(57)【要約】      （修正有）【課題】電子ビーム出射窓を構成する部材自身で、電子ビーム透過領域のエッジ部分に電子ビームが当たらないように遮蔽することを可能にする。【解決手段】電子ビーム出射窓が形成された真空容器の内部に電子ビーム発生器が設けられた電子ビーム管において、前記電子ビーム出射窓は、少なくとも前記電子ビーム発生器側からＳｉからなる第１層１２と、第１層の上に形成されたＳｉＯ２からなるエッチングストップ層１３と、エッチングストップ層の上に形成されたＳｉからなる第２層１４と、第２層の上に形成された電子ビームが透過するＳｉ化合物からなる電子ビーム透過層１５とからなり、第１層、エッチングストップ層、及び第２層をそれぞれエッチング処理により電子ビームが通過する貫通孔１６を形成し、第１層の貫通孔を形成する側面１７を、第２層の貫通孔を形成する側面１９より、貫通孔の中心側に突出させる。【選択図】図２
2006105908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム出射窓が形成された真空容器の内部に電子ビーム発生器が設けられた電子ビーム管において、
前記電子ビーム出射窓は、少なくとも前記電子ビーム発生器側からＳｉからなる第１層と、該第１層の上に形成されたＳｉＯ２からなるエッチングストップ層と、該エッチングストップ層の上に形成されたＳｉからなる第２層と、該第２層の上に形成された電子ビームが透過するＳｉ化合物からなる電子ビーム透過層とからなり、
前記第１層、前記エッチングストップ層、及び前記第２層をそれぞれエッチング処理により電子ビームが通過する貫通孔を形成し、前記第１層の貫通孔を形成する側面が、前記第２層の貫通孔を形成する側面より、貫通孔の中心側に突出していることを特徴とする電子ビーム管。
【請求項２】
電子ビーム出射窓が形成された真空容器の内部に電子ビーム発生器が設けられた電子ビーム管において、
前記電子ビーム出射窓は、少なくとも前記電子ビーム発生器側からＳｉからなる第１層と、該第１層の上に形成されたＳｉＯ２からなる第１のエッチングストップ層と、該第１のエッチングストップ層の上に形成されたＳｉからなる第２層と、該第２層の上に形成されたＳｉＯ２からなる第２のエッチングストップ層と、該第２のエッチングストップ層の上に形成されたＳｉ膜及び該Ｓｉ膜上に形成されたＳｉ化合物からなる電子ビーム透過層とからなり、
前記第１層、第１のエッチングストップ層、第２層、及び第２のエッチングストップ層をそれぞれエッチング処理により電子ビームが通過する貫通孔を形成し、前記第１層の貫通孔を形成する側面が、前記第２層の貫通孔を形成する側面より、貫通孔の中心側に突出していることを特徴とする電子ビーム管。
【請求項３】
前記第１層の貫通孔を形成する側面は、前記第２層の貫通孔を形成する側面より、貫通孔の中心側に１０乃至１００μｍ突出していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子ビーム管。            
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビームを放射する電子ビーム管に係わり、特に、電子ビーム出射窓の薄膜部縁部の破損を防止して高寿命化を図った電子ビーム管に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子ビーム管から放射される電子ビームを利用して、半導体ウエハ等に塗布されたレジストの硬化や各種印刷物に塗布されたインクの乾燥等が行われている。
このような電子ビーム管の電子ビーム出射窓は、電子ビームを透過しつつも、真空容器内の気密を保つために、シリコンウエハを材料にしてエッチング処理により薄膜化することにより形成されている。特表２０００−５１２７９４号公報にはこのような電子ビーム管の一例が開示されている。
【０００３】
図６（ａ）は、従来技術に係る電子ビーム管の電子ビーム出射窓の一部を拡大して示した図である。
この電子ビーム出射窓は、電子ビーム発生器側からＳｉからなる下部層１０１と、該下部層の上に形成されたＳｉＯ２からなるエッチングストップ層１０２と、該エッチングストップ層１０２の上に形成されたＳｉからなる上部層１０３とから構成され、下部層１０１をＫＯＨの溶液によりウエットエッチングし、このウエットエッチングがエッチングストップ層１０２によって止まることにより、エッチングストップ層１０２と上部層１０３とが残り、この薄膜化された部分が電子ビーム出射窓の電子ビーム透過領域として利用される。
【０００４】
図６（ｂ）は、他の従来技術に係る電子ビーム管の電子ビーム出射窓の一部を拡大して示した図である。
この電子ビーム出射窓は、図６（ａ）で示した電子ビーム出射窓において、エッチングストップ層１０２をさらにフッ酸でエッチングして、上部層１０３のみを残し、この部分を電子ビーム出射窓の電子ビーム透過領域として利用するものである。
【０００５】
図６（ｃ）は、さらに他の従来技術に係る電子ビーム管の電子ビーム出射窓の一部を拡大して示した図である。
この電子ビーム出射窓は、図６（ｂ）で示した電子ビーム出射窓において、上部層１０３もエッチングする場合であり、この場合は、上部層１０３の上に、予めＳｉＣやＳｉＮ等の電子ビーム透過層１０４を形成しておき、この部分を電子ビーム出射窓の電子ビーム透過領域として利用するものである。
【０００６】
このように、電子ビーム管の電子ビーム出力窓は、ＳｉやＳｉＯ２を組み合わせ、更には必要に応じて電子ビーム透過層にＳｉＣやＳｉＮ等を用いて形成されている。
【０００７】
しかし、電子ビーム出射窓の周縁部に形成される応力集中部に電子ビームが衝突すると、この部分で原子間結合が切られてしまい、この応力集中部において薄膜が変形し、更には電子ビーム管内部が真空状態にあるため電子ビーム管内部と外部との雰囲気圧力差によって、この応力集中部に大きな応力が掛かり、その結果、この応力集中部を起点として窓部が破壊され易く、電子ビーム管の使用寿命を長いものとすることができなかった。
【０００８】
このような問題を解決するために、特開２００３−２７２５３５号公報には、図７（ａ）に示すように、電子ビーム透過領域のエッジ部分１０６に電子が当たらないようにするために、真空容器内の電子ビーム発生器と電子ビーム出射窓との間に、Ｓｉからなる遮蔽手段１０５を設けている。
【０００９】
【特許文献１】特表２０００−５１２７９４号公報
【特許文献２】特開２００３−２７２５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上記特開２００３−２７２５３５号公報に示すような解決手段では、図７（ｂ）に示すように、電子ビーム出射窓の薄膜化された電子ビーム透過領域と遮蔽手段１０５との位置合わせが難しく、位置ずれが生じた場合には、電子ビーム透過領域のエッジ部分１０６の遮蔽が行われず、エッジ部分１０６に電子ビームが当たる場合があった。
【００１１】
本発明の目的は、従来技術に示すような電子ビーム出射窓を構成する部材以外の遮蔽部材を用いることなく、電子ビーム出射窓を構成する部材自身で、電子ビーム透過領域のエッジ部分に電子ビームが当たらないように遮蔽することを可能にした電子ビーム管を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記の課題を解決するために、次のような手段を採用した。  
第１の手段は、電子ビーム出射窓が形成された真空容器の内部に電子ビーム発生器が設けられた電子ビーム管において、前記電子ビーム出射窓は、少なくとも前記電子ビーム発生器側からＳｉからなる第１層と、該第１層の上に形成されたＳｉＯ２からなるエッチングストップ層と、該エッチングストップ層の上に形成されたＳｉからなる第２層と、該第２層の上に形成された電子ビームが透過するＳｉ化合物からなる電子ビーム透過層とからなり、前記第１層、前記エッチングストップ層、及び前記第２層をそれぞれエッチング処理により電子ビームが通過する貫通孔を形成し、前記第１層の貫通孔を形成する側面が、前記第２層の貫通孔を形成する側面より、貫通孔の中心側に突出していることを特徴とする電子ビーム管である。
【００１３】
第２の手段は、電子ビーム出射窓が形成された真空容器の内部に電子ビーム発生器が設けられた電子ビーム管において、前記電子ビーム出射窓は、少なくとも前記電子ビーム発生器側からＳｉからなる第１層と、該第１層の上に形成されたＳｉＯ２からなる第１のエッチングストップ層と、該第１のエッチングストップ層の上に形成されたＳｉからなる第２層と、該第２層の上に形成されたＳｉＯ２からなる第２のエッチングストップ層と、該第２のエッチングストップ層の上に形成されたＳｉ膜及び該Ｓｉ膜上に形成されたＳｉ化合物からなる電子ビーム透過層とからなり、前記第１層、第１のエッチングストップ層、第２層、及び第２のエッチングストップ層をそれぞれエッチング処理により電子ビームが通過する貫通孔を形成し、前記第１層の貫通孔を形成する側面が、前記第２層の貫通孔を形成する側面より、貫通孔の中心側に突出していることを特徴とする電子ビーム管である。
【００１４】
第３の手段は、第１の手段又は第２の手段において、前記第１層の貫通孔を形成する側面は、前記第２層の貫通孔を形成する側面より、貫通孔の中心側に１０乃至１００μｍ突出していることを特徴とする電子ビーム管である。      
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に記載の発明によれば、電子ビーム出射窓が形成された真空容器の内部に電子ビーム発生器が設けられた電子ビーム管において、前記電子ビーム出射窓は、少なくとも前記電子ビーム発生器側からＳｉからなる第１層と、該第１層の上に形成されたＳｉＯ２からなるエッチングストップ層と、該エッチングストップ層の上に形成されたＳｉからなる第２層と、該第２層の上に形成された電子ビームが透過するＳｉ化合物からなる電子ビーム透過層とからなり、前記第１層、前記エッチングストップ層、及び前記第２層をそれぞれエッチング処理により電子ビームが通過する貫通孔を形成し、前記第１層の貫通孔を形成する側面が、前記第２層の貫通孔を形成する側面より、貫通孔の中心側に突出しているので、従来技術のような電子ビーム出射窓を構成する部材以外の遮蔽部材を必要としないので、遮蔽部材を用いた場合のような位置合わせが不要となり、また、電子ビーム出射窓を構成する第１層により、電子ビーム透過領域のエッジ部に電子ビームが当たらないよう遮蔽することができるので、電子ビーム出射窓の破損を確実に防止でき、高寿命の電子ビーム管を得ることができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、電子ビーム出射窓が形成された真空容器の内部に電子ビーム発生器が設けられた電子ビーム管において、前記電子ビーム出射窓は、少なくとも前記電子ビーム発生器側からＳｉからなる第１層と、該第１層の上に形成されたＳｉＯ２からなる第１のエッチングストップ層と、該第１のエッチングストップ層の上に形成されたＳｉからなる第２層と、該第２層の上に形成されたＳｉＯ２からなる第２のエッチングストップ層と、該第２のエッチングストップ層の上に形成されたＳｉ膜及び該Ｓｉ膜上に形成されたＳｉ化合物からなる電子ビーム透過層とからなり、前記第１層、第１のエッチングストップ層、第２層、及び第２のエッチングストップ層をそれぞれエッチング処理により電子ビームが通過する貫通孔を形成し、前記第１層の貫通孔を形成する側面が、前記第２層の貫通孔を形成する側面より、貫通孔の中心側に突出しているので、請求項１に記載の発明の効果に加えて、電子ビーム透過層がＳｉ膜を有するために熱伝導性に優れ熱放散されるために、より一層電子ビーム出射窓の破損を防止することができ、高寿命の電子ビーム管を得ることができる。
【００１７】
請求項３に記載の発明によれば、前記第１層の貫通孔を形成する側面は、前記第２層の貫通孔を形成する側面より、貫通孔の中心側に１０乃至１００μｍ突出させたので、電子ビーム透過層の応力の発生しているエッジ部分に確実に電子ビームが当たらないようにすることができるとともに、電子ビームの出力効率を悪化させないようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の第１の実施形態を図１乃至図２を用いて説明する。
図１は、本実施形態の発明に係る電子ビーム管の概略構成を示す図である。
電子ビーム管１は、真空容器２と、この真空容器２内に設けられた電子ビームの乱射防止用の金属スリーブ３と、金属スリーブ３の内部に配設された電子ビーム発生器４とから構成されている。真空容器２は、下方側が封止された管部材５と、電子ビーム発生器４からの電子ビームが通過する電子ビーム通過孔６が形成された蓋部材７と、蓋部材７の電子ビーム通過孔６を前面において密閉するように設けられた電子ビーム出射窓８とから構成されている。
電子ビーム出射窓８は、シリコンウエハ等を材料とし、シリコンウエハの所定領域をエッチング処理することによって、薄膜化された小さな複数の出射窓として左右方向に並んで形成される。
【００１９】
図２（ａ）〜図２（ｃ）は、図１に示した電子ビーム出射窓８を形成するための作成過程を説明するための図である。
これらの図において、１１はマスク、１２は結晶方位が（１１０）の面を有するＳｉからなる第１層、１３は第１層１２上に形成されたＳｉＯ２からなるエッチングストップ層（埋込み酸化膜、ＢＯＸ；Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｌａｙｅｒ）、１４はエッチングストップ層１３上に形成された結晶方位が（１１０）の面を有するＳｉからなる第２層、１５は電子ビーム出射窓８の最表面となるＳｉＣやＳｉＮ等のＳｉ化合物からなる電子ビーム透過層、１６はエッチングによって形成された貫通孔、１７は第１層１２の貫通孔１６に面する側面、１８はエッチングストップ層１３の貫通孔１６に面する側面、１９は第２層１４の貫通孔１６に面する側面、２０は電子ビーム透過層１５のエッジ部分、２１は電子ビームである。
【００２０】
次に、図２（ａ）〜図２（ｃ）を用いて、電子ビーム出射窓８の作成方法について説明する。
まず、図２（ａ）において、結晶方位が（１１０）の面を有するＳｉからなる第１層１２をマスク１１のパターンに従って、ドライエッチング又はウエットエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、エッチングストップ層１３をフッ酸によるウエットエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。この時、エッチング時間を長くすることにより、エッチングストップ層１３を過度にエッチングし、図中左右方向に第１層１２の貫通孔１６を形成する側面１７より幅広に貫通孔１６を形成する。次に、図２（ｃ）に示すように、結晶方位が（１１０）の面を有するＳｉからなる第２層１４をウエットエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。この時、第２層１４は、エッチングストップ層１３の貫通孔１６を形成する側面１８を基準にして、側面１９になるようにエッチングされる。
【００２１】
この結果、第１層１２の貫通孔１６を形成する側面１７は、エッチングストップ層１３の貫通孔１６を形成する側面１８や第２層１４の貫通孔１６を形成する側面１９より、貫通孔１６の中心側に突出した状態で形成される。
そのため、第１層１２の貫通孔１６を形成する側面１７によって、電子ビーム透過層１５のエッジ部分２０が遮蔽されることになり、確実に電子ビーム透過領域のエッジ部分２０に電子ビーム２１が当たらないようにすることができる。
【００２２】
このように、本実施形態の発明によれば、従来技術のような電子ビーム出射窓を構成する部材以外の遮蔽部材を必要としないので、遮蔽部材を用いた場合のような位置合わせが不要となり、また、電子ビーム出射窓８を構成する第１層１２により、電子ビーム透過領域のエッジ部２０に電子ビーム２１が当たらないよう遮蔽することができるので、電子ビーム出射窓８の破損を確実に防止でき、高寿命の電子ビーム管１を得ることができる。
【００２３】
ここで、第１層１２の貫通孔１６を形成する側面１７は、第２層１４の貫通孔１６を形成する側面１９より、貫通孔１６の中心側に１０〜１００μｍ突出するようにした。
突出長を上記範囲に設定する理由は、電子ビーム透過領域のエッジ部分２０は、応力の発生しているところが１０μｍ以上のところであり、第１層１２の側面１７の突出長が１０μｍ以下であると、応力の発生しているエッジ部分に電子ビームが当たるためである。
また、突出長が１００μｍ以上であると、必要以上に電子ビーム透過領域を遮蔽することになり、電子ビーム出力の効率が悪くなるためである。
なお、貫通孔１６の中心側に１０〜１００μｍ突出させることは、下記に示す他の実施形態の場合にも、同様に適用される。
【００２４】
次に、本発明の第２の実施形態を図１及び図３を用いて説明する。
図３（ａ）〜図３（ｄ）は、図１に示した電子ビーム出射窓８を形成するための作成過程を説明するための図である。
これらの図において、２２は結晶方位が（１００）の面を有するＳｉからなる第１層、２３はエッチングストップ層１３上に形成された結晶方位が（１００）の面を有するＳｉからなる第２層である。その他の構成は図２（ａ）〜図２（ｃ）に示した同符号の構成に対応するので、説明を省略する。
【００２５】
次に、図３（ａ）〜図３（ｄ）を用いて、電子ビーム出射窓８の作成方法について説明する。
まず、図３（ａ）において、結晶方位が（１００）の面を有するＳｉからなる第１層２２をマスク１１のパターンに従って、ドライエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。次に、図３（ａ）に示したドライエッチングによって形成された第１層２２の面に対して、ウエットエッチングを行い、図３（ｂ）に示すように、断面が３角形状にエッチングされた第１層２２の側面２４を得る。次に、図３（ｃ）に示すように、エッチングストップ層１３をフッ酸によるウエットエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。この時、エッチング時間を長くすることにより、エッチングストップ層１３が過度にエッチングされ、図中左右方向に第１層２２の貫通孔１６を形成する側面２４より幅広に貫通孔１６が形成される。次に、図３（ｄ）に示すように、結晶方位が（１００）の面を有するＳｉからなる第１層２２及び結晶方位が（１００）の面を有するＳｉからなる第２層２３をウエットエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。この時、第２層２３は、エッチングストップ層１３の貫通孔１６を形成する側面１８を基準にして、側面２５が側面２４より貫通孔１６の左右方向に深くエッチングされる。
【００２６】
この結果、第１層２２の貫通孔１６を形成する側面２４が、エッチングストップ層１３の貫通孔１６を形成する側面１８や第２層２３の貫通孔１６を形成する側面２５より、貫通孔１６の中心側に突出した状態で形成される。
よって、第１層２２の貫通孔１６を形成する側面２４の電子ビームの入射側端部が突出することになるので、電子ビーム透過層１５のエッジ部分２０が遮蔽されることになり、確実に電子ビーム透過領域のエッジ部分２０に電子ビーム２１が当たらないようにすることができる。
【００２７】
次に、本発明の第３の実施形態を図１及び図４を用いて説明する。
図４（ａ）〜図４（ｄ）は、図１に示した電子ビーム出射窓８を形成するための作成過程を説明するための図である。
これらの図に示す各符号の構成は、図２（ａ）〜図２（ｃ）及び図３（ａ）〜図３（ｃ）に示した同符号の構成に対応するので説明を省略する。
【００２８】
次に、図４（ａ）〜図４（ｄ）を用いて、電子ビーム出射窓８の作成方法について説明する。
まず、図４（ａ）において、結晶方位が（１００）の面を有するＳｉからなる第１層２２をマスク１１のパターンに従って、ドライエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。次に、図４（ａ）に示すドライエッチングによって形成された第１層２２の面に対して、ウエットエッチングを行い、図４（ｂ）に示すように、３角形状にエッチングされた第１層２２の側面２４を得る。次に、図４（ｃ）に示すように、エッチングストップ層１３をフッ酸によるウエットエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。この時、エッチング時間を長くすることにより、エッチングストップ層１３が過度にエッチングされ、図中左右方向に第１層２２の貫通孔１６を形成する側面２４の上部端部より幅広に貫通孔１６が形成される。次に、図４（ｄ）に示すように、結晶方位が（１００）の面を有するＳｉからなる第１層２２及び結晶方位が（１１０）の面を有するＳｉからなる第２層１４をウエットエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。
【００２９】
この結果、第１層２２の貫通孔１６を形成する側面２４が、エッチングストップ層１３の貫通孔１６を形成する側面１８や第２層１４の貫通孔１６を形成する側面１９より、貫通孔１６の中心側に突出した状態で形成される。
よって、第１層２２の貫通孔１６を形成する側面２４の電子ビーム２１の入射側端部が貫通孔１６側に突出するように形成されるので、電子ビーム透過層１５のエッジ部分２０が遮蔽されることになり、確実に電子ビーム透過領域のエッジ部分２０に電子ビーム２１が当たらないようにすることができる。
【００３０】
次に、本発明の第４の実施形態を図１及び図５を用いて説明する。
図５（ａ）〜図５（ｄ）は、図１に示した電子ビーム出射窓８を形成するための作成過程を説明するための図である。
これらの図において、２６は第２層１４上に形成されたＳｉＯ２からなるエッチングストップ層、２７はＳｉ膜、２８は電子ビーム出射窓８の最表面となるＳｉＣやＳｉＮ等からなるＳｉ化合物であり、Ｓｉ膜２７及びＳｉ化合物２８は全体として電子ビームを透過する電子ビーム透過層を形成する。２９はエッチングストップ層２６の貫通孔１６に面する側面である。なお、その他の構成は、図２に示した同符号の構成に対応するので説明を省略する。
【００３１】
次に、図５（ａ）〜図５（ｄ）を用いて、電子ビーム出射窓８の作成方法について説明する。
まず、図５（ａ）において、結晶方位が（１１０）の面を有するＳｉからなる第１層１２をマスク１１のパターンに従って、ドライエッチング又はウエットエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、エッチングストップ層１３をフッ酸によるウエットエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。この時、エッチング時間を長くすることにより、エッチングストップ層１３が過度にエッチングされ、図中左右方向に第１層１２の貫通孔１６を形成する側面１７より幅広に貫通孔１６が形成される。次に、図５（ｃ）に示すように、結晶方位が（１１０）の面を有するＳｉからなる第２層１４をウエットエッチングによって電子ビームが通過する貫通孔１６を形成する。この時、第２層１４は、エッチングストップ層１３の貫通孔１６を形成する側面１８を基準にして、側面１９になるようにエッチングされる。次に、図５（ｄ）に示すように、エッチングストップ層２６をフッ酸によるウエットエッチングによって電子ビーム２１が通過する貫通孔１６を形成する。この時、エッチング時間を長くすることにより、エッチングストップ層２６が過度にエッチングされ、図中左右方向に第２層１４の貫通孔１６を形成する側面１９より幅広に貫通孔１６が形成される。
【００３２】
この結果、第１層１２の貫通孔１６を形成する側面１７が、エッチングストップ層１３の貫通孔１６を形成する側面１８や第２層１４の貫通孔１６を形成する側面１９やエッチングストップ層２６の貫通孔１６を形成する側面２９より、貫通孔１６の中心側に突出した状態で形成される。
よって、第１層１２の貫通孔１６を形成する側面１７によって、電子ビーム透過層（Ｓｉ膜２７及びＳｉ化合物２８）のエッジ部分２０が遮蔽されることになり、確実に電子ビーム透過領域のエッジ部分２０に電子ビーム２１が当たらないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】各実施形態の発明に係る電子ビーム管の概略構成を示す図である。
【図２】図１に示した電子ビーム出射窓８を形成するための作成過程を説明するための図である。
【図３】図１に示した他の電子ビーム出射窓８を形成するための作成過程を説明するための図である。
【図４】図１に示した他の電子ビーム出射窓８を形成するための作成過程を説明するための図である。
【図５】図１に示した他の電子ビーム出射窓８を形成するための作成過程を説明するための図である。
【図６】従来技術に係る電子ビーム管の電子ビーム出射窓の一部を拡大して示した図である。
【図７】従来技術に係る電子ビーム管の電子ビーム出射窓の一部を拡大して示した図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  電子ビーム管
２  真空容器
３  金属スリーブ
４  電子ビーム発生器
５  管部材
６  電子ビーム通過孔
７  蓋部材
８  電子ビーム出射窓
１１  マスク
１２  結晶方位が（１１０）の面を有するＳｉからなる第１層
１３  ＳｉＯ２からなるエッチングストップ層
１４  結晶方位が（１１０）の面を有するＳｉからなる第２層
１５  電子ビーム透過層
１６  貫通孔
１７  第１層１２の貫通孔１６に面する側面
１８  エッチングストップ層１３の貫通孔１６に面する側面
１９  第２層１４の貫通孔１６に面する側面、
２０  エッジ部分
２１  電子ビーム
２２  結晶方位が（１００）の面を有するＳｉからなる第１層
２３  結晶方位が（１００）の面を有するＳｉからなる第２層
２４  第１層２２の貫通孔１６に面する側面
２５  第２層２３の貫通孔１６に面する側面
２６  ＳｉＯ２からなるエッチングストップ層
２７  Ｓｉ膜
２８  Ｓｉ化合物
２９  エッチングストップ層２６の貫通孔１６に面する側面
【図１】
2006105908.tif 000003
【図２】
2006105908.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2006105908.tif 000007
【図６】
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【図７】
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