【手続補正書】
【提出日】平成19年1月5日(2007.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式
2006516031.tif 000001
（式中、
ｎは１〜５の値を有する整数であり、
各Ｒは、同じまたは異なるものであり、それぞれは独立してＤ、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ｉ−Ｃ３Ｈ７、Ｃ４Ｈ９およびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立してＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択され、かつ、
Ｒ’のそれぞれは、同じまたは異なるものであり、それぞれは独立してＤ、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルおよびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は独立してＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択され、
ただし、（ｉ）ＲおよびＲ’基のそれぞれは同時にすべてがＨではない、および（ｉｉ）Ｒ’のそれぞれがＨであり、ｎが１であるとき、両方のＲ基は同時にトリメチルシリルではない）
で表わされる化合物。
【請求項２】
Ｒ、Ｒ’の少なくとも１つが、Ｓｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立してＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ、Ｒ’の少なくとも１つが、トリメチルシリルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
ｎが、各シクロペンタジエニル環について１である、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
各シクロペンタジエニル環上のＲが、トリメチルシリルである、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
ＲおよびＲ’基のそれぞれが、独立して、Ｈ、メチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、トリメチルシリルおよびｔ−ブチルシリルから選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
ＲおよびＲ’基の少なくとも１つが、トリメチルシリルである、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
ｎが、各シクロペンタジエニル環について１である、請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
各シクロペンタジエニル環上のＲが、トリメチルシリルである、請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
ＲおよびＲ’基のそれぞれが、独立して、ＨおよびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項１１】
ｎが、各シクロペンタジエニル環について１である、請求項１０に記載の化合物。
【請求項１２】
各シクロペンタジエニル環上のＲが、トリメチルシリルである、請求項１１に記載の化合物。
【請求項１３】
各Ｒが、Ｈである、請求項１１に記載の化合物。
【請求項１４】
Ｒ’の少なくとも１つが、Ｓｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）である、請求項１３に記載の化合物。
【請求項１５】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の１つが、Ｓｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）である、請求項１４に記載の化合物。
【請求項１６】
Ｓｉ（Ｒ”）３が、アルキルシリルである、請求項１５に記載の化合物。
【請求項１７】
前記アルキルシリルが、ｔ−ブチルシリルである、請求項１６に記載の化合物。
【請求項１８】
下記式
【化２】
2006516031.tif 000002
（式中、ＴＭＳはトリメチルシリルであり、かつ、Ｒ’は、Ｄ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルおよびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択される）
で表わされる化合物。
【請求項１９】
下記式
【化３】
2006516031.tif 000003
で表わされる化合物。
【請求項２０】
基板を、タンタル前駆体の蒸気と化学蒸着条件下で接触させる工程を含む、基板上へのタンタル含有材料の形成方法であって、前記タンタル前駆体が、下記式
【化４】
2006516031.tif 000004
（式中、
ｎは１〜５の値を有する整数であり、
各Ｒは、同じまたは異なるものであり、それぞれは独立して、Ｄ、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ｉ−Ｃ３Ｈ７、Ｃ４Ｈ９およびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択され、かつ、
Ｒ’のそれぞれは、同じまたは異なるものであり、それぞれは独立して、Ｄ、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルおよびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は独立してＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択され、
ただし、（ｉ）ＲおよびＲ’基のそれぞれは同時にすべてがＨではない、および（ｉｉ）Ｒ’のそれぞれがＨであり、ｎが１であるとき、両方のＲ基は同時にトリメチルシリルではない）
で表わされる化合物を含む、方法。
【請求項２１】
Ｒ’の少なくとも１つが、Ｓｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
Ｒ、Ｒ’の少なくとも１つが、トリメチルシリルである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
ｎが、各シクロペンタジエニル環について１である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
各シクロペンタジエニル環上のＲが、トリメチルシリルである、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
Ｒ基およびＲ’のそれぞれが、独立して、Ｈ、メチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、トリメチルシリルおよびｔ−ブチルシリルから選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
ＲおよびＲ’基の少なくとも１つが、トリメチルシリルである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
ｎが、各シクロペンタジエニル環について１である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
各シクロペンタジエニル環上のＲが、トリメチルシリルである、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
ＲおよびＲ’基のそれぞれが、独立して、ＨおよびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）から選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項３０】
ｎが、各シクロペンタジエニル環について１である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
各シクロペンタジエニル環上のＲが、トリメチルシリルである、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
各Ｒが、Ｈである、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
Ｒ’の少なくとも１つが、Ｓｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
Ｒ’の１つが、Ｓｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）である、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
Ｓｉ（Ｒ”）３が、アルキルシリルである、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記アルキルシリルが、ｔ−ブチルシリルである、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記前駆体が、
【化５】
2006516031.tif 000005
（式中、ＴＭＳはトリメチルシリルであり、かつ、Ｒ’は、Ｄ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルおよびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択される）
を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項３８】
前記前駆体が、
【化６】
2006516031.tif 000006
を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項３９】
前記基板は、半導体基板を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項４０】
前記基板は、マイクロエレクトロニックデバイス構造を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項４１】
前記タンタル含有材料は、シリコンドープされたタンタル材料を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項４２】
前記化学蒸着条件は、窒素雰囲気を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項４３】
前記タンタル含有材料は、ＴａＮを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項４４】
前記化学蒸着条件は、前記ＴａＮ中の窒素のための窒素源を含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記タンタル含有材料は、ＴａＳｉＮを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項４６】
前記化学蒸着条件は、前記ＴａＳｉＮ中の窒素のための窒素源を含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記基板は半導体基板であり、かつ、前記タンタル含有材料は、ＴａＮおよびＴａＳｉＮよりなる群から選択される材料を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項４８】
前記タンタル含有材料は、前記基板上での銅メタライゼーションのための拡散バリア層を形成する、請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
前記基板上での前記銅メタライゼーションは、約０．１８μｍ未満のライン寸法を有する、請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
式
［（Ｒ）ｎＣｐ］２Ｔａ（Ｒ’）３
（式中、
ｎは１〜５の値を有する整数であり、
各Ｒは、同じまたは異なるものであり、それぞれは独立して、Ｄ、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ｉ−Ｃ３Ｈ７、Ｃ４Ｈ９およびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択され、かつ、
Ｒ’のそれぞれは、同じまたは異なるものであり、それぞれは独立して、Ｄ、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルおよびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は独立してＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択される、
ただし、ＲおよびＲ’基のそれぞれは同時にすべてがＨではない）
のシクロペンタジエニルタンタル化合物の合成方法であって、
五塩化タンタルを式［（Ｒ）ｎＣｐ］２Ｌｉのシクロペンタジエニルリチウム化合物と１：２の比で、式ＮａＢＨ（Ｒ’）３のナトリウムボロハイドライド化合物の段階添加で反応させて、次式
ＴａＣｌ５＋２［（Ｒ）ｎＣｐ］Ｌｉ＋３ＮａＢＨ（Ｒ’）３→［（Ｒ）ｎＣｐ］２Ｔａ（Ｒ’）３＋Ｎａ／Ｌｉ塩  （Ａ）
に従う、前記シクロペンタジエニルタンタル化合物をもたらす工程を含む方法。
【請求項５１】
前記反応工程は、プロトン性溶媒中で行われる、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記プロトン性溶媒は、テトラヒドロフランを含む、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
前記シクロペンタジエニルタンタル化合物は、
【化７】
2006516031.tif 000007
（ここで、ＴＭＳがトリメチルシリルである）
である、請求項５０に記載の方法。
【請求項５４】
前記シクロペンタジエニルタンタル化合物をシランと反応させてシクロペンタジエニルシリルタンタル化合物を形成する工程をさらに含む、請求項５０に記載の方法。
【請求項５５】
前記シランは、アルキルシランを含む、請求項５４に記載の方法。
【請求項５６】
前記アルキルシランは、ｔ−ブチルシランを含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
前記シクロペンタジエニルシリルタンタル化合物は、
【化８】
2006516031.tif 000008
（ここで、ＴＭＳがトリメチルシリルである）
を含む、請求項５４に記載の方法。
【請求項５８】
前記シクロペンタジエニルシリルタンタル化合物は、
【化９】
2006516031.tif 000009
を含む、請求項５４に記載の方法。
【請求項５９】
請求項１に記載の化合物の蒸気を含む、タンタル前駆体蒸気。
【請求項６０】
シクロペンタジエニルタンタル化合物の合成方法であって、下記の反応を行う工程を含み、
［（Ｒ）ｎＣｐ］２ＴａＨ３＋Ｒ’Ｌｉ→（ＲＣｐ）２ＴａＨ２Ｒ’＋１／２Ｈ２ 
ここで、Ｒのそれぞれは、同じまたは異なるものであり、それぞれ独立して、Ｄ、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ｉ−Ｃ３Ｈ７、Ｃ４Ｈ９およびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は、独立して、ＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択され、かつ、
Ｒ’のそれぞれは、同じまたは異なるものであり、それぞれ独立して、Ｄ、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルおよびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は独立してＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択される、方法。
【請求項６１】
シクロペンタジエニルタンタル化合物の合成方法であって、下記の反応を行う工程を含み、
（ＲＣｐ）２ＴａＨ３＋ＲＳｉＨ３→（ＲＣｐ）２ＴａＨ２（ＲＳｉＨ２）＋Ｈ２ 
ここで、Ｒのそれぞれは、同じまたは異なるものであり、それぞれ独立して、Ｄ、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ｉ−Ｃ３Ｈ７、Ｃ４Ｈ９およびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は独立してＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択される、方法。
【請求項６２】
シクロペンタジエニルタンタル化合物の合成方法であって、下記の反応を行う工程を含み、
（ＲＣｐ）２ＴａＨ３＋２Ｒ”ＳｉＨ３→（ＲＣｐ）２ＴａＨ（Ｒ”ＳｉＨ２）２＋Ｈ２ 
ここで、Ｒのそれぞれは、同じまたは異なるものであり、それぞれ独立して、Ｄ、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ｉ−Ｃ３Ｈ７、Ｃ４Ｈ９およびＳｉ（Ｒ”）３（ここで、各Ｒ”は独立してＨおよびＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）よりなる群から選択される、方法。