【手続補正書】
【提出日】平成19年2月2日(2007.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス状の前駆体混合物を生成するために、シリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合すること；
化学気相成長法の条件下でガス状の前駆体混合物を基板上に流すこと；及び
エピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層を基板上に堆積すること
を包含し、該エピタキシャルＳｉＧｅが、ガス状の前駆体混合物の少なくともいくつかの成分から形成される、ＳｉＧｅ膜をブランケット堆積するための方法。
【請求項２】
下地(underlying)ブランケット層が基板上に位置し、エピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層が、下地ブランケット層上に堆積する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基板が、誘電材料により作られた単結晶材料のウィンドウでパターン化されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
基板が、誘電材料により作られた単結晶材料のウィンドウでパターン化され、ここで、該誘電材料が酸化物である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基板が、誘電材料内の単結晶材料のウィンドウでパターン化され、ここで、該誘電材料が窒化物である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
基板が、シャロー・トレンチ分離スキーム(shallow trench isolation scheme) でパターン化されている、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
エピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層が、約４０Åｒｍｓより小さい表面粗さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
エピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層が、約２０Åｒｍｓより小さい表面粗さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板が、ベア単結晶シリコン基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
エピタキシャルＳｉＧｅ膜が、基板との界面(interface)において、膜中の他のポイントよりも大きなシリコン含有量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
シリコンソースが、シラン、ジシラン、トリシラン、クロロシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、及びテトラクロロシランからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ゲルマニウムソースが、ゲルマン、ジゲルマン、トリゲルマン、クロロゲルマン、ジクロロゲルマン、トリクロロゲルマン、及びテトラクロロゲルマンからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
エッチャントが塩化水素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
エッチャントが、重量ベースでシリコンソース及びゲルマニウムソースの合計量よりも少ない量で存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
エピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層が、エッチャントを欠如する以外は同等の条件下で堆積されたエピタキシャルＳｉＧｅのリファレンスブランケット層と比較して、より優れた平坦性を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
エピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層が、エッチャントを欠如する以外は同等の条件下で堆積されたエピタキシャルＳｉＧｅのリファレンスブランケット層と比較して、減少した欠陥密度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
エピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層が、１０７欠陥／ｃｍ２より小さいエッチピット密度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
エピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層が、１０５欠陥／ｃｍ２より小さいエッチピット密度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
単結晶シリコン基板を化学気相成長チャンバー内に供給すること；
チャンバー内へある量のシリコン前駆体を供給すること；
チャンバー内へある量のゲルマニウム前駆体を供給すること；
チャンバー内へある量のエッチャントを供給すること（ここで、供給されるエッチャントの量は、シリコン前駆体の量及びゲルマニウム前駆体の量の合計より少ない）；及び
基板上にブランケットＳｉＧｅ膜を堆積すること
を包含する、方法。
【請求項２０】
基板が、ベアウェハである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
基板が、誘電材料内に、単結晶材料のウィンドウでパターン化されている、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
基板が、その上に堆積された第１のブランケット層を持つウェハであり、ここで、ＳｉＧｅ膜が、第２のブランケット層として第１のブランケット層上に堆積される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
化学気相成長チャンバーが、シングルウェハチャンバーである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
ＳｉＧｅ膜が、基板との界面において、膜中の他のポイントよりも大きなシリコン含有量を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
シリコン前駆体が、シラン、ジシラン、トリシラン、クロロシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、及びテトラクロロシランからなる群より選択される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
ゲルマニウムソースが、ゲルマン、ジゲルマン、トリゲルマン、クロロゲルマン、ジクロロゲルマン、トリクロロゲルマン、及びテトラクロロゲルマンからなる群より選択される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】
エッチャントが塩化水素を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
ブランケットＳｉＧｅ膜のゲルマニウム含有量が、約２０％〜約１００％である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２９】
ＳｉＧｅ膜のゲルマニウム含有量が、約４０％〜約８０％である、請求項１９に記載の方法。
【請求項３０】
エッチャントが、約２５ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍの速度でチャンバーへ供給される、請求項１９に記載の方法。
【請求項３１】
チャンバーが、ＳｉＧｅ膜の堆積中に約３５０℃〜約１１００℃の温度を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３２】
チャンバーが、ＳｉＧｅ膜の堆積中に約８００℃〜約９００℃の温度を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３３】
チャンバーが、ＳｉＧｅ膜の堆積中に約０．２００Ｔｏｒｒ〜約８５０Ｔｏｒｒの圧力を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３４】
チャンバーが、ＳｉＧｅ膜の堆積中に約１Ｔｏｒｒ〜約１００Ｔｏｒｒの圧力を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３５】
ＳｉＧｅ膜が、約４０Åｒｍｓより小さい表面粗さを有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３６】
ＳｉＧｅ膜が、約３０Åｒｍｓより小さい表面粗さを有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３７】
ＳｉＧｅ膜が、約２０Åｒｍｓより小さい表面粗さを有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３８】
シリコンソースガス及びゲルマニウムソースガスを混合すること；
ガス状の前駆体混合物を形成するために、混合されたソースガスにエッチャントを添加すること；
化学気相成長法の条件下で、基板上にガス状の前駆体混合物を流すこと；及び
基板上にエピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層を堆積すること；
を包含し、ここで、混合されたソースガスに添加されるエッチャントの量が、選択的な堆積プロセスにおいて混合されたソースガスに添加されるエッチャントの量より少ない、ＳｉＧｅ膜をブランケット堆積する方法。
【請求項３９】
混合されたソースガスに添加されるエッチャントの量が、混合されたソースガスの量より小さい、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
基板が、化学気相成長チャンバー内に配置される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
基板が、化学気相成長チャンバー内に配置され、ここで、エッチャントが約１ｓｃｃｍ〜約２００ｓｃｃｍで該チャンバーに供給される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４２】
基板が、化学気相成長チャンバー内に配置され、エッチャントが約２５ｓｃｃｍ〜約５０ｓｃｃｍで該チャンバーに供給される、請求項３８に記載の方法。