(57)【要約】【課題】  ウエーハを分割予定ラインに沿ってエッチングすることにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する際に、デバイスをエッチングすることなく分割することができるウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】  表面に格子状の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、露光された領域が現像により除去されるポジレジスト膜をウエーハのエッチング面に被覆するレジスト膜被覆工程と、ウエーハの分割予定ラインと対応する領域に光を透過し分割予定ラインと対応する領域以外は遮光するマスク部材を通してウエーハのエッチング面に被覆されたポジレジスト膜を露光して現像することによりポジレジスト膜における分割予定ラインと対応する領域を除去するレジスト膜被除去工程と、レジスト膜被除去工程が実施されポジレジスト膜が被覆されているウエーハをエッチング処理し、ウエーハを分割ラインに沿って分割するエッチング処理工程とを含む。【選択図】        図６
2006294807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
露光された領域が現像により除去されるポジレジスト膜をウエーハのエッチング面に被覆するレジスト膜被覆工程と、
ウエーハの該分割予定ラインと対応する領域に光を透過し該分割予定ラインと対応する領域以外は遮光するマスク部材を通してウエーハのエッチング面に被覆された該ポジレジスト膜を露光して現像することにより、該ポジレジスト膜における該分割予定ラインと対応する領域を除去するレジスト膜被除去工程と、
該レジスト膜被除去工程が実施され該分割予定ラインと対応する領域が除去された該ポジレジスト膜が被覆されているウエーハをエッチング処理し、ウエーハを該分割ラインに沿って分割するエッチング処理工程と、を含む
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等の光デバイスが積層された光デバイスウエーハも所定の分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、切削ブレードを回転しつつ被加工物を保持したチャックテーブルを加工送りすることにより，ウエーハを分割予定ラインに沿って切断する。
【０００４】
上述した切削装置の切削ブレードによってウエーハを切断すると、分割された個々のチップの外周に細かな欠けが生じやすく、チップの抗折強度を低下させる原因となっている。このような問題を解消するために、ウエーハの裏面にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を分割予定ラインに沿って切削装置により除去した後、ウエーハをレジスト膜側から分割予定ラインに沿ってエッチングすることにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００１−１２７０１１号公報
【０００５】
しかるに、上記公報に開示された分割方法においては、ウエーハの裏面に被覆されたレジスト膜を分割予定ラインに沿って切削装置により除去しなければならず、生産性が悪いという問題がある。
【０００６】
また、ウエーハの裏面にネガレジスト膜を被覆し、このネガレジスト膜における分割予定ラインと対応する領域を遮光してデバイスと対応する領域を露光した後、現像することにより、分割予定ラインと対応する領域を除去する方法が提案されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、この方法によると、分割予定ラインと対応する領域を遮光してデバイスと対応する領域に光を透過するマスク部材の光を透過する領域に数μmの塵が付着していると、塵の部分が遮光されて露光されない。このため、露光後にネガレジスト膜を現像すると、ネガレジスト膜の上記塵によって遮光された部分が除去されエッチングされるため、デバイスにエッチング穴が明くという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その主たる技術課題は、ウエーハを分割予定ラインに沿ってエッチングすることにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する際に、デバイスをエッチングすることなく分割することができるウエーハの分割方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、表面に格子状の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
露光された領域が現像により除去されるポジレジスト膜をウエーハのエッチング面に被覆するレジスト膜被覆工程と、
ウエーハの該分割予定ラインと対応する領域に光を透過し該分割予定ラインと対応する領域以外は遮光するマスク部材を通してウエーハのエッチング面に被覆された該ポジレジスト膜を露光して現像することにより、該ポジレジスト膜における該分割予定ラインと対応する領域を除去するレジスト膜被除去工程と、
該レジスト膜被除去工程が実施され該分割予定ラインと対応する領域が除去された該ポジレジスト膜が被覆されているウエーハをエッチング処理し、ウエーハを該分割ラインに沿って分割するエッチング処理工程と、を含む
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ウエーハのエッチング面にポジレジスト膜を被覆し、ウエーハの分割予定ラインと対応する領域に光を透過し分割予定ラインと対応する領域以外は遮光するマスク部材を通してポジレジスト膜を露光して現像することにより、ポジレジスト膜における分割予定ラインと対応する領域を除去するので、マスク部材におけるデバイスと対応する領域に塵が付着していてもポジレジスト膜は露光されない。従って、ポジレジスト膜におけるデバイスと対応する領域は除去されないため、次工程のエッチング処理工程においてデバイスがエッチングされることはない。
なお、マスク部材における分割予定ラインと対応する領域に塵が付着している場合には、ポジレジスト膜における分割予定ラインと対応する領域に僅かにポジレジスト膜が残存するが、エッチング処理工程におけるエッチング不良は僅かであり、従来のネガレジスト膜を用いた場合のようにデバイスに致命的な損傷を与えることがなく、デバイスの品質を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１には、被加工物であるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ１０は、円板状のシリコンウエーハからなっており、表面１０ａには格子状の分割予定ライン１０１が形成されており、この格子状の分割予定ライン１０１によって区画された複数の領域にデバイス１０２が形成されている。この半導体ウエーハ１０を分割予定ライン１０１に沿ってエッチング処理することにより、個々の半導体チップに分割する方法について説明する。
【００１３】
先ず、図１に示す半導体ウエーハ１０は、図２に示すように円板状の保護基板１１に貼着する。このとき、半導体ウエーハ１０は、エッチング面側を上側にして貼着する。図示の実施形態においては、半導体ウエーハ１０の表面１０aを上側にして裏面１０bが保護基板１１に貼着されている。なお、保護基板１１は、後述するエッチング処理工程においてエッチングされないセラミックス等によって形成されている。
【００１４】
半導体ウエーハ１０を保護基板１１に貼着したならば、露光された領域が現像により除去されるポジレジスト膜を半導体ウエーハ１０のエッチング面（図示の実施形態においては表面１０a）に被覆するレジスト膜被覆工程を実施する。このレジスト膜被覆工程は、例えば図３に示すスピンコーター１２によって実施する。即ち、図３の(a)に示すようにスピンコーター１２のスピンナーテーブル１２１上に半導体ウエーハ１０が貼着された保護基板１１を載置し、図示しない吸引手段を作動することによりスピンナーテーブル１２１上に半導体ウエーハ１０が貼着された保護基板１１を吸引保持する。次に、スピンナーテーブル１２１上に保護基板１１を介して保持された半導体ウエーハ１０の中心部にレジスト供給ノズル１２２から所定量のポジレジスト１２aを滴下し、スピンナーテーブル１２１所定速度で回転することにより、図３(b)に示すように半導体ウエーハ１０のエッチング面である表面１０aに所定厚さのポジレジスト膜１２０が被覆される。なお、ポジレジスト膜１２０の厚さは、５〜１５μmでよい。
【００１５】
レジスト膜被覆工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０の表面１０aに被覆されたポジレジスト膜１２０における分割予定ライン１０１と対応する領域を除去するレジスト膜除去工程を実施する。このレジスト膜除去工程は、例えば図４および図５に示す露光装置２によって実施する。図４および図５に示す露光装置２は、基台２０と、上述したように表面１０aにポジレジスト膜１２０が被覆された半導体ウエーハ１０を保持するチャックテーブル３と、基台２０上に配設されチャックテーブル3を支持するチャックテーブル移動手段４と、チャックテーブル３に保持された半導体ウエーハ１０に形成された分割予定ライン１０１を検出するアライメント手段５と、チャックテーブル３に保持された半導体ウエーハ１０の表面１０aに被覆されたポジレジスト膜１２０における分割予定ライン１０１と対応する領域を露光する露光手段６とを具備している。
【００１６】
上記チャックテーブル３およびチャックテーブル移動手段４について、図５を参照して説明する。
チャックテーブル３は、多孔質材料から形成された吸着チャック３１を具備しており、吸着チャック３１上に表面１０aにポジレジスト膜１２０が被覆された半導体ウエーハ１０を図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このチャックテーブル３は、チャックテーブル移動手段４によって図４および図５において矢印ＹおよびXで示す方向に移動せしめられるようになっているとともに、回動可能に構成されている。
【００１７】
チャックテーブル移動手段４は、基台２０（図４参照）上に矢印Yで示す方向に沿って平行に配設された一対の第１の案内レール４１、４１と、該第１の案内レール４１、４１上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された第１の支持台４２と、該第１の支持台４２上に矢印Xで示す方向に沿って平行に配設された一対の第２の案内レール４３、４３と、該第２の案内レール４３、４３上に矢印Xで示す方向に移動可能に配設された第２の支持台４４と、該第２の支持台４４上に配設され上記チャックテーブル３を回転可能に支持する円筒部材４５と、該円筒部材４５内に配設されチャックテーブル３を回動する回動手段としてのパルスモータ４６と、第１の支持台４２を一対の第１の案内レール４１、４１に沿って矢印Yで示す方向に移動させるための第１の移動手段４７と、第２の支持台４４を第２の案内レール４３、４３に沿って矢印Xで示す方向に移動させるための第２の移動手段４８を具備している。
【００１８】
上記第１の支持台４２は、その下面に上記一対の案内レール４１、４１と嵌合する一対の被案内溝４２１、４２１が設けられており、被案内溝４２１、４２１を一対の第１の案内レール４１、４１に嵌合することにより、一対の第２の案内レール４３、４３に沿って矢印Xで示す方向に移動可能に構成される。上記第２の支持台４４は、その下面に上記一対の第２の案内レール４３、４３と嵌合する一対の被案内溝４４１、４４１が設けられており、被案内溝４４１、４４１を一対の第２の案内レール４３、４３に嵌合することにより、一対の第２の案内レール４３、４３に沿って矢印Xで示す方向に移動可能に構成される。上記回動手段としてのパルスモータ４６は、チャックテーブル３を所定角度毎に回動することができる。
【００１９】
上記第１の移動手段４７は、上記一対の第１の案内レール４１と４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４７１と、該雄ネジロッド４７１を回転駆動するためのパルスモータ４７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４７１は、その一端が上記基台２に固定された軸受ブロック４７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４７１は、第１の支持台４２の中央部下面に突出して設けられた雌ネジブロック４７３に形成された貫通雌ネジ穴４７３aに螺合されている。従って、パルスモータ４７２によって雄ネジロッド４７１を正転および逆転駆動することにより、第１の支持台４２は第１の案内レール４１、４１に沿って矢印Yで示す方向に移動せしめられる。上記第２の移動手段４８は、上記一対の第２の案内レール４３と４３の間に平行に配設された雄ネジロッド４８１と、該雄ネジロッド４８１を回転駆動するためのパルスモータ４８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４８１は、その一端が上記第１の支持台４２に固定された軸受ブロック（図示せず）に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４８１は、第２の支持台４４に設けられた貫通雌ネジ穴４４aに螺合されている。従って、パルスモータ４８２によって雄ネジロッド４８１を正転および逆転駆動することにより、第２の支持台４４は第２の案内レール４３、４３に沿って矢印Xで示す方向に移動せしめられる。
【００２０】
図４に戻って説明を続けると、上記アライメント手段５は、上記チャックテーブル移動手段４を構成する一対の案内レール４１、４１の一端部上方に配設されている。このアライメント手段５は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段５１を具備しており、撮像手段５１は撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。撮像手段５１は、基台２に立設された支持柱５２に装着された支持部材５３に支持アーム５４を介して支持されている。なお、撮像手段５１が取付けられた支持アーム５４は、支持部材内に配設された図示しない移動手段によって図１において矢印Xで示す方向、即ち上記矢印Yで示す割り出し送り方向と直交する方向に移動せしめられるように構成されている。
【００２１】
次に、露光手段６について説明する。図示の実施形態における露光手段６は、マスク手段６１と発光手段６２とからなっている。マスク手段６１は、上壁６１１と左側壁６１２と右側壁６１３と前端壁６１４によって形成されており、上記インデックス手段４の上方を覆うように基台２０上に配設されている。このマスク手段６１の上壁６１１には矩形状の開口６１１aが形成されており、この開口６１１aにレチクルマスク６１５が配設されている。レチクルマスク６１５は、遮光部６１５a（黒で塗った部分）と光透過部６１５ｂ（白抜きの部分）とからなっている。光透過部６１５ｂは、半導体ウエーハ１０の表面１０aに形成された格子状の分割予定ライン１０１と対応して形成されている。従って、レチクルマスク６１５は、分割予定ライン１０１と対応して形成された光透過部６１５ｂ以外の領域が遮光されるようになっている。なお、レチクルマスク６１５を形成する方法としては、例えば透明な合成石英ガラス板やソーダライム板材からなる透明板の表面にクロム膜等の金属膜によって形成された遮光層を形成した後、電子ビーム描画等の手法によって上記格子状の分割予定ライン１０１と対応する領域を除去して光透過部６１５ｂを形成する。また、レチクルマスク６１５を形成する他の方法としては、透明板の表面に上記光透過部６１５cに相当にする線状のマスク部材を貼着して遮光層を形成し、その後マスク部材を剥離して上記格子状の分割予定ライン１０１と対応する光透過部６１５ｂを形成してもよい。
【００２２】
次に、上述した露光装置を用いて実施するレジスト膜被除去工程について説明する。
レジスト膜被除去工程は、先ず上記露光装置２のチャックテーブル３上にポジレジスト膜１２０が表面１０aに被覆された半導体ウエーハ１０が貼着された保護基板１１を載置し、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル３上に半導体ウエーハ１０が貼着された保護基板１１を吸引保持する。従って、半導体ウエーハ１０は表面１０aに被覆されたポジレジスト膜１２０が上側となる。このようにして、チャックテーブル３上に半導体ウエーハ１０が貼着された保護基板１１を保持したならば、チャックテーブル３を矢印Yで示す方向に作動して半導体ウエーハ１０をアライメント手段５を構成する撮像手段５１の直下に位置付ける。チャックテーブル３が撮像手段５１の直下に位置付けられると、撮像手段５１および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０の表面１０aに被覆されたポジレジスト膜１２０における露光領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５１および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１０１を検出し、この分割予定ライン１０１の方向と上記マスク手段６１の上壁６１１に形成されたレチクルマスク６１５の光透過部６１５ｂの方向が一致するようにアライメントを遂行する。もし、分割予定ライン１０１の方向とレチクルマスク６１５の光透過部６１５ｂの方向が一致していない場合には、上記チャックテーブル移動手段４のパルスモータ４４を作動してチャックテーブル３従ってウエーハ１０を回動させることによって分割予定ライン１０１の方向とレチクルマスク６１５の光透過部６１５ｂの方向が一致するようにアライメントする。また、チャックテーブル３に保持された半導体ウエーハ１０がレチクルマスク６１５と矢印Xで示す方向にズレている場合には、チャックテーブル移動手段４の第２の移動手段４８を作動してそのズレを修正する。このとき、分割予定ライン１０１が形成されている半導体ウエーハ１０の表面１０aにはポジレジスト膜１２０が被覆されているが、撮像手段５１が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されているので、ポジレジスト膜１２０を通して半導体ウエーハ１０の表面１０aに形成された分割予定ライン１０１を撮像することができる。
【００２３】
以上のようにしてチャックテーブル３上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成されている分割予定ライン１０１を検出し、露光領域のアライメントが行われたならば、チャックテーブル移動手段４の第１の移動手段４７作動しチャックテーブル３を所定距離移動してレチクルマスク６１５の直下に位置付ける。この結果、レチクルマスク６１５の光透過部６１５ｂと半導体ウエーハ１０に形成されている分割予定ライン１０１とは上下方向で一致する。次に、発光手段６２を附勢すると、レチクルマスク６１５は光透過部６１５ｂ以外が遮光されているので、光透過部６１５ｂを通して半導体ウエーハ１０の表面１０aに被覆されたポジレジスト膜１２０を露光する（露光工程）。この結果、半導体ウエーハ１０の表面１０aに被覆されたポジレジスト膜１２０は、格子状の分割予定ライン１０１と対応する領域のみが露光される。このようにして、露光工程を実施した後にポジレジスト膜１２０を現像すると、半導体ウエーハ１０の表面１０aに被覆されたポジレジスト膜１２０は、図６において白抜きで示すように半導体ウエーハ１０に形成された格子状の分割予定ラインと対応する領域が除去され、格子状の除去領域１２０aが形成される。
【００２４】
以上のようにして、レジスト膜除去工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０は次工程であるエッチング処理工程に搬送される。このエッチング処理工程は、例えば図７に示すプラズマエッチング装置８を用いて実施する。図７に示すプラズマエッチング装置８は、密閉空間８１ａを形成するハウジング８１を具備している。このハウジング８１は、底壁８１１と上壁８１２と左右側壁８１３、８１４と後側が側壁８１５および前側側壁（図示せず）とからなっており、右側側壁８１４には被加工物搬出入用の開口８１４ａが設けられている。開口８１４ａの外側には、開口８１４ａを開閉するためのゲート８２が上下方向に移動可能に配設されている。このゲート８２は、ゲート作動手段８３によって作動せしめられる。ゲート作動手段８３は、エアシリンダ８３１と該エアシリンダ８３１内に配設された図示しないピストンに連結されたピストンロッド８３２とからなっており、エアシリンダ８３１がブラケット８３３を介して上記ハウジング８１の底壁８１１に取り付けられており、ピストンロッド８３２の先端（図において上端）が上記ゲート８２に連結されている。このゲート作動手段８３によってゲート８２が開けられることにより、被加工物としての上記保護基板１１に貼着された半導体ウエーハ１０を開口８１４ａを通して搬出入することができる。また、ハウジング８１を構成する底壁８１１には排気口８１１ａが設けられており、この排気口８１１ａがガス排出手段８４に接続されている。
【００２５】
上記ハウジング８１によって形成される密閉空間８１ａには、下部電極８５と上部電極８６が対向して配設されている。下部電極８５は、導電性の材料によって形成されており、円盤状の被加工物保持部８５１と、該被加工物保持部８５１の下面中央部から突出して形成された円柱状の支持部８５２とからなっている。このように被加工物保持部８５１と円柱状の支持部８５２とから構成された下部電極８５は、支持部８５２がハウジング８１の底壁８１１に形成された穴８１１ｂを挿通して配設され、絶縁体８７を介して底壁８１１にシールされた状態で支持されている。このようにハウジング８１の底壁８１１に支持された下部電極８５は、支持部８５２を介して高周波電源８８に電気的に接続されている。
【００２６】
下部電極８５を構成する被加工物保持部８５１の上部には、上方が開放された円形状の嵌合凹部８５１ａが設けられており、該嵌合凹部８５１ａにポーラスセラミック材によって形成された円盤状の吸着保持部材８５３が嵌合される。嵌合凹部８５１ａにおける吸着保持部材８５３の下側に形成される室８５１ｂは、被加工物保持部８５１および支持部８５２に形成された連通路８５２ａによって吸引手段８９に連通されている。従って、吸着保持部材８５３上に被加工物を載置して吸引手段８９を作動して連通路８５２ａを負圧源に連通することにより室８５１ｂに負圧が作用し、吸着保持部材８５３上に載置された被加工物が吸引保持される。また、吸引手段８９を作動して連通路８５２ａを大気に開放することにより、吸着保持部材８５３上に吸引保持された被加工物の吸引保持が解除される。
【００２７】
下部電極８５を構成する被加工物保持部８５１の下部には、冷却通路８５１ｂが形成されている。この冷却通路８５１ｂの一端は支持部８５２に形成された冷媒導入通路８５２ｂに連通され、冷却通路８５１ｂの他端は支持部８５２に形成された冷媒排出通路８５２ｃに連通されている。冷媒導入通路８５２ｂおよび冷媒排出通路８５２ｃは、冷媒供給手段９０に連通されている。従って、冷媒供給手段９０が作動すると、冷媒が冷媒導入通路８５２ｂ、冷却通路８５１ｂおよび冷媒排出通路８５２ｃを通して循環せしめられる。この結果、後述するプラズマエッチング処理時に発生する熱は下部電極８５から冷媒に伝達されるので、下部電極８５の異常昇温が防止される。
【００２８】
上記上部電極８６は、導電性の材料によって形成されており、円盤状のガス噴出部８６１と、該ガス噴出部８６１の上面中央部から突出して形成された円柱状の支持部８６２とからなっている。このようにガス噴出部８６１と円柱状の支持部８６２とからなる上部電極８６は、ガス噴出部８６１が下部電極８５を構成する被加工物保持部８５１と対向して配設され、支持部８６２がハウジング８１の上壁８１２に形成された穴８１２ａを挿通し、該穴８１２ａに装着されたシール部材９１によって上下方向に移動可能に支持されている。支持部８６２の上端部には作動部材８６３が取り付けられており、この作動部材８６３が昇降駆動手段９２に連結されている。なお、上部電極８６は、支持部８６２を介して接地されている。
【００２９】
上部電極８６を構成する円盤状のガス噴出部８６１には、下面に開口する複数の噴出口８６１ａが設けられている。この複数の噴出口８６１ａは、ガス噴出部８６１に形成された連通路８６１ｂおよび支持部８６２に形成された連通路８６２ａを介してガス供給手段９３に連通されている。ガス供給手段９３は、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等のフッ素系ガスとヘリウム（Ｈｅ）を主体とするプラズマ発生用の混合ガスを供給する。
【００３０】
図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置８は、上記ゲート作動手段８３、ガス排出手段８４、高周波電源８８、吸引手段８９、冷媒供給手段９０、昇降駆動手段９２、ガス供給手段９３等を制御する制御手段９４を具備している。この制御手段９４にはガス排出手段８４からハウジング８１によって形成される密閉空間８１ａ内の圧力に関するデータが、冷媒供給手段９０から冷媒温度（即ち電極温度）に関するデータが、ガス供給手段９３からガス流量に関するデータが入力され、これらのデータ等に基づいて制御手段９４は上記各手段に制御信号を出力する。
【００３１】
図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置８は以上のように構成されており、以下上述したようにレジスト膜除去工程が実施された半導体ウエーハ１０をプラズマエッチングする例について説明する。
先ずゲート作動手段８３を作動してゲート８２を図７において下方に移動せしめ、ハウジング８１の右側側壁８１４に設けられた開口８１４ａを開ける。次に、図示しない搬出入手段によって保護基板１１に貼着された半導体ウエーハ１０を開口８１４ａからハウジング８１によって形成される密閉空間８１ａに搬送し、下部電極８５を構成する被加工物保持部８５１の吸着保持部材８５３上に保護基板１１側を載置する。このとき、昇降駆動手段９２を作動して上部電極８６を上昇せしめておく。そして、吸引手段８９を作動して上述したように室８５１ｂに負圧を作用することにより、吸着保持部材８５３上に載置された保護基板１１は吸引保持される（図８参照）。
【００３２】
半導体ウエーハ１０が貼着された保護基板１１が吸着保持部材８５３上に吸引保持されたならば、ゲート作動手段８３を作動してゲート８２を図７において上方に移動せしめ、ハウジング８１の右側側壁８１４に設けられた開口８１４ａを閉じる。そして、昇降駆動手段９２を作動して上部電極８６を下降させ、図８に示すように上部電極８６を構成するガス噴射部８６１の下面と下部電極８５を構成する被加工物保持部８５１に保持された保護基板１１に貼着されている半導体ウエーハ１０の上面との間の距離をプラズマエッチング処理に適した所定の電極間距離（Ｄ）に位置付ける。なお、この電極間距離（Ｄ）は、図示の実施形態においては１０ｍｍに設定されている。
【００３３】
次に、ガス排出手段８４を作動してハウジング８１によって形成される密閉空間８１ａ内を真空排気する。密閉空間８１ａ内を真空排気したならば、ガス供給手段９３を作動にてフッ素系ガスとヘリウムとの混合ガスをプラズマ発生用ガスとして上部電極８６に供給する。ガス供給手段９３から供給された混合ガスは、支持部８６２に形成された連通路８６２ａおよびガス噴出部８６１に形成された連通路８６１ｂを通して複数の噴出口８６１ａから下部電極８５の吸着保持部材８５３上に保持された半導体ウエーハ１０表面１０a（エッチング面）に向けて噴出される。そして、密閉空間８１ａ内を所定のガス圧力に維持する。このように、プラズマ発生用の混合ガスを供給した状態で、高周波電源８８から下部電極８５と上部電極８６との間に高周波電圧を印加する。これにより、下部電極８５と上部電極８６との間の空間にプラズマが発生し、このプラズマにより生じる活性物質が半導体ウエーハ１０表面１０aに被覆されたポジレジスト膜１２０における格子状の除去領域１２０aを通して半導体ウエーハ１０の表面１０aに形成された格子状の分割予定ライン１０１に作用するので、図９に示すように半導体ウエーハ１０は格子状の分割予定ライン１０１に沿ってエッチングされ除去る。この結果、半導体ウエーハ１０は図１０に示すように、格子状の分割予定ライン１０１に沿って個々の半導体チップ１００に分割される。
【実施例】
【００３４】
直径６インチ、厚さ５０μｍのシリコンウエーハを上述した各工程を経て上記プラズマエッチング装置８によってエッチング処理した。なお、エッチング処理の条件は、高周波電源８８の出力が２０００W、密閉空間８１ａ内の圧力が８０Pa、プラズマ発生用ガスとしてフッ素系ガスを７６ml／分、ヘリウムを１５ml／分、酸素を２７ml／分供給し、３分間エッチング処理した。この結果、半導体ウエーハ１０は、格子状の分割予定ライン１０１に沿って分割された。
【００３５】
以上のように本発明によれば、半導体ウエーハ１０のエッチング面にポジレジスト膜１２０を被覆し、半導体ウエーハ１０の分割予定ライン１０１と対応する領域に光透過部６１５ｂが形成されその他の領域が遮光されたレチクルマスク６１５を通してポジレジスト膜１２０を露光して現像することにより、ポジレジスト膜１２０における分割予定ライン１０１と対応する領域を除去するので、レチクルマスク６１５におけるデバイス１０２と対応する領域に塵が付着していてもポジレジスト膜１２０は露光されない。従って、ポジレジスト膜１２０におけるデバイス１０２と対応する領域は除去されないため、次工程のエッチング処理工程においてデバイス１０２がエッチングされることはない。
なお、レチクルマスク６１５における分割予定ライン１０１と対応する領域に塵が付着している場合には、ポジレジスト膜１２０における分割予定ライン１０１と対応する領域に僅かにポジレジスト膜が残存するが、エッチング処理工程におけるエッチング不良は僅かであり、従来のネガレジスト膜を用いた場合のようにデバイスに致命的な損傷を与えることがなく、デバイスの品質を維持することができる。
【００３６】
なお、上述した実施形態においては、ウエーハ１０の表面１０aにポジレジスト膜１２０を被覆した例を示したが、ポジレジスト膜１２０をウエーハ１０の裏面に被覆し、ウエーハ１０を裏面側からエッチングしてもよい。このようにウエーハ１０の裏面にポジレジスト膜１２０を被覆した場合、レチクルマスク６１５とウエーハ１０の表面１０aに形成された分割予定ライン１０１とのアライメントは、上記アライメント手段５の撮像手段５１が赤外線を照射する赤外線照明手段と赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されているので、ウエーハ１０の裏面側から分割予定ライン１０１を検出することができ、アライメントを遂行できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】被加工物であるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハを保護基板に貼着した状態を示す斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの分割方法におけるレジスト膜被覆工程の説明図。
【図４】本発明によるウエーハの分割方法におけるレジスト膜除去工程を実施するための露光装置の斜視図。
【図５】図４に示す露光装置に装備されるチャックテーブルおよびインデックス手段の一実施形態を示す斜視図。
【図６】本発明によるウエーハの分割方法におけるレジスト膜除去工程が実施されたポジレジスト膜が被覆された半導体ウエーハの斜視図。
【図７】本発明によるウエーハの分割方法におけるエッチング処理工程を実施するためのプラズマエッチング装置の断面図。
【図８】図７に示すプラズマエッチング装置の下部電極を構成する被加工物保持部上に半導体ウエーハが貼着された保護基板を載置した状態を示す断面図。
【図９】本発明によるウエーハの分割方法におけるエッチング処理工程が実施された半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【図１０】本発明によるウエーハの分割方法によって半導体ウエーハが個々の分割された半導体チップの斜視図。
【符号の説明】
【００３８】
２：露光装置
３：チャックテーブル
４：チャックテーブル移動手段
４７：第１の移動手段
４８：第２の移動手段
５：アライメント手段
５１：撮像手段
６：露光手段
６１：マスク手段
６１５：レチクルマスク
６２：発光手段
８：プラズマエッチング装置
８５：下部電極
８５１：被加工物保持部
８６：上部電極
１０：半導体ウエーハ
１００：半導体チップ
１０１：分割予定ライン
１０２：デバイス
１１：保護基板
１２：スピンコーター
１２０：ポジレジスト膜
１２１：スピンナーテーブル
１２２：レジスト供給ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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