Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ウレタン基および／またはイソシアヌレート基および／またはウレア基を有し、
ａ）ジ−またはポリイソシアネートを、
ｂ）イソシアネートに対して反応性である基を平均して少なくとも２個有するポリオール成分、
ｃ）水および／または１種またはそれ以上の物理的発泡剤、
ｄ）必要により存在する、触媒、
ｅ）必要により存在する、付加的な助剤および添加剤
と反応させて得られうる連続気泡硬質発泡体であって、
成分ｂ）が、３〜９０のヒドロキシル価を有し、１５ｍｍｏｌｅ・ｋｇ−１以下の炭素−炭素二重結合を有する少なくとも１種のポリ（オキシアルキレン）ポリオールを含有することを特徴とする硬質発泡体。
【請求項２】  ウレタン基および／またはイソシアヌレート基および／またはウレア基を有する主に連続気泡の硬質発泡体の製造方法であって、
ａ）ジ−またはポリイソシアネートを、
ｂ）イソシアネートに対して反応性である基を平均して少なくとも２個有するポリオール成分、
ｃ）水および／または１種またはそれ以上の物理的発泡剤、
ｄ）必要により存在する、触媒、
ｅ）必要により存在する、付加的な助剤および添加剤
と反応させ、
成分ｂ）が、３〜９０のヒドロキシル価を有し、１５ｍｍｏｌｅ・ｋｇ−１以下の炭素−炭素二重結合を有する少なくとも１種のポリ（オキシアルキレン）ポリオールを含有することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
連続気泡の体積パーセントを、ＤＩＳ  ＩＳＯ  ４５９０−８６にしたがって決定した。本発明のポリオール混合物を使用した際に、得られる硬質発泡体の連続気泡の体積パーセントが著しく上昇することが本発明の実施例によって確認される。
本発明の好ましい態様は次のとおりである。
Ａ．  密度が５〜５００ｋｇ・ｍ−３である請求項１に記載の硬質発泡体。
Ｂ．  使用される触媒が、Ｎ−（ジメチルアミノエチル）−Ｎ−メチルエタノールアミンであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
Ｃ．  真空パネルのための断熱充填基材として、家庭用冷蔵庫用または冷凍・冷蔵室の発泡充填キャビティー用および容器構造物における断熱材料としての請求項１またはＡ項に記載の硬質発泡体の使用。
Ｄ．  自動車におけるエネルギー吸収材料としての請求項１またはＡ項に記載の硬質発泡体の使用。
Ｅ．  自動車内装における請求項１またはＡ項に記載の硬質発泡体の使用。
Ｆ．  花栽培のための親水性基材としての請求項１またはＡ項に記載の硬質発泡体の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ４０〜９５ｍｏｌ％の第１級ＯＨ基含有量および２５質量％を超えるオキシエチレン単位総含有量を有し、ＤＭＣ触媒存在下で製造されたポリ(オキシエチレン／オキシプロピレン)末端ブロックを有するポリエーテルポリオール。
【請求項２】  活性水素原子を有する出発化合物を、ＤＭＣ触媒重付加により、エチレンオキシド（ＥＯ）：プロピレンオキシド（ＰＯ）質量比が４０：６０〜９５：５であるエチレンオキシド／プロピレンオキシド混合物と反応させる請求項１に記載のポリオールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
高活性ＤＭＣ触媒は、非常に低濃度の触媒（製造されるポリエーテルポリオールの量を基準に５０ｐｐｍ以下）を用いて高含有量の第１級ＯＨ基を有する長鎖ポリエーテルポリオールを製造することを可能にする。このようにして製造されたポリエーテルポリオールをポリウレタンの製造のために使用すると、得られるポリウレタンの製品品質を損なうこと無しに、ポリエーテルポリオールから触媒の除去を不要にすることができる。
本発明およびその好ましい実施態様は、以下のとおりである。
［１］  ４０〜９５ｍｏｌ％の第１級ＯＨ基含有量および２５質量％を超えるオキシエチレン単位総含有量を有し、ＤＭＣ触媒存在下で製造されたポリ(オキシエチレン／オキシプロピレン)末端ブロックを有するポリエーテルポリオール。
［２］  １,０００〜１００,０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有する上記［１］に記載のポリエーテルポリオール。
［３］  活性水素原子を有する出発化合物を、ＤＭＣ触媒重付加により、エチレンオキシド（ＥＯ）：プロピレンオキシド（ＰＯ）質量比が４０：６０〜９５：５であるエチレンオキシド／プロピレンオキシド混合物と反応させる上記［１］または［２］に記載のポリオールの製造方法。
［４］  １〜８個のヒドロキシル基および１８〜２,０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有する出発化合物を使用する上記［３］に記載の方法。
［５］  １〜８個のヒドロキシル基および２００〜２,０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有するオリゴマープロポキシル化出発化合物を、活性水素原子を有する出発化合物として使用する上記［３］または［４］に記載の方法。
［６］  最初に活性水素原子を有する出発化合物をＤＭＣ触媒プロポキシル化により伸長させ、次いでこの伸長プロポキシル化中間体と、ＥＯ：ＰＯ質量比が４０：６０〜９５：５である末端ブロックとしてのエチレンオキシド／プロピレンオキシド混合物とをＤＭＣ触媒重付加させることにより、４０〜９５ｍｏｌ％の第１級ＯＨ基含有量および２５質量％を超えるオキシエチレン単位総含有量を有する長鎖ポリエーテルポリオールを製造する上記［３］〜［５］のいずれかに記載の方法。
［７］  末端ブロックとしてのエチレンオキシド／プロピレンオキシド混合物と活性水素原子を有する出発化合物とのＤＭＣ触媒重付加を、２０〜２００℃の温度、０.００１〜２０ｂａｒの全圧で、任意に不活性有機溶媒の存在下で行う上記［３］〜［６］のいずれかに記載の方法。
［８］  ＤＭＣ触媒を、製造するポリエーテルポリオールの量を基準に０.００１〜０.１質量％の濃度で使用する上記［３］〜［７］のいずれかに記載の方法。
［９］  ポリウレタン、ポリウレタンウレアまたはポリウレアの製造のための上記［１］または［２］に記載のポリエーテルポリオールの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  カルボン酸、そのエステル、無水物及び金属塩より選ばれた官能基化剤の少なくとも1種で官能基化されたオレフィンポリマーの1種以上及び安定剤の少なくとも1種が1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)ベンゼンである、1つ以上の立体障害フェノール基と多くても1つのエステル官能基を含んでいる安定剤の1種以上を含む事を特徴とする組成物。
【請求項２】  該安定剤の量が0.001〜1質量％である、請求項1記載の組成物。
【請求項３】  カルボン酸、そのエステル、無水物及び金属塩より選ばれた官能基化剤の少なくとも1種で官能基化された該オレフィンポリマーの少なくとも1種がマレイン酸無水物で官能基化されたエチレンポリマーである、請求項1又は2記載の組成物。
【請求項４】  該マレイン酸無水物が0.001〜5質量％の量で官能基化された該エチレンポリマー内に存在する、請求項3記載の組成物。
【請求項５】  該マレイン酸無水物で官能基化された該エチレンポリマーが915〜960 kg/m3の標準密度及び、190℃において5 kgの荷重下で測定した0.1〜50 dg/minのメルトフローインデックスを示す、請求項3又は4記載の組成物。
【請求項６】  1種以上の非官能基化オレフィンポリマーで希釈されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項７】  カルボン酸、そのエステル、無水物及び金属塩より選ばれた官能基化剤の少なくとも1種で官能基化されたオレフィンポリマーの安定化において、安定剤の少なくとも1種が1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)ベンゼンである、1つ以上の立体障害フェノール基と多くても1つのエステル官能基を含んでいる安定剤の1種以上の使用。
【請求項８】  官能基化オレフィンポリマーの1種以上及び安定剤の1種以上を含む安定化組成物の調製方法であって、オレフィンポリマーの1種以上、官能基化剤の1種以上、ラジカル開始剤の1種以上、安定剤の少なくとも1種が1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)ベンゼンである、1つ以上の立体障害フェノール基と多くても1つのエステル官能基を含んでいる安定剤の1種以上をスクリュー押出機で溶融混合することを特徴とする、前記方法。
【請求項９】  該押出機に導入された該オレフィンポリマーの少なくとも1種が、915〜960 kg/m3 の標準密度及び、190℃において5 kgの荷重下で測定した0.1〜200 dg/minのメルトフローインデックスを示すエチレンポリマーである、請求項8記載の方法。
【請求項１０】  該押出機に導入された該官能基化剤の少なくとも1種がマレイン酸無水物である、請求項8又は9記載の方法。
【請求項１１】  処理温度が120℃〜290℃である、請求項8〜10のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１２】  該安定化組成物が1種以上の非官能基化オレフィンポリマーで希釈される、請求項8〜11のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１３】  オレフィンポリマーと、オレフィンポリマーと相溶性でないポリマー、充填剤及び金属基質とを相溶性にするための、請求項1〜6のいずれか1項に記載の組成物又は請求項8〜12のいずれか1項に記載の方法で得られた組成物の使用。
【請求項１４】  相溶性でない該ポリマーがエポキシ樹脂である、請求項13記載の使用。
【請求項１５】  多層接着における請求項13又は14記載の使用。
【請求項１６】  スチールパイプの多層コーティングにおける請求項13〜15のいずれか1項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a)必要によりビニル不飽和基及び、必要により、一つ以上の芳香族環を有する別のグラフト可能なモノマーの存在下で、酸基をカルボニル及び酸無水物から選ばれた少なくとも一つの官能基を有するグラフト可能なモノマーによりポリオレフィンにグラフトする工程、
b)ポリオレフィンと反応しなかったカルボニル及び酸無水物から選ばれた少なくとも一つの官能基を有するグラフト可能なモノマーの少なくとも一部を除去することからなる、精製工程、
c)少なくとも一種の中和剤による酸基の中和工程
を含むことを特徴とするポリオレフィンの製造方法。
【請求項２】  精製工程b)を、アセトンを使用する除去、熱空気ストリッピング、スチームストリッピング、不活性ガスによるストリッピング又はガス抜きにより行なうことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  ポリオレフィンがプロピレンポリマー及びエチレンポリマーから選ばれることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】  カルボニル及び酸無水物から選ばれた少なくとも一つの官能基を有するグラフト可能なモノマーが無水マレイン酸であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  カルボニル及び酸無水物から選ばれた少なくとも一つの官能基を有するグラフト可能なモノマーをポリオレフィンに対し0.01〜10質量％の量で添加することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】  方法をビニル不飽和基及び、必要により、一つ以上の芳香族環を有するグラフト可能なモノマーの不在下で行なうことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】  酸基のグラフト化を遊離基発生剤の存在下で行なうことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】  中和剤がアルカリ陽イオン、アルカリ土類陽イオン、Zn2+、Al3+及びZr4+からなる群から選ばれた一つ以上の陽イオンを含む陽イオン部分を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】  中和剤がアルコレート、カルボキシレート、水酸化物、酸化物、アルキル、炭酸塩及び炭酸水素塩からなる群から選ばれた一つ以上の陰イオンを含む陰イオン部分を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】  中和剤が水酸化ナトリウム又は酢酸亜鉛であることを特徴とする請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】  中和剤を酸基でグラフトされたポリオレフィン当り0.1〜1000ミリ当量/kgの量で添加することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】  工程c)に続いて、グラフトされた酸官能基を中和する反応から生じる生成物を除去することからなる精製工程d)を行なうことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】  精製工程d)をスチームストリッピング、熱空気ストリッピング又はガス抜きにより行なうことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】  工程a)及びc)を押出機中で行なうことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】  押出機が耐食性合金製であることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】  全ての工程をポリオレフィンを溶融するための単一工程を含む連続方法で行なうことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】  一種以上の添加剤をその方法中に添加することを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】  少なくとも一種の安定剤をその方法中に添加することを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】  安定剤が立体障害フェノール基を含む化合物、リン化合物及びこれらの混合物から選ばれることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】  安定剤がペンタエリスリチルテトラキス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート)とトリス(2,4-ジ-tert-ブチルフェニル)ホスファイトの混合物であることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２１】  安定剤が1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス(3,5-tert-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)ベンゼンであることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２２】  部分中和された酸基を含み、プロピレンポリマーの場合にはASTM D 1238規格に従って2.16kgの質量のもとに230℃で測定され、またエチレンポリマーの場合にはISO 1133規格に従って5kgの質量のもとに190℃で測定されるメルトフローインデックス0.001〜1000 dg/分、及び時間の関数としての伸長粘度の指数的増大及び低せん断周波数における動的粘度の増大を特徴とする改良された溶融強度を有するポリオレフィン。
【請求項２３】  ブドウのふさの形状と同様の形状を有するイオン凝集物を特徴とし、その“ふさ”のサイズが10〜500nmであり、かつ“ブドウ”のサイズが50nm未満である請求項２２記載のポリオレフィン。
【請求項２４】  押出発泡、熱成形又はブロー成形により成形された物体を製造するための、請求項２２及び２３のいずれかに記載のポリオレフィン又は請求項１〜２１のいずれか１項記載の方法により得られたポリオレフィンの使用。
【請求項２５】  相溶化用途、シール用途及び多層用途における、請求項２２及び２３のいずれかに記載のポリオレフィン又は請求項１〜２１のいずれか１項記載の方法により得られたポリオレフィンの使用。
【請求項２６】  押出発泡を請求項１〜２１のいずれか１項記載のポリオレフィン製造方法に続いて行なうことを特徴とする押出発泡方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月2日(2007.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第一ポリマーアミンを溶液中または懸濁液中で段階的にアルキル化する方法であって、第一段階において第一アミノ基を有機金属基により脱プロトンした後、ハロゲン化アルキルで得られたカルボアニオンを第二アミノ基に転換し、かつ第二段階において第二アミノ基を再び有機金属基により脱プロトンした後、得られたカルボアニオンをハロゲン化アルキルにより第三アミノ基へ転換することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  鉄およびケイ素を含有する溶融アルミニウム合金を、連続式ストリップキャスターによって鋳造して、鋳造アルミニウム合金ストリップを形成する、薄板アルミニウムホイルの製造に使用するのに適した、アルミニウム合金ストリップの製造方法であって、
溶融アルミニウム合金は、0.4〜0.8重量％の鉄と、0.2〜0.4重量％のケイ素とを含むこと、
溶融アルミニウム合金は、所望により、銅、マンガン、マグネシウム、亜鉛またはバナジウムを、0.05重量％未満の量で含み、かつ、チタンを0.03重量％未満の量で含み、かつ、他の全ての元素を0.03重量％未満の量で含むこと、および
溶融アルミニウム合金を、ベルトまたはブロックキャスターによって鋳造して、厚み約4〜30 mmの鋳造したままの厚みを有するストリップを形成し、この鋳造の間、鋳造ストリップの厚みを介する平均冷却速度は、約20〜200℃/秒であり、これにより、実質的に100％のα-Al-Fe-Si相を含む鋳造ストリップを形成する
ことを特徴とする方法。
【請求項２】  ケイ素／鉄の比率は、0.25〜1.0である請求項1記載の方法。
【請求項３】  アルミニウム合金は、0.42〜0.48重量％の鉄と、0.22〜0.28重量％のケイ素とを含む請求項2記載の方法。
【請求項４】  鋳造したままのアルミニウム合金ストリップを熱間圧延して、約1〜3 mmの板厚を形成する請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
【請求項５】  鋳造したままのストリップの前記熱間圧延は、入口温度400〜550℃および出口温度約200〜320℃で行なう請求項4記載の方法。
【請求項６】  前記熱間圧延は、均質化処理または付加的な加熱処理を行なわずに、実施する請求項4記載の方法。
【請求項７】  熱間圧延したアルミニウム合金ストリップを、冷間圧延して、板厚約0.2〜0.4 mmのアルミニウムホイル素材を形成する請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
【請求項８】  得られたアルミニウム合金ストリップを、冷間圧延して、板厚約0.2〜0.4 mmのアルミニウムホイル素材を形成する請求項4〜6のいずれかに記載の方法。
【請求項９】  中間焼鈍工程として、少なくとも２つの冷間圧延処理を行なう請求項7または8記載の方法。
【請求項１０】  中間焼鈍工程では、まず、アルミニウム合金ストリップを、350〜450℃で少なくとも0.5時間加熱し、次いで、200〜330℃で少なくとも0.5時間冷却保持する請求項9記載の方法。
【請求項１１】  鉄およびケイ素を含有する連続鋳造アルミニウム合金ストリップを含んでなる、薄板アルミニウムホイルの製造に使用するのに適したアルミニウム合金ストリップであって、
当該アルミニウム合金は、0.4〜0.8重量％の鉄と、0.2〜0.4重量％のケイ素とを含むこと、
溶融アルミニウム合金は、所望により、銅、マンガン、マグネシウム、亜鉛またはバナジウムを、0.05重量％未満の量で含み、かつ、チタンを0.03重量％未満の量で含み、かつ、他の全ての元素を0.03重量％未満の量で含むこと、
アルミニウム合金を、ベルトまたはブロックキャスターによって鋳造して、約4〜30 mmの鋳造したままの厚みを有しかつ実質的に100％のα-Al-Fe-Si相を含むストリップを形成した
ことを特徴とする合金ストリップ。
【請求項１２】  ケイ素／鉄の比率は、0.25〜1.0である請求項11記載の合金ストリップ。
【請求項１３】  アルミニウム合金は、0.42〜0.48重量％の鉄と、0.22〜0.28重量％のケイ素とを含む請求項12記載の合金ストリップ。
【請求項１４】  当該アルミニウム合金ストリップは、熱間圧延処理によって、約1〜3 mmの板厚を有する請求項11〜13のいずれかに記載の合金ストリップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（発明の目的）
本発明の目的は、再圧延（re-roll）およびホイル素材の製造法をベースとし、前記したような線条痕や汚点などの表面欠陥を有しない、薄板アルミニウムホイルの製造に適した連続ストリップ鋳造法を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の別の目的は、実質的に単一のα相金属間物質種を含む、連続ストリップ形態のホイル素材を製造することである。本明細書に用いられる「α相」なる用語は、Al-Fe-Siからなる金属間相であって、30〜33％の鉄および6〜12％のケイ素を含み残部がAlである金属間相を意味する。化学量論的に言えば、Fe3Si2Al12〜Fe2SiAl8で示される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に従い製造したストリップ素材は、一般に、圧延処理して、厚み約5〜150ミクロンの薄板ホイルを形成でき、最終製品において、ピンホール、大きいホール、線条痕、引裂痕などの表面欠陥を減少させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記酸化防止剤が、４−置換−２，６−ジ−第三ブチルフェノール又はα−トコフェロールである、請求項１１に記載の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記酸化防止剤が、以下の式：
【化１】
2002543261.tif 000001
［式中、Ｒは、水素、
【化２】
2002543261.tif 000002
又は
【化３】
2002543261.tif 000003
である］
を有する、請求項１２に記載の使用。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
前記酸化防止剤が、以下の式：
【化６】
2002543261.tif 000004
［式中、Ｒは、水素、
【化７】
2002543261.tif 000005
又は
【化８】
2002543261.tif 000006
である］
を有する、請求項２４に記載の熱可塑性成形材料。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３７】
前記酸化防止剤が、以下の式：
【化１１】
2002543261.tif 000007
［式中、Ｒは、水素、
【化１２】
2002543261.tif 000008
又は
【化１３】
2002543261.tif 000009
である］
を有する、請求項３６に記載の方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【化１９】
2002543261.tif 000010
［式中、Ｒは、水素、
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【化２１】
2002543261.tif 000011
である］
のものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
【化３２】
2002543261.tif 000012
又はＣ１８Ｈ３７である］
のものは、使用することができるもう一つの酸化防止剤の群である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月5日(2007.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  第一通信局から第二通信局に通信信号を送信する方法において、  通信信号がアクティブな期間中に、ヘッダ情報と通信信号情報を含む通信信号パケットを第一局から第二局へ送り、  第一局が通信信号のアクティビティの欠如を検出し、  第一局の通信信号のアクティビティの欠如の検出に応答して、第二局によって使用可能なヘッダ更新情報を含む更新パケットを第一局から第二局へ送って、第一局から第二局へ送られた次の通信信号パケットのヘッダ情報を解読することを含んでなる方法。    【請求項２】  第一通信局から第二通信局に通信信号を送信する方法において、  第一局が、ヘッダ情報とペイロード情報を含むパケットを集めて、集めたパケットを第一局から第二局へ送り、  上記収集工程は、第一局から第二局へ送られた次のパケットのヘッダ情報を解読するために第二局によって使用可能なヘッダ更新情報と少なくとも一部のペイロード情報を置換することを含む更新パケットを第一局が集めることを含み、  上記送る工程が、第一局から第二局へ上記更新パケットを送ることを含む方法。    【請求項３】  第二通信装置に通信信号を送信する通信装置において、  通信信号がアクティブな期間中に、通信信号情報を受信する入力を持ち、通信信号情報とヘッダ情報を含む通信信号パケットを第二装置に送るための出力を有するパケットユニットと、  上記パケットユニットに連結されて、上記ヘッダ情報をそれに提供し、上記パケットユニットから第二装置に送られる次の通信信号パケットのヘッダ情報を解読するために第二装置によって使用可能なヘッダ更新情報をそれに提供するヘッダユニットとを具備し、  上記パケットユニットが、通信信号のアクティビティの欠如に応答して上記ヘッダ更新情報を含む更新パケットを上記出力から第二装置に送るように構成された通信装置。    【請求項４】  第二通信装置に情報を送信する通信装置において、  ペイロード情報を受け取る入力を持ち、ペイロード情報とヘッダ情報を含むパケットを第二装置に送るための出力を有するパケットユニットと、  上記パケットユニットに連結されて、上記ヘッダ情報をそれに提供すると共に、上記パケットユニットから第二装置に送られる次のパケットのヘッダ情報を解読するために第二装置によって使用可能なヘッダ更新情報をそれに提供するヘッダユニットとを具備し、  上記パケットユニットが、上記パケットの一つを送る前に、ヘッダ更新情報でペイロード情報の少なくとも一部分を置換するように作用可能である通信装置。    【請求項５】  第一通信局から第二通信局にソースコード化データを送信する方法において、  第一局が、ヘッダ情報とペイロード情報を含むソースコード化データパケットを集めて、集めたパケットを第一局から第二局へ送り、  第一局が、ソースコード化データをつくり出したコーデックのビットレートが閾値以下であることを決定し、その後、第一局から第二局に送られる次のソースコード化データのヘッダ情報を解読するために第二局によって使用可能なヘッダ更新情報、ソースコード化データ及びヘッダ情報を含む更新パケットを集める方法。    【請求項６】  第二通信装置にソースコード化データを送信する通信装置において、  ソースコード化データを受け取る入力を持ち、ソースコード化データとヘッダ情報を含むソースコード化データパケットを第二装置に送るための出力を有するパケットユニットと、  上記パケットユニットに連結されて、上記ヘッダ情報をそれに提供すると共に、上記パケットユニットから第二装置に送られる次のソースコード化データパケットのヘッダ情報を解読するために第二装置によって使用可能なヘッダ更新情報をそれに提供するヘッダユニットとを具備し、  上記パケットユニットが、ソースコード化データをつくり出したコーデックのビットレートが閾値以下であることを示す情報を受け取る入力を持ち、上記パケットユニットが、上記情報に応答して、ヘッダ情報とソースコード化データと併せて上記ソースコード化データパケットの一つにヘッダ更新情報を挿入する通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月11日(2007.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成されたカーバイド・シリコン層の少なくとも露出された部分を除去するための方法であり、
前記カーバイド・シリコン層を酸素含有プラズマに曝すことにより、前記カーバイド・シリコン層の前記少なくとも露出された部分を酸化シリコン層に変換し、そして
前記基板から前記酸化シリコン層を除去するステップからなる方法。
【請求項２】
前記変換ステップおよび前記除去ステップは、前記カーバイド・シリコン層が実質上除去されるまで、続けて数回繰返される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記カーバイド・シリコン層は、シリコンカーバイド、酸化シリコン、チッカシリコンカーバイド、チッカシリコン酸化カーバイド、水素化シリコンカーバイド、水素化シリコン酸化カーバイド、水素化チッカシリコンカーバイドおよび水素化チッカシリコン酸化カーバイドからなるグループの少なくとも一つを含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化シリコン層は、酸化シリコン、Ｃの割合がより少ない酸化シリコン、ＮおよびＣの割合がより少ない酸化シリコン、Ｎの割合がより少ない酸化シリコン、Ｃの割合がより少ない水素化酸化シリコン、ＮおよびＣの割合がより少ない水素化酸化シリコンおよびＮの割合がより少ない水素化酸化シリコンからなるグループの少なくとも一つを含む請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記酸素含有プラズマは、酸素含有反応性イオンエッチングプラズマである請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記変換ステップは、−２０℃から１００℃の範囲内で実行される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記変換ステップは、室温で実行される請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記酸素含有プラズマは、酸素含有化学蒸着プラズマである請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記変換ステップは、３５０℃から５００℃の範囲内で実行される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸素含有プラズマは、酸素含有プラズマの残光である請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記変換ステップは、２００℃から４００℃の範囲内で実行される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板から酸化シリコン層を除去するステップは、基板への、乾式エッチングに基づくフッソ、湿潤エッチングに基づくＨＦ、湿潤エッチングに基づくＢＨＦおよび、湿潤エッチングに基づくＨＦ／ＢＨＦからなるグループの一つを適用することにより実行される請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
半導体層上の少なくとも一つの導電性層を有する表面を持つ基板上に集積回路を形成するための方法であり、
少なくとも前記導電性層上にカーバイド・シリコン層を形成し、
前記カーバイド・シリコン層上に少なくとも一つの誘電体層を配置し、
前記導電性層上に形成された前記カーバイド・シリコン層の一部を露出させるために、前記誘電体層内にこの誘電体を貫通する少なくとも一つの開口を形成し、
前記開口内の前記カーバイド・シリコン層の一部を酸素含有プラズマに曝すことにより、前記開口内の前記カーバイド・シリコン層の前記露出された一部を酸化シリコン層に変換し、
前記開口内の前記酸化シリコン層を除去するステップを含む。
【請求項１４】
前記導電層はシリカイド層である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記シリカイド層は、シリコン、およびＣｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｍｂ、Ｎｉ、ＰｔおよびＷを含むグループの少なくとも一つからなる化合物である請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記導電層は、ポリシリコン層およびアモルファスシリコン層からなるグループの一つである請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記変換ステップおよび前記除去ステップは、前記導電層の少なくとも一部が露出されるまで、引き続き数回繰返される請求項１３〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記カーボン・シリコン層は、シリコンカーバイド、シリコン酸化カーバイド、チッカシリコンカーバイド、チッカシリコン酸化カーバイド、水素化シリコンカーバイド、水素化シリコン酸化カーバイド、水素化チッカシリコンカーバイドおよび水素化チッカシリコン酸化カーバイドからなるグループの少なくとも一つを含む請求項１３〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記酸化シリコン層は、シリコン酸化物、Ｃの割合がより少ないシリコン酸化物、ＮおよびＣの割合がより少ないシリコン酸化物、Ｎの割合がより少ない酸化シリコン、水素化シリコン酸化物、Ｃの割合がより少ない水素化シリコン酸化物、ＮおよびＣの割合がより少ない水素化シリコン酸化物、およびＮの割合がより少ない水素化シリコン酸化物からなるグループの少なくとも一つを含む請求項１３〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
部分的に露出された少なくとも一つの導電性層を有する、基板上の集積回路であって、
半導体層上に直接に配置された導電性層と、
前記導電層の少なくとも一部を露出させるために、貫通している少なくとも一つの開口を有する少なくとも一つの誘電体層と、
少なくとも前記導電性層上に形成され、かつ、前記誘電体層と前記導電層との間に、前記導電性層の露出された部分に接近して位置するカーバイド・シリコン層とを含む集積回路。
【請求項２１】
前記導電層はシリカイド層である請求項２０に記載の集積回路。
【請求項２２】
前記シリカイドは、シリコンおよびＣｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｍｂ、Ｎｉ、ＰｔおよびＷからなるグループの少なくとも一つからなる化合物である請求項２１に記載の集積回路。
【請求項２３】
前記導電層は、ポリシリコン層およびアモルファスシリコン層からなるグループの一つである請求項２０に記載の集積回路。
【請求項２４】
前記半導体層は、シリコン層、ＧａＡｓ層、Ｇｅ層およびＳｉＧｅ層からなるグループの一つである請求項２０〜２３のいずれかに記載の集積回路。
【請求項２５】
前記カーバイド・シリコン層は、シリコンカーバイド、シリコン酸化カーバイド、チッカシリコンカーバイド、チッカシリコン酸化カーバイド、水素化シリコンカーバイド、水素化シリコン酸化カーバイド、水素化チッカシリコンカーバイドおよび水素化チッカシリコン酸化カーバイドからなるグループの少なくとも一つを含む請求項２０〜２４のいずれかに記載の集積回路。
【請求項２６】
前記酸化シリコン層は、酸化シリコン、Ｃの割合がより少ない酸化シリコン、ＮおよびＣの割合がより少ない酸化シリコン、Ｎの割合がより少ない酸化シリコン、Ｃの割合がより少ない水素化酸化シリコン、ＮおよびＣの割合がより少ない水素化酸化シリコンおよびＮの割合がより少ない水素化酸化シリコンからなるグループの少なくとも一つを含む請求項２０〜２５のいずれかに記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマ処理チャンバにおいてエッチングを行うための方法であって、
ハードマスク層の下に配置された低容量の誘電体層を上に備えた基板を準備する工程であって、前記低容量の誘電体層は低誘電率材料から形成されている、工程と、
Ｎ2と、Ｏ2と、炭化水素と、を含んだエッチング化学剤を、前記プラズマ処理チャンバ内に流し込む工程と、
前記エッチング化学剤から、酸素種を備えたプラズマを生成する工程と、
前記酸素種を利用し、前記ハードマスク層の開口部を通して前記低容量の誘電体層をエッチングする工程と、
を備える方法。
【請求項２】  請求項１記載の方法であって、
前記炭化水素はＣ2Ｈ4である方法。
【請求項３】  請求項１または請求項２記載の方法であって、
前記ハードマスク層は、ＴＥＯＳと、ＳｉＮと、ＳｉＯＮと、からなる群より選択された材料で形成されている方法。
【請求項４】  請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは低圧・高密度のプラズマ処理チャンバである方法。
【請求項５】  請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは誘導結合型のプラズマ処理チャンバである方法。
【請求項６】  請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の方法であって、
前記Ｎ2の流量率は総流量の約５０％〜約９５％である方法。
【請求項７】  請求項６記載の方法であって、
前記Ｏ2の流量率は総流量の約５％〜約４０％である方法。
【請求項８】  請求項７記載の方法であって、
前記炭化水素の流量率は総流量の約２％〜約４０％である方法。
【請求項９】  請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の方法であって、
前記ハードマスク層はフォトレジスト層の下に配置されている方法。
【請求項１０】  請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチング化学剤の前記炭化水素は、ＣＨ4ではない炭化水素からなる方法。
【請求項１１】  プラズマ処理チャンバ内において、低容量の誘電体層をエッチングするための方法であって、前記低容量の誘電体層は基板上においてハードマスク層の下に配置され、前記方法は、
前記ハードマスク層をエッチングし、前記ハードマスク層に開口部を形成する工程と、
Ｏ2と炭化水素とを含んだエッチング化学剤を、前記プラズマ処理チャンバ内に流し込む工程と、
前記エッチング化学剤からプラズマを生成する工程と、
前記プラズマを使用し、前記ハードマスク層の前記開口部を通して前記低容量の誘電体層をエッチングする工程であって、前記エッチング化学剤は、前記低容量の誘電体層のエッチングの最中に前記開口部の側壁を不活性化させ、ほぼ垂直な輪郭を与える工程と、
を備える方法。
【請求項１２】  請求項１１記載の方法であって、
前記エッチング化学剤はさらにＮ2を含む方法。
【請求項１３】  請求項１１または請求項１２記載の方法であって、
前記ハードマスク層のエッチングおよび前記低容量の誘電体層のエッチングは１つの処理チャンバ内で実施される方法。
【請求項１４】  請求項１１ないし１３のいずれか記載の方法であって、
前記低容量の誘電体層は、有機材料で形成されている方法。
【請求項１５】  プラズマ処理チャンバ内において、低容量の誘電体層をエッチングするための方法であって、前記低容量の誘電体層は基板上においてハードマスク層の下に配置され、前記ハードマスクはフォトレジストマスクの下に配置され、前記方法は、
前記フォトレジストマスクに開口部をパターン形成する工程と、
前記フォトレジストマスクの前記開口部を使用し、ＳｉＮと、ＳｉＯＮと、ＴＥＯＳと、からなる群より選択された材料の前記ハードマスク層をパターン形成する工程と、
Ｎ2と、Ｏ2と、炭化水素と、を含んだエッチング化学剤を、前記プラズマ処理チャンバ内に流し込む工程と、
前記エッチング化学剤からプラズマを生成する工程と、
前記プラズマを使用し、前記ハードマスク層の前記開口部を通して前記低容量の誘電体層をエッチングする工程と、
を備える方法。
【請求項１６】  請求項１５記載の方法であって、
前記フォトレジストマスクはエッチングの最中に除去される方法。
【請求項１７】  請求項１５または請求項１６記載の方法であって、
前記エッチング化学剤はさらにフッ化炭素を含む方法。
【請求項１８】  請求項１５ないし請求項１７のいずれかに記載の方法であって、
前記フォトレジストマスクはエッチングに先立って除去される方法。
【請求項１９】  請求項１５ないし請求項１８のいずれかに記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは、誘導結合型のプラズマ処理チャンバおよび静電型のプラズマ処理チャンバのいずれか一方である方法。
【請求項２０】  請求項１５ないし請求項１９のいずれかに記載の方法であって、
前記炭化水素および前記Ｏ2は、約２：１〜約１：９９の比率で前記エッチング化学剤に含まれる方法。
【請求項２１】  プラズマ処理チャンバ内において、有機材料層をプラズマエッチングするための方法であって、
ハードマスク層の下に配置された前記有機材料層を上に備えた基板を準備する工程であって、前記ハードマスク層は、開口部のパターンを有する、工程と、
Ｎ2と、Ｏ2と、炭化水素と、を含んだエッチング化学剤を、前記プラズマ処理チャンバ内に流し込む工程と、
前記エッチング化学剤からプラズマを生成する工程と、
前記プラズマを使用し、前記ハードマスク層の前記開口部のパターンを通して前記有機材料層をエッチングする工程と、
を備える方法。
【請求項２２】  請求項２１記載の方法であって、
前記ハードマスク層は、ＴＥＯＳと、ＳｉＮと、ＳｉＯＮと、からなる群より選択された材料で形成されている方法。
【請求項２３】  請求項２１または請求項２２記載の方法であって、
前記有機材料層は、低誘電率の誘電材料を含む方法。
【請求項２４】  請求項２１ないし請求項２３のいずれかに記載の方法であって、
前記ハードマスク層の前記開口部のパターンを通して前記有機材料層をエッチングする工程は、前記エッチング化学剤の前記Ｏ2が、前記有機材料層をエッチングすると共に、前記エッチング化学剤の前記炭化水素が、前記エッチングの最中に前記開口部の側壁を不活性化させることで、ほぼ垂直な輪郭を与えるエッチング工程である方法。
【請求項２５】  プラズマ処理チャンバ内において、エッチングを行うための方法であって、
低容量の誘電体層を上に備えた基板を準備する工程と、
Ｏ2と、炭化水素と、を含んだエッチング化学剤を、前記プラズマ処理チャンバ内に流し込む工程と、
前記エッチング化学剤から、酸素種を備えたプラズマを生成する工程と、
前記酸素種を利用し、前記低容量の誘電体層をエッチングする工程と、
を備える方法。
【請求項２６】  請求項２５記載の方法であって、
前記炭化水素はＣ2Ｈ4である方法。
【請求項２７】  請求項２５または請求項２６記載の方法であって、
前記エッチング化学剤はさらにＮ2を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路を作製するためのプロセスであって、
（ａ）  基板上にポリシリコンマスキングパターンを形成するステップを含み、マスキングパターンは、ゲート領域と第１のコンタクト領域との間の第１の間隔およびゲート領域と第２のコンタクト領域との間の第２の間隔を有し、ポリシリコンマスキングパターンは、ゲート領域、第１のコンタクト領域および第２のコンタクト領域を覆い、さらに
（ｂ）  第１の間隔の下に浅いソース領域および第２の間隔の下に浅いドレイン領域を形成するステップと、
（ｃ）  第１の間隔および第２の間隔に絶縁材料を堆積するステップと、
（ｄ）  ポリシリコンマスキングパターンを除去し、それにより第１の間隔および第２の間隔の中に絶縁材料を残し、かつ第１のコンタクト領域および第２のコンタクト領域で基板を露出するステップと、
（ｅ）  ゲート領域の上にフォトレジストを設けるステップと、
（ｆ）  第１のコンタクト領域に深いソース領域を形成し、第２のコンタクト領域に深いドレイン領域を形成するステップと、
（ｇ）  フォトレジストを除去するステップと、
（ｈ）  ゲート領域の上にゲート誘電体およびゲート導体を堆積するステップとを含む、プロセス。
【請求項２】  ゲート誘電体は高ｋゲート誘電体であり、高速熱アニールのステップはゲート誘電体堆積ステップの前に行なわれて深いソースおよび深いドレイン領域のドーパントを活性化する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】  ステップ（ｈ）は、
第１および第２の間隔の領域の上にゲート誘電体およびゲート導体を堆積するステップと、
第１の間隔および第２の間隔の領域からゲート誘電体およびゲート導体を除去するステップとを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】  第１の間隔および第２の間隔の上にゲート導体の少なくとも一部としてニッケル材料を堆積するステップをさらに含む、請求項３に記載のプロセス。
【請求項５】  ゲート誘電体は高ｋゲート誘電層である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】  ニッケル材料は、第１の間隔および第２の間隔の中の絶縁材料に到達
するまで化学機械プロセスによって除去される、請求項４に記載のプロセス。
【請求項７】  ゲート誘電体はＴａ2Ｏ5である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】  第１の絶縁構造の下に浅いソース領域および第２の絶縁構造の下に浅いドレイン領域を含む基板上に集積回路を作製する方法であって、基板の第１の導電構造は第１の絶縁構造によって第２の導電構造から分離され、基板の第３の導電構造は第２の絶縁構造によって第２の導電構造から分離され、第２の導電構造はゲート場所にあり、この方法は、
第１の導電構造および第３の導電構造を除去して第１の基板領域および第３の基板領域を露出するステップと、
基板をドープして第１の基板領域および第３の基板領域内に深いソース領域および深いドレイン領域を形成するステップと、
第２の導電構造を除去して第２の基板領域を露出するステップと、
ゲート場所に対応する第２の基板領域の上にゲート導体を設けるステップとを含む、方法。
【請求項９】  ゲート導体は第１の基板領域および第３の基板領域の上にも設けられる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  第１の基板領域および第３の基板領域の上からゲート導体を選択的に除去するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  金属材料を堆積して第１の基板領域の上の第１の窪みおよび第３の基板領域の上の第２の窪みを充填するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  第１の導電構造、第２の導電構造および第３の導電構造はポリシリコンを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  Ｔａ2Ｏ5のゲート誘電体はゲート導体の前に堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】  第１の導電構造および第３の導電構造はポリシリコンを含み、第１の絶縁構造および第２の絶縁構造は二酸化ケイ素を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】  ドープのステップの後および設けるステップの前に基板を熱アニールするステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】  基板上に集積回路を作製するダマシン方法であって、基板の第１の導電構造は第１の空間によって第２の導電構造から分離され、基板の第３の導電構造は第２の空間によって第２の導電構造から分離され、第２の導電構造はゲート場所にあり、この方法は、
第１の空間の下に浅いソース領域および第２の空間の下に浅いドレイン領域を形成するステップと、
第１の空間および第２の空間に絶縁材料を堆積するステップと、
第１の導電構造および第３の導電構造を除去するステップと、
除去ステップによって露出された基板の領域に深いソース領域および深いドレイン領域を形成するステップと、
第２の導電構造を除去するステップと、
ゲート場所の上にゲート導体を堆積するステップとを含む、方法。
【請求項１７】  ゲート誘電体はゲート導体の前に堆積される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  ゲート導体は金属である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  浅いソース領域の深さは７０ナノメータ未満である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】  第１の空間は最小リソグラフィ特徴である、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第一鏡（１）及び第二鏡（８）によって画定され、基本周波数（ω１）におけるレーザ放射線ビームを増幅するために能動レーザ利得媒質（５）を与えられ、かつ基本周波数（ω１）における放射線の調波周波数（ω２）における放射線への可逆変換のために少なくとも前記第二鏡（８）を含む固体非線形光学手段（１０）を与えられ、前記非線形光学手段が基本周波数における放射線の強度が増加するにつれて増加する反射係数を有する、共振空胴（２０）を含む、レーザ、特にパルス型のレーザをモード同期するための装置であって、前記装置が共振空胴（２０）において固体強度リミッタ（４）をさらに含み、レーザ放射線のその透過係数が前記放射線の強度が増加するにつれて減少するものにおいて、前記強度リミッタ（４）がＧａＡｓ，ＣｄＳｅ又はＩｎＰプレートを含むことを特徴とする装置。
【請求項２】  非線形光学手段（１０）が二色鏡に相当する前記第二鏡（８）及び基本周波数における放射線を調波周波数における放射線に変換できる非線形結晶（７）を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】  非線形光学手段（１０）が二色鏡に相当する前記第二鏡（８）、基本周波数における放射線を調波周波数における放射線に変換できる非線形結晶（７）、及び偏光選択及び／又は修正のための少なくとも一つの構成要素を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記非線形結晶がＢＢＯ結晶であることを特徴とする請求項２又は３に記載の装置。
【請求項５】  非線形光学手段（１０）が前記第二鏡（８）だけを含み、前記第二鏡が誘電又は金属半導体膜の重ね合わせから構成されたファブリ・ペロー反共振飽和性吸収体に相当することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】  強度リミッタ（４）及び非線形光学手段（１０）が能動利得媒質（５）のいずれかの側上に置かれていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】  強度リミッタ（４）が非線形光学手段（１０）と能動利得媒質（５）の間に置かれることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】  能動利得媒質がＮｄ：ＹＡＧ結晶であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】  非線形光学手段（１０）が基本周波数（ω１）における放射線の反射係数より大きい第二の調波周波数（ω２）における放射線の反射係数を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】  第一鏡（１）及び第二鏡（８）によって画定され、基本周波数（ω１）におけるレーザ放射線ビームを増幅するために能動レーザ利得媒質（５）を与えられ、かつ基本周波数（ω１）における放射線の調波周波数（ω２）における放射線への可逆変換のために少なくとも前記第二鏡（８）を含む固体非線形光学手段（１０）を与えられ、前記非線形光学手段（１０）が基本周波数における放射線の強度が増加するにつれて増加する反射係数を有する、共振空胴（２０）を含む、レーザ、特にパルス型のレーザをモード同期するための装置において、前記装置が前記非線形光学手段（１０）と組合せて共振空胴（２０）のＱについて正帰還及び負帰還の両方を確実にするように、基本周波数における放射線の強度が増加するにつれて減少する透過係数を持つＧａＡｓ，ＣｄＳｅ又はＩｎＰプレートを含む強度リミッタを与えられていることを特徴とする装置。
【請求項１１】  レーザ、特にパルス型のレーザをモード同期するための方法において、能動レーザ媒質（５）を刺激することによって基本周波数（ω１）におけるレーザ放射線ビームを放出し、基本周波数（ω１）におけるビームを調波周波数（ω２）におけるビームに変換し、調波周波数（ω２）におけるビームを共振空胴（２０）に戻し、調波周波数（ω２）におけるビームを基本周波数（ω１）におけるビームに再変換し、そして少なくとも一つのＧａＡｓ，ＣｄＳｅ又はＩｎＰプレートによって共振空胴（２０）内で基本周波数（ω１）におけるビームの強度を制限することを含むことを特徴とする方法。