【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅相互接続を形成する方法であって、
構造層上に第１の誘電体層を形成するステップと、
前記第１の誘電体層内に第１の開口を形成するステップと、
前記第１の開口内に第１の銅構造を形成するステップと、
前記第１の誘電体層上と前記第１の銅構造上とに犠牲誘電体層を形成するステップと、
前記犠牲誘電体層内の、前記第１の銅構造の少なくとも一部上に第２の開口を形成するステップと、
前記第２の開口内に第２の銅構造を形成するステップとを含み、前記第２の銅構造は、前記第１の銅構造の少なくとも前記一部と接触し、前記方法はさらに、
前記第１の誘電体層上のかつ前記第２の銅構造に隣接する前記犠牲誘電体層を除去するステップと、
前記第２の銅構造と前記第１の銅構造とをアニールすることによって前記銅相互接続を形成するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記第１の誘電体層上にかつ前記第２の銅構造に隣接して、第２の誘電体層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の誘電体層を平坦化するステップをさらに含み、前記第２の誘電体層を形成するステップは、多くて約４の誘電率Ｋを有する、低誘電率（低Ｋ）誘電体材料から前記第２の誘電体層を形成するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の誘電体層上にマスク層を形成してパターニングし、前記第２の銅構造の少なくとも一部上にマスク層開口を形成するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の誘電体層を形成するステップは、多くて約４の誘電率Ｋを有する、低誘電率（低Ｋ）誘電体材料から前記第１の誘電体層を形成するステップと、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、および熱成長のうちの１つを用いて前記第１の誘電体層を形成するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記犠牲誘電体層を形成するステップは、酸化物、オキシナイトライド、二酸化シリコン、窒素含有酸化物、窒素でドープされた酸化物、シリコンオキシナイトライド、Ｋが少なくとも約８である、高誘電率（高Ｋ）の酸化チタン、酸化タンタル、バリウムストロンチウムチタン酸塩のうちの１つから前記犠牲誘電体層を形成するステップと、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、および熱成長のうちの１つを用いて前記犠牲誘電体層を形成するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記犠牲誘電体層内に前記第２の開口を形成するステップは、フォトレジストのマスクとエッチングストップ層とのうちの１つを用いて前記犠牲誘電体層内に前記第２の開口を形成するステップを含み、前記フォトレジストのマスクと前記エッチングストップ層とのうちの前記１つは、前記犠牲誘電体層上に形成されパターニングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記フォトレジストのマスクと前記エッチングストップ層とのうちの前記１つを用いることは、シリコンナイトライドで形成された前記エッチングストップ層を用いることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の銅構造を形成するステップは、銅の電気化学的堆積を用いて前記第２の銅構造を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記銅の前記電気化学的堆積を用いることは、少なくとも１つのバリア層と銅シード層とを、前記銅の前記電気化学的堆積の前に前記第２の開口内に形成することと、前記銅の前記電気化学的堆積の後で化学的機械的研磨を用いて前記銅を平坦化することとを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
銅相互接続を形成する方法であって、
構造層上に第１の誘電体層を形成するステップと、
前記第１の誘電体層内に第１の開口を形成するステップと、
前記第１の誘電体層上および前記第１の開口内に第１の銅の層を形成するステップと、
前記第１の誘電体層上の前記銅の層の一部を除去することによって銅構造を形成するステップとを含み、前記銅構造は前記第１の開口内に残り、前記方法はさらに、
前記第１の誘電体層上と前記銅構造上とに犠牲誘電体層を形成するステップと、
前記犠牲誘電体層内の、前記銅構造の少なくとも一部上に第２の開口を形成するステップと、
前記犠牲誘電体層上および前記第２の開口内に第２の銅の層を形成するステップとを含み、前記第２の銅の層は、前記銅構造の少なくとも前記一部と接触し、前記方法はさらに、
前記犠牲誘電体層上の前記第２の銅の層の一部を除去することによって前記銅相互接続を形成するステップを含み、前記銅相互接続は前記第２の開口内に残り、前記方法はさらに、
前記第１の誘電体層上のかつ前記銅相互接続に隣接する前記犠牲誘電体層を除去するステップと、
前記銅相互接続をアニールするステップとを含む、方法。
【請求項１２】
前記第１の誘電体層上にかつ前記銅相互接続に隣接して、第２の誘電体層を形成するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の誘電体層を平坦化するステップをさらに含み、前記第２の誘電体層を形成す
るステップは、多くて約４の誘電率Ｋを有する、低誘電率（低Ｋ）誘電体材料から前記第２の誘電体層を形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の誘電体層上にマスク層を形成してパターニングし、前記銅相互接続の少なくとも一部上にマスク層開口を形成するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の誘電体層を形成するステップは、多くて約４の誘電率Ｋを有する、低誘電率（低Ｋ）誘電体材料から前記第１の誘電体層を形成するステップと、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、および熱成長のうちの１つを用いて前記第１の誘電体層を形成するステップとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記犠牲誘電体層を形成するステップは、酸化物、オキシナイトライド、二酸化シリコン、窒素含有酸化物、窒素でドープされた酸化物、シリコンオキシナイトライド、Ｋが少なくとも約８である、高誘電率（高Ｋ）の酸化チタン、酸化タンタル、バリウムストロンチウムチタン酸塩のうちの１つから前記犠牲誘電体層を形成するステップと、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、および熱成長のうちの１つを用いて前記犠牲誘電体層を形成するステップとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記犠牲誘電体層内に前記第２の開口を形成するステップは、フォトレジストのマスクとエッチングストップ層とのうちの１つを用いて前記犠牲誘電体層内に前記第２の開口を形成するステップを含み、前記フォトレジストのマスクと前記エッチングストップ層とのうちの前記１つは、前記犠牲誘電体層上に形成されパターニングされる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記フォトレジストのマスクと前記エッチングストップ層とのうちの前記１つを用いることは、シリコンナイトライドで形成された前記エッチングストップ層を用いることを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の銅の層を形成するステップは、銅の電気化学的堆積を用いて前記第２の銅の層を形成するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記銅の前記電気化学的堆積を用いることは、少なくとも１つのバリア層と銅シード層とを、前記銅の前記電気化学的堆積の前に前記第２の開口内に形成することを含み、前記第２の銅の層の一部を除去することは、前記銅の前記電気化学的堆積の後で化学的機械的研磨を用いて前記銅を平坦化することを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
銅相互接続を形成する方法であって、
構造層上に第１の誘電体層を形成するステップと、
前記第１の誘電体層内に第１の開口を形成するステップと、
前記第１の開口内に銅のビアを形成するステップと、
前記第１の誘電体層上および前記銅のビア上に犠牲誘電体層を形成するステップと、
前記犠牲誘電体層内の、前記銅のビアの少なくとも一部上に第２の開口を形成するステップと、
前記第２の開口内に銅線を形成するステップとを含み、前記銅線は前記銅のビアの前記少なくとも一部に接触し、前記方法はさらに、
前記第１の誘電体層上のかつ前記銅線に隣接する前記犠牲誘電体層を除去するステップと、
前記銅線および前記銅のビアをアニールすることによって前記銅相互接続を形成するス
テップとを含む、方法。
【請求項２２】
前記第１の誘電体層上にかつ前記銅線に隣接して、第２の誘電体層を形成するステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２の誘電体層を平坦化するステップをさらに含み、前記第２の誘電体層を形成するステップは、多くて約４の誘電率Ｋを有する、低誘電率（低Ｋ）誘電体材料から前記第２の誘電体層を形成するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の誘電体層上にマスク層を形成してパターニングし、前記第２の銅構造の少なくとも一部上にマスク層開口を形成するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の誘電体層を形成するステップは、多くて約４の誘電率Ｋを有する、低誘電率（低Ｋ）誘電体材料から前記第１の誘電体層を形成するステップと、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、および熱成長のうちの１つを用いて前記第１の誘電体層を形成するステップとを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記犠牲誘電体層を形成するステップは、酸化物、オキシナイトライド、二酸化シリコン、窒素含有酸化物、窒素でドープされた酸化物、シリコンオキシナイトライド、Ｋが少なくとも約８である、高誘電率（高Ｋ）の酸化チタン、酸化タンタル、バリウムストロンチウムチタン酸塩のうちの１つから前記犠牲誘電体層を形成するステップと、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、および熱成長のうちの１つを用いて前記犠牲誘電体層を形成するステップとを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記犠牲誘電体層内に前記第２の開口を形成するステップは、フォトレジストのマスクとエッチングストップ層とのうちの１つを用いて前記犠牲誘電体層内に前記第２の開口を形成するステップを含み、前記フォトレジストのマスクと前記エッチングストップ層とのうちの前記１つは、前記犠牲誘電体層上に形成されパターニングされる、請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
前記フォトレジストのマスクと前記エッチングストップ層とのうちの前記１つを用いることは、シリコンナイトライドで形成された前記エッチングストップ層を用いることを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記第２の銅の層を形成するステップは、銅の電気化学的堆積を用いて前記第２の銅の層を形成するステップを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
前記銅の前記電気化学的堆積を用いることは、少なくとも１つのバリア層と銅シード層とを、前記銅の前記電気化学的堆積の前に前記第２の開口内に形成することと、前記銅の前記電気化学的堆積の後で化学的機械的研磨を用いて前記銅を平坦化することとを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
銅相互接続を形成する方法であって、
構造層上に第１の誘電体層を形成するステップと、
前記第１の誘電体層内に第１の開口を形成するステップと、
前記使用誘電体層上および前記第１の開口内に第１の銅の層を形成するステップと、
前記第１の誘電体層上の前記第１の銅の層の一部を除去することによって銅のビアを形
成するステップとを含み、前記銅のビアは前記第１の開口内に残り、前記方法はさらに、
前記第１の誘電体層上および前記銅のビア上に犠牲誘電体層を形成するステップと、
前記犠牲誘電体層内の、前記銅のビアの少なくとも一部上に第２の開口を形成するステップと、
前記犠牲誘電体層上および前記第２の開口内に第２の銅の層を形成するステップとを含み、前記第２の銅の層は、前記銅のビアの前記少なくとも一部に接触し、前記方法はさらに、
前記犠牲誘電体層上の前記第２の銅の層の一部を除去することによって前記銅相互接続を形成するステップを含み、前記銅相互接続は前記第２の開口内に残り、前記方法はさらに、
前記第１の誘電体層上のかつ前記銅相互接続に隣接する前記犠牲誘電体層を除去するステップと、
前記銅相互接続をアニールするステップとを含む、方法。
【請求項３２】
前記第１の誘電体層上にかつ前記銅相互接続に隣接して、第２の誘電体層を形成するステップをさらに含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記第２の誘電体層を平坦化するステップをさらに含み、前記第２の誘電体層を形成するステップは、多くて約４の誘電率Ｋを有する、低誘電率（低Ｋ）誘電体材料から前記第２の誘電体層を形成するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第２の誘電体層上にマスク層を形成してパターニングし、前記銅相互接続の少なくとも一部上にマスク層開口を形成するステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記第１の誘電体層を形成するステップは、多くて約４の誘電率Ｋを有する、低誘電率（低Ｋ）誘電体材料から前記第１の誘電体層を形成するステップと、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、および熱成長のうちの１つを用いて前記第１の誘電体層を形成するステップとを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３６】
前記犠牲誘電体層を形成するステップは、酸化物、オキシナイトライド、二酸化シリコン、窒素含有酸化物、窒素でドープされた酸化物、シリコンオキシナイトライド、Ｋが少なくとも約８である、高誘電率（高Ｋ）の酸化チタン、酸化タンタル、バリウムストロンチウムチタン酸塩のうちの１つから前記犠牲誘電体層を形成するステップと、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ増速ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、および熱成長のうちの１つを用いて前記犠牲誘電体層を形成するステップとを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３７】
前記犠牲誘電体層内に前記第２の開口を形成するステップは、フォトレジストのマスクとエッチングストップ層とのうちの１つを用いて前記犠牲誘電体層内に前記第２の開口を形成するステップを含み、前記フォトレジストのマスクと前記エッチングストップ層とのうちの前記１つは、前記犠牲誘電体層上に形成されパターニングされる、請求項３１に記載の方法。
【請求項３８】
前記フォトレジストのマスクと前記エッチングストップ層とのうちの前記１つを用いることは、シリコンナイトライドで形成された前記エッチングストップ層を用いることを含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記第２の銅の層を形成するステップは、銅の電気化学的堆積を用いて前記第２の銅の層を形成するステップを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４０】
前記銅の前記電気化学的堆積を用いることは、少なくとも１つのバリア層と銅シード層とを、前記銅の前記電気化学的堆積の前に前記第２の開口内に形成することを含み、前記第２の銅の層の一部を除去することは、前記銅の前記電気化学的堆積の後で化学的機械的研磨を用いて前記銅を平坦化することを含む、請求項３９に記載の方法。