(57)【要約】  【課題】清浄度の高い水蒸気を安定して供給すること。  【解決手段】ウエハ１を処理する処理室１２を形成したプロセスチューブ１１と、処理室１２内に水蒸気を供給する供給管１９と、供給管１９に水蒸気を送出する水蒸気発生装置３０とを備えており、水蒸気発生装置３０は供給管１９に接続された燃焼管３１と、燃焼管３１の燃焼室３２内に水素ガスと酸素ガスとを噴出させるガス噴出ノズル３４とを備えたパイロジェニック酸化装置１０において、ガス噴出ノズル３４を石英製の外管３５と、不純物含有量が極微量の炭化シリコン製の内管３６およびガス噴出部３７とによって分割可能に構成する。ガス噴出部３７には内管３６と連通するガス噴出口３８と、外管３５と内管３６との間の空間４０に連通する複数個のガス噴出口３９とを開設する。内管３６には水素ガス導入管４２を接続し、外管３５には酸素ガス導入管４５を接続する。  【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に水蒸気を含むガスを供給する供給管と、
前記供給管に接続され水素と酸素とを燃焼反応させて水蒸気を生成する燃焼管と、
前記燃焼管内に水素と酸素とを噴出させるガス噴出ノズルと、を備えており、
前記ガス噴出ノズルは外管と、この外管内に収容される内管と、この内管と外管の先端部分に配置され水素と酸素とを別々に噴出させるガス噴出部とを備えており、
前記ガス噴出ノズルのうち少なくとも前記内管と前記ガス噴出部とが炭化シリコンによって形成され、少なくとも外管が石英によって形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化膜を形成するためのパイロジェニック酸化装置に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法におけるウエハに酸化膜を形成する酸化膜形成工程には、パイロジェニック酸化装置が使用されることがある。
パイロジェニック酸化装置は、水蒸気発生装置（Pyrogenic 装置）によって発生された水蒸気（Ｈ2 Ｏ）をウエハに接触させて酸化することにより、ウエハに酸化膜を形成するように構成されている。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開２００２−１５１４９９号公報
【０００３】
水蒸気発生装置は、水素（Ｈ2 ）ガスと酸素（Ｏ2 ）ガスとを燃焼反応させて水蒸気を生成する燃焼管と、燃焼管内に水素と酸素とを噴出させるガス噴出ノズルとを備えており、燃焼管内で水素と酸素とを燃焼反応させることにより、水蒸気を発生するように構成されている。
従来のこの種の水蒸気発生装置においては、燃焼管やガス噴出ノズルは石英（ＳｉＯ2 ）材料によって形成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、石英材料によって形成された燃焼管やガス噴出ノズルを備えた水蒸気発生装置においては、次のような問題点の発生が懸念されている。
1)  石英材料は炭化シリコン（ＳｉＣ）材料（ＣＶＤ法によって一体成形された炭化シリコン材料またはＣＶＤ法によって表面に炭化シリコンがコーティングされた炭化シリコン材料）に比べて、不純物の含有量が多い。
2)  厚膜の酸化膜の形成においては、長い燃焼時間または水素／酸素レシオの高い比率化が必要になる。
3)  前記2)において、燃焼熱による燃焼管の失透や融解が起こることにより、石英材料中の不純物が水蒸気等のガスと一緒にウエハに供給されるために、ＩＣの電気的特性を劣化させる可能性がある。
【０００５】
本発明の目的は、水素／酸素レシオや燃焼時間の影響を回避しつつ清浄度の高い水蒸気を安定して供給することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室と、
前記処理室内に水蒸気を含むガスを供給する供給管と、
前記供給管に接続され水素と酸素とを燃焼反応させて水蒸気を生成する燃焼管と、
前記燃焼管内に水素と酸素とを噴出させるガス噴出ノズルと、を備えており、
前記ガス噴出ノズルは外管と、この外管内に収容される内管と、この内管と外管の先端部分に配置され水素と酸素とを別々に噴出させるガス噴出部とを備えており、
前記ガス噴出ノズルのうち少なくとも前記内管と前記ガス噴出部とが炭化シリコンによって形成され、少なくとも外管が石英によって形成されていることを特徴とする基板処理装置。
（２）前記（１）において、前記ガス噴出部と内管とは、一体的に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
（３）前記（１）または（２）において、前記ガス噴出ノズルのうち少なくとも前記ガス噴出部と内管とは、外管に対して分割可能に構成されていることを特徴とする基板処理装置。
（４）前記（１）、（２）または（３）において、前記ガス噴出部は、前記内管と連通するように設けられた少なくとも一つのガス噴出口と、前記外管と前記内管との間の空間に連通するように設けられた少なくとも一つの前記ガス噴出口とを有することを特徴とする基板処理装置。
（５）前記（１）、（２）、（３）または（４）において、前記ガス噴出ノズルには、内管内に水素ガスを導入する水素ガス導入管と、前記外管と前記内管との間の空間に酸素ガスを導入する酸素ガス導入管とが設けられていることを特徴とする基板処理装置。
（６）前記（１）の基板処理装置を使用して基板を処理する工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
前記（１）によれば、ガス噴出ノズルのうち非常に高温になり易い内管とガス噴出部とが炭化シリコンによって形成されているので、水素／酸素レシオや燃焼時間の影響を回避しつつ清浄度の高い水蒸気を安定して供給することができる。また、加工が困難な炭化シリコン材料の部分を内管とガス噴出部とに限定することにより、製造コストを低減させることができる。
他方、外管や燃焼管については紫外線を透過する石英によって形成するようにすれば、燃焼状態を外部から観察することができるので好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、機能的にはウエハに酸化膜を形成するための酸化膜形成装置の一例であるパイロジェニック酸化装置として構成されており、構造的にはバッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置として構成されている。
すなわち、図１に示されているように、本実施の形態に係る基板処理装置（以下、パイロジェニック酸化装置という。）１０はバッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置として構成されている。
【００１０】
パイロジェニック酸化装置１０はプロセスチューブ１１を備えており、プロセスチューブ１１は石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて、上下両端が開口した円筒形状に一体成形されている。プロセスチューブ１１は中心線が垂直になるように縦に配されて筐体（図示せず）に支持されている。
プロセスチューブ１１の筒中空部は処理室１２を形成しており、処理室１２は複数枚のウエハ１を同心的に整列させた状態で保持したボート２０が搬入されるように構成されている。プロセスチューブ１１の下端開口は、複数枚のウエハ１を保持したボート２０を搬入搬出するための炉口１３を構成している。
プロセスチューブ１１の上端開口には分散板１４が被せられており、分散板１４にはガスを処理室１２の全体に分散させる流通孔１５が複数個、全体的に分散されて配置されて厚さ方向に開設されている。
【００１１】
プロセスチューブ１１の外部にはヒータユニット１６がプロセスチューブ１１を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット１６は筐体に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。ヒータユニット１６は処理室１２内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。
【００１２】
プロセスチューブ１１の真下にはプロセスチューブ１１の外径と略等しい円盤形状に形成されたシールキャップ１７が同心的に配置されており、シールキャップ１７は送りねじ機構によって構成されたボートエレベータ（一部のみが図示されている。）１８によって垂直方向に昇降されるようになっている。
シールキャップ１７はボートエレベータ１８によって上昇された状態において、プロセスチューブ１１の下端面にシールリング１７ａを挟んで密着することにより、処理室１２を気密シールするようになっている。
【００１３】
シールキャップ１７の中心線上にはボート２０が垂直に立脚されて支持されている。
ボート２０は上下で一対の端板２１、２２と、両端板２１、２２間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では三本）の保持部材２３とを備えており、各保持部材２３には複数条の保持溝２４が長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻設されている。
そして、ウエハ１の外周辺部が三条の保持溝２４に同時に挿入されることにより、複数枚のウエハ１がボート２０に水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持されるようになっている。
ボート２０の下側端板２２の下には断熱キャップ部２５が形成されており、断熱キャップ部２５の下面には断熱キャップ部２５の外径よりも若干だけ大径の円板形状に形成されたベース２６が水平に設けられている。ボート２０はベース２６がシールキャップ１７の上面に当接されて着脱自在に固定されることによって、シールキャップ１７の上に据え付けられている。
【００１４】
プロセスチューブ１１の側壁の下部には排気口２７が処理室１２に連通するように開設されており、排気口２７には排気ライン２８の一端が接続されている。排気ライン２８の他端にはブロア等によって構成された排気装置２９が接続されている。
【００１５】
プロセスチューブ１１の外側には、処理室１２内に水蒸気を含むガスを供給する供給管１９が敷設されており、供給管１９はプロセスチューブ１１の一部に沿って上下方向に延在した状態になっているとともに、分散板１４の上方を被覆した状態になっている。
供給管１９の下端部には水素と酸素とから生成された水蒸気を含むガスを供給するための水蒸気発生装置（外部燃焼装置）３０が接続されている。
【００１６】
図２に示されているように、水蒸気発生装置３０は水素と酸素とを燃焼反応させて水蒸気を生成する燃焼管３１を備えている。燃焼管３１は石英によって両端面が閉塞された円筒形状に形成されており、水素と酸素とを燃焼反応させて水蒸気を生成する燃焼室３２が燃焼管３１の円筒中空部によって形成されている。
燃焼管３１のプロセスチューブ１１側の端面には、送出管３３の一端が燃焼室３２に連通するように突設されており、図１に示されているように、送出管３３の他端はプロセスチューブ１１の供給管１９に接続されている。
【００１７】
燃焼管３１の送出管３３と反対側の端面には、燃焼室３２内に水素と酸素とを噴出させるガス噴出ノズル３４の一端部が挿入されて固定されている。
ガス噴出ノズル３４は両端開口の円筒形状に形成された外管３５と、一端が閉塞で他端が開口の小径の円筒形状に形成された内管３６と、水素ガスと酸素ガスとを別々に噴出させるガス噴出部３７とを備えており、内管３６は外管３５内に同心円に収容されている。ガス噴出部３７は外管３５の内径と等しい外径の円板形状に形成されており、内管３６の閉塞側先端に同心円に配されている。
ガス噴出ノズル３４のうち内管３６とガス噴出部３７とは一体的に形成されており、炭化シリコンによって形成されている。ガス噴出ノズル３４のうち外管３５は石英によって形成されており、図３に示されているように、内管３６とガス噴出部３７とに対して分割可能に構成されている。
【００１８】
ガス噴出部３７の中心線上には、内管３６の内部と連通するガス噴出口（以下、内側ガス噴出口という。）３８が開設されている。ガス噴出部３７の中間部には、外管３５と内管３６との間の空間４０に連通するガス噴出口（以下、外側ガス噴出口という）３９が複数個、同心円に配置されて開設されており、各外側ガス噴出口３９は内側ガス噴出口３８の噴出側の延長線上で交差するように傾斜されて開口されている。
外管３５の燃焼管３１と反対側開口端と内管３６の中間部外周との間には、外管３５と内管３６との間の空間４０を気密封止するシール部材４１が嵌着されている。
【００１９】
ガス噴出ノズル３４の内管３６のガス噴出部３７と反対側の端部には、内管３６内に水素ガスを導入する水素ガス導入管４２がカップリング４３によって連結されている。
ガス噴出ノズル３４の外管３５の中間部には、外管３５と内管３６との間の空間４０に連通したエルボ管４４の一端が突設されており、エルボ管４４の他端には外管３５と内管３６との間の空間４０に酸素ガスを導入する酸素ガス導入管４５がカップリング４６によって連結されている。
燃焼管３１のガス噴出ノズル３４側の端面には、燃焼管３１内の温度を計測する熱電対４７が挿入されている。図示は省略するが、熱電対４７は計測結果をパイロジェニック酸化装置１０を制御するコントローラに送信するように構成されている。
【００２０】
図１に示されているように、水素ガス導入管４２は可変流量制御弁（マスフローコントローラ）４８およびコック４９を介して水素ガス供給源５０に接続されている。
また、酸素ガス導入管４５は可変流量制御弁５１およびコック５２を介して酸素ガス供給源５３に接続されている。
さらに、水素ガス導入管４２には窒素ガス導入管５４が接続されており、窒素ガス導入管５４は可変流量制御弁５５およびコック５６を介して窒素ガス供給源５７に接続されている。
燃焼管３１の外側には容器５８によって被覆されたヒータ５９が設置されており、ヒータ５９は燃焼室３２の内部を加熱するようになっている。
【００２１】
水蒸気発生装置３０の可変流量制御弁４８、５１、５５やコック４９、５２、５６およびヒータ５９は、コンピュータによって構築されたコントローラによってパイロジェニック酸化装置１０のヒータユニット１６等と共に制御されるようになっている。
【００２２】
図１に示されているように、水蒸気発生装置３０の送出管３３にはバイパスライン６０の一端が接続されており、バイパスライン６０の他端は排気ライン２８に接続されている。バイパスライン６０の途中にはコック６１が介設されており、コック６１は常時閉じで、パージステップ時に開くように構成されている。
【００２３】
プロセスチューブ１１の外側における供給管１９と反対側には、パージガス導入管６２が敷設されており、パージガス導入管６２はプロセスチューブ１１の一部に沿って上下方向に延在した状態になっているとともに、供給管１９に接続して分散板１４の上方を被覆した状態になっている。パージガス導入管６２の下端部にはパージガス導入ライン６３が接続されており、パージガス導入ライン６３には窒素ガス供給源６４がコック６５を介して接続されている。
【００２４】
次に、前記構成に係るパイロジェニック酸化装置１０によるＩＣの製造方法における酸化膜形成工程を説明する。
【００２５】
図１に示されているように、酸化膜形成処理に際して、複数枚のウエハ１を整列保持したボート２０は、シールキャップ１７の上にウエハ１群が並んだ方向が垂直になる状態で載置される。この状態で、ボート２０はボートエレベータ１８によって上昇されて、プロセスチューブ１１の炉口１３から処理室１２に搬入されて行き、シールキャップ１７に支持されたままの状態で処理室１２に存置される。
ボート２０が上限位置に達すると、シールキャップ１７はプロセスチューブ１１の下端面にシールリング１７ａを挟んで密着することにより、処理室１２を気密に閉じた状態になる。
【００２６】
処理室１２がシールキャップ１７によって気密に閉じられると、処理室１２の内部が排気ライン２８によって排気され、ヒータユニット１６によって所定の温度（約７５０℃）に加熱される。
【００２７】
続いて、水素ガス導入管４２のコック４９が開かれることにより、可変流量制御弁４８によって流量を調整された水素ガスが、水素ガス供給源５０から水蒸気発生装置３０のガス噴出ノズル３４の内管３６に供給される。内管３６に供給された水素ガスは、ガス噴出部３７の内側ガス噴出口３８から燃焼室３２に噴出する。
同時に、酸素ガス導入管４５のコック５２が開かれることにより、可変流量制御弁５１によって流量を調整された酸素ガスが、酸素ガス供給源５３から水蒸気発生装置３０のガス噴出ノズル３４の外管３５と内管３６との間の空間４０に供給される。空間４０に供給された酸素ガスは、ガス噴出部３７の複数個の外側ガス噴出口３９から燃焼室３２にそれぞれ噴出する。
【００２８】
水蒸気発生装置３０の燃焼室３２の温度が、水素ガスの燃焼温度以上にヒータ５９によって上昇されると、内側ガス噴出口３８から噴出する水素ガスが着火し、水素ガスと複数個の外側ガス噴出口３９から噴出する酸素ガスとが燃焼反応するために、水蒸気が燃焼室３２において生成される。
このとき、複数個の外側ガス噴出口３９は内側ガス噴出口３８の噴出側の延長線上で交差するように開口されているので、水素ガスと酸素ガスとはきわめて効果的に燃焼反応する。
ここで、内管３６とガス噴出部３７が不純物の含有量の少ない炭化シリコンによって形成されているので、非常に高温になってもガス噴出部３７および内管３６中の不純物が発生する現象を防止することができる。
したがって、ガス噴出部３７および内管３６中の不純物が水蒸気等のガスと一緒にウエハに供給されることがないために、ＩＣの電気的特性を劣化させる可能性はない。
また、例えば、厚膜の酸化膜を形成する場合において、水素／酸素レシオを高く設定することにより、燃焼時間を短縮しつつ厚膜の酸化膜を形成することができる。
また、水素ガスと酸素ガスとの燃焼反応によって非常に高温になり易いガス噴出部３７および内管３６が不純物の含有量が少ない炭化シリコンによって形成されているので、万一、ガス噴出部３７および内管３６において融解が起こったとしても発生する不純物は少ない。
【００２９】
水蒸気発生装置３０で生成された水蒸気は水素ガスや酸素ガスと共に処理ガス（酸化ガス）として燃焼管３１の送出管３３から供給管１９へ送り出され、供給管１９によってプロセスチューブ１１の処理室１２へ供給され、分散板１４によって処理室１２内の全体にわたって均等に分散される。
酸化種である水蒸気を含むガスとしての処理ガスの導入時間すなわち酸化ステップの処理時間は３０分〜１２０分である。また、処理室１２の圧力は常圧（大気圧）である。
【００３０】
分散板１４によって処理室１２に均一に分散された処理ガスは、ボート２０に保持された複数枚のウエハ１にそれぞれ均一に接触しながら処理室１２を流下し、排気口２７から排気ライン２８の排気力によって処理室１２の外部に排気される。
処理ガスのウエハ１の表面への接触による水蒸気の酸化反応により、ウエハ１の表面には酸化膜が形成される。
【００３１】
酸化膜が所望の膜厚だけ形成される予め設定された処理時間が経過すると、水蒸気発生装置３０の燃焼室３２への酸素ガスおよび水素ガスの供給が停止される。
次いで、水蒸気発生装置３０に接続された窒素ガス導入管５４のコック５６が開かれるとともに、バイパスライン６０のコック６１が開かれる。
水蒸気発生装置３０に接続された窒素ガス導入管５４のコック５６が開かれることにより、可変流量制御弁５５によって流量を調整された窒素ガスが、窒素ガス供給源５７からガス噴出ノズル３４の内管３６に供給される。内管３６に供給された窒素ガスはガス噴出部３７の内側ガス噴出口３８から燃焼室３２に噴出する。
このとき、バイパスライン６０のコック６１が開かれているので、内側ガス噴出口３８から水蒸気発生装置３０の燃焼室３２へ噴出した窒素ガスは、排気ライン２８に接続された排気装置２９の排気力によってバイパスライン６０に導出され、排気ライン２８に排出されて行く。
この際に、窒素ガス導入管５４から導入された窒素ガスは、ガス噴出ノズル３４の内管３６→燃焼室３２→送出管３３→バイパスライン６０→排気ライン２８を流通することにより、内管３６や内側ガス噴出口３８、燃焼室３２および送出管３３に残留した処理ガスや反応生成物等の残留物を確実に押し流すことになる。すなわち、この燃焼室３２を含めた流通経路の残留物はバイパスライン６０を通じて排出されるため、その残留物が処理室１２側へ流出することはない。
【００３２】
水蒸気発生装置３０に接続された窒素ガス導入管５４のコック５６が開かれると同時に、他方のパージガス導入ライン６３のコック６５が開かれることにより、窒素ガス供給源６４の窒素ガスがパージガス導入ライン６３からパージガス導入管６２に供給される。
パージガス導入ライン６３からパージガス導入管６２に供給された窒素ガスは、パージガス導入管６２によってプロセスチューブ１１の処理室１２へ導入され、分散板１４によって処理室１２内の全体にわたって均等に分散される。
分散板１４によって処理室１２に均一に分散された窒素ガスは、ボート２０に保持された複数枚のウエハ１にそれぞれ均一に接触しながら処理室１２を流下し、排気口２７から排気ライン２８の排気力によって処理室１２の外部に排気される。処理室１２に残留した水蒸気や水素ガスおよび反応生成物等の残留物は、この窒素ガスの流れによって押し流される。
【００３３】
この際にはバイパスライン６０のコック６１が開かれているので、パージガス導入ライン６３からパージガス導入管６２に供給された窒素ガスの一部は、バイパスライン６０に印加する排気ライン２８の排気装置２９の排気力によって供給管１９に吸引され、供給管１９→水蒸気発生装置３０の送出管３３→バイパスライン６０→排気ライン２８に排出されて行く。
供給管１９および送出管３３に残留した処理ガスや反応生成物等の残留物は、この窒素ガスの流れによって押し流される。
この際、水蒸気発生装置３０側の圧力をバイパスライン６０側の圧力よりも高く設定しておくことにより、供給管１９側の窒素ガスが水蒸気発生装置３０の燃焼室３２側に逆流する現象を防止することができる。
【００３４】
以上のパージステップが終了すると、ボートアンローディング（ボート搬出）ステップが実施される。すなわち、シールキャップ１７がボートエレベータ１８によって下降され、ボート２０が処理室１２から搬出される。
ボートアンローディングステップが終了すると、ボート２０から処理済みのウエハ１を取り出すためのウエハディスチャージステップが実行される。
【００３５】
以降、前述した作用が繰り返されることにより、パイロジェニック酸化装置によってウエハがバッチ処理されて行く。
【００３６】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３７】
1)  非常に高温になってもガス噴出部および内管中の不純物が発生する現象を防止することにより、不純物によってＩＣの電気的特性を劣化されるのを未然に防止することができ、また、例えば、厚膜の酸化膜を形成する場合において、水素／酸素レシオを高く設定することができるので、水蒸気発生装置における燃焼時間を短縮しつつ厚膜の酸化膜を形成することができる。
【００３８】
2)  水素ガスと酸素ガスとの燃焼反応によって非常に高温になり易いガス噴出部および内管を不純物の含有量が少ない炭化シリコンによって形成することにより、万一、ガス噴出部および内管において融解が起こったとしても発生する不純物を抑制することができるので、ガス噴出部および内管中の不純物が水蒸気等のガスと一緒にウエハに供給されるのを抑制することができる。
【００３９】
3)  加工が困難な炭化シリコン材料の部分を内管とガス噴出部とに限定することにより、ガス噴出ノズルの製造コストを低減させることができるので、水蒸気発生装置ひいてはパイロジェニック酸化装置の製造コストを低減させることができる。
【００４０】
4)  他方、ガス噴出ノズルのうちの外管や燃焼管は紫外線を透過する石英によって形成することにより、燃焼室における燃焼状態を外部から観察することができるので、水素ガスの着火ミスや不完全燃焼を防止することができる。
【００４１】
5)  ガス噴出ノズルのうちのガス噴出部と内管とを外管に対して分割可能に構成することにより、炭化シリコン製のガス噴出部および内管と石英製の外管とを別々に製造することができるので、ガス噴出ノズルのうちのガス噴出部および内管だけを炭化シリコンによって形成するのを容易に実現することができるとともに、ガス噴出ノズルの製造コストを低減させることができ、かつまた、メンテナンスも容易に実施することができる。
【００４２】
6)  ガス噴出ノズルのガス噴出部の中心線上に内管の内部と連通する内側ガス噴出口を開設し、ガス噴出部の内側ガス噴出口の外側に外管と内管との間の空間に連通する外側ガス噴出口を開設することにより、水素ガスと酸素ガスとを効果的に混合させることができるので、水素ガスと酸素ガスとの燃焼反応の効率を高めることができる。
【００４３】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４４】
例えば、ガス噴出ノズルのうちガス噴出部および内管は、炭化シリコンによって一体成形するに限らず、石英材料に炭化シリコン膜をコーティングして形成してもよい。
【００４５】
内管と連通する内側ガス噴出口は、ガス噴出ノズルのガス噴出部の中心線上に一個だけ開設するに限らず、複数個を開設してもよい。つまり、内管と連通するガス噴出口は、少なくとも一つ開設すればよい。
また、外管と内管との間の空間に連通する外側ガス噴出口は、ガス噴出部の内側ガス噴出口の外側に複数個を開設するに限らず、一個だけを開設してもよい。つまり、外管と内管との間の空間に連通するガス噴出口は、少なくとも一つ開設してもよい。
【００４６】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、被処理基板はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施の形態であるパイロジェニック酸化装置を示す正面断面図である。
【図２】水蒸気発生装置を示す一部省略正面断面図である。
【図３】ガス噴出ノズルの外管と内管およびガス噴出部とを示す分解正面断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１…ウエハ（基板）、１０…パイロジェニック酸化装置（バッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置、基板処理装置）、１１…プロセスチューブ、１２…処理室、１３…炉口、１４…分散板、１５…流通孔、１６…ヒータユニット、１７…シールキャップ、１７ａ…シールリング、１８…ボートエレベータ、１９…供給管、２０…ボート、２１、２２…端板、２３…保持部材、２４…保持溝、２５…断熱キャップ部、２６…ベース、２７…排気口、２８…排気ライン、２９…排気装置、３０…水蒸気発生装置、３１…燃焼管、３２…燃焼室、３３…送出管、３４…ガス噴出ノズル、３５…外管、３６…内管、３７…ガス噴出部、３８…内側ガス噴出口、３９…外側ガス噴出口、４０…外管と内管との間の空間、４１…シール部材、４２…水素ガス導入管、４３…カップリング、４４…エルボ管、４５…酸素ガス導入管、４６…カップリング、４７…熱電対、４８…可変流量制御弁、４９…コック、５０…水素ガス供給源、５１…可変流量制御弁、５２…コック、５３…酸素ガス供給源、５４…窒素ガス導入管、５５…可変流量制御弁、５６…コック、５７…窒素ガス供給源、５８…容器、５９…ヒータ、６０…バイパスライン、６１…コック、６２…パージガス導入管、６３…パージガス導入ライン、６４…窒素ガス供給源、６５…コック。
【図１】
2006294916.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006294916.tif 000005