【手続補正書】
【提出日】平成19年6月29日(2007.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも２つの交差したワイヤを含む電気的なクロスバーアレイを含み、前記ワイヤの少なくとも一方はナノスコピックワイヤである物品。
【請求項２】  前記少なくとも２つのワイヤは互いに接触する、請求項１に記載の物品。
【請求項３】  前記少なくとも２つのワイヤは互いに電気的に接触する、請求項２に記載の物品。
【請求項４】  前記少なくとも２つのワイヤは、互いにファンデルワールス接触する、請求項２に記載の物品。
【請求項５】  前記少なくとも２つのワイヤは、互いに接触しない、請求項１に記載の物品。
【請求項６】  前記少なくとも２つのワイヤ間の抵抗は、互いにファンデルワールス接触している前記少なくとも２つのワイヤ間の抵抗から検出することができる、請求項５に記載の物品。
【請求項７】  前記少なくとも２つのワイヤは、接合部において第２のワイヤと隣接して配置される第１のワイヤを含む、請求項１に記載の物品。
【請求項８】  前記第１のワイヤは、基板上に配置される、請求項７に記載の物品。
【請求項９】  前記第１のワイヤは、前記基板と前記第２のワイヤとの中間に配置される、請求項８に記載の物品。
【請求項１０】  前記第２のワイヤは、前記基板に対して、前記第１のワイヤの上側に支持される、請求項９に記載の物品。
【請求項１１】  前記第１のワイヤは、前記基板内のトレンチに配置される、請求項７に記載の物品。
【請求項１２】  前記第２のワイヤは、前記トレンチを横切って配置される、請求項１１に記載の物品。
【請求項１３】  前記第２のワイヤは、前記第１のワイヤと接触していない状態を保持するために、十分な堅さを有する、請求項７に記載の物品。
【請求項１４】  前記第２のワイヤが、刺激を受ける際に、前記接合部において前記第１のワイヤとの変形可能なファンデルワールス接触を可能にするように、前記第２のワイヤは十分なヤング率を有する、請求項１３に記載の物品。
【請求項１５】  前記第１のワイヤおよび前記第２のワイヤは、前記刺激を除去する際に、変形可能なファンデルワールス接触を保持するための十分な接着エネルギーを有する、請求項１４に記載の物品。
【請求項１６】  前記クロスバーアレイは、第１の組および第２の組の少なくとも２つの平行なワイヤを含む、請求項１に記載の物品。
【請求項１７】  前記第１の組の平行なワイヤは、前記第２の組の平行なワイヤと垂直である、請求項１６に記載の物品。
【請求項１８】  前記第２の組の平行なワイヤは、複数の接合部において、前記第１の組の平行なワイヤと隣接して配置される、請求項１６に記載の物品。
【請求項１９】  前記第１の組のワイヤは、前記基板内の平行なトレンチに配置される、請求項１６に記載の物品。
【請求項２０】  前記ワイヤのうちの少なくとも１つのワイヤと電気的に接触する接触電極をさらに備える、請求項１に記載の物品。
【請求項２１】  前記少なくとも１つのワイヤは、前記接触電極に取り付けられる、請求項２０に記載の物品。
【請求項２２】  前記少なくとも１つのワイヤは、前記接触電極に共有結合により取り付けられる、請求項２０に記載の物品。
【請求項２３】  前記少なくとも２つのワイヤはそれぞれ、異なる接触電極と電気的に接触する、請求項１に記載の物品。
【請求項２４】  クロスバーアレイの向きに少なくとも２つの、互いに接触しないワイヤを含むクロスバーアレイを設けるステップと、
前記ワイヤを互いに接触させるステップとを含む方法。
【請求項２５】  前記クロスバーアレイは、少なくとも１つのナノスコピックワイヤを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】  前記少なくとも２つのワイヤは、接合部において第２のワイヤに隣接して配置される、第１のワイヤを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】  前記ワイヤは、前記接合部において、互いに電気的に接触するようになる、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】  前記ワイヤは、前記接合部において、互いにファンデルワールス（Van der Waals）接触するようになる、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】  前記ワイヤを互いに接触させる前記ステップは、前記第２のワイヤを変形させるステップを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】  前記第１のワイヤおよび前記第２のワイヤは、少なくとも前記第２のワイヤに刺激を加えることにより、接触するようになる、請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】  前記刺激は、前記第１のワイヤおよび前記第２のワイヤに反対の極性でバイアスをかけるステップを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】  前記第１のワイヤおよび前記第２のワイヤは、前記刺激を除去する際に接触を保持する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】  前記ワイヤを互いとの接触から解放するステップをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３４】  前記解放するステップは、少なくとも前記第２のワイヤに刺激を加えるステップを含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】  前記刺激は、前記第１のワイヤおよび前記第２のワイヤに同じ極性でバイアスをかけるステップを含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】  前記ワイヤを互いとの接触から解放するステップをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３７】  前記ワイヤを接触させるステップおよび前記ワイヤを接触から解放するステップはそれぞれ、切り替えるステップを含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】  描かれたパターンを画定する自己集合した単分子膜と、
前記自己集合した単分子膜に関連する少なくとも２つの交差したワイヤとを含む物品であって、前記ワイヤのうちの少なくとも１つはナノスコピックワイヤである物品。
【請求項３９】  少なくとも２つの読取り可能な状態間で切り替えられることができるメモリ素子を画定する少なくとも２つの交差したワイヤを含む電気的なクロスバーアレイを備える物品であって、前記デバイスは、前記少なくとも２つの状態において前記メモリ素子の切替えを達成するために、前記メモリ素子を指定する手段を持たない物品。
【請求項４０】  少なくとも２つの読取り可能な状態間で切り替えられることができるメモリ素子を画定する少なくとも２つの交差したワイヤを含む電気的なクロスバーアレイを備える物品であって、前記デバイスは、前記メモリ素子を画定する補助回路を持たない物品。
【請求項４１】  金属ナノチューブと半導体ナノチューブとの混合体を設けるステップと、
前記半導体ナノチューブから前記金属ナノチューブを分離するステップとを含む方法。
【請求項４２】  前記分離するステップは、前記混合体を、金属ナノチューブの向きを選択的に定めるだけの十分な強さの電界にかけるステップを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】  前記電界は、半導体ナノチューブが前記電界に対して、その向けられないままであるような強さからなる、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】  基板を設けるステップと、
前記基板の表面に複数の電極をパターニングするステップと、
前記ひとつまたは複数のナノスコピックワイヤを設けるステップと、
前記複数の電極間に電界を与えて、前記ひとつまたは複数のナノスコピックワイヤを前記複数の電極間に整列させるステップと、
を含む基板上にひとつまたは複数のナノスコピックワイヤを整列する方法。
【請求項４５】  前記ナノスコピックワイヤはカーボンナノチューブである、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】  ナノスコピックワイヤを設ける動作は、前記基板の表面上に触媒部位を設けるステップと、前記触媒部位から前記ナノスコピックワイヤの成長を導くステップとを含む、請求項４４に記載の方法。
【請求項４７】  前記触媒部位は触媒コロイド部位である、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】  前記触媒部位はリソグラフィーにより前記表面上にパターンされる、請求項４６に記載の方法。
【請求項４９】  化学的にパターニングされる表面によって指示されるパターンに表面上のナノスコピックワイヤを形成するステップを含み、前記ナノスコピックワイヤは事前形成されるワイヤであり、前記化学的にパターニングされた表面は、前記ナノスコピックワイヤを引きつけそしてワイヤ堆積が所望される少なくとも第１の部分と第２の部分を含み、前記事前形成されるワイヤを前記第１と第２の部分に供給するステップを含む、方法。
【請求項５０】  前記第１の部分と第２の部分の少なくともひとつは、自己集合した単分子膜によって画定される、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】  前記パターンは、複数の触媒コロイド部位を含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５２】  前記パターンは、微小相分離ブロック共重合体構造を含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５３】  化学的にパターニングされる表面によって指示されるパターンに表面上の複数のナノスコピックワイヤを堆積するステップを含み、前記複数のナノスコピックワイヤは事前形成されるワイヤであり、前記化学的にパターニングされた表面は、前記ワイヤを引きつける少なくとも第１の部分と第２の個別の部分を含み、前記ナノスコピックワイヤの少なくともひとつを前記第１の部分にそして前記ナノスコピックワイヤの少なくともひとつを前記第２の部分に堆積するステップを含む、方法。
【請求項５４】  前記第１の部分と第２の部分の少なくともひとつは、自己集合した単分子膜によって画定される、請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】  前記パターンは、複数の触媒コロイド部位を含む、請求項５３に記載の方法。
【請求項５６】  前記パターンは、微小相分離ブロック共重合体構造を含む、請求項５３に記載の方法。