【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に像を形成する方法であって、次の段階、すなわち
（ａ）上記基材上に、感放射線反射防止膜組成物からなる第一の層をコーティングする段階、
（ｂ）  反射防止膜組成物からなる上記第一の層の上に、フォトレジスト組成物からなる第二の層をコーティングする段階、
（ｃ）  段階（ｂ）からの被覆された基材を化学線に選択的に露光する段階、及び
（ｄ）  段階（ｃ）からの被覆及び露光された基材を現像して像を形成する段階、
を含み、この際、上記フォトレジスト組成物及び反射防止膜組成物の双方とも、段階（ｃ）で露光され；  双方とも単一の現像剤を用いて段階（ｄ）で現像され；  段階（ａ）の反射防止膜組成物は、約８％固形物までの固形物含有率及び最大でλ／２ｎの被覆された基材の被膜厚を有するファーストミニマム底面反射防止膜（Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）組成物であり、前記式中、λは、段階（ｃ）の化学線の波長であり、そしてｎは、Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．組成物の屈折率である、上記方法。
【請求項２】
感放射線反射防止膜組成物及びフォトレジスト組成物がポジ型組成物からなり、ここで、前記反射防止膜組成物及びフォトレジスト組成物は最初は現像剤中に不溶性であるが、化学線に露光されると現像剤可溶性になる、請求項１の方法。
【請求項３】
感放射線反射防止膜組成物及びフォトレジスト組成物がネガ型組成物からなり、ここで前記反射防止膜組成物及びフォトレジスト組成物は最初は現像剤中に可溶性であるが、化学線に露光されると現像剤不溶性になる、請求項１の方法。
【請求項４】
Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．組成物が、実質的に架橋されておらず、そしてフォトレジスト溶剤中に不溶性である、請求項１〜３のいずれか一つの方法。
【請求項５】
段階（ａ）の被覆された基材を、段階（ｂ）の前に、４０℃〜２４０℃の温度で、３分より短い時間、ベーク処理することを更に含む、請求項１〜４のいずれか一つの方法。
【請求項６】
ベーク処理工程が、実質的に架橋段階を含まない、請求項５の方法。
【請求項７】
ファーストミニマムＢ．Ａ．Ｒ．Ｃ．組成物が、１５７ｎｍ及び１９３ｎｍで露光する場合には最大で約５０ｎｍの被膜厚を、２４８ｎｍで露光する場合には最大で７０ｎｍの被膜厚を、そして３６５ｎｍで露光する場合には最大で１２０ｎｍの被膜厚を有する、請求項１〜６のいずれか一つの方法。
【請求項８】
像がアンダーカット及びフッティングを実質的に含まない、請求項１〜７のいずれか一つの方法。
【請求項９】
ファーストミニマムＢ．Ａ．Ｒ．Ｃ．組成物が染料を含む、請求項１〜８のいずれか一つの方法。
【請求項１０】
染料がポリマーに結合しているものである、請求項９の方法。
【請求項１１】
染料がポリマーに結合していないものである、請求項９の方法。
【請求項１２】
ファーストミニマムＢ．Ａ．Ｒ．Ｃ．組成物が、Ｎ−メチルマレイミド、メバロノラクトンメタクリレート（ＭＬＭＡ）、２−メチルアダマンチルメタクリレート（ＭＡｄＭＡ）、ベンジルメタクリレート、９−アントリルメチルメタクリレート（ＡＭＭＡ）、スチレン、ヒドロキシスチレン、アセトキシスチレン、安息香酸ビニル、４−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸ビニル、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、フェノキシプロピルアクリレート、２−（４−ベンゾイル−３−ヒドロキシフェノキシ）エチルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、フェニルメタクリレート、９−ビニルアントラセン、２−ビニルナフタレン、Ｎ−ビニルフタルイミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ）フェニルメタクリルアミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−ヒドロキシカルボニルフェニルアゾ）フェニルメタクリルアミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−エトキシカルボニルフェニルアゾ）フェニルメタクリルアミド、Ｎ−（２，４−ジニトロフェニルアミノフェニル）マレイミド、３−（４−アセトアミノフェニル）アゾ−４−ヒドロキシスチレン、３−（４−エトキシカルボニルフェニル）アゾ−アセトアセトキシエチルメタクリレート、３−（４−ヒドロキシフェニル）アゾ−アセトアセトキシエチルメタクリレート、及び３−（４−スルホフェニル）アゾアセトアセトキシエチルメタクリレートのテトラヒドロアンモニウムスルフェート塩からなる群から選択される少なくとも一種のモノマーから誘導されるポリマーを含む、請求項１〜１１のいずれか一つの方法。
【請求項１３】
ファーストミニマムＢ．Ａ．Ｒ．Ｃ．組成物が、Ｎ−メチルマレイミド、ＭＬＭＡ及びＭＡｄＭＡからなるターポリマーを含む、請求項１〜１２のいずれか一つの方法。
【請求項１４】
段階（ｄ）の前に、段階（ｃ）の被覆された基材をベーク処理することを更に含む、請求項１〜１３のいずれか一つの方法。
【請求項１５】
段階（ｃ）における現像を、水性塩基性現像剤を用いて行う、請求項１〜１４のいずれか一つの方法。
【請求項１６】
現像剤が、金属イオン不含の水性水酸化物である、請求項１〜１５のいずれか一つの方法。
【請求項１７】
金属イオン不含の水性水酸化物が、テトラアルキルアンモニウム水酸化物である、請求項１６の方法。
【請求項１８】
テトラアルキルアンモニウム水酸化物が、テトラメチルアンモニウム水酸化物である、請求項１７の方法。
【請求項１９】
基材が半導体基材である、請求項１〜１８のいずれか一つの方法。
【請求項２０】
段階（ｃ）における化学線の波長が約１４５ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲である、請求項１〜１９のいずれか一つの方法。
【請求項２１】
波長が１９３ｎｍである、請求項２０の方法。
【請求項２２】
波長が２４８ｎｍである、請求項２０の方法。
【請求項２３】
波長が１５７ｎｍである、請求項２０の方法。
【請求項２４】
フォトレジスト組成物が、アクリレートもしくはメタクリレートポリマーを含む、請求項１〜２０のいずれか一つの方法。
【請求項２５】
フォトレジスト組成物が、シクロオレフィン／無水マレイン酸コポリマーを含む、請求項１〜２０のいずれか一つの方法。
【請求項２６】
フォトレジストが、ポリヒドロキシスチレンまたは保護されたポリヒドロキシスチレンポリマーを含む、請求項１〜２０のいずれか一つの方法。
【請求項２７】
上面にコーティングされるフォトレジストと一緒に水性アルカリ性現像剤中で単一の段階で現像可能な、ポリマー含有感放射線光結像性反射防止膜組成物であって、約８％固形物までの固形物含有率を有し、かつフォトレジスト層の下に、最大λ／２ｎの膜厚で反射防止膜層を形成できるものであり、この際、λは露光波長であり、ｎは反射防止膜組成物の屈折率でありそして最小膜厚は０よりも大きい、前記反射防止膜組成物。
【請求項２８】
最初は現像剤中に不溶性であるが、化学線に露光された後は現像剤可溶性になる、請求項２７の反射防止膜組成物。
【請求項２９】
最初は現像剤中に可溶であるが、化学線に露光された後は現像剤不溶性になる、請求項２７の反射防止膜組成物。
【請求項３０】
更に感光性化合物を含む、請求項２７〜２９のいずれか一つの反射防止膜組成物。
【請求項３１】
反射防止膜層が潜像を形成し得るものである、請求項２７〜３０のいずれか一つの反射防止膜組成物。
【請求項３２】
更に染料を含む、請求項２７〜３１のいずれか一つの反射防止膜組成物。
【請求項３３】
染料がポリマーに結合しているものである、請求項３２の反射防止膜組成物。
【請求項３４】
染料がポリマーに結合していないものである、請求項３２の反射防止膜組成物。
【請求項３５】
ポリマーが置換された芳香族部分または置換されていない芳香
族部分を含むものである、請求項２７〜３４のいずれか一つの反射防止膜組成物。
【請求項３６】
芳香族部分が、アントラセン、ナフタレン及び複素環から選択される、請求項３５の反射防止膜組成物。
【請求項３７】
芳香族部分が、スチレン類、ナフタレン類、ベンジルメタクリレート類、アントラセン類、ビスフェニル類、アントラキノン類、ヒドロキシ置換芳香族アゾ染料、及び複環式芳香族類から選択される、請求項３５の反射防止膜組成物。
【請求項３８】
ポリマーが、Ｎ−メチルマレイミド、メバロノラクトンメタクリレート（ＭＬＭＡ）、２−メチルアダマンチルメタクリレート（ＭＡｄＭＡ）、ベンジルメタクリレート、９−アントリルメチルメタクリレート（ＡＭＭＡ）、スチレン、ヒドロキシスチレン、アセトキシスチレン、安息香酸ビニル、４−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸ビニル、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、フェノキシプロピルアクリレート、２−（４−ベンゾイル−３−ヒドロキシフェノキシ）エチルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、フェニルメタクリレート、９−ビニルアントラセン、２−ビニルナフタレン、Ｎ−ビニルフタルイミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ）フェニルメタクリルアミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−ヒドロキシカルボニルフェニルアゾ）フェニルメタクリルアミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−エトキシカルボニルフェニルアゾ）フェニルメタクリルアミド、Ｎ−（２，４−ジニトロフェニルアミノフェニル）マレイミド、３−（４−アセトアミノフェニル）アゾ−４−ヒドロキシスチレン、３−（４−エトキシカルボニルフェニル）アゾ−アセトアセトキシエチルメタクリレート、３−（４−ヒドロキシフェニル）アゾ−アセトアセトキシエチルメタクリレート、及び３−（４−スルホフェニル）アゾアセトアセトキシエチルメタクリレートのテトラヒドロアンモニウムスルフェート塩からなる群から選択される少なくとも一種のモノマーから誘導される、請求項２７〜３７のいずれか一つの反射防止膜組成物。
【請求項３９】
反射防止膜組成物が架橋性組成物である、請求項２７〜３８のいずれか一つの反射防止膜組成物。
【請求項４０】
反射防止膜組成物が非架橋性組成物である、請求項２７〜３８のいずれか一つの反射防止膜組成物。
【請求項４１】
露光波長が、約１４５ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲である、請求項２７〜４０のいずれか一つの反射防止膜組成物。
【請求項４２】
露光波長が、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１５７ｎｍから選択される、請求項４１の反射防止膜組成物。
【請求項４３】
現像剤が、テトラメチルアンモニウム水酸化物の水溶液である、請求項２７〜４２のいずれか一つの反射防止膜組成物。