【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】        明細書
【発明の名称】    対称ストリップラインと非対称ストリップラインの間の遷移構造
【特許請求の範囲】
【請求項１】  対称ストリップライン（３）と非対称ストリップライン（４）の間の遷移構造であって、非対称ストリップライン（４）の一端に接続されるカバーパッド（６）が前記ストリップライン（３、４）の間のビア（５）に接続される遷移構造において、非対称ストリップライン（４）の最も近くに配置される地板（１０）が、前記地板（１０）方向へ伸びるビア（５）の延長部分の周囲にセクション（７）を有し、セクション（７）が非対称ストリップライン（４）から前記地板（１０）よりも複数層（１）だけ遠くに離れていることを特徴とする遷移構造。
【請求項２】  層（１）の縦方向における前記セクション（７）の形状が前記方向におけるカバーパッド（６）の形状と実質的に同じであることを特徴とする請求項１記載の遷移構造。
【請求項３】  セクション（７）の断面が円形であることを特徴とする請求項２記載の遷移構造。
【請求項４】  セクション（７）の断面が６角形であることを特徴とする請求項２記載の遷移構造。
【請求項５】  セクション（７）の断面が８角形であることを特徴とする請求項２記載の遷移構造。
【請求項６】  セクション（７）の断面が長方形であることを特徴とする請求項２記載の遷移構造。
【請求項７】  前記セクション（７）が底部（８）と、複数のビア（９）とを有し、ビアが前記底部（８）に対してほぼ直角方向に延在し、ビアを介して前記底部（８）と地板（１０）が電気的接触状態に置かれることを特徴とする請求項１記載の遷移構造。
【請求項８】 前記セクション（７）がカバーパッド（６）の中心点上に配置されることを特徴とする請求項１または２記載の遷移構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は多層プリント基板、特に多層プリント基板中の対称ストリップと非対称ストリップ線路の間の遷移構造（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）に関するものである。
【０００２】
（発明の背景）
当該技術分野では多くの異なる種類の多層プリント基板が知られている。ここでは一例としてＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミック）を用いて記述するが、他のタイプの多層プリント基板に対しても本発明を適用することができる。
【０００３】
簡潔に説明すると、多層プリント基板は以下の方法で製造される。プリント基板設計に基づいて、所要の情報、例えば層数、各層上のパターンの外観および寸法、相異なる層の接触位置などの情報を含む図面が得られる。
【０００４】
各層はプラスチックフィルム上にセラミック塊から所定の厚に圧延された層であって、これはテープと呼ばれる。設計にしたがって、これらのテープから互いに異なるパターンが打ち抜かれ、それらは例えば、基板外縁や、層間整合用マーク、いわゆるビアによって異なる層を張り合わせるための穴などのパターンとなる。
【０００５】
層を形成した後、ビア穴は適切な導電性材料で埋められる。そして、それぞれの層にパターンが印刷される。ここで導体を正確に位置決めするために共通して用いられるのがスクリーン印刷法である。これらの導体として、金、銀、あるいは他の適切な導電性材料を使用することができる。パターンが定位置に置かれると、それぞれの層が互いに積み重ねられ、すべての層が所定位置に配置される。
【０００６】
次に、プリント基板全体が加圧され、直ちにオーブン内において７００〜８００℃の比較的低い温度（低温）で焼成される（同時焼成）、これにより、セラミック塊が焼結され、セラミックに変性する。このキュアリングすなわち硬化プロセスの後は、テープと呼ばずに、層と呼ぶのが一般的である。
【０００７】
高周波信号、特にマイクロ波を使う用途では、許容できないほどの損失と障害が生じるかもしれないので、必ずしも従来の導体を使用できるとは限らない。マイクロ波信号の場合は一般に導体の上側または下側に地板を設ける必要があり、その地板に導体が接続される。導体の片面だけに地板を設けたものは、マイクロストリップと呼ばれる。これらのストリップは通常、一方の面にプリント基板、そして他方の面に空気またはそれに相当する誘電体を備えている。それ以外の場合には、導体が上側と下側の両方の地板で囲まれていることが望ましく、この導体はストリップラインと呼ばれる。導体の両側でストリップラインと地板の間の距離が同じとき、ストリップラインは対称と言われる。これらの距離が互いに異なるとき、ストリップラインは非対称と言われる。
【０００８】
対称ストリップラインが最も一般的であるが、非対称ストリップラインが好ましい場合もある。例えば、２つのストリップライン間の距離が長くなるほど、遷移構造の特性が劣化する。その結果、地板に近い非対称ストリップラインと地板の反対側に近い非対称ストリップラインとの間の遷移構造の方が、２つの対称ストリップライン間の遷移構造よりも効果的かもしれない。対称ストリップラインと非対称ストリップライン間の遷移構造は同じ地板の間に形成される場合があり、その基本的なものが図１に示される。
【０００９】
ストリップラインを使用する場合の１つの利点は、いわゆるストリップラインモードで例えばマイクロ波帯の信号を送信するとき、導体からの放射が小さいことであり、それがマイクロ波送信にこのような方法がしばしば利用される１つの理由である。マイクロストリップおよびストリップラインは容易に多層プリント基板に形成することができるので、上記理由によりしばしば使用される。地板によって導体を囲むことができるように、導体面と地板は一般にプリント基板内に交互に形成される。
【００１０】
多層プリント基板の制作にあたっては、特別な製作ルールに従うことが必要である。例えば、そのようなルールを満たすために、５０オームの導体を最小導体幅にするには、与えられた最小厚のテープが必要である。ルールを満たすためには更に、ビアの直径をテープ厚と同等寸法にする必要がある。その結果、図１に示される遷移構造の場合、ビアの直径は非対称ストリップラインの幅よりも大きい。これを補償して、ビアが適切に導体に整合するように誤差マージンを小さく維持するために、通常は導体の一端にカバーパッドを配置する（図２参照）。カバーパッドを配置することにより、ビアと導体の間に不整合が生じる。
【００１１】
不整合の問題は低周波数信号の場合には実際に起こらない。しかし、例えばＲＦ信号の場合には不整合が問題となる。一方、導体からの放射が減少するいわゆるストリップラインモードでは普通はＲＦ信号が導通するので、不整合に関連する問題を解決することが望ましい。
【００１２】
（発明の概要）
本発明は対称ストリップラインと非対称ストリップライン間の遷移構造の整合性を改善する問題を扱う。
【００１３】
したがって、本発明は対称ストリップラインと非対称ストリップライン間の遷移構造を良好にすることを目的とする。
【００１４】
要約すれば、本発明は、対称ストリップラインと非対称ストリップライン間の遷移構造に最も近い地板を、ビアの近傍で１レベルの距離だけ遠くに離した構成を提供する。
【００１５】
本発明の構成は請求項１記載の特徴を有する。
【００１６】
本発明の方法の好ましい実施例は従属請求項２から８に明記される。
【００１７】
上記問題に対するこのソリューション一つの利点は、対称ストリップラインと非対称ストリップライン間の遷移構造を改善し得ることであり、これはプリント基板の機能改善および損失軽減を意味する。
【００１８】
好ましい実施例と付図にしたがって、以下に発明を詳細に記述する。
【００１９】
（好ましい実施例の説明）
図１は対称ストリップラインと非対称ストリップライン間に遷移構造をもつ多層プリント基板の破断図である。参照符号１は互いに積層された複数のキャリア要素、層を表す。層１は、垂直延長部分を示すために破線による分離状態で示される。層１の厚さが均一でないことを理解することができる。図１には発明の理解に必要な数の層だけが示されるが、それより多くの層１が基板に含まれることもある。
【００２０】
通常、各層１の少なくとも一部に何らかの導体が設けられる。これらの導体を地板２、１０、対称ストリップライン３、非対称ストリップライン４とすることが可能である。通常は、ストリップラインの両側３、４に２つの地板２、１０が配置される。図１には地板２、１０が１対だけしか示されていないが、複数対の地板を設けることも可能である。
【００２１】
前述のように、ストリップライン３を最も近くで取り囲む地板層２、１０からストリップラインまでの距離が互いに等しいとき、そのストリップラインは対称と言われる。逆に、この距離が互いに異なるとき、ストリップライン４は非対称と言われる。異なる層における２つのストリップライン、例えば対称ストリップライン３と非対称ストリップライン４を相互接続するために、いわゆるビア５が必要になる。ビア５は少なくとも１層を貫通して延在し、その端部でストリップライン３、４にそれぞれ接続される。
【００２２】
しかし、多層プリント基板、例えばＬＴＣＣの製作ルールには、導体幅、ビア５のサイズ等に関していくつかの制約がある。例えば５０オームの導体の導電幅を最小にするには、層厚を最小にする必要がある。また、製作ルールによればビア５を層１の厚さと同サイズにする必要があるので、それに応じてビア５の直径が定まる。したがって、ビア５の直径が非対称ストリップライン４の幅よりも大になると考えることができる。
【００２３】
図２は、非対称ストリップライン４の幅ｄ1を超えるビア径を補償する方法を示しており、この方法により、非対称ストリップライン４にビア５が確実に接続されるように誤差マージンが軽減される。いわゆるカバーパッド６が非対称ストリップライン４の一端に設けられ、このカバーパッド６はビア５に接続される。カバーパッド６の直径ｄ2が非対称ストリップライン４の幅ｄ1を超えると、それらのインピーダンスが異なるので、両者の間で不整合が生じる。不整合の度合いは、カバーパッド６の直径ｄ2と非対称ストリップライン４の幅ｄ1の比ｑ＝ｄ1／ｄ2に依存する。サイズの差が大きくなるにしたがって、すなわち、比ｑが小さくなるにしたがって、カバーパッド６と非対称ストリップライン４間の遷移構造の整合性が悪化する。
【００２４】
図３は発明の構成を示しており、図１と類似したものである。図１と同様に、図３には複数の層１が示されているが、その数は以下の理由に１つ増えている。２つのストリップライン３、４とビア５は変わらないが、非対称ストリップライン４のカバーパッド６が図示されているところが異なる。ただし、わかり易くするために図２よりも拡大されている。この発明構成では、地板１０が非対称ストリップライン４に最も近接するように変更されている。この地板１０はカバーパッド６の近傍に凹所７を有する。
【００２５】
この凹所７には縦長の溝状地板８と、複数のビア９が含まれ、ビアによって溝状地板８と下側地板１０の残余部分とが接続される。ビア９は通常、下側地板１０と溝状地板８の両方に対して直角である。最も近い地板１０からパッドとストリップラインまでの距離が互いに異なる場合は、カバーパッド６と非対称ストリップライン４間の整合性が改善されるので、それによって凹所７の構造がある程度は定まる。凹所７の構造は、例えば層１の厚さ、導体の線幅、カバーパッド６の構造、地板１０から非対称ストリップライン４までの距離（図３のｄ）、前述の比ｑ等に依存するので、最適設計に関する一般論を述べることはできない。しかし、いくつかの一般的なルールを以下に述べる。ほとんどの場合、凹所７はカバーパッド６の中心に置かれる。通常、凹所７がカバーパッド６の設計を反映することが望ましく、例えば、カバーパッド６の形状が円形、６角形、８角形、または長方形であれば、凹所７も同様の形状になろう。また、凹所７の半径または断面積を大きくし、溝状地板８を遠くに離すこと、すなわち１層以上に相当する距離だけ離すことによって、地板１０からカバーパッド６までの距離を長くすることができる。一般に、ストリップライン４の非対称性が増すにしたがって、凹所７からカバーパッド６までの距離は長くなる。
【００２６】
凹所７の下側導体面１０はカバーパッド６から更に遠くに配置されるので、対称ストリップライン３から非対称ストリップライン４までのビア５による遷移構造の整合性が改善される。それにより、構造全体の性能が向上する。
【００２７】
発明は以上の記述および開示実施例に制限されることなく、特許請求の範囲において変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】
多層プリント基板の破断図であり、対称ストリップラインと非対称のストリップライン間に遷移構造を示す図。
【図２】
導体のカバーパッドとビアの接触状態を示す上面図。
【図３】
図１と類似した発明の構成を示す図であり、ビアとカバーパッドの近傍において地板を局部的に移した状態を示す図。