【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レイヤにおいて微小形状をエッチングする方法であって、
前記レイヤ上にポリマー材料のアンダーレイヤを形成すること、
前記アンダーレイヤ上にトップイメージレイヤを形成すること、
前記トップイメージレイヤをパターン付けされた照射に曝露すること、
前記トップイメージレイヤにおいてパターンを現像すること、
前記トップイメージレイヤを酸素含有プラズマに曝露させ、前記アンダーレイヤの２５％未満をエッチングして、前記トップイメージレイヤ中の前記パターンを硬化すること、
前記パターンを前記トップイメージレイヤから前記アンダーレイヤへ還元性ドライエッチングで転写すること、および
前記レイヤを前記アンダーレイヤを通してエッチングすること
を含む方法であって、
前記トップイメージレイヤは完全に除去され、前記アンダーレイヤは、前記レイヤをエッチングするあいだ、前記パターンを前記アンダーレイヤから前記レイヤへ転写するためのパターンマスクとして用いられる
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記パターンを前記トップイメージレイヤから前記アンダーレイヤへ前記転写することは、
還元性ガスを供給すること、
前記還元性ガスからプラズマを発生すること、および
前記アンダーレイヤを前記還元性ガスからの前記プラズマでエッチングすること
を含む方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記還元性ガスは酸素がない方法。
【請求項４】
請求項２〜３のいずれかに記載の方法であって、前記還元性ガスは、前記還元性ガスから発生された前記プラズマ中に窒素種および水素種を供給する方法。
【請求項５】
請求項３〜４のいずれかに記載の方法であって、前記還元性ガスは、炭化水素をさらに含む方法。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれかに記載の方法であって、前記還元性ガスは、ハイドロフルオロカーボンをさらに含む方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の方法であって、前記酸素含有プラズマは、酸素含有ガスから発生され、酸素フローは、前記酸素含有ガスのフローの４％より多い、方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法であって、前記アンダーレイヤを除去することをさらに含む方法。
【請求項９】
請求項７記載の方法であって、前記硬化することは、５００ワット未満のバイアス電力を有する方法。
【請求項１０】
請求項７記載の方法であって、前記硬化することは、バイアス電力を有しない方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の方法であって、前記トップイメージレイヤは、前記アンダーレイヤより高い濃度のシリコンを有する方法。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれかに記載の方法であって、前記トップイメージレイヤは、シリコンを備え、前記アンダーレイヤは実質的にシリコンがない方法。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれかに記載の方法であって、前記パターンを前記トップイメージレイヤから転写する前に、前記トップイメージレイヤにおいて酸化シリコンを形成することをさらに含む方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記硬化は、前記トップイメージレイヤにおいて前記酸化シリコンを形成することは、前記アンダーレイヤにおいて酸化シリコンを形成しない方法。
【請求項１５】
請求項８〜１４のいずれかに記載の方法であって、前記酸素を含むプラズマは４％の酸素を含む方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載の方法であって、前記トップイメージレイヤは前記アンダーレイヤ上にあり、前記アンダーレイヤは前記レイヤ上にある方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の方法であって、前記微小形状を前記エッチングすることは、ハードマスクレイヤを用いない方法。
【請求項１８】
レイヤにおいて微小形状をエッチングする方法であって、
前記レイヤ上にポリマー材料のアンダーレイヤを形成すること、
前記アンダーレイヤ上にトップイメージレイヤを形成すること、
前記トップイメージレイヤをパターン付けされた照射に曝露すること、
前記トップイメージレイヤにおいてパターンを現像すること、
前記トップイメージレイヤを硬化すること、
前記無酸素還元性ガスを供給し、前記無酸素還元性ガからプラズマを発生し、前記無酸素還元性ガスから前記プラズマを用いて前記アンダーレイヤをエッチングして、前記パターンを前記トップイメージレイヤから前記アンダーレイヤへ転写すること、
前記レイヤを前記アンダーレイヤを通してエッチングすること、
を含む方法であって、
前記トップイメージレイヤは完全に除去され、前記アンダーレイヤは、前記レイヤをエッチングするあいだ、前記パターンを前記アンダーレイヤから前記レイヤへ転写するためのパターンマスクとして用いられる
方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記トップイメージレイヤを硬化することは、前記トップイメージレイヤを、前記アンダーレイヤの２５％未満のエッチングしか許さない時間のあいだだけ、酸素を含むプラズマに曝露することを含む方法。
【請求項２０】
請求項１８〜１９のいずれかに記載の方法であって、前記トップイメージレイヤは前記アンダーレイヤより高い濃度のシリコンを有する方法。
【請求項２１】
請求項１９〜２０のいずれかに記載の方法であって、前記酸素を含むプラズマは、酸素を含むガスから発生され、酸素のフローは、総ガスフローの４％より多い方法。
【請求項２２】
請求項１８〜２１のいずれかに記載の方法であって、前記トップイメージレイヤを硬化することは、バイアス電力を有しない方法。
【請求項２３】
請求項１８〜２２のいずれかに記載の方法であって、前記トップイメージレイヤは前記アンダーレイヤ上にあり、前記アンダーレイヤは前記レイヤ上にある方法。
【請求項２４】
請求項１８〜２３のいずれかに記載の方法であって、前記微小形状を前記エッチングすることは、ハードマスクレイヤを用いない方法。
【請求項２５】
基板上のレイヤにおいて微小形状をエッチングする装置であって、
前記基板がその中に配置されえるプロセスチャンバ、
前記プロセスチャンバに異なる化学物質を供給できるガス源、
前記化学物質からプラズマを発生するイオン化電源、
前記ガス源およびイオン化電源に制御可能に接続されたコントローラ
を備える装置であって、前記コントローラはコンピュータで読み取り可能な媒体を備え、前記コンピュータで読み取り可能な媒体は、
還元性ガスを供給するコンピュータ命令、
アンダーレイヤをエッチングするプラズマを作るために前記還元性ガスを励起するコンピュータ命令、
前記アンダーレイヤの前記エッチングを終了するコンピュータ命令、
レイヤエッチャントを供給するコンピュータ命令、および
前記レイヤをエッチングするプラズマを作るために前記レイヤエッチャントを励起するコンピュータ命令
を備える装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載の装置であって、前記コンピュータで読み取り可能な媒体は、
酸素を含むガスを供給するコンピュータ命令、および
トップイメージレイヤを硬化するためのプラズマを前記酸素を含むガスから発生するコンピュータ命令
をさらに備える装置。
【請求項２７】
請求項１８記載の方法であって、前記還元性ガスは、前記還元性ガスから発生された前記プラズマ中に窒素種および水素種を供給する、方法。
【請求項２８】
請求項１８ないし請求項２７いずれか記載の方法であって、前記還元性ガスは、更に、炭化水素を含む、方法。
【請求項２９】
請求項１８および請求項２７〜２８いずれか記載の方法であって、
前記還元性ガスは、更に、ハイドロフルオロカーボンを含む、方法。