【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多極静電チャック用のクランププレートを形成する方法であって、
半導体プラットフォーム上に第１電気伝導層を形成するとともに、この第１電気伝導層の複数の部分を互いに電気的に分離するように形成する段階と、
前記第１電気伝導層上に、第１距離だけ伸びる複数のＭＥＭＳ突起を有する頂部表面を含む第１電気絶縁層を形成する段階と、
前記第１電気伝導層の複数の部分にそれぞれ電気接続される複数の極を形成する段階とを含み、
前記複数の極間に印加される電圧が、前記クランププレートに静電力を誘導するように作動可能であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１電気伝導層を形成する段階は、前記半導体プラットフォーム上にポリシリコン層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１電気伝導層を形成する段階は、さらに、ポリシリコン層上に金属層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
第１電気伝導層は、半導体プラットフォームの頂部表面上に形成され、さらに、前記半導体プラットフォームの底部表面上に第２電気伝導層を形成するステップを含み、前記第２電気伝導層の複数の部分は、電気的に互いに絶縁されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第１電気伝導層および第２電気伝導層は、同時に形成されることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第１電気伝導層の複数の部分を前記第２電気伝導層の複数の部分に電気接続する複数の垂直な電気接続部を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項７】
前記複数の垂直な電気接続部を形成するステップは、前記半導体プラットフォームの側壁上に複数の側壁接点を形成し、該複数の側壁接点は、互いに電気的に分離されかつ前記第１電気導電層および第２電気伝導層の複数の部分のそれぞれに電気接続することを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記複数の側壁接点は、半導体プラットフォーム上に導電材料の蒸着で構成されることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記複数の側壁接点は、ポリシリコン、タングステンシリサイド、タングステン、またはチタンの１つまたはそれ以上を蒸着することを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記第１電気伝導層、第２電気伝導層、および複数の側壁接点の形成は、ほぼ同時に形成されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項１１】
前記第２電気伝導層を形成する段階は、タングステンシリサイド、タングステン、またはチタンの１つまたはそれ以上を蒸着することからなる請求項４記載の方法。
【請求項１２】
前記第２電気伝導層上にベースプレートを形成するステップをさらに含み、前記ベースプレートは、前記半導体プラットフォームを介して基板から前記ベースプレートに熱エネルギーを伝達するように作動可能であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項１３】
前記ベースプレートを形成するステップは、互いに電気的に分離した複数の部分を有する第３電気伝導層を形成することを含み、前記第２電気伝導層の複数の部分のそれぞれに前記第３電気伝導層の複数の部分を電気接続することを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の極を形成する段階は、前記第３電気伝導層の複数の部分に複数の電極を接着することを含んでいる請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記ベースプレートは、アモルファスシリコンプレートからなり、このプレートは、その上に酸化物層を形成し、前記第３電気伝導層が前記酸化物層上に形成されていることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記第３電気伝導層を形成する段階は、タングステンシリサイド、タングステン、またはチタンの１つまたはそれ以上を蒸着することからなる請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
前記ベースプレートを形成するステップは、前記第２電気伝導層の複数の部分上に１つ以上の金属を蒸着することを含んでいる請求項１２記載の方法。
【請求項１８】
前記ベースプレートを形成するステップは、前記第２電気伝導層に前記ベースプレートを真空ろう付けすることを含んでいる請求項１２記載の方法。
【請求項１９】
前記ベースプレートを形成するステップは、前記ベースプレートおよび第２電気伝導層との間に電気伝導性エポキシを付加することを含んでいる請求項１２記載の方法。
【請求項２０】
前記ベースプレートを貫通する１つ以上の流体導管を形成するステップをさらに含み、冷却流体がベースプレートを介して冷却流体が流れるように作動可能であることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項２１】
前記ベースプレート内に熱源を形成するステップをさらに含み、前記熱源は、クランププレートを選択的に加熱するように作動可能であることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項２２】
前記第１電気伝導層を形成する段階は、タングステンシリサイド、タングステン、またはチタンの１つまたはそれ以上を蒸着することからなる請求項１記載の方法。
【請求項２３】
前記半導体プラットフォームは、シリコン基板からなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２４】
前記第１電気伝導層は、二酸化けい素からなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２５】
前記第１電気絶縁層、前記第１電気伝導層および前記半導体プラットフォームに、１つ以上のガス分配溝を形成するステップをさらに含み、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２６】
前記１つ以上のガス分配溝を形成するステップは、前記第１電気絶縁層、前記第１電気伝導層、および半導体プラットフォームをエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
前記半導体プラットフォーム、前記第１電気伝導層、および前記第１電気絶縁層を貫通する１つ以上のガス分配穴を形成するステップをさらに含み、前記１つ以上のガス分配穴の少なくとも１つは、前記１つ以上のガス分配溝の少なくとも１つを貫通して形成されることを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
前記１つ以上のガス分配穴を形成するステップは、前記第１電気絶縁層、前記第１電気伝導層、および半導体プラットフォームを反応性イオンエッチングすることからなる請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記複数のＭＥＭＳ突起を形成するステップは、
半導体基板の頂部表面上に複数の谷部を形成するためのマスクを前記第１電気絶縁層上に形成し、
前記複数の谷部間内に前記第１電気絶縁層をエッチングし、
前記マスクを取り除き、前記谷部間に前記複数のＭＥＭＳ突起を形成する、各ステップを含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３０】
前記第１電気絶縁層をエッチングするステップは、エッチング停止用として前記第１電気伝導層を用いることを特徴とする請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
前記第１電気絶縁層を半導体プラットフォーム上に形成した後、この半導体プラットフォーム上に保護層をさらに形成し、前記保護層をエッチング停止用として用いて前記第１電気絶縁層をエッチングすることを特徴とする請求項２９記載の方法。
【請求項３２】
前記保護層を形成するステップは、前記第１電気伝導層および半導体プラットフォーム上に窒化層を蒸着するステップを含んでいることを特徴とする請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
前記半導体プラットフォームの底部表面上の前記保護層を取り除くステップをさらに含むことを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項３４】
前記第１電気伝導層を形成するステップは、前記半導体基板上にポリシリコンを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３５】
前記複数のＭＥＭＳ突起は、基板がこれらの突起に接触できるように形成されて、突起接触領域を形成し、基板の表面領域に対する突起接触領域の比が、約0.02〜0.2の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３６】
前記基板の表面領域に対する前記突起接触領域の比が約0.10であることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
第１距離が約１ミクロンであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３８】
クランププレートを貫通する温度センサ穴を形成し、温度センサを前記温度センサ穴内に挿入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３９】
前記半導体プラットフォームは、複数の半導体セグメントのモザイクからなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４０】
複数の前記半導体セグメントのモザイクは、ドーパントされたシリコンから構成されることを特徴とする請求項３９記載の方法。
【請求項４１】
前記複数の半導体セグメント上に前記第１電気伝導層を形成するステップは、前記第１電気伝導層を前記複数の半導体セグメント上に形成し、前記第１電気伝導層の複数の部分のそれぞれが、１つ以上の前記複数の半導体セグメント上に形成されることを特徴とする請求項３９記載の方法。
【請求項４２】
前記複数の半導体セグメント上に形成された前記第１電気伝導層の複数の部分のそれぞれの間に、電気絶縁体を挿入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３９記載の方法。
【請求項４３】
前記電気絶縁体は、セラミックスペーサからなることを特徴とする請求項４２記載の方法。
【請求項４４】
前記第１電気絶縁体層が前記半導体プラットフォーム上に形成した後に、前記半導体プラットフォーム上に保護層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４５】
前記保護層を形成するステップは、前記第１電気伝導層および半導体プラットフォーム上に窒化層を蒸着するステップを含んでいることを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項４６】
前記半導体プラットフォームの底部表面上の前記保護層を取り除くステップをさらに含むことを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４７】
前記第１電気伝導層を形成するステップは、電気伝導材料の化学蒸着からなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４８】
前記第１電気伝導層を形成するステップは、タングステンシリサイドの化学蒸着からなることを特徴とする請求項４７記載の方法。
【請求項４９】
前記半導体プラットフォームは、このプラットフォーム上に形成された酸化物を有するシリコン基板からなることを特徴とする請求項１記載の方法。