【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
α−メチルスチレン、アセトン及びフェノールの生成方法であって、
（ａ）酸素の存在下、クメンを酸化して、クメンヒドロペルオキシドを形成する工程、
（ｂ）非酸性触媒の存在下、工程（ａ）で形成された前記クメンヒドロペルオキシドの一部を選択的に還元して、ジメチルフェニルカルビノールを形成する工程、
（ｃ）酸性触媒の存在下、前記クメンヒドロペルオキシドの残留部分と前記ジメチルフェニルカルビノールとを接触させて、α−メチルスチレン、アセトン、及びフェノールを形成する工程、
を含む方法。
【請求項２】
前記工程（ｂ）の非酸性触媒が、金属及び第１の触媒担体からなり、前記金属が、第１族金属、第２族金属、第３族金属、第８族遷移金属、第９族遷移金属、第１０族遷移金属及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１の方法。
【請求項３】
前記第１の触媒担体がシリカ、アルミナ、結晶性またはアモルファスのアルミノホスフェート、第４族金属酸化物、メソポーラスモレキュラーシーブ、及びこれらの混合物から選択される、請求項２の方法。
【請求項４】
前記金属がコバルトであり、第１触媒担体が酸化ジルコニウムである、請求項３の方法。
【請求項５】
前記金属がコバルトであり、第１触媒担体がアルミノホスフェートである、請求項３の方法。
【請求項６】
前記工程（ｃ）の酸性触媒が液体触媒及び固体酸触媒からなる群より選択される、請求項１の方法。
【請求項７】
前記液体触媒が硫酸である、請求項６の方法。
【請求項８】
前記固体酸触媒が、第６族金属酸化物により修飾された第４族金属酸化物、硫酸化遷移金属酸化物、セリウム酸化物と第４族金属酸化物との混合金属酸化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項６の方法。
【請求項９】
工程（ｃ）がさらに、前記酸性触媒の存在下、希釈剤ストリームを前記クメンヒドロペルオキシドの残留部分および前記ジメチルフェニルカルビノールに接触させて、α−メチルスチレン、アセトン及びフェノールを形成する工程を含む、請求項１の方法。
【請求項１０】
前記希釈ストリームがアセトンである、請求項９の方法。
【請求項１１】
さらに、（ｄ）工程（ｃ）で形成された前記α−メチルスチレンの一部を水素化触媒の存在下で水素に接触させ、前記工程（ｃ）の希釈ストリームを形成する工程を含む、請求項９の方法。
を含む、請求項１１の方法。
【請求項１２】
前記水素化触媒が水素化成分及び第２の触媒担体を含む、請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記水素化成分が、第６族金属、第７族金属、第８族金属、第９族金属、第１０族金属、第１１族金属、及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記第１０族金属がパラジウムまたは白金である、請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記第２の触媒担体が、アルミナ、シリカ、粘土、炭素、ジルコニア、チタニア、メソポーラスモレキュラーシーブ、及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１２の方法。
【請求項１６】
還元工程（ｂ）で還元される前記クメンヒドロペルオキシドの前記一部が約０〜５０重量％の工程（ａ）の前記クメンヒドロペルオキシドを含む、請求項１の方法。
【請求項１７】
還元工程（ｂ）で還元される前記クメンヒドロペルオキシドの前記一部が約０〜１５重量％の工程（ａ）の前記クメンヒドロペルオキシドを含む、請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記酸化工程（ａ）が開始剤の存在下で前記クメンを酸化することを含む、請求項１の方法。
【請求項１９】
前記開始剤が、クメンヒドロペルオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、エチルベンゼンヒドロペルオキシド、アゾ型フリーラジカル開始剤、ペルオキシ型フリーラジカル開始剤及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１８の方法。
【請求項２０】
さらに、（ｄ）前記クメンヒドロペルオキシドの前記残留部分と工程（ｃ）で形成されたジクミルペルオキシドとを第２酸性触媒を用いて反応させ、フェノール、アセトン、及びα−メチルスチレンを形成する工程を含む、請求項１の方法。
【請求項２１】
前記第２の酸性触媒が固体酸触媒または液体酸触媒である、請求項２０の方法。
【請求項２２】
α−メチルスチレン、アセトン及びフェノールの生成方法であって、
（ａ）酸素ストリームの存在下、酸化反応器においてクメンストリームを酸化して、クメンヒドロペルオキシドおよびジメチルフェニルカルビノールを含む酸化ストリームを形成する工程、
（ｂ）前記酸化ストリームの選択された部分を非酸性触媒を有する還元反応器に供給して、ジメチルフェニルカルビノールを含む還元ストリームを形成する工程、及び
（ｃ）前記還元ストリームおよび前記酸化ストリームの残留部分を酸性触媒を有する分解反応器に供給して、α−メチルスチレン、アセトン及びフェノールを含む溶出ストリームを形成する工程
を含む方法。
【請求項２３】
前記酸化ストリームの前記選択部分が、前記溶出ストリームにおけるフェノールに対する比が約３．５％以上のα−メチルスチレンを生産するのに十分な量である、請求項２２の方法。
【請求項２４】
前記フェノールに対するα−メチルスチレン比が約３．５％〜１５％である、請求項２２の方法。
【請求項２５】
前記工程（ａ）の酸化ストリームが実質的に前記還元反応器に供給されない、請求項２２の方法。
【請求項２６】
前記酸性触媒が液体酸性触媒または固体酸性触媒である、請求項２２の方法。
【請求項２７】
前記液体触媒が硫酸である、請求項２６の方法。
【請求項２８】
前記固体酸性触媒が、第６族金属酸化物により修飾された第４族金属酸化物、硫酸化遷移金属酸化物、セリウム酸化物と第４族金属酸化物の混合金属酸化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される固体酸触媒である、請求項２６の方法。
【請求項２９】
前記水素化触媒が水素化成分及び触媒担体を含む、請求項２２の方法。
【請求項３０】
前記水素化成分が、第６族金属、第７族金属、第８族金属、第９族金属、第１０族金属、第１１族金属、及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項２９の方法。
【請求項３１】
前記第９族金属がパラジウムまたは白金である、請求項３０の方法。
【請求項３２】
前記触媒担体が、アルミナ、シリカ、粘土、炭素、ジルコニア、チタニア、メソポーラスモレキュラーシーブ、及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項２９の方法。
【請求項３３】
α−メチルスチレン、アセトン及びフェノールの生成方法であって、
（ａ）酸素ストリームの存在下、酸化反応器においてクメンストリームを酸化して、クメンヒドロペルオキシドおよびジメチルフェニルカルビノールを含む酸化ストリームを形成する工程、
（ｂ）前記酸化ストリームの部分を非酸性触媒を有する還元反応器に供給して、ジメチルフェニルカルビノールを含む還元ストリームを形成する工程、
（ｃ）前記還元ストリームおよび前記酸化ストリームの残留部分を第１酸性触媒を有する第１分解反応器に供給して、α−メチルスチレン、アセトン及びフェノールを含む第１溶出ストリームを形成する工程、
（ｄ）水素ストリームの存在下で水素化触媒を有する水素化反応器において前記第１溶出ストリームの選択された部分を水素化して、前記第１分解反応器に戻る溶出ストリームを形成する工程、
（ｅ）前記第１溶出ストリームの残留部分を第２酸性触媒を有する第２分解反応器に供給して、前記第１溶出ストリームよりも追加量のα−メチルスチレン、アセトン及びフェノールを含む第２溶出ストリームを形成する工程、及び
（ｆ）分離ゾーンにおける前記第２溶出ストリームを分離して、α−メチルスチレンストリーム、アセトンストリーム及びフェノールストリームを形成する工程
を含み、ここで、水素化されて前記溶出ストリームを形成する前記第１溶出ストリームの前記選択部分が、前記第１分解反応器におけるα−メチルスチレンより重い成分の形成を最小化するのに有効な量である、方法。
【請求項３４】
工程（ｃ）がアセトンを含む前記希釈ストリームを供給する工程を含む、方法。
【請求項３５】
前記第２溶出ストリームにおける前記フェノールに対するα−メチルスチレン比が約３．５％以上である、請求項３３の方法。
【請求項３６】
前記第１酸性触媒または第２酸性触媒が液体酸性触媒または固体酸性触媒である、請求項３３の方法。
【請求項３７】
前記液体触媒が硫酸である、請求項３６の方法。
【請求項３８】
前記固体酸性触媒が、第６族金属酸化物により修飾された第４族金属酸化物、硫酸化遷移金属酸化物、セリウム酸化物と第４族金属酸化物の混合金属酸化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項３６の方法。
【請求項３９】
前記非酸性触媒をクメンヒドロペルオキシドと接触させてジメチルフェニルカルビノールを形成する工程を含む非酸性触媒を用いる方法であって、前記非酸性触媒が第８族金属、第９族金属、第１０族金属、及び触媒担体からなる群より選択される遷移金属を含む、方法。