(57)【要約】【課題】  データ信号の電圧切り替わりに起因する表示品位の低下を防止する。【解決手段】  走査線３１１と、第１データ線２１１および第２データ線２１２の対との交差に対応して設けられた画素１１６は、画素電極２３４と、画素電極に対向する共通電極１１１とを含む画素容量１１８と、対応する走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となって、選択電圧および第１データ線２１１に供給されたデータ信号の電圧の差に基づく電圧を画素容量１１８に書き込むＴＦＤ２２０と、第１データ線２１１と画素電極２３４との間を電気的に容量結合させる第１保持容量２１５と、第２データ線２１２と画素電極２３４との間を電気的に容量結合させる第２保持容量２１６とを含む。第１データ線２１１には、選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号が供給され、第２データ線２１２には、データ信号を、電位ＶＣを基準に反転させた反転データ信号が供給される。【選択図】      図２
2006235451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数行の走査線と、第１および第２データ線の複数対との交差に対応して設けられた画
素であって、
画素毎に個別の画素電極と、前記画素電極に対向する共通電極とを含む画素容量と、
対応する走査線に所定の選択電圧が印加されたときに導通状態となって、前記第１また
は第２データ線の一方に基づく電圧を前記画素容量に書き込むスイッチング素子と、
前記第１データ線と前記画素電極との間を容量結合させる第１保持容量と、
前記第２データ線と前記画素電極との間を容量結合させる第２保持容量と
を含む画素と、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択して、選択した走査線に前記選択電圧を印加す
る走査線駆動回路と、
選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、当該画素に対応
する前記第１データ線に供給する一方、所定の電位を基準として前記データ信号を反転さ
せた反転データ信号を前記第２データ線に供給するデータ線駆動回路と
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子はダイオードであり、
前記共通電極は、前記第１または第２データ線のいずれか一方であって、
前記画素容量および前記ダイオードは、前記走査線と、前記第１または第２データ線の
いずれか一方との間で電気的に直列に接続された
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記走査線駆動回路は、
各走査線を１水平走査期間毎に選択して、前記選択電圧を当該選択走査線に印加し、
前記データ線駆動回路は、選択された走査線に位置する画素の階調に応じたパルス幅の
データ信号を、前記第１または第２データ線に供給する
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１保持容量は、前記第１データ線から分岐した電極部分と絶縁層と前記画素電極
との積層構造であり、
前記第２保持容量は、前記第２データ線から分岐した電極部分と絶縁層と前記画素電極
との積層構造である
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子は、
そのゲートが前記走査線に接続されるとともに、前記第１または第２データ線のいずれ
か一方と前記画素電極との間で導通状態となるトランジスタであり、
前記共通電極は、各画素にわたって共通である
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１保持容量は、前記第１データ線と絶縁層と前記画素電極との積層構造であり、
前記第２保持容量は、前記第２データ線と絶縁層と前記画素電極との積層構造である
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
複数行の走査線と、第１および第２データ線の複数対との交差に対応して設けられた画
素であって、
画素毎に個別の画素電極と、前記画素電極に対向するとともに前記第１または第２デー
タ線のいずれか一方である共通電極とを含む画素容量と、
対応する走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となって、前記第１または第２
データ線の一方に基づく電圧を前記画素容量に書き込むダイオードと、
を含む電気光学装置の製造方法において、
前記ダイオードは、前記第１または第２データ線を陽極酸化した後に、電気的に分離し
、当該分離部分に前記画素電極を積層し、
前記第１保持容量は、前記第１データ線から分岐した電極部分を陽極酸化した後に、画
素電極を積層し、
前記第２保持容量は、前記第２データ線から分岐した電極部分を陽極酸化した後に、画
素電極を積層する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
複数行の走査線と、第１および第２データ線の複数対との交差に対応して設けられた画
素であって、
画素毎に個別の画素電極と、前記画素電極に対向する共通電極とを含む画素容量と、
対応する走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となって、前記第１または第２
データ線の一方に基づく電圧を前記画素容量に書き込むスイッチング素子と、
前記第１データ線と前記画素電極との間を容量結合させる第１保持容量と、
前記第２データ線と前記画素電極との間を容量結合させる第２保持容量と
を含む画素を有する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択して、選択した走査線に所定の選択電圧を印加
し、
選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、当該画素に対応
する前記第１データ線に供給する一方、所定の電位を基準として前記データ信号を反転さ
せた反転データ信号を前記第２データ線に供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるクロストークの発生を抑える技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学的な変化により表示を行う電気光学装置では、次のような階調表示
技術によって各画素の階調表示が行われる。すなわち、走査線（コモン電極）に選択電圧
が印加される期間に、データ信号として階調に応じたパルス幅の信号や、階調に応じた電
圧信号を、データ線（セグメント電極）に印加することによって、画素に印加される電圧
実効値を制御して階調表示を行う、というものである。ただし、このような階調表示技術
を用いた場合、表示ムラが走査線の延設方向（横方向）に発生する、という横クロストー
クが問題視された。
【０００３】
この横クロストークの原因は、データ線の電圧が変化すると、当該データ線と容量結合
する走査線や共通電極の電位が変動して、画素の階調を決定付ける画素容量（液晶容量）
の電圧実効値を変動させるため、と考えられる。そこで、横クロストークを低減するため
に、選択された画素１行分における階調値の度数を計数するとともに、これらの計数結果
に基づいて、選択された行に位置する画素の各々に印加するデータ信号の電圧を補正する
技術が提案された（例えば、特許文献１参照）。この技術によれば、画素１行分の表示パ
ターンに依存した実効電圧の変動を見越した上で、データ信号のパルス幅（電圧）が補正
されるので、電圧実効値の変動分を相殺でき、結果的に、横クロストークの低減を図るこ
とができる。
【特許文献１】特開平８−１６０３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この技術では、階調値毎に度数を計数する必要があるので、階調データ
を識別するためのデコーダや計数回路等の回路ブロックを表示階調数分設ける必要がある
。例えば、６ビットの階調データで６４階調を表示可能とする場合には、６４個の回路ブ
ロックが必要になり、８ビットの階調データで２５６階調を表示可能とする場合には、２
５６個の回路ブロックが必要になる。その結果、多階調化にともない、回路構成が複雑に
なるほか、回路規模も増大するため、低価格化や低消費電力化を大きく阻害する要因とな
る。
そもそも、上記技術は、画素容量における電圧実効値の変動を見越して、データ信号の
パルス幅（電圧）を補正するものに過ぎず、画素容量における電圧実効値の変動そのもの
を抑えるものではない。したがって、上記技術は、いわば対処療法的なものであり、根本
的な問題についてなんら改善するものではない、ということができる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、画素容
量における電圧実効値の変動そのものを防止して、横クロストークの発生を抑えることが
可能な電気光学装置、製造方法、駆動方法および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため本発明にあっては、複数行の走査線と、第１および第２データ
線の複数対との交差に対応して設けられた画素であって、画素毎に個別の画素電極と、前
記画素電極に対向する共通電極とを含む画素容量と、対応する走査線に所定の選択電圧が
印加されたときに導通状態となって、前記第１または第２データ線の一方に基づく電圧を
前記画素容量に書き込むスイッチング素子と、前記第１データ線と前記画素電極との間を
容量結合させる第１保持容量と、前記第２データ線と前記画素電極との間を容量結合させ
る第２保持容量とを含む画素と、前記複数行の走査線を所定の順番で選択して、選択した
走査線に前記選択電圧を印加する走査線駆動回路と、選択された走査線に位置する画素の
階調に応じた電圧のデータ信号を、当該画素に対応する前記第１データ線に供給する一方
、所定の電位を基準として前記データ信号を反転させた反転データ信号を前記第２データ
線に供給するデータ線駆動回路とを有する構成を特徴とする。
この構成によれば、第１データ線に供給されるデータ信号と、第２データ線に供給され
る反転データ信号とは、電圧変化の方向が互い反対の関係となるので、画素電極において
は、第１保持容量を介して現れる第１データ線の電圧変動分と、第２保持容量を介して現
れる第２データ線の電圧変動分とが互いに打ち消し合い、これにより、画素容量での電圧
変動が抑えられる。
【０００６】
本発明において、前記スイッチング素子はダイオードであり、前記共通電極は、前記第
１または第２データ線のいずれか一方であって、前記画素容量および前記ダイオードは、
前記走査線と、前記第１または第２データ線のいずれか一方との間で電気的に直列に接続
されている構成としても良い。
スイッチング素子をダイオードとする場合、前記走査線駆動回路は、各走査線を１水平
走査期間毎に選択して、前記選択電圧を当該選択走査線に印加し、前記データ線駆動回路
は、選択された走査線に位置する画素の階調に応じたパルス幅のデータ信号を、前記第１
または第２データ線に供給する構成が好ましい。この構成によれば、表示パターンに依存
した縦クロストークも抑えられるほか、容量で消費される電力も低減される。
ここで、前記第１保持容量は、前記第１データ線から分岐した電極部分と、絶縁層と、
前記画素電極との積層構造であり、前記第２保持容量は、前記第２データ線から分岐した
電極部分と絶縁層と前記画素電極との積層構造である構成が好ましい。
本発明において、前記スイッチング素子は、そのゲートが前記走査線に接続されるとと
もに、前記第１または第２データ線のいずれか一方と前記画素電極との間で導通状態とな
るトランジスタであり、前記共通電極は、各画素にわたって共通である構成としても良い
。スイッチング素子をトランジスタとする場合、前記第１保持容量は、前記第１データ線
と絶縁層と前記画素電極との積層構造であり、前記第２保持容量は、前記第２データ線と
絶縁層と前記画素電極との積層構造である構成が好ましい。
【０００７】
ところで、スイッチング素子をダイオードとする場合、当該ダイオードは、前記第１ま
たは第２データ線を陽極酸化した後に、電気的に分離し、当該分離部分に前記画素電極を
積層し、前記第１保持容量は、前記第１データ線から分岐した電極部分を陽極酸化した後
に、画素電極を積層し、前記第２保持容量は、前記第２データ線から分岐した電極部分を
陽極酸化した後に、画素電極を積層することにより製造することが好ましい。
なお、本発明は、電気光学装置のみならず、電気光学装置の駆動方法としても、さらに
は、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形
態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、液晶パネル１００、データ線駆動回路
２５０、走査線駆動回路３５０および制御回路４００を含む。このうち、液晶パネル１０
０には、第１データ線２１１および第２データ線２１２が対をなして、２４０列それぞれ
列（Ｙ）方向に延在する一方、３２０行の走査線３１１が行（Ｘ）方向に延在するように
設けられている。
画素１１６は、第１データ線２１１および第２データ線２１２の対と、３２０行の走査
線３１１との交差に対応して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画
素１１６が縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列するが、本発明をこれに限定す
る趣旨ではない。
【０００９】
ここで、画素１１６の詳細な構成について説明する。図２（ａ）は、画素１１６の構成
を示す平面図であり、図２（ｂ）は、画素１１６の電気的な構成を示す図である。いずれ
も、ｉ行及びこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（ｊ＋１）列との
交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１６が配列する行を一般的に示す場合の記号であり、
１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１６が配列する列を一般的に
示す場合の記号であり、１以上２４０以下の整数である。
【００１０】
図２（ｂ）に示されるように、各画素１１６は、画素容量１１８と、スイッチング素子
の一例であるＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）２２０と、第１保持容量２１
５と、第２保持容量２１６とを有する。
ｉ行目の画素１１６では、ＴＦＤ２２０の一端がｉ行目の走査線３１１に接続される一
方、ＴＦＤ２２０の他端が画素容量１１８の一端に接続され、画素容量１１８の他端が第
１データ線２１１に接続されている。また、第１データ線２１１と画素容量１１８の他端
との間には、第１保持容量２１５が電気的に介挿される一方、第２データ線２１２と画素
容量１１８の他端との間には、第２保持容量２１６が電気的に介挿されている。
【００１１】
液晶パネル１００は、素子基板と対向基板との一対の基板が、一定の間隙を保って貼り
合わせた構成となっており、この間隙に液晶が挟持されている。また、素子基板には、画
素電極および共通電極が形成されて、この電極形成面が対向基板と対向するように貼り合
わせられる。この構成のうち、素子基板の電極形成面を平面的に示したものが図２（ａ）
である。この図からも判るように、液晶パネル１００は、一対の基板のうち、液晶にかか
る電界方向を基板面方向とした、いわゆる面内スイッチング（in plane switching、以下
、適宜ＩＰＳと略称する）方式としたものである。
詳細には、図２（ａ）に示されるように、素子基板に、走査線３１１、第１データ線２
１１および第２データ線２１２とともに、Ｕ字形状の画素電極２３４が形成されて、当該
画素電極２３４が走査線３１１にＴＦＤ２２０を介して接続されている。
電極部分２１１ａは、第１データ線２１１から分岐するとともに枝分かれしており、こ
の電極部分２１１ａおよび第１データ線２１１それ自身と、Ｕ字形状の画素電極２３４と
が、互いに櫛歯状に対向するように、かつ、一定の距離を保って配設されている。したが
って、この構成では、電極部分２１１ａおよび第１データ線２１１が共通電極となり、画
素容量１１８は、画素電極２３４とこの共通電極とが液晶を介して対向することによって
生じる容量で表されることになる。
【００１２】
画素電極２３４は、分岐電極２１１ａ、および、第２データ線２１２の分岐部分を、そ
れぞれ跨ぐように形成されている。第１データ線２１１および第２データ線２１２は、そ
れぞれ後述するように、タンタル単体やタンタル合金などをパターニングした後に、陽極
酸化したものであるので、その表面は、絶縁体で覆われた２層構造である。このため、同
じ２層構造である分岐部に、導電体である画素電極２３４を積層すると、一種の容量が形
成される。
このため、分岐電極２１１ａを跨ぐように画素電極２３４を形成すると、その交差部分
で第１保持容量２１５が構成される一方、第２データ線２１２からの分岐部分を跨ぐよう
に画素電極２３４を形成すると、その交差部分で第２保持容量２１６が構成されることに
なる。
なお、図２（ｂ）では、便宜的に、第１保持容量２１５の容量値がＣｓ１と、第２保持
容量２１６の容量値がＣｓ２と、画素容量１１８の容量値がＣｐｉｘと、それぞれ表され
ている。
【００１３】
一方、ＴＦＤ２２０は、島状部分２２０ｄの一端において走査線３１１が跨ぐように形
成されるとともに、島状部分２２０ｄの他端において画素電極２３４が跨ぐように形成さ
れた構成となっている。島状部分２２０ｄは、後述するように第１データ線２１１の陽極
酸化後に、分離したものであるので、その表面は、絶縁体で覆われた２層構造である。こ
のため、ＴＦＤ２２０は、走査線３１１からみると、走査線３１１を構成する導電体／島
状部分２２０ｄの絶縁体／島状部分２２０ｄの導電体、および、島状部分２２０ｄの導電
体／島状部分２２０ｄの絶縁体／画素電極２３４を構成する導電体という順番の層構造と
なる。
ここで、走査線３１１は、画素電極２３４と同一の導電層をパターニングしたものであ
るので、ＴＦＤ２２０は、第１導電体／絶縁体／第２導電体のサンドウィッチ構造を有す
る薄膜ダイオード素子を２個、互いに逆向きに直列に接続した構成となる。したがって、
ＴＦＤ２２０では、スイッチング非線形特性が正負の双方向にわたって揃うことになる。
なお、この構成において、走査線３１１は、第１データ線２１１と第２データ線２１２
とに対してそれぞれ絶縁体を介して積層される。このため、図２（ｂ）に示されるように
、各行の走査線３１１は、第１データ線２１１とは容量Ｃｃｒ１を介して、第２データ線
２１２とは容量Ｃｃｒ２を介して、それぞれ列毎に電気的に結合することになる。なお、
図２（ｂ）において、容量Ｃｍは、ＴＦＤ２２０の寄生容量である。
【００１４】
この画素１１６において、走査線３１１に、後述する選択電圧±ＶＳのいずれか一方が
印加されると、第１データ線２１１に供給されたデータ信号の電圧にかかわらず、当該走
査線および第１データ線の交差に対応するＴＦＤ２２０が強制的に導通状態（オン）とな
り、オンしたＴＦＤ２２０に接続された画素容量１１８に、当該選択電圧および当該デー
タ信号の電圧の差に応じて充電されて、保持される。電圧保持後、走査線３１１に非選択
電圧±Ｖｄが印加されると、当該ＴＦＤ２２０は非導通状態になるが、画素容量１１８に
おける電圧保持状態が維持される。
画素容量１１８では、保持された電圧に応じた強さで電界が図２（ａ）または図２（ｂ
）において紙面横（Ｘ）方向に発生して、液晶の配向状態が変化するので、偏光子（図示
省略）を通過する光量は、当該電圧実効値に応じた値となる。このため、当該選択電圧が
印加されたときのデータ信号の電圧により、画素容量１１８において保持される電圧を画
素毎に制御して、所定の階調表示を行うことが可能となっている。
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が
最小となって黒色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が増加
して、ついには透過率が最大の白色表示になるノーマリーブラックモードとする。
【００１５】
説明を再び図１に戻すと、制御回路４００は、１水平走査期間の開始時を規定するラッ
チパルスＬＰや、極性指示信号ＰＯＬ、スタートパルスＤＹ、クロック信号ＣＬＹ等の各
種制御信号によって液晶パネル１００の走査を制御するものである。なお、これらの制御
信号の内容は、その都度説明することにする。
【００１６】
走査線駆動回路３５０は、図３に示されるように、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ
３２０を、１行目、２行目、３行目、…、３２０行目の走査線３１１に供給するものであ
り、３２０行の走査線３１１を１水平走査期間（１Ｈ）毎に１行ずつ選択するとともに、
選択した走査線に対し、選択電圧±ＶＳのいずれかを印加する一方、その他の走査線に対
しては、非選択（保持）電圧±Ｖｄを印加するものである。
【００１７】
詳細には、走査線駆動回路３５０は、垂直走査期間（１Ｆ）の最初に供給されるスター
トパルスＤＹを、１周期が１水平走査期間（１Ｈ）のクロック信号ＣＬＹの立ち上がりに
て順次取り込んでシフトして、そのシフト信号を走査線３１１の各選択に対応させる。そ
して、走査線駆動回路３５０は、ある１水平走査期間においてＨレベルとなったシフト信
号に対応する走査線３１１に対し、次のように電圧を選択して印加する。
すなわち、走査線駆動回路３５０は、Ｈレベルとなったシフト信号に対応する走査線３
１１に対し、選択された１水平走査期間において、極性指示信号ＰＯＬがＨレベルであれ
ば、正極性選択電圧＋ＶＳを印加し、当該期間経過後、非選択電圧＋Ｖｄを印加する一方
、選択された１水平走査期間において、極性指示信号ＰＯＬがＬレベルであれば、負極性
選択電圧−ＶＳを印加し、当該期間経過後、非選択電圧−Ｖｄを選択する。
ここで、極性指示信号ＰＯＬは、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであ
れば負極性書込を指定する信号であり、図３に示されるように、１垂直走査期間（１Ｆ）
内では、１水平走査期間（１Ｈ）毎に極性反転するとともに、隣接する１垂直走査期間同
士において同一の水平走査期間に着目しても極性反転の関係にある。このように極性反転
する理由は、液晶に直流成分が印加されることによる劣化を防止するためである。
なお、スタートパルスＤＹ、クロック信号ＣＬＹ、極性指示信号ＰＯＬは、上述した制
御回路４００から供給される。また、シフト信号は図示省略している。本実施形態におけ
る電圧の基準はＶＣ（＝０）であり、この電圧ＶＣよりも高位側が正極性であり、低位側
が負極性である。
【００１８】
次に、データ線駆動回路２５０について説明する。データ線駆動回路２５０は、データ
信号供給回路２５２と各列に対応した反転回路２５４とを有する。このうち、データ信号
供給回路２５２は、選択された走査線３１１に位置する画素１１６の階調に応じたパルス
幅のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目の第１
データ線２１１にそれぞれ供給するものであり、反転回路２５４は、データ信号Ｘ１、Ｘ
２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、電位ＶＣを基準としてそれぞれ反転した反転データ信号／Ｘ
１、／Ｘ２、／Ｘ３、…、／Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目の第２データ線２
１２に供給するものである。なお、記号の「／」は反転を表す。
【００１９】
データ信号供給回路２５２は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記
憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１６の階調値（明
るさ）を例えば６ビットで指定する階調データＤａが記憶される。また、各記憶領域に記
憶される階調データＤａは、表示内容に変更が生じた場合に、図示しない上位装置によっ
て書き換えられる。
本実施形態では、階調データＤａが６ビットであるので、画素１１６の階調値が十進値
の「０」から「６３」までの６４段階で指定される。ここで、６ビットの階調データＤａ
が「０」（二進値では“００００００”）である場合に最も明るい白色の表示を指定し、
６ビットの十進値が増加するにつれて徐々に暗くなるように階調値を指定するとともに、
６ビットの十進値が「６３」（二進値では“１１１１１１”）である場合に最も暗い黒色
の表示を指定するものとする。
このような前提において、データ信号供給回路２５２は、走査線駆動回路３５０により
選択された走査線３１１に位置する画素１１６の階調データＤａを記憶領域から読み出し
て、当該階調値に応じたパルス幅を有するデータ信号に変換し、対応する第１データ線２
１１に供給する。この供給動作を、データ信号供給回路２５２は、選択された走査線３１
１に位置する２４０列のそれぞれについて実行する。
【００２０】
データ信号の波形と階調データＤａとの関係について図４を参照して説明する。図４は
、ｊ列目（ｊは１≦ｊ≦２４０を満たす整数）に対応するデータ信号Ｘｊ及び反転データ
信号／Ｘｊの電圧波形と、選択走査線３１１に位置する画素１１６の階調データＤａとの
関係において示す図である。
この図に示されるように、データ信号供給回路２５２は、１水平走査期間において極性
指示信号ＰＯＬがＨレベルであるために正極性の選択電圧＋ＶＳが印加される場合、選択
される走査線３１１の行であってｊ列目の画素１１６に対応する階調データＤａが当該画
素を明るくするように指定するにつれて、当該１水平走査期間にわたって、データ信号Ｘ
ｊが当該選択電圧＋ＶＳとは逆極性の電圧−Ｖｄとなる期間を長くする一方、当該選択電
圧＋ＶＳとは同極性の電圧＋Ｖｄとなる期間を短くする。
また、データ信号供給回路２５２は、１水平走査期間において極性指示信号ＰＯＬがＬ
レベルであるために負極性の選択電圧−ＶＳが印加される場合、選択される走査線３１１
の行であってｊ列目の画素１１６に対応する階調データＤａが当該画素を明るくするよう
に指定するにつれて、当該１水平走査期間にわたって、データ信号Ｘｊが当該選択電圧−
ＶＳとは逆極性の電圧＋Ｖｄとなる期間を長くする一方、当該選択電圧−ＶＳとは同極性
の電圧−Ｖｄとなる期間を短くする。
【００２１】
このように本実施形態では、１行の走査線３１１を選択する毎に、選択電圧の極性を反
転させるとともに、１水平走査期間の全域にわたって選択電圧を印加する、という１Ｈ反
転・１Ｈセレクト方式を採用している。なお、図４におけるハッチングは、選択電圧が印
加される１水平走査期間（１Ｈ）において、データ信号が、画素を明るくさせるオン電圧
となる期間（パルス幅）を示している。
なお、データ信号供給回路２５２は、電圧−Ｖｄの印加期間については当該１水平走査
期間の終了端を基準として時間的に前方に延ばす一方、電圧＋Ｖｄの印加期間については
当該１水平走査期間の開始端を基準として後方に延ばす。なお、この説明では、オン電圧
を時間的に後方に寄せたが、これに限られず、オン電圧を時間的に前方に寄せても良い。
また、反転データ信号／Ｘｊは、電位ＶＣを基準としてデータ信号Ｘｊを反転させたも
のであるので、図４に示される通りとなる。なお、図４では代表的な階調値だけを表示し
ている。
【００２２】
次に、このような構成にかかる電気光学装置における書き込みについて説明する。
図５は、ｉ行目の走査線と、これに隣接する（ｉ＋１）行目の走査線に現れる電圧波形
について、ｊ列目に対応するデータ信号Ｘｊ、反転データ信号／Ｘｊの電圧波形との関連
において示す図である。
ｉ行目の走査線３１１が選択される１水平走査期間Ｔ１において、当該選択走査線に印
加される選択電圧を＋ＶＳとし、その次の（ｉ＋１）行目の走査線３１１が選択される１
水平走査期間Ｔ２において、当該（ｉ＋１）行目の走査線に印加される選択電圧を−ＶＳ
とする。
【００２３】
ここで、ｉ行ｊ列および（ｉ＋１）行ｊ列の画素１１６を、それぞれ白色および黒色の
ほぼ中間値である灰色とする場合、データ信号Ｘｊおよび反転データ信号／Ｘｊは、図５
に示されるような波形となる。
すなわち、データ信号Ｘｊは、ｉ行目の走査線３１１が選択される水平走査期間Ｔ１の
途中で電圧＋Ｖｄから−Ｖｄに切り替わり、この電圧−Ｖｄがｉ行ｊ列の画素にとってオ
ン電圧となる。また、水平走査期間Ｔ１において、反転データ信号／Ｘｊは、データ信号
Ｘｊの反転波形となる。
次に、データ信号Ｘｊは、（ｉ＋１）行の走査線３１１が選択される水平走査期間Ｔ２
の途中で電圧−Ｖｄから＋Ｖｄに切り替わって、この電圧＋Ｖｄが（ｉ＋１）行ｊ列の画
素にとってオン電圧となる。また、水平走査期間Ｔ２において、反転データ信号／Ｘｊは
、データ信号Ｘｊの反転波形となる。
【００２４】
本実施形態では、ｉ行目の走査線３１１は、ｊ列目の第１データ線２１１とは容量Ｃｃ
ｒ１を介して容量結合している。このため、水平走査期間Ｔ１の途中で、データ信号Ｘｊ
が電圧＋Ｖｄから−Ｖｄに切り替わると、この電圧切り替わりに伴うスパイクノイズがｉ
行目の走査線３１１に現れる。
また、本実施形態においてｉ行目の走査線３１１は、ｊ列目の第２データ線２１２につ
いても容量Ｃｃｒ２を介して容量結合している。このため、ｉ行目の走査線３１１には、
ｊ列目の第２データ線２１２に供給される反転データ信号／Ｘｊの電圧切り替わりに伴う
スパイクノイズも現れる。
反転データ信号／Ｘｊは、データ信号Ｘｊの反転波形であるので、データ信号Ｘｊの電
圧切り替わりに伴うスパイクノイズと、反転データ信号Ｘｊの電圧切り替わりに伴うスパ
イクノイズとは、互いに逆向きであって、ほぼ同一の振幅となる結果、両スパイクノイズ
は、ｉ行目の走査線３１１において互いに打ち消し合う。
ここではｊ列目についてのみ着目しているが、ｉ行目の走査線３１１には、１〜２４０
列目のすべてに対応して第１データ線２１１、第２データ線２１２とそれぞれ容量結合し
ており、これらの各列のスパイクノイズも同様に打ち消し合うことになる。
【００２５】
したがって、水平走査期間Ｔ１においてｉ行目の走査線３１１は、選択電圧＋ＶＳを維
持することになる。次の（ｉ＋１）行目の走査線３１１においても、同様なスパイクノイ
ズの打ち消し合いによって、水平走査期間Ｔ２において負極性の選択電圧−ＶＳを維持す
ることになる。このようにして、１〜３２０行の走査線３１１は、スパイクノイズの打ち
消し合いによって、選択電圧が水平走査期間にわたって正しく維持されることになる。
なお、走査線３１１が非選択となって非選択電圧±Ｖｄとなっている場合にも、スパイ
クノイズが同様に発生するが、走査線３１１が非選択電圧±Ｖｄであれば、ＴＦＤ２２０
がオフしているので、画素容量１１８の電圧実効値には、ほとんど影響を与えない。ただ
し、本実施形態では、走査線３１１が非選択となった場合であっても、同様なスパイクノ
イズの打ち消し合いによって、非選択電圧＋Ｖｄのまたは−Ｖｄを維持することになる。
【００２６】
ところで、本実施形態では、列毎に第１データ線２１１と第２データ線とを設けて、両
者の電圧波形を互いに反転の関係としているが、従来は、１列に対して１本のデータ線の
みを備える構成である。このため、データ線に供給されたデータ信号の電圧が切り替わる
と、その電圧切り替えに伴うスパイクノイズが走査線に現れる。ここで、すべての画素を
同一階調で表示する場合には、各行に等しくスパイクノイズが現れるので、各行にわたっ
て選択電圧の変位が均等になる結果、表示品位の低下として視認されない。
ただし、図１１（ａ）に示されるように、例えば灰色を背景として白色領域をウィンド
ウ表示する場合、行方向に灰色だけの画素が存在する領域Ａ、Ｃを水平走査する時と、行
方向に灰色の画素と白色の画素とが併存する領域Ｂを水平走査する時とでは、スパイクノ
イズの影響が異なってしまう。
詳細には、領域Ａ、Ｃを水平走査する場合、すべてのデータ信号において、選択電圧の
印加途中で電圧が一斉に同一方向に切り替わるので、その影響は大きい。これに対し、領
域Ｂを水平走査する場合、白色画素に対応するデータ信号と、灰色画素に対応するデータ
信号とでは、電圧切り替えのタイミングが２つに分散する上、白色の画素に対応するデー
タ信号の電圧切り替わりは、選択電圧の印加開始および印加終了のタイミングに一致する
ので、走査線の電圧変位に与える影響が少ない。このため、領域Ｂを水平走査する場合に
おけるスパイクノイズの影響は、領域Ａ、Ｃを水平走査する場合と比較して、おおよそ半
減してしまうことになる。
ここで、スパイクノイズは、オン電圧を時間的に後方に寄せる方式では、画素容量１１
８の電圧実効値を小さくする方向に作用するので、ノーマリーブラックモードであれば、
図１１（ｂ）に示されるように、画素が階調データで指定される階調よりも暗くなってし
まうことになる。すなわち、領域Ａ、Ｃに属する灰色画素は、領域Ｂのうちの灰色画素よ
りも暗くなってしまうのである。
したがって、横クロストークによる表示品位の低下とは、ウィンドウ領域に対して水平
走査方向に隣接する灰色画素の階調変化よりも、それ以外の背景にかかる領域Ａ、Ｃにお
ける灰色画素の階調変化の方が大きいことによって発生する、というべきものである。
本実施形態によれば、上述したように、走査線３１１に現れるスパイクノイズの影響を
キャンセルして、選択電圧を正しく維持できるので、このような横クロストークによる表
示品位の低下を抑えることが可能となる。
【００２７】
さらに、本実施形態では、縦クロストークによる表示品位の低下についても抑えること
が可能となる。
ここで、縦クロストークとは、図１２（ａ）に示されるように、ある一定色を背景とし
て、例えば黒色および白色を１行毎に入れ換えた領域をウィンドウ表示しようとする場合
に、図１２（ｂ）に示されるように、ウィンドウ領域の上下（列）方向にわたって、当該
ウィンドウ領域を反映した表示がなされてしまう、という尾引き現象をいう。この現象が
現れる原因は、ある特定のパターンを表示させようとする場合に、データ信号Ｘｊが電圧
＋Ｖｄまたは−Ｖｄのいずれかに偏ってしまうことによるリーク差である。すなわち、Ｔ
ＦＤ２２０は、非導通状態において、抵抗値が無限大ではなく、また、容量も寄生するこ
とから、画素容量１１８に書き込まれた電圧（電荷）は、非選択期間での走査線３１１と
データ線との電圧差に応じて減衰する（リークする）。
【００２８】
詳細には、ウィンドウ領域に属するデータ線に供給されるデータ信号は、背景領域Ｄ、
Ｆに属する走査線が選択されている期間であれば、選択電圧の極性と反対極性となるので
、１水平走査期間毎に交互に電圧＋Ｖｄまたは−Ｖｄになるのに対し、ウィンドウ領域Ｅ
に属する走査線が選択されている期間であれば、電圧＋Ｖｄまたは−Ｖｄのいずれかとな
ってしまう。このため、走査線とデータ線との電圧差は、図１３において実線で示される
通りとなる。詳細には、背景領域Ｄを書き込むために、正極性の選択電圧＋ＶＳが奇数行
の走査線に印加され、負極性の選択電圧−ＶＳが偶数行の走査線に印加された場合、当該
奇数行の非選択（保持）電圧は＋Ｖｄとなり、当該偶数行の非選択電圧は−Ｖｄとなるの
で、ウィンドウ領域Ｅに属する水平走査されている期間において、当該奇数行では＋２Ｖ
ｄとなるのに対し、当該偶数行とではゼロとなってしまう。
走査線とデータ線との電圧差が大きいということは、逆にいえば、画素容量１１８に書
き込まれた電圧との差が小さいということであるので、書き込まれた電荷（電圧）がリー
クしにくい。これに対し、走査線とデータ線との電圧差が小さいということは、画素容量
１１８に書き込まれた電圧との差が大きいということであるので、書き込まれた電荷がリ
ークしやすい。
したがって、図１３においてハッチングされた領域で示されるように、偶数行の画素容
量は、奇数行の画素容量と比較するとリークが進行するので、相対的に電圧実効値が小さ
くなる結果、ノーマリーブラックモードであれば、偶数行の画素は、奇数行の画素と比較
して暗くなってしまうのである。
【００２９】
このような縦クロストークを解消するためには、従来では、１行の走査線３１１を選択
する毎に選択電圧の極性を反転させるとともに、１水平走査期間を前半および後半期間に
分け、選択した走査線に対して前半または後半期間のうち一方の期間のみに選択電圧を印
加する一方、データ信号については、選択電圧が印加される一方の期間において、選択電
圧とは反対極性のオン電圧が階調に応じた時間幅となるパルス信号とし、前半または後半
期間のうち他方の期間において、当該パルス信号を反転させる、いわゆる１Ｈ反転・０．
５Ｈセレクト方式が採用された。この１Ｈ反転・０．５Ｈセレクト方式では、表示内容に
かかわらず、データ信号が電圧＋Ｖｄとなる期間と、データ信号が電圧−Ｖｄとなる期間
とは互いに５０％ずつとなるので、リークの差が同じとなり、上記縦クロストークは解消
される。
ただし、この１Ｈ反転・０．５Ｈセレクト方式では灰色を表示する場合に、１水平走査
期間におけるデータ信号の電圧切り替わり回数が３回となるので、容量によって消費され
る電力が大きく、低消費電力化を阻害する。さらに、１Ｈ反転・０．５Ｈセレクト方式で
は、選択電圧の印加期間が半分になるので、選択電圧を高くする必要があり、電源回路の
負担や低消費電力化という点においても不利である。
【００３０】
これに対し本実施形態では、第１データ線２１１に供給されるデータ信号を、電圧ＶＣ
を基準として反転させた反転データ信号を第２データ線２１２に供給するとともに、画素
電極２３４が、第１データ線２１１とは第１保持容量２１５を介して容量結合する一方、
第２データ線２１２とは第２保持容量２１６を介して容量結合している。このため、デー
タ信号が画素電極２３４に及ぼす影響は、反転データ信号が画素電極２３４に及ぼす影響
によって相殺されるので、画素同士にわたってリークは同程度となる。したがって、本実
施形態では、１Ｈ反転・１Ｈセレクトであるにもかかわらず、縦クロストークを解消する
ことができるのである。
なお、本実施形態では、データ信号の電圧が切り替わると、容量Ｃｃｒ１、Ｃｃｒ２の
分だけ、余計に電力が消費されるが、容量Ｃｃｒ１、Ｃｃｒ２については、走査線３１１
と、第１データ線２１１、第２データ線２１２との交差面積（および絶縁体の厚さ）で規
定されるので、容量サイズを小さくするのは容易であるし、また、１Ｈ反転・１Ｈセレク
トでは、灰色を表示する場合に、１水平走査期間におけるデータ信号の電圧切り替わり回
数が１回で済み、１Ｈ反転・０．５Ｈセレクト方式と比較して１／３であるので、容量Ｃ
ｃｒ１、Ｃｃｒ２による電力消費を小さく抑えることができる。
【００３１】
また、ノーマリーブラックモードでは、ノーマリーホワイトモードと比較して、画素容
量１１８に印加される電圧実効値が特にゼロ近傍である場合に、透過率が大きく変化する
。画素容量１１８に印加される電圧実効値をできるだけゼロとして暗い表示をさせたい場
合であっても、従来例では、データ信号の電圧切り替わりの影響によって、電圧実効値が
ゼロから離れる方向に変動してしまったが、本実施形態では、データ信号の電圧切り替わ
りの影響を相殺できるので、電圧実効値をゼロに近づけることができる。このため、本実
施形態によれば、表示可能な明るさの範囲が暗い方向に拡大するので、コントラスト比を
それだけ高くすることが可能となるのである。
【００３２】
ここで、本実施形態に係る電気光学装置のうち、液晶パネル１００を構成する素子基板
の製造プロセスについて図６を参照して説明する。
まず、図６（１）に示されるように、基板上において、タンタル単体やタンタル合金な
どの金属層を成膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングして、第１デー
タ線２１１とともに、ＴＦＤ２２０の島状部分２２０ｄとなるべき部分も含めた分岐電極
２１１ａと、分岐部分も含めた第２データ線２１２とを形成して、その表面を陽極酸化す
る（第１次陽極酸化）。
【００３３】
次に、図６（２）に示されるように、分岐電極２１１ａから、島状部分２２０ｄをエッ
チング等により分離し、この後、再度、分岐電極２１１ａを含む第１データ線２１１と、
分岐部分を含む第２データ線２１２とを陽極酸化する（第２次陽極酸化）。ただし、島状
部分２２０ｄは、第１データ線２１１とは電気的に分離しているので、２回目の陽極酸化
は行われない。このため、島状部分２２０ｄの表面を覆う絶縁体の膜厚は、第１データ線
２１１および第２データ線２１２の表面を覆う絶縁体の膜厚よりも、薄くなる。
ここで、島状部分２２０ｄの絶縁体の膜厚を薄くする理由は、本実施形態におけるＴＦ
Ｄ２２０が、上述したように２個の薄膜ダイオード素子を互いに逆向きに直列に接続した
構成となっているので、１個の場合と比較して薄くする必要があるためである。逆に、第
１データ線２１１および第２データ線２１２の絶縁体の膜厚を厚くする理由は、走査線３
１１や、画素電極２３４との絶縁性を確保するためである。
【００３４】
そして、図６（３）に示されるように、クロム等の低抵抗金属層を成膜した後、フォト
リソグラフィ技術を用いてパターニングして、画素電極２３４とともに、走査線３１１を
形成する。
このような製造プロセスによれば、ＴＦＤ２２０を形成する過程において、同時に第１
保持容量２１５および第２保持容量２１６を形成するので、別途のプロセスを追加するこ
となく、第１保持容量２１５および第２保持容量２１６を形成することが可能となる。
なお、第１保持容量２１５および第２保持容量２１６を構成する絶縁体については、第
１データ線２１１および第２データ線２１２の陽極酸化膜ではなくて、アクリル等の有機
膜や、酸化珪素等の無機膜で構成しても良い。
【００３５】
また、上述した実施形態では、各行の画素１１６のすべてについて、第１データ線２１
１と、当該第１データ線２１１から分岐して枝分かれした分岐電極２１１ａとで、画素電
極２３４に対向する共通電極としたが、この構成では、第１データ線２１１を駆動するた
めの負荷が、第２データ線２１２と比較して大きくなるので、データ信号供給回路２５２
には、それだけ高い駆動能力が要求される。このため、例えば、図７（ａ）および図７（
ｂ）に示されるように、あるｉ行については、第１データ線２１１と当該第１データ線２
１１から分岐して枝分かれした分岐電極２１１ａとによって、画素電極２３４に対向する
共通電極とする一方、隣接（ｉ＋１）行については、第２データ線２１２と当該第２デー
タ線２１２から分岐して枝分かれした分岐電極２１２ａとによって、画素電極２３４に対
向する共通電極とする構成として、例えば各行毎に交互に配設しても良い。
【００３６】
なお、この構成では、（ｉ＋１）行目の走査線３１１が選択された場合、第２データ線
２１２に供給されたデータ信号の電圧と、（ｉ＋１）行目の走査線３１１に印加された選
択電圧との差に応じた電圧が画素容量１１８に充電されるので、第２データ線２１２に供
給されるデータ信号が、反転回路２５４による反転後に（ｉ＋１）行ｊ列の画素の階調に
応じたパルス幅の正転信号となるように、データ信号供給回路２５２は、当該データ信号
を予め反転して生成する必要がある。
すなわち、データ信号供給回路２５２は、選択された走査線３１１に位置する画素１１
６の共通電極が、第１データ線２１１であるか、第２データ線２１２であるのかを考慮し
て、データ信号を生成する必要がある。
【００３７】
このように、画素１１６の共通電極を、第１データ線２１１と第２データ線２１２とに
分散させると、実際的な配線・配置によっては、開口率を向上させる可能性のあるほか、
データ信号供給回路２５２の駆動能力を低減させることもできる。
なお、ＴＦＤ２２０は、スイッチング素子の一例であり、他に、ＺｎＯ（酸化亜鉛）バ
リスタや、ＭＳＩ（Metal Semi-Insulator）などを用いた素子のほか、これら素子を２つ
リング状に並列接続したものを用いても良いし、１個の単体で用いることも可能である。
【００３８】
また、スイッチング素子として、ＴＦＤ２２０のような二端子型のダイオード素子に限
られず、トランジスタのような三端子型素子を用いることができる。そこで、スイッチン
グ素子としてトランジスタを用いてＩＰＳ方式とした画素構成について図８（ａ）および
図８（ｂ）を参照して説明する。
図８（ｂ）に示されるように、画素１１６には、薄膜トランジスタ（thin film transi
stor、以下、単にＴＦＴを略称する）２４０が備えられる。各画素１１６におけるＴＦＴ
２４０のゲートは走査線３１１に接続され、そのソースは第１データ線２１１に接続され
、そのドレインは画素容量１１８の一端に接続されている。
また、第１データ線２１１と画素容量１１８の一端との間には、第１保持容量２１５が
電気的に介挿される一方、第２データ線２１２と画素容量１１８の一端との間には、第２
保持容量２１６が電気的に介挿されている。さらに、画素容量１１８の他端は、時間的に
一定の電位ＬＣcomに保たれた共通電極１１１に接続されている。
【００３９】
一方、画素容量１１８は、図８（ａ）に示されるように、ＴＦＴ２４０のソースから２
分岐した画素電極２３４と、この画素電極２３４に対して櫛歯状に対向する共通電極１１
１とによって液晶（図示省略）を挟持した構成である。すなわち、この例では、画素容量
１１８の一端は画素電極２３４であり、その他端は共通電極１１１である。図８（ａ）に
おいて、共通電極１１１は行毎に設けられているが、画素の配列領域外において共通接続
されている。このため、共通電極１１１は、すべての画素１１６に対して共通である。
また、第１保持容量２１５は、絶縁体で覆われた第１データ線２１１に画素電極２３４
を積層した構造となっており、同様に、第２保持容量２１６は、絶縁体で覆われた第２デ
ータ線２１２に画素電極２３４を積層した構造となっている。
【００４０】
この構成における走査線駆動回路３５０は、図９に示されるように、１水平走査期間毎
に順次排他的に選択電圧（Ｈレベル）となる走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を
１、２、３、…、３２０行目の走査線３１１に供給する。
一方、スイッチング素子としてＴＦＴ２４０を用いる場合、データ信号として階調に応
じたパルス幅でなく、当該階調に応じた電圧を画素電極２３４に印加する電圧変調方式が
一般的である。このため、データ信号供給回路２５２は、次のようにして、データ信号Ｘ
１〜Ｘ２４０を出力する。
ｊ列目で代表して説明すると、データ信号供給回路２５２は、１行目の走査線３１１が
選択される水平走査期間において正極性書込の指示がなされれば、データ信号Ｘｊの電圧
を、電位ＶＣに対して１行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ高位側とする。１行目の走
査線３１１が正極性書込であれば、２行目の走査線３１１が選択される水平走査期間にお
いて負極性書込の指示がなされるので、データ信号供給回路２５２は、２行目の走査線３
１１が選択される水平走査期間において、データ信号Ｘｊの電圧を、電位ＶＣに対して２
行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側とする。以下、この動作を繰り返す。なお、
次の垂直走査期間（１Ｆ）において、データ信号供給回路２５２は、データ信号Ｘｊを、
奇数行目の走査線３１１が選択される水平走査期間において負極性とし、偶数行目の走査
線３１１が選択される水平走査期間において正極性とする。
【００４１】
この構成においては、第１データ線２１１に供給されるデータ信号の電圧変化と、第２
データ線２１２に供給される反転データ信号の電圧変化とは、互いに逆方向であって、ほ
ぼ同一の大きさである。
この構成においても、走査線３１１は、第１データ線２１１および第２データ線２１２
と容量結合するが、その影響は相殺し合うので、走査線３１１にスパイクノイズ等の不要
な電圧歪みが生じない。また、画素電極２３４は、第１データ線２１１とは第１保持容量
２１５を介し、第２データ線２１２とは第２保持容量２１６を介し、それぞれ容量結合す
るので、第１データ線２１１の電圧変化による影響が、第２データ線２１２の電圧変化に
よる影響によって相殺される。一方、共通電極１１１も、第１データ線２１１および第２
データ線２１２と容量結合するが、その影響は相殺し合うので、共通電極１１１の電位も
変動しない。
このため、この構成においても、画素容量１１８に書き込まれた電圧が、保持期間にお
けるデータ信号の電圧変化によって変動しにくくなるので、スイッチング素子としてＴＦ
Ｄ２２０を用いた構成と同様に、表示品位の低下を防止することが可能となる。
【００４２】
電位ＬＣcomは、理想的には電位ＶＣであるが、ＴＦＴ２４０では、そのゲート・ドレ
イン間の寄生容量に起因して、オンからオフ時にドレイン（画素電極２３４）の電位が低
下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する
。
液晶の劣化を防止するために、画素容量１１８では交流駆動が原則であるので、共通電
極１１１に対して高位側（正極性）と低位側（負極性）とで同一階調の交互書き込みをす
るが、電位ＬＣcomを電位ＶＣに一致させた状態で、交互書き込みをすると、プッシュダ
ウンのために、画素容量１１８の電圧実効値は、負極性書込の方が正極性書込よりも大き
くなってしまう。このため、同一階調で正極性・負極性書込をしても画素容量１１８の電
圧実効値が互いに等しくなるように、共通電極１１１の電位ＬＣcomを、データ信号の振
幅基準である電位ＶＣよりも低下させて設定する必要がある。
図８（ａ）および図８（ｂ）に示される構成では、ＴＦＴ２４０のゲート・ドレイン間
の寄生容量Ｃｍに対して、第１保持容量２１５および第２保持容量２１６が付加された構
成となるので、ゲート電圧（走査信号の電圧）がＨレベルからＬレベルに変化したときに
現れる画素電極２３４の変動分を小さく抑えることができる。このため、共通電極１１１
の電位ＬＣcomの調整量を少なく済ませることが可能となる。
なお、スイッチング素子としてＴＦＴ２４０を用いる場合、ＴＦＴ２４０のソースの接
続先を、第１データ線２１１だけでなく、第２データ線２１２にして分散させても良い。
【００４３】
本発明では、各列において２本のデータ線２１１、２１２が必要となるが、ＩＰＳ方式
では、図８（ａ）に示されるように、画素電極２３４とデータ線２１１、２１２とを重ね
て、ここに第１、第２保持容量を形成することができるので、開口率の低下を抑えること
も可能となる。
【００４４】
なお、上述した各例では、書込極性の入替周期を１フレームとしたが、その理由は、画
素容量１１８において直流成分の印加を防止するためなので、その反転については２以上
のフレーム周期としても良い。
さらに、実施形態では、電圧無印加状態において黒色を表示するノーマリーブラックモ
ードとしたが、電圧無印加状態において白色を表示するノーマリーホワイトモードとして
も良い。なお、ノーマリーホワイトモードであれば、画素容量１１８に印加される電圧実
効値が高いほど、画素が暗くなる。
また、階調表示数は説明したものに限らず、これによりも低階調表示としても良いし、
これよりも高階調表示としても良い。さらに、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で
１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良い。
液晶パネル１００は透過型に限られず、反射型や、両者の中間的な半透過半反射型であ
っても良い。さらに、ＩＰＳ方式に限られず、ＴＮ型や、ＳＴＮ型など、分子の長軸方向
と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子配列の液晶（
ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたゲストホスト型などの液晶
を用いても良い。くわえて、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列
する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配
向（ホメオトロピック配向）の構成としても良い。
【００４５】
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図１０は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の
構成を示す斜視部である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した液晶パネル１００を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、液晶パネル１００以外の構成要素については電話器に
内蔵されるので、外観としては現れない。
【００４６】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１０に示される携帯電話の
他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（
またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳
、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、
上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。そして、いずれの電
子機器においても、表示品位の低下を抑えて高品位の表示が簡易な構成によって実現され
ることになる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における走査信号を示す図である。
【図４】同電気光学装置におけるデータ信号および反転データ信号を示す図である。
【図５】同電気光学装置による電圧の相殺を説明するための図である。
【図６】同電気光学装置による液晶パネルの製造プロセスの一部を示す図である。
【図７】同電気光学装置における画素の別構成を示す図である。
【図８】同電気光学装置における画素の別構成を示す図である。
【図９】別構成に適用される走査信号を示す図である。
【図１０】同電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。
【図１１】横クロストークによる表示品位の低下を説明するための図である。
【図１２】縦クロストークによる表示品位の低下を説明するための図である。
【図１３】縦クロストークによる表示品位の低下を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０…電気光学装置、１１６…画素、１１８…画素容量、２１１…第１データ線、２１
２…第２データ線、２１５…第１保持容量、２１６…第２保持容量、２２０…ＴＦＤ、２
３４…画素電極、２４０…ＴＦＴ、２５０…データ線駆動回路、３１１…走査線、３５０
…走査線駆動回路、４００…制御回路、１２００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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