Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月14日(2007.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  通信ノードにおいて暗号キー（７０）を生成する装置であって、前記装置は、
データを格納するために構成されたメモリ（６４）と、
通信リンク（１４）によってデータを送受信するために構成可能なトランシーバ（６６）とを有し、
前記メモリと前記トランシーバ（６６）に接続され、暗号化法のキー（４０）を用いて、外部通信ノードとの通信リンク（１４）により認証処理を実行し（１０２）、前記認証処理中に暗号化オフセットを生成し（１０４）、前記暗号化オフセットを前記メモリ（６４）に格納し（１０６）、その後、少なくとも１つの生成されたランダム入力値（６８）、前記暗号化法のキー（４０）、及び前記暗号化オフセット（５０）からの入力を用いるために構成された暗号化キー発生器（４４′）において、これにより暗号化キー（７０）が論理的に前記認証処理に関連付けられるように前記暗号化キー（７０）を生成する（１０８）ために構成されたプロセッサ（６２）を有することを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】  通信リンク（１４）を有するシステムであって、
前記通信リンクに接続され、前記通信リンクによってデータを送受信し、暗号化法のキー（４０）を用いて前記通信リンク（１４）により認証処理を実行し、前記認証処理中に暗号化オフセット（５０）を生成し、前記暗号化オフセットを格納し、その後、少なくとも１つの生成されたランダム入力値（６８）、前記暗号化法のキー、及び前記暗号化オフセットとを用いて、暗号化キー（７０）を生成するために構成された第１のノード（１２′）と、
前記通信リンクに接続され、前記通信リンクによってデータを送受信し、前記暗号化法のキー（４０）を用いて前記通信リンク（１４）により前記第１のノードとの前記認証処理を実行し、前記認証処理中に前記暗号化オフセット（５０）を生成し、前記暗号化オフセットを格納し、その後、少なくとも１つの生成されたランダム入力値（６８）、前記暗号化法のキー（４０）、及び前記暗号化オフセット（５０）からの入力を受信するために構成された暗号化キー発生器（４４′）を用いて、論理的に前記認証処理に関連付けられるように前記暗号化キー（７０）を生成するために構成された第２のノード（１６′）とを有し、
前記暗号化キーが前記第１のノード（１２′）と前記第２のノード（１６′）との両方において同じであることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月20日(2007.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ソフトウェアアーキテクチャの第１ホームネットワークが第２ソフトウェアアーキテクチャの第２ホームネットワークと対話することを可能にする方法であって、
−前記第１ネットワークにおける装置又はサービスの第１ソフトウェア表現を検出可能にし、
−検出された前記第１ソフトウェア表現のリファレンスを形成可能にし、及び
−前記第２ネットワークからアクセス可能であり、作成された前記リファレンスに基づいて少なくとも一部は機能的に同じである第２ソフトウェア表現を作成可能にする、
ことを有する方法。
【請求項２】
前記第１及び第２ネットワークが異なるソフトウェアアーキテクチャを持つ請求項１に記載の方法。
【請求項３】
−前記第１及び第２ネットワークの一方がＪＩＮＩアーキテクチャに基づき、及び
−前記第１及び第２ネットワークの他方がＨＡＶｉアーキテクチャに基づく、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
−前記第１及び第２ネットワークの一方がＪＩＮＩアーキテクチャに基づき、及び
−前記第１及び第２ネットワークの他方がＵＰｎＰアーキテクチャに基づく、
請求項２に記載の方法。
【請求項５】
−前記第１及び第２ネットワークの一方がＵＰｎＰアーキテクチャに基づき、及び
−他方のネットワークがＨＡＶｉアーキテクチャに基づく、
請求項２に記載の方法。
【請求項６】
−前記第１ネットワークは、当該第１ネットワークに記録された装置及び／又はサービスの一覧を持ち、
−前記検出可能にすることは、前記一覧をクエリーすることを有し、
−前記形成可能にすることは、前記第２ネットワークに関連する前記第１ソフトウェア表現に関する情報を抽出可能にすることを有し、
−前記作成可能にすることは、抽出された前記情報に基づいて第２ソフトウェア表現を供給することを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
−第１ソフトウェアアーキテクチャの第１ホームネットワーク、及び
−前記第１ソフトウェアアーキテクチャとは異なる第２ソフトウェアアーキテクチャの第２ホームネットワーク、
を有する情報処理システムであって、
−前記第１ネットワークは、前記第１ネットワークにおける第１装置又は第１サービスの第１ソフトウェア表現を検出可能にするルックアップサービスを持ち、
−前記システムは、前記ルックアップサービスとの対話を介して、前記第１ソフトウェア表現に対するリファレンスを作成するリファレンス生成器を持ち、
−前記システムは、前記第２ネットワークからアクセス可能であり、前記リファレンスに基づいて少なくとも一部は機能的に同じである第２ソフトウェア表現を作成可能にするソフトウェア要素生成器を持つ、
情報処理システム。
【請求項８】
ホーム環境システムに使用するソフトウェアコンポーネント（リファレンスファクトリ）であって、
−前記システムは、第１ソフトウェアアーキテクチャの第１ネットワーク、及び前記第１ソフトウェアアーキテクチャとは異なる第２ソフトウェアアーキテクチャの第２ホームネットワークを有し、
−前記第１ネットワークは、前記第１ネットワークにおける第１装置又は第１サービスの第１ソフトウェア表現を検出可能にするルックアップサービスを持ち、
−前記コンポーネントは、前記ルックアップサービスとの対話を介して、前記第１ソフトウェア表現に対するリファレンスを作成するリファレンス生成器を持ち、及び
−前記コンポーネントは前記リファレンスを記憶するコンテナを持つ
ソフトウェアコンポーネント。
【請求項９】
−前記第２ネットワークからアクセス可能であり、前記リファレンスに基づいて少なくとも一部は機能的に同じである第２ソフトウェア表現を作成可能にするソフトウェア要素生成器、
を有する請求項８に記載のコンポーネント。
【請求項１０】
ホーム環境システムに使用するソフトウェアコンポーネント（オブジェクトファクトリ）であって、
−前記システムは、第１ソフトウェアアーキテクチャの第１ネットワーク、及び前記第１ソフトウェアアーキテクチャとは異なる第２ソフトウェアアーキテクチャの第２ホームネットワークを有し、
−前記第１ネットワークは、前記第１ネットワークにおける第１装置又は第１サービスの第１ソフトウェア表現を検出可能にするルックアップサービスを持ち、
−前記第１ネットワークは、前記第１ソフトウェア表現に対するリファレンスを持ち、及び
−前記コンポーネントは、前記第２ネットワークからアクセス可能であり、前記リファレンスに基づいて少なくとも一部は機能的に同じである第２ソフトウェア表現を作成可能にするソフトウェア要素生成器を持つ、
ソフトウェアコンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
3より小さい誘電率εrを有する前記絶縁層が、前記相互接続構造の前記表層パターン化金属層と直接接触するように配置され、それによって、前記表層パターン化金属層の前記導体トラック間に存在する空間を埋めることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリコン基板を含み、第１の電気的特性を有する複数の第１の絶縁ゲート電界効果トランジスタを具備したダイと；ソルダ・パンプによって上記ダイに取り付けられた第１の表面とこれと反対側の第２の表面を有するインターポーザと；ソルダ・ボールによって上記第２の表面に取り付けられた回路基板とから構成され、
上記インターポーザは上記第１の電気的特性とは異なる第２の電気的特性を有する複数の第２の絶縁ゲート電界効果トランジスタを具備し、更に上記インターポーザは他の電気回路素子を具備することを特徴とする電子アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月14日(2007.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板を処理するための反応チャンバにおいて有用な、温度制御された構成部品であって、
ヒートシンクと、
周辺エッジ部を含み、支持部分により前記ヒートシンクに取り付けられたシャワーヘッドを備える加熱部材と、
前記ヒートシンクと、前記加熱部材中で温度上昇が最高である加熱部材の局部領域とに熱接触している伝熱部材とを備え、前記伝熱部材の外周部が全体として前記支持部分より内方に位置している構成部品。
【請求項２】  前記ヒートシンクが底面部を有し、前記加熱部材が、前記シャワーヘッド電極の上面と前記ヒートシンクの底面との間にガス分配チャンバを格納すべく、当該支持部分の周囲に固定された電力式シャワーヘッド電極であり、前記伝熱部材が、前記シャワーヘッド電極の上面の中央領域および前記ヒートシンクの底面と熱接触している請求項１に記載の構成部品。
【請求項３】  プロセスガスが、１個または複数のガス供給口を通して前記ガス分配チャンバへ供給される請求項２に記載の構成部品。
【請求項４】  前記伝熱部材が金属の一体構造を備える請求項２に記載の構成部品。
【請求項５】  前記伝熱部材が鋳造金属体である請求項２に記載の構成部品。
【請求項６】  前記伝熱部材がシリコンの成形体である請求項２に記載の構成部品。
【請求項７】  前記伝熱部材が金属複合材である請求項２に記載の構成部品。
【請求項８】  前記伝熱部材が電極上面に突起を備える請求項２に記載の構成部品。
【請求項９】  前記伝熱部材が結合材料で電極上面に結合された成形体を備える請求項２に記載の構成部品。
【請求項１０】  前記結合材料が金属材料または熱伝導性接着剤である請求項９に記載の構成部品。
【請求項１１】  前記伝熱部材が前記ヒートシンクの底面に突起を備える請求項２に記載の構成部品。
【請求項１２】  前記伝熱部材が結合材料で前記ヒートシンクの底面に結合された成形体を備える請求項２に記載の構成部品。
【請求項１３】  前記結合材料が金属材料または熱伝導性接着剤である請求項１３に記載の構成部品。
【請求項１４】  前記伝熱部材が同心円状に配置された環状リングを備える請求項２に記載の構成部品。
【請求項１５】  前記リングが、その中を貫通するガス通路を備える請求項１４に記載の構成部品。
【請求項１６】  冷媒が前記ヒートシンクの流路を通過する請求項２に記載の構成部品。
【請求項１７】  前記ヒートシンクと前記シャワーヘッド電極との間に設置され、第１および第２バッフルプレートを含むバッフルアセンブリをさらに備える請求項２に記載の構成部品。
【請求項１８】  前記第１および第２バッフルプレートが前記伝熱部材の形状を有する成形開口を含み、当該成形開口が、前記伝熱部材の周囲に密に嵌合している請求項１７に記載の構成部品。
【請求項１９】  前記伝熱部材が、第１、第２、および第３成形体を備え、当該第１成形体は、前記シャワーヘッド電極上面の中央領域と前記第１バッフルプレート下部に熱接触しており、当該第２成形体は、前記第１バッフルプレート上部と前記第２バッフルプレート下部に熱接触しており、当該第３成形体は、前記第２バッフルプレート上部および前記ヒートシンクの底面に熱接触している請求項１７に記載の構成部品。
【請求項２０】  プロセスガスが、バッフルプレートを通り抜けて当該バッフルプレートと周辺エッジ部を含むシャワーヘッド電極との間のガスプレナム内へ入り、次いで当該シャワーヘッド電極の開口を通り抜けてプラズマチャンバ内へ入るプラズマチャンバ用構成部品において、
前記シャワーヘッド電極の周辺エッジ部より全体として内方に位置し、前記シャワーヘッド電極の中央部と前記バッフルプレート上方の冷却された支持部材との間に熱流路を設ける伝熱部材を備える構成部品。
【請求項２１】  請求項２に記載の構成部品を含むプラズマチャンバ内で半導体基板を処理する方法であって、
前記シャワーヘッド電極中にプロセスガスを流すこと、
前記シャワーヘッド電極に高周波電力を供給することによって、当該プロセスガスをプラズマ状態に励起すること、および
前記半導体基板の露出表面をプラズマで処理することを含む方法。
【請求項２２】  前記加熱部材が円形のシャワーヘッド電極であり、前記伝熱部材が前記周辺エッジ部より全体として径方向に内方に位置している請求項１に記載の構成部品。
【請求項２３】  前記伝熱部材が前記シャワーヘッド電極の上面および前記ヒートシンクの底面に結合されている請求項２２に記載の構成部品。
【請求項２４】  前記シャワーヘッド電極は円形である請求項２０に記載の構成部品。
【請求項２５】  前記伝熱部材が前記シャワーヘッド電極の上面および前記支持部材の底面に結合されている請求項２４に記載の構成部品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月19日(2007.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１のタイプの第１のメモリチップ(４)、第２のタイプの第２のメモリチップ(６)、並びに前記第１及び第２のメモリチップ(４，６)の間の電気配線(１４，１６)を有する半導体メモリチップモジュールにおいて、前記メモリチップ(４，６)が相異なる階層に縦積みされ、縦方向チップ間配線(１４，１６)により接続されることを特徴とするチップモジュール。
【請求項２】  前記第１のメモリチップ(４)のメモリセル(Ｃ４)が前記第２のメモリチップ(６)のあるメモリセル(Ｃ６)と固定的に位置合せされ、前記相互に位置合せされたメモリセル(Ｃ４，Ｃ６)が電気的に直接接続されることを特徴とする請求項１記載のチップモジュール。
【請求項３】  前記第１のタイプが不揮発性メモリに相当し、前記第２のタイプが揮発性メモリに相当することを特徴とする請求項１または２記載のチップモジュール。
【請求項４】  少なくとも１つの別のチップ(８，１８)が別の階層に与えられることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載のチップモジュール。
【請求項５】  前記別のチップが前記メモリチップ(４，６)のためのデコーダ回路(１０，１２)をもつことを特徴とする請求項４記載のチップモジュール。
【請求項６】  前記階層の内の少なくとも１つにエネルギーバッファが形成されることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載のチップモジュール。
【請求項７】  前記エネルギーバッファが集積化バッファコンデンサ(２０)として形成されることを特徴とする請求項６記載のチップモジュール。
【請求項８】  スマートカード用につくられていることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載のチップモジュール。
【請求項９】  請求項１から８いずれか１項記載の半導体メモリチップモジュールを有することを特徴とするスマートカード。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電源を有するマザーボードを電力消費部品群を有するドーターカードへ連結するための電気コネクタであって、
前記マザーボードへ連結するための複数のボードコンタクトと、ガイドピンと、該複数のボードコンタクトに電気的に連結される複数の電気コンタクトとを有するボード部分と、
前記ボード部分に嵌合するように構成されたカード部分であって、前記ドーターカードへ連結するための複数のカードコンタクトと、ガイドピン受取開口部と、該複数のカードコンタクトに電気的に連結されて、該カード部分が該ボード部分に嵌合するときに該ボード部分の前記複数の電気コンタクトに連結されるように構成された複数の電気コンタクトとを有するカード部分と、
を具備する電気コネクタ。
【請求項２】  前記ボード部分は、ハウジングと、任意の相対配置で該ハウジングに取り付けられた複数の電気コンタクトに連結される複数のボードコンタクトとを備え、前記カード部分は、ハウジングと、対応の相対配置で該ハウジングに取り付けられた複数の電気コンタクトに連結される複数のカードコンタクトとを備える、請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項３】  前記カード部分は嵌合面を有するハウジングを備え、前記カード部分の前記電気コンタクトは前記嵌合面から垂直に延在するブレードを有する、請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項４】  前記カード部分は、前記ガイドピンが前記ガイドピン受取開口部に受容されるときに該ガイドピンに係合するように位置決めされた該ガイドピン受取開口部に隣接するガイドピンコンタクトを有する、請求項３記載の電気コネクタ。
【請求項５】  前記ガイドピンは、前記マザーボードへ電気的且つ機械的に連結されるようになっている、請求項２記載の電気コネクタ。
【請求項６】  前記カード部分は、前記ガイドピンが前記ガイドピン受取開口部に受容されるときに該ガイドピンに係合するように位置決めされた該ガイドピン受取開口部に隣接するガイドピンコンタクトを有する、請求項５記載の電気コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】 あるフィーチャ層にある第１の領域（４６）と、 前記第１の領域は第１のアクティブフィーチャ（１２５１，１２７１）及び第１のダミーフィーチャ（１２５３，１２５５，１２７３，１２７５）を含むことと、 前記第１の領域は第１のフィーチャ密度を有することと、 前記フィーチャ層にある第２の領域と、 前記第２の領域は第２のアクティブフィーチャ及び第２のダミーフィーチャを含むことと、 前記第２の領域は第１のフィーチャ密度とは異なる第２のフィーチャ密度を有することとからなる、半導体デバイス。    【請求項２】 あるフィーチャ層にあり、研磨ダミーフィーチャ（１２７５）を含む第１の領域（４６）と、 前記フィーチャ層にある第２の領域（４２）と、 半導体デバイスの上面から視認したときに、前記第２の領域（４２）は少なくとも１０ミクロンの長さ及び少なくとも１０ミクロンの幅の空地を有することと、 前記第２の領域（４２）は研磨ダミーフィーチャを有しないこととからなる、半導体デバイス。    【請求項３】 あるフィーチャ層にある研磨ダミーフィーチャ（１２９）と、 前記フィーチャ層にあり、前記研磨ダミーフィーチャ（１２９）に最も近接したアクティブフィーチャである、あるアクティブフィーチャ（１２３）と、 前記研磨ダミーフィーチャ（１２９）は前記アクティブフィーチャ（１２３）に最も近い最近接箇所を有することと、 前記アクティブフィーチャ（１２３）に最も近い最近接箇所からの距離（１２９７）は少なくとも約０．３ｍｍであることと、 前記フィーチャ層における前記最近接箇所と前記アクティブフィーチャ（１２３）の間には他のアクティブフィーチャ又はダミーフィーチャが何ら存在しないこととからなる、半導体デバイス。    【請求項４】 半導体デバイスの基板（１３９）と、 前記半導体デバイス基板の上方にある集積回路領域（４０）と、 前記集積回路領域（４０）の外側に伸びるスクライブライン（１３１）の少なくとも一部と、 第１の研磨ダミーフィーチャ（１３５）の少なくとも一部は前記スクライブライン（１３１）内に延び、前記半導体デバイス基板（１３９）の上方にあることとからなる、半導体デバイス。    【請求項５】 第１のアクティブフィーチャと、 研磨ダミーフィーチャとからなる半導体デバイスであって、 前記半導体デバイスは、（ａ）前記第１のアクティブフィーチャ（１２５１，１２７１）及び研磨ダミーフィーチャ（１２５３，１２５５，１２７３，１２７５）は同一のフィーチャ層にあり、前記第１のアクティブフィーチャ（１２５１，１２７１）は電力供給フィーチャであり、及び、前記第１のアクティブフィーチャ（１２５１，１２７１）は前記研磨ダミーフィーチャ（１２５３，１２５５，１２７３，１２７５）から約１．０ミクロンの距離の範囲内にある構成、（ｂ）前記第１のアクティブフィーチャ（１５２，１５４，１５６）及び研磨ダミーフィーチャ（１５３，１５５，１５７）は異なるフィーチャ層にあり、前記第１のアクティブフィーチャ（１５２，１５４，１５６）は電力供給フィーチャであり、及び、前記第１のアクティブフィーチャ（１５２，１５４，１５６）は前記研磨ダミーフィーチャ（１５３，１５５，１５７）の上方又は下方にある構成、（ｃ）前記第１のアクティブフィーチャ（１６２，１６４，１６６）及び研磨ダミーフィーチャ（１６３，１６５）は同一のフィーチャ層にあり、前記第１のアクティブフィーチャ（１６２，１６４，１６６）は信号フィーチャであり、及び、前記第１のアクティブフィーチャ（１６２，１６４，１６６）は前記研磨ダミーフィーチャ（１６３，１６５）から少なくとも約０．３ｍｍの箇所にある構成、及び（ｄ）前記第１のアクティブフィーチャ（１６２，１６４，１６６）及び研磨ダミーフィーチャ（１６３，１６５）は異なるフィーチャ層にあり、前記第１のアクティブフィーチャ（１６２，１６４，１６６）は信号フィーチャであり、及び、前記第１のアクティブフィーチャ（１６２，１６４，１６６）は前記研磨ダミーフィーチャ（１６３，１６５）の上方にも下方にもない構成からなる群から選択された構成を有する、半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  上面と底面とエッジとを有する基板をエッチングするためのプラズマ処理チャンバであって、
前記基板の前記底面の少なくとも一部を支持し、高周波（ＲＦ）電力を供給されるチャックと、
前記高周波電力を供給されるチャックの一部の上方であって、前記基板のエッジに隣接する位置に設けられた内側高周波結合エッジリングと、
前記内側高周波結合エッジリングと、前記高周波を供給されるチャックの一部と、の間に設けられた高周波カプラを備え、
前記高周波電力を供給されるチャックにより供給された前記高周波エネルギの前記一部が、前記高周波カプラを介して前記内側高周波結合エッジリングに結合される、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記内側高周波結合エッジリングが前記基板を取り囲む、プラズマ処理チャンバ。
【請求項３】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板はウェーハである、プラズマ処理チャンバ。
【請求項４】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記内側高周波結合エッジリングは主として半導体材料で構成されている、プラズマ処理チャンバ。
【請求項５】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記内側高周波結合エッジリングは主として炭化ケイ素で構成されている、プラズマ処理チャンバ。
【請求項６】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記内側高周波結合エッジリングを取り囲む外側エッジリングを備えるプラズマ処理チャンバ。
【請求項７】  請求項６記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記外側エッジリングが前記高周波を供給されるチャックの一部を更に取り囲んでいる、プラズマ処理チャンバ。
【請求項８】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記内側高周波結合エッジリング及び前記高周波カプラが、前記基板の前記エッジから所定の距離だけ延びている、プラズマ処理チャンバ。
【請求項９】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記内側高周波結合エッジリングが前記基板を取り囲む、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１０】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板がウェーハである、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１１】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記内側高周波結合エッジリングが、主として半導体材料で構成されている、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１２】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記内側高周波結合エッジリングを取り囲む外側エッジリングを備えるプラズマ処理チャンバ。
【請求項１３】  請求項１２記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記外側エッジリングが前記高周波電力を供給されるチャックの一部を更に取り囲んでいる、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１４】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記高周波電力を供給されるチャックの一部を取り囲む絶縁性充填材を備えるプラズマ処理チャンバ。
【請求項１５】  請求項１４記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記絶縁性充填材が主として、セラミック、石英、ポリマ、及びテフロン（登録商標）の少なくとも一つで構成される、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１６】  請求項１４記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記絶縁性充填材を取り囲むグラウンドリングを備えるプラズマ処理チャンバ。
【請求項１７】  請求項１記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記高周波カプラが絶縁被覆を有する金属である、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１８】  請求項１７記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記高周波カプラを介して、前記高周波電力を供給されるチャックから前記内側高周波結合エッジリングに達する高周波エネルギの量が、前記絶縁被覆の厚さに正比例する、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１９】  上面と底面とエッジとを有する基板をエッチングするためのプラズマ処理チャンバであって、
前記基板の前記底面の少なくとも一部を支持し、高周波（ＲＦ）電力を供給されるチャックと、
前記高周波電力を供給されるチャックの一部の上方であって、前記基板のエッジに隣接する位置に設けられた内部表面と、前記基板の前記上面から所定の距離だけ上方に離れた上部表面とを有する高位置エッジリングと、を備えるプラズマ処理チャンバ。
【請求項２０】  請求項１９記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記高位置エッジリングが前記基板を取り囲む、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２１】  請求項１９記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板がウェーハである、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２２】  請求項１９記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記高位置エッジリングが主として絶縁材料で構成されている、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２３】  請求項１９記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記所定の距離は、１乃至１０ミリメートルである、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２４】  上面と底面とエッジとを有する基板をエッチングするためのプラズマ処理チャンバであって、
前記基板の前記底面の少なくとも一部を支持し、高周波（ＲＦ）電力を供給されるチャックと、
前記高周波電力を供給されるチャックの一部の上方であって、前記基板のエッジに隣接する位置に設けられた内部表面を有する溝付きエッジリングと、を備え、
前記溝付きエッジリングが前記基板の前記エッジ付近に溝領域を提供する、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２５】  請求項２４記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記溝付きエッジリングの前記溝領域が前記基板を取り囲む、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２６】  請求項２４記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板がウェーハである、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２７】  請求項２４記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記溝付きエッジリングが主として絶縁材料で構成される、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２８】  請求項２４記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記溝領域の底面が、前記基板の前記底面から所定の距離だけ下方に位置する、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２９】  請求項２４記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記溝領域が、第一の傾斜表面と、前記基板の前記底面により部分的に覆われた第二の部分的に覆われた傾斜表面と、により画定され、
第一の傾斜表面が、上部表面を前記部分的に覆われた傾斜表面に接続する、プラズマ処理チャンバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
エッジリング１０８の外部表面はウェーハ１０６の外部エッジを超えて延びる。エッジリング１０８の内部表面１１４の上部は、チャック１０４だけでなくウェーハ１０６とも隣接している。従来、エッジリング１０８の上面１１８は、ウェーハ１０６の上面より下にあるか、或いはほぼ同じ高さにある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コア中の活性物質および少なくとも一以上のアンモニオメタクリレートコポリマーを含むポリマー被覆剤からなり、該コアが少なくとも一以上の界面活性剤を含み、該界面活性剤の一つが、ポリマー被覆剤の中に拡散し、所定の濃度でフィルムの性質に突然の変化を引き起こす手段であることを特徴とする、適時パルス放出を生じる遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項２】  界面活性剤の性質が、カチオン性または双極イオン性であることを特徴とする、請求項１に記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項３】  アンモニオメタクリレートコポリマーが、ＡタイプまたはＢタイプであることを特徴とする、請求項１または２に記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項４】  カチオン性界面活性剤が、トリメチル−ジミリストイル−アンモニウムプロピオネート、ジメチル−ジオクタデシル−アンモニウムブロマイド、トリメチル−セチル−アンモニウムブロマイド、ジメチル−ジドデシル−アンモニウムブロマイド、塩化ベンザルコニウム、塩化セチルピリジニウムおよびセトリミドから選ばれることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項５】  双極性イオン界面活性剤が、Ｎ−アルキルベタイン、Ｃ−アルキルベタイン、Ｎ−アルキルアミドベタイン、Ｎ−アルキルグリシン、ホスファチジルコリンおよびレシチンから選ばれることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項６】  双極性イオン界面活性剤がコカミドプロピルベタインであることを特徴とする、請求項５に記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項７】  活性物質が、ジルチアゼム、テオフィリン、フェロジピン、ベラパミル、クロニジン、アセブトロール、アルプレノロール、ベタキソロール、メトプロロール、ナドロール、プロプラノロール、チモロール、カプトプリル、エナラプリル、フォシノプリル、チアパミル、ガロパミル、アムロジピン、ニトレンジピン、ニソルジピン、ニカルジピン、フェロジピン、モルシダミン、インドメタシン、スリンダック、インドプロフェン、ケトプロフェン、フルルビプロフェン、フェンブフェン、フルプロフェン、ジクロフェナック、チアプロフェン酸、ナプロキセン、ミゾラスチン、テルブタリン、サルブタモール、ベタメタゾン、プレドニゾン、メチルプレドニゾン、デキサメタゾン、プレドニゾロン、スマトリプタン、ナラトリプタン、シメチジン、ラニチジン、ファモチジン、ニザチジン、オメプラゾール、モルヒネ、フェノプロフェン、イブプロフェン、ケトプロフェン、アルクロフェナック、メフェナミック、アルフゾシン、プラゾシン、タムスロシン、レボドーパおよびメチルドーパ、それらの塩および薬理学的に活性なエステルから選ばれることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項８】  直径が、０．３〜３ｍｍの間にある粒子、ペレット、ビーズ、顆粒またはスフェロイドであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項９】  錠剤であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項１０】  小型の錠剤であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項１１】  コアが、水溶性ポリマーの層によりポリマー被覆剤から分離されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項１２】  前記の水溶性ポリマーが、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースおよびポリビニルピロリドンから選ばれることを特徴とする、請求項１１に記載の遅延放出性の被覆されたコア。
【請求項１３】  請求項１〜１２のいずれかに記載の遅延放出性の被覆されたコアを少なくとも含む医薬投与形態。
【請求項１４】  錠剤、多層錠剤、多重被覆錠剤またはカプセルの形態をとることを特徴とする、請求項１３に記載の医薬投与形態。
【請求項１５】  異なった遅延放出時間の被覆されたコアが、段階的な放出プロフィールを与えるために一緒に組み合わされていることを特徴とする、請求項１３または１４に記載の医薬投与形態。
【請求項１６】  放出性の被覆されたコアが、即時または持続放出性の他の製剤本体と組み合わされることを特徴とする、請求項１３または１４に記載の医薬投与形態。
【請求項１７】  他の製剤本体が、放出性の被覆されたコアの中とは異なった活性物質を含むことを特徴とする、請求項１６に記載の医薬投与形態。
【請求項１８】  第一の放出パルスが直ちに起こり、第二の放出パルスが所定時間遅延されていることを特徴とする、請求項１６に記載の医薬投与形態。
【請求項１９】  請求項８または１０による遅延放出性の被覆されたコア、ならびに
(ｉ) 即時放出性の粒子もしくは小型の錠剤または即時放出性顆粒もしくは粉末、
(ｉｉ) 制御された放出性の粒子または小型の錠剤、
から選ばれる即時および/または持続放出性の本体を含むことを特徴とする、請求項１６に記載のカプセル剤。
【請求項２０】  即時崩壊性のマトリックスに埋め込まれた請求項８に記載の遅延放出性の被覆されたコアを含むこと、および代替的に
(i) マトリックスが活性物質を含まない、
(ii)  マトリックスも活性物質を含む、
(iii) 持続放出性粒子が遅延放出性粒子に混合されている、
(iv)  即時放出性粒子が、遅延放出性の被覆された粒子と混合されている、
(v) 遅延放出性粒子が、活性物質を含む層でさらに被覆されていて、即時放出を許容する、
(vi)  急速に崩壊するマトリックス中に遅延放出性粒子を含む一以上の層、および即時放出性マトリックス中の活性物質を含む一以上の層からなる錠剤であることを特徴とする、請求項１６に記載の錠剤。
【請求項２１】  一以上の即時放出性錠剤および請求項９による一以上の遅延放出性錠剤を含むことを特徴とする請求項１６に記載のカプセル剤。
【請求項２２】  錠剤が即時放出性の可溶性または崩壊性の被覆剤で被覆されていることを特徴とする、請求項１６に記載の多重被覆された錠剤。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月5日(2007.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体と、一つまたはそれ以上の核酸分子と一つまたはそれ以上の一般式Iの荷電コポリマーとを含む複合体との配合剤：
【化１】
2003503370.tif 000001
式中Rは、両親媒性ポリマーまたはそのホモもしくはヘテロ二官能誘導体である、および
式中Xは
i）  アミノ酸もしくはアミノ酸誘導体、ペプチドもしくはペプチド誘導体、またはスペルミンもしくはスペルミジン誘導体である；または
ii）  Xは
【化２】
2003503370.tif 000002
であり、式中
aはH、または選択的にハロゲンもしくはジアルキルアミノ置換、C1〜C6アルキルである；ならびに
b、c、およびdは、同じまたは異なり、選択的にハロゲンもしくはジアルキルアミノ置換C1〜C6アルキレンである；または
iii）  Xは
【化３】
2003503370.tif 000003
であり、式中
aは、選択的にハロゲンもしくはジアルキルアミノ置換C1〜C6アルキレンである、および
bおよびcは、同じまたは異なり、選択的にハロゲンもしくはジアルキルアミノ置換C1〜C6アルキレンである；または
iv）  式中、Xは三つの官能基W、Y、およびZを有する置換芳香族化合物である；
式中、
W、YまたはZは、同じまたは異なる基CO、NH、OもしくはS、またはSH、OH、NH、もしくはNH2と反応することができるリンカーを意味する；
およびイフェクター分子Eは、
陽イオン性もしくは陰イオン性ペプチドもしくはペプチド誘導体、スペルミンもしくはスペルミジン誘導体、グリコサミノグリカン、または非ペプチド性オリゴ／ポリカチオンもしくは陰イオンである；
それぞれのmは独立して互いに０、１、または２である；
それぞれのnは独立して互いに０、１、または２である；
pは好ましくは３〜20である；ならびに
lは１〜５、好ましくは１である。
【請求項２】
コポリマーの両親媒性ポリマーが酸化ポリアルキレンである、請求項１記載の配合剤。
【請求項３】
コポリマーの両親媒性ポリマーがポリアルキレングリコールである、請求項２記載の配合剤。
【請求項４】
コポリマーにおけるXまたはEが荷電ペプチドまたはペプチド誘導体である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配合剤。
【請求項５】
高等真核細胞に対するリガンドがコポリマーにカップリングしている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配合剤。
【請求項６】
核酸分子（群）が有機ポリカチオンまたは陽イオン性脂質分子と縮合し、それによって形成された複合体の表面に、一般式Iの一つまたはそれ以上の荷電コポリマーがイオン相互作用を通じて結合する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配合剤。
【請求項７】
治療的に有効な核酸分子を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配合剤。
【請求項８】
担体が生物学的に再吸収されない材料からなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の配合剤。
【請求項９】
前記生物学的に再吸収されない材料が、金属材料である、請求項８に記載の配合剤。
【請求項１０】
前記生物学的に再吸収されない材料が、チタンである、請求項８に記載の配合剤。
【請求項１１】
担体が生物学的に再吸収可能な材料からなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の配合剤。
【請求項１２】
生物学的に再吸収可能な材料がコラーゲンである、請求項１１記載の配合剤。
【請求項１３】
前記生物学的に再吸収可能な材料が、脂肪族ポリエステルである、請求項１１に記載の配合剤。
【請求項１４】
前記生物学的に再吸収可能な材料が、ポリ乳酸である、請求項１１に記載の配合剤。
【請求項１５】
前記配合剤が、インプラントのコーティングである、請求項１に記載の配合剤。
【請求項１６】
前記配合剤が、内部人工器官のコーティングである、請求項１に記載の配合剤。
【請求項１７】
担体がコラーゲンスポンジである、請求項１２記載の配合剤。
【請求項１８】
担体が、請求項１において定義したコポリマーのクロスリンクによって得ることができる担体である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の配合剤。
【請求項１９】
核酸を細胞に移入するための、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の配合剤の使用。
【請求項２０】
請求項１〜１８のいずれか一項に記載の配合剤を含む薬学的組成物。
【請求項２１】
担体と、請求項１において定義したコポリマーまたは複合体とを含むキット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
別の段階において、グルタミン酸もしくはアスパラギン酸誘導体のコポリマーを、適した反応基を含む陰イオンもしくは陽イオン性ペプチドと反応させる。例えば、3-(2'-チオ-ピリジル)-メルカプトプロピオニル-グルタミン酸のコポリマーを、遊離のシステイン-チオール基を含むペプチドと反応させる。6-Fmoc-アミノヘキサノイルグルタミン酸から得られたコポリマーから、Fmoc基をアルカリ条件で除去する。生成物をカルボキシル活性化保護ペプチドと反応させる。ペプチド保護基（t-BocまたはO-t.ブチル）をDCM/TFA中で除去し、得られた生成物をクロマトグラフィーによって精製する。または、Ahx（６−アミノヘキサン酸）のアミノ基を二官能リンカーによって誘導体にして、その後ペプチドと反応させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被験体において細胞傷害性作用因子の効果を向上させる方法であって、少なくとも1つの細胞傷害性作用因子を前記被験体に投与するステップと、少なくとも1つのFGFアンタゴニストを被験体に投与するステップを特徴とし、前記FGFアンタゴニストが、FGFアンタゴニストの欠如下における細胞傷害性作用因子の効果と比較して、前記細胞傷害性作用因子の効果を向上させる、方法。
【請求項２】  請求項１に記載の方法であって、前記FGFアンタゴニストが1つ以上のbFGF阻害剤またはaFGF阻害剤を含む、方法。
【請求項３】  請求項１に記載の方法であって、前記FGFアンタゴニストがFGF分子またはFGFレセプタに結合する能力がある、方法。
【請求項４】  請求項１に記載の方法であって、前記FGFアンタゴニストがタンパク質、ペプチド、モノクローナル抗体、またはその抗原結合断片である、方法。
【請求項５】  請求項４に記載の方法であって、前記モノクローナル抗体が抗FGF抗体または抗FGFR抗体である、方法。
【請求項６】  請求項１に記載の方法であって、前記FGFアンタゴニストがスラミンである、方法。
【請求項７】  請求項６に記載の方法であって、スラミンが、約0.1乃至100μg/mlの範囲内の濃度を得られるような量、投与される、方法。
【請求項８】  請求項６に記載の方法であって、総スラミン暴露量が96時間で一日当たり800マイクロモル未満である、方法。
【請求項９】  請求項６に記載の方法であって、総スラミン暴露量が一日当たり252マイクロモル未満である、方法。
【請求項１０】  請求項６に記載の方法であって、スラミンを、前記細胞傷害性因子を投与する最終日から180日未満のうちに終了する期間、投与する、方法。
【請求項１１】  請求項６に記載の方法であって、スラミンを、前記細胞傷害性因子を投与する最初の日の前180日未満の間に開始する期間、投与する、方法。
【請求項１２】  請求項１に記載の方法であって、前記患者が、線維肉腫、筋肉種、脂肪肉腫、軟骨肉腫、骨原性肉腫、脊索腫、血管肉腫、内皮肉腫、リンパ管肉腫、リンパ管内皮肉腫、滑膜肉腫、中皮腫、ユーイング腫、平滑筋肉腫、横紋筋肉腫、胃癌、食道癌、結腸癌、直腸癌、膵臓癌、乳癌、卵巣癌、前立腺癌、子宮癌、頭頸部癌、皮膚癌、脳癌、扁平上皮癌、脂腺癌、乳頭癌、乳頭腺癌、嚢腺癌、髄様癌、気管支癌、腎細胞癌、へパトーム、胆道癌、絨毛上皮腫、精上皮腫、胎児性癌、ウィルムス腫瘍、子宮頸癌、睾丸癌、肺癌、小細胞肺癌、非小細胞肺癌、膀胱癌、上皮癌、グリオーマ、星状細胞腫、髄芽細胞腫、頭蓋咽頭腫、上衣細胞腫、松果体腫、血管芽腫、聴神経腫、乏突起膠腫、髄膜腫、黒色腫、神経芽腫、網膜芽細胞腫、白血病、リンパ腫、またはカポジ肉腫の1種類以上から選択される腫瘍を有する、方法。
【請求項１３】  請求項１に記載の方法であって、前記被験体が哺乳類である、方法。
【請求項１４】  請求項１３に記載の方法であって、前記被験体がヒトである、方法。
【請求項１５】  請求項１に記載の方法であって、前記細胞傷害性因子が、抗微小管剤、トポイソメラーゼI阻害剤、トポイソメラーゼII阻害剤、代謝拮抗剤、有糸分裂阻害剤、アルキル化剤、インターカレート剤、シグナル伝達経路に緩衝できる薬剤、アポトーシスおよび／または壊死を促進する薬剤、インターフェロン、インターロイキン、腫瘍壊死因子、および放射線からなるグループから選択される、方法。
【請求項１６】  請求項１５に記載の方法であって、前記細胞傷害性因子がパクリタキセル、インターフェロン、ゲムシタビン、フルダラビン、イリノテカン、カルボプラチン、シスプラチン、タキソテル、ドキソルビシン、エピルビシン、5-フルオロウラシル、UFT、タモキシフェン、ゴセレリン、ケトコナゾール、抗Her2/neuレセプタ、抗CD20、ロイプロリド（ルプロン）、およびフルタミドである、方法。
【請求項１７】  請求項１に記載の方法であって、前記細胞傷害性因子およびFGFアンタゴニストが同時に投与される、方法。
【請求項１８】  請求項１、２、３、４、または５に記載の方法であって、同一のまたは異なる細胞傷害性因子が1回以上繰り返して投与されるか、または同一のまたは異なるFGFアンタゴニストが繰り返し投与される、方法。
【請求項１９】  請求項１に記載の方法であって、1つ以上の前記細胞傷害性因子または前記FGFアンタゴニストを、非経口、経口、局所領域、経鼻、直腸、局所、または経皮投与する、方法。
【請求項２０】  請求項１に記載の方法であって、さらに、前記被験体へのFGFアンタゴニストの投与の前に、前記被験体のFGF値を監視するステップを特徴とする、方法。
【請求項２１】  請求項２０に記載の方法であって、前記被験体に投与されるFGFアンタゴニストの量は、FGFアンタゴニストの投与前の前記監視ステップによって決定される、前記被験体のFGF値に、少なくとも部分的に基づいて、決定される、方法。
【請求項２２】  被験体における細胞傷害性因子の効果を向上させる方法であって、前記被験体に少なくとも1つの細胞傷害性因子を投与するステップと、前記被験体に20日間で一日当たり約2,000μM未満の総暴露量になるような量のスラミンを投与するステップを含み、前記スラミンが、スラミンの欠如下における細胞傷害性因子の効果と比較して、前記細胞傷害性因子の効果を向上させる、方法。
【請求項２３】  細胞傷害性因子によって死滅させる細胞を阻害するか、または毛包細胞の細胞傷害性因子への暴露後に増殖する能力を保護する方法であって、前記被験体に少なくとも1つのFGFアゴニストを有効量投与し、細胞の死滅を阻害または低減させるステップか、または前記細胞傷害性因子によって誘導される毛包細胞への損傷を保護または低減するステップを特徴とし、前記FGFアゴニストの投与によって前記FGFが著しく全身吸収されない、方法。
【請求項２４】  請求項２３に記載の方法であって、少なくとも1つのFGFアゴニストを局所投与する、方法。
【請求項２５】  請求項２３に記載の方法であって、前記FGFアゴニストがbFGF、aFGF、またはbFGFとaFGF、またはその断片もしくは類似物を含む、方法。
【請求項２６】  前記FGFアンタゴニストと1つ以上の細胞傷害性因子との併用投与を実行するためのキットであって、薬学的担体に調合されたFGFアンタゴニストと、1つ以上の別の薬学的製剤に適宜調合した少なくとも1つの細胞傷害性因子を特徴とする、キット。
【請求項２７】  前記FGFアゴニストとその他の1つ以上の細胞傷害性因子との併用投与を実行するためのキットであって、薬学的担体に調合されたFGFアゴニストと、1つ以上の別の薬学的製剤に適宜調合した少なくとも1つの細胞傷害性因子を特徴とする、キット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  組織工学で使用する治療的ビヒクルであって、ここで該ビヒクルはプラズマ重合によって得られる細胞培養表面に一体化、または適用され、それに対して少なくとも１つの細胞が可逆的に接着され得、該表面は少なくとも５％の酸性官能基を含むことで特徴付けられる、ビヒクル。
【請求項２】  前記表面の酸性官能基が５〜２０％の間である、請求項１に記載のビヒクル。
【請求項３】  前記表面の酸性官能基が２０％より多い、請求項１または２に記載のビヒクル。
【請求項４】  前記表面の酸性官能基がカルボン酸によって提供される、請求項１〜３のいずれかに記載のビヒクル。
【請求項５】  前記表面の酸性官能基がプロピオン酸によって提供される、請求項１〜３のいずれかに記載のビヒクル。
【請求項６】  前記酸性官能基がアクリル酸によって提供される、請求項１〜３のいずれかに記載のビヒクル。
【請求項７】  前記表面が、酸含有モノマーのプラズマコポリマーで基板をコーティングすることによって提供される、請求項１〜３のいずれかに記載のビヒクル。
【請求項８】  前記コポリマーがアクリル酸および炭化水素の混合物である、請求項７に記載のビヒクル。
【請求項９】  前記炭化水素が１，７−オクタジエンである、請求項８に記載のビヒクル。
【請求項１０】  ガスフィード中でアクリル酸が５０〜１００％で提供され、そして１，７−オクタジエンが０〜５０％で提供される、請求項８または９に記載のビヒクル。
【請求項１１】  前記表面が哺乳類起源の細胞と使用するのに適当である、請求項１〜１０のいずれかに記載のビヒクル。
【請求項１２】  前記哺乳類細胞がヒトである、請求項１１に記載のビヒクル。
【請求項１３】  前記表面が以下の細胞型のいずれか１つと使用するのに適当である、請求項１０または１１に記載のビヒクル：ケラチノサイト；軟骨細胞；骨芽細胞；内皮細胞；尿路上皮細胞；上皮細胞。
【請求項１４】  前記細胞型がケラチノサイトである、請求項１３に記載のビヒクル。
【請求項１５】  前記ビヒクルがマトリックス材料を含む、請求項１〜１４のいずれかに記載のビヒクル。
【請求項１６】  請求項１〜１５のいずれかに記載の治療的ビヒクルの細胞培養表面を調製する方法であって、以下：
ｉ）酸を提供する工程；
ｉｉ）該酸のプラズマを産生する工程；および
ｉｉｉ）基板を該プラズマでコーティングして、少なくとも５％の高い酸性官能基を含む表面ポリマーを提供する工程
を包含する、方法。
【請求項１７】  前記酸がアクリル酸またはプロピオン酸である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  請求項１〜１５のいずれかに記載の治療的ビヒクルの細胞培養表面を調製する方法であって、以下：
ｉ．ガスフィード中で選択された比の酸を含むモノマーおよび炭化水素を混合する工程；
ｉｉ．該混合物のプラズマを産生する工程；および
ｉｉｉ．適当な基板を該プラズマでコーティングして、少なくとも５％の高い酸性官能基を含む表面ポリマー／コポリマーを提供する工程、
を包含する、方法。
【請求項１９】  前記プラズマが０〜５０Ｗのプラズマパワーおよび０〜２０ｓｃｃｍの流速を用いて持続波条件下で産生される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  前記プラズマがパルス波条件を用いて産生される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記酸がアクリル酸であり、そして前記炭化水素が１，７−オクタジエンである、請求項１８〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】  前記プラズマが前記ガスフィード中で５０〜１００％のアクリル酸および０〜５０％の１，７−オクタジエンを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  前記プラズマが以下の比：
アクリル酸％    １，７−オクタジエン％
５０            ５０
６０            ４０
７０            ３０
８０            ２０
９０            １０
１００          ０
のアクリル酸および１，７−オクタジエンを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】  前記プラズマが以下の比：
酸％            炭化水素％
５０            ５０
６０            ４０
７０            ３０
８０            ２０
９０            １０
１００          ０
の酸および炭化水素を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】  皮膚創傷の治療のための、請求項１〜１５のいずれかに記載の治療的ビヒクルを含む組成物。
【請求項２６】  前記プラズマが０〜５０Ｗのプラズマパワーおよび０〜２０ｓｃｃｍの流速を用いて持続波条件下で産生される、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２７】  前記プラズマがパルス波条件を用いて産生される、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２８】  前記酸がアクリル酸であり、そして前記炭化水素が１，７−オクタジエンである、請求項２５〜２７のいずれかに記載の組成物。
【請求項２９】  前記プラズマがガスフィード中に５０〜１００％のアクリル酸および０〜５０％の１，７−オクタジエンを含む、請求項２８に記載の組成物。
【請求項３０】  前記プラズマが、以下の比：
アクリル酸％    １，７−オクタジエン％
５０            ５０
６０            ４０
７０            ３０
８０            ２０
９０            １０
１００          ０
のアクリル酸および１，７−オクタジエンを含む、請求項２９に記載の組成物。
【請求項３１】  前記プラズマが以下の比：
酸％            炭化水素％
５０            ５０
６０            ４０
７０            ３０
８０            ２０
９０            １０
１００          ０
の酸および炭化水素を含む、請求項２５に記載の組成物。
【請求項３２】  前記プラズマがガスフィード中に５０〜１００％のアクリル酸および０〜５０％の１，７−オクタジエンを含む、請求項３１に記載の組成物。
【請求項３３】  前記プラズマが、以下の比：
アクリル酸％    １，７−オクタジエン％
５０            ５０
６０            ４０
７０            ３０
８０            ２０
９０            １０
１００          ０
のアクリル酸および１，７−オクタジエンを含む、請求項３１に記載の組成物。
【請求項３４】  前記プラズマが以下の比：
酸％            炭化水素％
５０            ５０
６０            ４０
７０            ３０
８０            ２０
９０            １０
１００          ０
の酸および炭化水素を含む、請求項２８に記載の組成物。