【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パルス状の入力信号に応答して名目上単一極（Ｎ−１Ｐ）装置により供給されるステップ状出力信号を測定することにより前記パルス状の入力信号の集積領域ＱgTを決定するための方法であって、
１以上のフィルターを有するフィルターセットを前記Ｎ−１Ｐ装置の出力に適用し、
前記出力信号のステップ状の形態の存在を検出し、
前記形態の検出に応じて、前記フィルターセットの１以上のフィルターから１セットの相関した複数の出力サンプル値（領域ｃＭＯＳ）を捕獲し、
前記領域ｃＭＯＳの前記サンプル値の加重合計を形成し、前記入力信号の前記集積領域ＱgT（決定領域）を決定する、
ことを含み、前記合計の重み（領域の重み）は前記パルス状の入力の時間構造、又は理想的な信号極の応答からのＮ−１Ｐ装置の応答の偏差から、又はその両方から生じるエラーのため前記決定領域を補償するように選択されることを特徴とする方法。
【請求項２】  前記パルス状の入力信号は有限の時間範囲及びおそらく時間で変動する振幅も有している請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記Ｎ−１Ｐ装置の出力のＤＣ及び長い崩壊定数の項は前記集積領域ＱgTを決定するのに使用される重みを計算する際に無視され、
長い時定数の台形フィルターは主に前記ステップ状の形態の振幅を評価するために使用され、
中間の時定数の台形フィルターは前のパルス状の入力に対する装置の第１極応答を評価するために使用され、
短い時定数の三角形フィルターは前記ステップ状の形態の立上り時間の特性を測定するために使用される、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記Ｎ−１Ｐ装置の出力のＤＣ及び長い崩壊定数の項は前記集積領域ＱgTを決定するのに使用される重みを計算する際に無視され、
２つの長い時定数の走行平均フィルターは主に前記ステップ状の形態の振幅と前のパルス状の入力に対する装置の第１極応答との両方を評価するために使用され、
短い時定数の走行平均フィルターは前記ステップ状の形態の立上り時間の特性を測定するために使用される、
請求項２に記載の方法。
【請求項５】  前記Ｎ−１Ｐの出力はアナログデジタル変換器によりディジタル化され、メモリに運ばれたデジタル化出力の部分、及びフィルターセットを適用し、その存在を検出し、捕獲し、加重合計を形成することの少なくとも１つはソフトウェア制御の下のコンピュータ動作により行われる請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記ステップ状の形態の存在を検出するのに比例して、前記ｃＭＯＳを捕獲することが前記フィルターセットのフィルターのための因果律に違反した場合、因果律が前記捕獲により破られないように前記フィルターの伝搬遅延を十分増加させる請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記Ｎ−１Ｐ装置の出力はアナログデジタル変換器によりデジタル化され、
前記フィルターセットのフィルターはデジタルフィルターであり、
前記デジタルフィルターの出力はレジスターに捕獲され、
前記集積領域ＱgTの決定は前記レジスターに捕獲された値を読み出すデジタル計算装置により行われ、それぞれのそのような値に重み係数を掛け、それらを一緒に加算する請求項１に記載の方法。
【請求項８】  台形のフィルターから捕獲されたｃＭＯＳ値σgは主に前記集積領域ＱgTを評価するために使用され、
三角形のフィルターから捕獲されたｃＭＯＳ値σ32は前のパルス状の入力に対するＮ−１Ｐ装置の第１極の残留応答を評価するために使用され、
三角形のフィルターから捕獲されたｃＭＯＳ値σgは前記ステップ状の形態の立上り領域を探るために使用され、
前記集積領域ＱgTは
2003508764.tif 000001
により決定される請求項７に記載の方法。
【請求項９】  台形のフィルターから捕獲されたｃＭＯＳ値σgは主に前記集積領域ＱgTを評価するために使用され、
三角形のフィルターから捕獲されたｃＭＯＳ値σ12は前のパルス状の入力に対するＮ−１Ｐ装置の第１極の残留応答を評価するために使用され、
三角形のフィルターから捕獲されたｃＭＯＳ値σ34は前のパルス状の入力に対するＮ−１Ｐ装置の第２の極の残留応答を評価するために使用され、
三角形のフィルターから捕獲されたｃＭＯＳ値σgは前記ステップ状の形態の立上り領域を探るために使用され、
前記集積領域ＱgTは
2003508764.tif 000002
により決定される請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  前記ステップ状の出力信号の立上り時間領域の位置に対して前記領域ｃＭＯＳを捕獲するタイミングの正確さの必要性は、
時定数が最長の予測立上り時間より著しく長い立上り時間のプローブフィルターを示し、
Ｎ−１Ｐ装置のステップ状の出力の前記立上り時間の領域がその範囲内に完全に入るように前記領域ｃＭＯＳの捕獲を調整し、
捕獲されたすべての他のフィルター値のため、それらのそれぞれのフィルターの重み定数が前記立上り領域内で無視できるように前記領域ｃＭＯＳの捕獲を調整する、
請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記Ｎ−１Ｐ装置が厳密には単一極の装置でないが、少なくとも第２の極を有している時、可能なさらなる極及び又はゼロ及び又はＤＣオフセットを加え、
ｉ）所望の集積領域ＱgTである第１（Ｐ1）パラメータ、
ii)前のパルス状の入力に対する前記Ｎ−１Ｐ装置の単一極応答及び又は有限の到着時に対するその応答を説明する１以上の第２（Ｐ2）パラメータのセットであって、前記Ｐ1及びＰ2パラメータの数が前記領域ｃＭＯＳに捕獲されたサンプル値の数より少ないか又はそれに等しく、
iii)Ｑ23を含む前記Ｎ−１Ｐ装置の出力の非理想的部分、前のパルス状の入力に対するその第２極の応答、及びおそらくＢ0、そのＤＣオフセットもまた説明する１以上の第３（Ｐ3）パラメータのセット（エラーの項）、
iv）前記Ｎ−１Ｐ装置及び前記フィルターセットのフィルターの伝達関数を説明する１以上の固定された第４（Ｐ4）パラメータのセット、
により前記Ｎ−１Ｐからステップ状の出力信号を説明する数学モデルを形成し、
基準線のフィルターセットとして前記フィルターセットに１以上のフィルターを示し、
時々、前記基準線のフィルターセット（基準線サンプル）から１以上の出力値を捕獲し、
１以上の基準線サンプルを使用し、少なくとも１つのタイプのＰ3パラメータを更新する、
請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  前記タイプＰ3パラメータを使用し、前記エラーの項の効果のため前記集積領域ＱgTを訂正することをさらに含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  少なくとも１つのタイプＰ3パラメータの更新は、
前記基準線のサンプルを使用し、前記タイプＰ3パラメータの新推定値を作り、
前記新推定値と前記パラメータの前の値との間で適当な平均値を形成する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】  それぞれの基準線のサンプルの捕獲の時間（時間ｔi）を記録し、
前記パラメータのｔiを使用し、前記Ｐ3パラメータの時間の変化を補償するために更新し、時間を補償したパラメータモデル（ＴＣ−モデル）を生成する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】  前記Ｎ−１Ｐ装置は厳密には単一極の装置ではないが、可能なさらなる極及び又はゼロ及び又はＤＣオフセットを加えて、少なくとも第２の極を有する時、
前記フィルターセットの１以上のフィルターを前記基準線のフィルターセットとして表わし、
時々、１以上の出力値を前記基準線のフィルターセット（基準線のサンプル）から捕獲し、
１以上の前記基準線のサンプルを使用し、可能なさらなる極及び又はゼロ及び又はＤＣオフセットを加えた前記第２の極によるＮ−１Ｐ装置の出力（エラーの項）のその部分から生じるエラーのため前記決定された領域ＱgTを訂正する、
ことをさらに備えた請求項１に記載の方法。
【請求項１６】  前記領域ｃＭＯＳが捕獲された前記１以上のフィルターが前記領域フィルターセットと呼ばれ、
前記領域及び基準線のフィルターセットが同一であり、
同一の相関した多数の出力サンプルは前記基準線のフィルターセット（基準線ｃＭＯＳ）及び前記領域のフィルターセット（すなわち、領域ｃＭＯＳ）から捕獲される、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  前記Ｎ−１Ｐ装置は電荷に敏感な前置増幅器であり、前記パルス状の信号は放射吸収事象に続く放射検出器からの電流であり、前記決定された集積領域ＱgTは前記吸収事象により前記検出器に堆積されたエネルギを表わす電荷である請求項１，３，４，５，７，１０，１４又は１５に記載の方法。
【請求項１８】  前記Ｎ−１Ｐ装置は超伝導ボロメーターであり、前記パルス状の入力信号は前記ボロメーターの活動量の光子の吸収に続くエネルギの流れであり、前記決定された集積領域ＱgTは前記光子吸収事象により前記活動量に堆積されたエネルギを表わしている請求項１，５，７，１０又は１５に記載の方法。
【請求項１９】  パルス状の入力信号に応じて名目上の単一極の装置（Ｎ−１Ｐ措置）からのステップ状の出力信号を測定し、前記パルス状の入力信号の前記集積領域ＱgTを決定する装置であって、
前記Ｎ−１Ｐ装置の出力に適用された１以上のフィルターのセット（領域のフィルターセット）と、
前記出力信号のステップ状の信号の存在を検出する回路と、
相関する多数の出力サンプル（領域ｃＭＯＳ）を前記検出事象に応じて前記領域フィルターセットから捕獲する回路と、
前記領域ｃＭＯＳの値の加重合計を形成し、前記パルス状の入力信号の前記集積領域ＱgTを決定する回路と、
を備え、前記合計の重み（領域の重み）は、前記パルス状の入力信号の時間構造、又は理想的な単一極の応答からのＮ−１Ｐ装置の応答のずれのいずれか、又はその両方から発生するエラーのため前記領域の決定を補償するために選択されることを特徴とする装置。
【請求項２０】  前記Ｎ−１Ｐ装置の出力はアナログデジタル変換器によりデジタル化され、
前記領域フィルターセットの前記フィルターはデジタルフィルターであり、
捕獲する前記回路は前記フィルターのデジタル出力が捕獲されるデジタルレジスターを含み、
加重合計を形成し、前記集積領域ＱgTを決定する前記回路は前記レジスター＾で捕獲された値を読み出すデジタル計算装置を含み、それぞれのそのような値に適切な重み定数を乗じ、それらを共に加算し、前記集積領域ＱgTを計算する、
請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】  前記Ｎ−１Ｐ装置は電荷に敏感な前置増幅器であり、
前記パルス状の入力は放射吸収事象に続く放射検出器からであり、
前記決定された集積領域ＱgTは前記吸収事象により前記検出器に堆積されたエネルギを表わす、
請求項１９に記載の装置。
【請求項２２】  前記領域ｃＭＯＳの一部分の間の所定セットの時間の関係を作るため、捕獲する前記回路は、捕獲されるそれぞれのフィルター値のため、前記検出事象に対する捕獲の時間を固定する１以上のタイマー、又は
前記フィルターの出力と捕獲する前記回路の間に挿入された１以上の崩壊要素を備えた相関されたサンプリング回路をさらに含み、又は
捕獲する複数セットの前記回路の使用により一度以上、１つのフィルターの出力が捕獲されてもよい請求項１９に記載の装置。
【請求項２３】  前記Ｎ−１Ｐ装置は電荷に敏感な前置増幅器であり、
前記パルス状の入力は放射吸収事象に続く放射検出器からであり、
前記決定された集積領域ＱgTは前記吸収事象により前記検出器に堆積されたエネルギを表わす、
請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】  前記Ｎ−１Ｐ装置は超伝導ボロメーターであり、
前記パルス状の入力は前記ボロメーターの活動量の光子の吸収であり、
前記決定された集積領域ＱgTは前記光子吸収事象により前記活動量に堆積されたエネルギを表わす、
請求項２２に記載の装置。