【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体ウェハを加熱する方法において、
処理チャンバ内にウェハを支持し、該処理チャンバが、ウェハの直径よりも大きな横方向寸法を有しており、処理チャンバが、第１の加熱装置と協働し、第１の加熱装置が、ウェハの直径よりも長いグロー放電領域を備える少なくとも２つのロッド状のアークランプを有しており、第１の加熱装置が、ウェハから所定の距離だけ間隔を置いて配置されており、前記距離が、前記横方向寸法よりも小さくなっており、
少なくとも２つのアークランプをパルス式に作動させ、
ウェハ表面に亘って温度分布の均一性を高めるためにウェハの加熱中に第１の加熱装置における少なくとも２つのアークランプを個々に制御することを特徴とする、半導体ウェハを加熱する方法。
【請求項２】  ウェハの厚さに亘って不均一な温度分布を生ぜしめながら、ウェハ表面に沿って温度分布の均一性を高めるために加熱中に２つのアークランプが個々に制御される、請求項１記載の方法。
【請求項３】  ウェハが上部及び下部を有しており、ウェハが処理チャンバ内に支持されながら上部及び下部から加熱され、第１の加熱装置がウェハの上部の上方に配置されている、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】  ウェハを下部から加熱する第２の加熱装置と協働する処理チャンバが、請求項３記載の方法。
【請求項５】  少なくとも２つのアークランプが、各アークランプによって提供される放射の強度を個々に制御することによって個々に制御される、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】  ウェハが３００ｍｍの直径を有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】  第１の加熱装置がウェハから１ｃｍ〜１０ｃｍだけ間隔を置いて配置されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】  処理チャンバの横方向寸法に対する、第１の加熱装置とウェハとの間の間隔の比が、０．１５よりも小さくなるような距離だけ、第１の加熱装置がウェハから間隔を置いて配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】  ２つのアークランプが、互いにほぼ平行に配置されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】  処理チャンバがドアを有しており、該ドアが開放された場合に、処理チャンバ内へのウェハの導入又は処理チャンバからのウェハの取出しのための開口を形成する、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】  ウェハの温度を決定するための高温計と処理チャンバが協働する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】  第１の加熱装置におけるアークランプによって提供される放射が、第１の加熱装置及び第２の加熱装置によって提供される電磁放射の出力密度に少なくとも１／１０だけ寄与する、請求項４記載の方法。
【請求項１３】  より低い温度範囲において、基板が主にアークランプによって加熱される、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】  より低い温度範囲が、室温と約６００℃との間である、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】  第１の加熱装置又は第２の加熱装置の少なくとも一方の電磁放射が変調される、請求項４記載の方法。
【請求項１６】  基板及び／又は少なくとも１つのアークランプの領域に磁界を提供し、少なくともアークランプの領域における磁界の磁束線が、アーク放電に対して実質的に平行に延びた成分を有している、請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】  第１の加熱装置が、少なくとも２つのロッド状のアークランプに加えて、ハロゲンランプを含む、請求項１から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】  第２の加熱装置がハロゲンランプを含む、請求項４記載の方法。
【請求項１９】  半導体ウェハを熱処理するための装置において、
半導体ウェハを収容するように構成された処理チャンバが設けられており、該処理チャンバが一方の側において第１の加熱装置と協働し、第１の加熱装置が少なくとも２つのロッド状のアークランプを含んでおり、処理チャンバが、半導体ウェハを収容するのに十分な横方向寸法を有しており、ウェハが処理チャンバに装填されており、第２の加熱装置が、前記横方向寸法よりも小さい距離だけ、ウェハから間隔を置かれるように構成されており、
少なくとも２つのロッド状のアークランプを制御するための制御装置が設けられており、該制御装置が、少なくとも２つのロッド状のアークランプをパルス式に作動させるように構成されており、ウェハ表面に亘って温度分布の均一性を高めるように少なくとも２つのアークランプによって提供される放射の強度を個々に制御するように前記制御装置が、構成されていることを特徴とする、半導体ウェハを熱処理するための装置。
【請求項２０】  少なくとも２つのアークランプのグロー放電領域が、処理チャンバ内に収容された半導体基板の寸法に実質的に相当するか、又は半導体基板の寸法よりも長い、請求項１９記載の装置。
【請求項２１】  第１の加熱装置にランプの列が設けられており、ロッド状のアークランプが互いにほぼ平行に配置されている、請求項１９又は２０記載の装置。
【請求項２２】  第１の加熱装置が、少なくとも２つのロッド状のアークランプに加えて、ハロゲンランプを含んでいる、請求項１９から２１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２３】  前記ハロゲンランプ及びアークランプが実質的に同じ寸法を有している、請求項２２記載の装置。
【請求項２４】  アークランプが、ハロゲンランプによって発せられる放射の波長とは異なる波長で放射を発するようになっており、アークランプによって発せられる放射の波長が、より低い温度において、処理チャンバに収容された半導体ウェハによってより効率的に吸収されるようになっている、請求項２２又は２３記載の装置。
【請求項２５】  第１の加熱装置とは反対側に配置された第２の加熱装置が処理チャンバに設けられている、請求項１９から２４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２６】  第２の加熱装置がハロゲンランプを含んでいる、請求項２５記載の装置。
【請求項２７】  第１の加熱装置が、処理チャンバ内のウェハから、１ｃｍ〜１０ｃｍの距離を置いて配置されている、請求項１９から２６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２８】  処理チャンバの横方向寸法に対する、加熱装置とウェハとの間の間隔の比が０．１５よりも小さくなるような距離だけ、第１の加熱装置が処理チャンバ内のウェハから離されて配置されている、請求項１９から２７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２９】  処理チャンバがドアを有しており、該ドアが開放された場合に処理チャンバへのウェハの導入及び処理チャンバからのウェハの取出しのための開口を形成する、請求項１９から２８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項３０】  処理チャンバ内のウェハの温度を決定するための高温計と処理チャンバが協働する、請求項１９から２９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項３１】  制御装置が、ウェハの厚さに亘って不均一な温度分布を生ぜしめながら、ウェハ表面に沿って温度分布の均一性を高めるために加熱中に２つのアークランプを制御するように構成されている、請求項１９から３０までのいずれか１項記載の装置。