(57)【要約】  高さ調節可能なエッジリングを含む装置、及びその使用方法が本明細書で記載される。一実施例では、基板サポートアセンブリは高さ調節可能なエッジリングを含み、基板サポートアセンブリは処理チャンバ内に配置される。基板サポートアセンブリは、静電チャックと、静電チャックの一部に配置されたエッジリングと、１つ以上のプッシュピンを介してエッジリングの高さを調節する１つ以上のアクチュエータとを含む。高さ調節可能なエッジリングを使用して、経時的なエッジリングの腐食を補償することができる。更に、高さ調節可能なエッジリングは、処理チャンバを排気及び開放することなくスリットバルブ開口部を介して処理チャンバから取り外すことができる。高さ調節可能なエッジリングは、１つ以上のアクチュエータによって傾斜させることができ、基板エッジにおける方位的な均一性を改善できる。
2019505088.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための装置であって、
基板サポートと、
前記基板サポート上に配置され、第１の部分と、第２の部分と、第３の部分とを含む静電チャックと、
前記静電チャックを取り囲む処理キットとを備え、前記処理キットは、
前記静電チャックの前記第３の部分の表面上に配置されたサポートリングと、
前記静電チャックの前記第２の部分の表面上に配置された前記サポートリングに対して独立して移動可能なエッジリングと、
前記サポートリング上に配置され、前記サポートリングに接触する第１の表面を有するカバーリングとを備える、基板を処理するための装置。
【請求項２】
前記サポートアセンブリを貫通して配置され、前記エッジリングを上昇させるように動作可能で、前記エッジリングを上昇させる間、前記エッジリングの下面に係合するように動作可能な１つ以上のプッシュピンを更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記カバーリング及び前記１つ以上のプッシュピンは石英から製造される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記１つ以上のプッシュピンの前記高さを制御するように動作可能な１つ以上のステッピングモータを更に備える、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記基板サポートは、絶縁プレートと、前記絶縁プレート上に配置されたスリーブとを備え、前記サポートリングと前記スリーブとの間に隙間が形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
基板サポートアセンブリであって、
第１の表面を有する第１の部分と、第２の表面を有する第２の部分と、第３の表面を有する第３の部分とを含む静電チャックと、
処理キットであって、
前記静電チャックの前記第３の部分の前記第３の表面上に配置され、前記静電チャックの前記第２の部分を取り囲む前記サポートリングと、
前記静電チャックの前記第２の部分の前記第２の表面上に配置されたエッジリングと、
前記サポートリング上に配置され、前記エッジリングを取り囲むカバーリングを含む処理キットと、
前記エッジリングを上昇させるように配置された１つ以上のプッシュピンと、
前記１つ以上のプッシュピンに結合され、前記１つ以上のプッシュピンの高さを制御するように動作可能な１つ以上のアクチュエータとを備える、基板サポートアセンブリ。
【請求項７】
前記エッジリングは、
第１の表面と、
前記第１の表面に対向する第２の表面と、
前記１つ以上のプッシュピンに係合するために前記第２の表面に形成された１つ以上のキャビティと、
実質的に円形である外側エッジと、
第１の部分は実質的に円形であり、第２の部分は実質的に直線状である、前記第１の部分及び前記第２の部分を有する内側エッジとを備える、請求項６に記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項８】
前記サポートリングは、
内側エッジと、
外側エッジと、
前記内側エッジと前記外側エッジとの間に形成された１つ以上の開口部とを備えた、請求項6に記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項９】
前記エッジリングは、シリコン又は炭化ケイ素から製造される、請求項６に記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１０】
前記カバーリングは、上面と、前記上面に対向する第４の表面と、前記上面に対向する第５の表面と、前記上面に対向する第６の表面とを備え、前記第４の表面は前記サポートリングに接触して支持される、請求項６に記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１１】
前記第５の表面と前記スリーブとの間に間隙が形成され、前記第６の表面と前記スリーブとの間に間隙が形成される、請求項１０に記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１２】
処理チャンバ内の第１の位置にエッジリングを維持している間に第１の基板数を処理するステップであり、ここで前記第１の基板数の第１の基板を処理する際、前記第１の基板は前記静電チャックの第１の部分の第１の表面上に配置され、前記エッジリングは前記静電チャックの第２の部分の第２の表面上に配置され、サポートリング上に配置されたカバーリングによって取り囲まれ、前記サポートリングは前記静電チャックの第３の部分の第３の表面上に配置されるステップと、
前記エッジリングを前記第１の位置から第２の位置に上昇させるステップと、
前記第１の基板数の全てが前記処理チャンバから除去された後に、ロボットによって前記処理チャンバから前記エッジリングを取り外すステップとを含む方法。
【請求項１３】
前記エッジリングを前記第２の位置に上昇させる前に、前記エッジリングを前記エッジリングの腐食量に応じて選択される第３の位置に上昇させるステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記エッジリングの腐食量を検出するステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記エッジリングを上昇させるステップであって、
前記エッジリングの下面を前記１つ以上のプッシュピンと接触させるステップと、
１つ以上のプッシュピンをアクチュエータで上昇させるステップとを含む、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（分野）
本開示の実施例は、一般に、基板（例えば、半導体基板など）を処理するための装置に関する。より詳細には、処理キット及びその使用方法が開示される。
【０００２】
（関連技術の説明）
基板（例えば、半導体基板及びディスプレイパネルなど）の処理では、基板は処理チャンバ内のサポート上に配置され、適切な処理条件が処理チャンバ内で維持され、基板の表面に堆積、エッチング、層形成する方法、又は他の方法で処理される。エッチング処理の間、エッチング処理を駆動するプラズマは、基板表面に亘って均一に分布しないことがある。不均一性は、特に基板表面のエッジ部で明らかである。この不均一性は、処理結果不良の一因になる。したがって、いくつかの処理チャンバでは、プラズマの均一性を高め、処理の歩留まりを改善するために、処理キットリングとも呼ばれるエッジリングが使用される。
【０００３】
しかし、従来のエッジリングは時間の経過と共に腐食する。エッジリングが腐食すると、基板表面に亘ってのプラズマの均一性が低下し、それによって基板処理に悪影響が出る。プラズマの均一性と処理された基板の品質との間には直接的な相関があるので、従来の処理チャンバでは、プラズマの均一性を維持するためにエッジリングの頻繁な交換が必要になる。しかし、エッジリングを頻繁に交換すると、予防的メンテナンスのために望ましくないダウンタイムが発生し、消耗コンポーネント（例えば、エッジリングなど）のコストが上昇する。
【０００４】
したがって、プラズマの均一性を改善する方法及び装置が当該技術分野において必要とされている。
【概要】
【０００５】
一実施例では、基板を処理する装置は、基板サポートと、基板サポート上に配置された静電チャックと、静電チャックを取り囲む処理キットとを含む。静電チャックは、第１の部分と、第２の部分と、第３の部分とを含む。処理キットは、静電チャックの第３の部分の表面上に配置されたサポートリングと、静電チャックの第２の部分の表面上に配置されたサポートリングに対して独立に移動可能なエッジリングと、サポートリング上に配置されたカバーリングとを備え、カバーリングはサポートリングに接触する第１の表面を有する。
【０００６】
別の実施例では、基板サポートアセンブリは、第１の表面を有する第１の部分と、第２の表面を有する第２の部分と、第３の表面を有する第３の部分とを含む静電チャックと、処理キットとを含む。処理キットは、静電チャックの第３の部分の第３の表面上に配置され、静電チャックの第２の部分を取り囲むサポートリングと、静電チャックの第２の部分の第２の表面上に配置されたエッジリングと、サポートリング上に配置されエッジリングを取り囲むカバーリングとを含む。基板サポートアセンブリは、エッジリングを上昇させるように配置された１つ以上のプッシュピンと、１つ以上のプッシュピンに結合された１つ以上のアクチュエータとを更に含み、１つ以上のアクチュエータは１つ以上のプッシュピンの高さを制御するように動作可能である。
【０００７】
別の実施例では、方法は、処理チャンバ内の第１の位置にエッジリングを維持している間に第１の基板数を処理するステップと、エッジリングを第１の位置から第２の位置へ上昇させるステップと、前記第１の基板数の全てが前記処理チャンバから除去された後に、前記ロボットによって前記処理チャンバから前記エッジリングを除去するステップとを含む。第１の基板数の第１の基板を処理する間、第１の基板は静電チャックの第１の部分の第１の表面上に配置され、エッジリングは静電チャックの第２の部分の第２の表面上に配置され、サポートリング上に配置されたカバーリングによって取り囲まれ、サポートリングは静電チャックの第３の部分の第３の表面上に配置される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示の上記列挙した構成を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより詳細な説明は、本開示の態様を参照することによって得られ、そのいくつかは添付図面に示される。しかし、添付図面は、本開示の一般的な態様のみを示しており、したがって、本開示が他の同等に有効な態様を認めることができるので、範囲の限定であるとみなされるべきではないことに留意すべきである。
【図１】本開示の一実施例による処理チャンバの概略断面側面図である。
【図２Ａ】〜
【図２Ｂ】本開示の一実施例による図１の処理チャンバの基板サポートアセンブリの拡大概略側面断面図である。
【図３】本開示の別の実施例による基板サポートアセンブリの拡大概略断面部分側面図である。
【図４】本開示の別の実施例による基板サポートアセンブリの拡大概略断面部分側面図である。
【図５】本明細書に記載の実施例による方法のフローチャートである。
【図６Ａ】〜
【図６Ｃ】本開示の実施例による図５の方法の様々な段階での基板表面を概略的に示す。
【図７】本開示の別の実施例による基板サポートアセンブリの概略断面部分側面図である。
【図８Ａ】〜
【図８Ｂ】本開示の実施例による図７の基板サポートアセンブリの概略断面部分側面図である。
【図９】本開示の一実施例による図７の基板サポートアセンブリの概略上面図である。
【図１０Ａ】本開示の一実施例によるエッジリングの概略上面図である。
【図１０Ｂ】本開示の一実施例による図１０Ａのエッジリングの一部の概略側面図である。
【図１１Ａ】本開示の一実施例によるサポートリングの概略上面図である。
【図１１Ｂ】本開示の一実施例による図１１Ａのサポートリングの一部の拡大概略上面図である。
【図１２】本開示の別の実施例による基板サポートアセンブリの概略断面部分側面図である。
【０００９】
理解を容易にするために、可能な限り、同一の参照番号を使用し、図に共通する同一の要素を指定する。更に、一実施例の要素は、本明細書に記載されている他の実施例での利用に有益に組み込むことができる。
【発明の詳細な説明】
【００１０】
高さ調節可能なエッジリングを含む装置及びその使用方法が本明細書に記載されている。一実施例では、基板サポートアセンブリは高さ調節可能なエッジリングを含み、基板サポートアセンブリは処理チャンバ内に配置される。基板サポートアセンブリは、静電チャックと、静電チャックの一部に配置されたエッジリングと、１つ以上のプッシュピンを介してエッジリングの高さを調節する１つ以上のアクチュエータとを含む。高さ調節可能なエッジリングを使用して、経時的なエッジリングの腐食を補償することができる。更に、処理チャンバを排気及び開放することなくスリットバルブ開口部を介して、高さ調節可能なエッジリングを処理チャンバから取り外すことができる。高さ調節可能なエッジリングを１つ以上のアクチュエータによって傾斜させて、基板エッジにおける方位的な均一性を改善することができる。
【００１１】
図１は、本開示の一実施例による処理チャンバ１００の概略断面図である。処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０１と、その上に配置された蓋１０３とを含み、それらは一緒になって内部容積を画定する。チャンバ本体１０１は、一般的には電気的接地１０７に結合される。基板サポートアセンブリ１１１は、内部容積内に配置され、処理中に基板１０９をその上に支持する。処理チャンバ１００も、処理チャンバ１００内にプラズマを生成するための誘導結合型プラズマ装置１０２と、処理チャンバ１００の実施例を制御するように構成されたコントローラ１５５とを含む。
【００１２】
基板サポートアセンブリ１１１は１つ以上の電極１５３を含み、電極１５３は整合ネットワーク１２０を介してバイアス電源１１９に結合され、処理中の基板１０９にバイアスをかけることが容易になる。バイアス電源１１９は、例えば、約１３．５６ＭＨｚの周波数で、約１０００Ｗまで（但し、約１０００Ｗに限定されない）のＲＦエネルギ供給源とすることができるが、他の周波数及び電力が特定の用途に望ましいように、例示的に提供されてもよい。バイアス電源１１９は、連続電力又はパルス電力のいずれか又は両方を生成することができてもよい。いくつかの実施例では、バイアス電源１１９は、ＤＣ電源又はパルスＤＣ電源であってもよい。いくつかの実施例では、バイアス電源１１９は、複数の周波数を提供することができる。１つ以上の電極１５３は、チャッキング電源１６０に結合され、処理中に基板１０９のチャッキングを容易にすることができる。基板サポートアセンブリ１１１は、基板１０９を取り囲む処理キット（図示せず）を含むことができる。処理キットの様々な実施形態を以下に記載する。
【００１３】
誘導結合型プラズマ装置１０２は、蓋１０３の上方に配置され、ＲＦ電力を処理チャンバ１００に誘導結合させて処理チャンバ１００内にプラズマを生成するように構成される。誘導結合型プラズマ装置１０２は、蓋１０３の上方に配置された第１及び第２のコイル１１０、１１２を含む。相対位置、各コイル１１０、１１２の直径の比、及び／又は各コイル１１０、１１２の巻数はそれぞれ所望に応じて調整され、形成されるプラズマのプロファイル又は密度を制御することができる。第１及び第２のコイル１１０、１１２のそれぞれは、ＲＦ給電構造１０６を介して整合ネットワーク１１４を通じてＲＦ電源１０８に結合される。ＲＦ電源１０８は、例示的に、５０ｋＨｚから１３．５６ＭＨｚまでの範囲の同調可能な周波数で約４０００Ｗまで（但し、約４０００Ｗに限定されない）生成することができるが、特定の用途に望ましいように他の周波数及び電力を利用してもよい。
【００１４】
いくつかの実施例では、ＲＦ給電構造１０６とＲＦ電源１０８との間に電力分配器（例えば、分割コンデンサなど）１０５を設けて、それぞれ第１及び第２のコイルに供給されるＲＦ電力の相対量を制御することができる。いくつかの実施例では、電力分配器１０５を整合ネットワーク１１４に組み込むことができる。
【００１５】
蓋１０３の上に加熱要素１１３を配置し、処理チャンバ１００の内部の加熱を容易にすることができる。加熱要素１１３は、蓋１０３と第１及び第２のコイル１１０、１１２との間に配置されてもよい。いくつかの実施例では、加熱要素１１３は、抵抗加熱要素を含み、加熱要素１１３の温度を所望の範囲内に制御するのに十分なエネルギを供給するように構成された電源（ＡＣ電源など）１１５に結合されてもよい。
【００１６】
動作中、基板（半導体ウェハ又はプラズマ処理に適した他の基板など）１０９が基板サポートアセンブリ１１１上に配置され、処理ガスがガスパネル１１６から入口ポート１１７を通ってチャンバ本体１０１の内部容積に供給される。処理ガスは、ＲＦ電源１０８から第１及び第２のコイル１１０、１１２に電力を印加することによって点火され、処理チャンバ１００内でプラズマ１１８が生成される。いくつかの実施例では、バイアス電源（ＲＦ電源又はＤＣ電源など）１１９からの電力も、整合ネットワーク１２０を介して、基板サポートアセンブリ１１１内の電極１５３に供給することができる。処理チャンバ１００の内部の圧力は、バルブ１２１及び真空ポンプ１２２を使用して制御することができる。チャンバ本体１０１の温度は、チャンバ本体１０１を貫通する液体入りコンジット（図示せず）を用いて制御することができる。
【００１７】
処理チャンバ１００は、処理中に処理チャンバ１００の動作を制御するコントローラ１５５を含む。コントローラ１５５は、中央処理装置（ＣＰＵ）１２３と、メモリ１２４と、ＣＰＵ１２３用サポート回路１２５とを含み、処理チャンバ１００のコンポーネントの制御を容易にする。コントローラ１５５は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための工業用環境で使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つであってもよい。メモリ１２４は、本明細書で記載する方法で処理チャンバ１００の動作を制御するために実行又は呼び出すことができるソフトウェア（ソースコード又はオブジェクトコード）を記憶する。
【００１８】
図２Ａ及び図２Ｂは、本明細書に記載の一実施例による処理チャンバ１００の基板サポートアセンブリ１１１の拡大概略図である。基板サポートアセンブリ１１１は、処理キット２０３と、基板サポート２０５と、静電チャック２２９とを含む。静電チャック２２９は、基板サポート２０５の上面に配置され、処理キット２０３によって取り囲まれている。基板サポート２０５は、絶縁プレート２２７を取り囲む接地プレート２２６と、垂直スタック内に組み立てられたファシリティーズプレート２２８とを含む。基板サポート２０５は、ファシリティーズプレート２２８及び静電チャック２２９を取り囲むスリーブ２３０を更に含み、ＲＦホット静電チャック２２９を接地プレート２２６から絶縁する。スリーブ２３０は、石英から製造することができる。処理キット２０３は、カバーリング２４６と、第１のエッジリング２４２と、第２のエッジリング２４４とを含む。カバーリング２４６は、接地プレート２２６の垂直エッジの上面に配置され、スリーブ２３０と係合するための凹部を含む。カバーリング２４６は、石英又は他のプラズマ耐性材料から製造されてもよい。
【００１９】
ファシリティーズプレート２２８は、接地プレート２２６の下部の上方、及び絶縁プレート２２７と静電チャック２２９との間に配置される。静電チャック２２９は、絶縁材料２３６内に埋め込まれた複数の電極１５３（４つが示されている）を含むことができる。電極１５３は、チャッキング電源１６０（図１に示す）に結合され、静電チャック２２９の上面に基板１０９をチャッキングすることが容易になる。絶縁材料２３６に１つ以上の加熱又は冷却チャネルを任意に形成し、処理中の基板１０９の温度制御を容易にすることができる。いくつかの態様では、電極１５３はカソードであり、整合ネットワーク１２０を介してバイアス電源１１９（図１に示す）に結合される。
【００２０】
第１のエッジリング２４２は静電チャック２２９上に配置される。第１のエッジリング２４２は、基板１０９の半径方向外側のエッジを取り囲み、これに隣接する。第１のエッジリング２４２は、処理中の基板１０９のエッジの保護を容易にし、更に処理中の基板１０９に横方向の支持を提供する。第１のエッジリング２４２は、処理中の基板１０９に対して静止していてもよい。
【００２１】
第２のエッジリング２４４は、第１のエッジリング２４２の上で半径方向外側に配置される。第２のエッジリング２４４の半径方向外側のエッジ２０２、及び第２のエッジリング２４４の底面２０４は、カバーリング２４６と接触している。第２のエッジリング２４４は、第１のエッジリング２４２及び基板１０９に対して同心円状に配置される。第２のエッジリング２４４は、第１のエッジリング２４２が基板１０９に横方向の支持を提供する助けとなり、基板１０９の半径方向外側のエッジで材料の望ましくないエッチング又は堆積を低減する助けとなる。
【００２２】
基板サポートアセンブリ１１１は、１つ以上のアクチュエータ（とりわけ、ステッピングモータ又は線形アクチュエータなど）２４７（１つが示されている）を含むこともできる。一実施例では、１つ以上のアクチュエータ２４７が接地プレート２２６に配置される。しかし、アクチュエータ２４７は、基板サポートアセンブリ１１１の外部に配置されてもよいと考えられる。各アクチュエータ２４７は、１つ以上のプッシュピン２４８に係合するか、又はそれと連動するように適合される。１つ以上のプッシュピン２４８は、接地プレート２２６から、ファシリティーズプレート２２８及びスリーブ２３０を貫通して延在し、カバーリング２４６と接触する。１つ以上のプッシュピン２４８の作動により、カバーリング２４６及び第２のエッジリング２４４が基板１０９及び／又は第１のエッジリング２４２の上面に対して垂直方向に作動するか、又は変位する。いくつかの態様では、第１のエッジリング２４２を省略できると考えられる。第２のエッジリング２４４の位置は、第２のエッジリング２４４の腐食に対応する高さに調節され、処理中の基板表面に亘ってプラズマの均一性を高めることができる。
【００２３】
１つ以上のベローズ（図７に示す）を１つ以上のプッシュピン２４８のそれぞれの周りに配置し処理チャンバ１００（図１に示す）内のパーティクル汚染を低減することができる。更に、１つ以上のプッシュピンガイド（例えば、ガイドスリーブ又は軸受など）２３９を各プッシュピン２４８の周りのスリーブ２３０内に配置し、各プッシュピン２４８の作動を容易にすることができる。プッシュピンガイド２３９は、プッシュピン２４８用の軸受面を提供する。一実施例では、１つ以上のアクチュエータ２４７、１つ以上のプッシュピン２４８、カバーリング２４６、及び第２のエッジリング２４４は、高さ調節可能なエッジリングアセンブリ２４９と呼ぶことができる。一実施例では、エッジリングアセンブリ２４９については、コントローラ１５５（図１に示されている）と更に連動し、動作可能に制御することができる。別の実施例では、エッジリングアセンブリ２４９は、カバーリング２４６を省略することができる。このような実施例では、１つ以上のプッシュピン２４８は、第２のエッジリング２４４に直接接触してこれを作動させることができる。
【００２４】
一実施例では、第１のエッジリング２４２はシリコンから製造することができる。一実施例では、第２のエッジリング２４４はシリコンから製造することができる。特定の実施例では、第２のエッジリング２４４は炭化ケイ素（ＳｉＣ）から製造することができる。一実施例では、１つ以上のアクチュエータ２４７はマイクロステッピングモータである。別の実施例では、１つ以上のアクチュエータ２４７は圧電モータである。一実施例では、１つ以上のプッシュピン２４８は石英又はサファイアから製造される。一実施例では、コントローラはソフトウェアを記憶するためのメモリを含む汎用コンピュータであってもよい。ソフトウェアには、第２のエッジリング２４４の腐食を検出し、次いで１つ以上のアクチュエータ２４７に１つ以上のプッシュピン２４８を上昇させるように指示する命令が含まれ、第２のエッジリング２４４を所望の高さまで上昇させる。
【００２５】
図３は、別の実施例による基板サポートアセンブリ３１１の拡大概略部分図である。基板サポートアセンブリ１１１と同様に、基板サポートアセンブリ３１１は処理キット３０４と、基板サポート３０６と、静電チャック３０３とを含む。静電チャック３０３は、基板サポート３０６の上面に配置され、処理キット３０４によって取り囲まれる。基板サポート３０６は、接地プレート２２６と、絶縁プレート２２７と、ファシリティーズプレート２２８と、スリーブ３０５とを含む。
【００２６】
処理キット３０４は、第１のエッジリング３４２と、第２のエッジリング３４４と、カバーリング３４６とを含む。第１のエッジリング３４２は基板１０９の半径方向外側のエッジに隣接して配置され、基板１０９のエッジにおける望ましくない処理効果を低減する。第２のエッジリング３４４は、第１のエッジリング３４２の半径方向外側及び上方に配置される。第２のエッジリング３４４は、カバーリング３４６の半径方向内側及び上方に配置することができる。最も低い位置では、第２のエッジリング３４４は、第１のエッジリング３４２、スリーブ２３０、及びカバーリング３４６のうちの１つ以上と接触する下面３０２を有することができる。当該の最も低い位置では、第２のエッジリング３４４は、カバーリング３４６と同一平面上の上面を共有することができる。基板サポートアセンブリ３１１は、基板サポートアセンブリ１１１と同様であってもよいが、１つ以上のプッシュピン２４８は第２のエッジリング３４４と接触するように配置される。第２のエッジリング３４４は、第２のエッジリング２４４と同じ材料から製造することができる。１つ以上のプッシュピン２４８は、カバーリング３４６の作動を介して、間接的にではなく直接的に、第２のエッジリング３４４を作動させる。このような実施例では、カバーリング３４６は、第２のエッジリング３４４の高さ調節中、静止したままである。基板サポートアセンブリ３１１は、基板サポートアセンブリ１１１の代わりに使用することができる。
【００２７】
基板サポートアセンブリ３１１は、１つ以上のアクチュエータ２４７と、１つ以上のプッシュピン２４８と、第２のエッジリング３４４とを含む高さ調節可能なエッジリングアセンブリ３４９とを含む。エッジリングアセンブリ３４９はエッジリングアセンブリ２４９と同様であってもよいが、エッジリングアセンブリ３４９の１つ以上のプッシュピン２４８は接地プレート２２６の垂直壁及びカバーリング３４６を貫通して配置される。したがって、エッジリングアセンブリ３４９のプッシュピン２４８は、絶縁プレート２２７及びスリーブ２３０を貫通して移動せず、それによって、絶縁プレート２２７及びスリーブ２３０を貫通して形成される孔が排除される。更に、エッジリングアセンブリ３４９は、第２のエッジリング３４４を作動させ、カバーリング３４６を静止したままにすることができるので、基板サポートアセンブリ３１１は、可動部品数の減少に起因してパーティクル発生を低減することができる。第１のエッジリング３４２は、第１のエッジリング２４２と同じ材料から製造することができる。
【００２８】
図４は、別の実施例による基板サポートアセンブリ４１１の拡大概略部分図である。基板サポートアセンブリ４１１は、基板サポートアセンブリ３１１と同様であってよく、その代わりに使用されてもよい。基板サポートアセンブリ４１１は、処理キット４１４と、基板サポート４１６と、静電チャック３０３とを含む。静電チャック３０３は、基板サポート４１６の上面に配置され、処理キット４１４によって取り囲まれる。基板サポート４１６は、接地プレート２２６と、絶縁プレート２２７と、ファシリティーズプレート２２８と、スリーブ４１８とを含む。処理キット４１４は、第１のエッジリング４４２と、第２のエッジリング４４４と、カバーリング４４６とを含む。第１のエッジリング４４２は、静電チャック３０３の半径方向外側の上面４０２上に配置される。第２のエッジリング４４４は、第１のエッジリング４４２の半径方向外側及び上方に配置される。第２のエッジリング４４４の下面４０４は、第１のエッジリング４４２の表面４０６及びスリーブ４１８の第１の部分の上面４０８と接触して配置されてもよい。 カバーリング４４６は、第２のエッジリング４４４の半径方向外側に位置し、スリーブ４１８の第２の部分の上面４１０及び接地プレート２２６の垂直部分の上面４１２と接触して配置される。
【００２９】
基板サポートアセンブリ４１１は、高さ調節可能なエッジリングアセンブリ４４９を含む。エッジリングアセンブリ４４９は、１つ以上のアクチュエータ２４７と、１つ以上のプッシュピン２４８と、第２のエッジリング４４４とを含む。１つ以上のアクチュエータ２４７は、１つ以上のプッシュピン２４８を作動させ、基板１０９の上面に対して及び第１のエッジリング４４２とカバーリング４４６に対して、第２のエッジリング４４４を上昇させる。基板サポートアセンブリ３１１と同様に、第２のエッジリング４４４を上昇させている間、カバーリング４４６は静止したままである。可動コンポーネントの数が減少するため、処理中におけるパーティクル生成の可能性が低減される。しかし、基板サポートアセンブリ３１１とは異なり、基板サポートアセンブリ４１１のプッシュピン２４８は、絶縁プレート２２７及びスリーブ４１８を貫通して配置される。１つ以上のプッシュピン２４８は、第２のエッジリング４４４の下面４０４と接触し、アクチュエータ２４７から第２のエッジリング４４４へ動きを伝達する。一実施例では、第１のエッジリング４４２はシリコンから製造することができる。一実施例では、第２のエッジリング４４４はシリコンから製造することができる。特定の実施例では、第２のエッジリング４４４は炭化ケイ素（ＳｉＣ）から製造することができる。
【００３０】
図５は、本明細書に記載の実施例による方法５５０のフローチャートである。図６Ａ〜６Ｃは、本明細書に記載の方法５５０の様々な段階における基板サポートアセンブリ６６０の一部における基板表面に亘るプラズマの均一性を示す。図５及び図６Ａ〜６Ｃは、そのリングの腐食を補償するために高さ調節可能なエッジリング（例えば、第２のエッジリング２４４、３４４、４４４など）の高さを調節するプロセスを更に記載するために関連して議論される。本方法は、コントローラ（例えば、コントローラ１５５など）に記憶され実行されてもよい。
【００３１】
方法５５０は動作５５２で開始する。動作５５２において、基板の第１の基板数が処理される。第１の基板数を処理する間、図６Ａに示すように、エッジリング６４４の上面６０２は、基板１０９の上面６０４と同一平面上にある。エッジリング６４４は、第２のエッジリング２４４、３４４、４４４であってもよい。エッジリング６４４の上面６０２及び基板１０９の上面６０４が同一平面上にあるとき、プラズマは基板１０９上に均一に分布し、プラズマシース６６２は基板１０９の上面６０４と平行になる。
【００３２】
第１の基板数を処理した後、図６Ｂに示すように、エッジリング６４４は腐食する場合がある。エッジリング６４４が腐食すると、エッジリング６４４の全厚さは減少し、エッジリング６４４の上面６０２はもはや基板１０９の上面６０４と同一平面上にない。代わりに、エッジリング６４４の上面６０２は基板１０９の上面６０４の下にある。エッジリング６４４の上面６０２が基板１０９の上面６０４と同一平面上にないとき、プラズマは基板１０９の上面６０４に亘って不均一に分布するようになる。より具体的には、エッジリング６４４の上面６０２が基板１０９の上面６０４よりも低い場合、プラズマシース６６２によって示されるように、基板１０９のエッジ６０６においてプラズマが「ロールオフ」する。言い換えれば、プラズマシース６６２はもはや基板１０９の上面６０４と平行ではない。基板エッジ６０６でのこのプラズマの不均一性が、不均一な処理条件を引き起こし、デバイスが形成される基板１０９の処理の歩留まりを低下させる。
【００３３】
したがって、動作５５４において、エッジリング６４４は、エッジリング６４４の第１の腐食量に基づいて、エッジリング６４２の上方にある第１の位置からエッジリング６４２の上方にある第２の位置まで上昇させられる。エッジリング６４２は、第１のエッジリング２４２、３４２、４４２であってもよい。エッジリング６４４は、第２のエッジリング２４４、３４４、４４４であってもよい。図６Ｃに示す通り、直線状のプラズマシース６６２を維持する（すなわち、プラズマシース６６２を基板１０９の上面６０４に平行に維持する）ように、エッジリング６４４を上昇させる。一実施例では、エッジリング６４４を、腐食した状態のエッジリング６４４の上面６０２が基板１０９の上面６０４と実質的に同一平面になるような位置まで上昇させることができる。エッジリング６４４を調節できる高さを、コントローラ（図１に示されるコントローラ１５５など）を使用して決定してもよい。コントローラは、エッジリング６４４の第１の腐食量を検出するために使用されてもよい。次に、コントローラは、第１の腐食量を補償するために、１つ以上のプッシュピンを介してエッジリング６４４の高さを上昇させるように、１つ以上のアクチュエータ２４７に指示することができる。第１の位置と第２の位置との間の距離は、約０．０５ミリメートル〜約５ミリメートルであり得る。
【００３４】
あるいは、エッジリング６４４上の腐食量を検出する代わりに、経験的に決定された基板数が処理された後に、エッジリング６４４を調節してもよい。あるいは、エッジリング６４４を、プラズマシースの変形の測定に応じて調節してもよい。
【００３５】
動作５５６において、第２の基板数は、エッジリング６４４を調節された位置に維持している間に処理される。調節された位置にある間に、エッジリング６４４は、プラズマシース６６２を基板１０９の上面６０４と同一平面上に配置される。第２の基板数を処理した後、方法５５０は、エッジリング６４４の第２の腐食量を検出し、エッジリング６４４を第２の位置から第３の位置に上昇させるステップを更に含むことができる。第２の位置と第３の位置との間の距離は、約０．０５ミリメートル〜約５ミリメートルであってもよい。より多くの基板が処理されエッジリング６４４に更なる腐食が発生するので、方法５５０の動作を繰り返してもよい。
【００３６】
図７は、本開示の別の実施例による基板サポートアセンブリ７００の概略断面側面図である。 基板サポートアセンブリ７００は、図１に示す基板サポートアセンブリ１１１であってもよい。基板サポートアセンブリ７００は、処理キット７０３と、基板サポート７０５と、静電チャック７１２と、カソードライナ７２６と、シールド７２８とを含む。静電チャック７１２は、基板サポート７０５の上面に配置され、処理キット７０３によって取り囲まれる。基板サポート７０５は、基部７０２と、基部７０２上に配置された接地プレート７０４と、接地プレート７０４上に配置された絶縁プレート７０６と、絶縁プレート７０６上に配置されたファシリティーズプレート７０８と、ファシリティーズプレート７０８上に配置された冷却プレート７１０と、ファシリティーズプレート７０８、冷却プレート７１０及び静電チャック７１２を取り囲む絶縁プレート７０６上に配置されたスリーブ７２４とを含む。スリーブ７２４は石英から製造することができる。静電チャック７１２は接合材料を用いて冷却プレート７１０に接合することができる。静電チャック７１２には、複数の電極７１４が埋め込まれていてもよい。静電チャック７１２は、基板を支持するための第１の表面７１８を有する第１の部分７１６と、第１の部分７１６から半径方向外側に延在する第２の部分７２０とを含むことができる。第２の部分７２０は、第２の表面７２２を含むことができる。
【００３７】
処理キット７０３は、サポートリング７３０と、エッジリング７３２と、カバーリング７３４とを含む。サポートリング７３０は、静電チャック７１２の第２の部分７２０の第２の表面７２２上に配置され、静電チャック７１２の第１の部分７１６を取り囲む。サポートリング７３０は、シリコン又はＳｉＣから製造することができる。サポートリング７３０は、静電チャック７１２の第１の部分７１６に対して同心円状に配置されてもよい。サポートリング７３０は、静電チャック７１２の第１の部分７１６の半径よりも１００ミクロン小さい内径を有してもよい。エッジリング７３２はサポートリング７３０上に配置されてもよく、エッジリング７３２はシリコン、ＳｉＣ、又は他の適切な材料で形成されてもよい。エッジリング７３２は、静電チャック７１２の第１の部分７１６に対して同心円状に配置されてもよい。カバーリング７３４は、スリーブ７２４上に配置され、エッジリング７３２及びサポートリング７３０を取り囲んでもよい。
【００３８】
基板サポートアセンブリ７００は、１つ以上のアクチュエータ（例えば、ステッピングモータなど）７３６（１つが図示されている）と、１つ以上のピンホルダ７３７（１つが図示されている）と、１つ以上のベローズ７３５（１つが図示されている）と、１つ以上のプッシュピン７３３（１つが図示されている）とを含む。プッシュピン７３３は、石英、サファイア、又は他の適切な材料から製造することができる。各ピンホルダ７３７は対応するアクチュエータ７３６に結合され、各ベローズ７３５は対応するピンホルダ７３７を取り囲み、各プッシュピン７３３は対応するピンホルダ７３７によって支持される。各プッシュピン７３３は、接地プレート７０４、絶縁プレート７０６、及びスリーブ７２４のそれぞれに形成された開口部を介して位置決めされる。１つ以上のプッシュピンガイド（例えば、図２Ｂに示すプッシュピンガイド２３９）は、接地プレート７０４、絶縁プレート７０６、及び／又はスリーブ７２４の開口部の周囲に配置することができる。１つ以上のアクチュエータ７３６は、１つ以上のピンホルダ７３７及び１つ以上のプッシュピン７３３を上昇させて、エッジリング７３２を上昇させる又は傾斜させることができる。
【００３９】
図８Ａ〜図８Ｂは、本開示の実施例による基板サポートアセンブリ７００の概略断面部分側面図である。図８Ａに示すように、プッシュピン７３３は、スリーブ７２４の開口部８１２を貫通して配置され、サポートリング７３０に形成された開口部８０６を貫通してエッジリング７３２と接触する。エッジリング７３２は、第１の表面８１４と、第１の表面８１４に対向する第２の表面８１６とを有する。エッジリング７３２の第２の表面８１６には、１つ以上のキャビティ８０８（１つが図示されている）が形成されてもよい。サポートリング７３０は、エッジリング７３２を支持するための第１の表面８１３と、第１の表面８１３に対向する第２の表面８１５とを含むことができる。第２の表面８１５は、静電チャック７１２の第２の部分７２０の第２の表面７２２と接触していてもよい。各プッシュピン７３３は、エッジリング７３２の対応するキャビティ８０８内に配置された面取りした先端部８１０を含むことができ、面取りした先端部８１０はエッジリング７３２の水平方向又は半径方向への動きを制限することができる。更に、サポートリング７３０の水平方向又は半径方向への動きは、開口部８０６内の各プッシュピン７３３の半径方向のクリアランスが非常に小さい（例えば、０．０００１インチから０．００１０インチの間で、例えば、約０．０００５インチ）ので、プッシュピン７３３によって制限される。スリーブ７２４の開口部８１２内の各プッシュピン７３３の半径方向のクリアランスは、開口部８０６内のプッシュピン７３３の半径方向のクリアランスと同様であってもよい。エッジリング７３２の水平方向又は半径方向の動きを更に制限するために、サポートリング７３０は、静電チャック７１２の第１の部分７１６に隣接する内側エッジ８０４を含むことができる。内側エッジ８０４は、サポートリング７３０の残りの部分よりも厚い厚さを有してもよい。言い換えると、内側エッジ８０４は、サポートリング７３０の第１の表面８１３よりも高い高さにある表面８１８を含む。エッジリング７３２はサポートリング７３０の第１の表面８１３上に配置され、エッジリング７３２の内面８２０はサポートリング７３０の内側エッジ８０４と接触してもよい。したがって、エッジリング７３２は、サポートリング７３０に対して水平方向又は半径方向に移動することが防止される。
【００４０】
処理チャンバ１００の内部で、ある基板数を処理した後、エッジリング７３２は腐食し、第１の表面８１４は静電チャック７１２の第１の部分７１６上に配置される基板（例えば、基板８０２）の処理表面と同一平面上にない。エッジリング７３２は１つ以上のプッシュピン７３３（例えば、３つのプッシュピン７３３）によって持ち上げられ、エッジリング７３２の第１の表面８１４を静電チャック７１２の第１の部分７１６上に配置される基板８０２の処理表面と同一平面上にあるようにしてもよい。したがって、エッジリング７３２は、処理中に１つ以上のプッシュピン７３３によって支持されてもよい。開口部８０６、８１２の内側の各プッシュピン７３３の半径方向のクリアランスは小さいので、エッジリング７３２が１つ以上のプッシュピン７３３によって支持されるとき、エッジリング７３２の水平方向又は半径方向への動きは制限される。エッジリング７３２の水平方向又は半径方向への動きは制限されるので、エッジリング７３２は静電チャック７１２の第１の部分７１６に対して常に同心円状に配置される。基板８０２は静電チャック７１２の第１の部分７１６に対して同心円状に配置されているので、エッジリング７３２がサポートリング７３０又は１つ以上のプッシュピン７３３のいずれかによって支持されるとき、エッジリング７３２も常に基板８０２に対して同心円状に配置される。エッジリング７３２が常に基板８０２に対して同心円状に配置され、エッジリング７３２の第１の表面８１４が基板８０２の処理表面と同一平面上にあることにより、処理中の基板の処理表面に亘ってプラズマの均一性が改善される。
【００４１】
場合によっては、基板は基板エッジの近傍で方位的な不均一性が生じることがある。方位的なエッジ処理結果を調整するために、１つ以上のプッシュピン７３３を介して１つ以上のアクチュエータ７３６によってエッジリング７３２を傾斜させてもよい。
１つ以上のアクチュエータ７３６は、１つ以上のプッシュピン７３３を異なる高さに上昇させることができ、エッジリング７３２は基板８０２の処理表面に対して傾く。エッジリング７３２を傾けることによって、すなわち、エッジリング７３２を基板８０２の処理表面と非同一平面にすることによって、基板エッジ近傍の特定の位置におけるプラズマシース及び／又は化学的状態が変化し、基板エッジ近傍での方位的な不均一性が低下する。
【００４２】
エッジリング７３２が基板８０２の処理表面と同一平面上にある間にエッジリング７３２を持ち上げるために、１つ以上のアクチュエータ７３６を較正して、１つ以上のプッシュピン７３３をアクチュエータ７３６によって同じ高さに上昇させることができる。アクチュエータ７３６を較正する１つの方法は、各プッシュピン７３３が静電チャック７１２の第１の部分７１６の第１の表面７１８のわずかに上にあることをアクチュエータ７３６の較正者が感じるまで、各プッシュピン７３３をゆっくりと上昇させることである。アクチュエータ７３６を較正する別の方法は、音響センサを使用してプッシュピン７３３のエッジリング７３２に接触するのを聞くこと、エッジリング７３２上の加速度計を使用して接触を感知すること、又はサーボ位置フィードバック （エラー又はサーボトルクに追従）を見て接触を感知することである。
【００４３】
エッジリング７３２を上昇させることができる別の利点は、エッジリング７３２を十分に高い高さまで上昇させることができることであり、真空ロボットブレード（図示せず）がエッジリング７３２の真下のスリットバルブを介して処理チャンバに入り、処理チャンバを排気して開放することなくエッジリング７３２を処理チャンバから取り外すことができる。エッジリング７３２については、多数の基板を処理チャンバから除去した後、真空ロボットで処理チャンバから取り外してもよい。新しいエッジリング７３２を真空ロボットで処理チャンバ内に配置してもよい。新しいエッジリング７３２は、具体的な処理の結果を最適化するために、異なる材料から製造されてもよく、又は異なる形状を有してもよい。更に、処理チャンバを排気及び開放することなく処理チャンバの内外にエッジリング７３２を移送する能力により、処理チャンバは、高価で生産性を低下させるウェットクリーニングサイクル間で、より長く動作することが可能になる。
【００４４】
エッジリング７３２を取り外すための例示的な処理シーケンスは、エッジリング７３２を１つ以上のプッシュピン７３３によって基板移送平面より上の高さまで持ち上げるステップから始まり、真空ロボットブレードをエッジリング７３２の下方の処理チャンバ内に延ばすステップと、１つ以上のプッシュピン７３３によってエッジリング７３２を真空ロボットブレード上に降下させるステップと、その上にエッジリング７３２が配置された状態で真空ロボットブレードを処理チャンバからロードロックチャンバ（図示せず）に移動させてロードロックチャンバ（図示せず）内に入れるステップと、ロードロックチャンバリフト（図示せず）を上昇させるか又は真空ロボットブレードを下降させることによって真空ロボットブレードのエッジリング７３２を持ち上げるステップと、ロードロックチャンバを排気するステップと、ロードロックチャンバからエッジリング７３２を取り外すためのファクトリインタフェースロボット（図示せず）を使用するステップと、エッジリング７３２を保管場所に置く（保管場所は、異なる又は類似のエッジリングを保持する複数の場所を有することができる）ステップとを含む。
【００４５】
図８Ｂは、本開示の別の実施例による基板サポートアセンブリ８００の概略断面部分側面図である。図８Ｂに示すように、基板サポートアセンブリ８００は、処理キット８０１と、基板サポート７０５と、静電チャック８０３とを含む。処理キット８０１は、静電チャック８０３を取り囲むことができる。静電チャック８０３は、第１の部分８０５と、第１の部分８０５から半径方向外側に延在する第２の部分８０７と、第２の部分８０７から半径方向外側に延在する第３の部分８３０とを含むことができる。第２の部分８０７は表面８０９を有し、第３の部分８３０は表面８３２を有する。処理キット８０１は、カバーリング８４０と、サポートリング８５０と、エッジリング８５２とを含む。スリーブ７２４は１つ以上のキャビティ８４４を含み、カバーリング８４０は１つ以上の突起８４２を含むことができる。サポートリング８５０は静電チャック８０３の第３の部分８３０の表面８３２上に配置され、サポートリング８５０とスリーブ７２４との間に隙間８１１を形成することができる。サポートリング８５０はスリーブ７２４の表面８４３上に配置することができる。サポートリング８５０はサポートリング７３０と同じ材料から製造することができる。１つ以上の開口部８６０をサポートリング８５０内に形成することができ、開口部８６０を貫通して１つ以上のプッシュピン７３３を配置することができる。エッジリング８５２は、静電チャック８０３の第２の部分８０７の第２の表面８０９上に配置されてもよい。エッジリング８５２は、サポートリング８５０とは独立に調節可能であってもよい。エッジリング８５２は、エッジリング７３２と同じ材料から製造することができる。エッジリング８５２は、１つ以上のキャビティ８５４を含み、１つ以上のプッシュピン７３３の面取りした先端部８１０に係合することができる。面取りした先端部８１０は、エッジリング８５２の水平方向又は半径方向への動きを制限することができる。
【００４６】
静電チャック８０３の第２の部分８０７とカバーリング８４０の１つ以上の突起８４２との間にサポートリング８５０をしっかりと嵌め込むことができる。カバーリング８４０は、上面８６２と、上面８６２に対向する第１の表面８６４と、上面８６２に対向する第２の表面８６６と、上面８６２に対向する第３の表面８６８と、上面８６２に対向する第４の表面８７０とを含む。第１の表面８６４は、サポートリング８５０に接触して支持され、表面８６６、８６８とスリーブ７２４との間、及び表面８７０とシールド７２８との間に隙間が形成される。カバーリング８４０は、表面８６６、８６８を接続する第５の表面８７２と、表面８６４、８６６を接続する第６の表面８７４とを更に含むことができる。スリーブ７２４の１つ以上のキャビティのうちの各キャビティ８４４は、第１の表面８７６と、第１の表面８７６に対向する第２の表面８７８とを含むことができる。第１の表面８７６と第５の表面８７２との間、及び第２の表面８７８と第６の表面８７４との間に形成される隙間は小さく（例えば、０．０１インチ以下など）てもよく、このことによりカバーリング８４０の水平方向又は半径方向への動きが制限される。サポートリング８５０は、カバーリング８４０の第６の表面８７４と静電チャック８０３の第２の部分８０７との間にしっかりと嵌め込まれているので、サポートリング８５０の水平方向又は半径方向への動きも制限される。エッジリング８５２が静電チャック８０３の第２の表面８０９によって支持されるか、又は１つ以上のプッシュピン７３３によって支持されるとき、エッジリング８５２は基板（図示せず）に対して常に同心円状に配置され得る。エッジリング８５２は、エッジリング７３２の取り外しと同じ方法で処理チャンバから取り外すことができる。
【００４７】
図９は、本開示の一実施例による図７の基板サポートアセンブリ７００の概略上面図である。図９に示すように、基板サポートアセンブリ７００は、表面７１８と一体の第１の部分７１６を有する静電チャック７１２を含み、静電チャック７１２はエッジリング７３２（又は８５２）によって取り囲まれ、エッジリング７３２（又は８５２）はカバーリング７３４（又は８４０）によって取り囲まれる。シールド７２８は、スリーブ７２４を取り囲む（図８Ａ及び８Ｂ）。位置９０２で１つ以上のプッシュピン７３３（図８Ａ−８Ｂ）によって、エッジリング７３２（又は８５２）を上昇させることができる。一実施例では、３つの位置９０２に、エッジリング７３２（又は８５２）を上昇させるための３つのプッシュピン７３３がある。位置９０２又はプッシュピン７３３は、１２０°離れていてもよく、図９に示すように、エッジリング７３２（又は８５２）上で同じ半径方向の距離を有してもよい。エッジリング７３２（又は８５２）は、外側エッジ９０４及び内側エッジ９０６を有することができる。内側エッジ９０６は、第１の部分９０７及び第２の部分９０８を含むことができる。外側エッジ９０４は、実質的に円形であってもよい。内側エッジ９０６の第１の部分９０７は、実質的に円形であってもよく、外側エッジ９０４に実質的に平行であってもよい。内側エッジ９０６の第２の部分９０８は、実質的に直線状であってもよく、外側エッジ９０４に対して実質的に平行でなくてもよい。第２の部分９０８は、静電チャック７１２上の直線部分９１０に適合し、静電チャック７１２と係止することができる。
【００４８】
図１０Ａは、本開示の一実施例によるエッジリング７３２（又は８５２）の概略上面図である。図１０Ａに示すように、エッジリング７３２（又は８５２）は、外側エッジ９０４と、内側エッジ９０６と、第２の部分９０８とを含む。異なる処理又は処理化学を最適化するために、外側エッジ９０４と内側エッジ９０６との間の距離（すなわち、幅）は変化してもよい。エッジリング７３２（又は８５２）の半径は、静電チャックの半径に応じて変化してもよい。
【００４９】
図１０Ｂは、本開示の一実施例による図１０Ａのエッジリング７３２（又は８５２）の一部の概略側面図である。図１０Ｂに示すように、エッジリング７３２（又は８５２）は、１つ以上のキャビティ８０８（又は８５４）を含み、１つ以上のプッシュピン７３３の面取りした先端部８１０と係合する。キャビティ８０８（又は８５４）は任意の適切な形状を有してもよい。一実施例では、図１０Ａに示すように、各キャビティ８０８（又は８５４）はテーパ付きのＶ字形状を有する。
【００５０】
図１１Ａは、本開示の一実施例によるサポートリング８５０の概略上面図である。図１１Ａに示されるように、サポートリング８５０（又は図８Ａに示される７３０）は、外側エッジ１１０２と、内側エッジ１１０４と、１つ以上の開口部８６０（又は図８Ａに示される８０６）とを含む。一実施例では、図１１Ａに示すように３つの開口部８６０があり、開口部８６０は外側エッジ１１０２と内側エッジ１１０４の間の位置に形成される。異なる処理又は処理化学を最適化するために、外側エッジ１１０２と内側エッジ１１０４との間の距離（すなわち、幅）は変化してもよい。サポートリング８５０の半径は、静電チャックの半径に応じて変化してもよい。
【００５１】
図１１Ｂは、本開示の一実施例による図１１Ａのサポートリング８５０の一部の拡大概略上面図である。図１１Ｂに示すように、内側エッジ１１０４は、オプションとして、１つ以上の突起１１０６を含むことができる。１つ以上の突起１１０６は、１つ以上の開口部８６０に隣接して配置されてもよい。静電チャック７１２とサポートリング８５０の両方が処理中に熱膨張した場合には、１つ以上の突起１１０６が使用され、静電チャック７１２に対する同心性が維持される。
【００５２】
図１２は、本開示の別の実施例による基板サポートアセンブリ７００の概略断面部分側面図である。図１２に示すように、１つ以上のプッシュピン７３３は、カソードライナ７２６内に形成された開口部１２０２、及びシールド７２８内に形成された開口部１２０４を貫通して配置することができる。カバーリング７３４は、１つ以上のキャビティ１２０６を備え、１つ以上のプッシュピン７３３の面取りした先端部８１０と係合できる。１つ以上のプッシュピン７３３は、エッジリング７３２又は８５２を上昇させるのと同じ方法で、カバーリング７３４を上昇させる又は傾斜させることができる。一実施例では、１つ以上のプッシュピン７３３を利用して、カバーリング７３４及びエッジリング７３２又は８５２の両方を上昇させる又は傾斜させ、基板の処理表面に亘ってのプラズマの均一性を改善することができる。
【００５３】
本開示の実施例は、処理チャンバ内で処理される基板の表面に亘ってプラズマの均一性を向上させる結果となる。プラズマの均一性と処理の歩留まりとの間には直接的な相関があるので、プラズマの均一性の向上は処理の歩留まりの向上につながる。更に、本開示を利用する処理チャンバでは、エッジリングの使用可能寿命を延長させることによって、予防的メンテナンスのためのダウンタイムがより少なくなることが経験される。
【００５４】
上記は本開示の実施例を対象としているが、本開示の他の及び更なる実施例は、その基本的な範囲から逸脱することなく創作されることができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
2019505088.tif 000003
【図２Ａ】
2019505088.tif 000004
【図２Ｂ】
2019505088.tif 000005
【図３】
2019505088.tif 000006
【図４】
2019505088.tif 000007
【図５】
2019505088.tif 000008
【図６Ａ】
2019505088.tif 000009
【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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