【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、
前記基板上に形成されたエピタキシャル構造と、
出力を生成する前記エピタキシャル構造に形成され、第１及び第２の反射器と、該第１及び第２の反射器の間に各々位置決めされた利得区域及び位相区域とを含む同調可能レーザ共振器と、
を含み、
前記出力の波長は、いずれか一方の区域のインデックス同調によって達成可能なものよりも広い波長範囲にわたって同調可能であり、該より広い波長範囲は、．ＤＥＬＴＡ．．ｌａｍｂｄａ．／．ｌａｍｂｄａ．＞．ＤＥＬＴＡ．ｎ／ｎによって表され、
前記エピタキシャル構造において前記同調可能レーザ共振器の外側で形成された少なくとも第１の区域及び第２の区域を有する変調器、
を更に含み、
前記変調器の前記第１及び第２の区域に対して、該変調器の該第１及び第２の区域における電界を変化させる逆バイアスを印加することによって前記同調可能レーザ共振器からの前記出力の振幅及び位相応答を制御するように構成された別々の電気接続が設けられ、
前記変調器からの出力を受け取り、該変調器に戻る反射を低減し、かつ該変調器の該出力を次に来る光学アセンブリに結合するように位置決めされて構成された、前記エピタキシャル構造に形成されたカプラ、
を更に含むことを特徴とするダイオードレーザアセンブリ。
【請求項２】  前記カプラは、該カプラの出力ファセットにおけるモード反射率を低減することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】  前記カプラは、前記同調可能レーザ共振器の出力モード形状を変更することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】  前記カプラは、光導波路を含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】  前記カプラは、第１の光導波路と、該第１の光導波路の下に重なる第２の光導波路とを含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】  前記光導波路の少なくとも一方は、テーパ付きであることを特徴とする請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項７】  前記光導波路の少なくとも一方は、非線形的にテーパが付いていることを特徴とする請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項８】  前記光導波路の少なくとも一方は、前記同調可能レーザ共振器の光軸に対して実質的に平行な方向にテーパが付いていることを特徴とする請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項９】  前記光導波路の少なくとも一方は、前記同調可能レーザ共振器の光軸に対して実質的に垂直な方向にテーパが付いていることを特徴とする請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項１０】  前記光導波路の少なくとも一方は、前記エピタキシャル構造の結晶軸に沿って配向されていることを特徴とする請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項１１】  前記変調器は、電気吸収変調器であることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１２】  前記変調器は、複数の電気吸収変調器を含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】  前記変調器は、前記同調可能レーザ共振器内の前方ミラーと同じバンドギャップを有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１４】  前記変調器は、前記同調可能レーザ共振器内の前方ミラーとは異なるバンドギャップを有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１５】  前記変調器区域は、異なるバンドギャップを有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１６】  前記変調器は、該変調器の材料のキャリア寿命を短縮するために非放射性キャリアトラップを含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１７】  前記変調器は、前記電気吸収変調器の出力を受信するように構成された光増幅器を含むことを特徴とする請求項１１に記載のアセンブリ。
【請求項１８】  前記変調器は、前記電気吸収変調器に入射する出力を生み出すように構成された光増幅器を含むことを特徴とする請求項１１に記載のアセンブリ。
【請求項１９】  前記変調器は、第１及び第２光増幅器の間に位置決めされた電気吸収変調器を含むことを特徴とする請求項１１に記載のアセンブリ。
【請求項２０】  異なるバンドギャップの領域を備えた共通エピタキシャル構造を有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項２１】  前記同調可能レーザ共振器は、モード選択要素を含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項２２】  前記モード選択要素は、横方向モード選択要素であることを特徴とする請求項２１に記載のアセンブリ。
【請求項２３】  前記モード選択要素は、長手方向モード選択要素であることを特徴とする請求項２１に記載のアセンブリ。
【請求項２４】  前記モード選択要素は、制御可能な位相シフト要素であることを特徴とする請求項２１に記載のアセンブリ。
【請求項２５】  前記第１及び第２の反射器は、レーザ空洞を形成し、該第１及び第２の反射器の少なくとも一方は、同調可能であることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項２６】  前記第１及び第２の反射器の少なくとも一方は、分散型ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項２５に記載のアセンブリ。
【請求項２７】  前記第１及び第２の反射器の両方は、分散型ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項２５に記載のアセンブリ。
【請求項２８】  前記同調可能レーザ共振器の最大反射率の波長は、調節可能であることを特徴とする請求項２５に記載のアセンブリ。
【請求項２９】  前記同調可能レーザ共振器は、多重活性領域の利得媒体を有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３０】  前記より広い波長範囲は、１５ｎｍよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３１】  前記光導波路は、前記同調可能レーザ共振器の光軸と平行にならないように前記基板の平面において湾曲していることを特徴とする請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項３２】  前記光導波路の少なくとも一方は、前記同調可能レーザ共振器の光軸と平行にならないように前記基板の平面において湾曲していることを特徴とする請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項３３】  前記異なるバンドギャップの領域は、再成長の前にオフセット量子井戸を取り除くことによって形成されることを特徴とする請求項２０に記載のアセンブリ。
【請求項３４】  前記異なるバンドギャップの領域は、隣接する導波路の突き合わせ接合成長によって形成されることを特徴とする請求項２０に記載のアセンブリ。
【請求項３５】  前記異なるバンドギャップの領域は、選択的領域成長によって形成されることを特徴とする請求項２０に記載のアセンブリ。
【請求項３６】  前記異なるバンドギャップの領域は、量子井戸相互混合によって形成されることを特徴とする請求項２０に記載のアセンブリ。
【請求項３７】  前記量子井戸相互混合は、前記エピタキシャル構造の選択された部分にイオンで衝撃を与え、かつ該エピタキシャル構造の選択された領域の不純物及び空孔を拡散して該領域の光学特性を判断するために該エピタキシャル構造を焼なましすることによって達成されることを特徴とする請求項３６に記載のアセンブリ。
【請求項３８】  前記次に来る光学アセンブリは、前記基板から分離していることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。