Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】最初はペースト状であるセメント質材料を硬化して形成され、導電磁化性繊維及び／又は粒状エレメント（Ｆ、Ｇ）の凝集層（６、Ｓ）によって形成された導電経路を含む固体（５）であって、前記凝集層が前記ペースト状材料内に埋まっており且つ前記固体の面に対して通常平行に延びていることを特徴とする固体。
【請求項２】導電端末部材（９）が、前記凝集層にこの凝集層に沿って離れた位置で接続されていることを特徴とする請求項１に記載の固体。
【請求項３】前記固体がスラブ状であって、導電磁化性エレメント（Ｆ、Ｇ）の前記凝集層が、スラブの面に沿って延びていることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体。
【請求項４】導電磁化性エレメント（Ｆ、Ｇ）の前記凝集層が、粒状の鉄鉱石を含むことを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項に記載の固体。
【請求項５】各導電端末部材の大部分が、前記固体に埋まっていることを特徴とする請求項２に記載の固体。
【請求項６】導電磁化性エレメント（Ｆ、Ｇ）が、前記凝集層に沿って離れた位置の間で延びる線の方向に延びて整列された繊維を前記固体中に含むことを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項に記載の固体。
【請求項７】スチール製繊維（Ｆ）が、前記凝集層に含まれていることを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項に記載の固体。
【請求項８】最初はペースト状であるセメント質材料を硬化して形成される固体（５）に導電経路を設ける方法であって、導電磁化性繊維及び／又は粒状エレメント（Ｆ、Ｇ）が、分散したペースト状材料の塊を形成する工程と、前記塊中に埋められ且つ前記固体の面に対して通常平行に延びる導電層（６、Ｓ）を前記磁化性エレメントから形成するために前記塊に磁界を加える工程と、前記導電層を含む前記塊を硬化させる工程とからなることを特徴とする方法。
【請求項９】前記導電層に沿って且つ導電層から離れた位置で、導電端末部材（９）を前記導電層に接続する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】前記ペースト状材料が、予め均一に配分された粒状鉄鉱石（Ｇ）を含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】前記ペースト状材料が、スラブであることを特徴とする請求項８乃至１０いずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】前記導電層が、前記磁界を製する磁石手段（１８）を含む階層化部材（１５）の移動によって形成され、前記階層化部材は前記ペースト状材料の塊の面に対して平行に移動することを特徴とする請求項８乃至１１いずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】前記階層化部材の少なくとも一部が、その移動の間、ペースト状材料の塊に埋まっていることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】前記ペースト状材料の塊が、前記階層化部材の移動中、振動させられることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】磁界が、前記階層化部材の非磁化性壁部（１７）を介して前記ペースト状材料の塊に加えられることを特徴とする請求項１２乃至１４いずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】磁界が、前記非磁化性壁部を介して前記ペースト状材料の塊に実質的に排他的に加えられることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】磁界が、ペースト状材料の塊に加えられた時、その磁界線の範囲が、前記塊の面に対して実質的に横断し且つ前記階層化部材の移動方向に対して実質的に平行な面に広がることを特徴とする請求項１２乃至１６いずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】磁界が、前記階層化部材内に配され、階層化部材が移動する間、前記ペースト状材料の塊の面に対して平行であって且つ前記階層化部材の移動方向に対して横断して延びる軸（Ｌ）を中心に角度をもって移動させられる磁石手段（１８）によってペースト状材料の塊内に向けられることを特徴とする請求項１５乃至１７いずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】導電経路は前記固体の長手方向に延びる面の間でこれらの面に対して平行に位置していることを特徴とする請求項１乃至７いずれか１項に記載の固体。
【請求項２０】導電層は前記固体の長手方向に延びる面の間でこれらの面に対して平行に位置していることを特徴とする請求項８乃至１８いずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光ビームの空間平均強度を測定する装置であって、
（ａ）表面を有する非導電支持部分（２）と、
（ｂ）互いに電気的に接続された空間分布光電部材のアレイ（３ａ〜３ｇ）を含む光電素子と
を有する光ビーム空間平均強度測定装置において、
前記アレイが、前記支持部分（２）の前記表面に適用され、
前記光電部材のアレイが、前記支持部分（２）の前記表面に向けられた光ビームの強度を受け取り、且つ測定するようになっており、
前記アレイの各光電部材は、光を受け取るが透過しないようになっている表面を有し、
前記支持部分（２）の前記表面は、
第１の領域群であって、各領域が前記光電部材の１つによって覆われ、それによって光を透過させない第１の領域群と、
第２の領域群であって、いずれの領域も前記光電部材によって覆われておらず、各領域が光を透過させる第２の領域群と
を有し、
前記第２の領域群の各領域が、前記第１の領域群の２以上の領域の間に位置付けられている、光ビーム空間平均強度測定装置。
【請求項２】  光源によって提供される光ビームの空間平均強度を測定する方法であって、
（ａ）請求項１に記載の装置を位置決めするステップと、
（ｂ）前記装置を用いて、前記光源によって提供される光ビームの強度を測定するステップと
を含む光ビーム空間平均強度測定方法。
【請求項３】  光源（８）によって提供される光ビームの強度を調整する装置であって、
前記光源（８）によって提供される光ビームの経路内に位置付けられた、前記光ビームの強度を測定する請求項１に記載の装置と、
請求項１に記載の前記装置によって提供される測定信号のフィードバックによって前記光源（８）の出力を調整する駆動回路（９）と
を有する光ビーム強度調整装置。
【請求項４】  光源（８）を調整する方法であって、
（ａ）前記光源によって提供される光ビームの経路内に位置付けられた請求項１に記載の装置を用いて、前記光源（８）によって提供される光ビームの強度を測定し、それによって前記強度を表す測定信号を発生するステップと、
（ｂ）前記光源（８）によって提供された光ビームの強度を駆動回路（９）を用いて調整するステップであって、前記装置によって前記駆動回路に提供される前記測定信号のフィードバックを含む調整ステップと
を含む光ビーム強度調整方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  少なくとも１つのねじれ軸（１７）の周りに静止位置から変位可能な、少なくとも十分に自由に支持されたミラー面（１０）を有するマイクロミラー、例えばマイクロ振動ミラーにおいて、
前記ミラー面（１０）は、少なくとも近似的に平行に並んでガイドされた少なくとも２つのトーションビーム（１３，１３′）を介して、少なくとも１つの支持体（１１，１２）に接続されていることを特徴とする、
マイクロミラー。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の信号源のうちのいくつかから放送されるテレビ番組を受信するテレビシステムにおいて、統合された電子番組ガイドを作成する方法であって、
該方法は、
第１の信号源によって担われるテレビ局の第１のリストを受信するステップと、
第２の信号源によって担われるテレビ局の第２のリストを受信するステップと、
該第１のリストおよび第２のリストから、該第１の信号源および該第２の信号源の両方によって担われる重複するテレビ局を識別するステップと、
該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除するために、所定の削除基準に基づいて、該第１の信号源または該第２の信号源のいずれか一方を選択するステップと、
テレビ局の統合されたリストを作成する際に、該選択された信号源に関連する該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除するステップと
を包含する、方法。
【請求項２】  電子番組ガイドにおける余分な番組リスト項目を削除する方法であって、該電子番組ガイドは、複数の信号源から放送されるテレビ番組の番組リスト項目を表示し、
該方法は、
該複数の信号源の各々から放送される該テレビ番組の番組スケジュール情報を含む電子番組ガイドのデータを受信するステップと、
該複数の信号源の各々に対するチャンネルマッピング情報を受信するステップであって、該チャンネルマッピング情報は、該複数の信号源によって担われるテレビ局にテレビチャンネルを関連付ける、ステップと、
該チャンネルマッピング情報に基づいて、統合されたチャンネルマップを作成するステップと、
該統合されたチャンネルマップにおける重複するテレビ局の番組リスト項目を識別するステップであって、該重複するテレビ局の番組リスト項目は、該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除するか否かを決定するために用いられる所定の削除基準に関連付けられている、ステップと、
該所定の削除基準に基づいて、該統合されたチャンネルマップから該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除するステップと、
該統合されたチャンネルマップに基づいて、統合された電子番組ガイドを作成するステップと
を包含する、方法。
【請求項３】  統合された電子番組ガイドを作成するシステムであって、
第１の信号源によって担われるテレビ局の第１のリストと第２の信号源によって担われるテレビ局の第２のリストとを受信するように構成された受信器と、
該受信器に接続され、複数のプログラム命令を実行するように動作可能なプロセッサと
を含み、
該複数のプログラム命令は、
該第１のリストおよび第２のリストから、該第１の信号源および該第２の信号源の両方によって担われる重複するテレビ局を識別することと、
該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除するために、所定の削除基準に基づいて、該第１の信号源または該第２の信号源のいずれか一方を選択することと、
テレビ局の統合されたリストを作成する際に、該選択された信号源に関連する該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除することと
を含む、システム。
【請求項４】  統合された電子番組ガイドを作成するシステムであって、
第１の信号源によって担われるテレビ局の第１のリストと第２の信号源によって担われるテレビ局の第２のリストとを受信する手段と、
該第１の信号源および該第２の信号源の両方によって担われる重複するテレビ局を識別する手段と、
該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除するために、所定の削除基準に基づいて、該第１の信号源または該第２の信号源のいずれか一方を選択する手段と、
テレビ局の統合されたリストを作成する際に、該選択された信号源に関連する該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除する手段と
を含む、システム。
【請求項５】  電子番組ガイドにおける余分な番組リスト項目を削除するシステムであって、該電子番組ガイドは、複数の信号源から放送されるテレビ番組の番組リスト項目を表示し、
該システムは、
該複数の信号源の各々から放送される該テレビ番組の番組スケジュール情報を含む電子番組ガイドのデータを受信する手段と、
該複数の信号源の各々に対するチャンネルマッピング情報を受信する手段であって、該チャンネルマッピング情報は、該複数の信号源によって担われるテレビ局にテレビチャンネルを関連付ける、手段と、
該チャンネルマッピング情報に基づいて、統合されたチャンネルマップを作成する手段と、
該統合されたチャンネルマップにおける重複するテレビ局の番組リスト項目を識別する手段であって、該重複するテレビ局の番組リスト項目は、該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除するか否かを決定するために用いられる所定の削除基準に関連する、手段と、
該所定の削除基準に基づいて、該統合されたチャンネルマップから該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除する手段と、
該統合されたチャンネルマップに基づいて、統合された電子番組ガイドを作成する手段と
を含む、システム。
【請求項６】  電子番組ガイドにおける余分な番組リスト項目を削除するシステムであって、該電子番組ガイドは、複数の信号源から放送されるテレビ番組の番組リスト項目を表示し、
該システムは、
少なくとも１つの信号源に関連するチャンネルマッピング情報を受信するように構成された受信器であって、該チャンネルマッピング情報は、該信号源によって担われるテレビ局にテレビチャンネルを関連付ける、受信器と、
該受信器に接続され、複数のプログラム命令を実行するように動作可能なプロセッサと
を含み、
該複数のプログラム命令は、
該チャンネルマッピング情報に基づいて、統合されたチャンネルマップを作成することと、
該統合されたチャンネルマップにおける重複するテレビ局の番組リスト項目を識別することであって、該重複するテレビ局の番組リスト項目は、該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除するか否かを決定するために用いられる所定の削除基準に関連付けられている、ことと、
該所定の削除基準に基づいて、該統合されたチャンネルマップから該重複するテレビ局の番組リスト項目を削除することと、
該統合されたチャンネルマップに基づいて、統合された電子番組ガイドを作成することと
を含む、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アシフルオルフェンからフォメサフェンを製造するための、
−アシフルオルフェンをその酸塩化物に変換し；
−こうして形成した酸塩化物とメタンスルホンアミド（ＭＳＡＭ）を結合させて粗製フォメサフェンを形成し；そして
−粗製フォメサフェンを再結晶により精製する
工程を含む方法であって、各工程をハロアルカン、ハロベンゼン、アルコキシベンゼン、ハロアルキルベンゼンおよびエステルから選択される単一の共通溶媒中で実施することを特徴とする方法。
【請求項２】  各工程を互いに入れ子方式とし、精製フォメサフェンが得られるまでいずれの工程の生成物も単離しない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  溶媒がクロロアルカンである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  溶媒が１，２−ジクロロエタンである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  クロロアルカン中で５−（２−クロロ−α，α，α−トリフルオロ−４−トリルオキシ）−安息香酸のニトロ化によりアシフルオルフェンを製造する、請求項３に記載の方法。
【請求項６】  ニトロ化剤が硝酸であるか、または硝酸と硫酸の混合物であり、反応を無水酢酸の存在下で実施し、無水酢酸と５−（２−クロロ−α，α，α−トリフルオロ−４−トリルオキシ）−安息香酸とのモル比が約１：１〜３：１である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  クロロアルカンを溶媒として用いて反応物から５−（２−クロロ−α，α，α−トリフルオロ−４−トリルオキシ）−安息香酸を抽出する、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】  酸素を触媒と共に７０〜１５０℃の温度で用いて対応するトルエンを酸化して反応物を調製し、これから５−（２−クロロ−α，α，α−トリフルオロ−４−トリルオキシ）−安息香酸を抽出することにより５−（２−クロロ−α，α，α−トリフルオロ−４−トリルオキシ）−安息香酸を製造する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  各工程を互いに入れ子方式とし、精製フォメサフェンが得られるまでいずれの工程の生成物も単離しない、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】  ５−（２−クロロ−α，α，α−トリフルオロ−４−トリルオキシ）−安息香酸からフォメサフェンを製造する方法であって、
（ｉ）クロロアルカンを溶媒として用いて酸化反応物から５−（２−クロロ−α，α，α−トリフルオロ−４−トリルオキシ）−安息香酸を抽出し；
（ｉｉ）同一のクロロアルカン溶媒中で５−（２−クロロ−α，α，α−トリフルオロ−４−トリルオキシ）−安息香酸をニトロ化してアシフルオルフェンを形成し；
（ｉｉｉ）アシフルオルフェンをその酸塩化物に変換し；
（ｉｖ）こうして形成した酸塩化物とメタンスルホンアミド（ＭＳＡＭ）を結合させて粗製フォメサフェンを形成し；そして
（ｖ）粗製フォメサフェンを精製する
工程を含み、その際、各工程（ｉ）〜（ｉｖ）を単一の共通のクロロアルカン溶媒中で実施し、各工程を互いに入れ子方式として、フォメサフェンが得られるまでいずれの工程の生成物も単離しない方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式
【化１】
2003518002.tif 000001
の１−（６−メチルピリジン−３−イル）−２−［４−（メチルスルホニル）フェニル］エタノン。
【請求項２】  式
【化２】
2003518002.tif 000002
の１−（６−メチルピリジン−３−イル）−２−［４−（メチルスルホニル）フェニル］エタノンの製造方法であって、２−メチル−５−ビニルピリジンを、オゾンと反応させ、ついで還元して、２−メチルピリジン−５−カルブアルデヒドに転化させ、これをジアルキルアミンおよびシアン化合物と反応させ、式
【化３】
2003518002.tif 000003
のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ−（６−メチル−３−ピリジル）アセトニトリル（式中、Ｒ１およびＲ２は同一または異なるものであって、Ｃ１−４アルキル基を意味する。）
とし、これを、塩基の存在下に４−（メチルスルホニル）ベンジルハライドと反応させて、式（Ｉ）の１−（６−メチルピリジン−３−イル）−２−［４−（メチルスルホニル）フェニル］エタノンに転換することを特徴とする製造方法。
【請求項３】  ２−メチル−５−ビニルピリジンとオゾンとの反応を、鉱酸の存在下に、好ましくは温度−２０℃から０℃において実施する請求項２の製造方法。
【請求項４】  還元を、アルカリ金属亜硫酸水素塩を使用して、式（II）
【化４】
2003518002.tif 000004
（式中、Ｍはアルカリ金属を表す。）
の１−ヒドロキシ−（６−メチルピリジン−３−イル）メタンスルホン酸塩の生成下に実施する請求項２または３の製造方法。
【請求項５】  還元を、温度−２０℃から２０℃において行なう請求項４の製造方法。
【請求項６】  １−ヒドロキシ−（６−メチルピリジン−３−イル）メタンスルホン酸塩を単離することなく使用して、一般式（III）のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ−（６−メチル−３−ピリジル）アセトニトリルを製造する請求項４または５の製造方法。
【請求項７】  ２−メチルピリジン−５−カルブアルデヒドの転化に当り、シアン化合物として、水性のＨＣＮ溶液またはアルカリ金属シアン化物の水性溶液を使用する請求項２ないし６のいずれかの製造方法。
【請求項８】  ２−メチルピリジン−５−カルブアルデヒドとジアルキルアミンおよびシアン化合物との反応を、０℃から３０℃において実施する請求項２ないし７のいずれかの製造方法。
【請求項９】  式（III）のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ−（６−メチル−３−ピリジル）アセトニトリルの転化に際して使用する塩基として、水性のアルカリ金属水酸化物溶液を相転移触媒とともに使用するか、またはアルカリ金属アルコラートを有機溶媒の存在下に使用して実施する請求項２ないし８のいずれかの製造方法。
【請求項１０】  ２−メチル−５−エチルピリジンから出発して、２−メチル−５−ビニルピリジンを取得する請求項２ないし９のいずれかの製造方法。
【請求項１１】  ２−メチル−５−エチルピリジンを、５００℃から７００
℃で、触媒の存在下に、２−メチル−５−ビニルピリジンに転換する請求項１０の製造方法。
【請求項１２】  触媒として、二酸化ケイ素、シリカゲル、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化クロム、銅クロマイト、酸化マグネシウム、酸化カリウム、酸化アルミニウム、またはボロンフォスフェートを、単独でまたは混合物として、場合によっては担体に担持させて使用する請求項１１の製造方法。
【請求項１３】  反応を、６００℃ないし７００℃において実施する請求項１１または１２の製造方法。
【請求項１４】  一般式の１−ヒドロキシ−（６−メチルピリジン−３−イル）メタンスルホン酸塩。
【化５】
2003518002.tif 000005
（式中、Ｍはアルカリ金属を表す。）
【請求項１５】  １−ヒドロキシ−（６−メチルピリジン−３−イル）メタンスルホン酸塩の製造方法であって、２−メチル−５−ビニルピリジンの、オゾンとの反応および最終的なアルカリ金属硫酸水素塩を用いた還元により、式（II）の最終生成物に導く請求項１４の製造方法。
【請求項１６】  一般式のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ−（６−メチル−３−ピリジル）アセトニトリル。
【化６】
2003518002.tif 000006
（式中、Ｒ１およびＲ２は同一または異なるものであって、Ｃ１−４アルキル基を表す。）
【請求項１７】  請求項１６に記載された一般式（III）のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ−（６−メチル−３−ピリジル）アセトニトリルを製造する方法であって、２−メチルピリジン−５−カルブアルデヒドまたは一般式（II）の１−ヒドロキシ−（６−メチルピリジン−３−イル）メタンスルホン酸塩を、
【化７】
2003518002.tif 000007
ジアルキルアミンおよびシアン化合物と反応させて、一般式（III）の最終生成物に転化することからなる製造方法。
【請求項１８】  一般式の１−（６−メチルピリジン−３−イル）−２−［４−（メチルスルホニル）フェニル］エタノンを製造する方法であって、
【化８】
2003518002.tif 000008
第一段階ａ）において、２−メチル−５−エチルピリジンを５００℃ないし７００℃で触媒の存在下に２−メチル−５−ビニルピリジンに転化し、
第二段階ｂ）において、２−メチル−５−ビニルピリジンをオゾンで処理し、最終的には還元して、２−メチルピリジン−５−カルブアルデヒドに転化し、
第三段階ｃ）において、２−メチルピリジン−５−カルブアルデヒドをジアルキルアミンおよびシアン化合物と反応させて、対応するＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ−（６−メチル−３−ピリジル）アセトニトリルに転化し、最後に、
第四段階ｄ）において、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ−（６−メチル−３−ピリジル）アセトニトリルを、塩基の存在下に、４−（メチルスルホニル）ベンジルハライドと反応させて、１−（６−メチルピリジン−３−イル）−２−［４−（メチルスルホニル）フェニル］エタノンに転化させること、
を特徴とする製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）少なくとも１つの１，２−ジクロロアルキルエーテル部分を含む、部分的にフッ素化されていても良い水素含有前駆物質を与えるステップと、
（ｂ）前記水素含有前駆物質をフッ素化して、ハロゲン化された中間体を与えるステップと、
（ｃ）前記ハロゲン化された中間体を全フッ素化されたエーテルに変換するステップとを含む、式、ＣＦ2＝ＣＦ（ＣＦ2）m−Ｏ−Ｒf（式中、ｍは１〜４の値を有し、Ｒfは酸素原子を含有していても良い直鎖または分枝の全フッ素化された脂肪族基である。）を有する、全フッ素化されたエーテルを製造する方法。
【請求項２】  （ａ）全フッ素化されたオレフィン、ビニル化合物またはアリル化合物とアリルアルコールとを反応させて、水素含有前駆物質を与えるステップと、
（ｂ）水素含有前駆物質を塩素化して、塩素化された中間体を与えるステップと、
（ｃ）前記塩素化された中間体をフッ素化して、全フッ素化されたステップ（ｂ）の生成物を与えるステップと、
（ｄ）ステップ（ｃ）の前記全フッ素化された生成物を脱塩素化して、全フッ素化されたアリルエーテルを与えるステップとを含む、全フッ素化されたアリルエーテルを製造する方法。
【請求項３】  式、ＣＦ3Ｏ（ＣＦ2）3ＯＣＦ2ＣＦ2ＯＣＦ2ＣＦ＝ＣＦ2を有するペルフルオロアリルオキシ化合物。
【請求項４】  式、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＦ2ＣＦ2ＯＣＦ2ＣＦ2ＯＣＦ2ＣＦ＝ＣＦ2を有する、ペルフルオロアリルオキシ化合物。
【請求項５】  式、Ｃ2Ｆ5ＯＣＦ2ＯＣＦ2ＣＦ2ＯＣＦ2ＣＦ＝ＣＦ2を有するペルフルオロアリルオキシ化合物。
【請求項６】  式、ＣＦ3ＯＣＦ2ＯＣＦ2ＣＦ＝ＣＦ2を有するペルフルオロアリルオキシ化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
アリルアルコールに付加するのに適したオレフィンまたは反応物としては、本願と同日に出願されたＵ.Ｓ.Ｓ.Ｎ. ０９／４７０,４９７号として識別される同時係属出願に記載されるように、テトラフルオロエチレンと、ヘキサフルオロプロペンと、ペルフルオロメチルビニルエーテル、ペルフルオロプロピルビニルエーテルまたはペルフルオロアルキルビニルエーテルなどのペルフルオロアルキルビニルエーテルとが挙げられる。ペルフルオロアルキルアリルエーテルもまた有用である。付加を触媒するのに好ましい塩基は、水酸化アルカリＫＯＨ、ＮａＯＨ、またはＮａＯＭｅである。反応のための溶剤としては、米国特許番号第４，４３３，１８０号（ｖｏｎ  Ｗｅｒｎｅｒ）に記載されるように、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルボン酸アミドまたは環式アミドが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式：
ＲfＯＣＦ2ＣＦ2ＣＯＦ  （１）
（式中、Ｒfは、１〜２０個の炭素原子を有するパーフルオロ脂肪族基である）
を有する過フッ素化酸フッ化物の製造方法であって、
（ａ）式：
Ｒ−Ｏ−ＣＦ2ＣＦ2ＣＯＺ  （２）
（式中、Ｒは、１つまたはそれ以上の酸素原子を含んでいてもよく、かつ１〜２０個の炭素原子を有する一価の水素含有脂肪族基であり、Ｚは、−ＯＨ、ハロゲン、または１〜２０個の炭素原子の一価の水素含有線状または枝分かれアルキルまたはアルコキシ基、およびＲ’ＣＯＯ−（式中、Ｒ’は、ＲまたはＲＯＣＦ2ＣＦ2ＣＯＯ−から選ばれる）から選ばれる無水物基から選ばれる）の部分フッ素化された水素含有出発原料を供給する工程と、
（ｂ）出発原料の水素原子をフッ素で置換するのに十分な条件下において、出発原料とフッ素化剤とを接触させることによって出発原料をフッ素化する工程と、
（ｃ）場合により、工程ｂ）の生成物を過フッ素化酸フッ化物に転化する工程と、
を含む方法。
【請求項２】  式：
ＲfＯＣＦ2ＣＦ2ＣＯＦ  （１）
（式中、Ｒfは、１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族基である）を有する過フッ素化酸フッ化物の製造方法であって、
（ａ）式：
Ｒ−Ｏ−ＣＦ2ＣＦ2ＣＯＺ  （２）
（式中、Ｒは、１〜２０個の炭素原子を有する一価の水素含有脂肪族基であり、Ｚは、−ＯＨ、ハロゲン、または１〜２０個の炭素原子を含む一価の水素含有線状または枝分かれアルキルまたはアルコキシ基、およびＲ’ＣＯＯ−（式中、Ｒ’は、ＲまたはＲＯＣＦ2ＣＦ2ＣＯＯ−から選ばれる）から選ばれる無水物基から選ばれる）の部分フッ素化された水素含有出発原料を供給する工程と、
（ｂ）出発原料と非フッ素化共反応体とを、適切な容器において組合わせる工程と、
（ｃ）工程（ｂ）から生じる組合わせ物中の出発原料を、直接フッ素化によってフッ素化する工程と、
（ｄ）工程（ｃ）のフッ素化生成物を、過フッ素化酸フッ化物に転化する工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月27日(2007.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）部分的にハロゲン化されていても良い少なくとも１つの２−アルコキシプロピオネート部分、誘導体または相当物を含む炭化水素前駆物質を提供するステップと、
ｂ）当該炭化水素前駆物質をフッ素化して過フッ化中間体を提供するステップと、
ｃ）当該過フッ化中間体をその対応する過フッ化酸金属塩に変換するステップと、
ｄ）当該過フッ化酸金属塩をその対応するパーフルオロビニルエーテルに変換するステップとを含む、式、
ＣＦ2＝ＣＦ−Ｏ−Ｒf
（式中、Ｒfは酸素原子を含有しても良い直鎖、分枝または環状過フッ化脂肪族基またはＣ1〜Ｃ20芳香族基である。）を有する過フッ化ビニルエーテルを調製する方法。
【請求項２】  炭化水素前駆物質が、炭化水素エステル、無水物、酸ハロゲン化物または酸からなる群より選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】  炭化水素前駆物質が、
ＲhＯＣＨ（ＣＨ3）Ｃ（Ｏ）Ｘh
（式中、Ｒhは追加的なエーテル結合を含有しても良い直鎖、分枝、環状であっても良いＣ1〜Ｃ20アルキルまたは芳香族基であり、Ｘhは、Ｒh、低級アルコキシ、ＯＣ（Ｏ）ＣＨ（ＣＨ3）ＯＲh、−Ｆおよび−Ｃｌからなる群より選択される。）である請求項２に記載の方法。
【請求項４】  炭化水素前駆物質が
ｉ）  Ｒ’h（ＯＣＨ（ＣＨ3）Ｃ（Ｏ）Ｘh）2
（式中、Ｒ’hは追加的なエーテル結合を含有しても良い二価のＣ1〜Ｃ20アルキルまたは芳香族基であり、Ｒhは追加的なエーテル結合を含有しても良い直鎖、分枝または環状であっても良い一価のＣ1〜Ｃ20アルキルまたは芳香族基であり、ＸhはＲh、低級アルコキシ、ＯＣ（Ｏ）ＣＨ（ＣＨ3）ＯＲh、−Ｆ、および−Ｃｌからなる群より選択される。）、
ｉｉ）  ＲhＯＣＦ（ＣＦ3）−ＣＯＯＸhh
（式中、Ｘhhは−ＯＣ（Ｏ）ＣＦ（ＣＦ3）ＯＲhであり、Ｒhは追加的なエーテル結合を含有しても良い直鎖、分枝、環状であっても良いＣ1〜Ｃ20アルキルまたは芳香族基である。）、および
ｉｉｉ）フッ素化されたオレフィンと乳酸エステルとの反応生成物、
からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項５】  炭化水素前駆物質がヘキサフルオロプロピレンオキシドと式、ＲhＯＨのアルコールを反応させることで提供される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  Ｒhが直鎖である、請求項４に記載の方法。
【請求項７】  式、
ＲfＯＣＦ2ＯＣＦ＝ＣＦ2
（式中、Ｒfは追加的なエーテル結合を形成する酸素原子を含有しても良い直鎖、分枝または環状過フッ化脂肪族基である。）を有するパーフルオロビニルエーテル（ここに、過フッ化という用語は、炭素に結合する水素原子がすべてフッ素で置換され、あらゆる不飽和炭素−炭素結合がフッ素で飽和されていることを意味する。）。
【請求項８】  Ｒfが−ＣＦ3である、請求項７のパーフルオロビニルエーテル。
【請求項９】  Ｒfが−ＣＦ2ＣＦ3である、請求項７のパーフルオロビニルエーテル。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置を搭載するのに好適な担体部材であって、
表面を有する有機基板と、
搭載されるべき半導体装置を直接的に受けるための、有機基板の表面上の複数のはんだパッドとを含み、はんだパッドは、約２０ｗｔ％以下の錫を含み、かつ有機基板のほぼ分解温度以下のリフロー温度を有し、担体部材はさらに
有機基板の表面上のはんだパッドと導通する、有機基板上の複数の電気的接続を含む、担体部材。
【請求項２】  はんだパッドは、約２ｗｔ％から約１６ｗｔ％の間のビスマスを含む、請求項１に記載の担体部材。
【請求項３】  はんだパッドは、約８５ｗｔ％〜約６５ｗｔ％の鉛と、約１２ｗｔ％〜約６ｗｔ％のアンチモンと、約１０ｗｔ％〜約３ｗｔ％の錫と、約２ｗｔ％〜約１５ｗｔ％のビスマスとを含む、請求項１に記載の担体部材。
【請求項４】  有機基板は積層構造であって、電気的接続はピンの形である、請求項３に記載の担体部材。
【請求項５】  はんだパッドは、約７０ｗｔ％の鉛と、約８ｗｔ％のアンチモンと、約１０ｗｔ％の錫と、約１２ｗｔ％のビスマスとを含む、請求項１に記載の担体部材。
【請求項６】  装置アセンブリであって、
請求項１に記載の担体部材と、
複数のはんだ付け可能導電コンタクトを有する半導体装置とを含み、装置のはんだ付け可能導電コンタクトは基板のはんだパッドを介して担体部材と導通する、装置アセンブリ。
【請求項７】  はんだ付け可能導電コンタクトは、はんだバンプを含む、請求項６に記載の装置アセンブリ。
【請求項８】  装置は集積回路ダイである、請求項６に記載の装置アセンブリ。
【請求項９】  装置を搭載するための担体部材であって、
上面と下面とを有する有機基板と、
搭載されるべき装置を直接的に受けるための、有機基板の上面の複数のはんだパッドとを含み、はんだパッドは、約２０ｗｔ％以下の錫を含み、かつ有機基板のほぼ分解温度以下のリフロー温度を有し、担体部材はさらに
有機基板の上面のはんだパッドと導通する、有機基板の下面の複数の電気的接続を含む
、担体部材。
【請求項１０】  はんだパッドは、約１０ｗｔ％以下の錫を含む、請求項９に記載の担体部材。
【請求項１１】  はんだパッドは、約８５ｗｔ％〜約８２ｗｔ％の鉛と、約１２ｗｔ％〜約８ｗｔ％のアンチモンと、約１０ｗｔ％〜約３ｗｔ％の錫と、最大５ｗｔ％の銀とを含む、請求項９に記載の担体部材。
【請求項１２】  はんだパッドのリフロー温度は約２７０℃以下である、請求項９に記載の担体部材。
【請求項１３】  有機基板は、積層構造または成型プラスチックを含む、請求項９に記載の担体部材。
【請求項１４】  有機基板は、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリルスルホン、フェノール、ポリアミド、ビスマレイミドトリアジン、エポキシ、またはこれらの混合物を含む、請求項９に記載の担体部材。
【請求項１５】  電気的接続はメタライズドコンタクト、はんだボール、またはピンの形である、請求項９に記載の担体部材。
【請求項１６】  バンプ付けされたダイを搭載するための担体部材であって、
表面を有するビスマレイミドトリアジンエポキシ積層体を含む基板と、
搭載されるべきバンプ付けされたダイを直接的に受けるための、基板の表面上の複数のはんだパッドとを含み、はんだパッドは、約２０ｗｔ％以下の錫を含み、担体部材はさらに
基板の表面上のはんだパッドと導通する、基板上の複数の電気的接続を含む、バンプ付けされたダイを搭載するための担体部材。
【請求項１７】  はんだパッドは、砒素、鉛、および約２ｗｔ％〜約１６ｗｔ％のビスマスをさらに含み、電気的接続はピンの形である、請求項１６に記載の担体部材。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  請求項３において、前記三角形プリズムが約８８°の頂角を持つ光平行化フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月16日(2006.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成表面を作製する方法であって、
Ａ．コーティングを有する基板であって、前記コーティングと前記基板とが互いに最も接近している領域を含む界面を有する基板を提供するステップと、
Ｂ．前記コーティングの面積全体の少なくとも一部を、前記界面を分裂させるのに十分だが、前記コーティングをアブレートするには不十分な電磁エネルギーの磁束に暴露するステップと、
Ｃ．ｉ）前記界面の分裂部分と一致している前記コーティング部分を前記基板表面から取り除くまで、前記被覆基板を液状媒体中において超音波振動で処理することと、
ｉｉ）電磁放射線に暴露された前記基板の表面を良性の液体または気体の高速流に接触させることと、及び、
ｉｉｉ）前記基材から離れて前記コーティング側からステップＢが実行されたという条件で、前記界面の分裂部分と一致している前記コーティング部分を前記被覆基板から選択的に持ち上げるのに十分だが、前記界面の非分裂部分と一致している前記コーティング部分を前記被覆基板から持ち上げるには不十分な接着剤に前記被覆基板の表面を接触させることと、から選択される方法によって、
分裂した界面領域部分と一致している前記コーティングの部分を除去するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
パターンを形成された画像を支持するポリマー基板を含む画像形成物品であって、前記画像が、
Ａ．熱による変形と、
Ｂ．前記画像が作製された材料、またはかかる材料の分解生成物を含む破片と、
Ｃ．フォトレジストと、
Ｄ．前記画像のアンダーカットと、
が実質的にないことを特徴とする物品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フロアを有する基板と、
基板に結合された第１光学要素と、
第２光学要素と、
第２光学要素を第１の光学要素との光学的位置合して維持するために第２光学要素および基板に結合されたフレクシャとを備なえ、
前記フレクシャは、
少なくとも２つの脚部と、
ブリッジと、
前記少なくとも２つの脚部に前記ブリッジを結合させるスプリング領域対と
を有することを特徴とするオプトエレクトロニクス・パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  気体および光透過領域にわたる光透過の方法であって、前記光透過領域がレンズと基板の間に位置しており、前記基板はフォトレジスト層をその上に形成したウエーハを含み、
（ａ）透過する所望の光の波長に基づいて、気体および汚染物質を除去するのに適する媒体を選択する工程であって、
（ｉ）前記所望の光の波長が２１５ナノメートルよりも長く、
（ii）前記媒体は、極性炭化水素吸着炭素からなり、
（ｂ）前記媒体中に気体を通してそこから気体状の汚染物質を少なくとも部分的に除去することにより、精製された気体を得る工程と、
（ｃ）前記精製された気体を、レンズと基板の間に位置した光透過領域に向けて送る工程と、
（ｄ）前記光透過領域および精製された気体に、前記所望の波長の光を透過させる工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  前記選択する工程が、合成ポリマー炭素からなる前記極性炭化水素吸着炭素を選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  気体および光透過領域にわたる光透過の方法であって、前記光透過領域がレンズと基板の間に位置しており、前記基板はフォトレジスト層をその上に形成したウエーハを含み、
（ａ）透過する所望の光の波長に基づいて、気体および汚染物質を除去するのに適する媒体を選択する工程であって、
（ｉ）前記所望の光の波長が２１５ナノメートル以下であり、
（ii）前記媒体は、無極性炭化水素除去媒体、極性炭化水素除去媒体と、これらの混合物とからなる群から選択され、
（ｂ）前記媒体中に気体を通してそこから気体状の汚染物質を少なくとも部分的に除去することにより、精製された気体を得る工程と、
（ｃ）前記精製された気体を、レンズと基板の間に位置した光透過領域に向けて送る工程と、
（ｄ）前記光透過領域および精製された気体に、前記所望の波長の光を透過させる工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】  前記選択する工程が、合成ポリマー炭素からなる極性炭化水素除去媒体を選択することを含み、さらに前記選択する工程が、天然の炭素からなる無極性炭化水素除去媒体を選択することを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】  気体および光透過領域にわたる光透過のシステムにおいて、前記光透過領域がレンズと基板の間に位置しており、前記基板はフォトレジスト層をその上に形成したウエーハを含み、前記システムは、
（ａ）気体から汚染物質を除去するためのフィルタ構造であって、
（ｉ）気体の供給源に接続可能な入口と、気体の供給源から受け取った気体を排出するための出口をと有するハウジングと、
（ｉｉ）所望の使用可能な波長をもたらすのに適切であり、前記入口の下流の前記ハウジング内の媒体であって、気体から少なくとも若干の汚染物質を除去して精製された気体を得る媒体と、を含むフィルタ構造と、
（ｂ）光透過領域および精製された気体に光を透過させる照明システムであって、
（ｉ）光透過領域が前記フィルタの出口に気体流が連通し、
（ｉｉ）光透過領域がレンズと基板の間に位置し、前記基板はその上にフォトレジスト層を有したウエーハを含んだ照明システムと、を含むことを特徴とするシステム。
【請求項６】  前記照明システムが、
(ａ)２１５ナノメートルよりも長い波長で光を透過させるように構成および配置され、
(ｂ)前記媒体が極性炭化水素除去媒体からなることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】  前記照明システムが、
(ａ)２１５ナノメートル以下の波長で光を透過させるように構成および配置され、
(ｂ)前記媒体が、無極性炭化水素除去媒体、極性炭化水素除去媒体と、これらの混合物とからなる群から選択されることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月13日(2006.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インフレートフィルム裏材および接着剤層を含み、前記裏材は第１の連続相および第２の不連続相を含み、前記裏材は通常光透過性であり、前記裏材は前記裏材の内部離層の際不透明になる、不正開封（ｔａｍｐｅｒ）指示装置。
【請求項２】  前記インフレートフィルム裏材が、６０〜８５重量部の前記第１の連続相および１５〜４０重量部の前記第２の不連続相を含む、請求項１に記載の不正開封指示装置。
【請求項３】  前記インフレートフィルム裏材が少なくとも１０：１の延伸比を有する、請求項１に記載の不正開封指示装置。
【請求項４】  前記インフレートフィルム裏材を内部離層すると不明瞭になる初めは目視可能な指示をさらに含む、請求項１に記載の不正開封指示装置。
【請求項５】  前記インフレートフィルム裏材を内部離層すると目視可能になる潜在的指示をさらに含む、請求項１に記載の不正開封指示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  放射エネルギーに対して敏感な層を有する基板（６）上にパターンを書き込むためのパターン生成システムであって、該システムは、そのような放射エネルギーを放出する源（１）と、コンピュータ制御されたモジュレータ（３）と、前記放射エネルギーによって基板上にパターンを生成するためのレンズまたはその類と、前記基板を支持するための基盤支持テーブルとを有しており、前記書込み操作はその間におけるレンズ（５）と支持テーブル（６）の間の相対運動を有しており、該運動は慣性的機械運動を含んでいるシステムにおいて、該システムは更に、異常な一時的書込み誤差状態を検出するための検出器と、前記誤差状態が存在しなくなった時に、書込みが中断された位置において書込み工程を再開始することを許容せしめるための誤差回復システム（１２）とを有している事を特徴とするシステム。
【請求項２】  請求項１に記載のシステムにおいて、前記誤差回復システムは更に、前記検出器に反応して、そのような書込み誤差状態が発生した場合には書き込み工程を停止させ、以って誤差状態が存在しなくなった時即ち解消した時に、書込みが中断した位置において書込み工程を再開始できるようにするための中断器（１２）を有している事を特徴とするシステム。
【請求項３】  前記中断器が書き込まれている走査線の数を計数するカウンタ（１３）を有している事を特徴とする、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】  前記中断器が書込み操作中のクロックサイクルの数を計数するカウンタ（１３）を有している事を特徴とする、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】  請求項２から４のいずれか１つの項に記載のシステムにおいて、前記回復システムが情報を貯蔵するための貯蔵手段装置（１３）を有しており、該手段装置からは異常な誤差状態が発生した位置を推定できる事を特徴とするシステム。
【請求項６】  請求項１から５のいずれか１つの項に記載のシステムにおいて、該システムは更に、前記支持テーブルを後退させ、誤差状態が解消された直後に、書込みが中断された位置において露光を再開始せしめるための手段装置を有している事を特徴とするシステム。
【請求項７】  請求項１から５のいずれか１つの項に記載のシステムにおいて、該システムは更に、前記支持テーブルを後退させ、書込み工程が完了した時に、書込みが中断された位置において露光を再開始せしめるための手段装置を有している事を特徴とするシステム。
【請求項８】  請求項７に記載のシステムにおいて、前記回復システムは情報を貯蔵するための貯蔵装置（１３）を有しており、それから異常誤差状態が解消した書込み位置が演繹できる事を特徴とするシステム。
【請求項９】  請求項１から８のいずれか１つの項に記載のシステムにおいて、前記検出器はレーザーからの放出された出力における顕著な変化を検出するための検出器である事を特徴とするシステム。
【請求項１０】  請求項１から９のいずれか１つの項に記載のシステムにおいて、前記検出器は閾値比較器を有しており、これによって所定の閾値を越える変化のみが中断手段装置に影響を及ぼす信号を発生させる事を特徴とするシステム。
【請求項１１】  請求項１から９のいずれか１つの項に記載のシステムにおいて、前記検出器が電子的誤差を検出するための検出器である事を特徴とするシステム。
【請求項１２】  請求項１から９のいずれか１つの項に記載のシステムにおいて、検出器は供給されたデータ内のビット誤差を検出するための検出器であって、好ましくはチェックサム（checksum）検出器である事を特徴とするシステム。
【請求項１３】  放射エネルギーに対して敏感な層を有する基板（６）上にパターンを書き込むためのパターン生成システムによるパターンの書込み方法であって、該システムは、そのような放射エネルギーを放出する源（１）と、コンピュータ制御されたモジュレータ（３）と、前記放射エネルギーによって基板上にパターンを生成するためのレンズと、前記基板を支持するための基盤支持テーブルとを有しており、前記テーブルは少なくとも１つの方向に移動可能で、レーザー走査工程中に慣性的機械運動を遂行する書込み方法において、該方法はそれ以降に、顕著に異常な一時的誤差状態を検出する段階と、該誤差状態が解消した時に、更に、書込みが中断された位置において書込み工程を再開始する工程とを有している事を特徴とする方法。
【請求項１４】  請求項１３に記載の方法において、更に、異常な書込み誤差状態が発生した時には書込み工程を中断する工程が含まれており、該誤差状態が解消した時には、書込みが中断された位置において書込み工程を再開始する事が許容されるようになっている事を特徴とする方法。
【請求項１５】  請求項１４に記載の方法において、前記中断段階は、異常な書込み誤差状態が発生した場合には該書込み工程を中断して、前記誤差状態が解消された時に書込みが中断された位置において書込み工程の再開始を可能ならしめる段階を更に含んでいる事を特徴とする方法。
【請求項１６】  請求項１３から１５に記載の方法において、前記誤差状態が解消した直後において、書込みが中断された位置において支持テーブルを後退させ、露光を再開始させる段階が更に含まれている事を特徴とする方法。
【請求項１７】  請求項１３から１５のいずれか１つの項に記載の方法において、書込みが完了した時に、支持テーブルを後退させ、書込みが中断された位置において、露光を再開始させる段階が更に含まれている事を特徴とする方法。
【請求項１８】  請求項１７に記載の方法において、そこから前記異常な誤差状態が解消した書込み位置を演繹してやる事の出来る情報を貯蔵する段階が更に含まれている事を特徴とする方法。
【請求項１９】  請求項１３から１８のいずれか１つの項に記載の方法において、レーザーからの放射出力における顕著な変化が前記検出段階において検出される事を特徴とする方法。
【請求項２０】  電子的誤差が前記検出段階において検出される事を特徴とする、請求項１３から１９のいずれか１つの項に記載の方法。
【請求項２１】  供給データ内のビット誤差が検出の段階で検出される事を特徴とする、請求項１３から２０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の協働するコンピュータ・プロセスに関連付けられたデータを記憶するためのメモリ常駐一時データ記憶システムであって、前記コンピュータ・プロセスのうちの選択されたいくつかのコンピュータ・プロセスが、前記協働するコンピュータ・プロセスのうちの他のいくつかの協働するコンピュータ・プロセスと協働し、
複数のノードに関する階層構成を動的に確立する命令であって、前記複数のノードの各ノードが、前記複数の協働するコンピュータ・プロセスのうちの少なくとも選択されたいくつかのコンピュータ・プロセスとパスを確立する命令と、
前記複数のノードのうちの選択されたいくつかのノードと、前記複数の協働するコンピュータ・プロセスのうちの前記少なくとも選択されたいくつかのコンピュータ・プロセスとの間に、複数の階層パス記述を生成するために、前記階層編成に従って複数の前記パスを記述する命令と、
前記ノードと前記複数の協働するコンピュータ・プロセスとの間の前記パスを記述するためのデータの一時記憶を可能にするための、前記複数の階層パス記述を通信ネットワーク・サーバに伝達する命令とを含む記憶システム。
【請求項２】  通信サーバと通信するための前記命令が、前記複数のノードの階層状に指定されたセットをリスンする命令をさらに含む請求項１に記載の記憶システム。
【請求項３】  前記複数のノードの前記階層状に指定されたセットが、前記階層編成で、前記ノードの前記所定のノードよりも下位の位置を有するすべてのノードのセットを含む請求項２に記載の記憶システム。
【請求項４】  永続記憶位置に永続的に記憶されたデータから一時データをインスタンス化するための前記プロセスの少なくとも１つと通信する命令をさらに含む請求項３に記載の記憶システム。
【請求項５】  複数の協働するコンピュータ・プロセスに関連付けられたデータを記憶する方法であって、前記コンピュータ・プロセスのうちの選択されたいくつかのコンピュータ・プロセスが前記協働するコンピュータ・プロセスのうちの他のいくつかのコンピュータ・プロセスと協働し、
複数のノードに関する階層構成を動的に確立するステップにおいて、前記複数のノードの各ノードが、前記複数のコンピュータ・プロセスのうちの少なくとも選択されたいくつかのコンピュータ・プロセスとパスを確立するステップと、
前記複数のノードのうちの選択されたいくつかのノードと、前記複数のコンピュータ・プロセスのうちの前記少なくとも選択されたいくつかのコンピュータ・プロセスとの間に複数の階層パス記述を生成するために、前記階層編成に従って複数の前記パスを記述するステップと、
前記パスのうちの少なくとも１つに関連付けられたデータの一時記憶を可能にするための前記複数の階層パス記述を通信ネットワーク・サーバに伝達するステップとを含む方法。
【請求項６】  前記通信するステップが、前記複数のノードの階層状に指定されたセットをリスンするステップをさらに含む請求項５に記載のデータ記憶方法。
【請求項７】  前記複数のノードの前記階層状に指定されたセットが、前記階層編成の、より下位の位置を有するすべてのノードのセットを含む請求項６に記載のデータ記憶方法。
【請求項８】  通信するステップが、前記一時的に記憶されたデータを、永続記憶位置に永続的に記憶されたデータによってインスタンス化するステップをさらに含むことをさらに含む請求項７に記載のデータ記憶方法。
【請求項９】  複数の協働するコンピュータ・プロセスに関連付けられたデータを記憶するためのメモリ常駐一時データ記憶命令の協働するシステムであって、
複数のノードに関する階層構成を動的に確立する命令であって、前記複数のノードの各ノードが、前記複数の協働するコンピュータ・プロセスのうちの少なくとも選択されたいくつかのコンピュータ・プロセスとパスを確立し、前記階層構成が、第１の位置に常駐している命令を確立する命令と、
前記複数のノードのうちの選択されたいくつかのノードと、前記複数の協働するコンピュータ・プロセスのうちの前記少なくとも選択されたいくつかのコンピュータ・プロセスとの間の複数の階層パス記述を生成するために、前記階層編成に従って複数の前記パスを記述する命令であって、前記パスを記述する命令が前記第１の位置と異なる第２の位置に常駐している命令と、
前記ノードと前記複数の協働するコンピュータ・プロセスとの間のパスを記述するデータの一時記憶を可能にするための前記複数の階層パス記述を、通信ネットワーク・サーバに伝達する命令とを含む前記コンピュータ・プロセスのうちの選択されたいくつかのコンピュータ・プロセスが前記協働するコンピュータ・プロセスのうちの他のいくつかのコンピュータ・プロセスと協働するシステム。
【請求項１０】  通信サーバと通信するための前記命令が、前記複数のノードの階層状に指定されたセットをリスンする命令をさらに含む請求項９に記載の協働するシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材、
前記基材の一面上の活性部分、及び
タッチパネルと接触する微生物の生存性を低下させるための、前記活性部分上に配置されたホメオトロピックオルガノシラン層
を含む抗菌性タッチパネル。
【請求項２】  前記オルガノシランが液晶シランを含む、請求項１記載の抗菌性タッチパネル。
【請求項３】  絶縁性基材、
前記絶縁性基材の一面上に配置された導電層、及び
タッチパネルと接触する微生物の生存性を低下させるための、前記導電層上に配置されたホメオトロピックオルガノシラン層
を含む抗菌性タッチパネル。