【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．基材を銅錯体（Ｉ）と接触させて基材上に銅錯体の蒸着物を形成せしめ、そして
【化１】
2006523778.tif 000001
式中、Ｌが２〜１５個の炭素を含んでなるオレフィンであり、
Ｒ１およびＲ４が独立して水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブ
チルおよびネオペンチルよりなる群から選択され、
Ｒ２およびＲ３が独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選
択され、
ｂ．蒸着した銅錯体を還元剤と接触させる
ことを含んでなる基材上での銅蒸着物の形成方法であって、
そして
還元剤が９−ＢＢＮ、ジボラン、形ＢＲｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝０、１または２で
あり、そしてＲは独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選
択される）のボラン、ジヒドロベンゾフラン、ピラゾリン、ジシラン、形ＳｉＲ’ｙ
Ｈ４−ｙ（ここで、ｙ＝０、１、２または３であり、そしてＲ’は独立してフェニル
およびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択される）のシラン、ならびに形Ｇ
ｅＲ”ｚＨ４−ｚ（ここで、ｚ＝０、１、２または３であり、そしてＲ”は独立して
フェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択される）のゲルマンより
なる群から選択される
方法。
【請求項２】
【化２】
2006523778.tif 000002
式中、Ｌが２〜１５個の炭素を含んでなるオレフィンであり、
Ｒ１およびＲ４が独立して水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブチルおよびネオペンチルよりなる群から選択され、
Ｒ２およびＲ３が独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択され、
そして
還元剤が９−ＢＢＮ、ジボラン、形ＢＲｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝０、１または２であり、そしてＲは独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択される）のボラン、ジヒドロベンゾフラン、ピラゾリン、ジシラン、形ＳｉＲ’ｙＨ４−ｙ（ここで、ｙ＝０、１、２または３であり、そしてＲ’は独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択される）のシラン、ならびに形ＧｅＲ”ｚＨ４−ｚ（ここで、ｚ＝０、１、２または３であり、そしてＲ”は独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択される）のゲルマンよりなる群から選択される１，３−ジイミン銅錯体（Ｉ）。
【請求項３】
基材を請求項２に記載の１，３−ジイミン銅錯体と接触させることによって製造される物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
おおよそ０．０４０ｇの銅前駆体をドライボックス中で磁器ボート中へ装填した。ボートおよびウェハー（約１ｃｍ２）をおおよそ３．５インチ離してガラス管中に入れた。ガラス管をドライボックスから取り出し、真空ラインに取り付けた。加熱コイルを、磁器ボート周りの区域およびウェハーチップ周りの区域の両方を取り囲んでガラス管に取り付けた。この配置は２つの区域が異なる温度に維持されることを可能にする。システムの排気の後、管を通してアルゴン流れを作り出し、先ずボート中のサンプル上方を、次にウェハー上方を通過させた。管内部の圧力を１５０〜２００ミリトルに維持した。ウェアー周りの領域を１１０℃に暖めた。おおよそ１時間後に、サンプル・ボート周りの領域の温度は５５℃に上昇した。これらの温度およびＡｒガス流れをおおよそ２．５時間維持した。サンプル・ボート周りの区域を次に室温に冷却した。管を約１０ミリトルの圧力に排気し、ジエチルシランでバック充満した。１１０℃の管の区域は迅速に銅色になった。装置を冷却し、ドライボックスへ戻した。銅色は知覚できるほどに暗くなった。本方法を、平滑な金属銅フィルム付きウェハーをもたらすために繰り返した。
本発明の好適な実施態様は次のとおりである。
１．  ａ．基材を銅錯体（Ｉ）と接触させて基材上に銅錯体の蒸着物を形成せしめ、そして
【化１】
2006523778.tif 000003
式中、Ｌが２〜１５個の炭素を含んでなるオレフィンであり、
Ｒ１およびＲ４が独立して水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブ
チルおよびネオペンチルよりなる群から選択され、
Ｒ２およびＲ３が独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選
択され、
ｂ．蒸着した銅錯体を還元剤と接触させる
ことを含んでなる基材上での銅蒸着物の形成方法であって、
そして
還元剤が９−ＢＢＮ、ジボラン、形ＢＲｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝０、１または２で
あり、そしてＲは独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選
択される）のボラン、ジヒドロベンゾフラン、ピラゾリン、ジシラン、形ＳｉＲ’ｙ
Ｈ４−ｙ（ここで、ｙ＝０、１、２または３であり、そしてＲ’は独立してフェニル
およびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択される）のシラン、ならびに形Ｇ
ｅＲ”ｚＨ４−ｚ（ここで、ｚ＝０、１、２または３であり、そしてＲ”は独立して
フェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択される）のゲルマンより
なる群から選択される
方法。
２．  Ｒ２およびＲ３がメチルであり、かつ、Ｒ１およびＲ４がイソブチルである上記１に記載の方法。
３．  Ｌがビニルトリメチルシランである上記１に記載の方法。
４．  基材が銅、シリコンウェハーおよびバリア層で被覆された二酸化ケイ素よりなる群から選択される上記１に記載の方法。
５．  基材が銅錯体の蒸気に曝される上記１に記載の方法。
６．  蒸着が０〜２００℃で実施される上記１に記載の方法。
７．  還元剤がシランまたはジエチルシランである上記１に記載の方法。
８．
【化２】
2006523778.tif 000004
式中、Ｌが２〜１５個の炭素を含んでなるオレフィンであり、
Ｒ１およびＲ４が独立して水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブチルおよびネオペンチルよりなる群から選択され、
Ｒ２およびＲ３が独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択され、
そして
還元剤が９−ＢＢＮ、ジボラン、形ＢＲｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝０、１または２であり、そしてＲは独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択される）のボラン、ジヒドロベンゾフラン、ピラゾリン、ジシラン、形ＳｉＲ’ｙＨ４−ｙ（ここで、ｙ＝０、１、２または３であり、そしてＲ’は独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択される）のシラン、ならびに形ＧｅＲ”ｚＨ４−ｚ（ここで、ｚ＝０、１、２または３であり、そしてＲ”は独立してフェニルおよびＣ１〜Ｃ１０アルキル基よりなる群から選択される）のゲルマンよりなる群から選択される１，３−ジイミン銅錯体（Ｉ）。
９．  Ｌがビニルトリメチルシランであり、
Ｒ１およびＲ４が水素、イソブチルおよびネオペンチルの群から選択され、
Ｒ２がＭｅであり、かつ、
Ｒ３がＭｅ、Ｅｔおよびフェニルよりなる群から選択される
上記８に記載の１，３−ジイミン銅錯体。
１０．  基材を上記８に記載の１，３−ジイミン銅錯体と接触させることによって製造される物品。
１１．  基材が銅、シリコンウェハーおよびバリア層で被覆された二酸化ケイ素の群から選択される上記１０に記載の物品。
１２．  バリア層がタンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、窒化タンタルシリコン、窒化チタンシリコン、窒化タンタルカーボンおよび窒化ニオブよりなる群から選択される上記１１に記載の物品。