【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、
前記基板上に形成されたエピタキシャル構造と、
前記エピタキシャル構造に形成され、第１及び第２の反射器と、同調可能レーザ出力を生成するために該第１及び第２の反射器の間に各々位置決めされた利得区域及び位相区域とを含むレーザと、
前記エピタキシャル構造に形成された増幅器と、
を含み、
前記レーザ及び前記増幅器の少なくとも一部分は、共通導波路を共用し、前記同調可能レーザ出力は、該共通導波路に沿って該増幅器に結合され、かつ該増幅器は、該結合された同調可能レーザ出力に応答して光信号を発生し、
前記導波路の少なくとも一部分は、出力ファセットからの反射を低減するために湾曲している、
ことを特徴とするダイオードレーザアセンブリ。
【請求項２】  前記共通導波路は、その中心線に沿って不均一な光学特性を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザアセンブリ。
【請求項３】  前記共通導波路は、その中心線に沿って不均一な断面を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザアセンブリ。
【請求項４】  前記共通導波路は、その中心線に沿って不均一な曲率を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザアセンブリ。
【請求項５】  前記共通導波路は、その中心線と直交する方向に不均一な光学特性を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザアセンブリ。
【請求項６】  前記増幅器は、少なくとも１つの活性領域と少なくとも１つの不活性領域とを含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】  前記導波路は、活性領域と不活性領域を通って延びていることを特徴とする請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】  前記増幅器の前記導波路の一部分は、湾曲していることを特徴とする請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】  前記増幅器の不活性領域における前記導波路の少なくとも一部分は、湾曲していることを特徴とする請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１０】  前記増幅器の前記導波路の一部分は、湾曲しており、該増幅器は、張り出した導波路区域を含むことを特徴とする請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１１】  前記活性領域と前記不活性領域の間のインタフェースは、前記導波路の中心線に対して傾斜していることを特徴とする請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１２】  前記活性領域と前記不活性領域の間のインタフェースは、前記導波路の中心線に対して実質的に直交していることを特徴とする請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１３】  前記増幅器の前記導波路の端部は、出力ファセットに対して傾斜した角度で終端していることを特徴とする請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１４】  前記導波路は、導波路モードアダプタを含むことを特徴とする請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項１５】  前記第１の活性領域は、傾斜した遠位面を有することを特徴とする請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項１６】  前記レーザは、多重活性領域利得媒体を有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１７】  前記エピタキシャル構造は、光学特性の異なる領域を有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１８】  前記導波路は、活性区域を含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１９】  前記導波路の前記活性区域は、前記増幅器の第１の活性区域に位置決めされていることを特徴とする請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２０】  前記導波路の前記活性区域は、前記増幅器の第２の活性区域に位置決めされていることを特徴とする請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２１】  前記導波路の少なくとも一部分は、前記レーザの空洞の軸線に平行ではないことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項２２】  前記増幅器は、独立して制御可能な複数の活性領域を含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項２３】  第１及び第２の活性領域が、不活性領域によって分離されていることを特徴とする請求項２２に記載のアセンブリ。
【請求項２４】  前記第１の活性領域は、傾斜した遠位面を有することを特徴とする請求項２３に記載のアセンブリ。
【請求項２５】  前記第２の活性領域は、傾斜した近位面を有すること特徴とする請求項２３に記載のアセンブリ。
【請求項２６】  前記第１の活性領域の前記傾斜した遠位面は、前記第２の活性領域の前記傾斜した近位面に平行であることを特徴とする請求項２３に記載のアセンブリ。
【請求項２７】  前記第２の活性領域は、傾斜した遠位面を有すること特徴とする請求項２３に記載のアセンブリ。
【請求項２８】  前記第２の領域の前記近位面及び前記遠位面は、平行であることを特徴とする請求項２７に記載のアセンブリ。
【請求項２９】  前記レーザ出力の幅は、前記増幅器の出力での前記導波路の幅とは独立していることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３０】  前記レーザは、モード選択要素を含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３１】  前記モード選択要素は、制御可能な位相シフト要素であることを特徴とする請求項３０に記載のアセンブリ。
【請求項３２】  前記第１及び第２の反射器の少なくとも一方は、同調可能であることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３３】  前記第１及び第２の反射器の少なくとも一方は、分散型反射器であることを特徴とする請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項３４】  前記第１及び第２の反射器の両方は、分散型反射器であることを特徴とする請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項３５】  前記第１及び第２の反射器の少なくとも一方は、分散型ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項３６】  前記第１及び第２の反射器の各々は、分散型ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項３７】  前記第１及び第２の反射器の少なくとも一方の最大反射率は、調節可能であることを特徴とする請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項３８】  前記第１及び第２の反射器の各々の最大反射率は、調節可能であることを特徴とする請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項３９】  前記第１及び第２の反射器の各々の最大反射率は、互いに対して調節可能であることを特徴とする請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項４０】  前記レーザは、該レーザの外側に位置決めされた減衰器と少なくとも１つの増幅器を含むことを特徴とする請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項４１】  前記レーザは、該レーザの外側に位置決めされた制御可能な増幅器を含むことを特徴とする請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項４２】  前記レーザは、該レーザの外側に位置決めされた制御可能な減衰器を含むことを特徴とする請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項４３】  前記導波路の少なくとも一部分は、張り出していることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４４】  前記導波路の張り出した部分が、活性領域にあることを特徴とする請求項４３に記載のアセンブリ。
【請求項４５】  前記導波路の張り出した部分が、不活性領域にあることを特徴とする請求項４３に記載のアセンブリ。
【請求項４６】  前記光信号は、少なくとも１５ｎｍの範囲内で調節可能であることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４７】  エピタキシャル構造における第１の半導体層と、
前記エピタキシャル構造に形成された第２の半導体層と、
を含み、
前記第１及び第２の半導体層は、異なるドーピングを有し、
前記第１及び第２の半導体層の間に形成された導波路層、
を更に含み、
前記第１の導波路層は、導波路、第１の反射器、及び第２の反射器を含み、
レーザ空洞を形成して同調可能レーザ出力を生成する前記第１及び第２の反射器の間に配置された光学活性媒体と、
前記エピタキシャル構造に形成された増幅器と、
を更に含み、
前記レーザ空洞及び前記増幅器は、光学的に整列し、前記同調可能レーザ出力は、前記導波路に沿って該増幅器内に結合され、かつ該増幅器は、該結合した同調可能レーザ出力に応答して光信号を発生し、
前記導波路の少なくとも一部分は、出力ファセットからの反射を低減するために湾曲している、
ことを特徴とするダイオードレーザアセンブリ。
【請求項４８】  前記増幅器の前記導波路の遠位部分が、湾曲していることを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項４９】  前記増幅器の前記導波路の遠位端が、出力ファセットに対して傾斜した角度で終端していることを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項５０】  前記導波路の少なくとも一部分は、前記レーザ空洞の軸線に平行ではないことを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項５１】  前記導波路の少なくとも一部分は、張り出していることを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項５２】  前記導波路は、活性区域を含むことを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項５３】  前記導波路の前記活性区域は、前記増幅器の第１の活性区域に位置決めされていることを特徴とする請求項５２に記載のアセンブリ。
【請求項５４】  前記導波路の前記活性区域は、前記増幅器の第２の活性区域に位置決めされていることを特徴とする請求項５２に記載のアセンブリ。
【請求項５５】  前記増幅器は、第１の活性領域及び不活性領域を含むことを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項５６】  前記増幅器は、第２の活性領域を含むことを特徴とする請求項５５に記載のアセンブリ。
【請求項５７】  前記第１の活性領域及び第２の活性領域が、不活性領域によって分離されていることを特徴とする請求項５５に記載のアセンブリ。
【請求項５８】  前記第１の活性領域は、傾斜した遠位面を有することを特徴とする請求項５７に記載のアセンブリ。
【請求項５９】  前記第２の活性領域は、傾斜した近位面を有すること特徴とする請求項５８に記載のアセンブリ。
【請求項６０】  前記第１の活性領域の前記傾斜した遠位面は、前記第２の活性領域の前記傾斜した近位面に平行であることを特徴とする請求項５９に記載のアセンブリ。
【請求項６１】  前記第２の活性領域は、傾斜した遠位面を有すること特徴とする請求項５９に記載のアセンブリ。
【請求項６２】  前記第２の領域の前記近位面及び前記遠位面は、平行であることを特徴とする請求項６１に記載のアセンブリ。
【請求項６３】  前記導波路は、前記増幅器の少なくとも一部分を通って延びていることを特徴とする請求項５５に記載のアセンブリ。
【請求項６４】  前記第１の活性領域は、傾斜した遠位面を有することを特徴とする請求項５５に記載のアセンブリ。
【請求項６５】  前記導波路は、前記第１の活性領域及び前記不活性領域を通って延びていることを特徴とする請求項５５に記載のアセンブリ。
【請求項６６】  前記導波路は、モードアダプタを含むことを特徴とする請求項５５に記載のアセンブリ。
【請求項６７】  前記第１及び第２の反射器の少なくとも一方は、調節可能であることを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項６８】  前記第１及び第２の反射器の両方は、分散型反射器であることを特徴とする請求項６７に記載のアセンブリ。
【請求項６９】  前記第１及び第２の反射器の少なくとも一方は、分散型ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項６７に記載のアセンブリ。
【請求項７０】  前記第１及び第２の反射器の各々は、分散型ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項６７に記載のアセンブリ。
【請求項７１】  前記第１及び第２の反射器の少なくとも一方の最大反射率は、調節可能であることを特徴とする請求項６７に記載のアセンブリ。
【請求項７２】  前記第１及び第２の反射器の各々の最大反射率は、調節可能であることを特徴とする請求項６７に記載のアセンブリ。
【請求項７３】  前記第１及び第２の反射器の各々の最大反射率は、互いに対して調節可能であることを特徴とする請求項６７に記載のアセンブリ。
【請求項７４】  前記レーザは、該レーザの外側に位置決めされた制御可能な増幅器を含むことを特徴とする請求項６７に記載のアセンブリ。
【請求項７５】  前記レーザは、該レーザの外側に位置決めされた制御可能な減衰器を含むことを特徴とする請求項６７に記載のアセンブリ。
【請求項７６】  前記レーザは、前記共振空洞の外側に位置決めされた減衰器及び少なくとも１つの増幅器を含むことを特徴とする請求項６７に記載のアセンブリ。
【請求項７７】  前記第１及び第２の反射器の少なくとも一方は、分散型反射器であることを特徴とする請求項６７に記載のアセンブリ。
【請求項７８】  前記レーザは、モード選択要素を含むことを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項７９】  前記モード選択要素は、制御可能な位相シフト要素であることを特徴とする請求項７８に記載のアセンブリ。
【請求項８０】  前記光信号は、少なくとも１５ｎｍの範囲内で調節可能であることを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項８１】  前記同調可能レーザ出力の幅は、前記増幅器の出力での前記導波路の幅とは独立していることを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項８２】  前記エピタキシャル構造は、光学特性が異なる領域を有することを特徴とする請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項８３】  光信号を発生させる方法であって、
基板上に形成されたエピタキシャル構造と、該エピタキシャル構造に形成されたレーザ及び増幅器とを含むダイオードレーザアセンブリを準備する段階、
を含み、
前記レーザは、第１及び第２の反射器と、同調可能レーザ出力を生成するために該第１及び第２の反射器の間に各々位置決めされた利得区域及び位相区域とを含み、該レーザの少なくとも一部分及び増幅器が、前記エピタキシャル構造に形成された共通導波路を共用し、
前記共通導波路の少なくとも一部分は、出力ファセットからの反射を低減するために湾曲しており、
前記共通導波路に沿って前記レーザ出力を前記増幅器内に結合する段階と、
前記結合したレーザ出力に応答して前記増幅器から光信号を発生させる段階と、
を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項８４】  前記光信号は、前記レーザ出力の強度を制御して一定のレーザ波長を保ちながら発生されることを特徴とする請求項８３に記載の方法。
【請求項８５】  前記共通導波路の前記湾曲した部分は、前記増幅器及びレーザ内に反射される光の量を低減することを特徴とする請求項８３に記載の方法。
【請求項８６】  前記出力ファセット近くの光学モードを、それが光ファイバ内のモードにより緊密に適合するように拡大する導波路モードアダプタを更に含むことを特徴とする請求項８３に記載の方法。
【請求項８７】  レーザ出力が、実質的に一定の出力パワーを保ちながら調節範囲にわたって調節可能であることを特徴とする請求項８３に記載の方法。
【請求項８８】  レーザ出力が、実質的に一定の出力パワーを保ちながら少なくとも１５ｎｍの調節範囲にわたって調節可能であることを特徴とする請求項８３に記載の方法。
【請求項８９】  前記光信号は、前記増幅器内の前記レーザ出力の伝搬方向を交替させながら発生されることを特徴とする請求項８３に記載の方法。
【請求項９０】  前記光信号は、前記レーザ内へ戻る反射を最小にしながら発生されることを特徴とする請求項８３に記載の方法。
【請求項９１】  前記光信号は、前記増幅器における少なくとも１つの光学モードを交替させながら発生されることを特徴とする請求項８３に記載の方法。
【請求項９２】  前記光学モードを変更する段階は、断熱モード膨張であることを特徴とする請求項９１に記載の方法。
【請求項９３】  前記光信号は、前記増幅器における導波路モードを選択的に励起しながら発生されることを特徴とする請求項８３に記載の方法。
【請求項９４】  前記共通導波路の前記湾曲した部分は、前記出力ファセットと傾斜した角度で交差することを特徴とする請求項８３に記載の方法。
【請求項９５】  前記共通導波路の前記湾曲した部分及び前記傾斜した角度の両方が、前記出力ファセットから反射して前記増幅器及びレーザ内に戻る光の量を低減することを特徴とする請求項９４に記載の方法。
【請求項９６】  光信号を発生させる方法であって、
エピタキシャル構造内の第１及び第２の半導体層と、該エピタキシャル構造内の該第１及び第２の半導体層の間に形成された導波路と、該エピタキシャル構造に形成されたレーザ及び増幅器とを含むダイオードレーザアセンブリを準備する段階、
を含み、
前記レーザは、同調可能レーザ出力を生成するために２つの回折格子区域の間に各々位置決めされた利得区域及び位相区域を含み、
前記導波路の少なくとも一部分は、出力ファセットからの反射を低減するために湾曲しており、
前記レーザ出力を前記導波路に沿って前記増幅器内に結合させる段階と、
前記増幅器の前記導波路のテーパ付け区域内で前記レーザ出力を伝搬させて、飽和出力パワーを増大させる段階と、
前記伝播したレーザ出力に応答して前記増幅器から光信号を発生させる段階と、
を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項９７】  前記光信号は、前記レーザ出力の強度を制御して一定のレーザ波長を保ちながら発生されることを特徴とする請求項９６に記載の方法。
【請求項９８】  前記レーザ出力は、実質的に一定の出力パワーを保ちながら調節範囲にわたって調節可能であることを特徴とする請求項９６に記載の方法。
【請求項９９】  前記レーザ出力は、実質的に一定の出力パワーを保ちながら少なくとも１５ｎｍの調節範囲にわたって調節可能であることを特徴とする請求項９６に記載の方法。
【請求項１００】  前記光信号は、前記増幅器内の前記レーザ出力の伝搬方向を交替させながら発生されることを特徴とする請求項９６に記載の方法。
【請求項１０１】  前記光信号は、前記レーザ内へ戻る反射を最小にしながら発生されることを特徴とする請求項９６に記載の方法。
【請求項１０２】  前記光信号は、前記増幅器における少なくとも１つの光学モードを交替させながら発生されることを特徴とする請求項９６に記載の方法。
【請求項１０３】  前記光学モードを変更する段階は、断熱モード膨張であることを特徴とする請求項１０２に記載の方法。
【請求項１０４】  前記光信号は、前記増幅器における導波路モードを選択的に励起しながら発生されることを特徴とする請求項９６に記載の方法。
【請求項１０５】  前記導波路の前記湾曲した部分は、前記増幅器及びレーザ内に反射する光の量を低減することを特徴とする請求項９６に記載の方法。
【請求項１０６】  前記導波路の前記湾曲した部分は、前記出力ファセットと傾斜した角度で交差することを特徴とする請求項９６に記載の方法。
【請求項１０７】  前記導波路の前記湾曲した部分及び前記傾斜した角度の両方が、前記出力ファセットから反射して前記増幅器及びレーザ内に戻る光の量を低減することを特徴とする請求項１０６に記載の方法。
【請求項１０８】  前記出力ファセット近くの光学モードを、それが光ファイバ内のモードにより緊密に適合するように拡大する導波路モードアダプタを更に含むことを特徴とする請求項１０６に記載の方法。