【手続補正書】
【提出日】平成19年2月26日(2007.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック導体プレート（１８）上の弱められたライン（２０）に沿ってセラミック導体プレート（１８）を単体にするための破断デバイス（２）であり、
支持プレート（１０、１２）が破断ライン（１４）に沿って隣接し、かつ、本質的に平坦な支持表面（１６）を形成する初期位置から、前記支持プレート（１０、１２）を互いに向かってある角度で配置される破断位置へ変位させることができる、互いに対して相対的に変位可能な支持プレート（１０、１２）を備える破断トラップ（４、６）と、破断動作のために前記支持プレート（１０、１２）に対して前記セラミック導体プレート（１８）を位置付けるように形成されるピンニングデバイス（５２、８）と、を備える破断デバイスであって、
前記破断トラップ（４、６）は、破断ライン（１４）に沿って隣接する２つの支持プレート（１０、１２）を備え、前記支持プレート（１０、１２）は、前記破断ライン（１４）に隣接する破断ライン端部（５４、５６）を備え、前記ピンニングデバイス（５２、８）は、その長手方向に対して狭く横断する細長い係合セクションを備え、
前記破断ライン（１４）に整列し、かつ、破断ライン（１４）の上方に連続して位置付けることができるように形成される位置付け要素（４４）を備え、
前記破断トラップ（４、６）の前記支持プレート（１０、１２）の少なくとも１つの破断ライン端部（５４、５６）は、支持プレート（１０、１２）が、前記セラミックプレートの一部が、脇に滑動するために露出されるように配置されるように上向きに変位されることができ、
前記破断デバイス（２）は、前記セラミック導電プレート（１８）の前記露出された断片（３８）の縁部と隣接して動作可能に配置されることができ、かつ、そのとき前記断片（３８）に沿って滑動するように配置されることができるように形成された移送要素をさらに備える、破断デバイス（２）。
【請求項２】
前記位置付け要素（４４）は、同時に前記移送要素であることを特徴とする請求項１に記載の破断デバイス（２）。
【請求項３】
前記破断トラップ（４、６）は、前記破断ライン端部（５４、５６）が、選択的に破断位置に上方へ、又は、破断位置へ下方に変位させることができることを特徴とする請求項１又は２に記載の破断デバイス（２）。
【請求項４】
前記ピンニングデバイス（５２、８）の前記細長い係合セクション（５８、６０）は、本質的に前記破断ライン（１４）に平行に配置されることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の破断デバイス（２）。
【請求項５】
前記ピンニングデバイス（５２、８）は、２つの平行な係合セクション（５８、６０）を備えることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の破断デバイス（２）。
【請求項６】
前記係合セクション（５８、６０）は、互いに対して変位可能であることを特徴とする請求項５に記載の破断デバイス（２）。
【請求項７】
前記ピンニングデバイス（５２、８）は、破断ナイフ（８）を備え、
前記破断ナイフ（８）は、前記破断ライン（１４）の上方に位置付けられ、破断ライン（１４）の方向にかつ前記破断ライン（１４）を越えて移動することができるように前記破断デバイス（２）に接続され、
前記支持プレート（１０、１２）は、その前記破断ライン端部（５４、５６）が、前記破断ナイフ（８）の移動の途中の間に、前記破断ライン（１４）を越えて前記破断位置に下方へ変位されるように弾性に配置されることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の破断デバイス（２）。
【請求項８】
更に、結合デバイス（３０）を備え、前記結合デバイス（３０）は、前記支持プレート（１０、１２）の移動が同期するように、前記破断トラップ（４、６）の前記支持プレート（１０、１２）に結合されることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の破断デバイス（２）。
【請求項９】
前記破断トラップ（４、６）の前記移動を、前記破断デバイス（２）の他の要素（５２、８、４４）の移動に調和させ、かつ、単体にされる前記セラミック導体プレート（１８）の測定値、及び、その上に配置される弱められたライン（２０）の位置及び／又は距離、及び／又は前記破断方向を入力することができる入力インターフェースを備える制御装置が提供されることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の破断デバイス（２）。
【請求項１０】
前記セラミック導体プレート（１８）のための遅延手段（４２）が設けられることを特徴とする請求項１から８の一項に記載の破断デバイス（２）。
【請求項１１】
作動的に、処理されるべき前記セラミック導体プレート（１８）及び／又はその断片（３８）が、前記支持プレート（１０、１２）に垂直な軸の周りを回転することができる回転デバイスが設けられることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の破断デバイス（２）。
【請求項１２】
前記支持プレート（１０、１２）を平面的に見たときの破断ライン（１４）が、第１の破断トラップ（４）の前記破断ラインに対してある角度で配置されるように、第２の破断トラップ（６）が設けられることを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の破断デバイス（２）。
【請求項１３】
セラミック導体プレート（１８）の弱められたライン（２０）に沿ってセラミック導体プレート（１８）を単体にする方法であって、
（ａ）互いに対して変位可能である２つの支持プレート（１０、１２）を有する破断トラップ（４、６）を提供するステップであって、前記破断トラップ（４、６）は、前記支持プレート（１０、１２）が破断ライン（１４）に沿って隣接しかつ本質的に平坦な支持表面（１６）を形成する初期位置から、両方の支持プレート（１０、１２）が互いに向かってある角度で配置される破断位置へ変位されることができる、破断トラップ（４、６）を提供するステップと、
（ｂ）それに沿って破断が発生する弱められたライン（２０）が、本質的に前記破断ライン（１４）の上方にあるように、前記初期位置に前記支持プレート（１０、１２）上でセラミック導体プレート（１８）を配置するステップと、
（ｃ）２つの細長い係合セクション（５８、６０）が、それに沿って破断が発生する前記弱められたライン（２０）に隣接する２つの弱められたライン（２０）の領域内で前記セラミック導体プレート（１８）上にピンニング力を伝達するように、前記セラミック導体プレート（１８）上に２つの細長い係合セクション（５８、６０）を備えるピンニングデバイス（５２）を低下させるステップと、
（ｄ）前記破断トラップ（４、６）の前記支持プレート（１０、１２）の前記破断ライン端部（５４、５６）を前記破断位置へ上方に上昇させることによって、前記セラミック導体プレート（１８）を破断するステップと、
（ｅ）前記ピンニングデバイス（５２）を上昇させ、かつ前記セラミック導体プレート（１８）の前記断片（３８）を放すステップと、
（ｆ）前記断片（３８、１８）の間のギャップ内を把持し、前記断片の一方を脇に滑動させるステップと、
（ｇ）前記支持プレート（１０、１２）を前記初期位置に戻すステップと、
（ｈ）破断がそれに沿って発生するさらなる弱められたライン（２０）が、本質的に前記破断ライン（１４）の上方に配置されるように、前記支持プレート（１０、１２）上に前記セラミック導体プレート（１８）を配置するステップと、
（ｉ）前記セラミック導体プレート（１８）が、破断がそれに沿って発生する前記弱められたライン（２０）に沿って破断されるまで、ステップ（ｃ）から（ｈ）を繰り返すステップと、を含む方法。
【請求項１４】
前記支持プレート（１０、１２）の前記破断ライン端部（５４、５６）を、前記断片の間のギャップを拡大するために上向きにグリッピング位置へ変位させるステップをさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
セラミック導体プレート（１８）の弱められたライン（２０）に沿ってセラミック導体プレート（１８）を単体にする方法であって、
（ａ）互いに対して変位可能である２つの支持プレート（１０、１２）を有する破断トラップ（４、６）を提供するステップであって、前記破断トラップ（４、６）は、前記支持プレート（１０、１２）が破断ライン（１４）に沿って隣接しかつ本質的に平坦な支持表面（１６）を形成する初期位置から、２つの支持プレート（１０、１２）が互いに向かってある角度で配置される破断位置へ変位されることができる、破断トラップ（４、６）を提供するステップと、
（ｂ）それに沿って破断が発生する弱められたライン（２０）が、本質的に前記破断ライン（１４）の上方にあるように、前記初期位置に前記支持プレート（１０、１２）上でセラミック導体プレート（１８）を配置するステップと、
（ｃ）前記弱められたライン（２０）に対してかつ前記支持プレート（１０、１２）の所定の力に対して、前記弱められたライン（２０）と本質的に整列された破断ナイフ（５２、８）を低下させ、それによって前記破断位置に前記支持プレート（１０、１２）を下方に変位させることによって、前記セラミック導体プレート（１８）を破断するステップと、
（ｄ）前記破断ナイフ（５２、８）を上昇させるステップと、
（ｅ）前記支持プレート（１０、１２）が前記セラミックプレートの断片が脇に滑動するために露出されるように配置されるように、前記破断ライン（１４）に隣接する前記支持プレート前記破断ライン端部（５４、５６）の少なくとも一方を上向きに変位させるステップと、
（ｆ）前記露出された断片（３８）を脇に滑動させるステップと、
（ｇ）前記支持プレート（１０、１２）を前記初期位置に戻すステップと、
（ｈ）破断がそれに沿って発生するさらなる弱められたラインが、本質的に前記破断ライン（１４）の上方に配置されるように、前記支持プレート（１０、１２）上に前記セラミック導体プレート（１８）を配置するステップと、
（ｉ）前記セラミック導体プレート（１８）が、破断がそれに沿って発生する前記弱められたライン（２０）に沿って破断されるまで、ステップ（ｃ）から（ｈ）を繰り返すステップと、を含む方法。
【請求項１６】
前記ステップ（ｅ）が、セラミック導体プレート（１８）の前記断片（３８、１８）の間のギャップを拡大するために、前記支持プレート（１０、１２）の破断ライン端部（５４、５６）を上方にグリッピング位置に変位するステップをさらに含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記断片（３８、１８）間のギャップではさみ、かつ、１つの断片（３８）を脇へ滑動させるステップをさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記支持プレート（１０、１２）の移動を、同期して実施する請求項１３〜請求項１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
位置付け後、前記セラミック導体プレート１８を遅延するステップを含む請求項１３〜請求項１８のいずれか１項に記載の方法。