【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ面の角速度を測定するためのセンサであって、前記センサが、
ａ）感知サブアセンブリであって、
ｉ）前記面に平行なほぼ平らなフレームと、
ｉｉ）前記面内に配置されている第１の質量と、
ｉｉｉ）前記第１の質量に対して横向きに前記面内に配置されている第２の質量と、
ｉｖ）前記フレーム内に位置し、前記フレームに連結されているリンク装置であって、前記リンク装置は、前記第１の質量および前記第２の質量に連結され、前記リンク装置は、前記第１および第２の質量が、前記面に垂直に反対方向に移動するのを制限するリンク装置とを備える感知サブアセンブリと、
ｂ）前記サブアセンブリの第１の部分を駆動周波数で振動させるためのアクチュエータと、
ｃ）前記角速度により前記サブアセンブリの第２の部分の運動を感知するためのトランスジューサとを備えるセンサ。
【請求項２】
前記アクチュエータが、静電アクチュエータ、電磁アクチュエータ、圧電アクチュエータおよび熱アクチュエータからなるグループから選択される請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記トランスジューサが、容量性センサ、電磁センサ、圧電センサ、およびピエゾ抵抗センサからなるグループから選択される請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
前記サブアセンブリの前記第１の部分が前記リンク装置であり、前記サブアセンブリの前記第２の部分が前記フレームである請求項１に記載のセンサ。
【請求項５】
前記フレームの運動が、前記センサ面に垂直な軸を中心とする回転にほぼ制約される請求項１に記載のセンサ。
【請求項６】
前記フレームがほぼ円形である請求項５に記載のセンサ。
【請求項７】
前記第１および第２の質量の運動が、前記フレームに対して前記センサ面にほぼ垂直な方向だけに制限される請求項１に記載のセンサ。
【請求項８】
空気抵抗を低減するために、前記質量のうちの少なくとも一方に孔部をさらに有する請求項１に記載のセンサ。
【請求項９】
前記リンク装置が、
前記フレームに連結され、また前記第１および第２の質量におよびその間に連結されたセンター・プレートであって、回転の中心軸を中心にして回転可能なセンター・プレートと、
前記フレームおよび前記第１の質量に連結された第１の縁部プレートであって、回転の第１の軸を中心にして回転可能な第１の縁部プレートと、
前記フレームおよび前記第２の質量に連結されている第２の縁部プレートであって、回転の第２の軸を中心にして回転可能な第２の縁部プレートとをさらに備え、
回転の前記中心軸、第１および第２の軸が相互に平行であり、また前記センサ面に平行である請求項１に記載のセンサ。
【請求項１０】
前記センター・プレートが、前記第１の質量に連結された第１のレバー・アームと、前記第２の質量に連結された第２のレバー・アームとをさらに備え、それにより前記センター・プレートの回転に応じた前記センサ面に垂直な前記質量の運動が増大する請求項９に記載のセンサ。
【請求項１１】
前記第１の縁部プレートが、前記第１の質量に連結されたレバー・アームをさらに備え、それにより前記第１の縁部プレートの回転に応じた前記センサ面に垂直な前記第１の質量の運動が増大する請求項９に記載のセンサ。
【請求項１２】
前記フレームが、前記センサ面に垂直な軸を中心にする前記フレームの角回転を有する基本フレーム共振モードを備えている請求項１に記載のセンサ。
【請求項１３】
前記リンク装置は、前記センサ面に垂直な方向に相互にほぼ１８０度位相がずれている前記第１および第２の質量の振動を有する基本リンク装置共振モードを備えている請求項１に記載のセンサ。
【請求項１４】
前記フレームが、前記センサ面に垂直な軸を中心にする前記フレームの角回転を有する基本フレーム共振モードを備えている請求項１３に記載のセンサ。
【請求項１５】
前記フレームに平行で、その周囲に位置するほぼ平らなベースをさらに備える請求項１に記載のセンサ。
【請求項１６】
前記フレームが前記センサ面に垂直な軸を中心にして回転できるように、前記ベースを前記フレームに連結されている複数の撓み部分をさらに有する請求項１５に記載のセンサ。
【請求項１７】
前記ベースに取り付けられている頂面を有するシリコン基準ウェハをさらに備え、前記感知サブアセンブリおよび前記ベースが、１つのシリコン・ジャイロスコープ・ウェハからエッチングされる請求項１５に記載のセンサ。
【請求項１８】
前記基準ウェハが、前記センサ面に垂直な前記第１および第２の質量の運動を収容するように２つの凹部を備える請求項１７に記載のセンサ。
【請求項１９】
前記基準ウェハが、前記感知サブアセンブリに電気的に連結されているＣＭＯＳ電子回路を備える請求項１７に記載のセンサ。
【請求項２０】
前記基準ウェハに対する前記リンク装置の運動を感知するための容量性センサをさらに備える請求項１７に記載のセンサ。
【請求項２１】
前記リンク装置が、
前記フレームに連結され、また前記第１および第２の質量におよびその間に連結されたセンター・プレートであって、回転の中心軸を中心にして回転可能なセンター・プレートと、
前記フレームおよび前記第１の質量に連結されている第１の縁部プレートであって、回転の第１の軸を中心にして回転可能な第１の縁部プレートと、
前記フレームおよび前記第２の質量に連結されている第２の縁部プレートであって、回転の第２の軸を中心にして回転可能な第２の縁部プレートとをさらに備え、
回転の前記中心軸、第１および第２の軸が相互に平行であり、また前記センサ面に平行である請求項２０に記載のセンサ。
【請求項２２】
前記アクチュエータが、
前記基準ウェハの前記頂面上の前記第１の縁部プレートの下に位置し、所定の距離ｄだけ前記第１の縁部プレートから離れている第１の縁部分割電極と、
前記基準ウェハの前記頂面上の前記第２の縁部プレートの下に位置し、前記距離ｄだけ前記第２の縁部プレートから離れている第２の縁部分割電極と、
前記基準ウェハの前記頂面上の前記センター・プレートの下に位置し、前記距離ｄだけ前記センター・プレートから離れているセンター分割電極とを備える請求項２１に記載のセンサ。
【請求項２３】
前記第１の縁部電極、前記第２の縁部電極および前記センター分割電極が、前記センサ面に垂直な方向に相互にほぼ１８０度位相がずれた状態で、前記第１および第２の質量の振動を有する前記リンク装置の振動モードを励起するために、協力して電気的に駆動される請求項２２に記載のセンサ。
【請求項２４】
前記駆動周波数が、前記振動モードの共振周波数にほぼ等しい請求項２３に記載のセンサ。
【請求項２５】
前記トランスジューサが、前記ベースおよび前記フレームに連結された容量性センサを備え、前記基準ウェハが、前記容量性センサに連結され、また前記第１の縁部電極、前記第２の縁部電極、および前記センター分割電極に接続されたＣＭＯＳ電子回路を備え、それにより、前記アクチュエータおよび前記トランスジューサのウェハ・スケール統合が行われる請求項２２に記載のセンサ。
【請求項２６】
前記フレームが前記センサ面に垂直な軸を中心にして回転できるように、前記フレームを前記基準ウェハに連結する複数の撓み部分をさらに有し、前記撓み部分が、前記ベースを貫通していて複数のベース分離トレンチにより前記ベースから分離していて、それにより前記ベースの応力が前記撓み部分に伝わらない請求項１７に記載のセンサ。
【請求項２７】
前記撓み部分から前記基準ウェハの前記頂面を分離している複数の基準分離トレンチをさらに備え、それにより前記基準ウェハの前記頂面の表面応力が、前記撓み部分にほとんど伝わらない請求項２６に記載のセンサ。
【請求項２８】
前記ベースに取り付けられている底面を有するシリコン・キャップ・ウェハをさらに備える請求項１７に記載のセンサ。
【請求項２９】
前記キャップ・ウェハが、前記センサ面に垂直な前記第１および第２の質量の運動を収容するための凹部を有する請求項２８に記載のセンサ。
【請求項３０】
前記キャップ・ウェハが、前記ベースに密封状に取り付けられ、前記基準ウェハが、前記ベースに密封状に取り付けられる請求項３８に記載のセンサ。
【請求項３１】
前記ベース、前記キャップ・ウェハおよび前記基準ウェハが形成する密封エンクロージャ内のガスの圧力が、大気圧とは実質的に異なる請求項３０に記載のセンサ。
【請求項３２】
前記キャップ・ウェハが、Ｓｉ−ＳｉＯ２溶融接合により前記ベースに密封状に取り付けられ、前記基準ウェハが、金属シールにより前記ベースに密封状に取り付けられる請求項３０に記載のセンサ。
【請求項３３】
前記フレームが、前記センサ面に垂直な軸を中心にして回転することができるように、前記フレームを前記キャップ・ウェハに連結されている複数の撓み部分をさらに有し、前記撓み部分が前記ベースを貫通し、複数のベース分離トレンチにより前記ベースから分離していて、それにより前記ベースの応力が、前記撓み部分に伝わらない請求項２８に記載のセンサ。
【請求項３４】
前記撓み部分から前記キャップ・ウェハの前記底面を分離している複数のキャップ分離トレンチをさらに有し、それにより前記キャップ・ウェハの前記底面の表面応力が前記撓み部分にほとんど伝わらない請求項３３に記載のセンサ。
【請求項３５】
前記撓み部分が前記基準ウェハに連結されている請求項３４に記載のセンサ。
【請求項３６】
前記撓み部分から前記基準ウェハの前記頂面を分離している複数の基準分離トレンチをさらに備え、それにより前記基準ウェハの前記頂面の表面応力が前記撓み部分にほとんど伝わらない請求項３５に記載のセンサ。
【請求項３７】
Ｘ−Ｙセンサ面の角速度のＸおよびＹ成分を測定するための二軸センサであって、前記二軸センサが、
Ａ）角速度のＸ成分を測定するための第１のサブセンサを備え、前記第１のサブセンサが、
ａ）第１の感知サブアセンブリであって、
ｉ）前記面に平行なほぼ平らな第１のフレームと、
ｉｉ）前記面内に配置される第１の質量と、
ｉｉｉ）前記第１の質量に対して横方向を向いている前記面内に配置される第２の質量と、
ｉｖ）前記フレーム内に位置し、前記フレームに連結された第１のリンク装置であって、前記第１の質量および前記第２の質量に連結され、前記第１および第２の質量が前記面に垂直な反対方向に移動するのを制限する第１のリンク装置とを備える第１の感知サブアセンブリと、
ｂ）駆動周波数で前記第１のサブアセンブリの第１の部分を振動するための第１のアクチュエータと、
ｃ）角速度のＸ成分による前記第１のサブアセンブリの第２の部分の運動を感知するための第１のトランスジューサとを備え、さらに、
Ｂ）角速度のＹ成分を測定するための第２のサブセンサを備え、前記第２のサブセンサが、
ａ）第２の感知サブアセンブリであって、
ｉ）前記面に平行なほぼ平らな第２のフレームと、
ｉｉ）前記面内に配置される第３の質量と、
ｉｉｉ）前記第３の質量に対して横方向を向いている前記面内に配置される第４の質量と、
ｉｖ）前記第２のフレーム内に位置し、前記第２のフレームに連結された第２のリンク装置であって、前記第３の質量および前記第４の質量に連結され、前記第３および第４の質量が前記面に垂直な反対方向に移動するのを制限する第２のリンク装置とを備える第２の感知サブアセンブリと、
ｂ）駆動周波数で前記第２のサブアセンブリの第１の部分を振動するための第２のアクチュエータと、
ｃ）角速度のＹ成分による前記第２のサブアセンブリの第２の部分の運動を感知するための第２のトランスジューサとを備えるセンサ。
【請求項３８】
センサ面の角速度を測定するためのセンサであって、前記センサが、
ａ）第１の感知サブアセンブリであって、
ｉ）前記面に平行なほぼ平らな第１のフレームと、
ｉｉ）前記面内に配置される第１の質量と、
ｉｉｉ）前記第１の質量に対して横方向を向いている前記面内に配置される第２の質量と、
ｉｖ）前記フレーム内に位置し、前記フレームに連結された第１のリンク装置であって、前記第１の質量および前記第２の質量に連結され、前記第１および第２の質量が前記面に垂直な反対方向に移動するのを制限する第１のリンク装置とを備える第１の感知サブアセンブリと、
ｂ）駆動周波数で前記第１のサブアセンブリの第１の部分を振動するための第１のアクチュエータと、
ｃ）前記角速度に応じた前記第１のサブアセンブリの第２の部分の第１の運動を感知するための第１のトランスジューサと、
ｄ）第２の感知サブアセンブリであって、
ｉ）前記面に平行なほぼ平らな第２のフレームと、
ｉｉ）前記面内に配置される第３の質量と、
ｉｉｉ）前記第３の質量に対して横方向を向いている前記面内に配置される第４の質量と、
ｉｖ）前記第２のフレーム内に位置し、前記第２のフレームに連結された第２のリンク装置であって、前記第３の質量および前記第４の質量に連結され、前記第３および第４の質量が前記面に垂直な反対方向に移動するのを制限し、前記第１のリンク装置とほぼ同じ構成および向きを有していて、前記第３の質量が前記第１の質量に対応し、前記第４の質量が前記第２の質量に対応する第２のリンク装置とを備える第２の感知サブアセンブリと、
ｅ）駆動周波数で前記第２のサブアセンブリの第１の部分を振動するための第２のアクチュエータと、
ｆ）前記角速度に応じた前記第２のサブアセンブリの第２の部分の第２の運動を感知するための第２のトランスジューサとを備え、
前記第１および第２のトランスジューサからの信号が、前記角速度に応じた前記第１および第２の運動を、前記角速度によらない運動から区別するために結合されるセンサ。
【請求項３９】
前記第１のサブアセンブリの前記第１の部分が前記第１のリンク装置であり、前記第１のサブアセンブリの前記第２の部分が前記第１のフレームであり、前記第２のサブアセンブリの前記第１の部分が前記第２のリンク装置であり、前記第２のサブアセンブリの前記第２の部分が前記第２のフレームである請求項３８に記載のセンサ。
【請求項４０】
前記第１および第２のリンク装置が、前記第１の質量および前記第３の質量が、前記面に垂直な反対方向に移動するように駆動される請求項３９に記載のセンサ。
【請求項４１】
前記第１および第２のフレームが前記面内で回転することができ、前記第１のフレームを前記第２のフレームに対して連結するフレーム・リンク装置をさらに備え、前記第１および第２のフレームの前記フレーム・リンク装置による反対方向への回転が制限される請求項４０に記載のセンサ。
【請求項４２】
感知面の角速度を測定するためのセンサを製造するための方法であって、前記方法が、
ａ）ジャイロスコープ・ウェハから感知サブアセンブリをエッチングするステップであって、前記サブアセンブリが、
ｉ）前記面に平行なほぼ平らなフレームと、
ｉｉ）前記フレームに連結されたリンク装置であって、前記面内に横方向に配置され、前記面に垂直な対向方向への移動が制限された第１の質量および第２の質量を備えたリンク装置とを備えるステップと、
ｂ）駆動周波数で前記サブアセンブリの第１の部分を振動するためのアクチュエータを提供するステップと、
ｃ）前記角速度に応じた前記サブアセンブリの第２の部分の運動を感知するためのトランスジューサを提供するステップとを含む方法。
【請求項４３】
アクチュエータを提供する前記ステップが、静電アクチュエータ、電磁アクチュエータ、圧電アクチュエータおよび熱アクチュエータからなるグループから選択されるアクチュエータを提供するステップを含む請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
トランスジューサを提供する前記ステップが、容量性センサ、電磁センサ、圧電センサ、およびピエゾ抵抗センサからなるグループから選択されるトランスジューサを提供するステップを含む請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】
前記サブアセンブリの前記第１の部分が前記リンク装置であり、前記サブアセンブリの前記第２の部分が前記フレームである請求項４２に記載の方法。
【請求項４６】
前記サブアセンブリの前記第１の部分が前記フレームであり、前記サブアセンブリの前記第２の部分が前記リンク装置である請求項４２に記載の方法。
【請求項４７】
感知サブアセンブリをエッチングする前記ステップが、空気抵抗を低減するために、前記質量のうちの少なくとも一方に孔部をエッチングするステップをさらに含む請求項４２に記載の方法。
【請求項４８】
感知サブアセンブリをエッチングする前記ステップが、高アスペクト比エッチングを含む請求項４２に記載の方法。
【請求項４９】
前記高アスペクト比エッチングが、深反応性イオン・エッチングを含む請求項４２に記載の方法。
【請求項５０】
感知サブアセンブリをエッチングする前記ステップの前に、前記ジャイロスコープ・ウェハを薄くするステップをさらに含む請求項４２に記載の方法。
【請求項５１】
前記薄くするステップが、研磨ステップを含む請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記薄くするステップが、約４０ミクロンの厚さを有するジャイロスコープ・ウェハを提供するステップを含む請求項５０に記載の方法。
【請求項５３】
前記薄くするステップが、前記ジャイロスコープ・ウェハを少なくとも２つの異なる厚さに選択的に薄くして、その結果前記エッチングにより形成される前記質量が前記２つの異なる厚さの厚い方を有するステップを含む請求項５０に記載の方法。
【請求項５４】
前記エッチングの前に、前記サブアセンブリを形成するために前記ジャイロスコープ・ウェハをフォトリソグラフィによりパターン形成するステップをさらに含む請求項４２に記載の方法。
【請求項５５】
前記ジャイロスコープ・ウェハからほぼ平らなベースをエッチングするステップであって、前記ベースが前記フレームに平行でありその周囲に位置するステップと、
基準ウェハの頂面に前記ベースを接合するステップとをさらに含み、
アクチュエータを提供する前記ステップが、前記基準ウェハの前記頂面上に複数の電極を堆積するステップを含み、
トランスジューサを提供する前記ステップが、前記フレームに連結されているフレーム電極を堆積するステップと、前記ベースに連結されているベース電極を堆積するステップとを含み、前記フレームおよびベース電極が容量性センサを備える請求項４２に記載の方法。
【請求項５６】
前記基準接合が、アルミニウム−ゲルマニウム接合、半田接合、インジウム−金接合、共融合金接合およびポリマー結合からなるグループから選択される請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
前記基準ウェハ内にＣＭＯＳ回路を形成するステップをさらに含む請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】
前記複数の電極に前記回路を接続するステップと、前記容量性センサに前記回路を接続するステップとをさらに含み、それにより前記アクチュエータおよび前記トランスジューサのウェハ・スケールが統合される請求項５７に記載の方法。
・  
【請求項５９】
前記回路に連結され、前記基準ウェハに対する前記リンク装置の運動を感知するための前記基準ウェハの前記頂面上に位置する電極を堆積するステップをさらに含む請求項５７に記載の方法。
【請求項６０】
前記基準ウェハの前記頂面内に２つの凹部をエッチングするステップをさらに含み、前記凹部が、前記センサ面に垂直な前記質量の運動を収容するために、前記第１および第２の質量と整合している請求項５５に記載の方法。
【請求項６１】
感知サブアセンブリをエッチングする前記ステップが、
前記フレームに連結され、また前記第１および第２の質量におよびその間に連結されているセンター・プレートをエッチングするステップと、
前記フレームおよび前記第１の質量に連結されている第１の縁部プレートをエッチングするステップと、
前記フレームおよび前記第２の質量に連結されている第２の縁部プレートをエッチングするステップとをさらに含み、
前記プレートが、前記センサ面に平行な、平行回転軸を中心にして回転することができ、
前記リンク装置が、前記センター・プレートと、前記第１および第２の縁部プレートとをさらに備える請求項５５に記載の方法。
【請求項６２】
感知サブアセンブリをエッチングする前記ステップが、
前記センター・プレートを前記フレームに連結している撓み部分の第１のペアをエッチングするステップと、
前記第１の縁部プレートを前記フレームに連結している撓み部分の第２のペアをエッチングするステップと、
前記第２の縁部プレートを前記フレームに連結している撓み部分の第３のペアをエッチングするステップとをさらに含む請求項６１に記載の方法。
【請求項６３】
感知サブアセンブリをエッチングする前記ステップが、空気抵抗を低減するために、前記プレートのうちの少なくとも一方に孔部をエッチングするステップをさらに含む請求項６１に記載の方法。
【請求項６４】
複数の制御電極を堆積する前記ステップが、
前記基準ウェハの前記頂面上の前記第１の縁部プレートの下に位置し、所定の距離（ｄ）だけ前記第１の縁部プレートから分離している第１の縁部分割電極を堆積するステップと、
前記基準ウェハの前記頂面上の前記第２の縁部プレートの下に位置し、前記距離（ｄ）だけ前記第２の縁部プレートから分離している第２の縁部分割電極を堆積するステップと、
前記基準ウェハの前記頂面上の前記センター・プレートの下に位置し、前記距離（ｄ）だけ前記センター・プレートから分離しているセンター分割電極を堆積するステップとを含む請求項６１に記載の方法。
【請求項６５】
前記距離（ｄ）を画定するために、前記基準ウェハの前記頂面上にスタンドオフを堆積するステップをさらに含む請求項６４に記載の方法。
【請求項６６】
前記距離（ｄ）を画定するために、前記ベース上にスタンドオフをエッチングするステップをさらに含む請求項６４に記載の方法。
【請求項６７】
センター・プレートをエッチングする前記ステップが、前記第１の質量に連結されている第１のレバー・アームをエッチングするステップと、前記第２の質量に連結されている第２のレバー・アームをエッチングするステップとをさらに含み、それにより前記センター・プレートの回転に応じた前記センサ面に垂直な前記質量の運動が増大する請求項６１に記載の方法。
【請求項６８】
第１の縁部プレートをエッチングする前記ステップが、前記第１の質量に連結されているレバー・アームをエッチングするステップをさらに含み、それにより前記第１の縁部プレートの回転に応じた前記センサ面に垂直な前記第１の質量の運動が増大する請求項６１に記載の方法。
【請求項６９】
第２の縁部プレートをエッチングする前記ステップが、前記第２の質量に連結されているレバー・アームをエッチングするステップをさらに含み、それにより前記第２の縁部プレートの回転に応じた前記センサ面に垂直な前記第２の質量の運動が増大する請求項６１に記載の方法。
【請求項７０】
前記フレームに前記ベースを連結されている複数の撓み部分をエッチングするステップをさらに含む請求項５５に記載の方法。
【請求項７１】
感知サブアセンブリをエッチングする前記ステップが、前記ベースの方を向いている前記フレームの表面に溝をエッチングするステップをさらに含み、ほぼ平らなベースをエッチングする前記ステップが、前記ベースから前記フレームの方向に延び、前記溝と係合しているタブをエッチングするステップをさらに含み、前記タブと前記溝の組合せが、前記フレームの運動の範囲を制限し、それにより前記撓み部分を保護する請求項７０に記載の方法。
【請求項７２】
前記フレームを前記基準ウェハに連結されている複数の撓み部分をエッチングするステップと、
前記ベースから前記撓み部分を分離している複数のベース分離トレンチをエッチングするステップとをさらに含み、
それにより前記ベースの応力が前記撓み部分に伝わらない請求項５５に記載の方法。
【請求項７３】
前記基準ウェハの前記頂面から前記撓み部分を分離している複数の基準分離トレンチをエッチングするステップをさらに含み、
それにより前記基準ウェハの前記頂面の応力が前記撓み部分にほとんど伝わらない請求項７２に記載の方法。
【請求項７４】
シリコン・キャップ・ウェハの底面に前記ベースをキャップ接合するステップをさらに含む請求項５５に記載の方法。
【請求項７５】
前記キャップ接合が、ガラス接合、金共融接合、半田接合、Ｓｉ−Ｓｉ溶融接合、およびＳｉ−ＳｉＯ２溶融接合からなるグループから選択される請求項７４に記載の方法。
【請求項７６】
前記キャップ接合が、前記基準接合と等しいかより高い温度で行われ、前記キャップ接合が、前記基準接合前に行われる請求項７４に記載の方法。
【請求項７７】
前記感知サブアセンブリの運動を収容するように、前記キャップ・ウェハの前記底面内に凹部をエッチングするステップをさらに含む請求項７４に記載の方法。
【請求項７８】
前記キャップ接合が、第１の密封接合を含み、前記基準接合が第２の密封接合を含み、それにより前記感知サブアセンブリを囲む密封エンクロージャを提供する請求項７４に記載の方法。
【請求項７９】
前記密封エンクロージャ内の圧力を、大気圧からかなり異なる圧力に変えるステップをさらに含む請求項７８に記載の方法。
【請求項８０】
前記第１の密封接合が第１の共融金属シールを含み、前記第２の密封接合が第２の共融金属シールを含む請求項７８に記載の方法。
【請求項８１】
前記フレームを前記キャップ・ウェハに連結する複数の撓み部分をエッチングするステップと、
前記ベースから前記撓み部分を分離する複数のベース分離トレンチをエッチングするステップとをさらに含み、
それにより前記ベースの応力が前記撓み部分に伝わらない請求項記７４載の方法。
【請求項８２】
前記キャップ・ウェハの前記底面から前記撓み部分を分離している複数のキャップ分離トレンチをエッチングするステップをさらに含み、
それにより前記キャップ・ウェハの前記底面の応力が、前記撓み部分にほとんど伝わらない請求項８１に記載の方法。