(57)【要約】【課題】トップエミッション方式の有機ＥＬデバイスにおいて、水蒸気の侵入を防ぎつつ熱による素子の劣化を起こさない有機ＥＬ素子の封止構造を提供する。【解決手段】ねじ部を持つ部材とねじ受け部を持つ部材が締まることで有機ＥＬ素子を内部に収容し、外部に対する気密状態を形成する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する陽極と陰極からなる１対の電極と前記１対の電極の間に配置されている有機層を有する有機ＥＬ素子を封止部材により封止した有機ＥＬ素子の封止構造において、
前記封止構造は、前記有機ＥＬ素子を内部に収容する収容空間を有し、
前記収容空間とは、ねじ部とねじ受け部とが締まることで形成される内部空間のことであり、
前記ねじ部が前記ねじ受け部において前記締まることにより前記収容空間は外部に対して気密状態になっていることを特徴とする有機ＥＬ素子の封止構造。
【請求項２】
前記ねじ部あるいは前記ねじ受け部の少なくとも一方の表面はコーティング処理がほどこされていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の封止構造。
【請求項３】
請求項２に記載のコーティングが、金属、セラミックまたは炭素膜の少なくともひとつを有することを特徴とする有機ＥＬ素子の封止構造。
【請求項４】
請求項２に記載のコーティングが、前記ねじ部あるいは前記ねじ受け部よりも低い弾性率値を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の封止構造。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子は、トップエミッション構造の素子であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の封止構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ素子の封止構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子の劣化防止のため、水蒸気の侵入を防止する必要がある。素子への水蒸気の侵入を防ぐ方法としては、図１に示す絶縁層／（低融点）金属層で封止する例がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図１は封止断面の拡大図であり、１２は有機ＥＬ素子を表している。絶縁層１４と低融点金属層１５を介して、ガラス基板１１と封止ガラス１０により前記有機ＥＬ素子が気密状態になっている。
【特許文献１】特開２００２−１１７９７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された技術を有機ＥＬデバイスに適用した場合、素子への水蒸気の侵入を防げるものの、低融点金属加熱部が接着時に１００℃を超えるため、熱による素子の劣化が発生するという課題がある。
【０００５】
そこで本発明の目的は、トップエミッション方式の有機ＥＬデバイスにおいて、水蒸気の侵入を防ぎつつ熱による素子の劣化を起こさない有機ＥＬ素子の封止構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
よって本発明は、対向する陽極と陰極からなる１対の電極と前記１対の電極の間に配置されている有機層を有する有機ＥＬ素子を封止部材により封止した有機ＥＬ素子の封止構造において、
前記封止構造は、前記有機ＥＬ素子を内部に収容する収容空間を有し、
前記収容空間とは、ねじ部とねじ受け部とが締まることで形成される内部空間のことであり、
前記ねじ部が前記ねじ受け部において前記締まることにより前記収容空間は外部に対して気密状態になっていることを特徴とする有機ＥＬ素子の封止構造を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、トップエミッション方式の有機ＥＬデバイスにおいて、水蒸気の侵入を防ぎつつ熱による素子の劣化を起こさない有機ＥＬ素子の封止構造を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の封止構造を図２に示す。また図３に図２の断面図を示す。図２、図３において、２１はアクティブマトリックスタイプの有機ＥＬ素子である。本発明における有機ＥＬ素子の封止構造の組立において、ねじ部２２をもつ第一の封止部材２７と、有機ＥＬ素子２１とねじ受け部２３を含む第二の封止部材が、前記ねじ部２２と前記ねじ受け部２３において締まることで、前記有機ＥＬ素子２１を内部に収容した気密空間を形成できる。
【０００９】
また本発明においては、ねじ部での圧着のために、ねじ部２２あるいはねじ受け部２３のうち少なくとも一方の表面にコーティングを施すことが望ましく、コーティングの材料としては水蒸気の侵入を防ぎやすく、さらにねじ部２２とねじ受け部２３の材料よりも弾性率の低いものが好ましい。具体的な材料としては金属系、セラミック系（ＳｉＯ２，各種金属酸化物など）、あるいは炭素系（アモルファス、ダイヤモンド状）などが挙げられる。単にフィルム状の上記材料をねじ部２２に巻きつけることでも効果が期待できる。
【実施例】
【００１０】
本実施例では、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ素子の封止を行った。封止の工程の詳細を以下に示す。
【００１１】
［封止部材の作製］
図２と図３に示されるように、有機ＥＬ素子２１を封止するためにねじ部２２を加工し、上部にはトップエミッションによる発光を透過するためのガラス２４を備えた、第一の封止部材２７を形成した。また底部に気密端子２６をもち、周囲にねじ受け部２３を加工した部材の底部中央に、ＴＦＴ素子及び該素子をマトリクス駆動するための配線を備えた絶縁材料基板２５を形成し、第二の封止部材２８とした。なお、ねじ部２２とねじ受け部２３の材料にはステンレスを用いた。
【００１２】
有機ＥＬ素子２１の断面図を図４に示す。絶縁材料基板２５上に、第一の電極４１を画素ごとにＡｌを膜厚１００ｎｍ、真空度２．７×１０−３Ｐａの条件下で真空蒸着法にて成膜した。
【００１３】
次に上記第一の電極上に符号４２に示される有機ＥＬ層を、発光層としてＡｌｑ３を厚さ４０ｎｍ、真空度２．７×１０−３Ｐａの条件下で真空蒸着法にて成膜した後、更に上記発光層の上に正孔輸送層として、αＮＰＤを厚さ６０ｎｍ、真空度２．７×１０−３Ｐａの条件下で真空蒸着法にて成膜することで形成した。
【００１４】
成膜後、第二の電極４３として、厚さ７０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ法にて形成した。
【００１５】
第一の電極４１と第二の電極４３からの配線を、前記第二の封止部材の気密端子２６に接続し、外部と導通させた。
【００１６】
なお絶縁材料基板２５にはガラス（表面凹凸は±２ｎｍ）を、ねじ受け部の金属材料にはステンレスを用いた。
【００１７】
［保護膜の作製］
ＩＴＯ膜を成膜した後、符号４４の保護膜形成を行う。前記保護膜の作製方法は真空装置により、絶縁材料基板２５上に窒化シリコン膜を堆積形成した。
【００１８】
［封止工程］
第一の封止部材２７のあらかじめアルミニウムの蒸着をほどこされたねじ部２２を、第二の封止部材２８のねじ受け部２３に締め付けることで、気密空間の形成を行った。
【００１９】
封止工程は、グローブボックス（不図示）中の水分濃度を１０ｐｐｍ以下に制御して行い、有機ＥＬ素子２１の劣化を抑えた。
【００２０】
［素子評価］
以上の工程にて形成された本発明の有機ＥＬ素子の封止構造において、一週間放置後も素子にダークスポットの発生は見られず、安定した有機ＥＬ素子を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来技術により封止した有機ＥＬ素子の封止構造断面図である。
【図２】本発明の封止構造の外観図である。
【図３】本発明の封止構造の断面図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ素子の断面図である。
【符号の説明】
【００２２】
１０  封止ガラス
１１  ガラス基板
１２  有機ＥＬ素子
１３  取り出し電極
１４  絶縁層
１５  低融点金属層
２１  有機ＥＬ素子
２２  ねじ部
２３  ねじ受け部
２４  ガラス
２５  絶縁材料基板
２６  気密端子
２７  第一の封止部材
２８  第二の封止部材
４１  第一の電極
４２  有機ＥＬ層
４３  第二の電極
４４  保護膜
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図１】
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