【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護カバーアセンブリであって、
（ｉ）穿孔を備えた金属箔と、
（ｉｉ）前記金属箔の１つ以上の表面への処理と、
を含み、Ｈ2Ｏ約０．０５ｍｍ以下の気流抵抗を有する、保護カバーアセンブリ。
【請求項２】
前記保護カバーアセンブリが約１１ｃｍを超える瞬間水侵入圧値を有する、請求項１に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項３】
前記保護カバーアセンブリが１ＧＨｚにて約５０デシベル超の遮蔽効果を有する、請求項１または２に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項４】
前記穿孔が約１５０マイクロメートル未満の平均最大孔径を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項５】
前記穿孔が約１００マイクロメートル未満の平均最大孔径を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項６】
前記穿孔が約５０〜１００マイクロメートルの平均最大孔径を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項７】
前記処理が疎水性処理である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項８】
前記疎水性処理がシリカ粒子を含む、請求項７に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項９】
前記処理が疎油性処理である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項１０】
前記保護カバーアセンブリが厚さ１２マイクロメートル未満である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項１１】
粘着性取付けシステムをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項１２】
前記金属箔がニッケルである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項１３】
保護カバーアセンブリであって、
（ｉ）穿孔を備えた金属箔と、
（ｉｉ）前記金属箔の１つ以上の表面への処理と、
を含み、
前記保護カバーアセンブリが約１１ｃｍ超の瞬間水侵入圧値を有し；
前記保護カバーアセンブリがＨ2Ｏ約０．０５ｍｍ以下の気流抵抗を有し；
前記穿孔が約１５０マイクロメートル未満の平均最大孔径を有し；
前記金属箔がニッケルである；
保護カバーアセンブリ。
【請求項１４】
器具であって、
（ａ）電子部品トランスデューサと；
（ｂ）少なくとも１個の開口部を有するハウジングであって、前記電子部品を少なくとも部分的に囲むハウジングと；
（ｃ）前記電子部品に近接させて配置した保護カバーアセンブリであって、
（ｉ）穿孔を備えた金属箔と、
（ｉｉ）前記金属箔の１つ以上の表面への処理と、
（ｉｉｉ）Ｈ2Ｏ約０．０５ｍｍ以下の気流抵抗と；
を含む保護カバーアセンブリと；
を含む機器。
【請求項１５】
前記金属箔の前記穿孔が約１５０マイクロメートル未満の平均最大孔径を有し、
（ｉ）前記金属箔の１つ以上の表面への前記処理が疎水性または疎油性処理である、
請求項１４に記載の機器。
【請求項１６】
開口部を有するハウジング内に配置された電子部品を保護する方法であって、
（ａ）保護カバーアセンブリであって、
（ｉ）穿孔を備えた金属箔と、
（ｉｉ）前記金属箔の１つ以上の表面への処理と、
（ｉｉｉ）Ｈ2Ｏ約０．０５ｍｍ以下の気流抵抗と、
を含む保護カバーアセンブリを提供するステップと；
（ｂ）前記電子部品を微粒子および液体の侵入から保護するために、前記保護カバーアセンブリを電子部品に近接させて取付けるステップと；
を含む方法。
【請求項１７】
保護カバーアセンブリであって、
（ｉ）穿孔を備えた金属箔と、
（ｉｉ）前記金属箔の１つ以上の表面への処理と、
を含み、前記保護カバーアセンブリが２５０〜３００Ｈｚにて約６４Ｒａｙｌｓ  ＭＫＳ未満の平均固有音響抵抗を有する、保護カバーアセンブリ。
【請求項１８】
前記保護カバーアセンブリが２５０〜３００Ｈｚにて約１１Ｒａｙｌｓ  ＭＫＳ未満の平均固有音響抵抗を有する、請求項１７に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項１９】
前記保護カバーアセンブリが２５０〜３００Ｈｚにて約７Ｒａｙｌｓ  ＭＫＳ未満の平均固有音響リアクタンス絶対値を有する、請求項１７または１８に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項２０】
前記保護カバーアセンブリが２５０〜３００Ｈｚにて約１Ｒａｙｌｓ  ＭＫＳ未満の平均固有音響リアクタンス絶対値を有する、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項２１】
前記保護カバーアセンブリが約１１ｃｍ超の瞬間水侵入圧値を有する、請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項２２】
前記穿孔が約１５０マイクロメートル未満の平均最大孔径を有する、請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項２３】
前記処理が疎水性処理である、請求項１７〜２２のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項２４】
前記処理が疎油性処理である、請求項１７〜２２のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項２５】
粘着性取付けシステムをさらに含む、請求項１７〜２４のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項２６】
前記金属箔がニッケルである、請求項１７〜２５のいずれか１項に記載の保護カバーアセンブリ。
【請求項２７】
保護カバーアセンブリであって、
（ｉ）穿孔を備えた金属箔と、
（ｉｉ）前記金属箔の１つ以上の表面への処理と、
を含み、
前記保護カバーアセンブリが２５０〜３００Ｈｚにて約１１Ｒａｙｌｓ  ＭＫＳ未満の平均固有音響抵抗と、２５０〜３００Ｈｚの約１Ｒａｙｌｓ  ＭＫＳ未満の平均固有音響リアクタンス絶対値と、約１１ｃｍ超の瞬間水侵入圧値とを有し；
前記穿孔が約１５０マイクロメートル未満の平均最大孔径を有し；
前記金属箔がニッケルである、
保護カバーアセンブリ。
【請求項２８】
器具であって、
（ａ）音響トランスデューサと；
（ｂ）少なくとも１個の開口部を有するハウジングであって、前記音響トランスデューサを少なくとも部分的に囲むハウジングと；
（ｃ）前記音響トランスデューサと前記ハウジングとの間の前記開口部に近接させて配置した保護カバーアセンブリであって、
（ｉ）穿孔を備えた金属箔と、
（ｉｉ）前記金属箔の１つ以上の表面への処理と、
を含み、２５０〜３００Ｈｚにて約６４Ｒａｙｌｓ  ＭＫＳの平均固有音響抵抗を有する保護カバーアセンブリと；
を含む機器。
【請求項２９】
前記保護カバーアセンブリが２５０〜３００Ｈｚにて約１Ｒａｙｌｓ  ＭＫＳ未満の平均固有音響リアクタンス絶対値を有する、請求項２８に記載の機器。
【請求項３０】
前記保護カバーアセンブリが約１１ｃｍ超の瞬間水侵入圧値を有する、請求項２８または２９に記載の機器。
【請求項３１】
前記穿孔が約１５０マイクロメートル未満の平均最大孔径を有する、請求項２８〜３０のいずれか１項に記載の機器。
【請求項３２】
前記処理が疎水性処理である、請求項２８〜３１のいずれか１項に記載の機器。
【請求項３３】
前記処理が疎油性処理である、請求項２８〜３１のいずれか１項に記載の機器。
【請求項３４】
前記保護カバーアセンブリが粘着性取付けシステムをさらに含む、請求項２８〜３３のいずれか１項に記載の機器。
【請求項３５】
前記金属箔がニッケルである、請求項２８〜３４のいずれか１項に記載の機器。
【請求項３６】
前記保護カバーアセンブリが接着剤なしで前記ハウジングと一体化されている、請求項２８〜３５のいずれか１項に記載の機器。
【請求項３７】
機器であって、
（ａ）音響トランスデューサと；
（ｂ）少なくとも１個の開口部を有するハウジングであって、前記音響トランスデューサを少なくとも部分的に囲むハウジングと；
（ｃ）前記音響トランスデューサと前記ハウジングとの間の前記開口部に近接させて配置した保護カバーアセンブリであって、
（ｉ）１５０マイクロメートル未満の平均最大孔径を有する穿孔を備えた金属箔と、
（ｉｉ）前記金属箔の１つ以上の表面への疎水性または疎油性処理と；
（ｉｉｉ）２５０〜３００Ｈｚにて約１１Ｒａｙｌｓ  ＭＫＳ未満の平均固有音響抵抗と；
（ｉｖ）２５０〜３００Ｈｚにて約１Ｒａｙｌｓ  ＭＫＳ未満の平均固有音響リアクタンス絶対値と；
（ｖ）約１１ｃｍ超の瞬間水侵入圧値と；
を含む保護カバーアセンブリと；
を含む機器。
【請求項３８】
開口部を有するハウジング内に配置された音響トランスデューサを保護する方法であって、
（ａ）前記音響トランスデューサと前記ハウジングとの間の前記開口部に近接させて配置した保護カバーアセンブリであって、
（ｉ）穿孔を備えた金属箔と、
（ｉｉ）前記金属箔の１つ以上の表面への処理と、
を含む保護カバーアセンブリを提供するステップと；
（ｃ）前記音響トランスデューサを微粒子および液体の侵入から保護するために、前記開口部に近接させて前記保護カバーアセンブリを取付けるステップと；
を含む方法。
【請求項３９】
前記金属箔がニッケルである、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記穿孔が約１５０マイクロメートル未満の平均最大孔径を有する、請求項３８または３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記保護カバーアセンブリが約１１ｃｍ超の瞬間水侵入圧値を有する、請求項３８〜４０のいずれか１項に記載の方法。