【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  反応空間内の基体上に伝導性ナノラミネート構造を形成するための方法であって、少なくとも１つの金属化合物層を含む一連のおよび交互の自己飽和表面反応を含む原子層堆積（ＡＬＤ）タイププロセスにより少なくとも３つの隣接する薄膜層を堆積させることを含み、ここで、各少なくとも３つの薄膜層が直接隣接する少なくとも３つの薄膜層の中の一つとは異なる相である、方法。
【請求項２】  前記ナノラミネート構造が原子層堆積（ＡＬＤ）タイププロセスにより堆積された少なくとも４つの隣接する薄膜層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記少なくとも３つの隣接する薄膜層の各々が直接隣接する少なくとも３つの薄膜層の中の一つとは異なる組成を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記金属化合物薄膜層が金属炭化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記金属化合物薄膜層が金属窒化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記少なくとも３つの隣接する薄膜層の中の少なくとも１つの薄膜層が元素金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記ナノラミネート構造が、集積回路における拡散バリアである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記ナノラミネート構造が、ハロゲン化物攻撃に敏感な基体上に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記ＡＬＤタイププロセスが、複数の堆積サイクルにおいて反応物の交互パルスを提供することを含み、各サイクルが、以下：
第一反応物を供給して、前記基体の表面上にわたってハロゲン化物終結化学種の約１以下の単層を化学吸着すること；
前記反応空間から過剰な第一反応物を除去すること；および
該サイクルを反復する前に、該単層からハロゲン化物をゲッタリングすること、
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより反応空間内のハロゲン化物攻撃に敏感な基体上に伝導性ナノラミネート構造を形成するための方法であって、該ナノラミネート構造が少なくとも１つの金属化合物層を含む少なくとも２つの隣接する薄膜層を含み、ここで、各少なくとも２つ隣接する薄膜層が直接隣接する少なくとも２つの隣接する薄膜層の中の一つとは異なる相であり、および前記原子層堆積プロセスが、複数の堆積サイクルにおいて反応物の交互パルスを提供することを含み、各サイクルが、以下：
第一反応物を供給して、前記基体の表面上にわたってハロゲン化物化学種の約１以下の単層を化学吸着すること；
前記反応空間から過剰な第一反応物を除去すること；および
該サイクルを反復する前に、該単層からハロゲン化物をゲッタリングすること、
を含み、
前記表面が銅を含む、方法。
【請求項１１】  前記表面がさらに酸化ケイ素の形態を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより反応空間内のハロゲン化物攻撃に敏感な基体上に伝導性ナノラミネート構造を形成するための方法であって、該ナノラミネート構造が少なくとも１つの金属化合物層を含む少なくとも２つの隣接する薄膜層を含み、ここで、各少なくとも２つ隣接する薄膜層が直接隣接する少なくとも２つの隣接する薄膜層の中の一つとは異なる相であり、および前記原子層堆積プロセスが、複数の堆積サイクルにおいて反応物の交互パルスを提供することを含み、各サイクルが、以下：
第一反応物を供給して、前記基体の表面上にわたってハロゲン化物化学種の約１以下の単層を化学吸着すること；
前記反応空間から過剰な第一反応物を除去すること；および
該サイクルを反復する前に、該単層からハロゲン化物をゲッタリングすること、
を含み、
前記表面が、銅上に５ｎｍ厚未満の材料によって形成される、方法。
【請求項１３】  原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより反応空間内のハロゲン化物攻撃に敏感な基体上に伝導性ナノラミネート構造を形成するための方法であって、該ナノラミネート構造が少なくとも１つの金属化合物層を含む少なくとも２つの隣接する薄膜層を含み、ここで、各少なくとも２つ隣接する薄膜層が直接隣接する少なくとも２つの隣接する薄膜層の中の一つとは異なる相であり、および前記原子層堆積プロセスが、複数の堆積サイクルにおいて反応物の交互パルスを提供することを含み、各サイクルが、以下：
第一反応物を供給して、該基体の表面上にわたってハロゲン化物化学種の約１以下の単層を化学吸着すること；
前記反応空間から過剰な第一反応物を除去すること；および
該サイクルを反復する前に、該単層からハロゲン化物をゲッタリングすること、
を含み、
ゲッタリングが、前記ハロゲン化物終結化学種をホウ素化合物へ曝すことにより還元することを含む、方法。
【請求項１４】  前記ホウ素化合物がトリエチルボロン（ＴＥＢ）を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記ナノラミネートが伝導拡散バリアである、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】  各々が約１０ｎｍ未満の厚みを有する少なくとも３つの薄膜層を含む、ナノラミネート構造であって、該層の少なくとも１つが、金属炭化物および金属窒化物からなる群から選択される、ナノラミネート構造。
【請求項１７】  前記薄膜層の各々が約５ｎｍ未満の厚みを有する、請求項１６に記載のナノラミネート構造。
【請求項１８】  ４〜２５０の交互薄膜層を含む、請求項１７に記載のナノラミネート構造。
【請求項１９】  各層が隣接する層とは異なる相の金属化合物を含む、請求項１８に記載のラミネート構造。
【請求項２０】  各層が隣接する層とは異なる組成を含む、請求項１９に記載のナノラミネート構造。
【請求項２１】  反応空間中の基体上に材料を堆積させる方法であって、該基体がハロゲン化物攻撃に敏感な表面を含み、該方法が、複数の堆積サイクルにおいて反応物の交互パルスを提供することを含み、各サイクルが、以下：
第一反応物を供給して、該表面上にわたってハロゲン化物終結化学種の約１以下の単層を化学吸着すること；
該反応空間から過剰な第一反応物および反応副生成物を除去すること；および
該サイクルを反復する前に、ホウ素化合物へ曝すことにより該単層からハロゲン化物をゲッタリングすること、
を含む、方法。
【請求項２２】  前記第一反応物が金属ハロゲン化物を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  ハロゲン化物をゲッタリングした後に、第二反応物を供給して前記化学種と反応させることをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】  前記第二反応物が窒素のソースを含み、そして前記材料が遷移金属窒化物を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  炭素ソースを供給して前記化学種と反応させることをさらに含み、そして前記材料が遷移金属炭化物を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】  前記材料がナノラミネートスタック内に薄膜を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】  前記ナノラミネートスタックが、集積回路における拡散バリアである、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】  前記材料が金属窒化物である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】  前記材料が金属炭化物である、請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】  前記第二反応物が水素保有反応物である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３１】  前記第二反応物がアンモニアである、請求項２３に記載の方法。
【請求項３２】  前記表面がアルミニウム、銅、ケイ素、酸化ケイ素、被覆ケイ素(coated silicon)、low−k材料、遷移金属窒化物、金属酸化物、及び窒化ケイ素からなる群から選択される材料を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項３３】  前記表面が銅を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項３４】  ゲッタリングが還元を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項３５】  前記ホウ素化合物がトリエチルボロン（ＴＥＢ）を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項３６】   a)不活性キャリアガスを有する反応空間に金属ソース化学物質の気相パルスを供給する工程；
b)不活性ガスを有する反応空間をパージングする工程；
c)反応空間にゲッタリング化合物の気相パルスを供給する工程；
d)不活性ガスを有する反応空間をパージングする工程；および
e)所望の厚さの炭素含有金属膜が形成されるまで工程a)からd)を繰り返す工程；
ここで前記ゲッタリング化合物が炭素を含み膜中に炭素を残す、
の連続工程を含む空間での反応における基体上での炭素含有金属膜を成長させる原子層体積（ＡＬＤ）プロセス。
【請求項３７】  前記金属ソース化学物質中の金属がW, Mo, Cr, Ta, Nb, V, Hf, Zr及びTiからなる群から選択される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】  前記金属ソース化学物質が金属ハロゲン化物からなる群から選択される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】  前記金属ソース化学物質が金属塩化物からなる群から選択される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】  前記金属ソース化学物質がTaCl5, TiCl4及びNbCl5からなる群から選択される、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】  前記ゲッタリング化合物が少なくとも一つの金属−炭素結合を有するアルキルアルミニウム、アルキル亜鉛、有機−鉛、有機−鉄、ガリウム及びインジウム化合物からなる群から選択される、請求項３６に記載の方法。
【請求項４２】  前記ゲッタリング化合物がトリメチルアルミニウムである、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】  前記炭素含有金属膜が金属炭化物を含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項４４】  前記金属炭化物が炭化タングステン、炭化タンタル、炭化ニオブ及び炭化チタンからなる群から選択される、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】  前記基体が金属酸化物又は酸化ケイ素を含む、請求項３６に記載の方法。