【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設備状態データを用いて製造プロセスを制御するための方法であって、
初期設備状態データを求めるステップと、
前記初期設備状態データを用いて、少なくとも１つの半導体素子を処理するステップと、
前記半導体素子の前記処理からのデータと前記初期設備状態データとを用いて、設備およびウェハの状態データ処理を行なうステップとを含み、前記設備およびウェハの状態データ処理は、
設備状態データを求めることと、
ウェハ状態データを求めることと、
設備状態データをウェハ状態データに関連付けて誤差を求めることとを含み、前記方法はさらに、
前記設備およびウェハの状態データ処理を行なうことに応答して、前記半導体素子の前記処理で用いられる少なくとも１つの制御入力パラメータを変更すべきかどうかを判断するステップと、
少なくとも１つの前記制御入力パラメータを変更すべきであるとの判断に応答して、前記制御入力パラメータを変更するステップとを含む、方法。
【請求項２】
初期設備状態データを求めるステップはさらに、
処理ツールの少なくとも１つの初期入力制御設定を求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に温度データを求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に湿度データを求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に圧力データを求めるステップとのうち、少なくとも１つのステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの半導体素子の製造プロセスを行なうステップはさらに、少なくとも１つの半導体ウェハの製造プロセスを行なうステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つの半導体素子の製造プロセスを行なうステップはさらに、フォトリソグラフィオーバーレイプロセスを行なうステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの半導体素子の製造プロセスを行なうステップはさらに、イオン注入プロセスを行なうステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの半導体素子の製造プロセスを行なうステップはさらに、化学的機械的研磨機平坦化プロセスを行なうステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
設備およびウェハの状態データ処理を行なうステップはさらに、
設備状態データを求めるステップと、
設備状態データモデルと前記求められた設備状態データとを用いて故障検出を行なうステップと、
前記故障検出に応答して、ウェハ状態データモデルと前記求められた設備状態データとを用いてウェハ状態データを予測するステップと、
前記ウェハ状態データが異常であるかどうかを判断するステップと、
前記ウェハ状態データが異常であるとの判断に応答して、少なくとも１つの制御入力パラメータの修正係数および誤差を計算するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
設備状態データを求めるステップはさらに、
テーブル回転速度データを求めるステップと、
ダウンフォースデータを求めるステップと、
プロセススラリーの流速データを求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に温度データを求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に湿度データを求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に圧力データを求めるステップとのうち、少なくとも１つのステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
設備状態データモデルと前記求められた設備状態データとを用いて故障検出を行なうステップはさらに、前記設備状態データの質が半導体処理の続行を良しとするかどうかを判断するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
ウェハ状態データを予測するステップはさらに、
プロセスフィルムの厚さを予測するステップと、
プロセスフィルムの均一性を予測するステップと、
イオン注入の濃度を予測するステップと、
位置合せのアライメントを予測するステップとのうち、少なくとも１つのステップを予測するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
ウェハ状態データモデルと前記求められた設備状態データとを用いてウェハ状態データを予測するステップはさらに、前記設備状態データの経験に基づく分析を行なって前記ウェハ状態データを予測するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
ウェハ状態データモデルと前記求められた設備状態データとを用いてウェハ状態データを予測するステップはさらに、前記設備状態データの物理に基づく分析を行なって前記ウェハ状態データを予測するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記ウェハ状態データが異常であるかどうかを判断するステップはさらに、前記ウェハ状態データと予め定められた比較データとを比較するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記制御入力パラメータを変更するステップはさらに、ランツーラン単位で前記制御入
力パラメータを変更するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
設備状態データを用いて製造プロセスを制御するための装置であって、
初期設備状態データを求めるための手段と、
前記初期設備状態データを用いて、少なくとも１つの半導体素子を処理するための手段と、
前記半導体素子の前記処理からのデータと前記初期設備状態データとを用いて、設備およびウェハの状態データ処理を行なうための手段とを含み、前記設備およびウェハの状態データ処理は、
設備状態データを求めることと、
ウェハ状態データを求めることと、
設備状態データをウェハ状態データに関連付けて誤差を求めることとを含み、前記装置はさらに、
前記設備およびウェハの状態データ処理を行なうことに応答して、前記半導体素子の前記処理で用いられる少なくとも１つの制御入力パラメータを変更すべきかどうかを判断するための手段と、
少なくとも１つの前記制御入力パラメータを変更すべきであるとの判断に応答して、前記制御入力パラメータを変更するための手段とを含む、装置。
【請求項１６】
コンピュータによって実行されると、設備状態データを用いて製造プロセスを制御するための方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、前記方法は、
初期設備状態データを求めるステップと、
前記初期設備状態データを用いて、少なくとも１つの半導体素子を処理するステップと、
前記半導体素子の前記処理からのデータと前記初期設備状態データとを用いて、設備およびウェハの状態データ処理を行なうステップとを含み、前記設備およびウェハの状態データ処理は、
設備状態データを求めることと、
ウェハ状態データを求めることと、
設備状態データをウェハ状態データに関連付けて誤差を求めることとを含み、前記方法はさらに、
前記設備およびウェハの状態データ処理を行なうことに応答して、前記半導体素子の前記処理で用いられる少なくとも１つの制御入力パラメータを変更すべきかどうかを判断するステップと、
少なくとも１つの前記制御入力パラメータを変更すべきであるとの判断に応答して、前記制御入力パラメータを変更するステップとを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項１７】
コンピュータによって実行されると、請求項１６に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、初期設備状態データを求めるステップはさらに、
処理ツールの少なくとも１つの初期入力制御設定を求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に温度データを求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に湿度データを求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に圧力データを求めるステップとのうち、少なくとも１つのステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項１８】
コンピュータによって実行されると、請求項１６に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、少なくとも１
つの半導体素子の製造プロセスを行なうステップはさらに、少なくとも１つの半導体ウェハの製造プロセスを行なうステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項１９】
コンピュータによって実行されると、請求項１６に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、少なくとも１つの半導体素子の製造プロセスを行なうステップはさらに、フォトリソグラフィオーバーレイプロセスを行なうステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項２０】
コンピュータによって実行されると、請求項１６に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、少なくとも１つの半導体素子の製造プロセスを行なうステップはさらに、イオン注入プロセスを行なうステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項２１】
コンピュータによって実行されると、請求項１６に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、少なくとも１つの半導体素子の製造プロセスを行なうステップはさらに、化学的機械的研磨機平坦化プロセスを行なうステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項２２】
コンピュータによって実行されると、請求項１６に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、設備およびウェハの状態データ処理を行なうステップは、
設備状態データを求めるステップと、
設備状態データモデルと前記求められた設備状態データとを用いて故障検出を行なうステップと、
前記故障検出に応答して、ウェハ状態データモデルと前記求められた設備状態データとを用いてウェハ状態データを予測するステップと、
前記ウェハ状態データが異常であるかどうかを判断するステップと、
前記ウェハ状態データが異常であるとの判断に応答して、少なくとも１つの制御入力パラメータの修正係数および誤差を計算するステップとをさらに含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項２３】
コンピュータによって実行されると、請求項２２に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、設備状態データを求めるステップはさらに、
テーブル回転速度データを求めるステップと、
ダウンフォースデータを求めるステップと、
プロセススラリーの流速データを求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に温度データを求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に湿度データを求めるステップと、
前記半導体素子の前記プロセスの間に圧力データを求めるステップとのうち、少なくとも１つのステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項２４】
コンピュータによって実行されると、請求項２２に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、設備状態データモデルと前記求められた設備状態データとを用いて故障検出を行なうステップはさらに、前記設備状態データの質が半導体処理の続行を良しとするかどうかを判断するステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項２５】
コンピュータによって実行されると、請求項２２に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、ウェハ状態データを予測するステップはさらに、
プロセスフィルムの厚さを予測するステップと、
プロセスフィルムの均一性を予測するステップと、
イオン注入の濃度を予測するステップと、
位置合せのアライメントを予測するステップとのうち、少なくとも１つのステップを予測するステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項２６】
コンピュータによって実行されると、請求項２２に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、ウェハ状態データモデルと前記求められた設備状態データとを用いてウェハ状態データを予測するステップはさらに、前記設備状態データの経験に基づく分析を行なって前記ウェハ状態データを予測するステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項２７】
コンピュータによって実行されると、請求項２２に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、ウェハ状態データモデルと前記求められた設備状態データとを用いてウェハ状態データを予測するステップはさらに、前記設備状態データの物理に基づく分析を行なって前記ウェハ状態データを予測するステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項２８】
コンピュータによって実行されると、請求項２２に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、前記ウェハ状態データが異常であるかどうかを判断するステップはさらに、前記ウェハ状態データと予め定められた比較データとを比較するステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。
【請求項２９】
コンピュータによって実行されると、請求項１６に記載の方法を実施する命令で符号化される、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイスであって、前記制御入力パラメータを変更するステップはさらに、ランツーラン単位で前記制御入力パラメータを変更するステップを含む、コンピュータによる読出可能なプログラム記憶デバイス。