(57)【要約】【課題】画像表示装置の製造における真空排気時間の短縮及び高真空度化を容易に行えるようにし、もって製造効率を向上させる。【解決手段】画像表示装置のパネルを構成するパネル部材１０１、１０２を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながらパネル部材に複数の処理を施した後、パネル部材を封着するに際し、  パネル部材をベーク処理するベーク処理室１０６と、ベーク処理後にパネル部材が搬送され、パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室１０９とを有し、このゲッタ処理は、ゲッタ処理室１０９におけるパネル部材の温度を、ベーク処理室１０６においてベーク処理されるパネル部材の温度よりも低い温度に設定する。【選択図】図１
2006054203.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示装置の製造方法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
ｂ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
ｃ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
ｄ：前記第１の部材と前記第２の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
画像表示装置の製造方法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
ｂ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
ｃ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第１のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、前記第１のゲッタ処理室内のゲッタ処理を行う工程と、
ｄ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第２のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
ｅ：前記第１の部材と前記第２の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材とを加熱して封着処理するための封着処理室と、を有するとともに、前記第１の部材及び前記第２の部材を、前記ゲッタ処理室から前記封着処理室へと搬送可能な搬送手段を備え、
前記ゲッタ処理室と前記封着処理室との間には熱遮蔽部材が設けられていることを特徴とする画像表示装置の製造装置。
【請求項４】
画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、を有するとともに、前記第１の部材及び前記第２の部材を、前記ベーク処理室から前記ゲッタ処理室へと搬送可能な搬送手段を備え、
前記ベーク処理室と前記ゲッタ処理室との間には熱遮蔽部材が設けられていることを特徴とする画像表示装置の製造装置。
【請求項５】
画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材とを加熱して封着処理するための封着処理室と、を有するとともに、前記第１の部材及び前記第２の部材を、ベーク処理室、ゲッタ処理室、封着処理室の順で搬送可能な搬送手段を備え、
前記各処理室間には熱遮蔽部材が設けられていることを特徴とする画像表示装置の製造装置。
【請求項６】
画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を徐冷するための冷却処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、を有するとともに、前記第１の部材及び前記第２の部材を、前記ベーク処理室、前記冷却処理室、前記ゲッタ処理室の順に搬送可能な搬送手段を備えることを特徴とする画像表示装置の製造装置。
【請求項７】
画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を徐冷するための冷却処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材とを加熱し封着処理するための封着処理室と、を有するとともに、前記第１の部材及び前記第２の部材を、前記ベーク処理室、前記冷却処理室、前記ゲッタ処理室、前記封着処理室の順に搬送可能な搬送手段とを備えることを特徴とする画像表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像表示装置、特に表示パネルの表示面を構成するフェースプレートと、該フェースプレートと間隔をおいて対向配置されて該表示パネルの背面を構成するリアプレートとを、封着することにより形成される表示パネルを有する画像表示装置の製造法及びその製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子放出素子としては、大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には、電界放出型（以下、ＦＥ型という）、金属／絶縁層／金属型（以下、ＭＩＭ型という）、表面伝導型電子放出素子などがある。
【０００３】
ＦＥ型の例としては、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ  ＆  Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ  ｉｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）、あるいはＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”ＰＨＹＳＩＣＡＬ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｃａｔｈｏｄｅｓ  ｗｉｔｈ  ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ  ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）などに開示されたものが知られている。
【０００４】
ＭＩＭ型の例としては、Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｔｕｎｎｅｌ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などに開示されたものが知られている。
【０００５】
表面伝導型電子放出素子型の例としては、Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ  Ｅｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）などに開示されたものがある。
【０００６】
表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎＯ2薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｓ  Ｆｉｌｍｓ，”９，３１７（１９７２）］、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｎＯ2薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ  ａｎｄ  Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．ＥＤ  Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］などが報告されている。
【０００７】
上記のような電子放出素子を用いた画像表示装置の製造には、これら電子放出素子をマトリクス配置した電子源基板（リアプレート）を用意すると共に、電子線の励起を受けて発光する蛍光体を設けた蛍光体基板（フェースプレート）を用意し、電子放出素子と蛍光体とが内側となるようにして、且つ、間に真空シール構造を提供する外囲器及び耐大気圧構造を提供するスペーサを配置して、これらフェースプレートとリアプレートとを対向配置してから、フリットガラスなどの低融点物質を封着材として用いて内部をシールし、予め設けておいた真空排気管から内部を真空排気した後、真空排気管を封止して表示パネルとする製造工程が用いられている。
【０００８】
上記した従来技術による製造法は、１枚の表示パネルを製造するのに、非常に長時間を必要とし、また、例えば、内部を真空度１０-6Ｐａ以上とするような表示パネルの製造には適していないものであった。
【０００９】
この従来技術の問題点は、例えば、特開平１１−１３５０１８号公報に記載された方法によって解消された。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記特開平１１−１３５０１８号公報に記載された方法は、単一の真空室内で、ＦＰとＲＰとを位置合わせした後、この２枚の基板を封着する工程のみが用いられているので、上記した表示パネルを作成する上で必要な他の工程であるベーク処理、ゲッタ処理や電子線クリーニング処理などの工程は、やはり各々単一の真空室での処理を施すことが必要となり、ＦＰ及びＲＰの各真空室間の移動は、大気を破って行われるため、ＦＰ及びＲＰの搬入毎に各真空室を真空排気することから、製造工程時間が長くなっていたため、製造工程時間の大幅な短縮が求められていたのと同時に、短時間で、最終製造工程での表示パネル内を真空度１０-6Ｐａ以上のような高真空を達成することも求められていた。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、画像表示装置の製造における真空排気時間の短縮及び高真空度化を容易に行えるようにし、もって製造効率を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
まず、第１の本発明は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室とを有し、前記ゲッタ処理は、前記ゲッタ処理室におけるパネル部材の温度を、前記ベーク処理室においてベーク処理されるパネル部材の温度よりも低い温度に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００１３】
上記第１の本発明においては、前記複数の処理室は、前記ベーク処理室でのベーク処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、が好ましい。
【００１４】
また、第２の本発明は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面浄化処理がなされる表面浄化処理室と、前記表面浄化処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室とを有し、前記ゲッタ処理は、前記ゲッタ処理室におけるパネル部材の温度を、前記ベーク処理室においてベーク処理されるパネル部材の温度よりも低い温度に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００１５】
また、上記第２の本発明においては、前記複数の処理室は、前記表面浄化処理室での表面浄化処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、あるいは、
前記表面浄化処理室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
【００１６】
また、以上述べた第１〜第２の本発明においては、前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記パネル部材の封着は、前記パネル部材の温度を、前記ゲッタ処理室においてゲッタ処理されるパネル部材の温度よりも高い温度に設定して行われること、が好ましい。
【００１７】
また、第３の本発明は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理がなされる第１のゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされる、前記第１のゲッタ処理室と隣接した第２のゲッタ処理室とを有し、前記パネル部材へのゲッタ処理は、前記第２のゲッタ処理室におけるパネル部材の温度を、前記ベーク処理室においてベーク処理されるパネル部材の温度よりも低い温度に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００１８】
また、上記第３の本発明においては、前記複数の処理室は、前記ベーク処理室でのベーク処理後、前記第１のゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記第１のゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内、前記第１及び第２のゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、が好ましい。
【００１９】
また、第４の本発明は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面浄化処理がなされる表面浄化処理室と、前記表面浄化処理後に前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理がなされる第１のゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされる、前記第１のゲッタ処理室と隣接した第２のゲッタ処理室とを有し、前記パネル部材へのゲッタ処理は、前記第２のゲッタ処理室におけるパネル部材の温度を、前記ベーク処理室においてベーク処理されるパネル部材の温度よりも低い温度に設定して行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００２０】
また、上記第４の本発明においては、前記表面浄化処理室は、前記第１のゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室、前記第１及び第２のゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
【００２１】
また、上記第３〜第４の本発明においては、前記パネル部材の封着は、前記パネル部材の温度を、前記第２のゲッタ処理室においてゲッタ処理されるパネル部材の温度よりも高い温度に設定して行われること、が好ましい。
【００２２】
また、本発明の第５は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室とを有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００２３】
また、上記第５の本発明においては、前記複数の処理室は、前記冷却処理室での冷却処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、あるいは、
前記冷却処理室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記冷却処理室及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、あるいは、
前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記冷却処理室内で、更に前記パネル部材の表面浄化処理を行うこと、あるいは、
前記冷却処理室内で、更に前記冷却室内のゲッタ処理を行うこと、あるいは、
前記冷却処理室内で、更に前記パネル部材の表面浄化処理と前記冷却処理室内のゲッタ処理とを行うこと、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
【００２４】
また、第６の本発明は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面浄化処理がなされる表面浄化処理室と、前記表面浄化処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされるゲッタ処理室とを有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００２５】
また、上記第６の本発明においては、前記複数の処理室は、前記表面浄化処理室での表面浄化処理後、前記ゲッタ処理室への搬送前に前記パネル部材が搬送される、前記ゲッタ処理室と隣接した前室を含み、該前室内及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、あるいは、
前記表面浄化処理室は、前記ゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室及び前記ゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、あるいは、
前記ゲッタ処理室において、更に、ゲッタ処理室内のゲッタ処理が行われること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
【００２６】
また、上記第５〜第６の本発明においては、前記パネル部材の封着は、前記パネル部材の温度を、前記ゲッタ処理室においてゲッタ処理されるパネル部材の温度よりも高い温度に設定して行われること、が好ましい。
【００２７】
また、第７の本発明は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理後に前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理がなされる第１のゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされる、前記第１のゲッタ処理室に隣接した第２のゲッタ処理室とを有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００２８】
また、上記第７の本発明においては、前記冷却処理室は、前記第１のゲッタ処理室と隣接しており、前記冷却処理室、前記第１及び第２のゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、あるいは、
前記冷却処理室内で、更に前記パネル部材の表面浄化処理を行うこと、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
【００２９】
また、第８の本発明は、画像表示装置のパネルを構成するパネル部材を、それぞれ温度制御手段を備える減圧された複数の処理室に順次搬送し、温度制御しながら前記パネル部材に複数の処理を施した後、前記パネル部材を封着してパネルを形成する画像表示装置の製造方法であって、
前記複数の処理室は、前記パネル部材をベーク処理するベーク処理室と、前記ベーク処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材を冷却する冷却処理室と、前記冷却処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材の表面浄化処理がなされる表面浄化処理室と、前記表面浄化処理後に前記パネル部材が搬送され、当該処理室内のゲッタ処理がなされる第１のゲッタ処理室と、前記ゲッタ処理後に前記パネル部材が搬送され、前記パネル部材にゲッタ処理がなされる、前記第１のゲッタ処理室に隣接された第２のゲッタ処理室とを有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００３０】
また、上記第８の本発明においては、前記表面浄化処理室は、前記第１のゲッタ処理室と隣接しており、前記表面浄化処理室、前記第１及び第２のゲッタ処理室内は、１０-4Ｐａ以下に設定されること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に電子線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にイオンを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面に紫外線を照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、あるいは、
前記表面浄化処理は、搬入した部材の表面にプラズマを照射して前記部材の表面を浄化する処理であること、
が好ましい。
【００３１】
また、上記第７〜第８の本発明においては、前記パネル部材の封着は、前記パネル部材の温度を、前記第２のゲッタ処理室においてゲッタ処理されるパネル部材の温度よりも高い温度に設定して行われること、が好ましい。
【００３２】
また、以上述べた第１〜第８の本発明においては、前記パネル部材は、前記パネルの表示面を構成するフェースプレートを有し、該フェースプレートと間隔をおいて対向配置されて前記パネルの背面を構成するリアプレートと封着されること、あるいは、
前記リアプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記リアプレート側には、第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された前記パネル部材との封着をなす第１の封着材とが設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
【００３３】
また、以上述べた第１〜第８の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記フェースプレートに配置された第１の封着材を有し、前記リアプレートと前記第１の封着材で封着されること、あるいは、
前記リアプレート側には、第２の封着材で固定され前記パネルの側面を構成する外枠が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
【００３４】
また、上記第７〜第８の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記フェースプレートに第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠を有し、前記リアプレートと封着されること、あるいは、
前記リアプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
【００３５】
また、上記第７〜第８の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記フェースプレートに第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された第１の封着材とを有し、前記リアプレートと前記第１の封着材で封着されること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
【００３６】
また、上記第１〜第８の本発明においては、前記パネル部材は、前記パネルの表示面を構成するフェースプレートと間隔をおいて対向配置されて前記パネルの背面を構成するリアプレートを有し、前記フェースプレートと封着されること、あるいは、
前記フェースプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記フェースプレート側には、第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された前記パネル部材との封着をなす第１の封着材とが設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
【００３７】
また、上記第１〜第８の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記リアプレートに配置された第１の封着材を有し、前記フェースプレートと前記第１の封着材で封着されること、あるいは、
前記フェースプレート側には、第２の封着材で固定され前記パネルの側面を構成する外枠が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
【００３８】
また、上記第１〜第８の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記リアプレートに第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠を有すること、あるいは、
前記フェースプレート側には、前記パネル部材との封着をなす第１の封着材が設けられていること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
【００３９】
また、上記第１〜第８の本発明においては、前記パネル部材は、更に、前記リアプレートに第２の封着材で固定された前記パネルの側面を構成する外枠と、該外枠に配置された第１の封着材とを有し、前記フェースプレートと前記第１の封着材で封着されること、あるいは、
前記第２の封着材は、前記第１の封着材よりもその融点が高いこと、あるいは、
前記第１の封着材は、低融点金属あるいはその合金であること、あるいは、
前記第２の封着材は、フリットガラスであること、
が好ましい。
【００４０】
また、上記第１〜第８の本発明においては、前記フェースプレートは、蛍光体を有すること、あるいは、
前記フェースプレートは、蛍光体とメタルバックとを有すること、あるいは、
前記リアプレートは、蛍光体励起手段を有すること、あるいは、
前記蛍光体励起手段は、電子放出素子を有すること、
が好ましい。
【００４１】
また、第９の本発明は、画像表示装置の製造方法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
ｂ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
ｃ：前記第１の部材と前記第２の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、を有し、
前記工程ｂは、ゲッタ処理される部材の温度が、前記工程ａにおける加熱温度よりも低い温度にて行われることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００４２】
また、第１０の本発明は、画像表示装置の製造方法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
ｂ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の冷却処理室に真空雰囲気下で搬入し、冷却処理する工程と、
ｃ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
ｄ：前記第１の部材と前記第２の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲
気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００４３】
また、上記第１０の本発明においては、前記工程ｂにおける冷却処理室内で、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方に表面浄化処理を行うこと、あるいは、
前記工程ｂにおける冷却処理室内で、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方に表面浄化処理と、前記冷却処理室内のゲッタ処理とを行うこと、が好ましい。
【００４４】
また、第１１の本発明は、画像表示装置の製造方法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
ｂ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
ｃ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
ｄ：前記第１の部材と前記第２の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００４５】
また、上記第１１の本発明においては、前記工程ｂの表面浄化処理室内で、表面浄化処理室内のゲッタ処理を行うこと、あるいは、
前記工程ｂの表面浄化処理室内で、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材の冷却を行うこと、が好ましい。
【００４６】
また、第１２の本発明は、画像表示装置の製造方法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
ｂ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
ｃ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第１のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、前記第１のゲッタ処理室内のゲッタ処理を行う工程と、
ｄ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第２のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
ｅ：前記第１の部材と前記第２の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００４７】
また、上記第１２の本発明においては、前記工程ｂの表面浄化処理室内で、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材の冷却を行うことが好ましい。
【００４８】
また、第１３の本発明は、画像表示装置の製造方法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
ｂ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の冷却処理室に真空雰囲気下で搬入し、冷却処理する工程と、
ｃ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
ｄ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
ｅ：前記第１の部材と前記第２の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００４９】
また、第１４の本発明は、画像表示装置の製造方法において、
ａ：蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを真空雰囲気のベーク処理室に搬入し、加熱してベーク処理する工程と、
ｂ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の冷却処理室に真空雰囲気下で搬入し、冷却処理する工程と、
ｃ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の表面浄化処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方を表面浄化処理する工程と、
ｄ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第１のゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、前記第１のゲッタ処理室内のゲッタ処理を行う工程と、
ｅ：前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を真空雰囲気の第２ゲッタ処理室に真空雰囲気下で搬入し、搬入した一方の部材又は搬入した両方の部材のうちの一方又は両方をゲッタ処理する工程と、
ｆ：前記第１の部材と前記第２の部材とを真空雰囲気の封着処理室に真空雰囲気下で搬入し、加熱して封着する工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００５０】
また、以上述べた第９〜第１４の本発明において、冷却処理室内のゲッタ処理、表面浄化処理室内のゲッタ処理、あるいは、第１のゲッタ処理室内のゲッタ処理とは、各々の処理室内の真空度を上げる目的でなされる処理であり、画像表示装置の構成部材に対してゲッタ膜を形成するか、処理室内に配置された画像表示装置の非構成部材に対してゲッタ膜を形成する処理である。
【００５１】
また、以上述べた第９〜第１４の本発明において、表面浄化処理とは、上記部材の表面を浄化する処理であり、部材の表面に電子線、イオン、紫外線、あるいは、プラズマを照射することが好ましい。
【００５２】
また、以上述べた第９〜第１４の本発明において、上記部材のゲッタ処理は、前記部材を加熱しながら行われるのが好ましい。
【００５３】
また、第１５の本発明は、画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材とを加熱して封着処理するための封着処理室と、を有するとともに、前記第１の部材及び前記第２の部材を、前記ゲッタ処理室から前記封着処理室へと搬送可能な搬送手段を備え、
前記ゲッタ処理室と前記封着処理室との間には熱遮蔽部材が設けられていることを特徴とする画像表示装置の製造装置である。
【００５４】
また、第１６の本発明は、画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、を有するとともに、前記第１の部材及び前記第２の部材を、前記ベーク処理室から前記ゲッタ処理室へと搬送可能な搬送手段を備え、
前記ベーク処理室と前記ゲッタ処理室との間には熱遮蔽部材が設けられていることを特徴とする画像表示装置の製造装置である。
【００５５】
また、第１７の本発明は、画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材とを加熱して封着処理するための封着処理室と、を有するとともに、前記第１の部材及び前記第２の部材を、ベーク処理室、ゲッタ処理室、封着処理室の順で搬送可能な搬送手段を備え、
前記各処理室間には熱遮蔽部材が設けられていることを特徴とする画像表示装置の製造装置である。
【００５６】
また、第１８の本発明は、画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を冷却するための冷却処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、を有するとともに、前記第１の部材及び前記第２の部材を、前記ベーク処理室、前記冷却処理室、前記ゲッタ処理室の順に搬送可能な搬送手段を備えることを特徴とする画像表示装置の製造装置である。
【００５７】
また、上記第１８の本発明においては、前記ベーク処理室と前記冷却処理室との間に熱遮蔽部材が設けられていること、あるいは、
各処理室間に熱遮蔽部材が設けられていること、が好ましい。
【００５８】
また、第１９の本発明は、画像表示装置の製造装置において、
真空雰囲気下に、蛍光体励起手段を配置した基板を含む第１の部材と蛍光体を配置した基板を含む第２の部材とを加熱してベーク処理するためのベーク処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材を冷却するための冷却処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材のうちの一方又は両方の部材をゲッタ処理するためのゲッタ処理室と、前記第１の部材と前記第２の部材とを加熱し封着処理するための封着処理室と、を有するとともに、前記第１の部材及び前記第２の部材を、前記ベーク処理室、前記冷却処理室、前記ゲッタ処理室、前記封着処理室の順に搬送可能な搬送手段とを備えることを特徴とする画像表示装置の製造装置である。
【００５９】
また、上記第１９の本発明においては、前記ベーク処理室と前記冷却処理室との間に熱遮蔽部材が設けられていること、あるいは、
前記ゲッタ処理室と前記封着処理室との間には熱遮蔽部材が設けられていること、あるいは、
前記ベーク処理室と前記冷却処理室との間、及び、前記ゲッタ処理室と前記封着処理室との間には熱遮蔽部材が設けられていること、あるいは、
各処理室間に熱遮蔽部材が設けられていること、
が好ましい。
【００６０】
ここで、上記第１５〜第１９の本発明において、前記熱遮蔽部材は、反射性金属により形成されていることが好ましい。
【００６１】
また、以上述べた第９〜第１９の本発明において、前記第１の部材は、
蛍光体励起手段を配置した基板と外枠とを有すること、あるいは、
蛍光体励起手段を配置した基板とスペーサとを有すること、あるいは、
蛍光体励起手段を配置した基板と、外枠と、スペーサとを有すること、
が好ましい。
【００６２】
または、前記第２の部材が、
蛍光体を配置した基板と外枠とを有すること、あるいは、
蛍光体を配置した基板とスペーサとを有すること、あるいは、
蛍光体を配置した基板と、外枠と、スペーサとを有すること、
が好ましい。
【００６３】
また、以上述べた第９〜第１９の本発明において、
前記ゲッタ処理に用いられるゲッタは、蒸発型ゲッタであること、あるいは、
前記蛍光体励起手段は、電子放出素子を有すること、
が好ましい。
【００６４】
以上述べた本発明においては、真空雰囲気下に、各処理室が夫々設けられているので、上記各処理工程における、第１あるいは第２の部材の温度を各処理室ごとに独立して設定することができ、処理温度の昇降にかかる時間を大幅に短縮できる。
【００６５】
また、以上述べた本発明において、ゲッタ処理される部材の温度が、ベーク処理される部材の温度よりも低い温度に設定されてゲッタ処理されることは、前記部材に形成されるゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。
【００６６】
また、以上述べた本発明において、ゲッタ処理室と隣接した、前室内あるいは前の処理室内が、１０-4Ｐａ以下、更に好ましくは、１０-5Ｐａ以下の減圧状態に設定されることは、ゲッタ処理室へ部材を搬送した際のゲッタ処理室内の真空度の極端な低減を防ぐことができ、ゲッタ処理室へ部材を搬送してからゲッタ処理までの待機時間を短縮することができる。
【００６７】
また、以上述べた本発明において、ゲッタ処理される部材を加熱しながらゲッタ処理がなされることは、ゲッタ処理工程とその前後の加熱工程との間での温度差を小さくすることができ、第１または第２の部材の極端な降温による破損を防げるほか、ゲッタ処理工程と封着処理工程間での前記第１あるいは第２の部材の温度差を小さくすることができるので、封着工程時における昇温に要する時間を大幅に低減することができる。
【００６８】
また、以上述べた本発明において、冷却処理、あるいは、冷却処理室を有することは、第１または第２の部材の極端な降温による破損を防げるほか、ベーク処理工程とゲッタ処理工程の間に設けることで、前記部材に形成されるゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。
【００６９】
また、以上述べた本発明において、冷却処理がなされる処理室内で、第１または第２の部材の表面浄化処理を行うことは、ベーク処理工程などの前の工程における余熱を前記部材の表面浄化に利用することができ、表面浄化処理をより効率的に行うことができる。
【００７０】
また、以上述べた本発明において、ベーク処理工程などの第１あるいは第２の部材への加熱処理工程の後に、前記部材の表面浄化処理を行うことは、前記加熱処理工程における余熱を前記部材の表面浄化に利用することができ、表面浄化処理をより効率的に行うことができる。
【００７１】
また、以上述べた本発明において、ゲッタ処理室と封着処理室との間、あるいは、ベーク処理室とゲッタ処理室との間に熱遮蔽部材を設けることは、ゲッタ膜の熱による劣化を大幅に低減することができる。
【００７２】
また、以上述べた本発明において、フェースプレートあるはリアプレートに外枠を、高融点の第２の封着材を用いて固定しておくことは、封着処理室における第１の封着材の封着処理温度での前記第２の封着材の軟化による前記プレートと外枠との位置ずれを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００７３】
本発明によれば、上記電子放出素子やプラズマ発生素子をＸＹ方向に１００万画素以上のように大容量で設け、且つこの大容量画素を対角サイズ３０インチ以上の大画面に設けた画像表示装置を製造するに当たって、製造工程時間を大幅に短縮することができたのと同時に、画像表示装置を構成する真空容器を１０-6Ｐａ以上のような高真空に達成させることができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７４】
図１（ａ）は本発明に係る製造装置を模式的に示した図、図１（ｂ）は画像表示装置のパネル部材、即ち、上述した第１の部材あるいは第２の部材の温度を示す温度プロファイル、図１（ｃ）は製造装置内真空度を示す真空度プロファイルである。以下、これらに基づいて本発明に係る製造方法と製造装置の一例を説明する。
【００７５】
図１（ａ）において、１０１はパネル部材であるところのリアプレート（以後ＲＰと表記する）であり、蛍光体励起手段として、複数の電子放出素子がマトリクス配線された電子源が形成されている。１０２はパネル部材であるところのフェィスプレート（以後ＦＰと表記する）であり、蛍光体、メタルバックなどが形成されている。１０３はパネル部材であるところの外枠でありＲＰ１０１とＦＰ１０２の間に配置され、ＲＰ１０１及びＦＰ１０２とともに気密容器であるパネルを構成する。１０４はスペーサであり、ＲＰ１０１０とＦＰ１０２との間隔を維持するものである。本実施形態では外枠１０３、とスペーサ１０４は事前にＲＰ１０１上に配置固定されている場合を図示している。
【００７６】
１０５は前室、１０６はベーク処理室、１０７は表面浄化処理室、１０８は第１のゲッタ処理室（チャンバーゲッタ処理室）、１０９は第２のゲッタ処理室（パネルゲッタ処理室）、１１０は封着処理室、１１１は冷却室であり、順次搬送方向（図中の矢印１４５）に従って配列接続され、それぞれ不図示の真空ポンプで排気されて、真空雰囲気が形成されている。
【００７７】
本実施形態においては、上記表面浄化処理室１０７は、電子線照射手段が設けられたエレクトロン・ビーム照射処理室（以後ＥＢ照射処理室と表記）となっている。大気および、各処理室間はゲートバルブ１１２、１１３、１１４、１１５，１１６，１１７，１１８，１１９で隔てられており、パネル部材であるＲＰ１０１，ＦＰ１０２、外枠１０３、スペーサ１０４は、まず、ゲートバルブ１１２の開閉により前室１０５に搬入され、順次、処理室へ各ゲートバルブの開閉によって移動する。１２０はパネル部材の各処理室への移動用のための搬送ローラーである。
【００７８】
また、１２１、１２３，１２７，１３２，１３６はＲＰ１０１および、これに固定された外枠１０３とスペーサ１０４を加熱するためのホットプレートである。一方、１２２，１２４，１２８，１３３，１３７はＦＰ１０２を加熱するためのホットプレートである。
【００７９】
１２５はＥＢ照射処理室１０７内でＥＢ照射するための電子銃、１２６は電子銃１２５から照射されたエレクトロン・ビームである。チャンバーゲッタ処理室１０８内において、１２９はチャンバーゲッタフラッシュ装置、１３０はチャンバーゲッタフラッシュ装置から発生されるチャンバーゲッタフラッシュであり、Ｂａなどの材料を瞬間的に蒸発させたものである。１３１はチャンバーゲッタ板であり、チャンバーゲッタフラッシュ１３０が被着し、チャンバーゲッタとして排気作用を行う、即ち、チャンバーゲッタ処理室１０８内の真空度を上げることができる。
【００８０】
パネルゲッタ処理室１０９において、１３４はパネルゲッタフラッシュ装置、１３５はパネルゲッタフラッシュ装置１３４から発生されるパネルゲッタフラッシュであり、Ｂａなどの材料を瞬間的に蒸発させたものであり、ＦＰ１０２に被着される。
【００８１】
１３８，１３９，１４０，１４１，１４２は昇降機であり、それぞれ、ホットプレート１２１，１２３，１２７，１３２，１３６を支持しており、ＲＰ１０１を各処理工程に必要な高さに昇降させる機能を有する。
【００８２】
図１（ｂ）はその横軸が、図１（ａ）の製造装置における各処理室での工程を示し、縦軸が各処理室での工程におけるパネル部材の温度プロファイルである。この温度プロファイルは、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２の温度状態を示すものである。また、図１（ｃ）はその横軸が、図１（ａ）の製造装置における各処理室での工程を示し、縦軸が各処理室での真空度プロファイルである。
【００８３】
ＲＰ１０１とＦＰ１０２、外枠１０３、スペーサ１０４は、搬送手段である搬送ローラ１２０の駆動によって、順次、矢印１４５方向に各処理室を通過し、この通過中に各種の処理が施される。
【００８４】
本実施形態においては、まず、前室１０５の真空雰囲気下に、電子源が配置されたＲＰ１０１、外枠１０３、及び、スペーサ１０４からなる第１の部材と、蛍光体及びメタルバックが配置されたＦＰ１０２からなる第２の部材とが用意され、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、ＥＢ照射処理室１０７における電子線照射、チャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理による高真空到達、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理によるパネルへのゲッタフラッシュ、封着処理室１１０における加熱封着及び冷却室１１１における冷却処理の各工程が直列された一ライン上で行われるものとなっている。
【００８５】
図１（ａ）に図示した製造装置の各処理室間には、前述の通り、ゲートバルブ１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９が配置されており、各処理室は不図示の真空排気系で真空排気される。本実施形態においては、ゲートバルブ１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９を各処理室間毎に配置したが、このゲートバルブ配置は図１（ｃ）に図示する真空度プロファイルの真空度が相違する処理室間および装置外大気間のみでよく、例えば、チャンバーゲッタ処理室１０８、パネルゲッタ処理室１０９、封着室１１０の間のゲートバルブ１１６、１１７は省略することも可能である。
【００８６】
上記のように隣接した処理室間にゲートバルブがなく、しかも各処理工程におけるパネル部材の温度が異なる場合は、該処理工程間には、例えばアルミニウム、クロム、ステンレスなどの反射性金属によって形成した熱遮蔽部材（板形状、フィルム形状など）が配置されていることが好ましい。この熱遮蔽部材は、図１（ｂ）に図示するパネル部材の温度プロファイルの温度が相違する処理室間、例えば、ベーク処理室１０６とパネルゲッタ処理室１０９との間の何処か、あるいは、パネルゲッタ処理室１０９と封着処理室１１０との間、あるいは、上記両方に配置するのが好ましい。また、該熱遮蔽部材は各処理室間毎に配置してもよい。上記熱遮蔽部材は、上に載置したＦＰ１０２とＲＰ１０１とが各処理室間を移動する際には、障害を与えないように設置される。
【００８７】
また、本実施形態では、前室１０５に搬入する前のＲＰ１０１に、予め、真空構造をシールする外枠１０３及び耐大気圧構造を形成するスペーサ１０４を固定設置してあるがこれに限るものではない。例えば、外枠１０３にスペーサ１０４を事前に固定し（例えば外枠１０３内を横切る板状スペーサ１０４として、その両端を外枠１０３に固定。）、これを単独の構成部材としてＲＰ１０１やＦＰ１０２とは別に本装置内に投入し、各処理工程を行い、最終的に封着処理工程でパネルの構成部材として、所望の位置に配置固定することも、また、外枠１０３をＦＰ１０２側に予め固定設置しておくものであっても良い。
【００８８】
尚、ＲＰ１０１側あるいはＦＰ１０２側に外枠１０３を予め固定設置しておく場合には、その固定を後述する封着材１４３よりもより高い融点をもつ封着材を用いて行うことが好ましい。例えば、後述する封着材１４３がインジウムなどの低融点金属又はその合金であれば、フリットガラスを用いて外枠１０３をＲＰ１０１あるいはＦＰ１０２に予め固定しておくことが好ましい。
【００８９】
図１（ａ）において１４３は前述の如く封着材であり、ＲＰ１０１に配置された外枠１０３のＦＰ１０２側端部に事前にフリットガラスなどの低融点物質やインジウムなどの低融点金属又はその合金として設けることができる。封着材１４３の配置はこれに限るものではなく、外枠１０３が接触固定されるＦＰ１０２上の部分に配置しておいても良い。さらには、外枠１０３を単独の構成部材として独立して、本装置内に投入する場合は、外枠１０３のＲＰ１０１側端部及びＦＰ１０２側端部に封着材１４３を設けても良い。また、封着材１４３は、外枠１０３が接触固定されるＲＰ１０１およびＦＰ１０２上の部分に配置されても良い。上記封着材１４３を設ける部分は、外枠１０３の端部と、この外枠１０３の端部が接触固定されるＲＰ１０１およびＦＰ１０２上の部分の少なくともいずれか一方に設けてあれば良い。
【００９０】
上記のように構成された装置において、パネルを真空排気して封着する工程を以下に示す。尚、以下の工程は１枚のパネルを封着する場合を示す場合であるが、連続して複数のパネルを連続的に処理して封着する場合は、各処理工程の処理時間が異なる場合があり、処理時間の長い工程については他の処理工程時間と調整するように、処理工程を複数の処理室に分割すること、あるいは同一の処理室に処理のための構成要素を、例えば、ホットプレート等を複数配置して、同時に処理を行うことよって可能となる。
【００９１】
まず、外枠１０３およびスペーサ１０４が事前に固定され、封着材１４３も事前に配置されたＲＰ１０１と、ＦＰ１０２を前室１０５に搬入する。ここで、外枠１０３およびスペーサ１０４はＲＰ１０１にフリットガラスを用いて固定されており、封着材１４３としてインジウムが用いられる。搬入に際しては搬送用の治具に上記のＲＰ１０１とＦＰ１０２とを配置し、構造上、両者の基板に間隔が形成されるようにしてある。尚、搬入、搬送は治具を用いることに限るものではなく、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２の基板をそのまま、装置本体側の支持搬送ユニットで搬送することも可能である。
【００９２】
搬入が終了したら、搬入口であるゲートバルブ１１２を遮蔽し、この前室１０５の内部を真空排気する。この間、ベーク処理室１０６以降の処理室は各々の真空度と温度プロファイルに設定されている。以降、ＲＰ１０１，ＦＰ１０２の基板の搬送に際して、対応する処理室間のゲートバルブ１１３〜１１９を順次、開放、遮断する。
【００９３】
上記前室１０５が１０-5Ｐａ台の真空排気状態に達したとき、ゲートバルブ１１３を開放し、ＲＰ１０１とＦＰ１０２とを前室１０５から搬出してベーク処理室１０６に移動し、この移動終了後にゲートバルブ１１３を遮断する。
【００９４】
大気に曝されることなくベーク処理室１０６に移動されてきたＲＰ１０１とＦＰ１０２は、このベーク処理室１０６内で、ホットプレート１２１，１２２の加熱処理（ベーク処理）が施される。このベーク処理によって、ＲＰ１０１とＦＰ１０２に含有、吸着されている水素、酸素、水などの不純物をガス排出させることができる。このときのベーク温度は、一般的に、３００℃〜４００℃、好ましくは３５０℃〜３８０℃である。このときの真空度は約１０-4Ｐａである。
【００９５】
ベーク処理を終了したＲＰ１０１とＦＰ１０２とをＥＢ照射処理室１０７に移動させ、ＲＰ１０１をホットプレート１２３に固定し、昇降機１３９によってＥＢ照射処理室１０７の上部へ移動させる。この間、一時的にＲＰ１０１とＦＰ１０２は加熱源であるベーク処理室１０６のホットプレート１２１、１２２から離れることになるが、急激な温度低下を発生しないようにしてＥＢ照射処理室１０７のホットプレート１２３，１２４に固定し、加熱することで、穏やかに降温を行う。この降温状態の基板温度域において、電子銃１２５からＥＢ１２６を任意の領域へ放出してＥＢ照射処理を行う。ＥＢ照射処理は、一般に基板温度域が１００℃からベーク温度までの範囲において行われる。この時の真空度は約１０-4Ｐａから１０-5Ｐａになる。ここで、ＥＢ照射処理室１０７のようなパネル部材の表面浄化処理室内は１０-4Ｐａ以下、より好ましくは、１０-5Ｐａ以下の真空状態となるように設定されていることが好ましい。
【００９６】
ＥＢ照射処理はＲＰ１０１、ＦＰ１０２への照射による吸着不純物のガス脱離による基板クリーニング等の効果がある。また、上述の通り、この際、ベーク処理工程での余熱を利用することができるので上記クリーニング効果は一層向上する。また、ＥＢ照射はＲＰ１０１、ＦＰ１０２の両方、または、いずれか一方のみの処理でも良い。
【００９７】
また、ＥＢ照射はＲＰ１０１、ＦＰ１０２に限らず、ＥＢ照射工程チャンバー内の任意の領域に照射しても良い。ＥＢ照射処理は、基板クリーニング以外に、チャンバー空間にＥＢ照射することにより、ベーキング、ＥＢ照射基板クリーニングによって脱離したガスをＥＢ照射によりイオン化し、後工程のゲッタフラッシュ処理工程で、よりゲッタへの吸着を促進することができる効果もある。
【００９８】
また、以上述べたＥＢ照射処理室１０７、あるいは、このＥＢ照射処理室１０７と後述する第１のゲッタ処理室１０８（チャンバーゲッタ処理室）とは、ベーク処理を終了したＲＰ１０１及びＦＰ１０２の降温を行う、冷却却処理室としての機能をも果たすものであるが、ベーク処理室１０６とＥＢ照射処理室１０７との間に別個、冷却処理室を設けることも好ましい形態の一つである。
【００９９】
このような冷却処理室においては、ベーク処理時の加熱温度からの急激な温度低下を発生しないように、ＲＰ１０１及びＦＰ１０２はそれぞれホットプレートに固定され、穏やかに降温を行う。この時のホットプレートの温度域は１００℃からベーク温度までの範囲で設定され、処理室内の真空状態は１０-4Ｐａ以下、より好ましくは、１０-5Ｐａ以下となるように設定される。
【０１００】
ＥＢ照射処理が終了した後、昇降機１３９を降下させた後、ホットプレート１２３からＲＰ１０１を取り外し、ＦＰ１０２と共に、チャンバーゲッタ処理室１０８へ移動する。このとき、ＲＰ１０１とＦＰ１０２は、チャンバーゲッタ処理室１０８に大気に曝すことなく移動される。チャンバーゲッタ処理室１０８内の真空状態は１０-5Ｐａ以下となるように設定されている。このチャンバーゲッタ処理室では、チャンバーゲッタフラッシュ装置１２９内に内蔵させていた蒸発型ゲッタ材（例えば、バリウムなどのゲッタ材）を抵抗加熱などの方法で加熱蒸発させてチャンバーゲッタフラッシュ１３０を生じさせ、パネル部材以外のチャンバー内に配置されたチャンバーゲッタ板１３１の表面にバリウム膜などからなるゲッタ膜（図示せず）を被着せしめる。この際のパネルゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。このチャンバーゲッタ処理工程により、チャンバーゲッタ板１３１に被着したゲッタ膜がチャンバー内のガスを吸着排気して、チャンバーゲッタ処理室の真空度は１０-6Ｐａ台に到達する。ＲＰ１０１、ＦＰ１０２の基板温度はベーク温度から１００℃までの温度範囲で当該処理が行われる。なお、チャンバーゲッタフラッシュ１３０によって、ゲッタ材が蒸発するため、一時的にチャンバー内の真空度は低下するが、真空排気により、高真空へと移行する。尚、以上述べたチャンバーゲッタ処理は、本実施の形態のようにチャンバーゲッタ処理室を独立して設けて行うに限らず、チャンバーゲッタ処理室を特に設けずに、以降述べるパネルゲッタ処理室内で行われるものであっても良い。
【０１０１】
次に、ＲＰ１０１とＦＰ１０２とをパネルゲッタ処理室１０９に移動させ、ＲＰ１０１をホットプレート１３２に固定し、昇降機１４１によってパネルゲッタ処理室１０９の上部へ移動させる。パネルゲッタ処理室は事前に１０-6Ｐａ台に真空排気されている。この真空度に到達するためには、一般的な真空排気ポンプの他に、上記、蒸発型ゲッタ材のフラッシュによる排気、非蒸発ゲッタ材の加熱活性化による排気などによる補助排気手段を用いることもできる。上記１０-6Ｐａ台に真空排気方法は、以下に述べる封着処理室１１０、冷却処理室１１１にも用いることができる。
【０１０２】
パネルゲッタ処理室１０９ではパネルゲッタフラッシュ装置１３４内に内蔵させている蒸発型ゲッタ材（例えば、バリウムなどのゲッタ材）を抵抗加熱などの方法で加熱蒸発させてパネルゲッタフラッシュ１３５を生じさせ、ＦＰの表面にバリウム膜などからなるゲッタ膜（図示せず）を被着せしめる。この際のパネルゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。ここで成膜された蒸発型ゲッタは、当該処理工程のチャンバーが１０-6Ｐａの高真空であるためにガス吸着による劣化は小さく、十分にゲッタ真空排気能力を維持したまま、次の封着処理工程へ移される。
【０１０３】
図１（ａ）ではＦＰ１０２上にゲッタ膜を被着、形成したが、形成する部材はこれに限るものではなく、ＲＰ１０１等に形成することも可能である。ただし、ゲッタ材は一般に導電性であるため、封着されたパネルの画像表示駆動時に大きなリーク電流の発生や、駆動電圧の耐圧が維持できないなどの問題が発生する場合がある。例えば、図１（ａ）のＲＰ１０１にパネルゲッタフラッシュを行うと、外枠１０３、スペーサ１０４にも導電性のゲッタ膜が成膜されるために、駆動時の電気的な問題が発生する場合がある。この様な場合には、ゲッタ膜を被着成膜してはならない部分をメタル薄板の成膜マスクで覆い、ゲッタ膜が被着形成されないようにしながらＲＰ１０１の必要な部分にのみゲッタ膜を成膜させることができる。なお、パネルゲッタフラッシュによって、ゲッタ材が蒸発するため、一時的にチャンバー内の真空度は低下するが、真空排気により、高真空へと移行する。
【０１０４】
パネルゲッタ処理工程が終了した後、昇降機１４１を降下させた後、ホットプレート１３２からＲＰ１０１を取り外し、ＦＰ１０２と共に、封着処理室１０８へ移動する。
【０１０５】
ＲＰ１０１、ＦＰ１０２を事前に１０-6Ｐａ台まで真空排気した封着処理室１１０へ移動させ、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２を各々ホットプレート１３６、１３７に固定する。この時、ＲＰ１０１に配置固定された枠１０３上の封着材１４３とスペーサ１０４はＦＰ１０２と接触せず、わずかに間隔を有して固定される。またこの固定時にＲＰ１０１とＦＰ１０２のパネル封着時の相対位置が決定される。相対位置の決定は突き当てピンによる端面基準で行うことができるがこれに限るものではない。
【０１０６】
この後、昇降機１４２を下降させて、ＲＰ１０１に配置固定された外枠１０３をＦＰ１０２に接触、押圧させながら、図１（ｂ）の温度プロファイルに示すように、基板を、封着材１４３の材料に適した封着温度まで上昇させ、封着材１４３を軟化、または溶解させてからピーク温度で１０分間保持し、その後、基板温度を降温させて、封着材料が接着固定される。これにより外枠１０３に形成された封着材１４３が軟化、溶解して外枠１０３とＦＰ１０２が接着された後、封着材１４３が硬化して固定される。このとき封着処理室１１０の真空度は１０-6Ｐａを維持しており、本工程で封着されたパネル内も１０-6Ｐａの真空度となる。封着材１４３の接着固定温度は例えば、インジュウム金属であれば加熱ピーク温度は１６０℃、硬化固定温度を１４０℃に設定とした。また封着材１４３がフリットガラスの場合はピーク温度３９０℃、硬化固定温度は３００℃とした。加熱の昇温レートは２０℃／分、降温レートは５℃／分としたがこれに限るものではない。また加熱ピーク温度、硬化固定温度も上記に限るものではない。
【０１０７】
封着材の硬化固定温度以下に温度が下がった時点で、封着処理が終了し、この後、ホットプレート１３６からＲＰ１０１部を取り外し、昇降機１４２を上昇さる。ホットプレート１３７からＦＰ１０２部を取り外しＲＰ１０１、ＦＰ１０２外枠１０３、スペーサ１０４で構成された封着パネル１４４を、冷却処理室１１１へ移動する。この時、冷却処理室１１１は封着処理室の真空度を維持するために、１０-6Ｐａ台に真空排気されている。封着パネル１４４は封着材の硬化固定温度でホットプレートから取りはずされ、冷却処理室１１１で冷却される。冷却手段としては、水冷による温度制御機能を有する冷却プレートなどが用いられるがこれに限るものではなく、封着パネル１４４の急激な温度降下による基板損傷などが発生しなければ、冷却処理室１１１内で自然冷却を行っても良い。
【０１０８】
封着パネル１４４の温度が室温、あるいは室温に近い温度まで降下した段階で、冷却処理室１１１の真空リークを行い処理室を大気圧にする。その後、装置外大気側のゲートバルブ１１９を開放し、封着パネル１４４を装置外へ搬出する。
【０１０９】
本実施形態の製造装置は、上記封着処理室１１０と冷却室１１１との間に、ゲートバルブ１１８とを設け、該ゲートバルブの開放時に封着処理室１１０から表示パネルを搬出させ、冷却室１１１に搬入後、該ゲートバルブを遮蔽し、ここで冷却後、搬出口１１９を開放し、表示パネルを冷却室１１１から搬出させ、最後に該搬出口１１９を遮蔽して、全工程を終了する。また、次の工程の開始前に、冷却室１１１の内部を独立配置した真空排気系（図示せず）によって、真空状態に設定しておくのがよい。
【０１１０】
本実施形態では、上述した、蒸発型ゲッタ材のほかに、ＲＰ１０１又はＲＰ１０２上に、予め、チタン材などからなる非蒸発型ゲッタ膜又は非蒸発型ゲッタ部材を設けておいてもよい。
【０１１１】
また、上述のホットプレート１２１、１２３、１２７、１３２、１３６は、ＦＰ１０１が脱落することなく十分な力で固定することができる機材、例えば、機械的に基板周辺をつかむツメによるチャック方式、静電チャック方式や真空着チャック方式を利用した機材を用いることができる。
【０１１２】
上記の例は工程組み合わせの一例であるが、各処理工程の組み合わせによって、処理室の構成例があげられる。すなわち、とりわけ、ベーク処理から封着処理までの過程においては、
第１の変形例として、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
【０１１３】
第２の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、ＥＢ照射処理室１０７におけるＥＢ照射処理などの表面浄化処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
【０１１４】
第３の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、チャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
【０１１５】
第４の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ＥＢ照射処理室１０７におけるＥＢ照射処理などの表面浄化処理、チャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各部屋を直列させる例が挙げられる。
【０１１６】
第５の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
【０１１７】
第６の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、ＥＢ照射処理室１０７におけるＥＢ照射処理などの表面浄化処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
【０１１８】
第７の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、チャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
【０１１９】
第８の変形例としては、前室１０５における真空雰囲気下での用意の後、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、冷却処理室におけるパネル部材の冷却処理、ＥＢ照射処理室１０７におけるＥＢ照射処理などの表面浄化処理、チャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理室１１０における加熱封着の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例が挙げられる。
【０１２０】
次に構成部材であるＲＰ１０１、ＦＰ１０２、外枠１０３、スペーサ１０４の搬送と装置導入の変形例として、
第１の変形例としては、ＲＰ１０１とＦＰ１０２と外枠１０３へ固定配置したスペーサ１０４との３個の構成部材として本装置内に投入することもできる。この場合、外枠１０３の本装置内での封着処理による封着面はＲＰ１０１、ＦＰ１０２側両面となるために、それぞれの封着面に対して封着材を事前に形成しておくことが必要である。
【０１２１】
第２の変形例としては、ＲＰ１０１とＦＰ１０２へ接着固定配置した外枠１０３、あるいは、ＲＰ１０１とＦＰ１０２へ接着固定配置した外枠１０３及びスペーサ１０４の２個の構成部材として本装置に投入することもできる。この場合、外枠１０３の本装置内での封着処理による封着面はＲＰ１０１側面となるために、封着面に対して封着材を事前に形成しておくことが必要である。
【０１２２】
次に上記構成部材の変形例に対して、個々の構成部材ごとに装置の処理室を個別に一列のライン状に並べて、封着処理工程ですべての構成部材がひとつの処理室に合流して封着処理が行われる装置構成の変形例として、
第１の変形例としては、ＲＰ１０１とＦＰ１０２と外枠１０３へ固定配置したスペーサ１０４と３個の構成部材として、前室１０５以降、パネルゲッタラッシュ処理室１０９までの各処理室を３ライン並べ、上記３個の構成部材を別々に各々の装置へ投入し、３つのパネルゲッタ処理室がひとつの封着処理室に合流するように接続され、該封着処理室で３個の構成部材を封着処理を行い、冷却処理を行う装置構成が挙げられる。
【０１２３】
第２の変形例としては、ＦＰ１０２とＲＰ１０１へ接着固定配置した外枠１０３、あるいは、ＦＰ１０２とＲＰ１０１に接着固定配置した外枠１０３及びスペーサ１０４の２個の構成部材、または、ＲＰ１０１とＦＰ１０２へ接着固定配置した外枠１０３、あるいは、ＲＰ１０１とＦＰ１０２に接着固定配置した外枠１０３及びスペーサ１０４の２個の構成部材として、前室１０５以降、パネルゲッタラッシュ処理室１０９までの各処理室を２ライン並べ、上記２個の構成部材を別々に装置へ投入し、２つのパネルゲッタ処理室がひとつの封着処理室に合流するように接続され、該封着処理室で３個の構成部材の封着処理を行い、冷却処理を行う装置構成が挙げられる。尚以上の第１及び第２の変形例においては、ゲッタ処理は３個あるいは２個の構成部材のうちのいずれか一つになされれば良い場合をも含んでいる。
【０１２４】
更に上述の実施態様の説明ではパネルの封着時の真空度を１０-6Ｐａ台に設定していたが、本発明はこの数値に限るものではない。すなわち、パネル封着時の真空度を一般の真空排気ポンプで到達可能な１０-5Ｐａ台に設定することもできる。この場合、処理室内の到達真空度を上げるために行われるチャンバーゲッタ処理室１４０と当該ゲッタ処理工程の省略が可能である。また１０-6Ｐａに到達するための補助的なゲッタポンプによる真空排気も省略することができる。
【０１２５】
以上の処理工程をおこなった封着パネル１４４は、Ｂａなどの蒸発型ゲッタ材が、例えばＦＰ上に成膜形成されているにも関わらず、従来の封着パネルで存在していた蒸発型ゲッタ材の蒸発源である主に高周波加熱によってゲッタフラッシュを行うゲッタリングや主に抵抗加熱でゲッタフラッシュするゲッタラインが封着パネル内に残留しないという構成上の特徴を有している。
【０１２６】
また、以上の処理工程と装置は、パネルゲッタフラッシュ処理工程と連続した封着工程が異なった処理室で構成されているという特徴を有している。
【０１２７】
図２は、本実施形態の製造装置及び製造方法を用いて作成した画像表示装置の一部を示す断面図である。
【０１２８】
図中、図１と同一符号は、同一部材である。上記装置及び方法によって作成した画像表示装置は、ＲＰ１０１とＦＰ１０２と外枠１０３とによって真空容器又は減圧容器が形成されている。上記減圧容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有することができる。
【０１２９】
また、真空容器の場合には、１０-5Ｐａ以上、好ましくは、１０-6Ｐａ以上の高真空に設定することができる。
【０１３０】
上記真空容器又は減圧容器内には、スペーサ１０４が配置さて耐大気圧構造を形成している。本発明で用いたスペーサ１０４は、無アルカリガラスなどの無アルカリ絶縁物質からなる本体３１１と、該本体３１１の表面を覆って配置した高抵抗物質で成膜された高抵抗膜３０９と両端に設けた金属（タングステン、銅、銀、金、モリブデンやこれらの合金など）膜３０８及び３１０とを有し、配線３０６上に導電性接着剤３０８を介して電気的に接続接着されている。スペーサ１０４は、上記前室１０５に搬入する際には、前もってＲＰ１０１に接着剤３０８によって接着固定され、封着処理室１１０において処理が終了した時点で、上記スペーサ１０４のもう一方の端部とＦＰ１０２とは電気的に接続されて接して配置される。
【０１３１】
ＲＰ１０１は、ガラスなどの透明基板３０４と、ナトリウムなどのアルカリの侵入を防止するための下地膜（ＳｉＯ2、ＳｎＯ2など）３０５と、ＸＹマトリクス配列した複数の電子線放出素子３１２とが配置されている。配線３０６は、電子線放出素子と接続したカソード側ＸＹマトリクス配線の一方のカソード側配線を構成する。
【０１３２】
本発明は、蛍光体励起手段又は画像表示素子部材として用いた電子線放出素子３１２に変えて、プラズマ発生素子を用いることができる。この際、容器内には、アルゴンガス、ネオンガスなどの不活性ガス又は水素ガスを減圧下で含有させる。
【０１３３】
ＦＰ１０２は、ガラスなどの透明基板３０１と蛍光体層３０２とアノード源（図示せず）に接続したアノード金属（アルミニウム、銀、銅など）膜３０３とが配置されている。
【０１３４】
また、本発明は、上記プラズマ発生素子を用いた際には、画像表示用部材として用いた蛍光体に変えて、カラーフィルターを用いることができる。
【０１３５】
外囲器１１３は、上記前室１０５に搬入する際には、前もってＲＰ１０１にフリットガラスなどの低融点接着剤３０７によって接着固定しておき、上記封着処理室１１０における処理工程で、インジウムやフリットガラスを用いた封着材１４３によって固定接着されている。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】製造装置内のパネル部材の温度プロファイル及び製造装置内の各室間の真空度プロファイルと共に本発明に係る製造装置を模式的に示した図である。
【図２】本発明の製造装置及び製造方法を用いて作成した画像表示装置の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３７】
１０１  リアプレート（ＲＰ）
１０２  フェィスプレート（ＦＰ）
１０３  外枠
１０４  スペーサ
１０５  前室
１０６  ベーク処理室
１０７  表面浄化処理室（ＥＢ照射処理室）
１０８  第１のゲッタ処理室（チャンバーゲッタ処理室）
１０９  第２のゲッタ処理室（パネルゲッタ処理室）
１１０  封着処理室
１１１  冷却室
１１２〜１１９  ゲートバルブ
１２０  搬送ローラー
１２１，１２３，１２７，１３２，１３６  ホットプレート（ＲＰ用）
１２２，１２４，１２８，１３３，１３７  ホットプレート（ＦＰ用）
１２５  電子銃
１２６  エレクトロン・ビーム（ＥＢ）
１２９  チャンバーゲッタフラッシュ装置
１３０  チャンバーゲッタフラッシュ
１３１  チャンバーゲッタ板
１３４  パネルゲッタフラッシュ装置
１３５  パネルゲッタフラッシュ
１３８〜１４２  昇降機
１４３  封着材
１４４  封着パネル
１４５  搬送方向を示す矢印
３０１  透明基板
３０２  蛍光体層
３０３  アノード金属膜
３０４  透明基板
３０５  下地膜
３０６  配線
３０７  低融点接着剤
３０８  金属膜
３０９  高抵抗膜
３１０  金属膜
３１１  本体
３１２  電子放出素子
【図１】
2006054203.tif 000003
【図２】
2006054203.tif 000004