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【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上のシリコン層を含むシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェーハ上に、第１絶縁層をたい積するステップと、
前記第１絶縁層の一部上にレジストマスクを形成するステップと、
フィンおよびこのフィンの上面を被覆する絶縁キャップを形成すべく、前記レジストマスクによって被覆されない前記第１絶縁層および前記シリコン層の一部をエッチングするステップと、
前記絶縁キャップ上にゲート層をたい積するステップと、
前記ゲート層上に第２絶縁層をたい積するステップと、
ゲート構造を形成すべく、前記ゲート層および第２絶縁層をエッチングするステップと、
前記ゲート構造と隣接する側壁スペーサを形成するステップと、
ＦｉｎＦＥＴデバイス上に第３絶縁層を形成するステップと、
前記第２絶縁層の上面を露出すべく、前記第３絶縁層をプレーナ化するステップと、
前記ゲート構造における前記第２絶縁層および前記ゲート層を除去するステップと、
前記半導体デバイスのチャネル領域における前記フィンの幅を縮小すべく、前記フィンをエッチングするステップと、
前記除去したゲート層があった場所にゲート材料をたい積するステップと、を含む、
ＦｉｎＦＥＴデバイス中にゲートを形成する方法。
【請求項２】
前記フィンをエッチングするステップは、前記第２絶縁層および前記ゲート層を除去した後に実行される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記フィンの第１端部に隣接する前記絶縁層上にソース領域を形成するステップと、
前記フィンの第２端部に隣接する前記絶縁層上にドレイン領域を形成するステップと、をさらに含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記ソースおよびドレイン領域上に金属をたい積するステップと、
前記ソースおよびドレイン領域上に金属シリサイド化合物を形成すべく、前記半導体デバイスをアニーリングするステップと、をさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ゲート層を除去するステップは、
前記第１絶縁層および前記側壁スペーサに比べて、前記ゲート層に関して高いエッチング選択性を有するエッチングケミストリを使用して、前記ゲート層をエッチングするステップを含む、請求項１ないし４のいずれかの項記載の方法。
【請求項６】
前記フィンをエッチングするステップは、前記フィンをウェットエッチングするステップを含む、請求項１ないし５のいずれかの項記載の方法。
【請求項７】
前記フィンをエッチングするステップは、前記チャネル領域中の前記フィンの幅を、約２０ｎｍから約１００ｎｍの範囲の量だけ減少させる、請求項１ないし６のいずれかの項記載の方法。
【請求項８】
前記ゲート材料をたい積するステップは、
W、Ti、Ni、Ta、TaN、TaSiNのうちの少なくとも１つをたい積するステップを含む、請求項１ないし７のいずれかの項記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つのゲート電極を形成すべく、前記ゲート材料をプレーナ化するステップをさらに含む、請求項１ないし８のいずれかの項記載の方法。
【請求項１０】
前記ゲート材料が前記側壁スペーサの上面と実質的に同一平面となるように前記ゲート材料をプレーナ化するステップをさらに含む、請求項１ないし９のいずれかの項記載の方法。
【請求項１１】
絶縁層上に、フィンを形成するステップと、
ソースおよびドレイン領域を形成するステップと、
前記フィン上にゲート材料をたい積するステップと、
前記ゲート材料を含むゲート構造を形成すべく、前記ゲート材料をパターン化し、エッチングするステップと、
半導体デバイス上に絶縁層を形成するステップと、
前記ゲート構造の上面を露出すべく、前記絶縁層をプレーナ化するステップと、
凹部領域を生成すべく、前記ゲート構造における前記ゲート材料を除去するステップと、
前記半導体デバイスのチャネル領域中の前記フィンの幅を減少させるステップと、
前記凹部領域中に金属をたい積するステップと、を含む、
半導体デバイスを製造する方法。
【請求項１２】
前記金属をプレーナ化するステップをさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記フィンの幅を減少させるステップは、前記チャネル領域中の前記フィンの幅を、約２０ｎｍから約１００ｎｍの範囲の量だけ減少させるべく、前記フィンをエッチングするステップを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記フィンをエッチングするステップは、酸を使用して前記フィンをエッチングするステップを含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記絶縁層は、テトラエチル・オルトシリケート（ＴＥＯＳ）材料を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
前記ゲート材料はシリコンを含んでおり、
前記ゲート材料を除去するステップは、シリコンに関して高いエッチング選択性を有するエッチングケミストリを使用して、前記ゲート材料をエッチングするステップを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
絶縁層上に、導電性のフィンを含んだフィン構造を形成するステップと、
ソースおよびドレイン領域を形成するステップと、
前記フィン構造上にゲートを形成するステップと、
凹部領域を生成すべく、前記ゲートを除去するステップと、
前記半導体デバイスのチャネル領域中の前記フィンの幅を薄くするステップと、
前記凹部領域中に金属をたい積するステップと、を含む、
半導体デバイスを製造する方法。
【請求項１８】
絶縁層上に、導電性のフィンを含んだフィン構造を形成するステップと、
ソースおよびドレイン領域を形成するステップと、
前記フィン構造上にゲートを形成するステップと、
前記半導体デバイス上に絶縁層を形成するステップと、
前記ゲート構造の上面を露出すべく、前記絶縁層をプレーナ化するステップと、
凹部領域を生成すべく、前記ゲートを除去するステップと、
前記半導体デバイスのチャネル領域中の前記フィンの幅を薄くするステップと、
前記凹部領域中に金属をたい積するステップと、を含む、
半導体デバイスを製造する方法。
【請求項１９】
少なくとも１つのゲート電極を形成すべく、前記金属をプレーナ化するステップをさらに含む、請求項１７または１８記載の方法。
【請求項２０】
前記フィンの幅を薄くするステップは、前記フィンをウェットエッチングするステップを含んでいる、請求項１７または１８記載の方法。
【請求項２１】
前記ソースおよびドレイン領域上に金属をたい積するステップと、
前記ソースおよびドレイン領域上に金属シリサイド化合物を形成すべく、前記半導体デバイスをアニーリングするステップと、をさらに含む、請求項１７または１８記載の方法。
【請求項２２】
前記金属は、タングステン、チタニウム、ニッケル、およびタンタルのうちの少なくとも１つを含んでいる、請求項１７または１８記載の方法。
【請求項２３】
前記フィンの幅を薄くするステップは、前記フィンの幅を、約２０ｎｍから約１００ｎｍの範囲の量だけ減少させるステップを含む、請求項１７または１８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、表面陽極酸化、プラズマ電解酸化を使用して形成されたコーティングおよびスプレーコーティングの少なくとも１つで形成されている請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、アルミナ、カーボン、炭化珪素、シリコン、石英、テフロン（登録商標）、ベスペル（登録商標）およびカプトン（登録商標）の少なくとも１つで構成されている請求項１に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、ＳＣ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３およびＤｙ２Ｏ３の少なくとも１つで構成されている請求項１に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、表面陽極酸化、プラズマ電解酸化を使用して形成されるコーティングおよびスプレーコーティングの少なくとも１つで形成される請求項１２に記載の処理部材。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、アルミナ、カーボン、炭化珪素、シリコン、石英、テフロン（登録商標）、ベスペル（登録商標）およびカプトン（登録商標）の少なくとも１つで構成される請求項１２に記載の処理部材。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３およびＤｙ２Ｏ３の少なくとも１つで構成される請求項１２に記載の処理部材。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
いずれの保護バリア１２０、１３０も、例えば、表面陽極酸化、プラズマ電解酸化（ｐｌａｓｍａ ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）を使用して形成されたコーティング、または熱スプレーコーティング（ｔｈｅｒｍａｌ ｓｐｒａｙ ｃｏａｔｉｎｇ）のようなスプレーコーティングの１つから形成され得る。実施形態において、いずれの保護バリア１２０，１３０も、Ａｌ２Ｏ３およびＹ２Ｏ３の少なくとも１つから構成され得る。他の実施形態では、いずれの保護バリア１２０，１３０も、第ＩＩＩ族元素（ＩＩＩ−ｃｏｌｕｍｎ ｅｌｅｍｅｎｔ）（周期表の第ＩＩＩ族）およびランタニド元素（Ｌａｎｔｈａｎｏｎ ｅｌｅｍｅｎｔ）の少なくとも１つを含んでいる。他の実施形態では、このＩＩＩ族元素は、イットリウム（Ｙｔｔｒｉｕｍ）、スカンジウム（Ｓｃａｎｄｉｕｍ）およびランタン（Ｌａｎｔｈａｎｕｍ）の少なくとも１つを含んでいる。他の実施形態では、ランタニド元素は、セリウム（Ｃｅｒｉｕｍ）、ジスプロシウム（Ｄｙｓｐｒｏｓｉｕｍ）およびユウロピウム（Ｅｕｒｏｐｉｕｍ）の少なくとも１つを含んでいる。他の実施形態では、複合成形（ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｆｏｒｍｉｎｇ）保護層は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、Ｓｃ２Ｏ３，Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３およびＤｙ２Ｏ３の少なくとも１つから形成されている。他の実施形態では、いずれの保護バリア１２０，１３０も、Ｋｅｒｏｎｉｔｅ（Ｋｅｒｏｎｉｔｅ社（Ｋｅｒｏｎｉｔｅ Ｌｉｍｉｔｅｄ， Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ＰＯ Ｂｏｘ ７００， Ｇｒａｎｔａ Ｐａｒｋ， Ｇｒｅａｔ Ａｂｉｎｇｔｏｎ， Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ ＣＢ１ ６ＺＹ，ＵＫ）から市販の表面コーティング処理）から構成され得る。他の実施形態では、いずれの保護バリア１２０，１３０も、シリコン、炭化珪素、アルミナ、テフロン（登録商標）、ベスペル（登録商標）またはカプトン（登録商標）のうちの少なくとも１つから構成され得る。例えば、第１の保護バリア１２０は、表面陽極酸化で形成されることができ、そして、第２の保護バリア１３０は、スプレーコーティングで形成されることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体から３つ以上のデータストリームを読み出すピックアップを制御する方法において、前記記憶媒体上の１つより多くのファイルに分散したデータストリームを読出しの後にバッファに別個に中間記憶し、バッファに中間記憶した後、バッファからデータストリームを連続的に読み出して同時再生に使用し、ただし、前記バッファはそれぞれ異なる出力データ速度とバッファサイズを有しており、第１のバッファである出力データ速度の最も高いバッファが第１データストリームに関係しており、
当該方法は、
それぞれのバッファについて、バッファ充填率が閾値を下回っていることを個別に検出し、
前記検出に応じて、相応するデータストリームからデータを読み出すようピックアップに対する要求を生成及びスケジューリングし、その際、前記バッファの各々に関して、それぞれの出力データ速度、サイズ、及び前記閾値から得られる時間間隔当たりの平均要求数が個別に生成されるものとし、
前記要求に応答して、ピックアップが相応するデータストリームにアクセスし、アクセスしたデータストリームからデータを読み出し、
読み出したデータを相応するバッファにバッファ記憶することから成っており、
第１のバッファにバッファ記憶される第１のデータストリームのデータ量は、他のデータストリームのうちのどれかにアクセスして読み出しを行い、それぞれのバッファに前記他のデータストリームから読み出したデータを充填し、再び第１のデータストリームにアクセスして読み出しを行うのに要する時間の間、連続的なバッファ出力を供給するのに十分な量であり、他のデータストリームの各々について、バッファ記憶されるデータの量は、第１のデータストリームにアクセスし、前記第１のバッファをある回数（λ）だけ充填及び空にし、再び他のデータストリームの各々にアクセスするのに要する時間の間、連続的なバッファ出力を供給するのに十分な量であり、同じ他のバッファの再充填が必要となる前に第１のバッファを充填する前記回数（λ）は整数であり、かつ１よりも大きい、ことを特徴とする記憶媒体からデータストリームを読み出すピックアップを制御する方法。
【請求項２】
前記整数（λ）は前記の他のデータストリームすべてに対して同一である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
初期化の際、記憶媒体からまず前記他のデータストリームを読み出し、つぎに前記第１データストリームを読み出す、請求項１又は２項記載の方法。
【請求項４】
初期化の際、第１データストリーム用のバッファは完全に充填されるようにし、他のデータストリーム用のバッファは部分的にしか充填されないようにする、請求項１から３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
初期化の際、前記第１データストリーム以外のデータストリームを記憶媒体から読み出す順序が前記他のデータストリームが記憶媒体上で有している順序と同じ又は逆となるようにする、請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記記憶媒体は光ディスクであり、前記データストリームは少なくともビデオストリームとオーディオストリームとサブタイトルストリームから構成されており、ｆvideo＝λｆaudio＝λｆSubtitleである、請求項１から５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
記憶媒体から３つ以上のデータストリームを読み出すピックアップを制御するための装置において、前記データストリームは記憶媒体上の１つより多くのファイルに分散しており、読出しの後にバッファに別個に中間記憶され、バッファに中間記憶された後、バッファから連続的に読み出されて同時再生に使用され、ただし、前記バッファはそれぞれ異なる出力データ速度とバッファサイズを有しており、第１のバッファである出力データ速度の最も高いバッファが第１データストリームに関係しており、
当該装置は、
前記記憶媒体からデータストリームを読み出すピックアップと、
それぞれのバッファについて、バッファ充填率が閾値を下回っていることを個別に検出する手段と、
前記検出に応じて、ピックアップに相応するデータストリームからデータを読み出させるための要求を生成する手段と、
生成された要求をスケジューリングする手段とを有しており、
要求を生成する際、前記バッファの各々に対して、それぞれの出力データ速度、サイズ、及び前記閾値から得られる時間間隔当たりの平均要求数（ｆ）が個別に生成され、
ピックアップは、前記要求に応答して、相応するデータストリームにアクセスし、アクセスしたデータストリームからデータを読み出し、
第１のデータストリームのデータを保持する第１のバッファのサイズは、ピックアップが他のデータストリームのうちのどれかにアクセスして読み出しを行い、それぞれのバッファに前記他のデータストリームから読み出したデータを充填し、再び第１のデータストリームにアクセスして読み出しを行うのに要する時間の間、連続的なバッファ出力を供給するのに十分なサイズであり、
他のデータストリームの各々からのデータを保持する他のバッファの各々のサイズは、ピックアップが第１のデータストリームにアクセスし、前記第１のバッファをある回数（λ）だけ充填及び空にし、再び他のデータストリームの各々にアクセスするのに要する時間の間、連続的なバッファ出力を供給するのに十分なサイズであり、
同じ他のバッファの再充填が必要となる前に第１のバッファを充填する前記回数（λ）は整数であり、かつ１よりも大きい、ことを特徴とする記憶媒体からデータストリームを読み出す装置。
【請求項８】
前記整数（λ）は前記の他のデータストリームすべてに対して同一である、請求項７記載の装置。
【請求項９】
初期化の際、記憶媒体からまず前記他のデータストリームが読み出され、つぎに前記第１データストリームが読み出される、請求項７又は８項記載の装置。
【請求項１０】
前記記憶媒体は光ディスクであり、前記データストリームは少なくともビデオストリームとオーディオストリームとサブタイトルストリームから構成されており、ｆvideo＝λｆaudio＝λｆSubtitleである、請求項９記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
光ディスクドライブの光レンズの軸方向速度を判断する方法であって、
−  前記光レンズを通過する光ビームが、発生され、光ディスクに向けられ、該光ディスクから反射させられ、
−  反射された前記光ビームは光検出器によって受信され、
−  前記光検出器からの出力信号は、該出力信号からフォーカスエラー信号を得るように処理され、
−  前記光レンズは、前記光ディスクに対して軸方向に移動させられ、
−  前記フォーカスエラー信号のＳ字状曲線の時間が計測され、
−  前記光レンズの軸方向速度が、前記Ｓ字状曲線の時間計測の結果に基づいて計算される、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子材料のバッチ、ロット又は積荷のための製品仕様書を作成する方法であって、粒子材料の前記バッチ、ロット又は積荷に対応する1つ以上の界面電位特性値を特定することを含むことを特徴とする、製品仕様書を作成する方法。
【請求項２】
顧客とビジネスを行う方法であって、粒子材料の或る特定のバッチ、ロット又は積荷を要求するために、且つ/又は、粒子材料の或る特定のバッチ、ロット又は積荷を提供するために、界面電位特性値を含む製品仕様書を使用することを含むことを特徴とする、顧客とビジネスを行う方法。
【請求項３】
粒子材料の等級、銘柄又はタイプを表現又は特定する方法であって、粒子材料の前記等級、銘柄又はタイプに、1つ以上の界面電位特性値を割当てることを含むことを特徴とする、粒子材料の等級、銘柄又はタイプを表現又は特定する方法。
【請求項４】
該粒子材料が炭素質である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該粒子材料が金属酸化物である、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
顧客とビジネスを行う方法であって、界面電位特性値を使用して、粒子材料の或る特定の等級、銘柄又はタイプを要求及び/又は提供することを含むことを特徴とする、顧客とビジネスを行う方法。
【請求項７】
粒子製造業者が粒子材料を顧客に提供する方法であって、粒子材料の等級、銘柄又はタイプに対して1つ以上の界面電位特性値を指定する工程を含むことを特徴とする、粒子製造業者が粒子材料を顧客に提供する方法。
【請求項８】
粒子材料を注文する方法であって、割当てられた1つ以上の界面電位特性値を有する粒子材料の等級、銘柄又はタイプを注文する工程を含むことを特徴とする、粒子材料を注文する方法。
【請求項９】
粒子材料の2つ又は3つ以上の等級、銘柄又はタイプを区別する方法であって、粒子材料の前記等級、銘柄又はタイプに対応する界面電位特性値を識別することを含むことを特徴とする、粒子材料の2つ又は3つ以上の等級、銘柄又はタイプを区別する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムであって、
第１の信号と第２の信号とを分離する第１の分配器と、
前記第１の分配器に接続されており、前記第１の信号を無線信号として処理する無線回路と、
前記無線回路と前記第１の分配器とに接続されており、前記無線信号と前記第２の信号とを合成して合成信号を生成して、該合成信号をサービス領域に送信する合成器と、
前記合成器に接続されており、前記無線信号と前記第２の信号とを分離する第２の分配器と、
前記第２の分配器に接続されており、前記無線信号を送信する送信機と、
を含む無線通信システム。
【請求項２】
前記無線回路が、
前記第１の信号を前処理するボイス・オーバー・ケーブル回路と、
前記第１の信号を前記無線信号に変換する無線データ回路と、
を備えている、請求項１記載の無線通信システム。
【請求項３】
前記第２の分配器がハイ／ロー・フィルタを備えている、請求項１記載の無線通信システム。
【請求項４】
前記送信機が、
前記第２の分配器に接続された狭帯域フィルタと、
前記第２の分配器から前記無線信号を受信する増幅器と、
前記増幅器に接続されており、前記無線信号を送信するためのアンテナと、
を備えている、請求項１記載の無線通信システム。
【請求項５】
前記第２の信号がテレビジョン信号である、請求項１記載の無線通信システム。
【請求項６】
前記第１の信号が約９００ＭＨｚより上に存在し、前記第２の信号が約９００ＭＨｚより下に存在する、請求項１記載の無線通信システム。
【請求項７】
データを送信する方法であって、
信号を第１の信号部分と第２の信号部分とに分離するステップと、
前記第１の信号部分を無線データ信号として処理するステップと、
前記無線データ信号と前記第２の信号部分とを合成して合成信号を生成するステップと、
前記合成信号を媒体を介して送信するステップと、
前記合成信号を前記無線データ信号と前記第２の信号部分とに分離するステップと、
前記無線データ信号を無線で送信するステップと、
を含む前記方法。
【請求項８】
前記第１の信号部分が音声信号である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記第２の信号部分がテレビジョン信号である、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記無線データ信号を濾波するステップと、
送信する前に、前記無線データ信号を増幅するステップと、
を更に含む、請求項７記載の方法。
【請求項１１】
無線通信システムであって、
双方向ディジタル・ケーブル信号を少なくとも第１の信号部分と第２の信号部分とに分離する手段と、
前記第１の信号部分を無線データ信号として処理する手段と、
前記無線データ信号と前記第２の信号部分とを合成して合成信号を生成する手段と、
前記合成信号を同軸ケーブルを介して送信する手段と、
前記合成信号を前記無線データ信号と前記第２の信号部分とに分離する手段と、
前記無線データ信号を無線で送信する手段と、
を含む無線通信システム。
【請求項１２】
前記合成信号を前記無線データ信号と前記第２の信号部分とに分離する前記手段が、ハイ／ロー・フィルタを備えている、請求項１１記載の無線通信システム。
【請求項１３】
前記ハイ／ロー・フィルタが、約９００ＭＨｚより上に存在する前記第１の信号部分と、約９００ＭＨｚより下に存在する前記第２の信号部分とに分離する、請求項１２記載の無線通信システム。
【請求項１４】
前記第１の信号部分を前記無線データ信号として処理する前記手段が、
前記第１の信号部分を前処理するボイス・オーバー・ケーブル回路と、
前記第１の信号部分を前記無線データ信号に変換する無線データ回路と、
を備えている、請求項１１記載の無線通信システム。  
【請求項１５】
前記ブロードキャストする手段が、
前記無線データ信号と前記第２の信号部分とに分離する前記手段に接続された狭帯域フィルタと、
前記無線データ信号と前記第２の信号部分とに分離する前記手段から前記無線データ信号を受信する増幅器と、
前記増幅器に接続されており、前記無線データ信号を送信するためのアンテナと、
を備えている、請求項１１記載の無線通信システム。
【請求項１６】
音声信号とデータ信号とを処理する装置であって、
第１の信号と第２の信号とを分離する第１の分配器と、
前記第１の分配器に接続されており、前記第１の信号を無線信号として処理する無線回路と、
前記無線回路と前記第１の分配器とに接続されており、前記無線信号と前記第２の信号とを合成して合成信号を生成して、該合成信号をサービス領域に送信する合成器と、
前記合成器に接続されており、前記無線信号と前記第２の信号とを分離する第２の分配器と、
前記第２の分配器に接続されており、前記無線信号を送信する送信機と、
を含む前記装置。
【請求項１７】
前記無線回路が、
前記第１の信号を前処理するボイス・オーバー・ケーブル回路と、
前記第１の信号を前記無線信号に変換する無線データ回路と、
を備えている、請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記第２の分配器がハイ／ロー・フィルタを備えている、請求項１６記載の装置。
【請求項１９】
前記送信機が、
前記第２の分配器に接続された狭帯域フィルタと、
前記第２の分配器から前記無線信号を受信する増幅器と、
前記増幅器に接続されており、前記無線信号を送信するためのアンテナと、
を備えている、請求項１６記載の装置。
【請求項２０】
無線音声信号と無線データ信号とが合成された信号を処理する装置であって、
受信信号を無線信号と別の信号とに分離する分配器と、
前記分配器に接続されており、前記無線信号を送信する送信機と、
を含む前記装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信システムおよび方法
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理システムでの使用に適合されている少なくとも１つのロボットであって、真空チャンバ内に収容される前記ロボットと、
前記処理システムでサポートされている較正ウェーハと、
前記ロボットに結合されているエンドエフェクタと、
前記較正ウェーハを見る為に所定位置で前記ロボットにより保持されたウェハの大きさの（wafer-sized）プレートに設置されたカメラと、
前記カメラに結合されている送信機と、
前記カメラによって送信された前記較正ウェーハの画像を受け取るための受信機と、を備える半導体処理システム用のビジョンシステム。
【請求項２】
前記較正ウェーハが透明である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記較正ウェーハがさらに、前記較正ウェーハの位置を判断するための目印を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
半導体処理システムに設置されているロボットの運動を較正するための方法であって、
半導体処理システムに較正ウェーハを位置決めするステップと、
カメラをロボット上に位置決めするステップと、
前記カメラで前記較正ウェーハを見るステップと、
前記較正ウェーハの画像と決められた位置との間の相対的距離を判断するステップと、
を備える方法。
【請求項５】
前記判断するステップがさらに、
前記較正ウェーハの前記画像をモニタに表示されている目印と比較する工程を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記判断するステップがさらに、
前記較正ウェーハの前記画像を前記コントローラに記憶されている基準画像と比較する工程を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
半導体処理システムに設置されているロボットの運動を較正するための方法であって、
ロボットによってサポートされている較正ウェーハを、半導体処理システム内の基準位置に移動させるステップと、
前記較正ウェーハを見て、ウェーハの位置データを得るステップと、
前記ウェーハの位置データを利用して前記基準位置を補正するステップと、
を備える方法。
【請求項８】
前記ウェーハの位置データを利用する前記ステップがさらに、
前記較正ウェーハの画像をモニタに表示する工程と、
前記較正ウェーハの前記画像を前記モニタに表示されている基準画像と比較する工程と、
補正距離を判断する工程と、
を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ウェーハの位置データを利用する前記ステップがさらに、
前記較正ウェーハの画像データを基準データと比較する工程と、
補正距離を判断する工程と、
を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記較正ウェーハを見る前記ステップがさらに、
ロボットのエンドエフェクタ上にサポートされているプレートに搭載されているカメラを前記半導体処理システムを介して移動させる工程を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記較正ウェーハを見てウェーハの位置データを得る前記ステップがさらに、
前記較正ウェーハをサポートしている表面を前記較正ウェーハを介して見る工程を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記較正ウェーハを見てウェーハの位置データを得る前記ステップがさらに、
前記較正ウェーハの位置のインジケータを見る工程を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
半導体処理システムに設置されているロボットの運動を較正するための方法であって、
ロボット上に設置されているカメラを半導体処理システム内の決められた位置に移動させるステップと、
前記カメラによって基板サポートの１つ以上の画像を取り込むステップと、
前記ロボットによって利用される基準運動を判断して、前記取り込まれた画像から前記基板サポートに基板を転送するステップと、
前記基準運動を使用して前記基板サポートにウェーハを転送するステップと、
前記基板サポート上に設置されている前記ウェーハを前記カメラによって見るステップと、
ウェーハの１つ以上の画像を前記カメラによって取り込むステップと、
前記ロボットによって利用される補正基準運動を判断して、前記基板サポート上の前記基板を所定の位置に置くステップと、
を備える方法。
【請求項１４】
前記ウェーハの１つ以上の画像を前記カメラによって取り込む前記ステップがさらに、
前記ウェーハを介して見た前記基板サポートの１つ以上の画像を取り込む工程を備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ウェーハの１つ以上の画像を前記カメラによって取り込む前記ステップがさらに、
ウェーハ位置のインジケータの１つ以上の画像を取り込む工程を備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記カメラによって取り込まれた画像を送信するステップと、
前記取り込まれた画像を遠隔的に受け取るステップと、
をさらに備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記移動させるステップがさらに、保存されているロボットの運動ルーチンを利用して半導体処理システムにウェーハを位置決めする工程を備え、
前記見るステップがさらに、前記較正ウェーハをカメラで見る工程を備え、
前記ウェーハの位置データを利用して前記基準位置を補正するステップがさらに、前記ウェーハの画像データを利用して前記保存されているロボットの運動ルーチンを更新する工程を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１８】
前記カメラによって取り込まれた画像を送信するステップと、
前記取り込まれた画像を遠隔的に受け取るステップと、をさらに備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ウェーハを前記カメラで見る前記ステップがさらに、
ウェーハ位置のインジケータの１つ以上の画像を取り込む工程を備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
ウェーハ位置の前記インジケータの１つ以上の画像を取り込む前記ステップがさらに、
前記較正ウェーハの幾何または視覚的特徴のうちの少なくとも１つを識別する工程を備える、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線検出装置であって、
入射放射線又は入射粒子を電気信号に変換する結晶と、
電気信号を処理電子機器に伝達する第一の基板と、
結晶から基板に電気信号を伝導すべく、結晶と第一の基板との間に挟まれる異方性導電材料とを備え、
前記異方性導電材料は、（ｉ）触媒、及び、それぞれ約３分の１ずつの重量割合の芳香族エポキシ樹脂、二量体脂肪酸ジグリシジルエステル及びオキシランからなる化合物、（ｉｉ）フェノール樹脂、触媒及び熱重合した芳香族エポキシ樹脂、（ｉｉｉ）フェノール樹脂、触媒及びフェノキシで修飾されたエポキシノバラック樹脂、のうちの一つの反応生成物から形成され、バインダーの中に分散した電気伝導性材料を備える
放射線検出装置。
【請求項２】
前記結晶は、その表面にピクセルの配列が画定され、各ピクセルは、対応する電気信号を生成すべく入射放射線又は入射粒子に敏感であり、
前記第一の基板は、その表面の上に導電パッドの配列を備え、
前記結晶の表面及び第一の基板の表面は、それらの間に異方性導電材料を挟み、且つ、各ピクセルが対応する導電パッドに位置合わせされた状態で対向して配置され、前記異方性導電材料は、各ピクセルと対応する導電パッドとの間に電気的パスを形成し、各電気的パスは、それぞれ他の電気的パスから絶縁される
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記第一の基板は、プリント基板及び集積回路のうちの一つである請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
集積回路との間に異方性導電材料を挟んだ状態で、前記結晶とは反対側の集積回路の面の上で受け止められた第二の基板をさらに備え、該第二の基板は、集積回路の上に形成されたコンタクトパッドに電気的に接続される接触パッドを備える請求項３に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記結晶は、集積回路の上面に対向して配置され、
前記第二の基板は、集積回路の下面に対向して配置され、
第二の基板の接触パッド及び集積回路の接触パッドの間では、ワイヤボンドが電気的な接続を形成する
請求項４に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記オキシランは、（ブトキシメチル）−ブチルグリシジルエーテルであり、
前記触媒は、第四シアニルＲ置換アミンを含み、
前記芳香族エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ及びエピクロロヒドリンの反応生成物から形成され、
前記フェノール樹脂は、ノバラック樹脂である請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記バインダーは、さらに紫外線硬化修飾体を含む請求項１又は６に記載の放射線検出装置。
【請求項８】
前記電気伝導性材料は、金又は銀でコートされたニッケル粒子を含む請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項９】
前記金又は銀でコートされたニッケル粒子は、約５０重量％の金又は銀でコートされたニッケル球と、約５０重量％の金又は銀でコートされたニッケル片とを含む請求項８に記載の放射線検出装置。
【請求項１０】
前記電気伝導性材料は、ニッケルコートの上に銀又は金のコーティングを有するニッケルコート粒子を含む請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項１１】
前記ニッケルコート粒子は、（ｉ）炭素／グラファイト球、（ｉｉ）ガラス球、及び、（ｉｉｉ）雲母粒子のうちの少なくとも二つを含む請求項１０に記載の放射線検出装置。
【請求項１２】
前記粒子のコーティングを含む平均最大寸法は、１０μｍ〜２５μｍである請求項９又は１１に記載の放射線検出装置。
【請求項１３】
前記異方性導電材料は、１２重量％〜１６重量％の電気伝導性材料を含む請求項１２に記載の放射線検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学電池のための陽極缶と陰極缶とを有し、
前記陰極缶は、開放端と、反対側の閉鎖端と、前記開放端と前記閉鎖端との間の一体的な側壁とを有し、
陰極材料を含む陰極ディスクが前記陰極缶に挿入され、ディスク厚を定める前記陰極ディスクの縁部が前記陰極缶の前記側壁の内面に当接し、
前記陽極缶は、開放端と、反対側の閉鎖端と、前記開放端及び前記閉鎖端の間の一体的な側壁と、陽極材料とを有し、
前記陽極缶は、前記陽極缶の前記一体的な側壁の一部を覆う絶縁封止材料を有し、
前記陰極缶は、前記陽極缶の前記開放端が前記陰極缶の前記開放端に面する状態で、前記陽極缶上に押し込まれるよう構成されることによって、電池を形成するよう、陰極缶の前記側壁が、前記陰極缶と前記陽極缶との間の前記絶縁封止材料を備える前記陽極缶の前記側壁の少なくとも一部と重なる結合体であって、
前記陰極ディスクの外径は、前記陰極ディスクが前記前記陰極缶内に挿入され且つ撃ち込まれた後、及び、前記陽極缶及び前記陰極缶が結合される前に測定されるとき、前記陰極缶の平均内径よりも大きい約０．５〜２．５ｍｉｌ（０．０１２７〜０．０６３５ｍｍ）の間であり、前記陽極缶及び前記陰極缶の各々は、約２〜５ｍｉｌ（０．０５０８〜０．１２７ｍｍ）の間の壁厚を有することを特徴とする、
結合体。
【請求項２】
前記陰極ディスクの外径は、前記陰極ディスクが前記陰極缶内に挿入され且つ撃ち込まれた後、及び、前記陽極缶及び前記陰極缶が結合される前に測定されるとき、前記陰極缶の平均内径よりも大きい約１〜２ｍｉｌ（０．０２５４〜０．０５０８ｍｍ）の間である、請求項１に記載の結合体。
【請求項３】
前記陰極ディスクの外径は、前記陰極ディスクが前記陰極缶内に挿入され且つ撃ち込まれた後、及び、前記陽極缶及び前記陰極缶が結合される前に測定されるとき、前記陰極缶の平均内径よりも大きい約１〜１．５ｍｉｌ（０．０２５４〜０．０３８１ｍｍ）であり、前記陽極缶及び前記陰極缶の各々は約２．０〜３．０ｍｉｌ（０．０５０８〜０．０７６２ｍｍ）の壁厚を有する、請求項１又は２に記載の結合体。
【請求項４】
前記陽極缶は、二重側壁を形成する一体折畳み側壁を有し、各二重側壁は約２〜５ｍｉｌ（０．０５０８〜０．１２７ｍｍ）の間の厚さを有する、上記請求項のうちいずれか１項に記載の結合体。
【請求項５】
前記陽極缶は、二重側壁を形成する一体折畳み側壁を有し、各二重側壁は約２．０〜３．０ｍｉｌ（０．０５０８〜０．０７６２ｍｍ）の間の厚さを有する、請求項４に記載の結合体。
【請求項６】
前記電池は金属空気消極電池であり、前記陽極材料は亜鉛を含み、前記陰極材料は二酸化マンガンを含む、上記請求項のうちいずれか１項に記載の結合体。
【請求項７】
各陽極缶及び各陰極缶は、約４〜１６ｍｍの間の全径及び約２〜９ｍｍの間の高さを有するディスクのような円筒形状をそれぞれ有する、上記請求項のうちいずれか１項に記載の結合体。
【請求項８】
前記陰極缶はステンレス鋼を含む、上記請求項のうちいずれか１項に記載の結合体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学電池のための陽極缶と陰極缶とを有する結合体であり、
前記陰極缶は、開放端と、反対側の閉鎖端と、前記開放端と前記閉鎖端との間の一体的な側壁と、前記陰極缶内の陰極材料とを有し、
前記陽極缶は、開放端と、反対側の閉鎖端と、前記開放端及び前記閉鎖端の間の一体的な側壁と、前記陽極缶内の陽極材料とを有し、
前記陽極缶は、前記陽極缶の前記一体的な側壁の一部を覆う絶縁封止材料を有し、
電池を形成するように前記陰極缶と前記陽極缶との間に前記絶縁封止材料を備えて、前記陰極缶の前記側壁が前記陽極缶の前記側壁の少なくとも一部と重なるよう、前記陰極缶は、前記陽極缶の前記開放端が前記陰極缶の前記開放端に面する状態で、前記陽極缶上に押し込まれるよう構成される結合体であって、
前記絶縁材料をその上に含む前記陽極缶の平均外径は、前記陽極缶及び前記陰極缶が結合される前に測定されるとき、前記陰極缶の平均内径よりも大きい約２．０〜４．５ｍｉｌ（０．０５０８〜０．１１４ｍｍ）の間にあり、前記陽極缶及び前記陰極缶は、約２〜５ｍｉｌ（０．０５０８〜０．１２７ｍｍ）の間の壁厚をそれぞれ有する、
結合体。
【請求項２】
前記陽極缶は、二重側壁を形成する一体折畳み側壁を有し、前記二重側壁の各々は、約２〜５ｍｉｌ（０．０５０８〜０．１２７ｍｍ）の間の厚さを有する、請求項１に記載の結合体。
【請求項３】
前記陽極缶は、二重側壁を形成する一体折畳み側壁を有し、前記二重側壁の各々は、約２．０〜３．０ｍｉｌ（０．０５０８〜０．０７６２ｍｍ）の間の厚さを有する、請求項２に記載の結合体。
【請求項４】
前記陽極缶及び前記陰極缶が結合される前に測定されるとき、前記陽極缶及び前記陰極缶の各々は、約２．０〜３．０ｍｉｌ（０．０５０８〜０．０７６２ｍｍ）の間の壁厚を有する、請求項１に記載の結合体。
【請求項５】
前記電池は金属空気消極電池であり、前記陽極材料は亜鉛を含む、上記請求項のうちいずれか１項に記載の結合体。
【請求項６】
前記電池は金属空気消極電池であり、前記陽極材料は亜鉛を含み、前記陰極材料は二酸化マンガンを含む、上記請求項のうちいずれか１項に記載の結合体。
【請求項７】
前記陽極缶及び前記陰極缶の各々は、約４〜１６ｍｍの間の全径及び約２〜９ｍｍの間の高さを有するディスクのような円筒形状を有する、上記請求項のうちいずれか１項に記載の結合体。
【請求項８】
前記陽極缶はステンレス鋼から成り、該ステンレス鋼は、ニッケル層をその外面に有し、銅層をその内面に有する、上記請求項のうちいずれか１項に記載の結合体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月12日(2007.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理システムにおいて実現され、ターゲットパターン文字列が、ソースパターン文字列内に存在しているか否かを判断する方法であって、前記ソースパターン文字列および前記ターゲットパターン文字列それぞれは、アルファベットの集合からの１つ以上の文字からなり、
（１）それぞれ前記ターゲットパターン文字列および前記ソースパターン文字列と同じ長さの可能な文字列の順序付けられたシーケンスそれぞれにおける前記ターゲットパターン文字列および前記ソースパターン文字列位置番号を判断するステップと、
（２）前記ソースパターン文字列内で可能なターゲットパターン文字列に対応する行に、以下のステップ（２−１），（２−２）を適用するステップであって、
（２−１）前記ソースパターン文字列位置番号のためのグループリーダー値を識別するステップであって、前記グループリーダー値は、前記可能なソース位置番号のシーケンスを、直接または間接に下式を用いて、前記行番号に従って、グループに分割することにより形成される複数のグループそれぞれにおける最高位置番号であり、
Ｎ＝１＋Ｑｕｏｔｉｅｎｔ（（Ｓｐ−１）／ｂｒ−１）
ここで、Ｑｕｏｔｉｅｎｔ（ｘ）は、ｘの商であり、
Ｎは、ソースパターングループリーダー位置番号であり、
Ｓｐは、可能なソースパターン文字列の順序付けられたシーケンスにおける前記ソースパターン文字列の位置番号であり、
ｂは、アルファベットの基数であって、
ｒは行番号である
（２−２）前記ソースパターンの前記グループリーダー値が、可能なターゲットパターン文字列の前記順序付けられたシーケンスにおける前記ターゲットパターン文字列の位置番号に対応するグループリーダー値であるか否かを、直接または間接に、下式の結果Ｒが０であるか否かを判断することにより判断するステップ
Ｒ＝ｒｅｍａｉｎｄｅｒ（（Ｎ−Ｔｐ）／ｂＴＩ）
ここで、ｒｅｍａｉｎｄｅｒ（ｘ）は、ｘの剰余であり、
Ｒは、剰余であり、
Ｔｐは、可能なターゲットパターン文字列の前記順序付けられたストリングにおけるターゲットパターン文字列の位置番号であり、
Ｎは、前記ソースパターン文字列のための前記グループリーダー値であり、
ＴＩは、ターゲットパターンの長さであり、
ｂは、アルファベットの基数である
ステップと
を含む方法。
【請求項２】
複数の行があり、前記方法は、連続して各行に適用される
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記方法が適用される順番は、前記ソースパターンの性質に依存する
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
行において前記ターゲットパターンを見つける可能性は、見積もられ、前記方法を前記行に適用する順番を決めるために用いられる
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
行において前記ターゲットパターンを見つける可能性は、既知であって、前記方法を前記行に適用する順番を決めるために用いられる
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記方法が、１つ以上のソースパターン文字列に同時に適用される
請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記ソースパターン文字列は、算術符号化されたデータである
請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記ターゲットパターン文字列は、算術符号化されたデータである
請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
ソースパターン文字列を、算術符号化を用いて圧縮するステップ
を含む請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
ターゲットパターン文字列を、算術符号化を用いて圧縮するステップ
を含む請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記ターゲットパターン文字列は、１つ以上の文字を含む
請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
ターゲットパターン文字列が、ソースパターン文字列内に存在しているか否かを判断するデータ処理装置であって、前記ソースパターン文字列および前記ターゲットパターン文字列それぞれは、アルファベットの集合からの１つ以上の文字からなり、
（１）ターゲットパターン文字列を記憶する第１のメモリと、
（２）ソースパターン文字列を記憶する第２のメモリと、
（３）それぞれ前記ターゲットパターン文字列および前記ソースパターン文字列と同じ長さの可能な文字列の順序付けられたシーケンスそれぞれにおける前記ターゲットパターン文字列および前記ソースパターン文字列位置番号を計算する処理手段と、
（４）前記ソースパターン文字列内で可能なターゲットパターン文字列に対応する行に、以下のステップ（４−１），（４−２）を適用する処理手段であって、
（４−１）前記ソースパターン文字列位置番号のためのグループリーダー値を識別するステップであって、前記グループリーダー値は、前記可能なソース位置番号のシーケンスを、直接または間接に下のアルゴリズムを用いて、前記行番号に従って、グループに分割することにより形成される複数のグループそれぞれにおける最高位置番号であり、
Ｎ＝１＋Ｑｕｏｔｉｅｎｔ（（Ｓｐ−１）／ｂｒ−１）
ここで、Ｑｕｏｔｉｅｎｔ（ｘ）は、ｘの商であり、
Ｎは、ソースパターングループリーダー位置番号であり、
Ｓｐは、可能なソースパターン文字列の順序付けられたシーケンスにおける前記ソースパターン文字列の位置番号であり、
ｂは、アルファベットの基数であって、
ｒは行番号である
（４−２）前記ソースパターンの前記グループリーダー値が、可能なターゲットパターン文字列の前記順序付けられたシーケンスにおける前記ターゲットパターン文字列の位置番号に対応するグループリーダー値であるか否かを、直接または間接に、下のアルゴリズムが０であるか否かを判断することにより判断するステップ
Ｒ＝ｒｅｍａｉｎｄｅｒ（（Ｎ−Ｔｐ）／ｂＴＩ）
ここで、ｒｅｍａｉｎｄｅｒ（ｘ）は、ｘの剰余であり、
Ｒは、剰余であり、
Ｔｐは、可能なターゲットパターン文字列の前記順序付けられたストリングにおけるターゲットパターン文字列の位置番号であり、
Ｎは、前記ソースパターン文字列のための前記グループリーダー値であり、
ＴＩは、ターゲットパターンの長さであり、
ｂは、アルファベットの基数である
処理手段と
を有するデータ処理装置。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかの方法に従って動作するコンピュータプログラムが記憶された
コンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれかの方法に従って動作するようにプログラムされた
コンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月3日(2007.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パーキンソン病の症状を治療しまたは少なくとも部分的に軽減するための、サフィンアミド、サフィンアミド誘導体またはＭＡＯ−Ｂ阻害剤を含む第１の組成物、および少なくとも１つのパーキンソン病作用薬を含む第２の組成物の治療有効量を、同一または別の包装中に含み、かつその使用のための指示書を含む、パーキンソン病に罹患している患者を治療するためのキット。
【請求項２】
第１の組成物がサフィンアミドである請求項１のキット。
【請求項３】
第１の組成物がサフィンアミド誘導体である請求項１のキット。
【請求項４】
サフィンアミド誘導体が、（Ｓ）−２−（４−ベンジルオキシ−ベンジルアミノ）−プロピオンアミド；２−［４−（３−クロロ−ベンジルオキシ）−フェネチル］−アミノ−アセトアミド；２−｛［４−（３−クロロ−ベンジルオキシ）−ベンジル］−メチルアミノ｝−アセトアミド；２−（４−（３−クロロ−ベンジルオキシ）−ベンジルアミノ）−アセトアミド；（Ｓ）−（＋）−２−［４−（２−フルオロ−ベンジルオキシ）−ベンジルアミノ］−プロパンアミド；（Ｓ）−（＋）−２−［４−（４−フルオロ−ベンジルオキシ）−ベンジルアミノ］−プロパンアミド；（Ｓ）−（＋）−２−［４−（３−クロロ−ベンジルオキシ）−ベンジルアミノ］−プロパンアミド；（Ｒ）−（−）−２−［４−（３−クロロ−ベンジルオキシ）−ベンジルアミノ］−３−ヒドロキシ−プロパンアミド；（Ｓ）−（＋）−２−｛４−［２−（３−フルオロフェニル）−エチル］−オキシベンジル｝−アミノ−プロパンアミド；２−［４−（３−フルオロ−ベンジルオキシ）−ベンジルアミノ］−２−メチル−プロパンアミド；および、２−［４−（３−ブロモ−ベンジルオキシ）−ベンジルアミノ］−２−メチル−プロパンアミド、から成る群から選択される請求項３のキット。
【請求項５】
第１の組成物がＭＡＯ−Ｂ阻害剤である請求項１のキット。
【請求項６】
第１の組成物が、セレギリン、ラサギリン、ラザベミドおよびカロキサゾンから成る群から選択される請求項５のキット。
【請求項７】
前記第２の組成物が少なくとも１つのパーキンソン病作用薬を含む請求項１のキット。
【請求項８】
前記第２の組成物が少なくとも２つのパーキンソン病作用薬を含む請求項１のキット。
【請求項９】
前記第２の組成物が少なくとも３つのパーキンソン病作用薬を含む請求項１のキット。
【請求項１０】
前記第２の組成物が少なくとも４つのパーキンソン病作用薬を含む請求項１のキット。
【請求項１１】
前記第２の組成物が少なくとも１つのドーパミンアゴニストを含む請求項１のキット。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのドーパミンアゴニストが、ブロモクリプチン、カベルゴリン、リスリド、ペルゴリド、ロピニロール、アポモルフィン、スマニロール、ロチゴチン、タリペキソール、ジヒドロエルゴクリプチンおよびプラミペキソールから成る群から選択する請求項１１のキット。
【請求項１３】
前記第２の組成物がレボドーパ／ＰＤＩを含む請求項１のキット。
【請求項１４】
前記レボドーパ／ＰＤＩが、レボドーパとカルビドーパ（SINEMET（登録商標））、レボドーパと徐放カルビドーパ（SINEMET-CR（登録商標））、レボドーパとベンセラジド（MADOPAR（登録商標））、およびレボドーパと徐放ベンセラジド（MADOPAR-HBS）、から成る群から選択される請求項１３のキット。
【請求項１５】
前記第２の組成物がさらにカテコール−Ｏ−メチル転移酵素阻害剤を含む請求項１のキット。
【請求項１６】
前記カテコール−Ｏ−メチル転移酵素阻害剤がトルカポンまたはエンタカポンである請求項１５のキット。
【請求項１７】
前記第２の組成物がさらにアマンチジンを含む請求項１のキット。
【請求項１８】
前記第１の組成物の量および前記第２の組成物の量が、症状を軽減し、および症状の軽減を観察可能にするために有効である請求項１のキット。
【請求項１９】
パーキンソン病の治療に有効な量であって、前記患者の前記パーキンソン病の治療に有効な量のサフィンアミドおよび１つ以上のパーキンソン病作用薬を含む医薬品組成物。
【請求項２０】
パーキンソン病の治療に有効な量であって、前記患者の前記パーキンソン病の治療に有効な量のサフィンアミド誘導体および１つ以上のパーキンソン病作用薬を含む医薬品組成物。
【請求項２１】
パーキンソン病の治療に有効な量であって、前記患者の前記パーキンソン病の治療に有効な量のＭＡＯ−Ｂ阻害剤および１つ以上のパーキンソン病作用薬を含む医薬品組成物。
【請求項２２】
前記１つ以上のパーキンソン病作用薬が、ドーパミンアゴニスト、レボドーパ／ＰＤＩ、カテコール−Ｏ−メチル転移酵素阻害剤、およびアマンチジンの少なくとも１つを含む、請求項１９〜２１のうちいずれか１項の医薬品組成物。
【請求項２３】
１つ以上のパーキンソン病作用薬が、パーキンソン病を治療するために有効な量のドーパミンアゴニストを含む、請求項１９〜２１のうちいずれか１項の医薬品組成物。
【請求項２４】
１つ以上のパーキンソン病作用薬が、パーキンソン病を治療するために有効な量のレボドーパ／ＰＤＩを含む、請求項１９〜２１のうちいずれか１項の医薬品組成物。
【請求項２５】
１つ以上のパーキンソン病作用薬が、パーキンソン病を治療するために有効な量のレボドーパ／ＰＤＩおよびカテコール−Ｏ−メチル転移酵素阻害剤を含む、請求項１９〜２１のうちのいずれか１項の医薬品組成物。
【請求項２６】
１つ以上のパーキンソン病作用薬が、パーキンソン病を治療するために有効な量のレボドーパ／ＰＤＩ、カテコール−Ｏ−メチル転移酵素阻害剤、およびドーパミンアゴニストを含む、請求項１９〜２１のうちのいずれか１項の医薬品組成物。
【請求項２７】
１つ以上のパーキンソン病作用薬が、パーキンソン病を治療するために有効な量のレボドーパ／ＰＤＩ、カテコール−Ｏ−メチル転移酵素阻害剤、ドーパミンアゴニスト、およびアマンチジンを含む、請求項１９〜２１のうちのいずれか１項の医薬品組成物。