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【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歯列弓の前歯用の歯列矯正器具の第１セットと、該歯列弓の後歯用の歯列矯正器具の第２セットと、を備える歯列矯正ブレースであって、
該第１セットの少なくとも１つの器具と該第２セットの少なくとも１つの器具とが、該器具を歯に接合するための基部と、該基部から延在する本体と、該本体を横切って略近心−遠心方向に延在するアーチワイヤスロットと、該本体に結合され、該アーチワイヤスロットにアーチワイヤを解放自在に保持するラッチと、を有し、該アーチワイヤが該ラッチに対して一定値を超える力を加える場合に、該ラッチが該アーチワイヤスロットから該アーチワイヤを解放し、
該第２セットの少なくとも１つの器具の該一定値が、該第１セットの少なくとも１つの器具の該一定値より大きい、
歯列矯正ブレース。
【請求項２】
歯列矯正器具の第１セットと歯列矯正器具の第２セットとを備える歯列矯正ブレースであって、該ブレースが、中央歯用の中央歯器具と、側歯用の側歯器具と、臼歯用の臼歯器具と、第１双頭歯用の第１双頭歯器具と、第２双頭歯用の第２双頭歯器具と、を備え、
各器具が、基部と、該基部から延在する本体と、該本体を横切って略近心−遠心方向に延在するアーチワイヤスロットと、該本体に結合され、該アーチワイヤスロットにアーチワイヤを解放自在に保持するラッチと、を有し、該アーチワイヤが該ラッチに対して一定値を超える力を加える場合に、該ラッチが該アーチワイヤスロットから該アーチワイヤを解放し、
該第２セットが、該犬歯器具と、該第１双頭歯器具と、該側歯器具と、のうちの少なくとも１つを含み、該第１セットが、当該ブレースの残りの器具を含み、該第２セットの少なくとも１つの器具の該一定値が、該第１セットの少なくとも１つの器具の該一定値より大きい、
歯列矯正ブレース。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月15日(2007.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの作動的要素を備える電気生理学的デバイスと共に使用するための、吸引デバイスであって、該吸引デバイスは、以下：
長手軸方向にスペースを空けて配置した複数の吸引領域（２１８）をつくる長手軸方向にスペースを空けて配置した複数の吸引ポート（２１０）；および
少なくとも１つのコネクタ（２２０）であって、該電気生理学的デバイスの長手軸方向にスペースを空けて配置した部分を、該長手軸方向にスペースを空けて配置した吸引領域（２１８）に隣接させて取り外し可能に固定するように構成された、少なくとも１つのコネクタ（２２０）、
を備える、吸引デバイス。
【請求項２】
吸引源（２０２）に接続されるように構成された吸引ライン（２０８）；および
該吸引ライン（２０８）を前記複数の吸引ポート（２１０）にそれぞれ接続する、複数の開口部分（２１４）、
をさらに備える、請求項１に記載の吸引デバイス。
【請求項３】
前記吸引ポート（２１０）が、可撓性である、請求項１に記載の吸引デバイス。
【請求項４】
前記電気生理学的デバイスが、ある断面形状を規定し、そして前記コネクタ（２２０）が、対応する断面形状を規定する、請求項１に記載の吸引デバイス。
【請求項５】
前記吸引デバイスの少なくとも一部分が、柔軟である、請求項１に記載の吸引デバイス。
【請求項６】
長手軸方向に延びる柔軟な要素（２３２）をさらに備える、請求項１に記載の吸引デバイス。
【請求項７】
前記吸引ポート（２１０）が、楕円形の吸引ポートを備える、請求項１に記載の吸引デバイス。
【請求項８】
前記複数の長手軸方向にスペースを空けて配置された吸引ポートが、前記複数対のスペースを空けて配置された吸引ポート（２１０）を備え、そして前記少なくとも１つのコネクタ（２２０）が、各対の該吸引ポートの間に位置決めされている、請求項１に記載の吸引デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
食道及び胃を有する患者の胃食道接合領域内に配置可能な医療デバイスであって、
基端開口と、出口オリフィスと、これら基端開口と出口オリフィスとの間の中央通路とを有する人工器官を備え、その人工器官の基端部分は、前記基端開口が食道に実質的に整合するように胃食道接合領域内に配置可能であり、
前記医療デバイスは更に、
前記人工器官の末端上の流量制限部品を備え、この流量制限部品は、前記出口オリフィスが第１のサイズを有する第１の位置と、前記出口オリフィスが第１のサイズよりも小さい第２のサイズを有する第２の位置との間で移動可能である医療デバイス。
【請求項２】
請求項１の医療デバイスにおいて、第１の位置にある前記流量制限部品は前記人工器官から取り外されて、第２の位置にある前記流量制限部品は人工器官へ取り付けられる医療デバイス。
【請求項３】
請求項２の医療デバイスにおいて、前記流量制限部品は前記人工器官の末端部分へ取り付け可能である医療デバイス。
【請求項４】
請求項２の医療デバイスにおいて、前記流量制限部品は前記中央通路内に配置可能な挿入体である医療デバイス。
【請求項５】
請求項１の医療デバイスにおいて、前記流量制限部品は変形可能部材であると共に、第１の位置は圧縮位置であり、第２の位置は膨張位置である医療デバイス。
【請求項６】
請求項５の医療デバイスにおいて、前記変形自在部材は展性材料から形成されている医療デバイス。
【請求項７】
請求項５の医療デバイスにおいて、前記変形自在部材は延性材料から形成されている医療デバイス。
【請求項８】
請求項５の医療デバイスにおいて、前記変形可能部材が膨張自在チャンバから形成されている医療デバイス。
【請求項９】
請求項１の医療デバイスにおいて、前記流量制限部品が、前記中央通路を少なくとも部分的に横断して延出するダイアフラムを含み、このダイアフラムは前記末端開口を規定するシャッタを含み、このシャッタは前記末端開口の有効径を増減するように拡張位置と収縮位置との間で回動可能である医療デバイス。
【請求項１０】
請求項１の医療デバイスにおいて、前記流量制限部品が、前記人工器官の少なくとも一部の周りのループを形成するひもを含み、そのループは前記人工器官を圧縮する締め付け位置へ調製可能である医療デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と第２面と２つの側面とを有して第１方向に延在する第１組の複数の配向ストランドと、それら配向ストランドの該第１面のみに取り付けられて該第１組と一体的になっている第２組の複数の配向ストランドとを具備するポリマーネットにおいて、
前記第１組の配向ストランドは、ポリマーネットの厚さ方向に第１平面断面領域を占有し、前記第２組の配向ストランドは、ポリマーネットの厚さ方向に第２平面断面領域を占有し、
前記第１平面断面領域と前記第２平面断面領域とは、実質的に互いに独立して互いに当接され、
前記第２組の配向ストランドは、実質的に平行な両側面を有して、前記第１組の配向ストランドと該第２組の配向ストランドとの交差点における該第２組の配向ストランドのストランド幅が、複数の該交差点の間での該第２組の配向ストランドのストランド幅に実質的に等しくなっていること、
を特徴とするポリマーネット。
【請求項２】
前記第２組の配向ストランドが、互いに平行であって、第１面と第２面とを有するとともに、実質的同一の広がりを有する、請求項１に記載のポリマーネット。
【請求項３】
前記第１組の配向ストランドが、該ストランドの前記第２面に表面構造を有する、請求項１に記載のポリマーネット。
【請求項４】
前記表面構造が、上方へ延びるステムを含む、請求項３に記載のポリマーネット。
【請求項５】
前記第１組の配向ストランドと前記第２組の配向ストランドとが、一体に形成される、請求項１に記載のポリマーネット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凝集体内に超砥粒を含む研磨物品を提供する工程と、
該研磨物品を、溶射ハード相を含むワークピース外面と接触させる工程と、
該研磨物品および該ワークピースを相対的に移動させる工程と、
を含むワークピースの研磨方法。
【請求項２】
前記溶射ハード相が金属、金属酸化物、金属炭化物、または金属窒化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ワークピース外面が結合相をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記溶射ハード相が炭化タングステンであり、かつ、前記結合相がコバルトである、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月9日(2007.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
工具受容要素が、工具（１５）を受容するための保持部（３）と、前記工具受容要素（１）をキャリアにクランプするためのクランプ部（９）とを備え、工具（１５）のための前記保持部（３）および前記工具受容要素（１）のクランプ部（９）が、長手方向に重なり合うことを特徴とした工具受容要素。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、工具を受容するための保持部と、前記工具受容要素をキャリアにクランプするためのクランプ部とを備えた工具受容要素に関する。本発明は、また、工具受容要素を位置決めするためのアダプターに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の収縮把持プロセスは、クランピングコーンで直接的に行われる。このようにして、切削工具の極めて短い把持が可能となる。貫通孔３として構成されているクランプインサート孔は、クランプ部９として構成されているクランピングコーンによって重なり合っている。焼嵌め式工具ホルダ１として構成されている焼嵌め式クランピングインサートは、製造コストが非常に安価であり、如何なる商用標準コレットホルダにも挿入されることができる。通常のクランプ方式と比較される本発明に係る焼嵌め式工具ホルダ１は、半径方向に高剛性であると共に２〜４倍の高いトルク伝達を可能にする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a）第一の材料を０．１〜３ミクロンの平均孔径を有する多孔質基材上に堆積させ、それにより、被覆基材を形成する工程；
b）被覆基材を研磨し、それにより、研磨された基材を形成する工程；および
c）研磨された基材上に第二の材料を堆積させる工程
を含み、ここで第一の材料と第二の材料がそれぞれガス選択性材料を含む、複合ガス分離モジュールを製造する方法。
【請求項２】
ガス選択性材料が水素選択性金属またはその合金である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
水素選択性金属がパラジウムまたはその合金である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
水素選択性金属が、銅、銀、金、白金、ルテニウム、ロジウム、イットリウム、セリウムおよびインジウムよりなる群から選択される金属の少なくとも1つと合金化されたパラジウムである、請求項３記載の方法。
【請求項５】
多孔質基材上への第一の材料の堆積または研磨された基材上への第二の材料の堆積は、多孔質基材上に、または研磨された基材上にそれぞれ合金を堆積させることを含み、ここで、合金の堆積は、少なくとも2つの金属を多孔質基材上または研磨された基材上に適用すること、および金属を熱処理して合金を形成することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
第一の材料および第二の材料の少なくとも一方がゼオライトを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
ゼオライトを含む材料上に水素選択性金属を堆積させる工程をさらに含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
第一の材料を堆積させる前に、多孔質基材を表面活性化させる工程、パラジウムもしくは金を多孔質基材上に堆積させる工程、または多孔質基材上に金属間拡散バリアを形成する工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
多孔質基材上への金属間拡散バリアの形成が、多孔質基材の表面上にセラミック被覆を形成することを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
多孔質基材上または研磨された基材への第一の材料および第二の材料の少なくとも一方の堆積のそれぞれが、無電解メッキ、電解メッキ、熱蒸着、化学気相蒸着、スプレー蒸着、スパッターコーティング、電子ビーム蒸発、イオンビーム蒸発および噴霧熱分解よりなる群から選択される方法により該材料を堆積させることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
第二の材料を堆積させる前に研磨された基材を表面活性化させる工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
a）第三の材料を研磨された基材上に堆積させ、それにより、被覆された研磨基材を形成する工程；
b）被覆された研磨基材を研磨し、それにより、新たに研磨された基材を形成する工程；および
c）新たに研磨された基材上に第四の材料を堆積させる工程
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
第三の材料および第四の材料の少なくとも一方がガス選択性材料を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
多孔質基材上に密なガス選択性膜が形成される工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
密なガス選択性膜がパラジウムまたはその合金を含む、請求項１４記載の方法
【請求項１６】
第二の材料を堆積させることが、密なガス選択性膜を形成するのに十分な量で、研磨された基材上にガス選択性材料を堆積させることを含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
多孔質基材が多孔質金属基材または多孔質セラミック基材である、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
多孔質金属基材が、クロムおよびニッケルを含有する合金またはステンレス鋼である、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
該合金がモリブデンをさらに含有する、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
請求項１記載の方法により製造される複合ガス分離モジュール。
【請求項２１】
０．１〜３ミクロンの平均孔径を有する多孔質基材、および密なガス選択性膜を含み、ここで密なガス選択性膜の厚みが多孔質基材の最大孔の直径の約3倍未満である、複合ガス分離モジュール。
【請求項２２】
密なガス選択性膜の厚みが、厚さ約14ミクロン未満である、請求項２１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項２３】
密なガス選択性膜の厚みが、約３〜約14ミクロンである、請求項２２記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項２４】
密なガス選択性膜が、厚さにおいて実質的に均一である、請求項２１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項２５】
密なガス選択性膜がパラジウムまたはその合金を含む、請求項２１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項２６】
多孔質基材が多孔質セラミック基材または多孔質金属基材である、請求項２１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項２７】
多孔質金属基材がステンレス鋼またはクロムおよびニッケルを含有する合金である、請求項２６記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項２８】
該合金がモリブデンをさらに含有する、請求項２７記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項２９】
金属間拡散バリアをさらに含み、ここで該金属間拡散バリアが密なガス選択性膜の下にあり、多孔質基材の上にある、請求項２１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項３０】
金属間拡散バリアが、パラジウム層、および第IB族金属の層を交互に含む、請求項２９記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項３１】
金属間拡散バリアが、多孔質基材に結合し、密なガス選択性膜の下にあるセラミック被覆を含む、請求項２９記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項３２】
複合ガス分離モジュールを通る水素流量は約350℃において少なくとも約4Nm3／m2-時間であり、水素の分圧の差は約1バールである、請求項２１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項３３】
水素ガス含有ガス流を、複合ガス分離モジュールへ指向し、ここで複合ガス分離モジュールが０．１〜３ミクロンの平均孔径を有する多孔質基材および密な水素選択性膜を含み、およびここで密な水素選択性膜の厚みが多孔質基材の最大孔の直径の約3倍未満であり、それにより、水素ガスが、密な水素選択性膜を通過することによって、ガス流から少なくとも部分的に分配される工程
を含む、水素ガス含有ガス流から水素ガスを選択的に分離するための方法。
【請求項３４】
水素ガス生成反応体を反応させてガス流を生じさせる工程をさらに含む、請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
密な水素選択性膜がパラジウムまたはその合金を含む、請求項３３記載の方法。
【請求項３６】
密なガス選択性膜の厚みが、厚さ約14ミクロン未満である、請求項３３記載の方法。
【請求項３７】
密なガス選択性膜の厚みが、約３〜約14ミクロンである、請求項３６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a）多孔性金属基材；
b）中間多孔性金属層、ここで中間多孔性金属層はパラジウムを含み、かつ中間多孔性金属層は多孔性金属基材の上に存在する；および
c）高密度水素選択膜、ここで高密度水素選択膜は中間多孔性金属層の上に存在する；を含有してなる複合ガス分離モジュール。
【請求項２】
多孔性金属基材がステンレス鋼またはクロムおよびニッケルを含む合金である請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項３】
合金がモリブデンをさらに含んでなる請求項２記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項４】
中間多孔性金属層がパラジウムおよび第IB族金属を含んでなる請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項５】
第IB族金属が銀または銅である請求項４記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項６】
中間多孔性金属層がパラジウムおよび第IB族金属の交互層を含んでなる請求項４記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項７】
中間多孔性金属層が少なくとも約５ミクロンの厚さである請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項８】
中間多孔性金属層が約１〜約10ミクロンの厚さである請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項９】
中間多孔性金属層の平均孔サイズが多孔性金属基材の平均孔サイズよりも小さい請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１０】
中間多孔性金属層が、頂部側および底部側を有し、中間多孔性金属層が、底部側の多孔性金属基材に直接隣接し、かつ頂部側の高密度水素選択膜に直接的に隣接する請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１１】
高密度水素選択膜がパラジウムまたはその合金を含んでなる請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１２】
多孔性金属基材に結合し、中間多孔性金属層の下に存在するセラミックの層をさらに含有してなる請求項１記載の複合ガス分離モジュール。
【請求項１３】
a)中間多孔性金属層を多孔性金属基材上に適用する工程、ここで中間多孔性金属層はパラジウムを含む；および，
b)高密度水素選択膜を中間多孔性金属層上に適用する工程、それにより複合ガス分離モジュールを形成する工程
を含む、複合ガス分離モジュールの製造方法。
【請求項１４】
中間多孔性金属層を適用する前に、多孔性金属基材の表面を酸化する工程または多孔性金属基材を表面活性化する工程をさらに含む請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
多孔性金属基材を表面活性化する工程が、水素選択金属の核で多孔性金属基材をシーディングすることを含む請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
中間多孔性金属層が無電解メッキにより適用される請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
中間多孔性金属層がパラジウムおよび第IB族金属を含む請求項１３記載の方法。
【請求項１８】
第IB族の金属が銀または銅である請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
中間多孔性金属層が、多孔性金属基材上にパラジウムおよび第IB族金属の交互層を堆積させることにより適用される請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
高密度水素選択膜を中間多孔性金属層上に適用する前に、中間多孔性金属層の表面を研磨し、それにより研磨基材を形成する工程をさらに含む請求項１３記載の方法。
【請求項２１】
高密度水素選択膜を中間多孔性金属層上に適用する前に、中間多孔性金属層上に水素選択金属を堆積させ、それにより被覆基材を形成する工程、および被覆基材の表面を研磨し、それにより研磨基材を形成する工程をさらに含む請求項１３記載の方法。
【請求項２２】
高密度水素選択膜を適用する工程が、パラジウムまたはその合金を中間多孔性金属層上に堆積することを含む請求項１３記載の方法。
【請求項２３】
高密度水素選択膜が、銅、銀、金、白金、ルテニウム、ロジウム、イットリウム、セリウムおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属と合金化されたパラジウムを含む請求項１３記載の方法。
【請求項２４】
高密度水素選択膜を適用する工程が、無電解メッキ、電解メッキ、熱蒸着、化学蒸着、噴霧蒸着、スパッタコーティング、電子線蒸発、イオンビーム蒸発および噴霧熱分解からなる群より選ばれる方法により水素選択金属を堆積させることを含む請求項１３記載の方法。
【請求項２５】
請求項１３記載の方法により製造された複合ガス分離モジュール。
【請求項２６】
水素ガス含有ガス流を複合ガス分離モジュールに指向させる工程を含み、複合ガス分離モジュールは：
a）多孔性金属基材；
b）中間多孔性金属層、ここで、中間多孔性金属層はパラジウムを含み、かつ中間多孔性金属層は多孔性金属基材上に存在する；および
c）高密度水素選択膜、ここで、高密度水素選択膜は中間多孔性金属層上に存在する；を含み、
それにより、水素ガスは高密度水素選択膜を通過することによってガス流から少なくとも部分的に分配される、水素ガス含有ガス流から水素ガスを選択的に分離する方法。
【請求項２７】
水素ガス製造反応体を反応させてガス流を生じさせる工程をさらに含む請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
セラミックの層が多孔性金属基材に結合し、中間多孔性金属層の下に存在する請求項２６記載の方法。
【請求項２９】
中間多孔性金属層がパラジウムおよび第IB族金属の交互層を含む請求項２６記載の方法。
【請求項３０】
第IB族の金属が銀または銅である請求項２６記載の方法。
【請求項３１】
中間多孔性金属層が約４〜約８ミクロンの厚さである請求項２６記載の方法。
【請求項３２】
高密度水素選択膜がパラジウムまたはその合金を含む請求項２６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
刃部、ならびに
シェービングサポート複合体を有する肌との係合部であって、前記シェービングサポート複合体は、
高分子およびシェービングサポート材を有するシェービングサポートマトリクスと、
該シェービングサポートマトリクスに埋設された研磨粒子を有する複数の角質除去素子と、
を有する、肌との係合部、
を有するウェット式シェービングシステム。
【請求項２】
前記高分子は、非水溶性高分子を含むことを特徴とする請求項１に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項３】
前記高分子は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアセタール、ナイロン、ポリカプロラクトン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリカーボネート、ポリウレタンおよびエチレンビニルアセテート共重合体からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項４】
前記シェービングサポート複合体は、さらに着色剤を有することを特徴とする請求項１に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項５】
刃部、ならびに
シェービングサポート複合体を有する肌との係合部であって、前記シェービングサポート複合体は、
第１の高分子と、研磨粒子を有し、前記第１の高分子中に埋設された複数の角質除去素子とを含む第１の区画、および
第２の高分子を有する第２の区画、
を有する、肌との係合部、
を有し、少なくとも前記第１の区画と第２の区画の一方は、さらにシェービングサポート材を有することを特徴とするウェット式シェービングシステム。
【請求項６】
前記角質除去素子は、果物の種、果物石、ナッツの殻、丸いまたは繊維状の植物素材、高分子およびミネラル成分からなる群から選択される成分を含むことを特徴とする請求項１または５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項７】
前記角質除去素子は、丸いココナッツの殻、丸い杏の種、丸い桃の種、丸いオリーブの種、丸い胡桃の殻、丸いアーモンドの殻、丸いペカンの殻、丸いヘチマ、とうもろこしの粒、丸いオートミール、高分子ビードまたは顆粒状高分子、ホホバワックスビード、米糠、シリカ、砂または他の鉱物、軽石砂、粘土およびこれらの組み合わせからなる群から選択される成分を含むことを特徴とする請求項１または５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項８】
前記角質除去素子は、マイクロカプセルを含み、各マイクロカプセルは、外部表面と内部空間を定めることを特徴とする請求項１または５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項９】
前記マイクロカプセルの内部空間には、化学的角質除去剤が設置されていることを特徴とする請求項８に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項１０】
前記化学的角質除去剤は、α−ヒドロキシ酸またはβ−ヒドロキシ酸を含むことを特徴とする請求項９に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項１１】
前記マイクロカプセルの外部表面は、角質除去剤を有することを特徴とする請求項１または５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項１２】
前記シェービングサポート材は、ポリエチレン酸化物を含むことを特徴とする請求項１または５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項１３】
前記シェービングサポート材は、ビタミンＥ、アロエ、ベビーオイル、アボカドオイル、ブドウの種のオイルおよびオリーブアーモンドオイルからなる群から選択される成分を有することを特徴とする請求項１または５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項１４】
前記角質除去素子は、着色剤を含むことを特徴とする請求項１または５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項１５】
前記第１および第２の高分子の少なくとも一方は、非水溶性高分子を含むことを特徴とする請求項５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項１６】
第１の区画と第２の区画はいずれも、シェービングサポート材を有することを特徴とする請求項５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項１７】
前記第１の区画は、シェービングサポート材を有することを特徴とする請求項５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項１８】
前記第２の区画は、シェービングサポート材を有することを特徴とする請求項５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項１９】
前記第１および第２の非水溶性高分子の少なくとも一方は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアセタール、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体およびエチレンビニルアセテート共重合体からなる群から選択されることを特徴とする請求項５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項２０】
前記第１の区画は、前記第２の区画の上部に設置されることを特徴とする請求項５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項２１】
前記第１の区画は、前記第２の区画に水平方向に隣接して設置されることを特徴とする請求項５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項２２】
前記第１および第２の区画は、異なる色であることを特徴とする請求項５に記載のウェット式シェービングシステム。
【請求項２３】
第１および第２の区画の少なくとも一方は、さらに着色剤を含むことを特徴とする請求項５に記載のウェット式シェービングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションのための情報および制御データを含んでおり、前記アプリケーションのためのコピープロテクトを提供するためにＤＳＶデータパターンが組み込まれている、光ディスクに担持されるアプリケーションファイルであって、前記ＤＳＶデータパターンとは光ディスク上にエンコードされたときにピットおよびランドのレベルにＤＳＶ問題を引き起こすものと同定されているシンボル値であり、該ＤＳＶデータパターンは当該アプリケーションファイルの使用の際に当該アプリケーションファイルを担持する光ディスクのプレーヤーまたはリーダーによってアクセスされるような形で当該アプリケーションファイル中に含まれる情報の中に配置されることを特徴とするアプリケーションファイル。
【請求項２】
前記ＤＳＶデータパターンが当該アプリケーションファイル中に組み込まれている制御データ内、もしくは当該アプリケーションファイルのヘッダ中に組み込まれている制御データ内、またはその両方に配置されることを特徴とする、請求項１記載のアプリケーションファイル。
【請求項３】
当該アプリケーションファイル中の制御データもしくは当該アプリケーションファイルのヘッダ中の制御データまたはその両方が、当該アプリケーションファイル中のＤＳＶデータパターンの位置を指示するポインタまたはオフセットを少なくとも一つ含むことを特徴とする、請求項１記載のアプリケーションファイル。
【請求項４】
前記ＤＳＶデータパターンがＤＳＶがかなり大きな絶対値をもつことを保証するように選ばれることを特徴とする、請求項１記載のアプリケーションファイル。
【請求項５】
前記ＤＳＶデータパターンが値の繰り返しパターンであることを特徴とする、請求項１または４記載のアプリケーションファイル。
【請求項６】
前記ＤＳＶデータパターンの大きさがあらかじめ決められた値であることを特徴とする、請求項１記載のアプリケーションファイル。
【請求項７】
前記ＤＳＶデータパターンが変化の速いＤＳＶを生じるよう構成されていることを特徴とする、請求項１または４記載のアプリケーションファイル。
【請求項８】
前記ＤＳＶデータパターンがかなりの低周波成分をもつＤＳＶを生じるよう構成されていることを特徴とする、請求項１または４記載のアプリケーションファイル。
【請求項９】
当該アプリケーションファイル中の前記制御データに、情報の記述子もしくは情報へのアクセスを可能にするデータまたはその両方が含まれることを特徴とする、請求項１記載のアプリケーションファイル。
【請求項１０】
前記アクセスを可能にする制御データに、ナビゲーションデータもしくはタイミングデータまたはその両方が含まれることを特徴とする、請求項９記載のアプリケーションファイル。
【請求項１１】
アプリケーションをコピープロテクトする方法であって、該アプリケーションは光ディスクに担持される、該アプリケーションのための情報および制御データを含むアプリケーションファイルによって提供されるものであり、当該方法は、前記アプリケーションファイルを光ディスクに転写する前に該アプリケーションファイル中にＤＳＶデータパターンを組み込むことを含んでおり、ここで前記ＤＳＶデータパターンとは光ディスク上にエンコードされたときにピットおよびランドのレベルにＤＳＶ問題を引き起こすものと同定されているシンボル値であり、当該方法はさらに、前記ＤＳＶデータパターンを、該ＤＳＶデータパターンが当該アプリケーションファイルの使用の際に当該アプリケーションファイルを担持する光ディスクのプレーヤーまたはリーダーによってアクセスされるような形で当該アプリケーションファイル中に含まれる情報の中に配置することを含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記アプリケーションファイルが制御データもしくは制御データが組み込まれているヘッダまたはその両方をもち、前記ＤＳＶデータパターンを前記制御データ中に配置することをさらに含むことを特徴とする、請求項１１記載の、アプリケーションをコピープロテクトする方法。
【請求項１３】
前記アプリケーションファイルが制御データもしくは制御データが組み込まれているヘッダまたはその両方をもち、該アプリケーションファイル中の前記ＤＳＶデータパターンの位置を指示する前記制御データ中のポインタまたはオフセットを少なくとも一つ含んでいることを特徴とする、請求項１１記載の、アプリケーションをコピープロテクトする方法。
【請求項１４】
前記ＤＳＶデータパターンを含む領域の前もしくは後またはその両方に０だけを含む領域を前記アプリケーションファイル中に組み込むことをさらに含むことを特徴とする、請求項１１記載の、アプリケーションをコピープロテクトする方法。
【請求項１５】
請求項１記載のアプリケーションファイルによって定義されるアプリケーションを担持しており、該アプリケーションファイルが当該光ディスクに転写されたものであることを特徴とする、コピープロテクトされた光ディスク。
【請求項１６】
前記アプリケーションファイルが「先読み」機能のあるエンコーダーを使うマスタリング工程によって当該光ディスクに転写されたものであることを特徴とする、請求項１５記載の、アプリケーションを担持しているコピープロテクトされた光ディスク。
【請求項１７】
前記アプリケーションファイルが、レーザービームレコーダーを制御するエンコーダーを使うマスタリング工程によって当該光ディスクに転写されたものであることを特徴とする、請求項１５記載の、アプリケーションを担持しているコピープロテクトされた光ディスク。
【請求項１８】
光ディスク上に担持されるアプリケーションファイルを記憶している、光ディスクのマスタリング工程で使う記憶装置であって、前記アプリケーションファイルがアプリケーションのための情報および制御データを含んでおり、コピープロテクトを提供するためにＤＳＶデータパターンが前記アプリケーションファイルに組み込まれており、前記ＤＳＶデータパターンとは光ディスク上にエンコードされたときにピットおよびランドのレベルにＤＳＶ問題を引き起こすものと同定されているシンボル値であり、該ＤＳＶデータパターンは当該アプリケーションファイルの使用の際に当該アプリケーションファイルを担持する光ディスクのプレーヤーまたはリーダーによってアクセスされるような形で当該アプリケーションファイル中に含まれる情報の中に配置されることを特徴とする記憶装置。
【請求項１９】
前記ＤＳＶデータパターンがＤＳＶがかなり大きな絶対値をもつことを保証するように選ばれることを特徴とする、請求項１８記載の記憶装置。
【請求項２０】
前記ＤＳＶデータパターンが変化の速いＤＳＶを生じるよう構成されていることを特徴とする、請求項１８記載の記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月2日(2007.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）ケイ素含有誘電体層を有する基材を、下記の（ａ）〜（ｃ）を含有し、７又はそれ未満のｐＨを有し、且つ無機研磨材粒子と静電的に会合する架橋ポリマー研磨材粒子を有意の量で含有しない化学機械的研磨系と接触させること：
（ａ）無機研磨材、
（ｂ）アリールアミン、アミノアルコール、脂肪族アミン、複素環式アミン、ヒドロキサム酸、アミノカルボン酸、環状モノカルボン酸、不飽和モノカルボン酸、置換フェノール、スルホンアミド、チオール、これらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、且つｐＫａ３〜９の官能基を有する、研磨添加剤、及び
（ｃ）液体キャリヤ；並びに
（ｉｉ）前記ケイ素含有誘電体層の少なくとも一部を削って、前記基材を研磨すること；
を含む、ケイ素含有誘電体層を有する基材の研磨方法。
【請求項２】
前記研磨添加剤が、ｐＫａ４〜９の官能基を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記研磨添加剤が、ｐＫａ３〜８の官能基を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記官能基が、アミン、カルボン酸、アルコール、チオール、スルホンアミド、イミド、ヒドロキサム酸、ヒドラジン、バルビツル酸、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記基材が、二酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記研磨系が２〜６．５のｐＨを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記研磨系が３．５〜５．５のｐＨを有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記研磨添加剤がアリールアミン化合物である、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記アリールアミン化合物が、カルボン酸、スルホン酸、ホスホン酸、ヒドロキシル基、チオール基、スルホンアミド、これらの塩、及びそれらの組み合わせから選択される1又は複数の置換基を更に有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記アリールアミン化合物が、アニリン、アントラニル酸、オルタニル酸、アミノフェノール、これらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記研磨添加剤が、複素環式アミン化合物である、請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
前記複素環式アミン化合物が、イミダゾール、キノリン、ピリジン、２−メチルピリジン、２−ピリジンカルボン酸、ピリジンジカルボン酸、２−キノリンカルボン酸、モルホリン、ピペラジン、トリアゾール、ピロール、ピロール−２−カルボン酸、テトラゾール、これらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記研磨添加剤がアミノカルボン酸化合物である、請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
前記アミノカルボン酸化合物が、グルタミン酸、アスパラギン酸、ヒスチジン、これらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記研磨添加剤が、Ｃ４〜１２環状アルキル基又はＣ６〜１２アリール基を有する環状モノカルボン酸化合物である、請求項２に記載の方法。
【請求項１６】
前記環状モノカルボン酸が、安息香酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキシル酢酸、２−フェニル酢酸、これらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記研磨添加剤が、不飽和モノカルボン酸、ヒドロキサム酸、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項１８】
前記研磨添加剤が、置換フェノール、チオール、スルホンアミド、又はこれらの組み合わせから選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項１９】
前記無機研磨材が正のゼータ電位を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項２０】
前記研磨組成物が２０００μＳ／ｃｍ又はそれ未満の導電率を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項２１】
前記無機研磨材が、研磨パッドの研磨表面に固定されている、請求項２に記載の方法。
【請求項２２】
前記無機研磨材が、アルミナ、セリア、シリカ、チタニア、クロミア、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ホウ素、マグネシア、酸化鉄、これらの共と生成される生成物、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項２３】
前記無機研磨材がセリアである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記研磨系が、２重量％又はそれ未満の無機研磨材を含有している、請求項２に記載の方法。
【請求項２５】
前記研磨系が、０．５重量％又はそれ未満の無機研磨材を含有している、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記研磨系が、少なくとも２４時間にわたってコロイド状態で安定である、請求項２に記載の方法。
【請求項２７】
前記研磨系が、界面活性剤を更に含有している、請求項２に記載の方法。
【請求項２８】
（ａ）１８０ｎｍ又はそれ未満の平均粒径及び正のゼータ電位を有するセリア研磨材、
（ｂ）アリールアミン、アミノアルコール、脂肪族アミン、複素環式アミン、ヒドロキサム酸、アミノカルボン酸、環状モノカルボン酸、不飽和モノカルボン酸、置換フェノール、スルホンアミド、チオール、これらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、且つｐＫａ３〜９の官能基を有する、研磨添加剤、及び
（ｃ）液体キャリヤ、
を含有しており、且つｐＨが４〜６である、化学機械的研磨系。
【請求項２９】
前記研磨添加剤が、ｐＫａ４〜９の官能基を有する、請求項２８に記載の研磨系。
【請求項３０】
（ｉ）請求項２８に記載の前記化学機械的研磨系を提供すること、（ｉｉ）二酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を有するシャロートレンチ分離基材を、前記化学機械的研磨系と接触させること、（ｉｉｉ）前記基材の少なくとも一部を削って、この基材を研磨すること、を含む、シャロートレンチ分離処理方法。
【請求項３１】
（ｉ）請求項２８に記載の前記化学機械的研磨系を提供すること、（ｉｉ）層間誘電体層又はプリメタル誘電体層を、前記化学機械的研磨系と接触させること、並びに（ｉｉｉ）前記層間誘電体層又はプリメタル誘電体層の少なくとも一部を削って、この層間誘電体層又はプリメタル誘電体層を研磨すること、を含む層間誘電体層又はプリメタル誘電体層の研磨方法。
【請求項３２】
（ｉ）請求項２９に記載の前記化学機械的研磨系を提供すること、（ｉｉ）二酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を有するシャロートレンチ分離基材を、前記化学機械的研磨系と接触させること、並びに（ｉｉｉ）前記基材の少なくとも一部を削って、この基材を研磨すること、を含む、シャロートレンチ分離処理方法。
【請求項３３】
（ｉ）請求項２９に記載の前記化学機械的研磨系を提供すること、（ｉｉ）層間誘電体層又はプリメタル誘電体層を、前記化学機械的研磨系と接触させること、並びに（ｉｉｉ）前記層間誘電体層又はプリメタル誘電体層の少なくとも一部を削って、この層間誘電体層又はプリメタル誘電体層を研磨すること、を含む層間誘電体層又はプリメタル誘電体層の研磨方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌｉy［ＮｉxＣｏ1-2xＭｎx］Ｏ2（式中、０．０２５≦ｘ≦０．４５および０．９≦ｙ≦１．３）を製造する方法であって、
［ＮｉxＣｏ1-2xＭｎx］ＯＨ2を、ＬｉＯＨまたはＬｉ2ＣＯ3、並びに、焼結剤としてアルカリ金属フッ化物およびホウ素化合物の一方または両方と混合するステップと、
得られた混合物を、リチウムイオン電池に使用するのに十分に緻密なＬｉy［ＮｉxＣｏ1-2xＭｎx］Ｏ2の組成物が得られるまで加熱するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記焼結剤が、アルカリ金属フッ化物である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記焼結剤が、ホウ素の化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法によって製造され、かつ、Ｗｈ／Ｌで評価して式［１８３３−３３３ｘ］（０．０２５≦ｘ≦０．４５）によって特徴付けられる最小可逆体積エネルギーを示すリチウム遷移金属酸化物組成物。
【請求項５】
一般式Ｌｉy［ＮｉxＣｏ1-2xＭｎx］Ｏ2（式中、０．０２５≦ｘ≦０．４５および０．９≦ｙ≦１．３）を有し、かつ、Ｗｈ／Ｌで評価して式［１８３３−３３３ｘ］によって特徴付けられる最小可逆体積エネルギーを示す、リチウムイオン電池に使用するリチウム遷移金属酸化物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
他の分化した上皮細胞培養物に加えて、Ｃａｃｏ−２細胞単層の発生及び分化に必要な時間を減らすための試みがなされてきた。そのアプローチの多くは、培養培地への種々の分化及び増殖因子の添加、細胞接着のためのコラーゲン支持体の使用、培地における血清要求の低減に関与する。現在、３−ｄａｙ  ＢＩＯＣＯＡＴ（登録商標）ＨＴＳ  Ｃａｃｏ−２  ａｓｓａｙ  ｍｏｄｅｌ（Ｂｅｃｔｏｎ  Ｄｉｃｋｉｎｓｏｎ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ）が、唯一の市販されている系であり、細胞基質として線維性コラーゲン及び血清フリー培地を使用している。Ｂｉｏｃｏａｔ（登録商標）系は、血清フリーな環境において３日以内に、分化した腸細胞単層の成立を可能にする。この系において、細胞は、Ｂｉｏｃｏａｔ（登録商標）Ｆｉｂｒｉｌｌａｒ  Ｃｏｌｌａｇｅｎ  Ｃｅｌｌ  Ｃｕｌｔｕｒｅ  Ｉｎｓｅｒｔｓ  （Ｂｅｃｔｏｎ  Ｄｉｃｋｉｎｓｏｎ）上に播種され、次いで、酪酸、ホルモン、増殖因子及び他の規定される代謝産物を補充した特殊培地中で培養される。Ｂｉｏｃｏａｔ（登録商標）及び他の促進された系（Ｌｅｎｔｚらによって開発されたもののような（Ｌｅｎｔｚ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｐｈａｒｍ．Ｓｃｉ．，  １９９８，１  ：  Ｓ４５６））の評価により、これらの迅速なモデルが、化合物の透過性の順位を決定し且つ伝統的な２１日培養系（Ｌｉａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｊ．  Ｐｈａｒｍ．  Ｓｃｉ．，  ２０００，  ８９（３））におけるものと等しい結果を与えることを可能にすることが明らかになった。しかしながら、以前に開発された促進されたＣａｃｏ−２系のいくつかは、低いＰ−糖タンパク質（Ｐ−ｇｐ）レベルを発現し且つ漏れやすい接着結合を示した（Ｌｉａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｊ．  Ｐｈａｒｍ．  Ｓｃｉ．，  ２０００，８９（３））。ＢＩＯＣＯＡＴ（登録商標）系はこのような問題を示さないが、この市販モデルの使用は、促進されたＣａｃｏ−２系の成功した高スループットな培養が特殊培地及び線維性コラーゲン細胞培養インサート（Ｆｉｂｒｉｌｌａｒ  Ｃｏｌｌａｇｅｎ  Ｃａｌｌ  Ｃｕｌｔｕｒｅ  Ｉｎｓｅｒｔ）の頻繁な購入を必要とするため、ルーチンな実験作業にとって実に高価である。さらに、コラーゲンコーティングが薬物輸送を妨げているか否か知られていないため、薬物吸収の本当の状況（ｔｒｕｅ  ｐｉｃｔｕｒｅ）を提供せず、また、伝統的なモデルに対する比較が問題となり得る。従って、潜在的な薬物の高スループットなスクリーニングのためにルーチンに使用され得る、安価で、非−コラーゲン依存性で、迅速なＣａｃｏ−２モデルを開発することが必要とされている。
【特許文献１】米国特許第５，７１２，１６３号公報
【非特許文献１】Shinji Yamashita et al., Journal of Pharmaceutical Sciences, Vol.91, No.3, 669-679, March 2002
【非特許文献２】Tibor Barka et al., Journal of Histochemistry and Cytochemistry, Vol.48, 1453-1460, November 2000
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タバコの充填容量を増大する方法であって、
入口及び出口を有すると共に流路を画定するダクトを準備するステップであって、この流路は、実質的に水平な入口部と、前記入口部と流体連通した実質的に垂直な中間部と、前記中間部と流体連通した実質的に水平な出口部とを備えているステップと、
タバコを膨張させるのに十分な温度を有すると共に前記ダクトを介してタバコを搬送するのに十分な流量及び速度を有する蒸気流を、前記ダクトの前記入口から導入するステップと、
タバコと水から実質的になる湿ったタバコを、前記入口よりも下流から前記ダクト内に導入するステップであって、前記湿ったタバコには、水以外の揮発性の有機又は無機の含浸用化合物が使用されていないステップと、
前記蒸気流に前記タバコを混入するステップと、
前記蒸気及び混入したタバコを前記流路に沿って前記出口に向かって搬送し、前記蒸気及び混入したタバコが前記流路に沿って進むにつれて前記タバコが前記蒸気により膨張するステップと、
前記蒸気及び混入した膨張タバコを前記ダクトの前記出口から収集するステップと、
前記膨張したタバコから前記蒸気を分離するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記タバコがバーレー種タバコ、黄色種タバコ、オリエンタルタバコ及びこれらのブレンドからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ダクトに導入される蒸気が約４００から約８００°Ｆの温度を有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ダクトに導入される蒸気が約６００から約７００°Ｆの温度を有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ダクトに導入される蒸気が約７，０００から約１５，０００ｆｐｍの速度を有する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ダクトに導入される蒸気が約９，０００から約１２，０００ｆｐｍの速度を有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ダクトの前記実質的に垂直な中間部における前記蒸気の速度が約１，５００から約１５，０００ｆｐｍである請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ダクトの前記実質的に垂直な中間部における前記蒸気の速度が約２，５００から約１３，５００ｆｐｍである請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記蒸気流が約８５から約１００重量パーセントの蒸気を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記蒸気流が約１００重量パーセントの蒸気を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ダクトが二種類の半径Ｒによってアーチ形状に画定され、各半径Ｒが約６から約２０フィートである請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ダクトから収集される膨張タバコが、前記ダクトの中に導入するタバコよりも少なくとも約１０％大きい充填容量を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ダクトから収集される膨張タバコが、前記ダクトの中に導入するタバコよりも少なくとも約３０％大きい充填容量を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記湿ったタバコ材料を大気圧で前記ダクト内に入れる請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記タバコがタバコのラミナ又はカットフィラーの形態である請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記タバコを前記ダクト内に導入する前に、前記タバコの含水率を、前記タバコの全重量に対して、約１０から約４０重量パーセントの間に調節するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記タバコを前記ダクト内に導入する前に、前記タバコの含水率を、前記タバコの全重量に対して、約１８から約２６重量パーセントの間に調節する請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記蒸気から分離した後に、前記膨張したタバコの含水率を、前記タバコの全重量に対して、約１１から約１２重量パーセントの間に調節するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記タバコを前記ダクト内に導入する前に、前記タバコを切断してカットフィラーの形態に形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記ダクトが二つの半径Ｒによって画定され、各半径Ｒが約６から約２０フィートである請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記ダクトが二つの半径Ｒによって画定され、各半径Ｒが約８から約１５フィートである請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
請求項１から２１のいずれか一項に記載の方法によって膨張したタバコ材料。
【請求項２３】
請求項２２に記載のタバコ材料を含む喫煙物。