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【手続補正書】
【提出日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  連続するサイクルにおいて一連の入力データの組のそれぞれに基づいてエレメントの状態を変えるよう、光学エレメントのアレーをコントロールする方法であって、各サイクルが、光学的なブランク又は非一様なアレーの選択されたエレメントだけが、それぞれのデータの組によって決められたように書き込まれる第一のステップと、選択されたエレメントが次のサイクルに先だって選択的に消去されてブランクアレーに戻される第二のステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  請求項１記載の方法が適用される光学エレメントのアレーは、アドレス可能な能動エレメントの対応するアレーと、前記対応するアレーから離間して設けられた電極とを含み、各光学エレメントは前記離間して設けられた電極と対応する能動エレメントとの間に規定され、前記第一のステップのあいだに前記第一の組の能動エレメント及び離間された電極は、第一の組の選択された光学エレメントに第一の電位差を印加するよう動作し、前記第二のステップのあいだに前記第二の組の能動エレメント及び離間された電極は、第二の組の選択された光学エレメントに第二の電位差を印加するよう動作し、第一及び第二の電位差は反対の符号である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記第一及び第二の電位差は等しい振幅を有するものである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記第一及び第二のステップのあいだに、離間された電極上の電圧及びアレーの各エレメントへ印加される電圧はすべて、実質的に同時に同じ量だけ、かつ、基準電圧に対して同じ方向にシフトされるものである、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】  請求項１記載の方法が適用される光学エレメントのアレーは、アドレス可能な能動エレメントの対応するアレーと、前記対応するアレーから離間して設けられた電極とを含み、各光学エレメントは前記離間して設けられた電極と対応する能動エレメントとの間に規定され、前記第一及び第二のステップのあいだに、離間された電極上の電圧及びアレーの各エレメントへ印加される電圧はすべて、実質的に同時に同じ量だけ、かつ、基準電圧に対して同じ方向にシフトされるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記電圧におけるシフトは、実質的に前記第二のステップの持続時間のあいだ前記離間された電極だけに印加されるものである、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】  前記第一のステップ及び前記第二のステップのあいだに、アレーのすべての光学エレメントにゼロ電位差を加えるよう、アレーのすべての光学エレメントを同時にアドレスするステップがある、先行するすべての請求項のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】  前記第一のステップ及び前記第二のステップのあいだに、アレーのすべての光学エレメントに有限の直流電位差を加えるよう、アレーのすべての光学エレメントを同時にアドレスするステップがある、先行するすべての請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】  光学エレメントは容量性であり、前記同時のアドレス動作に続いて、すべての光学エレメントの回路が開かれる、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】  前記第一のステップ及び前記第二のステップのあいだに、アレーのすべての光学エレメントに有限の交流電位差を加えるよう、アレーのすべての光学エレメントを同時にアドレスするステップがある、先行するすべての請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】  先行するいずれかの請求項に規定された方法によって各ビットプレインが書き込まれる、多重の又は重み付けされたビットプレイン技術を用いる、多重レベル画像を合成する方法。
【請求項１２】  各ビットプレインを書き込むための前記方法は、直流平衡を与えるものである、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ガイド、可動素子及び前記可動素子を前記光ガイドと局部的に接触させる選択手段を有する表示装置であって、前記選択手段は、行及び列電極並びに当該行及び列電極に電圧を印加する手段を有する表示装置において、前記選択手段が事前に印加された電圧又は前記電極の電圧に依存して前記電極に電圧を印加する手段を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、電圧を印加する前記手段は、動作中に、下方値及び上方値を持つ電圧の第１の組を行電極に、及び下方値及び上方値を持つ電圧の第２の組を交差エリアにおいて前記行電極と交差する列電極に印加し、前記装置は、下方値を前記行電極へ、及び上方値を前記列電極へ若しくは逆への同時印加のみが前記交差エリアにおける前記可動素子の位置を変化させるように構成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の表示装置において、電圧を印加する前記手段は、動作中に、下方値及び上方値を持つ電圧の第１の組を列電極に、及び下方値及び上方値を持つ電圧の第２の組を交差エリアにおいて前記列電極と交差する行電極に印加し、前記装置は、下方値を前記列電極へ、及び上方値を前記行電極へ若しくは逆への同時印加のみが前記交差エリアにおける前記可動素子の位置を変化させるように構成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の表示装置において、前記電圧の組の１つは、下方値及び上方値により構成され、前記電圧の他の組は、上方値、中間値及び下方値により構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項２、３又は４に記載の表示装置において、電圧を印加する前記手段は、動作中に、第１の行電極にターンオン電圧を印加する一方、前記第１の行電極の選択された交差エリアにおいて、前記可動素子を前記光ガイドと接触させるために、前記第１の行電極と交差する列電極に電圧を同時に印加し、続いて前記ターンオン電圧を第２の行電極に印加する一方、前記第２の行電極の選択された交差エリアにおいて、前記可動素子を前記光ガイドと接触させるために、前記列電極に電圧を同時に印加し、前記第１の列電極における前記電圧が前記第１の行電極の前記交差エリアにおける前記可動素子が前記光ガイドから分離しないような値を持つことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項２、３又は４に記載の表示装置において、電圧を印加する前記手段は、動作中に、第１の列電極にターンオン電圧を印加する一方、前記第１の列電極の選択された交差エリアにおいて、前記可動素子を前記光ガイドと接触させるために、前記第１の列電極と交差する行電極に電圧を同時に印加し、続いて前記ターンオン電圧を第２の列電極に印加する一方、前記第２の列電極の選択された交差エリアにおいて、前記可動素子を前記光ガイドと接触させるために、前記第２の列電極と交差する前記第２の行電極に電圧を同時に印加する手段であり、前記第１の列電極における前記電圧が前記第１の行電極の前記交差エリアにおける前記可動素子が前記光ガイドから分離しないような値を持つことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
先行する請求項の何れか一項に記載の表示装置において、選択する手段は、動作中に、所与の行又は列電極が変化する時間の割合は、この割合が前記関連する行及び列電極と前記光ガイドへの光入力部との間の増大する距離により増大するような前記行又は列電極への電圧のシーケンスを供給することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  Ｘ線光によって準安定性励起状態に据えられうる多くの記憶粒子（２０）であって、当該準安定性励起状態は活性化光で照射することによって不安定な励起状態へと転換可能であり、続いて当該不安定な励起状態は蛍光の放射によって分解される、記憶粒子（２０）を有し、且つ前記記憶粒子（２０）を一緒に保つことによって記憶層（１２）を形成するための透明な結合剤（２２）を有するＸ線像のための平板記憶素子であって、前記結合剤（２２）及び前記記憶粒子（２０）が実質的に同一の屈折率を有し、前記記憶粒子（２０）が、化学的に異なるが同一の結晶構造において結晶化している２つの塩によって形成される透明な塩の材料から成り、前記塩が混合結晶を形成することを特徴とする記憶素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  薄い平面層をデバイスの表面上に形成する方法であって、該方法は、
複数の表面突起を含む基板を提供する工程であって、該複数の表面突起は、それらの間に間隙を規定する、工程と、
エッチング可能層を該基板上に形成する工程と、
該エッチング可能層上でＣＭＰ処理を実行することにより、第１の厚さを有する第１の平面層を形成する工程と、
該第１の平面層を第２の厚さまでエッチングすることにより、該薄い平面層を形成する工程と
を包含する、方法。
【請求項２】  前記基板が集積回路を含み、
前記突起が光学エレメントを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記基板が反射型ディスプレイバックプレーンを含み、
前記突起がピクセルミラーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記第１の厚さが１０００オングストローム以上であり、
前記第２の厚さが１０００オングストローム未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記エッチング可能層を前記基板上に形成する工程が、
エッチング抵抗層を該基板上に形成する工程と、
充填層を該エッチング抵抗層上に形成する工程と、
該充填層をエッチングすることにより、前記突起の上に重なっている該エッチング抵抗層の部分を露出させ、該充填層の一部を前記間隙内に残す工程と、
該エッチング可能層を該エッチング抵抗層の露出部および該充填層上に形成する工程と
を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記エッチング抵抗層を形成する工程が、光学薄膜層を堆積する工程を包含する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記エッチング抵抗層を形成する工程が、エッチング抵抗キャップ層を前記光学薄膜層上に堆積する工程をさらに包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記エッチング抵抗キャップ層が窒化物層を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記エッチング抵抗キャップ層が６４０Å（±１０％）の範囲の厚さを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  前記光学薄膜層が酸化物層を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】  前記酸化物層が７５０Å（±１０％）の範囲の厚さを有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  前記エッチング抵抗層がエッチング抵抗キャップ層をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】  前記エッチング抵抗キャップ層が窒化物層を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記酸化物層が７５０Å（±１０％）の範囲の厚さを有し、
前記窒化物層が６４０Å（±１０％）の範囲の厚さを有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記光学薄膜層が７５０Å（±１０％）の範囲の厚さを有する、請求項６に記載の方法。
【請求項１６】  前記第１の平面層をエッチングする工程に引き続き、保護層を前記薄い平面層上に形成する工程をさらに包含する、請求項５に記載の方法。
【請求項１７】  前記保護層を形成する工程が、窒化物層を前記薄い平面層上に形成する工程を包含する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記窒化物層が１２００Å（±１０％）の範囲の厚さを有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  前記平面層が酸化物層を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項２０】  前記酸化物層が８４０Å（±１０％）の範囲の厚さを有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  窒化物層を前記酸化物層上に形成する工程をさらに包含する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】  前記酸化物層が８４０Å（±１０％）の範囲の厚さを有し、
前記窒化物層が１２００Å（±１０％）の範囲の厚さを有する、
請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  前記充填層を形成する工程が、スピンオンコーティングを前記エッチング抵抗層上に塗布する工程を包含する、請求項５に記載の方法。
【請求項２４】  前記充填層がスピンオンガラスを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  前記充填層が光吸収ドーパントを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】  前記ドーパントが色素を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】  前記充填層をエッチングする工程が、前記ピクセルミラーの上に重なっている前記エッチング抵抗層から前記間隙に残る該充填層までの１２００Å（±１０％）以下のステップダウンを形成するのに十分な時間の間に、該充填層をエッチングする工程を包含する、請求項５に記載の方法。
【請求項２８】  前記第２の厚さの前記平面層が、光学薄膜層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】  前記光学薄膜層が８４０Å（±１０％）の範囲の厚さを有する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】  前記光学薄膜層が酸化物層を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】  保護層を前記光学薄膜層上に形成する工程をさらに包含する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】  前記保護層が窒化物層を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】  前記保護層が１２００Å（±１０％）の範囲の厚さを有する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】  前記保護層を形成する工程が、
第１の窒化物層を前記光学薄膜層上に形成する工程と、
酸化物層を該第１の窒化物層上に形成する工程と、
第２の窒化物層を該酸化物層上に形成する工程と
を包含する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】  前記光学薄膜層が７５０Å（±１０％）の範囲の厚さを有する酸化物層を含み、
前記第１の窒化物層が６４０Å（±１０％）の範囲の厚さを有し、
該第１の窒化物層上の該酸化物層が、８４０Å（±１０％）の範囲の厚さを有し、
前記第２の窒化物層が１２００Å（±１０％）の範囲の厚さを有する、
請求項３４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、従来の反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図２】
図２は、厚い保護層を堆積させた反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図３】
図３は、従来の平坦化技術を示す反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図４】
図４は、エッチング抵抗層および充填層を堆積させた反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図５】
図５は、堆積された充填層の選択的エッチング後の、図４の反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図６】
図６は、厚いエッチング可能酸化物層を堆積させた図５の反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図７】
図７は、ＣＭＰ工程、エッチング可能層のエッチングおよび保護層の堆積をした後の、図６の反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図８】
図８は、本発明によるデバイスの面を平坦化する方法を要約したフローチャートである。
【図９】
図９は、図８に示される厚い酸化物層を形成する工程を実行する方法を要約したフローチャートである。
【図１０】
図１０は、図９の方法の第２の工程（エッチング可能層を基板上に形成する工程）を実行する方法を要約したフローチャートである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  特に、脱臭装置、空気加湿装置又は空気清浄装置等に用いられる、ローラ、シャフト、プレート等の回転物体を駆動させるための駆動装置であって、該駆動装置は、移動可能に取り付けられた少なくとも一つのレバーと、前記回転物体に対し回転しないように固定されて結合されたギアと、前記ギアを回転させるため前記ギアと係合しながら前記レバーを駆動運動させるためのレバー機構とを備え、前記レバーは、前記ギアの歯と係合する先端部を備えた駆動装置において、
前記先端部（１１，１２）が歯状に形成され、少なくとも一つのレバー（９，１０）に設けられた歯（１１，１２）の歯面と、ギアに設けられたそれぞれの係合歯（２２）の歯面とが、駆動運動の間、共に接触しながら回転するように、前記先端部（１１，１２）の歯の形状と、前記ギア（８）の歯の形状と、前記レバー機構（７）とが、互いに適合されたことを特徴とする駆動装置。
【請求項２】  前記少なくとも一つのレバー（９，１０）に設けられた前記歯の歯面と、前記ギア（８）に設けられた前記それぞれの係合歯（２１）の歯面とが、駆動の間、一つの接触点を有し、この接触点でそれらの歯面が、本質的に半径方向に滑ることなく、互いに接触しながら回転するように、前記少なくとも一つのレバー（９，１０）の前記歯（１１，１２）の形状と、前記ギア（８）の前記歯（２２）の形状と、前記レバー機構（７）とが、互いに適合されたことを特徴とする、請求項１に記載の駆動装置。
【請求項３】  前記レバー（９，１０）の前記歯の形状及び前記ギア（８）の前記歯（２２）の形状が、インボリュート歯、サイクロイド歯、円弧歯又はランタン歯組織による歯の係合の法則に従って設計されたことを特徴とする、請求項２又は３に記載の駆動装置。
【請求項４】  前記レバー機構（７）が、前記レバー（９，１０）の摺動を案内するためのガイド面（２０，２１）を備えたことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の駆動装置。
【請求項５】  前記レバー機構（７）が、前記レバー（９，１０）用の偏心駆動装置を備えたことを特徴とする、請求項４に記載の駆動装置。
【請求項６】  前記偏心駆動装置が、前記レバー用のドライブシャフト（１５，１６）を備え、このドライブシャフトが、一つのギア上に偏心的に配置されたことを特徴とする、請求項５に記載の駆動装置。
【請求項７】  前記ギアがウォームホイール（１７）であり、このウォームホイールが、ウォーム（１９）と係合することを特徴とする、請求項６に記載の駆動装置。
【請求項８】  前記ウォーム（１９）が、弾性カップリングを介して、モータのドライブシャフトに接続されることを特徴とする、請求項７に記載の駆動装置。
【請求項９】  二つ、三つ又はそれ以上のレバー（９，１０；２６，２７，２８）を備えたことを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の駆動装置。
【請求項１０】  前記レバー（９，１０）が、前記レバー機構（７）の前記ガイド面（２０，２１）間に、弾性的に取り付けられることを特徴とする、請求項４〜９のいずれかに記載の駆動装置。
【請求項１１】  前記レバー（９，１０）を前記ガイド面（２０，２１）間に弾性的に取り付けるために、前記ガイド面によってとらえられる前記レバーの外側輪郭の少なくとも一部が、弾性的に伸縮自在であることを特徴とする、請求項１０に記載の駆動装置。
【請求項１２】  前記レバー（９，１０）の弾性的に伸縮自在な外側輪郭を実現するために、前記外側輪郭が、細いフレーム（２３）として設計されたことを特徴とする、請求項１１に記載の駆動装置。
【請求項１３】  前記フレーム（２３）が中断部を有し、この中断部にバネ要素（２５）が適切に取り付けられたことを特徴とする、請求項１２に記載の駆動装置。
【請求項１４】  前記ギアの更なる運動のため大きい方の力を吸収するガイド面（２０）によって支持される前記レバーの外側輪郭領域が、弾性的に伸縮自在でないことを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれかに記載の駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
スパイダ部材３４の脚部４０は、アクチュエータハウジングアセンブリ７６を収容するために、標準差動アセンブリに使用されたスパイダ３４の脚部４０よりも短い。脚部４０は、駆動力が差動ケース２２からスパイダギアアセンブリ３２に不十分なトラクション条件下で伝達されるとき、アクチュエータハウジング部分７８、８０に反作用する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第１のハウジング部分７８は、複数の凹所８６を有し、第２のハウジング部分８０は、複数の対応する凹所８６を有する。これらの凹所８６の数は、脚部４０の数に対応する。凹所８６は、ハウジング部分７８、８０に延在するＶ状切り欠き部であるのが好ましい。第１のハウジング部分７８の凹所８６は、両凹所８６が整列されたときそれらが正方形を形成するように、第２のハウジング部分８０内の凹所８６と位置において対応する。各脚部４０は、第１ハウジング部分７８の凹所８６の１つに部分的に、および第２ハウジング部分８０の凹所８６の１つに部分的に収容されている。スリップ制限差動機は、第１ハウジング部分７８または第２ハウジング部分８０の一方に近接して配置された複数の摩擦盤９０をも含む。摩擦盤９０は、サイドギア４４の１つに対してスプライン結合されている。複数のタブ９２を有するが、サイドギア４４の１つに対してスプライン結合されていない摩擦盤は、そのタブを長手方向スロット２８内に収容させている。カバー４６、５４は、アクチュエータハウジングアセンブリ７６、スパイダアセンブリ３２、および摩擦盤９０および９２を差動ケース２２内の所定位置に保持する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
スリップ制限差動機が不十分なトラクション条件にある場合など、回転抵抗を受ける場合、ハウジング部材７８、８０は、拡がる、すなわち両側方向に移動し、それは、摩擦盤９０に面荷重を加える。この場合、摩擦盤９０とサイドギア４４とが複数のタブ９２を有する摩擦盤とケースとに対して回転するので、サイドギア４４とケースとの間の相対的回転は、摩擦盤９０の間の摩擦が増大するために制限される。従って、１つの車輪に不十分なトラクションがある場合、ハウジング部分７８、８０は、拡がって面荷重を摩擦盤９０に加え、それがより大きなトラクションを反対の車輪に発生させる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  ディスク型記録媒体（９）用の保持および取外しデバイスを有する記録または再生装置であって、デバイスが、ディスク・ターンテーブル（１２）のハブに提供された保持手段を用いて記録媒体（９）を維持して、ディスク・ターンテーブル（１２）上に記録媒体（９）を設置し、または付勢力に対抗して操作ボタンを操作することによって記録媒体（９）に及ぼされる保持力よりも小さい力でディスク・ターンテーブル（１２）から記録媒体（９）を取り外し、
保持および取外しデバイスがディスク・ターンテーブル（１２）のハブのカバー（Ｄ）であり、復元手段（Ｒ）を有して前記保持手段上方に突出し、
ディスク・ターンテーブル（１２）上に前記記録媒体（９）を保持するために提供されたボール（６）またはラグ（２９）が、ディスク・ターンテーブル（１２）のハブ内に配置されたばね歯付きディスク（１８）の歯のばね力によって外方向に押圧され、
ディスク・ターンテーブル（１２）の方向にカバー（Ｄ）が押圧されることによってボール（６）またはラグ（２９）が案内されて後退し、それにより記録媒体（９）に及ぼされる保持力が低減するように、前記カバー（Ｄ）が上方に突出し、ボール（６）またはラグ（２９）に係合することを特徴とする記録または再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  デバイスにデータを入力するためのキーボードと、
情報を表示するための画面を持つディスプレイと、
前記ディスプレイと前記キーボードを連結するための複数のスライディング機構と、
を備えてなるデバイスであって、
前記ディスプレイは、前記ディスプレイが前記キーボードを隠す第１のポジションに位置することができ、また、前記ディスプレイは、前記キーボード全体が露出して、データの入力を可能にする第２の完全入出力ポジションに位置することができ、
前記画面は、前記第１のポジションおよび前記第２の完全入出力ポジションにおいて、ユーザから見え、
前記第２の完全入出力ポジションにおいて、前記ディスプレイの前記画面が、前記キーボードの操作面と実質的に同一平面上にあり、そして、
前記ディスプレイが、前記第１のポジションおよび前記第２の完全入出力ポジションにおいて、前記キーボードと機械的および電気的に連結しているデバイス。
【請求項２】  デバイスにデータを入力するためのキーボードと、
情報を表示するための画面を持つディスプレイであって、前記ディスプレイが前記キーボードを隠す第１のポジションを持ち、また、前記キーボードが露出して、データの入力を可能にする第２のポジションを持つディスプレイと、を備えてなり、
前記第１のポジションにおいて、前記ディスプレイが、データを入力するために利用可能なキーの総数の実質的に全てを隠し、
前記画面が、前記第１のポジションと前記第２のポジションとの両方において、ユーザから見えるデバイスであって、
前記第１のポジションと前記第２のポジションの間に、前記ディスプレイを移動させるための機械的ガイドを備えてなり、
前記機械的ガイドが、前記ディスプレイの第１の側の第１の機械的ガイドと、前記ディスプレイの第２の側の第２の機械的ガイドとを含み、
前記第１のポジションから前記第２のポジションへの前記ディスプレイの移動が、前記画面を、前記キーボードの操作面と実質的に同一平面上に保つものであるデバイスにおいて、
前記キーボード、プロセッサ、およびメモリを備えたベースであって、前記ディスプレイに機械的に接続されたベースを備えてなるデバイス。
【請求項３】  デバイスにデータを入力するためのキーボードと、
情報を表示するための画面を持つディスプレイであって、前記ディスプレイが前記キーボードを隠す第１のポジションを持ち、また、前記キーボード全体が露出して、データの入力を可能にする第２の完全入出力ポジションを持つディスプレイにおいて、前記画面が、前記第１のポジションと前記第２のポジションとの両方においてユーザから見えるディスプレイと、
前記ディスプレイが前記第１のポジションと前記第２の完全入出力ポジションの間に回動可能に移動することを可能にする単一枢着点ロッドを介して、前記ディスプレイに接続されている、プロセッサ、メモリ、および前記キーボードを備えたベースであって、前記ロッドが、実質的に単一平面内の移動しか可能にしないベースと、
を備えてなるデバイス。
【請求項４】  デバイスにデータを入力するためのキーボードを含むベースと、
情報を表示するための画面を持つディスプレイと、
前記ディスプレイと前記ベースを連結するための取り付け手段であって、前記取り付け手段が、前記ディスプレイと前記ベースの間の電気的接続を与えるための少なくとも３つの電気的コンタクト手段を含み、前記キーボードが、データを入力するために利用可能なキーの総数の大多数を含み、前記ディスプレイが、前記キーボードを隠す第１のポジションを持ち、また、前記ディスプレイが、前記キーボードを露出させる第２のポジションを持ち、前記画面が、前記第１のポジションと前記第２のポジションとの両方においてユーザから見え、そして、前記第１のポジションおよび前記第２のポジションからの前記ディスプレイの移動が、前記画面を、前記操作面と実質的に同一平面上に保つものである取り付け手段と、
を備えてなるデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  組織因子(TF)-発現細胞を患者に導入する工程を含む細胞に基づく治療を受けている患者において有害な血管作用のリスクまたは重篤度を減弱させるための方法であって、TF-発現細胞を、TFと直接に相互作用するアンタゴニスト、またはTFをコードする核酸分子によって処理する工程；および処理細胞を患者に導入する工程を含む方法。
【請求項２】  組織因子(TF)発現細胞を患者に導入する工程を含む細胞に基づく治療を受けている患者において有害な血管作用のリスクまたは重篤度を減弱させるための方法であって、下記の工程を含む方法：
TF-発現細胞を患者に導入する工程；および
患者に、TFと直接に相互作用するアンタゴニスト、またはTFをコードする核酸分子を、TFにより惹起された有害な血管作用を減弱させるために有効な量で投与する工程。
【請求項３】  TFを発現している細胞を患者に導入することによって惹起された有害な血管作用を阻害する方法であり、この方法が、導入される細胞と結合した生体活性組織因子の総負荷を患者体重1kgにつき約25,000ng未満に低下させ、これによりTF-発現細胞の導入により惹起された有害な血管作用を阻害する工程を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  心血管状態を処置または改善するために有効な量で治療的有効分子を発現させることにより、心血管状態を処置する医薬を製造するための、制御領域に作動可能に連結された少なくとも１つの核酸をコードする組換えアデノ随伴ウイルス（ＡＡＶ）ベクターの使用であって、該核酸は、該治療的有効分子をコードし、ここで、該医薬は、冠動脈または冠静脈洞により灌流される心筋細胞を安定かつ効率的に形質導入するために十分な時間および量で、該冠動脈または該冠静脈洞へ注入される、使用。
【請求項２】  前記ＡＡＶが、前記心筋細胞の少なくとも約１０％を形質導入する、請求項１に記載の使用。
【請求項３】  前記ＡＡＶが、前記心筋細胞の少なくとも約４０％を形質導入する、請求項２に記載の使用。
【請求項４】  前記ＡＡＶが、前記心筋細胞の少なくとも約５０％を形質導入する、請求項３に記載の使用。
【請求項５】  前記ＡＡＶが、少なくとも約２分間〜約３０分間注入される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の使用。
【請求項６】  前記ＡＡＶが、少なくとも約５分間〜約２０分間注入される、請求項５に記載の使用。
【請求項７】  前記ＡＡＶが、約１５分間注入される、請求項６に記載の使用。
【請求項８】  前記ＡＡＶの量が、１ｇ体重当たり約１×１０５  ＩＵ  ＡＡＶ〜１ｇ体重当たり約１×１０９  ＩＵ  ＡＡＶである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の使用。
【請求項９】  前記ＡＡＶの量が、１ｇ体重当たり約１×１０６  ＩＵ  ＡＡＶ〜１ｇ体重当たり約１×１０８  ＩＵ  ＡＡＶである、請求項８に記載の使用。
【請求項１０】  前記ＡＡＶの量が、１ｇ体重当たり約６×１０７  ＩＵ  ＡＡＶである、請求項９に記載の使用。
【請求項１１】  前記冠動脈が、エキソビボまたはインビボで注入される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１２】  前記治療的有効分子が、アンチセンスＲＮＡまたはタンパク質である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１３】  治療的有効分子が、イオンチャンネル遺伝子、収縮タンパク質、ホスホランバン、βアドレナリン受容体、βアドレナリンキナーゼ、成長因子、血管形成因子、血管形成を誘導し得るタンパク質もしくは核酸、または血管形成を阻害し得るタンパク質もしくは核酸である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１４】  前記治療的有効分子が、ＦＧＦ−１、ＦＧＦ−２、ＦＧＦ−５、ＶＥＧＦ、またはＨＩＦ−１である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１５】  前記治療的有効分子が、チミジンキナーゼ、ｐ２１、ｐ２７、ｐ５３、ＲｂまたはＮＦ−κＢである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１６】  前記心血管状態が、再狭窄、アテローム性動脈硬化症、うっ血性心不全、虚血性心筋症、悪性不整脈、心筋梗塞、または拡張型心筋症および肥大型心筋症である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１７】  前記心血管状態の処置または改善が、血管形成の誘導、血管形成の阻害、細胞増殖の刺激もしくは阻害、再狭窄の処置、アテローム性動脈硬化症の処置、うっ血性心不全の処置、虚血性心筋症の処置または悪性不整脈の処置による処置または改善である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１８】  心血管状態を処置または改善するために有効な量で発現させるために適切な、制御領域に作動可能に連結された少なくとも１つの核酸をコードする組換えアデノ随伴ウイルス（ＡＡＶ）ベクターを含む心血管状態を処置または改善するための組成物であって、該核酸は、該治療的有効分子をコードし、ここで、該組成物は、冠動脈または冠静脈洞により灌流される心筋細胞を安定かつ効率的に形質導入するために十分な時間および量で、該冠動脈または該冠静脈洞へ注入されるのに適切である、組成物。
【請求項１９】  前記ＡＡＶが、前記心筋細胞の少なくとも約１０％を形質導入する、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】  前記ＡＡＶが、前記心筋細胞の少なくとも約４０％を形質導入する、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】  前記ＡＡＶが、前記心筋細胞の少なくとも約５０％を形質導入する、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】  前記ＡＡＶが、少なくとも約２分間〜約３０分間注入されるのに適切である、請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２３】  前記ＡＡＶが、少なくとも約５分間〜約２０分間注入されるのに適切である、請求項２２に記載の組成物。
【請求項２４】  前記ＡＡＶが、約１５分間注入されるのに適切である、請求項２３に記載の組成物。
【請求項２５】  前記ＡＡＶの量が、１ｇ体重当たり約１×１０５  ＩＵ  ＡＡＶ〜１ｇ体重当たり約１×１０９  ＩＵ  ＡＡＶである、請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２６】  前記ＡＡＶの量が、１ｇ体重当たり約１×１０６  ＩＵ  ＡＡＶ〜１ｇ体重当たり約１×１０８  ＩＵ  ＡＡＶである、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２７】  前記ＡＡＶの量が、１ｇ体重当たり約６×１０７  ＩＵ  ＡＡＶである、請求項２６に記載の組成物。
【請求項２８】  前記冠動脈が、エキソビボまたはインビボで注入されるのに適切である、請求項１８〜２７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２９】  前記治療的有効分子が、アンチセンスＲＮＡまたはタンパク質である、請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３０】  治療的有効分子が、イオンチャンネル遺伝子、収縮タンパク質、ホスホランバン、βアドレナリン受容体、βアドレナリンキナーゼ、成長因子、血管形成因子、血管形成を誘導し得るタンパク質もしくは核酸、または血管形成を阻害し得るタンパク質もしくは核酸である、請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３１】  前記治療的有効分子が、ＦＧＦ−１、ＦＧＦ−２、ＦＧＦ−５、ＶＥＧＦ、またはＨＩＦ−１である、請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３２】  前記治療的有効分子が、チミジンキナーゼ、ｐ２１、ｐ２７、ｐ５３、ＲｂまたはＮＦ−κＢである、請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３３】  前記心血管状態が、再狭窄、アテローム性動脈硬化症、うっ血性心不全、虚血性心筋症、悪性不整脈、心筋梗塞、または拡張型心筋症および肥大型心筋症である、請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３４】  前記心血管状態の処置または改善が、血管形成の誘導、血管形成の阻害、細胞増殖の刺激もしくは阻害、再狭窄の処置、アテローム性動脈硬化症の処置、うっ血性心不全の処置、虚血性心筋症の処置または悪性不整脈の処置による処置または改善である、請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種類のカチオン−塩素共輸送体アンタゴニストを含む、片頭痛、神経精神疾患、神経毒性及び低酸素症からなるグループから選択される中枢神経系の容態の治療用組成物。
【請求項２】
前記カチオン−塩素共輸送体アンタゴニストはＮａ＋Ｋ＋２Ｃｌ−共輸送体アンタゴニストである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記カチオン−塩素共輸送体アンタゴニストは、ループ利尿薬か、その類似体又は誘導体かである、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記カチオン−塩素共輸送体アンタゴニストは、ブメタニドと、フロセミドと、それらの類似体及び誘導体とからなるグループから選択される、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の組成物。
【請求項５】
バルビツレートを含む、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の組成物。
【請求項６】
発作、発作様障害、てんかん、てんかん重積状態及び卒中からなるグループから選択される、哺乳類の被検材料の中枢神経系の容態の治療用組成物であって、該組成物は少なくとも１種類のカチオン−塩素共輸送体アンタゴニストを含み、該カチオン−塩素共輸送体アンタゴニストはフロセミドではない、組成物。
【請求項７】
前記カチオン−塩素共輸送体アンタゴニストはＮａ＋Ｋ＋２Ｃｌ−共輸送体アンタゴニストである、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記カチオン−塩素共輸送体アンタゴニストは、ループ利尿薬か、その類似体又は誘導体かである、請求項６又は７に記載の組成物。
【請求項９】
前記カチオン−塩素共輸送体アンタゴニストは、ブメタニドか、その類似体又は誘導体かである、請求項６ないし８のいずれか１つに記載の組成物。
【請求項１０】
抗発作組成物を含む、請求項６ないし９のいずれか１つに記載の組成物。
【請求項１１】
血液脳関門の通過を促進するように処方される、請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の組成物。
【請求項１２】
血液脳関門透過性の増強剤の効果的な量をを含む、請求項１ないし１１のいずれか１つに記載の組成物。
【請求項１３】
頭蓋内投与、局部的脳内投与、脊髄液への投与又は持続的放出投与のために処方される、請求項１ないし１２のいずれか１つに記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月4日(2007.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】      
【請求項１】  ウイルス感染を予防または治療するのに有効な量のN-グリコリルノイラミン酸またはその誘導体を、被験者に投与することを含む、被験者のウイルス感染を予防または治療する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  接触領域と、能動領域と、１以上の側壁を有する、放射を行う放射源と、
前記放射源の前記１以上の側壁の少なくとも一部に隣接して設けられ、放射によって励起された時に発光を行う１つ以上の励起可能な発光蛍光体を含む蛍光体層と、
前記接触領域に直接に接続され、前記放射源の接触領域に電気的に接続された接触層とを備え、
前記接触層が可視光を反射する、発光装置。
【請求項２】  前記接触領域が、前記接触層に直接接続するオーム接点層を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】  前記放射源が更に第２の接触領域を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】  前記発光装置が更に前記放射源が配置される基板を備える、請求項２または３に記載の発光装置。
【請求項５】  前記接触層が、前記放射源の１以上の側壁の少なくとも一部に、および放射源の上下面の少なくとも一方に隣接して設けられる蛍光体層から発射される光を反射するようにカップ形状を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】  前記接触層が指定された光出力の方へ可視光を反射する、請求項１に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月13日(2006.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  主元素としてNiを含み、そして
ａ）外部電子の数という意味で１個の電子が異なる２つの異なる酸化状態で存在するFe、Cr、Co、Ti、ZrおよびCuから成る群からの少なくとも１つの元素Ma；
ｂ）Ｂ、Al、Ga、InおよびRE（希土類金属、好ましくはSc、ＹまたはLa)から成る群からの三価の酸化状態で存在する少なくとも１つの元素Mb；
ｃ）  場合によりMg、Ca、Sr、BaおよびZnから成る群からの二価の酸化状態で存在する少なくとも1つの元素Mc；
ｄ）水酸化物の外に、混合水酸化物の電気中性を保護するために十分な量の、ハロゲン化物（好ましくはフルオライドまたはクロライド）、炭酸塩、硫酸塩、酢酸塩、蓚酸塩、硼酸塩およびリン酸塩から成る群からの少なくとも１つのさらなるアニオン；ならびに
ｅ）混合水酸化物の関連構造を安定化する量の水和水、
を含んで成る層構造を持つニッケル混合水酸化物。
【請求項２】  反応生成物の均一な懸濁液を形成する水酸化物反応生成物の共沈のために、塩基性の水性媒質中にNiの、および元素Ma、Mbおよび場合によりMcの水溶性塩の状態で関連する混合水酸化物を得るために必要な反応成分の反応を含んで成る請求項１に記載のニッケル混合水酸化物の調製法であって、元素Maの水溶性塩を異なる酸化状態で使用するか、または元素Maの水溶性塩をより低次の酸化状態で使用し、そして元素Maの異なる酸化状態の間で所望の比率が得られるまで部分酸化を行うか、あるいは元素Maの水溶性塩をより高次の酸化状態で使用し、そして元素Maの異なる酸化状態の間で所望の比率が得られるまで部分的還元のいずれかを行い、懸濁液から水を分離し、そして反応生成物を乾燥させる上記方法。
【請求項３】  アルカリ電池の陰極材料として請求項１に記載のニッケル混合水酸化物の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
サンプルＡのＸ-線回折スペクトルを図４に示す。サンプルＡの材料は層間約7.8Åの距離を持つハイドロタルク石型の反射を示す。β-Ni(OH)2(水滑石型)とは対照的に、拡大した層構造が存在する。図５はサンプルＬのＸ-線回折スペクトルを示す。
本発明の好適な実施態様は次のとおりである。
１．  主元素としてNiを含み、そして
ａ）外部電子の数という意味で１個の電子が異なる２つの異なる酸化状態で存在するFe、Cr、Co、Ti、ZrおよびCuから成る群からの少なくとも１つの元素Ma；
ｂ）Ｂ、Al、Ga、InおよびRE（希土類金属、好ましくはSc、ＹまたはLa)から成る群からの三価の酸化状態で存在する少なくとも１つの元素Mb；
ｃ）  場合によりMg、Ca、Sr、BaおよびZnから成る群からの二価の酸化状態で存在する少なくとも1つの元素Mc；
ｄ）水酸化物の外に、混合水酸化物の電気中性を保護するために十分な量の、ハロゲン化物（好ましくはフルオライドまたはクロライド）、炭酸塩、硫酸塩、酢酸塩、蓚酸塩、硼酸塩およびリン酸塩から成る群からの少なくとも１つのさらなるアニオン；ならびに
ｅ）混合水酸化物の関連構造を安定化する量の水和水、
を含んで成る層構造を持つニッケル混合水酸化物。
２．  各々の場合でNi、Ma、MbおよびMcの総量に基づき、Niの比率が60〜92モル％、好ましくは65〜85モル％、より好ましくは75〜80モル％であり、そして元素Ma、MbおよびMcの全比率が40〜８モル％、好ましくは35〜15モル％、より好ましくは25〜20モル％である、上記１に記載のニッケル混合水酸化物。
３．  元素Ma、MbおよびMcの総量に基づき、元素Maの比率が10〜40モル％、好ましくは20〜30モル％である、上記１および／または２に記載のニッケル混合水酸化物。
４．  元素Ma、MbおよびMcの総量に基づき、元素Mcの比率が１〜30モル％である、上記１ないし３の少なくとも１項に記載のニッケル混合水酸化物。
５．  以下の式（I）
【数１】
2002533907.tif 000001
式中、Ma+(x+1)はより高次の酸化状態での元素Maのモル量を意味し、そしてMa+(x)はより低次の酸化状態の元素Maのモル量を意味し、そしてｘは１から３の間の数である、
に従い定められる元素Maの酸化αの程度が0.01〜0.99、好ましくは0.1〜0.9、より好ましくは0.25〜0.75である、上記１ないし４の少なくとも１項に記載のニッケル混合水酸化物。
６．  １〜100μmの平均粒子サイズを持つ粉末状態である、上記１ないし５の少なくとも１項に記載のニッケル混合水酸化物。
７．  反応生成物の均一な懸濁液を形成する水酸化物反応生成物の共沈のために、塩基性の水性媒質中にNiの、および元素Ma、Mbおよび場合によりMcの水溶性塩の状態で関連する混合水酸化物を得るために必要な反応成分の反応を含んで成る上記１ないし６のいずれか１項に記載のニッケル混合水酸化物の調製法であって、元素Maの水溶性塩を異なる酸化状態で使用するか、または元素Maの水溶性塩をより低次の酸化状態で使用し、そして元素Maの異なる酸化状態の間で所望の比率が得られるまで部分酸化を行うか、あるいは元素Maの水溶性塩をより高次の酸化状態で使用し、そして元素Maの異なる酸化状態の間で所望の比率が得られるまで部分的還元のいずれかを行い、懸濁液から水を分離し、そして反応生成物を乾燥させる上記方法。
８．  少なくとも１つの反応成分が対応する金属のアノード酸化により水性媒質に導入される、上記７に記載の方法。
９．  反応が８〜13のpHで行われる、上記７または８に記載の方法。
１０．  部分酸化が酸化剤として酸素、H2O2、次亜塩素酸塩、ペルオキソ二硫酸塩、過炭酸塩を使用することにより行われる、上記７ないし９のいずれか１項に記載の方法。
１１．  アルカリ電池の陰極材料として上記１ないし６のいずれか１項に記載のニッケル混合水酸化物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  各々の周辺制御装置がこの周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）に接続された周辺のデータパケット源から受信した情報のパケットを記憶するように構成された少なくとも１つの待ち行列を含む複数の周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）を有し、また待ち行列のサイズが複数の待ち行列サイズしきい値の１つを超えたときを検出して、対応するしきい値超過信号を送信する待ち行列サイズ検出論理を実行するための対応する検出手段（ＰＣ）を各周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）が、各待ち行列ごとに有し、さらに中央制御装置（ＣＣ）を有するデータパケット処理システムにおいて、
前記検出手段（ＰＣ）は前記しきい値超過信号を前記中央制御装置（ＣＣ）に送信するように構成され、
前記中央制御装置（ＣＣ）は対応する周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）からのしきい値超過信号を使用して、対応する待ち行列のサイズを検出するための対応待ち行列サイズ検出機構（ＣＣＡＳＬ）を前記周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）の各々の中の各待ち行列ごとに有することを特徴とする前記データパケット処理システム。
【請求項２】  各周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）は、各々が対応待ち行列のサイズを記憶するように構成されたレジスタ（ＰＲ）を各周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）内の各待ち行列ごとに有し、これら周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）は、前記対応待ち行列内に一つのパケットが到着したときに前記レジスタ（ＰＲ）を増加させ、前記対応待ち行列から一つのパケットが出て行くときに前記レジスタ（ＰＲ）を減少させるように構成されており、また前記対応する検出手段（ＰＣ）は、前記レジスタ（ＰＲ）に記憶されたサイズに基づいて前記待ち行列サイズ検出論理を実行するように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のデータパケット処理システム。
【請求項３】  前記待ち行列サイズしきい値は、ｅｍｐｔｙ（空）と、ｎｅａｒｌｙ  ｅｍｐｔｙ（殆ど空）と、ａｃｔｉｖｅ（活動中）と、ｂｕｓｙ（繁忙）と、ｖｅｒｙ  ｂｕｓｙ（非常に繁忙）と、ｎｅａｒｌｙ  ｆｕｌｌ（ほぼ満杯）と、ｆｕｌｌ（満杯）とにそれぞれラベル付けされた各待ち行列のサイズ範囲の間の遷移を定義することを特徴とする、請求項１または２に記載のデータパケット処理システム。
【請求項４】  それぞれｅｍｐｔｙ（空）、ｎｅａｒｌｙ  ｅｍｐｔｙ（殆ど空）とラベル付けされた各待ち行列のサイズ範囲は、一つの可能な待ち行列サイズを包含するだけであることを特徴とする、請求項３に記載のデータパケット処理システム。
【請求項５】  前記しきい値超過信号は、待ち行列のサイズによって変化することを特徴とする、前述の請求項のいずれかに記載のデータパケット処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ＥＰ０６２４０１５Ａは、交換機を介して出力ポートサーバに接続された複数の入力ポートサーバを有する非同期転送モード（ＡＴＭ）交換機を開示している。これらの入力ポートは、セル用のバッファを含んでいる。待ち行列内のセルの数がしきい値に達すると、帯域幅割当ての要求が出力ポートサーバに送信される。出力ポートサーバは、要求された帯域幅を利用可能な帯域幅と比較し、もし十分な帯域幅が利用可能であれば、その帯域幅を与える。
ＥＰ０８６０９６０Ａは、入力ポートと出力ポートの両者がバッファを保持しているＡＴＭ交換機を開示している。制御ユニットは、入力バッファの待ち行列内のセルの数を知らされ、また出力バッファ内のセルの近似数についての情報を受信する。
（発明の開示）
本発明は、各々の周辺制御装置がこの周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）に接続された周辺のデータパケット源から受信した情報のパケットを記憶するように構成された少なくとも１つの待ち行列を含む複数の周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）を有しており、また待ち行列のサイズが複数の待ち行列サイズしきい値の１つを超えたときを検出して、対応するしきい値超過信号を送信する待ち行列サイズ検出論理を実行するための対応する検出手段（ＰＣ）を各周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）が、各待ち行列ごとに有し、さらに中央制御装置（ＣＣ）を有するデータパケット処理システムにおいて、
前記検出手段（ＰＣ）は前記しきい値超過信号を前記中央制御装置（ＣＣ）に送信するように構成され、
前記中央制御装置（ＣＣ）は対応する周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）からのしきい値超過信号を使用して、対応する待ち行列のサイズを検出するための対応待ち行列サイズ検出機構（ＣＣＡＳＬ）を前記周辺制御装置（ＰＥ１、ＰＥＮ）の各々の中の各待ち行列ごとに有することを特徴とする前記データパケット処理システムを提案する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上述のデータキャリア１とそのデータキャリアモジュール３において、集積回路６と接続ワイヤ１９および２０並びに伝送コイル１１が好適に保護され、これにより煩わしい回路短絡の発生が防止されるということが簡単に保証される。さらに、保護キャップ１０は、集積回路６のみならず接続ワイヤ１９および２０並びにコイル接続コンタクト１３および１４にしたいしても好適な機械的保護を提供する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  成形化合物よりも小さい熱膨張率（ＣＴＥ）を有するフレームと、
成形化合物に固定されたダイと、
ダイに光が到達できるように成形化合物に固定された窓と
を備え、上記フレームは上記成形化合物に埋め込まれ且つこの成形化合物と接合していることを特徴とする集積回路（ＩＣ）パッケージ。