Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に連続のポリマー・シース−コア・スパンボンド繊維を含んでなる複数成分スパンボンド不織ウェブであって、シース成分がポリエチレンと、エチレンとメタクリル酸、アクリル酸、またはそれらの組合せとのコポリマー、前記コポリマーの金属塩、およびそれらのブレンドよりなる群から選択される約５〜３０重量パーセントの酸コポリマーとを含んでなるブレンドを含んでなり、コア成分がポリエステルおよびポリアミドよりなる群から選択されるポリマーを含んでなり、そしてシース成分対コア成分の重量比が約１０：９０〜９０：１０である不織ウェブ。
【請求項２】
第１側面および第２側面を有する請求項１に記載の第１複数成分スパンボンド不織ウェブと、
複数成分スパンボンド不織ウェブの第１側面に熱接合されたシート状の層であって、不織ウェブ、織布、編布、およびフィルムよりなる群から選択されるシート状の層と
を含んでなる多層複合シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
比較例で製造したサンプルは非常に低いヒートシール強度を有した。スパンボンド層が使用されず、２つのソンタラ（登録商標）スパンレース層が同一のヒートシール試験条件にさらされた時に、スパンレース層は互いに接合しなかった。
本発明の好適な態様は次のとおりである。
１．  実質的に連続のポリマー・シース−コア・スパンボンド繊維を含んでなる複数成分スパンボンド不織ウェブであって、シース成分がポリエチレンと、エチレンとメタクリル酸、アクリル酸、またはそれらの組合せとのコポリマー、前記コポリマーの金属塩、およびそれらのブレンドよりなる群から選択される約５〜３０重量パーセントの酸コポリマーとを含んでなるブレンドを含んでなり、コア成分がポリエステルおよびポリアミドよりなる群から選択されるポリマーを含んでなり、そしてシース成分対コア成分の重量比が約１０：９０〜９０：１０である不織ウェブ。
２．  スパンボンドウェブが熱接合され、かつ、縦方向および横方向の両方にｇ／ｍ2当たり少なくとも０．６６Ｎのグラブ引張強度対坪量の比を有する上記１に記載の複数成分スパンボンドウェブ。
３．  スパンボンドウェブがすき合わせ熱接合のパターンで熱接合されている上記２に記載の複数成分スパンボンドウェブ。
４．  コア成分が実質的に酸コポリマーを含まない上記２に記載の複数成分スパンボンド不織ウェブ。
５．  シース成分対コア成分の重量比が約４０：６０〜６０：４０である上記４に記載の複数成分スパンボンドウェブ。
６．  シース成分中のポリエチレンが線状低密度ポリエチレンであり、酸コポリマーがエチレンと、アクリル酸、メタクリル酸、およびそれらのブレンドよりなる群から選択される酸とのコポリマーであり、酸コポリマーが約４〜２０重量パーセントの酸含有率を有し、そしてコア成分がポリ（エチレンテレフタレート）を含んでなる上記４に記載の複数成分スパンボンドウェブ。
７．  シース成分中のポリエチレンが線状低密度ポリエチレンであり、酸コポリマーがエチレンと、アクリル酸、メタクリル酸、およびそれらのブレンドよりなる群から選択される酸とのコポリマーの金属塩であり、酸コポリマーが約５〜２５重量パーセントの酸含有率を有し、そしてコア成分がポリ（エチレンテレフタレート）を含んでなる上記４に記載の複数成分スパンボンドウェブ。
８．  第１側面および第２側面を有する上記１に記載の第１複数成分スパンボンド不織ウェブと、
複数成分スパンボンド不織ウェブの第１側面に熱接合されたシート状の層であって、不織ウェブ、織布、編布、およびフィルムよりなる群から選択されるシート状の層と
を含んでなる多層複合シート。
９．  シート状の層がメルトブローンウェブおよびスパンレースウェブよりなる群から選択される不織ウェブである上記８に記載の多層複合シート。
１０．  シート状の層がポリエステル繊維を含んでなるスパンレースウェブである上記９に記載の多層複合シート。
１１．  シート状の層がポリエステルを含んでなる外周面を有するメルトブローン繊維を含んでなるメルトブローンウェブである上記９に記載の多層複合シート。
１２．  シート状の層が第１および第２スパンボンド層の間に挟まれ、かつ、それらに熱接合されている、上記１に記載の第２複数成分スパンボンド不織ウェブをさらに含んでなる上記８に記載の多層複合シート。
１３．  第１および第２複数成分スパンボンドウェブの両方のコア成分が実質的に酸コポリマーを含まない上記１２に記載の多層複合シート。
１４．  シート状の層がポリエステルを含んでなる外周面を有するメルトブローン繊維を含んでなるメルトブローンウェブである上記１３に記載の多層複合シート。
１５．  メルトブローン繊維が複合繊維である上記１４に記載の多層複合シート。
１６．  メルトブローン繊維が線状低密度ポリエチレンをさらに含んでなり、そしてメルトブローン繊維中の線状低密度ポリエチレンおよびポリエステル成分がサイド−バイ−サイド構造に配置されている上記１５に記載の多層複合シート。
１７．  第１および第２複数成分スパンボンドウェブのスパンボンド繊維のシース成分中のポリエチレンが線状低密度ポリエチレンであり、酸コポリマーがエチレンと、アクリル酸、メタクリル酸、およびそれらのブレンドよりなる群から選択される酸コモノマーとのコポリマーであり、酸コポリマーが約４〜２０重量パーセントの酸含有率を有し、そして第１および第２複数成分ウェブのスパンボンド繊維のコア成分がポリ（エチレンテレフタレート）を含んでなる上記１４に記載の多層複合シート。
１８．  第１および第２複数成分スパンボンドウェブのスパンボンド繊維のシース成分中のポリエチレンが線状低密度ポリエチレンであり、酸コポリマーがエチレンと、アクリル酸、メタクリル酸、およびそれらのブレンドよりなる群から選択される酸コモノマーとのコポリマーであり、酸コポリマーが約４〜２０重量パーセントの酸含有率を有し、そして第１および第２複数成分ウェブのスパンボンド繊維のコア成分がポリ（エチレンテレフタレート）を含んでなる上記１０に記載の多層複合シート。
１９．  複数成分スパンボンドウェブがシート状の層の間に挟まれるように複数成分スパンボンド不織ウェブの第２側面に熱接合された第２のシート状の層であって、不織ウェブ、織布、編布、およびフィルムよりなる群から選択される第２のシート状の層をさらに含んでなる上記８に記載の多層複合シート。
２０．  第１および第２のシート状の層がスパンレースウェブ、スパンボンドウェブ、編布、および織布よりなる群から選択される上記１９に記載の多層複合シート。
２１．  シート状の層が複数成分スパンボンドウェブに熱点接合されている上記２０に記載の多層複合シート。
２２．  第１および第２のシート状の層がスパンレースウェブを含んでなる上記２１に記載の多層複合シート。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
フォトダイオード構造体の処理方法であって、
（ａ）フォトダイオード構造体を準備し、ここでかかる構造体は、
カソードメサ；
前記カソードメサ上に配置されたアノードメサを有し、かかるアノードメサは、前記カソードメサ上に吸収層と、前記吸収層上にコンタクト層とを有する；
（ｂ）前記準備したフォトダイオード構造体をエッチングプロセスに暴露する、ここでかかるエッチングプロセスでは、前記アノードメサの外部表面の部分を選択的に除去するためにカソードメサの部分を除去するエッチングプロセス速度より実質的に早い速度で前記吸収層の部分を除去する、
各段階を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月26日(2007.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子チップを備えている光電子パッケージを製造する方法であって、
上面を有する基板を提供するステップと、
前記上面に光電子チップを固着するステップと、
実質的に透明なコーティング物質を前記光電子チップの少なくとも一部分の上に提供するステップと、
決定された厚さの光結合ウィンドウであって前記上面に実質的に平行なプレーナ面を有する光ウィンドウを作成するために、前記光電子チップの少なくとも一部分の上で前記コーティング物質を研磨するステップとを備えた方法。
【請求項２】
前記光電子チップの少なくとも一部分を取り囲む前記基板の前記上面で、決定された厚さをフレームに提供するステップをさらに備え、
前記実質的に透明なコーティング物質は前記フレームによって取り囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記チップから前記上面に隣接した光ファイバへ光線を結合するのに必要とされる前記決定された厚さの値を選定することをさらに備えた請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記チップから前記上面に隣接した光ファイバへ光線を結合するのに必要とされる前記決定された厚さの値であって、ワイヤ結合をカプセル化することを許容する前記決定された厚さの値を選定することをさらに備えた請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記基板の周辺部近傍のトレース線をプリント回路基板上の対応するトレース線に接続するステップをさらに備えている請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記実質的に透明なコーティング物質は、透明なエポキシを含んでいることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
半透明なコーティング物質は、前記光電子チップ上でビードとして液体の形態で与えられ、硬化できるようになっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項８】
さらに、前記プレーナ面をバフ研磨するステップを備えており、前記実質的に透明なコーティング物質は、光電子チップをカプセル化する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
光フェルール、光学部品及び光電子部品の一つを前記光電子チップの活性部分に対して、前記ウィンドウを介して光学的に結合すると共に機械的に結合するステップをさらに備えている請求項１から８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
光フェルールは、光ウィンドウを介して光電子チップに結合されており、前記フェルールは、傾斜した端部を有し、前記フェルールの少なくとも１つの光ファイバに反射面を提供する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
光電子チップを備える光電子パッケージを製造する方法であって、
上面を有する基板を提供するステップと、
光電子チップを前記上面に固着するステップと、
決定された厚さの光ウィンドウであって前記基板に実質的に平行なプレーナ面を有する前記光ウィンドウを作成するために、前記光電子チップの少なくとも一部分の上で実質的に透明なコーティング物質を与えるステップと、
前記コーティング物質を硬化させるステップとを備えた方法。
【請求項１２】
前記基板を保持するために、前記光電子パッケージの少なくとも一部の周りで決定された厚さを境界部に提供することをさらに備えている請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記チップから前記上面に隣接した光ファイバに光線を結合するのに必要とされる前記決定された厚さの値を選定することを備えている請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記コーティング物質を硬化させることは、前記コーティング物質を固めることを含んでいる請求項１１から１３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
固める前に前記コーティング物質の領域をマスクすることをさらに備えている請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
固められていない前記コーティング物質の部分を除去することをさらに備えている請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記物質の硬化の前に前記プレーナ面を作成するために前記物質を平らにすることをさらに備えている請求項１１から１６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１８】
上面を有する基板と、
前記上面に取り付けられる光電子チップと、
前記光電子チップの少なくとも一部分の上に、決定された厚さの光ウィンドウであって前記基板に実質的に平行なプレーナ面を有する前記光ウィンドウを形成する実質的に透明なコーティング物質とを備えた光電子パッケージ。
【請求項１９】
前記プレーナ面は、研磨されたプレーナ面及びスクリーン印刷されたプレーナ面の少なくとも１つを含んでいる請求項１８に記載の光電子パッケージ。
【請求項２０】
実質的に透明なコーティング物質は、透明なエポキシを含んでいる請求項１８又は１９に記載の光電子パッケージ。
【請求項２１】
基板に光電子チップをカプセル化するスクリーン印刷方法であって、
上面を有する少なくとも１つの基板を提供するステップと、
少なくとも１つの上面に光電子チップを固着するステップと、
少なくとも１つの上面において、前記光電子チップの少なくとも一部分を取り囲む決定された高さを境界部に提供するステップと、
前記光電子チップの少なくとも一部の上に光伝送可能なコーティングを与えるステップと、
前記高さに対応する厚さを有する光ウィンドウを作成するために前記コーティングにスキージをかけるステップと、
前記コーティング物質を硬化させ、それによって、前記基板にカプセル化された光電子チップを提供するステップとを備えたスクリーン印刷方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロリソグラフィ用投影露光装置であって、投影光（１３）を発生する照明装置（１２）と、複数の光学素子（Ｌ１〜Ｌ５，Ｌ５’）を備える投影対物レンズ（２０）であって、該投影対物レンズ（２０）の物体平面（２２）内に配置されるレチクル（２４）を、前記投影対物レンズ（２０）の像平面（２８）内に配置され、支持体（３０）上に設けられた感光面（２６）上に結像させることのできる前記投影対物レンズと、該投影対物レンズ（２０）の像側の最終光学素子（Ｌ５；Ｌ５’）と前記感光面（２６）との間の浸漬空間（５０）へ浸漬液体（３４）を導入する浸漬装置（４２）とを有する前記投影露光装置であって、
前記浸漬装置（４２）が、前記浸漬液体（３４）内のガス気泡（４８）の生成を防止でき、かつ／又は既に生成されたガス気泡（４８）を除去することのできる手段（４４；６６；８６；９０）を備えると共に、前記浸漬装置（４２）が前記浸漬液体を前記浸漬空間内で循環させる循環手段を備えることを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】
前記浸漬装置（４２）が、前記浸漬空間（５０）内に開口する吸入口（８６）を有するガス気泡（４８）抜き取り吸入装置を備えることを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項３】
前記支持体（３０）は前記投影露光装置（１０）の走査方向（８４）に変位させることができ、前記浸漬装置（４２）は前記浸漬空間（５０）を少なくとも一部の境界となる側壁（３２；５２）を有し、前記走査方向（８６）を横断して前記浸漬液体（３４３）の少なくとも外方への流出を実質的に防止するよう設計されていることを特徴とする請求項１又は２記載の投影露光装置。
【請求項４】
前記側壁（５２）は像側の最終光学素子（Ｌ５）を完全に、好ましくは環状に封入することを特徴とする請求項３記載の投影露光装置。
【請求項５】
前記側壁（５２）を振動状態にすることのできる超音波源（６６）を前記側壁（５２）に結合していることを特徴とする請求項３又は４記載の投影露光装置。
【請求項６】
前記循環手段は、循環ポンプ（６４）と、前記浸漬空間内に開口する充填口（５８）と、前記浸漬空間内に開口する吸入口（６２）とを備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の投影露光装置。
【請求項７】
前記循環手段は前記浸漬液体（３４）からガス気泡（４８）を除去する脱気装置（４４）を備えることを特徴とする請求項６記載の投影露光装置。
【請求項８】
前記脱気装置（４４）は好ましくは傾斜するように配置された円錐台状流出面（７４）を有しており、この面上に浸漬液体（７４）を上方から加え、その上に負圧を加えることができることを特徴とする請求項７記載の投影露光装置。
【請求項９】
前記支持体（３０）は前記投影露光装置の走査方向（８６）に変位させることができ、前記支持体（３０）は前記投影対物レンズ（２０）に対し配置して前記走査方向（８６）沿いに前記像平面（２８）に垂直方向に前記浸漬空間（５０）の広がりを小さくさせることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の投影露光装置。
【請求項１０】
前記循環手段が、投影対物レンズ（２０）、好ましくは像側の最終光学素子（Ｌ５）のフレーム（４６’）に組み込まれていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の投影露光装置。
【請求項１１】
前記投影対物レンズ（２０）の前記像側の前記最終光学素子（Ｌ５’）を前記像平面（２８）に平行な方向（８４’）へ変位させることができるよう保持した対物側の壁内で、前記感光面（２６）が浸漬液体（３４）を完全に満たした閉じたカセット（９０）内に保持されていることを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項１２】
前記対物側の壁を、前記像側の前記最終光学素子（Ｌ５’）が変位したときに、前記カセット（９０）内の前記浸漬液体（３４）で満たした前記容積が変化しないことを特徴とする請求項１１記載の投影露光装置。
【請求項１３】
前記対物側の壁はベローズ（９２）として設計されていることを特徴とする請求項１１又は１２記載の投影露光装置。
【請求項１４】
前記浸漬液体とは異なるフラッシング液を前記浸漬装置により前記浸漬空間内に導入できることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の投影露光装置。
【請求項１５】
感光面付き支持体（３０）は像平面に平行な平面内に動作中にセットできる洗浄板により置換できることを特徴とする請求項１４記載の投影露光装置。
【請求項１６】
マイクロリソグラフィ用投影露光装置（１０）の投影対物レンズ（２０）の像側の最終光学素子（Ｌ５）と、支持体（３０）上に設けられた露光対象の感光面（２６）との間に形成される浸漬空間（５０）へ浸漬液体を導入する方法であって、
ａ）前記支持体（３０）が前記投影露光装置（１０）のビーム経路の外において、前記感光面（２６）と前記像側の前記最終光学素子（Ｌ５）とを浸漬液体（３４）で湿潤するステップで、前記ステップと、
ｂ）前記像側上の前記最終的光学素子（Ｌ５）と前記感光面（２６）とにある浸漬液体（３４）を接触させるように、前記投影対物レンズ（２０）の像平面（２６）に平行な動きで前記像側の前記最終光学素子（Ｌ５）まで前記支持体（３０）を運ぶステップと、
ｃ）前記支持体（３０）が露光に必要な位置に達するまで、前記像平面（２８）に平行な動きで前記支持体（３０）を前記光路内に完全に導入するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の性能上の限界の１つは、デバイス内で生み出された光と環境に放出された光の比、光抽出効率（ｏｐｔｉｃａｌ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）ηexである。ＯＬＥＤにおけるこの効率因子の一般的な推定値は０．１７〜０．５である。
【特許文献１】米国特許第６７１０５４１号
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図2aは、本発明のスクリュの概略側面図であり、図2bにおいては同一のスクリュを横から示し、スクリュの中心軸の周りに90度回転させており、図2cは、図2aに示すスクリュの概略斜視図であり、図2dは、図2aに示すスクリュを中間部で切断した概略図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの変換ゾーンを有する編成構造を備え、前記変換ゾーンが導電性繊維で編成されていて、そのため、前記編成構造の変形の結果、前記変換ゾーンの電気的性質が変化し、さらに、その変化を監視して前記編成構造の変形を表示する監視手段を備えたことを特徴とする編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項２】
前記変換ゾーンの最初および最後のコースが、前記編成トランスデューサ・デバイスに対する導電性リードとして働く導電性繊維で編成される、請求項１に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項３】
前記導電性繊維が弾性導電糸を含む請求項１に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項４】
前記変換ゾーンが、比抵抗の異なる複数のタイプの導電性繊維で編成される請求項１に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項５】
前記監視手段が前記変換ゾーンの電気抵抗の変化を監視する請求項１に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項６】
歪みゲージとして動作することができる請求項５に記載の編成トランスデューサ・デバイスであって、
前記変換ゾーンが導電性繊維と非導電性繊維とで編成され、
前記変換ゾーン内の導電性繊維が共通の方向に伸びるトランスデューサ・デバイス。
【請求項７】
前記導電性繊維が前記変換ゾーンのコース方向に伸びる請求項６に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項８】
前記導電性繊維が敷設繊維として前記変換ゾーン内に組み込まれる請求項６に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項９】
前記変換ゾーンが各々が異なる固有抵抗を有する複数の型式の導電性繊維と編成され、
導電性繊維を一緒に編成することによって形成される変換セクションと、
前記変換セクションとの電気的接続における複数の電気接点とを有し、前記電気接点が、導電性が前記変換ゾーン内の前記導電性繊維の導電率より高い導電率の編成された導電性繊維を有し、編成構造がゆるんだ構成から変位すると前記変換ゾーンの電気抵抗がその変位に作用的に関係して変化する請求項６に記載の抵抗性変位用編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項１０】
実質的に円筒型で、前記監視手段が変換ゾーンの誘導変化を監視する請求項１に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項１１】
前記変換ゾーンが導電性繊維および非導電性繊維から編成される請求項１０に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項１２】
前記導電性繊維が装置の外側に配置され、前記非導電性繊維が装置の内側に配置される請求項１１に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項１３】
前記監視手段が前記変換ゾーンの電気容量の変化を監視する請求項１に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項１４】
前記変換ゾーン内の前記導電性繊維が複数の離間した電極を形成する請求項１３に記載の容量性編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項１５】
前記電極が同心状である請求項１４に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項１６】
前記電極が櫛歯形である請求項１４に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項１７】
前記電極が平行板電極である請求項１４に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項１８】
前記変換ゾーンが、前記平行板電極の間に伸びる非導電性繊維の１つまたは複数の編成層をさらに備える請求項１７に記載の編成トランスデューサ・デバイス。
【請求項１９】
請求項１に記載の少なくとも１つの編成トランスデューサ・デバイスと、
編成トランスデューサ・デバイスに電気信号を供給するための電気的供給手段と、
編成トランスデューサ・デバイスの電気特性を監視するための検出手段とを備える検出システム。
【請求項２０】
前記検出手段が、前記編成トランスデューサ・デバイスの相対的な空間的方向に関する情報を引き出す複数の編成トランスデューサ・デバイスを備える請求項１９に記載の検出システム。
【請求項２１】
前記検出手段が、前記編成トランスデューサ・デバイスの監視された電気特性を比較することによって、前記編成トランスデューサ・デバイスの前記相対方向に関する情報を引き出す請求項２０に記載の検出システム。
【請求項２２】
複数の周波数における電気特性が監視される請求項１９に記載の検出システム。
【請求項２３】
少なくとも１つの変換ゾーンを有する編成構造の形状をなし、変換ゾーンが導電性繊維と編成され、それによって該編成構造が変位すると前記変換ゾーンの電気特性が変化する１つまたは複数の編成トランスデューサ・デバイスを有する第１の編成層と、
第２の編成層と、
少なくとも１つの変換ゾーンを有する編成構造の形状をなし、変換ゾーンが導電性繊維と編成され、それによって該編成構造が変位すると前記変換ゾーンの電気特性が変化する１つまたは複数の編成トランスデューサ・デバイスを有する第３の編成層とを備える、
３またはそれ以上の編成層を有する衣服。
【請求項２４】
前記第２の編成層が、前記第３の編成層内に位置している編成トランスデューサ・デバイスから発生するかあるいは該デバイスに導入される電気信号を遮蔽する請求項２３に記載の衣服。
【請求項２５】
前記第３の層内の編成トランスデューサ・デバイスが誘導性編成トランスデューサ・デバイスである請求項２４に記載の衣服。
【請求項２６】
複数の編成トランスデューサ・デバイスを備える衣服を用意し、前記編成トランスデューサ・デバイスがそれぞれ少なくとも１つの変換ゾーンを有する編成構造を備え、前記変換ゾーンが導電性繊維で編成され、前記編成構造の変形の結果、前記変換ゾーンの電気的性質が変化する衣服を提供するステップと、
前記衣服を患者に着せるステップと、
ＥＣＧ測定を行うために適している形式の電気信号を編成トランスデューサ・デバイスに供給するステップと、
ＥＣＧを得るために編成トランスデューサ・デバイスの電気特性を監視するステップと
を含む患者からＥＣＧを得る方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮された情報ストリームの信号状態を検出する方法であって、
予め定義されたサーチ窓で、前記圧縮された情報ストリームでの交互モードの状態と有効フレームとを検出するステップと、
少なくとも１つの交互モードの状態がもはや検出されず、有効フレームが予め決定された期間で検出されないとき、無効な信号状態が検出されたことを示す指示を出力するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記予め定義されたサーチ窓の同じ期間で、交互モードの状態と少なくとも１つの有効フレームが共に検出されたとき、有効な信号が検出されたことを示す別の指示を出力するステップを更に含む、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記無効な信号の状態は、弱信号の状態及び無信号の状態のうちの１つを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記圧縮された情報ストリームでエラーを検出するステップと、
前記圧縮された情報ストリームで交互モードの状態を検出するステップと、
無効な信号の状態が検出されたことを示す誤った肯定的な指示を回避するため、交互モードの状態がエラーなしで検出されるたびに、前記予め定義されたサーチ窓のサイズを連続的に再設定するステップと、
を更に含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記圧縮された情報ストリームはバッファに記憶され、前記検出するステップは、前記バッファにおけるデータが有効であるかを判定するステップを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記検出するステップは、前記圧縮された情報ストリームが有効なヘッダ及びタイムスタンプ情報を有することを判定するステップを含む、
請求項２記載の方法。
【請求項７】
前記圧縮された情報ストリームはＭＰＥＧ（Ｍｏｔｉｏｎ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｅｘｐｅｒｔｓ  Ｇｒｏｕｐ）ストリームを含み、前記検出するステップは、前記ＭＰＥＧストリームに対応するＭＰＥＧヘッダ及びＭＰＥＧデータが有効であるかを判定するステップを含む、
請求項２記載の方法。
【請求項８】
前記ＭＰＥＧストリームは、ＰＥＳ（ｐａｃｋｅｔｉｚｅｄ  ｅｌｅｍｅｎｔａｒｙ  ｓｔｒｅａｍ）バッファに記憶され、
前記検出するステップは、
前記ＰＥＳバッファにおけるＰＥＳデータが有効であるかを判定するステップと、
前記ＭＰＥＧストリームに対応するＰＥＳヘッダ及びタイムスタンプ情報が有効であるかを判定するステップと、
前記ＭＰＥＧストリームに対応するＭＰＥＧヘッダ及びＭＰＥＧデータが有効であるかを判定するステップと、
を含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記圧縮された情報ストリームでエラーを検出するステップと、
通常モードで前記圧縮された情報ストリームの所与のフレームでエラーが検出されたとき、所与の時間期間で検出された弱信号の状態の数を示す弱信号のカウンタを変更するステップと、
前記弱信号のカウンタを、所与の時間期間での全体のフレーム数を示すフレームカウント閾値に比較するステップと、
前記弱信号のカウンタが前記フレームカウントの閾値よりも大きいとき、弱信号の状態が検出されたことを示す指示を出力するステップと、
請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記圧縮された情報ストリームでエラーを検出するステップと、
前記予め定義されたサーチ窓が経過したかを判定するステップと、
交互モードの状態における前記圧縮された情報ストリームの所与のフレームでエラーが検出され、かつ前記予め定義されたサーチ窓が経過したとき、所与の時間期間で検出された弱信号の状態の数を示す弱信号のカウンタを変更するステップと、
所与の時間期間での全体のフレーム数を示すフレームカウントの閾値を前記弱信号のカウンタに比較するステップと、
前記弱信号のカウンタが前記フレームカウントの閾値よりも大きいとき、弱信号の状態が検出されたことを示す指示を出力するステップと、
を更に含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記交互モードの状態はトリックモードのフラグにより提供される、
請求項１記載の方法。
【請求項１２】
圧縮された情報ストリームの信号状態を検出する装置であって、
予め定義されたサーチ窓で、前記圧縮された情報ストリームで交互モードの状態と有効フレームを検出する手段と、
少なくとも１つの交互モードの状態がもはや検出されず、有効フレームが予め決定された期間で検出されないとき、無効な信号状態が検出されたことを示す指示を出力する手段と、
を有することを特徴とする装置。
【請求項１３】
前記予め定義されたサーチ窓の同じ期間で、交互モードの状態と少なくとも１つの有効フレームが共に検出されたとき、有効な信号が検出されたことを示す別の指示を出力する手段を更に含む、
請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記無効信号の状態は、弱信号の状態及び無信号の状態のうちの１つを含む、
請求項１２記載の装置。
【請求項１５】
前記圧縮された情報ストリームでエラーを検出する手段と、
前記圧縮された情報ストリームの交互モードを検出する手段と、
無効信号の状態が検出されたことを示す誤った肯定的な指示を回避するため、前記圧縮された情報ストリームの交互モードの状態がエラーなしに検出されるたびに、前記予め決定されたサーチ窓のサイズを連続的に再設定する手段と、
を更に有する請求項１２記載の装置。
【請求項１６】
前記圧縮された情報ストリームはバッファに記憶され、前記検出する手段は、前記バッファにおけるデータが有効であるかを判定する手段を有する、
請求項１３記載の装置。
【請求項１７】
前記検出する手段は、前記圧縮された情報ストリームが有効なヘッダ及びタイムスタンプ情報を含むかを判定する手段を有する、
請求項１３記載の装置。
【請求項１８】
前記検出する手段は、前記圧縮された情報ストリームに対応するヘッダ及びデータが有効であるかを判定する手段を有する、
請求項１３記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力線搬送通信（ＰＬＣ）信号を用いる低電圧ＡＣ電源配線構造に接続された複数のユーザターミナルと通信するように構成され、前記低電圧ＡＣ電源配線の異なる位置に各々設置された複数の通信アクセスポイントを含む前記低電圧ＡＣ電源配線構造上にローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）通信を提供するターミナルであって、該ターミナルは、
処理回路と、
該処理回路と接続されたＰＬＣインターフェース回路と、
を含んで構成され、
前記ＰＬＣインターフェース回路は、少なくとも第１通信アクセスポイントからのブロードキャスト信号を受信するように構成され、前記処理回路は、前記ターミナルと少なくとも第３通信装置との間の中間通信ノードとして作動する前記第１通信アクセスポイントを選択するように構成されたことを特徴とするターミナル。
【請求項２】
前記第３通信装置は、他のターミナル、他の通信アクセスポイント及び前記低電圧ＡＣ電源配線構造に接続されていない通信装置のうちの１つであることを特徴とする請求項１に記載のターミナル。
【請求項３】
前記ＰＬＣインターフェース回路は、少なくとも第１通信アクセスポイント及び第２通信アクセスポイントからのブロードキャスト信号を受信するように構成され、前記処理回路は、前記ターミナルと少なくとも前記第３通信装置との間の中間通信ノードとして作動する前記第１通信アクセスポイント又は前記第２通信アクセスポイントの１つを選択するように構成されたことを特徴とする請求項１に記載のターミナル。
【請求項４】
前記処理回路は、前記ターミナルと前記アクセスポイントの１つとの間の接続性における少なくとも１つの相対的に有利な条件に基づき中間通信ノードとして作動する前記第１通信アクセスポイント又は前記第２通信アクセスポイントの１つを選択するように構成されたことを特徴とする請求項３に記載のターミナル。
【請求項５】
前記処理回路は、前記ターミナルと前記アクセスポイントとの間の相対的な接続速度条件に基づいて中間通信ノードとして作動する前記第１通信アクセスポイント又は前記第２通信アクセスポイントの１つを選択するように構成されたことを特徴とする請求項４に記載のターミナル。
【請求項６】
前記ターミナルは、複数の異なる通信アクセスポイントが有する接続速度を評価するように構成されることを特徴とする請求項３に記載のターミナル。
【請求項７】
低電圧ＡＣ電源配線構造上にローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）通信を提供するシステムであって、該システムは、
電力線搬送通信（ＰＬＣ）信号を用いる低電圧ＡＣ電源配線構造に接続された複数のユーザターミナルと通信するように構成され、前記低電圧ＡＣ電源配線の異なる位置に各々設置された複数の通信アクセスポイントを含んで構成され、
各々の前記通信アクセスポイントは、少なくとも第１ユーザターミナルと初期のＰＬＣベースの通信を確立するように構成され、
前記通信アクセスポイントの１つは、前記第１ユーザターミナルに対して中間通信ノードとして作動するように選択されることを特徴とするシステム。
【請求項８】
各々の前記通信アクセスポイントは、自身の存在をアナウンスする低電圧ＡＣ電源配線構造上の周期ＰＬＣベース信号をブロードキャストするように構成されることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記周期信号は、前記第１ユーザターミナルが通信できる通信アクセスポイントの識別に使用されることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記選択された通信アクセスポイントは、第１ユーザターミナルとの有益な接続速度に基づいて選択されたことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
各々の前記ユーザターミナルは、前記電源配線構造を通じて通信するためにアクセスポイントを選択することが可能であることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項１２】
各々の前記ユーザターミナルは、前記選択されたアクセスポイントと通信できるそれぞれのユーザターミナルとの速度に基づき前記電源配線構造を通じて通信するためにアクセスポイントを選択することが可能であることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
各々の前記ユーザターミナルは、前記通信アクセスポイントにってブロードキャストされた前記周期信号を検出するように構成されることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
各々の前記通信アクセスポイントは、建物の異なる論理配線中心に配置されることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項１５】
１以上の建物に配置された複数の通信アクセスポイントを含む低電圧ＡＣ電源配線構造上にローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）通信を提供する方法であって、該方法は、
電力線搬送通信（ＰＬＣ）信号を用いる低電圧ＡＣ電源配線構造上の前記通信アクセスポイントの各々で周期アナウンス信号をブロードキャストすること、
第１ユーザターミナルで前記周期アナウンス信号を検出すること、
前記検出された周期アナウンス信号に基づいて第１通信アクセスポイントを選択すること、
を含んで構成されることを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記ユーザターミナルと前記通信アクセスポイントの各々との間の接続速度を決定すること、及び、前記ユーザターミナルと第１通信との間の更なる接続速度条件に基づいて第１通信アクセスポイントを選択すること、をさらに含んで構成されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１アクセスポイントの選択は、前記ユーザターミナルによって行われることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
複数の通信アクセスポイントの各々は、１以上の建物のそれぞれの論理配線中心に位置付けされることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半透明及び不透明なオブジェクトを有する３次元コンピュータグラフィック画像をレンダリングする方法であって、
前記画像において可視とすることができるオブジェクトのリストを判定する段階と、
前記画像の各画素について、前記リストからのオブジェクトが該画素で可視とすることができるかどうかを判定する段階と、
可視画素と判定された半透明または不透明なオブジェクトのデータタグをタグバッファ内に記憶する段階と、
ある画素でさらなる半透明なオブジェクトが可視であると判定される度に、以前に記憶された任意のタグとは別のタグバッファに記憶されるように、さらなる付加的なタグを記憶する段階を含み、
全てのタグバッファが一杯になっている場合には最初に記憶されたタグバッファからタグデータ及びオブジェクトデータをテクスチャリング及びシェーディングユニット（ＴＳＵ）にパスする段階と、
を含む方法。
【請求項２】
ある画素で不透明なサーフェスが可視であると判定された場合に全てのタグバッファをクリアする段階と、
前記不透明なサーフェスに関連したタグを記憶する段階と、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レンダーされるべきシーンを複数の矩形のサブ領域に最初に細分する段階と、続いて各サブ領域について前記方法を実行する段階とを含む前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
オブジェクトがパンチスルーオブジェクトであるか否か判定する段階と、パンチスルーオブジェクトが検出された場合に異なるプロセスを実行する段階とを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記パンチスルーオブジェクトが不透明なオブジェクトであるか否かを判定する段階と、
不透明なオブジェクトが検出された場合、該オブジェクトが交差する画素に対して前記タグバッファから全てのタグバッファをクリアする段階と、
前記パンチスルーオブジェクトデータを前記ＴＳＵに送る段階と、
を含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記パンチスルーオブジェクトが半透明であるか否かを判定する段階と、
半透明なオブジェクトが検出された場合、画素についての全データタグ及びオブジェクトデータを前記ＴＳＵにパスする段階と、
前記半透明なパンチスルーオブジェクトについて前記オブジェクトデータを含める段階と、
を含む請求項４に記載の方法。
【請求項７】
半透明及び不透明なオブジェクトを有する３次元コンピュータグラフィック画像をレンダリングする装置であって、
前記画像において可視とすることができるオブジェクトのリストを判定する手段と、
前記画像の各画素について前記リストからのオブジェクトが該画素で可視とすることができるかどうかを判定する手段と、
前記画素で可視と判定された半透明なオブジェクトについてデータタグを記憶するためのタグバッファと、
ある画素で半透明なオブジェクトが可視であると判定される度に、以前に記憶された任意のタグとは別のタグバッファに記憶されるように、さらなる付加的なタグを記憶する手段と、
全てのタグバッファが一杯になっている場合には、タグデータ及びオブジェクトデータをテクスチャリング及びシェーディングユニット（ＴＳＵ）にパスする手段と、
を備える装置。
【請求項８】
ある画素で不透明なサーフェスが可視であると判定された場合に全タグをクリアする手段と、
前記不透明なサーフェスに関連したタグを前記タグバッファに記憶する手段と、
を含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
レンダーされるべきシーンを複数の矩形のサブ領域に最初に細分し、続いて各サブ領域について動作する手段を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の装置。
【請求項１０】
オブジェクトがパンチスルーオブジェクトであるか否かを判定する手段と、パンチスルーオブジェクトが検出された場合に異なるプロセスを実行する手段とを含む請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
パンチスルーオブジェクトが不透明なオブジェクトであるか否かを判定する手段と、
不透明なパンチスルーオブジェクトによって交差された画素に対して前記タグバッファから全てのタグをクリアする手段と、
前記不透明なパンチスルーオブジェクトデータを前記ＴＳＵに送る手段と、
を含む請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記パンチスルーオブジェクトが半透明であるか否か判定する手段と、
半透明なパンチスルーオブジェクトが検出された場合、画素について全データタグ及びオブジェクトデータを前記ＴＳＵにパスする手段と、
前記半透明なパンチスルーオブジェクトについて前記オブジェクトデータを含める手段と、
を含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月2日(2007.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムにおける加入者端末にダウンリンク無線資源の割当情報を伝送する方法であって、
前記無線資源に対する少なくとも一つの加入者端末の情報を共通制御情報にマッピングする段階；及び
前記共通制御情報をダウンリンクに伝送する段階
を含むことを特徴とする無線資源の割当情報伝送方法。
【請求項２】
前記少なくとも一つの加入者端末の情報は、
前記少なくとも一つの加入者端末の識別子情報と前記少なくとも一つの加入者端末の個数情報を含むことを特徴とする、請求項１に記載の無線資源の割当情報伝送方法。
【請求項３】
前記無線資源のシンボルオフセット情報を前記共通制御情報にマッピングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の無線資源の割当情報伝送方法。
【請求項４】
前記無線資源のサブチャンネルオフセット情報を前記共通制御情報にマッピングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の無線資源の割当情報伝送方法。
【請求項５】
前記無線資源の変調及びチャンネル符号化情報を前記共通制御情報にマッピングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の無線資源の割当情報伝送方法。
【請求項６】
通信システムにおける加入者端末がダウンリンク無線資源をアクセスする方法であって、
複数の無線資源ブロックに対する複数の共通制御情報を含む共通制御情報ブロックを受信する段階；
前記複数の共通制御情報のうちの自身の識別子情報を含む共通制御情報を検索する段階；及び
前記複数の無線資源ブロックのうちの前記検索した共通制御情報に対応する無線資源ブロックをアクセスする段階
を含むことを特徴とする無線資源アクセス方法。
【請求項７】
前記複数の共通制御情報のうちの少なくとも一つの共通制御情報は、少なくとも一つの加入者端末の識別子情報と前記少なくとも一つの加入者端末の個数情報を含み、
前記少なくとも一つの加入者端末は、前記少なくとも一つの共通制御情報に対応する無線資源ブロックに割当られていることを特徴とする、請求項６に記載の無線資源アクセス方法。
【請求項８】
前記少なくとも一つの共通制御情報は、前記対応する無線資源ブロックのシンボルオフセット情報をさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の無線資源アクセス方法。
【請求項９】
前記少なくとも一つの共通制御情報は、前記対応する無線資源ブロックのサブチャンネルオフセット情報をさらに含むことを特徴とする、請求項７又は８に記載の無線資源アクセス方法。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの共通制御情報は、前記対応する無線資源ブロックの変調及びチャンネル符号化情報をさらに含むことを特徴とする、請求項７乃至９のいずれかに記載の無線資源アクセス方法。
【請求項１１】
通信システムにおける加入者端末にダウンリンク無線資源の割当情報を伝送する装置であって、
無線資源ブロックに対応する少なくとも一つの加入者端末の識別子情報と前記少なくとも一つの加入者端末の個数情報を共通制御情報ブロックにマッピングする手段；及び
前記共通制御情報ブロックを伝送する手段
を含むことを特徴とする装置。
【請求項１２】
前記無線資源ブロックのシンボルオフセット情報を前記共通制御情報ブロックに割当てる手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記無線資源ブロックのサブチャンネルオフセット情報を前記共通制御情報にマッピングする手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の無線資源の割当情報伝送装置。
【請求項１４】
通信システムにおける無線資源をアクセスする加入者端末装置であって、
複数の無線資源ブロックに対する複数の共通制御情報を含む共通制御情報ブロックを受信する手段；
前記複数の共通制御情報のうちの自身の識別子情報を含む共通制御情報を検索する手段；及び
前記複数の無線資源ブロックのうちの前記検索した共通制御情報に対応する無線資源ブロックをアクセスする手段
を含むことを特徴とする加入者端末装置。
【請求項１５】
前記複数の共通制御情報のうちの少なくとも一つの共通制御情報は、少なくとも一つの加入者端末の識別子情報と前記少なくとも一つの加入者端末の個数情報を含み、
前記少なくとも一つの加入者端末は、前記少なくとも一つの共通制御情報に対応する無線資源ブロックに割当られていることを特徴とする、請求項１４に記載の加入者端末装置。
【請求項１６】
通信システムにおけるダウンリンクフレームを生成する方法であって、
無線資源ブロックを前記フレームに割当てる段階；
共通制御情報ブロックを前記フレームに割当てる段階；
前記無線資源ブロックに対応する少なくとも一つの加入者端末の情報を前記共通制御情報ブロックにマッピングするか判断する段階；及び
前記少なくとも一つの加入者端末の情報を前記共通制御情報ブロックにマッピングする場合に、前記少なくとも一つの加入者端末の識別子情報と前記少なくとも一つの加入者端末の個数情報を前記共通制御情報ブロックにマッピングする段階
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記無線資源ブロックのシンボルオフセット情報を前記共通制御情報ブロックにマッピングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記無線資源ブロックのサブチャンネルオフセット情報を前記共通制御情報ブロックにマッピングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
通信システムにおけるダウンリンクフレームを生成する方法であって、
少なくとも一つの第１加入者端末に対する第１無線資源ブロックと少なくとも一つの第２加入者端末に対する第２無線資源ブロックを含む複数の無線資源ブロックを前記フレームに割当てる段階；
前記第１無線資源ブロックに対する第１共通制御情報と前記第２無線資源ブロックに対する第２共通制御情報を含む複数の共通制御情報を含む共通制御情報ブロックを前記フレームに割当てる段階；及び
前記少なくとも一つの第１加入者端末の識別子情報と前記少なくとも一つの第１加入者端末の個数情報を前記第１共通制御情報にマッピングする段階
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記少なくとも一つの第２加入者端末の識別子情報と前記少なくとも一つの第２加入者端末の個数情報は前記第２共通制御情報にマッピングされないことを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１無線資源ブロックのシンボルオフセット情報を前記第１共通制御情報にマッピングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１無線資源ブロックのサブチャンネルオフセット情報を前記第１共通制御情報にマッピングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１９乃至２１のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ドナー基板上に有機半導体を堆積させ、
ｂ）前記ドナー基板上の前記有機半導体をレシーバ基板と積層し、
ｃ）前記ドナー基板を除去すること、
を含んでなる方法。
【請求項２】
レシーバ基板上に積層された有機半導体を含んでなる、電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この実施例は、半導体の積層の例であり、半導体ドナーを蒸着によって作製した。マイラー／エルバックス／ラテックスドナーシートを熱蒸発器中に置いた。ペンタセンを、圧力：１０-7トル、速度：約０．０２ｎｍ／ｓｅｃで蒸着した。対照として、ゲート／誘電体／ソース・ドレイン構造を含むＳｉチップをこのドナーシートと一緒に置いた。約１２００ｎｍのペンタセンを室温で堆積させた。このドナーシートを、８５℃、２キロポンドで、対照試料と同一のＳｉチップ上に積層した。ペンタセンはチップ上に転写し、誘電体（ラテックス）は転写しなかった。積層ペンタセンの結果は、蒸着ペンタセンと比較して、図６のように示す。蒸着に比べて積層では移動度が減少した。図７に示すように、閾値電圧は増加したが、トランジスタのオン／オフ比は、同じか又は向上した。図７において、蒸着ペンタセンは上側の曲線である。オン／オフ電流比は２×１０3である。図７の下側の曲線は積層ペンタセンである。そのオン／オフ比は、１０5である。
本発明の好適な実施態様は次のとおりである。
１．  ａ）ドナー基板上に有機半導体を堆積させ、
ｂ）前記ドナー基板上の前記有機半導体をレシーバ基板と積層し、
ｃ）前記ドナー基板を除去すること、
を含んでなる方法。
２．  前記レシーバ基板は可撓性ポリマーである、上記１に記載の方法。
３．  レシーバ基板上に積層された有機半導体を含んでなる、電子デバイス。
４．  前記デバイスはトランジスタである、上記３に記載の電子デバイス。
５．  前記レシーバ基板は可撓性ポリマーである、上記３または４に記載の電子デバイス。