【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年8月16日(2007.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ムライト組成物の調製方法であって、
ａ）ムライト中に存在する元素を有する１または複数の前駆化合物の混合物を形成すること、
ｂ）前記混合物を多孔質の圧粉体に成形すること、
ｃ）前記多孔質の圧粉体の一部分に核形成制御剤を塗布すること、および
ｄ）ステップｃ）の多孔質の圧粉体を大気中で、かつ本質的に化学結合したムライトの粒子から実質上なるムライト組成物であって、実質上異なるムライトのホイスカーをもつ少なくとも２つの隣接する領域を有する組成物を形成するのに十分な温度まで加熱すること、
を含む方法。
【請求項２】  前駆化合物がクレイ、アルミナ、シリカ、フッ化トパーズ、ゼオライト、AlF3、およびこれらの混合物から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前駆化合物がクレイ、アルミナ、シリカ、フッ化トパーズ、ゼオライト、およびこれらの混合物から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前駆化合物がアルミナとクレイの混合物である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  核形成制御剤が固体微粒子である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  固体微粒子が、ムライト、多孔質の素地中の前駆化合物の平均粒径とは１桁異なる平均粒径を有する前駆化合物、またはその混合物である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  固体微粒子がムライトである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  加熱が第一温度まで、次いで第二のより高い温度までなされ、フッ化トパーズが第一温度で形成され、ムライトが第二のより高い温度で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  第一温度で形成されるフッ化トパーズが、SiF4を含む雰囲気中で形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  第一温度が500℃から950℃である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】  第一温度が少なくとも725℃から750℃である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  第二温度が少なくとも1000℃からせいぜい1700℃である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  本質的に化学結合したムライトの粒子から実質上なり、実質上異なる微細構造をもつ少なくとも２つの隣接する領域を有するムライト組成物であって、少なくとも１つの領域がムライトのホイスカーからなる、ムライト組成物。
【請求項１４】  本質的にすべての粒子がホイスカーである、請求項１３に記載のムライト組成物。
【請求項１５】  SiO2に対するAl2O3の化学量論量が1.3から３である、請求項１３に記載のムライト組成物。
【請求項１６】  化学量論量がせいぜい2.5である、請求項１５に記載のムライト組成物。
【請求項１７】  化学量論量が1.6から1.85である、請求項１６に記載のムライト組成物。
【請求項１８】  ２つの隣接する領域が少なくとも１桁異なる平均孔径を有する、請求項１４に記載のムライト組成物。
【請求項１９】  隣接する領域の間の界面がせいぜい２mmである、請求項１４に記載のムライト組成物。
【請求項２０】  界面がせいぜい0.1mmである、請求項１９に記載のムライト組成物。
【請求項２１】  請求項１３のムライト組成物からなる自動車の触媒コンバータ。
【請求項２２】  ムライト組成物がムライトの粒子の少なくとも幾つかの部分の表面に貴金属のウォッシュコート被膜を有する、請求項２１に記載の自動車の触媒コンバータ。
【請求項２３】  貴金属のウォッシュコート被膜の厚さが被覆された粒子の平均最小寸法のせいぜい２分の１の厚さである、請求項２２に記載の自動車の触媒コンバータ。
【請求項２４】  請求項１３のムライト組成物を含む微粒子トラップ−酸化触媒であって、前記ムライト組成物の少なくとも一部分を触媒で被覆する、触媒。
【請求項２５】  実質上すべてのムライト組成物が触媒で被覆される、請求項２４に記載の微粒子トラップ−酸化触媒。
【請求項２６】  ムライト組成物が２つの隣接する領域からなる、請求項２４に記載の微粒子トラップ−酸化触媒。
【請求項２７】  触媒が貴金属のウォッシュコート被膜である、請求項２４に記載の微粒子トラップ−酸化触媒。
【請求項２８】  貴金属のウォッシュコート被膜の厚さが被覆された粒子の平均最小寸法のせいぜい２分の１の厚さである、請求項２７に記載の微粒子トラップ−酸化触媒。
【請求項２９】  請求項１３〜２０のいずれか１項に記載のムライト組成物を含む微粒子トラップ装置。
【請求項３０】  請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法によって得ることができるムライト組成物を含む微粒子トラップ装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
セラミックを用いたフィルタの形成においては一般に、微粒子状セラミックの素地を形成する。次いで素地をある温度まで加熱し、粒子を軽く焼結して均質なモノリシックな素地にする（すなわち、引き続き液体または気体の有効な通過を可能にするのに十分な多孔性を有しながら素地に強度を与える）。この軽く焼結した素地に、別の材料の薄い識別層（すなわち、軽く焼結した素地よりも小さな孔径を有する層）をその素地の表面に塗布する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の第一の態様はムライト組成物の調製方法であり、この方法は、
ａ）ムライト中に存在する元素を有する１または複数の前駆化合物の混合物を形成すること、
ｂ）その混合物を成形して多孔質の圧粉体にすること、
ｃ）多孔質の圧粉体の一部分に核形成制御剤を塗布すること、および
ｄ）ステップｃ）の多孔質の圧粉体を大気中で、かつ本質的に化学結合したムライトの粒子から実質上なるムライト組成物であって、実質上異なるムライトのホイスカーをもつ少なくとも２つの隣接する領域を有する組成物を形成するのに十分な温度まで加熱することを含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の第二の態様は、本質的に化学結合したムライトの粒子から実質上なるムライト組成物であって、実質上異なる微細構造をもつ少なくとも２つの隣接する領域を有する組成物である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
ムライト組成物はムライトの粒子から実質上なる。「ムライトの粒子から実質上なる」とは、体積で組成物の少なくとも９０％がムライトの粒子からなることを意味する。組成物は、ムライトの粒子を体積で好ましくは少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９８％、さらに好ましくは少なくとも９９％含み、また最も好ましくは本質上組成物すべてがムライトの粒子である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
ムライト組成物は、ムライトの粒子に加えて充填剤を含有することができる。充填剤は、ムライトを形成せず、実質上ムライトと反応しない化合物である。充填剤の例には、黒鉛、金属類（例えば貴金属類）、金属酸化物類（例えば酸化セリウム）、および硫化金属類（例えば二硫化モリブデン）がある。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
ムライト組成物の本質的にすべての粒子は、素地の他のムライトの粒子と化学結合する。これは、体積でムライトの粒子のせいぜい１％が他のムライトの粒子と化学結合しないことを意味する。好ましくはムライト組成物の本質的にすべての粒子が化学結合する。一般に、粒子を一緒に焼結または融合するときに化学結合する。粒子相互の化学結合は、たとえ多孔質であってもムライトの素地が、例えばフィルタの操作条件に耐え抜くのに十分な強度を有することを可能にする。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
素地のムライトの粒子の化学量論量は、3Al2O3・SiO2から1.3Al2O3・SiO2（すなわち3から1.3）の範囲の任意の適切な化学量論量であることができる。化学量論量は、好ましくは多くて2.5、より好ましくは多くて2.25、最も好ましくは多くて2.1から、好ましくは少なくとも1.4、より好ましくは少なくとも1.5、最も好ましくは少なくとも1.6までである。最も好ましい実施形態は、SiO2に対するAl2O3の化学量論量が1.6から1.85である。化学量論量は当業界で知られている方法（例えば、Ｘ線回折または電子線回折）など任意の適切な方法によって決めることができる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
たとえ粒子が、ムライトが呈することが可能な任意の形態を有することができるとしても、少なくとも幾つかの粒子はホイスカーであることが好ましい。より好ましくは少なくとも１つの領域がムライトのホイスカーからなる。「ホイスカー」とは、アスペクト比が２を超える（例えば長さが幅の２倍）粒子を意味する。一般には少なくとも１つの領域が１０を超える平均アスペクト比を有するホイスカーからなる。好ましくはムライトの素地中のすべての領域がホイスカーからなる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
ムライトの素地はまた、実質上異なる微細構造を有する少なくとも２つの隣接する領域を有する。「異なる微細構造」とは、隣接する領域の一方が、平均孔径と、粒子の形態（例えば平均アスペクト比）と、粒子サイズ（例えば相当球径）と、もう一方の隣接領域と少なくとも２５％異なる密度とから選択される少なくとも１つの特性を有することを意味する。好ましくは微細構造が少なくとも５０％異なり、より好ましくは少なくとも１００％、さらに好ましくは少なくとも５００％、最も好ましくは少なくとも１０００％異なる。この各特性は当業界で知られている手法（例えば研磨した断面の電子顕微鏡検査法）などの適切な手法によって決めることができる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
一般に領域とは、組成物全体の最小平均相当球径粒子サイズよりも少なくとも１０倍大きな互いに直交する少なくとも２方向に次元を有する量など、容易に識別できる組成物の量である。領域の例は組成物の表面層（例えば識別層）である。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本明細書では界面の長さと幅は、隣接する領域の間の接触により形成される平面によって画定される。界面の厚さは界面の長さと幅に直交する測定距離である。例えば一方の領域から始めてもう一方の領域へ界面の厚さを測定する場合、界面の厚さは、粒子サイズなどの少なくとも１つの微細構造特性が一方の領域全部の特性と１０％異なる点から出発して、同じ特性が隣接する領域全部のものと１０％異なる点に至る距離である。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
微細構造の測定は研磨した断面で行なうことができる。例えばムライトの平均粒子サイズは素地の研磨した断面の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）から求めることができ、それはQuantitative Stereology, Addison Wesley, Reading, MA (1970) 中にUnderwood によって記述されたインターセプト法によって決定することができる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
ムライト組成物の好ましい実施形態は、層の一つが１桁小さい平均孔径をもち、各領域がホイスカーからなる互いに隣接する２つの領域を有する。また、より小さな孔径をもつ領域のホイスカーが、もう一方の領域よりも少なくとも約１桁小さい平均粒子サイズを有することが好ましい。結局、両領域は化学量論量が1.5と2の間のムライトのホイスカーからなることが好ましい。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
別の好ましい実施形態は、下部領域、上部領域、および上部と下部領域の間にはさまれた中間領域を有するムライトのホイスカーからなり、その中間領域が上部および下部領域とは異なっている。好ましくは上部および下部領域は本明細書に記載のものと違いはない。また中間領域は、上部および下部領域の平均相当粒子サイズよりも１桁小さいかまたは大きい平均粒子サイズを有することが好ましい。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
多孔質の形材の一部分に核形成制御剤を塗布する。一般に「一部分」とは核形成制御剤を多孔質の素地の表面に塗布することを意味する。核形成制御剤はムライトの核形成を抑えるかまたは強めることができる。制御剤は一般に多孔質の素地の加熱前に、成形された多孔質の素地に塗布される固体微粒子である。核形成制御剤の例には、その制御剤粒子が混合物中の粒子よりも実質上大きいかまたは実質上小さいかどちらかであることを除いて混合物の化学的性質と同じ微粒子がある。「実質上大きいかまたは小さい」とは、平均粒径が混合物中の粒子の平均サイズと少なくとも約１桁異なることを意味する。制御剤はまたムライトの粒子であってもよい。好ましくは核形成制御剤はムライトの粒子である。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
この方法の最終ステップは、大気圧かつムライト組成物を形成するのに十分な温度下でステップｃ）の多孔質の圧粉体を加熱することである。望ましくは少なくとも加熱のある一部の期間、SiF4、AlF3、HFNa2SiF6NaF、およびNH4Fなどの供給源由来のフッ素がガス状の雰囲気中に存在する。大気中で用いられる場合、好ましくはフッ素の供給源はSiF4由来のものである。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
ムライト組成物は、自動車の触媒コンバータに用いられる、一般に触媒のウォッシュコートと呼ばれるアルミナ粒子上の貴金属触媒などの触媒用担体として特に役立つ可能性がある。ムライトの粒子はホイスカーであることが好ましい。また、ウォッシュコートはムライトの粒子の少なくとも一部分の上に薄い被膜を作ることが好ましい。一部分とは一般に、一方の領域の粒子の面積の少なくとも１０％が触媒の被膜で覆われる場合である。一方の領域の実質上すべての粒子が被覆されることが好ましい。組成物の実質上すべての粒子が被覆されることがより好ましい。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
「薄い被膜」とは触媒のウォッシュコートが一般に、被覆される粒子の平均最小寸法よりも薄い厚さを有することを意味する。一般に被膜の厚さは、被覆される粒子の平均最小寸法のせいぜい２分の１、好ましくはせいぜい３分の１、最も好ましくはせいぜい４分の１の厚さである。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
この組成物はまた、移動動力源用途（例えばディーゼルエンジン）および固定動力源用途（例えば発電所）に対する微粒子（ばい煙）のトラップおよび酸化（すなわち排気）触媒として特に役立つ可能性がある。上記のようにムライト組成物はムライトの粒子の少なくとも一部分を触媒で被覆されることになるが、好ましくは実質上組成物の粒子すべての上に被膜が存在することになる。次いで被覆されたムライト組成物は、例えばガスが組成物を通過するようにディーゼル排気装置中に収められることになる。このような配置において、一般にばい煙微粒子は多孔性のより小さなサイズの領域上にトラップされることになり、また一般に排気ガスは多孔性のより大きなサイズの領域で触媒作用を受けることになる。ばい煙微粒子は触媒に保留されるので、驚くべきことにばい煙微粒子は触媒が動作温度まで温まるにつれて燃焼し、引き続いて発生したガスは排気ガスと同様に触媒作用を受ける。