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【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
より優先的に透過性のガス成分をそれほど優先的に透過性でないガス成分から分離するための、かかる成分より成る原料ガス混合物の循環型ガス分離プロセスにおいて、
（ ａ ） より優先的に透過性のガス成分とそれほど優先的に透過性でないガス成分に対する選択的ガス透過性膜を持つ膜モジュールを用意する工程、
（ ｂ ） 同時に、（ ｉ ） 該モジュールに原料ガス混合物を供給し、原料ガス混合物を膜の第１ 面に接触させ、（ ｉ ｉ ）   膜の第２ 面と流体連通するモジュールから、より優先的に透過性のガス成分を富化した透過ガス混合物を排出し、（ ｉ ｉ ｉ ）   膜の第１ 面と流体連通するモジュールから、それほど優先的に透過性でないガス成分を富化した残留ガス混合物を抜き取る工程、
（ ｃ ） 第１面へガス原料混合物を供給するのを停止し、透過ガス混合物の排出を停止し、残留ガス混合物の抜き取りを停止する工程、
（ ｄ ） モジュールに希釈ガスを供給する工程、
（ ｅ ）   希釈ガスをモジュールに供給するのを停止する工程、および、
（ ｆ ） 工程（ ｂ ） − （ ｅ ） を繰り返すことを含むプロセス。
【請求項２】
液体の揮発性有機化合物貯留タンクのアレージ・ガスからの揮発性有機化合物蒸気の大気への排出を減少するプロセスにおいて、該プロセスが
（ ａ ） ガラス転移温度と揮発性有機化合物の透過に対して空気の透過に選択性があるポリマーから成り、二つの面を有し、膜の一面が膜の第１ 面上にアレージガスと流体連通する原料− 残留ガス室を決め、膜の第二面が透過ガス室を決めるガス透過性膜を含む蒸気回収システムを用意する工程、
（ ｂ ）   一回目の時間中、同時に且つ連続的に（ ｉ ） アレージ・ガスをモジュールの原料− 残留ガス室へ移送し、該アレージ・ガスを膜の第１ 面に接触させ、（ ｉ ｉ ） 該アレージ・ガスを分離してアレージ・ガスに比して揮発性有機化合物を減らした低有機物含有ガスと、アレージ・ガスに比して揮発性有機化合物を富化した高有機物含有ガスを生成し、（ｉ ｉ ｉ ）   低有機物含有ガスをモジュールから外気に排出し（ ｉ ｖ ） 、高有機物含有ガスをモジュールから貯留タンクのアレージ・ガス中に戻す工程、
（ ｃ ）   二回目の時間中、アレージ・ガスを移送すること、アレージ・ガスを分離すること、低有機物含有ガスを排出すること、および高有機物含有ガスを戻すことを停止する工程、
（ ｄ ） 工程（ ｃ ） の間に、揮発性有機化合物を膜モジュールから取り除くのに有効な量の空気を蒸気回収システムに供給する工程、および
（ ｅ ）   （ ｂ ） − （ ｄ ） の工程を繰り返す工程を含むプロセス。
【請求項３】
より優先的に透過性のガス成分をそれほど優先的に透過性でないガス成分から分離するための、かかる成分より成る原料ガス混合物の循環型ガス分離プロセスにおいて、
（ ａ ） より優先的に透過性のガス成分とそれほど優先的に透過性でないガス成分に対する選択的ガス透過性膜を持つ膜モジュールを用意する工程、
（ ｂ ） 、同時に、（ ｉ ） 該モジュールに原料ガス混合物を供給し、原料ガス混合物を膜の第１ 面に接触させ、（ ｉ ｉ ）   膜の第２ 面と流体連通するモジュールから、より優先的に透過性のガス成分を富化した透過ガス混合物を排出し、（ ｉ ｉ ｉ ）   膜の第１ 面と流体連通するモジュールから、それほど優先的に透過性でないガス成分を富化した残留ガス混合物を抜き取る工程、
（ ｃ ） 第１ 面へガス原料混合物を供給するのを停止し、透過ガス混合物の排出を停止し、残留ガス混合物の第１ 面からの抜き取りを停止する工程、
（ ｄ ）   供給、排出、及び抜き取りの停止時にモジュール内に存在する残余ガスの一部を取り除くに有効な真空でモジュールを吸引する工程、
（ ｅ ）   真空でモジュールを吸引することを停止する工程、および、
（ ｆ ） 工程（ ｂ ） − （ ｅ ） を繰り返すことを含むプロセス。
【請求項４】
液体の揮発性有機化合物の貯留タンクのアレージ空間からの揮発性有機化合物蒸気の大気排出を減少すプロセスにおいて、該プロセスが
（ ａ ） ガラス転移温度と揮発性有機化合物の透過に対して空気の透過に選択性があるポリマーから成り、二つの面を有し、膜の一面が膜の第１ 面上にアレージガスと流体連通する原料− 残留ガス室を決め、膜の第二面が透過ガス室を決めるガス透過性膜を含む蒸気回収システムを用意する工程
（ ｂ ）   一回目の時間中、同時に且つ連続的に、（ ｉ ） 原料ガスをアレージ空間からモジュールの原料− 残留ガス室へ移送し、原料ガスを膜の第１ 面に接触させ、（ ｉ ｉ ） 該原料ガスを分離して、原料ガスに比して揮発性有機化合物を減らした低有機物含有ガスと原料ガスに比して揮発性有機化合物を富化した高有機物含有ガスを生成し、（ ｉ ｉ ｉ ）   低有機物含有ガスをモジュールから外気に排出し、（ ｉ ｖ ） 高有機物含有ガスをモジュールから貯留タンクのアレージ・ガス中に戻す工程、
（ ｃ ）   二回目の時間中、原料ガスを移送すること、低有機物含有ガスを排出すること、および高有機物含有ガスを戻すことを停止する工程、
（ ｄ ） 工程（ ｃ ） の間に、原料ガス移送が停止時にモジュール内に存在する残余のガスの一部を取り除くに有効な程度真空でモジュールを吸引する工程、および
（ ｅ ）   （ ｂ ） − （ ｄ ） の工程を繰り返す工程を含むプロセス
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管の医療的診断のためのシステムであって、制御可能に膨張可能なバルーン及び第一圧力センサを含むバルーンカテーテルを含むシステム。
【請求項２】
前記第一圧力センサが前記バルーンに対して基部位置で前記血管内の周囲圧力を測定しかつ報告するように操作可能であること、及び前記システムが前記バルーンに対して遠端位置で前記血管内の周囲圧力を測定しかつ報告するように操作可能な第二圧力センサを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記カテーテルが前記血管内に挿入されたときに、前記第一圧力センサによって測定された第一圧力測定値と前記第二圧力センサによって測定された第二圧力測定値との間に有意な差が存在するかどうかを測定するようにプログラムされたプロセッサであって、もしそのような差が検出されるなら血流の閉塞を報告するように更に操作可能であるプロセッサを含むデータ分析モジュールを更に含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記データ分析モジュールが、もし前記検出された圧力における差が予め決められた絶対値を越えるなら血流の閉塞を報告するようにプログラムされていることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記データ分析モジュールが、もし前記検出された圧力における差が前記測定された圧力の一つの予め決められた割合を越えるなら血流の閉塞を報告するようにプログラムされていることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記カテーテルがその基部上に与えられた目盛り付き尺度を含み、この尺度が前記血管中への前記カテーテルの貫入の深さを示すことを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項７】
前記バルーンを前記血管内に表示するように操作可能である撮像様式を更に含むことを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項８】
前記カテーテルが前記撮像様式下で見ることができる位置マーカーを含み、それにより、前記カテーテルが前記血管内にありかつ前記データ分析モジュールが閉塞を報告するときに、使用者が前記撮像様式下の前記カテーテルの位置を観察することを可能にすることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記マーカーが放射線不透過性であることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記撮像様式が蛍光透視鏡であることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記撮像様式が超音波システムであり、前記マーカーが超音波走査下で見ることができることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第一圧力センサが前記バルーンの外壁と前記血管の内壁との間の圧力を報告するように操作可能であり、システムが、前記血管内での前記バルーンの膨張中に、前記第一圧力センサによって検出された圧力の上昇を報告するように操作可能なデータ分析モジュールを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記データ分析モジュールが、前記第一圧力センサによって圧力の上昇が検出されたときに前記バルーンの外部寸法を報告するように更に操作可能であることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第一圧力センサによって圧力の前記上昇が検出されたときに前記バルーンの外部寸法を表示するように操作可能な撮像様式を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記撮像様式がＸ線システムであることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記撮像様式が蛍光透視鏡であることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記撮像様式が超音波システムであることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
前記バルーンを膨張する膨張流体の圧力を測定するように操作可能な第二圧力センサを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１９】
前記データ分析モジュールが、前記第二圧力センサにより報告された前記膨張流体の圧力の測定に基づいて、前記バルーンの外部寸法を計算するように操作可能であることを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記データ分析モジュールが圧力の変動条件下での前記バルーンの膨張性の既知の特性を参照して前記計算を実行するように操作可能であることを特徴とする請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
複数の前記第一圧力センサを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項２２】
前記複数の第一圧力センサが前記バルーン上に一つの円周方向配列で配置されることを特徴とする請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記複数の第一圧力センサが前記バルーン上に複数の円周方向配列で配置されることを特徴とする請求項２１に記載のシステム。
【請求項２４】
前記第一圧力センサが前記バルーンの外壁と前記血管の内壁との間の圧力を報告するように操作可能であり、前記システムが前記バルーンの外壁と前記血管の内壁との間の接触を表示する圧力の第一の上昇を前記第一圧力センサが報告するまで前記バルーンを膨張するように操作可能であるバルーン膨張コントローラを更に含み、前記バルーン膨張コントローラが、圧力の上昇が検出された後で前記バルーンを制御された度合いまで更に膨張するように更に操作可能であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項２５】
前記バルーンの前記制御された更なる膨張の後に前記第一圧力センサによって検出された圧力を報告するように更に操作可能であることを特徴とする請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記バルーンの前記制御された更なる膨張の後に前記第一圧力センサによって検出された前記圧力と、健全な血管壁組織において検出されることが予期される圧力値との間の差を報告するように操作可能であるデータ分析モジュールを更に含むことを特徴とする請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
前記データ分析モジュールが、もし前記報告された圧力が健全な血管壁組織のために適切な前記値より大きいなら、標準的プラクの存在を報告するように操作可能であることを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
前記データ分析モジュールが、もし前記報告された圧力が健全な血管壁組織のために適切な前記値より小さいなら、傷つきやすいプラクの存在を報告するように操作可能であることを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料を冷却するための方法であって、
凍結プローブの端部を該材料内に配置するステップと、
極低温流体用の液体蒸気システムの臨界点付近の物理的条件下で、該極低温流体を前記凍結プローブに循環させるステップ、
を包含し、その結果、該凍結プローブに関連するベーパーロックが防止され、ここで該臨界点は、モル体積が流体および気体で実質的に等しい該液体蒸気システムの位相図における点を規定する、
方法。
【請求項２】
前記凍結プローブの直径が２ｍｍ未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記凍結プローブの直径が１ｍｍ未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記極低温流体が液体窒素であり、前記物理的条件が約３３．５気圧の圧力を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記材料がイメージングアレイを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記材料が、デバイス内に電子回路を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
以下のステップ：
第２凍結プローブの端部を材料内に配置し、前記凍結プローブの端部が、電気絶縁材料から製造されるステップと、
電流を該凍結プローブの端部間に強制的に流して、介在する材料を加熱することにより、物質を電気的にアブレートするステップと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記材料を電気的にアブレートするステップが、前記極低温流体を凍結プローブに循環させて、最初に氷を形成した後に行われる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
凍結プローブを使って寒冷感知物質を前記材料中に注入するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
複数の凍結プローブであって、こうした各々の凍結プローブが、閉鎖遠位端が体内に挿入するように構成されたシャフトと、該シャフトを通して低温流体を流し、該遠位端の温度を低下させるための導管とを有する凍結プローブと、
低温流体源と、
複数の凍結プローブの導管と、低温流体源と連通する複数の流量制御計量バルブと、
該複数の凍結プローブの導管と連通して、内蔵流体システムを画定する圧縮器と、
該複数の流量制御計量バルブおよび該圧縮器を制御して、該内蔵流体システムの導管を通る低温流体の所望の流量を提供するように構成されるコンピュータプロセッサと
を備える、寒冷療法システム。
【請求項１１】
前記低温流体が液体であり、
前記コンピュータプロセッサが、前記圧縮器および前記複数の流量制御計量バルブを制御して、前記液体用の液体蒸気システムの臨界点付近の物理的条件下で前記凍結プローブの導管を通る液体の最初の流量を提供するように構成され、
その結果、該凍結プローブの凍結に対応するベーパーロックが防止される、
請求項１０に記載の寒冷療法システム。
【請求項１２】
前記コンピュータプロセッサが、前記凍結プローブ内の液体の圧力を実質的に低下させ、その結果、比較的低温の液体温度が維持され、最初の流量が確立した後にベーパーロックを生じないように構成される、請求項１１に記載の寒冷療法システム。
【請求項１３】
前記圧縮器が、周囲の極低温液体を圧縮するための水中ポンプを備える、請求項１１に記載の寒冷療法システム。
【請求項１４】
前記圧縮器が、圧縮された極低温液体と周囲の極低温液体との熱交換により、圧縮熱を除去するための熱交換器を備える、請求項１３に記載の寒冷療法システム。
【請求項１５】
前記複数の凍結プローブが、個々の供給ラインを介して水中ポンプと連通し、
前記コンピュータプロセッサが、個々の供給ラインを通る流量を調整することにより、複数の凍結プローブの凍結領域を設定するようにさらに構成される、
請求項１３に記載の寒冷療法システム。
【請求項１６】
前記圧縮器がプッシュプルベローシステムおよび線形作動装置モータを備える、請求項１１に記載の寒冷療法システム。
【請求項１７】
前記コンピュータプロセッサが、線形作動装置モータにより制御されて、前記極低温液体の圧力を設定するようにさらに構成される、請求項１６に記載の寒冷療法システム。
【請求項１８】
前記流量制御計量バルブと連通する加温気体源をさらに備え、前記コンピュータプロセッサが、該流量制御計量バルブを制御して、能動解凍手順の一部として、導管を通る加温気体の流れを開始するようにさらに構成される、請求項１１に記載の寒冷療法システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学電池セルであって、
閉じた底、直立している側壁、及び終端縁を有し、初めは開いているトップを含む金属容器と、
前記容器内に配置されている正電極、負電極、セパレータ、及び電解質と、
正電極電流コレクタと、
負電極電流コレクタと、
終端縁を有する周縁フランジを有し、前記セル内の電極、セパレータ、及び電解質をシールするために前記容器の開いたトップにまたがって配置される金属カバーと、
を含み、
前記金属容器は、前記電極及び電解質と電気化学的に不活性であり、
前記正及び負電極の一方は前記側壁の内面に直接接触しており、前記側壁は前記側壁に直接接触している電極の前記電流コレクタの少なくとも一部分になり、
前記側壁は、前記容器の最上部分の下方において内向きに成形されてネックが形成されており、前記ネックの外面の幅は前記ネックの上方の容器の外面の幅より小さく、
前記カバーフランジは、前記カバーフランジを前記缶側壁の隣接する層の間に配置することなく前記カバーフランジと前記ネックの上方の側壁との間にシーリング界面が形成されるように、前記ネックの上方の前記側壁の外側の周囲が成形され、
前記カバーフランジの終端縁は、前記ネックの上方の側壁の幅より小さい幅を有しておりかつ下向きに成形されている、
ことを特徴とする電気化学セル。
【請求項２】
前記容器の終端縁は、半径方向外向きかつ下向きに成形されている、ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項３】
前記容器の終端縁は、半径方向内向きかつ下向きに成形されている、ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項４】
前記カバーフランジと前記容器との間の前記シーリング界面内に、圧縮された材料が配置されていることを特徴とする請求項１に記載のセル。
【請求項５】
前記カバーフランジ及び前記容器の少なくとも一方のシーリング界面表面上に、シーラントが配置されていることを特徴とする請求項２に記載のセル。
【請求項６】
前記セルは、前記カバー上に配置されている接触端子を有していることを特徴とする請求項１に記載のセル。
【請求項７】
前記正及び負電極電流コレクタの一方は前記カバー内の開口を通って伸び、前記一方の電流コレクタは前記接触端子と電気的に接触し、前記一方の電流コレクタは前記カバーと前記一方の電流コレクタとの間のシールを形成しているシーリング部材によって前記カバーから電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項５に記載のセル。
【請求項８】
前記カバーフランジ及び前記容器の前記ネックの上方の側壁は、前記電極及び前記電解質を前記セル内に保持するための最も内側のシールを構成していることを特徴とする請求項１に記載のセル。
【請求項９】
前記カバーフランジと前記容器の前記ネックの上方の側壁とのシーリング係合は、前記セルの正常な貯蔵及び使用中、セルジャケットを用いることなく前記電極及び前記電解質を前記セル内に収容することができることを特徴とする請求項１に記載のセル。
【請求項１０】
前記セルは円筒形であり、前記ネックの上方の外径は、前記ネックの下方のセル外径よりも実質的に大きくないことを特徴とする請求項１に記載のセル。
【請求項１１】
前記ネックの上方の外径は、前記ネックの下方の外径よりも大きくないことを特徴とする請求項１０に記載のセル。
【請求項１２】
前記容器の開いたトップは、前記容器側壁の２つの横並び層からなることを特徴とする請求項１１に記載のセル。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線マルチキャリヤ通信システムにおいてダウンリンクで受信したパイロットを処理する方法であって、
第１の伝送エンティティから第１のサブバンド集合に関して第１のパイロット信号を受信することであって、前記第１のサブバンド集合は、前記第１の伝送エンティティによるパイロット伝送のために使用されるとともに、第２の伝送エンティティによるパイロット送のために使用される第２のサブバンド集合と互いに素であることと、
前記第１の集合内のサブバンドの各々に関するパイロット推定値を得るために前記第１のパイロット信号を処理することと、
前記第２の伝送エンティティから前記第２のサブバンド集合に関して伝送された第２のパイロット信号を受信することと、
前記第２の集合内のサブバンドの各々に関するパイロット推定値を得るために前記第２のパイロット信号を処理すること、とを具備する方法。
【請求項２】
前記サブバンドに関する前記パイロット推定値に基づいて前記第１の集合内のサブバンドの各々に関するチャネル推定値を導き出すことをさらに具備する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の集合内のサブバンドに関するチャネル推定値に基づいて前記第１の集合に含まれていない少なくとも１つのサブバンドに関するチャネル推定値を導き出すことをさらに具備する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のサブバンド集合に関するパイロット推定値に基づいて前記第１のパイロット信号に関する信号強度推定値を導き出すことをさらに具備する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記サブバンドに関する前記パイロット推定値に基づいて前記第２の集合内のサブバンドの各々に関するチャネル推定値を導き出すことをさらに具備する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１の符号により前記第１のパイロット信号に対して被覆除去を行うことをさらに具備する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の符号は、ウォルシュ符号である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記被覆除去されたパイロット記号をデスクランブルコードによって処理してデスクランブルされたパイロット記号を得ることをさらに具備し、前記第１のパイロット信号を処理することは、前記デスクランブルされたパイロット記号を処理して前記第１の集合内のサブバンドの各々に関するパイロット推定値を得ることをさらに具備する請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記デスクランブルコードは、疑似乱数（ＰＮ）符号である、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前デスクランブルコードを複数のデスクランブルコードセグメントに分割し、前記第１の集合内のサブバンドの各々に関して１つのデスクランブルコードセグメントを割り当て、前記第１の集合内のサブバンドの各々に関するパイロット記号に、前記サブバンドに関する前記デスクランブルコードセグメントを乗じる、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記デスクランブルコードの各チップは、１個のパイロット記号に対して適用される、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
無線マルチキャリヤ通信システムにおける装置であって、
第１の伝送エンティティから第１のサブバンド集合に関して第１のパイロット信号を受信する手段であって、前記第１のサブバンド集合は、前記第１の伝送エンティティによるパイロット伝送のために使用されるとともに、第２の伝送エンティティによるパイロット伝送のために使用される第２のサブバンド集合と互いに素である手段と、
前記第１の集合内のサブバンドの各々に関するパイロット推定値を得るために前記第１のパイロット信号を処理する手段と、
前記第２の伝送エンティティから前記第２のサブバンド集合で伝送された第２のパイロット信号を受信する手段と、
前記第２の集合内のサブバンドの各々に関するパイロット推定値を得るために前記第２のパイロット信号を処理する手段と、とを具備する装置。
【請求項１３】
前記サブバンドに関する前記パイロット推定値に基づいて前記第１の集合内のサブバンドの各々に関するチャネル推定値を導き出す手段をさらに具備する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１のサブバンド集合に関するパイロット推定値に基づいて前記第１のパイロット信号に関する信号強度推定値を導き出す手段をさらに具備する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記サブバンドに関する前記パイロット推定値に基づいて前記第２の集合内のサブバンドの各々に関するチャネル推定値を導き出す手段をさらに具備する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
第１の符号により前記第１のパイロット信号に対して被覆除去を行う手段をさらに具備する請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１の符号は、ウォルシュ符号である、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記被覆除去されたパイロット記号をデスクランブルコードによって処理してデスクランブルされたパイロット記号を得る手段をさらに具備し、前記処理する手段は、前記デスクランブルされたパイロット記号を処理して前記第１の集合内のサブバンドの各々に関するパイロット推定値を得る手段をさらに具備する請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記デスクランブルコードは、疑似乱数（ＰＮ）符号である、請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前デスクランブルコードを複数のデスクランブルコードセグメントに分割し、前記第１の集合内のサブバンドの各々に関して１つのデスクランブルコードセグメントを割り当て、前記第１の集合内のサブバンドの各々に関するパイロット記号に、前記サブバンドに関する前記デスクランブルコードセグメントを乗じる手段をさらに具備する請求項１６に記載の装置。
【請求項２１】
前記デスクランブルコードの各チップは、１個のパイロット記号に対して適用される、請求項１６に記載の装置。
【請求項２２】
少なくとも１つのプロセッサによって実行されるときに、前記少なくとも１つのプロセッサに請求項１から１２のいずれか１つの方法を実行させる命令を具備するコンピュータ読み取り可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気デバイスを備え、誘電体材料および金属でこの順に被覆された表面を有する事前製作集積回路を準備する段階であって、前記誘電体材料が開口を有し、前記金属が、前記開口内に延在し、それによって前記電気デバイスを電気的に接触させる段階と、
前記開口の外部の前記金属の部分を第１期間の間、研磨液を用いる研磨によって除去する段階と、
前記開口の外部に残留する金属の一部分を除去するために第２期間の間、研磨を継続しながら、前記研磨液にエッチング剤を加える段階とを含む集積回路の製造方法。
【請求項２】
前記事前製作集積回路から前記エッチング剤を除去するために第３期間の間研磨を継続しながら、前記第２期間の後さらに研磨液が加えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第３期間が、１５秒〜１２０秒の間である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２期間が、１５秒より短い、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２期間が、５秒より短い、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電体材料と前記事前製作集積回路の前記金属がバリア層によって分離され、前記第１期間の間に前記バリア層が局部的に剥き出しになる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記事前製作集積回路が、研磨面を有する研磨部材を用いて研磨され、前記研磨面が前記研磨液を備え、前記エッチング剤が、前記研磨面に前記エッチング剤を供給することによって、前記研磨液に加えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
研磨面を有する研磨部材と、
研磨面に研磨液を供給するための研磨液供給手段と、
前記研磨面にエッチング剤を供給するためのエッチング剤供給手段と、
研磨装置が請求項１に記載の集積回路の製造方法を実行するのを可能にするためのシステム制御手段であって、第１期間の間、事前製作ＩＣを研磨した後に、前記エッチング剤供給手段が前記研磨液に前記エッチング剤を加えることを可能にする、手段と
を備える研磨装置。
【請求項９】
終点を検出し、前記システム制御手段に終点信号を提供するための終点検出器をさらに備え、
前記システム制御手段は、前記エッチング剤供給手段が、前記終点信号に呼応して前記研磨液に前記エッチング剤を加えることを可能にするように構成されている、請求項８に記載の研磨装置。
【請求項１０】
前記事前製作ＩＣを保持し、かつ前記研磨面に事前製作ＩＣを押圧するための加工物保持具をさらに備え、
前記研磨部材が、前記研磨面にほぼ垂直な軸の周りに回転可能であり、前記研磨面が、研磨の間、事前製作ＩＣが接触する領域を有し、前記エッチング剤供給手段が、前記領域に前記エッチング剤を供給するように構成されている、請求項８に記載の研磨装置。
【請求項１１】
前記領域は、径方向に外縁を有し、
前記エッチング剤供給手段が、前記外縁の近傍に前記エッチング剤を供給するように構成されている、請求項１０に記載の研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
研磨装置２０は、事前製作ＩＣを保持し、事前製作ＩＣを研磨面２２に押圧するための加工物保持具４０を有する。図２に示した実施形態においては、加工物保持具４０は、電動機によって矢印４２で示したもう１つの軸の周りに回転可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
研磨装置２０は、さらに研磨面２２にエッチング剤２５を供給するためのエッチング剤供給ユニット３３を備える。エッチング剤２５は、少量の、例えば１〜２０ｍｌのエッチング剤を計量供給するように設計されたノズル３１によって計量供給される。エッチング剤２５を計量供給する量とその瞬間（時期）は、システム制御ユニット２６によって制御される。つまりシステム制御ユニット２６は、第１期間の間、事前製作ＩＣ１０を研磨した後に、エッチング剤供給ユニット３３が、研磨面２２上の研磨液２４にエッチング剤２５を加えることを可能にする。システム制御ユニット２６は、コンピュータプログラムを含む情報担体２８ａを備えたコンピュータである。コンピュータプログラムは、本発明による方法を実行するための命令を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2006517737.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱すべき対象物を支持するためのグラファイトからなるプラットフォームであって、上下に比較的平坦な面を有する基板を備えるプラットフォーム、
プラットフォームに実質的に横断方向に延在するグラファイトからなるシャフト、
上記平坦面の少なくとも一方に設けられた第１のコーティングであって、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、耐火性硬質金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物からなる群から選択される１種以上の材料からなる第１コーティング、
所定の幾何形状のパターン配列で第１コーティング上に設けられた熱分解グラファイトからなる第２のコーティング層であって、１以上の電極の形成に適合した２以上の別個の端部を有する第２コーティング層、及び
第１及び第２コーティング上に積層した誘電材料であって、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、耐火性硬質金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物からなる群から選択される１種以上の材料からなるトップコーティング、を備え、
前記前記グラファイトシャフト及びグラファイトプラットフォームが単一の一体ボディをなすウェーハ加工装置。
【請求項２】
当該装置が静電チャックであって、前記電極がチャック電極である、請求項１記載のウェーハ加工装置。
【請求項３】
当該装置がヒータであって、前記電極が加熱素子電極である、請求項１記載のウェーハ加工装置。
【請求項４】
前記グラファイトプラットフォームがディスク、プラテン及びシリンダのいずれかである、請求項１記載のウェーハ加工装置。
【請求項５】
前記グラファイトシャフトがロッド及び中空コアのいずれかである、請求項１記載のウェーハ加工装置。
【請求項６】
第２コーティングが、スパイラルパターン、サーペンタインパターン、螺旋パターン、ジグザグパターン、連続ラビリンスパターン、螺旋コイル状パターン、スワールパターン、不規則回旋状パターン及びこれらの組合せの１以上を有する電気流路の１以上に配置された熱分解グラファイトの細長い連続ストリップを形成するようにパターン化されている、請求項１記載のウェーハ加工装置。
【請求項７】
パターン形成された第２コーティングがプラットフォームの下面に形成される、請求項６記載のウェーハ加工装置。
【請求項８】
熱分解グラファイトの第２コーティング層が、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、耐火性硬質金属、遷移金属及び希土金属、或いはこれらの複合体及び／又は組合せからなる群から選択される元素の少なくとも窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物で封入される、請求項１記載のウェーハ加工装置。
【請求項９】
熱分解グラファイトの第２コーティング層がＡＩＮ又は熱分解窒化ホウ素で封入される、請求項８記載のウェーハ加工装置。
【請求項１０】
グラファイトシャフトがさらに、電極を外部電源に接続するための２以上の導電体を含む、請求項１記載のウェーハ加工装置。
【請求項１１】
２つの導電体が同軸であって、第１の導電体が第２の導電体内部に配置される、請求項１０記載のウェーハ加工装置。
【請求項１２】
２つの導電体がグラファイトシャフトの両側に対称的に配置される、請求項１０記載のウェーハ加工装置。
【請求項１３】
シャフトが本質的に中実であって、２つの導電体がグラファイトシャフトの両側に対称的に配置されたコーティング層である、請求項１２記載のウェーハ加工装置。
【請求項１４】
シャフトが中空コアであって、２つの導電体がシャフト内に配置され、しかも２つの導電体が同軸である、請求項１０記載のウェーハ加工装置。
【請求項１５】
２つの同軸導電体が共通の中心を有する、請求項１４記載のウェーハ加工装置。
【請求項１６】
第１の導電体がグラファイトロッドの形態であり、第２の導電体が中空グラファイトロッドであり、第１及び第２の導電体がＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、耐火性硬質金属、遷移金属及び希土金属、或いはこれらの複合体及び／又は組合せからなる群から選択される元素の少なくとも窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物からなる群から選択される材料からなるコーティング層で分離される、請求項１０記載のウェーハ加工装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数の外部表面をそれぞれ有する複数の３次元サブシステムであり、各サブシステムの少なくとも第１の表面が別のサブシステムの第２の表面と隣接し、
各表面が、
非導電性基板と、
前記基板上に配置された複数の導電性パッドと、
各パッドに取り付けられた電気リードとを含む、複数の３次元サブシステムを含むコンピュータ・システムであって、
前記パッドのうち、第１の表面および第２の表面にそれぞれ配置された２つのパッドが容量性カプラを形成して、前記サブシステム間で電気信号を伝達することを可能にする、コンピュータ・システム。
【請求項２】
前記パッドが誘電体材料で被覆される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記誘電体材料が、低損失特性を有し、かつ電気信号の伝達を改善する大きな誘電率を有する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記信号が時間変化する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記信号が、相補対である正の信号および負の信号を有するディファレンシャル信号であり、
２つのサブシステムの間の第１の容量性カプラが正の信号を搬送し、前記２つのサブシステムの間の第２の容量性カプラが負の信号を搬送する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記表面がほぼ平面である、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
各サブシステムが電気回路を含み、
サブシステム上の容量性カプラの電気リードが前記電気回路に結合される、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
各パッドが、複数のバイアを含み、
電気リードが、前記バイアを通して前記パッドに取り付けられる、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１および第２の表面が接触している、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１および第２の表面が互いに摺動可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１および第２の表面が、容量性カプラを位置合わせする手段を含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１および第２の表面が、機械的手段によって互いに結合される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
各サブシステムが、データを記憶し、受信し、送信することができる記憶装置である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
各サブシステムが、複数のデータ記憶装置を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
各サブシステムが、データ処理サブシステムである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
各サブシステムが、データ通信サブシステムである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
各サブシステムが、６つの外部表面を有する立方体である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
１つまたは複数の外部表面をそれぞれ有する複数のデータ記憶サブシステムであり、各サブシステムの少なくとも第１の表面が別のサブシステムの第２の表面と隣接し、
各表面が、
非導電性基板と、
前記基板上に配置された複数の導電性パッドと、
各パッドに取り付けられた電気リードとを含む、複数のデータ記憶サブシステムを含むデータ記憶システムであって、
前記パッドのうち、第１の表面および第２の表面にそれぞれ配置された２つのパッドが容量性カプラを形成して、前記サブシステム間で電気信号を伝達することを可能にする、データ記憶システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月24日(2007.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
反応器に分岐剤を加えることも可能であるが、その結果得られるポリマー鎖はもはや線状ではない。分岐剤は、通常、付随する官能基の数により定義され、Ａ3又はＢ3分子の形体をとることができ、Ａ3はトリカルボン酸又はトリカルボン酸エステルであり、Ｂ3はトリオールである。分岐作用を引き起こすために、Ａ2Ｂ及びＡＢ2モノマーも採用することができ、Ａ2Ｂは２つの酸官能基と１つのアルコールを有するモノマーを表し、ＡＢ2は１つの酸官能性と２つのアルコール基を有する分子を表す。この目的のためには、例えばペンタエリスリトール及び二無水ピロメリット酸（pyromellitic dianhydride）などからの４官能基を含む、より高い官能性分岐基も採用することができる。ポリエステルの分岐に関する科学はポリエステル技術分野では周知である。鎖分岐は、ポリマー、特にポリエステルの溶融強度を改良するための最も一般的な方法の１つである。しかしながら、特にもし分岐剤を固相重合したら、分岐剤の使用は溶融物に容認できないゲルを生成させるようになる。ゲルは、配置された分岐が多すぎて、容易には溶融されえない堅く交絡した鎖のネットワークを効果的に創り出しているポリエステル中の点に他ならない。このゲルは、最終の成型／押出部品に許容しがたい外観上の欠陥として存在する。ゲルを最少にするためには、分岐剤は低レベルで反応器全体に均一に分散させて添加する。従って、分岐ポリエステルは製造が難しく、溶融強度の向上は、ゲルを形成することなく添加することができる最大の分岐剤の量に制限される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
比較例２
テレフタル酸残基からなる二酸成分、ＥＧ残基６９モル％及びＣＨＤＭ残基３１モル％からなるジオール成分並びにトリメリット酸残基０．１８モル％を含み、０．７４ｄＬ／ｇのＩＶを有するコポリエステルを溶融相重合により製造した。これは固相重合しなかった。このポリマーは、２１７℃において、１ｒａｄ／秒では９９３７７ポイズ、１００ｒａｄ／秒では２３２３２ポイズの溶融粘度を有している。１ｒａｄ／秒での溶融粘度：１００ｒａｄ／秒での溶融粘度の比率は４．２８である。この低めの温度が、溶融割れの始点（１００ｒａｄ／秒での粘度に関して）を表している。しかしながら、この温度では、この材料の溶融強度は比較例１のポリエステルの溶融強度のほとんど２倍である。従って、この材料で製造することができるボトルの大きさは、比較例１のコポリエステルから製造することができるものより遥かに大きい。しかしながら、この試料は分枝状のものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図３は、本発明の特別な実施例によるシステムを示す。特に、図３は、データプロセッサ３１０及びメモリ３２０を有するシステム３００を示す。動作においては、データプロセッサ３１０は、メモリ３２０にアクセスして、プログラムインストラクション３２２を実行し、ビデオデータ３２４を処理する。例えば、ビデオデータ３２４は、一般に図１のＦ１のフレーム２０２及びＦ２のフレーム２０４のビデオフレームデータを有する。同様に、ビデオプロセッサ３１０は、インストラクションを実行するインストラクション実行ユニットを一般に備える。更に、データプロセッサ３１０は、コプロセッサ３１２を有してもよく、それはここで説明したコード化プロセスの一部又はすべてを実行可能な特別なハードウエアのアクセラレータ及び／又はマイクロコードエンジンを有してもよい。更に、図３の情報プロセッサ３００は汎用コンピュータ、特定用途コンピュータの一部でも、又は大きなシステムの一部として形成されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性低ｋ誘電体性膜上への不透過性膜の接着性を改善する方法であって、
前記多孔性低ｋ誘電性膜の内部に捕捉された揮発性分子を除去するために、前記多孔性低ｋ誘電性膜を加熱することにより該多孔性低ｋ誘電性膜を十分な時間にわたってアニールする段階と、
前記多孔性低ｋ誘電性膜上に、捕捉可能な分子を含む環境に前記多孔性低ｋ誘電性膜を露出することなく不透過性膜を堆積させる段階とを有し、
前記アニールする段階は、前記多孔性低ｋ誘電性膜から有機材料及び湿気を含むすべての揮発性分子を本質的に除去するものであることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記多孔性低誘電性膜は、多孔性ＭＳＱ、多孔性ＨＳＱ、多孔性シリカ構造体、低温堆積シリコン炭素膜、低温堆積Ｓｉ−Ｏ−Ｃ膜、メチルドープ多孔性シリカ、及びそれらの混合物から成る群から選択された材料であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記不透過性膜は、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＳｉＮ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、金属、及びそれらのＳｉ混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記不透過性膜は、ＣＶＤ、ＡＬＤ、及びナノ層堆積（ＮＬＤ）、又はスパッタリングによって堆積されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記多孔性低ｋ誘電体膜は、上に保護層を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アニール処理の温度は、５０℃から５００℃の間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アニール時間は、１０秒から２時間の間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記アニール処理は、抵抗式加熱器又は放射式加熱器により実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
アニール環境は、窒素及び不活性気体からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１又は請求項１０に記載の方法。
【請求項１０】
前記アニールする段階の圧力は、大気圧よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記アニール段階と前記堆積段階は、２つの別々のチャンバで実行され、
前記多孔性低ｋ誘電性膜をアニールチャンバから堆積チャンバへ、捕捉可能な分子を含む環境に該多孔性低ｋ誘電性膜を露出することもなく移送する中間段階、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記捕捉可能な分子を含まない環境が大気圧よりも低い圧力の環境であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記アニール処理は、バッチ処理であり、前記堆積処理は、単一の処理であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記多孔性低誘電性膜は、頂部に保護層を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記多孔性低ｋ誘電性膜は、集積回路に設けられることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
ワークピース上に体積された多孔性低ｋ誘電体性膜上への不透過性膜の接着性を改善する方法であって、
捕捉可能な分子を含んでいない前記多孔性低ｋ誘電性膜の一部を除去する段階と、
捕捉可能な分子を含む環境に前記多孔性低ｋ誘電性膜を露出することなく前記多孔性低ｋ誘電性膜上に不透過性膜体積させる段階とを備えたことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記除去段階は、プラズマエッチングによるものであることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記不透過性膜の堆積の前に前記デバイスを洗浄する中間段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記洗浄する段階は、フォトレジストを剥離する段階を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記不透過性膜の堆積の前に、前記多孔性低ｋ誘電性膜の内部に捕捉された揮発性分子を除去するために十分な時間前記多孔性低ｋ誘電性膜を加熱することによって前記多孔性低ｋ誘電性膜をアニールする中間段階をさらに備えていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月28日(2006.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流負荷を制御するためのDC/DCブリッジであって、制御可能な半導体スイッチ部が設けられ、２つのブリッジ部を有しており、そのうちの一つのブリッジ部が直流を伝導し、他のブリッジ部をパルス変調方式によって制御して電流の大きさを調整するDC/DCブリッジにおいて、
前記DC/DCブリッジは３つのブリッジアームより成り、
そのうちの２つのアームは、並列に接続され、
該並列に接続されたブリッジアームにおける前記半導体スイッチは、PWMによって制御してPWM制御式ブリッジ部を形成することを特徴とするDC/DCブリッジ。
【請求項２】
請求項１に記載の制御部において、前記PWMブリッジアームにおける半導体スイッチは、同時に導通させることを特徴とする制御部。
【請求項３】
請求項１に記載の制御部において、前記PWMブリッジアームにおける半導体スイッチは、交互に導通させることを特徴とする制御部。
【請求項４】
請求項３に記載の制御部において、前記PWM制御に使用される半導体スイッチは、最大限でも前記ブリッジ部の導通時間の実質的に50%の間、導通するように制御されることを特徴とする制御部。
【請求項５】
請求項１に記載の制御部において、前記半導体スイッチは、空気等の冷却媒体が供給される冷却基板にブリッジアーム部として装着され、前記直流を伝導するブリッジ部の半導体スイッチ部は、媒体取り入れ口側に配置されることを特徴とする制御部。
【請求項６】
請求項５に記載の制御部において、前記半導体スイッチ部は互いに異なる距離で配置され、冷却を最適化することを特徴とする制御部。
【請求項７】
請求項１に記載の制御部において、前記直流負荷は、直流モータであることを特徴とする制御部。
【請求項８】
請求項１に記載の制御部において、前記直流負荷は、エレベータのブレーキ磁石であることを特徴とする制御部。
【請求項９】
請求項１に記載の制御部において、前記ブリッジアームは互いに、電力段回路基板または少なくともその近くに接続されることを特徴とする制御部。
【請求項１０】
請求項１に記載の制御部において、前記ブリッジを直流駆動部および交流駆動部の両方で機能させることができ、前記制御部は直流/交流駆動部を切り替えるためのスイッチを有することを特徴とする制御部。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のDC/DCブリッジの変調は、次のように行われる。本発明のPWM制御式直流駆動部は、交流駆動部で使用されるものと同じ種類の半導体スイッチS21〜S26をPWM制御に使用できる。例えば制御部内のスイッチSW1により直流駆動部に切り替えることが可能である。交流の代わりに、ゼロ周波数が使用される(非回転磁界)。本発明の直流駆動部において、すべての半導体スイッチで高周波のPWM制御信号、一般的に数キロヘルツの周波数をスイッチングする必要はない。トルク方向(上/下)を切り替えるには、スイッチのうちのスイッチS25とS26の2つを使用でき、当該スイッチは純粋なDC電流を伝導する。PWM制御に使用されるスイッチS21〜S26は、数キロヘルツの周波数で入/切し、電流Idc(トルク)の大きさを制御する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも１つの予測マーカーの発現レベルを測定し；次いで、
ｂ）予測マーカーの発現に基づいて腫瘍を治療するためにプロテアソーム阻害ベースの療法を決定し、ここに、有意な発現レベルは、患者が応答性の患者または非応答性の患者のいずれかであることを示す
ことを特徴とする、患者における腫瘍を治療するためのプロテアソーム阻害療法を決定する方法。
【請求項２】
予測マーカーの発現レベルがｍＲＮＡの検出によって測定される請求項１記載の方法。
【請求項３】
予測マーカーの発現レベルが蛋白質の検出によって測定される請求項１記載の方法。
【請求項４】
予測マーカーが、表１、表２、表３、表４、表５、表６または表７のいずれかに記載された少なくとも１つのマーカーから選択された請求項１記載の方法。
【請求項５】
有意な発現レベルの測定が、対照マーカーとの比較または事前決定された標準に対する比較によって決定される請求項１記載の方法。
【請求項６】
腫瘍が液性および固形の腫瘍から選択された請求項１記載の方法。
【請求項７】
液性腫瘍が、骨髄腫、多発性骨髄腫、非ホジキン・リンパ腫、Ｂ細胞性リンパ腫、ワルデンストローム症候群、慢性リンパ性白血病および他の白血病よりなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項８】
有意な発現レベルが、２以上の予測マーカーを含む予測マーカーセットによって測定される請求項１記載の方法。
【請求項９】
腫瘍を処置するためのプロテアソーム阻害ベースの療法が、ボルテゾミブでの治療を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
腫瘍治療に先立って、腫瘍治療と同時に、または腫瘍治療後にのいずれかの時点に、腫瘍細胞を含む患者試料が対象から得られることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
ａ）患者の腫瘍における少なくとも１つの予測マーカーの発現レベルを測定し；次いで
ｂ）予測マーカーの発現に基づいたプロテアソーム阻害剤を含むプロテアソーム阻害療法で患者を治療し、ここに、有意な発現レベルは、患者が応答性の患者であることを示すことを特徴とする、プロテアソーム阻害療法で患者における腫瘍を処置する方法。
【請求項１２】
予測マーカーの発現レベルが、ｍＲＮＡの検出によって測定される請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
予測マーカーの発現レベルが、蛋白質の検出によって測定される請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
予測マーカーが、表１、表２、表３、表４、表５、表６または表７のいずれかに記載された少なくとも１つのマ―カーから選択される請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
有意な発現レベルの測定が、対照マーカーとの比較または事前決定された標準に対する比較によって決定される請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
腫瘍が液性および固形の腫瘍から選択された請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
液性腫瘍が、骨髄腫、多発性骨髄腫、非ホジキン・リンパ腫、Ｂ細胞性リンパ腫、ワルデンストローム症候群、慢性リンパ性白血病および他の白血病よりなる群から選択される請求項１１記載の方法。
【請求項１８】
有意な発現レベルが、２以上の予測マーカーを含む予測マーカーセットによって測定される請求項１１記載の方法。
【請求項１９】
腫瘍を処置するためのプロテアソーム阻害ベースの療法が、ペプチジルアルデヒド、ペプチドボロン酸、ペプチドホウ酸エステル、ビニルスルホン、エポキシケトンおよびラクタシスチンアナログよりなる群から選択される請求項１１記載の方法。
【請求項２０】
腫瘍治療に先立って、腫瘍治療と同時に、または腫瘍治療後にのいずれかの時点に、腫瘍細胞を含む患者試料が対象から得られることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項２１】
表１、表２および表３から選択された少なくとも２つの単離された核酸分子を含む請求項１記載の方法に用いるマーカーセット。
【請求項２２】
表１、表２および表３から選択された少なくとも２つの単離された核酸分子を含む請求項１１記載の方法に用いるマーカーセット。
【請求項２３】
重み付き投票方法（weighted voting method）を用いて構築されたマーカーセットを含む請求項２１記載のマーカーセット。
【請求項２４】
閾値の特徴モデルの組合せを用いて構築されたマーカーセットを含む請求項２２記載のマーカーセット。
【請求項２５】
少なくとも１つの予測マーカーの発現を評価するための試薬および使用説明書を含む、患者における腫瘍を処置するためのプロテアソーム阻害療法を決定するためのキット。
【請求項２６】
試薬が、１または複数の核酸プローブを含み、ここに、該プローブは、少なくとも１つの予測マーカーに特異的に結合する請求項２５記載のキット。
【請求項２７】
試薬が、抗体、抗体誘導体、抗体フラグメント、およびペプチドプローブよりなる群から選択された少なくとも１つの検出用試薬を含み、ここに、抗体、抗体誘導体、抗体フラグメントおよびペプチドプローブは、少なくとも１つの予測マーカーに対応する蛋白質に特異的に結合する請求項２５記載のキット。
【請求項２８】
ａ）一つの予測マーカーのポリペプチドを含む組成物とテスト化合物とを組み合せ；
ｂ）テスト化合物が予測マーカーポリペプチドに結合するかを決定し；次いで
ｃ）予測マーカーポリペプチドを結合する化合物を癌の処置用の候補化合物として同定することを特徴とする、
癌の処置用の候補化合物を同定する方法。