(57)【要約】  【課題】リードと配線基板のランドとの接合状態を容易に外観検査することができる半導体装置を提供する。  【解決手段】アウターリードとして機能するリード３の本体部６の下面６ａに、その本体部６の外端面６ｂに達する凹溝８を形成する。半導体装置を配線基板１０に表面実装する際に、リード３の本体部６の下面６ａが、配線基板１０のランド１１上に塗られたクリーム半田１２に接合されると、そのクリーム半田１２が本体部６の下面６ａに形成されている凹溝８内に入り込む。これにより、クリーム半田１２がリード３の本体部６の外端面６ｂ側に盛り上がった状態となり、いわゆる半田フィレットがリード３の本体部６の外端面６ｂ側に形成される。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
この半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂内で前記半導体チップと電気接続され、下面の少なくとも一部が前記封止樹脂の下面から露出し、かつ、端面が前記封止樹脂の側面から露出するように、前記半導体チップとともに前記封止樹脂に封止されるリードとを含み、
前記リードの下面の前記封止樹脂から露出した部分に、前記リードの外端面に達する凹溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記凹溝の内面に半田めっきが施されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記リードは、前記凹溝の前記端面側を除く周囲に形成され、前記封止樹脂の前記凹溝への進入を防止するための堰部を備えていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップを樹脂封止して作製される半導体装置に関し、とくに表面実装型の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置を配線基板上に高密度に実装するために、配線基板上への表面実装を可能とした表面実装型パッケージが多用されている。この表面実装型パッケージとしては、たとえば、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）やＳＯＮ（Small Outlined Non-leaded Package）など、樹脂パッケージからのリードの延伸を排除し、樹脂パッケージの下面にリード（アウターリード）を露出させた、いわゆるノンリードパッケージが知られている。
【０００３】
このようなパッケージは、リードフレーム上で半導体チップなどが樹脂封止され、その後、それらがリードフレームの枠部から切除されることにより形成される。
具体的には、リードフレームは、帯状の銅板に対して精密プレス加工を施した後、その表面に半田めっきを施すことによって作製され、複数個の半導体装置にそれぞれ対応する単位部分が銅板の長手方向に連設された構成を有している。１個の半導体装置に対応した単位部分は、たとえば、図６に示すように、半導体チップを支持するための矩形状のダイパッド１０１と、このダイパッド１０１を取り囲む枠部１０２と、ダイパッド１０１に対して銅板の長手方向の両側に、その長手方向と直交する方向にほぼ等間隔を空けて配置された複数本のリード１０３とを備えている。ダイパッド１０１は、図示しない連結部を介して枠部１０２に結合されている。また、各リード１０３は、基端部が枠部１０２に結合され、ダイパッド１０１に向けて延びる長尺形状に形成されている。そして、ダイパッド１０１上に半導体チップがダイボンディングされ、この半導体チップの端子とリード１０３の上面とがボンディングワイヤ１０５（図７参照）で接続された後、二点鎖線で示す封止領域１０４内が封止樹脂１０６（図７参照）によって封止される。その後、破線で示す切断線１０７に沿ってリード１０３が切断され、ダイパッド１０１および各リード１０３が枠部１０２から切り離されることにより、ノンリードタイプのパッケージ（ＳＯＮ）が得られる。
【０００４】
リード１０３の封止樹脂１０６内に封止される部分は、ボンディングワイヤ１０５を介して半導体チップと電気接続されるインナーリードとしての役割を担っている。また、リード１０３の下面（ボンディングワイヤ１０５が接続されている面と反対側の面）１０８は、図７に示すように、封止樹脂１０６の下面から露出し、配線基板１０９上のランド（配線パターン）１１０に半田接合されるアウターリードとして機能する。ランド１１０上には、クリーム半田１１１が塗られており、リード１０３の下面１０８をクリーム半田１１１を介してランド１１０に接合することによって、半導体装置の配線基板１０９への表面実装が達成される。
【特許文献１】特開２００１−１５６２３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、ランド１１０上のクリーム半田１１１は、リード１０３の表面の半田めっきが施されている部分にしか密着しない。すなわち、リードフレームの状態では、リード１０３の表面全域に半田めっきが施されているが、リード１０３が切断線１０７に沿って切断されることにより、リード１０３の端面（切断線１０７に沿った切断面）には、リードフレームの基体をなす銅板が剥き出しになる。そのため、ランド１１０上のクリーム半田１１１は、リード１０３の端面に密着しない。
【０００６】
リード１０３とランド１１０との接合（半田付け）状態の外観検査（良否判定）は、リード１０３の端面側に、クリーム半田１１１の盛り上がり、いわゆる半田フィレットが形成されているか否かが基準となる。したがって、リード１０３の端面にクリーム半田１１１が密着しないために、リード１０３の端面側に半田フィレットが形成されないと、リード１０３とランド１１０との接合状態の外観検査が難しい。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、リードと配線基板のランドとの接合状態を容易に外観検査することができる半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体チップと、この半導体チップを封止する封止樹脂と、前記封止樹脂内で前記半導体チップと電気接続され、下面の少なくとも一部が前記封止樹脂の下面から露出し、かつ、端面が前記封止樹脂の側面から露出するように、前記半導体チップとともに前記封止樹脂に封止されるリードとを含み、前記リードの下面の前記封止樹脂から露出した部分に、前記リードの外端面に達する凹溝が形成されていることを特徴とする半導体装置である。
【０００９】
この構成によれば、リードの封止樹脂から露出した部分には、リードの外端面に達する凹溝が形成されている。そのため、半導体装置を配線基板に表面実装する際に、リードの封止樹脂から露出する下面が、配線基板のランド上に塗られたクリーム半田に接合されると、そのクリーム半田がリードの下面に形成されている凹溝内に入り込む。これにより、クリーム半田がリードの外端面側に盛り上がった状態となり、いわゆる半田フィレットがリードの外端面側に形成される。そのため、リードと配線基板のランドとの接合（半田付け）状態を容易に外観検査することができる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、前記凹溝の内面に半田めっきが施されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置である。
この構成によれば、凹溝の内面に半田めっきが施されているので、凹溝内に入り込んだクリーム半田は、凹溝の内面に対して良好な密着性を発揮する。そのため、ランドに対するリードの接合強度を増すことができる。また、リードとランドとの確実な電気接続を達成することができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記リードは、前記凹溝の前記端面側を除く周囲に形成され、前記封止樹脂の前記凹溝への進入を防止するための堰部を備えていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置である。
この構成によれば、凹溝の周囲に堰部が形成されているので、半導体装置の組み立ての際に、封止樹脂が凹溝へ進入することを防止することができ、凹溝が封止樹脂で埋められることを防止することができる。そのため、半導体装置の実装の際に、ランド上のクリーム半田を凹溝内に確実に入り込ませることができ、半田フィレットを確実に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。また、図２は、図１に示す半導体装置の底面図（配線基板に対する接合面を示す図）であり、図３は、その半導体装置の一角部を示す斜視図である。
この半導体装置は、リードカットタイプのＳＯＮ（Small Outlined Non-leaded Package）が適用された半導体装置であり、半導体チップ１と、この半導体チップ１を支持するダイパッド２と、半導体チップ１と電気的に接続される複数のリード３と、これらを封止する略四角錐台形状の封止樹脂４とを備えている。
【００１３】
半導体チップ１は、その機能素子が形成されている側の表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態で、ダイパッド２上にダイボンディングされている。また、半導体チップ１の表面には、複数個のパッド（図示せず）が、配線層の一部を最表面に形成された表面保護膜から露出させることにより形成されている。各パッドは、ボンディングワイヤ５によってリード３に接続されている。
【００１４】
ダイパッド２は、平面視矩形状に形成されている。ダイパッド２の下面は、封止樹脂４の下面４ａから露出している。
リード３は、ダイパッド２の一方端縁側とその反対側の他方端縁側とに同数ずつ（この実施形態では、８個ずつ）設けられており、各側において、それぞれ一方端縁および下方端縁に沿う方向に互いに所定間隔を隔てて配列されている。
【００１５】
各リード３は、リード３の配列方向と直交する方向（ダイパッド２との対向方向）に長尺な平面視長方形状に形成されている。また、各リード３は、本体部６と、ダイパッド２側の端部に下面側から潰し加工を施すことによって形成された抜け止め部７とを一体的に備えている。
本体部６は、その下面６ａが封止樹脂４の下面４ａから露出し、外端面６ｂが封止樹脂４の側面から露出している。封止樹脂４の下面４ａから露出する本体部６の下面６ａは、後述する配線基板１０上のランド（配線パターン）１１に半田接合されるアウターリードとして機能する。この本体部６の下面６ａには、本体部６の外端面６ｂに達する凹溝８が形成されている。また、本体部６の封止樹脂４内に封止される部分は、インナーリードとしての役割を担い、その上面にボンディングワイヤ５が接続される。
【００１６】
抜け止め部７は、本体部６よりも薄く形成されており、本体部６の上面付近において、ダイパッド２側およびリード３の長手方向と直交する両側に張り出している。半導体チップ１とともにリード３を樹脂封止した状態では、抜け止め部７の下方に封止樹脂４が回り込むから、リード３の封止樹脂４からの抜け防止が図られる。
この半導体装置の組み立ての際には、ダイパッド２およびリード３が共通の枠部（図示せず）に結合されたリードフレームの状態で、ダイパッド２上に半導体チップ１がダイボンディングされ、半導体チップ１のパッドとリード３の上面とがボンディングワイヤ５で接続された後、これらの半導体チップ１、ダイパッド２、リード３およびボンディングワイヤ５が封止樹脂４によって封止される。このとき、各リード３の凹溝８の周囲に形成されている底面視略Ｕ字状の部分９は、封止樹脂４が凹溝８へ進入することを防止するための堰部として機能する。その後、各リード３が封止樹脂４（パッケージ）の側面に沿って切断されて、ダイパッド２および各リード３がリードフレームの枠部から切り離される。こうして、リードカットタイプのＳＯＮの半導体装置が得られる。
【００１７】
リードフレームは、たとえば、板厚０．２ｍｍの銅板に対して精密プレス加工を施すことによって、ダイパッド２、リード３および枠部を形成した後、各リード３の下面に対して、潰し加工を施すことによって抜け止め部７を形成し、またエッチング加工を施すことによって凹溝８を形成し、さらに、その表面全体に半田めっきを施すことによって作製される。そのため、リードフレームの状態では、各リード３の表面全域に半田めっき層が形成されている。ところが、ダイパッド２および各リード３がリードフレームの枠部から切り離された後（半導体装置の個片が切り出された後）は、各リード３の切断によって、各リード３の本体部６の外端面６ｂ（各リード３の切断面）には、リードフレームの基体をなす銅板が剥き出しになる。
【００１８】
図４は、この半導体装置の実装状態を示す図解的な断面図である。この半導体装置は、配線基板１０の表面、つまりランド（配線パターン）１１が形成されている面に対して、リード３が露出する下面を対向させて表面実装される。
ランド１１上には、クリーム半田１２が塗られている。この半導体装置を配線基板１０に表面実装する際には、そのクリーム半田１２を介して、リード３の本体部６の下面６ａがランド１１に対して接合される。
【００１９】
リード３の本体部６の側面には、半田めっき層が形成されているので、本体部６の下面６ａがランド１１上のクリーム半田１２に接合されると、クリーム半田１２が本体部６の側面に這い上がるように密着する。また、リード３の本体部６の下面６ａには、凹溝８が形成されているので、本体部６の下面６ａがランド１１上のクリーム半田１２に接合されると、その凹溝８内にクリーム半田１２が入り込む。これにより、クリーム半田１２がリード３の本体部６の外端面６ｂ側に盛り上がった状態となり、いわゆる半田フィレットがリード３の本体部６の外端面６ｂ側に形成される。そのため、リード３とランド１１との接合（半田付け）状態を容易に外観検査することができる。
【００２０】
また、凹溝８の内面にも半田めっき層が形成されているので、凹溝８内に入り込んだクリーム半田１２は、凹溝８の内面に対して良好な密着性を発揮する。そのため、ランド１１に対するリード３の接合強度を増すことができる。また、リード３とランド１１との確実な電気接続を達成することができる。
さらにまた、凹溝８の周囲には、底面視略Ｕ字状の堰部９が形成されているので、半導体装置の組み立ての際に、封止樹脂４が凹溝８へ進入することを防止することができ、凹溝８が封止樹脂４で埋められることを防止することができる。そのため、半導体装置の実装の際に、ランド１１上のクリーム半田１２を凹溝８内に確実に入り込ませることができ、半田フィレットを確実に形成することができる。
【００２１】
以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、リードカットタイプのＳＯＮを有する半導体装置を例に取り上げたが、この発明は、図５に示すように、リード３の本体部６の外端面６ｂが封止樹脂４の側面と面一に形成された、いわゆるシンギュレーションタイプのＳＯＮを有する半導体装置に適用することもできる。また、ＳＯＮに限らず、たとえば、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）を有する半導体装置に適用することもできる。
【００２２】
また、上記の実施形態では、エッチング加工によって、リード３の本体部６の下面６ｂに凹溝８を形成するとしたが、エッチング加工以外の手法、たとえば、レーザ加工によって凹溝８が形成されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置（リードカットタイプ）の構成を示す図解的な断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の底面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の一角部の斜視図である。
【図４】図１に示す半導体装置の実装状態を示す図解的な断面図である。
【図５】この発明の他の実施形態に係る半導体装置（シンギュレーションタイプ）の構成を示す図解的な断面図である。
【図６】従来のリードフレームの構成を示す平面図である。
【図７】図６に示すリードフレームを用いた半導体装置の実装状態を示す図解的な断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１      半導体チップ
３      リード
４      封止樹脂
４ａ    下面
６ａ    下面
６ｂ    外端面
８      凹溝
９      堰部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2006294809.tif 000008
【図７】
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