【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細構造体を形成する微細加工方法であって、放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある基板を通してこの基板上にあるネガ型フォトレジスト層内に照射し、このネガ型フォトレジスト層の放射線ビームに照射された部分が現像後に残る形で、この放射線感応層内に微細構造体を結像させる工程を含む微細加工方法。
【請求項２】
前記ネガ型フォトレジスト層は前記微細構造体よりも層厚が厚く、放射線ビームを照射する工程は、放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある基板を通してこの基板上にあるネガ型フォトレジスト層内に照射してこのネガ型フォトレジスト層内に、埋め込まれた微細構造体を、前記基板に隣接するように結像させることから成る請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項３】
前記微細構造体の少なくとも一部のものはそれぞれ基底部（ベース）とこの基底部よりも幅が狭い上端部（トップ）とを含んでおり、放射線ビームを照射する工程は、放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある基板を通してこの基板上にあるネガ型フォトレジスト層内に照射してこのネガ型フォトレジスト層内に微細構造体をその基底部が前記基板に隣接しかつその上端部が前記基板からは離れているように結像させることから成る請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項４】
前記ネガ型フォトレジスト層は全体にわたってその厚みが変動するとともに、このネガ型フォトレジスト層の最小の厚みは前記微細構造体よりも厚くなっており、放射線ビームを照射する工程は、放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある基板を通してこの基板上にあるネガ型フォトレジスト層内に照射して、このネガ型フォトレジスト層内に、このネガ型フォトレジスト層の変動する厚みとは無関係に、埋め込まれた微細構造体を前記基板に隣接するように結像させることから成る請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項５】
前記ネガ型フォトレジスト層はこの層上に前記基板から離れたところに不純物を含むとともに、このネガ型フォトレジスト層は前記微細構造体よりも層厚が厚くなっており、放射線ビームを照射する工程は、放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある基板を通してこの基板上にあるネガ型フォトレジスト層内に照射して、このネガ型フォトレジスト層内に、前記不純物によって歪められることなく、埋め込まれた微細構造体を前記基板に隣接するように結像させることから成る請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項６】
前記基板はフレキシブル基板である請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項７】
前記ネガ型フォトレジスト層はシリンダ形プラットフォーム上にあるとともに前記基板はこのネガ型フォトレジスト層上にあってそのシリンダ形プラットフォームからは離れており、放射線ビームを照射する工程は、
前記シリンダ形プラットフォームをその軸の周りに回転させ、それと同時に放射線ビームを前記基板を通して前記ネガ型フォトレジスト層の少なくとも一部分にわたって軸方向にラスタ走査して前記ネガ型フォトレジスト層内に前記微細構造体を結像させることから成る請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項８】
同時に前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを軸方向に互いに相対的に並進させることを更に含む請求項７に記載の微細加工方法。
【請求項９】
同時に放射線ビームの振幅を連続的に変化させることを更に含む請求項８に記載の微細加工方法。
【請求項１０】
前記基板は一辺が少なくとも３０．４８ｃｍ（１フィート）四方の面積を有する請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１１】
放射線ビームを照射する工程は前記基板上において少なくとも１時間にわたって継続的に実行される請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１２】
放射線ビームを照射する工程は少なくとも百万個の微細構造体を形成するために前記基板上において少なくとも１時間にわたって継続的に実行される請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１３】
前記微細構造体は光学的（オプティカル）微細構造体および／または機械的（メカニカル）微細構造体から成る請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１４】
微細構造マスタ型を形成するために前記ネガ型フォトレジスト層内に結像した微細構造体を現像する工程を更に含む請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１５】
前記基板は、シリンダ形、楕円形または多角形の形状である請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１６】
放射線ビームを照射しながら前記基板および／または放射線ビームを互いに相対的に並進させることを更に含む請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１７】
複数の第２世代のスタンパを前記マスタ型から直接形成する工程と、
複数の第３世代の微細構造最終製品をスタンパから直接形成する工程と
を更に含む請求項１４に記載の微細加工方法。
【請求項１８】
前記ネガ型フォトレジスト層はプラットフォーム上にあってこのプラットフォームと前記ネガ型フォトレジスト層との間には少なくとも１つの層が介在しており、前記基板は前記ネガ型フォトレジスト層上にあって前記プラットフォームからは離れており、放射線を照射する工程の後に、前記ネガ型フォトレジスト層と前記プラットフォームとの間に介在する層を取り除く工程が更に実行される請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１９】
前記ネガ型フォトレジスト層と前記プラットフォームとの間に介在する層を取り除く工程は、
前記ネガ型フォトレジスト層と前記プラットフォームとの間に介在する層をそのプラットフォームから分離することと、
前記ネガ型フォトレジスト層と前記プラットフォームとの間に介在する層をそのネガ型フォトレジスト層から分離すること
を含む、請求項１８に記載の微細加工方法。
【請求項２０】
微細構造体を形成するための微細加工システムであって、
結像（イメージング）周波数にある放射線に感応するネガ型フォトレジスト層とその結像周波数に対して透過性のある基板とをその上に保持するように構成されたプラットフォームと、
前記結像周波数にある放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある前記基板を通して前記ネガ型フォトレジスト層内に照射し、このネガ型フォトレジスト層の放射線ビームに照射された部分が現像後に残る形で、このネガ型フォトレジスト層内に微細構造体を結像させるように構成された放射線ビームシステムと
を備えてなる微細加工システム。
【請求項２１】
前記ネガ型フォトレジスト層は前記微細構造体よりも層厚が厚く、前記放射線ビームシステムは、放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある前記基板を通してこの基板上にあるネガ型フォトレジスト層内に照射してこのネガ型フォトレジスト層内に、埋め込まれた微細構造体を、前記基板に隣接するように結像させるように構成されている請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項２２】
前記微細構造体の少なくとも一部のものはそれぞれ基底部（ベース）とこの基底部よりも幅が狭い上端部（トップ）とを含んでおり、前記放射線ビームシステムは、放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある前記基板を通してこの基板上にあるネガ型フォトレジスト層内に照射してこのネガ型フォトレジスト層内に微細構造体をその基底部が前記基板に隣接しかつその上端部が前記基板からは離れているように結像させるように構成されている請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項２３】
前記ネガ型フォトレジスト層は全体にわたってその厚みが変動するとともに、このネガ型フォトレジスト層の最小の厚みは前記微細構造体よりも厚くなっており、前記放射線ビームシステムは、放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある前記基板を通してこの基板上にあるネガ型フォトレジスト層内に照射して、このネガ型フォトレジスト層内に、このネガ型フォトレジスト層の変動する厚みとは無関係に、埋め込まれた微細構造体を前記基板に隣接するように結像させるように構成されている請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項２４】
前記ネガ型フォトレジスト層はこの層上に前記基板から離れたところに不純物を含むとともに、このネガ型フォトレジスト層は前記微細構造体よりも層厚が厚くなっており、前記放射線ビームシステムは、放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある前記基板を通してこの基板上にあるネガ型フォトレジスト層内に照射して、このネガ型フォトレジスト層内に、前記不純物によって歪められることなく、埋め込まれた微細構造体を前記基板に隣接するように結像させるように構成されている請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項２５】
前記基板はフレキシブル基板である請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項２６】
前記プラットフォームはシリンダ形プラットフォームであり、当該システムは、
前記シリンダ形プラットフォームをその軸の周りに回転させ、それと同時に放射線ビームを前記基板を通して前記ネガ型フォトレジスト層の少なくとも一部分にわたって軸方向にラスタ走査してそのネガ型フォトレジスト層内に前記微細構造体を結像させるように構成されたコントローラを更に備える請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項２７】
前記コントローラは更に、前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを軸方向に互いに相対的に並進させるように構成されている請求項２６に記載の微細加工システム。
【請求項２８】
前記コントローラは更に、同時に放射線ビームの振幅を連続的に変化させるように構成されている請求項２７に記載の微細加工システム。
【請求項２９】
前記基板は一辺が少なくとも３０．４８ｃｍ（１フィート）四方の面積を有する請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項３０】
前記コントローラは更に、放射線ビームを前記基板上に少なくとも１時間にわたって継続的に照射するように構成されている請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項３１】
前記コントローラは更に、少なくとも百万個の微細構造体を形成するために放射線ビームを前記基板上に少なくとも１時間にわたって継続的に照射するように構成されている請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項３２】
前記微細構造体は光学的微細構造体および／または機械的微細構造体から成ることを特徴とする請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項３３】
微細構造マスタ型を形成するために前記ネガ型フォトレジスト層内に結像した微細構造体を現像するように構成された現像ステーションを更に備える請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項３４】
前記プラットフォームはその上に前記ネガ型フォトレジスト層を保持し、そのネガ型フォトレジスト層と当該プラットフォームとの間に少なくとも１つの層を介在させるように構成されている請求項２０に記載の微細加工システム。
【請求項３５】
基板と、
前記基板上に積層したネガ型フォトレジストから成る層であってこの層内に複数の微細構造体を画定するために放射線が照射された被照射層と
を備えてなり、
前記ネガ型フォトレジストは結像周波数の放射線に対して感応性があり、前記基板はその外側表面から前記ネガ型フォトレジスト層上のこの層に直接接触している表面まで前記結像周波数に対して透過性があることを特徴とする微細構造製品。
【請求項３６】
前記複数の微細構造体は、前記基板に隣接した基底部（ベース）と、この基底部よりも幅が狭く前記基板から離れている上端部（トップ）とを含むものである請求項３５に記載の微細構造製品。
【請求項３７】
前記基板はフレキシブル基板である請求項３５に記載の微細構造製品。
【請求項３８】
前記基板およびネガ型フォトレジストから成る前記被照射層は光学的微細構造マスタ型製品を提供する請求項３５に記載の微細構造製品。
【請求項３９】
前記複数の微細構造体は、前記基板に隣接した基底部と前記基板から離れている上端部とを含む複数の半球形セクションから成る請求項３５に記載の微細構造製品。
【請求項４０】
前記基板は、シリンダ形、楕円形または多角形の形状である請求項３５に記載の微細構造製品。
【請求項４１】
前記基板は一辺が少なくとも３０．４８ｃｍ（１フィート）四方の面積を有する請求項３５に記載の微細構造製品。
【請求項４２】
前記微細構造体は光学的微細構造体および／または機械的微細構造体から成る請求項３５に記載の微細構造製品。
【請求項４３】
前記複数の微細構造体は少なくとも百万個の微細構造体から成る請求項３５に記載の微細構造製品。
【請求項４４】
ネガ型フォトレジストから成る前記被照射層の上に前記基板から離れている層を更に備える請求項３５に記載の微細構造製品。