【手続補正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉの構造を含むシクロメタル化錯体：
【化１】
2007504272.tif 000001
（式中、
Ｍはｄ−ブロック遷移金属であり；
Ｂは５員または６員のアリールまたはヘテロアリール環であり、それは場合によっては置換されていてもよく、そして場合によっては一つまたはそれ以上の別のアリールまたはヘテロアリール環に縮合していてもよい；
Ａは少なくとも３個の窒素原子を含む５員または６員のヘテロアリール環であり；
Ｒ１は水素以外の基であり；
ｎは０であるか又は１以上の整数であり；そして
Ａ及びＢは、場合によっては縮合していてもよいし又は一つ若しくはそれ以上の共有結合によって結合していてもよい。）
【請求項２】
Ａが５員環である、請求項１に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項３】
Ａがトリアゾールおよびテトラゾールを含む群から選ばれる、請求項２に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項４】
Ａが６員環である、請求項１に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項５】
Ａがトリアジンである、請求項４に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項６】
Ｂが５員環である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項７】
Ｂがチオフェン、フランおよびピロールを含む群から選ばれる、請求項６に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項８】
Ｂが６員環である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項９】
Ｂがベンゼン、ピリジン、ピラジンおよびピリミジンを含む群から選ばれる、請求項８に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項１０】
Ｍがイリジウム、ロジウム、パラジウム、白金、金、オスミウムおよびルテニウムを含む群から選ばれる、請求項１〜９のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項１１】
Ｍがイリジウムおよび白金を含む群から選ばれる、請求項１０に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項１２】
前記錯体がホモレプティックである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項１３】
前記錯体がヘテロレプティックである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項１４】
前記錯体が、ピコリネート、アセチルアセテート、ホスフィン、ピリジンおよびピリジン誘導体、カルボニル、ニトリル、イソニトリル、ハライドおよびテトラキス（１−ピラゾリル）ボレートを含む群から選ばれた配位子を更に含み、好ましくは、前記錯体が、ピコリネートおよびテトラキス（１−ピラゾリル）ボレートを含む群から選ばれた配位子を更に含む、請求項１３に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項１５】
Ｒ１が１個以上であり、そして少なくとも一つのＲ１基が電子供与基である、請求項１に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項１６】
ｎが１より大きい、請求項１５に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項１７】
前記電子供与基がアルキルアミノ、アリールアミノ、アルキル、アルコキシ、アリールおよびカルバゾール基を含む群から選ばれる、請求項１５または１６に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項１８】
前記環Ｂが少なくとも１個の電子吸引基によって置換されている、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項１９】
前記電子吸引基がハロゲン原子、ハロアルキル基、スルホキシドおよびスルホンを含む群から選ばれる、請求項１８に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項２０】
前記電子吸引基がフッ素またはペルフッ素化Ｃ１〜６ハロアルキル基から選ばれる、請求項１９に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項２１】
Ａが、電子供与基である少なくとも１個のＲ１基によって置換されたトリアゾール基を含み、Ｂが、少なくとも１個のフッ素またはフッ素化基によって置換されたフェニル基を含み、そして前記ｄ−ブロック遷移金属がイリジウムである、請求項１〜３のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項２２】
環Ａが、デンドロンである少なくとも１個のＲ１基によって置換されている、請求項１〜２１のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項２３】
環Ｂが少なくとも１個のデンドロンによって置換されている、請求項１〜２２のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項２４】
前記デンドロンがカルバゾール部分またはトリアゾールアミン部分を含む、請求項２２または２３に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項２５】
前記デンドロンが１，３，５−置換フェニル部分を含む、請求項２０または２１に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項２６】
式ＩＩの構造を含むシクロメタル化錯体：
【化２】
2007504272.tif 000002
（式中、Ｍは、ｄ−ブロック遷移金属であり、
Ａは、少なくとも３個のヘテロ原子を含み、かつ、場合によって置換または縮合されていてもよい、５員または６員のヘテロアリール環であり、
Ｂは、場合によって置換または縮合されていてもよい、５員または６員のアリールまたはヘテロアリール環であり、
ｎは、１より大きく、そして
Ｒ１は、デンドロンまたは可溶化基である。）
【請求項２７】
環ＡおよびＢ、置換基Ｒ１および下付符号ｎが請求項２〜２３のいずれか一項に定義されている通りである、請求項２６に記載のシクロメタル化錯体。
【請求項２８】
請求項１〜２７のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体を含むポリマー。
【請求項２９】
式ＩＩＩの構造を含むシクロメタル化錯体を含むポリマー：
【化３】
2007504272.tif 000003
（式中、Ａは少なくとも３個のヘテロ原子を含みそして場合によって置換または縮合されていてもよい５員または６員のヘテロアリール環であり、
Ｂは場合によって置換または縮合されていてもよい５員または６員のアリールまたはヘテロアリール環であり、
ｎは０であるか又は１より大きく、そして
Ｒ１は水素以外の置換基である。）
【請求項３０】
環ＡおよびＢ、置換基Ｒ１および下付符号ｎが請求項２〜２３のいずれか一項に定義されている通りである、請求項２９に記載のポリマー。
【請求項３１】
前記シクロメタル化錯体がポリマーの主鎖の中に組み込まれている、請求項２８〜３０のいずれか一項に記載のポリマー。
【請求項３２】
前記シクロメタル化錯体がポリマーの主鎖にぶら下がっている、請求項２８〜３０のいずれか一項に記載のポリマー。
【請求項３３】
前記ポリマーが更にカルバゾールまたはトリアリールアミン基を含む、請求項２８〜３２のいずれか一項に記載のポリマー。
【請求項３４】
請求項１〜２７のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体を含むオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３５】
請求項１〜２７のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体を含む有機発光素子。
【請求項３６】
前記シクロメタル化錯体と有機ホストのブレンドを含む、請求項３５に記載の有機発光素子。
【請求項３７】
前記シクロメタル化錯体が有機ホストを含み、好ましくは前記有機ホストがカルバゾール部分またはトリアリールアミン部分を含む、請求項３５に記載の有機発光素子。
【請求項３８】
前記有機ホストがカルバゾール部分またはトリアリールアミン部分を含む、請求項３６または３７に記載の有機発光素子。
【請求項３９】
請求項１〜２７のいずれか一項に記載のシクロメタル化錯体の、オプトエレクトロニクス素子での使用。
【請求項４０】
２つの電極の間に配置された燐光層を含む有機発光素子であって、０．２５未満のＣＩＥ−ｙ座標を有する有機発光素子。
【請求項４１】
前記素子が０．１５〜０．２５の間のＣＩＥ−ｙ座標を有する、請求項４０に記載の有機発光素子。
【請求項４２】
前記燐光層が、請求項１〜２７のいずれか一項に規定された通りのシクロメタル化錯体または請求項２８〜３３のいずれか一項に規定された通りのポリマーを含む、請求項３５〜３８のいずれか一項、請求項４０または４１に記載の有機発光素子。
【請求項４３】
燐光層が有機ホスト材料を含む、請求項３５〜３８または請求項４０〜４２のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項４４】
有機ホスト材料がジ（ｔ−ブチル）ＣＢＰである、請求項４３に記載の有機発光素子。
【請求項４５】
燐光層がさらに希釈化合物を含む、請求項４３または４４に記載の有機発光素子。
【請求項４６】
希釈化合物がポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）である、請求項４５に記載の有機発光素子。
【請求項４７】
希釈化合物が３０〜８０重量％の量で存在する、請求項４５または４６に記載の有機発光素子。
【請求項４８】
燐光層が組み込まれている有機発光素子の量子効率を増大させるための、燐光層の中でのポリメチルメタクリレートの使用。
【請求項４９】
燐光層の膜形成を改善するためのポリメチルメタクリレートの使用。