【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  増強されたエッチングの選択性を伴って、基板上の誘電体層にフィーチャをエッチングする方法であって、
（ａ）プラズマエッチングチャンバの処理領域に基板を配置するステップと、
（ｂ）基板支持体の温度を制御するステップと、
（ｃ）ヘキサフルオロ-1, 3-ブタジエン、酸素及びアルゴンを有するガス組成物を前記処理領域に流すステップと、
（ｄ）ＲＦエネルギーを前記処理領域に容量性結合して、前記ガス組成物から容量性結合されたプラズマを形成するステップと、
（ｅ）前記処理領域に磁界を与えるステップと、
（ｆ）少なくとも１６００リットル／秒の、真空ポンプのポンピング速度でチャンバを連続的に排気するステップと、
を有し、
前記ポンピング速度は、前記処理領域に７０ミリ秒より少ない、反応種の滞留時間を与えることを特徴とする方法。
【請求項２】  前記ガス組成物を前記処理領域に流すステップは、４０ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍの全ガス流量で行なわれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  アルゴンとヘキサフルオロ-1, 3-ブタジエンの流量比が約５：１〜約２０：１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記排気するステップは、前記チャンバの圧力を２０mTorr〜２５０mTorrに維持するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記ガス組成物を前記処理領域に流すステップは、４０ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍの全ガス流量で行なわれ、且つ、前記排気するステップは、前記チャンバの圧力を２０mTorr〜２５０mTorrに維持するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  基板上の誘電体層にフィーチャをプラズマエッチングし、エッチングの選択性を増強する方法であって、
（ａ）容量性結合したプラズマエッチングチャンバの処理領域に基板を配置するステップと、
（ｂ）基板支持体の温度を制御するステップと、
（ｃ）線状のＣ4Ｆ6、酸素およびアルゴン有するガス組成物を前記処理領域に流すステップと、
（ｄ）前記ガス組成物からプラズマを形成するために、ＲＦエネルギーを前記処理領域に容量性結合するステップと、
（ｅ）少なくとも１６００リットル／秒の、真空ポンプのポンピング速度で前記チャンバを連続的に排気するステップと、
を有し、
前記ポンピング速度は、前記処理領域に７０ミリ秒より少ない、反応種の滞留時間を与えることを特徴とする方法。
【請求項７】  前記ガス組成物を前記処理領域に流すステップは、４０ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍの全ガス流量で行なわれることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】  アルゴンと線状のＣ4Ｆ6の流量比が５：１〜２０：１であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】  前記排気するステップは、前記チャンバの圧力を２０mTorr〜２５０mTorrに維持するステップを有することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】  前記ポンピング速度は、４８〜８０チャンバボリューム／秒の速度で前記チャンバを排気するのに充分であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１１】  基板上の誘電体層にフィーチャをエッチングし、エッチングの選択性を増強する方法であって、
（ａ）リアクタチャンバの処理領域に前記基板を配置するステップと、
（ｂ）線状のＣ4Ｆ6、酸素およびアルゴン有するガス組成物を選択されたガス流速で、且つ、アルゴンとＣ4Ｆ6の選択された流量比で前記処理領域に流すステップと、
（ｃ）ＲＦエネルギーを前記処理領域に容量性結合して、前記ガス組成物から容量性結合されたプラズマを形成するステップと、
（ｄ）少なくとも１６００リットル／秒の真空ポンプのポンピング速度で前記チャンバを連続的に排気するステップと、
を有し、
前記ポンピング速度は、前記処理領域に７０ミリ秒より少ない、前記ガス組成物の種の滞留時間を与えることを特徴とする方法。
【請求項１２】  前記リアクタチャンバの圧力は、２０mTorr〜２５０mTorrの範囲にあることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記選択されたガス流速は、４０sccm〜１０００sccmの範囲にあることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記選択された流量比は、５：１〜２０：１の範囲にあることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  更に、前記処理領域に回転磁界を与えるステップを有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】  前記磁界は、１００ガウス〜１５０ガウスの範囲の強さを有することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  更に、前記リアクタチャンバの壁を、前記壁上にポリマー物質が蓄積する範囲内の温度に冷却するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】  前記ガス組成物を流すステップは、前記基板の上方の前記チャンバの天井にあるガス分配ポートを通して前記ガス組成物を導入するステップを有し、且つ、前記方法は、更に、ポリマー堆積温度以上の温度に前記ガス分配ポートを維持するステップを有し、それにより、前記ガス分配ポート上にポリマーが堆積するのを防止することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明による装置の別の実施の形態は、亜大気圧において基体をプラズマエッチング処理するための熱的に制御された反応器からなり、ガス入口、ガス出口、及び内部表面を有する真空チャンバと、上記内部表面に接して配置されているライナーと、上記真空チャンバ内に配置されている熱的に制御された基体支持体と、少なくとも１６００リットル／秒の容量を有する真空ポンプシステムとを備えている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６５】
理論によって縛られるのを望まないけれども、エッチャントガス、例えば、線状のＣ4Ｆ6が処理チャンバのプラズマ領域に入り、プラズマに曝されるにしたがって、それは、小さな部分に分解、または分離すると考えられる。一般に、フルオロカーボンのプロセスガスに対して、短い滞留時間は、望ましいフルオロカーボンのラジカルＣＦx*の割合を増加する能力を与えるが、一方、長い滞留時間はフッ素のラジカルＦ*の割合を増加する。フッ素ラジカルの生成が多すぎると、ホトレジストの選択度及び/または側壁プロフィールの制御を低下する。出願人は、ホトレジストの選択度が一般に約７０ｍｓより少なく、好ましくは約５０ｍｓより少ない滞留時間で改善されることを発見した。出願人は、酸化物のエッチング速度が約４０ｍｓより少ない滞留時間で改善されることを発見した。この滞留時間は、本発明の処理リアクターによって可能にされ、容量性に結合されたＲＩＥモードにおいて線状のＣ4Ｆ6を用いてエッチングを可能にする。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７３】
代表的な高アスペクト比の誘電体エッチングプロセスは、図３４Ａと図３４Ｂを参照して説明される。図３４Ａは、エッチング前の高アスペクト比の構造３４００を示し、図３４Ｂはエッチング後の高アスペクト比の構造３４０５を示す。これらの構造３４００及び３４０５はいずれも大きさを示すものではない。このコンテキストにおいて、高アスペクト比の誘電体エッチングプロセスは、約５：１より大きく６：１までのアスペクト比を有するエッチングフィーチャとして定義されるが、一方、非常に高いアスペクト比のプロセスは、約１０：１から約２０：１の範囲のアスペクト比を有するエッチングフィーチャとして定義される。例えば、図３４Ｂのフィーチャ３４３０のアスペクト比は誘電体層の厚さ３４２２とフィーチャの幅３４２６の比である。本発明の実施の形態を有する磁気増強された、反応性イオンエッチングチャンバは、高い、及び非常に高いアスペクト比のフィーチャの双方をエッチングすることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７９】
特定の実施の形態では、チャンバ圧力は約２０ミリトル〜約６０ミリトルに保たれ、ＲＦ電力は約１０００ワット〜約２０００ワットであり、磁界は約１００ガウスに保たれ、且つエッチングチャンバは１秒当たり約４８チャンバボリューム〜約８０チャンバボリュームの速度で排気される。他の好適な実施の形態では、基板支持体は約−２０℃に保たれ、一方、壁または直接温度制御ライナーは約１５℃に保たれるのが好ましい。特定の好適な実施の形態では、フルオロカーボンガスはＣ4Ｆ6であり、酸素含有ガスはＯ2であり、そして不活性ガスはＡｒである。