【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を少なくとも部分的に覆う層に導入された複数のレーザ・バイアを用いて前記集積回路の調整を行うことにより電子部品を製造する方法であって、
局部的に設けられる別々のカバー層によって各レーザ・バイアを閉鎖するステップと、
前記レーザ・バイアの閉塞後、前記局部カバー層間を通る前記電子部品の再配線を作製するステップと、
前記再配線の作製後、前記局部カバー層を除去するステップと、
前記局部カバー層の除去後、開放されたレーザ・バイアを介してレーザ誘起修正を行うことにより前記集積回路の調整を実行するステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
レーザ誘起修正による前記集積回路の調整後に、前記レーザ・バイアをカバリング層によって再び覆うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
集積回路を少なくとも部分的に覆うカバリング層に導入された複数のレーザ・バイアを用いて前記集積回路の調整を行うことにより電子部品を製造する方法であって、
局部的に設けられる別々のカバー層によって各レーザ・バイアを閉鎖するステップと、
前記レーザ・バイアの閉塞後、前記局部カバー層間を通る前記電子部品の再配線を作製するステップと、
前記再配線の作製後、前記局部カバーにより閉塞されたレーザ・バイアを介してレーザ誘起修正を行うことにより前記集積回路の調整を実行するステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項４】
レーザ誘起修正による前記集積回路の調整後に、強化カバー層を前記カバー層上に設けることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記カバー層は１μm以下の厚みを有することを特徴とする請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記カバー層は、再配線作製のため次に行われるエッチングに対し耐性を有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
集積回路を少なくとも部分的に覆うカバリング層に導入された複数のレーザ・バイアを用いて前記集積回路の調整を行うことにより電子部品を製造する方法であって、
窒化珪素、酸窒化珪素、又は酸化珪素からなる表面保護層によって個々のレーザ・ヒューズ・ラインを閉鎖またはコーティングするステップと、
前記レーザ・ヒューズ・ラインの閉塞又はコーティング後、ウェハーの全体にカバリング層を設けるステップと、
前記カバリング層を設けた後、前記電子部品の導体パッドを開放するため、前記カバリング層内に前記レーザ・バイアを導入するステップと、
前記レーザ・バイアの導入後、前記レーザ・バイア間を通る前記電子部品の再配線を作製するステップと、
前記再配線の作製後、開放されたレーザ・バイアを介してレーザ誘起修正を行うことにより、表面保護されたレーザ・ヒューズ・ラインの調整を実行するステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項８】
レーザ誘起修正を用いて、表面保護されたレーザ・ヒューズ・ラインの調整を実行した後、前記レーザ・バイアをカバリング層によって再び覆うことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記レーザ・ヒューズ・ライン上の表面保護層が０．５μm以下の厚みを有することを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記レーザ・ヒューズ・ライン上の表面保護層は、再配線作製のため次に行われるエッチングに対し耐性を有することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記カバー層及び前記カバリング層の少なくともいずれか一方が印刷されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
前記カバー層、前記強化カバー層、及び前記カバリング層の少なくともいずれか一つが印刷されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１３】
前記カバリング層が印刷されることを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１４】
重合体層が前記カバー層及び前記カバリング層の少なくともいずれか一方として使用されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１５】
重合体層が前記カバー層及び前記カバリング層の少なくともいずれか一方として使用されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１６】
重合体層が前記カバリング層として使用されることを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１７】
前記レーザ・バイアを局部的に覆うカバー層の除去前に、前記電子部品はテストされるか、バーンインされるか、又はテスト及びバーンインされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
閉塞されたレーザ・バイアを介してレーザ誘起修正を行う前に、前記電子部品はテストされるか、バーンインされるか、又はテスト及びバーンインされることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１９】
表面保護されたレーザ・ヒューズ・ラインを介してレーザ誘起修正を行う前に、前記電子部品はテストされるか、バーンインされるか、又はテスト及びバーンインされることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項２０】
前記カバー層、前記カバリング層、及び前記強化カバー層はスクリーン印刷法により印刷されることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれかに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、集積回路を少なくとも部分的に覆う層に導入された一つまたはそれ以上のレーザ・バイア（ｌａｓｅｒ  ｖｉａ）を用いて前記集積回路の調整のためのレーザ誘起修正を行うことにより、電子部品、特にメモリ・チップを製造する方法であって、前記部品が導体パッドの再配線を有する方法に関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
米国登録特許ＵＳ−Ｂ１−６，２１４，６３０号は、集積回路の調整のためのレーザ誘起修正を用いて電子部品を製造する方法を開示している。その方法においては、個々のレーザ・ヒューズ・ラインが、薄い表面保護層によって閉鎖またはコーティングされる。カバリング層がウェハー全体に施され、第１レーザ・バイアが開放される。その後、第１レーザ誘起修正が、開放された第１レーザ・バイアを介して第１レーザ・ヒューズ・ラインにおいて行われる。開放された第１レーザ・バイアはそれに引き続き、全体的に施された別々のカバー層によって閉鎖される。その後、更なるカバー層がウェハー全体に施され、第２の組のレーザ・バイア間を通る再配線が作製される。この第２レーザ・バイアはその上が開放され、第２レーザ誘起修正がこの開放された第２レーザ・バイアを介して行われる。
多数の電子部品、特にメモリ・チップ形態の電子部品において、集積回路の調整は、所望の値を設定するために必要である。レーザ誘起修正が調整のために好ましく利用される。この場合、レーザ光を用いて、カバリング層、一般にはポリイミド層の下に配列されると共に、予め開放されたレーザ・バイア経由でアクセス可能なレーザ・ヒューズ・ライン（ｌａｓｅｒ  ｆｕｓｅ  ｌｉｎｅ）を遮断する。この調整は、フロント・エンド（ｆｒｏｎｔ  ｅｎｄ）内でウェハーの完成後すぐに行われる。レーザ調整後、バイア開口部を、その後の（再配線のための金属化）プロセスの間における短絡を避けるためと、レーザ・ヒューズの腐食を防ぐために、大面積に施された第２のポリイミド層によって閉鎖しなければならない。フロント・エンド・チップ上のレーザ・バイアの近くに位置する導体パッドの間隔が小さすぎて標準のモジュールボードを使用できないために、再配線が必要である。電気メッキによって作製される再配線は通常、再度覆われたレーザ・バイア上を通る。再配線の作製に続いてハウジングプロセスとバーンインプロセスが行われる。しかしながら、調整がすでに行われているので、回路または部品の動作または機能に逆効果を与えるかも知れないこれらの後プロセスは、レーザ介入がハウジングプロセス後もはや可能でないために、もはや調整において考慮することができない。従って、これらの最終作業ステップにおいて別の故障を明確に示している部品を正しく調整し、適宜修復することができない。これにより不合格品が増加する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
序文において述べたような従来の方法の不十分な調整可能性、従って非柔軟性、のほかの更なる欠点は、序文に述べた方法がプロセス設計に関しても非常に複雑であるという事実にみられる。既知の方法においては、最初に、第１のカバリング層がチップまたはウェハーに施され、その後レーザ・バイアが写真技術によってその感光カバリング層に導入される。第２のポリイミドカバリング層は調整が行われた後に施される。最後に、再配線を後で施すことができるように、確実に導体パッドを再開放するようにしなければならない。このステップは普通、複雑で高価な写真技術を用いて実現される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
この問題を解決するために、序文に述べられた種類の方法の場合、本発明は以下のステップを備える。
−局部的に施される別々のカバー層によって各レーザ・バイアを閉鎖するステップ
−局部カバー層間を通る再配線を作製するステップ
−局部カバー層を除去するステップ
−開放されたレーザ・バイアを用いてレーザ誘起修正を行うステップ
−もし必要ならカバリング層によってレーザ・バイアを閉鎖するステップ
本発明の方法は、局部的に施される別々のカバー層によって閉鎖される個々のレーザ・バイアと、除去されるべき大面積ポリイミドカバリングを施す従来技術における従来手法とを、有利に備えている。従来技術とは逆に、再配線がその後、被覆されたレーザ・バイアの上をもはや通らず、むしろレーザ・バイア間か局部カバー層間を通るように施される。このことは、局部カバー層が、レーザ誘起修正を行うために、後での任意の適当時に再び除去できるという利点を与える。再配線のこの位置決めに伴なって起こりうる再配線間幅の必要な圧縮は問題とはならない。というのは、起こりうる圧縮の距離が非常に短いだけであり、従って、非常に小さな接続抵抗の増加しか生じないためである。すでに述べたとおり再配線の作製後の任意の適当時に明確に行うことができるレーザ誘起修正の後に、レーザ・バイアが最終的にカバリング層によって必要に応じて閉鎖される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
一般的に、本発明の方法は任意の適当時におけるレーザ調整を可能にする。言い換えれば、特に有利なことには、再配線の作製後、従って、レーザ・バイアを局部的に覆っているカバリング層の除去前に、部品またはメモリ・チップ／ウェハーをテストし、バーンイン（ｂｕｒｎ−ｉｎ）を行い、そのあとでのみ調整を行うことが可能である。この調整に関連して、有利なことには、例えば、最終作業ステップにおいて別の故障を示しているだけのチップを修復し調整することもできる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
序文に述べた電子部品を製造する方法に代わる発明は、本発明に従って以下のステップを備える。
−局部的に施される別々の薄いカバー層によって各レーザ・バイアを閉鎖するステップ
−局部カバー層間を通る再配線を作製するステップ
−閉鎖されたレーザ・バイアを用いてレーザ誘起修正を行うステップ
本発明のこの好都合な構成によれば、レーザ・バイアは同様に、局部的であるが薄いカバー層によって覆われる。この場合においても、各レーザ・バイアは別々のカバー層で閉鎖される。局部カバー層間を通る再配線がその後施される。しかしながら、序文に述べた方法とは異なり、ここではカバー層はもはや除去されず、むしろ閉鎖されたレーザ・バイアを介してレーザ誘起修正が行われる。カバー層は非常に薄く、有利なことには１μm以下の厚みを有しているので、レーザでそのカバー層を貫通することが可能である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明によるこの方法はまた、製造プロセス内でレーザ調整を行うことに関して自由度が大きい。というのは、レーザ・バイアが、本発明によるこの方法の場合に常に閉鎖されているとしても、再配線の位置付けのために任意の適当時にアクセス可能だからである。従って、この場合においても、チップまたはウェハーをテストし、バーンインを行い、そのあとでのみ修正を行うことが可能である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
このカバー層はいずれにしても、特に再配線を作製するために行われるその後のエッチング段階に耐えなければならない。そのようなエッチング段階は通常、レーザ・バイアを閉鎖した後に全領域に亙ってスパッタされると共に、それに続く再配線を作るためのフォトリソグラフィ段階において処理されたメッキベース、をエッチング除去するために必要である。この場合、このカバー層を分解することは許されない。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
序文に述べられた電子部品を製造する方法に代わる更なる発明は、本発明に従って以下のステップを備える。
−窒化珪素、酸窒化珪素、酸化珪素、または他の適当な材料からなる薄い表面保護層によって個々のレーザ・ヒューズ・ラインをコーティングするステップ
−ウェハー全体にカバリング層、一般にはポリイミド層を施すステップ
−レーザ・バイアを開放し、導体パッドを開放するステップ
−レーザ・バイア間を通る再配線を作製するステップ
−開放されたレーザ・バイアを介して、表面保護されたレーザ・ヒューズ・ラインにおいてレーザ誘起修正を行うステップ
本発明のこの好都合な構成に従って、レーザ・ヒューズ・ラインが（フロント・エンド内でできるだけ早く）薄い表面保護層で覆われ、それからウェハー全体がカバリング層、例えばポリイミドでコーティングされる。レーザ・バイアと導体パッドのための窓がその上に開けられる。レーザ・バイア間を通る再配線がそれに続いて施される。本発明のこの構成の方法の場合においては、レーザ・ヒューズ・ライン上の薄い表面保護層はもはや除去されず、むしろ、レーザ誘起修正が、開放されたレーザ・バイア内の被覆されたレーザ・ヒューズ・ラインにおいて行われる。レーザ・ヒューズ・ラインの表面保護層は非常に薄く、有利なことには０．５μm以下の厚みを有しているので、この薄い表面保護層をレーザで貫通することが可能である。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本発明によるこの方法は、また、製造プロセス内でレーザ調整を行うことに関して自由度が大きい。というのは、レーザ・ヒューズが、本発明によるこの方法の場合に常に閉鎖されているとしても、開放されたレーザ・バイア経由で再配線の位置付けのために任意の適当時にアクセス可能だからである。従って、この場合においても、チップまたはウェハーをテストし、バーンインを行い、そのあとでのみ修正を行うことが可能である。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
レーザ・ヒューズ・ラインの表面保護層はいずれにしても、同様に、特に再配線を作製するために行われるその後のエッチング段階に耐えなければならない。０．５μm未満の層の厚みは、一般的に、窒化珪素、酸窒化珪素、または酸化珪素を使用する場合、十分である。層の厚みは、他の材料を使用する場合は、それに見合うようにすることができる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
先に述べた電子部品を製造する方法に代わる更なる発明は、再配線のために別々に導体パッドを開放することと、先に述べた方法で行われる再配線後にのみレーザ・バイアを開放することにある。これは、被覆されたレーザ・ヒューズ・ラインが、再配線を作製するためのエッチング段階によって侵されないという利点がある。この場合、レーザ・ヒューズの表面保護層の厚みを減らすか、それを完全に無くすことができる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明の更なる利点、特徴、および詳細は、以下に記載された典型的な実施態様からと図面から明らかとなる。
図１ａ、１ｂはそれぞれ、チップまたはウェハー２の形態での本発明の電子部品１の断面図と平面図である。具体的な詳細が示されていない集積回路のほかに、導体パッド３がチップまたはウェハーの基板２上に施されており、その導体パッドに、以下に述べるように、再配線が設けられる。チップまたはウェハー２の上部は、ポリイミド層４で大面積に覆われている。導体パッド３に割り当てられたレーザ・バイア５はポリイミド層４に導入されおり、下にあるラインを、集積回路の調整のためのレーザ光によって前記レーザ・バイアを用いて遮断することができる。これらの図すべては電子部品１を基本図の形で示したものであり、そのような部品の実際の構造は望み通り可能であり、十分に知られている。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
次に、図３ａ、３ｂに示すように、再配線７が、このカバー層６間の隙間に敷設される。再配線は一方で導体パッド３と接触し（図３ａ参照）、他方でモジュールボードまたは他のチップへの接続のための導体パッド８を形成する。図３ｂからわかるように、配線間の幅は、カバー層６間の領域内ではいくぶん狭いが、このことから生じる抵抗の増加は微量で許容範囲にある。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
図３ａ、３ｂの再配線のプロセスの後で、例えば、チップまたはウェハーをテストし、バーンインを行うことができる。このことは図には特別示されていない。それから、図４ａ、４ｂに示すように、個々のレーザ・バイアを覆うカバー層６の分解のためのステップが、後での調整を可能にするために行われる。カバー層６として使用される重合体は、化学的または熱的に、あるいは、電磁放射、特にUV放射によって好都合に分解できる。すなわち、図４ａ、４ｂによって明確に示されるように、カバー層は、チップまたはウェハーの加熱または放射に相当する、溶剤による簡単な方法で除去することができ、個々のレーザ・バイア５はこの簡単な方法で開放することができる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
その後、図５ａ、５ｂに示すように、レーザ調整がレーザビーム９によってレーザ・バイア５経由で行われ、もし必要なら下にあるラインを遮断する。このような調整はそれ自体十分知られている。調整または修正は、すでに説明したように、再配線の作製後に、所望の適当時に行うことができる。というのは、本発明により、再配線はもはやレーザ・バイア上になく、むしろその間の領域にあるからである。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本発明の方法は、従って、以下のプロセスステップ、すなわち、ここに述べられた方法に関する必須のプロセスステップのみによって特徴付けられる。
ポリイミドカバリング内の開放レーザ・バイア経由で別々のカバー層を印刷する→メッキベース（全面積）をスパッタリングする→再配線を作るためのフォトリソグラフィを行う→再配線を電気メッキする→メッキベースをエッチング除去する→カバー層を溶解または分解する→ポリイミドカバリング内の開放レーザ・バイア経由でレーザ調整を行う→ポリイミドカバリング内の一つの開放レーザ・バイア経由でカバリング層を印刷する。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図７ａ、７ｂは序文に述べられた代替方法を示す。この方法では、レーザ調整のために分解、除去され、従って犠牲層として機能するカバー層６の代わりに、著しく薄いカバー層１１が各レーザ・バイア５上に印刷される。このカバー層１１の厚みは１μm以下でなければならない。いずれにしても、その厚みは、使用されるレーザ光によってカバー層を貫通できるように選択されるものとする。レーザ調整またはレーザ誘起修正９は、この非常に薄いカバー層１１を介して直接行うことができる。このため、調整のためにカバー層１１を除去し、その後でレーザ・バイアを再び閉鎖するといったことはもはや必要ではない。図７ａ、７ｂに示すように、この場合にも再配線は局部カバー層間を通る。本発明のこの構成においても、テストとバーンインは再配線の作製後の所望の適当時に可能であり、レーザ調整は、この場合においても、製造プロセスの最後に行うことができる。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
この製造プロセスは以下のステップによって特徴付けることができる。
好ましくは１μm以下の厚みを持った薄いカバー層をポリイミドカバリング内の開放レーザ・バイア経由で印刷する→メッキベース（全面積）をスパッタリングする→再配線を作るためのフォトリソグラフィを行う→再配線を電気メッキする→メッキベースをエッチング除去する→ポリイミドカバリング内の開放レーザ・バイア経由でレーザ調整を行う。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
この方法の構成においても、印刷可能で簡単、安価な重合体がカバー層として用いられる。一般に、施されたカバー層が、再配線を作製する過程で行われるエッチングプロセスに対して十分に耐性があるように注意しなければならない。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
図８ａ、８ｂはそれぞれ、序文に述べられた代替方法の詳細を示す側面図と平面図である。この方法では、レーザ調整のために分解、除去され、従って犠牲層として機能するカバー層６の代わりに、薄い表面保護層１２がレーザ・ヒューズ・ライン１３に施される。この表面保護層１２の厚みは０．５μm以下でなければならない。いずれにしても、その厚みは、使用されるレーザ光によって表面保護層を貫通できるように選択されるものとする。レーザ調整またはレーザ誘起修正９は、この非常に薄い表面保護層１２を介して直接行うことができる。このため、調整のために表面保護層１２を除去し、その後でレーザ・バイアを再び閉鎖するといったことはもはや必要ではない。図８ｃに示すように、この場合にも再配線はレーザ・バイア間を通る。本発明のこの構成においても、テストとバーンインは再配線の作製後の所望の適当時に可能であり、レーザ調整は、この場合においても、製造プロセスの最後に行うことができる。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
この製造プロセスは以下のステップによって特徴付けることができる。好ましくは０．５μm以下の厚みを持った薄い表面保護層によって個々のレーザ・ヒューズ・ラインを閉鎖またはコーティングする→カバリング層を施す→レーザ・バイアと導体パッドを開放するためのフォトリソグラフィを行う→メッキベース（全面積）をスパッタリングする→再配線を作るためのフォトリソグラフィを行う→再配線を電気メッキする→メッキベースをエッチング除去する→レーザ・バイア開口部内の表面保護されたレーザ・ヒューズ・ラインにおいてレーザ調整を行う。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
この方法の構成においても、窒化珪素、酸窒化珪素、酸化珪素、または他の適当な材料が表面保護層として用いられる。一般に、施された表面保護が、再配線を作製する過程で行われるエッチングプロセスに対して十分に耐性があるように注意しなければならない。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
【図１ａ】図１ａは、チップまたはウェハーの初期構成状態を示す断面図と平面図である。
【図１ｂ】図１ｂは、チップまたはウェハーの初期構成状態を示す断面図と平面図である。
【図２ａ】図２ａは、図１ａ、１ｂの状態からレーザ・バイアを閉鎖するカバー層を施した後のチップ／ウェハーの断面図と平面図である。
【図２ｂ】図２ｂは、図１ａ、１ｂの状態からレーザ・バイアを閉鎖するカバー層を施した後のチップ／ウェハーの断面図と平面図である。
【図３ａ】図３ａは、図２ａ、２ｂの状態から再配線の行った後のチップ／ウェハーの断面図と平面図である。
【図３ｂ】図３ｂは、図２ａ、２ｂの状態から再配線の行った後のチップ／ウェハーの断面図と平面図である。
【図４ａ】図４ａは、図３ａ、３ｂの状態からレーザ・バイアを覆うカバー層を分解した後のチップ／ウェハーの断面図と平面図である。
【図４ｂ】図４ｂは、図３ａ、３ｂの状態からレーザ・バイアを覆うカバー層を分解した後のチップ／ウェハーの断面図と平面図である。
【図５ａ】図５ａは、図４ａ、４ｂの状態からレーザ調整中にあるチップ／ウェハーの断面図と平面図である。
【図５ｂ】図５ｂは、図４ａ、４ｂの状態からレーザ調整中にあるチップ／ウェハーの断面図と平面図である。
【図６ａ】図６ａは、図５ａ、５ｂの状態からレーザ・バイアを覆うカバリング層を施した後のチップ／ウェハーの断面図と平面図である。
【図６ｂ】図６ｂは、図５ａ、５ｂの状態からレーザ・バイアを覆うカバリング層を施した後のチップ／ウェハーの断面図と平面図である。
【図７ａ】図７ｂは、図１ａ、１ｂのチップ／ウェハーに相当するチップ／ウェハーにレーザ・バイアを覆う薄いカバー層を施し、そのカバー層を介してレーザ調整を行った後の状態を示す断面図と平面図である。
【図７ｂ】図７ｂは、図１ａ、１ｂのチップ／ウェハーに相当するチップ／ウェハーにレーザ・バイアを覆う薄いカバー層を施し、そのカバー層を介してレーザ調整を行った後の状態を示す断面図と平面図である。
【図８ａ】図８ａは、カバー層の代わりに薄い表面保護層をレーザ・ヒューズ・ラインに施すようにした代替方法の詳細を示す側面図と平面図である。
【図８ｂ】図８ｂは、カバー層の代わりに薄い表面保護層をレーザ・ヒューズ・ラインに施すようにした代替方法の詳細を示す側面図と平面図である。
【図８ｃ】図８ｃは、カバー層の代わりに薄い表面保護層をレーザ・ヒューズ・ラインに施すようにした代替方法の詳細を示す側面図と平面図である。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図８ｃ
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図８ｃ】
2004531082.tif 000001