【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケート系シンチレーション物質において、その物質の組成が、化学式：
CexLu2+2y-xSi1-yO5+y
[式中、xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり；
yは、0.024f.u.と0.09f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とするシンチレーション物質。
【請求項２】
単結晶の形の物質の組成が、化学式：
CexLu2.076-xSi0.962O5.038
[式中、xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とする、請求項1に記載のシンチレーション物質。
【請求項３】
単結晶が、51.9%(Lu2O3＋Ce2O3)/48.1％SiO2の酸化物モル比によって定義される組成の仕込みからなる溶融物から方向性結晶化法によって成長させられることを特徴とする、請求項1に記載のシンチレーション物質を製造する方法。
【請求項４】
単結晶が、51.9%(Lu2O3＋Ce2O3)/48.1％SiO2の酸化物モル比によって定義される組成の仕込みからなる溶融物からCzochralski法によって成長させられることを特徴とする、請求項1に記載のシンチレーション物質を製造する方法。
【請求項５】
ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケート系シンチレーション物質において、単結晶の形の物質の組成が、化学式：
CexLu2+2y-x-zAzSi1-yO5+y
[式中、Aは、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tb、Caからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり；
xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり；
yは、0.024f.u.と0.09f.u.との間の値であり；
zは、1×10-4f.u.と0.05f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とするシンチレーション物質。
【請求項６】
単結晶の形の物質の組成が、化学式：
CexLu2.076-x-zAzSi0.962O5.038
[式中、Aは、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tb、Caからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり；
xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり；
zは、1×10-4f.u.と0.05f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とする、請求項5に記載のシンチレーション物質。
【請求項７】
単結晶の形の物質の組成が、化学式：
CexLu2.076-x-m-nLamYnSi0.962O5.038
[式中、xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり；
mは、0.05f.u.を上回らない値であり；
nは、1×10-4f.u.と2.0f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とする、請求項5に記載のシンチレーション物質。
【請求項８】
単結晶が、51.9%(Lu2O3＋A2O3＋Ce2O3)/48.1％SiO2の酸化物モル比によって定義される組成の仕込みからなる溶融物からの方向性結晶化法によって成長させられ；ここで、Aが、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tbからなる群より選択される少なくとも1つの元素であることを特徴とする、請求項5に記載のシチンチレーション物質を製造する方法。
【請求項９】
過大の単結晶が、51.9%(Lu2O3＋A2O3＋Ce2O3)/48.1％SiO2の酸化物モル比によって定義される組成の仕込みからなる溶融物からKyropoulos法によって成長させられ；ここで、Aが、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tbからなる群より選択される少なくとも1つの元素であることを特徴とする、請求項5に記載のシチンチレーション物質を製造する方法。
【請求項１０】
ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケート系シンチレーション物質において、0.25f.u.を上回らない量のリチウムLiを含有し、組成が化学式：
CexLiq+pLu2-p+2y-xSi1-yO5+y-p
[式中、xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり；
yは、0.024f.u.と0.09f.u.との間の値であり；
qは、1×10-4f.u.と0.2f.u.との間の値であり；
pは、1×10-4f.u.と0.05f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とするシンチレーション物質。
【請求項１１】
0.25f.u.を上回らない量のリチウムLiを含有する単結晶の形の物質の組成が、化学式：
CexLiq+pLu2.076-p-xSi0.962O5.038-p
[式中、xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり；
qは、1×10-4f.u.と0.2f.u.との間の値であり；
pは、1×10-4f.u.と0.05f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とする、請求項10に記載のシンチレーション物質。
【請求項１２】
単結晶が、51.9%(Lu2O3＋Li2O+Ce2O3)/48.1％SiO2の酸化物モル比によって定義される組成の仕込みからなる溶融物から方向性結晶化法によって成長させられることを特徴とする、請求項10に記載のシチンチレーション物質を製造する方法。
【請求項１３】
ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケート系シンチレーション物質において、0.25f.u.を上回らない量のリチウムLiを含有し、組成が化学式：
CexLiq+pLu2-p+2y-x-zAzSi1-yO5+y-p
[式中、Aは、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tbからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり；
xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり；
yは、0.024f.u.と0.09f.u.との間の値であり；
zは、1×10-4f.u.と0.05f.u.との間の値であり；
qは、1×10-4f.u.と0.2f.u.との間の値であり；
pは、1×10-4f.u.と0.05f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とするシンチレーション物質。
【請求項１４】
0.25f.u.を上回らない量のリチウムLiを含有する単結晶の形の物質の組成が、化学式：
CexLiq+pLu2.076-p-x-zAzSi0.962O5.038-p
[式中、Aは、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tbからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり；
xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり；
zは、1×10-4f.u.と0.05f.u.との間の値であり；
qは、1×10-4f.u.と0.2f.u.との間の値であり；
pは、1×10-4f.u.と0.05f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とする、請求項13に記載のシンチレーション物質。
【請求項１５】
単結晶が、51.9%(Lu2O3＋Li2O+A2O3＋Ce2O3)/48.1％SiO2の酸化物モル比によって定義される組成の仕込みからなる溶融物から方向性結晶化法によって成長させられることを特徴とする、請求項13に記載のシチンチレーション物質を製造する方法。
【請求項１６】
ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケート系シンチレーション物質において、リチウムLiを含有し、組成が化学式：
CexLiq+pLu9.33-x-p□0.67Si6O26-p
[式中、xは、1×10-4f.u.と0.1f.u.との間の値であり；
qは、1×10-4f.u.と0.3f.u.との間の値であり；
pは、1×10-4f.u.と0.25f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とするシンチレーション物質。
【請求項１７】
ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケート系シンチレーション物質において、リチウムLiを含有し、組成が化学式：
CexLiq+pLu9.33-x-p-z□0.67AzSi6O26-p
[式中、Aは、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tbからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり；
xは、1×10-4f.u.と0.1f.u.との間の値であり；
qは、1×10-4f.u.と0.3f.u.との間の値であり；
pは、1×10-4f.u.と0.25f.u.との間の値であり；
zは、5×10-4f.u.と8.9f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とするシンチレーション物質。
【請求項１８】
ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケート系シンチレーション物質において、リチウムLiを含有し、組成が化学式：
CexLiLu9-xSi6O26
[式中、xは、1×10-4f.u.と0.1f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とするシンチレーション物質。
【請求項１９】
ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケート系シンチレーション物質において、1.0f.u.を上回る量のリチウムLiを含有し、組成が化学式：
CexLi1+q+pLu9-x-pSi6O26-p
[式中、xは、1×10-4f.u.と0.1f.u.との間の値であり；
qは、1×10-4f.u.と0.3f.u.との間の値であり；
pは、1×10-4f.u.と0.25f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とするシンチレーション物質。
【請求項２０】
ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケート系シンチレーション物質において、1.0f.u.を上回る量のリチウムLiを含有し、組成が化学式：
CexLi1+q+pLu9-x-p-zAzSi6O26-p
[式中、Aは、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tbからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり；
xは、1×10-4f.u.と0.1f.u.との間の値であり；
qは、1×10-4f.u.と0.3f.u.との間の値であり；
pは、1×10-4f.u.と0.25f.u.との間の値であり；
zは、5×10-4f.u.と8.9f.u.との間である。]
によって表されることを特徴とするシンチレーション物質。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2007514631.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007514631.tif 000002