(57)【要約】【課題】個々の部品の寸法精度のばらつきによって影響されることがなく、高精度にサックバック量を制御することにある。【解決手段】オン／オフ弁２６と、第２ダイアフラム８８に連結されて一体的に変位する第２ピストン８０及び前記第２ピストン８０に係着された第２ばね部材１０４を含むサックバック機構２８と、供給される前記パイロット圧の圧力に対応し、前記第２ばね部材１０４の弾発力によって付与される荷重を検出する荷重センサ１０２と、前記荷重センサ１０２によって前記第２ダイアフラム８８の変位前と変位後との荷重を検出し、前記検出される荷重の偏差に基づいて前記第２ダイアフラム８８の変位量を演算する第１及び第２コントロールユニットとを備える。【選択図】図１
2006010038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体通路を有し、一端部に第１ポートが形成され他端部に第２ポートが形成された継手部と、
パイロット圧によって変位する弁体を介して前記流体通路を開閉するオン／オフ弁と、
パイロット圧によって変位する可撓性部材と、前記可撓性部材に連結されて一体的に変位する変位部材と、前記変位部材に係着された弾性部材とを含み、前記可撓性部材の負圧作用下によって前記流体通路内の圧力流体を吸引するサックバック機構と、
供給される前記パイロット圧の圧力に対応し、前記弾性部材の弾発力によって付与される荷重を検出する荷重検出手段と、
前記荷重検出手段によって前記可撓性部材の変位前と変位後との荷重を検出し、前記検出される荷重の偏差に基づいて前記可撓性部材の変位量を演算する制御手段と、
を備えることを特徴とするサックバックバルブ。
【請求項２】
請求項１記載のサックバックバルブにおいて、
前記荷重検出手段は、歪みが付与されることにより抵抗値が変化する抵抗体を有するストレンゲージからなることを特徴とするサックバックバルブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、流体通路を流通する所定量の圧力流体を吸引することにより、例えば、圧力流体の供給口の液だれを防止することが可能なサックバックバルブに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば、半導体ウェハ等の製造工程においてサックバックバルブ（suck back valve）が使用されている。このサックバックバルブは、半導体ウェハに対するコーティング液の供給を停止した際、供給口から微量のコーティング液が半導体ウェハに向かって滴下する、いわゆる液だれを防止する機能を有する。
【０００３】
ここで、この種の従来技術に係るサックバックバルブを図５に示す（特許文献１参照）。
【０００４】
このサックバックバルブ１は、流入口２と流出口３とを連通させる流通室４が形成された本体５と、前記本体５の上部に連結されるカバー６とを有する。なお、前記流入口２は、被吐出液体の供給源（図示せず）に接続され、一方、流出口３は、図示しないノズルに接続されている。
【０００５】
前記流通室４の略中央には上方に向かって延在する開口部７が形成され、前記開口部７には該流通室４の上面を気密に仕切る第１ダイアフラム８が張設されている。前記第１ダイアフラム８の上方に形成された収納室９内には、下端部を前記第１ダイアフラム８に当接させた昇降部材１０が配置される。
【０００６】
前記昇降部材１０の上部側には、本体５とカバー６との間に挟持された第２ダイアフラム１１が配設され、該昇降部材１０の端部に加締められて第２ダイアフラム１１に固着された突出部１２によって前記第２ダイアフラム１１と昇降部材１０とが一体的に変位するように設けられている。
【０００７】
第１ダイアフラム８と第２ダイアフラム１１との間には、前記第２ダイアフラム１１を上方に向かって付勢するコイルばね１３が装着されている。また、第２ダイアフラム１１とカバー６との間には、パイロットエアポート１４を介してパイロットエアが供給される圧力室１５が形成されている。さらに、カバー６には、昇降部材１０の突出部１２に当接する検知ピン１６を備える検出装置１７が設けられている。
【０００８】
この従来技術に係るサックバックバルブ１の概略動作を説明すると、被吐出液体の供給中は、図示しない電空比例弁からパイロットエアポート１４に供給される圧力室１５の圧力が高く、第２ダイアフラム１１がコイルばね１３を弾縮させて図５中の二点鎖線で示す下方位置にあり、昇降部材１０と一体的に作動する第１ダイアフラム８も下方位置にあって流通室４の容積が小さくなっている。
【０００９】
そこで、被吐出液体の供給源を滅勢させてノズルからの吐出を停止させると、パイロットエアポート１４から供給されるパイロット圧が低減し、圧力室１５内の圧力が低下する。従って、第２ダイアフラム１１及び昇降部材１０と共に第１ダイアフラム８が一体的に上昇し、図５中の実線で示す状態となる。この結果、第１ダイアフラム８が変形して流通室４の容積が増大することにより、ノズル内の被吐出液が吸引される。
【００１０】
この場合、第１ダイアフラム８の変形は昇降部材１０の上下動作と対応するものであり、これを検出装置１７の検知ピン１６の動作として検知し、検出装置１７から図示しない指令装置に検出信号が導出されてフィードバック制御がなされる。
【００１１】
【特許文献１】特公平６−４７０９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、前記の従来技術に係るサックバックバルブでは、検出装置に連結された検知ピンを介して昇降部材の変位量を検出する際、例えば、製品化された個々の部品の寸法精度のばらつきによって第１ダイアフラムの取付位置に誤差が発生することにより、前記検出装置の原点位置の調整が困難となる。また、前記寸法精度のばらつきによる寸法誤差によって、同一の検出信号であってもサックバック量にばらつきが発生するおそれがある。
【００１３】
本発明は、前記の問題点を考慮してなされたものであり、個々の部品の寸法精度のばらつきによって影響されることがなく、高精度にサックバック量を制御することが可能なサックバックバルブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の目的を達成するために、本発明は、流体通路を有し、一端部に第１ポートが形成され他端部に第２ポートが形成された継手部と、
パイロット圧によって変位する弁体を介して前記流体通路を開閉するオン／オフ弁と、
パイロット圧によって変位する可撓性部材と、前記可撓性部材に連結されて一体的に変位する変位部材と、前記変位部材に係着された弾性部材とを含み、前記可撓性部材の負圧作用下によって前記流体通路内の圧力流体を吸引するサックバック機構と、
供給される前記パイロット圧の圧力に対応し、前記弾性部材の弾発力によって付与される荷重を検出する荷重検出手段と、
前記荷重検出手段によって前記可撓性部材の変位前と変位後との荷重を検出し、前記検出される荷重の偏差に基づいて前記可撓性部材の変位量を演算する制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１５】
この場合、前記荷重検出手段として、抵抗体に歪みが付与されることにより抵抗値が変化するストレンゲージを用いるとよい。
【００１６】
本発明によれば、可撓性部材と一体的に変位部材が変位する際、供給されるパイロット圧の圧力に対応し、前記変位部材に係着された弾性部材によって付与される荷重を荷重検出手段によって検出し、前記荷重検出手段からの検出信号が制御手段に導出される。前記荷重検出手段は、前記可撓性部材の変位前と変位後との荷重を検出し、前記検出される荷重の偏差に基づいて前記可撓性部材の変位量を演算する。
【００１７】
この結果、本発明では、可撓性部材の変位量に比例して変化する荷重を荷重検出手段によって検出することにより、従来技術のように部品寸法にばらつきが発生して可撓性部材の取付位置に誤差等がある場合であっても、このような部品寸法のばらつきや取付位置の誤差に影響されることがなく、サックバック量を高精度に制御することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、以下の効果が得られる。
【００１９】
すなわち、可撓性部材の変位量に比例して変化する荷重を荷重検出手段によって検出することにより、個々の部品寸法のばらつきや可撓性部材の取付位置の誤差等に影響されることがなく、サックバック量を高精度に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明に係るサックバックバルブについて好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。
【００２１】
図１において参照数字２０は、本発明の実施の形態に係るサックバックバルブを示す。このサックバックバルブ２０は、同軸状に配置された一組のチューブ２２ａ、２２ｂが着脱自在に所定間隔離間して接続される継手部２４と、前記継手部２４の上部に設けられ内部にオン／オフ弁２６及びサックバック機構２８を有する弁駆動部３０とを有する。
【００２２】
前記継手部２４には、一端部に第１ポート３２ａが、他端部に第２ポート３２ｂが形成されると共に、前記第１ポート３２ａと第２ポート３２ｂとを連通させる流体通路３４が設けられた継手ボデイ３６と、前記第１ポート３２ａ及び第２ポート３２ｂにそれぞれ係合し、且つチューブ２２ａ、２２ｂの開口部に挿入されるインナ部材３８と、前記継手ボデイ３６の端部に刻設されたねじ溝に螺入することによりチューブ２２ａ、２２ｂの接続部位の液密性又は気密性を保持するロックナット４０とを有する。
【００２３】
第１ポート３２ａに近接する継手部２４の上部にはオン／オフ弁２６が配設され、前記オン／オフ弁２６は、継手ボデイ３６と一体的に連結された第１上部側弁ボデイ４２ａ及び第１下部側弁ボデイ４２ｂと、前記第１上部側弁ボデイ４２ａ及び第１下部側弁ボデイ４２ｂの内部に形成された第１室４４内に配設され、上下方向に沿って変位自在に設けられた第１ピストン４６とを有する。
【００２４】
なお、前記第１上部側弁ボデイ４２ａと第１下部側弁ボデイ４２ｂとの連結部位には第１シール部材４８が装着され、前記第１シール部材４８のシール作用によって第１室４４の気密性が保持される。
【００２５】
前記第１ピストン４６の軸線方向に沿った一端部には、着座部５０に着座することにより流体通路３４を閉塞する弁体５２がねじ締結され、前記弁体５２は、中央の厚肉部と該厚肉部の周辺部に一体的に形成された薄肉部とから構成される。前記第１ピストン４６の軸線方向に沿った他端部には、ねじ部を介して連結部材５４が締結され、該第１ピストン４６と連結部材５４との連結部位には第１ダイアフラム５６が挟持される。
【００２６】
前記第１ダイアフラム５６は、薄肉の平板状に形成され、その周縁部が第１上部側弁ボデイ４２ａ及び第１下部側弁ボデイ４２ｂによって挟持される。前記第１ピストン４６の外周面には、環状溝を介してＯリング５８と断面Ｖ字状のパッキン６０とがそれぞれ装着される。
【００２７】
前記第１ダイアフラム５６の下部側には、該第１ダイアフラム５６によって気密に閉塞されたシリンダ室６２が形成され、前記シリンダ室６２に連通する第１圧力流体出入ポート６４を介して該シリンダ室６２内に圧力流体が供給される。前記圧力流体は、第１ピストン４６の上部側に形成されたフランジ部４６ａに作用し、前記第１ピストン４６を上方に向かって押圧する。従って、第１ダイアフラム５６の撓曲作用下に、連結部材５４、第１ピストン４６及び弁体５２が一体的に上昇することにより、弁体５２が着座部５０から離間して弁閉状態から弁開状態に切り換わる（図２参照）。
【００２８】
なお、図２に示されるように、前記連結部材５４の半径外方向に向かって突出するフランジ部５４ａが第１上部側弁ボデイ４２ａの壁面６６に当接することにより、上方側に対する変位が規制される。
【００２９】
第１室４４内には一端部が前記連結部材５４のフランジ部５４ａに係着され、他端部が第１上部側弁ボデイ４２ａの環状段部６８に係着された第１ばね部材７０が設けられる。前記第１ばね部材７０のばね力によって、連結部材５４、第１ピストン４６及び弁体５２が下方側に向かって押圧されるように設けられている。
【００３０】
また、前記連結部材５４の一端部には、凹部を介して磁石７２が装着されている。なお、前記フランジ部５４ａは、第１上部側弁ボデイ４２ａの壁面６６に当接することにより、第１ピストン４６の上昇を規制するストッパとして機能するものである。
【００３１】
所定距離離間して前記磁石７２と対向する第１上部側弁ボデイ４２ａには、例えば、ホール素子等からなり、第１ピストン４６の位置を検出する位置検出センサ７４が設けられる。この場合、前記位置検出センサ７４が連結部材５４の一端部に装着された磁石７２の磁界を検知することにより、オン／オフ弁２６の弁開状態／弁閉状態をそれぞれ検出し、図示しないリード線及びコネクタを介して位置検出信号を後述する第１コントロールユニット（図４参照）に導出することができる。
【００３２】
第２ポート３２ｂに近接する継手部２４の上部にはサックバック機構２８が配設され、前記サックバック機構２８は、継手ボデイ３６と一体的に連結された第２上部側弁ボデイ７６ａ及び第２下部側弁ボデイ７６ｂと、前記第２上部側弁ボデイ７６ａ及び第２下部側弁ボデイ７６ｂの内部に形成された第２室７８内に配設され、上下方向に沿って変位自在に設けられた第２ピストン（変位部材）８０とを有する。
【００３３】
オン／オフ弁２６の第１上部側弁ボデイ４２ａ、第１下部側弁ボデイ４２ｂ及びサックバック機構２８の第２上部側弁ボデイ７６ａ、第２下部側弁ボデイ７６ｂは、それぞれ、共通に搭載されるボンネット８２及びカバー部材８４によって一体的に組み付けられる。
【００３４】
なお、前記第２上部側弁ボデイ７６ａと第２下部側弁ボデイ７６ｂとの連結部位には、第２シール部材８６が装着され、前記第２シール部材８６のシール作用によって第２室７８の気密性が保持される。
【００３５】
前記第２ピストン８０の軸線方向に沿った一端部には、ねじ部を介して第２ダイアフラム（可撓性部材）８８が連結され、前記第２ダイアフラム８８は、中央の厚肉部と該厚肉部の周辺部に一体的に形成された薄肉部とから構成される。
【００３６】
前記第２ピストン８０の軸線方向に沿った他端部には、ねじ部を介して円盤状部材９０が締結され、該第２ピストン８０と円盤状部材９０との間には、第２上部側弁ボデイ７６ａ及び第２下部側弁ボデイ７６ｂによって周縁部が挟持された薄肉平板状の第３ダイアフラム９２が介装される。前記第２ピストン８０の外周面には、環状溝を介してＯリング９４が装着される。
【００３７】
前記第３ダイアフラム９２の上部側には、該第３ダイアフラム９２によって気密に閉塞されたダイアフラム室９６が形成され、前記ダイアフラム室９６に連通する第２圧力流体出入ポート９８を介して該ダイアフラム室９６内に圧力流体が供給される。
【００３８】
また、前記第３ダイアフラム９２の下部側には、第２ピストン８０の直径よりも大きな直径からなる環状溝１００が形成される。前記環状溝１００内には、付与された荷重を電気信号に変換して導出する荷重センサ１０２と、一端部が第２ピストン８０のフランジ部８０ａに係着され他端部が前記荷重センサ１０２に係着され、該第２ピストン８０を上方に向かって押圧するコイルスプリングからなる第２ばね部材（弾性部材）１０４とが配設されている。
【００３９】
前記荷重センサ１０２は、ダイアフラム室９６内に供給されるパイロット圧に対応し、前記第２ばね部材１０４によって付与される荷重を検知して電気信号に変換する荷重検出手段として機能するものであり、前記電気信号は、図示しないコネクタを介して後述する第２コントロールユニットに導出される。前記荷重センサ１０２は、例えば、ストレンゲージからなり、金属あるいは半導体等の図示しない抵抗体に歪みが付与されると、その抵抗値が変化する圧抵抗効果を利用するものであり、前記抵抗体に１０μＡ程度のセンス電流を通電し、付与される歪みよって抵抗体に発生する電位差に対応する電気信号が出力される。
【００４０】
この場合、第２圧力流体出入ポート９８を通じてダイアフラム室９６内に供給された圧力流体が円盤状部材９０の上面部に作用して該円盤状部材９０を下方側に向かって押圧する。従って、円盤状部材９０及び第２ピストン８０は、第２ばね部材１０４のばね力に抗して一体的に下方側に変位し、第２ダイアフラム８８の厚肉部の底面が流体通路３４側に向かって僅かに突出した状態となる。
【００４１】
本発明の実施の形態に係るサックバックバルブ２０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作並びに作用効果について説明する。
【００４２】
図４は、本実施の形態に係るサックバックバルブ２０が組み込まれたサックバックシステム１１０を示す。
【００４３】
このサックバックシステム１１０は、略同一構成からなり、入力された電気信号に対応する空気圧信号を出力する第１及び第２電空比例弁１１２ａ、１１２ｂを備える。第１及び第２電空比例弁１１２ａ、１１２ｂは、それぞれ、第１及び第２コントロールユニット（制御手段）１１４ａ、１１４ｂと、前記第１及び第２コントロールユニット１１４ａ、１１４ｂからそれぞれ出力される指令信号（オン信号／オフ信号）に基づいて付勢・滅勢されるノーマルクローズタイプの供給用電磁弁１１６及び排気用電磁弁１１８とを含む。また、前記第１及び第２電空比例弁１１２ａ、１１２ｂには、第１及び第２コントロールユニット１１４ａ、１１４ｂに対して設定信号を導入する第１及び第２データ設定手段１２０ａ、１２０ｂがそれぞれ接続される。
【００４４】
この場合、第１電空比例弁１１２ａを構成する供給用電磁弁１１６と排気用電磁弁１１８との間の連通路から分岐する通路１２３がオン／オフ弁２６の第１圧力流体出入ポート６４に接続され、一方、第２電空比例弁１１２ｂを構成する供給用電磁弁１１６と排気用電磁弁１１８との間の連通路から分岐する通路１２５がサックバック機構２８の第２圧力流体出入ポート９８に接続されている。
【００４５】
なお、前記第１及び第２コントロールユニット１１４ａ、１１４ｂには、制御・判断・処理・演算・記憶の各手段として機能する図示しないＭＰＵ（マイクロプロセッサユニット）が設けられ、該ＭＰＵから導出される制御信号によって供給用電磁弁１１６及び／又は排気用電磁弁１１８を付勢・滅勢することにより、オン／オフ弁２６のシリンダ室６２とサックバック機構２８のダイアフラム室９６にそれぞれ供給されるパイロット圧が制御される。
【００４６】
また、オン／オフ弁２６の位置検出センサ７４は第１コントロールユニット１１４ａと電気的に接続され、前記位置検出センサ７４の検出信号が第１コントロールユニット１１４ａに導入される。一方、サックバック機構２８の荷重センサ１０２は、第２コントロールユニット１１４ｂと電気的に接続され、前記荷重センサ１０２の荷重検出信号が第２コントロールユニット１１４ｂに導入される。
【００４７】
なお、サックバックバルブ２０の第１ポート３２ａに連通するチューブ２２ａには、コーティング液が貯留されたコーティング液供給源１２２を接続し、一方、第２ポート３２ｂに連通するチューブには図示しない半導体ウェハに向かってコーティング液を滴下するノズル（図示せず）が設けられたコーティング液滴下装置１２４を接続しておく。
【００４８】
このような準備作用を経た後、圧力流体供給源１２６を付勢して第１及び第２電空比例弁１１２ａ、１１２ｂに対して圧力流体を導入すると共に、第１及び第２データ設定手段１２０ａ、１２０ｂを介して第１及び第２コントロールユニット１１４ａ、１１４ｂに設定信号を導入する。第１コントロールユニット１１４ａは、前記設定信号に基づいて供給用電磁弁１１６にのみ付勢信号を導出し、前記供給用電磁弁１１６をオン状態とする。その際、排気用電磁弁１１８は滅勢されてオフ状態にある。
【００４９】
従って、供給用電磁弁１１６を介してオン／オフ弁２６に導入されるパイロット圧がシリンダ室６２に供給されて第１ピストン４６が上昇することにより、オン／オフ弁２６がオン状態となる。
【００５０】
この場合、第１ピストン４６の一端部に装着された磁石７２の磁界を位置検出センサ７４によって検知し、前記位置検出センサ７４から導出される位置検出信号が第１コントロールユニット１１４ａに導入されることにより、第１コントロールユニット１１４ａは、オン／オフ弁２６がオン状態となったことを確認する。
【００５１】
一方、第２コントロールユニット１１４ｂは、前記設定信号に基づいて供給用電磁弁１１６にのみ付勢信号を導出し、前記供給用電磁弁１１６をオン状態とする。その際、排気用電磁弁１１８は滅勢されてオフ状態にある。
【００５２】
従って、供給用電磁弁１１６を介してサックバック機構２８に導入されるパイロット圧がダイアフラム室９６に供給され、第２ばね部材１０４のばね力に抗して円盤状部材９０及び第２ピストン８０が下方側に向かって変位し、第２ダイアフラム８８が流体通路３４側に僅かに突出した状態となる。
【００５３】
その際、サックバック機構２８に設けられた荷重センサ１０２は、ダイアフラム室９６に供給されたパイロット圧の圧力によって付与され、第２ばね部材１０４のばね力によって押圧される荷重（歪み量）を検知し、前記荷重センサ１０２から導出される第１荷重検出信号が第２コントロールユニット１１４ｂに導入される。前記第２ばね部材１０４のばね力を介して荷重センサ１０２に付与される荷重は、ダイアフラム室９６に供給されたパイロット圧の圧力に対応して増減するものである。
【００５４】
このようにオン／オフ弁２６がオン状態にあり、且つサックバック機構２８の第２ダイアフラム８８が流体通路３４側に僅かに突出した状態において、コーティング液供給源１２２から供給されたコーティング液は、流体通路３４に沿って流通し、コーティング液滴下装置１２４を介してコーティング液が半導体ウェハに滴下される。この結果、半導体ウェハには、所望の膜厚を有するコーティング被膜（図示せず）が形成される。
【００５５】
コーティング液滴下装置１２４を介して所定量のコーティング液が図示しない半導体ウェハに塗布された後、第１コントロールユニット１１４ａの図示しないＭＰＵから導出される制御信号によって供給用電磁弁１１６及び／又は排気用電磁弁１１８を適宜付勢・滅勢することにより、オン／オフ弁２６のシリンダ室６２に供給されるパイロット圧を減少させ、オン／オフ弁２６をオフ状態とする。
【００５６】
すなわち、オン／オフ弁２６のシリンダ室６２に供給されるパイロット圧が減少して零となることにより、第１ばね部材７０のばね力の作用下に第１ピストン４６が下方側に向かって変位し、弁体５２が着座部５０に着座する。なお、第１ピストン４６と一体的に変位する磁石７２の磁界を位置検出センサ７４によって検知し、前記位置検出信号を第１コントロールユニット１１４ａに導入することにより、第１コントロールユニット１１４ａは、オン／オフ弁２６がオフ状態となったことを確認する。
【００５７】
従って、オン／オフ弁２６がオフ状態となって流体通路３４が遮断されることにより半導体ウェハに対するコーティング液の供給が停止し、コーティング液滴下装置１２４のノズルから半導体ウェハに対するコーティング液の滴下状態が停止する。この場合、コーティング液滴下装置１２４のノズル内には、半導体ウェハに滴下される直前のコーティング液が残存しているため、液だれが生ずるおそれがある。
【００５８】
そこで、第２コントロールユニット１１４ｂは、第２電空比例弁１１２ｂの供給用電磁弁１１６に滅勢信号を導出して該供給用電磁弁１１６をオフ状態にすると同時に、排気用電磁弁１１８に付勢信号を導出して該排気用電磁弁１１８をオン状態とする。
【００５９】
従って、サックバック機構２８のダイアフラム室９６に対するパイロット圧の供給を停止し、ダイアフラム室９６内のパイロット圧の圧力が減少して零となることにより、第２ピストン８０は、第２ばね部材１０４のばね力の作用下に上昇する。なお、前記第２ピストン８０と一体的に変位する円盤状部材９０の上面部が第２上部側弁ボデイ７６ａに形成された壁面１２８に当接することにより、上方に対する変位が規制される。
【００６０】
従って、第２ピストン８０の一端部に連結された第２ダイアフラム８８が一体的に変位することにより負圧作用が発生する。その際、流体通路３４内の所定量のコーティング液が図３中の矢印方向に沿って吸引される。この結果、コーティング液滴下装置１２４のノズル内に残存する所定量のコーティング液がサックバックバルブ２０側に向かって吸引されることにより、半導体ウェハに対する液だれを防止することができる。
【００６１】
パイロット圧の圧力が減少して第２ばね部材１０４が上昇した際、荷重センサ１０２は、前記第２ばね部材１０４によって付与される荷重（歪み量）を検知し、前記荷重センサ１０２から導出される第２荷重検出信号が第２コントロールユニット１１４ｂに導入される。第２コントロールユニット１１４ｂでは、第２ダイアフラム８８が流体通路３４側に向かって僅かに突出した状態において荷重センサ１０２から導出された第１荷重検出信号と、第２ダイアフラム８８が上昇した状態において荷重センサ１０２から導出された第２荷重検出信号とを比較し、第１荷重検出信号と第２荷重検出信号との偏差から第２ダイアフラム８８の変位量が演算される。
【００６２】
なお、第１コントロールユニット１１４ａから付勢信号を導出してオン／オフ弁２６をオン状態とすると同時に、第２コントロールユニット１１４ｂから供給用電磁弁１１６に付勢信号を導出してオン状態とし、排気用電磁弁１１８に滅勢信号を導出してオフ状態とすることにより初期状態となり、半導体ウェハに対するコーティング液の滴下が開始される。
【００６３】
本実施の形態では、第２ダイアフラム８８と一体的に第２ピストン８０が変位する際、パイロット圧の圧力に対応し、第２ばね部材１０４によって付与される荷重を荷重センサ１０２によって検知し、その荷重の偏差に応じて第２ダイアフラム８８の変位量が演算される。
【００６４】
この結果、本実施例では、第２ダイアフラム８８の変位量に比例して変化する荷重を荷重センサ１０２によって検知することにより、従来技術のように部品寸法にばらつきが発生して第２ダイアフラム８８の取付位置に誤差等がある場合であっても、このような部品寸法のばらつきや取付位置の誤差に影響されることがなく、サックバック量を高精度に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態に係るサックバックバルブの縦断面図である。
【図２】図１に示すサックバックバルブを構成するオン／オフ弁の部分拡大縦断面図である。
【図３】図１に示すサックバックバルブを構成するサックバック機構の部分拡大縦断面図である。
【図４】図１に示すサックバックバルブが組み込まれたサックバックシステムの概略ブロック構成図である。
【図５】従来技術に係るサックバックバルブの縦断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
２０…サックバックバルブ            ２４…継手部
２６…オン／オフ弁                  ２８…サックバック機構
３０…弁駆動部                      ３２ａ、３２ｂ…ポート
４６、８０…ピストン                ５０…着座部
５２…弁体                          ５４…連結部材
５６、８８、９２…ダイアフラム      ６２…シリンダ室
７０、１０４…ばね部材              ７２…磁石
７４…位置検出センサ                ９０…円盤状部材
９６…ダイアフラム室                １０２…荷重センサ
【図１】
2006010038.tif 000003
【図２】
2006010038.tif 000004
【図３】
2006010038.tif 000005
【図４】
2006010038.tif 000006
【図５】
2006010038.tif 000007