(57)【要約】【課題】  半導体素子の使用温度において、半導体素子用基板の内部に各層の熱膨張係数差に起因する応力が発生しないようにすること。【解決手段】  サファイア元基板１の主面１Ａ、１Ｂの少なくとも一方に３族窒化物半導体の熱膨張係数Ｋ４より小さい熱膨張係数Ｋ２を有する材料であるシリコン単結晶からなる補助層２を半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成して補助層付基板を作製した後、サファイア元基板１の主面又は補助層の表面に少なくとも１つの３族窒化物半導体層である化合物半導体層４を成長させることにより３族窒化物半導体素子用基板を製造する。補助層付基板と化合物半導体層４とは同じ熱膨張係数を有するので熱膨張差に起因する応力はこの２者の間には発生せず、しかも、補助層２は室温で形成されているので、サファイア元基板１と補助層２の間にも熱膨張差に起因する応力は発生ない。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を製造するために用いられる３族窒化物半導体素子用基板の製造方法において、サファイア元基板の少なくとも一方の主面に３族窒化物半導体の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する材料からなる補助層を前記半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成した後、前記サファイア元基板の主面又は前記補助層の表面に少なくとも１つの３族窒化物半導体層を成長させることを特徴とする３族窒化物半導体素子用基板の製造方法。
【請求項２】
前記補助層がシリコン単結晶層である請求項１記載の３族窒化物半導体素子用基板の製造方法。
【請求項３】
前記３族窒化物半導体層の少なくとも１つがＧａＮ層である請求項１又は２記載の３族窒化物半導体素子用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、青色、紫外域の受発光素子等の製造に用いるのに好適な３族窒化物半導体素子用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮに代表される３族窒化物半導体を含む半導体素子は、室温におけるバンドギャップが約３．４ｅＶと大きく、化学的にも安定であることから、青色、紫外域の受発光デバイスに応用されている。
【０００３】
３族窒化物半導体を含む半導体素子を製造するための半導体素子用基板は、３族窒化物半導体層を元基板の上にＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法によりエピタキシャル成長させて製造される。この元基板は、本来は３族窒化物半導体の単結晶板であることが望ましいが、３族窒化物半導体の単結晶板を製造することが困難なため、実際には、製造しやすいサファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 の単結晶）からなる元基板が３族窒化物半導体の単結晶板の代わりに用いられている。
【０００４】
しかし、サファイアからなる元基板の上にＧａＮ等の３族窒化物半導体をエピタキシャル成長させて半導体素子用基板を製造した場合、得られた半導体素子用基板に反りが生じることが知られている。これは、サファイアの熱膨張係数が３族窒化物半導体の熱膨張係数よりも大きいので、例えば１０００℃程度の高温で３族窒化物半導体層をサファイア元基板上に成長させた後それを室温まで冷却すると、サファイア元基板が３族窒化物半導体より大きく収縮するためである。
【０００５】
上述した反りの問題を解決するため、サファイア元基板の両面にまず接着層としてＡｌを蒸着し、蒸着されたＡｌ接着層の各表面にＳｉ単結晶の薄い板をそれぞれ８００℃の加熱下で積層させて接着し、該Ｓｉ単結晶板上にＧａＮ等の化合物半導体層を成長させて半導体素子用基板を製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
このようにして基板を製造することにより、反りの少ない基板を得ることができるのは、次のような原理に基づく。Ｓｉ単結晶の熱膨張係数はＧａＮ等の３族窒化物半導体のそれよりも小さいので、サファイアと２枚のＳｉ単結晶板とを複合して成る複合元基板は、全体としてサファイアの熱膨張係数とＳｉ単結晶の熱膨張係数との中間の熱膨張係数を有した基板としてふるまう。一方、３族化合物半導体の熱膨張係数はサファイアとＳｉ単結晶の中間の熱膨張係数を有しているので、３族化合物半導体と複合元基板との間の熱膨張係数の差は小さいものとなる。しかも２枚のＳｉ単結晶板の厚さを同一とすることにより、Ｓｉ単結晶とサファイアとの間の熱膨張係数の差に起因し、サファイア元基板にかかる応力はサファイア元基板の一対の面で同一となり、複合元基板自体の反りも小さくすることができる。
【０００７】
さらに詳細には、次のように説明することができる。サファイアの熱膨張係数をα1 、Ｓｉ単結晶の熱膨張係数をα2 、複合元基板の熱膨張係数をα3 、サファイアの弾性率をＥ1 、Ｓｉ単結晶の弾性率をＥ2 、サファイア元基板の厚さをｔ1 、Ｓｉ単結晶板２枚の合計の厚さをｔ2 とし、簡単化のため、サファイアと２枚のＳｉ単結晶板とが複合された板の形状は長方形で、その幅がｄ、長さがＬであるとする。サファイア元基板とＳｉ単結晶板を貼り合わせたときの温度からＴ℃だけ異なる温度においてサファイア元基板の長さ方向にかかる応力は、長さ変化がＬ（α3 −α1 ）Ｔで単位長さ当りの応力が弾性率と断面積との積Ｅ1 ｄｔ1 （ｄの微小な変化は無視）であるから、Ｌ（α3 −α1 ）ＴＥ1 ｄｔ1 となる。一方、２枚のＳｉ単結晶板にかかる応力は、同様にしてＬ（α2 −α3 ）ＴＥ2 ｄｔ2 となる。この２つの応力は等しいので、次式（１）が成り立つ。
Ｌ（α3 −α1 ）ＴＥ1 ｄｔ1 ＝Ｌ（α2 −α3 ）ＴＥ2 ｄｔ2       （１）
ここで、両辺をＬＴｄで除して
（α3 −α1 ）Ｅ1 ｔ1 ＝（α2 −α3 ）Ｅ2 ｔ2       （２）
を得て、α3 を求めると、
α3 ＝（α1 Ｅ1 ｔ1 ＋α2 Ｅ2 ｔ2 ）／（Ｅ1 ｔ1 ＋Ｅ2 ｔ2 ）      （３）
となる。
【０００８】
物質をサファイアとＳｉ単結晶に固定した場合、例えばｔ1 を大きくｔ2 を小さくするとα3 はα1 に近づき、ｔ1 を小さくｔ2 を大きくするとα3 はα2 に近づく。したがって、ｔ1 とｔ2 とを調整することにより、複合元基板の熱膨張係数α3 を、α1 とα2 の間にあるＧａＮ等の３族化合物半導体の熱膨張係数に合わせることができる。このようにして熱膨張係数を合わせることにより、サファイア元基板と３族化合物半導体との間の熱膨張差に起因する反りが殆ど生じない半導体素子用基板を得ることができる。
【特許文献１】特開２００２−１２４４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以上説明した従来技術における複合元基板を用いて３族化合物半導体素子用基板を製作すれば、サファイア元基板を用いた場合に比べ、半導体素子用基板の反りを大幅に低減することができる。しかしながら、従来の複合元基板は６００℃の加熱下でサファイア元基板とＳｉ単結晶板とを貼り合わせて作製するものであるから、この複合元基板を用いた半導体素子用基板を用いて半導体素子を製造した場合、以下のような問題を生じる。すなわち、半導体素子が通常使用される−２０〜１２０℃の温度範囲においては、半導体素子の一構成要素となっている基板内部が６００℃より充分に低い温度状態となるため、サファイアとＳｉ単結晶との間の熱膨張差に起因する応力が基板内部にかかった状態となる。この結果、半導体素子の経時劣化が激しく、半導体素子に内部亀裂が発生する等の原因により不良品が生成されやすいという問題を生じていた。
【００１０】
本発明の目的は、従来技術における上述の問題点を解決することができる３族窒化物半導体素子用基板の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の目的は、基板における反りの問題を解決することができる３族窒化物半導体素子用基板の製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の目的は、半導体素子の許容動作温度範囲内において、基板内部にかかる応力が小さい半導体素子用基板を得ることができる３族窒化物半導体素子用基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決するため、内部にかかる応力が小さい化合物半導体素子用基板を得るための製造方法について鋭意検討した。その結果、サファイア元基板の少なくとも一方の主面に、３族窒化物半導体の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する材料からなる補助層を当該半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成することにより、形成後にサファイア元基板の主面又は補助層の表面に３族窒化物半導体層を成長させて半導体素子用基板とした場合に、該半導体素子用基板は、反りが少なく、しかも半導体素子の使用時に基板内部にかかる応力を小さく抑えることができることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【００１４】
請求項１の発明によれば、半導体素子を製造するために用いられる３族窒化物半導体素子用基板の製造方法において、サファイア元基板の少なくとも一方の主面に３族窒化物半導体の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する材料からなる補助層を前記半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成した後、前記サファイア元基板の主面又は前記補助層の表面に少なくとも１つの３族窒化物半導体層を成長させることを特徴とする３族窒化物半導体素子用基板の製造方法が提案される。
【００１５】
請求項２の発明によれば、請求項１の発明において、前記補助層がシリコン単結晶層である３族窒化物半導体素子用基板の製造方法が提案される。
【００１６】
請求項３の発明によれば、請求項１又は２の発明において、前記３族窒化物半導体層の少なくとも１つがＧａＮ層である３族窒化物半導体素子用基板の製造方法が提案される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体素子に対して許容された動作温度範囲内において、材料の熱膨張係数差に起因する応力が内部に発生せず、クラック、ピットなどのマクロな欠陥がサファイア元基板や化合物半導体層等に生じるのを有効に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例につき詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明による３族窒化物半導体素子用基板の製造方法の一実施形態を示すものである。ここでは、サファイア元基板１を基板結晶とし、サファイア元基板１上に３族窒化物半導体層を気相成長により形成する場合の実施の形態を説明する。
【００２０】
まず、サファイア元基板１を用意する（図１（ａ））。サファイア元基板１は、３００〜５００μｍ程度の所要の厚みを有するサファイア板で、その面方位は（０００１）面とするが、等価な面で置き換えを行ってもよい。サファイア元基板１の両表面である主面１Ａ、１Ｂは鏡面であることが好ましく、サファイア元基板１の厚さはできるだけ均一のものとすることが好ましい。
【００２１】
次に、図１（ｂ）に示すように、サファイア元基板１の２つの主面１Ａ、１Ｂのうち一方の主面１Ａ上に補助層２を室温において２５０〜４１０μｍの厚さに蒸着する。補助層の材質は、その熱膨張係数Ｋ２が、サファイア元基板１の熱膨張係数Ｋ１より小さいものが選ばれている。ここでは、補助層２の材料としてシリコン単結晶が選ばれている。補助層２はサファイア元基板１の主面１Ａ上に室温において蒸着されるので、サファイア元基板１に補助層２が形成された状態においても、サファイア元基板１は室温においては補助層２との間に熱膨張差に起因する応力はかかっておらず、図１（ｂ）に示す状態のサファイア元基板１は実質的に反りのない状態を保ったままである。
【００２２】
なお、基板の反りに関しては、曲率が０．０５／ｍ以下の場合については半導体製造上特に問題を生じないので、反りがこの範囲に入っている場合には実質的に反りがないということがある。
【００２３】
次に、図１（ｂ）に示す状態のサファイア元基板１を図示しない気相成長装置の反応炉内にセットし、所要の成長温度の下で、先ず補助層２の上にＡｌＮ高温バッファ層３を成長させ、厚さ０．１μｍの薄膜層として形成する（図１（ｃ））。ここで、サファイア元基板１を主体として得られた基板は室温よりかなり高い成長温度まで温度上昇するため、図１（ｃ）に示す工程においては、サファイア元基板１の熱膨張係数Ｋ１と補助層２の熱膨張係数Ｋ２との差により反りが生じることになる。Ｋ１＞Ｋ２であるから、この反りの方向は、補助層２が引っ張られる方向である。
【００２４】
そして、さらに、図１（ｄ）に示すように、ＡｌＮ高温バッファ層３の上に、所要の３族窒化物半導体から成る化合物半導体層４を同じく気相成長法により薄膜層として所望の厚みに形成するも、所要の３族窒化物半導体素子用基板が得られる。化合物半導体層４は、ＡｌＮ高温バッファ層３の上に形成されるので、両者間で格子整合が図られ、良好な結晶性及び表面の鏡面性をもって化合物半導体層４を形成することができる。
【００２５】
ここで、ＡｌＮ高温バッファ層３は、化合物半導体層４の成長温度とほぼ同一の１０００℃程度の高い成長温度を用いて形成される。したがって、ＡｌＮ高温バッファ層３及び化合物半導体層４の各成長はほぼ同一の高い温度の下で行われるので、温度の切り替えが不要であり、原料ガスの切り替えだけで済むので製造工程の簡略化を図ることができる。ここでＡｌＮ高温バッファ層３の膜厚は通常は０．１μｍ程度、化合物半導体層４の膜厚は通常は３μｍ程度である。
【００２６】
化合物半導体層４を形成する材料である３族窒化物半導体の熱膨張係数をＫ４とすると、Ｋ２＜Ｋ４＜Ｋ１の関係が成立している。ここで、補助層２を形成したサファイア元基板１（以下、単に補助層付基板と称することがある）の熱膨張係数はＫ１とＫ２の間の値になっており、サファイア元基板１の厚さ、補助層２の厚さを適宜調整することにより、補助層付基板の熱膨張係数をＫ４と一致させることができる。そして、化合物半導体層４を成長させた後、サファイア元基板１の温度が成長温度から低下し室温に戻った場合、補助層付基板と化合物半導体層４とは同じ熱膨張係数を有するので熱膨張差に起因する応力はこの２者の間には発生せず、しかも、補助層２は室温で形成されているので、サファイア元基板１と補助層２の間にも熱膨張差に起因する応力は発生していないのである。
【００２７】
なお、ＡｌＮ高温バッファ層３、化合物半導体層４の成膜は、ＭＯＶＰＥ成長炉またはハイドライド気相成長炉を用いて公知の工程を含んで行うことができる。すなわち、アンモニアを供給すると共に、水素ガスで希釈した所要の金属原料を導入してこれを行うことができる。例えば、ＡｌＮ高温バッファ層３は、アンモニアとトリメチルアルミニウムを反応炉内に導入することでＡｌＮ層を成長させて形成し、化合物半導体層４はアンモニアとトリメチルガリウムを反応炉内に導入することでＧａＮ層を成長させて形成することができる。それらの成長工程自体及び膜厚制御には公知の技術を用いることができる。
【００２８】
補助層２はサファイア元基板１の主面２Ａに室温で形成させているので、サファイア元基板１と補助層２の熱膨張差に起因しサファイア元基板１と補助層２に働く応力は、常温においてはほぼ０である。厳密には、補助層２をサファイア元基板１に成形したときの温度において０となる。なお、上記実施の形態においては、補助層２をサファイア元基板１の主面２Ａに室温で形成した場合について説明した。しかし、この形成温度はこの室温に限定されるものではなく、半導体素子の許容動作温度範囲、例えば−２０〜１２０℃程度の温度範囲内の温度であればよく、好ましくは２０〜６０℃の温度範囲内の温度である。
【００２９】
以上の説明から判るように、本発明による３族窒化物半導体素子用基板の製造方法は、サファイア元基板１の少なくとも一方の主面２Ａに、３族窒化物半導体の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する材料からなる補助層２を、半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成させて補助層付基板とするところに特徴を有する。
【００３０】
なお、３族窒化物半導体の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する材料としては、Ｓｉ単結晶、ＡｌＮ単結晶、Ｓｉ3 Ｎ4 単結晶を挙げることができ、Ｓｉ単結晶が工業的に製造しやすいので好ましい。
【００３１】
そして、補助層２を室温又はそれに近い温度下、あるいは半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成するには、蒸着法を用いることができる。蒸着は通常工業的に使用されている装置を用いて通常行われている条件で行うことができる。ただし、補助層２を形成中のサファイア元基板１の温度は、室温等の所要の温度状態に保たれなければならない。
【００３２】
補助層２を形成した後、サファイア元基板１の補助層の形成されていない主面１Ｂ又は補助層２の表面のいずれかに、３族窒化物半導体素子用基板の製造に必要な化合物半導体層４を成長させて、３族窒化物半導体素子用基板が得られるのであるが、この化合物半導体層４の成長は、通常は５００℃以上１２００℃以下の温度に加熱して行われる。このときには、サファイア元基板１と補助層２の熱膨張差に起因した応力が補助層付基板に働くが、化合物半導体層４の成長が終わり、全体を常温に冷却した段階で、サファイア元基板１と補助層２との熱膨張差に起因した応力は解消する。
【００３３】
補助層を形成したサファイア元基板と３族窒化物半導体層との熱膨張差について検討すると次の通りである。一般に、サファイア元基板の少なくとも一方の主面に、３族窒化物半導体の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する材料からなる補助層を形成した補助層付基板全体の熱膨張係数をαK とし、３族窒化物半導体の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する材料からなる補助層の熱膨張係数をαA 、補助層の厚さをｔA 、弾性率をＥA とし、サファイア元基板の熱膨張係数、厚さ、弾性率をそれぞれα1 、ｔ1 、Ｅ1 とすると、従来技術における上記と同様の推論により、
αK ＝（α1 Ｅ1 ｔ1 ＋αA ＥA ｔA ）／（Ｅ1 ｔ1 ＋ＥA ｔA ）      （４）
が成り立つ。
【００３４】
すなわち、３族窒化物半導体の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する材料および補助層の厚さを変化させることにより、αK を調整することができ、３族窒化物半導体素子用基板の製造に用いる３族窒化物半導体の熱膨張係数αN （ここで、αA ＜αN ＜α1 ）に近づけることができる。
【００３５】
以上の如く、本発明による製造方法においては、補助層を半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成することにより、半導体素子基板内部に発生し、サファイア元基板と補助層の熱膨張係数差に起因する応力を、半導体素子の通常の使用温度において実質的に無くすことができる。補助層の材料と補助層の厚さとサファイア元基板の厚さを調整することにより、３族窒化物半導体素子基板内部に発生し、補助層付基板と３族窒化物半導体層の熱膨張係数差に起因する応力を、半導体素子の通常の使用温度において実質的に無くすことができるので、本発明の製造方法により製造された３族窒化物半導体素子用基板は、これを用いて製作された半導体素子が通常使用される温度においては、内部に実質的に応力を有さず、したがって反りも無い半導体素子用基板となるのである。
【００３６】
図２は、本発明の他の実施の形態を説明するための工程図である。この実施の形態では、先ず、図１に示した実施の形態の場合と同じく、サファイア元基板１１を用意し（図２（ａ））、サファイア元基板１１の一方の主面１１Ｂ上にシリコンから成る補助層１２を室温にて所要の厚さに蒸着しておく（図２（ｂ））。しかる後、サファイア元基板１１上に補助層１２が形成された基板を反応炉（図示せず）内に入れて、サファイア元基板１１の温度を所要の成長温度まで上昇させ、サファイア元基板１１の主面１１Ａ上にＧａＮ低温バッファ層１３を形成した後、ＧａＮ低温バッファ層１３の上にＧａＮを成長させ、化合物半導体層１４を形成する。ＧａＮ低温バッファ層１３及び化合物半導体層１４の成膜工程それ自体は図１に示した実施の形態の場合と同じである。
【００３７】
ここでも、サファイア元基板１１の熱膨張係数Ｋ１１、補助層１２の熱膨張係数Ｋ１２及び化合物半導体層１４の熱膨張係数Ｋ１４との間にはＫ１２＜Ｋ１４＜Ｋ１１の関係が成立するように各層の材料が選ばれている。したがって、図１に示した実施の形態の場合と同様に、サファイア元基板１１の上に補助層１２を形成した補助層付基板を成長温度まで高めるのと同様の理由でサファイア元基板と補助層の間に２者の熱膨張差に起因する応力が生じ、反りを生じることとなる。
【００３８】
この状態において、化合物半導体層１４をＧａＮ低温バッファ層１３を介して成長させる。ここで、図１に示した実施の形態の場合と同様に、サファイア元基板の厚さ、補助層の厚さを適宜調整することにより、補助層付基板の熱膨張係数をＫ１４と一致させることができる。そして、化合物半導体層１４を成長させた後、サファイア元基板１１の温度が成長温度から低下し室温に戻った場合（図２（ｄ））、補助層付基板と化合物半導体層は同じ熱膨張係数を有するので熱膨張差に起因する応力はこの２者の間には発生せず、しかも、補助層は室温で形成されているので、サファイア元基板１１と補助層１２の間にも熱膨張差に起因する応力は発生していないのである。
【００３９】
図３は、本発明のさらに他の実施の形態を説明するための工程図である。この実施の形態の場合には、サファイア元基板２１を用意し（図３（ａ））、用意したサファイア元基板２１の一対の主面２１Ａ、２１Ｂにそれぞれシリコン単結晶から成る補助層２２Ａ、２２Ｂを室温で蒸着して形成しておく（図３（ｂ））。補助層２２Ａ、２２Ｂの各材料はシリコン単結晶で、各層厚が等しくなるよう、図１について説明したのと同一の方法で所要の厚みに形成する。そして、補助層２２Ａの上にＡｌＮ高温バッファ層２３を形成し（図３（ｃ））、さらに、ＡｌＮ高温バッファ層２３の上に所要の３族窒化物半導体であるＧａＮを成長し、化合物半導体層２４を形成する（図３（ｄ））。図３（ｃ）、（ｄ）に示した工程は、図１（ｃ）、（ｄ）の工程と同じであり、各層の熱膨張係数の大小関係も図１の実施の形態の場合と同じである。
【００４０】
図３に示した例では、サファイア元基板２１の主面２１Ｂにも補助層２２Ｂが設けられている点で図１に示した実施の形態の場合と異なっている。図３に示した実施の形態では、サファイア元基板２１の主面２１Ａ、２１Ｂにそれぞれ設けられた補助層２２Ａ、２２Ｂを同一の厚みに形成したので、化合物半導体層２４の形成のためにサファイア元基板２１を１０００℃以上の高温にしても、両者における伸びが相殺され、サファイア元基板２１と補助層２２Ａ、２２Ｂとの間には２者の熱膨張差に起因する応力は発生するが、サファイア元基板２１に反りを生じさせることはなく、サファイア元基板２１が反りのない状態でＡｌＮ高温バッファ層２３及び化合物半導体層２４を形成することができる。
【００４１】
図３に示した実施の形態の場合においても、図１に示した実施の形態の場合と同様に、サファイア元基板２１の厚さ、補助層２２Ａ、２２Ｂの厚さを適宜調整することにより、補助層付基板の熱膨張係数を化合物半導体層２４の熱膨張係数と一致させることができる。そして、化合物半導体層２４を成長させた後、サファイア元基板２１の温度が成長温度から低下し室温に戻った場合、補助層付基板と化合物半導体層２４は同じ熱膨張係数を有するので熱膨張差に起因する応力はこの２者の間には発生せず、しかも、補助層２２Ａ、２２Ｂは室温で形成されているので、サファイア元基板２１と補助層２２Ａ、２２Ｂとの間にも熱膨張差に起因する応力は、やはり発生していないのである。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態を説明するための半導体素子用基板の製造工程図。
【図２】本発明の他の実施の形態を説明するための半導体素子用基板の製造工程図。
【図３】本発明のさらに他の実施の形態を説明するための半導体素子用基板の製造工程図。
【符号の説明】
【００４３】
１、１１、２１  サファイア元基板
１Ａ、１１Ａ、２１Ａ、１Ｂ、１１Ｂ、２１Ｂ  主面
２、１２、２２Ａ、２２Ｂ  補助層
３、２３  ＡｌＮ高温バッファ層
１３  ＧａＮ低温バッファ層
４、１４、２４  化合物半導体層
【図１】
2006054231.tif 000003
【図２】
2006054231.tif 000004
【図３】
2006054231.tif 000005