【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スパッタリングターゲットの後側に位置決め可能であり、且つ上記ターゲットの中心位置の周りを回転可能なマグネトロンアセンブリであって、
上記ターゲットの上記中心から上記ターゲットの円周周辺に向かって第１の距離を伸びる中央アパーチャを有する、閉じた帯からなる第１の磁気極性の第１の磁極と、
上記アパーチャ内に配置され、上記ターゲットの表面に沿って伸びる間隙によって上記第１の磁極から分離されている第２の磁気極性の第２の磁極と、
を備え、
上記第１の距離の半分に等しい上記中心からの第２の距離における上記第１の磁極の幅は、上記第１の距離よりも小さい、
ことを特徴とするマグネトロンアセンブリ。
【請求項２】  上記第１の距離は、上記ターゲットの使用可能部分の半径プラスまたはマイナス15％に等しいことを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンアセンブリ。
【請求項３】  上記第１の磁極は、長軸が上記ターゲットの半径に沿って伸びている長円形の外形形状を有していることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンアセンブリ。
【請求項４】  上記長円形形状は、上記ターゲットの上記半径に平行に伸びる２つの対向する直線部分を有していることを特徴とする請求項３に記載のマグネトロンアセンブリ。
【請求項５】  上記長円形形状は、三角形の形状であることを特徴とする請求項３に記載のマグネトロンアセンブリ。
【請求項６】  上記三角形形状は、上記ターゲットの中心から外側へ伸びる２つの直線部分と、上記ターゲットの外周に接している弧状の部分とを含むことを特徴とする請求項５に記載のマグネトロンアセンブリ。
【請求項７】  上記三角形形状は、上記ターゲットの中心から外側へ伸び、互いに60°±15°の角度をなしている２つの直線部分を含むことを特徴とする請求項６に記載のマグネトロンアセンブリ。
【請求項８】  スパッタリングターゲットの後側に位置決め可能なマグネトロンアセンブリであって、
一方の磁気極性の内側磁極片と、
上記内側磁極片を取り囲み、間隙によってそれから分離され、上記ターゲットの中心付近からその外周付近まで半径距離にわたって伸びている他方の磁気極性の外側磁極片と、
を備え、
上記第２の磁極の面積は、上記半径距離にわたって伸びる円の面積よりは小さいことを特徴とするマグネトロンアセンブリ。
【請求項９】  三角形の形状をしたマグネトロンであって、
三角形の形状をした内側磁極面と、
六角形を密にパックした配列で上記内側磁極面の平面側に接して配置されている第１の磁気極性の複数の第１の磁石と、
上記内側磁極面を取り囲み、ある頂点において交わる２つの実質的に直線の側及び上記直線の上記頂点とは反対側の端を結ぶ第３の側を有するほぼ三角形の形状をした外側磁極面と、
上記外側磁極面の平面側に沿い、且つそれに接する、閉じた通路内に配置されている第２の磁気極性の複数の第２の磁石と、
を備えていることを特徴とする三角形マグネトロン。
【請求項１０】  上記第１の磁石は第１の磁気の強さを有し、上記第２の磁石は、上記第３の側に沿って配置されている上記第１の磁気の強さを有する第３の磁石と、上記直線の側に沿って配置されている上記第１の磁気の強さより小さい第２の磁気の強さを有する第４の磁石とからなることを特徴とする請求項９に記載の三角形マグネトロン。
【請求項１１】  プラズマスパッタリング反応器であって、
真空チャンバと、
上記チャンバ内に基板を支持するためのペデスタルと、
上記ペデスタルと対向し、プラズマスパッタさせるために電気的に結合されるようになっているスパッタリングターゲットと、
上記ターゲット上の上記ペデスタルとは反対の側に配置され、一方の磁気極性の内側磁極面を取り囲む他方の磁気極性の外側磁極面を含むマグネトロンと、
を備え、
上記マグネトロンは、上記マグネトロンを上記ターゲットの中心の周りに回転させるための回転シャフトを更に含み、
上記外側磁極面は、上記ターゲットの中心から上記ターゲットの円周部分まで伸び、同じように伸びる円の面積よりは小さい面積を有している、
ことを特徴とする反応器。
【請求項１２】  上記外側磁極面は、三角形形状を有していることを特徴とする請求項１１に記載の反応器。
【請求項１３】  上記間隙は、競技用トラックの形状を有していることを特徴とする請求項１１に記載の反応器。
【請求項１４】  アルミニウムからなるターゲットからアルミニウムを、システム内のペデスタル上に支持されている作業基板上にスパッタリングさせる方法において、上記システムは、上記ターゲット上の上記ペデスタルとは反対の側に配置されているマグネトロンを含み、上記マグネトロンは、一方の磁気極性の内側磁極面を取り囲む他方の磁気極性の外側磁極面、及び上記マグネトロンを上記ターゲットの中心の周りに回転させるための回転シャフトを含み、上記外側磁極面は、上記ターゲットの中心から上記ターゲットの円周部分まで伸び、同じように伸びる円の面積よりは小さい面積を有しており、上記方法は、
上記ターゲット及び上記ペデスタルを収容している真空チャンバ内へ作業ガスを導入するステップと、
上記真空チャンバを0.35ミリトルより低い圧力まで排気するステップと、
200ｍｍの直径を有する円形基板に対して正規化して18ｋＷより高くない直流電力を上記ターゲットに印加し、それによって上記作業ガスをプラズマに励起して上記ターゲットから上記作業基板上にアルミニウムをスパッタさせるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】  金属からなるターゲットから、システム内のペデスタル上に支持されている作業基板上に材料をスパッタする方法において、上記システムは、上記ターゲット上の上記ペデスタルとは反対の側に配置されているマグネトロンを含み、上記マグネトロンは、一方の磁気極性の内側磁極を取り囲む他方の磁気極性の外側磁極、及び上記マグネトロンを上記ターゲットの中心の周りに回転させるための回転シャフトを含み、上記外側磁極は、上記ターゲットの中心から上記ターゲットの円周部分まで伸び、同じように伸びる円の面積よりは小さい面積を有しており、上記方法は、
上記ターゲット及び上記ペデスタルを収容している真空チャンバ内へ作業ガスを導入するステップと、
上記真空チャンバを0.35ミリトルより低い圧力まで排気するステップと、
上記ターゲットに直流電力を印加し、それによって上記作業ガスをプラズマに励起して上記ターゲットから上記作業基板上に上記金属をスパッタさせるステップと、
200ｍｍの直径を有する円形基板に対して正規化して250Ｗより低い量のＲＦ電力を上記ペデスタルに印加するステップと、
含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】  金属からなるターゲットから、システム内のペデスタル上に支持されている作業基板上に材料をスパッタする方法において、上記システムは、上記ターゲット上の上記ペデスタルとは反対の側に配置されているマグネトロンを含み、上記マグネトロンは、一方の磁気極性の内側磁極を取り囲む他方の磁気極性の外側磁極を含み、上記外側磁極は、上記ターゲットの中心から上記ターゲットの円周部分まで伸び、同じように伸びる円の面積よりは小さい面積を有しており、上記方法は、
上記ターゲットの完全スパッタリングカバレッジを達成するために、上記マグネトロンを上記ターゲットの中心の周りで回転させるステップと、
上記ターゲットに直流電力を印加することによって少なくとも部分的に上記チャンバ内へ電力を容量的に結合するが、上記チャンバ内へ電力を誘導的に結合することはなく、それによって上記作業ガスをプラズマに励起して上記ターゲットから上記作業基板上に上記金属をスパッタさせるステップと、
を含み、
上記直流電力の量は、200ｍｍの直径の円形基板に対して正規化して18ｋＷより大きくなく、それによって少なくとも５のアスペクト比を有する孔において少なくとも25％の底カバレッジを達成することを特徴とする方法。
【請求項１７】  金属からなるターゲットから、システム内のペデスタル上に支持されている作業基板上に材料をスパッタする方法において、上記システムは、上記ターゲット上の上記ペデスタルとは反対の側に配置されているマグネトロンを含み、上記マグネトロンは、一方の磁気極性の内側磁極を取り囲む他方の磁気極性の外側磁極を含み、上記外側磁極は、上記ターゲットの中心から上記ターゲットの円周部分まで伸び、同じように伸びる円の面積よりは小さい面積を有しており、上記方法は、
上記ターゲットの完全スパッタリングカバレッジを達成するために、上記マグネトロンを上記ターゲットの中心の周りで回転させるステップと、
上記ターゲットに直流電力を印加することによって少なくとも部分的に上記チャンバ内へ電力を容量的に結合するが、上記チャンバ内へ電力を誘導的に結合することはなく、それによって上記作業ガスをプラズマに励起して上記ターゲットから上記作業基板上に上記金属をスパッタさせるステップと、
を含み、
上記直流電力の量は、200ｍｍの直径の円形基板に対して正規化して18ｋＷより大きくなく、それによって上記金属の少なくとも20％のイオン化密度を達成することを特徴とする方法。