(57)【要約】【課題】  記録及び再生レーザ光線が入射する側の光記録媒体表面の耐擦傷性や防汚性に優れた光記録媒体及び該光記録媒体の製造方法、並びに、光記録媒体の記録再生方法及び光記録再生装置の提供。【解決手段】  基板と、該基板上に情報層と、該情報層上に透光性基体とを有し、該透光性基体を通じて前記情報層にレーザ光を照射して、情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う光記録媒体であって、前記透光性基体の表面に、フルオロアルキルシラン被覆層を有する光記録媒体である。【選択図】  図１
2006294202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に情報層と、該情報層上に透光性基体とを有し、該透光性基体を通じて前記情報層にレーザ光を照射して、情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う光記録媒体であって、
前記透光性基体の表面に、フルオロアルキルシラン被覆層を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
透光性基体の表面に、無機酸化物層と、該無機酸化物層上にフルオロアルキルシラン被覆層とを有する請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
透光性基体が、光透過層と、該光透過層上にハードコート層とを有する請求項１から２のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項４】
ハードコート層が、無機分散材を含む請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
ハードコート層の厚みが、２〜１０μｍである請求項３から４のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項６】
透光性基体の厚みが、５〜２００μｍである請求項１から５のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項７】
記録再生波長３９０〜４２０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）が０．８〜０．９の光学系を用いて記録及び再生の少なくともいずれかを行う請求項１から６のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項８】
情報層が、少なくとも反射層、第１誘電体層、相変化記録層、及び第２誘電体層を有する相変化型情報層である請求項１から７のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項９】
相変化記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、及びＭｎを含み、次式、５原子％≦Ｇｅ≦２０原子％、４５原子％≦Ｓｂ≦７０原子％、１０原子％≦Ｓｎ≦２０原子％、０原子％＜Ｍｎ≦２０原子％を満たす請求項８に記載の光記録媒体。
【請求項１０】
情報層が、少なくとも反射層と、色素材料及び無機材料のいずれかを含む記録層とを有する追記型情報層である請求項１から７のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１１】
基板上に、情報層、及び透光性基体をこの順に有する光記録媒体の製造方法であって、
前記透光性基体表面に、フルオロアルキルシラン、触媒、水、及び有機溶剤を含む処理液を塗布して、フルオロアルキルシラン被覆層を形成する工程を含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれかに記載の光記録媒体の情報層に対し、透光性基体側から波長３９０〜４２０ｎｍのレーザ光線を入射させて情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うことを特徴とする光記録媒体の記録再生方法。
【請求項１３】
光記録媒体に光源からレーザ光線を照射して該光記録媒体に情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う光記録再生装置であって、
前記光記録媒体が、請求項１から１０のいずれかに記載の光記録媒体であることを特徴とする光記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録及び再生レーザ光線が入射する側の光記録媒体表面の耐擦傷性や防汚性に優れた光記録媒体及び該光記録媒体の製造方法、並びに、光記録媒体の記録再生方法及び光記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大容量のデジタルデータを記録するための記録媒体として、結晶状態と非晶質（アモルファス）状態の可逆的相変化を利用したいわゆる相変化型光記録媒体が実用化されている。
前記相変化型光記録媒体における記録材料としては、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬似２元系組成を有し、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５などの化合物組成に代表されるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ３元合金材料、Ｓｂ７０Ｔｅ３０共晶組成近傍を主成分とし、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅに代表されるＳｂＴｅ共晶系材料などがある。
前者のＧｅＳｂＴｅ系材料はＤＶＤ−ＲＡＭとして、後者のＡｇＩｎＳｂＴｅ共晶系材料は、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ及びＤＶＤ＋ＲＷとして広く実用化されている。
【０００３】
これらの相変化型光記録媒体は、いずれも螺旋状乃至は同心円状の溝を有するプラスチック基板（光透過層）上に、下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、反射層などを積層した構造を有し、記録層の結晶とアモルファスにおける光学定数変化及び前記積層構造の多重干渉を利用して反射率を制御し、２値情報の記録及び再生を行うものである。
【０００４】
一方、デジタル化の進展やブロードバンドの普及に伴って扱う情報量が増大し、高密度かつ高速でデータを記録及び再生できる新たな記録システムが求められている。このような背景から、記録再生波長の短波長化や開口数（ＮＡ；Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）の増大により、集光ビーム径を小さくし、記録されるマークのサイズを小さくして、高密度化及び高速化を狙った光記録システムが提案されている。例えば、現行の記録型ＤＶＤは、記録再生波長λが６５０〜６６０ｎｍ、開口数（ＮＡ）が０．６５であり、記録容量が４．７ＧＢであるが、記録再生波長λを４００ｎｍ程度まで短波長化し、開口数ＮＡを０．８５とした記録容量２０ＧＢ以上の光記録システムが提案されている（特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００５】
このように開口数が大きい光記録システムでは、光記録媒体の反りや傾きの許容度、即ちチルトマージンが小さくなるため、十分なチルトマージンを確保するために光透過層の厚みを薄くする必要がある。例えば、開口数（ＮＡ）が０．８５、記録再生波長λを４０５ｎｍとした場合、十分なチルトマージンを確保するためには、光透過層を１００μｍ程度まで薄くすることが要求される。
【０００６】
しかしながら、光透過層の厚みが１００μｍ程度である場合、従来のように、ポリカーボネート樹脂等の射出成形法により光透過層を成形すると、十分な機械的強度や厚み分布、光学特性の面内均一性等が確保できなくなるという問題がある。このため、特許文献１及び特許文献２では、従来の基板とは反対側に光透過層を設ける構造、即ち、ポリカーボネート樹脂等からなる基板上に反射層、誘電体層、記録層、誘電体層、及び光透過層をこの順に有する構造の相変化光記録媒体が提案されており、これによって光透過層を薄膜化することが試みられている。
【０００７】
前記提案では、まず、スタンパを用いてプリグルーブを有する基板を射出成形する。次に、プリグルーブが形成されている基板表面に、スパッタリング法によって反射層、第１誘電体層、記録層、及び第２誘電体層をこの順に成膜する。そして、第２誘電体層の表面に紫外線硬化型樹脂をスピンコートしたり、フィルムシートを貼り合わせることによって光透過層を形成する。
【０００８】
前記光記録媒体においては、基板の反対側から記録及び再生レーザ光線が入射するため、基板の厚みを十分に厚くすることができる。したがって、このような光記録媒体を用いれば、基板の機械的強度を十分に確保しつつ、高開口数の光記録媒体用ヘッドを利用することが可能となる。
【０００９】
一方、高速大容量の光記録再生装置は、現在急速に普及しているＤＶＤ−ＲＯＭや記録型ＤＶＤの記録再生、及びＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等の下位媒体との互換性を有することが望まれている。しかし、前記高速大容量の光記録再生装置では、高開口数化と光透過層の薄層化のため、光透過層の表面での集光ビーム径が１２０μｍ程度に小さくなり、従来の光記録システムでは問題にならなかったようなサイズの傷や指紋、汚れ等であっても、記録不良や再生不良が生じるという問題がある。
【００１０】
このため、ハンドリングによる傷や汚れから記録媒体を防ぐために専用カートリッジが必要となる。しかし、従来の光記録媒体との互換性を容易にするためには、ピックアップの共有化に加えて、専用カートリッジを必要としないベアディスク化が望まれる。
そこで、光透過層表面への傷や汚れ防止を図るため、各種ハードコートを設ける技術が提案されている（特許文献３、特許文献４、特許文献５、及び特許文献６参照）。しかし、これらの提案においても、耐擦傷性や防汚性に関してはいずれも十分ではないのが現状である。
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−３２６４３５号公報
【特許文献２】特開平１１−２１３４５９号公報
【特許文献３】特開２００３−２２８８８４号公報
【特許文献４】特開２００３−１１５１２９号公報
【特許文献５】特開２００３−０９１８７４号公報
【特許文献６】特開２００３−０７７１８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、記録及び再生レーザ光線が入射する光透過層側の光記録媒体表面の耐擦傷性や防汚性に優れた光記録媒体及び該光記録媒体の製造方法、並びに、光記録媒体の記録再生方法及び光記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  基板と、該基板上に情報層と、該情報層上に透光性基体とを有し、該透光性基体を通じて前記情報層にレーザ光を照射して、情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う光記録媒体であって、
前記透光性基体の表面に、フルオロアルキルシラン被覆層を有することを特徴とする光記録媒体である。
＜２＞  透光性基体の表面に、無機酸化物層と、該無機酸化物層上にフルオロアルキルシラン被服層とを有する前記＜１＞に記載の光記録媒体である。
＜３＞  透光性基体が、光透過層と、該光透過層上にハードコート層とを有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜４＞  ハードコート層が、無機分散材を含む前記＜３＞に記載の光記録媒体である。
＜５＞  ハードコート層の厚みが、２〜１０μｍである前記＜３＞から＜４＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜６＞  透光性基体の厚みが、５〜２００μｍである前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜７＞  記録再生波長３９０〜４２０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）が０．８〜０．９の光学系を用いて記録及び再生の少なくともいずれかを行う前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜８＞  情報層が、少なくとも反射層、第１誘電体層、相変化記録層、及び第２誘電体層を有する相変化型情報層である前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜９＞  相変化記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、及びＭｎを含み、次式、５原子％≦Ｇｅ≦２０原子％、４５原子％≦Ｓｂ≦７０原子％、１０原子％≦Ｓｎ≦２０原子％、０原子％＜Ｍｎ≦２０原子％を満たす前記＜８＞に記載の光記録媒体である。
＜１０＞  情報層が、少なくとも反射層と、色素材料及び無機材料のいずれかを含む記録層とを有する追記型情報層である前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１１＞  基板上に、情報層、及び透光性基体をこの順に有する光記録媒体の製造方法であって、
前記透光性基体表面に、フルオロアルキルシラン、触媒、水、及び有機溶剤を含む処理液を塗布して、フルオロアルキルシラン被覆層を形成する工程を含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法である。
＜１２＞  前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の光記録媒体の情報層に対し、透光性基体側から波長３９０〜４２０ｎｍのレーザ光線を入射させて情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うことを特徴とする光記録媒体の記録再生方法である。
＜１３＞  光記録媒体に光源からレーザ光線を照射して該光記録媒体に情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う光記録再生装置において、
前記光記録媒体が、前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の光記録媒体であることを特徴とする光記録再生装置である。
【００１４】
本発明の光記録媒体は、基板と、該基板上に情報層と、該情報層上に透光性基体とを有し、該透光性基体を通じて前記情報層にレーザ光を照射して、情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行い、前記透光性基体の表面に、フルオロアルキルシラン被覆層を有する。
本発明の光記録媒体においては、透光性基体表面にフルオロアルキルシラン被覆層が形成されているので、表面エネルギーが低く、指紋や油脂等の汚れが強固に付着することがない。また、仮に汚れが付着したとしても、布やティッシュペーパー等で容易にふき取り除去することが可能である。また、表面の摩擦係数が低いため、このようなふき取り作業に伴う傷にも強く、耐擦傷性が良好である。
【００１５】
本発明の光記録媒体の記録再生方法は、本発明の前記光記録媒体に対し、透光性基体側から波長３９０〜４２０ｎｍのレーザ光線を入射させて情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う。本発明の光記録媒体の記録再生方法においては、安定かつ確実に情報の記録及び再生のいずれかを効率よく行うことができる。
【００１６】
本発明の光記録再生装置は、光記録媒体に光源からレーザ光線を照射して該光記録媒体に情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う光記録再生装置において、前記光記録媒体が、本発明の前記光記録媒体である。本発明の光記録装置においては、安定かつ確実に情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、記録及び再生レーザが入射する光透過層側の媒体表面の耐擦傷性及び防汚性に優れているため、光記録媒体表面でのビームスポット径が小さくなる高開口数の光記録媒体システムにおいて、従来の開口数（ＮＡ）が０．６５の光記録システムとの互換が取りやすく、ベアディスク化が実現できる光記録媒体及び該光記録媒体の製造方法、並びに、光記録媒体の記録再生方法及び光記録再生装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（光記録媒体）
本発明の光記録媒体は、基板と、該基板上に情報層と、該情報層上に透光性基体とを有し、前記透光性基体の表面に、フルオロアルキルシラン被覆層を有してなり、無機酸化物層、光透過層、ハードコート層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
この場合、前記光記録媒体は、前記透光性基体を通じて前記情報層にレーザ光を照射することにより、情報の記録及び再生の少なくともいずれかが行われる。
また、前記光記録媒体は、記録再生波長３９０〜４２０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）が０．８〜０．９の光学系を用いて、情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うことが好ましい。
【００１９】
前記フルオロアルキルシラン被覆層は、フルオロアルキルシランから生成することが好ましい。該フルオロアルキルシランとは、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基−珪素結合を有する有機珪素化合物を意味し、例えば、下記一般式（１）及び下記一般式（２）のいずれかで表される化合物が好ましい。
ＣＦ３(ＣＦ２)ｎＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＲ)３・・・一般式（１）
ＣＦ３(ＣＦ２)ｎＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３(ＯＲ)２・・・一般式（２）
ただし、前記一般式（１）及び（２）中、ｎは５〜８の整数を表す。ＲはＣＨ３基、又はＣ２Ｈ５基を表す。なお、ＯＲ基の全部又は一部がフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００２０】
前記一般式（１）及び（２）で表されるフルオロアルキルシランとしては、例えば、ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣＨ３)３、ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣｌ３、ＣＦ３(ＣＦ２)５ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣｌ３、ＣＦ３(ＣＦ２)７ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣｌ３、ＣＦ３(ＣＦ２)７ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３Ｃｌ２、Ｃ７Ｆ１５ＣＯ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣＨ３)３、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＮＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣＨ３)３、Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣＨ３)３、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣＨ３)３、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣＨ３)３、などが挙げられる。
【００２１】
また、前記フルオロアルキルシランとしては、適宜合成したものを使用してもよいし、市販品を使用してもよい。
該市販品としては、例えば、信越化学工業株式会社製のＫＢＭ７８０３［ＣＦ３(ＣＦ２)７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣＨ３)３］、東芝シリコーン株式会社製のＴＳＬ８２５７［ＣＦ３(ＣＦ２)５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣＨ３)３］、ＴＳＬ８２３３［ＣＦ３(ＣＦ２)７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣＨ３)３］、ＴＳＬ８２３１［ＣＦ３(ＣＦ２)７ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３(ＯＣＨ３)２］、東レ・ダウコーニング株式会社製のＡＹ４３−１５８Ｅ［ＣＦ３(ＣＦ２)７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)３］、三菱金属株式会社製のＭＦ−１６０［Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２Ｎ(ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３)ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ(ＯＣＨ３)３］等が入手可能である。
【００２２】
前記フルオロアルキルシラン被覆層は、単分子層であることが好ましい。フルオロアルキルシラン単分子層の厚みは数ｎｍ以下であり、角度分解光電子分光法やだ円偏光解析法等により測定可能である。前記フルオロアルキルシラン被覆層の厚みを厚くしても、フルオロアルキルシラン単分子層上のフルオロアルキルシランは、ファンデルワールス力により吸着しているだけであり、容易に剥離するので、前記フルオロアルキルシラン被覆層の厚みを厚くしても効果は変わらない。
【００２３】
前記フルオロアルキルシラン被覆層は、透光性基体表面にシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）によって強固に結合して形成されるため、表面性が経時的に安定である。該フルオロアルキルシラン被覆層の形成方法については、後述する光記録媒体の製造方法において詳述する。
【００２４】
−無機酸化物層−
前記フルオロアルキルシラン被覆層と前記透光性基体との間には、無機酸化物層を有することが好ましい。
前記無機酸化物層は、無機酸化物を含み、更に必要に応じてその他の成分を含んでなる。
前記無機酸化物としては、例えば、ＳｉＯｘ（ただし、1＜ｘ≦２）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。該無機酸化物層によって、フルオロアルキルシラン処理面の防汚効果とその経時安定性が改善される。これは、無機酸化物層表面が化学吸着した水酸基で覆われているため、フルオロアルキルシランの表面吸着サイトが密になるとともに、より強固なシロキサン結合によってフッ素含有オルガノシラン化合物が表面に結合するためと考えられる。
【００２５】
前記無機酸化物層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成することができる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等の点から特に好ましい。
前記無機酸化物層の厚みは、５〜２００ｎｍが好ましく、１０〜３０ｎｍがより好ましい。前記厚みが５ｎｍ未満であると、無機酸化物層が島状になり易くなり、十分な改善効果が得られないことがあり、２００ｎｍを超えると、成膜応力が高くなり易く、剥離や割れの原因となることがある。
【００２６】
−透光性基体−
前記透光性基体は、光透過層とその表面に設けられたハードコート層から構成され、更に必要に応じてその他の層を有してなる。これにより、ハードコート層が外力による変形抵抗となるため、表面のフルオロアルキルシラン被覆層が光透過層の塑性変形を伴って光透過層ごと除去されてしまうのを防ぐことができる。
前記透光性基体の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５〜２００μｍが好ましく、５〜１２０μｍがより好ましい。前記厚みがこの範囲であれば、波長３９０〜４２０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）が０．８〜０．９の光学系を用いて記録再生を行う場合に、十分なチルトマージンを確保することができる。
【００２７】
前記光透過層は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、紫外線硬化性樹脂単体、又は紫外線硬化性樹脂を用いてポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の樹脂性シートを貼り合わせた構造、などが挙げられる。
【００２８】
前記ハードコート層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシアクリレートオリゴマー（２官能オリゴマー）、多官能アクリルモノマー、単官能アクリルモノマー及び光重合開始剤を含む紫外線硬化型樹脂などが挙げられ、組成を調整することによってＪＩＳ  Ｋ５４００で規定される鉛筆硬度がＨ程度以上に設定される。
前記紫外線硬化型樹脂（ハードコート剤）としては、市販品を用いることができ、例えば、日本化薬株式会社製のＨＯＤ−３２００、三菱レーヨン株式会社製のＭＨ７６１７Ｎ、などが挙げられる。
前記ハードコート層の厚みは、２〜１０μｍが好ましい。前記厚みが２μｍ未満であると、膜としての十分な変形抵抗が期待できないことがあり、１０μｍを超えると、硬化収縮応力による光記録媒体の反りが大きくなってしまうことがある。
【００２９】
前記無機分散材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物等の透明性の高い硬質材料から選択されることが望ましい。具体的には、ＳｉＯｘ（ただし、1＜ｘ≦２）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物；ＺｎＳ、ＴａＳ４等の硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物、などが挙げられる。単体もしくは混合物として用いることができる。
前記無機分散材のサイズは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ハードコート層の表面平坦性を損ねないために、前記無機分散材の粒径は１００ｎｍ以下が好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
【００３０】
本発明の光記録媒体における情報層としては、記録層がレーザ光の照射により何らかの光学的変化を生じ、その変化により情報を記録できるものであれば特に制限はなく、相変化型情報層であっても、追記型情報層のいずれであってもよい。
【００３１】
ここで、図１は、本発明の相変化型光記録媒体の層構成の一例を示す。この光記録媒体は、基板１上に、反射層２、第１誘電体層３、相変化記録層４、第２誘電体層５、光透過層６、ハードコート層７、無機酸化物層８、フルオロアルキルシラン被覆層９をこの順に積層してなる。１０は、情報層を表す。
【００３２】
＜基板＞
前記基板の材料としては、通常、ガラス、セラミックス、樹脂、などが用いられるが、成形性、コストの点から、樹脂製基板が好適である。前記樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、成形性、光学特性、コストの点から、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
前記基板には、凹凸のある案内溝が形成されている。ＤＶＤ＋Ｒ、ＣＤ−ＲなどのＣＤプレーヤー再生可能な記録メディアの特徴の一つとして、案内溝又はピット列が蛇行状にウォブリングすることにより、トラック情報が記録されていることが挙げられる。案内溝の蛇行状態はウォブル信号としてトラック信号から検出でき、所定周波数をＦＭ変調や位相変調することで、トラック情報を基板上に予め記録しておく。トラック情報とは、アドレス情報・ディスクの回転周波数情報などであり、トラック信号から検出する場合は、情報データ信号と分離しやすく、ＲＯＭ信号互換を得やすいという特徴がある。前記基板に形成した好ましいグルーブ深さは１０〜４０ｎｍ（１００〜４００Å）であり、案内溝幅は０．１〜０．３５μｍである。
【００３３】
＜相変化型情報層＞
前記相変化型情報層としては、基板上に、反射層、第１誘電体層、相変化記録層、及び第２誘電体層を有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
【００３４】
−相変化記録層−
前記相変化記録層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５に代表される公知のＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬似２元系材料や、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅに代表されるＳｂＴｅ共晶系材料を用いることができる。特に、記録再生波長３９０〜４２０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）が０．８〜０．９の光学系を用いる場合は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ及びＭｎからなる合金を主成分とした相変化記録材料が、再生光安定性と保存信頼性（アモルファスマークの安定性）に優れており好ましい。
【００３５】
各元素の好ましい組成は、５原子％≦Ｇｅ≦２０原子％、４５原子％≦Ｓｂ≦７０原子％、１０原子％≦Ｓｎ≦２０原子％、０原子％＜Ｍｎ≦２０原子％である。Ｇｅは、結晶化温度を上げて保存性を高める一方で、繰り返し記録特性を悪化させるので、２０原子％を超えないことが好ましい。逆に、高温高湿環境下での保存信頼性を確保するためには、少なくとも５原子％以上が必要である。Ｓｎは、波長４０５ｎｍにおける十分な反射率とコントラストを得るために、１０原子％より多く含む必要がある。逆に、Ｓｎが多すぎると、Ｇｅ同様、繰り返し記録特性を損ねるため、２０原子％を超えないことが望ましい。ＳｎとＳｂは結晶化速度を速め、ＧｅとＭｎは結晶化速度を遅くする元素なので、総合的な記録特性と狙いの記録線速を考慮して、各元素の組成比が最適化される。Ｍｎは、反射率低下や記録ジッターへの悪影響がＧｅよりも小さいため、結晶化速度を遅くする際にＧｅに代替して添加される。
前記相変化記録層は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ及びＭｎの総量が９５原子％以上で構成され、この他に記録特性や保存信頼性等を改善するために５原子%未満からなる第五元素を含んでもよい。
【００３６】
前記記録層の形成方法としては、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等の点から特に好ましい。
前記記録層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５〜２０ｎｍが好ましい。
【００３７】
−第１誘電体層及び第２誘電体層−
前記第１誘電体層及び第２誘電体層は、前記記録層の劣化変質を防ぎ、記録層の接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用効果を有し、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、又は、それらの混合物が挙げられる。これらの中でも、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が好ましい。前記ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物は、耐熱性、低熱伝導率性、化学的安定性に優れており、膜の残留応力が小さく、記録及び消去の少なくともいずれかの繰り返しによっても記録感度、消去比などの特性劣化が起きにくく、記録層との密着性にも優れている点で好ましい。
【００３８】
前記第１誘電体層、及び第２誘電体層の形成方法としては、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等の点から優れている。
前記第１誘電体層及び第２誘電体層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、第１誘電体層の厚みは、通常５０〜９０ｎｍが好ましく、第２誘電体層の厚みは、通常６〜１５ｎｍが好ましい。
【００３９】
−反射層−
前記反射層は反射層としての役割を果たす一方で、記録時にレーザ光照射により記録層に加わった熱を逃がす放熱層としての役割も担っている。非晶質マークの形成は，放熱による冷却速度により大きく左右されるため，反射層の選択は高線速対応媒体では特に重要である。
【００４０】
前記反射層は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、又はそれらの合金などを用いることができる。また、これら金属材料への添加元素として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用できる。これらの中でも、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかを含有することが好ましい。それは、前記相変化型光情報記録媒体を構成する反射層は通常、記録時に発生する熱の冷却速度を調整する熱伝導性の観点と、干渉効果を利用して再生信号のコントラストを改善する光学的な観点から、高熱伝導率／高反射率の金属が望ましく、純Ａｇ又はＡｇ合金はＡｇの熱伝導率が４２７Ｗ／ｍ・Ｋと極めて高く、記録時に記録層が高温に達した後直ぐに、アモルファスマーク形成に適した急冷構造を実現できるからである。
なお、このように高熱伝導率性を考慮すると純銀が最良であるが、耐食性を考慮しＣｕを添加してもよい。この場合Ａｇの特性を損なわないためには銅の添加量範囲は０．１〜１０原子％が好ましく、特に０．５〜３原子％が好適である。銅の過剰な添加は逆にＡｇの耐食性を劣化させてしまう。
【００４１】
前記反射層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等の点から特に好ましい。
前記反射層の放熱能力は基本的には層の厚みに比例するが、前記反射層の厚みは、６０〜３００ｎｍが好ましい。
【００４２】
なお、前記反射層上には、必要に応じて樹脂保護層を設けることができる。該樹脂保護層は、工程内及び製品となった時点で記録層を保護する作用効果を有し、通常、紫外線硬化性の樹脂により形成する。前記樹脂保護層の厚みは２〜５μｍが好ましい。
【００４３】
＜追記型情報層＞
前記追記型情報層は、基板上に、少なくとも反射層、追記型記録層を有してなり、保護層、下引き層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
【００４４】
−追記型記録層−
前記追記型記録層は、色素材料及び無機材料のいずれかを少なくとも含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
【００４５】
前記色素材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、スクワリリウム系色素、アゾ系色素、ホルマザンキレート系色素、Ｎｉ,Ｃｒなどの金属錯塩系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、インドアニリン系色素、トリフェニルメタン系色素、トリアリルメタン系色素、アミニウム系色素、ジインモニウム系色素、ニトロソ化合物、などが挙げられる。これらの中でも、膜の光吸収スペクトルの最大吸収波長が５５０〜６５０ｎｍにありレーザ光波長(約６５０ｎｍ)にて所望の光学特性が得やすい色素化合物としては、溶剤塗布による成膜性、光学特性の調整のしやすさから、テトラアザポルフィラジン色素、シアニン色素、アゾ色素、スクアリリウム色素から選ばれる少なくとも１種の色素が好ましい。
【００４６】
また、前記色素中に高分子材料を配合させることもできる。該高分子材料としては、例えば、アイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン樹脂、液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリング剤等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改良の目的で安定剤（例えば、遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を一緒に用いることもできる。
【００４７】
前記色素材料を含む記録層の形成は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法又は溶液塗布法等の通常の手段によって行うことができる。前記塗布法を用いる場合には、前記色素等を有機溶剤等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッピング、及びスピンコーティング等の慣用のコーティング法によって行われる。
【００４８】
一方、前記無機材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｂｉ，Ｓｂ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、又はこれらの酸化物、などが挙げられる。
前記無機材料を含む記録層の形成は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法又は溶液塗布法等の通常の手段によって行うことができる。
【００４９】
前記追記型記録層の厚みは、１０〜５００ｎｍ（１００〜５，０００Å）が好ましく、５０〜２００ｎｍ（５００〜２，０００Å）がより好ましい。前記厚みが１０ｎｍ（１００Å）未満であると、記録感度が低下してしまうことがあり、５００ｎｍ（５，０００Å）を超えると、反射率が低下してしまうことがある。
【００５０】
−反射層及び誘電体層−
前記反射層及び誘電体層の材料としては、上記相変化型情報層を有する光記録媒体と同じものを用いることができる。
【００５１】
−下引き層−
前記下引き層は、（１）接着性の向上、（２）水又はガス等のバリア、（３）記録層の保存安定性の向上、（４）反射率の向上、（５）溶剤からの基板や記録層の保護、及び（６）案内溝、案内ピット、プレフォーマット等の形成等を目的として使用される。
前記（１）の目的に対しては、高分子材料、例えば、アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々の高分子物質、及びシランカップリング剤等を用いることができる。前記（２）及び（３）の目的に対しては、前記高分子材料以外に無機化合物、例えば、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等、更に金属、又は半金属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等を用いることができる。また、前記（４）の目的に対しては、金属、例えば、Ａｌ、Ａｇ等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチン染料、キサンテン系染料等を用いることができる。前記（５）及び（６）の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
【００５２】
前記下引き層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．０１〜３０μｍが好ましく、０．０５〜１０μｍがより好ましい。
【００５３】
（光記録媒体の製造方法）
本発明の光記録媒体の製造方法は、フルオロアルキルシラン被覆層を形成する工程を含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００５４】
−フルオロアルキルシラン被覆層を形成する工程−
前記フルオロアルキルシラン被覆層を透光性基体表面に形成するには、例えば、低級アルコールのような有機溶剤中に、フルオロアルキルシランを溶解した後、酸又はアルカリ触媒と水の混合液を加えた処理液をスピンコート等により透光性基体表面に塗布すればよい。前記処理液中のフルオロアルキルシランは、加水分解によってシラノール基Ｓｉ（ＯＨ）３を有するため、透光性基体表面の水酸基と水素結合やシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）を起こし、フッ素含有オルガノシラン化合物が表面に結合して、フルオロアルキルシラン被覆層を形成する。
前記処理液を塗布した後の乾燥温度は、２０〜１００℃であることが好ましく、５０〜８０℃であることがより好ましい。
【００５５】
前記フルオロアルキルシランの前記処理液中の含有量は、０．１〜１０質量％が好ましく、０．５〜２質量％がより好ましい。前記含有量が１０質量％を超えると、余分なフルオロアルキルシランが被処理面に残留し白濁等の原因となることがあり、０．１質量％未満であると、十分な処理効果が発現しなくなることがあり、フッ素含有オルガノシラン化合物の被覆密度が疎になるため、水や有機溶剤等に対する接触角が小さくなってしまい、十分な防汚性が発現しないことがある。
【００５６】
前記触媒は、フルオロアルキルシラン加水分解用触媒として作用するものであり、酸触媒又はアルカリ触媒が好適である。該触媒としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、芳香族スルホン酸、脂肪族スルホン酸、フッ素化スルホン酸や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、等が挙げられ、これらの中でも、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸が特に好ましい。これらの酸触媒は、使用するフルオロアルキルシランの総モル量に対し、０．００１〜１ｍｏｌ（等モル）の範囲になるように添加する。酸の添加量がフルオロアルキルシラン１ｍｏｌに対して０．００１ｍｏｌ未満になると、添加効果がなくなることがあり、１ｍｏｌを超えると、処理剤中でフルオロアルキルシラン同士の重縮合が起こりやすくなり、被覆表面の白濁の原因となることがある。
【００５７】
前記水の前記処理液への添加量は０．１〜１０質量％が好ましく、フルオロアルキルシランと同程度を加えればよい。前記水の添加量が０．１質量％未満であると、フルオロアルキルシランを十分に加水分解することができないので、十分な処理効果が発現しないことがあり、１０質量％を超えると、処理剤中でフルオロアルキルシラン同士の重縮合が起こりやすくなり、被覆表面の白濁の原因となることがある。
【００５８】
前記有機溶剤としては、フルオロアルキルシランを均一に溶解することができるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、炭化水素、アルコール、ケトン、エステル、等が挙げられる。前記炭化水素としては、例えば、炭素数６〜１４の脂肪族炭化水素の１種又は２種以上の混合物が挙げられる。前記アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール等の炭素数１〜３の低分子アルコールなどが挙げられる。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５９】
前記その他の工程としては、記録層形成工程、誘電体層形成工程、反射層形成工程などが挙げられる。これらの工程は、常法により行うことができる。
【００６０】
（光記録媒体の記録再生方法）
本発明の光記録媒体の記録再生方法は、本発明の前記光記録媒体の記録層に対し、透光性基体側から波長３９０〜４２０ｎｍのレーザ光線を入射させて情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う。
具体的には、光記録媒体を所定の線速度、又は、所定の定角速度にて回転させながら、透光性基体側から対物レンズを介して半導体レーザ（例えば、４０５ｎｍの発振波長）等の記録用の光を照射する。この照射光により、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、例えば、ピットが生成してその光学特性を変えることにより情報が記録される。上記のように記録された情報の再生は、光記録媒体を所定の線速度で回転させながらレーザー光線を透光性基体側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【００６１】
（光記録再生装置）
本発明の光記録再生装置は、光記録媒体に光源から光を照射して該光記録媒体に情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う光記録再生装置において、光記録媒体として本発明の前記光記録媒体を用いたものである。
前記光記録再生装置は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、レーザ光線を出射する半導体レーザ等の光源であるレーザ光源と、レーザ光源から出射されたレーザ光線をスピンドルに装着された光記録媒体に集光する集光レンズ、レーザ光源から出射されたレーザ光線の一部を検出するレーザ光検出器、レーザ光源から出射されたレーザ光線を集光レンズとレーザ光検出器とに導く光学素子を備えてなり、更に必要に応じてその他の手段を有してなる。
【００６２】
前記光記録再生装置は、レーザ光源から出射されたレーザ光線を光学素子により集光レンズに導き、該集光レンズによりレーザ光線を光記録媒体に集光照射して光記録媒体に記録及び再生を行う。このとき、光記録再生装置は、レーザ光源から出射されたレーザ光線の一部をレーザ光検出器に導き、レーザ光検出器のレーザ光線の検出量に基づきレーザ光源の光量を制御する。
記録再生波長３９０〜４２０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）が０．８〜０．９の光学系を用いることが好ましい。
前記レーザ光検出器は、検出したレーザ光線の検出量を電圧又は電流に変換し検出量信号として出力する。
前記その他の手段としては、制御手段等が挙げられる。前記制御手段としては、前記各手段の動きを制御することができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シークエンサー、コンピュータ等の機器が挙げられる。
【００６３】
本発明の光記録再生装置は、記録及び再生レーザ光線が入射する側の光記録媒体表面の耐擦傷性や防汚性に優れた本発明の前記光記録媒体を搭載しているため、安定した記録が可能となる。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、下記実施例に限定されるものではない。
【００６５】
（実施例１）
＜光記録媒体の中間体の作製＞
まず、溝深さ２１ｎｍ、溝幅０．１６μｍ、トラックピッチ０．３２μｍのグルーブ溝を有する厚み１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製基板（製品名ＳＴ３０００、帝人バイエルポリテック社製）を用意した。
次に、基板上に、スパッタリング法により、Ｂｉを０．５原子％含むＡｇ合金からなる厚み１４０ｎｍの反射層を成膜した。
次に、反射層上に、スパッタリング法により、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％含むＺｎＳからなる厚み８ｎｍの第１誘電体層を成膜した。
次に、第１誘電体層上に、スパッタリング法により、Ｇｅ１８Ｓｂ５６Ｓｎ２０Ｍｎ６からなる厚み１４ｎｍの相変化記録層を成膜した。
次に、相変化記録層上に、スパッタリング法により、ＳｉＯ２を３０ｍｏｌ％含むＺｎＳからなる厚み４０ｎｍの第２誘電体層を成膜した。以上により、基板上に相変化記録層を有する情報層を形成した。
次いで、紫外線硬化樹脂（日本化薬社製、ＤＶＤ００３）を用いて厚み７５μｍのポリカーボネート樹脂製シートを情報層上に貼り合わせて光透過層を形成した。以上により、合計厚み１．２ｍｍの光記録媒体の中間体を作製した。
【００６６】
＜フルオロアルキルシラン処理溶液の調製＞
下記組成の有機溶剤としてエタノール、酸触媒として酢酸を用い、フルオロアルキルシランＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＦ２ＣＦ２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３を０．０２ｍｏｌ／ｌの濃度とした。水は、処理溶液を緩衝溶液とするためにＮａＯＨ水溶液（０．１ｍｏｌ／ｌ）の形で加え、ｐＨ５に調整した。
−フルオロアルキルシラン処理溶液の組成−
・エタノール・・・５００ｍｌ
・酢酸・・・５．０ｍｌ
・０．１ｍｏｌ／ｌのＮａＯＨ水溶液・・・５．０ｍｌ
・ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＦ２ＣＦ２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３・・・４．５ｍｌ（０．０２ｍｏｌ／ｌ）
【００６７】
次に、作製した光記録媒体の中間体の表面に、上記フルオロアルキルシラン処理溶液をスピンコートし、７０℃にて３０分乾燥してフルオロアルキルシラン被覆層を形成した。以上により、実施例１の光記録媒体を作製した。
【００６８】
（実施例２）
実施例１において、光記録媒体の中間体の表面に紫外線硬化樹脂からなるハードコート層（三菱レーヨン株式会社製、ＭＨ７６１７Ｎ）を厚みが６μｍとなるように形成し、更に該ハードコート層上に、スパッタリング法により、ＳｉＯ２膜を厚みが３０ｎｍとなるように成膜し、該ＳｉＯ２膜上に実施例１と同様のフルオロアルキルシラン処理を行い、フルオロアルキルシラン被覆層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例２の光記録媒体を作製した。
【００６９】
（比較例１）
実施例１において、フルオロアルキルシラン被覆層の代わりに光透過層側の光記録媒体の中間体表面に紫外線硬化樹脂からなるハードコート層（三菱レーヨン株式会社製、ＭＨ７６１７Ｎ）を厚みが６μｍになるように形成した以外は、実施例１と同様にして、比較例１の光記録媒体を作製した。
【００７０】
（比較例２）
実施例１において、フルオロアルキルシラン被覆層の代わりに光透過層側の光記録媒体の中間体表面に紫外線硬化樹脂にフッ素系潤滑剤を１質量％混合したものを厚みが６μｍになるように形成した以外は、実施例１と同様にして、比較例２の光記録媒体を作製した。
【００７１】
得られた各光記録媒体について、光入射面のオレイン酸に対する接触角は、接触角計（協和界面科学株式会社製、ＣＡ−Ｘ１５０）により、ＪＩＳ  Ｒ３２５７（基板ガラス表面のぬれ性試験）に準拠した方法で測定した。また、以下のようにして、動摩擦係数を測定した。結果を表１に示す。
【００７２】
＜動摩擦係数＞
動摩擦係数は、摩擦抵抗試験機（神東化学社製、ＨＥＩＤＯＮ  １４Ｄ）により、直径５ｍｍ鋼球、荷重１０ｇ、引張速度６０ｍｍ／ｍｉｎで行った。経時特性は、不織布（旭化成社製、ベンコットフリーＣＴ−８）にイソプロピルアルコールを含浸させ、面圧２００ｇ／ｃｍ２の静荷重をかけながら、１５ｃｍ／ｓで光記録媒体の光入射面のふき取り動作を１００回繰り返した後に測定した結果である。
【００７３】
【表１】
2006294202.tif 000003
表１の結果から、従来のハードコート層のみを形成した比較例１の光記録媒体は、オレイン酸に対する接触角が１０°未満であり、指紋や油脂等に対する防汚性は期待できない。また、動摩擦係数が約０．６以上と高いため、耐擦傷性も低いと考えられる。
また、ハードコート層にフッ素系潤滑剤を含む比較例２は、オレイン酸に対する接触角が５５°であり、初期の防汚性は発現するが、経時的には比較例１と同様に防汚性が劣化してしまうと考えられる。また、動摩擦係数は初期が０．２９と低いため、初期的には良好な耐擦傷性が期待できるが、経時的には、動摩擦係数が０．４８と上昇してしまうので、耐擦傷性は十分とは言えない。このように、従来のハードコート層に潤滑剤を含む構成では、表層の潤滑剤が容易に除去されてしまうため、経時的に安定な防汚性及び耐擦傷性は得られない。
これに対し、実施例１の光記録媒体は、初期の接触角が比較例２と同等以上に高いため、良好な防汚性が期待できる。経時的には接触角がやや小さくなるが、オレイン酸に対して十分に高い接触角を維持しているので、防汚効果は持続される。耐擦傷性に関しても、動摩擦係数が０．２５と低いため、良好な耐擦傷性が期待でき、経時的にも劣化は小さいと言える。
また、実施例２の光記録媒体は、初期の接触角及び動摩擦係数が実施例１よりも良好である上に、経時的にも顕著な劣化がないため、良好な防汚性及び耐擦傷性が安定的に発現する。
【００７４】
（実施例３）
実施例１において、情報層における相変化記録層をＡｇ０．２Ｉｎ３Ｇｅ３．８Ｓｂ７１Ｔｅ２２とした以外は、実施例１と同様にして、実施例３の光記録媒体を作製した。
【００７５】
次に、実施例１と実施例３の光記録媒体に、波長４０５ｎｍのＬＤ（レーザダイオード）、開口数（ＮＡ）が０．８５の対物レンズからなるピックアップヘッドが搭載された記録再生装置（Ｐｕｌｓｔｅｋ社製、ＯＤＵ１０００）を用いて、記録線速９．８ｍ／ｓ、マーク長さ０．１１２μｍ／ｂｉｔ、変調方式（１−７）ＲＬＬで記録を行い、再生パワー０．４０ｍＷで耐再生光安定性を比較した。結果を図２に示す。
図２の結果から、実施例３の光記録媒体は、数万回を超えたあたりからジッターの上昇が見られたが、相変化記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、及びＭｎを主成分とする実施例１の光記録媒体は、１００万回の繰り返し再生によっても、明らかなジッター上昇は確認されなかった。
これにより、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、及びＭｎを主成分とする記録材料は、ＳｂＴｅ共晶系材料よりも、耐再生光安定性に優れていることが認められた。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の光記録媒体は、レーザ光線が入射する側の光記録媒体の表面の耐擦傷性や防汚性に優れているので、ＣＤ、ＤＶＤ等の各種光記録媒体などに好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】図１は、本発明の光記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、実施例１及び実施例３における繰り返し再生によるジッタ値の変動を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７８】
１      基板
２      反射層
３      第１誘電体層
４      相変化記録層
５      第２誘電体層
６      光透過層
７      ハードコート層
８      無機酸化物層
９      フルオロアルキルシラン被覆層
１０      情報層
【図１】
2006294202.tif 000004
【図２】
2006294202.tif 000005