(57)【要約】【課題】転写層にパターンを形成する方法、および該方法により所望のパターンが形成された転写層を提供する。【解決手段】含フッ素重合体のフッ素含有量が３５質量％以上である含フッ素重合体を含有する熱可塑性樹脂からなる転写層と所望のパターンの反転パターンを有するモールドを圧着させて、該転写層の所望のパターンを形成する工程と、該モールドを該転写層から離脱させる工程とを具備する転写層にパターンを形成する方法、および該方法により所望のパターンが形成された転写層。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
含フッ素重合体のフッ素含有量が３５質量％以上である含フッ素重合体を含有する熱可塑性樹脂からなる転写層と所望のパターンの反転パターンを有するモールドを圧着させて、該転写層の所望のパターンを形成する工程と、該モールドを該転写層から離脱させる工程とを具備することを特徴とする転写層にパターンを形成する方法。
【請求項２】
前記フッ素含有量が４５〜７６質量％である請求項１に記載の転写層にパターンを形成する方法。
【請求項３】
前記含フッ素重合体が、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）系共重合体、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルアリルエーテル）系共重合体、テトラフルオロエチレン／エチレン系共重合体、クロロトリフルオロエチレン／エチレン系共重合体、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン系共重合体、クロロトリフルオロエチレン／炭化水素系アルケニルエーテル系共重合体、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン系共重合体、フッ化ビニリデン／ヘキサフルオロプロピレン系共重合体、テトラフルオロエチレン／プロピレン系共重合体、含フッ素アクリレートの１種以上が重合した含フッ素重合体、および主鎖に脂肪族環構造を有する含フッ素重合体からなる群から選ばれる１種以上である請求項１または２に記載の転写層にパターンを形成する方法。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリロニトリル／スチレン系重合体、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン系重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、およびポリフェニレンスルフィドからなる群から選ばれる１種以上である請求項１〜３のいずれかに記載の転写層にパターンを形成する方法。
【請求項５】
前記モールドの反転パターンが凹凸構造を有し凸構造の配置される間隔が１０ｎｍ〜５０μｍである請求項１〜４のいずれかに記載の転写層にパターンを形成する方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の転写層にパターンを形成する方法により所望のパターンが形成された転写層。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写層にパターンを形成する方法、および該方法により所望のパターンが形成された転写層に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体の製造工程では、シリコンウェハー等にフォトリソグラフィー以外の方法により５００μｍ以下の微細パターン（以下、単に微細パターンと言う。）を効率良く形成する方法が求められている。該方法の１つとして、ナノインプリント法（以下、ＮＩ法と言う。）が検討されている。ＮＩ法とは、微細パターンを有するモールドを転写層に圧着させることにより、微細パターンを転写層に転写する微細パターンの形成方法である。
【０００３】
ＮＩ法の１形式として、転写層として熱可塑性樹脂からなる転写層を加熱して軟化させる工程、転写層とモールドを圧着させて微細パターンを転写層に転写させる工程、転写層を冷却して固化させる工程、モールドを転写層から離脱させる工程を順次行う形式が提案されている（特許文献１）。
【０００４】
しかし、前記離脱させる工程においてモールドの離脱が円滑に進行せず、転写層に形成される微細パターンの形状が乱れ、微細パターンが効率良く形成できない場合があった。そこでモールドと転写層の離脱を容易にするため、モールドの表面に離型剤を塗布する方法や転写層に特定の含フッ素重合体を用いる方法が提案されている（特許文献２）。
【０００５】
しかし、モールドの表面に離型剤を塗布する方法では、塗布された離型剤の層の厚さが不均一になりやすく、精度の高い微細パターンを転写層に転写できない。また、転写に伴い離型剤層が薄くなるので、モールドに離型剤を再度、塗布する必要があり生産効率が低い。また、前記特定の含フッ素重合体を用いる方法では、転写層からのモールドの離脱が未だ充分でなく微細パターンの形状を保持できない。
【０００６】
【特許文献１】特表２００４−５０４７１８号公報
【特許文献２】特開２００２−１８４７１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、ＮＩ法において転写層に形成される微細パターンの形状を保持しながらモールドを転写層から離脱させる工程を効率よく実施する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、含フッ素重合体のフッ素含有量が３５質量％以上である含フッ素重合体を含有する熱可塑性樹脂からなる転写層と所望のパターンの反転パターンを有するモールドを圧着させて、該転写層の所望のパターンを形成する工程と、該モールドを該転写層から離脱させる工程とを具備する転写層にパターンを形成する方法を提供する。また本発明は、該方法により所望のパターンが形成された転写層を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の方法は、転写層がフッ素含有量が３５質量％以上の含フッ素重合体（以下、単に含フッ素重合体とも言う。）を含有するため、所望のパターンの反転パターンを有するモールドと転写層の離型性に優れ、含フッ素重合体を含有する熱可塑性樹脂からなる転写層に微細パターンを良く形成できる。また本発明の方法は、生産効率にも優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本明細書において、式１で表される化合物を化合物１と記す。他の式で表される化合物も同様に記す。
【００１１】
本発明における含フッ素重合体のフッ素含有量は、３５質量％以上である。フッ素含有量は、４５〜７６質量％が好ましく、５０〜７６質量％が特に好ましい。フッ素含有量がこの範囲である場合、モールドを転写層から離脱させる工程（以下、単に離脱工程とも言う。）における転写層のパターンの形状が精度良く保持される。
【００１２】
本発明における含フッ素重合体および熱可塑性樹脂は、軟化温度を有するものであれば、特に限定されない。ただし、本明細書において軟化温度とは、含フッ素重合体および熱可塑性樹脂が非結晶性である場合はガラス転移温度（以下、単にＴｇと言う。）を意味し、含フッ素重合体および熱可塑性樹脂が結晶性である場合は融解温度（以下、単にＴｍと言う。）を意味する。含フッ素重合体および熱可塑性樹脂の軟化温度は、−２０℃〜３５０℃が好ましく、３０℃〜２８０℃が特に好ましい。軟化温度がこの範囲である場合、転写層と所望のパターンの反転パターンを有するモールドを圧着させて、該転写層に所望のパターンを形成する工程（以下、単に形成工程とも言う。）を円滑に行うことができる。
【００１３】
本発明における含フッ素重合体の重量平均分子量（ＭＷ）は、５００〜１０００００００が好ましく、２０００〜２００００００が特に好ましい。含フッ素重合体の重量平均分子量（ＭＷ）がこの範囲である場合、形成工程におけるパターンの形成性に優れる。
【００１４】
本発明における含フッ素重合体は、含フッ素単量体を重合させて得られる含フッ素重合体が好ましい。含フッ素単量体としては、炭素−炭素２重結合を有する含フッ素単量体が好ましく、炭素−炭素２重結合を１個または２個有する含フッ素単量体がより好ましい。
【００１５】
炭素−炭素２重結合を１個有する含フッ素単量体としては、下記の化合物が挙げられる。
テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ポリフルオロアルキルエチレン［トリフルオロメチルエチレン、２−トリフルオロメチル−３，３，３−トリフルオロプロペン、（ペルフルオロブチル）エチレン等。］、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン等の含フッ素オレフィン、
ポリフルオロ（アルキルビニルエーテル）［ペルフルオロ（メチルビニルエーテル）、ペルフルオロ（エチルビニルエーテル）、ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）等］等の含フッ素ビニルエーテル、
ポリフルオロ（アルキルアリルエーテル）［ペルフルオロ（メチルアリルエーテル）、ペルフルオロ（エチルアリルエーテル）、ペルフルオロ（プロピルアリルエーテル）等］の含フッ素アリルエーテル、トリフルオロ酢酸ビニル等。
【００１６】
また、下記化合物１等の官能基を含有する含フッ素単量体、
ＣＲ11Ｒ12＝ＣＲ13−（Ｏ）ｚ−Ｑ11−Ｘ11・・・式１
ここで、Ｒ11、Ｒ12、およびＲ13は、それぞれ独立に、水素原子またはフッ素原子を、
Ｑ11は、単結合、炭素数１〜２０の含フッ素アルキレン基、または炭素数１〜２０のエーテル性酸素原子を含む含フッ素アルキレン基を、
Ｘ11は、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ３、−ＣＯＯＭ１、−ＳＯ２Ｆ、−ＳＯ３Ｈ、−ＳＯ３Ｍ２、−ＣＮ、−ＣＨ２ＯＰＯ２Ｈ、または−ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２（ただしＭ１およびＭ２は、それぞれ独立に、アルカリ金属を示す。）を、
ｚは、０または１を、示す。
【００１７】
化合物１の具体例としては、下記の化合物等が挙げられる。
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆ、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆ、
ＣＦ２＝ＣＦＣＯＯＨ、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）３ＣＯＯＣＨ３、
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）３ＣＨ２ＯＨ。
【００１８】
また、下記化合物２等の含フッ素アクリレート、
ＣＲ21Ｒ22＝ＣＲ23ＣＯＯ−Ｑ21−Ｘ21・・・式２
ここで、Ｒ21、Ｒ22、およびＲ23は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基を、
Ｑ21は、炭素数１〜１８の水酸基を含有していてもよい含フッ素アルキレン基、または炭素数１〜１８の水酸基を含有していてもよいエーテル性酸素原子を含む含フッ素アルキレン基を、
Ｘ21は、水素原子、フッ素原子、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ３、−ＣＯＯＭ１、−ＳＯ２Ｆ、−ＳＯ３Ｈ、−ＳＯ３Ｍ２、−ＣＮ、−ＣＨ２ＯＰＯ２Ｈ、または−ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２（ただしＭ１およびＭ２は、それぞれ独立に、アルカリ金属を示す。）を、示す。
【００１９】
化合物２の具体例としては、下記の化合物等が挙げられる。
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）１０Ｆ、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）８Ｆ、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）６Ｆ、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）１０Ｆ、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）８Ｆ、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）６Ｆ、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２）７Ｆ、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２）７Ｆ、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｈ、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２ＣＦ２）２Ｈ、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２ＣＦ２）４Ｈ、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２ＣＦ２）Ｈ、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２ＣＦ２）２Ｈ、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２ＣＦ２）４Ｈ、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ３、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）３ＣＦ３、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ３、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）３ＣＦ３、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）３Ｆ、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）２（ＣＦ２）３Ｆ、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）３Ｆ、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）２（ＣＦ２）３Ｆ、
ＣＨ２＝ＣＦＣＯＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２（ＣＦ２）６ＣＦ（ＣＦ３）２、
ＣＨ２＝ＣＦＣＯＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）ＣＨ２（ＣＦ２）６ＣＦ（ＣＦ３）２、
ＣＨ２＝ＣＦＣＯＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２（ＣＦ２）１０Ｆ、
ＣＨ２＝ＣＦＣＯＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）ＣＨ２（ＣＦ２）１０Ｆ。
【００２０】
また、環構造を含む含フッ素単量体；下記化合物３、下記化合物４、フルオロノルボルネン等。
【００２１】
【化１】
2006054300.tif 000003
【００２２】
ここで、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、およびＲ34は、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基、または炭素数１〜３のペルフルオロアルコキシ基を、
Ｒ41およびＲ42は、それぞれ独立に、フッ素原子または炭素数１〜７のペルフルオロアルキル基を、示す。
【００２３】
化合物３の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
【００２４】
【化２】
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【００２５】
化合物４の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
【００２６】
【化３】
2006054300.tif 000005
【００２７】
炭素−炭素２重結合を２つ有する含フッ素単量体としては、下記化合物５等の含フッ素ジアクリレート類、下記化合物６等が挙げられる。
ＣＨ2＝ＣＲ51ＣＯＯ−Ｑ51−ＯＯＣＣＲ52＝ＣＨ2・・・式５
ＣＲ61Ｒ62＝ＣＲ63−Ｑ61−ＣＲ64＝ＣＲ65Ｒ66・・・式６
ここで、Ｒ51およびＲ52は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３の含フッ素アルキル基を、Ｑ51は、水酸基を含有していてもよい含フッ素アルキレン基を、示す。
Ｒ61、Ｒ62、Ｒ63、Ｒ64、Ｒ65、およびＲ66は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基、または炭素数１〜３の含フッ素アルキル基を示し、少なくとも１つはフッ素原子である。Ｑ61は、下式６１で表される２価有機基を示す。
−Ｑ62−ＣＲ67Ｒ68−Ｑ63−・・・６１
ここで、Ｑ62およびＱ63は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子、メチレン基、ジフルオロメチレン基、オキシジフルオロメチレン基、もしくはフッ素原子、炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基または炭素数１〜３のペルフルオロアルコキシ基で置換されたメチレン基を、
Ｒ67は、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３の含フッ素アルキル基を、
Ｒ68は、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３の含フッ素アルキル基、水酸基、スルホニル基、チオール基、カルボキシル基、およびアミノ基から選ばれる官能基有する炭素数１〜６の含フッ素アルキル基を、示す。
【００２８】
化合物５の具体例としては、下記の化合物等が挙げられる。ここで、ｋ１〜ｋ４は、それぞれ独立に、３〜１０の整数を示す。ｋ５およびｋ６は、それぞれ独立に、０または１〜６の整数を示す。
【００２９】
【化４】
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【００３０】
化合物６の具体例としては、下記の化合物等が挙げられる。
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＯＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ３）ＣＨ＝ＣＨ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ(ＣＦ３)(ＯＣＨ２ＯＣＨ３)ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＨ２Ｃ（Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ）（ＣＦ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２。
【００３１】
また、本発明における含フッ素重合体は、含フッ素単量体とフッ素原子を含有しない単量体との共重合体であってもよい。フッ素原子を含まない単量体としては、炭化水素系オレフィン、炭化水素系ジエン、炭化水素系アルケニルエーテル、（メタ）アクリル酸誘導体等が挙げられる。これらの単量体の具体例を下記に示す。
【００３２】
炭化水素系オレフィン；エチレン、プロピレン、ブテン、ノルボルネン等。
炭化水素系ジエン；ノルボルナジエン、ブタジエン等。
炭化水素系アルケニルエーテル；シクロヘキシルメチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、エチルビニルエーテル等のアルキルビニルエーテル、グリシジルビニルエーテル等。
炭化水素系ビニルエステル；酢酸ビニル、ビニルピバレート等。
【００３３】
（メタ）アクリル酸誘導体；（メタ）アクリル酸、芳香族系の（メタ）アクリレート［フェノキシエチルアクリレート、ベンジルアクリレート等。］、炭化水素系の（メタ）アクリレート［ステアリルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、アリルアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタアエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等。］、エーテル性酸素原子を含む炭化水素系の（メタ）アクリレート［エトキシエチルアクリレート、メトキシエチルアクリレート、グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリールアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ポリオキシエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート等。］、官能基を含む炭化水素系の（メタ）アクリレート［２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、ジメチルアミノエチルメタクリレート等。］、シリコーン系のアクリレート等。
その他の化合物としては、無水マレイン酸、ビニレンカーボネートが挙げられる。
【００３４】
本発明における含フッ素重合体としては、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）系共重合体、テトラフルオロエチレン／エチレン系共重合体、クロロトリフルオロエチレン／エチレン系共重合体、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン系共重合体、クロロトリフルオロエチレン／炭化水素系アルケニルエーテル系共重合体、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン系共重合体、フッ化ビニリデン／ヘキサフルオロプロピレン系共重合体、テトラフルオロエチレン／プロピレン系共重合体、含フッ素アクリレートの１種以上が重合した含フッ素重合体、および主鎖に脂肪族環構造を有する含フッ素重合体（以下、単に含フッ素環状重合体という。）からなる群から選ばれる１種以上の含フッ素重合体が好ましく、含フッ素アクリレート系重合体または含フッ素環状重合体がより好ましく、含フッ素環状重合体が最も好ましい。
【００３５】
ここで、主鎖に脂肪族環構造を有する含フッ素重合体とは、主鎖が炭素原子の連鎖からなる含フッ素重合体であり、かつ脂肪族環の環を構成する炭素原子の１個以上がその主鎖を構成する炭素原子に含まれる含フッ素重合体である。含フッ素環状重合体としては、下式３Ａで表される繰り返し単位を含む含フッ素環状重合体、下式４Ａで表される繰り返し単位を含む含フッ素環状重合体、および下式６Ａで表される繰り返し単位を含む含フッ素環状重合体が好ましい。ただし、Ｒ31〜Ｒ34、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ61〜Ｒ67、Ｑ62、およびＱ63は、前記と同じ意味を示す。これらの含フッ素環状重合体は、前記化合物３、前記化合物４、前記化合物６等の重合により製造するのが好ましい。
【００３６】
【化５】
2006054300.tif 000007
【００３７】
含フッ素アクリレート系重合体としては、前記化合物２および前記化合物５から選ばれる１種以上の含フッ素重合体が好ましい。
【００３８】
本発明における転写層は、含フッ素重合体を含有する熱可塑性樹脂からなる。
熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリロニトリル／スチレン系重合体、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン系重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンスルフィドからなる群から選ばれる１種以上が好ましい。
【００３９】
熱可塑性樹脂中の含フッ素重合体の含有量は、０．１〜１００質量％が好ましく、１〜１００質量％含むのがより好ましく、５０〜１００質量％が最も好ましい。本発明における転写層は、含フッ素重合体からなることが特に好ましい。転写層の形状は、層状が好ましい。この場合、層の厚さは、転写層の用途やモールドの構造にしたがって任意に設定できる。
【００４０】
また転写層は、基材上に形成されていてもよい。この場合、含フッ素重合体は、基材上に直接形成されてもよく、他の層を介して基材上に形成されていてもよい。含フッ素重合体を基材上に層状に形成する方法は、公知の方法を用いることができる。たとえば、該含フッ素重合体を含む溶液を基材上に塗布し、つぎに乾燥させて基材上に該含フッ素重合体を含む層を形成させる方法等が挙げられる。
【００４１】
基材の材質としては、ニッケル、鉄、ステンレス鋼、ゲルマニウム、チタン、シリコン等の金属材料、ガラス、石英、アルミナ等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアリレート、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の高分子材料、ダイヤモンド、黒鉛等の炭素材料等が挙げられる。
【００４２】
本発明の方法におけるモールドは、所望のパターンの反転パターンを有する。
モールドの材質としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアリレート、エポキシ樹脂等の高分子材料、ニッケル、鉄、ステンレス鋼、シリコン等の金属類、石英ガラス等のガラス類、サファイヤ、ダイヤモンド、グラッシーカーボン等のその他の材料が挙げられる。これらの基材の表面は、転写層との離型性をさらに良好にするために別途ニッケルメッキされていてもよい。
【００４３】
モールドの反転パターンの構造は、特に限定されず、凹凸構造が好ましい。反転パターンとして凹凸構造を有するモールド（以下、単にモールドＡとも言う。）の断面の１例を図１に示す。モールドＡは、横方向にＬ２の幅、縦方向にＬ３の深さを有する凸構造がＬ１の間隔で配置された凹凸構造を有する。
【００４４】
凸部の配置される間隔（Ｌ１）は、１０ｎｍ〜５０μｍが好ましく、３０ｎｍ〜５μｍがより好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍが最も好ましい。
凸構造の幅（Ｌ２）は、５ｎｍ〜３００μｍが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましく、２０ｎｍ〜１５０ｎｍが最も好ましい。
凸構造の深さ（Ｌ３）は、３０ｎｍ〜５０μｍが好ましく、５０ｎｍ〜２μｍがより好ましく、５０ｎｍ〜１μｍが最も好ましい。
【００４５】
本発明の方法では、離型性に優れる含フッ素重合体を含有する熱可塑性樹脂からなる転写層を用いるので、Ｌ２に対するＬ３の比（以下、アスペクト比と言う。）を任意に設定できる。アスペクト比は、０．１〜６００が好ましく、１〜１５が特に好ましい。
【００４６】
本発明における圧着の方法は、転写層の軟化温度以上に加熱させたモールドを転写層に圧着させる方法、または転写層の軟化温度以上に転写層を加熱しモールドを圧着させる方法が好ましい。これらの方法における加熱の温度は、転写層の軟化温度〜（転写層の軟化温度＋６０℃）が好ましく、（転写層の軟化温度＋５℃）〜（転写層の軟化温度＋４０℃）がより好ましい。この範囲の温度であると、形成工程を効率的に実施できる。圧着の圧力は、モールドの耐久性の観点から、１ＭＰａ〜２００ＭＰａ（ゲージ圧）が好ましく、１ＭＰａ〜１２０ＭＰａ（ゲージ圧）がより好ましく、１ＭＰａ〜８０ＭＰａ（ゲージ圧）が最も好ましい。
【００４７】
本発明の離脱工程における離脱は、転写層の軟化温度以下の温度で行うことが好ましく、（転写層の軟化温度−１０℃）〜（転写層の軟化温度−５０℃）で行うことがより好ましい。この範囲であると、転写層のパターン形状が精度よく形成できる。
【００４８】
本発明の実施形態の１例を、図２に示す。図２は、本発明の実施形態を模式的に示す断面図である。なお、図２における転写層２は、基材３上に形成された含フッ素重合体を含有する熱可塑性樹脂の層である。またモールド１は、前記モールドＡを用いる。
第１の工程は形成工程であり、図２（Ａ）に示すように、モールド１を基材３上の転写層２側に圧着する工程である。ここで、モールド１または転写層２は、転写層の軟化温度以上に予め加熱されている。
第２の工程は離脱工程であり、図２（Ｂ）に示すように、基材３を転写層２の軟化温度以下に冷却してから、モールド１を転写層２から離脱する工程である。離脱工程後の転写層２には、モールド１のパターンが反転された所望のパターンが形成される。該パターンは、横方向にＬ１の幅、縦方向にＬ３の深さを有する凸構造がＬ２の間隔で配置される形状を有する。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
１，１，２−トリフルオロ−１，２，２−トリクロロエタンをＲ−１１３、重量平均分子量をＭｗ、数平均分子量をＭｎと略記する。
【００５０】
また、下記化合物Ｆ１を単量体Ｆ１、下記化合物Ｆ２を単量体Ｆ２、下記化合物Ｆ３を単量体Ｆ３、下記化合物Ｆ４を単量体Ｆ４、下記化合物Ｆ５を単量体Ｆ５、下記化合物Ｆ６を単量体Ｆ６、下記化合物Ｆ７を単量体Ｆ７、下記化合物Ｆ８を単量体Ｆ８、下記化合物Ｎ１を単量体Ｎ１、下記化合物Ｎ２を単量体Ｎ２、下記化合物Ｎ３を単量体Ｎ３、下記化合物Ｎ４を単量体Ｎ４と略記する。
【００５１】
【化６】
2006054300.tif 000008
【００５２】
また単量体Ｆ１の重合により形成された−ＣＦ２ＣＦ２−単位を単位Ｆ１、単量体Ｆ２の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｆ２、単量体Ｆ３の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｆ３、単量体Ｆ４の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｆ４、単量体Ｆ５の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｆ５、単量体Ｆ６の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｆ６、単量体Ｆ７の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｆ７、単量体Ｆ８の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｆ８、単量体Ｎ１の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｎ１、単量体Ｎ２の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｎ２、単量体Ｎ３の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｎ３、単量体Ｎ４の重合により形成された下記繰り返し単位を単位Ｎ４と略記する。
【００５３】
【化７】
2006054300.tif 000009
【００５４】
ＭｎおよびＭｗは、ＧＰＣ法（展開溶媒：テトラヒドロフラン、内部標準：ポリスチレン）により算出した。Ｔｇは、示差走査熱分析法により測定した。
含フッ素重合体からなる層に形成される凸構造の幅と深さおよび凸構造の間隔は、ＳＥＭ分析を用いて該層の断面の最短距離として求める。
【００５５】
［例１］含フッ素重合体１の合成例
耐圧反応器（内容積５０ｍＬ、ガラス製）に、単量体Ｆ４の１０ｇと酢酸メチルの２３ｇを仕込んだ。つぎにペルフルオロベンゾイルパーオキシドの０．２４ｇを仕込んでから、耐圧反応器内を凍結脱気して密閉した。耐圧反応器を７０℃の振とう槽に浸して６時間、振とうさせながら重合させた。つぎに耐圧反応器にヘキサンを滴下して生成した沈殿物を回収した。沈殿物を１５０℃で１２時間真空乾燥して、２５℃で白色粉末状の重合体（以下、含フッ素重合体１という。）の８ｇを得た。
【００５６】
含フッ素重合体１をＮＭＲで分析した結果、含フッ素重合体１は単位Ｆ４からなることを確認した。含フッ素重合体１は、Ｍｎが１４２００であり、Ｍｗが４１３００であり、Ｔｇが１４８℃であった。
【００５７】
［例２］含フッ素重合体２の合成例
脱気した撹拌機付きのオートクレーブ（内容積０．２Ｌ、ステンレス製）にＲ−１１３の１５０ｇ、単量体Ｆ１の１４．４ｇ、単量体Ｎ２の１．５ｇ、および単量体Ｆ４の３３．３ｇを仕込んだ。つぎにオートクレーブを密閉し内温を５５℃に加熱しながら、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレートの１．６７ｇをＲ−１１３の８ｍＬに溶解させた溶液を圧入して重合を開始した。圧入が終了した時点でオートクレーブの内圧は０．６９ＭＰａ（ゲージ圧）であった。重合を開始してから１０時間後の内圧は０．６２ＭＰａ（ゲージ圧）であった。
【００５８】
つぎに内温を２５℃としオートクレーブ内の未反応ガスをパージしてから、オートクレーブ内溶液を取り出した。溶液にメタノールに加えて生成した沈殿物を回収した。沈殿物を洗浄してから、５０℃で真空乾燥して重合体（以下、含フッ素重合体２という。）の６．３ｇを得た。
【００５９】
含フッ素重合体２をＮＭＲで分析した結果、含フッ素重合体２は単位Ｆ１、単位Ｎ２、および単位Ｆ４からなり、組成は単位Ｆ１／単位Ｎ１／単位Ｆ４＝３５／２０／４５（モル比）であることを確認した。含フッ素重合体２は、Ｍｎが２４００であり、Ｍｗが３４００であり、Ｔｇが８３℃であった。
【００６０】
［例３］含フッ素重合体３の合成例
耐圧反応器（内容積５０ｍＬ、ガラス製）に単量体Ｆ２の８．９１ｇ、単量体Ｎ３の８．４２ｇ、酢酸メチルの２３．３ｇ、Ｋ２ＣＯ３の０．１４ｇ、およびｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレートの０．３５ｇを仕込んだ。つぎに耐圧反応器を５５℃の振とう槽に浸して１８時間、振とうさせながら重合させた。つぎに耐圧反応器にヘキサンを滴下して生成した沈殿物を回収した。沈殿物を６０℃で１５時間真空乾燥して、２５℃で白色粉末状の重合体（以下、含フッ素重合体３という。）の１２．５ｇを得た。
【００６１】
含フッ素重合体３をＮＭＲで分析した結果、含フッ素重合体３は下記単位Ｆ２および下記単位Ｎ３からなり、組成は単位Ｆ２／単位Ｎ３＝３２／６８（モル比）であることを確認した。含フッ素重合体３は、Ｍｎが９９００であり、Ｍｗが１８５００であり、Ｔｇが１１３℃であった。
【００６２】
［例４］含フッ素重合体４の合成例
耐圧反応器（内容積５０ｍＬ、ガラス製）に、単量体Ｆ５の１９．６ｇ、単量体Ｎ２の３．０ｇ、Ｒ−１１３の２２．５ｇ、およびｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレートの０．２２ｇを仕込んだ。つぎに耐圧反応器を５５℃の振とう槽に浸して１８時間、振とうさせながら重合させた。つぎに耐圧反応器にヘキサンを滴下して生成した沈殿物を回収した。沈殿物を７０℃で１９時間真空乾燥して、２５℃で白色粉末状の重合体（以下、含フッ素重合体４という。）の１２．２ｇを得た。含フッ素重合体４をＮＭＲで分析した結果、含フッ素重合体４は単位Ｆ５および単位Ｎ２からなり、組成は単位Ｆ５／単位Ｎ２＝７３／２７（モル比）であることを確認した。含フッ素重合体４は、Ｍｎが８８００であり、Ｍｗが２０５００であり、Ｔｇが６１℃であった。
【００６３】
［例５］含フッ素重合体５の合成例
脱気した撹拌機付きのオートクレーブ（内容積２００ｍＬ、ステンレス製）に、単量体Ｆ１の２０．０ｇ、単量体Ｆ６の４８．０ｇ、単量体Ｆ７の２４．９ｇ、およびＲ−１１３の１２０ｇを仕込んだ。つぎにオートクレーブを密閉し内温を５５℃に加熱しながら、ジイソプロピルパーオキシジカーボネートを１０質量％含むＲ−１１３溶液の８ｍＬを圧入して重合を開始した。内温が４０℃に達した時点の内圧は０．０９５ＭＰａ（ゲージ圧）であった。重合開始から２時間後の内圧は０．０８０ＭＰａ（ゲージ圧）であった。オートクレーブを２５℃まで冷却してから未反応ガスをパージしてオートクレーブ内溶液を取り出した。溶液にメタノールに加えて生成した沈殿物を回収した。沈殿物を洗浄してから、５０℃で真空乾燥させて重合体（以下、含フッ素重合体５という。）の６．９ｇを得た。
【００６４】
含フッ素重合体５をＮＭＲで分析した結果、含フッ素重合体５は単位Ｆ１および単位Ｆ６、および単位Ｆ７からなり、組成は単位Ｆ１／単位Ｆ６／単位Ｆ７＝３８／３５／２７（モル比）であることを確認した。含フッ素重合体５は、Ｍｎが９５００であり、Ｍｗが２００００であり、Ｔｇが７９℃であった。
【００６５】
［例６］含フッ素重合体６の合成例
耐圧反応器（内容積３０ｍＬ、ガラス製）に、単量体Ｆ３の４．５ｇ、単量体Ｆ８の１．９４ｇ、単量体Ｎ４の０．０６６ｇ、１，４−ジオキサンの０．６９ｇ、酢酸メチルの１６．９０ｇ、およびペルフルオロベンゾイルパーオキシドの０．０９６ｇを仕込んだ。つぎに耐圧反応器を７０℃の振とう槽に浸して１８時間、振とうさせながら重合させた。つぎに耐圧反応器にヘキサンを滴下して生成した沈殿物を回収した。沈殿物を１５０℃で１５時間真空乾燥して、２５℃で白色粉末状の重合体（以下、含フッ素重合体６という。）の５．６ｇを得た。含フッ素重合体６をＮＭＲで分析した結果、含フッ素重合体６は単位Ｆ３、単位Ｆ８、および単位Ｎ４からなり、組成は単位Ｆ３／単位Ｆ８／単位Ｎ４＝７１．５／２６．５／２（モル％）であることを確認した。含フッ素重合体６は、Ｍｎが１１１００であり、Ｍｗが３２１００であり、Ｔｇが１５０℃であった。
【００６６】
［例７（実施例）］パターンの形成例（その１）
例１で得た含フッ素重合体１の０．５ｇに２−ヘプタノンの２．０ｇを加えて溶液を得る。溶液をシリコンウェハ上にスピンコート法を用いて塗布し、つぎに１２０℃で乾燥する。その結果、４５０ｎｍの厚さを有する含フッ素重合体１からなる層が転写層として形成されるシリコンウェハ（以下、処理基材という。）が得られる。
【００６７】
つぎに凹凸構造を有し、幅が８０ｎｍであり深さが４００ｎｍである凸構造が１６０ｎｍの間隔で配置されたモールド（ニッケル製）を１６０℃に加熱してから、該処理基材の含フッ素重合体１側からモールドを圧着させる。圧着の圧力は２０ＭＰａ（ゲージ圧）である。
【００６８】
モールドと処理基材を１２５℃以下に冷却してからモールドを処理基材から離脱させて、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体１からなる転写層を有する処理基材を得る。該処理基材の含フッ素重合体１からなる層部分の断面には、深さが３９４ｎｍであり幅が１５８ｎｍである凸構造が８０ｎｍの間隔で形成されていることが確認される。
【００６９】
［例８（実施例）］パターンの形成例（その２）
含フッ素重合体１の代わりに含フッ素重合体２を用い、モールドを加熱する温度を１００℃、モールドと処理基材を冷却する温度を６０℃にする以外は、例７と同様の方法で処理して、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体２からなる層を有する処理基材を得る。該処理基材の含フッ素重合体２部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００７０】
［例９（実施例）］パターンの形成例（その３）
含フッ素重合体１の代わりに含フッ素重合体３を用い、モールドを加熱する温度を１３０℃、モールドと処理基材を冷却する温度を９０℃にする以外は、例７と同様の方法で処理して、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体３からなる層を有する処理基材を得る。該処理基材の含フッ素重合体３部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００７１】
［例１０（実施例）］パターンの形成例（その４）
含フッ素重合体１の代わりに含フッ素重合体４を用い、モールドを加熱する温度を８０℃、モールドと処理基材を冷却する温度を４０℃にする以外は、例７と同様の方法で処理して、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体４からなる層を有する処理基材を得る。該処理基材の含フッ素重合体４部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００７２】
［例１１（実施例）］パターンの形成例（その５）
含フッ素重合体１の代わりに含フッ素重合体５を用い、モールドを加熱する温度を１００℃、モールドと処理基材を冷却する温度を６０℃にする以外は、例７と同様の方法で処理して、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体５からなる層を有する処理基材を得る。該処理基材の含フッ素重合体５部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００７３】
［例１２（実施例）］パターンの形成例（その６）
含フッ素重合体１の代わりに含フッ素重合体６を用い、モールドを加熱する温度を１７０℃、モールドと処理基材を冷却する温度を１３０℃にする以外は、例７と同様の方法で処理して、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体６からなる層を有する処理基材を得る。該処理基材の含フッ素重合体６部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００７４】
［例１３（実施例）］パターンの形成例（その７）
Ｔｇが１０８℃の下記繰り返し単位Ｆ９からなる含フッ素重合体（旭硝子社製、商品名：サイトップ  ＣＴＬ-８０９Ａ（以下、含フッ素重合体７という。））の０．５ｇを含フッ素溶媒（旭硝子社製、商品名：アサヒクリンＡＥ−３０００）の２．０ｇに溶解させて溶液を得る。溶液をシリコンウェハ上にスピンコート法を用いて塗布し、つぎに１２０℃で乾燥する。その結果、４５０ｎｍの厚さを有する含フッ素重合体７からなる層が転写層として形成されるシリコンウェハ（以下、処理基材という。）が得られる。
【００７５】
つぎに例７で用いたモールドと同じモールドを１３０℃に加熱してから、処理基材の含フッ素重合体７側からモールドを圧着させる。圧着の圧力は２０ＭＰａ（ゲージ圧）である。モールドとシリコンウェハを９０℃以下に冷却してから、モールドを基材から離脱させて、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体７からなる層を有する処理基材を得る。該処理基材の含フッ素重合体７部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００７６】
【化８】
2006054300.tif 000010
【００７７】
［例１４（実施例）］パターンの形成例（その８）
Ｔｇが５５℃のクロロトリフルオロエチレン／アルキルビニルエーテル系共重合体（旭硝子社製、商品名：ルミフロン  ＬＦ−７１０Ｆ（以下、含フッ素重合体８という。））の０．５ｇをｍ−キシレンの２．０ｇに溶解させて溶液を得る。溶液をシリコンウェハ上にスピンコート法を用いて塗布し、つぎに１２０℃で乾燥する。その結果、４５０ｎｍの厚さを有する含フッ素重合体８からなる層が転写層として形成されるシリコンウェハ（以下、処理基材という。）が得られる。
【００７８】
つぎに例７で用いたモールドと同じモールドを６０℃に加熱してから、処理基材の含フッ素重合体８側からモールドを圧着させる。圧着の圧力は１ＭＰａ（ゲージ圧）である。モールドとシリコンウェハを３０℃以下に冷却してから、モールドを処理基材から離脱させて、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体８からなる層を有する処理基材を得る。該処理基材の含フッ素重合体８部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００７９】
［例１５（実施例）］パターンの形成例（その９）
Ｔｍが３２７℃のポリテトラフルオロエチレン（旭硝子社製、商品名：ＦｌｕｏｎＰＴＦＥ  Ｇ２０１（以下、含フッ素重合体９という。））を４００℃に加熱し、表面が平滑な２枚のステンレス板に挟み込んでからプレスして、含フッ素重合体９の平板（膜厚４５０μｍ）を得る。
【００８０】
つぎに平板を３４０℃に加熱してから、例７で用いたモールドと同じモールドを平板に圧着させる。圧着の圧力は２０ＭＰａ（ゲージ圧）である。つぎにモールドと平板を２８０℃以下に冷却してからモールドを離脱させて、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体９からなる平板を得る。該平板の含フッ素重合体９部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００８１】
［例１６（実施例）］パターンの形成例（その１０）
Ｔｍが３０５〜３１５℃のテトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）共重合体（旭硝子社製、商品名：ＦｌｕｏｎＰＦＡ  Ｐ−６５Ｐ（以下、含フッ素重合体１０という。））を３７０℃に加熱し、表面が平滑な２枚のステンレス板で挟んでからプレスして、含フッ素重合体１０からなる平板（膜厚４５０μｍ）を得る。
【００８２】
つぎに平板を３３０℃に加熱してから、例７で用いたモールドと同じモールドを平板に圧着させる。圧着の圧力は２０ＭＰａ（ゲージ圧）である。つぎにモールドと平板を２６０℃以下に冷却してからモールドを離脱させて、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体１０からなる平板を得る。該平板の含フッ素重合体１０部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００８３】
［例１７（実施例）］パターンの形成例（その１１）
Ｔｍが２２５℃のテトラフルオロエチレン／エチレン系共重合体（旭硝子社製、商品名：ＦｌｕｏｎＬＭ−ＥＴＦＥ  ＬＭ−７３０ＡＰ（以下、含フッ素重合体１１という。））を２７０℃に加熱し、表面が平滑な２枚のステンレス板で挟みこんでからプレスして、含フッ素重合体１１からなる平板（膜厚４５０μｍ）を得る。
【００８４】
つぎに平板を２６０℃に加熱してから、例７で用いたモールドと同じモールドを平板に圧着させる。圧着の圧力は２０ＭＰａ（ゲージ圧）である。つぎにモールドと平板を２００℃以下に冷却してからモールドを離脱させて、モールドのパターンが転写された含フッ素重合体１１からなる平板を得る。該平板の含フッ素重合体１１部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００８５】
［例１８（比較例）］パターンの形成例（その１２）
単位Ｎ１からなるポリメチルアクリレート（以下、重合体１２という。）の０．５ｇをアセトンの２．５ｇに溶解させて溶液を得る。その結果、４５０ｎｍの厚さを有する重合体１２からなる層が転写層として形成されるシリコンウェハ（以下、処理基材という。）が得られる。
【００８６】
つぎに例７で用いたモールドと同じモールドを１２０℃に加熱してから、該基材のポリメチルアクリレート側から接触させる。つづいてモールドと基材を２０ＭＰａ（ゲージ圧）の圧力でプレスする。モールドと基材を１００℃以下に冷却してから、モールドを基材から離脱させて、モールドのパターンが転写された重合体１２からなる層が形成される処理基材を得る。該処理基材の重合体１２部分の断面に形成される凸構造の深さと幅、凸構造の間隔を表１に示す。
【００８７】
【表１】
2006054300.tif 000011
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明の含フッ素重合体を含有する熱可塑性樹脂からなる転写層にパターンを形成する方法は、切削、超音波、レーザー光等を用いる従来の微細加工方法の代替方法として有用である。たとえば、転写層が国際公開０２／６５２１２号公報に記載の含フッ素重合体を含むレジスト組成物である場合、本発明の方法により転写層に形成されるパターンはフォトリソグラフィーにおけるレジストパターンとして有用である。さらに本発明の方法を、同一の転写層に複数回繰り返すことによって転写層に３次元構造を有するパターンを形成することもできる。
【００８９】
本発明の方法により所望のパターンが形成された含フッ素重合体を含有する熱可塑性樹脂からなる転写層は、光学素子（マイクロレンズアレイ、光導波路、光スイッチング、フレネルゾーンプレート、バイナリー光学素子、ブレーズ光学素子、フォトニクス結晶等。）、反射防止フィルター、バイオチップ、μ−ＴＡＳ、マイクロリアクターチップ、記録メディア基材、触媒担持体等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】所望のパターンの反転パターンとして凹凸構造を有するモールドの断面図。
【図２】本発明の方法に係る実施形態の１例を説明する図。
【符号の説明】
【００９１】
Ｌ１：凹凸構造を有するモールドの凸部の間隔
Ｌ２：凹凸構造を有するモールドの凸構造の幅
Ｌ３：凹凸構造を有するモールドの凸構造の深さ
１：モールドＡ
２：転写層
３：基材
【図１】
2006054300.tif 000012
【図２】
2006054300.tif 000013