【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに縦の関係で１列に配置される複数の光学的活性装置が形成される材料であるウェハーであって、前記光学的活性装置のそれぞれは、
入力端及び出力端を有する光学的活性領域と、
前記光学的活性領域の入力端から前記装置の入力端へ延伸する第１の光学的不活性領域と、
前記光学的活性領域の出力端から前記装置の出力端へ延伸する第２の光学的不活性領域と、を有し、
縦方向に配置され隣接する各々連続した１組の装置の前記第１及び第２の光学的不活性領域は、単一の延伸する光学的不活性領域を形成し、前記単一の延伸する光学的不活性領域を介して前記装置が互いに劈開が可能であり、前記延伸する光学的不活性領域の全長は、劈開面の調整における前記装置の前記縦方向の軸に対する誤差が±０．５度までである場合常に前記ウェハーの通常の使用可能径全体にわたって前記劈開が前記延伸する光学的不活性領域内に収まるようにするのに充分である、ウェハー。
【請求項２】
およそ５０ｍｍの径を有し、それぞれの列において隣接する装置の前記延伸する光学的不活性領域は長さにおいて少なくとも７００μｍであることを特徴とする請求項１に記載のウェハー。
【請求項３】
およそ５０ｍｍの径を有し、それぞれの列において隣接する装置の前記延伸する光学的不活性領域は長さにおいて少なくとも８００μｍであることを特徴とする請求項１に記載のウェハー。
【請求項４】
およそ１００ｍｍの径を有し、それぞれの列において隣接する装置の前記延伸する光学的不活性領域は長さにおいて少なくとも１５００μｍであることを特徴とする請求項１に記載のウェハー。
【請求項５】
およそ１００ｍｍの径を有し、それぞれの列において隣接する装置の前記延伸する光学的不活性領域は長さにおいて少なくとも１８００μｍであることを特徴とする請求項１に記載のウェハー。
【請求項６】
およそ２００ｍｍの径を有し、それぞれの列において隣接する装置の前記延伸する光学的不活性領域は長さにおいて少なくとも１６００μｍであることを特徴とする請求項１に記載のウェハー。
【請求項７】
各光学的活性領域は電気的接触部を含み、少なくとも前記延伸する光学的不活性領域によって前記電気的接触部の端はそれぞれの装置の前記入力端及び前記出力端から離れていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のウェハー。
【請求項８】
各光学的活性領域は前記光学的活性領域及び前記光学的不活性領域にわたって形成された光導波路を含むことを特徴とする請求項７に記載のウェハー。
【請求項９】
前記光学的活性装置はレーザ装置、光変調器、光増幅器及び光スイッチの１つから選択されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のウェハー。
【請求項１０】
前記光学的活性装置はIII―Ｖ族の半導体材料系で製造される半導体装置であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のウェハー。
【請求項１１】
前記III―Ｖ族の半導体材料系は、６００〜１３００ｎｍの波長範囲で動作するガリウム・砒素（ＧａＡｓ）系又は１２００〜１７００ｎｍの波長範囲で動作するインジウム・燐（ＩｎＰ）系であることを特徴とする請求項１０に記載のウェハー。
【請求項１２】
各半導体装置は、第１の光クラッド閉じ込め層と第２の光クラッド閉じ込め層との間に挟まれた活性コア層を有し、前記コア層及びクラッド層は共にスラブ導波路を形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載のウェハー。
【請求項１３】
各半導体装置は、少なくとも前記第２のクラッド層に形成される峰部を含み、前記峰部は、前記半導体装置での光モードを横方向で閉じ込めるように、使用中に前記光導波路として働くことを特徴とする請求項１２に記載のウェハー。
【請求項１４】
前記活性コア層はレーザ光放出材料を有し、前記レーザ光放出材料は前記光学的活性領域として形作られる量子井戸構造を有し、前記光学的活性領域は前記峰部によって定められることを特徴とする請求項１２に記載のウェハー。
【請求項１５】
各光学的不活性領域は、隣接する光学的活性領域と同じように、横方向へ広い範囲に及ぶことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載のウェハー。
【請求項１６】
各光学的不活性領域は、前記コア層内に第１の組成上無秩序の材料を含むことを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか一項に記載のウェハー。
【請求項１７】
各光学的活性領域は、前記コア層内に第２の組成上無秩序の材料を含む複数の横の領域に横方向に境を接していることを特徴とする請求項１６に記載のウェハー。
【請求項１８】
前記第１の及び第２の組成上無秩序の材料は実質的に同じであることを特徴とする請求項１７に記載のウェハー。
【請求項１９】
前記第１の組成上無秩序の材料は量子井戸混合技術によって形成されることを特徴とする請求項１６〜１８のいずれか一項に記載のウェハー。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか一項による材料であるウェハーから劈開される光学的活性装置。
【請求項２１】
ウェハー上で互いに縦の関係で１列に配置される複数の光学的活性装置を製造する方法であって、
（ａ）材料であるウェハーを準備する工程と、
（ｂ）それぞれの光学的活性装置が、
入力端及び出力端を有する光学的活性領域と、
前記光学的活性領域の入力端から前記装置の入力端へ延伸する第１の光学的不活性領域と、
前記光学的活性領域の出力端から前記装置の出力端へ延伸する第２の光学的不活性領域と、を有し、
縦方向に配置され隣接する各々連続した１組の装置の前記第１及び第２の光学的不活性領域は、単一の延伸する光学的不活性領域を形成し、前記単一の延伸する光学的不活性領域を介して前記装置が互いに劈開が可能であり、前記延伸する光学的不活性領域の全長は、劈開面の調整における前記装置の前記縦方向の軸に対する誤差が±０．５度までである場合常に前記ウェハーの通常の使用可能径全体にわたって前記劈開が前記延伸する光学的不活性領域内に収まるようにするのに充分である、複数の前記光学的活性装置を前記材料であるウェハー上に形成する工程と、
（ｃ）前記ウェハーの前記通常の使用可能径全体にわたって、隣接する装置間の前記単一の延伸する光学的不活性領域内のウェハー材料の劈開面でウェハーを劈開することによって、それぞれの光学的活性装置を前記ウェハーから劈開する工程と、
を備える方法。
【請求項２２】
前記工程（ｂ）は、
第１の光クラッド荷電キャリア閉じ込め層と、
光学的及び電気的活性層を備えるであって、前記光学的活性又はコア層において量子井戸構造が形成される光学的活性又はコア層と、
第２の光クラッド閉じ込め層と、
を順に形成する工程を含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記工程（ｂ）は、装置ごとに、
前記光学的活性層に前記光学的不活性領域を形成する工程と、
前記光学的活性利得領域及び前記光学的不活性領域を閉じ込めるために、少なくとも前記第２のクラッド層の一部から峰部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項２１又は２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１のクラッド層、前記光学的活性層及び前記第２のクラッド層は、分子ビームエピタクシ及び有機金属化学気相成長法から選ばれる技術によって成長されることを特徴とする請求項２２又は２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記不活性領域は量子井戸混合技術によって形成され、前記量子井戸混合技術は、前記不活性領域内に空隙を生み出す工程と、成長したときに量子井戸構造よりも大きな禁制帯幅を有する前記光学的活性層の組成上無秩序領域を作り出すためにアニールする工程と、を有することを特徴とする請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記峰部はエッチングによって形成されることを特徴とする請求項２２〜２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記方法は、
実質的にアルゴン雰囲気内でダイオード・スパッタリング装置を用いることによって、前記半導体レーザ装置材料の表面の少なくとも一部に誘電体層を、点構造欠陥を少なくとも前記誘電体層に隣接する前記材料の一部に導入するように、堆積する工程と、
非スパッタリング技術によって、更なる誘電体層を少なくとも前記材料の表面の他の部分に堆積する工程と、
前記材料をアニールし、それによって、イオン又は原子を前記材料から前記誘電体層内に移す工程と、
を含むことを特徴とする請求項２５又は２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記第１の及び第２の接触層を前記基板の表面及び前記峰部の外面に取り付ける工程を含む方法であって、前記第２の接触層は前記光学的活性領域のエリア内で前記峰部の一部に設けられることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の第１の側面によれば、入出力端を有する光学的活性領域と、この光学的活性領域の入出力端から装置の入出力端へ延伸する光学的不活性領域と、を備える光学的活性装置が提供される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
好ましくは、この光学的活性装置は光学的活性領域及び光学的不活性領域にわたって形成されるリッジ導波路のような光導波路を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の第１の側面の第１の実施形態によれば、出力端を有する光学的活性領域と、該光学的活性領域の出力端から装置の出力端へ延伸する光学的不活性領域と、を備える光学的活性装置が提供される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
本発明の第１の側面の第２の実施形態によれば、入出力端を有する光学的活性領域と、該光学的活性領域の入力端から装置の入力端へ延伸する第１の光学的不活性領域と、該光学的活性領域の出力端から装置の出力端へ延伸する第２の光学的不活性領域と、を備える光学的活性装置が提供される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
好ましくは、光学的不活性領域の１つ又は光学的不活性領域は光学的活性領域の出力にある。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
半導体装置は、少なくとも第２のクラッド層に形成される峰部（又は肋骨部）を含み、該峰部は、半導体装置での光モードを横方向で閉じ込めるように、使用中に光導波路として働いてもよい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
光学的不活性領域の少なくとも１つ又は光学的不活性領域あるいはそのそれぞれは、光学的活性領域と同じように、横方向へ広い範囲に及んでもよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
好ましくは、光学的不活性領域は、コア層内に第１の組成上無秩序の材料を含んでもよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
変更では、光学的活性領域は、コア層内に第２の組成上無秩序の材料を含む複数の横の領域に横方向に境を接していてもよい。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
より好ましくは、量子井戸混合技術は実質的に不純物無しであってもよい。ＱＷＩ領域は“青色へシフト”されてもよく、それは典型的には少なくとも２０〜３０ｍｅＶであり、おそらくおよそ１００ｍｅＶであり、又はより大きな違いが、電流を注入（ポンプ）された光学的活性領域の禁制帯幅とＱＷＩ光学的不活性領域の禁制帯幅との間に存在する。光学的不活性領域はより大きな禁制帯幅エネルギーを有し、また、それ故に光学的活性領域よりも小さな吸収作用を有してもよい。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
つまり、光学的活性領域が電気的に駆動されると、光学的不活性領域は熱放散を装置本体の端に限定する。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
本発明の第２の側面によれば、少なくとも１つの好ましくは複数の光学的活性装置が形成される材料であるウェハーにおいて、光学的活性装置又はそれぞれの光学的活性装置は、入出力端を有する光学的活性領域と、該光学的活性領域の入出力端から装置の入出力端へ延伸する光学的不活性領域と、を備える。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
本発明の第４の側面によれば、少なくとも１つの好ましくは複数の光学的活性装置を製造する方法において、（ａ）材料であるウェハーを与え、（ｂ）ウェハー上に複数の光学的活性装置を形成し、装置又はそれぞれの装置は、入出力端を有する光学的活性領域と、該光学的活性領域の入出力端から装置の入出力端へ延伸する光学的不活性領域と、を有し、（ｃ）光学的活性装置の入力端及び/又は出力端と隣接する又は実質的に一致するウェハー材料の劈開面でウェハーを割る工程を含んで、それぞれの光学的活性装置をウェハーから切り出す、
工程を備える方法が与えられる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
工程（ｂ）は、装置ごとに、光学的活性層に光学的不活性領域を形成する工程と、光学的活性利得領域及び少なくとも光学的不活性領域の１つを閉じ込めるために、少なくとも第２のクラッド層の一部から峰部を形成する工程と、を含んでもよい。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
好ましくは、光学的不活性領域不純物無しの空隙を生み出すことによって形成されてもよく、より好ましくは、量子井戸混合を達成するために損傷誘起技術を用いてもよい。そのような好ましい実施において、この方法は、実質的にアルゴンガス雰囲気内でダイオード・スパッタリング装置を用い、半導体レーザ装置材料の表面の少なくとも一部上にシリカ（ＳｉＯ2）のような誘電体層を、点構造欠陥を少なくとも誘電体層に隣接する材料の一部に導入するように、堆積する工程と、必要であれば、プラズマ強化（エンハンスト）化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）のような非スパッタリング技術によって、更なる誘電体層を少なくとも材料の表面の他の部分上に光学的に堆積する工程と、材料をアニールし、それによって、ガリウムを材料から誘電体層内に移す、工程を含んでもよい。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
それぞれの光学的活性装置１１０は、１つの入力端１６５及び１つの出力端１７０を有する光学的活性領域１５０と、光学的活性領域１５０の入力端１６５及び出力端１７０から装置１１０の１つの入力端１７５及び１つの出力端１８０へそれぞれ延伸する光学的不活性領域（optically passive region，光学上受動領域）１５５及び１６０とを備える。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
典型的な活性領域１５０は、１つの電気的接触部１２０と、それぞれが装置１１０の入力端１７５及び出力端１８０から離れた電気的接触部１２０の両端１８５及び１９０とを含む。図３から分かるように、光学的活性装置１１０は、光学的活性領域１５０にわたって形成されるリッジ導波路１９０の形態である光導波路と、光学的不活性領域１５５及び１６０とを含む。電気的接触部１２０は、導波路１９０の一部上に与えられ、その一部は光学的活性領域１５０に対応する。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
つまり、本発明の好ましい実施形態によれば、装置１１０の光学的不活性領域１５５及び１６０は、劈開面に沿って割ったウェハーから切り出される前に、５０ｍｍのウェハー上に製造される場合、劈開面が常にウェハーの通常の使用可能径（５０ｍｍ径のウェハーに対し４０ｍｍ）を超えて装置の光学的不活性領域内に収まるので、それぞれが少なくとも４００μｍの長さを超えて延伸する。言い換えれば、ウェハー上で、隣接し合う装置の光学的活性領域は少なくとも７００μｍ（２×３５０μｍ）、より好ましくは５０ｍｍのウェハー上で少なくとも８００μｍ又は９００μｍの延伸する光学的不活性領域（両方の装置に対して光学的不活性領域を備える）によって分離される。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
より大きなウェハー、例えば２００ｍｍのウェハー上では、光学的不活性領域１５５及び１６０の最小長さは好ましくは１つの装置当たり８００μｍである。好ましくは、１つの装置当たりの光学的不活性領域は８５０μｍと９００μｍとの間の長さを超えて延びる。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
装置は示される配列でウェハー上に配置される。製造されるような光学的不活性領域は隣接する縦列で対応する装置間を延伸する。それによって、隣接する縦列にある装置は光学的不活性領域の十分な長さだけ互いに分離し、ウェハーの劈開面に関してプラス・マイナス（±）０．５度までの配列のいかなる角度的整列ミスも隣接する装置の光学的不活性領域１５５及び１６０を通過し活性領域１５0を通過しない全劈開面に帰着する。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
図３から分かるように、装置１１０は、少なくとも第２のクラッド層２１５に形成される１つの峰部（リッジ）２２０（または肋骨部（リブ））を含み、峰部２２０は、それが装置１１０で光モードを横方向に閉じ込めるように光導波路１９０として使用中に働く。コア層２０５は光学的活性領域１５０として形作られる１つの量子井戸構造２２５を備え、光学的活性領域１５０は峰部２２０によって定められる。それぞれの光学的不活性領域１５５，１６０は光学的活性領域１５０と同じように横方向へ広範囲にわたる。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
光学的不活性領域１５５，１６０は第１の組成上無秩序材料をコア層２０５に含んでもよい。また、ある変更では、光学的活性領域１５０は第２の組成上無秩序材料を活性層２０５内に含む複数の横の領域と横方向に境を接していてもよい。第１及び第２の組成上無秩序材料は実質的に同じであってもよく、量子井戸混合（ＱＷＩ）技術によって形成されてもよい。ＱＷＩ技術は活性コア層２０５内での量子井戸２２５の量子井戸閉じ込めを消し去る。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
このＱＷＩ技術は実質的には不純物無しであり得る。ＱＷＩ領域１５５及び１６０は“青色へシフト”され、それは典型的には少なくとも２０〜３０ｍｅＶであり、おそらくおよそ１００ｍｅＶであり、又はより大きな違いが、電流を注入（ポンプ）された光学的活性領域１５０内の活性層２０５の禁制帯幅と、光学的不活性領域１５５，１６０内の活性層２０５でのＱＷＩ領域の禁制帯幅との間に存在する。それ故、光学的不活性領域１５５，１６０はより大きな禁制帯幅エネルギーを有し、また、光学的活性領域１５０よりも小さな吸収作用を有する。それ故、光学的不活性領域１５５，１６０は、生み出されるか又は光学的活性領域１５０に対応するコア層２０５の一部分を伝わる光に対し、透明である。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
典型的には、光学的不活性領域１５５，１６０は長さにおいておよそ１０〜１００μｍである。また、装置１１０は電気的接触材料２２５及び２３０のそれぞれの層を含み、電気的接触材料２２５及び２３０は、少なくとも峰部２２０の表面の一部及び基板２００の対抗面に接触する。それ故、電気的接触材料２２５及び２３０の１つは前述の電気的内容１２０を有する。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
工程（ｂ）は、装置１１０ごとに、（１）光学的不活性領域１５５及び１６０を光学的活性層２０５内に形成する工程と、（２）光学的活性領域１５０及び少なくとも光学的不活性領域１５５及び１６０の一つを光学的に閉じ込めるように、少なくとも第２のクラッド層２１５の一部から峰部２２０を形成する工程、を含み得る。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
光学的不活性領域１５５及び１６０は不純物無しの空隙を生み出すことによって形成されてもよく、更に好ましくは、ＱＷＩを達成するために損傷誘起技術を用いてもよい。