【手続補正書】
【提出日】平成19年8月17日(2007.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的微細構造体を形成する微細加工方法であって、
放射線感応層をその上に含むシリンダ形プラットフォームをその軸の周りに回転させ、それと同時に、
放射線ビームをその振幅を変えながら前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって軸方向にラスタ走査し、かつそれと同時に、
前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを互いに相対的に軸方向に並進させて、前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させる工程を含む微細加工方法。
【請求項２】
前記シリンダ形プラットフォームの回転およびラスタ走査と同時に行われる並進では、前記シリンダ形プラットフォームの回転およびラスタ走査と同時に前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを互いに相対的に軸方向に連続的に並進させて前記放射線感応層内に螺旋形パタンの光学的微細構造体を結像させる請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項３】
前記シリンダ形プラットフォームの回転およびラスタ走査と同時に行われる並進では、前記シリンダ形プラットフォームの回転およびラスタ走査と同時に前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを互いに相対的に軸方向に段階的（ステップワイズ）に並進させて前記放射線感応層内にバンドパタンの光学的微細構造体を結像させる請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項４】
前記シリンダ形プラットフォームの回転およびラスタ走査と同時に行われる段階的な並進では、前記シリンダ形プラットフォームの所定の回転角度で前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを互いに相対的に軸方向に段階的（ステップワイズ）に並進させて前記放射線感応層内に整列したバンドパタンの光学的微細構造体を結像させる請求項３に記載の微細加工方法。
【請求項５】
前記シリンダ形プラットフォームの回転およびラスタ走査と同時に行われる段階的な並進では、前記シリンダ形プラットフォームの順次ずらした回転角度で前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを互いに相対的に軸方向に段階的（ステップワイズ）に並進させて前記放射線感応層内に順次ずらしたバンドパタンの光学的微細構造体を結像させる請求項３に記載の微細加工方法。
【請求項６】
前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に行われる軸方向のラスタ走査では、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって放射線ビームをこの放射線ビームの振幅を変えながら軸方向にラスタ走査して前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させる請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項７】
前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に行われる軸方向のラスタ走査では、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって放射線ビームをこの放射線ビームの振幅を連続的に変えながら軸方向にラスタ走査して前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させる請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項８】
前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に行われる軸方向のラスタ走査では、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時にレーザビームを軸方向にラスタ走査する請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項９】
前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に行われる軸方向のラスタ走査では、
連続発振レーザビームを生成し、
前記レーザビームを変調してその振幅を変化させ、
前記レーザビームを振動させてそのレーザビームを前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたってラスタ走査する、
請求項８に記載の微細加工方法。
【請求項１０】
前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に行われる軸方向のラスタ走査は、放射線ビームがこの放射線ビームの複数の走査で前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させることができるように、前記シリンダ形プラットフォームの回転速度と比べて十分に高速度で行われる請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１１】
前記シリンダ形プラットフォームの回転およびラスタ走査と同時に前記放射線ビームの焦点長を変えて前記シリンダ形プラットフォームの動径方向の変動および／または前記放射線感応層の層厚の変動を少なくとも部分的に補償することを更に含む請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１２】
前記シリンダ形プラットフォームの回転およびラスタ走査と同時に前記放射線ビームの焦点長を変えて前記放射線感応層内に様々な深さで光学的微細構造体各部を結像させることを更に含む請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１３】
前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に行われる軸方向のラスタ走査では、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に放射線ビームを第１および第２の正反対の軸方向に沿って前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって軸方向にラスタ走査して、前記放射線感応層内に光学的微細構造体を前記第１および第２の正反対の両方の軸方向に沿って結像させる請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１４】
前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に行われる軸方向のラスタ走査では、
前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に放射線ビームを第１および第２の正反対の軸方向に沿って前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって軸方向にラスタ走査して、前記放射線感応層内に前記第１の軸方向に沿って光学的微細構造体を結像させるとともに前記第２の軸方向に沿って放射線ビームをブランク状態にする請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１５】
前記シリンダ形プラットフォームは、周囲が少なくとも３０．４８ｃｍ（１フィート）で、および／または、軸方向の長さが少なくとも３０．４８ｃｍ（１フィート）である請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１６】
前記シリンダ形プラットフォームの回転は毎分少なくとも１回転の角速度で実行される請求項１５に記載の微細加工方法。
【請求項１７】
前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時行われる軸方向のラスタ走査は少なくとも１ｋＨｚの振動数で実行される請求項１６に記載の微細加工方法。
【請求項１８】
前記シリンダ形プラットフォームの回転とそれと同時に行われる軸方向のラスタ走査は少なくとも１時間にわたって継続的に実行される請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項１９】
前記シリンダ形プラットフォームの回転とそれと同時に行われる軸方向のラスタ走査は少なくとも百万個の光学的微細構造体を形成するために少なくとも１時間にわたって継続的に実行される請求項１８に記載の微細加工方法。
【請求項２０】
前記光学的微細構造体はマイクロレンズから成る請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項２１】
光学的微細構造マスタ型を提供するために前記放射線感応層内に結像した光学的微細構造体を現像する工程を更に含む請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項２２】
前記シリンダ形プラットフォームは前記放射線感応層上に放射線ビームに対して透過性のある基板も含んでおり、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に行われる軸方向のラスタ走査では、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に放射線ビームをこの放射線ビームに対して透過性のある前記基板を通して前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって軸方向にラスタ走査して前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させる請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項２３】
前記放射線感応層はこの層の放射線ビームに照射された部分が現像後に残るネガ型フォトレジスト層である請求項２２に記載の微細加工方法。
【請求項２４】
前記放射線感応層はこの層の放射線ビームに照射された部分が現像後に残るネガ型フォトレジスト層である請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項２５】
前記基板はフレキシブル基板である請求項２２に記載の微細加工方法。
【請求項２６】
前記シリンダ形プラットフォームの回転は、
１対の外層の間に挟み込まれた放射線感応層をその上に含むシリンダ形プラットフォームをその軸の周りに回転させることから成る請求項１に記載の微細加工方法。
【請求項２７】
前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に行われる軸方向のラスタ走査の後に、前記１対の外層の少なくとも１つを取り除く工程が実行される請求項２６に記載の微細加工方法。
【請求項２８】
前記１対の外層は前記シリンダ形プラットフォームに隣接する第１の外層と前記シリンダ形プラットフォームからは離れており放射線ビームに対して透過性のある第２の外層とから成り、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に行われる軸方向のラスタ走査では、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に放射線ビームを前記第２の外層を通して前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたってラスタ走査して、前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させる請求項２６に記載の微細加工方法。
【請求項２９】
前記放射線感応層はネガ型フォトレジスト層である請求項２８に記載の微細加工方法。
【請求項３０】
前記１対の外層の少なくとも１つを取り除く工程は、
前記第１の外層を前記シリンダ形プラットフォームから分離するとともに、
前記第１の外層を前記放射線感応層から分離することから成る、
請求項２７に記載の微細加工方法。
【請求項３１】
光学的微細構造体を形成するための微細加工システムであって、
放射線感応層をその上に保持するように構成されたシリンダ形プラットフォームと、
前記シリンダ形プラットフォーム上にある前記放射線感応層上に放射線ビームを照射するように構成された放射線ビームシステムと、
前記シリンダ形プラットフォームをその軸の周りに回転させ、それと同時に放射線ビームを前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって軸方向にラスタ走査し、かつそれと同時に、前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを互いに相対的に軸方向に並進させて、前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させるように構成されたコントローラと
を備えてなる微細加工システム。
【請求項３２】
前記コントローラは更に、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを互いに相対的に軸方向に連続的に並進させて前記放射線感応層内に螺旋形パタンの光学的微細構造体を結像させるように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項３３】
前記コントローラは更に、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを互いに相対的に軸方向に段階的（ステップワイズ）に並進させて前記放射線感応層内にバンドパタンの光学的微細構造体を結像させるように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項３４】
前記コントローラは、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に、前記シリンダ形プラットフォームの所定の回転角度で前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを互いに相対的に軸方向に段階的（ステップワイズ）に並進させることによって段階的（ステップワイズ）に並進させて、前記放射線感応層内に整列したバンドパタンの光学的微細構造体を結像させるように構成されている請求項３３に記載の微細加工システム。
【請求項３５】
前記コントローラは、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に、前記シリンダ形プラットフォームの順次ずらした回転角度で前記シリンダ形プラットフォームおよび／または放射線ビームを互いに相対的に軸方向に段階的（ステップワイズ）に並進させることによって段階的（ステップワイズ）に並進させて、前記放射線感応層内に順次ずらしたバンドパタンの光学的微細構造体を結像させるように構成されている請求項３３に記載の微細加工システム。
【請求項３６】
前記コントローラは、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって放射線ビームをこの放射線ビームの振幅を変えながら軸方向にラスタ走査して前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させるように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項３７】
前記コントローラは、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって放射線ビームをこの放射線ビームの振幅を連続的に変えながら軸方向にラスタ走査して前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させるように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項３８】
前記放射線ビームはレーザビームである請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項３９】
前記放射線ビームシステムは、
連続発振レーザビームと、
前記レーザビームの振幅を変調するとともにそのレーザビームを振動させてそのレーザビームを前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたってラスタ走査するように構成された変調器と
を備える請求項３８に記載の微細加工システム。
【請求項４０】
前記コントローラは、前記シリンダ形プラットフォームをその軸の周りに回転させ、それと同時に、放射線ビームがこの放射線ビームの複数の走査で前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させることができるように、前記シリンダ形プラットフォームの回転速度と比べて十分に高速度でその放射線ビームを軸方向にラスタ走査するように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項４１】
前記放射線ビームシステムは、放射線ビームの焦点長を変えて前記シリンダ形プラットフォームの動径方向の変動および／または前記放射線感応層の層厚の変動を少なくとも部分的に補償するように構成された自動焦点システムを更に備える請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項４２】
前記放射線ビームシステムは、同時に放射線ビームの焦点長を変えて前記放射線感応層内に様々な深さで光学的微細構造体各部を結像させるように構成された自動焦点システムを更に備える請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項４３】
前記コントローラは更に、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に放射線ビームを第１および第２の正反対の軸方向に沿って前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって軸方向にラスタ走査して前記放射線感応層内に光学的微細構造体を前記第１および第２の正反対の両方の軸方向に沿って結像させるように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項４４】
前記コントローラは更に、前記シリンダ形プラットフォームの回転と同時に放射線ビームを第１および第２の正反対の軸方向に沿って前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって軸方向にラスタ走査して前記放射線感応層内に光学的微細構造体を前記第１の軸方向に沿って結像させるとともに前記第２の軸方向に沿って放射線ビームをブランク状態にするように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項４５】
前記シリンダ形プラットフォームは、周囲が少なくとも３０．４８ｃｍ（１フィート）で、および／または、軸方向の長さが少なくとも３０．４８ｃｍ（１フィート）である請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項４６】
前記シリンダ形プラットフォームの回転は毎分少なくとも１回転の角速度で実行される請求項４５に記載の微細加工システム。
【請求項４７】
放射線ビームのラスタ走査は少なくとも１ｋＨｚの振動数で実行される請求項４６に記載の微細加工システム。
【請求項４８】
前記コントローラは前記シリンダ形プラットフォームの回転と放射線ビームの軸方向のラスタ走査とを少なくとも１時間にわたって継続的に制御するように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項４９】
前記コントローラは、少なくとも百万個の光学的微細構造体を形成するために、前記シリンダ形プラットフォームの回転と放射線ビームの軸方向のラスタ走査とを少なくとも１時間にわたって継続的に制御するように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項５０】
前記光学的微細構造体はマイクロレンズから成る請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項５１】
光学的微細構造体のマスタ型を提供するために前記放射線感応層内に結像した光学的微細構造体を現像するように構成された現像ステーションを更に備える請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項５２】
前記シリンダ形プラットフォームはまた、このプラットフォーム上に前記放射線感応層と、この放射線感応層上に放射線ビームに対して透過性のある基板とを保持するように構成されており、前記コントローラは更に、放射線ビームに対して透過性のある前記基板を通してその放射線ビームを前記放射線感応層の少なくとも一部分にわたって軸方向にラスタ走査して、前記放射線感応層内に光学的微細構造体を結像させるように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項５３】
前記放射線感応層はこの層の放射線ビームに照射された部分が現像後に残るネガ型フォトレジスト層である請求項５２に記載の微細加工システム。
【請求項５４】
前記放射線感応層はこの層の放射線ビームに照射された部分が現像後に残るネガ型フォトレジスト層である請求項３１に記載の微細加工システム。
【請求項５５】
前記基板はフレキシブル基板である請求項５２に記載の微細加工システム。
【請求項５６】
前記シリンダ形プラットフォームは１対の外層の間に挟み込まれた放射線感応層をその上に保持するように構成されている請求項３１に記載の微細加工システム。