(57)【要約】【課題】光学フイルムとして好ましいレターデーション値を有するフイルムを形成できるセルロース誘導体組成物、並びに光学フイルムとして好ましいレターデーション値を有するセルロース誘導体フイルムを提供する。【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有するセルロース誘導体組成物。    【化１】2006233098.tif 000048（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌは単結合または二価の連結基を表し、Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とするセルロース誘導体組成物。
【化１】
2006233098.tif 000042
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌは単結合または二価の連結基を表し、Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載のセルロース誘導体組成物。
【化２】
2006233098.tif 000043
（式中、Ｒ2、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ11は水素原子またはアルキル基を表し、Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌは単結合または二価の連結基を表し、Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。）
【請求項３】
前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載のセルロース誘導体組成物。
【化３】
2006233098.tif 000044
（式中、Ｒ2、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ11、Ｒ14はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌは単結合または二価の連結基を表し、Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。）
【請求項４】
前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物。
【化４】
2006233098.tif 000045
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項５】
前記一般式（４）中、Ｒ21が−ＯＲ41を表し（Ｒ41は水素原子またはアルキル基を表す）、Ｒ24が水素原子を表すことを特徴とする請求項４に記載のセルロース誘導体組成物。
【請求項６】
前記一般式（４）中、Ｒ21が−ＯＲ41を表し、Ｒ24が−ＯＲ44を表す（Ｒ41、Ｒ44はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表す）ことを特徴とする請求項４に記載のセルロース誘導体組成物。
【請求項７】
前記一般式（４）中、ｎが３以上の整数であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物。
【請求項８】
前記セルロース誘導体としてセルロースアシレートを含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物からなることを特徴とするセルロース誘導体フイルム。
【請求項１０】
下記一般式（４−Ａ）で表される化合物。
【化５】
2006233098.tif 000046
（式中、Ｒ22、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｒ41は水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項１１】
下記一般式（４−Ｂ）で表される化合物。
【化６】
2006233098.tif 000047
（式中、Ｒ22、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｒ41、Ｒ44はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項１２】
偏光子の両面に保護フィルムが貼り合わされてなる偏光板において、該保護フィルムの少なくとも１枚が、請求項９記載のセルロース誘導体フィルムであることを特徴とする偏光板。
【請求項１３】
保護フィルムの少なくとも片方の面上に、光学異方性層を有することを特徴とする請求項１２記載の偏光板。
【請求項１４】
液晶セル及びその両側に配置された２枚の偏光板を有し、その少なくとも１方の偏光板が請求項１２又は１３に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
該液晶表示装置がＶＡモードであることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
該液晶表示装置がＯＣＢモードであることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セルロース誘導体組成物、および前記セルロース誘導体組成物からなるセルロース誘導体フイルムに関するものである。本発明は更に、新規なトリアルコキシ安息香酸誘導体化合物および新規なジアルコキシ安息香酸誘導体化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
セルロースフイルムの中でもセルロースアセテートフイルムは他のポリマーフイルムと比較して、光学的等方性が高い（レターデーション値が低い）との特徴がある。したがって、光学的等方性が要求される用途、例えば偏光板には、セルロースアセテートフイルムを用いることが一般的である。一方、液晶表示装置等の光学補償シート（位相差フイルム）には、逆に光学的異方性（高いレターデーション値）が要求される。したがって、光学補償シートとしては、ポリカーボネートフイルムやポリスルホンフイルムのようなレターデーション値が高い合成ポリマーフイルムを用いることが一般的であった。
【０００３】
しかし最近になって、光学的異方性が要求される用途にも使用できる高いレターデーション値を有するセルロースアセテートフイルムが提案されている（例えば特許文献１及び２）。前記特許文献１及び２では、セルローストリアセテートで高いレターデーション値を実現するために、少なくとも２つの芳香環を有する芳香族化合物、中でも１，３，５−トリアジン環を有する化合物を添加し、延伸処理を行っている。
一般にセルローストリアセテートは延伸しにくい高分子素材であり、光学的異方性を大きくすることは困難であることが知られているが、前記特許文献１及び２では添加剤を延伸処理で同時に配向させることにより光学的異方性を大きくすることを可能にし、高いレターデーション値を実現している。
【０００４】
近年、液晶表示装置の軽量化、製造コスト低減のために液晶セルの薄膜化が必須となっている。そのために光学補償シートをはじめとする光学フイルムには、前記特許文献１及び２記載の１，３，５−トリアジン環を有する化合物で実現できる光学的異方性（Ｒｅ：フイルム面内のレターデーション値、Ｒｔｈ：フイルム厚み方向におけるレターデーション値）に対して、さらにより高いＲｅとより低いＲｔｈが要求されるようになってきた。
【０００５】
しかしながら、本発明者が特許文献１及び２で開示された方法について鋭意検討した結果、該手法では、前述のＲｅ値とＲｔｈ値をそれぞれ好ましい範囲内に制御することができないという問題があることが判明した。そこで、新たな光学性能制御技術の開発が必要となってきた。
【０００６】
【特許文献１】欧州特許出願公開第０９１１６５６Ａ２号明細書
【特許文献２】特開２００３−３４４６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の第１の目的は、光学フイルムとして好ましいレターデーション値を有するフイルムを形成できるセルロース誘導体組成物を提供することにある。
本発明の第２の目的は、光学フイルムとして好ましいレターデーション値を有するセルロース誘導体フイルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の目的は、下記手段により達成された。
［１］下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とするセルロース誘導体組成物。
【化１】
2006233098.tif 000002
【０００９】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌは単結合または二価の連結基を表し、Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。）
［２］前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする［１］項に記載のセルロース誘導体組成物。
【化２】
2006233098.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒ2、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ11は水素原子またはアルキル基を表し、Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌは単結合または二価の連結基を表し、Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。）
［３］前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする［１］項に記載のセルロース誘導体組成物。
【化３】
2006233098.tif 000004
【００１１】
（式中、Ｒ2、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ11、Ｒ14はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌは単結合または二価の連結基を表し、Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。）
［４］前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物。
【化４】
2006233098.tif 000005
【００１２】
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
［５］前記一般式（４）中、Ｒ21が−ＯＲ41を表し（Ｒ41は水素原子またはアルキル基を表す）、Ｒ24が水素原子を表すことを特徴とする［４］項に記載のセルロース誘導体組成物。
［６］前記一般式（４）中、Ｒ21が−ＯＲ41を表し、Ｒ24が−ＯＲ44を表す（Ｒ41、Ｒ44はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表す）ことを特徴とする［４］項に記載のセルロース誘導体組成物。
［７］前記一般式（４）中、ｎが３以上の整数であることを特徴とする［４］〜［６］のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物。
［８］前記セルロース誘導体としてセルロースアシレートを含有することを特徴とする［１］〜［７］のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物。
［９］［１］〜［８］のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物からなることを特徴とするセルロース誘導体フイルム。
［１０］下記一般式（４−Ａ）で表される化合物。
【化５】
2006233098.tif 000006
【００１３】
（式中、Ｒ22、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｒ41は水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
［１１］下記一般式（４−Ｂ）で表される化合物。
【化６】
2006233098.tif 000007
【００１４】
（式中、Ｒ22、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｒ41、Ｒ44はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
［１２］偏光子の両面に保護フィルムが貼り合わされてなる偏光板において、該保護フィルムの少なくとも１枚が、［９］項に記載のセルロース誘導体フィルムであることを特徴とする偏光板。
［１３］保護フィルムの少なくとも片方の面上に、光学異方性層を有することを特徴とする［１２］項に記載の偏光板。
［１４］液晶セル及びその両側に配置された２枚の偏光板を有し、その少なくとも１方の偏光板が［１２］又は［１３］項に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
［１５］該液晶表示装置がＶＡモードであることを特徴とする［１４］項記載の液晶表示装置。
［１６］該液晶表示装置がＯＣＢモードであることを特徴とする［１４］項記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のセルロース誘導体組成物は個々に指定されたＲｅ値とＲｔｈ値とを同時に満足した光学性能に優れたフイルムを形成するために有用である。したがってこれより得られたセルロース誘導体フイルムは光学性能に優れる。
本発明のセルロース誘導体フイルムは、液晶表示装置用光学フイルムとして、特に光学補償シートとして好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下において、本発明について詳細に説明する。以下の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００１７】
本発明のセルロース誘導体組成物は、セルロース誘導体を必須成分として含有し、かつ、下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも一種含有することを特徴とする。
［安息香酸誘導体化合物］
まず、本発明一般式（１）で表される化合物に関して詳細に説明する。
【００１８】
【化７】
2006233098.tif 000008
【００１９】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌは単結合または二価の連結基を表し、Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。）
【００２０】
一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。
【００２１】
Ｒ1として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子または電子供与性基であり、より好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、水酸基であり、特に好ましくは水素原子、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、最も好ましくはメトキシ基である。
【００２２】
Ｒ2として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００２３】
Ｒ4として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メトキシ基である。
【００２４】
Ｒ5として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。最も好ましくは水素原子である。
【００２５】
Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表す。ヘテロ原子とは水素原子、炭素原子以外の原子のことを表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン、ケイ素、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ホウ素などが挙げられる。これらのうち、好ましく用いられる原子は、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｆ、Ｃｌ、Ｓｉであり、より好ましくは、Ｎ、Ｏ、Ｓであり、最も好ましくはＮ、Ｏである。
Ｒ13中にヘテロ原子は一つ以上含まれていれば本発明の範囲に入るが、二つ以上含まれていてもよい。この場合、異なるヘテロ原子を含んでいても、一種類のヘテロ原子を複数個含んでいてもよく、いずれも好ましく用いられる。
【００２６】
Ｒ13で表されるアルキル基としては、ヘテロ原子を一つ以上含有していればよく、炭素原子数は１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがより好ましく、２〜２０であることがもっとも好ましい。
【００２７】
以下にＲ13で表される置換基の好ましい例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。下記の例で表される置換基は＃の部分で酸素原子に連結する。
【００２８】
【化８】
2006233098.tif 000009
【００２９】
【化９】
2006233098.tif 000010
【００３０】
Ｌは単結合または二価の連結基を表し、二価の連結基として好ましいものは、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基をあらわす）、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−Ｓ−、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基およびこれらの二価の基を２つ以上組み合わせて得られる基であり、Ｌとして、より好ましくは、−Ｏ−、−ＮＲ−、−ＮＲＳＯ2−、−ＮＲＣＯ−であり、特に好ましくは、−Ｏ−、−ＮＲ−である。Ｒは好ましくは水素原子を表す。
【００３１】
Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。Ａｒで表されるアリール基として好ましくは炭素数６〜５０のアリール基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒで表されるアリール基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００３２】
一般式（１）中、Ａｒで表される芳香族ヘテロ環基は、酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環基であることができ、好ましくは５ないし６員環の酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環基である。また、可能な場合にはさらに置換基を有してもよい。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。
【００３３】
一般式（１）中、Ａｒで表される芳香族ヘテロ環基の芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、ピロロトリアゾール、ピラゾロトリアゾールなどが挙げられる。これらの芳香族ヘテロ環の例えば水素原子を除去して前記の芳香族ヘテロ環基を与える。芳香族ヘテロ環として好ましいものは、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾールである。
【００３４】
一般式（１）で表される化合物は、下記の一般式（２）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物であることがより好ましい。
次に、一般式（２）で表される化合物に関して説明する。
【００３５】
【化１０】
2006233098.tif 000011
【００３６】
（式中、Ｒ2、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ11は水素原子またはアルキル基を表し、Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌは単結合または二価の連結基を表し、Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。）
【００３７】
一般式（２）中、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ13、Ｌ及びＡｒは一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ11は水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、より好ましくは水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
次に、一般式（３）で表される化合物に関して説明する。
【００３８】
【化１１】
2006233098.tif 000012
【００３９】
（式中、Ｒ2、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ11、Ｒ14はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、Ｒ13はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌは単結合または二価の連結基を表し、Ａｒはアリール基または芳香族へテロ環基を表す。）
【００４０】
一般式（３）中、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ13、Ｌ及びＡｒは一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ11、Ｒ14はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、より好ましくは水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Ｒ11とＲ14は同じであっても異なっていてもよいが、ともにメチル基であることが特に好ましい。
次に、一般式（４）で表される化合物に関して説明する。
【００４１】
【化１２】
2006233098.tif 000013
【００４２】
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【００４３】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基は後述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25の好ましい例について示す。Ｒ21については一般式（１）のＲ1の好ましい例として示したものと同じである。Ｒ22については一般式（１）のＲ2の好ましい例として示したものと同じである。Ｒ24については一般式（１）のＲ4の好ましい例として示したものと同じである。Ｒ25については一般式（１）のＲ5の好ましい例として示したものと同じである。
【００４４】
Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、(Ａｒ1−Ｌ2)nで表される繰り返し単位中のＡｒ1は、すべて同一であってもそれぞれ異なっていてもよい。Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表す。
一般式（４）中、Ａｒ1で表されるアリーレン基として好ましくは炭素数６〜３０のアリーレン基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒ1で表されるアリーレン基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニレン基、ｐ−メチルフェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。
一般式（４）中、Ａｒ2で表されるアリール基として好ましくは炭素数６〜３０のアリール基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒ2で表されるアリール基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００４５】
一般式（４）中、Ａｒ1、Ａｒ2で表される芳香族ヘテロ環基は、酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環基であることができ、好ましくは５ないし６員環の酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環基である。また、可能な場合にはさらに置換基を有してもよい。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。芳香族ヘテロ環基の具体例としては先の一般式（１）中のＡｒの例として示したものと同じである。
【００４６】
一般式（４）中、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合、または２価の連結基を表す。Ｌ1、Ｌ2は、同じであってもよく異なっていてもよい。また、(Ａｒ1−Ｌ2)nで表される繰り返し単位中のＬ2は、すべて同一であってもそれぞれ異なっていてもよい。
２価の連結基の例としては、先の一般式（１）中のＬとして示したものと同じである。その内より好ましいものは−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2ＮＲ−、−ＮＲＳＯ2−、−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、およびアルキニレン基であり、最も好ましくは−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、およびアルキニレン基である。
【００４７】
本発明に用いられる一般式（４）で表される化合物において、Ａｒ1はＬ1およびＬ2と結合するが、Ａｒ1がフェニレン基である場合、−Ｌ1−Ａｒ1−Ｌ2−、および−Ｌ2−Ａｒ1−Ｌ2−は互いにパラ位（１，４−位）の関係にあることが最も好ましい。
一般式（４）中、ｎは１以上の整数を表し、好ましくは１〜７であり、より好ましくは２〜７であり、さらに好ましくは３〜６である。
一般式（４）で表される化合物のうちｎが３以上であるものは、(−Ａｒ1−Ｌ2−)nで表される部分が長く、同様の構造を有する従来の化合物に比べて、セルロース誘導体フィルムにおいて、より高いレターデーション発現能を有している。また、Ｒ43中にヘテロ原子を含有することによりセルロース誘導体組成物中での高い溶解性を実現可能である。
【００４８】
一般式（４）で表される化合物は、下記の一般式（４−Ａ）又は一般式（４−Ｂ）で表される化合物であることがより好ましい。
【００４９】
【化１３】
2006233098.tif 000014
【００５０】
（式中、Ｒ22、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｒ41は水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【００５１】
一般式（４−Ａ）中、Ｒ22、Ｒ25、Ｒ43、Ｌ1、Ｌ2、Ａｒ1、Ａｒ2及びｎは一般式（４）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ41は水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、より好ましくは水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
【００５２】
【化１４】
2006233098.tif 000015
【００５３】
（式中、Ｒ22、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｒ41、Ｒ44はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【００５４】
一般式（４−Ｂ）中、Ｒ22、Ｒ25、Ｒ43、Ｌ1、Ｌ2、Ａｒ1、Ａｒ2及びｎは一般式（４）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ41、Ｒ44はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、より好ましくは水素原子または炭素数1〜３のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
【００５５】
一般式（４）で表される化合物は、下記の一般式（５）、一般式（５−Ａ）又は一般式（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物であることがより好ましい。
【００５６】
【化１５】
2006233098.tif 000016
【００５７】
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【００５８】
一般式（５）中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ43、Ｌ1、Ｌ2、Ａｒ1及びｎは一般式（４）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００５９】
【化１６】
2006233098.tif 000017
【００６０】
（式中、Ｒ22、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｒ41は水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【００６１】
一般式（５−Ａ）中、Ｒ22、Ｒ25、Ｒ43、Ｌ1、Ｌ2、Ａｒ1及びｎは一般式（４）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ41はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、より好ましくは水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
【００６２】
【化１７】
2006233098.tif 000018
【００６３】
（式中、Ｒ22、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ43はヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基を表し、Ｒ41、Ｒ44はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは１以上の整数を表し、ｎ個のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｎ個のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【００６４】
一般式（５−Ｂ）中、Ｒ22、Ｒ25、Ｒ43、Ｌ1、Ｌ2、Ａｒ1及びｎは一般式（４）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ41、Ｒ44はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、より好ましくは水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
【００６５】
以下に前述の置換基Ｔについて説明する。
置換基Ｔとして好ましくは、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、
【００６６】
アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、
【００６７】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５または６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、
【００６８】
シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、
【００６９】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチル−メトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、p−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、
【００７０】
スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、
【００７１】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、
【００７２】
アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、
【００７３】
アリールおよびヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換または無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表わす。
【００７４】
上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００７５】
一般式（５）で表される化合物の好ましいものは、
Ｒ21がメトキシ基であり、
Ｒ22、Ｒ25がいずれも水素原子であり、
Ｒ24が水素原子またはメトキシ基であり、
Ｒ43がヘテロ原子を一つ以上含有するアルキル基であり、
Ｌ1が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ−、−ＳＯ2ＮＲ−、−ＮＲＳＯ2−、−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、およびアルキニレン基（Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、
Ｌ2が−Ｏ−または−ＮＲ−（Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、
Ａｒ1がアリーレン基であり、
ｎが３以上６以下である
ものを挙げることができる。
【００７６】
以下に一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物の具体例を示すが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【００７７】
【化１８】
2006233098.tif 000019
【００７８】
【化１９】
2006233098.tif 000020
【００７９】
【化２０】
2006233098.tif 000021
【００８０】
【化２１】
2006233098.tif 000022
【００８１】
【化２２】
2006233098.tif 000023
【００８２】
【化２３】
2006233098.tif 000024
【００８３】
【化２４】
2006233098.tif 000025
【００８４】
【化２５】
2006233098.tif 000026
【００８５】
【化２６】
2006233098.tif 000027
【００８６】
【化２７】
2006233098.tif 000028
【００８７】
【化２８】
2006233098.tif 000029
【００８８】
【化２９】
2006233098.tif 000030
【００８９】
【化３０】
2006233098.tif 000031
【００９０】
本発明に用いられる一般式（１）で表される化合物は、まず置換安息香酸を合成したのちに、この置換安息香酸とフェノール誘導体もしくはアニリン誘導体の一般的なエステル反応もしくはアミド化反応によって合成でき、エステル結合、アミド結合形成反応であれば任意の反応を用いることができる。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法、縮合剤あるいは触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体もしくはアニリン誘導体を脱水縮合する方法などがあげられる。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法が好ましい。
【００９１】
反応溶媒として炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよく、反応溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。
【００９２】
反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
本反応には塩基を用いないのが好ましく、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。
【００９３】
一般式（５）で表される化合物は、公知の方法で合成することができ、例えば、ｎ＝４である化合物の場合、下記構造：
【化３１】
2006233098.tif 000032
（式中、Ａは水酸基、ハロゲン原子等の反応性基を表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ43、Ｒ24、およびＲ25は先に記載した通りである。）
を有する原料化合物を、水酸基、アミノ基等の反応性部位を有する誘導体との反応に付して得られた中間体：
【化３２】
2006233098.tif 000033
（式中、Ａ’はカルボキシル基等の反応性基を表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ43、Ｒ24、Ｒ25、Ａｒ1、およびＬ1は先に記載した通りである。）
２分子を、
【化３３】
2006233098.tif 000034
（式中、ＢおよびＢ’は水酸基、アミノ基等の反応性基を表し、Ａｒ2およびＬ2は先に記載したＡｒ1、Ｌ1と同義である。）
１分子により連結することによって得ることができる。ただし、本発明に用いられる化合物の合成法はこの例に限定されない。
【００９４】
本発明のセルロース誘導体組成物における、一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物の含有量は、セルロース誘導体に対して０．１〜２０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．５〜１６質量％、さらに好ましくは１〜１２質量％、特に好ましくは１〜８質量％である。
【００９５】
前記一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物は、光学フイルム用レターデーション制御剤として用いることができ、特に延伸によるＲｅ発現性に優れたフイルムを得るためのレターデーション制御剤として好適に用いることができる。前記一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物は、特にセルロース誘導体フイルム用レターデーション制御剤として有用である。これら化合物を含むフイルムの製造方法等の詳細は後述する。
【００９６】
［セルロース誘導体組成物］
本発明のセルロース誘導体組成物は、セルロース誘導体と前記一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含む組成物である。本発明において、「セルロース誘導体」とは、セルロース化合物、および、セルロースを原料として生物的あるいは化学的に官能基を導入して得られるセルロース骨格を有する化合物を含むものとする。セルロース骨格を有する化合物として好ましいものはセルロースエステルであり、より好ましくはセルロースアシレート（セルローストリアシレート、セルロースアシレートプロピオネート等が挙げられる。）である。また、本発明においては異なる２種類以上のセルロース誘導体を混合して用いても良い。
以下、セルロース誘導体としてセルロースアシレートを用いた場合を代表例として、本発明を説明する。
【００９７】
セルロース誘導体の中で好ましいセルロースアシレートは以下の素材を挙げることができる。すなわち、セルロースアシレートが、セルロースの水酸基への置換度が下記式（Ｉ）〜（III）の全てを満足するセルロースアシレートである。
（Ｉ）      １．０≦ＳＡ＋ＳＢ≦３．０
（II）      ０．５≦ＳＡ≦３．０
（III）     ０≦ＳＢ≦１．５
【００９８】
ここで、式中ＳＡおよびＳＢはセルロースの水酸基に置換されているアシル基の置換基を表し、ＳＡはアセチル基の置換度、またＳＢは炭素原子数３〜２２のアシル基の置換度である。セルロースを構成するβ−１，４結合しているグルコ−ス単位は、２位、３位および６位に遊離の水酸基を有している。セルロースアシレートは、これらの水酸基の一部または全部をアシル基によりエステル化した重合体（ポリマー）である。アシル置換度は、２位、３位および６位のそれぞれについて、セルロースがエステル化している割合（１００％のエステル化は置換度１）を意味する。本発明で使用されるセルロースアシレートにおいては、水酸基のＳＡとＳＢの置換度の総和は、より好ましくは１．５０〜２．９６であり、特に好ましくは２．００〜２．９５である。また、ＳＢの置換度は０〜１．５であり、特には０〜１．０である。さらにＳＢは好ましくはその２８％以上が６位水酸基の置換基部分であるが、より好ましくは３０％以上が６位水酸基の置換基であり、３５％以上がさらに好ましく、特には４０％以上が６位水酸基の置換基のものであることも好ましい。またさらに、セルロースアシレートの６位のＳＡとＳＢの置換度の総和が０．８以上であり、さらには０．８５以上であり、特には０．９０以上であるセルロースアシレートを用いることもできる。
【００９９】
本発明において、セルロースアシレートの上記のＳＢを示す炭素数３〜２２のアシル基としては、脂肪族アシル基でも芳香族アシル基でもよく特に限定されない。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいＳＢを示す置換基としては、プロピオニル基、ブタノイル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、トリデカノイル基、テトラデカノイル基、ヘキサデカノイル基、オクタデカノイル基、イソブタノイル基、ピバロイル基、シクロヘキサンカルボニル基、オレイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などを挙げることができる。これらの中でも、プロピオニル基、ブタノイル基、ドデカノイル基、オクタデカノイル基、ピバロイル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などを挙げることができる。
【０１００】
セルロースアシレートの合成方法の基本的な原理は、右田他著，「木材化学」，１８０〜１９０頁（共立出版、１９６８年）に記載されている。代表的な合成方法は、カルボン酸無水物−酢酸−硫酸触媒による液相酢化法である。具体的には、綿花リンタや木材パルプ等のセルロース原料を適当量の酢酸で前処理した後、予め冷却したカルボン酸化混液に投入してエステル化し、完全セルロースアシレート（２位、３位および６位のアシル置換度の合計が、ほぼ３．００）を合成する。上記カルボン酸化混液は、一般に溶媒としての酢酸、エステル化剤としての無水カルボン酸および触媒としての硫酸を含む。
【０１０１】
無水カルボン酸は、これと反応するセルロースおよび系内に存在する水分の合計よりも、化学量論的に過剰量で使用することが普通である。アシル化反応終了後に、系内に残存している過剰の無水カルボン酸の加水分解およびエステル化触媒の一部の中和のために、中和剤（例えば、カルシウム、マグネシウム、鉄、アルミニウムまたは亜鉛の炭酸塩、酢酸塩または酸化物）の水溶液を添加する。次に、得られた完全セルロースアシレートを少量の酢化反応触媒（一般には、残存する硫酸）の存在下で、５０〜９０℃に保つことによりケン化熟成し、所望のアシル置換度および重合度を有するセルロースアシレートまで変化させる。所望のセルロースアシレートが得られた時点で、系内に残存している触媒を前記のような中和剤を用いて完全に中和するか、あるいは中和することなく水または希硫酸中にセルロースアシレート溶液を投入（あるいは、セルロースアシレート溶液中に、水または希硫酸を投入）してセルロースアシレートを分離し、洗浄および安定化処理によりセルロースアシレートを得る。
【０１０２】
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度２００〜７００、好ましくは２５０〜５５０、さらに好ましくは２５０〜４００であり、特に好ましくは粘度平均重合度２５０〜３５０である。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫著，「繊維学会誌」，第１８巻，第１号，１０５〜１２０頁，１９６２年）により測定できる。さらに特開平９−９５５３８号公報に詳細に記載されている。
【０１０３】
低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。
【０１０４】
なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明で使用されるセルロースアシレートの含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特に好ましくは０．７質量％以下である。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており、その含水率は２．５〜５質量％であることが知られている。本発明において、含水率の小さなセルロースアシレートを得るためには、セルロースアシレートを乾燥させればよく、その方法は目的とする含水率（例えば２質量％以下）にできれば特に限定されない。
【０１０５】
本発明において使用され得るこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。
【０１０６】
本発明のセルロース誘導体組成物におけるセルロース誘導体の含有量は、固形分全量に対して５５質量％以上であることができ、好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上である。フイルム製造の原料として、本発明のセルロース誘導体組成物を調製する際には、セルロースアシレートの粒子を使用することが好ましい。使用する粒子の９０質量％以上は、０．５〜５ｍｍの粒子サイズを有することが好ましい。また、使用する粒子の５０質量％以上が１〜４ｍｍの粒子サイズを有することが好ましい。セルロースアシレート粒子は、なるべく球形に近い形状を有することが好ましい。
【０１０７】
本発明のセルロース誘導体組成物には、セルロース誘導体および前記一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物のほかに、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、光学異方性コントロール剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号公報などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
【０１０８】
さらにまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、本発明のセルロース誘導体組成物からなるセルロース誘導体フイルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号公報などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。
【０１０９】
さらにこれらの素材としては、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。
【０１１０】
本発明において、セルロース誘導体、好ましくはセルロースアシレートを溶解するために用いられる有機溶媒について記述する。
まず、本発明において、セルロース誘導体の溶液を作製するに際して好ましく用いられる非塩素系有機溶媒について記載する。本発明においては、セルロース誘導体が溶解し流延、製膜できる範囲において、その目的が達成できる限り、非塩素系有機溶媒は特に限定されない。本発明で用いられる非塩素系有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテルから選ばれる溶媒が好ましい。
【０１１１】
エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを２つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。２種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。
【０１１２】
炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが挙げられる。炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが挙げられる。炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールが挙げられる。２種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが挙げられる。
【０１１３】
以上のセルロース誘導体用いられる非塩素系有機溶媒については、前述のいろいろな観点から選定されるが、好ましくは以下のとおりである。すなわち、本発明において、セルロース誘導体に用いられる好ましい溶媒は、互いに異なる３種類以上の混合溶媒であって、第１の溶媒が酢酸メチル、酢酸エチル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、アセトン、ジオキソラン、ジオキサンから選ばれる少なくとも１種あるいは或いはそれらの混合液であり、第２の溶媒は炭素原子数が４〜７のケトン類またはアセト酢酸エステルから選ばれ、第３の溶媒として炭素数が１〜１０のアルコールまたは炭化水素から選ばれ、より好ましくは炭素数１〜８のアルコールである。
【０１１４】
なお第１の溶媒が、２種以上の溶媒の混合液である場合は、第２の溶媒がなくてもよい。第１の溶媒は、さらに好ましくは酢酸メチル、アセトン、ギ酸メチル、ギ酸エチルあるいはこれらの混合物であり、第２の溶媒は、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセチル酢酸メチルが好ましく、これらの混合液であってもよい。
【０１１５】
第３の溶媒であるアルコールは、直鎖であっても分枝を有していても環状であってもよく、その中でも飽和脂肪族炭化水素であることが好ましい。アルコールの水酸基は、第一級〜第三級のいずれであってもよい。アルコールの例には、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノールおよびシクロヘキサノールが含まれる。なおアルコールとしては、フッ素系アルコールも用いられる。例えば、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールなども挙げられる。
【０１１６】
さらに炭化水素は、直鎖であっても分岐を有していても環状であってもよい。芳香族炭化水素と脂肪族炭化水素のいずれも用いることができる。脂肪族炭化水素は、飽和であっても不飽和であってもよい。炭化水素の例には、シクロヘキサン、ヘキサン、ベンゼン、トルエンおよびキシレンが含まれる。これらの第３の溶媒であるアルコールおよび炭化水素は単独でもよいし２種類以上の混合物でもよく特に限定されない。第３の溶媒としては、好ましい具体的化合物は、アルコールとしてはメタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、およびシクロヘキサノール、シクロヘキサン、ヘキサンを挙げることができ、特にはメタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノールである。
【０１１７】
以上の３種類の混合溶媒は、第１の溶媒が２０〜９５質量％、第２の溶媒が２〜６０質量％さらに第３の溶媒が２〜３０質量％の比率で含まれることが好ましく、さらに第１の溶媒が３０〜９０質量％であり、第２の溶媒が３〜５０質量％、さらに第３のアルコールが３〜２５質量％含まれることが好ましい。また特に第１の溶媒が３０〜９０質量％であり、第２の溶媒が３〜３０質量％、第３の溶媒がアルコールであり３〜１５質量％含まれることが好ましい。
【０１１８】
なお、第１の溶媒が混合液で第２の溶媒を用いない場合は、第１の溶媒が２０〜９０質量％、第３の溶媒が５〜３０質量％の比率で含まれることが好ましく、さらに第１の溶媒が３０〜８６質量％であり、さらに第３の溶媒が７〜２５質量％含まれることが好ましい。以上の本発明で用いられる非塩素系有機溶媒は、さらに詳細には発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１２頁〜１６頁に詳細に記載されている。本発明において好ましい非塩素系有機溶媒の組合せは以下に挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【０１１９】
・酢酸メチル／アセトン／メタノール／エタノール／ブタノール（７５／１０／５／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／メタノール／エタノール／プロパノール（７５／１０／５／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／メタノール／ブタノール／シクロヘキサン（７５／１０／５／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／エタノール／ブタノール（８１／８／７／４、質量部）
・酢酸メチル／アセトン／エタノール／ブタノール（８２／１０／４／４、質量部）
・酢酸メチル／アセトン／エタノール／ブタノール（８０／１０／４／６、質量部）
・酢酸メチル／メチルエチルケトン／メタノール／ブタノール（８０／１０／５／５、質量部）、
【０１２０】
・酢酸メチル／アセトン／メチルエチルケトン／エタノール／イソプロパノール（６８／１０／１０／５／７、質量部）、
・酢酸メチル／シクロペンタノン／メタノール／イソプロパノール（７７／１０／５／８、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／ブタノール（９０／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／シクロペンタノン／アセトン／メタノール／ブタノール（５９／１５／１５／５／６、質量部）、
・酢酸メチル／シクロヘキサノン／メタノール／ヘキサン（７０／２０／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／メチルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール（５０／２０／２０／５／５、質量部）、
【０１２１】
・酢酸メチル／１，３−ジオキソラン／メタノール／エタノール（７０／２０／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／ジオキサン／アセトン／メタノール／エタノール（６０／２０／１０／５／５、質量部）、
・酢酸メチル／アセトン／シクロペンタノン／エタノール／イソブタノール／シクロヘキサン（６５／１０／１０／５／５／５、質量部）、
・ギ酸メチル／メチルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール（５０／２０／２０／５／５、質量部）、
・ギ酸メチル／アセトン／酢酸エチル／エタノール／ブタノール／ヘキサン（６５／１０／１０／５／５／５、質量部）、
【０１２２】
・アセトン／アセト酢酸メチル／メタノール／エタノール（６５／２０／１０／５、質量部）、
・アセトン／シクロペンタノン／エタノール／ブタノール（６５／２０／１０／５、質量部）、
・アセトン／１，３−ジオキソラン／エタノール／ブタノール（６５／２０／１０／５、質量部）、
・１，３−ジオキソラン／シクロヘキサノン／メチルエチルケトン／メタノール／ブタノール（６０／２０／１０／５／５、質量部）
などをあげることができる。
【０１２３】
また、セルロース誘導体溶液には、上記非塩素系有機溶媒以外に、ジクロロメタンを全有機溶媒量の１０質量％以下含有させてもよい。
【０１２４】
また、本発明の実施において、本発明のセルロース誘導体の溶液（組成物）を作製するに際しては、場合により主溶媒として塩素系有機溶媒も用いられる。本発明においては、セルロース誘導体が溶解し流延、製膜できる範囲において、その目的が達成できる限りはその塩素系有機溶媒は特に限定されない。これらの塩素系有機溶媒は、好ましくはジクロロメタン、クロロホルムである。特にジクロロメタンが好ましい。
【０１２５】
また、塩素系有機溶媒以外の有機溶媒を混合することも特に問題ない。その場合は、ジクロロメタンは少なくとも５０質量％使用することが好ましい。本発明において、主溶媒としての塩素系有機溶媒と併用される非塩素系有機溶媒について以下に記す。すなわち、併用される好ましい非塩素系有機溶媒としては、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、アルコール、炭化水素などから選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトン、エーテルおよびアルコールは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を同時に有していてもよい。２種類以上の官能基を有する溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが挙げられる。
【０１２６】
炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが挙げられる。炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールが挙げられる。２種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが挙げられる。
【０１２７】
また塩素系有機溶媒と併用されるアルコールとしては、好ましくは直鎖であっても分枝を有していても環状であってもよく、その中でも飽和脂肪族炭化水素であることが好ましい。アルコールの水酸基は、第一級〜第三級のいずれであってもよい。アルコールの例には、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノールおよびシクロヘキサノールが含まれる。なおアルコールとしては、フッ素系アルコールも用いられる。例えば、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールなども挙げられる。
【０１２８】
さらに炭化水素は、直鎖であっても分岐を有していても環状であってもよい。芳香族炭化水素と脂肪族炭化水素のいずれも用いることができる。脂肪族炭化水素は、飽和であっても不飽和であってもよい。炭化水素の例には、シクロヘキサン、ヘキサン、ベンゼン、トルエンおよびキシレンが含まれる。
【０１２９】
以上のセルロース誘導体に対して用いられる主溶媒である塩素系有機溶媒と併用される非塩素系有機溶媒については、特に限定されないが、酢酸メチル、酢酸エチル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、アセトン、ジオキソラン、ジオキサン、炭素原子数が４〜７のケトン類またはアセト酢酸エステル、炭素数が１〜１０のアルコールまたは炭化水素から選ばれることが好ましい。なお好ましい併用される非塩素系有機溶媒としては、酢酸メチル、アセトン、ギ酸メチル、ギ酸エチル、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセチル酢酸メチル、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、およびシクロヘキサノール、シクロヘキサン、ヘキサンを挙げることができる。本発明において、好ましい主溶媒である塩素系有機溶媒と非塩素系有機溶媒の組合せとしては以下を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【０１３０】
・ジクロロメタン／メタノール／エタノール／ブタノール（８０／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／アセトン／メタノール／プロパノール（８０／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／メタノール／ブタノール／シクロヘキサン（８０／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／メチルエチルケトン／メタノール／ブタノール（８０／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／アセトン／メチルエチルケトン／エタノール／イソプロパノール（６７／１０／１０／５／７、質量部）、
・ジクロロメタン／シクロペンタノン／メタノール／イソプロパノール（７７／１０／５／８、質量部）、
・ジクロロメタン／酢酸メチル／ブタノール（８０／１０／１０、質量部）、
・ジクロロメタン／シクロヘキサノン／メタノール／ヘキサン（７０／２０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／メチルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール（５０／２０／２０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／１，３−ジオキソラン／メタノール／エタノール（７０／２０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／ジオキサン／アセトン／メタノール／エタノール（６０／２０／１０／５／５、質量部）、
【０１３１】
・ジクロロメタン／アセトン／シクロペンタノン／エタノール／イソブタノール／シクロヘキサン（６５／１０／１０／５／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／メチルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール（７０／１０／１０／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／アセトン／酢酸エチル／エタノール／ブタノール／ヘキサン（６５／１０／１０／５／５／５、質量部）、
・ジクロロメタン／アセト酢酸メチル／メタノール／エタノール（６５／２０／１０／５、質量部）、
・ジクロロメタン／シクロペンタノン／エタノール／ブタノール（６５／２０／１０／５、質量部）、
などをあげることができる。
【０１３２】
本発明ではセルロースアシレートを含むドープを上記に例示した組成の有機溶媒で０．１〜５質量％にした希釈溶液のセルロースアシレートの会合体分子量が１５万〜１５００万であることが好ましい。さらに好ましくは、会合分子量が１８万〜９００万である。この会合分子量は静的光散乱法で求めることができる。その際に同時に求められる慣性自乗半径は１０〜２００ｎｍになるように溶解することが好ましい。さらに好ましい慣性自乗半径は２０〜２００ｎｍである。さらにまた、第２ビリアル係数が−２×１０-4〜４×１０-4となるように溶解することが好ましく、より好ましくは第２ビリアル係数が−２×１０-4〜２×１０-4である。ここで、本発明での会合分子量、さらに慣性自乗半径および第２ビリアル係数の定義について述べる。
【０１３３】
これらは下記方法に従って、静的光散乱法を用いて測定することができる。下記方法によれば測定は装置の都合上希薄領域で測定するが、これらの測定値は本発明の高濃度域でのドープの挙動を反映するものである。まず、セルロースアシレートをドープに使用する溶剤に溶かし、０．１質量％、０．２質量％、０．３質量％、０．４質量％の溶液を調製する。なお、秤量は吸湿を防ぐためセルロースアシレートは１２０℃で２時間乾燥したものを用い、２５℃，１０％Ｒ．Ｈ．で行う。溶解方法は、ドープ溶解時に採用した方法（常温溶解法、冷却溶解法、高温溶解法）に従って実施する。
【０１３４】
続いてこれらの溶液、および溶剤を０．２μｍのテフロン製フィルターで濾過する。そして、ろ過した溶液の静的光散乱を、光散乱測定装置（大塚電子(株)製ＤＬＳ−７００、商品名）を用い、２５℃に於いて３０度から１４０度まで１０度間隔で測定する。得られたデータをＢＥＲＲＹプロット法にて解析する。なお、この解析に必要な屈折率はアッベ屈折系で求めた溶剤の値を用い、屈折率の濃度勾配（ｄｎ／ｄｃ）は、示差屈折計（大塚電子(株)製ＤＲＭ−１０２１、商品名）を用い、光散乱測定に用いた溶剤、溶液を用いて測定することができる。
【０１３５】
本発明におけるセルロース誘導体を含むドープの調製については、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施することができる。これらに関しては、例えば特開平５−１６３３０１号、特開昭６１−１０６６２８号、特開昭５８−１２７７３７号、特開平９−９５５４４号、特開平１０−９５８５４号、特開平１０−４５９５０号、特開２０００−５３７８４号、特開平１１−３２２９４６号、さらに特開平１１−３２２９４７号、特開平２−２７６８３０号、特開２０００−２７３２３９号、特開平１１−７１４６３号、特開平０４−２５９５１１号、特開２０００−２７３１８４号、特開平１１−３２３０１７号、特開平１１−３０２３８８号などの各公報にセルロース誘導体溶液の調製法、が記載されている。以上記載したこれらのセルロース誘導体の有機溶媒への溶解方法は、本発明においても適宜本発明の範囲であれば適用することができる。
【０１３６】
これらの詳細は、特に非塩素系溶媒系については発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている。さらに本発明において、セルロース誘導体を含むドープに対しては、溶液濃縮、ろ過が通常実施され、その方法は、同様に発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁に詳細に記載されている。なお、高温度で溶解する場合は、使用する有機溶媒の沸点以上の場合がほとんどであり、その場合は加圧状態で用いられる。
【０１３７】
本発明のセルロース誘導体組成物は、前記一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物を適当な溶媒に溶解して得られた溶液と、セルロース誘導体を適当な溶媒に溶解して得られたセルロース誘導体溶液とを混合することによって調製することができる。両溶液の混合方法は特に限定されず、両溶液を混合することにより得られた溶液を、フイルム形成用のドープとして用いることができる。但し、本発明では、セルロース誘導体と一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物の添加順序は問わず、また、両者を同時に添加してもよい。ドープにおけるセルロース誘導体の濃度は、１０〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは濃度１３〜２７質量％であり、特に濃度１５〜２５質量％であることが好ましい。これらの濃度にセルロース誘導体を溶解する方法は、溶解する段階で所定の濃度になるように実施してもよく、また予め低濃度溶液（例えば９〜１４質量％）として作製した後に後述する濃縮工程で所定の高濃度溶液に調整してもよい。さらに、予め高濃度のセルロース誘導体溶液として後に、種々の添加物を添加することで所定の低濃度のセルロース誘導体溶液としてもよく、上記濃度のドープが得られるのであれば、いずれの方法でも構わない。
【０１３８】
また、前記一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物を溶解するためには、前述のセルロース誘導体用溶媒と同様のものを用いることができる。ドープ中の一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物の濃度は、例えば０．１〜３０質量％とすることができ、好ましくは１〜１５質量％することができる。
【０１３９】
本発明において、セルロース誘導体を含むドープは、その溶液の粘度と動的貯蔵弾性率がある範囲であることが好ましい。試料溶液１ｍＬをレオメーター（ＣＬＳ  ５００）に直径
４ｃｍ／２°のＳｔｅｅｌ  Ｃｏｎｅ（共にＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｎｔｓ社製、商品名）を用いて測定することができる。測定条件はＯｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ  Ｓｔｅｐ／Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｒａｍｐで４０℃〜−１０℃の範囲を２℃／分で可変して測定し、４０℃の静的非ニュートン粘度ｎ*（Ｐａ・ｓ）および−５℃の貯蔵弾性率Ｇ’（Ｐａ）を求める。尚、試料溶液は予め測定開始温度にて液温一定となるまで保温した後に測定を開始する。本発明では、４０℃での粘度が１〜４００Ｐａ・ｓであり、１５℃での動的貯蔵弾性率が５００Ｐａ以上であることが好ましく、４０℃での粘度が１０〜２００Ｐａ・ｓであり、１５℃での動的貯蔵弾性率が１００〜１００万であることがより好ましい。さらには低温での動的貯蔵弾性率が大きいほど好ましく、例えば流延支持体が−５℃の場合は動的貯蔵弾性率が−５℃で１万〜１００万Ｐａであることが好ましく、支持体が−５０℃の場合は−５０℃での動的貯蔵弾性率が１万〜５００万Ｐａが好ましい。
【０１４０】
［セルロース誘導体フイルム］
本発明のセルロース誘導体フイルムは、本発明のセルロース誘導体組成物からなるものである。
次に、本発明のセルロース誘導体フイルムの製造方法について述べる。
【０１４１】
本発明のセルロース誘導体フイルムを製造する方法および設備としては、従来セルローストリアセテートフイルム製造に供する溶液流延製膜方法および溶液流延製膜装置を用いることができる。以下に、その具体例を説明する。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロース誘導体組成物溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。
【０１４２】
得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群で搬送し乾燥を終了して巻き取り機で所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。ハロゲン化銀写真感光材料や電子ディスプレイ用機能性保護膜に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフイルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらの各製造工程については、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載され、流延（共流延を含む），金属支持体、乾燥、剥離、延伸などに分類される。
【０１４３】
ここで、本発明においては流延部の空間温度は特に限定されないが、−５０〜５０℃であることが好ましい。さらには−３０〜４０℃であることが好ましく、特には−２０〜３０℃であることが好ましい。特に低温での空間温度により流延されたドープは、支持体の上で瞬時に冷却されゲル強度アップすることでその有機溶媒を含んだフイルムを保持することができる。これにより、セルロース誘導体から有機溶媒を蒸発させることなく、支持体から短時間で剥ぎ取りことが可能となり、高速流延が達成できる。なお、空間を冷却する手段としては通常の空気でもよいし窒素やアルゴン、ヘリウムなどでもよく特に限定されない。またその場合の湿度は０〜７０％Ｒ．Ｈ．が好ましく、さらには０〜５０％Ｒ．Ｈ．が好ましい。また、本発明ではドープを流延する流延部の支持体の温度が通常−５０〜１３０℃であり、好ましくは−３０〜２５℃であり、さらに好ましくは−２０〜１５℃である。流延部を所望の温度に保つためには、流延部に冷却した気体を導入して達成してもよく、あるいは冷却装置を流延部に配置して空間を冷却してもよい。この時、水が付着しないように注意することが重要であり、乾燥した気体を利用するなどの方法で実施できる。
【０１４４】
本発明においてその各層の内容と流延については、特に以下の構成が好ましい。すなわち、ドープが２５℃において、少なくとも１種の液体または固体の可塑剤をセルロース誘導体に対して０．１〜２０質量％含有しているドープであること、および／または少なくとも１種の液体または固体の紫外線吸収剤をセルロース誘導体に対して０．００１〜５質量％含有しているドープであること、および／または少なくとも１種の固体でその平均粒子サイズが５〜３０００ｎｍである微粒子粉体をセルロース誘導体に対して０．００１〜５質量％含有しているドープであること、および／または少なくとも１種のフッ素系界面活性剤をセルロース誘導体に対して０．００１〜２質量％含有しているドープであること、および／または少なくとも１種の剥離剤をセルロース誘導体に対して０．０００１〜２質量％含有しているドープであること、および／または少なくとも１種の劣化防止剤をセルロース誘導体に対して０．０００１〜２質量％含有しているドープであること、および／または少なくとも１種の光学異方性コントロール剤をセルロース誘導体に対して０．１〜１５質量％含有していること、および／または少なくとも１種の赤外吸収剤をセルロース誘導体に対して０．１〜５質量％含有しているドープであること、を特徴とするドープおよびそれから作製されるセルロース誘導体フイルム（好ましくはセルロースアシレートフイルム）が好ましい。
【０１４５】
流延工程では１種類のドープを単層流延してもよいし、２種類以上のドープを同時およびまたは逐次共流延しても良い。２層以上からなる流延工程を有する場合は、作製されるドープおよびセルロース誘導体フイルムにおいて、各層の塩素系溶媒の組成が同一であるか異なる組成のどちらか一方であること、各層の添加剤が１種類であるかあるいは２種類以上の混合物のどちらか一方であること、各層への添加剤の添加位置が同一層であるか異なる層のどちらか一方であること、添加剤の溶液中の濃度が各層とも同一濃度であるかあるいは異なる濃度のどちらか一方であること、各層の会合体分子量が同一であるかあるいは異なる会合体分子量のどちらか一方であること、各層の溶液の温度が同一であるか異なる温度のどちらか一方であること、また各層の塗布量が同一か異なる塗布量のどちらか一方であること、各層の粘度が同一であるか異なる粘度のどちらか一方であること、各層の乾燥後の膜厚が同一であるか異なる厚さのどちらか一方であること、さらに各層に存在する素材が同一状態あるいは分布であるか異なる状態あるいは分布であること、各層の物性が同一であるかあるいは異なる物性のどちらか一方であること、各層の物性が均一であるか異なる物性の分布のどちらか一方であること、を特徴とするドープおよびそのドープから作製されるセルロース誘導体フイルム（好ましくはセルロースアシレートフイルム）であることも好ましい。
【０１４６】
ここで、物性とは発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の６頁〜７頁に詳細に記載されている物性を含むものであり、例えばヘイズ、透過率、分光特性、レターデーションＲｅ、同Ｒｔｈ、分子配向軸、軸ズレ、引裂強度、耐折強度、引張強度、巻き内外Ｒｔ差、キシミ、動摩擦、アルカリ加水分解、カール値、含水率、残留溶剤量、熱収縮率、高湿寸度評価、透湿度、ベースの平面性、寸法安定性、熱収縮開始温度、弾性率、および輝点異物の測定などであり、さらにはベースの評価に用いられるインピーダンス、面状も含まれるものである。
また、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１１頁に詳細に記載されているセルロースアシレートのイエローインデックス、透明度、熱物性（Ｔｇ、結晶化熱）なども挙げることができる。
【０１４７】
本発明のセルロース誘導体フイルムは延伸されていても良い。光学的異方性を発現するために任意の倍率での延伸されることが特に好ましい。
【０１４８】
延伸は、公知の方法が使用でき、例えばセルロース誘導体フイルムのガラス転移温度（Ｔｇ）より１０℃高い温度から、５０℃高い温度の間の温度で、テンター一軸延伸法、同時二軸延伸法、逐次二軸延伸法、インフレーション法により延伸できる。また、溶液流涎法によるフイルム製造の場合、残留溶媒が１〜３０％の範囲内で、より好ましくは５〜２０％の範囲内で延伸することができる。延伸倍率は１．０１〜２倍が好ましく用いられる。
【０１４９】
セルロース誘導体フイルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロース誘導体フイルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０-3〜２０Ｔｏｒｒ（０．１３３Ｐａ〜２．６７ｋＰａ）の低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、さらにまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。
【０１５０】
プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類およびそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されている。なお、近年注目されている大気圧でのプラズマ処理は、例えば１０〜１０００ｋｅＶ下で２０〜５００ｋＧｙの照射エネルギーが用いられ、より好ましくは３０〜５００ｋｅＶ下で２０〜３００ｋＧｙの照射エネルギーが用いられる。これらの中でも特に好ましくは、アルカリ鹸化処理でありセルロースアシレートフイルムの表面処理としては極めて有効である。
【０１５１】
アルカリ鹸化処理は、フイルム表面をアルカリ溶液に浸漬した後、酸性溶液で中和し、水洗して乾燥するサイクルで行われることが好ましい。アルカリ溶液としては、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液が挙げられ、水酸化イオンの濃度は０．１〜５．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましく、０．５〜４．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液温度は、室温〜９０℃の範囲にあることが好ましく、４０〜７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。
【０１５２】
また、アルカリ鹸化処理は、鹸化液を塗布することで行ってもよい。塗布方法としては、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティング法およびＥ型塗布法を挙げることができる。アルカリ鹸化処理塗布液の溶媒は、鹸化液の透明支持体に対して塗布するために濡れ性が良く、また鹸化液溶媒によって透明支持体表面に凹凸を形成させずに、面状を良好なまま保つ溶媒を選択することが好ましい。具体的には、アルコール系溶媒が好ましく、イソプロピルアルコールが特に好ましい。
【０１５３】
また、界面活性剤の水溶液を溶媒として使用することもできる。アルカリ鹸化塗布液のアルカリは、上記溶媒に溶解するアルカリが好ましく、ＫＯＨ、ＮａＯＨがさらに好ましい。鹸化塗布液のｐＨは１０以上が好ましく、１２以上がさらに好ましい。アルカリ鹸化時の反応条件は、室温で１秒以上５分以下が好ましく、５秒以上５分以下がさらに好ましく、２０秒以上３分以下が特に好ましい。アルカリ鹸化反応後、鹸化液塗布面を水洗あるいは酸で洗浄したあと水洗することが好ましい。
また、塗布式鹸化処理と後述の配向膜解塗設を、連続して行うことができ、工程数を減少できる。
【０１５４】
フイルムと機能層との接着を達成するために、表面活性化処理をしたのち、直接セルロース誘導体フイルム上に機能層を塗布して接着力を得る方法と、一旦何がしかの表面処理をした後、あるいは表面処理なしで、下塗層（接着層）を設けこの上に機能層を塗布する方法とがある。これらの下塗層についての詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁に記載されている。また本発明のセルロース誘導体フイルムの機能性層についても各種の機能層が発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁〜４５頁に詳細に記載されている。
【０１５５】
本発明のセルロース誘導体フイルムのＲｅ値とＲｔｈ値をそれぞれ好ましい範囲に制御するためには、使用する一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物（レターデーション制御剤）の種類および添加量、ならびにフイルムの延伸倍率を適宜調整することが好ましい。特に、本発明では、所望のＲｔｈ値を達成し得るレターデーション制御剤を選択し、かつ、所望のＲｅ値が得られるように、該レターデーション制御剤の添加量およびフイルムの延伸倍率を適宜設定することにより、所望のＲｅ値およびＲｔｈ値を有するセルロース誘導体フイルムを得ることができる。
【０１５６】
本明細書において、Ｒｅ(λ)、Ｒｔｈ(λ)は各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ(λ)はKOBRA  21ADH（王子計測機器(株)製、商品名）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈ(λ)は前記Ｒｅ(λ)、面内の遅相軸（KOBRA  21ADHにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にKOBRA  21ADHが算出する。ここで平均屈折率の仮定値は「ポリマーハンドブック」（JOHN  WILEY＆SONS，INC）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。
【０１５７】
本発明のセルロース誘導体フイルムの用途についてまず簡単に述べる。
本発明のセルロース誘導体フイルムは、光学フイルム、特に偏光板保護フイルム用、液晶表示装置の光学補償シート（位相差フイルムともいう）、反射型液晶表示装置の光学補償シート、ハロゲン化銀写真感光材料用支持体として有用である。
したがって本発明のフイルムの厚さはこれらの用途によって定まり、特に制限はないが、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは３０〜２００μｍである。
【０１５８】
偏光板保護フイルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロース誘導体フイルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフイルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号、特開平６−１１８２３２号各公報に記載されているような易接着加工を施してもよい。保護フイルム処理面と偏光子を貼り合わせるために使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。偏光板は偏光子およびその両面を保護する保護フイルムで構成されており、さらに該偏光板の一方の面にプロテクトフイルムを、反対面にセパレートフイルムを貼合して構成される。プロテクトフイルムおよびセパレートフイルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。
【０１５９】
この場合、プロテクトフイルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフイルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明のフイルムを適用した偏光板保護フイルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フイルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護フイルムをこの部分に用いることが特に好ましい。
【０１６０】
本発明のセルロース誘導体フイルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償シートとして用いると特に効果がある。本発明のセルロースアシレートフイルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（Twisted Nematic）、ＩＰＳ（In-Plane Switching）、ＦＬＣ（Ferroelectric Liquid Crystal）、ＡＦＬＣ（Anti-ferroelectric Liquid Crystal）、ＯＣＢ（Optically Compensatory Bend）、ＳＴＮ（Supper Twisted Nematic）、ＶＡ（Vertically Aligned）およびＨＡＮ（Hybrid Aligned Nematic）のような様々な表示モードが提案されている。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。
【０１６１】
セルロース誘導体フイルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。本発明のセルロース誘導体フイルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。本発明のセルロース誘導体フイルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。
【０１６２】
一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（△ｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（△ｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。本発明のセルロースアシレートフイルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。本発明のセルロース誘導体フイルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。
【０１６３】
本発明のセルロース誘導体フイルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートとしても有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号、国際公開ＷＯ９８／４８３２０号、特許第３０２２４７７号の各公報に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、ＷＯ００−６５３８４号に記載がある。本発明のセルロース誘導体フイルムは、ＡＳＭ（Axially Symmetric Aligned Microcell）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。
【０１６４】
その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Kume et al., SID 98 Digest 1089 (1998)）に記載がある。以上述べてきたこれらの詳細なセルロース誘導体フイルムの用途は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて４５頁〜５９頁に詳細に記載されている。
【実施例】
【０１６５】
以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０１６６】
一般式（１）〜（５）又は（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（５−Ａ）もしくは（５−Ｂ）のいずれかで表される化合物の合成
［実施例１：例示化合物（Ａ−２）の合成］
下記スキームに従い、例示化合物（Ａ−２）を合成した。
【０１６７】
【化３４】
2006233098.tif 000035
【０１６８】
［中間体（Ｓ３）の合成］
２，４−ジヒドロキシ安息香酸メチル（Ｓ１）１３４．４ｇ、中間体（Ｓ２）２６３ｇ、炭酸カリウム２２１ｇをＭＥＫ１０００ｍｌに添加し、８０℃の湯浴上で６時間加熱攪拌した。反応終了後、無機塩を減圧濾過にて濾別したのち、溶媒を減圧濃縮した。残量が約７００ｇとなったところで酢酸エチル１０００ｍｌ、水を加え、有機層を抽出した。有機層は、１Ｎ塩酸水、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒、酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝１／２〜２／３）にて精製し、中間体（Ｓ３）を油状物１００ｇとして得た。
［中間体（Ｓ４）の合成］
中間体（Ｓ３）１００ｇ、硫酸ジメチル５２．５ｍｌ、炭酸カリウム１０２ｇをジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ｍｌに添加し、９０℃の湯浴上で６時間加熱攪拌した。反応終了後、酢酸エチルを添加し、無機塩を減圧濾過にて濾別したのち、濾液に水を加え、有機層を抽出した。有機層は、１Ｎ塩酸水、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。得られた油状物は精製せず、次工程に用いた。
このメチルエステル体をメタノール２００ｍｌ、５Ｎ水酸化カリウム水溶液２２２ｍｌに溶解させ、２時間４０℃にて加熱攪拌した。その後、水５００ｍｌ、１２Ｎ塩酸水９２ｍｌの混合液中に添加し、ついで酢酸エチル５００ｍｌを添加し、有機層を分取した。有機層は水、飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥したのち、溶媒を減圧留去した。こうして中間体（Ｓ４）を油状物として７７ｇ得た。
【０１６９】
［例示化合物（Ａ−２）の合成］
中間体（Ｓ４）１５．３ｇ、トルエン１００ｍｌ、ジメチルホルムアミド０．１ｍｌを７０℃に加熱した後、塩化チオニル４．５５ｍｌをゆっくりと滴下し、滴下後７０℃で１時間加熱攪拌した。その後、反応液に４−フェニルフェノール（Ｓ５）９．６２ｇをジメチルホルムアミド２０ｍｌに溶解させた溶液を加え、さらに７０℃で２時間反応させた。反応後、室温まで冷却したのち、反応液を水２５０ｍｌ、メタノール２５０ｍｌの混合溶液に添加し、攪拌した。減圧濾過にて例示化合物（Ａ−２）を１４．３ｇ白色固体として得た（収率６０％）。
また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）３．４１（ｓ，３Ｈ），３．６０（ｍ，２Ｈ），３．７５（ｍ，２Ｈ），３．９２（ｍ，５Ｈ），４．２６（ｍ，２Ｈ），６．５８（ｍ，２Ｈ），７．２９（ｄ，２Ｈ），７．３６（ｍ，１Ｈ），７．４４（ｔ，２Ｈ），７．６０（ｍ，４Ｈ），８．１０（ｄ，１Ｈ）．
【０１７０】
［実施例２：例示化合物（Ａ−２７）の合成］
下記スキームに従い、例示化合物（Ａ−２７）を合成した。
【０１７１】
【化３５】
2006233098.tif 000036
【０１７２】
［中間体（Ｓ７）の合成］
中間体（Ｓ４）７７ｇ、トルエン５００ｍｌ、ジメチルホルムアミド０．６ｍｌを７０℃に加熱した後、塩化チオニル２９．５ｍｌをゆっくりと滴下し、滴下後７０℃で１時間加熱攪拌した。その後、反応液に４−ヒドロキシ安息香酸（Ｓ６）５０．８ｇをジメチルホルムアミド１００ｍｌに溶解させた溶液を加え、さらに７０℃で２時間反応させた。反応後、室温まで冷却したのち、反応液を水１５００ｍｌ、メタノール５００ｍｌの混合溶液に添加し、攪拌して、中間体（Ｓ７）を粗体として析出させた。減圧濾過にて結晶を濾別したのち、再度、水／メタノールに分散、かけ洗いし、減圧濾過することで中間体（Ｓ７）を１００ｇ白色固体として得た。
【０１７３】
［例示化合物（Ａ−２７）の合成］
中間体（Ｓ７）１４．７ｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１５０ｍｌに溶解させ、氷／メタノールにて０℃に冷却した。続いて、メシルクロライド２．９ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン６．５３ｍｌを内温０℃以下に保ちながらゆっくりと滴下し、その後２時間、０℃以下で攪拌を続けた。続いて、中間体（Ｓ８）３．０ｇをＴＨＦ２０ｍｌに溶解した液、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン６．５３ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン０．２３ｇを順次ゆっくりと添加し、反応液を室温に戻しながら攪拌を続けた。一晩放置した後に、メタノール１００ｍｌを添加して、析出した白色固体を濾別した。得られた粗結晶を酢酸エチル／メタノールで再結晶をおこなうことで精製し、例示化合物（Ａ−２７）を８ｇ白色固体として得た（収率５６％）。
また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）３．４１（ｓ，６Ｈ），３．６０（ｍ，４Ｈ），３．７５（ｍ，４Ｈ），３．９２（ｍ，１０Ｈ），４．２６（ｍ，４Ｈ），６．５８（ｍ，４Ｈ），７．３２（ｄ，４Ｈ），７．４０（ｄ，４Ｈ），７．６５（ｍ，４Ｈ），８．１０（ｄ，２Ｈ），８．３０（ｄ，４Ｈ）
得られた化合物の融点は１１５℃であった。
【０１７４】
［実施例３：例示化合物（Ｂ−２６）の合成］
下記スキームに従い、例示化合物（Ｂ−２６）を合成した。
【０１７５】
【化３６】
2006233098.tif 000037
【０１７６】
［中間体（Ｔ３）の合成］
中間体（Ｔ１）17ｇ、トルエン100ｍｌ、ジメチルホルムアミド0.25ｍｌを７０℃に加熱した後、塩化チオニル４．５５ｍｌをゆっくりと滴下し、滴下後７０℃で２時間加熱攪拌した。その後、反応液に４−ヒドロキシ安息香酸（Ｔ２）７．８２ｇをジメチルホルムアミド２０ｍｌに溶解させた溶液を加え、さらに７０℃で２時間反応させた。反応後、室温まで冷却したのち、酢酸エチル、水を加えて、有機層を分取した。有機層は、１Ｎ塩酸水、水、飽和食塩水で順次洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。残渣に塩化メチレンを加えて析出した白色固体をろ過回収することで中間体（Ｔ３）を14.7ｇ（収量６２％）得た。
【０１７７】
［例示化合物（Ｂ−２６）の合成］
中間体（Ｔ３）１４．７ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解させ、氷／メタノールにて０℃に冷却した。続いて、メシルクロライド２．７１ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン６．１０ｍｌを内温０℃以下に保ちながらゆっくりと滴下し、その後２時間、０℃以下で攪拌を続けた。続いて、４，４’−ビフェノール２．１７ｇをＴＨＦ２０ｍｌに溶解した液、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン６．１０ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン０．２１４ｇを順次ゆっくりと添加し、反応液を室温に戻しながら攪拌を続けた。一晩放置した後に、メタノール１００ｍｌを添加して、析出した白色固体を濾別した。得られた粗結晶を酢酸エチル、塩化メチレン／メタノールで順次再結晶をおこなうことで精製し、例示化合物（Ｂ−２６）を６．５ｇ白色固体として得た（収率５６％）。
また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．４０（ｓ，６Ｈ），３．６０（ｍ，４Ｈ），３．７６（ｍ，４Ｈ），３．９０（ｓ，６Ｈ），３．９４（ｓ，６Ｈ），３．９５（ｍ，４Ｈ），４．３２（ｍ，４Ｈ），６．６９（ｓ，２Ｈ），７．３０（ｄ，４Ｈ），７．３８（ｄ，４Ｈ），７．６０（ｓ，２Ｈ），７．６５（ｄ，４Ｈ），８．２８（ｄ，４Ｈ）
得られた化合物の融点は１３８℃であった。
【０１７８】
［実施例４］
セルロースアセテートフイルムの作製
下記のセルロースアセテート溶液組成の各成分をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。
（セルロースアセテート溶液組成）
酢化度６０．９％のセルロースアセテート                １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                    ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）            ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                        ３１８質量部
メタノール（第２溶媒）                                  ４７質量部
【０１７９】
別のミキシングタンクに、例示化合物（Ｂ−２）、（Ｂ−１７）、（Ａ−２６）、（Ｂ−２６）、（Ａ−２７）、（Ｂ−３１）、（Ａ−３６）、（Ｂ−３６）、（Ａ−４１）、もしくは（Ａ−４８）、または比較化合物１６質量部、メチレンクロライド８７質量部およびメタノール１３質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション制御剤溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液４７４質量部にレターデーション制御（上昇）剤溶液３６質量部を混合し、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーション制御剤は、セルロースアセテート１００質量部に対して表１に記載の質量部を添加した。
【０１８０】
得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤量が１５質量％のフイルムを、１３０℃の条件で、テンターを用いて２０％の延伸倍率で横延伸して、セルロースアセテートフイルム（厚さ：９２μｍ）を製造した。作製したセルロースアセテートフイルム（光学補償シート）について、波長５９０ｎｍにおけるＲｅレターデーション値およびＲｔｈレターデーション値を測定した。結果を表１に示す。
【０１８１】
＜Ｒｅ、Ｒｔｈの測定＞
ＲｅはKOBRA  21ADH（商品名、王子計測機器(株)製）において波長５９０ｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定した。Ｒｔｈは前記Ｒｅ、面内の遅相軸（KOBRA  21ADHにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長５９０nｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長５９０nｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に算出した。
【０１８２】
【表１】
2006233098.tif 000038
【０１８３】
比較化合物（特開２００３−３４４６５５号公報に記載の化合物）
【化３７】
2006233098.tif 000039
【０１８４】
このように本発明の化合物を添加することにより、公知の円盤状化合物（比較化合物）では実現できなかった、Ｒｅ/Ｒｔｈ比０．２２以上の光学特性を有する、すなわち、よりＲｅ発現性の高い領域の光学特性を有する新規なセルロース誘導体フイルムの作製が可能になることがわかった。
【０１８５】
［実施例５］偏光板の作製
［セルロースアシレートフィルムの鹸化処理］
前記実施例４で作製されたセルロースアシレートフィルムＮｏ．６を、１．３ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬し、次いで室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸を用いて中和した後、再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルム６の表面を鹸化した。
【０１８６】
さらに市販のセルローストリアセテートフィルム「フジタックＴＤ８０ＵＦ」（富士写真フイルム(株)製、商品名）を同条件で鹸化し、以下の偏光板試料作製に供した。
【０１８７】
［偏光子の作製］
延伸したＰＶＡフィルムに、ヨウ素を吸着させて偏光子を作製し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、上記で鹸化したセルロースアシレートフィルムＮｏ．６を偏光子の片側に貼り付けた。偏光子の透過軸とセルロースアシレートフィルムの遅相軸とは平行になるように配置した。
【０１８８】
さらに上記で鹸化処理した「フジタックＴＤ８０ＵＦ」を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の反対側に貼り付けた。このようにして偏光板（Ａ）を作製した。
【０１８９】
［実施例６］ＶＡ液晶表示装置の作製と評価
［液晶セルの作製］
ポリビニルアルコール３質量％水溶液１００質量部に、オクタデシルジメチルアンモニウムクロリド（カップリング剤）を１質量部添加した。これを、ＩＴＯ電極付のガラス基板上にスピンコートし、１６０℃で熱処理した後、ラビング処理を施して、垂直配向膜を形成した。ラビング処理は、２枚のガラス基板において反対方向となるようにした。セルギャップ（ｄ）が５μｍとなるように２枚のガラス基板を向かい合わせた。セルギャップに、エステル系とエタン系を主成分とする液晶性化合物（Δｎ：０．０８）を注入し、垂直配向液晶セルを作製した。Δｎとｄとの積は４００ｎｍであった。
【０１９０】
上記実施例５で作製した偏光板（Ａ）を、２５℃、６０％ＲＨの温湿度条件で事前に調湿した後、防湿処理を施した袋に包装し、３日間放置した。袋はポリエチレンテレフタレート／アルミ／ポリエチレンの積層構造からなる包装材であり、透湿度は１×１０-5ｇ／ｍ2・日以下であった。
【０１９１】
２５℃、６０％ＲＨの環境下で、偏光板（Ａ）を取り出して、作製した垂直配向液晶セルの両面に、粘着シートを用いて貼り付けて、液晶表示装置を作製したところ、本発明のセルロースアシレートフィルムを含む偏光板を使用した液晶表示画面は、色味視野角が広く好ましいことがわかった。
【０１９２】
［実施例７］セルロースアシレートフィルムＮｏ．１６の作製
［セルロースアシレート溶液の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液を調製した。
【０１９３】
（セルロースアシレート溶液の組成）
アセチル化度２．８７のセルロースアセテート      １００．０質量部
可塑剤：トリフェニルホスフェート                    ６．０質量部
可塑剤：ビフェニルホスフェート                      ３．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                    ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                            ６０．０質量部
【０１９４】
［マット剤溶液の調製］
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
【０１９５】
（マット剤溶液組成）
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子                        ２．０質量部
（ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ９７２、商品名、日本アエロジル(株)製）
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ７５．０質量部
メタノール（第２溶媒）                            １２．７質量部
セルロースアシレート溶液                          １０．３質量部
【０１９６】
［レターデーション上昇剤溶液の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
【０１９７】
（レターデーション上昇剤溶液の組成）
レターデーション上昇剤（Ａ−２６）                １０．０質量部
レターデーション上昇剤（Ａ−３６）                １０．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）                              ８．７質量部
セルロースアシレート溶液                          １２．８質量部
【０１９８】
上記セルロースアシレート溶液９３．３質量部、マット剤溶液１．３質量部及びレターデーション上昇剤溶液５．４質量部をそれぞれ濾過した後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。残留溶媒含量３５質量％で得られたウェブをバンドから剥離し、１４０℃の条件でテンターを用いて１５％の延伸倍率まで、３０％／分の延伸速度で横延伸した後、１０％の延伸倍率で１４０℃、３０秒間保持した。その後、クリップを外して１４０℃で４０分間乾燥させ、セルロースアシレートフィルムＮｏ．１６を製造した。出来上がったセルロースアシレートフィルムの残留溶媒量は０．２質量％であり、膜厚は８０μｍ、Ｒｅ（５９０）は３８ｎｍ、Ｒｔｈ（５９０）は１７５ｎｍであった。
【０１９９】
［実施例８］偏光板の作製
［光学補償シートの作製］
（セルロースアシレートフィルムの鹸化処理）
実施例７で作製したセルロースアシレートフィルムＮｏ．１６上に、下記組成の液を５．２ｍＬ／ｍ2塗布し、６０℃で１０秒間乾燥させた。フィルムの表面を流水で１０秒洗浄し、２５℃の空気を吹き付けることでフィルム表面を乾燥させた。
【０２００】
（鹸化液の組成）
イソプロピルアルコール                                ８１８質量部
水                                                    １６７質量部
プロピレングリコール                                  １８７質量部
日本エマルジョン(株)製“ＥＭＡＬＥＸ”（商品名）        １０質量部
水酸化カリウム                                          ６７質量部
【０２０１】
（配向膜の形成）
鹸化処理したセルロースアシレートフィルムＮｏ．１６の上に、下記の組成の塗布液を＃１４のワイヤーバーコーターで２４ｍＬ／ｍ2塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥した。
次に、セルロースアシレートフィルムＮｏ．１６の延伸方向（遅相軸とほぼ一致）と４５゜の方向に、形成した膜にラビング処理を実施した。
【０２０２】
（配向膜塗布液の組成）
下記構造の変性ポリビニルアルコール                      ２０質量部
水                                                    ３６０質量部
メタノール                                            １２０質量部
グルタルアルデヒド（架橋剤）                          １．０質量部
【０２０３】
【化３８】
2006233098.tif 000040
【０２０４】
（光学異方性層の形成）
配向膜上に、下記構造のディスコティック化合物９１質量部、エチレンオキシド変成トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、商品名、大阪有機化学(株)製）９質量部、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１、商品名、イーストマン・ケミカル社製）１．５質量部、光重合開始剤（イルガキュア９０７、商品名、チバガイギー社製）３質量部、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、商品名、日本化薬(株)製）１質量部を、メチルエチルケトン２１４．２質量部に溶解した塗布液を、＃３のワイヤーバーコーターで５．２ｍＬ／ｍ2塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、１３０℃の恒温槽中で２分間加熱し、ディスコティック化合物を配向させた。次に、９０℃で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、１分間ＵＶ照射しディスコティック化合物を重合させた。その後、室温まで放冷した。このようにして、光学異方性層を形成し、光学補償シート（Ｂ）を得た。
【０２０５】
【化３９】
2006233098.tif 000041
【０２０６】
（光学補償シートの鹸化処理）
実施例５と同様にして鹸化処理を行った。
【０２０７】
［偏光板の作製］
（偏光子の作製）
延伸したポリビニルアルコールフイルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製した。次に、作製した光学補償シート（Ｂ）のセルロースアシレートフィルムＮｏ．１６側を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて偏光子の片側に貼り付けた。セルロースアシレートフィルム（１６）の遅相軸および偏光子の透過軸が平行になるように配置した。
【０２０８】
市販のセルローストリアセテートフィルム「フジタックＴＤ８０ＵＦ」（商品名、富士写真フイルム(株)製）を実施例３と同様に鹸化処理し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の反対側（光学補償シートを貼り付けなかった側）に貼り付けた。このようにして、楕円偏光板（Ｂ）を作製した。
【０２０９】
［実施例９］液晶表示装置の作製
［ベンド配向液晶セルの作製］
ＩＴＯ電極付きのガラス基板に、ポリイミド膜を配向膜として設け、配向膜にラビング処理を行った。得られた２枚のガラス基板を、ラビング方向が平行となる配置で向かい合わせ、セルギャップを５．７μｍに設定した。セルギャップにΔｎが０．１３９６の液晶性化合物“ＺＬＩ１１３２”（商品名、メルク社製）を注入し、ベンド配向液晶セルを作製した。
【０２１０】
［液晶表示装置の作製］
作製したベンド配向セルを挟むように、偏光板（Ｂ）を２枚貼り付けた。偏光板の光学異方性層がセル基板に対面し、液晶セルのラビング方向とそれに対面する光学異方性層のラビング方向とが反平行となるように配置した。
【０２１１】
本発明の偏光板を用いた液晶表示装置は、コントラスト視野角が広く好ましい画像を有していることがわかった。