【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)   第１のガスのための第１の温度及び第１の分圧のガス環境を有する処理チャンバー内に基板を配置し、
(b)   その基板の少なくとも一つの面に溶液の層を形成するように、洗浄液と、前記第１の温度及び前記第１の分圧で過飽和濃度となるように前記洗浄液に溶かされた第１のガスとを含む溶液を前記処理チャンバーに供給し、
(c)   前記基板が前記溶液と接触している間に該基板を洗浄すべく、前記溶液を介して該基板に音響エネルギーを供給する、
ことからなる、少なくとも１枚の基板を洗浄する方法。
【請求項２】
相当量の前記第１のガスが前記溶液から逃散し、前記洗浄液中に溶けている前記第１のガスの濃度が、前記第１の温度及び前記第１の分圧での飽和濃度にまで下がる前に、ステップ(c) が完了する、請求項１の方法。
【請求項３】
前記第１のガスが二酸化炭素である、請求項１の方法。
【請求項４】
前記洗浄液における前記二酸化炭素の過飽和濃度は、１００万分の５０から１００万分の２０００の範囲である、請求項３の方法。
【請求項５】
前記洗浄液における前記二酸化炭素の過飽和濃度は大体１００万分の１０００である、請求項４の方法。
【請求項６】
前記第１のガスは、窒素、酸素、ヘリウム及びアルゴンからなるグループから選択される、請求項１の方法。
【請求項７】
前記溶液は、前記第１のガスの第２の温度及び第２の分圧を有するガス環境の中に前記洗浄液を供給し、前記第２の温度及び前記第２の分圧にて前記第１のガスが、飽和濃度か、それよりも下の濃度になるような量に、前記第１のガスを前記洗浄液に溶かすことによって作り出される、請求項１の方法。
【請求項８】
前記第１のガスは膜接触器を通り抜けて前記洗浄液に溶解される、請求項７の方法。
【請求項９】
前記基板は半導体ウエハーであり、ステップ(b) −(c) は、前記ウエハーが、ポリシリコンや金属や誘電体を含む材料のラインやトレンチのエッチングを受けた後に実行される、請求項１の方法。
【請求項１０】
前記溶液は、さらに前記洗浄液に溶解された第２のガスを有する、請求項１の方法。
【請求項１１】
前記第１のガスは、前記音響エネルギーに起因するダメージから前記基板を保護し、前記第２のガスは、該基板からのパーティクルの除去を促進する、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記第２のガスは、前記処理チャンバーのガス環境の前記第１の温度及び分圧にて過飽和濃度となるように前記洗浄液に溶かされる、請求項１０の方法。
【請求項１３】
前記音響エネルギーはメガソニック・エネルギーである、請求項１の方法。
【請求項１４】
前記処理チャンバーは大気圧又は大気圧に近い、請求項１の方法。
【請求項１５】
前記処理チャンバーのガス環境は空気を含む、請求項１の方法。
【請求項１６】
前記ウエハーは前記処理チャンバー内にて大体水平な方向に支持されている、請求項１の方法。
【請求項１７】
相当量の前記第１のガスが前記溶液から逃散し、前記液体中に溶けている前記第１のガスの濃度が、前記第１の温度及び前記第１の分圧での飽和濃度にまで下がる前に、ステップ(c) が完了し；
前記溶液は、前記第１のガスの第２の温度及び第２の分圧を有するガス環境の中に前記洗浄液を供給し、前記第２の温度及び前記第２の分圧にて前記第１のガスが、飽和濃度か、それよりも下の濃度になるような量に、前記第１のガスを前記洗浄液に溶かすことによって作り出され；
前記第１のガスは二酸化炭素であり；
前記溶液は、前記基板からパーティクルを除去することとなる、前記洗浄液に溶かされた第２のガスをさらに含み；
前記ステップ(b)
―(c) は、基板が金属ラインのエッチステップを受けた後に実行され、
前記処理チャンバーのガス環境は空気を含み；
該処理チャンバー内のガス環境の圧力は大気圧かそれに近い、
請求項１の方法。
【請求項１８】
前記洗浄液は、脱イオン水や、ＲＣＡ溶液や、希酸や、希塩基や、半水溶性の溶剤のような、一般に使用される半導体溶液からなるグループから選択される、請求項１の方法。
【請求項１９】
(a)   処理チャンバー内に半導体ウエハーを配置し、
(b)   洗浄液、該洗浄液に溶解されると共に前記ウエハーからのパーティクルの除去を促進する第１のガス、及び該洗浄液に溶解されると共に音響エネルギーに起因するダメージから前記ウエハーを保護する第２のガスを含む溶液を前記基板に接触するように前記処理チャンバーに供給し、
(c)   前記ウエハーを洗浄すべく、前記溶液を介して前記ウエハーに音響エネルギーを供給する、
少なくとも１枚の半導体ウエハーを洗浄する方法。
【請求項２０】
前記第１のガスは、窒素、酸素、ヘリウム及びアルゴンからなるグループから選択される、請求項１９の方法。
【請求項２１】
前記第２のガスは二酸化炭素である、請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記処理チャンバーは、二酸化炭素の第１の温度及び第１の分圧のガス環境を有し、
該二酸化炭素は、前記第１の温度及び前記第１の分圧にて過飽和濃度で前記洗浄液に溶かされている、請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記二酸化炭素は、二酸化炭素の第２の温度及び第２の分圧を有する環境において前記液体に溶かされ、
該二酸化炭素は、第２の温度及び第２の分圧にて飽和濃度か、それよりも下の濃度になるような量だけ前記洗浄液に溶かされた、
請求項２１の方法
【請求項２４】
相当量の前記二酸化炭素が前記溶液から逃散し、前記液体中に溶けている前記二酸化炭素の濃度が、前記第１の温度及び前記第１の分圧での飽和濃度にまで下がる前に、ステップ(c) が完了する、請求項２３の方法。
【請求項２５】
第１のガスの第１の温度及び第１の分圧のガス環境を有する処理チャンバー；
該処理チャンバー内に少なくとも１枚の基板を支持するための支持体；
前記第１のガスを洗浄液に溶解することによって溶液を形成する装置；
前記支持体により支持された基板の少なくとも１つの表面に１層の溶液を供給するための装置；
該溶液の層を介して、前記支持体に支持された基板に音響エネルギーを伝達させるための音響エネルギー源；
(1) 前記第１の温度及び前記第１の分圧にて過飽和濃度となるまで前記洗浄液に前記第１のガスを溶解するように前記溶解の装置を制御し、(2)
基板が前記支持体に配置され、溶液の層が該基板に供給されたときに音響エネルギーの発生源を作動させ、相当量の第１のガスが前記溶液から逃散して、前記液体に溶解されている前記第１のガスの濃度が前記第１の温度及び第１の分圧にて飽和濃度にまで下がる前に前記溶液の層を介して前記基板に音響エネルギーを到達させるようにするコントローラ；
を備えた、少なくとも１枚の基板を洗浄するシステム。
【請求項２６】
前記第１のガスは二酸化炭素である、請求項２５のシステム。
【請求項２７】
前記溶解のための装置が、前記第１のガスの第２の温度及び第２の分圧を有するガス環境を有し、
前記第１のガスは、前記第２の温度及び前記第２の分圧にて飽和濃度かそれより下になるような量が前記液体に溶解される、
請求項２５のシステム。
【請求項２８】
前記溶解のための装置が膜接触器である、請求項２５のシステム。
【請求項２９】
前記第１のガスは音響エネルギーに起因するダメージから前記基板を保護する、請求項２５のシステム。