(57)【要約】【課題】  電磁誘導によりウエハ上に電力を供給して行うことにより、プローブが不要のウエハレベルバーンインシステムを提供する。【解決手段】  高周波磁界生成機構２を用いた電磁誘導により半導体ウエハ３に電力を供給して、半導体ウエハ３上に形成されている複数の半導体素子に対してバーンインを行うバーンインシステム１であって、高周波磁界生成機構２は、高周波磁界を発生する高周波発生装置４とその高周波磁界を出力するコイル（出力用コイル）５とを有し、半導体ウエハ３は、電磁誘導に高周波電力を生成するために形成されたコイルの役割をする配線（コイル配線）６と、コイル配線６により誘起された高周波電力を整流し、整流した電圧を調整するための回路とを有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子を備えた半導体ウエハに対して、電磁誘導により電力を供給して行うウエハレベルバーンインシステムであって、
（ａ）高周波磁界を生成する高周波磁界生成機構と、
（ｂ）前記複数の半導体素子に電力を供給する電力供給機構を備えた前記半導体ウエハと、を有し、
前記電力供給機構は、
（ｂ１）前記高周波磁界によって高周波電力を誘起する第１配線と、
（ｂ２）前記高周波電力を整流および調整し、前記複数の半導体素子に電圧を供給する電圧調整回路と、
（ｂ３）前記複数の半導体素子と前記電圧調整回路とを電気的に接続する第２配線と、を備えることを特徴とするウエハレベルバーンインシステム。
【請求項２】
請求項１記載のウエハレベルバーンインシステムにおいて、
前記電力供給機構は、更に前記複数の半導体素子を活性化する電圧印加回路を備えることを特徴とするウエハレベルバーンインシステム。
【請求項３】
請求項１または２記載のウエハレベルバーンインシステムにおいて、
前記電力供給機構は、更に前記複数の半導体素子と前記第２配線との間に抵抗を備えることを特徴とするウエハレベルバーンインシステム。
【請求項４】
複数の半導体素子を備えた半導体ウエハに対して、電磁誘導により電力を供給して行うウエハレベルバーンインシステムを用いたバーンイン工程を有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体ウエハを準備する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハに電力を供給する工程と、を有し
前記ウエハレベルバーンインシステムは、高周波磁界を生成する高周波磁界生成機構と、前記複数の半導体素子に電力を供給する電力供給機構を備えた前記半導体ウエハと、を備え、
前記電力供給機構は、前記高周波磁界によって高周波電力を誘起する第１配線と、前記高周波電力を整流および調整し、前記複数の半導体素子に電圧を供給する電圧調整回路と、前記複数の半導体素子と前記電圧調整回路とを電気的に接続する第２配線と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子の内部を活性化させてバーンインを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハレベルバーンインシステム、特に、電磁誘導により電力を半導体ウエハに供給して行うウエハレベルバーンインシステムに適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップに形成されたＬＳＩ回路などの微細化に伴い、ＬＳＩ回路などの半導体素子（半導体デバイス、半導体装置）の信頼性に対する要求が厳しくなってきている。その半導体素子の信頼性を確保する試験の１つであるバーンインでは、製造初期に発生する不良品をスクリーニングするために、半導体素子を例えば高温高電圧条件下で動作させることによる加速試験を行っている。
【０００３】
このバーンインは、一般的に、ウエハプロセス（前工程）で形成された半導体素子を含む半導体チップを半導体ウエハから切り離し、その半導体チップを後工程でパッケージ化した状態（以下、パッケージ化された半導体チップを完成品という）で行われる。
【０００４】
一方、最近増加している樹脂封止前（前工程終了後）のウエハ状態で取引されるウエハ製品に対しては、そのウエハ状態のままで信頼性保証する要求が強くなってきている。このため、ＬＳＩ回路（半導体チップ）の欠陥を除去するため完成品で行っていたバーンインをウエハ状態の段階で行うウエハレベルバーンインが検討および一部で実施されている。
【０００５】
現在市販されているウエハレベルバーンインシステムは、半導体ウエハの個々の半導体チップにプローバから電圧を印加して、電力を供給し、短時間で行うものである（例えば、非特許文献１参照）。
【非特許文献１】「日経マイクロデバイス」日経ＢＰ社、１９９９年２月、ｐ．６０−６７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記ウエハレベルバーンインシステムでは、半導体ウエハ１枚毎、複数の半導体チップに形成されている何千もの電極パッドに、それぞれプローバを接触させて電圧を印加しなければならず、装置が大型化せざるを得ない。このため、バーンインシステム自体も複雑化し、かつ、高価なものとなってしまう。また、大量かつ同時に半導体ウエハを長時間バーンインすることが困難であるため、上記バーンインシステムでは、スループットが悪く、半導体素子の原価がアップしてしまう。
【０００７】
このため上記バーンインシステムでは、長時間のバーンインは行われていないのが現状である。また、数十秒程度の短時間でのウエハレベルバーンインと称する装置もあるが、完成品でのバーンインは通常、数時間から数十時間行うことからも分かるとおり、特性に影響する大きな変動（欠陥）を発生する異常な素子を検出する効果的なバーンインからかけ離れた条件で行われている場合もある。
【０００８】
しかしながら、例えばマイクロプロセッサチップとインタフェース回路等の周辺回路から構成されていたシステムをワンチップに集積するＳｏＣ（System on a Chip）化が進むと、ウエハレベルバーンインは、ＬＳＩの信頼性を確保する上で益々重要になり、上記課題を解決することは、極めて重要であると考えられる。
【０００９】
本発明の目的は、プローブなどの端子から半導体ウエハに電力を供給せずにバーンインを行うウエハレベルバーンインシステムを提供することにある。
【００１０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
本発明は、半導体ウエハ上に形成されている複数の半導体素子に対して、電磁誘導により電力を供給して行うウエハレベルバーンインシステムであって、（ａ）高周波磁界を生成する高周波磁界生成機構と、（ｂ）前記複数の半導体素子に電力を供給する電力供給機構を備えた前記半導体ウエハと、を有し、前記半導体ウエハには、（ｂ１）前記高周波磁界によって高周波電力を誘起するための第１配線と、（ｂ２）前記高周波電力を整流し、整流した電圧を調整するための電圧調整回路と、（ｂ３）前記複数の半導体素子と前記電圧調整回路とを電気的に接続する第２配線と、が備えられている。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１４】
電磁誘導による電力を半導体ウエハに供給して行うことにより、プローブが不要のウエハレベルバーンインシステムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】
図１は、本実施の形態で示すウエハレベルバーンインシステム（以下、単にバーンインシステムという）１の概略を示す説明図である。このバーンインシステム１は、高周波磁界生成機構２を用いた電磁誘導により半導体ウエハ３に電力を供給して、半導体ウエハ３上に形成されている複数の半導体素子に対してバーンインを行うシステムである。
【００１７】
高周波磁界生成機構２は、高周波磁界を発生させるための機構を有し、例えば高周波磁界を発生する高周波発生装置４とその高周波磁界を出力するコイル（以下、出力用コイルという）５とから構成される。高周波発生装置４は、出力増幅回路４ａおよび高周波発振回路４ｂから構成される。すなわち、この高周波発生装置４は、高周波発振回路４ｂにより発生された所定の周波数の電力を出力増幅回路４ａによって増幅して出力用コイル５に供給する制御機能を持った装置である。また、この出力用コイル５は、高周波発生装置４から高周波電力が供給されるように、例えばアルミニウムなどの導電体が円形状に数ターン巻かれている。なお、この高周波磁界生成機構２は、高周波磁界を発生させることができれば良いので、出力用コイル５の形状、配置には制限されない。しかし、高周波発生装置４から出力用コイル５を通じて供給された高周波磁界を電磁誘導により効率良く半導体ウエハ３に伝達するためには、半導体ウエハ３と出力用コイル５とは近接して配置されることが好ましい。
【００１８】
また、図示しないが、本実施の形態で示すバーンインシステム１は、半導体ウエハ３と出力用コイル５を筐体内に配置あるいは出力用コイル５のみを筐体外に配置してバーンインを行うこともできる。その場合はクリーン度の高いウエハプロセス（前工程）の状態を保持しながらバーンインを行うこともできる。なお、筐体が恒温槽（高温または低温が調節できる槽）であれば、所定の温度におけるバーンインを行うことができる。
【００１９】
また、筐体に配置される半導体ウエハ３は複数でも良く、それぞれの半導体ウエハ３を近接して配置するだけで、同一条件のバーンインを行うことができる。例えば、各半導体ウエハ３の間に絶縁されたシート（絶縁シート）などを挟むことにより積層して配置することができる。なお、温度を加えてバーンインを行うことを考慮すれば、耐熱性に優れた絶縁シートを用いることが好ましい。
【００２０】
この高周波磁界生成機構２によって発生した高周波磁界中に配置されることとなる半導体ウエハ３は、例えばｐ型の単結晶シリコンからなり、この半導体ウエハ３を基板として用いて形成された複数の半導体素子、および高周波磁界により電磁誘導に高周波電力を生成するために形成されたコイルの役割をする配線（以下、コイル配線という）６を有している。
【００２１】
図２は、その主面上に、半導体素子およびコイル配線６が形成された半導体ウエハ３の概略を示す説明図である。この半導体ウエハ３には、半導体素子が形成された半導体チップ７およびコイル配線６の他に、電圧調整回路８と、電力供給用配線９が形成されている。この電圧調整回路８は、コイル配線６により誘起された高周波電力を整流し、整流した電圧を調整するための回路であり、コイル配線６と接続されている。また、電力供給用配線９は、電圧調整回路８により所定の電圧値に調整された電圧を、各半導体チップ７に形成されている半導体素子に供給するためのものであり、半導体ウエハ３のスクライブ領域上に形成されている。なお、このスクライブ領域によって複数の半導体素子が形成されている半導体チップ７が区画されている。
【００２２】
上記コイル配線６は、前工程で形成された半導体素子の最上配線層に、例えば蒸着技術、スパッタ法などを用いてアルミニウムを主体とする導電体により形成される。また、コイル配線６の形状は、半導体ウエハ３の外周に沿って、そのウエハ径とほぼ同一の直径で、渦状に数ターン形成される。なお、コイル配線６は、半導体ウエハ３の厚さ方向に数ターン分の導電体の層から形成することもできるが、本実施の形態で示すように、同一層に渦状に数ターン形成する方が構造上簡易である。
【００２３】
上記電力供給用配線９は、前工程で形成された半導体素子の最上配線層に、例えば蒸着技術、スパッタ法などを用いてアルミニウムを主体とする導電体により形成され、電圧調整回路８からの電力を半導体素子に供給するために、電源配線とＧＮＤ配線を有している。この電力供給用配線９は、その形状、配置に関して半導体素子に電力を供給できれば特に制限はなく、またスクライブ領域（スクライブライン）上に形成されるため、バーンイン後の半導体ウエハ４から半導体チップ７を取り出す際に行われるダイシングによって、削られることとなる。なお、電力供給用配線９は、半導体ウエハ３の厚さ方向において、コイル配線６と別の導電体の層から形成することもできるが、コイル配線６と同一層で形成する方が構造上簡易である。
【００２４】
上記電圧調整回路８は、典型的なＭＯＳトランジスタを用いたレギュレータ回路（電源回路）であり、高周波電力を整流、調整して、所定の電圧を出力する回路である。図３は、本実施の形態で示す電圧調整回路８の回路図であり、図４は、電圧調整回路８を構成する基準電圧回路の回路図である。
【００２５】
電圧調整回路８は、図３に示すように、一般的な整流回路および電圧制御回路から構成されており、これら整流回路および電圧制御回路は、ＭＯＳトランジスタ、ダイオード、抵抗およびコンデンサから構成されている。なお、これらＭＯＳトランジスタ等は、半導体チップ７に形成されたＩＣ回路、ＬＳＩ回路などの半導体素子が形成される前工程で、周知の製造方法で前記半導体素子とともに形成される。
【００２６】
この電圧調整回路８は、高周波電力を整流、調整して、所定の電圧を出力する回路であり、その所定の電圧を、電力供給用配線９を介して各半導体チップ７に供給する。すなわち、電磁誘導によりコイル配線６に誘起した高周波電力は、電圧調整回路８の入力側に供給され、整流回路により整流されることとなる。次いで、整流された電圧においては、平滑用コンデンサにより直流電圧とされる。次いで、この直流電圧は、基準電圧回路を含む電圧制御回路により所定の電圧値（バーンインするために半導体チップ７に印加される電圧値）に変換されて、出力されることとなる。なお、基準電圧は、バーンインを行うため、すなわち半導体チップ７に負荷を与えるために供給される所定の電圧を安定させる電圧である。
【００２７】
電圧調整回路８の電源容量は、ＤＣ的なバーイン（動作周波数０Ｈｚ）では正常の半導体チップに対する電流がほとんど流れないため、バーンインあるいはバーンイン前の欠陥を持った一部の半導体チップへの電力供給のみの能力で十分となる。また、動作を伴うバーインでも、後述するように動作周波数を十分下げることができるので、電圧調整回路８の電源容量は、供給するＩＣ回路、ＬＳＩ回路への印加を考慮すれば、供給電圧３〜５Ｖ程度、電流１００ｍＡ程度でもよいこととなる。なお、その場合の半導体ウエハ３上に形成される電圧調整回路８のサイズは、１ｍｍ×１ｍｍ程度となる。
【００２８】
また、電圧調整回路８は、小規模のレギュレータ回路を単一または複数個で電源電流を供給することができる。このため、レギュレータ回路の占有面積が小さく、半導体ウエハ３上にレギュレータ回路を複数個形成し、電圧調整回路８を分割して、半導体チップ７のＩＣ回路、ＬＳＩ回路にバランスよく供給することもできる。
【００２９】
また、このような電圧調整回路８を構成する整流回路および電圧制御回路は、半導体素子を活性化するための電圧印加回路としても用いることができる。この場合、半導体素子を活性化させてバーンインを行うので、より正確な不良選別を行うことができる。なお、電圧印加回路は、半導体チップ７上に形成された入出力用の電源パッドと配線を介して接続されることとなる。
【００３０】
図５は、本実施の形態で示す半導体ウエハ３の主面の要部拡大図である。半導体ウエハ３の主面上には、電極パッド１０を備えた半導体チップ７と、電源配線９ａとＧＮＤ配線９ｂを有する電源供給用配線９と、電極パッド１０と電源供給用配線９を結ぶ電流制限用抵抗１１と、が形成されている。
【００３１】
半導体チップ７には、ＩＣ回路、ＬＳＩ回路を構成する半導体素子などが形成されており、その半導体素子などと接続されている外部端子である電極パッド１０が形成されている。この電極パッド１０は、電源配線９ａと接続される電極パッド１０ａ、およびＧＮＤ配線９ｂと接続される電極パッド１０ｂを備えている。さらに、電極パッド１０は、これら半導体素子の動作のタイミングを決めるクロック用の電源パッドと、この半導体素子の入出力信号を外部回路に出入力させるために半導体チップ上に形成された入出力用の電源パッドとを有する。
【００３２】
電源配線９ａおよびＧＮＤ配線９ｂを有する電源供給用配線９は、複数の半導体チップ７を区画するスクライブ領域（スクライブライン）１２上に形成されている。なお、電力供給用配線９は、スクライブ領域１２上に形成されるため、バーンイン後の半導体ウエハ４から半導体チップ７を取り出す際に行われるダイシングによって、削られる（除去される）こととなる。
【００３３】
電源配線９ａと電極パッド１０ａとの間には電流制限抵抗１１が、形成されている。この電流制限抵抗１１は、バーンインあるいはバーンイン前の欠陥を持った一部の半導体チップに、大電流が流れることを制限するための抵抗であり、他の半導体チップに電圧が印加されなくなるのを防止するために設けられている。したがって、電流制限抵抗１１は高抵抗が望ましい。
【００３４】
また、この電流制限抵抗１１は、ウエハプロセス（前工程）において、例えば半導体ウエハ３上に不純物をドープしたポリシリコン膜で形成される。よって、電流制限抵抗１１を高抵抗とする手段としては、電流が流れる電流制限抵抗１１の断面の面積を小さくすること、および、不純物の濃度を調整することで容易に形成することができる。なお、電源制限抵抗１１を構成する材料を、溶断し易い材料とすることで、確実に欠陥を持った半導体チップに電流を流すことを防止することもできる。
【００３５】
本実施の形態で示したバーンインシステム１は、電磁誘導により半導体ウエハ３上に電力を供給して行うため、従来のバーンインシステムとは異なり半導体ウエハ３の複数の半導体チップ７に形成されている複数の電極パッド１０のそれぞれにプローブを接続して印加することを必要としない。このため、バーンインシステムの小型化、簡略化および低コスト化することができる。
【００３６】
また、本実施の形態で示すバーンインシステム１は、同時に大量にバーンインを行えるため、スループットを向上することができる。
【００３７】
また、従来のようにプローブ接続を行わなくて済むため、数時間から数十時間のバーンインができる。したがって、従来のバーンインシステムより、特性に影響する大きな変動（欠陥）を発生する異常な素子を、より効果的に検出することができる。
【００３８】
また、本実施の形態で示すバーンインシステム１は、従来のバーンインシステムとは異なり、プローブを用いずにバーンインを行えるため、プローブや、プローブと半導体ウエハ３との接触による異物の発生を抑えることができる。よって、異物による電極パッド間のショートなどを抑制し、より正確なバーンインを行うことができる。
【００３９】
次に、本実施の形態で示したバーンインシステム１を用いたバーンイン工程を有する半導体装置の製造方法について、図６を参照して説明する。図６は、本発明の実施の形態におけるウエハレベルバーンインシステム１の概略を示す説明図である。
【００４０】
まず、バーンインシステム１でバーンインを行える半導体ウエハ３を用意する。この半導体ウエハ３は、図２を用いて説明したように、その主面上に複数の半導体チップ７、コイル配線６、電圧調整回路８および電力供給用配線９を備えている。
【００４１】
この半導体ウエハ３のウエハプロセス（前工程）では、例えばＩＣ回路、ＬＳＩ回路を構成する半導体素子などを形成する。すなわち、これら半導体素子などを構成する、例えばＭＯＳトランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサおよびメタル層は、周知の製造方法を用いて形成する。なお、コイル配線６は、半導体ウエハ３の外周に沿うように形成される（コイル配線６の直径は、半導体ウエハ３のウエハ径とほぼ同一となる）。
【００４２】
ここで、バーンイン対象の半導体ウエハ３に搭載される半導体素子（半導体チップ）の仕様について説明する。この半導体チップ７は、バーンイン対象の半導体ウエハ３のウエハ径が、例えば８インチ程度あれば、６００個程度の総チップ数となる。また、その１チップのＩＣ回路、ＬＳＩ回路の半導体素子の仕様は、例えば電源電圧３．３Ｖ程度、電源電流１００ｍＡ（動作周波数８０ＭＨｚ）程度とする。なお、本実施の形態で示すバーンインシステム１は、複数の半導体ウエハ３のすべてに対してほぼ同一の高周波磁界を供給することができるので、半導体ウエハ３の枚数は特に限定しないが、例えば２５枚（前工程で投入される半導体ウエハ３の枚数である）であれば、各半導体ウエハ３の間に絶縁シートなどを挟むことにより２５枚の半導体ウエハ３すべてにバーンインを行うことができる。
【００４３】
また、バーンイン対象の半導体ウエハ３に搭載される総半導体チップのバーンイン時における消費電力を推計する。バーンイン試験条件は、印加電圧が半導体素子の電源電圧の１．１倍（本実施の形態では、３．６Ｖ程度となる）、印加温度が１２０℃程度、印加時間が数十分から数時間程度とする。このため総電流は、電源電流（１００ｍＡ）×総チップ数（６００個）の６０Ａ程度となってしまう。しかし、バーンインにおいて、動作周波数を１００ｋＨｚ程度以下にしてもＬＳＩなどの内部回路に対する電圧ストレス（電圧が印加される平均時間）がほとんど変わらないため、動作周波数を１００ｋＨｚ程度以下としてもバーンインの効果を得ることができる。したがって、総電流（６０Ａ）に動作周波数とチップ仕様の周波数との比（１００ｋＨｚ／８０ＭＨｚ）を乗算した電流を印加するだけでよく、供給電流は７５ｍＡ程度となる。
【００４４】
次に、半導体ウエハ３を、高周波磁界生成機構２の出力用コイル５が配置された恒温槽１３に配置し、恒温槽１３の温度を印加温度の１２０℃程度に設定する。なお、高周波発生装置４から出力用コイル５を通じて供給された高周波磁界を電磁誘導により効率良く半導体ウエハ３に伝達するためには、半導体ウエハ３と出力用コイル５とは近接して配置することが好ましい。
【００４５】
次に、高周波発生装置４から、例えば直径２０ｃｍ程度、１５ターン程度の出力用コイル５に、５０ＭＨｚの電圧２５Ｖの電力を供給する。この場合、半導体ウエハ３上には、コイル配線６が３ターンで形成されているとすると、約５Ｖの高周波電圧が誘起されることとなる。この高周波電圧が、電圧調整回路８の整流回路で整流され、２０００ｐＦ程度のキャパシタで平滑することで直流化され、さらに電圧制御回路により所望の電圧値（３．６Ｖ程度）へと制御される。このように、典型的なレギュレータ回路（電源回路）を半導体ウエハ３上に形成することで、ＩＣ回路、ＬＳＩ回路にバーンインを行うための十分な電力を供給することができる。
【００４６】
また、このような電圧調整回路８を構成する整流回路および電圧制御回路は、半導体素子を活性化するための電圧印加回路としても用いることができる。したがって、半導体素子を活性化させてバーンインを行うので、より正確な不良選別を行うことができる。なお、電圧印加回路は、半導体チップ７上に形成された入出力用の電源パッドと配線を介して接続されることとなる。
【００４７】
その後、所定の時間（数十分から数十時間）になるまで、半導体チップ７に形成されたＩＣ回路、ＬＳＩ回路に電力を供給し、バーンインを行う。
【００４８】
このように、半導体チップ７には、半導体ウエハ３上で電磁誘導により発生した高周波電力を、電圧調整回路８により整流、調整された電力が、供給されることとなる。したがって、高周波磁界生成機構６の出力用コイル５に高周波電力を供給すると、半導体ウエハ３上の出力用コイル２に電圧が誘起し、電圧調整回路８を通じて、半導体ウエハ３上の各半導体チップ（ＩＣ／ＬＳＩ回路）に電力が供給され、配線を不要としたバーンインが行うことができる。
【００４９】
また、外部の高周波磁界により、個々の半導体ウエハ上に所定の電圧を供給するため、プローバなど外部から電極を接続して電圧を印加する必要がないため、大量に同時にウエハレベルでのバーンインを行うことができる。
【００５０】
また、ウエハに直接電源を接続することなく、大量に同時に各素子に電圧並びに必要に応じて信号を供給できるため、スループットの高い長時間のウエハレベルでのバーンインが可能となり、高信頼性、高品質のウエハを提供することができる。
【００５１】
また、従来では、高信頼性、高品質のためバーンインを完成品に対して行っていたが、本実施の形態では、完成品前のウエハ状態で、不良素子の選別を行うことができる。
【００５２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５３】
例えば、前記実施の形態では、試験対象にＬＳＩ回路を含む半導体チップを適用した場合について説明したが、半導体ウエハ上に形成されるＩＣ、トランジスタおよびダイオードなどの素子にも適用することができる。
【００５４】
また、例えば類似の方法でバッチ処理により製造する電子部品のバーンインにも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、半導体素子を製造する製造業に幅広く利用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態におけるウエハレベルバーンインシステムの概略を示す説明図である。
【図２】半導体素子およびコイル配線が形成された半導体ウエハの概略を示す説明図である。
【図３】実施の形態における電圧調整回路の回路図である。
【図４】電圧調整回路を構成する基準電圧回路の回路図である。
【図５】実施の形態における半導体ウエハの主面の要部拡大図である。
【図６】実施の形態におけるウエハレベルバーンインシステムの概略を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  バーンインシステム
２  高周波磁界生成機構
３  半導体ウエハ
４  高周波発生装置
４ａ  出力増幅回路
４ｂ  高周波発振回路
５  出力用コイル
６  コイル配線
７  半導体チップ
８  電圧調整回路
９  電力供給用配線
９ａ  電源配線
９ｂ  ＧＮＤ配線
１０、１０ａ、１０ｂ  電極パッド
１１  電流制限抵抗
１２  スクライブ領域
１３  恒温槽
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006054238.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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