(57)【要約】【課題】外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度の得られる検査を実現する。【解決手段】  互いに交差する複数の走査線及び複数のソース線Ｓと、前記複数の走査線及び前記複数のソース線の交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、第１及び第２の端子を有し、前記第１の端子に供給される電位信号と前記第２の端子に供給される電位信号との電位を比較して、前記第１の端子に供給される電位信号が低い場合には前記第１の端子の電位をより低くし、前記第１の端子に供給される電位信号が高い場合には前記第１の端子の電位をより高くして出力する増幅器４ａと、前記第１及び第２の端子の一方に基準電位を供給し、他方に前記画素に書込まれた電位信号を読み出して供給する供給手段１３，９’と、前記第１及び第２の端子の一方に電気的に接続される容量４ｈとを具備したことを特徴とする。【選択図】      図１
2006235165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差する複数の走査線及び複数のソース線と、
前記複数の走査線及び前記複数のソース線の交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、
第１及び第２の端子を有し、前記第１の端子に供給される電位信号と前記第２の端子に供給される電位信号との電位を比較して、前記第１の端子に供給される電位信号が低い場合には前記第１の端子の電位をより低くし、前記第１の端子に供給される電位信号が高い場合には前記第１の端子の電位をより高くして出力する増幅器と、
前記第１及び第２の端子の一方に基準電位を供給し、他方に前記画素に書込まれた電位信号を読み出して供給する供給手段と、
前記第１及び第２の端子の一方に電気的に接続される容量とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記容量は、前記第１の及び第２の端子のうち基準電位が供給される端子に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
互いに交差する複数の走査線及び複数のソース線と、
前記複数の走査線及び前記複数のソース線の交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、
第１及び第２の端子を有し、前記第１の端子に供給される第１の電位信号と前記第２の端子に供給される第２の電位信号との電位を比較して、前記第１の電位信号が低い場合には前記第１の端子の電位をより低くし、前記第１の電位信号が高い場合には前記第１の端子の電位をより高くして出力する増幅器と、
前記第１の端子に電気的に接続されたリファレンス配線を介して前記第１の電位信号として基準電位を供給するリファレンス供給手段と、
前記第２の端子に接続された検査配線と前記ソース線とを接続することにより、前記画素に書込まれた電位信号を読み出して前記ソース線及び検査配線を介して前記第２の電位信号として前記第２の端子に供給する接続手段と、
前記第１の端子に電気的に接続される容量とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記接続手段は、前記複数のソース線のうちの１本のソース線を選択して前記検査配線に接続することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
互いに交差する複数の走査線及び複数のソース線と、
前記複数の走査線及び前記複数のソース線の交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、
第１及び第２の端子を有し、前記第１の端子に供給される電位信号と前記第２の端子に供給される電位信号との電位を比較して、前記第１の端子に供給される電位信号が低い場合には前記第１の端子の電位をより低くし、前記第１の端子に供給される電位信号が高い場合には前記第１の端子の電位をより高くして出力する増幅器と、
前記第１及び第２の端子の一方に基準電位を供給するリファレンス供給手段と、
前記第１及び第２の端子の他方に接続された検査配線と前記ソース線とを接続することにより、前記画素に書込まれた電位信号を読み出して前記第１及び第２の端子の他方に供給する供給手段と、
前記第１及び第２の端子のうち基準電位が供給される端子に電気的に接続される容量と、
前記基準電位が供給される端子と前記容量とを電気的に接続するためのスイッチング素子とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記接続手段は、前記複数のソース線のうちの１本のソース線を選択して前記検査配線に接続することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
前記画素には画素付加容量が設けられており、
前記容量は前記画素付加容量と同一層で形成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項８】
一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置において、前記一対の基板の一方に請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を用いたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器に関し、特に、複数の画素にそれぞれ設けられた複数のスイッチング素子を有する電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶装置等の表示装置は、携帯電話、プロジェクタ等の機器に広く使用されている。ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等を用いた液晶表示装置は、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて、両基板間に液晶を封入して構成されている。一般に、製造された液晶装置が正常に作動するか否かの検査は、完成品に対して行われる。例えば、所定の画像信号を液晶装置に表示データとして入力し、投影、表示等させることによって、正しくデータが表示されるか、欠陥画素の有無のチェックが行われていた。  
しかし、完成品について検査を行う方法を採用した場合には、基板の製造工程後に不良品が発見されることとなる。このため、不良品の発見が遅れてしまい、製造工程の管理面からみると好ましくないという欠点がある。
【０００３】
例えば、工程管理に不良発見の情報がフィードバックされるまでの時間が長くなる。その結果、歩留まり低下期間が長期化し、製造コストが上昇する。また、試作品の場合も、試作品の評価から設計にフィードバックされるまでの期間が長期化するため、開発期間の長期化、開発コストの上昇に繋がる。さらに、製品完成後は、いわゆるリペア、すなわち不良箇所の修理が困難である。  
そこで、基板の製造工程内において、不良の発見、特に、表示装置の欠陥画素の発見を行うことが望まれている。
【０００４】
そのような検査方法の一つとして、液晶表示装置の電極パッドに検査用プローブを接触させて、所定の電流を供給することによって、液晶表示装置の検査を行う技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。同様に、画素のコンデンサ容量特性から、ＴＦＴ基板の各画素に所定の電圧を印加して、放電電流及び放電電圧の波形に基づいてＴＦＴの機能を検査する技術が提案されている（例えば特許文献２参照）。
【０００５】
また、ＴＦＴ基板の画素電極に対応する検査用の対向電極を用いて、画素電極の電位の変化量を検出することによって、各画素電極の動作検査を行う技術も提案されている（例えば特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平5-341302号公報
【特許文献２】特開平7-333278号公報
【特許文献３】特開平10-104563号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述した特許文献１及び特許文献３に記載の技術による場合、検査装置において、基板の外部から電極パッド等に所定のプローブ等を接触あるいは近接させるための機械的な位置精度が要求される。その結果、機械的なアライメント精度を確保するために検査時間が長くなるという問題がある。さらに、高精細な液晶表示装置の場合は、多くの電極パッドに対して細いプローブ等を機械的な制御を行って接触させなければならなくなり、これらの方法が適用できない場合もある。
【０００７】
また、一般的には、電極の付加容量を含む画素自体の容量に比べて、液晶表示装置と測定装置間の各種容量成分、例えばソース線、ビデオ線、電極パッド端子等における容量の方が極めて大きい。画素に蓄積された電荷と，ソース線にチャージされた電荷との再配分で決まるソース電位の変化ΔV、ソース線等の容量と画素自体の容量との比に応じて決まり、微少な電圧レベルである。このため、画素に保持されている電圧を電極パッド等から取り出そうとすると、微少なレベルの変化電位ΔVに対して大レベルのノイズが重畳されることになり、画素保持電圧の測定精度は極めて悪化し、十分な測定精度は得られない。
【０００８】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度が得られる検査を実現すると共に、検査回路の占有面積を低減することができる電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置用基板は、互いに交差する複数の走査線及び複数のソース線と、前記複数の走査線及び前記複数のソース線の交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、第１及び第２の端子を有し、前記第１の端子に供給される電位信号と前記第２の端子に供給される電位信号との電位を比較して、前記第１の端子に供給される電位信号が低い場合には前記第１の端子の電位をより低くし、前記第１の端子に供給される電位信号が高い場合には前記第１の端子の電位をより高くして出力する増幅器と、前記第１及び第２の端子の一方に基準電位を供給し、他方に前記画素に書込まれた電位信号を読み出して供給する供給手段と、前記第１及び第２の端子の一方に電気的に接続される容量とを具備したことを特徴とする。
【００１０】
このような構成によれば、供給手段は、増幅器の第１及び第２の端子の一方に基準電位を供給し、他方に画素電極に書込まれた電位信号を読み出して供給する。増幅器は、第１の端子に供給される電位信号と第２の端子に供給される電位信号との電位を比較して、第１の端子に供給される電位信号が低い場合には第１の端子の電位をより低くし、第１の端子に供給される電位信号が高い場合には第１の端子の電位をより高くして出力する。第１及び第２の端子の一方には、容量が接続されており、第１，第２の端子に供給される基準電位又は電位信号に生じるプッシュダウン量（フィールドスルーによる電位降下量）を低減することができる。これにより、増幅器が誤動作することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。
【００１１】
また、前記容量は、前記第１の及び第２の端子のうち基準電位が供給される端子に電気的に接続されることを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、基準電位が供給される端子に容量が接続されるので、この端子に生じるプッシュダウン量を低減することができ、この端子における基準電位の変動を抑制して、増幅器から正確な比較結果を得ることができる。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置用基板は、互いに交差する複数の走査線及び複数のソース線と、前記複数の走査線及び前記複数のソース線の交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、第１及び第２の端子を有し、前記第１の端子に供給される第１の電位信号と前記第２の端子に供給される第２の電位信号との電位を比較して、前記第１の電位信号が低い場合には前記第１の端子の電位をより低くし、前記第１の電位信号が高い場合には前記第１の端子の電位をより高くして出力する増幅器と、前記第１の端子に電気的に接続されたリファレンス配線を介して前記第１の電位信号として基準電位を供給するリファレンス供給手段と、前記第２の端子に接続された検査配線と前記ソース線とを接続することにより、前記画素に書込まれた電位信号を読み出して前記ソース線及び検査配線を介して前記第２の電位信号として前記第２の端子に供給する接続手段と、前記第１の端子に電気的に接続される容量とを具備したことを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、リファレンス供給手段は、リファレンス配線を介して増幅器の第１の端子に基準電位を供給し、接続手段は、ソース線と検査配線とを接続することで、画素電極から読み出した電位信号を、第２の端子に供給する。増幅器は、第１の端子に供給される第１の電位信号と第２の端子に供給される第２の電位信号との電位を比較して、第１の電位信号が低い場合には第１の端子の電位をより低くし、第１の電位信号が高い場合には第１の端子の電位をより高くして出力する。第１の端子には、容量が接続される。これにより、第１の端子に供給される基準電位に生じるプッシュダウン量を低減することができ、増幅器が誤動作することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。
【００１５】
また、前記接続手段は、前記複数のソース線のうちの１本のソース線を選択して前記検査配線に接続することを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、１つの増幅器に複数のソース線を対応させることができ、増幅器の占有面積を大きくすることができる。これにより、駆動能力を向上させると共に、ばらつきを低減することができ、高精度の画素検査が可能である。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置用基板は、互いに交差する複数の走査線及び複数のソース線と、前記複数の走査線及び前記複数のソース線の交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、第１及び第２の端子を有し、前記第１の端子に供給される電位信号と前記第２の端子に供給される電位信号との電位を比較して、前記第１の端子に供給される電位信号が低い場合には前記第１の端子の電位をより低くし、前記第１の端子に供給される電位信号が高い場合には前記第１の端子の電位をより高くして出力する増幅器と、前記第１及び第２の端子の一方に基準電位を供給するリファレンス供給手段と、前記第１及び第２の端子の他方に接続された検査配線と前記ソース線とを接続することにより、前記画素に書込まれた電位信号を読み出して前記第１及び第２の端子の他方に供給する供給手段と、前記第１及び第２の端子のうち基準電位が供給される端子に電気的に接続される容量と、前記基準電位が供給される端子と前記容量とを電気的に接続するためのスイッチング素子とを具備したことを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、リファレンス供給手段は、増幅器の第１及び第２の端子の一方に基準電位を供給し、接続手段は、ソース線と検査配線とを接続することで、画素電極から読み出した電位信号を、第１及び第２の端子の他方に供給する。増幅器は、第１の端子に供給される電位信号と第２の端子に供給される電位信号との電位を比較して、第１の端子に供給される電位信号が低い場合には第１の端子の電位をより低くし、第１の端子に供給される電位信号が高い場合には第１の端子の電位をより高くして出力する。第１及び第２の端子のうち基準電位が供給される端子には、容量が接続される。これにより、端子の基準電位に生じるプッシュダウン量を低減することができ、増幅器が誤動作することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。
【００１９】
また、前記画素には画素付加容量が設けられており、前記容量は前記画素付加容量と同一層で形成されることを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、前記第１、第２の容量を形成するにあたり、工程数を増加することなく容量が形成できる。
【００２１】
また、前記接続手段は、前記複数のソース線のうちの１本のソース線を選択して前記検査配線に接続することを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、１つの増幅器に複数のソース線を対応させることができ、増幅器の占有面積を大きくすることができる。これにより、駆動能力を向上させると共に、ばらつきを低減することができ、高精度の画素検査が可能である。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置において、前記一対の基板の一方に上記電気光学装置用基板を用いたことを特徴とする。
【００２４】
また、本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を用いたことを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度の得られる検査のできる電気光学装置用基板を用いた電気光学装置又は電子機器が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
ここでは、本発明の電気光学装置用基板の一例として、液晶表示装置に用いるアティブマトリックス型表示装置用基板を例にとって説明する。
【００２８】
本発明は基板に差動増幅器を含む検査回路を搭載するものであり、検査対象の画素から読み出した信号電位と基準電位（リファレンス電圧）とを差動増幅器を用いて比較することで、画素の良不良の判定を行うようになっている。
【００２９】
ところで、差動増幅器に対するリファレンスの供給の仕方及び検査対象画素の選択の仕方に応じて、＜画素リファレンス型＞、＜外部リファレンス型＞及び＜検査列切換外部リファレンス型＞の３つの分類が考えられる。
【００３０】
画素リファレンス型は、一対の画素の一方の画素に基準電位を書込み、両画素から読み出した電位を差動増幅器で比較することで、他方の画素の良不良を判定するものである。
【００３１】
外部リファレンス型は、基準電位（リファレンス）を外部から与え、差動増幅器において外部からのリファレンスと、検査対象の画素から読み出した電位とを比較することで、画素の良不良を判定するものである。
【００３２】
また、検査列切換外部リファレンス型は、差動増幅器の２つの入力端子の一方に外部からのリファレンスを供給し、他方の入力端子に画素から読み出した電位を供給するもので、リファレンスを供給する入力端子と画素から読み出した電位を供給する入力端子とを相互に切換えるようにしたものである。
【００３３】
更に、これらの＜画素リファレンス型＞、＜外部リファレンス型＞及び＜検査列切換外部リファレンス型＞は、検査対象からの画素から読み出した電位が与えられる差動増幅器の端子（検査端子）に、複数のソース線の１つを選択して接続する構成を付加したシェアード型で構成することができる。
【００３４】
（第１の実施の形態）＜外部リファレンス型＞
図１は本発明の第１の実施の形態に係り、外部リファレンス型の電気光学装置用基板を示す回路図である。
【００３５】
電気光学装置用基板である図１の液晶表示装置の素子基板１Ｂとして、アクティブマトリックス型表示装置用基板であるＴＦＴ基板を例に説明する。素子基板１Ｂは、表示素子アレイ部２と、プリチャージ及びリファレンス回路部１３と、表示データ読み出し回路部４とを含む。表示部となる表示素子アレイ部２は、マトリックス状に２次元に配置されたｍ行×ｎ列の複数の画素２ａを有している。ここで、ｍ，ｎはそれぞれ整数である。
【００３６】
表示素子アレイ部２は、図１の右から第１列、第２列、・・第ｎ列で、上から第１行、第２行、・・第ｍ行のマトリックスであるが、図１では、説明を簡単にするために、４（行）×６（列）のマトリックスの画素からなる回路の例を示している。
【００３７】
図２は図１中の画素２ａの等価回路図である。表示素子アレイ部２は、例えば、両基板間に液晶を封入して構成される。表示素子アレイ部２は、ソース線Ｓ（Ｓ１，Ｓ２，…）と走査線Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，…）との交点に対応して単位表示素子である画素２ａが構成される。各画素２ａは、夫々スイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）１１を有する。ソース線からＴＦＴを介して画素電極に画素信号が供給され、この画素信号によって画素電極と共通電極との間の液晶の状態が変化する。こうして、表示素子アレイ部２の光の透過率を画素信号によって変化させることができ、画像表示が可能となる。
【００３８】
画素において画素信号を長時間保持させるために、各画素２ａの画素電極、共通電極及び液晶による容量（以下、液晶容量という）Ｃｌｃには、付加容量Ｃｓが並列に接続されている。ＴＦＴ１１のドレインは、液晶容量Ｃｌｃと付加容量Ｃｓのそれぞれの一端に接続され、付加容量Ｃｓの他端は、共通固定電位ＣｓＣＯＭが印加される。ＴＦＴ１１のゲート端子ｇは走査線Ｇに接続されている。ＴＦＴ１１のゲート端子ｇに所定の電圧信号が入力されてＴＦＴ１１がオンすると、ソース線Ｓに接続されたＴＦＴ１１のソース端子ｓに印加されている電圧が液晶容量Ｃｌｃと付加容量Ｃｓに印加され、供給された所定の電位が維持される。
【００３９】
素子基板１Ｂは、表示素子アレイ部２のＸ方向（横方向）及びＹ方向（縦方向）に並んだ複数の画素２ａを駆動するために、Ｘドライバ部５ａと、Ｙドライバ部５ｂと、トランスミッションゲート部６と、ビデオ信号線７とを含む。Ｘドライバ部５ａ、Ｙドライバ部５ｂ、トランスミッションゲート部６及びビデオ信号線７によって、データ書込み及びデータ読出しが行われる。
【００４０】
トランスミッションゲート部６は、Ｘドライバ部５ａからの出力タイミング信号に応じて、ビデオ信号線７から入力される画素信号をソース線Ｓ１，Ｓ２，…に供給する。ビデオ信号線７は、マトリックス状の表示素子アレイ部２の奇数列に信号を供給する信号線と、偶数列に信号を供給する信号線とを有し、それぞれの端子ｉｎｏとｉｎｅとに接続されている。ソース線Ｓ１，Ｓ２，…は夫々各列のｎ個の画素に接続されており、ソース線Ｓ１，Ｓ２，…からの画素信号は、ライン毎に画素に書込まれるようになっている。
【００４１】
また、ビデオ信号線７には、カレントミラーアンプを含む差動増幅器１０が設けられている。差動増幅器１０は、ビデオ信号線７自体の持つ容量成分等によってハイレベル信号（以下、ＨＩＧＨ信号という）及びローレベル信号（以下、ＬＯＷ信号という）の差が小さくなることを防止するために設けられており、ＨＩＧＨ，ＬＯＷ信号を明確にして出力信号ｏｕｔｏ，ｏｕｔｅを高速に精度良く出力する。
【００４２】
本実施の形態においては、画素の検査のために表示データ読み出し回路部４が、アクティブマトリックス駆動型の液晶表示パネルの素子基板１Ｂに形成されている。表示素子アレイ部２と表示データ読み出し回路部４との間には、供給手段としてのトランスミッションゲート部９’が設けられている。
【００４３】
表示データ読み出し回路部４は、複数の差動増幅器４ａを有しており、差動増幅器４ａの２つの入力端子ｓｅ，ｓｏに、検査対象の画素から読み出した電位と検査の基準となる基準電位（リファレンス）とが与えられるようになっている。
【００４４】
図３は図１中の表示データ読み出し回路部４の差動増幅器４ａの具体的な構成を示す回路図である。
【００４５】
各差動増幅器４ａは、２つのＰチャネル型のトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２と、２つのＮチャネル型のトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４とを含む。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ３のゲートは端子ｓｏに接続され、トランジスタＴｒ２，Ｔｒ４のゲートは端子ｓｅに接続される。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のソース・ドレイン路同士は直列接続され、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４のソース・ドレイン路同士も直列接続される。端子ｓｏ，ｓｅ相互間に、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２同士のソース・ドレイン路と、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４同士のソース・ドレイン路とが並列接続されている。
【００４６】
端子ｓｅ，ｓｏは夫々これらの端子に電位を供給するｓｅ配線４ｆ又はｓｏ配線４ｇに接続される。ｓｅ配線４ｆ，ｓｏ配線４ｇの一方には、検査対象の画素から読み出した信号電位が供給され、他方には、リファレンスが供給される。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のソースとドレインとの接続点は電源端子ｓｐに接続され、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４のソースとドレインとの接続点は電源端子ｓｎに接続される。図１に示すように、電源端子ｓｐには、電源トランジスタ４ｄを介して電源電圧Ｖｄｄが供給され、電源端子ｓｎには電源トランジスタ４ｅを介して基準電位点から接地電位が供給される。電源トランジスタ４ｄ，４ｅは、夫々端子４ｂ，４ｃを介して供給される駆動パルスＳＡｐ−ｃｈ，ＳＡｎ−ｃｈによってオン，オフ制御されるようになっている。
【００４７】
このように構成された差動増幅器４ａにおいては、端子ｓｅ，ｓｏに供給された電位を、一方は電源電位まで引き上げ、他方は基準電位点の電位（接地電位）まで引き下げる。例えば、端子ｓｅに端子ｓｏに比べて僅かでも高い電位が供給されたものとする。そうすると、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４のうち、トランジスタＴｒ４が最初にオンする。トランジスタＴｒ４がオンになるので、端子ｓｏの電位は端子ｓｎの低い接地電位まで低下する。そして、端子ｓｏが端子ｓｎの低い接地電位まで低下するので、ゲート端が端子ｓｏに接続されたトランジスタＴｒ１がオンなる。その結果、端子ｓｅは電源端子ｓｐの高い電源電圧Ｖｄｄまで上昇する。
【００４８】
このように、差動増幅器４ａは、端子ｓｅ，ｓｏに印加される電位のうち高い方の電位をより高くし、低い方の電位をより低くするように機能する。
【００４９】
トランスミッションゲート部９’は各ソース線Ｓ１，Ｓ２，…に対応して設けられたトランジスタ９ａによって構成されている。差動増幅器４ａの端子ｓｏに接続されたｓｏ配線４ｇは、トランジスタ９ａのソースに接続され、トランジスタ９ａのドレインは各ソース線Ｓ１，Ｓ２，…に接続される。トランジスタ９ａのゲートは制御端子９ｂに接続される。トランジスタ９ａは、制御端子９ｂを介して入力されるＨＩＧＨの接続制御信号によってオンとなり、ソース線Ｓ１，Ｓ２，…に、テスト回路を接続するようになっている。
【００５０】
なお、制御端子９ｂは、トランジスタ９ｄによって構成されるプルダウン回路が接続されており、通常時はＬＯＷに維持される。これにより、通常時は、トランジスタ９ａはオフであり、表示データ読み出し回路部４は各ソース線から切り離された状態になっている。テスト時には、接続制御端子９ｂにＨＩＧＨの接続制御信号を供給することで、トランジスタ９ａをオンにして、ソース線に表示データ読み出し回路部４を接続するようになっている。
【００５１】
表示素子アレイ部２と表示データ読み出し回路部４との間には、供給手段としてのプリチャージ及びリファレンス回路部１３及びイコライズ回路部８も設けられている。プリチャージ及びリファレンス回路部１３は、各差動増幅器４ａに対応して夫々２つのトランジスタ３ｃｏ，３ｃｅを有する。トランジスタ３ｃｏはソースが電圧印加端子３ａに接続され、ドレインがｓｏ配線４ｇを介して差動増幅器４ａの端子ｓｏに接続される。また、トランジスタ３ｃｅはソースが電圧印加端子３ａに接続され、ドレインがｓｅ配線４ｆを介して差動増幅器４ａの端子ｓｅに接続される。電圧印加端子３ａにはプリチャージ電圧が供給されるようになっている。プリチャージ電圧は、そのままリファレンス電圧としても使用される。
【００５２】
トランジスタ３ｃｏ，３ｃｅのゲートは制御端子３ｂに接続されており、制御端子３ｂには、プリチャージ制御信号が入力されるようになっている。ＨＩＧＨのプリチャージ制御信号が制御端子３ｂを介してトランジスタ３ｃｏ，３ｃｅのゲートに印加されることで、トランジスタ３ｃｏ，３ｃｅはオンとなり、電圧印加端子３ａに供給されるプリチャージ電圧を夫々ｓｅ配線４ｆ又はｓｏ配線４ｇに供給するようになっている。
【００５３】
即ち、差動増幅器４ａの端子ｓｅに接続されたｓｅ配線４ｆは、外部からのプリチャージ電圧をリファレンス電圧として維持し端子ｓｅに供給するためのリファレンス配線として用いられる。一方、ｓｏ配線４ｇは、トランジスタ９ａによって各ソース線Ｓに接続されて、検査対象の画素からのデータを端子ｓｏに供給するための検査配線として用いられる。
【００５４】
即ち、本実施の形態では、差動増幅器４ａの一方の端子に接続された検査配線とソース線とが接続されて、１つの差動増幅器４ａによって１本のソース線Ｓに接続された画素の検査が可能である。差増増幅器４ａは表示素子アレイ部２の列数ｎと同数設けられる。
【００５５】
プリチャージ期間においては、ｓｏ配線４ｇ及びｓｅ配線４ｆにはプリチャージ電圧が供給される。なお、プリチャージ処理は、各種特性の検査のために、ソース線Ｓ及びｓｏ，ｓｅ配線４ｇ，４ｆにプリチャージ電圧を印加するためのものである。なお、プリチャージ電圧としては種々の電圧を選択することができ、例えば、電源電圧Ｖｄｄでもよく、接地電位でもよく、あるいはこれらの中間電位でもよい。図１の例では、プリチャージ電圧を例えば中間電位に設定している。
【００５６】
イコライズ回路部８は、ソース、ドレインが夫々ｓｏ配線４ｇとｓｅ配線４ｆとに接続されたｎ個のイコライズトランジスタ８ａを有している。トランジスタ８ａは、ゲートが制御端子８ｂに接続され、制御端子８ｂからのＨＩＧＨのイコライズ制御信号によってオンとなって、ｓｏ配線４ｇとｓｅ配線４ｆ同士を同電位にするようになっている。
【００５７】
ところで、本実施の形態における画素の検査においては、後述するように、各画素に例えばＬＯＷ又はＨＩＧＨを書込み、画素に書込まれた信号を読み出して差動増幅器４ａの端子ｓｏに与える。差動増幅器４ａの端子ｓｅにはリファレンスを与える。差動増幅器４ａは、上述したように、２入力のうちの低いレベルの電位を接地電位まで低下させ、高いレベルの電位を電源電位まで上昇させることで、微少な２入力のレベル差を大きくして、２入力のレベルの大小の判定を容易にする。ところが、差動増幅器４ａの端子ｓｏ，ｓｅに接続された配線同士の容量の相違から、差動増幅器４ａが誤動作し、画素の良不良の判定に誤りが生じる虞がある。
【００５８】
図８はこの問題を説明するための波形図である。図８はプリチャージ制御信号ＰＣＧ及びイコライズ制御信号ＥＱ、走査線Ｇ１に供給される走査信号、端子ｓｏの電位並びに端子ｓｅの電位を示している。
【００５９】
差動増幅器４ａの端子ｓｏに画素からの信号電位を供給する前に、検査配線であるｓｅ配線４ｇ及びソース線Ｓにプリチャージ電圧を供給すると共に、端子ｓｅ，ｓｏを同電位とする。このプリチャージ及びイコライズ処理のために、トランジスタ３ｃｅ，３ｃｏのゲートにＨＩＧＨのプリチャージ制御信号ＰＣＧを印加し、トランジスタ８ａのゲートにＨＩＧＨのイコライズ制御信号ＥＱを印加する（図８参照）。
【００６０】
差動増幅器４ａの端子ｓｏに画素からの信号電位を供給する直前に、プリチャージ及びイコライズ処理を停止させるために、プリチャージ制御信号ＰＣＧ及びイコライズ制御信号ＥＱをＨＩＧＨからＬＯＷに切換える（図８参照）。このＨＩＧＨからＬＯＷへの切換えに伴って、トランジスタ３ｃｏ，３ｃｅ，８ａの寄生容量により、端子ｓｏ，ｓｅにプッシュダウン（フィールドスルーによる電位降下）が生じる。
【００６１】
画素の検査時においては、トランジスタ９ａはオンであり、差動増幅器４ａの端子ｓｏには、ｓｏ配線４ｇ及びソース線Ｓが接続される。一方、差動増幅器４ａの端子ｓｅに接続される配線は、ｓｅ配線４ｆのみである。ｓｏ配線４ｇ及びソース線Ｓの配線容量は、ｓｅ配線４ｆのみの配線容量に比べて十分に大きい。このため、図８の端子ｓｏの電位に示すように、プリチャージ制御信号ＰＣＧ及びイコライズ制御信号ＥＱをＨＩＧＨからＬＯＷに切換えたタイミングにおいて、端子ｓｏに生じるプッシュダウン（電位降下）は比較的小さいのに対し、端子ｓｅには比較的大きなプッシュダウンが生じることが考えられる。
【００６２】
走査線Ｇ１にＨＩＧＨが供給されて画素の信号が端子ｓｏに転送されると、端子ｓｏの電位は画素に書込まれた電位に応じて変化する。図８に示すように、画素にＨＩＧＨが書込まれた場合には実線に示すように端子ｓｏの電位は若干上昇し、画素にＬＯＷが書込まれた場合には破線に示すように端子ｓｏの電位は若干低下する。差動増幅器４ａは端子ｓｏ，ｓｅの電位を比較する。図８に示すように、端子ｓｅのプッシュダウンが比較的大きく、端子ｓｅの電位（リファレンス）が、画素にＬＯＷが書込まれた場合の端子ｓｏの電位よりも低くなると、差増増幅器４ａは、画素に書込んだ信号レベルに拘わらず、端子ｓｏが常に電源電圧Ｖｄｄになってしまう。この場合には、画素の良不良の判定が不能となる。
【００６３】
そこで、本実施の形態においては、プッシュダウン後の端子ｓｅのリファレンスが、画素にＬＯＷが書込まれた場合の端子ｓｏの電位よりも高くなるように、各端子ｓｅと基準電位（接地電位）点との間に、容量４ｈを電気的に接続するようになっている。
【００６４】
以上のような構成のアクティブマトリックス型表示装置である液晶表示装置の素子基板が製造工程において製造されると、対向基板と貼り合わせて液晶を封入する前の素子基板自体の電気特性を評価あるいは検査することができる。なお、電気的特性の検査対象とする不良としては、素子基板の各画素のデータ保持用キャパシタ（付加容量Ｃｓ）のリークによって画素がＬＯＷに固定されてしまう不良（以下、ＬＯＷ固定不良という）、スイッチング素子であるＴＦＴのソース・ドレイン間リークによって画素がＨＩＧＨに固定されてしまう不良（以下、ＨＩＧＨ固定不良という）がある。
【００６５】
次に、このように構成された基板の検査及び動作について説明する。
【００６６】
製造工程における素子基板１Ｂの検査の手法について説明する前に、図１に示すＴＦＴ基板が対向基板と貼り合わされて液晶が封入されて完成された液晶表示装置が、通常の画像表示を行うときの動作について説明する。
【００６７】
まず、２本のビデオ信号線７には、それぞれ奇数列と偶数列の画素信号である画素信号が、ビデオ信号線７の入力端子ｉｎｅとｉｎｏに入力される。それぞれの画素信号は、Ｘドライバ５ａからの列選択信号に応じて、トランスミッションゲート部６のそれぞれのトランジスタＴＧ１，ＴＧ２，…を介して、各ソース線Ｓへ供給される。
【００６８】
各ソース線Ｓに供給された画素信号は、Ｙドライバ５ｂからの走査線ＧがＨＩＧＨになって選択された行の各画素２ａに書き込まれる。即ち、選択された走査線Ｇにおいて、ソース線Ｓに供給される画素信号が対応する画素２ａに表示用の画素信号として供給されて保持される。この動作を、行順次で行うことにより、液晶表示装置の表示素子アレイ部２には、所望の画像が表示される。
【００６９】
プリチャージ及びリファレンス回路部１３は、走査線ＧがＨＩＧＨになる前に、プリチャージ電圧Ｖｐｒｅを各ソース線Ｓに印加する。プリチャージ電圧Ｖｐｒｅは、プリチャージ及びリファレンス回路部１３の電圧印加端子３ａに供給される。プリチャージ電圧Ｖｐｒｅを供給するタイミングは、制御端子３ｂに与えるプリチャージ制御信号ＰＣＧによって決定される。
【００７０】
なお、製品あるいは試作品としての液晶表示装置として画像表示が行われるときは、トランスミッションゲート部９’のトランジスタ９ａはオフであり、素子基板１Ｂの表示データ読み出し回路部４は、動作せず使用されない。
【００７１】
次に、素子基板１Ｂにおいて、図１に示す回路部分が半導体プロセスの工程によって製造された後に、素子基板１Ｂの状態において行われる検査の手順について図４乃至図７を参照して説明する。この素子基板１Ｂの検査において、表示データ読み出し回路部４が動作して使用される。
【００７２】
まず検査方法を実現するための検査システムについて説明する。図４は検査システムの構成図である。素子基板１Ｂと、画素データの書き込みと読み込みができるテスト装置１５とを、接続ケーブル１６を介して接続する。接続ケーブル１６は、素子基板１Ｂのビデオ信号線７の端子ｉｎｏ，ｉｎｅ、表示データ読み出し回路部４の信号線の端子４ｂ、４ｃ、プリチャージ及びリファレンス回路部１３の端子３ａ、３ｂ等を、テスト装置１５に電気的に接続する。
【００７３】
テスト装置１５から、後述する所定の順番で、所定の電圧を各端子に供給することによって、素子基板１Ｂの電気的特性の検査を行うことができる。以下に、その検査内容として、上述した不良のうちＬＯＷ固定不良の有無についての検査を行う手順を説明する。
【００７４】
図５は検査の全体の流れの例を示すフローチャートである。また、図６は図５のステップＳＴ２の読み出し動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、図６では、画素が不良である場合の動作を破線にて示している。
【００７５】
図５のステップＳＴ１において、ビデオ信号線７の入力端子ｉｎｏ，ｉｎｅからセルである各画素に所定の画素信号を入力する。画素の検査は、基準となる列の画素に対して、検査対象の列の画素が正常であるか否かを判定することによって行われる。図６に示す各タイミング信号は、テスト装置１５によって生成されて各端子に供給される。
【００７６】
本実施の形態においては、リファレンスは、外部から供給しており、画素に書込む必要はない。各画素には検査のための書き込みを行う。例えば、ＬＯＷ固定不良の検査を行うものとすると、素子アレイ部２の全ての走査線Ｇをオンして、全ての画素にＨＩＧＨを書き込む。
【００７７】
図７は各画素の書込みの状態を示しており、４（行）×６（列）の各画素に書き込まれる画素データが、ＨＩＧＨ（Ｈ）であることを示している。図７に示すように、表示素子アレイ部２の各画素データは、ＨＩＧＨ（Ｈ）である。
【００７８】
なお、各画素にＬＯＷを書き込んだ場合には、ＨＩＧＨ固定不良の検査が可能である。また、以下、全画素にＨＩＧＨを書き込んで基板１Ｂの検査を行う例を説明するが、一部の画素についてのみ検査を行うようにしてもよい。書き込み後、走査線Ｇのゲートはオフにされる。
【００７９】
なお、この時点では、駆動配線ＳＡｐ−ｃｈは電源電位Ｖｄｄ、駆動配線ＳＡｎ−ｃｈは接地電位であり、表示データ読み出し回路部４の各差動増幅器４ａは非動作状態である。
【００８０】
次に、ステップＳＴ２において、画素データの読出しを行う。接続制御端子９ｂにＨＩＧＨの接続制御信号ＴＥを供給することで、トランスミッションゲート部９’の各トランジスタ９ａをオンにする。これにより、トランジスタ９ａがオンとなって、ソース線Ｓ１，Ｓ２，…と各ｓｏ配線４ｇとが接続される。こうして、書き込まれた画素データを行毎に読み出して、表示データ読み出し回路部４に供給する。
【００８１】
ステップＳＴ２の読み出しの直前に、プリチャージ及びイコライズ処理が行われる。即ち、全画素への上述した所定の画素データの書き込み後に、先ず、プリチャージ及びリファレンス回路部１３の制御端子３ｂに供給されるプリチャージ制御信号ＰＣＧ（図６参照）が、ＨＩＧＨとなる。
【００８２】
なお、データ保持時間ｔ１を確保するために、プリチャージ回路部１３の端子３ａに供給されるプリチャージ制御信号ＰＣＧがｔ１期間だけＨＩＧＨとなる。
【００８３】
これにより、電圧印加端子３ａに供給されるプリチャージ電圧がトランジスタ３ｃｏ，３ｃｅを介して夫々ｓｏ配線４ｇ及び各ソース線Ｓとｓｅ配線４ｆとに印加される。ｓｅ配線では、差動増幅器４ａが動作する際、このプリチャージ電圧がリファレンス電圧として機能する。例えば、プリチャージ電圧Ｖｐｒｅとしては、中間電位が選択される。
【００８４】
なお、各ソース線Ｓのプリチャージ電位（電圧印加端子３ａに印加される電圧）ＶｐｒｅはＨＩＧＨとＬＯＷの中間電位にし、図２に示すＣｓＣＯＭ電位をＬＯＷ電位とする。ＣｓＣＯＭ電位をＬＯＷ電位とするのは、データ保持用キャパシタＣｓがリーク不良である場合、リーク先のＣｓＣＯＭ電位がＬｏｗ電位となるため、読み出し電位は基準側の中間電位より低くなるようにするためである。そして、最初のプリチャージ期間は、やや長い時間を設定しておき、リーク不良による電圧変化が現れるようにする。
【００８５】
また、図６に示すように、プリチャージ及びリファレンスの印加時には、制御端子８ｂにもＨＩＧＨのイコライズ制御信号を供給しており、イコライズ回路部８のトランジスタ８ａもオンとなって、ｓｏ配線４ｇとｓｅ配線４ｆとは同電位となる。これにより、この時点では、各ソース線Ｓ及び差動増幅器４ａの端子ｓｏ，ｓｅは、中間電位の状態となっている。
【００８６】
次に、画素データの読み出し直前に、プリチャージ制御信号ＰＣＧ及びイコライズ制御信号ＥＱをＬＯＷにして、プリチャージ及びリファレンス処理を停止させる。この場合には、トランジスタ３ｃｏ，３ｃｅ，８ａのゲートがＨＩＧＨからＬＯＷに変化することによって、プッシュダウンが生じる。
【００８７】
本実施の形態においては、端子ｓｅには容量４ｈが接続されており、プッシュダウンによる端子ｓｅの電位低下は十分に抑制される。これにより、端子ｓｅのプッシュダウン量と端子ｓｏのプッシュダウン量とは略同程度となる。なお、フィールドスルーによる端子ｓｏ，ｓｅの電位降下量は十分に小さく、図６では図示が省略されている。
【００８８】
次に、データ保持時間ｔ１の経過後に、走査線Ｇ１をＨＩＧＨにして、画素データの読み出しを開始する。なお、この時点では、駆動配線ＳＡｐ−ｃｈは電源電位Ｖｄｄ、駆動配線ＳＡｎ−ｃｈは接地電位であり、各差動増幅器４ａはまだ動作していない状態である。
【００８９】
走査線Ｇ１をＨＩＧＨにすると、走査線Ｇ１に接続された各画素から一斉にデータが出力される。つまり、コンデンサＣｓに書き込まれて保持された電荷が、対応するソース線Ｓに一斉に移動する。各画素にはＨＩＧＨが書込まれており、画素が正常であれば、図６の実線に示すように、各ソース線Ｓ及びｓｏ配線４ｇの電位がわずかに上昇する。もしも、コンデンサＣｓのリークがあって、各画素のデータがＬＯＷに変化していると、各ソース線Ｓの電位は、破線で示したようにわずかに下降する。一方、リファレンスが供給された端子ｓｅの電位は、プッシュダウン量が十分に小さく、略中間電位のままとなる（図６参照）。
【００９０】
ゲート線Ｇ１を開いた後、接続制御信号ＴＥをＬＯＷにし、トランスミッションゲート部９’のトランジスタ９ａを所定期間ｔ２だけオフにする。即ち、トランジスタ９ａ，８ａ，３ｃｏ，３ｃｅがオフとなり、ｓｏ配線４ｇ及びｓｅ配線４ｆはフローティング状態となる。これにより、ｓｅ配線４ｆの中間電位及び僅かに上昇したｓｏ配線４ｇの電位は、夫々配線ｓｏ，ｓｅ内で維持され、ソース線Ｓ等の他の配線からの影響を受けない。
【００９１】
接続制御信号ＴＥを電位のＬＯＷへの変化の瞬間と同時あるいはその前後に、駆動パルスＳＡｎ−ｃｈをＬＯＷからＨＩＧＨにし、更に、駆動パルスＳＡｐ−ｃｈをＨＩＧＨからＬＯＷにする。駆動パルスＳＡｎ−ｃｈがＨＩＧＨになることで、接地電位が差動増幅器４ａの電源端子ｓｎに印加され、端子ｓｅ，ｓｏのうちより低い電位となっている端子ｓｅが接地電位まで低下する（図６のｓｅ参照）。また、駆動パルスＳＡｐ−ｃｈがＬＯＷになることで、電源電圧Ｖｄｄが差動増幅器４ａの電源端子ｓｐに印加され、端子ｓｅ，ｓｏのうちより高い電位となっている端子ｓｏが電源電位まで上昇する（図６のｓｏ参照）。こうして、端子ｓｅ，ｓｏの電位が確定する。この動作は走査線Ｇ１に接続された画素すべてにおいて一斉に行われる。
【００９２】
このように、表示データ読み出し回路部４の各差動増幅器４ａは、２つの端子ｓｏ，ｓｅに現れる高低２つの電位レベルを電源端子ｓｐ又はｓｎの電圧まで変化させて明確にする。こうして、差動増幅器４ａの端子ｓｏ，ｓｅの電位をＬＯＷ又はＨＩＧＨに確定させる。
【００９３】
ここで検査対象の奇数側の画素に、例えばデータ保持用キャパシタＣｓのリークが生じてＬＯＷ固定不良が発生していたものとする。この場合に、図６のＳの破線に示すように、ソース線Ｓの電位がリファレンス（中間電位）より若干低下するものとする。これにより、駆動パルスＳＡｎ−ｃｈがＨＩＧＨとなって電源端子ｓｎが接地電位になると、差動増幅器４ａの端子ｓｏは接地電位まで低下する（図６の端子ｓｏの破線参照）。そして、駆動パルスＳＡｐ−ｃｈがＬＯＷになり、電源端子ｓｐが電源電圧Ｖｄｄになると、差動増幅器４ａの端子ｓｅは電源電圧Ｖｄｄまで上昇する（図６の端子ｓｅの破線参照）。
【００９４】
つまり、この場合には、端子ｓｏ，ｓｅの電位は、画素が正常な場合と逆の論理値となる。
【００９５】
ステップＳＴ３では、確定した端子ｓｅ，ｓｏの電位の比較が行われる。即ち、端子ｓｏ，ｓｅの電位がＬＯＷ又はＨＩＧＨに確定すると、端子ｓｏの電位を出力させるために、接続制御信号ＴＥをＨＩＧＨにしてトランスミッションゲート部９’のトランジスタ９ａをオンにさせる。
【００９６】
差動増幅器４ａの端子ｓｏの確定した論理データは、ｓｏ配線４ｇから対応するソース線Ｓに供給される。トランスミッションゲート部６の各トランジスタのゲートＴＧ１からＴＧｎを順に開き（ＨＩＧＨにし）、ビデオ信号線７から順番に第１行目の各画素の画素データを読み出し、出力端子ｏｕｔｏとｏｕｔｅに出力させる。
【００９７】
ゲート線Ｇ１に接続されたすべての画素のデータが読み出されたら、ゲート線Ｇ１をＬＯＷにし、駆動パルスＳＡｎ−ｃｈＬＯＷ電位、駆動パルスＳＡｐ−ｃｈをＨＩＧＨ電位にして差動増幅器４ａを動作停止させる。次に、図６に示すように、プリチャージ制御信号ＰＣＧ及びイコライズ制御信号ＥＱをＨＩＧＨにして、全ソース線Ｓをプリチャージする。２回目以降のプリチャージ時間は初回ほど長い必要はない。そのプリチャージ動作を停止した後は、第２の走査線Ｇ２の電位をＨＩＧＨにすることによって、第２行目の各画素のＴＦＴ１１をオンにする。以降同様の動作を、最後の走査線Ｇｍに接続された画素（第ｍ行目の各画素）まで繰返して、全画素データを読み出す。
【００９８】
確定した端子ｓｅ，ｓｏの電位は、出力端子ｏｕｔｕ，ｏｕｔｅからテスト装置１５に出力される。テスト装置１５は、読出工程において読み出した画素データと、書込工程において書き込んだ画素データとを比較する。画素が正常な場合には、図６のｏｕｔｏ，ｏｕｔｅの実線に示すように、ＨＩＧＨの出力が得られる。画素にＬＯＷ固定不良が生じている場合には、図６のｏｕｔｏ，ｏｕｔｅの破線に示すように、ＬＯＷの出力が得られる。こうして、テスト装置１５は検査対象の画素にＬＯＷ固定不良が生じているか否かを検出することができる。
【００９９】
テスト装置１５は、検査対象の画素から読み出したデータがＨＩＧＨでないセル（画素）を特定し、異常セルとして、例えばセル番号等のデータを、図示しないモニタの画面上に表示するように出力する（ステップＳＴ４）。
【０１００】
このように、各差動増幅器４ａは、外部から印加された中間電位であるリファレンスと、各ソース線Ｓの電位とを比較することで、比較結果によって画素の不良を判定する。
【０１０１】
なお、リファレンスを中間電位に設定し、検査対象画素にＬＯＷを書込むことによって、ＨＩＧＨ固定不良の検査を行うことができることは明らかである。
【０１０２】
このように製品あるいは試作品における素子基板工程の完了後に、素子基板の不良を検出することができるので、歩留まり低下期間の短縮が可能となり、不良品を組み立てることが少なくなくなって、コスト低減を図ることができる。特に、試作品の場合には、開発期間の短縮と開発コストの削減を期待することができる。更に、素子基板の段階で不良が検出できるので、いわゆるリペアも容易となる。
【０１０３】
また、本実施の形態においては、リファレンス配線のみが接続される端子ｓｅに容量を付加していることから、端子ｓｅと端子ｓｏに生じるプッシュダウン量を略等しくしており、差動増幅器４ａに誤動作が生じることはなく、高精度の画素検査が可能である。
【０１０４】
なお、端子ｓｅに付加する容量４ｈの容量値としては、ｓｏ配線４ｇ及びソース線Ｓの配線容量とｓｅ配線４ｆの配線容量との差分の容量値であってもよい。更に、容量４ｈの容量値は、この差分の容量値よりも多少大きくても小さくてもよい。プッシュダウン後の端子ｓｅのリファレンスが、ＬＯＷの信号を書込んだ画素から読み出した電位による端子ｓｏの電位よりも高くなるような容量値にすればよい。
【０１０５】
（第２の実施の形態）＜外部リファレンス、シェアード型＞
図９は外部リファレンス型に属するシェアード型の電気光学装置用基板を示す回路図である。図９において図１と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。なお、図９では図面の簡略化のために、表示素子アレイ部２を駆動するＸドライバ部５ａ、Ｙドライバ部５ｂ、ビデオ信号線７等は図示を省略している。図９の素子基板１１Ｂは、１つの差動増幅器４ａで４本のソース線に接続された画素の検査を可能にするものである。即ち、４ソース線を配置する間隔に１つの差動増幅器４ａを形成することができ、差動増幅器４ａの面積を広くして、駆動能力を向上させると共に、差増増幅器４ａのばらつきを低減して、検査精度を向上させることを可能にする。
【０１０６】
図９の基板１１Ｂは、表示素子アレイ部２、Ｘドライバ部５ａ、Ｙドライバ部５ｂ、トランスミッションゲート部６、ビデオ信号線７、差動増幅器１０及び表示データ読み出し回路部４の構成は図１の基板１Ｂと同様である。また、表示データ読み出し回路部４と表示素子アレイ部２との間に設けられたイコライズ回路部８、プリチャージ及びリファレンス回路部１３の構成も図１の基板１Ｂと同様である。
【０１０７】
本実施の形態は、トランスミッションゲート部９’に代えてトランスミッションゲート部２２を採用した点が第１の実施の形態と異なる。トランスミッションゲート部２２は、ｓｏ配線４ｇを４本のソース線の１つに選択的に接続する。即ち、図９の例では、差動増幅器４ａは、４本のソース線毎に設けられ、各差動増幅器４ａの端子ｓｏに接続されたｓｏ配線４ｇは、トランジスタ２３ａ〜２３ｄを夫々介して第（４ｕ＋１）（ｕ＝０，１，２，…）列〜第（４ｕ＋４）列のソース線に接続される。
【０１０８】
トランジスタ２３ａ〜２３ｄのゲートは、トランスファゲート２４ａ〜２４ｄを夫々介してＴＥゲートデコード回路２５に接続される。トランスファゲート２４ａ〜２４ｄは、ｎチャネルトランジスタ及びｐチャネルトランジスタが相補的に接続されて構成されており、入力端には、ＴＥゲートデコード回路２５の出力ＴＥ１〜ＴＥ４がそれぞれ供給される。トランスファゲート２４ａ〜２４ｄは、ｎチャネルトランジスタのゲートに端子２７からの制御信号が入力される。インバータ２６は、端子２７の出力を反転させて、トランスファゲート２４ａ〜２４ｄのｐチャネルトランジスタのゲートに与える。
【０１０９】
端子２７に接続されたプルダウン回路によって、非テスト時は端子２７はＬＯＷであり、インバータ２６の出力はＨＩＧＨであって、トランスファゲート２４ａ〜２４ｄはオフである。テスト時には端子２７にＨＩＧＨの制御信号が印加されて、トランスファゲート２４ａ〜２４ｄはオンとなる。
【０１１０】
トランスファゲート２４ａは、端子２７にＨＩＧＨの制御信号が入力されることで、ＴＥゲートデコード回路２５からの接続制御信号ＴＥ１をトランジスタ２３ａのゲートに与える。同様に、トランスファゲート２４ｂ〜２４ｄは、端子２７にＨＩＧＨの制御信号が入力されることで、ＴＥゲートデコード回路２５からの接続制御信号ＴＥ２〜ＴＥ４を夫々トランジスタ２３ｂ〜２３ｄのゲートに与える。
【０１１１】
ＴＥゲートデコード回路２５は、端子２８，２９に入力されるデータＡ０，Ａ１に基づいて、差動増幅器４ａの各ｓｏ配線４ｇをいずれのソース線Ｓに接続するかを決定するための接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４を出力する。ＬＯＷの接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４がゲートに印加されたトランジスタ２３ａ〜２３ｄはオフとなり、ｓｏ配線とソース線との接続を切断する。逆に、ＨＩＧＨの接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４がゲートに印加されたトランジスタ２３ａ〜２３ｄはオンとなって、ｓｏ配線とソース線とを接続する。
【０１１２】
本実施の形態においても、差動増幅器４ａの端子ｓｅには、ｓｏ配線４ｇ及び選択されたソース線Ｓの配線容量に応じた容量４ｈが接続されている。なお、端子ｓｅに付加する容量４ｈの容量値としては、ｓｏ配線４ｇ及び選択されたソース線Ｓの配線容量とｓｅ配線４ｆの配線容量との差分の容量値であってもよく、この差分の容量値よりも多少大きくても小さくてもよい。プッシュダウン後の端子ｓｅのリファレンスが、ＬＯＷの信号を書込んだ画素から読み出した電位による端子ｓｏの電位よりも高くなるような容量値にすればよい。
【０１１３】
このように構成された実施の形態においては、ＴＥゲートデコード回路２５からＨＩＧＨの接続制御信号ＴＥ１が出力されると、トランジスタ２３ａがオンとなり、第（４ｕ＋１）列のソース線がｓｏ配線４ｇに接続される。こうして、ソース線Ｓ１，Ｓ５，…に接続された画素の良、不良の検査が行われる。
【０１１４】
同様に、ＴＥゲートデコード回路２５から、ＨＩＧＨの接続制御信号ＴＥ２〜ＴＥ４が出力されると、対応するトランジスタ２３ｂ〜２３ｄがオンとなり、第（４ｕ＋２）列〜第（４ｕ＋４）列のソース線の１つがｓｏ配線４ｇに接続される。これにより、接続されたソース線に対応する画素の良、不良の検査が行われる。
【０１１５】
なお、接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４は、検査する列に対応した１つの接続制御信号のみが検査フローに応じてＬＯＷ又はＨＩＧＨに切換り、他の３つの接続制御信号はＬＯＷを維持する。検査する列に対応した１つの接続制御信号のＬＯＷ，ＨＩＧＨの切換えは、例えば図６の接続制御信号ＴＥと同様である。
【０１１６】
差動増幅器４ａの端子ｓｏ，ｓｅのプッシュダウン量は、端子ｓｅに容量４ｈを接続していることから、相互に略等しくなり、プッシュダウン後の端子ｓｅのリファレンスが、ＬＯＷ書込み時の端子ｓｏの電位よりも低くなることはなく、差動増幅器４ａの判定結果に誤りが生じることを防止することができる。
【０１１７】
他の作用及び効果は図１の実施の形態と同様である。
【０１１８】
（第３の実施の形態）＜検査列切換外部リファレンス型＞
図１０は本発明の第３の実施の形態に係り、検査列切換外部リファレンス型の電気光学装置用基板を示す回路図である。図１０において図１と同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施の形態は、１つの差動増幅器４ａで２本のソース線に接続された画素の検査を可能にするものである。
【０１１９】
図１０においては、基板１Ｃは、４行×６列画素で表示素子アレイ部２を示しているが、表示素子アレイ部２、Ｘドライバ部５ａ、Ｙドライバ部５ｂ、トランスミッションゲート部６、ビデオ信号線７、差動増幅器１０及び表示データ読み出し回路部４の構成は第１の実施の形態と同様である。表示データ読み出し回路部４と表示素子アレイ部２との間には、イコライズ回路部８、プリチャージ及びリファレンス回路部１３及びトランスミッションゲート部１９が設けられている。プリチャージ及びリファレンス回路部１３、イコライズ回路部８並びに表示データ読み出し回路部４によってテスト回路が構成される。
【０１２０】
第１の実施の形態においては、ｓｏ配線４ｇを検査配線として差動増幅器４ａの端子ｓｏに画素から読み出した画素信号を与え、ｓｅ配線４ｆをリファレンス配線として外部からのプリチャージ電位をリファレンス電位として維持して、差動増幅器４ａの端子ｓｅに与えた。
【０１２１】
これに対し、本実施の形態は、検査配線とリファレンス配線とを相互に切換え可能にして、１つの差動増幅器４ａで奇数列と偶数列の２列に接続された画素の検査を可能にするものである。この切換えをトランスミッションゲート部１９によって行うようになっている。
【０１２２】
トランスミッションゲート部１９は、奇数列のソース線Ｓ１，Ｓ３，…に対応して設けられたｎ／２個のトランジスタ９ａｏ及び偶数列のソース線Ｓ２，Ｓ４，…に対応して設けられたｎ／２個のトランジスタ９ａｅを有している。差動増幅器４ａの端子ｓｏに接続されたｓｏ配線４ｇは、トランジスタ９ａｏのソース・ドレイン路を介して奇数列のソース線Ｓ１，Ｓ３，…に接続される。また、差動増幅器４ａの端子ｓｅに接続されたｓｅ配線４ｆは、トランジスタ９ａｅのソース・ドレイン路を介して偶数列のソース線Ｓ２，Ｓ４，…に接続される。
【０１２３】
トランジスタ９ａｏ，９ａｅのゲートは、夫々トランスファゲート９ｂｏ，９ｂｅを介してＴＥゲートデコード回路９ｄに接続されている。トランスファゲート９ｂｏ，９ｂｅは、ゲートに端子９ｆからのテスト回路接続制御信号がインバータ９ｅを介して与えられる。端子９ｆに接続されたプルダウン回路によって、非テスト時は端子９ｆはＬＯＷであり、インバータ９ｅの出力はＨＩＧＨであって、トランスファゲート９ｂｏ，９ｂｅはオフである。テスト時には端子９ｆにＨＩＧＨのテスト回路接続制御信号が印加されて、トランスファゲート９ｂｏ，９ｂｅはオンとなる。
【０１２４】
ＴＥゲートデコード回路９ｄは、検査配線を決定するための接続制御信号ＴＥｏ，ＴＥｅを出力する。トランスファゲート９ｂｏ，９ｂｅは、導通状態になると、ＴＥゲートデコード回路９ｄからの接続制御信号ＴＥｏ，ＴＥｅをトランジスタ９ａｏ，９ａｅのゲートに与えるようになっている。
【０１２５】
ＬＯＷの接続制御信号ＴＥｏ，ＴＥｅがゲートに印加されたトランジスタ９ａｏ，９ａｅはオフとなり、ｓｏ，ｓｅ配線とソース線との接続を切断する。逆に、ＨＩＧＨの接続制御信号ＴＥｏ，ＴＥｅがゲートに印加されたトランジスタ９ａｏ，９ａｅはオンとなって、ｓｏ，ｓｅ配線とソース線とを接続する。ＴＥゲートデコード回路９ｄは、奇数列の画素の検査を行う場合には、接続制御信号ＴＥｅをＬＯＷにし、接続制御信号ＴＥｏについては検査フローに応じてＬＯＷ又はＨＩＧＨに切換える。また、ＴＥゲートデコード回路９ｄは、偶数列の画素の検査を行う場合には、接続制御信号ＴＥｏをＬＯＷにし、接続制御信号ＴＥｅについては検査フローに応じてＬＯＷ又はＨＩＧＨに切換える。
【０１２６】
本実施の形態においては、差動増幅器４ａの端子ｓｏには容量回路１２ｏが接続されており、差動増幅器４ａの端子ｓｅには容量回路１２ｅが接続されている。容量回路１２ｏは、容量１２ｏａ及びスイッチング素子としてのトランジスタ１２ｏｂを有している。トランジスタ１２ｏｂはソースが端子ｓｏに接続され、ドレインが容量１２ｏａを介して基準電位（接地電位）点に接続されており、端子１２ｏｃを介して入力されるＨＩＧＨの制御信号によって導通して、端子ｓｏに容量１２ｏａを接続するようになっている。容量回路１２ｅは、容量１２ｅａ及びスイッチング素子としてトランジスタ１２ｅｂを有している。トランジスタ１２ｅｂはソースが端子ｓｅに接続され、ドレインが容量１２ｅａを介して基準電位（接地電位）点に接続されており、端子１２ｅｃを介して入力されるＨＩＧＨの制御信号によって導通して、端子ｓｅに容量１２ｅａを接続するようになっている。
【０１２７】
なお、制御端子１２ｏｃ，１２ｏｅに供給する制御信号としては、夫々接続制御信号ＴＥｅ，ＴＥｏを採用してもよい。これにより、トランジスタ９ａｏがオンでトランジスタ９ａｅがオフの場合には、トランジスタ１２ｅｂがオンでトランジスタ１２ｏｂがオフとなる。つまり、ｓｏ配線４ｇが検査配線でｓｅ配線４ｆがリファレンス配線となった場合には、リファレンス配線が接続される端子ｓｅに容量１２ｅａが接続されることになる。
【０１２８】
また、逆に、トランジスタ９ａｏがオフでトランジスタ９ａｅがオンの場合には、トランジスタ１２ｏｂがオンでトランジスタ１２ｅｂがオフとなる。この場合には、ｓｏ配線４ｇがリファレンス配線でｓｅ配線４ｆが検査配線となった場合には、リファレンス配線が接続される端子ｓｏに容量１２ｏａが接続されることになる。
【０１２９】
なお、接続制御信号ＴＥｏ，ＴＥｅは、後述するように、画素検査時においてＨＩＧＨ又はＬＯＷに切換るが、制御端子１２ｏｃ，１２ｅｃに与える制御信号としては、画素検査時においては連続的にＨＩＧＨにした方がよい。これにより、所定列の画素の検査時において、差動増幅器４ａのリファレンス配線が接続される端子に接続される容量値が変動することはない。
【０１３０】
次に、図１１のタイミングチャートを参照して検査方法について説明する。本実施の形態においても検査の全体の流れは図５のフローと同様である。図１１は本実施の形態における読み出し動作を示している。
【０１３１】
本実施の形態においては、検査配線とリファレンス配線とを相互に切換え可能である点が第１の実施の形態と異なるのみである。図１１の例はＴＥゲートデコード回路９ｄが接続制御信号ＴＥｅをＬＯＷにし、接続制御信号ＴＥｏは検査フローに応じてＬＯＷ，ＨＩＧＨ切換えた状態を示している。即ち、この場合には、トランジスタ９ａｏがオン、トランジスタ９ａｅがオフとなり、奇数列のソース線Ｓ１，Ｓ３，…がｓｏ配線４ｇに接続されると共に、奇数列のソース線Ｓ２，Ｓ４，…とｓｅ配線４ｆとの接続は切断される。即ち、図１１の例は、第１の実施の形態と同様の状態となり、図６と同様の検査が行われる。
【０１３２】
また、この場合には、トランジスタ１２ｅｂがオン、トランジスタ１２ｏｂがオフとなって、容量回路１２ｅの容量１２ｅａが端子ｓｅに接続される。これにより、端子ｓｅ，ｓｏのプッシュダウン量は略等しくなり、プッシュダウン後の端子ｓｅのリファレンスが、ＬＯＷ書込み時の端子ｓｏの電位よりも低くなることはなく、差動増幅器４ａの判定結果に誤りが生じることはない。
【０１３３】
なお、図１１に示すように、端子ｓｏからｓｏ配線４ｇ及び奇数列のソース線Ｓ１，Ｓ３，…を介して読み出したデータは、奇数列のｏｕｔｏのみから出力されることになる。
【０１３４】
偶数列の画素の検査を行う場合には、ＴＥゲートデコード回路９ｄは、接続制御信号ＴＥｏをＬＯＷにし、接続制御信号ＴＥｅについては検査フローに応じてＬＯＷ又はＨＩＧＨに切換える。これにより、トランジスタ９ａｏはオフを維持し、奇数列のソース線Ｓ１，Ｓ３，…とｓｏ配線４ｇとの接続を切断し、トランジスタ９ａｅはオン，オフ切換り、偶数列のソース線Ｓ２，Ｓ４，…をｓｅ配線４ｆに接続する。
【０１３５】
この場合には、電圧印加端子３ａからｓｏ配線に供給された中間電位がリファレンスとして端子ｓｏに供給され、ｓｅ配線に供給された中間電位がプリチャージ電圧としてｓｅ配線及び偶数列のソース線Ｓ２，Ｓ４，…に供給される。
【０１３６】
またこの場合には、トランジスタ１２ｏｂがオン、トランジスタ１２ｅｂがオフとなって、容量回路１２ｏの容量１２ｏａが端子ｓｏに接続される。これにより、端子ｓｏのプッシュダウンが抑制され、端子ｓｅ，ｓｏのプッシュダウン量は略等しくなり、プッシュダウン後の端子ｓｏのリファレンスが、ＬＯＷ書込み時の端子ｓｅの電位よりも低くなることはなく、差動増幅器４ａの判定結果に誤りが生じることはない。
【０１３７】
なお、容量１２ｏａと１２ｅａの容量値については第１の実施の形態で述べたような条件に設定すればよい。
【０１３８】
他の作用及び効果は第１の実施の形態と同様である。
【０１３９】
（第４の実施の形態）＜検査列切換外部リファレンス、シェアード型＞
図１２は検査列切換外部リファレンス型に属するシェアード型の電気光学装置用基板型を示す回路図である。図１２において図１０又は図９と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１４０】
なお、図１２では図面の簡略化のために、表示素子アレイ部２を駆動するＸドライバ部５ａ、Ｙドライバ部５ｂ、ビデオ信号線７等は図示を省略している。図１２の実施の形態は、１つの差動増幅器４ａで４本のソース線に接続された画素の検査を可能にするものである。即ち、４ソース線を配置する間隔に１つの差動増幅器４ａを形成することができ、差動増幅器４ａの面積を広くして、駆動能力を向上させると共に、差増増幅器４ａのばらつきを低減して、検査精度を向上させることを可能にする。
【０１４１】
図１２の基板１１Ｃは、表示素子アレイ部２、Ｘドライバ部５ａ、Ｙドライバ部５ｂ、トランスミッションゲート部６、ビデオ信号線７、差動増幅器１０及び表示データ読み出し回路部４の構成は図１０の基板１Ｃと同様である。また、表示データ読み出し回路部４と表示素子アレイ部２との間に設けられたイコライズ回路部８、プリチャージ及びリファレンス回路部１３の構成も図１０の基板１Ｃと同様である。
【０１４２】
更に、差動増幅器４ａの端子ｓｏに接続される容量回路１２ｏ及び端子ｓｅに接続される容量回路１２ｅの構成も図１０と同様である。なお、容量回路１２ｏの制御端子１２ｏｃに供給する制御信号としては、第（４ｕ＋１）列及び第（４ｕ＋２）列のソース線に接続された画素の検査時においてＨＩＧＨになる信号を採用する。また、容量回路１２ｅの制御端子１２ｅｃに供給する制御信号としては、第（４ｕ＋３）列及び第（４ｕ＋４）列のソース線に接続された画素の検査時においてＨＩＧＨになる信号を採用する。また、制御端子１２ｏｃ，１２ｏｅに供給する制御信号として、接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４を利用してもよい。
【０１４３】
本実施の形態は、トランスミッションゲート部１９に代えてトランスミッションゲート部３１を採用した点が第３の実施の形態と異なる。トランスミッションゲート部３１は、ｓｏ配線４ｇを２本のソース線の１つに選択的に接続すると共に、ｓｅ配線４ｇを２本のソース線の１つに選択的に接続する。即ち、図１２の例では、差動増幅器４ａは、４本のソース線毎に設けられる。差動増幅器４ａの端子ｓｏに接続されたｓｏ配線４ｇは、トランジスタ３２ａ，３２ｂを夫々介して第（４ｕ＋１）列又は第（４ｕ＋２）列のソース線に接続される。また、差動増幅器４ａの端子ｓｅに接続されたｓｅ配線４ｆは、トランジスタ３２ｃ，３２ｄを夫々介して第（４ｕ＋３）列又は第（４ｕ＋４）列のソース線に接続される。
【０１４４】
トランジスタ３２ａ〜３２ｄのゲートは、トランスファゲート２４ａ〜２４ｄを夫々介してＴＥゲートデコード回路２５に接続されている。トランスファゲート２４ａは、端子２７にＨＩＧＨの制御信号が入力されることで、ＴＥゲートデコード回路２５からの接続制御信号ＴＥ１をトランジスタ３２ａのゲートに与える。同様に、トランスファゲート２４ｂ〜２４ｄは、端子２７にＨＩＧＨの制御信号が入力されることで、ＴＥゲートデコード回路２５からの接続制御信号ＴＥ２〜ＴＥ４を夫々トランジスタ３２ｂ〜３２ｄのゲートに与える。
【０１４５】
ＴＥゲートデコード回路２５は、差動増幅器４ａのｓｏ配線４ｇ及びｓｏ配線４ｆをいずれのソース線に接続するかを決定するための接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４を出力する。ＬＯＷの接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４がゲートに印加されたトランジスタ３２ａ〜３２ｄはオフとなり、ｓｏ配線及びｓｅ配線とソース線との接続を切断する。逆に、ＨＩＧＨの接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４がゲートに印加されたトランジスタ３２ａ〜３２ｄはオンとなって、ｓｏ配線及びｓｅ配線とソース線とを接続する。
【０１４６】
このように構成された実施の形態においては、ＴＥゲートデコード回路２５からＨＩＧＨの接続制御信号ＴＥ１が出力されると、トランジスタ３２ａがオンとなり、第（４ｕ＋１）列のソース線がｓｏ配線４ｇに接続される。こうして、ソース線Ｓ１，Ｓ５，…に接続された画素の良、不良の検査が行われる。
【０１４７】
また、この場合には、トランジスタ１２ｅｂがオン、トランジスタ１２ｏｂがオフとなって、容量回路１２ｅの容量１２ｅａが端子ｓｅに接続される。これにより、端子ｓｅ，ｓｏのプッシュダウン量は略等しくなり、プッシュダウン後の端子ｓｅのリファレンスが、ＬＯＷ書込み時の端子ｓｏの電位よりも低くなることはなく、差動増幅器４ａの判定結果に誤りが生じることはない。
【０１４８】
同様に、ＴＥゲートデコード回路２５からＨＩＧＨの接続制御信号ＴＥ２〜ＴＥ４が出力されると、トランジスタ３２ｂ〜３２ｄがオンとなり、第（４ｕ＋２）列〜第（４ｕ＋４）のソース線がｓｅ配線４ｆに接続される。こうして、各ソース線Ｓに接続された画素の良、不良の検査が行われる。
【０１４９】
なお、トランジスタ３２ｂがオンの場合には、容量回路１２ｅの容量１２ｅａが端子ｓｅに接続される。また、トランジスタ３２ｃ，３２ｄがオンの場合には、容量回路１２ｏの容量１２ｏａが端子ｓｏに接続される。これにより、端子ｓｅ，ｓｏのプッシュダウン量は略等しくなり、プッシュダウン後の端子ｓｅ，ｓｏのリファレンスが、ＬＯＷ書込み時の検査端子の電位よりも低くなることはなく、差動増幅器４ａの判定結果に誤りが生じることはない。
【０１５０】
なお、接続制御信号ＴＥ１〜ＴＥ４は、検査する列に対応した１つの接続制御信号のみが検査フローに応じてＬＯＷ又はＨＩＧＨに切換り、他の３つの接続制御信号はＬＯＷを維持する。検査する列に対応した１つの接続制御信号のＬＯＷ，ＨＩＧＨの切換えは、例えば図１１の接続制御信号ＴＥｏと同様である。
【０１５１】
なお、容量１２ｏａと１２ｅａの容量値については第２の実施の形態で述べたような条件に設定すればよい。
【０１５２】
他の作用及び効果は図１０の実施の形態と同様である。
【０１５３】
また、上述の第１から第４の実施の形態において、容量４ｈ、容量１２ａｅ、及び容量１２ｏａは、画素付加容量Ｃｓと同一層で形成すると良い。これによって画素付加容量Ｃｓと容量４ｈ、容量１２ａｅ、及び容量１２ｏａとを同一工程で形成することが可能となり、工程が増加することなく容量を形成できる。
【０１５４】
以上のように、上記３つの実施の形態では、本発明の電気光学装置用基板について、アクティブマトリックス型表示装置用基板を例にとって説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
【０１５５】
例えば、表示部に光学センサーを設けることで、入力機能を備えた表示装置用基板にも適用することが可能である。また、上記各実施の形態においては、差動増幅器の２つの端子に同数のソース線を接続する例を説明したが、相互に異なる数のソース線を接続するようにしてもよい。
【０１５６】
また、本発明の電気光学装置用基板を用いた電気光学装置も本発明に含まれる。
【０１５７】
例えば、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置であって、一対の基板の一方に本発明の電気光学装置用基板を用いたものである。
【０１５８】
なお、シリコン基板上に画素を形成する電気光学装置（例えばＬＣＯＳ）においても本発明は上述の実施形態によって適用可能であり、同様の効果を奏することが可能である。
【０１５９】
また、画素内にＳＲＡＭなどのメモリ素子を内蔵した電気光学装置であっても、本発明を適用することで、上述した効果を得ることができる。
【０１６０】
また、上述の電気光学装置を用いた電子機器も本発明に含まれる。図１３及び図１４は、電子機器の例を示す図である。図１３は、１つの例に係るパーソナルコンピュータの外観図である。図１４は、１つの例に係る携帯電話の外観図である。図１３に示すように、電子機器としてのパーソナルコンピュータ１００の表示部１０１に、上述した電気光学装置、例えば液晶表示装置が用いられる。図１４に示すように、電子機器として携帯電話２００の表示部２０１に、上述した電気光学装置、例えば液晶表示装置が用いられる。
【０１６１】
他にも、電子機器としては、例えば、光源と該光源から出射された光を変調するライトバルブと、該ライトバルブにより変調された光を投射するための光学系を備えた、投射型表示装置である。さらに、電子機器としては、他にも、テレビジョンや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る表示パネルが適用可能なのは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１６２】
本発明は、以上説明したＴＦＴを含む液晶表示装置に限られことはなく、アクティブマトリックス駆動の表示装置に適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１６３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係り、外部リファレンス型の電気光学装置用基板を示す回路図。
【図２】図１中の画素２ａの等価回路図。
【図３】図１中の表示データ読み出し回路部４の差動増幅器４ａの具体的な構成を示す回路図。
【図４】検査システムの構成図。
【図５】検査の全体の流れの例を示すフローチャート。
【図６】図５のステップＳＴ２の読み出し動作を説明するためのタイミングチャート。
【図７】各画素の書込みの状態を示す説明図。
【図８】フィールドスルーによる問題を説明するための波形図。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係り、外部リファレンス型に属するシェアード型の電気光学装置用基板を示す回路図。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係り、検査列切換外部リファレンス型の電気光学装置用基板を示す回路図。
【図１１】第３の実施の形態の検査方法を説明するためのタイミングチャート。
【図１２】本発明の第４の実施の形態に係り、検査列切換外部リファレンス型に属するシェアード型の電気光学装置用基板型を示す回路図
【図１３】電子機器の例を示す斜視図である。
【図１４】電子機器の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１６４】
１Ｂ  素子基板、２  表示素子アレイ部、４  表示データ読み出し回路部、４ａ  差動増幅器、４ｈ…容量、９’…トランスファゲート部、１３…プリチャージ及びリファレンス回路部。  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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