Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月23日(2007.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図６−１及び図６−２は、サブ画素であるアドレス可能な放出素子配列要素の一例を示す。アドレス可能なゲート下構造３０は、複数の陰極放出ライン２６から電子放出を抽出する。ここで、陰極放出ライン２６は、処理された、リチウム−ドープされたナノダイヤモンド白金層とアルミニウム−リチウム陰極層とを含む。円形の開口部を有するゲート上電極３４は、画素の電子放出とｅ−ビーム点の配置とを制御するための一手段を供給する。放出素子配列の陰極放出ライン２６及び前記上部ゲート２８は、互いに電気的に絶縁されていて、さらにゲート下構造３０と絶縁層２４、３２によって電気的に絶縁されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図７−１及び図７−２は、サブ画素であって配列としてアドレス可能な放出素子陰極の一例を説明する。この放出素子陰極は、冷陰極放出ライン２６から電子放出を抽出するために、一組の横方向のゲート４０を用いている。第２のゲート２８は、図５と同様に、この上に配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
１０  基板
１２  陰極金属層、陰極金属コンタクト
１４  ナノダイヤモンド粒子
１６  溶液
１８  金属層
２０  ラッカー層
２２  微粒子の金属
２４、３２  絶縁層
２６  陰極放出ライン
２８  ゲート
３０  ゲート下構造
３４  ゲート上電極
４０ 横方向のゲート
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７−１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７−１】
2007504607.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７−２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７−２】
2007504607.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月7日(2007.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート誘電体層を製造する方法であって、
基板を準備するステップと、
前記基板の上面に二酸化シリコン層を形成するステップと、
還元雰囲気内でプラズマ窒化を実行し、前記二酸化シリコン層を酸窒化シリコン層に変換するステップと
を含む方法。
【請求項２】
プラズマ窒化を実行する前記ステップが、リモートプラズマ窒化プロセスを用いて実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
プラズマ窒化を実行する前記ステップが、リモートプラズマ窒化ツールの第１の吸気口を通して導入される窒素及び不活性ガス・プラズマ、並びに前記リモートプラズマ窒化ツールの第２の吸気口を通して導入される中性還元ガスを用いて実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記不活性ガスがヘリウムであり、前記還元ガスが、水素、アンモニア、水素と窒素の混合物、アンモニアと窒素の混合物、水素とアンモニアと窒素の混合物、重水素、重水素化アンモニア、重水素と窒素の混合物、重水素化アンモニアと窒素の混合物、重水素と重水素化アンモニアと窒素の混合物、又は、重水素とアンモニアと窒素の混合物である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
プラズマ窒化を実行する前記ステップが、窒素、不活性ガス及び還元ガスを含むプラズマを用いて実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記不活性ガスがヘリウムであり、前記還元ガスが水素である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記基板がバルクシリコン又はシリコン・オン・インシュレータ基板を含み、前記二酸化シリコン層を形成する前記ステップが、空気又は酸素における自然酸化物の成長、熱酸化、急速熱酸化、化学気相成長、及び酸化洗浄プロセスからなる群から選択されるプロセスによって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記二酸化シリコン層が約８Åから２３Åまでの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記酸窒化シリコンが約８Åから２４Åまでの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸窒化シリコン層が約２パーセントから２０パーセントまでの間の窒素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸窒化シリコン層内の窒素濃度が、約１Ｅ２１ａｔｍ／ｃｍ３から１Ｅ２２ａｔｍ／ｃｍ３までの間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
プラズマ窒化を実行する前記ステップが、約１Ｅ１４ａｔｍ／ｃｍ２から５Ｅ１４ａｔｍ／ｃｍ２までの間の窒素ドーズ量を前記二酸化シリコン層に与える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸窒化シリコン層が、前記二酸化シリコン層の厚さより約０から３５％大きい厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板の中央から端部までの前記酸窒化シリコン層の平均厚の変化が、約１/２オン
グストローム・シグマより大きくない、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板の中央から端部までの前記酸窒化シリコン層の窒素濃度の変化が、約２５％より大きくない、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
ＭＯＳＦＥＴを製造する方法であって、
少なくとも最上部のシリコン層を有する半導体基板を準備するステップと、
前記半導体基板の上面に二酸化シリコン層を形成するステップと、
還元雰囲気内でプラズマ窒化を実行し、前記二酸化シリコン層を酸窒化シリコン層に変換するステップと、
前記半導体基板内のチャネル領域の上に位置合わせされた前記酸窒化シリコン層上にポリシリコン・ゲートを形成するステップと、
前記ポリシリコン・ゲートに位置合わせされたソース／ドレイン領域を前記半導体基板内に形成するステップと
を含む方法。
【請求項１７】
プラズマ窒化を実行する前記ステップが、リモートプラズマ窒化プロセスを用いて実行される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
プラズマ窒化を実行する前記ステップが、リモートプラズマ窒化ツールの第１の吸気口を通して導入される窒素及び不活性ガス・プラズマ、並びに前記リモートプラズマ窒化ツールの第２の吸気口を通して導入される中性還元ガスを用いて実行される、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月3日(2007.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上方のエピタキシャル半導体層と、
前記エピタキシャル半導体層内のバイポーラトランジスタと、
前記エピタキシャル半導体層内の電界効果トランジスタとを備える半導体部品であって、
前記電界効果トランジスタのターンオン電圧は前記バイポーラトランジスタのエミッタ−ベースのターンオン電圧よりも低く、前記電界効果トランジスタのピンチオフ電圧はゼロよりも大きく、
前記半導体基板は表面を有し、
前記半導体基板の前記表面に実質的に平行な方向は水平方向であり、
前記エピタキシャル半導体層の第１の部分は前記バイポーラトランジスタのベースと前記電界効果トランジスタの非金属ゲートとを形成し、前記非金属ゲートは前記電界効果トランジスタの唯一のゲートであり、
前記エピタキシャル半導体層の前記第１の部分は前記水平方向において実質的に均一なドーピング濃度を有する半導体部品。
【請求項２】
前記エピタキシャル半導体層の第２の部分は前記バイポーラトランジスタのエミッタと前記電界効果トランジスタのチャネルとを形成し、
前記エピタキシャル半導体層の前記第２の部分は前記水平方向において実質的に均一なドーピング濃度を有する請求項１に記載の半導体部品。
【請求項３】
前記エピタキシャル半導体層は第１の半導体層、前記第１の半導体層上の第２の半導体層、前記第２の半導体層上の第３の半導体層、前記第３の半導体層上の第４の半導体層、および前記第４の半導体層上の第５の半導体層を備え、
前記第３の半導体層は前記エピタキシャル半導体層の前記第１の部分を形成し、
前記第１の半導体層は前記バイポーラトランジスタのサブコレクタ層を形成し、
前記第２の半導体層は前記バイポーラトランジスタのコレクタ層を形成し、
前記第５の半導体層の一部は前記バイポーラトランジスタのオーミックコンタクト層および前記電界効果トランジスタのオーミックコンタクト層を形成し、
前記第４の半導体層は、
前記第３の半導体層に隣接する下側半導体層と、
前記第５の半導体層に隣接する上側半導体層と、
前記下側半導体層と前記上側半導体層との間の中間半導体層とを備え、
前記下側半導体層、前記中間半導体層および前記上側半導体層の一部は前記バイポーラトランジスタの活性領域を形成し、
前記下側半導体層、前記中間半導体層および前記上側半導体層の前記一部は前記電界効果トランジスタのチャネルを形成する請求項１に記載の半導体部品。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板の上方のエピタキシャル半導体層と、
前記エピタキシャル半導体層内で少なくとも部分的に形成されるヘテロ接合バイポーラトランジスタと、
前記エピタキシャル半導体層内で少なくとも部分的に形成される接合型電界効果トランジスタとを備える半導体部品であって、
前記電界効果トランジスタのターンオン電圧は前記バイポーラトランジスタのエミッタ−ベースのターンオン電圧よりも低く、前記電界効果トランジスタのピンチオフ電圧はゼロよりも大きく、
前記エピタキシャル半導体層は、
前記半導体基板の上方の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上方の第２の半導体層とを備え、
前記半導体基板は表面を有し、
前記半導体基板の前記表面に実質的に平行な方向は水平方向であり、
前記第１の半導体層の一部はヘテロ接合バイポーラトランジスタのベースと前記接合型電界効果トランジスタの非金属ゲートとを形成し、前記非金属ゲートは前記電界効果トランジスタの唯一のゲートであり、
前記第２の半導体層の一部は前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタと前記接合型電界効果トランジスタのチャネルとを形成し、
前記第１の半導体層の前記一部は前記水平方向において実質的に均一なドーピング濃度を有し、
前記第２の半導体層の前記一部は前記水平方向において実質的に均一なドーピング濃度を有する半導体部品。
【請求項５】
半導体部品の製造方法であって、
半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の上方にエピタキシャル半導体層を設ける工程と、
前記エピタキシャル半導体層の第１の部分を用いてバイポーラトランジスタのベースを形成する工程と、
前記エピタキシャル半導体層の前記第１の部分を用いて電界効果トランジスタのゲートを形成する工程とを備え、
前記エピタキシャル半導体層の前記第１の部分は水平方向において実質的に均一なドーピング濃度を有し、
前記電界効果トランジスタのターンオン電圧は前記バイポーラトランジスタのエミッタ−ベースのターンオン電圧よりも低く、前記電界効果トランジスタのピンチオフ電圧はゼロよりも大きく、
前記エピタキシャル半導体層の第１の部分は前記バイポーラトランジスタのベースと前記電界効果トランジスタの非金属ゲートとを形成し、前記非金属ゲートは前記電界効果トランジスタの唯一のゲートである、半導体部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
米国特許第６，７４７，２４５号は、集積回路が形成されたシリコン基板のＬＴＰを行うためにブリュースター角の近傍で入射するＰ偏光ＣＯ２レーザービームを使用することを開示している。米国特許出願公開第１０／２８７，８６４号に記載されているように、ブリュースター角またはその近傍の入射角を使用することによって、法線入射においてスペクトル的に不均一な基板を非常に均一に加熱することができる。例えば、法線入射では、ベアシリコンは３０％を超える反射率を有し、酸化シリコンは４％未満の反射率を有する。ＬＴＰを行う際にＣＯ２レーザーを使用する利点は、比較的高いエネルギー密度を有する十分にコリメートされたビームを供給することができることである。別の利点は、ＣＯ２レーザーから放射される１０．６μｍの波長は、アニール工程が行われるウェハ上の様々な膜厚と比較して大きいということである。従って、膜厚が多少ばらついていても、短いアニール波長の場合のように反射率の大きなばらつきが生じることはない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
そこで、引き続き図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、一実施形態では、ＬＴＰ光学系２２は、円柱レンズアレイ１００に隣接して配置され、偏光方向の変更が必要である場合には放射線の偏光を９０°回転させるための任意の半波長板１２０を含む。また、半波長板１２０は、光学系の軸Ａ１を中心として半波長板１２０を回転させることによって基板上でＰ偏光放射線ビーム２３の強度を変更するために使用することができる。全てのダイオードバーは直線偏光放射線を放射するため、半波長板１２０の角度的な向きによって、基板に入射するＰ偏光及びＳ偏光放射線の相対的な量が決まる。放射線ビーム２３のＰ偏光成分は強く吸収され、Ｓ偏光成分は主として反射されるため、半波長板の向きによって基板に吸収される総エネルギーが決まる。従って、基板に供給され、基板に吸収される総エネルギー量を制御するために半波長板の向きを使用することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
（制御系）
図１を再び参照すると、一実施形態では、ＬＴＰ装置１０は、装置の動作を制御する制御系２５（点線で囲まれた部分）をさらに含む。制御系２５は、コントローラー２６と、コントローラーに接続された入力装置２８と、コントローラーに接続された表示装置３０とを含む。また、制御系２５は、コントローラー２６に接続され、レーザーダイオードアレイ１２に電力を供給する電源３２と、ステージ１７とコントローラー２６とに接続され、ステージ１７の移動を制御するステージコントローラー３４と、コントローラー２６に接続され、ステージに配置された検出器３８と、を含む。検出器３８は、ステージが移動して放射線２３の通過経路に検出器が配置された（すなわち、像面ＩＰまたはその近傍で線像２４を遮った）時に、像面ＩＰに供給された放射線ビーム２３の少なくとも一部を検出するように設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
一実施形態では、制御系２５は反射放射線モニター３９Ａと温度モニター３９Ｂとを含む。反射放射線モニター３９Ａは、基板表面１６Ｓによって反射された放射線２３の一部を受けるように設けられている。反射放射線は２３’で示している。温度モニター３９Ｂは基板表面１６Ｓの温度を測定するように設けられ、一実施形態では、線像２４が形成される位置またはその近傍において法線入射で基板と向き合うように表面法線Ｎに沿って設けられている。ただし、温度モニター３９Ｂは、温度を測定するために使用する波長帯に応じてブリュースター角で基板と向き合うように設けることもできる。モニター３９Ａ，３９Ｂは、以下に詳述するように、反射放射線２３’の量及び／または基板表面１６Ｓの測定温度の測定値に基づいてフィードバック制御を行うためのコントローラに接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月28日(2007.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハをレチクルに位置合せするためのシステムであって、前記レクチルが、
設計領域と、
第１アラインメントマークと、
レチクルの中心点に対して前記第１アラインメントマークに対称の第２アラインメントマークと、
Ｘイニシアティブに従い、構成要素と配線とのより正確なアラインメントを補助するために利用される、少なくとも１つのアラインメントマークと交差する少なくとも１つの追加の斜め線とを含む、システム。
【請求項２】
少なくとも１つのアラインメントマークに交差するように、少なくとも１つの追加の斜め線をユーザが選択し、配置できるようにするプロセッサを更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記斜め線は前記第１及び第２アラインメントマークに対して、４５度、１３５度、２２５度、及び３１５度のうちの１つであり、アラインメントマークは、交差し、かつ直角である２本の線からなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
以前のオペレーションに基づいて、追加の線の追加を補助するように前記プロセッサと動作可能に結合されたメモリを更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記プロセッサはアラインメントマーク内に所望の精度を実現するために要求される追加の線の数を決定する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
請求項１記載の前記システムを採用するウェハのアラインメントシステム。
【請求項７】
請求項１記載の前記システムを採用するウェハの製造システム。
【請求項８】
表面検査装置をさらに含み、
少なくとも１つのＣＤ−ＳＥＭと、
０度、４５度、９０度、１３５度、１８０度、２２５度、２７０度、３１５度、及び３６０度のうちの少なくとも１つにおいて、表面の検査を助けるスキャン装置と、
プロセッサと、
少なくとも１つの構造を含むウェハ表面とを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項９】
２枚以上のウェハ層を位置合せするためのシステムであって、
設計領域と、第１オーバーレイターゲットと、レチクルの中心点に対して前記第１オーバーレイターゲットに対称の第２オーバーレイターゲットとを有するレクチルと、
より正確なアラインメントを補助するために利用される、少なくとも１つの追加の斜め線と、
ユーザが少なくとも１つの追加の斜め線を選択し、配置することを可能にするプロセッサとを備える、システム。
【請求項１０】
ウェハのアラインメントを補助するための方法であって、
設計領域と、第１アラインメントマークと、レチクルの中心点に関して前記第１アラインメントマークに対称の第２アラインメントマークとを含むレチクルを使用するステップと、
より正確なアラインメントを補助するために利用される、少なくとも１つのアラインメントマークに交差する少なくとも１つの追加の斜め線を追加するステップとを含む、方法。
【請求項１１】
プロセッサを利用して、少なくとも１つのアラインメントマークに交差させるために、少なくとも１つの追加の斜め線を選択し、配置するステップを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記斜め線は、前記アラインメントマークに対して、０度、４５度、９０度、１３５度、１８０度、２２５度、２７０度、３１５度、及び３６０度のうちの少なくとも１つである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ウェハのアラインメントを補助するための方法であって、
設計領域と、第１オーバーレイターゲットと、レチクルの中心点に関して前記第１オーバーレイターゲットに対称の第２オーバーレイターゲットとを含むレチクルを使用するステップと、
より正確なアラインメントを補助するために利用される、少なくとも１つの追加の斜め線を追加するステップと、
プロセッサを利用して、少なくとも１つの追加の斜め線を選択し、配置するステップとを含む、方法。
【請求項１４】
ウェハの位置合せを行い、オーバーレイ誤差を測定する方法であって、
より正確なウェハのアラインメントを補助するために、アラインメントマークへ少なくとも１つの追加の斜め線を追加するための手段と、
より正確なオーバーレイを補助するために、少なくとも１つの追加の斜め線セグメントを追加するための手段と、
プロセッサを利用して少なくとも１つのアラインメントマークに交差させるために、少なくとも１つの追加の斜め線を選択し、配置するための手段とを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月4日(2007.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記制御システムは、
前記多孔質材に流体的に接続されたオーバーフローコンテナと、
前記オーバーフローコンテナ中の圧力を調節するように構成されたバキュームレギュレータと、
を備える請求項２１に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
時折、流体は内側部３２の内側キャビティから完全に回収されなければならない。図４において、内側部内の各バッファ４０内には複数の小孔４２が存在している。これらの孔４２は、流体が完全に回収されなければならない場合に、流体を高速に回収又はパージ（一掃）するために設けられている。ウエハステージ１８の、いくつかの動作の組み合わせとともに、高真空を用いて（より低圧にして）これらの孔４２から流体を吸い出すことは、全ての流体を適宜な時間内で回収することを可能にする。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
多孔質部材５１中の圧力をバブルポイントより低く維持することによって多孔質部材５１を通じて流体を回収することは、流体回収中に流体に空気が混入することによって生成されるノイズを解消することを可能にする。バブルポイントは、多孔質部材５１中の孔（最大孔）の大きさ及び流体が多孔質部材５１に対してなす接触角（多孔質材の性質及び流体の性質に基づくパラメータとしての）に依存して決まる多孔質部材５１の特性である。バブルポイントは一般にとても低圧（例えば、約１０００Ｐａ）であるという事実によって、この低圧を制御することは重要な課題である。図６〜図８は、流体回収中に圧力をバブルポイントより低く維持する３つの具体的方法を図示している。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図７の圧力制御システム１２０においては、多孔質部材５１の表面での圧力は、バッファ流路１２６（流体バッファ出口５６に接続されている）によって多孔質部材５１に流体的に接続された流体レベルバッファ１２４でバキュームレギュレータ１２２を用いてバブルポイントより低く維持される。圧力トランスデューサ又は水位センサ１２８は、流体レベルバッファ１２４での圧力又は流体レベルを計測するのに用いられる。検出信号はその後、多孔質部材５１と回収タンク１３６との間に接続された回収流路１３４（流体回収出口５８に接続されている）に配置されたバルブ１３２に対するフィードバック制御１３０のために用いられる。バルブ１３２は、比例又は可変バルブのようなどのような適切なバルブでもよい。可変バルブ１３２は、回収タンク１３６への流体回収路１３４を通じる流体のフロー（流量）を制御するように調整されて、流体レベルバッファ１２４の圧力又は流体レベルを予め設定された値に維持する。回収タンク１３６は流体回収のために高バキュームレギュレータ１３８によって比較的に高真空の下で制御される。この流体制御システム１２０においては、オーバーフロータンクは必要とされず、回収タンク１３６はシステム中のどこに設置されてもよく、オーバーフロータンクの下方に配置される必要もない。オン／オフバルブ１４０は、望ましくは流体回収路１３４に設けられ、流体回収が必要でない場合にはオフされる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
時間に伴って乗数が変化するフィルタを用いて、前記許容バンド幅のサンプルＢ（ｔ）にロ
2007504694.tif 000001
載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月17日(2007.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記第１プロトコルに従い送信用にメッセージを符号化する変調スキームが、前記第２プロトコルに従い送信用にメッセージを符号化する変調スキームと異なる、請求項１０又は１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドープ化ＩＩＩ族窒化物層および活性領域を含むＩＩＩ族窒化物光電子素子構造であって、前記ドープ化ＩＩＩ族窒化物層と前記活性領域の間にバリア層が配置されていて、前記バリア層が、ＡｌとＧａの総量を基準にして少なくとも５０％のＡｌを有するＡｌＧａＮを含む材料で形成されている、素子構造。
【請求項２】
前記Ａｌの濃度が、約６０％〜１００％の範囲にある、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項３】
前記Ａｌの濃度が、約７５％〜１００％の範囲にある、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項４】
前記Ａｌの濃度が、約８０％〜１００％の範囲にある、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項５】
前記Ａｌの濃度が、約９０％〜１００％の範囲にある、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項６】
前記Ａｌの濃度が、約９５％〜１００％の範囲にある、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項７】
前記ＡｌＧａＮ層の厚さが、約５オングストローム〜約２００オングストロームである、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子構造。
【請求項８】
前記ＡｌＧａＮ層の厚さが、約１０オングストローム〜約１００オングストロームである、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子構造。
【請求項９】
前記ＡｌＧａＮ層の厚さが、約１０オングストローム〜約７５オングストロームである、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子構造。
【請求項１０】
前記ＡｌＧａＮ層の厚さが、約１０オングストローム〜約６０オングストロームである、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子構造。
【請求項１１】
前記素子が、ＵＶ−ＬＥＤを含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項１２】
前記素子が、ＭＱＷ−ＵＶ−ＬＥＤを含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項１３】
前記素子が、青色または緑色ＬＥＤを含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項１４】
前記素子が、青色レーザーダイオードを含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項１５】
前記素子が、ＨＢＴを含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項１６】
前記ＡｌＧａＮ層が、ＡｌＮを含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【請求項１７】
前記ドープ化ＩＩＩ族窒化物層が、ｎ−ＡｌＧａＮ層を含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子構造。
【請求項１８】
前記ドープ化ＩＩＩ族窒化物層が、Ｍｇドープ化ｐ−ＡｌＧａＮ層を含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子構造。
【請求項１９】
サファイア基板をさらに含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子構造。
【請求項２０】
ＧａＮ基板をさらに含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子構造。
【請求項２１】
前記ドープ化ＩＩＩ族窒化物層が、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｏ、およびＧｅからなる群から選択された少なくとも１個のドーパント種を含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子構造。
【請求項２２】
前記ドープ化ＩＩＩ族窒化物層が、ＭｇおよびＳｉからなる群から選択された少なくとも１個のドーパント種を含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子構造。
【請求項２３】
活性領域および前記活性領域に重なるドープ化ＩＩＩ族窒化物層を含むＩＩＩ族窒化物光電子素子構造を形成する方法であって、前記活性領域と前記ドープ化ＩＩＩ族窒化物層の中間にＡｌｘＧａｙＮ層を形成するステップを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１かつｘ≧０．５０である方法。
【請求項２４】
ドープ化材料、活性領域および前記ドープ化材料と前記活性領域との間に配置されたバリア材料を含むＩＩＩ族窒化物電子素子構造であって、前記バリア材料が高Ａｌ含量ＡｌｘＧａｙＮを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１、かつ、ｘ≧０．５０である素子構造。
【請求項２５】
ドープ化材料および活性領域材料を含む微細電子素子構造内に極めて高レベルにドープ化された領域を生成する方法であって、
（ｉ）前記ドープ化材料と前記活性領域材料の間に中間層を形成して、前記中間層を有しない対応微細電子素子構造に関して、歪みが増した界面領域を生成し、前記ドープ化材料と前記活性領域材料が互いに隣接するようにさせるステップと、（ｉｉ）前記ドープ化材料から活性領域材料へドーパントを移動させて、前記歪みが増した当該界面領域に前記ドーパントが堆積されるようにするステップと、を含む方法。
【請求項２６】
前記中間層が高Ａｌ含量ＡｌｘＧａｙＮを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１かつｘ≧０．５０である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記微細電子素子構造が、ＩＩＩ族窒化物光電子素子構造を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記ドーパントが、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｆｅ、Ｚｎ、ＯおよびＧｅからなる群から選択されたドーパント種を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記ドープ化材料が、ＩＩＩ族窒化物材料を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記ドープ化材料から前記活性領域材料へ前記ドーパントを移動させる前記ステップ（ｉｉ）が、前記微細電子素子構造のチャネル画定を実現する、請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
前記ドープ化材料から前記活性領域材料へ前記ドーパントを移動させる前記ステップ（ｉｉ）が、前記ドーパントに付随する電荷寄与を排除することなく、前記ドープ化材料からドーパントを除去するのに充分な時間遂行される、請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】
前記ドープ化材料から前記活性領域材料へ前記ドーパントを移動させて、前記歪みが増大した界面領域にドーパントが堆積されるようにする前記ステップ（ｉｉ）が、高温状態により遂行される、請求項２５に記載の方法。
【請求項３３】
ドープ化および活性領域を含むＩＩＩ族窒化物素子を、当該素子のバンド・エネルギー構造に関して設計する方法であって、前記ドープ化および活性領域の間に高Ａｌ含量ＡｌｘＧａｙＮを含む層を挟むステップを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１かつｘ≧０．５０であって、ｘ、ｙ、挟まれる層の厚さ、および挟まれる層の形成条件が、所定のバンド・エネルギー構造を有する前記ＩＩＩ族窒化物素子を生成すべく選択されているようにする方法。
【請求項３４】
間に不純物拡散バリア層を有するドープ化および活性領域を含むＩＩＩ族窒化物素子の不純物拡散バリア層内における担体のトンネル確率を設計する方法であって、前記不純物拡散バリア層として高Ａｌ含量ＡｌｘＧａｙＮを含む層を形成するステップを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１、かつ、ｘ≧０．５０であって、ｘ、ｙ、不純物拡散バリア層の厚さおよび不純物拡散バリア層の形成条件が、不純物拡散バリア層内において担体の所定の設計トンネル確率を有する前記ＩＩＩ族窒化物素子を生成すべく選択されているようにする方法。
【請求項３５】
Ｍｇドープ化ｐ−ＡｌＧａＮ層と活性領域およびその間にマグネシウム拡散バリア層を含み、前記マグネシウム拡散バリア層がドープ化または非ドープ化ＡｌＮからなる多量子井戸ＵＶ−ＬＥＤ構造。
【請求項３６】
前記素子が、ＵＶレーザーダイオードを含む、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物光電子素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月16日(2007.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ手段と、前記メモリ手段にアクセスするため設けられた複数のデータ処理手段と
を備え、
通信インターフェイス手段が前記メモリ手段と前記複数のデータ処理手段との間に接続され、前記通信インターフェイス手段がノードのネットワークを含み、データ処理手段または前のノードからメモリアクセス要求を受信する少なくとも1個のスレーブポートと、前記スレーブポートで受信された前記メモリアクセス要求に従って次のノードまたは前記メモリ手段へメモリアクセス要求を発行する少なくとも1個のマスターポートとを各ノードが備え、前記少なくとも1個のスレーブポートが前のノードのマスターポートまたは前記データ処理手段のうちの1台に接続され、前記少なくとも1個のマスターポートが次のノードのスレーブポートまたは前記メモリ手段に接続される、データ処理システムであって、
メモリアクセス要求によって選択的にアクセスされるため適合した少なくとも1台のローカルメモリユニットを前記通信インターフェイス手段がさらに含み、単一アドレス空間が前記メモリ手段および前記少なくとも1台のローカルメモリユニットに分配される、データ処理システム。
【請求項２】
各ノード手段において、前記スレーブポートの個数が前記マスターポートの個数よりも多い、請求項1に記載のデータ処理システム。
【請求項３】
前記ノード手段のネットワークが階層構造化される、請求項1または2に記載のデータ処理システム。
【請求項４】
前記複数のノード手段が非循環有向グラフ構造に配置される、請求項3に記載のデータ処理システム。
【請求項５】
前記複数のノード手段がツリー構造に配置される、請求項4に記載のデータ処理システム。
【請求項６】
前記複数のノード手段がノード手段のn（n≧2）個のグループを含み、
1番目のグループの前記ノード手段の前記スレーブポートのそれぞれが、前記複数のデータ処理手段のうちの１台に接続され、
n番目のグループの前記ノ−ド手段の前記マスターポートが前記メモリ手段に接続され、
前記n番目のグループの前記ノード手段の前記スレーブポ−トのそれぞれが、（n−1）番目のグループの前記ノード手段のマスターポートに接続される、
請求項1から5の少なくともいずれか一項に記載のデータ処理システム。
【請求項７】
前記ノード手段がハブである、請求項1から6の少なくともいずれか一項に記載のデータ処理システム。
【請求項８】
少なくとも1台のノード手段が、ローカルメモリユニットが接続された少なくとも1個のメモリポートをさらに備えている、請求項1に記載のデータ処理システム。
【請求項９】
1台または複数の前記ローカルメモリユニットの少なくとも1個のセクションをキャッシュメモリとして制御するキャッシュコントローラ手段を前記通信インターフェイス手段が含む、請求項８に記載のデータ処理システム。
【請求項１０】
前記通信インターフェイス手段が、データ処理手段同士の通信をストリーム化する少なくとも1台の同期手段をさらに含む、請求項1から9の少なくともいずれか一項に記載のデータ処理システム。
【請求項１１】
前記ノード手段に直接的または間接的に接続された前記データ処理手段同士の通信をストリーム化する前記同期手段を少なくとも1台のノード手段が含む、請求項10に記載のデータ処理システム。
【請求項１２】
前記1台または複数のローカルメモリユニットが、先入れ／先出し機能のための記憶手段を備えるように構成され、前記1台または複数のローカルメモリユニットを制御する先入れ／先出し管理手段を前記同期手段が備えている、請求項10または11に記載のデータ処理システム。
【請求項１３】
前記通信インターフェイス手段がシングルチップ上に設けられる、請求項1から12の少なくともいずれか一項に記載のデータ処理システム。
【請求項１４】
前記複数のデータ処理手段の少なくとも一部分が、前記シングルチップ上にさらに設けられる、請求項13に記載のデータ処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を記憶するための少なくとも２つの情報レイヤを有するマルチレイヤ記録担体であり、ユーザ情報がパートに分割されて当該記録担体に記録され、前記パートが前記少なくとも２つの情報レイヤに交互に記録されるマルチレイヤ記録担体であって、
特別な情報を含むパートを有し、前記特別な情報によって、前記ユーザ情報が当該記録担体から読み取られるマルチレイヤ記録担体。
【請求項２】
前記特別な情報が、論理ブロックアドレスを物理ブロックアドレスに変換するためのフィルタドライブを有する、請求項１に記載のマルチレイヤ記録担体。
【請求項３】
前記特別な情報が、前記論理ブロックアドレスを前記物理ブロックアドレスに変換するための前記フィルタドライブのロケーションに対するポインタを有する、請求項１に記載のマルチレイヤ記録担体。
【請求項４】
情報を記憶するための少なくとも２つの情報レイヤを有するマルチレイヤ記録担体に、前記情報を記録する方法であり、ユーザ情報がパートに分割されて前記記録担体に記録され、前記パートが前記少なくとも２つの情報レイヤに交互に記録される方法であって、
特別な情報を含むパートを記録する最初のステップを含み、前記特別な情報によって、前記ユーザ情報が当該記録担体から読み取られることを可能にする方法。
【請求項５】
前記特別な情報が、論理ブロックアドレスを物理ブロックアドレスに変換するためのフィルタドライブを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記特別な情報が、前記論理ブロックアドレスを前記物理ブロックアドレスに変換するための前記フィルタドライブのロケーションに対するポインタを有する、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦＩＤリーダからの搬送波を受信可能なアンテナと、
前記搬送波をバックスキャッタするのに使用する前記ＲＦＩＤタグのためのバックスキャッタパラメータを取り出すために、前記ＲＦＩＤリーダから送信された入力変調信号を復調可能な復調器と、
前記復調器に結合され、バックスキャッタコマンドを受信可能な状態機械であって、前記バックスキャッタコマンドは状態機械の状態を設定するところの状態機械と、
前記状態機械に結合される発信器であって、前記状態機械の状態によって決定される発信器周波数を生成可能な発信器と、
前記発信器に結合され、前記搬送波を変調することで変調されたバックスキャッタ信号を生成可能な変調器とを備え、
前記変調されたバックスキャッタ信号は前記バックスキャッタパラメータに少なくとも部分的に基づいて形成され、前記変調されたバックスキャッタ信号の周波数は前記発信器周波数によって決定される、ＲＦＩＤタグ。
【請求項２】
前記バックスキャッタコマンドは前記発信器周波数を最適周波数に設定し、前記最適周波数は周波数スペクトル中の少なくとも２つの周波数について信号品質を測定し、比較することによって決定される、請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項３】
前記バックスキャッタコマンドは、前記変調されたバックスキャッタ信号の変調方式を決定する、請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項４】
製品に関するコードを含むデータを記憶可能な不揮発性メモリをさらに備える、請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項５】
前記メモリは読み出し／書き込みメモリである、請求項４記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項６】
前記アンテナは極高周波帯の周波数を受信可能である、請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項７】
前記搬送波によって誘導された誘導交流電圧を直流電圧に変換するように動作可能な電圧整流器をさらに含む、請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項８】
前記搬送波とともに送信されるタイミング信号は前記変調されたバックスキャッタ信号の周波数を決定するために用いられる、請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項９】
前記タイミング信号によって生成される前記周波数は、前記バックスキャッタコマンドによって設定された前記状態機械の状態によって決定される、請求項８記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１０】
ＲＦＩＤシステムで用いるＲＦＩＤリーダにおいて、
ある周波数帯中の一以上の周波数の信号対雑音比を測定することによって最適周波数を決定する信号強度品質表示手段と、
前記信号強度品質表示手段の出力に基づいてコマンドを生成するプロセッサ手段であって、前記コマンドは前記最適周波数を含むところのプロセッサ手段と、
前記コマンドを含む信号を生成するためのトランシーバ手段とを備えるＲＦＩＤリーダ。
【請求項１１】
前記最適周波数はＲＦＩＤタグがバックスキャッタ信号のために使用するべき周波数を指定する、請求項１０記載のＲＦＩＤリーダ。
【請求項１２】
前記コマンドはＲＦＩＤタグがバックスキャッタ信号のために使用するべき変調方式を決定する、請求項１０記載のＲＦＩＤリーダ。
【請求項１３】
前記ＲＦＩＤリーダは販売管理システムに結合されている、請求項１０記載のＲＦＩＤリーダ。
【請求項１４】
ＲＦＩＤタグを動作させる方法において、
ＲＦＩＤリーダから受信したコマンドに基づいて、バックスキャッタ変調信号設定を決定するステップと、
前記RFIDリーダから受信した搬送波を変調して、前記バックスキャッタ変調信号設定に少なくとも部分的に基づいた、バックスキャッタ変調信号を生成するステップとを含み、
前記バックスキャッタ変調信号設定を決定するステップは、発信器が状態機械の状態に対応する特定の周波数に設定されるように、状態機械の状態を設定するステップを含む、方法。
【請求項１５】
前記ＲＦＩＤリーダから受信したコマンドに基づいて、バックスキャッタ変調信号設定を決定するステップは、ある選択された変調方式が前記バックスキャッタ変調信号を変調するのに用いられるように状態機械の状態を設定するステップをさらに含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
受信した搬送波から交流電圧を誘導するステップと、
前記交流電圧を整流して直流電圧を生成するステップと、
少なくとも部分的に前記直流電圧によって前記ＲＦＩＤタグに電力を供給するステップとをさらに含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記バックスキャッタ変調信号中において製品識別番号を送信するステップをさらに含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
前記発信器が前記特定の周波数に設定されるように前記状態機械の状態を設定するステップは、所望のデータ速度を得るために前記特定の周波数に前記発信器を設定するステップを含む、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリ・セルと、
データ値を前記複数のメモリ・セルに書き込むための書き込み線と、
前記書き込み線に結合されて、前記書き込み線の電流を制御するトランジスタであって、制御電極を有するトランジスタと、
前記トランジスタの制御電極に結合された第１の端子と、基準電圧回路に結合された第２の端子とを有する第１のスイッチ回路であって、メモリの書き込み動作中に前記書き込み線を流れる電流の量を制御する第１のスイッチ回路と、を備え、
前記第１のスイッチ回路が、タイミング信号及びイネーブル信号のうちの少なくとも１つに応答して導通状態になる、メモリ。
【請求項２】
複数のメモリ・セルと、
それぞれの書き込み線がデータ値を前記複数のメモリ・セルの１グループのメモリ・セルに書き込む、複数の書き込み線と、
それぞれのトランジスタが前記複数の書き込み線の１つの書き込み線に結合されて、前記書き込み線の電流を制御する、複数のトランジスタと、
それぞれのスイッチ回路が前記複数のトランジスタのうちの１つのトランジスタの制御電極に結合された第１の端子を有し、それぞれのスイッチ回路が基準電圧を与える基準電圧回路に結合されて、書き込み線を流れる電流の量を制御するための第２の端子を含む、複数のスイッチ回路と、を備え、
各スイッチ回路が、タイミング信号と複数のイネーブル信号のうちの１つのイネーブル信号とのうちの少なくとも１つに応答して導通状態となる、メモリ。
【請求項３】
複数のメモリ・セルと、
データ値を前記複数のメモリ・セルに書き込むための書き込み線と、
前記書き込み線に結合されて前記書き込み線の電流を制御するトランジスタであって、制御電極を有するトランジスタと、
制御信号を前記トランジスタの制御電極に与える手段と、を備え、
前記制御信号がアサートされてないとき、電流が前記トランジスタを流れず、
前記制御信号がアサートされるとき、前記制御信号が、前記トランジスタを流れる電流の量を制御する電圧を有する、メモリ。
【請求項４】
前記書き込み線が、電流を前記複数のメモリ・セルに与えて、データ値を前記複数のメモリ・セルに書き込むための磁界を生成する請求項３記載のメモリ。
【請求項５】
複数のメモリ・セルと、
それぞれの書き込み線がデータ値を前記複数のメモリ・セルの１グループのメモリ・セルに書き込む、複数の書き込み線と、
それぞれのトランジスタが前記複数の書き込み線の１つの書き込み線に結合されて前記書き込み線の電流を制御する、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタの各トランジスタに対して、制御信号を前記トランジスタの制御電極に与える手段と、を備え、
前記制御信号がアサートされないとき、電流が前記トランジスタを流れず、
前記制御信号がアサートされるとき、前記制御信号が、前記トランジスタを流れる電流の量を制御する電圧を有する、メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
情報を記録するためのコンピュータプログラムであって、前記プログラムは、プロセッサに請求項９記載の方法を実行させるために作用する、
ことを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央処理装置（ＣＰＵ）と、
前記ＣＰＵに結合された信号処理システムを含む電子システムであって、
前記信号処理システムは、
入力サンプル・サブシステムと少なくとも１つの他のサブシステムとを含む複数のサブシステムと、
前記信号処理システムの動作モードに依存して複数の構成へ構成可能なメモリを備え、
前記メモリは、複数の領域に構成可能であり、各領域があるタイプのデータを格納し、各領域が複数の様式の１つでアクセスされ、そして各領域が特定のサブシステムによりアクセスされ、さらに前記領域の少なくとも１つが、様々な領域の大きさ、及び特定領域へアクセスするために使用されるアクセス様式を含む、前記メモリの構成を決定する前記ＣＰＵからのデータワードを格納する電子システム。
【請求項２】
前記信号処理システムは、衛星ベースの測位システムにおいて衛星信号を処理するように構成可能であり、
前記入力サンプル・サブシステムが衛星データを受信し、入力データサンプルを生成し、前記少なくとも１つの他のサブシステムが、コヒーレントデータを生成する信号処理サブシステムと、前記コヒーレントデータを処理して非コヒーレントデータを生成する高速フーリエ変換（ＦＦＴ）サブシステムとを含む請求項１に記載の電子システム。
【請求項３】
前記領域が、前記入力データサンプルを格納する入力サンプルメモリと、コヒーレントデータを格納するコヒーレントメモリと、前記非コヒーレントデータを格納する非コヒーレント加算（ＮＣＳ）メモリとを含む請求項２に記載の電子システム。
【請求項４】
前記複数の構成はコールドスタート構成を含み、メモリの前記領域は入力サンプルメモリとＮＣＳメモリとを含み、
前記入力サンプルメモリは前記ＮＣＳメモリに比しサイズが極めて大きく、
前記入力サンプルメモリは入力データサンプルによりワンショット様式で埋められ、すなわち、前記信号処理サブシステムは、前記データが上書きされる前に少なくとも一回は前記書き込まれた入力サンプルメモリのデータを処理する請求項３に記載の電子システム。
【請求項５】
前記複数の構成は粗捕捉構成を含み、メモリの前記領域は入力サンプルメモリ、コヒーレントメモリ、およびＮＣＳメモリを含み、
前記ＮＣＳメモリは、前記入力サンプルメモリと前記コヒーレントメモリとのいずれよりもサイズが極めて大きく、
前記入力サンプルメモリには循環的に入力データサンプルが書き込まれ、すなわち、前記信号処理サブシステムが前記入力サンプルメモリの１つの領域から処理されるデータを読み出す一方で、前記入力サンプル・サブシステムは前記入力サンプルメモリへデータを書き込む請求項３に記載の電子システム。
【請求項６】
前記複数の構成はホットスタート構成を含み、メモリの前記領域は入力サンプルメモリ、コヒーレントメモリ、およびＮＣＳメモリを含み、
前記ＮＣＳメモリは、前記入力サンプルメモリと前記コヒーレントメモリのいずれよりもサイズが極めて大きく、
前記入力サンプルメモリには循環的に入力データサンプルが書き込まれ、すなわち、前記信号処理サブシステムは処理されるデータを前記入力サンプルメモリの１つの領域から読み出す一方で前記入力サンプル・サブシステムが前記入力サンプルメモリへデータを書き込み、
前記信号処理サブシステムはコヒーレントデータを生成し、前記コヒーレントメモリに前記コヒーレントデータを格納し、前記コヒーレントメモリは、スクラッチ領域と、それぞれが衛星からのコヒーレントデータの格納用である複数のコヒーレント領域とを含むように構成される請求項４に記載の電子システム。
【請求項７】
複数のチャネル信号を処理する方法であって、
複数の離散的信号を連続的に受信する工程と、
信号処理部において前記複数の離散的信号を時分割ベースで処理する工程を備え、
その処理工程は、
前記信号処理部を複数の動作モードの１モード用に構成する工程であって、メモリを様々なタイプのデータの格納用領域へ割り振る工程を含み、特定の領域は特定な様式で特定の信号処理サブシステムによりアクセスされ、様々な離散的信号に対して様々なモードで同時に動作する前記信号処理部を構成する工程を含む、構成工程と、
前記信号処理部の出力の評価に基づき前記信号処理部を連続的に再構成する工程であって、様々な離散的信号に対して様々なモードで同時に動作する前記信号処理部を構成する工程を含む、再構成工程とを含む方法。
【請求項８】
前記離散的信号は全地球測位システム（ＧＰＳ）の衛星信号を備え、その動作モードが、
ＧＰＳ衛星に対して広い低分解能探索が実行されるモードと、
ＧＰＳ衛星に対して狭い高分解能探索が実行されるモードと、
以前に捕捉されたＧＰＳ衛星が追跡されるモードであって、前記信号処理システムを構成する工程が、様々な動作モードにおいて前記複数の離散的信号を処理するために同時に使用されるメモリを構成する工程を含むモードとを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記信号処理システムを構成する工程は、前記メモリの離散的信号領域内にデータワードを格納する工程をさらに備え、前記データワードが、
離散的信号に対する前記信号処理システムを構成するための情報と、
様々なタイプのデータの格納用に割り振られた領域内の位置に対するポインタを含む処理中の離散的信号に対するステータス情報とを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
信号処理部において前記複数の離散的信号を時分割ベースで処理する工程が、
２つ以上のサブシステムがメモリの割り振られた領域にアクセスする際に、アンダフロー状態とオーバーフロー状態を決定する工程と、
アンダフロー状態の決定に応答し、メモリの割り振られた領域からのデータの読み出しを待つサブシステムを停止するとともに、前記ソフトウェアへエラー指標を送信する工程と、
オーバーフロー状態の決定に応答し、有効なデータが入手可能となるまで無効データを処理するとともに、前記ソフトウェアへエラー指標を送信する工程とをさらに備える請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月15日(2007.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層を含み、それらの複数の層が第１の光学的厚さ分布を有しかつ複数の複屈折性材料の層を含む第１の多層反射偏光フィルムと；
該第１の多層反射偏光フィルムに近接する第２の多層反射偏光フィルムであって、該第２の多層反射偏光フィルムは、第２の光学的厚さ分布を有する複数の層を含み、該第２の分布は、該第１の分布とは異なり、さらに該第２の多層反射偏光フィルムの主面は、該第１の多層反射偏光フィルムの主面に対向する、第２の多層反射偏光フィルムと；
該第１および該第２の多層反射偏光フィルムのそれぞれの片面側に配設されたカバーと；
を含む、偏光ビームスプリッター。
【請求項２】
複数の複屈折性材料の層を含む第１の多層反射偏光フィルムと；
該第１の多層反射偏光フィルムに近接する第２の多層反射偏光フィルムであって、該第２の多層反射偏光フィルムの主面は、該第１の多層反射偏光フィルムの主面に対向する、第２の多層反射偏光フィルムと；
前記第１の多層反射偏光フィルムと前記第２の多層反射偏光フィルムとの間の光学用接着剤と；
該第１および該第２の多層反射偏光フィルムのそれぞれの片面側に配設されたカバーと；
を含む、偏光ビームスプリッター。
【請求項３】
光を発生する光源と；
該光源からの光を調整する調整光学素子と；
該調整光学素子からの調整された光に画像を重ねて画像光を形成するイメージングコアであって、該イメージングコアは、少なくとも１つの偏光ビームスプリッターと少なくとも１つのイメージャーとを含み、かつ該偏光ビームスプリッターは、
複数の複屈折性材料の層を含む第１の多層反射偏光フィルムと、
該第１の多層反射偏光フィルムに近接する第２の多層反射偏光フィルムであって、該第２の多層反射偏光フィルムの主面は、該第１の多層反射偏光フィルムの主面に対向する第２の多層反射偏光フィルムと、
該第１および該第２の多層反射偏光フィルムの両側に配設されたカバーと、
を含むイメージングコアと；
該イメージングコアからの該画像光を投影する投影レンズシステムと；
を含む、投影システム。
【請求項４】
偏光ビームスプリッターを作製する方法であって、
複数の複屈折性材料の層を含む第１の多層反射偏光フィルムを形成する工程と；
第２の多層反射偏光フィルムを形成する工程と；
該第１の多層反射偏光フィルムの主面に対向して該第２の多層反射偏光フィルムの主面を配置する工程と；
該第１および該第２の多層反射偏光フィルムを２つのカバーの間に配置する工程と；
を含む方法。