【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年10月24日(2006.10.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最小寸法が３インチより大きいモノリシック・エアロゲルから成る有機小孔域物質であり、当該エアロゲルには亀裂がなく、該エアロゲルがカルボン酸を含有する、小孔域物質。
【請求項２】
最小寸法が３インチより大きい、非臨界乾燥プロセスを使って調製したモノリシック・エアロゲルから成る有機小孔域物質であり、当該エアロゲルには亀裂がなく、当該エアロゲルがカルボン酸を含有する、小孔域物質。
【請求項３】
２００ｍ２／ｇ未満の表面積を持ち、非臨界乾燥プロセスを使って調製したモノリシック・エアロゲルから成る有機小孔域物質であって、当該エアロゲルには亀裂がなく、該エアロゲルがカルボン酸を含有する、小孔域物質。
【請求項４】
請求項３に記載の有機小孔域物質であって、約３００ｋｇ／ｍ３未満の密度を有する、小孔域物質。
【請求項５】
２４時間未満で乾燥された、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機小孔域物質。
【請求項６】
請求項１または２に記載の小孔域物質であり、当該エアロゲルの収縮率は２５％未満（容積に基づく）である、小孔域物質。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、当該エアロゲルは収縮しない、小孔域物質。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、平均孔域は２００μｍ２未満である、小孔域物質。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、平均孔域は１００μｍ２未満である、小孔域物質。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、平均孔域は５０μｍ２未満である、小孔域物質。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、平均孔域は０．８μｍ２未満である、小孔域物質。
【請求項１２】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、平均孔域は２０００ｎｍ２未満である、小孔域物質。
【請求項１３】
２４時間未満にｉｎ−ｓｉｔｕ（原位置）で形成された請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機小孔域物質。
【請求項１４】
非臨界乾燥プロセスを使って調製した、請求項１に記載の小孔域物質。
【請求項１５】
以下のような、請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質：
（ａ）開孔８０％以上；
（ｂ）密度３００ｋｇ／ｍ３未満。
【請求項１６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、密度は２７５ｋｇ／ｍ３未満である、小孔域物質。
【請求項１７】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、密度は２５０ｋｇ／ｍ３未満である、小孔域物質。
【請求項１８】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、密度は１５０ｋｇ／ｍ３未満である、小孔域物質。
【請求項１９】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、密度は１００ｋｇ／ｍ３未満である、小孔域物質。
【請求項２０】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、当該小孔域物質は１０トルまでの圧力で０．０１３５Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持ち、当該物質はモノリシック形であり非臨界乾燥プロセスによって形成される、小孔域物質。
【請求項２１】
１０トルまでの圧力で０．００８Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持つ、請求項２０に記載の小孔域物質。
【請求項２２】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、当該小孔域物質は１トルまでの圧力で０．００９Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持ち、当該物質はモノリシック形であり非臨界乾燥プロセスによって形成される、小孔域物質。
【請求項２３】
１トルまでの圧力で０．００７Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持つ、請求項２２に記載の小孔域物質。
【請求項２４】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質であり、当該小孔域物質は０．１トルまでの圧力で０．００５Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持ち、当該物質はモノリシック形であり非臨界乾燥プロセスによって形成される、小孔域物質。
【請求項２５】
０．１トルまでの圧力で０．００３５Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持つ、請求項２４に記載の小孔域物質。
【請求項２６】
酢酸を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質。
【請求項２７】
ヒドロキシル化芳香族および求電子性連結剤をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質。
【請求項２８】
当該カルボン酸が、酢酸、蟻酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、及びそれらの異性体からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質。
【請求項２９】
当該ヒドロキシル化芳香族がヒドロキシル化ベンゼン化合物である、請求項２７に記載の小孔域物質。
【請求項３０】
当該ヒドロキシル化芳香族がフェノール・ノボラック樹脂を含む、請求項２７に記載の小孔域物質。
【請求項３１】
当該求電子性連結剤がアルデヒドを含む、請求項２７に記載の小孔域物質。
【請求項３２】
当該求電子性連結剤がフルフラールを含む、請求項２７に記載の小孔域物質。
【請求項３３】
当該求電子性連結剤がアルコールを含む、請求項２７に記載の小孔域物質。
【請求項３４】
当該アルコールがフルフリル・アルコールである、請求項３３に記載の小孔域物質。
【請求項３５】
界面活性剤を使う方法により当該物質を生成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質。
【請求項３６】
有機小孔域物質を生成する方法であり、当該方法は以下：
（ａ）ヒドロキシル化芳香族、求電子性連結剤、および水素結合剤を含む溶液を形成する工程；
（ｂ）当該溶液をゾル・ゲル化する工程；および
（ｃ）当該ゾル・ゲルからすべての流体部分を除去する工程、
を包含し、ここで、該物質が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の通りである、方法。
【請求項３７】
（ａ）工程で形成した溶液がさらに触媒を含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
当該触媒が、塩酸、硫酸、および臭化水素酸からなる群から独立して選択される、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
当該溶液を以下のいずれかの環境に置くという副次的工程を工程（ｂ）に含む、請求項３６に記載の方法：（ｉ）周辺より高い温度または圧力、あるいは（ｉｉ）周辺より高い温度と圧力。
【請求項４０】
当該工程（ｃ）が、当該流体部分を周辺条件で蒸発させるという副次的工程を含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項４１】
当該流体部分を以下のいずれかの環境に置くという副次的工程をさらに含む、請求項３６に記載の方法：（ｉ）周辺温度より高い、もしくは周辺圧力より低い、あるいは（ｉｉ）周辺温度より高く周辺圧力より低い。
【請求項４２】
当該ゾル・ゲルを遠心分離にかけることにより工程（ｃ）を達成する、請求項３６に記載の方法。
【請求項４３】
当該ゾル・ゲルをフリーズドライすることにより工程（ｃ）を達成する、請求項３６に記載の方法。
【請求項４４】
当該ゾル・ゲル全体の気圧差を当該ゾル・ゲルに適用することによって工程（ｃ）を達成する、請求項３６に記載の方法。
【請求項４５】
当該ゾル・ゲルの超臨界抽出により工程（ｃ）を達成する、請求項３６に記載の方法。
【請求項４６】
当該低密度超多孔性物質の炭化誘導体をつくるために当該低密度超多孔性物質を熱分解温度で熱分解するという工程（ｄ）をさらに含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項４７】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の低密度超多孔性物質を調製する方法であり、当該方法は以下：
（ａ）ゾル・ゲルを形成する工程；および
（ｂ）非超臨界抽出により、当該ゾル・ゲルからすべての流体部分を除去する工程、
を包含する、方法。
【請求項４８】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質を調製する方法であり、当該方法は、以下：
（ａ）ゾル・ゲルを形成する工程；および
（ｂ）非超臨界抽出により、当該ゾル・ゲルからすべての流体部分を除去する工程、
を包含する、方法。
【請求項４９】
ｉｎ−ｓｉｔｕ（原位置）で形成された請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機小孔域物質。
【請求項５０】
非臨界乾燥プロセスを使って調製した、請求項１３に記載の小孔域物質。
【請求項５１】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質の炭化形態であって、該物質が低密度超多孔性物質である、炭化形態。
【請求項５２】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の小孔域物質の炭化形態。
【請求項５３】
当該物質が低密度超多孔性物質である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質。    
【請求項５４】
不透明化剤を使わずに黒色の低密度超多孔性物質である、請求項５３に記載の小孔域物質。
【請求項５５】
不透明化剤を使わずに黒色の請求項１〜４のいずれか一項に記載の小孔域物質。
【請求項５６】
当該物質が低密度超多孔性物質である、請求項１３に記載の小孔域物質。
【請求項５７】
非臨界乾燥プロセスを使って調製した、請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項５８】
請求項５３に記載の低密度超多孔性物質であり、以下の性質を有する：
（ａ）開孔８０％以上；および
（ｂ）密度３００ｋｇ／ｍ３未満。
【請求項５９】
密度が２７５ｋｇ／ｍ３未満である、請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項６０】
密度が２５０ｋｇ／ｍ３未満である、請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項６１】
密度が１５０ｋｇ／ｍ３未満である、請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項６２】
密度が１００ｋｇ／ｍ３未満である、請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項６３】
当該低密度超多孔性物質は１０トルまでの圧力で０．０１３５Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持ち、当該物質はモノリシック形態であり非臨界乾燥プロセスによって生成する、請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項６４】
１０トルまでの圧力で０．００８Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持つ、請求項６３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項６５】
当該低密度超多孔性物質は１トルまでの圧力で０．００９Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持ち、当該物質はモノリシック形態であり非臨界乾燥プロセスによって生成する、請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項６６】
１トルまでの圧力で０．００７Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持つ、請求項６５に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項６７】
当該低密度超多孔性物質は０．１トルまでの圧力で０．００５Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持ち、当該物質はモノリシック形態であり非臨界乾燥プロセスによって生成する、請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項６８】
０．１トルまでの圧力で０．００３５Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満の熱伝導性を持つ、請求項６７に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項６９】
低密度超多孔性物質である、請求項２４に記載の小孔域物質。
【請求項７０】
ヒドロキシル化芳香族および求電子性連結剤をさらに含む請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項７１】
当該カルボン酸が、酢酸、蟻酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、及びそれらの異性体からなる群から選択される、請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項７２】
当該カルボン酸が酢酸である、請求項５３に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項７３】
当該ヒドロキシル化芳香族がヒドロキシル化ベンゼン化合物である、請求項７０に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項７４】
当該ヒドロキシル化芳香族がフェノール・ノボラック樹脂を含む、請求項７０に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項７５】
当該求電子性連結剤がアルデヒドを含む、請求項７０に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項７６】
当該求電子性連結剤がフルフラールを含む、請求項７０に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項７７】
当該求電子性連結剤がアルコールを含む、請求項７０に記載の低密度超多孔性物質。
【請求項７８】
当該アルコールがフルフリル・アルコールである、請求項７７に記載の低密度超多孔性物質。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
（発明の背景）
小孔域材（ＳＰＭ）はフォームの一種であり、液体、固体またはゲルの内部における気泡の分散と考えることができる（化学用語１９９７年第２版国際純正応用化学連合大要（ＩＵＰＡＣ  Ｃｏｍｐｅｎｄｉｕｍ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ）参照）。本発明で用いられているＳＰＭとは、具体的には密度が約１０００ｋｇ／ｍ３未満で、小孔構造内の平均孔域が約５００μｍ２未満のフォームである。本発明の平均孔域とは、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）で作成した画像の目視検査によって確認された少なくとも２０個の最大孔の孔域の平均である。これに続き、ＮＩＨを通して入手可能なＩｍａｇｅＪソフトウェアを使ってこれら孔域の測定を行った。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
ＳＰＭの一つのタイプとして、低密度超多孔性物質（ＬＤＭＭ）がある。本発明において具体的にＬＤＭＭとは、平均孔域を測定し、公式（領域＝Πｒ２）を使って計算した平均孔径によって定められる平均孔径が１０００ナノメートル（ｎｍ）に満たない程度の超多孔性構造を持つＳＰＭである。例えば、平均孔域が０．８μｍ２の平均孔径は１０００
ｎｍである。