【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料の第１レイヤ内の複数の第１構造群、および前記試料の第２レイヤ内の複数の第２構造群の間のオーバレイを決定する方法であって、前記方法は、
前記第１および第２構造群の一部を含むターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤを提供することであって、
前記ターゲットＡは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸａを有するよう設計され、
前記ターゲットＢは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｂを有するよう設計され、
前記ターゲットＣは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｃを有するよう設計され、
前記ターゲットＤは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｄを有するよう設計され、
前記オフセットＸａ、Ｘｂ、ＸｃおよびＸｄのそれぞれはゼロとは異なり、ＸａはＸｂとは反対の符号で異なり、ＸｃはＸｄとは反対の符号で異なり、
ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤを電磁放射で照射することによって、ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤからそれぞれスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDを得ること、および
前記得られたスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDに基づいて線形近似を用いて前記第１および第２構造群の間の任意のオーバレイ誤差を決定すること
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、任意のオーバレイ誤差を決定することは、
スペクトルＳAおよびＳBから差分スペクトルＤ１を決定すること、
スペクトルＳCおよびＳDから差分スペクトルＤ２を決定すること、
前記差分スペクトルＤ１およびＤ２に基づいて線形近似を実行することによって任意のオーバレイ誤差を決定すること
を含む方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記線形近似は、前記差分スペクトルＤ１の特性Ｐ１および前記差分スペクトルＤ２の特性Ｐ２に基づく方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法であって、前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤのそれぞれは、少なくとも一部が前記第１レイヤ内に配置された周期Ｔａ１を持つ周期的構造を有する格子構造Ｇａ１、および少なくとも一部が前記第２レイヤ内に配置された周期Ｔａ２を持つ周期的構造を有する格子構造Ｇａ２を備え、前記第１周期Ｔａ１および前記第２周期Ｔａ２は実質的に同一であり、前記オフセットＸａ、Ｘｂ、Ｘｃ、およびＸｄは、前記構造群に対して前記格子構造Ｇａ１の前記周期Ｔａ１で、前記格子構造Ｇａ２の前記周期Ｔａ２で、第１距離Ｆおよび第２距離ｆ０の和によって、前記構造群をオフセットすることによってそれぞれ作られ、ここで前記第２距離ｆ０は、前記第１距離Ｆよりも小さい絶対値を有する方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法であって、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤは実質的に直線に沿って配置される方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記ターゲットＢは、前記ターゲットＡおよびターゲットＣの間に配置され、前記ターゲットＣは、前記ターゲットＢおよび前記ターゲットＤの間に配置される方法。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法であって、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤは２次元構成で配置される方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記ターゲットＡおよびＢは第１軸に沿って配置され、前記ターゲットＣおよびＤは第２軸に沿って配置され、前記第１軸および前記第２軸は実質的に平行である方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の方法であって、前記方法は、
追加のターゲットＥを作ることであって、前記追加ターゲットＥは、その間にオフセットＹを持つ前記第１および第２構造群の一部を含み、
前記追加ターゲットＥを電磁放射で照射することによってスペクトルＳEを得ること、および
前記任意のオーバレイ誤差を決定することは、前記スペクトルＳEにさらに基づくこと
を含む方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の方法であって、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDを得ることは、ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤから光学装置を用いて照射を得ることを含む方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は画像化反射率計である方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は画像化分光反射率計である方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は偏光分光画像化反射率計である方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は走査反射率計である方法。
【請求項１５】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、並列データ獲得が可能である２つ以上の反射率計を持つシステムである方法。
【請求項１６】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、並列データ獲得が可能である２つ以上の分光反射率計を持つシステムである方法。
【請求項１７】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、並列データ獲得が可能である２つ以上の偏光分光反射率計を持つシステムである方法。
【請求項１８】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、前記ウェーハステージを移動させることなく、または任意の他の光学要素または前記反射率計ステージを移動させることなく直列データ獲得が可能である２つ以上の偏光分光反射率計を持つシステムである方法。
【請求項１９】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、画像化分光計である方法。
【請求項２０】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、波長フィルタを持つ画像化システムである方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、前記光学装置は、ロングパス波長フィルタを持つ画像化システムである方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の方法であって、前記光学装置は、ショートパス波長フィルタを持つ画像化システムである方法。
【請求項２３】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、干渉型画像化システムである方法。
【請求項２４】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、画像化偏光解析装置である方法。
【請求項２５】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、画像化分光偏光解析装置である方法。
【請求項２６】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、走査偏光解析装置システムである方法。
【請求項２７】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、並列データ獲得が可能である複数の偏光解析装置を持つシステムである方法。
【請求項２８】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、前記ウェーハステージを移動させることなく、または任意の他の光学要素または前記偏光解析装置ステージを移動させることなく直列データ獲得が可能である複数の偏光解析装置を持つシステムである方法。
【請求項２９】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、Michelson干渉計である方法。
【請求項３０】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、Mach-Zehnder干渉計である方法。
【請求項３１】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、Sagnac干渉計である方法。
【請求項３２】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、分光法線入射反射率計および斜方入射分光反射率計を備えるシステムである方法。
【請求項３３】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、分光法線入射偏光反射率計および斜方入射分光偏光解析装置を備えるシステムである方法。
【請求項３４】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、分光法線入射偏光差分反射率計および斜方入射分光偏光解析装置を備えるシステムである方法。
【請求項３５】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、分光準法線入射偏光差分反射率計および斜方入射分光偏光解析装置を備えるシステムである方法。
【請求項３６】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、分光法線入射反射率計および分光斜方入射偏光差分反射率計を備えるシステムである方法。
【請求項３７】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、分光法線入射偏光反射率計および分光斜方入射偏光差分反射率計を備えるシステムである方法。
【請求項３８】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、分光法線入射偏光差分反射率計および分光斜方入射偏光差分反射率計を備えるシステムである方法。
【請求項３９】
請求項１０に記載の方法であって、前記光学装置は、分光準法線入射偏光差分反射率計および分光斜方入射偏光差分反射率計を備えるシステムである方法。
【請求項４０】
請求項１〜１０のいずれかに記載の方法であって、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDの少なくとも１つは、非偏光であるか、または選択的に偏光されるか、または選択的に分析される電磁放射を含む方法。
【請求項４１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の方法であって、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDの少なくとも１つは、非偏光の反射された光、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤの少なくとも１つの少なくとも１つの構造の対称軸に実質的に平行な電界を持つ偏光された光、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤの少なくとも１つの少なくとも１つの構造の対称軸に実質的に直角な電界を持つ偏光された光、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤの少なくとも１つの少なくとも１つの構造の対称軸についてある角度をなす電界を持つ偏光された光、右回り円偏波の放射、または左回り円偏波の放射である電磁放射を含む方法。
【請求項４２】
請求項３に記載の方法であって、前記差分スペクトルＤ１およびＤ２の前記特性Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、光雑音、安定性、ドリフト、スペクトル特性、および光レベルからなるグループから選択される方法。
【請求項４３】
請求項１〜４２のいずれかに記載の方法であって、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤを電磁放射で照射することは実質的に異なる時刻において行われることによって、前記対応するスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDが実質的に異なる時刻において得られる方法。
【請求項４４】
請求項１〜４２のいずれかに記載の方法であって、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤを電磁放射で照射することは実質的に同時に行われることによって、前記対応するスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDが実質的に同時に作られる方法。
【請求項４５】
請求項１〜４２のいずれかに記載の方法であって、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤを電磁放射で照射することは、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤのうちの少なくとも２つについて実質的に同時に行われる方法。
【請求項４６】
請求項３に記載の方法であって、前記特性Ｐ１およびＰ２を決定することは、それぞれ前記差分スペクトルＤ１およびＤ２の、強度、回折された放射のスペクトル強度、異なる放射のＲ（ラムダ）、横電界偏光Ｒ（Ｔｅ、ラムダ）のスペクトル強度、横磁界偏光Ｒ（Ｔｍ、ラムダ）のスペクトル強度、Ｓ偏光反射率Ｒ（ラムダ）のスペクトル強度、Ｐ偏光のスペクトル強度、反射率Ｒｐ（ラムダ）、光学位相、波長、回折角、分光偏光解析パラメータ、アルファ、ベータ、ｃｏｓ（デルタ）、およびｔａｎ（プサイ）からなるグループから選択される１つ以上の放射特性を得ることまたは処理することを含む方法。
【請求項４７】
請求項１９に記載の方法であって、前記分光画像化システムの照射および画像化ＮＡは、ゼロ次回折次数だけが集められることを確実にすることによって、散乱構造に対する前記器具のパフォーマンスを最適化するように選ばれる方法。
【請求項４８】
請求項４７に記載の方法であって、前記分光画像化システムは、画像化分光偏光解析装置である方法。
【請求項４９】
請求項１〜１０のいずれかに記載の方法であって、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDを得ることは、波長フィルタを有する画像化装置を用いて前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、またはＤからの画像を獲得することを含み、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDは、前記対応するターゲット画像の１つ以上の画素の平均化または加算された１つ以上の強度値（群）であり、前記方法は、前記波長フィルタを用いて、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDを間のコントラストが最大化されるようにすることをさらに含む方法。
【請求項５０】
請求項４９に記載の方法であって、前記試料中の欠陥を検出するために前記ターゲットの前記画像を分析することをさらに含む方法。
【請求項５１】
請求項１〜９のいずれかに記載の方法であって、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDを得ることは、光学装置を用いて前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤからの放射を獲得することを含み、前記放射は、同時に、複数の照射角度において獲得される方法。
【請求項５２】
請求項１９に記載の方法であって、前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤの１つだけを照射するよう前記光学ツールをフォーカシングし、前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤの他の３つを照射するよう前記光学ツールを再フォーカシングしないことをさらに含む方法。
【請求項５３】
請求項１〜５２のいずれかに記載の方法であって、前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤのうちの少なくとも１つは、画像化オーバレイ計測型ターゲットを含み、前記方法は、前記画像化オーバレイ計測型ターゲットに対する第２オーバレイ誤差を計測することをさらに含む方法。
【請求項５４】
請求項５３に記載の方法であって、前記得られたスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDは画像であり、前記画像化オーバレイ計測型ターゲットの前記オーバレイ誤差計測を実行するためにも用いられる方法。
【請求項５５】
請求項５３に記載の方法であって、前記第１オーバレイは、前記第２オーバレイ誤差と同時に決定される方法。
【請求項５６】
試料の第１レイヤ内の複数の第１構造群、および前記試料の第２レイヤ内の複数の第２構造群の間のオーバレイを決定するシステムであって、前記システムは、
前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤを電磁放射で照射することによって、ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤからそれぞれスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDを得る散乱計測モジュール、および
前記得られたスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDに基づいて線形近似を用いて前記第１および第２構造群の間の任意のオーバレイ誤差を決定するよう動作可能であるプロセッサを備え、
前記ターゲットＡは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸａを有するよう設計され、
前記ターゲットＢは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｂを有するよう設計され、
前記ターゲットＣは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｃを有するよう設計され、
前記ターゲットＤは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｄを有するよう設計され、
前記オフセットＸａ、Ｘｂ、ＸｃおよびＸｄのそれぞれはゼロとは異なり、ＸａはＸｂとは反対の符号で異なり、ＸｃはＸｄとは反対の符号で異なる
システム。
【請求項５７】
請求項５６に記載のシステムであって、任意のオーバレイ誤差を決定することは、
スペクトルＳAおよびＳBから差分スペクトルＤ１を決定すること、
スペクトルＳCおよびＳDから差分スペクトルＤ２を決定すること、
前記差分スペクトルＤ１およびＤ２に基づいて線形近似を実行することによって任意のオーバレイ誤差を決定すること
を含むシステム。
【請求項５８】
請求項５７に記載のシステムであって、前記線形近似は、前記差分スペクトルＤ１の特性Ｐ１および前記差分スペクトルＤ２の特性Ｐ２に基づくシステム。
【請求項５９】
請求項５６〜５８のいずれかに記載のシステムであって、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤは実質的に直線に沿って配置されるシステム。
【請求項６０】
請求項５９に記載のシステムであって、前記ターゲットＢは、前記ターゲットＡおよびターゲットＣの間に配置され、前記ターゲットＣは、前記ターゲットＢおよび前記ターゲットＤの間に配置されるシステム。
【請求項６１】
請求項５６〜５８のいずれかに記載のシステムであって、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤは２次元構成で配置されるシステム。
【請求項６２】
請求項６１に記載のシステムであって、前記ターゲットＡおよびＢは第１軸に沿って配置され、前記ターゲットＣおよびＤは第２軸に沿って配置され、前記第１軸および前記第２軸は実質的に平行であるシステム。
【請求項６３】
請求項５６〜６２のいずれかに記載のシステムであって、前記プロセッサは、
追加のターゲットＥを作ることであって、前記追加ターゲットＥは、その間にオフセットＹを持つ前記第１および第２構造群の一部を含み、
前記追加ターゲットＥを電磁放射で照射することによってスペクトルＳEを得ること、および
前記任意のオーバレイ誤差を決定することは、前記スペクトルＳEにさらに基づく
よう動作可能であるシステム。
【請求項６４】
請求項５６〜６３のいずれかに記載のシステムであって、前記散乱計測モジュールは、光学装置であるシステム。
【請求項６５】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は画像化反射率計であるシステム。
【請求項６６】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は画像化分光反射率計であるシステム。
【請求項６７】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は偏光分光画像化反射率計であるシステム。
【請求項６８】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は走査反射率計であるシステム。
【請求項６９】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、並列データ獲得が可能である２つ以上の反射率計を持つシステムであるシステム。
【請求項７０】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、並列データ獲得が可能である２つ以上の分光反射率計を持つシステムであるシステム。
【請求項７１】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、並列データ獲得が可能である２つ以上の偏光分光反射率計を持つシステムであるシステム。
【請求項７２】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、前記ウェーハステージを移動させることなく、または任意の他の光学要素または前記反射率計ステージを移動させることなく直列データ獲得が可能である２つ以上の偏光分光反射率計を持つシステムであるシステム。
【請求項７３】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、画像化分光計であるシステム。
【請求項７４】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、波長フィルタを持つ画像化システムであるシステム。
【請求項７５】
請求項７４に記載のシステムであって、前記光学装置は、ロングパス波長フィルタを持つ画像化システムであるシステム。
【請求項７６】
請求項７４に記載のシステムであって、前記光学装置は、ショートパス波長フィルタを持つ画像化システムであるシステム。
【請求項７７】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、干渉型画像化システムであるシステム。
【請求項７８】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、画像化偏光解析装置であるシステム。
【請求項７９】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、画像化分光偏光解析装置であるシステム。
【請求項８０】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、走査偏光解析装置システムであるシステム。
【請求項８１】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、並列データ獲得が可能である複数の偏光解析装置を持つシステムであるシステム。
【請求項８２】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、前記ウェーハステージを移動させることなく、または任意の他の光学要素または前記偏光解析装置ステージを移動させることなく直列データ獲得が可能である複数の偏光解析装置を持つシステムであるシステム。
【請求項８３】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、Michelson干渉計であるシステム。
【請求項８４】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、Mach-Zehnder干渉計であるシステム。
【請求項８５】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、Sagnac干渉計であるシステム。
【請求項８６】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、分光法線入射反射率計および斜方入射分光反射率計を備えるシステムであるシステム。
【請求項８７】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、分光法線入射偏光反射率計および斜方入射分光偏光解析装置を備えるシステムであるシステム。
【請求項８８】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、分光法線入射偏光差分反射率計および斜方入射分光偏光解析装置を備えるシステムであるシステム。
【請求項８９】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、分光準法線入射偏光差分反射率計および斜方入射分光偏光解析装置を備えるシステムであるシステム。
【請求項９０】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、分光法線入射反射率計および分光斜方入射偏光差分反射率計を備えるシステムであるシステム。
【請求項９１】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、分光法線入射偏光反射率計および分光斜方入射偏光差分反射率計を備えるシステムであるシステム。
【請求項９２】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、分光法線入射偏光差分反射率計および分光斜方入射偏光差分反射率計を備えるシステムであるシステム。
【請求項９３】
請求項６４に記載のシステムであって、前記光学装置は、分光準法線入射偏光差分反射率計および分光斜方入射偏光差分反射率計を備えるシステムであるシステム。
【請求項９４】
請求項５６〜６４のいずれかに記載のシステムであって、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDの少なくとも１つは、非偏光であるか、または選択的に偏光されるか、または選択的に分析される電磁放射を含むシステム。
【請求項９５】
請求項５６〜６４のいずれかに記載のシステムであって、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDの少なくとも１つは、非偏光の反射された光、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤの少なくとも１つの少なくとも１つの構造の対称軸に実質的に平行な電界を持つ偏光された光、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤの少なくとも１つの少なくとも１つの構造の対称軸に実質的に直角な電界を持つ偏光された光、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤの少なくとも１つの少なくとも１つの構造の対称軸についてある角度をなす電界を持つ偏光された光、右回り円偏波の放射、または左回り円偏波の放射である電磁放射を含むシステム。
【請求項９６】
請求項５８に記載のシステムであって、前記差分スペクトルＤ１およびＤ２の前記特性Ｐ１およびＰ２のそれぞれは、光雑音、安定性、ドリフト、スペクトル特性、および光レベルからなるグループから選択されるシステム。
【請求項９７】
請求項５６〜９７のいずれかに記載のシステムであって、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤを電磁放射で照射することは実質的に異なる時刻において行われることによって、前記対応するスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDが実質的に異なる時刻において得られるシステム。
【請求項９８】
請求項５６〜９７のいずれかに記載のシステムであって、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤを電磁放射で照射することは実質的に同時に行われることによって、前記対応するスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDが実質的に同時に作られるシステム。
【請求項９９】
請求項５６〜９７のいずれかに記載のシステムであって、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤを電磁放射で照射することは、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣまたはＤのうちの少なくとも２つについて実質的に同時に行われるシステム。
【請求項１００】
請求項５８に記載のシステムであって、前記特性Ｐ１およびＰ２を決定することは、それぞれ前記差分スペクトルＤ１およびＤ２の、強度、回折された放射のスペクトル強度、異なる放射のＲ（ラムダ）、横電界偏光Ｒ（Ｔｅ、ラムダ）のスペクトル強度、横磁界偏光Ｒ（Ｔｍ、ラムダ）のスペクトル強度、Ｓ偏光反射率Ｒ（ラムダ）のスペクトル強度、Ｐ偏光のスペクトル強度、反射率Ｒｐ（ラムダ）、光学位相、波長、回折角、分光偏光解析パラメータ、アルファ、ベータ、ｃｏｓ（デルタ）、およびｔａｎ（プサイ）からなるグループから選択される１つ以上の放射特性を得ることまたは処理することを含むシステム。
【請求項１０１】
請求項７３に記載のシステムであって、前記分光画像化システムの照射および画像化ＮＡは、ゼロ次回折次数だけが集められることを確実にすることによって、散乱構造に対する前記器具のパフォーマンスを最適化するように選ばれるシステム。
【請求項１０２】
請求項１０１に記載のシステムであって、前記分光画像化システムは、画像化分光偏光解析装置であるシステム。
【請求項１０３】
請求項５６〜６４のいずれかに記載のシステムであって、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDを得ることは、波長フィルタを有する画像化装置を用いて前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、またはＤからの画像を獲得することを含み、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDは、前記対応するターゲット画像の１つ以上の画素の平均化または加算された１つ以上の強度値（群）であり、前記方法は、前記波長フィルタを用いて、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDを間のコントラストが最大化されるようにすることをさらに含むシステム。
【請求項１０４】
請求項１０３に記載のシステムであって、前記プロセッサは、前記試料中の欠陥を検出するために前記ターゲットの前記画像を分析するようさらに動作可能であるシステム。
【請求項１０５】
請求項５６〜６３のいずれかに記載のシステムであって、前記スペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDを得ることは、光学装置を用いて前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤからの放射を獲得することを含み、前記放射は、同時に、複数の照射角度において獲得されるシステム。
【請求項１０６】
請求項７３に記載のシステムであって、前記プロセッサは、前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤの１つだけを照射するよう前記光学ツールをフォーカシングし、前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤの他の３つを照射するよう前記光学ツールを再フォーカシングしないようさらに動作可能であるシステム。
【請求項１０７】
請求項５６〜１０６のいずれかに記載のシステムであって、前記ターゲットＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤのうちの少なくとも１つは、画像化オーバレイ計測型ターゲットを含み、前記方法は、前記画像化オーバレイ計測型ターゲットに対する第２オーバレイ誤差を計測することをさらに含むシステム。
【請求項１０８】
請求項１０７に記載のシステムであって、前記得られたスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDは画像であり、前記画像化オーバレイ計測型ターゲットの前記オーバレイ誤差計測を実行するためにも用いられるシステム。
【請求項１０９】
請求項１０７に記載のシステムであって、前記第１オーバレイは、前記第２オーバレイ誤差と同時に決定されるシステム。
【請求項１１０】
複数の第１構造群を有する第１レイヤ、および複数の第２構造群を有する第２レイヤを備えるターゲット構成であって、前記ターゲット構成は、
前記第１および第２構造群の一部をそれぞれ含むターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤを備え、
前記ターゲットＡは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸａを有するよう設計され、
前記ターゲットＢは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｂを有するよう設計され、
前記ターゲットＣは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｃを有するよう設計され、
前記ターゲットＤは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｄを有するよう設計され、
前記オフセットＸａ、Ｘｂ、ＸｃおよびＸｄのそれぞれはゼロとは異なり、ＸａはＸｂとは反対の符号で異なり、ＸｃはＸｄとは反対の符号で異なり、
前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤが電磁放射で照射されるとき、前記ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤが、前記第１レイヤおよび前記第２レイヤ構造の間に存在する任意のオーバレイ誤差を表す、それぞれ対応するスペクトルＳA、ＳB、ＳC、およびＳDを作るよう、前記オフセットＸａ、Ｘｂ、ＸｃおよびＸｄが選択され、および
画像化オーバレイ計測を用いて第２オーバレイ誤差が決定されえる画像化オーバレイ計測型ターゲットＥ
を備えるターゲット構成。