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【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相転移を受け得るパラフィン化合物を含むコア成分をカプセル化する方法であって、次の工程すなわち
Ａ  第１ポリマーを形成する第１モノマーを該コア成分中に溶解して第１溶液を形成させ、
Ｂ  第１溶液を第２水溶液中に分散して乳濁液を形成させ、
Ｃ  メラミン−ホルムアルデヒドの初期縮合物を含有する第３水溶液に該乳濁液を添加してカプセル化混合物を形成させる
工程を含む方法において、第１モノマーが４００より高い平均分子量を有するポリプロピレングリコール及び該コア成分に可溶なポリイソシアネートであることを特徴とする方法。
【請求項２】
第２溶液が、少なくとも１個のアニオン性官能基を有するポリマーである少なくとも１種の保護コロイドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アニオン性官能基が、カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基又はそれらの混合物から成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
アニオン性官能基がカルボン酸基である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
保護コロイドが、第２溶液の重量に関して１から３重量％の量にある、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
保護コロイドが、第２溶液の重量に関して１．５から２．５重量％の量にある、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
第２溶液が、４から７のｐＨを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
第２溶液が、４．７から６のｐＨを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第２溶液が、５．５から５．７のｐＨを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ポリイソシアネートが、トリレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート又はそれらの混合物から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ポリイソシアネートが、コア成分の重量に関して０．２から３重量％の量にある、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ポリイソシアネートが、コア成分の重量に関して０．３から１重量％の量にある、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ポリイソシアネートをコア成分の融点より５℃高い温度にてコア成分中に溶解する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
第１溶液をコア成分の融点より５℃高い温度にて第２溶液中に分散する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
第１溶液を２０００回転毎分の撹拌速度にて１０から１５分間第２溶液中に分散する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
メラミン及びホルムアルデヒドが、１：３（メラミン：ホルムアルデヒド）のモル比にある、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
メラミン及びホルムアルデヒドが、１：２（メラミン：ホルムアルデヒド）のモル比にある、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
メラミン及びホルムアルデヒドが、１：１．３から１：１．８（メラミン：ホルムアルデヒド）のモル比にある、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
メラミン及びホルムアルデヒドを７０℃にて及び１から１．５時間混合して初期縮合物を形成させる、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
乳濁液を４００から６００回転毎分の撹拌速度にて第３溶液に添加する、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
カプセル化混合物のｐＨを４〜７に調整する、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
カプセル化混合物のｐＨを４．７〜６に調整する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
カプセル化混合物のｐＨを５．５〜５．７に調整する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
カプセル化混合物の温度を７０〜８０℃に上げる工程を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
カプセル化混合物の温度を７０から８０℃に１から５時間維持する工程を更に含むことを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
カプセル化混合物の温度を７０から８０℃に２から４時間維持する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１種のホルムアルデヒドスカベンジャーをカプセル化混合物に添加する工程を更に含むことを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
ホルムアルデヒドスカベンジャーが、エチレン尿素、ジエチレングリコール又はそれらの混合物から成る群から選択される、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
ホルムアルデヒドスカベンジャーが、乳濁液混合物の重量に関して０．１から１重量％の量にある、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
ホルムアルデヒドスカベンジャーが、乳濁液混合物の重量に関して０．３から０．６重量％の量にある、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
ホルムアルデヒドスカベンジャーを、カプセル化混合物の温度を７０から８０℃に維持する工程の終わりの０．５から１時間前に添加する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
カプセル化混合物の温度を７０から８０℃に維持する工程の終わり後に、カプセル化混合物のｐＨを７．５に調整する工程を更に含むことを特徴とする、請求項３１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２ｂを参照すると、第２の段階は、画像保持手段９から画像１１を転写することを含む。金属ローラの周囲に固定された、たとえばポリマーを含む円筒ブランケット形の画像転写手段１６を、この例では転がすことによって、画像保持手段９の表面１３に当てて、各溝１０内にあるインキ１２の少なくとも一部を拾い上げる。画像１１は、画像転写手段１６に保持される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２ｃを参照すると、第３の段階は、画像１１を印刷することを含む。インキ１２を保持している画像転写手段１６が、たとえば転がすことによって層構造４の表面１７に印加される。その結果、インキ１２は、画像転写手段１６から層構造４の表面１７上に転写される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
溝深さｄ１、ｄ２および／または異なったインキの濃度、溶剤もしくは組成を選択することにより、層構造に付着されるインキの厚みを制御し変えることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
たとえば化学気相成長（ＣＶＤ）装置（図示せず）および／またはスパッタリング装置（図示せず）を使用して、ゲート端子２０および基板１９の上に被覆層２１、２２、２３、２４を順次形成する。第１の被覆層は、この例では窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）で形成され、３００ｎｍの厚みをもつゲート誘電体層２１である。第２の被覆層は、この例では未ドープの水素化アモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）で形成され、２００ｎｍの厚みをもつ半導体層である。第３の被覆層は、この例ではリン（Ｐ）を５×１０２０／ｃｍ３の濃度にドープしたｎ型水素化アモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）で形成され、５０ｎｍの厚みをもつ半導体層である。その他の層の厚みおよびドーピング濃度を使用することもできる。第４の被覆層は、この例では、好ましくはスパッタリングによって堆積させたモリブデン（Ｍｏ）で形成されたメタライゼーション層２４である。代替的に、第４の被覆層は、クロム（Ｃｒ）で形成することもできる。メタライゼーション層２４は、ＭｏまたはＣｒ層に加え、アルミニウム（Ａｌ）層またはアルミニウム・ベースの合金層を含むこともできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図４ｃおよび５ｃを参照すると、表面２６の第３の領域３０を覆い、表面２６の第４および第５の領域３１１、３１２を覆わずに残すように、層構造４の表面２６上および第１のパターン化された層２５１、２５２の表面２９上に第２のパターン化された層２８を印刷する。この例では、第２のパターン化された層２８は、エッチング・レジスト・インキを含み、１μｍの厚み、すなわちｔ２＝１μｍの厚みをもつ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
層２５１、２５２、２８を備えた層構造４は、エッチングのために、エッチング手段８（図１）に移される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図４ｉを参照すると、第６のドライ・エッチングを使用して、たとえばＯ２を使用して、表面２６の第１および第２の領域２７１、２７２を覆われることなく残すように、第１のパターン化された層２５１、２５２を除去する。代替的に、第６のドライ・エッチングの代わりに溶剤を使用して、第１のパターン化された層２５１、２５２を（溶解させることによって）除去してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性電極材料と、導電性ポリマーとを含む、電気化学電池の電極用の活性組成物。
【請求項２】
前記活性電極材料が水酸化ニッケル材料である、請求項１に記載の活性組成物。
【請求項３】
前記活性電極材料が水素貯蔵合金である、請求項１に記載の活性組成物。
【請求項４】
前記導電性ポリマーがポリアニリンをベースとするポリマー、ポリピロールをベースとするポリマー、ポリパラフェニレンをベースとするポリマー、ポリアセチレンをベースとするポリマー、ポリチオフェンをベースとするポリマー、ポリエチレンをベースとするポリマー、ジオキシチオフェンをベースとするポリマー、ポリパラフェニレンビニレンをベースとするポリマー、及びその混合物から成る群より選択される材料を含む、請求項１に記載の活性組成物。
【請求項５】
さらにグラファイトを含む、請求項１に記載の活性組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
あるいは電極は、最初に活性組成物で活性組成物リボンを作製して、次にリボンを導電性基板に付着させることによって作製できる。リボンは、活性組成物を圧延装置で圧縮することによって作製できる。圧延装置がリボンを作製する。リボンは約０．０１８インチ〜約０．０２インチの厚さを有する。リボンを作製した後、導電性基板の上に配置して、導電性基板上へ圧縮する（圧延装置はこの圧縮にも使用できる）。次いで電極を焼結することも出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）少なくとも１種の不完全に脱リチウム可能なカソード活性材料の粒子、および（ｂ）少なくとも１種の電気化学的不活性な金属酸化物のナノ粒子、との混合物から本質的に成り、前記カソード活性材料および前記金属酸化物がそれらの間の化学結合を本質的に有さない分離相としてのみ存在する、カソード組成物。
【請求項２】
（ａ）ＬｉＶ3Ｏ8、ＬｉＭＯ2（式中、Ｍはニッケル、アルミニウム、コバルト、およびマンガン、ならびにそれらの混合物からなる群から選択される１種以上の金属を表す）からなる群から選択される少なくとも１種の不完全に脱リチウム可能なカソード活性材料の粒子、および（ｂ）Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｒＯ2、およびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種の疎水性または親水性電気化学的不活性な金属酸化物のナノ粒子、の混合物から本質的に成り、前記カソード活性材料および前記金属酸化物がそれらの間の化学結合を本質的に有さない分離相としてのみ存在する、カソード組成物。
【請求項３】
（ａ）少なくとも１種の不完全に脱リチウム可能なカソード活性材料の粒子と（ｂ）少なくとも１種の電気化学的不活性な金属酸化物のナノ粒子とを混合する工程を含み、前記混合が、前記カソード活性材料と前記金属酸化物との十分な接触を有意に妨げるいずれの添加剤も存在しない中で行なわれる、カソード組成物の調製方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法によって調製された組成物。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の組成物を含むリチウム電気化学電池。
【請求項６】
少なくとも１つの請求項５に記載のリチウム電気化学電池を含むリチウムバッテリー。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１位置から延びている第１タブを含む第１カソード層と、
第２位置から延びている第２タブを含む第１アノード層と、
第１タブの上に重なるタブを有する第２カソード層と、
第２タブの上に重なるタブを含む第２アノードと
を備え、第１と第２カソード層が、自身の表面に取り付けた二酸化マンガン（ＭｎＯ2）層を有する金属シートを含む電池スタック。
【請求項２】
ＭｎＯ2層がカソード電極層のタブを覆わない請求項１に記載の電池スタック。
【請求項３】
第１と第２アノード層がリチウム層を含む金属シートを含む請求項１に記載の電池スタック。
【請求項４】
リチウム層がアノード電極層のタブを覆わない請求項３に記載の電池スタック。
【請求項５】
アノードとカソード層がそれぞれ、ほぼ長方形以外の形状を含む請求項１に記載の電池スタック。
【請求項６】
各アノード層と各カソード層との間に複数のセパレータであって、各セパレータが隣接するセパレータと接続されて、各カソードの周囲にほぼ密封したポケットを形成する請求項１に記載の電池スタック。
【請求項７】
各カソード層のタブが、ほぼ密封したポケットを越えて露出する請求項６に記載の電池スタック。
【請求項８】
各アノード層が、一方側に第１セパレータを、第２側に第２セパレータを有し、第１セパレータと第２セパレータが、その縁部の少なくとも一部の周囲で相互に接続される請求項１に記載の電池スタック。
【請求項９】
第１セパレータと第２セパレータが、第１セパレータと第２セパレータとの接続部でフランジを形成し、フランジがカソードの縁部を越えて延びて、アノード層の縁部を囲む請求項８に記載の電池スタック。
【請求項１０】
電池を形成する方法であって、
複数の長方形以外の形状のカソードを設けることであって、その長方形以外の形状の各カソードが、他の長方形以外の形状のカソードと同じ近似形状を有し、各カソードが、カソードから延びているタブを有し、
複数の長方形以外の形状のアノードを設けることであて、その長方形以外の形状の各アノードが、他の長方形以外の形状のアノードと同じ近似形状を有し、各アノードが、アノードから延びているタブを有し、各アノード・タブが各カソード・タブとは異なる位置にあり、
セパレータが各アノードと各カソードの間にある状態で、複数のアノードとカソードを積み重ねて、電池スタックにすることと、
カソード・タブを相互に接続することと、
アノード・タブを相互に接続することと、
アノードとカソードとほぼ同じ形状を有する長方形以外の形状の電池ケース内に電池スタックを配置すること、
アノード・タブ及びカソード・タブを個々のアノードとカソード端子に接続することとを含む方法。
【請求項１１】
カソードを設けることが、ＭｎＯ2粉末材料をカソードベース層に押し込むことを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
カソードを設けることが、ＭｎＯ2ペーストをカソードベース層に取り付けることを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
カソードを設けることが、各カソードをセパレータ内にヒートシールすることを含む請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）アレイ状発光画素であって、各画素が、色域を特定する色の異なる光を放出するための３種以上のＯＬＥＤと、該色域内の色の光を放出するための少なくとも１つの追加のＯＬＥＤとを有し、該追加のＯＬＥＤのパワー効率が該３種以上のＯＬＥＤの少なくとも１つのパワー効率より高い発光画素、及び
ｂ）該画素におけるＯＬＥＤを駆動して、少ないパワー使用量で一定の色及び輝度を生じさせる手段
を備えたＯＬＥＤ表示装置であって、該駆動手段が、該追加のＯＬＥＤからの光と、該３つ以上のＯＬＥＤからの光の組み合わせを用いて色域内の色を生成することを特徴とするＯＬＥＤ表示装置。
【請求項２】
前記追加のＯＬＥＤが、白色光を放出する、請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置。
【請求項３】
前記３つ以上のＯＬＥＤの各々により放出される光の帯域幅が、追加のＯＬＥＤにより放出される光の帯域幅よりも狭い、請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置。
【請求項４】
前記ＯＬＥＤが、異なる色の光を生成するための同じ発光材料と異なるカラーフィルターを備えている、請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置。
【請求項５】
各画素が、前記追加のＯＬＥＤ（単一又は複数）により放出される光と同じ色である光を放出するための一つ以上のＯＬＥＤをさらに備えている、請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともトランジスターを含む活性基板、金属線のパターンを含む電気相互接続構造体及び熱機械分析によって測定された熱膨張率が３５０〜４２５℃の温度範囲にわたって１１５ｐｐｍ／℃より小さいポリアリーレン物質を含んでなる集積回路製品。
【請求項２】
前記ポリアリーレン物質が、２個又はそれ以上のジエン官能基を有する少なくとも１種の化合物と２個又はそれ以上のジエノフィル官能基を有する少なくとも１種の化合物との間の、ディールス・アルダー及びフェニルアセチレン硬化反応の生成物であり、これらの化合物の少なくとも１種が前記官能基を３個又はそれ以上有する請求項１に記載の製品。
【請求項３】
前記ポリアリーレン物質が、２個又はそれ以上のシクロペンタジエノン官能基を有する少なくとも１種の化合物と２個又はそれ以上のアセチレン官能基を有する少なくとも1種の化合物との反応生成物であり、これらの化合物の少なくとも１種が前記官能基を３個又はそれ以上有する請求項１に記載の製品。
【請求項４】
前記ポリアリーレン物質が３，３’−（オキシジ−１，４−フェニレン）ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエノン）と１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンとの反応生成物である請求項１に記載の製品。
【請求項５】
前記ポリアリーレン物質が、３，３’−（オキシジ−１，４−フェニレン）ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエノン）と１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンとの、化学量論モル比０．７／１〜０．９９／１の反応生成物である請求項１に記載の製品。
【請求項６】
２個又はそれ以上のジエン官能基を有する少なくとも１種の化合物と２個又はそれ以上のジエノフィル官能基を有する少なくとも１種の化合物との間の、ディールス・アルダー及びフェニルアセチレン硬化反応の生成物である硬化ポリアリーレンであって、これらの化合物の少なくとも１種が前記官能基を３個又はそれ以上有し、熱機械分析によって測定された熱膨張率が３５０〜４２５℃の温度範囲にわたって１１０ｐｐｍ／℃未満である硬化ポリアリーレン。
【請求項７】
前記ジエン官能基がシクロペンタジエノン基であり且つ前記ジエノフィル官能基がアセチレン基である請求項６に記載の硬化ポリアリーレン。
【請求項８】
ジエノフィル官能基を有する少なくとも１種の化合物が２個のジエノフィル基を有する第一の化合物及び２個より多いジエノフィル基を有する第二の化合物を含む請求項６に記載の硬化ポリアリーレン。
【請求項９】
前記ジエン官能基がシクロペンタジエノン基であり且つ前記ジエノフィル基がアセチレン基である請求項８に記載の硬化ポリアリーレン。
【請求項１０】
前記第二の化合物が３個のジエノフィル基を有する請求項８に記載の硬化ポリアリーレン。
【請求項１１】
少なくともトランジスターを含む活性基板、金属線のパターンを含む電気相互接続構造体及び金属線を少なくとも一部分分離する請求項６に記載の硬化ポリアリーレンを含む集積回路製品。
【請求項１２】
３，３’−（オキシジ−１，４−フェニレン）ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエノン）と１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼンとの、化学量論モル比０．７／１〜０．９９／１の反応生成物である硬化ポリアリーレンであって、少なくとも４０５℃の温度において硬化されたものであり、熱機械分析によって測定された熱膨張率が３５０〜４２５℃の温度範囲にわたって１１０ｐｐｍ／℃未満である硬化ポリアリーレン。
【請求項１３】
化学量論モル比が０．９／１［３，３’−（オキシジ−１，４−フェニレン）ビス（２，４，５−トリフェニルシクロペンタジエノン）対１，３，５−トリス（フェニルエチニル）ベンゼン］である請求項１２に記載の硬化ポリアリーレン。
【請求項１４】
前記硬化が４０５〜４１０℃の温度において６０〜１００分間の間行われる請求項１２に記載の硬化ポリアリーレン。
【請求項１５】
前記硬化が４１０〜４２５℃の温度において４０〜７５分間の間行われる請求項１２に記載の硬化ポリアリーレン。
【請求項１６】
少なくともトランジスターを含む活性基板、金属線のパターンを含んでなる電気相互接続構造体及び金属線を少なくとも一部分分離する請求項１２に記載の硬化ポリアリーレンを含む集積回路製品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する半導体デバイスであって、
前記表面の下に形成された、第１の導電率の第１ウェル領域と、
前記表面の下に形成された、前記第１の導電率の第２ウェル領域と、
前記第１および第２ウェル領域の下に形成された、前記第１の導電率の導電性下地領域とを備え、
前記導電性下地領域が、第１および第２の前記ウェル領域に対して斜めに配置されて、前記第１ウェル領域と前記導電性下地領域との間に第１の導電性境界が形成され、そして、前記第２ウェル領域と前記導電性下地領域との間に第２の導電性境界が形成されて、前記第１ウェル領域と前記第２ウェル領域との間に下地の導電経路が設けられる
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記導電性下地領域がＮ−形ドーピングされ、前記第１および第２ウェル領域がＮ−形ドーピングされ、前記デバイスは、前記第１および第２ウェル領域の下に形成された、前記第１の導電率の第２の導電性下地領域をさらに備え、前記第２の導電性下地領域は、前記導電性下地領域と平行である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
表面を有する半導体デバイスであって、
前記表面の下に形成された、第１の導電率の第１ウェル領域と、
前記表面の下に形成された、前記第１の導電率の第２ウェル領域と、
前記第１および第２のウェル領域の下にそれぞれ形成された、前記第１の導電率の複数の導電性下地領域とを備え、
前記複数の導電性下地領域は下地メッシュ構造に構成され、そして、前記下地メッシュ構造は前記第１および第２のウェル領域に対して斜めに配置されて、前記第１ウェル領域と前記下地メッシュ構造との間に複数の第１の導電性境界が形成され、そして、前記第２ウェル領域と前記下地メッシュ構造との間に複数の第２の導電性境界が形成されて、前記第１ウェル領域と前記第２ウェル領域との間に複数の下地の導電経路が設けられる
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項４】
前記下地メッシュ構造が、前記第１ウェル領域に対して約４５°回転されており、そして／または、前記下地メッシュ構造が、前記第２ウェル領域に対して約４５°回転されており、そして／または、前記下地メッシュ構造のエリアが、前記第１の導電率の前記導電性下地領域とギャップエリアとの間で均等に分割されている、請求項３に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記下地メッシュ構造の下に形成された、第２の導電率の第２下地層をさらに含み、隣接する平行な導電性下地領域の間のギャップは、前記表面と前記第２下地層との間の導電経路のピンチオフを防止するのに充分に広い、請求項３に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
表面を有する半導体デバイスであって、
前記表面の下に形成された、第１の導電率の第１ウェル領域と、
前記表面の下に形成された、前記第１の導電率の第２ウェル領域と、
前記表面の下に形成された、第２の導電率の領域と、
前記第１および第２のウェル領域および前記領域の下に形成された、前記第１の導電率の導電性下地領域とを備え、
前記導電性下地領域が、前記第１および第２のウェル領域、並びに、前記領域に対して斜めに配置されて、前記第１ウェル領域と前記導電性下地領域との間に第１の導電性境界が形成され、そして、前記第２ウェル領域と前記導電性下地領域との間に第２の導電性境界が形成されて、前記領域を絶縁することなく、前記第１ウェル領域と前記第２ウェル領域との間に下地の導電経路が設けられる
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項７】
前記導電性下地領域がＮ−形ドーピングされている、請求項１、３または１６に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１ウェル領域がＮ−形ドーピングされており、そして、前記第２ウェル領域がＮ−形ドーピングされている、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記第１ウェル領域が、ｐ−形ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を含み、そして、前記第２ウェル領域がｐ−形ＭＯＳＦＥＴを含む、請求項８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記導電性下地領域がＮ−形ドーピングされており、前記第１ウェル領域および前記第２ウェル領域の各々がＮ−形ドーピングされており、そして、前記第１ウェル領域および前記第２ウェル領域の各々が、ｐ−形ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を含んでおり、または、前記領域がＰ−形ドーピングされており、そして、前記領域がＮ−形ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を含む、請求項１または６に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記導電性下地領域がＰ−形ドーピングされている、請求項１、３または１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第１ウェル領域がＰ−形ドーピングされており、そして、前記第２ウェル領域がＰ−形ドーピングされている、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記第１ウェル領域がＮ−形ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を含み、そして、前記第２ウェル領域がＮ−形ＭＯＳＦＥＴを含む、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記導電性下地領域がＰ−形ドーピングされており、前記第１ウェル領域および前記第２ウェル領域の各々がＰ−形ドーピングされており、そして、前記第１ウェル領域および前記第２ウェル領域の各々が、Ｎ−形ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を含んでおり、または、前記領域がＮ−形ドーピングされており、そして、前記領域がＰ−形ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を含む、請求項１または６に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記導電性下地領域が帯状の形状を有する、請求項１、３または１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記導電性下地領域が、前記第１および第２のウェル領域に基板バイアス電圧を送る、請求項１または６に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記下地メッシュ構造が、前記第１および第２のウェル領域に基板バイアス電圧を送る、請求項３に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記導電性下地領域と前記第１ウェル領域とが、約４５°の角度を形成し、そして／または前記導電性下地領域と前記第２ウェル領域とが、約４５°の角度を形成する、請求項１または６に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記導電性下地領域と前記領域とが、約４５°の角度を形成する、請求項６に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ少なくとも２つの半導体材料層と、該各半導体材料層に電気接続する複数の端子とを備えた複数の能動半導体デバイスをウェハ上に形成するステップ（１２）と、
前記複数の端子のうちの１つの上に、少なくとも１つのボンディングパッドをそれぞれ形成するステップ（１４）と、
前記複数の能動半導体デバイスのそれぞれを分離するステップ（１６）と、
回路基板の表面にドライブ電子回路を形成するステップ（１８）と、
前記回路基板上に前記能動半導体デバイスのうち少なくとも１つをフリップチップ実装するステップ（２２）であって、前記ボンディングパッドのうち少なくとも１つを前記回路基板に結合し、前記端子のうち少なくとも１つを前記ドライブ電子回路に電気接続するステップと
を有することを特徴とする半導体デバイスの作製方法。
【請求項２】
前記回路基板を個々の集積回路に分離するステップ（２４）をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの作製方法。
【請求項３】
前記ドライブ電子回路が、１つ又は複数の前段増幅器とインターコネクトとを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの作製方法。
【請求項４】
前記回路基板上に前記少なくとも１つの能動デバイスをフリップチップ実装する前に、前記回路基板を貫通する少なくとも１つの導電性ビアを形成するステップ（２０）であって、前記ボンディングパッドのうち少なくとも１つを、前記導電性ビアのうちの１つと電気接続するステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの作製方法。
【請求項５】
フリップチップ実装された前記複数のデバイス及び前記回路基板からの熱放散を助けるヒートシンクを提供するステップ（２６）をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの作製方法。
【請求項６】
一方の表面（５２、５３）にドライブ電子回路を有する回路基板（５０）と、
複数の半導体材料層（３０、３４、３６）を有する基板及び複数の端子（３８、４０、４２）を備え、前記端子（３８、４０、４２）のそれぞれが前記半導体材料層（３０、３４、３６）のうちの１つに電気接続する能動半導体デバイスと
を備え、
前記能動半導体デバイス（３２）が前記回路基板（５０）にフリップチップ実装され、前記端子（３８、４０、４２）のうち少なくとも１つが前記ドライブ電子回路（５２、５３）と電気接続していることを特徴とするフリップチップ集積回路。
【請求項７】
前記回路基板（５０）を貫通する少なくとも１つの導電性ビア（６３）をさらに備え、前記導電性ビア（６３）のそれぞれが前記複数の端子（３８、４０、４２）の１つと電気接続していることを特徴とする請求項６に記載のフリップチップ集積回路。
【請求項８】
前記能動半導体デバイス（３２）及び前記ドライブ電子回路（５２、５３）からの熱が放散するのを助ける少なくとも１つのヒートシンク用ベースプレート（１１４、１２２）をさらに備えていることを特徴とする請求項６に記載のフリップチップ集積回路。
【請求項９】
前記少なくとも１つのヒートシンク用ベースプレート（１１４、１２２）が、前記回路基板（５０）に隣接して配置されたヒートシンク用ベースプレート（１１４）を含むことを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ集積回路。
【請求項１０】
前記回路基板（５０）の前記ドライブ電子回路（５２、５３）とは反対側の表面に第２の導電材料層（８６、８９）をさらに含み、前記少なくとも１つのヒートシンク用ベースプレート（１１４）が、前記第２の導電材料層（８６、８９）に隣接して配置されたヒートシンク用ベースプレートを含むことを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2006512775.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2006512775.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2006512775.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2006512775.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞においてＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質を含むことを特徴とする、造血前駆細胞の増殖または維持を促進させる細胞集団を調製するための組成物。
【請求項２】
前記ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞が、骨芽細胞、リンパ網間質細胞、および骨芽細胞とリンパ網間質細胞の混合物から選択されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質が、ＰＴＨ、ＰＴＨアナログ、またはＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体作用因子であることを特徴とする請求項１または２記載の組成物。
【請求項４】
ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞にin vitroまたはin vivoで前記ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質を接触させることを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の組成物。
【請求項５】
前記ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞が造血前駆細胞に近接して存在することを特徴とする請求項４記載の組成物。
【請求項６】
造血前駆細胞の増殖および維持がin vitroまたはin vivoで行われることを特徴とする請求項４記載の組成物。
【請求項７】
造血前駆細胞に、ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞を接触させ、さらに
該ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞に、ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質を接触させて、造血前駆細胞の自己再生を誘導することを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の組成物。
【請求項８】
接触がin vitroで行われることを特徴とする請求項７記載の組成物。
【請求項９】
接触がex vivoで行われることを特徴とする請求項７記載の組成物。
【請求項１０】
ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞においてＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質を含有し、造血細胞の増殖または維持を必要とする個体に投与されることを特徴とする、造血前駆細胞の増殖または維持を促進させるための組成物。
【請求項１１】
前記ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞が、骨芽細胞、リンパ網間質細胞、および骨芽細胞とリンパ網間質細胞の混合物から選択されることを特徴とする請求項１０記載の組成物。
【請求項１２】
前記ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞が造血前駆細胞であることを特徴とする請求項１０記載の組成物。
【請求項１３】
前記ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質が、ＰＴＨ、ＰＴＨアナログ、またはＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体作用因子であることを特徴とする請求項１０記載の組成物。
【請求項１４】
前記個体が、骨髄ドナーであることを特徴とする請求項１０記載の組成物。
【請求項１５】
前記個体が、骨髄を提供したものであることを特徴とする請求項１４記載の組成物。
【請求項１６】
前記個体が、まだ骨髄を提供していないことを特徴とする請求項１４記載の組成物。
【請求項１７】
前記個体が、骨髄移植レシピエントであることを特徴とする請求項１０記載の組成物。
【請求項１８】
前記個体が、環境ストレスを受けた造血前駆細胞を有する個体であることを特徴とする請求項１０記載の組成物。
【請求項１９】
前記個体が、貧血を有する個体であることを特徴とする請求項１０記載の組成物。
【請求項２０】
ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質を含有し、造血前駆細胞の動員の促進が必要な個体に投与されることを特徴とする、造血前駆細胞の動員を促進させるための組成物。
【請求項２１】
造血前駆細胞を調製するための組成物であって、
ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質を含有し、造血前駆細胞の増殖、維持、または動員を促進するために個体に投与され、次いで該個体から造血前駆細胞が採取されることを特徴とする組成物。
【請求項２２】
造血前駆細胞が血液から採取されることを特徴とする請求項２１記載の組成物。
【請求項２３】
ＰＴＨで処理された単離間質細胞集団。
【請求項２４】
免疫細胞の拡大を促進させるための組成物であって、ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞およびＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質を含み、免疫細胞にＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞を接触させ、さらに該ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞にＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質を接触させて、免疫細胞の拡大を誘導することを特徴とする組成物。
【請求項２５】
接触がin vitroまたはin vivoで行われることを特徴とする請求項２４記載の組成物。
【請求項２６】
接触がex vivoで行われることを特徴とする請求項２４記載の組成物。
【請求項２７】
ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞においてＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質を含有し、免疫細胞の拡大を必要とする固体に投与されることを特徴とする、個体において免疫細胞の拡大を促進させるための組成物。
【請求項２８】
前記ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を発現している細胞が前駆細胞であることを特徴とする請求項２７記載の組成物。
【請求項２９】
前記ＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体を活性化する物質が、ＰＴＨ、ＰＴＨアナログ、またはＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体作用因子であることを特徴とする請求項２７記載の組成物。
【請求項３０】
前記個体が、Ｂ細胞の拡大を必要とするものであることを特徴とする請求項２７記載の組成物。
【請求項３１】
前記個体が、Ｔ細胞の拡大を必要とするものであることを特徴とする請求項２７記載の組成物。
【請求項３２】
前記個体が、血小板の拡大を必要とするものであることを特徴とする請求項２７記載の組成物。
【請求項３３】
前記個体が、好塩基球の拡大を必要とするものであることを特徴とする請求項２７記載の組成物。
【請求項３４】
前記個体が、好中球の拡大を必要とするものであることを特徴とする請求項２７記載の組成物。
【請求項３５】
前記個体が、マクロファージの拡大を必要とするものであることを特徴とする請求項２７記載の組成物。
【請求項３６】
造血細胞に、骨芽細胞について濃縮した細胞集団を接触させる工程を含むことを特徴とする、造血細胞の増殖または維持をin vitroで促進させる方法。
【請求項３７】
骨芽細胞に、ＰＴＨ、ＰＴＨアナログ、またはＰＴＨ／ＰＴＨｒＰ受容体作用因子を接触させることをさらに含むことを特徴とする請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
造血細胞に、Ｎｏｔｃｈ−１受容体作用因子を接触させることをさらに含むことを特徴とする請求項３６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ信号に応答して、表示される画像のカラー特性を補正する方法であって、
Ａ）前記ビデオ信号を処理して、前記画像を表示する表示装置の物理的特性の変動を予測するステップと、
Ｂ）前記ビデオ信号を処理して、前記物理的特性の変動に応答して生じるカラー特性の変化を測定するステップと、
Ｃ）前記ビデオ信号を変更して、前記カラー特性の変化を補償するステップと、
から成る、前記表示される画像のカラー特性を補正する方法。
【請求項２】
前記表示装置が、カラー受像管を具え、
前記ステップＡ）が、
前記ビデオ信号を処理して、カラー受像管のマスクの温度分布を予測するステップと、
前記温度分布に応答して生じる、前記マスクのアパーチャの最初の位置と相対的な位置の変化を予測するステップと、
から成る、請求項１に記載の表示される画像のカラー特性を補正する方法。
【請求項３】
前記表示装置が、カラー受像管を具え、
前記ステップＢ）が、
前記物理的特性の変動に応答して生じる、電子ビームのレジスタ特性の変化を測定するステップと、
前記レジスタ特性の変化に応答して生じる、カラー特性の変化を測定するステップと、
から成る、請求項１に記載の表示される画像のカラー特性を補正する方法。
【請求項４】
前記ステップＢ）が、
前記マスク内のアパーチャの位置の変化に応答して生じる、電子ビームのレジスタ特性の変化を測定するステップと、
前記レジスタ特性の変化に応答して生じる、カラー特性の変化を測定するステップと、
から成る、請求項２に記載の表示される画像のカラー特性を補正する方法。
【請求項５】
前記温度分布を測定するステップが、
基準温度分布と相対的な温度分布を測定するステップと、
時間に関してカラー受像管のマスク上でのビーム電流の電流密度の分布の効果を積分するステップと、
から成る、請求項２または請求項４に記載の表示される画像のカラー特性を補正する方法。
【請求項６】
前記レジスタ特性の変化を測定するステップが、
ビデオ信号を処理して、マスクを介し投射される複数の電子ビームに関連する空間電荷の反発特性を予測するステップと、
から成る、請求項３または請求項４に記載の表示される画像のカラー特性を補正する方法。
【請求項７】
前記補償するステップが、
カラー特性の変化を補償するために必要な、カラー受像管のビーム電流の変化を測定するステップと、
前記ビデオ信号を変更して、前記ビーム電流の変化を生じさせるためのステップと、
から成る、請求項１、請求項５、または請求項６に記載の表示される画像のカラー特性を補正する方法。
【請求項８】
ビデオ信号に応答して、表示される画像のカラー特性を補正する方法であって、
前記ビデオ信号を処理してカラー受像管のマスクの温度変動を測定するステップと、
前記温度変動に応答してマスクのアパーチャの最初の位置と相対的な位置の変化を測定するステップと、
前記アパーチャの位置の変化に応答して、マスク内のアパーチャを介し投射される電子ビームのレジスタ特性の変化を測定するステップと、
前記レジスタ特性の変化に応答して生じるカラー特性の変化を測定するステップと、
前記ビデオ信号を変更して、前記カラー特性の変化を補正するステップと、
から成る、前記表示される画像のカラー特性を補正する方法。
【請求項９】
前記レジスタ特性の変化を測定するステップが、
前記ビデオ信号を処理して、マスクを介し投射される複数の電子ビームに関連する空間電荷の反発特性を予測するステップから成る、
請求項８に記載の表示される画像のカラー特性を補正する方法。
【請求項１０】
前記補償するステップが、
カラー特性の変化を補償するために必要なカラー受像管のビーム電流の変化を測定するステップと、
前記ビデオ信号を変更して、前記ビーム電流の変化を生じさせるためのステップと、
から成る、請求項８または請求項９に記載の表示される画像のカラー特性を補正する方法。
【請求項１１】
ビデオ信号に応答して、表示される画像のカラー特性を補正する装置であって、
前記ビデオ信号を処理して、前記ビデオ信号に応答して画像を表示する表示装置の物理的特性の変動を予測し、且つ前記ビデオ信号を処理して、前記物理的特性の変動に応答して生じる画像のカラー特性の変化を測定する手段と、
前記ビデオ信号を変更して、前記カラー特性の変化を補償する手段と、
から成る、前記表示される画像のカラー特性を補正する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを処理する方法であって、
第１のバイオメトリック・データおよび第１の個人鍵を受領するステップと、
第１のバイオメトリック・データおよび第１の個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理し、第１の処理済みデータを生成するステップと、
第２のバイオメトリック・データおよび第２の個人鍵を受領するステップと、
第２のバイオメトリック・データおよび第２の個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理し、第２の処理済みデータを生成するステップと、
第２の処理済みデータを第１の処理済みデータと比較するステップと、
第１の処理済みデータに対する第２の処理済みデータの比較に関する信号を生成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
第１のバイオメトリック・データおよび第１の個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理する前に、第１のバイオメトリック・データから第１のバリアントを生成するステップと、
第２のバイオメトリック・データおよび第２の個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理する前に、第２のバイオメトリック・データから第２のバリアントを生成するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１のバイオメトリック・データおよび第２のバイオメトリック・データを不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理する前に、第１のバイオメトリック・データを二次的な不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１のバイオメトリック・データおよび第１の個人鍵にソルトを付加するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第１のバイオメトリック・データおよび第１の個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理する前に、第１の個人鍵を暗号アルゴリズムを用いて処理するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１の主鍵を第１の処理済みデータに関連付けるステップと、
第２の主鍵を第２の処理済みデータに関連付けるステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
第１のバイオメトリック・データおよび第１の個人鍵を受領するステップを登録プロセスの間に行う、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第２のバイオメトリック・データおよび第２の個人鍵を受領するステップを認証プロセスの間に行う、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
信号を生成するステップは、第２の処理済みデータが第１の処理済みデータと一致する場合に確認信号を発するステップを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
確認信号を発するステップは施設またはシステムに対するアクセスを許可する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
データを処理する方法であって、
バイオメトリック・データおよび個人鍵を受領するステップと、
バイオメトリック・データおよび個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理し、処理済みデータを生成するステップと、
処理済みデータを二次的データと比較するステップと
を含む方法。
【請求項１２】
バイオメトリック・データおよび個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理する前に、バイオメトリック・データからバリアントを生成するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
バイオメトリック・データおよび個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理する前に、バイオメトリック・データを二次的な不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
バイオメトリック・データおよび個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理する前に、バイオメトリック・データおよび個人鍵にソルトを付加するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
バイオメトリック・データおよび個人鍵を受領するステップを認証プロセスの間に行う、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
主鍵をバイオメトリック・データおよび個人鍵に関連付けるステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
二次的データは二次的バイオメトリック・データおよび二次的個人鍵を含んでいる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
二次的バイオメトリック・データおよび二次的個人鍵は登録プロセスの間に受領する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
二次的データに対する処理済みデータの比較に対応する信号を生成するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
信号を生成するステップは処理済みデータが二次的データの少なくとも一部分と一致している場合には確認メッセージを発するステップを含んでいる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
コンピュータに、
第１のバイオメトリック・データおよび第１の個人鍵を受領するステップと、
第１のバイオメトリック・データおよび第１の個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理し、第１の処理済みデータを生成するステップと、
第２のバイオメトリック・データおよび第２の個人鍵を受領するステップと、
第２のバイオメトリック・データおよび第２の個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理し、第２の処理済みデータを生成するステップと、
第２の処理済みデータを第１の処理済みデータと比較するステップと、
第１の処理済みデータに対する第２の処理済みデータの比較に関する信号を生成するステップと
を実行させるためのプログラム。
【請求項２２】
コンピュータに、
バイオメトリック・データおよび個人鍵を受領するステップと、
バイオメトリック・データおよび個人鍵を不可逆暗号アルゴリズムを用いて処理し、処理済みデータを生成するステップと、
処理済みデータを二次的データと比較するステップと
を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有するイメージセンサにおいて、各画素が、
光センサ素子であって、当該素子の両端間のセンサ電圧が、当該素子に入射する光に応じて変化する当該光センサ素子と、
１より大きな利得を持つ電圧増幅器と、
前記電圧増幅器により充電されるサンプリングキャパシタと、
を有するイメージセンサ。
【請求項２】
各画素が、前記光センサ素子に接続された画素蓄積キャパシタを有する、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記サンプリングキャパシタの容量が、前記画素蓄積キャパシタの容量の１０倍より少ない、請求項２に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
前記サンプリングキャパシタの容量が、前記画素蓄積キャパシタの容量の２倍より少ない、請求項３に記載のイメージセンサ。
【請求項５】
前記サンプリングキャパシタの容量が、前記画素蓄積キャパシタの容量にほぼ等しい、請求項４に記載のイメージセンサ。
【請求項６】
前記サンプリングキャパシタの容量が０．５ｐＦないし３ｐＦの範囲内であり、前記画素蓄積キャパシタの容量が０．５ｐＦないし３ｐＦの範囲内である、請求項３、４又は５に記載のイメージセンサ。
【請求項７】
前記サンプリングキャパシタの容量が、前記光センサ素子の自己容量の１０倍より少ない、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項８】
前記サンプリングキャパシタの容量が、前記光センサ素子の自己容量の２倍より少ない、請求項７に記載のイメージセンサ。
【請求項９】
前記サンプリングキャパシタの容量が０．５ｐＦないし３ｐＦの範囲内であり、前記光センサ素子の自己容量が０．５ｐＦないし３ｐＦの範囲内である、請求項７又は８に記載のイメージセンサ。
【請求項１０】
前記電圧増幅器の利得が２ないし５の範囲内である、請求項１ないし９の何れか一項に記載のイメージセンサ。
【請求項１１】
前記電圧増幅器が、電力線の間に直列に第１トランジスタ及び第２トランジスタを有し、前記光センサ素子が前記トランジスタの一方のトランジスタのゲートに接続され、バイアス電圧が前記トランジスタの他方のトランジスタのゲートに接続され、前記電圧増幅器の出力が、前記第１トランジスタと前記第２トランジスタとの間の接続部で定められる、請求項１ないし１０の何れか一項に記載のイメージセンサ。
【請求項１２】
前記電圧増幅器の出力部が、前記サンプリングキャパシタの一方の端子に接続され、前記サンプリングキャパシタの他方の端子が、出力側スイッチを介して前記画素の出力部に接続される、請求項１１に記載のイメージセンサ。
【請求項１３】
各画素が、前記光センサ素子の両端間に固定電位を印加する入力側スイッチを有する、請求項１ないし１２の何れか一項に記載のイメージセンサ。
【請求項１４】
それぞれイメージセンサの画素を形成する複数の光センサ素子を使用して検出されるべき画像の光強度を測定する方法であって、前記素子の両端間のセンサ電圧が前記素子に入射する光に応じて変化する方法において、
１より大きな利得を持つ画素内電圧増幅器を使用して前記センサ電圧を増幅するステップと、
前記増幅された電圧でサンプリングキャパシタを充電し、前記サンプリングキャパシタを充電するのに要する電荷の流れを測定するステップと、
を有する方法。
【請求項１５】
リセット動作が、前記センサ電圧を増幅する前に実行され、前記リセット動作が、前記サンプリングキャパシタの一方の端子に既知の電位を印加するステップと、前記センサ素子の両端間に既知の電位を印加するステップとを有し、前記増幅された電圧が、この後に前記サンプリングキャパシタの他方の端子に印加される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記サンプリングキャパシタの容量が、前記画素の画素蓄積キャパシタの容量の１０倍より少ない、請求項１４又は１５の何れか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記サンプリングキャパシタの容量が、前記画素蓄積キャパシタの容量の２倍より少ない、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記サンプリングキャパシタの容量が、前記画素蓄積キャパシタの容量とほぼ等しい、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記電圧増幅器の利得が２ないし５の範囲内である、請求項１４ないし１８の何れか一項に記載の方法。