(57)【要約】【課題】  信頼性の高い配線基板を効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】  配線基板の製造方法は、ベース基板１０に設けられた配線パターン１２に無電解めっき処理を行うこと、及び、ベース基板１０を洗浄することを含む。ベース基板１０を洗浄する工程は、アルカリ性溶剤を利用する工程及び酸性溶剤を利用する工程の少なくとも一方を含む。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板に設けられた配線パターンに無電解めっき処理を行うこと、及び、
前記ベース基板を洗浄することを含み、
前記ベース基板を洗浄する工程は、アルカリ性溶剤を利用する工程及び酸性溶剤を利用する工程の少なくとも一方を含む配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法において、
前記無電解めっき処理工程を、チオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を含有するめっき液を利用して行い、
前記ベース基板を洗浄する工程は、前記アルカリ性溶剤を利用する工程を含み、
前記アルカリ性溶剤として、アミンを含有する溶剤を利用する配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法において、
前記ベース基板の洗浄工程によって、前記無電解めっき処理工程で前記ベース基板に付着した金属を除去する配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記ベース基板を洗浄する工程の後に、前記ベース基板にレジスト層を形成することをさらに含む配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記配線パターンは、接着剤を介して前記ベース基板に固着されてなる配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無電解めっき工程によって、配線パターンにめっき層を形成することが知られている。信頼性の高い配線基板を製造するためには、めっき工程後に、めっき液及びめっき工程によってベース基板に付着した金属を除去することが好ましい。そして、めっき液を除去する工程を短時間で行うことができれば、信頼性の高い配線基板を効率よく製造することが出来る。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い配線基板を効率よく製造する方法を提供することにある。
【特許文献１】特開平６−３４２９６９号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る配線基板の製造方法は、ベース基板に設けられた配線パターンに無電解めっき処理を行うこと、及び、
前記ベース基板を洗浄することを含み、
前記ベース基板を洗浄する工程は、アルカリ性溶剤を利用する工程及び酸性溶剤を利用する工程の少なくとも一方を含む。本発明によると、配線パターンに無電解めっき工程を行った後に、ベース基板を洗浄する。また、ベース基板を洗浄する工程は、アルカリ溶剤を利用する工程及び酸性溶剤を利用する工程の少なくとも一方を含む。そのため、効率よく効果的にベース基板の洗浄を行うことができ、信頼性の高い配線基板を効率よく製造することができる。
（２）この配線基板の製造方法において、
前記無電解めっき処理工程を、チオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を含有するめっき液を利用して行い、
前記ベース基板を洗浄する工程は、前記アルカリ性溶剤を利用する工程を含み、
前記アルカリ性溶剤として、アミンを含有する溶剤を利用してもよい。これによると、ベース基板上から、効率よくめっき液を除去することができ、信頼性の高い配線基板を効率よく製造することができる。
（３）この配線基板の製造方法において、
前記ベース基板の洗浄工程によって、前記無電解めっき処理工程で前記ベース基板に付着した金属を除去してもよい。これにより、信頼性の高い配線基板を製造することができる。
（４）この配線基板の製造方法において、
前記ベース基板を洗浄する工程の後に、前記ベース基板にレジスト層を形成することをさらに含んでもよい。
（５）この配線基板の製造方法において、
前記配線パターンは、接着剤を介して前記ベース基板に固着されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。図１〜図７は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。
【０００６】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図１及び図２に示す、ベース基板１０を用意することを含んでもよい。ここで、図１は、ベース基板１０の平面図であり、図２は、図１のII−II線断面の一部拡大図である。ベース基板１０の材料や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。ベース基板１０は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。あるいは、ベース基板１０は、テープ基板であってもよい（図１又は図４参照）。ベース基板１０は、積層型の基板であってもよく、あるいは、単層の基板であってもよい。また、ベース基板１０の外形も特に限定されるものではない。ベース基板１０には、図１に示すように、配線パターン１２が設けられてなる。配線パターン１２は、ベース基板１０の表面に設けられていてもよい。配線パターン１２の構造や材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの配線を利用してもよい。例えば、配線パターン１２は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。配線パターン１２を形成する方法は特に限定されないが、ベース基板１０の表面に導電箔を設け、それをパターニングすることによって形成してもよい。配線パターン１２は、図２に示すように、接着剤１４を介してベース基板１０に固着されていてもよい。接着剤１４の材料は特に限定されないが、エポキシ系の接着剤を利用してもよい。ただし、配線パターン１２は、接着剤を利用せずにベース基板１０に固着されていてもよい（図示せず）。
【０００７】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、配線パターン１２に無電解めっき処理を行うことを含む。無電解めっき処理工程は、めっき液２０を利用して行ってもよい。このとき、めっき液２０は、チオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を含有するめっき液であってもよい。すなわち、無電解めっき処理工程を、チオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を含有するめっき液を利用して行ってもよい。ただし、めっき液２０はこれに限られるものではなく、既に公知となっているいずれかのめっき液を利用してもよい。無電解めっき処理工程によって、図３（Ａ）に示すように、配線パターン１２上にめっき層１５を形成する。めっき処理を行うことによって、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続することが容易な、信頼性の高い配線基板を形成することができる。無電解めっき処理工程は、ベース基板１０（配線パターン１２）をめっき液２０に浸漬することを含んでいてもよい。めっき液２０は、スズめっき液であってもよい。すなわち、めっき液２０は、スズイオンを含む溶液であってもよい。このとき、配線パターン１２は、銅配線であってもよい。そして、配線パターン１２の表面をスズに置換して、めっき層１５を形成してもよい。この場合、めっき層１５は、Ｓｎ−Ｃｕ合金で形成されてもよい。ところで、本工程の直後は、通常、図３（Ａ）に示すように、ベース基板１０上（接着剤１４上）には、めっき液２０の残渣が存在する。特に、配線パターン１２間に、めっき液２０が残留することがあった。また、図３（Ｂ）に示すように、ベース基板１０上（接着剤１４上）には、めっき液２０に含まれていた金属２５が付着することがあった。すなわち、図３（Ｂ）に示す金属２５は、無電解めっき処理工程でベース基板１０に付着した金属であるといえる。そして、配線基板の品質の劣化防止や、マイグレーションの発生を防止するためには、ベース基板１０上からめっき液２０の残渣を除去することが好ましく、また、ベース基板１０上から金属２５を除去することが好ましい。そのため、本実施の形態に係る配線基板の製造方法では、めっき処理工程後にベース基板１０を洗浄する洗浄工程を行う。これにより、ベース基板１０（接着剤１４）上及び配線パターン１２（めっき層１５）上からめっき液２０の残渣を除去してもよい。あるいは、これにより、ベース基板１０（接着剤１４）上及び配線パターン１２（めっき層１５）上から金属２５を除去してもよい。
【０００８】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、ベース基板１０を洗浄することを含む。ベース基板１０を洗浄する工程は、アルカリ性溶剤を利用する工程及び酸性溶剤を利用する工程の少なくとも一方を含む。詳しくは、本実施の形態に係る配線基板の製造方法では、アルカリ性溶剤を利用する工程のみによって、ベース基板１０を洗浄してもよい。あるいは、本実施の形態に係る配線基板の製造方法では、酸性溶剤を利用する工程のみによって、ベース基板１０を洗浄してもよい。あるいは、本実施の形態に係る配線基板の製造方法では、アルカリ性溶剤を利用する工程及び酸性溶剤を利用する工程によって、ベース基板１０を洗浄してもよい。なお、これら２つの工程によってベース基板１０の洗浄を行う場合、アルカリ性溶剤を利用してベース基板１０を洗浄した後に酸性溶剤を利用してベース基板１０を洗浄してもよい。あるいは、酸性溶剤を利用してベース基板１０を洗浄した後にアルカリ性溶剤を利用してベース基板１０を洗浄してもよい。また、これらの場合、後行の洗浄工程によって、ベース基板１０から、先行の洗浄工程の溶剤を除去してもよい。また、先行の洗浄工程の溶剤が後行の洗浄工程の溶剤によって中和されるように、後行の洗浄工程を行ってもよい。本工程によって、ベース基板１０（接着剤１４）の表面及び配線パターン１２（めっき層１５）の表面から、めっき液２０の残渣を除去してもよく、金属２５を除去してもよい（図５参照）。本工程は、例えば、図４に示すように、リール・トゥ・リール搬送によってベース基板１０を溶剤３０に浸漬することを含んでいてもよい。または、本工程は、シャワー洗浄、浸漬とシャワー洗浄の併用でもよい。また、洗浄工程は、溶剤３０（あるいは、ベース基板１０及び配線パターン１２）を３０℃以上、好ましくは５０〜７０℃に加熱し、攪拌しながら行ってもよい。これによれば、効率よく洗浄工程を行うことができる。なお、アルカリ性溶剤及び酸性溶剤は、既に公知になっているいずれかの溶剤を利用してもよい。アルカリ性溶剤として、例えば、水酸化ナトリウム水溶液を利用してもよい。また、酸性溶剤として、例えば、硫酸や塩酸を利用してもよい。洗浄工程は、さらに、ベース基板１０上から、溶剤３０を除去する工程を含んでいてもよい。
【０００９】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法では、先に説明したように、めっき液２０はチオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を有していてもよく、このとき、ベース基板１０を洗浄する工程は、アルカリ性溶剤を利用する工程を含んでいてもよい。そして、この場合、アルカリ性溶剤として、アミンを含有する溶剤を利用してもよい。めっき液２０がチオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を有している場合、めっき処理工程後、ベース基板１０上に残留するめっき液２０中には、チオ尿素又はその誘導体から形成されたチオ尿素の錯体が存在している。例えば、配線パターン１２の表面が銅である場合、めっき液２０中には銅とチオ尿素の錯体が存在する。従って、チオ尿素の錯体に近い極性を有する溶剤（極性溶媒）を利用すれば、容易にチオ尿素の錯体を溶剤中に溶解させることができ、ベース基板１０上（接着剤１４上）から効率よくめっき液２０を除去することができる。すなわち、チオ尿素の錯体と極性の近い、アミンを含有する溶剤３０を利用することで、効率よくめっき液２０を除去することができる。特に、配線パターン１２が接着剤１４によって固着されている場合、チオ尿素の錯体がイオン化して接着剤１４の表面に引き寄せられ、めっき液２０を除去しにくくなることがあった。しかし、この場合でも、アミンを含有する溶剤３０を利用することで、容易にめっき液２０を除去することができるため、効率よく配線基板を製造することができる。なお、溶剤３０に含有されるアミンは、例えば、エタノールアミン、プロパノールアミン、ブタノールアミン、Ｎ（β−アミノエチル）エタノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロパノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、イソプロパノールアミン及びＮ−エチルエタノールアミンのうちのいずれか１つ、又は、２つ以上であってもよい。あるいは、溶剤３０は、前記アミン類とエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニールエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類とを含んでもよい。このとき、溶剤３０に含まれるアミン類の濃度を２０〜５０％の範囲で混合することで、より洗浄効果を高めることができる。また、溶剤３０は、界面活性剤をさらに含んでいてもよい。これによれば、さらに効率よくめっき液２０を除去することができる。
【００１０】
なお、ベース基板１０を洗浄する工程は、上記の作用と共に、あるいは上記の作用に変えて、溶剤３０がベース基板１０（接着剤１４）の表面を除去（化学エッチング）する作用を利用して行ってもよい。すなわち、溶剤３０（例えばアルカリ性溶剤）によってベース基板１０の表面を除去することによって、ベース基板１０からめっき液２０又は金属２５を除去してもよい。また、ベース基板１０を洗浄する工程は、溶剤３０が金属を溶解する性質を利用して、ベース基板１０を洗浄してもよい。すなわち、溶剤３０（例えば酸性溶剤）によって、金属２５を溶解することによって、ベース基板１０から金属２５を除去してもよい。なお、これらの洗浄工程は、ベース基板１０及び配線パターン１２（めっき層１５）に損傷を与えないように行うことが好ましい。ベース基板１０及び配線パターン１２（めっき層１５）に損傷を与えないように、溶剤３０の濃度や洗浄工程の時間を調整して、洗浄工程を行ってもよい。なお、ベース基板１０を洗浄する工程は、溶剤３０がベース基板１０上を流動する際の物理的な力を、あわせて利用してもよい。
【００１１】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、ベース基板１０（めっき層１５）を加熱する工程を含んでいてもよい。これにより、ウイスカーの発生を防止することができるため、信頼性の高い配線基板を製造することができる。
【００１２】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図６及び図７に示すように、ベース基板１０にレジスト層４０を形成することを含んでいてもよい。レジスト層４０を、めっき層１５（配線パターン１２）を部分的に覆うように形成してもよい。ここで、図７は、図６のVII−VII線断面の一部拡大図である。レジスト層４０によってめっき層１５（配線パターン１２）の腐食やショート等を防止することができるため、信頼性の高い配線基板を製造することができる。レジスト層４０は、図６に示すように、開口４２を有していてもよい。開口４２からめっき層１５の一部を露出させて、半導体チップなどの電子部品との電気的な接続に利用してもよい。本工程は、上述の洗浄工程の後に行ってもよい。これにより、ベース基板１０とレジスト層４０との間にめっき液２０が残存することを防止することができ、めっき液２０による品質の劣化や、マイグレーションが発生しにくい、信頼性の高い配線基板を製造することができる。そして、検査工程や、ベース基板１０を切断する工程等を経て、配線基板１を製造してもよい（図８参照）。ただし、ベース基板１０を切断しない状態を指して、配線基板と称してもよい（図６及び図７参照）。
【００１３】
そして、図８には、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造した配線基板１を有する電子モジュール１０００を示す。電子モジュール１０００では、配線基板１に半導体チップ２が実装されてなる。半導体チップ２を実装する方法は特に限定されず、既に公知となっている実装方法のいずれかを適用してもよい。なお、電子モジュール１０００は、表示デバイスであってもよい。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。さらに、配線基板１を有する電子機器として、図９にノート型パーソナルコンピュータ２０００を、図１０に携帯電話３０００を、それぞれ示す。
【００１４】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。
【図２】図２は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。
【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。
【図７】図７は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。
【図８】図８は、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造した配線基板を有する電子モジュールを示す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造した配線基板を有する電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造した配線基板を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００１６】
１０  ベース基板、  １２  配線パターン、  １４  接着剤、  １５  メッキ層、  ２０  めっき液、  ２５  金属、  ３０  溶剤、  ４０  レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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