【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ１対の電極を有する複数の音響トランスデューサセルと、
複数のバイアス電圧の１つを各電極対へ与えるように構成されている回路とを具備し、
複数のバイアス電圧は正のバイアス電圧と負のバイアス電圧を含み、
前記正のバイアス電圧は少なくとも第１の対の電極へ１つのバイアス電圧として与えられ、
前記負のバイアス電圧は少なくとも第２の対の電極へ１つのバイアス電圧として与えられる音響トランスデューサ素子。
【請求項２】
各電極対は第１の電極と第２の電極とを含んでおり、
前記回路は、
各電極対の第１の電極を含んでいる第１の接続ノードと、
それぞれ少なくとも１対の電極の第２の電極を含んでいる複数の第２の接続ノードと、
第１の接続ノードと複数の第２の接続ノードとの間に、複数のバイアス電圧を結合するように構成されている接続回路とを具備している請求項１記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項３】
前記接続回路は、
少なくとも１つのマルチプレクサと、
少なくとも１つのリレーと、
少なくとも１つのトランジスタと、
ハードワイヤとのうちの少なくとも１つを具備している請求項２記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項４】
前記接続回路は、
複数のバイアス電圧に接続される複数のバイアス電圧入力と、
複数の第２の接続ノードに接続されている複数のバイアス電圧出力と、
指定されたバイアス電圧パターンに接続されている選択入力とを具備している請求項３記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項５】
さらに、指定されたバイアス電圧パターンを識別するように構成された選択回路を具備している請求項４記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項６】
前記選択回路は、
少なくとも１つのバイアス電圧パターンを含んでいる検索テーブルを含んでいるメモリ装置と、
検索テーブル内から指定されたバイアス電圧パターンを指向する手段とを具備している請求項５記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項７】
前記メモリ装置は消去可能でプログラム可能な読取専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）である請求項６記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項８】
前記少なくとも１つのバイアス電圧パターンは焦点ゾーン番号に対応し、
前記指向する手段はシステムが生成した焦点ゾーン番号のポインタを含んでいる請求項６記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項９】
前記正のバイアス電圧は前記負のバイアス電圧とは異なる振幅を有している請求項１記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項１０】
前記複数のバイアス電圧は音響トランスデューサ素子に対してディスクリートに、別々に発生される請求項１記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項１１】
前記複数のバイアス電圧は音響トランスデューサ素子に対して局部的に発生される請求項１記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項１２】
前記回路は時間の関数として、複数のバイアス電圧の少なくとも１つのバイアス電圧の振幅および極性を変化させる請求項１記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項１３】
前記振幅および極性は、距離方向における高低角方向の焦点が均一にバイアスされた音響トランスデューサ素子の高低角方向の焦点と異なるように変化される請求項１２記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項１４】
前記振幅および極性は、高低角方向におけるピーク高低角焦点の中心点が高低角方向の音響トランスデューサ素子の方向に対して偏心するように変化される請求項１２記載の音響トランスデューサ素子。
【請求項１５】
それぞれ複数の音響トランスデューサセルを含んでいる複数の音響トランスデューサ素子を具備している音響トランスデューサアレイにおいて、各音響トランスデューサセルは１対の電極を有し、
音響トランスデューサアレイはさらに、
複数のバイアス電圧の１つを各電極対に与えるように構成された回路とを具備しており、その回路においては、
複数のバイアス電圧は正のバイアス電圧と負のバイアス電圧を含み、
正のバイアス電圧は少なくとも第１の対の電極へ１つのバイアス電圧として与えられ、
負のバイアス電圧は少なくとも第２の対の電極へ１つのバイアス電圧として与えられる音響トランスデューサアレイ。
【請求項１６】
前記各電極対は第１の電極と第２の電極とを含んでおり、
前記回路は、
少なくとも１つの音響トランスデューサ素子の複数の音響トランスデューサセルの第１の電極をそれぞれ含んでいる複数の第１の接続ノードと、
各音響トランスデューサ素子の少なくとも１つの音響トランスデューサセルの第２の電極をそれぞれ含んでいる複数の第２の接続ノードと、
前記複数の第１の接続ノードと前記複数の第２の接続ノードとの間に、複数のバイアス電圧を結合するように構成されている接続回路とを具備している請求項１５記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項１７】
複数の音響トランスデューサ素子は方位角方向で相互に隣接され、それによって第１の音響トランスデューサ素子の連続して番号付けされた音響トランスデューサセルは、全ての他の音響トランスデューサ素子の同様に連続して番号付けされた音響トランスデューサセルと高低角方向で整列され、
各第２の接続ノードは、隣接する音響トランスデューサ素子の連続して番号付けされた音響トランスデューサセルの第２の電極の隣接サブセットを含んでいる請求項１６記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項１８】
複数の音響トランスデューサ素子は少なくとも３６個の音響トランスデューサ素子を含み、
各音響トランスデューサ素子は方位角方向において関連する周波数で少なくとも半波長の第１の幅を有し、
各第１の接続ノードは超音波システムのＲＦチャンネルに接続され、
隣接するサブセットは高低角方向において関連する周波数で少なくとも４分の１波長の第２の幅を有している請求項１７記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項１９】
前記接続回路は、
少なくとも１つのマルチプレクサと、
少なくとも１つのリレーと、
少なくとも１つのトランジスタと、
ハードワイヤ接続とのうちの少なくとも１つを具備している請求項１６記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項２０】
前記接続回路は、
複数のバイアス電圧に接続された複数のバイアス電圧入力と、
複数の第２の接続ノードに接続された複数のバイアス電圧出力と、
指定されたバイアス電圧パターンに接続される選択入力とを具備している請求項１９記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項２１】
さらに、指定されたバイアス電圧パターンを識別するように構成された選択回路を具備している請求項２０記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項２２】
前記選択回路は、
少なくとも１つのバイアス電圧パターンを含んでいる検索テーブルを含むメモリ装置と、
検索テーブル内から指定されたバイアス電圧パターンを指向するための手段とを具備している請求項２１記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項２３】
前記メモリ装置は消去可能でプログラム可能な読取専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）である請求項２２記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項２４】
少なくとも１つのバイアス電圧パターンはさらに焦点ゾーン番号を含み、
前記指向する手段はシステムが生成した焦点ゾーン番号のポインタを含んでいる請求項２２記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項２５】
システムが生成した焦点ゾーン番号のポインタは、複数の音響トランスデューサ素子のそれぞれに与えられる励起電圧のタイミングから推定される請求項２４記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項２６】
前記正のバイアス電圧は前記負のバイアス電圧とは異なる振幅を有している請求項１５記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項２７】
複数のバイアス電圧は音響トランスデューサ素子に対してディスクリートに、別々に発生される請求項１５記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項２８】
複数のバイアス電圧は音響トランスデューサ素子に対して局部的に発生される請求項１５記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項２９】
前記回路は時間の関数として、複数のバイアス電圧の少なくとも１つのバイアス電圧の振幅および極性を変化させる請求項１５記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項３０】
前記振幅および極性は、距離方向における高低角方向の焦点が均一にバイアスされたトランスデューサアレイの高低角方向の焦点と異なるように変化される請求項２９記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項３１】
前記振幅および極性は、高低角方向におけるピーク高低角焦点の中心点が高低角方向の音響トランスデューサアレイの方向に対して偏心するように変化される請求項２９記載の音響トランスデューサアレイ。
【請求項３２】
それぞれ１対の電極を含む複数の音響トランスデューサセルを含んでいる複数の音響トランスデューサ素子を含んだ音響トランスデューサアレイの制御方法において、
複数のバイアス電圧の１つを各電極対へ与えるステップを含み、ここで、
複数のバイアス電圧は正のバイアス電圧と負のバイアス電圧とを含み、
前記正のバイアス電圧は少なくとも第１の対の電極へ１つのバイアス電圧として与えられ、
前記負のバイアス電圧は少なくとも第２の対の電極へ１つのバイアス電圧として与えられる方法。
【請求項３３】
さらに、少なくとも１つの音響トランスデューサ素子の複数の音響トランスデューサセルの各電極対の第１の電極を接続して複数の第１の接続ノードを形成し、
各音響トランスデューサ素子の少なくとも１つの音響トランスデューサセルの各電極対の第２の電極を接続して複数の第２の接続ノードを形成し、
複数の第１の接続ノードと複数の第２の接続ノードとの間に複数のバイアス電圧を結合するステップを含んでいる請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
さらに、複数の音響トランスデューサ素子を方位角方向で相互に隣接して整列させ、それによって第１の音響トランスデューサ素子の連続して番号付けされた音響トランスデューサセルは、全ての他の音響トランスデューサ素子の同様に連続して番号付けされた音響トランスデューサセルと高低角方向で整列され、
各第２の接続ノード中には、隣接する音響トランスデューサ素子の連続して番号付けされた音響トランスデューサセルの第２の電極の隣接サブセットが含まれている請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
複数の音響トランスデューサ素子は少なくとも３６個の音響トランスデューサ素子を含み、
各音響トランスデューサ素子は方位角方向において関連する周波数で少なくとも半波長の第１の幅を有し、
各第１の接続ノードは超音波システムのＲＦチャンネルに接続され、
隣接するサブセットは高低角方向において関連する周波数で少なくとも４分の１波長の第２の幅を有している請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
前記結合するステップはマルチプレクサを使用する請求項３３記載の方法。
【請求項３７】
前記結合するステップは接続回路を使用し、その接続回路は、
少なくとも１つのマルチプレクサと、
少なくとも１つのリレーと、
少なくとも１つのトランジスタと、
ハードワイヤ接続とのうち少なくとも１つを具備している請求項３３記載の方法。
【請求項３８】
前記接続回路の使用は、
複数のバイアス電圧をマルチプレクサの複数のバイアス電圧入力に接続し、
複数の第２の接続ノードをマルチプレクサの複数のバイアス電圧出力に接続し、
指定されたバイアス電圧パターンをマルチプレクサの選択入力へ接続するステップを含んでいる請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
さらに、前記指定されたバイアス電圧パターンを識別するステップを含んでいる請求項３８記載の方法。
【請求項４０】
前記指定されたバイアス電圧パターンを識別するステップは、
少なくとも１つのバイアス電圧パターンを含んでいる検索テーブルを含むメモリ装置を選択入力に接続し、
検索テーブル内から指定されたバイアス電圧パターンを指向するステップを含んでいる請求項３９記載の方法。
【請求項４１】
メモリ装置は消去可能でプログラム可能な読取専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）である請求項４０記載の方法。
【請求項４２】
前記少なくとも１つのバイアス電圧パターンはさらに焦点ゾーン番号を含み、
前記指向するステップはシステムが生成した焦点ゾーン番号のポインタの使用を含んでいる請求項４０記載の方法。
【請求項４３】
前記システムが生成した焦点ゾーン番号のポインタは、複数の音響トランスデューサ素子のそれぞれに与えられる励起電圧のタイミングから推定される請求項４２記載の方法。
【請求項４４】
前記正のバイアス電圧は前記負のバイアス電圧とは異なる大きさの振幅を有している請求項３２記載の方法。
【請求項４５】
前記複数のバイアス電圧を与えるステップは時間の関数として、複数のバイアス電圧の少なくとも１つの振幅および極性を変化させる請求項３２記載の方法。
【請求項４６】
前記振幅および極性は、距離方向における高低角方向焦点が均一にバイアスされた音響トランスデューサアレイの高低角方向焦点とは異なるように変化される請求項４５記載の方法。
【請求項４７】
前記振幅および極性は、高低角方向におけるピーク高低角方向焦点の中心が高低角方向の音響トランスデューサアレイの方向に対して偏心するように変化される請求項４５記載の方法。