【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導電性端子を備えている剛性基板であって、該複数の導電性端子は該基板の表面上に配置されている、剛性基板と、
複数の可塑性パッドであって、該複数の可塑性パッドのそれぞれは、該基板の該表面に接着された底と、該基板から離れる方へ延在し、該基板から遠い方の終端領域へ向かって先細状になっている側面とを有する、複数の可塑性パッドと、
複数のトレースであって、該複数のトレースのそれぞれは、該複数の可塑性パッドのうちの１つの可塑性パッドの該側面の一部分の上で該複数の端子のうちの１つの端子から該可塑性パッドの該終端領域まで延在し、該終端領域の少なくとも一部分は該トレースによって覆われており、該可塑性パッドの上にある該トレースの一部分が該可塑性パッドによって支持されている、複数のトレースと
を備えており、
該可塑性パッドは該端子をカプセル化しない、超小型電子コンタクト。
【請求項２】
前記可塑性パッドが前記端子と離間している、請求項１に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項３】
前記トレースが、前記トレースの最大幅よりも長いスパンに亘って、前記端子と前記可塑性パッドとの間で前記基板の上に延在し該基板と接触する、請求項１に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項４】
基板に接着された底と、該基板から離れる方へ延在し、該基板から遠い方の終端領域へ向かって先細状になっている側面とを有する可塑性パッドと、
該可塑性パッドの該側面の一部分の上で装置の端子から該終端領域まで延在しているトレースであって、該基板から遠い方の終端領域の少なくとも一部分は、該トレースによって覆われ、該可塑性パッドの上にある該トレースの一部分は、該可塑性パッドによって支持され、該トレースは、該可塑性パッドと該端子との間に終端で支持された部分を含み、該終端で支持された部分は、第１の終端で該可塑性パッドによって支持され、第２の終端で該基板によって支持され、該第１の終端と該第２の終端との間で該基板よりも上に吊される、トレースと
を備える、超小型電子コンタクト。
【請求項５】
前記トレースの前記終端で支持された部分が前記基板に平行な平面内で少なくとも１つの曲がりをさらに含む、請求項４に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項６】
前記可塑性パッドが本質的に非導電性である、請求項１に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項７】
前記可塑性パッドがピラミッド型と、先を切り取られたピラミッド型と、角柱型と、先を切り取られた角柱型と、錐型と、錐台型と、半球型とから選択された形状である、請求項１に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項８】
基板に接着された底と、該基板から離れる方へ延在し、該基板から遠い方の終端領域へ向かって先細状になっている側面とを有する可塑性パッドと、
該可塑性パッドの該側面の一部分の上で装置の端子から該終端領域まで延在しているトレースであって、該基板から遠い方の該終端領域の少なくとも一部分は、該トレースによって覆われ、該可塑性パッドの上にある該トレースの一部分は、該可塑性パッドによって支持され、該トレースは、ニッケル材料と金コーティングとのうちの１つを含有する、トレースと
を備える、超小型電子コンタクト。
【請求項９】
前記可塑性パッドが主としてシリコーンゴムと、ポリエポキシドと、ポリイミドと、ポリスチレンとから選択された材料からなる、請求項１に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項１０】
前記トレースが前記可塑性パッドよりも可塑性が高い、請求項１に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項１１】
前記トレースが前記可塑性パッドよりも剛性が高い、請求項１に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項１２】
前記可塑性パッドの上にある前記トレースの一部分が、前記基板から該トレースの末端までの縦方向距離と少なくとも同じ距離に亘って、該基板の上で横方向に延在する、請求項１に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項１３】
装置基板に接着された底を含む可塑性パッドであって、該パッドの少なくとも一つの側面は、該装置基板からある角度で該基板から遠い方の終端領域まで延在している、可塑性パッドを準備するステップと、
該基板の端子から該パッドの終端領域までトレースを形成するステップと
を含み、
該形成するステップが、該可塑性パッド上で該トレースの少なくとも一部分を形成するステップを含む、超小型電子コンタクトを製造する方法。
【請求項１４】
前記準備するステップが、
犠牲基板上に可塑性パッドを形成するステップと、
該可塑性パッドを前記装置基板へ移すステップと
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記移すステップが、前記可塑性パッドを前記装置基板の端子から離間した場所で該装置基板へ移すステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
装置基板に接着された底と、該装置基板からある角度で該基板から遠い方の終端領域まで延在している少なくとも一つの側面とを含む可塑性パッドを準備するステップと、
該基板の端子から該終端領域までトレースをパターニングするステップと
を含み、
該トレースをパターニングするステップは、
該装置基板と該可塑性パッドとの上に犠牲材料の絶縁保護層を堆積するステップと、
該絶縁保護層をパターニングして、該端子から該記終端領域まで延在する溝を形成するステップと、
該溝に金属性材料をメッキするステップと、
該装置基板から該絶縁保護層を除去するステップと
をさらに含む、超小型電子コンタクトを製造する方法。
【請求項１７】
装置基板に接着された底と、該装置基板からある角度で該基板から遠い方の終端領域まで延在している少なくとも一つの側面とを含む可塑性パッドを準備するステップと、
該基板の端子から該終端領域までトレースをパターニングするステップと
を含み、
該トレースをパターニングするステップが、化学気相成長法と、物理気相成長法と、スパッタリング法とから選択された方法によって金属性材料を堆積するステップをさらに含む、超小型電子コンタクトを製造する方法。
【請求項１８】
装置基板に接着された底と、該装置基板からある角度で該基板から遠い方の終端領域まで延在している少なくとも一つの側面とを含む可塑性パッドを準備するステップと、
該基板の端子から該終端領域までトレースをパターニングするステップと
を含み、
該準備するステップが、
犠牲基板上に可塑性パッドを形成するステップと、
該可塑性パッドを該装置基板へ移すステップと
をさらに含み、
該可塑性パッドを形成するステップが、該犠牲基板にピットをエッチングするステップをさらに含む、超小型電子コンタクトを製造する方法。
【請求項１９】
前記ピットをエッチングするステップが、ピラミッド型と、先を切り取られたピラミッド型と、階段状ピラミッド型と、円錐型と、半球型と、角柱型と、先を切り取られた角柱型とから選択された形状を有するピットをエッチングするステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記可塑性パッドを形成するステップが、前記ピットを液体エラストマー材料で満たすステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記ピット内にある間に前記液体エラストマー材料を硬化するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記硬化するステップの間に前記液体エラストマー材料を前記装置基板と接触させるステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも部分的に自立型であるトレースであって、第１の終端で基板の端子に取り付けられ、第２の終端で取り付けられておらず、該端子から該第２の終端へ延在し、少なくとも末端部分が、該基板の表面と離間されている該第２の終端まで延在し、該基板の該表面に平行な平面内で自由に曲がる、トレースを備える、弾性超小型電子コンタクト。
【請求項２４】
前記末端部分が前記基板に平行な平面内の前記トレースの弾力性のための少なくとも１つの曲がりを有する、請求項２３に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項２５】
前記トレースの前記末端部分が、ジグザグ状と、小鈍鋸歯状と、ヘアピン状と、蛇行状とから選択された形状を有する経路を辿るようにパターニングされる、請求項２３に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項２６】
剛性トレースの前記第２の終端に接続されたコンタクト先端をさらに備える、請求項２３に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項２７】
前記コンタクト先端が平坦でありパッド形状である、請求項２６に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項２８】
前記コンタクト先端の上に接合用材料の塊をさらに含む、請求項２６に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項２９】
前記接合用材料がはんだペーストである、請求項２８に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項３０】
前記コンタクト先端の下で前記基板上に配置された可塑性パッドをさらに備える、請求項２６に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項３１】
前記可塑性パッドが前記基板に接着された底と、該基板から離れる方へ延在し、該基板から遠い方の終端領域へ向かって先細状になっている側面とを有し、該終端領域が該底よりも実質的に小さい、請求項３０に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項３２】
前記可塑性パッドが少なくとも部分的に前記コンタクト先端を支持する、請求項３０に記載の超小型電子コンタクト。
【請求項３３】
半導体装置上に犠牲材料の第１の層を堆積するステップと、
該装置の端子を露出するため該第１の層をパターニングするステップと、
該第１の層と該端子との上に導電性シード層を堆積するステップと、
該シード層の直ぐ上に犠牲材料の第２の層を堆積するステップと、
該第２の層をパターニングして、該端子から、該端子から遠い位置まで広がる経路に沿って該シード層を露出するステップと、
該露出したシード層の該経路に沿って金属性材料をメッキするステップと、
該第１の層と、該第２の層と、該シード層のメッキされていない部分とを除去することによって、第１の終端で基板の端子に取り付けられ、第２の終端で取り付けられていない弾性超小型電子コンタクトを露出するステップと
を含む、弾性超小型電子コンタクトを製造する方法。
【請求項３４】
前記パターニングするステップが、少なくとも１つの曲がりを有する前記経路を露出するステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記パターニングするステップが、ジグザグ状と、小鈍鋸歯状と、ヘアピン状と、蛇行状とから選択された形状を有する前記経路を露出するステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
前記超小型電子コンタクトの末端部分に接合用材料の塊を設置するステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３７】
前記最初の堆積するステップの前に、前記基板に可塑性パッドを取り付けるステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３８】
前記取り付けるステップが、前記半導体装置に接着させられた底と、該半導体装置から離れる方へ延在し、該半導体装置から遠い方の終端領域へ向かって先細状になっている側面とを有している前記可塑性パッドを取り付けるステップをさらに含み、該終端領域が該底よりも実質的に小さい、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記パターニングするステップが、前記可塑性パッドの先端部分に達する前記経路を露出させるステップをさらに含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
表面に複数の端子を有する半導体装置と、
複数の弾性超小型電子コンタクトであって、該複数の弾性超小型電子コンタクトのそれぞれは、第１の終端で該装置の各端子に取り付けられ第２の終端で取り付けられない剛性トレースを備えており、該トレースは、各端子から該第２の終端へと実質的に該装置の表面に平行な方向で延在し、該表面から離間した該第２の終端へ延在し該半導体装置の該表面に平行な平面内で可塑性がある少なくとも末端部分を有する、複数の弾性超小型電子コンタクトと
を備える、基板へのフリップチップ実装のため構成された半導体装置。
【請求項４１】
前記複数の端子が前記表面の第１の部分の範囲内で第１のピッチ間隔のため相互に離間され、該表面が本質的に端子の無い第２の部分を有し、該第２の部分が該第１の部分よりも広い、請求項４０に記載の半導体装置。
【請求項４２】
前記複数のコンタクトの前記第２の終端が前記表面の前記第２の部分の上で第２のピッチ間隔のため相互に離間して配置され、該第２のピッチ間隔が前記第１のピッチ間隔よりも長い、請求項４１に記載の半導体装置。
【請求項４３】
各超小型電子コンタクトの前記末端部分が、前記基板に平行な方向で該超小型電子コンタクトの弾性のための少なくとも１つの曲がりを有する、請求項４０に記載の半導体装置。
【請求項４４】
各超小型電子コンタクトの前記末端部分が、ジグザグ状と、小鈍鋸歯状と、ヘアピン状と、蛇行状とから選択された形状を有する、請求項４０に記載の半導体装置。
【請求項４５】
前記半導体装置の前記表面が本質的にエラストマー材料を含まない、請求項４０に記載の半導体装置。
【請求項４６】
各超小型電子コンタクトの前記末端部分の遠い方の先端に配置された接合用材料の塊をさらに備える、請求項４０に記載の半導体装置。
【請求項４７】
各超小型電子コンタクトの前記末端部分の遠い方の先端と前記基板との間に配置された可塑性パッドをさらに備える、請求項４０に記載の半導体装置。
【請求項４８】
前記可塑性パッドが、前記半導体装置に接着させられた底と、該半導体装置から離れる方へ延在し、該半導体装置から遠い方の終端領域へ向かって先細状になっている側面とを有し、該終端領域が該底よりも実質的に小さい、請求項４７に記載の半導体装置。
【請求項４９】
弾性パッドと、
該パッドの少なくとも一部分の上に延在するトレースと、
を備えたコンタクト構造体であって、
該コンタクト構造体のスプリングコンタクトが該パッドと該トレースの弾力性の機能を果たす、コンタクト構造体。