【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒と、以下の構造Ｉの１種以上のジアリールカーボネートと、レゾルシノール、メチルレゾルシノール、ヒドロキノン及びメチルヒドロキノンからなる群から選択される１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物とを含む混合物を加熱してポリカーボネート生成物を得ることを含んでなるポリカーボネートの製造方法であって、触媒が１種以上のアルカリ土類イオン又はアルカリ金属イオン源及び１種以上の第四アンモニウム化合物、第四ホスホニウム化合物又はこれらの混合物を含んでおり、アルカリ土類イオン又はアルカリ金属イオン源が、混合物中のジヒドロキシ芳香族化合物１モル当たり１×１０-5〜１×１０-8モルのアルカリ土類金属イオン又はアルカリ金属イオンが存在する量で存在し、第四アンモニウム化合物、第四ホスホニウム化合物又はこれらの混合物がジヒドロキシ芳香族化合物１モル当たり２．５×１０-3〜１×１０-6モルの量で存在し、ポリカーボネート生成物がレゾルシノール、メチルレゾルシノール、ヒドロキノン及びメチルヒドロキノンからなる群の１種以上のものから誘導された繰返し単位を含む、方法。
【化１】
2006511666.tif 000001
式中、Ｒ1及びＲ2は独立にＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20芳香族基であり、Ｒ3及びＲ4は各々独立にハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20芳香族基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルコキシ基、Ｃ4〜Ｃ20アリールオキシ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキルチオ基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキルチオ基、Ｃ4〜Ｃ20アリールチオ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキルスルフィニル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキルスルフィニル基、Ｃ4〜Ｃ20アリールスルフィニル基、Ｃ1〜Ｃ20アルキルスルホニル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキルスルホニル基、Ｃ4〜Ｃ20アリールスルホニル基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシカルボニル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルコキシカルボニル基、Ｃ4〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ60アルキルアミノ基、Ｃ6〜Ｃ60シクロアルキルアミノ基、Ｃ5〜Ｃ60アリールアミノ基、Ｃ1〜Ｃ40アルキルアミノカルボニル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルキルアミノカルボニル基、Ｃ4〜Ｃ40アリールアミノカルボニル基又はＣ1〜Ｃ20アシルアミノ基であり、ｂ及びｃは独立に０〜４の整数である。
【請求項２】
前記ポリカーボネート生成物が、ａ）レゾルシノール、ｂ）メチルレゾルシノール、ｃ）ヒドロキノン、ｄ）メチルヒドロキノン、ｅ）レゾルシノールとヒドロキノン、ｆ）レゾルシノールとヒドロキノンとメチルヒドロキノン又はｇ）ヒドロキノンとメチルヒドロキノンから誘導された繰返し単位を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ポリカーボネート生成物がさらに、以下の構造ＩＩのビスフェノール、以下の構造ＩＩＩのジヒドロキシベンゼン、並びに以下の構造ＩＶ及びＶのジヒドロキシナフタレンからなる群から選択される１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物から誘導された繰返し単位を含む、請求項１記載の方法。
【化２】
2006511666.tif 000002
式中、Ｒ5〜Ｒ12は独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ6〜Ｃ20アリール基であり、Ｗは結合、酸素原子、イオウ原子、ＳＯ2基、Ｃ6〜Ｃ20芳香族基、Ｃ6〜Ｃ20環式脂肪族基又は次式の基である。
【化３】
2006511666.tif 000003
式中、Ｒ13及びＲ14は独立に水素原子、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、若しくはＣ4〜Ｃ20アリール基であるか又はＲ13とＲ14が一緒にＣ4〜Ｃ20環式脂肪族環を形成するもので、該Ｃ4〜Ｃ20環式脂肪族環は適宜１以上のＣ1〜Ｃ20アルキル、Ｃ6〜Ｃ20アリール、Ｃ5〜Ｃ21アラルキル、Ｃ5〜Ｃ20シクロアルキル基、若しくはこれらの組合せで置換されていてもよい。
【化４】
2006511666.tif 000004
式中、Ｒ15は各々独立にハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ2〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であり、ｄは１〜４の整数である。
【化５】
2006511666.tif 000005
式中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18及びＲ19は各々独立にハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であり、ｅ及びｆは０〜３の整数であり、ｇは０〜４の整数であり、ｈは０〜２の整数である。
【請求項４】
ビスフェノールＩＩが、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノール−Ａ）、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、２，２−ビス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−フェニル）プロパン、１，１−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン及び４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルからなる群から選択される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
構造ＩＩのジヒドロキシ芳香族化合物がビスフェノールＡ及び４，４’−ビフェノールからなる群から選択される、請求項３記載の方法。
【請求項６】
構造ＩＩＩのジヒドロキシベンゼンが５−フェニルレゾルシノール、５−ブチルレゾルシノール、４−ヘキシルレゾルシノール、５−ヘキシルレゾルシノール、エチルヒドロキノン、ブチルヒドロキノン及びフェニルヒドロキノンからなる群から選択される、請求項３記載の方法。
【請求項７】
前記ポリカーボネートが、ａ）ヒドロキノンとビスフェノールＡ、ｂ）レゾルシノールとビスフェノールＡ、ｃ）メチルヒドロキノンとビスフェノールＡ、ｄ）メチルレゾルシノールとビスフェノールＡ、ｅ）レゾルシノールとヒドロキノンとビスフェノールＡ又はｆ）レゾルシノールとヒドロキノンとメチルヒドロキノンとビスフェノールＡから誘導された繰返し単位を含む、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記第四アンモニウム化合物が次式の構造ＶＩからなる、請求項１記載の方法。
【化６】
2006511666.tif 000006
式中、Ｒ20〜Ｒ23は独立にＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であり、Ｘ-は有機又は無機陰イオンである。
【請求項９】
前記ホスホニウム化合物が次式の構造ＶＩＩからなる、請求項１記載の方法。
【化７】
2006511666.tif 000007
式中、Ｒ24〜Ｒ27は独立にＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であり、Ｘ-は有機又は無機陰イオンである。
【請求項１０】
レゾルシノールとビスフェノールＡから誘導された繰返し単位を含むポリカーボネートの製造方法であって、水酸化ナトリウム及び第四アンモニウム化合物又は第四ホスホニウム化合物を含む触媒の存在下、０．０１〜７６０ｍｍＨｇの範囲の圧力で、レゾルシノール及びビスフェノールＡの混合物を、ビスフェノールＡ及びレゾルシノールの合計１モル当たり０．８〜１．１０モルのビス−メチルサリチルカーボネートと共に、１４０〜２４０℃の範囲の温度に加熱することを含んでなり、水酸化ナトリウムがビスフェノールＡ及びレゾルシノールの合計１モル当たり１×１０-5〜１×１０-8モルの水酸化ナトリウムの範囲の量で存在し、第四アンモニウム化合物又は第四ホスホニウム化合物がビスフェノールＡ及びレゾルシノールの合計１モル当たり２．５×１０-3〜２．５×１０-6モルの第四アンモニウム化合物又は第四ホスホニウムの量で存在する、方法。
【請求項１１】
レゾルシノールとヒドロキノンとビスフェノールＡから誘導された繰返し単位を含むポリカーボネートターポリマーの製造方法であって、水酸化ナトリウム及び第四アンモニウム化合物又は第四ホスホニウム化合物を含む触媒の存在下、０．０１〜７６０ｍｍＨｇの範囲の圧力で、レゾルシノール、ヒドロキノン及びビスフェノールＡの混合物を、ビスフェノールＡ、ヒドロキノン及びレゾルシノールの合計１モル当たり０．８〜１．１０モルのビス−メチルサリチルカーボネートと共に、１４０〜２４０℃の範囲の温度に加熱することを含んでなり、水酸化ナトリウムがビスフェノールＡ、ヒドロキノン及びレゾルシノールの合計１モル当たり１×１０-5〜１×１０-8モルの水酸化ナトリウムの範囲の量で存在し、第四アンモニウム化合物又は第四ホスホニウム化合物がビスフェノールＡ、ヒドロキノン及びレゾルシノールの合計１モル当たり２．５×１０-3〜２．５×１０-6モルの第四アンモニウム化合物又は第四ホスホニウムの量で存在する。方法。