Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムに光学録音されるアナログの可変濃度サウンドトラック内に具現化される音声情報を復元する方法であって、
音声情報を表すディジタル信号を発生するためにサウンドトラックを光学的に走査するステップと、
前記ディジタル信号を記憶するステップと、
操作者による少なくとも１つの統計的処理技術のうちの１つの選択に従って、音声情報の少なくとも１つの特性を復元するために、前記少なくとも１つの統計的処理技術を前記記憶されたディジタル信号に適用するステップと、
から成る、前記方法。
【請求項２】
前記光学的に走査するステップが、サウンドトラックの連続的ラインを走査するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの統計的処理技術を適用する前記ステップに、
ａ）走査される各ラインの画素強度を平均化する操作、
ｂ）各走査ラインにおける各画素の標準偏差を計算し、利用者が規定する閾値から外れる画素値を排除し、平均値を計算してノイズの減じられた瞬時振幅を得る操作、
ｃ）ルックアップ・テーブルを作成して、フィルム濃度伝達特性の非線形領域から得られるデータ値を変更する操作、
ｄ）フィルム濃度伝達特性の非線形領域を超える画素強度値の統計的／回帰分析を実行する操作、および
ｅ）相互変調歪みの影響を最小限度に抑える適応フィルタリングを実行する操作、のうち少なくとも１つを実行するステップを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記操作の複数を実行するステップを含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記操作の全てを実行するステップを含む、請求項３記載の方法。
【請求項６】
ディジタル信号を少なくとも１２ビットの解像度に量子化するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
単位時間につき規定されるライン走査数を生じるために、連続するラインの走査をサウンドトラックの動きと同期させるステップを含む、請求項２記載の方法。
【請求項８】
サウンドトラックの連続するラインを走査する前記ステップに、ライン走査用カメラに対しフィルムを移動させるステップを含む、請求項２記載の方法。
【請求項９】
サウンドトラックの幅がライン走査用カメラの幅を充たすように、サウンドトラックに関しライン走査カメラを調整するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
同時に表示されたとき、サウンドトラックの複数の等しい濃度値が等しい輝度で現れるようにライン走査用カメラの方位角を調整するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
サウンドトラックの音声を表すエンベロープの位置の変動が、サウンドトラックのディジタル映像内に留まるようにサウンドトラックをライン走査用カメラに対し調整するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
前記ｃ）操作が、平均振幅値が線形の範囲内に入る場合に線形濃度値を平均振幅値にマップするステップを含む、請求項３記載の方法。
【請求項１３】
前記ｅ）操作が、以下の数式： 
【数１】
2006525621.tif 000001
に従って実験的フィルタ値Ａｉｋを選択するステップを含む、請求項３記載の方法。
【請求項１４】
フィルムに光学録音されるアナログの可変濃度サウンドトラック内に具現化される音声情報を復元するシステムであって、
サウンドトラックを走査し、音声情報を表すディジタル信号を発生するための光学走査器と、
ディジタル信号を記憶する記憶システムと、
操作者による少なくとも１つの統計的処理技術のうちの１つの選択に従って、記憶されたディジタル信号に前記少なくとも１つの統計的処理技術を適用し、音声情報の少なくとも１つの特性を復元するためのプロセッサと、
から成る、前記システム。
【請求項１５】
前記光学走査器が、サウンドトラックの連続するラインを走査するライン走査用カメラを具える、請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
以下の統計的処理操作：
（ａ）走査される各ラインの画素強度を平均化する操作、
（ｂ）走査されるデータの各ラインにおける標準偏差を計算し、異質の画素値を排除する操作、
（ｃ）各ライン走査における各画素の標準偏差を計算し、利用者が規定する閾値から外れる画素値を排除し、平均値を計算して、ノイズの減じられた瞬時振幅を得る操作、
（ｄ）フィルム濃度伝達特性の非線形領域から得られるデータ値を変更するためにルックアップ・テーブルを作成する操作、
（ｅ）フィルム濃度伝達特性の非線形領域を超える画素強度値の統計的分析および回帰分析を実行する操作、および、
（ｆ）相互変調歪みの影響を最小限度に抑えるために適応フィルタリングを実行する操作、
のうち少なくとも１つをプロセッサが実行する、請求項１４記載のシステム。
【請求項１７】
前記プロセッサが、前記統計的処理操作の複数を実行する、請求項１４記載のシステム。
【請求項１８】
前記プロセッサが、前記統計的処理操作の全てを実行する、請求項１４記載のシステム。
【請求項１９】
前記ライン走査用カメラが、少なくとも１２ビットの解像度を有する量子化されたディジタル信号を発生する、請求項１４記載のシステム。
【請求項２０】
単位時間につき規定された数のライン走査を生じるために、サウンドトラックの連続するラインの前記カメラによる走査をサウンドトラックの動きと同期させる手段を含む、請求項１４記載のシステム。
【請求項２１】
前記ライン走査用カメラに対しフィルムを移動させる手段を含む、請求項１４記載のシステム。
【請求項２２】
サウンドトラックの幅が、ライン走査用カメラの幅を充たすようにライン走査用カメラをサウンドトラックに関し調整する手段を含む、請求項１４記載のシステム。
【請求項２３】
同時に表示されたとき、サウンドトラックの等しい濃度値が等しい輝度で現れるようにライン走査用カメラの方位角を調整する手段を含む、請求項１４記載のシステム。
【請求項２４】
サウンドトラックの音声を表すエンベロープの位置の変動がサウンドトラックのディジタル画像内に留まるようにサウンドトラックをライン走査用カメラに対し調整する手段を含む、請求項１４記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月11日(2007.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
各データ記憶場所が対応するノードの中に配置され、かつ、いくつかのノードが少なくとも１つのリンクによって接続される、複数のデータ記憶場所を求めるサーチツールと、
前記少なくとも１つのリンクに基づいて前記複数のノードのうちのいくつかのものの一部を考察する概念ネットワークであって、前記少なくとも１つのリンクの内の少なくともいくつかはコンテンツのために使用される概念ネットワークと
を備えることを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記少なくとも１つのリンクは、コンテンツのためのみならずナビゲートのためにも使用されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
前記概念ネットワークは、子孫、祖先、および兄弟を含む関係の組を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
前記概念ネットワークは、子孫、祖先、および兄弟を含む関係の組を含むことを特徴とする請求項２５に記載の装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３１】
複数のＷｅｂページに対応する複数のユニバーサルリソースロケータ（ＵＲＬ）を受け取ること、
前記複数のＵＲＬのコンテンツを割り出すために前記複数のＵＲＬを解析すること、および
前記解析された複数のＵＲＬに基づいて複数のＷｅｂブロックを概念ネットワークに構造化すること
を備えることを特徴とするコンピュータで実施される方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４１】
ユーザから送られた問い合わせに基づいて複数のＷｅｂサイトに関する構造情報を解析すること、
前記複数のＷｅｂサイトの前記構造情報に基づいて「上位Ｎ件」型の問い合わせの応答を決定すること、および
前記ユーザに、前記決定された応答に関連する情報を返すこと
を含む概念ネットワークを生成すること
を備えることを特徴とするコンピュータで実施される方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４４】
ユーザから送られた問い合わせに基づいて複数のデータ記憶場所に関する構造情報を解析すること、
前記複数のデータ記憶場所の前記構造情報に基づいて関連型問い合わせの応答を決定すること、および
前記ユーザに、前記決定された応答に関連する情報を返すこと
を含む概念ネットワークを生成すること
を備えることを特徴とするコンピュータで実施される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩベースの電気光配列であって、
シリコン基板と、
埋込み誘電体層と、
前記埋込み誘電体層の上に配置された単結晶シリコン層と、及び
光学的欠陥密度を最小限にするためにエピタキシャル成長工程を用いて形成した単結晶シリコン（ＳＯＩ）層であって、
前記ＳＯＩ層中の少なくとも一部に形成された少なくとも１つの光部品域と、を備えるＳＯＩベースの電気光配列。
【請求項２】
ＳＯＩベースの配列において、
前記配列が更に、
前記ＳＯＩ層の別個の部分の上に配置された薄い誘電体層、および前記薄い誘電体層の上に配置された高濃度ドーピング・ゲート金属様シリコン層を含む少なくとも１つの電気部品域と、を備え、１つまたは複数の光デバイスが前記光部品域の各々に形成され、かつ１つまたは複数の電気デバイスが前記電気部品域の各々に形成されており、さらに、
１つまたは複数の金属化層を含む共通電気相互接続配列を備える請求項１に記載のＳＯＩベースの配列。
【請求項３】
ＳＯＩベースの配列において、前記少なくとも１つの光部品域が、前記ＳＯＩ層の一部の上に配置された薄い誘電層と、当該薄い誘電層の上に前記ＳＯＩ層と少なくとも部分的に重なるように配置されたシリコン層と、を備える請求項２に記載のＳＯＩベースの配列。
【請求項４】
前記共通電気相互接続配列が、前記光部品域および前記電気部品域の両方の選ばれた１つに配置されたシリサイド・コンタクト域を備え、前記シリサイド・コンタクト域が同じ材料を含み、かつ基本的に等しい厚さを示すように同時に形成される、請求項２に記載のＳＯＩベースの配列。
【請求項５】
前記共通電気相互接続配列が、前記能動光部品域と前記電気部品域の両方に配置された第１の金属層にシリサイドを接続するコンタクト域を備え、前記コンタクト域が同じ材料を含みかつ同時に形成される、請求項２に記載のＳＯＩベースの配列。
【請求項６】
前記共通電気相互接続配列が、少なくとも１つの光デバイスと少なくとも１つの電気デバイスの間の電気接続を行うように同じ材料を含みかつ同時に形成された、前記能動光部品域と前記電気部品域の両方に配置された少なくとも１つの金属層を備える、請求項２に記載のＳＯＩベースの配列。
【請求項７】
前記共通電気相互接続配列が、金属層間接続ビアを使用して相互接続され同じ材料を含みかつ同時に形成された、前記光部品域と前記電気部品域の両方に配置された少なくとも２つの金属層を備える、請求項２に記載のＳＯＩベースの配列。
【請求項８】
前記単結晶シリコン層が、予め決められた欠陥数／ｃｍ２よりも少ない光学的欠陥の数を有する、請求項１に記載のＳＯＩベースの配列。
【請求項９】
前記少なくとも１つの光部品域の前記シリコン層が、前記少なくとも１つの電気部品域の前記高濃度ドーピング・ゲート金属様シリコン層の厚さに実質的に等しいか、もしくはそれ以下の厚さを有する、請求項３に記載のＳＯＩベースの配列。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの光部品域の前記薄い誘電体層が、前記少なくとも１つの電気部品域の前記薄い誘電体層の厚さに実質的に等しい厚さを有する、請求項３に記載のＳＯＩベースの配列。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの光部品域の前記シリコン層の少なくとも一部が、能動「半導体様」光デバイス領域を形成するようにドーピングされている、請求項３に記載のＳＯＩベースの配列。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの光部品域の前記シリコン層の少なくとも一部が、受動光デバイス領域を形成するようにドーピングされていない、請求項３に記載のＳＯＩベースの配列。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月1日(2007.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
後面コンタクト層（２）上に形成されたｐ型半導体Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2光吸収層（ＣＩＧＳ層）（３）の薄膜、上記光吸収層を覆って形成された、ｎ型導電性を有しウィンドウ層（５）および電極として機能する透過導電性金属酸化物の薄膜、および上記ウィンドウ層と上記ＣＩＧＳ層との間のインタフェース層（６）、を含む薄膜太陽電池であって、上記インタフェース層は、上記ＣＩＧＳ層上にＡＬＤ成長された第１の硫黄含有バッファ層（７）、および、ＡＬＤ付着により上記第１のバッファ層と一体的に形成された、ＺｎＯを含む第２のバッファ層（８）、を含むことを特徴とする、上記薄膜太陽電池。
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜太陽電池であって、上記第１のバッファ層（７）は、ＡＬＤ付着されたＺｎ（Ｏx，Ｓ1-x）であり、ここで、ｘは０と０．９との間、好ましくは０．１と０．７との間で変化することを特徴とする、上記薄膜太陽電池。
【請求項３】
請求項１に記載の薄膜太陽電池であって、上記第１のバッファ層（７）は、ＡＬＤ付着Ｉｎ2Ｓ3であることを特徴とする、請求項２記載の薄膜太陽電池。
【請求項４】
請求項２に記載の薄膜太陽電池であって、上記第１のバッファ層（７）の厚さは、約１ｎｍより厚く、約３０ｎｍより薄いことを特徴とする、請求項１記載の薄膜太陽電池。
【請求項５】
請求項１に記載の薄膜太陽電池であって、上記第１のバッファ層（７）の上記第２のバッファ層（８）への段階的遷移があり、上記第１のバッファ層の硫黄含有は、その厚さを越える方向において徐々に減少することを特徴とする、上記薄膜太陽電池。
【請求項６】
薄膜太陽電池構造の基板上に、ｐ型半導体Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2光吸収層（ＣＩＧＳ層）（３）の薄膜とｎ型導電性ウィンドウ層（５）の薄膜との間のインタフェース層を形成する方法であって、ＣＩＧＳ処理チャンバ（１１）における上記ＣＩＧＳ層の真空付着の工程を含み、付着されたＣＩＧＳ層を有する上記基板を、上記基板を外気にさらすことなくＡＬＤ処理チャンバに移送し、上記インタフェース層を上記ＡＬＤ処理チャンバにおいて、最初に原子層付着（ＡＬＤ）を使用して上記ＣＩＧＳ層の表面上に第１の硫黄含有バッファ層（６）を付着し、最後に原子層付着（ＡＬＤ）を使用して上記第１のバッファ層（７）の上に第２のＺｎＯ層（８）を付着することによって提供することを特徴とする、上記方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、上記第１および第２のバッファ層（７，８）を１つの同一のＡＬＤ処理チャンバ（１３）において形成することを特徴とする、上記方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、上記第１および第２バッファ層を個別の、しかしリンクされたＡＬＤ処理チャンバ（１３，１５）において形成することを特徴とする、上記方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法であって、上記吸収層（３）を上記ＡＬＤ反応チャンバ（１３）において、亜鉛含有単一層を形成するために、例えばジエチル亜鉛あるいはジメチル亜鉛のような有機金属亜鉛化合物のパルスに、そして、上記光吸収層（３）の上に吸収される第１の単一層を形成するために上記亜鉛原子の上に酸素および硫黄を成長させるために、又は、水とＨ2Ｓのパルスに交互にさらすことによって、上記第１の硫黄含有バッファ層（７）を提供することと、上記工程を、互いの上に追加硫黄含有単一層を成長させるために繰り返すことと、そして、この処理を、第１の既定の厚さの上記第１の硫黄含有バッファ層（７）が得られるまで続けることを特徴とする、上記方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、Ｈ2Ｓのパルスを、水とＨ2Ｓパルスの合計数に対して、１０−１００％の割合において、好ましくは１５−２５％の割合において、そして最も好ましくは２０％の割合において提供することを特徴とする、上記方法。
【請求項１１】
請求項９あるいは１０に記載の方法であって、上記第２のＺｎＯバッファ層（８）を、上記Ｈ2Ｓのパルスを除いて上記第１のバッファ層（７）と同様の方法で提供し、上記第１のバッファ層を上記ＡＬＤ反応チャンバにおいて、例えばジエチル亜鉛あるいはジメチル亜鉛のような有機金属亜鉛化合物のガス・パルス、および水のパルスに、第２の既定の厚さの上記第２のＺｎＯバッファ層が得られるまで、交互にさらし続けることを特徴とする、上記方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、上記第１のバッファ層（７）の上記第２のバッファ（８）層内への緩やかな遷移を得るために、上記追加単一層が成長するにつれ、上記硫黄の割合を連続して減少させることを特徴とする、上記方法。
【請求項１３】
後面コンタクト層（２）上に形成されたｐ型半導体Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2光吸収層（ＣＩＧＳ層）（３）の薄膜、上記光吸収層を覆って形成された、ｎ型導電性を有しウィンドウ層および電極として機能する透過導電性金属酸化物の薄膜（５）、および上記ウィンドウ層と上記ＣＩＧＳ層との間のインタフェース層（６）、を含む太陽電池構造を製造するための処理ラインであって、上記ＣＩＧＳ層が基板上に真空付着される真空付着チャンバ（１１）を含み、最初にＡＬＤ付着を使用して上記ＣＩＧＳ層の表面上に第１の硫黄含有バッファ層（７）を成長させ、最後にＡＬＤ付着を使用して上記第１のバッファ層上に、ＺｎＯを含む第２のバッファ層（８）を成長させることによる上記インタフェース層のＡＬＤ付着のためのＡＬＤ処理チャンバ（１３）、および、太陽膜ブランクを、上記ブランクを外気にさらすことなく上記真空付着チャンバから上記ＡＬＤ付着チャンバに移送するため、および上記太陽膜ブランクを上記ＣＩＧＳ付着温度から上記ＡＬＤ付着温度に冷却するための、上記真空付着チャンバと上記ＡＬＤ処理チャンバとの間に配置された移送チャンバ（１２）によって特徴付けられる、上記処理ライン。
【請求項１４】
請求項１３に記載の処理ラインであって、上記１つのＡＬＤ処理チャンバ（１３）に接続した追加ＡＬＤ処理チャンバ（１５）を含み、上記最初に言及したＡＬＤ処理チャンバ（１３）は上記第１のバッファ層（７）の上記ＡＬＤ付着のために使用され、上記追加ＡＬＤ処理チャンバ（１５）は上記第２のバッファ層（８）の上記ＡＬＤ付着のために使用されることを特徴とする、上記処理ライン。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温動作用のパッケージ化ＬＥＤであって、
下にある熱的接続パッドおよび下にある一対の電気的接続パッドを含む金属の基台と、
前記金属基台の上にあるセラミックの層と、
前記金属基台の上にある一対の電極を有するＬＥＤであって、前記ＬＥＤが前記金属基台を通じて前記熱的接続パッドへと熱的に連結され、前記電極のそれぞれが下にある電気的接続パッドへと電気的に接続されているＬＥＤと、を備えるパッケージ化ＬＥＤ。
【請求項２】
前記セラミックの層がキャビティを有し、前記ＬＥＤが前記キャビティ内に実装される、請求項１に記載のパッケージ化ＬＥＤ。
【請求項３】
前記ＬＥＤから出る光を反射するために前記キャビティがテーパの付いた側面を有する、請求項２に記載のパッケージ化ＬＥＤ。
【請求項４】
前記金属基台が光を反射するための凹面領域を有し、前記ＬＥＤが上にある前記凹面領域に実装される、請求項１に記載のパッケージ化ＬＥＤ。
【請求項５】
下にある前記電気的接続パッドおよび下にある前記熱的接続パッドが、ＰＣ基板の対応するパッド上への表面実装を可能にするように同一平面にある、請求項１に記載のパッケージ化ＬＥＤ。
【請求項６】
前記熱的接続パッドの上にある前記セラミック層上に前記ＬＥＤが実装され、熱的ビアによって前記ＬＥＤが前記熱的接続パッドの上にある前記金属基台へと熱的に接続される、請求項１に記載のパッケージ化ＬＥＤ。
【請求項７】
前記ＬＥＤの少なくとも一方の電極が、前記電極から前記セラミック層上のボンディング・パッドへのボンディング・ワイヤを含む電気的経路によって下にある電気的接続パッドへと接続される、請求項１に記載のパッケージ化ＬＥＤ。
【請求項８】
前記ＬＥＤの少なくとも一方の電極が、前記金属基台を通る絶縁された導電性ビアを含む電気的経路によって下にある電気的接続パッドへと接続される、請求項１に記載のパッケージ化ＬＥＤ。
【請求項９】
前記ＬＥＤの少なくとも一方の電極が前記金属基台を含む電気的経路によって下にある電気的接続パッドへと接続される、請求項１に記載のパッケージ化ＬＥＤ。
【請求項１０】
共通の金属基台の上で請求項１に記載のＬＥＤを複数含むＬＥＤのアレイ。
【請求項１１】
高温動作用に金属上で低温同時焼成（ＬＴＣＣ−Ｍ）された発光ダイオード（ＬＥＤ）アセンブリであって、
熱的接続表面を有する金属の基台と、
前記金属基台の上にあってかつ前記金属基台から電気絶縁された一対の電極を有し、前記金属基台を通じて前記熱的接続表面へと熱的に連結される少なくとも１つのＬＥＤダイと、
前記金属基台の上にあり、前記ＬＥＤダイを収容するための少なくとも１つの開口を有するセラミックの層と、
前記金属基台から絶縁された複数の導電性トレースと、を備え、前記ＬＥＤの電極が前記導電性トレースへと電気的に接続されるＬＥＤアセンブリ。
【請求項１２】
複数のエッジコネクタの指片をさらに有し、前記指片が前記ＬＥＤの電極へと接続される、請求項１１に記載のＬＥＤアセンブリ。
【請求項１３】
複数のエッジコネクタの指片をさらに有し、前記指片が、前記ＬＥＤの電極を制御するデコーダ／ドライバ電子装置へと接続される、請求項１１に記載のＬＥＤアセンブリ。
【請求項１４】
前記ＬＥＤの電極を制御する前記デコーダ／ドライバ電子装置がＬＴＣＣ−Ｍパッケージの中に内蔵される、請求項１３に記載のＬＥＤアセンブリ。
【請求項１５】
上に前記ＬＥＤアセンブリが実装される追加の金属ブロックをさらに有することで熱放散をさらに向上させる、請求項１１に記載のＬＥＤアセンブリ。
【請求項１６】
前記ＬＥＤダイがフリップ・チップである、請求項１１に記載のＬＥＤアセンブリ。
【請求項１７】
前記フリップ・チップがハンダもしくは金を含む導電性ボールによって前記トレースへと接着される、請求項１６に記載のＬＥＤアセンブリ。
【請求項１８】
前記金属基台の上に形成された分離型の端子をさらに有し、前記分離型端子が前記ＬＥＤの電極に電気的に接続される、請求項１１に記載のＬＥＤアセンブリ。
【請求項１９】
前記金属基台の上に形成された分離型の端子をさらに有し、前記分離型端子がデコーダ／ドライバ電子装置へと電気的に接続され、前記電子装置がＬＴＣＣ−Ｍアセンブリの中に実装される、請求項１１に記載のＬＥＤアセンブリ。
【請求項２０】
前記絶縁層にビアをさらに有し、前記ビアがトレースを前記分離型端子へと電気的に接続する、請求項１８および１９に記載のＬＥＤアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月19日(2007.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信電極と、
受信電極と、
前記受信電極に連結された電荷供給回路と、
前記送信電極と前記電荷供給回路に連結された交流電圧源と、
前記受信電極に連結された出力接続線とを備え、
前記電荷供給回路は、前記交流電圧源から前記送信電極と前記電荷供給回路とに印加される交流電圧の共通のサイクルに従って電荷供給を実行するように構成されており、且、前記電荷供給回路は、キャパシタとして、当該キャパシタを介して形成された電圧が、前記送信電極と前記受信電極との間の静電容量に応じたレベルで飽和するように構成されたキャパシタを備える電界物体検出システム。
【請求項２】
更に、前記出力接続線に連結された高インピーダンス読取手段を備える請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記高インピーダンス読取手段は、アナログデジタル変換器である請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記高インピーダンス読取手段は、比較器である請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記交流電圧源は、共振回路を介して前記送信電極に連結されている請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
少なくとも一部がＣＭＯＳによって構成されている請求項１乃至５のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
電子製品用の制御回路であって、当該制御回路中に組み込まれた請求項１乃至６のいずれかに記載のシステムを備える電子製品用の制御回路。
【請求項８】
電界物体検出システムの受信電極から出力を供給する方法であって、
送信電極に第１の交流電圧を供給し、
前記受信電極に連結された切替回路に前記第１の交流電圧と同一位相の第２の交流電圧を供給し、
前記送信電極と前記受信電極との間の容量結合に応じて増加する電圧を前記切替回路のキャパシタ上に供給するために、前記両交流電圧のサイクルに従って、前記切替回路を利用した電荷供給を実行し、
前記切替回路の前記キャパシタ上の前記電圧を飽和させ、
前記送信電極と前記受信電極との近傍に物体が存在するときに変化する出力として前記飽和電圧を利用する方法。
【請求項９】
更に、前記出力を高インピーダンス読取手段中に送出する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記高インピーダンス読取手段は、アナログデジタル変換器である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記高インピーダンス読取手段は、比較器である請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の交流電圧は、前記第２の交流電圧と同一である請求項８乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の交流電圧は、共振フィルタを介して前記送信電極に前記第２の交流電圧を送出することで供給される請求項８乃至１１のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源（１０）であって、
複数の波長のうちの１つを有する光を発生させる光エンジン（１６）を有し、前記光エンジン（１６）は、プラットホーム（１４）及び前記プラットホーム（１４）上に設けられた少なくとも１つのＬＥＤ（１２）を有し、
前記光エンジン（１６）の光発生領域を包囲するエンクロージャ（２２）を有し、
熱エネルギを記少なくとも１つのＬＥＤ（１２）から遠ざけるよう伝達するヒートシンク（２６）を含む口金（２４）を有し、前記光エンジン（１６）は、前記ヒートシンク（２６）内に設けられ、
電力を前記光エンジン（１６）に供給する変換回路（３０）を有する、光源。
【請求項２】
前記光エンジン（１６）により生じた前記光を受け取って受け取った前記光のうち少なくとも何割かを可視光に変換する発光型変換素子（４４）を更に有する、請求項１記載の光源。
【請求項３】
前記エンクロージャ（２２）内に設けられた光ガイド（３６）を更に有する、請求項２記載の光源。
【請求項４】
前記光ガイド（３６）は、フィラメントの外観をしている、請求項３記載の光源。
【請求項５】
前記発光型変換素子（４４）は、光ガイド（３６）上又は内に設けられ、又は前記エンクロージャ（２２）上又は内に設けられている、請求項２又は３記載の光源。
【請求項６】
前記ヒートシンク（２６）は、前記口金（２４）内に挿入され、前記熱エネルギを前記少なくとも１つのＬＥＤ（１２）から前記口金（２４）及び周囲空気のうち少なくとも一方に伝えるスラグ（３２）を有する、請求項１記載の光源。
【請求項７】
モジュール式アダプタブルＬＥＤ照明システム（１０）であって、
ねじ込み口金モジュール（２４）を有し、
互いに異なる光放出特性を有する少なくとも２つの光モジュール（１６）を有し、各前記光モジュール（１６）は、前記口金モジュール（２４）と結合するようになったプラットホーム（１４）及び前記プラットホーム（１４）上に設けられていて、紫外線波長から赤外線波長までの範囲の光を発生させる少なくとも１つのＬＥＤ（１２）を有し、
エンクロージャ（２２）を有し、前記エンクロージャ（２２）は、前記光モジュール（１６）によって生じた光を包囲して前記光のうち少なくとも一部が前記エンクロージャ（２２）を通って伝えられるようになっており、
前記少なくとも１つのＬＥＤ（１２）に通電する電力モジュール（３０）を有する、照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を半導体基板の上のゲート誘電体の上方に形成するステップと、
第１取り出し導電スペーサ及び第２取り出し導電スペーサを、ゲート電極の第１サイドウォール及び第２サイドウォールにそれぞれ隣接し、かつこれらの取り出しスペーサの各々と、その該当するゲート電極サイドウォールとの間に誘電体を挟むように形成するステップと、
第１及び第２取り出しスペーサの導電型を反対にするために、第１取り出しスペーサに第１元素を、及び第２取り出しスペーサに第２元素をドープするステップと、
ソース／ドレイン領域を基板にこれらの取り出しスペーサに整合するように形成するステップとを備える、トランジスタの製造方法。
【請求項２】
ゲート電極に橋渡ししてゲート電極を第１及び第２取り出し導電部にシリサイドにより電気的に接続するステップをさらに備える、請求項１記載のトランジスタの製造方法。
【請求項３】
第１取り出しスペーサを基板の第１部分に、及び第２取り出しスペーサを基板の第２部分に電気的にコンタクトさせて、第１及び第２取り出しスペーサに対する個別のバイアスを可能にするステップをさらに備える、請求項１記載のトランジスタの製造方法。
【請求項４】
取り出しスペーサを形成する前に、エクステンション注入領域をゲート電極に自己整合させて形成するステップをさらに備える、請求項１記載のトランジスタの製造方法。
【請求項５】
第１取り出しスペーサにドープする操作において、基板を６°〜６０°の範囲の注入角に保持しながら第１ドーパントをイオン注入し、及び第２取り出しスペーサにドープする操作において、基板を−６°〜−６０°の範囲の注入角に保持しながら第２ドーパントをイオン注入する、請求項１記載のトランジスタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月12日(2007.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略平面の支持表面と、
前記支持表面上に位置決めされた固体光源と、
前記光源を囲む前記支持表面上に位置決めされた封止材であって、温度変化に応じた膨張および収縮が可能であり、前記平面の支持表面に接着することによってのみ束縛される封止材と
を備えたことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記支持表面および前記封止剤の少なくとも１つと一体化された反射要素をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記光源のある表面は前記支持表面に隣接し、前記封止材は前記光源の他の表面をすべて覆うことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記封止材は前記光源を密封し、前記密封状態は温度変化で破損されないことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記封止材の基部に、前記支持表面に隣接して位置決めされた障壁領域をさらに備え、前記障壁領域は、前記支持表面と前記封止材とを密封することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記支持表面は、前記封止材の膨張および収縮が前記支持表面でのみ束縛されるように平面であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記封止材は、その基部の周囲を成形されて前記光源から放出される光の一部を反射する傾斜面を有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記封止材は、前記反射光が前記封止材の焦点面を通るように成形されることを特徴とする請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記傾斜面は、前記光源が放出した前記光を反射する反射被覆を含むことを特徴とする請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記支持構造は、高熱伝導性のスプレッダ領域を備え、前記光源から熱を取り出すことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明装置であって、
５１０ｎｍ以下の波長を有する放射線を発生させる光エンジンと、
前記光エンジンの放射線発生領域を包囲して前記放射線を少なくとも実質的に取り囲むエンクロージャとを有し、
前記エンクロージャは、放射線を実質的に反射する第１の部分と、蛍光体部分を含む少なくとも１つの第２の部分とを有し、前記第２の部分は、前記光エンジンの前記放射線発生領域から離隔しており、
前記蛍光体部分は、放射線受入れ面及び可視光をもたらす発光面を有する、装置。
【請求項２】
プリント回路基板の取付け面は、放射線を反射する、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記エンクロージャは、
側部と、
取外し可能な頂部パネルとを有し、前記頂部パネルは、前記蛍光体部分を含む、請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記側部の内面は、放射線及び蛍光体により放出された光の波長に対して実質的に反射性の反射性物質から成る、請求項１記載の装置。
【請求項５】
照明システムであって、
主要な放射線放出方向を有する光エンジンを有し、前記光エンジンは、ＰＣ基板、前記ＰＣ基板上に設けられた複数個のＵＶ  ＬＥＤ、及び前記ＬＥＤと反対側の前記ＰＣ基板の側部上に設けられたヒートシンクを有し、
前記放射線放出方向を包囲するエンクロージャを有し、
前記エンクロージャは、ＵＶ放射線を実質的に反射する少なくとも１つの部分及び前記光エンジンと全体として反対側に位置していて前記光エンジンから離隔した蛍光体含有部分を有し、
前記蛍光体含有部分は、前記光エンジンに向いた前記蛍光体の第１の側部に被着された可視光反射層及び前記光エンジンから見て遠くの前記蛍光体の第２の側部に被着されたＵＶ光反射層を含む、照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機に取付けられた構造を備えているセンサシステムにおいて、
航空機に取付けられた構造は、
センサハウジングと、
センサハウジング内に内蔵され、ウインドウを通して入力信号を受取るセンサ装置と、
外壁のウインドウ支持領域の外面上に、ウインドウのすぐ隣りに位置されている断熱層とを含んでおり、
前記センサハウジングは、
１つの外方に向いた外面を備えたウインドウ支持領域を有する外壁と、
外壁に対してそのウインドウ支持領域を通って取付けられているウインドウとを備え、前記外壁の前記ウインドウ支持領域は取付けフランジのセグメントを有しており、
前記センサ装置は、
赤外線センサと、
前記センサを冷却する極低温冷却装置とを備え、
前記断熱層は、前記ウインドウ支持領域の前記外面に接着層により取付けられた断熱材料の独立型部品である、航空機に取付けられた構造を備えているセンサシステム。
【請求項２】
断熱層は、有機材料を含む断熱材料の独立型部品である請求項１記載のセンサシステム。
【請求項３】
断熱層は、ガラスファイバエポキシ複合材料を含む断熱材料の独立型部品である請求項１記載のセンサシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月12日(2007.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファイル・システムのオブジェクトへのアクセスを管理する方法であって、
前記ファイル・システムが、前記ファイル・システムのオブジェクトに対応するあるエンティティに一貫性がないことを見出すこと、
前記ファイル・システムのクライアントが、前記オブジェクトの１つ又は複数の既存のオープンの無効化を、前記一貫性のない状態に応答して行うこと、及び
前記クライアントが、前記オブジェクトの１つ又は複数の他のオープンの許可を、前記サーバにより提供中のオブジェクトに対応する別のエンティティに応答して行うことを含み、少なくとも１つの無効化された既存のオープン及び少なくとも１つの他のオープンが、一定の期間、コンカレントにオープンの状態にある方法。
【請求項２】
前記のあるエンティティを一貫性のない状態にあるものとして見出すことは、前記サーバが前記クライアントによる前記エンティティを再アサートする要求を拒否することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記再アサートする要求が、前記クライアントと前記サーバの間のリースの期限切れに応答するものである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記エンティティが、前記オブジェクトに関連付けられているロックを含む、請求項１、２、又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記エンティティの一貫性がなくなることが、前記エンティティに関連付けられているリースの期限切れに応答するものである、請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記一貫性のないエンティティのシャドウ・エンティティへの変換を、前記エンティティに一貫性がなくなるのに応答して行うことを含む、請求項１ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記変換することが、前記一貫性のないエンティティをエンティティのデータ構造から削除してスタンド・アロンのエンティティを提供することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記変換することが、前記スタンド・アロンのエンティティをシャドウ・エンティティとマークすることをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
エラーの提供を前記一貫性のないエンティティに対応するハンドルを使用することに応答して行うことを含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記オブジェクトへのアクセスの許可を前記オブジェクトに対応する別のエンティティを介して行うことをさらに含む、請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記許可することが、キャッシュ・ミスから前記別のエンティティをキャッシュすることになることに応答する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記オブジェクトに対応する前記別のキャッシュ済みエンティティに対する有効なハンドルを提供することをさらに含む、請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記許可することが、
クライアントが、サーバから、前記オブジェクトに対応するエンティティを要求すること、
前記サーバが、前記クライアントに、前記要求されたエンティティを提供すること、及び、
要求されたエンティティを前記クライアントのキャッシュ内にキャッシュすることを含み、前記キャッシュ内の前記要求されたエンティティは前記別のエンティティである、請求項１０、１１、又は１２のうちのいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記キャッシュ済みエンティティへの有効なアクセスを削除することを含み、前記許可することは前記別のエンティティへの有効なアクセスを提供することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記エンティティ及び前記別のエンティティが、前記オブジェクトのアクセスを容易にするクライアントのキャッシュ内に配置される、請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記エンティティは前記キャッシュ内部のシャドウ・エンティティであり、前記別のエンティティは前記キャッシュのデータ構造のものである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記オブジェクトがファイル・システム・オブジェクトを含む、請求項１ないし１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
ファイル・システムのオブジェクトへのアクセスを管理するシステムであって、
前記ファイル・システムのオブジェクトに対応するあるエンティティの一貫性のない状態を識別するように構成される、前記ファイル・システムのサーバと、
前記オブジェクトの１つ又は複数の既存のオープンの無効化を、前記一貫性のない状態に応答して行うように構成される、前記ファイル・システムのクライアントと、
前記オブジェクトの１つ又は複数の他のオープンの許可を、前記サーバにより提供中のオブジェクトに対応する別のエンティティに応答して行うように構成される前記クライアントとを含み、少なくとも１つの無効化された既存のオープン及び少なくとも１つの他のオープンが、一定の期間、コンカレントにオープンの状態にあるシステム。
【請求項１９】
前記一貫性のないエンティティをシャドウ・エンティティへと変換する手段を含む、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記変換する手段が、前記一貫性のないエンティティをキャッシュ済みエンティティのデータ構造から削除してスタンド・アロンのキャッシュ済みエンティティを提供することを含む、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記オブジェクトに対応する前記別のエンティティに対する有効なハンドルを提供する手段を含む、請求項１８ないし２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記エンティティへの有効なアクセスを削除する手段を含み、前記許可する手段は前記別のエンティティへの有効なアクセスを提供する手段を含む、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
ファイル・システムのオブジェクトへのアクセスを管理するコンピュータ可読プログラム・コード論理を有する少なくとも１つのコンピュータ可用媒体を含む製造物であって、前記コンピュータ可読プログラム・コード論理が、
前記ファイル・システムのサーバが、前記ファイル・システムのオブジェクトに対応するあるエンティティの一貫性のない状態の提供を識別する識別論理と、
前記ファイル・システムのクライアントが、前記オブジェクトの１つ又は複数の既存のオープンの無効化を、前記一貫性のない状態に応答して行う無効化論理と、
前記クライアントが、前記オブジェクトの１つ又は複数の他のオープンの許可を、前記サーバにより提供中のオブジェクトに対応する別のエンティティに応答して行う許可論理とを含み、少なくとも１つの無効化された既存のオープン及び少なくとも１つの他のオープンが、一定の期間、コンカレントにオープンの状態にある製造物。
【請求項２４】
前記識別論理が、前記一貫性のないエンティティをシャドウ・エンティティへと変換するための変換論理を含む、請求項２３に記載の製造物。
【請求項２５】
前記変換論理が、前記一貫性のないキャッシュ済みエンティティをキャッシュ済みエンティティのデータ構造から削除して、スタンド・アロンのキャッシュ済みエンティティを提供するための削除論理を含む、請求項２４に記載の製造物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記制御信号は、前記乗物のクライメット制御装置を作動させる、請求項１６に記載のボディエリアネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトレンズ設計を容易にするためのシステムであって、
設計パラメータを入力するための入力ユニットと、
設計パラメータに基づいてレンズ背後圧のプロファイルを計算するための処理ユニットと
を含み、処理ユニットが、使用の際、モデルレンズ形状の変形における大たわみ／非線形形状効果を考慮した有限要素モデル計算を実行するよう構成され、
有限要素モデル計算が、レンズ形状をモデル化するためにソリッド要素を使用するシステム。
【請求項２】
モデル化されるコンタクトレンズのレンズ材料が高酸素透過度（Dk）材料であり、所期のレンズ材料が、シリコーンヒドロゲルに典型的な０．８〜２MPaの範囲のヤング率値でモデル化される請求項１記載のシステム。
【請求項３】
設計パラメータに基づいてレンズ背後圧のプロファイルを計算する方法であって、モデルレンズ形状の変形における大たわみ／非線形形状効果を考慮した有限要素モデル計算を実施することを含み、
有限要素モデル計算が、レンズ形状をモデル化するためにソリッド要素を使用する方法。
【請求項４】
有限要素モデル計算が、モデルレンズの二次性質を考慮するための二次要素を含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
２Ｄ軸対称形状がレンズ背後圧のプロファイルの計算においてレンズ／眼の相互作用問題に適用される、請求項３または４記載の方法。
【請求項６】
レンズ背後圧のプロファイルが閉眼定常状態有限要素モデル計算に基づく、請求項３〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
有限要素モデル計算が、モデルコンタクトレンズとモデル眼との間で無摩擦滑り接触近似を適用することを含む、請求項３〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
角膜強膜面が有限要素モデル計算で剛体として表現される、請求項３〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
角膜強膜面の形状が、有限要素モデル計算で、楕円球面式に基づいて近似される、請求項３〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
０．８〜５MPaの範囲のヤング率を有し、レンズ背後圧のプロファイルで４５０Pa未満の最大角膜値及び／又は輪部ピーク値を示すコンタクトレンズであって、レンズ背後圧のプロファイルが、請求項１〜９のいずれか１項記載のシステム又は方法を使用して計算される、コンタクトレンズ。
【請求項１１】
少なくとも７０barrer/mmの酸素透過度及び０．２５×１０-3cm2/secよりも大きいIonotonイオン透過係数又は２．６×１０-6mm2/minよりも大きいIonflux拡散係数を有する、請求項１０記載のコンタクトレンズ。
【請求項１２】
０．２×１０-6cm2/secよりも大きいHydrodell水透過係数を有する、請求項１０または１１記載のコンタクトレンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
イオン化対象の検体を含む液体試料の照射のための装置であって、
（ａ）前記液体試料を小滴として前記装置へ導入するための毛細管と、
（ｂ）減圧下において前記液体試料の蒸発小滴への照射を行うことによりイオン化種を形成するための光イオン化の区域と、
（ｃ）前記光イオン化の区域へ向かう経路に沿って連続的に低下する圧力勾配を特徴とする減圧の領域と、
（ｄ）前記経路に沿ってコリメートされた前記試料の蒸発小滴の流れを前記光イオン化の区域内へまっすぐに入るように方向付けるためのコリメータと、
（ｅ）前記試料への照射を行うことで生じるイオンのｍ／ｅ比を決定するマススペクトロメータと、
を備える装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この方法を実行するための好適な装置は、（ａ）大気圧又は減圧領域へ液体試料を導入するための毛細管と、（ｂ）減圧下において試料の蒸発小滴への照射を行い、イオン化種をイオン化するための光イオン化の区域と、（ｃ）毛細管から光イオン化の区域への経路に沿って連続的に低下する圧力勾配を特徴とする領域と、（ｄ）経路に沿ってコリメートされた試料の蒸発小滴の流れを光イオン化の区域内へまっすぐに入るように方向付けるためのコリメータと、（ｅ）試料への照射を行うことで形成されるイオンのｍ／ｅ比を決定するマススペクトロメータと、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書を処理する方法であって、
前記文書を印刷するために使用しうる印刷データを収集するステップと、
使用後の前記文書をイメージ化してイメージ・データを作成するステップと、
前記印刷データおよび前記イメージ・データを用いて使用後の前記文書を処理するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記印刷データはイメージ・データ、画素データ、および言語データのうちの少なくとも１つを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、前記収集するステップの前に、前記印刷データの中に文書識別データを埋め込むステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記収集するステップは前記文書に関する補助データと共に印刷データを格納するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記イメージ化するステップは前記文書に関する補助データと共にイメージ・データを格納するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記処理するステップは少なくとも１つのデータ記憶装置から、前記印刷データおよび前記イメージ・データのうちの少なくとも１つを検索・取得するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記処理するステップは前記文書のための前記イメージ・データに基づいて文書のための印刷データを特定するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記処理するステップは使用後の前記文書の前記イメージ・データを前記印刷データと比較するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
フロントエンド文書生成システムであって、
文書生成データに基づいて、文書を印刷するのに使用しうる印刷データを生成する印刷システムと、
前記印刷システムによって生成された印刷データを永続的に保存するデータ・コレクタと
を含む、フロントエンド文書生成システムを含む、
文書処理のためのシステム。
【請求項１０】
さらに、使用後の文書を処理する、バックエンド文書処理システムであって、前記バックエンド文書処理システムは前記印刷データを処理するバックエンド・アクセス・モジュールを含んでいる、バックエンド文書処理システムを含む、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
文書処理のためのシステムであって、
文書生成データに基づいて印刷データを生成したフロントエンド文書生成システムによって生成された前記印刷データに対するアクセスを許可するように構成された第１のアクセス・モジュールを含む、使用後の文書を処理するバックエンド文書処理システムを含むシステム。
【請求項１２】
前記フロントエンド文書生成システムは、
前記文書生成データに基づいて、文書を印刷するのに使用しうる印刷データを生成する印刷システムと、
前記印刷システムによって生成された前記印刷データを永続的に保存するデータ・コレクタとを含む、
請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記フロントエンド文書生成システムはさらに、前記印刷データを前記バックエンド文書処理システムにとってアクセス可能にするフロントエンド・アクセス・モジュールを含む、
請求項９または１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記バックエンド文書処理システムはさらに、
文書をイメージ化するイメージャと、
前記イメージ化された文書および前記印刷データを用いて前記文書を処理する処理アプリケーションとを含む、
請求項１０または１１に記載のシステム。
【請求項１５】
さらに、イメージ・プロセッサを含む、
請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
その中に記録されたコンピュータ読み取り可能なプログラム・コードを有するコンピュータ読み取り可能なコンピュータ・プログラムであって、
文書生成データに基づいて、文書を印刷するのに使用しうる印刷データを生成するように構成されたプログラム・コードと、
印刷データを生成するように構成された前記プログラム・コードによって生成された印刷データを永続的に保存するように構成されたプログラム・コードと
を含むコンピュータ・プログラム。
【請求項１７】
文書を処理するためにその中に記録されたコンピュータ読み取り可能なプログラム・コードを有するコンピュータ読み取り可能なコンピュータ・プログラムであって、
使用後の前記文書のイメージ化からイメージ・データを生成するように構成されたプログラム・コードと、
文書生成データに基づいて、前記文書を印刷するのに使用しうる印刷データを生成するフロントエンド文書生成システムによって生成された印刷データにアクセスするように構成されたプログラム・コードと、
前記印刷データおよび前記イメージ・データを用いて前記文書を処理するように構成されたプログラム・コードと
を含むコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月25日(2006.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
１つの時間値に対して１つのインスタンス（２）によって受け取られ、処理されるイベント（９）が、別の時間値を有する別のインスタンス（２）又はそれ自体用のイベント（９）を生成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記データ生成機能ユニットは、
―  前記データ消費機能ユニットが、前記通信スレッドの識別子を示すことを継続しなければならない状況と、
―  示された前記通信スレッドの識別子が受理された状況と、
―  前記データ消費機能ユニットが他の通信スレッドの識別子を示すように要求されている状況と、
のうちの１つが存在するかどうかを示す情報を供給する、請求項２に記載の方法。