【手続補正書】
【提出日】平成19年5月29日(2007.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方晶系構造を有するＳｉＣ基板のオフカット面上で成長させたエピタキシャルＳｉＣ膜であって、該オフカット面が約２〜約１０°のオフカット角度を有し、該オフカット面の結晶方向が該基板の６つの等価な＜１−１００＞方向±７．５°のうちの１つの方向を向いており、該エピタキシャルＳｉＣ膜が、エッジ除外領域内に平滑面形態を有しかつ２０×２０μｍ２領域に約２ナノメートルを超えない二乗平均粗さを有するデバイス品質のＳｉＣ膜を含む、エピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項２】
前記ＳｉＣ基板が４Ｈ−ＳｉＣを含む、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項３】
前記ＳｉＣ基板が６Ｈ−ＳｉＣを含む、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項４】
２０×２０μｍ２領域に約１ナノメートル未満の二乗平均粗さを有する、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項５】
前記オフカット角度が約７〜約９°である、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項６】
前記オフカット角度が約８°である、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項７】
前記オフカット方向が前記６つの等価な＜１−１００＞方向±５°のうちの１つの方向を向いている、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項８】
前記オフカット方向が前記６つの等価な＜１−１００＞方向±２．５°のうちの１つの方向を向いている、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項９】
前記オフカット方向が前記６つの等価な＜１−１００＞方向±１．５°のうちの１つの方向を向いている、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項１０】
ｎ型ドーパント種でドープされている、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項１１】
ｐ型ドーパント種でドープされている、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項１２】
約１×１０１８〜約１×１０２１原子・ｃｍ−３のドーパント濃度のドーパント種でドープされている、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項１３】
約１×１０１３〜約１×１０２１原子・ｃｍ−３のドーパント濃度のドーパント種でドープされている、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項１４】
約１×１０１９〜約１×１０２１原子・ｃｍ−３のドーパント濃度のドーパント種でドープされている、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項１５】
膜上または膜中に形成されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造を有している、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のうちいずれか一項に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜と、六方晶系結晶形態のＳｉＣ基板と、
を含む炭化ケイ素物品。
【請求項１７】
基板の＜１−１００＞結晶方向にオフカットした（０００１）４Ｈ−ＳｉＣ結晶基板上で成長させた炭化ケイ素エピタキシャル材料であって、
（ａ）前記炭化ケイ素は、エッジ除外領域内に，平滑面形態を有し，かつ，２０×２０μｍ２領域に約２ナノメートルを超えない二乗平均粗さを有し、
（ｂ）前記炭化ケイ素エピタキシャル材料は、図２に実質的に示されるＬＥＥＤビーム強度プロファイルを有する４Ｈ−ＳｉＣエピ層膜を含み、
（ｃ）前記炭化ケイ素エピタキシャル材料は、２０×２０μｍ２領域に約２ナノメートルを超えない二乗平均粗さを有する４Ｈ−Ｓｉｃエピ層膜を含む、
炭化ケイ素エピタキシャル材料。
【請求項１８】
前記（０００１）４Ｈ−ＳｉＣ結晶基板が該基板の＜１−１００＞結晶方向に約７〜約９°のオフカット角度を有する、請求項１７に記載の炭化ケイ素エピタキシャル材料。
【請求項１９】
前記（０００１）４Ｈ−ＳｉＣ結晶基板が該基板の＜１−１００＞結晶方向に約８°のオフカット角度を有する、請求項１７に記載の炭化ケイ素エピタキシャル材料。
【請求項２０】
約１×１０１８〜約１×１０２１原子・ｃｍ−３のドーパント濃度のｎ型および／またはｐ型ドーパント種でドープされている、請求項１７に記載の炭化ケイ素エピタキシャル材料。
【請求項２１】
図２に実質的に示されているＬＥＥＤ（０−１）ビーム強度プロフィルを有する、４Ｈ−ＳｉＣエピ層膜を含む、請求項１７に記載の炭化ケイ素エピタキシャル材料。
【請求項２２】
２０×２０μｍ２領域に約０．８ナノメートル未満の二乗平均粗さを有する４Ｈ−ＳｉＣエピ層膜を含む、請求項１７に記載の炭化ケイ素エピタキシャル材料。
【請求項２４】
請求項１７に記載のエピタキシャル材料と、基板と、を含む炭化ケイ素物品。
【請求項２５】
デバイス品質の炭化ケイ素エピタキシャル膜を形成する方法であって、六方晶系結晶形態の炭化ケイ素基板上に大気圧未満の圧力条件で該膜を堆積させるステップを含み、該基板が該基板の＜１−１００＞結晶方向にオフカットされており、該炭化ケイ素エピタキシャル膜が、エッジ除外領域内に平滑面形態を有しかつ２０×２０μｍ２領域に約２ナノメートルを超えない二乗平均粗さを有する、方法。
【請求項２６】
前記炭化ケイ素基板が４Ｈ−ＳｉＣを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記炭化ケイ素基板が６Ｈ−ＳｉＣを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記オフカット角度が約７〜約９°である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記オフカット角度が約８°である、請求項４３に記載の方法。
【請求項３０】
前記オフカット方向が前記６つの等価な＜１−１００＞方向±５°のうちの１つの方向を向いている、請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
前記オフカット方向が前記６つの等価な＜１−１００＞方向±２．５°のうちの１つの方向を向いている、請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】
前記オフカット方向が前記６つの等価な＜１−１００＞方向±１．５°のうちの１つの方向を向いている、請求項２５に記載の方法。
【請求項３３】
前記炭化ケイ素エピタキシャル膜を約１×１０１７〜約１×１０２１原子・ｃｍ−３のドーパント濃度のｎ型および／またはｐ型ドーパント種でドープすることをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項３４】
前記炭化ケイ素エピタキシャル膜が約１×１０１９〜約１×１０２１原子・ｃｍ３のドーパント濃度までドープされている、請求項２５に記載の方法。
【請求項３５】
前記炭化ケイ素基板は、（０００１）４Ｈ−ＳｉＣ結晶基板を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項３６】
前記膜の成長が、該膜堆積用のガス源媒質としてＳｉＨ４およびＣＨ４をＨ２キャリヤガスと一緒に用いて行われる、請求項２５に記載の方法。
【請求項３７】
前記膜の成長が、約１４５０〜約１６５０℃の範囲の温度を含む成長条件下で行われる、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記膜の成長時に前記膜の意図的ｉｎ−ｓｉｔｕドーピングが行われる、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
窒素、アルミニウム、リン、ホウ素、およびバナジウムからなる群より選択されるドーパント種用のドーパント源でドーピングが行われる、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記膜のｎ型ドーパントとして窒素を提供するように、Ｎ２ガスを使用してドーピングが行われる、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記膜のｐ型ドーパントとしてアルミニウムを提供するように、トリエチルアルミニウムを使用してドーピングが行われる、請求項３９に記載の方法。
【請求項４２】
前記膜上に電子デバイスを作製するステップを含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４３】
前記堆積ステップは、
キャリヤガス、蒸発させたケイ素含有物質および蒸発させた炭素含有物質を、大気圧未満の圧力条件の成長チャンバに導入するステップと、
上記のキャリヤガス、ケイ素含有物質および炭素含有物質の流れおよび温度の条件を、所望の厚さの膜を成長させるのに十分な時間にわたって保持するステップと、
を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項４４】
ケールの大きなステップバンチングを有していない、請求項１に記載のエピタキシャルＳｉＣ膜。