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【手続補正書】
【提出日】平成19年11月7日(2007.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料の少なくとも１つの部分に関係する情報を提供する方法であって、
試料上に提供された少なくとも１つの特定の電磁放射の少なくとも２つの波長をコード化して、前記少なくとも１つの部分の少なくとも１つの通過位置を決定すること、
前記試料から戻った少なくとも１つの第１の電磁放射と、基準から戻った少なくとも１つの第２の電磁放射の間の少なくとも１つの相対位相と、を取得して、前記少なくとも１つの部分の少なくとも１つの相対深さ位置を決定すること、および
前記少なくとも１つの通過位置および前記少なくとも１つの相対深さ位置に基づいて、前記少なくとも１つの部分の情報を提供すること、を備える方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第１の電磁放射を、前記試料の前記少なくとも１つの部分を横切って走査して、前記少なくとも１つの通過位置に基づいて２次元データを取得することを、さらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記情報は、前記２次元データの関数として提供される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記情報は、前記２次元データに基づいて取得された前記少なくとも１つの部分の３次元情報である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記情報は、前記少なくとも１つの部分の３次元情報である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第１の電磁放射および前記少なくとも１つの第２の電磁放射は、第１の位相長を有し、前記少なくとも１つの相対位相は、
前記第１の位相長を有する前記第１および第２の電磁放射の位相差の干渉により生成される第１の干渉信号を検出すること、
前記基準の位相長を第２の位相長に変更し、前記試料からの少なくとも１つの第３の電磁放射および第２の位相長を有する少なくとも１つの第４の電磁放射を受けること、
前記第２の位相長を有する前記第３および第４電磁放射の位相差の干渉により生成される第２の干渉信号を検出すること、および
前記第１および第２の干渉信号を処理して干渉データを提供すること、により決定される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記情報は、前記干渉データに基づいて提供される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記情報は、前記少なくとも１つの部分の深さ情報を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記深さ情報は、前記第１の干渉信号を測定することにより決定される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記深さ情報は、前記第２の干渉信号を測定することによりさらに決定される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２および第４の電磁放射は、異なる位相を有する請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記情報は、前記少なくとも１つの部分上の複数の位置における前記少なくとも１つの部分の高さ情報を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記基準の経路の長さにおいて個別の変化を行わせて、前記少なくとも１つの相対位相を発生させること、をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの通過位置は、複数の通過位置である請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
試料に関係する３次元情報を取得するための方法であって、
前記試料を含むサンプルアームから、前記試料に提供されたスペクトル的にコード化された電磁放射に基づいて、少なくとも１つの第１の電磁放射を受けること、
基準アームから、互いに異なる第１経路長と第２経路長に基づいて、少なくとも１つの第２の電磁放射を受けること、
前記第１および第２電磁放射に基づいて干渉情報を発生すること、および
前記試料に関係する前記３次元情報を、前記干渉情報の関数として提供すること、を備える方法。
【請求項１６】
前記第２経路長は、前記基準アーム内の反射表面を、前記基準アームの前記第１経路長の位置から移動することにより生成される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記干渉情報は、前記第１および第２電磁放射を、散乱配置を使用して、結合および空間的に散乱させることにより、発生される請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記散乱された電磁放射を、画像化システムに提供して、３次元情報を発生させることを、さらに備える請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記散乱された電磁放射は、電荷結合素子（ＣＣＤ）上に提供される請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
試料の少なくとも１つの部分に関係する３次元画像化情報を提供する装置であって、
試料上に提供された少なくとも１つの特定の電磁放射の少なくとも２つの波長を提供して、前記部分の少なくとも１つの通過位置を決定するように構成された少なくとも１つの第１の配置、
試料から戻った少なくとも１つの第１の電磁放射と、基準から戻った少なくとも１つの第２の電磁放射の間の少なくとも１つの相対位相を取得して、前記部分の相対深さ位置を決定するように構成された少なくとも１つの第２の配置、および
前記通過位置および前記相対深さ位置に基づいて、前記部分の情報を提供するように構成された少なくとも１つの第３の配置、を備える装置。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの第１の電磁放射を、前記試料の前記少なくとも１つの部分を横切って走査して、前記少なくとも１つの通過位置に基づいて２次元データを取得するように構成された少なくとも１つの第４の配置を、さらに備える請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記情報は、前記２次元データの関数として提供される請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記情報は、前記２次元データに基づいて取得された前記少なくとも１つの部分の３次元情報である請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記情報は、前記少なくとも１つの部分の３次元情報である請求項２０に記載の装置。
【請求項２５】
前記第１および第２の電磁放射を、結合および空間的に散乱させて前記情報を発生させるように構成された散乱配置をさらに備える請求項２０に記載の装置。
【請求項２６】
前記基準の経路の長さにおいて個別の変化を行わせて、前記少なくとも１つの相対位相を発生させるように構成された少なくとも１つの第５の配置を、さらに備える請求項２０に記載の装置。
【請求項２７】
前記少なくとも１つの通過位置は、複数の通過位置である請求項２０に記載の装置。
【請求項２８】
試料に関係する３次元情報を取得するための装置であって、
前記試料を含むサンプルアームから、前記試料に提供されたスペクトル的にコード化された電磁放射に基づいて、少なくとも１つの第１の電磁放射、および
基準アームから、互いに異なる第１経路長と第２経路長に基づいて、少なくとも１つの第２の電磁放射、を受けるように構成された少なくとも１つの第１の配置、
前記第１および第２電磁放射に基づいて干渉情報を発生するように構成された少なくとも１つの第２の配置、および
前記試料に関係する前記３次元情報を、前記干渉情報の関数として提供するように構成された少なくとも１つの第３の配置、を備える装置。
【請求項２９】
前記第１および第２電磁放射を結合および空間的に散乱させることにより、前記３次元情報を発生するように構成された散乱は位置をさらに備える請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
前記散乱された電磁放射を受けるように構成された電荷結合素子（ＣＣＤ）をさらに備える請求項２９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月5日(2007.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
更に、公知の状態（例えば、特許文献１）と比較して、提案された方法は、より多くの測定値を基準データと比較した組み合わせが、自動機械の運転要素の運転条件について、比較的深い、かつ信頼できる知識を提供するので、比較的高い信頼性を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合構造物の区域を非破壊検査する方法であって、
支持部を、前記支持部が検査されるべき前記構造物の前記区域近傍の前記表面に接触するように前記構造物の前記表面に位置決めするステップと、
前記構造物の前記表面にコネクタを接続するステップと、
荷重を示し、前記支持部によって支持される荷重表示器に前記コネクタを取付けるステップと、
前記構造物の前記表面に前記荷重をかけるために前記コネクタと前記荷重表示器との間の距離を調節するステップと、
非破壊検査装置を用いて、前記荷重がかけられた表面を検査するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記非破壊検査装置が超音波検査装置である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記非破壊検査装置が、パルスエコー、透過探傷、剪断波、共鳴または機械的インピーダンスのリストからのセンサを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
３つの脚部と前記３つの脚部を接続するプレートとを含む支持部を設けるステップを含み、前記位置決めするステップは、前記表面と接触するよう前記プレートの反対側の各脚部の端部を位置決めするステップを含み、前記取付けるステップは、前記荷重表示器を前記プレートに取付けるステップを含む、請求項１から３のいずれか１に記載の方法。
【請求項５】
前記構造物の前記表面に接触させるための保護端部を、前記プレートの反対側の前記脚部の各端部に設けるステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記荷重表示器の一方側に第１のスタンドオフと、前記荷重表示器の反対側に第２のスタンドオフとを設け、前記荷重表示器および前記コネクタを支持するよう支持フックと各々のスタンドオフとを係合させるステップを含み、２つのこのような支持フックが前記支持部の前記プレートから突き出ている、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記コネクタと前記荷重表示器との間の前記距離を調節するステップは、ターンバックルを回転させるステップを含む、請求項１から６のいずれか１に記載の方法。
【請求項８】
前記支持部を位置決めするステップは、前記支持部の１つ以上の脚部の長さを調節するステップを含む、請求項１から７のいずれか１に記載の方法。
【請求項９】
前記コネクタを接続するステップは、前記構造物の前記表面に前記コネクタを螺着するステップを含む、請求項１から８のいずれか１に記載の方法。
【請求項１０】
前記構造物の前記表面に突起を接着するステップをさらに含み、これにより、前記構造物の前記表面に前記コネクタを接続する前記ステップが、前記接着された突起に前記コネクタを接続するステップを含む、請求項１から９のいずれか１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験用標本における欠陥を検出するための方法であって、
試験用標本に液体検出媒体を施すステップと、
試験用標本における欠陥についての欠陥形跡を液体検出媒体に生成させるよう、試験用標本を励振するステップと、
液体検出媒体によって生成された欠陥形跡について液体検出媒体を監視するステップとを含む、方法。
【請求項２】
欠陥形跡は低温形跡を含み、
監視するステップは、低温形跡を検出するために液体検出媒体を熱監視するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
試験用標本の励振により、液体検出媒体は、ほぼ欠陥の位置で試験用標本から噴出されるようになり、噴出された液体検出媒体は蒸発によって冷え、低温形跡を生成する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
熱監視するステップは、液体検出媒体の赤外線画像を取得するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
取得するステップは、
励振前の液体検出媒体の赤外線画像を取得するステップと、
励振中の液体検出媒体の１つ以上の赤外線画像を取得するステップと、
励振前に取得された赤外線画像から励振中に取得された１つ以上の赤外線画像を差引くステップとを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
欠陥形跡は振動モードパターンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
振動モードパターンは、欠陥のほぼ上方に、試験用標本上の液体検出媒体の定在波を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
振動モードパターンは、ほぼ欠陥の位置に、試験用標本からの液体検出媒体の噴出を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
監視するステップは、欠陥形跡を検出するために液体検出媒体を視覚的に監視するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
視覚的に監視するステップは、液体検出媒体のリアルタイム画像を取得するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
リアルタイム画像を検査員に表示するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
施すステップは、試験用標本に水を噴霧するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
励振するステップは、試験用標本を超音波励振するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
試験用標本は複合構造を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
液体接触媒質は、励振後、試験用標本のほぼ欠陥の位置に目に見えるパターンを形成する不溶性粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の金属製の外側プレート（１１，１２）と；
これら外側プレートに対し、これらの間のせん断力を伝達させるのに十分な強度で、接合されたプラスチック又はポリマー材料（１３）からなるコアと；
このコア内に設けられた少なくとも１つの中間層（１４）であって、前記外側プレートにほぼ平行に設けられ、前記コアの材料よりも大きい引張り強度を有するものと；
を具備してなる構造用サンドイッチ板であって、
前記コアが１５mm以上の厚みを有し、
前記外側プレートが３mmよりも厚い厚みを有することを特徴とする構造用サンドイッチ板。
【請求項２】
前記中間層が、スチール、ステンレススチール又はアルミニウムからなる金属層（１５）からなる請求項１記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項３】
前記中間層（１５）が、前記外側プレートの１つの厚みの５０％ないし１５０％の範囲の厚みを有する請求項２記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項４】
前記中間層が、金属(例えば、スチール、ステンレススチール又はアルミニウム)メッシュ（１７）からなる請求項１記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項５】
前記金属メッシュ（１７）がエキスパンデッドメタルからなる請求項４記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項６】
前記中間層が高張力繊維（１４）からなる請求項１記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項７】
前記中間層が硬質セラミックプレートからなる請求項１記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項８】
前記中間層（１８，１９ｃ，１９ｂ）がひだ付き、窪み付き又は波形のものからなる請求項１ないし７のいずれかに記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項９】
前記中間層（１９ａ，１９ｂ）を複数有する請求項１ないし８のいずれかに記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項１０】
前記中間層（１６）が孔開きのものである請求項１ないし９のいずれかに記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項１１】
前記中間層（１４）が全面には施されていない請求項１ないし１０のいずれかに記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項１２】
前記コア（１３）が緻密な材料からなる請求項１ないし１３のいずれかに記載の構造用サンドイッチ板。
【請求項１３】
構造用サンドイッチ板の製造方法であって：
第１および第２の金属製の外側プレート（１１，１２）を互いに離間させ、その間に少なくとも１つの中間層をこれら外側金属プレートのそれぞれから離間させた状態で配置させる工程と；
未硬化のプラスチック又はポリマー材料を、前記外側プレートと前記中間層の両側との間に形成された空間に注入、充填する工程と；
このプラスチック又はポリマー材料を硬化させ、これらの間のせん断力を伝達させるのに十分な強度で前記外側プレートを互いに接合させる工程と；
を具備してなり、前記中間層がこの硬化させたプラスチック又はポリマー材料よりも大きい引っ張り強度を有することを特徴とする方法であって、
前記コアが１５mmよりも厚い厚みを有し、
前記外側プレートが３mmよりも厚い厚みを有する
ことを特徴とする構造用サンドイッチ板の製造方法。
【請求項１４】
前記注入工程を前記外側プレートの両側から同時に又は２段階で行う請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記中間層を前記外側金属プレート間の間隙への挿入の前に、前記中間層をプラスチック又はポリマー材料で塗布又は含浸を行う工程を更に具備してなる請求項１３又は１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月1日(2007.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）フレームと、
（ｂ）前記フレームに可動接続され、ある角度に配設された少なくとも２つのプランジャと、
（ｃ）前記プランジャに取り付けられた両面伸長剥離性接着剤と、を備える、クランプ様デバイス。
【請求項２】
前記フレームが、ある角度に配設された一対の接続部分を含むアングル部を含み、前記接続部分の各々が、少なくとも１つの開口部を含み、
前記フレームが、各接続部分の端部から垂直方向に延在する脚部分と、各脚部分の端部に配設された足部分と、をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記フレームが、同一の接続部分から延在する一対の平行な脚部分をさらに含む、請求項１又は２に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
今日の電子式制動制御システムでは、およそ１０ミリセカンドのプログラム経過の時間（ループ時間）が必要なものと見做される。この発明によると、ＡＣＣシステムの制動圧要件の場合には、発生制動圧が１０から１００００までのループの監視時間に、特に１００から１０００までのループの監視時間に調整されることが企図されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と下面を有する芯部材と、
前記芯部材の上面を実質的に覆い、凹部を有するビンディング取り付け領域と周辺領域とを有する外表面を含む上部構造層と、
前記芯部材の下面を実質的に覆う下部構造層と、
前記ビンディング取り付け領域において実質的に突出しないように、前記上部構造層の外表面における前記ビンディング取り付け領域の前記凹部に取り付けられる変形可能な振動吸収板と、
前記上部構造層の外表面と、前記振動吸収板を覆う保護層と、
前記下部構造層に取り付けられる基体とを備えることを特徴とする滑走板。
【請求項２】
前記振動吸収板は、第１および第２の部分を有し、前記第１および第２の部分が隣接していないことを特徴とする請求項１に記載の滑走板。
【請求項３】
前記上部構造層は、キャップ形状を有するとともに、該上部構造層が該滑走板の側壁を構成するように、前記芯部材を収容する大きさを有することを特徴とする、請求項１に記載の滑走板。
【請求項４】
前記上部構造層と前記下部構造層の間において、該滑走板の周囲に沿って設けられた一対の側壁部材を有することを特徴とする請求項１に記載の滑走板。
【請求項５】
前記芯部材は、木及び発泡樹脂から選択される材料によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の滑走板。
【請求項６】
前記上部構造層と前記下部構造層が強化複合材料によって形成されていることを特徴とする請求項５に記載の滑走板。
【請求項７】
凹部を有し前方に位置するビンディング取り付け領域と凹部を有し後方に位置するビンディング取り付け領域と周辺領域を含む上部構造層と、下部構造層と、を含む構造体によって実質的に収容される芯部材と、
前記ビンディング取り付け領域において実質的に突出しないように、前記上部構造層の前記前方に位置するビンディング取り付け領域の前記凹部に配置される変形可能な第１の振動吸収板と、前記上部構造層の前記後方に位置するビンディング取り付け領域の前記凹部に配置される変形可能な第２の振動吸収板と、
前記芯部材と前記上部構造層を貫通して配置される複数のネジ挿入部材と、
前記上部構造層上において該上部構造層を覆って取り付けられ、前記第１及び第２の振動吸収板が該滑走板に一体として構成されるように前記第１及び第２の振動吸収板を覆う保護層と、
前記構造体に取り付けられ、前記滑走板の底面を形成する基体とエッジ部材と、を有することを特徴とする滑走板。
【請求項８】
前記上部構造層は、キャップ形状を有すると共に、該上部構造層が前記構造体の側壁を形成するように、前記芯部材を収容可能な大きさを有することを特徴とする請求項７に記載の滑走板。
【請求項９】
前記構造体は、一組の側壁部材を前記上部構造層と前記下部構造層との間に有することを特徴とする請求項７に記載の滑走板。
【請求項１０】
前記芯部材は、木及び発泡樹脂から選択される材料によって形成されることを特徴とする請求項７に記載の滑走板。
【請求項１１】
前記上部構造層と前記下部構造層は強化複合材料によって形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の滑走板。
【請求項１２】
上面と下面を有する芯部材を形成する工程と、
前記芯部材に凹部を有する上部構造層を取り付け、前記芯部材の上面を実質的に覆う工程と、
前記芯部材に下部構造層を取り付け、前記芯部材の下面を実質的に覆う工程と、
前記下部構造層に基体とエッジ部材を取り付け、該滑走板の底面を形成する工程と、
変形可能な振動吸収板を、前記上部構造層のビンディング取り付け領域において、前記上部構造層の前記凹部に対して突出しないように取り付ける工程と、
前記上部構造層及び前記振動吸収板を実質的に覆う保護層を前記上部構造層に取り付け
る工程とを有することを特徴とする滑走板の製造方法。
【請求項１３】
前記上部構造層は、前記滑走板の側壁を形成するようなキャップ形状に形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の滑走板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長い溝を有するセラミック本体と、該溝に受容されるアーチワイヤスロットライナとを具備するセラミック歯列矯正器具において、
前記アーチワイヤスロットライナは、ある厚さを有する咬合側部分と、ある厚さを有する舌側部分と、ある厚さを有する歯肉側部分とを備え、該舌側部分の該厚さが該歯肉側部分および該咬合側部分のうちの少なくとも一方の該厚さの少なくとも２５０％であり、該咬合側部分、該舌側部分および該歯肉側部分の各々が、前記セラミック本体に直接固着されること、
を特徴とするセラミック歯列矯正器具。
【請求項２】
略近心・遠心方向に延びる細長い第１溝と、略咬合・歯肉方向に延びる細長い第２溝とを有するセラミック本体を備える歯肉矯正器具であって、該第１溝に受容されるアーチワイヤスロットライナをさらに備え、該アーチワイヤスロットライナが、該第２溝に位置合せされて通路を画定する少なくとも１つの切欠きを有してなる、歯列矯正器具と、
前記通路に受容される部分を有する垂直補助装置と、
を具備することを特徴とする歯列矯正用コンビネーション。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月8日(2007.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀化合物を基材にコーティングする方法であって、
やや難溶性の銀含有化合物をアンモニウム含有化合物と合わせて水性溶液を形成する工程と、
前記溶液を基材にコーティングする工程と、
前記コーティングされた基材を乾燥させる工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記銀含有化合物が、塩化銀、硫酸銀、炭酸銀、酸化銀、ステアリン酸銀、リン酸銀、およびチオシアン酸銀からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法により製造される物品であって、やや難溶性の銀含有化合物で含浸された前記物品は、前記溶液を塗布する段階で導入されたアンモニウム化合物、又は、アンモニウム化合物および前記銀含有化合物の残留成分を本質的に含まない、物品。
【請求項４】
銀化合物を基材にコーティングする方法であって、
酸化銀をアンモニウム含有化合物と合わせて水性溶液を形成する工程と、
前記酸化銀を高原子価状態にするのに有効な量の酸化剤を添加する工程と、
前記溶液を基材にコーティングする工程と、
前記コーティングされた基材を乾燥させる工程と、
を含む、方法。
【請求項５】
前記アンモニウム含有化合物が、炭酸アンモニウム、五ホウ酸アンモニウム、および酢酸アンモニウムからなる群から選択される、請求項１又は４に記載の方法。
【請求項６】
１種類以上のやや難溶性の銀化合物で含浸された多孔質基材を含む医療用物品であって、前記医療用物品は鋼に対して１Ｎ／ｃｍ未満の剥離強度を有しかつ創傷組織に接着しない、医療用物品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成分を流体にまたは流体から移送するための膜モジュールであって、
ａ）少なくとも２つの平坦シート状の膜要素であって、各々が内側部分および外側部分を有する平坦シート状の膜要素と、
ｂ）前記膜要素に永久的に取付けられる少なくとも１つの一次マニホルドであって、前記膜要素の前記内側部分に流体連結される一次マニホルドと、
を具備する膜モジュール。
【請求項２】
前記膜要素の間の空間をさらに具備する、請求項１に記載の膜モジュール。
【請求項３】
前記一次マニホルドは、気泡を前記膜要素の間の前記空間に送出するための手段を有する、請求項２に記載の膜モジュール。
【請求項４】
前記一次マニホルドは、流体を前記膜要素の前記内側部分にまたは前記内側部分から運ぶ少なくとも１つの流体フローチャネルを有する、請求項２に記載の膜モジュール。
【請求項５】
前記一次マニホルドは、前記膜要素の間の前記空間へ送出するために流体を運ぶ第２のフローチャネルをさらに有する、請求項４に記載の膜モジュール。
【請求項６】
前記流体が気体を含む、請求項５に記載の膜モジュール。
【請求項７】
前記一次マニホルドは、前記膜モジュールの下から分配された気泡を受けて該気泡を前記膜要素の間の前記空間に送出するための孔群を有する、請求項３に記載の膜モジュール。
【請求項８】
前記一次マニホルドは、前記膜モジュールの下から分配された微細な気泡を集めて組合せることにより、前記膜要素の間の前記空間へ送出するための、より大きい気泡を形成するＶ字形または有角のチャネル群をさらに有する、請求項７に記載の膜モジュール。
【請求項９】
前記膜要素の反対の端部に位置決めされる第２の一次マニホルドを具備し、該第２の一次マニホルドが、前記膜要素の内側部分に流体連結される、請求項３に記載の膜モジュール。
【請求項１０】
前記第２の一次マニホルドは、前記気泡が分散することを可能にするために穴をあけられており、それにより、前記気泡が膜モジュール内に集まることを防止する、請求項９に記載の膜モジュール。
【請求項１１】
前記第２の一次マニホルドは、前記気泡が分散することを可能にするために斜めに切られるか角度をつけられており、それにより、前記気泡が膜モジュール内に集まることを防止する、請求項９に記載の膜モジュール。
【請求項１２】
少なくとも１つの一次マニホルドに流体連結される少なくとも１つの二次マニホルドをさらに具備する、請求項１に記載の膜モジュール。
【請求項１３】
前記一次マニホルドの前記流体フローチャネルに流体連結される二次マニホルドをさらに具備する、請求項４に記載の膜モジュール。
【請求項１４】
請求項１に記載の膜モジュールを少なくとも２つ備える膜カセット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
銀処理活性炭が、銀および活性炭の組合せ重量に対して０．０５％〜０．１５重量％の銀からなる、請求項１１に記載のフィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
活性炭、結合剤、および銅粒子を混合し、および上記混合物を金型中に置き、
活性炭、結合剤、および銅粒子の混合物を１７５〜２０５℃間に加熱し、および
活性炭、結合剤、および銅粒子の混合物を３０〜１２０ポンド／平方インチ圧力（２０６〜８２８ｋＰａ）にさらす、
段階を含む水フィルタを作製するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料を改質する放射線を発生するための複数の固体放射線源と、
パルス駆動放射線を前記固体放射線源に生成させるため該固体放射線源と電気的に通信する制御装置と、
各々が反射光カプラである複数の光学集中装置であって、各該光学集中装置が、前記複数の固体放射線源の１つ以上からパルス駆動放射線を受け該パルス駆動放射線の経路を変更する、複数の光学集中装置と、
複数の光導波路であって、前記複数の光導波路の各々が、第１の端部および第２の端部を含み、各該第１の端部が、前記複数の光学集中装置の１つ以上から放射線を受ける、複数の光導波路と、
前記複数の光導波路の第２の端部における少なくとも第１の部分を安定化するための支持構造とを含む照射装置。
【請求項２】
放射線改質可能化学配合物を改質する放射線を発生するための複数のＬＥＤダイと、
前記複数のＬＥＤダイの各々を選択的にかつ個別に活性化するための、前記複数のＬＥＤダイに電気的に接続された制御装置と、
各々が前記放射線の経路を変更する光反射カプリングからなる複数の光学集中装置であって、各該光学集中装置が、前記ＬＥＤダイの１つ以上から前記放射線を受ける、複数の光学集中装置と、
複数の光ファイバであって、前記複数の光ファイバの各々が、第１の端部および第２の端部を含み、各該第１の端部が、前記複数の光学集中装置の１つ以上から、集中された放射線を受ける、複数の光ファイバと、
前記放射線改質可能化学配合物を支持するための基板と、からなる固体放射線源を含む照射システム。
【請求項３】
前記制御装置が、前記放射線改質可能化学配合物にパターンを作るために、前記ＬＥＤダイの各々を選択的にかつ個別に活性化する請求項２に記載の照射システム。
【請求項４】
第１の材料を改質する放射線を発生するための複数の固体放射線源と、
各々が前記放射線の経路を変更する光放射カプリングである複数の光学集中装置であって、各該光学集中装置が、前記複数の固体放射線源の１つ以上から前記放射線を受ける、複数の光学集中装置と、
複数の光導波路であって、前記複数の光導波路の各々が、第１の端部および第２の端部を含み、各該第１の端部が、前記複数の光学集中装置の１つ以上から放射線を受ける、複数の光導波路と、
前記光導波路の第２の端部の１つ以上から発出する前記放射線の経路上に配置された光弁と、
前記複数の光導波路の第２の端部における少なくとも第１の部分を安定化するための支持構造と、からなる照射装置。
【請求項５】
前記光導波路から発出する前記放射線の経路上に配置された第１の偏光子であって、偏光された該放射線が前記光弁に達し、該光弁が前記放射線の偏光を回転させる、第１の偏光子と、
前記光弁から発出する前記放射線の経路上に配置された第２の偏光子であって、前記偏光の回転に従って、前記放射線の強度を制御する、第２の偏光子と、をさらに含む請求項４に記載の照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、
（ｂ）封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程と、
を含む、薄膜トランジスタの封止方法。
【請求項２】
薄膜トランジスタの製造方法であって、
（ａ）基板を提供する工程と、
（ｂ）ゲート電極材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記基板の上に堆積する工程と、
（ｃ）ゲート誘電体をアパーチャマスクのパターンを通して前記ゲート電極材料の上に堆積する工程と、
（ｄ）半導体層をアパーチャマスクのパターンを通して前記ゲート誘電体に隣接して堆積する工程と、
（ｅ）ソース電極およびドレイン電極をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層に接触して堆積する工程と、
（ｆ）封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程と、
を含む方法。
【請求項３】
基板と、ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層と、前記半導体層の少なくとも一部の上の蒸着された封止層とを含むトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月6日(2007.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と陽極との間に位置するホストおよび発光ドーパントを含有する発光層（ＬＥＬ）を含むＯＬＥＤデバイスであって、前記ドーパントが式（Ｉ）で表される赤橙色発光ルブレン誘導体であり、
【化１】
2007512685.tif 000001
式中、
ａ）２位および８位において同一の分枝アルキル基または非芳香族炭素環基が存在し；
ｂ）５位および１１位におけるフェニル環は、パラグラフａ）における分枝アルキル基または非芳香族炭素環基と同一のパラ置換基のみを含み；そして
ｃ）６位および１２位におけるフェニル環は置換もしくは非置換であり；ただし
酢酸エチル溶液中での最大発光波長（λmax）が５６３ｎｍ＜λmax≦６５０ｎｍとなるように上記置換基のすべてが選択されている
ＯＬＥＤデバイス。
【請求項２】
白色発光を提供するために青色発光化合物をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
ドーパントがホストの１０質量％までの量で存在するホストおよびドーパントを前記層が含む、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記ドーパントが式（ＩＩ）で表される請求項１に記載のデバイスであって、
【化２】
2007512685.tif 000002
式中、
Ｒ1は以下の式を表し：
【化３】
2007512685.tif 000003
式中、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のそれぞれが、水素、もしくは１つのみが水素である独立して選択される置換基であるか、または一緒になったＲ3、Ｒ4およびＲ5が単環系または多環系を形成することができ；
Ｒ2は置換基であり；
ｎは１〜５であり；
ただし、全てのＲ1基は同じであり；そして
さらに、１つの環におけるＲ2基、それらの位置およびｎ値は、２番目の環のそれらと同じである
デバイス。
【請求項５】
前記ドーパントが式（ＩＩＩ）で表される請求項１に記載のデバイスであって、
【化４】
2007512685.tif 000004
式中、
Ｒ2は置換基であり；
ｎは１〜５であり；
ただし、１つの環におけるＲ2基、それらの位置およびｎ値は、２番目の環のそれらと同じである
デバイス。
【請求項６】
前記ドーパントが式（ＩＶ）で表される請求項１に記載のデバイスであって、
【化５】
2007512685.tif 000005
式中
Ｗは、非芳香族炭素環基を完成するのに必要な原子を表し；
Ｒ2は置換基であり；
ｎは１〜５であり；
ただし、１つの環におけるＲ2基、それらの位置およびｎ値は、２番目の環のそれらと同じである
デバイス。
【請求項７】
Ｒ2が当該フェニル基のメタ位またはパラ位に位置している、請求項４に記載のデバイス。
【請求項８】
Ｒ2が、フッ素、フッ素含有基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基およびアリールオキシ基からなる群より選択される、請求項４に記載のデバイス。
【請求項９】
前記ホストがアミン化合物である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記ルブレン誘導体が、５６５ｎｍ＜λmax≦６２５ｎｍとなるような酢酸エチル溶液中での最大発光波長（λmax）を有する、請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１１】
請求項１のＯＬＥＤデバイスを含む、発光ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本第４発明の技術的効果は、変位のためのマイクロシステムをなくし、シート状イオンビームの焦点を合せ、およびシリコン表面へシート状イオンビームを法線入射させるナノラインアレイを形成することによって、既知の装置の作製が簡素化されることである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
好ましくは、基板用精密テーブルは、精密テーブル上に設置された試験セルからの二次電子放出信号により調整された速度で基板を移動させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
均一なイオン流束を提供するようにイオンビームをサンプル表面に走査（またはスキャン）パターンで向けた。図１ＡはＮ２＋−ＧａＡｓ系にて波状ナノ構造を形成するプロセスを概略的に示す。図１Ａの紙面はイオンボンバードメント面またはイオン入射面と一致する。ＧａＡｓ表面の法線に対するイオンボンバードメント角度の狭い範囲θ＝５５〜５８°、イオンエネルギーＮ２＋  Ｅ＝８ｋｅＶ、スパッタリング深さＤＦを約１ミクロンとして、波長λ＝１３０ｎｍを有する安定で極めてコヒーレントな波状ナノ構造が形成され、このナノ構造は波の変異（突然変異または異常部）が殆どなく、また波の交差が極めて少ない。波峰はイオンボンバードメント面に対して垂直に配向する。照射量を増やしても、該ナノ構造は３５ミクロンのスパッタリング深さまで著しく変形しない。Ｅ＝８ｋｅＶ、θ＝５６°にて得られる波状ナノ構造を有するＧａＡｓ結晶チップを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより、個々の波の形状が容易に確認された。λ＝１３０ｎｍにて波の振幅は１３ｎｍとなった。波の斜面は水平に対して８〜９°で傾斜している。このため、波の斜面の局所的なボンバードメント角度は４７°および６５°に等しく、スパッタリングを長引かせてもこれらの角度は変わらない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
Ｎ２＋−ＧａＡｓ系にて形成される波状ナノ構造の振幅を大きくするため、および波の斜面の傾斜角度を大きくするため、波状ナノ構造の２段階形成についての実験を行った。第１段階では、Ｎ２＋−ＧａＡｓ系にて、Ｅ＝８ｋｅＶおよびθ＝５６．７°の条件（この条件はナノ構造の規則性を最大限にするものである）で、λ＝１２８ｎｍおよびスパッタリング深さ１．５ミクロンの波状ナノ構造を形成した。その後、この波状ナノ構造をＯ２＋イオンにより、Ｅ＝５．５ｋｅＶおよびθ＝３９°の条件で、様々なイオン照射量にてスパッタリングした。波状ナノ構造の更なるスパッタリング工程を図１Ｂに示す。Ｏ２＋イオンおよびＮ２＋イオンのボンバートメント面は一致させた。Ｏ２＋イオンによる照射量は、ＧａＯ＋イオンの二次放出信号が飽和点に達するまでの時間に基づいて選択した。この放出信号の増大および飽和はナノ構造の波斜面の傾斜角度の増大および飽和を反映しており、このことはＯ２＋−ＧａＡｓ系におけるＡｓ＋またはＡｓＯ＋二次イオンについても同様に認められる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
【図１Ａ】本発明を図面により説明し、図１ＡはＮ２＋イオンでのスパッタリングによりガリウムヒ素表面にコヒーレントな振幅の小さな波状ナノ構造を形成する方法および個々の波の形状を概略的に示す。
【図１Ｂ】図１ＢはＯ２＋イオンでの更なるスパッタリングによって得られる振幅の増大したガリウムヒ素表面におけるコヒーレントな波状ナノ構造および個々の波の形状を示す。
【図１Ｃ】図１ＣはＯ２＋イオンでの後続の更なるスパッタリングによりＮ２＋−ＧａＡｓにて形成されたコヒーレントなナノ構造のＳＥＭ像を示す。
【図１Ｄ】図１ＤはＯ２＋イオンでの後続の更なるスパッタリングによりＮ２＋−ＧａＡｓにて形成されたコヒーレントなナノ構造のＳＥＭ像を示す。
【図２Ａ】図２ＡはＮ２＋−Ｓｉ系にて形成された波状ナノ構造のＳＥＭ像を示す。
【図２Ｂ】図２ＢはＯ２＋−Ｓｉ系にて、Ｎ２＋イオンでの後続の更なるスパッタリングにより深さＤｍで形成された波状ナノ構造のＳＥＭ像を示す。
【図３Ａ】図３ＡはＮ２＋−Ｓｉ系にて形成された波状ナノ構造のＳＥＭ像を示す。
【図３Ｂ】図３ＢはＧＯＩペーストにより予備的方向性表面研磨を行ってＮ２＋−Ｓｉ系にて形成された波状ナノ構造のＳＥＭ像を示す。
【図４Ａ】図４Ａはビーム１を形成するシート状ビームのマトリックスの形成手段（または形成部）を示し、これはプラズマ電極３にある線状開口部２のマトリックス、シート状ビームをスイッチオンおよびスイッチオフするための電極４、および絶縁体５を含んで成る。イオンビーム１によりシリコン基板１０上にナノ構造６が形成される。
【図４Ｂ】図４Ｂはプラズマ電極３の上方（視線Ａ）から見た図を示し、結晶１２はナノライン１４のアレイを有する。
【図４Ｃ】図４Ｃはコヒーレントな波状ナノ構造を基板表面に形成するための装置を示し、これはシート状ビーム１１のマトリックスの形成手段、永久磁石１５、窒素を送出および排気するシステム（図示せず）を有するプラズマチャンバ１６、試験セル１７、二次電子検出器１８、基板１０のための精密テーブル１９、基板を取出しおよびチャンバへ導入するシステム（図示せず）を有する真空チャンバ２０、シリコン基板１０、インターフェースを有するコンピュータ（図示せず）を含んで成る。
【図５】図５は基板を方向性研磨するための装置を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
訓練データに基づいて生成される言語モデルの組を使用して、スピーチをテキストに転写するコンピュータシステムであって、
スピーチ認識プロセスを始める手段であって、スピーチの第１の部分を認識するように構成される手段と、
前記スピーチの前記認識された第１の部分に基づいて、前記言語モデルの前記組のうち第１の言語モデルを選択する手段、及び前記スピーチの前記第１の部分に前記第１の言語モデルを対応付ける手段と、
前記スピーチ認識プロセスを続ける手段であって、前記第１の言語モデルを使用することによって前記スピーチの以降の部分を認識するように構成される手段と、
前記スピーチの以降の部分が、前記第１の言語モデルよりも第２の言語モデルによってより良くモデル化される場合、前記第２の言語モデルを選択し、前記スピーチの前記以降の部分に前記第２の言語モデルを対応付ける手段と、
を有するコンピュータシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
訓練データに基づいて及び／又は手動のコーディングによって生成される統計モデルの組を使用して、テキストを変更するコンピュータプログラムであって、
前記テキストを複数のセクションにセグメント化するプログラム手段と、
各セクションに前記統計モデルの組のうちの１つを対応付け、前記セクションに対応付けられる統計モデルに関して、各セクションごとにテキスト変更プロシージャを実施するプログラム手段と、
を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記メッセージ形成手段（１３）において形成される要求メッセージは、ユーザエージェントプロファイルメッセージであることを特徴とする請求項１１に記載の端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
前記メッセージ形成手段（１３）において形成される要求メッセージは、ユーザエージェントプロファイルメッセージであることを特徴とする請求項２７に記載のシステム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３９】
前記端末装置（１）は、端末装置（１）においてアプリケーションをインストールし、更新し、また、それらを前記端末装置（１）から削除するための手段（１３，１６）を備え、その場合に前記端末装置の能力の変化の検知を、アプリケーションのインストール、更新及び削除と関連して実行することを特徴とする請求項３２〜３６のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４２】
前記要求メッセージは、ユーザエージェントプロファイルメッセージであることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
幹細胞と非幹細胞成分とを含む被験体からのサンプルから、幹細胞を分離するための方法であって、該方法は、以下：
（ｉ）該サンプルをリムーバーユニット（１）に導入する工程であって、該リムーバユニット（１）は、該リムーバーユニット内の入口（６）を通る十字流れチャンバ（３）を備える、工程；
（ｉｉ）該サンプルを、約１ミクロン〜約１０ミクロンの孔サイズを有するフィルタ（５）に実質的に平行な十字流れに供する工程；
（ｉｉｉ）該流体を、該フィルタを通す濾過に供する工程；および
（ｉｖ）該サンプルから非幹細胞成分を選択的に除去して、幹細胞について富化された細胞集団を形成する工程
による、接線流れ濾過デバイス上での分離を含有する、方法。
【請求項２】
リムーバーユニットへの導入のために、白血球フェレーシス、密度遠心分離、差次的な溶解、濾過、またはバフィーコートの調製によって、前記被験体からのサンプルを調製する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記サンプルが、骨髄、組織懸濁物、器官懸濁物、または血液成分である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記非幹細胞成分が、支質、赤血球、血漿および血小板である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
工程（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を少なくとも２回繰り返して、幹細胞について富化された細胞集団を形成する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記幹細胞が、造血幹細胞、間葉性幹細胞、または多能性幹細胞である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記造血幹細胞が、ＣＤ３４＋細胞である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記幹細胞が、造血幹細胞、間葉性幹細胞、または多能性幹細胞である、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記造血幹細胞が、ＣＤ３４＋細胞である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記被験体が、幹細胞動員因子を投与することによる、幹細胞動員を受けている、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記幹細胞動員因子が、Ｍ−ＣＳＦ、Ｇ−ＣＳＦ、ＧＭ−ＣＳＦ、またはシクロホスファミドである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記接線流れ濾過デバイスが、前記十字流れチャンバの入口に所定の投入速度の前記サンプルを提供するための手段；前記フィルタを通り前記濾液チャンバに入る濾過速度を制御するための手段を有し、該濾過速度制御手段が、該濾過速度を、該フィルタに対して抵抗のない濾過速度未満までに制限する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記サンプルは、前記幹細胞と本質的に同じサイズを有する細胞集団の細胞の縮みを誘導するように前処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記本質的に同じサイズを有する細胞集団が、顆粒球である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記前処理が、前記細胞を、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を含有する生理学的に受容可能な溶液に接触させる工程を包含する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＤＭＳＯの最終濃度が、５％と２０％との間である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＤＭＳＯの最終濃度が、１０％と１５％との間である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＤＭＳＯの最終濃度が、１２．５％である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＤＭＳＯの最終濃度が、１５％である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記生理学的に受容可能な溶液が、低イオン強度のものである、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記前処理が、前記細胞を、グリセロールを含有する生理学的に受容可能な溶液に接触させる工程を包含する、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記グリセロールの最終濃度が、０．５ｍｏｌ／Ｌと２．５ｍｏｌ／Ｌとの間である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記グリセロールの最終濃度が、１ｍｏｌ／Ｌである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
顆粒球が、溶解により前記細胞混合物から優先的に除去される、請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
溶解が、有効量のＤＭＳＯおよびグリセロールへの前記サンプルの連続的な接触によって達成される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記サンプルの接触が、低浸透圧強度の溶液との接触である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
骨髄または血液成分のサンプルを幹細胞について富化するための方法であって、以下：
（ｉ）接線流れ濾過（ＴＦＦ）ユニットに該サンプルを導入する工程であって、該ＴＦＦユニットは、十字流れチャンバ、濾液チャンバ、ならびに該十字流れチャンバおよび該濾液チャンバと流体連絡するフィルタを備え、該フィルタは、約１ミクロン〜約１０ミクロンの孔サイズを有する、工程；
（ｉｉ）所定の投入速度および所定の濾過速度で該サンプルをＴＦＦユニットを通して再循環させる工程であって、該所定の投入速度は該所定の濾過速度の少なくとも５倍であり、ここで、該所定の濾過速度は、該フィルタに対して抵抗のない濾過速度未満である、工程；ならびに
（ｉｉｉ）幹細胞について富化された細胞集団を単離する工程
を包含する、方法。
【請求項２８】
前記富化された細胞集団が、実質的に非白血球成分を含まない、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
請求項１に記載された方法により幹細胞について富化された細胞集団を含む、個体に投与するための組成物。
【請求項３０】
前記サンプルが、少なくとも１種の幹細胞動員因子で処理された被験体からのものである、請求項２９に記載の組成物。
【請求項３１】
前記幹細胞動員因子が、Ｍ−ＣＳＦ、Ｇ−ＣＳＦ、ＧＭ−ＣＳＦ、またはシクロホスファミドである、請求項３０に記載の組成物。
【請求項３２】
前記幹細胞が、レシピエントに注入されるために処方される、請求項２９に記載の組成物。
【請求項３３】
前記レシピエントが、前記被験体に対して自家性である、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３４】
前記レシピエントが、前記被験体に対して同種異系性である、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３５】
前記レシピエントが、骨髄再生を必要としている、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３６】
前記レシピエントが、骨髄機能廃絶化療法を受けている、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３７】
前記レシピエントが、心臓組織の修復を必要としている、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３８】
前記レシピエントが、心筋梗塞を経験している、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３９】
前記レシピエントが、うっ血性心不全を罹患している、請求項３２に記載の組成物。
【請求項４０】
前記レシピエントが、心機能不全を罹患している、請求項３２に記載の組成物。
【請求項４１】
前記富化された幹細胞集団が、循環内に注入されるために処方される、請求項３２に記載の組成物。
【請求項４２】
前記富化された幹細胞集団が、冠状動脈内に注入されるために処方される、請求項３２に記載の組成物。
【請求項４３】
前記富化された幹細胞集団が、傷害された心臓組織に直接適用されるために処方される、請求項３２に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月13日(2007.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験者における結腸直腸癌を検出する方法であって、
（ｉ）直腸を拭き取り、該被験者から結腸直腸細胞を収集する工程、
（ii）該収集した細胞におけるＩＬ−８の発現レベルを測定する工程、
(iii)該収集した細胞におけるＩＬ−８の発現レベルと、正常直腸細胞由来の細胞におけるＩＬ−８の発現レベルとを比較する工程
を含み、
正常直腸細胞由来の細胞に対するＩＬ−８の発現の増加が結腸直腸癌を示す
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
発現レベルの測定がｍＲＮＡの測定を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
発現レベルの測定がｃＤＮＡの測定を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
測定が逆転写酵素ＰＣＲを経るものである、請求項１記載の方法。
【請求項５】
ＩＬ−８が、配列番号１を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
ＩＬ−８の測定が、配列番号４５及び４６を含むオリゴヌクレオチドプライマー対を用いたＰＣＲ増幅を含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
ＣＯＸ−２及びＣＸＣＲ２からなる群より選ばれる少なくとも１種の他のバイオマーカーの発現レベルを測定する工程を更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
ＣＯＸ−２が配列番号２を含み、ＣＸＣＲ２が配列番号３を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
発現レベルの測定がｍＲＮＡの測定を含む、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
発現レベルの測定がｃＤＮＡの測定を含む、請求項７記載の方法。
【請求項１１】
測定が逆転写酵素ＰＣＲを経るものである、請求項７記載の方法。
【請求項１２】
ＩＬ−８の測定が、配列番号４５及び４６を含むオリゴヌクレオチドプライマー対を用いたＰＣＲ増幅を含み、
ＣＯＸ−２の測定が、配列番号４７及び４８を含むオリゴヌクレオチドプライマー対を用いたＰＣＲ増幅を含み、かつ
ＣＸＣＲ２の測定が、配列番号４９及び５０を含むオリゴヌクレオチドプライマー対を用いたＰＣＲ増幅を含む、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのマーカーを検出することによる癌の処置に対する応答の予測のための方法であって、該マーカーが悪性腫瘍において変化した１つの染色体領域に位置する遺伝子およびその断片またはゲノム核酸配列であることを特徴とする方法。