【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路ダイの半導体基板中に配置された帯電領域と、
帯電領域中に導かれた光ビームを偏向して帯電領域中に戻すための、帯電領域に近接して配置された第１の偏向器と、
第１の偏向器で偏向された光ビームを偏向して帯電領域を介して第１の偏向器へ戻すための、第１の偏向器に対向して配置された第２の偏向器とを備え、光ビームが、第１と第２の偏向器の間の帯電領域を介した複数回にわたる光ビーム偏向の後、光変調器外へ導かれることを特徴とするマルチパス導波光変調器。
【請求項２】  半導体基板が裏面および前面を備え、半導体基板の裏面を介して半導体基板中に光ビームが導かれることを特徴とする請求項１に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項３】  光ビームは、複数回にわたる偏向の後、裏面を介して光変調器外へ導かれることを特徴とする請求項２に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項４】  光ビームは、半導体基板の裏面上の第１の位置で半導体基板に入射し、半導体基板の裏面上の、第１の位置から離れた第２の位置で半導体基板から放出されることを特徴とする請求項３に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項５】  第１の位置における光ビームの入射角を小さくするために、第１の位置における半導体基板の裏面の表面に角度が付けられ、第２の位置における光ビームの入射角を小さくするために、第２の位置における半導体基板の裏面の表面に角度が付けられることを特徴とする請求項４に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項６】  第１の偏向器は、半導体基板と、半導体基板の屈折率とは異なる屈折率を有する材料との間の第１の界面からなり、光ビームは、内部全反射の結果、第１の偏向器で偏向することを特徴とする請求項１に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項７】  第１の偏向器は、半導体基板に近接した反射材からなることを特徴とする請求項１に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項８】  第２の偏向器は、半導体基板と、半導体基板の屈折率とは異なる屈折率を有する材料との間の第２の界面からなり、光ビームは、内部全反射の結果、第２の偏向器で偏向することを特徴とする請求項１に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項９】  第２の偏向器は、半導体基板に近接した反射材からなることを特徴とする請求項１に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項１０】  帯電領域中のフリー・チャージ・キャリア分布は、集積回路ダイ中の信号に応じて変調されることを特徴とする請求項１に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項１１】  帯電領域は、集積回路ダイの半導体基板中のｐ−ｎ接合に近接していることを特徴とする請求項１に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項１２】  帯電領域は、集積回路ダイの半導体基板中の金属酸化物半導体（ＭＯＳ）界面に近接していることを特徴とする請求項１に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項１３】  光ビームの減衰を緩和するために、半導体基板の厚さが、第１と第２の偏向器の間で薄くなっていることを特徴とする請求項１に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項１４】  集積回路ダイの半導体基板中に配置された帯電領域を通して光ビームを導くステップと、
半導体基板から放出される前に、光ビームが複数回にわたって帯電領域を通過するように、複数回にわたって光ビームを偏向して帯電領域中に戻すステップとを有することを特徴とする光ビームを変調する方法。
【請求項１５】  集積回路ダイ中の信号に応じて、帯電領域中のフリー・チャージ・キャリア分布を変調するステップをさらに有することを特徴とする請求項１４に記載の光ビームを変調する方法。
【請求項１６】  複数回にわたって光ビームを偏向して帯電領域中に戻すステップは、
帯電領域に近接した第１の偏向器を使用して、帯電領域中に導かれた光ビームを偏向するステップと、
第１の偏向器に対向して配置された第２の偏向器を使用して、第１の偏向器で偏向された光ビームを偏向して帯電領域中に戻すステップとを有することを特徴とする請求項１４に記載の光ビームを変調する方法。
【請求項１７】  帯電領域中に導かれた光ビームを、第１の偏向器を使用して偏向するステップは、半導体基板に近接して配置された反射材を使用して光ビームを偏向するステップを有することを特徴とする請求項１６に記載の光ビームを変調する方法。
【請求項１８】  帯電領域中に導かれた光ビームを第１の偏向器を使用して偏向するステップは、半導体基板内部の内部全反射によって光ビームを偏向するステップを有することを特徴とする請求項１６に記載の光ビームを変調する方法。
【請求項１９】  第１の偏向器で偏向された光ビームを第２の偏向器を使用して偏向し、帯電領域中に戻すステップは、半導体基板に近接して配置された反射材を使用して光ビームを偏向するステップを有することを特徴とする請求項１６に記載の光ビームを変調する方法。
【請求項２０】  第１の偏向器で偏向された光ビームを第２の偏向器を使用して偏向し、帯電領域中に戻すステップは、半導体基板内部の内部全反射によって光ビームを偏向するステップを有することを特徴とする請求項１６に記載の光ビームを変調する方法。
【請求項２１】  半導体基板は前面および裏面を備え、半導体基板の裏面を介して帯電領域に光ビームが導かれ、かつ、裏面を介して半導体基板から放出されることを特徴とする請求項１４に記載の光ビームを変調する方法。
【請求項２２】  光ビームの減衰を緩和するために、第１と第２の偏向器の間の半導体基板の厚さを薄くするステップをさらに有することを特徴とする請求項１９に記載の光ビームを変調する方法。
【請求項２３】  光ビームが、半導体基板の裏面の第１の位置に導かれ、半導体基板の裏面の、第１の位置とは異なる第２の位置から出ることを特徴とする請求項２１に記載の光ビームを変調する方法。
【請求項２４】  第１の位置における光ビームの入射角を小さくするために、半導体基板の裏面の第１の位置に角度を付けるステップと、
第２の位置における偏向光ビームの入射角を小さくするために、半導体基板の裏面の第２の位置に角度を付けるステップとをさらに有することを特徴とする請求項２３に記載の光ビームを変調する方法。
【請求項２５】  集積回路ダイの、前面および裏面を有する半導体基板中に配置された帯電領域と、
半導体基板を介して帯電領域へ導くべき光ビームが入射する、半導体基板の裏面上の第１の位置と、
光ビームを偏向して帯電領域中に戻すための、帯電領域に近接して配置された第１の偏向器と、
帯電領域を介して第１の偏向器で偏向された光ビームを偏向して帯電領域中に戻すための、第１の偏向器に対向して配置された第２の偏向器と、
帯電領域を介して第１と第２の偏向器の間で複数回にわたって偏向した後、光ビームが半導体基板から放出される、半導体基板の裏面上の第２の位置とを備えることを特徴とするマルチパス導波光変調器。
【請求項２６】  光ビームの入射角を小さくするために、第１の位置に角度が付けられ、偏向光ビームの入射角を小さくするために、第２の位置に角度が付けられることを特徴とする請求項２５に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項２７】  第１の偏向器は、半導体基板と、半導体基板の屈折率とは異なる屈折率を有する材料との間の界面からなることを特徴とする請求項２６に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項２８】  第１の偏向器は、半導体基板に近接して配置された反射材からなることを特徴とする請求項２６に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項２９】  第２の偏向器は、半導体基板と、半導体基板の屈折率とは異なる屈折率を有する材料との間の界面からなることを特徴とする請求項２６に記載のマルチパス導波光変調器。
【請求項３０】  第２の偏向器は、半導体基板に近接して配置された反射材からなることを特徴とする請求項２６に記載のマルチパス導波光変調器。