【手続補正書】
【提出日】平成19年9月6日(2007.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅相互接続を形成する方法であって、
構造層上に第１の犠牲誘電体層を形成するステップと、
前記第１の犠牲誘電体層上にエッチングストップ層を形成するステップとを含み、前記エッチングストップ層は、中にエッチングストップ開口が形成されており、前記方法はさらに、
前記第１の犠牲誘電体層上および前記エッチングストップ層上に、第２の犠牲誘電体層を形成するステップと、
前記第１の犠牲誘電体層内に第１の開口と、前記第２の犠牲誘電体層内に第２の開口とを形成するステップと、
前記第１および第２の犠牲誘電体層上および前記第１および第２の開口内に、銅の層を形成するステップと、
前記第２の犠牲誘電体層上の前記銅の層の一部を除去することにより、前記銅相互接続を形成するステップとを含み、前記銅相互接続は前記第１および第２の開口内に残り、前記方法はさらに、
前記構造層上の、前記銅相互接続に隣接する、前記第１および第２の犠牲誘電体層を除去するステップと、
前記構造層上および前記銅相互接続に隣接して、低誘電率誘電体層を形成するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記低誘電率誘電体層を平坦化するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記低誘電率誘電体層を形成するステップは、多くて約４の誘電率Ｋを有する低誘電率（低Ｋ）誘電体材料から前記低誘電率誘電体層を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記低誘電率誘電体層上にマスク層を形成してパターニングし、前記銅相互接続の少なくとも一部上にマスク層開口をもたらすステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記低誘電率誘電体層を形成するステップは、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（
ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、およびスピンオングラスのうちの１つを用いて前記低誘電率誘電体層を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１および第２の犠牲誘電体層を形成するステップは、酸化物、オキシナイトライド、二酸化シリコン、窒素含有酸化物、窒素でドープされた酸化物、シリコンオキシナイトライド、高誘電率（高Ｋ）であって、Ｋが少なくとも約８である、酸化チタン、酸化タンタル、バリウムストロンチウムチタン酸塩のうちの少なくとも１つから前記第１および第２の犠牲誘電体層を形成するステップと、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、および熱成長のうちの少なくとも１つを用いて前記第１および第２の犠牲誘電体層を形成するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１および第２の犠牲誘電体層内に前記第１および第２の開口を形成するステップは、それぞれ、前記エッチングストップ層とフォトレジストのマスクとを用いて前記第１および第２の犠牲誘電体層内に前記第１および第２の開口を形成するステップを含み、前記エッチングストップ層と前記フォトレジストのマスクとは、それぞれ、前記第１および第２の犠牲誘電体層上に形成されパターニングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記フォトレジストのマスクと前記エッチングストップ層を用いることは、窒化シリコンから形成される少なくとも１つのエッチングストップ層を用いることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記銅の層を形成するステップは、銅の電気化学的堆積を用いて前記銅の層を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記銅の前記電気化学的堆積を用いることは、前記銅の前記電気化学的堆積の前に、前記第２の開口内に少なくとも１つのバリア層と銅シード層とを形成することを含み、前記銅の層の前記一部を除去することは、前記銅の前記電気化学的堆積の後で化学的機械的研磨を用いて前記銅を平坦化することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
銅相互接続を形成する方法であって、
構造層上に第１の犠牲誘電体層を形成するステップと、
前記第１の犠牲誘電体層上にエッチングストップ層を形成するステップとを含み、前記エッチングストップ層は、中にエッチングストップ開口が形成されており、前記方法はさらに、
前記第１の犠牲誘電体層上および前記エッチングストップ層上に、第２の犠牲誘電体層を形成するステップと、
前記第１の犠牲誘電体層内に第１の開口と、前記第２の犠牲誘電体層内に第２の開口とを形成するステップと、
前記第１および第２の犠牲誘電体層上ならびに前記第１および第２の開口内に、少なくとも１つのバリア金属層および銅シード層を形成するステップと、
前記少なくとも１つのバリア金属層上の前記銅シード層上に、銅を電気化学的に堆積するステップと、
前記銅、ならびに前記第２の犠牲誘電体層上の前記少なくとも１つのバリア金属層および前記銅シード層を除去することにより、前記銅相互接続を形成するステップとを含み、前記銅相互接続は前記第１および第２の開口内に残り、前記方法はさらに、
前記構造層上の、前記銅相互接続に隣接する、前記第１および第２の犠牲誘電体層を除去するステップと、
前記構造層上および前記銅相互接続に隣接して、低誘電率誘電体層を形成するステップ
とを含む、方法。
【請求項１２】
前記低誘電率誘電体層を平坦化するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記低誘電率誘電体層を形成するステップは、多くて約４の誘電率Ｋを有する低誘電率（低Ｋ）誘電体材料から前記低誘電率誘電体層を形成するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記低誘電率誘電体層上にマスク層を形成してパターニングし、前記銅相互接続の少なくとも一部上にマスク層開口をもたらすステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記低誘電率誘電体層を形成するステップは、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、およびスピンオングラスのうちの１つを用いて前記低誘電率誘電体層を形成するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１および第２の犠牲誘電体層を形成するステップは、酸化物、オキシナイトライド、二酸化シリコン、窒素含有酸化物、窒素でドープされた酸化物、シリコンオキシナイトライド、高誘電率（高Ｋ）であって、Ｋが少なくとも約８である、酸化チタン、酸化タンタル、バリウムストロンチウムチタン酸塩のうちの少なくとも１つから、前記第１および第２の犠牲誘電体層を形成するステップと、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、および熱成長のうちの少なくとも１つを用いて前記第１および第２の犠牲誘電体層を形成するステップとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１および第２の犠牲誘電体層内に前記第１および第２の開口を形成するステップは、それぞれ、前記エッチングストップ層とフォトレジストのマスクとを用いて前記第１および第２の犠牲誘電体層内に前記第１および第２の開口を形成するステップを含み、前記エッチングストップ層と前記フォトレジストのマスクとは、それぞれ、前記第１および第２の犠牲誘電体層上に形成されパターニングされる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記フォトレジストのマスクおよび前記エッチングストップ層を用いることは、窒化シリコンから形成される少なくとも１つのエッチングストップ層を用いることを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記銅、ならびに前記少なくとも１つのバリア金属層および前記銅シード層を除去することは、前記銅を平坦化することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記銅を平坦化することは、化学的機械的研磨を用いることを含む、請求項１９に記載の方法。