【手続補正書】
【提出日】平成19年9月3日(2007.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次電子源から装置の物体平面に位置決め可能な物体へ向かう方向に向けられた一次電子ビームの一次電子ビーム経路と、前記物体から発する二次電子の二次電子ビーム経路とを備えた電子顕微鏡装置であって、
前記電子顕微鏡装置は、
前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが互いに分離されるように、前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが横断する第１の磁界領域と、
前記第１の磁界領域の上流側の、前記一次電子ビーム経路に配置され、前記二次電子ビーム経路が横断せず、前記第１の磁界領域とほぼ反対の方向に前記一次電子ビーム経路を偏向する第２の磁界領域と、
前記第１の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路に配置され、前記一次電子ビーム経路が横断せず、前記第１の磁界領域とほぼ同じ方向に前記二次電子ビーム経路を偏向する第３の磁界領域とを有するマグネット装置を備えていることを特徴とする、電子顕微鏡装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の磁界領域以外には、前記一次電子ビーム経路に前記一次電子ビーム経路を５°よりも大きい角度で偏向する磁界領域が設けられていない、請求項１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項３】
前記第２の磁界領域の前記一次電子ビーム経路に対する偏向角は、前記第１の磁界領域の前記一次電子ビーム経路に対する偏向角よりも大きい、請求項２に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項４】
前記第１の磁界領域の前記二次電子ビーム経路に対する偏向角は、前記第２の磁界領域の前記一次電子ビーム経路に対する偏向角よりも小さい、請求項１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項５】
磁界の影響をおおむね受けない第１のドリフト領域が、前記第２の磁界領域と前記第１の磁界領域との間の前記一次電子ビーム経路に設けられた、請求項１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項６】
磁界の影響をおおむね受けない第２のドリフト領域が、前記第１の磁界領域と前記第３の磁界領域との間の前記二次電子ビーム経路に設けられた、請求項１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項７】
前記第１の磁界領域と前記物体平面との間に設けられた対物レンズをさらに備え、前記一次及び二次電子ビーム経路が前記対物レンズを横断する、請求項１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項８】
前記第１の磁界領域と前記物体平面との間に設けられた少なくとも１つの電極をさらに備え、前記物体に衝突する前に前記一次電子を減速するために前記一次電子ビーム経路が前記少なくとも１つの電極を横断し、前記物体から発した後の前記二次電子を加速するために前記二次電子ビーム経路が前記少なくとも１つの電極を横断する、請求項１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つの電極に調整可能な電圧を供給するための駆動装置をさらに備えた、請求項８に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの電極に供給される電圧に応じて、前記第１の磁界領域の磁界の強さに対して第３の磁界領域の磁界の強さを変更するためのコントローラをさらに備えた、請求項９に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項１１】
前記マグネット装置は、前記第３の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路中に第４の磁界領域をさらに備え、前記第４の磁界領域の磁界の強さは、前記第３の磁界領域の磁界の強さに対して調整可能である、請求項１０に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの電極に供給される電圧に応じて、前記第３の磁界領域の磁界の強さに対して第４の磁界領域の磁界の強さを変更するためのコントローラをさらに備えた、請求項１１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項１３】
前記第３及び第４の磁界領域は、前記二次電子ビーム経路中でおおむね相互に直接隣接して配置されている、請求項１１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項１４】
前記第３の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路中に配置された少なくとも１つの四重極レンズをさらに備えた、請求項９に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの電極に供給される電圧に応じて、前記四重極レンズの電界の強さを変更するためのコントローラをさらに備えた、請求項１４に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項１６】
前記第４の磁界領域と前記四重極レンズとの間の前記二次電子ビーム経路中に配置された第５の磁界領域をさらに備えた、請求項１１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの電極に供給される電圧に応じて、前記第３の磁界領域の磁界の強さに対して前記第５の磁界領域の磁界の強さを変更するためのコントローラをさらに備えた、請求項１６に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項１８】
前記第４及び第５の磁界領域は、前記二次電子ビーム経路中でおおむね相互に直接隣接して配置されている、請求項１６に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項１９】
前記第１の磁界領域と前記第５の磁界領域との間の前記ビーム経路の領域に、前記二次電子によって前記物体平面の中間像が形成される、請求項１６に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項２０】
前記第３の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路中に配置された検出器をさらに備えた、請求項１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項２１】
前記検出器の上流側の、前記二次電子ビーム経路中に配置された転写レンズ装置をさらに備えた、請求項１に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項２２】
前記第１、第２、第３、第４及び第５の磁界領域の少なくとも１つに、ほぼ均一な磁界が与えられている、請求項１６に記載の電子顕微鏡装置。
【請求項２３】
検査対象となる物体を載せるための載置台と、
一次電子小ビームのアレイを生成する電子源装置と、
前記一次電子小ビームのそれぞれを前記物体上に集束させるための対物レンズであって、前記一次電子小ビームによって生成された二次電子小ビームのアレイが横断する対物レンズと、
前記二次電子小ビームの二次電子ビーム経路を前記一次電子小ビームの一次電子ビーム経路から分離させるためのビームスプリッタと、
前記二次電子小ビームのアレイに対応する信号のアレイを生成する検出器装置とを備えたマルチ電子小ビーム検査システムであって、
前記ビームスプリッタはマグネット装置を備え、前記マグネット装置は、
前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが互いに分離されるように、前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが横断する第１の磁界領域と、
前記第１の磁界領域の上流側の、前記一次電子ビーム経路に配置され、前記二次電子ビーム経路が横断せず、前記第１の磁界領域とほぼ反対の方向に前記一次電子ビーム経路を偏向する第２の磁界領域と、
前記第１の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路に配置され、前記一次電子ビーム経路が横断せず、前記第１の磁界領域とほぼ同じ方向に前記二次電子ビーム経路を偏向する第３の磁界領域とを備えたことを特徴とする、マルチ電子小ビーム検査システム。
【請求項２４】
一次電子小ビームのアレイを生成する工程と、
前記一次電子小ビームのそれぞれを基板上に集束させ、前記基板から発する二次電子小ビームのアレイが生成されるようにする工程と、
前記二次電子小ビームの強度を検出する工程と、
マグネット装置を備えたビームスプリッタを使用して、前記二次電子小ビームの二次電子ビーム経路を前記一次電子小ビームの一次電子ビーム経路から分離させる工程とを含む、基板のマルチ電子小ビーム検査の方法であって、
前記マグネット装置は、
前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが互いに分離されるように、前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが横断する第１の磁界領域と、
前記第１の磁界領域の上流側の、前記一次電子ビーム経路に配置され、前記二次電子ビーム経路が横断せず、前記第１の磁界領域とはほぼ反対の方向に前記一次電子ビーム経路を偏向する第２の磁界領域と、
前記第１の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路に配置され、前記一次電子ビーム経路が横断せず、前記第１の磁界領域とほぼ同じ方向に前記二次電子ビーム経路を偏向する第３の磁界領域とを備えることを特徴とする、基板のマルチ電子小ビーム検査の方法。