(57)【要約】【課題】  本発明は、金型により素材を加圧し、所定形状の光学素子を成形する光学素子成形方法、光学素子成形装置および光学素子の製造方法に関し、アニーリングによる光学素子の変形を容易，確実に阻止することを目的とする。【解決手段】  上成形型と下成形型との間に、光学素子の素材を収容し、前記上成形型および下成形型を所定温度まで加熱した状態で、前記上成形型と下成形型とを相対移動して前記素材を加圧して成形し、成形後に前記上成形型および下成形型を冷却して所定形状の光学素子を得る光学素子成形方法において、少なくとも前記上成形型および下成形型の冷却時に、前記上成形型および下成形型の温度を測定しながら、前記上成形型および下成形型の温度変化が、予め設定された設定温度変化になるように前記上成形型および下成形型の温度を制御しながら冷却を行うことを特徴とする。【選択図】      図６
2006001802.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上成形型と下成形型との間に、光学素子の素材を収容し、前記上成形型および下成形型を所定温度まで加熱した状態で、前記上成形型と下成形型とを相対移動して前記素材を加圧して成形し、成形後に前記上成形型および下成形型を冷却して所定形状の光学素子を得る光学素子成形方法において、
少なくとも前記上成形型および下成形型の冷却時に、前記上成形型および下成形型の温度を測定しながら、前記上成形型および下成形型の温度変化が、予め設定された設定温度変化になるように前記上成形型および下成形型の温度を制御しながら冷却を行うことを特徴とする光学素子成形方法。
【請求項２】
請求項１記載の光学素子成形方法において、
前記上成形型および下成形型による前記素材の加圧時に、前記上成形型および下成形型の温度を測定しながら、前記上成形型および下成形型の温度変化が、予め設定された設定温度変化になるように前記上成形型および下成形型の温度を制御しながら加圧を行うことを特徴とする光学素子成形方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の光学素子成形方法において、
前記設定温度変化は、前記上成形型および下成形型による前回の成型時の温度変化と略同様の温度変化であることを特徴とする光学素子成形方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の光学素子成形方法において、
少なくとも前記下成形型の温度の制御を、不活性ガスの流量を制御して行うことを特徴とする光学素子成形方法。
【請求項５】
上成形型と下成形型との間に、光学素子の素材を収容し、前記上成形型および下成形型を所定温度まで加熱した状態で、前記上成形型と下成形型とを相対移動して前記素材を加圧して成形し、成形後に前記上成形型および下成形型を冷却して所定形状の光学素子を得る光学素子成形装置において、
前記上成形型および下成形型を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段により所定温度まで加熱された前記上成形型と前記下成形型とを相対移動して加圧する金型移動手段と、
前記上成形型および下成形型の温度を測定する温度測定手段と、
前記上成形型および下成形型を強制冷却するための強制冷却手段と、
前記温度測定手段から前記上成形型および下成形型の温度を入力し、少なくとも前記上成形型および下成形型の冷却時に、前記上成形型および下成形型の温度変化が予め設定された設定温度変化になるように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする光学素子成形装置。
【請求項６】
請求項５記載の光学素子成形装置において、
前記制御手段は、前記上成形型の温度を前記加熱手段を制御して行い、前記下成形型の温度を前記強制冷却手段を制御して行うことを特徴とする光学素子成形装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６記載の光学素子成形装置において、
前記制御手段は、前記上成形型および下成形型による前記素材の加圧時に、前記上成形型および下成形型の温度変化が、予め設定された設定温度変化になるように前記上成形型および下成形型の温度を制御することを特徴とする光学素子成形装置。
【請求項８】
請求項５ないし請求項７のいずれか１項記載の光学素子成形装置において、
前記設定温度変化は、前記上成形型および下成形型による過去の成型時の温度変化と略同様の温度変化であることを特徴とする光学素子成形装置。
【請求項９】
請求項５ないし請求項８のいずれか１項記載の光学素子成形装置において、
前記強制冷却手段は、不活性ガスからなり、前記制御手段は、少なくとも前記下成形型の温度を前記不活性ガスの流量を制御して行うことを特徴とする光学素子成形装置。
【請求項１０】
一対の型の間に光学素子の素材を収容し、前記一対の型に所定の温度変化を生じさせながら前記一対の型の成形面の形状を前記素材に転写することにより光学素子を製造する光学素子の製造方法において、
前記成形面の形状を前記素材に転写させたときの温度変化を記録し、
前記成形面の形状が転写された素材を焼きなましし、
前記焼きなましされた素材の形状に応じ、前記一対の型の成形面を加工し、
前記成形面が加工された一対の型を、記録された前記温度変化に基づき、温度調節しながら、新たな光学素子の素材に前記成形面の形状を転写することを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子成形方法、光学素子成形装置および光学素子の製造方法に係わり、特に、金型により素材を加圧し、所定形状の光学素子を成形する光学素子成形方法、光学素子成形装置および光学素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、上成形型と下成形型との間に、ガラスの素材を収容し、素材を所定温度まで加熱した状態で、下成形型を下軸により上方に移動して素材を加圧し、所定形状のガラス素子を成形する成形方法が知られている。
図８は、このような成形方法を示すもので、金型の下成形型が、下軸の機械的な原点Ｚ０から、成形方向に決まった位置Ｚ１まで上昇され、所定時間経過後に金型の加熱が開始される。そして、金型の上成形型の温度が、目標温度Ｔ１に達した後に、下成形型が上方に向けて成形圧力Ｐ１で移動され、下成形型が成形終了位置Ｚ２に達した位置で、成形が終了される。そして、成形の終了後に、金型を冷却することにより所定形状の光学素子が得られる。
【０００３】
なお、従来、金型によりガラスを加圧し、所定形状のガラス素子を成形するガラス素子成形装置として、例えば、特開平６−２４７６５号公報に開示されるものが知られている。
この公報のガラス素子成形装置では、上下両方の金型の温度をモニターすることにより上下の金型の温度が同一の温度となるように制御される。
【特許文献１】特開平６−２４７６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した図８に示した成形方法では、成形された光学素子の歪みを除去するためにアニーリングを行うと、光学素子に比較的高い頻度で反り等の変形が発生し光学素子の形状精度が低下するという問題があった。
本発明者は、かかる従来の問題を解決すべく鋭意研究した結果、アニーリングにより光学素子に反り等の変形が生じるのは、冷却時の上成形型および下成形型の温度変化にバラツキが存在するためであることを見出した。
【０００５】
本発明は、かかる知見に基づいてなされたもので、アニーリングによる光学素子の変形を容易，確実に阻止することができる光学素子成形方法、光学素子成形装置および光学素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の光学素子成形方法は、上成形型と下成形型との間に、光学素子の素材を収容し、前記上成形型および下成形型を所定温度まで加熱した状態で、前記上成形型と下成形型とを相対移動して前記素材を加圧して成形し、成形後に前記上成形型および下成形型を冷却して所定形状の光学素子を得る光学素子成形方法において、少なくとも前記上成形型および下成形型の冷却時に、前記上成形型および下成形型の温度を測定しながら、前記上成形型および下成形型の温度変化が、予め設定された設定温度変化になるように前記上成形型および下成形型の温度を制御しながら冷却を行うことを特徴とする。
【０００７】
請求項２の光学素子成形方法は、請求項１記載の光学素子成形方法において、前記上成形型および下成形型による前記素材の加圧時に、前記上成形型および下成形型の温度を測定しながら、前記上成形型および下成形型の温度変化が、予め設定された設定温度変化になるように前記上成形型および下成形型の温度を制御しながら加圧を行うことを特徴とする。
【０００８】
請求項３の光学素子成形方法は、請求項１または請求項２記載の光学素子成形方法において、前記設定温度変化は、前記上成形型および下成形型による前回の成型時の温度変化と略同様の温度変化であることを特徴とする。
請求項４の光学素子成形方法は、請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の光学素子成形方法において、前記上成形型および下成形型の温度の制御を、不活性ガスの流量を制御して行うことを特徴とする。
【０００９】
請求項５の光学素子成形装置は、上成形型と下成形型との間に、光学素子の素材を収容し、前記上成形型および下成形型を所定温度まで加熱した状態で、前記上成形型と下成形型とを相対移動して前記素材を加圧して成形し、成形後に前記上成形型および下成形型を冷却して所定形状の光学素子を得る光学素子成形装置において、前記上成形型および下成形型を加熱する加熱手段と、前記加熱手段により所定温度まで加熱された前記上成形型と前記下成形型とを相対移動して加圧する金型移動手段と、前記上成形型および下成形型の温度を測定する温度測定手段と、前記上成形型および下成形型を強制冷却するための強制冷却手段と、前記温度測定手段から前記上成形型および下成形型の温度を入力し、少なくとも前記上成形型および下成形型の冷却時に、前記上成形型および下成形型の温度変化が予め設定された設定温度変化になるように制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【００１０】
請求項６の光学素子成形装置は、請求項５記載の光学素子成形装置において、前記制御手段は、前記上成形型の温度を前記加熱手段を制御して行い、前記下成形型の温度を前記強制冷却手段を制御して行うことを特徴とする。
請求項７の光学素子成形装置は、請求項５または請求項６記載の光学素子成形装置において、前記制御手段は、前記上成形型および下成形型による前記素材の加圧時に、前記上成形型および下成形型の温度変化が、予め設定された設定温度変化になるように前記上成形型および下成形型の温度を制御することを特徴とする。
【００１１】
請求項８の光学素子成形装置は、請求項５ないし請求項７のいずれか１項記載の光学素子成形装置において、前記設定温度変化は、前記上成形型および下成形型による過去の成型時の温度変化と略同様の温度変化であることを特徴とする。
請求項９の光学素子成形装置は、請求項５ないし請求項８のいずれか１項記載の光学素子成形装置において、前記強制冷却手段は、不活性ガスからなり、前記制御手段は、少なくとも前記下成形型の温度を前記不活性ガスの流量を制御して行うことを特徴とする。
【００１２】
請求項１０の光学素子の製造方法は、一対の型の間に光学素子の素材を収容し、前記一対の型に所定の温度変化を生じさせながら前記一対の型の成形面の形状を前記素材に転写することにより光学素子を製造する光学素子の製造方法において、前記成形面の形状を前記素材に転写させたときの温度変化を記録し、前記成形面の形状が転写された素材を焼きなましし、前記焼きなましされた素材の形状に応じ、前記一対の型の成形面を加工し、前記成形面が加工された一対の型を、記録された前記温度変化に基づき、温度調節しながら、新たな光学素子の素材に前記成形面の形状を転写することを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の光学素子成形方法、光学素子成形装置および光学素子の製造方法によれば、少なくとも上成形型および下成形型の冷却時に、上成形型および下成形型の温度を測定しながら、上成形型および下成形型の温度変化が、予め設定された設定温度変化になるように上成形型および下成形型の温度を制御しながら冷却を行うようにしたので、アニーリングによる光学素子の変形を容易，確実に阻止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を、図面を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明の光学素子成形装置の一実施形態を示している。
この実施形態では、装置本体１１の上部に成形室１５を有する。そして、この成形室１５に成形型集合体１７を配置している。
図２は、成形型集合体１７の詳細を示している。
【００１５】
成形型集合体１７は、上成形型１９と下成形型２１とを有する。上成形型１９と下成形型２１とは、円筒状のスリーブ２３に上下方向に摺動自在に嵌合されている。上成形型１９の下端面および下成形型２１の上端面には、成形すべきレンズに対応する形状の凹部１９ａ，２１ａが形成されている。そして、光学素子成形時は上成形型１９と下成形型２１との間に、ガラス母材からなる素材２５が収容されている。
【００１６】
上成形型１９には、熱電対挿入孔１９ｂが形成されている。下成形型２１は、基台２１ｃ上に載置され、基台２１ｃの上面に形成される円形状の突出部２１ｄにスリーブ２３の下端が挿入されている。そして、基台２１ｃおよび下成形型２１には、熱電対挿入孔２１ｂが形成されている。
この実施形態では、図１に示したように、成形室１５の上方に上軸２７が配置されている。この上軸２７は、装置本体１１の上板２９に固定されている。そして、上軸２７の下面に成形型集合体１７の上成形型１９の上面が当接可能とされている。
【００１７】
成形室１５の外側には、成形型集合体１７を加熱するヒータからなる加熱ユニット３３が配置されている。成形室１５は、仕切板３５により密閉され、成形室１５が窒素からなる不活性ガス雰囲気とされている。このように成形室１５を不活性ガス雰囲気にすることにより、成形型集合体１７の酸化を防止することができる。
この実施形態では、成形室１５の下方に下軸３７が配置されている。この下軸３７の上面には、成形型集合体１７の下成形型２１の下面が当接可能とされている。下軸３７は、仕切板３５および支持板３９を貫通して加圧検出器４５の上に設けられている。仕切板３５の下面には、装置を冷却する冷却ユニット４１が配置されている。支持板３９には、下軸３７を案内する下軸ガイド４３が配置されている。この下軸ガイド４３は、例えば、ボールブッシュからなる。
【００１８】
下軸３７の下軸ガイド４３の下方に設けられた加圧検出器４５は、例えば、ロードセルからなる。下軸３７の下端には、下軸加圧ユニット４７が配置されている。この下軸加圧ユニット４７は、図示しないモータおよび駆動機構を備えており、モータにより駆動機構を作動することにより、下軸３７が上下方向に移動される。モータには、例えば、サーボモータ等のモータが使用される。
【００１９】
下軸加圧ユニット４７の下部には、下軸３７の位置を検出する下軸位置検出部４９が配置されている。この下軸位置検出部４９は、モータ軸に配置される図示しないエンコーダからのパルスを検出し、モータ軸の回転数および回転位置から下軸３７の位置を検出する。なお、本実施形態では、下成形型２１の位置を下軸３７の位置をモニターすることで得るようにしている。
【００２０】
この実施形態では、図３に示すように、上軸２７の内部に冷却ガス流路２７ａが形成されている。この冷却ガス流路２７ａには、窒素等の不活性ガスが供給される。冷却ガス流路２７ａには、上側熱電対５１が挿通されている。上側熱電対５１の下部は、成形型集合体１７の上成形型１９に形成される熱電対挿入孔１９ｂに挿入されている。上軸２７の上端には、不活性ガスを供給するための供給配管５３が接続されている。この供給配管５３には、上側熱電対５１のケーブル５１ａが挿通され途中で外部に導出されている。供給配管５３には、不活性ガスの流量を調整するための流量制御弁５５が配置されている。供給配管５３の上流端は、図示しない不活性ガス供給装置に接続されている。
【００２１】
また、下軸３７の内部にも冷却ガス流路３７ａが形成されている。この冷却ガス流路３７ａには、窒素等の不活性ガスが供給される。冷却ガス流路３７ａには、下側熱電対５７が挿通されている。下側熱電対５７の上部は、成形型集合体１７の下成形型２１に形成される熱電対挿入孔２１ｂに挿入されている。下軸３７の下部には、不活性ガスを供給するための供給配管５９が接続されている。この供給配管５９には、下側熱電対５７のケーブル５７ａが挿通され途中で外部に導出されている。供給配管５９には、不活性ガスの流量を調整するための流量制御弁６１が配置されている。供給配管５９の上流端は、図示しない不活性ガス供給装置に接続されている。
【００２２】
図４は、上軸２７の下端面および下軸３７の上端面の詳細を示している。冷却ガス流路２７ａ(３７ａ)の開口部には、十字状に凹部２７ｂ(３７ｂ)が形成されている。そして、この凹部２７ｂ(３７ｂ)を流通する不活性ガスにより、上成形型１９の上面および下成形型２１の下面の冷却が行われる。
図１において符号６３は、上述した光学素子成形装置を制御する制御装置を示している。
【００２３】
この制御装置６３には、上側熱電対５１および下側熱電対５７からの温度信号、加圧検出器４５からの圧力信号、および、下軸位置検出部４９からの下軸位置信号が入力される。
そして、制御装置６３は、上側熱電対５１および下側熱電対５７から上成形型１９および下成形型２１の温度を入力し、上成形型１９および下成形型２１の温度変化が予め設定された設定温度変化になるように上成形型１９および下成形型２１の温度を制御する。
【００２４】
この実施形態では、上成形型１９の温度制御は、流量制御弁５５により不活性ガスの流量を制御することなく加熱ユニット３３を制御することにより行われる。そして、下成形型２１の温度制御のみが、流量制御弁６１を制御して不活性ガスの流量を制御することにより行われる。
また、この実施形態では、制御装置６３の記憶手段には、上成形型１９および下成形型２１の温度制御を行うための設定温度変化が予め記憶されている。この設定温度変化には、上成形型１９および下成形型２１による過去の成型時の温度変化が採用されている。
【００２５】
ここで過去の成形時の温度変化とは、例えば、所定の成形型集合体１７を使用して製造された光学素子をアニーリングした時に、光学素子に反り等の変形が生じるが、変形後の形状が許容限度内にあるような温度変化である。
すなわち、所定の成形型集合体１７の上成形型１９および下成形型２１の温度が、図５に示すように変化しながら光学素子が製造され、製造された光学素子をアニーリングした時に、光学素子の変形後の形状が許容限度内にある場合には、図５に示した上成形型１９および下成形型２１の温度変化が設定温度変化として制御装置６３に記憶される。
【００２６】
そして、設定温度変化は、複数の成形型集合体１７が交代で使用される場合には、加工精度等により各成形型集合体１７によって異なり、各成形型集合体１７に対応した設定温度変化が制御装置６３に予め記憶される。
以下、この実施形態の光学素子成形装置による成形方法を説明する。
この実施形態では、先ず、成形型集合体１７の上成形型１９と下成形型２１との間にガラス母材からなる素材２５が収容される。この素材２５の収容は、スリーブ２３から上成形型１９を抜き取り、スリーブ２３内に素材２５を投入した後、スリーブ２３に上成形型１９を嵌挿することにより行われる。
【００２７】
次に、素材２５が収容された成形型集合体１７が、加熱ユニット３３および成形室１５に形成される図示しない成形型集合体１７の搬入部から、成形室１５内に収容される。この状態では、図６に示すように、上成形型１９および下成形型２１の温度が室温Ｔ０，Ｔ０’とされている。また、この時の下軸３７の上端の位置がＺ０とされている。さらに、下軸３７には成形圧力の作用はなく、加圧検出器４５の圧力がＰ０とされている。
【００２８】
次に、下軸３７の上端が、成形加熱位置Ｚ１まで上昇される。この時は成形型集合体１７が上軸２７の下端に接触しているか、その下端の近傍に位置している。そして、加熱ユニット３３による成形型集合体１７の加熱が開始される。上成形型１９および下成形型２１の温度は上側熱電対５１および下側熱電対５７を介して制御装置６３に入力されており、制御装置６３は、上成形型１９および下成形型２１の温度変化が、図５に示した上成形型１９および下成形型２１の温度変化と同様になるように、加熱ユニット３３および流量制御弁６１を制御する。
【００２９】
そして、所定時間経過後に、下軸加圧ユニット４７により、下軸３７が上方に向けて予め定められた所定の速度で移動される。この実施形態では、下軸加圧ユニット４７は、トルク制御されており、圧力値が、予め定められた成形圧力値Ｐ１になるまでは、下軸３７が上方に向けて予め定められた所定の速度で移動される。そして、圧力値が、予め定められた圧力値Ｐ１になった後には、成形圧力値Ｐ１を維持しながら下軸３７が成形終了位置Ｚ２まで移動される。
【００３０】
この後、下軸加圧ユニット４７により、下軸３７の上端の位置がＺ０の位置まで下降されるとともに成形型集合体１７が冷却される。
この冷却は、上成形型１９および下成形型２１の温度変化が、予め過去の成形時に取得した図５に示した上成形型１９および下成形型２１の温度変化と同様になるように、加熱ユニット３３および流量制御弁６１を制御装置６３により制御することにより行われる。そして、冷却後に、成形型集合体１７が成形室１５から取り出される。
【００３１】
上述した光学素子成形方法および光学素子成形装置では、以下のような効果を得ることができる。
(１)上成形型１９および下成形型２１の冷却時に、上成形型１９および下成形型２１の温度を測定しながら、上成形型１９および下成形型２１の温度変化が、予め設定された設定温度変化になるように上成形型１９および下成形型２１の温度を制御しながら冷却を行うようにしたので、アニーリングによる光学素子の変形後の形状が安定し、所定の形状の光学素子を得ることができる。
【００３２】
(２)上成形型１９および下成形型２１による素材２５の加圧時にも、上成形型１９および下成形型２１の温度を測定しながら、上成形型１９および下成形型２１の温度変化が、予め設定された設定温度変化になるように上成形型１９および下成形型２１の温度を制御しながら加圧を行うようにしたので、僅かながら生ずる形状の違いも生じにくくなり、歩留まり良く光学素子を製造することができる。
【００３３】
(３)制御装置６３に記憶される設定温度変化を、上成形型１９および下成形型２１による過去の成型時の温度変化と略同様の温度変化にしたので、高い精度で光学素子を成形できる。
(４)上成形型１９とは独立に、下成形型２１の温度を制御するようにしたので、上成形型１９および下成形型２１の両方の温度を適切に制御することができる。すなわち、特に、冷却時には、加熱ユニット３３を制御することにより、冷却速度を容易に増大することが可能になり、冷却時間を短縮しタクトタイムを減少することができる。
【００３４】
(５)上成形型１９および下成形型２１を不活性ガスにより冷却するようにしたので、成形型集合体１７に錆等が生じることを確実に防止することができる。
このような効果を踏まえ、以下に示す光学素子の製造方法に適用することにより、歩留まりが向上した製造方法を達成することができる。
この製造方法の内容を図７を用いながら説明する。先ず、第１の工程（ＳＳ１）は、金型形成工程である。この工程では、タングステンなどの耐熱性金属を研削加工することにより、上成形型１９および下成形型２１を含む成形型集合体１７を製造する。上成形型１９および下成形型２１の成形面は、製造する光学素子の反転形状を有している。しかし、成形面の形状は、忠実に光学素子の反転形状ではなく、光学素子成形装置による成形後に行われる工程で予想される変形量を見込んだ形状としている。
【００３５】
次に、第２の工程（ＳＳ２）では、第１の工程（ＳＳ１）で製造された成形型集合体１７の中に素材２５を収容し、光学素子成形装置により、素材２５を成形する。このとき、光学素子成形装置では前述したように温度変化を記録する。成形時の光学素子成形装置の動作は前述のとおりである。
次に、第３の工程（ＳＳ３）では、第２の工程で成形された光学素子をアニーリングする。この工程は、第２の工程で生じた光学素子中の屈折率のムラを小さくする効果を有する。なお、アニーリング時の温度は、ガラス転移点以下の温度で所定時間行われる。
【００３６】
次に、第４の工程（ＳＳ４）では、アニーリングされた光学素子が常温まで冷えた後に、その光学素子の形状を計測する。この計測した結果に基づき、製造された光学素子の形状誤差が許容範囲内であるか否か判定する、この判定に基づき、許容範囲内では無いと判断された場合、次の第５の工程（ＳＳ５）が行われる。
この第５の工程は、上成形型１９および下成形型２１の成形面を修正するために、それらの成形面の再加工をする工程である。第４の工程で得られた形状誤差に応じ、成形面を再加工することにより、第２の工程と同じ条件で光学素子成形装置により光学素子を成形することで、安定した形状創成が行われる。
【００３７】
次に、第６の工程（ＳＳ６）では、第５の工程で成形面が修正された成形型集合体、または、第４の工程で許容範囲内の光学素子を製造することができた成形型集合体を用い、第２の工程と同じ条件で光学素子成形装置により光学素子を成形する。そして、第７の工程（ＳＳ７）で、第６の工程で成形された光学素子をアニーリングする。このようにすることにより、形状誤差が許容範囲内に収まる光学素子を製造することができる。なお、この第６の工程および第７の工程を繰り返し行うことにより、複数の光学素子を得ることができる。
【００３８】
ところで、第２の工程で記録する温度変化は、上成形型１９および下成形型２１の冷却時における湿度変化だけでも構わない。アニーリングによって起こる形状変化は、冷却時の温度変化によって変わるためである。しかし、第２の工程で行われる素材２５への加圧時の温度変化も記録した方がより好ましい。素材２５への加圧時の温度変化の違いにより、素材の変形速度が変わるため、僅かながら、第２の工程終了後における光学素子の形状が変わってしまうためである。したがって、加圧時および冷却時に第６の工程で同じ温度変化で製造することで、各ロットの形状変化が極めて少ない光学素子の製造方法を実現することができる。
【００３９】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。
(１)上述した実施形態では、不活性ガスにより上成形型１９および下成形型２１を冷却した例について説明したが、例えば、上軸２７および下軸３７に液体等の冷却材を循環させて冷却するようにしても良い。
【００４０】
(２)上述した実施形態では、上成形型１９の温度制御を加熱ユニット３３を制御して行った例について説明したが、例えば、流量制御弁５５を制御して行っても良い。
(３)上述した実施形態では、設定温度変化を過去の成形時の温度変化にした例について説明したが、例えば、実験等により最適な設定温度変化を求めてこれを使用しても良い。
(４)上述した実施形態では、成形型集合体１７の冷却を成形室１５内で行った例について説明したが、例えば、成形室１５外の所定の位置で行うようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の光学素子成形装置の一実施形態を示す説明図である。
【図２】図１の光学素子成形装置に使用される成形型集合体を示す説明図である。
【図３】図１の光学素子成形装置の上軸および下軸の詳細を示す説明図である。
【図４】図１の光学素子成形装置の上軸および下軸の端面の詳細を示す説明図である。
【図５】図１の光学素子成形装置における過去の上成形型および下成形型の温度変化を示す説明図である。
【図６】図１の光学素子成形装置による成形方法を示す説明図である。
【図７】本発明の光学素子の製造方法の一実施形態を示す説明図である。
【図８】従来の光学素子成形装置による成形方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４２】
１７  成形型集合体
１９  上成形型
２１  下成形型
２５  素材
２７ａ，３７ａ  冷却ガス流路
３３  加熱ユニット
３７  下軸
４５  加圧検出器
４７  下軸加圧ユニット
４９  下軸位置検出部
５１  上側熱電対
５７  下側熱電対
６３  制御装置
【図１】
2006001802.tif 000003
【図２】
2006001802.tif 000004
【図３】
2006001802.tif 000005
【図４】
2006001802.tif 000006
【図５】
2006001802.tif 000007
【図６】
2006001802.tif 000008
【図７】
2006001802.tif 000009
【図８】
2006001802.tif 000010