【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピース上の層の表面を処理する方法であって、
溶液槽から脱ガス装置へ処理溶液を送るステップと、
前記脱ガス装置内の前記処理溶液を脱ガスすることにより、脱ガスされた処理溶液を得るステップと、
処理装置を介することなく、前記脱ガス装置から前記溶液槽へ、前記脱ガスされた処理溶液を戻すステップと、
前記溶液槽から供給された前記処理溶液を用いることにより、複数の分離したワークピース処理ステーションで構成された前記処理装置内で、前記層の表面を処理するステップと、
複数の分離した前記ワークピース処理ステーションを流れる前記処理溶液の流量を基に、前記脱ガス装置を流れる前記処理溶液の流量を別々に制御するステップとを含むことを特徴とする処理方法。
【請求項２】
前記層の表面から物質を除去するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
前記層の表面から物質を除去するステップが、化学的エッチング、化学的機械的研磨、電気化学的研磨及び電気化学的機械的研磨のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２に記載の処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載の処理方法によって製造された集積回路。
【請求項５】
前記表面を処理するステップが、前記層の表面に物質を析出させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項６】
前記物質を析出させるステップが、電気化学的析出、電気化学的機械的析出、化学的析出及び化学的機械的析出のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項５に記載の処理方法。
【請求項７】
前記脱ガスされた処理溶液により、前記ワークピースの表面を洗浄するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項８】
脱ガスにより、前記処理溶液中の溶解ガス含有量を減少させることを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項９】
脱ガスにより、前記処理溶液中の溶解酸素含有量を減少させ、処理の間における有機添加物の消費を減少させるように前記処理溶液を構成することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項１０】
溶解ガス含有量の減少が、前記処理溶液中の酸素、窒素、炭酸ガス及び水素の溶解量の減少を含むことを特徴とする請求項８に記載の処理方法。
【請求項１１】
脱ガスにより、処理の間における気泡の生成が減少するように前記処理溶液を構成することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項１２】
脱ガスにより、前記層の表面上における前記気泡の生成が減少するように前記処理溶液を構成することを特徴とする請求項１１に記載の処理方法。
【請求項１３】
脱ガスにより、前記層の表面上の欠陥を最少化するように、前記処理溶液を構成することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項１４】
脱ガスにより、前記処理溶液と前記層との間の化学反応を最少化するように、前記処理溶液を構成することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項１５】
前記層が、銅で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項１６】
前記脱ガスされた処理溶液によって、気泡を除去することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項１７】
ワークピースの表面に層を析出させる処理方法であって、
溶液槽の第１流出口から脱ガス装置の流入口へ処理溶液を供給するステップと、
前記脱ガス装置を用いて、前記溶液槽から供給された前記処理溶液の脱ガスを行うことにより、脱ガスされた処理溶液を得るステップと、
前記脱ガスされた処理溶液を、前記脱ガス装置の流出口から前記溶液槽の流入口へ送るステップと、
複数の処理ステーションを有する処理装置を提供するステップと、
前記処理ステーションにワークピースを提供するステップと、
前記溶液槽の第２流出口から供給された前記処理溶液で、前記処理ステーション内の前記ワークピースの表面を濡らすステップと、
前記ワークピースの表面を濡らすステップの後、前記層を析出させるステップとを含み、
複数の前記処理ステーションを流れる前記処理溶液の流量を基に、前記脱ガス装置を流れる前記処理溶液の流量を別々に制御することを特徴とする処理方法。
【請求項１８】
前記層を析出させるステップが、電気化学的析出、電気化学的機械的析出及び無電解析出のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１７に記載の処理方法。
【請求項１９】
前記処理溶液が、電気めっき溶液及び無電解析出溶液のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１７に記載の処理方法。
【請求項２０】
さらに、脱ガスされた処理溶液を再利用するステップを含むことを特徴とする請求項１７に記載の処理方法。
【請求項２１】
前記ワークピースの表面がシード層を備え、それぞれの前記シード層の厚さが１０００Å未満であり、前記処理溶液を脱ガスするステップにより、前記処理溶液中の溶解ガス含有量を減少させ、前記濡らすステップの後及び前記析出させるステップの前における、前記脱ガスされた処理溶液とそれぞれの前記シード層との間の化学的相互作用を抑制することを特徴とする請求項１７に記載の処理方法。
【請求項２２】
請求項１７に記載の処理方法によって製造された集積回路。
【請求項２３】
ワークピース上の層を処理する少なくとも１つの処理装置に、脱ガスされた処理溶液を送るシステムであって、
前記処理溶液を貯蔵する溶液槽と、
該溶液槽に接続され、該溶液槽から前記処理溶液を受け取るように構成された複数の処理装置と、
前記溶液槽に接続され、前記処理装置を介することなく、前記溶液槽から前記処理溶液を受け取るとともに、前記処理装置を介することなく、脱ガスされた処理溶液を前記溶液槽へ供給するように構成された脱ガス装置と、
前記溶液槽に接続され、前記脱ガスされた処理溶液の溶解ガス含有量を、所定の量又はそれ以下に維持するように構成された監視装置とを備え、
前記処理装置を流れる前記処理溶液の流量を基に、前記脱ガス装置を流れる前記処理溶液の流量を別々に制御するように構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項２４】
前記監視装置が、溶解ガスメータであることを特徴とする請求項２３に記載のシステム。
【請求項２５】
前記処理装置が、使用された処理溶液を前記溶液槽へリサイクルするように構成されていることを特徴とする請求項２３に記載のシステム。
【請求項２６】
さらに、前記処理溶液を循環させるために、前記脱ガス装置と前記溶液槽との間に接続されたポンプを備えていることを特徴とする請求項２３に記載のシステム。
【請求項２７】
前記処理装置が、電気化学的処理ステーション、電気化学的機械的処理ステーション、化学的処理ステーション及び化学的機械的処理ステーションからなるグループから選択された少なくとも１つを備えていることを特徴とする請求項２３に記載のシステム。
【請求項２８】
前記処理装置が、前記ワークピースを洗浄するために、前記脱ガスされた処理溶液を用いる洗浄ステーションを備えていることを特徴とする請求項２３に記載のシステム。
【請求項２９】
脱ガスされた処理溶液を用いることにより、ワークピースの表面を処理する装置であって、
前記処理溶液を貯蔵可能に構成され、第１流入口、第１流出口、第２流入口及び第２流出口を備えた溶液槽と、
該溶液槽に接続され、前記ワークピースの表面を処理するために、前記溶液槽の前記第１流出口から前記処理溶液を受け取るように構成された複数の処理ステーションと、
前記溶液槽に接続され、前記処理溶液の脱ガスを行うとともに、前記処理ステーションを介することなく、前記溶液槽の第２流出口から前記処理溶液を受け取るように構成された脱ガス装置とを備え、
前記処理ステーションを流れる前記処理溶液の流量を基に、前記脱ガス装置を流れる前記処理溶液の流量を別々に制御するとともに、モニタされた前記処理溶液のガス含有量を基に、前記脱ガス装置を流れる流量を制御するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項３０】
さらに、前記脱ガス装置に接続され、前記脱ガスされた処理溶液中の溶解ガスを、所定の含有量以下に維持可能に構成された監視装置を備えていることを特徴とする請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
複数の前記処理ステーションが、前記処理溶液の溶液槽に接続され、該溶液槽に前記処理溶液を戻すように構成されていることを特徴とする請求項２９に記載の装置。
【請求項３２】
複数の前記処理ステーションが、
電気化学的処理ステーション、電気化学的機械的処理ステーション、化学的処理ステーション及び化学的機械的処理ステーションからなるグループから選択された少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２９に記載の装置。
【請求項３３】
電気化学的析出法を用いて、ワークピースの銅のシード層上に銅の膜を形成する方法であって、
複数の処理ステーションを有する処理装置を提供するステップと、
それぞれが銅のシード層を有するワークピースを、前記処理ステーション内に提供するステップと、
溶液槽から脱ガス装置へ処理溶液を供給するステップと、
前記脱ガス装置を用いて前記処理溶液の脱ガスを行うことにより、脱ガスされた処理溶液を得るステップと、
前記処理装置を介することなく、前記脱ガス装置から前記溶液槽へ、前記脱ガスされた処理溶液を送るステップと、
前記溶液槽から前記処理装置の処理ステーションへ溶液を供給するステップと、
複数の前記処理ステーションを流れる処理溶液の流量を基に、前記脱ガス装置を流れる前記処理溶液の流量を別々に制御するステップと、
前記処理ステーションに供給された前記処理溶液内に、前記銅のシード層を浸漬するステップと、
それぞれの前記ワークピースに対して、前記銅のシード層と、前記処理溶液に電気的に接続された電極との間に電圧を印加するステップとを含むことを特徴とする銅の膜の形成方法。
【請求項３４】
前記銅のシード層それぞれの厚さが、１０００Å未満であることを特徴とする請求項３３に記載の銅の膜の形成方法。
【請求項３５】
請求項３３に記載の銅の膜の形成方法によって製造された集積回路。
【請求項３６】
無電解析出法を用いて、ワークピースの表面に銅の膜を形成する方法であって、
複数の処理ステーションを有する処理装置を提供するステップと、
前記処理ステーションに前記ワークピースを提供するステップと、
溶液槽から脱ガス装置へ処理溶液を供給するステップと、
前記脱ガス装置を用いて前記処理溶液の脱ガスを行うことにより、脱ガスされた処理溶液を得るステップと、
前記処理装置を介することなく、前記脱ガス装置から前記溶液槽へ前記脱ガスされた処理溶液を送るステップと、
前記溶液槽から前記処理装置の前記処理ステーションへ前記処理溶液を供給するステップと、
前記処理ステーションに供給された前記処理溶液に、前記ワークピースの表面を浸漬するステップと、
前記表面を浸漬させた後、前記脱ガスされた処理溶液から前記銅の膜を析出させるステップとを含むことを特徴とする銅の膜の形成方法。
【請求項３７】
さらに、前記銅の膜を析出させるステップの前に、前記ワークピース表面にバリア層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項３６に記載の銅の膜の形成方法。
【請求項３８】
さらに、前記銅の膜を析出させるステップの前に、前記バリア層上にシード層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項３７に記載の銅の膜の形成方法。
【請求項３９】
さらに、前記溶液槽から別の処理溶液流を取り出すステップ、及び
処理前に、前記処理装置に前記別の処理溶液流を送るステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項４０】
さらに、処理後、前記溶液槽に前記処理溶液を戻すステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項４１】
さらに、析出させた後、前記溶液槽に前記処理溶液を戻すステップを含むことを特徴とする請求項１７に記載の処理方法。
【請求項４２】
さらに、供給後、前記溶液槽に前記処理溶液を戻すステップを含むことを特徴とする請求項３３に記載の処理方法。
【請求項４３】
さらに、析出させた後、前記溶液槽に前記処理溶液を戻すステップを含むことを特徴とする請求項３６に記載の処理方法。