【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  磁気アセンブリおよび質量分析器を備える質量センサで、前記質量が、
自身内に空隙を有するハウジングを備え、前記ハウジングが第１板、第２板、および前記第１板と第２板との間に配置された中心部分を備え、前記中心部分が外壁を備え、さらに、
イオン化装置と、
重なった直交する磁界と電界を有する二重収束形質量分析計と、
イオン検出器とを備え、前記イオン化装置、前記二重収束形質量分析計、および前記イオン検出器が前記ハウジング空隙内に配置される質量センサ。
【請求項２】  前記第１板、前記第２板、および前記ハウジング中心部分がセラミック材料を備える、請求項１に記載の質量センサ。
【請求項３】  前記第１および前記第２板が、前記ハウジング中心部分に気密封入され、したがって前記空隙が気密封入される、請求項１に記載の質量センサ。
【請求項４】  前記二重収束形質量分析計が電気セクタ・エネルギ分析器を備え、前記電気セクタ・エネルギ分析器が第１および第２被膜抵抗器を備え、前記第１被膜抵抗器が前記第１板の内面に被着し、前記第２被膜抵抗器が前記第２板の内面に被着して、前記被膜抵抗器がほぼ同心で合致し、円弧形を有し、さらに前記被膜抵抗器それぞれの第１湾曲縁に隣接して配置された第１境界電極、および前記被膜抵抗器それぞれの第２湾曲縁に隣接して配置された第２境界電極を備える、請求項１に記載の質量センサ。
【請求項５】  各被膜抵抗器の半径方向幅が、少なくとも前記被膜抵抗器の軸方向距離の５倍である、請求項４に記載の質量センサ。
【請求項６】  前記第１および前記第２被膜抵抗器の前記境界抵抗器が、可変電圧源に接続され、前記被膜抵抗器および前記境界電極が、半径方向外側に向く電界を生成する、請求項４に記載の質量センサ。
【請求項７】  前記イオン化発生器が、
フィラメントおよび陽極を備えるイオン化ボリュームと、
前記イオン化ボリュームの近傍に配置された少なくとも１つのイオン抽出電極とを備え、前記少なくとも１つの抽出電極が、前記第１板の内面および前記第２板の内面の少なくとも一方に被着し、さらに、
前記イオン化ボリュームの近傍に配置された少なくとも１つのイオン収束電極を備え、前記少なくとも１つの収束電極が、前記第１板の内面および前記第２板の内面の少なくとも一方に被着する、請求項４に記載の質量センサ。
【請求項８】  前記イオン化ボリュームが、前記ハウジング中心部分の前記外壁内の室を備え、前記イオン化室がサンプル入口を備える、請求項７に記載の質量センサ。
【請求項９】  前記イオン化室が、前記ハウジング空隙へのスリット開口を備える、請求項８に記載の質量センサ。
【請求項１０】  前記質量分析器が、さらに、前記収束電極と前記電気セクタ・エネルギ分析器の間に配置された標的スリット電極を備える、請求項７に記載の質量センサ。
【請求項１１】  前記イオン検出器が、離散的ダイノード電子増倍管、連続的ダイノード電子増倍管、マイクロチャネル・プレート検出器、マイクロスフェア検出器、電荷結合アレイおよび磁気電子増倍管を含むグループから選択される、請求項１に記載の質量センサ。
【請求項１２】  前記イオン検出器がマイクロチャネル・プレート検出器を備える、請求項１に記載の質量センサ。
【請求項１３】  前記イオン検出器が、前記ハウジング中心部分の前記外壁内の室に配置され、前記検出器の室が、前記ハウジング空隙へのスリット開口を備える、請求項１１に記載の質量センサ。
【請求項１４】  前記質量分析器が、さらに、前記検出器スリット開口の前記ハウジング外壁に被着した画像スリット電極を備える、請求項１３に記載の質量センサ。
【請求項１５】  前記質量分析器が、さらに、前記ハウジング空隙の内側に装着された非揮発性ゲッターを備え、前記非揮発性ゲッターが、金属基板に被着したＺｒ−Ｖ−Ｆｅ被膜を備える、請求項１に記載の質量センサ。
【請求項１６】  前記磁気アセンブリが強磁性ヨーク、第１磁極エレメント、および第２磁極エレメントを備え、前記強磁性ヨークがほぼＣ字形の断面を備え、前記第１および前記第２磁極エレメントが、前記質量分析器を受けるようサイズ決定されたギャップにより分離された面の近傍に、ほぼ平行に配置される、請求項１に記載の質量センサ。
【請求項１７】  前記質量分析器が、前記第１磁極エレメントと前記第２磁極エレメントの間の前記ギャップに配置され、したがって前記イオン化装置および前記イオン検出器が、前記第１および前記第２磁極エレメントによって形成される磁界に近接しない、請求項１６に記載の質量センサ。
【請求項１８】  前記質量分析器が、回路カード縁コネクタに設置するよう構成された多層印刷回路カードを形成するように配置された外部電気接点を備える、請求項１に記載の質量センサ。
【請求項１９】  前記イオン化装置が、熱電子放出器、放射線源、界放出器、マイクロ波生成器、および電子スプレー・イオン化装置の少なくとも１つを備える、請求項１に記載の質量センサ。
【請求項２０】  磁気アセンブリおよび質量分析器を備える質量センサで、前記質量分析器が、
第１板、第２板、および外壁を有して前記第１板と第２板の間に配置された中心部分を備えたセラミックのハウジングを備え、前記第１および前記第２板が、前記ハウジング中心部分に気密封入されて、気密封入された空隙を形成し、さらに、
イオン化装置と、
重なって直交する磁界および電界を有する二重収束形質量分析計と、
イオン検出器とを備え、前記イオン化装置、前記二重収束形質量分析計、および前記イオン検出器が前記ハウジング空隙に配置される質量センサ。
【請求項２１】  前記二重収束形質量分析計が、第１および第２被膜抵抗器を備える電気セクタ・エネルギ分析器を備え、前記第１被膜抵抗器が前記第１板の内面に被着して、前記第２被膜抵抗器が前記第２板の内面に被着し、前記被膜抵抗器が、基本的に同心で合致し、円弧形を有し、各被膜抵抗器の半径方向の幅が、前記被膜抵抗器の軸方向距離の少なくとも５倍であり、さらに前記被膜抵抗器それぞれの第１湾曲縁に隣接して配置された第１境界電極、および前記被膜抵抗器それぞれの第２湾曲縁に隣接して配置された第２境界電極を備える質量センサ。
【請求項２２】  前記第１および第２被膜抵抗器の前記境界電極が、可変電圧源に接続され、前記被膜抵抗器および前記境界電極が、半径方向外側に向く電界を生成する、請求項２１に記載の質量センサ。
【請求項２３】  前記イオン化装置が、熱電子放出器、放射線源、界放出器、マイクロ波生成器、および電子スプレー・イオン化装置の少なくとも１つを備える、請求項２０に記載の質量センサ。
【請求項２４】  前記イオン化装置が、前記ハウジング中心部分の前記外壁の室に配置された熱電子放出器を備え、前記イオン化室が、サンプル入口、および前記ハウジング空隙へのスリット開口を備える、請求項２０に記載の質量センサ。
【請求項２５】  前記質量分析器が、さらに、前記イオン化室の近傍に配置された少なくとも１つの抽出電極を備え、前記少なくとも１つの抽出電極が、前記第１板内面と前記第２板内面の少なくとも一方に被着し、さらに、
前記イオン化室の近傍に配置された少なくとも１つのイオン収束電極を備え、前記少なくとも１つの収束電極が、前記第１板内面および前記第２板内面の少なくとも一方に被着し、さらに、
前記収束電極と前記電気セクタ・エネルギ分析器の間に配置された標的スリット電極を備える、請求項２４に記載の質量センサ。
【請求項２６】  前記イオン検出器が、離散的ダイノード電子増倍管、連続的ダイノード電子増倍管、マイクロチャネル・プレート検出器、マイクロスフェア検出器、電荷結合アレイおよび磁気電子増倍管を含むグループから選択される、請求項２０に記載の質量センサ。
【請求項２７】  前記イオン検出器が、前記ハウジング中心部分の前記外壁の検出器室に配置されたマイクロチャネル・プレート検出器を備え、前記検出器が、前記ハウジング空隙へのスリット開口を備える、請求項２０に記載の質量センサ。
【請求項２８】  前記質量分析器が、前記検出器スリット開口の前記ハウジング外壁に被着した画像スリット電極を備える、請求項２７に記載の質量センサ。
【請求項２９】  前記質量分析器が、さらに、前記ハウジング空隙の内側に装着された非揮発性ゲッターを備え、前記非揮発性ゲッターが、金属基板に被着したＺｒ−Ｖ−Ｆｅ被膜を備える、請求項２０に記載の質量センサ。
【請求項３０】  前記磁気アセンブリが強磁性ヨーク、第１磁極エレメント、および第２磁極エレメントを備え、前記強磁性ヨークがほぼＣ字形の断面を備え、前記第１および前記第２磁極エレメントが、前記質量分析器を受けるようサイズ決定されたギャップにより分離された面の近傍に、ほぼ平行に配置される、請求項２０に記載の質量センサ。
【請求項３１】  前記質量分析器が、前記第１磁極エレメントと前記第２磁極エレメントの間の前記ギャップに配置され、したがって前記イオン化装置および前記イオン検出器が、前記第１および前記第２磁極エレメントによって形成される磁界に近接しない、請求項３１に記載の質量センサ。
【請求項３２】  前記質量分析器が、回路カード縁コネクタに設置するよう構成された多層印刷回路カードを形成するように配置された外部電気接点を備える、請求項２０に記載の質量センサ。