(57)【要約】【課題】  陰極と前記陰極引き出し部の接触抵抗を低減し、低電圧駆動が可能な発光ディスプレイパネルの製造方法及び該製造方法により製造することができることを特徴とする発光ディスプレイパネルを提供すること【解決手段】  基板上に設けられた複数の透明電極、該透明電極に対向配置された複数の金属電極、該透明電極と該金属電極の間に配置された発光層、および引き出し接続部において該金属電極の端部と接続された電極引き出し部とを備え、該透明電極と該金属電極が交差する領域が発光領域となる発光ディスプレイパネルを製造する方法において、  該引き出し接続部表面に形成される酸化膜を除去した後、該引き出し接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部を該金属電極の端部と接続することを特徴とする発光ディスプレイパネルの製造方法。【選択図】  図３
2006294421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた複数の透明電極、該透明電極に対向配置された複数の金属電極、該透明電極と該金属電極の間に配置された発光層、および引き出し接続部において該金属電極の端部と接続された電極引き出し部とを備え、該透明電極と該金属電極が交差する領域が発光領域となる発光ディスプレイパネルを製造する方法において、
該引き出し接続部表面に形成される酸化膜を除去した後、該引き出し接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部を該金属電極の端部と接続することを特徴とする発光ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
基板上に設けられた複数の透明電極、該透明電極に対向配置された複数の金属電極、該透明電極と該金属電極の間に配置された発光層、および引き出し接続部において該金属電極の端部と接続された電極引き出し部とを備え、該透明電極と該金属電極が交差する領域が発光領域となる発光ディスプレイパネルを製造する方法において、
該引き出し接続部表面を深さ１０ｎｍ以上にまで除去した後、または該引き出し接続部表面を除去して貫通孔として形成した後、該引き出し接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部を該金属電極の端部と接続することを特徴とする発光ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記引き出し接続部表面の除去を、レーザービームにより行うことを特徴とする請求項１または２に記載の発光ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記電極引き出し部が、モリブデン、ニッケル、タングステン、若しくはクロムからなる群から選択される単体またはそれらを含む合金であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の発光ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記発光層が、有機エレクトロルミネッセンス材料からなることを特徴とする請求項１乃至４に記載の発光ディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光ディスプレイパネルの製造方法に関し、特に有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示されるように、従来のパッシブマトリックス型発光ディスプレイパネル、たとえばパッシブマトリックス型有機ＥＬディスプレイパネルは、ガラス基板１の上に、透明導電体（ＩＴＯ：インジウム・スズ酸化物）からなる複数の陽極２、有機ＥＬ材料等からなる発光層３、及び陽極２に対向するアルミニウムなどの金属材料からなる複数の陰極４を順次形成して構成されており、陰極４の各々の端部には陰極引き出し部５が引き出し接続部６において接続されている。発光層３（有機ＥＬ層）のうち、陽極２（透明電極）及び陰極４（金属電極）の交差する領域が発光領域であり、該発光領域を封入するために封止材１０の接着領域７が備えられている。
【０００３】
該ディスプレイパネルにおいては、ディスプレイの画素を形成するため、各電極、すなわち、陽極２や陰極４の分離を行う必要がある。陽極２はフォトリソグラフィー法により分離でき、基板上に複数の分離した陽極列を形成できる。次いで、図２に示すように、陽極の画素となる部分が露出するように、有機樹脂からなる層間絶縁膜８を、基板２の上に前記陽極列の伸長方向およびこれと直交する方向に、厚さ約１μｍ程度で基板全体にパターン形成する。さらに該パターン上、前記陽極列の伸長方向と直交する方向に有機樹脂からなる厚さ約４〜５μｍの隔壁を形成することにより、発光層３及び金属膜（陰極４）を蒸着法等で形成する際に、前記隔壁により、それらは自然と相互に分離される。このようにして、陽極列と直交した陰極列が形成され、陽極列と陰極列の交差する部分に発光画素を得ることができる。また、外部の駆動回路との接続端子にまで配線するために陰極引き出し部５が形成されるが、その配線パターンは陽極形成以前にフォトリソグラフィー法によって形成され、該陰極引き出し部の材料としては、モリブデン、ニッケル、クロム等の比較的安定な金属が用いられている。
【０００４】
また、上記のようなパッシブマトリックス型ディスプレイパネルの場合、特に大きな電流が流れる走査電極ラインとして、抵抗の低い陰極（たとえばアルミニウム）が選ばれる。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２４３５５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
パッシブマトリックス型発光ディスプレイパネル、特にパッシブマトリックス型有機ＥＬディスプレイパネルにおいては、さらなる低駆動電圧化、低消費電流化が望まれているが、そのためには電極の低抵抗化が必須である。しかしながら、上記のような従来のパッシブマトリックス型発光ディスプレイパネルにおいては、陰極２と前記陰極引き出し部５の接触抵抗を測定すると、薄膜金属単体の抵抗値である約１０−５Ω・ｃｍよりも一桁以上高い抵抗値が得られ、パネルの電圧が設計値よりも１〜５ボルトも高くなっていることが判明した。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑み、陰極と前記陰極引き出し部の接触抵抗を低減し、低電圧駆動が可能な発光ディスプレイパネルの製造方法及び該製造方法により製造することができることを特徴とする発光ディスプレイパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の高い抵抗値の原因を探るため、陰極引き出し部における陰極との接触部を分析したところ、これは陰極引き出し部の金属膜が、その後のパターン形成・プロセス、前処理プロセスにおいて酸化され、その表面に約５〜１０ｎｍの厚さの酸化膜が形成されており、これが前記の高い抵抗値の原因になっていることが分かってきた。
【０００９】
この点、特許文献１には、耐久性が高く寿命の長い発光ディスプレイパネルを提供する目的で、陰極引き出し部にモリブデン、ニッケル、タングステン、クロム、金、パラジウム、白金等の高耐食性金属を用いることが開示されている。しかし、金、パラジウム、白金等は貴金属でありコストの増大を招くという問題点がある。他方、モリブデン、ニッケル、タングステン、クロムでも表面が全く酸化されないわけではなく、数ｎｍの酸化膜でも陰極電極のアルミニウムに影響を与えることが分かってきた。
【００１０】
そこで、本発明では、電極引き出し部のうち、金属電極の端部との接続部位となる引き出し接続部の表面に形成された酸化膜を除去した後、該接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部を該金属電極の端部と接続することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、陰極と前記陰極引き出し部の接触抵抗を低減することができるため、発光ディスプレイの駆動電圧のより一層の低下が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、基板上に設けられた複数の透明電極、該透明電極に対向配置された複数の金属電極、該透明電極と該金属電極の間に配置された発光層、および引き出し接続部において該金属電極の端部と接続された電極引き出し部とを備え、該透明電極と該金属電極が交差する領域が発光領域となる発光ディスプレイパネルを製造する方法において、
該引き出し接続部表面に形成される酸化膜を除去した後、該接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部を該金属電極の端部と接続することを特徴とする発光ディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【００１３】
該引き出し接続部表面を深さ１０ｎｍ以上にまで除去した後、または該引き出し接続部表面を除去して貫通孔として形成することにより、酸化膜を好適に除去することができる。
【００１４】
図２及び図３には、後述する実施例１及び２において本発明の製造方法により製造される発光ディスプレイパネルの断面構造の具体例を示している。本発明の製造方法においては、たとえば、以下のような工程を順に経ることにより製造することができる。
（１）基板１の上に電極引き出し部５及び複数の透明電極２を形成する工程。
（２）透明電極２の画素となる部分が露出するよう層間絶縁膜８を形成する工程。
（３）該透明電極２と後に形成される金属電極４との間に相当する部位に発光層３を形成させる工程。
（４）レーザービーム等の手段により、電極引き出し部５のうち、後に形成される金属電極４の端部との接続部位となる引き出し接続部９の表面上の酸化膜を除去する工程。
（５）少なくとも発光層３及び引き出し接続部９が被覆されるように金属電極４を形成する工程。
（６）封止材１０により、発光領域を封入する工程。
【００１５】
本発明の特徴は、金属電極４の端部と電極引き出し部５とを接続する前に、電極引き出し部５のうちの引き出し接続部９の表面の酸化膜を除去することにより、接触抵抗を低減することにあり、各工程及びその順序については、本発明の効果を損なわない範囲で当業者に公知の任意の方法を採ることができる。
【００１６】
以下、本発明につき、より詳細に説明する。
【００１７】
１．基板１
基板１は、透明基板そのものでもよく、透明基板上に色変調部を設けた色変換フィルタを有するものであってもよい。あるいはまた、必要に応じて、それらを透明性の有機樹脂で被覆したものを基板１として用いてもよい。透明基板は、可視光（波長４００〜７００ｎｍ）に対して透明であり、積層される層の形成に用いられる条件（溶媒、温度等）に耐えるものであるべきであり、および寸法安定性に優れていることが好ましい。好ましい透明基板は、ガラス基板、およびポリオレフィン、アクリル樹脂（ポリメチルメタクリレートを含む）、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレートを含む）、ポリカーボネート樹脂、またはポリイミド樹脂などの樹脂で形成された剛直性の樹脂基板を含む。あるいはまた、ポリオレフィン、アクリル樹脂（ポリメチルメタクリレートを含む）、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレートを含む）、ポリカーボネート樹脂、またはポリイミド樹脂などから形成される可撓性フィルムを、基板として用いてもよい。
【００１８】
透明基板上に設けられる色変調部は、カラーフィルタ層、色変換層、またはカラーフィルタ層と色変換層との積層体から構成することができる。カラーフィルタ層は、所望される波長域の光のみを透過させる層である。また、色変換層との積層構成を採る場合、色変換層にて波長分布変換された光の色純度を向上させることにカラーフィルタ層は有効である。カラーフィルタ層は、たとえば、市販の液晶用カラーフィルタ材料（富士フイルムアーチ製カラーモザイクなど）を用いて形成することができる。
【００１９】
色変換層は、色変換色素とマトリクス樹脂からなる層である。色変換色素は、入射光の波長分布変換を行って、異なる波長域の光を放射する色素であり、好ましくは有機発光層からの近紫外光または青色〜青緑色の光の波長分布変換を行って、所望の波長域の光（たとえば、青色、緑色または赤色）を放射する色素である。色変換色素としては、赤色光を放射するローダミン系色素、シアニン系色素など；緑色光を放射するクマリン系色素、ナフタルイミド系色素など；青色光を放射するクマリン系色素など、当該技術で知られている任意のものを用いることができる。
【００２０】
１つの透明基板に、複数種の色変調部、たとえば有機発光層からの光を吸収して赤色光を放射する赤色変調部、緑色光を放射する緑色変調部、青色光を放射する青色変調部などを設けてもよい。複数種の色変調部をマトリクス状に配置することによってフルカラー表示を可能にする構成を採ってもよい。
【００２１】
色変調部は、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法などを用いて各層の材料を塗布し、続いてフォトリソグラフ法などを用いてパターン形成することができる。必要に応じて、電極形成表面の平坦化を行うための平坦化層（種々の有機樹脂を用いて形成することができる）などを色変調部を覆うように形成して、基板（色変調部が設けられている色変換フィルタ）を有機樹脂で被覆されたものとしてもよい。
【００２２】
あるいはまた、前記基板と、次に説明する透明電極との間に（すなわち透明基板表面上に、または存在する場合には色変調部を覆うように）、酸素および／または水分などを遮断する機能の一部を負担する基板パッシベーション層（ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘなどの絶縁性の無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物などを用いて形成することができる）を形成してもよい。通常の場合、基板パッシベーション層は０．１〜１μｍの膜厚を有して形成される。
【００２３】
２．透明電極２
透明電極２は、前記基板１上に形成されるが、これは前記透明基板そのものの上に形成されるものでもよいし、前記透明基板／色変換フィルター上に形成するものでもよい。また、通常、前記基板上において、複数の部分電極から構成される。透明電極２は、たとえばスパッタ法を用いてＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）などの導電性金属酸化物を基板１上に堆積させることによって形成できる。透明電極２は、波長４００〜８００ｎｍの光に対して好ましくは５０％以上、より好ましくは８５％以上の透過率を有する。透明電極２は、通常５０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは１００〜３００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００２４】
透明電極２を構成する複数の部分電極のそれぞれは、たとえば、第１の方向に延びるストライプ形状であることができる。そして、第１の方向と交差する（好ましくは直交する）第２の方向に延びる複数のストライプ状電極として、後に説明する金属電極４をさらに形成することによって、パッシブマトリクス駆動を行うことができるように構成できる。
【００２５】
３．金属電極４
金属電極４は、通常、後述する発光層３の上に形成されるが、複数の部分電極からなり、高反射率の金属、アモルファス合金、微結晶性合金を用いて形成されることが好ましい。高反射率の金属は、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなどを含む。高反射率のアモルファス合金は、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰおよびＣｒＢなどを含む。高反射率の微結晶性合金は、ＮｉＡｌなどを含む。金属電極４を陰極として用いる場合、金属電極４と後述する発光層３との界面に、後述するバッファ層を設けて発光層３に対する電子注入の効率を向上させてもよい。
【００２６】
金属電極４は、用いる材料に依存して、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）、スパッタ、イオンプレーティング、レーザーアブレーションなどの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。所望の形状を与えるマスクを用いて複数の部分電極からなる金属電極４を形成してもよいし、あるいは、逆テーパー状の断面形状を有する分離隔壁を用いて複数の部分電極からなる金属電極４を形成してもよい。
【００２７】
金属電極４を構成する複数の部分電極のそれぞれは、たとえば、第２の方向に延びるストライプ形状であることができる。ここで、透明電極２に関する第１の方向と、前述の第２の方向とは交差していることが好ましく、直交していることがより好ましい。そのような構成を採ることによって、透明電極２を構成する部分電極の１つと、金属電極４を構成する部分電極の１つとに電界を印加することによって、それら部分電極の交差する部位の発光層を発光させる、パッシブマトリクス駆動を行うことができる。
【００２８】
４．発光層３
発光層３は、通常、前記透明電極２と前記金属電極４の間に形成される。発光層としては、硫化亜鉛などの無機物を用いる無機ＥＬ層、発光体に芳香環化合物などの有機物を用いる有機ＥＬ層等が挙げられるが、カラー化が容易で、無機ＥＬよりはるかに低電圧の直流電流で動作する等の特徴を有する有機ＥＬ層を用いることが好ましい。
【００２９】
有機ＥＬ層は、有機発光層を少なくとも含み、必要に応じて正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および／または電子注入層を含む。これらの各層は、それぞれにおいて所望される特性を実現するのに充分な膜厚を有して形成される。たとえば、下記のような層構成からなるものが採用される。
（１）有機発光層
（２）正孔注入層／有機発光層
（３）有機発光層／電子注入層
（４）正孔注入層／有機発光層／電子注入層
（５）正孔輸送層／有機発光層／電子注入層
（６）正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（７）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層
（８）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（９）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層
（上記の構成において、陽極として機能する電極が左側に接続され、陰極として機能する電極が右側に接続される）
【００３０】
有機発光層の材料としては、任意の公知の材料を用いることができる。たとえば、青色から青緑色の発光を得るためには、例えば縮合芳香環化合物、環集合化合物、金属錯体（［トリス−（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム］（Ａｌｑ３）のようなアルミニウム錯体など）、スチリルベンゼン系化合物[４，４’−ビス（ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）など]、ポルフィリン系化合物、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、芳香族ジメチリジン系化合物などの材料が好ましく使用される。あるいはまた、ホスト化合物にドーパントを添加することによって、種々の波長域の光を発する有機発光層を形成してもよい。ホスト化合物としては、ジスチリルアリーレン系化合物（たとえば出光興産製ＩＤＥ−１２０など）、Ｎ，Ｎ’−ジトリル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルビフェニルアミン（ＴＰＤ）、Ａｌｑ３等を用いることができる。ドーパントとしては、ペリレン（青紫色）、クマリン６（青色）、キナクリドン系化合物（青緑色〜緑色）、ルブレン（黄色）、４−ジシアノメチレン−２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、赤色）、白金オクタエチルポルフィリン錯体（ＰｔＯＥＰ、赤色）などを用いることができる。
【００３１】
正孔注入層の材料としては、フタロシアニン類（Ｐｃ類、ＣｕＰｃなどを含む）またはインダンスレン系化合物などを用いることができる。正孔輸送層は、トリアリールアミン部分構造、カルバゾール部分構造、オキサジアゾール部分構造を有する材料を用いて形成することができる。用いることができる材料は、好ましくは、ＴＰＤ、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、１，３，５−トリス｛４−［メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル｝ベンゼン（ＭＴＤＡＰＢ、ｏ−，ｍ−，ｐ−）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）などを含む。
【００３２】
電子輸送層の材料としては、Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体；２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサチアゾール（ＰＢＤ）、１，３，５−トリス［５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサチアゾール−２−イル］ベンゼン（ＴＰＯＢ）のようなオキサジアゾール誘導体；トリアゾール（ＴＡＺ）その他トリアゾール誘導体；以下に示す構造式（Ｉ）の基本骨格を有するトリアジン誘導体；フェニルキノキサリン類；５，５’−ビス（ジメシチルボリル）−２，２’−ビチオフェン（ＢＭＢ−２Ｔ）のようなチオフェン誘導体などを用いることができる。電子注入層の材料としては、Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体、あるいはアルカリ金属ないしアルカリ土類金属をドープしたアルミニウムのキノリノール錯体などを用いることができる。
【００３３】
【化１】
2006294421.tif 000003
【００３４】
また、任意選択的に、有機ＥＬ層と陰極として用いる電極との界面に、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはそれらを含む合金、アルカリ金属フッ化物などの電子注入性材料の薄膜（膜厚１０ｎｍ以下）で形成されるバッファ層を設けて、電子注入効率を高めてもよい。
【００３５】
有機ＥＬ層を構成するそれぞれの層および任意選択的には、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）などの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。
【００３６】
５．電極引き出し部５
電極引き出し部５は、該電極引き出し部５のうちの引き出し接続部６において金属電極４の端部と接続されるものであり、外部の駆動回路との接続端子の役割を果たす。
【００３７】
本発明においては、該引き出し接続部６の表面に形成されている酸化膜を除去した後、該接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部５を該金属電極４の端部と接続する。これにより、金属電極と電極引き出し部の間の接触抵抗を低減することができるため、発光ディスプレイの駆動電圧のより一層の低下が可能となる。
【００３８】
該電極引き出し部の材料としては、モリブデン、ニッケル、タングステン、若しくはクロムからなる群から選択される単体またはそれらを含む合金であることが、電極引き出しにおける電気抵抗を低下させる点で好ましく、特にモリブデンが酸化されにくく、融点が比較的低い点で好ましい。また、該電極引き出し部は、蒸着法あるいはスパッタ法により形成することができ、その厚みは、電気的接触性の観点から、好ましくは１００ｎｍ〜１０μｍ、より好ましくは２００ｎｍ〜１μｍである。
【００３９】
また、該引き出し接続部の酸化膜を除去する方法としては、フォトエッチング、ドライエッチング、レーザービームによる除去等を挙げることができるが、特にレーザービームにより行うことが、有機膜へのダメージロス、プロセスの簡便性の観点から好ましい。レーザービームとしては、ナノスケールの金属薄膜の微細加工ができるエキシマレーザーを用いることが好ましい。これらの方法を用いて、好ましくは１０ｎｍ以上の深さの窪みにまで除去することにより、引き出し接続部表面の酸化膜を除去する（実施例１参照）。あるいは引き出し接続部を完全に貫通させて得られる貫通孔とすることでも酸化膜を除去できる（実施例２参照）。また、該窪み及び該貫通孔の直径は、電気的接触性と配線パターン精度の関係から、好ましくは電極引き出し配線幅の８０％以下で、レーザーの直径以上であればよい。
【００４０】
酸化膜の除去工程からその次の金属電極の端部による被覆工程までの間、さらに酸化されることのないよう、できる限り無酸素条件下で行うことが好ましい。
【００４１】
このようにして酸化膜を除去した後の引き出し接続部を、該金属電極の端部で被覆することにより、電極引き出し部を金属電極の端部と接続する。かかる被覆の方法としては、前記のように、用いる材料に依存して、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）、スパッタ、イオンプレーティング、レーザーアブレーションなどの当該技術において知られている任意の手段を用いることができるが、有機膜へのダメージ低減の観点から、特に蒸着法によるのが好ましい。
【００４２】
６．層間絶縁膜８
層間絶縁膜８は、透明電極２と金属電極４の間にあって、発光素子を形成しない部分（非発光素子部分）に施され、発光素子を形成する部分（発光素子部分または画素部分）を開口部とするように、基板全体にパターン形成される絶縁膜である。その厚みは、対向電極間の絶縁破壊やリーク電流等の防止の観点から、好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは０．５〜３μｍである。この膜の上にさらに有機ＥＬ層及び金属電極を形成すると、パターン加工された開口部のみに通電可能となり、その部分のみに発光が得られる。
【００４３】
さらにこのようにパターン加工された層間絶縁膜８の上に、透明電極２を構成するライン上に交差するように、より好ましくは直交するように絶縁性隔壁を形成できる。この隔壁は好ましくは逆テーパ状に形成される。これにより、金属電極を基板面上に一様に形成するとき、この隔壁により金属電極は分断され、自然に各部分電極に分離される。該隔壁の厚みは、有機層や陰極の分離を確実に行う観点から、好ましくは０．５〜１０μｍ、より好ましくは２〜８μｍである。
【００４４】
絶縁膜８を形成するのに好ましい材料は、無機物としては、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘなどの無機酸化物、無機窒化物および無機酸化窒化物、有機物としては、レジスト材料、ポリイミドなどの高分子材料である。
【００４５】
層間絶縁膜８は、無機物の場合、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）、スパッタ、イオンプレーティング、レーザーアブレーション、また、有機物の場合、スピンコート法、キャスト法などの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。層間絶縁膜８のパターン加工には、フォトエッチング、ドライエッチング、リフトオフ法などの当該技術において知られている任意の手段を用いることができる。
【００４６】
次に、隔膜形成工程は、前記層間絶縁膜８上にＳｉＯｘなどの無機物、レジスト、ポリイミドなど有機物からなる隔壁材料層を成膜し、ドライエッチング法又はウエットエッチング法によって逆テーパ形状を形成する。逆テーパの角度は、金属電極の分離加工が可能である角度であることが望ましい。
【実施例１】
【００４７】
ＶＧＡ規格（４００×ＲＧＢ×３００）のディスプレイの作製を行った。画素ピッチは１．０１６ｍｍである。ＲＧＢ副画素サイズは、０．１４８ｍｍ×０．０７４ｍｍ、副画素間隔は０．１３０ｍｍとし、画素サイズは０．０７４ｍｍ×０．０７４ｍｍ、画素間隔は０．３１２ｍｍとした。
【００４８】
（有機ＥＬ素子基板の作製）
５００ｍｍ×５００ｍｍ×０．５０ｍｍのガラス基板１上に、上記画素構成の２０インチ表示部（４００×ＲＧＢ×３００）を形成した。その作製法を以下に示す。
【００４９】
まず、陰極引き出し部５及び陽極２の補助電極部として、抵抗率１．５×１０−５[Ω・ｃｍ]のＭｏ上にレジスト剤ＯＦＲＰ−８００（商品名、東京応化製）を塗布した後、フォトリソグラフィー法にてパターン形成を行った。
【００５０】
次いで、スパッタ法にて陽極として透明電極（ＩＴＯ）を全面製膜した。ＩＴＯ上にレジスト剤ＯＦＲＰ−８００（商品名、東京応化製）を塗布した後、フォトリソグラフィー法にてパターン形成を行い、幅０．２０４ｍｍ、間隙０．０４８ｍｍ、膜厚１００ｎｍのストライプパターンからなる陽極２を得た。
【００５１】
次いで、ポジ型フォトレジストＷＩＸ−２Ａ（商品名、日本ゼオン製）を用いて、前記副画素に対応する開口部を残して、基板面全面に厚さ１μｍの絶縁膜を形成した（陰極伸長方向に幅１４０μｍ、透明電極２に直交する方向に幅１３０μｍ）。絶縁膜端部の開口部端部に対する角度は、膜の密着性を確保するため鋭角となっている。
【００５２】
また、本実施例では、絶縁膜８としてポジ型フォトレジストを用いたが、他にアクリレート等のフォトレジストや、ポリイミド材料等を用いることができる。絶縁膜８の膜厚は、パネル駆動時に印加される電圧から算出される絶縁耐圧を持つ必要があり、本実施例でに用いたポジ型フォトレジストでは、およそ８００ｎｍ以上の膜厚で形成することにより、十分な絶縁耐圧を持つことができた。
【００５３】
次いで、ネガ型フォトレジストＺＰＮ１１００（商品名、日本ゼオン製）を用いて、ＩＴＯ電極のストライプパターンと直交して、隣り合う画素と画素の真中に、厚さ４μｍの隔壁を形成した。隔壁の幅は、画素間隙間隔以下、好ましくは画素間隙間隔より５０μｍ以下であり、１００μｍ以上であればよい。本実施例では、逆テーパ状であり、その上部幅２３０μｍ、底部幅１３０μｍであり、ピッチは１．０１６μｍである。隔壁の端部は陰極伸長方向に垂直に伸びる隔壁によって連結されているようにした。
【００５４】
次いで、前記陽極２を形成した基板を抵抗過熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を真空を破らずに順次、成膜した。成膜に際しては、真空槽内圧を１×１０−４Ｐａにまで減圧した。正孔注入層は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍの厚みに積層した。正孔輸送層は、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、ゲストは、４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）とした。電子注入層は、アルミキレート［Ａｌｑ３：トリス−（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム］を２０ｎｍの厚みで積層した。
【００５５】
この後に、ＫｒＦエキシマレーザーを、レーザースポット径５０μｍ、レーザー出力７０ｍＪ／パルス〜４５０ｍＪ／パルスの条件で用いて、陰極パッド部のＭｏ膜に深さ１０ｎｍの窪み９を形成した。
【００５６】
この後、メタルマスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＡｌ層からなる電極４を真空を破らずに形成した。
【００５７】
得られた２０インチディスプレイは、１５Ｖの駆動電圧を印加することにより、１００〜３００ｃｄ／ｍ２の輝度で発光した。
【実施例２】
【００５８】
実施例１において、ＫｒＦエキシマレーザーを、レーザースポット径５０μｍ、レーザー出力１００ｍＪ／パルス〜４５０ｍＪ／パルスの条件で用いて、陰極パッド部のＭｏ膜に、径７０μｍで深さ１００ｎｍの貫通孔を形成した。
【００５９】
得られた２０インチディスプレイは、１６Ｖの駆動電圧を印加することにより、１５０〜３００ｃｄ／ｍ２の輝度で発光した。
【００６０】
（比較例）
陰極パッド部のＭｏ膜の表面の酸化膜を除去しないで（窪みあるいは貫通孔を形成しないで）、陰極をその上に堆積した２０インチディスプレイでは、１５０ｃｄ／ｍ２の輝度で発光させるには、２０Ｖ以上の電圧を印加する必要があった。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の発光ディスプレイパネルの製造方法は、低駆動電圧化、低消費電流化が望まれているパッシブマトリックス型発光ディスプレイパネル、特にパッシブマトリックス型有機ＥＬディスプレイパネルの製造のために好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】陰極引き出し部を有する典型的な発光ディスプレイの平面図を示す。
【図２】従来の発光ディスプレイ構造端部における断面構造を示す。
【図３】本発明の発光ディスプレイ構造端部における断面構造の一例を示す（実施例１）。
【図４】本発明の発光ディスプレイ構造端部における断面構造の一例を示す（実施例２）。
【符号の説明】
【００６３】
１  基板
２  透明電極
３  発光層
４  金属電極
５  電極引き出し部
６  引き出し接続部
７  封止材の接着領域
８  層間絶縁膜
９  引き出し接続部に形成された窪み孔ないし貫通孔
１０  封止材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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