(57)【要約】【課題】  製品品位の低下やコスト的な不利益が無く、しかもダイシング時の糸状屑の発生の少ないダイシング用粘着シートと、当該ダイシング用粘着シートを用いたダイシング方法を提供する。【解決手段】  基材１１の少なくとも片面に粘着剤層１２を有するダイシング用粘着シート１０であって、前記基材１１は、融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層１１ａを有する多層構造であり、前記層１１ａの厚さが、基材１１の総厚みの１／２以上であることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも片面に粘着剤層を有するダイシング用粘着シートであって、
前記基材は、融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、
前記層の厚さが、基材の総厚みの１／２以上であることを特徴とするダイシング用粘着シート。
【請求項２】
基材の少なくとも片面に粘着剤層を有するダイシング用粘着シートであって、
前記基材は、融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、かつ、前記粘着剤層と接する側に架橋構造を有する層を備えることを特徴とするダイシング用粘着シート。
【請求項３】
前記エチレン系樹脂の１９０℃に於けるメルトフローレートは、１．５ｇ／１０ｍｉｎ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイシング用粘着シート。
【請求項４】
前記基材の総厚みは１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のダイシング用粘着シート。
【請求項５】
前記粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤を含み構成されたものであることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のダイシング用粘着シート。
【請求項６】
ダイシング用粘着シートが貼り合わされた被切断体を、該ダイシング用粘着シートの基材まで切り込みを行なうことによりダイシングするダイシング方法であって、
前記ダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有しており、
前記基材は、融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、
前記層の厚さが、基材の総厚みの１／２以上のものを使用することを特徴とするダイシング方法。
【請求項７】
ダイシング用粘着シートが貼り合わされた被切断体を、該ダイシング用粘着シートの基材まで切り込みを行なうことによりダイシングするダイシング方法であって、
前記ダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有しており、
前記基材は、融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、かつ、前記粘着剤層と接する側に架橋構造を有する層を備えたものを使用することを特徴とするダイシング方法。
【請求項８】
前記ダイシングを行った後、切断後の被切断体小片をダイシング用粘着シートからピックアップする工程を含むことを特徴とする請求項６または７に記載のダイシング方法。
【請求項９】
前記ダイシングに於いて使用するダイシングブレードに、メタルをボンド材とするダイヤモンドブレードを用いることを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載のダイシング方法。
【請求項１０】
前記被切断体は、半導体パッケージであることを特徴とする請求項６〜９の何れか１項に記載のダイシング方法。
【請求項１１】
請求項６〜１０の何れか１項に記載のダイシング方法に於いて、前記被切断体をダイシングすることにより得られた被切断体小片。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング用粘着シートに関する。さらには当該ダイシング用粘着シートを用いてダイシングを行なう方法、当該ダイシング方法により得られる被切断体小片に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン、ガリウム、砒素などを材料とする半導体ウェハは、大径の状態で製造された後、素子小片に切断分離（ダイシング）され、更にマウントされた後、パッケージングされる。このパッケージングでは、通常、複数個のチップが一度にパッケージングされ、更にこの半導体パッケージをダイシング、ピックアップして個々の半導体チップにする。半導体パッケージは、粘着シートに貼り付け固定された状態で、ダイシング工程、洗浄工程、エキスパンド工程、ピックアップ工程の各工程が施される。粘着シートとしては、プラスチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤が１〜２００μｍ程度が塗布されてなるものが一般的に用いられている。
【０００３】
半導体パッケージのダイシング工程は、通常、回転しながら移動する丸刃を用いて行なわれる。その際、丸刃の切り込みは、半導体パッケージを保持するダイシング用粘着シートの基材内部に到達する様に行われる。このとき粘着シートの基材内部まで切込みが行なわれると、基材であるプラスチックフィルム自身が糸状となった切断屑が発生する。この糸状屑がパッケージ（被切断体）側面などに付着すると、付着した糸状屑は、そのまま後工程においてされて実装されてしまう。その結果、糸状屑が電子回路の品質を著しく低下させる原因になるという問題があった。
【０００４】
糸状屑の発生メカニズムは、次の通りである。即ち、特開２００１−７２９４７号公報（特許文献１）にもある通り、ダイシングブレードが被切断体を切断する際の摩擦で熱せられ、それが基材フィルムに切込むことにより基材フィルムを構成する樹脂が溶融する。溶融した樹脂は、ダイシングブレードの回転により巻き上げられた後、切削冷却水で冷却固化し糸状屑となる。従来行なわれていたシリコンウェハのダイシングにおいては、例えば特開平１１−４３６５６号公報（特許文献２）及び特開２００３−７６５４号公報（特許文献３）等にあるようなポリプロピレンを主たる構成成分とする基材フィルムが糸状屑発生の抑制に有効であった。これはポリプロピレンの融点が高く、熱せられたダイシングブレードによって溶融することが少ない為であったと推定される。
【０００５】
また、この様な糸状屑の問題を解決する手段として、前記先行技術の他に、例えば下記特開平５−１５６２１４号公報（特許文献４）及び特開平５−２１１２３４号公報（特許文献５）等に開示されている方法も挙げられる。
【０００６】
しかし、特許文献２、４及び５に開示されている先行技術では、シリコンウェハのダイシング時に於ける糸状屑発生の問題は解決できたとしても、半導体パッケージのダイシングについてはこれを解消できない。
【０００７】
即ち、特開平１１−４３６５６号公報（特許文献２）では、粘着シートの基材フィルムとして無延伸ポリプロピレンフィルムを用いることが提案されている。この方法は、シリコンウェハのダイシングについては糸状屑の発生を抑えることはできるが、本願発明者らの検討の結果、半導体パッケージのダイシングについては、その効果が十分でないことを確認した。また、エキスパンド性が無い等、作業性に於いても問題があった。
【０００８】
特開平５−１５６２１４号公報（特許文献４）では、基材としてエチレン−メタクリレート共重合体を用いた粘着シートが提案されている。しかしこの粘着シートは、シリコンダイシングでは多少糸状屑の発生を抑制するものの、半導体ウェハの製造における要求レベルを満たしうるものではない。また、半導体パッケージダイシングにおいては全くと言えるほどその効果が無い。
【０００９】
特開平５−２１１２３４号公報（特許文献５）では、基材フィルムに１〜８０ＭＲａｄの電子線又はγ線等の放射線を照射した架橋フィルムを用いた粘着シートが提案されている。この粘着シートは、基材フィルムの厚みが８０〜１００μｍ程度である場合には、シリコンウェハのダイシングに於いてある程度糸状屑の発生を抑制するという効果が認められる。しかし、基材フィルムの厚みが１２０μｍ以上、特に１５０〜３００μｍの場合、半導体パッケージをダイシングすると糸状屑が発生する。これは、基材フィルムの最表面はある程度架橋されるが、基材フィルム内部については放射線によって十分に架橋されていないことに起因する。
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−７２９４７号公報
【特許文献２】特開平１１−４３６５６号公報
【特許文献３】特開２００３−７６５４号公報
【特許文献４】特開平５−１５６２１４号公報
【特許文献５】特開平５−２１１２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであり、製品品位の低下やコスト的な不利益が無く、しかもダイシング時の糸状屑の発生の少ないダイシング用粘着シートを提供することを目的とする。さらには、当該ダイシング用粘着シートを用いたダイシング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、前記課題を解決すべくダイシング用粘着シートを構成する基材フィルムについて鋭意検討した。その結果、エチレン系樹脂を含み、かつ融点９５℃以下の層を備えた多層構造の基材フィルムを採用することにより、ダイシングの際に糸状屑の発生を低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
即ち、前記の課題を解決する為に、本発明に係るダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有するダイシング用粘着シートであって、前記基材は、融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、前記層の厚さが、基材の総厚みの１／２以上であることを特徴とする。
【００１４】
融点の高い樹脂（例えば、ポリプロピレン等）等を主成分とする基材を備えたダイシング用粘着シートを用いる場合でも、例えば半導体パッケージをダイシングするときに、ダイシングブレードと被切断体との間に生じる摩擦熱がその融点よりも高くなる場合がある。半導体パッケージは、シリコンウェハ等と比較して厚みが大きく、ダイシングブレードも厚みの大きいものを使用するので、ダイシングブレードと半導体パッケージとの間の摩擦が大きくなるからである。
【００１５】
本発明に係るダイシング用粘着シートであると、基材として融点９５℃以下のエチレン系樹脂を含む層を有する多層構造のものを用いて、該基材の溶融時の溶融粘度を十分に下げるようにする。これにより、前記層がダイシングブレードの回転によって巻き上げられても、溶融張力により糸状に伸びる状態が起こらず、液体のような飛散を可能にすることで、糸状屑の発生を顕著に抑制することができる。
【００１６】
また、前記の課題を解決する為に、本発明に係るダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有するダイシング用粘着シートであって、前記基材は、融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、かつ、前記粘着剤層と接する側に架橋構造を有する層を有することを特徴とする。
【００１７】
前記基材が、融点９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を備える場合でも、ダイシングブレードの回転によって巻き上げられたときに、その層の溶融時の溶融粘度が十分に下がらず、溶融張力により糸状に伸びて、いわゆるヒゲが発生することがある。これは、ダイシング刃が被切断体を切断し終えると、被切断体が無くなったことによって、ダイシング刃の温度が低下することに起因する。この様なヒゲは被切断体と直接接するものではないが、ダイシング中に千切れた場合、切削水で流される等して被切断体に付着することがある。しかし、前記構成の様に、ダイシング刃により切断されてしまう部分に架橋構造を有する層を位置させることで、前記の様なヒゲの発生を抑制することができる。また、ダイシング刃の切り込み深さが大きい場合であっても、架橋構造を有する層の下には融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層が設けられていることから、糸状屑の発生も抑制できる。
【００１８】
前記の各構成に於いて、前記エチレン系樹脂の１９０℃に於けるメルトフローレートは、１．５ｇ／１０ｍｉｎ以上であることが好ましい。
【００１９】
前記エチレン系樹脂の１９０℃に於けるメルトフローレートが１．５ｇ／１０ｍｉｎ以上であると、溶融時の流動性を大きくすることができる。その結果、溶融張力を一層低減し、前記の層を構成する樹脂が糸状に伸びるのを更に抑制できる。
【００２０】
前記の各構成に於いて、前記基材の総厚みは１００μｍ以上であることが好ましい。
【００２１】
前記構成は、粘着シートに十分な厚みを持たせるべく基材の層厚みを１００μｍ以上にするものである。これにより、半導体パッケージのダイシングの際にダイシングブレードを粘着シートに十分に切り込むことができる。その結果、半導体パッケージに対する切断品位の向上が可能な粘着シートを提供できる。
【００２２】
前記の各構成に於いて、前記粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤を含み構成されたものであることが好ましい。
【００２３】
放射線硬化型粘着剤により形成された粘着剤層を用いれば、放射線を照射することにより粘着力を低下させることが出来、半導体パッケージ等を切断分離した後に、半導体パッケージ等の剥離を容易に行なうことができる。
【００２４】
また、前記の課題を解決する為に、本発明に係るダイシング方法は、ダイシング用粘着シートが貼り合わされた被切断体を、該ダイシング用粘着シートの基材まで切り込みを行なうことによりダイシングするダイシング方法であって、前記ダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有しており、前記基材は、融点９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、前記層の厚さが、基材の総厚みの１／２以上のものを使用することを特徴とする。
【００２５】
前記方法であると、ダイシング時に於けるダイシングブレードの摩擦熱により基材に於ける粘着剤層側の層が溶融し、該層を構成する樹脂がダイシングブレードの回転によって巻き上げられても、該層を構成する樹脂の融点が９５℃以下であり溶融粘度が十分に小さい為、溶融張力により樹脂が糸状に伸びるのを低減する。即ち、液体のように飛散するので糸状屑の発生を顕著に抑制できる。その結果、例えば糸状屑が被切断体に付着したまま実装されることにより、被切断体の品質が著しく低下するのを抑制し、歩留まりの向上を図ることができる。
【００２６】
また、前記の課題を解決する為に、本発明に係るダイシング方法は、ダイシング用粘着シートが貼り合わされた被切断体を、該ダイシング用粘着シートの基材まで切り込みを行なうことによりダイシングするダイシング方法であって、前記ダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有しており、前記基材は、融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、かつ、前記粘着剤層と接する側に架橋構造を有する層を備えたものを使用することを特徴とする。
【００２７】
前記方法であると、ダイシング用粘着シートとして、基材が粘着剤層と接する側に架橋構造を有する層を備えたものを使用するので、ダイシング刃が被切断体を切断し終えたときに、被切断体が無くなったことによって、ダイシング刃の温度が低下した場合にも、いわゆるヒゲが発生するのを抑制することができる。加えて、ダイシング刃の切り込み深さが大きい場合であっても、架橋構造を有する層の下には融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層が設けられていることから、糸状屑の発生も抑制できる。その結果、ダイシング中に千切れたヒゲや、糸状屑が被切断体に付着したまま実装されることにより、被切断体の品質が著しく低下するのを抑制し、歩留まりの向上を図ることができる。
【００２８】
前記各方法に於いては、前記ダイシングを行った後、切断後の被切断体小片をダイシング用粘着シートからピックアップする工程を含むことができる。
【００２９】
これにより、ダイシング工程からピックアップ工程までを同一の粘着シートで行なうことが可能となり、生産効率の向上が図れる。
【００３０】
また、前記各方法に於いては、前記ダイシングに於いて使用するダイシングブレードに、メタルをボンド材とするダイヤモンドブレードを用いることが好ましい。
【００３１】
前記の方法によれば、ボンド材としてメタルを使用すると、ダイシング時に於ける切断の発熱を大きくできる。これにより、融点が９５℃以下の層を構成する樹脂の溶融粘度が下がり、糸状屑生成を一層抑制できる。
【００３２】
また、前記被切断体が半導体パッケージである場合に、本発明に係るダイシング方法が最も効果を奏する。
【００３３】
前記の方法であると、糸状屑の発生を低減するので、半導体装置の品質を劣化することなく歩留まりの向上が図れる。
【００３４】
また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る被切断体小片は、前記に記載のダイシング方法に於いて、前記被切断体をダイシングすることにより得られたものである。
【００３５】
前記に記載のダイシング方法により製造された被切断体小片は糸状屑の付着がなく、優れた品質を有する。
【発明の効果】
【００３６】
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。  
即ち、本発明によれば、融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を粘着剤層側に設けることにより、ダイシング時に発生する基材の糸状屑の発生を低減し、歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
（ダイシング用粘着シート）
本発明の実施の形態に係るダイシング用粘着シートについて、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。図１（ａ）は、本実施の形態に係るダイシング用粘着シート（以下、粘着シートと言う）の概略を示す断面模式図である。
【００３８】
図１（ａ）に示すように、粘着シート１０は、基材フィルム１１の片面に粘着剤層１２及びセパレータ１３が順次積層された構成である。
【００３９】
前記基材フィルム（基材）１１は、粘着剤層１２等の支持母体となるものであり、少なくとも内層１１ａと外層１１ｂとから構成される多層フィルムである。内層１１ａは、粘着剤層１２に対向する様に設けられている。
【００４０】
前記内層１１ａは、融点が９５℃以下のエチレン系樹脂を含む層である。但し、該エチレン系樹脂の融点は４０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることがより好ましい。融点が低すぎると、内層１１ａの製膜や、室温での保管が困難となる場合があるからである。エチレン系樹脂としては特に限定されるものではなく、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アイオノマー樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、エチレンとα−オレフィンとの共重合体等が挙げられる。なお、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体とは、エチレン−アクリル酸共重合体及び／又はエチレン−メタクリル酸共重合体をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００４１】
内層１１ａに含まれる他の構成材料としては特に限定されるものではなく、例えば低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ＳＥＢＳ、ＳＥＰＳ等が例示できる。
【００４２】
前記外層１１ｂとしては特に限定されるものではなく、例えば、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−αオレフィン共重合体等が例示できる。
【００４３】
前記エチレン系樹脂の含有率としては、好ましくは４０％ｗｔ以上、更に好ましくは５０ｗｔ％以上、特に好ましくは６０ｗｔ％以上である。エチレン系樹脂の含有率を前記範囲内とすることにより、内層１１ａの溶融時の溶融粘度を十分に下げるようにする。その結果、内層１１ａがダイシングブレードの回転によって巻き上げられても、溶融張力により糸状に伸びるのを防止する。
【００４４】
前記エチレン系樹脂は、１９０℃におけるメルトフローレートが１．５ｇ／１０ｍｉｎ以上であることが好ましく、２ｇ／１０ｍｉｎ以上であることがより好ましい。メルトフローレートを１．５ｇ／１０ｍｉｎ以上とすることにより、内層１１ａの溶融時に於ける流動性を高くすることができる。但し、メルトフローレートの上限値は、フィルムの製膜性を考慮すると、１２ｇ／１０ｍｉｎ以下である。
【００４５】
前記基材フィルム１１の厚さは、通常１００〜５００μｍの範囲内であることが好ましい。しかし、ダイシングの際のダイシングブレードを粘着シート１０に十分に切り込ませるには、粘着シート１０に十分な厚みを付与すべく、１２０μｍ以上であることがより好ましい。被切断体にダイシングが不十分な部分ができるのを防止して、切断品位を高いレベルで維持する為である。
【００４６】
ここで、内層１１ａの厚さは、基材フィルム１１の総厚みの１／２以上であることが好ましい。基材フィルム１１の厚さを考慮すると、より詳細には５０μｍ以上、２５０μｍ未満の範囲内とするのが好ましい。また、基材フィルム１１における内層１１ａは、半導体パッケージのダイシング時にダイシングブレードが到達する位置に設ける必要がある。よってかかる観点からは、内層１１ａは粘着剤層１２に接し、かつその厚みが８０μｍ以上あることが好ましい。
【００４７】
基材フィルム１１は、無延伸のものを用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。また、その表面には、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理（化学架橋（シラン結合））などの慣用の物理的または化学的処理を施すことができる。
【００４８】
粘着剤層１２を構成する粘着剤としては、一般的に使用されている感圧性の粘着剤を使用できる。具体的には、例えばアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル等の各種粘着剤が挙げられる。なかでも、被切断体としての半導体ウェハや半導体パッケージに対する接着性、剥離後の半導体ウェハ等の超純水やアルコール等の有機溶剤による洗浄性などの点から、（メタ）アクリル系ポリマーをベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。
【００４９】
前記（メタ）アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、イソノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどの炭素数１〜３０のアルキル基、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）、（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル（例えば、ヒドロキシエチルエステル、ヒドロキシブチルエステル、ヒドロキシヘキシルエステル等）、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、（メタ）アクリル酸アミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート等）、酢酸ビニル、スチレンの１種又は２種以上を単量体成分として用いた（メタ）アクリル系ポリマーなどが挙げられる。
【００５０】
前記（メタ）アクリル系ポリマーは凝集力、接着性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましく、さらに好ましくは１５重量％以下である。
【００５１】
さらに、前記（メタ）アクリル系ポリマーは、これを架橋させるため、多官能性モノマーなども必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。ベースポリマーを架橋させることにより、粘着剤層の自己保持性が向上するので粘着シートの大きな変形を防止でき、粘着シート１０の平板状態を維持しやすくなる。
【００５２】
多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００５３】
前記（メタ）アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は二種以上のモノマー混合物を重合することにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合等の何れの方式で行うこともできる。特に、紫外線や電子線などの放射線を照射して重合する場合には、ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーにモノマー成分と光重合開始剤とを配合して得られる液状組成物をキャストして光重合させることにより（メタ）アクリル系ポリマーを合成することが好ましい。
【００５４】
前記ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーは、数平均分子量が５００〜１０万程度、好ましくは１０００〜３万のものであり、かつエステル・ジオールを主骨格とする２官能化合物である。また、モノマー成分としては、モルホリン（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、メトキシ化シクロデカトリエン（メタ）アクリレート等が挙げられる。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーとモノマー成分との混合比は、オリゴマー：モノマー成分＝９５〜５：５〜９５（重量％）であることが好ましく、さらに好ましくは５０〜７０：５０〜３０（重量％）である。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーの含有量が多いと液状組成物の粘度が高くなって重合が困難となる傾向にある。
【００５５】
粘着剤層１２は被切断体等の汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量は、２０万〜３００万程度が好ましく、さらに好ましくは２５万〜１５０万程度である。
【００５６】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーである（メタ）アクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、１〜５重量部程度配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により前記成分の他に従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
【００５７】
また、前記粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤を使用できる。放射線硬化型粘着剤は炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、紫外線照射によって粘着力が低下する紫外線硬化型粘着剤が望ましい。かかる粘着剤層１２によれば、バックグラインド（研削）工程後またはダイシング工程後に紫外線照射によって、粘着シート１０の剥離を容易に行うことができる。
【００５８】
紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、前記（メタ）アクリル酸エステルの単独重合又は共重合性コモノマーとの共重合体（アクリル系ポリマー）と紫外線硬化成分（前記アクリルポリマーの側鎖に炭素−炭素二重結合を付加させたものでもよい）と、光重合開始剤と、必要に応じて、架橋剤、粘着付与剤、充填剤、老化防止剤、着色剤等の慣用の添加剤とにより構成できる。
【００５９】
前記紫外線硬化性の成分としては、分子中に炭素−炭素二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能なモノマー、オリゴマー、またはポリマーであればよい。具体的には、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル；エステルアクリレートオリゴマー；２−プロペニルジ−３−ブテニルシアヌレート、２−ヒドロキシエチルビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレートなどのイソシアヌレート又はイソシアヌレート化合物などが挙げられる。なお、アクリル系ポリマーとして、ポリマー側鎖に炭素−炭素二重結合を有する紫外線硬化型ポリマーを使用する場合においては、特に上記紫外線硬化成分を加える必要はない。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、粘着剤を構成する（メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば２０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０重量部程度である。
【００６０】
また、放射線硬化性の粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、或いは多くを含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することがない。これにより、安定した層構造の粘着剤層１２を形成することができる。
【００６１】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、（メタ）アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。（メタ）アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示した（メタ）アクリル系ポリマーが挙げられる。
【００６２】
前記（メタ）アクリル系ポリマーに於けるポリマー側鎖に炭素−炭素二重結合を導入すると、分子設計が容易となる。炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できる。例えば、予め（メタ）アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法が挙げられる。
【００６３】
これらの官能基の組合せ例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基は（メタ）アクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、（メタ）アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。また、（メタ）アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、またはジエチレングルコールモノビニルエーテルなどのエーテル系化合物を共重合したものが挙げられる。
【００６４】
前記内在型の放射線硬化型粘着剤としては、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特に（メタ）アクリル系ポリマー）を単独で使用することができる。また、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等の配合量は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部以下であり、好ましくは１０重量部以下である。
【００６５】
前記重合開始剤としては、その重合反応の引き金となり得る適当な波長の紫外線を照射することにより開裂しラジカルを生成する物質であれば良い。具体的には、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ペンゾインイソブチルエーテル等のペンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等の芳香族ケトン類；ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン；クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントンなどのチオキサントン類などが挙げられる。重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成する（メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、０．１〜２０重量部程度であり、好ましくは１〜１０重量部である。
【００６６】
一方、前記加熱剥離型粘着剤としては、前記一般的な感圧性粘着剤に熱膨張性微粒子が配合された熱発泡型粘着剤が挙げられる。物品の接着目的を達成したのち熱膨張性微粒子を含有する感圧接着剤を加熱することで粘着剤層１２が発泡もしくは膨張して粘着剤層１２表面が凹凸に変化し、被着体との接着面積の減少により接着力低減し、物品を容易に分離できるようにしたものであり、電子物品やその材料等の加工時における固定や、搬送等の物流など、多種多様な目的で用いられている。
【００６７】
熱膨張性微粒子については特に限定はなく、剥離開始温度が低いものと剥離開始温度が高いものの異なる剥離開始温度を持つ組み合わせになるように種々の無機系や有機系の熱膨張性微小球を選択使用することができる。この２種類の熱膨張性微小球の剥離開始温度差は、熱膨張性微小球の感温特性等の処理精度に応じて適宜に決定されるが、一般には２０〜７０℃、好ましくは３０〜５０℃の温度差とされる。
【００６８】
熱発泡型粘着剤は、熱による熱膨張性微粒子の発泡により接着面積が減少して剥離が容易になるものであり、熱膨張性微粒子の平均粒子径は１〜２５μｍ程度のものが好ましい。より好ましくは５〜１５μｍであり、特に１０μｍ程度のものが好ましい。
【００６９】
熱膨張性微粒子としては、加熱下に膨張する素材を特に制限なく使用できるが、熱膨張性物質をマイクロカプセル化してなる膨張性微粒子は、混合操作が容易であるなどの点から好ましく用いられる。例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球であればよい。前記穀は、通常、熱可塑性物質、熱溶融性物質、熱膨張により破裂する物質などで形成される。前記殻を形成する物質としては、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。熱膨張性マイクロカプセルは、前記粘着剤との分散混合性に優れているなどの利点も有する。熱膨張性マイクロカプセルの市販品としては、例えばマイクロスフェアー（商品名：松本油脂社製）などが挙げられる。尚、必要に応じて熱膨張助剤を添加してもよい。
【００７０】
前記粘着剤に対する熱膨張性微粒子（熱膨張性マイクロカプセル）の配合量は、前記粘着剤層１２の種類に応じて、その粘着力を低下できる量を適宜に決定することができる。一般には、熱膨張性微粒子を含む粘着剤層１２の厚みを加熱膨張直後の厚みの６０％以上、好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上を維持できる配合量が好ましい。またベースポリマー１００重量部に対して、１〜１００重量部程度、好ましくは５〜４０重量部、より好ましくは１０〜２０重量部である。
【００７１】
粘着剤層１２の厚みは、接着固定性と剥離性を両立する観点から、１μｍ〜１００μｍが好ましく、５μｍ〜５０μｍ程度がより好ましい。また、粘着剤層１２の接着力は、支持ウェハから最終的に容易に剥離できる範囲内のものであれば良く、特に限定はされない。例えば、半導体ウェハに対する１８０度ピール接着力の値が、１から３０Ｎ／１０ｍｍの範囲内であることが好ましく、５から２０Ｎ／１０ｍｍの範囲内であることがより好ましい。
【００７２】
セパレータ１３は、ラベル加工のため、又は粘着剤層１２の表面を平滑にする目的の為に必要に応じて設けられる。セパレータ１３の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムなどが挙げられる。セパレータ１３の表面には粘着剤層１２からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着シート１０が環境紫外線によって反応してしまわぬように、紫外線防止処理が施されていても良い。セパレータ１３の厚みは、通常１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１００μｍ程度である。
【００７３】
尚、粘着剤層１２が紫外線等の放射線硬化型粘着剤からなる場合には、ダイシングの前又は後に粘着剤層１２に放射線を照射する為、基材フィルム１１は十分な放射線透過性を有している必要がある。
【００７４】
内層１１ａは、通常の基材等と比較して軟質の層である。この為、粘着シート１０の製造後、該粘着シート１０を一旦ロール状に巻き取るなどした場合に、ブロッキング（基材フィルム１１の背面（外層１１ｂ）と粘着剤層１２との融着）を引き起こすことがある。よって、ブロッキングを防止する目的で、外層１１ｂの外側にブロッキングの発生を抑制する層を数〜数十μｍ設けても良い。当該ブロッキングの発生を抑制する層としては特に限定されるものではなく、例えば、エンボス処理が施された層等が例示できる。また、前記と同様の目的又はエキスパンド性向上の目的で、基材フィルム１１の粘着剤層１２が設けられている側とは反対側に他の層を設けても良い。
【００７５】
次に、本発明の他の実施の形態に係る粘着シートについて説明する。図１（ｂ）は、前記粘着シートの概略を示す断面模式図である。図１（ｂ）に示す粘着シート１０’は、粘着シート１０と比較して、基材フィルム１１に替えて架橋構造を有する層（以下、架橋層という）１１ｃを備えた基材フィルム１１’を用いた点が異なる。
【００７６】
前記架橋層１１ｃとしては、例えば架橋構造を有するポリオレフィン系フィルムが例示できる。ポリオレフィン系フィルムの構成材料としては特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−メチル（メタ）アクリル酸エステル、エチレン−エチル（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリブテン、エチレン−アイオノマー共重合体等が例示できる。  これらの構成材料は１種単独で用いてもよく、また２種以上を併用してもよい。さらに、架橋層１１ｃは単層に限定されず、複数層からなるものであってもよい。
【００７７】
架橋層１１ｃの厚みはダイシングの際の切り込み深さを考慮して設定され、２０μｍ以上、１５０μｍ以下であることが好ましい。更に、厚さ方向に於ける架橋密度の変化を考慮すると２０μｍ以上、１００μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以上、４０μｍ未満が特に好ましい。
【００７８】
架橋層１１ｃの形成方法としては、前記構成材料からなるポリオレフィン系フィルムに予め電子線またはγ線を照射して架橋させ、このフィルムをドライラミネート等で内層１１ａ上に貼り合わせる方法や、ポリオレフィン系フィルムと他のフィルムとを共押し出し法により製膜し、更に電子線等を照射して該ポリオレフィン系フィルムを架橋させ架橋層１１ｃとする方法が挙げられる。これらの方法により形成される架橋層１１ｃは、照射面から厚さ方向に離れていくに従い、架橋密度が漸次低下する架橋構造を有する。
【００７９】
架橋層１１ｃの架橋密度は、電子線またはγ線照射量を適宜変更することにより制御可能である。電子線またはγ線照射量は、通常１０〜２５０Ｍｒａｄの範囲であり、好ましくは２０〜２００Ｍｒａｄであり、特に好ましくは３０〜１５０Ｍｒａｄである。また、架橋層１１ｃがポリエチレンからなる場合には、電子線またはγ線照射量は３０〜１５０Ｍｒａｄ程度であることが好ましい。さらに、架橋層１１ｃがエチレン共重合体からなる場合には、電子線またはγ線照射量は２０〜１００Ｍｒａｄ程度であることが好ましい。
【００８０】
なお、ここで電子線とは、自由電子束すなわち陰極線を指す。電子線の照射は、具体的には、電子線加速器（高エネルギー、低エネルギー、さらにはスキャニング等の何れのタイプも含む）を用いて、その発生電子線下を所定の条件で、ポリオレフィン系フィルムを通過させることにより行なう。
【００８１】
またγ線とは、通常定義されているように、放射性元素の崩壊の際に放出される電磁波の一種を指す。γ線の照射は、具体的には、Ｃｏ６０を線源として有する照射室にポリオレフィン系フィルムを設置し、所定量のγ線を照射して行なう。この場合、ポリオレフィン系フィルムはロール状のままで処理できるため、作業性が良好である。
【００８２】
この様な照射量でポリオレフィン系フィルムに電子線またはγ線を照射すると、ダイシングの際の糸状屑の発生を低減させることができる。また、基材フィルム１１’の弾性、強度等の機械的特性を損なうこともなく、粘着シート１０’のエキスパンディングを支障なく行なうことができる。一方、電子線またはγ線照射量が１Ｍｒａｄ未満であると、電子線またはγ線照射による効果が不充分であり、ダイシングの際に未照射の場合と同様に多量の糸状屑が発生することがある。また、電子線またはγ線照射量が８０Ｍｒａｄを超えると、基材フィルム１１’の弾性、強度等の機械的特性が損なわれ、エキスパンディング時に基材フィルム１１’が破断することがあり、また、照射後の基材フィルム１１’を劣化させる場合がある。
【００８３】
（粘着シートの製造方法）
次に、本実施の形態に係る粘着シートの製造方法について説明する。以下の説明では、粘着シート１０を用いた場合を例にしている。
【００８４】
基材フィルム１１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
【００８５】
次に、基材フィルム１１の内層１１ａ上に粘着剤を含む組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層１２を形成する。内層１１ａ上にさらに他の層がある場合は、当該他の層の上に粘着剤層１２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布は直接基材上に行っても良いし、表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布後、基材に転写しても良い。続いて、粘着剤層１２の表面にセパレータ１３を貼り合せて、本実施の形態に係る粘着シート１０を得ることができる。
【００８６】
（ダイシング方法）
次に、本発明に係るダイシング方法について、被切断体が半導体パッケージである場合を例にして説明する。
【００８７】
本実施の形態に係るダイシング方法は、図２（ａ）〜２（ｅ）に示すように、リードフレーム１４に粘着シート１０を貼り合わせる工程と、半導体チップ１５の搭載工程と、ボンディングワイヤー１６によるワイヤーボンディングの工程と、封止樹脂１７により封止する工程と、封止された構造物としての半導体パッケージ２１をダイシングする工程とを少なくとも含むものである。
【００８８】
リードフレーム１４に粘着シート１０を貼り付ける工程は、先ず粘着シート１０からセパレータ１３を剥離し、リードフレーム１４と粘着シート１０の位置合わせをして行う。貼り合わせは、従来公知の方法により行うことができる。
【００８９】
半導体チップ１５の搭載は、図２（ａ）及び２（ｂ）に示すように、アウターパッド側（図の下側）に粘着シート１０を貼り合わせた金属製のリードフレーム１４のダイパッド１４ｃ上に半導体チップ１５をボンディングする工程である。
【００９０】
リードフレーム１４とは、例えば銅などの金属を素材としてＱＦＮの端子パターンが刻まれたものであり、その電気接点部分には、銀、ニッケル、パラジウム、金などの素材で被覆（めっき）されている場合もある。リードフレーム１４の厚みは、１００〜３００μｍが一般的である。なお、部分的にエッチングなどで薄く加工されている部分は、この限りではない。
【００９１】
リードフレーム１４は、後の切断工程にて切り分けやすいよう、個々のＱＦＮが整然と配置された配置パターンであることが好ましい。例えばリードフレーム１４上に縦横のマトリックス状に配列された配置パターン等は、マトリックスＱＦＮあるいはＭＡＰ−ＱＦＮなどと呼ばれ、最も好ましいリードフレーム形状の一態様である。とくに近年では、生産性の観点から１枚のリードフレーム中に配列されるパッケージ数を多くするため、これらの個々のパッケージが細密化されるばかりでなく、一つの封止部分で多数のパッケージを封止できるよう、これらの配列数も大きく拡大してきている。
【００９２】
図２（ａ）に示すように、リードフレーム１４のパッケージパターン領域には、隣接した複数の開口１４ａに端子部１４ｂを複数配列した、ＱＦＮの基板デザインが整然と配列されている。一般的なＱＦＮの場合、各々の基板デザインは、開口１４ａの周囲に配列された、アウターリード面を下側に有する端子部１４ｂと、開口１４ａの中央に配置されるダイパッド１４ｃと、ダイパッド１４ｃを開口１４ａの四隅に支持させるダイバー１１ｄとで構成される。
【００９３】
粘着シート１０は、少なくともパッケージパターン領域より外側に貼着され、樹脂封止される樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に貼着するのが好ましい。リードフレーム１４は通常、樹脂封止時の位置決めを行うための、ガイドピン用孔を端辺近傍に有しており、それを塞がない領域に貼着するのが好ましい。また、樹脂封止領域はリードフレーム１４の長手方向に複数配置されるため、それらの複数領域を渡るように連続して粘着シート１０を貼着するのが好ましい。
【００９４】
上記のようなリードフレーム１４上に、半導体チップ１５、すなわち半導体集積回路部分であるシリコンウェハ・チップが搭載される。リードフレーム１４上にはこの半導体チップ１５を固定するためダイパッド１４ｃと呼ばれる固定エリアが設けられている。ダイパッド１４ｃへのボンディング（固定）は、導電性ペースト１９を用いて行う。但し、本発明は、当該方法に限定されるものではなく、接着テープや接着剤などを用いた各種の方法を採用することもできる。導電性ペースト１９や熱硬化性の接着剤等を用いてダイボンドする場合、一般的に１５０〜２００℃程度の温度で３０分〜９０分程度加熱キュアする。
【００９５】
前記ワイヤーボンディングの工程は、図２（ｃ）に示す様に、リードフレーム１４の端子部１４ｂ（インナーリード）の先端と半導体チップ１５上の電極パッド１５ａとをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する工程である。ボンディングワイヤー１６としては、例えば金線またはアルミニウム線などが用いられる。本工程は、一般的には１２０〜２５０℃に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギ−の併用により結線される。その際、リードフレーム１４に貼着した粘着シート１０面を真空吸引することで、ヒートブロックに確実に固定することができる。
【００９６】
前記封止の工程は、図２（ｄ）に示すように、封止樹脂１７により半導体チップ側を片面封止する工程である。本工程は、リードフレーム１４に搭載された半導体チップ１５やボンディングワイヤー１６を保護するために行われ、とくにエポキシ系の樹脂をはじめとした封止樹脂１７を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、複数の封止樹脂１７にて同時に封止工程が行われるのが一般的である。具体的には、例えば樹脂封止時の加熱温度は１７０〜１８０℃であり、この温度で数分間キュアされた後、更にポストモールドキュアが数時間行われる。なお、粘着シート１０はポストモールドキュアの前に剥離するのが好ましい。
【００９７】
前記ダイシングの工程は、半導体パッケージ２１をフルカットして個別の半導体装置に分割する工程である。ダイシングは、例えばダイシングブレードなどを用いて、封止樹脂の切断部から基材フィルム１１に於ける内層１１ａに達する程度にまでカットをする。このとき、ダイシングブレードには半導体パッケージとの摩擦により摩擦熱が生じる。これによりダイシングブレードは、内層１１ａの融点を上回る温度にまで熱せられる。その結果、内層１１ａは溶融するが、その融点は通常の基材の材料と比較して低い。この為、ダイシングブレードにより巻き上げられた内層１１ａを構成する樹脂は、切削冷却水で冷却されて糸状屑に成長することなく、液体のように飛散する。その結果、従来行われていた糸状屑を検査除去するための工程が不要となり、或いは工程作業の軽減が図れる。
【００９８】
ダイシングの条件としては、被切断体に応じて適宜設定される。但し、ダイシングブレードは、粘着剤層１２表面から深さ７０μｍ以上の深さの位置にまで切り込ませる必要がある。基材フィルム１１に於ける内層１１ａは当該位置に設けられているからである。尚、切削冷却水の温度は、通常１０から３０℃の範囲内となっている。
【００９９】
ここで、前記ダイシングブレードとしては、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、ニッケル合金などのメタルを用いたボンド材３３と、該ボンド材３３にサンドペーパー状に分散して各々保持された複数のダイヤモンド粒子３２（２〜６μｍ）とを有するダイヤモンドブレード３１を使用するのが好ましい。ダイヤモンドブレード３１を用いてダイシングを行うと、ボンド材３３がメタルからなるので特に切断による摩擦熱が大きくなる。その結果、内層１１ａの溶融粘度を一層低下させることができ、糸状屑生成の抑制に効果的だからである。
【０１００】
尚、本発明に於いては、ダイシングを行った後、被切断体小片としての半導体素子をダイシング用粘着シート１０からピックアップする工程を含んでもよい。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体素子を粘着シート１０側（下方側）からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体素子をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。
【０１０１】
尚、本実施の形態に於いては、被切断体として半導体パッケージ２１を例にして説明したが、本発明はこれに限定されない。当該被切断体としては、半導体パッケージ２１の他に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、ガラス等が例示できる。また、これらの被切断体を用いる場合、粘着シート１０との貼り合わせは、従来公知の方法により行うことができる。
【実施例】
【０１０２】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。
【０１０３】
（実施例１）
先ず、アクリル酸ブチル９５重量部及びアクリル酸５重量部を酢酸エチル中で常法により共重合させた。得られたアクリル系共重合体（数平均分子量８０万）を含有する溶液に、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（商品名「カヤラッドＤＰＨＡ」、日本化薬株式会社製）７０重量部、ラジカル重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製）３重量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン製）５重量部を加えて、アクリル系紫外線硬化型粘着剤溶液を調整した。この溶液を、ポリエステルセパレー夕（セパレータ）のシリコーン処理面に塗布し、８００℃で１０分間加熱し加熱架橋させた。これにより、厚さ２０μｍの紫外線硬化型粘着剤層（粘着剤層）を形成した。
【０１０４】
次に、基材フィルム（基材）を作製した。即ち、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）樹脂（融点８４℃、メルトフローレート２．５ｇ／１０ｍｉｎ）と低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）樹脂（融点１１０℃、メルトフローレート２．３ｇ／１０ｍｉｎ）とをＴダイ共押出し法により、ＥＶＡ層（内層）／ＬＤＰＥ層（外層）＝１２０μｍ／３０μｍとなるように製膜した。更に、ＥＶＡ層側にコロナ処理を施した。尚、メルトフローレートは、ＪＩＳ  Ｋ７２１０により測定した。また測定条件としては、試験温度１９０℃、荷重２１．１８Ｎとした。
【０１０５】
続いて、ポリエステルセパレータ上に設けられた粘着剤層と、基材フィルムのコロナ処理面とが対向する様にして両者を貼り合せた。これにより、本実施例１に係る紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを作製した。
【０１０６】
（実施例２）
先ず、前記実施例１と同様にして、ポリエステルセパレータ上に紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次に、エチレン−アクリル酸エチル共重合体（ＥＥＡ）樹脂（融点９２℃、メルトフローレート５ｇ／１０ｍｉｎ）と低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）樹脂（融点１１０℃、メルトフローレート３．５ｇ／１０ｍｉｎ）とをＴダイ共押出し法により、ＥＥＡ層（内層）／ＬＤＰＥ層（外層）＝１５０μｍ／５０μｍとなるように製膜した。さらに、ＥＥＡ層側にコロナ処理を施して基材フィルムを作製した。続いて、ポリエステルセパレータ上に設けられた粘着剤層と、基材フィルムのコロナ処理面とが対向する様にして両者を貼り合せた。これにより、本実施例２に係る紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを作製した。
【０１０７】
（実施例３）
前記実施例１と同様にして、ポリエステルセパレータ上に紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次に、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）樹脂（融点１１０℃、メルトフローレート２ｇ／１０ｍｉｎ）とエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）樹脂（融点８４℃、メルトフローレート２．５ｇ／１０ｍｉｎ）とをＴダイ共押出し法により、ＬＤＰＥ層／ＥＶＡ層（内層）／ＬＤＰＥ層（外層）＝７０μｍ／１００μｍ／３０μｍとなるように製膜した。更に、厚さ７０μｍのＬＤＰＥ層に電子線を照射して架橋させ、基材フィルムを作製した。照射条件は、照射量１００Ｍｒａｄとした。続いて、ポリエステルセパレータ上に設けられた粘着剤層と、厚さ７０μｍのＬＤＰＥ層とが対向する様にして両者を貼り合せた。これにより、本実施例３に係る紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを作製した。
【０１０８】
（比較例１）
基材フィルムとして、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）樹脂（融点１１０℃、メルトフローレート２ｇ／１０ｍｉｎ）を用いてＴダイ押出し法により厚さ１５０μｍのものを製膜し、かつその片方の面にコロナ処理を施したものを使用した以外は、前記実施例１と同様にして紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを得た。
【０１０９】
（比較例２）
基材フィルムとして、ＥＶＡ樹脂（融点１０３℃、メルトフローレート２ｇ／１０ｍｉｎ）をＴダイ押出し法により片面にマット処理を施しながら、厚さ２００μｍとなるように製膜し、マット処理の反対面にコロナ処理を施したものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを得た。
【０１１０】
（比較例３）
基材フィルムとして、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）樹脂（融点１１０℃、メルトフローレート２ｇ／１０ｍｉｎ）をＴダイ押出し法により、厚さ２００μｍとなるように製膜し、一方の面に電子線を照射した。照射条件は、照射量１００Ｍｒａｄとした。この様にして得られた基材フィルムを用いた以外は、前記実施例１と同様にして紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを得た。
【０１１１】
（評価試験）
各実施例及び比較例で作製した各ダイシング用粘着シートを下記の方法により評価した。即ち、ダイシング用粘着シートに厚さ１．０ｍｍで１０ｃｍ×１０ｃｍのエポキシ基板をマウントし、以下の条件でダイシングを行なった。
【０１１２】
ダイシング条件
ダイサー：ＤＩＳＣＯ製ＤＦＤ−６５１
ダイシングブレード：ＤＩＳＣＯ製ＢＩＡ８０１ＤＣ３２０Ｎ５０Ｍ５１
ダイシングブレード回転数：４５，０００rｐｍ
ダイシング速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシング深さ：粘着シート表面から１００μｍ
ダイシングサイズ：５×５ｍｍ
カットモード：ダウンカット
【０１１３】
ダイシングによる切断後の切断ラインを光学顕微鏡（１００倍）で観察し、エポキシ基板上と、粘着シート上のエポキシ基板がない部分との糸状屑の個数をそれぞれカウントした。結果を下記表１に示す。表１から分かるように、各実施例１〜３に係る粘着シートは糸状屑の発生が少なく、１０×１０ｃｍサイズの基板を５×５ｍｍでダイシングしたときの糸状屑の発生が３０個以下と実用可能なレベルにあった。一方、比較例１及び２に係る粘着シートは、糸状屑の発生が極端に多く、実用可能なレベルではなかった。
【０１１４】
【表１】
2006342330.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明に係るダイシング用粘着シートの概略を示す断面模式図であって、同図（ａ）は基材フィルムが内層と外層からなる場合を表し、同図（ｂ）は基材フィルムが移行防止層を有する場合を表す。
【図２】本発明の実施の一形態に係るダイシング用粘着シートの概略を示す断面模式図である。
【図３】本発明の実施の一形態に係るダイシングブレードを説明するため模式図であって、同図（ａ）はダイシングブレードを示し、同図（ｂ）はダイシングブレードの要部を示す。
【符号の説明】
【０１１６】
１０、１０’  ダイシング用粘着シート
１１、１１’  基材フィルム
１１ａ  内層
１１ｂ  外層
１１ｃ  架橋層
１２    粘着剤層
１３    セパレータ
１４    リードフレーム
１４ａ  開口
１４ｂ  端子部
１４ｃ  ダイパッド
１４ｄ  ダイバー
１５    半導体チップ
１５ａ  電極パッド
１６    ボンディングワイヤー
１７    封止樹脂
１９    導電性ペースト
２１    半導体パッケージ
３１    ダイヤモンドブレード
３２    ダイヤモンド粒子
３３    ボンド材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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