Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  吸収過程を包含する、傷害されていない皮膚、口内、リンガル、鼻孔もしくは直腸粘膜、気管支もしくは肺胞上皮への、または非経口な適用のための少なくとも１種の活性物質を連続的かつ制御的に放出する医薬デバイスであって、上記活性物質はジアモルフィン塩基、ジアモルフィンの塩酸塩、硫酸塩、硫酸一水素塩、臭化水素酸塩、ヨウ化水素酸塩、乳酸塩、酢酸塩、ギ酸塩、プロピオン酸塩、オレイン酸塩、リン酸塩、一水素リン酸塩、クエン酸塩、アスコルビン酸塩および酒石酸塩よりなる群からの医薬的に適合性のある酸付加塩の形態または包接化合物の形態として存在する医薬デバイス。
【請求項２】  溶液、懸濁液、乳化液、移植体、坐剤、プレイン錠、粉末、コーチング錠、経皮治療システム、ウエファース、スプレーまたはエアゾルの形態を有する請求項１記載のデバイス。
【請求項３】  上記活性物質は、さらに（−）−モルフィンおよび／または（−）−モルフィンの医薬的に適合性のある酸付加塩からなる請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】  感圧性接着剤からなる層を有する多層に構築された経皮治療システムの形態を有する請求項１〜３のいずれかに記載のデバイス。
【請求項５】  上記感圧性接着剤は、アクリレートおよび／またはメタクリレート、シリコン、ポリイソブチレン、スチレン／ブタジエンコポリマー、スチレン／イソプレンコポリマーに基づくポリマーからなる群ならびに水素化ロジンのエステルより選択されるポリマーからなる請求項４記載の経皮治療システム。
【請求項６】  感圧性接着剤中に存在するポリマーはアクリレートおよび／またはメタクリレートに基づく自己架橋アクリレートポリマーである請求項５記載のシステム。
【請求項７】  自己架橋アクリレートポリマーのモノマー組成物中２−エチルヘキシルアクリレート、ビニルアセテートおよびアクリル酸からなる請求項６記載のシステム。
【請求項８】  １つの層は０.１〜５０重量％の活性物質および／または医薬的に適合性のある酸付加塩からなる請求項４記載のシステム。
【請求項９】  さらにＮ−メチル-ピロリドン、ニコチン酸ベンジルエステル、Ｒ−(＋)−リモネン、レモン油、オレイン酸、ウンデセン酸、ジメチルイソソルビド、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエートおよびポリオキシエチレン
ソルビタントリステアレートからなる群より選択される物質からなる請求項４記載のシステム。
【請求項１０】  活性物質からなる層はさらに１〜１５重量％のビタミンＥおよび／またはビタミンＥ誘導体を含有する請求項４記載のシステム。
【請求項１１】  活性物質としてジアモルフィンを含み、この活性物質の溶媒またはビヒクルとして医薬適合性の非プロトン性溶媒および／または低いタンパク分解［sic］活性を有する医薬適合性の溶媒を使用することからなる医薬デバイスの製造方法。
【請求項１２】  ａ) 活性物質をポリマービヒクルの溶液または溶融物中に導入し、
ｂ) 活性物質を含むこのポリマー溶液またはポリマー溶融物を担体ウエブ上にコーティングし、
ｃ) 活性物質を含むコーティングされたポリマー溶液またはポリマー溶融物を、ポリマーを架橋するかまたは架橋することなく、溶媒の除去、冷却または放置することによって固化させ、ついで
ｄ) 上記固化後に得られた活性物質を含むポリマー組成物から個々のパッチを打ち抜く工程からなる請求項４記載の医薬デバイスの製造方法。
【請求項１３】  オピエートの誤用の突然の中止に伴う精神的および／または身体的離脱症状を処置する方法における、活性物質の連続的かつ制御的投与に使用する医薬の製造のための（−）−モルフィンの誘導体および／または（−）−モルフィンの誘導体の医薬的に適合性のある酸付加塩の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【背景技術】
オピエートはケシ（Papaver somniferum）の活性物質である。主要なオピエートにはアヘン、モルフィン、コデインおよびヘロインが包含される。さらに粗製のアヘンの成分にはナルコチン、パパベリン、ナルセイン、テバイン、ラウダノシン、キサンタリンおよびノスカピンがある。しかしながら、麻薬性および鎮痛性を示すのはモルフィンアルカロイドのみである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  哺乳動物の冠状動脈狭窄症を診断するための組成物であって：
所定量の次式（Ｉ）の化合物：
【化１】
2003502433.tif 000001
式中、
（ａ）各Ｒは独立して水素、Ｃ1 −Ｃ6 アルキル、Ｃ3 −Ｃ7 シクロアルキル、フェニル又はフェニル（Ｃ1 −Ｃ3 ）アルキルであり；
（ｂ）Ｘは−ＣＨ2 ＯＨ，−ＣＯ2 Ｒ2 ，−ＯＣ（Ｏ）Ｒ2 又はＣ（Ｏ）ＮＲ3 Ｒ4 であり；
（ｃ）Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 は各々独立して、Ｈ，Ｃ1-6 アルキル；１〜３個のＣ1-6 アルコキシ、Ｃ3 −Ｃ7 シクロアルキル、Ｃ1-6 アルキルチオ、ハロゲン、ヒドロキシ、アミノ、モノ（Ｃ1-6 アルキル）アミノ、ジ（Ｃ1-6 アルキル）アミノもしくはＣ6-10アリールで置換されたＣ1-6 アルキル（ここで、アリールは１〜３個のハロゲン、Ｃ1-6 アルキル、ヒドロキシ、アミノ、モノ（Ｃ1-6 アルキル）アミノもしくはジ（Ｃ1-6 アルキル）アミノで置換されていてよい）；Ｃ6-10アリール；又は１〜３個のハロゲン、ヒドロキシ、アミノ、モノ（Ｃ1-6 アルキル）アミノ、ジ（Ｃ1-6 アルキル）アミノもしくはＣ1-6 アルキルで置換されたＣ6-10アリールであり；
（ｄ）Ｒ3 及びＲ4 は各々独立して水素、Ｃ3-7 シクロアルキル、又はＲ2 で定義したいずれかであり；そして
（ｅ）Ｒ1 は（Ｘ−（Ｚ）−）n ［（Ｃ3 −Ｃ10）シクロアルキル］−（Ｚ′）−であり、ここでＺ及びＺ′は独立して、任意的に１〜３個のＳもしくは非過酸化Ｏで中断された（Ｃ1 −Ｃ6 ）アルキルであるか不在であり、そしてｎは１〜３である）；
又はその医薬的に許容される塩、を含んでなり、ここで当該量は冠状動脈拡張を供するのに有効な量とし；そして
当該組成物は前記哺乳動物に対し、前記冠状動脈狭窄症の存在を検出する及び／又は症度を評価する技術を実施するための使用される；組成物。
【請求項２】  前記哺乳動物がヒトである、請求項１記載の組成物。
【請求項３】  Ｘが−ＣＨ2 ＯＨ又は−Ｃ（Ｏ）ＮＲ3 Ｒ4 である、請求項１記載の組成物。
【請求項４】  Ｒ3 がＨであり、そしてＲ4 が（Ｃ1 −Ｃ4 ）アルキルである、請求項１記載の組成物。
【請求項５】  ＲがＨ又は（Ｃ1 −Ｃ4 ）アルキルである、請求項１記載の組成物。
【請求項６】  Ｚ′が−ＣＨ2 −又は−ＣＨ2 −ＣＨ2 −である、請求項１記載の組成物。
【請求項７】  Ｚが−ＣＨ2 −又は−ＣＨ2 −ＣＨ2 −である、請求項６記載の組成物。
【請求項８】  Ｒ1 がシクロヘキシル又はシクロペンチルである、請求項１記載の組成物。
【請求項９】  Ｘが（Ｃ1 −Ｃ4 ）アルコキシカルボニル、Ｃ（Ｏ）ＮＲ3 Ｒ4 又はアセトキシメチルである、請求項８記載の組成物。
【請求項１０】  Ｘがカルボキシである、請求項７記載の組成物。
【請求項１１】  Ｘ−Ｚ及びＺ′がｔｒａｎｓとなっている、請求項７記載の組成物。
【請求項１２】  ＲがＨであり、Ｘがエチルアミノカルボニルであり、そしてＲ′が２−（４−メトキシカルボニル−シクロヘキシルメチル）エチニル又は２−（４−カルボキシ−シクロヘキシルメチル）エチニルである、請求項１記載の組成物。
【請求項１３】  ＲがＨであり、Ｘがエチルアミノカルボニルであり、そしてＲ2 が２−（４−アセトキシメチル−シクロヘキシルメチル）エチニルである、請求項１記載の組成物。
【請求項１４】  前記冠状動脈狭窄が冠状動脈疾患に起因する、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項１５】  前記技術が放射性医薬心筋灌流イメージング、心室機能イメージング及び冠状血流速度測定方法から成る群から選ばれる、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項１６】  前記放射性医薬心筋灌流イメージングが平板シンチグラフィー、シングルフォトン放射形コンピューター断層撮影（ＳＰＥＣＴ）、ポジトロン放射形断層撮影（ＰＥＴ）、核磁気共鳴（ＮＭＲ）イメージング、灌流コントラスト心エコグラフィー、デジタルサブトラクション血管造影（ＤＳＡ）及び超高速Ｘ線コンピューター断層撮影（ＣＩＮＥ  ＣＴ）から成る群から選ばれる、請求項１５記載の組成物。
【請求項１７】  前記放射性医薬心筋灌流イメージングとの関係で利用する放射性薬剤がタリウム−２０１、テクネチウム−９９ｍ、窒素−１３、ルビジウム−８２、ヨウ素−１２３及び酸素−１５から成る群から選ばれる放射性核種を含んで成る、請求項１６記載の組成物。
【請求項１８】  前記放射性医薬心筋灌流イメージングがシンチグラフであり、そして前記放射性薬剤がタリウム−２０１である、請求項１７記載の組成物。
【請求項１９】  前記心室機能イメージング技術が心エコグラフィー、コントラスト心室造影法及び放射性核種心室造影法から成る群から選ばれる、請求項１５記載の組成物。
【請求項２０】  前記心室機能イメージング技術が心エコグラフィーである、請求項１３記載の組成物。
【請求項２１】  前記冠状動脈血流速度の測定方法がドップラーフローカテーテル、デジタルサブトラクション血管造影及び放射性医薬イメージング技術から成る群から選ばれる、請求項１５記載の組成物。
【請求項２２】  前記冠状動脈血流速度の測定方法がドップラーフローカテーテルである、請求項１５記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  (ａ)抗トロンビン−IIIを含む溶液に、該溶液における不純物は沈殿するが、抗トロンビン−IIIは本質的に溶液中に留まるのに十分な量でサッカライドとクエン酸塩を添加する；
(ｂ)不純物を沈殿させる；そして
(ｃ)沈殿不純物を除去し、それにより精製抗トロンビン−IIIを含む溶液を得る
段階を含む、抗トロンビン−IIIの精製法。
【請求項２】  サッカライドがモノサッカライドおよびジサッカライドからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  サッカライドがモノサッカライドである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  サッカライドの濃度が１０から３０％である、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】  サッカライドの濃度が１５から２５％である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  サッカライドがスクロースである、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】  クエン酸塩の濃度が０.１から３Ｍである、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】  クエン酸塩の濃度が０.５から１.５Ｍである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  クエン酸塩の源がクエン酸ナトリウムである、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】  精製抗トロンビン−IIIを、安定化剤としての該サッカライドおよびクエン酸塩の存在下に含む得られた溶液の滅菌段階が続く、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】  更に凍結乾燥段階を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】  (ｉ)抗トロンビン−III；および
(ii)安定化剤としてのサッカライドおよびクエン酸塩
を含む、請求項１から１１のいずれかに記載の方法により得られる医薬組成物。
【請求項１３】  サッカライドがモノサッカライドである、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】  モノサッカライドがスクロースである、請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１５】  サッカライドの量が抗トロンビン−IIIの重量部当り０.５から２.５重量部である、請求項１２から１４のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１６】  サッカライドの量が抗トロンビン−IIIの重量部当り１.０から１.５重量部である、請求項１５に記載の医薬組成物。
【請求項１７】  クエン酸塩の量が抗トロンビン−IIIの重量部当り１から４重量部である、請求項１２から１６のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１８】  クエン酸塩の量が抗トロンビン−IIIの重量部当り２.５から３.０重量部である、請求項１７に記載の医薬組成物。
【請求項１９】  クエン酸塩の源がクエン酸ナトリウムである、請求項１２から１８のいずれかに記載の組成物。
【請求項２０】  アルブミンが無いことを特徴とする、請求項１１から１９のいずれかに記載の組成物。
【請求項２１】  凍結乾燥形の請求項１２から２０のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項２２】  再構築媒体が少なくとも０.０１％(w/w)の濃度の非イオン性界面活性剤である、請求項２１に記載の再構築された医薬組成物。
【請求項２３】  再構築媒体がポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルである、請求項２２に記載の再構築された医薬組成物。
【請求項２４】  再構築媒体がポリソルベート２０、ポリソルベート２１、ポリソルベート４０、ポリソルベート６０、ポリソルベート６１、ポリソルベート６５、ポリソルベート８０、ポリソルベート８１、ポリソルベート８５およびポリソルベート１２０の任意の一つから選択される、請求項２３に記載の再構築された医薬組成物。
【請求項２５】  再構築媒体がポリソルベート８０である、請求項２４に記載の再構築された医薬組成物。
【請求項２６】  再構築媒体がソルビタン脂肪酸エステルである、請求項２２に記載の再構築された医薬組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
“精製”は、標準として１.２５Ｍクエン酸ナトリウムおよび２０％スクロース(“Ａ280inv”)で得たタンパク質濃度を使用して計算した。“精製係数”は、各サンプルについてＡ２８０の塩の添加前および塩を測定(各々“Ａ280ref”および“Ａ280sample”)し、式Ａ280ref(sample)−Ａ280sample×１００／Ａ280ref(inv)−Ａ280inv
を使用して得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
凍結乾燥ＡＴ−IIIの安定化剤としてのクエン酸ナトリウムとスクロースの有利な組合わせは、ＡＴ−IIIの重量部当りクエン酸ナトリウム２.８重量部およびスクロース１.２重量部である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【表３】
2003502438.tif 000001
【表４】
2003502438.tif 000002
【表５】
2003502438.tif 000003
【表６】
2003502438.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】  光学素子を製造する方法において、
a)  光重合性組成物を支持体上に施して、光重合性組成物層を形成し、ここで、該光重合性組成物が、少なくとも１つの光重合性開始剤および少なくとも１つの光重合性基を有する少なくとも１つの光重合性モノマー、オリゴマー、またはポリマーを含み、該光重合性モノマー、オリゴマー、またはポリマーが、過フッ素化置換基を含む；
b)  該層を少なくともある程度硬化させ；
c)  反応性イオンエッチング、マイクロ複製、直接レーザ書込み、およびレーザアブレーションからなる群より選択される方法によりコアを形成し；
d)  該コア上に上側クラッド重合性組成物を施し；
e)  該上側クラッド組成物をある程度硬化させて、上側クラッドを形成する；
各工程を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４３】  組成物において、
a)  第１の官能価を有する第１の光硬化性多官能価過フッ素化化合物；
b)  第２の官能価を有する第２の光硬化性多官能価過フッ素化化合物、ここで、該第２の官能価と前記第１の官能価との間の差は少なくとも１つであり、前記第１と第２の光硬化性多官能価過フッ素化化合物が、
【化１０】
2003502718.tif 000001
ここで、ｘは1−10であり、ｍおよびｎは、それぞれ、無作為に分布したペルフルオロエチレンオキシおよびペルフルオロメチレンオキシ主鎖反復副単位の数を表し、ｐは−ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ−主鎖反復副単位を表す、
からなる群より選択される過フッ素化置換基を含み、；および
c)  光重合開始剤；
を含むことを特徴とする組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個別の絶縁撚り対線を含む撚り対線ケーブル、及び金属テープ、非金属基材とこの非金属基材の片面に金属層とを有する第一の複合テープ、及び非金属基材とこの非金属基材の両面に金属層とを有する第二の複合テープからなる群から選択されるシールドテープを含み、
前記シールドテープが、前記撚り対線ケーブルの周りに、前記撚り対線ケーブルの長手方向の軸に対して３０〜４５度の角度で、４５〜５５％の重なりを有して螺旋状に巻回され、
前記シールドテープが、０．７５〜１．２５ミルの金属厚さを有し、
前記シールドテープが、前記撚り対線の周りに、前記シールドされた撚り対線ケーブルの断面積の１８％未満の空隙の断面積を残すように空気量を除去する張力で巻回され、
９０〜１１０オームの中間或いは平均のインピーダンス近くで標準偏差を計算した時、少なくとも６００ＭＨｚまでの定格、及び２０℃で３．５以下の標準インピーダンス偏差を有することを特徴とする螺旋シールド撚り対線データケーブル。
【請求項２】
前記ケーブルは少なくとも６００ＭＨｚまでの定格を有しており、前記標準インピーダンス偏差は３２８ｆｔ以上の長さのケーブルについて１．０から６００ＭＨｚまで取られた少なくとも３５０個の周波数測定値で測定されており、前記標準インピーダンス偏差が３．５以下であり且つ前記９０乃至１１０オームの中間或いは平均のインピーダンス近くで計算されることを特徴とする請求項１のケーブル。
【請求項３】
前記シールドテープは０．５乃至１．５インチの幅を有することを特徴とする請求項２のケーブル。
【請求項４】
少なくとも４対の前記螺旋シールド撚り対線ケーブルと、前記少なくとも４対の結束された螺旋シールド撚り対線ケーブルを取巻くジャケットとを更に含んで高性能データケーブルを提供し、前記高性能データケーブルは定格が少なくとも６００ＭＨｚまでであり、前記高性能データケーブルは３２８ｆｔ以上の長さの高性能データケーブルについて取ったとき２０°Cで平均標準インピーダンス偏差が３．５以下であり、前記平均標準インピーダンス偏差は、前記少なくとも４対の螺旋シールド撚り対線ケーブルの各々について１．０から６００ＭＨｚまでの少なくとも３５０個の周波数測定値で測定され９０乃至１１０オームの中間或いは平均のインピーダンス近くで計算された標準インピーダンス偏差の全部の平均であり、且つ単一の標準インピーダンス偏差が前記中間或いは平均のインピーダンスから４．５より大きくないことを特徴とする請求項１のケーブル。
【請求項５】
前記シールドテープは、０．５乃至１．５インチの幅を有することを特徴とする請求項４のケーブル。
【請求項６】
前記ケーブルは、ジャケットで被覆される前に結束されることを特徴とする請求項５のケーブル。
【請求項７】
個別の絶縁撚り対線を含む撚り対線ケーブルを提供する工程、及び
前記撚り対線ケーブルを、金属テープ、非金属基材とこの非金属基材の片面に金属層とを有する第一の複合テープ、及び非金属基材とこの非金属基材の両面に金属層とを有する第二の複合テープからなる群から選択された０．７５乃至１．２５ミルの金属厚さの金属シールドテープで螺旋状に巻回して前記シールドテープの重なりを有する螺旋シールド撚り対線ケーブルを提供する工程を含む螺旋撚り対線データケーブルの作成方法であって、
前記シールドテープを、前記撚り対線ケーブルの長手方向の軸に対して３０〜４５度の角度で、４５〜５５％の重なりを有して、前記シールドされた撚り対線ケーブルの断面積の１８％未満の空隙の断面積を残すように空気量を除去する張力で螺旋状に巻回し、
標準インピーダンス偏差を３２８ｆｔ以上の長さのケーブルについて取った少なくとも３５０個の周波数測定値で測定し５０〜２００オームの中間或いは平均のインピーダンス近くで計算した時、６００ＭＨｚまでの定格、及び２０℃で３．５以下の標準インピーダンス偏差を有する前記螺旋シールド撚り対線ケーブルを提供することを特徴とする螺旋撚り対線データケーブルの作成方法。
【請求項８】
高性能データケーブルを提供するため、少なくとも４対の前記螺旋シールド撚り対線ケーブルを結束し、この少なくとも４対の結束した螺旋シールド撚り対線ケーブル上にジャケットを押出することを更に含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも３５０個の周波数測定値は１．０から６００ＭＨｚまでであり９０乃至１１０オームの中間或いは平均のインピーダンス近くで計算され、単一の標準インピーダンス偏差が前記中間或いは平均のインピーダンスから４．５より大きくないことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１０】
高性能データケーブルを提供するため、少なくとも４対の前記螺旋シールド撚り対線ケーブルを結束し、この少なくとも４対の結束した螺旋シールド撚り対線ケーブル上にジャケットを押出することを更に含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１電極と第２電極とポリマーを含む半導体活性層とを有する電子デバイスの製造方法であって、ポリマーを液晶相とすることにより、ポリマーの鎖を平面に整列させ、第１電極と第２電極間に電圧を加える時、両電極間を流れる電流の方向が前記平面内にあるように第１電極と第２電極を配置することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記デバイスがトランジスタである請求項１に記載の方法。
【請求項３】  液晶相がネマチックまたはスメクチック相である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  前記ポリマーを液晶相とする工程が、ポリマーを加熱することを含む前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項５】  前記加熱工程の後にポリマーを急冷する工程を含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記急冷工程が、前記ポリマーを無定形ガラス状にするような工程である請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記ポリマー鎖は、前記電流の方向に整列する前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項８】  前記ポリマーの整列を誘導することのできる前記整列層の上に、ポリマーを被着（depositing）させることを含む前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項９】  基板を機械的に研摩することによって前記整列層を形成する工程を含む前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１０】  前記ポリマーが、半導体ポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１１】  前記ポリマーが、毛羽立ち棒（a Hairy rod）状液晶ポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１２】  前記ポリマーが、硬質棒（a rigid rod）状液晶ポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１３】  前記ポリマーが、共役ポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１４】  前記ポリマーが、ポリフルオレンホモポリマーまたはポリフルオレンベースのコポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１５】  前記ポリマーが、ポリフルオレンホモポリマーまたはポリフルオレンベースのブロックコポリマーである前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１６】  前記ポリマーがＦ８またはＦ８Ｔ２である前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１７】  溶液から前記ポリマーを被着させる工程を含む前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１８】  電子デバイスがトランジスタであり、第二ポリマー層を被着させる前には不溶性に変えられていない溶液処理第一ポリマー層の上に第二ポリマー層を溶液被着させることによって、トランジスタの活性界面を形成する工程を含む前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１９】  前記第二ポリマー層が、トランジスタのゲート絶縁体で構成されている請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  前記第二ポリマー層がＰＶＰを含む請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記半導体活性層が前記溶液処理第一ポリマー層である請求項１８〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】  前記溶液処理第一ポリマー層が、非極性有機溶媒に可溶性であるが極性溶媒には不溶性である請求項１８〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】  前記第二ポリマー層は、前記溶液処理第一ポリマー層が溶解しない極性有機溶媒から被着される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】  前記第二ポリマー層の溶液被着が、前記整列工程の後に行われる請求項１８〜２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】  前記ポリマー鎖が、一軸整列で配列される前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項２６】  前記ポリマー鎖が、一軸一領域整列で配列される前記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項２７】  前記ポリマー鎖が、部分平行整列の領域で整列される請求項１〜２５のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項２８】  第１電極と第２電極とを有する電子デバイスであって、前記電子デバイスは半導体活性層を備え、前記半導体活性層では、前記第１電極と第２電極間に電圧を加える時、第１電極と第２電極間に電流が流れる平面に、ポリマー鎖の液晶相整列が保持されることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２９】  請求項２８に記載の電子デバイスを含んでいる論理回路。
【請求項３０】  少なくとも一つの光学デバイスを含んでいる請求項２９に記載の論理回路。
【請求項３１】  前記請求項２８に記載の電子デバイスを含んでいる活性マトリックス・ディスプレイ。
【請求項３２】  請求項２８に記載のポリマートランジスタ電子デバイス。
【請求項３３】  前記デバイスがトランジスタである請求項２８に記載の電子デバイス。
【請求項３４】  前記デバイスが薄膜トランジスタである請求項３３に記載の電子デバイス。
【請求項３５】  トランジスタのチャネルが、前記整列ポリマー鎖の方向に実質的に平行に配向される請求項３３に記載の電子デバイス。
【請求項３６】  前記活性層の直ぐ下に整列層を含む請求項２８に記載の電子デバイス。
【請求項３７】  前記ポリマーが半導体ポリマーである請求項２８に記載の電子デバイス。
【請求項３８】  前記ポリマーが無定形ガラス状である請求項２８に記載の電子デバイス。
【請求項３９】  第二ポリマー層を被着させる前には不溶性に変えられていない溶液処理第一ポリマー層の上に第二ポリマー層を溶液被着させることによって、半導体層とゲート絶縁体層との間にトランジスタの活性界面を形成する工程を含むトランジスタの製造方法。
【請求項４０】  前記第二ポリマー層が、トランジスタのゲート絶縁体を形成する請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】  前記第二ポリマー層がＰＶＰを含む請求項３９に記載の方法。
【請求項４２】  前記半導体層が前記溶液処理第一ポリマー層である請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】  前記溶液処理第一ポリマー層が、非極性有機溶媒に可溶性であるが極性溶媒には不溶性である請求項３９に記載の方法。
【請求項４４】  前記第二ポリマー層は、前記溶液処理第一ポリマー層が溶解しない極性有機溶媒から被着される請求項３９に記載の方法。
【請求項４５】  前記第二ポリマー層は、アルコール、プロトン性極性溶媒、例えば水、または非プロトン性極性溶媒、例えばＤＭＦ、から被着される請求項３９に記載の方法。
【請求項４６】  前記トランジスタのソース／ドレインおよびゲート電極の両方または何れか一方も溶液から形成される請求項３９に記載の方法。
【請求項４７】  前記第二ポリマー層はゲート絶縁体層であり、前記溶液処理第一ポリマー層は一軸に整列された液晶ポリマーフィルムである請求項３９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  熱可塑性の顆粒（６）の均一な顆粒の大きさの分布によって画成される顆粒の塊を含む、均質な体積の誘電体を有するルネベルグレンズ（２，２０）を含む集束装置であって、
少なくとも一つの複数の上記顆粒（６）は、上記体積を固化した状態で維持するために上記顆粒の部分的な融解によって得られる顆粒の境界によって一緒に溶接されることを特徴とする集束装置。
【請求項２】  上記複数の顆粒は、上記均質な体積の少なくとも外側の層中に含まれ、
上記外側の層は、所定の深さだけ上記体積の内側の方向に延在する上記体積の上記外表面に関して外側であることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】  上記深さは、受信された及び／又は送信された半波長の倍数のオーダーであることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】  上記複数の顆粒は、上記体積中に均一に分布されることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の装置。
【請求項５】  透過率がεｒ０である熱可塑性の顆粒から成る材料の体積の透過率εｒは、式
【数１】
2003502881.tif 000001
によって、充填係数Ｆに関係付けられ、
このとき上記充填係数は、上記レンズの総体積に対する上記顆粒によって実際に占有される上記体積の比を示すことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の装置。
【請求項６】  上記レンズ（２，２０）の焦点距離は、上記レンズの屈折率ｎと、
上記レンズの空中線指向性図のアパーチャ上の許可される位相の変動とに依存し、このとき上記レンズの屈折率は、式
【数２】
2003502881.tif 000002
によって与えられることを特徴とする請求項１乃至５記載の装置。
【請求項７】  少なくとも一つの追加的な層（２１）が上記均質な体積の誘電体を覆い、
上記追加的な層は、上記体積の上記顆粒の材料と異なる材料の熱可塑性の顆粒の塊を有し、上記体積の密度よりも低い密度を有することを特徴とする請求項１乃至６記載の装置。
【請求項８】  上記体積の上記顆粒は、ポリスチレンから成ることを特徴とする請求項１乃至７記載の装置。
【請求項９】  上記追加の層、即ち、第２の層の上記顆粒はポリプロピレンから成ることを特徴とする請求項７、又は、請求項７と請求項８の組合せ記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つのイオノマー重合体と少なくとも１つの構造フィルム形成性重合体との均質混合物を含む重合体電解質膜。
【請求項２】  前記構造フィルム形成性重合体及び前記イオノマー重合体の一方又は両方が本質的に連続相であり、前記構造フィルム形成性重合体が１８０℃以下のＴffを有するか又は１８０℃以下の融点を有する、請求項１に記載の重合体電解質膜。
【請求項３】  前記構造フィルム形成性重合体が、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとフッ化ビニリデンとの三元共重合体であるか又はヘキサフルオロプロピレンとフッ化ビニリデンとの共重合体である、請求項１又は２に記載の重合体電解質膜。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像伝送のために複数のファイバを有する非コヒーレント光学バンドルを使用する方法であって、
非コヒーレント光学バンドルの送信端部で画像データを取得すること、
非コヒーレント光学バンドルの受信端部でスクランブル画像データを生ずるように伝送中にスクランブルされる画像データを非コヒーレント光学バンドルを介して伝送すること、および、
入力内のイメージロケーションでの一つの入力値を、出力内の複数のイメージロケーションでの各々の出力値にマッピングするマッピング関数をスクランブル画像データに適用することを含む方法。
【請求項２】  画像を取得するためのレンズと、
受信端上でレンズに結合され、レンズからの画像を取得しかつ非コヒーレント光学バンドルの受信端に画像を伝送するための複数のファイバを有し、受信端部でスクランブル画像が生じるように画像が伝送中にスクランブルされる非コヒーレント光学バンドルと、
スクランブル画像を受信するために非コヒーレント光学バンドルの受信端に結合されたカメラと、
入力内のイメージロケーションでの一つの入力値を、出力内の複数のイメージロケーションでの各々の出力値にマッピングするマッピング関数を生成するために非コヒーレント光学バンドルのファイバの構成を解析するため、および画像を再現するためにスクランブル画像にマッピング関数を適用するため、カメラに結合された処理システムと
を備えた装置。
【請求項３】  画像を取得するためのレンズを有するイメージング・システムであって、
受信端上でレンズに結合され、レンズからの画像を取得しかつ非コヒーレント光学バンドルの受信端に画像を伝送するための複数のファイバを有し、受信端部でスクランブル画像が生じるように画像が伝送中にスクランブルされる非コヒーレント光学バンドルと、
スクランブル画像を受信するために非コヒーレント光学バンドルの受信端に結合された手段と、
入力内のイメージロケーションでの一つの入力値を、出力内の複数のイメージロケーションでの各々の出力値にマッピングするマッピング関数を生成するために非コヒーレント光学バンドルのファイバの構成を解析するための手段と、
画像を再現するためにスクランブル画像にマッピング関数を適用するための手段とを備えたイメージング・システム。
【請求項４】  画像伝送システムで使用するために複数のファイバを有する非コヒーレント光学バンドルの構成を解析する方法であって、
ディスプレイ上で少なくとも１つの画素を点灯させること、
非コヒーレント光学バンドルの送信端から非コヒーレント光学バンドルの受信端に少なくとも１つの画素からの光を伝送すること、
受信端部でファイバすべての照度レベルを記録すること、および、
非コヒーレント光学バンドルによって伝送された画像データについて、少なくとも一部分で記録された照度レベルに基づいて、入力内のイメージロケーションでの一つの入力値を、出力内の複数のイメージロケーションでの各々の出力値にマッピングするマッピング関数を生成することを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月16日(2006.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属カルボニル化合物又はその薬学的に許容し得る塩と、グアニル酸シクラーゼ刺激剤又は安定剤と、少なくとも一つの薬学的に許容し得るキャリヤとを含んでいることを特徴とする薬剤調合物。
【請求項２】
前記金属カルボニルが、生理学的対象に一酸化炭素を放出するために、生理学的効果に適したＣＯを利用可能とする請求項１に記載の薬剤調合物。
【請求項３】
前記金属カルボニル化合物が、以下の何れかの方法のうち少なくとも一つにより、ＣＯを利用可能とする請求項２に記載の薬剤調合物：
１）該金属カルボニルの解離により放出されたＣＯが、組成物中に、溶解形態にて存在している；
２）溶媒又は配位子との接触により、該金属カルボニルがＣＯを放出する；
３）組織、器官又は細胞との接触により、該金属カルボニルがＣＯを放出する；
４）照射により、該金属カルボニルがＣＯを放出する。
【請求項４】
前記金属カルボニル化合物と前記グアニル酸シクラーゼ刺激剤／安定剤とが、単一の組成物として合同されている請求項、請求項２又は請求項３に記載の薬剤調合物。
【請求項５】
前記金属カルボニル化合物と前記グアニル酸シクラーゼ安定剤／刺激剤と  が、同時に又は連続して投与される別個の組成物中に存在している請求項１、請求項２又は請求項３に記載の薬剤調合物。
【請求項６】
前記金属カルボニル化合物が、式：Ｍ（ＣＯ）ｘＡｙ［但し、ｘは少なくとも１であり、ｙは少なくとも１であり、Ｍは金属であり、各Ａはイオン結合、共有結合又はＣＯ以外の配位結合によってＭに結合した原子又は基であり、１＜ｙの時、各Ａは同じ又は異なるものである］にて表されるか、又はそのような化合物の薬学的に許容し得る塩である先行の請求項の何れか一つに記載の薬剤調合物。
【請求項７】
前記Ｍが、遷移金属である請求項６に記載の薬剤調合物。
【請求項８】
前記Ａが、ハロゲン化物のような、中性若しくはアニオン性の配位子、又はルイス塩基からの誘導体で、配位原子として、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ又はＣを有するものの中から選択される請求項６又は請求項７に記載の薬剤調合物。
【請求項９】
前記金属カルボニル化合物が、式 Ｍ：（ＣＯ）ｘＡｙＢｚ［但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ又はＲｕであり、ｘは少なくとも１であり、ｙは少なくとも１であり、ｚはゼロ又は少なくとも１であり、各Ａは、ＣＯ以外の配位子であり、且つ、Ｍに対する単座配位子又は多座配位子であり、且つ、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン酸、グルタミン、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、ロイシン、リジン、メチオニン、フェニルアラニン、プロリン、セリン、スレオニン、トリプトファン、チロシン、バリンの如きアミノ酸、［Ｏ（ＣＨ2ＣＯＯ）2］2-、及び［ＮＨ（ＣＨ2ＣＯＯ）2］2-の中から選択されるものであり、またＢは、任意、且つ、ＣＯ以外の配位子である］にて表される請求項１乃至請求項５の何れか一つに記載の薬剤調合物。
【請求項１０】
前記グアニル酸シクラーゼ刺激剤／安定剤が、ＹＣ−１である先行の請求項の何れか一つに記載の薬剤調合物。
【請求項１１】
口、静脈、皮下、鼻、吸入、筋肉、腹膜、又は座薬を経由して放出するのに適合せしめられた先行の請求項の何れか一つに記載の薬剤組成物。
【請求項１２】
金属カルボニル又はその塩とグアニル酸シクラーゼ刺激剤又は安定剤が、体外に置かれた体の器官に対して投与されることを特徴とする処理方法。
【請求項１３】
ａ）金属カルボニル化合物；及びｂ）グアニル酸シクラーゼ刺激剤／安定剤を含む生理学的処理のためのキット。
【請求項１４】
前記金属カルボニルが、請求項２乃至請求項９の何れか一つに記載のものである請求項１３に記載のキット。
【請求項１５】
前記グアニル酸シクラーゼ刺激剤／安定剤が、ＹＣ−１である請求項１３又は請求項１４に記載のキット。
【請求項１６】
前記金属カルボニル化合物及び／又はグアニル酸シクラーゼ安定剤／刺激剤が、口、静脈、皮下、鼻、吸入、筋肉、腹膜、又は座薬を経由して放出するのに適合せしめられている請求項１３乃至請求項１５の何れか一つに記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低密度パリティ検査符号を用いて符号化された符号語記号から軟判定出力を出力するための復号化方法であって、前記符号は、幾つかのパリティ検査方程式によって検査される幾つかの符号語記号を有し、各前記パリティ検査方程式は、限られた数の前記符号語記号を検査し、各前記符号語記号は、限られた数の前記パリティ検査方程式によって検査され、前記方法は、同一の前記パリティ検査方程式によって検査される前記符号語記号のセットに関連する入力信頼度値の入力シーケンスから最小値を決定するランニングミニマムステップを有し、前記ランニングミニマムステップは、以下の反復するサブステップ：
前記入力信頼度値の入力シーケンスから信頼度値を読み取るサブステップと、
前記信頼度値を保存された値と比較するサブステップと、
前記信頼度値が前記保存された値よりも小さい場合には、前記保存された値を前記信頼度値で上書きするサブステップと、
を有する復号化方法。
【請求項２】
低密度パリティ検査符号を用いて符号化された符号語記号から軟判定出力を出力するための復号化方法であって、前記符号は、幾つかのパリティ検査方程式によって検査される幾つかの符号語記号を有し、各前記パリティ検査方程式は、限られた数の前記符号語記号を検査し、各前記符号語記号は、限られた数の前記パリティ検査方程式によって検査され、前記方法は、同一の前記パリティ検査方程式によって検査される前記符号語記号のセットに関連する入力信頼度値の入力シーケンスから最小値を決定するランニングミニマムステップを有し、前記ランニングミニマムステップは、以下の反復するサブステップ：
前記入力信頼度値の入力シーケンスから信頼度値を読み取るサブステップと、
前記信頼度値を、第１及び第２の保存された値と比較するサブステップと、
前記信頼度値が前記第１及び第２の保存された値よりも小さい場合には、前記第１の保存された値を前記信頼度値で上書きするサブステップと、
前記信頼度値が前記第２の保存された値よりも小さく且つ前記第１の保存された値よりも大きい場合には、前記第２の保存された値を前記信頼度値で上書きするサブステップと、
を有する復号化方法。
【請求項３】
前記最小値を決定するステップは、少なくとも１つの基準値を保存する予備ステップを含む、請求項１に記載の復号化方法。
【請求項４】
前記入力信頼度値の入力シーケンスは、伝送チャネル又は記録チャネルから受信された前記符号語記号から生成される、請求項１に記載の復号化方法。
【請求項５】
前記入力信頼度値は、前記チャネルから受信される符号語記号の対数尤度比の絶対値から導出される、請求項４に記載の復号化方法。
【請求項６】
各前記パリティ検査方程式について、前記入力信頼度の入力シーケンスから出力信頼度の出力シーケンスを計算するステップを有し、前記出力シーケンスの各前記出力信頼度は、前記入力シーケンスにおける同一のインデクスを持つ１つを除く全ての入力信頼度の最小値に等しく、前記最小値は前記ランニングミニマムステップを用いて決定される、請求項１に記載の復号化方法。
【請求項７】
低密度パリティ検査符号を用いて符号化された符号語記号をチャネル媒体から受信する受信器であって、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法を実行するための復号化器を有する受信器。
【請求項８】
記録システムにおける使用のための、請求項７に記載の受信器。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法により処理されるべき符号語記号を保存する記憶媒体。
【請求項１０】
低密度パリティ検査符号を用いて符号化された符号語記号をチャネル媒体によって配信するための供給源と、前記チャネル媒体から前記符号語記号を受信するための受信器とを有するシステムであって、前記受信器は請求項７に記載のものであるシステム。
【請求項１１】
命令のセットを計算する受信器のためのコンピュータプログラムであって、前記命令は、前記受信器にロードされたときに、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法を前記受信器に実行させるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高速集積光ドライバであって、
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）ドライバ回路と、
前記ＦＥＴドライバ回路の出力に一端で結合された受動素子と、
前記受動素子に一方の電極で結合された垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）ダイオードと、
前記ＶＣＳＥＬダイオードの電極に結合されたバイアス接続と、
を有する、高速集積光ドライバ。
【請求項２】
前記一方の電極が前記ＶＣＳＥＬダイードのアノードであり、前記バイアス接続が前記ＶＣＳＥＬダイオードのカソードにある、請求項１に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項３】
前記出力が前記ＶＣＳＥＬダイオードのアノードに取り付けられている、請求項２に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項４】
前記受動素子および前記ＦＥＴドライバが同一の集積回路チップ上にある、請求項３に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項５】
前記受動素子および前記ＶＣＳＥＬダイオードが同一の集積回路チップ上にある、請求項３に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項６】
前記受動素子が、集積ループ・インダクタを形成する複数の積層ループである、請求項３に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項７】
前記複数の積層ループが少なくとも５ループである、請求項６に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項８】
前記複数の積層ループの各々が矩形であり、各辺が少なくとも２００μｍである、請求項７に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項９】
前記ループ・インダクタのインダクタンスが少なくとも２５〜４０ｎＨである、請求項６に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項１０】
前記ＦＥＴドライバがＣＭＯＳドライバである、請求項３に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項１１】
前記バイアス接続に接続されたバイアス供給を更に有する、請求項１０に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項１２】
前記バイアス供給の大きさがＣＭＯＳ供給電圧より大きい、請求項１１に記載の高速集積光ドライバ。
【請求項１３】
高速集積光検出器であって、
半導体層と、
前記半導体層上の超薄金属パターンであって、２０００Å未満の厚さを有し、前記半導体層にショットキ・バリア・ダイオード接合を形成する、超薄金属パターンと、
前記半導体層において、前記超薄金属パターンと前記ショットキ・バリア・ダイオード接合との間に形成される量子井戸と、
を有する、高速集積光検出器。
【請求項１４】
前記超薄金属パターンが前記半導体層の第１の表面上の第１の光検出器電極であり、前記半導体層の対向表面上に第２の金属電極を更に有する、請求項１３に記載の高速集積光検出器。
【請求項１５】
前記量子井戸に２次元電子ガスが含まれる、請求項１３に記載の高速集積光検出器。
【請求項１６】
前記半導体層がシリコン層である、請求項１３に記載の高速集積光検出器。
【請求項１７】
絶縁層を更に有し、前記シリコン層が前記絶縁層上の表面層である、請求項１６に記載の高速集積光検出器。
【請求項１８】
前記超薄金属パターンが１０〜３００Åの厚さである、請求項１７に記載の高速集積光検出器。
【請求項１９】
前記超薄金属パターンが＜１００Åの厚さである、請求項１８に記載の高速集積光検出器。
【請求項２０】
前記超薄金属パターンが５０Åの厚さである、請求項１９に記載の高速集積光検出器。
【請求項２１】
前記超薄金属パターンが１対の光検出器電極を有する、請求項１９に記載の高速集積光検出器。
【請求項２２】
前記１対の光検出器電極が前記シリコン層の表面上で格子に配置されている、請求項２１に記載の高速集積光検出器。
【請求項２３】
前記格子が２μピッチの複数の２５μｍ長のタングステン・フィンガである、請求項２２に記載の高速集積光検出器。
【請求項２４】
ＣＭＯＳインバータを駆動する請求項２３に記載の高速集積光検出器を含むＣＭＯＳ光受信器。
【請求項２５】
ＣＭＯＳインバータを駆動する請求項１３に記載の高速集積光検出器を含むＣＭＯＳ光受信器。
【請求項２６】
１つ以上の光チャネルを含む高速データ・チャネルであって、
集積回路（ＩＣ）チップ上の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）ドライバ回路と、前記ＦＥＴドライバ回路の出力に一端で結合された受動素子と、前記受動素子に一方の電極で結合された垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）ダイオードと、前記ＶＣＳＥＬダイオードにバイアスをかけるバイアス供給と、を有する高速集積光ドライバと、
前記高速集積光ドライバによって一端で駆動される光媒体と、
半導体層と、前記半導体層上の超薄金属電極であって、２０００Å未満の厚さを有し、前記半導体層にショットキ・バリア・ダイオード接合を形成する、超薄金属パターンと、前記半導体層において、前記超薄金属パターンと前記ショットキ・バリア・ダイオード接合との間に形成され、２次元電子ガスを含む量子井戸と、を有する高速集積光検出器と、
を有する、高速データ・チャネル。
【請求項２７】
前記ＩＣチップがＣＭＯＳチップである、請求項２６に記載の高速データ・チャネル。
【請求項２８】
前記バイアス供給の大きさが前記ＣＭＯＳチップの供給電圧より大きい、請求項２７に記載の高速データ・チャネル。
【請求項２９】
前記受動素子が前記ＶＣＳＥＬダイードのアノードに接続され、前記バイアス供給が前記ＶＣＳＥＬダイオードのカソードに接続されている、請求項２８に記載の高速データ・チャネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＶＣＳＥＬダイオードを有する高速集積光ドライバ、高性能光検出器、および、高速データ・チャネル
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（Ｓ）と、
基板（Ｓ）に形成されたウェル領域（ＷＢ）と、
少なくともいずれか一方がウェル領域（ＷＢ）に形成されたソース領域（ＳＯ）およびドレイン領域（Ｄ）と、を備えたトランジスタにおいて、
ウェル領域（ＷＢ）は、ソース領域（ＳＯ）およびドレイン領域（Ｄ）のそれぞれより、電気抵抗が高く、
ソース領域（ＳＯ）およびドレイン領域（Ｄ）の少なくともいずれか一方は、それぞれがウェル領域（ＷＢ）と一体となった複数の領域（ＥＳ，ＦＢ）によって、複数のサブ領域に分離されていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
上記ソース領域（ＳＯ）と上記ドレイン領域（Ｄ）との間に配置された細長い溝形領域を備え、
上記溝形領域上に、細長いゲート領域（Ｇ）が配置されており、
上記領域（ＥＳ）は細片状の領域（ＥＳ）であり、
上記細片状の領域（ＥＳ）の長手方向は、上記溝形領域および上記ゲート領域（Ｇ）の長手方向に対して、直角となっていることを特徴とする、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
上記トランジスタの表面（Ｏ）の直上、かつ、細片状の領域（ＥＳ）上に配置された複数の細片状の領域（ＺＳ）を備えていることを特徴とする、請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
上記領域（ＦＢ）は、中空でない円柱、空洞を有する円柱、または多角柱であることを特徴とする、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
上記領域（ＥＳ，ＦＢ）が、上記ソース領域（ＳＯ）および上記ドレイン領域（Ｄ）の少なくとも１つにおいて、異なる幾何学的形状および／または異なる垂直方向のサイズを有していることを特徴とする、請求項１に記載のトランジスタ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
有利な実施形態の１つでは、充填領域は、ほぼ細片状の形状を有しており、互いに平行に配置されている。この細片は、特にトランジスタのゲート領域が延びている面では、このゲート領域に対して直角に配置されている。しかし、充填領域は、中空でない円柱、空洞を有する円柱、または多角柱として形成されていてもよい。充填領域の幾何学的形状は、上記の具体的な実施形態に制限されず、様々な幾何学的形状であってもよい。ただし、充填領域は、トランジスタの特性値または特性曲線（特に、閾値電圧）のシフトが防止されるように設計・配置されていることが重要である。