【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを製造するための装置であって、前記装置は
処理ツールを含み、前記処理ツールは
複数のプロセスチャンバを含み、前記プロセスチャンバの各々は複数の動作パラメータにより規定される予め定められた動作を実行することができ、前記処理ツールはさらに
前記プロセスチャンバの各々に対して前記動作パラメータを設定することができる動作コントローラを含み、前記装置はさらに
前記プロセスチャンバの各々からの処理されたウェハの物理的特性を検査し、かつ前記検査の結果を出力することができる、検査ステーションと、
前記検査結果を受け、前記プロセスチャンバの前記動作パラメータが整合するかどうかを判断し、かつ、これに応じて前記動作パラメータの少なくともあるものを再設定するよう前記動作コントローラに命令して前記プロセスチャンバでの動作条件を整合させることができる、ツールコントローラとを含む、装置。
【請求項２】
前記処理ツールは、蒸着ツールおよび急速熱処理ツールのうちの１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記処理ツールは、化学蒸着ツールおよび金属蒸着ツールのうちの１つを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記プロセスチャンバは蒸着チャンバを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記動作パラメータは、ＲＦ電力、シラン流れ、Ｎ2Ｏ流れ、温度、圧力、蒸着時間、前記ウェハとターゲットとの間の間隔、ＤＣバイアス、およびエッチ時間のうち、少なくとも１つを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記物理的特性は、酸化物厚み、抵抗率、均一性、屈折率、応力、および温度プロフィールのうちの１つを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記急速熱処理ツールは、急速熱酸化ツールおよび急速熱アニールツールのうちの１つ
を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記プロセスチャンバは炉を含む、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記動作パラメータは、ＲＦ電力、シラン流れ、Ｎ2Ｏ流れ、温度、圧力、蒸着時間、前記ウェハとターゲットとの間の間隔、ＤＣバイアス、およびエッチ時間のうち、少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記物理的特性は、酸化物厚み、抵抗率、均一性、屈折率、応力、および温度プロフィールのうちの１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記検査ステーションは、前記処理ツールの内にある、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記動作コントローラは、プログラムされたコンピュータを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記プログラムされたコンピュータは、埋込型プロセッサ、デスクトップパーソナルコンピュータ、ラップトップ、ワークステーションおよびメインフレームのうちの１つを含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ツールコントローラは、プログラムされたコンピュータである、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記プログラムされたコンピュータは、埋込型プロセッサ、デスクトップパーソナルコンピュータ、ラップトップ、ワークステーションおよびメインフレームのうちの１つを含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
半導体デバイスを製造するための装置であって、前記装置は
処理ツールを含み、前記処理ツールは
ウェハを処理するための複数の処理手段を含み、前記処理手段の各々は複数の動作パラメータにより規定される予め定められた動作を実行することができ、前記処理ツールはさらに
前記処理手段の各々に対して前記動作パラメータを設定するための設定手段を含み、前記装置はさらに
プロセスチャンバの各々からの処理されたウェハの物理的特性を検査し、かつ前記検査の結果を出力するための検査手段と、
前記検査結果を受け、前記処理手段の前記動作パラメータが整合するかどうかを判断し、かつ、これに応じて前記動作パラメータの少なくともあるものを再設定するよう前記設定手段に命令して前記処理手段での動作条件を整合させることができる、ツールコントローラとを含む、装置。
【請求項１７】
前記処理ツールは、蒸着ツールおよび急速熱処理ツールのうちの１つを含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記蒸着ツールは、化学蒸着ツールおよび金属蒸着ツールのうちの１つを含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記処理手段は蒸着チャンバを含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記動作パラメータは、ＲＦ電力、シラン流れ、Ｎ2Ｏ流れ、温度、圧力、蒸着時間、
前記ウェハとターゲットとの間の間隔、ＤＣバイアス、およびエッチ時間のうち、少なくとも１つを含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２１】
前記物理的特性は、酸化物厚み、抵抗率、均一性、屈折率、応力、および温度プロフィールのうちの１つを含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２２】
前記急速熱処理ツールは、急速熱酸化ツールおよび急速熱アニールツールのうちの１つを含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項２３】
前記処理手段は炉を含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記動作パラメータは、ＲＦ電力、シラン流れ、Ｎ2Ｏ流れ、温度、圧力、蒸着時間、前記ウェハとターゲットとの間の間隔、ＤＣバイアス、およびエッチ時間のうち、少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項２５】
前記物理的特性は、酸化物厚み、抵抗率、均一性、屈折率、応力、および温度プロフィールのうちの１つを含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項２６】
前記検査手段は、前記処理ツールの内にある、請求項１６に記載の装置。
【請求項２７】
前記設定手段は、プログラムされたコンピュータを含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項２８】
前記プログラムされたコンピュータは、埋込型プロセッサ、デスクトップパーソナルコンピュータ、ラップトップ、ワークステーションおよびメインフレームのうちの１つを含む、請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記ツールコントローラは、プログラムされたコンピュータである、請求項１６に記載の装置。
【請求項３０】
前記プログラムされたコンピュータは、埋込型プロセッサ、デスクトップパーソナルコンピュータ、ラップトップ、ワークステーションおよびメインフレームのうちの１つを含む、請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
半導体製造プロセスにおけるプロセスツールの動作を制御するための方法であって、前記方法は
マルチチャンバプロセスツールにある複数のプロセスチャンバの各々における予め定められた動作の処置に関して複数の動作パラメータを設定するステップと、
前記プロセスチャンバの各々において前記予め定められた動作を実行するステップと、
前記プロセスチャンバの各々からの処理されたウェハの物理的特性を検査するステップと、
前記プロセスチャンバの各々における動作条件が整合するかどうかを前記検査された物理的特性から判断するステップと、
前記プロセスチャンバの各々における前記動作条件が整合するように少なくとも１つの動作パラメータを再設定するステップとを含む、方法。
【請求項３２】
前記動作パラメータは、ＲＦ電力、シラン流れ、Ｎ2Ｏ流れ、温度、圧力、蒸着時間、前記ウェハとターゲットとの間の間隔、ＤＣバイアス、およびエッチ時間のうち、少なくとも１つを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記物理的特性は、酸化物厚み、抵抗率、均一性、屈折率、応力、および温度プロフィ
ールのうちの１つを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
コード化された命令を有するコンピュータ読出可能なプログラム記憶媒体であって、前記命令は、コンピュータによって実行されると、
製造ツール内の複数のプロセスチャンバの各々からの処理されたウェハの物理的特性を検査するステップと、
前記プロセスチャンバの各々における動作条件が整合するかどうかを前記検査された物理的特性から判断するステップと、
前記プロセスチャンバの各々における前記動作条件が整合するように少なくとも１つの動作パラメータを再設定するステップとを含む方法を実行する、コンピュータ読出可能なプログラム記憶媒体。
【請求項３５】
前記プログラム記憶媒体は、電磁プログラム記憶媒体である、請求項３４に記載のコンピュータ読出可能なプログラム記憶媒体。
【請求項３６】
前記電磁プログラム記憶媒体は、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、およびテープのうちの１つである、請求項３５に記載のコンピュータ読出可能なプログラム記憶媒体。
【請求項３７】
前記プログラム記憶媒体は、光学プログラム記憶媒体である、請求項３４に記載のコンピュータ読出可能なプログラム記憶媒体。
【請求項３８】
前記光学プログラム記憶媒体は、光ディスクである、請求項３７に記載のコンピュータ読出可能なプログラム記憶媒体。
【請求項３９】
前記動作パラメータは、ＲＦ電力、シラン流れ、Ｎ2Ｏ流れ、温度、圧力、蒸着時間、前記ウェハとターゲットとの間の間隔、ＤＣバイアス、およびエッチ時間のうち、少なくとも１つを含む、請求項３４に記載のコンピュータ読出可能なプログラム記憶媒体。
【請求項４０】
前記物理的特性は、酸化物厚み、抵抗率、均一性、屈折率、応力、および温度プロフィールのうちの１つを含む、請求項３４に記載のコンピュータ読出可能なプログラム記憶媒体。
【請求項４１】
ウェハ製造プロセスを制御するようにプログラムされたコンピュータであって、前記コンピュータは、
製造ツール内の複数のプロセスチャンバの各々からの処理されたウェハの物理的特性を検査するステップと、
前記プロセスチャンバの各々における動作条件が整合するかどうかを前記検査された物理的特性から判断するステップと、
前記プロセスチャンバの各々における前記動作条件が整合するように少なくとも１つの動作パラメータを再設定するステップとを含む方法を実行するようにプログラムされる、プログラムされたコンピュータ。
【請求項４２】
前記プログラムされたコンピュータは、埋込型プロセッサ、デスクトップパーソナルコンピュータ、ラップトップ、ワークステーションおよびメインフレームのうちの１つを含む、請求項４１に記載のプログラムされたコンピュータ。
【請求項４３】
前記動作パラメータは、ＲＤ電力、シラン流れ、Ｎ2Ｏ流れ、温度、圧力、蒸着時間、前記ウェハとターゲットとの間の間隔、ＤＣバイアス、およびエッチ時間のうち、少なくとも１つを含む、請求項４１に記載のプログラムされたコンピュータ。
【請求項４４】
前記物理的特性は、酸化物厚み、抵抗率、均一性、屈折率、応力、および温度プロフィールのうちの１つを含む、請求項４１に記載のプログラムされたコンピュータ。
【請求項４５】
装置であって、前記装置は
処理ツールを含み、前記処理ツールは
複数のプロセスチャンバを含み、前記プロセスチャンバの各々は複数の動作パラメータにより規定される予め定められた動作を実行することができ、前記処理ツールはさらに
前記プロセスチャンバの各々に対して前記動作パラメータを設定することができる動作コントローラを含み、前記装置はさらに
前記プロセスチャンバの各々からの処理されたウェハの物理的特性を検査し、かつ前記検査の結果を出力することができる、検査ステーションと、
コンピュータシステムとを含み、前記コンピュータシステムは
前記検査結果を受け、前記プロセスチャンバの前記動作パラメータが整合するかどうかを判断し、かつ、これに応じて前記動作パラメータの少なくともあるものを再設定するよう前記動作コントローラに命令して前記プロセスチャンバでの動作条件を整合させることができる、ツールコントローラとを含む、装置。
【請求項４６】
前記処理ツールは、蒸着ツールおよび急速熱処理ツールのうちの１つを含む、請求項４５に記載の装置。
【請求項４７】
前記蒸着ツールは、化学蒸着ツールおよび金属蒸着ツールのうちの１つを含む、請求項４６に記載の装置。
【請求項４８】
前記プロセスチャンバは蒸着チャンバを含む、請求項４７に記載の装置。
【請求項４９】
前記動作パラメータは、ＲＦ電力、シラン流れ、Ｎ2Ｏ流れ、温度、圧力、蒸着時間、前記ウェハとターゲットとの間の間隔、ＤＣバイアス、およびエッチ時間のうち、少なくとも１つを含む、請求項４７に記載の装置。
【請求項５０】
前記物理的特性は、酸化物厚み、抵抗率、均一性、屈折率、応力、および温度プロフィールのうちの１つを含む、請求項４７に記載の装置。
【請求項５１】
前記急速熱処理ツールは、急速熱酸化ツールおよび急速熱アニールツールのうちの１つを含む、請求項４６に記載の装置。
【請求項５２】
前記プロセスチャンバは炉を含む、請求項５１に記載の装置。
【請求項５３】
前記動作パラメータは、ＲＦ電力、シラン流れ、Ｎ2Ｏ流れ、温度、圧力、蒸着時間、前記ウェハとターゲットとの間の間隔、ＤＣバイアス、およびエッチ時間のうち、少なくとも１つを含む、請求項４５に記載の装置。
【請求項５４】
前記物理的特性は、酸化物厚み、抵抗率、均一性、屈折率、応力、および温度プロフィールのうちの１つを含む、請求項４５に記載の装置。
【請求項５５】
前記ツールセンサは、温度計、タイマ、および圧力センサのうちの少なくとも１つを含む、請求項４５に記載の装置。
【請求項５６】
前記動作コントローラは、プログラムされたコンピュータを含む、請求項４５に記載の装置。
【請求項５７】
前記プログラムされたコンピュータは、埋込型プロセッサ、デスクトップパーソナルコンピュータ、ラップトップ、ワークステーションおよびメインフレームのうちの１つを含む、請求項５６に記載の装置。
【請求項５８】
前記ツールコントローラは、プログラムされたコンピュータである、請求項４５に記載の装置。
【請求項５９】
前記プログラムされたコンピュータは、埋込型プロセッサ、デスクトップパーソナルコンピュータ、ラップトップ、ワークステーションおよびメインフレームのうちの１つを含む、請求項５８に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図５では、図３−４で例示したものなどのいくつかの処理ツールを含む、製造プロセスフローを示す。この特定の実施例において、方法２００は商業的な生産中にいくつかのツール３１０ａ−３１０ｃで実現される。図２−４の例示的な実施例３００のモジュラリティ、スケーラビリティおよび柔軟性が十分に示される。ＡＰＣホストコンピュータ３４０の単一のＡＰＣシステムマネージャは、或る集中化されたロケーションからプロセスツールの各々へと指示を発することができる。ＡＰＣシステムはまた多くの規格を採用する。各マシンに関するモジュール式の統合コンポーネントによって、ＡＰＣシステムマネージャが全プロセスフローを管理することが可能になる。これは、ツール３１０ａ−３１０ｃが異なる動作を行なう異なる種類のツールであっても当てはまることである。