【手続補正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマ処理チャンバと、
前記処理チャンバに接続された真空ポンプと、
前記処理チャンバ内部で基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に面する内部表面を有する誘電体部材であって、前記処理チャンバの壁を形成する誘電体部材と、
前記誘電体部材の外部表面に重なる表面を有し、先端部が前記処理チャンバ内部に露出されるように前記誘電体部材の開口に着脱可能に取り付けられ、前記処理チャンバ内にプロセスガスを供給する複数のガス出口を含むガス注入器と、
前記プロセスガスを励起して前記基板を処理するプラズマ状態にするために、前記誘電体部材を介して当該チャンバ内にＲＦエネルギーを誘導結合するＲＦエネルギー源とを備えることを特徴とするプラズマ処理システム。
【請求項２】  前記システムは、高密度プラズマ化学気相成長システムまたは高密度プラズマエッチングシステムであることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】  前記ＲＦエネルギー源がＲＦアンテナを備え、前記ガス注入器が、前記チャンバ内の主プラズマ発生区域に向けて前記プロセスガスを注入することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】  前記ガス出口が、前記ガス注入器の軸方向端面に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】  前記ガス出口が、前記基板の露出面に垂直な軸方向に延在する中心ガス出口と、前記軸方向に対して鋭角で延在する複数の角度付きガス出口とを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】  前記ガス注入器が、亜音速、音速、または超音速でプロセスガスを注入することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】  前記ガス注入器が、前記誘電体部材の内部表面と同一平面にある平面状の軸方向端面を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】  前記ガス注入器は、前記チャンバの中心領域内にプロセスガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】  前記ガス注入器が閉じた先端部を含み、前記ガス出口が、前記基板の露出面に平行な平面に対して鋭角にプロセスガスを注入することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】  前記ガス注入器は、前記ガス注入器と前記誘電体部材との間を真空シールする少なくとも１つのＯリングを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】  前記ＲＦエネルギー源が、平面状または非平面状の螺旋コイル形のＲＦアンテナを備え、前記ガス注入器が、前記チャンバ内の主プラズマ発生区域に向けてプロセスガスを注入することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】  基板をプラズマ処理する方法であって、
処理チャンバ内で基板支持体上に基板を配置し、当該処理チャンバの壁を形成する誘電体部材の内部表面が前記基板支持体に面しており、
先端部が処理チャンバ内部で露出されるように前記誘電体部材の開口に着脱可能に取り付けられたガス注入器から前記処理チャンバ内にプロセスガスを供給し、当該ガス注入器が、前記処理チャンバ内に前記プロセスガスを供給する複数のガス出口と前記誘電体部材の外部表面に重なる表面を含んでおり、
ＲＦエネルギー源によって生成されたＲＦエネルギーを前記誘電体部材を介して前記処理チャンバ内に誘導結合することによって前記プロセスガスをプラズマ状態に励起し、当該プロセスガスが前記基板の露出面と反応するプラズマ相であることを特徴とする方法。
【請求項１３】  前記ＲＦエネルギー源が、平面状または非平面状の螺旋コイル形のＲＦアンテナを備え、前記ガス注入器が、前記チャンバ内の主プラズマ発生区域に向かって前記プロセスガスを注入することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記ガス出口が、前記基板の露出面に直接向かう方向以外の方向に前記プロセスガスを注入することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  前記ガス注入器が、前記誘電体部材の内側表面下方に延在し、前記ガス出口が、複数の方向に前記プロセスガスを注入することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】  前記ガス注入器が、亜音速、音速、または超音速で前記プロセスガスを注入することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】  個々の基板が、各基板上に層を形成またはエッチングするために、前記基板をプラズマガスと接触させることによって前記処理チャンバ内で連続的に処理されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】  前記ガス注入器が前記チャンバの中心部分に延在し、前記ガス出口が、前記基板の露出面と前記誘電体部材の内部表面との間の区域内に前記プロセスガスを注入することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】  前記ガス出口が、当該ガス注入器の先端部にある中心ガス出口と、当該中心ガス出口を取り囲む複数のガス出口とを含み、当該ガス出口が、複数の異なる方向に前記プロセスガスを注入することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】  前記ガス出口を介して塩素含有ガスを注入することによって前記基板上にアルミニウム層をプラズマエッチングし、前記各ガス出口が、前記基板の露出面に垂直でない方向にガスを注入することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】  前記基板の露出面に垂直な軸方向に中心ガス出口を介して、かつ当該中心出口を取り囲む複数の角度付きガス出口を介して塩素および臭素含有ガスの少なくともいずれかを注入することによって前記基板上のポリシリコン層をプラズマエッチングし、前記角度付きガス出口が、軸方向に対して１０〜６０°の角度に向いた方向にガスを注入することを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】  前記基板の露出面に垂直な軸方向に中心ガス出口および当該中心出口を取り囲む複数の角度付きガス出口の少なくともいずれかを介してフッ素含有ガスを注入することによって前記基板上のシリコン酸化物層をプラズマエッチングし、前記角度付きガス出口が、軸方向に対して１０〜６０°の角度を向いた方向にガスを注入することを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２３】  前記基板の露出面に垂直な軸方向に中心ガス出口および当該中心出口を取り囲む複数の角度付きガス出口の少なくともいずれかを介して塩素および臭素の少なくともいずれかを含有するガスを注入することによって前記基板上のポリシリコン層をプラズマエッチングし、前記角度付きガス出口が、軸方向に対して１０〜３０°の角度を向いた方向にガスを注入することを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２４】  前記基板の露出面に垂直な軸方向に中心ガス出口および当該中心出口を取り囲む複数の角度付きガス出口の少なくともいずれかを介してフッ素含有ガスを注入することによって前記基板上のシリコン酸化物層をプラズマエッチングし、前記角度付きガス出口が、軸方向に対して１０〜４０°の角度を向いた方向にガスを注入することを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２５】  半導体基板にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理チャンバにプロセスガスを供給するガス注入器であって、
軸方向の先端表面が前記処理チャンバ内部に露出されるように前記処理チャンバのチャンバ壁を介して延在するように構成され、前記処理チャンバ内にプロセスガスを供給する複数のガス出口を含むガス注入器本体を有し、
前記ガス出口は前記軸方向に延在する中心ガス出口と、前記軸方向に対して鋭角で延在する複数の角度付きガス出口とを含み、
前記ガス出口は、前記ガス注入器本体の軸方向の先端表面に配置されていることを特徴とするガス注入器。
【請求項２６】  前記ガス出口が、亜音速、音速、または超音速でプロセスガスを注入するように構成されていることを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項２７】  前記ガス注入器が、前記チャンバ壁を形成する誘電体窓の内面と同一平面となるような外形とされた平面状の軸方向端面を含むことを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項２８】  前記ガス注入器は、前記誘電体窓に取り付けられたときに、当該誘電体窓に接触するように構成された少なくとも１つのシールを含むことを特徴とする請求項２７に記載のガス注入器。
【請求項２９】  前記ガス注入器が閉じた先端表面を含み、前記ガス出口が前記先端表面に平行な平面に対して鋭角にプロセスガスを注入することを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項３０】  前記ガス注入器は、前記チャンバ壁の開口に着脱可能に取り付けられ、前記ガス注入器と前記チャンバ壁との間を真空シールする少なくとも１つのＯリングを含むことを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項３１】  前記ガス注入器本体は、前記チャンバ壁の外部表面に重なるように構成された表面を含むことを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項３２】  前記ガス注入器本体は、前記チャンバ壁の外部表面に重なって接触するように構成された環状フランジを含むことを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。【請求項３３】  前記ガス注入器本体は、当該ガス注入器本体の外部表面に接する少なくとも１つのＯリングシールを含むことを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項３４】  前記ガス注入器本体は、当該ガス注入器本体の外部表面に接する第１のＯリングシールと、前記ガス注入器本体の外面から延在するフランジ表面の第２のＯリングシールとを含むことを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項３５】  前記ガス注入器本体の先端表面は、略平面状であることを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項３６】  全ての前記ガス出口は、前記ガス注入器本体の先端表面を介してプロセスガスを供給することを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項３７】  前記ガス注入器本体は、当該ガス注入器本体の上側の軸方向端面から軸方向に延在する同一直径の中心ボアを含み、当該中心ボアは、円筒状の側壁と平坦な端部壁とによって画定され、前記ガス出口が前記平坦な端部壁に配置されていることを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項３８】  前記ガス注入器本体は、誘電体材料からなることを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項３９】  前記ガス注入器本体は、８個の前記角度付きガス出口を含むことを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項４０】  前記鋭角は、１０°〜７０°であることを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項４１】  前記角度付きガス出口は、前記プロセスガスが、処理される基板に向けて直接流れないように、当該プロセスガスを方向付けすることを特徴とする請求項２５に記載のガス注入器。
【請求項４２】  半導体基板にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理チャンバにプロセスガスを供給するガス注入器であって、
先端部が前記処理チャンバ内部に露出されるように前記処理チャンバのチャンバ壁を介して延在するように構成され、前記処理チャンバ内にプロセスガスを供給する複数のガス出口を含むガス注入器本体と、
前記チャンバ壁の外部表面に重なって接触するように構成された環状フランジと、
前記フランジの表面において前記チャンバの外部表面をシールする第１のＯリングとを備えることを特徴とするガス注入器。
【請求項４３】  前記ガス注入器本体の外部表面に接する第２のＯリングを備えることを特徴とする請求項４２に記載のガス注入器。