Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＩＯコントローラを介して、１つ又は２つ以上のポート・インタフェースからコンピュータ・システムの内部回路へ流れるデータ・フローを制御する方法であって、
前記ＩＯコントローラの所要構成を決定するステップと、
１つ又は２つ以上の記述子リストを処理できるように前記ＩＯコントローラを再プログラムするステップと、
１つ又は２つ以上の仮想コントローラの付加又は抹消を反映するように前記ＩＯコントローラの構成を変更するステップと、
前記ＩＯコントローラを再枚挙するステップと、
前記ＩＯコントローラ及び前記１つ又は２つ以上の仮想コントローラのそれぞれに対応する記述子を処理する
ステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項２】  前記１つ又は２つ以上の仮想コントローラを、前記再枚挙の過程において発見し、起動して、前記ポート・インタフェースによって支持される全帯域幅を提供することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記ＩＯコントローラの構成を変更するステップとして、前記１つ又は２つ以上の仮想コントローラの存在を示唆する１つ又は２つ以上の新しい構成記述子を作成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記ＩＯコントローラへの結線を、所要のルーティング構成となるように再ルートするステップをも含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記ＩＯコントローラの所要構成を決定し、前記コンピュータ・システム中のドライバーによる制御下に、前記ＩＯコントローラの構成を変更することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記ＩＯコントローラの所要構成を決定し、前記ＩＯコントローラに組込まれたファームウェアによる制御下に、前記ＩＯコントローラの構成を変更することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記ＩＯコントローラの所要構成を決定するステップが、前記ＩＯコントローラの既存構成を、既存の条件に基づいて変更すべきかどうかを判断し、前記既存の条件に基づいて前記ＩＯコントローラの最適化構成を求めるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】  コンピュータ・システムにおいて、ＩＯコントローラを流れるデータ・フローを制御する方法であって、
１つ又は２つ以上の所定条件が存在すると、再構成モードに入るステップと、
前記ＩＯコントローラの所要構成を決定するステップと、
１つ又は２つ以上の記述子リストを処理できるように前記ＩＯコントローラを再プログラムするステップと、
１つ又は２つ以上の仮想コントローラの付加又は抹消を反映するように前記ＩＯコントローラの構成を変更するステップと、
前記ＩＯコントローラを再枚挙するステップと、
前記ＩＯコントローラ及び前記１つ又は２つ以上の仮想コントローラのそれぞれに対応する記述子を作成するステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項９】  再構成モードに入る際に、前記コンピュータ・システムと接続しているデバイスの動作を中断させることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記所定条件が、前記ＩＯコントローラを通過するデータ・フローの増減を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】  ＩＯコントローラとして使用される集積回路デバイスであって、
システム・バス・インタフェースと、
プログラム可能リスト・プロセッサと、
ポート・ルータと、
から成り、
前記システム・バス・インタフェース、前記プログラム可能リスト・プロセッサ及び前記ポート・ルータが機能的に接続され、
前記集積回路デバイスが、１つ又は２つ以上の仮想コントローラを付加又は抹消するために再構成可能であり、前記仮想コントローラが、前記集積回路デバイスによって支持される実質的な全帯域幅を提供するようになっている
ことを特徴とする前記集積回路デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年7月13日(2007.7.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の方法により、腐蝕防止組成物は、油中に分散された水不溶性腐蝕防止化合物と、プロピレンを基礎とするグリコールエーテル、プロピレンを基礎とするグリコールエーテルアセテート、エチレンを基礎とするグリコールエーテル及びエチレンを基礎とするグリコールエーテルアセテートからなる群から選択される安定剤とを含む。安定剤は、有利には、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールｔ−ブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート及びこれらの混合物からなる群から選択され、更に有利には、ジプロピレングリコールエーテルアセテート（例えば、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート）である。腐蝕防止化合物は、石油スルホネート、ベンゾトリアゾール、アルキルベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、グアナジノベンゾイミダゾール、フェニルベンゾイミダゾール、トリルトリアゾール、メルカプトトリアゾール、メルカプトベンゾトリアゾール及びこれらの塩からなる群から選択され、有利には、石油スルホネート塩である。石油スルホネート塩は、カルシウム、バリウム、マグネシウム、ナトリウム、カリウム及びアンモニウム塩及びこれらの混合物からなる群から選択され、有利には、カルシウム塩に基づいて０より大から約２５％までの活性度を有するカルシウム塩である。カルシウム塩は、任意に、バリウム及びナトリウム塩からなる群から選択される塩を更に含む。油は、有利には、パラフィン系油、例えば、有利には、約６００未満の分子量を有する鉱油である。腐蝕防止組成物は、有利には、約５〜約４０重量％の量の腐蝕防止化合物、約５０〜約９０重量％の量の油及び約１〜約１０重量％の量の安定剤を含む。更に有利には、腐蝕防止組成物は、約１５〜約３０重量％の量の腐蝕防止化合物、約６０〜約８０重量％の量の油及び約３〜約８重量％の量の安定剤を含む。腐蝕防止組成物は、有利には、１００°Ｆで、約５０〜約４５０ＳＳＵの粘度を有する。腐蝕防止組成物は加熱されて、本発明の腐蝕防止被膜を形成し、これは、少なくとも外側導体の外面部分上に存在する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
腐蝕防止化合物は、本発明により、油中に分散されている。有利には、油は、パラフィン系油、例えば鉱油である。パラフィン系油は、長鎖脂肪族成分を含み、有利には、約６００未満、より有利には約５００未満（例えば約４００〜約５００）の低分子量を有する。更に、油は、腐蝕防止化合物の処理を促進するために、しばしば使用される水素処理された重ナフテン系石油留出物を少量含むこともある。油は、腐蝕防止組成物中に、約５０〜約９０重量％、更に有利には、約６０〜約８０重量％の量で存在する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月22日(2007.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パンフレットの情報を提供し、フォーマットするように適応されるサーバ付きのコンピュータシステムと、
ユーザが、パンフレットのコンテンツに関する情報に対する追加要求を示すことができるようにするために、少なくとも１つの対話型要素とともに、パンフレットを作成するために情報を印刷するためのプリンタと、
要求を示すために使用され、コンピュータシステムに要求データを伝送するように適応されるセンサと、
を含む、パンフレットを送達するためのシステム。
【請求項２】  パンフレットが、パンフレットのアイデンテティおよび少なくとも１つの対話型要素を示すコード化されたデータを含む、請求項１に記載されるシステム。
【請求項３】  前記コンピュータシステムが、パンフレットを基準にしたセンサの移動に関する移動データを受け取り、それが前記少なくとも１つの要素に関係する如く、センサの前記移動を解釈するように適応される、請求項２に記載されるシステム。
【請求項４】  センサが、コード化されたデータを使用してパンフレットを基準にしたそれ自体の移動を感知する、請求項３に記載されるシステム。
【請求項５】  センサが、ある特定のユーザに特有の識別コードを含み、コンピュータシステムがセンサの使用をモニタするために配列される、請求項１に記載されるシステム。
【請求項６】  センサがマーキングペン先を含む、請求項１に記載されるシステム。
【請求項７】  パンフレットが表面画定構造体の表面に印刷され、プリンタがパンフレットをオンデマンドで印刷する、請求項１に記載されるシステム。
【請求項８】  プリンタが、表面画定構造体にパンフレットを印刷するのと同時に、コード化されたデータを印刷する如く配列される、請求項２に記載されるシステム。
【請求項９】  コード化されたデータが、可視スペクトルの中で実質的には非可視である、請求項２に記載されるシステム。
【請求項１０】  作成される各パンフレットの検索可能なレコードを保存するためのデータベースを含み、各パンフレットが、そのコード化されたデータに含まれるように、そのアイデンテティを使用することによって検索可能である、請求項２に記載されるシステム。
【請求項１１】  プリンタが、パンフレットが複数のページを含む場合に、パンフレットを結合するための結合手段を含む、請求項１に記載されるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月21日(2007.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質基体と架橋被膜とから構成された、負電荷を持つ微孔質膜であって、該架橋被膜が多糖類とアニオン性ポリマーとを含む溶液から調製され、該アニオン性ポリマーは、負電荷の基を有する不飽和モノマー、親水性非イオン性不飽和モノマー、並びに少なくとも１種もしくは２種以上のＮ−（ヒドロキシアルキル）−もしくはＮ−（アルコキシアルキル）−アクリルアミドモノマーを含む混合物の重合により得られたものであり、該架橋被膜がアミド−エステルおよびアミド−アミド架橋を含んでいる、負電荷を持つ微孔質膜。
【請求項２】
多孔質基体と負電荷を持つ側鎖基を有する架橋被膜とから構成された、負電荷を持つ微孔質膜であって、該架橋被膜が、負電荷の基を有する不飽和モノマー、少なくとも１種もしくは２種以上のＮ−（ヒドロキシアルキル）−もしくはＮ−（アルコキシアルキル）−アクリルアミド、並びに親水性不飽和モノマーを含む重合した組成物から調製されている、負電荷を持つ微孔質膜。
【請求項３】
親水性不飽和モノマーがアクリルモノマーである、請求項１または２記載の負電荷を持つ微孔質膜。
【請求項４】
Ｎ−（ヒドロキシアルキル）−もしくはＮ−（アルコキシアルキル）−アクリルアミドが炭素数４以下のアルキル基を含有する、請求項１〜３のいずれかに記載の負電荷を持つ微孔質膜。
【請求項５】
負電荷の基がスルホン酸またはカルボン酸である、請求項１〜４のいずれかに記載の負電荷を持つ微孔質膜。
【請求項６】
少なくとも１つの入口と少なくとも１つの出口とを備え、この入口と出口との間に流体流路を画成し、かつ該入口と該出口との間に該流体流路を横断して請求項１〜５のいずれか１項に記載の複数の膜が配置されている装置。
【請求項７】
下記工程を含む、多孔質基体と負電荷の基を有する架橋被膜とから構成される負電荷を持つ微孔質膜の製造方法：
(a) 多孔質基体を用意し；
(b) この基体に多糖類とアニオン性ポリマーとを含む溶液を接触させ、ここで該アニオン性ポリマーは、負電荷の基を有する不飽和モノマー、親水性非イオン性不飽和モノマー、並びに少なくとも１種もしくは２種以上のＮ−（ヒドロキシアルキル）−もしくはＮ−（アルコキシアルキル）−アクリルアミドを含む混合物の重合により得られたものであり、
(c) 工程(b) で得られた基体を硬化させて負電荷を持つ微孔質膜を取得し；そして
(d) 場合により、工程(c) で得られた膜を抽出処理して、その中の抽出性残渣を除去する。
【請求項８】
下記工程を含む、多孔質基体と負電荷の基を有する架橋被膜とから構成される負電荷を持つ微孔質膜の製造方法：
(a) 多孔質基体を用意し；
(b) この基体に多糖類とアニオン性ポリマーとを含む溶液を接触させ、ここで該アニオン性ポリマーは、負電荷の基を有する不飽和モノマー、Ｎ−（ヒドロキシメチル）−もしくはＮ−（アルコキシメチル）−アクリルアミド、並びに親水性不飽和モノマーを含む混合物の重合により得られたものであり；
(c) 工程(b) で得られた基体を硬化させて負電荷を持つ微孔質膜を取得し；そして
(d) 場合により、工程(c) で得られた膜を抽出処理して、その中の抽出性残渣を除去する。
【請求項９】
負電荷の基がスルホン酸基またはカルボン酸基である請求項７または８記載の方法。
【請求項１０】
前記不飽和モノマーがアクリルモノマーである請求項７〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
流体から正電荷を持つ物質を分離する方法であって、該流体を、請求項１〜５のいずれかに記載の負電荷を持つ微孔質膜と接触させて、正電荷を持つ物質を該膜に吸着させるようにすることを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月26日(2007.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つの単層または多層押出ポリエステルフィルムと、ヒドロキシ官能性トリス−アリールトリアジン紫外線吸収化合物およびポリアルキルピペリジン成分を含むオリゴマー化合物またはポリマー化合物から選択されるヒンダードアミン光安定剤（ＨＡＬＳ）組成物を含む有効量の光吸収組成物とを含み、光吸収化合物とＨＡＬＳ組成物との重量比が約２：１より大きい光安定性の製品。
【請求項２】  紫外線吸収化合物が約０．５〜約４重量％の量で存在し、ＨＡＬＳ組成物が約０．０５〜約１．０重量％の量で存在する、請求項１に記載の製品。
【請求項３】  ホスホネート安定化化合物を更に含む請求項１に記載の光安定性の製品。
【請求項４】  ホスホネート安定化化合物がホスホノ酢酸トリエチルである、請求項３に記載の製品。
【請求項５】  ホスホネート安定化化合物が約０．２５重量％未満の量で存在する、請求項３に記載の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月22日(2007.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分岐した身体的内腔に配置するためのステントであって、前記ステントが、中に通じる内腔を規定しかつ側面穴を有する管状本体を含み、前記本体が、第１壁質量を有する第１部分と、第２壁質量を有する第２部分を有するものにおいて、前記第１壁質量が前記第２壁質量よりも小さいステント。
【請求項２】
前記第１壁質量が前記第２壁質量の約半分であることを特徴とする、請求項１に記載のステント。
【請求項３】
前記第１部分が第１セル密度を有し、前記第２部分が第２セル密度を有しており、前記第１セル密度が前記第２セル密度よりも小さい、請求項１に記載のステント。
【請求項４】
前記第１セル密度が前記第２セル密度の約半分であることを特徴とする、請求項３に記載のステント。
【請求項５】
前記第１部分が第１の複数のストラットを含んでいて、前記第２部分が第２の複数のストラットを含んでおり、少なくとも前記第１の複数のストラットのうちのいくつかが、前記第２の複数のストラットよりも小さな断面積を有している、請求項１に記載のステント。
【請求項６】
前記第１部分が第１の複数のストラットを含んでいて、前記第２部分が第２の複数のストラットを含んでおり、前記第２の複数のストラットが、前記第１の複数のストラットよりも大きなセル密度を規定する、請求項１に記載のステント。
【請求項７】
前記第１部分が前記側面穴を含んでいる、請求項１に記載のステント。
【請求項８】
前記第１部分と前記第２部分が、第１壁厚と第２壁厚をそれぞれ有しており、前記第１壁厚が前記第２壁厚よりも小さい、請求項１に記載のステント。
【請求項９】
前記第１壁厚が前記第２壁厚の約半分である、請求項８に記載のステント。
【請求項１０】
主要血管と第１及び第２の枝血管を有する分岐した身体的内腔に配置するためのステントシステムであって、前記システムが：
第１部分と第２部分を有する第１管状ステント本体であって、側面穴を有している第１管状ステント本体；及び
第１部分と第２部分を有する第２管状ステント本体であって、側面穴を有している第２管状ステント本体；
を含んでおり、前記第１ステント本体の第１部分が、前記第２ステント本体の第１部分の内部に配置され、前記第２ステント本体の第１部分と一般的に同心的に整合され、前記第１ステント本体の第２部分が、前記第２ステント本体の前記側面穴を通じて延びている、ステントシステム。
【請求項１１】
前記結合された第１部分が、前記第２部分のうちの一方と略同一の質量からなる、請求項１０に記載のステントシステム。
【請求項１２】
前記結合された第１部分が、前記第２部分のうちの一方のセル密度と略同等のセル密度からなる、請求項１０に記載のステントシステム。
【請求項１３】
前記結合された第１部分が、前記第２部分のうちの一方の壁厚と略同等の壁厚を有する、請求項１０に記載のステントシステム。
【請求項１４】
前記結合された第１部分が前記主要血管に配置されるようになされており、前記第１ステント本体の第２部分が前記第１枝血管に配置されるようになされており、そして、前記第２ステント本体の第２部分が前記第２枝血管に配置されるようになされている、請求項１０に記載のステントシステム。
【請求項１５】
請求項１に記載のステント；及び
主要血管と第１及び第２の枝血管を有する分岐した身体的内腔に前記ステントを位置付けるための方法を説明する使用指示書；
を含むキット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月8日(2007.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  レシピエント部位に被着される手術用移植片であって、前記移植片は、
羊膜細胞と完全な状態をもつ細胞外マトリックスを有する羊膜、および
前記羊膜上で増殖した上皮幹細胞であることを特徴とする上皮幹細胞を増殖する手術用移植片。
【請求項２】  前記羊膜は基底膜面を有し、
前記上皮幹細胞が前記基底膜面上で増殖することを特徴とする請求項１に記載の上皮幹細胞を増殖する手術用移植片。
【請求項３】  健康な眼で行われる縁部生検からの縁部組織が前記上皮幹細胞源であることを特徴とする請求項１または２に記載の上皮幹細胞を増殖する手術用移植片。
【請求項４】  前記羊膜は基底膜面を有し、
前記上皮幹細胞が培地中で処理された組織に由来し、次いで前記羊膜に移され、
前記上皮幹細胞が前記羊膜の前記基底膜面上でｅｘ  ｖｉｖｏに培養されることを特徴とする請求項１に記載の上皮幹細胞を増殖する手術用移植片。
【請求項５】  前記上皮幹細胞源は、レシピエント部位に対して生物学的および組織適合性である健康な部位から採取された生検による組織であることを特徴とする前記請求項１乃至４のいずれかに記載の上皮幹細胞を増殖する手術用移植片。
【請求項６】  損傷したレシピエント部位のための手術用移植片を作成する方法であって、前記方法は、
ａ）羊膜細胞と完全な状態をもつ細胞外マトリックスを有する羊膜上に上皮幹細胞を含んだ生検を外植片として配置するステップと、
ｂ）前記上皮幹細胞を前記羊膜上で増殖させるステップとをから成ることを特徴とする上皮幹細胞を増殖する方法。
【請求項７】  前記羊膜は基底膜面を有し、
前記配置する前記ステップは、前記基底膜面上に前記外植片をマウントするステップを有することを特徴とする請求項６に記載の上皮幹細胞を増殖する方法。
【請求項８】  前記マウンティングステップにおいて、増殖した前記上皮幹細胞は損傷したレシピエント部位に対し表が上になるように配置されることを特徴とする請求項７に記載の上皮幹細胞を増殖する方法。
【請求項９】  増殖させる前記ステップには、配置する前記ステップの前に培地中で前記外植片を培養するステップが含まれることを特徴とする前記請求項６乃至８のいずれかに記載の上皮幹細胞を増殖する方法。
【請求項１０】  増殖させる前記ステップは、前記羊膜をその外植片と共に、前記上皮幹細胞が直径約２から３ｃｍの面積まで増殖するのに十分な時間培養することを特徴とする前記請求項６乃至９に記載の上皮幹細胞を増殖する方法。
【請求項１１】  前記移植片を外科的にレシピエント部位に固定した後で前記羊膜からの前記外植片を取り除くことを特徴とする前記請求項６乃至１０いずれかに記載の上皮幹細胞を増殖する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
オ・ドネルの米国特許5,370,641号（この開示内容は参照によりここに導入される）には、エキシマ・レーザ又はエルビウム・レーザを用いてシュレム管および強角膜繊維柱帯上に重なっている強膜を除去すると記載されている。レーザのスポットサイズ及び治療領域は記載されていない。この特許は、強角膜ベッド(corneoscleral bed)が十分な量だけ除去されれば、残った非常に薄いシュレム管および強角膜繊維柱帯から房水が出てきて、レーザのエネルギーが流出する体液により吸収され、終点の自己調整が行われる、と主張している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によるターンテーブルにおいて、収容場所に収容された容器は、異なる半径に移動させられており、それは前記ターンテーブルに対する内部カルーセルの位置に依存しており、そ（前記ターンテーブル）のカルーセルはターンテーブルと共に回転しており、従って、（前記容器は、）ターンテーブルの異なる半径に配置された前記処理ユニットに供給されることが出来る。一旦、処理ユニットの前記容器が例えば、充填されてしまうと、収容場所に収容された前記容器が、別の処理ユニットが前記容器の別の処理を実施する、これとは別の半径に移動されるような方法で、前記内部カルーセルは回転し続ける。本発明によるターンテーブルは従って、異なる半径における収容場所に収容された容器の継続的な処理を、容器を強制排出することなく、該半径に対して指定された処理ユニットにより可能にしており、各処理手順の範囲内で、ターンテーブルから搬出されるか又は、更なる処理のために新しいターンテーブルにより、受け取られることを可能にする。結局、本発明によるターンテーブルは、配置をかなり単純化し、充填可能な商品のための容器の処理用の装置のスペースの必要性を低減する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図２は、本発明に従うターンテーブルの実施の形態の第２の状態を示しており、そこでは、図１に示されるような状態と比較すると、約３６０度の反時計回りのターンテーブルフレームは継続して更に回転している。マークされた収容場所１は、図１で既にマークされた収容場所１に対応する。図示されるように、図２に示されるような第２の状態において、全てのマークされた収容場所１は、１時３０分の位置における内部カルーセル２上のマークされた収容場所１を除外して、３時の位置から１時３０分の位置へとターンテーブルフレームの前へ進む回転において、関連する内部カルーセル２が９０度反時計回りで回転した後に、中央の半径４に設置される。１時３０分の位置における内部カルーセル２上のマークされた収容場所１は、３時の位置から１時３０分の位置への移動中に、９０度反時計回りでやはり再度回転されているので、ここではこの収容場所１は最も内側の半径５に設置される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
最も内側の半径５の収容場所１に配置された前記容器の動き（移動）に続いて、前記容器は再度、内部カルーセル２の９０度の更なる回転後に、中央の半径４に移動する。この時には、しかしそれらは、図１に示されるような第１の状態から出発する角度範囲において移動する。該異なる角度範囲は、同じ前もって決められた半径における異なる角度範囲に割り当てられる幾つかの処理ユニットの配置を可能にしており、従って本発明に従うターンテーブルの示される実施の形態の機能的モードにおいて４基の処理ユニットの全体（トータル）の配置に関する可能性を提示する。説明された第４の場所（位置）における処理においても、該場所における前記収容場所から容器を搬出可能であっても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時計機構や他の精密器械用の機械式振動装置であって、非磁性のセラミックバランス体と非磁性のバランススプリングとを備え、該バランススプリングは複合材料あるいはポリマ、カーボンあるいはセラミック材料により作製され、前記バランス体と前記バランススプリングは、前記バランス体の熱膨張係数（α１）と前記バランススプリングの熱膨張係数（α２）と前記バランススプリングの熱弾性係数（δＥ／Ｅ）が装置における温度変化を補償するように作用する機械式振動装置。
【請求項２】
前記バランススプリングは平坦な螺旋あるいは渦巻状の形状を呈し、前記バランス体の熱膨張係数と前記バランススプリングの長さ方向に沿った熱膨張係数は記号が反対で略同様のオーダーの大きさである請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記バランス体の熱膨張係数が正で、前記バランススプリングの長さ方向に沿ったバランススプリング材料の熱膨張係数が負である請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記バランス体の熱膨張係数は１×１０−６Ｋ−１より小さく、前記バランススプリングの長さ方向のバランススプリングの材料の熱膨張係数は−１×１０−６Ｋ−１より大きい請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記バランススプリングの材料が、ポリマ、カーボンあるいはセラミックを有するマトリクス相を持つ複合材料である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記バランススプリングの材料は、前記バランススプリングの長さ方向に沿って一端から他端まで延びる連続したファイバにより構成されている請求項１乃至５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記連続したファイバはカーボンファイバである請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ファイバは、″ピッチ（ＰＩＴＣＨ）″前駆物質やポリアクリロニトリル″ＰＡＮ″により作製される請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記バランススプリングの材料は、バランススプリングの長さ方向に沿った熱膨張係数が７００Ｋまで負で線形の温度変化を示す複合材料である請求項１乃至８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記バランススプリングの弾性率の減衰は０．００１ｐａの大きさである請求項１乃至９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記バランススプリングの材料はセラミックファイバである請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記セラミックファイバは６×１０−６Ｋ−１以下の熱膨張係数を持つ請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ファイバは互いに略平行である請求項６乃至８、１１及び１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記ファイバは捩れている請求項６乃至８、１１及び１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記バランススプリングは屈曲して前記バランス体を振動させるように形成された屈曲性スプリングである請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記バランススプリングの材料の密度は３ｇ／ｃｍ３以下である請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記バランス体は高精度射出成形により形成されている請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記バランススプリングの材料は負の熱弾性係数を持つ請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１９】
前記バランス体の材料の熱膨張係数（α１）と前記バランススプリングの材料の熱膨張係数（α２）と前記バランススプリングの材料の熱弾性係数（δＥ／Ｅ）のそれぞれの大きさと温度変化は、所定の温度範囲内の温度変化に対し装置の計時変化（Ｕ）が最小となるように選択され、
Ｕ＝α１−３α２／２−δＥ／２Ｅ
である請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２０】
時計器械用の振動機構におけるバランス体を振動させる非磁性のバランススプリングであって、該バランススプリングは複合材料あるいはポリマ、カーボンあるいはセラミック材料により作製され、前記バランススプリングの材料は、前記バランス体の熱膨張係数（α１）とともに装置における温度変化を補償する熱膨張係数（α２）と熱弾性係数（δＥ／Ｅ）を有するバランススプリング。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検問通路内において無線周波数識別タグに対し、指定メモリ位置に選択された値を有するタグだけが尋問に応答するように選択的に尋問するステップと、
前記指定メモリ位置に前記選択された値を有する無線周波数識別タグの全てから同時に応答を受信するステップと、
少なくとも部分的な応答を受信したとき、前記指定メモリ位置に前記選択された値を有する少なくとも１個の無線周波数識別タグを前記検問通路内において検知するステップと、を含む方法。
【請求項２】
指定メモリ位置に選択された値を有するタグが存在することを識別するために、検問通路内において無線周波数識別タグに尋問するステップと、
前記検問通路内における前記無線周波数識別タグの全てから同時に応答を受信するステップと、
前記指定メモリ位置の少なくとも１個のビットにおける衝突を検知するステップと、
衝突を検知したとき、前記指定メモリ位置に前記選択された値を有する少なくとも１個の無線周波数識別タグを前記検問通路内において検知するステップと、を含む方法。
【請求項３】
検問通路内において、選択された値と共にプログラムされた無線周波数識別タグからの通信同士の衝突を検知するステップと、
前記衝突を検知すると、前記検問通路内に無許可の物品が存在することを示す警報を生成するステップと、を含む方法。
【請求項４】
検問通路内において、選択された値と共にプログラムされた無線周波数識別タグから部分的な応答を受信するステップと、
前記部分的な応答を受信すると、前記検問通路内に無許可の物品が存在することを示す警報を生成するステップと、を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2007511006.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2007511006.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月26日(2007.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
場合によっては、最終的な正規化スパム確信度を決定するために異なるアンチスパム手段間で妥当なスケーリング係数を決定するのが困難なことがある。その場合、スパム確信度を複数のアンチスパムフィルタ２１２からのスパム確信度値を結合するデフォルトのアルゴリズムが、（０から９などの正規化範囲にスケーリングされた後に）返された最高のスパム確信度値を、当該メッセージの最終スパム確信度として採用する。この実施形態では、アンチスパムフィルタ２１２が呼び出され、各アンチスパムシンクがスパム確信度を返す。前述のように、最高スパム確信度が決定され、閾値と比較される。このアルゴリズムは、最も強烈なアンチスパム手段が常に優先し、より多くのアンチスパムフィルタが追加されると、通過するスパムメールが減少する傾向になるという効果があることを意味することに留意されたい。また、アンチスパムフィルタ２１２が、強烈過ぎ、正当なメッセージをスパムであると判断する頻度が他のアンチスパムフィルタ２１２より高い場合があることに留意されたい。そのような状況では、強烈過ぎるアンチスパムフィルタのスパム確信度を無効化またはスケーリングし、それによってスパムとして分類される正当なメッセージの数を減らす。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【図１】本発明を備えるコンピュータシステムの一例の概要を示すブロック図である。
【図２】ＳＭＴＰプロトコルスタックを使用するシステムにおける本発明のフレームワークの概要を示すブロック図である。
【図３】本発明により使用されるアンチスパムモジュールの例を示すブロック図である。
【図４】アンチスパムモジュールを組み込み、メッセージがスパムであるか否かを判断するプロセスを示すフローチャートである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
暴露されたバリヤー層を含むエッチングされた誘電体層を有する集積回路(IC)構造からフォトレジスト層を除去する方法であり、前記誘電体層がケイ素および酸素を含み、前記バリヤー層が窒化ケイ素および炭化ケイ素からなる群より選択される物質によって構成され、該方法が、
まず、該誘電体層をエッチングして該バリヤー層を暴露し；
次いで、一酸化炭素(CO)を含む酸化性ガス混合物を反応器に供給し；
前記反応器内でプラズマを発生させ；そして
前記暴露されたバリヤー層をほとんどまたは全くエッチングすることなく、一酸化炭素（CO）を含む酸化性ガスで前記フォトレジスト層を選択的に除去し、それにより該フォトレジスト層の除去中における、該暴露されたバリヤー物質の損失を最小にする；
各工程を含む方法。
【請求項２】
前記誘電体物質が、二酸化ケイ素である、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化性ガス混合物が、さらに、酸素(O2)を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化性ガス混合物が、さらに、窒素(N2)を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記酸化性ガス混合物が、さらに、酸素(O2)、窒素(N2)、窒素(N2)/酸素(O2)、一酸化窒素(N2O)、窒素(N2)/水素(H2)および水蒸気(H2O)からなる群より選択されるガス混合物を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチングされた誘電体物質が、二酸化ケイ素、酸化ケイ素、有機シリケートガラスおよびフッ素化されたシリケートガラスからなる群より選択される物質によって構成される、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記IC構造が、さらに、前記誘電体とフォトレジストとの間に位置するキャップ層を含み、前記キャップ層が、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素および窒化ケイ素からなる群より選択される物質によって構成される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記IC構造から前記フォトレジストを除去するために使用される前記反応器が、前記誘電体をエッチングするためにも使用される、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
エッチングされた第1の誘電体層；窒化ケイ素および炭化ケイ素からなる群より選択される物質によって構成される暴露された第2のバリヤー層；および、前記バリヤー層に隣接する導電性インターコネクトと前記導電性インターコネクトに隣接する第2の誘電体物質を含む第3の層を有し、前記バリヤー層が、前記エッチングされた第1の誘電体層と前記第3の層との間に存在する集積回路(IC)構造からフォトレジスト層を除去する方法であって、
まず、該誘電体層をエッチングして該バリヤー層を暴露し；
次いで、一酸化炭素(CO)を含む酸化性ガス混合物を反応器に供給し；
前記反応器内でプラズマを発生させ；そして
前記暴露されたバリヤー層をほとんどまたは全くエッチングすることなく、一酸化炭素（CO）を含む酸化性ガスで前記フォトレジスト層を選択的に除去し、それにより該フォトレジスト層の除去中における、該暴露されたバリヤー物質の損失を最小にする；
各工程を含む方法。
【請求項１０】
前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層が、ケイ素と酸素とを含む物質によって構成される、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化性ガス混合物が、酸素(O2)、窒素(N2)、窒素(N2)/酸素(O2)、一酸化窒素(N2O)、窒素(N2)/水素(H2)および水蒸気(H2O)からなる群より選択されるガス混合物を含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記エッチングされた第１の誘電体層が、二酸化ケイ素、酸化ケイ素、有機シリケートガラスおよびフッ素化されたシリケートガラスからなる群より選択される物質によって構成される、請求項9に記載の方法。
【請求項１３】
前記IC構造が、さらに、前記第１の誘電体層とフォトレジスト層との間に位置するキャップ層を含み、前記キャップ層が、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素および窒化ケイ素からなる群より選択される物質によって構成される、請求項9に記載の方法。
【請求項１４】
前記IC構造から前記フォトレジストを除去するために使用される前記反応器が、前記第1の誘電体層をエッチングするためにも使用される、請求項9に記載の方法。
【請求項１５】
暴露されたバリヤー層を含むエッチングされた誘電体層を有する集積回路(IC)構造からフォトレジスト層を除去する方法であり、前記バリヤー層が窒化ケイ素および炭化ケイ素からなる群より選択される物質によって構成され、該方法が、
まず、該誘電体層をエッチングして該バリヤー層を暴露し；
次いで、一酸化炭素(CO)を含む酸化性ガス混合物を反応器に供給し、ここで前記酸化性ガス混合物が、一酸化炭素(CO)を含み、前記酸化性ガス混合物が、酸素(O2)、窒素(N2)、窒素(N2)/酸素(O2)、一酸化窒素(N2O)、アンモニア(NH3)、窒素(N2)/水素(H2)および水蒸気(H2O)からなる群より選択されるガス混合物を含み；
前記反応器内でプラズマを発生させ；そして
前記暴露されたバリヤー層をほとんどまたは全くエッチングすることなく、一酸化炭素（CO）を含む酸化性ガスで前記フォトレジスト層を選択的に除去し、それにより該フォトレジスト層の除去中における、該暴露されたバリヤー物質の損失を最小にする；
各工程を含む方法。
【請求項１６】
前記誘電体層が、ケイ素と酸素とを含む物質によって構成される、請求項13に記載の方法。
【請求項１７】
前記エッチングされた誘電体物質が、二酸化ケイ素、酸化ケイ素、有機シリケートガラスおよびフッ素化されたシリケートガラスからなる群より選択される物質によって構成される、請求項13に記載の方法。
【請求項１８】
前記IC構造が、さらに、前記誘電体層と前記フォトレジストとの間に位置するキャップ層を含み、前記キャップ層が、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素および窒化ケイ素からなる群より選択される物質によって構成される、請求項13に記載の方法。
【請求項１９】
前記IC構造から前記フォトレジストを除去するために使用される前記反応器が、また、前記誘電体層をエッチングするために使用される、請求項13に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ダイに設けられたシリサイド層上にコンタクトを形成する方法であって、
コンタクトホールの側壁及び、前記コンタクトホールの底部に位置する自然酸化物層に、バリア層を堆積するステップを有し、前記側壁は、絶縁層の前記コンタクトホールにより形成されており、前記自然酸化物層は前記シリサイド層上に位置しており、
前記コンタクトホールの前記底部の前記シリサイド層上に位置する前記自然酸化物層をスパッタエッチング／堆積プロセスを使用して除去するステップを有する、方法。
【請求項２】
前記コンタクトホールの前記底部の前記シリサイド層上に位置する前記自然酸化物層を除去する前記ステップでは、前記バリア層及び前記自然酸化物層を同時にスパッタエッチングし、かつ、前記バリア層にチタン／窒化チタンを堆積する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スパッタエッチング／堆積プロセスの、スパッタエッチング／堆積比は１．０より大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記コンタクトホールに隣接して位置する上部コーナー領域を含み、前記スパッタエッチング／堆積プロセスにおいては前記絶縁層の前記上部コーナー領域をエッチングしない、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記コンタクトホールは電気接続幅を有しており、前記電気接続幅は、前記スパッタエッチング／堆積プロセスでは増大しない、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記スパッタエッチング／堆積プロセスはアルゴンスパッタエッチングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記絶縁層は、ＰＥＣＶＤ酸化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
半導体ダイに位置するシリサイド層上にコンタクトを形成する方法であって、
コンタクトホールの側壁、及び、前記コンタクトホールの底部に位置する自然酸化物層に、バリア層を堆積するステップを含み、前記側壁は、絶縁層の前記コンタクトホールによって形成され、
前記バリア層の一部、及び、前記コンタクトホールの底部に位置する自然酸化物層を除去し、前記シリサイド層を露出させるステップを含み、前記コンタクトホールの前記側壁に前記バリア層を堆積するステップを、前記コンタクトホールの上部におけるバリア層の厚さが、前記コンタクトホールの底部における厚さよりも大きくなるように最適化される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月21日(2007.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平方向に延伸する上面と、垂直方向に延伸する第１サイドウォールと、該第１サイドウォールに対向し、垂直方向に延伸する第２サイドウォールとを有した半導体チャネル構造を形成する工程と、
前記第１サイドウォールに水平方向にて隣接して設けられるとともに第１サイドウォールから沿うようにして延伸している第１ゲート構造及び、前記第２サイドウォールに水平方向にて隣接して設けられるとともに第２サイドウォールから沿うようにして延伸している第２ゲート構造を形成する工程と、
第１ゲート構造、第２ゲート構造、及び第３ゲート構造が互いに物理的に離間しているように、第３ゲート構造を前記水平方向に延伸する上面の上方に、かつ前記上面のほぼ全体にわたって形成する工程と、前記第１ゲート構造及び第２ゲート構造を形成する工程は、ゲート材料層を前記第３ゲート構造及び基板の上に堆積させる工程と、前記ゲート材料層の内、第３ゲート構造の上方にある部分を除去することによって第１ゲート構造及び第２ゲート構造を形成する工程とからなることと、
前記半導体チャネル構造と、前記第１ゲート構造、第２ゲート構造、及び第３ゲート構造からなる群から選択された少なくとも１つのゲート構造との間に電荷蓄積層を形成する工程とを備える、半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
半導体構造と、該半導体構造は上面と、第１サイドウォールと、該第１サイドウォールと対向する第２サイドウォールと、
前記第１サイドウォールに隣接して設けられる第１ゲート構造と、第２サイドウォールに隣接して設けられる第２ゲート構造と、
前記上面の上方に設けられる第３ゲート構造と、
前記上面と前記第３ゲート構造の間に設けられる第１電荷蓄積層とを備え、
前記第１ゲート構造、第２ゲート構造、及び第３ゲート構造は互いに物理的に離間している、半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのセグメントを含む有機電子デバイスであって、各セグメントが、外周端縁によって画定された有機電子発光デバイスを含む有機電子デバイスにおいて、各セグメントが、第１の外周端縁上に配置された第１の電気接点と前記第１の電気接点とは異なった外周端縁上に配置された第２の電気接点とを含み、前記セグメントの前記電気接点が導電性材料で電気的伝達状態に接合される、有機電子デバイス。
【請求項２】
前記第２の電気接点が、前記第１の外周端縁に略垂直な外周端縁上に配置される、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第２の電気接点が前記第１の外周端縁に略平行な外周端縁上に配置される、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
電気接点を含む複数の有機発光デバイスセグメントを提供する工程と、
前記セグメントを試験して少なくとも１つのセグメントを非発光セグメントであると同定する工程と、
前記非発光セグメントを除去する工程と、
前記発光セグメントの前記電気接点を導電性材料で接合する工程と、
を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記セグメントが、ウェブ方向とクロスウェブ方向とを有する連続したウェブ上に提供される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
複数のセグメントが同時に試験される、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも２つの混和性ポリマーのブレンドの懸濁液または溶液を提供する工程であって、前記ポリマーの少なくとも１つが、高フッ素化主鎖と、スルホン酸基を含む少なくとも１つの側基とを含み、ポリマーの前記ブレンドが１２００より小さい当量を有し、ポリマーの前記ブレンドが１０１℃〜１５５℃のＴｇを有する、工程と、
ｂ）膜を前記懸濁液または溶液からキャストする工程と、
ｃ）前記膜をＴｇ＋Ｘに等しい温度Ｔａ（Ｘが少なくとも１０℃であり、Ｔａが２１０℃以下である）においてアニールする工程と、を含む、ポリマー電解質膜の作製方法。
【請求項２】
ａ）ポリマーの懸濁液または溶液を提供する工程であって、前記ポリマーが、高フッ素化主鎖と、少なくとも１つがスルホン酸基を含む少なくとも２つの異なった側基とを含み、前記ポリマーが、１２００より小さい当量を有し、１０１℃〜１５５℃のＴｇを有する、工程と、
ｂ）膜を前記懸濁液または溶液からキャストする工程と、
ｃ）前記膜をＴｇ＋Ｘに等しい温度Ｔａ（Ｘが少なくとも１０℃であり、Ｔａが２１０℃以下である）においてアニールする工程と、を含む、ポリマー電解質膜の作製方法。
【請求項３】
高フッ素化主鎖と、少なくとも１つがスルホン酸基を含む少なくとも２つの異なった側基とを含むポリマーを含み、前記ポリマーが、１２００より小さい当量を有し、１０１℃〜１５５℃のＴｇを有する、ポリマー電解質膜。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性基材を含むウェブをある方向に進行させる工程と、
第１の電極層を適用する工程と、
有機発光層を適用する工程と、
前記第１の電極層から電気的に分離された第２の電極層を適用する工程と、を含み、
前記第１および第２の電極層並びに前記有機発光層が、約１インチ（２．５４ｃｍ）〜約１０インチ（２５．４ｃｍ）の範囲の長さにわたって、前記進行するウェブの方向に連続している、有機発光デバイスを製造する方法。
【請求項２】
前記第１の電極層を適用する前にマスクを適用して、前記第１の電極層を適用した後に前記マスクを除去する手段により前記第１のパターンが適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の電極層を適用する前にマスクを適用して、前記第１の電極層を適用した後に前記マスクを除去する手段により前記第２のパターンが適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記連続電極層が、切断前、前記デバイスの寸法を越えて連続している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月6日(2007.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を有するＯＬＥＤ素子であって、前記発光層が、
ａ）式（Ｉ）：
【化１】
2007511067.tif 000001
［式中、
Ｒ1−Ｒ8はＨであり；
Ｒ9はＲ10と同じでなく；
Ｒ9およびＲ10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として；
Ｒ9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり；そして、
Ｒ10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である］
のモノアントラセン誘導体を含有するホスト；ならびに
ｂ）テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミンおよびキナクリドンの誘導体、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウムおよびチアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス（アジニル）アミンホウ素化合物、およびビス（アジニル）メタンホウ素からなる群から選択されるメンバーを含む、一つまたは複数のゲスト発光材料；
を含む、ＯＬＥＤ素子。
【請求項２】
前記ゲスト発光材料が、
【化２】
2007511067.tif 000002
を含む、請求項１に記載のＯＬＥＤ素子。
【請求項３】
少なくとも一つの発光層がアミノスチリル誘導体を含む、請求項１に記載のＯＬＥＤ素子。
【請求項４】
更に着色フィルターを含む、請求項１に記載のＯＬＥＤ素子。
【請求項５】
更に共同ホストを含む、請求項１に記載のＯＬＥＤ素子。
【請求項６】
前記共同ホストがオキシノイド化合物である、請求項５に記載のＯＬＥＤ素子。
【請求項７】
前記共同ホストがポリフルオレン、ポリビニルアリーレン、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体、ベンザゾール誘導体、ジスチリルアリーレンおよびカルバゾールからなる群から選択されるメンバーを含む、請求項５に記載のＯＬＥＤ素子。
【請求項８】
前記発光ドーパントが
【化３】
2007511067.tif 000003
またはＮ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドンである、請求項５に記載のＯＬＥＤ素子。
【請求項９】
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むＯＬＥＤ素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストが、
【化４】
2007511067.tif 000004
【化５】
2007511067.tif 000005
【化６】
2007511067.tif 000006
【化７】
2007511067.tif 000007
からなる群から選択される；
請求項１に記載のＯＬＥＤ素子。