(57)【要約】【課題】  複数の磁気抵抗素子、基準素子および監視素子を形成するステップを含む、磁気ヘッドを製造するための例示的な方法を提供する。【解決手段】  基準素子は磁気抵抗素子および監視素子よりも小さな所望のストライプ高さを含む。材料は、たとえばラッピングによって空気／テープ軸受面から除去され、これにより、磁気抵抗素子および監視０子の同様の特徴と比較される。監視素子の特徴は材料が除去されると変化する。材料は、監視素子の特徴と基準素子の特徴とが実質的に等しくなるまで軸受面から磁気され得るが、このときに、監視素子および磁気抵抗素子のストライプ高さは基準素子のストライプ高さと実質的に等しくなる。【選択図】        図３Ｂ
2006054044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドを製造するための方法であって、
基板上に複数の磁気抵抗素子、基準素子および監視素子を形成するステップと、
基板の軸受面から材料を除去し、これにより磁気抵抗素子のストライプ高さを減じるステップと、
基準素子の特徴を監視素子の特徴と比較するステップとを含み、監視素子の特徴は、材料が軸受面から除去されると変化する、方法。
【請求項２】
基準素子よりも大きなストライプ高さを有する監視素子が、材料の除去前に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数の磁気抵抗素子の読取要素に等しいストライプ高さを有する監視素子が形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
フォトリソグラフィ処理によって規定されるストライプ高さを有する基準素子が形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
監視素子は磁気抵抗素子と同様に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
監視素子および基準素子が磁気抵抗素子と同じレベルに形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
監視素子および基準素子が、磁気抵抗素子に隣接して磁気抵抗素子と同じピッチで形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
軸受面から材料を除去する動作は前記面をラッピングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基準素子の特徴および監視素子の特徴は、基準素子および監視素子の電気的測定値を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
基準素子および監視素子を介して少なくとも１つの電気信号を送信して、基準素子の特徴と監視素子の特徴とを決定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
軸受面から材料を除去する動作は、監視素子の特徴が基準素子の特徴と等しくなると停止する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
磁気抵抗素子は、異方性磁気抵抗素子または巨大磁気抵抗素子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１の方法によって製造される磁気記憶媒体とともに用いるための磁気ヘッド。
【請求項１４】
磁気ヘッドを製造するための方法であって、
複数の磁気抵抗素子および電子ラッピングガイドを形成するステップを含み、電子ラッピングガイドは基準素子および監視素子を含み、磁気抵抗素子、基準素子および監視素子は同じ態様で形成され、基準素子は磁気抵抗素子よりも小さなストライプ高さを有するよう形成され、前記方法はさらに、
基準素子の電気的特徴および監視素子の電気的特徴を測定するステップと、
基準素子の電気的特徴および監視素子の電気的特徴が実質的に等しくなるまで、磁気抵
抗素子、監視素子および基準素子を含む軸受面をラッピングするステップとを含む、方法。
【請求項１５】
フォトリソグラフィプロセスによって規定されるストライプ高さを有する基準素子が形成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
監視素子および基準素子は磁気抵抗素子に隣接して形成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
基準素子および監視素子を介して少なくとも１つの電気信号を送信して、基準素子の電気的特徴および監視素子の電気的特徴を決定するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
磁気抵抗素子は異方性磁気抵抗素子または巨大磁気抵抗素子を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１４の方法によって製造される磁気記憶媒体とともに用いるための磁気ヘッド。
【請求項２０】
マルチチャネル磁気記録ヘッドであって、
リーダ要素およびライタ要素を含む複数の磁気抵抗素子と、
監視素子および基準素子を含む１対の電子ラッピングガイドとを含み、監視素子および基準素子はリーダ要素を含む、マルチチャネル磁気記録ヘッド。
【請求項２１】
第２の監視素子および第２の基準素子を含む第２の１対の電子ラッピングガイドをさらに含む、請求項２０に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項２２】
監視素子および基準素子が磁気抵抗素子のリーダ要素と同じレベルに配置される、請求項２０に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項２３】
監視素子および基準素子が、磁気抵抗素子に隣接して磁気抵抗素子と同じピッチで配置される、請求項２０に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項２４】
磁気抵抗素子は異方性磁気抵抗素子または巨大磁気抵抗素子を含む、請求項２０に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項２５】
監視素子および基準素子の幅は複数の磁気抵抗素子のリーダ要素の幅以上である、請求項２０に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項２６】
監視素子および基準素子の幅は複数の磁気抵抗素子のリーダ要素の幅よりも大きい、請求項２０に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項２７】
監視素子および基準素子は、監視素子に対する基準素子の相対的な高さを決定するためにラッピングプロセス中に用いられる、請求項２０に記載の磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
背景
１．分野
この発明は、概して、磁気読取／書込ヘッドおよびその製造方法に関し、より特定的には、磁気読取／書込ヘッドにおける磁気抵抗素子のストライプ高さを制御する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２．関連技術の説明
磁気記憶テープは依然としてコンピュータシステムにデータを保存するための効率的かつ効果的な媒体である。商業的に採算の取れるあらゆる大容量記憶装置および媒体にはデータ記憶容量および検索性能の向上が望まれている。リニアテープでの記録については、一般的な傾向は、記録ギャップおよびデータトラック幅が狭いマルチヘッド、マルチチャネル固定ヘッド構造へと向かっており、これにより、所定の幅をもつテープ媒体、たとえば２分の１インチ幅のテープにおいて多数の線形データトラックが実現され得る。磁気テープおよび記憶システムの記憶密度を高めるために、トランスデューサ要素、たとえば磁気抵抗（ＭＲ）要素または素子がテープ上のヘッドおよびデータトラック上により高密度に配置されている。
【０００３】
磁気テープヘッドは典型的には能動素子領域を含み、ここに、一般的に島部、隆起部またはレールと称され、磁気テープが横断する隆起したテープ支持部または摩耗表面をもたらす隆起した細片または畝状部を含む。これらの隆起した島部の１つ以上は埋込まれたデータトランスデューサを含む。埋込まれたトランスデューサは磁気テープに情報を書込むための記録装置であり得るかまたは磁気テープから情報を読取るための再生装置であり得る。埋込まれた記録装置は装置のコアにおける小さなギャップ近傍に磁界を生じさせ、これにより、テープが支持表面を横切る際に磁気テープに情報が記憶される。これとは対照的に、再生装置は、テープが支持表面上を進む際に磁気テープの表面から磁界を検出する。加えて、トランスデューサなしで組込まれた隆起した島部は、一般にアウトリガと称されるヘッドにわたって磁気テープを支持しかつ案内するのを容易にし得る。
【０００４】
典型的には、複数の埋込まれたトランスデューサはテープ搬送方向にわたって横断的に間隔があけられている。トランスデューサは、さまざまな記憶テープデータフォーマット、たとえば数の異なるチャネル、異なるトラック幅およびトラック密度に対して寸法決めされ、かつ島部に沿って配置され得る。たとえば、４チャネルヘッドは、テープ経路にわたり横断的に間隔をあけて配置されている４つの読取トランスデューサおよび４つの書込トランスデューサを含む。読取／書込トランスデューサの幅と隣接する読取／書込トランスデューサ間の距離とは、記憶テープに書込まれ記憶テープから読取られるトラックの密度に関連付けられる。テープヘッドにおいてより近接して位置決めされたより小さな読取／書込トランスデューサを用いると、磁気テープの記憶容量は一般に増大する。
【０００５】
記憶テープおよびテープドライブ産業が発展し、記憶容量の増大を達成するにつれて、テープヘッドおよび媒体の設計は世代から世代へと変化し続ける。たとえば、新しいデータフォーマットでは、読取／書込トランスデューサ要素がテープヘッド上により高密度に位置決めされ、トラックが記憶テープ上により高密度に位置決めされ、記憶テープがより薄くなっているため、記憶テープ装置の記憶容量が増大する。たとえば、記憶テープの記憶容量を増大させるために、ヘッドにおけるＭＲ素子を狭くかつ薄くしつつ、記憶テープ
を薄くしてもよく、たとえば、磁化厚さ（Ｍｒｔ）をより低減してもよい。
【０００６】
磁気記録ヘッドとともに用いられる典型的なＭＲ素子は、標準的な半導体タイプの処理方法を用いて製造される。たとえば、複数列の磁気記録トランスデューサが同時にウェハ基板上に置かれ、能動素子領域へと切断されて磁気記録ヘッドに組込まれる。磁気記録トランスデューサの区域がウェハから切断された後、これら磁気記録トランスデューサはラッピングプロセスにさらされることにより、ＭＲ素子のストライプ高さを所望の高さに減じ、構造の表面を滑らかにするかまたは研磨する。ストライプ高さは、磁気抵抗記録ヘッドの信号出力と素子の挙動とを制御する主要なパラメータのうちの１つである。ストライプ高さは一般に磁界に対する磁気抵抗素子の感度を決定するが、この場合、ストライプ高さの低減により典型的にはより感度の高い磁気抵抗素子がもたらされる。磁気記録密度が増大すると、小型のＭＲ素子、たとえば異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）または巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を用いて十分な信号出力が達成される。ＭＲ素子が小型になると、ストライプ高さがそれに応じて低減する。
【０００７】
ストライプ高さをより短くしたいという要望は、製造中にストライプ高さをより厳密に制御したいという要望につながるが、これは一般的に、１つ以上の電子ラッピングガイド（ＥＬＧ）を用いた機械的なラッピングによって達成される。ストライプ高さを監視するために実際のＭＲ素子を用いるのは概して賢明なことではない。というのも、ラッピングプロセス中に静電気放電が起こる可能性があり、これにより素子に損傷を与えるおそれがあるからである。ウェハ上に典型的なマルチチャネルテープヘッドを製造する際に、たとえば、１対のＥＬＧがＭＲ素子のクラスタの各端部に配置される。ＥＬＧは、クラスタの能動ＭＲ素子のストライプ高さを決定するために製造中に監視される。たとえば、ラッピングプロセスは、ＥＬＧ抵抗がＭＲ素子の所望のストライプ高さに関連付けられる計算値に達すると停止するよう制御される。しかしながら、計算されたＥＬＧ抵抗はＥＬＧ素子のジオメトリと材料の厚さとのばらつきを被り、これにより、クラスタ間のストライプ高さに大きなばらつきが生じる可能性がある。
【０００８】
たとえば、記録ヘッドのためにストライプ高さをより小さくしかつ磁気抵抗素子をより高密度に構成するために、製造中にストライプ高さをより厳密に制御することが望まれる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
概要
一局面においては、磁気読取／書込ヘッドを製造するための方法が提供される。一例においては、当該方法は、複数の磁気抵抗素子、基準素子および監視素子を形成するステップを含み、この場合、基準素子は複数の磁気抵抗素子および監視素子よりも小さなストライプ高さを含む。たとえばラッピングにより材料が空気軸受またはテープ軸受面から除去され、これにより、磁気抵抗素子および監視素子のストライプ高さが減じられる。基準素子の特徴、たとえば抵抗、電圧などが監視素子の特徴と比較される。監視素子の特徴は材料が当該面から除去されると変化する。材料は、監視素子および基準素子の特徴が実質的に等しくなるまで当該面から除去され得るが、このときに、監視素子および磁気抵抗素子のストライプ高さが基準素子のストライプ高さに実質的に等しくなる。
【００１０】
基準素子は磁気抵抗素子の所望のストライプ高さで形成され得、磁気抵抗素子のストライプ高さの代理としての役割を果たし得る。基準素子および監視素子は同じレベルで磁気抵抗素子のリーダ（reader）と同じ処理ステップによって形成され得、これにより、異なる処理レベルおよびステップに伴う差異を減じ得る。基準素子および監視素子が複数の磁気抵抗素子に隣接して配置されると、ストライプ高さの制御をさらに向上させることがで
きる。さらに、基準素子および監視素子を含む１組の素子は、クラスタにわたる素子間のばらつきを減らすように磁気抵抗素子の各クラスタの対向する側に含まれてもよい。
【００１１】
別の例においては、磁気ヘッドを製造するための方法は、基板上に複数の磁気抵抗素子、基準素子および監視素子を形成するステップを含む。この場合、磁気抵抗素子および監視素子は同じ態様で形成され、磁気抵抗素子よりも小さなストライプ高さを有する基準素子が形成される。当該方法はさらに、基準素子の電気的特徴と監視素子の電気的特徴とを測定するステップと、基準素子の電気的特徴と監視素子の電気的特徴とが等しくなるかまたは所望の許容差内になるまで磁気抵抗素子、監視素子および基準素子を含む基板の表面をラッピングするステップとを含む。
【００１２】
別の局面に従うと、磁気記録ヘッドが設けられる。一例においては、磁気記録ヘッドは複数の磁気抵抗素子と、監視素子および基準素子を含む１対の電子ラッピングガイドとを含み、監視素子および基準素子は、監視素子に対する基準素子の相対的な高さを決定するためにラッピングプロセス中に用いられる。
【００１３】
以下の詳細な説明が添付の図面および特許請求の範囲と関連して考慮されると、さまざまな局面および例がより良く理解される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
詳細な説明
基準素子および監視素子を用いて磁気記録ヘッドを製造するための例示的な方法が提供される。以下の説明は、当業者が例示的な方法および関連する装置を製造および使用できるようにするために提示される。特定の材料、技術および応用例の説明は単に例として提供されるにすぎない。この明細書中に記載される例のさまざまな変更例は当業者には容易に明らかとなり、この明細書中に規定される一般原則はこの発明の精神および範囲から逸脱することなく他の例および応用例に適用され得る。こうして、この発明およびそのさまざまな局面は、記載および図示される例に限定されることを意図するものではないが、その範囲が添付の特許請求の範囲と一致するものである。
【００１５】
より高い磁気記録密度には、小型化されたＭＲ素子または要素、たとえばＡＭＲまたはＧＭＲ素子が望ましい。ＭＲ素子が小型になると、ＭＲ素子のストライプ高さもそれに応じて縮小される。機械的なラッピングおよび計算されたＥＬＧ抵抗を用いてラッピングを停止させる従来のストライプ高さの制御では、クラスタ間のストライプ高さにばらつきをもたらすことが多い。したがって、この明細書中に記載される例示的な方法ではＭＲ素子のストライプ高さの制御が向上し得るので、たとえばより高密度に位置決めされたより小さなＭＲ素子を製造することができるだろう。
【００１６】
マルチチャネル磁気読取／書込ヘッドにおけるストライプ高さの制御を向上させるための１つの例示的な製造方法は、基準素子および監視素子を用いてＭＲ素子を製造するステップを含む。基準素子はＭＲ素子に対して所望される目標のストライプ高さで形成され、監視素子は（たとえば、能動ＭＲ素子の読取要素に類似した）ＭＲ素子と同様に形成される。監視素子は、製造中、たとえばラッピングステップまたは研磨ステップ中、監視素子の抵抗が基準素子の抵抗に等しくなるまで監視される。
【００１７】
一例においては、基準素子のストライプ高さは、ウェハ処理、たとえばフォトリソグラフィウェハプロセスによって決定される。基準素子は、ＭＲ素子、たとえば読取および／または書込要素の所望のストライプ高さが基準素子および監視素子を測定することによって達成され得るように、典型的なウェハ処理技術を用いて所望のストライプ高さの特徴を備えるよう正確に製造され得る。一例においては、基準素子および監視素子は、能動ＭＲ
素子の読取要素と同じ態様、たとえば同じ処理レベルおよびステップで製造され、これにより、能動ＭＲ素子と基準素子および監視素子との間のばらつきを減じ得る。加えて、一例においては、基準素子および監視素子は、中でもストライプ高さのばらつきを減じるためにＭＲ素子に隣接して形成される。
【００１８】
以下の説明では、（磁気粒子テープなどの）磁気記憶媒体上で読取および書込動作を実行するための磁気抵抗テープヘッドを用いたリニアテープドライブシステムの一部として特に有用な例が記載される。しかしながら、さまざまな例がハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスクなどの他の磁気記憶媒体および装置で有用であり得ることが理解されるだろう。したがって、例示的な製造方法および装置はさまざまな磁気記憶システムに向けられてもよく、さまざまな磁気記憶システムにおいて利用されてもよい。
【００１９】
図１には、この明細書中に記載される例示的なテープヘッドを用いることのできる例示的な磁気テープドライブ１０の断面図が示される。テープドライブ１０の特定の構成は、例示的なテープヘッドのための動作環境を網羅し、かつ、テープドライブの動作中に例示的なテープヘッドがいかに利用され得るかを説明しやすくするために提供される。テープドライブ１０はレシーバ１４に挿入されるテープカートリッジ１２を含む。テープドライブ１０は、カートリッジ供給リール１６を駆動し、かつ特定の速度（たとえば毎秒１２０インチ以上）でテープ２０を移動させるモータ（図示せず）を含む。テープドライブ１０はまた、巻取りリール１８を駆動する第２のモータ（図示せず）を含み得る。テープ２０は順方向または逆方向に駆動されて、（図１には図示されないが、典型的には１つ以上のプリント回路板上に設けられる）モータコントローラ回路によって制御されるテープにデータを書込み得るかまたは当該テープからデータを読取り得る。コントローラはまた、たとえば特定のデータフォーマットおよびデータトラックに対する特定の読取／書込要素を選択するために、ヘッド３０を通る読取／書込電流の大きさを制御するよう適合され得る。テープ２０は、巻取りリール１８とカートリッジ１２との間の複数のテープガイドアセンブリ２４〜２９によって、テープドライブ１０の中を通り、テープヘッド３０を通り過ぎるよう案内され得る。
【００２０】
図２は、図１のドライブ１０に類似のデジタルリニアテープドライブにおいて用いられ得る隆起した長手の隆起部または島部２２０、２３０、２４０および２５０を含む例示的なテープヘッド２００の斜視図を示す。隆起した島部２２０および２３０に沿って含まれる（島部２２０のみに沿って示される）データトランスデューサまたは読取／書込要素２２４は、テープ２０２からの読取およびテープ２０２への書込を可能にするようテープ搬送方向に対して横方向に配置されている。加えて、読取／書込要素２２４に隣接して含まれる監視素子２１０および基準素子２１１は、この明細書中に記載されるようにテープヘッド２００の製造中に用いられた。図示のとおり、テープヘッド２００は、典型的には５〜２０ミリメートルの幅を持つ磁気粒子テープ２０２などの媒体に接触するよう適合される。
【００２１】
磁気抵抗素子を有し、ＥＬＧを含む（および／またはＥＬＧとともに製造される）例示的なテープヘッドの作製は、当該技術分野において既に開発され周知であるいくつかの好適なウェハ／半導体処理技術のいずれかを用いて行なわれてもよい。たとえば、図２に示されるヘッド２００のような薄膜ヘッドは、クリーンルームにおいて、真空または物理的蒸着法（たとえばＲＦまたはＤＣマグネトロンスパッタリング、ＲＦまたはＤＣダイオードスパッタリング、ＲＦまたはＤＣ三極管スパッタリング）およびイオンビーム蒸着、バッチフォトリソグラフィ法（たとえばフォトレジストマスキング、コーティングおよび現像）、化学的に補助される反応性イオンビームエッチング、フォトレジストストリッピングおよびエッチングを用いて作製され、これにより、非常に小さなヘッドおよび素子寸法ならびに複数のトランスデューサ要素（要素２２４など）の精密な位置決めおよび整列が
可能となる。島部２２０および２４０のスロットまたは分離は、レーザトリミング、精密研削または他の機械加工技術を用いて達成可能である。島部２２０または２４０などの各島部の作製は、材料の層を２つ以上の基板材料内に封じ込め、その後ラッピングまたは入念な研磨を行なうことにより所望の媒体接触輪郭および表面を達成するように行なわれてもよい。代替的には、各島部をいくつかのセグメントまたは部分から作製し、それらをエポキシで接合して細長い島部を形成してもよい。媒体接触表面を腐食または磨耗に対し抵抗性のある薄い層でコーティングして読取／書込要素を保護してもよい。
【００２２】
結果として得られる活性島部は一般に読取／書込要素を含み、異なる材料（金属合金および絶縁材料など）の薄い層でできている。テープヘッドは、薄膜誘導ヘッド、薄膜ＡＭＲヘッド、デュアルＭＲヘッド、統合された薄膜誘導性書込およびＭＲもしくはＧＭＲ読取ヘッド、または他の薄膜ヘッド設計となるよう構成されてもよい。加えて、不活性島部またはアウトリガの作製は、活性島部と同様の態様で、同様の材料または異なる材料を用いてなされてもよい。代替的には、不活性島部はヘッドに接合され、異なる薄膜プロセスにおいて形成されてもよい。
【００２３】
読取／書込要素において利用される薄膜層の数および各層の構成は、特定の応用例および設計の考慮すべき事項に応じて変更されてもよい。たとえば、読取／書込要素は絶縁層（アルミナなど）ならびにコバルト−ジルコニウム−タンタル（ＣＺＴ）の最上層および最下層または磁極を用いて作製されてもよく、これは薄膜ヘッドにおいて一般に用いられるものであり、それについては、製造プロセスは当業者には十分理解されるものである。コバルト、ニッケルおよび鉄のうちの少なくとも１つを用いて作製される極およびシールドも読取／書込要素を作製するのに有用である。読取／書込要素が上に構築されるベース基板は、フェライト、酸化アルミニウムチタンカーバイド（AlTiC）または他の材料であってもよい。この明細書中に記載される例示的なヘッドを製造するのに用いられる特定の材料または作製プロセスは、いかなる特定の材料または作製プロセスにも限定されない。
【００２４】
図３Ａおよび図３Ｂは、好適な基板の表面上に形成されるＥＬＧ３１０、３１２および能動ＭＲ素子３２４の従来の構成の上面図を示す。その設計には２対のＥＬＧが含まれ、各対は大きなＥＬＧ３１０および小さなＥＬＧ３１２を含む。能動素子３２４とＥＬＧ３１０および３１２との間の距離は変倍されておらず、能動素子３２４は典型的には、たとえばテープヘッドにおけるチャネルの数に応じて１ｍｍ〜３．５ｍｍの距離だけＥＬＧ３１０および３１２から離されている。これらの図には能動素子およびＥＬＧの例示的な寸法が含まれ、これらの寸法が例示に過ぎないことが理解されるだろう。
【００２５】
最初に、大きなＥＬＧ３１０、小さなＥＬＧ３１２およびＭＲ素子３２４は、図３Ｂに示されるように所望の高さを上回るストライプ高さを有し、このストライプ高さは、下方の能動素子３２４に対応するゼロのストライプ高さのライン（「ゼロＳＨ」）の上方または後方から延在する。１つ以上のラッピング手順を実行して能動素子３２４を摩滅させ、軸受面（たとえば、ディスクドライブヘッドに関して参照される空気軸受面（「ＡＢＳ」）、またはテープドライブヘッドに関して参照されるテープ軸受面（「ＴＢＳ」））から材料を除去し、これにより、当該ストライプ高さを、たとえばここではラインＬｓと示される所望のストライプ高さにまで減じる。
【００２６】
概して、大きなＥＬＧ３１０を用いて構造に対する最初のラッピング（または粗いラッピング）のバランスをとって、次のラッピングプロセスのために表面を平坦にする。次いで、最終のラッピング（または研磨）において小さなＥＬＧ３１２を監視素子として用いて、ＭＲ素子３２４のストライプ高さを所望のストライプ高さ、たとえば１．０μｍ以下に減ずる。特に、小さなＥＬＧ３１２の抵抗を監視し、予め定められたまたは計算されたＥＬＧ抵抗値と比較して、ラッピングが十分であること、すなわち、ＭＲ素子３２４の特
定のストライプ高さにするためにラッピングプロセスをいつ停止させるかを決定する。
【００２７】
しかしながら、上述のとおり、計算されたＥＬＧ抵抗値に頼ると、クラスタごとにばらつきがもたらされる可能性がある。その差異は、所望のストライプ高さが低減するにつれて次第に問題となる。さらに、各ＥＬＧ３１０、３１２は概して基層の上に配置されるのに対して、能動素子はＣＺＴ基部シールド上に構築され、ギャップを読取る。異なるレベルに能動素子３２４およびＥＬＧ３１０、３１２を形成することにより、光学結像の性質のために限界寸法が異なってくる可能性がある（たとえば、フォトレジストプロセス中にさまざまな層にわたって焦点の深さが異なるために、限界寸法が異なってくる可能性がある）。
【００２８】
図４Ａおよび図４Ｂは、能動ＭＲ素子４２４ならびにＥＬＧ４１０、４１１および４１２の例示的な構成を示す上面図である。この例においては、ＥＬＧは少なくとも１対の素子、すなわち、能動素子４２４に隣接して配置される監視素子４１０と基準素子４１１とを含む。加えて、大きなＥＬＧ４１２が含まれてもよく、記載される従来の構成と同様の粗い研磨プロセスにおいて表面を平坦にしかつ滑らかにするために能動素子４２４のクラスタの両端部に配置されてもよい。
【００２９】
一例においては、基準素子４１１および監視素子４１０は能動素子４２４と同様のフォトリソグラフィウェハ処理によって製作される。特に、基準素子４１１および監視素子４１０は、ウェハによって規定された基準素子４１１のストライプ高さを除いては活性リーダと同じ構造を有するよう形成される。たとえば、基準素子４１１および監視素子４１０は、能動素子４２４のリーダと同じプロセスステップで同じレベルに形成され、これにより、レベルの違いに伴う限界寸法の差を減ずるかまたはなくすことができる。さらに、基準素子４１１および監視素子４１０は、たとえば能動素子４２４と同様のピッチで能動素子区域の各端部に隣接して配置され得る。基準素子４１１は、そのストライプ高さが能動素子４２４の所望または目標の高さに等しくなるよう形成される。この特定の例においては、１．０μｍのストライプ高さは例示だけを目的として示される。監視素子４１０は能動素子４２４と同様に、またはこれと全く同一に形成され、その最初のストライプ高さは基準素子４１１よりも大きい（この例においては、１．０μｍを上回り、能動素子４２４の最初のストライプ高さと同様である）。したがって、監視素子４１０は、ラッピングプロセス中に活性リーダと同様に挙動する。監視素子４１０と基準素子４１１との測定値を比較して相対的なストライプ高さを決定するが、ここでは、基準素子４１１の高さは能動素子４２４のストライプ高さに近似するはずである。したがって、ラッピング中に監視素子４１０を監視し、ウェハによって規定された基準素子４１１を用いて当該監視素子４１０を停止させることができる。
【００３０】
図４Ａおよび図４Ｂに示される構成を用いた１つの例示的なラッピングプロセスにおいては、大きなＥＬＧ４１２を用いてＡＢＳ／ＴＢＳの最初のラッピングを実行して、表面のバランスをとり、大規模な粗さを減ずる。その後、ラッピングプロセスは、基準素子４１１および監視素子４１０の電気的特徴を監視しつつ、たとえば各素子４１０および４１１の抵抗を監視しつつ続けられる。監視素子４１０のストライプ高さが、測定された電気的特徴によって示されるように基準素子４１１と同様または同一の高さに達すると、ＡＢＳ／ＴＢＳからの材料の除去が止まる。たとえば、基準素子４１１および監視素子４１０の抵抗測定値が所望の許容差以内である場合、表面の除去を停止しなければならない。いくつかの例においては、ストライプ高さは、（たとえば、図３Ａおよび図３ＢのＥＬＧ３１０および３１２の約０．２μｍとは対照的に）図４Ａ〜図４Ｃに示されるように監視素子４１０および基準素子４１１を用いて０．０５μｍ以内にラッピングされ得る。いくつかの例においては、表面の付加的な研磨または調整が実行されてもよいが、これはストライプ高さにほとんどまたは全く影響を及ぼさない。
【００３１】
基準素子４１１は、ウェハ処理によって予め規定される目標のストライプ高さとなるよう形成される。例示だけを目的として、目標とされる１μｍのストライプ高さが図４Ｂに示される。一例においては、基準素子４１１および監視素子４１０は、たとえば当該技術分野において公知の好適なウェハ処理方法を用いて、能動素子４２４のリーダと同じ態様で同時に構築される。したがって、基準素子４１１および監視素子４１０は、従来の方法よりも許容差を低減しつつ所望のストライプ高さを達成するのに有効なガイドを提供する。加えて、基準素子４１１および監視素子４１０が能動素子４２４に近接しているので、ストライプ高さの精度および制御が向上し得る。たとえば、図示された基準素子４１１および監視素子４１０などの例示的なガイドは、能動素子４２４のクラスタ間のストライプ高さの制御を２倍以上向上させる。
【００３２】
図４Ｃは、能動素子４２４を基準素子４１１に等しいストライプ高さにラッピングした後の例示的なヘッドを示す。能動素子４２４のクラスタは基板から切断され、たとえば図２と同様のヘッド構造に組込まれ得る。一例においては、監視素子４１０および基準素子４１１は、バーの切断後、能動素子４２４とともに残留する。他の例においては、基準素子４１１および／または監視素子４１０は、処理後、能動素子領域から切断され得る。
【００３３】
一例においては、監視素子４１０および基準素子４１１のトラック幅は、能動素子４２４の活性リーダに等しいかまたはそれを上回る。この特徴により、監視素子４１０および基準素子４１１の電気的特徴を測定する際に用いられる機器の測定能力の影響を最小限にすることができるだろう。能動素子４２４のリーダは一般に読取トラック幅が比較的狭く、このため、しばしばＭＲ抵抗値が低くなる。たとえば、２０オーム抵抗器に対して１００オーム抵抗器を利用して、測定感度を向上させ得る。
【００３４】
基準素子および監視素子の他のさまざまな構成を用いて素子間のストライプ高さの均一性を向上させ得ることに留意されたい。たとえば、能動素子の各クラスタに対して、基準素子および監視素子をいくつ用いてもよい。基準素子および監視素子は能動素子内に配置されてもよく、またはその内部に組込まれてもよい。さらに、基準素子よりも多くの監視素子が用いられてもよく、またはその逆であってもよい。
【００３５】
図５には、たとえば図４Ａおよび図４Ｂに図示のとおり、この明細書中に記載される基準素子および監視素子を用いた例示的なラッピング方法が示される。ブロック５１０において、能動素子、たとえば所望のとおりに１つ以上のクラスタに配置される読取／書込ＭＲ素子を形成するようウェハが処理される。さらに、監視素子および基準素子を含む少なくとも１対のＥＬＧ素子が形成される。加えて、上述のとおり、たとえば大きなおよび／または小さなＥＬＧなどの従来のＥＬＧを含むウェハが処理されてもよい。ウェハは、当該技術分野において公知のいかなる好適なウェハ処理方法によって製造されてもよい。
【００３６】
ブロック５２０において、能動素子および監視素子を含む基板のＡＢＳ／ＴＢＳから材料を除去するようウェハが研磨される。研磨プロセス、たとえばラッピングプロセスなどを実行して、ＡＢＳ／ＴＢＳから材料を除去し、能動素子を以下に記載される所望のストライプ高さに研削する。一例においては、従来の大きなおよび／または小さなＥＬＧが存在するのであればこれを監視しつつ、いくつかの研磨ステップ、たとえば粗い研磨を利用し、その後、微細または滑らかに研磨することにより所望のストライプ高さに到達し得る。
【００３７】
ブロック５３０において、基準素子および監視素子は、ブロック５２０の１つ以上の研磨ステップ中に断続的または連続的に監視される。特に、基準素子および監視素子の電気的特徴、たとえば抵抗、電圧などが測定および比較される。一例においては、相対的なス
トライプ高さを決定するために、テスト信号が基準および監視素子を介して送信される。材料は、基準素子および監視素子からの測定値が実質的に等しくなるまで、たとえば、ストライプ高さを示す測定値が所望の許容差以内になるまで基板のＡＢＳ／ＴＢＳから除去される。当該値が実質的に等しくなると、ブロック５４０において研磨が止まり、これにより、能動素子のストライプ高さが、基準素子によって予め定められた所望の高さに低減される。
【００３８】
図６は、能動素子６２４と監視素子６１０および基準素子６１１を備えたデュアルＥＬＧとの別の例示的な構成の上面図を示す。この例においては、たとえば、ＧＭＲ磁気ヘッドにおいて用いるのに特に好適な前部磁束ガイド６３４、６２０、６２１および６２２がそれぞれ能動素子６２４、監視素子６１０、基準素子６１１および大きなＥＬＧ６１２とともに用いられる。また、ウェハによって規定されたストライプ高さおよび磁束ガイド（この具体例においてはそれぞれ１．０μｍおよび０．２μｍ）を含む素子は、ラッピングを停止しかつ能動素子６２４の最終的なストライプ高さを規定する基準として用いられる。監視素子６１０および基準素子６１１を上述と同様の態様で用いて、基板の表面を研磨し、能動素子６２４のストライプ高さを制御する。
【００３９】
上述の詳細な記載はさまざまな例を説明するために提供されており、限定を意図するものではない。この発明の範囲内の多くの変更例および変形例が可能であることが当業者には明らかであるだろう。たとえば、能動素子のさまざまな構成や基準素子と監視素子との組合せが用いられてもよい。さらに、この明細書中に明白には記載されていない他の多くの材料およびプロセスが、当業者によって認識されるように記載されている例示的な方法および構造の範囲内で用いられてもよい。加えて、この説明全体を通じて、特定の例が述べられ、これらの例では関連技術の或る不利点にいかに対処するかが考察される。しかしながら、この説明は、上述のさまざまな例を、実際に不利点に対処するかまたは不利点を解決する方法および／またはシステムに限定することを意図するものではない。したがって、この発明は添付の特許請求の範囲によって規定されるものであり、この明細書中の記載によって限定されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】例示的なテープドライブシステムを示す図である。
【図２】例示的な磁気記録ヘッドを示す図である。
【図３Ａ】ＭＲ素子およびＥＬＧの例示的な構成を示す図である。
【図３Ｂ】ＭＲ素子およびＥＬＧの例示的な構成を示す図である。
【図４Ａ】ＭＲ素子ならびに（監視素子および基準素子を含む）ＥＬＧの例示的な構成を示す図である。
【図４Ｂ】ＭＲ素子ならびに（監視素子および基準素子を含む）ＥＬＧの例示的な構成を示す図である。
【図４Ｃ】ＭＲ素子ならびに（監視素子および基準素子を含む）ＥＬＧの例示的な構成を示す図である。
【図５】監視素子および基準素子を含む磁気記録ヘッドを製造するための例示的な方法を示す図である。
【図６】ＭＲ素子ならびに（監視素子および基準素子を含む）ＥＬＧの別の例示的な構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  テープドライブ、１２  テープカートリッジ、１４  レシーバ、１６  カートリッジ供給リール、１８  巻取りリール、２０  テープ、２４〜２９  テープガイドアセンブリ、３０  テープヘッド。
【図１】
2006054044.tif 000003
【図２】
2006054044.tif 000004
【図３Ａ】
2006054044.tif 000005
【図３Ｂ】
2006054044.tif 000006
【図４Ａ】
2006054044.tif 000007
【図４Ｂ】
2006054044.tif 000008
【図４Ｃ】
2006054044.tif 000009
【図５】
2006054044.tif 000010
【図６】
2006054044.tif 000011