【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理システムにおける高アスペクト比サブミクロンコンタクトエッチング方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 プラズマ処理チャンバにおいて、基板の下層の上に配置された酸化物層に、フォトレジストマスクを用いて形状をエッチングする方法であって、
ＣＨ2Ｆ2、Ｃ4Ｆ8、Ｏ2 を含むエッチャントソースガスを前記プラズマ処理チャンバに送り込む工程と、
前記エッチャントソースガスからプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより前記基板の前記酸化物層を通してエッチングする工程であって、シリコン層やタングステンベースの層である前記下層で前記エッチングが実質的に停止する工程と
を備えた方法。
【請求項２】 プラズマ処理チャンバにおいて、エッチング中に前記プラズマ処理チャンバ内の静電チャック上に配置された基板の下層の上に配置された酸化物層に、フォトレジストマスクを用いて形状をエッチングする方法であって、
ＣＨ2Ｆ2、Ｃ4Ｆ8、Ｏ2 を含むエッチャントソースガスを前記プラズマ処理チャンバに送り込む工程と、
前記エッチャントソースガスからプラズマを生成する工程と、
前記プラズマ処理チャンバに備えられ温度制御された上部電極と前記静電チャックとの距離を、前記エッチング中において約１０ｃｍに保ち、前記プラズマにより前記基板の前記酸化物層を介してエッチングし、該エッチングがシリコン層やタングステンベースの層である前記下層で実質的に停止するエッチング工程と
を備えた方法。
【請求項３】  請求項１記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバが温度制御された上部電極を備える方法。
【請求項４】  請求項１記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバが上部電極を備え、前記基板が前記エッチング中に静電チャック上に配置され、前記上部電極と前記静電チャックの間の距離が約１０ｃｍである方法。
【請求項５】  請求項１記載の方法であって、前記エッチャントソースガスが主としてにＣＨ2Ｆ2、Ｃ4Ｆ8、Ｏ2 からなる方法。
【請求項６】  請求項１記載の方法であって、前記酸化物層が、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＴＥＯＳで構成されるグループから選択された材料からなる方法。
【請求項７】  請求項１記載の方法であって、前記フォトレジストマスクの厚さが、約６，０００〜８，０００オングストロームである方法。
【請求項８】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記下層が前記シリコン層である方法。
【請求項９】  請求項８記載の方法であって、前記シリコン層が、単結晶シリコン材料と多結晶シリコン材料の内の１つから形成されている方法。
【請求項１０】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記エッチャントソースガスが希釈ガスを含む方法。
【請求項１１】  請求項１０または請求項２記載の方法であって、前記希釈ガスがアルゴンである方法。
【請求項１２】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記下層が前記タングステンベースの層である方法。
【請求項１３】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記タングステンベースの層が、Ｗ層とＷＳｉの内の１つである方法。
【請求項１４】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記形状の形状サイズが、約０．２〜約０．３５ミクロンである方法。
【請求項１５】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記酸化物層の深さが、約３〜約４ミクロンである方法。
【請求項１６】  請求項１記載の方法であって、前記ＣＨ2Ｆ2の流量に対する前記Ｃ4Ｆ8の流量の比が、約１０％〜約１５０％の間である方法。
【請求項１７】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記ＣＨ2Ｆ2の流量に対する前記Ｃ4Ｆ8の流量の比が、約４０％である方法。
【請求項１８】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記ＣＨ2Ｆ2の流量に対する前記Ｏ2の流量の比が、約０％〜約１５０％の間である方法。
【請求項１９】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記ＣＨ2Ｆ2の流量に対する前記Ｏ2の流量の比が、約３０％である方法。
【請求項２０】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記ＣＨ2Ｆ2の流量が、全流量の約１０％〜５０％の間である方法。
【請求項２１】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記Ｃ4Ｆ8の流量が、全流量の約５％〜３０％の間である方法。
【請求項２２】  請求項１または請求項２記載の方法であって、前記Ｏ2の流量が、全流量の約０％〜３０％の間である方法。
【請求項２３】  請求項２記載の方法であって、前記ＣＨ2Ｆ2の流量に対する前記Ｃ4Ｆ8の流量の比が、約１０％〜約１００％の間である方法。
【請求項２４】 プラズマ処理チャンバにおいて、基板の下層の上に配置された酸化物層に、フォトレジストマスクを用いて形状をエッチングする方法であって、
Ｃ3Ｈ3Ｆ5、Ｃ4Ｆ8、Ｏ2 を含むエッチャントソースガスを前記プラズマ処理チャンバに送り込む工程と、
前記エッチャントソースガスからプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより前記基板の前記酸化物層を通してエッチングする工程であって、シリコン層やＴｉＮ層である前記下層で前記エッチングが実質的に停止する工程と、
を備えた方法。
【請求項２５】 プラズマ処理チャンバにおいて、エッチング中に前記プラズマ処理チャンバ内の静電チャック上に配置された基板の下層の上に配置された酸化物層に、フォトレジストマスクを用いて形状をエッチングする方法であって、
Ｃ3Ｈ3Ｆ5 、Ｃ4Ｆ8、Ｏ2 を含むエッチャントソースガスを前記プラズマ処理チャンバに送り込む工程と、
前記エッチャントソースガスからプラズマを生成する工程と、
前記プラズマ処理チャンバに備えられ温度制御された上部電極と前記静電チャックとの距離を、前記エッチング中において約１０ｃｍに保ち、前記プラズマにより前記基板の前記酸化物層を介してエッチングし、該エッチングがシリコン層やＴｉＮ層である前記下層で実質的に停止するエッチング工程と
を備えた方法。
【請求項２６】 請求項２４記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバが温度制御された上部電極を備える方法。
【請求項２７】 請求項２４記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバが上部電極を備え、前記基板が前記エッチング中に静電チャック上に配置され、前記上部電極と前記静電チャックの間の距離を約１０ｃｍとした方法。
【請求項２８】 請求項２４記載の方法であって、前記エッチャントソースガスが主としてＣ3Ｈ3Ｆ5 、Ｃ4Ｆ8、Ｏ2 からなる方法。
【請求項２９】 請求項２４記載の方法であって、前記酸化物層が、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＴＥＯＳで構成されるグループから選択された材料からなる方法。
【請求項３０】 請求項２４記載の方法であって、前記フォトレジストマスクの厚さが、約８，０００〜１０，０００オングストロームである方法。
【請求項３１】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記下層が前記シリコン層である方法。
【請求項３２】 請求項２４記載の方法であって、前記シリコン層が、単結晶シリコン材料と多結晶シリコン材料のいずれか一つから形成されている方法。
【請求項３３】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記エッチャントソースガスが希釈ガスを含む方法。
【請求項３４】 請求項３３記載の方法であって、前記希釈ガスがアルゴンである方法。
【請求項３５】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記下層が前記ＴｉＮ層である方法。
【請求項３６】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記エッチングの形状サイズが、約０．２５ミクロン以下である方法。
【請求項３７】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記酸化物層の深さが、約１．８ミクロンである方法。
【請求項３８】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記Ｃ3Ｈ3Ｆ5 の流量に対する前記Ｃ4Ｆ8の流量の比が、約１０％〜約３００％の間である方法。
【請求項３９】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記Ｃ3Ｈ3Ｆ5 の流量に対する前記Ｃ4Ｆ8の流量の比が、約５０％である方法。
【請求項４０】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記Ｃ3Ｈ3Ｆ5 の流量に対する前記Ｏ2 の流量の比が、約１０％〜約３００％の間である方法。
【請求項４１】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記Ｃ3Ｈ3Ｆ5 の流量に対する前記Ｏ2 の流量の比が、約５０％である方法。
【請求項４２】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記Ｃ3Ｈ3Ｆ5の流量が、全流量の約５％〜３０％の間である方法。
【請求項４３】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記Ｃ4Ｆ8の流量が、全流量の約０％〜３０％の間である方法。
【請求項４４】 請求項２４または請求項２５記載の方法であって、前記Ｏ2 の流量が、全流量の約０％〜３０％の間である方法。