Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第２の格納部２２は、データを書き換え可能な不揮発性メモリであって、ＷＷＷサーバ（図示せず）からダウンロードされたコンピュータプログラムを格納する。図示した例では、第２の格納部２２には、１個のゲーム用アプリケーションプログラム（図には単に「ゲームプログラム」と示される）Ｐ４が格納されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
次に、中断アプリケーション制御部３０２は、アラーム設定部３０４に対して、アラーム設定画面を表示するよう指示する。アラーム設定部３０４は、予め携帯電話２００に登録されているアラーム情報を使用するか、または、ユーザＡによる詳細なアラーム情報を設定するか、ユーザＡに選択を促すための確認メッセージ画面５０２を表示する（ステップＳ７０３）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
リダイヤルアラーム情報削除の確認画面６０３でユーザＡが入力を行うボタン群２０４の何れかを使用して「はい」を選択した場合（ステップＳ８０５のＹ）、アラーム削除部３１０は、中断アプリケーション制御部３０２に対して、着信データを渡し、該当するリダイヤルアラーム情報４１１を削除するよう指示する。中断アプリケーション制御部３０２は、中断アプリケーション記録部３０３に格納されているアラーム情報設定テーブル４００の中から、該当するリダイヤルアラーム情報４１１を削除し、アラーム削除部３１０に対して、削除完了を通知し、削除完了画面６０４を携帯電話２００の表示画面２０２に表示するよう指示する。アラーム削除部３１０は削除完了画面６０４を表示画面２０２に表示し、１０秒後、携帯電話２００の表示画面２０２に携帯電話２００の通常待ち受け画面６０５を表示する（ステップＳ８０６）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
ここで、アラーム削除部３１０が削除完了画面６０４から携帯電話２００の通常待ち受け画面に切り替えるまでの時間を１０秒という例で示したが、削除完了画面６０４は、ユーザＡが確認できればよいため、表示時間は任意でもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
また、第１の実施形態と同様に、第３及び第４の実施形態に係る携帯端末装置は、電話機能付きのＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、電話機能付きデジタルカメラ又は電話機能付きのカーナビゲーションシステムのようなデジタル機器に応用することが可能である。他にも、上述の携帯端末装置は、インターネットアクセスが可能なデジタル機器にも応用することが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
また、第３及び第４の実施形態における各種アプリケーションにより実現される機能及び携帯端末装置の各構成のうち、適切に選ばれたものについても、第１の実施形態で説明したように、集積回路により実現されても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
無線ネットワーク制御局（ＲＮＣ）と、ベースバンド信号処理を実行する複数のメインユニット（ＭＵ）とベースバンドと無線周波数との間での変換を行い１つ以上のアンテナにより信号を送受信する１つ以上の無線リモートユニット（ＲＲＵ）とから構成される無線基地局（ＲＢＳ或いはノードＢ）とを備えたアクセスネットワークと、複数のカバーリングセルと、移動し別のセルに徐々に近づく１つ以上のユーザ機器（ＵＥ或いは電話）とを有し、前記ネットワークは前記１つ以上のユーザ機器を認識しており、ハンドオーバ処理を開始し、前記ハンドオーバ処理の間には呼が１つのセルから前記無線基地局（ＲＢＳ或いはノードＢ）内の別のセルに、或いは前記ネットワークの別の無線基地局のセルに転送される通信システムにおける方法であって、
前記ハンドオーバ処理は、同じレイク受信機を用いて互いにソフタハンドオーバを実行可能な前記無線リモートユニット（ＲＲＵ）のリスト（ソフタハンドオーバグループ）を含むメモリと相互作用することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ハンドオーバ処理は前記リストからの選択に従って実行され、
前記ハンドオーバは、
・新しいセルが前記リスト（ソフタハンドオーバグループ）内にある場合、前記ユーザ機器（ＵＥ或いは電話）により用いられる別のセルとしてソフタハンドオーバが前記無線基地局に対して正常なものとして開始され、
・新しいセルが前記リスト（ソフタハンドオーバグループ）内にない場合、前記ユーザ機器（ＵＥ或いは電話）により用いられる別のセルとしてソフトハンドオーバが前記無線ネットワーク制御局或いは無線基地局に対して開始されるように実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月10日(2007.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチメディアデータ伝送手段を備えた複数のカメラ又は音声レコーダにより取得されたマルチメディアデータを共有する方法であって、
−マルチメディアデータと、少なくともいくつかのイベントデータとを有するマルチメディアデータ配信メッセージの受信と、
−前記イベントデータに従った識別子の各マルチメディアデータへのリンク付けと、前記マルチメディアデータの保存と、
−少なくともいくつかのイベントデータをも有するマルチメディアデータ要求の受信と、
−前記要求の前記イベントデータに対応するイベントデータに従って識別子にリンク付けされた少なくとも１つの保存マルチメディアデータの検索と、
−前記検索が少なくとも１つのマルチメディアデータを見つけた場合に、受信側への前記マルチメディアデータの送信と
を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記マルチメディアデータは、画像、ビデオクリップ、音声の記録、テキスト、及び／又はこのようなデータの何らかの組み合わせに関するデータを有する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記マルチメディアデータ配信メッセージに含まれる前記イベントデータは、前記配信メッセージの送信の位置及び日付に従って設定される方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記イベントデータは、前記マルチメディアデータ配信メッセージを送信する通信オペレータにより定められる方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
識別子での前記画像のリンク付けは、通信オペレータ又は画像共有サービスプロバイダにより実行される方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
保存マルチメディアデータの前記検索動作と、受信側へのその送信とのうち少なくとも１つは、条件付き動作である方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記マルチメディアデータ要求は、前記検索及び送信動作の実行の条件として使用可能な少なくとも１つのデータを有する方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
実行の条件として使用可能な前記データは、前記画像要求に含まれるイベントデータである方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記配信メッセージ及びマルチメディアデータ要求は、内蔵の画像センサを備えた携帯電話のように、通信ネットワークへの接続を備えたカメラ／音声レコーダからのものである方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記画像要求は、画像又はビデオに適した視聴画面を備えた携帯電話のように、通信ネットワークへの接続を備えたマルチメディアデータ取得装置及び画像表示からのものである方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記配信メッセージの受信の際に、以前に記録されたイベントデータと前記マルチメディアデータ配信メッセージの前記イベントデータとの比較を有し、前記データの比較は、前記マルチメディアデータの処理を条件付ける方法。
【請求項１２】
携帯用通信装置にダウンロード可能なプログラムであって、
請求項１に記載の方法のステップを実行するように、配信及び／又はマルチメディアデータ要求メッセージを送信するのに適した命令を有するプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＭＯＳデバイスを製造する方法であって、
（ａ） ＮＭＯＳＦＥＴを形成するためのｐウェル領域と、ＰＭＯＳＦＥＴを形成する
ためのｎウェル領域とに区分され得る半導体基板上に、ゲート誘電体を形成する工程と、
（ｂ） ゲート誘電体上にバッファ層物質を形成する工程と、
（ｃ） バッファ層上に第１メタルを堆積する工程と、
（ｄ） 第１エッチャントにより第１メタルを選択的にエッチングし、前記ｐウェル領
域およびｎウェル領域のうち一方にバッファ層を露出させる工程と、
（ｅ） 露出したバッファ層と残った第１メタルの両方の上に第２メタルを堆積する工
程と、
（ｆ） 選択された領域において前記第１メタル、前記第２メタル、および前記バッフ
ァ層を除去し、前記ＣＭＯＳデバイスのＰＭＯＳゲート電極およびＮＭＯＳゲート電極を形成する工程と、
（ｇ） 前記第１メタル、前記第２メタル、および前記バッファ層が残った部分を熱処
理し、前記第１メタルおよび前記第２メタルと反応させることにより前記バッファ層の前記部分を消費させて、それぞれ第１および第２の仕事関数を有する第１および第２の導電性合金を形成する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記バッファ層物質は、前記第１エッチャントから前記ゲート誘電体を保護するための前記第１エッチャントに対する耐性を有するように選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バッファ層物質は、アルミニウムおよび窒素を含有する化合物である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記窒素に対する前記アルミニウムの組成比が、前記メタル合金の所望の仕事関数が得られるように選択される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記バッファ層は、２０ｎｍ未満のバッファ層厚を有する請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記第１エッチャントは、硫酸と過酸化水素との混合物を含有する湿式化学溶液である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第１エッチャントは、フッ化水素酸と過酸化水素との混合物を含有する湿式化学溶液である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記熱処理は、４００℃を超える温度で行われる請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
第１メタルおよび第２メタルは、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、およびタンタル（Ｔａ）からなる群より選択される請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記第１メタルはハフニウムであり、前記第２メタルはタンタルである請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記バッファ層の形成は、物理気相蒸着（ＰＶＤ）、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、および原子層蒸着（ＡＬＤ）からなる群より選択される工程を含む請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
第１メタルおよび第２メタルは、１．３４ｅＶ未満の電気陰性度を有する請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
メタルゲート電極の仕事関数を決定する方法であって、
（ａ） ゲート誘電体上にバッファ層物質を堆積し、
（ｂ） 前記バッファ層物質の上に金属を堆積し、
（ｃ） 前記バッファ層および前記金属を熱処理して、前記バッファ物質および前記金
属を反応させて所望の仕事関数を有する合金を形成することを含む工程により、所望のメタルゲート電極の仕事関数を決定することを含む方法。
【請求項１４】
前記バッファ層物質は、アルミニウムおよび窒素を含有する請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記窒素および前記アルミニウムの組成比は、所望の前記仕事関数が得られるように選択される請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
メタルゲートと、隣接するメタルゲート誘電体との間の接触部が、ＡｌＮxおよび電気
陰性度が１．４未満の金属から形成された合金を含有する、ＣＭＯＳに適用されるメタルゲート。
【請求項１７】
前記金属はＨｆであり、
前記合金は、ＮＭＯＳに適切な約４．４ｅＶの仕事関数を有する請求項１６に記載のメタルゲート。
【請求項１８】
前記金属はＴａであり、
前記合金は、ＰＭＯＳに適切な約４．９ｅＶの仕事関数を有する請求項１６に記載のメタルゲート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図示した方法では、図２Ｅに示すように２つのゲート領域上に単にレジスト３８’を配置し、残りの露出したメタルをエッチングする。第２メタルのエッチングは、第１メタルのエッチングとは異なっている。第１メタルは、選択的にエッチングされる一方、第２メタルのエッチングは、ゲート電極パターンを定義するのみである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図２Ｆに示すように、エッチング後にバッファ層２８は残存する。しかしながら、図２Gに示すように、バッファ層は熱処理工程において消費され、堆積したメタルと合金３８，４０を形成することに注目されたい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２−Ｅ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２−Ｅ】
2006524431.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネルによって分離された活性領域を備えた基板と、チャネル上および絶縁層内の一時的ゲートとを有するプレカーサを形成するステップと、
前記一時的ゲートを除去して、前記絶縁層中に底面およびサイドウォールを備える凹部を形成するステップと、
非シリコン金属を含んでいるメタル層を、前記凹部にたい積するステップと、
前記メタル層上にメタルをたい積するステップと、
シリコンを前記メタル層中に導入するステップと、
を含む、半導体構造を形成する方法。
【請求項２】
チャネルによって分離された活性領域を備えた基板と、チャネル上および絶縁層内の一時的ゲートとを有するプレカーサを形成するステップと、
前記一時的ゲートを除去して、前記絶縁層中に底面およびサイドウォールを備える凹部を形成するステップと、
非シリコン金属を含んでいるメタル層を、前記凹部にたい積するステップと、
前記メタル層上にメタルをたい積するステップと、
シリコンを前記メタル層中に制御可能に導入するステップであって、前記メタル層に加えられるシリコンの量は、半導体構造の仕事関数を制御可能に調整するステップと、
を含む、半導体構造を形成する方法。
【請求項３】
チャネルによって分離された活性領域を備えた基板と、チャネル上および絶縁層内の一時的ゲートとを有するプレカーサを形成するステップと、
前記一時的ゲートを除去して、前記絶縁層中に底面およびサイドウォールを備える凹部を形成するステップと、
シラン（SiH4）で前記凹部を前浸透するステップと、
前記凹部がシランで前浸透された後、非シリコン金属を含んでいるメタル層を、前記凹部にたい積するステップと、
前記メタル層上にメタルをたい積するステップと、
シリコンを前記メタル層中に導入するステップであって、少なくとも前記凹部の前記前浸透により提供されるシリコンを導入するステップと、
を含む、半導体構造を形成する方法。
【請求項４】
シラン処理の数を制御することによって、導入されるシリコンの量を制御するステップをさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
複数のシラン処理が前記メタル層上で実行される、請求項４記載の方法。
【請求項６】
導入されるシリコンの量を制御すべく、シラン処理の時間を制御するステップをさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項７】
導入されるシリコンの量を制御すべく、シラン処理の温度とを制御するステップをさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項８】
前記シラン処理の温度は、約２５０℃から約５５０℃の間の温度に調整される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
導入されるシリコンの量を制御すべく、非シリコン金属を含んでいるメタル層の厚みを制御するステップをさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項１０】
前記シリコンを導入するステップは、前記非シリコン金属を含んでいるメタル層をたい積する前に、シラン（SiH4）で前浸透するステップを含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコンを導入するステップは、前記非シリコン金属を含んでいるメタル層をたい積した後に、SiH4で後浸透するステップをさらに含む、請求項１ないし３のいずれかの項記載の方法。
【請求項１２】
前記シランを導入するステップは、前記非シリコン金属を含んでいるメタル層をたい積した後に、プラズマ処理するステップをさらに含む、請求項１ないし３のいずれかの項記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコンを導入するステップは、前記非シリコン金属を含んでいるメタル層をたい積した後に、プラズマ処理するステップを含む、請求項１ないし３のいずれかの項記載の方法。
【請求項１４】
前記非シリコン金属を含むメタル層は、Ta、W、Mo、Ru、Ti、TiN、TaNおよびCoのうちの１つを含む、請求項１ないし３のいずれかの項記載の方法。
【請求項１５】
前記メタル層上にたい積される金属は、CuまたはCu合金である、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記メタル層中に導入するシリコンの量は、前浸透、後浸透、および前記メタル層をたい積するステップの前または後のプラズマ処理の、いずれかまたはすべてによる、請求項１ないし１５のいずれかの項記載の方法。
【請求項１７】
プレカーサ上にメタルゲートを形成するステップと、
前記メタルゲートの仕事関数を制御可能に調整するように、前記メタルゲートをシランで熱処理するステップと、
を含む、メタルゲート半導体デバイスを形成する方法。
【請求項１８】
プレカーサ上にメタルゲートを形成するステップと、
前記メタルゲートをシランで熱処理するステップであって、前記メタル層中に導入するシリコンの量を変化させて、前記メタルゲートの仕事関数を制御可能に調整するステップと、
を含む、メタルゲート半導体デバイスを形成する方法。
【請求項１９】
前記熱処理するステップは、熱浸透（thermal soaking）を含む、請求項１７または１８記載の方法。
【請求項２０】
前記メタルゲート中に導入するシリコンの量を制御するように、熱浸透処理時間を制御するステップをさらに含む、請求項１７または１８記載の方法。
【請求項２１】
前記メタルゲート中に導入するシリコンの量を制御するように、熱浸透の間の温度を制御するステップをさらに含む、請求項１７または１８記載の方法。
【請求項２２】
前記熱処理するステップは、前記メタルゲートをプラズマ処理するステップを含む、請求項１７または１８記載の方法。
【請求項２３】
前記メタルゲートは、Ta、W、Mo、Ru、Ti、TiN、TaNおよびCoのうち１つからなるメタル層を含んでおり、
前記メタルゲートを前記熱処理するステップは、前記メタル層中にシリコンを導入する、請求項１７または１８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気エレクトロニクス素子を覆う導電層への接触方法であって、
誘電領域を覆うように記憶素子層を形成する工程と、
該記憶素子層を覆うように第１導電層を成長させる工程と、
該第１導電層を覆うように第１誘電層を成長させる工程と、
第１マスキング層を形成するために、該第１誘電層をパターン化およびエッチング処理する工程と、
該第１マスキング層を用いて該第１導電層をエッチング処理する工程と、
該第１マスキング層および該誘電領域を覆うように第２誘電層を成長させる工程であって、該第２誘電層が該第１誘電層と異なる材料を含むことと、
該第１マスキング層を露出するために、該第２誘電層の一部を除去する工程と、
該第１マスキング層が該第２誘電層に比べて早い速度でエッチング処理されて、該第１マスキング層のエッチング処理によって該第１誘電層が露出するように、該第２誘電層および該第１マスキング層を化学エッチング処理する工程とを含み、
記憶素子層を形成する工程が、該誘電領域を覆うように第１磁気層を形成する工程と、該第１磁気層を覆うように分離層を形成する工程と、該トンネル障壁層を覆うように第２磁気層を形成する工程とを含む方法。
【請求項２】
前記分離層がトンネル障壁層である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
磁気エレクトロニクス素子構造の製造方法であって、
誘電領域を覆うように第１磁気層を形成する工程と、
該第１磁気層を覆うようにトンネル障壁層を形成する工程と、
該トンネル障壁層を覆うように第２磁気層を形成する工程と、
該第２磁気層を覆うように第１導電層を成長させる工程と、
該第１導電層を覆うように第１誘電層を成長させる工程と、
第１マスキング層を形成するために該第１誘電層をパターン化およびエッチング処理する工程と、
該第１マスキング層を用いて該第１導電層をエッチング処理する工程であって、該第１マスキング層のエッチング処理によって該第２磁気層の一部が露出することと、
該第２磁気層の絶縁不活性部および活性部を形成するために、該第２磁気層の露出部を変質させる工程であって、該活性部が磁気トンネル接合素子の一部を含み、該絶縁不活性部が絶縁体を含むことと、
該第１マスキング層および該第２磁気層の絶縁不活性部を覆うように第２誘電層を成長させる工程であって、該第２誘電層が該第１誘電層と異なる材料を含むことと、
該第１マスキング層を露出するために該第２誘電層の一部を除去する工程と、
該第１マスキング層が該第２誘電層に比べて早い速度でエッチング処理されて、該第１マスキング層のエッチング処理によって該第１導電層が露出するように、該第２誘電層および該第１マスキング層を化学エッチング処理する工程とを含む方法。
【請求項４】
磁気エレクトロニクス素子の配列における磁気エレクトロニクス素子を覆う導電層への接触方法であって、
誘電領域上に磁気エレクトロニクス素子の配列を形成する工程であって、該磁気エレクトロニクス素子がその上に形成された導電層を有することと、
該磁気エレクトロニクス素子の配列および誘電領域を覆うように第１誘電層を成長させる工程と、
該第１誘電層を覆うようにエッチング停止層を成長させる工程と、
該エッチング停止層を覆うように第２誘電層を成長させる工程と、
該磁気エレクトロニクス素子の配列を覆う該エッチング停止層の露出部を形成するために、該第２誘電層をパターン化するとともに該第２誘電層の一部をエッチング処理する工程と、
該導電層を露出するために、該エッチング停止層の露出部および該第１誘電層の一部を除去する工程とを含む方法。
【請求項５】
磁気エレクトロニクス素子の配列における磁気エレクトロニクス素子を覆う導電層への接触方法であって、
誘電領域上に磁気エレクトロニクス素子の配列を形成する工程であって、該磁気エレクトロニクス素子がその上に形成された導電層を有することと、
該磁気エレクトロニクス素子の配列および該誘電領域を覆うように第１誘電層を成長させる工程と、
該第１誘電層を覆うようにエッチング停止層を成長させる工程と、
該エッチング停止層を覆うように第２誘電層を成長させる工程と、
該第２誘電層を覆うように平坦化層を成長させるとともにパターン化する工程と、
該パターン化された平坦化層および該第２誘電層を覆うようにリコート層を形成する工程と、
該エッチング停止層の表面を露出するために、実質的に全てのリコート層、実質的に全ての平坦化層および第２誘電層の一部を除去する工程と、
該導電層を露出するために、該エッチング停止層の露出部および該第１誘電層の一部を除去する工程とを含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
次いで、記憶素子層１８が第１導電層１６を覆うように成長する。記憶素子層１８は、記憶素子、例えばＭＴＪ素子またはＧＭＲ素子を形成する材料を含む。当業者において周知なように、ＭＴＪ素子又はＧＭＲ素子は、分離層によって分離される第１磁気層および第２磁気層を有している。分離層は、ＭＴＪ素子用のトンネル障壁層、またはＧＭＲ素子用の、導電性の非磁気層である。本発明の一つの典型的な実施形態において、記憶素子はＭＴＪ素子を含み、記憶素子層１８は第１磁気層（単層または複数の層の組み合わせ）２０、トンネル障壁層（単層または複数の層の組み合わせ）２２、及び第２磁気層（単層または複数の層の組み合わせ）２４を備え、例えば物理的気相成長法（ＰＶＤ）、イオンビーム蒸着等の方法を用いて第１導電層１６を覆うように成長する。第１及び第２磁気層２０，２４は、任意の複数の磁気材料、例えばニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）又はそれらの合金を含む。また、第１及び第２磁気層２０，２４は、複合磁気材料、例えばニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）、ニッケル−鉄−コバルト（ＮｉＦｅＣｏ）若しくはコバルト−鉄（ＣｏＦｅ）、又はそれらの合金を含んでもよい。加えて、第１及び第２磁気層２０，２４は、他の材料、例えば白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）若しくはタンタル（Ｔａ）、又はそれらの組み合わせ若しくは合金を含んでもよい。トンネル障壁層２２は、好ましくは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ、ここで０＜ｘ≦１．５）を含むが、任意の複数の不導体もしくは半導体、例えば窒化アルミニウム、又はニッケル、鉄、コバルト若しくはそれらの合金の酸化物が本発明に従って使用されてもよい。第１磁気層２０は硬質磁気層として作用し、第１磁気層２０内の磁化は固定され、一方、第２磁気層２４の磁化方向は、２つの磁性状態の間で切り替えられるために固定されていない。トンネル障壁層２２は下記の方法によって形成される。アルミニウムフィルムが第１磁気層２０を覆うように成長し、次いで、アルミニウムフィルムが酸化供給源、例えばＲＦ酸素プラズマによって酸化される。他の方法として、アルミニウムが酸化物とともに第１磁気層２０上に成長し、次いで、加熱または非加熱の酸素環境下で酸化が行われる。第１及び第２磁気層２０，２４の厚さは約０．５〜５０ｎｍ（約５〜５００Å）の範囲である。トンネル障壁層２２の厚さは約０．５〜３ｎｍ（約５〜３０Å）の範囲である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月27日(2007.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
多結晶Ｓｉ含有膜の堆積方法であって、
第１のモフォロジーを有する第１のＳｉ含有層を基板上に堆積するステップと、
前記第１のモフォロジーを変更するのに有効な期間、前記第１のＳｉ含有層をアニーリングすることによって、アニールされた第１のＳｉ含有層を形成するステップと、
前記アニールされた第１のＳｉ含有層上に、前記第１のモフォロジーとは異なる多結晶モフォロジーを有する第２のＳｉ含有層を堆積するステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞表面タンパク質の活性を調節する化合物をスクリーニングする方法であって、候補化合物の存在下で以下：
(i)   トロポミオシン活性又は細胞での位置；
(ii)  トロポミオシンの発現レベル；及び／又は
(iii) トロポミオシンのその結合相手の１つとの結合；
を決定するステップを含み、前記化合物の不在下と比較したときの、前記化合物の存在下における以下：
(iv)  トロポミオシンの活性又は細胞での位置；
(v)   トロポミオシンの発現レベル；及び／又は
(vi)  トロポミオシンのその結合相手との結合レベル；
の変化が、前記化合物が細胞表面タンパク質の活性を調節することを示す、前記方法。
【請求項２】
前記化合物の存在下におけるトロポミオシンの細胞での位置の変化が、前記化合物が細胞表面タンパク質の活性を増大させることを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化合物の存在下におけるトロポミオシンの発現低下が、前記化合物が細胞表面タンパク質の活性を増大させることを示す、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記化合物の存在下におけるトロポミオシンのその結合相手との結合レベルの低下が、前記化合物が細胞表面タンパク質の活性を増大させることを示す、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記細胞表面タンパク質が、輸送タンパク質、チャネル、受容体、増殖因子、抗原、シグナル伝達タンパク質及び細胞接着タンパク質からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
嚢胞性線維症の治療のための治療用化合物をスクリーニングする方法であって、候補化合物の存在下で以下：
(i)   トロポミオシン活性又は細胞での位置；
(ii)  トロポミオシンの発現レベル；及び／又は
(iii) トロポミオシンのその結合相手の１つとの結合；
を決定するステップを含み、前記化合物の不在下と比較したときの、前記化合物の存在下における以下：
(iv)  トロポミオシンの活性又は細胞での位置；
(v)   トロポミオシンの発現レベル；及び／又は
(vi)  トロポミオシンのその結合相手との結合レベル；
の変化が、前記化合物が嚢胞性線維症の治療に有用であることを示す、前記方法。
【請求項７】
前記化合物の存在下におけるトロポミオシンの細胞での位置の変化が、前記化合物が嚢胞性線維症の治療に有用であることを示す、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記化合物の存在下におけるトロポミオシンの発現低下が、前記化合物が嚢胞性線維症の治療に有用であることを示す、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記化合物の存在下におけるトロポミオシンのその結合相手との結合レベルの低下が、前記化合物が嚢胞性線維症の治療に有用であることを示す、請求項６〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
トロポミオシンのその結合相手の１つとの結合レベルを測定するステップを含み、前記トロポミオシンの結合相手がカルポニン、ＣＥＡＣＡＭ１、エンドスタチン、エニグマ、ゲルソリン（好ましくは、サブドメイン２）、Ｓ１００Ａ２及びアクチンからなる群から選択される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
同定した化合物をヒト又は非ヒト動物への投与用に製剤するステップをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
細胞表面膜におけるタンパク質の挿入又は保持を調節及び／又は細胞内外への分子の輸送を調節する方法であって、トロポミオシンの発現、位置又は活性をモジュレートする作用因子をex vivoで細胞に投与するステップを含む、前記方法。
【請求項１３】
前記細胞表面膜における前記タンパク質の挿入又は保持が、前記細胞にトロポミオシンアンタゴニストを投与することによって増加する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記タンパク質が、嚢胞性線維症膜コンダクタンス調節因子（ＣＦＴＲ）等の輸送タンパク質、チャネル、受容体、増殖因子、抗原、シグナル伝達タンパク質及び細胞接着タンパク質からなる群から選択される、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
細胞表面膜タンパク質の異常な挿入又は活性によって生じる疾患を治療又は予防する医薬の製造のための、トロポミオシンの発現、位置又は活性をモジュレートする作用因子の使用であって、前記疾患が嚢胞性線維症、多発性硬化症、多発性嚢胞腎疾患、ウイルス感染、細菌感染、再灌流損傷、メンケス病、ウィルソン病、糖尿病、筋緊張性ジストロフィー、てんかん、及びうつ病、双極性障害又は気分変調性障害などの気分障害から選択される、前記作用因子の使用。
【請求項１６】
前記作用因子が、ペプチド、トロポミオシンに対する抗体、有機小分子、トロポミオシンをコードするｍＲＮＡに対するアンチセンス化合物、リボザイムやＤＮＡザイムなどの抗トロポミオシン触媒分子、及びトロポミオシン発現を標的とするｄｓＲＮＡ又は短鎖干渉ＲＮＡ（ＲＮＡｉ）分子からなる群から選択されるトロポミオシンアンタゴニストである、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の方法又は使用。
【請求項１７】
前記トロポミオシンアンタゴニストが、トロポミオシンをコードするｍＲＮＡに対するアンチセンス化合物、触媒分子又はＲＮＡｉ分子である、請求項１６に記載の方法又は使用。
【請求項１８】
前記トロポミオシンアンタゴニストが、ＴＰＭ１遺伝子のエキソン１ｂ（配列番号７）又はＴＰＭ３遺伝子のエキソン１ｂ（配列番号８）を特異的に標的とするアンチセンス化合物、触媒分子又はＲＮＡｉ分子である、請求項１７に記載の方法又は使用。
【請求項１９】
前記トロポミオシンアンタゴニストが、配列ＡＧＣＴＣＧＣＴＧＧＡＧＧＣＧＧＴＧ（配列番号１３）を標的とするアンチセンス化合物、触媒分子又はＲＮＡｉ分子である、請求項１７に記載の方法又は使用。
【請求項２０】
前記トロポミオシンアンタゴニストが、配列ＣＡＣＣＧＣＣＵＣＣＡＧＣＧＡＧＣＴ（配列番号１４）を含むアンチセンス化合物である、請求項１７に記載の方法又は使用。
【請求項２１】
前記トロポミオシンが、ＴＰＭ１、ＴＰＭ２、ＴＰＭ３及びＴＰＭ４からなる群から選択される遺伝子によってコードされるアイソフォームである、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法又は使用。
【請求項２２】
前記トロポミオシンアイソフォームが、ＴＰＭ１遺伝子のエキソン１ｂによってコードされるアミノ酸配列（配列番号１１）、又はＴＰＭ３遺伝子のエキソン１ｂによってコードされるアミノ酸配列（配列番号１２）を含む、請求項２１に記載の方法又は使用。
【請求項２３】
前記トロポミオシンアイソフォームが、ＴＭ５ａ又はＴＭ５ｂである、請求項２２に記載の方法又は使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
クリームキャラメルは、５０〜６０％のミルク、１２〜１８％の熟成していないチーズ、１４〜２０％の溶き卵、１２〜１５％の砂糖、０．８〜１．３％のシナモン、２〜３％のレモン皮、そして５〜８％の液状キャラメルの余裕比率で得られることを特徴とする前記の請求項１に記載のチーズフランの調理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
得られたクリームキャラメルは、前記の請求項に示された製品のみならず、２〜３％の溶解性のコーヒーもまた含まれていることを特徴とする前記の請求項２に記載のチーズフランの調理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスコーンアンテナと、
前記ディスコーンアンテナに近接して設けられた非接地導電体と、
前記ディスコーンアンテナと前記非接地導電体との間に設けられた絶縁間隔と、
を有するアンテナシステム。
【請求項２】
前記ディスコーンアンテナは、
頂点及び底部を有するコーンと、
前記コーンの頂点の上に設けられたディスクと、
前記コーンの内部に設けられ、前記コーンの外部へ伸びている給電線と、
を有する請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項３】
前記非接地導電体は、アルミニウム材料によって形成されている請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項４】
前記非接地導電体は、銅材料によって形成されている請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項５】
前記非接地導電体は、実質的に平坦である請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項６】
前記非接地導電体は、湾曲している請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項７】
前記非接地導電体は、実質的に球状である請求項６に記載のアンテナシステム。
【請求項８】
前記非接地導電体は、円筒状である請求項６に記載のアンテナシステム。
【請求項９】
前記非接地導電体は、約１０ｍｍ以下の厚さを有する請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項１０】
前記非接地導電体は、２つの離れた壁と前記２つの離れた壁により形成される隙間とを有する請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項１１】
前記隙間は、空間である請求項１０に記載のアンテナシステム。
【請求項１２】
前記隙間は、絶縁材料を有している請求項１１に記載のアンテナシステム。
【請求項１３】
前記絶縁材料は、プラステチックである請求項１２に記載のアンテナシステム。
【請求項１４】
前記非接地導電体が、前記ディスコーンアンテナを完全に取り囲んでいる請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項１５】
前記非接地導電体が、前記ディスコーンアンテナを部分的に取り囲んでいる請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項１６】
前記絶縁間隔は、空気を含む請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項１７】
前記絶縁間隔は、プラスチック材料を含む請求項１に記載のアンテナシステム。
【請求項１８】
前記隙間は、約５０ｍｍ以下である請求項１０に記載のアンテナシステム。
【請求項１９】
前記湾曲した非接地導電体は、約６０°〜約１８０°の間の弧を有している請求項６に記載のアンテナシステム。
【請求項２０】
ディスコーンアンテナを提供し、
前記ディスコーンアンテナによって受信される電磁波又は前記ディスコーンアンテナから送信される電磁波の経路内に非接地導電体を完全に又は部分的に設置すること、
を含めたディスコーンアンテナの送受信方法。
【請求項２１】
前記ディスコーンアンテナは、
頂点及び底部を有するコーンと、
前記コーンの頂点の上に設けられたディスクと、
を有する請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記非接地導電体は、湾曲している非接地導電体を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記非接地導電体が、前記ディスコーンアンテナを完全に取り囲んでいる請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記非接地導電体が、前記ディスコーンアンテナを部分的に取り囲んでいる請求項２０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテンツの推薦をユーザーに対して表示する方法であって、
チャンネル変更イベントの検出に応じて、コンテンツの推薦を提供するステップと、
新たに選択されたチャンネルに関連されるコンテンツ又は推薦されたコンテンツを前記ユーザーに選択的に視聴させるステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記コンテンツの推薦を提供するステップが、評価エンジン、推薦エンジン及びプロフィール・エンジンの少なくとも１つを用いて行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンテントの推薦を提供するステップが、ローカルのコンテントまたはリモートのコンテンツの少なくとも１つの推薦を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
利用可能なコンテンツの、ユーザーが知覚可能な表示物を提供する方法であって、
複数のユーザーが視聴するコンテンツをモニターするステップと、
複数のユーザーが視聴する前記コンテンツに基づいて、システムの状態の変化時に行われる、前記ユーザーが知覚可能な表示物を生成するステップと、
前記ユーザーに、前記ユーザーが知覚可能な表示物と対話させるステップと
を含む方法。
【請求項５】
前記モニターするステップが、複数のユーザーの一部が視聴するコンテンツを検出すること含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記システムの状態の変化は、クライアント装置の起動を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記システムの状態の変化は、ユーザーに関連されるセットトップボックスの起動又はテレビジョン視聴システムの起動を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記システムの状態の変化は、チャンネル変更イベントを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記対話させるステップが、ユーザーが操作するリモートコントロール装置により生成されるユーザー信号に応答することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
コンテンツの推薦を視聴者に対して表示するためのシステムであって、
視聴者がチャンネルを変えるときを検出する手段と、
チャンネル変更イベントの検出に応じてコンテンツの推薦を提供する手段と、
前記視聴者に前記推薦されたコンテンツを選択させる手段と
を備えるシステム。
【請求項１１】
利用可能なコンテンツの、ユーザーが知覚可能な表示物を提供するシステムであって、
利用可能なコンテンツの少なくとも１つの推薦を受け取る手段と、
システムの状態の変化に応じて、前記推薦されたコンテンツの、前記ユーザーが知覚可能な表示物を生成する手段と、
前記ユーザーに、前記ユーザーが知覚可能な表示物と対話させる手段と
を備えるシステム。
【請求項１２】
前記システムの状態の変化は、クライアント装置の起動を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記システムの状態の変化は、ユーザーに関連されるセットトップボックスの起動又はテレビジョン視聴システムの起動を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記システムの状態の変化は、チャンネル変更イベントを含む、請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ムライト中に存在する複数の元素を有する１種又はそれ以上の先駆体化合物と、Ｍｇ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｂ、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ及びこれらの組合せよりなる群から選ばれる元素を含む特性増進性化合物との混合物を形成せしめ、
ｂ）前記混合物を多孔質の生の造形物に賦形し、
ｃ）工程ｂ）の多孔質の生の造形物を、フッ素含有ガスを有する雰囲気下に、本質的に化学的に結合した、針状のムライト粒状物から実質的になるムライト組成物を形成せしめるのに十分な温度に加熱する
ことを含んでなる針状ムライト組成物の製造方法。
【請求項２】
先駆体化合物がクレー並びにアルミナ、シリカ、フルオロトパーズ、ゼオライト、ＡｌＦ3及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる別の化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
他の先駆体化合物がアルミナ、シリカ、フルオロトパーズ、ゼオライト及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる別の化合物である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
先駆体化合物がアルミナ、シリカ及びクレーである請求項１に記載の方法。
【請求項５】
フッ素含有ガスが別に供給されるＳｉＦ4である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
特性増進性化合物が酸化物、酢酸塩、炭酸塩又は硝酸塩である請求項１に記載の方法。
【請求項７】
特性増進性化合物がタルクである請求項１に記載の方法。
【請求項８】
特性増進性化合物がＣｅ、Ｂ、Ｆｅ及びＮｄよりなる群から選ばれる元素を有する第一の特性増進性化合物並びにＭｇ、Ｃａ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ及びこれらの組合せよりなる群から選ばれる元素を有する第二の特性増進性化合物から構成される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第二の特性増進性化合物の元素がＭｇ、Ｃａ、Ｙ又はこれらの組合せである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記元素がＢ、Ｙ、Ｃｅ、Ｎｄ及びこれらの組合せよりなる群から選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記元素がＮｄ及びＭｇで、ムライト組成物中のＮｄ／Ｍｇの比が重量で０．１〜１０である請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
工程（ｃ）の加熱が、第一の温度にまでなされ、次いで第二のより高い温度までなされ、フルオロトパーズが第一の温度で形成され、そしてムライトが第二のより高い温度で形成される請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
第一の温度で形成されるフルオロトパーズが、別に供給されるＳｉＦ4で構成される雰囲気中で形成される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第一の温度が５００℃〜９５０℃である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
第一の温度が少なくとも６５０℃から７５０℃までである請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第二の温度が少なくとも９６０℃から高くても１３００℃である請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
少なくともムライト粒状物の一部の上に、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｂ、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ及びこれらの組合せよりなる群から選ばれる元素で構成される相を有する、本質的に化学的に結合した針状のムライト粒状物で実質的に構成される多孔質ムライト組成物。
【請求項１８】
前記元素がＣｅ、Ｎｄ、Ｂ、Ｙ又はこれらの組合せよりなる群から選ばれる請求項１７に記載の多孔質ムライト組成物。
【請求項１９】
前記組成物がその中にＮｄ及びＭｇを有し、且つＮｄ／Ｍｇの比が重量で０．１〜１０である請求項１７に記載の多孔質ムライト組成物。
【請求項２０】
前記比が０．２〜５である請求項１９に記載の多孔質ムライト組成物。
【請求項２１】
前記多孔質ムライト組成物が５０％〜７０％の多孔度を有する請求項１７に記載の多孔質ムライト組成物。
【請求項２２】
前記多孔質ムライト組成物が少なくとも３００℃の耐熱衝撃係数を有する請求項１７に記載の多孔質ムライト組成物。
【請求項２３】
前記ムライト組成物が少なくとも４００℃の耐熱衝撃係数を有する請求項２２に記載の多孔質ムライト組成物。
【請求項２４】
請求項１７に記載のムライト組成物で構成されるディーゼル粒子フィルター。
【請求項２５】
前記ムライト組成物がムライト組成物のムライト粒状物の少なくとも一部の上に触媒被膜を有する請求項２４に記載のディーゼル粒子フィルター。
【請求項２６】
請求項２３に記載のムライト組成物で構成されるディーゼル粒子フィルター。
【請求項２７】
前記ムライト組成物がムライト組成物のムライト粒状物の少なくとも一部の上に触媒被膜を有する請求項２６に記載のディーゼル粒子フィルター。
【請求項２８】
ムライト組成物の粒状物の少なくとも一部に触媒被膜を有する請求項１７に記載のムライト組成物で構成される触媒。
【請求項２９】
前記触媒が排気処理又は触媒燃焼器用の自動車触媒である請求項２８に記載の触媒。
【請求項３０】
本質的に化学的に結合した針状のムライト粒状物から実質的に構成され、ほうき柄型ムライト粒状物を実質的に含まない多孔質ムライト組成物。
【請求項３１】
前記元素がＦｅ及びＭｇで、Ｆｅ／Ｍｇの比が０．５〜１．５である請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月15日(2007.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
該基板の表面上の希土類ドーパントがドーピングされたガラスと；
を含む光導波路であって、該ガラスが、
（ａ）Ａｌ2Ｏ3と、ＲＥＯもしくはＹ2Ｏ3の少なくとも一方と、ＺｒＯ2もしくはＨｆＯ2の少なくとも一方とを含み、該ガラスの全重量を基準にして、該ガラスの少なくとも８０重量パーセントが、全体として、Ａｌ2Ｏ3と、ＲＥＯもしくはＹ2Ｏ3の少なくとも一方と、ＺｒＯ2もしくはＨｆＯ2の少なくとも一方とを含むか；
（ｂ）該ガラスの全重量を基準にして、少なくとも６０重量パーセントのＡｌ2Ｏ3と、Ａｌ2Ｏ3以外の第１の金属酸化物とを含み、Ａｌ2Ｏ3と第１の金属酸化物とが、全体として、該ガラスの少なくとも８０重量パーセントを含みかつガラスは、全体として、該ガラスの全重量を基準にして、２０重量％以下のＢ2Ｏ3、ＧｅＯ2、ＳｉＯ2、ＴｅＯ2、およびＶ2Ｏ5を含有する；
ことを特徴とする、光導波路。
【請求項２】
コア材料と該コア材料を取り囲むクラッドとを有するガラスファイバーを含む光導波路であって、該コア材料が、
希土類ドーパントがドーピングされたガラス、
を含み、該ガラスが、
（ａ）Ａｌ2Ｏ3と、ＲＥＯもしくはＹ2Ｏ3の少なくとも一方と、ＺｒＯ2もしくはＨｆＯ2の少なくとも一方とを含み、該ガラスの全重量を基準にして、該ガラスの少なくとも８０重量パーセントが、全体として、Ａｌ2Ｏ3と、ＲＥＯもしくはＹ2Ｏ3の少なくとも一方と、ＺｒＯ2もしくはＨｆＯ2の少なくとも一方とを含むか；
（ｂ）該ガラスの全重量を基準にして、少なくとも６０重量パーセントのＡｌ2Ｏ3と、Ａｌ2Ｏ3以外の第１の金属酸化物とを含み、Ａｌ2Ｏ3と第１の金属酸化物とが、全体として、該ガラスの少なくとも８０重量パーセントを含みかつガラスは、全体として、該ガラスの全重量を基準にして、２０重量％以下のＢ2Ｏ3、ＧｅＯ2、ＳｉＯ2、ＴｅＯ2、およびＶ2Ｏ5を含有する；
ことを特徴とする、光導波路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガラスを含む光導波路