【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にパターン形成する浸漬リソグラフィ方法であって、
前記基板上のフォトレジスト層の上に、二酸化炭素と少なくとも１種類の浸漬化合物とを含む流体層を付着させるステップと、
フォトレジスト層の上に浸漬流体層を形成するために、前記二酸化炭素の少なくとも一部を前記流体層から除去するステップと
二酸化炭素を使用して前記基板上のフォトレジスト層に対して浸漬リソグラフィを実施するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記流体層が、液体および／または超臨界の二酸化炭素を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１種類の浸漬流体化合物が、フッ素および／またはケイ素を含有する化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フッ素および／またはケイ素を含有する化合物が、パーフルオロポリエーテル化合物を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１種類の浸漬流体化合物が、ポリマーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
流体層を付着させる前記ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基板にパターン形成する浸漬リソグラフィ方法であって、
前記基板上のフォトレジスト層の上に浸漬層を形成するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
液体および／または超臨界の二酸化炭素を含む浸漬リンス組成物と前記浸漬層を接触させることによって、前記画像形成されたフォトレジスト層から前記浸漬層を除去するステップとを含む方法。
【請求項９】
浸漬層を形成する前記ステップが、
前記フォトレジスト層の上に、二酸化炭素と少なくとも１種類の浸漬化合物とを含む流体層を付着させる段階と、
前記フォトレジスト層の上に前記浸漬層を形成するために、前記二酸化炭素を前記流体層から除去する段階とを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記流体層が液体および／または超臨界の二酸化炭素を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１種類の浸漬流体化合物が、フッ素および／またはケイ素を含有する化合物を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記フッ素および／またはケイ素を含有する化合物が、パーフルオロポリエーテル化合物を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１種類の浸漬流体化合物が、ポリマーを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
流体層を付着させる前記段階が、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
基板にパターン形成する浸漬リソグラフィ方法であって、
前記基板上のフォトレジスト層の上に浸漬層を形成するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
前記フォトレジスト層から前記浸漬層を除去するステップと、
液体および／または超臨界の二酸化炭素を使用して、前記浸漬層が除去された前記フォトレジスト層を乾燥させるステップとを含む方法。
【請求項１７】
前記乾燥ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
基板にパターン形成する浸漬リソグラフィ方法であって、
前記基板上のフォトレジスト層の上に浸漬層を形成するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
前記フォトレジスト層から前記浸漬層を除去するステップと、
液体および／または超臨界の二酸化炭素を使用して、前記浸漬層が除去された前記フォトレジスト層を現像するステップとを含む方法。
【請求項２０】
前記現像ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
基板にパターン形成する浸漬リソグラフィ方法であって、
前記基板上のフォトレジスト層の上に浸漬層を形成するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
液体および／または超臨界の二酸化炭素を使用して、前記フォトレジスト層から前記浸漬層を除去し、同時に前記フォトレジスト層を現像するステップとを含む方法。
【請求項２３】
除去し同時に現像する前記ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
基板にパターン形成する浸漬リソグラフィ方法であって、
前記基板上のフォトレジスト層の上に浸漬層を形成するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
前記フォトレジスト層から前記浸漬層を除去するステップと、
前記浸漬層が除去された前記フォトレジスト層を現像するステップと、
現像された前記フォトレジスト層を使用して前記基板にパターン形成するステップと、
液体および／または超臨界の二酸化炭素を使用して、パターン形成された前記基板から前記フォトレジスト層を除去するステップとを含む方法。
【請求項２６】
前記除去ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
基板にパターン形成する浸漬リソグラフィ方法であって、
前記基板上のフォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置するステップと
前記固体浸漬膜を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップとを含む方法。
【請求項２９】
前記フォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置する前記ステップが、
二酸化炭素と少なくとも１種類の固体浸漬膜化合物とを含む固体浸漬膜を前記フォトレジスト層の上に配置する段階と、
前記固体浸漬膜から前記二酸化炭素を除去する段階とを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記フォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置する前記ステップの前に、前記フォトレジスト層の上に浸漬流体層を配置するステップが実施され、前記フォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置する前記ステップが、前記フォトレジスト層とは反対側の前記浸漬流体層の上に固体浸漬膜を配置する段階を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
浸漬流体層を配置する前記ステップが、
前記フォトレジスト層の上に二酸化炭素と少なくとも１種類の浸漬化合物とを含む流体層を付着させる段階と、
前記フォトレジスト層の上に浸漬流体層を形成するために、前記二酸化炭素の少なくとも一部を前記流体層から除去する段階とを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記流体層が、液体および／または超臨界の二酸化炭素を含む請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記少なくとも１種類の浸漬流体化合物が、フッ素および／またはケイ素を含有する化合物を含む請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記フッ素および／またはケイ素を含有する化合物が、パーフルオロポリエーテル化合物を含む請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記少なくとも１種類の浸漬流体化合物が、ポリマーを含む請求項３１に記載の方法。
【請求項３６】
流体層を付着させる前記段階が、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項３１に記載の方法。
【請求項３７】
前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項３６に記載の方法。