Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月17日(2007.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の携帯装置と、前記携帯装置にデータをルート設定し、且つ前記携帯装置からデータをルート設定するために使用時に構成されるルータ手段を有する可動ネットワークと、シグナリングエージェント、複数のディレクトリエージェント、及び前記可動ネットワークがメインネットワークと通信するために接続できる複数の離間された接続ポイントを含むメインネットワークとを含む、電気通信システムであって、使用時に、各ディレクトリエージェントはこのディレクトリエージェントと関連付けられるそれぞれの携帯装置にデータをルート設定するためのルーティング情報を記憶し、前記可動ネットワークの接続ポイントが変化したことが推論できるシグナリングメッセージに応じて、前記シグナリングエージェントが各ディレクトリエージェントにそれぞれの更新メッセージを送信するように構成され、前記更新メッセージが、前記更新されたルーティング情報の受信時に、各ディレクトリエージェントが、前記可動ネットワークの前記変化した接続ポイントを考慮に入れるように、前記記憶されたルーティング情報を更新できるように、更新されたルーティング情報を各々含む、電気通信システム。
【請求項２】
ディレクトリエージェントごとに、ディレクトリエージェントによって記憶される前記それぞれのルーティング情報は、前記ディレクトリエージェントに関連付けられる前記又は各携帯装置の接続ポイントを推論できる情報を含む、請求項１に記載の電気通信システム。
【請求項３】
前記シグナリングメッセージは、前記可動ネットワークが接続される前記変化した接続ポイントの位相的な位置を示す、請求項１又は２に記載の電気通信システム。
【請求項４】
前記可動ネットワークは、前記シグナリングメッセージを送信するように構成される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電気通信システム。
【請求項５】
前記メインネットワークは、複数のノード及び前記ノードを接続するための複数のリンクから形成され、前記メインネットワークの各ノードは各ノードへデータをルート設定するためのそれぞれのネットワークアドレスを有し、それぞれの携帯装置はそれぞれの携帯装置と関連付けられたネットワークアドレスを有し、このネットワークアドレスが、前記可動ネットワークがある接続ポイントから別の接続ポイントに移動するにつれて前記携帯装置によって保持され、各携帯装置のための前記ディレクトリエージェントは、その携帯装置の前記ネットワークアドレスと前記可動ネットワークの現在の接続ポイントを示す一時アドレスとの間のマッピングを記憶する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電気通信システム。
【請求項６】
前記可動ネットワークは、該可動ネットワークの接続ポイントを変更するときに前記シグナリングエージェントにシグナリングメッセージを送信するように構成され、前記シグナリングメッセージは少なくとも１つのアドレスを含み、前記アドレスは前記変化した接続ポイントの位相的な位置を示すプレフィックス部分を有し、前記シグナリングエージェントから各ディレクトリエージェントへの前記更新メッセージはそれぞれのアドレスを含み、前記アドレスはそれぞれ前記変化した接続ポイントを示す前記プレフィックス部分を含む、請求項５に記載の電気通信システム。
【請求項７】
各ディレクトリエージェントが可動ネットワークのそれぞれの携帯装置にデータをルート設定するためのルーティング情報を記憶する複数のディレクトリエージェントと、使用時に可動ネットワークがメインネットワークと通信するために接続できる複数の離間した接続ポイントと、シグナリングエージェントとを含むネットワークであって、前記シグナリングエージェントは、前記可動ネットワークの接続ポイントが変化したことを推論できるシグナリングメッセージに応じて各ディレクトリエージェントにそれぞれの更新メッセージを送信するように構成され、各更新メッセージが、前記更新されたルーティング情報の受信時に、各ディレクトリエージェントが前記可動ネットワークの前記変化した接続ポイントを考慮に入れるために、前記ルーティング情報を更新できるように更新されたルーティング情報を含む、ネットワーク。
【請求項８】
各携帯装置に関して、前記シグナリングエージェントは、一方でその携帯装置のための識別子と、他方でその携帯装置と関連付けられるディレクトリエージェントのネットワーク内の位相的な位置を示すアドレス情報の間のマッピングを維持する、請求項７に記載のネットワーク。
【請求項９】
シグナリングエージェントと、それぞれがデクレィトリエージェントに関連付けられたそれぞれの携帯装置にデータをルート設定するためのルーティング情報を記憶する複数のディレクトリエージェントと、複数の携帯装置を有する可動ネットワークがメインネットワークと通信するために接続できる複数の離間した接続ポイントとを含むネットワークを動作する方法であって、
（１）携帯装置と関連付けられる各ディレクトリエージェントの、アイデンティティ及び／又はネットワークロケーションの表示を記憶するステップと、
（２）前記可動ネットワークの現在の接続ポイントを示す一時アドレス情報を、前記可動ネットワークから受信するステップと、
（３）前記一時アドレス情報を受信することに応じて、それぞれのディレクトリエージェントに更新メッセージを送信するためにアイデンティティ及び／又はネットワークロケーションの前記記憶されている表示を使用し、前記更新メッセージは、それぞれ前記更新されたルーティング情報の受信時に、各ディレクトリエージェントが前記可動ネットワークの変化した接続ポイントを考慮に入れるために、前記記憶されているルーティング情報を更新できるように、更新されたルーティング情報を含むステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルメディアコンテンツを変換符号化／復号化する方法であって、
前記デジタルメディアコンテンツのブロックを変換符号化／復号化すること、および
変換符号化／復号化の前後に、前記デジタルメディアコンテンツの変換ブロック間のエッジのサブセットに、空間的に変化する基準に基づいて条件付きで重複フィルタを適用することであって、
前記デジタルメディアコンテンツの隣接変換ブロック間のエッジに適用された複数の重複フィルタモード間で空間的に変化する基準に基づいて切り替えること、
マクロブロックレベルの粒度を有するビデオシーケンス内における、複数エッジの隣接変換ブロック間のエッジに適用される前記重複フィルタモードを切り替えることを含むこと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
デジタルメディアコンテンツの符号器から復号器へ、マクロブロック毎の基準に基づいて前記重複フィルタモードをシグナリングすることを備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記重複フィルタモードのシグナリングは、マクロブロック毎の重複フラグであり、前記方法は、
前記重複フィルタを、重複フラグが前記重複フィルタを適用するとシグナリングされるマクロブロックのイントラブロックエッジに適用すること、および
前記重複フィルタを、重複フラグの両方が前記重複フィルタを適用するとシグナリングされる隣接マクロブロック間のブロックエッジに適用すること
をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ビットレート関係パラメータに基づいて前記重複フィルタの前記判定および前記適用を制限することをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ビットレート関係パラメータは、フレームレベルの量子化パラメータであることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
符号化されたビデオビットストリームを復号化する方法であって、
符号化されたビデオビットストリーム内のフレームの複数の符号化されたブロックのブロックデータを復号化すること、
前記復号化されたブロックデータの逆量子化を行うこと、
前記復号化されたブロックデータの変換ブロックの逆変換を行うこと、
前記符号化されたデオビットストリームの少なくとも１つのシンタックス要素から少なくとも１つの隣接変換ブロックエッジのグループに対して重複モードを判定することであって、前記少なくとも１つのシンタックス要素は、マクロブロックの粒度を有する重複モードフラグのセットを備えること、
グループに対する前記判定された重複モードに従って複数の重複フィルタ間で切り替えること、および
前記それぞれの重複フィルタを前記グループに適用すること
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのシンタックス要素は、前記符号化されたビデオビットストリームのビットレートに関するシンタックス要素を備えたことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記符号化されたビデオビットストリームのビットレートに関する前記シンタックス要素は、フレームレベルの量子化パラメータであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記重複モードフラグのセットは、ビットプレーン符号化を使用して符号化されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのシンタックス要素は、フレームレベルの重複パラメータ、フレームベースのビットレート関係パラメータ、および空間的に変化するモードパラメータを備え、前記方法は、
前記ビットレート関係パラメータが低ビットレートを示す場合、前記それぞれのフレーム内の前記隣接変換ブロックエッジに対する重複フィルタの適用を判定すること、
前記フレームレベルの重複パラメータが重複を指定しない場合、前記それぞれのフレーム内の前記隣接変換ブロックエッジに対する重複なしフィルタの適用を判定すること、
前記フレームレベルの重複パラメータが条件付き重複を指定する場合、グループの前記空間的に変換するモードパラメータによって指定される重複フィルタの前記グループ内の前記隣接変換ブロックエッジに対する適用を判定すること、および
そうでない場合は、前記それぞれのフレーム内の前記隣接変換ブロックエッジに対する前記重複フィルタの適用を判定すること
をさらに備えたことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのシンタックス要素は、さらにシーケンスレベルの重複パラメータを備え、前記方法は、
前記シーケンスレベルの重複パラメータが重複を指定しない場合、前記シーケンスの全てのフレーム内における前記隣接変換ブロックエッジに対する前記重複なしフィルタの適用を判定することをさらに備えたことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記それぞれの重複フィルタを、重複フラグが前記それぞれの重複フィルタを適用するとシグナリングされるマクロブロックのイントラブロックエッジに適用すること、および
前記それぞれの重複フィルタを、重複フラグの両方が前記それぞれの重複フィルタを適用するとシグナリングされる隣接マクロブロック間のブロックエッジに適用すること
をさらに備えたことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
条件付き重複変換を使用して符号化されたビデオストリームを符号化／復号化する方法を行う処理ユニットによって実行可能なソフトウェアモジュールを有する少なくとも１つのコンピュータ読取り可能プログラム記憶媒体において、前記方法は、
重複フィルタが隣接ブロックエッジに適用されない少なくとも１つの重複なし状態、および重複フィルタが隣接ブロックエッジに適用される１つの重複状態を有する重複条件を判定することであって、その際前記重複条件はビデオシーケンス内のピクチャ上で空間的に変化すること、および
前記重複条件が前記重複状態にある場合に前記重複フィルタを隣接ブロックエッジに適用することであって、
前記重複条件は、マクロブロック毎の重複フラグによって前記ビデオビットストリーム内でシグナリングされ、
前記適用することは、前記重複フィルタを、重複条件が前記重複状態にあるとシグナリングされるマクロブロックのイントラブロックエッジに適用することと、
前記重複フィルタを、両方の重複条件が前記重複状態にあるとシグナリングされる隣接マクロブロック間のブロックエッジに適用することとを含むこと
を備えたことを特徴とするコンピュータ読取り可能プログラム記憶媒体。
【請求項１４】
請求項１３に記載の少なくとも１つのコンピュータ読取り可能プログラム記憶媒体であって、前記方法は、
ビットレート関係パラメータに基づいて前記重複フィルタの前記判定および前記適用を制限すること
をさらに備えたことを特徴とする媒体。
【請求項１５】
前記ビットレート関係パラメータは、フレームレベルの量子化パラメータであることを特徴とする請求項１４に記載の少なくとも１つのコンピュータ読取り可能プログラム記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  少なくとも１個の鉛ベース負極と、
−  少なくとも１個の二酸化鉛ベース正極と、
−  少なくとも１個のコンデンサ電極と、
−  前記の諸電極と接触している電解質と
を有する鉛蓄電池であって、
蓄電池部分は、前記鉛ベース負極と前記二酸化鉛ベース正極とによって形成されており；非対称コンデンサ部分は、前記コンデンサ電極と、該鉛ベース負極及び該二酸化鉛ベース正極から選ばれた一方の電極とによって形成されており；しかも、全ての負極は負極用母線に接続されており、全ての正極は正極用母線に接続されている、鉛蓄電池。
【請求項２】
前記の諸電極は、正極と負極とが交互に並んでいる、請求項１に記載の鉛蓄電池。
【請求項３】
前記コンデンサ電極は、炭素、酸化ルテニウム、酸化銀、酸化コバルト及び導電性ポリマーから選ばれた高表面積材料を有している、請求項１又は２に記載の鉛蓄電池。
【請求項４】
前記高表面積材料は、高表面積炭素材料である、請求項３に記載の鉛蓄電池。
【請求項５】
前記鉛蓄電池は、高表面積の活性材料と、鉛、亜鉛、カドミウム、銀及びビスマスの酸化物、水酸化物若しくは硫酸塩又はそれらの混合物を含有する添加剤又は添加剤混合物とを含有する少なくとも１個のコンデンサ負極を有している、請求項１〜４のいずれか１項に記載の鉛蓄電池。
【請求項６】
前記添加剤は、前記コンデンサ負極上のコーティングの中に、該コンデンサ負極の電位窓を少なくとも−１．２Ｖまで増加させる量で存在している、請求項５に記載の鉛蓄電池。
【請求項７】
前記添加剤の全含有量は、前記コンデンサの全コーティング組成物を基準として５〜４０重量％の間である、請求項５又は６に記載の鉛蓄電池。
【請求項８】
前記コンデンサ負極用添加剤は、次の諸金属：Ｐｂ １〜４０重量％、Ｚｎ １〜２０重量％、Ｃｄ ０〜５重量％及びＡｇ ０〜５重量％の化合物を、酸化物、硫酸塩又は水酸化物の形態で含有している、請求項５〜７のいずれか１項に記載の鉛蓄電池。
【請求項９】
前記鉛蓄電池は、
高表面積のコンデンサ材料と、
−  Ｐｂ２Ｏ３、
−  アンチモンの酸化物、水酸化物又は硫酸塩、並びに
−  任意的に、鉄及び鉛の酸化物、水酸化物及び硫酸塩から選ばれている１種以上の添加剤、
を含有するコンデンサ正極用添加剤と
を含有する少なくとも１個のコンデンサ正極を有している、請求項１〜８のいずれか１項に記載の鉛蓄電池。
【請求項１０】
前記コンデンサ正極用添加剤は、前記コンデンサ正極の電位窓を少なくとも＋１．２Ｖまで上昇させる量で存在している、請求項９に記載の鉛蓄電池。
【請求項１１】
前記コンデンサ正極用添加剤は、前記コンデンサ正極のコーティングの全組成物を基準として５〜４０重量％の量で存在している、請求項９又は１０に記載の鉛蓄電池。
【請求項１２】
前記コンデンサ正極用添加剤は、酸化物、硫酸塩又は水酸化物の形態の鉛０〜３０重量％と、Ｐｂ２Ｏ３１〜１０重量％と、酸化物、硫酸塩又は水酸化物の形態のＦｅ ０〜２重量％と、酸化物、硫酸塩又は水酸化物の形態のＳｂ ０．０５〜１重量％とを含有している、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の鉛蓄電池。
【請求項１３】
前記鉛蓄電池は、蓄電池用電極材料領域とコンデンサ用電極材料領域とを含む少なくとも２つの領域を有する負極を有している、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の鉛蓄電池。
【請求項１４】
前記負極は、１つの表面上の蓄電池用鉛ベース電極材料領域と、その反対側の表面上のコンデンサ負極材料領域とを有している、請求項１３に記載の鉛蓄電池。
【請求項１５】
前記電解質は硫酸である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の鉛蓄電池。
【請求項１６】
前記の正極及び負極の各々は、多孔質セパレータによって隣接する電極から分離されている、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の鉛蓄電池。
【請求項１７】
正極及び負極が交互に並んだ列と、それらの電極と接触している電解質とを有する鉛蓄電池であって、
−  少なくとも一対の隣接する正極及び負極の領域は、エネルギーを静電容量として貯蔵し、且つ、
−  少なくとも一対の隣接する蓄電池用二酸化鉛正極及び蓄電池用鉛負極の領域は、エネルギーを電気化学的に貯蔵し、
しかも、前記の諸正極は第１の導電体によって直接に接続されており、前記の諸負極は第２の導電体によって直接に接続されている、鉛蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１に示された情報を書き込むための装置は、情報担体１１から情報を読み出す読出／書込ヘッド３を備えている。変位手段２は、情報担体１１と読出／書込ヘッド３との間で相対的な変位を生じさせることができる。動作中において、読出／書込ヘッド３の出力信号Ｓ１が、増幅器４に供給される。増幅器４は、出力信号Ｓ１を所望のレベルまで増幅し、増幅された信号Ｓ２を、Ａ／Ｄ変換器５に供給する。Ａ／Ｄ変換器５は、増幅された信号Ｓ２を、Ｔ秒のサンプリング周期を用いてサンプリングされた読出信号Ｓに変換する。サンプリングされた読出信号Ｓは、波形等化器６に供給される。波形等化器６は、読出信号Ｓに対して波形等化を施すことにより、修正された信号Ｓ'を取得する。波形等化器６の出力は、ビット検出手段７に供給される。ビット検出手段７の出力は、チャネル復号手段８に供給される。読出／書込ヘッドは、書込ヘッドコントローラ１によって制御される。プロセッサ３０が、この装置を制御する。プロセッサ３０は、インジケータを読み出すように読出／書込ヘッド３を制御して、そのインジケータが指示する最適なライトストラテジを特定する。その最適なライトストラテジがその装置によって適用可能なものである場合には、書込ヘッドコントローラ１に、その最適なライトストラテジが与えられる。続いて、その最適なライトストラテジを用いて、情報の書込みが実行される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
情報担体１１は、フレームを含む変調信号により表される情報を担持することを意図されている。フレームは、同期信号に後続する、予め決められた量のデータである。通常、そのようなフレームはエラー訂正符号（たとえばパリティワード）も含んでいる。複数のフレームが情報ブロックを構成し、その情報ブロックは、さらなるエラー訂正ワードを含んでいる。情報ブロックは、十分な信頼性で情報を取り出すことを可能とする、最小の記録可能単位である。そのような記録システムの一例は、フレームが１７２個のデータワードと１０個のパリティワードとを担持し、２０８個のフレームが１つのＥＣＣブロックを構成するような、ＤＶＤシステムから既知である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図４は、上記の制御データ領域に含まれる物理フォーマット情報の一例の表を示している。物理フォーマット情報は、上記のように、ＡＤＩＰ内に符号化されている。この情報は、図４に示した２５６バイトを含むものとされる。これには、最適パワー制御（Ｏｐｔｉｍｕｍ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ；ＯＰＣ）アルゴリズムが書込みのための最適なレーザーパワーレベルを決定するのに使用されるディスク情報および値が、含まれている。この情報は、ディスクの初期化時において、制御データ領域と呼ばれる記録可能な領域にコピーされる。データの内容は、たとえば以下のとおりである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
・バイト４７−参照速度における、先行スペース＝３に対する先頭パルス立上りエッジ修正ｄＴｌｅ
このバイトのビット７からビット４は、参照速度で記録を行うための、先行スペースが３Ｔスペースであった場合における、マルチパルス・トレインの先頭パルスに対する立上りエッジ修正を指定すべきビットである。この値は、チャネルビットクロック周期で割った値で表される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
・バイト５３−最大速度における、先行スペース＝３に対する先頭パルス立上りエッジ修正ｄＴｌｅ
このバイトのビット７からビット４は、最大速度で記録を行うための、先行スペースが３Ｔスペースであった場合における、マルチパルス・トレインの先頭パルスに対する立上りエッジ修正を指定すべきビットである。この値は、チャネルビットクロック周期で割った値で表される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
・バイト（６４＋ｉ×３２）から（９５＋ｉ×３２）−拡張情報ブロックｉ（ｉ＝０から５）
将来の拡張を容易にするために、拡張情報ブロックが導入されている。それら拡張情報ブロックの各々は、３２バイトからなっている。これらのバイトは、たとえば、代替のライトストラテジのためのパラメータ（たとえば高速記録用）や、その他の改良パラメータを保持することができる。拡張情報ブロックの存在は、バイト１８内のビットにより示されるものとする。
バイト（６４＋ｉ×３２）：拡張情報ブロックｉのバージョン番号は、ブロックのバージョンを示し、バイト（６４＋ｉ×３２）から（９５＋ｉ×３２）内のデータの定義を識別する。ディスクは、ブロックバージョン番号が同じでも異なっていてもよい複数の拡張情報ブロックを有し得る。ブロックｉの具体的なブロックバージョン番号を与えられていないドライブは、この拡張情報ブロック内の改良パラメータを用いてディスクを使用するべきではない。ブロックバージョン番号が２５５に設定されている場合は、関連の拡張情報ブロックは、独立したブロックではなく、先行する拡張情報ブロックの続きとされる（パラメータのある組について、３２バイトでは不十分な場合に用いられる）。
バイト（６５＋ｉ×３２）から（９５＋ｉ×３２）：これらのバイトは、代替のライトストラテジその他のパラメータを保持するのに使用され得る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
また、各速度においていずれのライトストラテジが最適であるかを記述するため、各速度につき以下のような１バイトが追加される。
−  ビット７から４は、速度を記述する。たとえば、０００１を復号すると１Ｘ（参照速度）となり、０１１１を復号すると７Ｘとなるといった具合である。
−  ビット３から０は、どのライトストラテジが適用されるかを記述する。たとえば、０１００は、ＷＳ３が最適であることを示し、１０００は、ＷＳ４が最適であることを示すといった具合である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの製造方法であって、
基板を準備する段階と、
前記基板を覆ってナノクラスターを形成する段階と、
前記ナノクラスターを覆って酸化バリア層を堆積する段階と、
基板を覆う酸化バリア層及び前記ナノクラスターを含む第１領域と酸化バリア層及びナノクラスターが除去された第２領域とを形成するようパターン化する段階と、
前記パターン化段階の後に前記第１領域を覆って第２誘電体を形成する段階と、
前記第２誘電体を形成する段階の後に、前記酸化バリア層の少なくとも一部を前記第１領域から除去する段階と、
を含み、
前記少なくとも一部を除去する段階が前記酸化バリア層の厚さを少なくとも減少させることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１領域及び前記第２領域内にトランジスタを形成する段階を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
デバイスの製造方法であって、
基板を覆ってナノクラスターの構造体及び誘電体を有する基板を準備する段階と、
前記構造体を覆って酸化バリア層を堆積する段階と、
基板を覆う酸化バリア層及び構造体を含む第１領域と酸化バリア層及び構造体の少なくともナノクラスターが除去された第２領域とを形成するようパターン化する段階と、
前記パターン化段階の後に前記第１領域を覆って第２誘電体を形成する段階と、
前記第２誘電体を形成する段階の後に、前記酸化バリア層の少なくとも一部を前記第１領域から除去する段階と、
を含み、
前記少なくとも一部を除去する段階が、前記酸化バリア層の厚さを少なくとも減少させることを特徴とする方法。
【請求項４】
半導体デバイスの製造方法であって、
基板の上にナノクラスターの構造体及び誘電体を有する基板を準備する段階と、
窒化シリコン、酸窒化シリコン、シリコン、シリコン・ゲルマニウム合金、高Ｋ誘電性材料、及び金属からなるグループから選択された少なくとも１つを含む酸化バリア層を前記構造体を覆って堆積する段階と、
前記酸化バリア層の一部及び構造体を含む第１領域と、前記酸化バリア層の一部及び前記構造体の少なくともナノクラスターが除去された第２領域とを形成するようパターン化する段階と、
前記パターン化段階の後に前記第２領域内に第２誘電体を形成する段階と、
前記第２誘電体を形成する段階の後に、前記酸化バリア層の少なくとも一部を前記第１領域から除去する段階と、
を含み、
前記少なくとも一部を除去する段階が、前記酸化バリア層の厚さを少なくとも減少させることを特徴とする方法。
【請求項５】
半導体デバイスの製造方法であって、
基板の上にナノクラスターの構造体及び誘電体を有する基板を準備する段階と、
前記構造体を覆って酸化バリア層を堆積する段階と、
前記酸化バリア層の一部及び構造体を含む第１領域と、前記酸化バリア層の一部及び前記構造体の少なくともナノクラスターが除去された第２領域とを形成するようパターン化する段階と、
前記パターン化段階の後に前記第１領域の外側に第２誘電体を形成する段階と、
前記第２誘電体を形成する段階の後に、前記酸化バリア層の少なくとも一部を前記第１領域から除去する段階と、
を含み、
前記少なくとも一部を除去する段階が、前記酸化バリア層の厚さを少なくとも減少させ、
前記方法が更に、
前記ナノクラスターの少なくとも一部が電荷蓄積位置として利用される電荷蓄積トランジスタを第１領域において形成する段階と、
前記第２誘電体の一部がゲート誘電体の少なくとも一部として機能する第２トランジスタを第２領域において形成する段階と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調された光子束（５０）を復調する光電子センサであって、
半導体領域（１０）と、
前記半導体領域（１０）内に存在し、変調された光子束（５０）が前記半導体領域（１０）内に進入するときに生じる少数担体（１１）を収集かつタップ・オフするために働く少なくとも２つの収集領域（２０、２２）と、
前記半導体領域（１０）内に導入され、制御領域（３２、３４）に印加することのできる制御電圧に依存するようにドリフト領域を生成するために働き、前記半導体領域（１０）と同じドープ型である少なくとも２つの制御領域（３２、３４）と
を備えた光電子センサ。
【請求項２】
前記半導体領域（１０）は、前記半導体領域（１０）よりも高濃度にドープされた半導体基板（１２）の上または中に位置する請求項１に記載の光電子センサ。
【請求項３】
前記半導体領域（１０）は、誘電体（１２）の上に塗布される請求項１に記載の光電子センサ。
【請求項４】
前記制御領域（３２、３４）は、前記センサの中間地点から前記収集領域（２０、２２）よりも離れた距離にある請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電子センサ。
【請求項５】
前記半導体領域（１０）は、ｐ型にドープされている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電子センサ。
【請求項６】
前記収集領域（２０、２２）は拡散され、前記半導体領域（１０）に対して逆にドープされた請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電子センサ。
【請求項７】
前記収集領域（２０、２２）は、前記半導体領域（１０）内の局所的な電荷移送によって生成される請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電子センサ。
【請求項８】
変調された光子束（５０）を復調する光電子センサであって、
半導体領域（１０）と、
前記半導体領域（１０）の表面に存在し、変調された光子束（５０）が前記半導体領域（１０）内に進入するときに生じる少数担体（１１）を収集かつタップ・オフするために働く少なくとも２つの収集領域（２０、２２）と、
結合されたＡＣ電圧に依存するようにドリフト領域を生成するＡＣ電圧で容量結合する少なくとも２つの容量素子（３５、３６；３７、３８）とを備え、前記収集領域（２０、２２）が前記容量素子（３５、３６；３７、３８）の間に配置される
光電子センサ。
【請求項９】
前記容量素子（３５、３６）は、コンデンサまたはショットキー・ダイオードである請求項８に記載の光電子センサ。
【請求項１０】
前記容量素子（３７、３８）は、前記半導体領域（１０）に対して逆にドープされた領域を含む請求項８に記載の光電子センサ。
【請求項１１】
前記収集領域（２０、２２）は、ショットキー・ダイオードとして形成される請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電子センサ。
【請求項１２】
前記半導体領域（１０）において、２つ以上の収集領域対が２つの制御領域（３２、３４）の間または２つの容量素子（３５、３６；３７、３８）の間に埋め込まれた請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電子センサ。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の少なくとも１つの光電子センサと、
所定の相を有する変調された光子束を生成する光送信機と、
制御電圧を生成するデバイス（６０）であって、前記制御電圧の相が前記送信機によって生成された前記光子束の相と固定された関係であるデバイス（６０）と、
前記収集領域（２０、２２）に割り当てられ、前記変調された光子束の振幅および相を前記制御電圧の相に関して決定するために働く評価デバイス（４０、４２）と
を備えた特に３次元距離測定用の測定デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体デバイスをコーティングする装置であって、
複数の別々の半導体デバイスを保持するように構成された形成空洞を備えるモールドハウジングであって、前記形成空洞は、前記形成空洞にコーティング材料を導入することができるようにさらに構成され、前記コーティング材料は、前記別々の半導体デバイスのそれぞれを少なくとも部分的に覆うモールドハウジング
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記モールドハウジングは、底部リジッドブロックサポートと、前記底部リジッドブロックサポートの上に配置された頂部リジッドブロックサポートとを備え、前記形成空洞を少なくとも部分的に画定する両者の間のスペースを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記半導体デバイスは発光ダイオード（ＬＥＤ）を備え、前記コーティング材料は、硬化可能なエポキシ、シリコーン、または他のポリマー中に分散している光変換粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記半導体デバイスは、前記形成空洞内の、前記底部ブロックサポートの頂面上に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記底部リジッドブロックサポートの頂面上のフィルムと、前記頂部リジッドブロックサポートの底面上のフィルムとをさらに備え、前記半導体デバイスは、前記第１または第２のフィルム上に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記底部リジッドブロックサポートと前記頂部リジッドブロックサポートとの間のスペースを維持するために、両者の間にスペーサをさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記モールドは、前記形成空洞内で前記硬化可能コーティング材料を硬化または他の方法で硬く（ｈａｒｄｅｎ）することができるように構成され、前記コーティング材料に前記半導体デバイスが少なくとも部分的に埋め込まれることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
複数の半導体デバイスをコーティングする方法であって、
形成空洞を有するモールドを設けるステップと、
前記モールドの形成空洞内に複数の別々の半導体デバイスを取り付けるステップと、
硬化可能コーティング材料を前記モールドに注入または他の方法で導入して前記モールドの形成空洞を充填し、前記別々の半導体デバイスのそれぞれを少なくとも部分的に覆うステップと、
前記コーティング材料を硬化または他の方法で処理して、前記別々の半導体デバイスのそれぞれを前記硬化したコーティング材料内に少なくとも部分的に埋め込むステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記硬化または処理されたコーティング材料を前記埋め込まれた半導体デバイスと共に前記形成空洞から除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記埋め込まれた半導体デバイスのそれぞれが前記硬化または処理されたコーティング材料の層によって少なくとも部分的に覆われるように分離するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電材料の可撓性の支持体層(３)上に積層した導電材料の少なくとも１つの層(２)からなる積層ウェブ(１)の供給ロール(４)またはシートの供給源から、該積層ウェブ(１)または個別のシートを、パターン付きシリンダ(７)と協働シリンダ(８)との間のニップ部(６)に送り、導電層を隆起(１３)および谷(１４)を有する導電材料の繰返しパターンに成型する工程と、このように成型した導電層から機械的な加工によって導電材料を除去する工程とを含む方法において、金属層(２)から導電材料を除去する工程を、導電層(２)を成型する工程と同時に、フライス削り用カッタ・シリンダ(８)として設計した該協働シリンダによって実施することを特徴とする、誘電材料(３)の連続ウェブ(１０)または個別のシート上に電気部品(１５)を製造する方法。
【請求項２】
誘電材料(３)の連続ウェブ(１０)または個別のシートに電気部品(１５)を製造する方法であって、誘電材料の１つの可撓性の層(３)上に積層した導電材料の１つの層(２)を含む積層ウェブ(１)の供給ロール(４)またはシートの供給源から、該積層ウェブ(１)または個別のシートを、パターン付きシリンダ(７)と協働シリンダ(８)との間のニップ部(６)に送り、可撓性層を隆起(１３)および谷(１４)を有する可撓性材料の繰返しパターンに成型する工程と、このように成型した可撓性層から機械的な加工によって可撓性材料を除去する工程とを含む方法において、該可撓性層（３）から可撓性材料を除去する工程を、可撓性層(３)を成型する工程と同時に、フライス削り用カッタ・シリンダ(８)として設計した該協働するシリンダによって実施することを特徴とする方法。
【請求項３】
誘電材料の可撓性の支持体層(３)上に積層した少なくとも１つの導電材料の層(２)からなる積層ウェブ(１)の供給ロール(４)またはシートの供給源からの誘電材料(３)の連続ウェブ(１０)または個別のシート上に電気部品(１５)を製造する装置であって、ニップ部(６)を形成するパターン付きシリンダ(７)と協働シリンダ(８)とを有し、このニップ部に、該ウェブ(１)または個別のシートを送って、該導電層(２)を、隆起(１３)および谷（１４）を有する導電材料の繰返しパターンに成型し、このように成型した金属層の隆起(１３)または谷(１４)から機械的な加工によって導電材料を除去する手段(９)を有する装置において、該協働シリンダ(８)がフライス削りカッタ・シリンダ(８)として構成してあり、導電層(２)をパターン付きシリンダ(７)に押し付けて該繰返しパターンを成型すると同
時に該導電層(２)から導電材料を除去することを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置に用いられるステロ版であって、浮き彫りパターンを得るのに適したポリマーの表層を有することを特徴とするステロ版。
【請求項５】
材料の連続ウェブまたは個別のシートの表面に装飾的または機能的な印刷パターンを設けるための印刷システムであって、該連続ウェブまたは個別のシートが、連続ウェブの供給ロール(４)または個別シートの供給源からそれぞれほぼ連続的に供給される印刷システムにおいて、さらに、請求項３に記載の装置を含むことを特徴とする印刷システム。
【請求項６】
連続ウェブまたは個別のシート（１）を、連続ウェブの供給ロール（４）または個別シートの供給源からそれぞれ連続的に供給し、連続ウェブまたは個別のシートが、第１の材料の第１層（２、４４）と第２の材料の第２層（３、４５）を含み、該第１層（２、４４）が該第２層（３、４５）上に積層してあり、該連続ウェブまたは個別のシートを、パターン付きシリンダ(７)と協働シリンダ(８)との間のニップ部(６)に送り、該第１層を隆起(１３)および谷(１４)を有する該第１の材料の繰返しパターンに成型し、機械的な加工によって、上記のように成型した第１層から該第１の材料を除去する方法において、該第１の層（２、４４）から該第１の材料を除去する工程を、第１の層（２、４４）を成型する工程と同時に、フライス削りカッタ・シリンダ（８）として設計した該協働シリンダによって実施することを特徴とする、連続ウェブまたは個別のシート(１)にパターン付けするための方法。
【請求項７】
連続ウェブまたは個別のシート（１）を、連続ウェブの供給ロール（４）または個別シートの供給源からそれぞれ連続的に供給する手段を含み、連続ウェブまたは個別のシートが、第１の材料の第１層（２、４４）と第２の材料の第２層（３、４５）を含み、該第１層（２、４４）が該第２層（３、４５）上に積層してあり、また、該連続ウェブまたは個別のシートを、パターン付きシリンダ(７)と協働シリンダ(８)との間のニップ部(６)に送り、該第１層を隆起(１３)および谷(１４)を有する該第１の材料の繰返しパターンに成型する手段と、機械的な加工によって、上記のように成型した第１層から該第１の材料を除去する手段とを含む装置において、該協働シリンダがフライス削りカッタ・シリンダ(８)として設計してあり、このフライス削りカッタ・シリンダ(８)が、第１層（２、４４）の成型と同時に該第１層（２、４４）から該第１の材料を除去するように配置されていることを特徴とする、連続ウェブまたは個別のシート(１)をパターン付けする装置。
【請求項８】
第１の材料の少なくとも１つの第１層（２、４４）と、第２の材料の第２層（３、４５）とを含み、該第１層（２、４４）が該第２層（３、４５）上に積層してあり、該第１層（２、４４）の一部を除去し、従って該第２層（３、４５）の表面部分を露出させ、その結果第１層（２、４４）の除去されてない部分と第２層（３、４５）の露出部との間の移行部に境界部分（４６ａ、４７ａ、４６ｂ、４７ｂ）を形成する連続ウェブまたは個別のシートであって、該境界部分（４６ａ、４７ａ、４６ｂ、４７ｂ）のところで、積層シートの主平面に対してほぼ垂直な平面で見たときに、第１層の厚さが、第１層（２、４４）が実質的に除去されてないポイントから第２層（３、４５）が露出するポイントまで連続的にテーパを構成することを特徴とする連続ウェブまたは個別のシート。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月21日(2007.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の方法は、本発明の薬剤が標的組織を標識するか否かを決定することを目的とした、更なる段階を含み得る。該更なる段階は陽電子放出断層撮影（PET）または単光子放出コンピュータ断層撮影（SPECT)、または放射線の輻射の検出を可能にするいずれかの装置を用いて、標的組織を観察することにより実施され得る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
実施例１：3-(6-メチル-ピリジン-2-イルエチニル)-シクロヘキサ-2-エンオンO-[11C-メチル]-オキシム
3-(6-メチル-ピリジン-2-イルエチニル)-シクロヘキサ-2-エンオンO-[11C-メチル]-オキシムは、乾燥DMF（400μl）中の、3-(6-メチル-ピリジン-2-イルエチニル)-シクロヘキサ-2-エンオンオキシムのナトリウム塩（1mg）と[11C]-MeIを反応させることにより合成する。[11C]-MeIはヘリウムのゆっくりとした流れによって導入され、添加が完了すれば、反応混合物を120℃、10分間加熱する。生成物の精製は、C-18 μ-Bondapakカラム(7.8x300mm)および流速5ml/分、CH3CN/0.1% H3PO4(70/30)からなる移動相を用いた逆相HPLCにより行う。所望の生成物の保持時間は6および7分の間である。3-(6-メチル-ピリジン-2-イルエチニル)-シクロヘキサ-2-エンオンO-[11C-メチル]-オキシムをポリソルバタム（polysorbatum）(2%)、エタノール(10%)および食塩水(0.9%)を含む溶液で製剤化する。
LogD = 2.5 （古典的な振盪フラスコ法により決定する）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
出発物質を以下のように調製する：
a）3-(6-メチル-ピリジン-2-イルエチニル)-シクロヘキサ-2-エンオン
DMF  12ml中、2-エチニル-6-メチル-ピリジン(702mg、6mmol)、3-ブロモ-シクロヘキサ-2-エンオン(1.26g、7.2mmol)、ビス-(トリフェニルホスフィン)-パラジウム-ジクロライド(168mg、0.24mmol)、ヨウ化銅(I)(93mg、0.48mmol)、トリエチルアミン(4.8ml、34.4mmol)の溶液を55℃、1時間加熱する。その後、溶液を酢酸エチル（500ml）で希釈し、飽和NaHCO3水溶液(1X150ml)で洗浄する。水相を酢酸エチル(1X150ml)で抽出し、合わせた有機相をNa2SO4上で乾燥させ、濾過し、減圧下で濃縮する。残渣(1.88g)をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、溶離液ヘキサン/酢酸エチル3:1 v/v)で精製し、所望の化合物を含むフラクションを集め、減圧下で濃縮し、淡黄色油として表題化合物1.05g(収率=82%)を得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ｂ）3-(6-メチル-ピリジン-2-イルエチニル)-シクロヘキサ-2-エンオンオキシム
ピリジン(20ml)中、3-(6-メチル-ピリジン-2-イルエチニル)-シクロヘキサ-2-エンオン(422mg、2mmol)および塩酸ヒドロキシルアミン(278mg、4mmol)の溶液を17時間室温で攪拌する。その後、溶媒を減圧下で蒸発させる。残渣を酢酸エチル(300ml)に溶解し、飽和NaHCO3(1X50ml)で洗浄する。水相を酢酸エチル(1X50ml)で抽出する。合わせた有機相をNa2SO4上で乾燥させ、濾過し、減圧下で濃縮する。残渣(0.45g)をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、溶離液ヘキサン/酢酸エチル2:1 v/v)で精製し、所望の化合物を含むフラクションを集め、減圧下で濃縮し、淡黄色結晶として表題化合物、m.p.166-168℃、0.192g(収率=42%)を得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
実施例3：3-(6-メチル-ピリジン-2-イルエチニル)-シクロヘキサ-2-エンオンO-(2-[18F-フルオロ]-エチル)-オキシム
乾燥DMF(400μl)中、3-(6-メチル-ピリジン-2-イルエチニル)-シクロヘキサ-2-エンオンオキシムのナトリウム塩(2mg)を[18F]-2-フルオロ-エチルトシレート(エチレンジトシレートおよび[18F]-KF-Kryptofix錯体から得る)と、100℃、10分間反応させる。反応混合物をtC-18 Sep-Pakカートリッジを通して精製し、所望の生成物を含むフラクションを、C18 Bondcloneカラム(300x7.8mm)および流速4ml/分、CH3CN/0.01M H3PO4(70/30)からなる移動相を用いたセミ分取逆相HPLCにより更に精製する。生成物を含むフラクション(保持時間12および13分の間)をtC-18 Sep-Pakカートリッジに通し、1mlのエタノールで溶出する。このエタノール溶液を0.15Mリン酸バッファーで緩衝化し、滅菌濾過後、等張の注射可能な溶液を得る。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
1-α-フルオロ-25-ヒドロキシ-16,23E-ジエン-26,27-ビスホモ-20-エピ-コレカルシフェロール、又はその医薬として許容できる塩もしくはエステルを含有する、良性前立腺肥大の予防及び／又は治療用医薬製剤。
【請求項２】
第二のBPH-活性剤を、分離医薬製剤又は組合せ医薬製剤の形態で、個別に、逐次的に、又は同時に投与されるように伴う、請求項1記載の医薬製剤。
【請求項３】
1-α-フルオロ-25-ヒドロキシ-16,23E-ジエン-26,27-ビスホモ-20-エピ-コレカルシフェロール、又はその医薬として許容できる塩もしくはエステルを、第二のBPH-活性剤と組合せて含有する、良性前立腺肥大の予防及び／又は治療用医薬製剤。
【請求項４】
前記第二のBPH-活性剤が、α-アドレナリン作用性受容体遮断薬である、請求項2又は3記載の医薬製剤。
【請求項５】
前記α-アドレナリン作用性受容体遮断薬が、テラゾシン、ドキサゾシン、タムスロシン、シロドシン、AIO-8507L及びRBx-2258から選択される、請求項4記載の医薬製剤。
【請求項６】
前記第二のBPH-活性剤が5α-レダクターゼインヒビターである、請求項2又は3記載の医薬製剤。
【請求項７】
前記5α-レダクターゼインヒビターが、フィナステリド及びデュタステリドから選択される、請求項6記載の医薬製剤。
【請求項８】
前記1-α-フルオロ-25-ヒドロキシ-16,23E-ジエン-26,27-ビスホモ-20-エピ-コレカルシフェロール、又はその医薬として許容できる塩もしくはエステルが、単位剤形で提供される、請求項1〜7のいずれか1項記載の医薬製剤。
【請求項９】
前記1-α-フルオロ-25-ヒドロキシ-16,23E-ジエン-26,27-ビスホモ-20-エピ-コレカルシフェロールの単位用量が50〜150 μgである、請求項8記載の医薬製剤。
【請求項１０】
抗-アンドロゲン性の前立腺及び前立腺外の有害作用を伴わない、良性前立腺肥大の予防及び／又は治療のための、請求項1〜9のいずれか1項記載の医薬製剤。
【請求項１１】
前記良性前立腺肥大の予防及び／又は治療、ならびに、膀胱機能不全の同時の予防及び／又は治療のための、請求項1〜10のいずれか1項記載の医薬製剤。
【請求項１２】
良性前立腺肥大の予防及び／又は治療用医薬製剤の製造における、1-α-フルオロ-25-ヒドロキシ-16,23E-ジエン-26,27-ビスホモ-20-エピ-コレカルシフェロール又はその医薬として許容できる塩もしくはエステルの使用。
【請求項１３】
1種以上の保存剤と一緒に、分留されたココナツ油中に溶解された1-α-フルオロ-25-ヒドロキシ-16,23E-ジエン-26,27-ビスホモ-20-エピ-コレカルシフェロールを含有する、良性前立腺肥大の予防及び／又は治療用医薬製剤。
【請求項１４】
前記分留されたココナツ油が、Miglyol 812である、請求項13記載の医薬製剤。
【請求項１５】
前記保存剤が、ブチル化ヒドロキシトルエン、ブチル化ヒドロキシアニソール及びそれらの混合物から選択される、請求項13又は14記載の医薬製剤。
【請求項１６】
カプセル剤として提供される、請求項12〜15のいずれか1項記載の医薬製剤。
【請求項１７】
1-α-フルオロ-25-ヒドロキシ-16,23E-ジエン-26,27-ビスホモ-20-エピ-コレカルシフェロール、又はその医薬として許容できる塩もしくはエステル、及び医薬として許容できる担体を含有する、良性前立腺肥大の予防及び／又は治療用医薬製剤であって、該1-α-フルオロ-25-ヒドロキシ-16,23E-ジエン-26,27-ビスホモ-20-エピ-コレカルシフェロール、又はその医薬として許容できる塩もしくはエステルが、50〜150 μgの単位用量で提供される、前記医薬製剤。