【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記構造式（Ｉ）の化合物：
【化１】
2003513974.tif 000001
［式中、
Ａｒは、モノ置換またはジ置換されたフェニル、ナフチル、ピリジル、フリル、チエニル、ピロリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソオキサゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、ピリミジル、ピラジニル、キノリル、イソキノリル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、ベンズイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサゾリル、インドリル、イソインドリル、プリニルまたはカルバゾリルであり；前記置換基は、水素、Ｃ１−６アルキル、ハロゲン、Ｃ３−６シクロアルキル、Ｃ１−３アシルアミノ、Ｃ１−４アルコキシ、Ｃ１−５アルコキシカルボニル、シアノ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、水酸基、アミノ、Ｃ１−４アルキルアミノ、ジ−Ｃ１−４アルキルアミノおよびＣ１−５アルキルカルボニルオキシからなる群から独立に選択され；
Ｒ１は、水素、ハロゲン、Ｃ１−１０アルキル、Ｃ３−６シクロアルキルおよびＣ１−３アルコキシからなる群から選択される。］の製造方法であって、
（ａ）下記構造式（ＶＩＩ）の化合物：
【化２】
2003513974.tif 000002
におけるイミダゾリン−２−オン二重結合を還元する段階；
（ｂ）下記構造式（ＶＩＩＩ）の化合物：
【化３】
2003513974.tif 000003
［式中、
Ｒ３はＣ１−４アルキル、フェニル、フェニル−Ｃ１−３アルキル、ジフェニルメチルまたはトリフェニルメチルである］におけるＲ３保護基を開裂させ、得られた生成物（Ｉ）を単離する段階
から選択される工程段階を有することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記構造式（ＶＩＩ）の化合物：
【化４】
2003513974.tif 000004
を、下記構造式（ＩＩ）の化合物：
【化５】
2003513974.tif 000005
におけるＲ３保護基を開裂させることで製造し；前記構造式（ＶＩＩＩ）の化合物：
【化６】
2003513974.tif 000006
を、構造式（ＩＩ）の化合物におけるイミダゾリン−２−オン二重結合を還元することで製造する請求項１に記載の方法。
【請求項３】  下記構造式（ＩＩ）の化合物：
【化７】
2003513974.tif 000007
を、下記構造式（ＩＩＩ）のアミン：
【化８】
2003513974.tif 000008
［式中、Ｒ２はＣ１−４アルキルであり；Ｒ３はＣ１−４アルキル、フェニル−Ｃ１−３アルキル、ジフェニルメチルまたはトリフェニルメチルである］を、ホスゲンもしくはホスゲン等価体および塩基存在下に下記構造式（ＩＶ）のアミン：
【化９】
2003513974.tif 000009
［式中、Ｒ１は上記で定義の通りである］で処理して、下記構造式（ＶＩ）の化合物：
【化１０】
2003513974.tif 000010
を製造し、次に酸水溶液で処理し、得られた生成物（ＩＩ）を単離することで構造式（ＩＩ）の化合物を製造する段階をさらに有する請求項２に記載の方法。
【請求項４】  下記構造式（ＩＩＩ）の化合物：
【化１１】
2003513974.tif 000011
を、下記構造式（Ｖ）の化合物：
【化１２】
2003513974.tif 000012
を、還元剤存在下にグリオキサール−１，１−ジ−Ｃ１−４アルキルアセタールで処理し、得られた生成物（ＩＩＩ）を単離することで製造する段階をさらに有する請求項３に記載の方法。
【請求項５】  Ｒ１が水素であり；Ａｒが６−メトキシ−ピリジン−３−イルである請求項１に記載の方法。
【請求項６】  Ａｒが（Ｓ）−（６−メトキシ−ピリジン−３−イル）である請求項５に記載の方法。
【請求項７】  Ｒ３がｔ−ブチルである請求項６に記載の方法。
【請求項８】  下記のものから選択される化合物または該化合物の医薬的に許容される塩。
【化１３】
2003513974.tif 000013
2003513974.tif 000014
【請求項９】  下記のものから選択される化合物。
【化１４】
2003513974.tif 000015
【請求項１０】  ３（Ｓ）−（６−メトキシ−ピリジン−３−イル）−β−アラニン・ｔｅｒｔ−ブチルエステルのパラ−トルエンスルホン酸塩。
【請求項１１】  前記イミダゾリン−２−オン二重結合を接触水素化によって還元する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  前記イミダゾリン−２−オン二重結合を接触水素化によって還元する請求項２に記載の方法。
【請求項１３】  Ｒ３がｔ−ブチルである請求項１に記載の方法。
【請求項１４】  Ｒ３がｔ−ブチルである請求項２に記載の方法。
【請求項１５】  前記ホスゲン等価体がビス（トリクロロメチル）カーボネート（トリホスゲン）である請求項３に記載の方法。
【請求項１６】  前記還元剤が、水素化ホウ素シアノナトリウムまたは水素化ホウ素トリアセトキシナトリウムである請求項４に記載の方法。
【請求項１７】  前記酸水溶液が硫酸水溶液である請求項３に記載の方法。
【請求項１８】  下記構造式（Ｉ）の化合物：
【化１５】
2003513974.tif 000016
［式中、
Ａｒは、モノ置換またはジ置換されたフェニル、ナフチル、ピリジル、フリル、チエニル、ピロリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソオキサゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、ピリミジル、ピラジニル、キノリル、イソキノリル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、ベンズイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサゾリル、インドリル、イソインドリル、プリニルまたはカルバゾリルであり；前記置換基は、水素、Ｃ１−６アルキル、ハロゲン、Ｃ３−６シクロアルキル、Ｃ１−３アシルアミノ、Ｃ１−４アルコキシ、Ｃ１−５アルコキシカルボニル、シアノ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、水酸基、アミノ、Ｃ１−４アルキルアミノ、ジ−Ｃ１−４アルキルアミノおよびＣ１−５アルキルカルボニルオキシからなる群から独立に選択され；
Ｒ１は、水素、ハロゲン、Ｃ１−１０アルキル、Ｃ３−６シクロアルキルおよびＣ１−３アルコキシからなる群から選択される。］の製造方法であって、
（ａ）下記構造式（ＩＩＩ）の化合物：
【化１６】
2003513974.tif 000017
［式中、Ｒ３はＣ１−４アルキルまたはフェニル−Ｃ１−３アルキルである］を、還元剤存在下に下記構造式（Ｖ）の化合物：
【化１７】
2003513974.tif 000018
をグリオキサール−１，１−ジ−Ｃ１−４アルキルアセタールで処理することで製造し、得られた生成物を単離する段階；
（ｂ）下記構造式（ＩＩ）の化合物：
【化１８】
2003513974.tif 000019
を、構造式（ＩＩＩ）のアミン：
【化１９】
2003513974.tif 000020
［式中、Ｒ２はＣ１−４アルキルであり；Ｒ３はＣ１−４アルキルまたはフェニル−Ｃ１−３アルキルである］をホスゲンまたはホスゲン等価体および塩基存在下に下記構造式（ＩＶ）のアミン：
【化２０】
2003513974.tif 000021
［式中、Ｒ１は上記で定義の通りである］で処理して下記構造式（ＶＩ）の化合物：
【化２１】
2003513974.tif 000022
を得て、それを次に酸水溶液で処理することで製造する段階；
（ｃ）前記Ｒ３保護基を開裂させる段階；および
（ｄ）下記構造式（ＩＩ）の化合物：
【化２２】
2003513974.tif 000023
におけるイミダゾリン−２−オン二重結合を還元する段階；ならびに
（ｅ）得られた生成物を単離する段階
を有することを特徴とする方法。
【請求項１９】  グリオキサール−１，１−ジ−Ｃ１−４アルキルアセタールがグリオキサール−１，１−ジメチルアセタールである請求項４に記載の方法。
【請求項２０】  前記イミダゾリン−２−オン二重結合を還元する段階（ｄ）を、Ｒ３保護基を開裂する段階（ｃ）の前に行う請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】  半水和物の形での３−｛２−オキソ−３−［３−（５，６，７，８−テトラヒドロ−［１，８］ナフチリジン−２−イル）−プロピル］イミダゾリジン−１−イル｝−３（Ｓ）−（６−メトキシ−ピリジン−３−イル）−プロピオン酸。
【請求項２２】  約６１℃のピーク温度を有する小さい吸熱および約１２２℃のピーク温度を有する大きい溶融吸熱ならびに約１１０℃の外挿開始温度を示す窒素下１０℃／分の加熱速度での示差走査熱量法曲線；Ｘ線粉末回折パターンから得られる３．５、３．７、４．３、５．０、５．７、７．１および７．５Åのスペクトルｄ−間隔の特徴的吸収帯域；ならびに２９２２、２８５４、１６９１、１４９５、１４６０、１３７７、１２８８、１２６４および７２３ｃｍ−１に吸収帯域を示すＦＴ−ＩＲスペクトラム（ＫＢｒで）を特徴とする請求項２１に記載の結晶半水和物。
【請求項２３】  下記化合物である請求項８に記載の化合物。
【化２３】
2003513974.tif 000024
【請求項２４】  ３．４、３．５、４．９、５．３、６．２および８．１のスペクトルｄ−間隔のＸ線粉末回折パターンＩ；３．５、３．６、４．８、５．５、６．０および８．３Åのスペクトルｄ−間隔のパターンＩＩ；３．４、３．５、３．６、３．８、４．１、５．０および１５．７Åのスペクトルｄ−間隔のパターンＩＩＩ；３．５、３．８〜３．９、４．４、４．５〜４．６、６．４、１２．６および１８．９〜１９．０Åのスペクトルｄ−間隔のパターンＩＶ；３．５、３．８〜３．９、４．４、４．５〜４．６、６．４、１３．０および１８．９〜１９．０Åのスペクトルｄ−間隔のパターンＶ；あるいは３．５、３．８〜３．９、４．４、４．５〜４．６、６．４、１５．７および１８．９〜１９．０Åのスペクトルｄ−間隔のパターンＶＩから得られる特徴的吸収帯域を特徴とする請求項２３に記載の結晶化合物。