Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  膵臓障害を処置するための医薬組成物であって、神経毒を含有し、内分泌性および／または外分泌性膵臓組織に神経毒を局所投与し、それによって膵臓障害を処置するための組成物。
【請求項２】  神経毒を約10-3U/kg〜約35U/kgの量で投与する請求項1に記載の組成物。
【請求項３】  神経毒を約10-2U/kg〜約25U/kgの量で投与する請求項1に記載の組成物。
【請求項４】  神経毒を約10-2U/kg〜約15U/kgの量で投与する請求項1に記載の組成物。
【請求項５】  神経毒を約1U/kg〜約10U/kgの量で投与する請求項1に記載の組成物。
【請求項６】  神経毒がクロストリジウム属細菌によって産生される請求項1に記載の組成物。
【請求項７】  神経毒が、ボツリヌス菌（Clostridium botulinum）、クロストリジウム・ブチリカム（Clostridium butyricum）、クロストリジウム・ベラティ（Clostridium beratti）からなる群から選択される細菌によって産生される請求項1に記載の組成物。
【請求項８】  神経毒が修飾型神経毒である請求項1に記載の組成物。
【請求項９】  神経毒は、天然神経毒と比較して、そのアミノ酸の少なくとも1つが欠失、修飾または置換されている請求項1に記載の組成物。
【請求項１０】  神経毒が組換え生産された神経毒またはその誘導体もしくは断片である請求項1に記載の組成物。
【請求項１１】  膵臓障害が膵炎である請求項1に記載の組成物。
【請求項１２】  膵臓障害が高インスリン症である請求項1に記載の組成物。
【請求項１３】  神経毒がボツリヌス毒素である請求項1に記載の組成物。
【請求項１４】  ボツリヌス毒素を、A型、B型、C1型、D型、E型、F型およびG型のボツリヌス毒素からなる群から選択する請求項1に記載の組成物。
【請求項１５】  神経毒がA型ボツリヌス毒素である請求項1に記載の組成物。
【請求項１６】  膵臓への直接注射によって局所投与する請求項1に記載の組成物。
【請求項１７】  膵臓障害を処置するための医薬組成物であって、ボツリヌス毒素を含有し、処置に効果的な量のボツリヌス毒素をヒト患者の内分泌性および／または外分泌性膵臓組織に注射し、それによって膵臓細胞からの分泌を低下させ、膵臓障害を処置するための組成物。
【請求項１８】  分泌が膵外分泌である請求項17に記載の組成物。
【請求項１９】  膵臓障害が膵炎である請求項18に記載の組成物。
【請求項２０】  分泌が膵内分泌である請求項17に記載の組成物。
【請求項２１】  膵臓障害が高インスリン症である請求項20に記載の組成物。
【請求項２２】 膵尾に注射する請求項20に記載の組成物。
【請求項２３】  分泌がコリン作動性の影響を受けた分泌である請求項17に記載の組成物。
【請求項２４】  ボツリヌス毒素がA型ボツリヌス毒素である請求項17に記載の組成物。
【請求項２５】  ボツリヌス毒素を、A型、B型、C型、D型、E型、F型およびG型のボツリヌス毒素からなる群から選択する請求項17に記載の組成物。
【請求項２６】  ヒト患者の膵臓障害を処置するための医薬組成物であって、A型ボツリヌス毒素を含有し、A型ボツリヌス毒素を、ヒト患者のコリン作動性の影響を受けた膵臓組織に局所投与し、それによって膵臓組織からのコリン作動性の影響を受けた分泌を低下させ、膵臓障害を処置するための組成物。
【請求項２７】  低血糖性高インスリン症を処置するための医薬組成物であって、A型ボツリヌス毒素を含有し、処置に効果的な量のA型ボツリヌス毒素を、ヒト患者のコリン作動性神経系の影響を受けた膵臓組織に注射し、それによって膵臓組織からのコリン作動性の影響を受けたインスリン分泌を低下させ、低血糖性高インスリン症を処置するための組成物。
【請求項２８】  高血糖性高グルカゴン症を処置するための医薬組成物であって、A型ボツリヌス毒素を含有し、A型ボツリヌス毒素を、ヒト患者のコリン作動性神経系の影響を受けた膵臓組織に注射し、それによって膵臓組織からのコリン作動性の影響を受けたグルカゴン分泌を低下させ、高血糖性高グルカゴン症を処置するための組成物。
【請求項２９】  膵炎に関連する疼痛を処置するための医薬組成物であって、ボツリヌス毒素を含有し、患者の内分泌性および／または外分泌性膵臓組織にボツリヌス毒素を局所投与し、それによって膵炎に関連する疼痛を軽減させるための組成物。
【請求項３０】  膵臓障害を処置し、患者機能を改善するための医薬組成物であって、ボツリヌス毒素を含有し、ヒト患者の内分泌性および／または外分泌性膵臓組織にボツリヌス毒素を局所投与し、それによって、疼痛の軽減、臥床時間の短縮、治癒改善、および歩行運動の増大という要因の1つまたはそれ以上の改善によって決定されるような患者機能の改善をもたらすための組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】再帰反射性物品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  最終物品の第１主面から距離ｙｎに中立軸線を有し、また予想される曲げ半径（ｒ）を有する可撓性基材に取り付けるために適合された再帰反射性物品であって、
細長いキャリアと、
前記細長いキャリア上に配設された再帰反射性シートの複数の別個のセグメント（長さｌ）とを具備し、
前記別個のセグメントが少なくとも距離
【数１】
2003519400.tif 000001
だけ離間される、再帰反射性物品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月14日(2006.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上のアドレス指定可能な能動素子の配列を含み、選択的に前記配列のそれぞれの第１の電極に通電する半導体能動バックプレインであって、前記第１の電極の下の領域の少なくとも一部は、使用中に逆バイアス容量性ダイオードとして機能する空乏領域に形成される半導体能動バックプレインにおいて、少なくとも１つの電荷捕捉インプラントが、前記空乏領域に隣接しているが間隔を置いて設置されることを特徴とする半導体能動バックプレイン。
【請求項２】  半導体基板上のアドレス指定可能な能動素子の配列を含み、選択的に前記配列のそれぞれの第１の電極に通電する半導体能動バックプレインであって、前記第１の電極の下の領域の少なくとも一部は、使用中に逆バイアス容量性ダイオードとして機能する空乏領域に形成される半導体能動バックプレインにおいて、ガードリングが、電荷担体が前記空乏領域と前記基板の残りの間を交差するのを防止または阻止するために、前記空乏領域の周辺部上にまたは周辺部の周りに設置されることを特徴とする半導体能動バックプレイン。
【請求項３】  単一のトランジスタによって設置される前記配列の各位置に単一の能動素子があることを特徴とする請求項１乃至２のうちのいずれか１つに記載の半導体能動バックプレイン。
【請求項４】  前記能動素子がＭＯＳ構造を有することを特徴とする請求項１乃至３のうちのいずれか１つに記載の半導体能動バックプレイン。
【請求項５】  実質的にそれぞれの能動素子全体が、金属導体または金属導体対によって覆われていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体能動バックプレイン。
【請求項６】  それぞれの第１の電極に通電するための半導体基板上のアドレス指定可能な能動素子の配列、および第１と第２の直交した組のアドレス指定導体を備え、各組から１つのそれぞれの対のアドレス指定導体が、対応する能動素子のアドレス指定に関連する半導体能動バックプレインであって、実質的にそれぞれの能動素子全体が、金属導体の形態の前記アドレス指定導体によって覆われている半導体能動バックプレイン。
【請求項７】  それぞれの第１の電極に通電するための半導体基板上のアドレス指定可能な能動素子の配列、および第１と第２の直交した組のアドレス指定導体を備え、各組から１つのそれぞれの対のアドレス指定導体が、対応する能動素子のアドレス指定に関連する半導体能動バックプレインであって、実質的にそれぞれの素子全体が、金属導体の形態の前記対のアドレス指定導体によって覆われている半導体能動バックプレイン。
【請求項８】  前記能動素子の配列が絶縁層によって覆われており、それぞれの前記能動素子は前記絶縁層上の金属電極に接続され、このようにして形成された前記金属電極の前記配列が前記配列の面積の６５％より大きい範囲を覆うことを特徴とする請求項１乃至７のうちのいずれか１つに記載のバックプレイン。
【請求項９】  前記金属電極の前記配列が、アドレス指定可能な能動素子の前記配列の領域の８０％より大きい範囲を覆うことを特徴とする請求項８に記載のバックプレイン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
（背景技術）
好ましい実施形態に関連して本明細書で特に説明する装置は、能動半導体バックプレインと共通の前部電極の間に配置されるスメクチック液晶層の形態である空間光変調器である。これは、ディスプレイ装置ばかりでなく、相関関係やホログラフィックな切り換えなどの他の形式の光学的処理に向けた潜在的用途がある、比較的多くの画素を備える高速で、できれば廉価な空間光変調器の要求に対応して開発されたものである。同一の出願および優先権主張日（参考：ＧＢ９８２７５９２．４の優先権主張であるＰＣＴ／ＧＢ９９／０４２８５（代理人整理番号Ｐ２０９５７ＷＯ）、共にＧＢ９８２７９６５．６の優先権主張であるＰＣＴ／ＧＢ９９／０４２８６およびＰＣＴ／ＧＢ９９／０４２７６（代理人整理番号Ｐ２０９５８Ｗ０およびＰ２０９５８ＷＯ１）、ＧＢ９８２７９００．３の優先権主張であるＰＣＴ／ＧＢ９９／０４２８２（代理人整理番号Ｐ２０９５９ＷＯ）、ＧＢ９８２７９６４．９の優先権主張であるＰＣＴ／ＧＢ９９／０４２７４（代理人整理番号Ｐ２０９６１ＷＯ）、ＧＢ９８２７９４５．８の優先権主張であるＰＣＴ／ＧＢ９９／０４２７５（代理人整理番号Ｐ２０９６２ＷＯ）、共にＧＢ９８２７９４４．１の優先権主張であるＰＣＴ／ＧＢ９９／０４２６０およびＰＣＴ／ＧＢ９９／０４２７７（代理人整理番号Ｐ２０９６３Ｗ０およびＰ２０９６３ＷＯ１））をもつ我々の係属中の国際特許出願は、空間光変調器に関連する他の発明の態様に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
スペーサは、金属層を含むが、前部電極と能動バックプレインの間で良好な絶縁を行う。この様にして絶縁スペーサを形成することによって、バックプレイン上の他の要素に対して絶縁スペーサを正確に配置させることが可能であり、その結果、光学的または電気的特性に対する干渉が回避される。同一の製造方法を使用してバックプレインの能動要素およびその他の要素としてスペーサを製作することによって、費用と効率に関して利点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ピクセル化された複数レベル・イメージを定義する信号がメモリ内の複数の２進値ストリングにより定義され、前記ストリングがそれぞれの重み付けに関連付けされていて、そしてデジタル化されたピクセル的強度分布に各々が対応するそれぞれのビットプレーンを定義し、複数のビットプレーンの全てにわたって重み付けられたピクセル的強度分布が前記複数レベル・イメージに対応している、イメージ信号処理方法において、
前記ストリングが、メモリ内の順番の位置に、重み付けの減少する順番で、記憶されていて、そしてこの方法は記憶されたストリングから読出しサイクルの一連を作るステップを含み、各読出しサイクルは、最高の重み付けのストリングから開始し、記憶された順番で記憶された１つ又は複数のストリングを読み出すことからなり、読出しサイクル中に読み出されるストリングの数は、読出しサイクルの前記一連の終わりにおいて、各ストリングがその関連した重み付けに比例した回数、読み出されるように変更されることを特徴とする方法。
【請求項２】  前記複数レベル・イメージが、複数強度イメージである請求項１に記載の方法。
【請求項３】  読出しサイクルの前記一連が、繰返される請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】  請求項１に記載による方法を実行するステップ、及び各ストリングを、読出しサイクルの一連の間、それが読み出される度に、実質的に同じ期間の間、そのビットプレーンとして表示するステップを含むイメージング方法。
【請求項５】  ビットプレーンが、ピクセル化された液晶ディスプレイ上に表示される請求項４に記載のイメージング方法。
【請求項６】  小さなａｃ電位差が、ビットプレーンが書き込まれていない期間中に、ディスプレイのピクセルに加えられる請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光変調ピクセルのアレイと、該アレイを駆動するようになっており、該アレイの各ピクセルの予定された強度を規定する１組のｎ桁の２進数（ｎは１よりも大きい整数である。）を表すイメージ信号に応答して、重み付けビット・プレーン技術により完全なイメージを書く駆動手段と、を備える光変調装置であって、
前記ピクセルは液晶ピクセルであり、前記駆動手段は、少なくとも１つの前記ピクセルについて前記ｎ桁の２進数を近接した値に変え、前記完全なイメージを書く際にそこに書かれた１及び０の数が均等に近づくようにし、もってｄｃバランスを改良するよう配置されていることを特徴とする、前記光変調装置。
【請求項２】  光変調ピクセルのアレイと、該アレイを駆動するようになっており、該アレイの各ピクセルの予定された強度を規定する１組のｎ桁の２進数（ｎは１よりも大きい整数である。）を表すイメージ信号に応答して、重み付けビット・プレーン技術により完全なイメージを書く駆動手段と、を備える光変調装置であって、
前記ピクセルは液晶ピクセルであり、前記駆動手段は、複数の連続した前記完全なイメージにわたって、少なくとも１つの前記完全なイメージにおいて、少なくとも１つの前記ピクセルについて前記ｎ桁の２進数を近接した値に変え、前記複数のイメージにわたって前記少なくとも１つの前記ピクセルに書かれた１及び０の数が均等に近づくようにし、もってｄｃバランスを改良するよう配置されていることを特徴とする、前記光変調装置。
【請求項３】  前記駆動手段は、前記複数のイメージにわたる前記数が、予定された強度に実質的に等しい、前記少なくとも１つのピクセルにおける平均強度を供給するように配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項４】  前記複数のイメージは、２〜３個のイメージであることを特徴とする、請求項２又は請求項３に記載の装置。
【請求項５】  前記駆動手段は、前記少なくとも１つの前記ピクセルに書かれた前記１及び０の数が均等になるように配置されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】  前記駆動手段は、前記少なくとも１つの数をどのように変えるべきかを決定するためのルックアップ・テーブルを備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】  前記駆動手段は、少なくとも、前記組の中で最も大きい桁の数字に対応する重み付けビット・プレーンが、前記完全なイメージを書く間にリフレッシュされるように配置されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】  前記駆動手段は、複数ｍ個（ｍは２以上であってｎよりも小さい正の整数である。）の重み付けビット・プレーンであって同様に複数個の前記組の中で最も大きい桁の数字に対応するものが、前記完全なイメージを書く間にリフレッシュされるように配置されており、前記駆動手段は、メモリ、及び最初の複数のビット・プレーンについての信号を、該メモリ内の連続的な位置における対応する最初の複数の２進数列として、前記大きい桁の大きさの降べきの順で、該メモリに保存するための手段を備え、前記駆動手段はさらに、保存された数列からの読取りサイクルを形成するように配置された手段を備え、各読取りサイクルは、前記最も大きい桁についての数列で始まる、１つ又はそれより多数の連続する保存された数列を保存されたまま読み取る工程からなり、読取りサイクルにおいて読み取られる数列の数は、前記一連の読取りサイクルの最後に、最初の複数の各数列が、その関連する桁の指数に比例して複数回読み取られるように変化することを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】  前記保存するための手段は、全てのビット・プレーンについての信号を、前記メモリ内の連続的な位置における数列として、前記関連する桁の大きさの降べきの順で保存するように配置されていることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】  前記駆動手段は、前記複数中にないビット・プレーンを、関連する桁の指数により決定される一連の期間ごとに１回書くように配置されていることを特徴とする、請求項８又は９に記載の装置。
【請求項１１】  ディスプレイを延長するためにビット・プレーンが書かれない期間中に、前記アレイ中のピクセルに小さなａｃ電位差を印加するための手段を備えることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】  重み付けビット・プレーン技術に関連してイメージ信号を処理する方法であって、イメージ信号は、対応する２進ピクセルのアレイの各々１つの予定された強度レベルをそれぞれが示す１組のｎ桁の２進数の信号を表し、前記２進数の少なくとも１つは、１及び０の不均等性を有し、前記方法は、前記少なくとも１つの２進数を近接した値に変え、その不均等性を低減ないし除去し、前記１組の数の残りの各々における任意の１及び０の不均等性は不変のままであるか、低減あるいは除去される工程を含むことを特徴とする、前記方法。
【請求項１３】  対応する２進ピクセルのアレイの各々１つの予定された強度レベルをそれぞれが示す１組のｎ桁の２進数の信号をそれぞれが表すイメージ信号に応答してイメージを書き、表示する方法であって、重み付けビット・プレーン技術を用いて完全なイメージが書かれ、前記方法は、前記少なくとも１つの２進数を近接した値に変え、前記完全なイメージを書く際に対応するピクセルにおける１及び０の不均等性が低減ないし除去されるようにし、前記１組の数の残りの各々についてのピクセルにおける任意の１及び０の不均等性は不変のままであるか、低減あるいは除去されるようにされていることを特徴とする、前記方法。
【請求項１４】  対応する２進ピクセルのアレイの各々１つの予定された強度レベルをそれぞれが示す１組のｎ桁の２進数の信号をそれぞれが表すイメージ信号に応答してイメージを書き、表示する方法であって、重み付けビット・プレーン技術を使用し、少なくとも１つの２進数は、完全なイメージを書く際にそのピクセルにおける１及び０の不均等性を生成し、各々が前記完全なイメージを近似する複数のイメージが連続して書かれ、該複数のイメージの少なくとも１つにおいて前記少なくとも１つの２進数を近接した値に変え、前記連続にわたって前記１及び０の不均等性が低減ないし除去されるようにし、他のピクセルにおける任意の１及び０の不均等性は不変のままであるか、低減あるいは除去されるようにされていることを特徴とする、前記方法。
【請求項１５】  少なくとも１つのビット・プレーンが、前記完全なイメージを書く間にリフレッシュされることを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電気又は電子素子のアレイと、バックプレーン上において前記アレイよりも高く起立し、少なくとも一つの前記電気又は電子素子に存在するのと本質的に同じ物質よりなり、同じ順序で配置される少なくとも２つの層を備える少なくとも１つの分離スペーサを有する、ことを特徴とするバックプレーン。
【請求項２】  前記スペーサが、２つの前記層より多い一連の層を有することを特徴とする請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項３】  前記スペーサの中のすべての層が、その物質および順序に関して、前記少なくとも１つの電気又は電子素子中の物質および順序に対応することを特徴とする請求項１または２に記載のバックプレーン。
【請求項４】  前記スペーサが、頂部及び底部の間を、全体的に電気的に絶縁していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のバックプレーン。
【請求項５】  バックプレーン上に、複数の前記スペーサが分布していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のバックプレーン。
【請求項６】  アレイが、複数のアドレス指定可能な位置を備え、各位置が、その位置に関連する少なくとも１つの前記スペーサを有していることを特徴とする請求項５に記載のバックプレーン。
【請求項７】  各位置が、その位置に関連した唯一の前記スペーサを有していることを特徴とする請求項６に記載のバックプレーン。
【請求項８】  少なくとも１つの前記スペーサが、細長い断面を有するリッヂ形状であることを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載のバックプレーン。
【請求項９】  前記アレイが、前記スペーサ、又は、前記複数のスペーサの上にも展在する絶縁層によって覆われていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のバックプレーン。
【請求項１０】  前記絶縁層が、略一定の厚みを有していることを特徴とする請求項９に記載のバックプレーン。
【請求項１１】  前記絶縁層の頂部表面が、実質的に平坦であることを特徴とする請求項９に記載のバックプレーン。
【請求項１２】  前記バックプレーンが、前記アレイがアクティブ電気素子を有するアクティブバックプレーンであることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載のバックプレーン。
【請求項１３】  前記スペーサの少なくとも幾つかが、アレイの外部に配置されていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載のバックプレーン。
【請求項１４】  アレイが、前記バックプレーンの上に形成されているが、レーンによって前記アレイから離間されている他の回路に接続していることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載のバックプレーン。
【請求項１５】  前記外部に配置されているスペーサが、前記レーンに配置されていることを特徴とする請求項１３と１４に記載のバックプレーン。
【請求項１６】  前記レーンが、アレイ及び前記他の回路と実質的に接触することなく、接着剤シーリングストリップを存在させるのに充分な幅を有していることを特徴とする請求項１４又は１５に記載のバックプレーン。
【請求項１７】  前記レーンの幅が、少なくとも５００ミクロンであることを特徴とする請求項１４から１６のいずれか１項に記載のバックプレーン。
【請求項１８】  前記レーンの幅が、少なくとも１５００ミクロンであることを特徴とする請求項１７に記載のバックプレーン。
【請求項１９】  電気又は電子素子のアレイを有する少なくとも１つの領域を有するバックプレーンの製造方法であって、
少なくとも１つの前記素子の部分を形成するために用いられるプロセスが、前記素子から側方に離間したバックプレーン上に、前記スペーサの部分を形成するためにも同時に用いられることを特徴とする方法。
【請求項２０】  前記スペーサが、少なくとも１つの前記電気又は電子素子中におけるのと実質的に同じ物質であり、同じ順序で配置される少なくとも２つの層を有することを特徴とする請求項１９に記載のバックプレーンの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  離間された第１及び第２領域（４，２２ａ）と、前記第１領域内の電気又は電子要素の配列（４）と、前記第２領域内の前記配列にアドレスするためのロジック要素（４２−４５，４８）と、前記第１及び第２領域を接続する導体とを有する半導体バックプレーン（３）において、第１及び／又は第２領域と接触することなくそれら間に接着剤シーリング・ストリップ（５）の存在を可能にするに十分に広く第１及び第２領域が離間されている（２１，２２）ことを特徴とする半導体バックプレーン。
【請求項２】  第１及び第２領域が少なくとも５００ミクロン離間されている請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項３】  バックプレーンが配列にアクティブ電子要素を含むアクティブ・バックプレーンである請求項１又は２に記載のバックプレーン。
【請求項４】  前記配列内に分布された一体的なスペーサー（２６）を含む請求項１乃至３のいずれかに記載のバックプレーン。
【請求項５】  前記第１領域と前記第２領域との間のレーン内に分布された一体的なスペーサーを含む請求項１乃至４のいずれかに記載のバックプレーン。
【請求項６】  前記一体的なスペーサーが、バックプレーンの電気又は電子要素の少なくとも１つに見られるのと本質的に同じ材料と同じ積層順序の少なくとも２つの層を含む請求項４又は５に記載のバックプレーン。
【請求項７】  スペーサーの全ての層が、前記少なくとも１つの電気又は電子要素に見られる材料と順序に対応している請求項６に記載のバックプレーン。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月23日(2007.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の位置を監視するための位置センサであって、
前記センサが、
（Ａ）第１と第２の電子的リアクタンス検出素子からなるトランスデューサであって、前記第１と第２の電子的リアクタンス検出素子の相対的インピーダンスが物体の位置の関数として反比例して変化し、前記検出素子のアドミタンスの合計が本質的に不変である、トランスデューサと、
（Ｂ）共振周波数で前記検出素子の並列の組み合わせと共振するリアクタンス素子と、
（Ｃ）駆動回路であって
（１）前記共振周波数で出力電流を提供し、
（２）前記リアクタンス素子と前記並列の組み合わせとの直列の組み合わせを介して前記出力電流を流すように接続された、駆動回路と、及び
（Ｄ）前記検出素子を通って流れる相対電流に応答する出力回路とからなる、位置センサ。
【請求項２】
前記駆動回路が方形波発生器を含み、その発生器の基本周波数が前記共振周波数であり、前記直列の組み合わせが、前記トランスデューサを通って流れる電流の共振周波数の高調波を減衰させるのに役立つ、請求項１の位置センサ。
【請求項３】
（Ａ）前記トランスデューサがキャパシタンストランスデューサであり、前記検出素子が第１と第２のキャパシタンスからなり、及び
（Ｂ）前記リアクタンス素子が第１のインダクタである、請求項２の位置センサ。
【請求項４】
（Ａ）前記駆動回路が、前記出力電流を提供するために前記発生器の出力を増幅するように接続された増幅器を含み、及び
（Ｂ）前記増幅器が、
（１）前記方形波発生器に接続されたゲートと、前記第１のインダクタに接続されたドレインと、共通基準点に接続されたソースとを有する電界効果トランジスタと、及び
（２）電源と前記第１のインダクタ及び前記トランジスタの接続部との間に接続された第２のインダクタであって、前記第２のインダクタが前記トランジスタのキャパシタンスと共振して前記接続部における電圧をブーストする、請求項３の位置センサ。
【請求項５】
（Ａ）前記トランスデューサがキャパシタンストランスデューサであり、前記検出素子が第１と第２のキャパシタンスからなり、
（Ｂ）前記リアクタンス素子が第１のインダクタである、請求項１の位置センサ。
【請求項６】
前記トランスデューサが、
（Ａ）間隔をおいた第１と第２の固定子であって、
（１）前記第１の固定子が第１の電極として機能する共通導電面からなり、
（２）前記第２の固定子が、間隔を置いて交互になっている第２と第３の電極からなる、第１と第２の固定子と、及び
（Ｂ）前記物体に機械的に接続され、誘電体セグメントからなる回転子であって、誘電体セグメントのそれぞれが前記第１の電極と前記第２及び第３の電極のそれぞれの１つとの間に配置されている、回転子とからなる、請求項５の位置センサ。
【請求項７】
前記出力回路が、前記第２の電極を流れる結合電流と、前記第３の電極を流れる結合電流とに応答する、請求項６の位置センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータの回転部材の角位置を検出するための容量性検知システムであって、
(a）1. 電機子と、 
2. 前記電機子から延在するシャフト
とを含むことからなる、回転子を有するモータと、
(b）ハウジングを有する固定子と、
(c）前記ハウジングに固定され且つ発振電気エネルギー源に接続された、円筒ピンと、
(d）区分化された管状プレートであって、該プレートの内部面上に複数の検知表面を有し、前記ハウジングに固定され、及び前記円筒ピンを取り囲むよう配置されており、従って、該円筒ピンとの間に環状空間を形成している、区分化された管状プレートと、
(e）前記電機子から離間して前記シャフトの一端に固定された裂片状の誘電体であって、該裂片状の誘電体が、前記円筒ピンと前記管状プレートとの間の環状空間に配置されており、従って、前記電機子の回転が、前記円筒ピンと各々の前記検知表面との間の相対的な静電容量を変化させることからなる、裂片状の誘電体
とを備える、容量性検知システム。
【請求項２】
前記裂片状の誘電体が、管状の形状を有すると共に第１及び第２の端部を含み、該第１の端部が前記シャフトに接続するよう構成されており、該第２の端部が複数の裂片からなり、該裂片が、前記円筒ピンと前記区分化された管状プレートの検知表面との間の電界を調整させることからなる、請求項１に記載の容量性検知システム。
【請求項３】
前記裂片状の誘電体が、Kynarプラスチックから製造される、請求項２に記載の容量性検知システム。
【請求項４】
前記裂片状の誘電体が、酸化アルミニウムセラミックから製造される、請求項２に記載の容量性検知システム。
【請求項５】
前記区分化された管状プレートの検知表面に電気回路が取り付けられ、これにより、該検知表面の各々において同時に受容したエネルギーの量に基づいて前記シャフトの相対的な角位置に該電気回路が応答することからなる、請求項２に記載の容量性検知システム。
【請求項６】
前記電気回路が、発振電気エネルギー源に接続されており、
前記電気回路が、前記円筒ピンに印加されるエネルギーの量を制御することからなる、請求項５に記載の容量性検知システム。
【請求項７】
前記電気回路が、前記区分化された管状プレートの検知表面において検知されたエネルギーの総量を計算する、請求項６に記載の容量性検知システム。
【請求項８】
前記電気回路が、前記区分化された管状プレートの検知表面において検知されたエネルギーの総量を利用して、前記発振電気エネルギー源により前記円筒ピンに提供されるエネルギーの量を制御する、請求項７に記載の容量性検知システム。
【請求項９】
前記発振電気エネルギー源が、水晶発振器を含む、請求項１に記載の容量性検知システム  。
【請求項１０】
前記裂片状の誘電体が、プラスチックから製造される、請求項１に記載の容量性検知システム。
【請求項１１】
前記裂片状の誘電体が、セラミック材料から製造される、請求項１に記載の容量性検知システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】  その炭素およびバナジウムの当量の含有量の係数は、Ｆ２−Ｅ１−Ｈ１−Ｇ２−Ｆ２の範囲内にあることを特徴とする請求項２０に記載の高速度鋼。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
市場に出ている前述の鋼および他の鋼は、摩損抵抗、靱性、および他の特徴についての高い必要条件を満たしている。しかしながら、それらの鋼は凝着摩耗抵抗についての高い必要条件を満たしておらず、そのことが、シートの圧縮成形、パイプの曲げ加工、および、冷間押出しのようなさまざまな種類の冷間成形工具の用途に関して、しばしば、支配的な問題になっている。これらの問題は、特に、オーステナイトステンレス鋼、フェライトステンレス鋼、銅、黄銅、アルミニウム等のシートの冷間加工に関して生じる可能性がある。それらの問題は、潤滑および／または例えば、物理蒸着（ＰＶＤ）または化学蒸着（ＣＶＤ）の技術による、表面の窒化による窒化チタン（ＴｉＮ）の摩擦を減らすセラミック層で、または硬質クロムメッキにより、その工具表面を被覆することによって減らすことができるが、それらは高価であり、しかも時間のかかる解決策である。その上、その沈積物の損傷および／または剥離の危険性が大きい。もし摩損または凝着摩耗による損傷が生じると、その修理は複雑になるであろう。なぜなら、どの欠陥も、いつも、工具の非常に応力のかかる部分にあるからである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  撥水撥油性帯電防止組成物であって、（ａ）（ｉ）一価金属カチオン、二価金属カチオン、及び有機オニウムカチオンからなる群から選択された少なくとも１つのカチオン及び（ｉｉ）少なくとも１つの弱配位アニオンであって、前記アニオンの共役酸が炭化水素スルホン酸の酸度以上の酸度を有するが、ただし、前記カチオンが金属である時に、有機系またはフルオロ有機系である弱配位アニオン、からなる少なくとも１つのイオン性非重合塩と、（ｂ）少なくとも１つのフルオロケミカル撥剤と、（ｃ）少なくとも１つの絶縁材と、を含む、撥水撥油性帯電防止組成物。
【請求項２】  （ａ）（ｉ）少なくとも１つの窒素オニウムまたはリンオニウムカチオン及び（ｉｉ）少なくとも１つの弱配位アニオンであって、前記アニオンの共役酸がメタンスルホン酸またはｐ−トルエンスルホン酸の酸度以上の酸度を有する弱配位アニオン、からなる少なくとも１つのイオン性非重合塩と、（ｂ）溶融添加剤として使用するのに適している少なくとも１つのフルオロケミカル撥剤と、（ｃ）少なくとも１つの熱可塑性ポリマーと、を含み、成分（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）の溶融ブレンドを形成することによって調製される、撥水撥油性帯電防止組成物。
【請求項３】  請求項１または２に記載の組成物を含む繊維。
【請求項４】  請求項３に記載の繊維を含む布。
【請求項５】  請求項１または２に記載の組成物を含むフィルム。
【請求項６】  請求項１または２に記載の組成物を含む成形またはブローン物品。
【請求項７】  請求項１または２に記載の組成物を含むコーティング。
【請求項８】  請求項１に記載の撥水撥油性帯電防止組成物の調製方法であって、（ａ）（ｉ）少なくとも１つのカチオン及び少なくとも１つのアニオンからなる少なくとも１つのイオン性非重合塩であって、前記カチオンが一価金属カチオン、二価金属カチオン、及び有機オニウムカチオンからなる群から選択され、前記アニオンが弱配位アニオンであり、前記アニオンの共役酸が炭化水素スルホン酸の酸度以上の酸度を有するが、ただし、前記カチオンが金属である時に前記アニオンが有機系またはフルオロ有機系である、イオン性非重合塩と、（ｉｉ）少なくとも１つのフルオロケミカル撥剤と、（ｉｉｉ）少なくとも１つの熱可塑性ポリマーと、を配合する工程と、（ｂ）得られた配合物を溶融加工する工程と、を含む、撥水撥油性帯電防止組成物の調製方法。
【請求項９】  請求項１に記載の撥水撥油性帯電防止組成物の調製方法であって、（ａ）（ｉ）少なくとも１つのカチオン及び少なくとも１つのアニオンからなる少なくとも１つのイオン性非重合塩であって、前記カチオンが一価金属カチオン、二価金属カチオン、及び有機オニウムカチオンからなる群から選択され、前記アニオンが弱配位アニオンであり、前記アニオンの共役酸が炭化水素スルホン酸の酸度以上の酸度を有するが、ただし、前記カチオンが金属である時に前記アニオンが有機系またはフルオロ有機系である、イオン性非重合塩と、（ｉｉ）少なくとも１つのフルオロケミカル撥剤と、（ｉｉｉ）少なくとも１つの熱硬化性ポリマーまたはセラマーもしくは前記ポリマーまたはセラマーの反応性前駆物質と、を配合する工程と、（ｂ）得られた配合物を硬化させる工程と、を含む、撥水撥油性帯電防止組成物の調製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）（ｉ）少なくとも一種のモノエチレン系不飽和モノマーまたはプレポリマーおよび（ｉｉ）選択された溶融加工温度範囲で熱的に安定であるとともに前記選択された溶融加工温度範囲より高い遮断解除温度以上で熱的に遮断解除性である少なくとも一種のモノエチレン系不飽和遮断モノイソシアネートまたはポリイソシアネートを含む重合性混合物を形成させる工程と、（ｂ）前記重合性混合物を伝達エネルギーにさらして、前記混合物を重合して前記遮断モノイソシアネートまたはポリイソシアネートから誘導された重合単位を含むポリマー組成物を生成させる工程と、（ｃ）前記ポリマー組成物を前記選択された溶融加工温度範囲で溶融加工して、溶融加工済みポリマー組成物を形成する工程と、（ｄ）溶融加工中、または溶融加工後に、少なくとも一種のイソシアネート反応性架橋剤の存在下で前記溶融加工済みポリマー組成物の温度を前記遮断解除温度に上げて、前記溶融加工済みポリマー組成物の架橋を生じさせる工程とを含む溶融加工済みポリマー組成物を架橋する方法。
【請求項２】  前記遮断モノイソシアネートまたはポリイソシアネートは、遮断解除すると、前記遮断解除温度より低い沸点を有する少なくとも一種の化合物を放出する請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレフィルター層と、
支持層と、
前記プレフィルター層と支持層と固相抽出媒体の少なくとも一部がフィルターセルと該フィルターセル間に配されるランド域とのパターンを形成するために互いに超音波溶接された、前記プレフィルター層と前記支持層との間に配される少なくとも１層の固相抽出媒体と、を備えるウェル無し濾過装置。
【請求項２】
前記固相抽出媒体が、原繊維母体内に絡み込ませた収着性粒子を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
プレフィルター層と、支持層と、該プレフィルター層と該支持層の間の固相抽出媒体と、を備える積層物を設けるステップと、
前記積層物を配するための作業域と、該作業域の一方の側に位置し、エンボスパターンを備えるホーンと、該作業域の第二の側に位置し、前記ホーンの前記エンボスパターンに一致するエンボスパターンを備える超音波溶接アンビルと、を備える超音波溶接装置を設けるステップと、
前記積層物を該作業域に置くステップと、
前記ホーンとアンビルが、共に、前記積層物の少なくとも第一の位置に、前記ホーンとアンビルの前記一致するエンボスパターンに対応し、少なくとも１つのフィルターセルを画成する第一の超音波溶接パターンを作り出すように、前記溶接装置を作動させるステップと、
を含む、濾過装置の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一連の隣接した定められたピクセル列を持ち、ピクセル位置の二次元グリッドを定めている印刷媒体上へ印刷するためのインクジェット式プリンタであって、
前記プリント・ヘッドが前記印刷媒体上を通過するとき、前記副列が各ピクセル列部分の上を連続して動くように、前記ピクセル列に対し平行に整列されている複数の副列に構成されている、インク噴射ノズルのアレイを備えた可動プリント・ヘッド；
前記インク噴射ノズルのアレイからのインク噴射の制御のためのデータ処理回路；
前記データ処理回路に連結されていて、インク噴射を制御するために、各ノズルのための液滴堆積パターンを定め、前記ノズル副列のうちの、一致する所定のサブセットだけが、前記ピクセル列上へインクを堆積させることを保証する、前記データ処理回路が使用するプリント・マスクを格納するメモリ、
を含むことを特徴とするインクジェット式プリンタ。
【請求項２】  インクジェット式プリンタが、間隔を置いて離れた複数の副列として配置されたインク噴射ノズルのアレイを含んでおり、ここで、前記アレイが隣接した一連の前記ピクセル列上を動くとき、前記インク噴射ノズルのアレイが、隣接した一連のピクセル列にインク液滴を堆積する、インクジェット式プリンタのスループットを増加する方法であって、
前記副列を、副列の複数グループへ分離させること；
各ピクセル列を、前記グループのうちの１つに割り当てること；および
各ピクセル列が、副列の割り当てられたグループだけから、インク液滴を受けるように、前記分離および前記割り当てにしたがって、インクを堆積すること
を含むことを特徴とするインクジェット式プリンタのスループットを増加する方法。
【請求項３】  各副列は、正確に１つのグループのメンバーである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記副列を、２、３、もしくは４つのグループに分離させることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】  前記副列を２つのグループに分離させることを含み、
インク液滴の堆積が、ピクセル列の交替は、副列の第１と第２のグループを交替させることにより印刷されるように、前記アレイが移動するとき、副列の前記第１と第２のグループとの間でインク液滴の堆積を交互に行うことを含み、それによって、副列全てよりむしろ、副列の第１もしくは第２のグループのみを、任意の個々のピクセル列に対して作動可能とすることが要求される、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月21日(2007.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カテゴリ別に番組リスト項目のディスプレイを提供する方法であって、
複数のカテゴリについて、カテゴリ別のリスト項目を見るというユーザ指示を受け取ることと、
該複数のカテゴリのうちのそれぞれのカテゴリについて、利用可能なリスト項目があるか否かを決定することと、
リスト項目が利用可能であるカテゴリのみを、選択について利用可能にすることと、
該リスト項目が利用可能であるカテゴリからカテゴリを選択する機会をユーザに提供することと、
該選択されたカテゴリについて、リスト項目のディスプレイを提供することと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記複数のカテゴリのうちの少なくとも１つは、１つ以上のサブカテゴリを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数のサブカテゴリについて、サブカテゴリ別のリスト項目を見るというユーザ指示を受け取ることと、
該複数のサブカテゴリのうちのそれぞれのサブカテゴリについて、利用可能なリスト項目があるか否かを決定することと、
リスト項目が利用可能であるサブカテゴリのみを、選択について利用可能にすることと、
該リスト項目が利用可能であるサブカテゴリからサブカテゴリを選択する機会をユーザに提供することと、
該選択されたサブカテゴリについて、リスト項目のディスプレイを提供することと
をさらに包含する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
カテゴリ別に番組リスト項目のディスプレイが提供される双方向テレビ番組ガイドシステムであって、
ユーザ入力デバイスと、
ディスプレイデバイスと、
制御回路部と
を備え、
該制御回路部は、
複数のカテゴリについて、該ユーザ入力デバイスからカテゴリ別のリスト項目を見るというユーザ指示を受け取ることと、
該複数のカテゴリのうちのそれぞれのカテゴリについて、利用可能なリスト項目があるか否かを決定することと、
該ディスプレイデバイスに命令することにより、リスト項目が利用可能であるカテゴリのみを、該ユーザ入力デバイスを用いた選択について利用可能にすることと、
該ディスプレイデバイスに命令することにより、該ユーザ入力デバイスを用いて、該リスト項目が利用可能であるカテゴリからカテゴリを選択する機会をユーザに提供することと、
該ディスプレイデバイスに命令することにより、該選択されたカテゴリについて、リスト項目のディスプレイを提供することと
を実行するように構成されている、システム。
【請求項５】
前記複数のカテゴリのうちの少なくとも１つは、１つ以上のサブカテゴリを含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記制御回路部は、
複数のサブカテゴリについて、サブカテゴリ別のリスト項目を見るというユーザ指示を受け取ることと、
該複数のサブカテゴリのうちのそれぞれのサブカテゴリについて、利用可能なリスト項目があるか否かを決定することと、
リスト項目が利用可能であるサブカテゴリのみを、選択について利用可能にすることと、
該リスト項目が利用可能であるサブカテゴリからサブカテゴリを選択する機会をユーザに提供することと、
該選択されたサブカテゴリについて、リスト項目のディスプレイを提供することと
を実行するようにさらに構成されている、請求項５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月8日(2007.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  本来の密度を有する出発固体シリコン材料から形成される多孔性シリコンの層を含み、前記多孔性シリコンの層は、出発固体シリコン材料の本来の密度の約２０〜８０％の密度を有し、さらに、
前記多孔性シリコンの層に形成された複数の導電相互接続線を含む、半導体装置。
【請求項２】  前記多孔性シリコンの層が、１立方センチメートル当り約０．４６５６〜１．８６２５グラムの範囲の密度を有するシリコンで構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記複数の導電相互接続線が複数の導電線で構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記複数の導電相互接続線が複数の導電金属プラグで構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】  前記複数の導電相互接続線が、複数の導電線および複数の導電金属プラグで構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】  前記多孔性シリコンの層に結合された二酸化シリコンの層をさらに含み、前記二酸化シリコンの層は、別の構造における二酸化シリコンの別の層に結合されるよう適合される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】  前記多孔性シリコンの層の上方および下方に形成された二酸化シリコンの層をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】  １立方センチメートル当り約０．４６５６〜１．８６２５グラムの範囲の密度を有する出発固体シリコン材料から形成されるシリコンの多孔層と、
前記シリコンの多孔層に形成された複数の導電相互接続線と、
前記シリコンの多孔層上に形成された第１の接着層と、
上方に前記シリコンの多孔層が付着されるべき構造の上に形成される第２の接着層とを含み、前記第１および第２の接着層が互いに結合されている、半導体装置。
【請求項９】  前記複数の導電相互接続線が複数の導電線で構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】  前記複数の導電相互接続線が複数の導電金属プラグで構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】  前記複数の導電相互接続線が、複数の導電線および複数の導電金属プラグで構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】  前記多孔性シリコンの層の上方に形成された二酸化シリコンの層をさらに含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】  前記第１の接着層が、二酸化シリコン、酸窒化シリコンおよび窒化シリコンで構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】  前記第２の接着層が、二酸化シリコン、酸窒化シリコンおよび窒化シリコンで構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１５】  前記第１の接着層が二酸化シリコンで構成され、前記第２の接着層が二酸化シリコンで構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１６】  前記構造が、半導体基板の上方に形成された誘電層で構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１７】  前記構造が、集積回路装置上に形成された金属化層で構成される、請求項８に記載の装置。