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【手続補正書】
【提出日】平成19年5月31日(2007.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顆粒化ステップを伴わずに調製された、アトルバスタチン、又は医薬として許容されるその塩、及び賦形剤又は賦形剤組合せ物を含む固体単位剤型であって、ここで、
ａ）上記剤型が、１時間当り、１単位剤型当り、１機械当り、１０，０００個を超える単位剤型の生産速度で製造されるとき、当該単位剤型の計測された、アトルバスタチン活性が、単位剤型当りのアトルバスタチン活性について７．８％以下の相対標準偏差を示し；
ｂ）上記賦形剤又は賦形剤組合せ物が、５重量％未満のアルカリ化剤添加物を含有し；そして
ｃ）上記賦形剤又は賦形剤組合せ物が、５０重量％超の希釈剤又は希釈剤組合せ物を含む；
前記単位剤型。
【請求項２】
前記アトルバスタチン又は医薬として許容されるその塩は、少なくともいくらかの無秩序な形態のアトルバスタチンあるいは結晶性の形態と無秩序な形態のアトルバスタチンの混合物である、請求項１に記載の単位剤型。
【請求項３】
前記単位剤型は、ＨＰＬＣにより測定されるとき全医薬関連ピークの積分された面積に比較した不純物及び／又は崩壊剤の面積パーセントに基づき、約２％以下の全医薬関連不純物及び／又は崩壊剤を含有する、請求項１又は２に記載の単位剤型。
【請求項４】
前記希釈剤が、ラクトース１水和物、ラクトース無水物、微晶質セルロース又は塩化ナトリウムである、請求項１に記載の単位剤型。
【請求項５】
前記単位剤型が、錠剤又はカプセルであり、そしてまた、アトルバスタチンに加えて少なくとも１つの活性医薬を含有する、請求項１に記載の単位剤型。
【請求項６】
アトルバスタチン又は医薬として許容されるその塩、及び賦形剤又は賦形剤組合せ物を含む錠剤又はカプセルの製造方法であって、当該賦形剤又は賦形剤組合せ物は、５重量％未満のアルキル化剤添加物を含有し、かつ、当該賦形剤又は賦形剤組合せ物は、５０重量％超の希釈剤又は希釈剤組合せ物を含み、ここで、当該方法は以下のステップ：
ａ）混合機内で、顆粒化ステップを伴わずに、アトルバスタチン又は医薬として許容されるその塩と、使用に好適な１以上の賦形剤とを混合することによりアトルバスタチン組成物を調製し；そして
ｂ）１時間当り、単位剤型当り、１機械当り、１０，０００個超の単位剤型の生産速度で、錠剤又はカプセルが製造されるとき、計測されるアトルバスタチン力価が、錠剤又はカプセル当りのアトルバスタチン活性について７．８％以下の相対標準偏差を示すように、錠剤の型又はカプセルを充填し、そして圧縮又は密封する、
を含む前記方法。
【請求項７】
前記アトルバスタチン又は医薬として許容されるその塩が、少なくともいくぶん無秩序な形態のアトルバスタチンであるか又はアトルバスタチンの結晶と無秩序な形態との混合物である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法に従って製造された組合物が、少なくとも１つの他の活性医薬及び場合により追加の賦形剤と混合される、アトルバスタチンと少なくとも１つの他の活性医薬を含有する錠剤又はカプセルの製造方法。
【請求項９】
治療的有効投与量の請求項１に記載のアトルバスタチン単位剤型を含む、高コレステロール血症及び／又は高脂血症、骨粗しょう症、良性前立腺肥大症、及びアルツハイマー病の治療用医薬組成物。
【請求項１０】
請求項１に記載の固体単位剤型、及び当該単位剤型を含む容器を含む、哺乳動物において治療効果を達成するためのキット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
瘢痕、又は過剰瘢痕に発達する危険を有する創傷又は外科的創を治療又は予防する薬剤組成物の製造における、４−ヒドロキシタモキシフェンの使用。
【請求項２】
前記瘢痕は、ケロイド瘢痕、ケロイド瘢痕に発達する危険を有する瘢痕、肥厚性瘢痕、肥厚性瘢痕に発達する危険を有する瘢痕からなる群より選ばれる、請求項１記載の使用。
【請求項３】
前記４−ヒドロキシタモキシフェンは、皮膚適用可能な形態を有する請求項１又は２記載の使用。
【請求項４】
前記４−ヒドロキシタモキシフェンは、注入投与可能な形態を有する請求項１又は２記載の使用。
【請求項５】
前記４−ヒドロキシタモキシフェンは、浸透促進剤を含有する輸送手段中に存在する請求項１乃至３のいずれか記載の使用。
【請求項６】
前記４−ヒドロキシタモキシフェンは、Ｚ異性体及びＥ異性体の混合物である請求項１乃至５のいずれか記載の使用。
【請求項７】
前記４−ヒドロキシタモキシフェンの大部分がＺ異性体である、請求項１乃至５のいずれか記載の使用。
【請求項８】
一日につき瘢痕１ｃｍ２毎に、約０．２５〜３．０μｇの前記４−ヒドロキシタモキシフェンが投与される、請求項１乃至７のいずれか記載の使用。
【請求項９】
前記薬剤組成物は、一日につき瘢痕１ｃｍ２毎に、約０．５〜２．５μｇの前記４−ヒドロキシタモキシフェンを投与することが可能である、請求項８記載の使用。
【請求項１０】
前記薬剤組成物は、一日につき瘢痕１ｃｍ２毎に、約１．０μｇの前記４−ヒドロキシタモキシフェンを投与することが可能である、請求項９記載の使用。
【請求項１１】
前記薬剤組成物は、一日につき瘢痕１ｃｍ２毎に、約２．０μｇの前記４−ヒドロキシタモキシフェンを投与することが可能である、請求項９記載の使用。
【請求項１２】
前記４−ヒドロキシタモキシフェンは、軟膏、クリーム、パッチ、ジェル、乳剤、散剤、及びオイルから選択された経皮投与形態に調製される、請求項１乃至３、請求項５乃至１１のいずれか記載の使用。
【請求項１３】
前記４−ヒドロキシタモキシフェンは、水性アルコールジェルに調製される請求項１乃至３、請求項５乃至１１のいずれか記載の使用。
【請求項１４】
前記水性アルコールジェルは、エチルアルコール、イソプロピルミリステート及びヒドロキシプロピルセルロースを含む請求項１３記載の使用。
【請求項１５】
前記４−ヒドロキシタモキシフェンは、水性アルコール溶液に調製される請求項１乃至３、請求項５乃至１１のいずれか記載の使用。
【請求項１６】
前記水性アルコール溶液は、エチルアルコール、イソプロピルミリステート及びヒドロキシプロピルセルロースを含む請求項１５記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作用物質として、
ａ）グルタミナーゼ−活性を有する少なくとも１つの化合物及び
ｂ）白金−錯体及びアントラサイクリン類から選択される、少なくとも１つの抗新生物薬
を含んでいる、癌治療のための薬剤学的な組合せ製剤。
【請求項２】
グルタミナーゼ−活性を有する化合物がグルタミナーゼ、グルタミナーゼアスパラギナーゼ、グルタミナーゼ−類似体、これらの誘導体又は変異体であり、かつ天然由来であるか又は合成的に製造されたものである、請求項１記載の製剤。
【請求項３】
シュードモナス(Pseudomonas)由来のグルタミナーゼ−活性を有する化合物が、好ましくはシュードモナス(Pseudomonas)７Ａグルタミナーゼ−アスパラギナーゼである、請求項２記載の製剤。
【請求項４】
グルタミナーゼ−活性を有する化合物が、好ましくはポリエチレングリコールで、修飾されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の製剤。
【請求項５】
ドキソルビシン、ダウノマイシン、アクチノマイシンＤ又は／及びミトザントロンを含んでいる、請求項１から４までのいずれか１項記載の製剤。
【請求項６】
シスプラチン、オキサリプラチン又は／及びカルボプラチンを含んでいる、請求項１から５までのいずれか１項記載の製剤。
【請求項７】
作用物質を、場合により薬剤学的に常用の担持剤又は助剤と一緒に、混合し、経口又は非経口の適用形に加工する、請求項１から６までのいずれか１項記載の薬剤学的製剤の製造方法。
【請求項８】
抗新生物療法のための薬剤を製造するための、グルタミナーゼ−活性を有する特に１つの化合物並びに白金−錯体及びアントラサイクリン類から選択される少なくとも１つの抗新生物薬の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2006527221.tif 000001
［式中、
Ｂは式−（ＣＨＲ１）ｎ−（Ｒ２Ｃ＝ＣＲ３）−（ＣＨＲ４）ｍの二価の基を表し、その際、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ互いに無関係に水素又はアルキルを表し、ｎ及びｍはそれぞれ互いに無関係に０又は１〜８の整数を表すが、但しｎとｍとからの総和は１〜８であり、更に、
Ｇは塩素又は水素を表し、
Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ互いに無関係にアリール又はアルキルを表すか、又は
Ｂは式−（ＣＨＲ１）ｎ−（ＣＲ２Ｒ３）ｍ−（ＣＨＲ４）ｏの二価の基を表し、その際、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は都度互いに無関係に水素又はアルキル、有利にはＣ１〜Ｃ６−アルキルを表し、ｎ、ｍ及びｏはそれぞれ互いに無関係に０又は１〜８の整数を表すが、但しｎ、ｍ及びｏからの総和は１〜８、有利には３又は４であり、更に、
Ｇは塩素を表し、かつ
Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ互いに無関係にアリール又はアルキルを表す］
の化合物。
【請求項２】
式（ＩＶ）
【化２】
2006527221.tif 000002
［式中、
Ｂ、Ｇ、Ｒ’及びＲ’’は請求項１に記載された意味を有する］
の化合物の製造法において、式（ＩＩＩ）
【化３】
2006527221.tif 000003
の化合物を式（ＶＩａ）又は（ＶＩｂ）
Ｘ３−（ＣＨＲ１）ｎ−（Ｒ２Ｃ＝ＣＨＲ５）      （ＶＩａ）
Ｘ４−（ＣＨＲ４）ｍ−（Ｒ３Ｃ＝ＣＨＲ６）      （ＶＩｂ）
［式中、
Ｘ３及びＸ４はそれぞれ塩素、臭素、ヨウ素又はスルホネートを表し、かつ
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は請求項１に記載された意味を有し、かつＲ５及びＲ６はそれぞれ互いに無関係に水素又はＣ１〜Ｃ４−アルキルを表す］
の化合物と、又は逐次的に式（ＶＩａ）及び（ＶＩｂ）の２種の異なる化合物と反応させ、式（ＶＩＩ）
【化４】
2006527221.tif 000004
の化合物に変換し、次いで式（ＶＩＩ）の化合物をオレフィン−メタセシス−触媒の存在下に式（ＩＶ）の化合物に変換することを特徴とする、式（ＩＶ）の化合物の製造法。
【請求項３】
式（ＶＩＩ）
【化５】
2006527221.tif 000005
［式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ’及びＲ’’は請求項１に記載された意味を有し、かつ
Ｒ５及びＲ６はそれぞれ互いに無関係に水素又はＣ１〜Ｃ４−アルキルを表す］
の化合物。
【請求項４】
式（ＩＶ）
【化６】
2006527221.tif 000006
［式中、
Ｂ、Ｒ’及びＲ’’は請求項１に記載された意味を有する］
の化合物。
【請求項５】
請求項１記載の化合物を含有する遷移金属錯体。
【請求項６】
請求項５記載の遷移金属錯体を含有する触媒。
【請求項７】
エナンチオマー濃縮された化合物の遷移金属触媒による製造法において、請求項６記載の触媒の存在下に実施することを特徴とする、エナンチオマー濃縮された化合物の遷移金属触媒による製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式Ｉの化合物又は薬剤として許容されるその塩。
【化１】
2006527208.tif 000001
式中、
Ｒ１は、Ｈ、Ｃ１〜６アルキル、Ｃ２〜７アルケニル、Ｃ６〜１０アリール若しくはヘテロアリール、−Ｃ（Ｏ）Ｃ１〜６アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｃ２〜７アルケニル、又は−Ｃ（Ｏ）Ｃ６〜１０アリールから選択され、
Ｒ２はＨであり、或いは
Ｒ１及びＲ２が一緒になって、結合している酸素原子と炭素原子の間に第二の結合を作ってカルボニルを形成していてもよく、
Ｒ３は、Ｈ又はＣＨ３から選択され、
Ｒ４は、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ５、−ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）Ｒ６、及び−ＣＨ２ＯＲ７から選択され、
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜６アルキル、Ｃ６〜１０アリール又はアリールアルキルから選択され、
Ｒ７は、Ｈ又はＣ１〜６アルキルから選択され、
Ｒ８は、Ｈ、ＯＨ、−ＯＣ（Ｏ）Ｃ１〜６アルキル、−ＯＣ（Ｏ）Ｃ６〜１０アリール、又は−ＯＣ（Ｏ）Ｃ６〜１６アリールアルキルから選択され、
Ｒ９及びＲ１０は、Ｈ及びＣ１〜６アルキルからそれぞれ独立に選択され、或いは
Ｒ９及びＲ１０は、結合している酸素原子及び炭素原子と一緒になって、次式の１，３−ジオキソラン環を形成していてもよく、
【化２】
2006527208.tif 000002
Ｒ１１及びＲ１２は、Ｈ、Ｃ１〜６アルキル、Ｃ６〜１０アリール、又はＣ６〜１６アリールアルキルからそれぞれ独立に選択される。
【請求項２】
Ｒ１がＨである、請求項１に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩。
【請求項３】
Ｒ１が、Ｃ１〜６アルキル、Ｃ２〜７アルケニル、Ｃ６〜１０アリール又はヘテロアリールからなる群から選択される、請求項１に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩。
【請求項４】
Ｒ１が、−Ｃ（Ｏ）Ｃ１〜６アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｃ２〜７アルケニル、又は−Ｃ（Ｏ）Ｃ６〜１０アリールからなる群から選択される、請求項１に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩。
【請求項５】
次式からなる群から選択される請求項１に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩。
【化３】
2006527208.tif 000003
2006527208.tif 000004
2006527208.tif 000005
2006527208.tif 000006
2006527208.tif 000007
2006527208.tif 000008
2006527208.tif 000009
2006527208.tif 000010
【請求項６】
次式の化合物である請求項１に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩。
【化４】
2006527208.tif 000011
［式中、Ｒ３は、Ｈ及びＣＨ３から選択される。］
【請求項７】
次式の化合物である請求項６に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩。
【化５】
2006527208.tif 000012
【請求項８】
次式の化合物である請求項６に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩。
【化６】
2006527208.tif 000013
【請求項９】
請求項６に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩と、薬剤として許容される担体とを含む薬剤組成物。
【請求項１０】
請求項７に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩と、薬剤として許容される担体とを含む薬剤組成物。
【請求項１１】
請求項８に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩と、薬剤として許容される担体とを含む薬剤組成物。
【請求項１２】
請求項５に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩と、薬剤として許容される担体とを含む薬剤組成物。
【請求項１３】
請求項１から３のいずれか一項に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩と、薬剤として許容される担体とを含む薬剤組成物。
【請求項１４】
（ａ）好気性条件下、少なくとも１種の炭素原子供給源及び少なくとも１種の窒素原子供給源を含む栄養培地でストレプトミセススパルソゲネス株を培養するステップと、
（ｂ）ステップａ）で培養した菌株からポリエンオキサゾールを単離するステップと
を含む方法によって得られる、本質的に図３に示すようなプロトンＮＭＲスペクトルを生じるポリエンオキサゾール。
【請求項１５】
（ａ）好気性条件下、少なくとも１種の炭素原子供給源及び少なくとも１種の窒素原子供給源を含む栄養培地でストレプトミセススパルソゲネス株を培養するステップと、
（ｂ）ステップａ）で培養した菌株からポリエンオキサゾールを単離するステップと
を含む方法によって得られる、本質的に図４又は図５に示すようなプロトンＮＭＲスペクトルを生じるポリエンオキサゾール。
【請求項１６】
少なくとも１種の炭素原子供給源及び少なくとも１種の窒素原子供給源を含む栄養培地でのストレプトミセススパルソゲネス株の培養と、化合物の単離及び精製の各ステップを含む、請求項６に記載のポリエンオキサゾールの製造方法。
【請求項１７】
ストレプトミセススパルソゲネス株がＮＲＲＬ２９４０又はその突然変異体である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
突然変異体が菌株［Ｓ０３］０２２（寄託アクセッション番号ＩＤＡＣ２７０５０４−０４）である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
好気性条件下で培養を行う、請求項１６から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
炭素原子供給源及び窒素原子供給源が表１に示す成分から選択される、請求項１６から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
培養を１８℃〜４０℃の範囲の温度で実施する、請求項１６から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
培養を６〜９の範囲のｐＨで実施する、請求項１６から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
ＩＤＡＣアクセッション番号２７０５０４−０４のストレプトミセススパルソゲネス。
【請求項２４】
請求項１から５のいずれか一項に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩を有効成分とする抗腫瘍剤。
【請求項２５】
請求項６から８のいずれか一項に記載の化合物又は薬剤として許容されるその塩を有効成分とする抗腫瘍剤。
【請求項２６】
請求項９から１１のいずれか一項に記載の薬剤組成物を含む抗腫瘍剤。
【請求項２７】
請求項１２又は１３に記載の薬剤組成物を含む抗腫瘍剤。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）少なくとも１種の硬化性難燃性エポキシ樹脂；
（ｂ）エポキシ混和性ブロック及びエポキシ非混和性ブロックを、両親媒性ブロックコポリマーがミセル形態に自己集成し、そして生成硬化物の耐破壊性が増大するような量で、含んでなる両親媒性ブロックコポリマー；及び
（ｃ）硬化剤；
を含んでなる、強靭性が向上した硬化性難燃性エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
難燃性エポキシ樹脂が臭素化エポキシ樹脂である請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項３】
難燃性エポキシ樹脂がリン含有エポキシ樹脂である請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項４】
ブロックコポリマーが、未硬化状態での混合に際して、ウォーム様ミセル形態に自己集成し；そのミセル形態が組成物の硬化の間持続し；そして得られる硬化物の耐破壊性が向上するような量で存在する請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項５】
ブロックコポリマーが、未硬化状態での混合に際して、球状のミセル形態に自己集成し；そのミセル形態が組成物の硬化の間持続し；そして得られた硬化物の耐破壊性が向上するような量で存在する請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項６】
ブロックコポリマーがジブロックコポリマーである請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項７】
ブロックコポリマーがポリ（エチレンオキシド）−ポリ（エチレン・プロピレン−ａｌｔ−ポリマー）（ＰＥＯ−ＰＥＰ）である請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項８】
ブロックコポリマーがポリ（メチルメタクリレート−ｒａｎ−グリシジルメタクリレート）−ポリ（２−エチルヘキシルメタクリレート）（Ｐ（ＭＭＡ−ｒａｎ−ＧＭＡ）−ＰＥＨＭＡ）である請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項９】
ブロックコポリマーの量が０．１重量％〜３０重量％である請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項１０】
ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルを含む請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項１１】
硬化剤がフェノールノボラック、ジシアンジアミド又は無水物である請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項１２】
溶媒を含む請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項１３】
エポキシ樹脂の硬化剤との反応を促進するための触媒を触媒量で含む請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項１４】
触媒がイミダゾールである請求項１３に記載の硬化性組成物。
【請求項１５】
臭素化エポキシ樹脂がテトラブロモビスフェノールＡジグリシジルエーテルである請求項２に記載の硬化性組成物。
【請求項１６】
ウォーム様ミセル形態に自己集成したブロックコポリマーを含む難燃性エポキシ樹脂を含んでなる硬化樹脂製品。
【請求項１７】
請求項１に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物を含む繊維強化複合製品。
【請求項１８】
電気回路の積層体又はプリプレグである請求項１７に記載の繊維強化複合製品。
【請求項１９】
請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物の絶縁被膜を有する電気回路部品。
【請求項２０】
（ａ）織布及び
（ｂ）請求項１に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物
を含んでなるプリプレグ。
【請求項２１】
（ａ）請求項１に記載のエポキシ樹脂の樹脂組成物を含む基材、そして
（ｂ）前記基材の少なくとも一方の表面に配置された金属層
を含んでなる積層体。
【請求項２２】
基材が更にガラス織布の補強材を含み、エポキシ樹脂組成物がそのガラス織布に含浸されている請求項２１に記載の積層体。
【請求項２３】
請求項２２に記載の積層体で製造された印刷配線板（ＰＷＢ）。
【請求項２４】
（ａ）少なくとも１種の硬化性難燃性エポキシ樹脂、
（ｂ）エポキシ混和性ブロック及びエポキシ非混和性ブロックを、両親媒性ブロックコポリマーがミセル形態に自己集成し、そして生成硬化物の耐破壊性が増大するような量で、含んでなる両親媒性のブロックコポリマー及び
（ｃ）硬化剤
を混合することを含む硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項２５】
（ａ）少なくとも１種の硬化性難燃性エポキシ樹脂；
（ｂ）エポキシ混和性ブロック及びエポキシ非混和性ブロックを、両親媒性ブロックコポリマーがミセル形態に自己集成し、そして生成硬化物の耐破壊性が増大するような量で、含んでなる両親媒性のブロックコポリマー及び
（ｃ）硬化剤
の混合物を加熱することを含む硬化樹脂製品の製造方法。
【請求項２６】
請求項１に記載の硬化性エポキシ樹脂で物品を被覆し、そして被覆された物品を加熱してエポキシ樹脂を硬化することを含む被覆製品の製造方法。
【請求項２７】
非難燃性エポキシ樹脂を含む請求項１に記載の硬化性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一の直線パイプ部と少なくとも一の曲線パイプ部を含むパイプ反応器を通して流れる反応混合物からなる一種以上の反応体をエステル化することを含む反応方法であって、前記反応混合物が、少なくとも前記直線パイプ部を二相の液／気流で通過し、当該二相の液／気流が０．１５ｍ／秒未満の液体表面速度と３．０ｍ／秒未満の蒸気表面速度を示すことを特徴とする、エステル化反応方法。
【請求項２】
前記二相の液／気流が、Baker プロットパラメーターＢｘ及びＢｙによって少なくとも一部が特徴付けられ、当該Ｂxが４．０未満で、Ｂyが２．０未満であるか、あるいはＢxが４．０以上で、（ｌｏｇ10Ｂy）が−０．６７７（ｌｏｇ10Ｂｘ）＋０．７００以下である、請求項１に記載の反応方法。
【請求項３】
前記液体表面速度が０．０１〜０．１５ｍ／秒であり、前記蒸気表面速度が０．６〜３．０ｍ／秒である、請求項２に記載の反応方法。
【請求項４】
前記二相の液／気流が層別流である、請求項１に記載の反応方法。
【請求項５】
前記直線パイプ部が水平条項である、請求項１に記載の反応方法。
【請求項６】
前記反応体の流れが、全てが垂直ではなくまた全てが水平でもなくて、少なくとも前記曲線パイプ部で上向流である、請求項１に記載の反応方法。
【請求項７】
前記パイプ反応器が蛇行形状を有する、請求項１に記載の反応方法。
【請求項８】
前記パイプ反応器が剛直な内部構造を有しない、請求項１に記載の反応方法。
【請求項９】
前記少なくとも一種の反応体が、ジカルボン酸、ジオール、及びそれらの組合せからなる群より選ばれる、請求項１に記載の反応方法。
【請求項１０】
前記反応体が、ＥＧ及びＴＰＡを含む、請求項１に記載の反応方法。
【請求項１１】
（ａ）入口、出口及び少なくとも水平部を有するパイプを含むパイプ反応器を準備し、
（ｂ）少なくとも前記パイプの水平部を二相の液／気流で流れ、当該二相の液／気流が、Baker プロットパラメーターＢｘ及びＢｙによって少なくとも一部が特徴付けられて、当該Ｂxが４．０未満で、Ｂyが２．０未満であるか、あるいはＢxが４．０以上で、（ｌｏｇ10Ｂy）が−０．６７７（ｌｏｇ10Ｂｘ）＋０．７００以下であるような反応混合物が、全てが垂直ではなくまた全てが水平でもない流路に沿って入口から出口に向かって流れる間に、その一種以上の反応混合物からなる反応体を反応させること、
を含む、反応方法。
【請求項１２】
前記二相の液／気流が０．１５ｍ／秒未満の液体表面速度と３．０ｍ／秒未満の蒸気表面速度を有する、請求項１１に記載の反応方法。
【請求項１３】
前記液体表面速度が０．０１〜０．１５ｍ／秒であり、前記蒸気表面速度が０．６〜３．０ｍ／秒である、請求項１２に記載の反応方法。
【請求項１４】
前記出口が前記入口よりも高い位置に配置されている、請求項１１に記載の反応方法。
【請求項１５】
前記反応がエステル化及び／又は重縮合を含む、請求項１１に記載の反応方法。
【請求項１６】
前記反応がエステル化を含む、請求項１１に記載の反応方法。
【請求項１７】
前記エステル化がポリエステルオリゴマー及び／又はポリエステルのポリマー反応生成物を生成させる、請求項１６に記載の反応方法。
【請求項１８】
少なくとも前記反応生成物の一部を更に重縮合させることを含む、請求項１７に記載の反応方法。
【請求項１９】
前記出口の前記反応混合物上向流に可溶化剤を更に添加することを含む、請求項１７に記載の反応方法。
【請求項２０】
前記可溶化剤が少なくとも前記反応混合物の一部を含む、請求項１９に記載の反応方法。
【請求項２１】
少なくとも一種の前記反応体が、ジカルボン酸、ジオール及びそれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項１に記載の反応方法。
【請求項２２】
前記反応体がＥＧ及びＴＰＡを含む、請求項１に記載の反応方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2006527285.tif 000001
式中、Ｒ１は、Ｃ４〜Ｃ６の直鎖状または分枝状アルキルであり、および
Ｒ２およびＲ３は、独立して、水素、メチルまたはエチルであり、
ここで、Ｒ２およびＲ３の最大で１つは水素であり、
ここで、Ｒ２が水素でＲ３がメチルの場合、Ｒ１はブチルまたは1,3-ジメチルブチルではない、
の化合物を含むフレーバーまたはフレグランス組成物。
【請求項２】
ブチル3-エチルブテノエート、イソブチル3-エチルブテノエート、ペンチル3-エチルブテノエート、3-メチルブチル3-メチルペンテノエート、2-メチルブチルペンテノエート、2-メチルブチル3-メチルブテノエート、2-メチルブチル3-メチルペンテノエート、2-メチルブチル3-エチルペンテノエート、1-メチルブチルブテノエート、1-メチルブチル3-メチルペンテノエート、1-エチルプロピル3-メチルブテノエートおよび1-エチルプロピル3-メチルペンテノエートから選択される式（Ｉ）の化合物を含む、請求項１に記載のフレーバーまたはフレグランス組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の式（Ｉ）の化合物を含むフレーバーまたはフレグランス製品。
【請求項４】
式（Ｉ）
【化２】
2006527285.tif 000002
式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が、次の表：
【表１】
2006527285.tif 000003
から選択される、化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
実施例1
約20 g/10 分(ASTM D1238、条件190℃/2.16 kg)のメルトフローインデックスMIEを有するブテン-1ホモポリマーが、ブテン-1の液相重合により製造される。重合方法および触媒の失活は、バセル・ポリオレフィン・イタリアに譲渡された特許出願WO 04/000895の記載に従って行なわれる。重合反応器から得られたポリマー溶液からの未反応ブテン-1の除去は、バセル・ポリオレフィン・イタリアに譲渡された特許出願WO 04/000891に記載された溶融揮発成分除去により行なわれる。
揮発成分除去工程から回収されたブテン-1溶融物が、ポリマーの配合に必要とされる添加剤を混合するために、静電気混合機(static mixer)中に導入される。次に、静電気混合機を出て行くポリマー溶融物が、ライン1を経て、Werner ＆ Pfleiderer水中ペレット作製機2に供給され、ペレットに切断される。
50 kg/hのポリマーペレットおよび2.8 m3/hの水を含む水流が、約50℃の温度で水中ペレット作製機2から連続的に排出される。その結果、水／ペレットの重量比は56である。次いで、上記の流れは、ライン3を経て塔4に導入される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフィック・アーツまたはPCBの製造で使用する写真要素であって、
支持体と；
写真乳剤層と；
ハレーション防止アンダーレイヤーとペロイド層のうちの少なくとも一方とを備え、
当該ハレーション防止アンダーレイヤーおよびペロイド層のそれぞれは、0.4g/m2以下の量で存在していて、ビヒクルと固体粒子染料とを含んでいる、写真要素。
【請求項２】
それぞれのハレーション防止アンダーレイヤーおよび／またはペロイド層が、0.3g/m2以下かつ0.1g/m2以上の量存在している、請求項1に記載の写真要素。
【請求項３】
ハレーション防止アンダーレイヤーおよび／またはペロイド層が、増粘剤を含んでいる、請求項1に記載の写真要素。
【請求項４】
増粘剤がポリスチレンスルファミン酸ナトリウムである、請求項3に記載の写真要素。
【請求項５】
グラフィック・アーツまたはPCBの製造で使用する写真要素を製造する方法であって、
支持体を0.4g/m2以下の量のハレーション防止アンダーレイヤーでコーティングし、当該ハレーション防止アンダーレイヤーはビヒクルと固体粒子染料とを含み；そして
前記ハレーション防止アンダーレイヤーを少なくとも一つの写真乳剤層でコーティングすることを含み、
前記ハレーション防止アンダーレイヤーと前記少なくとも一つの写真乳剤層とが別々に塗布される製造方法。
【請求項６】
グラフィック・アーツまたはPCBの製造で使用する写真要素を製造する方法であって、
支持体を0.4g/m2以下の量のハレーション防止アンダーレイヤーでコーティングし、当該ハレーション防止アンダーレイヤーはビヒクルと固体粒子染料と当該ビヒクルと適合性のある増粘剤を含み；そして
前記ハレーション防止アンダーレイヤーを少なくとも一つの写真乳剤層でコーティングすることを含み、
前記ハレーション防止アンダーレイヤーと前記少なくとも一つの写真乳剤層（又は複数）とが多層コーティング系において実質的に同時に塗布される製造方法。
【請求項７】
増粘剤がポリスチレンスルファミン酸ナトリウムである、請求項6に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月5日(2007.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
離れて配置されて互いに電気的に接続しない複数の導線を支持する支持媒体を有し、
それぞれの導線は、導線の近くに位置する指の存在を検出するために前記導線の容量を変化させるために、指の近接に反応し、
前記導線の間で支持媒体の面へ向かう磁界を集中させるための前記導線に近接する導電媒体を更に有し、当該導電媒体は、導電媒体の変形なしに複数の導線のサブセットの間の容量環境を変更するように適合される、接触パッド。
【請求項２】
前記導電媒体は、導線の容量変化を強調させ、かつ前記指の実質的近接から結果として生じる容量信号の広がりの分散を制御するために適合される請求項１に記載の接触パッド。
【請求項３】
前記支持媒体は、電気的に絶縁している請求項１または２に記載の接触パッド。
【請求項４】
前記導電媒体は、前記支持媒体の少なくとも一部を覆う導電層の前にある請求項１に記載の接触パッド。
【請求項５】
前記導電層は、不連続である請求項４に記載の接触パッド。
【請求項６】
前記導電層は、支持媒体の第１表面または誘電媒体の第１表面で支持される請求項４または５に記載の接触パッド。
【請求項７】
前記誘電媒体は、前記導電層の厚さと比較して相対的に大きな厚さを有する請求項６に記載の接触パッド。
【請求項８】
前記導電層に近接する非導電層を更に有する請求項４〜７のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項９】
前記支持媒体および導電層は、前記誘電媒体により分離される請求項６〜８のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項１０】
前記導電層は、支持媒体と誘電媒体の間に挟まれる請求項６〜８のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項１１】
前記支持媒体は、導電層と誘電媒体の間に挟まれる請求項６〜８のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項１２】
前記誘電媒体に近接する更なる導電層を有し、導電層と更なる導電層の間に、誘電媒体が挟まれる請求項６〜１１のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項１３】
前記導電媒体は、１００Ω／スクエアから１０，０００，０００Ω／スクエアまでの範囲の抵抗値を有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項１４】
前記導電媒体は、電気的に浮遊し、またはアースに接地される請求項１〜１３のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項１５】
前記導電媒体は、導線または抵抗体により接地される請求項１４に記載の接触パッド。
【請求項１６】
前記導電層は、支持媒体の第１表面または誘電媒体の第１表面の領域により分離される複数の電気的に絶縁した導電領域を備える請求項４に記載の接触パッド。
【請求項１７】
前記導電領域の間の間隔は、支持媒体または誘電媒体を介して近接する領域が容量結合できるように、導電領域の幅と比較して相対的に小さい請求項１６に記載の接触パッド。
【請求項１８】
前記更なる導電層は、誘電媒体の第１表面と実質的に反対側の第２表面により支持される請求項１２に記載の接触パッド。
【請求項１９】
前記更なる導電層は、誘電媒体の第２表面の領域によって分離される複数の電気的に絶縁した導電領域を含む請求項１８に記載の接触パッド。
【請求項２０】
誘電媒体の第１表面上の導電領域と誘電媒体の第２表面上の導電領域は、対応する実質的に重なる領域によって、互いに位置合わせされる請求項１９に記載の接触パッド。
【請求項２１】
誘電媒体の第１表面上の導電領域と誘電媒体の第２表面上の導電領域は、対応するオーバーラップするが完全には重ならない領域によって、互いに位置合わせされる請求項１９に記載の接触パッド。
【請求項２２】
前記位置合わせされた領域は、誘電媒体を介して容量結合される請求項２０または２１に記載の接触パッド。
【請求項２３】
前記導電領域は、実質的に長方形である請求項１６〜２２のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項２４】
導電層は、支持媒体の第１表面または誘電媒体の第１表面の領域により分離された複数の電気的に絶縁した導電領域を有し、それぞれの導電領域は近接する導電領域と１つ以上の導電性ブリッジによりリンクされ、ブリッジは導電領域の幅よりも実質的に小さな幅を有する請求項６に記載の接触パッド。
【請求項２５】
導電層の抵抗値を増加させるために、前期導電領域は相対的に大きな幅を有し、前記導電性ブリッジは相対的に小さな厚さを有する請求項２４に記載の接触パッド。
【請求項２６】
前記支持媒体と導電媒体は、単一の導電性の支持検知層として形成される請求項１に記載の接触パッド。
【請求項２７】
前記単一の導電性の支持検知層は、バルク的な導電性を有するドーピングされた媒体であるバルクから形成される請求項２６に記載の接触パッド。
【請求項２８】
ドーピングされた媒体であるバルクは、導電性材料のドーパントを含むガラスまたはプラスチックである請求項２７に記載の接触パッド。
【請求項２９】
前記導電性材料は、微粒子または繊維材料である請求項２８に記載の接触パッド。
【請求項３０】
前記微粒子は、１０ミクロン幅までの大きさを有する金属または金属酸化物より形成される請求項２９に記載の接触パッド。
【請求項３１】
前記繊維材料は、１０ミリメートルまでの長さを有するナノチューブまたは炭素繊維より形成される請求項２９または３０に記載の接触パッド。
【請求項３２】
前記複数の導線は、実質的に前記単一の支持検知層の範囲内に含まれる請求項２６に記載の接触パッド。
【請求項３３】
前記複数の導線は、互いに電気的に絶縁される請求項１〜３２のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項３４】
それぞれの導線は、電気的に絶縁する外被で覆われる請求項３３に記載の接触パッド。
【請求項３５】
導電性の支持検知層は、接触点の変更のために表面が歪んだ形状のテクスチャ表面を有する請求項２６に記載の接触パッド。
【請求項３６】
前記接触パッドは、非平面構造に配置される請求項１〜３５のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項３７】
前記接触パッドは、弾力性を有する請求項１〜３６のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項３８】
前記接触パッドは、変形可能である請求項１〜３６のいずれか１項に記載の接触パッド。
【請求項３９】
前記導電媒体は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはアンチモニースズ酸化物（ＡＴＯ）である請求項１に記載の接触パッド。
【請求項４０】
接触検出回路および起動回路を有する検知回路を備える請求項１〜３９のいずれか１項に記載の接触パッドを備える接触パッドシステムであって、前記検知回路は接触パッドの状態を測定するために周期的に休止および起動し、休止している際に、接触に反応して検知回路が起動し、接触点の判定のために表面をスキャンする接触パッドシステム。
【請求項４１】
前記接触は、約３マイクロ秒未満で検出される請求項４０に記載の接触パッドシステム。
【請求項４２】
休止時の検知回路の消費電力は、約１０マイクロアンプ未満である請求項４０または４１に記載の接触パッドシステム。
【請求項４３】
前記複数の導線は、間隔が置かれた複数の導線よりなる第１群と、当該第１群と交差する関係を有し、間隔が置かれた複数の導線よりなる第２群と、を備える請求項１に記載の接触パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月29日(2007.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路デバイス用の蓋ウエハの製造方法であって、
１つ又はそれ以上のサブ波長構造を、蓋ウエハの第１面に形成する工程を含み、
１つ又はそれ以上のサブ波長構造は、デバイスウエハの反射防止特性を増強するものである方法。
【請求項２】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造を、蓋ウエハの第２面に形成する工程をさらに含み、
蓋ウエハの第２面は、第１面の反対側に配置されている請求項１記載の方法。
【請求項３】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造は、ウェット式またはドライ式の等方性エッチングによって形成される請求項１記載の方法。
【請求項４】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造は、異方性エッチングによって形成される請求項１記載の方法。
【請求項５】
異方性エッチングは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いる請求項４記載の方法。
【請求項６】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造は、六方最密パターンを形成するように、エッチングされる請求項１記載の方法。
【請求項７】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造の間隔は、蓋ウエハを形成する材料の屈折率に直接に関係している請求項６記載の方法。
【請求項８】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造の高さは、蓋ウエハを形成する材料の屈折率に直接に関係している請求項６記載の方法。
【請求項９】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造は、蓋ウエハの第１面で高くなった円柱形状に製造される請求項１記載の方法。
【請求項１０】
蓋ウエハは、シリコンで製造されている請求項１記載の方法。
【請求項１１】
集積回路デバイス用の蓋装置の製造方法であって、
１つ又はそれ以上のサブ波長構造を、蓋ウエハの第１面にエッチング形成する工程と、
蓋装置と集積回路デバイスとの間にスペースを作成する窓ウエハを、蓋ウエハの第１面に接合する工程とを含む方法。
【請求項１２】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造を、蓋ウエハの第１面にエッチング形成する工程は、ウェット式またはドライ式の等方性エッチングによって実施される請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造を、蓋ウエハの第１面にエッチング形成する工程は、異方性エッチングによって実施される請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造を、蓋ウエハの第１面にエッチング形成する工程は、窓ウエハを蓋ウエハの第１面に接合する前に、実施される請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
蓋ウエハは、予め製造されたものであり、蓋ウエハは、デバイスウエハ上の集積回路デバイスに対応した切り出し部を含む請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造を、蓋ウエハの第２面にエッチング形成する工程をさらに含む請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
蓋ウエハの第２面は、第１面の反対側に配置されている請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造を、蓋ウエハの第１面にエッチング形成する工程は、個々のサブ波長構造の間にスペースを作成する請求項１１記載の方法。
【請求項１９】
個々のサブ波長構造の間のスペースは、低屈折率材料で充填する工程をさらに含む請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
低屈折率材料は、有機物である請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
低屈折率材料は、無機物である請求項１９記載の方法。
【請求項２２】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造を、蓋ウエハの第２面にエッチング形成する工程は、個々のサブ波長構造の間にスペースを作成する請求項１６記載の方法。
【請求項２３】
個々のサブ波長構造の間のスペースは、低屈折率材料で充填される請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
低屈折率材料は、有機物である請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
低屈折率材料は、無機物である請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
集積回路デバイス用の蓋ウエハであって、
第１面と、
第２面と、
第１面の内側に配置された空洞と、
第１面に配置された、１つ又はそれ以上のサブ波長構造とを備え、
１つ又はそれ以上のサブ波長構造は、入射光の波長より直径および高さが小さいものである蓋ウエハ。
【請求項２７】
第２面に配置された、１つ又はそれ以上のサブ波長構造をさらに備え、
該１つ又はそれ以上のサブ波長構造は、入射光の波長より直径および高さが小さいものである請求項２６記載の蓋ウエハ。
【請求項２８】
１つ又はそれ以上のサブ波長構造は、六方最密パターンで配列している請求項２６記載の蓋ウエハ。
【請求項２９】
各１つ又はそれ以上のサブ波長構造の高さは、蓋ウエハの屈折率の関数である請求項２６記載の蓋ウエハ。
【請求項３０】
個々のサブ波長構造の間隔は、個々の１つ又はそれ以上のサブ波長構造の直径と、蓋ウエハの屈折率との関数である請求項２６記載の蓋ウエハ。
【請求項３１】
第１面において１つ又はそれ以上のサブ波長構造の間に配置された低屈折率材料をさらに備える請求項２６記載の蓋ウエハ。
【請求項３２】
第２面において１つ又はそれ以上のサブ波長構造の間に配置された低屈折率材料をさらに備える請求項２７記載の蓋ウエハ。
【請求項３３】
集積回路デバイス用の蓋ウエハであって、
第１面と、
第２面と、
第１面の内側に配置された空洞と、
空洞内に配置された、１つ又はそれ以上のサブ波長構造と、
第２面に配置された、１つ又はそれ以上のサブ波長構造と、
第１面において１つ又はそれ以上のサブ波長構造の間に配置された充填材料と、
第２面において１つ又はそれ以上のサブ波長構造の間に配置された充填材料とを備え、
１つ又はそれ以上のサブ波長構造は、六方最密パターンで配列しており、
１つ又はそれ以上のサブ波長構造は、赤外線スペクトルでいずれかの入射光の波長より直径および高さが小さいものであり、
個々の１つ又はそれ以上のサブ波長構造の高さは、蓋ウエハの屈折率の関数であり、
個々のサブ波長構造の間隔は、個々の１つ又はそれ以上のサブ波長構造の直径と、蓋ウエハの屈折率との関数である、蓋ウエハ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月13日(2007.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造装置の現在状態を示す出力を持つセンサを有する前記装置における、障害状況下の前記装置の状態を表すセンサデータ(「障害フィンガープリント」)を確立する工程を含む、障害検出の方法であって、
(a)複数の異なる障害状況の各々について、障害状況下の前記装置の状態を表す障害フィンガープリントを確立し、
(b)前記障害フィンガープリントを障害フィンガープリントライブラリに格納し、
(c)前記センサを使って、前記装置の現在状態を特定し、及び、
(d)前記現在状態のセンサデータと、前記障害フィンガープリントライブラリ内の障害フィンガープリントとの比較に基づいて、障害を検出する
ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
同じ公称仕様に従って作られ、かつ同じ公称プロセスを作動する異なる製造装置間で、前記障害フィンガープリントが実質的に不変であり、前記ライブラリ内の少なくともいくつかのフィンガープリントは、前記装置以外の製造装置について確立される
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップ(d)において、前記障害フィンガープリントについての公称値からのセンサデータの偏位を表すベクトルのセットと、前記現在状態についての公称値からのセンサデータの偏位を表す対応するベクトルのセットとの間で、前記比較が成される
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記障害フィンガープリントのベクトルのセットと、前記現在状態のベクトルのセットとの間の相関によって、前記比較が成される
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記障害フィンガープリントのベクトルのセットと前記現在状態のベクトルのセットとの間のユークリッド距離を計算することにより、前記比較が成される
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項６】
特定のプロセス出力への前記障害の影響を予測すること、
をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
装置入力を管理して、前記障害を補償すること
をさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記障害フィンガープリントが、装置入力のセット対センサ応答曲線を含むツールプロファイルから引き出される
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記製造装置がプラズマチャンバを備える
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
データ処理デバイスによって実行されるとき、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法のステップを実施するプログラム命令、を収容するコンピュータ読み取り可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質セル構成部材を生成する方法であって、
反応性蒸着を順次実施して複数の層を形成する工程を含んでおり、その少なくとも１層が電気的に伝導性の材料を含んでおり、前記反応性蒸着は蒸着が実施されている間の少なくとも一部で生成物の流れに対して基板または取付板を移動させる工程を含んでおり、前記反応性蒸着は光線で誘起されることを特徴とする方法。
【請求項２】
光線はレーザービームを含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
反応性蒸着はエアゾール反応剤を含む流体を使用して実施されることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項４】
反応性蒸着は金属酸化物組成物、金属窒化物組成物、金属炭化物組成物またはそれらの組み合わせを含むことを特徴とする、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
電解質セル構成部材を加熱し、該構成部材の組成あるいは物理特性を変更する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項６】
電解質セル構成部材を形成する方法であって、粉末コーティングにポリマーを含浸させてポリマー膜を形成する工程を含み、前記ポリマーは導イオン性であることを特徴とする方法。
【請求項７】
ポリマーを含浸したポリマー膜を積層させて電池構造体を形成する工程をさらに含んでいることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
粉末コーティングと導イオンポリマーとを含んだ電極を含む電気化学セル。
【請求項９】
電気化学セルを形成する方法であって、
元素金属または合金及びメタロイド酸化物の反応性蒸着を順次実施する工程を含んでおり、前記反応性蒸着は蒸着が実施されている間の少なくとも一部で生成物の流れに対して基板または取付板を移動させる工程を含んでおり、反応物流は光線と交わり、前記生成物の流れを形成する反応を誘起することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電子要素と、
第２の電子要素と、
それらの間の耐久柔軟結合部と、を含み、前記結合部が、
細長い電気伝導性粒子を含む異方性導電性接着剤であって、前記細長い電気伝導性粒子が、非球形粒子、楕円粒子、繊維、およびフレーク、ならびにそれらの組み合わせから選択されるものである、異方性導電性接着剤と、
細長いコンタクト領域によって設けられた、前記第１の電子要素と前記第２の電子要素との間の少なくとも１つの電気経路とを含み、
前記結合部が少なくとも約２００回の曲げサイクル試験の間、機能維持される、電子アセンブリ。
【請求項２】
前記電気伝導性粒子が、電気伝導性コーティングを有する繊維から選択される、請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項３】
前記結合部が少なくとも約５００、少なくとも約１０００、少なくとも約２０００、少なくとも約４０００、および少なくとも約５０００から選択される多数の曲げサイクルの試験の間、機能維持される、請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項４】
前記異方性導電性接着剤が硬化性構造用接着剤であり、前記接着剤のＴｇが、硬化後に２５℃を超えて変化しない、請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項５】
前記異方性導電性接着剤が約１００ＭＰａ未満、約７５ＭＰａ未満、および約５０ＭＰａ未満から選択される貯蔵剪断弾性率を有する、請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項６】
前記異方性導電性接着剤が約２１０℃より低い温度において約１０秒未満で硬化可能である、請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項７】
１つの電子要素が、高周波デバイスまたは高周波デバイスに含有されそれが任意選択的にＲＦＩＤタグであるもの、スマートカードまたはスマートカードに含有されるもの、集積回路のチップコンタクト、硬質電子回路、フレキシブル電子回路、およびそれらの組合せから選択される、請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項８】
湿度試験の合格率が少なくとも約１０％、熱衝撃試験の合格率が少なくとも約１５％、および５０００回の曲げサイクル試験の合格率が少なくとも約６０％である、請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項９】
前記異方性導電性接着剤がエラストマーを約３０〜約７０重量部および相応して硬化性ポリマーを約７０〜３０重量部含み、
前記エラストマーが、天然ゴムおよび合成ゴム、ブタジエン−アクリロニトリルコポリマー、フルオロエラストマー、およびシリコーンエラストマー、並びにそれらの組み合わせから選択されるものであり、
前記硬化性ポリマーが、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、およびそれらの組み合わせから選択されるものであり、フェノール樹脂が必要とされる場合前記樹脂が任意選択的にヘキサメチレンテトラミン（ＨＭＴＡ）を含有してもよい、
請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項１０】
電子アセンブリの製造方法であって、
第１の電子要素と第２の電子要素との間の耐久柔軟結合部を設ける工程を含み、
前記結合部が、細長い電気伝導性粒子を含む異方性導電性接着剤と、細長いコンタクト領域によって設けられた、前記第１の電子要素と前記第２の電子要素との間の少なくとも１つの電気経路とを含み、前記結合部が少なくとも約２００回の曲げサイクルの間、機能維持される、
製造方法。