【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板の処理に有用なガス分配システムであって、
支持体と、
ガス分配チャンバと、
加圧プロセス・ガスがそこを通って前記ガス分配チャンバ内に流入するガス供給入口と、
プラズマ・チャンバのシャワーヘッド電極であるシャワーヘッドであって、前記ガス分配チャンバ中の加圧プロセス・ガスが、当該シャワーヘッドの裏側に圧力を加え、この裏側と当該シャワーヘッドの反対側の面との間に延びる開口を通って流れるように、前記支持体によって支持されたシャワーヘッドと、
前記ガス分配チャンバ内にあって、前記シャワーヘッドの前記裏側で所望のガスの圧力分布を得る効果がある起伏面と、
を備えるガス分配システム。
【請求項２】  前記起伏面が、貫通した開口を有するバッフル・プレートの平坦でない上面および／または下面を含み、前記ガス分配チャンバが、前記バッフル・プレートの上方の上部プレナムと、前記バッフル・プレートの下方の下部プレナムを備える請求項１に記載のガス分配システム。
【請求項３】  前記起伏面が、前記支持体の平坦でない下面であり、前記ガス分配チャンバが、前記起伏面と前記シャワーヘッドの裏側との間に空間を備える請求項１に記載のガス分配システム。
【請求項４】  前記ガス入口が、前記バッフル・プレートと対向する平坦な面の中心開口を通ってプロセス・ガスを供給し、前記バッフル・プレートの厚さが前記バッフル・プレートの中心部でより大きく、前記バッフル・プレートの周辺部でより小さい請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項５】  前記ガス入口が、前記上部プレナムの周辺部に開口した入口を通ってプロセス・ガスを供給し、前記バッフル・プレートの厚さが前記バッフル・プレートの中心部でより小さく、前記バッフル・プレートの周辺部でより大きい請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項６】  前記バッフル・プレートが、前記上面と前記下面との間に延びる均一な寸法の開口を有し、これらの開口の長さが前記バッフル・プレートの中心部でより長く、前記バッフル・プレートの周辺部でより短い請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項７】  前記バッフル・プレートが、前記上面と前記下面との間に延びる均一な寸法の開口を有し、これらの開口の長さが前記バッフル・プレートの中心部でより短く、前記バッフル・プレートの周辺部でより長い請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項８】  前記ガス入口が、前記支持体の前記下面の中心開口を通ってプロセス・ガスを供給し、前記空間がその中心部でより小さく、その周辺部でより大きい請求項３に記載のガス分配システム。
【請求項９】  前記ガス入口が、前記空間の周辺部に開口する環状チャネルを通してプロセス・ガスを供給し、前記シャワーヘッドが、前記空間の周辺部で前記起伏面のより近くに配置され、前記空間の中心部で前記起伏面からより離れて配置される請求項３に記載のガス分配システム。
【請求項１０】  前記支持体が、冷媒がその中を循環できる少なくとも１つの冷媒チャネルを備える請求項１に記載のガス分配システム。
【請求項１１】  前記起伏面が、前記支持体と一体になったバッフル部分の平坦でない上面および／または下面であり、前記ガス分配チャンバは、前記バッフル部分の上方の上部プレナム、および、前記バッフル部分の下方の下部プレナムを備え、前記上部プレナムは、前記支持体の上部側壁と前記上部側壁をシールするカバー・プレートとで密閉され、前記下部プレナムは、前記支持体の下部側壁と前記下部側壁をシールするシャワーヘッドとで密閉される請求項１に記載のガス分配システム。
【請求項１２】  前記支持体が、前記バッフル・プレートを通って流れるプロセス・ガスを供給する、第２のガス供給入口を備える請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項１３】  前記開口が同一の直径を有し、前記開口の長さが前記ガス供給入口から離れた位置になるほど次第に短くなる請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項１４】  前記開口が前記ガス供給入口から離れた位置になるほど次第に大きくなる請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項１５】  前記バッフル・プレートが円錐形であり、前記開口が同一の直径を有し、前記開口が前記バッフル・プレートを貫通する長さが異なる請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項１６】  前記開口の直径が、前記バッフル・プレートの周辺部において前記バッフル・プレートの中心領域付近よりも大きい、請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項１７】  少なくとも一部の前記開口の直径が、前記開口の長さに沿って変化する請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項１８】  少なくとも一部の流出口にテーパーが付いている請求項２に記載のガス分配システム。
【請求項１９】  反応チャンバ内で基板を処理する方法であって、ガス分配システムが、ガス供給入口を有する支持部材と、前記ガス供給入口からのガスが当該バッフル・プレート中の幾何形状が制御された開口を通って流れるように構成された不均一な厚さのバッフル・プレートと、前記バッフル・プレートを通って流れるガスが当該シャワーヘッドの開口を通過するように前記支持部材で支持されたシャワーヘッドとを備え、前記方法が、
半導体基板を前記反応チャンバに供給すること、
前記バッフル・プレートの上方の前記ガス供給入口を通してプロセス・ガスを流し、プロセス・ガスが、前記バッフル・プレートの下側の流出口で所望のガス圧力分布を有するように幾何形状が制御された開口を通過し、その後、プロセス・ガスが前記シャワーヘッドを通って前記半導体基板の上方の領域に入ること、および
プロセス・ガスで前記半導体基板を処理することを含む方法。
【請求項２０】  前記ガス供給入口が前記支持部材と前記バッフル・プレートの間のプレナムの中心部に位置し、前記バッフル・プレートが、円錐形の形状であり、直径が均一で、その長さが前記バッフル・プレートの中心から端に向かって次第に短くなる開口を有し、前記シャワーヘッドが、その中を通過するプロセス・ガスをプラズマ状態に励起するシャワーヘッド電極であり、前記ガス圧力分布が前記バッフル・プレートの底面全域にわたって均一である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  さらに、プロセス・ガスが前記半導体基板の露出表面に接触してプラズマを生成するように前記シャワーヘッド電極にＲＦ電力を供給することにより、前記半導体基板上の層をエッチングすることを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】  前記半導体基板がシリコン・ウェーハを含み、前記方法が、前記ウェーハ上の誘電性、半導体または導電性材料層をドライ・エッチングすることを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】  前記半導体基板上に材料層を堆積することを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】  前記シャワーヘッドがシャワーヘッド電極を備え、前記支持部材が温度制御された部材を備え、前記方法が、前記温度制御された部材中に冷媒を通過させることにより前記シャワーヘッド電極から熱を取り去ることを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】  前記基板上の誘電層の露出部分を貫通して、前記基板上の導電層または半導体層まで開口をエッチングすることを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】  エッチング・ステップが、ダマシン構造を製作するプロセスの一部として実施される請求項２５に記載の方法。