【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
犠牲基板に接触要素を形成するステップであって、該犠牲基板は、該接触要素のチップを形成するようにキャビティを含む、ステップと、
電気的な経路を支持する配線基板に該接触要素を取り付け、該電気的な経路を該チップとは反対側に該接触要素に接続し、その後に該犠牲基板を取り除くことによって、相互接続構造を形成するステップと、
試験目的のために、ウェハからダイシングされた半導体チップを保持するように構成されたソケットボードを形成するステップと
を含み、
該ソケットボードを形成するステップは、該相互接続構造を該ソケットボードに取り付けるステップを含む、方法。
【請求項２】
前記接触要素を形成するステップは、
各接触要素に対し、前記犠牲基板に複数のキャビティを形成するステップと、
該キャビティに導電性材料を提供することにより、該接触要素のチップを形成するステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記犠牲基板をエンボス加工して、前記キャビティを形成するステップを実施するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記犠牲基板をエッチングして、前記キャビティを形成するステップを実施するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記犠牲基板を銅から形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記犠牲基板をアルミニウムから形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記犠牲基板をシリコンから形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記犠牲基板をセラミックから形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記犠牲基板をチタン−タングステンから形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記接触要素を形成するステップは、
前記犠牲基板上にマスク材料を堆積するステップと、
該要素に対応する開口部を該マスク材料に形成するステップと、
該開口部に第１の導電性材料を堆積するステップと、
該開口部の各々における該導電性材料にワイヤを接合するステップと、
該ワイヤ上に第２の導電性材料を堆積するステップと、
該マスク材料を取り除くステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記マスク材料として、フォトレジスト材料を利用するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の導電性材料として、硬質の金属質の材料を使用するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の導電性材料として、ロジウム材料を使用するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の導電性材料を堆積するステップは、
軟質金層を堆積するステップと、
ニッケル層を堆積するステップと、
硬質金層を堆積するステップと
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の導電性材料を堆積するステップは、電気メッキを使用して前記堆積を実施するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の導電性材料を堆積するステップは、蒸着を使用して前記堆積を実施するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の導電性材料を堆積するステップは、スパッタリングをすることにより、前記堆積を実施するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の導電性材料を堆積するステップを実施する前に、前記開口部に解放材料を堆積するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
前記解放材料を堆積するステップは、該解放材料としてアルミニウムを使用するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の導電性材料を堆積するステップを実施する前に、前記開口部にシード層を堆積するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２１】
前記マスク材料を堆積するステップを実施する前に、前記犠牲基板上にシード層を堆積するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ワイヤを接合するステップは、該ワイヤとして、柔らかく、成形可能な材料を使用するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２３】
前記ワイヤを接合するステップは、該ワイヤとして金を使用するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２４】
前記ワイヤを接合するステップは、該ワイヤとしてアルミニウムを使用するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２５】
前記ワイヤを接合するステップは、該ワイヤとして銅を使用するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２６】
前記ワイヤを接合するステップは、該ワイヤとして白金を使用するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２７】
前記ワイヤを接合するステップは、該ワイヤとして鉛を使用するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２８】
前記ワイヤを接合するステップは、該ワイヤとして錫を使用するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２９】
前記ワイヤを接合するステップは、該ワイヤとしてインジウムを使用するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項３０】
前記ワイヤを接合するステップは、該ワイヤとして合金を使用するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項３１】
前記ワイヤに対して使用される材料よりも硬い材料を前記第２の導電性材料に対して使用して、接触構造を強化するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項３２】
前記相互接続構造を形成するステップは、前記ワイヤの自由端を前記配線基板に結合するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項３３】
前記結合するステップは、配線を使用して前記ワイヤの前記自由端を前記配線基板に結合するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記結合するステップは、鑞付けを使用して前記ワイヤの前記自由端を前記配線基板に結合するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
前記結合するステップは、加熱技術を使用して前記ワイヤの前記自由端を前記配線基板に結合するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
基板の両面に第１および第２のパッドを結合するステップと、
該基板を介して延伸するバイアにより、該第１および第２のパッドを相互接続することにより前記電気的な経路を形成するステップと
によって、前記配線基板を形成するステップをさらに含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
前記形成するステップは、セラミック材料を使用して前記基板を形成するステップを含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
試験用ボードを形成するステップは、前記相互接続構造を該ボードに結合するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３９】
支持構造を前記ボードに結合し、前記半導体チップを前記ソケットボードによって形成されたソケットの内部に完全に保持するステップをさらに含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記相互接続構造を形成するステップは、複数の相互接続構造を形成するステップを含み、各相互接続構造は、接触要素を有する配線基板を含み、前記ソケットボードを形成するステップは、ウェハからダイシングされた複数の半導体チップを支持するように該ソケットボードを構成することにより、該複数の相互接続構造に同時に接触するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４１】
集積回路を試験するためのバーンインソケットであって、該バーンインソケットは、
犠牲基板に接触要素を形成することであって、該犠牲基板は、該接触要素のチップを形成するようにキャビティを含む、ことと、
電気的な経路を支持する配線基板に該接触要素を取り付け、該電気的な経路を該チップとは反対側に該接触要素に接続し、その後に該犠牲基板を取り除くことによって、相互接続を形成することと、
試験目的のために、ウェハからダイシングされた半導体チップを保持するように構成されたソケットボードを形成することと
を含む方法によって製造され、
該ソケットボードを形成することは、該相互接続構造を該ソケットボードに取り付けることを含む、バーンインソケット。
【請求項４２】
集積回路を試験するシステムであって、
該システムは、ボードと、該ソケットに挿入可能なように製造された相互接続構造とを含むソケットを備え、
該相互接続構造は、該ボードに結合されており、
該相互接続構造は、
基板と、
該基板に結合され、該基板を介して延伸するバイアを介して互いに結合される第１および第２のパッドであって、該第２のパッドは、該相互接続構造を該ボードに結合している、第１および第２のパッドと、
該第１のパッドに結合された弾性接触子であって、試験中に該集積回路と相互作用する弾性接触子と、
試験中に、該集積回路と該弾性接触子との間の接触を確実にする支持構造と
を含む、システム。
【請求項４３】
前記相互接続構造は、前記ソケット内に挿入されたモジュール式相互接続構造である、請求項４２に記載のシステム。
【請求項４４】
前記相互接続構造は、前記ソケット内に落とし込まれた落とし込み式相互接続構造である、請求項４２に記載のシステム。
【請求項４５】
前記相互接続構造は、前記ソケット内に差し込まれた差し込み式相互接続構造である、請求項４２に記載のシステム。
【請求項４６】
前記ソケットは、複数の前記相互接続構造を含む、請求項４２に記載のシステム。
【請求項４７】
試験中に、支持構造を前記ソケットボードに取り付け、前記接触要素に対向する該ソケット内に半導体チップを保持するステップをさらに含み、該支持構造は、ヒンジによって該ソケットボードに結合されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４８】
前記ソケットボードによって形成されたキャビティ内に前記相互接続構造を収容するステップであって、該ソケットボードは、該キャビティを形成するように、底面部材と、該底面部材に取り付けられた２つの側面部材とを備えている、ステップと、
ヒンジによって該ソケットの側面部材に取り付けられた上面部材を用いて、試験中に、前記接触要素のチップとの接触を確実にするように、該ソケットボードの該キャビティに前記半導体チップを保持するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４９】
前記半導体チップは、パッケージに含まれるダイス上に提供された集積回路を備えている、請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
前記ソケットボードによって支持される半導体チップを用いて、該半導体チップのバーンイン試験を実施するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５１】
基板上に弾性ばねの接触要素を提供するステップと、
試験デバイスを保持するように構成されたソケットを形成するステップと、
該試験デバイスが該ソケットに配置された場合において該試験デバイスの電気的接続部が該弾性ばねの接触要素に接触することができるように、該ソケットに該基板を提供するステップと、
該ソケットに支持された試験デバイスを用いて、該試験デバイスのバーンイン試験を実施するステップと
を含む、方法。
【請求項５２】
複数の基板上に弾性ばねの接触要素を提供するステップと、
複数の半導体チップを係合するステップであって、該複数の半導体チップの各々は、該チップの各々が該複数の基板のうちの１つの基板上の弾性ばねの接触要素に接触することができるように、ウェハからダイシングされた後に、パッケージに提供される、ステップと
を含む、方法。
【請求項５３】
基板上に弾性ばねの接触要素を提供するステップと、
試験下のデバイスを保持するように構成されたソケットを形成するステップと、
該試験下のデバイスが該ソケットに配置された場合において該試験下のデバイスの電気的接続部が該弾性ばねの接触要素に接触することができるように、該ソケットに該基板を提供するステップと、
該ソケットに支持された該試験下のデバイスを用いて、該試験下のデバイスのバーンイン試験を実施するステップと
を含む、方法。
【請求項５４】
複数の基板上に弾性ばねの接触要素を提供するステップと、
複数の半導体チップを係合するステップであって、該複数の半導体チップの各々は、該チップの各々が該複数の基板のうちの１つの基板上の弾性ばねの接触要素に接触することができるように、ウェハからダイシングされた後に、パッケージに提供される、ステップと
を含む、方法。
【請求項５５】
前記弾性ばねの接触要素を提供するステップは、犠牲基板内のキャビティに接触要素のチップを形成するステップを含む、請求項５３に記載の方法。
【請求項５６】
前記犠牲基板をエッチングして、前記キャビティを形成するステップをさらに含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
前記犠牲基板を銅から形成するステップをさらに含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】
前記犠牲基板をアルミニウムから形成するステップをさらに含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５９】
前記犠牲基板をシリコンから形成するステップをさらに含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項６０】
前記犠牲基板をセラミックから形成するステップをさらに含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項６１】
前記犠牲基板をチタン−タングステンから形成するステップをさらに含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項６２】
前記弾性ばねの接触要素を提供するステップは、
前記基板上にマスク材料を堆積するステップと、
該要素に対応する開口部を該マスク材料に形成するステップと、
該開口部に第１の導電性材料を堆積するステップと、
該開口部の各々における該導電性材料にワイヤを接合するステップと、
該ワイヤ上に第２の導電性材料を堆積するステップと、
該マスク材料を取り除くステップと
を含む、請求項５３に記載の方法。
【請求項６３】
前記第１の導電性材料として、ロジウム材料を使用するステップをさらに含む、請求項６２に記載の方法。
【請求項６４】
前記弾性ばねの接触要素を前記ソケット内のボードに電気的に接続するために、該基板内にバイアを提供するステップをさらに含む、請求項５３に記載の方法。