【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのゲスト材料を有機層中に組入れるための方法であって、第１の液体組成物を前記有機層の第１の部分の上に配置する工程を含み、前記第１の液体組成物が、少なくとも、第１のゲスト材料と、第１の液体媒体とを含み、前記第１の液体組成物が前記有機層と接触し、実質的な量の前記第１のゲスト材料が前記有機層中に移行することを特徴とする方法。
【請求項２】
少なくとも１つのゲスト材料を含む有機層を形成するための方法であって、
第１のゲスト材料を基板の第１の部分の上に配置する工程と、
前記有機層を前記基板および第１のゲスト材料の上に形成する工程とを含み、実質的な量の前記第１のゲスト材料が前記有機層中に移行することを特徴とする方法。
【請求項３】
基板と、
前記基板の上にある連続有機層であって、第１の部分および第２の部分を含む連続有機層と、
第１のゲスト材料であって、実質的な量の前記第１のゲスト材料が前記連続有機層内にあり、
前記第１のゲスト材料の少なくとも一部が前記第１の部分内にあり、
前記連続有機層の第２の部分が、前記第１のゲスト材料を実質的に含まない、第１のゲスト材料とを含むことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項４】
有機電子デバイスを使用するための方法であって、
前記有機電子デバイスを提供する工程であって、前記有機電子デバイスが、
基板の第１の部分および第２の部分の上にある連続有機層と、
前記連続有機層内に実質的に完全にある第１のゲスト材料であって、
前記第１のゲスト材料の少なくとも一部が前記第１の部分内にあり、
実質的に、前記第１のゲスト材料の少しも前記連続有機層の第２の部分内になく、
前記有機電子デバイス内の第１の有機電子構成要素が、第１の電極と、第２の電極と、前記連続有機層の第１の部分とを含むが、前記連続有機層の第２の部分を含まない、第１のゲスト材料とを含む工程と、
前記第１の有機電子構成要素の第１および第２の電極を第１の電位差にバイアスする工程であって、前記第１の有機電子構成要素が、第１の発光最大における放射線を放出するか、第１の波長における放射線に応答する工程と、
前記第１の有機電子構成要素の第１および第２の電極を、前記第１の電位と著しく異なった第２の電位差にバイアスする工程であって、前記第１の電子構成要素が、実質的に前記第１の発光最大における放射線を放出するか、実質的に前記第１の波長における放射線に応答する工程とを含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
利益、他の利点、および問題の解決策を、特定の実施形態に関して上述した。しかし、利益、利点、問題の解決策、および、いかなる利益、利点、または解決策も生じるかより顕著になることを引起してもよいいかなる要素も、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての、重要な、必要な、または本質的な特徴または要素と解釈されるべきでない。
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
（１）  少なくとも１つのゲスト材料を有機層中に組入れるための方法であって、第１の液体組成物を前記有機層の第１の部分の上に配置する工程を含み、前記第１の液体組成物が、少なくとも、第１のゲスト材料と、第１の液体媒体とを含み、前記第１の液体組成物が前記有機層と接触し、実質的な量の前記第１のゲスト材料が前記有機層中に移行することを特徴とする方法。
（２）  前記第１の液体組成物を前記有機層の上に配置する前、前記有機層が実質的に固体の層であることを特徴とする（１）に記載の方法。
（３）  前記第１の液体組成物を前記有機層の上に配置した後、前記第１のゲスト材料の実質的にすべてが前記有機層中に移行することを特徴とする（１）に記載の方法。
（４）  前記第１のゲスト材料が、約４０℃以下の温度で前記有機層中に移行することを特徴とする（３）に記載の方法。
（５）  前記有機層を基板の上に形成する工程をさらに含み、前記第１の液体組成物を前記有機層の上に配置する工程が、前記基板の上に存在するウェル構造なしで行われることを特徴とする（１）に記載の方法。
（６）  前記有機層を基板の上に形成する工程と、
前記有機層を前記基板の上に形成する前、ウェル構造を前記基板の上に形成する工程とをさらに含むことを特徴とする（１）に記載の方法。
（７）  第２の液体組成物を前記有機層の第２の部分の上に配置する工程をさらに含み、
前記第２の液体組成物が、第２のゲスト材料と、第２の液体媒体とを含み、
前記第２のゲスト材料が前記第１のゲスト材料と異なることを特徴とする（１）に記載の方法。
（８）  前記第１の液体媒体および前記第２の液体媒体が同じ溶媒であることを特徴とする（７）に記載の方法。
（９）  完成した有機電子デバイスにおいて、前記有機層の第３の部分が、前記第１および第２のゲスト材料を実質的に含まないことを特徴とする（７）に記載の方法。
（１０）  前記第１の液体組成物を前記有機層の上に配置する工程が、精密堆積技術を用いて行われることを特徴とする（１）に記載の方法。
（１１）  少なくとも１つのゲスト材料を含む有機層を形成するための方法であって、
第１のゲスト材料を基板の第１の部分の上に配置する工程と、
前記有機層を前記基板および第１のゲスト材料の上に形成する工程とを含み、実質的な量の前記第１のゲスト材料が前記有機層中に移行することを特徴とする方法。
（１２）  前記有機層を形成した後、前記第１のゲスト材料の実質的にすべてが前記有機層中に移行することを特徴とする（１１）に記載の方法。
（１３）  第２の液体組成物を前記基板の第２の部分の上に配置する工程をさらに含み、
前記第２の液体組成物が、第２のゲスト材料を含み、
前記第２のゲスト材料が前記第１のゲスト材料と異なることを特徴とする（１１）に記載の方法。
（１４）  前記有機層を形成することが、前記第２の部分の上にも形成されることを特徴とする（１３）に記載の方法。
（１５）  完成した有機電子デバイスにおいて、前記基板の第３の部分の上にある前記有機層が、前記第１および第２のゲスト材料を実質的に含まないことを特徴とする（１３）に記載の方法。
（１６）  基板と、
前記基板の上にある連続有機層であって、第１の部分および第２の部分を含む連続有機層と、
第１のゲスト材料であって、実質的な量の前記第１のゲスト材料が前記連続有機層内にあり、
前記第１のゲスト材料の少なくとも一部が前記第１の部分内にあり、
前記連続有機層の第２の部分が、前記第１のゲスト材料を実質的に含まない、第１のゲスト材料とを含むことを特徴とする有機電子デバイス。
（１７）  前記連続有機層が有機活性層を含むことを特徴とする（１６）に記載の有機電子デバイス。
（１８）  前記連続有機層が第３の部分をさらに含み、前記第２の部分が前記第１の部分と前記第３の部分との間にあり、
前記有機電子デバイスが、
前記連続有機層の第１の部分を含む第１の有機電子構成要素であって、第１の発光最大を有するか、第１の波長における放射線に応答するように設計される第１の有機電子構成要素と、
前記連続有機層の第３の部分を含む第２の有機電子構成要素であって、第２の発光最大を有するか、前記第１の波長と異なった第２の波長における放射線に応答するように設計される第２の有機電子構成要素とを含むことを特徴とする（１７）に記載の有機電子デバイス。
（１９）  有機電子構成要素が前記連続有機層の第２の部分を全く含まないことを特徴とする（１８）に記載の有機電子デバイス。
（２０）  前記連続有機層の第２の部分が、前記第１および第２のゲスト材料を実質的に含まないことを特徴とする（１９）に記載の有機電子デバイス。
（２１）  ウェル構造が前記第１の有機電子構成要素と前記第２の有機電子構成要素との間にないことを特徴とする（１８）に記載の有機電子デバイス。
（２２）  前記第１および第２の有機電子構成要素の各々が少なくとも約０．４ｃｄ／Ａの効率を有することを特徴とする（１８）に記載の有機電子デバイス。
（２３）  前記連続有機層がフィルタ層の少なくとも一部であることを特徴とする（１６）に記載の有機電子デバイス。
（２４）  前記連続有機層が第３の部分をさらに含み、前記第２の部分が前記第１の部分と前記第３の部分との間にあり、
前記連続有機層の第１の部分は、第１の波長または第１の波長スペクトルが前記第１の部分を通って透過されるように設計され、
前記連続有機層の第３の部分は、第２の波長または第２の波長スペクトルが前記第３の部分を通って透過されるように設計され、前記第２の波長が前記第１の波長と異なることを特徴とする（２３）に記載の有機電子デバイス。
（２５）  前記連続有機層が第３の部分をさらに含み、前記第２の部分が前記第１の部分と前記第３の部分との間にあり、
ウェル構造が、前記連続有機層の第１、第２、および第３の部分のいずれの間にもないことを特徴とする（１６）に記載の有機電子デバイス。
（２６）  前記連続有機層の第１の表面に近い前記第１のゲスト材料の第１の濃度が、前記連続有機層の第２の表面に近い前記第１のゲスト材料の第２の濃度と１桁未満異なり、前記第２の表面が前記第１の表面と反対側であることを特徴とする（１６）に記載の有機電子デバイス。
（２７）  前記第１のゲスト材料が前記連続有機層内に実質的に完全にあることを特徴とする（１８）に記載の有機電子デバイス。
（２８）  有機電子デバイスを使用するための方法であって、
前記有機電子デバイスを提供する工程であって、前記有機電子デバイスが、
基板の第１の部分および第２の部分の上にある連続有機層と、
前記連続有機層内に実質的に完全にある第１のゲスト材料であって、
前記第１のゲスト材料の少なくとも一部が前記第１の部分内にあり、
実質的に、前記第１のゲスト材料の少しも前記連続有機層の第２の部分内になく、
前記有機電子デバイス内の第１の有機電子構成要素が、第１の電極と、第２の電極と、前記連続有機層の第１の部分とを含むが、前記連続有機層の第２の部分を含まない、第１のゲスト材料とを含む工程と、
前記第１の有機電子構成要素の第１および第２の電極を第１の電位差にバイアスする工程であって、前記第１の有機電子構成要素が、第１の発光最大における放射線を放出するか、第１の波長における放射線に応答する工程と、
前記第１の有機電子構成要素の第１および第２の電極を、前記第１の電位と著しく異なった第２の電位差にバイアスする工程であって、前記第１の電子構成要素が、実質的に前記第１の発光最大における放射線を放出するか、実質的に前記第１の波長における放射線に応答する工程とを含むことを特徴とする方法。
（２９）  前記第１の有機電子構成要素が、前記第１の有機電子構成要素の第１および第２の電極の間の最大動作電位差以下で動作するように設計され、
前記第１および第２の電位差の各々が前記最大動作電位差以下であることを特徴とする（２８）に記載の方法。
（３０）  前記第１および第２の電位差の各々が約２〜５ボルトの範囲内であることを特徴とする（２８）に記載の方法。
（３１）  前記有機電子デバイスが、前記有機電子デバイス内の第２の有機電子構成要素をさらに含み、前記第２の有機電子構成要素が、第１の電極と、第２の電極と、前記連続有機層の第２の部分とを含み、前記連続有機層の第２の部分が、前記第１のゲスト材料を実質的に含まないことを特徴とする（２８）に記載の方法。
（３２）  前記第２の有機電子構成要素の第１および第２の電極を第３の電位差にバイアスする工程であって、前記第２の電子構成要素が、第２の発光最大における放射線を放出するか、第２の波長における放射線に応答する工程と、
前記第２の有機電子構成要素の第１および第２の電極を、前記第３の電位差と異なった第４の電位差にバイアスする工程であって、前記第２の電子構成要素が、実質的に前記第２の発光最大における放射線を放出するか、実質的に前記第２の波長における放射線に応答する工程とをさらに含むことを特徴とする（３１）に記載の方法。