【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１０μｍのエッチング深度を有する超深トレンチを形成するために誘導結合プラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記シリコン層を含む半導体基板を前記誘導結合プラズマエッチングリアクタ内に導入するステップと、
実質的にヘリウムガス、Ｏ2ガス、及びアルゴンガスで構成されるエッチングガス化学剤を前記誘導結合プラズマエッチングリアクタに流入させるステップと、
前記エッチングガス化学剤を使用してプラズマを発生させるステップと、
前記プラズマの発生の後に、前記誘導結合プラズマエッチングリアクタにＳＦ6ガスを供給するステップであって、前記ＳＦ6ガスに対する前記ヘリウムガスの流量比が約３５０％ないし約５５０％であり、前記ＳＦ6ガスに対するＯ2の流量比が約６０％ないし約９０％であり、前記ＳＦ6ガスに対する前記アルゴンガスの流量比が約３５０％ないし約５５０％であるステップと、
少なくとも部分的に前記シリコン層に前記超深トレンチをエッチングするステップと、を備える方法。
【請求項２】  請求項１記載の、超深開口部を形成するために誘導結合プラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
自然酸化膜層が前記シリコン層上に形成され、
塩素含有ガス化学剤が前記誘導結合プラズマエッチングリアクタ内に流入され、
前記塩素含有ガス化学剤は、前記シリコン層の前記エッチングのための前記エッチングガス化学剤の流入に先立って、前記自然酸化膜層を貫通してエッチングするために使用される、エッチング方法。
【請求項３】  請求項１または２記載の、超深開口部を形成するために誘導結合プラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記ＳＦ6ガスに対する前記アルゴンガスの流量比が約３５０％ないし約５５０％である、エッチング方法。
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれかに記載の、超深開口部を形成するために誘導結合プラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記超深開口部の前記エッチングが約３０μｍないし約６０μｍのエッチング深度まで継続される、エッチング方法。
【請求項５】  請求項１ないし４のいずれかに記載の、超深開口部を形成するために誘導結合プラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマの前記発生が約５秒ないし約１０秒の期間にわたって持続する、エッチング方法。
【請求項６】  超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記シリコン層を含む半導体基板を前記プラズマエッチングリアクタ内に導入するステップと、
ヘリウムガス、酸素反応ガス、及び不活性衝撃強化ガスを含むエッチングガス化学剤を前記プラズマエッチングリアクタ内に流入させるステップと、
前記エッチングガス化学剤を使用してプラズマを発生させるステップと、
前記プラズマの発生の後に、前記プラズマエッチングリアクタ内にフッ素含有添加ガスを供給するステップと、
少なくとも部分的に前記シリコン層に前記超深開口部をエッチングするステップと、を備える方法。
【請求項７】  請求項６記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
自然酸化膜層が前記シリコン層上に形成され、
塩素含有ガス化学剤が前記プラズマエッチングリアクタ内に流入され、
前記塩素含有ガス化学剤は、前記シリコン層の前記エッチングのための前記エッチングガス化学剤の流入に先立って、前記自然酸化膜層を貫通してエッチングするために使用される、エッチング方法。
【請求項８】  請求項６または７記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記不活性衝撃強化ガスがアルゴンである、エッチング方法。
【請求項９】  請求項６ないし８のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記不活性衝撃強化ガスがキセノンである、エッチング方法。
【請求項１０】  請求項６ないし９のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記半導体基板がシリコンウェーハである、エッチング方法。
【請求項１１】  請求項６ないし１０のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記超深開口部がトレンチである、エッチング方法。
【請求項１２】  請求項６ないし１１のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記ＳＦ6ガスに対する前記不活性衝撃強化ガスの流量比が約３５０％ないし約５５０％である、エッチング方法。
【請求項１３】  請求項６ないし１２のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記フッ素含有添加ガスがＳＦ6である、エッチング方法。
【請求項１４】  請求項６ないし１３のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記フッ素含有添加ガスがＣ4Ｆ8、ＣＦ4、ＮＦ3、及びＣＨＦ3のいずれかである、エッチング方法。
【請求項１５】  請求項６ないし１４のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記超深開口部の前記エッチングが約３０μｍないし約６０μｍのエッチング深度まで継続される、エッチング方法。
【請求項１６】  請求項６ないし１５のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマエッチングリアクタの下部電極温度が約１５℃ないし約６０℃である、エッチング方法。
【請求項１７】  請求項６ないし１６のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマエッチングリアクタの処理室圧力が約５０ｍＴｏｒｒないし約６０ｍＴｏｒｒである、エッチング方法。
【請求項１８】  請求項６ないし１７のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマの前記発生が約５秒ないし約１０秒の期間にわたって持続する、エッチング方法。
【請求項１９】  請求項６ないし１８のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマエッチングリアクタの最大電力が約４００Ｗないし約１０００Ｗである、エッチング方法。
【請求項２０】  請求項６ないし１９のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマエッチングリアクタが誘導結合プラズマエッチングリアクタである、エッチング方法。
【請求項２１】  請求項６ないし１５のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマエッチングリアクタの下部電極温度が約１５℃ないし約３０℃である、エッチング方法。
【請求項２２】  請求項６ないし２０のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマの前記発生は、構造の損傷を避けるために、約５秒ないし約１０秒の期間、持続される、エッチング方法。
【請求項２３】  深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記シリコン層を含む半導体基板を前記プラズマエッチングリアクタ内に導入するステップと、
ヘリウムガス、及び酸素反応ガスを含むエッチングガス化学剤を前記プラズマエッチングリアクタ内に流入させるステップと、
前記エッチングガス化学剤を使用してプラズマを発生させるステップと、
前記プラズマの発生の後に、前記プラズマエッチングリアクタ内にフッ素含有添加ガスを供給するステップと、
少なくとも部分的に前記シリコン層に前記深開口部をエッチングするステップであって、前記シリコン層の前記エッチングが前記プラズマを使用して行われるステップと、を備える方法。
【請求項２４】  請求項２３記載の、深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
自然酸化膜層が前記シリコン層上に形成され、
塩素含有ガス化学剤が前記プラズマエッチングリアクタに流入され、
前記塩素含有ガス化学剤は、前記シリコン層の前記エッチングのための前記エッチングガス化学剤の流入に先立って、前記自然酸化膜層をエッチングするために使用される、エッチング方法。
【請求項２５】  請求項２３または２４記載の、深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記半導体基板がシリコンウェーハである、エッチング方法。
【請求項２６】  請求項２３ないし２５のいずれかに記載の、深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記深開口部がトレンチである、エッチング方法。
【請求項２７】  請求項２３ないし２６のいずれかに記載の、深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記フッ素含有添加ガスがＳＦ6である、エッチング方法。
【請求項２８】  請求項２３ないし２７のいずれかに記載の、深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記フッ素含有添加ガスがＣ4Ｆ8、ＣＦ4、ＮＦ3、及びＣＨＦ3のいずれかである、エッチング方法。
【請求項２９】  請求項２３ないし２８のいずれかに記載の、深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記深開口部の前記エッチングが約１０μｍないし約１５μｍのエッチング深度まで継続する、エッチング方法。
【請求項３０】  請求項２３ないし２９のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記ＳＦ6ガスに対する前記ヘリウムガスの流量比が約３５０％ないし約５５０％である、エッチング方法。
【請求項３１】  請求項２３ないし３０のいずれかに記載の、深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマエッチングリアクタの処理室圧力が約４０ｍＴｏｒｒないし約１００ｍＴｏｒｒである、エッチング方法。
【請求項３２】  請求項２３ないし３１のいずれかに記載の、深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマの前記発生が約５秒ないし約１０秒の期間にわたって持続する、エッチング方法。
【請求項３３】  請求項２３ないし３２のいずれかに記載の、深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマエッチングリアクタの最大電力が約３００Ｗないし約２０００Ｗである、エッチング方法。
【請求項３４】  請求項２３ないし３３のいずれかに記載の、超深開口部を形成するためにプラズマエッチングリアクタ内でシリコン層をエッチングする方法であって、
前記プラズマの前記発生は、構造の損傷を避けるために、約５秒ないし約１０秒の期間、持続される、エッチング方法。