(57)【要約】【課題】  低応力・低温接着性の接着フィルムを提供することを目的とする。【解決手段】（Ａ）カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー及び（Ｂ）熱硬化性樹脂を含有してなる接着フィルムを提供する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー及び（Ｂ）熱硬化性樹脂を含有してなる接着フィルム。
【請求項２】
さらに（Ｃ）フィラーを含有してなる請求項１記載の接着フィルム。
【請求項３】
前記接着フィルムの硬化後の弾性率が１〜１００ＭＰａ（２５℃）である請求項１または２記載の接着フィルム。
【請求項４】
前記接着フィルムの硬化後の弾性率が１〜１００ＭＰａ（２５０℃）である請求項１〜３いずれか一項に記載の接着フィルム。
【請求項５】
片面または両面を支持フィルムで支持された請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着フィルム。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか一項に記載の接着フィルムを用いた半導体装置。
【請求項７】
前記半導体装置は、前記接着フィルムを介して支持部材上に半導体素子を備え、前記支持部材が４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム、ポリイミドのプラスチック、エポキシ樹脂のプラスチックフィルム、ポリイミド系樹脂のプラスチックフィルム、ガラス不織布基材にポリイミド、エポキシ樹脂又はポリイミド系樹脂のプラスチックを含浸・硬化させたもの及びアルミナから選ばれるものである請求項６記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材の接合材料、すなわちダイボンディング用材料として用いられる接着フィルム、およびその接着フィルムを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣやＬＳＩとリードフレームの接合にはＡｕ−Ｓｉ共晶合金、半田あるいは銀ペースト等が用いられている。Ａｕ−Ｓｉ共晶合金は、耐熱性及び耐湿性は高いが、弾性率が高いため大型チップへ適用した場合に割れやすいほか、高価である難点がある。半田は安価であるものの、耐熱性が劣り、更に弾性率はＡｕ−Ｓｉ共晶合金と同様に高く、大型チップへ適用が困難である。一方、銀ペーストは安価で、耐湿性が高く、弾性率も上記３者の中では最も低く、３５０℃の熱圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性も有するので、現在はＩＣやＬＳＩとリードフレームの接着用材料の主流である。しかし、近年ＩＣやＬＳＩの高集積化が進み、それに伴ってチップが大型化しているなかで、ＩＣやＬＳＩとリードフレームを銀ペーストで接合しようとする場合、銀ペーストをチップ全面に広げ塗布するには困難を伴う。
【０００３】
また、本出願人は、先に、特定のポリイミド樹脂を用いた接着フィルム、及びこれに導電性フィラー若しくは無機フィラーを含有するダイボンド用接着フィルムを提案した（特許文献１〜４参照）。
【特許文献１】特開平０６−１４５６３９号公報
【特許文献２】特開平０６−２６４０３５号公報
【特許文献３】特開平０７−２２８６９７号公報
【特許文献４】特開２００４−４８０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者らが先に提案した接着フィルムは、比較的低温で接着でき、かつ良好な熱時接着力をもっている。しかし、近年使われ始めている銅リードフレーム（酸化を受けやすい）や熱伝導性の低い絶縁性支持基板（熱膨張が大きいため、加熱接合時に反りやすい）への接合には、室温程度の更に低い温度で接着できる接着フィルムが強く望まれている。本発明は、ダイボンド用として４２アロイリードフレームに用いられるばかりでなく、銅リードフレームにも好適に使用でき、更に絶縁性支持基板にも好適に使用できる低応力・低温接着性の接着フィルムを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態は、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマーを含有することにより、低温接着性を向上させようとしたものである。
【０００６】
上記課題を達成するために、本発明では以下の構成をとった。すなわち、本発明は、（Ａ）カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー、（Ｂ）熱硬化性樹脂を含有してなる接着フィルムに関する。
【０００７】
また本発明は、（Ｃ）フィラーを含有してなる前記の接着フィルムに関する。
【０００８】
また本発明は、接着フィルムの硬化後の弾性率が１〜１００ＭＰａ（２５℃）である前記の接着フィルムに関する。
【０００９】
また本発明は、接着フィルムの硬化後の弾性率が１〜１００ＭＰａ（２５０℃）である前記の接着フィルムに関する。
【００１０】
また本発明は、片面または両面を支持フィルムで支持された接着フィルムに関する。
【００１１】
また本発明は、前記の接着フィルムを用いた半導体装置に関する。
【００１２】
また本発明は、前記半導体装置は、前記接着フィルムを介して支持部材上に半導体素子を備え、前記支持部材が４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム、ポリイミドのプラスチック、エポキシ樹脂のプラスチックフィルム、ポリイミド系樹脂のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にポリイミド、エポキシ樹脂又はポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させたもの及びアルミナから選ばれるものである前記の半導体装置に関する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、室温程度の低い温度でダイボンドすることができ、ダイボンド用として４２アロイリードフレームに用いられるばかりでなく、有機基板などの絶縁性支持基板や銅リードフレームに好適に使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
【００１５】
本発明の一実施形態は、（Ａ）カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー、（Ｂ）熱硬化性樹脂を含有してなる接着フィルムに関する。
【００１６】
上記（Ａ）成分は、ブタジエンのホモポリマーまたはコポリマーであってカルボン酸を末端に有するものであれば特に限定しないが、例えば下記の式で示される化合物(I)および(II)を挙げることができる。
【化１】
2006342300.tif 000002
【００１７】
ここで、ｍ、ｘ、ｙ、ｚの範囲は特に限定しないが、一般的には他材料との反応性の点から、ｍが１〜１０、ｘが１〜１００、ｙが１〜１００、ｚが１〜１００の範囲が好ましい。
【００１８】
また、上記（Ａ）成分の重量平均分子量は、１０００〜８０００が好ましく、３０００〜５０００がより好ましい。重量平均分子量が８０００を超えると、他材料との反応性が低下する。
【００１９】
また、上記（Ａ）成分の粘度は、１０００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、４０〜５００Ｐａ・ｓがより好ましい。粘度が１０００Ｐａ・ｓを超えると、他材料との分散性が低下する。
【００２０】
上記（Ａ）成分としては、例えばＨｙｃｅｒ  ＣＴＢ−２００９×１６２，ＣＴＢＮ−１３００×３１，ＣＴＢＮ−１３００×８、ＣＴＢＮ−１３００×１３、ＣＴＢＮＸ−１３００×９、ＣＴＭＮＸ−１３００Ｘ９（いずれも宇部興産株式会社製）、ＮＩＳＳＯ−ＰＢ−Ｃ−２０００（日本曹達株式会社製）などが挙げられ、これらは２種以上併用してもよい。
【００２１】
本発明で用いる熱硬化性樹脂（Ｂ）としては種々の樹脂が使用できるが、好ましくは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物及び硬化促進剤を含む。
【００２２】
その場合のエポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むもので、硬化性や硬化物特性の点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が好ましく、このような樹脂としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦもしくはハロゲン化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００２３】
エポキシ樹脂の配合量は、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー（Ａ）１００重量部に対し３００重量部を超えない程度、好ましくは２００重量部を超えない程度とする。３００重量部を超えると低応力、低温接着性の特性を発揮しにくい。
【００２４】
また、フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物としては、分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するものが好ましく、このような樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。
【００２５】
フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物の配合量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して１５０重量部を超えないことが好ましく、より好ましくは１０〜１２０重量部である。１５０重量部を超えると硬化性が不充分となる。
【００２６】
硬化促進剤は、エポキシ樹脂を硬化させるために用いられるものであればよい。このようなものとしては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が用いられる。これらは、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
硬化促進剤の量はエポキシ樹脂１００重量部に対し、好ましくは５０重量部を超えない程度、より好ましくは０．１〜２０重量部である。５０重量部を超えると低応力、低温接着性の特性を発揮しにくい。
【００２８】
熱硬化性樹脂として、１分子中に少なくとも２個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物を使用することもできる。このイミド化合物を、熱硬化性樹脂として単独で用いても、前記の熱硬化性樹脂に加えてもよい。そのような化合物の例としては、オルトビスマレイミドベンゼン、メタビスマレイミドベンゼン、パラビスマレイミドベンゼン、１，４−ビス（ｐ−マレイミドクミル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−マレイミドクミル）ベンゼンのほか、下記の式（III）〜（V）で表されるイミド化合物等がある。
【化２】
2006342300.tif 000003
【００２９】
〔式中、ＸやＹは、Ｏ、ＣＨ２、ＣＦ２、ＳＯ２、Ｓ、ＣＯ、Ｃ（ＣＨ３）２又はＣ（ＣＦ３）２を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示し、ｎは０〜４の整数を示す。〕
イミド化合物の量は、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー（Ａ）１００重量部に対して０〜２００重量部、好ましくは０〜１００重量部である。２００重量部を超えると低応力、低温接着性の特性を発揮しにくい。
【００３０】
式（III）のイミド化合物としては、例えば、４，４−ビスマレイミドジフェニルエーテル、４，４−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミド−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルホン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルフィド、４，４−ビスマレイミドジフェニルケトン、２，２’−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン、４，４−ビスマレイミドジフェニルフルオロメタン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン等がある。
【００３１】
式（IV）のイミド化合物としては、例えば、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕フルオロメタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕ケトン、２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン等がある。
【００３２】
これらイミド化合物の硬化を促進するため、ラジカル重合剤を使用してもよい。ラジカル重合剤としては、アセチルシクロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリル等がある。このとき、ラジカル重合剤の使用量は、イミド化合物１００重量部に対して概ね０．０１〜１．０重量部が好ましい。
【００３３】
また、本発明の一実施形態は、（Ｃ）フィラーを含有してなる前記の接着フィルムに関する。
【００３４】
フィラーを含有させる場合、フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の導電性（金属）フィラー、シリカ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機質フィラー等がある。
【００３５】
フィラーのうち、銀粉、金粉、銅粉等の導電性（金属）フィラーは、接着フィルムに導電性、伝熱性、チキソトロピー性を付与する目的で添加される。また、シリカ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機質フィラーは、接着フィルムに低熱膨張性、低吸湿率、チキソトロピー性を付与する目的で添加される。
【００３６】
また、半導体装置の電気的信頼性を向上させるフィラーとして、無機イオン交換体を加えても良い。接着フィルムのペースト硬化物を熱水中で抽出したとき、水溶液中に抽出されるイオン、例えば、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｌ−、Ｆ−、ＲＣＯＯ−、Ｂｒ−等のイオン捕捉作用が認められるものが有効である。このようなイオン交換体としては、天然に産出されるゼオライト、沸石類、酸性白土、白雲石、ハイドロタルサイト類などの天然鉱物、人工的に合成された合成ゼオライトなどが例として挙げられる。
【００３７】
これら導電性フィラー又は無機物質フィラーは２種以上を混合して用いることもできる。また、物性を損なわない範囲で導電性フィラーと無機物質フィラーとを混合して用いてもよい。
【００３８】
フィラーの量は、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー（Ａ）１００重量部に対して、通常０〜１００重量部、好ましくは２〜５０重量部の範囲である。１００重量部よりも多いと接着性が低下する。
【００３９】
フィラー含有の接着フィルムは、熱硬化性樹脂（Ｂ）を有機溶媒に溶解しカルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー（Ａ）をあらかじめ混合した後、フィラーを加え、必要に応じ他の成分を加え、攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミルなどの分散機を適宜、組み合せて混合・混練する。得られたペースト状混合物を、ベースフィルムに均一に塗布し、加熱して製造する。ベースフィルムとしては、例えば、テフロン（登録商標）シートが挙げられる。
【００４０】
上記接着フィルムの製造の際に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライムともいう）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライムともいう）、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール、γ−ブチロラクトン、イソホロン、カルビトール、カルビトールアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチル、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、アニソール等がある。これらは２種類以上混合して用いてもよい。
【００４１】
有機溶媒の量については、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー（Ａ）１００重量部に対して、通常１０〜１００重量部である。
【００４２】
こうして得たワニス又はペースト状混合物をベースフィルム上に均一に塗布後、おおむね１００℃〜１８０℃の温度で、１０分〜１５０分間加熱して接着フィルムを作成する。作成後、接着フィルムは両面を保護シートによって保護し、使用の際には、通常は室温下にて保護シートを剥がして使用される。保護シートとしては、例えば、テフロン（登録商標）シートが挙げられる。
【００４３】
得られた接着フィルムは、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子と、支持部材との間に本発明の接着フィルムを挟み、室温又は加熱圧着して、両者を接着させる。加熱の際の温度は、通常２５℃〜３００℃、０．１〜３００秒間である。支持部材として、例えば、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム、ポリイミドのプラスチック、エポキシ樹脂のプラスチックフィルム、ポリイミド系樹脂のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にポリイミド、エポキシ樹脂又はポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させたもの、アルミナ等のセラミックスが挙げられる。
【００４４】
また、本発明の一実施形態は、前記の接着フィルムであって、かつ接着フィルムの片面または両面を支持フィルムで支持された接着フィルムに関する。
【００４５】
支持フィルムとしては、通常フィルムをカバーしているものであれば特に制限はなく、例えば、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリイミドフィルム等が用いられる。
【００４６】
また、本発明の半導体装置は、本発明の接着フィルムを用いて製造されたものであれば特にその構造に制限はなく、例えば、上記のような半導体素子、半導体素子の支持部材、半導体素子と支持部材とを接合している本発明の接着フィルムを含有する半導体装置が挙げられる。
【００４７】
図１に一般的な構造の半導体装置を示す。
【００４８】
図１において、半導体素子８は本発明の接着フィルム１を介して半導体素子支持部材９に接着され、半導体素子８の接続端子（図示せず）はワイヤ６を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続され、封止材７によって封止されている。近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本発明の接着フィルムの用途は、半導体素子の面積の大部分が接着フィルムと接触していればこの構造に限定されるものではない。
【００４９】
また、図２に半導体素子同士を接着した構造を有する半導体装置の一例を示す。図２において、一段目の半導体素子８は本発明の接着フィルム１を介して半導体素子支持部材９に接着され、一段目の半導体素子８の上に更に本発明の接着フィルム１′を介して二段目の半導体素子８’が接着されている。一段目の半導体素子８及び二段目の半導体素子８’の接続端子（図示せず）は、ワイヤ６を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続され、封止材（図示せず）によって封止されている。このように、本発明の接着フィルムは、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
【００５１】
（実施例１）
カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー（Ａ）としてＣＴＭＮＸ−１３００×９（宇部興産株式会社製）を１００重量部を秤取し、これをらいかい機に入れ、熱硬化性樹脂（Ｂ）として予め用意していた、エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−７０２）２５重量部及びフェノール樹脂（Ｈ−１）１５重量部の、溶剤であるカルビトールアセテート（６０重量部）溶液（熱硬化性樹脂の固形分の濃度は約４０重量％）と、硬化促進剤（２ＭＡ−ＯＫ）０．５重量部を加え、混合し、続いて、フィラー（Ｃ）としてシリカ微粉末であるアエロジル３８０を８重量部を加え、１時間撹拌・混練し、本発明の接着フィルム用ワニスを得た。（ワニスＮｏ．１）
（実施例２〜３、比較例１〜３）
ベース樹脂、熱硬化性樹脂、フィラー及び／又は溶剤の種類及び配合量を変えて、実施例１と同様に行い、本発明の接着フィルム用ワニス（Ｎｏ．２〜Ｎｏ．３）及び比較対照のワニス（Ｎｏ．４）を得た。表１にワニスの配合を示した。
【表１】
2006342300.tif 000004
【００５２】
なお、表１において、種々の記号は下記の意味である。
【００５３】
CTMNX-1300X9、CTBN-1300X31、CTBN-1300X8：宇部興産株式会社、カルボン酸末端基を有するブタジエン-アクリロニトリル  コポリマー、HYCAR CTポリマーシリーズ
YDCN-702：東都化成株式会社、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量220)
EOCN-195：日本化薬株式会社、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量200）N-865：大日本インキ製、ビスフェノールノボラック型エポキシ（エポキシ当量208）
H-1：明和化成株式会社、フェノールノボラック樹脂(OH当量106)
VH-4170：大日本インキ化学工業株式会社、ビスフェノールＡノボラック樹脂(OH当量118)
2MA-OK, 2P4MHZ：四国化成工業株式会社、キュアゾール
TPPK：東京化成工業株式会社、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート
シリカ：日本アエロジル株式会社、アエロジル380（シリカの微粉末）
CA ：カルビトールアセテート
NMP：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
DMAC：ジメチルアセトアミド
DMF：ジメチルホルムアミド
また、比較例１〜３におけるポリイミドの合成は以下のように行った。
【００５４】
（合成例１）
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、４，９−ジオキサドデカン−１，１２−ジアミン２０．４ｇ（０．１モル）及びジメチルアセトアミド１５０ｇをとり、攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート二無水物５２．２ｇ（０．１モル）を少量ずつ添加した。室温で３時間反応させた後、キシレン３０ｇを加え、Ｎ２ガスを吹き込みながら１５０℃で加熱し、水とともにキシレンを共沸除去した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾過により採り、乾燥してポリイミド樹脂（Ａ）を得た。
【００５５】
（合成例２）
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、４，９−ジオキサドデカン−１，１２−ジアミン１０．２ｇ（０．０５モル）及び２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン２０．５ｇ（０．０５モル）及びＮ−メチル−２−ピロリドン１５０ｇをとり、攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート二無水物５２．２ｇ（０．１モル）を少量ずつ添加した。添加終了後、氷浴中で３時間、さらに室温で４時間反応させた後、無水酢酸２５．５ｇ（０．２５モル）及びピリジン１９．８ｇ（０．２５モル）を加え、室温で２時間攪拌した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾過により採り、乾燥してポリイミド樹脂（Ｂ）を得た。
【００５６】
調合したＮｏ．１〜４のワニスを各々１００μｍの厚さにテフロン（登録商標）シート（ベースフィルム）上に塗布し、１５０℃で５０分加熱し、その後、室温でベースフィルムを剥がして除き、接着フィルムを得た。
【００５７】
前記Ｎｏ．１〜６（本発明の実施例Ｎｏ．１〜３、比較例Ｎｏ．４〜６で得られたフィルム）の各接着温度でのピール接着力を測定した（表２）。なお、ピール接着力は、接着フィルム１を５×５ｍｍの大きさに切断し、これを５ｘ５ｍｍのシリコンチップ２と銅リードフレーム３の間に挟み、１８０℃又は２５０℃の熱盤４上で１０００ｇの荷重をかけ５秒間圧着させた。その後、１８０℃で１時間硬化させ、図３に示す装置を用いて２５０℃、２０秒間加熱時の引き剥がし強さを測定した。
【表２】
2006342300.tif 000005
【００５８】
また、Ｎｏ．１〜６で得られた接着フィルムを用いてリードフレームにシリコンチップを接合させたときのチップ反りを測定した。
【００５９】
Ｎｏ．１〜３の接着フィルムを用いた場合のチップ反りは、ほとんどゼロであり良好な応力緩和能を示した。Ｎｏ．４〜６（比較）の樹脂ペーストを用いた場合はチップ反りが大きい（表２）。
【００６０】
なお、チップ反りは、各接着フィルムを１３ｍｍ×１３ｍｍの大きさに切断し、これを１３ｍｍ×１３ｍｍの大きさのシリコンチップと銅リードフレームの間に挟み、１０００ｇの荷重をかけて、２５０℃、５秒間圧着させたのち測定した。なお、チップ反りは表面粗さ形を用い直線状に１１ｍｍスキャンしたときのベースラインからの最大高さ（μｍ）の測定値とした。
【表３】
2006342300.tif 000006
【００６１】
本発明の接着フィルムは、極めて低応力であり、かつ熱時の接着力に優れている。また本発明の接着フィルムは、室温程度の低い温度で貼り付ける必要がある基板に対して、容易に使用できるダイボンディング用接着フィルムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は、半導体装置の一例を示す。
【図２】図２は、半導体装置の他の一例を示す。
【図３】図３は、ピール接着力を測定する装置の概略断面図を示す。
【符号の説明】
【００６３】
１、１’  接着フィルム
２  シリコンチップ
３  銅リードフレーム
４  熱盤
５  支え
６  ワイヤ
７  封止材
８、８’半導体素子
９  半導体素子支持部材
【図１】
2006342300.tif 000007
【図２】
2006342300.tif 000008
【図３】
2006342300.tif 000009