【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被覆ステーションを有する真空チャンバと、
被覆する１以上の基板を前記被覆ステーション内を通すように構成した基板載置移動手段と、
前記チャンバ内に酸素を導入する手段と、
前記被覆ステーション内に反応性雰囲気を生成し、前記載置移動手段によって前記被覆ステーション内を通されるときに前記ターゲットから基板上にチタンをプラズマスパッタするのに十分な所定の電力レベルで動作するチタンターゲットと、
前記被覆ステーション内の反応性雰囲気の領域、密度及び反応性を高めるための所定の電力レベルで動作するプラズマ発生器と
を含むスパッタ被覆システムにおいて、
基板上にスパッタされたチタンの実質的に全てが酸化されてルチル相の二酸化チタンを形成する電力レベルでターゲットとプラズマ発生器とを動作させる工程を含む、ルチル型二酸化チタンの薄膜を形成する方法。
【請求項２】
被覆ステーション内の単一パスでチタンの単一層を堆積させ酸化させるのに十分な速度で被覆ステーション内で基板を移動させる工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ターゲットがマグネトロンスパッタリングターゲットである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
１対のマグネトロンスパッタリングターゲットを含み、前記方法が、更に、各ターゲットが１電力サイクル中に陰極と陽極を交互に形成するように交流電源によってターゲットを動作させる工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
プラズマ発生器がマイクロ波発生器を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
反応性雰囲気が単原子酸素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
プラズマ発生器とターゲットによって共同で生成される反応性雰囲気がターゲットを汚染することなく実質的に全ての堆積チタンを酸化するような電力レベルでプラズマ発生器を動作させる工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板上に薄膜を形成するプロセスであって、基板にチタンを堆積させ前記堆積したチタンを酸素に曝露する工程を含むプロセスにおいて、
チタンを単一層で堆積して酸素に曝露し、実質的に全ての堆積チタンを酸化させて実質的にルチル型二酸化チタンからなる薄膜を形成することを特徴とするプロセス。
【請求項９】
チタンの単一層を堆積して曝露する工程が、実質的にルチル型二酸化チタンからなる所定の厚さの薄膜を得るために繰り返される、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
チタンの単一層が単原子酸素に曝露される、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１１】
チタンの単一層が基板上にスパッタされる、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１２】
チタンの単一層が単原子酸素に曝露される、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
基板の温度が２００℃未満である、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１４】
薄膜が所定の期間約４００℃よりも高い温度に曝露される、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１５】
薄膜が所定の期間約５００℃の温度に曝露される、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
基板上に薄膜を形成するプロセスであって、基板にチタンをスパッタ堆積させチタンを酸化させて二酸化チタンを形成する工程を含み、実質的に全ての二酸化チタンをルチル相で形成するのに十分なエネルギーをチタンと酸素に提供するプロセスにおいて、補助プラズマをスパッタリングプラズマと混合し、混合したプラズマに堆積チタンを曝露することによってエネルギーの少なくとも一部を提供する工程を含むことを特徴とするプロセス。
【請求項１７】
単原子酸素とチタン間の反応の熱が、チタンと酸素に提供されるエネルギーの一部を含む、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１８】
基板の温度が２００℃未満である、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１９】
ターゲットが交流電源によって動作される、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項２０】
１対のターゲットが交流電源によって動作される、請求項１９に記載のプロセス。
【請求項２１】
実質的にルチル型二酸化チタンからなる薄膜を形成するプロセスであって、
１以上の基板をスパッタリングターゲットを通り過ぎるように移動させる工程と、
基板がターゲットを通り過ぎる単一パスの間に基板上にチタンの単一層をスパッタ堆積させる工程と、
堆積させたチタンの実質的に全てを酸化させてルチル相の二酸化チタンを形成する工程とを含むプロセス。
【請求項２２】
スパッタ堆積する工程が交流電源によってターゲットを動作させる工程を含む、請求項２１に記載のプロセス。
【請求項２３】
酸化させる工程が、堆積させたチタンを単原子酸素に曝露する工程を含む、請求項２１に記載のプロセス。
【請求項２４】
基板上にチタンをスパッタ堆積し堆積させたチタンを酸化させて二酸化チタンの薄膜を形成するプロセスにおいて、実質的に全ての二酸化チタンをルチル相で形成するのに十分なエネルギーを薄膜に提供する方法であって、堆積させたチタンを単原子酸素を含むプラズマに曝露する工程を含む方法。
【請求項２５】
スパッタ被覆システムであって、
被覆ステーションを有する真空チャンバと、
前記被覆ステーション内に一以上の基板を通すように構成した基板載置移動手段と、
前記チャンバに酸素を導入する手段と、
前記被覆ステーション内に反応性雰囲気を生成し、前記載置移動手段によって前記被覆ステーション内に通されたときに前記ターゲットから基板上にチタンをプラズマスパッタするのに十分な所定の電力レベルで動作するチタンターゲットと、
前記被覆ステーションの反応性雰囲気の領域、密度及び反応性を高めるために所定の電力レベルで動作するプラズマ発生器とを含み、
ターゲットとプラズマ発生器は、基板上にスパッタされた実質的に全てのチタンが酸化されてルチル相の二酸化チタンが形成される電力レベルで動作されるスパッタ被覆システム。
【請求項２６】
プラズマ発生器は、プラズマ発生器とターゲットによって共同で作成された反応性雰囲気がターゲットを汚染することなく実質的に全ての堆積されたチタンを酸化させるような電力レベルで動作する、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
前記ターゲットがマグネトロンスパッタリングターゲットを有する、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２８】
前記被覆ステーション内に反応性雰囲気を生成し、前記載置移動手段によって前記被覆ステーション内に通されたときに前記ターゲットから基板上にチタンをプラズマスパッタするのに十分な所定の電力レベルで動作する第２のチタンターゲットを含む、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２９】
ターゲットは、各ターゲットが１電力サイクル中に陰極と陽極を交互に形成するように交流電源によって動作される、請求項２８に記載のシステム。
【請求項３０】
プラズマ発生器がマイクロ波発生器を含む、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３１】
載置移動手段が軸のまわりに回転可能なほぼ円筒形のドラムを含む、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３２】
載置移動手段が、取り付けられた基板をドラムの表面に対して移動させる手段を含む、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３３】
載置移動手段が軸のまわりに回転可能な円板を含む、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３４】
載置移動手段が、取り付けられた基板を円板の表面に対して移動させる手段を含む、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３５】
第２の被覆ステーション、前記第２の被覆ステーションに配置されたターゲット、及び前記第２の被覆ステーションに配置されたプラズマ発生器を更に含む、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３６】
前記被覆ステーションに配置された第２のターゲットを更に含む、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３７】
二酸化チタンを含む薄膜を形成するシステムであって、
被覆ステーションを有するスパッタリングチャンバと、
前記被覆ステーション内で一以上の基板を載置移動させる手段と、
前記被覆ステーション内に酸素を導入する手段と、
前記被覆ステーション内に配置されたチタンスパッタリングターゲットであって、前記被覆ステーション内の前記ターゲットのスパッタリング表面近くに配置された基板上にチタンをスパッタするためのスパッタプラズマを生成するスパッタリングターゲットと、
前記被覆ステーション内に配置されたプラズマ生成装置であって、前記ターゲットによって生成されたスパッタリングプラズマと混合する単原子酸素を含むプラズマを生成するプラズマ生成装置とを含み、
前記載置移動手段が、チタンの単一層の堆積と前記単一層の酸化を行って前記被覆ステーション内の前記基板の単一パスの間に実質的に全ての二酸化チタンをルチル相で形成する速度で前記被覆ステーション内で前記基板を移動させるシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明は、実質的に全てルチル相で形成された二酸化チタンの薄膜を形成するシステム及びプロセスに関する。一態様において本発明は、ルチル型二酸化チタンの薄膜を形成する反応性スパッタコーティングシステム及びプロセスに関する。本システムは、１以上の被覆ステーションを有するスパッタリングチャンバと、被覆ステーション内に一以上の基板を載置し移動させる手段とを有する。本システム及びプロセスは、載置・移動手段が、回転可能なドラム、テーブル、ディスク等、適切な幾何学形状を有する搬送装置を含むバッチ式被覆プロセスを含むことができる。ルチル型二酸化チタンの薄膜を形成するのに適した反応性被覆システム及びプロセスは、Bartolomeiらに付与された米国特許第５，８４９，１６２号に開示されており、この特許を、本明細書の一部を構成するものとしてここに援用する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
スパッタリングチャンバは、１以上の被覆ステーションを有する。この被覆ステーションには、スパッタリングターゲットが少なくとも１個配置される。一態様において、ターゲットは、マグネトロンスパッタリング装置を構成する。ターゲットを作動する電力は、被覆ステーション内に反応性雰囲気を生成し、載置・移動手段上に載せられて被覆ステーション内を移動する基板上にチタン又はチタン酸化物をプラズマスパッタするのに十分な電力で作動される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
図２は、本発明の一態様による反応性被覆システムの概略図である。図２を参照すると、被覆システム１００は、２種の被覆ステーション１０３と１０５を備えたチャンバ１０１を有する。チタン陰極対１０２が被覆ステーション１０３内に配置され、交流電源１０６から電力が供給される。チタン陰極対１０４が被覆ステーション１０５内に配置され、交流電源１０８によって電力が供給される。交流電源は任意の適切な周波数、一般に１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、で動作させることができる。プラズマ生成装置１１０が被覆ステーション１０３内の陰極対１０２の近くに配置される。プラズマ生成装置１１２が被覆ステーション１０５内の陰極対１０４の近くに配置される。システムは、ターゲットとプラズマ生成装置を一方の被覆ステーション内で動作させることによって操作を行うものであってもよく、両方の被覆ステーション内で同時に動作させることによって操作を行うものであってもよい。ドラム１１４は、被覆ステーション内で１以上の基板を載置し移動させる手段を提供する。