【手続補正書】
【提出日】平成19年11月2日(2007.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形ベースプレートと、
第１の磁石と、
第２の磁石とから構成され、
前記円形ベースプレートは、前記円形ベースプレートに対しほぼ垂直であり且つ前記円形ベースプレートのほぼ中心にある回転軸を有し、前記回転軸は前記磁石装置の磁場軸に対してほぼ平行かつオフセットされており、
前記第１の磁石は、前記磁場軸から前記回転軸方向へオフセットするように前記円形ベースプレートに結合されており前記磁場軸に対してほぼ半径方向にある磁性配向を有し、
前記第２の磁石は、前記磁場軸の周りに配置され、前記磁場軸に平行な磁性配向をもち、さらに前記円形ベースプレートに結合され前記第１と第２の磁石を囲む複数のアウター磁石を有し、各前記アウター磁石は前記磁場軸に対してほぼ半径方向にある磁性配向を有することを特徴とする回転スパッタリングマグネトロン磁石装置。
【請求項２】
１つ又はそれ以上の前記磁石の各々は、複数の構成磁石群を備え、この構成磁石群は実質的に同じ磁場配向を有することを特徴とする請求項１に記載の回転スパッタリングマグネトロン磁石装置。
【請求項３】
前記磁石のうちの１つが、前記磁石のうちの別のものと異なる厚みを有し、その厚みは前記円形ベースプレートの垂直方向に測定された厚みであることを特徴とする請求項１に記載の回転スパッタリングマグネトロン磁石装置。
【請求項４】
前記円形ベースプレートに結合され、前記磁石装置を前記回転軸の周りで回転的に平衡させる非磁性カウンタバランス・プレートを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の回転スパッタリングマグネトロン磁石装置。
【請求項５】
円形ベースプレートと、
第１の磁石と、
複数のアウター磁石とから構成され、
前記円形ベースプレートは、前記円形ベースプレートにほぼ垂直であり且つ前記円形ベースプレート上のほぼ中心にある回転軸を有し、前記回転軸は前記磁石装置の磁場軸に対してほぼ平行かつオフセットされており、
前記第１の磁石は前記磁場軸から前記回転軸方向へオフセットするように前記円形ベースプレートに結合され、前記磁場軸に対しほぼ半径方向に磁性配向を有し、
前記円形ベースプレートに結合された複数のアウター磁石は、前記第１の磁石と選択した１つのアウター磁石の境界となるキャビティを形成するように前記第１の磁石を囲み、各アウター磁石は前記磁場軸に対しほぼ半径方向にある磁性配向を有し、前記キャビティは前記磁場軸の周りに位置することを特徴とする回転スパッタリングマグネトロン磁石装置。
【請求項６】
前記キャビティ内に金属製切片を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の回転スパッタリングマグネトロン磁石装置。
【請求項７】
前記金属製切片はスチールで構成されることを特徴とする請求項６に記載の回転スパッタリングマグネトロン磁石装置。
【請求項８】
１つまたはそれ以上の前記磁石の各々は、複数の構成磁石群を有し、この構成磁石群はほぼ同じ磁性配向を有することを特徴とする請求項５に記載の回転スパッタリングマグネトロン磁石装置。
【請求項９】
前記磁石のうちの１つが、前記磁石のうちの別のものと異なる厚みを有し、その厚みは前記円形ベースプレートの垂直方向に測定された厚みであることを特徴とする請求項５に記載の磁石装置。
【請求項１０】
前記円形ベースプレートに結合され、前記磁石構装置を前記回転軸の周りで回転的に平衡させる非磁性カウンタバランス・プレートを更に備えることを特徴とする請求項５に記載の回転スパッタリングマグネトロン磁石装置。
【請求項１１】
マグネトロンを用いて基板上に鉄材料をスパッタリングするステップを有する方法であって、
前記マグネトロンは円形ベースプレートを有する磁石装置を備え、前記円形ベースプレートは前記円形ベースプレートにほぼ垂直で且つ円形ベースプレート上のほぼ中心にある回転軸を有し、前記回転軸は前記磁石装置の磁場軸にほぼ垂直な磁場軸に対してほぼ平行で且つオフセットされており、
第１の磁石は前記磁場軸から前記回転軸方向へオフセットするように前記円形ベースプレートに結合されており、前記磁場軸に対しほぼ半径方向にある磁性配向を有し、
前記円形ベースプレートに結合された複数のアウター磁石は、前記第１の磁石と選択した１つのアウター磁石の境界となるキャビティを形成するように前記第１の磁石を囲み、各アウター磁石は前記磁場軸に対してほぼ半径方向にある磁性配向を有し、前記キャビティは前記磁場軸の周りに位置することを特徴とする回転スパッタリング方法。
【請求項１２】
前記マグネトロンによって発生した磁場をシャントディスクを用いてシャントするステップを更に有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記スパッタリングステップ中に、前記磁石装置と前記シャントディスクとの間の距離を調整するステップを更に有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記スパッタリングステップ中に、前記磁石装置と前記鉄ターゲットとの間の距離を調整するステップを更に有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記スパッタリングステップ中に、前記磁石装置と前記鉄ターゲットとの間の距離を調整するステップを更に有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
マグネトロンを用いて基板上に鉄材料をスパッタリングするステップを有する方法であって、
前記マグネトロンは円形ベースプレートを有する磁石装置を備え、前記円形ベースプレートは、前記円形ベースプレートにほぼ垂直であり且つ前記円形ベースプレートのほぼ中心にある回転軸を有し、前記回転軸は前記磁石装置に対してほぼ平行かつオフセットされており、
第１の磁石は、前記磁場軸から前記回転軸方向へオフセットするように前記円形ベースプレートに結合されており、前記磁場軸に対してほぼ半径方向にある磁性配向を有し、前記第２の磁石は、前記磁場軸に平行な磁性配向を有し、前記円形プレートに結合された複数のアウター磁石は第１と第２の磁石を囲み、各アウター磁石は前記磁場軸にほぼ垂直な磁性配向を有することを特徴とする回転スパッタリング方法。
【請求項１７】
前記マグネトロンによって発生した磁場を、シャントディスクを用いてシャントするステップを更に有することを特徴とする請求項１６に記載の回転スパッタリング方法。
【請求項１８】
前記スパッタリングステップ中に、前記磁石装置と前記シャントディスクとの間の距離を調整するステップを更に有することを特徴とする請求項１７に記載の回転スパッタリング方法。
【請求項１９】
前記スパッタリングステップ中に、前記磁石装置と前記鉄ターゲットとの間の距離を調整するステップを更に有することを特徴とする請求項１６に記載の回転スパッタリング方法。
【請求項２０】
前記スパッタリングステップ中に、前記磁石装置と前記鉄ターゲットとの間の距離を調整するステップを更に有することを特徴とする請求項１８に記載の回転スパッタリング方法。
【請求項２１】
第１の回転マグネトロンを用いて基板の第１の側の上に鉄材料をスパッタリングするステップと、
第２の回転マグネトロンを用いて前記基板の第２の側の上に鉄材料をスパッタリングするステップと、
前記第１の回転マグネトロンと前記第２の回転マグネトロンとの相対回転を変更して前記スパッタされた鉄材料の磁性配向を変更するステップとから構成され、
前記第１の回転マグネトロンと前記第２の回転マグネトロンは各々、円形ベースプレートを有する磁石装置を備え、前記円形ベースプレートは前記円形ベースプレートに対しほぼ垂直であり且つ前記円形ベースプレートのほぼ中心にある回転軸を有し、前記回転軸は前記磁石装置の磁場軸に対してほぼ平行かつオフセットされており、
第１の磁石は前記磁場軸から前記回転軸方向へオフセットするように前記円形ベースプレートに結合されており、前記第１の磁石は前記磁場軸に対しほぼ半径方向にある磁性配向を有し、
前記円形ベースプレートに結合された複数のアウター磁石は、前記第１の磁石と選択した１つのアウター磁石の境界となるキャビティを形成するように前記第１の磁石を囲み、前記キャバティは前記磁場軸の周りに位置することを特徴とする回転スパッタリング方法。
【請求項２２】
前記第１の回転マグネトロンと前記第２の回転マグネトロンとをほぼ同期させ且つほぼ１８０度位相をずらして回転させて、前記スパッタされた鉄材料内にほぼ半径方向の磁性配向を生じさせるステップを更に有することを特徴とする請求項２１に記載の回転スパッタリング方法。
【請求項２３】
第１の回転マグネトロンを用いて基板の第１の側の上に鉄材料をスパッタリングするステップと、
第２の回転マグネトロンを用いて前記基板の第２の側の上に鉄材料をスパッタリングするステップと、
前記第１の回転マグネトロンと前記第２の回転マグネトロンとの相対回転を変更して前記スパッタされた鉄材料の磁性配向を変更するステップとから構成され、
前記第１の回転マグネトロンと前記第２の回転マグネトロンは各々、円形ベースプレートを有する磁石装置を備え、前記円形ベースプレートは前記円形ベースプレートに対しほぼ垂直であり且つ前記円形ベースプレートのほぼ中心にある回転軸を有し、前記回転軸は前記磁石装置の磁場軸に対してほぼ平行かつオフセットされており、第１の磁石は、前記磁場軸から前記回転軸方向へオフセットするように前記円形ベースプレートに結合されており、前記第１の磁石は前記磁場軸に対してほぼ半径方向にある磁性配向を有し、第２の磁石は前記磁場軸の周りに位置し、前記磁場軸に対し平行な磁性配向をもち、更に前記円形ベースプレートに結合され、前記第１と第２の磁石を囲む複数のアウター磁石を有し、各前記アウター磁石は前記磁場軸に対してほぼ半径方向にある磁性配向を有することを特徴とする回転スパッタリング方法。
【請求項２４】
前記第１の回転マグネトロンと前記第２の回転マグネトロンとをほぼ同期させ且つほぼ１８０度位相をずらして回転させて、前記スパッタされた鉄材料内にほぼ半径方向の磁性配向を生じさせるステップを更に有することを特徴とする請求項２３に記載の方法。