【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（i)式（Ｉ）の鎖状結合したアミンタンタル錯体：
【化１】
2007508389.tif 000001
［式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５の各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、Ｃ６−Ｃ１０アリール及び窒素含有基（例えば、ＮＲ６Ｒ７（式中、Ｒ６とＲ７は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、及びＣ３−Ｃ８シクロアルキルからなる群から選択される）等）からなる群から選択され、或いは、ＮＲ１Ｒ２は、分子部分：
【化２】
2007508389.tif 000002
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、
Ｒ４は、Ｃ１−Ｃ４アルキレン、シリレン（−ＳｉＨ２−）、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン及びＮＲ８（式中、Ｒ８は、Ｈ、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル及びＣ１−Ｃ４アルキルからなる群から選択される）からなる群から選択され、
ｎは、１、２、３、又は４であるが、Ｒ４がシリレン、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン又はＮＲ８である場合、ｎは、１でなければならない］；
（ii）式（ＩＩ）の鎖状結合したアミンタンタル錯体：
【化３】
2007508389.tif 000003
［式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５の各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、Ｃ６−Ｃ１０アリール及び窒素含有基（例えば、ＮＲ６Ｒ７（式中、Ｒ６及びＲ７は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、及びＣ３−Ｃ８シクロアルキルからなる群から選択される）等）からなる群から選択され、或いは、ＮＲ１Ｒ２は、分子部分：
【化４】
2007508389.tif 000004
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、
Ｒ４は、Ｃ１−Ｃ４アルキレン、シリレン（−ＳｉＨ２−）、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン及びＮＲ８（式中、Ｒ８は、Ｈ、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル及びＣ１−Ｃ４アルキルからなる群から選択される）からなる群から選択され、
ｎは、１、２、３、又は４であるが、Ｒ４がシリレン、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン又はＮＲ８である場合、ｎは、１でなければならない］；および
（ｉｉｉ）式（ＩＩＩ）のタンタルアミド化合物：
（Ｒ１Ｒ２Ｎ）５−ｎＴａ(ＮＲ３Ｒ４）ｎ    （ＩＩＩ）
［式中、
ＮＲ１Ｒ２とＮＲ３Ｒ４のうち少なくとも一方が、分子部分：
【化５】
2007508389.tif 000005
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、ＮＲ１Ｒ２とＮＲ３Ｒ４の一方だけが、前記分子部分であるとき、
【化６】
2007508389.tif 000006
ＮＲ１Ｒ２とＮＲ３Ｒ４のもう一方が、ＮＲ１Ｒ２の場合には、置換基Ｒ１、Ｒ２を有し、ＮＲ３Ｒ４の場合には、置換基Ｒ３、Ｒ４を有し、前記置換基は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、及びＣ６−Ｃ１０アリールからなる群から選択され、
ｎは、１、２、３又は４である］
からなる群から選択される少なくとも１種のタンタル種を含む、前駆体組成物。
【請求項２】
前記タンタル種のための溶媒をさらに含む、請求項１に記載の前駆体組成物。
【請求項３】
前記溶媒が、Ｃ６−Ｃ１０アルカン、Ｃ６−Ｃ１０芳香族、及びそれらの相溶性混合物からなる群から選択される溶媒種を含む、請求項２に記載の前駆体組成物。
【請求項４】
前記溶媒が、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、トルエン及びキシレンからなる群から選択される溶媒種を含む、請求項２に記載の前駆体組成物。
【請求項５】
式（Ｉ）の少なくとも１種の鎖状結合したアミンタンタル錯体を含む、請求項１に記載の前駆体組成物。
【請求項６】
式（ＩＩ）の少なくとも１種の鎖状結合したアミンタンタル錯体を含む、請求項１に記載の前駆体組成物。
【請求項７】
式（ＩＩＩ）の少なくとも１種のタンタルアミド化合物を含む、請求項１に記載の前駆体組成物。
【請求項８】
η２−Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミノ−トリス−ジメチルアミノタンタル。
【請求項９】
ビス−ジエチルアミノ−トリス−ジメチルアミノタンタル。
【請求項１０】
η２−Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミノ−トリス−ジメチルアミノタンタル。
【請求項１１】
η２−Ｎ，Ｎ’−ジメチルプロパンジアミノ−トリス−ジメチルアミノタンタル。
【請求項１２】
前記前駆体を気化させて前駆体の蒸気を発生させることと、前記前駆体の蒸気を前記基板と接触させて、その上に前記Ｔａ材料を形成することを含む、前駆体から基板上にＴａ材料を形成する方法であって、前記前駆体は、
（i)式（Ｉ）の鎖状結合したアミンタンタル錯体：
【化７】
2007508389.tif 000007
［式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５の各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、Ｃ６−Ｃ１０アリール及び窒素含有基（例えば、ＮＲ６Ｒ７（式中、Ｒ６及びＲ７は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、及びＣ３−Ｃ８シクロアルキルからなる群から選択される）等）からなる群から選択され、或いは、ＮＲ１Ｒ２は、分子部分：
【化８】
2007508389.tif 000008
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、
Ｒ４は、Ｃ１−Ｃ４アルキレン、シリレン（−ＳｉＨ２−）、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン及びＮＲ８（式中、Ｒ８は、Ｈ、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル及びＣ１−Ｃ４アルキルからなる群から選択される）からなる群から選択され、
ｎは、１、２、３、又は４であるが、Ｒ４がシリレン、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン又はＮＲ８である場合、ｎは、１でなければならない］；
（ii）式（ＩＩ）の鎖状結合したアミンタンタル錯体：
【化９】
2007508389.tif 000009
［式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５の各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、Ｃ６−Ｃ１０アリール及び窒素含有基（例えば、ＮＲ６Ｒ７（式中、Ｒ６とＲ７は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、及びＣ３−Ｃ８シクロアルキルからなる群から選択される）等）からなる群から選択され、或いは、ＮＲ１Ｒ２は、分子部分：
【化１０】
2007508389.tif 000010
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、
Ｒ４は、Ｃ１−Ｃ４アルキレン、シリレン（−ＳｉＨ２−）、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン及びＮＲ８（式中、Ｒ８は、Ｈ、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル及びＣ１−Ｃ４アルキルからなる群から選択される）からなる群から選択され、
ｎは、１、２、３、又は４であるが、Ｒ４がシリレン、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン又はＮＲ８である場合、ｎは、１でなければならない］；および
（ｉｉｉ）式（ＩＩＩ）のタンタルアミド化合物：
（Ｒ１Ｒ２Ｎ）５−ｎＴａ(ＮＲ３Ｒ４）ｎ    （ＩＩＩ）
［式中、
ＮＲ１Ｒ２とＮＲ３Ｒ４のうち少なくとも一方が、分子部分：
【化１１】
2007508389.tif 000011
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、ＮＲ１Ｒ２とＮＲ３Ｒ４の一方だけが、前記分子部分であるとき、
【化１２】
2007508389.tif 000012
ＮＲ１Ｒ２とＮＲ３Ｒ４のもう一方が、ＮＲ１Ｒ２の場合には、置換基Ｒ１、Ｒ２を有し、ＮＲ３Ｒ４の場合には、置換基Ｒ３、Ｒ４を有し、前記置換基は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、およびＣ６−Ｃ１０アリールからなる群から選択され、
ｎは、１、２、３または４である］
からなる群から選択される少なくとも１種のタンタル種を含む、方法。
【請求項１３】
前記基板上に形成される前記材料が、ＴａＮである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記前駆体組成物が、前記タンタル種のための溶媒をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記溶媒が、Ｃ６−Ｃ１０アルカン、Ｃ６−Ｃ１０芳香族、及びそれらの相溶性混合物からなる群から選択される溶媒種を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記溶媒が、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、トルエン及ぶキシレンからなる群から選択される溶媒種を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記Ｔａ材料の液体供給化学蒸着を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
化学蒸着および原子層堆積からなる群から選択される技法により、前記基板上への前記Ｔａ材料の堆積を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板が、マイクロエレクトロニクス素子構造を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記Ｔａ材料が、ＴａＮ又はＴａＳｉＮを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記Ｔａ材料を前記基板上に堆積した後の前記基板を金属化することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板上への強誘電性薄膜の形成することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記Ｔａ材料が、ＴａＮを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２４】
前記Ｔａ材料が、Ｔａ２Ｏ５を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２５】
前記Ｔａ材料が、ＢｉＴａＯ４を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２６】
前記基板上にＴａＮを形成するための前記前駆体の液体供給化学蒸着を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２７】
銅で前記基板を金属化することをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記基板上に強誘電性薄膜を形成することをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前駆体組成物が、η２−Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミノ−トリス−ジメチルアミノタンタルを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項３０】
前駆体組成物が、ビス−ジエチルアミノ−トリス−ジメチルアミノタンタルを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項３１】
前駆体組成物が、η２−Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミノ−トリス−ジメチルアミノタンタルを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項３２】
前駆体組成物が、η２−Ｎ，Ｎ’−ジメチルプロパンジアミノ−トリス−ジメチルアミノタンタルを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項３３】
液体供給化学蒸着を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項３４】
式（Ｉ）：
【化１３】
2007508389.tif 000013
［式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５の各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、Ｃ６−Ｃ１０アリール及び窒素含有基（例えば、ＮＲ６Ｒ７（式中、Ｒ６とＲ７は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、及びＣ３−Ｃ８シクロアルキルからなる群から選択される）等）からなる群から選択され、或いは、ＮＲ１Ｒ２は、分子部分：
【化１４】
2007508389.tif 000014
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、
Ｒ４は、Ｃ１−Ｃ４アルキレン、シリレン（−ＳｉＨ２−）、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン及びＮＲ８（式中、Ｒ８は、Ｈ、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル及びＣ１−Ｃ４アルキルからなる群から選択される）からなる群から選択され、
ｎは、１、２、３、又は４であるが、Ｒ４がシリレン、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン又はＮＲ８である場合、ｎは、１でなければならない］
のタンタル錯体を製造する方法であって、前記方法は、
式（ＩＶ）の化合物とＬｉＮＲ５（Ｒ４）ｎＮＲ３Ｌｉ
【化１５】
2007508389.tif 000015
［式中、Ｒ１〜Ｒ５及びｎは、上記に定義される通りである］
を反応させることを含む、方法。
【請求項３５】
式（ＩＩ）：
【化１６】
2007508389.tif 000016
［式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５の各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、Ｃ６−Ｃ１０アリール及び窒素含有基（例えば、ＮＲ６Ｒ７（式中、Ｒ６とＲ７は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、及びＣ３−Ｃ８シクロアルキルからなる群から選択される）等）からなる群から選択され、或いは、ＮＲ１Ｒ２は、分子部分：
【化１７】
2007508389.tif 000017
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、
Ｒ４は、Ｃ１−Ｃ４アルキレン、シリレン（−ＳｉＨ２−）、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン及びＮＲ８（式中、Ｒ８は、Ｈ、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル及びＣ１−Ｃ４アルキルからなる群から選択される）からなる群から選択され、
ｎは、１、２、３、又は４であるが、Ｒ４がシリレン、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン又はＮＲ８である場合、ｎは、１でなければならない］
のタンタル錯体を製造する方法であって、前記方法は、
ＴａＸ５とＬｉＮＲ５（Ｒ４）ｎＮＲ３Ｌｉを反応させて、式（Ｖ）
【化１８】
2007508389.tif 000018
［式中、Ｒ３〜Ｒ５及びｎは、上記に定義される通りであり、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである］
の化合物を生じることと、
式（Ｖ）の化合物とＬｉＮ（Ｒ１Ｒ２）
［式中、Ｒ１とＲ２は、上記に定義される通りである］
を反応させることを含む、方法。
【請求項３６】
式（ＩＩＩ）：
（Ｒ１Ｒ２Ｎ）５−ｎＴａ（ＮＲ３Ｒ４）ｎ      （ＩＩＩ）
［式中、
Ｒ１〜Ｒ４の各々は、独立して、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、Ｃ６−Ｃ１０アリールからなる群から選択され、或いは、ＮＲ１Ｒ２又はＮＲ３Ｒ４は、分子部分：
【化１９】
2007508389.tif 000019
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、
ｎは、１、２、３、又は４である］
のタンタルアミド化合物を製造する方法であって、前記方法は、
化合物（ＩＶ）とＬｉＮＲ３Ｒ４
【化２０】
2007508389.tif 000020
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は、上記に定義される通りである］
を反応させること含む、方法。
【請求項３７】
前駆体を気化させて前駆体の蒸気を発生させることと、前記前駆体の蒸気を基板と接触させて、その上にＴａ材料を形成することを含む、マイクロエレクトロニクスデバイスの製造方法であって、
前記マイクロエレクトロニクスデバイスは前記基板を備え、
前記前駆体は、
（i)式（Ｉ）の鎖状結合したアミンタンタル錯体：
【化７】
2007508389.tif 000021
［式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５の各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、Ｃ６−Ｃ１０アリール及び窒素含有基（例えば、ＮＲ６Ｒ７（式中、Ｒ６及びＲ７は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、及びＣ３−Ｃ８シクロアルキルからなる群から選択される）等）からなる群から選択され、或いは、ＮＲ１Ｒ２は、分子部分：
【化８】
2007508389.tif 000022
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、
Ｒ４は、Ｃ１−Ｃ４アルキレン、シリレン（−ＳｉＨ２−）、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン及びＮＲ８（式中、Ｒ８は、Ｈ、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル及びＣ１−Ｃ４アルキルからなる群から選択される）からなる群から選択され、
ｎは、１、２、３、又は４であるが、Ｒ４がシリレン、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン又はＮＲ８である場合、ｎは、１でなければならない］；
（ii）式（ＩＩ）の鎖状結合したアミンタンタル錯体：
【化９】
2007508389.tif 000023
［式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５の各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、Ｃ６−Ｃ１０アリール及び窒素含有基（例えば、ＮＲ６Ｒ７（式中、Ｒ６とＲ７は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、及びＣ３−Ｃ８シクロアルキルからなる群から選択される）等）からなる群から選択され、或いは、ＮＲ１Ｒ２は、分子部分：
【化１０】
2007508389.tif 000024
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、
Ｒ４は、Ｃ１−Ｃ４アルキレン、シリレン（−ＳｉＨ２−）、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン及びＮＲ８（式中、Ｒ８は、Ｈ、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル及びＣ１−Ｃ４アルキルからなる群から選択される）からなる群から選択され、
ｎは、１、２、３、又は４であるが、Ｒ４がシリレン、Ｃ１−Ｃ４ジアルキルシリレン又はＮＲ８である場合、ｎは、１でなければならない］；および
（ｉｉｉ）式（ＩＩＩ）のタンタルアミド化合物：
（Ｒ１Ｒ２Ｎ）５−ｎＴａ(ＮＲ３Ｒ４）ｎ    （ＩＩＩ）
［式中、
ＮＲ１Ｒ２とＮＲ３Ｒ４のうち少なくとも一方が、分子部分：
【化１１】
2007508389.tif 000025
（式中、ｍは、１、２、３、４、５又は６である）
によって表される場合もあり、ＮＲ１Ｒ２とＮＲ３Ｒ４の一方だけが、前記分子部分であるとき、
【化１２】
2007508389.tif 000026
ＮＲ１Ｒ２とＮＲ３Ｒ４のもう一方が、ＮＲ１Ｒ２の場合には、置換基Ｒ１、Ｒ２を有し、ＮＲ３Ｒ４の場合には、置換基Ｒ３、Ｒ４を有し、前記置換基は、同一もしくは互いに異なり、各々は、独立して、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シリル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキルシリル、およびＣ６−Ｃ１０アリールからなる群から選択され、
ｎは、１、２、３または４である］
からなる群から選択される少なくとも１種のタンタル種を含む、方法。
【請求項３８】
前記前駆体は、式（Ｉ）の鎖状結合したアミンタンタル錯体から選択される、少なくとも１種のタンタル種を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記前駆体は、式（ＩＩ）の鎖状結合したアミンタンタル錯体から選択される、少なくとも１種のタンタル種を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】
前記前駆体は、式（ＩＩＩ）のタンタルアミド化合物から選択される少なくとも１種のタンタル種を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４１】
前記マイクロエレクトロニクスデバイスが銅金属化層を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４２】
前記マイクロエレクトロニクスデバイスが強誘電性層を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４３】
前記接触が化学蒸着を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４４】
前記接触が原子層堆積を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４５】
ＤＥＭＡＴ蒸気を含む、蒸着プロセスでタンタルを堆積するための前駆体の蒸気。
【請求項４６】
ＤＥＭＡＴ原液から構成される、蒸着プロセスでタンタルを堆積するための液体前駆体。
【請求項４７】
前記ＤＥＭＡＴ原液が高純度ＤＥＭＡＴを含む、請求項４６に記載の液体前駆体。
【請求項４８】
基板上にタンタル含有バリヤ層を形成する方法であって、ＤＥＭＡＴを含む前駆体の蒸気から前記基板上にタンタルを堆積させることを含む、方法。
【請求項４９】
前記タンタル含有バリヤ層が、ＴａＮバリヤ層、Ｔａ２Ｏ５バリヤ層、ＴａＳｉＮバリヤ層、及び、ＢｉＴａＯ４バリヤ層からなる群から選択されるバリヤ層を含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
前記タンタル含有バリヤ層がＴａＮバリヤ層を含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５１】
前記タンタル含有バリヤ層がＴａ２Ｏ５バリヤ層を含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５２】
前記タンタル含有バリヤ層がＴａＳｉＮバリヤ層を含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５３】
前記タンタル含有バリヤ層がＢｉＴａＯ４バリヤ層を含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５４】
前記堆積がＡＬＤ又はＣＶＤを含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５５】
前記堆積が液体供給化学蒸着を含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５６】
前記基板がマイクロエレクトロニクス素子構造を含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５７】
前記マイクロエレクトロニクス素子構造が集積回路を含む、請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】
前記集積回路が、銅金属化及び／又は強誘電性層を含む、請求項５７に記載の方法。
【請求項５９】
前記集積回路が銅金属化層を含む、請求項５７に記載の方法。
【請求項６０】
前記集積回路が少なくとも１つの強誘電性層を含む、請求項５７に記載の方法。
【請求項６１】
前記堆積がＡＬＤを含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項６２】
前記堆積がＣＶＤを含む、請求項４８に記載の方法。