【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の種層を形成するための少なくとも１つの開口と前記１つの開口を囲む領域とを含むパターン化された絶縁層を備えているウェハの表面に用いられる金属配線方法であって、
ＰＶＤ法を用いて、前記領域および前記少なくとも１つの開口の内側表面に、前記ウェハの表面に均一なめっきを行うために十分な厚さを有する第１の種層を成膜する工程と、
ＣＶＤ法を用いて、前記第１の種層上に、前記領域における厚さが前記第１の種層よりも厚い第２の種層を成膜する工程とを含み、
前記第１の種層および第２の種層のうちの少なくとも一方を、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料で形成し、
Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料からなる金属層を前記第２の種層上に電気めっきによって形成することにより、前記少なくとも１つの開口を前記金属層で満たすことを特徴とする金属配線方法。
【請求項２】
１つ以上の種層を形成するための少なくとも１つの開口と前記１つの開口を囲む領域とを含むパターン化された絶縁層を備えているウェハの表面に用いられる金属配線方法であって、
ＣＶＤ法を用いて、前記領域および前記少なくとも１つの開口の内側表面上に第１の種層を成膜する工程と、
ＰＶＤ法を用いて、前記第１の種層上に、前記ウェハの表面に均一なめっきを行うために十分な厚さを有する第２の種層を成膜する工程とを含み、
前記第１の種層および第２の種層のうちの少なくとも一方を、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料で形成し、
前記少なくとも１つの開口内に電気めっきを施す余地を残すために、前記第１の種層および第２の種層を、これら両種層によって前記少なくとも１つの開口を密閉しないように形成し、
Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料からなる金属層を前記第２の種層上に電気めっきによって形成することにより、前記少なくとも１つの開口を前記金属層で満たすことを特徴とする金属配線方法。
【請求項３】
１つ以上の種層を形成するための少なくとも１つの開口と前記１つの開口を囲む領域とを含むパターン化された絶縁層を備え、前記少なくとも１つの開口が側壁と底とを有しているウェハの表面における金属配線方法であって、
無電解技術または他の実質的に等角な成膜技術を用いて、前記ウェハの表面に、前記少なくとも１つの開口内の側壁および底を連続的に覆うように第１の種層を成膜する工程と、
ＰＶＤ法を用いて、前記第１の種層上に第２の種層を成膜する工程とを含み、
前記第１の種層および第２の種層のうちの少なくとも一方を、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料で形成し、
Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料からなる金属層を前記第２の種層上に電気めっきによって形成することにより、前記少なくとも１つの開口を前記金属層で満たすことを特徴とする金属配線方法。
【請求項４】
１つ以上の種層を形成するための領域とこの領域によって囲まれた少なくとも１つの開口とを含むパターン化された絶縁層を備え、前記少なくとも１つの開口が側壁と底とを有しているウェハの表面における金属配線方法であって、
前記ウェハの表面に、第１の種層を、第１の成膜条件を用いたＰＶＤ法によって成膜する工程と、
前記第１の種層上に、第２の種層を、第２の成膜条件を用いたＰＶＤ法によって成膜する工程とを含み、
前記第１の種層および第２の種層のうちの少なくとも一方を、前記少なくとも１つの開口内の側壁および底を連続的に覆うように成膜し、
前記第２の成膜条件に含まれる成膜パラメータのうちの少なくとも１つを、前記第１の成膜条件に含まれる成膜パラメータと異ならせ、
前記第１の種層および第２の種層のうちの少なくとも一方を、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料で形成し、
前記少なくとも１つの開口内に電気めっきを施す余地を残すために、前記第１の種層および第２の種層を、これら両種層によって前記少なくとも１つの開口を密閉しないように形成し、
Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料からなる金属層を前記第２の種層上に電気めっきによって形成することにより、前記少なくとも１つの開口を前記金属層で満たすことを特徴とする金属配線方法。
【請求項５】
前記第１の種層および第２の種層を、同じＰＶＤ室を用いて成膜することを特徴とする請求項４に記載の金属配線方法。
【請求項６】
１つ以上の種層を形成するための領域とこの領域によって囲まれた少なくとも１つの開口とを含むパターン化された絶縁層を備え、前記少なくとも１つの開口が側壁と底とを有しているウェハの表面における金属配線方法であって、
前記側壁および底に、第１の種層を、第１の成膜条件を用いたＣＶＤ法によって成膜する工程と、
前記第１の種層上に、第２の種層を、第２の成膜条件を用いたＣＶＤ法によって成膜する工程とを含み、
前記第２の成膜条件に含まれる成膜パラメータのうちの少なくとも１つを、前記第１の成膜条件に含まれる成膜パラメータと異ならせ、
前記第１の種層および第２の種層のうちの少なくとも一方を、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料で形成し、
前記少なくとも１つの開口内に電気めっきを施す余地を残すために、前記第１の種層および第２の種層を、これら両種層によって前記少なくとも１つの開口を密閉しないように形成し、
Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料からなる金属層を前記第２の種層上に電気めっきによって形成することにより、前記少なくとも１つの開口を前記金属層で満たすことを特徴とする金属配線方法。
【請求項７】
１つ以上の種層を形成するための少なくとも１つの開口と前記１つの開口を囲む領域とを含むパターン化された絶縁層を備えているウェハの表面に用いられる金属配線方法であって、
前記領域および前記少なくとも１つの開口の内側表面に、３層以上の種層を成膜する工程を含み、
前記３層以上の種層のうちの少なくとも１層を、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料で形成し、
前記３層以上の種層を、これらの種層によって前記少なくとも１つの開口を密閉しないように形成し、
前記３層以上の種層上に、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料を含む金属層を電気めっきによって形成することを特徴とする金属配線方法。
【請求項８】
少なくとも１つの開口と、この開口を取り囲む領域とを有するウェハの表面に種層を成膜するための装置であって、
ＣＶＤ室と、
ＰＶＤ室と、
前記ＣＶＤ室およびＰＶＤ室を動作させるための処理シーケンスおよび処理パラメータを含むレシピ情報を有する制御部とを備え、
前記制御部は、前記レシピ情報に応じて、
前記ＣＶＤ室でウェハの表面にＣＶＤ種層を成膜させた後、前記ＰＶＤ室で前記ＣＶＤ種層上に前記ウェハの表面に均一なめっきを行うために十分な厚さを有するＰＶＤ種層を成膜させ、
前記ＣＶＤ種層およびＰＶＤ種層のうちの少なくとも一方を、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料で形成させ、
前記少なくとも１つの開口内に電気めっきを施す余地を残すために、前記ＣＶＤ種層およびＰＶＤ種層によって前記少なくとも１つの開口が密閉される前にこれら各種層の成膜を終了させる、あるいは、
前記ＰＶＤ室でウェハの表面にＰＶＤ種層を成膜させた後、前記ＣＶＤ室で前記ＰＶＤ種層上にＣＶＤ種層を成膜させ、
前記ＰＶＤ種層およびＣＶＤ種層のうちの少なくとも一方を、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料で形成させ、
前記少なくとも１つの開口内に電気めっきを施す余地を残すために、前記ＣＶＤ種層およびＰＶＤ種層によって前記少なくとも１つの開口が密閉される前にこれら各種層の成膜を終了させることを特徴とする装置。
【請求項９】
少なくとも１つの開口とこの開口を取り囲む領域とを含むパターン化された絶縁層を備えており、前記少なくとも１つの開口が側壁と底とを有しているウェハの表面に、２層以上のＰＶＤ種層を成膜させるための装置であって、
少なくとも１つのＰＶＤ室と、
前記ＰＶＤ室を動作させるための処理シーケンスおよび処理パラメータを含むレシピ情報を有する制御部とを備え、
前記制御部は、前記レシピ情報に応じて、
前記少なくとも１つのＰＶＤ室によってウェハの表面に第１の成膜条件で第１の種層を成膜させた後、前記少なくとも１つのＰＶＤ室によって前記第１の種層上に第２の種層を成膜させ、
前記第１の種層および第２の種層のうちの少なくとも一方を、前記少なくとも１つの開口における前記側壁および底を連続的に覆うように形成し、
前記第２の成膜条件に含まれる成膜パラメータのうちの少なくとも１つを、前記第１の成膜条件に含まれる成膜パラメータと異ならせ、
前記第１の種層および第２の種層のうちの少なくとも一方を、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料で形成させ、
前記少なくとも１つの開口内に電気めっきを施す余地を残すために、前記第１の種層および第２の種層によって前記少なくとも１つの開口が密閉される前にこれら各種層の成膜を終了させることを特徴とする装置。
【請求項１０】
少なくとも１つの開口とこの開口を取り囲む領域とを含むパターン化された絶縁層を備えており、前記少なくとも１つの開口が側壁と底とを有しているウェハの表面に、２層以上のＣＶＤ種層を成膜させるための装置であって、
ウェハの表面にＣＶＤ種層を成膜させるための少なくとも１つのＣＶＤ室と、
前記ＣＶＤ室を動作させるための処理シーケンスおよび処理パラメータを含むレシピ情報を有する制御部とを備え、
前記制御部は、前記レシピ情報に応じて、
前記少なくとも１つのＣＶＤ室によってウェハの表面に第１の成膜条件で第１の種層を成膜させた後、前記少なくとも１つのＣＶＤ室によって前記第１の種層上に第２の種層を成膜させ、
前記第２の成膜条件に含まれる成膜パラメータのうちの少なくとも１つは、前記第１の成膜条件に含まれる成膜パラメータと異なっており、
前記第１の種層および第２の種層のうちの少なくとも一方は、Ｃｕ、Ａｇ、または、これらの金属の１つ以上を含む合金からなるグループから選択された材料を含んでおり、
前記少なくとも１つの開口内に電気めっきを施す余地を残すために、前記第１の種層および第２の種層によって前記少なくとも１つの開口が密閉される前にこれら各種層の成膜を終了させることを特徴とする装置。