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【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体（２）及び複数の歯（４）を含む歯付きベルト（１）であって、
前記歯は、布（５）によってコーティングされ、
前記布は、外側において抵抗層（８）によってコーティングされ、
前記抵抗層は、フッ素系プラストマー、エラストマー材料、及び加硫剤を含み、
前記フッ素系プラストマーは、前記抵抗層内に、前記エラストマー材料の量より多い量で存在し、
前記歯付きベルトは、前記フッ素系プラストマーは、１０μｍより小さい平均サイズの粒子によって主に形成され、且つ、前記抵抗層は、前記布に直接接着するように形成されることを特徴とする歯付きベルト。
【請求項２】
前記フッ素系プラストマーは、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項１記載の歯付きベルト。
【請求項３】
前記第２のエラストマー材料は、ＨＮＢＲを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の歯付きベルト。
【請求項４】
前記第２のエラストマー材料は、ポリメタクリル酸の亜鉛塩で改質されたＨＮＢＲを含むことを特徴とする請求項３記載の歯付きベルト。
【請求項５】
前記抵抗層は、前記フッ素系プラストマーを、前記エラストマー材料に対して１０１乃至１５０重量部の重量で含むことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の歯付きベルト。
【請求項６】
前記抵抗層は、５０乃至８０ｇ／ｍ２の重量を有することを特徴とする請求項５記載の歯付きベルト。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の歯付きベルトを製造する方法であって、
前記抵抗層は、拡散を介して前記布上に直接塗布されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに回転し、相互に折り曲げ可能且つ／又は相互に軸方向で摺動可能な、長手方向対称軸線Ａを備えた２つの回転部材（２１，２２）をシールするためのロールベローズ（１０）であって、比較的小さな直径の第１の回転部材（２１）に固定するための、比較的小さな直径を備えた第１のカラー（１１）、比較的大きな直径の第２の回転部材（２２）に固定するための、比較的大きな直径を備えた第２のカラー（１２）、及び直径が前記の比較的小さな第１のカラー（１１）から比較的大きな第２のカラー（１２）へ拡径する環状壁（１３）を有している形式のものにおいて、
緊締されていないロールベローズにおける、製作後の応力無しの状態の環状壁（１３）が、縦断面図で見て前記の比較的小さな第１のカラー（１１）付近に内向湾曲を備え且つ比較的大きな第２のカラー（１２）付近に外向湾曲を備えた、連続して拡径する一重のＳ字形の延在部を有しており、緊締されたロールベローズの組込み後は、前記環状壁（１３）が折り返されて予負荷された状態で、縦断面図で見て部分的に２重に位置するＣ字形の延在部を比較的小さな第１のカラー（１１）と比較的大きな第２のカラー（１２）との間に有していることを特徴とする、大きな曲率半径を有するロールベローズ。
【請求項２】
互いに回転し、相互に折り曲げ可能且つ／又は相互に軸方向で摺動可能な、長手方向対称軸線Ａを備えた２つの回転部材（２１，２２）をシールするためのロールベローズ（１０）であって、比較的小さな直径の第１の回転部材（２１）に固定するための、比較的小さな直径を備えた第１のカラー（１１）、比較的大きな直径の第２の回転部材（２２）に固定するための、比較的大きな直径を備えた第２のカラー（１２）、及び直径が前記の比較的小さな第１のカラー（１１）から比較的大きな第２のカラー（１２）へ拡径する環状壁（１３）を有している形式のものにおいて、
緊締されていないロールベローズにおける、製作後の応力無しの状態の環状壁（１３）が、縦断面図で見て前記の比較的小さな第１のカラー（１１）と比較的大きな第２のカラー（１２）との間に内向湾曲を備えた、連続して拡径する一重のＣ字形の延在部を有しており、緊締されたロールベローズの組込み後は、前記環状壁（１３）が折り返されて予負荷された状態で、縦断面図で見て部分的に２重に位置するＣ字形の延在部を比較的小さな第１のカラー（１１）と比較的大きな第２のカラー（１２）との間に有していることを特徴とする、大きな曲率半径を有するロールベローズ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼用空気を流入させるための複数の穴（２５）を有する、少なくとも一つの燃焼器（２４）を含む燃焼器部分（１４）と、
前記燃焼器（２４）と該燃焼器（２４）の少なくとも一部分の周囲の一定量空気とを包含する、少なくとも一つの室（２８）を中に画定するケーシング（２６）と、
圧縮空気を前記室（２８）へ送出して、続いて前記燃焼器（２４）へ流入させるため圧縮機ディフューザ出口（２０）を介して該室（２８）と連通する圧縮機部分（１２）と、
を含んだガスタービンエンジン（１０）であって、
前記圧縮機ディフューザ出口（２０）から前記室（２８）への空気流へ部分的に延出するように、該室（２８）の周囲でほぼ連続して該室（２８）へ延出しかつ圧縮機ディフューザ出口（２０）の下流に配置されたリング（２２）であって、該燃焼器（２４）の周囲における空気の再分布を実施するように該空気流の少なくとも一部分の方向と圧力とにステップ変化を発生させることによって、該燃焼器（２４）における燃焼ノイズの低減と温度分布の均一化のうち少なくとも一方を達成するリングを含むことを特徴とする、ガスタービンエンジン（１０）。
【請求項２】
前記リング（２２）が前記室（２８）の壁から延出することを特徴とする請求項１に記載のガスタービンエンジン（１０）。
【請求項３】
前記リング（２２）が前記空気流へほぼ径方向に延出することを特徴とする請求項１に記載のガスタービンエンジン（１０）。
【請求項４】
前記リング（２２）が、前記圧縮機ディフューザ出口（２０）に面する側に傾斜内周面を含むことを特徴とする請求項１に記載のガスタービンエンジン（１０）。
【請求項５】
前記リング（２２）が前記ケーシング（２６）の上流部分と下流部分との間に固定されることを特徴とする請求項１に記載のガスタービンエンジン（１０）。
【請求項６】
前記燃焼器（２４）の前記穴（２５）の大半よりも前記圧縮機ディフューザ出口（２０）に近接するように前記リング（２２）が前記室（２８）に設けられることを特徴とする請求項１に記載のガスタービンエンジン（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の懸垂面状ミラーレットの形に形成された単一のシート
を含む投影受像面。
【請求項２】
前記ミラーレットの間に縁部領域をさらに含み、前記縁部領域の表面積の前記ミラーレットの全面積に対する比が少なくとも約１：１００である請求項１に記載の投影受像面。
【請求項３】
前記シートが第１側と第２側とを有し、前記投影受像面が、前記シートの前記第１側と前記第２側の１つに取り付けられた固体充填物をさらに含む請求項１に記載の投影受像面。
【請求項４】
前記シートが第１側と第２側とを有し、前記投影受像面が前記第１側と前記第２側のいずれか１つの上のコーティングをさらに含み、前記投影受像面が、１０％以上の角カットオフ率を達成し赤外光画像と紫外光画像とを反射する広スペクトル投影受像面である請求項１に記載の投影受像面。
【請求項５】
前記シートが第１側と第２側とを有し、前記投影受像面が前記第１側と前記第２側のいずれか１つの上のコーティングをさらに含み、前記投影受像面が１０％以上の角カットオフ率を達成し、同じスポットの上に投影された複数の画像を異なる視野に反射することができる請求項１に記載の投影受像面。
【請求項６】
前記複数の懸垂面状ミラーレットの各々が１つのフィギュアを含み、前記ミラーレットの各々の前記フィギュアが実質的に等価である請求項１に記載の投影受像面。
【請求項７】
ステラジアン当り約０．０５以下の観察者視野体内散乱比を有する請求項１に記載の投影受像面。
【請求項８】
間接日光において０．７５以上のグレイスケール直線性測定基準を有する請求項１に記載の投影受像面。
【請求項９】
前記懸垂面状ミラーレットが少なくとも１０％の角カットオフ率を有する請求項１に記載の投影受像面。
【請求項１０】
前記角カットオフ率が度当り約９９％である請求項９に記載の投影受像面。
【請求項１１】
前記角カットオフ率が垂直角カットオフ率と角カットオフ率とを、前記垂直角カットオフ率が前記水平角カットオフ率と等しくないように含む請求項９に記載の投影受像面。
【請求項１２】
前記ミラーレットの間に縁部領域をさらに含み、前記縁部領域は約１万分の１〜２インチ（０．００２５〜０．００５ｍｍ）の間にある幅を有する請求項１に記載の投影受像面。
【請求項１３】
前記複数の懸垂面状ミラーレットを分離する複数の尖点付きレッジをさらに含む請求項１に記載の投影受像面。
【請求項１４】
前記縁部領域のすべての表面積がほぼ同じである請求項１、１２、又は１３に記載の投影受像面。
【請求項１５】
前記縁部領域の少なくとも１つの表面積が、その他の前記縁部領域の表面積とは異なる請求項１、１２、又は１３に記載の投影受像面。
【請求項１６】
前記ミラーレットのすべてが同じ幾何学的形状を有する請求項１、１２、又は１３に記載の投影受像面。
【請求項１７】
前記ミラーレットの少なくとも１つの幾何学的形状がその他の前記ミラーレットの幾何学的形状とは異なる請求項１、１２、又は１３に記載の投影受像面。
【請求項１８】
前記複数の懸垂面状ミラーレットが共通の幾何学的形状を共有する連続懸垂面状ミラーレットである請求項１に記載の投影受像面。
【請求項１９】
１００：１より大きい偏光比を有する、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項２０】
２５０：１より大きい偏光比を有する、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項２１】
５００：１より大きい偏光比を有する、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項２２】
３０．４８ｃｍ平方当たり９００００以上のセルを有する、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項２３】
３０．４８ｃｍ平方当たり５７６以上のセルを有する、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項２４】
単一のシートが、ミラーレットとミラーレットとの間に縁部を含み、ミラーレットの領域と縁部は所定形状の一定湾曲である、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項２５】
直射日光における０．５以上のグレイスケール直線性測定基準を有する、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項２６】
部屋光における０．９以上のグレイスケール直線性測定基準を有する、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項２７】
暗くした劇場における０．９８以上のグレイスケール直線性測定基準を有する、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項２８】
暗い環境において、１０％未満の彩度低減を生じる、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項２９】
直接オフアクシス日光において２５％以内まで、暗い部屋光において２％以内まで彩度を維持する、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項３０】
暗い部屋においてゼロ空間周波数から１逆投影受像面セルの空間周波数までの画像空間全体にわたって０．０５以内で平坦であり、照明された部屋の中では０．１５まで平坦である平均変調伝達関数を達成する、請求項３に記載の投影受像面。
【請求項３１】
ミラーレットの間にほぼ均一な幅の縁部領域を有し、隣り合うミラーレットはほぼ均一な距離だけ離されている、請求項１に記載の投影受像面。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月14日(2007.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）高血圧性終末器官損傷を発症する危険性がある対象の生体試料を採取し、
（ｂ）該試料中の少なくとも１つの非筋細胞マーカーのレベルを定量し、ここに、該非筋細胞マーカーはガレクチン−３およびトロンボスポンジン−２よりなる群から選択され；
（ｃ）該マーカーのレベルを標準のレベルと比較し、次いで、
（ｄ）該マーカーのレベルが高血圧性終末器官損傷を発症する危険性を示すか否かを決定する；
ことを特徴とする、高血圧性終末器官損傷の危険がある対象を同定する方法。
【請求項２】
該生体試料が末梢血液に由来する血漿試料である請求項１記載の方法。
【請求項３】
マーカーのレベルが酵素結合免疫吸着検定法（ＥＬＩＳＡ）によって測定される請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
高血圧性終末器官損傷を発症する危険性がある対象を同定するための１以上の非筋細胞マーカーの使用であって、該非細胞マーカーはガレクチン−３およびトロンボスポンジン−２よりなる群から選択される使用。
【請求項５】
鬱血性心不全および高血圧性終末器官損傷の予防およびまたは治療用の医薬の製造のためのガレクチン−３の使用。
【請求項６】
鬱血性心不全および高血圧性終末器官損傷の予防およびまたは治療用の医薬の製造のためのトロンボスポンジン−２の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この設備は、実質的に、集積回路を支持するプレート１２と、ＦＣで示される所定周波数で集積回路を励振する回路１４と、操作中に回路により生成される磁場を分析するための装置１６と、磁場を分析する装置１６の出力において得られる結果を処理するための手段１８とを備える。更に、設備は、操作中に集積回路を観察する手段２０を備える。これらの手段は、それ自体既知であり、詳細は記述しない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
回路が設置される支持１２はミューメタル（登録商標）のプレートにより形成されるか、または回路から離れた、その下方において、磁場に対してバリアを形成するミューメタルを備える。回路はミューメタルのケースに閉じ込めると有益である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
差動増幅器１２２の出力は、測定プローブからの磁場を表わす信号の所定の周波数成分を分離するための選択フィルタ１３８の入力に接続される。決定される磁場の成分の周波数は、ＦＩで示される。この周波数は、例えば、１６０ｋＨｚに等しい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図５に示す実施例において、これらの選択フィルタ１３８は、分離される周波数成分の周波数ＦＩを中心とする帯域通過型の能動選択フィルタを備える。この周波数は、回路の励振周波数と等しい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
隣接する複数の点に対して決定された磁場の三成分に基づいて、処理手段１８は、各成分に対して、一つの方向に対する磁場の導関数を、特に、これら二点間の磁場の成分値間の差を決定し、この差をこの二点を分離する距離で除算することにより決定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
センサ８０６と８０８に接続された処理チェーンの出力において、方向Ｘ−Ｘにおける磁場Ｂの成分の二つの値が提供され、Ｂx1およびＢx2と示される。これらの二つの測定値と、軸Ｚ−Ｚに沿って測定された、センサ８０６と８０８を隔てる既知の距離に基づいて、データ処理部７２４は、Ｚ2およびＺ1を、軸Ｚ−Ｚに沿うセンサ８０６と８０８の位置としたときの、ｄＢx／ｄｚ＝Ｂx2−Ｂx1／ｚ1−ｚ2の関係に基づいて、方向Ｚ−Ｚに関する方向Ｘ−Ｘにおける磁場成分の導関数ｄＢx／ｄｚの評価を決定する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
図１０は、図１の変形例を示す。本実施例においては、測定ヘッド２４は、行と列の形態で、規則的に配設されたセンサのセットを備えるマトリックス１１００により置き換えられている。このセンサのマトリックスにより、シリコンウェーハーにより収容される集積回路のセットのテストが可能になり、回路は、横に並べて配設される。センサのマトリックスは、行と列に分布されたセンサのセットを備え、それぞれは、ウェーハーに属する、テストされる回路に対応している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト材料及び有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）材料を有する集積回路（ＩＣ）構造体を剥脱する方法であって：
一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）ガスを反応器内へ供給すること；
前記反応器でプラズマを発生させること；
前記フォトレジストを剥脱すること；及び、
前記フォトレジスト及び前記ＯＳＧ間に高い選択性を発生させること
を含んでなる方法。
【請求項２】
前記フォトレジストが有機フォトレジストである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フォトレジストを前記剥脱することが、デュアルダマシンプロセス中に行われる複数の工程のうちの１つである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記フォトレジストの前記剥脱が、前記ＯＳＧ材料をエッチングするために用いられる同じ反応器内で行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、さらに：
前記ＩＣ構造体中にエッチングされたビアを提供すること；
前記ビアを占める有機プラグを生成すること；及び、
前記Ｎ2Ｏガスで前記有機プラグを剥脱すること
を含んでなる方法。
【請求項６】
第一フォトレジスト層、第二中間層、および第三有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）層を含む集積回路（ＩＣ）構造体を剥脱する方法であって：
一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を反応器内に供給すること；
前記反応器内にプラズマを発生させること；
前記プラズマで前記フォトレジストを剥脱すること；
前記第一フォトレジスト層及び前記第二ハードマスク層間に高い選択性を発生させること；及び、
前記第一フォトレジスト層及び前記第三ＯＳＧ層間に高い選択性を発生させること
を含んでなる方法。
【請求項７】
前記フォトレジストが有機フォトレジストである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記フォトレジストの前記剥脱が、前記ＯＳＧ層をエッチングするために用いられる同じ反応器内で行われる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記フォトレジストを前記剥脱することが、デュアルダマシンプロセス中に行われる複数の工程のうちの１つである、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記第二中間層がキャップ層である、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記キャップ層が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）及びオキシ窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）からなる群から選ばれる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第二中間層がハードマスク層である、請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
前記ハードマスク層が、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、及び炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる群から選ばれる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第一フォトレジスト層、第二キャップ層、及び第三有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）層を含むＩＣ構造体でビアファーストエッチングを行う方法であって：
一番目に、前記第二キャップ層と前記第三ＯＳＧ層の中に、ビアをエッチングすること；そして、
二番目に、前記第一フォトレジスト層を、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）ガスで剥脱すること
を含んでなる方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、三番目に、前記第三ＯＳＧ層の一部を占める前記ビアで有機プラグを発生させることを、さらに含んでなる方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、四番目に、前記第二キャップ層及び前記第三ＯＳＧ層中にトレンチをエッチングすることを、さらに含んでなる方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、五番目に、前記他の第一フォトレジスト層及び前記有機プラグを、前記Ｎ2Ｏガスで剥脱することを、さらに含んでなる方法。
【請求項１８】
前記フォトレジストが有機フォトレジストである、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記フォトレジストを前記剥脱することが、デュアルダマシンプロセス中に行われる複数の工程のうちの１つである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
第一フォトレジスト層、第二ハードマスク層、および第三有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）層を含むＩＣ構造体でトレンチファーストエッチングを行う方法であって：
一番目に、前記第二ハードマスク層の中にトレンチをエッチングすること；そして、
二番目に、前記第一フォトレジスト層を、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）ガスで剥脱すること
を含んでなる方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、三番目に、ビアエッチングを行うために別の第一フォトレジスト層を塗布することを、さらに含んでなる方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、四番目に、前記第二ハードマスク層及び前記第三ＯＳＧ層中にビアをエッチングすることを、さらに含んでなる方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、五番目に、前記別の第一フォトレジスト層を、前記Ｎ2Ｏガスで剥脱することを、さらに含んでなる方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、六番目に、前記第三ＯＳＧ層の一部を占める前記ビア内に有機プラグを生成させることを、さらに含んでなる方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法であって、七番目に、前記第三ＯＳＧ層中に前記トレンチをエッチングすることを、さらに含んでなる方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であって、八番目に、前記Ｎ2Ｏガスを用いて前記有機プラグを剥脱することを、さらに含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気媒体上にサーボトラックを生成するための磁気記録ヘッドであって、前記磁気記録ヘッドは、
ほぼ平坦な第１の表面を有する基板と、
前記第１の表面に配置された磁気透過性薄膜と、
前記薄膜によって定められたギャップパターンと、
を含み、前記ギャップパターンは、少なくとも１つの湾曲部分を有する少なくとも１つの終端パターンを備えることを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記ギャップパターンは、前記第１の表面の平面に垂直な平面に配向された集束イオンビームを使用して前記薄膜の一部分を除去することによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板に磁気的に結合され、前記基板と前記薄膜を通る磁束を制御可能に流すコイルを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記薄膜は、ＦｅＸＮであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記薄膜は、ＦｅＡＩＮであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記薄膜は、ＦｅＴａＮであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ギャップは、ほぼ平行な側壁を有することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記終端パターンは、ほぼ矩形状で且つ２つの丸みを付けられた外側コーナーを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記終端パターンは更に、２つの丸みを付けられた内側コーナーを有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記丸みを付けられたコーナーは、直径が前記終端パターンの側面長さの約１０％から約５０％までの円に相当することを特徴とする請求項８又は９に記載の装置。
【請求項１１】
前記終端パターンは、ほぼ円形状であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
磁気記録ヘッドのためのギャップパターンであって、前記ギャップパターンは、ある幅を有し且つ少なくとも１つの終端パターンで終端する一対の平行でない長手方向に延びるギャップを含み、前記終端パターンは、少なくとも１つの湾曲部分を有することを特徴とするギャップパターン。
【請求項１３】
前記終端パターンは、ほぼ矩形状で且つ２つの丸みを付けられた外側コーナーを有することを特徴とする請求項１２に記載のギャップパターン。
【請求項１４】
前記終端パターンは更に、２つの丸みを付けられた内側コーナーを有することを特徴とする請求項１３に記載のギャップパターン。
【請求項１５】
前記丸みを付けられたコーナーは、直径が前記終端パターンの側面長さの約１０％から約５０％までの円に相当することを特徴とする請求項１３又は１４に記載のギャップパターン。
【請求項１６】
前記丸みを付けられたコーナーは、直径が前記終端パターンの側面長さの約３０％の円に相当することを特徴とする請求項１５に記載のギャップパターン。
【請求項１７】
前記終端パターンは、ほぼ正方形状で且つ２つの丸みを付けられた外側コーナーを有することを特徴とする請求項１２に記載のギャップパターン。
【請求項１８】
前記終端パターンは、ほぼ円形状であることを特徴とする請求項１２に記載のギャップパターン。
【請求項１９】
前記終端パターンの直径は、前記幅の約１．１から約４倍までの大きさであることを特徴とする請求項１８に記載のギャップパターン。
【請求項２０】
前記終端パターンの直径は、前記幅の約２倍の大きさであることを特徴とする請求項１８に記載のギャップパターン。
【請求項２１】
サーボパターンで転写される磁気媒体であって、前記サーボパターンが、ある幅を有し且つ一対の平行でない長手方向に延びるギャップを含む複数のギャップパターンから構成されると共に、前記サーボパターンが少なくとも１つの湾曲部分を有する少なくとも１つの終端パターンで少なくとも１つのギャップパターンを終端することを特徴とする磁気媒体。
【請求項２２】
前記終端パターンは、ほぼ円形状であることを特徴とする請求項２１に記載の磁気媒体。
【請求項２３】
前記終端パターンは、ほぼ矩形状で且つ２つの丸みを付けられた外側コーナーを有することを特徴とする請求項２１に記載の磁気媒体。
【請求項２４】
前記磁気記録ヘッドは、タイミングベースのサーボヘッドであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２５】
前記磁気記録ヘッドは、振幅をベースとするサーボヘッドであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２６】
前記サーボパターンは、タイミングベースのサーボパターンであることを特徴とする請求項２１に記載の磁気媒体。
【請求項２７】
振幅ベースのサーボパターンで転写される磁気媒体であって、前記サーボパターンが、ある幅を有し且つ一対の平行でない長手方向に延びるギャップを含む複数のギャップパターンから構成されると共に、前記サーボパターンが少なくとも１つの湾曲部分を有する少なくとも１つの終端パターンで少なくとも１つのギャップパターンを終端することを特徴とする磁気媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
許可データを再生するためのユーザ・インタフェース（１１）を有する第１の電子再生デバイス（１）と、
基準データを再生するためのユーザ・インタフェース（２１）を有する第２の電子再生デバイス（２）とを含む許可検証のためのシステムであって、
前記第１の再生デバイス（１）の前記ユーザ・インタフェース（１１）を使用して前記許可データを再生すると共に、前記許可データの前記再生中に、前記第２の再生デバイス（２）の前記ユーザ・インタフェース（２１）を使用した前記基準データの前記再生と前記基準データの前記再生中の再生属性の変更とをそれぞれ時間同期して、前記許可データの前記再生を動的に変化させるように再生属性を変更するための手段を特徴とするシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
許可検証方法において使用することができる第１の電子再生デバイス（１）内部の１つまたは複数のプロセッサを制御して、前記第１の再生デバイス（１）が、前記再生デバイス（１）のユーザ・インタフェース（１１）を使用して許可データを再生し、前記許可データの前記再生が動的に変化するように、前記許可データの前記再生中に再生属性を変更するようにし、前記許可データは、再生され、前記再生属性は、前記許可データの前記再生中に、第２の電子再生デバイス（２）のユーザ・インタフェース（２１）を使用した基準データの再生と前記基準データの前記再生中における再生属性の変更とをそれぞれ時間同期して変更されるようにする目的のコンピュータ・プログラム・コード手段を含むコンピュータ可読媒体を含むコンピュータ・プログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法をプロセッサに実行させることができるプログラムコードを備えたことを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチスクリーンであって：
基板；
前記基板を実質的に覆うコーティング；
前記コーティングの上に配置された透明導体パターンであって、覆われていないコーティングの領域を残している、パターン；および
透明導体パターンと、前記透明導体パターンによって覆われていないコーティングの領域との両方を覆い、接触している充填材料を含み；
ここで前記コーティングが、前記基板の屈折率より低く、かつ前記透明導体パターンの屈折率より低い屈折率を有する、タッチスクリーン。
【請求項２】
前記充填材料が、前記コーティングの屈折率と一致するか、またはほとんど一致する屈折率を有する、請求項１に記載のタッチスクリーン。
【請求項３】
前記第二の基板がガラスを含む、請求項１または２に記載のタッチスクリーン。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のクラッド層と、第２のクラッド層と、導波層とを含む半導体光導波デバイスであって、
前記導波層は、前記第１、第２のクラッド層の間に配置され、前記第１、第２のクラッド層よりも実質上高い屈折率を有しており、
前記第１、第２のクラッド層の少なくとも一方は、ビーム制御層を含んでおり、
前記ビーム制御層は、半導体材の特性がそのビーム制御層にわたって深さの関数として変化しており、第１のサブ層と、第２のサブ層とを含んでおり、
前記第１のサブ層は、前記特性が第１のレベルから第２のレベルまで次第に変化しており、
前記第２のサブ層は、前記特性が前記第２のレベルから第３のレベルまで次第に変化しており、
前記第３のレベルは、前記第１のレベルに実質上等しい、
デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載されたデバイスであって、
前記変化している特性は、材料の量論からみた比である、
デバイス。
【請求項３】
請求項１又は２に記載されたデバイスであって、
前記第１のサブ層は、伝導帯末端を次第に減少させるものであり、
前記第２のサブ層は、伝導帯末端を次第に増大させるものである、
デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載されたデバイスであって、
前記第１のサブ層は、屈折率を次第に増大させるものであり、
前記第２のサブ層は、屈折率を次第に減少させるものであり、
前記第１及び第２のサブ層は、隣接している、
デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載されたデバイスであって、
前記第１のレベルは、隣接するクラッド層の特性のレベルに実質上等しい、
デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載されたデバイスであって、
前記第３のレベルは、隣接するクラッド層の特性のレベルに実質上等しい、
デバイス。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかに記載されたデバイスであって、
前記第１のサブ層の特性は、前記第１のレベル及び前記第２のレベルの間において、実質上直線状に変化している、
デバイス。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載されたデバイスであって、
前記第２のサブ層の特性は、前記第２のレベル及び前記第３のレベルの間において、実質上直線状に変化している、
デバイス。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載されたデバイスであって、
前記第１、第２のクラッド層は、ＧａＡｓベースまたはＩｎＰベースの系から構成されている、
デバイス。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れかに記載されたデバイスであって、
前記導波層は、量子井戸層である、
デバイス。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れかに記載されたデバイスであって、更に基板を含んでおり、
前記第１のクラッド層は、基板からみて最も近位の層であり、
前記ビーム制御層は、前記第１のクラッド層の内部に設けられている、
デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載されたデバイスであって、
前記基板は、ＧａＡｓを含んでおり、
前記第１のクラッド層及び前記ビーム制御層は、ｎ型ＡｌＧａＡｓを含んでおり、
前記第２のクラッド層は、ｐ−ドープされたＡｌＧａＡｓを含んでいる、
デバイス。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れかに記載されたデバイスであって、リッジ導波路を含んでいるデバイス。
【請求項１４】
請求項１乃至１３の何れかに記載されたデバイスであって、
前記特性は、屈折率であり、
屈折率の異なるサブ層を交互に重ね、それぞれのサブ層の厚みを変化させ、更に、交互に重ねられるサブ層に、それぞれ、光の波長よりも実質上小さい厚みを与えることにより、屈折率が、第１及び第２のビーム制御サブ層において次第に変化している、
デバイス。
【請求項１５】
請求項１０に記載されたデバイスであって、レーザー、光変調器または光増幅器を、１つまたは複数含んでいるデバイス。
【請求項１６】
半導体光導波デバイスの製造方法であって、
基板の上に第１のクラッド層を形成するステップと、
前記第１のクラッド層よりも実質上大きい屈折率を有する導波層を、前記第１のクラッド層の上に形成するステップと、
前記導波層よりも実質上小さい屈折率を有する第２のクラッド層を、前記導波層の上に形成するステップとを含んでおり、
前記第１のクラッド層を形成するステップの間に、そこにビーム制御層を形成し、
前記ビーム制御層の形成は、半導体材の特性がそのビーム制御層にわたって深さの関数として変化し、更に、そのビーム制御層が第１のサブ層と、第２のサブ層とを含み、
前記第１のサブ層は、特性が第１のレベルから第２のレベルまで次第に変化し、
前記第２のサブ層は、特性が前記第２のレベルから第３のレベルまで次第に変化するように、堆積条件を次第に変化させることによって行うものであり、
前記第３のレベルは、前記第１のレベルに実質上等しく、
前記第１及び第２のサブ層は、隣接している、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記オブジェクトアプリケーション及び前記ローダアプリケーションは、ローダアプリケーションをポイントするマニフェストファイルを有する当該記憶担体上のJava(登録商標)アーカイブファイルに格納されることを特徴とする請求項１に記載の記憶担体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記ローダアプリケーションは、前記オブジェクトアプリケーションをスタート状態に制御し、ユーザイベントを受信するためシステムへの登録を制御するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の記憶担体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月25日(2007.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈曲波振動を支持するように構成された基板と、
前記基板に結合されるとともに、前記基板内を伝播する振動を感知するように構成された複数のセンサと、
前記センサに結合されるとともに、前記基板へ通信されたタッチを示す感知振動からの情報を用いてタッチ場所を算出するように構成されたコントローラ電子機器と、
前記センサと前記コントローラ電子機器とに結合されたウェイクアップ回路であって、意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動と非意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動とを識別するように構成され、前記意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動に応答して、ウェイクアップ信号を生成して前記ウェイクアップ信号を前記コントローラ電子機器に通信するように構成されたウェイクアップ回路と、を備えるタッチ入力装置。
【請求項２】
屈曲波振動を支持するように構成された基板と、
前記基板に結合されるとともに、前記基板内を伝播する振動を感知するように構成された複数のセンサと、
前記センサに結合されるとともに、前記基板へ通信されたタッチを示す感知振動からの情報を用いてタッチ場所を算出するように構成されたコントローラ電子機器と、
前記基板に結合される励起変換器であって、前記基板に励起振動を付与する少なくとも１つの励起変換器と、
前記センサと、前記コントローラと、前記励起変換器とに結合されたウェイクアップ回路であって、前記基板に付与されたタッチ振動に対する励起振動の応答を検出するとともに、意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動と非意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動とを識別するように構成され、前記意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動に応答して、ウェイクアップ信号を生成して前記ウェイクアップ信号を前記コントローラ電子機器に通信するように構成されたウェイクアップ回路と、を備えるタッチ入力装置。
【請求項３】
タッチ入力装置の基板内を伝播する屈曲波振動を感知し、
意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動と非意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動とを識別し、
前記意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動に応答して、ウェイクアップ信号を生成し、そして、
制御システムを休眠状態から動作状態に移行するために、前記ウェイクアップ信号を前記制御システムに通信するのを備える方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の第１の形態によれば、屈曲波振動を支持するように構成された基板と、前記基板に結合されるとともに、前記基板内を伝播する振動を感知するように構成された複数のセンサと、前記センサに結合されるとともに、前記基板へ通信されたタッチを示す感知振動からの情報を用いてタッチ場所を算出するように構成されたコントローラ電子機器と、前記センサと前記コントローラ電子機器とに結合されたウェイクアップ回路であって、意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動と非意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動とを識別するように構成され、前記意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動に応答して、ウェイクアップ信号を生成して前記ウェイクアップ信号を前記コントローラ電子機器に通信するように構成されたウェイクアップ回路と、を備えるタッチ入力装置が提供される。
また、本発明の第２の形態によれば、屈曲波振動を支持するように構成された基板と、前記基板に結合されるとともに、前記基板内を伝播する振動を感知するように構成された複数のセンサと、前記センサに結合されるとともに、前記基板へ通信されたタッチを示す感知振動からの情報を用いてタッチ場所を算出するように構成されたコントローラ電子機器と、前記基板に結合される励起変換器であって、前記基板に励起振動を付与する少なくとも１つの励起変換器と、前記センサと、前記コントローラと、前記励起変換器とに結合されたウェイクアップ回路であって、前記基板に付与されたタッチ振動に対する励起振動の応答を検出するとともに、意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動と非意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動とを識別するように構成され、前記意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動に応答して、ウェイクアップ信号を生成して前記ウェイクアップ信号を前記コントローラ電子機器に通信するように構成されたウェイクアップ回路と、を備えるタッチ入力装置が提供される。
さらに、本発明の第３の形態によれば、タッチ入力装置の基板内を伝播する屈曲波振動を感知し、意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動と非意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動とを識別し、前記意図的タッチを示す前記基板内を伝播する感知振動に応答して、ウェイクアップ信号を生成し、そして、制御システムを休眠状態から動作状態に移行するために、前記ウェイクアップ信号を前記制御システムに通信するのを備える方法が提供される。
本発明の様々な実施形態の状況において、用語「意図的タッチ」とはタッチ入力として解釈されることを意図した検出可能な振動、このような振動を生じるイベント、およびセンサがこのような振動を受けることにより生成される信号を指す。用語「非意図的タッチ」とはタッチ入力として解釈されることを意図しない検出可能な振動、このような振動を生じるイベント、およびセンサがこのような振動を受けることにより生成される信号を指す。非意図的タッチの例には外部ノイズおよび検出された信号内に不可欠なシグネチャ（signature）を生成しないタッチ入力装置に対する振動発生衝撃がある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
イベント信号において信号アーチファクトを検出する方法において、
−少なくとも２つのイベント信号を入力するステップ、
−変換関数を用いて前記少なくとも２つのイベント信号の少なくとも一方の推定される値と、前記少なくとも２つのイベント信号の少なくとも他方とを決めるステップ、
−前記推定されるイベント信号と前記少なくとも一方のイベント信号との偏差を決めるステップ、及び
−前記偏差に従って、前記少なくとも一方のイベント信号にアーチファクトが存在するかを判断するステップ
を有する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記少なくとも一方のイベント信号にアーチファクトが無いと判断した場合、警報表示を供給するステップをさらに有する請求項９に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
イベント信号における信号アーチファクトを検出するシステムにおいて、
−少なくとも２つのイベント信号を入力する手段、
−変換関数を用いて前記少なくとも２つのイベント信号の少なくとも一方の推定される値と、前記少なくとも２つのイベント信号の少なくとも他方とを決める手段、
−前記推定されたイベント信号と前記少なくとも一方のイベント信号との偏差を決める手段、及び
−前記偏差に従って前記少なくとも一方のイベント信号にアーチファクトが存在するかを判断するステップ
を有するシステム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のある実施例は、イベント信号における信号アーチファクトを検出する方法に向けられている。この方法は、少なくとも２つのイベント信号を入力するステップ、変換関数を用いてこれら少なくとも２つのイベント信号の少なくとも一方の推定される値と、前記少なくとも２つのイベント信号の少なくとも他方とを決めるステップ、前記推定されたイベント信号と前記少なくとも一方のイベント信号との間の偏差を決めるステップ、及び前記偏差に従って、前記少なくとも一方のイベント信号にアーチファクトが存在するかを決めるステップを含んでいる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の他の実施例は、制御器、この制御器に結合されるメモリ、及び少なくとも２つのイベント信号を入力するように構成される入力インタフェースを含む装置に向けられる。前記制御器は、変換関数を用いてこれら少なくとも２つのイベント信号の少なくとも一方の推定される値と、前記少なくとも２つのイベント信号の少なくとも他方とを決め、前記推定されたイベント信号と前記少なくとも一方のイベント信号との間の偏差を決め、この偏差に従って、前記少なくとも一方のイベント信号にアーチファクトが存在するかを決めるように構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月19日(2007.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のマスタおよび第２のマスタと情報をやりとりするバス・インタフェイスと、
該バス・インタフェイスに結合され、複数のエンドポイントがそれぞれ該第１のマスタおよび該第２のマスタのうちの一方に割付け可能である、該複数のエンドポイントからなるエンドポイント・ストレージ回路と、
ＵＳＢホストと情報をやりとりするシリアル・インタフェイス・エンジンと、
該バス・インタフェイス、エンドポイント・ストレージ回路、およびシリアル・インタフェイス・エンジンに結合され、該シリアル・インタフェイス・エンジンに結合されたＵＳＢプロトコル・ロジックと、該ＵＳＢプロトコル・ロジックから受け取られる情報に基づいて割込みを生成するエンドポイント割込みロジックと、割込みステアリング・レジスタと、該割込みステアリング・レジスタによって提供されるステアリング情報に基づいて該第１のマスタおよび該バス・マスタのうちの対応する一方に該割込みをそれぞれ経路指定する割込みステアリング・ロジックと、からなるＵＳＢ機能コントローラと、
からなる共用ユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）資源。
【請求項２】
複数のエンドポイントがそれぞれ、複数のバス・マスタのうちの１つに割付け可能である、複数のエンドポイントと、
同複数のエンドポイントに結合され、ＵＳＢホストからの通信に基づいて割込みを生成するエンドポイント割込みロジック、該複数のバス・マスタによりアクセス可能な少なくとも１つの割込みステアリング・レジスタ、および同割込みステアリング・レジスタによって提供されるステアリング情報に基づいて該複数のバス・マスタのうちの対応するバス・マスタに該各割込みを経路指定する割込みステアリング・ロジック、からなるＵＳＢ機能コントローラと、
からなる共用ユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）資源。
【請求項３】
システム・バスと、
該システム・バスに結合された第１のバス・マスタと、
該システム・バスに結合された第２のバス・マスタと、
該システム・バスに結合され、該第１のバス・マスタおよび該第２のバス・マスタのうちの少なくとも一方のバス・マスタによって所有されるように構成可能な資源と、
該資源と、該第１のバス・マスタおよび該第２のバス・マスタのうちの少なくとも一方のバス・マスタとの間で、該資源の所有権に基づいて通信経路を確立する追加信号ステアリング・ロジックと、
からなり、該通信経路を使用して、該資源と、該第１のバス・マスタおよび該第２のバス・マスタのうちの該少なくとも一方のバス・マスタとの間で、少なくとも１つの追加信号を転送する、データ処理システム。
【請求項４】
システム・バスを有するデータ処理システムにおいて追加信号を伝えるための方法であって、
該システム・バスに結合された資源と、該システム・バスに結合された複数のバス・マスタのうちの少なくとも１つのバス・マスタとの間で該資源の所有権に基づいて通信経路を確立する工程と、
該資源と、該複数のバス・マスタのうちの該少なくとも１つのバス・マスタとの間で、該通信経路を介して該システム・バスからは分離されて、追加信号を転送する工程と、
からなる方法。
【請求項５】
システム・バスと、
該システム・バスに結合された第１のバス・マスタと、
該システム・バスに結合された第２のバス・マスタと、
該システム・バスに結合され、該第１のバス・マスタおよび該第２のバス・マスタによって使用可能であり、該第１のバス・マスタおよび該第２のバス・マスタのうちの少なくとも一方のバス・マスタによって所有されるように構成可能な資源と、
該資源と、該第１のバス・マスタおよび該第２のバス・マスタのうちの少なくとも一方のバス・マスタとの間で通信経路を確立する追加信号ステアリング・ロジックと、
からなり、該通信経路を使用して、該資源と、該第１のバス・マスタおよび該第２のバス・マスタのうちの該少なくとも一方のバス・マスタとの間で、少なくとも１つの追加信号を転送し、該通信経路が、該資源によって決定されるデータ処理システム。
【請求項６】
システム・バスを有するデータ処理システムにおいて追加信号を伝えるための方法であって、
該システム・バスに結合された資源と、該システム・バスに結合された複数のバス・マスタのうちの少なくとも１つのバス・マスタとの間で、該資源によって決定される通信経路を確立すること、および
該資源と、該複数のバス・マスタのうちの該少なくとも１つのバス・マスタとの間で、該通信経路を介して該システム・バスから分離されて該追加信号を転送すること、
からなる方法。
【請求項７】
第１のバス・マスタと、
第２のバス・マスタと、
該第１のバス・マスタおよび該第２のバス・マスタによりアクセス可能な共用再構成可能資源と、
からなり、該共用再構成可能資源は、該第１のバス・マスタおよび該第２のバス・マスタのうちの少なくとも一方のバス・マスタと、複数の周辺機能から選択される第１の周辺機能を実施するための回路と、の間で、通信経路を確立する、データ処理システム。
【請求項８】
第１のマスタと第１の周辺機能を実施するための回路との間に第１の通信経路を確立するために、再構成可能資源を構成する工程と、
第２のマスタと第２の周辺機能を実施するための回路との間に第２の通信経路を確立ために、該再構成可能資源を構成する工程と、
からなり、
該第１の周辺機能および該第２の周辺機能のそれぞれが、複数の周辺機能から選択される、再構成可能資源を動作させるための方法。
【請求項９】
複数の周辺機能に関連する情報を記憶するように構成可能な再構成可能チャネル・ストレージと、
該複数の周辺機能のそれぞれを実施するように構成可能な再構成可能チャネル回路と、
該再構成可能チャネル・ストレージおよび該再構成可能チャネル回路に結合され、該複数の周辺機能のうちの選択される機能を実施するために、該再構成可能チャネル・ストレージおよび該再構成可能チャネル回路を構成する制御ロジックと、
からなる共用再構成可能資源。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月26日(2007.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の単独陽子交換膜燃料セル及び多数の冷却装置を備え、各セルは、一対の金属双極板によって境界を定められ、イオン交換膜と、その中空中央部分内に集電体を収容するのに適するフレームとして成形されている周囲シールガスケットとを備え、前記双極板及び前記ガスケットには、反応ガスを供給するため、反応生成物を含む残留ガスを抽出するため、温度制御流体を注入及び排出するための穴を含む通過開口が設けられている、フィルタープレスモジュール配設からなる積重ね体であって、前記イオン交換膜内側の前記温度制御流体から生ずるイオンの横移動が防止されることを特徴とする積重ね体。
【請求項２】
負端子に最も近い双極板に、通過開口がないことを特徴とする請求項１に記載の積重ね体。
【請求項３】
前記イオンの横移動が、イオン交換膜を温度制御流体から物理的に隔離することによって防止されることを特徴とする請求項１に記載の積重ね体。
【請求項４】
前記金属双極板の構築材料が、クロム１６〜２６％、ニッケル１０〜２２％、及び任意にモリブデンを含むステンレス鋼であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の積重ね体。
【請求項５】
前記ステンレス鋼が、ＡＩＳＩ ３１６Ｌと、ＤＩＮによるＣｒＮｉ２５２０シリーズの鋼との間で選択されることを特徴とする請求項４に記載の積重ね体。
【請求項６】
温度制御流体が、閉回路中を循環する脱塩水であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の積重ね体。
【請求項７】
イオン交換膜の周囲が、中央中空部分の縁辺と通過開口の外周との間に含まれる、周囲シールガスケットの中間領域内に位置することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の積重ね体。
【請求項８】
前記イオン交換膜が、選択的に稜線又はリングを備え、前記中間領域に位置するシール要素を用いて、温度制御流体と隔離されていることを特徴とする、請求項７に記載の積重ね体。
【請求項９】
前記ガスケットの通過開口に合致し、前記開口よりも大きな断面を有する通過穴が、イオン交換膜に設けられており、前記膜の通過穴の縁辺と、平面ガスケット又はＯリングの形態の非導電材料の稜線又はリングを選択的に備える前記ガスケットの通過開口との間に位置するシール要素を用いて、前記通過穴が、温度制御流体から隔離されていることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の積重ね体。
【請求項１０】
前記非導電材料のリングは、低硬度ゴム、選択的にＥＰＭ又はＥＰＤＭで製作されていることを特徴とする、請求項９に記載の積重ね体。
【請求項１１】
前記非導電材料のリングが液体フィルムからなり、該液体フィルムは、積重ね体の組立時に付けられ、それ自体に含有されている触媒を用いるか、又はＵＶ照射又は熱処理によって、重合化されていることを特徴とする、請求項９に記載の積重ね体。
【請求項１２】
重合化後に、前記フィルムに弾性と低い硬度とが与えられることを特徴とする、請求項１１に記載の積重ね体。
【請求項１３】
前記液体フィルムが、シリコン樹脂ベースの重合可能材料からなることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の積重ね体。