【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ネマチック又は長ピッチコレステリック液晶材料の層を囲む２つのセル壁により形成され、電極構造体は両壁に保持され、一方の壁上に一連の行電極が、他方の壁上に一連の列電極が形成されて交差領域即ちピクセルのマトリクスを形成しており、壁に表面処置を施して適当な単極電圧パルスが掛けられると分子を２つの異なる安定状態に整列させる分子配列を提供している双安定ネマチックデバイスをアドレス指定するための方法において、
各行にあるあるシーケンスで行波形を掛けると同時に各列電極に２つのデータ波形のうちの一方を掛け、それにより各ピクセルが２つの双安定状態の間で独立的に切り替わる段階から成り、
前記行波形は、少なくとも２タイムスロットの期間と、デバイスを第１の状態に切り替えるための少なくとも２つの単極パルスと、デバイスを第２の状態に切り替えるための少なくとも２つの単極パルスとを有し、
両方のデータ波形は、各タイムスロットに単極パルスを有する少なくとも２つのタイムスロットの期間を有し、少なくとも１つのデータ波形は行波形と結合するように成形されて一方のラッチ状態への切り替えを起こし、
それにより、デバイスに印加されるｄｃ電圧が実質的に正味ゼロの状態で、各ピクセルはアドレス指定され、何れかの安定状態にラッチされ、集合的に希望される表示を提供することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記デバイスのアドレス指定は２つのフィールドタイム中に行われ、１つのフィールドタイムは一方の安定状態に切り替えるため、そしてもう１つのフィールドタイムは第2の安定状態へと切り替えるためであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記フィールドタイムは長さが同じであることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記フィールドタイムは長さが異なることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】  前記デバイスは、１つのフィールドタイム中に一方の状態にピクセルを選択的に切り替え、第2のフィールドタイム中に他方の状態にピクセルを選択的に切り替えることによりアドレス指定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記デバイスを第1の状態に切り替える２つの単極パルスはブランキングパルスであり、前記デバイスを第２の状態に切り替える単極パルスは切り替えパルスであり、ピクセルの幾つか又は全部はブランクされて一方の状態になり、次に選択的に他方の状態に切り替えられることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項７】  行波形は、ピクセルをブランク可能な振幅の少なくとも１つの単極パルスと、ピクセルを選択的に切り替えるためにデータ波形と結合可能な振幅の少なくとも１つの単極アドレス指定パルスを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項８】  前記ブランキングパルスは、振幅が等しく、反対であり、前記切り替えパルスは、振幅が等しく、反対であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】  アドレス指定されるとデバイス全体が実質的に正味ゼロｄｃ電圧を受けるように、前記ブランキングパルスは振幅が１つのゼロ振幅値を含め不同一で、反対であり、前記切り替えパルスは１つのゼロ振幅値を含め振幅が不同一で、反対であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】  前記ブランキングパルスは、振幅が前記切り替えパルスの振幅と同じか、又は異なることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１１】  前記ブランキングパルス及び前記切り替えパルスは、時間で、等しく又は不同に離間されていることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１２】  前記行波形は、ピクセルを一方の状態にブランクするための少なくとも２つの単極ブランキングパルスと、ピクセルを第2の状態に選択的に切り替えるための少なくとも２つの単極切り替えパルスとを有し、各行は、あるシーケンスで、先ずブランキンパルスにより、そして次に２つのデータ波形の一方と結合した切り替えパルスによりアドレス指定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】  前記ブランキングパルスと前記切り替えパルスとは、少なくとも１ラインアドレスタイムの期間分、離されていることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  ブランキングパルスを１つの行に掛けている間、列は電圧パルスを受けず、アドレスを指定されていない行は電圧パルスを受けず、ブランクされていないピクセルはゼロ電圧を受けることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  前記ブランキングパルスと前記切り替えパルスとは、少なくとも１ラインアドレスタイムの期間分、離されており、その期間中、行波形は振幅がゼロであることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】  前記行波形及びデータ波形は、２つ、３つ、４つ、又はそれ以上の個数のタイムスロットｔｓの同じ期間を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】  前記行波形及びデータ波形は両方とも３つ又はそれ以上のタイム期間から形成され、前記ストローブ波形及び／又は前記データ波形の少なくとも１つのタイムスロットはゼロ電圧振幅であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】  前記アドレス指定は、前記行波形を各行に順に与えることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】  前記アドレス指定は、前記行波形を各行にインターリーブ方式（図１１）で与えることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】  追加的な電圧減少波形が、前記行波形及び前記２つのデータ波形の双方又は何れかに与えられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２１】  双安定状態の一方への切り替えが他方の双安定状態への切り替えよりも低い電圧で起きるように、表面処理を施す段階を更に含んでいることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】  液晶材料の温度が測定され、温度に関する切り替え特性を補正するために電圧が調整されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２３】  ラインアドレスタイムが、ピクセルパターンへの依存性を最小にするように選択されている請求項１記載の方法。
【請求項２４】  ピクセルにおけるｒｍｓ電圧レベルを減少し且つ表示コントラストを改善するように、追加の波形が、行および列電極に加えられる請求項1記載の方法。
【請求項２５】  双安定ネマチックデバイスにおいて、
間隔を空けて設けられ、ネマチック又は長ピッチコレステリック液晶材料の層（２）を囲んでいる２つのセル壁（３，４）と、
集合的に交差領域即ちピクセルのマトリクスを形成する、一方の壁（４）上の第１の一連の電極（７）及び他方の壁（３）上の第２の一連の電極（６）と、
適当な単極電圧パルスが印加されると、壁に接触する又は壁に隣接する分子を２つの異なる安定状態に整列させることのできる分子配列を提供するための壁（３、４）上の表面処理と、
液晶材料の切り替えられた両状態を区別するための手段（１３、１３’）と、
行波長を生成し、その行波長を第1の一連の電極内の各電極にあるシーケンスで掛けるための手段（８、１０）と、
２つのデータ波形の一方を生成し、その波形を第２の一連の電極（７）内の各電極に掛けるための手段（９、１０）とを備えており、
前記行波形は、少なくとも２タイムスロットの期間と、デバイスを第１の状態に切り替えるための少なくとも２つの単極パルスと、デバイスを第2の状態に切り替えるための少なくとも２つの単極パルスとを有しており、
前記両方のデータ波形は、各タイムスロット内に１つの単極パルスを有する少なくとも２つのタイムスロットの期間を有し、少なくとも１つのデータ波形はストローブ波形と結合して第１の状態への切り替えを起こすように成形され、他方のデータ波形は、ストローブ波形と結合して第２の状態への切り替えを起こすように成形されており、
それにより、デバイスに印加されるｄｃ電圧が実質的に正味ゼロの状態で、各ピクセルは何れかの安定状態に独立的に切り替えられ、集合的に希望される表示を提供することを特徴とするデバイス。
【請求項２６】  壁表面整列処理時の前記２つの安定状態での液晶分子のエネルギーレベルは、前記２つの状態の間で切り替えを行うときに、切り替え特性（図５）が同じになるように、同じになるように調整されることを特徴とする請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２７】  壁表面整列処理時の前記２つの安定状態での液晶分子のエネルギーレベルは、前記２つの状態の間で切り替えを行うときに、切り替え特性（図５）が異なるように、異なるように調整されることを特徴とする請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２８】  格子壁表面処理の高さ対幅比率は、デバイスが２つの双安定状態に切り替えられるときに、異なる切り替え特性を与えるように決められることを特徴とする請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２９】  電圧減少波形を発生して、これを第１及び第２の一連の電極の何れか又は両方の各電極に、印加する手段（１０、８、９）を更に含む請求項２５記載のデバイス。