(57)【要約】【課題】  縦（Ｙ方向）に現れる表示品位の低下を抑える。【解決手段】  ｉ行目の走査線３１１と、ｊ列目の第１データ線２１１および第２データ線２１２の対との交差に対応して設けられた画素１１６は、画素電極２３４と、画素電極に対向する共通電極１１１と、ｉ行目の走査線３１１が選択されたときに導通状態となって第１データ線２１１を画素電極２３４に電気的に接続する第１ＴＦＴ２４２と、（ｉ−１）行目の走査線３１１が選択されたときに導通状態となって第２データ線２１２を画素電極２３４に電気的に接続する第２ＴＦＴ２４４とを含む。第１データ線２１１には、ｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧のデータ信号Ｘｊが供給され、第２データ線２１２には、データ信号Ｘｊを、電位ＶＣを基準に反転させた反転データ信号／Ｘｊが供給される。【選択図】        図２
2006235449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数行の走査線と、第１および第２データ線の複数対との交差に対応して設けられた画
素と、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、前記第１データ
線に供給し、所定の電位を基準として前記データ信号を反転させた反転データ信号を、前
記第２データ線に供給するデータ線駆動回路と、
を有し、
前記画素は、
画素毎に個別の画素電極と、
前記画素電極と対向する共通電極と、
対応する走査線が選択されたときに導通状態となって、前記第１データ線から前記デー
タ信号を前記画素電極に供給する第１トランジスタと、
当該対応する走査線とは別の走査線が、当該対応する走査線よりも先に選択されたとき
に導通状態となって、前記第２データ線から前記反転データ信号を前記画素電極に供給す
る第２トランジスタと
を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１データ線と前記画素電極との間を容量結合させる第１補助容量と、
前記第２データ線と前記画素電極との間を容量結合させる第２補助容量と、
を、さらに含むことを特徴する請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素電極と前記共通電極とは、同一基板上に形成された
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１補助容量は、前記第１データ線における電極部分と絶縁層と前記画素電極との
積層構造であり、
前記第２補助容量は、前記第２データ線における電極部分と絶縁層と前記画素電極との
積層構造である
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記データ線駆動回路は、前記データ信号の電圧を、所定の期間毎に所定の電位を基準
として高位側の正極性と低位側の負極性とに分けて交互に切り替えて供給し、
前記第１トランジスタが導通状態となったときのデータ信号の電圧と、前記第２トラン
ジスタが導通状態となったときの反転データ信号の電圧とを同一極性とする
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
複数行の走査線と、第１および第２データ線の複数対との交差に対応して設けられた画
素であって、
画素毎に個別の画素電極と、
前記画素電極と対向する共通電極と、
対応する走査線が選択されたときに導通状態となって、前記第１データ線を前記画素電
極に電気的に接続する第１トランジスタと、
当該対応する走査線とは別の走査線が、当該対応する走査線よりも先に選択されたとき
に導通状態となって、前記第２データ線を前記画素電極に電気的に接続する第２トランジ
スタと、
を含む画素を有する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択し、
選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、前記第１データ
線に供給し、所定の電位を基準として前記データ信号を反転させた反転データ信号を、前
記第２データ線に供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるクロストークの発生を抑える技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学的な変化により表示を行う電気光学装置では、走査線とデータ線と
の絶縁的な交差に対応して、画素容量と第１トランジスタとを含む画素が配列する構成と
なっている。このうち、画素容量は、画素毎に個別の画素電極と、上記画素電極に対向し
、時間的に一定の電圧に維持された共通電極とによって電気光学材料を挟持したものであ
り、当該画素容量に書き込まれた電圧実効値に応じてその光学特性（透過率または反射率
）が変化する構成となっている。一方、第１トランジスタは、走査線が選択されると、デ
ータ線と画素電極との間で電気的に導通（オン）状態となる。このため、走査線の選択時
に、データ線に、階調に応じた電圧を供給することによって、画素毎の階調表示が可能と
なる。
【０００３】
近年、画素の高精細化に伴って、１つの走査線を選択する期間が必然的に短くなってい
る。このため、別の第２トランジスタを設けて、第１トランジスタにより階調に応じた電
圧を書き込む前に、当該書き込みと同極性の電圧を第２トランジスタによって予め書き込
んで、書き込みに要する時間の短縮化を図る技術が提案された（例えば特許文献１参照）
。
【特許文献１】特開平４−１１０８９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、トランジスタは、走査線が非選択状態（保持期間）でも完全にオフにはなら
ないので、画素容量に書き込まれた電圧が、トランジスタを介してデータ線にリークして
しまう。このリークの程度は、保持期間におけるデータ線の電位に応じて変動し、データ
線の電位は、データ線に対応する縦方向１列分の表示内容に応じて定まる。このため、表
示パターンによっては、画素におけるリークの程度が列毎に著しく相違してしまう。リー
クの程度が列毎に相違する、ということは、目標とする階調からの逸脱量が列毎に相違す
ることを意味するので、同じ階調で表示する場合であっても、列毎に階調が異なってしま
い、表示品位を低下させる。なお、この現象は、データ線に沿って縦方向に発生すること
から、縦クロストークと呼ばれている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、上記縦クロスト
ークを解消して高品位な表示を可能とする電気光学装置、その駆動方法および電子機器を
提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため本発明にあっては、複数行の走査線と、第１および第２データ
線の複数対との交差に対応して設けられた画素と、前記複数行の走査線を所定の順番で選
択する走査線駆動回路と、選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ
信号を、前記第１データ線に供給し、所定の電位を基準として前記データ信号を反転させ
た反転データ信号を、前記第２データ線に供給するデータ線駆動回路と、を有し、前記画
素は、画素毎に個別の画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極と、対応する走査線
が選択されたときに導通状態となって、前記第１データ線から前記データ信号を前記画素
電極に供給する第１トランジスタと、当該対応する走査線とは別の走査線が、当該対応す
る走査線よりも先に選択されたときに導通状態となって、前記第２データ線から前記反転
データ信号を前記画素電極に供給する第２トランジスタとを含むことを特徴とする。
この構成によれば、第１データ線に供給されるデータ信号と、第２データ線に供給され
る反転データ信号とは、互いに電圧反転の関係にあるので、保持期間における第１トラン
ジスタのリーク量と、第２トランジスタのリーク量とは相補的な関係となる。このため、
リークの程度は、表示内容に依存することなく、各画素にわたって均一化される。
【０００６】
本発明において、前記第１データ線と前記画素電極との間を電気的に容量結合させる第
１補助容量と、前記第２データ線と前記画素電極との間を電気的に容量結合させる第２補
助容量とを、さらに含む構成としても良い。
この構成において、前記画素電極と前記共通電極とは、同一基板上に形成された構成が
好ましい。さらに、この構成において、前記第１補助容量は、前記第１データ線における
電極部分と絶縁層と前記画素電極との積層構造であり、前記第２補助容量は、前記第２デ
ータ線における電極部分と絶縁層と前記画素電極との積層構造が好ましい。
また、前記データ線駆動回路は、前記データ信号の電圧を、所定の期間毎に所定の電位
を基準として高位側の正極性と低位側の負極性とに分けて交互に切り替えて供給し、前記
第１トランジスタが導通状態となったときのデータ信号の電圧と、前記第２トランジスタ
が導通状態となったときの反転データ信号の電圧とを同一極性とする構成が好ましい。画
素電極には、第１トランジスタが導通状態となるときに書き込まれる極性と同じデータ信
号の電圧が、すでに第２トランジスタが導通状態となったときに書き込まれているので、
書き込みに要する充放電時間を短縮化することが可能となる。
なお、本発明は、電気光学装置のみならず、電気光学装置の駆動方法としても、さらに
は、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形
態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、液晶パネル１００、データ線駆動回路
２５０、走査線駆動回路３５０および制御回路４００を含む。このうち、液晶パネル１０
０では、第１データ線２１１および第２データ線２１２が対をなして、２４０列それぞれ
列（Ｙ）方向に延在する一方、０〜３２０の３２１行の走査線３１１が行（Ｘ）方向に延
在するように設けられている。
画素１１６は、第１データ線２１１および第２データ線２１２の対と、最初の０行を除
く１行から３２０行までの走査線３１１との各交差に対応して、それぞれ配列している。
したがって、本実施形態では、画素１１６が縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配
列するが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
【０００８】
ここで、画素１１６の詳細な構成について説明する。図２（ａ）は、画素１１６の構成
を示す平面図であり、図２（ｂ）は、画素１１６の構成を示す等価回路図である。いずれ
も、ｉ行及びこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（ｊ＋１）列との
交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、図における（ｉ−１）、ｉ、（ｉ＋１）は、走査線３１１の行を一般的に示す場
合の記号であって、０以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１６に対
応する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。
【０００９】
図２（ｂ）に示されるように、各画素１１６は、画素容量１１８と、ｎチャネル型の第
１ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）２４２と、ｎチャネル型の第２Ｔ
ＦＴ２４４と、第１補助容量２１５と、第２補助容量２１６とを有する。
画素１１６の構成についてｉ行ｊ列により代表させて説明する。当該ｉ行ｊ列の画素１
１６において、第１ＴＦＴ２４２のゲートはｉ行目の走査線３１１に接続され、そのソー
スはｊ列目の第１データ線２１１に接続されている。一方、同じｉ行ｊ列の画素１１６に
おいて、第２ＴＦＴ２４４のゲートは、１行前の（ｉ−１）行目の走査線３１１に接続さ
れ、そのソースはｊ列目の第２データ線２１２に接続されている。第１ＴＦＴ２４２のド
レインおよび第２ＴＦＴ２４４のドレインは、ともに画素容量１１８の一端に共通接続さ
れている。画素容量１１８の他端は、時間的に一定の電位ＬＣcomに保たれた共通電極１
１１に接続されている。
また、第１データ線２１１と画素容量１１８の一端との間には、第１補助容量２１５が
電気的に介挿される一方、第２データ線２１２と画素容量１１８の一端との間には、第２
補助容量２１６が電気的に介挿されている。
【００１０】
液晶パネル１００は、素子基板と対向基板との一対の基板が、一定の間隙を保って貼り
合わせた構成となっており、この間隙に液晶が挟持されている。また、素子基板には、画
素電極および共通電極が形成されて、この電極形成面が対向基板と対向するように貼り合
わせられる。この構成のうち、素子基板の電極形成面を平面的に示したものが図２（ａ）
である。この図からも判るように、液晶パネル１００は、一対の基板のうち、液晶にかか
る電界方向を基板面方向とした、いわゆる面内スイッチング（in plane switching、以下
、適宜ＩＰＳと略称する）方式としたものである。
詳細には、図２（ａ）に示されるように、素子基板に、第１ＴＦＴ２４２および第２Ｔ
ＦＴ２４４が走査線３１１とともに形成された後に、絶縁層を介した第１金属層のパター
ニングにより第１データ線２１１および第２データ線２１２が形成され、絶縁層を介した
第２金属層のパターニングにより共通電極１１１が形成され、さらに、絶縁層を介した第
３金属層のパターニングにより画素電極２３４が形成された構成となっている。
【００１１】
このうち、画素電極２３４は、第１データ線２１１に沿って積層された一辺と、第２デ
ータ線２１２に沿って積層された一辺と、両辺を結ぶとともにＸ方向に沿った一辺とを有
する略コの字状となっている。このうち、第１データ線２１１に沿った一辺の延長部分が
第１ＴＦＴ２４２のドレインに接続される一方、Ｘ方向に沿った一辺が第２ＴＦＴ２４４
のドレインに接続されている。
共通電極１１１は、櫛歯状に形成されるとともに、画素電極２３４と一定の距離を保っ
て対向するように配置する。したがって、本実施形態において、画素容量１１８は、画素
電極２３４と共通電極１１１とが液晶を介して対向することによって生じる容量で表され
ることになる。本実施形態では、図２（ａ）に示されるように共通電極１１１と画素電極
２３４とは絶縁体を介して交差する部分が存在するので、当該交差部分で容量が形成され
る。このため、当該容量を画素容量に付加したものとして考えても良い。なお、画素電極
２３４は、画素容量１１８の一端に相当し、共通電極１１１は、画素容量１１８の他端に
相当する。
【００１２】
画素容量１１８では、保持された電圧に応じた強さで電界が図２（ａ）または図２（ｂ
）において紙面横（Ｘ）方向に発生して、液晶の配向状態が変化するので、偏光子（図示
省略）を通過する光量は、当該電圧実効値に応じた値となる。このため、走査線３１１が
選択されたときのデータ信号の電圧により、画素容量１１８において保持される電圧を画
素毎に制御して、所定の階調表示を行うことが可能となっている。
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が
最小となって黒色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が増加
して、ついには透過率が最大の白色表示になるノーマリーブラックモードとする。
【００１３】
上述したように上記金属層の各々は、絶縁体を介して積層されている。このため、異種
配線の電気的な絶縁が保たれている。ただし、画素電極２３４は、第１データ線２１１お
よび第２データ線２１２に沿って積層されているので、この積層部分では、金属／絶縁体
／金属という構造となり、この積層構造によりそれぞれ容量が形成される。このうち、第
１データ線２１１と画素電極２３４との積層部分が第１補助容量２１５として用いられ、
第２データ線２１２と画素電極２３４との積層部分が第２補助容量２１６として用いられ
る。なお、第１補助容量２１５および第２補助容量２１６の容量値は互いにほぼ同一とな
るように設計されている。
図２（ｂ）では、第１ＴＦＴ２４２のゲート・ドレイン間の寄生容量がＣｇｄ１と、第
２ＴＦＴ２４４のゲート・ドレイン間の寄生容量がＣｇｄ２と、それぞれ表記されている
。また、第１データ線２１１および第２データ線２１２は、それぞれ走査線３１１および
共通電極と絶縁体を介して交差するので、これらの交差によって、図２（ｂ）の破線で示
されるように容量が寄生する。
【００１４】
説明を再び図１に戻すと、制御回路４００は、１水平走査期間の開始時を規定するラッ
チパルスＬＰや、極性指示信号ＰＯＬ、スタートパルスＤＹ、クロック信号ＣＬＹ等の各
種制御信号によって液晶パネル１００の走査を制御するものである。
【００１５】
走査線駆動回路３５０は、図３に示されるように、垂直走査期間（１Ｆ）の最初に供給
されるスタートパルスＤＹを、１周期が１水平走査期間（１Ｈ）のクロック信号ＣＬＹの
立ち上がりにて順次取り込んでシフトして、そのシフト信号を、走査信号Ｙ０、Ｙ１、Ｙ
２、Ｙ３、…、Ｙ３２０として、それぞれ０行目、１行目、２行目、３行目、…、３２０
行目の走査線３１１に供給するものである。このため、０〜３２０行の走査線３１１は、
１水平走査期間（１Ｈ）毎に１行ずつ選択されるとともに、選択されたときにＨレベルに
相当する電圧Ｖddが印加される一方、非選択のときにはＬレベルに相当する電圧Ｖss（＝
Ｇnd）が印加される。
【００１６】
次に、データ線駆動回路２５０について説明する。データ線駆動回路２５０は、データ
信号供給回路２５２と各列に対応した反転回路２５４とを有する。このうち、データ信号
供給回路２５２は、選択された走査線３１１に位置する画素１１６の階調に応じた電圧の
データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目の第１デー
タ線２１１にそれぞれ供給するものであり、反転回路２５４は、データ信号Ｘ１、Ｘ２、
Ｘ３、…、Ｘ２４０を、電位ＶＣを基準としてそれぞれ反転した反転データ信号／Ｘ１、
／Ｘ２、／Ｘ３、…、／Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目の第２データ線２１２
に供給するものである。なお、記号の「／」は反転を表す。
【００１７】
データ信号供給回路２５２は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記
憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１６の階調値（明
るさ）を指定する階調データＤａが記憶される。また、各記憶領域に記憶される階調デー
タＤａは、表示内容に変更が生じた場合に、図示しない上位装置によって書き換えられる
。
データ信号供給回路２５２は、走査線駆動回路３５０により選択された走査線３１１に
位置する画素１１６の階調データＤａを記憶領域から読み出すとともに、極性指示信号Ｐ
ＯＬで指定された極性であって当該階調値に応じた電圧のデータ信号に変換し、対応する
第１データ線２１１に供給する。この供給動作を、データ信号供給回路２５２は、選択さ
れた走査線３１１に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
ここで、極性指示信号ＰＯＬは、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであ
れば負極性書込を指定する信号であり、図３に示されるように、１水平走査期間（１Ｈ）
毎に極性反転するとともに、隣接する１垂直走査期間（１Ｆ）同士において同一の走査線
３１１が選択される水平走査期間に着目しても極性反転の関係にある。このように極性反
転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。また、本実施形
態における書込極性の基準はＶＣであり、この電圧ＶＣよりも高位側が正極性であり、低
位側が負極性である。
【００１８】
このデータ信号供給回路２５２によって生成されるデータ信号について、ｊ列目により
代表させて説明すると、当該ｊ列目の第１データ線２１１に供給されるデータ信号Ｘｊは
、図３に示される通りとなる。すなわち、データ信号供給回路２５２は、１行目の走査線
３１１が選択される水平走査期間において負極性書込の指示であれば、データ信号Ｘｊの
電圧を、電位ＶＣに対して１行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側とする。１行目
の走査線３１１が負極性書込であれば、２行目の走査線３１１が選択される水平走査期間
において負極性書込の指示となるので、データ信号供給回路２５２は、２行目の走査線３
１１が選択される水平走査期間において、データ信号Ｘｊの電圧を、電位ＶＣに対して２
行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側とする。以下、この動作を繰り返す。
【００１９】
次の垂直走査期間（１Ｆ）において、データ信号供給回路２５２は、データ信号Ｘｊを
、奇数（１、３、５、…、３１９）行目の走査線３１１が選択される水平走査期間におい
て負極性とし、偶数（０、２、４、…、３２０）行目の走査線３１１が選択される水平走
査期間において正極性とする。
反転データ信号／Ｘｊは、このようなデータ信号Ｘｊを、図３において破線で示される
ように、電圧ＶＣを基準に反転した波形となる。
【００２０】
ここで、図３における電圧の関係について説明すると、電圧Ｖw(-)、Ｖb(-)は、画素電
極２３４に印加されると、当該画素を、それぞれ最高階調の白色、最低階調とさせる負極
性電圧である。一方、Ｖw(+)、Ｖb(+)は、画素電極２３４に印加されると、当該画素を、
それぞれ最高階調の白色、最低階調とさせる正極性電圧であり、電圧Ｖcを基準にしたと
きにＶw (-)、Ｖg(-)と対称関係にある。また、走査信号Ｙ０、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、
Ｙ３２０については、そのＬレベルが電圧Ｖw(-)よりも低い電位Ｖss（電源電圧低位側）
であり、走査信号のＨレベルが電圧Ｖw(+)よりも高い電位Ｖdd（電源電圧高位側）である
。
なお、本実施形態では、０行目に画素１１６が存在しないので、データ信号供給回路２
５２は、０行目の走査線３１１が選択される水平走査期間において、データ信号Ｘ１〜Ｘ
２４０を、書込極性に応じた所定の階調値に相当する電圧とする。例えばデータ信号供給
回路２５２は、０行目の走査線３１１が選択される水平走査期間においてデータ信号Ｘ１
〜Ｘ２４０を、最高階調の白色と最低階調の黒色とのほぼ中間値、すなわち、正極性書込
であれば電圧Ｖw(+)およびＶb(+)の中間値とし、負極性書込であれば電圧Ｖw(-)およびＶ
b(-)の中間値とする。
また、図３においては、走査信号Ｙ０〜Ｙ３２０等と、データ信号Ｘｊ（反転データ信
号／Ｘｊ）等との縦方向の電圧スケールを、便宜的に異ならせてある。
【００２１】
次に、このような構成にかかる電気光学装置における書き込みについて説明する。
図４は、ｉ行ｊ列の画素の書き込みと、これより１行前に隣接する（ｉ−１）行ｊ列の
画素の書き込みとについて、走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ−１）との関係において示す図である
。なお、図４では、（ｉ−１）行ｊ列の画素電極２３４の電圧と、ｉ行ｊ列の画素電極２
３４の電圧とが、それぞれ太実線で示され、走査信号Ｙ（ｉ−１）、Ｙｉについては、細
実線で示されている。
（ｉ−１）行ｊ列の画素を、白色と黒色との間であってやや明るい灰色（便宜的に、灰
色１と称する）とする場合であって、負極性で書き込む場合、（ｉ−１）行目の走査線３
１１が選択される１水平走査期間Ｔ０において、データ信号Ｘｊは、灰色１とさせる負極
性電圧Ｖg1(-)となる。
なお、期間Ｔ０においては、走査信号Ｙ（ｉ−１）がＨレベルとなるので、（ｉ−１）
行目に位置する画素１１６においては、第１ＴＦＴ２４２が導通（オン）状態となり、第
２ＴＦＴ２４４は非導通（オフ）状態となる。このため、（ｉ−１）行ｊ列の画素電極２
３４は、第１データ線２１１に供給された電圧Ｖg1(-)となる。
【００２２】
一方、データ信号Ｘｊが、灰色１とさせる負極性電圧Ｖg1(-)になると、反転データ信
号／Ｘｊは、灰色１とさせる正極性電圧Ｖg1(+)になる。期間Ｔ０において走査信号Ｙ（
ｉ−１）がＨレベルになると、ｉ行目に位置する画素１１６においては、第２ＴＦＴ２４
４が導通状態となり、第１ＴＦＴ２４２が非導通状態となる。このため、ｉ行ｊ列の画素
電極２３４は、第２データ線２１２に供給された反転データ信号／Ｘｊの電圧Ｖg1(+)と
なる。
【００２３】
（ｉ−１）行目の画素については負極性の書き込みであったので、ｉ行目の画素につい
ては正極性の書き込みとなる。ここで、ｉ行ｊ列の画素を、白色と黒色との間であってや
や暗い灰色（便宜的に、灰色２と称する）とする場合、ｉ行目の走査線３１１が選択され
る１水平走査期間Ｔ１において、データ信号Ｘｊは、灰色２とさせる正極性電圧Ｖg2(+)
となる。
期間Ｔ１において走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｉ行目に位置する画素１１６にお
いては、第１ＴＦＴ２４２が導通状態に、第２ＴＦＴ２４４が非導通状態にそれぞれ転じ
るので、ｉ行ｊ列の画素電極２３４は、電圧Ｖg1(+)からＶg2(+)へと変化する。
ｉ行目の走査線３１１の選択が完了して、走査信号ＹｉがＬレベルになると、ｉ行目に
位置する画素１１６においては、第１ＴＦＴ２４２が非導通状態となるので、ｉ行ｊ列の
画素電極２３４は、リークによって電圧Ｖg2(+)から電圧ＬＣcomに向かう。
【００２４】
１垂直走査期間（１Ｆ）経過して、期間Ｔ２において走査信号Ｙ（ｉ−１）が再びＨレ
ベルになると、データ信号Ｘｊは前回の書込極性から反転されて、正極性電圧Ｖg1(+)と
なるので、（ｉ−１）行ｊ列の画素電極２３４は、電圧Ｖg1(+)となる。一方、データ信
号Ｘｊが正極性電圧Ｖg1(+)になると、反転データ信号／Ｘｊは負極性電圧Ｖg1(-)になる
ので、ｉ行ｊ列の画素電極２３４は、反転データ信号／Ｘｊの電圧Ｖg1(-)となる。
次に、期間Ｔ３において走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｉ行ｊ列の画素電極２３４
は、電圧Ｖg1(-)からＶg2(-)へと変化する。走査信号ＹｉがＬレベルになると、ｉ行ｊ列
の画素電極２３４は、リークによって電圧Ｖg2(-)から電圧ＬＣcomに向かう。
以下、ｉ行ｊ列の画素については、このような書き込みの繰り返しとなる。ここでは、
ｊ列の画素について代表して説明しているが、１〜２４０列のすべてについて同様な書き
込みとなる。
なお、図４におけるハッチングは、画素電極２３４と共通電極１１１との電位差、すな
わち、画素容量１１８における電圧実効値の成分を示している。
【００２５】
このような書き込みによれば、ｉ行の画素について着目すると、当該ｉ行目の走査線３
１１が選択されて、目標とする階調に応じた電圧を書き込む前であって、１行前の（ｉ−
１）行の走査線３１１が選択されたときに、ｉ行の画素電極２３４については、それぞれ
予め目標とする階調に応じた電圧と同極性の電圧にプリチャージされることになる。この
ため、目標とする階調に応じた電圧を書き込むのに要する時間を短縮化することができる
。
【００２６】
なによりも、本実施形態では、第１ＴＦＴ２４２のソースが第１データ線２１１に接続
される一方、第２ＴＦＴ２４４のソースが第２データ線２１２に接続されて、両ＴＦＴの
ドレインが画素電極２３４に共通接続されるとともに、第１データ線２１１に供給される
データ信号と、第２データ線２１２に供給される反転データ信号とを、電圧ＶＣを基準に
反転した関係としているので、保持期間におけるＴＦＴを介したリークの程度は、表示内
容（データ信号がとる電圧）に依存しないで一定となる。このため、本実施形態では、リ
ークの程度が、画素同士にわたって均一化されるので、リークの程度差による表示品位の
低下を防止することが可能となる。
すなわち、データ線が１本の従来構成では、表示内容によっては、保持期間におけるデ
ータ信号の電圧に偏りが生じるので、列毎にリークの程度が異なってしまい、これにより
、縦方向の表示ムラ（縦クロストーク）が発生するが、本実施形態では、リークの程度の
均一化によって、縦クロストークによる表示品位の低下を抑えることが可能となる。
【００２７】
また、本実施形態では、走査線３１１は、第１データ線２１１および第２データ線２１
２に対し、それぞれ絶縁体を介して交差するので、両データ線とそれぞれ容量結合する。
ただし、本実施形態では、第１データ線２１１に供給されるデータ信号の電圧変化と、第
２データ線２１２に供給される反転データ信号の電圧変化とは、互いに逆方向であって、
ほぼ同一の大きさであるので、容量結合する走査線３１１では、データ信号の電圧変化に
よる影響と反転データ信号の電圧変化による影響とが互いに相殺し合う。したがって、本
実施形態では、データ信号の電圧変化による走査線３１１の波形歪みが防止されることと
なる。
一方、共通電極１１１も、第１データ線２１１および第２データ線２１２と容量結合す
るが、その影響は同様に相殺し合うので、共通電極１１１の電位変動も防止される。この
ため、共通電極１１１の電位変動による表示品位の低下についても防止することが可能と
なる。
【００２８】
さらに、本実施形態では、画素電極２３４は、第１データ線２１１とは第１補助容量２
１５を介して容量結合する一方、第２データ線２１２とは第２補助容量２１６を介して容
量結合した構成となっている。このため、データ信号の電圧変化が画素電極２３４に及ぼ
す影響は、反転データ信号が画素電極２３４に及ぼす影響によって相殺される。
このため、画素電極２３４の電位は、データ信号の電圧変化の影響を受けにくくなるの
で、画素容量１１８の電圧実効値をゼロに近づけることが容易となる。例えば、ノーマリ
ーブラックモードでは、画素容量１１８に印加される電圧実効値が特にゼロ近傍である場
合に、透過率が大きく変化する。このため、画素容量１１８の電圧実効値をゼロに近づけ
ることができれば、表示可能な明るさの範囲が暗い方向に拡大するので、コントラスト比
をそれだけ高くすることが可能となるのである。
【００２９】
本発明では、各列において２本のデータ線２１１、２１２が必要となるが、ＩＰＳ方式
では、図２（ａ）に示されるように、画素電極２３４と第１データ線２１１または第２デ
ータ線２１２とを重ねることができるので、開口率の低下はそれほど問題にはならない。
【００３０】
電位ＬＣcomは、理想的には電位ＶＣであるが、ＴＦＴ２４０では、そのゲート・ドレ
イン間の寄生容量に起因して、オンからオフ時にドレイン（画素電極２３４）の電位が低
下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する
。液晶の劣化を防止するために、画素容量１１８では交流駆動が原則であるので、共通電
極１１１に対して高位側（正極性）と低位側（負極性）とで同一階調の交互書き込みをす
るが、電位ＬＣcomを電位ＶＣに一致させた状態で、交互書き込みをすると、プッシュダ
ウンのために、画素容量１１８の電圧実効値は、負極性書込の方が正極性書込よりも大き
くなってしまう。このため、同一階調で正極性・負極性書込をしても画素容量１１８の電
圧実効値が互いに等しくなるように、共通電極１１１の電位ＬＣcomは、データ信号の振
幅基準である電位ＶＣよりも若干低めに設定されている。
【００３１】
なお、上述した実施形態では、第１ＴＦＴ２４２および第２ＴＦＴ２４４をｎチャネル
型としたが、ｐチャネル型としても良いのはもちろんである。
また、実施形態では、書込極性の変更周期を１フレームとしたが、その理由は、画素容
量１１８において直流成分の印加を防止するためなので、その反転については２以上のフ
レーム周期としても良い。
実施形態では、ｉ行の画素における第２ＴＦＴ２４４のゲートを、１行手前の（ｉ−１
）行目の走査線３１１に接続したが、３、５、…の奇数行手前の走査線３１１に接続する
構成としても良い。
さらに、実施形態では、電圧無印加状態において黒色を表示するノーマリーブラックモ
ードとしたが、電圧無印加状態において白色を表示するノーマリーホワイトモードとして
も良い。なお、ノーマリーホワイトモードであれば、画素容量１１８に印加される電圧実
効値が高いほど、画素が暗くなる。
また、階調表示数は特に限られないし、さらに、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画
素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良い。
液晶パネル１００は透過型に限られず、反射型や、両者の中間的な半透過半反射型であ
っても良い。さらに、ＩＰＳ方式に限られず、ＴＮ型や、ＳＴＮ型など、分子の長軸方向
と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子配列の液晶（
ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたゲストホスト型などの液晶
を用いても良い。くわえて、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列
する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配
向（ホメオトロピック配向）の構成としても良い。
【００３２】
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図５は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構
成を示す斜視部である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した液晶パネル１００を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、液晶パネル１００以外の構成要素については電話器に
内蔵されるので、外観としては現れない。
【００３３】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図５に示される携帯電話の他
にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（ま
たはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、
電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル
を備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上
述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。そして、いずれの電子
機器においても、表示品位の低下を抑えて高品位の表示が簡易な構成によって実現される
ことになる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における走査信号およびデータ信号等を示す図である。
【図４】同電気光学装置における書き込みを説明するための図である。
【図５】同電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０…電気光学装置、１１６…画素、１１８…画素容量、２１１…第１データ線、２１
２…第２データ線、２１５…第１補助容量、２１６…第２補助容量、２３４…画素電極、
２４２…第１ＴＦＴ、２４４…第２ＴＦＴ、２５０…データ線駆動回路、３１１…走査線
、３５０…走査線駆動回路、４００…制御回路、１２００…携帯電話
【図１】
2006235449.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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