Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月22日(2007.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記二次元電荷結合素子アレイは、各検出領域に対して周波数帯にわたって前記固有の信号を表示するよう構成されている、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図１は、その場監視のハードウェアおよび処理を示す典型的なプラズマエッチングシステム１００を示す図である。図のように、プラズマエッチングチャンバ１０２は、チャック１０４上にウエハ１０６を配置されている。その場処理監視を実行するために、プラズマエッチングシステム１００は、様々な追加の特徴および構造を用いることができる。例えば、図１に示したプラズマエッチングシステム１００は、エッチングチャンバ１０２の上部にビューポート１０８を備える。通例、オペレータの要求や処理の用途などに応じて、広ビームからレーザまでの複数の光源のいずれかと検出器とを備えうる光学スイート１１２が設けられている。一部の用途では、対象となる形状または領域に対する光学スイート１１２の位置決め、または、別個に設置されたレーザ源１１６の位置決めのために、ｘ−ｙ平行移動ステージ１１０が備えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図３は、本発明の一実施形態に従って、ウエハ１０６（図１参照）の表面に向けられるレンズシステム１３２（図２参照）の光ファイバ開口部１３５を示す図である。図３は、ウエハ１０６の表面に向けられるレンズシステム１３２の光ファイバ開口部１３５から見た場合の光源ファイバ１３６ａおよび検出器ファイバ１４０ａの構成の一実施形態を示す。検出器ファイバ１４０ａを示す黒丸は、光源ファイバ１３６ａを示す白丸に介在するよう配列されている。一実施形態では、検出器ファイバ１４０ａは、レンズシステム１３２の光ファイバ開口部１３５に与えられた光ファイバのパターン全体に分散されている。かかる分散により、検出器ファイバ１４０ａは、ウエハ表面１０６に向けられたビームのフットプリントの基本的に全体から反射光を受けることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図５Ａは、本発明の一実施形態に従って、画像化分光計１３８（図４参照）の入射スリット１４２における検出器ファイバ１４０ａの配列を示す図である。上述のように、検出器ファイバ１４０ａは、レンズシステム１３２（図４参照）内で光源ファイバ１３６ａ（図３参照）に介在するよう配列されており、検出ファイバ束１４０（図４参照）を通して画像化分光計１３８に導かれている。本発明の一実施形態では、検出器ファイバ１４０ａは、基本的にきっちりと入射スリット１４２を満たすように垂直に整列されている。本発明の一実施形態では、少なくとも５つの検出器ファイバ１４０ａが、入射スリット１４２内に整列されている。別の実施形態では、レンズシステム１３２（図２参照）の光ファイバ開口部１３５（図３参照）内に介在するのと同じ数の検出器ファイバ１４０ａが、入射スリット１４２内に整列され、一実施形態では、１３の検出器ファイバ１４０ａが、入射スリット１４２に導かれ、その中に整列される。一実施形態では、検出器ファイバ１４０ａの数は、内部の異なるファイバからの光の重複を防ぐ画像化分光計１３８の性能によって限定され、本発明の一実施形態では、２以上の画像化分光計１３８が、所望または必要な形状の分解能を実現するのに十分な数の検出器ファイバ１４０ａに対応するよう構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
一実施形態では、入射スリット１４２内での１つの検出器ファイバ１４０ａの特定の配置または位置と、レンズシステム１３２内での特定の位置との間の正確な相関は、決定も維持もされず、終点要求またはエッチング深さの決定を含む処理解析は、正確な検出器ファイバ１４０ａの配置に関係なく、解析された波長に基づく。以下で詳細に説明するように、ウエハ１０６（図１参照）上の対象領域を決定するために、波長解析が用いられ、対象領域が特定されると、レンズシステム１３２または入射スリット１４２内の検出器ファイバ１４０ａの位置に関わらず、形状からの反射率の解析が進められる。別の実施形態では、レンズシステム１３２内での特定の配置と垂直方向の入射スリット１４２内での位置との間で各検出器ファイバ１４０ａに対して基本的に正確な位置の対応関係を確保するために、厳密な合致が維持される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コヒーレントビーム結合のためのシステムにおいて、
不安定型共振器、及び
前記不安定型共振器内に配置された少なくとも２つのパラメトリック利得媒体、
を備え、
前記少なくとも２つの利得媒体の内の第１の利得媒体によってつくられた第１の電磁場が、前記不安定型共振器内の１回またはそれより多くの往復後に前記少なくとも２つの利得媒体の内の第２の利得媒体の一部を通って伝搬し、前記第１の電磁場が前記第２の利得媒体によってつくられた第２の電磁場と同相であり、前記少なくとも２つの利得媒体が前記不安定型共振器の軸線に直交する平面に配置され、それぞれの利得媒体が前記不安定共振器の軸線の相異なる側で軸線から等しい距離だけ離して配置される、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記不安定型共振器を出る出力ビームをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記出力ビームが振幅積の二乗に比例する強度を有し、前記振幅積が前記第１の電磁場の振幅と前記第２の電磁場の振幅の乗積であることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第１の利得媒体と前記第２の利得媒体の離隔距離が約１００μｍから約５ｍｍの間であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記離隔距離が約１ｍｍであることを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記少なくとも２つの利得媒体に接触している熱伝導素子をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記熱伝導素子が前記不安定型共振器の軸線に直交する平面にあることを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記熱伝導素子が前記少なくとも２つの利得媒体の前記軸線に平行な部分に接触することを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記熱伝導素子がダイアモンドまたはアメシストでつくられることを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ダイアモンドが光学品質ダイアモンドであることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記パラメトリック利得媒体が疑似位相整合（ＱＰＭ）非線形結晶であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記パラメトリック利得媒体が複屈折性非線形結晶であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記パラメトリック利得媒体が、周期的双晶化ヒ化ガリウム（ＰＴＧａＡｓ），周期的極交番ニオブ酸リチウム（ＰＰＬＮ），周期的極交番ＫＴＰ（ＰＰＫＴＰ），周期的極交番ＲＴＡ（ＰＰＲＴＡ）からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記パラメトリック利得媒体が、ＡＤＰ，ＢＢＯ，ＧａＳｅ，ＣｄＧａ２Ｓ４，ＣｄＳｅ，ＣｄＧｅＡｓ２，ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３，ＬＢＯ，ＫＤＰ，ＫＴＰ，ＡｇＧａＳｅ２，ＡｇＧａＳ２及びプルースタイトからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記少なくとも２つの利得媒体が４つの利得媒体を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記４つの利得媒体が２×２アレイに配列されていることを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記不安定型共振器が負分枝不安定型共振器または正分枝不安定型共振器であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記不安定型共振器が共焦点不安定型共振器であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記共焦点不安定型共振器が共焦点−平面型不安定型共振器または共焦点−凸面型不安定型共振器であることを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記不安定型共振器が不安定型リング共振器であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項２１】
コヒーレントビーム結合のための方法において、
第１のパラメトリック利得媒体から第１の電磁場をつくる段階、
第２のパラメトリック利得媒体から第２の電磁場をつくる段階、
前記第１及び第２の電磁場を増倍係数を有する不安定型共振器内で拡大する段階、及び
前記拡大された第１の電磁場を前記拡大された第２の電磁場とコヒーレント結合する段階、
を含み、前記少なくとも２つの利得媒体が前記不安定型共振器の軸線に直交する平面に配置され、それぞれの利得媒体が等しい距離だけ離して配置されることを特徴とする方法。
【請求項２２】
振幅積の二乗に比例する強度を有する出力ビームをつくる段階をさらに含み、前記振幅積が前記第１の電磁場の振幅と前記第２の電磁場の振幅の乗積であることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
第１の電磁場をつくる前記段階が信号電磁場及びアイドラー電磁場をつくる段階をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
第３の電磁場をつくる段階及び前記不安定型共振器内で前記第３の電磁場を拡大する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記拡大された第３の電磁場を前記拡大された第１及び第２の電磁場とコヒーレント結合する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１及び第２の利得媒体から熱を取り除く段階をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電素子配列を具備した基板と、前記基板の光が入射する側に具備されていて、入射光を前記基板上に入射させる光路変換素子を各光電素子にマッチングするように具備した各光路変換素子配列とを有しているイメージセンサーであって、イメージセンサーの中心からの距離が遠くなるにつれて光軸に対して除々に大きな傾斜角を有し、イメージセンサー周辺部に斜めに入射する入射光を、傾斜角を持たないでイメージセンサーの中心部に垂直に入射する入射光と同様な光路をたどるように光路変換させ、入射光の傾斜角を無くす接線傾き値を各光路変換素子の入射面に与えることにより、各光電素子からの相対位置が同一な各光路変換素子の入射面の対応部位の接線傾き値が、イメージセンサーの中心からの距離によって異なることを特徴とするイメージセンサー。
【請求項２】
前記光路変換素子が、イメージセンサーの中心との距離によって入射面の傾き値が互いに異なるマイクロプリズムまたはマイクロ反射鏡からなることを特徴とする、請求項１記載のイメージセンサー。
【請求項３】
単一イメージセンサー内に前記マイクロプリズム形態の光路変換素子及び前記マイクロ反射鏡形態の光路変換素子を共に具備することを特徴とする、請求項２記載のイメージセンサー。
【請求項４】
前記マイクロプリズムにおいて、前記マイクロプリズムの入射面と接する層の屈折率をn1、前記マイクロプリズムの入射面に入射する光が光軸となす傾斜角をΦ１、前記マイクロプリズムの屈折率をn2とする時、前記マイクロプリズムの入射面の傾きαは、
α ＝ tan−１ [ｎ１sinΦ１／（ｎ１cosΦ１ - ｎ２）]
であることを特徴とする、請求項２記載のイメージセンサー。
【請求項５】
前記マイクロ反射鏡において、前記マイクロ反射鏡の入射面に入射する光が光軸となす傾斜角をΦ３とする時、前記マイクロ反射鏡の入射面の傾きβが、
β ＝ ９０°+ Φ３／２
であることを特徴とする、請求項２記載のイメージセンサー。
【請求項６】
前記光路変換素子が、前記マイクロプリズムで、単一光路変換素子内に複数個のマイクロプリズムを組み合わせて使用することを特徴とする、請求項２記載のイメージセンサー。
【請求項７】
前記光路変換素子として第1マイクロプリズム及び第2マイクロプリズムの二個のマイクロプリズムを組み合わせて使用し、第1マイクロプリズムの入射面は光軸の直角面に傾きを有し、第2マイクロプリズムは前記第1マイクロプリズム上に形成され、入射面が光軸と直角をなすことを特徴とする、請求項６記載のイメージセンサー。
【請求項８】
前記光路変換素子が、光路変換された光が光軸と平行になるように変換することを特徴とする、請求項１記載のイメージセンサー。
【請求項９】
前記イメージセンサーが、マイクロレンズを含み、前記マイクロレンズは前記光路変換素子によって光路変換され進行する光の経路上に位置して光を光電素子に集光することを特徴とする、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
【請求項１０】
前記光路変換素子が、非球面マイクロレンズまたは非球面マイクロ反射鏡からなっていて、入射光を前記光電素子に集光させるように光路変換素子の入射面を傾斜させることにより、同一光路変換素子の入射面内でも部位ごとに接線の傾き値が異なることを特徴とする、請求項１記載のイメージセンサー。
【請求項１１】
単一イメージセンサー内に前記非球面マイクロレンズ形態の光路変換素子及び前記非球面マイクロ反射鏡形態の光路変換素子を共に具備することを特徴とする、請求項１０記載のイメージセンサー。
【請求項１２】
前記非球面マイクロレンズにおいて、前記非球面マイクロレンズの入射面と接する層の屈折率をn1、前記非球面マイクロレンズの入射面に入射する光が光軸となす傾斜角をΦ１、前記非球面マイクロレンズの屈折率をn2、前記非球面マイクロレンズの一地点に入射して前記非球面マイクロレンズによって屈折され前記光電素子に集光されるために屈折光が光軸となすべき角度をΦ２とする時、前記非球面マイクロレンズの入射面の一地点の接線の傾きαは、
α ＝ tan−１ [（ｎ１sinΦ１- ｎ２sinΦ２)／（ｎ１cosΦ１ - ｎ２cosΦ２）]
であることを特徴とする、請求項１０記載のイメージセンサー。
【請求項１３】
前記非球面マイクロ反射鏡において、前記非球面マイクロ反射鏡の入射面に入射する光が光軸となす傾斜角をΦ３、前記非球面マイクロ反射鏡の一地点に入射して前記非球面マイクロ反射鏡によって反射され光電素子に集光されるために反射光が光軸となすべき角度をΦ４とする時、前記非球面マイクロ反射鏡の入射面の一地点の接線の傾きβは、
β＝９０°+ (Φ３+Φ４)／２
であることを特徴とする、請求項１０記載のイメージセンサー。
【請求項１４】
前記光路変換素子が、イメージセンサーの中心との距離により前記光路変換素子の中心が前記光電素子の中心から偏った位置に形成されることを特徴とする、請求項１乃至請求項８、請求項１０乃至請求項１３の中のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
【請求項１５】
イメージセンサー中心との距離によって単一イメージセンサーを複数個の領域に区分する時、同一領域内の光路変換素子は、入射面の対応部位の接線の傾き値が互いに同一であるが、異なる領域に属する光路変換素子は、該当領域のイメージセンサー中心との距離によって入射面の対応部位の接線の傾き値が互いに異なることを特徴とする、請求項１乃至請求項８、請求項１０乃至請求項１３の中のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項８、請求項１０乃至請求項１３の中のいずれか一項に記載のイメージセンサーを製作するための方法として、グレースケールマスクを利用したフォトリゾグラフィー工程を利用して前記光路変換素子を製作することを特徴とするイメージセンサー製作方法。
【請求項１７】
前記グレースケールマスクを利用したフォトリゾグラフィー工程を利用して反応性イオンエッチング可能な材質のエッチング層上に前記光路変換素子のパターンを形成し、前記光路変換素子のパターンが形成されたエッチング層を反応性イオンエッチングして前記光路変換素子のパターンを前記エッチング層に転写して前記光路変換素子を製作することを特徴とする、請求項１６記載のイメージセンサー製作方法。
【請求項１８】
前記グレースケールマスクを利用したフォトリゾグラフィー工程を利用して反応性イオンエッチング可能な紫外線透過性材料のエッチング層上に前記光路変換素子の凹パターンを形成し、前記光路変換素子の凹パターンが形成されたエッチング層を反応性イオンエッチングして前記光路変換素子の凹パターンを前記エッチング層に転写してモールドを製作した後、基板上に光硬化性ポリマーを塗布して前記モールドで前記光硬化性ポリマーを加圧した状態で紫外線を照射して硬化させることにより前記光路変換素子を製作することを特徴とするイメージセンサー製作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月2日(2007.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ装置における読出しと消去ベリファイのしきい値の均一化を向上する方法において、
連続構成内の複数のセルのうち、最初にアクセスされるセルの位置を、前記メモリ装置での接地電位を基準にして設定するステップと、
前記最初にアクセスされるセルに接続された第１ワード線信号の電圧レベルを、前記最初にアクセスされるセルの位置に応じて調整するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、さらに、
２番目にアクセスされるセルが、前記連続構成内の複数のセルのうち、前記最初にアクセスされるセルよりも前記接地電位から遠い位置にある場合に、前記２番目にアクセスされるセルに対する第２ワード線電圧を、該第２ワード線電圧が前記第１ワード線電圧よりも高くなるように生成するステップを有することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
２番目にアクセスされるセルが、前記連続構成内の複数のセルのうち、前記最初にアクセスされるセルよりも前記接地電位に近い位置にある場合に、前記２番目にアクセスされるセルに対する第２ワード線電圧を、該第２ワード線電圧が前記第１ワード線電圧未満となるように生成するステップを有することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
前記メモリ装置は、ＮＡＮＤ構造を有することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、
前記最初にアクセスされるセルの位置を設定するステップは、前記フラッシュメモリ装置に入力されるアドレスをデコードするステップを有することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、
前記複数のセルの連続構成は、前記連続構成の一端部にビット線で接続され、前記連続構成の他端部に接地電位に接続されていることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、
前記第１ワード線電圧を調整するステップは、公称電圧レベルを有する前記第１ワード線信号を生成するために入力されたアドレスをデコードするステップと、
前記最初にアクセスされるセルの位置に応じて前記公称電圧レベルを補償するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、
前記公称電圧レベルを補償するステップは、前記公称電圧レベルを補償するために、前記公称電圧レベルを有する前記第１ワード線信号を分割電圧生成回路のレジスタに結合するステップを有することを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項７記載の方法において、
前記公称電圧レベルを補償するステップは、前記公称電圧レベルを補償するために、前記公称電圧レベルを有する前記第１ワード線信号を、電圧生成回路として動作するアナログ−デジタル変換器に結合するステップを有することを特徴とする方法。
【請求項１０】
連続構成に互いに結合された複数のメモリセルを有し、前記連続構成の第１端部がビット線に結合され、前記連続構成の第２端部が接地電位に結合されたメモリアレイと、
前記ビット線を生成する列デコーダと、
公称電圧レベルを有するワード線を生成する行デコーダと、
前記行デコーダと前記メモリアレイとの間に接続され、前記ワード線で示される前記公称電圧レベルを、第１メモリセルの位置に応じて調整する電圧生成回路とを有することを特徴とするフラッシュメモリ装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の装置において、
前記装置は、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリ装置であることを特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１０記載の装置において、
前記電圧生成回路は、電圧分割ネットワークであることを特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項１０記載の装置において、
前記電圧生成回路は、前記公称電圧レベルを調整するために、前記行デコーダによって生成された複数のワード線を使用するアナログ−デジタル変換器であることを特徴とする装置。
【請求項１４】
請求項１０記載の装置において、
さらに、制御回路を有し、
前記制御回路は、
前記第１メモリセルを読み出し、
前記第１メモリセルの位置を接地電位を基準にして設定し、
前記位置に応じた参照電圧を生成するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の装置において、
前記制御回路は、さらに、入力アドレスをデコードすることによって前記第１メモリセルの位置を設定するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１６】
請求項１４記載の装置において、
前記制御回路は、さらに、前記第１メモリセルからの測定電圧と前記参照電圧とを比較し、その比較結果に応じて前記読み出した第１メモリセルの値を設定するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１７】
請求項１０記載の装置において、
複数のメモリ領域を有し、
前記複数のメモリ領域は、複数のセルに対応した各参照電圧を示すテーブルを格納することを特徴とする装置。
【請求項１８】
請求項１６記載の装置において、
前記参照電圧は、参照生成回路によって生成されることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月13日(2007.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のはさまれた平面の燃料電池と相互接続部とを備え、燃料電池の少なくとも1つの電極と隣接の相互接続部との間に配置された接触層を備え、接触層が少なくとも2つの外層と導電材料の中央層とを備えている燃料電池スタックであって、中央層が
(a) 外層より粗いセラミック導電材料の粒子;
(b) 外層とかなり異なる焼結特性を有するセラミック導電材料の粒子; 及び
(c) 多孔質金属材料
からなる群より選ばれた材料から構成された応力緩和層を備えている、前記燃料電池スタック。
【請求項２】
応力緩和層が粗粒子を含み、外層が微粒子を含む、請求項１記載の燃料電池スタック。
【請求項３】
粗粒子の平均径が、微粒子の平均径の少なくとも約2倍である、請求項２記載の燃料電池スタック。
【請求項４】
外層が、平均径が約2μm未満である粒子を含み、中央層が、直径が約2μmより大きい粒子を含む、請求項３記載の燃料電池スタック。
【請求項５】
中央層がLCN粒子を含む、請求項２記載の燃料電池スタック。
【請求項６】
外層がLC粒子を含む、請求項５記載の燃料電池スタック。
【請求項７】
外層がLC又はLCN微粒子を含み、応力緩和層がLSM微粒子、又はLSM粗粒子、又はLCN粗粒子を含む、請求項１記載の燃料電池スタック。
【請求項８】
電極と接触する第一外層がLCN微粒子を含み、相互接続部と接触する第二外層がLC微粒子を含み、応力緩和層がLCN粗粒子を含む、請求項７記載の燃料電池スタック。
【請求項９】
接触層のいずれかの層が式ABO3を有するペロブスカイトを含み、ここで、
(a) Aは、ドープされた又はドープされていない希土類金属又はランタニドであり;
(b) Bは、ドープされた又はドープされていない遷移金属であり;
(c) ペロブスカイトは、導電性であり、燃料電池に密接に適合する熱膨張係数を有する、
請求項１記載の燃料電池スタック。
【請求項１０】
Aが、ドープされた又はドープされていないランタンを含む、請求項９記載の燃料電池スタック。
【請求項１１】
Bが、以下のように: Co1-yNiy（ここで、0.3≦y≦0.7）のニッケルと結合したコバルトを含む、請求項１０記載の燃料電池スタック。
【請求項１２】
ペロブスカイト材料が、La1-xEx Co0.6Ni0.4O3を含み、ここで、Eはアルカリ土類金属であり、xはゼロ以上である、請求項11記載の燃料電池スタック。
【請求項１３】
少なくとも1つのドーパントが焼結助剤である、請求項９、１０、１１又は１２記載の燃料電池スタック。
【請求項１４】
電極が、貴金属とイットリア安定化ジルコニアを含む、請求項９記載の燃料電池スタック。
【請求項１５】
貴金属がパラジウムを含む、請求項１４記載の燃料電池スタック。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石ブラシレスモーターであって、
複数のスロットを備えた導磁性のある薄板の積層構造から成る巻線アセンブリと、
電気相を提供すべく前記スロット内で巻回された被覆銅線と、
導磁性構造と、該構造上に配置された少なくとも２０個の磁極とから成る界磁アセンブリと、
から成り、
前記巻線アセンブリと前記界磁アセンブリは、前記巻線アセンブリの前記電気相が励起される際に原動力を生み出すように配置され、
前記巻線アセンブリは、トルク効率を改善するために１未満のスロット／磁極比率を有し、前記スロット／磁極比率は、ＣＴ値（ＣＴ＝ｐＱｓ／Ｎｃ，  ｐ：モーター磁極数，  Ｑｓ：スロット数，  Ｎｃ：前記スロット数と前記モーター磁極数の最小公倍数）が６未満で、且つＫｐ値（Ｋｐ＝ｓｉｎ（１−（ｐｉｔｃｈ  Ｐｕ−１）＊９０・０），  ｐｉｔｃｈ  Ｐｕ＝（歯長ピッチ／磁極ピッチ））が０．９よりも大きくなるように選択されていることを特徴とする永久磁石ブラシレスモーター。
【請求項２】
３６個のスロットと４６個の磁極を備えていることを特徴とする請求項１に記載の永久磁石ブラシレスモーター。
【請求項３】
３０個のスロットと３８個の磁極を備えていることを特徴とする請求項１に記載の永久磁石ブラシレスモーター。
【請求項４】
前記巻線アセンブリが回転し、前記界磁アセンブリは回転しないことを特徴とする請求項１に記載の永久磁石ブラシレスモーター。
【請求項５】
前記スロット／磁極比率が、０．９０よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の永久磁石ブラシレスモーター。
【請求項６】
前記スロット／磁極比率が、さらに平衡巻線を形成するように選択されていることを特徴とする請求項１に記載のモーター。
【請求項７】
前記スロット／磁極比率が、さらに最適なコギング特性が得られるように選択されていることを特徴とする請求項１に記載のモーター。
【請求項８】
前記スロット／磁極比率が、巻線アセンブリの高効率な機械巻線が可能となるように選択されていることを特徴とする請求項１に記載のモーター。
【請求項９】
前記スロット／磁極比率が、低い全高調波歪が得られるように選択されていることを特徴とする請求項１に記載のモーター。
【請求項１０】
前記スロット／磁極比率が、最適なコギング特性を備えた平衡巻線を形成するとともに、前記巻線アセンブリの高効率機械巻線を可能にすることを目的として選択されていることを特徴とする請求項１に記載のモーター。
【請求項１１】
前記スロットのすべてに前記被覆銅線が巻回されているとは限らないことを特徴とする請求項１に記載のモータ。
【請求項１２】
トルク効率が、磁石材料の体積に基づくトルク密度の増加によって改善されることを特徴とする請求項１に記載のモータ。
【請求項１３】
前記スロット／磁極比率が、さらに０．１８未満の全高調波歪（ＴＨＤ＝√（（Ｖ２／Ｖ１）２＋（Ｖ３／Ｖ１）２＋（Ｖ４／Ｖ１）２＋（Ｖ５／Ｖ１）２＋（Ｖ６／Ｖ１）２＋（Ｖ７／Ｖ１）２・・・）／Ｖ１ [％]，  Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３は磁石長（全ピッチ）を電気角１８０°とみなした生成波形の基本高調波及び高次高調波）が得られるように選択されていることを特徴とする請求項１に記載のモーター。
【請求項１４】
永久磁石ブラシレスモーターであって、
複数のスロットを備えた導磁性のある薄板の積層構造から成る巻線アセンブリと、
電気相を提供すべく前記スロット内で巻回された被覆銅線と、
導磁性構造と、該構造上に配置された少なくとも２０個の磁極とから成る界磁アセンブリと、
から成り、
前記巻線アセンブリと前記界磁アセンブリは、前記巻線アセンブリの前記電気相が励起される際に原動力を生み出すように配置され、
前記巻線アセンブリは、トルク効率を改善するために１未満のスロット／磁極比率を有し、前記スロット／磁極比率は、０．１８未満の全高調波歪（ＴＨＤ＝√（（Ｖ２／Ｖ１）２＋（Ｖ３／Ｖ１）２＋（Ｖ４／Ｖ１）２＋（Ｖ５／Ｖ１）２＋（Ｖ６／Ｖ１）２＋（Ｖ７／Ｖ１）２・・・）／Ｖ１ [％]，  Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３は磁石長（全ピッチ）を電気角１８０°とみなした生成波形の基本高調波及び高次高調波）が得られるように選択されていることを特徴とする永久磁石ブラシレスモーター。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能性ICP34.5をコードする遺伝子を欠いたヘルペスウイルスであって、該ヘルペ
スウイルスが、
（i）プロドラッグ変換酵素をコードする異種遺伝子、及び
（ii）細胞と細胞との融合を引き起こすことができるタンパク質をコードする異種遺伝子、
を含む、前記ヘルペスウイルス。
【請求項２】
前記プロドラッグ変換酵素がシトシンデアミナーゼである、請求項１に記載のウイルス。
【請求項３】
前記細胞と細胞との融合を引き起こすことができるタンパク質がテナガザル白血病融合性糖タンパク質である、請求項１又は２に記載のウイルス。
【請求項４】
前記ウイルスの抗腫瘍治療効果を高めることができる、さらなる異種遺伝子を１以上含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のウイルス。
【請求項５】
ICP47をコードする機能性遺伝子をさらに欠いた、請求項１〜４のいずれか１項に記載のウイルス。
【請求項６】
単純ヘルペスウイルス1又は2の株である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のウイルス。
【請求項７】
非実験室ウイルス株である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のウイルス。
【請求項８】
European collection of cell cultures (ECAAC) に受託番号 01010209で寄託されたHSV1 JSIに由来する、請求項１〜７のいずれか１項に記載のウイルス。
【請求項９】
療法によりヒト又は動物の体を治療する方法に使用する、請求項１〜８のいずれか１項に記載のウイルス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のウイルスを含む、癌の治療を目的とした薬剤。
【請求項１１】
前記薬剤が直接腫瘍内接種用である、請求項１０に記載の薬剤。
【請求項１２】
有効成分として請求項１〜８のいずれか1項に記載のウイルス及び製薬上許容可能な担体もしくは希釈剤を含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銃砲の照準器を具備する装置において、
ユーザが十字線に関してターゲットの画像を観察することを可能にする観察セクションと、
弾薬筒を打つ機構に関する物理的衝撃の特性である銃砲の照準器の物理的な運動を検出する感知セクションと、
前記物理的な運動の感知セクションによる検出に応答して、前記物理的運動の検出の直前の時点からのターゲットおよび前記十字線の画像を保存する画像化セクションとを具備している装置。
【請求項２】
前記画像化セクションは、前記物理的運動の前記感知セクションによる検出に応答し、前記物理的運動の検出前に開始する時間インターバルからのターゲットと前記十字線の画像のシーケンスを保存し、前記シーケンス中の前記画像の１つは前記時点からの前記画像である請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記画像化セクションにより保存された前記画像はデジタル画像である請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記観察セクションは、
ターゲットの画像のシーケンスを生成することのできるデジタル画像検出器と、
前記観察セクションが前記十字線を重畳させて、ユーザに画像の前記シーケンスを示すディスプレイとを含んでいる請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記感知セクションは固体電子加速度計を含んでいる請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記物理的衝撃は撃針による物理的衝撃を含んでおり、
前記感知セクションは前記加速度計の出力のバンドパス濾波を行って、撃針による物理的衝撃の周波数成分特性を有するエネルギを選択する請求項５記載の装置。
【請求項７】
ユーザがデジタル十字線に関して情景の画像を観察することを可能にする観察セクションを具備し、前記観察セクションは画像に対する前記十字線の位置のデジタル調節を行う十字線調節部を含んでいる装置。
【請求項８】
前記十字線調節部はユーザが前記十字線の位置の前記調節を手動で行うことを可能にしている請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記十字線調節部はユーザが２つの異なる方向で独立して前記十字線の位置の前記調節を手動で行うことを可能にしている請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記観察セクションは、
前記情景のデジタルイメージのシーケンスを生成できる画像検出器と、
ユーザに対して可視であるディスプレイとを具備しており、そのディスプレイ上で前記観察セクションは前記デジタル十字線を重畳させて、デジタル画像の前記シーケンスを表示し、前記十字線調節部は前記十字線が前記ディスプレイ上で重畳されている位置を変更することによって前記十字線の位置の調節を行う請求項７記載の装置。
【請求項１１】
ライフル照準器を含み、前記観察セクションは前記ライフル照準器の一部である請求項７記載の装置。
【請求項１２】
観察セクションと、デジタル十字線を前記照準器の外部から前記観察セクションへ電子的に誘導できるポートとを有する照準器を具備し、前記観察セクションはユーザが前記ポートを通して受信されたデジタル十字線に関して情景の画像を観察することを可能にしている装置。
【請求項１３】
前記観察セクションは、
前記情景のデジタル画像のシーケンスを生成できる画像検出器と、
ユーザに対して可視であるディスプレイとを具備しており、そのディスプレイ上で前記観察セクションは前記デジタル十字線を重畳させて、デジタル画像の前記シーケンスを表示する請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記照準器はライフル照準器である請求項１２記載の装置。
【請求項１５】
観察セクションを備えた銃砲の照準器を具備する装置において、
ターゲットのデジタル画像のシーケンスを生成できる画像検出器と、
前記観察セクションがデジタル画像の前記シーケンスを表示するディスプレイと、
前記ディスプレイに表示される前記デジタル画像の実効サイズをデジタルに変化させることができるデジタルズーム部とを含んでおり、
前記ディスプレイはユーザに可視であり、前記画像検出器の解像度よりも小さい解像度を有している装置。
【請求項１６】
ユーザが十字線に関して情景の画像を観察することを可能にする観察セクションと、
前記情景から前記観察セクションまで延在するラインに対してほぼ交差するコンポーネントを有する観察セクションの運動を検出する感知部と、
前記感知部により検出された前記観察セクションの前記運動に基づいてユーザに情報を提供する更に別のセクションとを具備している装置。
【請求項１７】
前記更に別のセクションにより提供された前記情報は前記情景と前記十字線とに関して与えられるインジケータを含み、それは前記感知部によって検出されるとき前記観察セクションの前記運動の変化の関数として変化される寸法を有する請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記インジケータは前記十字線の予め定められた位置に配置されている中心点を有する円であり、その円の直径は前記感知部により検出されるとき前記観察セクションの前記運動の変化の関数として変化される請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記感知部により検出される前記運動は垂直な基準に関して前記観察セクションの角度移動率である請求項１６記載の装置。
【請求項２０】
ライフル照準器、前記観察部分、感知部、および前記ライフル照準器のそれぞれの部分である更に別のセクションとを含んでいる請求項１６記載の装置。
【請求項２１】
銃砲の照準器を具備する装置において、
デジタル十字線に関してユーザが情景の画像を観察することを許容するように構成された観察セクションと、
前記画像に関する前記十字線の位置のデジタル調節を助ける十字線調節部とを具備しており、
前記十字線調節部は前記銃砲の照準器により受取られ、銃孔の位置を表している放射に応答して、銃孔に関する前記十字線の整列を行うように前記十字線の位置を自動的に調節する装置。
【請求項２２】
前記観察セクションは画像検出器を具備し、
前記照準器とは分離されている装置を有し、その装置は銃孔と整列する位置で前記装置を支持するために銃孔と結合可能な第１の部分と、反射特性を有する第２の部分とを有し、銃孔位置を表している前記放射は前記画像検出器の画像の前記第２の部分による前記画像検出器への反射である請求項２１記載の装置。
【請求項２３】
前記十字線調節部分は前記画像検出器の前記反射の重心の決定を含むように前記十字線の位置の前記自動調節を行って、前記重心に関する前記十字線の位置の調節を行うように構成されている請求項２２記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月17日(2007.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体隔離体に結合可能なカプセルにおいて、
該流体隔離体に結合される流体入口部、貫通開口および該貫通開口を囲む内部封止面を有するカプセル壁と、
該カプセル壁に含まれ、前記流体隔離体からの圧力を伝達する隔離流体と、
前記カプセル壁内にあり、センサ要素、該センサ要素に設けられた電気接点および該電気接点とセンサ要素間に設けられた回路配線とを含む圧力センサと、
前記電気接点の上に設けられた貫通穴を有し、かつ前記圧力センサに接合された第１の部材表面と前記封止面に接合された第２の部材表面とを有するストレス隔離部材とを具備した、流体隔離体に結合可能なカプセル。
【請求項２】
前記圧力センサが脆弱な材料で形成され、前記カプセル壁が金属で形成され、前記ストレス隔離部材が前記圧力センサの膨張温度係数と実質的に同一の膨張温度係数を有するストレス隔離部材で形成されている請求項１のカプセル。
【請求項３】
前記圧力センサがセンサ材料からなり、前記ストレス隔離部材が前記センサ材料の温度膨張係数と前記カプセル壁材料の温度膨張係数の中間にある温度膨張係数を有するストレス隔離材料からなる請求項１のカプセル。
【請求項４】
前記カプセル壁は溶接によりキャップに接合されたカップを具備する請求項１のカプセル。
【請求項５】
前記キャップが、前記圧力センサを過圧から保護するために歪曲可能な薄い部材からなる請求項４のカプセル。
【請求項６】
前記圧力センサは共に接続された第１及び第２の層を含み、該第１及び第２の層が前記圧力センサ内のセンサ空洞を覆うダイアフラムを形成する形になされている請求項１のカプセル。
【請求項７】
前記カプセル壁は排気孔を有し、前記ストレス隔離部材は排気貫通部を有し、前記圧力センサは前記センサ空洞から前記排気貫通部に延びる排気通路を有する請求項６のカプセル。
【請求項８】
前記ストレス隔離部材の外側にある圧力センサの部分は液体中に浮かされ、実質的にいかなる装着ストレスを受けない請求項６のカプセル。
【請求項９】
流体入口部、貫通開口および該貫通開口を囲む内部封止面を有するカプセル壁と、
前記流体入口部に圧力を伝達する入口部材と、
前記カプセル壁内にあり、センサ要素、該センサ要素に設けられた電気接点および該電気接点とセンサ要素間に設けられた回路配線とを含む圧力センサと、
前記電気接点の上に設けられた貫通穴を有し、かつ前記圧力センサに接合された第１の部材表面と前記封止面に接合された第２の部材表面とを有するストレス隔離部材とを具備した、圧力センサカプセル。
【請求項１０】
前記ストレス隔離部材の外側にある圧力センサの部分は液体中に浮かされ、実質的にいかなる装着ストレスを受けない請求項９のカプセル。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトレンズであって、親水性シリコーンポリマー成分を含み、眼上に配置されるように構成されていて、前面及び全体としてこれと反対側の後面を備えたレンズ本体を有し、
前記前面及び前記後面のうち少なくとも一方は、実質的に滑らかで継ぎ目無しの三次元非対称表面であり、前記コンタクトレンズは、前記コンタクトレンズの実質的に継ぎ目無しの漸変半径方向厚さを定める少なくとも１つの輪郭を備えた変化のある表面トポグラフィーを有し、前記変化のある表面トポグラフィーは、前記コンタクトレンズが眼の角膜の表面上に配置されたときに、レンズ装用快適性、レンズ方位性、垂直方向レンズ並進性及びレンズ安定性のうちの少なくとも１つの達成を容易にする、コンタクトレンズ。
【請求項２】
前記後面は、実質的に滑らかで継ぎ目無しの三次元非対称表面である、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項３】
前記前面は、実質的に滑らかで継ぎ目無しの三次元非対称表面である、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項４】
前記前面と前記後面の両方は、実質的に滑らかで継ぎ目無しの三次元非対称表面である、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項５】
前記変化のある表面トポグラフィーは、前記コンタクトレンズの前面上に設けられている、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項６】
前記レンズ本体は、バラストを有する、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項７】
前記レンズ本体は、バラストを定める変化のある前面を有する、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項８】
前記レンズ本体は、変化のある前面及びバラストを定める変化のある後面を有する、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項９】
前記後面は、前記レンズ本体が眼の角膜の表面上に配置されたときに、前記レンズ本体の前記後面と前記角膜表面との間に実質的に一定の距離を維持するよう構成されている、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項１０】
前記レンズ本体の後面は、前記レンズ本体が眼の角膜の表面上に配置されたときに、角膜表面の曲率に近似するよう構成されている、請求項１記載のコンタクトレンズ。
前記レンズ本体は、患者の眼の波面収差を補正し又は減少させるよう構成されている、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項１１】
前記レンズ本体は、眼の乱視を矯正するよう構成されている、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項１２】
前記レンズ本体は、トーリック面を有する、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項１３】
前記レンズ本体は、多焦点光学ゾーンを有する、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項１４】
前記レンズ本体は、二焦点光学ゾーンを有する、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項１５】
前記レンズ本体は、患者の眼の波面収差を補正し又は減少させるよう構成されている、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項１６】
前記レンズ本体は、シリコーンヒドロゲルから成る、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項１７】
前記親水性シリコーンポリマー成分は、親水性シリコーンポリマーへの重合が可能なシリコーン含有モノマー及びこれらの混合物から成る群から選択された少なくとも１つのモノマーに由来する単位を有する、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのモノマーは、シロキサン、珪素含有アクリレート、珪素含有メタクリレート及びこれらの混合物から成る群から選択される、請求項１７記載のコンタクトレンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ信号を修正するシステムであって、
組み込まれた（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）画像設定データを含むビデオ信号を復号化する少なくとも１つのデコーダと、ビデオ・プロセッサと、から成り、
前記ビデオ・プロセッサは、
前記システムがＯＳＤ（画面上表示）モードで動作しているかどうかを検出し、
前記システムがＯＳＤモードで動作していなければ、前記組み込み画像設定データを適用し、そして、
前記システムがＯＳＤモードで動作していれば、前記組み込み画像設定データを適用しない、前記ビデオ信号修正システム。
【請求項２】
前記組み込まれた画像設定データが画面形式（スクリーン・フォーマット）データから成る、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記組み込まれた画像設定データが測色データから成る、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記測色データに基づいて色変換を行う色変換装置を具える、請求項３記載のシステム。
【請求項５】
ビデオ信号に基づいて画像を表示するように構成される表示装置（ディスプレイ）を具える、請求項１記載のシステム。
【請求項６】
システムがＯＳＤモードで動作していれば、ビデオ・プロセッサがフラグをセットする、請求項１記載のシステム。
【請求項７】
システムがテレビジョン受信機の一部を成す、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
ビデオ信号を変更する方法であって、
組み込まれた画像設定データを含むビデオ信号を復号化するステップと、
システムがＯＳＤモードで動作しているかどうかを検出するステップと、
システムがＯＳＤモードで動作していなければ、前記組み込み画像設定データを適用するステップと、
システムがＯＳＤモードで動作していれば、前記組み込み画像設定データを適用しないステップと、から成る、前記方法。
【請求項９】
前記組み込まれた画像設定データに画面形式データが含まれるかどうかを判断するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記組み込まれた画像設定データに測色データが含まれるかどうかを判断するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記測色データに基づいて色変換を実行するステップを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記ビデオ信号に基づいて画像を表示するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１３】
システムがＯＳＤモードで動作していれば、フラグをセットするステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１４】
ビデオ信号を変更するシステムであって、
組み込まれた画像設定データを含むビデオ信号を復号化する手段と、
前記システムがＯＳＤモードで動作しているかどうかを検出する手段と、
前記システムがＯＳＤモードで動作していなければ、前記組み込み画像設定データを適用する手段と、
前記システムがＯＳＤモードで動作していれば、前記組み込み画像設定データを適用しない手段と、から成る、前記ビデオ信号変更システム。
【請求項１５】
前記組み込み画像設定データが画面形式データから成る、請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
前記組み込み画像設定データが測色データから成る、請求項１４記載のシステム。
【請求項１７】
前記測色データに基づいて色変換を実行する手段を含む、請求項１６記載のシステム。
【請求項１８】
前記ビデオ信号に基づいて画像を表示するように構成される表示装置（ディスプレイ）を具える、請求項１４記載のシステム。
【請求項１９】
前記システムがＯＳＤモードで動作していれば、前記検出手段がフラグをセットする、請求項１４記載のシステム。
【請求項２０】
前記システムがテレビジョン受信機の一部を成す、請求項１４記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月17日(2007.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ識別用セキュリティ素子（１，２，７，８）であって、可撓性で非導電性の基板層（１１，２４）及び、前記基板層に与えられ、第１の表面領域（４，５１，５３，６３，６４，６５）においてＲＦ部品（１２，７２，８１）を形成するためのパターン形状につくられた、導電性材料の第１の導電層（２９，７３）を有し、前記ＲＦ部品が設けられている、前記表面領域において、前記ＲＦ部品の電気特性を変えるための溝を有する第１のレリーフ構造（２７，２８，６０）が少なくとも局所態様で前記第１の導電層（２９，７３）に成形されるセキュリティ素子において、前記第１の導電層（２９）が前記第１の表面領域（４，５１，５３，６３，６４，６５）においてＲＦアンテナ（１２）またはコイルの形状につくられ、前記ＲＦアンテナまたは前記コイルが設けられた前記導電層（２９）の前記領域において、前記レリーフ構造（２７，２８，６０）の溝が平均して電流方向に交差する方向よりも前記電流方向に沿う方向に配向され、前記第１のレリーフ構造（２７，２８，６０）が５０ｎｍから１０μｍの範囲にあるプロファイル深さと１００〜２０００本/ｍｍの範囲にある空間周波数を有し、前記レリーフ構造（２７，２８，６０）が、基板層（１１，２４）を向く前記第１の導電層（２９）の表面と基板層（１１，２４）から離れた前記第１の導電層（２９）の表面の両方に与えられていることを特徴とするセキュリティ素子。
【請求項２】
前記基板層（２４）が複製層であり、前記第１のレリーフ構造（２７）が前記第１の導電層の側の前記複製層（２７）の表面に成形されることを特徴とする請求項１に記載のセキュリティ素子。
【請求項３】
前記第１の導電層（２９）が前記基板層（２４）に与えられた金属層であることを特徴とする請求項１から２のいずれかに記載のセキュリティ素子。
【請求項４】
前記第１の導電層（２９）の厚さが５０ｎｍから５０μｍ、好ましくは１〜１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のセキュリティ素子。
前記第１の導電層（２９）が前記第１の表面領域（４，５１，５３，６３〜６５）においてＲＦアンテナ（１２）またはコイルの形状につくられ、前記ＲＦアンテナまたは前記コイルが設けられた前記導電層（２９）の前記領域において、前記レリーフ構造（２７，６０）の溝が平均して電流方向に交差する方向よりも前記電流方向に沿う方向に配向されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のセキュリティ素子。
【請求項５】
前記ＲＦアンテナまたはコイルが設けられた前記導電層の前記領域における前記レリーフ構造（２７）の前記溝が前記電流方向に沿う方向に配向されることを特徴とする請求項１に記載のセキュリティ素子。
【請求項６】
前記第１の表面領域（４）における前記第１の導電層（２９）が、幅が５０μｍから１０ｍｍ，好ましくは１００μｍの、１つまたはそれより多くの導電体路の形状につくられることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のセキュリティ素子。
【請求項７】
前記セキュリティ素子が第２の導電層（７６）を有し、前記第１の表面領域において前記第１及び前記第２の導電層（７３，７６）が容量素子（７０）を形成することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のセキュリティ素子。
【請求項８】
前記容量素子（７０）が設けられた前記表面領域において少なくとも局所態様で第２のレリーフ構造（７９）が前記第２の導電層（７６）に成形されることを特徴とする請求項７に記載のセキュリティ素子。
【請求項９】
前記第１のレリーフ構造（７８）が複数の相互に交差する溝を有することを特徴とする請求項７または８に記載のセキュリティ素子。
【請求項１０】
前記レリーフ構造（２７）のプロファイルが、鋸歯形、三角形、矩形または正弦波形であることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のセキュリティ素子。
【請求項１１】
前記第１のレリーフ構造（６０）が粗構造及び微細構造の重畳で形成されることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載のセキュリティ素子。
【請求項１２】
前記第１のレリーフ構造がさらに光学セキュリティ特徴を生じることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載のセキュリティ素子。
【請求項１３】
前記セキュリティ素子がＲＦ識別用の共振回路を有することを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載のセキュリティ素子。
【請求項１４】
前記セキュリティ素子がＩＣを有することを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載のセキュリティ素子。
【請求項１５】
前記セキュリティ素子がフィルム素子、特に、スタンプフィルム、ラミネートフィルム、ステッカーフィルムまたはそのようなフィルムの転写層部分の部分素子であることを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載のセキュリティ素子。
【請求項１６】
ＲＦ識別用セキュリティ素子の作成のためのプロセスであって、ＲＦ部品（１２）を形成するためのパターン形状につくられた導電材料の第１の導電層（２９）が可撓性で非導電性の基板層（２４）の第１の表面領域において前記基板層に与えられ、前記ＲＦ部品の電気的特性を変えるための溝を有する第１のレリーフ構造（２７）が前記第１の導電層（２９）において前記ＲＦ部品が設けられている前記表面領域（４）に少なくとも局所態様で成形され、前記第１の導電層（２９）が前記第１の表面領域においてＲＦアンテナ（１２）またはコイルの形状につくられ、前記ＲＦアンテナまたは前記コイルが設けられた前記導電層（２９）の前記領域において前記レリーフ構造（２７，２８，６０）の溝が平均して電流方向に交差する方向よりも前記電流方向に沿う方向に配向され、前記第１のレリーフ構造（２７，２８，６０）が５０ｎｍから１０μｍの範囲にあるプロファイル深さと１００〜２０００本/ｍｍの範囲にある空間周波数を有し、前記レリーフ構造（２７，２８，６０）が、基板層（１１，２４）を向く前記第１の導電層（２９）の表面と基板層（１１，２４）から離れた前記第１の導電層（２９）の表面の両方に与えられていることを特徴とするプロセス。
【請求項１７】
前記第１の導電層（２９）が、例えば蒸着によって、全表面積を覆って前記基板層に与えられ、次いで前記導電層が部分的に除去されて、前記ＲＦ部品（１２）を形成するためのパターン形状にされることを特徴とする請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１８】
接続路で接続された２つまたはそれより多くの部分容量素子が前記第１の導電層につくられ、後に、共振周波数の微調のために前記部分容量素子への前記接続路が切断されることを特徴とする請求項１６または１７に記載のプロセス。