(57)【要約】【課題】小型の一軸半導体加速度センサを提供する。【解決手段】一軸半導体加速度センサが、半導体材料からなる固定部と、前記半導体材料からなり、所定方向の加速度を受けて前記固定部に対して変位する変位部と、前記半導体材料からなり、前記固定部と前記変位部とをそれぞれ接続し、かつ前記所定方向に並んで配置される複数の接続部であって、前記所定方向での幅より前記所定方向に垂直な方向での厚さが大きい断面形状を有する複数の接続部と、前記複数の接続部に配置される複数の歪検出素子と、を具備する。【選択図】図５
2006294892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料からなる固定部と、
前記半導体材料からなり、所定方向の加速度を受けて前記固定部に対して変位する変位部と、
前記半導体材料からなり、前記固定部と前記変位部とをそれぞれ接続し、かつ前記所定方向に並んで配置される複数の接続部であって、前記所定方向での幅より前記所定方向に垂直な方向での厚さが大きい断面形状を有する複数の接続部と、
前記複数の接続部に配置される複数の歪検出素子と、
を具備することを特徴とする一軸半導体加速度センサ。
【請求項２】
前記固定部と前記変位部と前記複数の接続部が、主面の面方位が（１００）の単結晶シリコン基板から一体的に構成されており、前記複数の接続部が、前記固定部と前記変位部の接続方向の方位が＜１１０＞であることを特徴とする請求項１に記載の一軸半導体加速度センサ。
【請求項３】
前記歪検出素子の長手方向が、前記＜１１０＞方向と略平行であることを特徴とする請求項２に記載の一軸半導体加速度センサ。
【請求項４】
前記固定部と前記変位部と前記複数の接続部が、主面の面方位が（１１０）の単結晶シリコン基板から一体的に構成されており、前記複数の接続部が、前記固定部と前記変位部の接続方向の方位が＜１１１＞であることを特徴とする請求項１に記載の一軸半導体加速度センサ。
【請求項５】
前記歪検出素子の長手方向が、前記＜１１１＞方向と略平行であることを特徴とする請求項４に記載の一軸半導体加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度を検出する半導体加速度センサ、特に、一軸の加速度成分を検出する一軸半導体加速度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
加速度センサは、構造物の衝撃強度の測定、あるいは構造物に生じた振動における加速度波形の解析を行うとき等、広範囲にわたって使用されている。このようにして使用されている従来の加速度センサとしては、例えば、金属からなる一軸加速度センサの技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平７−１６７８８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、金属は微細な加工が困難であり、小型化に限界があるため、金属を用いた前記技術では一軸加速度センサの小型化が困難である。そこで、本発明は、小型化を図った一軸加速度センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明に係る一軸半導体加速度センサは、半導体材料からなる固定部と、前記半導体材料からなり、所定方向の加速度を受けて前記固定部に対して変位する変位部と、前記半導体材料からなり、前記固定部と前記変位部とをそれぞれ接続し、かつ前記所定方向に並んで配置される複数の接続部であって、前記所定方向での幅より前記所定方向に垂直な方向での厚さが大きい断面形状を有する複数の接続部と、前記複数の接続部に配置される複数の歪検出素子と、を具備したことを特徴とする。
【０００５】
上記構成によれば、半導体を使用して、マイクロマシニング技術を用いるので、一軸半導体加速度センサの小型化を図ることができる。
【０００６】
ここで、接続部は、前記所定方向での幅より前記所定方向に垂直な方向での厚さが大きい断面形状を有している。そのため、前記所定方向の一方向の成分の加速度を受けた場合に接続部は撓むようになっている。
また、接続部が前記所定方向に並んで複数設けられているので、前記所定方向（つまり受感軸）に直交する方向の加速度に対しては、接続部の変位は小さい。したがって、受感軸は一つであり、受感軸方向に直交する加速度に対しては接続部の変位は小さい。したがって、本発明に係る半導体加速度センサは実質的に一軸方向のみの加速度を検出できる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、小型の一軸半導体加速度センサを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る一軸半導体加速度センサ１を表す斜視図である。一軸半導体加速度センサ１は、加速度検出部２と加速度検出部２を狭持するように配設された上蓋部３及び下蓋部４とから構成されている。図２は、加速度検出部２を表す斜視図である。また、図３は図１の一軸半導体加速度センサ１を表す上面図である。図４、５は一軸半導体加速度センサ１を図３のA1−A2およびB1−B2に沿って切断した状態を表す一部断面図である。
【００１０】
加速度検出部２の外形は、例えば、X方向2500μm、Y方向2000μm、Z方向260μmである。加速度検出部２の構成材料には、半導体、例えば、多結晶又は単結晶のシリコンを用いることができ、本実施の形態では、加速度検出部２の上面の面方位が（１００）である単結晶シリコンを使用した。
上蓋部３の外形は、例えば、X方向2500μm、Y方向1750μm、Z方向300μmである。下蓋部４の外形は、例えば、X方向2500μm、Y方向2000μm、Z方向300μmである。上蓋部３及び下蓋部４の構成材料には、例えば、ガラス板を用いることができ、本実施の形態ではパイレックス(登録商標)を用いた。上蓋部３は加速度検出部２及び下蓋部４よりもY方向の長さが250μm短く、加速度検出部２と上蓋部３間には前面に段差Wが形成されている。また、加速度検出部２と上蓋部３及び下蓋部４との間には、加速度を受けて加速度検出部２が変位できるように内部に空間５aが設けられている。
【００１１】
図６は、加速度検出部２の要部を表す斜視図である。加速度検出部２は、固定部６と、変位部７と、第一の接続部８と第二の接続部９、第一の接続部８及び第二の接続部９上に配置された複数の歪検出素子R（R1〜R４）とから構成される。
固定部６は、上蓋３と下蓋４に固定されている（図５参照）。変位部７は、固定部６に離間して設けられ、X方向の加速度を受けて固定部６に対して変位する直方体のものである。
第一の接続部８及び第二の接続部９は、固定部６及び変位部７に両端部がそれぞれ一体に結合されて、互いに平行であり長さが等しい。また、第一の接続部８及び第二の接続部９は、X方向に並んで配置され、Y方向に沿ってそれぞれ設けられ、Z方向の厚さに対してX方向の幅が薄い板状のものである。本実施の形態では、第一の接続部８及び第二の接続部９の長手方向は、それぞれ＜１１０＞方向に配置されている。
【００１２】
接続部８、９のX方向の幅が、Z方向の厚さに対して薄くなっている。そのため、X方向の加速度を受けた場合に接続部は撓むようになっている。また、接続部８、９がX方向に並んで複数設けられているので、X方向に直交するY、Z方向の加速度に対しては、接続部８、９の変位は小さい。したがって、受感軸はX方向であり、受感軸方向に直交するY、Z方向の加速度に対しては接続部８、９の変位は小さいため、加速度センサ１は実質的に一軸方向の加速度のみを検出する。
【００１３】
第一の接続部８及び第二の接続部９は撓みが可能な梁として機能する。加速度を受けて、第一の接続部８及び第二の接続部９が撓むことで、変位部７が固定部６に対して変位可能である。具体的には、Ｘ軸方向の加速度成分が印加されると変位部７に力が作用し、変位部７が固定部６に対してX正方向、X負方向に直線的に変位する。すなわち、ここでいう「変位」は、X軸の正負方向への移動をいう。
【００１４】
変位部７のX軸方向への変位を検知することで、X軸方向の加速度を測定することができる。図６に示すように、接続部８、９の各両端部付近であって、接続部８、９の上面である（１００）面の外縁に、ピエゾ抵抗素子の長手方向が＜１１０＞方向に配置されるように、ピエゾ抵抗素子R（R1〜R４）をそれぞれ形成している。
図７は、図６の楕円の点線で囲まれた領域の拡大図であって、第二の接続部に形成したピエゾ抵抗素子R３、R４の拡大図である。ピエゾ抵抗素子の長手方向を配線１１の電流方向に沿わせて配置している。ピエゾ抵抗素子Rは、歪検出素子として機能する。ピエゾ抵抗素子Rは抵抗の変化として接続部の撓み（あるいは、歪）、ひいては変位部の変位を検出するためのものである。なお、この詳細は後述する。
【００１５】
本実施の形態では、加速度検出部２は、主面の面方位が（１００）である単結晶シリコンが使用されている。第一の接続部８及び第二の接続部９の長手方向をそれぞれ＜１１０＞方向に配置し、ピエゾ抵抗素子Rの長手方向も、前記接続部８、９の上面の＜１１０＞方向に向かって配置されている。上記構成によれば、シリコン単結晶の異方性を利用することによって、小型であって、比較的高感度で、なおかつ高精度の一軸半導体加速度センサを得ることができる。なお、この詳細は後述する。
【００１６】
なお、図２に示すように、加速度検出部２は、主面の面方位が（１００）である単結晶シリコン基板を異方性ドライエッチングして作成できる。単結晶シリコン基板の長手方向の一側寄りに直方体状に基板を貫通した孔部１０を形成するとともに、孔部１０の相対する一対の面を両端部付近で挟むようにコ字型状に基板を貫通した空間５bを形成する。
【００１７】
（第２の実施形態）
本実施形態は、以下の点において第１の実施形態と相違する。第一に、加速度検出部２が、主面の面方位が（１１０）である単結晶シリコン基板から構成されている。第二に、第一の接続部８及び第二の接続部９の長手方向をそれぞれ＜１１１＞方向に配置している。第三に、接続部８、９の上面である（１１０）面の外縁に、＜１１１＞方向に向かってピエゾ抵抗素子Rの長手方向が配置されている。
本実施形態は、その他の点では、第１の実施形態の構成と特に異なるところが無いので説明を省略する。上記構成によれば、シリコン単結晶の異方性を利用することによって、小型であって、高感度の一軸半導体加速度センサを得ることができる。なお、この詳細は後述する。
【００１８】
（一軸半導体加速度センサの動作）
一軸半導体加速度センサ１による加速度の検出の原理を説明する。図６に示すように、第一の接続部８及び第二の接続部９の各両端部付近であって、接続部８、９の上面の外縁に合計4個のピエゾ抵抗素子R1〜R4が配置されている。これらピエゾ抵抗素子は、単結晶シリコン基板の第一の接続部８及び第二の接続部９の上面に形成されたP型もしくはN型の不純物ドープ領域によって構成できる。
【００１９】
ピエゾ抵抗素子R1〜R4はそれぞれ、変位部７のX軸方向成分の変位を検出するX軸方向成分変位検出部として機能する。
【００２０】
図８は、図６に対応し、変位部７にX軸正方向の加速度（＋αX）による力（＋FX＝＋ｍ・αX）が印加されたときの一軸半導体加速度センサ１の状態を表す上面図である。変位部７がX軸の正方向に移動する結果、ピエゾ抵抗素子R1、R4は伸び（（＋）として表現）、ピエゾ抵抗素子R2、R３は縮んでいる（（−）として表現）。
【００２１】
図９は、図６に対応し、変位部７にX軸負方向の加速度（−αX）による力（−FX＝−ｍ・αX）が印加されたときの一軸加速度センサ１の状態を表す上面図である。変位部７がX軸の負方向に移動する結果、ピエゾ抵抗素子R1、R4は縮み（（−）として表現）、ピエゾ抵抗素子R2、R３は伸びている（（＋）として表現）。
【００２２】
以上からわかるように、ピエゾ抵抗素子Rの伸び縮みの量から、X方向の加速度を検出することができる。ピエゾ抵抗素子Rの伸び、縮みは、ピエゾ抵抗素子Rの抵抗の変化として検出できる。
【００２３】
各ピエゾ抵抗素子RがシリコンへのP型不純物ドープによって構成されているとする。この場合には、ピエゾ抵抗素子Rの長手での抵抗値は伸び方向の応力が作用したときには増加し、縮み方向の応力が作用した場合には減少する。なお、ピエゾ抵抗素子RをシリコンへのN型不純物ドープによって構成した場合は抵抗値の変化が逆になる。
【００２４】
図１０は、ピエゾ抵抗素子Rの抵抗からX軸の方向の加速度を検出するための検出回路の構成例を示す回路図である。この検出回路では、Ｘ軸方向の加速度成分を検出するために、４個のピエゾ抵抗素子からなるブリッジ回路を構成し、そのブリッジ電圧を検出している。
【００２５】
これらのブリッジ回路では入力電圧Ｖｉｎに対する出力電圧Ｖｏｕｔの関係は以下の式で表される。
Ｖｏｕｔ／Ｖｉｎ＝
［Ｒ３／（Ｒ１＋Ｒ３）−Ｒ４／（Ｒ２＋Ｒ４）］    ……式（１）
【００２６】
ピエゾ抵抗素子Ｒの伸び縮の量と抵抗値Ｒの変化とが比例することから、入力電圧に対する出力電圧の比（Ｖｏｕｔ／Ｖｉｎ）は加速度と比例し、Ｘ軸の加速度を測定することが可能となる。
【００２７】
（シリコン単結晶の異方性を利用した一軸加速度センサの高性能化）
シリコン単結晶の異方性を利用して、一軸半導体加速度センサ１を高感度、かつ／または、高精度化する理論的説明をする。
【００２８】
まず、シリコン単結晶の異方性が電気的特性に与える影響について説明し、検出感度を向上させるための理論的説明をする。
【００２９】
図７に示すように、電流が流れる方向にピエゾ抵抗素子Rの長手方向を配置する。図１１に示すようにピエゾ抵抗素子Rの長手方向の応力σｌと長手方向と直交する方向の応力σｔとが作用すると、ピエゾ抵抗素子の抵抗変化率ΔR／Rは近似的に次式のように表される。
ΔR／R＝πｌσｌ＋πｔσｔ            ……式（２）
【００３０】
ここで、Rは加速度による力が印加される前のピエゾ抵抗素子の抵抗、ΔRは加速度による力が印加された後のピエゾ抵抗素子の抵抗（R+ΔR）と加速度による力が印加される前のピエゾ抵抗素子の抵抗Rとの差である。πｌ、πｔは応力σｌ、σｔにそれぞれ対するピエゾ抵抗係数である。
【００３１】
ピエゾ抵抗素子にｐ型シリコンを用いた場合を例に、ピエゾ抵抗係数πｌ、πｔの結晶方向における特性について説明する。ｐ型シリコンからなるピエゾ抵抗素子を用いたほうが、ｎ型と比較してせん断応力に関係するピエゾ抵抗係数が大きいため、一軸半導体加速度センサ１を高感度化できる。
図１２にｐ型シリコンの（１００）面におけるピエゾ抵抗係数πｌ、πｔを示す。図１３にｐ型シリコンの（１１０）面におけるピエゾ抵抗係数πｌ、πｔを示す。原点からの長さがピエゾ抵抗係数の大きさを表し、原点からの方向がそれぞれの基板面におけるピエゾ抵抗素子の長手方向の配置方向を示す。図１２と図１３は同一のスケールで示されている。
【００３２】
図１２及び図１３が示すように、いずれの結晶面の単結晶シリコン基板でもπｌはπｔよりも値が大きい。そのため、σｌの値を大きくすれば、式（２）のΔR／Rの値を大きくすることができ、その結果、ホイーンストンブリッジからの出力電圧も大きくなり、検出感度を向上させることができる。
σｌの値を大きくするには、ピエゾ抵抗素子Rの長手方向とピエゾ抵抗素子Rの伸び縮み方向を一致させればよい。そのため、本発明の実施の形態では、図６に示すように、ピエゾ抵抗素子Rの長手方向(電流方向)とピエゾ抵抗素子Rの伸び縮み方向を一致させるべく、ピエゾ抵抗素子Rを第一の接続部８及び第二の接続部９の上面の外縁に配置し、検出感度を向上させている。
【００３３】
図1３に示すように、（１１０）面の、＜１１１＞方向が最大のピエゾ抵抗係数πｌをとることから、最も検出感度を向上させることができる。また、図１２に示すように、（１００）面では、＜１１０＞方向が比較的大きなピエゾ抵抗係数πｌをとることから、検出感度を向上させることができる。
【００３４】
次に、シリコン単結晶の異方性が機械的特性に与える影響について説明し、検出精度を向上させるための理論的説明をする。
【００３５】
十分小さい変形に対して歪は応力に比例する(フックの法則)。応力成分は歪成分の1次関数となり、シリコン単結晶は立方晶であるため、次のように表すことができる。
【数１】
2006294892.tif 000003
【００３６】
ここで、σｘｘ、σｙｙ、σｚｚは垂直応力であり、σｘｙ、σｘｚ、σｙｚはせん断応力である。ここで、図１４に示すように、サフィックスの最初の字（σｘｙのｘ）は力の方向、2番目の字（σｘｙのｙ）は力が加えられている面の法線方向を示す。εｘｘ、εｙｙ、εｚｚは、それぞれｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向の歪成分を表し、γｘｙ、γｘｚ、γｙｚは、せん断歪を表す。図１４に示す単位立方体に角加速度がなく、また、全体としての回転力がないという条件では、γｘｙ＝γｙｘ、γｘｚ＝γｚｘ、γｙｚ＝γｚｙである。Ｄ1111、Ｄ1122……は、弾性スティフネス定数である。
【００３７】
主面の面方位が（１００）の単結晶シリコン基板のｘ、ｙ、ｚ軸を、それぞれ＜１００＞、＜０１０＞、＜００１＞方向にとると、フックの法則は以下のような一般的な形になる。
【数２】
2006294892.tif 000004
【００３８】
式（４）のマトリックスからわかるように、垂直応力σｘｘ、σｙｙ、σｚｚの値は、せん断歪γｘｙ、γｘｚ、γｙｚの影響を全く受けていない。したがって、垂直応力を受けた場合に、一軸半導体加速度センサ１は、せん断歪によって捩れを生じない。捩れを生じないことから、Y軸方向やZ軸方向の加速度を受けた場合に、ピエゾ抵抗素子R1とR３の伸び縮みの量が同じであり、ピエゾ抵抗素子R2とR4の伸び縮みの量も同じである。そのため、式（１）から、Y軸方向やZ軸方向の加速度を受けても、出力はキャンセルされて、理論的にゼロにすることができる。
ここで、一般に加速度センサは受感軸に直交する方向の加速度に対してもわずかながら感度を持ち、これは、横感度と呼ばれ、測定誤差の一因となっていた。このため、加速度センサの横感度を極限まで下げることが必要である。
【００３９】
このように、主面の面方位が（１００）の単結晶シリコン基板を用いた場合に、一軸半導体加速度センサ１の第一の接続部８及び第二の接続部９の長手方向をそれぞれ＜１００＞方向に配置すれば、横感度を理論的にゼロにすることができ、一軸半導体加速度センサ１の高精度化を図ることができる。
【００４０】
次に、基板の主面の面方位が（１００）である単結晶シリコン基板のｘ、ｙ、ｚ軸を、それぞれ＜１１０＞、＜１１０＞、＜００１＞方向にとった場合を説明する。この場合、フックの法則は、次のように表すことができる。
【数３】
2006294892.tif 000005
【００４１】
式（５）のマトリックスからわかるように、垂直応力σｘｘ、σｙｙ、σｚｚの値は、せん断歪γｘｙ、γｘｚ、γｙｚの影響を全く受けていない。したがって、垂直応力を受けた場合に、一軸半導体加速度センサ１は、せん断歪によって捩れを生じない。捩れを生じないことから、Y軸方向やZ軸方向の加速度を受けた場合に、ピエゾ抵抗素子R1とR３の伸び縮みの量が同じであり、ピエゾ抵抗素子R2とR4の伸び縮みの量も同じである。そのため、式（１）から、Y軸方向やZ軸方向の加速度を受けても、出力はキャンセルされて、横感度を理論的にゼロにすることができる。
そのため、主面の面方位が（１００）である単結晶シリコン基板を用いた場合には、一軸半導体加速度センサ１の第一の接続部８及び第二の接続部９の長手方向をそれぞれ＜１１０＞方向に配置すれば、横感度を理論的にゼロにすることができ、一軸半導体加速度センサ１の高精度化を図ることができる。
【００４２】
次に、基板の主面が（１１０）である単結晶シリコン基板のｘ、ｙ、ｚ軸を、それぞれ＜１１１＞、＜１１２＞、＜１１０＞方向にとった場合を説明する。この場合、フックの法則は次のように表すことができる。
【数４】
2006294892.tif 000006
【００４３】
Ｄ2223、Ｄ3323……は、ゼロでない弾性スティフネス定数である。式（６）のマトリックスからわかるように、垂直応力σｘｘ、σｙｙ、σｚｚの値は、せん断歪γｘｙ、γｘｚ、γｙｚの影響を受けている。したがって、垂直応力を受けた場合に、一軸半導体加速度センサ１は、せん断歪によって捩れを生じる。捩れを生じることから、Y軸方向やZ軸方向の加速度を受けた場合に、ピエゾ抵抗素子R1とR３の伸び縮みの量が異なり、ピエゾ抵抗素子R2とR4の伸び縮みの量も異なる。そのため、式（１）から、Y軸方向やZ軸方向の加速度を受けた場合に、出力はキャンセルされず、横感度をゼロにすることは困難である。
そのため、主面の面方位が（１１０）である単結晶シリコン基板を用いた場合に、一軸半導体加速度センサ１の接続部８、９の長手方向を＜１１１＞方向に配置すると、高感度であるというメリットがあるが、横感度をゼロにすることは困難である。
【００４４】
以上から、主面の面方位が（１１０）である単結晶シリコン基板を使用する場合には、＜１１１＞方向で最大のピエゾ抵抗係数πｌをとる。そのため、接続部８、９の長手方向を、＜１１１＞方向にそれぞれ配置し、ピエゾ抵抗素子Rの長手方向を＜１１１＞方向にすれば、最も検出感度を向上させることができるというメリットがある。その一方で、横感度をゼロにすることは困難である。
【００４５】
主面の面方位が（１００）である単結晶シリコン基板を使用する場合について説明する。一軸半導体加速度センサ１の第一の接続部８及び第二の接続部９の長手方向を、それぞれ＜１００＞又は＜１１０＞方向に配置すれば、横感度を理論的にゼロにすることができる。しかし、＜１００＞方向のピエゾ抵抗係数πｌは非常に小さく感度が低いので一軸半導体加速度センサ１に適用するのは困難である。一方、（１００）面の＜１１０＞方向は比較的大きなピエゾ抵抗係数πｌをとる。そのため、接続部８、９の長手方向を、＜１１０＞方向にそれぞれ配置し、ピエゾ抵抗素子Rの長手方向を＜１１０＞方向にすれば、高精度で、比較的高感度の一軸半導体加速度センサ１を得ることができる。
【００４６】
（その他の実施形態）
本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張、変更可能であり、拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
例えば、本実施の形態では、ピエゾ抵抗素子にｐ型シリコンを用いた場合について説明したが、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、ｎ型のピエゾ抵抗素子を用いても良いことはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態に係る一軸半導体加速度センサを表す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る一軸半導体加速度センサの加速度検出部を表す斜視図である。
【図３】図１の一軸半導体加速度センサの上面図である。
【図４】一軸半導体加速度センサを図３のA1−A2に沿って切断した状態を表す一部断面図である。
【図５】一軸半導体加速度センサを図３のB1−B2に沿って切断した状態を表す一部断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る一軸半導体加速度センサの加速度検出部の要部を表す斜視図である。
【図７】図６の加速度検出部の第二の接続部に形成したピエゾ抵抗素子の拡大図である。
【図８】変位部にＸ軸正方向の加速度による力が印加されたときの一軸半導体加速度センサの状態を表す上面図である。
【図９】変位部にＸ軸負方向の加速度による力が印加されたときの一軸半導体加速度センサの状態を表す上面図である。
【図１０】ピエゾ抵抗素子の抵抗からＸ軸方向の加速度を検出するための検出回路の構成例を示す回路図である。
【図１１】ピエゾ抵抗素子に作用するピエゾ抵抗素子の長手方向の応力σｌと長手方向と直交する方向の応力σｔを表す図である。
【図１２】単結晶シリコン基板の主面である（１００）面についてのピエゾ抵抗係数πｌ、πｔを表す図である。
【図１３】単結晶シリコン基板の主面である（１１０）面についてのピエゾ抵抗係数πｌ、πｔを表す図である。
【図１４】立方晶の単位面積に作用する応力成分を表す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１…一軸半導体加速度センサ、２…加速度検出部、５a，５b…空間、６…固定部、７…変位部、８…第一の接続部、９…第二の接続部、１０…孔部、Ｒ１〜Ｒ４…ピエゾ抵抗素子
【図１】
2006294892.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
2006294892.tif 000010
【図５】
2006294892.tif 000011
【図６】
2006294892.tif 000012
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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