電流測定タイミング信号を示し、該電流測定タイミング信号に応じて電流測定回路４で電流測定が行われる。
【００３５】
図３（Ｂ）における電流パターン２５は、図３（Ａ）に示す所定の動作パターンの動作ステップ１に対応して、ＤＵＴ１および良品サンプルにおいてそれぞれ測定された電流の総和を示し、ＤＵＴ１および良品サンプルにおいて同一の電流値となっている。また電流パターン２６は、動作ステップ２に対応してＤＵＴ１において測定された電流の総和を示し、電流パターン２７は、動作ステップ２に対応して良品サンプルにおいて測定された電流の総和を示し、動作ステップ２では両電流値が異なっている。また電流パターン２８は、動作ステップ４に対応して良品サンプルにおいて測定された電流の総和を示し、電流パターン２９は、動作ステップ４に対応してＤＵＴ１において測定された電流の総和を示し、動作ステップ４では両電流値が異なっている。
【００３６】
これは、動作ステップ２及び動作ステップ４において、ＤＵＴ１の出力端子及び入出力端子のうちのいずれかが、良品サンプルの対応する端子と異なった論理値を出力していることを意味しており、測定したＤＵＴ１には異常があると判定される。
【００３７】
またここで、ＤＵＴ１が良品サンプルと異なる論理値を出力している場合に、異なる論理値が出力されている動作ステップ（フェイル動作ステップ）を特定する（ステップＳ６）。
【００３８】
次に、半導体集積回路検査装置においてＤＵＴ１に代えて良品サンプルを接続する。そして、スイッチコントロール信号発生器９が、スイッチユニット２を構成する全スイッチのうちの１つをＯＮにするためのコントロール信号を発生し、該１つのスイッチに対応する良品サンプルの出力端子または入出力端子を抵抗ユニット３の対応する抵抗器に接続する（ステップＳ７）。
【００３９】
そして、ステップＳ６で特定されたフェイル動作ステップの各々において、抵抗ユニット３の該対応する抵抗器を流れる電流を電流測定回路４で測定し、その測定値を保存する（ステップＳ８）。
【００４０】
次に、半導体集積回路検査装置において良品サンプルに代えてＤＵＴ１を接続する。そして、スイッチコントロール信号発生器９が、スイッチユニット２を構成する全スイッチのうちのステップＳ７でＯＮにしたスイッチを再度ＯＮにするべくコントロール信号を発生し、該スイッチに対応するＤＵＴ１の出力端子または入出力端子を抵抗ユニット３の対応する抵抗器に接続する（ステップＳ９）。
【００４１】
そして、ステップＳ６で特定されたフェイル動作ステップの各々において、抵抗ユニット３の該対応する抵抗器を流れる電流を電流測定回路４で測定する（ステップＳ１０）。
【００４２】
ステップＳ１０で測定された各フェイル動作ステップにおける電流値を、ステップＳ８で保存された各フェイル動作ステップにおける電流値と、フェイル動作ステップごとに比較する。両者が同じ値である場合、抵抗ユニット３の上記１つの抵抗器に接続されたＤＵＴ１の１つの出力端子または入出力端子は、正常であると判定され、一方、両者が異なる場合、抵抗ユニット３の上記１つの抵抗器に接続されたＤＵＴ１の１つの出力端子または入出力端子は、異常であると判定される（ステップＳ１１）。
【００４３】
次に、スイッチコントロール信号発生器９によって未だ選択されず、ＯＮにされていないスイッチが存在し、そのため、個別の電流量測定が未だ行われていない抵抗器が存在するか否かを判別する（ステップＳ１２）。抵抗ユニット３のなかに電流量測定が未だ行われていない抵抗器が存在するならば、ステップＳ７に進んで、未測定の抵抗器に対してステップＳ７〜Ｓ１１２の処理を実行し、一方、抵抗ユニット３を構成するすべての抵抗器に対して個別の電流量測定が行われていれば、本検査処理を終了する。
【００４４】
以上のようにして、第１の実施の形態では、論理シミュレーション及び故障シミュレーションを行わずに、ＤＵＴ１において異常のある端子を容易に特定することが可能となる。
【００４５】
なお、図１に示す半導体集積回路検査装置において、抵抗ユニット３とスイッチユニット２とが入れ替わって、スイッチユニット２を構成する各スイッチの各一端が電圧印加回路５に接続され、抵抗ユニット３を構成する各抵抗器の各一端がＤＵＴ１に接続され、各スイッチの各他端と各抵抗器の各他端とがそれぞれ接続される構成にしてもよい。
【００４６】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態を説明する。
【００４７】
図４は、第２の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。第２の実施の形態の構成は、基本的に第１の実施の形態の構成と同じであるので、図４において、図１に示す第１の実施の形態の構成と同一部分には同一の参照符号を付して、その説明を省略し、異なる部分だけを説明する。
【００４８】
第２の実施の形態においては、ダイオードユニット１０を追加する。なお、図４においては、スイッチユニット２およびスイッチコントロール信号発生器９の図示を行っていないが、第２の実施の形態においては、これらを備えていても、また備えていなくてもよい。以下においては、備えていない場合を例にとって説明する。
【００４９】
ダイオードユニット１０は、抵抗ユニット３の複数の抵抗器と同数のダイオードによって構成され、各ダイオードのカソード側が抵抗ユニット３の各抵抗器とそれぞれ接続され、各ダイオードのアノード側がＤＵＴ１の出力端子（ＯＵＴ）及び入出力端子（Ｉ／Ｏ）にそれぞれ接続される。
【００５０】
ここでまず、ダイオードユニット１０が半導体集積回路検査装置に備えられていない場合における問題点について、以下に説明する。
【００５１】
すなわち、電圧印加回路５の出力電圧を、ＤＵＴ１の出力端子（ＯＵＴ）または入出力端子（Ｉ／Ｏ）にＬ（低レベル信号）信号が出力されているときの端子電圧と等しく設定した場合、Ｈ（高レベル信号）信号が出力されているＤＵＴ１の出力端子または入出力端子に接続された抵抗ユニット３の各抵抗器には電圧印加回路５に向けて電流が流れるが、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の出力端子または入出力端子に接続された抵抗ユニット３の各抵抗器には電流が流れない。電流測定回路４によって、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の出力端子または入出力端子に接続された抵抗ユニット３の各抵抗器に流れる電流の合計値を測定するには、こうした電圧印加回路５の出力電圧の設定が理想的と言える。
【００５２】
この理想的な設定において、ＤＵＴ１の出力端子や入出力端子の数が多数である場合、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の端子の数が多くなるにつれて、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に接続されている抵抗ユニット３の各抵抗器の合成抵抗値が、電流測定回路４の内部抵抗と比べて十分大きいとは言えなくなる。そのため、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子から流れ出る電流の一部が、電流測定回路４ではなく、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に流れ込むことが考えられ、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子から流れ出る電流の合計値を測定すべき電流測定回路４で得られる電流測定値に誤差が生じ、ＤＵＴ１の良品／不良品の正確な判定ができなくなる。
【００５３】
これに対して、ダイオードユニット１０が備えられた第２の実施の形態における半導体集積回路検査装置では、ＤＵＴ１の全ての入力端子及び入出力端子には、ＤＵＴ１から抵抗ユニット３の各抵抗器の方向へ電流が流れる向きにダイオードユニット１０が接続されているため、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子から流れ出る電流が、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に流れ込むことは無くなり、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子から流れ出る電流の全てが電流測定回路４に流れ込む。
【００５４】
したがって、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子から流れ出る電流の合計値が、電流測定回路４で正確に測定され、ＤＵＴ１の良品／不良品の正確な判定が可能となる。
【００５５】
また、ダイオードユニット１０が半導体集積回路検査装置に備えられていない場合、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子での端子電圧は、ＤＵＴごとに、また端子ごとにバラツキがあるため、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子のいずれかに対応の抵抗器を介して電流が僅かながら流れ込むことになり、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子から流れ出る電流の合計値を測定すべき電流測定回路４で得られる電流測定値に誤差が生じ、ＤＵＴ１の良品／不良品の正確な判定ができなくなる。
【００５６】
これに対して、ダイオードユニット１０が備えられた第２の実施の形態における半導体集積回路検査装置では、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子には、ダイオードユニット１０によって電流が流れ込まないため、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子から流れ出る電流の合計値が、電流測定回路４で正確に測定される。したがって、電圧印加回路５の出力電圧は、下記の条件を満たすだけでよい。
【００５７】
電圧印加回路５の出力電圧＜（Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子の端子電圧−ダイオードユニット１０の各ダイオードの順方向電圧）
かくして、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子の端子電圧のバラツキによる影響を受けることなく、ＤＵＴ１の良品／不良品の正確な判定が可能となる。
【００５８】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の第３の実施の形態を説明する。
【００５９】
図５は、第３の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。第３の実施の形態の構成は、基本的に第２の実施の形態の構成と同じであるので、図５において、図４に示す第２の実施の形態の構成と同一部分には同一の参照符号を付して、その説明を省略し、異なる部分だけを説明する。
【００６０】
第３の実施の形態においては、図４に示す第２の実施の形態のダイオードユニット１０に代わって、電流の流れる向きが逆であるダイオードユニット１１を追加する。なお、第３の実施の形態においても、スイッチユニット２およびスイッチコントロール信号発生器９は備えていても、また備えていなくてもよい。以下においては、備えていない場合を例にとって説明する。
【００６１】
ダイオードユニット１１は、抵抗ユニット３の複数の抵抗器と同数のダイオードによって構成され、各ダイオードのアノード側が抵抗ユニット３の各抵抗器とそれぞれ接続され、各ダイオードのカソード側がＤＵＴ１の出力端子（ＯＵＴ）及び入出力端子（Ｉ／Ｏ）にそれぞれ接続される。
【００６２】
ここでもまず、ダイオードユニット１１が半導体集積回路検査装置に備えられていない場合における問題点について、以下に説明する。
【００６３】
すなわち、電圧印加回路５の出力電圧を、ＤＵＴ１の出力端子（ＯＵＴ）または入出力端子（Ｉ／Ｏ）にＨ（高レベル信号）信号が出力されているときの端子電圧と等しく設定した場合、Ｌ（低レベル信号）信号が出力されているＤＵＴ１の出力端子または入出力端子に接続された抵抗ユニット３の各抵抗器には電圧印加回路５から電流が流れるが、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の出力端子または入出力端子に接続された抵抗ユニット３の各抵抗器には電流が流れない。電流測定回路４によって、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の出力端子または入出力端子に接続された抵抗ユニット３の各抵抗器に流れる電流の合計値を測定するには、こうした電圧印加回路５の出力電圧の設定が理想的と言える。
【００６４】
この理想的な設定において、ＤＵＴ１の出力端子や入出力端子の数が多数である場合、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の端子の数が多くなるにつれて、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に接続されている抵抗ユニット３の各抵抗器の合成抵抗値が、電流測定回路４の内部抵抗と比べて十分大きいとは言えなくなる。そのため、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に、電圧印加回路５から電流が流れるだけでなく、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子からも流れ込むことが考えられ、電圧印加回路５からＬ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に流れる電流の合計値を測定すべき電流測定回路４で得られる電流測定値に誤差が生じ、ＤＵＴ１の良品／不良品の正確な判定ができなくなる。
【００６５】
これに対して、ダイオードユニット１１が備えられた第３の実施の形態における半導体集積回路検査装置では、ＤＵＴ１の全ての入力端子及び入出力端子には、抵抗ユニット３の各抵抗器からＤＵＴ１の方向へ電流が流れる向きにダイオードユニット１１が接続されているため、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子から、Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に電流が流れ込むことは無くなり、電流測定回路４で測定される電流値は、電圧印加回路５からＬ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に流れる電流の合計量だけとなる。
【００６６】
したがって、電圧印加回路５からＬ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に流れる電流の合計値が、電流測定回路４で正確に測定され、ＤＵＴ１の良品／不良品の正確な判定が可能となる。
【００６７】
また、ダイオードユニット１１が半導体集積回路検査装置に備えられていない場合、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子での端子電圧は、ＤＵＴごとに、また端子ごとにバラツキがあるため、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子のいずれかに対応の抵抗器を介してＨ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に電流が僅かながら流れ込むことになり、電圧印加回路５からＬ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に流れる電流の合計値を測定すべき電流測定回路４で得られる電流測定値に誤差が生じ、ＤＵＴ１の良品／不良品の正確な判定ができなくなる。
【００６８】
これに対して、ダイオードユニット１１が備えられた第３の実施の形態における半導体集積回路検査装置では、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子からＬ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子には、ダイオードユニット１１によって電流が流れ込まないため、電圧印加回路５からＬ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子に流れる電流の合計値が、電流測定回路４で正確に測定される。したがって、電圧印加回路５の出力電圧は、下記の条件を満たすだけでよい。
【００６９】
電圧印加回路５の出力電圧＞（Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子の端子電圧＋ダイオードユニット１１の各ダイオードの順方向電圧）
かくして、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子の端子電圧のバラツキによる影響を受けることなく、ＤＵＴ１の良品／不良品の正確な判定が可能となる。
【００７０】
〔第４の実施の形態〕
次に、本発明の第４の実施の形態を説明する。
【００７１】
図６は、第４の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。第４の実施の形態の構成は、基本的に第２の実施の形態の構成と同じであるので、図６において、図４に示す第２の実施の形態の構成と同一部分には同一の参照符号を付して、その説明を省略し、異なる部分だけを説明する。
【００７２】
上記の第２の実施の形態では、電圧印加回路５の出力電圧を、ＤＵＴ１の出力端子（ＯＵＴ）または入出力端子（Ｉ／Ｏ）にＬ信号がそれぞれ出力されているときの端子電圧に設定する必要があり、また第３の実施の形態では、電圧印加回路５の出力電圧を、ＤＵＴ１の出力端子（ＯＵＴ）または入出力端子（Ｉ／Ｏ）にＨ信号がそれぞれ出力されているときの端子電圧に設定する必要があったが、第４の実施の形態では、そうした設定をしなくともよい半導体集積回路検査装置を提供する。
【００７３】
すなわち、第４の実施の形態においては、図４に示す第２の実施の形態のダイオードユニット１０に代わって、ダイオードユニット１２を追加する。なお、第４の実施の形態においても、スイッチユニット２およびスイッチコントロール信号発生器９を備えていても、また備えていなくてもよい。以下においては、備えていない場合を例にとって説明する。
【００７４】
ダイオードユニット１２は、抵抗ユニット３の抵抗器の数の２倍の数のダイオードによって構成され、２つのダイオードが互いに異なる向きで並列に接続されて１組となり、各組の一方端が抵抗ユニット３の各抵抗器とそれぞれ接続され、各組の他方端がＤＵＴ１の出力端子（ＯＵＴ）及び入出力端子（Ｉ／Ｏ）にそれぞれ接続される。
【００７５】
こうしたダイオードユニット１２を設け、ＤＵＴ１の出力端子（ＯＵＴ）及び入出力端子（Ｉ／Ｏ）の端子電圧に対して下記のような条件を設ける。
【００７６】
（Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の端子の端子電圧−Ｌ信号が出力されているＤＵＴ１の端子の端子電圧）＞（ダイオードユニット１２を構成するダイオードの順方向電圧×２）
これにより、ダイオードユニット１２の各組をそれぞれ構成する２つのダイオードのうち、いずれか一方が不要な電流の流れを遮断するため、電圧印加回路５の出力電圧によらずに、電流測定回路４で正確な電流測定行われ、ＤＵＴ１の良品／不良品の正確な判定が可能となる。
【００７７】
すなわち、測定開始時に、Ｈ信号およびＬ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子の端子電圧を求め、得られた両電圧の複数の電圧値のうち、バラツキの少ない安定している側の端子電圧を選び、この選ばれた端子電圧と等しくなるように電圧印加回路５の出力電圧を設定する。
【００７８】
また、第４の実施の形態では、電圧印加回路５の出力電圧の大きさによらない測定ができるので、電圧印加回路８の出力電圧の大きさを調整することで、抵抗ユニット３に流れる電流の大きさを適切な値に制御でき、これによって、常に最適な測定条件を選択することが可能となる。
【００７９】
〔第５の実施の形態〕
次に、本発明の第５の実施の形態を説明する。
【００８０】
図７は、第５の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。第５の実施の形態の構成は、基本的に第２の実施の形態の構成と同じであるので、図６において、図４に示す第２の実施の形態の構成と同一部分には同一の参照符号を付して、その説明を省略し、異なる部分だけを説明する。
【００８１】
第５の実施の形態では、図４に示す第２の実施の形態におけるダイオードユニット１０を備えておらず、電圧印加回路１３の構成が第２の実施の形態における電圧印加回路５と異なっている。なお、第５の実施の形態においても、スイッチユニット２およびスイッチコントロール信号発生器９を備えていても、また備えていなくてもよい。以下においては、備えていない場合を例にとって説明する。
【００８２】
電圧印加回路１３では、第２の実施の形態における直流電源７に代わって、出力電圧を可変できる可変直流電源１４を備え、また新たに、電圧印加回路１３が抵抗ユニット３に印加する電圧に応じて可変直流電源１４の出力電圧を制御する電圧制御回路２３を備える。電圧制御回路２３は、一端が電流測定回路４の抵抗ユニット３側の端子に接続され、他端が接地され、電圧印加回路１３が抵抗ユニット３に印加する電圧を監視し、該電圧が低下すると可変直流電源１４の出力電圧を上昇させて、電圧印加回路１３が抵抗ユニット３に印加する電圧を一定値に保つようにする。
【００８３】
なおここでは、電圧印加回路１３の出力電圧を、ＤＵＴ１の出力端子（ＯＵＴ）または入出力端子（Ｉ／Ｏ）にＬ（低レベル信号）信号が出力されているときの端子電圧と等しく設定したものとする。
【００８４】
すなわち、ＤＵＴ１の端子数が多い場合において、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の端子の数が多くなると、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子から電流測定回路４に流れる電流の総和が増加するため、電流測定回路４の内部抵抗に起因する電流測定回路４での電圧降下が無視できなくなる。つまり、電流印加回路１３が抵抗ユニット３に印加する電圧がこの電圧降下分だけ変化してしまい、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子にそれぞれ接続されている抵抗ユニット３の各抵抗器に流れる電流量が本来の値から変動してしまう。
【００８５】
そこで、電流測定回路４の抵抗ユニット３側の電圧を電圧制御回路２３で常に監視し、該電圧が常に所定の一定電圧を保持するように、電圧制御回路２３が可変直流電源１４を制御することで、電流印加回路１３が抵抗ユニット３に印加する電圧が所定の一定電圧に保持されることになる。これにより、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の端子の数が大きく増減しても、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子にそれぞれ接続された抵抗ユニット３の各抵抗器には常に一定の電流を流すことができる。
【００８６】
〔第６の実施の形態〕
次に、本発明の第６の実施の形態を説明する。
【００８７】
図８は、第６の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。第６の実施の形態の構成は、第４の実施の形態と第５の実施の形態とを組み合わせたものである。図８において、図６に示す第４の実施の形態の構成及び図７に示す第５の実施の形態の構成と同一部分には同一の参照符号を付して、その説明を省略する。
【００８８】
このように第４の実施の形態の構成と第５の実施の形態の構成とを併せることで、電圧印加回路１３の出力電圧によらずに、電流測定回路４で正確な電流測定行われ、ＤＵＴ１の良品／不良品の正確な判定が可能となるとともに、電圧印加回路１３の出力電圧の大きさを調整することで、抵抗ユニット３に流れる電流の大きさを適切な値に制御でき、これによって、常に最適な測定条件を選択することが可能となる。また、電流印加回路１３が抵抗ユニット３に印加する電圧が所定の一定電圧に保持されることになり、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の端子の数が大きく増減しても、Ｈ信号が出力されているＤＵＴ１の各端子にそれぞれ接続された抵抗ユニット３の各抵抗器には常に一定の電流を流すことができる。
【００８９】
なお、第６の実施の形態では、第５の実施の形態に第４の実施の形態を組み合わせているが、これに代わって、第５の実施の形態に第２の実施の形態または第３の実施の形態を組み合わせるようにしてもよい。
【００９０】
〔他の実施の形態〕
なお、本発明の目的は、前述した各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、システムまたは装置に供給し、そのシステムまたは装置のコンピュータ（またはＣＰＵ、ＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
【００９１】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が本発明の新規な機能を実現することになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体およびプログラムは本発明を構成することになる。
【００９２】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。或いは、上記プログラムは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることにより供給される。
【００９３】
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、前述した各実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【００９４】
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。
【図２】第１の実施の形態におけるＬＳＩテスタにおいて実行されるＤＵＴに対する検査処理の手順を示すフローチャートである。
【図３】動作パターン発生器から発生される所定の動作パターンと、電流測定回路で測定される電流値の一例とを示すタイミングチャートである。
【図４】第２の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。
【図５】第３の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。
【図６】第４の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。
【図７】第５の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。
【図８】第６の実施の形態に係る半導体集積回路検査装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００９６】
１  検査対象となる論理回路を含む半導体集積回路（ＤＵＴ）
２  スイッチユニット（接続遮断手段）
３  抵抗ユニット（複数の抵抗器）
４  電流測定回路（測定手段）
５  電圧印加回路（電圧印加手段）
６  動作パターン発生器（入力手段）
７  直流電源
８  ＬＳＩテスタ（比較手段、第１及び第２の制御手段、動作ブロック検出手段、抵抗器検出手段、判定手段）
９  スイッチコントロール信号発生器（接続遮断手段）
１０〜１２  ダイオードユニット
１３  電圧印加回路（電圧印加手段）
１４  可変直流電源
２３  電圧制御回路（制御手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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