(57)【要約】【課題】  配線層と誘導素子とが厚み方向に交差する位置において、この誘導素子に流れる電流分布が乱れることを防止した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  下部側配線層８と誘導素子３との間に絶縁樹脂層７，９，１１を挟んで配置されたシールド部１８を、少なくとも誘導素子３と、この誘導素子３の内周側の端部と接続された配線部１４ａとが厚み方向において交差する位置に配置する。これにより、交差位置を通過する誘導素子３からの磁束をシールド部１８によって遮断し、この交差位置の電流分布の乱れによる誘導素子のＱ値の低下を防ぐことができる。【選択図】  図３
2006294896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極部が設けられた基材と、
前記基材上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して前記電極部に接続された配線部と、
前記配線部上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して前記配線部に接続された誘導素子とを備え、
前記配線部と前記誘導素子との間に位置し、且つ、少なくとも前記配線部と前記誘導素子とが厚み方向において重なる領域にシールド部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記誘導素子は、螺旋状に形成されたコイル部を有し、該コイル部の内周側の端部が前記配線部と接続され、
前記配線部は、前記コイル部の内周側の端部と一端部が接続され、他端部が前記コイル部の外周側へと引き出された引き出し導線部を有し、
前記シールド部は、少なくとも前記コイル部と前記引き出し導線部とが厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記シールド部は、更に前記コイル部の最外周部よりも内側の領域と厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記シールド部は、更に前記コイル部の最外周部よりも外側の領域と厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
電極部が設けられた基材と、
前記基材上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して前記電極部に接続された配線部と、
前記配線部上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して前記配線部に接続された誘導素子とを備える半導体装置の製造方法であって、
前記配線部と前記誘導素子との間に位置し、且つ、少なくとも前記配線部と前記誘導素子とが厚み方向において重なる領域にシールド部を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に絶縁樹脂層を介して誘導素子が設けられた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高周波半導体素子等の半導体装置では、そのインピーダンスマッチング等を図るために、例えばシリコンウェハ等の半導体基板上に絶縁樹脂層を介して螺旋状の誘導素子（スパイラルインダクタ）を形成することが行われている。しかしながら、このような半導体装置では、半導体基板とこの上に絶縁樹脂層を介して形成される配線部との寄生容量や、誘導素子の磁束が半導体基板を通過することで生じる渦電流などによって、この誘導素子で発生する電磁エネルギーの一部が失われることがある。この場合、誘導素子のＱ値や自己共振周波数が低下するといった問題が発生してしまう。このため、半導体装置では、半導体基板と誘導素子との間に厚い絶縁樹脂層を設けて、この半導体基板と配線部との間の距離を広げることによって、上述した電磁エネルギーの損失を抑制することが行われている。
【０００３】
ところで、螺旋状に形成された誘導素子の内周側の端部と接続される下部配線層は、この誘導素子の内周側から外周側へと引き出される引き出し導線として、絶縁樹脂層を挟んで誘導素子と厚み方向において交差する位置に設けられている。このため、交差位置では、誘導素子からの磁束により誘導素子に流れる電流分布が乱れしまい、この誘導素子のＱ値が低下するといった問題があった。
【０００４】
また、上述した半導体装置では、半導体基板を通過する誘導素子の磁束が半導体基板上に形成されたデジタル回路やアナログ回路等の集積回路に対して影響を与えて誤作動を引き起こす可能性があるため、例えば発振回路等のデバイスの直上に誘導素子を配置することはできない。一方、半導体基板上に配置されたデバイス等からのノイズの影響によって、誘導素子のＱ値や自己共振周波数が低下するといった問題も発生してしまう。このため、従来の半導体装置では、誘導素子を自由に配置（再配線）することができず、このような制約によって設計自由度が大幅に低下してしまうといった問題があった。
【０００５】
なお、本発明に関連する公知文献としては、例えば下記特許文献１，２がある。
特許文献１には、シリコン基板の回路素子形成領域内に設けられた発振回路等と再生線とがクロスしても、その間にある接地電位層によりクロストークが発生しないようにする構成が記載されている。
特許文献２には、コイル導体とシールド電極との間でストリップライン構造が形成されて特定インピーダンスが得られる分布定数型のディレイラインが記載されている。
何れの場合も、下部配線層と誘導素子とが厚み方向に交差する位置において誘導素子に流れる電流分布が乱れしまい、この誘導素子のＱ値が低下するといった問題を解決することを目的としたものではない。
【特許文献１】特開２０００−２３５９７９号公報
【特許文献２】特開平５−２９８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、その目的は、少なくとも配線部と誘導素子とが厚み方向に重なる位置において、この誘導素子に流れる電流分布が乱れることを防止した半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に係る半導体装置は、電極部が設けられた基材と、基材上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して電極部に接続された配線部と、配線部上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して配線部に接続された誘導素子とを備え、配線部と誘導素子との間に位置し、且つ、少なくとも配線部と誘導素子とが厚み方向において重なる領域にシールド部が設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項２に係る半導体装置は、請求項１において、誘導素子が、螺旋状に形成されたコイル部を有し、該コイル部の内周側の端部が配線部と接続され、配線部は、コイル部の内周側の端部と一端部が接続され、他端部がコイル部の外周側へと引き出された引き出し導線部を有し、シールド部が、少なくともコイル部と引き出し導線部とが厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項３に係る半導体装置は、シールド部が、更にコイル部の最外周部よりも内側の領域と厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項４に係る半導体装置は、シールド部が、更にコイル部の最外周部よりも外側の領域と厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項５に係る半導体装置は、電極部が設けられた基材と、基材上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して電極部に接続された配線部と、配線部上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して配線部に接続された誘導素子とを備える半導体装置を製造する際に、配線部と誘導素子との間に位置し、且つ、少なくとも配線部と誘導素子とが厚み方向において重なる領域にシールド部を形成する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
以上のように、本発明によれば、配線部と誘導素子との間に位置するシールド部が、少なくとも配線部と誘導素子とが厚み方向において重なる領域に設けられていることから、このシールド部によって配線部と誘導素子とが交差する位置を通過する誘導素子からの磁束を適切に遮断することができる。したがって、本発明によれば、上述した交差位置の電流分布の乱れによる誘導素子のＱ値の低下を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を適用した半導体装置及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００１０】
図１、図２及び図３に示すように、本発明を適用した半導体装置１は、例えば基材となる半導体基板２上に高周波半導体素子のインピーダンスマッチングを図る誘導素子３が形成されたものである。
【００１１】
半導体基板２は、例えば集積回路（図示せず。）が形成されたシリコンウェハ２ａの表面に、電極部を構成する第１の電極４ａ及び第２の電極４ｂと、接地部を構成する接地電極４ｃを有している。また、半導体基板２には、これら電極４ａ，４ｂ，４ｃが形成されたシリコンウェハ２ａの全面を覆うパッシベーション膜５が形成されている。そして、このパッシベーション膜５には、第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極４ｃを露出させる開口部６ａ，６ｂ，６ｃが形成されている。なお、半導体基板２は、上述したシリコンウェハ２ａのようなウエハ状のものに限らず、シリコンウエハ２ａを個々の半導体チップとして切断（ダイシング）したものであってもよい。
【００１２】
半導体装置１は、この半導体基板２上に、第１の絶縁樹脂層７と、下部側配線層８と、第２の絶縁樹脂層９と、シールド層１０と、第３の絶縁樹脂層１１と、上部側配線層１２とが順に積層された構造を有している。
【００１３】
このうち、第１の絶縁樹脂層７は、半導体基板２の表面を覆うように形成されている。また、第１の電極４ａ及び第２の電極４ｂの直上、すなわち開口部６ａ，６ｂに臨む位置には、それぞれ第１の絶縁樹脂層７を厚み方向に貫通する孔部１３ａ，１３ｂが形成されている。
【００１４】
下部側配線層８は、第１の絶縁樹脂層７の表面上に第１の配線部１４ａ、第２の配線部１４ｂ及び接地配線部１４ｃを有している。このうち、第１の配線部１４ａ及び第２の配線部１４ｂは、第１の電極４ａ及び第２の電極４ｂと誘導素子３との間の電気的な接続を行う再配線層として、接地配線部１４ｃは、接地電極４ｃとシールド層１０との間の電気的な接続行う再配線層として、それぞれ形成されたものである。
【００１５】
第１の配線部１４ａ、第２の配線部１４ｂ及び接地配線部１４ｃの一端には、それぞれ略矩形状のコンタクトパッド１５ａ，１５ｂ，１５ｃが設けられている。このうち、第１の配線部１４ａのコンタクトパッド１５ａは、コンタクトホールとなる孔部１３ａに形成された導電部１６ａを介して第１の電極４ａと電気的に接続されている。一方、第２の配線部１４ｂのコンタクトパッド１５ｂは、コンタクトホールとなる孔部１３ｂに形成された導電部１６ｂによって第２の電極４ｂと電気的に接続されている。一方、接地配線部１４ｃのコンタクトパッド１５ｃは、コンタクトホールとなる孔部１３ｃに形成された導電部１６ｃによって接地電極４ｃと電気的に接続されている。また、接地配線部１４ｃの他端には、略矩形状のコンタクトパッド１５ｄが設けられている。
【００１６】
第２の絶縁樹脂層９は、これら配線部１４ａ，１４ｂ，１４ｃが形成された第１の絶縁樹脂層７の表面を覆うように形成されている。また、接地配線部１４ｃのコンタクトパッド１５ｄの直上には、この第２の絶縁樹脂層９を厚み方向に貫通する孔部１３ｄが形成されている。
【００１７】
シールド層１０は、第２の絶縁樹脂層９の表面上にシールド部１８を有している。このシールド部１８は、下部側配線層８の第１の配線部１４ａと上部側配線層１２の誘導素子３とが厚み方向において重なる位置に少なくとも設けられている。また、シールド部１８には、その一側端部から孔部１３ｄに臨む位置まで延長された接地配線部１８ａが設けられている。この接地配線部１８ａは、接地配線部１４ｃとシールド部１８との間の電気的な接続を行う再配線層として形成されたものである。そして、この接地配線部１８ａの一端には、略矩形状のコンタクトパッド１８ｂが設けられている。そして、このコンタクトパッド１８ｂは、コンタクトホールとなる孔部１３ｄに形成された導電部１７によって接地配線部１４ｃのコンタクトパッド１５ｄと電気的に接続されている。これにより、シールド部１８は、これら接地配線部１４ｃ，１８ａを介して接地電極４ｃと電気的に接続されることになる。
【００１８】
第３の絶縁樹脂層１１は、シールド部１８が形成された第２の絶縁樹脂層９の表面を覆うように形成されている。また、第１の配線部１４ａの他端側及び第２の配線部１４ｂの他端側の直上には、それぞれ第２の絶縁樹脂層９及び第３の絶縁樹脂層１１を厚み方向に貫通する孔部１９ａ，１９ｂが形成されている。
【００１９】
上部側配線層１２は、第３の絶縁樹脂層１１の表面上に誘導素子３を有している。この誘導素子３は、螺旋状に形成されたコイル部３ａを有し、このコイル部３ａは、上述したシールド部１８の直上、すなわちシールド部１８と厚み方向において重なる位置に配置されている。そして、コイル部３ａの内周側の端部は、コンタクトホールとなる孔部１９ａに形成された導電部２０ａを介して第１の配線部１４ａの他端側と電気的に接続されている。一方、コイル部３ａの外周側の端部は、コンタクトホールとなる孔部１９ｂに形成された導電部２０ｂを介して第２の配線部１４ｂの他端側と電気的に接続されている。
【００２０】
なお、上述したシールド部１８には、コイル部３ａの内周側に位置する導電部２０ａとの絶縁を図るために、この導電部２０ａが埋め込まれる孔部１９よりも大きな開口部１８ｃが形成されている。
【００２１】
以上のような構造を有する半導体装置１では、図１に示すように、下部側配線層８と誘導素子３との間に第１乃至第３の絶縁樹脂層７，９，１１を挟んで配置されたシールド部１８が、少なくとも誘導素子３のコイル部３ａと、このコイル部３ａの内周側の端部と接続された第１の配線部１４ａとが厚み方向において交差して重なる領域１８Ａに設けられている。これにより、この交差位置を通過する誘導素子３からの磁束をシールド部１８によって適切に遮断することができる。したがって、この半導体装置１では、上述した交差位置の電流分布の乱れによる誘導素子のＱ値の低下を防ぐことができる。
【００２２】
また、この半導体装置１では、シールド部１８が第３の絶縁樹脂層１１を挟んで誘導素子３と厚み方向において重なる位置に配置されている。具体的に、このシールド部１８は、図１に示すように、コイル部３ａに対応した形状、すなわちコイル部３ａの最外周部よりも内側の領域と厚み方向において重なる領域１８Ｂに形成されていることが好ましい。更に好ましくは、このシールド部１８が、コイル部３ａからの磁束を遮断するのに十分な大きさ、すなわちコイル部３ａの最外周部よりも外側の領域まで厚み方向において重なる領域１８Ｃに形成されていることが好ましい。
【００２３】
以上のように、この半導体装置１では、シールド部１８が誘導素子３からの磁束を遮断し、誘導素子３の磁束が半導体基板２上のデバイス等に影響を与えるのを防ぐ一方、半導体基板２上に配置されたデバイス等からのノイズの影響によって誘導素子３のＱ値や自己共振周波数が低下するのを防ぐことができる。したがって、この半導体装置１では、誘導素子３を自由に配置することができため、再配線等の設計自由度を高めることができる。
【００２４】
次に、本発明を適用した半導体装置１の製造方法について説明する。
上記半導体装置１を製造する際は、先ず、図４に示すように、集積回路（図示せず。）が形成された半導体基板２となるシリコンウェハ２ａを用意し、このシリコンウェハ２ａの表面に、第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極４ｃを形成する。具体的に、これら第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極４ｃとしては、例えば略矩形状のＡｌパッドを形成することができる。また、第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極４ｃを形成した後には、これら電極４ａ，４ｂ，４ｃが形成されたシリコンウェハ２ａの全面を覆うパッシベーション膜５を成膜する。このパッシベーション膜５には、例えばＳｉＮやＳｉＯ２等を用いることができる。また、パッシベーション膜５を成膜する際は、例えばＬＰ−ＣＶＤ等を用いることができる。また、パッシベーション膜５の厚みは、例えば０．１μｍ〜０．５μｍである。そして、このパッシベーション膜５を成膜した後に、パッシベーション膜５をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることで、このパッシベーション膜５に第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極４ｃを露出させる開口部６ａ，６ｂ，６ｃを形成する。
【００２５】
次に、図５に示すように、半導体基板２の全面を覆う第１の絶縁樹脂層７を形成する。この第１の絶縁樹脂層７には、例えばポリイミド樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。また、第１の絶縁樹脂層７を形成する際は、例えば回転塗布法や、印刷法、ラミネート法等を用いることができる。また、第１の絶縁樹脂層７の厚みは、例えば１μｍ〜３０μｍである。そして、この第１の絶縁樹脂層７を形成した後に、第１の絶縁樹脂層７をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることで、第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極４ｃの直上に、この第１の絶縁樹脂層７を厚み方向に貫通する孔部１３ａ，１３ｂ，１３ｃを形成する。
【００２６】
次に、図６に示すように、第１の絶縁樹脂層７上に下部側配線層８となる第１の配線部１４ａ、第２の配線部１４ｂ及び接地配線部１４ｃを形成する。これら配線部１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、例えば電解銅めっき等によって形成することができる。また、これら配線部１４ａ，１４ｂ，１４ｃの厚みは、例えば１μｍ〜１０μｍである。
【００２７】
また、第１の配線部１４ａ、第２の配線部１４ｂ及び接地配線部１４ｃの一端には、それぞれ略矩形状のコンタクトパッド１５ａ，１５ｂ，１５ｃを形成する。このうち、第１の配線部１４ａのコンタクトパッド１５ａは、コンタクトホールとなる孔部１３ａに埋め込まれた導電部１６ａを介して第１の電極４ａと電気的に接続される。一方、第２の配線部１４ｂのコンタクトパッド１５ｂは、コンタクトホールとなる孔部１３ｂに形成された導電部１６ｂによって第２の電極４ｂと電気的に接続される。一方、接地配線部１４ｃのコンタクトパッド１５ｃは、コンタクトホールとなる孔部１３ｃに形成された導電部１６ｃによって接地電極４ｃと電気的に接続される。また、接地配線部１４ｃの他端には、略矩形状のコンタクトパッド１５ｄを形成する。
【００２８】
次に、図７に示すように、下部側配線層８が形成された第１の絶縁樹脂層７の全面を覆う第２の絶縁樹脂層９を形成する。この第２の絶縁樹脂層９には、例えばポリイミド樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。また、第２の絶縁樹脂層９を形成する際は、例えば回転塗布法や、印刷法、ラミネート法等を用いることができる。そして、この第２の絶縁樹脂層９を形成した後に、当該第２の絶縁樹脂層９をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることで、接地配線部１４ｃのコンタクトパッド１５ｄの直上に、第２の絶縁樹脂層９を厚み方向に貫通する孔部１３ｄを形成する。
【００２９】
次に、図８に示すように、第２の絶縁樹脂層９上にシールド層１０となるシールド部１８を形成する。このシールド部１８は、下部側配線層８の第１の配線部１４ａと上部側配線層１２の誘導素子３とが厚み方向において交差して重なる位置に予め形成しておくこと望ましく、本例では、誘導素子３の磁束を遮断するのに十分な大きさで、例えば略矩形状に形成した。また、このシールド部１８の孔部１９ａが貫通する位置をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることで、この孔部１９よりも大きな開口部１８ｃを予め形成しておく。
【００３０】
シールド部１８には、例えばＡｌやＡｕ、Ｃｕ等の非磁性導電材料を用いることができる。また、シールド部１８を形成する際は、例えばフォトリソグラフィ技術によりパターニングされたレジスト層を形成した後に、例えばスパッタリング法や、蒸着法、めっき法等によってシールド部１８となる金属膜を成膜し、このレジスト層をリフトオフすることで形成することができる。また、シールド部１８の厚みは、例えば１μｍ以下である。
【００３１】
また、シールド部１８の一側端部からは、孔部１３ｄに臨む位置まで延長された接地配線部１８ａが形成されており、この接地配線部１８ａの一端に形成されたコンタクトパッド１８ｂが、コンタクトホールとなる孔部１３ｄに埋め込まれた導電部１７によって接地配線部１４ｃのコンタクトパッド１５ｄと電気的に接続される。
【００３２】
次に、図９に示すように、シールド層１０が形成された第２の絶縁樹脂層９の全面を覆う第３の絶縁樹脂層１１を形成する。この第３の絶縁樹脂層１１には、例えばポリイミド樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。また、第３の絶縁樹脂層１１を形成する際は、例えば回転塗布法や、印刷法、ラミネート法等を用いることができる。そして、この第３の絶縁樹脂層１１を形成した後に、第３の絶縁樹脂層１１をフォトリソグラフィ技術によりパターニングし、ドライエッチングすることで、第１及び第２の絶縁樹脂層７，９を厚み方向に貫通する孔部１９ａ，１９ｂを形成する。
【００３３】
次に、図１０に示すように、第３の絶縁樹脂層１１上に上部側配線層１２となる誘導素子３を形成する。具体的には、上述したシールド部１８の直上、すなわちシールド部１８と厚み方向において重なる位置に、誘導素子３となるコイル部３ａを形成する。この誘導素子３は、例えば電解銅めっき等によって形成することができる。また、誘導素子３の厚みは、例えば１μｍ〜１０μｍである。
【００３４】
また、コイル部３ａの内周側の端部は、コンタクトホールとなる孔部１９ａに形成された導電部２０ａを介して第１の配線部１４ａの他端側と電気的に接続される。一方、コイル部３ａの外周側の端部は、コンタクトホールとなる孔部１９ｂに形成された導電部２０ｂを介して第２の配線部１４ｂの他端側と電気的に接続される。
以上の工程を経ることによって上記半導体装置１を作製することができる。
【００３５】
以上の工程を経ることによって作製された半導体装置１では、下部側配線層８と誘導素子３との間に第１乃至第３の絶縁樹脂層７，９，１１を挟んで配置されたシールド部１８が、少なくとも誘導素子３のコイル部３ａと、このコイル部３ａの内周側の端部と接続された第１の配線部１４ａとが厚み方向において交差して重なる領域１８Ａに形成されることになる。これにより、この交差位置を通過する誘導素子３の磁束をシールド部１８によって適切に遮断することができ、上述した交差位置の電流分布の乱れによる誘導素子のＱ値の低下を防ぐことができる。
【００３６】
また、以上のように作製される半導体装置１では、シールド部１８が第３の絶縁樹脂層１１を挟んで誘導素子３と厚み方向において重なる位置に配置されることから、このシールド部１８が誘導素子３からの磁束を遮断し、誘導素子３の磁束が半導体基板２上のデバイス等に影響を与えるのを防ぐ一方、半導体基板２上に配置されたデバイス等からのノイズの影響によって誘導素子３のＱ値や自己共振周波数が低下するのを防ぐことができる。したがって、本発明を適用した半導体装置１の製造方法では、誘導素子３を自由に配置することができため、再配線等の設計自由度を高めることができる。
【００３７】
また、上記半導体装置１では、例えば図１１Ａに示す略矩形状に巻回されたコイル部３ａを有する誘導素子３に限らず、例えば図１１Ｂに示すような略円形状に巻回されたコイル部３ａを有する誘導素子３であってもよい。また、シールド部１８も、これら誘導素子３の形状や大きさに対応したものに限定されるものではなく、場合によっては誘導素子３よりも大きな形状とすることができる。
【００３８】
また、上記半導体装置１では、半導体基板２上に１個の誘導素子３が配置された構成となっているが、このような構成に限らず、半導体基板２上に複数の誘導素子３を配置した構成とすることもできる。また、上記半導体装置１では、必要に応じて誘導素子３が形成された第３の絶縁樹脂層１１上を覆う封止層を設けた構成としてもよい。この場合、封止層は、例えばポリイミド樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を１０〜１５０μｍ程度の厚みで形成すればよい。また、封止層には、外部接続用の端子を露出させる開口部を形成する。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、上述した半導体装置１に必ずしも限定されるものではなく、例えば誘導素子がアンテナコイルとして機能する非接触ＩＣタグなどの半導体装置にも本発明を適用することが可能である。すなわち、本発明は、半導体基板上に絶縁樹脂層を介して誘導素子が形成された半導体装置に対して広く適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、本発明を適用した半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す半導体装置の構造を示す平面図である。
【図３】図３は、図２中に示す線分Ａ−Ａによる断面図である。
【図４】図４は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、半導体基板が形成された状態を示す断面図である。
【図５】図５は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、第１の絶縁樹脂層及び第１の樹脂絶縁層を貫通する孔部が形成された状態を示す断面図である。
【図６】図６は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、下部側配線層が形成された状態を示す断面図である。
【図７】図７は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、第２の絶縁樹脂層及び第１，２の絶縁樹脂層を貫通する孔部が形成された状態を示す断面図である。
【図８】図８は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、シールド層が形成された状態を示す断面図である。
【図９】図９は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、第３の絶縁樹脂層及び第２，３の樹脂絶縁層を貫通する孔部が形成された状態を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、上部側配線層が形成された状態を示す断面図である。
【図１１】図１１は、誘導素子及びシールド部の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…半導体装置、２…半導体基板、３…誘導素子、３ａ…コイル部、４ａ…第１の電極、４ｂ…第２の電極、４ｃ…接地電極、５…パッシベーション膜、６ａ，６ｂ，６ｃ…開口部、７…第１の絶縁樹脂層、８…下部側配線層、９…第２の絶縁樹脂層、１０…シールド層、１１…第３の絶縁樹脂層、１２…上部側配線層、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ…孔部、１４ａ…第１の配線部、１４ｂ…第２の配線部、１４ｃ…接地配線部、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ…コンタクトパッド、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…導電部、１７…導電部、１８…シールド部、１８ａ…接地配線部…、１８ｂ…コンタクトパッド、１８ｃ…開口部、１９ａ，１９ｂ…孔部、２０ａ，２０ｂ…導電部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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