【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a）多孔性金属基材；
b）多孔性金属基材のタンマン温度より高いタンマン温度を有する金属粉末を含む中間層、ここで中間層は多孔性金属基材の上に存在する；および
c）高密度水素選択膜、ここで高密度水素選択膜は中間層の上に存在する；を含有してなる複合ガス分離モジュール。
【請求項２】
多孔性金属基材がステンレス鋼またはクロムおよびニッケルを含む合金である請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項３】
合金がモリブデンをさらに含んでなる請求項２記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項４】
多孔性金属基材に結合し、中間層の下に存在するセラミックの層をさらに含有してなる請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項５】
金属粉末が約0.5〜約５ミクロンの範囲の平均粒径を有する請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項６】
金属粉末が、高密度水素選択膜のタンマン温度より高いタンマン温度を有する請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項７】
中間層が、金属酸化物粉末、セラミック粉末、ゼオライト粉末およびその組み合わせからなる群より選ばれる粉末をさらに含む請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項８】
金属粉末が、タングステン、銀およびその組み合わせからなる群より選ばれる物質を含む請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項９】
中間層が、高密度水素選択膜のタンマン温度より低いか、またはほぼ等しいタンマン温度を有する少なくとも１つの物質をさらに含む請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１０】
中間層が、銀、金、銅、セリウムおよびイットリウムからなる群より選ばれる少なくとも１つの物質をさらに含む請求項９記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１１】
中間層が少なくとも約１ミクロンの平均厚さを有する請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１２】
中間層が約１〜約10ミクロンの範囲の平均厚さを有する請求項１１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１３】
中間層の平均孔サイズが多孔性金属基材の平均孔サイズよりも小さい請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１４】
中間層が、頂部側および底部側を有し、中間層が、底部側の多孔性金属基材に直接隣接し、かつ頂部側の高密度水素選択膜に直接隣接する請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１５】
高密度水素選択膜がパラジウムまたはその合金を含んでなる請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１６】
a)多孔性金属基材のタンマン温度より高いタンマン温度を有する金属粉末を含む中間層を多孔性金属基材上に適用する工程；および
b)高密度水素選択膜を、金属粉末を含む中間層上に適用し、それにより複合ガス分離モジュールを形成する工程
を含む、複合ガス分離モジュールの製造方法。
【請求項１７】
中間層を適用する前に多孔性金属基材の表面を酸化する工程をさらに含む請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
中間層がスラリーから金属粉末を堆積させることにより適用される請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
スラリーが水系スラリーである請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
金属粉末が約0.5〜約５ミクロンの範囲の平均粒径を有する請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
中間層が、金属酸化物粉末、セラミック粉末、ゼオライト粉末およびその組み合わせからなる群より選ばれる粉末をさらに含む請求項１６記載の方法。
【請求項２２】
金属粉末が、タングステン、銀およびその組み合わせからなる群より選ばれる物質を含む請求項１６記載の方法。
【請求項２３】
中間層が最小約１〜約10ミクロンの平均厚さを有する請求項１６記載の方法。
【請求項２４】
中間層の平均孔サイズが多孔性金属基材の平均孔サイズよりも小さい請求項１６記載の方法。
【請求項２５】
高密度水素選択層を適用する前に中間層を表面活性化する工程をさらに含む請求項１６記載の方法。
【請求項２６】
中間層の表面活性化が、水素選択性金属の核で中間層をシーディングすることを含む請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
高密度水素選択膜の適用が、パラジウムまたはその合金を中間層上に適用することを含む請求項１６記載の方法。
【請求項２８】
高密度水素選択膜が、銅、銀、金、白金、ルテニウム、ロジウム、イットリウム、セリウムおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属と合金化されたパラジウムを含む請求項１６記載の方法。
【請求項２９】
高密度水素選択膜の適用が、無電解メッキ、電解メッキ、熱蒸着、化学蒸着、噴霧蒸着、スパッタコーティング、電子線蒸発、イオンビーム蒸発および噴霧熱分解からなる群より選ばれる方法により水素選択性金属を中間層上に堆積させることを含む請求項１６記載の方法。
【請求項３０】
請求項１６記載の方法により製造された複合ガス分離モジュール。
【請求項３１】
水素ガス含有ガス流を複合ガス分離モジュールに指向させることを含み、複合ガス分離モジュールは：
a）多孔性金属基材；
b）多孔性金属基材のタンマン温度より高いタンマン温度を有する金属粉末を含む中間層、ここで、中間層は多孔性金属基材上に存在する；および
c）高密度水素選択膜、ここで、高密度水素選択膜は中間層上に存在する；を含み、
それにより、水素ガスは高密度水素選択膜を通過することによってガス流から少なくとも部分的に分配される、水素ガス含有ガス流から水素ガスを選択的に分離する方法。
【請求項３２】
水素ガス製造反応体を反応させてガス流を生じさせる工程をさらに含む請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
金属粉末が約0.5〜約５ミクロンの範囲の平均粒径を有する請求項３１記載の方法。
【請求項３４】
中間層が、金属酸化物粉末、セラミック粉末、ゼオライト粉末およびその組み合わせからなる群より選ばれる粉末をさらに含む請求項３１記載の方法。
【請求項３５】
金属粉末が、タングステン、銀およびその組み合わせからなる群より選ばれる物質を含む請求項３１記載の方法。
【請求項３６】
中間層が約１〜約10ミクロンの範囲の平均厚さを有する請求項３１記載の方法。
【請求項３７】
高密度水素選択膜がパラジウムまたはその合金を含んでなる請求項３１記載の方法。
【請求項３８】
a）多孔性金属基材；
b）未焼結な金属粉末の中間層；および
c）高密度ガス選択膜、ここで高密度ガス選択膜は未焼結な金属粉末の中間層の上に存在する；を含有してなる複合ガス分離モジュール。
【請求項３９】
未焼結な金属粉末の中間層が、少なくとも多孔性金属基材のタンマン温度を有する未焼結な金属粉末を含む請求項３８記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項４０】
未焼結な金属粉末の中間層が、約0.5〜約５ミクロンの範囲の平均粒径を有する未焼結な金属粉末を含む請求項３８記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項４１】
a）多孔性金属基材；
b）(1)多孔性金属基材のタンマン温度より高いタンマン温度を有する粉末ならびに(2)高密度水素選択膜のタンマン温度より低いか、またはほぼ等しいタンマン温度を有する少なくとも1つの物質であって、銀、金、銅、セリウムおよびイットリウムからなる群より選ばれる少なくとも1つの物質を含む中間層、ここで中間層は多孔性金属基材の上に存在する；ならびに
c）高密度水素選択膜、ここで高密度水素選択膜は中間層の上に存在する；
を含有してなる複合ガス分離モジュール。