Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ボディケア製品、家庭用製品、生地又は繊維
（ｂ）（ｉ）式（Ｉ）
【化１】
2007515396.tif 000001
で表されるでヒンダードニトロキシル化合物、
（ｉｉ）式（ＩＩ）
【化２】
2007515396.tif 000002
で表されるヒンダードヒドロキシルアミン化合物及び
（ｉｉｉ）式（ＩＩＩ）
【化３】
2007515396.tif 000003
で表されるヒンダードヒドロキシルアミン塩化合物
（式中、
Ｇ1及びＧ2は独立して、炭素原子数１ないし４のアルキル基を表すか、又は一緒になってペンタメチレン基を表し、
Ｚ1及びＺ2は各々メチル基を表すか、又はＺ1及びＺ2は一緒になって、所望によりエステル基、エーテル基、ヒドロキシ基、オキソ基、シアノヒドリン基、アミド基、アミノ基、カルボキシ基又はウレタン基により置換され得る結合部分を形成し、
Ｘは、リン酸塩、ホスホン酸塩、炭酸塩、炭酸水素塩、硝酸塩、塩化物塩、臭化物塩、亜硫酸水素塩、亜硫酸塩、硫酸水素塩、硫酸塩、ホウ酸塩、ギ酸塩、酢酸塩、安息香酸塩、クエン酸塩、シュウ酸塩、酒石酸塩、アクリル酸塩、ポリアクリル酸塩、フマル酸塩、マレイン酸塩、イタコン酸塩、グリコール酸塩、グルコン酸塩、リンゴ酸塩、マンデル酸塩、チグリン酸塩、アスコルビン酸塩、ポリメタクリル酸塩、ニトリロ三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、又はジエチレントリアミン五酢酸のカルボン酸塩、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸塩、アルキルスルホン酸塩又はアリールスルホン酸塩のような無機アニオン或いは有機アニオンを表し、及び
ここで、カチオンの総電荷ｈは、アニオンの総電荷ｊに等しい。）
からなる群より選択される少なくとも１種の化合物の有効安定化量；及び
（ｃ）
（ｃ1）ジベンゾイルメタン誘導体；
（ｃ2）ケイ皮酸エステル；
（ｃ3）カンファー誘導体：及び
（ｃ4）トリアニリノ−ｓ−トリアジン誘導体
より選択される有機ＵＶフィルタ
を含む安定化組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の成分（ｂ）の少なくとも１種の化合物及び成分（ｃ）の少なくとも１種の化合物を配合するか又は塗布することからなる、ボディケア製品、家庭用製品、生地又は繊維を安定化する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者における免疫応答の増強または誘導における使用のための組成物であって、以下：
（ａ）配列番号４６１に示される短縮型ＷＴ１−Ｆポリペプチドを含むＷＴ１ポリペプチド；ならびに
（ｂ）Ｅｎｈａｎｚｙｎ、ＲＣ−５２９−ＳＥ、およびＲＣ−５２９−ＡＦとＱｕｉｌＡとの組み合わせからなる群より選択されるアジュバント；
を含有する、組成物。
【請求項２】
前記アジュバントがＥｎｈａｎｚｙｎを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記アジュバントがＲＣ−５２９−ＳＥを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記アジュバントがＲＣ−５２９−ＡＦとＱｕｉｌＡとの組み合わせを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
ＷＴ１に特異的なＴ細胞を刺激および／または増殖させるためのエキソビボにおける方法であって、以下：
（ａ）配列番号４６１に示される短縮型ＷＴ１−Ｆポリペプチドを含むＷＴ１ポリペプチド；ならびに
（ｂ）Ｅｎｈａｎｚｙｎ、ＲＣ−５２９−ＳＥ、およびＲＣ−５２９−ＡＦとＱｕｉｌＡとの組み合わせからなる群より選択されるアジュバント；
を含有する組成物とＴ細胞とを、Ｔ細胞の刺激および／または増殖を可能にするのに十分な条件および時間のもとで接触させる工程を包含する、方法。
【請求項６】
患者におけるＷＴ１関連悪性疾患の治療における使用のための組成物であって、以下：
（ａ）配列番号４６１に示される短縮型ＷＴ１−Ｆポリペプチドを含むＷＴ１ポリペプチド；ならびに
（ｂ）Ｅｎｈａｎｚｙｎ、ＲＣ−５２９−ＳＥ、およびＲＣ−５２９−ＡＦとＱｕｉｌＡとの組み合わせからなる群より選択されるアジュバント；
を含有する、組成物。
【請求項７】
患者における免疫応答を増強または誘導するための医薬の製造のための、請求項１〜４に記載の組成物の使用。
【請求項８】
患者におけるＷＴ１関連悪性疾患の治療のための医薬の製造のための、請求項６に記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グリッド・コンピューティング・システムにおけるシステム資源のユーザ制御のためのグローバル・オンデマンド管理装置にして、
グリッド・コンピューティング・システムのパフォーマンス・パラメータに対応するパラメータ制御リクエストをユーザが入力できるように構成されたグローバル・ユーザ入力モジュールと、
パフォーマンス資源に対応するパフォーマンス・パラメータをパラメータ制御リクエストに従って動的に変更するように構成されたグローバル・パラメータ・モジュールと、
グリッド・コンピューティング動作のためにパフォーマンス資源を予約するように構成されたグローバル予約モジュールと
を含む、グローバル・オンデマンド管理装置。
【請求項２】
パフォーマンス・パラメータがネットワーク・パフォーマンス・パラメータである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ネットワーク・パフォーマンス・パラメータが、ネットワーク・アクセス容易性、ネットワーク帯域幅割り振り、グリッド割り振り階層のうちの１つである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
パフォーマンス・パラメータがクライアント・パフォーマンス・パラメータである請求項１に記載の装置。
【請求項５】
クライアント・パフォーマンス・パラメータが、クライアント・アクセス容易性、クライアント帯域幅割り振り、プロセッサ割り振り、記憶装置割り振り、メモリ割り振り、バックアップ復元可能性、バックアップ近接性のうちの１つである、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
グローバル予約モジュールが更に、
パフォーマンス資源の返還を要求し、且つパフォーマンス資源を前記グリッド・コンピューティング・システムが利用できないようにするクライアント返還要求動作に応答して前記パフォーマンス資源の予約を終了させるように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
グローバル予約モジュールが更に、
グリッド・コンピューティング動作のために、返還要求されたパフォーマンス資源と同様の他のパフォーマンス資源を予約するように構成された、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
グリッド・コンピューティング・システムが利用できるネットワーク・パフォーマンス資源のネットワーク・パフォーマンス・パラメータを含むネットワーク・プロファイルを記憶するように構成されたグローバル・プロファイル管理モジュールを更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
グローバル・クライアント・パフォーマンス資源パラメータを記述するグローバル・クライアント・プロファイルを記憶するように構成されたグローバル・プロファイル管理モジュールを更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
グリッド・コンピューティング・システムが利用できるクライアント・パフォーマンス資源のクライアント・パフォーマンス・パラメータを夫々が含む複数のクライアント・プロファイルを記憶するように構成されたグローバル・プロファイル管理モジュールを更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
複数の記憶されたクライアント・プロファイルのうちの１つを、クライアントに記憶されたローカル・クライアント・プロファイルと同期させるように構成されたグローバル・プロファイル同期モジュールを更に含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
パフォーマンス・パラメータ資源の履歴を夫々が含む複数のプロファイル履歴を記憶するように構成されたグローバル・プロファイル管理モジュールを更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
グローバル・プロファイル管理モジュールが、複数のプロファイル履歴のうちの１つを加入マネージャに通信するように更に構成され、且つ加入マネージャが、その複数のプロファイル履歴のうちの１つの少なくとも一部に基づいてクライアント加入料金を計算するように構成された、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
グリッド・コンピューティング・システムにおけるシステム資源のユーザ制御のための方法であって、
グリッド・コンピューティング・システムのパフォーマンス・パラメータに対応するパラメータ制御リクエストをユーザが入力できるようにするステップと、
パフォーマンス資源に対応するパフォーマンス・パラメータを、パラメータ制御リクエストに従って動的に変化させるステップと、
グリッド・コンピューティング動作のためにパフォーマンス資源を予約するステップと
を含む方法。
【請求項１５】
グリッド・コンピューティング・システムが利用できるネットワーク・パフォーマンス資源のパフォーマンス・パラメータを含むプロファイルであって、ネットワーク・プロファイル、グローバル・クライアント・プロファイル及びクライアント・プロファイルのうちの１つであるプロファイルを記憶するステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
パフォーマンス資源の返還を要求し、且つグリッド・コンピューティング・システムがパフォーマンス資源を利用できないようにするクライアント返還要求動作に応答して、パフォーマンス資源の予約を終了させるステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
グリッド・コンピューティング・システムにおけるシステム資源のユーザ制御のための方法をコンピュータに実行させるように構成されたコンピュータ可読コードを含むコンピュータ可読記憶媒体であって、その方法が、
グリッド・コンピューティング・システムのパフォーマンス・パラメータに対応するパラメータ制御リクエストをユーザが入力できるようにするステップと、
パフォーマンス資源に対応するパフォーマンス・パラメータを、パラメータ制御リクエストに従って動的に変化させるステップと、
グリッド・コンピューティング動作のために前記パフォーマンス資源を予約するステップと
を含む、コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本出願の必要条件から示されるように、１を超える追加の層を使用することも本発明の範囲内に含まれる。図５で示されるように、例示的な多層ボンドプライ１４０はポリマー層１１５、１１７および１１９を備え、この場合、１１５、１１７および１１９のうちの少なくとも１つ、好ましくは全てが液晶ポリマー層である。１つの実施形態では、層１１５および１１９は層１１７より薄く、および／またはより低い温度で融解する。図５の多層回路３１０の製造は、図示されるように、回路層１３４と回路層１２２との間に多層膜１４０を設置し、スタックを積層させることにより実施することができる。３を超える層（図示せず）を備える多層膜もまた、本発明の範囲内に含まれ、少なくとも２つの外側ボンドプライ層と所望の数の内側ボンドプライ層とが備えられる。その後、多層膜を１つのまたは複数の導電層に隣接して配置し、スタックを形成させ、上記のように積層させる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明の方法により製造した多層回路のさらに別の例示的な実施形態を図６の４１０で示す。この回路は第１のボンドプライ２２４により第２の回路２１４にボンディングされた第１の回路２１２と、ボンドプライ２３２により第２の回路２１４にボンディングされた第３の回路２１６を備える。第１のダブルクラッド回路２１２は実質的に非流動性の誘電体基板２２０と、回路層２１８、２２２とを備える。第２の回路２１４はダブルクラッド回路であり、実質的に非流動性の誘電体基板２２８と、２つの回路層２２６、２３０とを備え、第３の回路２１６は実質的に非流動性の誘電体基板２３６と回路層２３４、２３８とを備える。他の構造も可能である。１または複数のボンドプライ２２４、２３２および／または誘電体基板２２０、２２８、２３６は液晶ポリマーを含む。好ましくは、各々が液晶ポリマーである。誘電体基板２２２、２２６、２３０の各々が粒状フィラーおよび／または織もしくは不織ウエブを含んでもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
別の製造方法では、逐次アニールを使用し、すなわち、図示されるようにボンドプライ２２４を第１の回路２１２と第２の回路２１４との間に設置し、スタックを、好ましくは液晶ポリマー層の融点よりせいぜい約２０℃高い温度で、積層させ、その後、本明細書で記述したようにアニールする。その後、ボンドプライ２３２を第２の回路２１４と第３の回路２１６との間に設置し、スタックを、好ましくは液晶ポリマー層のいずれかの融点よりせいぜい約２０℃高い温度で、積層させる。得られた積層体をその後アニールしてもよく、または別の多層回路積層板を形成するのに使用してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の発光素子を有するＯＬＥＤディスプレイにおいて経時変化補償を制御する方法であって、補正信号を計算するためにディスプレイ出力の変化を周期的に測定するステップと、各周期での前記補正信号の変化を制限するステップと、前記ディスプレイ出力に補正を行うために、前記ＯＬＥＤディスプレイに前記補正信号を適用するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記補正が、単調に増加するように制限され、かつ、補正値の一定のパーセンテージの変化に制限される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記補正信号が、前記ディスプレイに適用された電圧と、各ピクセルに適用された電圧と、各ピクセルに適用された電荷と、各ピクセルに適用されたデータ値とを含む群の１つ以上である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月8日(2007.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜電極アセンブリであって、
アノード流体拡散層およびカソード流体拡散層；
該アノード流体拡散層と該カソード流体拡散層との間に介在するイオン交換膜；ならびに
該イオン交換膜と個々の該流体拡散層との間に介在する、アノード触媒層およびカソード触媒層；
を備え、
該イオン交換膜、該カソード触媒層、および該アノード触媒層のうちの少なくとも１つは、ラジカルスカベンジャー、膜架橋剤、過酸化水素分解触媒、および過酸化水素安定剤から選択される少なくとも１種の添加物を不均一に支持し、
該添加物の不均一な支持は、該少なくとも１つのイオン交換膜、カソード触媒層、およびアノード触媒層のｘ−ｙ平面に存在し、そして
増大した量の該添加物が、該膜電極アセンブリの、膜分解に対してより感受性である領域に位置する
膜電極アセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の膜電極アセンブリであって、増大した量の前記添加物が、前記少なくとも１つのイオン交換膜、カソード触媒層、およびアノード触媒層の入口領域および／または出口領域に位置する、膜電極アセンブリ。
【請求項３】
請求項１に記載の膜電極アセンブリであって、前記添加物は、前記少なくとも１つのイオン交換膜、カソード触媒層、およびアノード触媒層内に分散している、膜電極アセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載の膜電極アセンブリであって、前記添加物は、前記少なくとも１つのイオン交換膜、カソード触媒層、およびアノード触媒層の表面上に層の状態で存在する、膜電極アセンブリ。
【請求項５】
請求項１に記載の膜電極アセンブリであって、前記添加物は、ヒンダードアミン、ヒドロキシルアミン、アリールアミン、フェノール、ＢＨＴ、ホスファイト、ベンゾフラノン、サリチル酸、アズレニルニトロンおよびその誘導体、トコフェロール、ＤＭＰＯ、環状ニトロンおよび非環状ニトロン、金−キトサンナノ複合体、アスコルビン酸、およびＭｎ２＋から選択されるラジカルスカベンジャーである、膜電極アセンブリ。
【請求項６】
請求項１に記載の膜電極アセンブリであって、前記添加物は、多価カチオンを含む膜架橋剤である、膜電極アセンブリ。
【請求項７】
請求項６に記載の膜電極アセンブリであって、前記多価カチオンは、Ａｌ３＋、Ｍｎ２＋、Ｍｇ２＋、およびＺｎ２＋から選択される、膜電極アセンブリ。
【請求項８】
請求項１に記載の膜電極アセンブリであって、前記添加物は、有機金属Ｍｎ（ＩＩ）錯体または有機金属Ｍｎ（ＩＩＩ）錯体、酸化物触媒、混合酸化物触媒、およびホスファイトから選択される過酸化水素分解触媒である、膜電極アセンブリ。
【請求項９】
請求項１に記載の膜電極アセンブリであって、前記添加物は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｖ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｓｎ、およびＷの、塩、酸化物、または有機金属錯体から選択される過酸化水素分解触媒である、膜電極アセンブリ。
【請求項１０】
請求項１に記載の膜電極アセンブリを含む、燃料電池。
【請求項１１】
少なくとも１つの請求項１０に記載の燃料電池を含む、燃料電池スタック。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ入力装置であって、
タッチプレートと、
前記タッチプレートの表面上に並列構造に配置される一連の分極圧電領域を備える少なくとも一つの圧電変換器であって、各領域は、Ｎ極およびＳ極によって定義される分極方向を有し、各領域の前記分極方向は、前記タッチプレートの前記表面に垂直であり、前記領域は、一つの領域の前記Ｎ極が、前記一連の分極圧電領域における次の領域の前記Ｓ極に電気的に接続されるように、直列に接続される、圧電変換器と、を備える、ユーザ入力装置。
【請求項２】
前記少なくとも一つの圧電変換器は、前記タッチパネルの振動を検出するように構成される、請求項１に記載のユーザ入力装置。
【請求項３】
前記少なくとも一つの圧電変換器は、前記タッチプレートへ振動を放出するように構成される、請求項１に記載のユーザ入力装置。
【請求項４】
前記少なくとも一つの圧電変換器は、それぞれ電気信号を前記変換器へかつ該変換器から通信するための第１および第２信号キャリアに電気的に接続される第１および第２端子電極をさらに備える、請求項１に記載のユーザ入力装置。
【請求項５】
前記第１および第２信号キャリアの一方は、増幅器を介して前記変換器に電気的に接続される、請求項４に記載のユーザ入力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）であって、
第１電極および第２電極；
第１電極と第２電極の間のトンネル障壁；
第１電極とトンネル障壁との間の自由な合成反強磁性体（ＳＡＦ）；
トンネル障壁と第２電極との間の固定層；
を備え、前記自由ＳＡＦが、
いずれも強磁性である第１層および第２層；
第１層と第２層の間の、ベース材料を含む第３層；
第３層と第２層の間の、タンタルを含む第４層；
を備えたＭＴＪ。
【請求項２】
第４層と第２層の間にさらに第５層を含み、第５層は第２層を形成するために使用されるのとは異なる強磁性材料を含む請求項１に記載のＭＴＪ。
【請求項３】
ＭＴＪであって、
第１電極および第２電極；
第１電極と第２電極の間のトンネル障壁；
第１電極とトンネル障壁の間の自由な合成反強磁性体（ＳＡＦ）；
トンネル障壁と第２電極の間の固定層；
を備え、前記自由ＳＡＦが、
いずれも強磁性である第１層および第２層；
第１層と第２層の間の第３層であって、第１の材料と第２の材料を含み、第１の材料がルテニウム、ロジウム、イリジウムおよびオスミウムのうちの１つであり、第２の材料がホウ素、アルミニウム、炭素、タンタル、ニオブ、モリブデン、ジルコニウムおよびハフニウムのうちの１つである第３層；
を備えたＭＴＪ。
【請求項４】
ＭＴＪであって、
第１電極および第２電極；
第１電極と第２の電極の間のトンネル障壁；
第１電極とトンネル障壁との間の自由な合成反強磁性体（ＳＡＦ）；
トンネル障壁と第２の電極との間の固定層；
を備え、前記自由ＳＡＦが、
いずれも強磁性である第１層および第２層；
第１層と第２層の間の、第１の材料から成る第３層であって、第１の材料はベース材料である第３層；
第３層と第２層の間の、第２の材料から成る第４層であって、第２の材料はニッケル鉄、コバルト鉄、タンタルおよびアルミニウムから選択される第４層；  
第４層と第２層との間の、前記第１の材料から成る第５層；
を備えたＭＴＪ。
【請求項５】
第１電極および第２電極；
第１電極と第２電極の間のトンネル障壁；
第１電極とトンネル障壁の間の自由な合成反強磁性体（ＳＡＦ）；および
トンネル障壁と第２電極の間の固定層；
を備えたＭＴＪにおいて、
トンネル障壁の上に第１の強磁性層を形成する工程；
第１の強磁性層の上にタンタルを堆積する工程；
タンタルの上にベース材料を堆積する工程；および
ベース材料の上に第２の強磁性層を形成する工程；
から成る自由ＳＡＦを形成する方法。
【請求項６】
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）であって、
第１電極および第２電極；
第１電極と第２電極の間のトンネル障壁；
第１電極とトンネル障壁の間の自由な合成反強磁性体（ＳＡＦ）；
トンネル障壁と第２電極の間の固定層；
を備え、前記自由ＳＡＦが、
いずれも強磁性である第１層および第２層；
第１層と第２層の間の、ベース材料を含む第３層；
第３層と第２層の間の、導電性の第４層；
第４層と第２層の間の、コバルトおよび鉄のうちの少なくとも１つを含む第５層；
を備えたＭＴＪ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月17日(2007.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収縮性ポリマーフィルムを提供する工程と、
実質的に非導電性のコーティングを前記ポリマーフィルムの一部の上に堆積する工程と、
前記収縮性ポリマーフィルムおよび前記実質的に非導電性のコーティングの温度を上昇させて前記ポリマーフィルムの突出表面積が少なくとも５０パーセント収縮し、前記非導電性コーティングが少なくとも１００パーセント、より導電性になる工程と、を含む導電性トレースの形成方法。
【請求項２】
収縮性ポリマーフィルムを提供する工程と、
実質的に非導電性のコーティングを前記ポリマーフィルムの一部の上に堆積する工程と、
前記収縮性ポリマーフィルムの温度を上昇させて前記フィルムの前記突出表面積が少なくとも８０パーセント収縮し、前記コーティングが導電性トレースを形成する工程と、を含む導電性トレースの形成方法。
【請求項３】
導電性トレースを備える物品であって、
ポリマーフィルムと、
導電性トレースと、を含み、
前記導電性トレースは、実質的に非導電性のコーティングを前記ポリマーフィルム上に堆積し、次いで前記ポリマーフィルムを高温に暴露してその収縮前の突出表面積の少なくとも１０倍、前記ポリマーフィルムの収縮を起こすことによって形成されたものである、導電性トレースを備える物品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサと、
動作可能なように前記プロセッサに結合されたメモリと、
前記プロセッサにより、前記メモリから実行されるワークフローサービスと
を備え、
前記ワークフローサービスは、
ＳＯＡＰプロトコルにおけるメッセージを通じてクライアントと通信し、該クライアントからの要求に応答して複数のインスタンス化されるアクションをインスタンス化するように動作可能で、かつ前記クライアントからの通信に応答して、アクティビティフローの実行時に、前記アクティビティフローにアクションのインスタンスを追加するようにさらに動作可能であるアクティビティフローコンポジションと、
複数の知識ベースから、該知識ベースに関する各々のスキーマを有する知識ベースアダプタを介して抽出された複数の事実を含む事実ストアと、
前記ＳＯＡＰプロトコルを介して前記クライアントと通信するように動作可能であり、前記アクティビティフローの参加アクタのアイデンティティに基づいて制約を実施するように動作可能で、かつ前記事実ストアにおける事実に基づいて制約を実施するようにさらに動作可能である制約サービスと、
前記インスタンス化されたアクションへ及び該インスタンス化されたアクションからのメッセージを追跡するように動作可能である追跡サービスと
を含むことを特徴とする自動化されたワークフローサービスシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】自動化されたワークフローサービスシステム
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007515016.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2007515016.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人体のお腹部位を覆い使用する腹部カバーにおいて、
体型に合うよう両サイドに傾斜部を持つカバー本体と、
前記カバー本体の上部又は下部に、湾曲状の盛り上がった形状に形成された延長部と、前記上部の延長部にハート形、角ばった形、∨形のいずれかの形状に形成された凹部と、前記カバー本体の片側又は両側端部に取り付けられ、前記カバー本体を人体に付ける留め紐とを含んでなることを特徴とする腹部カバー。
【請求項２】
前記下部の延長部に、前記上部の凹部と対向するハート形、角ばった形、∨形のいずれかの形状の凹部を形成することを特徴とする請求項１に記載の腹部カバー。
【請求項３】
前記下部の延長部は、人体の股及び陰部をカバー出来るよう下方に延長されたことを特徴とする請求項１に記載の腹部カバー。
【請求項４】
前記下部の延長部は、人体の股及び陰部をカバー出来るよう下方に延長されたことを特徴とする請求項２に記載の腹部カバー。
【請求項５】
前記留め紐は１本の紐で形成され、前記カバー本体に一体的に繋いだことを特徴とする請求項１記載の腹部カバー。
【請求項６】
前記留め紐の端部又は前記カバー本体の端部には、オス・メス一対の着脱可能なベルクロテープ又はスナップボタン、ホックのうちいずれか一つがついたことを特徴とする請求項１または５記載の腹部カバー。
【請求項７】
前記留め紐の端部又は前記カバー本体の端部には、一組の掛け合わせるボタン及びボタン穴が一つ以上ついたことを特徴とする請求項１または５記載の腹部カバー。
【請求項８】
前記ボタンはトーグルボタンで成り、前記留め紐の端部又は前記カバー本体の端部にはこのトーグルボタンが掛けられる受け部が具備されたことを特徴とする請求項７記載の腹部カバー。
【請求項９】
前記留め紐は、繊維材やゴム材、又は繊維材とゴム材との混合材のうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項１記載の腹部カバー。
【請求項１０】
前記留め紐は外皮が布からなり、その内側にはゴムバンドが陥入してなることを特徴とする請求項１または９記載の腹部カバー。
【請求項１１】
前記留め紐の外皮には弾性力を付与するためヒダ部が付けられたことを特徴とする請求項１０記載の腹部カバー。
【請求項１２】
前記カバー本体の片側又は両側端部には、一組の補助紐が繋がれ、この一組の補助紐が集められて前記留め紐が延長、繋げられたことを特徴とする請求項１記載の腹部カバー。
【請求項１３】
前記補助紐の一端は、前記カバー本体の各角より繋げられ、前記留め紐と繋げられるようにしたことを特徴とする請求項１２記載の腹部カバー。
【請求項１４】
前記カバー本体の周囲面に沿って枠部材が取り付けられたことを特徴とする請求項１記載の腹部カバー。
【請求項１５】
前記カバー本体の内部には保温材が具備されたことを特徴とする請求項１記載の腹部カバー。
【請求項１６】
前記保温材は、綿又は繊維、植物のうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項１５記載の腹部カバー。
【請求項１７】
人体のお腹部位を覆い使用する腹部カバーにおいて、
衣服と繋げられる着脱手段が片側に取り付けられたカバー本体と、
前記カバー本体の片側又は両側に取り付けられた留め紐とを含んでなることを特徴とする腹部カバー。
【請求項１８】
人体のお腹部位を覆い使用する腹部カバーにおいて、
衣服と一体となるように片側が衣服と繋げられたカバー本体と、
前記カバー本体の片側又は両側の端部に付いた留め紐とを含んでなることを特徴とする腹部カバー。
【請求項１９】
前記衣服は、ズボン、スカート、寝巻き、パンツのうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１７または１８記載の腹部カバー。
【請求項２０】
前記カバー本体は左右に開閉されるよう中央部が垂直方向に分かれていて、前記カバー本体の中央部には所定のロック手段が形成されたことを特徴とする請求項１８記載の腹部カバー。
【請求項２１】
前記ロック手段は、オス・メス１対の着脱可能なベルクロテープ又はボタン、スナップボタン、ホック、ジッパーのうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項２０記載の腹部カバー。
【請求項２２】
前記カバー本体の一面にはポケットが取り付けできることを特徴とする請求項１または１７または１９のいずれかに記載の腹部カバー。
【請求項２３】
前記カバー本体のポケット上部の内側には所定のロック手段が形成されたことを特徴とする請求項２２記載の腹部カバー。
【請求項２４】
前記ロック手段は、オス・メス一対の着脱可能なベルクロテープ又はボタン、スナップボタン、ホック、ジッパーのうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項２３記載の腹部カバー。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月31日(2007.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）
Ａ．１  ５〜９５重量％の少なくとも１つのビニルモノマーと、
Ａ．２  ９５〜５重量％の、＜１０℃のガラス転移温度を有する１以上のグラフトベースとの
グラフトポリマーと、
Ｂ）式（Ｉ）
【化１】
2007515528.tif 000001
（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は互いに独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルまたは５−または６−員環を表す）のラクトンと、任意に
Ｃ）
Ｃ．１  式（ＩＩ）
【化２】
2007515528.tif 000002
（ここで、Ｒは、ＨまたはＣ１〜Ｃ９−アルキル、Ｃ５〜Ｃ６−シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ９−アラルキルまたはＣ６〜Ｃ１０−アリールを表し、
Ｒ５およびＲ６は同じまたは異なっており、Ｃ１〜Ｃ９−アルキル、Ｃ５〜Ｃ６−シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ９−アラルキルまたはＣ６〜Ｃ１０−アリールを表し、
Ｘは、−Ｓ−またはＲ７−ＣＨを表し、ここでＲ７は水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルまたはＣ５〜Ｃ６−シクロアルキルを表す）
の亜リン酸エステル、
Ｃ．２  式（ＩＩＩ）
【化３】
2007515528.tif 000003
（ここで、Ｒ７およびＲ８は互いに独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルまたは５−または６−員環を表し、
ｎは１〜４の整数を表し、
Ａ１およびＡ２は互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレンを表し、
Ｒは互いに独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシまたは５−または６−員環を表す）
の立体障害フェノール、
Ｃ．３  式（ＩＶ）
【化４】
2007515528.tif 000004
（ここで、Ｒ９およびＲ１０は互いに独立して、水素またはＣ１〜Ｃ６−アルキル、任意に５−または６−員環を表し、
ｘおよびｙは互いに独立して、０、１、２、３、４、５を表し、
ｎは１または２を表す）
のホスフィト、
からなる群から選択される少なくとも１つの化合物と、任意に
Ｄ）ポリカーボネートおよび／またはポリエステルカーボネート
Ｅ）ビニル（コ）ポリマー
Ｆ）難燃剤
Ｇ）添加剤
の群の少なくとも１つのから選択されるさらなる成分
とを含有する組成物。
【請求項２】
Ａ）２〜５０重量部の成分Ａ）のグラフトポリマーと、
Ｂ）０．０１〜１重量部の式（Ｉ）のラクトンと、
Ｃ）０．０１〜２重量部の式（ＩＩ）の亜リン酸エステルと、
Ｄ）２０〜９８重量部のポリ（エステル）カーボネートと、
Ｅ）０〜４０重量部のビニル（コ）ポリマーと、
Ｆ）０〜２０重量部の難燃剤と、
Ｇ）０〜２重量部のドリッピング防止剤とを
含有する請求項１記載の組成物。
【請求項３】
Ａ．１．１  ５０〜９９重量％の、ビニル芳香族化合物、環上で置換されたビニル芳香族化合物およびメタクリル酸（Ｃ１〜Ｃ８）−アルキルエステルからなる群から選択される少なくとも１つのモノマーと、
Ａ．１．２  １〜５０重量％の、ビニルシアニド、（メタ）アクリル酸（Ｃ１〜Ｃ８）−アルキルエステルおよび不飽和カルボン酸の誘導体からなる群から選択される少なくとも１つのモノマーとの
重合によって得られるグラフトポリマーを含有する請求項１または２記載の組成物。
【請求項４】
成形品の製造における請求項１〜３のいずれかに記載の組成物の使用。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の組成物から得られる成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月2日(2007.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲーム機器においてセキュリティを提供する方法であって、
前記ゲーム機器内のロックにおいて機械キーを受け入れるステップ、
前記キーから標識の第１ソースを読み取るステップであって、標識の前記第１ソースは前記ロックに固有の情報またはデータを備える、ステップ、
前記キーから標識の第２ソースを読み取るステップであって、標識の前記第２ソースは前記キーの１人以上のユーザに固有の情報を備える、ステップ、
標識の前記第１および第２ソースの読み取りに基づいて前記キーの使用を許可するステップ、および
前記キーアクセス可能な環境へのアクセスを許すステップ
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、標識の前記第１ソースは、前記キーの１つ以上の物理的特徴を備える方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記キーの前記１つ以上の物理的特徴は、前記キーの物理的形状、前記キーの溝構成、前記キーのエッジ処理の少なくとも一部からなるグループから選択される少なくとも１つのアイテムを備える方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法であって、
その他のステップに関連付けられる１つ以上のパラメータを反映するライブデータをキャプチャするステップをさらに含む方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の方法であって、前記キーの１人以上のユーザに固有の前記情報は、前記１人以上のユーザについての生体計測情報を備える方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記生体計測情報は、指紋関連情報を備える方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、前記生体計測情報は、顔認識、音声認識、および網膜スキャンからなるグループから選択される少なくとも１つのアイテムを備える方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法であって、前記キーの１人以上のユーザに固有の前記情報は、１つ以上の許可されたユーザＩＤ内に含まれる方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
以前に許可されたユーザＩＤを取り消すステップをさらに含む方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の方法であって、
１つ以上の追加のファクタに基づいて前記キーアクセス可能な環境に選択的にアクセスを制限するステップをさらに含む方法。
【請求項１１】
ゲーム機器であって、
少なくとも１つのキーアクセス可能な領域、および
前記キーアクセス可能な領域をセキュアにする電子機械ロックであって、前記電子機械ロックは、標識の正しい第１ソースを有する機械キーが前記ロックに挿入され、許可信号が前記機械キーの前記ユーザについての標識の正しい第２ソースの確認に基づいて提供されない限り、前記キーアクセス可能な領域へのアクセスを拒否するよう構成される、電子機械ロック
を備えるゲーム機器。
【請求項１２】
請求項１１に記載のゲーム機器であって、標識の前記第１ソースは、前記キーの物理的形状、前記キーの溝構成、前記キーのエッジ処理の少なくとも一部からなるグループから選択される少なくとも１つのアイテムを備えるゲーム機器。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載のゲーム機器であって、標識の前記第２ソースは、前記機械キーの前記ユーザについての生体計測情報を備えるゲーム機器。
【請求項１４】
請求項１３に記載のゲーム機器であって、前記生体計測情報は、指紋関連情報を備えるゲーム機器。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずれかに記載のゲーム機器であって、標識の前記第２ソースは、アクティブなＰＩＮ認証の使用を伴うゲーム機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）テトラフルオロエチレンモノマーから一部が誘導された骨格と、式−ＳＯ2Ｘ（式中、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＨまたは−Ｏ-Ｍ+であり、ここでＭ+は一価のカチオンである）に従う基を含む第１のペンダント基と、Ｂｒ、ＣｌおよびＩからなる群から選択されるハロゲン原子を含む第２のペンダント基とを含む高フッ素化フルオロポリマーを提供するステップと、
ｂ）前記フルオロポリマーを１Ｍｒａｄよりも大きい電子ビーム放射線に曝露して、架橋の形成をもたらすステップと、
を含む架橋ポリマーの製造方法。
【請求項２】
前記方法が、前記ステップｂ）の前に、
ｃ）前記フルオロポリマーを膜に形成するステップ
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７８】
１９０℃において５０，０００ポアズより高いゼロ剪断溶融粘度を有する請求項７１又は７７に記載のブレンド。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超微細サブミクロン粒子チタニウムまたはチタニウム合金製品を製造する方法であって、
第１粒子径を持つ、粗い粒子状チタニウムまたはチタニウム合金材料を提供するステップと、
該粗い粒子状チタニウムまたはチタニウム合金材料を低温でミル加工し、前記第１粒子径より小さい第２粒子径を持つ超微細サブミクロン粒子材料とするステップと、
該超微細サブミクロン粒子チタニウムまたはチタニウム合金材料をガス抜きするステップと、
該超微細サブミクロン粒子材料を緻密化し、緻密化された超微粒子材料を成形するステップと、
該緻密化された超微細サブミクロン粒子チタニウムまたはチタニウム合金材料から製品を成形するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記超微細サブミクロンの第２粒子径の材料が、ナノ結晶性の範囲内にある、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記超微細サブミクロン粒子材料を緻密化して緻密化超微細サブミクロン粒子材料を成形するステップが、該超微細サブミクロン粒子材料を熱間静圧圧縮成形し、緻密化超微細サブミクロン粒子材料を成形するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記超微細サブミクロン粒子材料を緻密化して緻密化超微細サブミクロン粒子材料を成形するステップが、該超微細サブミクロン粒子材料をセラコン型鍛造圧密化し、緻密化超微細サブミクロン粒子材料を成形するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記チタニウム合金材料が、β−Ｔｉ−Ｍｏおよびα−Ｔｉ−Ａｌのような２成分系チタニウム組成物からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ミル加工が、
前記チタニウムまたはチタニウム合金材料を低温ミル加工装置の撹拌チャンバーに導入するステップと、
該チタニウムまたはチタニウム合金材料を、前記粗い粒子状チタニウムまたはチタニウム合金材料に機械的変形を与え、該チタニウムまたはチタニウム合金材料に関し超微細サブミクロン粒子構造を成形するために充分な所定の時間、ミル加工手段と接触させるステップと、
該超微細サブミクロン粒子チタニウムまたはチタニウム合金材料を、出口を通してまたは他の方法で前記撹拌チャンバーから取り出すステップとを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記超微細サブミクロン粒子チタニウムまたはチタニウム合金材料から製品を機械的に成形するステップが、該超微細サブミクロン粒子チタニウムまたはチタニウム合金材料から製品を冷間加工するステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
さらに、前記チタニウムまたはチタニウム合金材料を液体水素温度付近に冷却することを含む、請求項６記載の方法。
【請求項９】
ミル加工が、ステアリン酸添加物とともにミル加工することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
さらに、
前記超微細サブミクロン粒子チタニウムまたはチタニウム合金材料を機械的成形型の、締結部材または他の締結製品あるいは装置の一般的な形状を持つ空洞内に導入するステップと、
該超微細サブミクロン粒子チタニウムまたはチタニウム合金材料を切断するステップと、切断した超微細サブミクロン粒子チタニウムまたはチタニウム合金材料を前記冷間成形型から取り出すステップとを含む、請求項５記載の方法。
【請求項１１】
さらに、前記切断された超微細サブミクロン粒子チタニウムまたはチタニウム合金材料を、人工的に寝かせることを含む、請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月1日(2007.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェブ・サービス・インターメディアリ用のポート・タイプ不可知プロキシ・サポートの方法であって、ウェ ブ・サービス・インターメディアリでウェブ・サービス操作の実行に関する要求を受信することであって、前記要求は、前記操作をサポートするターゲット・
サービスのエンドポイントをそれから識別できるパラメータ情報を含むことと、前記パラメータ情報に応じて、前記操作をサポートするターゲット・サービスの 前記エンドポイントを識別することと、前記ターゲット・サービスの前記操作の実行に関するターゲット・サービス要求を作成することと、前記ターゲット・
サービス要求を前記ターゲット・サービスに発行することとを含む方法。
【請求項２】
ウェブ・サービス・インターメディアリ用のポート・タイプ不可知プロキシ・サポートのシステムであって、 ウェブ・サービス・インターメディアリでウェブ・サービス操作の実行に関する要求を受信する手段であって、前記要求は、前記操作をサポートするターゲッ
ト・サービスのエンドポイントをそれから識別できるパラメータ情報を含む、手段と、前記パラメータ情報に応じて、前記操作をサポートするターゲット・サー ビスの前記エンドポイントを識別する手段と、前記ターゲット・サービスの前記操作の実行に関するターゲット・サービス要求を作成する手段と、前記ターゲッ
ト・サービス要求を前記ターゲット・サービスに発行する手段とを含むシステム。
【請求項３】
前記要求が同期応答を必要とするかどうかを判定する手段と、前記要求が同期応答を必要とする場合に前記ターゲット・サービスからの応答を待つ手段とを含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記要求が同期応答を必要とするかどうかを判定する手段が、前記要求が同期応答を必要とするかどうかを前記パラメータ情報に応じて判定する手段を含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記ターゲット・サービスの前記操作の実行に関するターゲット・サービス要求を作成する手段が、さらに、前記要求が同期応答を必要とするかどうかの判定に応じて前記ターゲット・サービス要求を作成する手段を含む、請求項３または４に記載のシステム。
【請求項６】
前記要求が、同期応答を必要とせず、前記システムが、さらに、前記ターゲット・サービス要求の肯定応答を前 記ターゲット・サービスから受信する手段と、応答メッセージを待たずに前記肯定応答をリクエスタに返す手段とを含む、請求項３、４、または５に記載
のシステム。
【請求項７】
前記ターゲット・サービスからの応答を待つ手段が、さらに、前記ターゲット・サービスからの応答を前記イン ターメディアリで同期式に受信する手段と、前記インターメディアリで、前記ターゲット・サービスからの前記応答に応じて、前記インターメディアリからの応
答を作成する手段と、前記インターメディアリからの前記応答をリクエスタに返す手段とを含む、請求項３、４、５、または６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ターゲット・サービスからの応答を前記インターメディアリで同期式に受信する手段が、さらに、前記インターメディアリと前記ターゲット・サービスとの間のデータ通信接続に対してブロッキング受信関数を呼び出す手段を含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
作成され、前記ターゲット・サービスに発行される前記ターゲット・サービス要求が、前記ウェブ・サービス・インターメディアリで受信された前記要求の検査されず変更されないメッセージ内容を有する、請求項２ないし８のいずれかに記載のシステム。
【請求項１０】
前記操作をサポートするエンドポイントとして、前記ウェブ・サービス・インターメディアリのエンドポイントをリクエスタに識別する手段をさらに含む、請求項２ないし９のいずれかに記載のシステム。
【請求項１１】
前記パラメータ情報が、前記操作のポート・タイプを含む、請求項２ないし１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１２】
前記パラメータ情報に応じて、前記操作をサポートするターゲット・サービスの前記エンドポイントを識別する 手段が、さらに、前記パラメータ情報に応じて、前記操作をサポートするターゲット・サービスの複数のエンドポイントを識別する手段と、選択ルールに従って
前記複数のエンドポイントから１つのエンドポイントを選択する手段とを含む、請求項２ないし１１のいずれかに記載のシステム。
【請求項１３】
前記パラメータ情報が、前記操作のポート・タイプを含み、前記パラメータ情報に応じて、前記操作をサポート するターゲット・サービスの複数のエンドポイントを識別する手段が、前記ポート・タイプに応じて、前記ポート・タイプに関する複数のターゲット・サービス
をレジストリから識別する手段を含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記複数のエンドポイントから１つのエンドポイントを選択する手段が、さらに、ターゲット・サービスの間の負荷平衡化に関する選択ルールに従って前記複数のエンドポイントから１つのエンドポイントを選択する手段を含む、請求項１２または１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ターゲット・サービスの前記操作の実行に関するターゲット・サービス要求を作成する手段が、前記要求を バインディング中立インターフェースで有用なデータ構造に構成する手段と、前記要求を呼出しパラメータとして渡して前記バインディング中立インターフェー
スを呼び出す手段とを含む、請求項２ないし１４のいずれかに記載のシステム。
【請求項１６】
前記ターゲット・サービスに前記ターゲット・サービス要求を発行する手段が、バインディング中立インターフェースの１つまたは複数のメンバ・メソッドを呼び出す手段を含む、請求項２ないし１５のいずれかに記載のシステム。
【請求項１７】
前記インターメディアリで前記ターゲット・サービスからの応答を受信する手段と、前記インターメディアリ で、前記ターゲット・サービスからの前記応答に応じて、前記インターメディアリからの応答を作成する手段と、前記インターメディアリからの前記応答を前記
要求するクライアントに返す手段とをさらに含む、請求項２ないし１６のいずれかに記載のシステム。
【請求項１８】
コンピュータに、ウェブ・サービス・インターメディアリ用のポート・タイプ不可知プロキシ・サポートを実行させるためのプログ ラムであって、
前記コンピュータを、ウェブ・サービス・インターメディアリでウェブ・サービス操作の実行に関する要求を受信する手段 であって、前記要求は、前記操作をサポートするターゲット・サービスのエンドポイントをそれから識別できるパラメータ情報を含む、手段と、前記パラメータ情報に応じて、前記操作をサポートするターゲット・サービスの前記エンドポイントを識別する手段と、前記ターゲット・サービスの前記操作の実行に関するターゲット・サービス要求を作成する手段と、前記ターゲット・サービス要求を前
記ターゲット・サービスに発行する手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラントワイド電力バスを有する産業プラントで用いられるフィールドデバイスであって、
該フィールドデバイスが、
ハウジングと、
ハウジング内に配置された回路と、
を備え、該回路が、
制御／監視センタとワイヤレス通信するためのワイヤレストランシーバと、
変換器と、
電力を前記プラントワイド電力バスから前記ワイヤレストランシーバ及び前記変換器に供給するためのプラントワイド電力バスに接続可能な電気端子と、
を備え、
前記電力バスが、前記制御／監視センターと前記フィールドデバイス間のいかなる通信信号伝送経路を含まず、かつそれから分離されていることを特徴とする、フィールドデバイス。
【請求項２】
前記プラントワイド電力バスが交流又は直流回路である、請求項１記載のフィールドデバイス。
【請求項３】
更に、前記回路を接地するためのアース接続を備える、請求項１記載のフィールドデバイス。
【請求項４】
更に、電力を前記変換器及び／又はアクチュエータと、ワイヤレストランシーバとに供給するための前記電気端子に接続された電力供給回路を備え、
前記電力バスが、該フィールドデバイスへの又はフィールドデバイスからのいかなる通信信号経路を含まず、かつそれから分離している、請求項１記載のフィールドデバイス。
【請求項５】
単線のプラントワイド電力バスと、
複数のワイヤレスフィールドデバイスとを備える分散型フィールドデバイスであって、
各ワイヤレスフィールドデバイスが請求項１記載のフィールドデバイスである、分散型フィールドデバイス。
【請求項６】
前記複数のワイヤレスフィールドデバイスの各々が、電気的に接地されている、請求項５記載の分散型フィールドデバイス。
【請求項７】
産業プラント内における分散型の制御／監視システムであって、該システムが、
制御／監視センターと、
産業プラント内に設けられた複数のフィールドデバイスであって、前記制御／監視センタへの及び互いの、配線接続された通信リンクを有しておらず、各フィールドデバイスが請求項１記載のフィールドデバイスである、複数のフィールドデバイスと、
電力を各フィールドデバイスに供給するプラントワイド電力バスと、
を備え、電力バスが、前記制御／監視センターと前記フィールドデバイスとの間のいかなる通信信号経路を含まず、且つそれから分離している、分散型制御／監視システム。
【請求項８】
前記複数のフィールドデバイスの各々が、前記制御／監視センターとワイヤレスに通信する、請求項７記載の分散型制御／監視システム。
【請求項９】
請求項７記載の分散型制御／監視システムであって、前記複数のフィールドデバイスのいくつかが群れをなして互いに近接して配置されており、前記システムが、
一群のフィールドデバイスへ供給される電力を制御するためのプラントワイド電力バスに接続された電力回路を備える、分散型制御／監視システム。
【請求項１０】
少なくとも１つのフィールドデバイスが、更に、前記プラントワイド電力バスからの既存の交流又は直流電圧を前記フィールドデバイスへ供給するための電圧に降圧する電力調整回路を備える、請求項７記載の分散型制御／監視システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成され、前記第１の電極よりも小さい表面粗度を有する第１の導電性平滑化層と、
前記第１の導電性平滑化層上に形成された誘電体層と、
前記誘電体層上に形成された第２の電極と
を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１の導電性平滑化層はチタンリッチ窒化物からなる半導体装置。
【請求項３】
導電層と、
前記導電層と接触するように形成され、前記導電層よりも小さい表面粗度を有する平滑化層と、
前記平滑化層と接触するように形成された誘電体層と
を有する半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、金属からなる第１の層とその第１の層上に第２の層とを備え、前記第２の層が難溶性窒化物からなる第１の電極と、
前記第１の電極上に形成され、チタンリッチ窒化物からなる前記第１の平滑化層と、
前記第１の平滑化層上に形成された誘電体層と、
前記誘電体層上に形成され、難溶性窒化物からなる第３の層とその第３の層上に第４の層とを備え、前記第４の層が金属からなる第２の電極と
を有する半導体装置。
【請求項５】
半導体装置の形成方法において、
半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板上に第１の電極を形成するステップと、
前記第１の電極上に第１の導電性平滑化層を形成するステップであって、前記第１の平滑化層が前記第１の電極よりも低い表面粗度を有するステップと、
前記第１の平滑化層上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層上に第２の電極を形成するステップと
を有する方法。