【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子状水素の触媒作用を介して新しい形態の水素を含む電力および新しい水素種および組成物を発生し、原子状水素の前記触媒作用を介してプラズマ、および高エネルギー光、極紫外線光、および紫外線光などの光源を発生するプラズマ反応炉であって、
新しい形態の水素を含む新しい水素種および組成物を形成する原子状水素の触媒作用のためのプラズマ形成エネルギー・セルと、
低エネルギー水素を形成し、エネルギーを放出する原子状水素の反応を触媒する触媒源と、
原子状水素源と、
前記プラズマを少なくとも部分的に維持するための間欠的電源またはパルス電源とを備えるプラズマ反応炉。
【請求項２】
前記セルは、マイクロ波セル、プラズマ・トーチ・セル、高周波（ＲＦ）セル、グロー放電セル、バリア電極セル、プラズマ電解セル、圧縮ガス・セル、フィラメント・セル、またはｒｔプラズマ・セル、およびグロー放電セル、マイクロ波セル、およびＲＦプラズマ・セルの少なくとも１つの組合せのグループのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の反応炉。
【請求項３】
前記間欠的電源またはパルス電源は、入力電力を低減する、請求項１に記載の反応炉。
【請求項４】
前記間欠的電源またはパルス電源は、オフセットＤＣ、オーディオ、ＲＦ、またはマイクロ波電圧または電場および磁場により場が所望の強度に設定される期間を規定する、請求項１に記載の反応炉。
【請求項５】
前記場は、放電を維持するために必要な値よりも低いオフセットＤＣ、オーディオ、ＲＦ、またはマイクロ波電圧または電場および磁場により期間内に所望の強度に設定される、請求項４に記載の反応炉。
【請求項６】
低い場または非放電の期間の前記所望の場の強さは、前記触媒と前記原子状水素との間の前記エネルギーの一致を最適化する、請求項４に記載の反応炉。
【請求項７】
前記間欠的電源またはパルス電源は、さらに、前記パワー・バランスを最適化するように前記パルス周波数およびデューティ・サイクルを調整する手段を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項８】
前記パルス周波数およびデューティ・サイクルは、前記反応速度対前記入力電力を最適化することにより前記パワー・バランスを最適化するように調整される、請求項７に記載の反応炉。
【請求項９】
前記パルス周波数およびデューティ・サイクルは、濃度が前記パルス周波数、デューティ・サイクル、およびプラズマ崩壊速度に依存する前記低い場または非放電の期間内の放電崩壊により発生する触媒および原子状水素の量を制御することにより前記反応速度対前記入力電力を最適化することにより前記パワー・バランスを最適化するように調整される、請求項７に記載の反応炉。
【請求項１０】
前記間欠的電源またはパルス周波数は、約０．１Ｈｚから約１００ＭＨｚまでである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１１】
前記間欠的電源またはパルス周波数は、約１から約１０００Ｈｚまでの範囲内であり、前記デューティ・サイクルは、約０．００１％から約９５％までである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１２】
前記間欠的電源またはパルスのデューティ・サイクルは、約０．１％から約５０％までである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１３】
前記電力は、交流であり、前記交流電力の周波数は、約０．００１Ｈｚから１００ＧＨｚまでの範囲内とすることができる、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１４】
前記間欠的電源またはパルス周波数は、約６０Ｈｚから１０ＧＨｚまでの範囲内である、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１５】
前記間欠的電源またはパルス周波数は、約１０ＭＨｚから１０ＧＨｚまでの範囲内である、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１６】
１つまたは複数の電極は、前記プラズマと直接接触しているもののうちの少なくとも１つであり、誘電体バリアにより前記プラズマから分離される２つの電極を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１７】
前記ピーク電圧は、約１Ｖから１０ＭＶまで、約１０Ｖから１００ｋＶまで、および約１００Ｖから５００Ｖまでのうちの少なくとも１つの範囲内である、請求項１６に記載の反応炉。
【請求項１８】
前記プラズマ・セルの水素ガス圧力は、約１ミリトールから１０，０００トールまで、約１０ミリトールから１００トールまで、および約１０ミリトールから１０トールまでの範囲内の少なくとも１つの範囲内にある、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１９】
真空または大気圧よりも高い圧力を含むことができる室を備える槽、原子状水素源、プラズマを形成するためのパルスまたは間欠的マイクロ波電力源、およびｍは整数である、好ましくはｍは４００未満の整数であるｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効反応エンタルピーを与えることができる触媒を含む、増大結合エネルギー水素種および増大結合エネルギー水素化合物を形成するための原子状水素の前記触媒作用に対するマイクロ波プラズマ・セルを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項２０】
前記パルスまたは間欠的マイクロ波電力源は、進行波管、クライストロン、マグネトロン、サイクロトロン共振メーザー、ジャイロトロン、および自由電子レーザーのグループのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の反応炉。
【請求項２１】
前記パルスまたは間欠的マイクロ波電力源は、前記マイクロ波電力を増幅するための増幅器を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項２２】
前記パルスまたは間欠的マイクロ波電力源は、導波路、同軸ケーブル、およびアンテナのうちの少なくとも１つにより送出される、請求項１に記載の反応炉。
【請求項２３】
前記パルスまたは間欠的マイクロ波電力源が使用する電力周波数は、約１００ＭＨｚから１００ＧＨｚまでの範囲、約１００ＭＨｚから１０ＧＨｚまでの範囲、約１ＧＨｚから１０ＧＨｚまでの範囲、および約２．４ＧＨｚ±１ＧＨｚのうちの少なくとも１つとすることができる、請求項１に記載の反応炉。
【請求項２４】
前記パルス周波数は、約０．１Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、約１０から約１０，０００Ｈｚまで、および約１００から約１０００Ｈｚまでの範囲のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項２５】
前記デューティ・サイクルは、約０．００１％から約９５％まで、および約０．１％から約１０％までの範囲のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項２６】
前記プラズマに送られる前記パルスのピーク電力密度は、約１Ｗ／ｃｍ３から１ＧＷ／ｃｍ３まで、約１０Ｗ／ｃｍ３から１０ＭＷ／ｃｍ３まで、および約１００Ｗ／ｃｍ３から１０ｋＷ／ｃｍ３までの範囲のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項２７】
前記プラズマに送られる前記パルスの平均電力密度は、約０．００１Ｗ／ｃｍ３から１ｋＷ／ｃｍ３まで、約０．１Ｗ／ｃｍ３から１００Ｗ／ｃｍ３まで、および約１Ｗ／ｃｍ３から１０Ｗ／ｃｍ３までの範囲のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項２８】
真空または大気圧よりも高い圧力を含むことができる室を備える槽、原子状水素源、プラズマを形成するためのパルスまたは間欠的ＲＦ電力源、およびｍは整数である、好ましくはｍは４００未満の整数であるｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効反応エンタルピーを与えることができる触媒を含む、増大結合エネルギー水素種および増大結合エネルギー水素化合物を形成するための原子状水素の前記触媒作用に対する容量および誘導結合高周波（ＲＦ）プラズマ・セルのうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項２９】
少なくとも２つの電極、および前記ＲＦ電力源が前記ＲＦ発生器により駆動される前記複数の電極を備えるパルスまたは間欠的ＲＦ発生器を備える、請求項２８に記載の反応炉。
【請求項３０】
前記セル内に形成される前記プラズマにＲＦ電力を結合させるセル壁の内部または外部のいずれかにあるソース・コイル、接地されているかまたは浮動されているかのうちの１つである導電性セル壁、前記セル・プラズマへのＲＦ電力の誘導結合および容量結合のうちの少なくとも１つによりコイルを駆動するｎ個のＲＦ発生器を備える、請求項２８に記載の反応炉。
【請求項３１】
前記ＲＦ周波数は、約１００Ｈｚから約１００ＭＨｚまでの範囲、約１ｋＨｚから約５０ＭＨｚまでの範囲、および約１３．５６ＭＨｚ±５０Ｈｚのうちの少なくとも１つである、請求項２８に記載の反応炉。
【請求項３２】
前記パルス周波数は、約０．１Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、約１０Ｈｚから約１０ＭＨｚまで、および約１００Ｈｚから約１ＭＨｚまでの範囲のうちの少なくとも１つである、請求項２８に記載の反応炉。
【請求項３３】
前記デューティ・サイクルは、約０．００１％から約９５％まで、および約０．１％から約１０％までの範囲のうちの少なくとも１つである、請求項２８に記載の反応炉。
【請求項３４】
前記プラズマに送られる前記パルスのピーク電力密度は、約１Ｗ／ｃｍ３から１ＧＷ／ｃｍ３まで、約１０Ｗ／ｃｍ３から１０ＭＷ／ｃｍ３まで、および約１００Ｗ／ｃｍ３から１０ｋＷ／ｃｍ３までの範囲のうちの少なくとも１つである、請求項２８に記載の反応炉。
【請求項３５】
前記プラズマに送られる前記パルスの平均電力密度は、約０．００１Ｗ／ｃｍ３から１ｋＷ／ｃｍ３まで、約０．１Ｗ／ｃｍ３から１００Ｗ／ｃｍ３まで、および約１Ｗ／ｃｍ３から１０Ｗ／ｃｍ３までの範囲のうちの少なくとも１つである、請求項２８に記載の反応炉。
【請求項３６】
米国特許第6,150,628号記載のアステック・コーポレーションのアストロン・システムなどのトロイダル・プラズマ・システムを含む誘導結合プラズマ源を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項３７】
変圧器回路の一次側を含むトロイダル・プラズマ・システムを備える、請求項３６に記載の反応炉。
【請求項３８】
さらに、前記変圧器回路の一次側を駆動する高周波電源を備える、請求項３７に記載の反応炉。
【請求項３９】
前記プラズマは、前記変圧器回路の二次側として動作する閉ループである、請求項３７に記載の反応炉。
【請求項４０】
前記ＲＦ周波数は、約１００Ｈｚから約１００ＧＨｚまでの範囲内、約１００ＭＨｚ、約１３．５６ＭＨｚ±５０ＭＨｚ、および約２．４ＧＨｚ±１ＧＨｚのうちの少なくとも１つである、請求項３７に記載の反応炉。
【請求項４１】
前記パルス周波数は、約０．１Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、約１０Ｈｚから約１０ＭＨｚまで、および約１００Ｈｚから約１ＭＨｚまでの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項３７に記載の反応炉。
【請求項４２】
前記デューティ・サイクルは、約０．００１％から約９５％まで、および約０．１％から約１０％までの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項３７に記載の反応炉。
【請求項４３】
前記プラズマに送られる前記パルスのピーク電力密度は、約１Ｗ／ｃｍ３から１ＧＷ／ｃｍ３まで、約１０Ｗ／ｃｍ３から１０ＭＷ／ｃｍ３まで、および約１００Ｗ／ｃｍ３から１０ｋＷ／ｃｍ３までの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項３７に記載の反応炉。
【請求項４４】
前記プラズマに送られる前記パルスの平均電力密度は、約０．００１Ｗ／ｃｍ３から１ｋＷ／ｃｍ３まで、約０．１Ｗ／ｃｍ３から１００Ｗ／ｃｍ３まで、および約１Ｗ／ｃｍ３から１０Ｗ／ｃｍ３までの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項３７に記載の反応炉。
【請求項４５】
前記放電電圧は、約１０００から約５０，０００ボルトまでの範囲内にあり、前記間欠的電源またはパルス放電電流は、約１μＡから約１Ａまでの範囲内にある放電セルを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項４６】
約０．５から約５００Ｖまでの範囲内にある前記間欠的電源またはパルス電力の非ピーク電力位相のときにオフセット電圧を持つ、請求項４５に記載の反応炉。
【請求項４７】
前記オフセット電圧は、約０．１Ｖ／ｃｍから約５０Ｖ／ｃｍ、および約１Ｖ／ｃｍから約１０Ｖ／ｃｍの範囲内の少なくとも１つである場を発生するように設定される、請求項４６に記載の反応炉。
【請求項４８】
約１Ｖから１０ＭＶまで、約１０Ｖから１００ｋＶまで、および約１００Ｖから５００Ｖまでの範囲内のうちの少なくとも１つであるピーク電圧を持つ、請求項４５に記載の反応炉。
【請求項４９】
前記間欠的電源またはパルス周波数は、約０．１Ｈｚから約１００ＭＨｚまでである、請求項４５に記載の反応炉。
【請求項５０】
前記間欠的電源またはパルス周波数は、約１から約２００Ｈｚまでの範囲内にあり、前記デューティ・サイクルは、約０．１％から約９５％までの範囲内にある、請求項４５に記載の反応炉。
【請求項５１】
前記間欠的電源またはパルス・デューティ・サイクルは、約１％から約５０％までである、請求項４５に記載の反応炉。
【請求項５２】
前記電力は、交流（ＡＣ）として印加することができる、請求項４５に記載の反応炉。
【請求項５３】
前記周波数は、約０．００１Ｈｚから１ＧＨｚまで、約６０Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、および約１０から約１００ＭＨｚまでの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項５２に記載の反応炉。
【請求項５４】
１つまたは複数の電極は、前記プラズマと直接接触しているもののうちの少なくとも１つであり、誘電体バリアにより前記プラズマから分離される２つの電極を備える、請求項５３に記載の反応炉。
【請求項５５】
前記ピーク電圧は、約１Ｖから１０ＭＶまで、約１０Ｖから１００ｋＶまで、および約１００Ｖから５００Ｖまでのうちの少なくとも１つの範囲内である、請求項５４に記載の反応炉。
【請求項５６】
前記周波数は、約１００Ｈｚから約１０ＧＨｚまで、約１ｋＨｚから約１ＭＨｚまで、および約５〜１０ｋＨｚまでの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項５４に記載のバリア電極プラズマ・セル。
【請求項５７】
前記電圧は、約１００Ｖから約１ＭＶまで、約１ｋＶから約１００ｋＶまで、および約５から約１０ｋＶまでの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項５４に記載のバリア電極プラズマ・セル。
【請求項５８】
前記放電電圧は、約１０００から約５０，０００ボルトまでの範囲内にあり、前記電解液内に流れる前記放電電流は、約１μＡ／ｃｍ３から約１Ａ／ｃｍ３までの範囲内にあるパルス・プラズマ電解セルを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項５９】
電解を引き起こす電圧よりも低いオフセット電圧を持つ、請求項５８に記載の反応炉。
【請求項６０】
前記オフセット電圧は、約０．００１から約１．４Ｖまでの範囲内にある、請求項５９に記載の反応炉。
【請求項６１】
前記ピーク電圧は、約１Ｖから１０ＭＶまで、約２Ｖから１００ｋＶまで、および約２Ｖから１ｋＶまでの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項５８に記載の反応炉。
【請求項６２】
前記パルス周波数は、約０．１Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、および約１から約２００Ｈｚまでの範囲のうちの少なくとも１つである、請求項５８に記載の反応炉。
【請求項６３】
前記デューティ・サイクルは、約０．１％から約９５％まで、および約１％から約５０％までの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項５８に記載の反応炉。
【請求項６４】
フィラメントからの前記電場は、パルス動作時に高い値と低い値との間で交互に変化する前記フィラメント・セルを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項６５】
前記ピーク電場は、約０．１Ｖ／ｃｍから１０００Ｖ／ｃｍまで、および約１Ｖ／ｃｍから１０Ｖ／ｃｍまでの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項６４に記載の反応炉。
【請求項６６】
前記オフピーク電場は、約０．１Ｖから１００Ｖ／ｃｍまで、および約０．１Ｖから１Ｖ／ｃｍまでの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項６４に記載の反応炉。
【請求項６７】
前記パルス周波数は、約０．１Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、および約１から約２００Ｈｚまでの範囲のうちの少なくとも１つである、請求項６４に記載の反応炉。
【請求項６８】
前記デューティ・サイクルは、約０．１％から約９５％まで、および約１％から約５０％までの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項６４に記載の反応炉。
【請求項６９】
化合物であって、
（ａ）少なくとも１つの中性、正、または負の増大結合エネルギー水素種であって、
（ｉ）前記対応する通常の水素種の前記結合エネルギーよりも大きいか、または
（ｉｉ）前記対応する通常の水素種は、前記通常の水素種の結合エネルギーが周囲条件において熱エネルギーよりも小さい、または負であるため不安定であるか、または観察されない水素種の前記結合エネルギーよりも大きい結合エネルギーを持つ水素種と、
（ｂ）少なくとも１つの他の元素とを含む、請求項１に記載の反応炉内で生成される化合物。
【請求項７０】
前記増大結合エネルギー水素種は、ｎは正の整数であり、ｎはＨが正の電荷を持つ場合に１よりも大きいということを条件とする、Ｈｎ、Ｈｎ−、およびＨｎ＋からなるグループから選択されることを特徴とする、請求項６９に記載の化合物。
【請求項７１】
前記増大結合エネルギー水素種は、（ａ）ｐは１よりも大きい整数、ｓ＝１／２、πはｐｉ、
【数１】
2006524339.tif 000001
はプランク定数バー、μ０は真空透磁率、ｍｅは電子の質量、μｅはｍｐを陽子の質量として
【数２】
2006524339.tif 000002
により与えられる換算電子質量、ａＨは水素原子の半径、ａ０はボーア半径、ｅは素電荷であるとして前記結合エネルギーが
【数３】
2006524339.tif 000003
により表されるｐ＝２から２３までに対する通常の水素化物イオンの結合（約０．８ｅＶ）よりも大きい結合エネルギーを持つ水素化物イオンと、（ｂ）約１３．６ｅＶよりも大きい結合エネルギーを持つ水素原子と、（ｃ）約１５．３ｅＶよりも大きい第１の結合エネルギーを持つ水素分子と、（ｄ）約１６．３ｅＶよりも大きい結合エネルギーを持つ分子状水素イオンからなるグループから選択されることを特徴とする、請求項６９に記載の化合物。
【請求項７２】
増大結合エネルギー水素種は、約３、６．６、１１．２、１６．７、２２．８、２９．３、３６．１、４２．８、４９．４、５５．５、６１．０、６５．６、６９．２、７１．６、７２．４、７１．６、６８．８、６４．０、５６．８、４７．１、３４．７、１９．３、および０．６９ｅＶの結合エネルギーを持つ水素化物イオンであることを特徴とする、請求項７１に記載の化合物。
【請求項７３】
前記増大結合エネルギー水素種は、ｐは１よりも大きい整数、ｓ＝１／２、πはｐｉ、
【数４】
2006524339.tif 000004
はプランク定数バー、μ０は真空透磁率、ｍｅは電子の質量、μｅはｍｐを陽子の質量として
【数５】
2006524339.tif 000005
により与えられる換算電子質量、ａＨは水素原子の半径、ａ０はボーア半径、およびｅは素電荷とする結合エネルギー
【数６】
2006524339.tif 000006
を持つ水素化物イオンであることを特徴とする、請求項６９に記載の化合物。
【請求項７４】
前記増大結合エネルギー水素種は、
（ａ）ｐを整数とする約１３．６ｅＶ／（１／ｐ）２の結合エネルギーを持つ水素原子と、
（ｂ）ｐは１よりも大きい整数、ｓ＝１／２、πはｐｉ、
【数７】
2006524339.tif 000007
はプランク定数バー、μ０は真空透磁率、ｍｅは電子の質量、μｅはｍｐを陽子の質量として
【数８】
2006524339.tif 000008
により与えられる換算電子質量、ａＨは水素原子の半径、ａ０はボーア半径、およびｅは素電荷であるとする約
【数９】
2006524339.tif 000009
の結合エネルギーを持つ増大結合エネルギー水素化物イオン（Ｈ−）と、
（ｃ）増大結合エネルギー水素種Ｈ４＋（１／ｐ）と、
（ｄ）ｐを整数とする約２２．６／（１／ｐ）２ｅＶの結合エネルギーを持つ、増大結合エネルギー水素種三価ハイドリノ分子イオンＨ３＋（１／ｐ）と、
（ｅ）約１５．３／（１／ｐ）２ｅＶの結合エネルギーを持つ増大結合エネルギー水素分子と、
（ｆ）約１６．３／（１／ｐ）２ｅＶの結合エネルギーを持つ増大結合エネルギー水素分子イオンと、
（ｇ）Ｈ２＋（１／ｐ）と、
（ｈ）Ｈ２（１／ｐ）とからなるグループから選択されることを特徴とする、請求項６９に記載の化合物。
【請求項７５】
前記触媒は、ｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与える化学または物理過程を含む、請求項１に記載の反応炉。
【請求項７６】
前記触媒は、エンタルピーを与えるために励起される前記触媒の共鳴状態エネルギー・レベルに対応する、ｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項７７】
好ましくは、ｍは４００未満の整数である、請求項７６に記載の反応炉。
【請求項７８】
触媒システムは、ｔ個の電子のイオン化エネルギーの総和がｔを整数とし、ｍを整数とする約ｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶとなるような原子、イオン、分子、およびイオンまたは分子化合物などの関与種から連続エネルギー準位への前記ｔ個の電子のイオン化により実現される、請求項１に記載の反応炉。
【請求項７９】
好ましくは、ｍは４００未満の整数である、請求項７８に記載の反応炉。
【請求項８０】
前記触媒は、関与イオンの間のｔ個の電子の移動により実現され、一方のイオンから他方のイオンへのｔ個の電子の前記移動は、実効反応エンタルピーを与え、それによって、イオンを供与する電子のイオン化エネルギーの総和からイオンを受容する電子のイオン化エネルギーを引いた値は、ｔを整数とし、ｍを整数とする約ｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶに等しい、請求項１に記載の反応炉。
【請求項８１】
好ましくは、ｍは４００未満の整数である、請求項８０に記載の反応炉。
【請求項８２】
原子状水素の前記触媒は、ｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与えることができ、またｐを整数として約１３．６ｅＶ／（１／ｐ）２の結合エネルギーを持つ水素原子を形成することができ、前記実効エンタルピーは、触媒の分子結合の切断および切断された分子の原子からそれぞれ連続エネルギー準位へのｔ個の電子のイオン化により与えられ、その際に前記結合エネルギーおよび前記ｔ個の電子の前記イオン化エネルギーは、ｍを整数とする約ｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項８３】
前記触媒は、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｋｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｋｒ、２Ｋ＋、Ｈｅ＋、Ｎａ＋、Ｒｂ＋、Ｓｒ＋、Ｆｅ３＋、Ｍｏ２＋、Ｍｏ４＋、Ｉｎ３＋、Ｈｅ＋、Ａｒ＋、Ｘｅ＋、Ａｒ２＋、およびＨ＋、およびＮｅ＋、およびＨ＋のグループから選択された少なくとも１つの原子またはイオンと組み合わせた、Ｃ２、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ２、ＮＯ２、およびＮＯ３のグループから選択された少なくとも１つの分子を含む、請求項１に記載の反応炉。
【請求項８４】
比較的低いエネルギーの水素原子、ハイドリノは、ハイドリノ原子の準安定励起、共鳴励起、およびイオン化エネルギーはそれぞれｍＸ２７．２ｅＶであるため、触媒として作用することができる原子状水素の触媒不均化反応を含む、請求項１に記載の反応炉。
【請求項８５】
ｍ・２７．２１ｅＶの多極共鳴伝達およびＨ［ａＨ／（ｐ'−ｍ'）］の共鳴状態がＨ［ａＨ／ｐ'］で励起される［（ｐ'）２−（ｐ'−ｍ'）２］Ｘ１３．６ｅＶ−ｍ・２７．２ｅＶの伝達により誘起される Ｈ［ａＨ／ｐ］から Ｈ［ａＨ／（ｐ＋ｍ）］への遷移に対するハイドリノ触媒との触媒反応は、ｐ、ｐ'、ｍ、およびｍ'を整数として
【数１０】
2006524339.tif 000010
に表される、請求項１に記載の反応炉。
【請求項８６】
初期低エネルギー状態量子数ｐおよび半径ａＨ／ｐを持つハイドリノ原子が、ｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与える、初期低エネルギー状態量子数ｍ'、初期半径ａＨ／ｍ'、および最終半径ａＨを持つハイドリノ原子との反応により低エネルギー状態量子数（ｐ＋ｍ）および半径ａＨ／（ｐ＋ｍ）を持つ状態への遷移を受けることができるハイドリノ触媒との前記触媒反応を含む、請求項１に記載の反応炉。
【請求項８７】
遷移反応を引き起こすため水素型原子Ｈ［ａＨ／ｐ］と共鳴エネルギー伝達によりイオン化された水素型原子Ｈ［ａＨ／ｍ'］との前記触媒反応は、
【数１１】
2006524339.tif 000011
により表され、全体の反応は
【数１２】
2006524339.tif 000012
である、請求項８６に記載の反応炉。
【請求項８８】
前記セルは、マイクロ波セル、プラズマ・トーチ・セル、高周波（ＲＦ）セル、グロー放電セル、バリア電極セル、プラズマ電解セル、圧縮ガス・セル、フィラメント・セル、またはｒｔプラズマ・セル、およびグロー放電セルおよびマイクロ波セルおよび／またはＲＦプラズマ・セルの組合せのグループのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の反応炉。
【請求項８９】
真空、または大気圧よりも高い圧力を含むことができる室を備える槽、分子状水素を原子状水素に解離する手段を備える原子状水素源、およびｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与えることができる触媒源を加熱する手段を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項９０】
前記原子状水素源は、水素解離器を含む、請求項１に記載の反応炉。
【請求項９１】
前記水素解離器は、フィラメントを備える、請求項９０に記載の反応炉。
【請求項９２】
さらに、気体触媒を形成するために前記触媒を加熱する加熱器を備える、請求項９０に記載の反応炉。
【請求項９３】
さらに、水素ガスを槽に供給するため水素供給管および水素供給通路を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項９４】
プラズマ・ガス、プラズマ・ガス供給管、およびプラズマ・ガス通路を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項９５】
さらに、真空ポンプおよび真空ラインを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項９６】
さらに、触媒貯蔵容器および気体触媒を前記貯蔵容器から前記槽に通すための触媒供給通路を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項９７】
さらに、触媒貯蔵容器加熱器、および前記触媒貯蔵容器内の前記触媒を熱し、前記気体触媒を供給するための電源を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項９８】
前記触媒貯蔵容器加熱器は、温度制御手段を備え、前記触媒の前記蒸気圧は、前記触媒貯蔵容器の前記温度を制御することにより制御される、請求項９７に記載の反応炉。
【請求項９９】
さらに、前記触媒を含む前記槽の内側に配置されたセラミック製ボートなどの耐薬品性蓋なし容器を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１００】
さらに、前記ボート内の前記触媒が昇華、沸騰、または揮発して、気相に変わるようにセルを高温状態に維持するための加熱器を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１０１】
前記触媒ボートは、さらに、ボート加熱器、および前記気体触媒を前記槽に供給するため前記触媒ボート内の前記触媒を熱する電源を備える、請求項１００に記載の反応炉。
【請求項１０２】
前記触媒ボート加熱器は、温度制御手段を備え、前記触媒の前記蒸気圧は、前記触媒ボートの前記温度を制御することにより制御される、請求項１０１に記載の反応炉。
【請求項１０３】
さらに、前記触媒源のエアロゾルを形成するため吸引器、霧化器、または噴霧器のグループのうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１０４】
さらに、プラズマ・ガス、および触媒源から攪拌され、流れているガス流を介して前記槽に供給される触媒を含む、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１０５】
前記非熱的プラズマ温度は、５，０００〜５，０００，０００℃の範囲に維持される、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１０６】
前記セル温度は、制御可能な触媒源として使用される前記触媒貯蔵容器の温度よりも高く維持される、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１０７】
前記セル温度は、制御可能な触媒源として使用される前記触媒ボートの温度よりも高く維持される、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１０８】
前記槽内の分子状水素および原子状水素の分圧は、１ミリトールから１００ａｔｍまでの範囲内に維持される、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１０９】
前記槽内の触媒の分圧は、１ミリトールから１００ａｔｍまでの範囲内、又は１００ミリトールから２０トールまでの範囲内に維持される、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１１０】
前記プラズマ・ガスの流量は、槽容積１ｃｍ３当たり０．０００００００１から１標準リットル毎分まで、槽容積１ｃｍ３当たり０．００１から１０ｓｃｃｍで、槽容積１ｃｍ３当たり０．０００００００１から１標準リットル毎分まである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１１１】
前記水素プラズマ・ガス混合気の前記流量は、槽容積１ｃｍ３当たり０．０００００００１から１標準リットル毎分までである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１１２】
ｒｔプラズマ・セルおよびプラズマ電解反応炉、バリア電極反応炉、ＲＦプラズマ反応炉、圧縮ガス・エネルギー反応炉、ガス放電エネルギー反応炉、マイクロ波セル・エネルギー反応炉、およびグロー放電セルおよびマイクロ波および／またはＲＦプラズマ反応炉の組合せのグループのうちの少なくとも１つを含み、前記セルに供給される前記電力は、パルス状または間欠的である、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１１３】
交流電力の前記周波数は、約０．００１Ｈｚから１００ＧＨｚまで、約６０Ｈｚから約１０ＧＨｚまで、および約１０ＭＨｚから１０ＧＨｚまでの範囲のうちの少なくとも１つの範囲内とすることができる、請求項１１２に記載の反応炉。
【請求項１１４】
さらに、１つまたは複数の電極が前記プラズマと少なくとも直接接触する２つの電極を備え、前記電極は、誘電体バリアにより前記プラズマから分離することができ、前記ピーク電圧は、約１Ｖから１０ＭＶまで、約１０Ｖから１００ｋＶまで、および約１００Ｖから５００Ｖまでのうちの少なくとも１つの範囲内とすることができる、請求項１１２に記載の反応炉。
【請求項１１５】
さらに、電力を前記プラズマに送出するための少なくとも１本のアンテナを備える、請求項１１４に記載の反応炉。
【請求項１１６】
前記セルは、真空、または大気圧よりも大きい圧力を含むことができる室を持つ槽を備えるグロー放電セル、原子状水素源、陰極、陽極、グロー放電プラズマを発生するための放電電源、原子状水素源、触媒源、および真空ポンプを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１１７】
前記放電電流は、間欠的電源またはパルス状である、請求項１１６に記載の反応炉。
【請求項１１８】
オフセット電圧は、０．５から５００Ｖまでの範囲であるか、または前記オフセット電圧は、１Ｖ／ｃｍから１０Ｖ／ｃｍまでの範囲の場を発生するように設定される、請求項１１７に記載の反応炉。
【請求項１１９】
前記パルス周波数は、０．１Ｈｚから１００ＭＨｚまでの範囲であり、デューティ・サイクルは、０．１％から９５％までの範囲である、請求項１１７に記載の反応炉。
【請求項１２０】
前記反応炉の前記容積の実質的部分を占有しうる直列または並列に複数の電極を備える化合物電極を備える中空陰極を備える、請求項１１６に記載の反応炉。
【請求項１２１】
実質的電力レベルを発生するために大きな容積内で所望の電場が作り出されるように並列の複数の中空陰極を備える、請求項１２０に記載の反応炉。
【請求項１２２】
陽極、および共通陽極および直列に接続された複数の平行プレート電極からそれぞれ電気的に絶縁されている複数の中空陰極のグループの少なくとも１つを備える、請求項１２１に記載の反応炉。
【請求項１２３】
前記放電電圧は、約１０００から約５０，０００ボルトまでの範囲の少なくとも１つの電圧であり、前記電流は、約１μＡから約１Ａまでの範囲および約１ｍＡのうちの少なくとも１つである、請求項１１６に記載の反応炉。
【請求項１２４】
前記電力は、交流（ＡＣ）として印加される、請求項１１６に記載の反応炉。
【請求項１２５】
前記周波数は、少なくとも約０．００１Ｈｚから１ＧＨｚまで、約６０Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、および約１０から１００ＭＨｚまでの範囲内である、請求項１２４に記載の反応炉。
【請求項１２６】
１つまたは複数の電極が前記プラズマと直接接触している２つの電極を備える、請求項１２４に記載の反応炉。
【請求項１２７】
前記ピーク電圧は、少なくとも約１Ｖから１０ＭＶまで、約１０Ｖから１００ｋＶまで、および約１００Ｖから５００Ｖまでの範囲内である、請求項１２６に記載の反応炉。
【請求項１２８】
間欠的電源またはパルス電流を含み、前記オフセット電圧は、約０．５から約５００Ｖまでの範囲内であるか、約０．１Ｖ／ｃｍから約５０Ｖ／ｃｍまでの電場を発生するように設定されるか、約１Ｖ／ｃｍから約１０Ｖ／ｃｍまでの電場を発生するように設定されるかのうちの少なくとも１つであり、前記ピーク電圧は、約１Ｖから１０ＭＶ、約１０Ｖから１００ｋＶ、および約１００Ｖから５００Ｖの範囲内のうちの少なくとも１つであり、前記パルス周波数は、約１から約２００Ｈｚまでの範囲内であり、前記デューティ・サイクルは、約０．１％から約９５％および約１％から約５０％の範囲のうちの少なくとも１つである、請求項１１６に記載の反応炉。
【請求項１２９】
前記セルは、真空、または大気圧よりも高い圧力を含むことができる室を備える槽、分子状水素のプラズマ解離機能を備える原子状水素源、マイクロ波電力源、およびｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与えることができる触媒源を備えるマイクロ波プラズマ形成ガス・セルを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１３０】
前記マイクロ波電力源は、マイクロ波発生器、同調可能マイクロ波空洞、導波路、およびＲＦ透過窓である、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１３１】
前記マイクロ波電力源は、マイクロ波発生器、同調可能マイクロ波空洞、導波路、およびアンテナである、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１３２】
前記槽は、マイクロ波共振器空洞である、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１３３】
前記空洞は、Evenson、Beenakker、McCarrol、および円筒空洞のグループのうちの少なくとも１つである、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１３４】
再入可能マイクロ波空洞である空洞および前記再入可能空洞内でプラズマを励起する前記マイクロ波電流源を備える槽を備える、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１３５】
前記マイクロ波電力源の前記マイクロ波周波数は、１ＭＨｚから１００ＧＨｚまでの範囲内、５０ＭＨｚから１０ＧＨｚまでの範囲内、７５ＭＨｚ±５０ＭＨｚの範囲内、又は２．４ＧＨｚ±１ＧＨｚの範囲内である、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１３６】
前記触媒は、原子状水素であり、前記水素マイクロ波プラズマの前記水素圧力は、約１ミリトールから約１００ａｔｍまで、約１００ミリトールから約１ａｔｍまで、および約１００ミリトールから約１０トールまでの範囲のうちの少なくとも１つの範囲内であり、前記マイクロ波電力密度は、槽容積１ｃｍ３当たり約０．０１Ｗから約１００Ｗの範囲のうちの少なくとも１つの範囲内であり、前記水素流量比は、槽容積１ｃｍ３当たり約０〜１標準リットル毎分および槽容積１ｃｍ３当たり約０．００１〜１０ｓｃｃｍの範囲のうちの少なくとも１つの範囲内である、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１３７】
前記プラズマ電力源の前記電力密度は、槽容積１ｃｍ３当たり０．０１Ｗから１００Ｗである、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１３８】
前記マイクロ波源は、触媒源をイオン化し前記触媒を形成するのに十分なマイクロ波電力密度を前記セルに供給する、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１３９】
前記マイクロ波電源は、非熱的プラズマを形成する、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１４０】
前記触媒源は、ヘリウム、ネオン、またはアルゴン原子のグループから選択された少なくとも１つを含む、請求項１３８に記載の反応炉。
【請求項１４１】
前記交流電力の前記周波数は、約１００ＭＨｚから１００ＧＨｚまで、約１００ＭＨｚから１０ＧＨｚまで、および約１ＧＨｚから１０ＧＨｚまで、または約２．４ＧＨｚ±１ＧＨｚの範囲内の少なくとも１つであり、前記パルス周波数は、約０．１Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、約１０から約１０，０００Ｈｚまで、および約１００から約１０００Ｈｚまでの範囲内の少なくとも１つであり、該デューティ・サイクルは、約０．００１％から約９５％まで、および約１０％の範囲内の少なくとも１つであり、前記プラズマ内に送り込まれる前記パルスの前記ピーク電力密度は、約１Ｗ／ｃｍ３から１ＧＷ／ｃｍ３まで、約１０Ｗ／ｃｍ３から１０ＭＷ／ｃｍ３まで、および約１００Ｗ／ｃｍ３から１０ｋＷ／ｃｍ３までの範囲内の少なくとも１つであり、前記プラズマ内に送り込まれる平均電力密度は、約０．００１Ｗ／ｃｍ３から１ｋＷ／ｃｍ３まで、約０．１Ｗ／ｃｍ３から１００Ｗ／ｃｍ３まで、および約１Ｗ／ｃｍ３から１０Ｗ／ｃｍ３までの範囲の少なくとも１つである、請求項１２９に記載の反応炉。
【請求項１４２】
前記パルスのマイクロ波電源は、マグネトロンへのパルスの高電圧または電子銃などの電子源から電子のパルスにより供給することができるパルス・マグネトロン電流を使用するマグネトロンの少なくとも１つを備える、請求項１４１に記載の反応炉。
【請求項１４３】
槽、分子状水素のＲＦプラズマ解離からの原子状水素源、ＲＦ電力源、およびｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与えることができる触媒を備えるＲＦプラズマ形成ガス・セルを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１４４】
前記ＲＦ電力は、前記セルに容量または誘導結合される、請求項１４３に記載の反応炉。
【請求項１４５】
さらに、２つの電極を備える、請求項１４３に記載の反応炉。
【請求項１４６】
同軸中心導体により電力を供給される電極に接続された同軸ケーブルを備える、請求項１４３に記載の反応炉。
【請求項１４７】
前記セルの周りに巻かれた外部ソース・コイルに接続された同軸中心導体を備える、請求項１４３に記載の反応炉。
【請求項１４８】
前記セルの周りに巻かれた外部ソース・コイルに接続された前記同軸中心導体は、グラウンドに接続せずに終端する、請求項１４７に記載の反応炉。
【請求項１４９】
前記セルの周りに巻かれた外部ソース・コイルに接続された前記同軸中心導体は、グラウンドに接続される、請求項１４７に記載の反応炉。
【請求項１５０】
２つの電極を備え、前記複数の電極は平行なプレートである、請求項１４９に記載の反応炉。
【請求項１５１】
前記平行プレート電極の前記一方は電力を供給され、他方はグラウンドに接続される、請求項１５０に記載の反応炉。
【請求項１５２】
前記セルは、気体電子工学会議（ＧＥＣ）基準セルまたはその修正形態を含む請求項１４５に記載の反応炉。
【請求項１５３】
前記ＲＦ電力は、１３．５６ＭＨｚである請求項１４３に記載の反応炉。
【請求項１５４】
前記外部コイルを巻かれている前記セルの少なくとも１つの壁は、前記ＲＦ励起に対し少なくとも部分的に透過的である、請求項１４７に記載の反応炉。
【請求項１５５】
前記ＲＦ周波数は、約１００Ｈｚから約１００ＧＨｚまでの範囲内、約１ｋＨｚから約１００ＭＨｚまでの範囲内、約１３．５６ＭＨｚ±５０ＭＨｚまたは約２．４ＧＨｚ±１ＧＨｚの範囲内である、請求項１４３に記載の反応炉。
【請求項１５６】
槽、分子状水素のＲＦプラズマ解離を含む原子状水素源、ＲＦ電力源、およびｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与えることができる触媒を備える誘導結合トロイダル・プラズマ・セルを備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１５７】
前記ＲＦ周波数は、約１００Ｈｚから約１００ＧＨｚまでの範囲内、約１ｋＨｚから約１００ＭＨｚまでの範囲内、約１３．５６ＭＨｚ±５０ＭＨｚまたは約２．４ＧＨｚ±１ＧＨｚの範囲内である、請求項１５６に記載の反応炉。
【請求項１５８】
前記ＲＦ電力の前記周波数は、約１００Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、約１ｋＨｚから約５０ＭＨｚまで、および約１３．５６ＭＨｚ±５０ＭＨｚの範囲内の少なくとも１つであり、前記パルス周波数は、約０．１Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、約１０Ｈｚから約１０ＭＨｚまで、および約１００Ｈｚから約１ＭＨｚまでの範囲の少なくとも１つであり、前記デューティ・サイクルは、約０．００１％から約９５％まで、および約０．１％から約１０％までの範囲内の少なくとも１つであり、前記プラズマ内に送り込まれる前記パルスの前記ピーク電力密度は、約１Ｗ／ｃｍ３から１ＧＷ／ｃｍ３まで、約１０Ｗ／ｃｍ３から１０ＭＷ／ｃｍ３まで、および約１００Ｗ／ｃｍ３から１０ｋＷ／ｃｍ３までの範囲内の少なくとも１つであり、前記プラズマ内に送り込まれる前記平均電力密度は、約０．００１Ｗ／ｃｍ３から１ｋＷ／ｃｍ３まで、約０．１Ｗ／ｃｍ３から１００Ｗ／ｃｍ３まで、および約１Ｗ／ｃｍ３から１０Ｗ／ｃｍ３までの範囲の少なくとも１つである、請求項１４３に記載の反応炉。
【請求項１５９】
前記セルは、槽を含むプラズマ形成電解セル、陰極、陽極、電解液、高電圧電解用電源、およびｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与えることができる触媒を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１６０】
前記電圧は、１０〜５０ｋＶの範囲内であり、前記電流密度は、１から１００Ａ／ｃｍ２までの範囲内である、請求項１５９に記載の反応炉。
【請求項１６１】
前記プラズマ電解放電電圧は、約１０００から約５０，０００ボルトの範囲内であり、前記電解液内に流れる前記電流は、約１μＡ／ｃｍ３から約１Ａ／ｃｍ３まで、および約１ｍＡ／ｃｍ３の範囲内の少なくとも１つであり、前記オフセット電圧は、約０．００１から約１．４Ｖまでの範囲内などの電解作用を引き起こす電圧以下であり、前記ピーク電圧は、約１Ｖから１０ＭＶまで、約２Ｖから１００ｋＶまで、および約２Ｖから１ｋＶまでの範囲内の少なくとも１つであり、前記パルス周波数は、約０．１Ｈｚから約１００ＭＨｚまで、および約１から約２００Ｈｚまでの範囲内の少なくとも１つであり、前記デューティ・サイクルは、約０．１％から約９５％まで、および約１％から約５０％までの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項１５９に記載の反応炉。
【請求項１６２】
前記セルは、槽を含む高周波（ＲＦ）バリア電極放電セル、分子状水素のＲＦプラズマ解離からの原子状水素源、ＲＦ電力源、陰極、陽極、およびｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与えることができる触媒を備える、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１６３】
前記陰極および前記陽極のうちの少なくとも１つは、誘電体バリアにより遮蔽されている、請求項１６２に記載の反応炉。
【請求項１６４】
前記ＲＦ電力は、前記セルに容量結合できる、請求項１６２に記載の反応炉。
【請求項１６５】
前記電極は、前記セルの外部にある、請求項１６２に記載の反応炉。
【請求項１６６】
誘電体層は、前記セル壁から電極を分離する、請求項１６２に記載の反応炉。
【請求項１６７】
前記高駆動電圧はＡＣでよく、また高周波でもよい、請求項１６２に記載の反応炉。
【請求項１６８】
前記ＲＦ電力源は、ＲＦを供給することができる高電圧電源を含む駆動回路およびインピーダンス整合回路を備える、請求項１６２に記載の反応炉。
【請求項１６９】
前記周波数は、１００Ｈｚから１０ＧＨｚまでの範囲内、１ｋＨｚから１ＭＨｚまでの範囲内、又は５〜１０ｋＨｚまでの範囲内である、請求項１６２に記載の反応炉。
【請求項１７０】
前記電圧は、１００Ｖ〜１ＭＶまでの範囲内、１ｋＶ〜１００ｋＶまでの範囲内、又は５から１０ｋＶまでの範囲内である、請求項１６２に記載の反応炉。
【請求項１７１】
前記周波数は、約１００Ｈｚから約１０ＧＨｚまで、約１ＭＨｚ、および約５〜１０ｋＨｚの範囲内の少なくとも１つであり、前記電圧は、約１００Ｖから約１ＭＶまで、約１ｋＶから約１００ｋＶまで、および約５から約１０ｋＶまでの範囲内の少なくとも１つである、請求項１６２に記載の反応炉。
【請求項１７２】
水素、アルゴン、ヘリウム、アルゴン水素混合気、ヘリウム水素混合気のグループから選択された少なくとも１つのガスなどの前記触媒ガスまたは水素触媒ガス混合気の前記流量比は、槽容積の１ｃｍ３当たり約０．０００００００１〜１標準リットル毎分、および槽容積の１ｃｍ３当たり約０．００１〜１０ｓｃｃｍの範囲内の少なくとも１つである、請求項１に記載の反応炉。
【請求項１７３】
ヘリウム、ネオン、またはアルゴン水素混合気内の触媒ガス源のパーセンテージは、約９９．９９から約．０１％まで、約９９から約１％まで、約９９から約９５％までの範囲内のうちの少なくとも１つである、請求項１７２に記載の反応炉。
【請求項１７４】
電力および低エネルギー水素種および化合物を生成する方法であって、
槽、原子状水素源、パルスのまたは間欠的電力源、およびｍを整数とするｍ・２７．２±０．５ｅＶまたはｍを１よりも大きい整数とするｍ／２・２７．２±０．５ｅＶの実効エンタルピーを与えることができる触媒を提供する工程と、
前記電源を備える前記槽内でプラズマを形成する工程と、
前記プラズマ内で原子状水素を形成する工程と、
前記触媒を前記原子状水素と反応させて、低エネルギー水素種および化合物を形成する工程とを含む方法。
【請求項１７５】
さらに触媒源であるプラズマ・ガスを前記槽内に流し込む工程を含む、請求項１７４に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１７６】
さらに気体触媒の量を制御することにより前記電力を制御することを含む、請求項１７５に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１７７】
気体触媒の前記量は、前記プラズマ・ガス流量比を制御することにより制御される、請求項１７６に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１７８】
前記電力は、水素の量を制御することにより制御される、請求項１７５に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１７９】
前記電力は、前記水素源からの水素の流量を制御することにより制御される、請求項１７８に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１８０】
前記電力は、水素およびプラズマ・ガスの流量および混合気内の水素対プラズマ・ガス比を制御することにより制御される、請求項１７８に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１８１】
前記電力は、前記入力電力源により供給される前記電力により前記プラズマの温度を制御することにより制御される、請求項１７４に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１８２】
さらに触媒貯蔵容器から触媒源を供給する工程を含む、請求項１７４に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１８３】
触媒貯蔵容器から触媒源を供給する工程は、さらに、触媒貯蔵容器からの前記触媒の前記温度を制御してその蒸気圧を制御する工程を含む、請求項１８２に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１８４】
さらに触媒ボートから触媒源を供給する工程を含む、請求項１７４に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１８５】
さらに触媒ボートからの前記触媒の前記温度を制御しその蒸気圧を制御する工程を含む、請求項１８４に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１８６】
入力電力は、間欠的電源またはパルスの電源を使用することにより低減される、請求項１７４に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１８７】
前記間欠的電源またはパルスの電源は、オフセットＤＣ、オーディオ、ＲＦ、またはマイクロ波電圧または電場および磁場により前記場が所望の強度に設定される期間を規定する、請求項１８６に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１８８】
前記間欠的電源またはパルスの電源は、さらに、前記パワー・バランスを最適化するように前記パルス周波数およびデューティ・サイクルを調整する手段を備える、請求項１８６に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１８９】
前記パルス周波数およびデューティ・サイクルは、前記反応速度対前記入力電力を最適化することにより前記パワー・バランスを最適化するように調整される、請求項１８８に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。
【請求項１９０】
前記パルス周波数およびデューティ・サイクルは、濃度が前記パルス周波数、デューティ・サイクル、およびプラズマ崩壊速度に依存する前記低い場または非放電の期間内の前記放電崩壊により発生する触媒および原子状水素の量を制御することにより前記反応速度対前記入力電力を最適化することにより前記パワー・バランスを最適化するように調整される、請求項１８９に記載の電力および低エネルギー水素種および化合物を発生する方法。