【手続補正書】
【提出日】平成19年2月14日(2007.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の相互連絡気泡を規定する熱硬化性ポリマーマトリックスの連続気泡構造及びポリマーマトリックス全体に分散された研磨粒子を有する研磨パッドの研磨面にキャリヤ液体を適用し；
前記基板主面と前記研磨面とを接触させるのに役立つ力を適用しながら、前記基板主面に概ね平行な平面において前記基板と前記研磨パッドとを相対運動させ、；
前記研磨面をコンディショニングし、それによってポリマーマトリックスから遊離研磨粒子を放出させ；そして
前記基板主面を前記遊離研磨粒子で研磨して、前記基板主面から材料の一部を除去する
ことを含んでなる基板の主面からの材料除去方法。
【請求項２】
前記遊離粒子が研磨粒子、複合研磨粒子／ポリマー複合粒子及びポリマー粒子から選ばれた少なくとも２つの型の粒子を含む請求項１に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項３】
前記遊離研磨粒子がキャリヤ液体と混合して平坦化スラリーを形成する請求項１に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項４】
前記平坦化スラリーが研磨粒子、複合研磨粒子／ポリマー複合粒子及びポリマー粒子から選ばれた少なくとも２つの型の粒子を含む請求項３に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項５】
キャリヤ液体の適用；基板と研磨パッドとの相対運動；研磨面のコンディショニング；及び基板主面の研磨を実質的に同時に実施する請求項１に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項６】
研磨面のコンディショニングを実質的に連続的に実施する請求項５に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項７】
研磨を実質的に停止させることを更に含む請求項１に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項８】
研磨の実質的停止が、基板と研磨パッドとの相対運動の停止；研磨パッドとの接触からの基板の除去；研磨面のコンディショニングの停止；キャリヤ液体のｐＨの調整；及びキャリヤ液体の酸化剤濃度の低減からからなる群から選ばれた１つ又はそれ以上の操作をさらに含む請求項７に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項９】
前記気泡が２５０μｍ未満の平均気泡径を有する請求項１に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項１０】
前記研磨粒子が２μｍ未満の平均粒径を有する請求項９に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項１１】
前記研磨粒子がアルミナ、セリア、シリカ、チタニア及びジルコニアからなる群から選ばれる１種又はそれ以上の粒子材料である請求項１０に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項１２】
前記研磨粒子がポリマーマトリックスの２０重量％〜７０重量％を占める請求項１０に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項１３】
前記研磨粒子が１μｍ以下の平均粒径を有する請求項１１に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項１４】
研磨面のコンディショニングが、
研磨面に隣接して、コンディショニング要素のコンディショニング面を配置し；且つ
前記コンディショニング面と前記研磨面とを接触させるのに役立つ力を適用しながら、前記研磨面に概ね平行な平面において前記コンディショニング要素と前記研磨パッドとを相対運動させる
ことを更に含む請求項１に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項１５】
研磨面のコンディショニングが研磨される各基板に対して研磨面から０．０１〜０．５μｍのポリマーマトリックスを除去することを更に含む請求項１４に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項１６】
前記ポリマーマトリックスが０．５〜１．５ｇ／ｃｍ3の密度を有し；３０〜９０のショアーＡ硬度を有し；５ｐｓｉにおけるリバウンド％が３０〜９０であり；且つ５ｐｓｉにおける圧縮率％が１〜１０である請求項１２に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項１７】
前記ポリマーマトリックスが、０．７〜１．５ｇ／ｃｍ3の密度を有し；７０〜８５のショアーＡ硬度を有し；５ｐｓｉにおけるリバウンド％が５０〜８０であり；且つ５ｐｓｉにおける圧縮率％が２〜６である請求項１６に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項１８】
前記ポリマーマトリックスが０．９〜１．５ｇ／ｃｍ3の密度を有し；７５〜８５のＳｈｏｒｅ  Ａ硬度を有し；５ｐｓｉにおけるリバウンド％が５０〜７５であり；且つ５ｐｓｉにおける圧縮率％が２〜４である請求項１７に記載の基板主面からの材料除去方法。
【請求項１９】
多数の相互連絡気泡を規定する熱硬化性ポリマーマトリックスの連続気泡構造及びポリマーマトリックス全体に分散された研磨粒子を有する研磨パッドの研磨面に、５〜８のｐＨを有するキャリヤ液体を適用し；
酸化物層と前記研磨面とを接触させるのに役立つ力を適用しながら、前記酸化物層と概ね平行な平面において、前記基板と前記研磨パッドとを相対運動させ；
前記研磨面をコンディショニングし、それによってポリマーマトリックスから研磨粒子を放出させて、遊離研磨粒子を形成し；
前記キャリヤ液体と前記遊離研磨粒子とを混合して、平坦化スラリーを形成し；そして
前記酸化物を前記平坦化スラリーで研磨して、前記基板から酸化物の一部を除去する
ことを含んでなる半導体基板の主面からの酸化物の除去方法。
【請求項２０】
前記研磨粒子がセリアを含み且つ１．５μｍ未満の平均粒径を有する請求項１９に記載の半導体主面からの酸化物除去方法。
【請求項２１】
前記研磨粒子の実質的に全てがセリアであり且つ１μｍ未満の平均粒径を有する請求項２０に記載の半導体主面からの酸化物除去方法。
【請求項２２】
前記研磨粒子が０．６μｍ未満の平均粒径を有する請求項２１に記載の半導体主面からの酸化物除去方法。
【請求項２３】
第１の速度で半導体主面から窒化物を除去し、第１の速度の少なくとも４倍の速さの第２の速度で半導体主面から酸化物を除去する、請求項１９に記載の半導体主面からの酸化物除去方法。
【請求項２４】
第２の速度が第１の速度の少なくとも６倍の速さである請求項２３に記載の半導体主面からの酸化物除去方法。
【請求項２５】
キャリヤ液体のｐＨを低下させることによって研磨を遅延させ、それによって半導体主面からの酸化物除去速度を少なくとも７０％減少させることを更に含む請求項１９に記載の半導体主面からの酸化物除去方法。
【請求項２６】
キャリヤ液体のｐＨを４又はそれ以下に低下させ、且つ主面からの酸化物除去速度を少なくとも８５％減少させる請求項２５に記載の半導体主面からの酸化物除去方法。
【請求項２７】
キャリヤ液体のｐＨを増加させることによって研磨を遅延させ、それによって半導体主面からの酸化物除去速度を少なくとも５０％減少させることを更に含む請求項１９に記載の半導体主面からの酸化物除去方法。
【請求項２８】
キャリヤ液体のｐＨを１０又はそれ以上に増加させ、且つ主面からの酸化物除去速度を少なくとも７５％減少させる請求項２７に記載の半導体主面からの酸化物除去方法。
【請求項２９】
多数の相互連絡気泡を規定する熱硬化性ポリマーマトリックスの連続気泡構造及びポリマーマトリックス全体に分散された研磨粒子を有する研磨パッドの研磨面に、酸化剤濃度を有するキャリヤ液体を適用し；
金属層と前記研磨面とを接触させるのに役立つ力を適用しながら、酸化物層に概ね平行な平面において前記基板と前記研磨パッドとを相対運動させ；
前記研磨面をコンディショニングし、それによってポリマーマトリックスから遊離研磨粒子を放出させ；
前記キャリヤ液体と前記遊離研磨粒子とを混合して、平坦化スラリーを形成し；そして
前記金属を前記平坦化スラリーで研磨して、前記基板から金属の一部を除去する
ことを含んでなる半導体基板の主面からの金属の除去方法。
【請求項３０】
前記キャリヤ液体中の酸化剤濃度が１〜１０重量％である請求項２９に記載の半導体主面からの金属除去方法。
【請求項３１】
前記酸化剤が過酸化水素を含む請求項３０に記載の半導体主面からの金属除去方法。
【請求項３２】
前記研磨粒子がセリアを含み且つ２μｍ未満の平均粒径を有する請求項３１に記載の半導体主面からの金属除去方法。
【請求項３３】
第１の速度で半導体主面からバリア層を除去し、第１の速度の少なくとも４倍の速さの第２の速度で半導体主面から金属を除去する請求項２９に記載の半導体主面からの金属除去方法。
【請求項３４】
第２の速度が第１の速度の少なくとも６倍の速さである請求項３３に記載の半導体主面からの金属除去方法。
【請求項３５】
キャリヤ液体中の酸化剤濃度を低下させることによって研磨を遅延させ、それによって半導体主面からの金属除去速度を少なくとも７０％減少させることを更に含む請求項２９に記載の半導体主面からの金属除去方法。
【請求項３６】
キャリヤ液体の酸化剤濃度を０．２５重量％未満に低下させ且つ半導体主面からの金属除去速度を少なくとも８５％低下させる請求項３５に記載の半導体主面からの金属除去方法。
【請求項３７】
前記金属が銅を含み、且つ前記バリア層が窒化タンタル（ＴａＮ）及び窒化チタン（ＴｉＮ）からなる群から選ばれた材料を含む請求項３３に記載の半導体主面からの金属除去方法。
【請求項３８】
前記酸化剤が２〜５重量％の過酸化水素を含む請求項３７に記載の半導体主面からの金属除去方法。
【請求項３９】
前記キャリヤ液体が酸、塩基、キレート化剤及び界面活性剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の成分を含む請求項３８に記載の半導体主面からの金属除去方法。