(57)【要約】【課題】ヒストグラムの度数が最大度数Ｈ０から最初に所定の度数Ｈｓ以下となる信号値を欠陥判定値と決定すると、欠陥判定値には素子の特性に対するマージンが一切とられておらず、プロセス変動によって歩留が低下するという問題点を解決した半導体素子の欠陥判定方法を提供する。【解決手段】複数の半導体素子１から出力されたデータ群を取り込み、ヒストグラム作成部３において複数の連続する出力値区間に分割してヒストグラムを作成し、正常分布検出部４が、ヒストグラムにおいて分布度数が最大となる出力値区間を基準にして分布度数を順次探索し、分布度数が所定度数以下の出力値区間が所定区間連続することを検出し、連続する前記所定度数以下の出力値区間に挟まれる出力値区間を正常分布範囲として検出し、この正常分布範囲に基づいて欠陥判定値決定部６が欠陥判定値を設定し、この判定値に基づいて判定部６が半導体素子１の良否を判定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子から出力される出力値を取り込む工程と、
複数の前記半導体素子より出力される前記出力値のデータ群を複数の連続する出力値区間に分割してヒストグラムを作成する工程と、
前記ヒストグラムにおいて、分布度数が最大となる出力値区間を基準にして、隣接する出力値区間における分布度数を順次探索し、分布度数が所定度数以下の出力値区間が所定区間連続することを検出し、連続する前記所定度数以下の出力値区間に挟まれる出力値区間を正常分布範囲として検出する工程と、
前記正常分布範囲から欠陥判定値を算出する工程とを有することを特徴とする欠陥判定方法。
【請求項２】
半導体素子から出力される出力値を取り込む工程と、
複数の前記半導体素子より出力される前記出力値のデータ群を複数の連続する出力値区間に分割してヒストグラムを作成する工程と、
前記ヒストグラムにおいて、分布度数が最大となる出力値区間を基準にして、隣接する出力値区間における分布度数を順次探索し、分布度数が所定度数以下の出力値区間が所定区間連続することを検出し、連続する前記所定度数以下の出力値区間に挟まれる出力値区間を正常分布範囲として検出する工程と、
前記ヒストグラムの前記正常分布範囲において、分布度数が極大となる極大部を２つ以上有する場合、
前記極大部のうち、前記正常分布範囲の両端のそれぞれに最も近い極大部である２つの極大端部を選出する工程と、
前記２つの極大端部のそれぞれについて、互いに他の極大端部とは反対側の度数分布から欠陥判定値を算出する工程とを有することを特徴とする欠陥判定方法。
【請求項３】
前記欠陥判定値を算出する工程は、
前記２つの極大端部のそれぞれについて、互いに他の極大端部とは反対方向の度数分布を、それぞれの極大端部を中心にして対称に折り返すことにより、それぞれの極大端部を中心として対称な仮想分布を作成する工程と、
前記仮想分布から欠陥判定値を算出する工程とを含むことを特徴とする請求項２記載の欠陥判定方法。
【請求項４】
前記所定度数は、０であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の欠陥判定方法。
【請求項５】
前記所定区間は、前記複数の連続する出力値区間の全区間の１／４以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の欠陥判定方法。
【請求項６】
前記ヒストグラムにおいて、分布度数が所定度数以下の出力値区間で挟まれる小分布が複数存在する場合、
各前記小分布ごとに前記分布度数が前記所定度数より大きい出力値区間の分布度数の積分値を算出し、それぞれの積分値の比を求める工程と、
前記積分値の比が所定比より小さい前記小分布を、前記データ群から削除する工程と、
削除後のデータ群から前記ヒストグラムを再作成する工程とを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の欠陥判定方法。
【請求項７】
コンピュータに、請求項１〜３のいずれか１項記載の欠陥判定方法を実行させる欠陥判定プログラム。
【請求項８】
半導体素子から出力される出力値を取り込む手段と、
複数の前記半導体素子より出力される前記出力値のデータ群を複数の連続する出力値区間に分割してヒストグラムを作成する手段と、
前記ヒストグラムにおいて、分布度数が最大となる出力値区間を基準にして、隣接する出力値区間における分布度数を順次探索し、分布度数が所定度数以下の出力値区間が所定区間連続することを検出し、連続する前記所定度数以下の出力値区間に挟まれる出力値区間を正常分布範囲として検出する手段と、
前記正常分布範囲から欠陥判定値を算出する手段とを有することを特徴とする欠陥判定装置。
【請求項９】
半導体素子から出力される出力値を取り込む手段と、
複数の前記半導体素子より出力される前記出力値のデータ群を複数の連続する出力値区間に分割してヒストグラムを作成する手段と、
前記ヒストグラムにおいて、分布度数が最大となる出力値区間を基準にして、隣接する出力値区間における分布度数を順次探索し、分布度数が所定度数以下の出力値区間が所定区間連続することを検出し、連続する前記所定度数以下の出力値区間に挟まれる出力値区間を正常分布範囲として検出する手段と、
前記ヒストグラムの前記正常分布範囲において、分布度数が極大となる極大部を２つ以上有する場合、
前記極大部のうち、前記正常分布範囲の両端のそれぞれに最も近い極大部である２つの極大端部を選出する手段と、
前記２つの極大端部のそれぞれについて、互いに他の極大端部とは反対側の度数分布から欠陥判定値を算出する手段とを有することを特徴とする欠陥判定装置。
【請求項１０】
前記欠陥判定値を算出する手段は、
前記２つの極大端部のそれぞれについて、互いに他の極大端部とは反対方向の度数分布を、それぞれの極大端部を中心にして対称に折り返すことにより、それぞれの極大端部を中心として対称な仮想分布を作成する手段と、
前記仮想分布から欠陥判定値を算出する手段とを含むことを特徴とする請求項９記載の欠陥判定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の欠陥判定方法、欠陥判定プログラムおよび欠陥判定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の欠陥を判定するにあたっては、通常、半導体素子からの出力値を取り込み、規定の判定値の範囲内に属するか否かを判定する。ここで、判定値の設定が良品素子と不良素子を区分するうえで重要になってくる。通常、半導体素子の設計時に特性スペックが設定されており、その値に、検査電圧に対するマージン、温度に対するマージン、さらには検査装置に対するマージンを付加して決定される。
【０００３】
また、イメージセンサなどのアナログ素子では、設計値から判定値を設定するだけではなく、実際の素子からの出力値を統計的に処理して実力にあった判定値を設定することも多い（特許文献１参照）。
【０００４】
以下、イメージセンサの欠陥判定方法を例に、図６を用いて従来方法を説明する。
【０００５】
半導体素子１を駆動するための駆動信号を入力し、その出力を出力信号取込部２で取り込む。出力データは複数素子のデータを格納する。取得した複数素子のデータからヒストグラム作成部６３でヒストグラムを作成する。欠陥判定値決定部６４では、前記ヒストグラムにおいて、最初に所定度数Ｈｓを下回る箇所を判定値と決定する。判定部６では、前記判定値により、被測定対象の半導体素子の良否を判定する。
【０００６】
次に、欠陥判定値決定部６４の動作について説明する。
【０００７】
図７（ａ）は、ヒストグラム作成部６３で作成されたヒストグラムの例である。最大度数Ｈ０となる出力信号の値Ｄ７０を基準にして、ヒストグラムの度数が最大度数Ｈ０から最初に所定の度数Ｈｓ以下となる信号値を下側欠陥判定値、上側欠陥判定値と決定する。
【０００８】
所定度数Ｈｓを０とすれば、図７において、上側欠陥判定値はＤ７１、下側欠陥判定値Ｄ７２となる。
【特許文献１】特開２０００−２４４８２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記のようにヒストグラムの度数が最大度数Ｈ０から最初に所定の度数Ｈｓ以下となる信号値を欠陥判定値と決定すると、欠陥判定値には素子の特性に対するマージンが一切とられておらず、プロセス変動によって歩留が低下する恐れがある。
【００１０】
例えば、図７（ｂ）のように、半導体素子からの出力値の分布が大きい方へずれたとすると、上側判定値Ｄ７１より大きい出力値を持つ半導体素子（図７中Ｇ）は不良と判定される。しかし、図７中Ｇで示した部分は正常な素子のばらつき範囲であると考えられるため、不必要に歩留まりを落としていることになる。
【００１１】
本発明は、半導体素子開発初期にありがちな工程変動によっても、歩留を落とさず安定して良品，不良品の判定ができる欠陥判定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の半導体素子の欠陥判定方法は、半導体素子から出力される出力値を取り込む工程と、複数の半導体素子より出力される出力値のデータ群を複数の連続する出力値区間に分割してヒストグラムを作成する工程と、ヒストグラムにおいて、分布度数が最大となる出力値区間を基準にして、隣接する出力値区間における分布度数を順次探索し、分布度数が所定度数以下の出力値区間が所定区間連続することを検出し、連続する所定度数以下の出力値区間に挟まれる出力値区間を正常分布範囲として検出する工程と、正常分布範囲から欠陥判定値を算出する工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体素子の欠陥判定方法は、半導体素子から出力される出力値を取り込む工程と、複数の半導体素子より出力される出力値のデータ群を複数の連続する出力値区間に分割してヒストグラムを作成する工程と、ヒストグラムにおいて、分布度数が最大となる出力値区間を基準にして、隣接する出力値区間における分布度数を順次探索し、分布度数が所定度数以下の出力値区間が所定区間連続することを検出し、連続する所定度数以下の出力値区間に挟まれる出力値区間を正常分布範囲として検出する工程と、ヒストグラムの正常分布範囲において、分布度数が極大となる極大部を２つ以上有する場合、極大部のうち、正常分布範囲の両端のそれぞれに最も近い極大部である２つの極大端部を選出する工程と、２つの極大端部のそれぞれについて、互いに他の極大端部とは反対側の度数分布から欠陥判定値を算出する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
ここで、欠陥判定値を算出する工程は、２つの極大端部のそれぞれについて、互いに他の極大端部とは反対方向の度数分布を、それぞれの極大端部を中心にして対称に折り返すことにより、それぞれの極大端部を中心として対称な仮想分布を作成する工程と、
仮想分布から欠陥判定値を算出する工程とを含むことを特徴とする。
【００１５】
なお、所定度数は、０であることが好ましい。
【００１６】
また、所定区間は、複数の連続する出力値区間の全区間の１／４以上であることが好ましい。
【００１７】
なお、ヒストグラムにおいて、分布度数が所定度数以下の出力値区間で挟まれる小分布が複数存在する場合、各小分布ごとに分布度数が所定度数より大きい出力値区間の分布度数の積分値を算出し、それぞれの積分値の比を求める工程と、  積分値の比が所定比より小さい小分布を、データ群から削除する工程と、削除後のデータ群からヒストグラムを再作成する工程とを有することが好ましい。
また、上記の半導体素子の欠陥判定方法は、コンピュータ等のプログラム処理により行われるものであって構わない。
【００１８】
また、上記目的を達成するために、本発明の半導体素子の欠陥判定装置は、半導体素子から出力される出力値を取り込む手段と、複数の半導体素子より出力される出力値のデータ群を複数の連続する出力値区間に分割してヒストグラムを作成する手段と、ヒストグラムにおいて、分布度数が最大となる出力値区間を基準にして、隣接する出力値区間における分布度数を順次探索し、分布度数が所定度数以下の出力値区間が所定区間連続することを検出し、連続する所定度数以下の出力値区間に挟まれる出力値区間を正常分布範囲として検出する手段と、正常分布範囲から欠陥判定値を算出する手段とを有することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の半導体素子の欠陥判定装置は、半導体素子から出力される出力値を取り込む手段と、複数の半導体素子より出力される出力値のデータ群を複数の連続する出力値区間に分割してヒストグラムを作成する手段と、ヒストグラムにおいて、分布度数が最大となる出力値区間を基準にして、隣接する出力値区間における分布度数を順次探索し、分布度数が所定度数以下の出力値区間が所定区間連続することを検出し、連続する所定度数以下の出力値区間に挟まれる出力値区間を正常分布範囲として検出する手段と、ヒストグラムの正常分布範囲において、分布度数が極大となる極大部を２つ以上有する場合、極大部のうち、正常分布範囲の両端のそれぞれに最も近い極大部である２つの極大端部を選出する手段と、２つの極大端部のそれぞれについて、互いに他の極大端部とは反対側の度数分布から欠陥判定値を算出する手段とを有することを特徴とする。
【００２０】
ここで、２つの極大端部のそれぞれについて、互いに他の極大端部とは反対方向の度数分布を、それぞれの極大端部を中心にして対称に折り返すことにより、それぞれの極大端部を中心として対称な仮想分布を作成する手段と、仮想分布から欠陥判定値を算出する手段とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る半導体素子の欠陥判定方法、欠陥判定装置、欠陥判定プログラムによれば、工程変動に対しても安定した欠陥判定値を設定することにより、適正な欠陥判定を行い、歩留を確保することができる。また、開発初期にありがちな工程変動に対しても安定した欠陥判定値を設定することができ、歩留を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
図１は本発明の第１の実施形態に係る欠陥判定方法の構成を示す図である。半導体素子１に外部から駆動入力信号を与えることによって半導体素子１から出力される信号を、出力信号取込部２に取り込み格納する。出力信号取込部２には複数の半導体素子の出力値を格納する。
【００２４】
そして、ヒストグラム作成部３が、出力信号取込部２に取り込んだ複数の半導体素子より出力される出力値のデータ群を、複数の連続する出力値区間に分割してヒストグラムを作成する。ヒストグラムの１区間（出力値区間）は、取り込みデータの最大値Ｄｍａｘと最小値Ｄｍｉｎの差を求め、それを所定の区間数Ｎ０に分割したものとする。例えばＮ０＝２０として、２０区間に分割したものを図３に示す。
【００２５】
次に、正常分布検出部４の動作について説明する。ヒストグラム作成部３が作成したヒストグラムにおいて、分布度数が最大となる出力値区間を基準にして、隣接する出力値区間における分布度数を順次探索し、分布度数が所定度数以下の出力値区間が所定区間連続することを検出し、連続する前記所定度数以下の出力値区間に挟まれる出力値区間を正常分布範囲として検出する。
【００２６】
具体的には、図３に示すように、ヒストグラム分布の最大度数Ｈ０をもつ出力値Ｄ３０を基準に、出力信号値が大きくなる方向に分布度数を見ていき、最初に所定度数Ｈｓを下回る直前の区間Ｄ３１を検出する。Ｄ３１からさらに出力信号が大きくなる方向に分布度数を見ていき、所定数Ｎ１区間にわたり連続して前記所定度数Ｈｓ以下であれば、Ｄ３１を分布の最大値とする。Ｎ１＝８とすると図３においてはＤ３１の次の区間からＤ３３の区間の度数を確認すればよい。
【００２７】
同様にヒストグラム分布の最大度数Ｈ０を基準に、出力信号値が小さくなる方向に分布度数を見ていき、最初に所定度数Ｈｓを下回る直前の区間Ｄ３２を検出する。Ｄ３２からさらに出力信号が小さくなる方向に分布度数を見ていき、所定数Ｎ１区間にわたり連続して前記所定度数Ｈｓ以下であれば、Ｄ３２を分布の最小値とする。この時、Ｄ３２からＤ３１を第１の分布Ａと判定する。
【００２８】
確実に正常分布の範囲を検出するためには、所定度数Ｈｓは０、所定区間数Ｎ１はヒストグラム全区間Ｎ０の１／４以上（この場合５区間以上）をとることが望ましい。
【００２９】
欠陥判定値決定部５では、正常分布検出部４において正常分布と判定された分布の平均値ＡＶＧと標準偏差σを求め、これより欠陥判定値を設定する。安定した欠陥判定をするためには、最大判定値はＡＶＧ＋３σ以上、最小判定値はＡＶＧ−３σ以下に設定しなければならない。通常、最大判定値はＡＶＧ＋６σ以上、最小判定値はＡＶＧ−６σ以下に設定した方が安全である。
【００３０】
判定部６では、欠陥判定値決定部５で設定した判定値に基づき、半導体素子の良否を判定する。
【００３１】
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体素子の欠陥判定方法について、図面を参照しながら説明する。
【００３２】
まず、第１の実施形態と同様に、半導体素子１に外部から駆動入力信号を与えることによって半導体素子１から出力される信号を、出力信号取込部２に取り込み格納し、ヒストグラム作成部３が、出力信号取込部２に取り込んだ複数の半導体素子より出力される出力値のデータ群を、出力値区間に分割してヒストグラムを作成する。
【００３３】
第２の実施形態におけるヒストグラムの作成においては、分布度数が所定度数以下の出力値区間で挟まれる小分布が複数存在する場合、各小分布ごとに前記分布度数が所定度数より大きい出力値区間の分布度数の積分値を算出し、それぞれの積分値の比を求め、この比が所定比より小さい小分布をデータ群から削除することによりノイズ的なデータ除去する方法について述べる。
【００３４】
図２に示すように第２の実施形態においては、ヒストグラム作成部３と正常分布検出部４の処理を繰り返し実行される。図４（ａ）のヒストグラムにおいて、最初に所定度数Ｈｓを下回る直前の区間Ｄ４１よりさらに出力信号が大きくなる方向に分布度数を見ていき、分布度数が再び所定度数Ｈｓを上回った信号値の区間Ｄ４４を検出し、再びＨｓを下回る直前の区間Ｄ４５を検出する。このＤ４４からＤ４５の分布を第２の分布Ｂとする。このような処理を所定値Ｄｍａｘまで繰り返す。また、Ｄ４２より出力信号が小さくなる方向にも同じ処理を繰り返し、ヒストグラムを複数の小分布に分離する。
【００３５】
次に、第１の分布Ａと第２の分布Ｂのそれぞれの小分布の積分値を求める。積分値は、各小分布の各度数の和である。最大の積分値Ｓａを持つ分布が仮に第１の分布Ａであるとし、正常なばらつきによる分布であると認定する。
【００３６】
第２の大きさの積分値Ｓｂをもつ分布が仮に第２のＢであるとした場合、分布Ｂが正常な分布であるか、異常な分布であるかを判定するために、積分値の比Ｓｂ／Ｓａを求め、その比が所定の数値Ｎ２以下の場合は、分布Ｂは突発的に発生した欠陥であると判定する。所定の数値Ｎ２は５％程度が好ましいが、もちろんその他の値でもよい。積分値の比が所定の数値Ｎ２以上の場合には、別の要因で発生した正常な分布である可能性を排除できないため、異常分布とはしない。
【００３７】
異常分布と判定された分布は、対象から削除される。分布Ｂを削除した場合、出力信号の最大値はＤ４１となる。出力信号が小さくなる方向にも同様の処理をして、異常分布が存在した場合は削除する。出力信号の最小値はＤ４２となる。
【００３８】
次に、新たな分布の最大値をＤ４１、最小値をＤ４２として、再度ヒストグラムを作成する。この場合の区間数は前記Ｎ０とする。このヒストグラムを図４（ｂ）に示す。図４（ａ）においては、１つの分布Ａとして表されていた分布が再度ヒストグラムを作成することにより、１区間の幅が狭くなるため、分布Ｃと分布Ｄに分離される。次に、正常分布検出部４にて分布Ｄが異常分布と判定され削除される。以上のようにヒストグラム作成する処理３と、正常分布を検出し、異常分布を削除する処理４とを繰り返し、対象分布から異常な分布を全て削除する。
【００３９】
欠陥判定値決定部５および判定部６における処理は第１の実施形態と同様である。
【００４０】
次に、本発明の第３の実施形態に係る半導体素子の欠陥判定方法について、図面を参照しながら説明する。
【００４１】
第３の実施形態の基本構成は、図１に示す第１の実施形態と同じであるが、正常分布検出部４および欠陥判定決定部５における処理が第１の実施形態とは異なっている。
【００４２】
ヒストグラム作成部３で作成された分布が図５（ａ）のように、１つの分布の中に複数の極大度数（極大部）と最低１個の極小度数をもつ場合は、１つの分布でありながら、複数の分布の重なりであると考えられる。
【００４３】
ここでは、ヒストグラムの正常分布範囲において、分布度数が極大となる極大部を２つ以上有する場合、極大部のうち、正常分布範囲の両端のそれぞれに最も近い極大部である２つの極大端部を選出し、そして、２つの極大端部のそれぞれについて、互いに他の極大端部とは反対側の度数分布から欠陥判定値を算出する方法について述べる。
【００４４】
第１の極大度数をもつ出力信号Ｄ５１（極大部）を基準に極小度数をもつ出力信号Ｄ５３がＤ５１＜Ｄ５３である場合、出力信号Ｄ５１を基準に出力信号が小さくなる方向に見ていき、分布度数が所定度数Ｈｓを下回る直前の区間Ｄ５４を検出する。Ｄ５１の軸を対象軸としてＤ５１からＤ５４までの度数分布を折り返した分布を作成する。
【００４５】
この分布の作成方法を簡単に説明する。図５（ｂ）において、極大度数をもつ信号値区間をＤ５１とし、Ｄ５１より１つ小さい区間Ｄ５６の度数Ｈ５６をＤ５１より１つ大きい区間Ｄ５７の度数とする。つまり、Ｄ５６の度数とＤ５７の度数が同じなので、Ｄ５１を軸に対称になっている。同様にＤ５６より１つ小さい区間Ｄ５８の度数Ｈ５８をＤ５７より１つ大きい区間Ｄ５９の度数とする。これを、Ｄ５４まで繰り返す。こうして作成された分布を分布Ｅとする。
【００４６】
次に、この分布Ｅの平均ＡＶＧ２と標準偏差σ２を求める。
【００４７】
同様に、第２の極大度数をもつ出力信号Ｄ５２を基準に極小度数をもつ出力信号Ｄ５３がＤ５２＞Ｄ５３である場合、出力信号Ｄ５２を基準に出力信号が大きくなる方向に見ていき、分布度数が所定度数Ｈｓを下回る直前の区間Ｄ５５を検出する。前記分布Ｅの作成と同様に、Ｄ５２の軸を対象軸としてＤ５２からＤ５５までの度数分布を折り返した分布を作成し、分布Ｆとする。この分布Ｆの平均ＡＶＧ３と標準偏差σ３を求める。
【００４８】
図５（ａ）の分布の欠陥判定値は、下限欠陥判定値は分布Ｅにより決定され、上限欠陥判定値は分布Ｆにより決定される。欠陥判定部５では、下限欠陥判定値をＡＶＧ２とσ２から決定するが、歩留を考慮して、ＡＶＧ２−６σ２とするとよい。上限欠陥判定値をＡＶＧ３とσ３から決定するが、歩留を考慮して、ＡＶＧ３＋６σ３とするとよい。判定部６では、欠陥判定値決定部５で設定した判定値に基づき、半導体素子の良否を判定する。
【００４９】
なお、上記の実施形態においてはＨｓ＝０としたが、正の所定の整数値に設定しても構わない。
【００５０】
以上の実施形態により、半導体素子の出力信号から適正な欠陥判定値を求め、欠陥判定を行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上に説明したように、本発明は、半導体素子の欠陥判定をする方法に有用である。
【００５２】
また、半導体素子だけでなく、イメージセンサを含んだカメラなどのシステムの欠陥判定にも応用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る欠陥判定方法の構成を示す図
【図２】本発明の第２の実施形態に係る欠陥判定方法の構成を示す図
【図３】本発明の第１の実施形態における欠陥判定値決定部で処理をするヒストグラムを示す図
【図４】本発明の第２の実施形態における欠陥判定値決定部で処理をするヒストグラムを示す図
【図５】本発明の第３の実施形態における欠陥判定値決定部で処理をするヒストグラムを示す図
【図６】従来の欠陥判定方法の構成を示す図
【図７】従来の欠陥判定値決定部で処理をするヒストグラムを示す図
【符号の説明】
【００５４】
１  半導体素子
２  出力信号取込部
３  ヒストグラム作成部
４  正常分布検出部
５  欠陥判定値決定部
６  判定部
６３  ヒストグラム作成部
６４  欠陥判定値決定部
【図１】
2006105804.tif 000003
【図２】
2006105804.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006105804.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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