【手続補正書】
【提出日】平成19年1月10日(2007.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【化１】
2005510619.tif 000001
上記式中、Ｘ、ＹおよびＺは、同一でも異なっていてもよく、Ｓ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ（Ｒ８）２、Ｎ−Ｒ７およびＰ−Ｒ７のうちから選択され；
Ａ１、Ａ２およびＡ３は、同一でも異なっていてもよく、Ｃ、Ｓ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ（Ｒ８）２、Ｎ−Ｒ７およびＰ−Ｒ７のうちから選択され；
ｍは、０〜１０、好ましくは０〜５、より好ましくは０〜３の整数であり；
Ｒ１〜Ｒ６およびＲ８は、不在でも、同一でも、異なっていてもよく、１または２個の結合、Ｈ、アルキル、ＣＮ、ＯＨ、ＣＯＯＨ、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７、ＳＯ３Ｒ７、ヘテロアルキル、アルケニル、アルキニル、アルキニル−アリール、アルキニル−ヘテロアリール、アリール、アルキル−アリール、アルケニル−アリール、ヘテロアリール、アルキル−ヘテロアリール、アルケニル−ヘテロアリール、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アルキル−ヘテロシクロアルキル、アルキル−シクロアルキル、並びに、
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９４】
【図１】（Ａ）ＩＴＯ／ガラス基板上に堆積された個別ポリマーフィルムのＵＶ−可視−ＮＩＲスペクトルの重ね合わせであって、ＰＰｒｏＤＯＰ−ＮＰｒＳが酸化状態、ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２が中性状態にあるポリマーの吸収状態を表す図。２つの吸収スペクトルの和（点線）は、これら２種のポリマーをベースとするデバイスの着色状態の最確挙動を表している。明確を期すために、スペクトルの可視領域（４００〜８００ｎｍ）を垂直破線でマークした。すべての実験はバリアン  カーリー  ５Ｅ  分光光度計を用いて実施した。ポリマーは特殊設計３電極分光電気化学セル中でスイッチした。（Ｂ）ＩＴＯ／ガラス基板上に堆積された個別ポリマーフィルムのＵＶ−可視−ＮＩＲスペクトルの重ね合わせであって、ポリマーフィルムの消色状態を表す図。中性ＰＰｒｏＤＯＰ−ＮＰｒＳスペクトルとドープＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２スペクトルの和（点線）は、可視領域全体にわたる着色状態と高対照をなし、高透過型デバイスを生成する。明確を期すために、スペクトルの可視領域（４００〜８００ｎｍ）を垂直破線でマークした。すべての実験はバリアン  カーリー  ５Ｅ  分光光度計を用いて実施した。ポリマーは特殊設計３電極分光電気化学セル中でスイッチした。
【図２】（Ａ）陰極発色ポリマーとしてＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２、陽極発色層としてＰＢＥＤＯＴ−ＮＭｅＣｚを用いたデバイスの２つの極限（着色および消色）状態における透過スペクトルおよび写真であって、垂直破線は中性ＰＢＥＤＯＴ−ＮＭｅＣｚ遮断の開始を表している図、（Ｂ）陰極発色ポリマーとしてＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２、陽極発色層としてＰＰｒｏＤＯＰ−ＮＰｒＳを用いたデバイスの２つの極限（着色および消色）状態における透過スペクトルおよび写真であって、垂直破線は中性ＰＢＥＤＯＴ−ＮＭｅＣｚ遮断の開始を表している図。
【図３Ａ】（ａ）ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２／ＰＢＥＤＯＴ−ＮＭｅＣｚデバイス、（ｂ）ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２／ＰＰｒｏＤＯＰ−ＮＰｒＳデバイスおよび（ｃ）ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２フィルムのスイッチング時間の関数としての透過率。これらの実験では、反復酸化還元スイッチング実験においてλｍａｘで透過した単色光の変動をモニターした。すべての実験はバリアン  カーリー  ５Ｅ  分光光度計で行った。ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２層の厚さは、ＤｅｋＴａｋ  Ｓｌｏａｎ  ３０３０粗面計を用いて測定すると、２００ｎｍであった。
【図３Ｂ】印加電位を−２．５Ｖから＋１．５Ｖに変えたときのデバイスの色相および彩度ｘ−ｙ軌跡を示す図。色空間の暗青色領域から高透過性（白色点付近）青緑色にかかる直線が観測される。
【図４Ａ】ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２／ＰＰｒｏＤＯＰ−ＮＰｒＳデバイスの輝度分析図。Ｄ５０白色光源を使って相対輝度の電位依存性をモニターした。
【図４Ｂ】多重エレクトロクロミックスイッチに対するＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２／ＰＰｒｏＤＯＰ−ＮＰｒＳデバイスの寿命を示している。この研究は、デバイスの電圧を−１〜と＋１Ｖの間で連続的にステッピングさせて行い、各電位で３０秒遅延させて完全な色変化と保持時間を得た。この間に、この時間中の輝度を７日間にわたってモニターした。上側軌跡（■）は、実施したサイクル数に応じた消色状態のデバイスの輝度の低下を示しており、下側軌跡（●）は、連続スイッチング中の暗状態のフェーディングを示している。すべての測定は、Ｍｉｎｏｌｔａ  ＣＳ  １００  色彩色差計で実施した。
【図５】透過型ＥＣＤの概略図。このＥＣＤは、透明な酸化インジウムスズコートガラス（ＩＴＯ）上に堆積され、アセトニトリル／プロピレンカーボネート膨脹ポリ（メチルメタクリレート）マトリックスに溶かしたＬｉＮ（ＣＦ３ＳＯ２）２をベースとする粘性ゲル電解質で分離された２つのポリマー薄膜からなる。このデバイスの形成は、一方の酸化ドープポリマーと、もう一方の中性ポリマーを用いて実施し、両フィルムは同時に透過状態または吸収状態にある。そのようなものとして、デバイスは消色または着色状態に見える。電圧の印加により、ドープポリマーが中和されると同時に、相補的ポリマーが酸化されて、色が生成するか、消色される。ＰＰｒｏＤＯＴ−Ｍｅ２は、ドープ状態の高透過性淡青色から中性状態の暗青紫色に切り替わるが、ＰＰｒｏＤＯＰ−ＮＰｒＳは灰緑色状態からほほぼ透明な中性状態に切り替わる。示されている色表示はＬ＊ａ＊ｂ＊系表色系色座標である。
【図６】Ｎ−置換ＰｒｏＤＯＰの合成を示す図。
【図７】Ｐｔボタン（面積＝０．０２ｃｍ２）上２０ｍＶ／ｓでの、０．１Ｍ  ＬｉＣｌＯ４／ＰＣ中の０．０１Ｍ  モノマー溶液からの電位走査によるＮ−アルキル  ＰｒｏＤＯＰの電着を示す図であって、（ａ）Ｎ−Ｍｅ  ＰＰｒｏＤＯＰ（２０サイクル）、（ｂ）Ｎ−Ｐｒ  ＰＰｒｏＤＯＰ（１５０サイクル）、（ｃ）Ｎ−Ｏｃｔ  ＰＰｒｏＤＯＰ（１５０サイクル）、（ｄ）Ｎ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰ（５０サイクル）を示す図。
【図８】（ａ）５０ｍＶ／秒、（ｂ）１００ｍＶ／秒、（ｃ）１５０ｍＶ／秒、（ｄ）２００ｍＶ／秒の走査速度での、モノマーを含まない０．１Ｍ  ＬｉＣｌＯ４／ＰＣ溶液中のＮ−アルキル  ＰＰｒｏＤＯＰ薄膜のサイクリックボルタモグラムであって、（Ａ）Ｎ−Ｍｅ  ＰＰｒｏＤＯＰのサイクリックボルタモグラム、（Ｂ）Ｎ−Ｐｒ  ＰＰｒｏＤＯＰのサイクリックボルタモグラム、（Ｃ）Ｎ−Ｏｃｔ  ＰＰｒｏＤＯＰのサイクリックボルタモグラム、（Ｄ）Ｎ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰのサイクリックボルタモグラム。
【図９】モノマーを含まない０．１Ｍ  ＬｉＣｌＯ４／ＰＣ溶液中のＮ−Ｐｒ  ＰＰｒｏＤＯＰの走査速度依存性を示す図であって、（Ａ）走査速度に応じた陽極および陰極ピーク電流の変化を示す図、（Ｂ）走査速度の増加に応じたピーク分離（ΔＥｐ）を示す図。
【図１０】０．１Ｍ  ＬｉＣｌＯ４／ＰＣ対Ｆｃ／Ｆｃ＋中のＮ−アルキル  ＰＰｒｏＤＯＰの分光電気化学を示す図であって、（Ａ）（ａ）−５００ｍＶ、（ｂ）−４００ｍＶ、（ｃ）−３００ｍＶ、（ｄ）−２７５ｍＶ、（ｅ）−２５０ｍＶ、（ｆ）−２３０ｍＶ、（ｇ）−２００ｍＶ、（ｈ）−１６０ｍＶ、（ｉ）−１２０ｍＶ、（ｊ）−７５ｍＶ、（ｋ）０ｍＶ、（ｌ）＋１００ｍＶ、（ｍ）＋３００ｍＶ、（ｎ）＋５００ｍＶ、（ｏ）＋７００ｍＶの印加電位でのＮ−Ｍｅ  ＰＰｒｏＤＯＰを示す図；（Ｂ）（ａ）−４００ｍＶ、（ｂ）−３００ｍＶ、（ｃ）−２００ｍＶ、（ｄ）−１５０ｍＶ、（ｅ）−１００ｍＶ、（ｆ）−８０ｍＶ、（ｇ）−６０ｍＶ、（ｈ）−４０ｍＶ、（ｉ）−２０ｍＶ、（ｊ）０ｍＶ、（ｋ）＋５０ｍＶ、（ｌ）＋１００ｍＶ、（ｍ）＋２００ｍＶ、（ｎ）＋４００ｍＶ、（ｏ）＋６００ｍＶの印加電位でのＮ−Ｐｒ  ＰＰｒｏＤＯＰを示す図；（Ｃ）（ａ）−２００ｍＶ、（ｂ）−７０ｍＶ、（ｃ）−６０ｍＶ、（ｄ）−５０ｍＶ、（ｅ）−４０ｍＶ、（ｆ）−３０ｍＶ、（ｇ）−２０ｍＶ、（ｈ）−１０ｍＶ、（ｉ）０ｍＶ、（ｊ）＋２０ｍＶ、（ｋ）＋６０ｍＶ、（ｌ）＋２００ｍＶ、（ｍ）＋３００ｍＶ、（ｎ）＋４００ｍＶ、（ｏ）＋７００ｍＶの印加電位でのＮ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰを示す図。
【図１１】３種の異なる酸化状態：（ａ）中性、（ｂ）中間、（ｃ）ドープの波長（ｎｍ）の関数としての可視領域におけるＮ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰの透過率を示す図。
【図１２】（Ａ）Ｎ−Ｍｅ  ＰＰｒｏＤＯＰの測色を示す図（ｘ−ｙ線図）、（Ｂ）Ｎ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰの測色を示す図（ｘ−ｙ線図）。
【図１３】印加電位対Ｆｃ／Ｆｃ＋の関数としてのＹｘｙ座標から計算したＮ−Ｍｅ  ＰＰｒｏＤＯＰ（○）およびＮ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰ（●）の相対輝度を示す図。
【図１４】最初に特許文献〔アール  ビー  ベネット（Ｒ．Ｂ．Ｂｅｎｎｅｔｔ），ダブリュー  イー  ココナスキー（Ｗ．Ｅ．Ｋｏｋｏｎａｓｋｙ），エム  ジェイ  ハンナン（Ｍ．Ｊ．Ｈａｎｎａｎ）、エル  ジー  ボクサル（Ｌ．Ｇ．Ｂｏｘａｌｌ），米国特許第５，４４６，５７７号，１９９５年；（ｂ）ピー  チャンドラシェーカ（Ｐ．Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ），米国特許第５，９９５，２７３号，１９９９年〕に記載された表面活性電極デバイスサンドイッチ構造を（概略的に）示す図。
【図１５】誘導体化ＰｒｏＤＯＰの化学構造を示す図。
【図１６】（Ａ）Ｐｔボタン電極上２０ｍＶ／秒でのＰｒｏＤＯＰ−ＢｕＯＨのサイクリックボルタンメトリー電着を示す図、（Ｂ）第１回走査における不可逆性モノマー酸化・核生成ループを示す図。可溶性ＰＰｒｏＤＯＰ誘導体。Ｃ−アルキル化ＰＰｒｏＤＯＰをメタノールまたはクロロホルム中の塩化第２鉄で化学重合した。溶媒としてメタノールを使うと高収率が得られた（〜９０％）。
【図１７】調製された最初の一連の３，４−アルキレンジオキシピロールモノマーを示す図。
【図１８】一般的な３，４−アルキレンジオキシピロール合成経路を示す図。
【図１９】単純なアルキル基からグリム、グリムアルコール、およびスルホナトアルコキシ誘導体におよぶ多様な側鎖置換基を有するＮ−アルキル化ＰｒｏＤＯＰを示す図。
【図２０】Ｎ−ベンジル−３，４−エチレンジオキシピロール−２，５−ジカルボン酸（１３）上のヨード−脱炭酸反応を示す図。
【図２１】良好に進行し、９０％の収率でＮ−ベンジル−ＥＤＯＰ（１７）を得たＥＤＯＰのベンジル保護を示す図。
【図２２】ＥＤＯＴ、ＥＤＯＰ、およびチオフェン：シクロビニレンドナーアクセプターモノマー結合体の合成法を示す図。
【図２３】１４−クラウン−４−エーテル誘導体化ジオキシピロールの設計および合成を示す図。
【図２４】プロピレンジオキシ部分の中心メチレンにアルキル鎖が付着した一連の変性ＰｒｏＤＯＰモノマーの合成スキームを示す図。
【図２５Ａ】本発明のエレクトロクロミックポリマーを利用し得る透過型および反射型ＥＣＤを示す図（旧図３４〜図３５）。
【図２５Ｂ】本発明のエレクトロクロミックポリマーを利用し得る透過型および反射型ＥＣＤを示す図（旧図３４〜図３５）。
【図２６】Ｎ−置換ＰｒｏＤＯＰの合成を示す図。
【図２７】２０ｍＶ／秒で０．１Ｍ  ＬｉＣｌＯ４／ＰＣ中の０．０１Ｍモノマー溶液からのＰｔボタン（面積＝０．０２ｃｍ２）上へのＮ−アルキルＰｒｏＤＯＰの電位走査電着を示す図であって、（Ａ）Ｎ−Ｍｅ  ＰＰｒｏＤＯＰ（２０サイクル）を示す図、（Ｂ）Ｎ−Ｐｒ  ＰＰｒｏＤＯＰ（１５０サイクル）を示す図、（Ｃ）Ｎ−Ｏｃｔ  ＰＰｒｏＤＯＰ（１５０サイクル）を示す図、（Ｄ）Ｎ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰ（５０サイクル）を示す図、（Ｅ）Ｎ−ＰｒＳ  ＰＰｒｏＤＯＰ（１５サイクル）を示す図。
【図２８】（ａ）５０ｍＶ／秒、（ｂ）１００ｍＶ／秒、（ｃ）１５０ｍＶ／秒、（ｄ）２００ｍＶ／秒の走査速度での、モノマーを含まない０．１Ｍ  ＬｉＣｌＯ４／ＰＣ溶液中のＮ−アルキル  ＰＰｒｏＤＯＰ薄膜のサイクリックボルタモグラムであって、（Ａ）Ｎ−Ｍｅ  ＰＰｒｏＤＯＰのサイクリックボルタモグラム、（Ｂ）Ｎ−Ｐｒ  ＰＰｒｏＤＯＰのサイクリックボルタモグラム、（Ｃ）Ｎ−Ｏｃｔ  ＰＰｒｏＤＯＰのサイクリックボルタモグラム、（Ｄ）Ｎ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰのサイクリックボルタモグラム、（Ｅ）Ｎ−ＰｒＳ  ＰＰｒｏＤＯＰのサイクリックボルタモグラム。
【図２９】モノマーを含まない０．１Ｍ  ＬｉＣｌＯ４／ＰＣ溶液中のＮ−ＰｒＳ  ＰＰｒｏＤＯＰ薄膜のサイクリックボルタモグラム。支持電解質を用いずにＰＣ：Ｈ２Ｏ（９４：６）中の０．０１Ｍ  モノマーから１０ｍＣ／ｃｍ２の総電荷を送って０．０４ｍＡ／ｃｍ２の電流密度でポリマーフィルムを定電流成長させた。走査速度は、（ａ）２０ｍＶ／ｓ、（ｂ）５０ｍＶ／ｓ、（ｃ）１００ｍＶ／秒、（ｄ）１５０ｍＶ／秒、（ｅ）２００ｍＶ／秒である。
【図３０Ａ】０．１Ｍ  ＬｉＣｌＯ４／ＡＣＮ溶液中のＮ−ＰｒＳ  ＰＰｒｏＤＯＰフィルムの走査速度の関数としての陽極および陰極ピーク電流の変動を示す図。
【図３０Ｂ】１００ｍＶ／秒の走査速度で１０，０００回サイクルさせた０．１２μｍのＮ−ＰｒＳ  ＰＰｒｏＤＯＰ厚膜のサイクル数の関数としての陽極ピーク電流（□）および陰極ピーク電流（○）の変動を示す図。
【図３１】０．１Ｍ  ＬｉＣｌＯ４／ＰＣ対Ｆｃ／Ｆｃ＋中のＮ−アルキル  ＰＰｒｏＤＯＰの分光電気化学を示す図であって、（Ａ）（ａ）−５００ｍＶ、（ｂ）−４００ｍＶ、（ｃ）−３００ｍＶ、（ｄ）−２７５ｍＶ、（ｅ）−２５０ｍＶ、（ｆ）−２３０ｍＶ、（ｇ）−２００ｍＶ、（ｈ）−１６０ｍＶ、（ｉ）−１２０ｍＶ、（ｊ）−７５ｍＶ、（ｋ）０ｍＶ、（ｌ）＋１００ｍＶ、（ｍ）＋３００ｍＶ、（ｎ）＋５００ｍＶ、（ｏ）＋７００ｍＶの印加電位でのＮ−Ｍｅ  ＰＰｒｏＤＯＰを示す図；（Ｂ）（ａ）−４００ｍＶ、（ｂ）−３００ｍＶ、（ｃ）−２００ｍＶ、（ｄ）−１５０ｍＶ、（ｅ）−１００ｍＶ、（ｆ）−８０ｍＶ、（ｇ）−６０ｍＶ、（ｈ）−４０ｍＶ、（ｉ）−２０ｍＶ、（ｊ）０ｍＶ、（ｋ）＋５０ｍＶ、（ｌ）＋１００ｍＶ、（ｍ）＋２００ｍＶ、（ｎ）＋４００ｍＶ、（ｏ）＋６００ｍＶの印加電位でのＮ−Ｐｒ  ＰＰｒｏＤＯＰを示す図；（Ｃ）（ａ）−２００ｍＶ、（ｂ）−７０ｍＶ、（ｃ）−６０ｍＶ、（ｄ）−５０ｍＶ、（ｅ）−４０ｍＶ、（ｆ）−３０ｍＶ、（ｇ）−２０ｍＶ、（ｈ）−１０ｍＶ、（ｉ）０ｍＶ、（ｊ）＋２０ｍＶ、（ｋ）＋６０ｍＶ、（ｌ）＋２００ｍＶ、（ｍ）＋３００ｍＶ、（ｎ）＋４００ｍＶ、（ｏ）＋７００ｍＶの印加電位でのＮ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰを示す図；（Ｄ）（ａ）−０．４０Ｖ、（ｂ）−０．３０Ｖ、（ｃ）−０．２５Ｖ、（ｄ）−０．２０Ｖ、（ｅ）−０．１５Ｖ、（ｆ）−０．１０Ｖ、（ｇ）−０．０５Ｖ、（ｈ）０．００Ｖ、（ｉ）＋０．０５Ｖ、（ｊ）＋０．１０Ｖ、（ｋ）＋０．１５Ｖ、（ｌ）＋０．２０Ｖ、（ｍ）＋０．２５Ｖ、（ｎ）＋０．３０Ｖ、（ｏ）＋０．４０Ｖ、（ｐ）＋０．５０Ｖの印加電位でのＮ−ＰｒＳ  ＰＰｒｏＤＯＰを示す図。
【図３２】３種の異なる酸化状態：（ａ）中性、（ｂ）低ドーピングレベル、（ｃ）高ドーピングレベルの波長（ｎｍ）の関数としての可視領域におけるＮ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰの透過率を示す図。
【図３３】（Ａ）Ｎ−Ｍｅ  ＰＰｒｏＤＯＰの測色を示す図（ｘ−ｙ線図）、（Ｂ）Ｎ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰの測色を示す図（ｘ−ｙ線図）、および（Ｃ）Ｎ−ＰｒＳ  ＰＰｒｏＤＯＰの測色を示す図（ｘ−ｙ線図）。
【図３４】印加電位対Ｆｃ／Ｆｃ＋の関数としてのＮ−Ｍｅ  ＰＰｒｏＤＯＰ（○）およびＮ−Ｇｌｙ  ＰＰｒｏＤＯＰ（●）の相対輝度を示す図。
【図３５Ａ】金属蒸着（ＭＶＤ）によるパターンＥＣＤの作製において、平面上の金属パターニングに用いたマスクのデザインを示す図。左：２×１ピクセル。中：２×２ピクセル。右：３×３ピクセル。
【図３５Ｂ】金属蒸着（ＭＶＤ）によるパターンＥＣＤの作製において、平面上の金属パターニングに用いたマスクのデザインを示す図。左：２×１ピクセル。中：２×２ピクセル。右：３×３ピクセル。
【図３５Ｃ】金属蒸着（ＭＶＤ）によるパターンＥＣＤの作製において、平面上の金属パターニングに用いたマスクのデザインを示す図。左：２×１ピクセル。中：２×２ピクセル。右：３×３ピクセル。
【図３５Ｄ】パターン金属電極で表面をコートするＭＶＤプロセスを示す略図。
【図３５Ｅ】多孔質ポリカーボネート膜上でパターン形成された金属電極を示すであって、左図（およびその光学倍率−４０倍）は、細孔を介してガラス基板上に堆積した金の斑点（サイズ約１０μｍ）を示し、中央の図は、このプロセス中に使用した２×２マスクを示し、右図は、ポリカーボネート膜上に堆積した金層を示す図。この図の光学倍率は金電極の多孔性を示している。
【図３５Ｆ】多孔質膜を有するＥＣＤ構造の略断面図。
【図３６】０．１Ｍ  ＴＢＡＰ／ＡＣＮ電解質中で定電圧で還元（左）、酸化（右）した、ＢＥＤＯＴおよびＰＢＥＤＯＴ−Ｂ（ＯＣ１２Ｈ２５）２の写真。これらのフィルムは、２０ｍＣの堆積電荷を用いてＩＴＯ／ガラス電極（１ｃｍ２）上に堆積した。
【図３７Ａ】活性表面層および対極の両方にＰＥＤＯＴを用い、図３５Ｆ（Ｄ２）に従って構築した１ピクセルデバイスの写真であって、活性表面層の消色状態および着色スイッチング状態を示す写真。
【図３７Ｂ】スイッチング過程における充／放電時間依存性を示す図。
【図３８】完全着色表面に対する完全反射を表示する、０．１Ｍ  ＴＢＡＰ／ＰＣ中でスイッチングしている間の２×２ピクセルデバイスの電気化学機構の写真。
【図３９Ａ】図３８のフィルムそれぞれについて、１００、１００および５０ｍＶ／秒での０．１Ｍ  ＴＢＡＰ／ＰＣ中のＰＥＤＯＴ（３９Ａ）、ＰＢＥＤＯＴ−Ｂ（ＯＣ１２Ｈ２４）２（３９Ｂ）および合わせたフィルム（３９Ｃ）のＣＶを示す図。
【図３９Ｂ】図３８のフィルムそれぞれについて、１００、１００および５０ｍＶ／秒での０．１Ｍ  ＴＢＡＰ／ＰＣ中のＰＥＤＯＴ（３９Ａ）、ＰＢＥＤＯＴ−Ｂ（ＯＣ１２Ｈ２４）２（３９Ｂ）および合わせたフィルム（３９Ｃ）のＣＶを示す図。
【図３９Ｃ】図３８のフィルムそれぞれについて、１００、１００および５０ｍＶ／秒での０．１Ｍ  ＴＢＡＰ／ＰＣ中のＰＥＤＯＴ（３９Ａ）、ＰＢＥＤＯＴ−Ｂ（ＯＣ１２Ｈ２４）２（３９Ｂ）および合わせたフィルム（３９Ｃ）のＣＶを示す図。
【図４０】時間の関数としての消色→着色遷移を示す、０．１Ｍ  ＴＢＡＰ／ＰＣ中での図３８の２種のフィルムの電荷堆積を示す図であって、差し込み図は同一実験条件下における反復充／放電過程の時間依存性を示す図。
【図４１】Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ（登録商標）コート櫛形透明フィルム基板の概略図。この図に示されている色は、ミノルタ  ＣＳ−１００測色計で測定したコートフィルムの実際の色である。
【図４２】横方向にパターン形成されたデバイスの透過状態と着色状態とのエレクトロクロミックスイッチングを示す概略図。このデバイスは、同一表面上に２種のポリマーを有する。
【図４３】ラインパターンＰＥＤＯＴコート透明フィルム基板の透過率（％Ｔ）（Ｓ１＝１重ＰＥＤＯＴ、Ｓ２＝２重ＰＥＤＯＴ、Ｓ３＝３重ＰＥＤＯＴ）を示す図。
【図４４Ａ】ラインパターンＰＥＤＯＴ櫛形電極上に堆積されたＥＣ  ＰＥＤＯＴの写真であって、ＰＥＤＯＴの酸化還元状態間のエレクトロクロミックスイッチングを示す写真。ＰＥＤＯＴ堆積面積は〜３ｃｍ２、堆積電荷は〜１４ｍＣ／ｃｍ２。
【図４４Ｂ】ＰＥＤＯＴが堆積したライン（中央ライン）と堆積しなかったラインの光学顕微鏡写真。
【図４５】ミノルタ  ＣＳ−１００測色計で記録されたＬ＊ａ＊ｂ＊値に基く種々の電位でのＢａｙｔｒｏｎ  Ｐ（登録商標）コート電極上のＰＢＥＤＯＴ−Ｃｚの色変化を示す図。
【図４６】ＰＥＤＯＴラインパターン櫛形電極上でのＴＢＡＰ（０．１Ｍ）／ＡＣＮ電解質溶液中のＰＢＥＤＯＴ−Ｃｚのエレクトロクロミックスイッチングの写真。
【図４７】ラインパターニングで形成された櫛形ＩＴＯコートプラスチック基板の概略図。
【図４８】ＩＴＯコート櫛形透明フィルム基板上でのＰＥＤＯＴのエレクトロクロミックスイッチングを示す写真。
【図４９Ａ】無電解金めっき用櫛形電極デザインを示す図。
【図４９Ｂ】無電解金めっき用櫛形電極デザインを示す図。
【図５０Ａ】ラインパターニングによる櫛形金蒸着透明フィルムの光学顕微鏡写真。ラインパターンは（Ａ）１０倍、（Ｂ）４０倍、（Ｃ）１００倍の倍率で示されている。
【図５０Ｂ】ラインパターニングによる櫛形金蒸着透明フィルムの光学顕微鏡写真。ラインパターンは（Ａ）１０倍、（Ｂ）４０倍、（Ｃ）１００倍の倍率で示されている。
【図５０Ｃ】ラインパターニングによる櫛形金蒸着透明フィルムの光学顕微鏡写真。ラインパターンは（Ａ）１０倍、（Ｂ）４０倍、（Ｃ）１００倍の倍率で示されている。
【図５１】櫛形電極（ＩＤＥ）を有する固相デバイスのラインパターン金上での（ＰＥＤＯＴ−ＰＥＤＯＴ）ＥＣスイッチングを示す写真。
【図５２】０．１Ｍ  ＬｉＣｌＯ４／ＰＣ電解質溶液中の２ピクセル（ＰＥＤＯＴ−ＰＥＤＯＴ）ラインパターン金デバイスのＥＣスイッチングを示す写真。
【図５３】２ピクセル固相（ＰＥＤＯＴ−ＰＥＤＯＴ）ラインパターン金デバイスのＥＣスイッチングを示す写真。
【図５４Ａ】ＩＴＯ／ガラス基板上のスコーチラインの光学顕微鏡写真。これらのラインの方位分解能を測定すると、６０μｍであった。
【図５４Ｂ】スコーチラインの粗面計走査を示す図。この方法でＩＴＯ／ガラス上に引かれたラインにより、＞２０ＭΩでパターン領域の絶縁が生じた。
【図５５Ａ】ＩＴＯ／ポリエステル基板上に適用されたＵＦデザインを示す図。
【図５５Ｂ】０．１Ｍ  ＴＢＡＰ／ＡＣＮ溶液中での（Ｐ３ＭＴｈ−Ｐ３ＭＴｈ）ベースＵＦデバイスのエレクトロクロミックスイッチングを示す図。
【図５６Ａ】櫛形横型ＥＣＤの概略図であって、櫛形フィンガー（ＩおよびＩＩ）上の別々の電解重合を示す図。黒い領域は非導電性部位を表している。白い領域は導電性である。
【図５６Ａ】櫛形横型ＥＣＤの概略図であって、横型デバイスの酸化還元状態と相補的着色状態との間のＥＣスイッチングを示す図。
【図５７Ａ】同一バイアス構成デバイスを用いた高コントラストディスプレイ（左側上下）および色整合（右側上下）を示すポリマーの対を示す図。
【図５７Ｂ】逆バイアス構成デバイスを用いた高コントラストディスプレイ（左側上下）および色整合（右側上下）を示すポリマーの対を示す図。
【図５８Ａ】ラインパターニング法により得られた金パターン電極の写真（図５８Ａ：２×２ピクセル電極、図５８Ｂ：３×３ピクセル電極、図５８Ｃ：櫛形電極）。
【図５８Ｂ】ラインパターニング法により得られた金パターン電極の写真（図５８Ａ：２×２ピクセル電極、図５８Ｂ：３×３ピクセル電極、図５８Ｃ：櫛形電極）。
【図５８Ｃ】ラインパターニング法により得られた金パターン電極の写真（図５８Ａ：２×２ピクセル電極、図５８Ｂ：３×３ピクセル電極、図５８Ｃ：櫛形電極）。