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【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アセンブリに供給される電力レベルに基づいて電子が入射するスポットを有するアノードと、
前記スポットで生成される発散Ｘ線を受け取り、アセンブリから出力Ｘ線を送るように結合された光学系と、
前記アノードのスポットと前記光学系との間の位置合わせ不良を補償するために、Ｘ線源アセンブリの動作中に前記出力Ｘ線の強度を動的に維持する制御系であって、アセンブリに供給される前記電力レベルを変更することにより、Ｘ線源アセンブリの少なくとも１つの動作条件が変化しても出力強度を維持する制御系と
を備えることを特徴とするＸ線源アセンブリ。
【請求項２】
前記制御系は、前記アセンブリに供給される電力レベルを変化させる少なくとも１つのアクチュエータを含むことを特徴とする請求項１に記載のＸ線源アセンブリ。
【請求項３】
前記少なくとも１つのアクチュエータは、前記アセンブリに関連する電源を制御する出力制御アクチュエータを含むことを特徴とする請求項２に記載のＸ線源アセンブリ。
【請求項４】
前記制御系は、前記出力強度を維持するために前記アノードの温度および／または位置も変更し、前記少なくとも１つのアクチュエータは、
アノードソーススポットと出力構造の少なくとも一方の位置を調整し、かつ／または
前記アノードの加熱と冷却の少なくとも一方を実施し、それによって前記光学系に対する前記アノードの調節を実施する
ための別のアクチュエータを含むことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のＸ線源アセンブリ。
【請求項５】
前記制御系は、出力強度に関するフィードバックを供給する少なくとも１つのセンサをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のＸ線源アセンブリ。
【請求項６】
前記少なくとも１つのセンサは、前記出力強度を監視するセンサを含むことを特徴とする請求項５に記載のＸ線源アセンブリ。
【請求項７】
前記少なくとも１つのセンサは、
アノード電力レベルを監視し、かつ／または
前記アノード温度を直接的または間接的に監視する
ための少なくとも１つの追加のセンサを含むことを特徴とする請求項６に記載のＸ線源アセンブリ。
【請求項８】
前記光学系は、集束光学系とコリメーティング光学系の少なくとも一方と、
好ましくはポリキャピラリ光学系または湾曲光学系とを含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のＸ線源アセンブリ。
【請求項９】
前記少なくとも１つの動作条件は、アノード電力レベルを意図せずに変更することを少なくとも１つと、
Ｘ線源アセンブリについての周囲温度と、
Ｘ線源アセンブリのハウジング温度とを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のＸ線源アセンブリ。
【請求項１０】
前記電力は、チューブミリアンプを制御することによって変更されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のＸ線源アセンブリ。
【請求項１１】
Ｘ線源アセンブリを操作する方法であって、
前記アセンブリに供給される電力レベルに基づいて、アノードスポット上に電子を入射すること、
光学系を使用して、前記スポットで生成された発散Ｘ線を受け取り、前記アセンブリから出力Ｘ線を送ること、および
前記アセンブリに供給される前記電力レベルを変更することにより、前記Ｘ線源アセンブリの少なくとも１つの動作条件が変化しても、前記アノードのスポットと前記光学系との間の位置合わせ不良を補償するために、前記Ｘ線源アセンブリの動作中に前記出力Ｘ線の強度を動的に維持すること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
アノードソーススポットと出力構造の少なくとも一方の位置を調整すること、および／または
前記アノードの加熱と冷却の少なくとも一方を実施し、それによって前記光学系に対する前記アノードの調節を実施すること
をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記光学系は、集束光学系とコリメーティング光学系の少なくとも一方と、
好ましくはポリキャピラリ光学系または湾曲光学系とを含むことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの動作条件は、アノード電力レベルを意図せずに変更することを少なくとも１つと、
前記Ｘ線源アセンブリについての周囲温度と、
前記Ｘ線源アセンブリのハウジング温度とを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記電力は、チューブミリアンプを制御することによって変更されることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１０のいずれかの前記Ｘ線源アセンブリを用いることを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に導電性の接点のリニア接点アレイと、その中に前記接点が少なくとも部分的に延びるリードフレームとを有してなり、第１の指定において、前記接点が１ペアの信号接点を有する少なくとも１つの差動信号ペアを形成し、さらに、第２の指定において、前記接点が少なくとも１つの非平衡終端された信号導体を形成するように、前記接点は、接地または信号接点のいずれかとして選択的に指定することができる電気コネクタ。
【請求項２】
第３の指定において、前記接点は、この接点が少なくとも１つの差動信号ペアおよび少なくとも１つの非平衡終端された信号導体を形成するように選択的に規定することができる前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項３】
前記接点アレイは、前記第１指定における少なくとも１つの差動信号ペアに隣接し、さらに第２指定における少なくとも１つの非平衡終端された信号導体に隣接して配置される少なくとも１つの接地接点を有する前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項４】
前記接地接点は、前記第１指定および第２指定の両方において前記接点アレイ内に同一の関係位置に配置される前記請求項３記載の電気コネクタ。
【請求項５】
各信号接点は、それぞれの端子端を有し、さらに前記接地接点の端子端は、前記あらゆる信号接点のあらゆる端子端を越えて延びる前記請求項４記載の電気コネクタ。
【請求項６】
さらに、電気的に導電性の接点の第２リニア接点アレイと、この第２リニアアレイの接点が少なくとも部分的に延びる第２リードフレームとを有してなり、前記第２リニアアレイの接点は、第３指定において、前記接点が、信号接点のペアを有する少なくとも１つの差動信号ペアを形成し、さらに第４指定において、前記接点が、少なくとも１つの非平衡終端された信号導体を形成するように、選択的に接地または信号接点のいずれかを指定することができる前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項７】
前記第１リニアアレイにおける信号接点と前記第２リニアアレイにおける信号接点との間のクロストークは、望ましいレベルに制限される前記請求項６記載の電気コネクタ。
【請求項８】
前記第２リードフレームは、前記第１リードフレームに隣接して配置され、さらに、前記クロストークは、前記接点の形状の結果として制限される前記請求項７記載の電気コネクタ。
【請求項９】
前記クロストークは、隣接する接点間の間隙幅に対する接点幅の比の結果として制限される前記請求項８記載の電気コネクタ。
【請求項１０】
前記クロストークは、前記第１および第２リードフレーム間のあらゆるシールドプレートの欠如において制限される前記請求項８記載の電気コネクタ。
【請求項１１】
信号接点として指定される第１リニア接点アレイにおける前記接点は、信号接点として指定される第２リニアアレイにおける前記接点近くに比較的に低い電界を生成する前記請求項８記載の電気コネクタ。
【請求項１２】
前記信号接点の差動信号ペアはその間に間隙を有し、さらに、前記信号ペアは、前記間隙に比較的高い電界と、隣接する信号接点近くに比較的に低い電界とを生成する前記請求項１１記載の電気コネクタ。
【請求項１３】
前記隣接する信号接点は、前記第１リニア接点アレイにある前記請求項１２記載の電気コネクタ。
【請求項１４】
前記隣接する信号接点は、隣接するリニア接点アレイにある前記請求項１２記載の電気コネクタ。
【請求項１５】
前記隣接するリニア接点アレイは、前記第１リニア接点アレイに関連して互い違いに配置される前記請求項１４記載の電気コネクタ。
【請求項１６】
前記差動信号ペアは、約９０−１１０オームの差動インピーダンスを有する前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項１７】
前記非平衡終端された信号導体は、約４０−７０オームの非平衡終端インピーダンスを有する前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項１８】
前記差動信号ペア接点の少なくとも１つは、５ＧＨｚ近辺で約０.７ｄＢ以下の挿入損失を有する前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項１９】
前記差動信号ペアで測定されたマルチアクティブ近端クロストークは、ほぼ４０ピコ秒で１０−９０％の立上り時間で、約３％以下である前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項２０】
非平衡終端された信号導体で測定されたマルチアクティブ近端クロストークは、ほぼ１５０ピコ秒で２０−８０％の立上り時間で、約５から８％以下である前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項２１】
差動信号ペアで測定されたマルチアクティブ遠端クロストークは、ほぼ４０ピコ秒で１０−９０％の立上り時間で、約４％以下である前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項２２】
非平衡終端された信号導体で測定されたマルチアクティブ遠端クロストークは、ほぼ１５０ピコ秒で２０−８０％の立上り時間で、約３％以下である前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項２３】
行内において制限されたクロストークがある前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項２４】
クロストークは、隣接する接点間の間隙幅に対する接点幅の比の結果として制限される前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項２５】
非平衡終端された信号導体の少なくとも１つは、ほぼ４ＧＨｚで２ｄＢ以下の挿入損失を有する前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項２６】
電気的に導電性の接点のリニア接点アレイと、その中に接点が少なくとも部分的に延びるリードフレームとを有してなり、前記接点の少なくとも１つは、あらゆるシールドプレートまたは隣接するリードフレームの欠如で、受入れ可能なノイズレベルを有する電気信号を搬送する信号接点である電気コネクタ。
【請求項２７】
行内に制限されたクロストークがある前記請求項２６記載の電気コネクタ。
【請求項２８】
電気的に導電性の接点のリニア接点アレイと、その中に前記接点が少なくとも部分的に延びるリードフレームとを有してなり、その電気コネクタは、金属シールドを欠如しており、かつ、前記リニア接点アレイは、隣接するリードフレームの存否に無関係に、所望レベルのインピーダンスおよびクロストークの範囲内で、独立したコネクタ装置として機能する電気コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
【数１２】
2007501567.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
図９は、この発明の一実施例に従った別の交差偏波割当を示している。図９に示すように、２つの３セクタ半球、すなわち「前方」半球９０２と「後方」半球９０４とは、半球内のどのセクタも４チャネルより近くはないよう、チャネル割当を有している。しかしながら、図示された実施例では、交差半球セクタは２チャネルと同じだけ近くなり得る。たとえば、図９に示すように、前方半球９０２のセクタ３はチャネル１を使用しており、後方半球９０４のセクタ５はチャネル３を使用している。セクタ３とセクタ５とはたった１つのセクタ、セクタ４によって分離されており、チャネル１とチャネル３とは互いから２チャネル内にある。しかしながら、前方半球９０２のセクタ３は＋１偏波で偏波され、一方、後方半球９０４のセクタ５は＋１偏波で偏波されているため、セクタ３およびセクタ５はチャネル１およびチャネル３を実質的な干渉なく使用できる。図９に示す実施例では、偏波割当は、前方半球９０２の全セクタが後方半球９０４に対して交差偏波されているが、１つの半球内のセクタは一致する偏波を有するようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
図１１Ｂは、この発明の一実施例に従って設定されたパッチ要素１１０４を示すブロック図である。この実施例では、パッチ要素１１０４は二重周波数で、放射要素１１０８を含む。放射要素１１０８は概して「Ｔ」字型であり、低周波数動作用の長いマイクロストリップ１１１０と、高周波数動作用の短いマイクロストリップ１１１２とを含む。２つのマイクロストリップ１１１０、１１１２はこの発明によって必要とされてはおらず、単一の周波数帯域での通信が必要とされる場合には、実現化例によってはマイクロストリップを１つだけ有していてもよい。「Ｔ」字型の放射要素１１０８を２帯域アプリケーションで使用するのに代えて、２つの別個のパッチ要素を使用してもよく、この場合、パッチ要素のうちの一方は、高周波数マイクロストリップを含む小さなパッチ要素であり、他方のより大きなパッチ要素は低周波数マイクロチップを含む。この場合、より小さな高周波数パッチ要素は、より大きな、より低い周波数のパッチ要素の上部に吊るされてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャナであって、
文書を移動させる搬送機構と、
前記文書の前縁および後縁を検出するセンサと、
前記文書をスキャンし、前記文書の前縁を検出し、かつ前記文書の後縁を検出するカメラと、
１）前記カメラが前記カメラのフィールド内で前記文書を検出すると、前記カメラからディジタル信号を受信し、
２）前記センサが前記センサのフィールド内で前記文書を検出すると、前記センサからディジタル信号を受信するコントローラとを含み、前記コントローラは、
１）前記センサまたは前記カメラのいずれかによって前記文書の前縁が検出されると画像の取り込みを開始し、前記センサまたは前記カメラのいずれかによって前記文書の後縁が検出されると画像の取り込みを停止し、
２）前記センサまたは前記カメラのいずれかによって前記文書の前縁が検出されると駆動機構を停止させ、前記センサおよび前記カメラの両方によって前記文書の後縁が検出されると前記駆動機構を起動させるスキャナ。
【請求項２】
請求項１に記載のスキャナにおいて、前記画像の取り込みは、前記カメラが所定の光レベルを超える特定範囲の画素を検出すると開始されるスキャナ。
【請求項３】
請求項１に記載のスキャナにおいて、前記画像の取り込みは、前記カメラが所定の光レベル未満の特定範囲の画素を検出すると終了するスキャナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
現在の自動文書フィーダ付きプロダクションスキャナは、正しく給紙および画像形成することが可能な文書の種類に制約がある。例えば文書に穴や破損があると、紙詰まりする場合や、１つの画像を所望にするのに複数の画像を形成する場合がある。また文書に欠けがありＬ字型の文書になっていると、現在のプロダクションスキャナでは、次の文書を早く送りすぎて、画像中に文書の切除部分が生じるか、または現在の画像中に次の文書の一部が含まれてしまうことが多い。他の例では、特に文書の端に穿孔のある文書は、センサおよびプロセッサのアルゴリズムを混乱させ、紙詰まり状態を発生しうる。また、文書が極端な角度で給紙されると、通常、角部が切り取られる等、文書の一部が欠けた画像が形成されてしまう。文書が三角形または折り畳まれている場合も同様の結果を生じうる。このような類の文書給紙の問題は自動文書スキャナの誤動作を引き起こす。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
ダイ内に形成され、かつ所定の機能を実行するように構成されたアクティブ回路の機能ブロックと、
前記ダイの上面の一部を覆うパシベーション層と、
実質的に前記ダイの中央領域内に配置された検査プローブを受ける検査パッド構造であって、前記パシベーション層上にはなく直接に前記機能ブロックに到達する第１部分と、前記パシベーション層上にあり前記機能ブロックの検査の間に触針されているように構成された第２部分とを含む検査パッド構造と、
を備える集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路であって、更に、
前記ダイの周囲に沿った複数のボンド・パッドと、
前記検査パッド構造の前記第１部分のために、前記パシベーション層を貫通して形成されたビアと、
を備える集積回路。
【請求項３】
請求項２に記載の集積回路において、前記ボンド・パッドは、少なくとも２組の信号のために構成されており、第１組の信号は、前記周辺領域上の金属層パッドと共に用いるためにのみ設けられ、第２組の信号は、前記周辺領域上の金属層パッドおよび前記検査パッド構造の双方と共に用いるために設けられ、前記第２組の信号が、前記機能ブロックの検査を行うのに十分である、集積回路。
【請求項４】
集積回路であって、
ダイ内部に形成され、所定の機能を実行するように構成された回路の機能ブロックと、
前記ダイの上面の一部を覆うパシベーション層と、
前記ダイの周辺領域に配され、かつ第１組の機能および第２組の機能のために構成された複数のボンド・パッドであって、前記第１組の機能が前記ボンド・パッド専用である、ボンド・パッドと、
前記パシベーション層の一部の上に位置し、かつ前記ダイの中央領域内部に配された複数の検査パッドであって、前記第２組の機能のためにあり、該第２組の機能が前記機能ブロックの検査のためにある、複数の検査パッドと、
を備える集積回路。
【請求項５】
集積回路の製造方法であって、
ダイ内部に能動回路の機能ブロックを形成することであって、前記能動回路の機能ブロックは所定の機能を実行するように構成されている、形成すること、
前記ダイの上面の一部を覆うパシベーション層を形成すること、
前記パシベーション層の一部を実質的に覆い、かつ前記ダイの中央領域内に配される検査パッド構造を形成することを備え、前記検査パッド構造を形成することは、前記機能ブロックに直接に到達する前記検査パッド構造の第１部分を形成すること、前記機能ブロックの検査の間に触針されるための前記検査パッド構造の別の部分を形成することを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハ上のレイヤにプラズマエッチングを施す装置であって、
流体の移動が可能にガス源と連通し容量的に結合されたプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に設けられた第１電極と、
前記第１電極から間隔を置いて対向する第２電極と、
前記第１および第２電極のうちの少なくとも一方に電気的に接続され、約１５０ｋＨｚから約１０ＭＨｚの間の高周波電力を供給する第１高周波電源と、
前記第１および第２電極のうちの少なくとも一方に電気的に接続され、約１２ＭＨｚから約２００ＭＨｚの間の高周波電力を供給する第２高周波電源と、
前記第１高周波電源に制御可能に接続され、前記第１高周波電源の供給電力を約１ｋＨｚから約１００ｋＨｚの間の周波数に変調する制御を行う第１変調制御器と
を備える装置。
【請求項２】
前記第１電極と前記第２電極との間の間隔と、前記ウェーハの直径との比が、１：１０から１：４０との間になるように、前記第２電極は前記第１電極から離されている請求項１記載の装置。
【請求項３】
更に、前記第２高周波電源に制御可能に接続され、前記第２高周波電源の供給電力を約１ｋＨｚから約１００ｋＨｚの間の周波数に変調する制御を行う第２変調制御器を備える請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
前記第１電極と前記第２電極との間の間隔は、８ｃｍ未満である請求項１ないし３のいずれか記載の装置。
【請求項５】
前記第２高周波電源の周波数は、前記第１高周波電源の周波数の１０倍より大きい請求項１ないし４のいずれか記載の装置。
【請求項６】
更に、前記プロセスチャンバ内に設けられ、前記ウェーハの周囲にプラズマ空間を画定する閉じ込めリングを備える請求項１ないし５のいずれか記載の装置。
【請求項７】
更に、前記第１変調制御器および前記第２変調制御器に制御可能に接続されたコントローラを備える請求項３記載の装置。
【請求項８】
ウェーハ上のレイヤにプラズマエッチングを施す装置であって、
流体の移動が可能にガス源と連通し容量的に結合されたプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に設けられた第１電極と、
前記第１電極から間隔を置いて対向し、前記第１電極との間に前記ウェーハをマウント可能な第２電極であって、前記第１電極と前記第２電極との間の間隔に対する前記ウェーハの直径のアスペクト比は、６：１から６０：１の間である第２電極と、
前記第１および第２電極のうちの少なくとも一方に電気的に接続され、第１周波数で電力信号を供給する第１高周波電源と、
前記第１および第２電極のうちの少なくとも一方に電気的に接続され、前記第１高周波と異なる第２周波数で電力信号を供給する第２高周波電源と、
前記第１高周波電源に制御可能に接続され、前記第１高周波電源の電力信号を約１ｋＨｚから約１００ｋＨｚの間の周波数に変調する制御を行う第１変調制御器と、
前記第２高周波電源に制御可能に接続され、前記第２高周波電源の電力信号を約１ｋＨｚから約１００ｋＨｚの間の周波数に変調する制御を行う第２変調制御器と
を備える装置。
【請求項９】
前記第１電極と前記第２電極との間の間隔は、８ｃｍ未満である請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記第２高周波電源の周波数は、前記第１高周波電源の周波数の１０倍より大きい請求項８または９記載の装置。
【請求項１１】
更に、前記プロセスチャンバ内に設けられ、前記ウェーハの周囲にプラズマ空間を画定する閉じ込めリングを備える請求項８ないし１０のいずれか記載の装置。
【請求項１２】
更に、前記第１変調制御器および前記第２変調制御器に制御可能に接続されたコントローラを備える請求項８ないし１１のいずれか記載の装置。
【請求項１３】
ウェーハ上のレイヤをエッチングする方法であって、
容量的に結合されたプロセスチャンバ内に前記ウェーハを配置する工程と、
前記プロセスチャンバ内にエッチングガスを供給する工程と、
容量的に結合される第１高周波信号を、前記プロセスチャンバ内に供給する工程と、
前記第１高周波信号を変調する工程と、
容量的に結合される第２高周波信号を、前記プロセスチャンバ内に供給する工程と、
前記第２高周波信号を変調する工程と
を備える方法。
【請求項１４】
前記第２高周波信号の周波数は、前記第１高周波信号の周波数の１０倍より大きい請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４記載の方法であって、
前記第１高周波信号を変調する工程は、前記第１高周波信号を約１ｋＨｚから約１００ｋＨｚの間の周波数に変調する工程であり、
前記第２高周波信号を変調する工程は、前記第２高周波信号を約１ｋＨｚから約１００ｋＨｚの間の周波数に変調する工程である方法。
【請求項１６】
請求項１３ないし１５のいずれか記載の方法によって形成された半導体デバイス。
【請求項１７】
請求項３または８記載の装置であって、
前記第２電極は、ウェーハを保持する機構を含み、
前記第１高周波電源および第２高周波電源は、前記第２電極に電気的に接続され、
第１変調制御器および第２変調制御器は、前記第２電極に対して周波数変調を行う装置。
【請求項１８】
前記第１の電極は接地される請求項１ないし７および１７のいずれか記載の装置。
【請求項１９】
前記第１電極と前記第２電極との間の間隔と、前記ウェーハの直径との比が、１：１０から１：４０となるように、前記第２電極は前記第１電極から離されている請求項１ないし７および１７，１８のいずれか記載の装置。
【請求項２０】
前記第１電極と前記第２電極との間の間隔に対する前記ウェーハの直径のアスペクト比は、１０：１から４０：１の間である請求項８記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月2日(2007.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノワイヤ−材料複合体を生成する方法であって、
（ａ）混合物を生成するようナノワイヤを材料と接触させる工程と、
（ｂ）ナノワイヤ−材料複合体を生成するよう基板上に該混合物を堆積する工程と、を備える方法。
【請求項２】
前記基板が、半導体、ガラス、セラミック、ポリマー、金属、または、その複合体である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板が、チューブの内表面および外表面の一方または両方である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板が、網状のマクロ多孔質金属、酸化物、または、セラミックである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記材料が、ポリマーと溶媒の混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記材料が、ニート・ポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記材料が、少なくとも二つ以上のエポキシ・プレポリマーの混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記材料が、単量体と開始剤の混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記工程（ｂ）の後に、前記複合体を硬化する工程を更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記硬化する工程が、前記複合体から溶媒を除去する工程、または、前記材料を重合する工程を包含する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
独立したナノワイヤ−材料複合体を生成するよう前記基板から前記ナノワイヤ−材料複合体を分離する工程を更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ナノワイヤを整列させるよう前記複合体に電場を印加する工程を更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ナノワイヤ−材料複合体の表面に対して垂直に前記ナノワイヤを整列させるよう前記複合体に約１０−３０００Ｖ／ｃｍのｄｃ場を印加する工程を更に備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ナノワイヤアレイを形成する方法であって、
ナノワイヤ−材料複合体を提供する工程と、
マスクされた複合体を生成するよう該ナノワイヤ−材料複合体にパターンを有するマスクを適用する工程と、
材料の一部分に埋め込まれた該ナノワイヤを露出させ、該ナノワイヤ−材料複合体に露出されたナノワイヤのアレイを形成するよう該複合体から該材料の一部分を除去する工程と、を包含する方法。
【請求項１５】
前記マスクが金属箔を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記マスクが、前記材料の選択的な除去を可能にするパターンを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記パターンが、円形、正方形、長方形、または、三角形のアレイを有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記パターンが、不規則なパターンを有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記除去する工程が、プラズマ・エッチングまたは有機溶媒を用いて前記材料を除去する工程を包含する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１４に記載の方法により調製された、ナノワイヤアレイ。
【請求項２１】
高容量コンデンサを作製する方法であって、
独立したナノワイヤ−材料複合体を提供する工程と、
該複合体の両表面に金属を堆積する工程と、
コンデンサ・フィルムを形成するよう金属表面に絶縁体を堆積する工程と、
コンデンサを組み立てる工程と、を包含する方法。
【請求項２２】
前記金属が、ニッケル、銅、銀、金、または、白金を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記絶縁体が酸化アルミニウムである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記組み立てる工程が、リード線を前記金属表面に取り付ける工程を包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記組み立てる工程が、更に、
前記コンデンサ・フィルムを巻く工程、および、
前記巻かれたコンデンサ・フィルムを缶に密閉する工程を包含する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記複合体における前記ナノワイヤが、前記複合体の表面に対して実質的に垂直に方向付けられる、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
請求項２１の方法により作製された、高容量コンデンサ。
【請求項２８】
高容量コンデンサを作製する方法であって、
片側が絶縁体でコーティングされた金属箔を提供する工程と、
該絶縁体の一部分に金のナノ粒子を堆積する工程と、
該一部分にナノワイヤを成長させる工程と、
該ナノワイヤを埋め込みナノワイヤ−材料複合体を生成するよう該一部分上に材料を堆積する工程と、
コンデンサ・フィルムを形成するよう該ナノワイヤ−材料複合体に金属を堆積する工程と、
該コンデンサを組み立てる工程と、を包含する方法。
【請求項２９】
前記金属がアルミニウムであり、前記絶縁体が酸化アルミニウムである、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記ナノ粒子が約１ｎｍ〜約５０ｎｍの直径を有する金のナノ粒子である、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記ナノワイヤが、前記絶縁体の表面に対して垂直に成長される、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
前記堆積工程の後に、前記材料を硬化する工程を更に備える、請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
前記硬化する工程が、溶媒を除去する工程、または、前記材料を重合する工程を包含する、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記組み立てする工程が、更に、
両金属表面にリード線を取り付ける工程、
前記コンデンサ・フィルムを巻く工程、および、
前記巻かれたコンデンサ・フィルムを缶に密閉する工程を包含する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３５】
請求項２８に記載の方法により作製された、高容量コンデンサ。
【請求項３６】
管状のナノワイヤ−材料複合体を生成する方法であって、
混合物を生成するようナノワイヤを材料と接触させる工程と、
管状のナノワイヤ−材料複合体を生成するよう前記混合物を押し出す工程と、を包含する方法。
【請求項３７】
前記ナノワイヤの一部分を露出するよう前記管状のナノワイヤ−材料複合体の内表面および外表面の一方または両方から前記材料の一部分を除去する工程を更に包含する、請求項３６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されるとともに、第１フィンアスペクト比を有する第１フィンを含む、前記絶縁層上に形成される第１デバイスと、
前記絶縁層上に形成されるとともに、前記第１フィンアスペクト比と異なる第２フィンアスペクト比を有する第２フィンを含む、前記絶縁層上に形成される第２デバイスと、
を含む、半導体デバイス。
【請求項２】
前記第１デバイスは、
前記第１フィンの４つの面上に形成される第１ゲート絶縁層と、
前記第１フィンの４つの面上に、前記第１ゲート絶縁層と隣接して形成される第１ゲート材料層と、
をさらに含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第１デバイスはＮＭＯＳデバイスであり、前記第２デバイスはＰＭＯＳデバイスである、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記第１デバイスおよび前記第２デバイスは、単一の回路素子に含まれる、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１デバイスの前記第１フィンの第１キャリア移動度は、前記第２デバイスの前記第２フィンの第２キャリア移動度と異なる、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記第２デバイスは、
前記第２フィンの少なくとも３つの面上に形成される第２ゲート絶縁層と、
前記第２フィンの少なくとも３つの面上に形成される第２ゲート材料層と、
をさらに含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記第２ゲート絶縁層と前記第２ゲート材料層は、前記第２フィンの４つの面上に形成される、請求項６記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１フィンアスペクト比および前記第２フィンアスペクト比は、それぞれ前記第１フィンの第１キャリア移動度および前記第２フィンの第２キャリア移動度を生成するようになっており、
前記第１キャリア移動度は、前記第２キャリア移動度と異なる、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記第１フィンは、第１高さおよび第１幅を有しており、
前記第１デバイスは、前記第１フィンの少なくとも３つの面上に形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層に隣接する第１ゲートと、をさらに含んでおり、
前記第２フィンは、第２高さおよび第２幅を有しており、
前記第２デバイスは、前記第２フィンの少なくとも３つの面上に形成される第２絶縁層と、前記第２ゲート絶縁層に隣接する第２ゲートと、をさらに含んでおり、
前記第１高さと前記第１幅の第１比は、前記第２高さと前記第２幅の第２比と異なる、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記絶縁層上に形成され、第３高さおよび第３幅を有する第３フィン、前記第３フィンの少なくとも３つの面上に形成される第３ゲート絶縁層、および前記第３ゲート絶縁層に隣接する第３ゲートを含む、前記絶縁層上に形成される第３デバイスをさらに含んでおり、
前記第３高さと前記第３幅の第３比は、前記第１比および前記第２比と異なる、請求項９記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記第１デバイスは、前記絶縁層上に形成され、第１高さおよび第１幅を有する第１フィンを含む、Ｎ型デバイスであり、
前記第２デバイスは、前記絶縁層上に形成され、第２高さおよび第２幅を有する第２フィンを含む、Ｐ型デバイスであり、
前記Ｎ型デバイスのキャリア移動度が前記Ｐ型デバイスのキャリア移動度とほぼ等しいように、前記第１高さおよび前記第２高さが形成される、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、第１高さおよび第１幅を有する第１フィン、前記第１フィンの少なくとも３つの面上に形成される第１ゲート絶縁層、および前記第１ゲート絶縁層に隣接する第１ゲートを含む、前記絶縁層上に形成される第１デバイスと、
前記絶縁層上に形成され、第２高さおよび第２幅を有する第２フィン、前記第２フィンの少なくとも３つの面上に形成される第２ゲート絶縁層、および前記第２ゲート絶縁層に隣接する第２ゲートを含む、前記絶縁層上に形成される第２デバイスと、
を含み、前記第１高さと前記第１幅の第１比は、前記第２高さと前記第２幅の第２比と異なる、
半導体デバイス。
【請求項１３】
前記第１比は、前記第１フィンについての第１キャリア移動度を生成するように選択され、前記第２比は、前記第２フィンについての第２キャリア移動度を生成するように選択される、
請求項１２記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記第１デバイスはＮＭＯＳデバイスであり、前記第２デバイスはＰＭＯＳデバイスである、請求項１２記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記第１デバイスおよび前記第２デバイスは、単一の回路素子に含まれる、請求項１２記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記第１デバイスの前記第１フィンの第１キャリア移動度は、前記第２デバイスの前記第２フィンの第２キャリア移動度とほぼ等しい、請求項１２記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記第１デバイスは、πゲートＦｉｎＦＥＴ、ｕゲートＦｉｎＦＥＴ、またはラウンドゲートＦｉｎＦＥＴである、請求項１２記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記第２デバイスは、πゲートＦｉｎＦＥＴ、ｕゲートＦｉｎＦＥＴ、またはラウンドゲートＦｉｎＦＥＴである、請求項１７記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記絶縁層上に形成され、第３高さおよび第３幅を有する第３フィン、前記第３フィンの少なくとも３つの面上に形成される第３ゲート絶縁層、および前記第３ゲート絶縁層に隣接する第３ゲートを含む、前記絶縁層上に形成される第３デバイスをさらに含んでおり、
前記第３高さと前記第３幅の第３比は、前記第１比および前記第２比と異なる、請求項１２記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
前記第３比は、前記第３フィンについての第３キャリア移動度を生成するように選択され、前記第３キャリア移動度は、前記第１キャリア移動度または第２キャリア移動度の少なくとも一方と異なる、
請求項１９記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記第１キャリア移動度は、前記第２キャリア移動度と異なる、請求項１２記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
前記第１高さおよび前記第２高さのそれぞれは、約３００Åから約１５００Åの間である、請求項１２記載の半導体デバイス。
【請求項２３】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、第１高さおよび第１幅を有する第１フィンを含む、前記絶縁層上に形成されるＮ型デバイスと、
前記絶縁層上に形成され、第２高さおよび第２幅を有する第２フィンを含む、前記絶縁層上に形成されるＰ型デバイスと、
を含んでおり、
前記第２幅は、前記第１幅の所定倍であり、
前記Ｎ型デバイスのキャリア移動度が前記Ｐ型デバイスのキャリア移動度とほぼ等しいように、前記第１高さおよび前記第２高さが形成される、
半導体デバイス。
【請求項２４】
前記第２幅は、前記第１幅の約２倍である、請求項２３記載の半導体デバイス。
【請求項２５】
前記第２幅は、前記第１幅の約１．５倍である、請求項２３記載の半導体デバイス。
【請求項２６】
前記Ｎ型デバイスおよび前記Ｐ型デバイスは、πゲートＦｉｎＦＥＴ、ｕゲートＦｉｎＦＥＴ、またはラウンドゲートＦｉｎＦＥＴである、請求項２３記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
電気通信システムにおいては、通信チャンネルを介して情報を送るために上記情報は変調される必要があり、言い替えれば情報はチャンネルに合うように適応されかつ整合される必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月1日(2007.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３端子デバイスと、
前記３端子デバイスの第１の端子と第２の端子とに跨って結合され、該３端子デバイスをバイアスするとともに、該３端子デバイスによって発生した選択量の位相ノイズを該３端子デバイスにフィードバックして該３端子デバイスの第３の端子に存在する比例量の位相ノイズを低減する働きをする第１の回路と、
前記３端子デバイスの第３の端子に結合された第１のフィルタおよび第２のフィルタと、
を具備することを特徴とする発振器。
【請求項２】
前記３端子デバイスの第２の端子に結合されて該３端子デバイスへの入力を提供する働きをする共振器を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項３】
前記３端子デバイスはバイポーラトランジスタから成り、該３端子デバイスの第１、第２および第３の端子はそれぞれ、前記バイポーラトランジスタのコレクタノード、ベースノードおよびエミッタノードを成す、ことを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項４】
前記３端子デバイスは電界効果型トランジスタから成り、該３端子デバイスの第１、第２および第３の端子はそれぞれ、電界効果型トランジスタのコレクタノード、ベースノードおよびエミッタノードを成す、ことを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項５】
前記３端子デバイスの第２の端子と第３の端子とに跨って結合されて、当該発振器の動作中における該３端子デバイスの熱ドリフトを制御する働きをする第２の回路を更に具備する、ことを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項６】
前記３端子デバイスは、該３端子デバイスの第１の端子および第２の端子の間の１８０°位相シフトを提供する働きをすることを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項７】
前記第１のフィルタは、時定数が動作の基本周波数に調整されたＬＣフィルタから成ること特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項８】
前記第２のフィルタは、時定数が動作の基本周波数に調整されたＲＣフィルタから成ることを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項９】
前記３端子デバイスの第２の端子に結合されて、当該発振器の異なる動作周波数を選択する働きをする共振器・同調サブ回路を更に具備する、ことを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項１０】
前記第２の回路は、前記３端子デバイスの第２の端子に結合された第１のフィードバックコンデンサと、前記第１のフィードバックコンデンサと前記３端子デバイスの第３の端子とに結合された温度補償抵抗と、前記第１のフィードバックコンデンサと前記温度補償抵抗との間に結合されかつ接地された第２のフィードバックコンデンサと、を具備する、ことを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項１１】
前記第１の回路は、当該発振器の動作温度範囲にわたって前記３端子デバイスの第１の端子において実質的に一定のバイアス電圧を維持する、ことを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項１２】
前記３端子デバイスの第２の端子に結合されて該３端子デバイスへの入力を提供する働きをする１対の共振器を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項１３】
ネットワーク通信装置であって、
前記通信装置からまたは当該通信装置へ伝達される情報を伝送または再生するために使用されるクロック信号を発生するための位相ロックループを具備し、
前記位相ロックループは、前記クロック信号を発生するための電圧制御発振器を含み、前記電圧制御発振器は、
３端子デバイスと、
前記３端子デバイスの第１の端子と第２の端子とに跨って結合され、該３端子デバイスをバイアスするとともに、該３端子デバイスによって発生した選択量の位相ノイズを該３端子デバイスにフィードバックして該３端子デバイスの第３の端子に存在する比例量の位相ノイズを低減する働きをする第１の回路と、
前記３端子デバイスの第２の端子と第３の端子とに跨って結合され、当該発振器の動作中における前記３端子デバイスの熱ドリフトを制御する働きをする第２の回路と、
前記３端子デバイスの第３の端子に結合される再生２段フィルタを提供する働きをする手段と、
を具備する、ことを特徴とするネットワーク通信装置。
【請求項１４】
前記電圧制御発振器は、前記第２の端子に結合されて前記３端子デバイスへの入力を提供する働きをする共振器を更に具備する、ことを特徴とする請求項１３に記載のネットワーク通信装置。
【請求項１５】
前記３端子デバイスはバイポーラトランジスタから成り、該３端子デバイスの第１、第２および第３の端子はそれぞれ、前記バイポーラトランジスタのコレクタノード、ベースノードおよびエミッタノードを成す、ことを特徴とする請求項１３に記載のネットワーク通信装置。
【請求項１６】
前記３端子デバイスは電界効果型トランジスタから成り、該３端子デバイスの第１、第２および第３の端子はそれぞれ、前記電界効果型トランジスタのコレクタノード、ベースノードおよびエミッタノードを成す、ことを特徴とする請求項１３に記載のネットワーク通信装置。
【請求項１７】
前記３端子デバイスは、その第１および第２の端子の間の１８０°位相シフトを提供する働きをすることを特徴とする請求項１３に記載のネットワーク通信装置。
【請求項１８】
セルラ携帯無線電話機であって、
前記セルラ携帯無線電話機からまたは当該セルラ携帯無線電話機へ伝達される情報を伝送または再生するために使用されるクロック信号を発生するための位相ロックループを具備し、
前記位相ロックループは、前記クロック信号を発生するための電圧制御発振器を含み、前記電圧制御発振器は、
３端子デバイスと、
前記３端子デバイスの第１の端子と第２の端子とに跨って結合され、該３端子デバイスをバイアスするとともに、該３端子デバイスによって発生した選択量の位相ノイズを該３端子デバイスにフィードバックして該３端子デバイスの第３の端子に存在する比例量の位相ノイズを低減する働きをする第１の回路と、
前記３端子デバイスの第２の端子と第３の端子とに跨って結合され、当該発振器の動作中における前記３端子デバイスの熱ドリフトを制御する働きをする第２の回路と、
前記３端子デバイスの第３の端子に結合された第１のフィルタおよび第２のフィルタと、
を具備する、ことを特徴とするセルラ携帯無線電話機。
【請求項１９】
プッシュプッシュ構成で前記３端子デバイスに結合された追加の３端子デバイスを更に備える、ことを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【請求項２０】
前記追加の３端子デバイスは、互いに結合された複数の共振器を介して前記３端子デバイスに結合される、ことを特徴とする請求項１９に記載の発振器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
プロセッサにより実行されたときに、請求項１乃至５のいずれか記載の方法を実現するためのプログラム命令を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閃光分光法による遠距離化学物質検出システムにおいて、
光源、
パラメトリック装置であって、前記パラメトリック装置の縮退点において前記光源からポンピング波を受信するように構成されたパラメトリック装置、
前記パラメトリック装置によって発生され、遠隔地に送波される、広帯域出力、及び
前記遠隔地から前記広帯域出力を受信し、吸収スペクトルをつくるように動作できる分光計、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記広帯域出力は、半値全幅値が広帯域出力中心波長の約５％から約２５％である帯域幅または線幅を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記広帯域出力は、半値全幅値が２００ｃｍ−１より広い帯域幅または線幅を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ポンピング波が前記広帯域出力中心波長の約１/２に等しい中心波長を有することを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記広帯域出力がアイドラー波及び信号波を含み、前記アイドラー波及び前記信号波の内の１つの中心波長が約８μｍから約１２μｍの間にあることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記広帯域出力がアイドラー波及び信号波を含み、前記アイドラー波及び前記信号波の内の１つの中心波長が約３μｍから約５μｍの間にあることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記分光計が、前記広帯域出力を受信し、前記広帯域出力が前記遠隔地から受信された後に前記広帯域出力を複数のサブバンドに分散させるように構成された光分散素子を備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記分光計が前記サブバンドを受信するように構成された検出器アレイを備え、前記検出器アレイが前記サブバンドから多重吸収スペクトルをつくるように動作できることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記検出器アレイが２Ｄアレイを含むことを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
既知の化学剤に対応する整合フィルタをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ポンピング波が約４μｍから約５μｍの間の波長を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記光源が一酸化炭素ガスレーザまたは二酸化炭素ガスレーザを有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記光源がダイオードレーザを有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記光源が、４.５μｍの波長を有するポンピング波を発生する量子多段ダイオードレーザおよびＡｌＩｎＡｓ/ＩｎＧａＡｓ量子多段ダイオードレーザからなる群より選択されることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記パラメトリック装置が、ヒ化カドミウムゲルマニウム（ＣｄＧｅＡｓ２）、セレン化銀ガリウム（ＡｇＧａＳｅ２）、および周期的双晶ヒ化ガリウム（ＰＴＧａＡｓ）からなる群より選択される材料でつくられることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記検出器アレイが量子井戸赤外光検出器（ＱＷＩＰ）を有することを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１７】
遠距離化学物質検出方法において、
縮退点に構成されたパラメトリック装置にポンピング波を供給する工程、
広帯域出力を発生させる工程、
化学剤がある遠隔地に前記広帯域出力を向ける工程、
前記遠隔地からの前記広帯域出力を検出する工程、及び
前記化学剤の化学吸収スペクトルをつくる工程、
を有してなることを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記検出する工程が、前記広帯域出力を２つまたはそれより多くのサブバンドに分散させる工程、および前記２つまたはそれより多くのサブバンドのそれぞれの強度を検出する工程をさらに含み、
前記化学吸収スペクトルをつくる前記工程が前記２つまたはそれより多くのサブバンドの前記強度を多重化する工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記化学吸収スペクトルを１つまたはそれより多くの既知の吸収スペクトルと比較する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スラブゲル電気泳動向けの電気泳動用ヒドロゲルの低蛍光性担体フィルムとしての次式のポリマーの使用であって、上記担体フィルムに、酸素バリア層及びゲル接着剤として機能する材料の上層が設けられているか又は積層されており、該上層がフィルムとヒドロゲルの間に設けられている、使用。
【化１】
2007501409.tif 000001
式中、
ｎ＝０〜１０００００
ｍ＝０〜１０００００であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、メチル基、又はエチル、エテニル、プロピル、イソプロピル、プロペニル、ブチル、枝分れブチル、ブテニル、シクロブチル、ペンチル、枝分れペンチル、ペンテニル、シクロペンチル、ヘキシル、枝分れヘキシル、シクロヘキシルなどの（枝分れ又は環状構造を含んでいてもよい）非芳香族炭化水素鎖であり；
Ｘ、Ｙはメチレン基、又はエチレン、エテニレン、プロピレン、イソプロピレン、プロペニレン、ブチレン、枝分れブチレン、ブテニレンなどの（枝分れ又は環状構造を含んでいてもよい）非芳香族炭化水素鎖であり；
Ｙは存在していなくてもよい。
【請求項２】
前記材料がアリルグリシジルアガロースである、請求項１記載の使用。
【請求項３】
２Ｄ電気泳動の二次元目のための、請求項１又は請求項２記載の使用。
【請求項４】
前記ヒドロゲルが、すぐに使用できる予め膨潤させたヒドロゲルである、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の使用。
【請求項５】
Ｒ１がＣＨ3であり、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４がＨである、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の使用。
【請求項６】
前記ポリマーが二軸延伸ポリプロピレン（ＢＯＰＰ）である、請求項５記載の使用。
【請求項７】
Ｒ１がＣｌであり、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４がＦである、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の使用。
【請求項８】
前記ポリマーが次式のものである、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の使用。
【化２】
2007501409.tif 000002
式中、
ｎが０であって、Ｒ５及びＲ６がＨであるか、
或いは
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６がＨである。
【請求項９】
前記ヒドロゲルが、電気泳動用のアガロース、アクリルアミド又はアクリルアミド誘導体である、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の使用。
【請求項１０】
前記担体に２層が設けられ又は積層されており、該２層がフィルムとヒドロゲルの間にあり、そのうち一方の層が酸素バリア材料であり、他方の層がゲル接着材料である、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の使用。
【請求項１１】
前記２層がそれぞれガラス及びシランからなる、請求項１０記載の使用。
【請求項１２】
前記ポリマーが二軸延伸ポリプロピレンであり、前記上層がアリルグリシジルアガロースであり、前記ヒドロゲルがアクリルアミドである、請求項１乃至請求項６、請求項９乃至請求項１１のいずれか１項記載の使用。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項記載の使用に従って使用される担体ポリマーフィルムとヒドロゲルとの複合材料。
【請求項１４】
二軸延伸ポリプロピレン（ＢＯＰＰ）の担体ポリマーフィルムと、アリルグリシジルアガロースのバリア層／接着層と、ポリアクリルアミドのヒドロゲルとを含む、請求項１３記載の複合材料。
【請求項１５】
ＢＯＰＰフィルムの厚さが８５μｍを超える、請求項１４記載の複合材料。
【請求項１６】
２Ｄ電気泳動用のキットであって、二次元目用の請求項１４又は請求項１５記載の複合材料と、一次元目用のＩｍｍｏｂｉｌｉｂｅ  Ｄｒｙ  ｓｔｒｉｐ（商標）とを含む２Ｄ電気泳動用キット。
【請求項１７】
前記ヒドロゲルが予め膨潤されており、当該キットがＰＰＡ緩衝剤をさらに含む、請求項１６記載のキット。