【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平方向面を定める基板と、
共有ソース領域と、
共有ドレイン領域と、
前記基板上に配置され、前記基板から絶縁されたゲート電極であって、前記ゲート電極は、前記共有ソース領域と前記共有ドレイン領域との間に垂直方向に延伸し、
複数の半導体ナノチューブであって、前記各々の半導体ナノチューブは、前記共有ソース領域に物理的に及び電気的に結合した第１の端と、前記共有ドレイン領域に物理的に及び電気的に結合した第２の端と、及びチャネル領域とを含み、前記チャネル領域は前記共有ソース領域と前記共有ドレイン領域との間を前記ゲート電極に垂直に延伸し、かつ前記チャネル領域は前記ゲート電極から電気的に絶縁されており、更に、前記ゲート電極は制御電圧を印加されることにより、前記共有ソース領域及び前記共有ドレイン領域の間で、前記各々の半導体ナノチューブのチャネル領域を流れる電流を調整するようにされている、前記複数の半導体ナノチューブとを備える、半導体デバイス構造体。
【請求項２】
前記ソースが、前記少なくとも１つの半導体ナノチューブを成長させるのに有効な触媒材料から成る、請求項１に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項３】
前記ドレインが、前記少なくとも１つの半導体ナノチューブを成長させるのに有効な触媒材料から成る、請求項１に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項４】
前記ドレインを前記ゲート電極から電気的に絶縁するための、該ドレインと該ゲート電極との間に配置された絶縁層をさらに備える、請求項１に記載の半導体デバイス構造体
【請求項５】
前記ソースを前記ゲート電極から電気的に絶縁するための、該ソースと該ゲート電極との間に配置された絶縁層をさらに備える、請求項１に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項６】
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブが、配列された炭素原子で構成されている、請求項１に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項７】
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブが、前記水平方向面に対してほぼ垂直に配向される、請求項１に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項８】
前記ゲート誘電体が、前記少なくとも１つの半導体ナノチューブ上に配置される、請求項１に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項９】
半導体デバイス構造体を形成する方法であって、
基板上に導電性パッドを形成するステップと、
前記導電性パッドに電気的に結合された第１端部と第２の自由端部との間に、該導電性パッドからほぼ垂直方向に延びる少なくとも１つの半導体ナノチューブを成長させるステップと、
ゲート誘電体を用いて前記少なくとも１つの半導体ナノチューブを電気的に絶縁するステップと、
ゲート電極を通って垂直方向に延びる前記少なくとも１つの半導体ナノチューブを用いて、前記導電性パッドから電気的に絶縁され、かつ、該導電性パッドの上にあるゲート電極を形成するステップと、
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブの前記第２端部に電気的に結合され、かつ、前記ゲート電極から電気的に絶縁されたコンタクトを形成するステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブを電気的に絶縁する前記ステップが、該少なくとも１つの半導体ナノチューブを前記ゲート誘電体の内部に包み込むステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記コンタクトを形成する前記ステップが、
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブの前記自由端部から前記ゲート誘電体を除去するステップと、
前記コンタクトとして作動する金属構造を形成するステップと
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ゲート電極上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層を凹ませ、前記少なくとも１つの半導体ナノチューブの前記自由端部を露出させるステップと
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブがカーボン・ナノチューブであり、前記導電性パッドが、カーボン・ナノチューブを成長させるのに適した触媒材料で作られており、該少なくとも１つの半導体ナノチューブを成長させるステップが、半導体分子構造を有する前記カーボン・ナノチューブに炭素原子を組み込むのに有効な条件下で、前記導電性パッドを炭素質反応物質に露出させるステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブを成長させる前記ステップが、化学気相成長技術によって前記少なくとも１つの半導体ナノチューブを成長させるステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブの前記自由端部が、前記コンタクトを構成する金属内に突出する、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブが、配列された炭素原子によって特徴付けられる、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブが、制御電圧を前記ゲート電極に印加することによって調整されるチャネルを有する電界効果トランジスタのチャネル領域を定める、請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
前記ゲート電極を形成する前記ステップが、
前記導電性パッド上に絶縁層を適用するステップと、
前記絶縁層を覆うように導電層を適用するステップと、
前記導電層をパターン加工し、前記ゲート電極を定めるステップとを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１９】
前記コンタクトを形成する前記ステップが、
前記絶縁層を凹ませ、前記少なくとも１つの半導体ナノチューブの前記自由端部を露出させるステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブの前記自由端部から前記ゲート誘電体を除去するステップと、
前記コンタクトとして作動する金属構造を形成するステップと
を更に含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの半導体ナノチューブは、制御電圧を前記ゲート電極に印加することによってチャネルを通る電流の流れが調整されるようになったチャネルを有する電界効果トランジスタのチャネル領域を定める、請求項９に記載の方法。
【請求項２２】
前記導電性パッドからほぼ垂直方向に延びる少なくとも１つの導電性ナノチューブを成長させるステップと、
前記ゲート電極を形成する前に、前記少なくとも１つの導電性ナノチューブを破壊するステップとを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項２３】
基板と、
前記基板上に配置された導電性の第１プレートと、
前記第１プレートの上に垂直方向に配置された導電性の第２プレートと、
前記第１及び第２のプレートの間に配置された導電性層と、
前記第１プレートから垂直方向に突出する、該第１プレートに電気的に結合された少なくとも１つのナノチューブであって、前記第１のプレートの有効領域を増加させ、前記導電性層内に配置された、前記少なくとも一つのナノチューブと、
前記第２プレートを前記第１プレート及び前記少なくとも１つのカーボン・ナノチューブから電気的に絶縁する誘電体層とを備える、半導体デバイス構造体。
【請求項２４】
前記少なくとも１つのナノチューブが導電性分子構造を有する、請求項２３に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項２５】
前記少なくとも１つのナノチューブが半導体分子構造を有する、請求項２３に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項２６】
前記誘電体層が、前記少なくとも１つのナノチューブを包み込むコーティングを定める、請求項２３に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項２７】
半導体デバイス構造体を形成する方法であって、
基板上に導電性の第１プレートを形成するステップと、
前記第１プレートに電気的に結合され、該第１プレートからほぼ垂直方向に延びるように少なくとも１つのナノチューブを成長させるステップと、
前記少なくとも１つのナノチューブ及び前記第１プレートを誘電体層で覆うステップと、  前記少なくとも１つのナノチューブ及び前記第１プレートから前記誘電体層によって電気的に絶縁される第２プレートを、該第１プレートの上に形成するステップとを含む方法。
【請求項２８】
前記少なくとも１つのナノチューブが導電性分子構造を有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記少なくとも１つのナノチューブが半導体分子構造を有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記少なくとも１つのナノチューブ及び前記第１のプレートを覆う前記ステップが、前記少なくとも１つのナノチューブを前記誘電体層の内部に包み込むステップを含む、請求項２７に記載の方法。