【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体フィルム試料の各々の少なくとも１つの部分を処理するプロセスにおいて、
(a) 照射ビーム源を制御して、逐次的な照射ビームパルスを所定の反復度で放出するステップと；
(b) 放出される前記ビームパルスを用いて、前記半導体フィルム試料の第１試料の少なくとも１つの部分を、第１の逐次的横方向結晶化（ＳＬＳ）技術及び第１の均一小粒子材料（ＵＧＳ）技術の少なくとも一方を用いて照射して、前記第１試料の前記少なくとも１つの部分を処理するステップと；
(c) ステップ(b)の完了時に、前記ビームパルスを再指向させて、前記半導体フィルム試料の第２試料の少なくとも１つの部分に当てるステップと；
(d) 前記再指向させたビームパルスを用いて、前記第２試料の前記少なくとも１つの部分を、第２のＳＬＳ技術及び第２のＵＧＳ技術の少なくとも一方を用いて照射して、前記第２試料の前記少なくとも１つの部分を処理するステップとを具えて、前記第１の技術と前記第２の技術とが互いに異なるか、あるいはほぼ同一である
ことを特徴とする半導体フィルム試料の処理プロセス。
【請求項２】
前記第２試料が未処理の試料であり、ステップ(b)において、前記第１試料を第１チャンバのステージ上に装填して、ステップ(d)において、前記第２試料を第２チャンバのステージ上に設けることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
さらに、
(e) ステップ(b)中に、前記第１の技術及び前記第２の技術の少なくとも一方を用いて事前に照射して処理した前記半導体フィルム試料の第３試料を、前記第２チャンバから除去するステップと；
(f) ステップ(b)中におけるステップ(e)の後に、かつステップ(d)の前に、前記第２試料を前記第２チャンバのステージ上に装填するステップと
を具えていることを特徴とする請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
さらに、
(g) ステップ(d)中に、前記第１試料を前記第１チャンバのステージから除去するステップと；
(h) ステップ(d)中におけるステップ(g)の後に、前記半導体フィルム試料の未処理の第４試料を前記第１チャンバのステージ上に装填するステップと
を具えていることを特徴とする請求項３に記載のプロセス。
【請求項５】
さらに、
(i) ステップ(h)の完了時に、前記ビームパルスを再指向させて前記第４試料の少なくとも１つの部分に当てるステップと；
(j) ステップ(i)の後に、前記再指向させたビームパルスを用いて、前記第４試料の前記少なくとも１つの部分を前記第１の技術及び前記第２の技術の少なくとも一方を用いて照射して、前記第４試料の前記少なくとも１つの部分を処理するステップと
を具えていることを特徴とする請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
ステップ(c)において、前記ビームパルスを、ビーム反射デバイスを具えたビーム再指向装置を用いて再指向させることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
さらに、
(k) 前記第２試料が前記第２チャンバのステージ上に良好に装填されているか否かを判定するステップと；
(l) ステップ(k)における判定の結果が良好でない場合に、ステップ(k)における判定の結果が良好になるまで、ステップ(d)における前記第２試料の照射を防止するステップと
を具えていることを特徴とする請求項３に記載のプロセス。
【請求項８】
さらに、
(m) ステップ(b)において、前記第１試料の前記少なくとも１つの部分のすべてが良好に処理されているか否かを判定するステップと；
(n) ステップ(m)における判定の結果が良好でない場合に、ステップ(m)における判定の結果が良好になるまで、ステップ(d)における前記第２試料の照射を防止するステップと
を具えていることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】
複数の半導体フィルム試料の各々の少なくとも１つの部分を処理するシステムにおいて、
このシステムが処理装置を具えて、該処理装置が、一組の命令を実行する際に、
(a) 照射ビーム源を制御して、逐次的な照射ビームパルスを所定の反復度で放出して；
(b) 放出される前記ビームパルスを用いて、前記ビームパルスによって、前記半導体フィルム試料の第１試料の少なくとも１つの部分を、第１の逐次的横方向結晶化（ＳＬＳ）技術及び第１の均一小粒子材料（ＵＧＳ）技術の少なくとも一方を用いて照射して、前記第１試料の前記少なくとも１つの部分を処理して；
(c) 前記第１試料の前記少なくとも１つの部分の処理の完了時に、前記ビームパルスを再指向させて、前記半導体フィルム試料の第２試料の少なくとも１つの部分に当てて；
(d) 再指向させた前記ビームパルスによって、前記第２試料の前記少なくとも１つの部分を、第２のＳＬＳ技術及び第２のＵＧＳ技術の少なくとも一方を用いて照射すべく動作し、前記第１の技術と前記第２の技術とが互いに異なるか、あるいはほぼ同一であることを特徴とする半導体フィルム試料の処理システム。
【請求項１０】
前記第２試料が未処理の試料であり、前記処理装置が、前記第１試料を第１チャンバのステージ上に装填すべく動作し、前記処理装置が、前記第２試料を第２チャンバのステージ上に装填すべく動作することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記処理装置がさらに、
(e) 前記第１試料の照射中に、前記第１の技術及び前記第２の技術の少なくとも一方を用いて事前に照射して処理した前記半導体フィルム試料の第３試料を、前記第２チャンバのステージから除去して；
(f) 前記第１試料の照射中における前記第３試料の除去後に、前記第２試料を前記第２チャンバのステージ上に装填すべく動作する
ことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記処理装置がさらに、
(g) 前記第２試料の照射中に、前記第１試料を前記第１チャンバのステージから除去して；
(h) 前記第２試料の照射中における前記第１試料の除去後に、前記半導体フィルム試料の未処理の第４試料を前記第１チャンバのステージ上に装填すべく動作する
ことを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記処理装置がさらに、
(i) 前記第４試料の装填の完了時に、前記ビームパルスを再指向させて前記第４試料の少なくとも１つの部分に当てて；
(j) 前記ビームパルスを再指向させて前記第４試料の少なくとも１つの部分に当てた後に、再指向させた前記ビームパルスによって、前記第４試料の前記少なくとも１つの部分を、前記第１の技術及び前記第２の技術の少なくとも一方を用いて照射して、前記第４試料の前記少なくとも１つの部分を処理すべく動作する
ことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記処理装置が、前記ビームパルスを、ビーム反射デバイスを具えたビーム再指向装置を用いて再指向させるべく動作することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
前記処理装置がさらに、
(k) 前記第２試料が前記第２チャンバのステージ上に良好に装填されているか否かを判定して；
(l) 前記(k)における判定の結果が良好でない場合に、前記第２試料が前記第２チャンバのステージ上に良好に搭載されるまで、前記第２試料の照射を防止すべく動作する
ことを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記処理装置がさらに、
(m) 前記第１試料の前記少なくとも１つの部分のすべてが良好に処理されているか否かを判定して；
(n) 前記(m)における判定の結果が良好でない場合に、前記第１試料の前記少なくとも１つの部分のすべてが良好に処理されるまで、前記第２試料の照射を防止すべく動作する
ことを特徴とする請求項９に記載のシステム。