【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験片の検出に対して選択された欠陥に基づいて前記試験片の検査のための、３５０ｎｍより下の少なくとも１つの波長および３５０ｎｍより上の少なくとも１つの波長を含む最適パラメータを決定すること、
検査システムのパラメータを、前記試験片の検査の前に、前記最適パラメータに設定すること、
を含む、コンピュータによって実装される方法。
【請求項２】
前記最適パラメータは、検査の間に、ほかのパラメータを使用する検査の間に検出されるより多くの欠陥が検出される結果をもたらす請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記最適パラメータは、検査の間に、ほかのパラメータを使用する検査の間に検出されるより少ない非選択の欠陥が検出される結果をもたらす請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記最適パラメータは、検査の間に、ほかのパラメータを使用する検査の間に検出されるより少ないか、それに等しい数の偽欠陥が検出される結果をもたらす請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記欠陥がユーザによって選択される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記設定がコンピュータによって実行される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記欠陥が比較的低コントラストの欠陥を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記決定は、異なるパラメータを用いて前記試験片の１ないしは複数のテスト検査を実行すること、および前記異なるパラメータのうちのいずれが最大の欠陥捕捉レートをもたらすかを識別することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記識別は、前記１ないしは複数のテスト検査の間に検出された欠陥を分類することを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記識別は、前記１ないしは複数のテスト検査の間に検出された欠陥を自動的に分類することを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記決定は、さらに、前記異なるパラメータのうちのいずれが、検出される偽欠陥の数を増加させることなく最大の欠陥捕捉レートをもたらすかを識別することを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記決定は、異なるパラメータを用いて、１ないしは複数の欠陥を有することが既知のテスト試験片の１ないしは複数のテスト検査を実行すること、および前記異なるパラメータのうちのいずれが最大の欠陥捕捉レートをもたらすかを識別することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記試験片がウェハまたはラティスである請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
第１のサブシステムを使用し、３５０ｎｍより下の少なくとも１つの波長を有する光を用いて、かつ第２のサブシステムを使用し、３５０ｎｍより上の少なくとも１つの波長を有する光を用いて試験片を照明すること、
前記試験片から光を収集すること、
前記収集した光を検出し、前記収集した光を表す信号を生成すること、
前記信号を処理して前記試験片上の欠陥または工程の変動を検出することであって、前記第２のサブシステムの少なくとも１つの波長が前記試験片の材料についての信号内のコントラストを増加するように選択され、かつ前記第１のサブシステムの少なくとも１つの波長が前記欠陥に対する感度を増加するように選択される、前記検出すること
を含む試験片を検査するための方法。
【請求項１５】
前記収集した光が前記試験片の少なくとも一部の明視野イメージを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記試験片の面の少なくとも一部は、ポリシリコン、単結晶シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、またはそれらの任意の組み合わせを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１と第２のサブシステムは、それぞれ３５０ｎｍより下および下の少なくとも１つの波長に最適化される請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のサブシステムがレーザを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２のサブシステムが多色光源を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２のサブシステムがアーク・ランプを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のサブシステムがレーザを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１と第２のサブシステムが共通のレーザを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１のサブシステムが第１のレーザを包含し、前記第２のサブシステムが第２のレーザを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１と第２のサブシステムが共通の多色光源を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１のサブシステムが第１の多色光源を包含し、前記第２のサブシステムが第２の多色光源を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１のサブシステムが暗視野照明源を包含し、前記処理が、前記第１のサブシステムを使用する前記照明から結果としてもたらされる前記収集した光に対応する信号のフーリエ・フィルタリングを行うことを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２７】
前記照明が、前記第１と第２のサブシステムを実質的に同時に使用する前記試験片の照明を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２８】
前記照明が、前記第１と第２のサブシステムを異なる時点で使用する前記試験片の照明を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２９】
３５０ｎｍより下の少なくとも１つの波長を有する光を用いて、および３５０ｎｍより上の少なくとも１つの波長を有する光を用いて試験片を照明すること、
前記試験片から光を収集すること、
前記収集した光を検出し、前記収集した光の第１の部分を表す光学位相信号と、前記収集した光の第２の部分を表す明視野光学信号を生成すること、
前記光学位相信号と前記明視野光学信号を別々に処理して、前記試験片上の欠陥または工程の変動を検出すること、
を含む試験片を検査するための方法。
【請求項３０】
広帯域光源に結合される第１の光学サブシステムと、
レーザに結合される第２の光学サブシステムと、
前記第１と第２の光学サブシステムからの光を対物鏡に結合するように構成された第３の光学サブシステムであって、前記対物鏡が前記光を前記試験片上に集束するように構成され、前記試験片上に集束される前記光が３５０ｎｍより下の少なくとも１つの波長を有する光と、３５０ｎｍより上の少なくとも１つの波長を有する光を含む、前記第３の光学サブシステムと、
前記試験片からの光を検出するように構成され、かつ前記検出した光を表す信号を生成するように構成された検出サブシステムと、
前記信号を処理して前記試験片上の欠陥または工程の変動を検出するように構成されたプロセッサと、
を含む、試験片を検査するように構成されたシステム。
【請求項３１】
前記第１の光学サブシステムが実質的に収差のない前記広帯域光源のイメージを生成するように構成された楕円体ミラーを含む請求項３０に記載のシステム。
【請求項３２】
前記第１の光学サブシステムが前記広帯域光源から前記第３の光学サブシステムへの光の実質的に効率的な結合を提供するように構成された楕円体ミラーを含む請求項３０に記載のシステム。
【請求項３３】
前記第１の光学サブシステムが、前記広帯域光源のエッジ・ラディアンスを明視野照明のための前記第１の光学サブシステムの瞳の中央部分に向けるように構成されたビーム成形エレメントを含む請求項３０に記載のシステム。
【請求項３４】
前記第１の光学サブシステムが、前記広帯域光源のビーム・プロファイルを、前記ビーム・プロファイルが実質的に一様となるように変形するように構成されたビーム成形エレメントを含む請求項３０に記載のシステム。
【請求項３５】
前記第１の光学サブシステムが前記広帯域光源の光学的不変量を変更するように構成されたダブル・ズーミング・エレメントを含む請求項３０に記載のシステム。
【請求項３６】
前記第１の光学サブシステムがさらに、前記ダブル・ズーミング・エレメントの個別のズーミング・エレメント間に配置される光パイプを含む請求項３５に記載のシステム。
【請求項３７】
前記第３の光学サブシステムがさらに、前記第２の光学サブシステムから前記対物鏡への光の実質的に効率的な結合を提供するように構成される請求項３０に記載のシステム。
【請求項３８】
前記対物鏡は、さらに、前記第１と第２の光学サブシステムからの光を用いて前記試験片を実質的に同時に照明するように構成される請求項３０に記載のシステム。
【請求項３９】
前記レーザは、３５０ｎｍより下の波長を有する光を生成するように構成される請求項３０に記載のシステム。
【請求項４０】
前記レーザは、２６６ｎｍの波長を有する光を生成するように構成される請求項３０に記載のシステム。
【請求項４１】
前記広帯域光源は、可視光、紫外光、深紫外光、またはそれらの組み合わせを生成するように構成される請求項３０に記載のシステム。
【請求項４２】
前記第３の光学サブシステムが前記第２の光学サブシステムからダイクロイック・ビームスプリッタに光を向けるように構成された偏光ビームスプリッタを包含し、前記ダイクロイック・ビームスプリッタは、前記第２の光学サブシステムから前記対物鏡に光を向けるように構成される請求項３０に記載のシステム。
【請求項４３】
前記ダイクロイック・ビームスプリッタは、さらに、前記第１の光学サブシステムからの光の少なくとも一部を前記対物鏡に向けるように構成される請求項４２に記載のシステム。
【請求項４４】
前記試験片からの光は、前記対物鏡を通って前記ダイクロイック・ビームスプリッタに至り、それが前記試験片からの光を前記偏光ビームスプリッタに向け、前記偏光ビームスプリッタが、さらに前記試験片からの光を前記検出サブシステムに向ける請求項４３に記載のシステム。
【請求項４５】
３５０ｎｍより下の波長を有する光を用いて試験片を照明するように構成された第１の照明サブシステムと、
３５０ｎｍより上の波長を有する光を用いて試験片を照明するように構成された第２の照明サブシステムと、
前記試験片からの光の第１の部分を検出するように構成された第１の検出サブシステムと、
前記試験片からの光の第２の部分を検出するように構成された第２の検出サブシステムであって、前記光の第１の部分と前記光の第２の部分は、少なくとも１つの異なる特徴を有する、前記第２の検出サブシステムと、
前記第１と第２の検出サブシステムによって生成された信号を処理し、前記試験片上の欠陥または工程の変動を検出するように構成されたプロセッサであって、前記３５０ｎｍより上の波長が前記試験片の材料についての信号内のコントラストを増加するように選択され、前記３５０ｎｍより上の波長が前記欠陥に対する感度を増加するように選択される、前記プロセッサと、
を含む、試験片を検査するように構成されたシステム。
【請求項４６】
前記少なくとも１つの異なる特徴は異なる波長を含む請求項４５に記載のシステム。
【請求項４７】
前記少なくとも１つの異なる特徴は異なる偏光を含む請求項４５に記載のシステム。
【請求項４８】
前記第１と第２の照明サブシステムが異なる照明アパーチャを有する請求項４５に記載のシステム。
【請求項４９】
前記第１と第２の検出サブシステムが異なる倍率設定を有する請求項４５に記載のシステム。
【請求項５０】
前記光の第１の部分は、前記第１の照明サブシステムを使用する前記試験片の照明から生成され、前記第１の検出サブシステムが前記第２の検出サブシステムの倍率設定より高い倍率設定を有する請求項４５に記載のシステム。
【請求項５１】
さらに、３５０ｎｍより上の８０ｎｍの波長内の波長において動作するように構成された自動焦点サブシステムを含む請求項４５に記載のシステム。
【請求項５２】
前記第１と第２の照明サブシステムがさらに狭帯域モードで前記試験片を照明するように構成される請求項４５に記載のシステム。
【請求項５３】
前記第１の照明サブシステムがさらに狭帯域モードで前記試験片を照明するように構成され、前記第２の照明サブシステムがさらに広帯域モードで前記試験片を照明するように構成される請求項４５に記載のシステム。
【請求項５４】
前記第１と第２の照明サブシステムがさらに前記試験片を実質的に同時に照明するように構成される請求項４５に記載のシステム。
【請求項５５】
前記第１と第２の検出サブシステムがさらに、前記光の第１と第２の部分を実質的に同時に検出するように構成される請求項４５に記載のシステム。