【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主表面を有する基板上に形成された圧電薄膜共振器であって、
複数の細長のスタックを備え、
前記複数の細長のスタックのそれぞれが、
圧電材料の層と、
前記圧電材料の層の第１表面に堆積された第１導電層と、
前記圧電材料の層の第２表面に堆積された第２導電層と
を備え、
前記複数の細長のスタックのそれぞれが略同時にエッチングにより形成され、前記基板の前記第１の主表面に対して略垂直に位置する、
圧電薄膜共振器。
【請求項２】
前記複数のスタックが或る長さおよび幅を有する略長方形であり、
前記複数のスタックが、前記長さの寸法に対応する第１エッジと前記長さの寸法に対応する第２エッジを有し、
前記第１エッジまたは前記第２エッジのうちの一方が、前記基板の第２表面に取り付けられている、
請求項１に記載の圧電薄膜共振器。
【請求項３】
前記第１エッジまたは前記第２のエッジのもう一方が、前記基板に対して解放されている、請求項２に記載の圧電薄膜共振器。
【請求項４】
前記基板の前記第１の主表面に配置された誘電体層と、
前記第１導電層と電気的に接続されている第１電気コンタクトと、
前記第２導電層と電気的に接続されている第２電気コンタクトと
を更に備える、請求項１に記載の圧電薄膜共振器。
【請求項５】
第２の主表面と第３の主表面とを更に備え、
前記第１の主表面が開口部を備え、
前記開口部が前記第２の主表面を備え、
前記基板の前記第３の主表面が中空ではない、
請求項２に記載の圧電薄膜共振器。
【請求項６】
フィルタリング・デバイスであって、
第１の水平な主表面と、
第２の水平な主表面と
を有する基板と、
圧電材料の第１層と、
圧電材料の前記第１層の第１表面に堆積した第１導電層と、
圧電材料の前記第１層の第２表面に堆積した第２導電層と
を有する第１スタックと、
圧電材料の第２層と、
圧電材料の前記第２層の第１表面に堆積した第３導電層と、
圧電材料の前記第２層の第２表面に堆積した第４導電層と
を有する第２スタックと
を備え、
前記第１スタックおよび前記第２スタックが略同時にエッチングにより形成され、前記第１の水平な主表面および前記第２の水平な主表面に対して垂直に位置する、
フィルタリング・デバイス。
【請求項７】
前記第１スタックおよび前記第２スタックが、前記第１の水平な主表面または前記第２の水平な主表面のうちの一方と接続される、請求項６に記載のフィルタリング・デバイス。
【請求項８】
前記圧電材料の前記第１層が単結晶圧電フィルムである、請求項６に記載のフィルタリング・デバイス。
【請求項９】
前記圧電材料の前記第１層および前記圧電材料の前記第２層のそれぞれが単結晶圧電フィルムである、請求項６に記載のフィルタリング・デバイス。
【請求項１０】
前記基板内に生成された凹部領域を更に備え、
前記第１スタックおよび前記第２スタックが、前記第１の水平な主表面または前記第２の水平な主表面のうちの一方と、前記凹部領域の１つのエッジに沿って接続される、請求項６に記載のフィルタリング・デバイス。
【請求項１１】
前記第１スタックおよび前記第２スタックのそれぞれが第１端および第２端を備え、
前記第１スタックの前記第１端および前記第２スタックの前記第１端が前記第１の水平な主表面または前記第２の水平な主表面のうちの一方と接続され、
前記第１スタックの前記第２端および前記第２スタックの前記第２端が解放されている、
請求項６に記載のフィルタリング・デバイス。
【請求項１２】
前記基板の前記第１の水平な主表面に配置された誘電体層を更に備える、請求項６に記載のフィルタリング・デバイス。
【請求項１３】
前記基板の前記第１の水平な主表面に配置された誘電体層と、
前記第１導電層に取り付けられる第１電気コンタクトと、
前記第２導電層に取り付けられる第２電気コンタクトと
を更に備える、請求項６に記載のフィルタリング・デバイス。
【請求項１４】
前記基板の前記第１の水平な主表面に配置された誘電体層と、
前記第１導電層および前記第４導電層に取り付けられる第１電気コンタクトと、
前記第２導電層および前記第３導電層に取り付けられる第２電気コンタクトと
を更に備える、請求項６に記載のフィルタリング・デバイス。
【請求項１５】
基板にデバイスを形成する方法であって、
複数のサイドウォールをそれぞれに有する複数のトレンチを前記基板内に形成するステップと、
前記複数のトレンチのうちの少なくとも２つのトレンチの前記複数のサイドウォールのうちの少なくとも１つの上に圧電層を成長させるステップと、
第１の自由端および第２の取付端を有する少なくとも１つの自立した圧電層を生成するために、前記複数のトレンチのうちの少なくとも２つの間の基板材料を除去するステップと、
前記自立した圧電層上に導電層を配置するステップと
を有する、方法。
【請求項１６】
前記自立した圧電層の一方の側に第１導電層の部分を形成するため、および前記自立した圧電層のもう一方の側に第２導電層の部分を形成するために、前記自立した圧電層の前記自由端から前記導電層の前記部分を除去するステップを更に備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１導電層の部分と電気的に接続される第１電気コンタクトを形成するステップと、
前記自立した圧電層の前記もう一方の側に、前記第２導電層の部分と電気的に接続される第２電気コンタクトを形成するステップと
を更に備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１電気コンタクトと前記基板との間に、および前記第２電気コンタクトと前記基板との間に絶縁層を配置するステップを更に備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
提供された前記基板が、＜１１０＞のミラー指数を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
複数のサイドウォールをそれぞれに有する複数のトレンチを前記基板内に形成するステップが、前記複数のトレンチのそれぞれの前記サイドウォールが＜１１１＞表面を呈するように前記複数のトレンチのそれぞれを配向するステップを更に備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記複数のトレンチのうちの少なくとも２つのトレンチの前記複数のサイドウォールのうちの少なくとも１つの上に圧電層を成長させるステップが、ＡｌＮの結晶を成長させるステップを備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記複数のトレンチのうちの少なくとも２つのトレンチの前記複数のサイドウォールのうちの少なくとも１つの上に圧電層を成長させるステップが、ＳｉＣの結晶を成長させるステップを備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１電気コンタクトと前記第２電気コンタクトとの間に無線周波数信号を印加するステップを更に備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
薄膜圧電共振器を形成する方法であって、
水平表面を有する基板に、第１面と第２面を有する垂直に配向された複数の圧電層を略同時にエッチングにより形成するステップと、
前記複数の圧電層の前記第１面および前記圧電層の前記第２面の双方に導電層を略同時に配置するステップと
を備える、方法。
【請求項２５】
前記導電層を配置するステップが、単一の加工ステップで行われる、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記導電層を配置するステップが、単一のステップで行われる、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
垂直に配向された前記圧電層の一方の側に上に第１導電層の部分を形成し、垂直に配向された前記圧電層のもう一方の側に第２導電層を形成するために、垂直に配向された前記圧電層の自由端から前記導電層の一部を更に除去するステップをさらに備える、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記圧電層を形成するステップは、前記水平表面を有する前記基板に、前記第１面と前記第２面を有する垂直に配向された単結晶圧電層を形成するステップを有し、
前記導電層を配置するステップは、前記単結晶圧電層の前記第１面および前記単結晶圧電層の前記第２面の双方に前記導電層を同時に配置する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２９】
垂直に配向された前記単結晶圧電層の一方の側に上に第１導電層の部分を形成し、垂直に配向された前記単結晶圧電層のもう一方の側に第２導電層を形成するために、垂直に配向された前記単結晶圧電層の自由端から前記導電層の一部を更に除去するステップをさらに備える、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記垂直に配向された単結晶圧電層は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）である、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
基板にデバイスを形成する方法であって、
サイドウォールを有するトレンチを基板に形成するステップと、
前記トレンチの前記サイドウォール上に圧電層を成長させるステップと、
第１の自由端および第２の取付端を有する自立した圧電層を生成するために、前記トレンチの前記サイドウォールの前記基板の材料を除去するステップと、
前記自立した圧電層の両側のそれぞれに導電層を配置するステップと
を備える、方法。
【請求項３２】
前記自立した圧電層の一方の側に第１導電層の部分を形成するため、および前記自立した圧電層のもう一方の側に第２導電層を形成するために、前記自立した圧電層の前記自由端から前記導電層の一部を除去するステップを更に備える、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１導電層の部分と前記第２導電層の部分との間に無線周波数信号を印加するステップを更に備える、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
請求項１５乃至請求項２３に記載の方法によって製造された薄膜圧電共振器。
【請求項３５】
請求項１５乃至請求項２３に記載の方法によって製造されたフィルタリング・デバイス。
【請求項３６】
請求項３１乃至請求項３３に記載の方法によって製造された薄膜圧電共振器。
【請求項３７】
請求項３１乃至請求項３３に記載の方法によって製造されたフィルタリング・デバイス。