【手続補正書】
【提出日】平成19年2月2日(2007.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜を堆積させるための堆積方法であって、
ａ．非自己制御型堆積プロセスにおいて、第１の複数の前駆体をチャンバに導入し、第１の層を基板上に堆積させ、
ｂ．前記第１の前駆体をパージし、
ｃ．修正プロセスにおいて、前記堆積された第１の層を修正する、少なくとも１つの前駆体が前記第１の複数の前駆体と異なる第２の異なる複数の前駆体を導入する、
ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
少なくとも１つの側壁有する非平坦面と平坦面とを備えた基板上に薄膜を堆積する改良された方法であって、
前記薄膜が複数の層からなり、前記改良が、前記複数の層が堆積されて、前記非平坦面と平坦面上の組成と厚さが均一な前記薄膜を形成するとき、前記層を処理する段階であって、前記処理が高濃度プラズマを使用する段階を備えていることを特徴とする方法。
【請求項３】
少なくとも１つの側壁有する非平坦面と平坦面とを備えた基板上に薄膜を堆積する改良された方法であって、
前記薄膜が複数の層からなり、前記改良が、前記複数の層を処理して修正して前記薄膜を形成する前に、前記層の一部を堆積する段階を備えており、前記処理が高濃度プラズマを使用することを特徴とする方法。
【請求項４】
基板の少なくとも１つの側壁有する非平坦面と平坦面上の均一な組成と厚さの膜を堆積する改良された方法であって、
前記薄膜が複数の層を備えており、前記改良が前記薄膜の堆積の全体に亙って前記堆積された複数の層を処理する段階であって、前記処理が高濃度プラズマを使用する段階を備えていることを特徴とする方法。
【請求項５】
基板の少なくとも１つの側壁有する非平坦面と平坦面上の均一な組成と厚さの膜を堆積するための堆積方法であって、前記均一な薄膜が複数の層からなり、
前記堆積方法が
第１の複数の前駆体を反応チャンバに導入し、前記反応チャンバが基板を含んでおり、  前記基板上に前記第１の複数の前駆体から第１の層を堆積し、
前記反応チャンバから前記第１の複数の前駆体をパージし、
前記第１の層を第２の複数の前駆体を用いて処理して前記第１の層を修正し、
少なくとも１つの後続の層を付加し、そして
前記少なくとも１つの後続の層の上に前記処理段階を反復して前記少なくとも１つの層を修正し、
前記処理段階が前記薄膜の堆積全体に亙って実行されて、堆積された層を修正し、均一な薄膜を形成し、
前記処理が高濃度プラズマを使用することを特徴とする方法。
【請求項６】
前記処理段階がさらに熱エネルギーを印加する段階を備えていることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記処理段階がさらに０．１から５トールの範囲の圧力を有する高圧力プラズマを使用することを特徴する請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記処理段階がさらにバイアス電圧を印加することを特徴する請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記処理段階がさらに前記堆積された層を変化させる段階を備えていることを特徴する請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
基板上に堆積された薄膜を修正して、前記基板の少なくとも１つの側壁を有する非平坦面と平坦面上に組成と厚さが均一の薄膜を生成するための堆積方法であって、前記薄膜が複数の層からなっており、
前記方法が、
前記複数の層が堆積されるとき、前記複数の層のそれぞれを処理する段階を備えており、前記処理が高濃度プラズマを使用することを特徴の方法。
【請求項１１】
基板上に薄膜を堆積するための堆積方法であって、前記薄膜が複数の層からなり、
前記堆積方法が
一定の量の第１の複数の前駆体を反応チャンバに導入し、
前記基板上に前記第１の複数の前駆体から第１の層を堆積し、前記堆積は自己制限的でなく、
前記反応チャンバから第１の無機金属前駆体をパージし、
エネルギー処理のもとで第２の複数の前駆体を付加することによって前記第１の層の中に不純物を送入して前記第１の層を修正し、
少なくとも１つの後続の層を堆積するために前記堆積段階を反復し、
前記少なくとも１つの後続の層に前記送入段階を反復し、
前記送入段階が前記薄膜の堆積の全体に亙って実行されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
基板上に薄膜を堆積させる方法であって、前記薄膜が複数の層を備えており、
前記方法が
第１の前駆体を反応チャンバに導入し、
基板上の前記第１の前駆体から第１の層を堆積し、前記堆積は自己制限的でなく、
前記反応チャンバから前記第１の前駆体をパージし、
前記反応チャンバに第２の前駆体を導入し、
前記第２の前駆体から第２の層を堆積し、
前記第１の層と第２の層を処理し、修正して前記第１の層の特性及び前記第２の層の特性とは異なる少なくとも１つの特性を有する前記薄膜の一部を形成し、
前記堆積段階を反復し、
前記処理及び修正段階を反復し、
前記堆積段階と前記処理し修正する段階が所望の特性を有する前記薄膜に到達するまで実行されることを特徴とする方法。
【請求項１３】
基板上に薄膜を堆積する方法であって、前記薄膜が複数の層からなり、
前記方法が
層Ａを堆積し、
層Ｂを堆積し、
前記層Ａと前記層Ｂを処理し、
前記処理段階が層Ｃを形成し、
前記第１の堆積段階、第２の堆積段階、及び処理段階を反復し、そして
少なくとも１つの所望の特性を有する前記薄膜に到達させることを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記反復する段階がさらに層Ａとは異なる１つの層を堆積する段階、層Ｂとは異なる１つの層を堆積する段階、及び層Ｃとは異なる１つの層を形成するために処理する段階の少なくとも１つの段階を備えていることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
基板上に薄膜を堆積して、前記基板の少なくとも１つの側壁を有する非平坦面と平坦面に組成及び厚さの均一な薄膜を形成する方法であって、前記薄膜が複数の層からなり、前記方法が、
第１の前駆体から第１の層を堆積し、
前記第１の層を処理し、
第２の前駆体から第２の層を堆積し、
前記第２の層を処理し、そして、
複数の所望の特性を有する前記薄膜に到達するまで前記堆積及び処理段階を反復し、
前記処理段階が高濃度プラズマを使用することを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記第１の前駆体が前記第１の前駆体と同一であることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の前駆体が前記第２の前駆体とは異なることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の処理段階の後の第３の前駆体を第３の堆積段階と、前記第３の堆積段階の後の第３の処理段階とをさらに備えていることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
基板上に薄膜を堆積して、前記基板の少なくとも１つの側壁を有する非平坦面と平坦面に組成及び厚さの均一な薄膜を形成する方法であって、前記薄膜が複数の層からなり、前記方法が、
第１の前駆体から第１の層を堆積し、
前記第１の層を処理し、
第２の前駆体から第２の層を堆積し、
前記第２の層を処理し、そして、
前記堆積及び処理段階を反復し、
前記処理段階が高濃度プラズマを使用することを特徴とする方法。
【請求項２０】
少なくとも１つ側壁を有する非平坦面と平坦面とを有する基板上に薄膜堆積するための改良された方法であって、前記薄膜が複数の層からなっており、
前記改良された方法が、
前記複数の層が堆積されて前記非平坦面と前記平坦面に組成と厚さの均一な前記薄膜を形成するとき、前記複数の層を処理する段階を備えており、前記処理段階が非方向性プラズマを使用することを特徴の方法。
【請求項２１】
少なくとも１つ側壁を有する非平坦面と平坦面とを有する基板上に薄膜堆積するための改良された方法であって、前記薄膜が複数の層からなっており、
前記改良された方法が、
前記複数の層が堆積されて前記非平坦面と前記平坦面に組成と厚さの均一な前記薄膜を形成するとき、前記複数の層を処理し、修正して前記薄膜を形成する前に前記薄膜の一部を堆積する段階を備えており、前記処理段階が非方向性プラズマを使用することを特徴の方法。
【請求項２２】
少なくとも１つ側壁を有する非平坦面と平坦面とを有する基板上に薄膜堆積するための改良された方法であって、前記薄膜が複数の層からなっており、
前記改良された方法が、
前記薄膜の堆積の全体に亙って前記堆積された複数の層を処理して均一薄膜を堆積する段階を備えており、前記処理段階が非方向性プラズマを使用することを特徴の方法。