Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセグメントを備える回路であって、各セグメントは、プレバッファと、複数の電流源を含む出力段回路とを備え、前記各セグメントを選択的にイネーブル可能なように、前記プレバッファおよび前記複数の電流源はそれぞれイネーブル化のための制御信号の入力部を有し、前記複数のセグメントの一部は、差分データ入力信号を入力する入力部を有し、他の前記セグメントは、遅延かつ反転された前記差分データ入力信号を入力する入力部を有し、前記複数のセグメントは各々の差分データ出力信号が足し合わされるように並列に結合される、回路。
【請求項２】
前記セグメントにおける制御可能なアイドル状態を実施するために、前記プレバッファはバイパス路をさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記バイパス路は、バイパストランジスタを含む、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記プレバッファは、スルーレート制御機能のためのセクション化された部分として、末尾電流および抵抗負荷要素をさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記他のセグメントの前記入力部に接続され、プリエンファシス遅延回路を有する制御要素であって、前記プリエンファシス遅延回路の最終遅延化ビットの反転を可能にして、プリエンファシスの重みの極性変更を実現する制御要素をさらに備える、請求項１に記載の回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、複数のセグメントを備える回路が提供される。各セグメントは、プレバッファと、複数の電流源を含む、シリアルリンクトランスミッタの出力段回路とを備え、プレバッファと複数の電流源はそれぞれイネーブル化のための制御信号の入力部を有する。また、複数のセグメントの一部は、差分データ入力信号を入力する入力部を有し、他のセグメントは、遅延かつ反転された差分データ入力信号を入力する入力部を有し、複数のセグメントは各々の差分データ出力信号が足し合わされるように並列に結合される。当該構成により、各セグメントは、独立にイネーブルされて、シリアルリンクトランスミッタの信号路における実質的に一定の伝搬遅延を維持しながら、複数の電力レベルと、プリエンファシスの複数のレベルとを実現することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流が電気導体を流れるときに、回路構成の少なくともさらにもう１つの部分に作用する磁界を生成する少なくとも１つの電気導体を有する集積回路構成であって、前記電気導体は、前記回路構成の前記少なくともさらにもう１つの部分に向かって方向付けられた第１の側を有し、導電材料の主要線と、その第１の側に接続され、磁性材料から成る少なくとも１つの磁界形成ストリップを備える集積回路構成。
【請求項２】
前記ストリップが、１００以上の透磁率を有する材料から成る、請求項１に記載の集積回路構成。
【請求項３】
前記ストリップが、１ｋＡ／ｍ以下の保磁力を有する材料から成る、請求項１に記載の集積回路構成。
【請求項４】
前記磁性材料が、パーマロイである、請求項１に記載の集積回路構成。
【請求項５】
前記電気導体が、その長手方向においてある長さを有し、前記磁性ストリップが、前記電気導体の前記長さの大部分にわたって広がる、請求項１に記載の集積回路構成。
【請求項６】
前記電気導体が、その長手方向においてある長さを有し、磁性材料の前記少なくとも１つのストリップが、前記電気導体の前記長さにわたって複数の磁性材料の個別の部分を備える、請求項１に記載の集積回路構成。
【請求項７】
前記電気導体が、その横断方向においてある幅を有し、前記磁性ストリップが、前記電気導体上のその幅に関してほぼ中心に配置される、請求項１に記載の集積回路構成。
【請求項８】
２つの異なる平面内に配置され、互いに関してある角度で交差する少なくとも２つの電気導体が設けられ、前記さらにもう１つの部分が、前記２つの異なる平面の間に配置され、前記さらにもう１つの部分が、２つの電気導体の交差するポイントに配置される、請求項１に記載の集積回路構成。
【請求項９】
前記少なくとも２つの電気導体のすべてには、磁性ストリップが設けられる、請求項８に記載の集積回路構成。
【請求項１０】
前記さらにもう１つの部分が、ＭＲＡＭデバイスである、請求項８に記載の集積回路構成。
【請求項１１】
電流が電気導体を流れるときに、回路構成の少なくともさらにもう１つの部分に作用する磁界を生成する少なくとも１つの電気導体を有する集積回路構成を製造するための方法であって、
前記回路構成の前記少なくともさらにもう１つの部分に向かって方向付けられた第１の側を有する前記電気導体の一部分を形成する導電材料の主要線を設けること、および
前記電気導体の前記第１の側に取り付けられた、少なくとも１つの磁性ストリップを設けることによって前記第１の側に隣接する磁界を形成することを含む方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの磁性ストリップが、１００以上の透磁率を有する材料から成る、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記磁性ストリップが、１ｋＡ／ｍ以下の保磁力を有する材料から成る、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
導電材料の前記主要線が、ダマシンプロセスによって設けられる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記電気導体の長さにわたって複数の個別の部分を形成することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な材料からなる平坦な第１の電極を有する電子発光装置を備えていて、
上記第１の電極の広がり面の各々に対して誘電体発光層が配設され、
上記発光層のうちの少なくとも１つが透明であり、
上記の共通の電極とは背向する位置関係にある上記発光層の広がり面に対して第２の電極が配設されていることを特徴とする電子発光システム。
【請求項２】
少なくとも１つの誘電体発光層を伴った電子発光装置を備えていて、
上記発光層の広がり面の各々に対して電極が配設され、
関連する電極が導電性の材料からなる平行な細長部材の集合として形成され、
上記細長部材の集合の方向が互いに垂直であり、
上記電極の細長部材が個別的にエネルギ源に関連づけられることができるように構成された制御装置が設けられていることを特徴とする電子発光システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月17日(2007.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素を含有するレーザガスを含むガス放電レーザであって、
中心軸線を有する細長い電極本体と、
前記中心軸線の両側にある一対の側壁と、
前記中心軸線を横断する一対の端壁と、
第１の材料を含み、かつ電極の放電領域の少なくとも一部分を形成する、前記側壁の対及び前記端壁の対の間の前記中心軸線を跨いで位置する頭頂部と、
ガス放電中に前記第１の材料よりも比較的高い侵食速度を有する第２の材料を含み、前記頭頂部の両側にある一対の細長い高侵食領域と、
を含む細長いガス放電電極、
を含むことを特徴とするレーザ。
【請求項２】
前記第２の材料は、高侵食速度合金の群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２の材料は、高亜鉛合金、高錫合金、グリッドコップ、インジウム、及びアルミニウムを含む材料を含む群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の材料は、銅又は銅合金を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の材料は、差別組成であるが単体材料を作り出す処理によって前記第２の材料に接合される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の材料は、拡散接合、爆発接合、クラッディング、超音波溶接、及び亜鉛メッキの群から選択された処理によって前記第２の材料に接合される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記高侵食領域は、前記頭頂部の両側にチャンネルを作成し、各チャンネルを溶融形態の前記第２の材料で充填し、それが硬化した後に該第２の材料の形状を機械加工することによって形成される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記高侵食領域は、高亜鉛含有量を有する焼き鈍しされた黄銅合金を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記焼き鈍しされた黄銅合金は、
Ｃ２６０００、Ｃ２７０００、及びＣ２８０００、
を含む群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記焼き鈍しされた黄銅合金は１２００Ｆを超える温度で焼き鈍しされたものである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記焼き鈍しされた黄銅合金が該焼き鈍しされた黄銅合金の表面上に亜鉛の薄膜を備えることを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データベースにおける空間の使用を決定するための方法であって、
第１のデータベースサーバにおいて、或る時間に、前記データベースに関連付けられる空きスペースの量を反映する第１の組の空間使用データを記憶するステップと、
前記第１のデータベースサーバにおいて、前記或る時間の後に前記第１のデータベースサーバによって前記データベースに加えられる変更に基づいて、前記第１の組の空間使用データを更新するステップと、
１つ以上の第２のデータベースサーバによって前記データベースに加えられる変更に基づいて、前記１つ以上の第２のデータベースサーバにおいて更新される第２の組の空間使用データを前記１つ以上の第２のデータベースサーバから検索して、前記１つ以上の第２のデータベースサーバによって前記データベースに加えられる変更の結果として、前記データベースに関連付けられる空きスペースの量を反映するステップとを含み、
前記第１のデータベースサーバは、前記第２の組の空間使用データで前記第１の組の空間使用データを更新して、前記或る時間の後に前記第１のデータベースサーバおよび前記１つ以上の第２のデータベースサーバによって前記データベースに加えられるすべての変更の結果として、前記データベースに関連付けられる最新の空きスペースの量を反映する更新された第１の組の空間使用データを生成し、前記方法はさらに、
前記更新された第１の組の空間使用データに基づいて前記データベースにおける空間の使用を評価するステップを含む、方法。
【請求項２】
前記第１の組の空間使用データおよび前記第２の組の空間使用データは各々、前記データベースのいくつかの部分の各々における空きスペースの量を反映する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の組の空間使用データを記憶する前記ステップは、前記第１の組の空間使用データのサブセットを記憶するステップを含み、前記サブセットは、前記データベース上の前記第１のデータベースサーバによって実行されるトランザクションに関連付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の組の空間使用データを記憶する前記ステップは、前記第１の組の空間使用デ
ータを生成するために前記データベースを調べるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の組の空間使用データを検索する前記ステップは、設定可能な期間が終了したことを判断するステップを含み、前記設定可能な期間は、前記１つ以上の第２のデータベースサーバから前記第２の組の空間使用データを検索する前に待機すべき時間の量を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記データベースにおける空間の使用を評価する前記ステップは、前記データベースにおけるテーブルスペースに記憶されたデータの量が設定可能なしきい値を上回ったかどうか判断するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記データベースにおけるテーブルスペース内の空間の使用が設定可能なしきい値を上回ったことを示す警告を発するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記データベースにおける空間の使用を評価する前記ステップに応答して、前記データベースのための空間の再利用をスケジュールするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記データベースがデータベースの分散クラスタにある、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記データベースがデータベースのグリッドにある、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記検索するステップ、前記更新するステップ、および前記評価するステップは、前記評価するステップが最後に実行されてから設定可能な時間の量が経過した後、順々に繰返され得る、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記データベースの前記いくつかの部分の各々は、前記データベースに関連付けられるテーブルスペースである、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
前記いくつかの部分の各々は、前記データベースに関連付けられるファイルである、請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１のデータベースサーバは、前記第２の組の空間使用データで前記第１の組の空間使用データを更新するとき、前記或る時間の後に前記１つ以上の第２のデータベースサーバによって前記データベースに加えられる変更に対応する前記第２の組の空間使用データにおけるエントリだけを考慮する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
データベースにおける空間の使用を決定するための命令の１つ以上のシーケンスを搬送するコンピュータ読取可能な媒体であって、１つ以上のプロセッサによる前記命令の１つ以上のシーケンスの実行により、前記１つ以上のプロセッサに請求項１から１４のいずれかに記載の方法のステップを実行させる、コンピュータ読取可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイスクリーン・フィルタと、
前記ディスプレイスクリーン・フィルタの第１の側がディスプレイスクリーンの筐体にヒンジ式に取り付けられるように、前記筐体と前記ディスプレイスクリーン・フィルタの前記第１の側とに付着する接着ヒンジと、
前記筐体に付着するとともに、前記ディスプレイスクリーン・フィルタに付着せずに前記ディスプレイスクリーン・フィルタの第２の側を前記筐体に隣接して保持する留め具とを備える、装着可能ディスプレイスクリーン・フィルタシステム。
【請求項２】
筐体と前記筐体内の開口を介して視認可能なディスプレイスクリーンとを含むコンピュータ・ディスプレイと、
ディスプレイスクリーン・フィルタであって、前記ディスプレイスクリーン・フィルタの第１の側が前記筐体にヒンジ式に取り付けられるように、前記筐体と前記ディスプレイスクリーン・フィルタの前記第１の側とに付着する接着ヒンジにより前記ディスプレイスクリーンにわたり前記筐体上に装着されたディスプレイスクリーン・フィルタと、前記筐体に付着するとともに前記ディスプレイスクリーン・フィルタに付着せずに前記ディスプレイスクリーン・フィルタの第２の側を前記筐体に隣接して保持する留め具とを備えるシステム。
【請求項３】
ディスプレイスクリーン・フィルタを、筐体と前記筐体内の開口を介して視認可能なディスプレイスクリーンとを含むコンピュータ・ディスプレイに対して位置合わせするステップと、
前記ディスプレイスクリーン・フィルタの第１の側が前記筐体にヒンジ式に取り付けられるように、接着ヒンジを前記筐体と前記ディスプレイスクリーン・フィルタの前記第１の側とに接着するステップと、
留め具を前記ディスプレイスクリーン・フィルタに接着せずに前記ディスプレイスクリーン・フィルタの第２の側を前記筐体に隣接して保持するように、留め具を前記筐体に接着するステップとを含む方法。
【請求項４】
ディスプレイスクリーン・フィルタと、
前記ディスプレイスクリーン・フィルタの第１の側がディスプレイスクリーンの筐体にヒンジ式に取り付けられるように、前記筐体と前記ディスプレイスクリーン・フィルタの前記第１の側とに接着する接着ヒンジとを備え、前記接着ヒンジに実質的に前記接着ヒンジの主軸に沿った折り目が形成されている、装着可能ディスプレイスクリーン・フィルタシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実行されるとスタイルシートを１つ以上のデータ構造にコンパイルする複数の命令でコード化されるコンピュータでアクセス可能な媒体であって、該データ構造は、該スタイルシート内の式を表す１つ以上の式ツリーを含む、コンピュータでアクセス可能な媒体と、
該データ構造および文書を受信するために連結されたハードウェア回路と
を備える装置であって、該ハードウェア回路は、該データ構造を使用して該スタイルシートにおいて指定されたように該文書の変換の少なくとも一部を実行するように構成され、該ハードウェア回路は、該式ツリー内に表される該式を該文書に適用して、該式を満たす該文書内のノードを識別するように構成され、さらに、該ハードウェア回路は、該変換された文書をメモリデバイス内に保存させるように構成される、装置。
【請求項２】
実行されると、前記複数の命令が、前記スタイルシート内の各ノード識別子にシリアル番号を割り当て、前記データ構造が、該シリアル番号に該ノード識別子をマッピングする１つ以上の記号表を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ハードウェア回路が、前記文書を解析するように構成された構文解析器を備え、該構文解析器が、該文書内の該ノード識別子を検出するように構成され、前記１つ以上の記号表を使用して、該ノード識別子を前記シリアル番号に変換するように構成される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記記号表に存在しない前記文書内での第１のノード識別子の検出に応答して、前記構文解析器が、第１のシリアル番号を該第１のノード識別子に割り当てるように構成される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記構文解析器が、前記第１のノード識別子と、前記第１のシリアル番号とを前記構文解析が生成した第２の１つ以上の記号表に保存するように構成される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記スタイルシートに指定されるような所与の式を満たす前記ノードに対して１つ以上のアクションを実行するように構成される変換エンジンをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記アクションを適用すると、少なくともいくつかの式の一部分が評価可能であり、前記ハードウェア回路が、該部分に従って前記式の残りを満たすノードをグループ化するように構成される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
２つ以上の式が共通部分を有する場合、該２つ以上の式が、該共通部分に対応する前記式ツリー内のノードを共有する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記コンピュータでアクセス可能な媒体が、実行されるとスキーマを第２の１つ以上のデータ構造にコンパイルする第２の複数の命令をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第２のデータ構造が、有効な文書構造を識別するスケルトン表を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第２のデータ構造が、デフォルト属性値を識別する１つ以上の表を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２のデータ構造が、要素の所要の属性を識別する１つ以上の表を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
スタイルシートを１つ以上のデータ構造へコンパイルすることであって、該データ構造が、該スタイルシート内の式を表す１つ以上の式ツリーを含む、ことと、
ハードウェア回路への該データ構造および文書を受信することと、
該ハードウェア回路が、該データ構造を使用して該スタイルシート内に指定されたように該文書の変換の少なくとも一部を行うことと、
該ハードウェア回路が、該式ツリー内に表される該式を該文書に適用することにより、該式を満たす該文書内のノードを識別することと、
該ハードウェア回路が、該変換された文書をメモリデバイス内に保存させることと
を包含する、方法。
【請求項１４】
シリアル番号を前記スタイルシート内の各ノード識別子へ割り当てることをさらに包含し、前記データ構造が、該シリアル番号に該ノード識別子をマッピングする１つ以上の記号表を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ハードウェア回路が、前記文書を解析して該文書内の前記ノード識別子を検出することと、
該ハードウェア回路が、前記１つ以上の記号表を使用して該ノード識別子を該シリアル番号に変換することと
をさらに包含する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ハードウェア回路が、前記記号表にない前記文書内の第１のノード識別子を検出することと、
該ハードウェア回路が、第１のシリアル番号を該第１のノード識別子に割り当てることと、
該ハードウェア回路が、該第１のノード識別子および前記第１のシリアル番号を、該ハードウェア回路が生成した第２の１つ以上の記号表に保存することと
をさらに包含する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記スタイルシートに指定されるような所与の式を満たす前記ノードに対して１つ以上のアクションを実行することをさらに包含する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記アクションを適用するときに、少なくともいくつかの式の一部分が評価可能であり、前記方法は、前記ハードウェア回路が、該部分に従って該式の残りを満たすノードをグループ化することをさらに包含する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
スキーマを第２の１つ以上のデータ構造へコンパイルすることステップをさらに包含する、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２のデータ構造が、有効な文書構造を識別するスケルトン表を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のデータ構造が、デフォルト属性値を識別する１つ以上の表を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２のデータ構造が、要素の所要の属性を識別する１つ以上の表を含む、請求項２０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＤＭＥ特性を視覚化する方法であると共に、指示に規定される標的プロファイルを使って化学物質および化学構造を選択する方法であって、
ａ）決定または選択した後に、多種多様な物質または化学構造の分子的特性をコンピューターシステムに入力するステップと、
ｂ）選択された分子量の範囲内の分子の物質特性を表現できる一つまたはそれ以上の生物物理学的モデルによって、一つまたはそれ以上のＡＤＭＥマップを準備するステップと、
ｃ）ａ）内の化学構造とｂ）内の生物物理学的モデルとを結びつけ、そして任意選択で該化学構造をｂ）で得られたＡＤＭＥマップ内にデータポイントとして表現する（「マッピング」）ステップと、
ｄ）ＡＤＭＥ特性空間内で指示に規定される標的プロファイルを定義するステップと、
ｅ）標的プロファイル、例えば分子量は最大１０００まで、を基準にして化学構造を分類するステップと、
を含み、該分類によって選択する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たす方法であって、
順序数が要求のグループ内の前記要求の位置を表すとき、前記順序数を掛けた到着モデルの条件を満たす到着間隔以下の最初の時間内にイニシエータ（１１）から要求（１４）を受信するステップと、
処理された前記要求（１４）を、定数項にサービス間隔の順序数倍を加えたサービスモデルを満たす間隔以下の第２の時間以内に前記イニシエータ（１１）に返すステップと、  前記イニシエータ（１１）とインターコネクト（１３）との間の境界（１６）における第１と第２の時間を測定するステップと、
から構成されることを特徴とするイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たす方法。
【請求項２】
前記サービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たすために、前記到着モデルと前記サービスモデルが条件を満たしているかどうかを決定するステップを有することを特徴とする請求項１記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たす方法。
【請求項３】
前記イニシエータ、前記ターゲット、前記インターコネクト、チップ上にて全てに配置されているＱｏＳユニットを使用して前記ＱｏＳコントラクトの条件を満たすステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たす方法。
【請求項４】
前記サービス間隔は前記到着間隔よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たす方法。
【請求項５】
前記サービス間隔は前記到着間隔に等しいことを特徴とする請求項１に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たす方法。
【請求項６】
前記要求のグループに対して前記定数項を決定するステップを有することを特徴とする請求項１に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たす方法。
【請求項７】
前記到着間隔は、要求された到着に対し所定の受理された間隔であることを特徴とする請求項１に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たす方法。
【請求項８】
イニシエータ（１１）とターゲット（１２）との間に結合されたインターコネクト（１３）と、
前記イニシエータ（１１）が到着モデルの条件を満たしている場合に、サービスモデルの条件を満たすように構成された前記インターコネクトに結合されたロジックとを備え、
前記到着モデルの条件は、要求（１４）が順序数以下の数と掛けた到着間隔（１４３）の第１の時間内に到着した場合に前記イニシエータ（１１）によって満たされ、前記順序数は要求グループ内のその要求の位置を表し、
前記ロジックは、前記要求が、定数項にサービス間隔の前記順序数倍を加えた間隔以下の第２の時間よりも前に処理された場合に前記サービスモデルの条件を満たし、
前記ＱｏＳコントラクトの条件は、前記イニシエータ（１１）と前記インターコネクト（１３）との間の境界（１６）で満たされることを特徴とするイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たすシステム。
【請求項９】
前記サービス間隔は前記到着間隔よりも大きいことを特徴とする請求項８に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たすシステム。
【請求項１０】
前記定数項は要求の前記グループについて決定されることを特徴とする請求項８に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たすシステム。
【請求項１１】
前記ロジックは、インターコネクトを誘導するサービス品質（ＱｏＳ）ユニットを備えることを特徴とする請求項８に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たすシステム。
【請求項１２】
前記ＱｏＳユニットは、前記ターゲット（１２）と前記インターコネクトとの間に結合されることを特徴とする請求項１１に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たすシステム。
【請求項１３】
前記ＱｏＳコントラクトの条件は、前記イニシエータと前記ターゲットと、前記インターコネクトと、チップ上に全て配置された前記ロジックを用いて満たされることを特徴とする請求項８に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たすシステム。
【請求項１４】
前記ＱｏＳユニットは、前記インターコネクトの一部であることを特徴とする請求項１１に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たすシステム。
【請求項１５】
前記ＱｏＳユニットは前記ターゲットの一部であることを特徴とする請求項１１に記載のイニシエータとのサービス品質（ＱｏＳ）コントラクトの条件を満たすシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質担体の表面にリガンドが結合した分離マトリックスであって、上記リガンドが担体中に１種以上の化学勾配を生じる、分離マトリックス。
【請求項２】
前記担体が多孔質粒子を含み、１以上のリガンド勾配が各多孔質粒子の中心と外表面の間に存在する、請求項１記載の分離マトリックス。
【請求項３】
前記１種以上の勾配が、担体のリガンド密度の変化によって形成されるリガンド密度勾配である、請求項１又は請求項２記載のマトリックス。
【請求項４】
２種以上の化学勾配が担体中に存在し、１種以上の勾配がリガンド密度勾配である、請求項３記載のマトリックス。
【請求項５】
複数の本質的に球形の粒子からなるクロマトグラフィー用マトリックスであって、各粒子が、クロマトグラフィーに用いられる液流の方向に垂直な１種以上の勾配を生じる、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のマトリックス。
【請求項６】
前記１種以上の勾配が、担体に存在するリガンドの複数の官能基のｐＫａ値の差異の結果として生じる、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のマトリックス。
【請求項７】
前記１種以上の勾配が、担体に存在するリガンドの正味電荷の差異の結果として生じる、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のマトリックス。
【請求項８】
前記１種以上の勾配が連続で滑らかな勾配である、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のマトリックス。
【請求項９】
前記担体に存在するリガンドが２種以上の官能基を与える、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のマトリックス。
【請求項１０】
前記２種以上の官能基が同一リガンドに存在する、請求項９記載のマトリックス。
【請求項１１】
前記リガンドが両性イオン性官能基を与える、請求項９記載のマトリックス。
【請求項１２】
前記２種以上の官能基が異種リガンドに存在し、各リガンド種が担体内で異なる化学勾配を生じる、請求項９記載のマトリックス。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項記載の分離マトリックスを充填してなる、クロマトグラフィー用カラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
これらの技術の多くの開発に際して広範に認められる課題が存在する。１つの課題は、構造特性、例えばそれらのキラリティ、直径、長さ及びその他の特性に基づいたナノ物質の分離又は精製を包含する。例えば種々のナノチューブの分離を包含する近年の進歩は、ＤＮＡとの特異的結合を使用し、又は電気泳動を用いる。別の重要な課題は、制御アセンブリー、蒸着及び配向のためのナノ物質の操作を包含する。ある型の蒸着のための方法が存在するが、三次元で単一物体を移動し、物体の大群をパターン化する能力は依然として欠いている。
なお、本出願に対応する外国の特許出願においては下記の文献が発見または提出されている。
【特許文献１】米国特許第６０５５１０６号明細書
【特許文献２】米国特許第６１３９８３１号明細書
【特許文献３】国際公開第０３／０８８７２３号パンフレット
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定具をワークピースに取り付ける方法であって、該方法は、ファスナー駆動器具を使用し、該ファスナー駆動器具は、ファスナーを含むマガジンおよび該ファスナー駆動器具のノーズピースからファスナーを放出するための内壁を備えるバレルを有する発射チャンバーを有し、該方法は、以下：
該固定具上に円盤形の弾性部材を提供する工程；
該固定具に開口部を提供し、該弾性部材の一部を該開口部を通して固定する、工程；
該器具のノーズピースにおいて、該バレルの内壁に該弾性部材を固定する工程；
該ワークピース上に固定具を配置する工程；
該発射チャンバー中にファスナーを進める工程および
該固定具中に該ファスナーを駆動し、それによって該ワークピースに該固定具を固定する工程
を包含する、方法。
【請求項２】
前記固定する工程が、前記弾性部材を前記ノーズピースにおいて前記バレルの内壁に摩擦的に係合して、前記固定具を該ノーズピースに保持する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記弾性部材が、前記ノーズピースにおいて前記バレルの前記内壁内にプレスばめされる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
固定具アセンブリであって、以下：
ワークピースに取り付けられるように適合された固定具；ならびに
弾性部材であって、該固定具に固定された第一の部分およびファスナー駆動器具のバレルの内壁との摩擦的の係合のために適合された第二の部分を有し、該弾性部材は、高さおよび幅を有し、該高さの該幅に対する比が１未満である、弾性部材
を備え、
ここで、該固定具が開口部をさらに備え、該弾性部材の該第一の部分の少なくとも一部が該開口部を通って延びており、該固定具に係合する、
固定具アセンブリ。
【請求項５】
前記第二の部分が、円盤に似ている、請求項４に記載の固定具アセンブリ。
【請求項６】
前記円盤が、前記バレルの内径よりも大きい、直径を有する、請求項５に記載の固定具アセンブリ。
【請求項７】
前記第二の部分が幅および高さを有しており、該第二の部分の幅が該第二の部分の高さよりも大きい、請求項４に記載の固定具アセンブリ。
【請求項８】
前記固定具が座金である、請求項４に記載の固定具アセンブリ。
【請求項９】
前記固定具が非円形形状を有する、請求項４に記載の固定具アセンブリ。
【請求項１０】
前記固定具がクリップである、請求項９に記載の固定具アセンブリ。
【請求項１１】
前記弾性部材が可塑的に変形可能な材料から作製されている、請求項４に記載の固定具アセンブリ。
【請求項１２】
前記弾性部材の第二の部分が複数の変形可能な腕をさらに備える、請求項４に記載の固定具アセンブリ。
【請求項１３】
前記弾性部材が杯状の円盤である、請求項４に記載の固定具アセンブリ。
【請求項１４】
固定具アセンブリであって、以下：
ワークピースに取り付けられるように適合された固定具；ならびに
弾性部材であって、該固定具に固定された第一の部分およびファスナー駆動器具のバレルの内壁との摩擦的の係合のために適合された第二の部分を有し、該弾性部材は、高さおよび幅を有し、該高さの該幅に対する比が１未満である、弾性部材
を備え、
ここで、該固定具が、開口部をさらに備え、該弾性部材の該第一の部分の少なくとも一部が、該開口部を通って延びており、該弾性部材の該第一の部分が、該固定具の下部表面と係合する拡大された先端を備える、
固定具アセンブリ。
【請求項１５】
前記開口部が直径を有し、前記拡大された先端が前記開口部の直径よりも大きな直径を有する、請求項１４に記載の固定具アセンブリ。
【請求項１６】
ファスナー駆動器具および固定具アセンブリの組み合わせであって、該組み合わせが、以下：
内壁および第一の直径を規定する中空のバレルを有するファスナー駆動器具；
ワークピースに取り付けられるように適合され、中に第二の直径を有する開口部を規定する、固定具；
弾性部材であって、第一の部分およびファスナー駆動器具のバレルの内壁との摩擦的の係合のために適合された第二の部分を有し、該第一の部分の少なくとも一部が該固定開口部を通って延び、該固定具と係合し、該第二部分は、高さおよび幅を有し、該幅が該高さより大きい、弾性部材
を備え、
ここで、該弾性部材の幅が該ファスナー駆動器具の該バレルの第一の直径よりも大きい、組み合わせ。
【請求項１７】
前記第一の部分が前記固定具の開口部の第二の直径よりも大きな直径を有する先端を備える、請求項１６に記載の組み合わせ。
【請求項１８】
前記弾性部材の前記第二の部分が複数の変形可能な腕をさらに備える、請求項１６に記載の組み合わせ。
【請求項１９】
前記弾性部材の前記第二の部分が円盤様の形状である、請求項１８に記載の組み合わせ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a) 5重量百分率から50重量百分率の双極子モーメントが3.5以上の極性非プロトン性窒素含有溶媒；
(b) 0.2重量百分率から20重量百分率の、ビスコリン塩、トリスコリン塩、およびそれらの混合物から成る群から選択されたコリン誘導体；および
(c) 50重量百分率から94重量百分率の、スルホキシド、スルホン、およびそれらの混合物から成る群から選択された硫黄含有溶媒
を含む洗浄またはフォトレジスト除去のための組成物。
【請求項２】
極性非プロトン性窒素含有溶媒がN-メチル-2-ピロリドン [N-methyl-2-pyrrolidone]を含む請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
極性非プロトン性窒素含有溶媒が15重量百分率から35重量百分率の量で存在する請求項1に記載の組成物。
【請求項４】
コリン誘導体が0.5重量百分率から10重量百分率の量で存在する請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
硫黄含有溶媒がジメチルスルホキシド[dimethyl sulfoxide]、メチルスルホキシド[methyl sulfoxide]、あるいはそれらの混合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
さらに実質的に水分が含まれていない請求項1に記載の組成物。
【請求項７】
水が、最高で10重量百分率の量で含まれている請求項1に記載の組成物。
【請求項８】
(a) 1重量百分率から70重量百分率のビス-(2-ヒドロキシ-エチル)-ジメチル-アンモニウムの水酸化物または塩、トリス-(2-ヒドロキシ-エチル)-メチル-アンモニウムの水酸化物または塩、あるいはそれらの混合物、
(b) 水；および
(c) 0.2重量百分率から20重量百分率のアミン
を含む洗浄またはフォトレジスト除去のための組成物であって、極性有機溶媒及びヒドロキシルアミンが含まれていない組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか記載の組成物に基板を1〜60分間、温度10〜100℃にて接触させることを含む、集積回路からフォトレジスト、エッチング残渣およびフラックス材の一種以上を除去するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−前面及び背面を有する実質的に透明な第一の素子であって、自浄親水性塗膜が前記前面の少なくとも一部に適用され、更に導電性物質が前記背面の少なくとも一部に適用されている第一の素子、
−前面及び背面を有する第二の素子であって、導電性物質が前記前面の少なくとも一部に適用されている第二の素子、
−前記第一及び第二の素子間に位置する室内に含まれるエレクトロクロミック媒体、及び
−前記自浄親水性塗膜の表面に適用された耐酸層、
を含むことを特徴とするエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２】
更に、少なくとも高反射率状態及び低反射率状態を示すように加電圧に応じて変化する反射率を有する可変反射率ミラー素子を有する請求項１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項３】
前記エレクトロクロミック媒体が、１種以上の溶剤、陽極物質、及び陰極物質を含む請求項１又は２に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項４】
前記耐酸層が、酸化錫インジウムを含む請求項１〜３のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項５】
前記耐酸層のSn対Inの割合が、約１０:９０質量％より大きい請求項４記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項６】
前記耐酸層のSn対Inの割合が、約２０:８０質量％より大きい請求項４記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項７】
前記耐酸層のSn対Inの割合が、約３５:６５質量％より大きい請求項４記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項８】
前記耐酸層のSn対Inの割合が、約９０:１０質量％より大きい請求項４記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項９】
前記耐酸層が、酸化錫を含む請求項１〜３のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１０】
前記耐酸層が、酸化ケイ素を含む請求項１〜３のいずれかに記載の可変反射率バックミラー。
【請求項１１】
前記耐酸層が、酸化ケイ素ジルコニウムを含む請求項１〜３のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１２】
前記ミラーが、低反射率状態において約２０未満のC*値を示す請求項２〜１１のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１３】
前記ミラーが、高反射率状態及び低反射率状態の両方において約２０未満のC*値を示す請求項２〜１１のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１４】
前記ミラーが、低反射率状態において約２５未満のC*値を示す請求項２〜１１のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１５】
前記ミラーが、高反射率状態及び低反射率状態の両方において約２５未満のC*値を示す請求項２〜１１のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１６】
前記ミラーが、b*値が、C*値の約５０％以上に寄与する場合にのみ、高反射率状態及び低反射率状態の一方以上において約２０より大きいC*値を示す請求項２〜１１のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１７】
前記自浄親水性塗膜が、前記自浄親水性塗膜の前面上の水滴が約３０°未満の接触角を示すのに十分親水性である、請求項２〜１６のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１８】
前記自浄親水性塗膜が、前記自浄親水性塗膜の前面上の水滴が約２０°未満の接触角を示すのに十分親水性である、請求項２〜１６のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１９】
前記自浄親水性塗膜が、前記自浄親水性塗膜の前面上の水滴が約１０°未満の接触角を示すのに十分親水性である、請求項２〜１６のいずれかに記載のエレクトロクロミックデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分析物を検出するためのセンサであって：
ヒドロゲルを含んで成るコア；
コア中に配置された蛍光試薬；
約４ｋＤａから約１８ｋＤａの重量平均分子量及び１超の多分散性指数を有する多分散ポリマーを含んで成る、コアを囲む半透性コーティング；及び
半透性コーティングを囲む生体適合性コーティング、
を含んで成るセンサ。
【請求項２】
前記多分散ポリマーがポリリジンを含んで成る、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記センサが１ｍｍ超の直径を有している、請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
前記蛍光試薬がグルコース結合タンパク質及びグリコシル化基質を含んで成る、請求項１に記載のセンサ。
【請求項５】
蛍光試薬を含んで成るコアを含んで成るセンサの作製方法であって、
第一の水性アルギン酸組成物であって、水、アルギン酸、及び任意に蛍光試薬を含んで成る前記第一の水性アルギン酸組成物の液滴と、グループＩＩカチオンを含んで成るイオン溶液とを接触させて、架橋ゲルコアを形成すること、
を含んで成り、さらに、
コアと蛍光試薬とを接触させること、及び
コアと、約４ｋＤａから約１８ｋＤａの重量平均分子量及び１超の多分散性指数を有する多分散ポリマーを含んで成る組成物とを接触させること、
の少なくとも１つを含んで成る方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
既存の技術的対話記述が、新たなグラフィック対話記述を作成するための基礎としてグラフィック対話記述へ少なくとも一部変換されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記対話制御と同じランタイム環境で動作可能であることを特徴とする、請求項７又は８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の静電受信手段と少なくとも１つの静電送信手段とを有するセンサ装置から延びる静電感知領域内に置かれた未知の物体の形状を決定する方法において、
−  前記未知の物体により前記受信手段の各々に誘起された電荷の変化を測定すると共に、該電荷測定値を第１電荷像データセットＣｆとして記憶するステップと、
−  所定形状を規定する点座標を表すような該所定形状のデータセットを取り出すステップと、
−  前記第１電荷像データセットＣｆに関して、該測定された電荷像Ｃｆが略得られるために前記所定形状上で必要とされる電荷分布を表すような電荷分布データセットｑ'を決定するステップと、
−  前記感知領域における前記電荷分布データセットｑ'に対応するような静電電位分布を計算するステップと、
−  前記感知領域における前記静電電位分布が零に近い点に対応するような座標を持つ新たな形状のデータセットを発生するステップと、
−  前記新たな形状のデータセットを、該新たな形状のデータセットと前記所定形状のデータセットとの間の差を所定の閾と比較するステップにより前記感知領域における前記未知の物体の形状を表すものと判断するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記電荷分布ｑ'を決定するステップが、前記所定形状に対して、
前記所定形状の各点座標と前記受信手段の各点座標との間の静電交換ポテンシャルを記述するような成分を持つ行列のデータセットＭと、
前記所定形状の各点座標と該所定形状の各々の他の点との間の静電交換ポテンシャルを記述するような成分を持つ行列のデータセットＧと、
前記所定形状の各点座標と前記送信手段の点座標との間の静電交換ポテンシャルを記述するようなベクトルのデータセットｔと、
を計算するステップを有し、前記所定形状上の電荷分布ｑ０が、Ｃｆ＝Ｍｑ'からの前記ｑ'の決定を正則化するために使用されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、ｑ０がｔ＝Ｇｑ０から計算されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れか一項に記載の方法において、前記比較するステップが前記新たな形状のデータセットに対する二次的電荷像Ｃｆ'を計算するステップと有し、前記所定の閾に対して比較する前記差が、Ｃｆ'とＣｆとの間の自乗差の和を比較することにより計算されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか一項に記載の方法において、前記所定形状のデータセットの点座標が、該既知の形状の三角形要素を規定することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、前記新たな形状のデータセットは、前記感知領域における各三角形要素を前記静電電位分布が零である点に移動すべき距離を補外することにより発生されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１ないし６の何れか一項に記載の方法において、前記所定の閾が５％であることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れか一項に記載の方法により物体の形状を決定するステップと、
所定の形状に関連付けられた制御動作のリストから、前記決定された物体の形状に関連する制御動作を選択するステップと、
前記選択された制御動作を実行するステップと、
を有することを特徴とする装置を制御する方法。
【請求項９】
複数の静電受信手段と少なくとも１つの静電送信手段とを有するセンサ装置から延びる静電感知領域内に置かれた未知の物体の形状を決定するシステムにおいて、所定形状のデータセットを記憶する記憶手段と、請求項１ないし７の何れか一項に記載の方法を実行する処理手段と有することを特徴とするシステム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムにおいて、
所定形状に関連付けられた制御動作の記憶されたリストから、前記決定された物体の形状に関連する制御動作を選択する選択手段と、
前記選択された制御動作を実行する制御手段と、
を更に有することを特徴とするシステム。
【請求項１１】
処理手段により実行された場合に、該処理手段に請求項１ないし８の何れか一項に記載の方法を実行させるような処理命令を有するプログラムコード。
【請求項１２】
処理手段に供給された場合に、該処理手段に請求項１ないし８の何れか一項に記載の方法を実行させるようなプログラムコードを担持するプログラムコード担体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月21日(2007.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリオルガノシロキサン  ２〜５０重量％［成分（Ａ）は２５℃で５０センチストークス（ｍｍ２／ｓ）未満の粘度を有し、且つ成分（Ａ）はヒドロキシル基をもたない］、及び
（Ｂ）酸化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化ケイ素、酸化亜鉛、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される熱伝導性フィラー  ５０〜９８重量％
を含み、シリカを含まないグリース。
【請求項２】
（Ａ）ポリオルガノシロキサン  ２〜５０重量％［成分（Ａ）は２５℃で５０センチストークス（ｍｍ２／ｓ）未満の粘度を有し、且つ成分（Ａ）は反応性基をもたない］、及び
（Ｂ）熱伝導性フィラー  ５０〜９８重量％
を含み、シリカを含まないグリース。
【請求項３】
（Ｃ）処理剤、（Ｄ）抗酸化剤、（Ｅ）賦形剤、（Ｆ）湿潤剤、（Ｇ）消泡剤、（Ｈ）顔料、（Ｉ）難燃剤、（Ｊ）スペーサー、及び（Ｋ）低融点金属からなる群から選択される少なくとも１の成分をさらに含む、請求項１又は２に記載のグリース。
【請求項４】
成分（Ｂ）が、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、ダイアモンド、グラファイト、酸化マグネシウム、金属粒子、炭化ケイ素、炭化タングステン、酸化亜鉛、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２に記載のグリース。
【請求項５】
（Ａ）Ｒ１３ＳｉＯ（Ｒ１２ＳｉＯ）α（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）βＳｉＲ１３の式を有するポリオルガノシロキサン  ２〜５０重量％
［式中、各Ｒ１は独立して、１〜６の炭素原子の一価炭化水素基であり；
各Ｒ２は独立して、１〜３０の炭素原子の一価炭化水素基であり；
添え字α及びβは、成分（Ａ）の粘度が２５℃で５０ｃＳｔ（ｍｍ２／ｓ）未満となる値を有する。］、
（Ｂ）酸化アルミニウム及び酸化亜鉛を含む熱伝導性フィラー  ５０〜９８重量％；
（Ｃ）Ｒ５ｘＳｉ（ＯＲ６）(４−ｘ)の式を有するアルコキシシラン  ０．０５〜１０重量％
［式中、xは１、２、又は３であり；
Ｒ５は、１〜５０の炭素原子の置換又は非置換の一価炭化水素基であり；
Ｒ６は１〜４の炭素原子の非置換の飽和炭化水素基である。］
（Ｄ）抗酸化剤  ０．００１〜１重量％；及び
（Ｅ）顔料  ０．００１〜１重量％
を含むグリース。
【請求項６】
熱源と熱分散器との間の熱経路に沿って、請求項１〜５のいずれか一項に記載のグリースを入れることを含む、熱源と熱分散器との間の熱伝導性を高める方法。
【請求項７】
前記熱源が電子部品である、請求項６に記載の、熱源と熱分散器との間の熱伝導性を高める方法。
【請求項８】
前記熱分散器が、ヒートシンク、熱伝導性プレート、熱伝導性カバー、ファン、又は冷媒循環システムを含む、請求項６に記載の、熱源と熱分散器との間の熱伝導性を高める方法。
【請求項９】
ａ）電子部品、
ｂ）境界面材料、及び
ｃ）ヒートシンク、を含み、
前記境界面材料が、前記電子部品の表面から前記ヒートシンクの表面に及んでいる熱経路に沿って配置され、前記境界面材料が請求項１〜５のいずれか一項に記載のグリースを含むデバイス。
【請求項１０】
ａ）熱分散器、及び
ｂ）前記熱分散器の表面上の境界面材料、を含み、
前記境界面材料及び前記熱分散器が、電子部品とヒートシンクの間の熱伝導経路の一部を含むように配置され、かつ前記境界面材料が請求項１〜５のいずれか一項に記載のグリースを含むデバイス。
【請求項１１】
前記ポリオルガノシロキサンが２５℃で１〜４７ｃＳｔ（ｍｍ２／ｓ）の粘度を有する、請求項１、２及び５のいずれか一項に記載のグリース。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、以下の：（Ａ）２５℃で５０センチストークス（ｍｍ２／ｓ）未満の粘度を有するポリオルガノシロキサンと、（Ｂ）熱伝導性フィラーとを含む熱伝導性グリースに関する。本発明はさらに、本グリースを用いる方法及びデバイスに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、（Ａ）ポリオルガノシロキサン２〜５０重量％［成分（Ａ）は２５℃で５０センチストークス（ｍｍ２／ｓ）未満の粘度を有し、且つ成分（Ａ）はヒドロキシル基をもたない］、及び（Ｂ）熱伝導性フィラー５０〜９８重量％を含むグリースであって、シリカを含まないグリースに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
〔ポリオルガノシロキサン〕
成分（Ａ）は２５℃で５０ｃＳｔ（ｍｍ２／ｓ）未満、あるいは１〜４７ｃＳｔ（ｍｍ２／ｓ）の粘度を有するポリオルガノシロキサンである。成分（Ａ）は不活性であり、グリースに用いられた場合に成分（Ａ）は長期間にわたり反応せず又は粘度上昇しない。成分（Ａ）は反応性基、例えばヒドロキシル基をもたないことができる。「反応性基をもたない」とは、ポリオルガノシロキサン種の０．０１重量％未満しか反応性基を有しないことを意味する。「シリカを含まない」とは、グリースが、ブリードをなくすために充分な量よりも少ないシリカしか含んでいないことを意味する。成分（Ａ）は、直鎖状、分岐状、又は環状構造を有することができる。成分（Ａ）は、単一のポリオルガノシロキサン、又は以下の特性：構造、粘度、平均分子量、シロキサン単位、及び配列のうちの少なくとも１つが異なる２種以上のポリオルガノシロキサンを含む組み合わせであることができる。