(57)【要約】    【課題】  生産性よく光ファイバグレーティングを製造することができる光ファイバグレーティング製造方法を提供する。    【解決手段】  光ファイバ１１ｄに対して、予め、本来の光ファイバグレーティングの使用波長帯域外に反射モニタ用ファイバグレーティングを作製しておき、その波長変動量を露光中に逐次モニタすることで光ファイバ１１ｄの位置変動を検出する。そして、光ファイバ１１ｄの位置ずれが所定値Ｗに達したときに、ピエゾステージ２０を駆動して位相マスク１２の光ファイバ１１ｄに対する相対的位置を修正する。このように、光ファイバグレーティングの作製位置を補正しながら露光を行うようにすることにより、露光中の光ファイバグレーティングの特性が向上して不良品の発生率が小さくなる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光を回折して周期的な強度分布を有する回折光を生成する位相マスクを介して、光感受性を有する光ファイバに対して露光を行い光ファイバグレーティングを形成する光ファイバグレーティング製造方法において、
前記光ファイバグレーティングの使用波長帯域外の波長で所定の反射率を呈する反射モニタ用ファイバグレーティングを予め前記光ファイバに形成しておき、
前記露光中に前記反射モニタ用ファイバグレーティングの波長変化量をモニタし、そのモニタ結果に基づいて前記光ファイバグレーティングの形成位置を補正しながら前記露光を行うことを特徴とする光ファイバグレーティング製造方法。
【請求項２】
前記露光中に前記反射モニタ用ファイバグレーティングの波長変化量をモニタし、その波長変化量が所定値に達したときに、前記位相マスクと前記光ファイバとの相対位置を補正すべく前記位相マスクを移動することを特徴とする請求項１に記載の光ファイバグレーティング製造方法。
【請求項３】
前記所定値は、前記光ファイバグレーティングの周期の半周期分に相当する値であることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバグレーティング製造方法。
【請求項４】
入射した光を回折して周期的な強度分布を有する回折光を生成する位相マスクを備え、前記位相マスクを介して、光感受性を有する光ファイバに対して露光を行って光ファイバグレーティングを形成する光ファイバグレーティング製造装置において、
前記光ファイバグレーティングの使用波長帯域外の波長で所定の反射率を呈する反射モニタ用ファイバグレーティングが形成された光ファイバを、前記位相マスクと対向する位置に固定する固定手段と、
前記位相マスクを保持して該位相マスクを少なくとも前記光ファイバの長手方向に移動可能な移動手段と、
前記露光中に、前記反射モニタ用ファイバグレーティングの波長変化量をモニタするモニタ手段と、
前記モニタ手段のモニタ結果に基づいて、前記光ファイバと前記位相マスクとの相対位置を補正すべく前記移動手段を駆動する制御手段とを備えたことを特徴とする光ファイバグレーティング製造装置。
【請求項５】
前記制御手段は、
前記露光中に、前記反射モニタ用ファイバグレーティングの波長変化量が所定値に達したときに、前記移動手段を駆動して前記位相マスクと前記光ファイバとの相対位置を補正することを特徴とする請求項４に記載の光ファイバグレーティング製造装置。
【請求項６】
前記所定値は、前記光ファイバグレーティングの周期の半周期分に相当する値であることを特徴とする請求項５に記載の光ファイバグレーティング製造装置。
【請求項７】
前記モニタ手段は、
前記光ファイバグレーティングの使用波長帯域と前記反射モニタ用波長帯域とを含むモニタ光を、前記反射モニタ用ファイバグレーティングが形成された前記光ファイバの一方の端部から該光ファイバ内へ照射するモニタ用光源と、
前記光ファイバを伝搬してきた前記モニタ光を分析する光分析装置とを有することを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の光ファイバグレーティング製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信等に用いられる光ファイバグレーティングを製造する光ファイバグレーティング製造方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバグレーティングは、光ファイバの長さ方向に屈折率の周期的な摂動を形成したもので、特定のモード間に結合を発生させ、光ファイバのコア部を伝搬する特定波長帯の光に損失を発生させる光部品である。
【０００３】
最も一般的な光ファイバグレーティングの製造方法としては、フォトリフラクティブ効果により光ファイバのコア部の屈折率を変化させる方法がある（例えば、特許文献１参照）。フォトリフラクティブ効果とは、例えばドーパントとしてゲルマニウムを添加させた石英ガラスファイバに紫外線を照射すると、前記石英ガラスの屈折率の上昇が観測される現象のことである。
【０００４】
以下、図８を参照して、従来の光ファイバグレーティングの製造方法の概要について説明する。
【０００５】
図中の符号１１は光ファイバ素線である。この光ファイバ素線１１は、コア１１ａとクラッド１１ｂから成る光ファイバ１１ｄに紫外線硬化型樹脂被覆層１１ｃが被覆された構造である。１２は石英ガラスから成る位相マスクであり、片面には周期的な回折格子１２ａが形成されている。
【０００６】
まず、光ファイバ素線１１の途中の紫外線硬化型樹脂被覆層１１ｃを除去してクラッド１１ｂを露出させ、その露出部分の光ファイバ１１ｄを、位相マスク１２の回折格子面に平行に置く。次に、光ファイバ１１ｄに対して、位相マスク１２を介して波長２４０ｎｍ付近の紫外光ＵＶを照射させる。位相マスク１２を通過した前記紫外光ＵＶは、位相マスク１２の表面の回折格子１２ａにより回折されて±１次回折光となる。この±１次回折光の干渉縞により、紫外光ＵＶは光ファイバ１１ｄの長さ方向に強度の周期的分布を持つものとなる。この周期的分布を持った紫外光ＵＶがコア１１ａに照射され（露光）、前記フォトリフラクティブ効果により、コア１１ａに周期的な屈折率変化が形成される。
【０００７】
こうして得られた光ファイバ１１ｄの長さ方向の周期的な屈折率変化は、光ファイバ１１ｄに、コア１１ａを伝搬する特定波長帯の光に損失を発生させて光を遮断するフィルタとしての機能を与えることになる。
【０００８】
この光ファイバグレーティングの製造時において、通常、光ファイバ素線１１は、露出した光ファイバ１１ｄの位相マスク１２に対する相対位置を一定に保つために、適当な把持治具によって固定される。その固定精度は、光ファイバグレーティングの屈折率変化の周期に対して十分小さくなければならないが、通常、その光ファイバグレーティングの屈折率変化の周期は数１００ｎｍであるので、数１０ｎｍのオーダーの精度が求められる。
【特許文献１】特許公開２００２−２６７８５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記光ファイバ１１ｄの位相マスク１２に対する相対位置は、固定治具の不備、あるいは種々の環境要因により、微小ながらも変動していることが多い。光ファイバ１１ｄと位相マスク１２の相対位置が変動した場合には、光ファイバ１１ｄに形成される周期的な屈折率変化の位置がずれる結果、そのコントラストが悪化する。
【００１０】
図９はこの様子を示す模式図であり、前述したように光ファイバ１１ｄと位相マスク１２の相対位置の変動は、光ファイバ１１ｄに形成されている屈折率変化（図９のＤＩｆとＤＩａ参照）の位置がずれていることを示しており（図９のＴ１とＴ２参照）、この位置ずれが大きくなって、屈折率変化の半周期に近くなると（図９のＤＥ）、光ファイバ１１ｄに形成されている屈折率変化のコントラストが急激に悪くなり（図９のＤＩｂとＴ３参照）、遮断量が減る現象が起きてくる。つまり、光ファイバ１１ｄと位相マスク１２の相対位置の変動が光ファイバグレーティングの特性を悪化させる要因となっていた。
【００１１】
ここでいう特性の悪化とは、例えば、目標遮断率に到達するまでの時間の増加や、目標の遮断率への未到達といった不良品の増加であり、特に露光に長時間を要する場合や、光ファイバに印加する張力が大きい場合には、前記相対位置の変動が発生する確率が高くなり、光ファイバグレーティングの生産性の低下要因となっていた。
【００１２】
本発明は上記従来の問題点に鑑み、生産性よく光ファイバグレーティングを製造することができる光ファイバグレーティング製造方法及び光ファイバグレーティング製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の光ファイバグレーティング製造方法は、入射した光を回折して周期的な強度分布を有する回折光を生成する位相マスクを介して、光感受性を有する光ファイバに対して露光を行い光ファイバグレーティングを形成する光ファイバグレーティング製造方法において、前記光ファイバグレーティングの使用波長帯域外の波長で所定の反射率を呈する反射モニタ用ファイバグレーティングを予め前記光ファイバに形成しておき、前記露光中に前記反射モニタ用ファイバグレーティングの波長変化量をモニタし、そのモニタ結果に基づいて前記光ファイバグレーティングの形成位置を補正しながら前記露光を行うことを特徴とする光ファイバグレーティング製造方法。
【００１４】
また、前記露光中に前記反射モニタ用ファイバグレーティングの波長変化量をモニタし、その波長変化量が所定値に達したときに、前記位相マスクと前記光ファイバとの相対位置を補正すべく前記位相マスクを移動することを特徴とする。
【００１５】
また、前記所定値は、前記光ファイバグレーティングの周期の半周期分に相当する値であることを特徴とする。
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明の光ファイバグレーティング製造装置は、入射した光を回折して周期的な強度分布を有する回折光を生成する位相マスクを備え、前記位相マスクを介して、光感受性を有する光ファイバに対して露光を行って光ファイバグレーティングを形成する光ファイバグレーティング製造装置において、前記光ファイバグレーティングの使用波長帯域外の波長で所定の反射率を呈する反射モニタ用ファイバグレーティングが形成された光ファイバを、前記位相マスクと対向する位置に固定する固定手段と、前記位相マスクを保持して該位相マスクを少なくとも前記光ファイバの長手方向に移動可能な移動手段と、前記露光中に、前記反射モニタ用ファイバグレーティングの波長変化量をモニタするモニタ手段と、前記モニタ手段のモニタ結果に基づいて、前記光ファイバと前記位相マスクとの相対位置を補正すべく前記移動手段を駆動する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、前記制御手段は、前記露光中に、前記反射モニタ用ファイバグレーティングの波長変化量が所定値に達したときに、前記移動手段を駆動して前記位相マスクと前記光ファイバとの相対位置を補正することを特徴とする。
【００１８】
また、前記所定値は、前記光ファイバグレーティングの周期の半周期分に相当する値であることを特徴とする。
【００１９】
また、前記モニタ手段は、前記光ファイバグレーティングの使用波長帯域と前記反射モニタ用波長帯域とを含むモニタ光を、前記反射モニタ用ファイバグレーティングが形成された前記光ファイバの一方の端部から該光ファイバ内へ照射するモニタ用光源と、前記光ファイバを伝搬してきた前記モニタ光を分析する光分析装置とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、露光処理中の光ファイバグレーティングの特性が向上して不良品の発生率が小さくなるので、生産性よく光ファイバグレーティングを製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の光ファイバグレーティング製造装置、及び光ファイバグレーティング製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
＜光ファイバグレーティング製造装置の構造＞
図１は、本発明の実施の一形態に係る光ファイバグレーティング製造装置の構造を示す構造図である。
【００２３】
この光ファイバグレーティング製造装置は、ステージ基台１０上に配備されたピエゾステージ２０を備え、そのピエゾステージ２０上にはマスクホルダ３０が載置されている。マスクホルダ３０の中央部には、石英ガラス板等から成る位相マスク１２が保持され、その位相マスク１２の表面は紫外線レーザ装置４０からの紫外光ＵＶの照射方向に対して垂直になるように配置される。
【００２４】
ピエゾステージ２０は、紫外光ＵＶの照射方向及びその垂直方向に往復可動すると共に回転可動自在の微動ステージであり、紫外線レーザ装置４０は、光ファイバグレーティングの作製に適した波長の紫外光ＵＶを照射するエキシマレーザ光源等の照射光学系から成る。
【００２５】
位相マスク１２は、入射した紫外光ＵＶを回折して周期的な強度分布を有する紫外光を出射するもので、光出射面側に回折格子１２ａ（図９参照）が形成されている。回折格子１２ａは、位相マスク１２の光出射面に周期的に所定幅の複数の溝が一定の間隔で平行に形成されたもので、その溝幅と各溝間隔は、目標とする光ファイバグレーティングの光学特性に応じて適宜設定されるようになっている。
【００２６】
一方、ピエゾステージ２０の左右両側には、紫外光ＵＶの照射方向に対して垂直方向にセットされる光ファイバ素線１１を把持するためのファイバ把持部５１，５２がそれぞれ配置されている。
【００２７】
光ファイバ素線１１は、図９を用いて前述したように、コア１１ａとクラッド１１ｂから成る光ファイバ１１ｄに、紫外線硬化型樹脂被覆層１１ｃが被覆されている。コア１１ａは例えば石英ガラス、クラッド１１ｂは純粋石英ガラス等から成る。この光ファイバ素線１１は、コア１１ａに例えばＧｅＯ２（酸化ゲルマニウム）を添加して光感受性をもたせたものであり、その紫外線硬化型樹脂被覆層１１ｃのうち、光ファイバグレーティングを形成すべき部分の紫外線硬化型樹脂被覆層１１ｃが除去されて光ファイバ１１ｄが露出した状態でファイバ把持部５１，５２に把持される。すなわち、この光ファイバ素線１１は、位相マスク１２から出射された照射光が被覆樹脂除去部分の光ファイバ１１ｄに照射されるようにファイバ把持部５１，５２のＶ溝（図示省略）に置かれ、クランプ板５３，５４により固定される。このとき、光ファイバ１１ｄの長手方向と位相マスク１２とが平行になるように設置される。
【００２８】
さらに、光ファイバ素線１１の一方の先端には広帯域光源６０が接続され、他方の先端には光分析装置（ＯＳＡ）７０が接続されている。広帯域光源６０は、光ファイバグレーティングの使用波長帯域（例えば１６４８〜１６５８ｎｍ帯）と、後述する反射モニタ用の波長（例えば１５５０ｎｍ帯）とを含む光を照射する光源である。光分析装置７０は、広帯域光源６０から光ファイバ１１ｄを通過して伝搬してきた光を分析し、その分析結果をデジタル情報としてコンピュータ８０へ送る。
【００２９】
コンピュータ８０は、本実施の形態の特徴を成す光ファイバグレーティング作製処理（後述する図２のフローチャートを参照）を実行するための制御プログラムを格納するＲＯＭ８１を有し、この制御プログラムをプロセッサ（図示省略）によって実行する。これによって、コンピュータ８０は、光分析装置７０から受け取った分析結果情報に基づいてピエゾステージ２０の動作（光ファイバ１１ｄの長手方向への移動）を制御すると共に、紫外線レーザ装置４０及び広帯域光源６０の発光／停止を制御する。また、コンピュータ８０は、前記光ファイバグレーティング作製処理の実行を開始するための処理開始スイッチ８２を備えている。
【００３０】
このように、光ファイバ１１ｄに平行に配置された位相マスク１２は、ピエゾステージ２０の上にセットされ、コンピュータ８０の制御によって光ファイバ１１ｄの長手方向に位置を微小に変化させることができるようになっている。
【００３１】
＜光ファイバグレーティングの製造方法＞
次に、本実施の形態に係る光ファイバグレーティングの製造方法について、図２のフローチャートを参照しつつ説明する。なお、図２は、本実施の形態に係る光ファイバグレーティング作製処理を示すフローチャートである。
【００３２】
使用波長帯域（コアを伝搬する使用光の波長帯域）が１６４８〜１６５８［ｎｍ］で、遮断率が−５０［ｄＢ］以下の光学特性を有する光ファイバグレーティングを作製するものとする。この光学特性の一例を図３に示す。
【００３３】
まず、本実施の形態に係る光ファイバグレーティング作製処理を実行する前の工程として、反射モニタ用ファイバグレーティングの作製工程と、光ファイバ１１ｄと位相マスク１２との平行出し工程を実行しておく。
【００３４】
反射モニタ用ファイバグレーティングの作製工程は、光ファイバ１１ｄに対して、本来の光ファイバグレーティングの使用波長帯域外に設定された波長帯域（例えば１５５０ｎｍ帯）で、例えば−１０［ｄＢ］〜−２０［ｄＢ］程度の反射率を呈する反射モニタ用の光ファイバグレーティングを作製する工程である。この光学特性の一例を図４に示す。
【００３５】
光ファイバ１１ｄと位相マスク１２との平行出し工程では、光ファイバ素線１１をファイバ把持部５１，５２に固定すると共に、位相マスク１２をマスクホルダ３０に保持した状態で、光ファイバ１１ｄの長手方向と位相マスク１２とが平行になるように、ピエゾステージ２０を操作して位相マスク１２の位置を調整する。この平行調整では、レーザ照射による方式等を用いて、位相マスク１２の回折格子面と光ファイバ１１ｄの表面との距離を２点以上で測定し、その距離がすべて同じになるように位相マスク１２の向きや位置をピエゾステージ２０を用いて調整する。
【００３６】
このようにして前工程が完了した後、上述のようにして位相マスク１２と光ファイバ１１ｄが光ファイバグレーティング製造装置に固定された状態で、本来の光ファイバグレーティング作製処理を実行すべくコンピュータ８０の処理開始スイッチ８２をオンして露光処理を開始する（図２のステップＳ１１、ステップＳ１２）。これによって、紫外線レーザ装置４０から位相マスク１２の光入射面に対して垂直に紫外光ＵＶが照射され、その結果、位相マスク１２の回折格子１２ａによって回折光が生じて位相マスク１２の回折格子面から出射される。
【００３７】
一方、処理開始スイッチ８２がオンされると同時に広帯域光源６０もオンされ、広帯域光源６０からは、本来の光ファイバグレーティングの使用波長帯域（例えば１６４８〜１６５８ｎｍ帯）と、反射モニタ用ファイバグレーティングの波長帯域（例えば１５５０ｎｍ帯）とを含むモニタ光が光ファイバ素線１１内へ照射される（ステップＳ１３）。
【００３８】
そして、モニタ光を用いて、露光処理中に随時、反射モニタ用ファイバグレーティングの反射波長をモニタする（ステップＳ１４）。すなわち、広帯域光源６０から照射されたモニタ光は、光ファイバ１１ｄを通過して光分析装置７０に入力する。光分析装置７０では、入力されたモニタ光を分析してその中心波長を抽出し、該抽出結果をデジタル情報として逐次コンピュータ８０へ送る。
【００３９】
コンピュータ８０では、光分析装置７０から逐次受け取る中心波長の変化量を演算し、その変化量が所定値Ｗに達したとき（ステップＳ１５）、ピエゾステージ２０を、光ファイバグレーティング周期の半周期分だけ、光ファイバ１１ｄの長手方向に移動する（ステップＳ１６）。
【００４０】
すなわち、使用波長帯域外に形成された反射モニタ用ファイバグレーティングは、光ファイバ１１ｄに印加されている張力をモニタする役割をしている。この印加張力は、本来変動しないことが望ましいが、前述したような種々の要因により変化することがある。露光中に反射モニタ用ファイバグレーティングの中心波長が変動しているということは、光ファイバ１１ｄに印加されている張力が変動し、光ファイバ１１ｄと位相マスク１２の位置関係が変動していることを示している。
【００４１】
本実施の形態では、前記所定値Ｗを例えば０．０１ｎｍとする。これは、次のような理由による。光ファイバ１１ｄに印加されている張力が緩むことにより、光ファイバ１１ｄの位置が変化するが、この変位量は、張力と光ファイバ１１ｄの伸びの関係から見積もることができる。一方で、光ファイバ１１ｄの印加張力の緩みは、反射モニタ用ファイバグレーティングの中心波長の変化量と関係付けることができる。この２つの関係を用いて、中心波長の変化量と光ファイバ１１ｄの位置変位量の関係をグラフにしたのが図５である。光ファイバグレーディングの使用波長帯域を例えば１６４８〜１６５８ｎｍとすると、光ファイバグレーティングの周期は、およそ０．５７μｍ程度であるので、その半周期分（０．２８５μｍ）に対応する中心波長変化量、つまり所定値Ｗは、図５に示すように、およそ０．０１ｎｍということになる。
【００４２】
このように、反射モニタ用ファイバグレーティングの中心波長の変化量をモニタし（ステップＳ１４）、該変化量が所定値Ｗ＝０．０１ｎｍに達した場合には（ステップＳ１５）、位相マスク１２と光ファイバ１１ｄとの相対的位置において光ファイバグレーティング周期の半周期分のずれが生じたと判断して、その位置ずれを補正すべくピエゾステージ２０を移動し（ステップＳ１６）、ステップＳ１７へ進む。
【００４３】
要するに、前記位置ずれを光ファイバグレーティングに印加されている張力の緩みと関連づけて、この位置ずれに近い量だけ位相マスク１２を動かすことにより、光ファイバ１１ｄに形成されている屈折率変化の干渉縞の位置を最初に形成された位置（図９のＴ１を参照）に近づけることで、干渉縞のコントラストの悪化を防いでいる。
【００４４】
一方、ステップＳ１５の判定処理において、中心波長の変化量が前記所定値Ｗ＝０．０１ｎｍに達していない場合には、未だ半周期分の位置ずれが生じていないと判断し、ピエゾステージ２０を移動せず位相マスク１２の位置をそのままに保持する。つまりステップＳ１６をスキップしてステップＳ１７へ進む。
【００４５】
ステップＳ１７では、本来の光ファイバグレーティングが完成したか否かを判定し、未完成であれば、ステップＳ１４へ戻り、それ以降の処理を繰り返す。そして、ステップＳ１７において、光ファイバグレーティングが完成したと判定された場合は、紫外線レーザ装置４０をオフして露光を停止すると共に（ステップＳ１８）、広帯域光源６０をオフして、当該光ファイバグレーティング作製処理を終了する。
【００４６】
＜実験結果＞
図６及び図７は、実験結果を示すグラフであり、図６は本実施の形態を用いて露光を行った実験結果であり、図７は本実施の形態を用いないで露光を行った実験結果である。グラフの縦軸は光ファイバグレーティングの使用波長帯域内の最大遮断率［ｄＢ］であり、横軸は露光時間［ｓ］である。それぞれ８サンプルずつ実験を行った。
【００４７】
本実施の形態の効果は、図６のサンプルＡ−１、サンプルＡ−３、及びサンプルＡ−７に現れている。すなわち、位相マスク１２と光ファイバ１１ｄの相対的な位置が変動したために遮断率が大きくなりつつあるのが、ピエゾステージ２０を移動して位相マスク１２の位置を補正することにより、再び遮断率を小さくすることができ、結果的には目標遮断率である−５０ｄＢに達している。これに対して、図７に示した本実施の形態を用いない露光結果は、目標の遮断率−５０ｄＢに達していないケース（サンプルＢ−３、サンプルＢ−５、及びサンプルＢ−６）が見られる。
【００４８】
さらに、本実施の形態を用いたケースと用いないケースで量産時にどの程度歩留まりに差が出てくるかを調査するために、上記と同じ光ファイバグレーティングを１００本ずつ作製し、その差を調べた。その結果、本実施の形態を用いたケースは良品率が９５％に達したが、本実施の形態を用いないケースでは良品率が８７％に留まった。この実験結果から、本実施の形態を用いることで光ファイバグレーティングの良品率が大幅に改善していることが判る。
【００４９】
以上説明したように、本実施の形態では、光ファイバ１１ｄに対して、予め、本来の光ファイバグレーティングの使用波長帯域外に反射モニタ用ファイバグレーティングを作製しておき、その波長変動量を露光中に逐次モニタすることで光ファイバ１１ｄの位置変動を検出する。その検出結果を用いて本来の光ファイバグレーティングの作製位置を補正しながら露光を行うようにしたので、露光中の光ファイバグレーティングの特性が向上して不良品の発生率が小さくなり、よって生産性よく光ファイバグレーティングを製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施の形態に係る光ファイバグレーティング製造装置の構造を示す構造図である。
【図２】実施の形態に係る光ファイバグレーティング作製処理を示すフローチャートである。
【図３】光ファイバグレーティングの光学特性の一例を示すグラフである。
【図４】反射モニタ用ファイバグレーティングの光学特性の一例を示すグラフである。
【図５】中心波長変化量と光ファイバの位置変位量の関係を示すグラフである。
【図６】実施の形態を用いた場合の実験結果を示すグラフである。
【図７】実施の形態を用いない場合の実験結果を示すグラフである。
【図８】従来の光ファイバグレーティングの製造方法を示す概念図である。
【図９】従来の課題を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
１１  光ファイバ素線
１１ｄ  光ファイバ
１２  位相マスク
１２ａ  回折格子
２０  ピエゾステージ
３０  マスクホルダ
４０  紫外線レーザ装置
５１，５２  ファイバ把持部
５３，５４  クランプ板
６０  広帯域光源
７０  光分析装置（ＯＳＡ）
８０  コンピュータ
８１  ＲＯＭ
８２  処理開始スイッチ
【図１】
2006010777.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2006010777.tif 000010
【図９】
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