Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月17日(2007.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御ユニットを有する機器において、データ・ネットワークに接続可能なモバイル・コンピューティング装置の検出を自動的に行う方法であって、
前記制御ユニットの処理により、前記データ・ネットワークへの接続を要求する接続要求装置の場所関連情報を、前記接続要求装置が前記接続を要求する際に最初にアクセスする可能性のある、前記データ・ネットワークに接続されたネットワーク装置から収集するステップと、
前記制御ユニットの処理により、前記収集した場所関連情報を、前記接続要求装置に関連付けられている、前記機器において保存済みの場所関連情報と比較するステップと、
前記制御ユニットの処理により、少なくとも前記保存済みの場所関連情報が前記収集した場所関連情報とは異なる場合に、前記接続要求装置をモバイル装置として検出するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記ネットワーク装置は、動的ＩＰアドレスの割り当てサーバである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記機器は、収集した前記場所関連情報を前記接続要求装置の装置識別子に関連付けるテーブルを保持し、
前記制御ユニットの処理により、前記接続要求装置の装置識別子を識別するステップと、
前記制御ユニットの処理により、前記装置識別子に対する前記テーブルのルックアップを行うステップとを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記装置識別子は、前記装置のＭＡＣ（machine access code）アドレスである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記テーブルがまだ前記装置識別子を含まない場合、前記制御ユニットの処理により、前記テーブルに前記収集した場所関連情報を前記装置識別子に関連付けて登録するステップを含む、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記装置識別子がすでに前記テテーブル内に登録されている場合、前記制御ユニットの処理により、前記収集した場所関連情報で前記保存済みの場所関連情報を置き換える、請求項３または４に記載の方法。
【請求項７】
どの保存済みの場所関連情報の保存も、対応する接続要求装置のそれまでの接続要求の間に行われている、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記ネットワーク装置は、前記接続要求装置の要求の送信先であるＩＰアドレス割り当てサーバであり、当該サーバのドメインが、前記接続要求装置に対する場所関連情報として利用される、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ネットワーク装置は、前記接続要求装置の要求の送信先であるルータであり、当該ルータのドメインが、前記接続要求装置に対する場所関連情報として利用される、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ネットワーク装置は、ルータである、請求項１ないし９いずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記収集した場所関連情報が、前記接続要求装置自体によって要求時に前記機器に提供される、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ネットワーク装置は、無線ＬＡＮアクセス・ポイントであり、前記場所関連情報が、無線ＬＡＮ上の前記接続要求装置の信号を分析することから導出される、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記接続要求装置のモバイル装置としての検出は、前記接続要求装置に関連付けられている前記保存済みの場所関連情報が、それまでのｎ回の比較において、前記収集された場所関連情報とは異なるときに行われることを含む、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記接続要求装置のモバイル装置としての検出は、前記接続要求装置に関連付けられている前記保存済みの場所関連情報が、所与の時間内でのそれまでのｎ回の比較において、前記収集された場所関連情報とは異なるときに行われることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
データ・ネットワークに接続可能なモバイル・コンピューティング装置のための機器であって、
前記データ・ネットワークへの接続を要求する接続要求装置の場所関連情報を、前記接続要求装置が前記接続を要求する際に最初にアクセスする可能性のある、前記データ・ネットワークに接続されたネットワーク装置から収集する手段と、
前記収集した場所関連情報を、前記接続要求装置に関連付けられている、前記機器において保存済みの場所関連情報と比較する手段と、
少なくとも前記保存済みの場所関連情報が前記収集した場所関連情報とは異なる場合に、前記接続要求装置をモバイル装置として検出する手段と
を含む機器。
【請求項１６】
前記機器自身が、前記ネットワーク装置である、請求項１５に記載の機器。
【請求項１７】
ＩＰアドレス割り当てサーバに対するインターフェースを含む、請求項１５に記載の機器。
【請求項１８】
ルータに対するインターフェースを含む、請求項１５に記載の機器。
【請求項１９】
前記接続要求装置にその場所関連情報を問い合わせるためのインターフェースを含む、請求項１５に記載の機器。
【請求項２０】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送波信号を含むナビゲーション信号を生成する方法であって、前記搬送波信号に少なくとも１つの副搬送波変調信号を乗ずるステップを含み、前記少なくとも１つの副搬送波変調信号は、ｍ個の位相コンステレーションから導出されるかこれに関連するｍ個の離散振幅レベルを含み、ｍ＞２であることを特徴とする方法。
【請求項２】
ｍは、３、４、５、６、７、８、または９のうちの少なくとも１つから選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの副搬送波変調信号は、基礎波形を近似するかこれから導出されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記基礎波形は、正弦波、余弦波、または三角形波形のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記基礎波形は、前記送信信号の所望の電力分布特性に従って選択されることを特徴とする請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの副搬送波は、少なくとも２つの相互に直交する副搬送波変調信号を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
少なくとも２つの副搬送波は、所定の位相関係を有する副搬送波の対を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つの副搬送波は、同相副搬送波および直交位相副搬送波を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
実質的に一定の送信信号エンベロープを維持するために前記同相副搬送波および前記直交位相副搬送波のそれぞれの複数の振幅を決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
複数の位相状態から、少なくとも１つの副搬送波に関連する振幅を導出するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記位相状態は、単位円上で等しい角度で分布することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つの副搬送波の振幅の持続時間は、等しいことを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの副搬送波の振幅の少なくとも１つの対の持続時間は、異なることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記持続時間は、関連するクロック信号に従って量子化されることを特徴とする請求項１２から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
副搬送波の少なくとも１対は、相互に直交する軸に従って解かれた関連する複数の位相状態を定義するように協働することを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の位相状態は、それぞれのレンジング信号に関連することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数の位相状態のうちの少なくとも一部のドウェルタイムは、等しくないことを特徴とする請求項１５および１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記位相状態の第１グループは、第１ドウェルタイムを有し、前記位相状態の第２グループは、第２ドウェルタイムを有することを特徴とする請求項１５から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記ドウェルタイムは、クロックに従って量子化されることを特徴とする請求項１５から１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
信号を変調するｍレベルナビゲーション副搬送波変調信号であって、ｍレベル副搬送波変調信号は、ｍ項位相コンステレーションから導出されるかこれに関連する離散信号振幅を含み、ｍ＞２であることを特徴とする信号。
【請求項２１】
複数の信号振幅は、少なくとも前記ｍレベル副搬送波変調信号および第２信号に関連する複数の位相状態に関連するかこれから導出されることを特徴とする請求項２０に記載の信号。
【請求項２２】
前記第２信号は、ｍレベル副搬送波変調信号との所定の位相関係を有することを特徴とする請求項２１に記載の信号。
【請求項２３】
前記所定の位相関係は、直交位相関係であることを特徴とする請求項２２に記載の信号。
【請求項２４】
前記ｍ個の信号振幅は、量子化された正弦信号を表す振幅を含むことを特徴とする請求項２０から２３のいずれかに記載の信号。
【請求項２５】
前記ｍ個の信号振幅は、振幅の集合
【数１】
2007504731.tif 000001
、
【数２】
2007504731.tif 000002
、｛（±ｓｉｎ（６７．５°），±ｓｉｎ（２２．５°），±ｓｉｎ（２２．５°），±ｓｉｎ（６７．５°）｝、および｛±ｃｏｓ（６７．５°），±ｃｏｓ（２２．５°），±ｃｏｓ（２２．５°），±ｃｏｓ（６７．５°）｝のうちの少なくとも１つであるか、これに比例することを特徴とする請求項２０から２４のいずれかに記載の信号。
【請求項２６】
前記信号振幅は、送信信号の所定の大きさ特性を達成するために選択されることを特徴とする請求項２５に記載の信号。
【請求項２７】
前記所定の大きさ特性は、前記送信信号の一定のエンベロープであることを特徴とする請求項２６に記載の信号。
【請求項２８】
請求項１から１９のいずれかに記載の方法を実施する手段を備えたことを特徴とするシステム。
【請求項２９】
請求項２０から２７のいずれかに記載の信号を処理する手段を含むことを特徴とする受信器システム。
【請求項３０】
請求項１から１９のいずれかに記載の方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項３１】
請求項２０から２７のいずれかに記載の信号を生成する手段を含むことを特徴とするシステム。
【請求項３２】
請求項２０から２７のいずれかに記載の信号を生成する手段としてコンピュータを機能させるプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項３３】
請求項２０から２７のいずれかに記載の信号を処理する手段としてコンピュータを機能させるプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディジタル・テレビジョン信号のＶＢＩデータをデコードする方法であって、
前記ディジタル・テレビジョン信号を受信するステップと、
前記ディジタル・テレビジョン信号からビデオ・データを取得するステップと、
前記取得したビデオ・データ内に有効なユーザ・データが存在するかどうかを判定するステップと、
前記取得したビデオ・データ内に有効なユーザ・データが存在する場合、前記ディジタル・テレビジョン信号のＶＢＩデータ・エンコード形式を判定するステップと、
前記判定されたＶＢＩデータ・エンコード形式に従って、前記ビデオ・データ内に存在するＶＢＩデータをデコードするステップと、
を備える、前記方法。
【請求項２】
前記デコードされたＶＢＩデータを、前記取得されたビデオ・データからエンコードされたＮＴＳＣビデオ信号に挿入するステップを備える、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記複数のエンコード形式が、ＡＴＳＣ、ＳＣＴＥ２０、およびＳＣＴＥ２１を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記有効なユーザ・データが、スタート・コードを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記スタート・コードが、０ｘ０００００１Ｂ２を含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
所定の期間に亘って、前記ビデオ信号の前記ＶＢＩデータのデコードを、前記システムがデコードに失敗するまで継続する、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電源電圧を受け取る第１の回路に結合された第１のデジタル信号線と、
第２の電源電圧を受け取る第２の回路に結合された第２のデジタル信号線と、
信号端子と供給電圧端子とを有するレベルシフタと、
少なくとも前記第１のデジタル信号線と前記第２のデジタル信号線のうちの１つを前記レベルシフタの前記信号端子に結合するように選択する手段と、
少なくとも前記第１の電源電圧に依存する第１の電圧と前記第２の電源電圧に依存する第２の電圧とのうちの１つを前記供給電圧端子に供給するように選択する手段であって、前記第１のデジタル信号線が前記レベルシフタの前記信号端子に結合されるように選択されるときに前記第１の電圧を選択し、前記第２のデジタル信号線が前記レベルシフタの前記信号端子に結合されるように選択されるときに前記第２の電圧を選択する、前記選択する手段と
を備える集積回路ダイ。
【請求項２】
第１の状態において第１の電源電圧に依存する電圧となる第１のデジタル信号線に結合される第１の端子、第１の状態において第２の電源電圧に依存する電圧となる第２のデジタル信号線に結合される第２の端子、および第３の端子を有するマルチプレクサであって、制御信号を受け取り、前記制御信号に基づいて少なくともその第１の端子またはその第２の端子のうちの１つにその第３の端子を結合する前記マルチプレクサと、
前記マルチプレクサの前記第３の端子に結合された第１の信号端子、第３の回路に結合された第２の信号端子、および電圧供給端子を有するレベルシフタと、
前記第１の電源電圧に依存する電圧を受け取るように結合される第１の端子、前記第２の電源電圧に依存する電圧を受け取るように結合される第２の端子、および前記レベルシフタの前記電圧供給端子に結合される第３の端子を有する第２のマルチプレクサであって、第２の制御信号を受け取り、前記第２の制御信号に基づいて、少なくともその第１の端子の電圧またはその第２の端子の電圧のうちの１つの電圧をその第３の端子に供給する前記第２のマルチプレクサとを備える集積回路ダイ。
【請求項３】
少なくとも第１のデジタル信号線と第２のデジタル信号線とのうちの１つをレベルシフタの信号端子に結合されるように選択して、前記レベルシフタと、前記少なくとも第１のデジタル信号線と前記第２のデジタル信号線とのうちの前記１つとの間でデジタル信号を伝える工程と、
前記第１のデジタル信号線に結合された第１の回路に第１の電源電圧で電力供給する工程であって、前記第１のデジタル信号線が第１の状態にあるときに、前記第１のデジタル信号線は前記第１の電源電圧に依存する電圧となる、前記電力供給する工程と、
前記第２のデジタル信号線に結合された第２の回路に第２の電源電圧で電力供給する工程であって、前記第２のデジタル信号線が第１の状態にあるときに、前記第２のデジタル信号線は前記第２の電源電圧に依存する電圧となる、前記電力供給する工程と、
少なくとも第１の電圧と第２の電圧とのうちの１つを前記レベルシフタの供給電圧端子に供給するように選択する工程であって、前記第１の電圧は前記第１の電源電圧に依存し、前記第２の電圧は前記第２の電源電圧に依存し、前記第１のデジタル信号線が前記信号端子に結合されるように選択されるときに前記第１の電圧が選択され、前記第２のデジタル信号線が前記信号端子に結合されるように選択されるときに前記第２の電圧が選択される、前記選択する工程とを備えるデジタル信号線を多重化する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月28日(2007.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
複数のカラーフィルタ核を形成し少なくとも前記複数の画素の一部にわたるカラーフィルタパターンであって、各カラーフィルタ核が複数の画素および対応カラーフィルタパターンを有する、カラーフィルタパターンと、
前記画素の集積時間を制御する機構と、
を備えた画像センサであって、
前記カラーフィルタ核に相関するパターン中で前記複数の画素の前記集積時間が空間的に異なることを特徴とする画像センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の画像センサであって、
各カラーフィルタ核は、隣接する画素による２×２配列を含み、
カラーフィルタ核第１組の集積時間は第１の集積時間であり、当該カラーフィルタ核第１組に隣接するカラーフィルタ核第２組の集積時間は第２の集積時間であることを特徴とする画像センサ。
【請求項３】
複数の画素と、
複数のカラーフィルタ核を形成し少なくとも前記複数の画素の一部にわたるカラーフィルタパターンであって、各カラーフィルタ核が複数の画素および対応カラーフィルタパターンを有する、カラーフィルタパターンと、
前記画素の集積時間を制御する機構と、
を備えた画像センサであって、
前記複数の画素の集積時間が、前記カラーフィルタ核に相関するパターン中で空間的に異なる画像センサ、
を備えたことを特徴とするカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムグレインをモデリングする方法であって、
フィルムグレイン・サンプル群を周波数領域に変換する工程と、
該変換から生じる係数群各々を記憶する工程と、
変換係数を解析する工程と、
前記変換係数の分布をシミュレートすることができる、フィルタのカット周波数を推定する工程とを備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、フィルムグレイン・サンプルは、フィルム・グレインの形状及びサイズについての情報を保持する少なくとも１つの近傍画素群を備えることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、少なくとも１つのカット周波数を補助情報として伝送する工程を更に備えることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、前記カット周波数が、周波数領域において乱数雑音をフィルタリングすることによって推定されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法であって、フィルムグレイン・サンプルは、ＮｘＮ個の画素のブロック単位で処理されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法であって、前記変換係数によって形成されるパターンを解析する工程が更に、
ＮｘＮ個の画素ブロック各々の変換に続いて、記憶されているブロック全てからの前記変換係数の平均をとることによってＮｘＮ個の変換係数の平均ブロックを計算する工程と、
行及び列各々に沿って前記ＮｘＮ個の係数の平均ブロックの平均をとることによって、Ｎ個の成分の水平平均ベクトル及び垂直平均ベクトルを規定する工程と、
前記水平平均ベクトル及び前記垂直平均ベクトルを別個の曲線として表す工程と、
前記水平平均ベクトル及び前記垂直平均ベクトル各々によって表す前記曲線から水平カット周波数及び垂直カット周波数を設定する工程とを備えることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法であって、少なくとも１つの平均ベクトルを低域通過フィルタリングする工程を更に備えることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６記載の方法であって、前記水平カット周波数及び前記垂直カット周波数のうちの１つが、前記水平平均ベクトル及び前記垂直平均ベクトルそれぞれのうちの対応する１つを表す前記曲線における交点から設定されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項６記載の方法であって、低い水平カット周波数及び高い水平カット周波数、並びに、低い垂直カット周波数及び高い垂直カット周波数の、それぞれが、前記水平平均ベクトル及び前記垂直平均ベクトルそれぞれを表す前記曲線における第１の交点及び第２の交点から設定されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項５記載の方法であって、前記変換係数によって形成されるパターンを解析する工程が更に、
各画素ブロックの変換に続いて、記憶されているブロック全てからの前記変換係数の平均をとることによってＮｘＮ個の変換係数の平均ブロックを計算する工程と、
行及び列それぞれに沿って前記ＮｘＮ個の係数の平均ブロックの平均をとることによってＮ個の成分それぞれの水平平均ベクトル及び垂直平均ベクトルを規定する工程と、
単一の平均ベクトルに、前記水平平均ベクトル及び前記垂直平均ベクトルを平均化させる工程と、
前記水平平均ベクトル及び前記垂直平均ベクトルを曲線として表す工程と、
平均ベクトルによって表す前記曲線から水平カット周波数及び垂直カット周波数を設定する工程とを備えることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９記載の方法であって、平均ベクトルを低域通過フィルタリングする工程を更に備えることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の方法であって、水平カット周波数及び垂直カット周波数のうちの一方が、前記水平平均ベクトル及び前記垂直平均ベクトルそれぞれのうちの対応する１つを表す前記曲線における交点から設定されることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の方法であって、低い水平カット周波数及び高い水平カット周波数、並びに、低い垂直カット周波数及び高い垂直カット周波数の、それぞれが、前記水平平均ベクトル及び前記垂直平均ベクトルそれぞれを表す前記曲線における第１の交点及び第２の交点から設定されることを特徴とする方法。
【請求項１４】
フィルムグレイン・パターンをモデリングする方法であって、
フィルムグレイン・サンプル群を受信する工程と、
フィルムグレインの形状及びサイズについての情報を保持する少なくとも１つの近接画素群から成る前記フィルムグレイン・サンプル群に対する、周波数領域への変換を行う工程と、
該変換から生じる係数群それぞれを記憶する工程であって、係数がパターンを形成する工程と、
変換係数によって形成される前記パターンを解析する工程と、
周波数領域で乱数雑音をフィルタリングすることによって変換係数の前記パターンをシミュレートすることができる、２次元帯域通過フィルタのカット周波数を推定する工程とを備えることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの出力ノードを有する能動発振器と、
前記出力ノードに結合されたインダクタループと、
コンデンサと、抵抗と、第１のスイッチとを含み、前記出力ノードの１つに結合された少なくとも１つの容量性回路であって、前記抵抗が、前記第１のスイッチが開いているとき前記コンデンサにバイアス電圧を送り、前記第１のスイッチが、前記コンデンサを前記能動発振器の前記出力ノードに結合し、分断し、前記能動発振器および容量性回路が、集積回路チップを含む半導体パッケージ内で含まれる、容量性回路とを備え、前記インダクタループが、
前記チップ上の第１のボンディングパッドを前記パッケージの第１の入出力ピンに接続する第１の導体と、
前記ループ内で前記第１の入出力ピンに接続される前記パッケージの第２の入出力ピンに、前記チップ上の第２のボンディングパッドを接続する第２の導体とを含むことを特徴とする発振器回路。
【請求項２】
前記インダクタループは、
前記第１の入出力ピンを前記第２の入出力ピンに接続するメタライゼーション層を含む第３の導体をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発振器回路。
【請求項３】
前記メタライゼーション層が前記パッケージの基板と共に含まれることを特徴とする請求項２に記載の発振器回路。
【請求項４】
前記メタライゼーション層は、前記基板の表面上にあることを特徴とする請求項２に記載の発振器回路。
【請求項５】
前記メタライゼーション層が前記基板の表面下の層内で含まれることを特徴とする請求項２に記載の発振器回路。
【請求項６】
前記第１の入出力ピンと前記第２の入出力ピンが、少なくとも第３の入出力ピンによって分離されることを特徴とする請求項２に記載の発振器回路。
【請求項７】
前記インダクタループは、
前記チップ上の前記第１のボンディングパッドを前記パッケージの前記第１の入出力ピンに接続する第３の導体と、
前記チップ上の前記第２のボンディングパッドを前記パッケージの前記第２の入出力ピンに接続する第４の導体とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発振器回路。
【請求項８】
前記第１の導体および前記第２の導体は、ボンディングワイアであることを特徴とする請求項１に記載の発振器回路。
【請求項９】
前記第１の入出力ピンと前記第２の入出力ピンは、隣接するピンであることを特徴とする請求項１に記載の発振器回路。
【請求項１０】
前記第１の入出力ピンと前記第２の入出力ピンが、少なくとも第３の入出力ピンによって分離されることを特徴とする請求項１に記載の発振器回路。
【請求項１１】
前記第１の入出力ピンと前記第２の入出力ピンが、隣接し、互いに接触することを特徴とする請求項１に記載の発振器回路。
【請求項１２】
前記第１の入出力ピンと前記第２の入出力ピンは、単一構造を有することを特徴とする請求項１に記載の発振器回路。
【請求項１３】
２つの出力ノードを有する能動発振器と、
前記出力ノードに結合されたインダクタループと、
コンデンサと、抵抗と、第１のスイッチとを含み、前記出力ノードの１つに結合された少なくとも１つの容量性回路であって、前記抵抗が、前記第１のスイッチが開いているとき前記コンデンサにバイアス電圧を送り、前記第１のスイッチが、前記コンデンサを前記能動発振器の前記出力ノードに結合し、分断し、前記能動発振器および容量性回路が、集積回路チップを含む半導体パッケージ内で含まれる、容量性回路とを備え、前記インダクタループが、前記チップ上の第１のボンディングパッドと前記パッケージの第１の入出力ピンとの間で結合された複数の導体を含むことを特徴とする発振器回路。
【請求項１４】
前記第１の導体および前記第２の導体は、ボンディングワイアであることを特徴とする請求項１３に記載の発振器回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
半導体パッケージはまた、パッケージ内に自己内蔵したインダクタループ２２０を含む。インダクタループは、いくつかのサブループを含む。第１のサブループは、導体２２２および２２３をチップ上の第１のボンディングパッド２２４とパッケージの入出力ピン２２６との間で接続することによって形成される。第２のサブループは、導体２３２および２３３をチップ上の第２のボンディングパッド２３４とパッケージの第２の入出力ピン２３６との間で接続することによって形成される。導体は、ボンディングワイアであることが好ましい。第１および第２の実施形態と異なり、インダクタループ内で接続されたピンは、単一構造を有する。すなわち、ピンは、１つの連続する部片で形成されるが、プリント回路板または他の外部回路に接続するために、それぞれ別個のリードを有することができる。第１および第２の導体をこれらのピンに接続することにより、確実にループが完成し、ループの長さに基づく所望のインダクタンス値が確立される。インダクタループが形成された後で、それを使用して、集積回路チップ上の１つまたは複数の回路を制御することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月8日(2007.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器のための処理ユニットであって、
信号／データプロセッサと、
電力入力を受けるための露出した外部電気接点と、
電気信号入力を受けるための露出した外部電気接点と、
電気信号出力を送信するための露出した外部電気接点と、
バッテリ／入力／出力モジュールをしっかり取り付けるための機械的保持特徴を備えるハウジングと、
を含む処理ユニット。
【請求項２】
メモリ、キーパッド、マイクロプロセッサのうちの少なくとも１つを備えている請求項１に記載の処理ユニット。
【請求項３】
ディスプレイを備えている請求項１に記載の処理ユニット。
【請求項４】
前記ディスプレイがタッチパネルディスプレイである請求項３に記載の処理ユニット。
【請求項５】
携帯用電子機器のための携帯用バッテリ／入力／出力モジュールユニットであって、
電気エネルギのための蓄積装置と、
電力を送信するための露出した外部電気接点と、
電気信号入力を受けるための露出した外部電気接点と、
電気信号出力を送信するための露出した外部電気接点と、
処理ユニットをしっかり取り付けるための機械的保持特徴を備えるハウジングと、
を含むバッテリ／入力／出力モジュールユニット。
【請求項６】
前記接点は、前記ハウジングの表面に対してカバーを取り付けることによりシールされる請求項１または５に記載のユニット。
【請求項７】
電気信号出力を送信するための露出した前記電気接点に対して電気的に結合されたシリアルポートを更に備えている請求項５に記載のバッテリ／入力／出力モジュール。
【請求項８】
電気信号出力を送信するための露出した前記電気接点に対して電気的に結合されたパラレルポートを更に備えている請求項５に記載のバッテリ／入力／出力モジュール。
【請求項９】
電気信号出力を送信するための露出した前記電気接点に対して電気的に結合されたデータ通信用の無線トランシーバを更に備えている請求項５に記載のバッテリ／入力／出力モジュール。
【請求項１０】
前記エネルギ蓄積装置のための埋め込まれた誘導充電器を更に備えている請求項５に記載のバッテリ／入力／出力モジュール。
【請求項１１】
前記エネルギ蓄積装置を充電するための電力入力ポートを更に備えている請求項５に記載のバッテリ／入力／出力モジュール。
【請求項１２】
携帯用処理ユニットと、前記携帯用処理ユニットに結合された携帯用バッテリ／入力／出力モジュールとを備えた携帯用電子機器であって、
前記携帯用処理ユニットは、
信号／データプロセッサと、
電力入力を受けるための露出した外部電気接点と、
電気信号入力を受けるための露出した外部電気接点と、
電気信号出力を送信するための露出した外部電気接点と、
バッテリ／入力／出力モジュールをしっかり取り付けるための機械的保持特徴を備えるハウジングと、
を含み、
前記携帯用バッテリ／入力／出力モジュールは、
電気エネルギのための蓄積装置と、
電力を送信するための露出した外部電気接点と、
電気信号入力を受けるための露出した外部電気接点と、
電気信号出力を送信するための露出した外部電気接点と、
処理ユニットをしっかり取り付けるための機械的保持特徴を備えるハウジングと、
を含む、携帯用電子機器。
【請求項１３】
前記携帯用電子機器はシールされている請求項１２に記載の携帯用電子機器。
【請求項１４】
前記携帯用電子機器は外部電源を前記バッテリ／入力／出力モジュールに対して結合することにより給電される請求項１２に記載の携帯用電子機器。
【請求項１５】
前記外部電源は前記バッテリ／入力／出力モジュールに対して誘導的に結合される請求項１４に記載の携帯用電子機器。
【請求項１６】
前記携帯用電子機器は手持ち式のコンピュータまたはグローバル・ポジショニング・システム(ＧＰＳ)である請求項１２に記載の携帯用電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦポートがモバイルユニットとの通信用に提供されており、少なくとも一つのセルコントローラが有線ネットワークと前記ＲＦポートとの間におけるデータ通信パケットを中継するために提供されており、前記セルコントローラが前記ＲＦポートに関する関連付け及びローミング機能を実現するように構成されている無線データ通信システムにおいて、前記セルコントローラが更にレイヤ３ネットワーク制御機能を実現するように構成されていることを特徴とする、無線データ通信システム。
【請求項２】
前記レイヤ３ネットワーク制御機能がフィルタリング及びスイッチング機能を備えていることを特徴とする、請求項１記載の無線データ通信システム。
【請求項３】
前記セルコントローラがルーティング機能を実現するように構成されていることを特徴とする、請求項１記載の無線データ通信システム。
【請求項４】
前記セルコントローラがＱｏＳ機能を実現するように構成されていることを特徴とする、請求項１記載の無線データ通信システム。
【請求項５】
前記セルコントローラがパケット形成機能を実現するように構成されていることを特徴とする、請求項１記載の無線データ通信システム。
【請求項６】
前記セルコントローラがアドレッシング機能を実現するように構成されていることを特徴とする、請求項１記載の無線データ通信システム。
【請求項７】
少なくとも一つのＲＦポート、複数のモバイルユニット及び前記ＲＦポートに接続されたセルコントローラを有する無線ローカルエリアネットワークを機能させる方法であって、
モバイルユニットから受信した信号を前記セルコントローラに中継し、且つ、前記セルコントローラから受信した信号を前記モバイルユニットに中継するように、前記ＲＦポートを機能させ、
前記ＲＦポートと前記セルコントローラ間における関連付け信号の送受信を含む、前記モバイルユニットの前記ＲＦポートに対する関連付けを制御するように、前記セルコントローラを機能させ、
前記ＲＦポートを介して前記モバイルユニットに対する及び前記モバイルユニットからのメッセージの送信を実行するように、前記セルコントローラを機能させ、及び
ネットワーク制御機能を実現するように前記セルコントローラを機能させる、方法。
【請求項８】
前記ネットワーク制御機能はレイヤ３ネットワーク制御機能である、請求項７の方法。
【請求項９】
前記レイヤ３ネットワーク制御機能がルーティング機能である、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記レイヤ３ネットワーク制御機能がＱｏＳ機能である、請求項８の方法。
【請求項１１】
前記レイヤ３ネットワーク制御機能がパケット形成機能である、請求項８の方法。
【請求項１２】
レイヤ３ネットワーク制御機能がフィルタリング機能である、請求項８の方法。
【請求項１３】
レイヤ３ネットワーク制御機能がアドレッシング機能である、請求項８の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第一のシラン及び第二のシランの共重合から形成された材料を含むプロトン伝導性膜であって、
前記第一シランが、第一のシラン基、末端基、及び前記末端基を第一シラン基に結合させる結合基を含み、
前記第一末端基が、孤立電子対を提供する１個以上の原子を含む、
ことを特徴とするプロトン伝導性膜。
【請求項２】
前記第一シラン基が、
-Si(OR1)(OR2)(OR3)
(式中、R1、R2、及びR3の各々は、アルキル基又は水素原子を表す。)
の形のアルコキシシリル基である請求項１記載のプロトン伝導性膜。
【請求項３】
前記第二シランが、テトラアルコキシシランである請求項１記載のプロトン伝導性膜。
【請求項４】
正極、負極、及び請求項１記載のプロトン伝導性膜を含む燃料電池。
【請求項５】
珪素原子及び酸素原子を含むポリマー網目構造物、
前記網目構造物内の少なくともいくつかの珪素原子に結合された第一の有機側鎖、
を含む組成物であって、
前記第一の有機側鎖が、結合基及び末端基を含み、前記結合基が前記末端基を前記ポリマー網目構造物の珪素原子に結合させ、
前記末端基が、孤立電子対を提供する１個以上の原子を含む、
ことを特徴とする組成物。
【請求項６】
請求項５記載の組成物を含むプロトン伝導性膜。
【請求項７】
正極、負極、及び請求項６記載のプロトン伝導性膜を含む燃料電池。
【請求項８】
シラン前駆物質を合成する方法であって、
末端基及び第一の反応性基を含む第一の化合物を提供する工程、
シラン基及び第二の反応性基を含む第二の化合物を提供する工程、
前記シラン前駆物質を提供するために前記第一の反応性基及び前記第二の反応性基間の反応を提供する工程、
を含み、
前記シラン前駆物質が、結合基によりシラン基に結合された末端基を有し、かつ前記シラン前駆物質が、有機−無機ハイブリッド網目構造物を形成するためのゾル−ゲル方法において重合性であることを特徴とする方法。
【請求項９】
前記末端基が、イミダゾール環である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
シラン基、
該シラン基に結合している結合基、及び
該結合基に結合している末端基、
を含み、
前記末端基が、孤立電子対を提供する１個以上の原子を含み、
前記原子が、窒素、硫黄、及び酸素からなる群から選択される、
ことを特徴とするシラン前駆物質。
【請求項１１】
少なくとも第一の前駆物質及び第二の前駆物質の共重合から形成されたプロトン伝導性膜であって、
前記第一の前駆物質が、
第一の重合性基、
結合基、及び
末端基、
を含み、前記末端基が、結合基により第一の反応性基に結合していて、前記末端基が、孤立電子対を提供する１個以上の原子を含み、かつ
前記第二の前駆物質が、第二の重合性基を有する
ことを特徴とするプロトン伝導性膜。
【請求項１２】
前記末端基が、イミダゾール基又はベンズイミダゾール基を含む請求項１１記載のプロトン伝導性膜。
【請求項１３】
無機−有機ハイブリッド網目構造物、
前記無機−有機ハイブリッド網目構造物に柔軟に結合した含窒素複素環、及び
前記無機−有機ハイブリッド網目構造物に結合した酸基、
を含む物質の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロリソグラフィの投影露光装置であって、
ａ）投影光（１３）を発生させるための照射システム（１２）と、
ｂ）浸漬液（３４）と、
ｃ）感光性の層（２６）上にレチクルを結像させるための投影用対物レンズ部（２２０）とを含み、前記投影用対物レンズ部は、
最終段レンズ（Ｌ２０５）と、
前記投影光（１３）に関して透光性であり、前記最終段レンズ（Ｌ２０５）と前記感光性の層（２６）の間に配置され、前記浸漬液（３４）中に浸漬される結像側表面（２７２）を有し、前記結像側表面（２７２）またはその上に塗布される保護層（２７８）が材料（７９ａ、７９ｂ）の局所的除去によって波面誤差を補正する目的で再加工される終端素子（２４４）と
を含むことを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】
マイクロリソグラフィの投影露光装置であって、
ａ）投影光（１３）を発生させるための照射システム（１２）と、
ｂ）感光性の層（２６）上にレチクルを結像させるための投影用対物レンズ部（２０；２２０；６２０；１１２０）と、
ｃ）浸漬液（３４）と、
ｄ）前記浸漬液（３４）に対して非透過性であり、前記浸漬液（３４）と接触する少なくとも１つの表面（７０、７２；２７２）の上に塗布される保護層（７６、７８；２７８）と
を含むことを特徴とする投影露光装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの表面が前記投影用対物レンズ部の最終段レンズ（Ｌ５；Ｌ２０５；Ｌ１００５；Ｌ１１０５）の結像側表面（６８）であることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの表面が、前記投影光（１３）に関して透光性であって少なくとも１つの結像側表面（７２；２７２）が前記浸漬液（３４）中に浸されるような方式で前記投影用対物レンズ部（２０，２２０）の最終段レンズ（Ｌ５；Ｌ２０５）と前記感光性の層（２６）との間に配置される終端素子（４４；２４４）の結像側表面（７２；２７２）であることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記保護層（７６、７８；２７８）が９８％を超える稠密度を有することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記浸漬液が前記感光性の層（２６）と接触していることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項７】
マイクロリソグラフィの投影露光装置であって、
ａ）投影光（１３）を発生させるための照射システム（１２）と、
ｂ）感光性の層（２６）上にレチクルを結像させるための投影用対物レンズ部（２０；２２０；６２０；７２０；１０２０；１１２０）とを含み、前記投影用対物レンズ部は、
最終段レンズ（Ｌ５；Ｌ２０５；Ｌ６０５；Ｌ７０５；Ｌ１００５；Ｌ１１０５）と、
前記投影光（１３）に関して透光性であり、前記最終段レンズ（Ｌ５；Ｌ２０５；Ｌ６０５；Ｌ７０５；Ｌ１００５；Ｌ１１０５）と前記感光性の層（２６）との間に配置され、前記最終段レンズ（Ｌ５；Ｌ２０５；Ｌ６０５；Ｌ７０５；Ｌ１００５；Ｌ１１０５）に対する位置が調節可能となるように調節可能に装着される終端素子（４４；２４４；６４４；７４４；１０４４；１１４４）と
を含むことを特徴とする投影露光装置。
【請求項８】
前記投影用対物レンズ部（２０；２２０；６２０；７２０；１０２０；１１２０）の結像側端面（４５）に前記終端素子（４４；２４４；６４４；７４４；１０４４；１１４４）を調節可能に取り付けるための調節可能な固定用素子（４６、４８）を含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記固定用素子（４６、４８）が微調整駆動部（５４、５５、５６、５７）を含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記終端素子（４４；２４４；６４４；７４４）の少なくとも結像側表面（７２；２７２）が浸漬液（３４）中に浸されることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記終端素子が前記浸漬液（３４）中に浸される結像側表面（２７２）を有し、前記結像側表面（２７２）またはその上に塗布される保護層（２７８）が材料（７９ａ、７９ｂ）の局所的除去によって波面誤差を補正する目的で再加工されることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のＮＭＯＳ領域とＰＭＯＳ領域上に誘電体層を堆積するステップと、
前記誘電体層上に第１金属層を堆積するステップと、
前記基板の前記ＮＭＯＳ領域に窒素を注入するステップと、
前記第１金属層の第１部分を金属酸化物層に変え、かつ、前記第１金属層の第２部分を金属窒化物層に変えるステップと、
ＮＭＯＳゲートとＰＭＯＳゲートを形成するステップとを含み、前記ＮＭＯＳゲートは前記金属窒化物層のセグメントを含み、前記ＰＭＯＳゲートは前記金属酸化物層のセグメントを含む、方法。
【請求項２】
前記第１金属層を前記金属酸化物層に変えるステップにおいて、高温アニールを利用する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１金属層の前記第１部分を変える前記ステップの後で、かつ、前記ＮＭＯＳゲートと前記ＰＭＯＳゲートを形成するステップの前に、前記基板の前記ＰＭＯＳ領域にＰ型ドーパントを注入するステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１金属層を堆積するステップの後で、かつ、前記ＮＭＯＳ領域に前記窒素を注入する前記ステップの前に、前記第１金属層上に第２金属層を堆積するステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ＮＭＯＳ領域に前記窒素を注入する前記ステップは、前記第１金属層の前記第１部分に前記窒素を注入せずに、前記第１金属層の前記第２部分に前記窒素を注入するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ＰＭＯＳゲートのゲート電極は前記第２金属層のセグメントを含み、前記ＮＭＯＳゲートのゲート電極は前記金属窒化物層の前記セグメントを含む、請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記第１金属層は、ハフニウム、ジルコニウム、タンタルからなる群より選択される、請求項１記載の方法。
【請求項８】
誘電体層を基板のＮＭＯＳ領域とＰＭＯＳ領域上に堆積するステップと、前記誘電体層上に第１金属層を堆積するステップと、を含む方法であって、前記方法は、
前記基板の前記ＮＭＯＳ領域に窒素を注入し、前記第１金属層の第１部分を金属酸化物層に変え、かつ、前記第１金属層の第２部分を金属窒化物層に変え、ＮＭＯＳゲートとＰＭＯＳゲートを形成することを特徴とし、前記ＮＭＯＳゲートは前記金属窒化物層のセグメントを含み、前記ＰＭＯＳゲートは前記金属酸化物層のセグメントを含む、方法。
【請求項９】
前記第１金属層の第１部分を前記金属酸化物層に変えるステップにおいて高温アニールを利用する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記第１金属層の前記第１部分を変える前記ステップの後で、かつ、前記ＮＭＯＳゲートおよび前記ＰＭＯＳゲートを形成するステップの前に、前記基板の前記ＰＭＯＳ領域にＰ型ドーパントを注入するステップを更に含む、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記第１金属層を堆積するステップの後で、かつ、前記ＮＭＯＳ領域に前記窒素を注入する前記ステップの前に、前記第１金属層上に第２金属層を堆積するステップを更に含む、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
前記ＮＭＯＳ領域に前記窒素を注入する前記ステップは、前記第１金属層の前記第１部分に前記窒素を注入せずに、前記第１金属層の前記第２部分に前記窒素を注入するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１３】
前記ＰＭＯＳゲートのゲート電極は前記第２金属層のセグメントを含み、前記ＮＭＯＳゲートのゲート電極は前記金属窒化物層の前記セグメントを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記第１金属層は、ハフニウム、ジルコニウム、タンタルからなる群より選択される、請求項８記載の方法。
【請求項１５】
基板のＮＭＯＳ領域とＰＭＯＳ領域上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層上に第１金属層を形成するステップと、
前記基板の前記ＮＭＯＳ領域に、窒素を含む第１選択インプラントを実行するステップと、
高温アニールを実行するステップであって、前記高温アニールは前記第１金属層の第１部分を金属窒化物層に、前記第１金属層の第２部分を金属酸化物層に変えるものである、ところのステップと、
前記基板の前記ＰＭＯＳ領域内に、Ｐ型のドーパントを含む第２選択インプラントを実行するステップと、
前記基板のＮＭＯＳ領域にＮＭＯＳゲートを、前記基板のＰＭＯＳ領域にＰＭＯＳゲートを形成するステップとを含み、前記ＮＭＯＳゲートはゲート電極スタックを含み、前記ゲート電極スタックは前記金属窒化物層のセグメントを含む、方法。
【請求項１６】
前記第１金属層を形成するステップの後、前記第１選択インプラントを実行するステップの前に、第２金属層を堆積するステップをさらに含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記ＰＭＯＳゲートはゲート電極を含み、前記ゲート電極は前記第２金属層のセグメントを含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記第２金属層は、プラチナ、タングステン、コバルト、ニッケル、ルテニウムからなる群より選択される、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記第２選択インプラントを実行するステップは前記金属酸化物層に前記Ｐ型ドーパントを注入するステップを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
前記ＰＭＯＳゲートはゲート絶縁体スタックを含み、前記ゲート絶縁体スタックは前記誘電体層のセグメントと前記金属酸化物層のセグメントとを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
前記Ｐ型ドーパントはアルゴンを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２２】
前記ＮＭＯＳ領域に前記第１選択インプラントを実行するステップは、前記第１金属層の前記第１部分に前記窒素を注入せずに、前記第１金属層の前記第２部分に前記窒素を注入するステップを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２３】
前記第１金属層は、ハフニウム、ジルコニウム、タンタルからなる群より選択される、請求項１５記載の方法。
【請求項２４】
ＣＭＯＳデバイスであって、
ＮＭＯＳ領域とＰＭＯＳ領域とを含む基板と、
金属窒化物層のセグメントを含む、前記ＮＭＯＳ領域の前記基板上に位置するＮＭＯＳゲート電極スタックと、
金属酸化物層のセグメントを含む、前記ＰＭＯＳ領域の前記基板上に位置するＰＭＯＳゲート誘電体スタックとを備え、
前記金属窒化物層の前記セグメントは第１金属層の第１部分から形成され、前記金属酸化物層の前記セグメントは前記第１金属層の第２部分から形成される、ＣＭＯＳデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を形成する方法であって、
基板及び該基板の上に半導体構造を設けることであって、該半導体構造は、第１側壁と、第２側壁と、頂部表面とを有する、設けること、
少なくとも一つの実質的に共形な層を前記基板の上に堆積させることであって、該少なくとも一つの実質的に共形な層は、少なくとも一つのゲート材料層を含み、かつ前記半導体構造の上の所定の高さに頂部表面を有する、堆積させること、
実質的に平坦な層を、前記基板の上であり、かつ前記半導体構造の上の前記少なくとも一つの実質的に共形な層の前記頂部表面の高さよりも低い位置に形成すること、
前記半導体構造の前記頂部表面の上のゲート材料層を、研磨以外の方法でエッチングすること、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記実質的に平坦な層を前記基板の上に形成する前に、前記少なくとも一つの実質的に共形な層をパターニングしてゲート構造を形成することを備え、
前記半導体構造の前記頂部表面の上のゲート材料層を、研磨以外の方法でエッチングすることは、更に、前記半導体構造の前記頂部表面の上の前記ゲート構造のゲート材料層をエッチングすることを含む、方法。
【請求項３】
半導体装置を形成する方法であって、
基板及び該基板の上に半導体構造を設けることであって、該半導体構造は、第１側壁と、第２側壁と、頂部表面とを有する、設けること、
ゲート材料から成る第１の実質的に共形な層を、前記基板及び前記半導体構造の上に堆積させること、
所定の材料から成る第２の実質的に共形な層を、前記第１の実質的に共形な層の上に堆積させること、
前記第２の実質的に共形な層を堆積させた後に、実質的に平坦な層を前記基板の上に形成すること、
前記半導体構造の前記頂部表面の上の前記第１の実質的に共形な層をエッチングすること、
前記半導体構造の前記頂部表面の上の前記第２の実質的に共形な層をエッチングすること、
前記第１の実質的に共形な層の一部に接触するコンタクトを形成すること、
を備える方法。
【請求項４】
半導体構造を形成する方法であって、
基板を設けること、
第１及び第２側壁を有する半導体フィンを前記基板の上に形成すること、
前記フィンの前記第１側壁に隣接する第１部分及び前記フィンの前記第２側壁に隣接する第２部分を含む電荷蓄積材料層を前記基板の上に形成すること、
前記電荷蓄積材料層を形成した後に、前記フィンの前記第１側壁に隣接する第１部分及び前記フィンの前記第２側壁に隣接する第２部分を含むゲート材料層を前記基板の上に形成すること、
前記半導体フィンの上の前記ゲート材料層を除去すること、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持構造体と、陽極と陰極を形成する２つの電極層間で気密の電解質層から成る層構成部とを備えた少なくとも１つの単セルを含む、固体酸化物燃料電池であって、電解質層（６）が、電解質材料から成る多孔性の下地層（５）上に作成されている、前記固体酸化物燃料電池において、
電解質層（６）が、最大で３００ｎｍの粒子大を有するナノ粒子から形成されていることを特徴とする固体酸化物燃料電池。
【請求項２】
下地層（５）の孔が、１μｍよりも小さい直径、好ましくは３００ｎｍよりも小さい直径を有することを特徴とする、請求項１に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項３】
下地層（５）が、少なくとも１μｍ、最大で３０μｍの層厚を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項４】
電解質層（６）が最大でも２０μｍの層厚を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項５】
支持構造体（２）が金属又はメタルセラミックから成ることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の固体酸化物燃料電池の製造方法において、支持構造体（２）上に先ず第１電極層（４）及び下地層（５）が提供され、その次に電解質層（６）が提供され、最後に第２電極層（７）が提供され、この際、電解質層（６）が、３００ｎｍよりも小さい粒子大を有する電解質材料粒子から形成され、これらの電解質材料粒子が下地層（５）上への提供後に焼結されることを特徴とする方法。
【請求項７】
電解質材料粒子が、電気泳動、溶浸、ナイフ塗布、プリンティング、及び／又は吹付けにより、下地層（５）上に提供されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
電極層（４）と下地層（５）が、１つのステップで、電極材料層と電解質材料層から成る２層フィルムを使用して支持構造体上（２）に焼結されることを特徴とする、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
電解質層（６）の焼結が、一方の又は両方の電極層（４、７）の焼結時、及び／又は、下地層（５）の焼結時、及び／又は、燃料電池の動作開始時に行なわれることを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このことは、請求項１で特徴付けられている固体酸化物燃料電池を用いて達成される。請求項２から請求項５では、本発明に従う固体酸化物燃料電池の有利な構成が表されている。請求項６は、本発明に従う固体酸化物燃料電池の有利な製造方法を対象としていて、この方法は、請求項７から請求項９により有利な形式で更なる構成が成される。