【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上の目標構造を気化させるシステムにおいて、
レーザ・ポンピング源と、
前記レーザ・ポンピング源によりポンピングされるよう構成されたレーザ共振器キャビティと、
前記レーザ共振器キャビティに蓄積されたエネルギからレーザ出力を生成し、前記目標構造を気化させるため、前記シリコン基板の吸収端より下で且つ０．５５μｍより下の低い波長の前記レーザ出力を前記シリコン基板上の前記目標構造に指向させるよう構成されたレーザ出力装置であって、前記シリコン基板が前記レーザ出力に対して前記目標構造の下に位置し、前記レーザ出力装置が前記レーザ出力を或る入射ビーム・エネルギで生成するよう構成されている前記レーザ出力装置と、
前記目標構造に対して前記のパルス化されたレーザ・ビームの位置と同期したコンピュータ制御されたタイミング信号を発生するようプログラムされたコンピュータと、
前記のパルス化されたレーザ・ビームの出力パルスを前記目標構造に送るように前記タイミング信号に基づいて制御可能にスイッチング可能である光学的スイッチと、
光学的装置であって、１．０４７マイクロメートルから１．３２マイクロメートルの波長でＦナンバーを有する別の光学的装置により前記目標構造上へ集束されるであろうスポット・サイズより比例して小さいスポット・サイズでもって前記入射ビーム・エネルギを前記目標構造上へ集束させる少なくとも１つの集束構成要素を含む前記光学的装置と、を備え、
前記目標構造を気化する前記入射ビーム・エネルギが、前記シリコン基板の吸収端より下の比較的高い波長を用いて与えられる比較的高いビーム・エネルギより小さい、システム。
【請求項２】
前記レーザ出力装置が波長シフタを備える請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記目標構造が銅又は金を備える請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記シリコン基板上の前記目標構造が集積回路のリンクを備える請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記シリコン基板に沈積されるのを期待されるエネルギが、エネルギを前記目標構造の中に沈積させるに必要な入射ビーム・エネルギから前記目標構造に沈積されるエネルギを減算したものに前記シリコン基板の吸収度を乗算したものに比例する請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記の識別された低い波長がスペクトルの緑領域内にある請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記入射ビーム・エネルギでの前記レーザ出力が短いパルスを備える請求項１記載のシステム。
【請求項８】
シリコン基板上の目標構造を気化させる方法において、
前記シリコン基板の吸収端より下で且つ約０．５５μｍより下の低い波長のレーザ出力を生成するよう構成されたレーザ装置を設けるステップと、
前記目標構造を気化させるため、前記レーザ出力を前記シリコン基板上の前記目標構造に前記波長及び或る入射ビーム・エネルギで指向させるステップであって、前記シリコン基板が前記レーザ出力に対して前記目標構造の下に位置される、前記指向させるステップと、
前記目標構造に対して前記のパルス化されたレーザ・ビームの位置と同期したコンピュータ制御されたタイミング信号を発生するステップと、
前記のパルス化されたレーザ・ビームの出力パルスを前記目標構造へ送るように前記タイミング信号に基づいて光学的スイッチを制御可能にスイッチングするステップと、
１．０４７マイクロメートルから１．３２マイクロメートルの波長でＦナンバーを有する光学的装置により前記目標構造上へ集束されるであろうスポット・サイズより比例して小さいスポット・サイズでもって前記入射ビーム・エネルギを前記目標構造上へ集束させるステップと、を備え、
前記目標構造を気化する前記入射ビーム・エネルギが、前記シリコン基板の吸収端より下で比較的高い波長を用いて与えられる比較的高いビーム・エネルギより小さい、方法。
【請求項９】
前記の識別された低い波長がスペクトルの緑領域内にある請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記入射ビーム・エネルギでの前記レーザ出力が短いパルスを備える請求項８記載の方法。
【請求項１１】
シリコン基板上の目標構造を気化させるシステムにおいて、
レーザ・ポンピング源と、
前記レーザ・ポンピング源によりポンピングされるよう構成されたレーザ共振器キャビティと、
前記レーザ共振器キャビティに蓄積されたエネルギからレーザ出力を生成し、前記目標構造を気化させるため、前記シリコン基板の吸収端より下で且つ０．５５μｍより下の波長の前記レーザ出力を前記シリコン基板上の前記目標構造に指向させるよう構成されたレーザ出力装置であって、前記シリコン基板が前記レーザ出力に対して前記目標構造の下に位置し、前記レーザ出力装置が前記レーザ出力を或る入射ビーム・エネルギで生成するよう構成されており、前記レーザ出力が短いパルスを備える、前記レーザ出力装置と、
前記目標構造に対して前記のパルス化されたレーザ・ビームの位置と同期したコンピュータ制御されたタイミング信号を発生するようプログラムされたコンピュータと、
前記のパルス化されたレーザ・ビームの出力パルスを前記目標構造に送るように前記タイミング信号に基づいて制御可能にスイッチング可能である光学的スイッチと
を備えるシステム。
【請求項１２】
前記レーザ共振器キャビティが、バナジン酸ネオジム・レーザ共振器キャビティである請求項１又は１１記載のシステム。
【請求項１３】
シリコン基板上の目標構造を気化させる方法において、
前記シリコン基板の吸収端より下で且つ０．５５μｍより下の波長のレーザ出力を生成するよう構成されたレーザ装置を設けるステップと、
前記目標構造を気化させるため、前記レーザ出力を前記シリコン基板上の前記目標構造に前記波長及び或る入射ビーム・エネルギで指向させるステップであって、前記シリコン基板が前記レーザ出力に対して前記目標構造の下に位置され、前記入射ビーム・エネルギでの前記レーザ出力が短いパルスを備える、前記指向させるステップと、
前記目標構造に対して前記のパルス化されたレーザ・ビームの位置と同期したコンピュータ制御されたタイミング信号を発生するステップと、
前記のパルス化されたレーザ・ビームの出力パルスを前記目標構造へ送るように前記タイミング信号に基づいて光学的スイッチを制御可能にスイッチングするステップと
を備える方法。
【請求項１４】
前記レーザ装置が、バナジン酸ネオジム・レーザ共振器キャビティである請求項８又は１３記載の方法。
【請求項１５】
シリコン基板上の目標構造を気化させるシステムにおいて、
レーザ・ポンピング源と、
前記レーザ・ポンピング源によりポンピングされるよう構成されたレーザ共振器キャビティと、
前記レーザ共振器キャビティに蓄積されたエネルギからレーザ出力を生成し、前記目標構造を気化させるため、前記シリコン基板の吸収端より下で且つ０．５５μｍより下の波長の前記レーザ出力を前記シリコン基板上の前記目標構造に指向させるよう構成されたレーザ出力装置であって、前記シリコン基板が前記レーザ出力に対して前記目標構造の下に位置し、前記レーザ出力装置が前記レーザ出力を或る入射ビーム・エネルギで生成するよう構成されている前記レーザ出力装置と、
前記目標構造に対して前記のパルス化されたレーザ・ビームの位置と同期したコンピュータ制御されたタイミング信号を発生するようプログラムされたコンピュータと、
前記のパルス化されたレーザ・ビームの出力パルスを前記目標構造に送り且つ前記入射ビーム・エネルギの選択的低減を可能にするように前記タイミング信号に基づいて制御可能にスイッチング可能である光学的スイッチと、を備え、
前記目標構造を気化する前記入射ビーム・エネルギが、前記シリコン基板の吸収端より下の比較的高い波長で前記目標構造を気化させるに十分な吸収エネルギを前記目標構造に沈積させるに必要な入射ビーム・エネルギに対して低減可能である、システム。
【請求項１６】
シリコン基板上の目標構造を気化させる方法において、
前記シリコン基板の吸収端より下で且つ０．５５μｍより下の低い波長のレーザ出力を生成するよう構成されたレーザ装置を設けるステップと、
前記目標構造を気化させるため、前記レーザ出力を前記シリコン基板上の前記目標構造に前記波長及び或る入射ビーム・エネルギで指向させるステップであって、前記シリコン基板が前記レーザ出力に対して前記目標構造の下に位置される、前記指向させるステップと、
前記目標構造に対して前記のパルス化されたレーザ・ビームの位置と同期したコンピュータ制御されたタイミング信号を発生するステップと、
前記のパルス化されたレーザ・ビームの出力パルスを前記目標構造に送り且つ前記入射ビーム・エネルギの選択的低減を可能にするように前記タイミング信号に基づいて光学的スイッチを制御可能にスイッチングするステップと、を備え、
前記目標構造を気化する前記入射ビーム・エネルギが、前記シリコン基板の吸収端より下の比較的高い波長で前記目標構造を気化させるに十分な吸収エネルギを前記目標構造に沈積させるに必要な入射ビーム・エネルギに対して低減可能である、方法。