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【手続補正書】
【提出日】平成18年12月28日(2006.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  最初に導入した第１溶媒中へ、−２０〜＋３０℃でヒドラジンおよび炭酸ジメチルを同時に計量装入し、次いで溶媒および低沸点成分を減圧下留去し、そして次に、第２の溶媒を残存している粗カルバジン酸メチルに加え次いでこの溶媒を減圧下留去するか、または残存している粗カルバジン酸メチルにガスを通すことを特徴とする、ヒドラジンおよび炭酸ジメチルからのカルバジン酸メチルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【表１】
2002535381.tif 000001
本発明の好適な実施態様は次のとおりである。
１．  最初に導入した第１溶媒中へ、−２０〜＋３０℃でヒドラジンおよび炭酸ジメチルを同時に計量装入し、次いで溶媒および低沸点成分を減圧下留去し、そして次に、第２の溶媒を残存している粗カルバジン酸メチルに加え次いでこの溶媒を減圧下留去するか、または残存している粗カルバジン酸メチルにガスを通すことを特徴とする、ヒドラジンおよび炭酸ジメチルからのカルバジン酸メチルの製造方法。
２．  ヒドラジンおよび炭酸ジメチルが０．９〜１．１：１のモル比で用いられることを特徴とする、上記1記載の方法。
３．  用いられる第１溶媒が水または有機溶媒であり、その有機溶媒が、１〜２０炭素原子を有する直鎖状、分岐状、または環状の、非置換または置換脂肪族化合物、６〜１０炭素原子を有する非置換または置換芳香族化合物、ヒドラジンまたは炭酸ジメチルであり、最後の二者は上記５で言及される量的制限以内であることを特徴とする、上記１または２記載の方法。
４．  用いられる第１溶媒が、１〜８炭素原子を有する直鎖状または分岐状脂肪族アルコールであることを特徴とする、上記１〜３のいずれかに記載の方法。
５．  同時計量装入が、一方の反応物が（他方の反応物を基準として）時間単位あたり２０％モル過剰を越えずに計量装入されるように実施されることを特徴とする、上記１〜４のいずれかに記載の方法。
６．  計量装入後、＋３０〜＋６０℃で３０〜３００分間攪拌を行う後反応時間が維持されることを特徴とする、上記１〜５のいずれかに記載の方法。
７．  用いられる第２溶媒が、１〜２０炭素原子を有する直鎖状，分岐状，または環状の、非置換または置換脂肪族化合物、６〜１０炭素原子を有する非置換または置換芳香族化合物、ヒドラジンまたは炭酸ジメチルである有機溶媒であることを特徴とする、上記１〜６のいずれかに記載の方法。
８．  蒸留が０．１〜３０ｍｂａｒへ減圧して実施されることを特徴とする、上記１〜７のいずれかに記載の方法。
９．  用いられる第２溶媒がベンゼン，トルエン，キシレン，またはクロロベンゼンであることを特徴とする、上記１〜８のいずれかに記載の方法。
１０．  窒素、空気、酸素、または希ガスを７５〜１２０℃で粗カルバジン酸メチルに通すことを特徴とする、上記１〜９のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １５−フルオロエリスロマイシンＡ、１５−エテニルエリスロマイシンＡ、１５−クロロエリスロマイシンＡ、１５−ブロモエリスロマイシンＡ、および１５−アジドエリスロマイシンＡからなる群より選択される、エリスロマイシン。
【請求項２】  １５−フルオロエリスロマイシンＡである、請求項１に記載のエリスロマイシン。
【請求項３】  請求項１に記載のエリスロマイシンのポリケチド前駆体であって、１５−フルオロ−６−デオキシエリスロノリドＢ、１５−エテニル−６−デオキシエリスロノリドＢ、１５−クロロ−６−デオキシエリスロノリドＢ、１５−ブロモ−６−デオキシエリスロノリドＢ、１５−アジド−６−デオキシエリスロノリドＢからなる群より選択される、ポリケチド前駆体。
【請求項４】  １５−フルオロ−６−デオキシエリスロノリドＢである、請求項３に記載のポリケチド前駆体。
【請求項５】  次式：
【化１】
2002535387.tif 000001
のラセミＮ−アシルシステアミンチオエステルであって、ここで：
Ｒ１が、メチルまたはビニルであり；
Ｒ２が、必要に応じて置換されたＣ１〜Ｃ５アルキルであるか、または
Ｒ２が、Ｃ２〜Ｃ４アルケニル、Ｃ２〜Ｃ４アルキニル、Ｃ３シクロアルキル、フェニル、２−メチルチアゾリル、テトラヒドロフリル、またはピリジルであり；そして
ここで、該ラセミＮ−アシルシステアミンチオエステルが、（２Ｒ＊，３Ｓ＊）の相対的立体化学配置を有する、
ラセミＮ−アシルシステアミンチオエステル。
【請求項６】  請求項５に記載のラセミチオエステルであって、ここで、
Ｒ２が、１つ以上のシクロアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アジド基、アルコキシカルボニル基、フェニル基、アリールオキシ基、ベンジルオキシ基、アリールチオ基、ピリジル基、チアゾリル基、またはフタルイミド基で必要に応じて置換されたアルキルである、ラセミチオエステル。
【請求項７】  請求項５に記載のラセミチオエステルであって、ここで、Ｒ２が、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２＝ＣＨ、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２ＣＨ２、ＦＣＨ２ＣＨ２、ＢｒＣＨ２ＣＨ２、ＣｌＣＨ２ＣＨ２、またはＮ３ＣＨ２ＣＨ２である、ラセミチオエステル。
【請求項８】  請求項５に記載のラセミチオエステルであって、Ｒ１が、メチルである、ラセミチオエステル。
【請求項９】  請求項８に記載のラセミチオエステルであって、Ｒ２が、ＣＨ２＝ＣＨ、ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２、ＦＣＨ２ＣＨ２、ＢｒＣＨ２ＣＨ２、ＣｌＣＨ２ＣＨ２、Ｎ３ＣＨ２ＣＨ２またはＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２である、ラセミチオエステル。
【請求項１０】  請求項９に記載のラセミチオエステルであって、Ｒ２が、ＦＣＨ２ＣＨ２である、ラセミチオエステル。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月25日(2007.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１端および第２端と、
前記第１端と前記第２端との間に延びる長手軸線を有する第１ロールと、
前記第１端と前記第２端との間に延びる長手軸線を有する第２ロールであって、該第２ロールが前記第１ロールから離隔され、前記第１ロールの前記長手軸線と該第２ロールの該長手軸線とが互いに略平行である第２ロールと、
前記第１端および前記第２端と前記第１ロールおよび前記第２ロールとの間に延在するシール機構であって、該シール機構がロールから形成でき、該シール機構の該ロールが前記第１ロールおよび前記第２ロールのそれぞれに対してシールを形成するシール機構と、
前記シール機構と前記第１ロールおよび前記第２ロールとの間に形成される真空キャビティと、
前記真空キャビティに流体連通する真空ポートと、
を具備することを特徴とする装置。
【請求項２】  加熱装置をさらに具備する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記第１ロールおよび前記第２ロールのいずれか一方と前記シール機構の前記ロールとによって形成されるか、或いは前記第１ロールおよび前記第２ロールのいずれか一方と他の表面とによって形成されるニップの間に通されるフィルムまたはシートをさらに具備する、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】  前記第１ロールに対向する下方第１ロールであって、該第１ロールと該下方第１ロールとが第１のニップを形成し、該第１ロールと該下方第１ロールとの各々が、前記第１端と前記第２端との間に延在する長手軸線を有する下方第１ロールと、
前記第２ロールに対向する下方第２ロールであって、該第２ロールと該下方第２ロールとが第２のニップを形成し、該第２ロールと該下方第２ロールとの各々が、前記第１端と前記第２端との間に延在する長手軸線を有し、該第２のニップ並びに該第２ロールおよび該下方第２ロールが、前記第１のニップ並びに前記第１ロール及び下方第１ロールから離隔され、それらロールの前記長手軸線が互いに略平行である下方第２ロールと、
前記第１端および前記第２端と前記下方第１ロールおよび前記下方第２ロールとの間に延在する下方シール機構であって、該下方シール機構が前記下方第１ロールおよび前記下方第２ロールのそれぞれに対してシールを形成し、前記真空キャビティを、前記シール機構と、前記第１ロールおよび前記第２ロールと、該下方シール機構と、前記下方第１ロールおよび前記下方第２ロールとの間に形成する下方シール機構と、
前記真空キャビティに流体連通する真空ポートと、
をさらに具備する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置を用意することと、
前記真空キャビティを画定する基材に隣接して、前記装置を配置することと、
前記基材と前記第１ロールおよび前記第２ロールの少なくとも一方との間に、フィルムを配置することと、
前記真空ポートによって真空を得て、負圧が前記真空キャビティに形成されるとともに、前記第１ロールおよび前記第２ロールが前記基材に向かって引出されるようにすることと、
前記基材に沿って前記装置を移動するか、或いは前記装置に沿って前記基材を移動して、前記フィルムが前記基材に積層されるようにすることと、
を含むフィルムの積層方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  多孔性で高度にフッ素化された酸性ポリマーを含む固体の酸触媒であって、該ポリマー中の一価原子の総数の少なくとも９０％がフッ素原子であり、前記触媒は、少なくとも９０質量％の高度にフッ素化された酸性ポリマーを含み、および０．０１ｍ２／ｇから５ｍ２／ｇの表面積を有することを特徴とする固体の酸触媒。
【請求項２】  前記触媒は、ＢＥＴ吸収法によって測定される際に１．７から３００ｎｍのサイズを有する孔隙を本質的に持たないことを特徴とする請求項１に記載の固体の酸触媒。
【請求項３】  前記高度にフッ素化された酸性ポリマーは、高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーを含むことを特徴とする請求項１に記載の固体の酸触媒。
【請求項４】  高度にフッ素化された酸性ポリマーまたはそれの前駆体を、加圧された流体にさらして流体膨潤ポリマーまたはポリマー前駆体を生産する工程であって、該ポリマーまたはポリマー前駆体中の一価原子の総数の少なくとも９０％がフッ素原子である工程と、
前記流体膨潤ポリマーまたは前駆体の軟化点を上回る温度まで前記流体膨潤ポリマーまたはポリマー前駆体を加熱する工程と、
前記加圧された流体の圧力を、ガスが前記流体膨潤ポリマーから流出し、前記流出するガスが前記ポリマーまたはポリマー前駆体を多孔性構造に膨張させるのに十分に急速に減少させる工程と、
前記ポリマーまたはポリマー前駆体を冷却して前記多孔性構造を少なくとも部分的に保持する工程と
を含むことを特徴とする固体の酸触媒を作成する方法。
【請求項５】  前記ポリマーは高度にフッ素化されたスルホニルハライドポリマーであり、および前記流体はＳＯ２およびＣＯ２からなる群から選択されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
（実施例１９）
（多孔性スルホン酸触媒の調製）
６０ｇのペルフルオロ化されたスルホニルフルオリドポリマーおよび１５０ｇ二酸化硫黄を用いて実施例１のように生成物を調製した。その条件は、２５０℃で３時間、および２００℃まで冷却し、その次に二酸化硫黄をガス抜きした。ポリマーのプラグを圧縮して全ての独立気泡を破壊し、小さな塊に切断し、および室温でＷｉｌｅｙ粉砕機中へと供給した。粉砕された生成物を、３０％のジメチルスルホオキシド、１４％の水酸化カリウム、および５６％の水を用いて、室温にて３日間にわたる処理、引き続いて湯浴中で２時間の加熱を行うことによって遊離酸に転換した。その生成物を水で洗浄し、および１５％ＨＮＯ３を用いて遊離酸へ転換した。空気乾燥後の重量は５７ｇである。かさ密度は、約０．３５であると測定された。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  多孔性で高度にフッ素化された酸性ポリマーを含む固体の酸触媒であって、該ポリマー中の一価原子の総数の少なくとも９０％がフッ素原子であり、前記触媒は、少なくとも９０質量％の高度にフッ素化された酸性ポリマーを含み、および０．０１ｍ２／ｇから５ｍ２／ｇの表面積を有することを特徴とする固体の酸触媒。
［２］  ０．１から０．９ｇ／ｃｃのかさ密度を有することを特徴とする［１］に記載の固体の酸触媒。
［３］  前記触媒は、ＢＥＴ吸収法によって測定される際に１．７から３００ｎｍのサイズを有する孔隙を本質的に持たないことを特徴とする［１］に記載の固体の酸触媒。
［４］  少なくとも９５質量％の高度にフッ素化された酸性ポリマーを含むことを特徴とする［１］に記載の固体の酸触媒。
［５］  ８０％のレジリエンス係数を有することを特徴とする［１］に記載の固体の酸触媒。
［６］  前記触媒は寸法的に安定であることを特徴とする［１］に記載の固体の酸触媒。
［７］  前記高度にフッ素化された酸性ポリマーは、高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーを含むことを特徴とする［１］に記載の固体の酸触媒。
［８］  高度にフッ素化された酸性ポリマーまたはそれの前駆体を、加圧された流体にさらして流体膨潤ポリマーまたはポリマー前駆体を生産する工程であって、該ポリマーまたはポリマー前駆体中の一価原子の総数の少なくとも９０％がフッ素原子である工程と、
前記流体膨潤ポリマーまたは前駆体の軟化点を上回る温度まで前記流体膨潤ポリマーまたはポリマー前駆体を加熱する工程と、
前記加圧された流体の圧力を、ガスが前記流体膨潤ポリマーから流出し、前記流出するガスが前記ポリマーまたはポリマー前駆体を多孔性構造に膨張させるのに十分に急速に減少させる工程と、
前記ポリマーまたはポリマー前駆体を冷却して前記多孔性構造を少なくとも部分的に保持する工程と
を含むことを特徴とする固体の酸触媒を作成する方法。
［９］  前記ポリマーは高度にフッ素化されたスルホニルハライドポリマーであり、および前記流体はＳＯ２およびＣＯ２からなる群から選択されることを特徴とする［８］に記載の方法。
［１０］  前記ポリマーは高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーであり、および前記流体はＳＯ２およびＣＯ２からなる群から選択され、前記流体は水をさらに含むことを特徴とする［８］に記載の方法。
［１１］  前記多孔性構造を少なくとも部分的に保持する前記ポリマーまたはポリマー前駆体の前記冷却工程は、前記圧力の減少によって引き起こされる冷却であることを特徴とする［８］に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  対向する複数の面を有する基材と、
その１つの面上の放射線硬化シリコーン剥離コーティングとを備え、このコーティングが、全抽出可能物を1.5マイクログラム／平方センチメートル以上は含まない剥離ライナー。
【請求項２】  上記コーティングが、全抽出可能物を約0.9マイクログラム／平方センチメートル以上は含まない、請求項１に記載の剥離ライナー。
【請求項３】  上記コーティングが、全抽出可能物を約0.2マイクログラム／平方センチメートル以上は含まない、請求項２に記載の剥離ライナー。
【請求項４】  上記コーティングがさらに、揮発性化合物を約10ppm以上は含まない、請求項１に記載の剥離ライナー。
【請求項５】  上記コーティングが、揮発性化合物を2.0ppm以上は含まない、請求項４に記載の剥離ライナー。
【請求項６】  上記コーティングがさらに、隣接する表面に硬化していないシリコーンを移動させない、請求項１に記載の剥離ライナー。
【請求項７】  上記基材の上記放射線硬化シリコーン剥離コーティングとは反対側の面に第２の剥離コーティングをさらに備える、請求項１に記載の剥離ライナー。
【請求項８】  上記第２の剥離コーティングも、全抽出可能物を1.5マイクログラム／平方センチメートル以上は含まない、請求項７に記載の剥離ライナー。
【請求項９】  上記基材がポリオレフィンでコーティングされた紙を含む、請求項１に記載の剥離ライナー。
【請求項１０】  上記基材が、ポリマー・フィルムを含む、請求項１に記載の剥離ライナー。
【請求項１１】  上記ポリマー・フィルムが、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、コポリエステル、ポリカーボネート、ポリケトンのフィルムからなるグループの中から選択したフィルムを含む、請求項10に記載の剥離ライナー。
【請求項１２】  剥離ライナーの製造方法であって、
放射線硬化シリコーン剥離剤を有機溶媒中に含む組成物を基材の表面に適用させるステップと、
コーティングされたこの基材を、上記溶媒を実質的に除去するのに十分な条件下で処理するステップと、
コーティングされたこの基材を、上記放射線硬化シリコーン剥離剤を硬化させて放射線硬化シリコーン剥離コーティングを形成するのに十分な条件下で放射線に曝すステップとを含む方法。
【請求項１３】  上記組成物が、放射線硬化性シリコーン剥離剤を１〜90重量％と、溶媒を99〜10重量％含む、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】  上記組成物が、放射線硬化性シリコーン剥離剤を４〜20重量％と、溶媒を96〜80重量％含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】  上記組成物が、放射線硬化性シリコーン剥離剤を６〜15重量％と、溶媒を94〜85重量％含む、請求項14に記載の方法。
【請求項１６】  上記溶媒を、脂肪族溶媒、脂環式溶媒、芳香族溶媒、ケトン溶媒、およびこれらの混合物からなるグループの中から選択する、請求項12に記載の方法。
【請求項１７】  上記脂肪族溶媒を、ヘキサン、ヘプタン、およびこれらの混合物からなるグループの中から選択する、請求項16に記載の方法。
【請求項１８】  上記脂環式溶媒が、シクロヘキサンである、請求項16に記載の方法。
【請求項１９】  上記芳香族溶媒を、キシレン、トルエン、およびこれらの混合物からなるグループの中から選択する、請求項16に記載の方法。
【請求項２０】  上記ケトン溶媒を、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、およびこれらの混合物からなるグループの中から選択する、請求項16に記載の方法。
【請求項２１】  上記適用ステップが、上記組成物を、コーティングの重量が0.1〜1.0グラム／平方メートル（乾燥状態）となるのに十分な量適用させることを含む、請求項12に記載の方法。
【請求項２２】  上記適用ステップが、上記組成物を、コーティングの重量が0.1〜0.6グラム／平方メートル（乾燥状態）となるのに十分な量適用させることを含む、請求項21に記載の方法。
【請求項２３】  上記適用ステップが、上記組成物を、コーティングの重量が0.1〜0.3グラム／平方メートル（乾燥状態）となるのに十分な量適用させることを含む、請求項22に記載の方法。
【請求項２４】  上記処理ステップが、コーティングされた上記基材を加熱することを含み、場合により、この加熱は、高速空気の存在下で実行できる、請求項12に記載の方法。
【請求項２５】  上記曝すステップが、コーティングされた上記基材を電子ビームに曝すことを含む、請求項12に記載の方法。
【請求項２６】  上記曝すステップが、コーティングされた上記基材を紫外線に曝すことを含む、請求項12に記載の方法。
【請求項２７】  放射線硬化シリコーン剥離剤を有機溶媒中に含む上記組成物を、上記基材の第２の対向面に適用させるステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  遠隔制御ユニット、好ましくはポケットトーチからの信号によって遠隔制御する、遠隔制御式玩具の構成要素であって、該玩具の構成要素は、  
前記信号を検出することができるセンサと、
マイクロプロセッサによって実行されるプログラムに応答して該マイクロプロセッサによって制御される少なくとも１つのユニットであって、前記プログラムはプログラムステップを含み、
該玩具の構成要素は検知された信号のパルスパターンに基づいて前記遠隔制御ユニットの使用者の操作の時間的な事象を判別するようになっていて、２つの連続する事象が人間の応答時間より長い間隔で分離され、
該記録された前記遠隔制御ユニットの使用者の時間的な事象の情報に応答してプログラムステップを選択することによって前記ユニットを制御するように構成されていることを特徴とする、遠隔制御式玩具の構成要素。
【請求項２】  前記玩具の構成要素は光のパルスに応答するように構成されることを特徴とする、請求項１に記載の遠隔制御式玩具の構成要素。
【請求項３】  前記装置は可視光のパルスに応答するように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の遠隔制御式玩具の構成要素。
【請求項４】  前記装置はサウンドパルスに応答するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の遠隔制御式玩具の構成要素。
【請求項５】  前記間隔は１００ミリ秒、２００ミリ秒または３００ミリ秒より長いことを特徴とする、請求項１に記載の遠隔制御式玩具の構成要素。
【請求項６】  前記間隔は人間が身体の一部の振動によって生成できる最も小さい間隔よりも長いことを特徴とする、請求項１に記載の遠隔制御式玩具の構成要素。
【請求項７】  遠隔制御ユニットからの信号によって選択された少なくとも２つの異なる機能を有する、請求項１に記載の遠隔制御式玩具の構成要素であって、該玩具の構成要素は、機能を選択するための信号を受信した後に、該受信した信号に依拠する信号を発信するように構成されている、遠隔制御式の玩具の構成要素。
【請求項８】  前記発信される信号は音響信号であることを特徴とする、請求項７に記載の遠隔制御式玩具の構成要素。
【請求項９】  前記発信される信号は光信号であることを特徴とする、請求項７に記載の遠隔制御式玩具の構成要素。
【請求項１０】  前記信号は前記選択された機能が実行される前に発信されることを特徴とする、請求項７に記載の遠隔制御式玩具の構成要素。
【請求項１１】  前記装置は、前記遠隔制御ユニットから受信された信号を複数の予想される信号と比較し、該受信された信号が該予想される信号のうち１つに一致する場合に第１の信号を発信し、該受信された信号が該予想される信号のいずれにも一致しない場合に第２の信号を発信するように構成されていることを特徴とする、請求項７に記載の遠隔制御式玩具の構成要素。
【請求項１２】  さらに、前記玩具をプログラミングするための命令を受信するための受信器と、該受信した命令を実行するための手段とを備え、
該玩具は第２の玩具へ命令を送信するための送信器を有することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の遠隔制御式玩具。
【請求項１３】  前記玩具の受信器は、命令をワイヤレス受信するように構成されていることを特徴とする、請求項１２に記載の玩具。
【請求項１４】  前記玩具の受信器は、赤外線信号を受信するように構成されていることを特徴とする、請求項１２に記載の玩具。
【請求項１５】  前記玩具の受信器は、可視光を受信するように構成されていることを特徴とする、請求項１２に記載の玩具。
【請求項１６】
前記玩具の受信器は、命令を手動で入力するためのキーボードを備えることを特徴とする、請求項１２に記載の玩具。
【請求項１７】  前記玩具の送信器は、第２の玩具に命令をワイヤレス送信するように構成されていることを特徴とする、請求項１２に記載の玩具。
【請求項１８】  前記玩具の送信器は、赤外線信号を送信するように構成されていることを特徴とする、請求項１７に記載の玩具。
【請求項１９】  前記玩具は、前記キーボードを介して、前記第２のプログラミング可能な玩具へ送信する少なくとも２つの命令を含むプログラムを受信するように構成されていることを特徴とする、請求項１６に記載の玩具。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連結手段（１１、１２、１３）を有している組立エレメント（１０、１４）の玩具組立セットであって、前記連結手段により、該組立エレメント（１０、１４）が一体に組み立てられ得る玩具組立セットであって、
前記組立エレメントのうちの１つの組立エレメント（２０）が、カメラであって、該カメラの周囲の状況の像を記録するカメラを有することを特徴とする玩具組立セット。
【請求項２】
前記カメラが、ビデオカメラであることを特徴とする請求項１に記載の玩具組立セット。
【請求項３】
前記組立エレメント（１０、１４、２０、３５）が、一方の側に、突出しているスタッド（１１、２１）を有していると共に、他方の側に、別の組立エレメントにおけるスタッド（１１、２１）を開放可能な係合状態で受容する空洞部（１２）を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の玩具組立セット。
【請求項４】
前記組立エレメントのうちの１つの組立エレメント（３５）が、運動を生じさせるためのモータを収容していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の玩具組立セット。
【請求項５】
前記玩具組立セットが、
表示装置（３２）と、該表示装置（３２）上に表示すべく、前記カメラ（２０）から像を伝達する手段（３１）と、
前記モータ（３５）用の制御信号を発生するようになっている制御装置（３３）と、該制御装置（３３）からの前記制御信号を前記モータ（３５）に伝達する手段と、
を更に備えし、
前記モータ（３５）が、前記制御装置（３３）から受信した制御信号に応答するようになっている、
ことを特徴とする請求項４に記載の玩具組立セット。
【請求項６】
前記玩具組立セットが、モータを収容している幾つかの組立エレメント（３５）を具備しており、且つ、前記制御装置（３３）が、少なくとも２つのモータ用の制御信号を発生することを特徴とする請求項５に記載の玩具組立セット。
【請求項７】
前記カメラ（２０）からの像を前記表示装置（３２）に伝達する前記手段（３１）が、無線の接続手段から構成され、前記制御装置（３）からの前記制御信号を前記モータ（３５）に伝達する手段（３４）が、同様に、無線の接続手段から構成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の玩具組立セット。
【請求項８】
前記カメラ（２０）からの像を前記表示装置（３２）に伝達する前記手段（３１）が、有線の（firm）接続手段から構成され、且つ、制御装置（３３）からの前記制御信号を前記モータ（３５）に伝達する手段（３４）が、同様に、有線の接続手段から構成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の玩具組立セット。
【請求項９】
前記連結手段は、基準寸法の間隔（modular-spacing）を備えている周期的パターンの状態で配設されており、該基準寸法の間隔は、離散的な相対位置での前記組立エレメントの相互接続が複合構造体を形成可能であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の玩具組立セット。
【請求項１０】
前記玩具組立セットが、移動可能な物体を含んでいることを特徴とする請求項９に記載の玩具組立セット。
【請求項１１】
前記移動可能な物体が、ポーズをとることのできる玩具フィギュアであって、連結手段を備えている玩具フィギュアであり、該連結手段により、該フィギュアは、前記組立エレメントに／と、前記離散的な位置で相互接続されることができることを特徴とする請求項１０に記載の玩具組立セット。
【請求項１２】
前記移動可能な物体が、玩具車両であることを特徴とする請求項１０に記載の玩具組立セット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月4日(2007.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マイクロ波アシスト化学反応を実行するのに使用する検出装置であって、
マイクロ波放射線に対して実質的に透過性である材料から形成された容器と、
前記容器内からの一次信号を電気信号に変換するセンサと、
前記センサ用の電気コネクタと、
マイクロ波放射線に対して実質的に透過性の手段であって、前記センサからの信号を前記電気コネクタに通信する通信手段と、
前記電気コネクタの周りに設けられたシールドであって、前記電気コネクタを介して伝達された電気信号とマイクロ波とが干渉しないようにする接地シールドと
を備えていることを特徴とする検出装置。
【請求項２】  請求項１記載の検出装置において、前記センサは、前記接地シールドと電気的に通信するトランスジューサを備えていることを特徴とする検出装置。
【請求項３】  請求項２記載の検出装置において、該装置はさらに、マイクロ波共鳴キャビティを備えていることを特徴とする検出装置。
【請求項４】  請求項３記載の検出装置において、
前記マイクロ波共鳴キャビティは、複数の壁によって画定されており、
前記電気コネクタは、前記マイクロ波共鳴キャビティの前記壁の１つに設けられており、
該１つの壁は、電気的に接地されて前記接地シールドを接地するよう構成されている
ことを特徴とする検出装置。
【請求項５】  請求項３記載の検出装置において、該装置はさらに、
マイクロ波ソースと、
前記マイクロ波ソースから前記マイクロ波共鳴キャビティにマイクロ波を発進する発進手段と
を備えていることを特徴とする検出装置。
【請求項６】  請求項５記載の検出装置において、前記マイクロ波ソースは、マグネトロンであることを特徴とする検出装置。
【請求項７】  請求項５記載の検出装置において、前記発進手段は、導波管を含んでいることを特徴とする検出装置。
【請求項８】  請求項３記載の検出装置において、前記接地シールドは、マイクロ波チョークを備えていることを特徴とする検出装置。
【請求項９】  請求項３記載の検出装置において、該装置はさらに、前記電気コネクタと通信し、前記一次信号を電気信号に変換するトランスジューサを備えていることを特徴とする検出装置。
【請求項１０】  請求項９記載の検出装置において、前記トランスジューサは、圧力トランスジューサであることを特徴とする検出装置。
【請求項１１】  請求項３記載の検出装置において、前記通信手段は、マイクロ波に実質的に透過性の圧力ホースであることを特徴とする検出装置。
【請求項１２】  マイクロ波アシスト化学反応を行うためのシステムであって、
マイクロ波放射用のソースと、
前記ソースと通じているキャビティと、
前記キャビティ内の反応槽と、
前記容器内のセンサであって、該容器内の物理的パラメータを測定するセンサと、
前記キャビティの壁に近接して配置されている、前記センサ用の電気コネクタと、
マイクロ波放射線に対して実質的に透過性の手段であって、前記センサから前記電気コネクタに信号を通信する通信手段と、
前記電気コネクタの周りのシールドであって、前記キャビティ中へ発進されたマイクロ波が前記電気コネクタを介して伝送された電気信号と干渉しないようにするシールドと
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１３】  請求項１２記載のシステムにおいて、前記センサは、前記反応槽の内容物の物理的特性を電気信号に変換するよう構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項１４】  請求項１２記載のシステムにおいて、前記センサは圧力トランスジューサであることを特徴とするシステム。
【請求項１５】  請求項１４記載のシステムにおいて、前記通信手段は、前記反応槽と流体が移動可能な圧力配管であることを特徴とするシステム。
【請求項１６】  請求項１５記載のシステムにおいて、前記圧力トランスジューサもまた、前記シールドによってシールドされていることを特徴とするシステム。
【請求項１７】  請求項１２記載のシステムにおいて、前記シールドは、電気的に前記キャビティの前記壁に接地されていることを特徴とするシステム。
【請求項１８】  請求項１２記載のシステムにおいて、前記センサはマグネトロンであることを特徴とするシステム。
【請求項１９】  マイクロ波アシスト化学反応を行うためのシステムであって、
マイクロ波放射用のソースと、
前記ソースと連通しているキャビティと、
前記キャビティ内の複数の反応槽と、
マイクロ波放射線に対して実質的に透過性の圧力配管であって、前記複数の反応槽の少なくとも１つと流体が移動可能に連通する圧力配管と、
前記圧力配管と連通した圧力トランスジューサと、
前記キャビティの壁に配置された、前記圧力トランスジューサ用の電気コネクタと、
前記電気コネクタの周囲に配置されたシールドであって、前記キャビティから発進されたマイクロ波が前記電気コネクタを介して伝達される電気信号と干渉しないようにするためのシールドと
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２０】  請求項１９記載のシステムにおいて、前記シールドは更に、マイクロ波が前記キャビティから放出されないようにするためのチョークを含むことを特徴とするシステム。
【請求項２１】  請求項１９記載のシステムにおいて、該システムは更に、前記ソースと前記キャビティとの間に設けられた導波管を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２２】  請求項１９記載のシステムにおいて、前記反応槽は、マイクロ波放射線に対して実質的に透過性である材料から形成されていることを特徴とするシステム。
【請求項２３】  請求項１９記載のシステムにおいて、前記ソースはマグネトロンを含むことを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月25日(2007.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  イオン交換樹脂物質の交互層を含んだイオン減少用区画を含み、このとき前記交互層の少なくとも1つがドーパント物質を含み、前記交互層の導電率が均衡され、前記ドーパント物質が不活性媒体もしくは電気活性媒体であり、そして少なくとも1つの層におけるイオン交換の主たるメカニズムが該イオンの単一方向への輸送であることを特徴とする、電気脱イオン装置。
【請求項２】  前記交互層の少なくとも1つが特殊化された電気活性媒体を含み、前記特殊化された電気活性媒体がI型アニオン交換樹脂物質を含む、請求項1記載の電気脱イオン装置。
【請求項３】  前記特殊化された電気活性媒体が、II型アニオン交換樹脂物質、弱塩基アニオン交換樹脂物質、およびこれらの混合物からなる群から選ばれる物質をさらに含む、請求項2記載の電気脱イオン装置。
【請求項４】  前記特殊化された電気活性媒体が約90%の前記I型アニオン交換樹脂物質を含む、請求項3記載の電気脱イオン装置。
【請求項５】  前記イオン減少用区画が前記イオン交換樹脂物質の少なくとも２つの交互層を含む、請求項4記載の電気脱イオン装置。
【請求項６】  イオン交換樹脂物質の少なくとも１つの交互層が前記特殊化された電気活性媒体を含む、請求項5記載の電気脱イオン装置。
【請求項７】  イオン交換樹脂物質の少なくとも１つの交互層が前記ドーパントを含む、請求項５記載の電気脱イオン装置。
【請求項８】  少なくとも１つの交互層が少なくとも２５％の前記特殊化された電気活性媒体を含む、請求項５記載の電気脱イオン装置。
【請求項９】  前記層が約2インチ(5.08cm)〜約4インチ(10.16cm)の厚さを有する、請求項８記載の電気脱イオン装置。
【請求項１０】  前記ドーパント物質が特殊化された電気活性媒体を含み、前記特殊化された電気活性媒体が少なくとも約60容量%のI型アニオン交換樹脂物質を含む、請求項2記載の電気脱イオン装置。
【請求項１１】  前記特殊化された電気活性媒体が、II型アニオン交換樹脂物質、弱塩基アニオン交換樹脂物質、およびこれらの混合物からなる群から選ばれる物質をさらに含む、請求項１０記載の電気脱イオン装置。
【請求項１２】  前記少なくとも1つの層が約50容量%未満の前記ドーパント物質を含む、請求項1記載の電気脱イオン装置。
【請求項１３】  前記ドーパント物質が、カチオン交換樹脂物質、I型アニオン交換樹脂物質、II型アニオン交換樹脂物質、弱塩基アニオン交換樹脂物質、ゼオライト樹脂物質、合成活性炭、超架橋吸着剤樹脂、合成炭素質吸着剤、ポリマー吸着剤樹脂ビーズ、触媒炭素、不活性物質、およびこれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項１２に記載の電気脱イオン装置。
【請求項１４】  少なくとも2つの隣接したイオン交換樹脂層がドーパント物質を含む、請求項１３記載の電気脱イオン装置。
【請求項１５】  前記少なくとも2つの隣接層のそれぞれが約50容量%未満のドーパント物質を含む、請求項１４記載の電気脱イオン装置。
【請求項１６】  前記ドーパント物質が、カチオン交換樹脂物質、I型アニオン交換樹脂物質、II型アニオン交換樹脂物質、弱塩基アニオン交換樹脂物質、ゼオライト樹脂物質、合成活性炭、超架橋吸着剤樹脂、合成炭素質吸着剤、ポリマー吸着剤樹脂ビーズ、触媒炭素、不活性物質、およびこれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項１４に記載の電気脱イオン装置。
【請求項１７】  前記2つの層の少なくとも一方に、II型アニオン交換樹脂物質、弱塩基アニオン交換樹脂物質、およびこれらの混合物からなる群から選ばれるドーパント物質がドーピング処理されている、請求項１６記載の電気脱イオン装置。
【請求項１８】  イオン減少用区画を有する電気脱イオン装置を準備すること;
第1の導電率値を有するイオン交換樹脂物質の第1の層と、前記第1の導電率値とは異なる第2の導電率値を有するイオン交換樹脂物質の第2の層とを供給すること;
前記第1の層と第2の層の一方にドーパント物質を加えることによって、前記第1の導電率値と前記第2の導電率値との間の差を小さくすること;
前記第1と第2の層を前記イオン減少用区画に交互層として配置すること;
流体流れを前記イオン減少用区画に通すこと; および
前記電気脱イオン装置の両端間に電界を発生させること;
を含み、前記ドーパント物質が不活性媒体もしくは電気活性媒体であり、ドーパント物質を含んだ層におけるイオン交換の主たるメカニズムが該イオンの単一方向への輸送であることを特徴とする、電気脱イオン装置にて流体を精製するための方法。
【請求項１９】  前記交互層を約2インチ(5.08cm)〜約4インチ(10.16cm)の厚さにて供給することをさらに含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】  前記イオン交換物質から付着物を除去するために、発生させた電界の極性を逆にすることをさらに含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】  前記交互層を約2インチ(5.08cm)〜約4インチ(10.16cm)の厚さにて供給することをさらに含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】  イオン濃縮用区画をさらに含む、請求項1記載の電気脱イオン装置。
【請求項２３】  前記イオン濃縮用区画がイオン交換樹脂物質を含む、請求項２２記載の電気脱イオン装置。
【請求項２４】  前記イオン交換樹脂物質がカチオン交換樹脂物質を含む、請求項２３記載の電気脱イオン装置。
【請求項２５】  前記イオン濃縮用区画が不活性スクリーンを含む、請求項２３記載の電気脱イオン装置。
【請求項２６】  前記イオン濃縮用区画がイオン交換樹脂物質の交互層を含む、請求項２３記載の電気脱イオン装置。
【請求項２７】  前記交互層の少なくとも1つがドーピング処理されている、請求項２５記載の電気脱イオン装置。
【請求項２８】  第1の層がカチオン交換樹脂物質とドーパントを含むことを特徴とする、請求項1記載の電気脱イオン装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  識別カードプリンタであって、
個々のカード（２４）を含むカードサプライ用品、
モータ（３０）により駆動され、前記カードの一つを前後方向に駆動するように構成されているローラ（２６）、
プリントサプライ用品であって、回転するように支持されるコア（１４）と、前記コアに巻かれたプリントリボン（１２）と、前記コアに取り付けられたＩＤタグ回路であって、サプライ用品に関するサプライ用品情報を有するメモリを含む交換可能なＩＤタグ回路（１５）と、を含むプリントサプライ用品、
前記プリントリボンと係合して前記カードに印刷を行うサーマルプリントヘッド（３４）、および
前記交換可能なＩＤタグ回路の前記メモリと通信し、前記メモリから前記サプライ用品情報を読み取り、且つサプライ用品情報を前記メモリに書き込むようになっている、プリンタコントローラ（２２）
を備える、識別カードプリンタ。
【請求項２】  請求項１記載の識別カードプリンタであって、
前記交換可能なＩＤタグ回路が、無線周波数（ＲＦ）通信回路（１４２）である、識別カードプリンタ。
【請求項３】  請求項２記載の識別カードプリンタであって、
前記プリンタコントローラが、前記交換可能なＩＤタグ回路に対してサプライ用品情報を無線通信するためのＲＦ通信回路（１４０）を含む、識別カードプリンタ。
【請求項４】  請求項１記載の識別カードプリンタであって、
前記サプライ用品情報は、染料の密度、残りのリボンの長さ、使用されたパネルの数、および使用されたリボンの長さを含む群から選択される、前記プリントリボンに関する少なくとも一つのパラメータを含む、識別カードプリンタ。
【請求項５】  請求項１記載の識別カードプリンタであって、
前記交換可能なＩＤタグ回路の前記メモリが第１のパスワードを含み、
前記プリンタが、第２のパスワードを受ける入力部（７４）を含み、
前記プリンタコントローラは、前記第１のパスワードが前記第２のパスワードと一致するときに前記プリントリボンで前記プリンタの作動を可能とするように、また、前記第１のパスワードが前記第２のパスワードに一致しないときに前記プリントリボンで前記プリンタが作動しないように、構成される、識別カードプリンタ。
【請求項６】  請求項１記載の識別カードプリンタであって、
前記エンコーダが前記コアの回転位置を検知するセンサを含む、識別カードプリンタ。
【請求項７】  請求項１記載の識別カードプリンタであって、
無線周波数（ＲＦ）連結、磁気的連結、物理的連結及び光連結からなる群から選択される、前記プリンタおよび前記交換可能なＩＤタグ回路の間の通信接続を含む、識別カードプリンタ。
【請求項８】  請求項１記載の識別カードプリンタであって、
前記サプライ用品情報は、残っているリボンの量、使用されたリボンの量、サプライ用品のサプライヤ、サプライ用品の貯蔵寿命、プリントヘッド電圧、およびサプライ用品のためのプリンタ設定を含む群から選択される少なくとも一つのパラメータに関する、識別カードプリンタ。
【請求項９】  請求項１記載の識別カードプリンタであって、
前記メモリはリボン張力情報を含み、
前記プリンタコントローラは、前記リボンの張力を前記リボン張力情報に応じて調整する、識別カードプリンタ。
【請求項１０】  カード上に印刷を行う識別カードプリンタであって、該プリンタは、
モータ（３０）により駆動され、前記カードの一つを前後方向に駆動するように構成されているローラ（２６）、
前記カードに印刷を行うように構成されているプリント機構（３４）、
第１のパスワードを含むタグ回路（１５）を有するプリントリボン、および
前記タグ回路と通信するように構成されるコントローラ（２２）
を備え、
前記コントローラは、前記第１のパスワードが第２のパスワードと一致するときに前記プリントリボンで前記プリンタの作動を可能とするように、また、前記第１のパスワードが前記第２のパスワードに一致しないときに前記プリントリボンで前記プリンタが作動しないように、構成される、識別カードプリンタ。
【請求項１１】  請求項１０記載のプリンタであって、
前記第２のパスワードは前記コントローラによりアクセス可能であり、また前記プリントリボンから取り外される、プリンタ。
【請求項１２】  請求項１０記載のプリンタにおいて、
前記コントローラはキーカードからパスワードを取得するように構成されている、プリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月24日(2007.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）細胞において、ＤＮＡ結合配列とＤＮＡ切断ドメインとを含むキメラ制限エンドヌクレアーゼを用いて、目的の部位にて二本鎖切断を誘導する工程；および
（ｂ）目的の部位への標的ＤＮＡの導入に適切な条件下で細胞に標的ＤＮＡを導入する工程を含み、該標的ＤＮＡが（１）目的の部位の周囲の領域に相同なＤＮＡおよび（２）該標的ＤＮＡと染色体ＤＮＡとの間の組換えの際に目的の特定配列を修復するＤＮＡを含有する、
細胞の染色体ＤＮＡ中の目的の特定配列の修復方法。
【請求項２】  （ａ）細胞において、ＤＮＡ結合配列とＤＮＡ切断ドメインとを含むキメラ制限エンドヌクレアーゼを用いて、改変対象の特定配列中の目的の部位にて二本鎖切断を誘導する工程；および
（ｂ）目的の部位への標的ＤＮＡの導入に適した条件下で細胞に標的ＤＮＡを導入する工程を含み、該標的ＤＮＡが（１）目的の部位の周囲の領域に相同なＤＮＡおよび（２）該標的ＤＮＡと染色体ＤＮＡとの間の組換えの際に特定配列を改変するＤＮＡを含有する、
細胞の染色体ＤＮＡ中の特定配列の改変方法。
【請求項３】  （ａ）細胞において、ＤＮＡ結合配列とＤＮＡ切断ドメインとを含むキメラ制限エンドヌクレアーゼを用いて、目的の内因性遺伝子中の目的部位にて二本鎖切断を誘導する工程；および
（ｂ）目的の部位への標的ＤＮＡの導入に適した条件下で細胞に標的ＤＮＡを導入する工程を含み、該標的ＤＮＡが（１）目的の部位の周囲の領域に相同なＤＮＡおよび（２）該標的ＤＮＡと目的の遺伝子との間の組換えの際に目的の遺伝子を減弱化するＤＮＡを含有する、
細胞の目的の内因性遺伝子の減弱化方法。
【請求項４】  （ａ）細胞において、ＤＮＡ結合配列とＤＮＡ切断ドメインとを含むキメラ制限エンドヌクレアーゼを用いて、目的の部位にて二本鎖切断を誘導する工程；および
（ｂ）目的の部位への標的ＤＮＡの導入に適した条件下で細胞に標的ＤＮＡを導入する工程を含み、該標的ＤＮＡが（１）目的の部位の周囲の領域に相同なＤＮＡおよび（２）目的の部位に導入すべき変異を含有する、
細胞の染色体ＤＮＡ中の目的の部位への変異の導入方法。
【請求項５】  目的の部位の周囲の領域に相同な染色体ＤＮＡが目的の部位に導入されるために、および遺伝子損傷の補正のために適した条件下で、細胞において、ＤＮＡ結合配列とＤＮＡ切断ドメインとを含むキメラ制限エンドヌクレアーゼを用いて、遺伝子損傷の目的の部位にて二本鎖切断を誘導する工程を含む、細胞の染色体ＤＮＡ中の遺伝子損傷の補正方法。
【請求項６】  目的の部位の周囲の領域に相同な染色体ＤＮＡが目的の部位に導入されるために、および特定配列の改変のために適した条件下で、細胞において、ＤＮＡ結合配列とＤＮＡ切断ドメインとを含むキメラ制限エンドヌクレアーゼを用いて、改変対象の特定配列中の目的の部位にて二本鎖切断を誘導する工程を含む、細胞の染色体ＤＮＡ中の特定配列の改変方法。
【請求項７】  目的の部位の周辺の領域に相同な染色体ＤＮＡが目的の部位に導入されるために、および目的の特定配列の修復のために適した条件下で、細胞において、ＤＮＡ結合配列とＤＮＡ切断ドメインとを含むキメラ制限エンドヌクレアーゼを用いて、目的の部位にて二本鎖切断を誘導する工程を含む、細胞の染色体ＤＮＡ中の目的の特定配列の修復方法。
【請求項８】  目的の特定配列が変異である、請求項１または７記載の方法。
【請求項９】  ＤＮＡ結合配列が亜鉛フィンガードメインまたはメガヌクレアーゼ認識部位である、請求項１〜８いずれか記載の方法。
【請求項１０】  ＤＮＡ切断ドメインが制限エンドヌクレアーゼ切断ドメインである、請求項１〜９いずれか記載の方法。
【請求項１１】  メガヌクレアーゼ認識部位がＩ−ＳｃｅＩ認識部位であり、ＤＮＡ切断ドメインがＦｏｋＩ切断ドメインである、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】  ＤＮＡ結合配列およびＤＮＡ切断ドメインを含有してなるキメラ制限エンドヌクレアーゼ。
【請求項１３】  ＤＮＡ結合配列が亜鉛フィンガードメインまたはメガヌクレアーゼ認識部位である、請求項１２記載のキメラ制限エンドヌクレアーゼ。
【請求項１４】  ＤＮＡ切断ドメインが制限エンドヌクレアーゼ切断ドメインである、請求項１２または１３記載のキメラ制限エンドヌクレアーゼ。
【請求項１５】  メガヌクレアーゼ認識部位がＩ−ＳｃｅＩ認識部位であり、ＤＮＡ切断ドメインがＦｏｋＩ切断ドメインである、請求項１３または１４記載のキメラ制限エンドヌクレアーゼ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
ｎｌｓｌａｃＺ遺伝子の存在に関して陽性である２４個のクローン中の１８個を突然変異ｎｌｓｌａｃＺ遺伝子の発現について評価した。突然変異ｎｌｓｌａｃＺ遺伝子の発現を評価するため、１８個の対応するジェネチシン耐性クローン培養物中の細胞からＲＮＡを抽出した。突然変異ｎｌｓｌａｃＺ遺伝子をコードするＲＮＡを逆転写酵素ポリメラー連鎖反応（ＲＴ−ＰＣＲ）で増幅した。オリゴヌクレオチドプライマー５’−ＴＡＣＡＣＧＣＧＴＣＧＴＧＡＴＴＡＧＣＧＣＣＧ−３’（配列番号：３）をｌａｃＺ逆転写に使用した。ハンレイおよびメルリー（Ｔ．Ｈａｎｌｅｙ  ＆  Ｊ．Ｐ．Ｍｅｒｌｉｅ）（１９９１）、バイオフィードバック・イン・バイオテクニックス（ＢｉｏＦｅｅｄｂａｃｋ  ｉｎ  ＢｉｏＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）、第１０巻、第１号、５６ページに記載通りにＰＣＲを行った。１８個のクローン中１１個で陽性反応を示した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  カメラによって捕えられ、カメラ・グリッド内の画素の組によって表された歪んだ画像から、幾何学的歪みのない画像を再構成する方法であって、上記の方法は、
前記カメラ・グリッドに適用したときに、前記歪んだ画像における歪みを補正させる歪み補正係数を決定するステップと、
前記カメラ・グリッドの形状を調整して、前記歪んだ画像の内容を補正するステップであって、前記カメラ・グリッドの前記形状を調整することが、歪んだカメラ・グリッドをもたらすステップと、
前記歪み補正係数に基づいて、前記カメラ・グリッド内のそれぞれの位置を表示ウィンドウ内の各画素ごとに識別するステップと、
前記位置によって示された前記カメラ・グリッド内の１つまたは複数の画素に基づいて、前記表示ウィンドウ内の各画素に輝度値を割り当てるステップと
を含む方法。
【請求項２】  カメラによって捕えられ、カメラ・グリッド内の画素の組によって表された歪んだ画像から、幾何学的歪みのない画像を再構成する方法であって、上記の方法は、
前記第１カメラ・グリッドの形状を調整して、前記歪んだ画像の内容を補正するステップであって、前記カメラ・グリッドの前記形状を調整することが、歪んだカメラ・グリッドをもたらすステップと、
表示ウィンドウ内の各選択した画素ごとに、表示ウィンドウ内の選択した画素と前記第１カメラ・グリッド内の対応する画素との間での変位ベクトルを、前記歪んだカメラ・グリッドと前記第１カメラ・グリッドの間にある差に基づいて計算するステップと、
前記表示ウィンドウ内の各選択した画素に対し、前記変位ベクトルに応じて前記第１カメラ・グリッド内の対応する画素からオフセットされた前記カメラ・グリッド内の少なくとも１つの画素に基づき、輝度を割り当てるステップとを含む方法。
【請求項３】  画像における幾何学的歪みを補正する方法であって、この方法は画像表示装置上に表示される前記画像の輪郭を歪める入力を与えて前記画像における幾何学的歪みを補正するよう、ユーザにプロンプト指示するステップと；
前記歪み補正係数を前記ユーザ入力に応答して調整して、前記画像における前記幾何学的歪みを補正するステップとから構成され、画像の輪郭の歪みは歪み補正係数を示すと共に歪んだ輪郭を有する画像となって表われることを特徴とする。
【請求項４】  ユーザが、画像表示装置上に表示される歪んだ画像の輪郭を歪めて、前記歪んだ画像における幾何学的歪みを補正できるようにするユーザ・コントロールと；
１つまたは複数のプロセッサを含んだ処理装置と；
上記１つまたは複数のプロセッサに接続した１つまたは複数のメモリと；
とから構成され、歪んだ画像の輪郭を歪ませることによって歪んだ輪郭を持った画像となり、プログラムコードを記憶した上記の１つまたは複数のメモリが上記の１つまたは複数のプロセッサによって実行されたとき；当該プロセッサに、
前記歪んだ画像に適用したときに、前記歪んだ画像における歪みを補正させる歪み補正係数の反復調整を実行させ、
前記歪み補正係数に基づいて、前記歪んだ画像内のそれぞれの位置を表示ウィンドウ内の各画素ごとに識別させ、
前記位置によって示された前記歪んだ画像内の１つまたは複数の画素に基づいて、前記表示ウィンドウ内の各画素に輝度値を割り当てることによって、歪んだ画像から、幾何学的歪みのない画像を再構成することを特徴とする装置。