(57)【要約】【課題】  高性能な電子デバイスが得られる技術を提供することである。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなエルビウムを添加した電子デバイスを提供することである。【解決手段】    Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する方法であって、  トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける。【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける
ことを特徴とする電子移動可能体形成方法。
【請求項２】
Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける
ことを特徴とする電子移動可能体形成方法。
【請求項３】
発光デバイスにおける電子移動可能体を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２の電子移動可能体形成方法。
【請求項４】
電子移動可能体を形成する為の材料であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料。
【請求項５】
Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する為の材料であることを特徴とする請求項４の電子移動可能体形成材料。
【請求項６】
発光デバイスにおける電子移動可能体を形成する為の材料であることを特徴とする請求項４又は請求項５の電子移動可能体形成材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子移動可能体形成方法および電子移動可能体形成材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、電子材料分野における進歩は著しく、高速電子デバイス、発光デバイスからレーザに至るまで多岐に応用されている。そして、近年、電子デバイスの分野では、ＥｒＰに代表されるランタノイド元素（Ｌｎ）とＶ族元素とからなる化合物を量子井戸とする二重障壁共鳴トンネルダイオードが期待されている。
【０００３】
すなわち、Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ／ＬｎＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰの如きのヘテロ構造を作成し、ＬｎＰ層の厚さを厳密に制御してエピタキシャル成長することが出来たならば、半金属と半導体のコントロ−ルが可能となり、種々の超高速電子デバイスを展望することが出来ると考えられる。
【０００４】
又、光の分野でも、ＬｎのＧａＡｓやＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰへの添加は通信システムにおける発光デバイスとしての応用が期待されており、特に、発光効率の安定化と発光効率の向上が待たれている。
【０００５】
現在、ＧａＡｓに代表される化合物半導体の製造法は、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）が主流である。
【０００６】
ところで、ランタノイド元素−Ｖ族元素のエピタキシャル成長やランタノイド元素の添加においても、良好なランタノイド有機金属原料が求められる。気化性が有るランタノイド有機金属は、β−ジケトネイトランタノイドが知られているが、このものは、固体であり、安定した蒸気が得られ難く、しかも分解性が悪いことから使用できない。そして、発光効率が良いランタノイド元素を添加した化合物半導体は得られていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明が解決しようとする課題は、高性能な電子移動可能体が得られる技術を提供することである。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなランタノイド元素を有する電子移動可能体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の課題を解決する為の研究を鋭意押し進めて行った結果、トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを用いて構成された電子移動可能体が極めて高性能なものであることを見出すに至った。
【０００９】
上記知見に基づいて本願発明が達成されたものである。
【００１０】
すなわち、前記の課題は、電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける
ことを特徴とする電子移動可能体形成方法によって解決される。
【００１１】
又、Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける
ことを特徴とする電子移動可能体形成方法によって解決される。
【００１２】
特に、発光デバイスにおける電子移動可能体を形成する上記電子移動可能体形成方法によって解決される。
上記トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムの分解は、熱、プラズマ、光、レーザの群の中から選ばれる手法により行われる。
【００１３】
又、電子移動可能体を形成する為の材料であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料によって解決される。
【００１４】
又、Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する為の材料であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料によって解決される。
【００１５】
特に、発光デバイスにおける電子移動可能体を形成する上記電子移動可能体形成材料によって解決される。
【発明の効果】
【００１６】
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウム［（ＥｔＣｐ）３Ｅｒ］は、融点が７０℃以下で、気化させる温度において液体であり、気化特性が良好である。従って、高性能な電子デバイスが得られる。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなエルビウムを添加した電子デバイスが得られる。
【００１７】
尚、本願出願人は、先に、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｌｎ〔Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はがエチルシクロペンタジエニル基（（Ｃ２Ｈ５）Ｃ５Ｈ４−）、イソプロピルシクロペンタジエニル基（（ｉ−Ｃ３Ｈ７）Ｃ５Ｈ４−）、ノルマルブタンシクロペンタジエニル基（（ｎ−Ｃ４Ｈ９）Ｃ５Ｈ４−）などのアルキル基、シリコン系化合物の基、及びアミノ基の群の中から選ばれる基〕で表される化合物からなるランタニド系膜形成材料、及びこのランタニド系膜形成材料で構成された膜をゲート酸化膜として用いた半導体素子を提案（特願２０００−２８００６２）している。
【００１８】
しかしながら、この提案（特願２０００−２８００６２）は、電子移動可能体に関するものではない。すなわち、ゲート酸化膜に関するものに過ぎない。そればかりか、特願２０００−２８００６２の具体的実施例で挙げられている［（ｉ−Ｃ３Ｈ７）Ｃ５Ｈ４］３Ｌｎを用いて電子移動可能体膜を形成した半導体素子は、［（Ｃ２Ｈ５）Ｃ５Ｈ４］３Ｌｎを用いて電子移動可能体膜を形成した半導体素子に比べて劣るものであった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の電子移動可能体形成方法は、電子移動可能体を形成する方法である。特に、Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する方法である。又、発光デバイスにおける電子移動可能体を形成する方法である。そして、トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設けるものである。トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムの分解は、熱、プラズマ、光、レーザの群の中から選ばれる手法により行われる。中でも、熱分解、光分解、反応分解、プラズマ分解、マイクロ波分解の群の中から選ばれる手法を用いて行われる。
【００２０】
本発明の電子移動可能体形成材料は、電子移動可能体を形成する為の材料である。特に、Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する材料である。又、発光デバイスにおける電子移動可能体を形成する材料である。そして、トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムからなる。
【００２１】
本発明の電子移動可能体は、上記電子移動可能体形成方法により基体上に形成されてなる電子移動可能体である。電子移動可能体は、例えばＥｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂの群の中から選ばれる少なくとも一つからなる。或いは、Ｅｒ及び／又は酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）である。Ｅｒ及び／又は酸素と結合したＥｒの含有割合は、特に、薄膜１ｃｍ３当たり１０１５〜１０２２個である。本発明の電子移動可能体は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。或いは、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。特に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、前記Ｇａ，Ａｓを含む層に隣接して上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。若しくは、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜と上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜との間に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及び／又はＧａ，Ａｓを含む層を有するものである。Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層は、例えばＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）である。
【００２２】
以下、更に具体的な実施例を挙げて説明する。
【００２３】
［実施例１］
［トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムの合成］
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウム（ＥｔＣｐ３Ｅｒ）が次のようにして合成された。
先ず、市販のエチルシクロペンタジエンと粉末状の金属ナトリウムとを溶媒中で反応させ、エチルシクロペンタジエニルナトリウムを合成した。この時の溶媒は、テトラヒドロフラン、ヘキサンなどであって、有機金属に不活性なものなら用いられる。又、粉末状の金属ナトリウムの代わりにＮａＨ，ＮａＮＨ２でも可能である。アルキルリチウム等を用いてエチルシクロペンタジエニルリチウムを合成しても良い。
合成されたエチルシクロペンタジエニルナトリウムと無水塩化エルビウムとを溶媒中で反応させ、ＥｔＣｐ３Ｅｒを合成した。この時の溶媒はテトラヒドロフラン、ヘキサンなどであって、有機金属に不活性なものなら用いられる。
溶媒を濃縮後、残渣からＥｔＣｐ３Ｅｒを溶媒抽出または蒸留抽出によって回収し、得られた粗生物を精密蒸留によって精製し、ＥｔＣｐ３Ｅｒを得た。
【００２４】
このようにして得られたＥｔＣｐ３Ｅｒは、ＴＧ−ＤＴＡ分析によれば、気化特性が良好であることが判明した。又、融点は７０℃以下であり、気化させる温度において液体であることも判った。
又、化学組成も理論式と一致していた。更に、ＩＣＰ−ＭＡＳＳによれば、金属不純物は検出限界以下の高純度品であることが確認された。
尚、上記の合成が数回試みられた。その際の収率は３５〜７５％であった。
これに対して、トリス−シクロペンタジエニル−エルビウム（Ｃｐ３Ｅｒ）の収率は３５％より低く、ＥｔＣｐ３Ｅｒの製造コストはＣｐ３Ｅｒの製造コストよりも低いことが判った。
又、Ｅｒの代わりに、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｍ，Ｙｂが用いられて同様に行われ、トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎが合成された。
【００２５】
次に、上記のようにして得られたＥｔＣｐ３Ｅｒを用いて電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜を成膜した。
図１は成膜装置（ＭＯＣＶＤ）の概略図である。同図中、１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅは原料容器、３は加熱器、４は分解反応炉、５は基板である。
容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ＥｔＣｐ３Ｅｒ、ターシャリ−ブチルアルシン（ＴＢＡｓ）、ターシャリ−ブチルフォスフィン（ＴＢＰ）が入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＡｓとＴＥＧとが、次にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが、その次にＴＢＰとＥｔＣｐ３Ｅｒとが、最後にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが流された。このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。
【００２６】
［実施例２〜６］
実施例１において、ＴＢＰの代わりに水素、希釈酸素、アルキルヒドラジン、ＴＢＡｓ、トリメチルアンチモンをＥｔＣｐ３Ｅｒと共に流した以外は同様に行った。
そして、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／Ｅｒ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用ヘテロ構造化合物（化合物半導体）の膜が基板上に作成された素子（実施例２）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／Ｅｒ２Ｏ３／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＮ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例４）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例５）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＳｂ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例６）を得た。
尚、上記実施例において、熱分解の代わりに、プラズマ、光、レーザー、マイクロ波による分解手段を用いて同様に行った処、同様な結果が得られた。
【００２７】
又、ＥｔＣｐ３Ｅｒの代わりに、ＥｔＣｐ３Ｃｅ，ＥｔＣｐ３Ｐｒ，ＥｔＣｐ３Ｎｄ，ＥｔＣｐ３Ｐｍ，ＥｔＣｐ３Ｓｍ，ＥｔＣｐ３Ｅｕ，ＥｔＣｐ３Ｇｄ，ＥｔＣｐ３Ｔｂ，ＥｔＣｐ３Ｄｙ，ＥｔＣｐ３Ｈｏ，ＥｔＣｐ３Ｔｍ，ＥｔＣｐ３Ｙｂが用いられて同様に行われた。そして、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＣｅＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＰｒＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＮｄＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＰｍＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＳｍＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｕＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧｄＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＴｂＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＤｙＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＨｏＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＴｍＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＹｂＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子が得られた。
【００２８】
［実施例７］
図１の成膜装置を用いた。容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、ＴＥＧ，ＴＭＩ，ＥｔＣｐ３Ｅｒ，ＴＢＡｓ，ＴＢＰが入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＡｓとＴＥＧとが、次にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが、その次にＴＢＡｓとＴＥＧとＥｔＣｐ３Ｅｒとが、最後にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが流された。尚、ＥｔＣｐ３Ｅｒを流す際、Ａｒ希釈酸素（酸素濃度３８ｐｐｍ）を１〜５０ｍｌ／ｍｉｎの割合で同時に供給した。
このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
【００２９】
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。尚、Ｅｒの濃度は約５×１０１７個／ｃｍ３であった。
この素子（発光デバイス）の発光スペクトルを観察した処、室温で波長１．５μｍ帯に高輝度でシャープな発光が観察された。又、その発光波長は環境温度に対して極めて安定であった。
【００３０】
［実施例８］
実施例７において、ＧａＩｎＰ膜とＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ膜との界面にＥｒを添加していないＧａＡｓ膜を持つ、すなわち基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧａＡｓ／ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用ヘテロ構造化合物（化合物半導体）の膜が基板上に作成されている素子を作成した。尚、ＧａＡｓ膜はＴＢＡｓとＴＥＧとを流すことによって成膜された。
この素子（発光デバイス）は、実施例７の素子のものよりも発光効率に優れていた。
【００３１】
［実施例９］
図１の成膜装置を用いた。容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、ＴＥＧ，ＴＭＩ，ＥｔＣｐ３Ｅｒ，ＴＢＡｓ，ＴＢＰが入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＰとＥｔＣｐ３Ｅｒとが、次にＴＢＰとＴＭＩとが、最後にＴＢＰとＥｔＣｐ３Ｅｒとが流された。
このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＥｒＰ／ＩｎＰ／ＥｒＰの構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】成膜装置（ＭＯＣＶＤ）の概略図
【符号の説明】
【００３３】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ    原料容器
３                              加熱器
４                              分解反応炉
５                              基板
代理人  宇  高    克  己
【図１】
2006336107.tif 000002