Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス状炭化水素、アンモニア、及び、ガス状酸化剤のキャリヤー中に分散した鉄核生成部位を形成する分解性鉄含有化合物を含む混合物を形成し、ただし、前記炭化水素及びアンモニアはそれぞれ窒素原子に対する炭素原子の比率が約１：１〜３０：１の範囲内になるのに十分な量で存在するものとし、
前記混合物を反応器中において前記分解性化合物を分解させるのに十分な時間と温度で加熱して、炭素繊維を生成させるガス状混合物中に分散して運ばれるナノメートル寸法の鉄核生成部位の粒子を形成し、これにより約０．０５〜約０．５ミクロンの平均直径を有し、炭素と窒素を含有し、そして約７５ｍＪ／ｍ2より大きい表面エネルギーを有する高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維を形成し、そして
前記高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維を回収する、ことを含む高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維を製造する方法。
【請求項２】
前記ガス状炭化水素はメタン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン、天然ガス及び気化可能な炭化水素から選ばれる少なくとも１種である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記分解性化合物はペンタカルボニル鉄を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記混合物はガス状硫黄含有化合物を更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記表面エネルギーは約１２５〜約１８５ｍＪ／ｍ2の範囲内にある、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ガス状酸化剤は二酸化炭素、空気、酸素、及び水蒸気から選ばれる、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維を不活性ガスの遅い流れの下で約４００℃〜約１０００℃の温度に加熱することを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
ガス状炭化水素、アンモニア、及び、鉄核生成部位を形成する分解性鉄含有化合物を含む混合物を形成し、ただし、前記炭化水素及びアンモニアはそれぞれ窒素原子に対する炭素原子の比率が約１：１〜３０：１の範囲内になるのに十分な量で存在するものとし、
前記混合物中にガス状酸化剤を導入し、
前記混合物を反応器中において前記分解性化合物を分解させるのに十分な時間と温度で加熱して、炭素繊維を生成させるガス状混合物中に分散して運ばれるナノメートル寸法の鉄核生成部位の粒子を形成し、これにより約０．０５〜約０．５ミクロンの平均直径を有し、炭素と窒素を含有し、そして約７５ｍＪ／ｍ2より大きい表面エネルギーを有する高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維を形成し、そして
前記高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維を回収する、ことを含む高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維を製造する方法。
【請求項９】
製造後の処理なしに約７５ｍＪ／ｍ2より大きい表面エネルギーを有する気相成長炭素繊維を含む、高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維。
【請求項１０】
ガス状炭化水素、アンモニア、及び、分解して鉄核生成部位を形成できる鉄含有化合物を含む混合物を形成すること、ただし、前記炭化水素及びアンモニアはそれぞれ窒素原子に対する炭素原子の比率が約１：１〜３０：１の範囲内になるのに十分な量で存在するものとし、
前記混合物を反応器中において前記分解性化合物を分解させるのに十分な時間と温度で加熱して、炭素繊維を生成させるガス状混合物中に分散して運ばれるナノメートル寸法の鉄核生成部位の粒子を形成し、これにより約０．０５〜約０．５ミクロンの平均直径を有し、そして炭素と窒素を含有する気相成長炭素繊維を形成し、
ガス状酸化剤を前記反応器の出口に導入し、そして気相成長炭素繊維の表面を変性して、約７５ｍＪ／ｍ2より大きい表面エネルギーを有する高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維を形成し、そして
前記高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維を回収する、ことを含む高い表面エネルギーの気相成長炭素繊維を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】(重量％で)
Ａ) 結晶性オレフィンポリマー(ａ)及び弾性オレフィンポリマー(ｂ)からなり、全組成物の全重量に対して0.005〜0.6重量％量の少なくとも１つの機能性モノマーで任意に改質された20〜60重量％の異相オレフィンポリマー組成物；
Ｂ) 15〜40重量％の１つ又は１つより多い無機水和充填材；
Ｃ) 12〜40重量％の、分子に窒素を含む１つ又は１つより多い有機難燃剤；
Ｄ) ０〜40重量％の１つ又は１つより多い無機無水充填材
からなる防燃性ポリオレフィン組成物。
【請求項２】成分(Ａ)が、(重量％で)
ａ) 25℃でのキシレンに不溶性のポリマー重量％として測定されるアイソタクチシティ指数値が80より高いプロピレンホモポリマー、又は少なくとも85％のプロピレンを含み、少なくとも80のアイソタクチシティ指数値を有するエチレン及び/又はC4-C10αオレフィンとのプロピレン結晶性コポリマー、又はそれらの混合物10〜60％；
ｂ) エチレンを含み、25℃でキシレンに不溶性のコポリマー画分０〜40％；
ｃ) エチレン20〜60％を含み、25℃でキシレンに完全に可溶性のプロピレン及び/又はC4-C10αオレフィン及び任意成分のジエンとのエチレンコポリマー15〜90％
からなる異相組成物であり、その異相組成物が15〜60重量％のエチレンの全含量を有し、少なくとも１つの機能性モノマーで任意に改質された、請求項１による防燃性ポリオレフィン組成物。
【請求項３】125％に等しいか、それより高い破断点伸び値を有する請求項２による防燃性ポリオレフィン組成物。
【請求項４】成分Ｂ)が水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、及び水酸化マグネシウムと水和した炭酸マグネシウムとの混合物から選択される請求項１による防燃性ポリオレフィン組成物。
【請求項５】成分Ｃ)が、1,3,5-トリアジン、ユレア、ジシアンジアミド及びこれらの化合物からの有機誘導体又はそれらの塩からなる群から選択される請求項１による防燃性ポリオレフィン組成物。
【請求項６】成分Ｄ)がタルク、焼成カオリン及び無機炭酸塩からなる群から選択される請求項１による防燃性ポリオレフィン組成物。
【請求項７】成分Ａ)を任意に改質する機能性モノマーが、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、これらの対応する無水物及びエステル、及び不飽和シランからなる群から選択される請求項１による防燃性ポリオレフィン組成物。
【請求項８】充填材分散剤をさらに含む請求項１による防燃性ポリオレフィン組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
牛のクローニング方法であって、
雄牛の繊維芽細胞由来のドナー細胞を血清飢餓処理して、
該ドナー細胞を１０〜１５継代し、
該ドナー細胞又は該ドナー細胞から単離した核を、除核された卵母細胞に導入して、細胞質雑種を作成し、
該細胞質雑種を同種の雌牛の子宮に挿入することにより、細胞質雑種を子宮へ移植して胎児を形成させる工程を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ドナー細胞を１０継代する方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、妊娠率が少なくとも６４％である方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記ドナー細胞を１５継代する方法。
【請求項５】
牛のクローニング方法であって、
雄牛の繊維芽細胞由来のドナー細胞を血清飢餓処理して、細胞数を１４回、２０回、又は３４回２倍化し、
該ドナー細胞又は該ドナー細胞から単離した核を、除核された卵母細胞に導入して、細胞質雑種を作成し、
該細胞質雑種を培養し、
該細胞質雑種を同種の雌牛の子宮に挿入することにより、細胞質雑種を子宮へ移植して胎児を形成させる工程を含む方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、妊娠率が少なくとも６４％である方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、細胞数を１４回２倍化する方法。
【請求項８】
請求項５に記載の方法であって、細胞数を２０回２倍化する方法。
【請求項９】
請求項５に記載の方法であって、細胞数を３０回２倍化する方法。
【請求項１０】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法であって、雌牛から採取された繊維芽細胞を用いる方法。
【請求項１１】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法であって、高齢の雌牛を用いる方法。
【請求項１２】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法であって、１７歳の雌牛を用いる方法。
【請求項１３】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法であって、０．５％以下の血清濃度で血清飢餓処理を行う方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  熱硬化性感圧接着剤組成物であって、
少なくとも約５０重量パーセントの少なくとも１つの酸性ポリマーの接着剤成分と、任意に、１０重量パーセント以下の少なくとも１つのエポキシ含有物質の接着剤成分を含む１００重量部の接着剤成分と、
酸性ポリマーの酸性官能基と反応して、熱硬化性感圧接着剤組成物を硬化して熱硬化接着剤を形成することが可能な約１乃至約５０重量部未満の少なくとも１つのアミン含有化合物と、
を含む熱硬化性感圧接着剤組成物。
【請求項２】  アミン含有化合物が非芳香族である請求項１の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
ガス化装置を備えるガス化システムからスラグを引き出して脱水する方法において、 
ガス化システムから搬送ロックホッパの入口へスラグを受け取るステップと、
搬送ロックホッパの入口から、入口よりも高い位置にある搬送ロックホッパの出口にスラグを搬送するステップと、
を含み、スラグを搬送する前記ステップが、入口から出口にスラグを搬送するために、搬送ロックホッパ内に配設されているオーガを回転するステップを含み、これにより、スラグを分解してスラグを水から分離し、
更に、スラグを出口から排出するステップ
を含む方法。
【請求項２】 
スラグを受け取る前記ステップが、入口でバルブを開いて、スラグが搬送ロックホッパ内に集まることができるようにするステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】 スラグを受け取る前記ステップが、出口でバルブを閉じるステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】 スラグを受け取る前記ステップ中、搬送ロックホッパ内部の圧力が、ガス化システム内部の圧力とほぼ同じであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】 スラグを搬送する前記ステップが、毎分０．２５回転から毎分１０回転の間の回転速度でオーガを回転するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】 スラグを搬送する前記ステップが、排出前に貯蔵しておくためにバッファにスラグを搬送するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】 バッファが出口からスラグを受け取る請求項６に記載の方法。
【請求項８】 スラグを排出する前記ステップが、 搬送ロックホッパの入口でバルブを閉じるステップと、 搬送ロックホッパの出口でバルブを開くステップとを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】 スラグを排出する前記ステップが、搬送ロックホッパから、搬送ロックホッパに結合されたタンク内に流体を押し進めるステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】 スラグを排出する前記ステップが、搬送ロックホッパからタンク内に流体を押し進めるために不活性ガスを使用するステップをさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】 不活性ガスが窒素である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】 タンクが大気ヒール・タンクである請求項９に記載の方法。
【請求項１３】 タンクがガス化システムの急冷室である請求項９に記載の方法。
【請求項１４】 タンクがガス化システムの合成ガス冷却装置である請求項９に記載の方法。
【請求項１５】 スラグを排出する前記ステップの前に搬送ロックホッパを減圧するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】 搬送ロックホッパに結合されたタンクから搬送ロックホッパに流体を追加するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】 ガス化システム内部の圧力とほぼ同じ圧力に搬送ロックホッパを加圧するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１８】 搬送ロックホッパを加圧する前記ステップが不活性ガスを使用して実施される請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】 不活性ガスが窒素である請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】 スラグを排出する前記ステップが、 スラグ貯蔵バッファの入口でバルブを閉じるステップと、 スラグ貯蔵バッファの出口でバルブを開くステップとを含む請求項１に記載の方法。
【請求項２１】 スラグを排出する前記ステップの前にスラグ貯蔵バッファを減圧するステップをさらに含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】 搬送ロックホッパ内部の圧力とほぼ同じ圧力にスラグ貯蔵バッファを加圧するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項２３】 スラグ貯蔵バッファを加圧する前記ステップが不活性ガスを使用して実施される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】 不活性ガスが窒素である請求項２３に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ａ．活性化された潜伏硬化剤系にさらされた時に硬化エポキシ樹脂に硬化されることが可能なエポキシ樹脂と、
Ｂ．（ａ）熱可塑性高分子材料を含むカプセル壁を有する多数の周囲温度安定不浸透性マイクロカプセル内に実質的にコアとして含まれた少なくとも一種の第１のエポキシ樹脂混和性硬化剤および（ｂ）前記硬化性エポキシ樹脂内で均一に混合された少なくとも一種の第２のエポキシ樹脂潜伏硬化剤を含む、前記エポキシ樹脂を硬化させるのに十分な量の潜伏硬化剤系と、
Ｃ．室温を超えるメルトフロー温度および前記硬化エポキシ樹脂を少なくとも領域的に可塑化するために前記エポキシ樹脂に少なくとも部分的に溶融ブレンドされる能力を有する十分な粒状熱可塑性高分子材料であって、全重量のすべてに至るまで前記カプセル壁の前記熱可塑性高分子材料によって提供してよい粒状熱可塑性高分子材料を含み、
前記第１のエポキシ樹脂混和性硬化剤は、前記カプセル壁内にコアとして実質的に含まれた固体エポキシ樹脂潜伏ハードナーを含み、前記第２のエポキシ樹脂潜伏硬化剤は潜伏促進剤を含み、
前記エポキシ樹脂潜伏促進剤は、以下の式
ＭＬm
｛式中、Ｍは、Ａｇ（Ｉ），Ｃｕ（Ｉ），Ｃｕ（ＩＩ），Ｃｄ（ＩＩ），Ｚｎ（ＩＩ），Ｈｇ（ＩＩ），Ｎｉ（ＩＩ）およびＣｏ（ＩＩ）の群から選択された金属であり、Ｌは以下の式、
【化１】
2003518177.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素原子、アルキル基またはアリール基から選択される。）のイミダゾレートであり、ｍはＭの原子価である。｝の金属イミダゾレート化合物である、一液性硬化性エポキシ接着剤組成物。
【請求項２】  シートの形を取った請求項１に記載の組成物を含む一液性硬化性エポキシシート。
【請求項３】  請求項１に記載の硬化エポキシ組成物で一緒に接合された少なくとも二つの突き合わせ部材を含むジョイント。
【請求項４】  Ａ．（ａ）活性化された潜伏硬化剤系にさらされた時に硬化エポキシ樹脂に硬化されることが可能なエポキシ樹脂と、（ｂ）（ｉ）熱可塑性高分子材料を含むカプセル壁を有する多数の周囲温度安定不浸透性マイクロカプセル内に実質的にコアとして含まれた少なくとも一種の第１のエポキシ樹脂混和性硬化剤および（ｉｉ）前記硬化性エポキシ樹脂内で均一に混合された少なくとも一種の第２のエポキシ樹脂潜伏硬化剤を含む、前記エポキシ樹脂を硬化させるのに十分な量の潜伏硬化剤系と、（ｃ）室温を超えるメルトフロー温度および前記硬化エポキシ樹脂を少なくとも領域的に可塑化するために前記エポキシ樹脂に少なくとも部分的に溶融ブレンドされる能力を有する十分な粒状熱可塑性高分子材料であって、全重量のすべてに至るまで前記カプセル壁の前記熱可塑性高分子材料によって提供してよい粒状熱可塑性高分子材料とを含み、
前記第１のエポキシ樹脂混和性硬化剤は、前記カプセル壁内にコアとして実質的に含まれた固体エポキシ樹脂潜伏ハードナーを含み、前記第２のエポキシ樹脂潜伏硬化剤は潜伏促進剤を含み、
前記エポキシ樹脂潜伏促進剤は、以下の式
ＭＬm
｛式中、Ｍは、Ａｇ（Ｉ），Ｃｕ（Ｉ），Ｃｕ（ＩＩ），Ｃｄ（ＩＩ），Ｚｎ（ＩＩ），Ｈｇ（ＩＩ），Ｎｉ（ＩＩ）およびＣｏ（ＩＩ）の群から選択された金属であり、Ｌは以下の式、
【化２】
2003518177.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素原子、アルキル基またはアリール基から選択される。）のイミダゾレートであり、ｍはＭの原子価である。｝の金属イミダゾレート化合物である、一液性硬化性エポキシ組成物を提供する工程と、
Ｂ．各々が他方の部材の表面に当接され接合されうる表面を有する少なくとも二つの部材を提供する工程と、
Ｃ．前記表面の少なくとも一方の少なくとも一部に前記一液性硬化性エポキシ組成物の一定量を適用する工程と、
Ｄ．前記表面を当接させて前記部材を配置する工程と、
Ｅ．前記組成物を加熱して前記一液性硬化性組成物を硬化させる工程とを含む、ジョイントを製造する方法。
【請求項５】  Ａ．活性化された潜伏硬化剤系にさらされた時に硬化エポキシ樹脂に硬化されることが可能なエポキシ樹脂と、
Ｂ．（ａ）熱可塑性高分子材料を含むカプセル壁を有する多数の周囲温度安定不浸透性マイクロカプセル内に実質的にコアとして含まれた少なくとも一種の第１のエポキシ樹脂混和性硬化剤および（ｂ）前記硬化性エポキシ樹脂内で均一に混合された前記エポキシ樹脂を硬化させるために活性化された時に十分な量の少なくとも一種の第２のエポキシ樹脂潜伏硬化剤を含み、前記カプセル壁が前記第１の硬化剤と前記第２の硬化剤とを分離している、前記エポキシ樹脂を硬化させるのに十分な量の潜伏硬化剤系と
を含み、
前記第１のエポキシ樹脂混和性硬化剤は、前記カプセル壁内にコアとして実質的に含まれた固体エポキシ樹脂潜伏ハードナーを含み、前記第２のエポキシ樹脂潜伏硬化剤は潜伏促進剤を含み、
前記エポキシ樹脂潜伏促進剤は、以下の式
ＭＬm
｛式中、Ｍは、Ａｇ（Ｉ），Ｃｕ（Ｉ），Ｃｕ（ＩＩ），Ｃｄ（ＩＩ），Ｚｎ（ＩＩ），Ｈｇ（ＩＩ），Ｎｉ（ＩＩ）およびＣｏ（ＩＩ）の群から選択された金属であり、Ｌは以下の式、
【化３】
2003518177.tif 000003
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素原子、アルキル基またはアリール基から選択される。）のイミダゾレートであり、ｍはＭの原子価である。｝の金属イミダゾレート化合物である、一液性硬化性エポキシ接着剤組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明の実施において有用なイミダゾールおよびイミダゾレートには、分子中で電荷を均衡させる対イオンを有するイミダゾール化合物が挙げられる。適するイミダゾレートは、以下の式の金属イミダゾレート化合物である。
ＭＬm
式中、Ｍは、Ａｇ（Ｉ），Ｃｕ（Ｉ），Ｃｕ（ＩＩ），Ｃｄ（ＩＩ），Ｚｎ（ＩＩ），Ｈｇ（ＩＩ），Ｎｉ（ＩＩ）およびＣｏ（ＩＩ）の群から選択された金属であり、Ｌは以下の式のイミダゾレートであり、ｍはＭの原子価である。
【化４】
2003518177.tif 000004
式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素原子、アルキル基またはアリール基から選択される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】結合組成物及びそれを使用した製品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）溶融加工性で実質的にフッ素化されていないポリマーと、
ｂ）塩基およびクラウンエーテルを含む触媒系と
の混合物を含む結合組成物。
【請求項２】  溶融加工性で実質的にフッ素化されていないポリマーが、官能性を付与されたポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリウレタン、およびそれらの混合物からなる群より選択され、塩基が、金属水酸化物、金属アリールオキシド、金属アルコキシド、有機塩基、またはそれらの混合物であり、そしてクラウンエーテルが、１８−クラウン−６エーテルまたは１５−クラウン−５エーテルである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】  官能性を付与されたポリオレフィンが、イミド、アミド、オキシカルボニル、無水物、アセテート、カルボニル、および水酸基からなる群より選択される１つ以上の官能基を含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】  金属水酸化物塩基が、水酸化リチウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、およびそれらの混合物からなる群より選択され、金属アルコキシド塩基が、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムフェノキシド、ナトリウムフェノキシド、およびそれらの混合物からなる群より選択され、そして有機塩基が、カリウムフタルイミドおよびナトリウムトリメチルシラノエートからなる群より選択される、請求項２に記載の組成物。
【請求項５】  ａ）フルオロポリマーを含む第１の層、および
ｂ）第１の層に結合した、請求項１〜４のいずれか１項に記載の結合組成物を含む第２の層
を含む製品。
【請求項６】  第２の層に結合した第３の層をさらに含み、その際、第３の層がポリオレフィン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアミド、ポリエステル、またはそれらの組み合わせを含む、請求項５に記載の製品。
【請求項７】  フルオロポリマーが、フッ化ビニリデンのホモポリマーであるかもしくは、フッ化ビニリデンと、フッ化ビニル、テトラフルオロエチレン、およびヘキサフルオロプロピレンから選択される１種以上のモノマーとから誘導される共重合体または三元共重合体であり、
実質的にフッ素化されていないポリマーが、官能性ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、およびそれらの組み合わせからなる群より選択され、
塩基が、水酸化リチウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、カリウムメトキシド、ナトリウムフェノキシド、カリウムフタルイミド、ナトリウムトリメチルシラノエート、およびそれらの混合物からなる群より選択され、
クラウンエーテルが、１８−クラウン−６エーテルであり、そして
第３の層がポリオレフィン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、またはそれらの組み合わせを含む、
請求項５に記載の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月23日(2007.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタロセンと活性剤とを接触させることにより生成するイオン対を含むメタロセン触媒系であって、
（ａ）メタロセンが、式、Ｔ（ＣｐＲｎ）（Ｃｐ’Ｒ’ｍ）ＨｆＱ２
［式中、（ｉ）Ｃｐ及びＣｐ’はシクロペンタジエニル配位子であり、
（ii）各Ｒ及びＲ’は同じか又は異なる、１−２０炭素原子を有するヒドロカルビル基であり、
（iii）ＴはＣｐとＣｐ’との間の架橋であり、置換又は未置換のメチレン又はシリレン基を含み、
（iv）各Ｑは１−２０炭素原子を有するヒドロカルビル基又はハロゲンであり、
（ｖ）ｎはＣｐ上のヒドロカルビル置換基の数であり、ｎ＝０−４であり、
（vi）ｍはＣｐ’上のヒドロカルビル置換基の数であり、ｍ＝０−４である］
により表わされ、
（ｂ）活性剤が式、［Ａｒ３Ｃ］［ＮＣＡ］
［式中、（ｉ）Ａｒはアリール配位子であり、
（ii）Ａｒ３Ｃはトリアリールカルベニウムであり、
（iii）ＮＣＡは非配位アニオンである］
により表わされる、前記メタロセン触媒系。
【請求項２】
Ｃｐ、Ｃｐ’、Ｒ、Ｒ’、ｍ及びｎが、ＣｐＲｍがＣｐ’Ｒ’ｎと等しくならないように選択される、請求項１に記載のメタロセン触媒系。
【請求項３】
非配位アニオンがＡ（Ｐｈ*）３Ｘ、
［式中、Ａが１３族メタロイドであり、Ｐｈ*がペンタフルオロフェニレン基であり、Ｘがアルキル、アルキルシリル、又はハライド置換フェニル又は未置換フェニルである］
である、請求項１又は２に記載の触媒系。
【請求項４】
Ａがホウ素である、請求項３に記載の触媒系。
【請求項５】
Ｒｍが、ＣｐＲｍがフルオレニル又はインデニル基を形成するように選択される、請求項２に記載の触媒系。
【請求項６】
前記フルオレニル基が、ｔ−ブチル基で二置換されている、請求項５に記載の触媒系。
【請求項７】
Ｒｎが、ＣｐＲｎが置換又は未置換シクロペンタジエニドを形成するように選択される、請求項５に記載の触媒系。
【請求項８】
ＴはＣＺＺ’又はＳｉＺＺ’(式中、ＺとＺ’は、置換又は未置換のアルキル又はアリール部分から独立して選択される)である、請求項１に記載の触媒系。
【請求項９】
Ｚ及びＺ’が、トリアルキル置換フェニル部分から独立して選択される、請求項８に記載の触媒系。
【請求項１０】
Ｚ及びＺ’が、フェニル及び４−（トリエチルシラニル）フェニルから独立して選択される、請求項８に記載の触媒系。
【請求項１１】
Ｚ及びＺ’がフェニルである、請求項１０に記載の触媒系。
【請求項１２】
Ｚ及びＺ’が、４−（トリエチルシラニル）フェニルである、請求項１０に記載の触媒系。
【請求項１３】
メタロセンと活性剤とを接触させることにより形成されるイオン対を含むメタロセン触媒系であって、前記メタロセンはＩ、II、又はIII：
【式１】
2003518146.tif 000001
【式２】
2003518146.tif 000002
【式３】
2003518146.tif 000003
のいずれかの式を有し、活性剤が式IV：
【式４】
2003518146.tif 000004
を有する前記メタロセン触媒系。
【請求項１４】
オレフィン重合条件下でオレフィンモノマー又はオレフィンモノマー混合物を請求項１乃至１３に記載の前記メタロセン触媒系と接触させること、及びポリオレフィンを回収することを含む、オレフィン重合法。
【請求項１５】
ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ハフニウムジメチルと、トリフェニルカルベニウムテトラ（ペルフルオロフェニル）ボーレートとを接触させることにより、又は
ジ（４−（トリエチルシラニル）フェニル）メチレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ハフニウムジメチルと、トリフェニルカルベニウムテトラ（ペルフルオロフェニル）ボーレートとを接触させることにより、又は
ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ハフニウムジメチルと、トリフェニルカルベニウムテトラ（ペルフルオロフェニル）ボーレートとを接触させることにより形成されるイオン対を含むメタロセン触媒系。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】      ネットワークを有するワイヤレスモビリティサービスプラットフォームであって、
前記ネットワークが、
プラットフォーム管理・運営機能を果たす手段を備えたオペレーション・メンテナンスプロセッサと、
信号トラフィックを取り扱う手段を備えたネットワークアクセスプロセッサと、
耐故障性の冗長スキームに従って複数のハードウェアプラットフォームに分散されたメモリサブスクライバデータベースを含むデータベースサーバと、
前記オペレーション・メンテナンスプロセッサ、前記ネットワークアクセスプロセッサ、及び前記データベースサーバ上で動作する、共通通信・データベースアクセス機能を有するプラットフォームソフトウェア層と、
ネットワークアクセスプロセッサ上で動作する信号中継層との間を相互接続することを特徴とするワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項２】    前記信号中継層が、フィルタリング基準に従って信号トラフィックを監視するための手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項３】    前記信号中継層が、前記監視に基いてアプリケーションをトリガリングするための手段を含むことを特徴とする請求項２に記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項４】    前記信号中継層が、到達してくる信号におけるオペレーションの検査に従って、元の宛先に信号をフォワーディングするか、別の宛先に信号を中継するための手段を含むことを特徴とする請求項３に記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項５】    前記信号中継層が、前記プラットフォーム上に存在するアプリケーションをシミュレートすることによって応答を生成するための手段を含むことを特徴とする請求項４に記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項６】    前記データベースサーバが、パッケージをベースにしているデータベース構造を維持するための手段を含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項７】    前記データベース構造が、コアパッケージ、HLRパッケージ、ルーティングパッケージ、及びトリガパッケージを含むことを特徴とする請求項６に記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項８】    前記データベースサーバが、全てのサブスクライバデータについて2つの同時進行位置を有する2N冗長構成に構成されることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項９】    前記データベースサーバが、内部の活動中及び待機中のサブスクライバデータベースに加えて、前記オペレーション・メンテナンスプロセッサ上にディスクサブスクライバデータベースを維持するための手段を含むことを特徴とする請求項８に記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項１０】    前記オペレーション・メンテナンスプロセッサが、前記データベース上のサブスクライバデータを使用者が更新することを可能にする手段を含むことを特徴とする請求項９に記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項１１】    前記オペレーション・メンテナンスプロセッサが、イベントが前記プラットフォーム内から受け取られかつデータベースに記録されるイベントハンドリングを実行するための手段を含むことを特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項１２】    前記オペレーション・メンテナンスプロセッサが、前記プラットフォームの全てのプロセッサに対してタイミングを同期させるための手段を含むことを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載のワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【請求項１３】    ネットワークを有するワイヤレスモビリティサービスプラットフォームであって、
前記ネットワークが、
プラットフォーム管理・運営機能を果たす手段を備えたオペレーション・メンテナンスプロセッサと、
信号トラフィックを取り扱う手段を備えたネットワークアクセスプロセッサと、
耐故障性の冗長スキームに従って複数のハードウェアプラットフォームに分散されたメモリサブスクライバデータベースを含み、かつコアパッケージ、HLRパッケージ、ルーティングパッケージ、及びトリガパッケージを維持するための手段を含むデータベースサーバと、
前記オペレーション・メンテナンスプロセッサ、前記ネットワークアクセスプロセッサ、及び前記データベースサーバ上で動作する、共通通信・データベースアクセス機能を有するプラットフォームソフトウェア層と、
ネットワークアクセスプロセッサ上で動作する信号中継層であって、到達してくる信号におけるオペレーションを検査し、前記検査に応じて、元の宛先に信号を中継するか、別の宛先に信号を中継するか、またはシミュレーションによって応答を生成する前記プラットフォーム上に存在するアプリケーションのためのプロクシとして機能するための手段を含む、該信号中継層との間を相互接続することを特徴とするワイヤレスモビリティサービスプラットフォーム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月7日(2007.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択された増分間隔で配置されるチャンネルの選択範囲で全二重ＲＦ通信を行う通信装置であって、
信号を同時に送受信するためにデュプレックスフィルタに接続される送信機および受信機と、
前記選択された増分に実質的に等しいステップで送信周波数を選択的にシフトさせるために前記送信機に接続される高周波チャンネルステッパと、
第１の選択されたオフセット量だけまたは選択された１組のオフセット量のうち１つ以上の量だけ、受信周波数を送信周波数から選択的にシフトさせるために選択的に前記高周波チャンネルステッパと前記受信機の間に接続される低周波オフセットチャンネルステッパと、
を含む前記通信装置。
【請求項２】
前記第１の選択されたオフセット量が、送信周波数と受信周波数の間に指定されたデュプレックス間隔を与える請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
前記第１の選択されたオフセット量により、指定されたデュプレックス間隔から関連する受信機中間周波数を増減しかつ関連する送信機中間周波数を増減した間隔を与える請求項１記載の通信装置。
【請求項４】
前記選択された１組のオフセット量は前記第１の選択されたオフセット量とは異なる請求項１記載の通信装置。
【請求項５】
更に、コントローラを有し、該コントローラにより、
前記装置が信号を送信しないキャンピングモードであるとき、選択的に前記受信機に直接前記高周波チャンネルステッパを接続し、
前記装置が通常の通信モードであるとき、選択的に前記低周波オフセットチャンネルステッパを介して前記受信機に前記高周波チャンネルステッパを接続し、前記低周波オフセットチャンネルステッパで第１の選択されたオフセット量だけ周波数をシフトさせ、
前記装置がスロット通信モードであるとき、選択的に前記低周波オフセットチャンネルステッパを介して前記受信機に前記高周波チャンネルステッパを接続し、前記低周波オフセットチャンネルステッパで選択された１組のオフセット量のうち少なくとも１つの量だけ周波数をシフトさせる請求項１記載の通信装置。
【請求項６】
更に、前記低周波オフセットチャンネルステッパを介して前記受信機に前記高周波チャンネルステッパを接続する第１の位置と、前記受信機に前記高周波チャンネルステッパを直接接続する第２の位置と、を含むスイッチを有する請求項１記載の通信装置。
【請求項７】
選択された増分間隔で配置されるチャンネルの選択範囲において全二重ＲＦ通信を行う通信装置であって、
信号を同時に送受信するためにデュプレックスフィルタに接続される送信機および受信機と、
前記送信機に接続され、前記選択された増分に実質的に等しいステップで送信周波数を選択的にシフトさせる高周波チャンネルステッパと、
前記高周波チャンネルステッパと前記受信機の間に接続状態で動作し、受信周波数と送信周波数の中間に位置する第１の選択されたオフセット量だけまたは選択された１組のオフセット量のうち１つ以上の量だけ受信周波数を選択的にシフトさせる低周波オフセットチャンネルステッパと、
を含む前記通信装置。
【請求項８】
前記第１の選択されたオフセット量により、送信周波数と受信周波数の間に指定された通常のデュプレックス間隔を与える請求項７記載の通信装置。
【請求項９】
前記第１の選択されたオフセット量により、指定されたデュプレックス間隔から関連する受信機中間周波数を増減しかつ関連する送信機中間周波数を増減した間隔を与える請求項７記載の通信装置。
【請求項１０】
更にコントローラを有し、前記コントローラにより、
前記装置が信号を送信しないキャンピングモードであるとき、選択的に前記受信機に直接前記高周波チャンネルステッパを接続し、
前記装置が通常の通信モードであるとき、選択的に前記低周波オフセットチャンネルステッパを介して前記受信機に前記高周波チャンネルステッパを接続し、前記低周波オフセットチャンネルステッパで第１の選択されたオフセット量だけ周波数をシフトさせ、
前記装置がスロット通信モードであるとき、選択的に前記低周波オフセットチャンネルステッパを介して前記受信機に前記高周波チャンネルステッパを接続し、前記周波数オフセットチャンネルステッパで選択された１組のオフセット量のうち少なくとも１つの量だけ周波数をシフトさせる請求項７記載の通信装置。
【請求項１１】
更に、前記低周波オフセットチャンネルステッパを介して前記受信機に前記高周波チャンネルステッパを接続する第１の位置と、前記受信機に前記高周波チャンネルステッパを直接接続する第２の位置と、を含むスイッチを有する請求項７記載の通信装置。
【請求項１２】
選択された増分間隔で配置されるチャンネルの選択範囲において全二重ＲＦ通信を行う通信装置を制御する方法であって、
信号を同時に送受信するためにデュプレックスフィルタに接続される送信機および受信機を設けるステップと、
前記選択された増分に実質的に等しいステップで送信周波数を選択的にシフトさせるステップと、
第１の選択されたオフセット量だけ、または選択された１組のオフセット量だけのうち１つ以上の量だけ、受信周波数を送信周波数から選択的にシフトさせるステップと、
を含む前記方法。
【請求項１３】
前記第１の選択されたオフセット量が、送信周波数と受信周波数の間の指定されたデュプレックス間隔を与える請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の選択されたオフセット量により、指定されたデュプレックス間隔から関連する受信機中間周波数を増減しかつ関連する送信機中間周波数を増減した間隔を与える請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記選択された１組のオフセット量が前記第１の選択されたオフセット量とは異なる請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
更に、
前記装置が信号を送信しないキャンピングモードであるとき、選択的に前記受信機に直接高周波チャンネルステッパを接続するステップと、
前記装置が通常の通信モードであるとき、選択的に低周波オフセットチャンネルステッパを介して前記受信機に前記高周波チャンネルステッパを接続し、前記低周波オフセットチャンネルステッパで第１の選択されたオフセット量だけ周波数をシフトさせるステップと、
前記装置がスロット通信モードであるとき、選択的に前記低周波オフセットチャンネルステッパを介して前記受信機に前記高周波チャンネルステッパを接続し、選択された１組のオフセット量のうち少なくとも１つの量だけ前記低周波オフセットチャンネルステッパで周波数をシフトさせるステップと、
を含む請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イメージング方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
一方で磁気共鳴像は、病院で世界的に使用されている申し分のないイメージング法である。他方で磁気共鳴イメージングは、医療分野外でも非常に重要な工業用及び研究用検査器具である。用途には、例えば食品や品質管理の検査，薬品産業における医薬品の臨床試験又は原油調査用の岩石標本中の細孔の大きさのような地質構造の調査がある。
磁気共鳴像の特別な利点は、非常に多くのパラメータが核磁気共鳴信号に作用するという事実に起因する。これらのパラメータを精確にかつ制御して変更することによって、選択されたパラメータの影響を示すのに適した実験が実施され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  熱転写層と、異なる吸収係数を示す少なくとも２つの領域を有する光−熱変換層とを含む熱物質転写ドナーエレメント。
【請求項２】  熱転写層と、不均一な光−熱変換層とを含む熱物質転写ドナーエレメントであって、前記ドナーエレメントは、前記不均一な光−熱変換層により吸収され熱に変換可能な画像形成放射線に前記ドナーエレメントを露光するときに、前記転写層からレセプタへの材料の画像様の熱物質転写に用いることができ、一組の画像条件について、前記不均一な光−熱変換層と略同じ厚さおよび光学密度を有する均一な光−熱変換層を含む以外は略同一のドナーエレメントよりも、最大温度を下げ、画像形成正確性を改善し、または画像形成欠陥を減らすドナーエレメント。
【請求項３】  熱転写層と、異なる吸収係数を示す少なくとも２つの領域を有する光−熱変換層とを含むドナーエレメントを提供する工程と、
前記ドナーエレメントの前記熱転写層をレセプタ基材に近接配置する工程と、
前記光−熱変換層により吸収され、熱に変換可能な画像形成放射線で前記ドナーエレメントを選択的に照射することにより、前記ドナーエレメントから前記レセプタ基材へ前記熱転写層の一部を熱転写する工程と
を含む選択的熱物質転写方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  (i) サルメテロールまたはその医薬上許容される塩、
(ii) プロピオン酸フルチカゾン、および
(iii) ヒドロフルオロアルカン(HFA)噴射剤
を含んでなる医薬用エアゾル製剤であって、サルメテロールまたはその医薬上許容される塩およびプロピオン酸フルチカゾンがその製剤に完全に溶解していることを特徴とする、前記製剤。
【請求項２】  (i) サルメテロールまたはその医薬上許容される塩、
(ii) プロピオン酸フルチカゾン、
(iii) ヒドロフルオロアルカン(HFA)噴射剤、
(iv) 吸入器の作動でエアゾル粒子の質量メディアン空気動力学的粒径(MMAD)を高める低揮発性成分、および
(v) 製剤中にサルメテロールまたはその医薬上許容される塩およびプロピオン酸フルチカゾンを可溶化するのに十分な量の可溶化剤を含んでなる、請求項１に記載の製剤。
【請求項３】  上記ヒドロフルオロアルカン(HFA)噴射剤が1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFA134a)である、請求項１または２に記載の製剤。
【請求項４】  上記ヒドロフルオロアルカン(HFA)噴射剤が1,1,1,2,3,3,3-ヘプタフルオロ-n-プロパン(HFA227)である、請求項１または２に記載の製剤。
【請求項５】  グリセロールである低揮発性成分を含有する、請求項１〜４のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項６】  ポリエチレングリコールである低揮発性成分を含有する、請求項１〜４のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項７】  上記低揮発性成分がPEG200またはPEG400である、請求項６に記載の製剤。
【請求項８】  製剤中にサルメテロールまたはその医薬上許容される塩およびプロピオン酸フルチカゾンを可溶化するのに十分な量の可溶化剤としてエタノールを含有する、請求項１〜７のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項９】  エタノール濃度が5〜30%w/vである、請求項８に記載の製剤。
【請求項１０】  エタノール濃度が6〜12%w/vである、請求項８に記載の製剤。
【請求項１１】  サルメテロールがサルメテロール塩基として存在する、請求項１〜１０のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項１２】  サルメテロールがキシナホ酸塩として存在する、請求項１〜９のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項１３】  キシナホ酸サルメテロールがII型多形の形態で存在する、請求項１２に記載の製剤。
【請求項１４】  キシナホ酸塩の重量として表されるサルメテロール濃度が0.02〜0.03%w/vである、請求項１〜１３のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項１５】  塩基の重量として表されるサルメテロール濃度が0.014〜0.021%w/vである、請求項１〜１３のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項１６】  塩基の重量として表されるサルメテロール濃度が0.017〜0.028%w/vである、請求項１〜１３のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項１７】  塩基の重量として表されるサルメテロール濃度が約0.025%w/vである、請求項１６に記載の製剤。
【請求項１８】  サルメテロール塩基の濃度が0.025〜0.05%w/vである、請求項１１に記載の製剤。
【請求項１９】  サルメテロールがR-サルメテロールとして存在する、請求項１〜１８のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項２０】  プロピオン酸フルチカゾン濃度が0.02〜0.2%w/vの範囲である、請求項１〜１９のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項２１】  プロピオン酸フルチカゾン濃度が0.02〜0.15%w/vの範囲である、請求項２０に記載の製剤。
【請求項２２】  w/vとして表されるサルメテロール(サルメテロールの重量は遊離塩基の重量として表される)とプロピオン酸フルチカゾンの濃度比が1:1〜1:6の範囲である、請求項１〜２１のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項２３】  濃度に関して数字「１」が約0.025w/vの濃度に相当する場合に前記比が用いられる、請求項２２に記載の製剤。
【請求項２４】  0.5〜3%(w/w)の間の低揮発性成分を含有する、請求項１〜２３のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項２５】  1.0〜1.6%(w/w)の低揮発性成分を含有する、請求項２４に記載の製剤。
【請求項２６】  1.0%(w/w)の低揮発性成分を含有する、請求項２４に記載の製剤。
【請求項２７】  0.5〜1.0%(w/w)の揮発性成分を含有する、請求項２４に記載の製剤。
【請求項２８】  (i) 0.025〜0.05%w/wのサルメテロール塩基、
(ii) 0.025〜0.05%w/wのプロピオン酸フルチカゾン、
(iii) 噴射剤としての1,1,1,2-テトラフルオロエタン、
(iv) グリセロールおよびポリエチレングリコールから選択される0.5〜1%の低揮発性噴射剤、および
(v) 可溶化剤としての6〜12%のエタノール
を含んでなる、請求項１に記載の製剤。
【請求項２９】  上記低揮発性成分がPEG200またはPEG400である、請求項２８に記載の製剤。
【請求項３０】  上記低揮発性成分がグリセロールである、請求項２８に記載の製剤。
【請求項３１】  製剤中でのサルメテロールの化学分解を防ぐことができる化合物をさらに含んでなる、請求項１〜３０のいずれか1項に記載の製剤。
【請求項３２】  定量バルブを備えてなり、かつ、請求項１〜３１のいずれか1項に記載の医薬用エアゾル製剤を含有するキャニスター。
【請求項３３】  好適なチャネリング装置に嵌合された請求項３２に記載のキャニスターを備えてなる、定量噴霧式吸入器。
【請求項３４】  呼吸器疾患、例えば喘息または慢性閉塞性肺疾患(COPD)を治療する薬剤の製造における、請求項１〜３１のいずれか1項に記載の医薬用エアゾル製剤の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年1月9日(2007.1.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】  ジフェニル[4-(4-フルオロフェニル)-6-イソプロピル-2-[メチル(メチルスルホニル)アミノ]ピリミジン-5-イルメチル]ホスフィンオキシドとtert-ブチル-2-[(4R,6S)-6-ホルミル-2,2-ジメチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテートとを強塩基の存在下で反応させることを含む、tert-ブチル (E)-(6-[2-[4-(4-フルオロフェニル)-6-イソプロピル-2-[メチル(メチルスルホニル)アミノ]ピリミジン-5-イル]ビニル]-(4R,6S)-2,2-ジメチル[1,3]ジオキサン-4-イル)アセテートの大規模に行なう製造のための製造法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】  式IV
【化１】
2003518474.tif 000001
(式中、R1は、水素または医薬用として許容しうるカチオンである)で示される化合物の大規模に行なう製造のための製造法であって、
(1)  ジフェニル[4-(4-フルオロフェニル)-6-イソプロピル-2-[メチル(メチルスルホニル)アミノ]ピリミジン-5-イルメチル]ホスフィンオキシドとtert-ブチル-2-[(4R,6S)-6-ホルミル-2,2-ジメチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテートとを強塩基の存在下で反応させて、式Iで示されるtert-ブチル (E)-(6-[2-[4-(4-フルオロフェニル)-6-イソプロピル-2-[メチル(メチルスルホニル)アミノ]ピリミジン-5-イル]ビニル]-(4R,6S)-2,2-ジメチル[1,3]ジオキサン-4-イル)アセテートを得る工程;
(2)  工程(1)の生成物からジヒドロキシ保護基を切断する工程;
(3)  工程(2)の生成物からtert-ブチルエステル基を塩基性条件下で切断して、R1が医薬用として許容しうるカチオンである場合の式IVの化合物を形成させる工程;
次いで必要に応じて、中和処理を施してR1が水素である場合の式IVの化合物を得る工程; および/または
次いで必要に応じて、R1が医薬用として許容しうるカチオンである場合の、式IVの別の化合物に転化させる工程;
を含む前記製造法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】  ジフェニル[4-(4-フルオロフェニル)-6-イソプロピル-2-[メチル(メチルスルホニル)アミノ]ピリミジン-5-イルメチル]ホスフィンオキシドと式V
【化２】
2003518474.tif 000002
(式中、P1とP2はアルコール保護基であるか、あるいはP1とP2が一緒になって1,3-ジオール保護基であり、P3はカルボン酸保護基である)で示される化合物とを反応させることを含む、式VI
【化３】
2003518474.tif 000003
で示される化合物の大規模に行なう製造のための製造法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
で示されるtert-ブチル (E)-(6-[2-[4-(4-フルオロフェニル)-6-イソプロピル-2-[メチル(メチルスルホニル)アミノ]ピリミジン-5-イル]ビニル](4R,6S)-2,2-ジメチル[1,3]ジオキサン-4-イル)アセテート(以後、BEMと呼ぶ)を大規模に製造するための新規化学プロセスに関する。本発明はさらに、前記プロセスにおいて使用される新規の出発物質、およびHMG CoAレダクターゼ阻害剤の大規模な製造において前記プロセスを使用することを含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
(式中、R1は、水素または医薬用として許容しうるカチオンである)で示される化合物の大規模に行なう製造のための製造法であって、
(1)  DPPOとBFAとを強塩基(前述)の存在下で反応させてBEMを得る工程;
(2)  ジヒドロキシ(アセトニド)保護基を切断する(たとえば酸加水分解によって、たとえばTHFまたはアセトニトリル中にてHClを使用することによって)工程;
(3)  tert-ブチルエステル基を塩基性条件下で切断して、R1が医薬用として許容しうるカチオンである場合の式IVの化合物を形成させる(たとえば金属水酸化物の極性溶媒溶液を使用することによって、たとえば水酸化ナトリウムの水性エタノール溶液もしくは水性アセトニトリル溶液を使用することによって)工程;
次いで必要に応じて、中和処理を施してR1が水素である場合の式IVの化合物を得る工程; および/または
次いで必要に応じて、R1が医薬用として許容しうるカチオンである場合の、式IVの別の化合物に転化させる〔たとえば、水性条件下にて水溶性カルシウム塩(たとえば塩化カルシウム)で処理することによって、ナトリウム塩をカルシウム塩に転化させる〕工程;
を含む前記製造法である。