【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  磁気記録ヘッドであって、
セラミック材料からなる基板であって、電気抵抗率が前記基板の他の部分よりも高い一体の領域を含む基板と、
少なくとも１つのセンサー要素を有し、電気抵抗率の高い領域に形成された層と、を具えている磁気記録ヘッド。
【請求項２】  前記領域の電気抵抗率は、基板のその他部分の電気抵抗率よりも７桁以上大きい請求項１の磁気記録ヘッド。
【請求項３】  センサー要素は磁極である請求項１の磁気記録ヘッド。
【請求項４】  前記領域の表面の電気抵抗率は、１０5ohm-cm以上である請求項１の磁気記録ヘッド。
【請求項５】  前記領域の厚さは、約１００Å〜約１０００Åの範囲である請求項１の磁気記録ヘッド。
【請求項６】  セラミック材料はカーバイド材料を含んでいる請求項１の磁気記録ヘッド。
【請求項７】  セラミック材料は、炭化ケイ素、炭化チタン及び炭化ホウ素からなる群から選択される少なくとも一種の材料を含んでいる請求項６の磁気記録ヘッド。
【請求項８】  セラミック材料は、アルミナと炭化チタンを含んでいる請求項７の磁気記録ヘッド。
【請求項９】  セラミック材料は、アルミナを約６０〜約８０重量％、炭化チタンを約２０〜４０重量％含んでいる請求項８の磁気記録ヘッド。
【請求項１０】  電気抵抗率の高い領域は、基板のその他部分よりも炭化チタンが少ない請求項８の磁気記録ヘッド。
【請求項１１】  電気抵抗率の高い領域は、ＳｉＯx(但しｘ≦２)、オキシフッ化アルミニウム錯体、酸化チタン錯体及びＡｌＦ3のうちの少なくとも一種を含んでいる請求項１０の磁気記録ヘッド。
【請求項１２】  電気抵抗率の高い領域は、イオンを基板に衝突させることにより形成される請求項１の磁気記録ヘッド。
【請求項１３】  イオンは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ハロゲン化合物、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源から得られる請求項１２の磁気記録ヘッド。
【請求項１４】  磁気記録ヘッドを含む磁気メモリデバイスであって、
セラミック材料からなる基板であって、電気抵抗率が前記基板の他の部分よりも高い一体の領域を含む基板と、
少なくとも１つの磁極を有し、電気抵抗率の高い領域の少なくとも一部分に形成された層と、を具える磁気メモリデバイス。
【請求項１５】  前記領域の電気抵抗率は、基板の他の部分の電気抵抗率よりも７桁以上大きい請求項１４の磁気メモリデバイス。
【請求項１６】  高い電気抵抗率を有する領域は、基板にイオンを衝突させることによって形成される請求項１５の磁気メモリデバイス。
【請求項１７】  磁気記録媒体をさらに具えており、前記磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体の読出し及び磁気記録媒体への書込みのうちの少なくとも一方を行なう請求項１５の磁気メモリデバイス。
【請求項１８】  磁気メモリデバイスを具える電子デバイスであって、前記磁気メモリデバイスは磁気記録ヘッドを含んでおり、前記磁気記録ヘッドは、
セラミック材料からなる基板であって、電気抵抗率が他の部分よりも実質的に高い一体の領域を含む基板と、
少なくとも１つの磁極を有し、電気抵抗率の高い領域の少なくとも一部分に形成された層とを具えている、電子デバイス。
【請求項１９】  基板の少なくとも一部分の電気抵抗率を大きくする方法であって、
セラミック基板を形成し、
ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ハロゲン化合物、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンを用い、前記セラミック基板に対して、イオン注入及びプラズマ浸漬のうちの少なくとも一方を施すことにより、基板の表面から基板の内部に亘る領域に、基板表面で測定したときの電気抵抗率が１０5ohm-cm以上である変質領域を形成する、ことを含んでいる方法。
【請求項２０】  イオンは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ケイ素、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びフルオロシラン(ＳｉＦ4)からなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンを含んでいる請求項１９の方法。
【請求項２１】  イオン注入は、約１０14〜約１０18イオン／ｃｍ2の量のイオンを、セラミック基板の少なくとも一部分に衝突させることを含んでいる請求項１９の方法。
【請求項２２】  変質領域は、セラミック基板の約１００Å〜約１０００Åの深さまで形成されている請求項１９の方法。
【請求項２３】  セラミック基板は、アルミナと炭化チタンを含み、変質領域は、基板の他の部分よりも炭化チタンが少ない請求項１９の方法。
【請求項２４】  イオンは、ＳｉＦ3+を含み、変質領域は、ＳｉＯx(但しｘ≦２)、オキシフッ化アルミニウム錯体、酸化チタン錯体及びＡｌＦ3のうちの少なくとも一種を含んでいる請求項２３の方法。
【請求項２５】  セラミック基板は、薄膜磁気記録ヘッドの基板である請求項１９の方法。
【請求項２６】  基板の電気抵抗率を大きくする方法であって、
アルミナ及び炭化チタンを含むセラミック基板を形成し、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ハロゲン化合物、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンであって、約１０14〜約１０18イオン／ｃｍ2の量のイオンを、約１〜約１５０ＫｅＶのエネルギーにて、前記セラミック基板の少なくとも一部分に衝突させることにより、基板の表面から基板の内部に亘る領域に、基板表面で測定したときの電気抵抗率が１０5ohm-cm以上、厚さが約１００Å〜約１０００Åである変質領域を形成する、ことを含んでいる方法。
【請求項２７】  薄膜磁気記録ヘッドを作製する方法であって、
セラミック基板を形成し、
該セラミック基板に、イオン注入及びプラズマ浸漬のうちの少なくとも一方を施すことにより、電気抵抗率の高い領域を形成し、
電気抵抗率の高い領域の少なくとも一部分に少なくとも１つの磁極を含む層を形成する、ことを含んでいる方法。
【請求項２８】  前記領域の表面で測定された電気抵抗率は１０5ohm-cm以上である請求項２７の方法。
【請求項２９】  イオン注入及びプラズマ浸漬のうちの少なくとも一方を施す工程は、
ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、窒素、酸素、ハロゲン化合物、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンであって、セラミック基板を表面から約１００Å以上の深さまで化学的に変質させるのに有効な量のイオンを、前記セラミック基板の少なくとも一部分に衝突させることを含んでいるセラミック２８の方法。
【請求項３０】  イオンは、エネルギーが約１〜約１５０ＫｅＶの範囲である請求項２９の方法。
【請求項３１】  セラミック基板は、アルミナ及び炭化チタンを含んでおり、
イオンは、少なくとも一種のフッ素化合物からのイオンを含んでおり、
化学的変質領域は、セラミック基板の他の部分よりも炭化チタンが少ない請求項３０の方法。
【請求項３２】  化学的変質領域は、ＳｉＯx(但しｘ≦２)、オキシフッ化アルミニウム錯体、酸化チタン錯体及びＡｌＦ3のうちの少なくとも一種を含んでいる請求項３１の方法。