Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月17日(2007.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルから核酸を単離する方法であって、以下のステップ：
装填用チャンバ、バルブ付処理用チャンバおよび混合用チャンバを含んでなるマイクロ流体装置を提供すること；
核酸と阻害物質を含んでなるサンプルを提供すること；
前記装填用チャンバに前記サンプルを導入すること；
前記バルブ付処理用チャンバに前記サンプルを移すこと；
前記バルブ付処理用チャンバ内に前記サンプルの濃縮領域を形成すること、ここで前記サンプルの濃縮領域は、大部分の前記核酸含有材料を含んでなり、濃縮度の低い領域は、前記阻害物質の少なくとも一部を含んでなり；
前記バルブ付処理用チャンバ内の第１のバルブを作動させ、そして前記マイクロ流体装置を回転させて、前記サンプルの濃縮度の低い領域の少なくとも一部を除去し、前記サンプルの濃縮度の低い領域から前記濃縮領域を実質的に分離し、それによって前記サンプルから前記阻害物質の少なくとも一部を除去すること；
前記バルブ付処理用チャンバ内の第２のバルブを作動させ、そして前記マイクロ流体装置を回転させて、前記サンプルの分離された濃縮領域を前記混合用チャンバに移すこと；
場合により前記サンプルの分離された濃縮領域を水または緩衝液で希釈し、場合により核酸材料の濃度を増加させるために該希釈領域をさらに濃縮し、場合により該さらに濃縮された領域を分離し、場合により希釈、続く濃縮および分離のこの処理を反復して増幅処理を妨害しないと考えられる濃度まで前記阻害物質の濃度を減少させること；
核酸含有材料が存在する場合、場合により該材料を加熱により溶解して、核酸を放出させること；および
場合により放出された核酸を含んでなる前記サンプルのｐＨを調整すること、
を含んでなる、前記方法。
【請求項２】
サンプルから核酸を単離する方法であって、以下のステップ：
装填用チャンバ、バルブ付処理用チャンバおよび混合用チャンバを含んでなるマイクロ流体装置を提供すること；
核酸含有材料、阻害物質含有細胞、及び場合により細胞外阻害物質を含んでなるサンプルを提供すること；
前記装填用チャンバに前記サンプルを導入すること；
細胞膜を破壊し、阻害物質を放出し、核酸含有材料と阻害物質とを含んでなる溶解サンプルを形成するのに有効な条件下で、前記サンプルを第１の溶解試薬と接触させること；
前記バルブ付処理用チャンバに前記溶解サンプルを移すこと；
前記バルブ付処理用チャンバ内に前記溶解サンプルの濃縮領域を形成すること、ここで、前記溶解サンプルの濃縮領域は、大部分の前記核酸含有材料を含んでなり、濃縮度の低い領域は、前記阻害物質の少なくとも一部を含んでなり；
前記バルブ付処理用チャンバ内の第１のバルブを作動させ、そして前記マイクロ流体装置を回転させて、前記サンプルの濃縮度の低い領域の少なくとも一部を除去し、前記溶解サンプルの濃縮度の低い領域から前記濃縮領域を実質的に分離し、それによって前記溶解サンプルから前記阻害物質の少なくとも一部を除去すること；
前記バルブ付処理用チャンバ内の第２のバルブを作動させ、そして前記マイクロ流体装置を回転させて、前記溶解サンプルの分離された濃縮領域を前記混合用チャンバに移すこと；
前記溶解サンプルの分離された濃縮領域を水または緩衝液で希釈し、核酸材料の濃度を増加させるために該希釈領域をさらに濃縮し、該さらに濃縮された領域を分離し、場合により希釈、続く濃縮および分離のこの処理を反復して増幅処理を妨害しないと考えられる濃度まで前記阻害物質の濃度を減少させること；
前記核酸含有材料をさらに溶解して、核酸を放出させること；および
放出された核酸を含んでなる前記サンプルのｐＨを任意に調整すること、
を含んでなる、前記方法。
【請求項３】
サンプルから核酸を単離する方法であって、以下のステップ：
装填用チャンバ、バルブ付処理用チャンバおよび混合用チャンバを含んでなるマイクロ流体装置を提供すること；
核酸含有材料、阻害物質含有細胞、及び場合により細胞外阻害物質を含んでなるサンプルを提供すること；
前記装填用チャンバに前記サンプルを導入すること；
細胞膜を破壊し、阻害物質を放出し、核酸含有材料と阻害物質とを含んでなる溶解サンプルを形成するのに有効な条件下で、前記サンプルを第１の溶解試薬と接触させること；
前記バルブ付処理用チャンバに前記溶解サンプルを移すこと；
前記バルブ付処理用チャンバ内に前記溶解サンプルの濃縮領域を形成すること、ここで、前記溶解サンプルの濃縮領域は、大部分の前記核酸含有材料を含んでなり、濃縮度の低い領域は、前記阻害物質の少なくとも一部を含んでなり；
前記バルブ付処理用チャンバ内の第１のバルブを作動させて、前記サンプルの濃縮度の低い領域の少なくとも一部を除去し、前記溶解サンプルの濃縮度の低い領域から前記濃縮領域を実質的に分離し、それによって前記溶解サンプルから前記阻害物質の少なくとも一部を除去すること；
前記バルブ付処理用チャンバ内の第２のバルブを作動させて、前記溶解サンプルの分離された濃縮領域を前記混合用チャンバに移すこと；
前記溶解サンプルの分離された濃縮領域を水または緩衝液で希釈し、核酸材料の濃度を増加させるために該希釈領域をさらに濃縮し、該さらに濃縮された領域を分離し、希釈、続く濃縮および分離のこの処理を反復して増幅処理を妨害しないと考えられる濃度まで前記阻害物質の濃度を減少させること；
前記核酸含有材料を強塩基と加熱によりさらに溶解して、核酸を放出させること；および
放出された核酸を含んでなる前記サンプルのｐＨを調整すること、
を含んでなる、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月14日(2007.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直接的な点取付け型積層システムであって、（１）熱可塑性中間層、（２）剛構造荷重担持層（構造層）の少なくとも１枚のシート、（３）少なくとも１つのレセプター手段、および（４）少なくとも１つの取付け手段、を含み、前記熱可塑性中間層が、少なくとも１つの表面において、前記構造層の少なくとも１枚のシートに結合されており、そして、少なくとも１つのレセプター手段がさらに、前記熱可塑性中間層に接着的に結合され、それによって前記構造層に接着的に結合されており、
前記取付け手段および／または前記レセプター手段が前記構造層の膨張係数の約９０％〜約１１０％の膨張係数を有する材料から作られているという更なる条件で、前記レセプター手段が機械的に前記取付け手段を受け入れるような位置にあることを特徴とする積層システム。
【請求項２】
支持構造に対して直接的に点取付けするのに好適なグレージングシステムを調製するための方法であって、（１）熱可塑性中間層、（２）剛構造荷重担持層（構造層）の少なくとも１枚のシート、（３）少なくとも１つのレセプター手段、および（４）少なくとも１つの取付け手段、を含む積層物を組み立てる工程を含み、前記熱可塑性中間層が、少なくとも１つの表面において前記構造層の少なくとも１枚のシートに結合されており、そして、少なくとも１つのレセプター手段がさらに、前記熱可塑性中間層に接着的に結合され、それによって前記構造層に接着的に結合されており、
前記取付け手段および／または前記レセプター手段が前記構造層の膨張係数の約９０％〜約１１０％の膨張係数を有する材料から作られているという更なる条件で、前記レセプター手段が機械的に前記取付け手段を受け入れるような位置にあることを特徴とする方法。
【請求項３】
取付け手段およびレセプター手段を介して支持構造に直接的に点取付けするのに好適な、ガラス積層グレージングシステムを作製するための方法であって、前記取付け手段および／または前記レセプター手段を、前記ガラスの膨張係数の約９０％〜約１１０％の膨張係数を有する材料から作るように前記積層物を構成するための材料を選択する工程を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【表１】
2007516917.tif 000001
なお、本発明の好ましい態様としては以下のものを挙げることができる。
１．直接的な点取付け型積層システムであって、（１）熱可塑性中間層、（２）剛構造荷重担持層（構造層）の少なくとも１枚のシート、（３）少なくとも１つのレセプター手段、および（４）少なくとも１つの取付け手段、を含み、前記熱可塑性中間層が、少なくとも１つの表面において、前記構造層の少なくとも１枚のシートに結合されており、そして、少なくとも１つのレセプター手段がさらに、前記熱可塑性中間層に接着的に結合され、それによって前記構造層に接着的に結合されており、
前記取付け手段および／または前記レセプター手段が前記構造層の膨張係数の約９０％〜約１１０％の膨張係数を有する材料から作られているという更なる条件で、前記レセプター手段が機械的に前記取付け手段を受け入れるような位置にあることを特徴とする積層システム。
２．前記熱可塑性中間層が、エチレンと、エチレン性不飽和カルボン酸またはその誘導体とを共重合させることにより得られるコポリマーであることを特徴とする１に記載の積層システム。
３．前記中間層が、約０．３０ｍｍ〜約１．５ｍｍの厚みを有することを特徴とする２に記載の積層システム。
４．それぞれのガラスシートが、少なくとも約０．２５ｍｍの厚みを有することを特徴とする３に記載の積層システム。
５．前記積層物が、少なくとも２枚のガラスのシートを含むことを特徴とする４に記載の積層システム。
６．それぞれのガラスシートが、１℃あたり約５ｐｐｍ〜約１０ｐｐｍの範囲の膨張係数を有していることを特徴とする５に記載の積層システム。
７．前記取付け手段および／または前記レセプター手段が、前記ガラスの膨張係数の約９２％〜約１０８％の膨張係数を有する材料から作られていることを特徴とする６に記載の積層システム。
８．前記取付け手段および／または前記レセプター手段が、前記ガラスの膨張係数の約９４％〜約１０６％の膨張係数を有する材料から作られていることを特徴とする７に記載の積層システム。
９．前記取付け手段および／または前記レセプター手段が、前記ガラスの膨張係数の約９５％〜約１０５％の膨張係数を有する材料から作られていることを特徴とする８に記載の積層システム。
１０．前記取付け手段および／または前記レセプター手段が、金属材料であることを特徴とする９に記載の積層システム。
１１．前記積層物が、床タイル、階段の踏み板、ガラス壁、または天井タイルとして有用であることを特徴とする１０に記載の積層システム。
１２．支持構造に対して直接的に点取付けするのに好適なグレージングシステムを調製するための方法であって、（１）熱可塑性中間層、（２）剛構造荷重担持層（構造層）の少なくとも１枚のシート、（３）少なくとも１つのレセプター手段、および（４）少なくとも１つの取付け手段、を含む積層物を組み立てる工程を含み、前記熱可塑性中間層が、少なくとも１つの表面において前記構造層の少なくとも１枚のシートに結合されており、そして、少なくとも１つのレセプター手段がさらに、前記熱可塑性中間層に接着的に結合され、それによって前記構造層に接着的に結合されており、
前記取付け手段および／または前記レセプター手段が前記構造層の膨張係数の約９０％〜約１１０％の膨張係数を有する材料から作られているという更なる条件で、前記レセプター手段が機械的に前記取付け手段を受け入れるような位置にあることを特徴とする方法。
１３．取付け手段およびレセプター手段を介して支持構造に直接的に点取付けするのに好適な、ガラス積層グレージングシステムを作製するための方法であって、前記取付け手段および／または前記レセプター手段を、前記ガラスの膨張係数の約９０％〜約１１０％の膨張係数を有する材料から作るように前記積層物を構成するための材料を選択する工程を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月6日(2007.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ヒトのケラチン生成細胞を細胞増殖培養液（DMEM + FCS）に接種し、37 ℃、5 ％ CO2 で 3 日間培養した。次いで、細胞増殖培養液を、試験を行う成分を含有する平衡塩溶液に交換し、培養した細胞に UVB 50 mJ/cm2（DUKE GL40E ランプ）を照射した。37 ℃、5 ％ CO2 で 1 日間培養した後、培養液中に放出された LDH 及び PGE2 を測定し、細胞の生存を確認するために蛍光プローブを用いて細胞 DNA を測定した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
ルチンとヘキサデカン二酸とのジエステル（ルチン-C16 二酸-ルチン）の合成
この反応は、250 ml の回分反応器中で行った。ルチン（10 g、16.4 mmol）とヘキサデカン二酸（4.2 g、14.8 mmol）を、250 ml の t-アミルアルコールに溶解した。媒体を減圧下（400 mbar）80 ℃で加熱した。一晩中、発生した蒸気を凝縮し、分子篩（50 g）を充填したカラムを通して反応器に還流した。この処置により、反応器内の水分濃度は低かった（100 mM 未満）。その後、7.5 g の Candida antarctica のリパーゼ（Novozym 435）を添加した。
72 時間後、酵素をろ過によって回収した。次いで、溶媒の蒸発によって媒体を濃縮した。媒体は、ルチン（10.4 ％）、ヘキサデカン二酸（6.4 ％）、ヘキサデカン二酸ルチン（45.1 ％）、ヘキサデカン二酸ジルチン（38.1 ％）の混合物である。分取 HPLC による精製により、実施例 2 に記載のヘキサデカン二酸ルチン（ルチン-O-(C=O)-(CH2)14-COOH）、ヘキサデカン二酸ジルチン（ルチン-O-(C=O-(CH2)l4-(C=O)-O-ルチン）及びそれらの混合物に分離できた。
得られたヘキサデカン二酸ジルチンの 1H NMR は：
1H NMR：（400 MHz, DMSO d6）：δ0.75（d, 6H）, 1.2（m, 22H）, 1.43（m, 4H）, 2.13（m, 4H）, 3.1-3.7（ブロード、22H）, 3.7（d, 1H）, 4.45（s, 2H）, 4.64（t, 2H）, 5.43（s, 2H）, 6.18（s, 2H）, 6.35（s, 2H）, 6.84（d, 2H）, 7.50（m, 4H）, 12.6（s, 2H, OH）ppm
であった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、ＰｔおよびＰｄからなる群から選択される金属と、
（１）前記金属が複数のインドール化合物で完全に錯体化されているインドール化合物、（２）イソインドール、または（３）炭素原子数２〜１２個のアルキル置換基およびアリール置換基から各々選択される２つの置換基を３位に含有するインドールと
を含む有機金属錯体を含有する発光性のリン光性物質を含有する発光層を含んでなり、該錯体が下記の式（３）で表されるエレクトロルミネセンスデバイス。
【化１】
2007516965.tif 000001
式中、
Ｍは、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＰｔおよびＰｄからなる群から選択される配位した金属であり；
ｍは、Ｍが、Ｉｒ、ＲｈまたはＯｓであるとき、１、２または３であり、また、ｍは、ＭがＰｔまたはＰｄであるとき、１または２であり；
Ｌは、独立して選択された配位子基を表し；
ｗは、Ｍが、Ｉｒ、ＲｈまたはＯｓであるとき、６個の配位部位を満たすために必要に応じて０〜４であり、また、ｗは、ＭがＰｔまたはＰｄであるとき、４個の配位部位を満たすために必要に応じて０〜２であり；
Ｒ1およびＲ2は置換基を表し、ただし、Ｒ1およびＲ2は環基を形成することができ；
Ａｒは、置換された芳香族基または非置換の芳香族基を表し；かつ
Ｒ5およびＲ6は独立して、炭素原子が２個〜１２個のアルキル基またはアリール基を表す。
【請求項２】
発光層が、下記の式（１ａ）の発光性化合物：
【化２】
2007516965.tif 000002
（式中、
Ｌは、独立して選択された配位子基を表し；
ｍは、１、２または３であり；
ｗは、６個の配位部位を満たすために必要に応じて０〜４であり；
Ｒ1およびＲ2は、独立して選択された置換基を表し、ただし、Ｒ1およびＲ2は環基を形成することができ；かつ
Ｒ3およびＲ4は、独立して選択された置換基を表す）
を含有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
ｍが３であり、かつ、Ｒ1およびＲ2が一緒になって芳香族環を形成する、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
発光層が、下記の式（１ｂ）の発光性化合物：
【化３】
2007516965.tif 000003
（式中、
Ｌ、ｗ、ｍ、Ｒ3およびＲ4は請求項２で定義される通りであり、かつ
Ａｒは、置換された芳香族基または非置換の芳香族基を表す）
を含有する、請求項２に記載のデバイス。
【請求項５】
発光層が、下記の式（２）の発光性化合物：
【化４】
2007516965.tif 000004
（式中、
Ｍは、Ｉｒ、Ｒｈ、ＰｔおよびＰｄからなる群から選択される配位した金属である；
ｍは、ＭがＩｒまたはＲｈであるとき、３であり、また、ｍは、ＭがＰｔまたはＰｄであるとき、２であり；
Ｒ1およびＲ2は置換基を表し、ただし、Ｒ1およびＲ2は環基を形成することができ；
Ｒ3およびＲ4は、独立して選択された置換基を表し；かつ
Ａｒは、置換された芳香族基または非置換の芳香族基を表す）
を含有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
Ｒ1およびＲ2が一緒になって芳香族環を形成する、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
該インドールが、炭素原子数２〜１２個のアルキル成分およびアリール成分から選択される２つの置換基を３位に含有する、請求項１に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月2日(2007.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１７位置のｄ−ノルゲストレルのアセチル化、得られた１７−アセトキシ誘導体の３位置のオキソ基のオキシム化、そして最後に得られた３−オキシム誘導体の１７位置のアセトキシ基の加水分解を介した高純度ｄ−（１７α）−１３−エチル−１７−ヒドロキシ−１８，１９−ジノルプレグ−４−エン−２０−イン−３−オン−オキシムの合成方法であって、
出発原料、ｄ−（１７α）−１７−ヒドロキシ−１３−エチル−１８，１９−ジノルプレグ−４−エン−２０−イン−３−オン（ｄ−ノルゲストレル）−純度少なくとも９３−９４％を、塩化亜鉛及び塩化水素、或いは不活性ガス雰囲気のもと７０％過塩素酸の存在下にて酢酸中の無水酢酸でアセチル化し、反応の終了後、過剰な無水酢酸及び「酢酸エノール」副産物を塩酸水溶液で分解し、
次に形成されたｄ−（１７α）−１７−アセトキシ−１３−エチル−１８，１９−ジノルプレグ−４−エン−２０−イン−３−オンを冷水の添加によって反応混合物から分離し、沈澱した生成物を濾過し、水で洗浄し、乾燥させ、ジクロロメタン又はアセトンに溶解し、そしてシリカゲル又は酸化アルミニウム及び炭で浄化し、浄化剤の濾過の後得られた溶液を濃縮し、残留物を再結晶化させ、
得られたｄ−（１７α）−１７−アセトキシ−１３−エチル−１８，１９−ジノルプレグ−４−エン−２０−イン−３−オンを、約１時間強く攪拌しながら窒素雰囲気のもと酢酸中の酢酸ナトリウムの存在下にて、酢酸ヒドロキシルアンモニウム又は塩化ヒドロキシルアンモニウムの何れかと反応させ、反応の終了後、水を添加し、沈澱生成物を濾過し、水で洗浄し、乾燥させ、そして再結晶化させ、
得られたｄ−（１７α）−１７−アセトキシ−１３−エチル−１８，１９−ジノルプレグ−４−エン−２０−イン−３−オン−オキシムを、強く攪拌しながら約５−３８℃の間の温度にて、窒素雰囲気のもとＣ１−Ｃ４アルカノール溶液中の当量のアルカリ金属水酸化物で加水分解し、反応の終了後、反応混合物を水で希釈し、その結果得られた懸濁物のｐＨを酢酸で７．５−９に調整し、沈澱生成物を濾過し、水で洗浄し、乾燥させ、粗生成物をエタノールに溶解し、炭で浄化し、浄化剤の濾過の後、得られた溶液へ水を加え、沈澱した高純度のｄ−（１７α）−１７−ヒドロキシ−１３−エチル−１８，１９−ジノルプレグ−４−エン−２０−イン−３−オン−オキシムを濾過し、水で洗浄し、そして特定の場合エタノールから再結晶化することを特徴とする高純度ｄ−（１７α）−１３−エチル−１７−ヒドロキシ−１８，１９−ジノルプレグ−４−エン−２０−イン−３−オン−オキシムの合成方法。
【請求項２】
メタノール中のｄ−（１７α）−１７−アセトキシ−１３−エチル−１８，１９−ジノルプレグ−４−エン−２０−イン−３−オン−オキシムを酸化リチウム一水和物で加水分解することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
得られたｄ−（１７α）−１７−アセトキシ−１３−エチル−１８，１９−ジノルプレグ−４−エン−２０−イン−３−オンをジイソプロピルエーテル／アセトニトリル又はジイソプロピルエーテル／エタノールの９：１の混合物から再結晶化させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
得られたｄ−（１７α）−１７−ヒドロキシ−１３−エチル−１８，１９−ジノルプレグ−４−エン−２０−イン−３−オン−オキシムをエタノールから再結晶化させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイブロシンまたはその薬学的に受容可能な誘導体を投与することにより、ブラキスピラ・ピロシコリ（Brachyspira pilosicoli）に起因するヒト以外の動物の疾患を処置、予防または管理する方法。
【請求項２】
前記ヒト以外の動物がブタである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アイブロシンまたはその薬学的に受容可能な誘導体を、10〜200ppmの割合で飼料へ添加する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
アイブロシンまたはその薬学的に受容可能な誘導体を、飼料または飲料水へ添加物する、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
アイブロシンまたはその薬学的に受容可能な誘導体を投与することにより、オルニトバクテリウム・リノテラケアレ（Ornithobacterium rhinotracheale）感染したヒト以外の動物を処置、予防または管理する方法。
【請求項６】
前記ヒト以外の動物が家禽である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
アイブロシンまたはその薬学的に受容可能な誘導体を、10〜200ppmの割合での飼料への添加する、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
アイブロシンまたはその薬学的に受容可能な誘導体を、飼料または飲料水へ添加物する、請求項５乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
インビトロにおけるブラキスピラ・ピロシコリ（Brachyspira pilosicoli）の増殖の予防または軽減のために、アイブロシンまたはその薬学的に受容可能な誘導体を使用する方法。
【請求項１０】
インビトロにおけるオルニトバクテリウム・リノテラケアレ（Ornithobacterium rhinotracheale）の増殖の予防または軽減のために、アイブロシンまたはその薬学的に受容可能な誘導体を使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
方法は、生物学的に重要な一塩基多型の検出に必須であるプローブと標的の間の一塩基対ミスマッチを同定するように容易に適応する(Rolfs et al., PCR: Clinical Diagnostics and Research, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg (1992)、それは全体が参照として本明細書に組み入れられている)。ds-DNAのss-DNA断片への解離の速度式は結合強度に依存し(Owczarzy et al., Biopolymers 44:217-239 (1997); Santalucia et al., J. Am. Chem. Soc. 113:4313-4322 (1991)、それは全体が参照として本明細書に組み入れられている)、それゆえに、ミスマッチしたds-DNA(ds'-DNA)については、完全にマッチしたds-DNAについてより速いという事実が利用された。試験溶液由来のds-DNAを、金コロイドおよび塩/緩衝溶液を加える前に、塩を含まない水において短時間だけ脱ハイブリダイズするようにさせておいた。アッセイを行う2分前まで待って、完全にマッチしたds-DNAセグメント
2007516426.tif 000001
およびそれの相補体)と一塩基対ミスマッチしたds-DNAセグメント
2007516426.tif 000002
との間で明らかな色の違いが観察された(図6D)。脱ハイブリダイゼーションはまた、単に緩衝/塩溶液の導入を遅らせるだけで、金コロイド溶液においてなされうるが、ds-DNAは、水においてよりコロイド溶液において安定であることが見出され、金コロイドにおいて10分後、アッセイにより判定された場合、有意な脱ハイブリダイゼーションはなかった。一塩基対ミスマッチしたDNAセグメントは、5分後に明らかな脱ハイブリダイゼーションを示した。オリゴヌクレオチド溶液および金コロイドの混合物を、緩衝/塩溶液と混合する前に1分間または2分間、超音波にかけることは、脱ハイブリダイゼーションを加速し、ds-DNAとds'-DNAの間の優れた対比を与えた(図6E)。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
実施例3および4に用いられるプローブおよび標的は以下のとおりである：
ローダミンレッド標識プローブ：
2007516426.tif 000003
；
相補性標的A：
2007516426.tif 000004
；
相補的標的B：
2007516426.tif 000005
；および
非相補的標的C：
2007516426.tif 000006
。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
実施例5に用いられるプローブおよび標的は以下のとおりである：
ローダミンレッド標識プローブ：
2007516426.tif 000007
；
相補的標的A'：
2007516426.tif 000008
；および
相補的標的B'：
2007516426.tif 000009
。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
実施例6に用いられるプローブおよび標的は以下のとおりである：
ローダミンレッド標識プローブ1：
2007516426.tif 000010
；
相補的標的1：プローブ1の相補体；
Cy5標識プローブ2：
2007516426.tif 000011
；
相補的標的2：プローブ2の相補体；および
非相補的標的：
2007516426.tif 000012
。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
実施例9  −  PCR増幅された標的cDNAの配列検出および一塩基対ミスマッチ検出
配列検出について、修飾されていないPCR産物の8 μLを、0.3 M NaClを含む10 mM PBSに2つの相補的プローブかまたは2つの非相補的プローブのいずれかを含む1 μM プローブ溶液の6 μLと混合した。5分間の95℃での変性および1分間の50℃でのアニーリング後、60 μL 金コロイドを加え、写真を撮った。プローブ配列は以下のとおりである：
2007516426.tif 000013
。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】追加
【補正の内容】
【配列表】
2007516426000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月1日(2007.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の形式の密輸品検出装置で容器を走査するステップと、
前記第一の形式の密輸品検出装置での前記走査の結果に基づいて、その各々がそれぞれのタイプの密輸品の存在の指標となる複数の予備的危険性値を生成するステップと、
第二の形式の密輸品検出装置で前記容器を走査するステップと、
前記第二の形式の密輸品検出装置での前記走査の結果に基づいて、その各々が前記予備的危険性値のそれぞれに対応しておりそれぞれのタイプの密輸品の存在の指標となる複数の最終的危険性値を生成するように前記予備的危険性値を修正するステップと、
を備えた密輸品を検出する方法。
【請求項２】
乗物の積載室に積載する容器を持ち込んだ人物についての情報を入力するステップと、
前記情報に基づいて、人物危険性値を生成するステップと、
第一の密輸品検出装置で前記容器を走査するステップと、
前記人物危険性値及び前記走査の結果に基づいて、少なくとも１個の予備的危険性値を生成するステップと、
を備えた密輸品を検出する方法。
【請求項３】
第一の密輸品検出装置で容器を走査するステップと、
前記第一の密輸品検出装置での前記走査の結果に基づいて、下限及び上限が０％〜１００％である数値的な確率尺度で表わされる予備的危険性値を生成するステップと、
第二の密輸品検出装置で前記容器を走査するステップと、
前記予備的危険性値及び前記第二の密輸品検出装置での前記走査の結果に基づいて、最終的危険性値を生成するステップと、
を備えた密輸品を検出する方法。
【請求項４】
第一の密輸品検出装置で容器を走査するステップと、
前記第一の密輸品検出装置での前記走査の結果に基づいて、その各々が特定のタイプの密輸品に対応している複数の予備的危険性値を生成するステップと、
第二の密輸品検出装置で前記容器を走査するステップと、
前記予備的危険性値及び前記第二の密輸品検出装置での前記走査の結果に基づいて、その各々が特定のタイプの密輸品に対応している複数の最終的危険性値を生成するステップと、
を備えた密輸品を検出する方法。
【請求項５】
その各々がそれぞれのタイプの密輸品の存在の指標となる複数の危険性値を入力として受け入れるステップと、
所定の危険性計算法の範囲内での危険性評価の経験的な又は専門家方式の定量化を適用する危険性評価に基づいて、前記危険性値を修正するステップと、
前記修正された危険性値を出力するステップと、
を備えた密輸品を検出する方法。
【請求項６】
密輸品について容器を走査する密輸品検出装置と、
該密輸品検出装置に接続されており、乗物の積載室に積載する前記容器を持ち込んだ人物についての情報に基づいて人物危険性値を生成し、該人物危険性値及び前記走査の結果に基づいて少なくとも１個の予備的危険性値を生成するコンピュータと、
を備えた密輸品検出システム。
【請求項７】
密輸品について前記容器を走査する第二の密輸品検出装置をさらに含んでおり、前記コンピュータはさらに、前記予備的危険性値及び前記第二の密輸品検出装置での前記走査の結果に基づいて中間的危険性値を生成する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
密輸品について容器に対する第一の走査を行なう第一の密輸品検出装置と、
密輸品について前記容器に対する第二の走査を行なう第二の密輸品検出装置と、
前記第一及び第二の検出装置に接続されており、第一の走査の結果に基づいて、その各々が特定のタイプの密輸品に対応している複数の予備的危険性値を生成し、該予備的危険性値及び前記第二の走査の結果に基づいて、その各々が特定のタイプの密輸品に対応している複数の最終的危険性値を生成するコンピュータと、
を備えた密輸品検出システム。
【請求項９】
密輸品について前記容器に対する第三の走査を行なう第三の密輸品検出装置をさらに含んでおり、前記コンピュータはさらに、前記第一の走査の結果及び前記予備的危険性値に基づいて複数の中間的危険性値を生成し、前記最終的危険性値はさらに、前記中間的危険性値に基づく、請求項２１に記載のシステム。
【請求項１０】
その各々がそれぞれのタイプの密輸品の存在の指標となる複数の危険性値を入力データとして受け入れる危険性評価主体であって、所定の危険性計算法の範囲内での危険性評価の経験的な又は専門家方式の定量化を適用する固有の危険性評価に基づいて前記危険性値を修正して、該修正された危険性値を出力する危険性評価主体を備えた容器内の密輸品を検出するシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
当業者であれば、本発明の好適な実施形態における以下の詳細な説明を参照することによって、本発明のさらなる詳細および利点が明瞭となるものである。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【特許文献１】米国特許第６，０７５，２６１号明細書
【特許文献２】米国特許第６，２５９，０９９号明細書
【特許文献３】米国特許第６，４７９，８２６号明細書
【非特許文献１】マックグレゴール（ＭｃＧｒｅｇｏｒ）ら、「自動バイアスのホウ素１０で被覆された高純度エピタキシャルＧａＡｓ熱中性子検出器(Ｓｅｌｆ−Ｂｉａｓｅｄ  Ｂｏｒｏｎ−１０  Ｃｏａｔｅｄ  Ｈｉｇｈ−Ｐｕｒｉｔｙ  Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ＧａＡｓ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｎｅｕｔｒｏｎ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ)」、電気電子技術者協会  核化学のトランザクション（ＩＥＥＥ  ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  ｎｕｃｌｅａｒ  ｓｃｉｅｎｃｅ）、２０００年８月、第４７巻
【非特許文献２】マックグレゴール（ＭｃＧｒｅｇｏｒ）ら、「薄膜被覆の半導体中性子検索器の最近の結果(Ｒｅｃｅｎｔ  Ｒｅｓｕｌｔｓ  Ｆｒｏｍ  Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ  Ｃｏａｔｅｄ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｎｅｕｔｒｏｎ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ)」、Ｘ線およびγ線検出器および適用ＩＶ(Ｘ−Ｒａｙ  ａｎｄ  Ｇａｍｍａ−Ｒａｙ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ＩＶ、２００２年、第４７８４巻
【非特許文献３】ヘイク（Ｈａｑｕｅ）ら、「ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリのソフトエラーを用いた中性子線量測定（Ｎｅｕｔｒｏｎ  ｄｏｓｉｍｅｔｒｙ  ｅｍｐｌｏｙｉｎｇ  ｓｏｆｔ  ｅｒｒｏｒｓ  ｉｎ  ｄｙｎａｍｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｉｅｓ）」、Ｐｈｙｓ．Ｍｅｄ．ｂｉｏｌ．、英国、１９８９年、第３４巻、第９号、ｐ．１１９５−１２０２
【非特許文献４】フィリップス（Ｐｈｉｌｌｉｐｓ）ら、「ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリのシングルイベント・アップセットを基にした中性子検出器−線量計の実行可能性（Ｆｅａｓｉｂｉｌｉｔｙ  ｏｆ  ａ  Ｎｅｕｔｒｏｎ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ−Ｄｏｓｅｍｅｔｅｒ  Ｂａｓｅｄ  ｏｎ  Ｓｉｎｇｌｅ−Ｅｖｅｎｔ  Ｕｐｓｅｔｓ  ｉｎ  Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ−Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｉｅｓ）」、放射線防護線量測定（Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ  Ｄｏｓｉｍｅｔｒｙ）、核技術出版（Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ）、２００２年、第１０１巻、第１−４号、ｐ.１２９−１３２
【非特許文献５】ロバートソン（Ｒｏｂｅｒｔｓｏｎ）ら、「ホウ素を多く含むソリッドステート中性子検出器のクラス（Ａ  Ｃｌａｓｓ  ｏｆ  ｂｏｒｏｎ−ｒｉｃｈ  ｓｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ  ｎｅｕｔｒｏｎ  ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ）」、応用物理学誌（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）、２００２年５月１３日、第８０巻、第１９号
【非特許文献６】グアリーニ（Ｇｕａｒｉｎｉ）ら、「最新技術０．１３  ｕｍ  ＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置の電気的完全性および３次元（３Ｄ）集積回路（ＩＣ）製造に転用する回路(Ｅｌｅｃｔｉｒａｌ  Ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｔａｔｅ−ｏｆ  ｔｈｅ−Ａｒｔ  ０．１３．  ｕｍ  ＳＯＩ  ＣＭＯＳ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  ａｎｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｔｒａｎｓｆｅｒｒｅｄ  ｆｏｒ  Ｔｈｒｅｅ−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ（３Ｄ）Ｉｎｔｅｒｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ（ＩＣ）Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ)」、０−７８０３−７４６２−２／０２  ２００２  ＩＥＥＥ
【非特許文献７】アリタ（Ａｒｉｔａ）ら、「スタティック・ランダム・アクセス・メモリの熱中性子誘導シングルイベント・アップセットの実験的研究(Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ  Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｎｅｕｔｒｏｎ−Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｅｖｅｎｔ  Ｕｐｓｅｔ  ｉｎ  Ｓａｔａｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｉｅｓ)」、日本国応用物理学誌（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）２００１年２月１５日、第４０巻、第２Ｂ号、パート２、ｐ．Ｌ１５１−Ｌ１５３
【非特許文献８】ヒューズ（Ｈｕｇｈｅｓ）ら、「モス技術の放射線効果および硬化：装置および回路（Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｅｆｆｅｃｔｓ  ａｎｄ  Ｈａｒｄｅｎｉｎｇ  ｏｆ  Ｍｏｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：Ｄｅｖｉｃｅｓ  ａｎｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）」、プレプリント  電気電子技術者協会  核化学のトランザクション（Ｐｒｅｐｒｉｎｔ  ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．）、２００３年６月
【非特許文献９】ランド（Ｌｕｎｄ）ら、「ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリをセンサーとして使用した中性子線量測定計（Ｎｅｕｔｒｏｎ  Ｄｏｓｉｍｅｔｅｒ  Ｕｓｉｎｇ  ａ  Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ  ａｓ  ａ  Ｓｅｎｓｏｒ）」、電気電子技術者協会  核化学のトランザクション（ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ）、１９９６年２月、第３３巻、第１号
【非特許文献１０】ピーターセン（Ｐｅｔｅｒｓｅｎ）ら、「宇宙性誘導ソフト・アップセットの計算およびＶＬＳＩ装置のスケーリング（Ｃａｌｃｕｌｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｃｏｓｍｉｃ−Ｒａｙ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｏｆｔ  Ｕｐｓｅｔｓ  ａｎｄ  Ｓｃａｌｉｎｇ  ｉｎ  ＶＬＳＩ  Ｄｅｖｉｃｅｓ）」、電気電子技術者協会  核化学のトランザクション（ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ  ｏｎ  Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ）、１９８２年１２月、第６号、第ＮＳ−２９巻
【非特許文献１１】デイビス（Ｄａｖｉｓ）、「デジタル・アルベド中性子線量測定計用の基礎としてのコンピュータメモリチップの使用（Ｕｓｅ  ｏｆ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ−Ｍｅｍｏｒｙ  Ｃｈｉｐｓ  ａｓ  Ｔｈｅ  Ｂａｓｉｓ  Ｆｏｒ  ａ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｌｂｅｄｏ  Ｎｅｕｔｒｏｎ  Ｄｏｓｉｍｅｔｅｒ）」、保健物理学（Ｈｅａｌｔｈ  Ｐｈｙｓｉｓｃｓ）、アメリカ合衆国、１９８５年８月、第４９巻、第２号、ｐ．２５９−２６５
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザから放射される光のスペクトルの未知の帯域幅を測定するようになった分光計測定器を含むレーザモニタリングシステムであって、
前記測定器が、
測定されているスペクトルの未知の帯域幅のパラメータを表す測定パラメータを出力として供給するようになった光帯域幅測定ユニットと、
次式：
記録パラメータ（「ＲＰ」）＝Ａ＊（測定パラメータ（「ＭＰ」））＋Ｃ
（ここで、ＲＰ及びＭＰは異なるタイプのパラメータ、Ａ及びＣの値はＲＰが既知の値の光に対する前記光帯域幅測定ユニットのＭＰ応答の較正に基づいて決定される）
に従って測定されるスペクトルの未知の帯域幅の記録パラメータを計算するようになった記録パラメータ計算ユニットと、
を備えたレーザモニタリングシステム。
【請求項２】
前記光帯域幅測定ユニットが干渉又は分散光学計器を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザモニタリングシステム。
【請求項３】
前記光帯域幅測定ユニットがエタロンを含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザモニタリングシステム。
【請求項４】
ＲＰがＦＷＸＭにおけるものであり、ＭＰがＦＷＸ’Ｍにおけるものであり、Ｘ≠Ｘ’であることを特徴とする請求項３に記載のレーザモニタリングシステム。
【請求項５】
ＲＰがＥＸ％におけるものであり、ＭＰがＦＷＸＭにおけるものであることを特徴とする請求項４に記載のレーザモニタリングシステム。
【請求項６】
レーザを制御するための方法であって、
測定されているスペクトルの未知の帯域幅のパラメータを表す測定パラメータの測定値を供給する段階と、
次式：
記録パラメータ（「ＲＰ」）＝Ａ＊（測定パラメータ（「ＭＰ」））＋Ｃ
（ここで、ＲＰ及びＭＰは異なるタイプのパラメータ、Ａ及びＣの値はＲＰが既知の値の光に対する前記光帯域幅測定ユニットのＭＰ応答の較正に基づいて決定される）
に従って測定されるスペクトルの未知の帯域幅の記録パラメータを計算する段階と、
によってレーザから放射される光のスペクトルの未知の帯域幅を測定するために分光計手段を利用することを含む方法。
【請求項７】
前記光帯域幅を測定するために干渉又は分散光学計器を用いる段階を更に含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記光帯域幅を測定するためにエタロンを用いる段階を更に含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ＲＰがＦＷＸＭにおけるものであり、ＭＰがＦＷＸ’Ｍにおけるものであり、Ｘ≠Ｘ’であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ＲＰがＥＸ％におけるものであり、ＭＰがＦＷＸＭにおけるものであることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
光のスペクトルの未知の帯域幅を測定するための方法であって、
光帯域幅測定手段を用いて測定されているスペクトルの未知の帯域幅のパラメータを表す測定パラメータを出力として供給する段階と、
次式：
記録パラメータ（「ＲＰ」）＝Ａ＊（測定パラメータ（「ＭＰ」））＋Ｃ
（ここで、ＲＰ及びＭＰは異なるタイプのパラメータ、Ａ及びＣの値はＲＰが既知の値の光に対する前記光帯域幅測定ユニットのＭＰ応答の較正に基づいて決定される）
に従って測定されるスペクトルの未知の帯域幅の記録パラメータを計算する段階と、を含む方法。
【請求項１２】
前記光帯域幅測定を行うために干渉又は分散光学計器を用いる段階を更に含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記光帯域幅測定を行うためにエタロンを用いる段階を更に含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ＲＰがＦＷＸＭにおけるものであり、ＭＰがＦＷＸ’Ｍにおけるものであり、Ｘ≠Ｘ’であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ＲＰがＥＸ％におけるものであり、ＭＰがＦＷＸＭにおけるものであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータプログラムの実行を保護する方法において、
前記プログラムの命令スタック内に既定値をスタックするスタックステップであって、前記既定値は、異常処理関数のアドレスであるステップと、
前記プログラムの正常な実行の際に、前記異常処理関数を実行することなく前記命令スタックから前記規定値を除去する除去ステップと、
前記スタックをアンスタックするアンスタックステップであって、その間、前記規定値がアンスタックされるならば、前記異常処理関数が実行されるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記スタックステップおよび前記アンスタックステップは、それぞれ、前記プログラムの命令の少なくとも１つのサブセットの要素と関連付けられていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記要素は、それぞれ、括弧の組における開き括弧と閉じ括弧であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記アンスタックステップは、前記プログラムまたは前記プログラムのサブルーチンのリターン命令と関連付けられていることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記プログラムは、その実行によって前記スタックステップを実装する第１命令および／またはその実行によって前記アンスタックステップを実装する第２命令を含むプログラム言語によって作成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２命令は、前記プログラムまたは前記プログラムのサブルーチンを終了させることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記既定値は、前記プログラムの重要な命令のサブセットを表していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記アンスタックステップにおいて前記既定値以外の値がアンスタックされた場合に実行される異常処理ステップを含む請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記プログラムは、サブルーチンに対する少なくとも１つの呼び出しを含んでいる請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法であって、前記スタックステップは、前記呼び出しの前に実行され、前記既定値は、前記サブルーチンの実行の際に前記スタックから除去されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記プログラムは、サブルーチンに対する少なくとも１つの呼び出しを含んでいる請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法であって、前記スタックステップは、前記サブルーチンの実行の際に実行され、前記既定値は、前記サブルーチンの実行の後に前記スタックから除去されることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記異常処理関数は、オペレーティングシステムを破壊する関数である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
コンピュータによって可読である情報媒体であって、
適宜に全体的または部分的に除去可能な、特に、ＣＤ−ＲＯＭ、もしくは、ハードディスクやディスケットなどの磁気媒体、あるいは、電気的もしくは光学的信号などの伝送可能な媒体などの情報媒体において、
コンピュータプログラムがコンピュータシステム内に読み込まれ、これによって実行された場合に、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法を実装する前記コンピュータプログラムの命令を含んでいることを特徴とする情報媒体。
【請求項１３】
情報媒体上に保存されたコンピュータプログラムであって、
該コンピュータプログラムがコンピュータシステム内に読み込まれ、これによって実行された場合に、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法を実行する命令を含んでいるコンピュータプログラム。
【請求項１４】
保護されている電子的エンティティであって、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法を実装する手段を含んでいることを特徴とする電子的エンティティ。
【請求項１５】
スマートカードであることを特徴とする請求項１４に記載の電子的エンティティ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
プログラムがサブルーチンに対する少なくとも１つの呼び出しを含んでいる特定の一実施例においては、スタックステップは、その呼び出しの前に実行され、既定値は、サブルーチンの実行の際にスタックから除去される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
一方、／＊ａ１７＊／行の比較ステップにおいて、レジスタＡが値０２Ｈを保存していると検出された場合には、付録Ａのプログラムは、／＊ａ１９＊／行の命令を実行する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月7日(2007.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光を生成する第１の光生成器、第２の光を生成する第２の光生成器、および前記第１の光と前記第２の光とを合成して合成光線を生成する光合成器を備える光源と、
前記合成光線の少なくとも一部により照射される画像表示ユニットであって、画像情報により少なくとも前記合成光線の部分を調整する画像表示ユニットと、
前記光源と前記少なくとも１つの画像表示ユニットとの間にある、前記合成光線を均質化するための光ホモジナイザユニットであって、前記第１の光は第１の角度分布を有して前記ホモジナイザユニットに入り、および前記第２の光は前記第１の角度分布とは実質的に重複しない第２の角度分布を有して前記ホモジナイザユニットに入る光ホモジナイザユニットと、を備える投射システム。
【請求項２】
第１の光を生成する第１の光生成器と、
第２の光を生成する第２の光生成器と、
前記第１の光と前記第２の光とを合成して合成光線を生成する光合成器であって、第１および第２のプリズムから形成されるプリズム対を備え、前記第１の光は前記第１のプリズム内で実質的に全内部反射し、および前記第２の光は合成光線を形成するように前記第１および第２のプリズムを実質的に透過する光合成器と、
前記合成光線が、インテグレータの入口開口から入るインテグレータと、を備える投射システム用光源ユニット。
【請求項３】
第１の光を生成する第１の光生成器、および前記第１の光の少なくとも一部を集光するとともに集光した前記第１の光を第１の方向に向けるように配置された第１の反射体、
第２の光を生成する第２の光生成器、および前記第２の光の少なくとも一部を集光するとともに集光した前記第２の光を第２の方向に向けるように配置された第２の反射体、および
前記第１の光と前記第２の光とを合成して合成光線を生成する光合成器を備える光源と、
前記合成光線の少なくとも一部により照射される少なくとも１つの画像表示ユニットであって、前記合成光線の少なくとも一部に画像を付加して画像光線を形成する画像表示ユニットと、
前記光源と前記少なくとも１つの画像表示ユニットとの間にある、前記合成光線を均質化するための光ホモジナイザユニットと、を備える投射システムであって、
前記第１の光は、第１の角度分布を有して前記ホモジナイザユニットに入り、前記第２の光は、前記第１の角度分布とは実質的に重複しない第２の角度分布を有して前記ホモジナイザユニットに入る投射システム。
【請求項４】
第１の光を生成する第１の光生成器、および前記第１の光の少なくとも一部を集光するとともに集光した前記第１の光を第１の方向に向けるように配置された第１の反射体、
第２の光を生成する第２の光生成器、および前記第２の光の少なくとも一部を集光するとともに集光した前記第２の光を第２の方向に向けるように配置された第２の反射体、
前記第１の光と前記第２の光とを合成して合成光線を生成する光合成器であって、第１および第２のプリズムから形成されるプリズム対を備え、前記第１の光は前記第１のプリズム内で実質的に全内部反射し、および前記第２の光は合成光線を形成するように前記第１および第２のプリズムを実質的に透過する光合成器、および
前記合成光線が、インテグレータの入口開口から入るインテグレータを備える投射システム用光源ユニット。
【請求項５】
第１の円錐角を有する第１の光線を生成する第１の光生成器ユニットであって、該第１の光線の光は比較的広いスペクトルを有する、第１の光生成器ユニットと、
前記第１の光線から離間した第２の光線を生成する光生成器ユニットであって、該第２の光線は前記第１の円錐角と実質的に同等の第２の円錐角を有し、該第２の光線の光は比較的狭いスペクトルを有する、第２の光生成器ユニットと、
前記第１の光線および前記第２の光線の両方を受光するとともに合成出力光線を生成するように配置された光インテグレータと、を備える投射システム用光源ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
放電ランプ９０２ａからの光９１６を集光し、光９１６（実線で示す）をインテグレータ９２２、例えばトンネルインテグレータの入口開口９２４に向けるために、反射体９０６を放電ランプ９０２ａと共に設ける。光９１６は、２つのプリズム９１０および９０８を透過する。ＬＥＤをベースとする光源９０２ｂは、１つ以上のＬＥＤユニット９１８を用いる。各々のＬＥＤユニットは、ＬＥＤエミッタとレンズからなり、このレンズは通例半球レンズである。レンズは、一般にＬＥＤに付随するドーム形のカプセル材料からなる。ＬＥＤエミッタから放射された光は、回転軸を中心とする回転面に適合する反射面を有する各々の反射体９２０により、反射し集光される。この内容は、米国特許出願第１０／７０１，２１０号明細書に、より詳細に説明されており、本明細書に引用して援用する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プライマリ側とセカンダリ側を有するトランスと、
前記トランスの前記プライマリ側と送信データソースに連結され、前記送信データをＤＣバランスのとれた電流特性と電圧特性を持つ送信データストリームに符号化するよう構成され、さらに前記送信データストリームを前記トランスを介して送出するよう構成された第１構成要素と、
前記トランスの前記セカンダリ側と受信データソースに連結され、前記送信データストリームを検出し、前記セカンダリ側の負荷インピーダンスを前記受信データに基づいて調整するよう構成された第２構成要素と、を備え、
前記第１構成要素は前記インピーダンス調整を検出するよう構成されていることを特徴とする装置。