(57)【要約】【課題】  ヒューズを溶断しやすくした半導体装置を提供する。【解決手段】  凸部１０ａを有する第１の絶縁膜１０上に形成され、凸部１０ａの側面上に位置するヒューズ１２と、ヒューズ１２上及び第１の絶縁膜１０上に形成された第２の絶縁膜１３と、第２の絶縁膜１３上に形成され、ヒューズ１２の上方に位置する第１のダミーパターン１５ｃとを具備する。さらに、第２の絶縁膜１３及び第１のダミーパターン１５ｃ上に位置する第３の絶縁膜１６を具備してもよい。これにより、ヒューズ１２は抵抗加熱によって溶断しやすくなる。【選択図】      図１
2006294777.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸部を有する第１の絶縁膜上に形成され、前記凸部の側面上に位置するヒューズと、
前記ヒューズ上及び前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記ヒューズの上方に位置する第１のダミーパターンと、
を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁膜の下又は下方に位置し、半導体基板に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜を具備し、
前記凸部は、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜の上方に位置している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ＬＯＣＯＳ酸化膜上に位置する第２のダミーパターンを更に具備する請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のダミーパターンはポリシリコンパターンである請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のダミーパターンはダミーＡｌ合金パターンである請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜上及び前記第１のダミーパターン上に形成された第３の絶縁膜を更に具備する請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第３の絶縁膜は窒化シリコン膜を具備する請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ヒューズは抵抗加熱によって溶断されている請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ヒューズは、前記側面上から、前記第１の絶縁膜の他の部分上に延伸し、
前記側面上に位置する前記ヒューズは、他の部分より細い請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
凸部を有する第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記凸部の前記側面上に、ヒューズを形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上及び前記ヒューズ上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に、前記ヒューズの上方に位置するダミーパターンを形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ダミーパターンを形成する工程の後に、
前記ヒューズに電流を流すことにより、前記ヒューズを抵抗加熱で溶断する工程を具備する請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ヒューズを形成する工程において、前記ヒューズを、前記側面上から、前記第１の絶縁膜の他の部分上に延伸させ、
前記ダミーパターンは、Ａｌ合金パターンであり、
前記ダミーパターンを形成する工程において、前記ヒューズに接続するＡｌ合金パッドを更に形成する請求項１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗加熱で溶断するヒューズを有する半導体装置及びその製造方法に関する。特に本発明は、少ない電流量でヒューズを溶断することができる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、電気的特性を調節するためにヒューズが設けられることがある。ヒューズには、レーザービームによって溶断されるタイプと、抵抗加熱によって溶断されるタイプがある。
【０００３】
図７は、抵抗加熱によって溶断されるヒューズの従来例を示す断面図である。本図に示すヒューズ１０１は、絶縁膜１００上に、略一様の厚さに形成されている。そして、ヒューズ１０１に所定の量以上の電流が流れることにより、ヒューズ１０１に生じる抵抗加熱により、ヒューズ１０１そのものが溶断する（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−２１６０４号公報（図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した従来例では、ヒューズの全体が一様に加熱される。このため、ヒューズを溶断するまでのヒューズ全体の発熱量が大きく、半導体装置の他の部分に負荷を与える可能性がある。このため、少ない電流量でヒューズを溶断できるようにすることが望まれている。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、少ない電流量でヒューズを溶断することができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、凸部を有する第１の絶縁膜上に形成され、前記凸部の側面上に位置するヒューズと、
前記ヒューズ上及び前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記ヒューズの上方に位置する第１のダミーパターンとを具備する。
【０００６】
この半導体装置によれば、第２の絶縁膜上には、ヒューズの上方に位置する第１のダミーパターンが形成されている。このため、ヒューズは従来と比べて抵抗加熱によって溶断しやすくなる。この理由は、第１のダミーパターンによってヒューズに応力が加わるためと考えられる。
【０００７】
前記第１の絶縁膜の下又は下方に位置し、半導体基板に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜を具備し、前記凸部は、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜の上方に位置していてもよい。この場合、ＬＯＣＯＳ酸化膜上に位置する第２のダミーパターンを更に具備してもよい。このようにすると、前記凸部は更に高くなる。
前記第２のダミーパターンは、例えばポリシリコンパターンである。このようにすると、前記第２のダミーパターンを、トランジスタのゲート電極と同一工程で形成することができる。
【０００８】
前記第１のダミーパターンは、例えばダミーＡｌ合金パターンである。この場合、第１のダミーパターンをＡｌ合金配線又はＡｌ合金パッドと同一工程で形成することができる。
【０００９】
前記第２の絶縁膜上及び前記第１のダミーパターン上に形成された第３の絶縁膜を更に具備してもよい。前記第３の絶縁膜は、窒化シリコン膜を具備するのが好ましい。
前記ヒューズは、前記側面上から、前記第１の絶縁膜の他の部分上に延伸し、前記側面上に位置する前記ヒューズは、他の部分より細くてもよい。このようにすると、ヒューズは前記側面上に位置する部分でさらに溶断しやすくなる。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、凸部を有する第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記凸部の前記側面上に、ヒューズを形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上及び前記ヒューズ上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に、前記ヒューズの上方に位置するダミーパターンを形成する工程とを具備する。
【００１１】
前記ダミーパターンを形成する工程の後に、前記ヒューズに電流を流すことにより、前記ヒューズを抵抗加熱で溶断する工程を具備してもよい。
また、前記ヒューズを形成する工程において、前記ヒューズを、前記側面上から、前記第１の絶縁膜の他の部分上に延伸させ、前記ダミーパターンは、Ａｌ合金パターンであり、前記ダミーパターンを形成する工程において、前記ヒューズに接続するＡｌ合金パッドを更に形成してもよい。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１の各図は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。本実施形態は、抵抗加熱によって溶断されるヒューズを製造する方法である。
【００１３】
まず、図１（Ａ）に示すように、シリコン基板１にＬＯＣＯＳ酸化膜２を形成する。次いで、ＬＯＣＯＳ酸化膜２上に、第１の層間絶縁膜１０をＣＶＤ法により形成する。このとき、第１の層間絶縁膜１０には、ＬＯＣＯＳ酸化膜２上に位置する凸部１０ａが形成される。凸部１０ａの側面は傾斜している。
【００１４】
次いで、第１の層間絶縁膜１０の全面上に、Ａｌ合金膜をスパッタリング法により形成する。次いで、Ａｌ合金膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Ａｌ合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして、Ａｌ合金膜をエッチングする。これにより、第１の層間絶縁膜１０上にはＡｌ合金ヒューズ１２が形成される。Ａｌ合金ヒューズ１２は、中央部が凸部１０ａ上に位置しており、凸部１０ａの側面上に位置する傾斜部１２ａが、他の部分と比べて薄くなっている。
その後、レジストパターンを除去する。
【００１５】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、Ａｌ合金ヒューズ１２上及び第１の層間絶縁膜１０上に、第２の層間絶縁膜１３をＣＶＤ法により形成する。次いで、第２の層間絶縁膜１３上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、第２の層間絶縁膜１３上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして、第２の層間絶縁膜１３をエッチングする。これにより、第２の層間絶縁膜１３上には、Ａｌ合金ヒューズ１２の両端部それぞれ上に位置する接続孔１３ａ，１３ｂが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００１６】
次いで、接続孔１３ａ，１３ｂそれぞれの中、及び第２の層間絶縁膜１３上に、Ａｌ合金膜をスパッタリング法により形成する。次いで、Ａｌ合金膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Ａｌ合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして、Ａｌ合金膜をエッチングする。これにより、第２の層間絶縁膜１３上には、Ａｌ合金パッド１５ａ，１５ｂ、及びダミーＡｌ合金パターン１５ｃが形成される。
【００１７】
Ａｌ合金パッド１５ａ，１５ｂそれぞれは、一部が接続孔１３ａ，１３ｂの中に埋め込まれることにより、Ａｌ合金ヒューズ１２に接続する。ダミーＡｌ合金パターン１５ｃは、Ａｌ合金ヒューズ１２の傾斜部１２ａの上方に位置する。
その後、レジストパターンを除去する。
【００１８】
次いで、図１（Ｃ）に示すように、Ａｌ合金パッド１５ａ，１５ｂ、ダミーＡｌ合金パターン１５ｃ上、及び第２の層間絶縁膜１３上を含む全面上に、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜をこの順に積層したパッシベーション膜１６を、ＣＶＤ法により形成する。次いで、パッシベーション膜１６上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、パッシベーション膜１６上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜１６をエッチングする。これにより、パッシベーション膜１６には、Ａｌ合金パッド１５ａ，１５ｂそれぞれ上に位置する開口部が形成される。
その後、レジストパターンを除去する。
【００１９】
その後、Ａｌ合金ヒューズ１２を溶断する場合、Ａｌ合金パッド１５ａ，１５ｂそれぞれに端子を接続し、Ａｌ合金パッド１５ａ，１５ｂを介してＡｌ合金ヒューズ１２に電流を流す。これにより、Ａｌ合金ヒューズ１２の傾斜部１２ａは抵抗加熱によって溶断する。
【００２０】
このとき、傾斜部１２ａの上方には、ダミーＡｌ合金パターン１５ｃが位置している。このため、傾斜部１２ａは、従来と比べて溶断しやすくなる。この理由は、ダミーＡｌ合金パターン１５ｃによって、傾斜部１２ａには応力が加わるためと考えられる。
また、ダミーＡｌ合金パターン１５ｃ上にはパッシベーション膜１６が形成されている。このため、傾斜部１２ａは更に溶断しやすくなる。この理由は、傾斜部１２ａには更に大きな応力が加わるためと考えられる。
【００２１】
図２は、図１（Ｂ）の状態における半導体装置の平面拡大図である。本図に示すように、ダミ−Ａｌ合金パターン１５ｃは、Ａｌ合金ヒューズ１２の傾斜部１２ａの上方及びその周囲に位置している。このため、マスクずれによってダミーＡｌ合金パターン１５ｃ及び傾斜部１２ａの相対位置にずれが生じても、傾斜部１２ａの上方には、ダミーＡｌ合金パターン１５ｃが位置する。
【００２２】
以上、本発明の第１の実施形態によれば、Ａｌ合金ヒューズ１２の傾斜部１２ａの上方には、ダミーＡｌ合金パターン１５ｃが形成されている。従って、Ａｌ合金ヒューズ１２の傾斜部１２ａは、従来と比べて抵抗加熱によって溶断しやすくなる。また、ダミーＡｌ合金パターン１５ｃ上にはパッシベーション膜１６が形成されているため、傾斜部１２ａは更に溶断しやすくなる。
【００２３】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構造を説明する為の平面拡大図である。本実施例に係る半導体装置は、Ａｌ合金ヒューズ１２の傾斜部１２ａが、Ａｌ合金ヒューズ１２の他の部分と比べて細くなっている点を除いて、第１の実施形態によって製造される半導体装置と同一の構造である。また、第１の実施形態と同一の方法によって製造される。
【００２４】
本実施形態によれば、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、傾斜部１２ａは、他の部分と比べて細くなっているため、第１の実施形態と比べて更に溶断しやすくなる。
【００２５】
図４の各図は、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００２６】
まず、図４（Ａ）に示すように、シリコン基板１にＬＯＣＯＳ酸化膜２を形成する。次いで、ＬＯＣＯＳ酸化膜２上を含む全面上に、ポリシリコン膜をＣＶＤ法により形成する。次いで、ポリシリコン膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、ポリシリコン膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングする。これにより、ＬＯＣＯＳ酸化膜２上にはダミーポリシリコンパターン４ａが形成される。
その後、レジストパターンを除去する。
【００２７】
次いで、シリコン基板１、ＬＯＣＯＳ酸化膜２、及びダミーポリシリコンパターン４ａ上を含む全面上に、第１の層間絶縁膜１０を形成する。このとき、第１の層間絶縁膜１０の凸部１０ａは、ダミーポリシリコンパターン４ａの影響により、第１の実施形態と比べて高くなる。
【００２８】
次いで、Ａｌ合金ヒューズ１２を、第１の実施形態と同一の方法によって形成する。凸部１０ａが第１の実施形態と比べて高いため、Ａｌ合金ヒューズ１２の傾斜部１２ａは第１の実施形態と比べて薄くなる。
【００２９】
その後、第２の層間絶縁膜１３、接続孔１３ａ，１３ｂ、Ａｌ合金パッド１５ａ，１５ｂ、ダミーＡｌ合金パターン１５ｃ、パッシベーション膜１６、及びパッシベーション膜１６の開口部を形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態と同一である。
【００３０】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第１の層間絶縁膜１０の凸部１０ａは、ダミーポリシリコンパターン４ａの影響によって、第１の実施形態と比べて高くなる。このため、Ａｌ合金ヒューズ１２の傾斜部１２ａは、第１の実施形態と比べて薄くなり、更に溶断しやすくなる。
【００３１】
図５及び図６の各図は、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。本実施形態は、第３の実施形態で示した半導体装置と、トランジスタとを同一工程で製造する方法である。以下、第３の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３２】
まず、図５（Ａ）に示すように、ヒューズ形成領域１ａ、及びトランジスタ形成領域１ｂそれぞれに位置するシリコン基板１に、ＬＯＣＯＳ酸化膜２を形成する。これにより、トランジスタ形成領域１ｂの素子領域は、他の領域から分離される。次いで、シリコン基板１を熱酸化する。これにより、トランジスタ形成領域１ｂに位置するシリコン基板１には、ゲート酸化膜３が形成される。
【００３３】
次いで、ゲート酸化膜３及びＬＯＣＯＳ酸化膜２上を含む全面上に、ポリシリコン膜をＣＶＤ法により形成する。次いで、ポリシリコン膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、ポリシリコン膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングする。これにより、ヒューズ形成領域１ａに位置するＬＯＣＯＳ酸化膜２上には、ダミーポリシリコンパターン４ａが形成され、トランジスタ形成領域１ｂに位置するゲート酸化膜３上には、ゲート電極４ｂが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００３４】
次いで、図５（Ｂ）に示すように、ヒューズ形成領域１ａ及びトランジスタ形成領域１ｂを含む全面上に、フォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、トランジスタ形成領域１ｂ上からはフォトレジスト膜が除去される。次いで、このフォトレジスト膜、ＬＯＣＯＳ酸化膜２、及びゲート電極４ｂをマスクとして、シリコン基板１に不純物イオンを注入する。これにより、トランジスタ形成領域１ｂに位置するシリコン基板１には、低濃度不純物領域６ａ，６ｂが形成される。
その後、フォトレジスト膜を除去する。
【００３５】
次いで、ゲート電極４ｂ上を含む全面上に、酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極４ｂの側面はサイドウォール５で覆われる。なお、この工程において、ダミーポリシリコンパターン４ａの側壁もサイドウォール５で覆われる。
【００３６】
次いで、ヒューズ形成領域１ａ及びトランジスタ形成領域１ｂを含む全面上に、フォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、トランジスタ形成領域１ｂ上からはフォトレジスト膜が除去される。次いで、このフォトレジスト膜、ＬＯＣＯＳ酸化膜２、ゲート電極４ｂ、及びサイドウォール５をマスクとして、シリコン基板１に不純物イオンを注入する。これにより、トランジスタ形成領域１ｂに位置するシリコン基板１には、ソース及びドレインとなる不純物領域７ａ，７ｂが形成される。
その後、フォトレジスト膜を除去する。
【００３７】
次いで、図６（Ａ）に示すように、ヒューズ形成領域１ａ及びトランジスタ形成領域１ｂを含む全面上に、第１の層間絶縁膜１０をＣＶＤ法により形成する。次いで、第１の層間絶縁膜１０上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、第１の層間絶縁膜１０上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして第１の層間絶縁膜１０をエッチングする。これにより、トランジスタ形成領域１ｂに位置する第１の層間絶縁膜１０には、不純物領域７ａ，７ｂそれぞれ上に位置する接続孔１０ｂ，１０ｃ、及びゲート電極４ｂ上に位置する接続孔（図示せず）が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００３８】
次いで、接続孔それぞれの中、及び第１の層間絶縁膜１０上に、Ａｌ合金膜をスパッタリング法により形成する。次いで、Ａｌ合金膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Ａｌ合金膜上にはレジストパターンが形成される。
【００３９】
次いで、このレジストパターンをマスクとして、Ａｌ合金膜をエッチングする。これにより、ヒューズ形成領域１ａに位置する第１の層間絶縁膜１０上には、Ａｌ合金ヒューズ１２が形成され、トランジスタ形成領域１ｂに位置する第１の層間絶縁膜１０上には、Ａｌ合金配線１１ａ，１１ｂ，１１ｃが形成される。Ａｌ合金配線１１ａ，１１ｂそれぞれは、一部が接続孔１０ｂ，１０ｃに埋め込まれることにより、不純物領域７ａ，７ｂに接続している。Ａｌ合金配線１１ｃは、図示しない接続孔に一部が埋め込まれることにより、ゲート電極４ｂに接続している。その後、レジストパターンを除去する。
【００４０】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、第１の層間絶縁膜１０上、Ａｌ合金配線１１ａ，１１ｂ，１１ｃそれぞれ上、及びＡｌ合金ヒューズ１２上を含む全面上に、第２の層間絶縁膜１３をＣＶＤ法により形成する。次いで、第２の層間絶縁膜１３上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、第２の層間絶縁膜１３上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして第２の層間絶縁膜１３をエッチングする。これにより、ヒューズ形成領域１ａに位置する第２の層間絶縁膜１３には、Ａｌ合金ヒューズ１２上に位置する接続孔１３ａ，１３ｂが形成され、トランジスタ形成領域１ｂに位置する第２の層間絶縁膜１３には、Ａｌ合金配線１１ａ，１１ｂそれぞれ上に位置する接続孔１３ｃ，１３ｄが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００４１】
次いで、接続孔それぞれの中、及び第２の層間絶縁膜１３上に、Ａｌ合金膜をスパッタリング法により形成する。次いで、Ａｌ合金膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Ａｌ合金膜上にはレジストパターンが形成される。
【００４２】
次いで、このレジストパターンをマスクとして、Ａｌ合金膜をエッチングする。これにより、ヒューズ形成領域１ａに位置する第２の層間絶縁膜１３上には、Ａｌ合金パッド１５ａ，１５ｂ、及びダミーＡｌ合金パターン１５ｃが形成される。また、トランジスタ形成領域１ｂに位置する第２の層間絶縁膜１３上には、Ａｌ合金パッド１４ａ，１４ｂが形成される。Ａｌ合金パッド１４ａ，１４ｂそれぞれは、一部が接続孔１３ｃ，１３ｄに埋め込まれることにより、Ａｌ合金配線１１ａ，１１ｂに接続している。その後、レジストパターンを除去する。
【００４３】
次いで、図６（Ｃ）に示すように、第２の層間絶縁膜１３上、Ａｌ合金パッド１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂそれぞれ上、及びダミーＡｌ合金パターン１５ｃ上に、パッシベーション膜１６を形成する。次いで、パッシベーション膜１６上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、パッシベーション膜１６上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして、パッシベーション膜１６をエッチングする。これにより、パッシベーション膜１６には、Ａｌ合金パッドそれぞれ上に位置する開口部が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００４４】
以上、本実施形態によれば、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、Ａｌ合金ヒューズをトランジスタと同一工程で形成することができる。
【００４５】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記した各実施形態において、Ａｌ合金ヒューズの下に形成された層間絶縁膜は一層であるが、複数層であってもよい。また、同様にＡｌ合金ヒューズの上の層間絶縁膜が複数層であってもよい。更に、これら層間絶縁膜の間にＡｌ合金配線層が形成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】（Ａ）は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図２】図１（Ｂ）の状態における半導体装置の平面拡大図。
【図３】第２の実施形態に係る半導体装置の構造を説明する為の平面拡大図。
【図４】（Ａ）は第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図５】（Ａ）は第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図６】（Ａ）は図５（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図７】抵抗加熱によって溶断されるヒューズの従来例を示す断面図。
【符号の説明】
【００４７】
１…シリコン基板、２…ＬＯＣＯＳ酸化膜、３…ゲート酸化膜、４ａ…ダミーポリシリコンパターン、４ｂ…ゲート電極、５…サイドウォール、６ａ，６ｂ…低濃度不純物領域、７ａ，７ｂ…不純物領域、１０…第１の層間絶縁膜、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…Ａｌ合金配線、１２…Ａｌ合金ヒューズ、１２ａ…傾斜部、１３…第２の層間絶縁膜、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ…接続孔、１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ…Ａｌ合金パッド、１５ｃ…ダミーＡｌ合金パターン、１６…パッシベーション膜、１００…絶縁膜、１０１…ヒューズ
【図１】
2006294777.tif 000003
【図２】
2006294777.tif 000004
【図３】
2006294777.tif 000005
【図４】
2006294777.tif 000006
【図５】
2006294777.tif 000007
【図６】
2006294777.tif 000008
【図７】
2006294777.tif 000009