【手続補正書】
【提出日】平成19年6月14日(2007.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノリシック基板上にグリッド様構造に配置された複数のアンプユニットと、
複数の前記アンプユニットを分離し、複数の前記アンプユニットにＤＣ電力を供給するグリッドバイアスネットワークと、
を具備し、
各アンプユニットは、繰り返し構造の複数のバイアス線バイパス回路を具備し、
各バイアス線バイパス回路は、抵抗・インダクタンス・容量ネットワークを含み、
前記抵抗・インダクタンス・容量ネットワークは、
薄膜キャパシタと、
前記薄膜キャパシタを前記グリッドバイアスネットワークのバイアス通路に接続する誘導性ワイヤブリッジと、
前記薄膜キャパシタをグランドビアに接続する薄膜抵抗と、
を具備する、モノリシックアレイアンプ。
【請求項２】
各バイアス線バイパス回路は前記グリッドバイアスネットワークのバイアス通路に沿って配置され、複数の前記バイアス線バイパス回路は１つのグリッドユニット内の各アンプユニットの周囲の少なくとも一部に配置されて複数の前記アンプユニットの関連する１つと前記グリッドバイアスネットワークとの間のＲＦ電流フローを減ずる、請求項１に記載のモノリシックアレイアンプ。
【請求項３】
各バイアス線バイパス回路の前記薄膜キャパシタは、前記誘導性ワイヤブリッジおよび前記薄膜抵抗と共振してＲＥ周波数の範囲に亘ってＲＦ電流フローを分流するように選択された異なる値を有する、請求項１に記載のモノリシックアレイアンプ。
【請求項４】
第２薄膜抵抗によって２つ以上のグランドビアの間に接続された第２薄膜キャパシタをさらに具備し、
第２誘導性ワイヤブリッジによって前記グリッドバイアスネットワークとさらに接続される、
請求項１に記載のモノリシックアレイアンプ。
【請求項５】
前記誘導性ワイヤブリッジは誘導性ワイヤブリッジをさらに具備し、前記誘導性ワイヤブリッジは前記薄膜キャパシタの関連する１つがグランドにショートした際に回路を開放する、請求項１に記載のモノリシックアレイアンプ。
【請求項６】
モノリシック基板上にグリッド様構造に配置された複数のアンプユニットと、
複数の前記アンプユニットを分離し、複数の前記アンプユニットにＤＣ電力を供給するグリッドバイアスネットワークと、
を具備し、
各アンプユニットは繰り返し構造の複数のバイアス線バイパス回路を具備し、
前記モノリシック基板は半導体材料を具備し、複数の前記バイアス線バイパス回路は前記グリッドバイアスネットワークのバイアス通路に沿って配置され且つ前記バイアス通路の実効伝搬定数の１／４波長未満、相互に離れており、
前記半導体材料は、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、およびシリコン（Ｓｉ）からなる群から選択された材料を具備する、
モノリシックアレイアンプ。
【請求項７】
各アンプユニットは前記グリッドバイアスネットワークからバイアス電圧を受け取る電力アンプを具備する、請求項６に記載のモノリシックアレイアンプ。
【請求項８】
前記電力アンプは自己バイアス型高電子移動度トランジスタアンプを具備する、請求項７に記載のモノリシックアレイアンプ。
【請求項９】
複数の前記アンプユニットの少なくとも幾つかは、
前記モノリシック基板上の受信アンテナと、
前記モノリシック基板上の送信アンテナと、
前記送信アンテナによる送信のために、前記グリッドバイアスネットワークからバイアス電圧を受け取り、前記受信アンテナが受信したミリ波周波数を増幅する、電力アンプと、
を具備する、請求項６に記載のモノリシックアレイアンプ。
【請求項１０】
モノリシック基板上にグリッド様構造に配置された複数のアンプユニットと、
複数の前記アンプユニットを分離し、複数の前記アンプユニットにＤＣ電力を供給するグリッドバイアスネットワークと、
を具備し、
各アンプユニットは、繰り返し構造の複数のバイアス線バイパス回路を具備し、
前記複数のアンプユニットの少なくとも幾つかは、
受信アンテナと、
送信アンテナと、
前記送信アンテナによる送信のために、前記グリッドバイアスネットワークからバイアス電圧を受け取り、前記受信アンテナが受信したミリ波周波数を増幅する、電力アンプと、
を具備し、
前記受信アンテナは、ミリ波周波数において実質的に垂直偏向された波面を受信するよう構成され、前記電力アンプは信号を増幅して実質的に水平偏向された波面を供給するよう構成され、前記送信アンテナは前記増幅された信号を送信して前記ミリ波周波数において平行にされた高電力波面を生成するよう構成されている、
モノリシックアレイアンプ。
【請求項１１】
前記グリッドバイアスネットワークは、ほぼ２０乃至３０ミクロンの厚さとほぼ２００乃至４００ミクロンの幅を有する金を具備する網構造を具備し、
電源が最大３００ａｍｐの電流を前記グリッドバイアスネットワークに供給し、前記薄膜キャパシタはほぼ０．０５ｐｆ乃至１０．０ｐｆである、
請求項１に記載のモノリシックアレイアンプ。
【請求項１２】
グリッド様構造に配置され且つグリッドバイアスネットワークによって分離された複数の前記アンプユニットにＤＣ電力を供給し、
複数の前記アンプユニットと前記グリッドバイアスネットワークとの間のＲＦ電流フローを、複数の前記アンプユニットのそれぞれにおける繰り返し構造のバイアス線バイパス回路を用いて減ずる、
ことを具備し、
前記減ずることが、それぞれバイアス線バイパス回路を具備する複数のＲＬＣネットワークによってＲＦ周波数の範囲に亘ってＲＦ電流フローを分流することを具備し、前記バイアス線バイパス回路はそれぞれ薄膜キャパシタと、前記薄膜キャパシタを前記グリッドバイアスネットワークのバイアス通路に接続する誘導性ワイヤブリッジと、前記薄膜キャパシタをグランドビアに接続する薄膜抵抗とを具備し、各バイアス線バイパス回路の前記薄膜キャパシタは前記薄膜抵抗の関連する１つおよび前記誘導性ワイヤブリッジの関連する１つと共振するよう選択された異なる値を有する、
モノリシックアレイアンプにおけるバイアス構造の分離方法。
【請求項１３】
第２薄膜抵抗によって２つ以上のグランドビアの間に接続された第２薄膜キャパシタを設け、
前記第２薄膜キャパシタを前記グリッドバイアスネットワークに接続する第２誘導性ワイヤブリッジを設ける、
ことをさらに具備する、請求項１２に記載のモノリシックアレイアンプにおけるバイアス構造の分離方法。
【請求項１４】
前記誘導性ワイヤブリッジは誘導性ワイヤブリッジヒューズを具備し、前記バイアス構造の分離方法は、前記誘導ワイヤブリッジヒューズを用いて、前記薄膜キャパシタの関連する１つがグランドにショートした際に回路を開放することをさらに具備する、請求項１２に記載のモノリシックアレイアンプにおけるバイアス構造の分離方法。
【請求項１５】
モノリシック基板上のグリッド様構造に配置され且つグリッドバイアスネットワークによって分離された複数の前記アンプユニットにＤＣ電力を供給し、
複数の前記アンプユニットと前記グリッドバイアスネットワークとの間のＲＦ電流フローを、複数の前記アンプユニットのそれぞれにおける繰り返し構造のバイアス線バイパス回路を用いて減ずる、
ことを具備し、
前記モノリシック半導体基板は半導体材料を具備し、前記減ずることは、複数の前記バイアス線バイパス回路を前記グリッドバイアスネットワークのバイアス通路に沿って、前記バイアス通路の実効伝搬定数の１／４波長未満、相互に離れるように配置することを具備する、
モノリシックアレイアンプにおけるバイアス構造の分離方法。
【請求項１６】
複数の前記アンプユニットの少なくとも幾つかは、前記モノリシック基板上の受信アンテナと、前記モノリシック基板上の送信アンテナと、前記モノリシック基板上の電力アンプと、を具備する、請求項１２に記載のモノリシックアレイアンプにおけるバイアス構造の分離方法。
【請求項１７】
各電力アンプにグリッドバイアスネットワークからバイアス電圧を供給し、
前記受信アンテナによって受信されたミリ波信号を、前記受信アンテナによる再送信のるために増幅する、
ことをさらに具備する、請求項１６に記載のモノリシックアレイアンプにおけるバイアス構造の分離方法。
【請求項１８】
複数の回路要素のそれぞれの周囲の少なくとも一部に繰り返し構造で配置され、前記回路要素と前記回路要素にバイアス電流を供給するグリッドバイアスネットワークとの間のＲＦ電流フローを減ずる、複数のバイアス線バイパス回路を具備し、
各バイアス線バイパス回路は、薄膜キャパシタと、前記薄膜キャパシタを前記グリッドバイアスネットワークのバイアス通路に接続する誘導性ワイヤブリッジと、前記キャパシタをグランドビアに接続する薄膜抵抗と、を具備し、前記薄膜キャパシタは前記誘導性ワイヤブリッジの関連する１つおよび前記薄膜抵抗の関連する１つと共振してＲＦ周波数の範囲に亘ってＲＦ電流を分流するよう選択された異なる値を有する、
バイアス線バイパス構造。
【請求項１９】
前記誘導性ワイヤブリッジは誘導性ワイヤブリッジヒューズを具備し、前記ワイヤブリッジヒューズは、前記薄膜キャパシタの関連する１つがグランドにショートした際に回路を開放する、請求項１８のバイアス線バイパス構造。
【請求項２０】
前記複数の回路要素は、グリッド様構造に配置され、１つのモノリシック基板上に形成され、前記複数の回路要素および前記バイアス線バイパス回路はバイアス線バイパス構造を形成するバイアス通路によって分離されたグリッドユニット内に位置する、請求項１８のバイアス線バイパス構造。
【請求項２１】
前記グリッドバイアスネットワークは前記回路要素にＤＣ電力を供給するために前記回路要素を分離する電力グリッド網である、請求項１９に記載のバイアス線バイパス構造。
【請求項２２】
前記バイアス線バイパス回路は、第２薄膜抵抗によって２つ以上のグランドビアの間に接続され、第２誘導性ワイヤブリッジによって前記グリッドバイアスネットワークと接続される第２薄膜キャパシタをさらに具備する、請求項１８に記載のバイアス線バイパス構造。
【請求項２３】
前記モノリシック基板は半導体材料を具備し、複数の前記バイアス線バイパス回路は、前記グリッドバイアスネットワークのバイアス通路に沿って、前記バイアス通路の実効伝搬定数の１／４波長未満、相互に離れて配置される、請求項２０に記載のバイアス線バイパス構造。
【請求項２４】
前記半導体材料は、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、およびシリコン（Ｓｉ）からなる群から選択された材料を具備する、請求項２３に記載のバイアス線バイパス構造。
【請求項２５】
各回路要素は、受信アンテナと、送信アンテナと、前記グリッドバイアスネットワークからバイアス電圧を受け取り且つ前記受信アンテナによって受信されたミリ波信号を前記送信アンテナによる再送信のために増幅する電力アンプと、具備する、請求項１８に記載のバイアス線バイパス構造。
【請求項２６】
前記グリッドバイアスネットワークは、ほぼ２０乃至３０ミクロンの厚さとほぼ２００乃至４００ミクロンの幅を有する金から構成される網構造を具備する、請求項１８に記載のバイアス線バイパス構造。
【請求項２７】
電源が最大３００ａｍｐの電流を前記グリッドバイアスネットワークに供給し、前記薄膜キャパシタはほぼ０．０５ｐｆ乃至１０．０ｐｆである、請求項２６に記載のバイアス線バイパス構造。