【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型導電性を有する半導体エネルギー変換器であって、
高温の熱交換表面と熱的に連通しているエミッタ領域であって、電子放出のためのドナー濃度ｎ＊を有するｎ型領域を含むエミッタ領域と、
ドナー・ドーピングｎを有する半導体ギャップ領域であって、前記エミッタ領域と電気的に及び熱的に連通しているギャップ領域と、
アクセプタ濃度ｐ＊を有し、前記エミッタ領域と前記ギャップ領域との間に挟まれているｐ型障壁層であって、前記エミッタ領域と前記ギャップ領域との間に電位障壁とフェルミ準位の不連続性とを与えるように構成されたｐ型障壁層と
を含むことを特徴とする半導体エネルギー変換器。
【請求項２】
低温の熱交換表面と熱的に連通しているコレクタ領域をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項３】
前記ギャップ領域は、前記コレクタ領域と電気的に及び熱的に連通していることを特徴とする請求項２に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項４】
前記エミッタ領域と電気的に連通している第１オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項５】
前記コレクタ領域と電気的に連通している第２オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項６】
前記第１及び第２オーミック接触は、熱を電気に変換するために外部負荷を通して電気回路を閉じることを特徴とする請求項５に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項７】
前記第１及び第２オーミック接触は、電気を冷却に変換するために外部電源装置を通して電気回路を閉じることを特徴とする請求項５に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項８】
前記エミッタ領域は、金属か又は高濃度にｎドープされた異なる半導体材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項９】
前記ギャップ領域は、少なくとも１キャリア散乱長幅を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項１０】
前記ギャップ領域は、少なくとも５キャリア散乱長幅を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項１１】
前記ギャップ領域は、セグメント化され、半導体材料の第１層と、金属か又は異なる半導体材料の第２層を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項１２】
前記ｐ型障壁層のｐ＊ドーピング濃度は、ｐｉ＞ｎｉ（ｍ＊ｐ／ｍ＊ｎ）であるときのギャップ領域のｎドーピング濃度に関係し、ここで、ｍ＊ｐは正孔の有効質量であり、ｍ＊ｎは電子の有効質量であり、下付き文字ｉは所与の温度におけるキャリアのイオン化したフラクションを示すことを特徴とする請求項１に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項１３】
前記コレクタ領域は、熱電逆流成分を減少させるために、前記ギャップ領域に隣接するキャリア濃度ｐ＊＊を有する付加的な注入障壁層を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項１４】
前記コレクタ領域は、前記変換器の低温側でブロッキング層として働くアクセプタ濃度ｐ＊を有する付加的な補償層を含み、前記アクセプタ濃度は、前記ギャップ領域のドナー濃度と同じであることを特徴とする請求項２に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項１５】
前記コレクタ領域は２つのｐ型層を含み、一方の層は、前記変換器の低温側でブロッキング層として働くキャリア濃度ｐ＊を有し、他方の層は、付加的な注入障壁層として働くキャリア濃度ｐ＊＊を有し、熱電逆流成分を減少させるために前記ギャップ領域に隣接していることを特徴とする請求項２に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項１６】
前記付加的な注入障壁層のｐ＊＊ドーピング濃度は、ｐｉ＞ｎｉ（ｍ＊ｐ／ｍ＊ｎ）であるときのギャップ領域のｎドーピング濃度に関係し、ここで、ｍ＊ｐは正孔の有効質量であり、ｍ＊ｎは電子の有効質量であり、下付き文字ｉは所与の温度におけるキャリアのイオン化したフラクションを示すことを特徴とする請求項１３に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項１７】
ｎ型導電性を有する半導体エネルギー変換器であって、
高温の熱交換表面と熱的に連通しているエミッタ領域であって、電子放出のためのドナー濃度ｎ＊を有するｎ型領域を含むエミッタ領域と、
前記エミッタ領域に隣接するアクセプタ濃度ｐ＊を有するｐ型障壁層であって、電位障壁とフェルミ準位の不連続性とを与えるように構成されたｐ型障壁層と、
セグメント化され、半導体材料の第１層と、ヒートフロー密度を減少させる金属か又は異なる半導体材料の第２層を含むギャップ領域と
を含むことを特徴とする半導体エネルギー変換器。
【請求項１８】
前記エミッタ領域と電気的に連通している第１オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項１９】
前記ギャップ領域と電気的に連通している第２オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項２０】
前記第１層は、少なくとも１電子散乱長幅を有することを特徴とする請求項１７に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項２１】
前記第１層は、少なくとも５電子散乱長幅を有することを特徴とする請求項１７に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項２２】
ｎ型導電性を有する半導体エネルギー変換器であって、
高温の熱交換表面と熱的に連通しているエミッタ領域であって、正孔放出のためのアクセプタ濃度ｐ＊を有するｐ型領域を含むエミッタ領域と、
ドナー・ドーピングｐを有する半導体ギャップ領域であって、前記エミッタ領域と電気的に及び熱的に連通しているギャップ領域と、
ドナー濃度ｎ＊を有し、前記エミッタ領域と前記ギャップ領域との間に挟まれているｎ型障壁層であって、前記エミッタ領域と前記ギャップ領域との間に電位障壁とフェルミ準位の不連続性とを与えるように構成されたｎ型障壁層と
を含むことを特徴とする半導体エネルギー変換器。
【請求項２３】
低温の熱交換表面と熱的に連通しているコレクタ領域をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項２４】
前記ギャップ領域は、前記コレクタ領域と電気的に及び熱的に連通していることを特徴とする請求項２３に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項２５】
前記エミッタ領域と電気的に連通している第１オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項２６】
前記コレクタ領域と電気的に連通している第２オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項２５に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項２７】
前記第１及び第２オーミック接触は、熱を電気に変換するために外部負荷を通して電気回路を閉じることを特徴とする請求項２６に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項２８】
前記第１及び第２オーミック接触は、電気を冷却に変換するために外部電源装置を通して電気回路を閉じることを特徴とする請求項２６に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項２９】
前記ギャップ領域は、少なくとも１キャリア散乱長幅を有することを特徴とする請求項２２に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項３０】
前記ギャップ領域は、少なくとも５キャリア散乱長幅を有することを特徴とする請求項２２に記載の半導体エネルギー変換器。
【請求項３１】
サーマル・ダイオード・スタックを含む半導体エネルギー変換器であって、
前記サーマル・ダイオード・スタックは、
前記変換器の高温側にｎ＊／ｐ／ｎの設計構造を有する第１ダイオードと、
ｎ＊層を有する前記変換器の低温側において終端する、前記第１ダイオードと同じ構造を有する複数のダイオードと
を含むことを特徴とする半導体エネルギー変換器。
【請求項３２】
サーマル・ダイオード・スタックを含む半導体エネルギー変換器であって、
前記サーマル・ダイオード・スタックは、
前記変換器の高温側にｎ＊／ｐ／ｎ／ｐｃの設計構造を有する第１ダイオードと、
ｎ＊層を有する前記変換器の低温側において終端する、前記第１ダイオードと同じ構造を有する複数のダイオードと
を含むことを特徴とする半導体エネルギー変換器。
【請求項３３】
サーマル・ダイオード・スタックを含む半導体エネルギー変換器であって、
前記サーマル・ダイオード・スタックは、
前記変換器の高温側にｎ＊／ｐ／ｎ／ｐｉの設計構造を有する第１ダイオードと、
ｎ＊層を有する前記変換器の低温側において終端する、前記第１ダイオードと同じ構造を有する複数のダイオードと
を含むことを特徴とする半導体エネルギー変換器。
【請求項３４】
サーマル・ダイオード・スタックを含む半導体エネルギー変換器であって、
前記サーマル・ダイオード・スタックは、
前記変換器の高温側にｎ＊／ｐ／ｎ／ｐｉ／ｐｃの設計構造を有する第１ダイオードと、
ｎ＊層を有する前記変換器の低温側において終端する、前記第１ダイオードと同じ構造を有する複数のダイオードと
を含むことを特徴とする半導体エネルギー変換器。
【請求項３５】
熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、又は電気エネルギーを冷却に変換するための方法であって、
エミッタ領域とギャップ領域との間に配置されたｐ型障壁層を通して、高濃度にドープされたｎ＊エミッタ領域からｎ型ギャップ領域にキャリアを注入するステップと、
対応するフェルミ準位の不連続性を許容するステップと、
エネルギーにより電子をソートするために電位障壁を形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３６】
熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、又は電気エネルギーを冷却に変換するための方法であって、
エミッタ領域とギャップ領域との間に配置されたｎ型障壁層を通して、高濃度にドープされたｐ＊エミッタ領域からｐ型ギャップ領域にキャリアを注入するステップと、
対応するフェルミ準位の不連続性を許容するステップと、
エネルギーにより電子をソートするために電位障壁を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】半導体エネルギー変換器
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換すること、および電気エネルギーを冷却に変換することに関し、より詳細には半導体ダイオードの実装を用いる半導体熱イオン変換器に関する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、又は電気エネルギーを冷却に変換するための半導体又は半導体−金属の実装を有する半導体エネルギー変換デバイス及び方法に関する。本発明のｎ型の熱から電気への実施形態においては、金属又は半導体材料からなる高濃度にドープされたｎ＊エミッタ領域は、キャリアをｎ型ギャップ領域に注入する。ｐ型層は、エミッタ領域とギャップ領域との間に配置され、対応するフェルミ準位の不連続性を許容し、エネルギーにより電子をソートするために電位障壁を形成する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
本発明は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、又は電気エネルギーを冷却に変換するために半導体又は半導体−金属の実装を有する半導体エネルギー変換デバイスに関する。本発明は、電子だけでなく正孔に関して実施することができる。本発明のデバイスにより、熱力学的限界に近づく効率を達成することができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
図面を参照すると、図１は、所与の半導体デバイスの熱電性能を改善するサーマル・ダイオード１０の形態の、本発明の半導体エネルギー変換器の一実施形態の概略図である。図１に示されるように、サーマル・ダイオード１０は、ｎ型導電性を有し、高温の熱交換表面１４と熱的に連通しているエミッタ領域１２を含む。エミッタ領域１２は、電子放出のためのドナー濃度ｎ＊を有するｎ型領域１６を含む。ドナー・ドーピングｎを有する半導体ギャップ領域１８は、エミッタ領域１２と電気的に及び熱的に連通している。アクセプタ濃度ｐ＊を有するｐ型障壁層２０は、エミッタ領域１２とギャップ領域１８との間に挟まれている。障壁層２０は、エミッタ領域１２とギャップ領域１８との間に電位障壁とフェルミ準位の不連続性とを与える。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
本発明の半導体エネルギー変換器の別の実施形態においては、図１のサーマル・ダイオード１０は、ｐ型導電率を有するように形成することができる。こうした実施形態は、高温の熱交換表面と熱的に連通しているエミッタ領域１２を含み、このときエミッタ領域は、正孔放出のためのアクセプタ濃度ｐ＊を有するｐ型領域を含む。ドナー・ドーピングｐを有する半導体ギャップ領域１８は、エミッタ領域１２と電気的に及び熱的に連通している。ドナー濃度ｎ＊を有するｎ型障壁層２０は、エミッタ領域１２とギャップ領域１８との間に挟まれる。ｐ型サーマル・ダイオードは、低温の熱交換表面と熱的に連通しているコレクタ領域２２を任意で含むことができる。第１オーミック接触は、エミッタ領域１２と電気的に連通し、第２オーミック接触２８は、コレクタ領域２２と電気的に連通している。