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【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択されたパルス繰返し数でのレーザ出力光パルスを含むビームを生成する狭帯域短パルス幅ガス放電レーザ出力光パルスビーム生成システムであって、
それぞれのパルスを含むレーザ光パルスビームの分散中心波長選択光学機器上への入射角によって少なくとも部分的に判断された各パルスに対する少なくとも１つの中心波長を選択する分散中心波長選択光学機器と、
それぞれのパルスを含むレーザ光パルスビームの第１の空間的に形成された部分の前記分散中心波長選択光学機器上への少なくとも１つの入射角を選択するように作動する同調機構と、
を含み、
前記同調機構は、可変屈折光学要素上への前記レーザ光パルスビームの入射の複数の位置のうちの１つにおいて可変屈折光学要素を通過する該レーザ光パルスビームの前記第１の空間的に形成された部分の複数の屈折角変位を規定する可変屈折光学要素を含む、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記可変屈折光学要素は、
前記レーザ光パルスビームに対する入射表面を形成する第１のほぼ平坦な面と、
前記レーザ光ビームに対する出射口の複数のほぼ平坦な表面を形成する第２の多面的な面と、
を含み、
出射口の各表面は、前記可変屈折光学要素からの出射口の独特で個別の角度を形成している、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記可変屈折光学要素は、
前記レーザ光パルスビームに対する入射表面を形成する第１のほぼ平坦な面と、
前記レーザ光ビームに対する複数の湾曲した出射口表面を形成する第２のほぼ円筒形の面と、
を含み、
各出射口表面は、前記レーザ光パルスビームに対する出射口の独特で個別の平坦な表面を近似し、出射口の各このような湾曲表面は、前記可変屈折光学要素の縦方向の広がりに沿って連続的に増大又は減少する出射口の独特で個別の角度を近似する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記可変屈折光学要素を前記レーザ光パルスビームに関してビームプロフィールの第１の軸線とほぼ平行に、かつ該可変屈折光学要素の縦方向の広がりにほぼ整列した方向に平行移動させる平行移動機構、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記可変屈折光学要素を前記レーザ光パルスビームに関してビームプロフィールの第２の軸線とほぼ平行に、かつ該可変屈折光学要素の縦方向の広がりにほぼ直交する方向に平行移動させる平行移動機構、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記可変屈折光学要素を前記レーザ光パルスビームに関してビームプロフィールの第２の軸線とほぼ平行に、かつ該可変屈折光学要素の縦方向の広がりにほぼ直交する方向に平行移動させる平行移動機構、
を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記分散波長選択要素と前記可変屈折光学要素の中間にある第２の同調機構、
を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記第２の同調機構は、前記レーザ光パルスビームと前記分散波長選択要素の間の入射角を定める同調ミラーを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記同調ミラーは、材料への電界の印加によって性質が変更される材料を含む電気機械的光路位置決め機構及び微細位置決め機構の組合せによって前記入射角を定めるように位置決めされている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記材料は、圧電材料である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
光利用ツールにおける利用のために、選択されたパルス繰返し数での選択された個数のレーザ出力光パルスのバーストを含むビームを生成する狭帯域短パルス幅ガス放電レーザ出力光パルスビーム生成システムであって、
レーザ出力光パルスビームが、それぞれの中心波長の選択された差によって分離された第１の中心波長を有する複数のパルス及び第２の中心波長を有する複数のパルスを含み、  レーザ出力光パルスビームパラメータ測定モジュールと、
レーザコントローラと、
前記ビームパラメータ測定モジュールからの少なくとも１つの信号及び前記レーザコントローラからの少なくとも１つの信号に応答して、前記それぞれの中心波長及び中心波長の前記差を制御する波長コントローラと、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１２】
前記波長コントローラは、前記利用ツールからの少なくとも１つの信号に応答して前記それぞれの中心波長及び中心波長の前記差を制御する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記波長コントローラは、前記利用ツールからの少なくとも１つの信号に応答して周期的波長制御信号の周期を制御する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記利用ツールからの前記少なくとも１つの信号は、走査ウインドウ内のパルスの個数、中心波長の望ましい組、望ましいピーク間の分離、及び望ましい中心波長を表す信号の群から取られた信号を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記波長コントローラは、前記走査ウインドウ内の前記パルスの個数に基づいて周期的中心波長変調信号及び該周期的中心波長変調信号の周期を選択する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記波長変調信号は、第１の中心波長の複数の連続パルスと、第２の中心波長の複数の連続パルスと、該第１の中心波長の該複数のパルスから該第２の中心波長の該複数のパルスへの各遷移において該第１の中心波長の該複数の連続パルスと該第２の中心波長の該複数の連続パルスの中間にある複数の少なくとも１つの遷移パルスとを含み、
各遷移パルスに対しては、レーザは発射されない、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記波長変調信号は、前記走査ウインドウの周期によって判断された周期を有する遅い正弦信号を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記波長変調信号は、レーザのパルス繰返し数の分数によって判断された周波数を有する速い正弦信号を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の中心波長のパルス及び前記第２の中心波長のパルスに対して別々に照射量を制御する照射量コントローラ、
を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記正弦変調信号のより長い波長部分及び該正弦変調信号のより短い波長部分に対して別々に照射量を制御する照射量コントローラ、
を更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項２１】
前記波長変調信号は、前記走査ウインドウの周期によって判断された周期を有する遅い周期的信号を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項２２】
前記周期的変調信号のより長い波長部分及び前記正弦変調信号のより短い波長部分に対して別々に照射量を制御する照射量コントローラ、
を更に含むことを特徴とする請求項２１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にフィンを形成するステップと、
前記基板上にマスクを形成するステップと、
前記ＭＯＳＦＥＴのチャネル領域を露出するように、前記マスクをエッチングするステップと、
前記チャネル領域中の前記フィンの幅を薄くするステップと、を含み、前記フィンの前記幅を薄くするステップでは、フッ素（Ｆ）プラズマ処理を用いて前記フィンの1つ以上の面のエッチングがなされ、かつ、
前記フィンの両側上に広がるゲートを形成するステップと、
を含む、ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）（２００）を形成する方法。
【請求項２】
前記基板は埋込酸化膜上にシリコン層を含み、前記フィンを形成するステップでは、前記シリコン層をエッチングしてフィンが形成される、請求項１記載の方法。  
【請求項３】
フィン領域、ソース領域、およびドレイン領域をパターン化するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記基板上にシリサイド材料を形成するステップと、
前記シリサイド材料によってドレインコンタクト、ゲートコンタクト、およびソースコンタクトを形成するステップと、をさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記マスクを形成するステップは、前記基板上にダマシン材料をたい積するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
ゲート領域を形成するように、ダマシン材料をエッチングするステップと、
前記フィンの側面上にゲート絶縁層を形成するステップと、
ゲート電極材料をたい積して、前記ゲート領域を少なくとも部分的に充てんするステップと、を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記ゲート電極材料には、ポリシリコン及び金属のうちの少なくとも1つが含まれる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記ゲート上にシリサイド材料を形成し、
前記シリサイド材料によってゲートコンタクトを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記フィンの幅を薄くするステップは、前記フィンの幅から片側当たり約１００Åから２００Åを除去するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記フィン上に酸化シリコン材料を形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記ゲートを形成する前に前記酸化シリコン材料を除去するステップをさらに含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
基板上に、フィン領域、ソース領域およびドレイン領域をパターン化するステップを有し、
前記フィン領域にフィンを形成するステップを有し、
前記フィン領域にマスクを形成するステップを有し、
前記ＭＯＳＦＥＴのチャネル領域を露出するように、前記マスクをエッチングするステップを有し、
前記フィンをエッチングして前記チャネル領域の前記フィンの幅を薄くするステップを有し、このフィンをエッチングして前記フィンの幅を薄くするステップは、フッ素（Ｆ）プラズマ処理を用いて前記フィンをエッチングするステップ、あるいは、臭化水素（ＨＢｒ）ベースのプラズマ・ケミストリを用いて前記フィンをエッチングするステップ、のうちの少なくとも一方を含むものであり、
前記フィン上にゲートを形成するステップを有し、
前記ゲート、ソース領域およびドレイン領域に、コンタクトを形成するステップを有する、ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を形成する方法。
【請求項１３】
前記コンタクトを形成するステップは、
前記基板にシリサイド材料を形成するステップと、
前記シリサイド材料によってゲートコンタクトを形成するステップと、
前記シリサイド材料によってソースコンタクトを形成するステップと、
前記シリサイド材料によってドレインコンタクトを形成するステップと、を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記マスクを形成するステップは、前記基板上にダマシン材料をたい積するステップを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記ゲートを形成するステップは、
ゲート領域を形成するように、ダマシン材料をエッチングするステップと、
前記フィンの側面上にゲート絶縁層を形成するステップと、
ゲート電極材料をたい積して、前記ゲート領域を少なくとも部分的に充てんするステップと、を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記フィンをエッチングするステップは、前記フィンの幅から片側当たり約１００Åから２００Åを除去するステップを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
基板上にフィンを形成するステップを有し、
前記基板上にマスクを形成するステップを有し、
前記ＭＯＳＦＥＴのチャネル領域を露出するように、前記マスクをエッチングするステップを有し、
前記チャネル領域中の前記フィンの幅を薄くするステップを有し、前記フィンの前記幅を薄くするステップでは、臭化水素（ＨＢｒ）ベースのプラズマ・ケミストリを用いて前記フィンがエッチングされ、かつ、
前記フィンの両側上に広がるゲートを形成するステップと、を有する、ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）（２００）を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１ゲートと、基板内の活性領域と、第１ゲートに隣接する第２ゲートを少なくとも含む記憶素子をプログラムするための方法であり、
第１ゲートにバイアスを印加することによって、第１ゲートの下であって基板内に反転領域を生成する工程と、
反転領域のジャンクションにエレクトロン−ホールの対を生成するのに十分な臨界電界を第２ゲートの付近に生成する工程を有する方法。
【請求項２】
臨界電界を生成する工程は、活性領域に第１ポジティブバイアスを印加する工程と、第２ゲートに第１ポジティブバイアスより小さいバイアスを印加する工程を含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
第１ポジティブバイアスより小さいバイアスを印加する工程は、ゼロボルト以下のバイアスを印加することを含むことを特徴とする請求項２の方法。
【請求項４】
第１ポジティブバイアスより小さいバイアスを印加する工程は、ゼロから−３ボルトの範囲のバイアスを印加することを含むことを特徴とする請求項２の方法。
【請求項５】
第１ポジティブバイアスを印加する工程は、３ボルトより大きいバイアスを印加することを含むことを特徴とする請求項２の方法。
【請求項６】
反転領域を生成する工程は、第１ゲートに第１ポジティブ電圧より大きい第２ポジティブ電圧を印加することを含むことを特徴とする請求項２の方法。
【請求項７】
第２ポジティブ電圧は、８ボルトより大きいことを特徴とする請求項６の方法。
【請求項８】
基板はｐ型基板であり、活性領域はｎ型不純物領域であることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項９】
ｐ型基板は、約１０１６〜１０１８ａｔｍ／ｃｍ３の範囲の不純物濃度を有することを特徴とする請求項８の方法。
【請求項１０】
基板はｎ型基板であり、活性領域はｐ型不純物領域であることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１１】
活性領域は、約１０１７〜１０２０ａｔｍ／ｃｍ３のドーピング濃度を有することを特徴とする請求項１０の方法。
【請求項１２】
第１ゲートは、基板上の第１ゲート絶縁体上に配置されており、
第２ゲートは、基板上の第２ゲート絶縁体上に配置されていることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１３】
第１ゲート絶縁体は、約６０〜１００Åの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１２の方法。
【請求項１４】
第２ゲート絶縁体は、約２０〜２００Åの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１５】
記憶素子は、少なくとも部分的に第１ゲート上に配置されるとともに第３絶縁膜によって第１ゲートから分離されている制御ゲートをさらに含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１６】
反転領域を生成する工程は、制御ゲートにバイアスを印加することを含むことを特徴とする請求項１５の方法。
【請求項１７】
記憶素子は、電荷蓄積誘電体をさらに含んでおり、
前記方法は、電荷蓄積誘電体の少なくとも一部の下に前記臨界電界を生成することを含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１８】
記憶素子であり、
実質的に第２不純物タイプを有する基板内に形成されているとともに第１不純物タイプを有する活性領域と、
基板上のフローティングゲートと、
基板上のフローティングゲートに隣接して配置されている選択ゲートと、
活性領域に印加される「ゼロボルトより大きい第１バイアス」と、
フローティングゲートに印加される「第１バイアスより大きい第２バイアス」と、
選択ゲートに印加される「ゼロ以下の第３バイアス」を備え、
第１バイアスと第３バイアスは、フローティングゲートと選択ゲートの間において基板内にリーク電流を生成するために選択されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項１９】
第１ポジティブバイアスは、３ボルトより大きいことを特徴とする請求項１８の素子。
【請求項２０】
第２バイアスは、８ボルトより大きいことを特徴とする請求項１８の素子。
【請求項２１】
基板はｐ型基板であり、活性領域はｎ型不純物領域であることを特徴とする請求項１８の素子。
【請求項２２】
ｐ型基板は、約１０１６〜１０１８ａｔｍ／ｃｍ３の範囲の不純物濃度を有することを特徴とする請求項２１の素子。
【請求項２３】
活性領域は、約１０１７〜１０２０ａｔｍ／ｃｍ３のドーピング濃度を有することを特徴とする請求項２２の素子。
【請求項２４】
基板はｎ型基板であり、活性領域はｐ型不純物領域であることを特徴とする請求項１８の素子。
【請求項２５】
フローティングゲートは、基板上のフローティングゲート酸化膜上に配置されており、
選択ゲートは、基板上の選択ゲート酸化膜上に配置されていることを特徴とする請求項１８の素子。
【請求項２６】
フローティングゲート酸化膜は、約６０〜１００Åの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１８の素子。
【請求項２７】
第２ゲート酸化膜は、約２０〜２００Åの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１８の素子。
【請求項２８】
記憶素子は、ＮＡＮＤセルであることを特徴とする請求項１８の素子。
【請求項２９】
記憶素子は、ＮＯＲセルであることを特徴とする請求項１８の素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィン型ＦＥＴデバイスを形成する方法であって、
（ａ）半導体基板を設けるステップと、
（ｂ）前記基板の上面上に誘電体層を形成するステップと、
（ｃ）前記誘電体層の上面上にシリコン・フィンを形成するステップと、
（ｄ）前記フィンの少なくとも１つの側壁上に保護層を形成するステップと、
（ｅ）前記フィンのチャネル領域において、前記少なくとも１つの側壁から前記保護層を除去するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
ステップ（ｄ）とステップ（ｅ）との間に、前記フィンに少なくとも１つのイオン注入ステップを実行するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ｆ）前記チャネル領域において前記フィンの露出した表面上にゲート誘電体を形成するステップと、
（ｇ）前記ゲート誘電体上に導電性ゲートを形成するステップと、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
（ｈ）前記フィンのソース／ドレイン領域から前記保護層を除去するステップを更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
フィン型ＦＥＴデバイスを形成する方法であって、
（ａ）半導体基板を設けるステップと、
（ｂ）前記基板の上面上に誘電体層を形成するステップと、
（ｃ）前記誘電体層の上面上に側壁を有するシリコン・フィンを形成するステップと、
（ｄ）前記側壁の少なくとも１つの少なくとも下部に保護層を形成するステップと、
を含む、方法。
【請求項６】
（ｅ）前記フィンに少なくとも１つのイオン注入ステップを実行するステップを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
（ｅ）前記フィンの少なくともチャネル領域において前記フィンの露出した表面上にゲート誘電体を形成するステップと、
（ｆ）前記ゲート誘電体上に導電性ゲートを形成するステップと、
を更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記保護層が保護スペーサである、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
ステップ（ｃ）とステップ（ｄ）との間に、前記フィンの下から前記誘電体層の一部を除去するステップを更に含む、請求項１または５に記載の方法。
【請求項１０】
前記保護層が酸化テトラエトキシシランまたは窒化シリコンを含む、請求項１または５に記載の方法。
【請求項１１】
前記保護層が約１５Åから５０Åの厚さである、請求項１または５に記載の方法。
【請求項１２】
前記フィンが、約５００Åから２０００Åの高さを有し、約２００Åから５００Åの幅を有する、請求項１または５に記載の方法。
【請求項１３】
ステップ（ｃ）が、
前記誘電体層の前記上面上にシリコン層を形成するステップと、
前記シリコン層を覆うようにマスクを形成するステップと、
前記マスクによって保護されていない前記シリコン層の部分を除去して前記誘電体層を露出させるステップと、
前記マスクを除去するステップと、
を含む、請求項１または５に記載の方法。
【請求項１４】
前記フィンが単結晶シリコンを含む、請求項１または５に記載の方法。
【請求項１５】
ステップ（ｃ）が、
前記誘電体層上にマンドレルを形成するステップと、
前記マンドレルの上面および側壁上ならびに前記マンドレルによって覆われていない前記誘電体層の表面上にコンフォーマルなシリコン層を付着するステップと、
前記マンドレルの前記上面および前記マンドレルによって覆われていない前記誘電体層の前記表面から前記コンフォーマルなシリコン層を除去するステップと、
を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
前記除去するステップの後に、前記コンフォーマルなシリコン層の高温アニーリングを実行するステップを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
フィン型ＦＥＴデバイスであって、
半導体基板と、
前記基板の上面上の誘電体層と、
前記誘電体層の上面上の、側壁を有するシリコン・フィンと、
前記側壁の少なくとも１つの少なくとも下部に接した保護層と、
を含む、フィン型ＦＥＴデバイス。
【請求項１８】
前記フィンがチャネル領域およびソース／ドレイン領域を含む、請求項１７に記載のフィン型ＦＥＴ。
【請求項１９】
前記フィンの前記チャネル領域における前記フィンの表面上のゲート誘電体と、
前記ゲート誘電体上の導電性ゲートと、
を更に含む、請求項１７に記載のフィン型ＦＥＴ。
【請求項２０】
前記保護層が酸化テトラエトキシシランまたは窒化シリコンを含む、請求項１７に記載のフィン型ＦＥＴ。
【請求項２１】
前記保護層が約１５Åから５０Åの厚さである、請求項１７に記載のフィン型ＦＥＴ。
【請求項２２】
前記フィンが、約５００Åから２０００Åの高さを有し、約２００Åから５００Åの幅を有する、請求項１７に記載のフィン型ＦＥＴ。
【請求項２３】
前記シリコン・フィンが単結晶シリコンを含む、請求項１７に記載のフィン型ＦＥＴ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型デバイス及びｐ型デバイスを含むデバイスを製造する方法であって、
半導体基板の一部をドープするステップと、
前記半導体基板のドープされた部分の少なくとも一部を除去することによって、該半導体基板内にギャップを形成するステップと、
前記半導体基板内の前記ギャップの少なくとも一部に歪み層を成長させるステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記歪み層は、少なくとも前記ｎ型デバイスのほぼ真下にある部分の上に成長される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記歪み層は、少なくとも前記ｐ型デバイスのソース領域又はドレイン領域の少なくとも１つのほぼ真下にある部分の上に成長される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記歪み層は、前記ｐ型デバイスのチャネルの下には成長されない、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ギャップは、ｎ型デバイスのチャネルの下に形成されるトンネルである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
堆積されたフォトレジスト層をパターン状に除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記半導体基板上にマスクを堆積させるステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体基板の一部が覆われ、該半導体基板の一部が露出されるように、堆積されたマスクをパターン形成するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ギャップを形成する前記ステップは、前記半導体基板の前記露出された部分をエッチングし、該半導体基板の前記ドープされた領域の少なくとも一部の側壁を選択的に露出させるステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体基板上にスペーサ材料を堆積させるステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記スペーサ材料を堆積させる前記ステップは、該スペーサ材料を前記ギャップの露出された部分の上に堆積させるステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ギャップの露出されていない部分を酸化物材料で充填するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ｎ型デバイス及びｐ型デバイスを含むデバイスを製造する方法であって、
半導体基板上に歪み層を成長させるステップと、
前記歪み層の上にシリコン層を成長させるステップと、
前記半導体基板の上から前記シリコン層及び前記歪み層の少なくとも一部を除去することによって、該半導体基板と該シリコン層との間にギャップを形成するステップと、
前記ギャップ内に歪み層を成長させるステップと
を含む方法。
【請求項１４】
半導体基板の一部の下を延びる少なくとも１つのギャップを有する半導体基板と、
前記半導体基板上のゲート・スタックと、
前記半導体基板の一部をドープし、次に該半導体基板のドープされた部分をエッチングすることによって形成された、前記ギャップの少なくとも一部に形成された歪み層と
を備える、半導体デバイス。
【請求項１５】
前記ギャップは、前記ゲート・スタックを形成する前に形成される、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
半導体基板の一部の下を延びる少なくとも１つのギャップを有する半導体基板と、
前記半導体基板上のゲート・スタックと、
前記少なくとも１つのギャップの少なくとも一部に形成され、半導体デバイスのソース領域及びドレイン領域の少なくとも１つの下にだけ形成された歪み層と
を備える、半導体デバイス。
【請求項１７】
前記歪み層は、前記半導体基板の上部の面と該半導体基板の下部の面との間にある、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記歪み層は、前記半導体デバイスの前記ソース領域及び前記ドレイン領域の両方の下に形成される、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記ギャップは、前記半導体基板の上面に沿った第１の幅と、該半導体基板の前記上面より下方の第２の幅とを有し、前記第２の幅が前記第１の幅より大きい、請求項１６に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月21日(2007.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドーパントを有する異なる有機材料を供与体からOLED基板上に転写することにより該基板上に異なる色放射部位を形成するためのレーザービームの複数チャネル・プリントヘッドを有するレーザー熱転写装置によって使用されるべき画像データを生成する方法であって：
a)  該OLED基板上に形成された該色放射部位及び整列マークのレイアウトのグラフィック表示を受信し；
b)  前記整列マークのグラフィック表示及び位置に応答して、該整列マークに対する該OLED基板上の色放射部位のサイズ及び位置を画定するための座標を形成し；
c)  該レーザー熱転写装置によって生じることになる所定の既知の誤差を補償するため、該色放射部位の該座標を調節することにより、該色放射部位のサイズ及び位置を変え；そして
d)  該整列マークに対して該プリントヘッドを作動させる位置と、選択されたプリントヘッド・レーザービームを作動させるシーケンスとを含む該レーザー熱転写装置によって使用されるべき画像データを生成する
ことを含む、画像データを生成する方法。
【請求項２】
さらに、該色放射部位のサイズ及び位置が、該レーザー熱転写装置と適合可能であるかどうかを決定することを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
さらに、該OLED基板上に該色放射部位を形成するために該レーザー熱転写装置を使用することによる誤差を特徴付けし、そしてこのようなレーザー熱転写装置によって生じる所定の既知の誤差を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記第１のセクションが、約２ミリメートルの長さをもつ、請求項２，３，４，５，６，７又は８に記載の高圧放電ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月2日(2007.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーティリティ運用パラメータを管理する照明制御システムであって、
照明バラストと通信するバラスト制御モジュール、
無線通信リンクを介して当該バラスト制御モジュールに接続されるデータ処理モジュール、
及び
前記データ処理モジュールを介して前記バラスト制御モジュールに無線接続され、複数のユーティリティ運用アプリケーションを動作させる無線インターネットコントロールセンターを備える照明制御システム。
【請求項２】
更に、前記データ処理モジュールに接続される複数のリピータを備える、請求項１記載の照明制御システム。
【請求項３】
前記データ処理モジュールと前記バラスト制御モジュールとの間の前記通信リンクがローカルエリアネットワークである、請求項１記載の照明制御システム。
【請求項４】
前記データ処理モジュールと前記バラスト制御モジュールとの間の前記通信リンクがワイドエリアネットワークである、請求項１記載の照明制御システム。
【請求項５】
前記バラスト制御モジュールが低電圧インターフェースを介して前記照明バラストに接続される、請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記バラスト制御モジュールが電力線搬送により前記照明バラストに接続される、請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記バラスト制御モジュールがデジタルアドレス可能照明インターフェース（ＤＡＬＩ）を介して前記照明バラストに接続される、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記照明バラストが蛍光バラスト及び高出力バラストを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項９】
前記照明バラストが電子バラストである、請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
前記照明バラストが磁気バラストである、請求項１記載のシステム。
【請求項１１】
前記バラスト制御モジュールが前記照明バラストに直接組み込まれる、請求項１記載のシステム。
【請求項１２】
前記照明バラストが前記バラスト制御モジュールに電力を供給する、請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記バラスト制御モジュールが、バラスト故障又はランプ故障が生じる時点をモニターして、バラスト故障又はランプ故障が生じると警告を発するメンテナンスフィードバック部分を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項１４】
前記バラスト制御モジュールが、
信号、電圧、及び抵抗を生成して前記照明バラストを動作させるポテンショメータ、
インターネットプロトコルとローカルエリアネットワークプロトコルとの相互変換を行い、前記バラスト制御モジュールのトラフィックフロー、データストレージ、及びロジックを制御するマイクロコントローラ、及び
前記バラスト制御モジュールの各部分を前記通信リンクに接続するＲＦ無線カートリッジデコーダを備え、当該ＲＦ無線カートリッジは、複数の周波数で、且つ高速転送レート及び低速転送レートの両方でデータを送信する、請求項１記載のシステム。
【請求項１５】
前記マイクロコントローラは、更に、前記照明バラスト及び前記データ処理モジュールが受信した命令を処理する、請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
前記バラスト制御モジュールが、
前記照明バラストの照明光度を直接制御する調光制御手段、
前記照明バラストに電力を供給するスイッチング機構、及び
前記調光制御手段に低電圧を、及び前記スイッチング機構に高電圧を供給する変圧器
を更に備える、請求項１記載のシステム。
【請求項１７】
前記スイッチング機構が固体スイッチ、又は電子制御用トライアックである、請求項１６記載のシステム。
【請求項１８】
前記スイッチング機構が、高周波数スイッチングを行なって前記照明バラストの前記照明光度を間接的に変えるように構成される、請求項１７記載のシステム。
【請求項１９】
前記データ処理モジュールが、
前記無線インターネットコントロールセンターから前記通信リンクを介して安全なデータ送信を実現する通信カートリッジエンコーダ、
前記無線インターネットコントロールセンターからの無線ＷＡＮ伝送をＬＡＮ送信に変換して前記バラスト制御モジュールに転送するマイクロコントローラ、及び
前記データ処理モジュールを前記インターネットコントロールセンターに接続する無線ＷＡＮ  ＴＣＰＩＰゲートウェイ
を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項２０】
前記マイクロコントローラが、システムを自律動作させる埋め込みオペレーティングシステムを含む、請求項１４記載のシステム。
【請求項２１】
前記マイクロコントローラが、前記照明バラストを自律動作させるスケジューリング機能を含むエンベッデッド型ＲＡＭチップを含む、請求項１４記載のシステム。
【請求項２２】
前記無線インターネットコントロールセンターが、
当該無線インターネットコントロールセンターと前記無線データ処理モジュールを無線接続するネットワークオペレーションセンター、
システム情報を管理するデータベースサーバ、及び
前記照明システムを動作させる少なくとも一つのユーティリティ運用アプリケーションを含むアプリケーションサーバ
を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項２３】
少なくとも一つの前記アプリケーションが、照明のスケジューリング、前記照明バラストのゾーングループ分け、エネルギーモニター、負荷管理、メンテナンス、及び照明光度制御の内の少なくとも一つを行なう、請求項２２記載のシステム。
【請求項２４】
前記照明スケジューリングアプリケーションが、照明ランプスタートプロセス及び順次消灯プロセスの内の一方を含む、請求項２３記載のシステム。
【請求項２５】
前記エネルギーモニタリングアプリケーションが、前記照明システムの消費電力のモニター及び制御を行う、請求項２３記載のシステム。
【請求項２６】
前記システム情報が、ビル情報、照明ゾーン制御情報、ユーザ名、及びパスワードを含む、請求項２２記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンタル粉末であって、タンタル粉末は少なくとも１．５ｍ2／ｇのBET表面積を有し、そして該タンタル粉末が電解キャパシターアノードに形成される場合に、２０VのVfで形成され、かつ１４００℃で１０分間焼成されるとき、該アノードは少なくとも約190,000CV/gのキャパシタンスを有する、タンタル粉末。
【請求項２】
該アノードが約190,000〜約285,000CV/gのキャパシタンスを有する請求項１記載のタンタル粉末。
【請求項３】
該タンタル粉末が約１.５〜約８ｍ2／ｇのBET表面積を有する請求項１記載のタンタル粉末。
【請求項４】
該タンタル粉末が約１.７〜約５ｍ2／ｇのBET表面積を有する請求項１記載のタンタル粉末。
【請求項５】
該タンタル粉末が少なくとも約５ｍ2／ｇのBET表面積を有し、そして該アノードが約200,000〜約285,000CV/gのキャパシタンスを有する請求項１記載のタンタル粉末。
【請求項６】
請求項１記載のタンタル粉末を含むキャパシターアノード。
【請求項７】
該アノードが約５.０ｎA/CV未満のＤＣ 漏れを有する請求項６記載のキャパシターアノード。
【請求項８】
該アノードが約０．５〜約２.０ｎA/CVのＤＣ 漏れを有する請求項６記載のキャパシターアノード。
【請求項９】
原料粉末を流体中で、任意には粉砕媒体により、高エネルギー粉砕機を用いて粉砕して少なくとも約１.５ｍ2／ｇのBET表面積を有するタンタル粉末を生成させることを含むタンタル粉末の製造方法。
【請求項１０】
該高エネルギー粉砕機が、遊星形ボールミル、回転空気流ジェットミル、もしくは対向ジェット流体エネルギーミルを含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
原料粉末を流体中で、任意には粉砕媒体により、高エネルギー粉砕機を用いて粉砕して少なくとも約１.５ｍ2／ｇのBET表面積を有するバルブ金属粉末を生成させることを含むバルブ金属粉末の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2007511602.tif 000001
［式中、
Ａは：
【化２】
2007511602.tif 000002
（式中、Ｒは水素又はメチルを示す）を示し、そして
Ｒ1は水素又は式ＶＩ：
【化３】
2007511602.tif 000003
の基を示し、
式中、
Ａｒ1は０、１若しくは２個の窒素原子、０若しくは１個の酸素原子、及び０若しくは１個の硫黄原子を有する５−若しくは６−員芳香族若しくはヘテロ芳香族環から選ばれるか、又は０、１、２  若しくは３個の窒素原子、０若しくは１個の酸素原子、及び０若しくは１個の硫黄原子を有する８−、９−若しくは１０−員の縮合芳香族若しくはヘテロ芳香族環系から選ばれ；
Ｄは水素、ＮＲ2Ｒ3、又はＥ−Ａｒ2から選ばれ；
ここで
Ｅは単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、又は−ＮＲ3−であり；
Ａｒ2は０、１又は２個の窒素原子、０又は１個の酸素原子、及び０又は１個の硫黄原子を有する５−又は６−員芳香族又はヘテロ芳香族環から選ばれ；
ここで、各Ａｒ1又はＡｒ2基は非置換であるか、又は−Ｒ3、−Ｃ1−Ｃ6アルキル、−Ｃ2−Ｃ6アルケニル、−Ｃ2−Ｃ6アルキニル、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＯ2、−ＣＦ3、−Ｓ（Ｏ）nＲ3、−ＮＲ2Ｒ3、−ＣＨ2ＮＲ2Ｒ3、−ＯＲ3、−ＣＨ2ＯＲ3若しくは−ＣＯ2Ｒ4から選ばれる１、２若しくは３個の置換基を有してもよく；
Ｒ2及びＲ3は独立して、各場合において水素、−Ｃ1−Ｃ4アルキル、アリール、ヘテロアリール、−Ｃ（Ｏ）Ｒ4、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＲ4、−ＣＯ2Ｒ4若しくは−ＳＯ2Ｒ4から選ばれるか、又は
Ｒ2及びＲ3は一緒になって−（ＣＨ2）jＧ（ＣＨ2）k−（ここで、Ｇは酸素、硫黄、ＮＲ4又は結合である）であり；
ｊは２、３又は４であり；
ｋは０、１又は２であり；
ｎは０、１又は２であり、そして
Ｒ4は独立して各場合に水素、−Ｃ1-4アルキル、アリール、又はヘテロアリールから選ばれる］
で表される化合物、並びにその立体異性体、エナンチオマー、生体内で加水分解可能な前駆体、及び薬学的許容塩。
【請求項２】
Ａが：
【化４】
2007511602.tif 000004
を示し、
Ｒ1が水素又は式ＶＩ：
【化５】
2007511602.tif 000005
〔式中、
Ａｒ1は０又は１個の窒素原子、０又は１個の酸素原子、及び０又は１個の硫黄原子を有する５−又は６−員芳香族又はヘテロ芳香族環から選ばれ；
Ｄは水素、ＮＲ2Ｒ3、又はＥ−Ａｒ2から選ばれ；
ここで
Ｅは単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、又は−ＮＲ3−であり；
Ａｒ2は０又は１個の窒素原子、０又は１個の酸素原子、及び０又は１個の硫黄原子を有する５−又は６−員芳香族又はヘテロ芳香族環から選ばれ；
ここで、各Ａｒ1又はＡｒ2基は非置換であるか、又はハロゲン、−ＣＮ、−ＮＯ2、−ＣＦ3、−ＣＨ3若しくは−Ｃ2Ｈ5から選ばれる１、２若しくは３個の置換基を有してもよく；
Ｒ2及びＲ3は独立して、各場合において水素、−Ｃ1−Ｃ4アルキル、アリール、ヘテロアリールから選ばれるか、又は
Ｒ2及びＲ3は一緒になって−（ＣＨ2）jＧ（ＣＨ2）k−（ここでＧは酸素である）であ
り；
ｊは２、３又は４であり；
ｋは０、１又は２である〕
の基を示す、請求項１記載の化合物、並びにその立体異性体、エナンチオマー、生体内で加水分解可能な前駆体、及び薬学的許容塩。
【請求項３】
Ａが：
【化６】
2007511602.tif 000006
を示す請求項１記載の化合物、又はそのエナンチオマー及びその薬学的許容塩。
【請求項４】
式ＶＩＩ：
【化７】
2007511602.tif 000007
（式中、Ａ及びＲ1は式Ｉの化合物について定義した通りである）で表されるＲ−異性体である、請求項１記載の化合物。
【請求項５】
Ａが式ＩＩ：
【化８】
2007511602.tif 000008
で表され、そしてＲ1が式Ｉの化合物について定義した通りである、請求項４記載の化合物。
【請求項６】
Ｅが単結合を示す、請求項１記載の化合物、又はそのエナンチオマー及びその薬学的許容塩。
【請求項７】
Ａｒ1がチオフェニルである、請求項１記載の化合物。
【請求項８】
Ａｒ1がチオフェニルであり、そしてＡｒ2が場合によっては置換基を有するフェニル、フラニル又はチオフェニルから選ばれる、請求項１記載の化合物。
【請求項９】
１つ又はそれ以上の原子が同じ元素の放射性同位体である、請求項１記載の化合物。
【請求項１０】
請求項１記載の化合物及び薬学的に許容される希釈剤、滑沢剤又は担体を含む医薬組成
物。
【請求項１１】
α７ニコチン性受容体の活性化が有益である疾患又は症状を治療又は予防するための請求項１０記載の医薬組成物。
【請求項１２】
疾患又は症状が不安、統合失調症、躁病又は躁うつ病である、請求項１１記載の医薬組成物。
【請求項１３】
神経障害、精神異常又は知的機能障害の治療又は予防のための請求項１０記載の医薬組成物。
【請求項１４】
障害がアルツハイマー病、学習障害、認知障害、注意力欠如、記憶喪失、注意欠陥過活動性障害、パーキンソン病、ハンチントン病、トゥレット症候群、コリン作用性シナプスの喪失がある神経変性障害、時差ぼけ、ニコチン中毒、渇望、痛み、又は潰瘍性大腸炎である、請求項１３記載の医薬組成物。
【請求項１５】
禁煙を誘導するための請求項１０記載の医薬組成物。
【請求項１６】
神経障害、精神異常、知的機能障害、アルツハイマー病、学習障害、認知障害、注意力欠如、記憶喪失、注意欠陥過活動性障害、不安、統合失調症、躁病若しくは躁うつ病、パーキンソン病、ハンチントン病、トゥレット症候群、又はコリン作用性シナプスの喪失がある神経変性障害から選ばれる、α７ニコチン性受容体の活性化が有益であるヒトの疾患又は症状の治療又は予防用の医薬の製造における、請求項１記載の化合物、そのエナンチオマー又はその薬学的許容塩の使用。
【請求項１７】
時差ぼけ、痛み、又は潰瘍性大腸炎の治療又は予防用の医薬、又は禁煙を容易にするため、又はニコチンを含む製品への曝露から生じる場合を含むニコチン中毒又は渇望を治療するための医薬の製造における、請求項１記載の化合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月2日(2007.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
経皮薬物送達組成物であって、以下の：
（ａ）共重合されたモノマーを含む共重合体を含む感圧接着剤であって、前記モノマーが、イソオクチルアクリレート、エチルへキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、およびこれらの組み合わせから選択される第１のモノマーと、アクリルアミド、酢酸ビニル、ヒドロキシエチルアクリレート、アクリル酸、およびこれらの組み合わせから選択される第２のモノマーとを含む前記感圧接着剤、
（ｂ）アミンオキシド、不飽和脂肪酸、ミリスチン酸イソプロピル、ラウログリコール、α−テルピネオール、ポリエチレングリコール、ソルビタンエステル、乳酸、ジメチルスルホキシド、およびこれらの組み合わせから選択される少なくとも１種類の賦形剤、並びに、
（ｃ）オランザピン又はその薬学的に許容される塩、
を含む、前記経皮薬物送達組成物。
【請求項２】
前記オランザピンが、遊離塩基の形態を含む、請求項１に記載の経皮薬物送達組成物。
【請求項３】
前記賦形剤が、アミンオキシド、不飽和脂肪酸、α−テルピネオール、ポリエチレングリコール、ソルビタンエステル、およびこれらの組み合わせから選択される皮膚透過促進剤である、請求項１に記載の経皮薬物送達組成物。
【請求項４】
前記賦形剤が、乳酸及びジメチルスルホキシドから選択される、オランザピンの可溶化剤である、請求項１に記載の経皮薬物送達組成物。
【請求項５】
統合失調症又は双極性躁病の治療のための請求項１に記載の経皮薬物送達組成物であって、ここで、所望の治療結果を達成するために、１日〜７日間、該組成物がヒトの身体の外部に適用される、前記組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変異型軽鎖を有し、それにより活性ボツリヌス毒素がニューロンを中毒にする能力を低下するグリコシル化不活性ボツリヌス毒素を含有する、ボツリヌス毒素中毒症の治療用医薬組成物。
【請求項２】
グリコシル化不活性ボツリヌス毒素が、細胞表面レセプターへの結合、エンドソーム膜を通した移動、SNAP-25タンパク質の開裂部位への結合、シナプトブレビン（VAMP）の開裂への結合またはシンタキシンの開裂部位への結合のために活性ボツリヌス毒素と競合するのに十分な量である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
変異型軽鎖が亜鉛結合モチーフにて変異する、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項４】
グリコシル化不活性ボツリヌス毒素が変異型重鎖を有する、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項５】
変異型重鎖がHC領域またはHN領域にて変異する、請求項４記載の医薬組成物。
【請求項６】
グリコシル化不活性ボツリヌス毒素がＡ型ボツリヌス毒素血清型、Ｂ型ボツリヌス毒素血清型、Ｃ１型ボツリヌス毒素血清型、Ｄ型ボツリヌス毒素血清型、Ｅ型ボツリヌス毒素血清型、Ｆ型ボツリヌス毒素血清型およびＧ型ボツリヌス毒素血清型からなる群から選択される、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項７】
活性ボツリヌス毒素がニューロンを中毒にする能力を低下する救出薬剤を含有する、ボツリヌス毒素中毒症の治療用医薬組成物であって、該救出薬剤が修飾型無毒性非赤血球凝集素、修飾型HA70または修飾型HA34である、医薬組成物。
【請求項８】
活性ボツリヌス毒素がニューロンを中毒にする能力を低下する救出薬剤を含有する、ボツリヌス毒素中毒症の治療用医薬組成物であって、該救出薬剤が修飾型無毒性非赤血球凝集素、修飾型HA70または修飾型HA34に修飾し、標的化部分を含む、医薬組成物。
【請求項９】
標的化部分が肝臓および／または腎臓のトランスポーターにより認識され、そしてこれらに結合する分子を含む、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１０】
トランスポーターがP-gp、MRP2、BSEP、ABCトランスポーターおよびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項９記載の医薬組成物。
【請求項１１】
標的化部分がベラパミル、シクロスポリンＡ、タモキシフェン、バルスポダール、ビリコダール、タリキダール、ゾスキダール、ラニキダール、ONT-093またはジギトキシン、α−メチルジゴキシン、β−アセチルジゴキシンもしくはウアバインなどのジゴキシン、ジギタリスもしくはジギタリス配糖体、またはそれらの混合物を含む、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１２】
グリコシル化された少なくとも一つのグリコシル化部位を含む、グリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項１３】
グリコシル化されたグリコシル化部位がアミノ酸Asn-Xaa-Thrを含む、請求項１２記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項１４】
グリコシル化されたグリコシル化部位がアミノ酸Asn-Xaa-Serを含む、請求項１２記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項１５】
グリコシル化されたグリコシル化部位がアミノ酸Asn-Xaa-Cysを含む、請求項１２記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項１６】
グリコシル化ボツリヌス毒素がＡ型ボツリヌス毒素血清型、Ｂ型ボツリヌス毒素血清型、Ｃ１型ボツリヌス毒素血清型、Ｄ型ボツリヌス毒素血清型、Ｅ型ボツリヌス毒素血清型、Ｆ型ボツリヌス毒素血清型またはＧ型ボツリヌス毒素血清型である、請求項１２記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項１７】
毒素がＡ型ボツリヌス毒素である、請求項１２記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項１８】
グリコシル化されたグリコシル化部位が配列番号１０６、配列番号１０７、配列番号１０８、配列番号１０９、配列番号１１０、配列番号１１１、配列番号１１２、配列番号１１３またはその任意の組合せである、請求項１７記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項１９】
グリコシル化ボツリヌス毒素が同質の非グリコシル化ボツリヌス毒素と比較してより迅速に循環系から消失する、請求項１２記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項２０】
グリコシル化ボツリヌス毒素が同質の非グリコシル化ボツリヌス毒素と比較して抗原性の低下を示す、請求項１２記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項２１】
グリコシル化ボツリヌス毒素が同質の非グリコシル化ボツリヌス毒素と比較して半減期の増加を示す、請求項１２記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項２２】
グリコシル化ボツリヌス毒素が真核細胞系により産生される、請求項１２〜２１のいずれか記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項２３】
真核細胞系が哺乳動物細胞系を含む、請求項２２記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項２４】
哺乳動物細胞系がPC12細胞系、SHSY-5Y細胞系、HIT-T15細胞系、HeLa細胞系、HEK293細胞系、CHO細胞系およびNeo2細胞系からなる群から選択される、請求項２３記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【請求項２５】
真核細胞系が昆虫細胞系を含む、請求項２２記載のグリコシル化ボツリヌス毒素。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）フォームポリスチレンホモポリマー又はコポリマー、
（ｂ）少なくとも一種の紫外線吸収剤、
（ｃ）少なくとも一種の低分子量立体障害性アミン光安定剤、
（ｄ）少なくとも一種の高分子量立体障害性アミン光安定剤、
（ｅ）少なくとも一種の顔料、及び
（ｆ）所望により、カーボンブラック
を含む、顔料着色されたポリスチレンフォーム組成物であって、
断続的な光照射／暗黒サイクル並びに水噴霧（光照射１０２分及び光照射に加えて水噴霧１８分）と共に、ブラックパネル温度６３℃、３４０ｎｍで０．３５Ｗ／ｍ2 及び相対湿度５０％で、キセノンアークウェザロメーターの下で、３０００時間にわたり暴露された場合に、膨張されたポリマーフォームが、ＡＳＴＭ法Ｄ２２４４に従い決定される約３．０未満のΔＥ色変化を示す組成物。
【請求項２】
屋外暴露の影響に晒された場合に、顔料着色されたポリスチレンフォームを退色から保護する方法であって、
（ｉ）ａ）ポリスチレンホモポリマー又はコポリマー、
ｂ）少なくとも一種の紫外線吸収剤、
ｃ）少なくとも一種の低分子量立体障害性アミン光安定剤、
ｄ）少なくとも一種の高分子量立体障害性アミン光安定剤、
ｅ）少なくとも一種の顔料、及び
ｆ）所望により、カーボンブラック
を含むスチレン系ポリマー又はコポリマーゲル組成物を、吐出されたゲルが発泡剤の作用によりセル状フォームに膨張するように、ダイから吐出する段階、並びに
（ｉｉ）膨張したポリマーフォームを、前記フォームが固化する温度に冷却する段階
を含み、
断続的な光照射／暗黒サイクル並びに水噴霧（光照射１０２分及び光照射に加えて水噴霧１８分）と共に、ブラックパネル温度６３℃、３４０ｎｍで０．３５Ｗ／ｍ2 及び相対湿度５０％で、キセノンアークウェザロメーターの下で、３０００時間にわたり暴露された場合に、膨張されたポリマーフォームが、ＡＳＴＭ法Ｄ２２４４に基づいて決定される
約３．０未満のΔＥ色変化を示す方法。
【請求項３】
可塑化剤、フェノール系酸化防止剤、ホスフィット及びホスホナイト安定剤、スリップ剤、並びにこれらの混合物からなる群から選択された別の成分を含む、請求項１記載の顔料着色されたポリスチレンフォーム組成物。
【請求項４】
ｂ）少なくとも一種の紫外線吸収剤、
ｃ）少なくとも一種の低分子量立体障害性アミン光安定剤、
ｄ）少なくとも一種の高分子量立体障害性アミン光安定剤、
ｅ）少なくとも一種の顔料又は顔料混合物、及び
ｆ）所望により、カーボンブラック
を含む、顔料着色されたポリスチレンフォーム用の添加剤混合物であって、
断続的な光照射／暗黒サイクル並びに水噴霧（光照射１０２分及び光照射に加えて水噴霧１８分）と共に、ブラックパネル温度６３℃、３４０ｎｍで０．３５Ｗ／ｍ2 及び相対湿度５０％で、キセノンアークウェザロメーターの下で、３０００時間にわたり暴露された場合に、膨張されたポリマーフォームが、ＡＳＴＭ法Ｄ２２４４に基づいて決定される約３．０未満のΔＥ色変化を示す添加剤混合物。
【請求項５】
ａ）フォームポリスチレンホモポリマー又はコポリマー、
ｂ）少なくとも一種の紫外線吸収剤、
ｃ）少なくとも一種の低分子量立体障害性アミン光安定剤、
ｄ）少なくとも一種の高分子量立体障害性アミン光安定剤、
ｅ）少なくとも一種の顔料、及び
ｆ）所望により、カーボンブラック
を含む、成形された又は押し出されたポリスチレンフォーム物品であって、
断続的な光照射／暗黒サイクル並びに水噴霧（光照射１０２分及び光照射に加えて水噴霧１８分）と共に、ブラックパネル温度６３℃、３４０ｎｍで０．３５Ｗ／ｍ2 及び相対湿度５０％で、キセノンアークウェザロメーターの下で、３０００時間にわたり暴露された場合に、膨張されたポリマーフォームが、ＡＳＴＭ法Ｄ２２４４に基づいて決定される約３．０未満のΔＥ色変化を示すポリスチレンフォーム物品。