【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置が少なくとも１枚のウェハ上に形成される、製造工程用のキャラクタリゼーションデータを生成するための一つ以上の命令シーケンスを保持するコンピュータ読取可能媒体であって、一つ以上のプロセッサによる一つ以上の命令シーケンスの実行によって前記一つ以上のプロセッサは、
製造工程の際に半導体装置に行なわれたテストから得られた測定結果を含む第１のデータセットを受取るステップと、
半導体装置に対する設計特性に対応する値を含む第２のデータセットを受取るステップと、
第１のデータセットからの測定結果を第２のデータセットからの設計特性と比較するステップと、
前記比較するステップに基づき、有効な性能特性および無効な性能特性を有する半導体装置を識別するステップと、
識別された有効半導体装置に基づいて製造工程用のキャラクタリゼーションデータを生成するステップとを行ない、
キャラクタリゼーションデータは前記半導体装置からのテスト結果が適合する推奨境界パラメータを含む、コンピュータ読取可能媒体。
【請求項２】  前記第１のデータセットを受取るステップは、
半導体装置を形成するために分割ロットが製造工程で用いられたかどうかを定めるステップと、
少なくとも１枚のウェハの各々が属する分割ロットを識別する入力を、ユーザから受取るステップと、
受取られた入力に基づいて、各分割ロットに対して１つ以上の工程特性を生成するステップとをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項３】  前記１つ以上の工程特性を生成するステップは、
選択された分割ロットに属するウェハ上に形成された半導体装置用の測定結果を組合せるステップと、
選択された分割ロットの組合せられた測定結果に対する統計的平均を定めるステップと、
すべての分割ロットが特定されるまで、前記組合せるステップおよび定めるステップを
繰返すステップとをさらに含む、請求項２に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項４】  前記一つ以上のプロセッサは、
キーテストパラメータを識別するステップと、
ウェハ当りの正味ダイ値を定めるステップと、
第１および第２のデータセットからのテストパラメータに相関するキーテストパラメータの結果を表示する散布図を作成するステップとをさらに行なう、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項５】  前記１つ以上のプロセッサは、
所定数の前に製造されたウェハからの測定結果に対応する第３のデータセットを受取るステップと、
前記第３のデータセットに基づき、前記少なくとも１枚のウェハ上の半導体装置に対する測定結果の現在の統計的平均値および標準偏差を定めるステップとをさらに行なう、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項６】  前記第１のデータセットを受取るステップは、
ユーザからテストパラメータを受取るステップと、
前記少なくとも１枚のウェハの各々に対して、受取られたテストパラメータに対応する測定結果の統計的平均値を定めるステップと、
前記少なくとも１枚のウェハの各々に対して、受取られたテストパラメータに対応する測定結果の最小値および最大値を定めるステップとをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項７】  前記受取るステップは、少なくとも１枚のウェハの各々に対する各測定結果の統計的平均値を定めるステップをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項８】  前記第１のデータセットを受取るステップは、
ユーザから少なくとも２つの選択されたテストデータを受取るステップと、
前記少なくとも１枚のウェハの各々に対して、２つの選択されたテストパラメータに対応する測定結果の統計的平均値を定めるステップと、
前記少なくとも１枚のウェハの各々に対して、２つの選択されたテストパラメータに対応する測定結果の最小値および最大値を定めるステップと、
前記少なくとも１枚のウェハの各々に対して、２つの選択されたテストパラメータに対応する測定結果の中央値および標準偏差を定めるステップとをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項９】  前記有効な性能特性および無効な性能特性を有する半導体装置を識別するステップは、
測定結果を得るために用いられたテストパラメータからあるテストパラメータを順次選択するステップを含み、さらに
選択された各テストパラメータに対して、
半導体装置に対する選択されたテストパラメータに対応する測定結果を第１のデータセットから識別するステップと、
選択されたテストパラメータに対する設計特性値に対応する値を第２のデータセットから識別するステップと、
第１のデータセットから識別された測定結果を第２のデータセットから識別された値と比較するステップと、
前記値を比較するステップに基づいて、設計特性に適合しない測定結果を有する半導体装置を定めるステップとを行なう、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１０】  前記有効な性能特性を有する半導体装置を特定するステップは
半導体装置から測定された電圧遷移パラメータに対応する値を第１のデータセットから識別するステップと、
電圧遷移用の設計特性値に対応する値を第２のデータセットから識別するステップと、
第１のデータセットから識別された値を第２のデータセットから識別された値と比較す
るステップと、
前記値を比較するステップに基づき、第１の状態および第２の状態間で遷移しない半導体装置を定めるステップとをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１１】  前記有効な性能特性および無効な性能特性を有する半導体装置を識別するステップは
第１のデータセットからの各テストパラメータに対する測定結果を選択されたデータ境界からの対応する値と比較するステップと、
所定の値の範囲外にある測定結果を有する半導体装置を識別するステップとをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１２】  前記１つ以上のプロセッサは、テスト結果が異常値をもたらす装置を識別するステップをさらに行なう、請求項１１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１３】  前記一つ以上のプロセッサは、
無効な性能特性を有すると識別された半導体装置の割合を定めるステップと、
定められた割合の値が所定のしきい値を超えた場合、警告を出力するステップとをさらに行なう、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１４】  前記識別するステップは、無効であると考えられる測定結果を有する個々の半導体装置をユーザが取り除くステップをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１５】  前記生成するステップは、
限界的性能特性を有する半導体装置を選択するステップと、
異なる温度において、半導体装置のための測定結果の変化を定めるステップをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１６】  前記第１のデータセットを受取るステップは、ウェブブラウザインターフェイスを用いて、インターネットを介して遠隔地から第１のデータセットを受取るステップを含む、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１７】  前記第２のデータセットを受取るステップは、ウェブブラウザインターフェイスを用いて、インターネットを介して遠隔地から第２のデータセットを受取るステップを含む、請求項１に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１８】  製造工程用のキャラクタリゼーションデータを生成するためのシステムであって、ワークステーションを含み、前記ワークステーションは
前記製造工程の際に前記半導体装置に行なわれたテストから得られた測定結果を含む第１のデータセットをアクセスし、
前記半導体装置用の設計特性に対応する値を含む第２のデータセットをアクセスし、
前記第１のデータセットからの測定結果を前記第２のデータセットからの設計特性と比較して、有効な性能特性および無効な性能特性を有する半導体装置を識別し、
識別された有効半導体装置に基づいて製造工程用の前記キャラクタリゼーションデータを生成するよう構成され、
前記キャラクタリゼーションデータは前記半導体装置からのテスト結果が適合する推奨境界パラメータを含み、さらに
前記ワークステーションに作動的に結合されて前記キャラクタリゼーションデータを表示するためのディスプレイを含む、システム。
【請求項１９】  前記第１および第２のデータセットを記憶するための第２のワークステーションをさらに含み、前記第１のワークステーションはパケットデータネットワークを介して前記第１および第２のデータセットをアクセスするための通信プラットフォームを提供するためにウェブブラウザを実行するよう構成されている、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】  前記第１のデータセットをアクセスした上で、前記ワークステーションは
ユーザからのテストパラメータを受取り、
少なくとも１枚のウェハの各々に対する受取られたテストパラメータに対応する測定結
果の統計的平均を定め、
少なくとも１枚のウェハの各々に対して受取られたテストパラメータに対応する測定結果の最小値および最大値を定めるよう構成されている、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】  前記第１および第２のデータセットは、コンピュータ読取可能媒体に記憶されている、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２２】  前記ワークステーションは
測定結果を得るために用いられたテストパラメータからあるテストパラメータを順次選択するステップを行ない、さらに
選択された各テストパラメータに対して、
半導体装置に対する選択されたテストパラメータに対応する測定結果を第１のデータセットから識別するステップと、
選択されたテストパラメータに対する設計特性値に対応する値を第２のデータセットから識別するステップと、
第１のデータセットから識別された測定結果を第２のデータセットから識別された値と比較するステップと、
前記値を比較するステップに基づき、設計特性に適合しない測定結果を有する半導体装置を定めるステップとを行なうことにより、
有効な性能特性および無効な性能特性を有する前記半導体装置を識別するよう構成されている、請求項１８に記載のシステム。