【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の表面に設けられた第一の接合点と第二の表面に設けられた第二の接合点とを含む少なくとも二箇所の接合点の間に繋ぎつけられた鋳型分子と、
前記第一の接合点に接続された検出器とを含んで構成されるデバイスであって、
前記第一の表面は前記第二の表面から独立したものであること、前記鋳型分子は目標分子を捕捉するための部位を少なくとも一箇所に有するものであること、前記第一の接合点が第一物理パラメータを有し、前記検出器が同第一物理パラメータの変化に基づき出力信号を生成するよう構成されていること、ならびに、同第一物理パラメータの変化が前記目標分子と前記鋳型分子との会合に対応するものであることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記鋳型分子が核酸であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記鋳型分子がｓｓＤＮＡまたはｓｓＲＮＡであることを特徴とする請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記目標分子が核酸であり、同核酸の塩基配列が前記鋳型分子の塩基配列に対して、同目標分子が同鋳型分子とハイブリダイゼーションできるに十分な程度に相補的であることを特徴とする請求項２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記鋳型分子が核酸であり、同核酸分子は、同核酸分子の３’末端位置で前記第一の接合点に接合され、５’末端位置で前記第二の接合点に接合されていることを特徴とする請求項２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記鋳型分子はポリペプチドを有することを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記ポリペプチドは、同ポリペプチド分子のカルボキシル基を有する末端位置で前記第一の接合点に接合され、同ポリペプチドのアミノ基を有する末端位置で前記第二の接合点に接合されていることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記ポリペプチドが、抗体である目標分子を捕捉相手とする捕捉用領域を有することを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
前記ポリペプチドが抗体に由来する捕捉用部位を有し、同抗体に関わる抗原部位を含む目標分子を捕捉することを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記ポリペプチドが目標分子を受容する受容部位を有することを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記目標分子が前記受容部位を有するポリペプチドの拮抗物質あるいは作動物質であることを特徴とする請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記目標分子が前記鋳型分子の少なくとも一部分を受容する受容部位を有するポリペプチドであることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記目標分子が金属イオンであるか、あるいは金属イオンを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記鋳型分子がポリサッカライドであることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記鋳型分子が核酸分子配列の合成類似物であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記鋳型分子がポリペプチドの合成類似物であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記鋳型分子がポリサッカライドの合成類似物であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記第一物理パラメータは、
或る対照部位を基準とする前記第一の接合点の共鳴振動の周波数、
前記対照部位を基準とする前記第一の接合点の共鳴振動の振幅、
前記対照部位と前記第一の接合点との間の距離、および
前記第一の接合点と前記対照部位との間の配列関係、
の内の少なくとも一つを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記対照部位は前記第二の接合点を含むことを特徴とする請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記第一の表面は中空に突き出すように支えられた構造体を含み、前記出力信号が同構造体の位置移動量の関数であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記中空に突き出すように支えられた構造体がカンチレバーを含むことを特徴とする請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記第一の表面が圧電素子を含み、前記出力信号が同圧電素子に加わる力の関数であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記第一の表面が可動面を含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記検出器が少なくとも光学的センサー、磁場センサー、電場センサー、電気容量センサー、電気抵抗センサー、ならびに応力センサーの内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記検出器が比較器とブリッジ回路の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記検出器が前記第一の表面に通じた共鳴振動発生器を含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項２７】
前記第一接合点が第二物理パラメータを有し、前記検出器が同第二物理パラメータの変化に基づき出力信号を生成するように構成されること、ならびに第二物理パラメータの変化が前記目標分子と前記鋳型分子との会合に対応するものであることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記検出器が前記第二の接合点と接続されており、前記第一物理パラメータを有する前記第一の接合点が、第一電気パラメータを有する前記第一の接合点および前記第二の接合点を含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記検出器が前記第一の接合点ならびに前記第二の接合点に接続された電圧供給源を含み、前記第一電気パラメータが電流値を含むことを特徴とする請求項２８に記載のデバイス。
【請求項３０】
前記電圧供給源が徐々に上昇する電圧を供給するように構成されていることを特徴とする請求項２９に記載のデバイス。
【請求項３１】
前記検出器が前記第一の接合点ならびに前記第二の接合点に接続された電流源を含み、前記第一電気パラメータが電圧値であることを特徴とする請求項２８に記載のデバイス。
【請求項３２】
前記電流源が徐々に上昇する電流を供給するように構成されていることを特徴とする請求項３１に記載のデバイス。
共鳴周波数に対して生ずる
【請求項３３】
前記検出器が電気信号を配信するべく構成された駆動回路を含み、前記第一物理パラメータに生じる変化が前記目標分子と前記鋳型分子の乖離に対応することを特徴とする請求項２８に記載のデバイス。
【請求項３４】
前記第一および第二の表面の少なくとも一方がガラス、石英、珪素、およびポリマーの内の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３５】
前記鋳型分子はチオール、金、ビオチン、およびストレプタビジンの内の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３６】
第一の表面に設けられた第一の接合点と第二の表面に設けられた第二の接合点を含む少なくとも二箇所の接合点の間に繋ぎつけられた鋳型分子に目標分子を暴露することと、
対照点と対比する形で前記第一の接合点を利用して測定した第一物理パラメータの変化の関数として出力信号を生成することとを備えた方法であって、
前記鋳型分子は前記目標分子を捕捉するための部位を少なくとも一箇所に有すること、ならびに
前記第一物理パラメータの同変化が前記目標分子と前記鋳型分子との会合に対応するものであることを特徴とする方法。
【請求項３７】
前記対照点に対する前記第一の接合点の共鳴振動の周波数を監視すること、
前記対照点に対する前記第一の接合点の共鳴振動の振幅を監視すること、
前記第一の接合点と前記対照点との間の距離を監視すること、および
前記第一の接合点と前記対照点との間の配列関係を監視することを更に含むことを特徴とする請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記対照点が前記第二の接合点を含むことを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記第一の表面を共鳴振動させるべく駆動することを更に含むこと特徴とする請求項３６に記載の方法。
【請求項４０】
前記鋳型分子を利用し、同鋳型分子を暴露する前に電流を流すことを更に含むことを特徴とする請求項３６に記載の方法。
【請求項４１】
前記鋳型分子を利用し、徐々に強くなる電流を流すこと、
前記鋳型分子と前記目標分子の乖離に対応した電圧ピークを監視すること、
前記電圧ピークでの前記電流の関数として出力を生成することを更に含むことを特徴とする請求項３６に記載の方法。
【請求項４２】
前記鋳型分子に、徐々に大きくなる電圧を印加すること、
前記鋳型分子と前記目標分子の乖離に対応した電流ピークを監視すること、
前記電流ピークでの前記電圧の関数として出力を生成することを更に含むことを特徴とする請求項３６に記載の方法。
【請求項４３】
前記鋳型分子に電気信号を与えて前記目標分子の結合を解くことを更に含むことを特徴とする請求項３６に記載の方法。
【請求項４４】
試料を受け入れるための目標分子導入口、
前記目標分子導入口と連通した位置に配置された鋳型分子を保有しているセンサーであって、該鋳型分子は第一の表面上の第一の接合点と第二の表面上の第二の接合点との間に設置され、かつ目標分子を捕捉するための部位を少なくとも一箇所に有するものであり、前記第一の表面は前記第二の表面から独立したものであるセンサー、
前記第一の接合点に接続されており、前記鋳型分子と前記目標分子間の会合に対応する、前記第一の接合点の測定対象パラメータの変化に基づいて、出力信号を生成するように構成された検出器、および
前記出力信号に基づいた結果を提供する出力回路
を含んで構成されるシステム。
【請求項４５】
それぞれがマルチプレクサを経由して前記検出器に接続されている複数のセンサーを更に含むことを特徴とする請求項４４に記載のシステム。
【請求項４６】
メモリにアクセスできるプロセッサが前記検出器に接続されており、前記メモリが前記測定対象パラメータの変化に基づいて目標分子の同定を実施するためのデータ保存を提供することを特徴とする請求項４４に記載のシステム。
【請求項４７】
前記出力回路はインターフェース、表示装置、および無線送受信機の内の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項４４に記載のシステム。
【請求項４８】
前記鋳型分子に接続された、前記鋳型分子の電気伝導度を測定するための試験回路を更に含むことを特徴とする請求項４４に記載のシステム。
【請求項４９】
前記鋳型分子に接続された、前記鋳型分子から目標分子の結合を解くためのリセット回路を更に含むことを特徴とする請求項４４に記載のシステム。
【請求項５０】
前記目標分子導入口、前記センサー、前記検出器、および前記出力回路の内の少なくとも一つを収容するためのハウジングを更に有することを特徴とする請求項４４に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
同図において、鋳型分子２２０は、相補的な捕捉相手が会合していない状態にあり、カンチレバー２０５Ａはリラックスしたすなわち無負荷の状態にある。別の様々な状態にあるカンチレバー２０５Ａは点線で示されている。例えば、カンチレバー２０５Ｂは、捕捉相手が鋳型２２０に会合している時のものである。カンチレバー２０５Ｂは、カンチレバー２０５Ａの位置から下方に距離Ｄ１だけ移動している。鋳型分子２２０は弱い親和力しか持たない捕捉相手と会合している。カンチレバー２０５Ｃは、異なるタイプの捕捉相手が鋳型２２０に絡まっている時のものである。カンチレバー２０５Ｃはカンチレバー２０５Ａの位置から下方に距離Ｄ２だけ移動している。カンチレバー２０５Ｃは鋳型分子２２０が、カンチレバー２２０Ｂに対応するケースの捕捉相手よりも高い親和力を持つタイプの捕捉相手と会合しているケースに対応する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
一例にあっては、センサー内の一箇所にマイクロ電子機械（ＭＥＭＳ）チップ上の動作型要素部品を架橋する一本鎖ＤＮＡ（ｓｓＤＮＡ）が配置されそこに接合されている一本鎖ＤＮＡ（ｓｓＤＮＡ）を有する。一例では、数百または数千のこのような箇所が一つのチップ上に配置・形成されている。接合されるｓｓＤＮＡとしては各々特定のものが選ばれており、それぞれ必要とされる生体物質から抽出された相補的配列を有する分子鎖断片とハイプリダイズ（会合）する。この様にして生起したハイブリダイゼーション（会合）は、接合された分子鎖の物理的長さと導電率の両方を変化させる。これら変化に係る物理量は、高いＳＮ比が得られる条件領域において当該ＭＥＭＳシステムによって測定される。これら物理量の変化の大きさは、接合された当該ＤＮＡ鎖と生体物質由来ＤＮＡ鎖の間のマッチングの度合いに依存して定まる。したがって、生体物質の他との違いの程度（すなわち特異度）の測定が可能となる。当該検出、同定ならびに識別の目的が達せられた暁には、高い電流値の電流を分子に流す手法で、前記生体物質由来のＤＮＡは前記接合された側の分子鎖から追い出され、その結果、当該センサーは次なる検出。同定試験に入るためのリセットが行われたことになる。接合された当該ｓｓＤＮＡが（その相補体が存在しない状態で）正しく接合されていると小さいながらも測定可能な大きさの電流を流すことができるため、自己試験という形で同センサーが正常に機能する状態にあることの確認が可能である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９１】
上記とは異なり本発明の実施にあってはＡＭＦが一本鎖や二本鎖をその軸方向に連なる結合を切断するのに要する力を測定したり、結合したＤＮＡ分子の動きによる動きによって引き起こされるＡＦＭ先端部の位置移動を検出・測定したりするのに使用された。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１６】
当該回路が鋳型ｓｓＤＮＡ分子を含んで構成・完成されることから当該回路にあっては前述した第三の現象の測定も可能となる。すなわち、高次構造の破壊の工程を完遂できることである。当該回路は印加する電圧をｄｓＤＮＡの高次構造を破壊するに必要な電流が流れるまでに大きくできる。この機能によって、検出用部分はそれ自身をリセットでき、すなわち、一度検出事象を経験した後においてその時当該デバイスの鋳型部分に結合した病原体を振り放つことができる。振り放たれた目標ｓｓＤＮＡ分子は当該デバイス内を移動・通過する混合体物質と共にその近辺から除去される。その後、電圧は検出体制にある時の所定電圧まで下げられ、当該検出用部分は新たな検出事象の発生を待つことになる。